(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数が異なる第１送信信号と第１受信信号とを含む第１信号の入出力を行うための第１共通端と、周波数が異なる第２送信信号と第２受信信号とを含みかつ前記第１信号より高い周波数を有する第２信号の入出力を行うための第２共通端と、アンテナと接続するための第３共通端とに接続された第１回路と、
前記第１共通端と前記第２共通端との間において前記第１回路と並列接続された第２回路と、を具備し、
前記第１回路は、前記第１信号を通過させかつ前記第２信号を反射する第１フィルタ、及び前記第２信号を通過させかつ前記第１信号を反射する第２フィルタを含み、前記第１フィルタは前記第１共通端と前記第２フィルタとの間に接続され、前記第２フィルタは前記第１フィルタと前記第２共通端との間に接続され、前記第３共通端は、前記第１フィルタと前記第２フィルタとの間に位置し、
前記第２回路は、前記第１送信信号の大部分を反射し、前記第２送信信号の一部を通過させる第１ハイパスフィルタと、前記第２送信信号の大部分を反射し、前記第１信号の一部を通過させる第１ローパスフィルタと、を含み、かつ前記第１送信信号及び第２送信信号の前記一部の位相を反転させることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
周波数が異なる第１送信信号と第１受信信号とを含む第１信号の入出力を行うための第１共通端と、周波数が異なる第２送信信号と第２受信信号とを含みかつ前記第１信号より高い周波数を有する第２信号の入出力を行うための第２共通端と、アンテナと接続するための第３共通端とに接続された第１回路と、
前記第１共通端と前記第２共通端との間において前記第１回路と並列接続された第２回路と、を具備し、
前記第１回路は、前記第１信号を通過させかつ前記第２信号を反射する第１フィルタ、及び前記第２信号を通過させかつ前記第１信号を反射する第２フィルタを含み、前記第１フィルタは前記第１共通端と前記第２フィルタとの間に接続され、前記第２フィルタは前記第１フィルタと前記第２共通端との間に接続され、前記第３共通端は、前記第１フィルタと前記第２フィルタとの間に位置し、
前記第２回路は、前記第１送信信号及び第２送信信号の大部分を反射し、前記第１送信信号及び第２送信信号それぞれの一部を通過させるバンドパスフィルタを含み、かつ前記第１送信信号及び第２送信信号の前記一部の位相を反転させることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
前記第１共通端には前記第１送信信号と前記第１受信信号とを分波する第１デュプレクサが接続され、
前記第２共通端には前記第２送信信号と前記第２受信信号とを分波する第２デュプレクサが接続されることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１共通端への前記第１送信信号の入力と前記第１共通端からの前記第１受信信号の出力とは同時に行われる、又は前記第２共通端への前記第２送信信号の入力と前記第２共通端からの前記第２受信信号の出力とは同時に行われることを特徴とする請求項３記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１共通端から前記第２共通端に向けて前記第２回路を通過する前記第１送信信号は、前記第１共通端から前記第２共通端に向けて前記第１回路を通過する前記第１送信信号と比較して同じ大きさ及び逆位相を有し、
前記第２共通端から前記第１共通端に向けて前記第２回路を通過する前記第２送信信号は、前記第２共通端から前記第１共通端に向けて前記第１回路を通過する前記第２送信信号と比較して同じ大きさ及び逆位相を有することを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１ハイパスフィルタは、前記第１共通端と前記第１ローパスフィルタとの間に接続され、
前記第１ローパスフィルタは、前記第２共通端と前記第１ハイパスフィルタとの間に接続され、
前記第２回路は、前記第１ローパスフィルタと前記第１ハイパスフィルタとの間に並列接続された電気的負荷を含むことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１フィルタは第２ローパスフィルタであり、前記第２フィルタは第２ハイパスフィルタであり、
前記第１ローパスフィルタと前記第２ローパスフィルタとは同じ通過特性を有し、
前記第１ハイパスフィルタと前記第２ハイパスフィルタとは同じ通過特性を有することを特徴とする請求項６記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１受信信号及び前記第２受信信号の少なくとも一方の周波数は、前記第１送信信号及び前記第２送信信号各々の周波数より高い又は低いことを特徴とする請求項１から７いずれか一項記載の電子部品。
【請求項９】
前記第１信号はＬＴＥ  Ｂａｎｄ１３方式の送信帯域の周波数を有する信号及び受信帯域の周波数を有する信号を含み、
前記第２信号はＷ−ＣＤＭＡ  Ｂａｎｄ５方式の送信帯域の周波数を有する信号及び受信帯域の周波数を有する信号を含むことを特徴とする請求項１から８いずれか一項記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第１共通端に接続され、前記第１送信信号と前記第１受信信号とを分波するデュプレクサを含む第１送受信回路と、
前記第２共通端に接続され、前記第２送信信号と前記第２受信信号とを分波するデュプレクサを含む第２送受信回路と、とを具備することを特徴とする請求項１から９いずれか一項記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等の通信機器には、音声と共に映像等のデータを通信することがある。このような用途に対応するため、通信機器を複数の通信方式に対応させることが求められている。通信機器のマルチバンド化に伴い、例えば１台の携帯電話端末には複数のデュプレクサ、又はアンプ等の高周波信号に対応した高周波デバイスが搭載されることがある。特許文献１には、受信フィルタと送信フィルタとでアンテナを共有する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−４１１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
マルチバンド化した小型の通信機器においては、複数の送受信機間において良好なアイソレーション特性を確保することが難しくなってきている。アイソレーション特性が不十分な状態で２つ以上の送受信回路が同時に送信を行うと、相互変調歪が発生することがある。相互変調歪は受信感度の低下等の原因となることがある。本発明は上記課題に鑑み、良好なアイソレーション特性を確保することが可能な電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、周波数が異なる第１送信信号と第１受信信号とを含む第１信号の入出力を行うための第１共通端と、周波数が異なる第２送信信号と第２受信信号とを含みかつ前記第１信号より高い周波数を有する第２信号の入出力を行うための第２共通端と、アンテナと接続するための第３共通端とに接続された第１回路と、前記第１共通端と前記第２共通端との間において前記第１回路と並列接続された第２回路と、を具備し、前記第１回路は、前記第１信号を通過させかつ前記第２信号を反射する第１フィルタ、及び前記第２信号を通過させかつ前記第１信号を反射する第２フィルタを含み、前記第１フィルタは前記第１共通端と前記第２フィルタとの間に接続され、前記第２フィルタは前記第１フィルタと前記第２共通端との間に接続され、前記第３共通端は、前記第１フィルタと前記第２フィルタとの間に位置し、前記第２回路は、前記第１送信信号の大部分を反射し、前記第２送信信号の一部を通過させる第１ハイパスフィルタと、前記第２送信信号の大部分を反射し、前記第１信号の一部を通過させる第１ローパスフィルタと、を含み、かつ前記第１送信信号及び第２送信信号の前記一部の位相を反転させることを特徴とする電子部品である。本発明によれば、良好なアイソレーション特性を確保することができる。
【０００６】
上記構成において、前記第１共通端には前記第１送信信号と前記第１受信信号とを分波する第１デュプレクサが接続され、前記第２共通端には前記第２送信信号と前記第２受信信号とを分波する第２デュプレクサが接続される構成とすることができる。
【０００７】
上記構成において、前記第１共通端への前記第１送信信号の入力と前記第１共通端からの前記第１受信信号の出力とは同時に行われる、又は前記第２共通端への前記第２送信信号の入力と前記第２共通端からの前記第２受信信号の出力とは同時に行われる構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１共通端から前記第２共通端に向けて前記第２回路を通過する前記第１送信信号は、前記第１共通端から前記第２共通端に向けて前記第１回路を通過する前記第１送信信号と比較して同じ大きさ及び逆位相を有し、前記第２共通端から前記第１共通端に向けて前記第２回路を通過する前記第２送信信号は、前記第２共通端から前記第１共通端に向けて前記第１回路を通過する前記第２送信信号と比較して同じ大きさ及び逆位相を有する構成とすることができる。この構成によれば、効果的に良好なアイソレーション特性を確保することができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１ハイパスフィルタは、前記第１共通端と前記第１ローパスフィルタとの間に接続され、前記第１ローパスフィルタは、前記第２共通端と前記第１ハイパスフィルタとの間に接続され、前記第２回路は、前記第１ローパスフィルタと前記第１ハイパスフィルタとの間に並列接続された電気的負荷を含む構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１フィルタは第２ローパスフィルタであり、前記第２フィルタは第２ハイパスフィルタであり、前記第１ローパスフィルタと前記第２ローパスフィルタとは同じ通過特性を有し、前記第１ハイパスフィルタと前記第２ハイパスフィルタとは同じ通過特性を有する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１受信信号及び前記第２受信信号の少なくとも一方の周波数は、前記第１送信信号及び前記第２送信信号各々の周波数より高い又は低い構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１信号はＬＴＥ  Ｂａｎｄ１３方式の送信帯域の周波数を有する信号及び受信帯域の周波数を有する信号を含み、前記第２信号はＷ−ＣＤＭＡ方  Ｂａｎｄ５方式の送信帯域の周波数を有する信号及び受信帯域の周波数を有する信号を含む構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第１共通端に接続され、前記第１送信信号と前記第１受信信号とを分波するデュプレクサを含む第１送受信回路と、前記第２共通端に接続され、前記第２送信信号と前記第２受信信号とを分波するデュプレクサを含む第２送受信回路と、を具備する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、良好なアイソレーション特性を確保することが可能な電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は比較例に係る電子部品を例示する図である。
【図２】図２（ａ）はローパスフィルタ及びハイパスフィルタの通過帯域を例示する模式図である。図２（ｂ）は、比較例に係る電子部品において使用される周波数帯域を例示する模式図である。
【図３】図３は実施例１に係る電子部品、及び電子部品を流れる第１送信信号を例示する図である。
【図４】図４は実施例１に係る電子部品を流れる第２送信信号を例示する図である。
【図５】図５は比較例に係る電子部品が備えるダイプレクサの等価回路を例示する回路図である。
【図６】図６は実施例１に係る電子部品が備えるダイプレクサの等価回路を例示する回路図である。
【図７】図７（ａ）は比較例におけるポートＰ１〜Ｐ２間の通過特性の計算結果である。図７（ｂ）は比較例における通過特性の計算結果である。
【図８】図８（ａ）は実施例１におけるポートＰ１〜Ｐ２間の通過特性の計算結果である。図８（ｂ）は実施例１における通過特性の計算結果である。
【図９】図９は実施例１の変形例に係る電子部品を例示する図である。
【図１０】図１０は実施例２に係る電子部品を例示する図である。
【図１１】図１１は実施例２に係る電子部品が備えるダイプレクサの等価回路を例示する回路図である。
【図１２】図１２（ａ）は実施例２におけるポートＰ１〜Ｐ２間の通過特性の計算結果である。図１２（ｂ）は実施例２における通過特性の計算結果である。
【図１３】図１３は実施例２の変形例に係る電子部品が備えるダイプレクサの等価回路を例示する回路図である。
【図１４】図１４（ａ）は実施例２の変形例におけるポートＰ１〜Ｐ２間の通過特性の計算結果である。図１４（ｂ）は実施例２の変形例における通過特性の計算結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
まず、比較例について説明する。以下に説明する電子部品は、信号の送受信を行うためのものであり、例えば携帯電話等の通信機器に搭載される。図１は比較例に係る電子部品を例示する図である。図１中の矢印は第１送信信号ＳＴ１（以下ＳＴ１）を表す。白抜きの矢印は第２送信信号ＳＴ２（以下ＳＴ２）を表す。また破線の矢印はリークした第１送信信号ＳＴ１を（以下ＳＴ１’）を表す。破線の白抜きの矢印はリークした第２送信信号ＳＴ２を（以下ＳＴ２’）を表す。
【００１８】
図１に示すように、比較例に係る電子部品１００ｒは、第１回路１１０、第１フロントエンド１３０及び第２フロントエンド１４０を備える。第１回路１１０と第１フロントエンド１３０とは、第１共通端１５０を介して接続されている。第１回路１１０と第２フロントエンド１４０とは、第２共通端１５２を介して接続されている。第１回路１１０とアンテナ１１６とは、第３共通端１５４を介して接続されている。第１フロントエンド１３０とベースバンド回路（不図示）とが第１送受信回路を形成する。第２フロントエンド１４０とベースバンド回路とが第２送受信回路を形成する。ベースバンド回路は、受信信号の復調及び送信信号の変調を行う回路である。
【００１９】
第１回路１１０はダイプレクサとして機能する。第１回路１１０は、ローパスフィルタ（以下ＬＰＦ）１１２とハイパスフィルタ（以下ＨＰＦ）１１４とを含む。ＬＰＦ１１２とＨＰＦ１１４とは第１共通端１５０と第２共通端１５２との間において直列接続されている。ＬＰＦ１１２の一端は第１共通端１５０に接続されている。ＬＰＦ１１２の他端は、ＨＰＦ１１４の一端と接続されている。ＨＰＦ１１４の他端は第２共通端１５２に接続されている。第３共通端１５４は、ＬＰＦ１１２の他端とＨＰＦ１１４の一端との間に位置する。
【００２０】
第１共通端１５０は、第１回路１１０と第１フロントエンド１３０との間において、第１信号の入出力を行うためのものである。第１信号は、互いに周波数が異なるＳＴ１及び第１受信信号ＳＲ１（以下ＳＲ１、不図示）を含む。第２共通端１５２は、第１回路１１０と第２フロントエンド１４０との間において、第２信号の入出力を行うためのものである。第２信号は、互いに周波数が異なるＳＴ２及び第２受信信号ＳＲ２（以下ＳＲ２、不図示）を含む。信号の送受信については後述する。
【００２１】
図１に示すように、第１フロントエンド１３０は、第１デュプレクサ１３２、パワーアンプ（以下ＰＡ）１３４及びローノイズアンプ（以下ＬＮＡ）１３６を備える。第１デュプレクサ１３２は、送信フィルタ１３２Ｔ及び受信フィルタ１３２Ｒを含む。送信フィルタ１３２Ｔ及び受信フィルタ１３２Ｒはバンドパスフィルタ（以下ＢＰＦ）であり、例えば弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタ、弾性境界波フィルタ、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator：圧電薄膜共振子）等からなる。送信フィルタ１３２Ｔのインピーダンスは、受信フィルタ１３２Ｒの通過帯域の周波数において高くなる。受信フィルタ１３２Ｒのインピーダンスは、送信フィルタ１３２Ｔの通過帯域の周波数において高くなる。送信フィルタ１３２Ｔは、ＰＡ１３４の出力端子から入力された信号のうち、周波数が通過帯域内である信号を通過させ第１共通端１５０に出力し、周波数が通過帯域外である信号を抑圧する。第１共通端１５０に出力される信号はＳＴ１である。受信フィルタ１３２Ｒは第１共通端１５０から入力された信号のうち周波数が通過帯域内である信号を通過させ、ＬＮＡ１３６の入力端子に出力し、周波数が通過帯域外である信号を抑圧する。
【００２２】
第２フロントエンド１４０は、第２デュプレクサ１４２、ＰＡ１４４及びＬＮＡ１４６を備える。第２デュプレクサ１４２は、送信フィルタ１４２Ｔ及び受信フィルタ１４２Ｒを含む。第１フロントエンド１３０の受信フィルタ１３２Ｔと同様、受信フィルタ１４２Ｔは、ＳＴ２を第１共通端１５０に出力する。受信フィルタ１３２Ｒと同様、受信フィルタ１４２ＲはＬＮＡ１４６の入力端子に信号を出力する。
【００２３】
次に図１及び図２（ａ）を用いて、信号の送受信について説明する。送信フィルタ１３２Ｔの通過帯域Ｔｘ１は、ＬＴＥ（Long Term Evolution）  Ｂａｎｄ１３方式の送信帯域（７７６〜７８６ＭＨｚ）を含む。受信フィルタ１３２Ｒの通過帯域Ｒｘ１は、ＬＴＥ  Ｂａｎｄ１３方式の受信帯域（７４６〜７５６ＭＨｚ）を含む。第１フロントエンド１３０を含む第１送受信回路の送受信帯域（第１送受信帯域）はＬＴＥ  Ｂａｎｄ１３方式の送受信帯域である。送信フィルタ１４２Ｔの通過帯域Ｔｘ２は、Ｗ−ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）  Ｂａｎｄ５方式の送信帯域（８２４〜８４９ＭＨｚ）を含む。受信フィルタ１４２Ｒの通過帯域Ｒｘ２は、Ｗ−ＣＤＭＡ  Ｂａｎｄ５方式の受信帯域（８６９〜８９４ＭＨｚ）を含む。第２フロントエンド１４０を含む第２送受信回路の送受信帯域（第２送受信帯域）はＷ−ＣＤＭＡ  Ｂａｎｄ５方式の送受信帯域である。ＳＴ１の周波数ｆＳＴ１はＴｘ１に含まれる。ＳＴ２の周波数ｆＳＴ２はＴｘ２に含まれる。ＳＲ１の周波数ｆＳＲ１はＲｘ１に含まれる。ＳＲ２の周波数ｆＳＲ２はＲｘ２に含まれる。このように、電子部品１００ｒは、音声信号の通信を例えばＷ−ＣＤＭＡ  Ｂａｎｄ５方式で行い、映像信号等の通信を例えばＬＴＥ  Ｂａｎｄ１３方式で行うためのものである。次にフィルタの通過特性について説明する。図２（ａ）はＬＰＦ及びＨＰＦの通過帯域を例示する模式図である。
【００２４】
図２（ａ）に示すＡはＬＰＦ１１２の通過特性を表す。ＢはＨＰＦ１１４の通過特性を表す。ＬＰＦ１１２の通過帯域とＨＰＦ１１４の通過帯域とは重ならない。ＬＰＦ１１２の通過帯域は、Ｒｘ１及びＴｘ１を含む。ＨＰＦ１１４の通過帯域は、Ｒｘ２及びＴｘ２を含む。
【００２５】
送信について説明する。図１に矢印で示したＳＴ１は、第１共通端１５０を介し第１回路１１０に入力される。ＳＴ１はＬＰＦ１１２を通過する。ＳＴ１の一部は、第３共通端１５４を介してアンテナ１１６に入力する。ＳＴ１の別の一部はＨＰＦ１１４に到達する。
【００２６】
ＨＰＦ１１４に到達したＳＴ１はＨＰＦ１１４に反射される。ＨＰＦ１１４に到達したＳＴ１のうち一部ＳＴ１’はＨＰＦ１１４からリークする。ＨＰＦ１１４において反射されたＳＴ１はアンテナ１１６に入力され、アンテナ１１６を通じて携帯電話の外部に送信される。リークしたＳＴ１’については後述する。
【００２７】
ＳＴ１と同様、ＳＴ２は、ＨＰＦ１１４を通過する。ＳＴ２の一部は、第３共通端１５４を介してアンテナ１１６に入力される。ＳＴ２の別の一部は、ＬＰＦ１１２に到達する。ＳＴ２の大部分は、アンテナ１１６を通じて携帯電話の外部に送信される。ＳＴ２の一部ＳＴ２’はＬＰＦ１１２からリークする。ＳＴ１の送信とＳＴ２の送信とは同時に行われる。
【００２８】
次に受信について説明する。アンテナ１１６は、携帯電話の外部から信号を受信する。受信された信号は第３共通端１５４を介して第１回路１１０に入力される。周波数の低い信号はＨＰＦ１１４により反射され、ＬＰＦ１１２を通過する。周波数の高い信号はＬＰＦ１１２により反射され、ＨＰＦ１１４を通過する。ＬＰＦ１１２を通過した信号がＳＲ１である。ＨＰＦ１１４を通過した信号がＳＲ２である。
【００２９】
ＳＲ１は第１共通端１５０を介して第１フロントエンド１３０に入力される。既述したように、ＳＲ１は送信フィルタ１３２Ｔにより反射され、かつ受信フィルタ１３２Ｒを通過する。受信フィルタ１３２Ｒを通過したＳＲ１はＬＮＡ１３６の入力端子に入力され、出力端子から出力される。ＳＲ１と同様に、ＳＲ２は第２共通端１５２を介して第２フロントエンド１４０に入力され、ＬＮＡ１４６の出力端子から出力される。
【００３０】
次に、相互変調歪について説明する。図１に破線の矢印で示すように、ＨＰＦ１１４に到達したＳＴ１の一部ＳＴ１’はＨＰＦ１１４からリークして第２共通端１５２を通過する。ＳＴ１’とＳＴ２とが、第２デュプレクサ１４２において混合される。このとき、第２デュプレクサ１４２の非線形性により、３次相互変調歪（ＩＭＤ３：Inter Modulation Distortion）が発生する。ＩＭＤ３の周波数がｆＳＲ２と重なる場合、第２送受信回路の受信感度は低下する。
【００３１】
図１に破線の白抜き矢印で示すように、ＬＰＦ１１２に到達したＳＴ２の一部ＳＴ２’は、ＬＰＦ１１２からリークして第１共通端１５０を通過する。ＳＴ２’とＳＴ１とが第１デュプレクサ１３２において混合され、ＩＭＤ３が発生する。ＩＭＤ３の周波数がｆＳＲ１と重なる場合、第１送受信回路の受信感度は低下する。
【００３２】
送信帯域、受信帯域及びＩＭＤ３の周波数について説明する。図２（ｂ）は、比較例に係る電子部品において使用される周波数帯域を例示する模式図である。横軸は周波数を表す。格子斜線で示した領域はＩＭＤ３を表す。
【００３３】
ＩＭＤ３の周波数のうち特に問題となるのは、２ｆＳＴ１−ｆＳＴ２、及び２ｆＳＴ２−ｆＳＴ１である。図２（ｂ）の例において、これらのＩＭＤ３は７０３〜７４８ＭＨｚの帯域、及び８６２〜９２２ＭＨｚの帯域に発生する。低周波数側のＩＭＤ３はＲｘ１及びｆＳＲ１と重なる。この結果、第１送受信回路の受信感度が低下する。また高周波数側のＩＭＤ３はＲｘ２及びｆＳＲ２と重なる。この結果、第２送受信回路の受信感度が低下する。特に、第１フロントエンド１３０及び第２フロントエンド１４０の両方又は一方が送信と受信とを同時に行う場合、ＩＭＤ３と受信信号とが混合され、受信感度が低下する。また、第１フロントエンド１３０と第２フロントエンド１４０とが同時に送信を行う場合、送信信号によるＩＭＤ３が発生しやすい。
【００３４】
上記のように、ＳＴ１’及びＳＴ２’により、ＩＭＤ３が発生する。従って、ＳＴ１及びＳＴ２それぞれのリークを少なくすることでＩＭＤ３を抑制することができる。リークを少なくするためには、第１フロントエンド１３０と第２フロントエンド１４０とのアイソレーションを高めればよい。しかし、図２に示したように、送信帯域の周波数が近い場合、アイソレーションを高めることは難しい。例えばＬＰＦ１１２の抑圧特性を高めることで、ＳＴ２のリークを抑制し、アイソレーションを高めることができる。しかし、抑圧特性を高めた場合、ＬＰＦ１１２における信号の損失が増大する。このように、アイソレーションと良好な通過特性とを両立することは難しい。
【００３５】
また電子部品１００ｒは、２つの送受信回路が１つのアンテナ１１６を共用するものである。アンテナの共用は、通信機器の小型化、及びコストダウンに寄与する。しかしアンテナを共用した場合、ＳＴ１及びＳＴ２それぞれが大きな電力を有した状態で混合されることがある。この結果、ＩＭＤ３の振幅が増大し、受信感度は大きく低下する。次に実施例１について説明する。
【実施例１】
【００３６】
まず実施例１に係る電子部品の構成について説明する。図３は実施例１に係る電子部品、及び電子部品を流れる第１送信信号を例示する図である。図１に示した構成と同じ構成については説明を省略する。
【００３７】
図３に示すように、実施例１に係る電子部品１００は、ダイプレクサ１１、第１フロントエンド３０、及び第２フロントエンド４０を備える。ダイプレクサ１１は第１回路１０と第２回路２０とを含む。第２回路２０は、第１共通端５０と第２共通端５２との間において第１回路１０と並列接続されている。第２回路２０は、ＬＰＦ２２（第１ローパスフィルタ）、ＨＰＦ２４（第１ハイパスフィルタ）、及び移相回路（Phase shift circuit）２６を含む。移相回路２６の一端は第１共通端５０と接続されている。移相回路２６の他端はＨＰＦ２４の一端と接続されている。ＨＰＦ２４の他端はＬＰＦ２２の一端と接続されている。ＬＰＦ２２の他端は第２共通端５２と接続されている。第１フロントエンド３０は、第１デュプレクサ３２、ＰＡ３４、及びＬＮＡ３６を含む。第１デュプレクサ３２は送信フィルタ３２Ｔと受信フィルタ３２Ｒとを含む。第２フロントエンド４０は、第２デュプレクサ４２、ＰＡ４４、及びＬＮＡ４６を含む。第２デュプレクサ４２は送信フィルタ４２Ｔと受信フィルタ４２Ｒとを含む。
【００３８】
次に実施例１における信号の送信について説明する。実施例１におけるＳＴ１について説明する。図３に実線の矢印で示したＳＴ１は、第１共通端５０を介して第１回路１０及び第２回路２０に入力される。図１において説明したように、第１回路１０に入力されたＳＴ１のうち大部分はアンテナ１６から送信される。しかしＳＴ１の一部であるＳＴ１’は、ＨＰＦ１４（第２フィルタ）からリークし、第１回路１０から出力される。
【００３９】
第２回路２０に入力されたＳＴ１の位相は、第２回路２０の移相回路２６により反転される。ＳＴ１の大部分はＨＰＦ２４により反射される。移相回路２６は、反射されたＳＴ１の位相を再び反転させる。反射されたＳＴ１はアンテナ１６を通じて送信される。ＳＴ１の一部（以下ＳＴ１’’）はＨＰＦ２４を通過する。図３に点線の矢印で示すように、ＳＴ１’’はＬＰＦ２２を通過する。このようにＳＴ１’’は第２回路２０から出力される。ＳＴ１’’の第２回路２０の通過は、ＳＴ１’の第１回路１０からのリークと同様に、ＳＴ１がＨＰＦ及びＬＰＦを通過することによるものである。このため、ＳＴ１’’は、ＳＴ１’と比較して同程度の振幅を有する。また、ＳＴ１’’は、ＳＴ１’と比較して逆位相を有する。従って、ＳＴ１’とＳＴ１’’とは合流し打ち消し合う。このため、第２デュプレクサ４２におけるＳＴ１’とＳＴ２とによるＩＭＤ３は抑制される。
【００４０】
次に実施例１におけるＳＴ２の送信について説明する。図４は実施例１に係る電子部品を流れる第２送信信号を例示する図である。
【００４１】
図４に白抜き矢印で示すように、ＳＴ２は、第２共通端５２を介して第１回路１０及び第２回路２０に入力される。第２回路２０に入力されたＳＴ２の位相は、第２回路２０の移相回路２６により反転される。ＳＴ２の一部（以下ＳＴ２’’）はＬＰＦ２２を通過する。図４に点線の白抜き矢印で示すように、ＳＴ２’’はＨＰＦ２４を通過する。ＳＴ１’及びＳＴ１’’と同様に、ＳＴ２’とＳＴ２’’とは合流し打ち消し合う。このため、第１デュプレクサ３２におけるＳＴ２’とＳＴ１とによるＩＭＤ３は抑制される。
【００４２】
次に実施例１における信号の受信について説明する。ＳＲ１の一部は第１共通端５０を介して第１フロントエンド３０に入力される。ＳＲ１の別の一部は、第２回路２０に入力される。第２回路２０に入力されたＳＲ１は移相回路２６を通過するが、ＨＰＦ２４に反射され、移相回路２６を経由して第１フロントエンド３０に入力される。同様に、ＳＲ２も第２フロントエンド４０に入力される。
【００４３】
次に、実施例１に係る電子部品の通過特性のシミュレーションについて説明する。シミュレーションは、比較例に係る電子部品１００ｒ、及び実施例１に係る電子部品１００それぞれの等価回路における、通過特性を計算したものである。
【００４４】
図５は比較例に係る電子部品の等価回路を例示する回路図である。図５に示すように、比較例に係る電子部品１００ｒの第１回路１１０のＬＰＦ１１２は、インダクタＬ１〜Ｌ４、及びキャパシタＣ１〜Ｃ３を含むＬＣ回路に対応する。インダクタＬ１をＬ１と表す。他のインダクタ、キャパシタ及び抵抗についても同様である。ＨＰＦ１１４は、Ｌ５〜Ｌ７、及びＣ４〜Ｃ７を含むＬＣ回路に対応する。第１共通端１５０、第２共通端１５２、及び第３共通端１５４は、それぞれポートＰ１、Ｐ２及びＰ３に対応する。
【００４５】
Ｒ１及びＲ２それぞれの一端は接地されている。Ｌ１〜Ｌ４及びＣ４〜Ｃ７は、Ｒ１の他端とＲ２の他端との間に直列接続されている。ポートＰ１はＲ１〜Ｌ１間に、ポートＰ２はＲ２〜Ｃ７間に位置する。Ｃ１はＬ１〜Ｌ２間に、Ｃ２はＬ２〜Ｌ３間に、Ｃ３はＬ３〜Ｌ４間に、Ｒ３はＬ４〜Ｃ４間に、Ｌ５はＣ４〜Ｃ５間に、Ｌ６はＣ５〜Ｃ６間に、Ｌ７はＣ６〜Ｃ７間に、それぞれ並列接続されている。Ｃ１〜Ｃ３、Ｌ５〜Ｌ７、及びＲ２〜Ｒ３は接地されている。
【００４６】
図６は実施例１に係る電子部品の等価回路を例示する回路図である。図６に示すように、実施例１に係る電子部品１００の第１回路１０は、図５に示した第１回路１１０と同じ構成である。第１回路１０と第２回路２０とは、抵抗Ｒ１の一端と抵抗Ｒ２の一端との間において並列接続されている。
【００４７】
第２回路２０のＬＰＦ２２は、Ｌ８及びＬ９、並びにＣ８を含むＬＣ回路に対応する。ＨＰＦ２４は、Ｌ１０、Ｃ９及びＣ１０を含むＬＣ回路に対応する。移相回路２６は、ストリップラインＳＬに対応する。ストリップラインＳＬ、Ｌ８及びＬ９、Ｃ９及びＣ１０は、ポートＰ１〜Ｐ２間に直列接続されている。Ｃ８はＬ８〜Ｌ９間、Ｌ１０はキャパシタＣ９〜Ｃ１０間に並列接続されている。Ｃ８及びＬ１０は接地されている。
【００４８】
上記の構成を有する等価回路を用いて、アイソレーション特性、及び通過特性を検証した。ポートＰ１〜Ｐ２間のアイソレーション特性を検証するために、ポートＰ１に信号を入力した場合にポートＰ２から出力される信号を計算した。ポートＰ１〜Ｐ２間通過特性は、図１における第１共通端１５０〜第２共通端１５２間通過特性、及び図３における第１共通端５０〜第２共通端５２間通過特性に対応する。
【００４９】
また、ポートＰ１〜Ｐ３間通過特性を検証するために、ポートＰ１に信号を入力した場合にポートＰ３から出力される信号を計算した。ポートＰ１〜Ｐ３間通過特性は、図１における第１共通端１５０〜第３共通端１５４間通過特性、及び図３における第１共通端５０〜第３共通端５４間通過特性に対応する。ポートＰ２〜Ｐ３間通過特性を検証するために、ポートＰ２に信号を入力した場合にポートＰ３から出力される信号を計算した。ポートＰ２〜Ｐ３間通過特性は、図１における第２共通端１５２〜第３共通端１５４間通過特性、及び図３における第２共通端５２〜第３共通端５４間通過特性に対応する。
【００５０】
シミュレーションに用いたパラメータについて説明する。まず比較例におけるパラメータについて説明する。Ｒ１〜Ｒ３各々の抵抗値は５０Ωである。表１はインダクタンス及びキャパシタンスを示す表である。なお簡単のため、シミュレーションで用いた部品は寄生容量及び抵抗成分を持たない理想部品であるとする。
【表１】
0005758754.tif 000002
【００５１】
次に実施例１におけるパラメータについて説明する。実施例１におけるＲ１〜Ｒ３各々の抵抗値、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ５〜Ｌ７各々のインダクタンス、Ｃ１〜Ｃ６各々のキャパシタンスは、比較例における値と等しい。表２は実施例１におけるインダクタンス及びキャパシタンスを示す表である。
【表２】
0005758754.tif 000003
ストリップラインＳＬの幅は０．０３ｍｍ、長さは５５ｍｍである。
【００５２】
比較例におけるシミュレーションの結果について説明する。図７（ａ）は比較例におけるポートＰ１〜Ｐ２間の通過特性の計算結果である。図７（ｂ）は比較例における通過特性の計算結果である。図７（ａ）及び図７（ｂ）において、横軸は周波数を、縦軸は信号の通過量をそれぞれ表す。図７（ａ）に示すように、第１送受信帯域において、通過量は約−１０．４ｄＢ以下である。第２送受信帯域において、通過量は約−１０．７ｄＢ以下である。
【００５３】
図７（ｂ）の実線はポートＰ１〜Ｐ３間通過特性を表す。破線はポートＰ２〜Ｐ３間通過特性を表す。なお、線種とデータの種類との関係は後述の図８（ｂ）、図１２（ｂ）及び図１４（ｂ）においても同じである。図７（ｂ）に実線で示すように、ポートＰ１〜Ｐ３間の通過量は、第１送受信帯域において−０．９４２ｄＢ以上、信号を抑圧すべき第２送受信帯域において−１２．５ｄＢ以下である。破線で示すように、ポートＰ２〜Ｐ３間の通過量は、第２送受信帯域において−０．８２１ｄＢ以上、信号を抑圧すべき第１送受信帯域において−１２．０ｄＢ以下である。
【００５４】
次に、実施例１におけるシミュレーションの結果について説明する。図８（ａ）は実施例１におけるポートＰ１〜Ｐ２間の通過特性の計算結果である。図８（ｂ）は実施例１における通過特性の計算結果である。
【００５５】
図８（ａ）に示すように、第１送受信帯域において通過量は−１６．９ｄＢ以下である。図８（ａ）と図７（ａ）とを比較すると、実施例１によりポートＰ１〜Ｐ２間の通過量が減少、すなわちポートＰ１〜Ｐ２間のアイソレーション特性が改善したことが分かる。
【００５６】
図８（ｂ）に実線で示すように、ポートＰ１〜Ｐ３間の通過量は、第１送受信帯域において−０．９０７ｄＢ以上、信号を抑圧すべき第２送受信帯域において−１６．２ｄＢ以下である。破線で示すように、ポートＰ２〜Ｐ３間の通過量は、第２送受信帯域において−０．７３８ｄＢ以上、信号を抑圧すべき第１送受信帯域において−１４．４ｄＢ以下である。図８（ｂ）と図７（ｂ）とにおける通過特性を比較すると、実施例１は比較例に対して、通過帯域では同程度の損失を示し、抑圧帯域ではより高い抑圧効果を示していることが分かる。以上のように、実施例１によれば、良好な通過特性と良好なアイソレーション特性とを両立することができる。
【００５７】
実施例１に係る電子部品１００の第２回路２０は、ＳＴ１及びＳＴ２を反射させ、かつＳＴ１’’及びＳＴ２’’を通過させ位相を反転させる。通信に不要なリーク成分ＳＴ１’とキャンセル用の成分ＳＴ１’’とが打ち消し合い、同様にＳＴ２’とＳＴ２’’とが打ち消し合う。このため、良好なアイソレーション特性が確保され、ＩＭＤ３が抑制される。
【００５８】
良好なアイソレーション特性を得るためには、ＳＴ１’とＳＴ１’’とが打ち消し合い、かつＳＴ２’とＳＴ２’’とが打ち消し合えばよい。従って、ＳＴ１’’はＳＴ１’と、同じ大きさ（振幅）を有し、かつ例えば１８０°の位相差を有することが好ましい。ＳＴ２’’はＳＴ２’と、同じ大きさを有し、かつ例えば１８０°の位相差を有することが好ましい。信号が同じ大きさとなるためには、第１回路１０とアンテナ１６とによるＳＴ１の損失と、第２回路２０によるＳＴ１の損失とが同程度であることが好ましい。また、第１回路１０とアンテナ１６とによるＳＴ２の損失と、第２回路２０によるＳＴ２の損失とが同程度であることが好ましい。ＬＰＦ２２及びＨＰＦ２４それぞれの通過特性を調整することで、信号の損失を調整することができる。なお、同じ大きさの信号が打ち消し合ってもよいし、大きさがわずかに異なる信号が打ち消し合ってもよい。信号が打ち消し合う結果、携帯電話等の使用に十分な程度の受信感度を確保できればよい。
【００５９】
信号の損失を少なくするためには、ＬＰＦ１２及びＬＰＦ２２においてＳＴ２の大部分が反射され、ＨＰＦ１４及びＨＰＦ２４においてＳＴ１の大部分が反射されることが好ましい。ＬＰＦ１２又はＬＰＦ２２に入力されたＳＴ２と比較して、ＳＴ２’’は例えば１０ｄＢ以上、２０ｄＢ以上、又は３０ｄＢ以上小さいことが好ましい。ＨＰＦ１４又はＨＰＦ２４に入力されたＳＴ１と比較して、ＳＴ１’’は例えば１０ｄＢ以上、２０ｄＢ以上、又は３０ｄＢ以上小さいことが好ましい。このためには、ＬＰＦ１２及びＬＰＦ２２は、ｆＳＴ２において高い反射係数を有することが好ましい。ＨＰＦ１４及びＨＰＦ２４は、ｆＳＴ１において高い反射係数を有することが好ましい。
【００６０】
移相回路２６はＳＴ１の位相、及びＳＴ２の位相を例えば９０°より大きくかつ２７０°未満だけ変えることにより信号の位相を反転させる。より効果的に良好なアイソレーション特性を得るためには、移相回路２６は位相を例えば１２０°より大きく２４０°未満、又は１５０°より大きく２１０°未満だけ反転させることがより好ましい。信号が打ち消し合う結果、携帯電話等の使用に十分な程度の受信感度を確保できればよい。特に、位相が１８０°反転される場合、受信感度が大きく改善する。移相回路２６は信号の位相を反転させるもの、例えばストリップライン、ＬＣ回路、トランス等である。またＬＰＦ２２、ＨＰＦ２４、及び移相回路２６の配置の順番は変更してもよい。
【００６１】
図６に示したように、ＬＰＦ１２及びＬＰＦ２２、並びにＨＰＦ１４及びＨＰＦ２４はＬＣ回路からなるフィルタでもよいし、誘電体フィルタ等としてもよい。また、第１回路１０及び第２回路２０に含まれるフィルタは、ＬＰＦ及びＨＰＦに限定されず、例えばＢＰＦを用いることができる。
【００６２】
図２（ｂ）に示すように、実施例１は、電子部品１００がＬＴＥ  Ｂａｎｄ１３方式及びＷ−ＣＤＭＡ  Ｂａｎｄ５方式に対応する例である。この場合、ｆｓＴ１とｆＳＴ２とが隣接するため、ＳＴ１及びＳＴ２の送信を同時に行う場合に十分なアイソレーション特性を得ることが難しい。実施例１によれば、送信を同時行う場合であっても効果的に良好なアイソレーション特性を得ることができる。実施例１に係る電子部品１００は、スマートフォンを含む携帯電話、タブレット端末等、マルチバンド化した通信機器に使用することができる。また、電子部品１００が対応する通信方式はＬＴＥ  Ｂａｎｄ１３方式及びＷ−ＣＤＭＡ  Ｂａｎｄ５方式に限定されない。
【００６３】
受信感度の低下が生じるのは、図２（ｂ）のようにＩＭＤ３がｆＳＲ１及びｆＳＲ２の両方と重なる例に限られない。ｆＳＲ１及びｆＳＲ２の少なくとも一方が、ｆＳＴ１及びｆＳＴ２より高い又は低い場合、受信感度の低下が生じる。例えばｆＳＲ２が、ｆＳＴ１とｆＳＴ２との間に位置することがある。このとき、ＩＭＤ３はｆＳＲ１と重なり、ｆＳＲ２とは重ならない。この場合は、第１送受信回路の受信感度は低下する。第１回路１０がＳＴ２’をリークさせ、第２回路２０がＳＴ２’’を通過させかつ位相を反転させるため、ＳＴ２’とＳＴ２’’とが打ち消し合う。これによりｆＳＲ１と重なるＩＭＤ３を抑制することができる。また例えば、ｆＳＲ１が、ｆＳＴ１とｆＳＴ２との間に位置することもある。このとき、ＩＭＤ３がｆＳＲ２と重なり、ｆＳＲ１とは重ならない。この場合、第２送受信回路の受信感度は低下する。第１回路１０がＳＴ１’をリークさせ、第２回路２０がＳＴ１’’を通過させかつ位相を反転させる。ＳＴ１’とＳＴ１’’とが打ち消し合うことにより、ＳＲ２と重なるＩＭＤ３を抑制することができる。
【００６４】
特に、ＳＴ１及びＳＴ２の出力が同時に行われる場合であっても、第１デュプレクサ１３２及び第２デュプレクサ１４２においてＩＭＤ３が生成されやすい。実施例１によれば、ＳＴ１’とＳＴ１’’とが打ち消し合い、ＳＴ２’とＳＴ２’’とが打ち消し合うため、効果的に良好なアイソレーション特性を確保することができる。
【００６５】
実施例１の変形例について説明する。実施例１の変形例は、第２回路２０に含まれるＬＰＦ２２及びＨＰＦ２４を、ＢＰＦ２３に置換した例である。図９は実施例１の変形例に係る電子部品を例示する図である。
【００６６】
図９に示すように、実施例１の変形例に係る電子部品１０２の第２回路２０はＢＰＦ２３及び移相回路２６を含む。ＢＰＦ２３は送受信帯域（Ｔｘ１、Ｒｘ１、Ｔｘ２及びＲｘ２）において高い反射係数を有する。このため第２回路２０は、ＳＴ１の大部分及びをＳＴ２の大部分を反射し、ＳＴ１’’及びＳＴ２’’を通過させる。また移相回路２６の代わりにＢＰＦ２３が位相反転の機能を有してもよい。
【実施例２】
【００６７】
実施例２は、第２回路に負荷を追加した例である。図１０は実施例２に係る電子部品を例示する図である。図１及び図３において既述した構成と同じ構成については、説明を省略する。
【００６８】
図１０に示すように、実施例２に係る電子部品２００の第２回路２０のＨＰＦ２４は第１共通端５０とＬＰＦ２２との間に接続されている。ＬＰＦ２２は第２共通端５２とＨＰＦ２４との間に接続されている。電気的負荷２８は、例えば抵抗等であり、ＬＰＦ２２とＨＰＦ２４との間に並列接続されている。ＬＰＦ２２はＬＰＦ１２と同じ通過特性を有する。ＨＰＦ２４はＨＰＦ１４と同じ通過特性を有する。電気的負荷２８のインピーダンスは、例えばアンテナ１６のインピーダンスと同じである。このため、第１回路１０と第２回路２０とは、同じ通過特性又は極めて近い通過特性を有する。
【００６９】
実施例２に係る電子部品のアイソレーション特性及び通過特性のシミュレーションについて説明する。図１１は実施例２に係る電子部品が備えるダイプレクサの等価回路を例示する回路図である。図５及び図６において既述した構成については説明を省略する。
【００７０】
図１１に示すように、第２回路２０のＬＰＦ２２は、Ｌ１１〜Ｌ１４、及びＣ１１〜Ｃ１３を含むＬＣ回路に対応する。ＨＰＦ２４は、Ｌ１５〜Ｌ１７、及びＣ１４〜Ｃ１７を含むＬＣ回路に対応する。移相回路２６はトランス２７に対応する。電気的負荷２８はＲ４に対応する。
【００７１】
トランス２７、Ｌ１１〜Ｌ１４及びＣ１４〜Ｃ１７はポートＰ１及びＰ２間に直列接続されている。Ｃ１１はＬ１１〜Ｌ１２間に、Ｃ１２はＬ１２〜Ｌ１３間に、Ｃ１３はＬ１３〜Ｌ１４間に、Ｒ４はＬ１４〜Ｃ１４間に、それぞれ並列接続されている。Ｌ１５はＣ１４〜Ｃ１５間に、Ｌ１６はＣ１５〜Ｃ１６間に、Ｌ１７はＣ１６〜Ｃ１７間に、それぞれ並列接続されている。Ｒ３、Ｃ１１〜Ｃ１３、及びＬ１５〜Ｌ１７は接地されている。
【００７２】
次にシミュレーションに用いたパラメータについて説明する。実施例２のシミュレーションに用いたパラメータのうち、Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ５〜Ｌ７のインダクタンス、及びＣ１〜Ｃ７のキャパシタンスは、図５に示した比較例の対応する値と同じである。Ｌ１１〜Ｌ１４各々のインダクタンスは、Ｌ１〜Ｌ４各々のインダクタンスと同じである。Ｃ１１〜Ｃ１３各々のキャパシタンスは、Ｃ１〜Ｃ３各々のキャパシタンスと同じである。Ｌ１５〜Ｌ１７各々のインダクタンスは、Ｌ５〜Ｌ７各々のインダクタンスと同じである。Ｃ１４〜Ｃ１７各々のキャパシタンスは、Ｃ４〜Ｃ７各々のキャパシタンスと同じである。Ｒ３の抵抗値は５０Ωである。トランス２７の変換効率は１である。つまり、トランス２７において信号の損失は発生しない。
【００７３】
図１２（ａ）は実施例２におけるポートＰ１〜Ｐ２間の通過特性の計算結果である。図１２（ｂ）は実施例２における通過特性の計算結果である。
【００７４】
図１２（ａ）に示すように、第１送受信帯域において通過量は−３００ｄＢ以下である。図１２（ａ）と図７（ａ）とを比較すると、実施例２により、ポートＰ１〜Ｐ２間において、第１送受信帯域及び第２送受信帯域における通過量が大幅に減少したことが分かる。すなわちポートＰ１〜Ｐ２間のアイソレーション特性が大幅に改善したことが分かる。
【００７５】
図１２（ｂ）に実線で示すように、ポートＰ１〜Ｐ３間の通過量は、第１送受信帯域において−０．９５８ｄＢ以上、信号を抑圧すべき第２送受信帯域において−１４．２ｄＢ以下である。破線で示すように、ポートＰ２〜Ｐ３間の通過量は、第２送受信帯域において−０．８６４ｄＢ以下、信号を抑圧すべき第１送受信帯域において−１３．９ｄＢ以下である。図１２（ｂ）と、図７（ｂ）及び図８（ｂ）とにおける通過特性を比較すると、実施例２は、比較例に対して、通過帯域では同程度の損失を示し、抑圧帯域ではより高い抑圧効果を示していることが分かる。以上のように、実施例２によれば、良好な通過特性と良好なアイソレーション特性とを両立することができる。
【００７６】
実施例２によれば、第２回路２０は電気的負荷２８を含む。このため、第２回路２０の通過特性と、アンテナ１６に接続された第１回路１０の通過特性とは同じ、又は同程度である。第１回路１０から出力されたＳＴ１’と、第２回路２０から出力されたＳＴ１’’とは同じ大きさを有し、例えば１８０°の位相差を有する。また、第１回路１０から出力されたＳＴ２’と、第２回路２０から出力されたＳＴ２’’とは同じ大きさを有し、例えば１８０°の位相差を有する。この結果、ＳＴ１及びＳＴ２の送信が同時に行われた場合でも、良好なアイソレーション特性を確保し、効果的にＩＭＤ３を抑制することができる。
【００７７】
特に、ＬＰＦ１２とＬＰＦ２２とが同じ通過特性を有し、かつＨＰＦ１４とＨＰＦ２４とが同じ通過特性を有し、かつ移相回路２６における信号の損失がないことが好ましい。これにより、第１回路１０と第２回路２０とは同程度の通過特性を有することになる。この結果、より効果的に良好なアイソレーション特性を確保することができる。ＬＰＦ１２とＬＰＦ２２とが極めて近い通過特性を有し、かつＨＰＦ１４とＨＰＦ２４とが極めて近い通過特性を有してもよい。また移相回路２６における信号の損失が極めて小さくてもよい。
【００７８】
次に実施例２の変形例について説明する。実施例２の変形例は、移相回路２６としてストリップラインを用いる例である。ダイプレクサの構成は図１０に示したものと同じなので、説明を省略する。
【００７９】
図１３は実施例２の変形例に係る電子部品が備えるダイプレクサの等価回路を例示する回路図である。図１３に示すように、移相回路２６はストリップラインＳＬに対応する。ストリップラインＳＬの一端はＣ１７の他端と直列接続されている。ストリップラインＳＬの他端はポートＰ１と接続されている。
【００８０】
次にシミュレーションに用いたパラメータについて説明する。Ｃ１〜Ｃ６のキャパシタンスは、実施例２において説明したものと同じである。Ｌ２〜Ｌ７のインダクタンスは、実施例２において説明したものと同じである。Ｃ７のキャパシタンスは１．５８ｐＦである。Ｌ１のインダクタンスは２４．６ｎＨである。Ｃ１１〜Ｃ１７のキャパシタンスは、Ｃ１〜Ｃ７のキャパシタンスと同じである。Ｌ１１〜Ｌ１７のインダクタンスは、Ｌ１〜Ｌ７のインダクタンスと同じである。
【００８１】
シミュレーションの結果について説明する。図１４（ａ）は実施例２の変形例におけるポートＰ１〜Ｐ２間の通過特性の計算結果である。図１４（ｂ）は実施例２の変形例における通過特性の計算結果である。
【００８２】
図１４（ａ）に示すように、第１送受信帯域において通過量は−３６．５ｄＢ以下である。第２送受信帯域において通過量は−３８．３ｄＢ以下である。図１４（ａ）と図７（ａ）とを比較すると、実施例２の変形例によりアイソレーション特性が改善したことが分かる。
【００８３】
図１４（ｂ）に実線で示すように、ポートＰ１〜Ｐ３間の通過量は、第１送受信帯域において−０．８６４ｄＢ以上、信号を抑圧すべき第２送受信帯域において−１６．４ｄＢ以下である。破線で示すように、ポートＰ２〜Ｐ３間の通過量は、第２送受信帯域において−０．８６４ｄＢ以上、信号を抑圧すべき第１送受信帯域において−１６．７ｄＢ以下である。図１４（ｂ）と図７（ｂ）とにおける通過特性を比較すると、実施例２は、比較例に対して、通過帯域では同程度の損失を示し、抑圧帯域では高い抑圧効果を示していることが分かる。以上のように、実施例２の変形例によれば、良好な通過特性と、良好なアイソレーション特性とを両立することができる。
【００８４】
図１２（ａ）と図１４（ａ）とに示すように、移相回路２６としてトランスを用いる実施例２と、ストリップラインを用いる実施例２の変形例とでは、実施例２の方が良好なアイソレーション特性を示した。トランスは、ストリップラインと比較して広い周波数帯域において位相反転の機能を果たす。このため、ストリップラインを用いる場合よりも、トランスを用いる場合の方が、良好なアイソレーション特性を得ることができる。
【００８５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１０                        第１回路
１１                        ダイプレクサ
１２、２２                  ローパスフィルタ
１４、２４                  ハイパスフィルタ
１６                        アンテナ
２０                        第２回路
２３                        バンドパスフィルタ
２６                        移相回路
２８                        電気的負荷
３０                        第１フロントエンド
３２                        第１デュプレクサ
４０                        第２フロントエンド
４２                        第２デュプレクサ
５０                        第１共通端
５２                        第２共通端
５４                        第３共通端
１００、１０２、２００      電子部品
【図１】
0005758754.tif 000004
【図２】
0005758754.tif 000005
【図３】
0005758754.tif 000006
【図４】
0005758754.tif 000007
【図５】
0005758754.tif 000008
【図６】
0005758754.tif 000009
【図７】
0005758754.tif 000010
【図８】
0005758754.tif 000011
【図９】
0005758754.tif 000012
【図１０】
0005758754.tif 000013
【図１１】
0005758754.tif 000014
【図１２】
0005758754.tif 000015
【図１３】
0005758754.tif 000016
【図１４】
0005758754.tif 000017