(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持し、前記処理室内外に搬送される基板保持具と、
前記基板保持具への前記基板の装填、又は前記基板保持具からの前記基板の脱装が行われる移載室と、
前記移載室内の前記基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、
前記処理室内から前記移載室内に搬出されて前記基板が脱装された前記基板保持具に、前記ノズルから不活性ガスを噴射するように前記不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、
前記ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板保持具は回転機構を備え、
前記制御部は、少なくとも前記ノズルから不活性ガスが噴射されている間、前記移載室内で前記基板保持具を回転させるように前記回転機構を制御する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板処理装置は、前記移載の雰囲気中の異物濃度を測定する異物測定機構を備え、
前記制御部は、前記異物測定機構により測定した異物濃度が所定の値以下となったときに、前記移載室内への不活性ガスの供給を停止する様に、前記不活性ガス供給機構を制御する請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記移載室の前記ノズルと対向する位置には、前記ノズルから噴射される不活性ガスにより吹き飛ばされた異物を収集する仕切部が設けられる請求項１から３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項５】
移載室内で基板保持具に基板を装填し、前記基板保持具を前記移載室内から処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記基板保持具を前記処理室内から前記移載室内に搬出し、前記基板保持具から処理後の前記基板を脱装する工程と、
前記移載室内に設けられた不活性ガス供給機構が備えるノズルから、前記基板が脱装された前記基板保持具に、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばＤＲＡＭ等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する等の基板処理工程が実施されてきた。かかる基板処理工程は、基板を処理する処理室と、基板を保持して処理室内外に搬送される基板保持具と、基板保持具への基板の装填、又は基板保持具からの基板の脱装が行われる移載室と、を備える基板処理装置により実施されている。このような基板処理装置において、基板が装填された基板保持具を処理室内に搬送する際に、移載室内で、装填された基板と平行に（すなわち水平に）、基板保持具に向けて不活性ガスを噴射することが行われる場合がある（例えば特許文献１参照）。これにより、基板保持具に装填された基板の表面に付着している異物が除去されて、基板が処理室内へ搬送されるため、処理室内への異物の侵入を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２２４１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板処理工程において、例えば成膜処理での加熱による基板の変形や、基板と基板保持具との材質の違いによる熱膨張率の差等により、基板保持具に形成された基板を支持するための溝等の基板支持部と基板との接触部が擦れ、基板保持具等が削れてしまう場合があった。このため、基板処理工程が数回繰り返されると、基板支持部が削れることにより発生した異物等が基板保持具上に堆積・蓄積する場合があった。そして、例えば次バッチの成膜処理の際、上述した異物が処理室内に飛散し、生産歩留りが低下したり、基板上に形成された薄膜の膜質が低下する場合があった。
【０００５】
本発明は、処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持し、前記処理室内外に搬送される基板保持具と、
前記基板保持具への前記基板の装填、又は前記基板保持具からの前記基板の脱装が行われる移載室と、
前記移載室内の前記基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、
前記処理室内から前記移載室内に搬出されて前記基板が脱装された前記基板保持具に、前記ノズルから不活性ガスを噴射するように前記不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、
前記ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、
移載室内で基板保持具に基板を装填し、前記基板保持具を前記移載室内から処理室内に
搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記基板保持具を前記処理室内から前記移載室内に搬出し、前記基板保持具から処理後の前記基板を脱装する工程と、
前記移載室内に設けられた不活性ガス供給機構が備えるノズルから、前記基板が脱装された前記基板保持具に、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置及び半導体装置の製造方法によれば、処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の透視斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理室及び移載室の周辺の概略構成図であり、基板支持具が処理室内にある状態を示す。
【図３】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理室及び移載室の周辺の概略構成図であり、基板支持具が移載室内にある状態を示す。
【図４】本発明の一実施形態にかかる基板処理工程を例示するフロー図である。
【図５】成膜処理後に基板保持具上に異物が発生する様子を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施例にかかる基板処理工程後の基板保持具上の異物の状態を示す画像である。
【図７】従来の基板処理工程を例示するフロー図である。
【図８】比較例にかかる基板処理工程後の基板保持具上の異物の状態を示す画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０の構成例について、図１〜図３を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。図２及び図３は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０の処理室２０１及び移載室１４１の周辺の概略構成図であり、図２は、基板保持具２１７が処理室２０１内に搬送された状態を示し、図３は、基板保持具２１７が移載室１４１内に搬送された状態を示す。なお、本実施形態にかかる基板処理装置１０は、例えばウエハ２００等の基板に酸化、拡散処理、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｏｎ）処理などを行う縦型の装置として構成されている。
【００１２】
（全体構成）
図１に示すように、基板処理装置１０は、バッチ式縦型熱処理装置として構成されている。基板処理装置１０は、内部に処理炉２０２などの主要部が設けられ、耐圧容器として構成された筐体１２を備えている。基板としてのウエハ２０を筐体１２内外へ搬送するには、基板搬送容器（ウエハキャリア）としてのポッド（フープとも呼ぶ）１６が用いられる。ポッド１６内には、シリコン（Ｓｉ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等で構成されたウエハ２００が、例えば２５枚収納されるように構成されている。筐体１２の正面壁には、ポッド１６を筐体１２内外へ搬送するポッド搬送口（図示せず）が、筐体１２の内外を連通するように設けられている。ポッド搬送口は、開閉機構としてのフロントシャッタ１７によって開閉されるようになっている。
【００１３】
筐体１２の正面側（ポッド搬入搬出口の正面前方側）には、基板搬送容器受渡し台としてのポッドステージ１８が設けられている。ポッドステージ１８上には、蓋が閉じられた状態でポッド１６が載置され、ポッドステージ１８上にてポッド１６の位置合わせが可能なように構成されている。ポッド１６は、図示しない工程内搬送装置によってポッドステージ１８上に載置され、また、ポッドステージ１８上から搬出されるように構成されている。
【００１４】
筐体１２内の前後方向略中央部における上部空間には、基板搬送容器載置棚としての回転式ポッド棚２２が設けられている。回転式ポッド棚２２は、垂直方向に設けられて水平面内で間欠回転する支柱（図示せず）と、基板搬送容器載置台としての複数枚の棚板２２ａと、を備えている。複数枚の棚板２２ａは、支柱における上下３段の各位置において、水平姿勢で放射状に固定されるようにそれぞれ構成されている。なお、各棚板２２ａには、複数個のポッド１６がそれぞれ載置されるように構成されている。
【００１５】
筐体１２内におけるポッドステージ１８と回転式ポッド棚２２との間には、基板搬送容器搬送装置としてのポッド搬送装置２０が設けられている。ポッド搬送装置２０は、ポッド１６を保持したまま昇降移動する基板搬送容器昇降機構としてのポッドエレベータ２０ａと、ポッド１６を保持したまま水平移動する基板搬送容器搬送機構としてのポッド搬送機構２０ｂと、を備えている。ポッド搬送装置２０は、ポッドエレベータ２０ａとポッド搬送機構２０ｂとの協調動作により、ポッドステージ１８とポッド載置棚２２とポッドオープナ２４との間でポッド１６を搬送するように構成されている。
【００１６】
筐体１２内の下部空間には、筐体１２内の前後方向の略中央部から後端部にわたって、移載室１４１が設けられている。筐体１２の中央部側に位置する移載室１４１の正面壁１４１ａ（図２及び図３参照）には、ウエハ２００を移載室１４１内外に搬送する基板搬入搬出口としてのウエハ搬送口１４が、上下段に設けられている。上下段のウエハ搬送口１４には、ポッドオープナ２４がそれぞれ設けられている。ポッドオープナ２４は、ポッド１６を載置する載置台２５と、ポッド１６の蓋体であるキャップを着脱する蓋体着脱機構としてのキャップ着脱機構２６と、をそれぞれ備えている。ポッドオープナ２４は、載置台２５に載置されたポッド１６のキャップをキャップ着脱機構２６によって着脱することによって、ポッド１６のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。ポッドオープナ２４の近傍には、ウエハ枚数検出器２７が設けられている。ウエハ枚数検出器２７は、蓋を開けられたポッド１６内のウエハ２００の枚数を検知するように構成されている。なお、移載室１４１の構成については後述する。
【００１７】
（処理室）
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置１０が備える処理炉２０２の構成について、主に図２を参照しながら説明する。
【００１８】
図２に示すように、本実施形態にかかる処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０５を有している。プロセスチューブ２０５は、石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性を有する非金属材料から構成されており、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ２０５の内側の筒中空部には、ウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ウエハ２００を、後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。プロセスチューブ２０５の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外径よりも大きくなるように形成されている。
【００１９】
プロセスチューブ２０５の下方には、プロセスチューブ２０５と同心円状に、マニホー
ルド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばＳＵＳ等の金属材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外径よりも大きくなるように形成されている。マニホールド２０９の上端部は、プロセスチューブ２０５の下端部に係合し、プロセスチューブ２０５を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とプロセスチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。また、マニホールド２０９の下方には、ボート２１７へのウエハ２００の装填又はボート２１７からのウエハ２００の脱装を行う移載室１４１が設けられている。移載室１４１の天板１４２とマニホールド２０９との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。このマニホールド２０９が天板１４２に支持されることにより、プロセスチューブ２０５は垂直に据え付けられた状態となっている。なお、天板１４２には、処理炉２０２の開口部となる炉口１６０が設けられている。主に、プロセスチューブ２０５と、マニホールド２０９とにより反応容器が形成されている。
【００２０】
（基板保持具）
処理室２０１内には、基板保持具としてのボート２１７が、マニホールド２０９の下端開口の下方側から搬送されるように構成されている。ボート２１７は、上下で一対の天板２１０及び底板２１１と、天板２１０及び底板２１１間に架設されて垂直に配設された複数本（本実施形態では３本（図１参照））の保持部材２１２とを備えて構成されている。天板２１０、底板２１１及び保持部材２１２は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。各保持部材２１２には、複数枚のウエハ２００を多段に支持可能にする基板支持部としての溝（図示せず）が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。そして、ウエハ２００の外周縁辺が各保持部材２１２の多数条の溝間にそれぞれ挿入されることにより、ボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で垂直方向に多段に整列させて保持するようになっている。
【００２１】
ボート２１７の下部には、円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。断熱板２１６は、後述するヒータ２０６からの熱をマニホールド２０９側に伝え難くするように構成されている。
【００２２】
ボート２１７の下方には、ボート２１７を回転させるボート回転機構２５４が設けられている。ボート回転機構２５４を駆動させることにより、ボート２１７を処理室２０１及び移載室１４１内で回転させることが可能に構成されている。ボート回転機構２５４の構成については後述する。
【００２３】
（ガス供給系）
マニホールド２０９には、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給ノズル２８０が、マニホールド２０９の側壁を貫通するように接続されている。ガス供給ノズル２８０は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等により構成されている。ガス供給ノズル２８０は、水平部と垂直部とを有するＬ字形状に形成され、水平部がマニホールド２０９の側壁に接続され、垂直部がプロセスチューブ２０５の内壁と処理室２０１内におけるウエハ２００との間における空間に、プロセスチューブ２０５の下部より上部の内壁に沿って、ウエハ２００の積層方向に向かって立ち上がるように設けられている。ガス供給ノズル２８０の垂直部の側面には、ガスを供給する複数の供給孔が、それぞれウエハ２００の中心に向けて設けられている。供給孔の開口径は、処理室２０１内のガスの流量分布や速度分布を適正化するように適宜調整することができ、下部から上部にわたって同一としてよく、下部から上部にわたって徐々に大きくしてもよい。
【００２４】
ガス供給ノズル２８０の上流端には、ガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２は上流側で４本に分岐している。４つに分岐したガス供給管２３２は、上流側から順に、第１ガス供給源１９１、第２ガス供給源１９２、第３ガス供給源１９３，第４ガス供給源１９４、ガス流量制御装置としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１８１〜１８４、及び開閉弁としてのバルブ１７１〜１７４がそれぞれ接続されている。第１ガス供給源１９１は例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のＳｉ元素含有ガスを供給するように構成されている。第２ガス供給源１９２は例えばゲルマン（ＧｅＨ４）等のＧｅ元素含有ガスを供給するように構成されている。第３ガス供給源１９３は水素ガス（Ｈ２ガス）を供給するように構成されている。第４ガス供給源１９４は不活性ガスとして例えば窒素ガス（Ｎ２ガス）を供給するように構成されている。バルブ１７１〜１７３を開けることにより、処理ガスとしてのＳｉ元素含有ガス及びＧｅ元素含有ガスと、希釈ガスとしてのＨ２ガスとの混合ガスが、処理室２０１内に供給される。また、バルブ１７１〜１７３を閉め、バルブ１７４を開けることにより、ガス供給ノズル２８０内がパージガスとしてのＮ２ガスによりパージされる。パージガスの流量はＭＦＣ１８４により調整することが可能である。
【００２５】
ＭＦＣ１８１〜１８４及びバルブ１７１〜１７４には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、ＭＦＣ１８１〜１８４の開度を制御するように構成されている。主に、ガス供給ノズル２８０、ガス供給管２３２、バルブ１７１〜１７４、ＭＦＣ１８１〜１８４、第１ガス供給源１９１、第２ガス供給源１９２、第３ガス供給源１９３，第４ガス供給源１９４により、ガス供給系が構成される。  
【００２６】
プロセスチューブ２０５の外側には、プロセスチューブ２０５の側壁面を囲う同心円状に、加熱部としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状に形成されている。ヒータ２０６は、図示しない保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０６の近傍には、処理室２０１内の温度を検出する温度検出器としての温度センサ（図示せず）が設けられている。ヒータ２０６及び温度センサには、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、処理室２０１内の温度が所定のタイミングにて所定の温度分布となるように、温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２０６への供給電力を所定のタイミングにて制御するように構成されている。主に、ヒータ２０６及び温度センサ（図示せず）により、ウエハ２００を加熱する加熱部が構成される。
【００２７】
マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、上流側から順に、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段としての圧力センサ（図示せず）、圧力調整装置としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２、真空ポンプ２４６が設けられている。ＡＰＣバルブ２４２は、その開度により処理室２０１内の圧力を調整する。なお、圧力センサは、排気管２３１内に限らず、処理室２０１内に設けられていてもよい。
【００２８】
圧力センサ及びＡＰＣバルブ２４２には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、圧力センサにより検知した圧力情報に基づいて、処理室２０１内の圧力が所定のタイミングにて所定の圧力（真空度）となるように、ＡＰＣバルブ２４２の開度を制御するように構成されている。主に、排気管２３１、圧力センサ、ＡＰＣバルブ２４２及び真空ポンプ２４６により、本実施形態に係る処理室排気系が構成される。
【００２９】
（移載室）
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置１０が備える移載室１４１の構成について、主に図３を参照しながら説明する。
【００３０】
図１〜図３に示すように、筐体１２内には、処理室２０１の下端に形成された炉口１６０と連通するように移載室１４１が設けられている。移載室１４１は、基板保持具としてのボート２１７へのウエハ２００の装填、又はボート２１７からのウエハの脱装を行う。図１に示すように、移載室１４１は、ポッド搬送装置２０や回転式ポッド棚２２等が設けられた筐体１２内の他の空間から気密に隔離されて形成されている。移載室１４１内の前側領域（筐体１２内の中央部側）には、基板移載機構としてのウエハ移載機構２８が設けられている。ウエハ移載機構２８は、基板保持体としてのツイーザ３２上にウエハ２００を載置して水平方向に移動させる基板移載装置としてのウエハ移載装置２８ａと、ウエハ移載装置２８ａを昇降移動させる基板移載装置昇降機構としてのウエハ移載装置エレベータ（図示せず）と、を備えている。これら、ウエハ移載装置２８ａとウエハ移載装置エレベータとの協調動作により、ボート２１７にウエハを装填（ウエハチャージ）し、また、ボート２１７からウエハ２００を取り出す（ウエハディスチャージ）ことが可能なように構成されている。
【００３１】
図３に示すように、移載室１４１内には、移載室１４１内に搬送されたボート２１７に不活性ガスを噴射するノズル４１を備える不活性ガス供給機構４０が設けられている。不活性ガス供給機構４０は、処理室２０１内から移載室１４１内に搬出されて、ウエハ２００が脱装された空のボート２１７に、上方から下方に向かって角度をつけて、ノズル４１から不活性ガスを噴射するように構成されている。すなわち、空のボート２１７に、斜め上方から不活性ガスを噴射することで、ボート２１７上に堆積した異物等をボート２１７上から吹き飛ばして除去するように構成されている。これにより、処理室２０１内に飛散する異物を低減することができ、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善することができる。
【００３２】
不活性ガス供給機構４０には、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等で構成されている不活性ガス供給管４２が、移載室１４１の側壁を貫通するように接続されている。不活性ガス供給管４２には、上流側から順に、不活性ガス供給源４３、ガス流量制御装置としてのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４４及び開閉弁であるバルブ４５が接続されている。不活性ガス供給源４３は、例えば窒素（Ｎ２）ガスを供給するように構成されているが、これに限定されるものではない。ＭＦＣ４４及びバルブ４５には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、移載室１４１内に供給する不活性ガスの流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、ＭＦＣ４４の開度を制御するように構成されている。主に、不活性ガス供給管４２、不活性ガス供給源４３、ＭＦＣ４４、バルブ４５により、本実施形態にかかる不活性ガス供給系が構成される。
【００３３】
不活性ガス供給機構４０には、ノズル４１の角度を調整するノズル角度可変機構４６が設けられている。また、不活性ガス供給機構４０には、ノズル４１を移載室１４１内の上下方向に移動させることで、移載室１４１内におけるノズル４１の高さ位置を調整するノズル昇降機構４７が設けられている。このようにノズル４１の角度及び高さ位置を調整することで、空のボート２１７の上部から下部にわたって、すなわち、ボート２１７の天板２１０から底板２１１にわたって満遍なく不活性ガスを噴射することができ、空のボート２１７上から異物をより除去することができる。ノズル角度可変機構４６及びノズル昇降機構４７には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、ノズル４１の角度及び高さ位置が所定のタイミングにて所定の角度及び高さ位置となるように、ノズル角度可変機構４６及びノズル昇降機構４７を制御するように構成されている。
【００３４】
不活性ガス供給機構４０には、空のボート２１７上の異物を吹き飛ばすことができる速い流速となるように、不活性ガスの流速を調整するガス流速調整機構（図示せず）が設けられている。なお、不活性ガスの流速を速くするために、例えばノズル４１の径を小さくしてもよく、また、ノズル４１の形状を先端が細くなった台形円錐形状にしてもよく、また、不活性ガス供給管４２のＭＦＣ４４とバルブ４５との間にガス溜め部を設けてガス溜め部内で不活性ガスを高圧にして一気に噴射する等してもよい。さらに、例えば、ＭＦＣ４４により流量を調整することで流速を速くしてもよい。これにより、空のボート２１７上の異物をより除去することができる。ガス流速調整機構には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、不活性ガスが所定のタイミングにて所定の流速となるように、ガス流速調整機構を制御するように構成されている。
【００３５】
移載室１４１の外側の側壁には、移載室１４１の雰囲気中の異物濃度を測定する異物測定機構としてのパーティクルカウンタ４８が設けられている。このパーティクルカウンタ４８として、例えば光散乱式のレーザダストカウンタ等が用いられる。なお、パーティクルカウンタ４８は、移載室１４１内に配設してもよい。パーティクルカウンタ４８には、移載室１４１内の雰囲気をパーティクルカウンタ４８に送る吸引管４９が、移載室１４１の側壁を貫通するように接続されている。パーティクルカウンタ４８には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、パーティクルカウンタ４８により測定した移載室１４１内の雰囲気中の異物濃度（異物数）が所定の値以下となったときに自動で、又は操作者からのコマンドを受け付けたときに、移載室１４１内への不活性ガスの供給を停止ないし供給量を減らすように、不活性ガス供給機構４０を制御する（例えばバルブ４５を閉じる、又はＭＦＣ４４により流量調整する等）ように構成されている。
【００３６】
移載室１４１内の、ノズル４１と対向する位置には、ノズル４１から噴射される不活性ガスにより吹き飛ばされた異物を収集する排気受けとしての仕切部５０が設けられている。仕切部５０は、移載室１４１の天板１４２から底板１４３にわたって垂直に配設されている。仕切部５０を設けることにより、移載室１４１内を、少なくともノズル４１を備え、ボート２１７が搬送される高圧領域と、少なくとも後述する移載室排気系が設けられる低圧領域と、に仕切ることができる。このように移載室１４１内を高圧領域と低圧領域とに分けることで、空のボート２１７上から吹き飛ばされ、移載室１４１内に飛散する異物を低圧領域に集めることができる。そして、収集された異物は、後述する移載室排気系を介して、移載室１４１内の低圧領域から移載室１４１外へ排出することができる。また、仕切部５０として、例えばフィルタ等を用いてもよい。
【００３７】
移載室１４１の側壁には、移載室１４１内を排気する排気管５１が設けられている。排気管５１の下流側（移載室１４１の接続側と反対側）には、上流側から順に、移載室１４１内の圧力を検知する圧力検知手段としての圧力センサ５２、圧力調整装置としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ５３、真空ポンプ５４が設けられている。なお、圧力センサ５２は、排気管５１内に限らず、移載室１４１内に設けられていてもよい。圧力センサ５２及びＡＰＣバルブ５３には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、圧力センサ５２により検知した圧力情報に基づいて、移載室１４１内の圧力が所定のタイミングにて所定の圧力（真空度）となるように、ＡＰＣバルブ５３の開度を制御するように構成されている。主に、排気管５１、圧力センサ５２、ＡＰＣバルブ５３及び真空ポンプ５４により、本実施形態に係る移載室排気系が構成される。
【００３８】
図２及び図３に示すように、移載室１４１を構成するサブ筐体１３の側壁の外面には、ボート２１７を昇降移動させる基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ１１５が設
けられている。ボートエレベータ１１５は、下基板２４５、ガイドシャフト２６４、ボール螺子２４４、上基板２４７、昇降モータ２４８、昇降基板２５２、及びベローズ２６５を備えている。下基板２４５は、移載室１４１を構成する側壁の外面に水平姿勢で固定されている。下基板２４５には、昇降台２４９と嵌合するガイドシャフト２６４、及び昇降台２４９と螺合するボール螺子２４４がそれぞれ鉛直姿勢で設けられている。ガイドシャフト２６４及びボール螺子２４４の上端には、上基板２４７が水平姿勢で固定されている。ボール螺子２４４は、上基板２４７に設けられた昇降モータ２４８により回転させられるように構成されている。ガイドシャフト２６４は、昇降台２４９の上下動を許容しつつ水平方向の回転を抑制するように構成されている。そして、ボール螺子２４４を回転させることにより、昇降台２４９が昇降するように構成されている。
【００３９】
昇降台２４９には、中空の昇降シャフト２５０が垂直姿勢で固定されている。昇降台２４９と昇降シャフト２５０との連結部は、気密に構成されている。昇降シャフト２５０は、昇降台２４９と共に昇降するように構成されている。昇降シャフト２５０の下方側端部は、移載室１４１を構成する天板１４２を貫通している。移載室１４１の天板１４２に設けられる貫通穴の内径は、昇降シャフト２５０と天板１４２とが接触することのない様に、昇降シャフト２５０の外径よりも大きく構成されている。移載室１４１と昇降台２４９との間には、昇降シャフト２５０の周囲を覆うように、伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ２６５が設けられている。昇降台２４９とベローズ２６５との連結部、及び天板１４２とベローズ２６５との連結部はそれぞれ気密に構成されており、移載室１４１内の気密が保持されるように構成されている。ベローズ２６５は、昇降台２４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有している。ベローズ２６５の内径は、昇降シャフト２５０とベローズ２６５とが接触することのない様に、昇降シャフト２５０の外径よりも充分に大きく構成されている。
【００４０】
移載室１４１内に突出した昇降シャフト２５０の下端には、昇降基板２５２が水平姿勢で固定されている。昇降シャフト２５０と昇降基板２５２との連結部は、気密に構成されている。昇降基板２５２の上面には、Ｏリング等のシール部材を介してシールキャップ２１９が気密に取付けられている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属より構成され、円盤状に形成され、ボート２１７を下方から垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１１５が上昇した時に処理炉２０２の下端部に設けられた炉口１６０を閉塞するように構成されている。昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４を回転させ、昇降台２４９、昇降シャフト２５０、昇降基板２５２、及びシールキャップ２１９を上昇させることにより、処理室２０１内にボート２１７が搬入（ボートロード）されると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６０がシールキャップ２１９により閉塞されるよう構成されている。また、昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４を回転させ、昇降台２４９、昇降シャフト２５０、昇降基板２５２、及びシールキャップ２１９を下降させることにより、処理室２０１内からボート２１７が搬出（ボートアンロード）されるよう構成されている。昇降モータ２４８には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、ボートエレベータ１１５が所定の動作を所定のタイミングにて制御するように構成されている。
【００４１】
昇降基板２５２の下面には、Ｏリング等のシール部材を介して駆動部カバー２５３が気密に取付けられている。昇降基板２５２と駆動部カバー２５３とにより駆動部収納ケース２５６が構成されている。駆動部収納ケース２５６の内部は、移載室１４１内の雰囲気と隔離されている。駆動部収納ケース２５６の内部には、ボート回転機構２５４が設けられている。ボート回転機構２５４には電力供給ケーブル２５８が接続されている。電力供給ケーブル２５８は、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０内を通ってボート回転機構２５４まで導かれており、ボート回転機構２５４に電力を供給するように構成されている。ボート回転機構２５４が備える回転軸２５５の上端部は、シールキャップ２１
９を貫通して、上述したボート２１７を下方から支持するように構成されている。ボート回転機構２５４を作動させることにより、ボート２１７に保持されたウエハ２００を処理室２０１内及び移載室１４１内で回転させることが可能なように構成されている。ボート回転機構２５４には、後述するコントローラ２４０が電気的に接続されている。コントローラ２４０は、ボート回転機構２５４が所定の動作を所定のタイミングにて制御するように構成されている。
【００４２】
また、駆動部収納ケース２５６の内部であってボート回転機構２５４の周囲には、冷却機構２５７が設けられている。冷却機構２５７及びシールキャップ２１９には冷却流路２５９が形成されている。冷却流路２５９には冷却水を供給する冷却水配管２６０が接続されている。冷却水配管２６０は、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０内を通って冷却流路２５９まで導かれ、冷却流路２５９にそれぞれ冷却水を供給するように構成されている。
【００４３】
（制御部）
本実施形態にかかる基板処理装置１０は、制御部としてのコントローラ２４０を備えている。コントローラ２４０には、ノズル角度調整機構４６、ノズル昇降機構４７、パーティクルカウンタ４８、ヒータ２０６、ＡＰＣバルブ５３，２４２、真空ポンプ５４，２４６、ボート回転機構２５４、ボートエレベータ１１５、バルブ４５，１７１〜１７４、ＭＦＣ４４，１８１〜１８４、圧力センサ５２等がそれぞれ接続されている。コントローラ２４０により、ノズル角度調整機構４６によるノズル４１の角度調整動作、ノズル昇降機構４７によるノズル４１の高さ位置調整動作、パーティクルカウンタ４８による移載室１４１内の異物濃度測定、ヒータ２０６の温度調整動作、ＡＰＣバルブ５３，２４２の開閉及び圧力調整動作、真空ポンプ５４，２４６の起動・停止、ボート回転機構２５４の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作、バルブ４５，１７１〜１７４の開閉動作、ＭＦＣ４４，１８１〜１８４の流量調整等の制御が行われる。
【００４４】
（２）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置１０を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ２００上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ（ポリシリコンゲルマニウム）膜を成膜する工程例について、図４を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００４５】
なお、本実施形態では、一例として、原料ガスとしてＳｉ元素を含むシラン（ＳｉＨ４）ガス、及びＧｅ元素を含むゲルマン（ＧｅＨ４）ガスを、希釈ガスとして水素（Ｈ２）ガスを加熱された処理室２０１内に供給し、ウエハ２００上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ膜を形成する。
【００４６】
（ウエハ搬入・装填工程（Ｓ１０））
まず、ポッド１６がポッドステージ１８上に載置されると、フロントシャッタ１７が移動してポッド搬送口が開放される。そして、ポッド搬送装置２０により、ポッドステージ１８上のポッド１６が、ポッド搬送口を介して筐体１２内へと搬入される。筐体１２内へ搬入されたポッド１６は、直接に、もしくは、回転式ポッド棚２２の棚板２２ａ上に載置されて一時的に保管された後に、上下３段のうちいずれか一のポッド載置台２５上へと移載される。この際、ポッドオープナ２４のウエハ搬送口１４は、キャップ着脱機構２６によって閉じられている。また、ボートエレベータ１１５が降下し、ボート２１７が移載室１４１内に降下した（ボート２１７が移載室１４１内に搬送された）状態となっている。そして、処理炉２０２の下端部に設けられた炉口１６０が炉口シャッタ１６１により閉じられた状態となっている。
【００４７】
ポッド載置台２５上に載置されたポッド１６は、そのキャップがウエハ搬送口１４の開口縁辺部に押し付けられる。そして、キャップ着脱機構２６によってキャップが取り外され、ポッド１６のウエハ出し入れ口が開放される。そして、キャップが取り外されたポッド１６は、ウエハ枚数検出器２７によってポッド１６内のウエハ枚数を検知される。そして、ポッド１６内のウエハ２００は、ウエハ移載機構２８のツイーザ３２によってピックアップされ、ウエハ移載機構２８の搬送動作によって、ウエハ搬送口１４を介して移載室１４１内に搬入され、ボート２１７へ装填（ウエハチャージ）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載機構２８は、ポッド１６に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する動作が繰り返されれる。
【００４８】
（ボート搬入工程（Ｓ２０））
予め指定された枚数のウエハ２００をボート２１７に装填したら、ウエハ搬送口１４を閉じ、炉口シャッタ１６１が開けられ、処理炉２０２の下端部が開放される。そして、昇降モータ２４８を駆動して、所定枚数のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ１１５により持ち上げることで、処理室２０１内に搬入（ボートロード）する。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリングを介して処理炉２０２の開口部である炉口１６０をシールキャップ２１９によりシールした状態となる。
【００４９】
（成膜処理工程（Ｓ３０））
続いて、ボート回転機構２５４によりボート２１７、すなわちウエハ２００の回転を開始する。そして、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内を所定の圧力（成膜処理圧力）とする。また、温度センサ（図示せず）により検出した温度情報に基づき、ヒータ２０６への供給電力をフィードバック制御し、処理室２０１内を所望の温度分布とする。具体的には、ウエハ２００の表面温度が例えば４５０℃〜６００℃の範囲内の温度となるようにする。ウエハの回転、圧力調整及び温度調整は少なくとも成膜処理工程の終了まで継続する。
【００５０】
そして、バルブ１７１〜１７３を開け、処理ガスとしてのＳｉＨ４ガス（Ｓｉ元素含有ガス）及びＧｅＨ４ガス（Ｇｅ元素含有ガス）と、希釈ガスとしてのＨ２ガスとの混合ガスを、処理室２０１内に供給する。処理ガス及び希釈ガスの流量等は、ＭＦＣ１８１〜１８３により調整することができる。処理室２０１内に供給された処理ガス及び希釈ガスは、処理室２０１内を通過しつつウエハ２００表面へ供給され、ガス排気管２３１から排気される。すなわち、Ｈ２ガスにより希釈されつつ処理室２０１内に供給された処理ガスは、処理室２０１内を通過する際に、ウエハ２００表面と接触することにより、ウエハ２００表面上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ膜が堆積（デポジション）される。所定時間の経過後、バルブ１７１〜１７３を閉じて処理室２０１内への処理ガス及び希釈ガスの供給を停止する。
【００５１】
そして、処理室２０１内に残留している処理ガス等の残留ガスや反応生成物等を排気する。このとき、バルブ１７４を開けて、処理室２０１内にパージガスとしてのＮ２ガスを供給するようにすると、処理室２０１内からの残留ガスや反応生成物等の排気が促される。パージが完了したら、ヒータ２０６への電力供給を停止して処理室２０１内を降温させると共に、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内の圧力と移載室１４１内とを同程度の圧力とする。そして、ボート回転機構２５４への電力供給を停止して、ウエハ２００の回転を停止する。
【００５２】
（ボート搬出工程（Ｓ４０））
そして、昇降モータ２４８を駆動してシールキャップ２１９を下降させて、マニホールド２０９の下端を開口させ、処理済みウエハ２００を保持したボート２１７を、マニホールド２０９の下端を介して処理室２０１内から移載室１４１内に搬出（ボートアンロード
）する。ボート２１７を移載室１４１内に搬出した後、炉口シャッタ１６１を閉めて炉口１６０を閉じる。
【００５３】
（ウエハ脱装・搬出工程（Ｓ５０））
そして、ボート２１７に保持されたウエハ２００が所定温度まで冷却された後、ウエハ移載機構２８により、ボート２１７から処理済みウエハ２００を脱装（ウエハディスチャージ）して、ポッドオープナ２４にセットされているポッド１６に搬送して収容し、ウエハ２００を移載室１４１内から搬出する。その後、上述したように、ポッド搬送装置２０により、ウエハ２００を収容したポッド１６は、ポッド載置棚２２、またはポッドステージ１８に搬送される。
【００５４】
（ブロア処理工程（Ｓ６０））
成膜処理工程（Ｓ３０）で加熱処理を行うことで、加熱によるウエハ２００の変形や、ウエハ２００とボート２１７との材質の違いによる熱膨張率の差等により、ボート２１７とウエハ２００とが擦れてボート２１７が削れてしまい、石英粉等の異物が発生する場合がある。その結果、図５に、成膜処理後、ボート２１７上に異物が発生する様子を示す概略断面図で示すように、石英粉等の異物が、ボート２１７に没設されたウエハ２００を支持する溝等に堆積・蓄積する場合がある。そして、次バッチの基板処理工程で、このような異物が堆積・蓄積したボート２１７にウエハ２００が装填されて処理室２０１内に搬入されると、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物が処理室２０１内に飛散し、基板処理の品質が低下し、生産歩留りが低下する場合があった。
【００５５】
そこで、上述のウエハ脱装・搬出工程（Ｓ５０）終了後、移載室１４１内に設けられた不活性ガス供給機構４０が備えるノズル４１から、不活性ガスとしてのＮ２ガスを上方から下方に向かって角度をつけて（すなわち斜め上方から）、空のボート２１７に噴射するブロア処理工程（Ｓ６０）を行う。これにより、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物等を、Ｎ２ガスによりボート２１７上から吹き飛ばして除去することができる。特に、Ｎ２ガスを上方から下方に向かって角度をつけて噴射することで、ボート２１７の保持部材２１２に形成されたウエハ２００を支持する溝にＮ２ガスを噴射することができ、溝上の異物を除去することができる。従って、次バッチの基板処理工程では、異物が除去されたボート２１７が移載室１４１内から処理室２０１内へ搬入されるため、処理室２０１内の異物を低減することができる。
【００５６】
すなわち、バルブ４５を開け、不活性ガス供給管４２から不活性ガス供給機構４０が備えるノズル４１から、空のボート２１７に、上方から下方に向かってＮ２ガスを噴射する。このとき、Ｎ２ガスの流速が所定の速度となるように、Ｎ２ガスの流量や圧力等を調整する。また、真空ポンプ５４を作動させてバルブ５３を開けることにより、移載室１４１内を排気しつつ、Ｎ２ガスをノズル４１から噴射してもよい。
【００５７】
このとき、ノズル角度可変機構４６及びノズル昇降機構４７を駆動して、ノズル４１の角度及び移載室１４１内におけるノズル４１の高さ位置を調整してもよい。これにより、ボート２１７の上部から下部にわたって満遍なくＮ２ガスを噴射することができる。具体的には、ボート２１７の天板２１０、底板２１１、保持部材２１２、保持部材２１２に没設されたウエハ２００を支持する溝、断熱体２１６等のボート２１７の構成部材にＮ２ガスを噴射することができる。また、シールキャップ２１９にもＮ２ガスを噴射することができる。これにより、処理室２０１内の異物をより低減することができる。
【００５８】
また、少なくともノズル４１からＮ２ガスを噴射している間、ボート回転機構２５４を駆動させて、移載室１４１内でボート２１７を回転させてもよい。これにより、ボート２１７にＮ２ガスを死角なく空のボート２１７に噴射することができ、ボート２１７上の異
物をより確実に除去することができる。
【００５９】
ボート２１７上から吹き飛ばされた異物等は、移載室１４１内のノズル４１に対向する位置に設けられた排気受けとしての仕切部５０により移載室１４１内に形成された低圧領域に収集されて、排気管５１を介して移載室１４１外に排出される。そして、パーティクルカウンタ４８により測定した移載室１４１の雰囲気中の異物濃度の値が所定の値以下となった場合、または操作者からのコマンドを受け付けた場合に、バルブ４５を閉めて不活性ガスの供給を停止してブロア処理工程（Ｓ６０）を終了し、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
【００６０】
（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００６１】
（ａ）本実施形態によれば、移載室１４１内に不活性ガスを噴射するノズル４１を備える不活性ガス供給機構４０が設けられている。そして、処理室２０１内から移載室１４１内に搬出されてウエハ２００が脱装された空のボート２１７に、上方から下方に向かって角度をつけて、ノズル４１から不活性ガスを噴射するようにしている。そして、ノズル４１から噴射される不活性ガスの流速は、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物を吹き飛ばすことができる速い流速に調整されている。これにより、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物等を、不活性ガスによりボート２１７上から吹き飛ばして除去することができ、処理室２０１内の異物を低減することができる。その結果、例えば次バッチの基板処理工程では、異物が除去されたボート２１７が移載室１４１内から処理室２０１内へ搬入されるため、処理室２０１内の異物を低減することができ、生産歩留まりを向上させることができる。すなわち、成膜処理において、ウエハ２００上に形成された膜中に異物が混入することを低減でき、膜質を向上させる等、基板処理の品質を向上させることができる。また、移載室１４１内及びボート２１７のメンテナンス周期を長くすることができ、基板処理装置１０の稼働率を向上させることができる。
【００６２】
（ｂ）本実施形態によれば、不活性ガス供給機構４０は、ノズル４１の角度を調整するノズル角度可変機構４６を備えている。また、不活性ガス供給機構４０は、移載室１４１内でノズル４１の高さ位置を調整するノズル昇降機構４７を備えている。これにより、ボート２１７の上部から下部にかけて満遍なく不活性ガスを噴射することができ、ボート２１７上の異物をより除去することができる。
【００６３】
（ｃ）本実施形態によれば、ボート２１７はボート回転機構２５４を備え、移載室１４１内で、少なくともノズル４１から不活性ガスを噴射している間、ボート２１７を回転可能に構成されている。これにより、空のボート２１７に不活性ガスを死角なく噴射することができ、ボート２１７上の異物をより確実に除去することができる。
【００６４】
（ｄ）本実施形態によれば、移載室１４１の外側の側壁には、移載室１４１の雰囲気中の異物濃度を測定する異物測定機構としてのパーティクルカウンタ４８が設けられている。従って、パーティクルカウンタ４８により測定した移載室１４１内の雰囲気中の異物濃度が所定の値以下となったときに、移載室１４１内への不活性ガスの供給を停止ないし供給量を減らすように、不活性ガス供給機構４０を自動で制御することができる。
【００６５】
（ｅ）本実施形態によれば、移載室１４１内のノズル４１と対向する位置に、ノズル４１から噴射される不活性ガスにより吹き飛ばされた異物を収集する排気受けとしての仕切部５０が設けられている。これにより、ノズル４１から噴射された不活性ガスにより吹き飛ばされたボート２１７上の異物が、移載室１４１内で散乱して、ボート２１７に再付着することを防止することができる。
【００６６】
（ｆ）本実施形態によれば、ボート２１７から脱装されたウエハ２００が移載室１４１から搬出された後、ノズル４１から不活性ガスを噴射させるようにしている。これにより、ボート２１７上から吹き飛ばされた異物が、処理後のウエハ２００に付着することを防止することができる。
【００６７】
以下、参考までに、従来の基板処理工程について図７を用いて説明する。図７は、従来の基板処理工程を例示するフロー図である。図７に示すように、従来の基板処理工程では、移載室１４１内でウエハ２００が脱装されたボート２１７に不活性ガスを噴射するブロア処理工程（Ｓ６０）を行っていなかった。このため、ボート２１７上、特にボート２１７上のウエハ２００を支持する溝に異物が堆積・蓄積する場合があった。そして、例えば次バッチ処理で、このように異物が堆積・蓄積したボート２１７に、ウエハ２００が装填されて処理室２０１内に搬入されると、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物が処理室２０１内に飛散し、基板処理の品質が低下し、生産歩留りが低下する場合があった。これに対し、本実施形態によれば、上述したように、移載室１４１内に不活性ガスを噴射するノズル４１を備える不活性ガス供給機構４０を設け、処理室２０１内から移載室１４１内に搬出されてウエハ２００が脱装されたボート２１７に、上方から下方に向かって角度をつけてノズル４１から不活性ガスを噴射するブロア処理工程（Ｓ６０）を行うようにしている。これにより、ボート２１７上に堆積・蓄積した異物等を、不活性ガスによりボート２１７上から吹き飛ばして除去することができ、処理室２０１内の異物を低減することができる。このため、上記課題を効果的に解決することができる。
【００６８】
図６に、本発明の実施例にかかる基板処理工程後の基板保持具上の異物の状態を示す画像を示し、図８に、比較例にかかる従来の基板処理工程後の基板保持具上の異物の状態を示す画像を示す。図８に示すように、ブロア処理工程（Ｓ６０）を行っていない比較例では、ボート２１７上に異物である白いパウダー状のものが堆積・蓄積していることが分かる。これに対し、図６に示すように、ブロア処理工程（Ｓ６０）を行った実施例では、ボート２１７上から異物である白いパウダー状のものが除去されていることが分かる。
【００６９】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００７０】
上述の実施形態では、不活性ガス供給機構４０がノズル角度調整機構４６及びノズル昇降機構４７を備える場合について説明したが、例えば、不活性ガス供給機構４０はノズル角度調整機構４６又はノズル昇降機構４７の一方だけでもよい。また例えば、ノズル４１の角度が不活性ガスを上方から下方に向かって噴射するように構成されていれば、ノズル角度調整機構４６又はノズル昇降機構４７を備えていなくてもよい。
【００７１】
上述の実施形態では、ブロア処理工程（Ｓ６０）を毎回行っているが、例えば、ウエハ搬入・装填工程（Ｓ１０）〜ウエハ脱装・搬出工程（Ｓ５０）を数回行った後に、ブロア処理工程（Ｓ６０）を行うようにしてもよい。
【００７２】
また例えば、移載室１４１内のボート２１７が収容される位置にブラシ等を設けてもよい。なお、ブラシ等はコントローラ２４０に電気的に接続され、不活性ガス供給機構４０と連動して作動するように制御してもよい。すなわち、ノズル４１からボート２１７に向けて不活性ガスを噴射している間、ブラシを作動させてボート２１７上から異物をさらに除去する構成としてもよい。
【００７３】
また例えば、移載室１４１内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管４２に設けられ
た不活性ガス供給源４３は、処理室２０１内に不活性ガスを供給するガス供給管２３２に設けられた第４ガス供給源１９４と共有であってもよい。
【００７４】
上述の実施形態では、処理ガスとしてＳｉＨ４ガス及びＧｅＨ４ガスを用い、ＣＶＤ法によりウエハ２００上にｐｏｌｙ−ＳｉＧｅ膜を成膜する場合について説明したが、例えばＡＬＤ法等により成膜する場合であってもよい。また例えば、ウエハ２００上に薄膜を形成する場合に限らず、ウエハ２００に熱処理を施す場合に本発明は好適に適用可能である。
【００７５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００７６】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持し、前記処理室内外に搬送される基板保持具と、
前記基板保持具への前記基板の装填、又は前記基板保持具からの前記基板の脱装が行われる移載室と、
前記移載室内の前記基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、
前記処理室内から前記移載室内に搬出されて前記基板が脱装された前記基板保持具に、前記ノズルから不活性ガスを噴射するように前記不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、
前記ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する基板処理装置が提供される。
【００７７】
好ましくは、
前記制御部は、前記基板保持具から脱装された前記基板が、前記移載室から搬出された後、前記ノズルから不活性ガスを噴射させるように、前記不活性ガス供給機構を制御する。
【００７８】
また好ましくは、
前記不活性ガス供給機構はノズル角度可変機構を備える。
【００７９】
また好ましくは、
前記不活性ガス供給機構はノズル昇降機構を備える。
【００８０】
また好ましくは、
前記基板保持具は回転機構を備え、
前記制御部は、少なくとも前記ノズルから不活性ガスが噴射されている間、前記移載室内で前記基板保持具を回転させるように、前記回転機構を制御する。
【００８１】
また好ましくは、
前記不活性ガス供給機構はガス流速調整機構を備え、
前記制御部は、前記基板保持具上の異物を吹き飛ばすことができる速い流速となるように、前記ガス流速調整機構を制御する。
【００８２】
また好ましくは、
前記移載室の雰囲気中の異物濃度を測定する異物測定機構を備え、
前記制御部は、前記異物測定機構により測定した異物濃度が所定の値以下となったときに、前記移載室内への不活性ガスの供給を停止するように、前記不活性ガス供給機構を制
御する。
【００８３】
また好ましくは、
前記移載室内の、前記ノズルと対向する位置には、前記ノズルから噴射される不活性ガスにより吹き飛ばされた異物を収集する仕切部が設けられている。
【００８４】
本発明の他の態様によれば、
移載室内で基板保持具に基板を装填し、前記基板保持具を前記移載室内から処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記基板保持具を前記処理室内から前記移載室内に搬出し、前記基板保持具から処理後の前記基板を脱装する工程と、
前記移載室内に設けられた不活性ガス供給機構が備えるノズルから、前記基板が脱装された前記基板保持具に、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【符号の説明】
【００８５】
４０    不活性ガス供給機構
４１    ノズル
１４１  移載室
２０１  処理室
２１７  ボート（基板保持具）
２４０  コントローラ（制御部）
【図１】
0005785062.tif 000002
【図２】
0005785062.tif 000003
【図３】
0005785062.tif 000004
【図４】
0005785062.tif 000005
【図５】
0005785062.tif 000006
【図６】
0005785062.tif 000007
【図７】
0005785062.tif 000008
【図８】
0005785062.tif 000009