(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面及び基板裏面を有し、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層してなる構造を有し、チップ部品を接続可能な複数のチップ部品接続端子が前記基板主面上に配設された多層配線基板であって、
前記基板主面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層が、該最外層の樹脂絶縁層の表面の色の濃淡の差によって形成された認識マークを備えていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記基板主面側の外縁部において導体部を露出させてなり、前記最外層の樹脂絶縁層の樹脂表面と前記導体部表面との光反射率の差によって認識される位置決め用マークをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記基板主面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層において、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成され、所定パターンの絵柄が規則正しく配列した模様をさらに備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の多層配線基板を製造する方法であって、
前記基板主面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層の表面に、前記複数のチップ部品接続端子となる製品めっき層を形成するとともに、前記認識マークに対応した形状を有するダミーめっき層を形成するめっき層形成工程と、
前記最外層の樹脂絶縁層を熱処理することで、該最外層の樹脂絶縁層の表面を変色させる認識マーク形成工程と、
前記基板主面側にて前記製品めっき層を覆うようにエッチングレジストを形成した後、前記ダミーめっき層をエッチングにより除去するダミーめっき層除去工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品を接続可能な複数のチップ部品接続端子が基板主面上に配設された多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。
【０００３】
このパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層して構成された多層配線基板が用いられる。そして、その多層配線基板の基板主面上にＩＣチップを接続するための複数のＩＣチップ接続端子が設けられるとともに、基板裏面上にマザーボード（母基板）に接続するための母基板接続端子が設けられている。この種の多層配線基板において、基板主面側にはＩＣチップの位置合わせ用認識マーク（アライメントマーク）が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０４０５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来の多層配線基板では、最外層の樹脂絶縁層に開口部を形成し、露出した導体層にめっきを施すことで認識マークが形成されている。この認識マークは、めっき層表面と樹脂絶縁層表面とにおける光反射率の差によって認識されるマークである。また、認識マークとして、ＩＣチップ用のアライメントマーク以外に、配線基板自体の位置決めを行うための位置決め用マーク、製品番号、製造ロッド番号などの認識マークが形成される多層配線基板も実用化されている。このような認識マークを形成する場合、導体層や開口部の形成工程やめっき工程が必要となる。また一般に、認識マークに対するめっきは、ＩＣチップ接続端子に対するめっきと同じめっき工程で行われる。このめっき工程では、はんだ濡れ性を確保するために比較的にコストが高い金めっき等が施される場合がある。このため、多層配線基板の製造コストが嵩んでしまうといった問題が生じてしまう。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板主面に認識マークを低コストで形成することができる多層配線基板を提供することにある。また、別の目的は、上記多層配線基板を製造するのに好適な多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面及び基板裏面を有し、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層してなる構造を有し、チップ部品を接続可能な複数のチップ部品接続端子が前記基板主面上に配設された多層配線基板であって、前記基板主面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層が、該最外層の樹脂絶縁層の表面の色の濃淡の差によって形成された認識マークを備えていることを特徴とする多層配線基板がある。
【０００８】
手段１に記載の発明によると、チップ部品の搭載面となる基板主面上に、最外層の樹脂絶縁層の表面の色の濃淡の差によって認識マークが形成される。この場合、従来技術のように導体層や開口部を形成しなくても認識マークを認識することができるので、多層配線基板の製造コストを抑えることができる。
【０００９】
基板主面側の外縁部において導体部を露出させてなり、最外層の樹脂絶縁層の樹脂表面と導体部表面との光反射率の差によって認識される位置決め用マークをさらに備えていてもよい。この場合、色の濃淡の差による認識マークと光反射率の差による位置決め用マークとを用途に応じて形成することができる。なおここで、光反射率の差による位置決め用マークの形成個数を最小限とし、他の認識マークを色の濃淡の差によって形成すると、多層配線基板の製造コストの増加を低く抑えることができる。また、色の濃淡の差によって形成した認識マークをチップ部品等の位置決め用マークとして利用することもできる。
【００１０】
基板主面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層において、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成され、所定パターンの絵柄が規則正しく配列した模様をさらに備えていてもよい。このように、基板主面上に模様を形成することにより、多層配線基板の意匠性を高めることができる。
【００１１】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、手段１に記載の多層配線基板を製造する方法であって、前記基板主面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層の表面に、前記複数のチップ部品接続端子となる製品めっき層を形成するとともに、前記認識マークに対応した形状を有するダミーめっき層を形成するめっき層形成工程と、前記最外層の樹脂絶縁層を熱処理することで、該最外層の樹脂絶縁層の表面を変色させる認識マーク形成工程と、前記基板主面側にて前記製品めっき層を覆うようにエッチングレジストを形成した後、前記ダミーめっき層をエッチングにより除去するダミーめっき層除去工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００１２】
手段２に記載の発明によると、めっき層形成工程にてダミーめっき層を形成した後、認識マーク形成工程において最外層の樹脂絶縁層を熱処理すると、露出した最外層の樹脂絶縁層の表面が変色する一方、ダミーめっき層で覆われている樹脂絶縁層の表面は変色しない。この後、ダミーめっき層除去工程により、ダミーめっき層をエッチング除去することで、変色していない樹脂絶縁層の表面が露出する。この結果、樹脂表面にはダミーめっき層のパターン形状に応じて色の濃淡の差が生じ、その濃淡の差によって認識マークを形成することができる。
【００１３】
認識マーク形成工程は、樹脂絶縁層のアニーリングを兼ねることが好ましい。具体的には、認識マーク形成工程における熱処理は、露出した樹脂絶縁層の表面に熱風を当てる処理である。この場合、従来の基板製造時に行っていたアニール工程と、認識マーク形成工程とを別々の熱処理で行う必要がなく、多層配線基板の製造コストを低く抑えることができる。
【００１４】
また、コア基板を有さないコアレス配線基板の製造方法として本発明の製造方法を適用することが好ましい。具体的には、コアレス配線基板の製造方法は、支持基材上に金属箔を介して複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層する積層工程と、金属箔の界面にて支持基材を分離して基板裏面側に金属箔を露出させる基材分離工程とをさらに含む。そして、基材分離工程の後にめっき層除去工程を行うと、基板主面側のダミーめっき層をエッチングで除去するのと同時に、基板裏面側の金属箔をエッチングにより除去することができる。このため、従来の製造方法と同じ工数で配線基板を製造することができ、製造コストを低く抑えることができる。
【００１５】
多層配線基板を構成する樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂を主体とするビルドアップ材を用いて形成されることが好ましい。樹脂絶縁層の形成材料の具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【００１６】
多層配線基板を構成する導体層は、主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。
【００１７】
なお、チップ部品としては、ＩＣチップやチップコンデンサ以外に、チップ抵抗やチップインダクタなどの電子部品を挙げることができる。また、ＩＣチップとしては、コンピュータのマイクロプロセッサとして使用されるＩＣチップ、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などのＩＣチップを挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図２】第１の実施形態における多層配線基板の概略構成を示す平面図。
【図３】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図４】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図５】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】第１の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１４】第２の実施形態における多層配線基板の概略構成を示す断面図。
【図１５】第２の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１６】第２の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１７】第２の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１８】第２の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１９】第２の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
［第１の実施の形態］
以下、本発明を多層配線基板に具体化した第１の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施の形態の多層配線基板の概略構成を示す拡大断面図であり、図２は、上面側から見た多層配線基板の平面図である。
【００２０】
図１及び図２に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０は、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板である。多層配線基板１０は、同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７と銅からなる複数の導体層２８とを交互に積層して多層化した配線積層部３０を有している。各樹脂絶縁層２０〜２７は、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂を主体としたビルドアップ材を用いて形成されている。
【００２１】
本実施の形態の多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１側（基板主面側）には、接続対象がＩＣチップ（チップ部品）である複数のＩＣチップ接続端子４１（チップ部品接続端子）と、接続対象がチップコンデンサ（チップ部品）である複数のコンデンサ接続端子４２（チップ部品接続端子）とが配置されている。配線積層部３０の上面３１側において、複数のＩＣチップ接続端子４１は、基板中央部に設けられたチップ搭載領域４３にてアレイ状に配置されている。また、コンデンサ接続端子４２は、ＩＣチップ接続端子４１よりも面積の大きい接続端子であり、チップ搭載領域４３よりも外周側に配置されている。
【００２２】
複数のＩＣチップ接続端子４１及び複数のコンデンサ接続端子４２は最外層の樹脂絶縁層２７上にて凸設されている。これらＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２は、銅層を主体として構成されており、銅層の上面及び側面を銅以外のめっき層４６（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。
【００２３】
一方、配線積層部３０の下面３２側（基板裏面側）には、接続対象がマザーボード（母基板）である複数の母基板接続端子４５がアレイ状に配置されている。これら母基板接続端子４５は、上面３１側のＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２よりも面積の大きな接続端子である。
【００２４】
配線積層部３０の下面３２側において最外層の樹脂絶縁層２０には複数の開口部３７が形成されており、それら複数の開口部３７に対応して母基板接続端子４５が配置されている。具体的には、母基板接続端子４５は、端子外面の高さが樹脂絶縁層２０の表面よりも低くなるような状態で開口部３７内に配置されており、端子外面の外周部が最外層の樹脂絶縁層２０により被覆されている。母基板接続端子４５は、銅層を主体として構成されており、開口部３７内にて露出する銅層の下面のみを銅以外のめっき層４８（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。
【００２５】
樹脂絶縁層２１〜２７には、それぞれビア穴３３及びフィルドビア導体３４が設けられている。各ビア導体３４は、いずれも同一方向に（図１では下面側から上面側に向かうに従って）拡径した形状を有し、各導体層２８、ＩＣチップ接続端子４１、コンデンサ接続端子４２、及び母基板接続端子４５を相互に電気的に接続している。
【００２６】
図２に示されるように、多層配線基板１０において、上面３１側にて露出する最外層の樹脂絶縁層２７は、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成された認識マーク７１，７２，７３を備えている。本実施の形態では、認識マークとして、社名等を表す文字のマーク７１や製造番号を表す数字のマーク７２が外縁部（図２では左上の縁部）に形成されるとともに、チップ搭載領域４３の角部近傍にＩＣチップの位置決め用マーク７３が形成されている。さらに、最外層の樹脂絶縁層２７は、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成され、網目状のパターンが規則正しく配列した模様７４を備えている。この模様７４は、上面３１側にて露出した樹脂絶縁層２７のほぼ全面に形成されている。
【００２７】
また、多層配線基板１０において、上面３１側の外縁部となる基板角部（図２では基板右上の角部）には、導体部７５を露出させてなる位置決め用マーク７６を備えている。本実施の形態では、位置決め用マーク７６の導体部７５は、最外層の樹脂絶縁層２７上にめっきを施すことで形成されている。この位置決め用マーク７６は、最外層の樹脂絶縁層２７の樹脂表面と導体部７５表面との光反射率の差を図示しない検出装置で検出することにより認識される。
【００２８】
上記構成の多層配線基板１０は例えば以下の手順で作製される。
【００２９】
先ず、十分な強度を有する支持基板５０（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板５０上に、樹脂絶縁層２０〜２７及び導体層２８をビルドアップして配線積層部３０を形成する。
【００３０】
詳述すると、図３に示されるように、支持基板５０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を貼り付けて下地樹脂絶縁層５１を形成することにより、支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１からなる基材５２を得る。そして、基材５２の下地樹脂絶縁層５１の上面に、積層金属シート体５４を配置する。ここで、下地樹脂絶縁層５１上に積層金属シート体５４を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体５４が下地樹脂絶縁層５１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体５４は、２枚の銅箔５５，５６を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき、ニッケルめっき、チタンめっき、またはこれらの複合めっき）を介して銅箔５５、銅箔５６が配置された積層金属シート体５４が形成されている。
【００３１】
次に、基材５２上において、積層金属シート体５４を包むようにシート状の樹脂絶縁層２０を配置し、樹脂絶縁層２０を貼り付ける。ここで、樹脂絶縁層２０は、積層金属シート体５４と密着するとともに、その積層金属シート体５４の周囲領域において下地樹脂絶縁層５１と密着することで、積層金属シート体５４を封止する（図４参照）。そして、例えばエキシマレーザーやＵＶレーザーやＣＯ２レーザーなどを用いてレーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層２０の所定の位置に銅箔５５の一部を露出させる開口部３７を形成する。その後、無電解銅めっきを行い、開口部３７内及び樹脂絶縁層２０を覆う全面めっき層を形成する。
【００３２】
そして、樹脂絶縁層２０の上面にめっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことで、樹脂絶縁層２０上にめっきレジストを形成する。その後、めっきレジストを形成した状態で選択的に電解銅めっきを行って、積層金属シート体５４の銅箔５５上に金属導体部５８を形成するとともに樹脂絶縁層２０上に導体層２８を形成した後、めっきレジストを剥離する（図５参照）。さらに、めっきレジストの剥離により露出する、樹脂絶縁層２０を覆う全面めっき層を除去する。
【００３３】
金属導体部５８及び導体層２８が形成された樹脂絶縁層２０の上面にシート状の樹脂絶縁層２１を配置し、樹脂絶縁層２１を貼り付ける。そして、例えばエキシマレーザーやＵＶレーザーやＣＯ２レーザーなどを用いてレーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層２１の所定の位置（金属導体部５８の上部の位置）にビア穴３３を形成する。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴３３内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００３４】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴３３内にビア導体３４を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２１上に導体層２８をパターン形成する（図６参照）。
【００３５】
また、他の樹脂絶縁層２２〜２７及び導体層２８についても、上述した樹脂絶縁層２１及び導体層２８と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２１上に積層していく。そして、最外層の樹脂絶縁層２７に対してレーザー穴加工を施すことによりビア穴３３を形成する（図７参照）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴３３内のスミアを除去するデスミア工程を行う。さらに、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層２７のビア穴３３内及び樹脂絶縁層２７を覆う全面めっき層を形成する。
【００３６】
そして、樹脂絶縁層２７の上面にめっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことで、樹脂絶縁層２７上にめっきレジストを形成する。この後、めっきレジストを形成した状態で選択的に電解銅めっきを行う（めっき層形成工程）。この結果、図８に示されるように、樹脂絶縁層２７のビア穴３３内にビア導体３４を形成するとともにビア導体３４の上部にＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２の銅層となる製品めっき層６１を形成する。また、基板角部となる位置に位置決め用マーク７６の導体部７５となる製品めっき層６１を形成する。さらに、各製品めっき層６１の周囲にダミーめっき層６２を形成する。この後、樹脂絶縁層２７の上面にて製品めっき層６１及びダミーめっき層６２を残しつつ全面めっき層を除去する。
【００３７】
図９に示されるように、本実施の形態のダミーめっき層６２は、樹脂絶縁層２７の上面において、ＩＣチップ接続端子４１の形成領域（チップ搭載領域４３）やコンデンサ接続端子４２の形成領域を除くほぼ全面を覆うようにプレーン状パターンの導体層として形成されている。このダミーめっき層６２は、模様７４に対応する網目状の抜きパターンであるメッシュ６３を有して形成される。さらに、ダミーめっき層６２において、外縁部となる位置に文字の認識マーク７１や数字の認識マーク７２に応じた抜きパターン６４，６５が形成されるとともに、チップ搭載領域４３の角部近傍となる位置に位置決め用の認識マーク７３に応じた抜きパターン６６が形成される。
【００３８】
めっき層形成工程後、図１０に示されるように、最外層の樹脂絶縁層２７の樹脂表面に対してその上方から例えば１８０℃の熱風６８を加える熱処理を行う（認識マーク形成工程）。この熱処理によって、ダミーめっき層６２にメッシュ６３や抜きパターン６４〜６６が形成されて露出している樹脂絶縁層２７の樹脂表面を変色させる。また、ここでの熱処理は、アニーリングを兼ねるものであり、樹脂絶縁層２７を硬化させるとともに製品めっき層６１に加わる内部応力を開放する。
【００３９】
上述したビルドアップ工程を行うことにより、基材５２上に積層金属シート体５４、樹脂絶縁層２０〜２７、導体層２８、製品めっき層６１及びダミーめっき層６２を積層した配線積層体６０が形成される。
【００４０】
そして、配線積層体６０の上面にエッチングレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、製品めっき層６１の表面を覆うようにエッチングレジスト６９（図１１参照）を形成する。
【００４１】
エッチングレジスト６９の形成後、配線積層体６０をダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部３０となる部分の周囲領域を除去する。この切断によって、樹脂絶縁層２０にて封止されていた積層金属シート体５４の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲領域の除去によって、下地樹脂絶縁層５１と樹脂絶縁層２０との密着部分が失われる。この結果、配線積層部３０と基材５２とは積層金属シート体５４のみを介して連結した状態となる。
【００４２】
ここで、図１２に示されるように、積層金属シート体５４における一対の銅箔５５，５６の界面にて剥離することで、配線積層部３０から基材５２を除去して配線積層部３０の下面３２上にある銅箔５５を露出させる（基材分離工程）。
【００４３】
その後、配線積層部３０に対してエッチングを行うことで、配線積層部３０の上面３１側にて露出しているダミーめっき層６２を除去する（ダミーめっき層除去工程）。またこれと同時に、配線積層部３０の下面３２側にて露出している銅箔５５を全体的に除去するとともに、金属導体部５８の下側の一部を除去する。この結果、樹脂絶縁層２４に開口部３７が形成されるとともに、開口部３７内に残った金属導体部５８が母基板接続端子４５となる（図１３参照）。また、配線積層部３０（樹脂絶縁層２７）の上面３１には、ダミーめっき層６２をエッチング除去することで、変色していない樹脂絶縁層２７の表面が露出する。この結果、樹脂表面にはダミーめっき層６２のメッシュ６３や抜きパターン６４〜６６の形状に応じて色の濃淡の差が生じ、その濃淡の差によって認識マーク７１〜７３や網目状の模様７４が形成される。
【００４４】
さらに、配線積層部３０の上面３１に形成されているエッチングレジスト６９を除去する。その後、ＩＣチップ接続端子４１の表面、コンデンサ接続端子４２の表面、母基板接続端子４５の表面に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施す。この結果、各接続端子４１，４２，４５の表面にめっき層４６，４８が形成される。以上の工程を経ることで図１の多層配線基板１０を製造する。
【００４５】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４６】
（１）本実施の形態の多層配線基板１０では、ＩＣチップが搭載される上面３１上に、樹脂表面の色の濃淡の差によって認識マーク７１〜７３が形成される。この場合、従来技術のように導体層や開口部を形成しなくても認識マーク７１〜７３を認識することができるので、多層配線基板１０の製造コストを抑えることができる。
【００４７】
（２）本実施の形態の多層配線基板１０では、上面３１側の外縁部において導体部７５を露出させてなり、最外層の樹脂絶縁層２７の樹脂表面と導体部７５表面との光反射率の差によって認識される位置決め用マーク７６をさらに備えている。このように、色の濃淡の差による認識マーク７１〜７３と光反射率の差による位置決め用マーク７６とを用途に応じて形成することができる。また、位置決め用マーク７６の形成位置は、光反射率の差によって迅速かつ確実に認識できる。このため、多層配線基板１０の位置決めをより正確に行うことができる。さらに、認識マーク７３は、ＩＣチップを位置決めするためのマークであり、チップ搭載領域４３の近傍に設けられている。この認識マーク７３は、色の濃淡の差によって形成されており、導体部７５は形成されていない。このため、ＩＣチップが誤って導体部７５に接続されるといった問題を回避することができる。
【００４８】
（３）本実施の形態の多層配線基板１０では、最外層の樹脂絶縁層２７において、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成される網目状の模様７４を備えている。この模様７４は、樹脂絶縁層２７の上面全体に規則正しく形成されているため、多層配線基板１０の意匠性を高めることができる。
【００４９】
（４）本実施の形態では、認識マーク７１〜７３を形成するために、樹脂絶縁層２７の樹脂表面を変色させる熱処理を行っているが、この熱処理は、樹脂絶縁層２７のアニーリングを兼ねている。この場合、従来から行っていたアニール工程と、認識マーク形成工程とを別々の熱処理で行う必要がなく、多層配線基板１０の製造コストを低く抑えることができる。
【００５０】
（５）本実施の形態では、基材分離工程の後にダミーめっき層除去工程を行うようにしている。この場合、多層配線基板１０の上面３１側のダミーめっき層６２をエッチングにより除去するのと同時に、下面３２側の銅箔５５をエッチングにより除去することができる。このようにすると、従来の製造方法と同じ工数で多層配線基板１０を製造することができ、製造コストを低く抑えることができる。
【００５１】
（６）本実施の形態では、多層配線基板１０の上面３１上において、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２となる製品めっき層６１に加えてその製品めっき層６１の周囲にダミーめっき層６２が形成される。このようにすると、多層配線基板１０の上面３１におけるめっき層６１，６２の面積割合を増やすことができる。このため、めっき時における電流集中が回避され、製品めっき層６１の厚さバラツキが解消される。この結果、多層配線基板１０において複数のＩＣチップ接続端子４１及び複数のコンデンサ接続端子４２を均一の厚さで形成することができる。従って、多層配線基板１０を用いれば、ＩＣチップ及びチップコンデンサのチップ部品と各接続端子４１，４２との接続信頼性を向上させることができる。
［第２の実施の形態］
【００５２】
以下、本発明を多層配線基板に具体化した第２の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１４は、本実施の形態の多層配線基板の概略構成を示す拡大断面図である。上記第１の実施の形態では、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板に具体化したが、本実施の形態では、コア基板を有する多層配線基板に具体化している。
【００５３】
図１４に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１００は、矩形板状のコア基板１０１と、コア基板１０１のコア主面１０２上に形成される第１ビルドアップ層１１１と、コア基板１０１のコア裏面１０３上に形成される第２ビルドアップ層１１２とからなる。
【００５４】
本実施の形態のコア基板１０１は、例えば補強材としてのガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させてなる樹脂絶縁材（ガラスエポキシ材）にて構成されている。コア基板１０１には、複数のスルーホール導体１０６がコア主面１０２及びコア裏面１０３を貫通するように形成されている。なお、スルーホール導体１０６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１０７で埋められている。また、コア基板１０１のコア主面１０２及びコア裏面１０３には、銅からなる導体層１２１がパターン形成されており、各導体層１２１は、スルーホール導体１０６に電気的に接続されている。
【００５５】
コア基板１０１のコア主面１０２上に形成された第１ビルドアップ層１１１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる３層の樹脂絶縁層１３３，１３５，１３７と、銅からなる導体層１２２とを交互に積層した構造を有している。基板主面となる最外層の樹脂絶縁層１３７の上面１４１上には、上記第１の実施の形態と同様に基板中央部に複数のＩＣチップ接続端子４１（チップ部品接続端子）がアレイ状に配置されるとともに、ＩＣチップ接続端子４１よりも外側に複数のコンデンサ接続端子４２（チップ部品接続端子）が配置されている。これらＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２は、銅層を主体として構成されており、銅層の上面及び側面をめっき層４６で覆った構造を有している。また、樹脂絶縁層１３３，１３５，１３７には、それぞれビア穴３３及びフィルドビア導体３４が形成されている。各ビア導体３４は、導体層１２１，１２２や各接続端子４１，４２に電気的に接続している。
【００５６】
コア基板１０１のコア裏面１０３上に形成された第２ビルドアップ層１１２は、上述した第１ビルドアップ層１１１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層１１２は、３層の樹脂絶縁層１３４，１３６，１３８と、導体層１２２とを交互に積層した構造を有している。基板裏面となる最外層の樹脂絶縁層１３８の下面１４２上には、複数の母基板接続端子４５が形成されている。これら母基板接続端子４５は、銅層を主体として構成されており、銅層の下及び側面をめっき層４８で覆った構造を有している。また、樹脂絶縁層１３４，１３６,１３８にもビア穴３３及びビア導体３４が形成されている。各ビア導体３４は、導体層１２１，１２２や接続端子４５に電気的に接続されている。
【００５７】
本実施の形態の多層配線基板１００においても、第１ビルドアップ層１１１の上面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層１３７には、第１の実施の形態の多層配線基板１０と同様に、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成された認識マーク７１，７２，７３（図２参照）が設けられている。また、最外層の樹脂絶縁層１３７には、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成された網目状の模様７４が形成されている。
【００５８】
さらに、第２ビルドアップ層１１２の下面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層１３８にも、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成された網目状の模様７４が設けられている。なお、多層配線基板１００において、認識マーク７１，７２，７３のうち社名を表す文字のマーク７１や製造番号を表す数字のマーク７２は、第１ビルドアップ層１１１の上面側ではなく、第２ビルドアップ層１１２の下面側に形成してもよい。
【００５９】
次に、本実施の形態の多層配線基板１００の製造方法について述べる。
【００６０】
まず、ガラスエポキシからなる基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。そして、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板の表裏面を貫通する貫通孔（図示略）を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、銅張積層板の貫通孔の内面に対する無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、貫通孔内にスルーホール導体１０６を形成する。その後、スルーホール導体１０６の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体１０７を形成する。
【００６１】
さらに、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、閉塞体１０７の露出部分を含む銅張積層板の表面に銅めっき層を形成した後、その銅めっき層及び銅箔を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。この結果、図１５に示されるように、導体層１２１及びスルーホール導体１０６が形成されたコア基板１０１を得る。
【００６２】
そして、上記第１の実施の形態と同様のビルドアップ工程を行うことで、コア基板１０１のコア主面１０２の上に第１ビルドアップ層１１１を形成するとともに、コア基板１０１のコア裏面１０３の上にも第２ビルドアップ層１１２を形成する。この際、第１ビルドアップ層１１１の最外層となる樹脂絶縁層１３７の上面１４１に、各接続端子４１，４２となる製品めっき層６１を形成するとともにその製品めっき層６１の周囲にダミーめっき層６２を形成する（図１６参照）。また、第２ビルドアップ層１１２の最外層となる樹脂絶縁層１３８の下面１４２に、母基板接続端子４５となる製品めっき層６１を形成するとともにその製品めっき層６１の周囲にもダミーめっき層６２を形成する（図１６参照）。
【００６３】
ここで、樹脂絶縁層１３７の上面１４１に形成されるダミーめっき層６２には、模様７４に対応したメッシュ６３が形成されるとともに、各認識マーク７１〜７３に対応した抜きパターン６４〜６６（図９参照）が形成されている。また、樹脂絶縁層１３８の下面１４２上に形成されるダミーめっき層６２には、模様７４に対応したメッシュ６３が形成される。
【００６４】
各めっき層６１，６２の形成後、第１ビルドアップ層１１１の最外層となる樹脂絶縁層１３７の樹脂表面に対してその上方から熱風６８を加える熱処理を行う（図１７参照）。この熱処理により、ダミーめっき層６２にメッシュ６３や抜きパターン６４〜６６が形成されて露出している樹脂絶縁層１３７の樹脂表面を変色させる。またこれと同時に、第２ビルドアップ層１１２の最外層となる樹脂絶縁層１３８の樹脂表面に対してその下方から熱風６８を加える熱処理を行う（図１８参照）。この熱処理により、ダミーめっき層６２にメッシュ６３が形成されて露出している樹脂絶縁層１３８の樹脂表面を変色させる。
【００６５】
その後、第１ビルドアップ層１１１における樹脂絶縁層１３７の上面１４１にエッチングレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、製品めっき層６１の表面を覆うエッチングレジスト６９を形成する（図１９参照）。さらに、第２ビルドアップ層１１２における樹脂絶縁層１３８の下面１４２にエッチングレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、製品めっき層６１の表面を覆うエッチングレジスト６９を形成する（図１９参照）。
【００６６】
エッチングレジスト６９の形成後にエッチングを行うことで、各ビルドアップ層１１１，１１２の表面に露出しているダミーめっき層６２を除去し、その後、エッチングレジスト６９を除去する。このとき、ダミーめっき層６２の除去により、第１ビルドアップ層１１１の上面１４１には、変色していない樹脂絶縁層１３７の表面が露出するとともに、第２ビルドアップ層１１２の下面１４２にも、変色していない樹脂絶縁層１３８の表面が露出する。この結果、樹脂絶縁層１３７の樹脂表面には、ダミーめっき層６２のメッシュ６３や抜きパターン６４〜６６の形状に応じて色の濃淡の差が生じ、その濃淡の差によって認識マーク７１〜７３や網目状の模様７４が形成される。また、樹脂絶縁層１３８の樹脂表面には、ダミーめっき層６２のメッシュ６３の形状に応じて色の濃淡の差が生じ、その濃淡の差によって網目状の模様７４が形成される。
【００６７】
その後、ＩＣチップ接続端子４１の表面、コンデンサ接続端子４２の表面、母基板接続端子４５の表面に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施す。この結果、各接続端子４１，４２，４５の表面にめっき層４６，４８が形成される。以上の工程を経ることで図１５の多層配線基板１００を製造する。
【００６８】
従って、本実施の形態によれば、以下の効果を得ることができる。
【００６９】
（１）本実施の形態の多層配線基板１００では、ＩＣチップが搭載される第１ビルドアップ層１１１の上面１４１上に、樹脂表面の色の濃淡の差によって認識マーク７１〜７３が形成される。この場合、従来技術のように導体層や開口部を形成しなくても認識マーク７１〜７３を認識することができるので、多層配線基板１００の製造コストを抑えることができる。
【００７０】
（２）本実施の形態の多層配線基板１００では、第１ビルドアップ層１１１の上面１４１の上面１４１に加えて、第２ビルドアップ層１１２の下面１４２にも、樹脂表面の色の濃淡の差によって網目状の模様７４が形成されている。このようにすると、多層配線基板１００の意匠性を十分に高めることができる。
【００７１】
なお、本発明の各実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００７２】
・上記各実施の形態では、樹脂絶縁層２７，１３７，１３８の表面において、各接続端子４１，４２，４５の形成領域を除くほぼ全面を覆うようにダミーめっき層６２を形成したが、これに限定されるものではない。例えば、認識マーク７１〜７３の形成領域のみにダミーめっき層６２を形成してもよい。但し、上記各実施の形態のように、面積の広いプレーン状のダミーめっき層６２を形成する場合、各接続端子４１，４２，４５となる製品めっき層６１の厚さバラツキを抑えることができる。またこの場合、ダミーめっき層６２にメッシュ６３を形成することによって、基板の表面全体に模様７４を形成することができる。なお、模様７４としては、網目状以外の模様であってもよく、例えば、円や多角形状の絵柄や花柄などが規則正しく配列した模様であってもよい。
【００７３】
・上記各実施の形態では、多層配線基板１０，１００の上面３１，１４１の外縁部に、社名等を表す認識マーク７１や製造番号を表す認識マーク７２が形成されていたが、これら認識マーク７１，７２の形成位置は適宜変更することができる。例えば、製造番号を表す認識マーク７２をチップ搭載領域４３の近傍に形成してもよい。また、模様７４を形成しない場合には、樹脂絶縁層２７，１３７の露出した表面全体を使って社名等を表す認識マーク７１を形成してもよい。これら認識マーク７１，７２は、樹脂表面の色の濃淡の差によって形成される。このため、各接続端子４１，４２や位置決め用マーク７６の近傍に各認識マーク７１，７２を設けた場合でも、各接続端子４１，４２の接続や位置決め用マーク７６の検出等に、影響を及ぼすことはない。
【００７４】
・上記第１の実施の形態の多層配線基板１０では、最外層となる樹脂絶縁層２７の表面に、樹脂表面と導体部７５表面との光反射率の差によって認識される位置決め用マーク７６を形成していたが、これに限定されるものではない。例えば、第２層の樹脂絶縁層２６の表面に導体部７５を設けるとともに、最外層の樹脂絶縁層２７に導体部７５の表面を露出させる開口部を設けて位置決め用マーク７６を形成してもよい。このようにしても、樹脂表面と導体部７５表面との光反射率の差によって位置決め用マーク７６を認識することができる。
【００７５】
・上記各実施の形態において、多層配線基板１０，１００の上面３１，１４１には、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２がチップ部品接続端子として設けられていたが、コンデンサ接続端子４２を省略し、ＩＣチップ接続端子４１のみが形成されていてもよい。また、多層配線基板１０，１００の上面３１，１４１には、ＩＣチップ接続端子４１やコンデンサ接続端子４２以外に、チップインダクタなどのチップ部品を搭載するための他のチップ部品接続端子を設けてもよい。
【００７６】
・上記各実施の形態では、銅めっきにて製品めっき層６１及びダミーめっき層６２を形成したが、スズめっきやニッケルめっきなどの他のめっきにて製品めっき層６１及びダミーめっき層６２を形成してもよい。但し、製品めっき層６１及びダミーめっき層６２を銅めっきにて形成する場合、ＩＣチップ接続端子４１やコンデンサ接続端子４２の電気抵抗を低く抑えることができ、実用上好ましいものとなる。
【００７７】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した各実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００７８】
（１）手段１において、前記認識マークは位置決め用マークであることを特徴とする多層配線基板。
【００７９】
（２）手段２において、前記製品めっき層及び前記ダミーめっき層が銅めっきにて形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００８０】
（３）手段２において、前記認識マーク形成工程はアニーリングを兼ねることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００８１】
（４）手段２において、前記認識マーク形成工程における熱処理は、露出した樹脂絶縁層の表面に熱風を当てる処理であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００８２】
（５）手段２において、前記樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂を主体とするビルドアップ材を用いて形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００８３】
（６）手段１に記載の多層配線基板を製造する方法であって、支持基材上に金属箔を介して前記複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層する積層工程と、前記基板主面側にて露出する最外層の樹脂絶縁層の表面に、前記複数のチップ部品接続端子を構成する製品めっき層を形成するとともに、前記認識マークに対応した形状を有するダミーめっき層を形成するめっき層形成工程と、前記最外層の樹脂絶縁層を熱処理することで、該最外層の樹脂絶縁層の表面を変色させるとともにアニーリングを行う認識マーク形成工程と、前記基板主面側にて、前記製品めっき層を覆うようにエッチングレジストを形成するレジスト形成工程と、前記金属箔の界面にて前記支持基材を分離して前記基板裏面側に前記金属箔を露出させる基材分離工程と、前記基板主面側にて露出している前記ダミーめっき層をエッチングにより除去するのと同時に、前記基板裏面側にて露出している前記金属箔をエッチングにより除去する除去工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００８４】
１０，１００…多層配線基板
２０〜２７，１３３〜１３８…樹脂絶縁層
２８，１２２…導体層
３１，１４１…基板主面としての上面
３２，１４２…基板裏面としての下面
４１…チップ部品接続端子としてのＩＣチップ接続端子
４２…チップ部品接続端子としてのコンデンサ接続端子
６１…製品めっき層
６２…ダミーめっき層
６９…エッチングレジスト
７１〜７３…認識パターン
７４…模様
７５…導体部
７６…位置決め用マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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