(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、それぞれ下部電極、有機膜および上部電極の積層構造で形成された青色発光領域、緑色発光領域および赤色発光領域からなる複数の画素を含み、
前記青色発光領域および緑色発光領域は共振構造で形成され、前記赤色発光領域は非共振構造で形成され、
前記赤色発光領域に色変換層を含まない、有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記赤色発光領域の前記下部電極は、透明導電膜の単一層または多重膜構造で形成される、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記青色発光領域および前記緑色発光領域の前記下部電極は、第１透明導電膜、半透過金属膜および第２透明導電膜の積層構造で形成される、請求項１または２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第１透明導電膜は５０〜１５０ｎｍの厚さに形成され、前記第２透明導電膜は１０〜２０ｎｍの厚さに形成される、請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記半透過金属膜は５〜２０ｎｍの厚さに形成される、請求項３または４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記有機膜は５０〜６０ｎｍの厚さに形成される、請求項１〜５のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記青色発光領域、前記緑色発光領域および前記赤色発光領域に形成される前記有機膜は、それぞれ青色発光層、緑色発光層および赤色発光層を含む、請求項１〜６のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層および電子注入層からなる群より選択される一つ以上をさらに含む、請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記正孔注入層および正孔輸送層は１９〜３６ｎｍの厚さに形成される、請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記赤色発光領域の前記有機膜は、前記赤色発光層の厚さから最大６０ｎｍの厚さに形成される、請求項１〜９のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記赤色発光領域の前記有機膜は、前記赤色発光層の厚さが３３．６〜３５．６ｎｍである、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
青色発光領域、緑色発光領域および赤色発光領域がそれぞれ定義された複数の発光領域を備えた基板と、
前記青色発光領域および前記緑色発光領域に形成され、第１透明導電膜、半透過金属膜および第２透明導電膜の積層構造で形成される下部電極と、
前記赤色発光領域に形成され、透明導電膜で形成される下部電極と、
を含み、
前記赤色発光領域に色変換層を含まない、有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記下部電極上に有機膜および上部電極がさらに形成される、請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１透明導電膜は５０〜１５０ｎｍの厚さに形成され、前記第２透明導電膜は１０〜２０ｎｍの厚さに形成される、請求項１２または１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記半透過金属膜は５〜２０ｎｍの厚さに形成される、請求項１２〜１４のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記有機膜は５０〜６０ｎｍの厚さに形成される、請求項１３〜１５のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記青色発光領域、前記緑色発光領域および前記赤色発光領域に形成される有機膜は、それぞれ青色発光層、緑色発光層および赤色発光層を含む、請求項１３〜１６のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記有機膜は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層および電子注入層からなる群より選択される一つ以上をさらに含む、請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記正孔注入層および正孔輸送層は１９〜３６ｎｍの厚さに形成される、請求項１８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記赤色発光領域の前記有機膜は、前記赤色発光層の厚さから最大６０ｎｍの厚さに形成される、請求項１３〜１９のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
前記赤色発光領域の前記有機膜は、前記赤色発光層の厚さが３３．６〜３５．６ｎｍである、請求項１３〜２０のいずれか一つに記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関し、フルカラーを実現すると共に、発光領域の有機膜の厚さを均一にすることができる有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置のうちの電界発光素子は、蛍光体に一定以上の電場がかかれば光が発生する電界発光（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）現象を利用したものであって、発光層形成物質によって無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに区分され、有機電界発光素子は青色をはじめとする可視光線のすべての領域の光が出るので、表示素子として注目されており、高い輝度と低い駆動電圧の特性を有する。
【０００３】
有機電界発光素子は、複数のスキャンラインとこれとは垂直な方向に形成される複数のデータラインとによって定義される画素領域がそれぞれ赤色、緑色、青色を実現することによって、フルカラー（Ｆｕｌｌ−ｃｏｌｏｒ）平板表示装置を構成することができる。
【０００４】
一般的な有機電界発光素子は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を実現するようにそれぞれ赤色画素領域、緑色画素領域および青色画素領域を備えている基板上部に、それぞれ所定のパターンの第１電極層が形成されている。
【０００５】
第１電極層上部には、発光層を含む有機膜が形成され、有機膜は、発光層以外に正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層を含むことができる。有機膜上部には基板全面にわたって第２電極層が形成される。
【０００６】
この時、有機膜を形成する方法としては、蒸着法、インクジェット方式、レーザー熱転写方法などがある。
【０００７】
一方、大面積での色再現率を高めるために弱共振させるが、この時、第１電極をＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造で形成して、一部のみを透過し一部は共振させる方法を使用している。
【０００８】
この時、赤色領域が青色領域および緑色領域よりも長い波長の光を放出するので、共振させるためには、青色領域および緑色領域の有機膜の厚さよりも赤色領域の有機膜の厚さを厚く形成しなければならないという問題点が発生する。したがって、各発光領域に形成された有機膜の厚さが不均一になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２００３−００９６０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、フルカラーを実現すると共に、青色発光領域、緑色発光領域および赤色発光領域の有機膜の厚さを均一することができる有機電界発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の本発明の目的は、基板上に、それぞれ下部電極、有機膜および上部電極の積層構造で形成された青色発光領域、緑色発光領域および赤色発光領域からなる複数の画素を含み、前記青色発光領域および緑色発光領域は共振構造で形成され、前記赤色発光領域は非共振構造で形成され、前記赤色発光領域に色変換層を含まない、有機電界発光表示装置によって達成される。
【００１２】
また、本発明の目的は、青色発光領域、緑色発光領域および赤色発光領域がそれぞれ定義された複数の発光領域を備えた基板と、前記青色発光領域および前記緑色発光領域に形成され、第１透明導電膜、半透過金属膜および第２透明導電膜の積層構造で形成される下部電極と、前記赤色発光領域に形成され、透明導電膜で形成される下部電極と、を含み、前記赤色発光領域に色変換層を含まない、有機電界発光表示装置によって達成される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、青色発光領域および緑色発光領域は共振構造で形成し、赤色発光領域は非共振構造で形成することによって、赤色発光領域の有機膜の厚さを青色発光領域および緑色発光領域の厚さと同等の厚さに調節することができる。このためフルカラーを実現すると共に、各発光領域の有機膜の厚さを均一することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２Ａ】青色発光領域の下部電極および有機膜の構造を具体的に示す断面図である。
【図２Ｂ】緑色発光領域の下部電極および有機膜の構造を具体的に示す断面図である。
【図２Ｃ】赤色発光領域の下部電極および有機膜の構造を具体的に示す断面図である。
【図３】赤色発光領域が非共振構造で形成された場合の色再現率を説明するためのＣＩＥ系色座標である。
【図４】赤色発光領域が非共振構造で形成された場合の色再現率を説明するためのＣＩＥ系色座標である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、好ましい実施形態を示した図面を参照して、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を説明する。
【００１６】
本実施形態の有機電界発光表示装置は、概略、基板上に青色、緑色および赤色発光領域として定義されている複数の画素を有し、青色、緑色および赤色発光領域は、それぞれ下部電極、有機膜および上部電極の積層構造で形成されている。本実施形態では能動型（アクティブ型）有機電界発光表示装置を例に挙げて説明するが、受動型（パッシブ型）有機電界発光表示装置にも同一に適用可能である。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の断面図であり、図２Ａは、青色発光領域の下部電極および有機膜の構造を具体的に示す断面図であり、図２Ｂは、緑色発光領域の下部電極および有機膜の構造を具体的に示す断面図であり、図２Ｃは、赤色発光領域の下部電極および有機膜の構造を具体的に示す断面図である。
【００１８】
図１を参照すれば、基板２００上の全面にバッファー層２１０を形成し、バッファー層２１０上にＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤなどの蒸着方法を通して非晶質シリコン層を形成する。基板２００は、たとえばガラス、石英、サファイアなどの絶縁基板が用いられる。このバッファー層２１０は、基板２００から拡散された不純物によって非晶質シリコン層が汚染されることを防止する。
【００１９】
前記非晶質シリコン層を通常の結晶化方法である、たとえばＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  ＬａｓｅｒＡｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などの方法を使用して結晶化し、写真蝕刻工程によってパターニングして単位画素内の薄膜トランジスター領域に半導体層２２０を形成する。
【００２０】
その後、前記半導体層２２０を含む基板２００全面にゲート絶縁膜２３０を形成する。前記ゲート絶縁膜２３０は、たとえばシリコン酸化物、シリコン窒化物、またはそれらの積層構造物として形成される。
【００２１】
その後、前記ゲート絶縁膜２３０上部にゲート電極物質を塗布した後、エッチングしてパターニングされたゲート電極２４０を形成し、ゲート電極２４０は半導体層２２０と一部重なるように形成され、ゲート電極２４０と重なる半導体層２２０の領域はチャンネル領域と定義される。
【００２２】
ゲート電極物質は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）のようなアルミニウム合金の単一層やクロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）合金上にアルミニウム合金が積層された多重層で形成される。
【００２３】
次に、全体表面上部に層間絶縁膜２５０を形成する。一般に層間絶縁膜２５０はシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を使用することができる。
【００２４】
次に、層間絶縁膜２５０上に金属膜（図示せず）を形成した後、パターニングしてソース／ドレイン電極２６０ａ、２６０ｂを形成し、ソース／ドレイン電極２６０ａ、２６０ｂはゲート絶縁膜２３０および層間絶縁膜２５０の一部をエッチングして形成されたコンタクトホールを通して半導体層２２０のソース領域およびドレイン領域と接続される。
【００２５】
前記金属膜は、たとえばＭｏ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、ＡｇおよびＡｇ合金などからなる群より選択される一つの物質で単一層を形成したり、配線抵抗を減少させるために低抵抗物質であるＭｏ、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇの２層構造またはそれ以上の多重膜構造からなる群より選択される一つの積層構造で形成しても良い。
【００２６】
その後、全体表面上部にシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはその積層構造を所定の厚さに蒸着して保護膜２７０を形成した後、前記保護膜２７０上に平坦化膜２８０を形成する。平坦化膜２８０は、たとえばポリアミド、ベンゾシクロブテン系樹脂およびアクリレートからなる群より選択されるいずれか一つから形成される。
【００２７】
その後、前記保護膜２７０および平坦化膜２８０の一部をエッチングしてソース／ドレイン電極２６０ａ、２６０ｂのうちのいずれか一つを露出させるビアホールを形成し、平坦化膜２８０上に形成される下部電極２９０がビアホールを通して露出されるソース／ドレイン電極２６０ａ、２６０ｂのうちの一つと接続する。
【００２８】
前記下部電極２９０は、青色発光領域（ａ）、緑色発光領域（ｂ）、赤色発光領域（ｃ）にそれぞれ形成され、発光領域が形成される位置は制限されない。
【００２９】
平坦化膜２８０上および下部電極２９０上には画素定義膜２９５が形成されている。画素定義膜２９５は、下部電極２９０の上部に開口部を有する。そして、この開口部を通して下部電極２９０と接続されるように、下部電極２９０上に有機膜３００が形成される。
【００３０】
前記画素定義膜２９５は、たとえばポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ＳＯＧ（ｓｐｏｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）およびアクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）からなる群より選択される１種の物質で形成される。
【００３１】
その後、基板２００全面に上部電極３１０を形成して有機電界発光素子を完成する。前記上部電極３１０は、たとえばＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇおよびこれらの合金からなる群より選択されるいずれか一つの物質で形成される。
【００３２】
図２Ａを参照すれば、青色発光領域（ａ）に形成される前記下部電極２９０は、第１透明導電膜２９０ａ、半透過金属膜２９０ｃおよび第２透明導電膜２９０ｂを順次に積層して形成され、前記有機膜３００は前記下部電極２９０上に形成される。
【００３３】
前記第１および第２透明導電膜２９０ａ、２９０ｂは、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  ＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｔｏ（Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）およびＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される一つで形成される。前記第１透明導電膜２９０ａは実質的にアノード電極として役割を果たし、第２透明導電膜２９０ｂは仕事関数を合わせて下部電極２９０を完成する。
【００３４】
前記第１透明導電膜２９０ａは、５０〜１５０ｎｍの厚さ内で青色、緑色、赤色の光効率が良いため、前記第１透明導電膜２９０ａは５０〜１５０ｎｍの厚さで形成することが好ましい。
【００３５】
前記第２透明導電膜２９０ｂは、アノード電極の役割を十分に行うことができるように１０ｎｍ以上に形成し、有機発光層で発生する光の共振効果を最大化するために有機膜の厚さと共に考慮されるので、好ましくは３０ｎｍ以下に形成する。
【００３６】
前記半透過金属膜２９０ｃは、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｎｉ、ＰｔおよびＰｄの中で選択されるいずれか一つで形成され、薄すぎれば金属電極としての役割を遂行することに困難があり、厚すぎれば光の透過に困難があるので、好ましくは５〜２０ｎｍの厚さに形成する。
【００３７】
前記有機膜３００は、青色発光層３０３ａを含み、青色発光層３０３ａ以外に下部電極２９０と青色発光層３０３ａとの間に位置する正孔注入層３０１、正孔輸送層３０２、青色発光層３０３ａ上に位置する正孔抑制層３０４、および電子注入層３０５からなる群より選択される一つ以上をさらに含むことができる。この時、前記有機膜３００は発光輝度と色再現率を考慮して５０〜６０ｎｍの厚さに形成されることが好ましい。
【００３８】
この時、下部電極２９０と青色発光層３０３ａとの間の正孔注入層３０１および正孔輸送層３０２の厚さは、共振効果を最大化させて青色の発光輝度と色再現率を高めるために、１９〜３６ｎｍの厚さに形成することが好ましい。
【００３９】
図２Ｂを参照すれば、緑色発光領域（ｂ）に形成される下部電極２９０は、第１透明導電膜２９０ａ、半透過金属膜２９０ｃおよび第２透明導電膜２９０ｂを順次に積層して下部電極２９０を形成し、下部電極２９０上に有機膜３００を形成する。
【００４０】
前記第１および第２透明導電膜２９０ａ、２９０ｂは、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｔｏ（Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）およびＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される一つで形成される。前記第１透明導電膜２９０ａは実質的にアノード電極として役割を果たし、第２透明導電膜２９０ｂは仕事関数を合わせて下部電極２９０を完成する。
【００４１】
第１透明導電膜２９０ａは、５０〜１５０ｎｍの厚さ内で青色、緑色、赤色の光効率が良いので、第１透明導電膜２９０ａは５０〜１５０ｎｍの厚さに形成することが好ましい。
【００４２】
第２透明導電膜２９０ｂは、アノード電極の役割を十分に行うことができるように１０ｎｍ以上に形成し、有機発光層で発生する光の共振効果を最大化するために有機膜の厚さと共に考慮されるので、好ましくは３０ｎｍ以下に形成する。
【００４３】
前記半透過金属膜２９０ｃは、たとえばＡｇ、Ａｌ、Ｎｉ、ＰｔおよびＰｄの中で選択されるいずれか一つで形成され、薄すぎれば金属電極としての役割を遂行することに困難があり、厚すぎれば光の透過に困難があるので、好ましくは５〜２０ｎｍの厚さに形成する。
【００４４】
前記有機膜３００は、緑色発光層３０３ｂを含み、緑色発光層３０３ｂ以外に下部電極２９０と緑発光層３０３ｂとの間に位置する正孔注入層３０１、正孔輸送層３０２、緑色発光層３０３ｂ上に位置する正孔抑制層３０４、および電子注入層３０５からなる群より選択される一つ以上をさらに含むことができる。この時、前記有機膜３００は、発光輝度と色再現率を考慮して５０〜６０ｎｍの厚さに形成されることが好ましい。
【００４５】
この時、下部電極２９０と緑色発光層３０３ｂとの間の正孔注入層３０１と正孔輸送層３０２の厚さは、共振効果を最大化させて緑色の発光輝度と色再現率を高めるために、１９〜３６ｎｍの厚さに形成することが好ましい。
【００４６】
図２Ｃを参照すれば、赤色発光領域（ｃ）に形成される下部電極２９０は透明導電膜で形成され、下部電極２９０上に有機膜３００を形成する。前記下部電極２９０は透明導電膜の単一層または多重膜構造で形成されても良く、前記透明導電膜は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｔｏ（Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）およびＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択される一つで形成される。前記下部電極２９０はアノード電極として役割を果たす。
【００４７】
下部電極２９０の厚さは、発光輝度と色再現率を高めるために、有機膜３００の厚さと共に考慮されて決定される。
【００４８】
有機膜３００は赤色発光層３０３ｃを含み、下部電極２９０と赤色発光層３０３ｃとの間に位置する正孔注入層３０１、正孔輸送層３０２、赤色発光層３０３ｃ上に位置する正孔抑制層３０４、および電子注入層３０５からなる群より選択される一つ以上をさらに含むことができる。この場合、前記有機膜３００は、発光輝度、色再現率、青色発光領域および緑色発光領域の有機膜の厚さなどを考慮して５０〜６０ｎｍの厚さに形成されることが好ましい。
【００４９】
また、赤色発光領域は赤色発光層のみからなるように形成してもよい。これは赤色の場合、赤色発光領域を赤色発光層のみで形成しても十分に色再現率を満たすことができるためである。この場合も、有機膜３００の厚さは、青色発光領域および緑色発光領域の有機膜の厚さを考慮してから６０ｎｍの厚さに形成するが、これに限定されない。ただし、前記赤色発光層は、３３．６〜３５．６ｎｍにした時、発光効率と色再現率に優れているが、これより厚く、赤色発光層単独で６０ｎｍまで厚くしても問題はない。
【００５０】
図２Ａ乃至２Ｃを参照して前述したことによれば、青色発光領域および緑色発光領域に形成されるは、第１透明導電膜／半透過金属膜／第２透明導電膜の構造を有するが、赤色発光領域に位置する下部電極は透明導電膜で形成される。つまり、青色発光領域および緑色発光領域では共振効果を有する共振構造が形成されるが、赤色発光領域では非共振構造が形成される。
【００５１】
したがって、従来技術によれば、共振構造を形成するためには赤色発光領域の有機膜の厚さが青色発光領域および緑色発光領域の有機膜の厚さよりも厚くならなければならなかったが、本実施形態のように、赤色発光領域が非共振構造を形成するようになると、赤色発光領域では、共振構造とするために有機膜を厚く形成する必要がなくなる。これは、共振構造とした場合には、共振を行わせるためにその波長（赤色の波長）により構造物の大きさが制限されていたものが、非共振構造としたことで、そのような制限がなくなるためである。したがって、本実施形態の赤色発光領域では、形成できる有機膜の厚さの自由度が増している。このため赤色発光領域は、有機膜の厚さを従来技術よりも自由に調節することができて、青色発光領域および緑色発光領域の有機膜の厚さと同じになるようにすることができる。これにより、赤色発光領域、青色発光領域および緑色発光領域を全体として均一な厚さにすることができる。なお、赤色発光領域は、有機膜の厚さだけでなく、下部電極２９０の厚さも青色発光領域および緑色発光領域に合わせて、各領域が全体として均一な厚さとなるように調節してもよい。
【００５２】
図３および４は、赤色発光領域が非共振構造で形成された場合の色再現率を説明するためのＣＩＥ系色座標であり、図３は、ＣＩＥＸＹＺ  １９３１による色座標系を示したものであり、図４は、ＣＩＥＬＵＶ  １９７６による色座標系を示したものである。
【００５３】
下記の表１は、図３の色座標系で赤色発光領域を非共振構造で形成した場合（実施例）の色座標、色再現面積および色再現率をＮＴＳＣ（比較例）と比較して示したものであり、下記の表２は、図４の色座標系で赤色発光領域を非共振構造で形成した場合（実施例）の色座標、色再現面積および色再現率をＮＴＳＣ（比較例）と比較して示したものである。
【００５４】
【表１】
0005755948.tif 000002
【００５５】
【表２】
0005755948.tif 000003
【００５６】
前記表１および２で、色再現面積は色表現範囲を示したもので、数字が高いほど色表現範囲が広いことを意味し、色再現率はＮＴＳＣ基準を１００％として本実施形態による実施例の色再現率を相対的に表現した。
【００５７】
図３および表１を参照すれば、赤色発光領域を非共振構造とした場合（実施例）、色再現面積が０．１５９であって、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）基準の場合（比較例）である０．１５８よりも高く、色再現率が１００．７％であって、ＮＴＳＣ基準よりも相対的に高いことが分かる。
【００５８】
また、図４および表２を参照すれば、赤色発光領域を非共振構造とした場合（実施例）、色再現面積が０．０７５であって、ＮＴＳＣ基準の場合（比較例）の０．０７４よりも高く、色再現率が１０１．４％であって、ＮＴＳＣ基準よりも相対的に高いことが分かる。
【００５９】
したがって、本発明のように、赤色発光領域が非共振構造を有しても、色再現率はＮＴＳＣ基準を満たすことが確認できる。
【００６０】
ここで共振素子の場合は、波長に応じる厚さによって赤色画素（Ｒｅｄ  ｐｉｘｅｌ）が最も厚くならなければならないが、ＨＰＳ（ＬＩＴＩ）工程で赤色は緑色よりも厚くて転写品質が低下する問題がある。そこで本発明では、赤色を非共振（ｎｏｎ−ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）素子で作ったものである。赤色を非共振で作成したとしても、色再現率がほとんど同等であることをシミュレーションにより確認できた。結果的に、赤色を非共振素子で作った場合、共振素子で作った場合に比べて、５００Å以上厚さが薄い有機物を転写することができるので、転写品質が良い。
【００６１】
従来技術による共振素子の場合、緑色は厚さ約６００Å、赤色は約１１００Åで転写するが、赤色非共振素子は厚さ５００Å内外で製作できる。このため、緑色に比べて約５００Å以上薄い有機膜で赤色画素構造を作ることができる。
【００６２】
なお、図１に図示されていないが、赤色発光領域の色再現率を高めるために、赤色発光領域にカラーフィルターまたは色変換層を形成することも可能である。
【００６３】
カラーフィルターまたは色変換層は、現在、表示装置分野で一般に使用されるカラーフィルターまたは色変換層を形成する方法を適用して実現でき、赤色発光領域の上部電極３１０上に形成されても良く、図１の基板２００と合着される封止基板（図示せず）上に赤色発光領域と対応するように形成されても良い。
【００６４】
本発明は図面に示された実施形態を参考として説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変更および均等な他の実施形態が可能であることは理解できるだろう。したがって、本発明の技術的保護範囲は添付された特許請求の範囲の技術的な思想により定められなければならない。
【符号の説明】
【００６５】
２９０  下部電極、
２９０ａ  第１透明導電膜、
２９０ｂ  第２透明導電膜、
２９０ｃ  半透過金属膜、
３００  有機膜、
３０１  正孔注入層、
３０２  正孔輸送層、
３０３ａ  青色発光層、
３０３ｂ  緑色発光層、
３０３ｃ  赤色発光層、
３０４  正孔抑制層、
３０５  電子注入層。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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