(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材およびバリア層を有するガスバリア性フィルムと、
封止部材と、
前記ガスバリア性フィルムと前記封止部材との間に位置する、有機素子および封止剤層と、
を有し、
前記封止剤層は、硬化後のショアＤ硬度が８０以上である第１の封止剤と、硬化後のショアＤ硬度が５６以上８０未満である第２の封止剤と、を含む、有機エレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
前記第１の封止剤の硬化後の水蒸気透過度が２０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であり、前記第２の封止剤の硬化後の水蒸気透過度が５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である、請求項１に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
前記第２の封止剤は、面方向の中心部に配置され、前記第１の封止剤は前記中心部を囲う外周部に配置される、請求項１または２に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
前記外周部の外側に、さらに前記第２の封止剤が配置される、請求項３に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記封止部材は、金属または金属化合物を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記バリア層は、無機層と有機層との積層体である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記第１の封止剤は、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂の少なくとも一方を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
前記第２の封止剤は、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、およびポリ塩化ビニリデン樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロニクスデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）、有機太陽電池、有機トランジスタ、無機エレクトロルミネッセンス素子、無機太陽電池（例えばＣＩＧＳ太陽電池）等の電子デバイスは、使用環境中に存在する酸素および水分に敏感である。このため、電子デバイスを酸素および水分から保護するための、封止方法が数多く提案されており、ガラスまたは金属を用いたバリア性基材を使って封止する方法が実用化されている。これに対して、近年、電子デバイスの普及に伴い、軽量化、屈曲性、割れ防止による可搬性の向上、曲面への追従性による設置場所の拡大、ロール・トゥ・ロール方式の生産による生産コストの低減などが望まれている。このため、基材として、ガラスに代わって可撓性の樹脂基材を用いた電子デバイスが提案されている（特許文献１参照）。このような電子デバイスでは、酸素や水分に対して十分なバリア性能を有する可撓性バリアフィルム、前記可撓性バリアフィルムの少なくとも一部を接着する接着剤、および必要に応じてバリアフィルムに囲まれた電子デバイス近傍に設けられる酸素、水分吸収材から構成されている。
【０００３】
一般に、電子デバイスに使用可能なバリアフィルムは、プラスチック基板表面に、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化珪素等の金属酸化物の薄膜を成膜してバリア層を形成する。成膜方法としては、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）に代表される有機珪素化合物を用いて、減圧下で酸素プラズマ酸化しながら基板上に成長させる化学堆積法（プラズマＣＶＤ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、特許文献２参照）や、半導体レーザーを用いて金属Ｓｉを蒸発させ、酸素の存在下で基板上に堆積する物理堆積法（例えば、真空蒸着法やスパッタリング法など。特許文献３〜５参照）といった気相法が知られている。
【０００４】
上記の気相法に対して、気相法ではあるが、原子相成長法または原子層堆積法（以下、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法とも称する）で形成された無機膜は欠陥が少なく、良好なガスバリア性が得られるとされている。
【０００５】
また、上記のような気相法によらないガスバリア層の形成方法の一つとして、基材上に無機前駆体化合物の溶液を塗布し、乾燥して形成した塗布層を、熱や光によって改質することでガスバリア性を向上させる検討がなされており、特に、無機前駆体化合物としてポリシラザンを用いることで、高度なガスバリア性を発現させようとする検討もなされている（特許文献６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００９／０８６０９５号
【特許文献２】特開２００９−１０１５４８号公報
【特許文献３】国際公開第２０１２／００３１９８号
【特許文献４】国際公開第２０１１／０１３３４１号
【特許文献５】特開２００７−７３３３２号公報
【特許文献６】特開２０１１−１９４３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような従来のバリアフィルムを用いて電子素子を封止する場合、接着剤や封止剤が用いられるが、バリアフィルムが有するバリア層は非常に緻密な構造になっているために、電子素子とバリアフィルムとの接着部の耐久性が低く、電子デバイスの耐久性が低下するという問題があった。特に、可撓性を有するバリアフィルムの場合、繰り返しの屈曲に対しての接着部の耐久性が低いという問題があった。
【０００８】
さらに、酸素や水分の透過度を小さくするために、接着剤の架橋密度が高くし、フィラー等の添加量を多くした場合、その傾向が顕著になっていた。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、耐久性に優れた有機エレクトロニクスデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記の課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、硬化後のショアＤ硬度が８０以上である第１の封止剤と、硬化後のショアＤ硬度が８０未満である第２の封止剤とを含む封止剤層を、ガスバリア性フィルムと封止部材との間に設けることにより、上記課題が解決することを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、上記目的は、以下の構成によって達成される。
【００１２】
１．基材およびバリア層を有するガスバリア性フィルムと、封止部材と、前記ガスバリア性フィルムと前記封止部材との間に位置する、有機素子および封止剤層と、を有し、前記封止剤層は、硬化後のショアＤ硬度が８０以上である第１の封止剤と、硬化後のショアＤ硬度が８０未満である第２の封止剤と、を含む、有機エレクトロニクスデバイス。
【００１３】
２．前記第１の封止剤の硬化後の水蒸気透過度が２０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であり、前記第２の封止剤の硬化後の水蒸気透過度が５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である、上記１．に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【００１４】
３．前記第２の封止剤は、面方向の中心部に配置され、前記第１の封止剤は前記中心部を囲う外周部に配置される、上記１．または２．に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【００１５】
４．前記外周部の外側に、さらに前記第２の封止剤が配置される、上記３．に記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【００１６】
５．前記封止部材は、金属または金属化合物を含む、上記１．〜４．のいずれか１つに記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【００１７】
６．前記バリア層は、ポリシラザンを含む層を改質処理して形成される、上記１．〜５．のいずれか１つに記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【００１８】
７．前記バリア層は、無機層と有機層との積層体である、上記１．〜５．のいずれか１つに記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【００１９】
８．前記第１の封止剤は、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂の少なくとも一方を含む、上記１．〜７．のいずれか１つに記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【００２０】
９．前記第２の封止剤は、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、およびポリ塩化ビニリデン樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含む、上記１．〜８．のいずれか１つに記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【００２１】
１０．前記封止剤層は、液晶滴下工法により形成される、上記１．〜９．のいずれか１つに記載の有機エレクトロニクスデバイス。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、耐久性に優れた有機エレクトロニクスデバイスが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による有機エレクトロニクスデバイスを示す断面概略図である。
【図２】封止剤の面方向の配置形態の一例を示す模式図である。
【図３】真空紫外線照射装置の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明は、基材およびバリア層を有するガスバリア性フィルムと、封止部材と、前記ガスバリア性フィルムと前記封止部材との間に位置する、有機素子および封止剤層と、を有し、前記封止剤層は、硬化後のショアＤ硬度が８０以上である第１の封止剤と、硬化後のショアＤ硬度が８０未満である第２の封止剤と、を含む、有機エレクトロニクスデバイスに関する。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態による有機エレクトロニクスデバイスを示す断面概略図である。図１に示す有機エレクトロニクスデバイス１０は、基材１１およびバリア層１２を有するガスバリア性フィルムと封止部材１５との間に、有機素子１３および封止剤層１４とを有する。
【００２６】
封止剤層１４は、硬化後のショアＤ硬度が８０以上である第１の封止剤と、硬化後のショアＤ硬度が８０未満である第２の封止剤と、を含む。硬化後のショアＤ硬度が高い前記第１の封止剤は、主にガスバリア性を向上させる役割を果たし、硬化後のショアＤ硬度が低い前記第２の封止剤は、主に接着性を向上させる役割を果たす。このような構成とすることにより、封止剤層のガスバリア性および接着性が共に向上し、耐久性に優れた有機エレクトロニクスデバイスを得ることができる。
【００２７】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
［ガスバリア性フィルム］
本発明に係るガスバリア性フィルムは、基材とバリア層とを有し、必要に応じてその他の層を有する。
【００２９】
本発明に係るガスバリア性フィルムの水蒸気透過度は、６０℃、９０％ＲＨで５×１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、５×１０−４ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることがより好ましく、５×１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることがさらに好ましい。
【００３０】
＜基材＞
本発明に係るガスバリア性フィルムで用いられる基材は、長尺な支持体であって、後述のガスバリア性（単に「バリア性」とも称する）を有するバリア層を保持することができるものであり、下記のような材料で形成されるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００３１】
基材の例としては、例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ナイロン（Ｎｙ）、芳香族ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド等の各樹脂のフィルム、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルム（例えば、製品名Ｓｉｌａ−ＤＥＣ；チッソ株式会社製、および製品名シルプラス（登録商標）；新日鐵化学株式会社製等）、さらには前記樹脂を２層以上積層して構成される樹脂フィルム等を挙げることができる。
【００３２】
コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等が好ましく用いられ、また光学的透明性、耐熱性、バリア層との密着性の点においては、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルムが好ましく用いられる。
【００３３】
一方で、例えば、フレキシブルディスプレイの電子デバイス用途でガスバリア性フィルムを用いる場合、アレイ作製工程でプロセス温度が２００℃を超える場合がある。ロール・トゥ・ロールによる製造の場合、基材には常にある程度の張力が印加されているため、基材が高温下に置かれて基材温度が上昇した際、基材温度がガラス転移点温度を超えると基材の弾性率は急激に低下して張力により基材が伸び、バリア層にダメージを与える懸念がある。したがって、このような用途においては、ガラス転移点が１５０℃以上の耐熱性材料を基材として用いることが好ましい。すなわち、ポリイミドやポリエーテルイミド、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルムを用いることが好ましい。ただし、これらに代表される耐熱性樹脂は非結晶性のため、結晶性のＰＥＴやＰＥＮと比較して吸水率は大きな値となり、湿度による基材の寸法変化がより大きくなって、バリア層にダメージを与える懸念がある。しかし、これらの耐熱性材料を基材として用いたときでも、両面にバリア層を形成することにより、高温高湿の過酷な条件下での基材フィルム自身の吸脱湿による寸法変化を抑制することができ、バリア層へのダメージを抑制することができる。したがって、耐熱性材料を基材として用い、かつ、両面にバリア層を形成することがより好ましい態様のひとつである。
【００３４】
基材の厚さは５〜５００μｍ程度が好ましく、２５〜２５０μｍがより好ましい。
【００３５】
また、基材は透明であることが好ましい。ここでいう基材が透明とは、可視光（４００〜７００ｎｍ）の光透過率が８０％以上であることを示す。
【００３６】
基材が透明であり、基材上に形成するバリア層も透明であることにより、透明なガスバリア性フィルムとすることが可能となるため、有機ＥＬ素子等の透明基板とすることも可能となるからである。
【００３７】
また、上記に挙げた樹脂等を用いた基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。
【００３８】
本発明に係る基材は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の基材を製造することができる。
【００３９】
また、未延伸の基材を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法により、基材の流れ（縦軸）方向、または基材の流れ方向と直角（横軸）方向に延伸することにより延伸基材を製造することができる。
【００４０】
この場合の延伸倍率は、基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向および横軸方向にそれぞれ２倍〜１０倍が好ましい。さらには、延伸フィルムに於いて基板の寸法安定性を向上するために、延伸後の緩和処理をする事が好ましい。
【００４１】
また、本発明に係る基材においては、バリア層を形成する前に、その表面にコロナ処理を施してもよい。
【００４２】
本発明に用いられる基材の表面粗さとしては、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される１０点平均粗さＲｚが１〜５００ｎｍの範囲にあることが好ましく、５〜４００ｎｍの範囲にあることがより好ましく、３００〜３５０ｎｍの範囲にあることがさらに好ましい。
【００４３】
また、基材表面において、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される中心線平均表面粗さ（Ｒａ）が０．５〜１２ｎｍの範囲にあることが好ましく、１〜８ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
【００４４】
＜バリア層＞
本発明で用いられるバリア層の材料としては、特に制限されず、様々な無機バリア材料を使用することができる。無機バリア材料の例としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、セリウム（Ｃｅ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群より選択される少なくとも１種の金属の単体、上記金属の酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物または酸化炭化物等の金属化合物が挙げられる。
【００４５】
前記金属化合物のさらに具体的な例としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオビウム、アルミニウムシリケート（ＳｉＡｌＯｘ）、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、酸窒化アルミニウム、酸窒化ケイ素、酸窒化ホウ素、酸化ホウ化ジルコニウム、酸化ホウ化チタン、およびこれらの複合体等の金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物、金属酸化ホウ化物、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ならびにこれらの組み合わせ等の無機バリア材料が挙げられる。酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、アルミニウムシリケート（ＳｉＡｌＯｘ）、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素およびこれらの組み合わせは、特に好ましい無機バリア材料である。ＩＴＯは、それぞれの元素成分を適切に選択することによって導電性になり得るセラミック材料の特殊部材の一例である。
【００４６】
バリア層の形成方法は、特に制限されず、例えば、スパッタリング法（例えば、マグネトロンカソードスパッタリング、平板マグネトロンスパッタリング、２極ＡＣ平板マグネトロンスパッタリング、２極ＡＣ回転マグネトロンスパッタリングなど）、蒸着法（例えば、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、プラズマ支援蒸着など）、熱ＣＶＤ法、触媒化学気相成長法（Ｃａｔ−ＣＶＤ）、容量結合プラズマＣＶＤ法（ＣＣＰ−ＣＶＤ）、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、エピタキシャル成長法、原子層成長法、反応性スパッタ法等の化学蒸着法等が挙げられる。
【００４７】
また、前記バリア層は、有機ポリマーを含む有機層を含んでいてもよい。すなわち、前記バリア層は、上記無機バリア材料を含む無機層と有機層との積層体であってもよい。
【００４８】
有機層は、例えば、有機モノマーまたは有機オリゴマーを基材に塗布し、層を形成し、続いて例えば、電子ビーム装置、ＵＶ光源、放電装置、またはその他の好適な装置を使用して重合および必要に応じて架橋することにより形成することができる。また、例えば、フラッシュ蒸発および放射線架橋可能な有機モノマーまたは有機オリゴマーを蒸着した後、前記有機モノマーまたは前記有機オリゴマーからポリマーを形成することによっても、有機層は形成されうる。コーティング効率は、基材を冷却することにより改善され得る。有機モノマーまたは有機オリゴマーの塗布方法としては、例えば、ロールコーティング（例えば、グラビアロールコーティング）、スプレーコーティング（例えば、静電スプレーコーティング）等が挙げられる。また、無機層と有機層との積層体の例としては、例えば、国際公開第２０１２／００３１９８号、国際公開第２０１１／０１３３４１号に記載の積層体などが挙げられる。
【００４９】
無機層と有機層との積層体である場合、各層の厚さは同じでもよいし異なっていてもよい。無機層の厚さは、好ましくは３〜１０００ｎｍ、より好ましくは１０〜３００ｎｍである。有機層の厚さは、好ましくは１００ｎｍ〜１００μｍ、より好ましくは１μｍ〜５０μｍである。
【００５０】
さらに、ポリシラザン、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）などの無機前駆体を含む塗布液を基材上にウェットコーティングした後真空紫外光の照射などにより改質処理を行い、バリア層を形成する方法や、樹脂基材への金属めっき、金属箔と樹脂基材とを接着させる等のフィルム金属化技術などによっても、バリア層は形成される。
【００５１】
高いバリア性と本発明の効果をより効果的に得るという観点から、前記バリア層は、ポリシラザンを含む層を改質処理して形成されるか、または無機層と有機層との積層体であることが好ましい。
【００５２】
以下、ポリシラザンを含む層を改質処理して形成されるバリア層について、詳細に説明する。
【００５３】
（ポリシラザン）
本発明に係るバリア層の形成に用いられるポリシラザンとは、珪素−窒素結合を有するポリマーであり、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ等の結合を有するＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、および両方の中間固溶体ＳｉＯｘＮｙ等のセラミック前駆体無機ポリマーである。
【００５４】
【化１】
0005835083.tif 000002
【００５５】
前記一般式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、各々水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基を表す。この際、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ、同じであってもあるいは異なるものであってもよい。
【００５６】
また、上記一般式（Ｉ）において、ｎは、整数であり、一般式（Ｉ）で表される構造を有するポリシラザンが１５０〜１５０，０００ｇ／モルの数平均分子量を有するように定められることが好ましい。
【００５７】
本発明では、得られるバリア層の膜としての緻密性の観点からは、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンが特に好ましい。
【００５８】
パーヒドロポリシラザンは、直鎖構造と６および８員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は数平均分子量（Ｍｎ）で約６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）であり、液体または固体の物質であり、分子量により異なる。
【００５９】
ポリシラザンは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままポリシラザン層形成用塗布液として使用することができる。ポリシラザン溶液の市販品としては、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のアクアミカ（登録商標）  ＮＮ１２０−１０、ＮＮ１２０−２０、ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＮ３１０、ＮＮ３２０、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１２０−２０、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０、ＳＰ１４０等が挙げられる。
【００６０】
ポリシラザンを含有する塗布液（以下、単にポリシラザン含有塗布液とも称する）を調製するための溶剤としては、ポリシラザンを溶解できるものであれば特に制限されないが、ポリシラザンと容易に反応してしまう水および反応性基（例えば、ヒドロキシル基、あるいはアミン基等）を含まず、ポリシラザンに対して不活性の有機溶剤が好ましく、非プロトン性の有機溶剤がより好ましい。具体的には、ポリシラザン含有塗布液を調製するための溶剤としては、非プロトン性溶剤；例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒；塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類：例えば、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル、モノ−およびポリアルキレングリコールジアルキルエーテル（ジグライム類）などを挙げることができる。上記溶剤は、ポリシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速度等の目的にあわせて選択され、単独で使用されてもあるいは２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
【００６１】
ポリシラザン含有塗布液におけるポリシラザンの濃度は、目的とするバリア層の膜厚や塗布液のポットライフによっても異なるが、０．２〜３５質量％程度である。
【００６２】
ポリシラザン含有塗布液は、酸窒化ケイ素への変性を促進するために、ポリシラザンとともに触媒を含有することが好ましい。本発明に適用可能な触媒としては、塩基性触媒が好ましく、特に、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、３−モルホリノプロピルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン等のアミン触媒、Ｐｔアセチルアセトナート等のＰｔ化合物、プロピオン酸Ｐｄ等のＰｄ化合物、Ｒｈアセチルアセトナート等のＲｈ化合物等の金属触媒、Ｎ−複素環式化合物が挙げられる。これらのうち、アミン触媒を用いることが好ましい。この際添加する触媒の濃度としては、ポリシラザンを基準としたとき、好ましくは０．１〜１０質量％、より好ましくは０．２〜５質量％、さらに好ましくは０．５〜２質量％の範囲である（実施例１質量％）。触媒添加量をこの範囲とすることで、反応の急激な進行よる過剰なシラノール形成、および膜密度の低下、膜欠陥の増大などを避けることができる。
【００６３】
本発明に係るポリシラザン含有塗布液には、必要に応じて下記に挙げる添加剤を用いることができる。例えば、セルロースエーテル類、セルロースエステル類；例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセトブチレート等、天然樹脂；例えば、ゴム、ロジン樹脂等、合成樹脂；例えば、重合樹脂等、縮合樹脂；例えば、アミノプラスト、特に尿素樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステルもしくは変性ポリエステル、エポキシド、ポリイソシアネートもしくはブロック化ポリイソシアネート、ポリシロキサン等である。
【００６４】
ポリシラザン含有塗布液を塗布する方法としては、従来公知の適切な湿式塗布方法が採用され得る。具体例としては、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。
【００６５】
塗布厚さは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、塗布厚さは、乾燥後の厚さが１０ｎｍ〜１０μｍ程度であることが好ましく、１５ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、２０〜５００ｎｍであることがさらに好ましい。ポリシラザン層の膜厚が１０ｎｍ以上であれば十分なバリア性を得ることができ、１０μｍ以下であれば、ポリシラザン層形成時に安定した塗布性を得ることができ、かつ高い光線透過性を実現できる。
【００６６】
（改質処理）
改質処理の方法としては、基材上にポリシラザンを含有する塗布液を塗布してポリシラザンを含む層（塗膜）を形成した後、該塗膜に２００ｎｍ以下の波長の真空紫外線を照射する方法が好ましい。
【００６７】
ここで、真空紫外線照射工程でポリシラザンを含む塗膜が改質され、ＳｉＯｘＮｙの特定組成となる推定メカニズムを、パーヒドロポリシラザンを例にとって説明する。
【００６８】
パーヒドロポリシラザンは「−（ＳｉＨ２−ＮＨ）ｎ−」の組成で示すことができる。ＳｉＯｘＮｙで示す場合、ｘ＝０、ｙは最大で１である。実際のパーヒドロポリシラザンは、環状構造を有するため、ｙは１未満であり、０．８前後であると考えられる。ｘ＞０となるためには外部の酸素源が必要であるが、これは、（ｉ）ポリシラザン塗布液に含まれる酸素や水分、（ｉｉ）塗布乾燥過程の雰囲気中から塗膜に取り込まれる酸素や水分、（ｉｉｉ）真空紫外線照射工程での雰囲気中から塗膜に取り込まれる酸素や水分、オゾン、一重項酸素、（ｉｖ）真空紫外線照射工程で印加される熱等により基材側からアウトガスとして塗膜中に移動してくる酸素や水分、（ｖ）真空紫外線照射工程が非酸化性雰囲気で行われる場合には、その非酸化性雰囲気から酸化性雰囲気へと移動した際に、その雰囲気から塗膜に取り込まれる酸素や水分、などが酸素源となる。
【００６９】
一方、ｙについては、Ｓｉの酸化よりも窒化が進行する条件は非常に特殊であると考えられるため、基本的には１が上限である。
【００７０】
また、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの結合手の関係から、基本的にはｘ、ｙは２ｘ＋３ｙ≦４の範囲にある。酸化が完全に進んだｙ＝０の状態においては、塗膜中にシラノール基を含有するようになり、２＜ｘ＜２．５の範囲となる場合もある。
【００７１】
真空紫外線照射工程でパーヒドロポリシラザンから酸窒化珪素、さらには酸化珪素が生じると推定される反応機構について、以下に説明する。
【００７２】
（Ｉ）脱水素、それに伴うＳｉ−Ｎ結合の形成
パーヒドロポリシラザン中のＳｉ−Ｈ結合やＮ−Ｈ結合は真空紫外線照射による励起等で比較的容易に切断され、不活性雰囲気下ではＳｉ−Ｎとして再結合すると考えられる（Ｓｉの未結合手が形成される場合もある）。すなわち、酸化することなくＳｉＮｙ組成として硬化する。この場合はポリマー主鎖の切断は生じない。Ｓｉ−Ｈ結合やＮ−Ｈ結合の切断は触媒の存在や、加熱によって促進される。切断されたＨはＨ２として膜外に放出される。
【００７３】
（ＩＩ）加水分解・脱水縮合によるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の形成
パーヒドロポリシラザン中のＳｉ−Ｎ結合は水により加水分解され、ポリマー主鎖が切断されてＳｉ−ＯＨを形成する。二つのＳｉ−ＯＨが脱水縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成して硬化する。これは大気中でも生じる反応であるが、不活性雰囲気下での真空紫外線照射中では、照射の熱によって基材からアウトガスとして生じる水蒸気が主な水分源となると考えられる。水分が過剰となると脱水縮合しきれないＳｉ−ＯＨが残存し、ＳｉＯ２．１〜ＳｉＯ２．３の組成で示されるガスバリア性の低い硬化膜となる。
【００７４】
（ＩＩＩ）一重項酸素による直接酸化、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の形成
真空紫外線照射中、雰囲気下に適当量の酸素が存在すると、酸化力の非常に強い一重項酸素が形成される。パーヒドロポリシラザン中のＨやＮはＯと置き換わってＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成して硬化する。ポリマー主鎖の切断により結合の組み換えを生じる場合もあると考えられる。
【００７５】
（ＩＶ）真空紫外線照射・励起によるＳｉ−Ｎ結合切断を伴う酸化
真空紫外線のエネルギーはパーヒドロポリシラザン中のＳｉ−Ｎの結合エネルギーよりも高いため、Ｓｉ−Ｎ結合は切断され、周囲に酸素、オゾン、水等の酸素源が存在すると酸化されてＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合やＳｉ−Ｏ−Ｎ結合が生じると考えられる。ポリマー主鎖の切断により結合の組み換えを生じる場合もあると考えられる。
【００７６】
ポリシラザンから形成されるバリア層の組成をＳｉＯｘＮｙで表したときに、０．２５≦ｘ≦１．１で、かつ０．４≦ｙ≦０．７５である領域を、厚さ方向で５０ｎｍ以上有することが好ましい態様のひとつである。バリア層の厚さは５０ｎｍ以上１μｍ以下の範囲にあることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲にあることがより好ましく、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲にあることがさらに好ましい。
【００７７】
ここで、バリア層の厚さ方向の組成分布は、下記のようなＸＰＳ分析を用いた方法で測定して求めることができる。
【００７８】
バリア層のエッチングレートは組成によって異なるため、本発明においては、ＸＰＳ分析での厚さは、ＳｉＯ２換算のエッチングレートを元にして一旦求めておき、同一試料の断面ＴＥＭ画像によりバリア層の厚さを求め、これをＸＰＳ分析から求めた厚さ方向の組成分布と比較しながら、厚さ方向の組成分布におけるバリア層に対応する領域を特定し、バリア層に対応する領域を断面ＴＥＭ画像から求めた膜厚と合うように、一律に係数をかけることで厚さ方向の補正を行っている。
【００７９】
バリア層の組成ｘ、ｙが上記範囲にある領域は、良好なガスバリア性を有する領域である。
【００８０】
ｘが０．２５以上であれば、改質が十分であり、十分なガスバリア性が発揮されうる。
上述の改質推定メカニズムにおいて、改質時の酸化は、ポリシラザンの主鎖である−Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ−結合を切断して、ＯがＮと置き換わる場合があるが、この際、低分子量化した改質ポリシラザンの結合がより緻密な構造として再結合していると考えられる。したがって、一定量以上のＯが存在している場合は、十分なガスバリア性が得られると考えられる。ｘが１．１以下である場合には、水蒸気捕捉能（酸化されうる能力）の低下を抑制でき、結果としてバリア層としての水蒸気透過度の上昇を抑制できる。
【００８１】
ｙが０．４以上であれば、ポリシラザンの酸化を適度に進行させ、水蒸気捕捉能（酸化されうる能力）の低下を抑制でき、ガスバリア層としての水蒸気透過度の上昇を抑制できる。ｙが０．７５以下である場合には、十分に改質されて、十分なガスバリア性が得られる。なお、ガスバリア層の厚さ方向の組成分布は成就地下ＸＰＳ分析を用いた方法で測定して求めることができる。
【００８２】
本発明における真空紫外線照射工程において、ポリシラザン層塗膜が受ける塗膜面での該真空紫外線の照度は３０ｍＷ／ｃｍ２以上２００ｍＷ／ｃｍ２以下であることが好ましく、５０ｍＷ／ｃｍ２以上１６０ｍＷ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。３０ｍＷ／ｃｍ２以上であれば十分な改質効果が得られ、２００ｍＷ／ｃｍ２以下であれば、塗膜へのアブレーションの発生や基材へのダメージを防止することができる。
【００８３】
真空紫外光照射の時間は、使用する基材やポリシラザン層の組成、濃度等によっても異なるが、通常、０．１秒〜１０分であり、好ましくは０．５秒〜３分である。
【００８４】
ポリシラザン層塗膜面における真空紫外線の照射エネルギー量は、２００ｍＪ／ｃｍ２以上５０００ｍＪ／ｃｍ２以下であることが好ましく、５００ｍＪ／ｃｍ２以上３０００ｍＪ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。２００ｍＪ／ｃｍ２以上であれば十分に改質でき、５０００ｍＪ／ｃｍ２以下であれば、過剰改質によるバリア層のクラック発生や基材の熱変形を防止することができる。
【００８５】
真空紫外光源としては、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。Ｘｅ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｎｅなどの希ガスの原子は、化学的に結合して分子を作らないため、不活性ガスと呼ばれる。
【００８６】
しかし、放電などによりエネルギーを得た希ガスの励起原子は他の原子と結合して分子を作ることができる。希ガスがキセノンの場合には、下記化学式のようになり、励起されたエキシマ分子であるＸｅ２＊が基底状態に遷移するときに１７２ｎｍのエキシマ光を発光する。
【００８７】
【化２】
0005835083.tif 000003
【００８８】
エキシマランプの特徴としては、放射が１つの波長に集中し、必要な光以外がほとんど放射されないので効率が高いことが挙げられる。また、余分な光が放射されないので、対象物の温度を低く保つことができる。さらには始動および再始動に時間を要さないので、瞬時の点灯点滅が可能である。
【００８９】
エキシマ発光を得るには、誘電体バリア放電を用いる方法が知られている。誘電体バリア放電とは、両電極間に誘電体（エキシマランプの場合は透明石英）を介してガス空間を配し、電極に数１０ｋＨｚの高周波高電圧を印加することによりガス空間に生じ、雷に似た非常に細いｍｉｃｒｏ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅと呼ばれる放電で、ｍｉｃｒｏ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅのストリーマが管壁（誘電体）に達すると誘電体表面に電荷が溜まるため、ｍｉｃｒｏ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅは消滅する。
【００９０】
このｍｉｃｒｏ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅが管壁全体に広がり、生成・消滅を繰り返している放電である。このため、肉眼でも分る光のチラツキを生じる。また、非常に温度の高いストリーマが局所的に直接管壁に達するため、管壁の劣化を早める可能性もある。
【００９１】
効率よくエキシマ発光を得る方法としては、誘電体バリア放電以外に、無電極電界放電でも可能である。容量性結合による無電極電界放電で、別名ＲＦ放電とも呼ばれる。ランプと電極およびその配置は基本的には誘電体バリア放電と同じで良いが、両極間に印加される高周波は数ＭＨｚで点灯される。無電極電界放電はこのように空間的にまた時間的に一様な放電が得られるため、チラツキが無い長寿命のランプが得られる。
【００９２】
誘電体バリア放電の場合は、ｍｉｃｒｏ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅが電極間のみで生じるため、放電空間全体で放電を行なわせるには外側の電極は外表面全体を覆い、かつ外部に光を取り出すために光を透過するものでなければならない。
【００９３】
このため、細い金属線を網状にした電極が用いられる。この電極は、光を遮らないようにできるだけ細い線が用いられるため、酸素雰囲気中では真空紫外光により発生するオゾンなどにより損傷しやすい。これを防ぐためには、ランプの周囲、すなわち照射装置内を窒素などの不活性ガスの雰囲気にし、合成石英の窓を設けて照射光を取り出す必要が生じる。合成石英の窓は高価な消耗品であるばかりでなく、光の損失も生じる。
【００９４】
二重円筒型ランプは外径が２５ｍｍ程度であるため、ランプ軸の直下とランプ側面では照射面までの距離の差が無視できず、照度に大きな差を生じる。したがって、仮にランプを密着して並べても、一様な照度分布が得られない。合成石英の窓を設けた照射装置にすれば、酸素雰囲気中の距離を一様にでき、一様な照度分布が得られる。
【００９５】
無電極電界放電を用いた場合には、外部電極を網状にする必要は無い。ランプ外面の一部に外部電極を設けるだけでグロー放電は放電空間全体に広がる。外部電極には通常アルミのブロックで作られた光の反射板を兼ねた電極がランプ背面に使用される。しかし、ランプの外径は誘電体バリア放電の場合と同様に大きいため一様な照度分布にするためには合成石英が必要となる。
【００９６】
細管エキシマランプの最大の特徴は、構造がシンプルなことである。石英管の両端を閉じ、内部にエキシマ発光を行なうためのガスを封入しているだけである。
【００９７】
細管ランプの管の外径は６ｎｍ〜１２ｍｍ程度で、あまり太いと始動に高い電圧が必要になる。
【００９８】
放電の形態は、誘電体バリア放電でも無電極電界放電のいずれでも使用できる。電極の形状はランプに接する面が平面であっても良いが、ランプの曲面に合わせた形状にすればランプをしっかり固定できるとともに、電極がランプに密着することにより放電がより安定する。また、アルミで曲面を鏡面にすれば光の反射板にもなる。
【００９９】
Ｘｅエキシマランプは、波長の短い１７２ｎｍの紫外線を単一波長で放射することから、発光効率に優れている。この光は、酸素の吸収係数が大きいため、微量な酸素でラジカルな酸素原子種やオゾンを高濃度で発生することができる。
【０１００】
また、有機物の結合を解離させる波長の短い１７２ｎｍの光のエネルギーは、能力が高いことが知られている。この活性酸素やオゾンと紫外線放射が持つ高いエネルギーによって、短時間でポリシラザン層の改質を実現できる。
【０１０１】
したがって、波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍの発する低圧水銀ランプやプラズマ洗浄と比べて高スループットに伴うプロセス時間の短縮や設備面積の縮小、熱によるダメージを受けやすい有機材料やプラスチック基板などへの照射を可能としている。
【０１０２】
エキシマランプは光の発生効率が高いため、低い電力の投入で点灯させることが可能である。また、光による温度上昇の要因となる波長の長い光は発せず、紫外線領域で単を波長でエネルギーを照射するため、解射対象物の表面温度の上昇が抑えられる特徴を持っている。このため、熱の影響を受けやすいとされるＰＥＴなどのフレシキブルフィルム材料に適している。
【０１０３】
（真空紫外線（ＶＵＶ）照射時の酸素濃度）
紫外線照射時の反応には、酸素が必要であるが、真空紫外線は、酸素による吸収があるため真空紫外線照射工程での効率を低下しやすい。よって、真空紫外線の照射はできるだけ酸素濃度の低い状態で行うことが好ましい。
【０１０４】
本発明に係る真空紫外線（ＶＵＶ）照射時の酸素濃度は、１０〜１００００体積ｐｐｍとすることが好ましく、さらに好ましくは、５０〜５０００体積ｐｐｍである。
【０１０５】
真空紫外線照射時に用いられる、照射雰囲気を満たすガスとしては乾燥不活性ガスとすることが好ましく、特にコストの観点から乾燥窒素ガスにすることが好ましい。酸素濃度の調整は照射庫内へ導入する酸素ガス、不活性ガスの流量を計測し、流量比を変えることで調整可能である。
【０１０６】
なお、前記バリア層は、単層でもよいし２層以上の多層構造であってもよい。
【０１０７】
（中間層）
本発明に係るガスバリア性フィルムの基材とバリア層との間には、さらに中間層を形成してもよい。中間層は、基材表面とバリア層との接着性を向上させる機能を有することが好ましい。市販の易接着層付き基材も好ましく用いることができる。
【０１０８】
中間層に用いられる素材としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、およびアルキルチタネート等を１種または２種以上併せて使用することができる。
【０１０９】
これらの中間層形成素材には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記の中間層は、ロールコート、ダイコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により支持体上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することにより形成することができる。中間層の塗布量としては、０．１〜５．０ｇ／ｍ２（乾燥状態）程度が好ましい。
【０１１０】
また、中間層は、物理蒸着法または化学蒸着法といった気相法により形成することもできる。例えば、特開２００８−１４２９４１号公報に記載のように、接着性等を改善する目的で酸化珪素を主体とした無機膜を形成することもできる。
【０１１１】
（平滑層）
本発明に係るガスバリア性フィルムにおいては、上記中間層は、平滑層であってもよい。本発明に用いられる平滑層は、突起等が存在する基材の粗面を平坦化し、あるいは、基材に存在する突起によりバリア層に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化するために設けられる。このような平滑層は、基本的には感光性材料または熱硬化性材料を硬化させて作製される。
【０１１２】
平滑層の感光性材料としては、例えば、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物等が挙げられる。具体的には、ＪＳＲ株式会社製のＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材  ＯＰＳＴＡＲ（登録商標）シリーズを用いることができる。また、上記のような樹脂組成物の任意の混合物を使用することも可能であり、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性のモノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。
【０１１３】
熱硬化性材料として具体的には、クラリアント社製のトゥットプロムシリーズ（有機ポリシラザン）、セラミックコート株式会社製のＳＰ  ＣＯＡＴ耐熱クリアー塗料、アデカ社製のナノハイブリッドシリコーン、ＤＩＣ株式会社製のユニディック（登録商標）Ｖ−８０００シリーズ、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）  ＥＸＡ−４７１０（超高耐熱性エポキシ樹脂）、信越化学工業株式会社製のシリコン樹脂  Ｘ−１２−２４００（商品名）、日東紡績株式会社製の無機・有機ナノコンポジット材料ＳＳＧコート、アクリルポリオールとイソシアネートプレポリマーとからなる熱硬化性ウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコン樹脂、ポリアミドアミン−エピクロルヒドリン樹脂等が挙げられる。
【０１１４】
平滑層の形成方法は、特に制限はないが、スピンコーティング法、ダイコート法、スプレー法、ブレードコーティング法、ディップ法、グラビア印刷法等のウェットコーティング法、あるいは蒸着法等のドライコーティング法により形成することが好ましい。
【０１１５】
平滑層の形成では、上述の感光性樹脂に、必要に応じて酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を加えることができる。また、平滑層の積層位置に関係なく、いずれの平滑層においても、成膜性向上および膜のピンホール発生防止等のために適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
【０１１６】
平滑層の平滑性は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される中心線平均粗さＲａが、０．５〜１２ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、１〜３ｎｍである。また、平滑層表面において、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される１０点平均粗さＲｚが５〜５０ｎｍであると好ましい。より好ましくは、１０〜４０ｎｍである。この範囲よりも値が小さい場合には、後述の塗布層を形成する段階で、ワイヤーバー、ワイヤレスバー等の塗布方式で、平滑層表面に塗工手段が接触する場合に塗布性が損なわれる場合がある。また、この範囲よりも大きい場合には、基材の表面粗さに対して平滑化が不十分となり、平滑層を設ける意味が薄れる。
【０１１７】
平滑層の厚さとしては、１〜１０μｍの範囲が好ましく、さらに２〜７μｍの範囲にすることが好ましい。
【０１１８】
（ブリードアウト防止層）
本発明に係るガスバリア性フィルムは、バリア層を設ける面とは反対側の基材面にブリードアウト防止層を有してもよい。ブリードアウト防止層を設けることができる。ブリードアウト防止層は、平滑層を有するフィルムを加熱した際に、フィルム基材中から未反応のオリゴマー等が表面へ移行して、接触する面を汚染する現象を抑制する目的で、平滑層を有する基材の反対面に設けられる。ブリードアウト防止層は、この機能を有していれば、基本的に平滑層と同じ構成をとっても構わない。
【０１１９】
ブリードアウト防止層に、ハードコート剤として含ませることが可能な重合性不飽和基を有する不飽和有機化合物としては、分子中に２個以上の重合性不飽和基を有する多価不飽和有機化合物または分子中に１個の重合性不飽和基を有する単価不飽和有機化合物等を挙げることができる。
【０１２０】
その他の添加剤として、マット剤を含有してもよい。マット剤としては平均粒子径が０．１〜５μｍ程度の無機粒子が好ましい。このような無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タルク、クレイ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化ジルコニウム等の１種または２種以上を併せて使用することができる。
【０１２１】
ここで無機粒子からなるマット剤は、ハードコート剤の固形分１００質量部に対して２質量部以上、好ましくは４質量部以上、より好ましくは６質量部以上、２０質量部以下、好ましくは１８質量部以下、より好ましくは１６質量部以下の割合で混合されていることが望ましい。
【０１２２】
また、ブリードアウト防止層は、ハードコート剤およびマット剤の他の成分として熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂、光重合開始剤等を含有させてもよい。
【０１２３】
以上のようなブリードアウト防止層は、ハードコート剤、マット剤、および必要に応じて他の成分を配合して、適宜必要に応じて用いる希釈溶剤によって塗布液として調製し、当該塗布液を支持体フィルム表面に従来公知の塗布方法によって塗布した後、電離放射線を照射して硬化させることにより形成することができる。
【０１２４】
ブリードアウト防止層において用いられる材料としては、例えば、ＪＳＲ株式会社製のＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材  ＯＰＳＴＡＲ（登録商標）シリーズが挙げられる。
【０１２５】
なお、電離放射線を照射する方法としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプ等から発せられる１００〜４００ｎｍ、好ましくは２００〜４００ｎｍの波長領域の紫外線を照射する、または走査型やカーテン型の電子線加速器から発せられる１００ｎｍ以下の波長領域の電子線を照射することにより行うことができる。
【０１２６】
ブリードアウト防止層の厚さとしては、フィルムの耐熱性を向上させ、フィルムの光学特性のバランス調整を容易にし、かつ、ガスバリア性フィルムのカールを調整する観点から、１．０〜１０μｍの範囲が好ましく、さらに２μｍ〜７μｍの範囲にすることが好ましい。
【０１２７】
（オーバーコート層）
本発明に係るバリア層上には、オーバーコート層を設けてもよい。
【０１２８】
オーバーコート層に用いられる材料としては、有機モノマー、オリゴマー、ポリマー等の有機樹脂、有機基を有するシロキサンやシルセスキオキサンのモノマー、オリゴマー、ポリマー等を用いた有機無機複合樹脂を好ましく用いることができる。これらの有機樹脂もしくは有機無機複合樹脂は重合性基や架橋性基を有することが好ましく、これらの有機樹脂もしくは有機無機複合樹脂を含有し、必要に応じて重合開始剤や架橋剤等を含有する有機樹脂組成物塗布液から塗布形成した層に、光照射処理や熱処理を加えて硬化させることが好ましい。ここで「架橋性基」とは、光照射処理や熱処理で起こる化学反応により樹脂を架橋することができる基のことである。このような機能を有する基であれば特にその化学構造は限定されないが、例えば、付加重合し得る官能基としてエチレン性不飽和基、エポキシ基、オキセタニル基等の環状エーテル基が挙げられる。また、光照射によりラジカルになり得る官能基であってもよく、そのような架橋性基としては、例えば、チオール基、ハロゲン原子、オニウム塩構造等が挙げられる。中でも、エチレン性不飽和基が好ましく、特開２００７−１７９４８号公報の段落０１３０〜０１３９に記載された官能基が含まれる。
【０１２９】
有機無機複合樹脂としては、例えば、米国特許第６，５０３，６３４号明細書に「ＯＲＭＯＣＥＲ（登録商標）」として記載されている有機無機複合樹脂も好ましく用いることができる。
【０１３０】
有機樹脂の構造や重合性基の密度、架橋性基の密度、架橋剤の比率、および硬化条件等を適宜調整することで、オーバーコート層の弾性率を所望の値に調整することができる。
【０１３１】
具体的な有機樹脂組成物としては、例えば、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物等が挙げられる。また、上記のような樹脂組成物の任意の混合物を使用することも可能であり、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性のモノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。
【０１３２】
当該光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性モノマーとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−デシルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトリキエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオールアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリオキシエチルトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、エチレンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、プロピオンオキサイド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、プロピオンオキサイド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレングリコールジアクリレート、１，２，４−ブタンジオールトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールジアクリレート、ジアリルフマレート、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレート、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート、および、上記のアクリレートをメタクリレートに換えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−ピロリドン等が挙げられる。上記の反応性モノマーは、１種または２種以上の混合物として、あるいはその他の化合物との混合物として使用することができる。
【０１３３】
上記感光性樹脂の組成物は、光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミン）ベンゾフェノン、α−アミノ・アセトフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンジルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モノフォリノ−１−プロパン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モノフォリノフェニル）−ブタノン−１、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、メチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み合わせ等が挙げられ、これらの光重合開始剤を１種または２種以上の組み合わせで使用することができる。
【０１３４】
オーバーコート層には、無機材料を含有させることができる。無機材料を含有させることは、一般的にオーバーコート層の弾性率増加につながる。無機材料の含有比率を適宜調整することでも、オーバーコート層の弾性率を所望の値に調整することができる。
【０１３５】
無機素材としては、数平均粒径が１〜２００ｎｍの無機微粒子が好ましく、数平均粒径が３〜１００ｎｍの無機微粒子がより好ましい。無機微粒子としては、透明性の観点より金属酸化物が好ましい。
【０１３６】
金属酸化物として特に制約はないが、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＣｒＯ２、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＭｎＯ２、Ｍｎ２Ｏ３、ＷＯ３、ＬｉＭｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５などが挙げられる。これらは、単独の使用でもまたは２種類以上の併用でもよい。
【０１３７】
無機微粒子の分散物を得るには調整してもよいし、市販の無機微粒子分散物も用いることができる。
【０１３８】
具体的には、例えば、日産化学工業株式会社製のスノーテックス（登録商標）シリーズやオルガノシリカゾル、ビックケミー・ジャパン株式会社製のＮＡＮＯＢＹＫ（登録商標）シリーズ、Ｎａｎｏｐｈａｓｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製のＮａｎｏＤｕｒ（登録商標）などの各種金属酸化物の分散物を挙げることができる。
【０１３９】
これら無機微粒子は、表面処理が施されたものであってもよい。
【０１４０】
その他、無機材料として、天然雲母、合成雲母等の雲母群、３ＭｇＯ・４ＳｉＯ・Ｈ２Ｏで表されるタルク、テニオライト、モンモリロナイト、サポナイト、ヘクトライト、リン酸ジルコニウムなどの平板状微粒子も用いることができる。
【０１４１】
さらに具体的には、上記天然雲母としては白雲母、ソーダ雲母、金雲母、黒雲母および鱗雲母等が挙げられる。また、合成雲母としては、フッ素金雲母ＫＭｇ３（ＡｌＳｉ３Ｏ１０）Ｆ２、カリウム四ケイ素雲母ＫＭｇ２．５（Ｓｉ４Ｏ１０）Ｆ２等の非膨潤性雲母、およびＮａテトラシリリックマイカＮａＭｇ２．５（Ｓｉ４Ｏ１０）Ｆ２、ＮａまたはＬｉテニオライト（Ｎａ，Ｌｉ）Ｍｇ２Ｌｉ（Ｓｉ４Ｏ１０）Ｆ２、モンモリロナイト系のＮａまたはＬｉヘクトライト（Ｎａ，Ｌｉ）１／８Ｍｇ２／５Ｌｉ１／８（Ｓｉ４Ｏ１０）Ｆ２等の膨潤性雲母等が挙げられる。また合成スメクタイトも有用である。
【０１４２】
オーバーコート層中の無機材料の比率としては、オーバーコート層全体に対して、１０〜９５質量％の範囲であることが好ましく、２０〜９０質量％の範囲であることがより好ましい。
【０１４３】
オーバーコート層には、いわゆるカップリング剤を単独でもまたは他素材と混合して用いることができる。カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤等、特に制限はないが、塗布液の安定性の観点からシランカップリング剤が好ましい。
【０１４４】
具体的なシランカップリング剤としては、例えば、ハロゲン含有シランカップリング剤（２−クロロエチルトリメトキシシラン，２−クロロエチルトリエトキシシラン，３−クロロプロピルトリメトキシシラン，３−クロロプロピルトリエトキシシランなど）、エポキシ基含有シランカップリング剤［２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、２−グリシジルオキシエチルトリメトキシシラン、２−グリシジルオキシエチルトリエトキシシラン、３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシランなど］、アミノ基含有シランカップリング剤（２−アミノエチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−［Ｎ−（２−アミノエチル）アミノ］エチルトリメトキシシラン、３−［Ｎ−（２−アミノエチル）アミノ］プロピルトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノ］プロピルトリエトキシシラン、３−［Ｎ−（２−アミノエチル）アミノ］プロピルメチルジメトキシシランなど）、メルカプト基含有シランカップリング剤（２−メルカプトエチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランなど）、ビニル基含有シランカップリング剤（ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなど）、（メタ）アクリロイル基含有シランカップリング剤（２−メタクリロイルオキシエチルトリメトキシシラン、２−メタクリロイルオキシエチルトリエトキシシラン、２−アクリロイルオキシエチルトリメトキシシラン、３−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシランなど）などが挙げられる。これらのシランカップリング剤は単独でまたは二種以上組み合わせて使用できる。
【０１４５】
オーバーコート層は、前記有機樹脂や無機材料、および必要に応じて他の成分を配合して、適宜必要に応じて用いる希釈溶剤によって塗布液として調製し、当該塗布液を基材表面に従来公知の塗布方法によって塗布した後、電離放射線を照射して硬化させることにより形成することが好ましい。なお、電離放射線を照射する方法としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、メタルハライドランプなどから発せられる１００〜４００ｎｍ、好ましくは２００〜４００ｎｍの波長領域の紫外線を照射する。または、走査型やカーテン型の電子線加速器から発せられる１００ｎｍ以下の波長領域の電子線を照射することにより行うことができる。
【０１４６】
また、オーバーコート層は、上述のエキシマランプによる照射で硬化させることもできる。バリア層とオーバーコート層とを同一ラインで塗布形成する場合には、オーバーコート層の硬化もエキシマランプによる照射で行うことが好ましい。
【０１４７】
［封止部材］
本発明に係る封止部材は、上記ガスバリア性フィルムと同様のものが用いられる。すなわち、金属または金属化合物を含むことが好ましい。さらに封止部材として用いられる具体的な材料の例としては、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、セリウム（Ｃｅ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群より選択される少なくとも１種の金属の単体、または上記金属の酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物もしくは酸化炭化物等の金属化合物が挙げられる。
【０１４８】
また、該封止部材は、上記ガスバリア性フィルムのうち基材を有さないバリア層のみからなる部材であってもよい。その具体例としては、例えば、アルミニウム箔、銅箔等の金属箔、上記ガスバリア性フィルムの項で説明した無機層と有機層との積層体などが挙げられる。
【０１４９】
その他、封止部材の構成の詳細は、上記ガスバリア性フィルムの項で説明した内容と同様であるので、ここでは説明を省略する。封止基材がガスバリア性フィルムである場合、封止基材１１とガスバリア性フィルム１５とは同一の構成であってもよいし、異なる構成（材質、層構成）であってもよい。
【０１５０】
［封止剤層］
本発明に係る封止剤層は、ガスバリア性フィルムと封止部材との間に位置する。封止剤層を形成する封止剤は、十分なバリア特性を有し、酸素および／または水分がデバイス内部に侵入することを遅延させる。前記封止剤層は、硬化後のショアＤ硬度が８０以上である第１の封止剤と、硬化後のショアＤ硬度が８０未満である第２の封止剤とを含む。これにより、ガスバリア性と接着性とが共に向上し、耐久性が向上した封止剤層が形成される。したがって、このような封止剤層を有する本発明の有機エレクトロニクスデバイスは、耐久性に優れる。
【０１５１】
前記第１の封止剤に含まれる樹脂（架橋樹脂）の例としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アイオノマー樹脂、ウレタン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂等が挙げられる。中でも、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂の少なくとも一方を含むことがより好ましい。
【０１５２】
前記第２の封止剤に含まれる樹脂（架橋樹脂）の例としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、およびポリ塩化ビニリデン樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含むことがより好ましい。
【０１５３】
なお、これらの樹脂は、単独でもまたは２種以上組み合わせて使用してもよい。
【０１５４】
封止剤中の前記樹脂の含有量は、第１の封止剤および第２の封止剤ともに、封止剤の全体量を１００質量部として、２０〜８０質量部であることが好ましい。
【０１５５】
前記第１の封止剤および前記第２の封止剤は、硬化剤を含んでもよい。硬化剤としては、特に制限はなく、上記樹脂に対して反応性を有する官能基を有する化合物であればよい。具体的には、例えば、トリフェニルメタントリイソシアネート、メチレンビス（４−フェニルメタントリイソシアネート）、トリアリルイソシアネート、ダイマー酸ジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート（２，４−ＴＤＩ）、２，６−トリレンジイソシアネート（２，６−ＴＤＩ）、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（４，４’−ＭＤＩ）、２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（２，４’−ＭＤＩ）、１，４−フェニレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、テトラメチルキシリデンジイソシアネート（ＴＭＸＤＩ）、トリジンジイソシアネート（ＴＯＤＩ）、１，５−ナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート（ＴＭＨＤＩ）、リジンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアナートメチル（ＮＢＤＩ）、トランスシクロヘキサン−１，４−ジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、Ｈ６−ＸＤＩ（水添ＸＤＩ）、Ｈ１２−ＭＤＩ（水添ＭＤＩ）、上記ジイソシアネートのカルボジイミド変性ジイソシアネート類、またはこれらのイソシアヌレート変性ジイソシアネート類、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物などの上記イソシアネート類とトリメチロールプロパン等のポリオール化合物とのアダクト体、これらイソシアネート類のビウレット体やイソシアヌレート体等のイソシアネート系硬化剤；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤；エチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、２，４−ジアミノ−６−〔２’―メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン等のトリアジン化合物、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン等のアミン系硬化剤；無水フタル酸、無水マレイン酸、ドデセニル無水コハク酸、無水トリメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルバン酸二無水物、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤；ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド等のモノアルデヒド類；メチロール尿素、メチロールメラミン、アルキル化メチロール尿素、アルキル化メチロール化メラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミンとホルムアルデヒドとの縮合物等のアミノ−ホルムアルデヒド樹脂；さらにナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、鉄、ニッケル、ジルコニウム等の二価金属から四価金属の塩およびその酸化物等が挙げられる。これら硬化剤は、単独でもまたは２種以上組み合わせて使用してもよい。
【０１５６】
封止剤中の前記硬化剤の含有量は、第１の封止剤および第２の封止剤ともに、封止剤の全体量を１００質量部として、２０〜６０質量部であることが好ましい。
【０１５７】
前記第１の封止剤および前記第２の封止剤は、必要に応じて他の添加剤を含んでもよい。他の添加剤の具体例としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムホスフェート、ｐ−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−クロルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス［４−（ジフェニルスルフォニオ）フェニル］スルフィドビスヘキサフルオロフォスフェート、ビス［４−（ジフェニルスルフォニオ）フェニル］スルフィドビスヘキサフルオロアンチモネート、ジアリルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジエトキシアセトフェノン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−メチル−２−モルホリノ（４−チオメチルフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、４−（２−アクリロイル−オキシエトキシ）フェニル−２−ヒドロキシ−２−プロピルケトン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等の硬化触媒、シランカップリング剤、硬化促進剤、イオン液体、リチウム塩、無機フィラー、軟化剤、酸化防止剤、老化防止剤、安定剤、粘着付与樹脂、レベリング剤、消泡剤、可塑剤、染料、顔料（着色顔料、体質顔料等）、処理剤、紫外線遮断剤、蛍光増白剤、分散剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、滑剤等が挙げられる。
【０１５８】
前記第１の封止剤および前記第２の封止剤の硬化前の２５℃における粘度は、１００〜３００，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。なお、粘度は実施例に記載の方法により測定することができる。
【０１５９】
前記第１の封止剤および前記第２の封止剤の硬化方法は、特に制限されず、例えば、加熱、紫外線照射、電子線照射等が挙げられる。
【０１６０】
前記第１の封止剤の硬化後のショアＤ硬度は、好ましくは８３以上であり、より好ましくは８５以上である。また、前記第２の封止剤の硬化後のショアＤ硬度は、好ましくは７５以下であり、より好ましくは７０以下である。
【０１６１】
封止剤の硬化後のショアＤ硬度の調整は、使用する封止剤の樹脂を適宜選択することにより行うことができるが、封止剤に柔軟な構造を有するポリマーを導入する方法によって調整を行ってもよい。柔軟な構造としては、ポリエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン構造、ポリアクリル酸ブチルなどのガラス転移点（Ｔｇ）が３０℃以下である（メタ）アクリル酸エステルポリマー鎖、（メタ）アクリロニトリル−ブタジエン共重合体などの構造が好ましく用いられる。このような柔軟な構造は、上記で例示したポリマー（エラストマーまたは樹脂）を封止剤に添加する方法や、上記ポリマーの末端または内部にアミノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基などの反応性官能基を付加させ、封止剤の樹脂の反応基と反応させる方法によっても導入することができる。
【０１６２】
このようなポリマーを添加する場合の添加量は、第１の封止剤および第２の封止剤ともに、封止剤の全体量を１００質量部として、５〜３０質量部であることが好ましい。
【０１６３】
封止剤の硬化後の水蒸気透過度は、使用する樹脂の種類、架橋密度、無機フィラーの量等により適宜調整することができる。しかしながら、架橋密度、無機フィラー等により水蒸気透過度を小さくする、封止剤の硬度が上がり、接着性が低下する傾向にある。よって、前記第１の封止剤の硬化後の水蒸気透過度は、３０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、２０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることがより好ましい。また、前記第２の封止剤の硬化後の水蒸気透過度は、６０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましく、５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることがより好ましい。なお、封止剤の硬化後の水蒸気透過度は、実施例に記載の方法により測定することができる。
【０１６４】
封止剤層における封止剤の配置については、特に制限されないが、硬化後のショアＤ硬度が小さい第２の封止剤を面方向の中心部（図２のＣの部分）に配置し、前記中心部を囲う外周部（図２のＢの部分）に、硬化後のショアＤ硬度が高い第１の封止剤を配置することが好ましい。このようにして、第１の封止剤および第２の封止剤を配置することにより、本発明の効果をより効率的に得ることができる。
【０１６５】
加えて、前記外周部の外側（図２のＡの部分）にさらに前記第２の封止剤を配置することにより、ガスバリア性フィルム、有機素子、および封止部材の接着性がさらに向上し、より耐久性に優れた有機エレクトロニクスデバイスを得ることができるため好ましい。この際、中心部に配置する第２の封止剤と、外周部の外側に配置する第２の封止剤とは、同じ種類であってもよいし異なる種類であってもよい。
【０１６６】
特に好ましくは、前記第２の封止剤を有機素子の上部（図１の１３の上部）に配置し、前記第１の封止剤を前記有機素子が載っていないバリア層の上部（図１の１２の上部）に配置し、さらに前記第２の封止剤を前記第１の封止剤の外側に配置する形態である。
【０１６７】
封止剤は、市販品を用いてもよいし合成品（調製品）を用いてもよい。市販品の例としては、例えば、ニュクレル（登録商標）ＡＮ４２１４Ｃ、ＡＮ４２２５Ｃ、ＡＮ４２２８Ｃ（以上、三井・デュポンポリケミカル株式会社製）、ＴＢ１６５５、ＴＢ３１２４、ＴＢ３１２５（以上、スリーボンド株式会社製）、ＤＳ６０００（以上、ヘンケル社製）、ＬＰ６５５、ＬＰ４１５（以上、デロ社製）の接着剤が挙げられる。
【０１６８】
封止剤を調製する場合は、例えば、上記に示す樹脂、硬化剤、および必要に応じて他の成分を、−２０〜４０℃で、１〜２４時間の間、攪拌混合する方法が適用される。
【０１６９】
封止剤層の形成方法は、特に制限されず、例えば、液状の封止剤を塗布した後乾燥する方法、シート状の封止剤を配置する方法等が挙げられる。
【０１７０】
液状の封止剤の塗布方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、ロールコート法、ディップコート法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法等が挙げられる。封止剤量のコントロールのしやすさから、好ましくは、ディスペンサーにより液状の封止剤を塗布する液晶滴下工法（ＯＤＦ、Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）が用いられる。
【０１７１】
［有機素子］
本発明に係る有機素子は、特に制限されず、例えば、有機光電変換素子、有機ＥＬ素子、電子ペーパー、液晶表示素子、薄膜トランジスタ、タッチパネル等が挙げられる。
【０１７２】
（有機ＥＬ素子）
以下、具体的な有機素子の構成について、一例として、有機ＥＬ素子を説明する。
【０１７３】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、ガスバリア性フィルム上に、少なくとも第１電極、発光層を含む有機機能層および第２電極を有する有機ＥＬ構造体（発光部ともいう）である。具体的な一例としては、ガスバリア性フィルム上に順次、第１電極（陽極）、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および陰極バッファ層（電子注入層）から構成される有機層と、第２電極（陰極）とを積層した構造を有する有機ＥＬ構造体を、本発明の封止剤層を介して封止基材と接着し、封止された封止構造となっている。
【０１７４】
さらに、本発明に係る有機ＥＬ構造体の代表的な層構成例を以下に示す。
（１）ガスバリア性フィルム／第１電極（陽極）／有機層（発光層）／第２電極（陰極）／封止剤層／封止部材；
（２）ガスバリア性フィルム／第１電極（陽極）／有機層（発光層）／電子輸送層／第２電極（陰極）／シート状接着剤／ガスバリア性基材２；
（３）ガスバリア性フィルム／第１電極（陽極）／正孔輸送層／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／第２電極（陰極）／封止剤層／封止部材；
（４）ガスバリア性フィルム／第１電極（陽極）／正孔輸送層（正孔注入層）／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／第２電極（陰極）／封止剤層／封止部材；
（５）ガスバリア性フィルム／第１電極（陽極）／陽極バッファ層（正孔注入層）／正孔輸送層／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／第２電極（陰極）／封止剤層／封止部材；
（６）ガスバリア性フィルム／第１電極（陽極）／陽極バッファ層（正孔注入層）／正孔輸送層／有機層（発光層）／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層（電子注入層）／第２電極（陰極）／保護層／封止剤層／封止部材。
【０１７５】
〔有機ＥＬ構造体〕
次いで、本発明に係る有機ＥＬ素子を構成している基材や各構成層について説明する（上述のガスバリア性フィルム、封止剤層、および封止部材を除く）。
【０１７６】
（第１電極：陽極）
第１電極（陽極）としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この様な電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３・ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。或いは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いることも可能である。この第１電極（陽極）より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また第１電極（陽極）としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１７７】
（正孔注入層：陽極バッファ層）
第１電極（陽極）と発光層または正孔輸送層の間に、正孔注入層（陽極バッファ層）を存在させてもよい。正孔注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。陽極バッファ層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファ層、アモルファスカーボンバッファ層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ層等が挙げられる。
【０１７８】
（正孔輸送層）
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることが出来る。正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１７９】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することが出来るが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１８０】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することが出来る。
【０１８１】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることも出来る。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【０１８２】
または、例えば、正孔輸送層としては、Ｂａｙｅｒ社製、商品名Ｂａｙｔｒｏｎ（登録商標）Ｐ等のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート）、ポリアニリンおよびそのドープ材料、国際公開第２００６／０１９２７０号公報等に記載のシアン化合物、などを用いることもできる。
【０１８３】
（発光層）
発光層とは、青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を指す。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、また各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも１つの青色発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。また、発光層を４層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能である。また、発光層は、電子輸送層の機能を兼ね備えることができる。
【０１８４】
発光層の膜厚（乾燥後の膜厚）の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常２ｎｍ〜５μｍ、好ましくは２〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。更に１０〜５０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。膜厚を５０ｎｍ以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚（乾燥後の膜厚）は、好ましくは２〜１００ｎｍの範囲で選ばれ、２〜５０ｎｍの範囲にあることがさらに好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、３色発光層中、青色発光層（複数層ある場合はその総和）が最も厚いことが好ましい。
【０１８５】
発光層は発光極大波長が各々４３０〜４８０ｎｍ、５１０〜５５０ｎｍ、６００〜６４０ｎｍの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも３層以上の層を含む。３層以上であれば、特に制限はない。４層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が４３０〜４８０ｎｍにある層を青色発光層、５１０〜５５０ｎｍにある層を緑色発光層、６００〜６４０ｎｍの範囲にある層を赤色発光層と言う。また、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青色発光層に、極大波長４３０〜４８０ｎｍの青発光性化合物と、同５１０〜５５０ｎｍの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。
【０１８６】
発光層の材料として使用する有機発光材料は、（ａ）電荷の注入機能、すなわち、電界印加時に陽極或いは正孔注入層から正孔を注入することが出来、陰極或いは電子注入層から電子を注入することが出来る機能、（ｂ）輸送機能、すなわち、注入された正孔および電子を電界の力で移動させる機能、および（ｃ）発光機能、すなわち、電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光に繋げる機能、の３つの機能を併せもつものであれば特に限定はない。例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物を用いることが出来る。上記の蛍光増白剤の具体例としては、ベンゾオキサゾール系では、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾオリル］スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５−α，α−ジメチルベンジル−２−ベンゾオキサゾリル］チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト［１，２−ｄ］オキサゾ−ル等が挙げられる。ベンゾチアゾール系では、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等が挙げられ、ベンゾイミダゾール系では、２−［２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等が挙げられる。さらに、他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１），第６２８〜６３７頁および第６４０頁に列挙されている。また、上記のスチリルベンゼン系化合物の具体例としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等が挙げられる。
【０１８７】
さらに、上述した蛍光増白剤およびスチリルベンゼン系化合物以外にも、例えば、１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際公開第９０／１３１４８号やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ  ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、芳香族ジメチリディン系化合物が挙げられる。芳香族ジメチリディン系化合物の具体例としては、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４’−フェニレンジメチリディン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、４，４’−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、およびこれらの誘導体が挙げられる。また、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【０１８８】
その他、上述した有機発光材料をホストとし、当該ホストに青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系或いは前記ホストと同様の蛍光色素をドープした化合物も、有機発光材料として好適である。有機発光材料として前記の化合物を用いた場合には、青色から緑色の発光（発光色はドーパントの種類によって異なる）を高効率で得ることが出来る。前記化合物の材料であるホストの具体例としては、ジスチリルアリーレン骨格の有機発光材料（特に好ましくは、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル）が挙げられ、前記化合物の材料であるドーパントの具体例としては、ジフェニルアミノビニルアリレーン（特に好ましくは、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノビフェニルベンゼンや４，４’−ビス［２−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル）フェニル］ビニル］ビフェニル）が挙げられる。
【０１８９】
発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物（リン光発光性化合物とも言う）を含有することが好ましい。
【０１９０】
ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することが出来る。また、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることが出来る。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用も出来る。
【０１９１】
これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０１９２】
複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の５０質量％以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更にはホスト化合物のリン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基板上に１００ｎｍの蒸着膜のフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の０−０バンドのピークエネルギーを言う。
【０１９３】
ホスト化合物は、有機ＥＬ素子の経時での劣化（輝度低下、膜性状の劣化）、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。すなわち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。Ｔｇは、更に好ましくは１００℃以上である。
【０１９４】
リン光性化合物（リン光発光性化合物）とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機ＥＬ素子とすることが出来る。
【０１９５】
本発明に係るリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定出来る。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定出来るが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
【０１９６】
リン光性化合物の発光は原理としては２種挙げられ、１つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【０１９７】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることが出来る。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で８族−１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１９８】
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることが出来る。
【０１９９】
本発明に係る有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。
【０２００】
本発明で言うところの白色素子とは、２°視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１ 表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にあることを言う。
【０２０１】
（電子輸送層）
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。電子注入層（陰極バッファ層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。上記バッファ層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０２０２】
他に発光層側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが出来、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来る。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。
【０２０３】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、およびこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることが出来る。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることが出来る。また、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることが出来る。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０２０４】
また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開平１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することが出来るため好ましい。
本発明に係わる有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０２０５】
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０２０６】
（電子注入層：陰極バッファ層）
電子注入層形成工程で形成される電子注入層（陰極バッファ層）とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。電子注入層（陰極バッファ層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。
【０２０７】
（第２電極：陰極）
第２電極（陰極）としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性および酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。
【０２０８】
尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）または第２電極（陰極）の何れか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０２０９】
また、第２電極として上記電極物質（金属）を１〜１００ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の第２電極（陰極）を作製することが出来、これを応用することで第１電極（陽極）と第２電極（陰極）の両方が透過性を有する素子を作製することが出来る。
【０２１０】
（保護層）
有機エレクトロニクスデバイス１０は、必要に応じて、有機素子上に保護層を有してもよい。保護層は、水分や酸素等の有機素子の劣化を促進するものが素子内に侵入することを防止する機能、封止基材１２上に配置された有機素子等を絶縁性とする機能、または有機素子による段差を解消する機能を有する。
【０２１１】
保護層を形成する材料としては上記機能を有するものであれば特に制限されないが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、または、これらの合金等の金属、シリカ等の酸化ケイ素、アルミナ等の酸化アルミニウム、チタニア等の酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオブなどの金属酸化物；窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの金属窒化物；炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ケイ素などの金属炭化物；酸窒化アルミニウム、酸窒化ケイ素、酸窒化ホウ素などの金属酸窒化物；酸化ホウ化ジルコニウム、酸化ホウ化チタンなどの金属酸化ホウ化物、ダイヤモンド様カーボンおよびこれらの組み合わせが挙げられる。
【０２１２】
保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、スパッタリング；蒸発；化学蒸着（ＣＶＤ）；プラズマ増強化学蒸着（プラズマＣＶＤ）；無機酸化物または窒化物の前駆体（例えばゾル状の、ポリシラザン、テオス（ＴＥＯＳ）、有機金属化合物など）のウェットコーティング後の加熱および／または真空紫外光の照射などによる無機酸化物または窒化物への改質；めっき；スプレー；スピンコート等の、フィルム金属化技術で使用されている技術を使用して形成される。
【０２１３】
保護層の厚さは特に制限されないが、例えば、１０ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、５０〜５００ｎｍであることがより好ましい。
【０２１４】
［有機エレクトロニクスデバイスの製造方法］
本発明の有機エレクトロニクスデバイスの製造方法は、特に制限されず、例えば、（１）ガスバリア性フィルム上に有機素子を形成した後、前記ガスバリア性フィルム上および／または前記有機素子上に封止剤層を形成し、その後封止部材を積層し接着する方法；（２）封止部材上に有機素子を形成した後、前記封止部材上および／または前記有機素子上に封止剤層を形成し、その後ガスバリア性フィルムを積層し接着する方法；等が挙げられる。
【実施例】
【０２１５】
本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。また、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。
【０２１６】
（封止剤の調製）
下記表２に示すような成分および組成比で、１０℃で４時間攪拌し、封止剤ＡＤ−１〜１０を調製した。なお、下記表２に示す各成分の詳細は下記表１の通りであり、下記表２中の各成分の数字は質量部を表す。また、封止剤ＡＤ−１１としては、三井・デュポンポリケミカル株式会社製、ニュクレル（登録商標）ＡＮ４２２８Ｃ（厚さ２０μｍのシート状）を準備した。
【０２１７】
【表１】
0005835083.tif 000004
【０２１８】
各封止剤の硬化前の粘度、硬化後の水蒸気透過度（表２中の「ＷＶＴＲ」）、および硬化後のショアＤ硬度は、下記の方法により測定した。
【０２１９】
粘度
ＡＤ−１〜ＡＤ−１０については、ハーケ社製、回転粘度計ビスコマスターＶＴ５５０を使用し、２５℃でＩＳＯ３２１９に準じた方法で粘度を測定した。
【０２２０】
水蒸気透過度
ＡＤ−１〜ＡＤ−１０については、セロハン基材上に厚さ１００μｍになるように塗布し、硬化処理を行い、封止剤シートを得た。ＡＤ−１１は、２０μｍの封止剤シートをそのまま用いた。得られた封止剤シートについて、６０℃、９０％ＲＨの環境下で、ＪＩＳ  Ｚ０２０８：１９７６に準じ、水蒸気透過度をカップ法で測定した。なお、ＡＤ−１１については、１００μｍあたりの水蒸気透過度にするために、得られた値の１／５を算出した。
【０２２１】
ショアＤ硬度
ＡＤ−１〜ＡＤ−１０については、ガラス基板上に封止剤を約１００μｍの厚さに塗布した後表１に記載の硬化条件で硬化処理することを繰り返し、厚さ５ｍｍの封止剤層を形成した。ＡＤ−１１は、厚さ２０μｍのシートを複数枚重ねて５ｍｍ厚とした。このようにして得られた封止剤層について、ＪＩＳ  Ｋ６２５３：１９９７の方法に従い、ＴＱＣ社製デュロメーターを用い、２５℃での硬化後のショアＤ硬度を測定した。
【０２２２】
なお、上記の硬化処理においては、紫外線硬化装置としてセン特殊光源株式会社製の品名  ＨＬＲ１００Ｔ−２を用い、加熱装置としてエスペック株式会社製のＰＵ−２型を用いた。
【０２２３】
【表２】
0005835083.tif 000005
【０２２４】
（実施例１）
《基材の作製》
基材（支持体）として、両面に易接着加工された厚さ１２５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、Ｑ６５ＦＷＡ）を用い、下記に示すように、片面にブリードアウト防止層を、反対面に平滑層を形成したものを基材とした。
【０２２５】
〈ブリードアウト防止層の形成〉
上記熱可塑性樹脂基材の一方の面側に、ＪＳＲ株式会社製のＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材  ＯＰＳＴＡＲ（登録商標）  Ｚ７５３５を、乾燥後の膜厚が４．０μｍになる条件で塗布した後、硬化条件として、照射エネルギー量１．０Ｊ／ｃｍ２で、空気雰囲気下、高圧水銀ランプを使用し、乾燥条件８０℃で、３分間の硬化処理を行い、ブリードアウト防止層を形成した。
【０２２６】
〈平滑層の形成〉
次いで、上記熱可塑性樹脂基材のブリードアウト防止層を形成した面とは反対側の面側に、ＪＳＲ株式会社製のＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材  ＯＰＳＴＡＲ（登録商標）  Ｚ７５０１を、乾燥後の膜厚が４．０μｍになる条件で塗布した後、８０℃で、３分間乾燥した後、空気雰囲気下、高圧水銀ランプを使用し、硬化条件として、照射エネルギー量１．０Ｊ／ｃｍ２で照射、硬化して、平滑層を形成した。
【０２２７】
得られた平滑層のＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定される方法に準拠して測定した表面粗さＲａは１ｎｍであった。また、Ｒｚは２０ｎｍであった。
【０２２８】
表面粗さは、ＳＩＩ社製のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）ＳＰＩ３８００Ｎ  ＤＦＭを用いて測定した。一回の測定範囲は８０μｍ×８０μｍとし、測定箇所を変えて三回の測定を行って、それぞれの測定で得られたＲａの値、および、１０点平均粗さＲｚをそれぞれ平均したものを測定値とした。
【０２２９】
〔ガスバリア性フィルムの作製〕
基材の平滑層の上に、下記ポリシラザン含有塗布液を、スピンコーターを用いて、乾燥後の膜厚が１５０ｎｍとなる条件で塗布した。乾燥条件は、１００℃で２分とした。
【０２３０】
〈ポリシラザン含有塗布液の調製〉
無触媒のパーヒドロポリシラザンを２０質量％含むジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカ（登録商標）ＮＮ１２０−２０）と、アミン触媒としてＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサンを１質量％、およびパーヒドロポリシラザンを１９質量％含むジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、アクアミカ（登録商標）ＮＡＸ１２０−２０）とを４：１の比率で混合し、アミン触媒の含有量を塗布液の固形分に対して１質量％に調整した。さらに、設定膜厚に応じてジブチルエーテルで適宜希釈することにより、塗布液を調製した。
【０２３１】
（真空紫外線照射処理）
上記の様にしてポリシラザンを含む塗膜を形成した後、下記の方法に従って、３０００ｍＪ／ｃｍ２の照射エネルギーで真空紫外線の照射処理を施して、バリア層を形成した。
【０２３２】
〈真空紫外線照射条件・照射エネルギーの測定〉
真空紫外線照射は、図３に断面模式図で示した装置を用いて行った。
【０２３３】
図３において、２１は装置チャンバであり、図示しないガス供給口から内部に窒素と酸素とを適量供給し、図示しないガス排出口から排気することで、チャンバ内部から実質的に水蒸気を除去し、酸素濃度を所定の濃度に維持することができる。２２は１７２ｎｍの真空紫外線を照射する二重管構造を有するＸｅエキシマランプ、２３は外部電極を兼ねるエキシマランプのホルダーである。２４は試料ステージである。試料ステージ２４は、図示しない移動手段により装置チャンバ２１内を水平に所定の速度Ｖで往復移動することができる。また、試料ステージ２４は図示しない加熱手段により、所定の温度に維持することができる。２５はポリシラザン塗布層が形成された試料である。試料ステージ２４が水平移動する際、試料の塗布層表面と、エキシマランプ管面との最短距離が３ｍｍとなるように試料ステージ２４の高さが調整されている。２６は遮光板であり、Ｘｅエキシマランプ２２のエージング中に試料の塗布層に真空紫外光が照射されないようにしている。
【０２３４】
真空紫外線照射工程で試料塗布層表面に照射されるエネルギーは、浜松ホトニクス株式会社製の紫外線積算光量計：Ｃ８０２６／Ｈ８０２５  ＵＶ  ＰＯＷＥＲ  ＭＥＴＥＲを用い、１７２ｎｍのセンサヘッドを用いて測定した。測定に際しては、Ｘｅエキシマランプ管面とセンサヘッドの測定面との最短距離が、３ｍｍとなるようにセンサヘッドを試料ステージ４中央に設置し、かつ、装置チャンバ２１内の雰囲気が、真空紫外線照射工程と同一の酸素濃度となるように窒素と酸素とを供給し、試料ステージ２４を０．５ｍ／ｍｉｎの速度で移動させて測定を行った。測定に先立ち、Ｘｅエキシマランプ２２の照度を安定させるため、Ｘｅエキシマランプ２２の点灯後に１０分間のエージング時間を設け、その後試料ステージを移動させて測定を開始した。
【０２３５】
この測定で得られた照射エネルギーを元に、試料ステージ２４の移動速度を調整することで所定の照射エネルギーとなるように調整した。尚、真空紫外線照射に際しては、照射エネルギー測定時と同様に、１０分間のエージング後に行った。
【０２３６】
このようにして、ガスバリア性フィルム１を作製した。また、特開２００６−１１９０６９号公報で示されるＣａ法を用い、６０℃、９０％ＲＨの条件で測定したガスバリア性フィルム１の水蒸気透過度は、３×１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。
【０２３７】
《有機エレクトロニクスデバイスの作製》
ガスバリア性フィルム１を封止フィルムとして用いて、以下の手順で、２０ｃｍ角の有機エレクトロニクスデバイスである有機ＥＬ素子６を作製した。
【０２３８】
〔有機ＥＬ素子の作製〕
（第１電極層の形成）
ガスバリア性フィルム１のバリア層上に、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ（酸化インジウムスズ）をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第１電極層を形成した。
【０２３９】
（正孔輸送層の形成）
上記で形成した第１電極層の上に、以下に示す正孔輸送層形成用塗布液を、乾燥後の厚みが５０ｎｍとなるように押出し塗布機で塗布した後乾燥し、正孔輸送層を形成した。
【０２４０】
正孔輸送層形成用塗布液を塗布する前に、ガスバリア性フィルムの洗浄表面改質処理を、波長１８４．９ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度１５ｍＷ／ｃｍ２、距離１０ｍｍで実施した。帯電除去処理は、微弱Ｘ線による除電器を使用し行った。
【０２４１】
〈塗布条件〉
塗布工程は大気中、２５℃、相対湿度５０％の環境で行った。
【０２４２】
〈正孔輸送層形成用塗布液の準備〉
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製  Ｂａｙｔｒｏｎ（登録商標）Ｐ  ＡＩ  ４０８３）を純水で６５％、およびメタノール５％で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。
【０２４３】
〈乾燥および加熱処理条件〉
正孔輸送層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／ｓ、幅手の風速分布５％、温度１００℃で温風を当て溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理装置を用い、温度１５０℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。
【０２４４】
（発光層の形成）
引き続き、上記で形成した正孔輸送層の上に、以下に示す白色発光層形成用塗布液を乾燥後の厚みが４０ｎｍになるように押出し塗布機で塗布した後乾燥し、発光層を形成した。
【０２４５】
〈白色発光層形成用塗布液〉
ホスト材Ｈ−Ａ  １．０ｇ、ドーパント材Ｄ−Ａ  １００ｍｇ、ドーパント材Ｄ−Ｂ  ０．２ｍｇ、およびドーパント材Ｄ−Ｃ  ０．２ｍｇを、１００ｇのトルエンに溶解し白色発光層形成用塗布液として準備した。ホスト材Ｈ−Ａ、ドーパント材Ｄ−Ａ、ドーパント材Ｄ−Ｂ、およびドーパント材Ｄ−Ｃの化学構造は、下記化学式に示す通りである。
【０２４６】
【化３】
0005835083.tif 000006
【０２４７】
〈塗布条件〉
塗布工程を、窒素ガス濃度９９％以上の雰囲気で、塗布温度を２５℃とし、塗布速度１ｍ／ｍｉｎで行った。
【０２４８】
〈乾燥および加熱処理条件〉
白色発光層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／ｓ、幅手の風速分布５％、温度６０℃で温風を当て溶媒を除去した後、引き続き、温度１３０℃で加熱処理を行い、発光層を形成した。
【０２４９】
（電子輸送層の形成）
引き続き、上記で形成した発光層の上に、以下に示す電子輸送層形成用塗布液を、乾燥後の厚みが３０ｎｍになるように押出し塗布機で塗布した後、乾燥し電子輸送層を形成した。
【０２５０】
〈塗布条件〉
塗布工程は窒素ガス濃度９９％以上の雰囲気で、電子輸送層形成用塗布液の塗布温度を２５℃とし、塗布速度１ｍ／ｍｉｎで行った。
【０２５１】
〈電子輸送層形成用塗布液〉
電子輸送層は、Ｅ−Ａ（下記化学式参照）を２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール中に溶解し０．５質量％溶液とし、電子輸送層形成用塗布液とした。
【０２５２】
【化４】
0005835083.tif 000007
【０２５３】
〈乾燥および加熱処理条件〉
電子輸送層形成用塗布液を塗布した後、成膜面に向け高さ１００ｍｍ、吐出風速１ｍ／ｓ、幅手の風速分布５％、温度６０℃で温風を当て、溶媒を除去した後、引き続き加熱処理部で、温度２００℃で加熱処理を行い、電子輸送層を形成した。
【０２５４】
（電子注入層の形成）
引き続き、上記で形成した電子輸送層の上に電子注入層を形成した。まず、基板を減圧チャンバに投入し、５×１０−４Ｐａまで減圧した。あらかじめ、真空チャンバにタンタル製蒸着ボートに用意しておいたフッ化セシウムを加熱し、厚さ３ｎｍの電子注入層を形成した。
【０２５５】
（第２電極の形成）
引き続き、上記で形成した電子注入層の上に５×１０−４Ｐａの真空下にて第２電極形成材料としてアルミニウムを使用し、取り出し電極を有するように蒸着法にて、マスクパターン成膜し、厚さ１００ｎｍの第２電極を積層した。
【０２５６】
（保護層の形成）
続いて、第１電極および第２電極の取り出し部になる部分を除き、ＣＶＤ法にてＳｉＯ２を２００ｎｍの厚さで積層し、第２電極層上に保護層を形成した。
【０２５７】
（裁断）
保護層まで形成したガスバリア性フィルムを、再び窒素雰囲気に移動し、規定の大きさに、紫外線レーザーを用いて裁断した。
【０２５８】
（電極リード接続）
裁断した素子に、ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製の異方性導電フィルムＤＰ３２３２Ｓ９を用いて、フレキシブルプリント基板（ベースフィルム：ポリイミド１２．５μｍ、圧延銅箔１８μｍ、カバーレイ：ポリイミド１２．５μｍ、表面処理ＮｉＡｕメッキ）を接続した。
【０２５９】
圧着条件：温度１７０℃（別途熱電対を用いて測定したＡＣＦ温度１４０℃）、圧力２ＭＰａ、１０秒で圧着を行った。
【０２６０】
（封止）
３０μｍ厚のアルミニウム箔（東洋アルミニウム株式会社製）に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（１２μｍ厚）を、ドライラミネーション用の接着剤（２液反応型のウレタン系接着剤）を用いドライラミネートした（接着剤層の厚み１．５μｍ）封止部材上に、液状の封止剤であるＡＤ−１およびＡＤ−６を、武蔵エンジニアリング株式会社製ディスペンサーを使用し、ＯＤＦ法を用い、以下に示す方法で塗布した。ＡＤ−１を図２のＢ部分に１９５ｍｍ×１９５ｍｍの大きさで、直角部のＲ＝２ｍｍで塗布し、ＡＤ−６を図２のＢの内側のＣの部分に、等間隔で３８×３８か所に分けて滴下した。上記封止部材を、ランテクニカルサービス株式会社製真空貼り合わせ装置を使用し、電極リード（フレキシブルプリント基板）を接続した素子上に、封止剤層の厚さが２０μｍになるように、接着した。ＡＤ−１の塗布量は、素子と封止部材との間隙を２０μｍにしたときにＡＤ−１の巾が１．０ｍｍになるように調整した。ＡＤ−６の塗布量は、素子と封止部材との間隙を２０μｍにしたときに、封止剤ＡＤ−１との間に間隙が生じないように調整した。
【０２６１】
塗設後、下記表３に記載の硬化条件で封止剤の硬化処理を行い、有機ＥＬ素子６を作製した。なお、硬化処理においては、紫外線硬化装置としてセン特殊光源株式会社製のＨＬＲ  １００Ｔ−２を用い、加熱装置としてエスペック株式会社製のＰＵ−２型を用いた。
【０２６２】
（実施例２〜１３、比較例１〜１２）
上記表２に示す封止剤を、下記表３に示すような配置で配置させ、かつ下記表３に記載の硬化条件で封止剤の硬化処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子１〜５、７〜２５を作製した。なお、図２のＡの部分に封止剤を配置する場合は、図２のＢの部分から２．０ｍｍの間隔を置いて塗布し、厚さ２０μｍで封止時にＢとＡとの部分に間隙がないように塗布量を調整した。
【０２６３】
液状の封止剤であるＡＤ−１〜ＡＤ−１０については、電極リード（フレキシブルプリント基板）を接続した素子に、武蔵エンジニアリング株式会社製ディスペンサーを使用し、表３および表４に示す封止パターンで、延展後の厚さが２０μｍとなるように封止剤層を設置した。また、シート状の封止剤であるＡＤ−１１については、所定の大きさに打ち抜き設置した。
【０２６４】
《有機ＥＬ素子の評価》
上記作製した有機ＥＬ素子１〜２５について、下記の方法に従って、耐久性の評価を行った。
【０２６５】
〔耐久性評価〕
（加速劣化処理）
上記作製した各有機ＥＬ素子を、６０℃、９０％ＲＨの環境下で１０００時間の加速劣化処理を施した後、加速劣化処理を施していない有機ＥＬ素子と共に、下記の黒点に関する評価を行った。
【０２６６】
（黒点の評価）
加速劣化処理を施した有機ＥＬ素子および加速劣化処理を施していない有機ＥＬ素子に対し、それぞれ１ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加し、２４時間連続発光させた後、１００倍のマイクロスコープ（株式会社モリテックス製ＭＳ−８０４、レンズＭＰ−ＺＥ２５−２００）でパネルの一部分を拡大し、有機ＥＬ素子の中心部および周辺部の２か所で、有機ＥＬ素子に向けての写真撮影を行った。撮影画像を５ｍｍ四方に切り抜き、黒点の発生面積比率を求め、下式に従って素子劣化耐性率を算出し、下記の基準に従って耐久性を評価した。評価ランクが、◎、○であれば、実用上好ましい特性であると判定した。
【０２６７】
【数１】
0005835083.tif 000008
【０２６８】
◎：素子劣化耐性率が、９０％以上である
○：素子劣化耐性率が、６０％以上、９０％未満である
△：素子劣化耐性率が、２０％以上、６０％未満である
×：素子劣化耐性率が、２０％未満である
また、作製した有機ＥＬ素子を直径１０ｃｍの円柱に巻きつけ５分放置した後、平面状に広げ５分放置する操作を１００回行った後に、上記と同様の耐久性試験を実施した（表中の「屈曲後耐久性」）。
【０２６９】
評価結果を、下記表３および４に示す。
【０２７０】
【表３】
0005835083.tif 000009
【０２７１】
【表４】
0005835083.tif 000010
【０２７２】
上記表３および表４に記載の結果から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子６〜１１、１３〜１５、１７〜２０、および２４〜２５（実施例１〜１５）は、耐久性に優れることが分かる。
【０２７３】
（実施例１６〜１８、比較例１１）
〔ガスバリア性フィルムの作製〕
基材（支持体）として、両面に易接着加工された厚さ１２５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、Ｑ６５ＦＷＡ）上に、国際公開第２０１２／００３１９８号の実施例１に記載の方法と同様の方法で、無機層および有機層をそれぞれ３層ずつ積層したバリア層を設け、ガスバリア性フィルム２を作製した。無機層は、３層ともＳｉＡｌＯｘの層であり、厚さは３層とも３０ｎｍであった。また、特開２００６−１１９０６９号公報で示されるＣａ法を用い、６０℃、９０％ＲＨの条件で測定したガスバリア性フィルム２の水蒸気透過度は、４×１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。
【０２７４】
このようにして作製したガスバリア性フィルム２を用い、上記表２に示す封止剤を、下記表５に示すような配置で配置させ、かつ下記表５に記載の硬化条件で封止剤の硬化処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子２０１〜２０４を作製した。
【０２７５】
（実施例１９〜２１）
〔ガスバリア性フィルムの作製〕
基材（支持体）として、両面に易接着加工された厚さ１２５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、Ｑ６５ＦＷＡ）上に、国際公開第２０１１／０１３３４１号の実施例Ｅ２に記載の方法と同様の方法で作製したバリア膜を３枚貼りあわせて、有機層および無機層が積層されたガスバリア性フィルム３を作製した。無機層は、３層ともＳｉＯ２の層であり、厚さは３層とも３０ｎｍであった。また、特開２００６−１１９０６９号公報で示されるＣａ法を用い、６０℃、９０％ＲＨの条件で測定したガスバリア性フィルム３の水蒸気透過度は、５×１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙであった。
【０２７６】
このようにして作製したガスバリア性フィルム３を用い、上記表２に示す封止剤を、下記表５に示すような配置で配置させ、かつ下記表５に記載の硬化条件で封止剤の硬化処理を行ったこと以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子２０５〜２０７を作製した。
【０２７７】
有機ＥＬ素子２０１〜２０７の耐久性の評価結果を、下記表５に示す。
【０２７８】
【表５】
0005835083.tif 000011
【０２７９】
上記表５に記載の結果から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子２０２〜２０７（実施例１６〜２１）は、耐久性に優れることが分かる。
【符号の説明】
【０２８０】
１０    有機エレクトロニクスデバイス、
１１    基材
１２    バリア層、
１３    有機素子、
１４    封止剤層、
１５    封止部材、
２１    装置チャンバ、
２２    Ｘｅエキシマランプ、
２３    ホルダー、
２４    試料ステージ、
２５    試料、
２６    遮光板。
【図１】
0005835083.tif 000012
【図２】
0005835083.tif 000013
【図３】
0005835083.tif 000014