(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の一組の遷移層と、
第１の濃度のドーパント原子を有する材料のドープト層と、
前記一組の遷移層上の一組の成長中断層であり、当該成長中断層は、低下していく濃度でドーパント原子を含有し、且つ間に配置されたＧａＮ層又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層と交互にされ、前記ドーパント原子は、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、カルシウム（Ｃａ）、バナジウム（Ｖ）及びその他の遷移金属からなる群から選択されている、一組の成長中断層と、
前記一組の成長中断層の上に形成された窒化ガリウムを有する材料のバッファ層と、
を有するエンハンスメントモード窒化ガリウム（ＧａＮ）トランジスタ。
【請求項２】
エンハンスメントモード窒化ガリウム（ＧａＮ）トランジスタを製造する方法であって、
基板の上に一組の遷移層を形成する工程と、
前記遷移層の上にマグネシウム（Ｍｇ）でドープされた材料を成長する工程と、
ガリウム（Ｇａ）含有材料の供給及び窒素源の供給を含むフローを開始して、前記Ｍｇでドープされた材料の上にＧａＮ材料を成長する工程と、
窒素源の供給を維持しながらＧａ含有材料の供給を停止する工程であり、Ｍｇドープされた窒化物材料を形成する、工程と、
前記Ｍｇドープされた窒化物材料を形成した後に、Ｇａ含有材料の供給を再開する工程であり、前記Ｍｇドープされた窒化物材料の上にＧａＮ材料を形成する、工程と、
最後に形成されたＧａＮ材料の上にバッファ層を形成する工程と、
を有する方法。
【請求項３】
前記の最後に形成されたＧａＮ材料の上にバッファ層を形成する工程に先立って、前記のＧａＮ材料を形成する工程と、前記の窒素源の供給を維持しながらＧａ含有材料の供給を停止する工程と、前記のＧａ含有材料の供給を再開する工程と、を繰り返す工程、を更に有する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
エンハンスメントモード窒化ガリウム（ＧａＮ）トランジスタを製造する方法であって、
基板の上に一組の遷移層を形成する工程と、
前記遷移層の上に第１の濃度のドーパント原子を有するドープト材料を成長する工程と、
窒素及びＩＩＩ族元素含有ガスのフローを供給する工程と、
窒素の供給を維持しながらＩＩＩ族元素含有ガスのフローを停止する工程と、
ＩＩＩ族元素含有ガスのフローを停止した後に温度を低下させる工程と、
温度を低下させた後にＩＩＩ族元素含有ガスのフローを再開する工程と、
ＩＩＩ族元素含有ガスのフローを再開した後に温度を上昇させる工程と、
バッファ層を形成する工程と、
を有する方法。
【請求項５】
前記バッファ層を形成することに先立って、窒素及びＩＩＩ族元素含有ガスのフローを供給し、窒素の供給を維持しながらＩＩＩ族元素含有ガスのフローを停止し、温度を低下させ、ＩＩＩ族元素含有ガスのフローを再開し、温度を上昇させるシーケンスが複数回繰り返される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＩＩＩ族元素含有ガスは、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルガリウム、トリエチルアルミニウム及びトリエチルインジウムのうちの１つ以上の混合物である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ドーパント原子は、マグネシウム、鉄、ニッケル、マンガン、カルシウム、バナジウム及びその他の遷移金属からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記の窒素及びＩＩＩ族元素含有ガスのフローを供給する工程は、前記ドープト材料の上にＧａＮ材料を成長することを有し、
前記の窒素の供給を維持しながらＩＩＩ族元素含有ガスのフローを停止する工程は、活性窒素源の供給を維持しながらガリウム（Ｇａ）含有材料の供給を停止して、ドープト窒化物材料を形成することを有する、
請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記ドーパント原子はマグネシウム（Ｍｇ）を有する、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
前記一組の成長中断層は、ＧａＮと窒化マグネシウム（ＭｇＮ２）との交互層を有する、請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１１】
前記一組の成長中断層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）と窒化マグネシウム（ＭｇＮ２）との交互層を有する、請求項９に記載のトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウム（ＧａＮ）トランジスタの分野に関する。特に、本発明は、剰余のドーパントをトラップする方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ガリウムナイトライド；ＧａＮ）半導体デバイスは、大電流を担持し且つ高電圧に対応することができることにより、パワー半導体デバイスにとってますます望ましいものとなっている。これらのデバイスの開発は、概して、大電力／高周波用途に狙いを定めてきた。このような用途のために製造されるデバイスは、高電子移動度を示す一般的なデバイス構造に基づいており、ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、又は変調ドープ電界効果トランジスタ（ＭＯＤＦＥＴ）のように様々に呼ばれている。これらの種類のデバイスは、典型的に、例えば１００ｋＨｚ−１０ＧＨｚといった高周波数で動作しながら、例えば１００Ｖといった高電圧に耐えることができる。
【０００３】
ＧａＮ  ＨＥＭＴデバイスは、少なくとも２つの窒化物層を備えた窒化物半導体を含んでいる。半導体上あるいはバッファ層上に形成された異なる複数の材料により、これらの層は異なるバンドギャップを有するようにされる。隣接する窒化物層内の異なる材料はまた、分極を生じさせ、これが、２つの層のジャンクション（接合）付近の、具体的には、狭い方のバンドギャップを有する層内の、導電性の２次元電子ガス（２ＤＥＧ）領域に寄与する。
【０００４】
分極を生じさせる窒化物層は典型的に、電荷がデバイス中を流れることを可能にする２ＤＥＧを含むＧａＮの層に隣接してＡｌＧａＮのバリア層を含む。このバリア層は、ドープされることもあるし、ドープされないこともある。２ＤＥＧ領域がゼロゲートバイアスでゲート下に延在することにより、大抵の窒化物デバイスはノーマリーオンデバイスすなわちデプレッションモードデバイスである。ゲートの下でゼロの印加ゲートバイスで２ＤＥＧ領域が空乏化すなわち除去される場合には、デバイスはエンハンスメントモードデバイスとなることができる。エンハンスメントモードデバイスは、ノーマリーオフであり、それにより安全性が付加されるため、望ましいものである。エンハンスメントモードデバイスは、電流を導通するために、ゲートに正バイアスが印加されることを必要とする。
【０００５】
図１は、従来のＧａＮトランジスタデバイス１００を例示している。デバイス１００は、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（シリコンカーバイド；ＳｉＣ）、サファイア又はその他の材料からなる基板１１と、約０．１μｍから約１．０μｍの厚さの典型的に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）及び窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）からなる複数の遷移層１２と、ＭｇドープされたＧａＮ層１０と、約０．５μｍから約３μｍの厚さの典型的にＧａＮからなるバッファ層１３と、典型的に約０．０１μｍから約０．５μｍの厚さのＧａＮ又は窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）からなる電流導通領域１４と、典型的に約０．０１μｍから約０．０３μｍの厚さの典型的にＡｌＧａＮ、Ａｌ、及びＳｉを有し得るチタン（Ｔｉ）からなるコンタクト領域１５と、約０．０１μｍから約０．０３μｍの厚さを有した、典型的にＧａに対するＡｌの比が約０．１から約０．５であるＡｌＧａＮからなるバリア層１６と、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）の金属コンタクトからなるゲート構造１７と、例えばＮｉ及びＡｕなどのキャップ金属を備えたＴｉ及びＡｌからなるオーミックコンタクト金属１８、１９とを含んでいる。
【０００６】
従来のＧａＮトランジスタデバイス（例えば、図１）においてはＭｇドープされたＧａＮ材料の成長中、成長環境にマグネシウム（Ｍｇ）が添加される。このＭｇはＧａＮの表面に蓄積して結晶の一部となる。さらに、Ｍｇは、成長のこの部分において、成長チャンバーの壁を被覆する。Ｍｇドープされた材料の成長に続いて、Ｍｇが存在しない材料を有することを意図してアンドープのＧａＮを成長させることは、ＧａＮの表面に依然として存在するＭｇ及びチャンバー壁上のその他のＭｇの存在のために困難である。Ｍｇは成長チャンバー内を容易に動き回るので、この残余のＭｇは、延長された時間長さにわたって結晶を汚染し続けることになる。
【０００７】
従来のＧａＮトランジスタは数多くの欠点を有する。ブレイクダウン（絶縁破壊）電圧は（図１に示すような）ゲート１７の幅によって制限される。高電圧に達するためには、酸素汚染による残余のｎ型ドーピング及びアンドープのＧａＮ材料１３内の窒素欠陥に起因して、幅広のゲート、及びゲート１７とドレインコンタクト１８との間の大きい離隔が必要とされる。さらに、バッファ層にＭｇドーピングを用いる従来のＧａＮトランジスタは、バリア層付近のＭｇによって引き起こされる導電率の変動に悩まされる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
バリア層付近のドーパントによって引き起こされるデバイス性能の変動を排除しながら、ドープトバッファを用いるデバイスのブレイクダウンを改善することを達成する方法及び装置を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を達成するためには、従来技術の上述の欠点を回避するように、剰余のドーパントを捕獲（トラップ）することが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来のＧａＮトランジスタデバイスを例示する断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に従って形成されるエンハンスメントモードＧａＮトランジスタデバイスを例示する断面図である。
【図３】単一段の中断及び複数段の中断の場合のバッファ層内のＭｇ濃度を、中断のない標準的な成長の場合と比較して示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施形態に従って形成されるエンハンスメントモードＧａＮトランジスタデバイスを例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の詳細な説明においては、特定の実施形態を参照する。これらの実施形態は、当業者がこれらの実施形態を実施することができるよう、十分に詳細に説明される。理解されるように、その他の実施形態も用いられることができ、また、様々な構造的、論理的及び電気的な変更が為され得る。
【００１２】
本発明は、剰余あるいは残余のドーパントをトラップするＭｇ成長中断層を有するＧａＮトランジスタデバイス、及びそのようなデバイスを製造する方法である。本発明は、例えば、より揮発性でない材料すなわち窒化マグネシウムを形成するように、Ｍｇを窒素と反応させるように設計される。この材料は、その後、ＧａＮ又はＡｌＧａＮの何れかの層によって覆われる。このコーティング工程はまた、被覆を支援するように低温で行われることができる。温度を下げることにより、ＭｇＮとＡｌ又はＧａとの間で、より少ない反応のみが起こることになる。ＡｌとＭｇＮとの反応は、ＡｌＮが形成されてＭｇＮがＭｇに還元されるものである。この反応は、所望の被覆及びＭｇＮの閉じ込めと競合する。故に、温度を下げることによって反応が抑制され得る場合、Ｍｇは、より容易にＭｇＮの形態にとどまることになる。
【００１３】
図２を参照して、エンハンスメントモードＧａＮトランジスタの形成に関して第１実施形態を説明する。図２は、デバイス２００の断面図を示している。デバイス２００は、下から上に、基板３１、遷移層群３２、Ｍｇドープ層３３、成長中断層３９、バッファ層３４、バリア層３５、オーミックコンタクト金属３６、３７、及びゲート構造３８を含んでいる。成長中断層（Ｍｇ拡散バリア）３９は、１層以上の、高濃度にＭｇドープされたＧａＮの層を有し得る。これらは、成長を中断し、表面をアンモニアに晒すことによって形成される。Ｍｇの他に、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、カルシウム（Ｃａ）、バナジウム（Ｖ）又は他の遷移金属を含むその他の好適なドーパントも使用され得る。
【００１４】
続いて、一例としてＭｇをドーパントとする場合を参照して、図２の構造の形成方法を説明する。基板３１上に、核生成及び成長により、複数の遷移層３２が形成される。基板３１は、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、サファイア、酸化リチウムガリウム（ＬｉＧａＯ２）、窒化ガリウム（ＧａＮ）又はその他の好適材料を有し得る。遷移層３２は、好ましくは約０．１μｍから約１．０μｍの厚さであり、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、又はこれらの組み合わせを有し得る。遷移層３２は典型的に、その厚さにおいて約１０００Åより薄い。その後、Ｍｇドープ層３３が成長される。Ｍｇドープ層３３は、Ｍｇ濃度が１０１６原子／ｃｍ３と１０１９原子／ｃｍ３との間で厚さが約０．１μｍから約１．０μｍのＧａＮを有し得る。次に、Ｍｇを阻止する成長中断層３９が成長される。成長中断層３９の形成は、Ｍｇ含有材料を用いずにＧａＮを成長させること、アンモニア又はその他の活性窒素源（例えば、プラズマＮ２）の供給を維持しながらＧａ含有材料の供給を停止させて窒化マグネシウムの層を形成すること、Ｇａの供給を開始してＧａＮの層を成長させることによって窒化マグネシウム層を封止すること、及び、成長を再び中断し、最終的な層内の目標Ｍｇ濃度に到達するまでこれらのシーケンスを繰り返すことで構成される。次に、バッファ層３４、バリア層、及びゲート構造３８が成長され、ゲートコンタクトを形成するための材料処理が行われる。バッファ層３４は、好ましくは約０．５μｍから約３．０μｍの厚さを有し、ＧａＮを有し得る。バリア層３５は、好ましくは約０．０１μｍと約０．０３μｍとの間の厚さを有し、Ａｌの割合が約０．１から約０．５であるＡｌＧａＮを有し得る。Ａｌの割合とは、Ａｌの割合にＧａの割合を足し合わせたものが１に等しくなるようにしたＡｌの含有量である。ゲート構造３８は、例えばタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）又はタングステンシリサイド（ＷＳｉ２）などの高融点金属コンタクトを備えたｐ型ＧａＮを有し得る。ゲート構造は、例えばＮｉとその上のＡｕなどの単純金属、例えばＧａＮとその上のＴｉＮなどの金属を備えた半導体、又は、例えばＧａＮとその上のＳｉＮとその上のＴｉＮなどの半導体とその上の絶縁体とその上の金属、を有することができる。その他の半導体として、Ｓｉ、ＧａＡｓ又はＩｎＡｌＧａＮであってもよい。その他の絶縁体として、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３であってもよい。その他の金属として、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔなどであってもよい。また、金属に代えて、ポリシリコンが使用されてもよい。金属及びゲート層は各々、好ましくは約０．０１μｍから約１．０μｍの厚さである。ゲート構造の総厚は、好ましくは１μｍ未満とし得る。次に、ゲート構造３８がデバイスのその他の領域内でエッチングされ、オーミックコンタクト３６、３７が作り出される。オーミックコンタクト金属３６、３７は、チタン（Ｔｉ）及び例えばニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）などのキャップメタルを備えたアルミニウム（Ａｌ）、又は、チタン（Ｔｉ）及び窒化チタン（ＴｉＮ��を有し得る。コンタクト領域に結合された、イオン注入された高濃度ドープ領域も存在し得る。主（プライマリ）チャネル領域は、ｎ型ドープされたＧａＮ、又はアンドープあるいは真性ＩｎＡｌＧａＮとし得る。
【００１５】
上述の方法によれば、ゲートの下のｐ型ＧａＮ層３３と一連の成長中断層３９との付加により、ＧａＮバッファ層３４内のＭｇの濃度が低減される。図２における層３３のＭｇドーピングは、デバイスのブレイクダウン電圧を高める。デバイスのゲート長は、デバイスのブレイクダウン電圧を低下させることなく、大幅に短くされることができる。より短いゲート長により、デバイスのゲート容量（キャパシタンス）が低減される。より小さいゲート容量により、デバイスのスイッチング速度が向上される。成長中断層３９は、層３４内且つバリア層３５付近のＭｇ濃度を低下させる。
【００１６】
図３は、成長中断層なしと、単一の成長中断層を有するバッファ層と、６個の成長中断層を有するバッファ層とで、バッファ層内のＭｇ濃度を比較するグラフである。複数成長中断の曲線から見て取れるように、各成長中断は中断の位置に高めのＭｇ濃度を作り出し、それは後続の層内の低めのＭｇ濃度に続かれる。各成長中断層がＭｇを低下させ、そして、複数層の適用によって、より小さい距離で低濃度のＭｇを得ることができる。
【００１７】
層３４内の低減されたＭｇはデバイスの導電率を高める。層３４内の低減されたＭｇはまた、デバイス導電率の低下なく、層３３を層３５の近傍に配置することを可能にする。さらに、層３５への層３３の接近は、向上されたデバイスブレイクダウンと、より低いゲートリーク電流とをもたらす。しかしながら、図２の構造は幾つかの欠点を有する。成長中断層３９を作り出すのに要する時間が大きくなり、製造コストの増加をもたらし得る。また、反応炉部分からの汚染により、幾らかのＭｇが依然として層３４内に存在する。
【００１８】
次に、図４を参照して、エンハンスメントモードＧａＮトランジスタの形成に関して第２実施形態を説明する。図４は、以下に述べる方法によって形成されるデバイス３００の断面図を示している。本発明のこの実施形態は、図２の成長中断層３９がここではＡｌＧａＮ層４９で置き換えられている点で、第１実施形態と異なる。ＡｌＧａＮ層（ドープされた拡散バリア）４９は、１層以上のＡｌＧａＮ層を有し得る。これらは、第１実施形態と同様に成長を中断してＧａＮ表面をアンモニアに晒し、それに続いてＡｌＧａＮを堆積し、そしてＧａＮを堆積することによって形成される。ＡｌＧａＮ層のＡｌの割合は、約０．３と約１との間である。ＡｌＧａＮ層の厚さは好ましくは、約０．００５μｍから約０．０３μｍである。
【００１９】
図４の構造の形成方法は、一例としてＭｇをドーパントとして第１実施形態（図２）に関して説明したのと同様である。様々な層の寸法及び組成も、第１実施形態のそれらと同様である。しかしながら、成長中断層３９（図２）を形成することに代えて、ＡｌＧａＮ層４９が形成される。ＡｌＧａＮ層４９の形成は、Ｍｇ含有材料を用いずにＧａＮを成長させること、アンモニア又はその他の活性窒素源（例えば、プラズマＮ２）の供給を維持しながらＧａ含有材料の供給を停止させて窒化マグネシウムの層を形成すること、成長温度を低下させること、Ａｌ及び／又はＧａの供給を開始してＧａＮの層を成長させることによって窒化マグネシウム層を封止すること、成長温度を当初の温度に戻してＧａＮを成長させること、及び、成長を再び中断し、最終的な層内の目標Ｍｇ濃度に到達するまでこれらのシーケンスを繰り返すことで構成される。成長温度を低下させる工程及び当初の温度に戻す工程は、必要に応じてのものである。
【００２０】
上述の方法によれば、ゲートの下のｐ型ＧａＮ層４３と一連の成長中断及びＡｌＧａＮ層４９との付加により、ＧａＮバッファ層４４内のＭｇの濃度が低減される。第２実施形態は、第１実施形態と同じ利点を共有する。また、拡散バリア４９へのＡｌＧａＮ層の付加は、各成長中断工程の効果を高め、バッファ層４４内の所望のＭｇドーピングレベルを達成するための工程数を削減する。
【００２１】
以上の説明及び図面は単に、ここで説明した特徴及び利点を達成する特定の実施形態の例示と見なされるべきものである。具体的なプロセス条件には変更及び代用が為され得る。従って、本発明の実施形態は、以上の説明及び図面によって限定されるものとして見なされるものではない。
【図１】
0005670427.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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