(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質を励起してプラズマ化することにより極端紫外光を生成するための装置であって、
フレームと、
極端紫外光の生成が内部で行われるチャンバと、
前記チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記フレームと前記チャンバとをフレキシブルに接続するための第１の接続部材と、
前記ターゲット供給部を前記フレームに固定するための機構と、
前記ターゲット供給部を前記チャンバにフレキシブルに接続するための第２の接続部材と、
を備える装置。
【請求項２】
前記チャンバには、貫通孔が形成されており、
前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を前記チャンバ内に供給するための開口が形成されたノズルを含み、
前記第２の接続部材は、前記チャンバの前記貫通孔の周囲と、前記ターゲット供給部とをフレキシブルに接続し、前記チャンバを密閉するためのフレキシブル管である、
請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記フレームに固定され、前記チャンバの内部に供給された前記ターゲット物質の軌道を検出するためのターゲットセンサをさらに備える、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記フレームに固定されて、前記チャンバの内部に位置し、前記チャンバの内部において生成された極端紫外光を集光するための集光ミラーをさらに備える、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記チャンバには、第２の貫通孔が形成される、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記第２の貫通孔を貫通して前記集光ミラーを前記フレームに固定するための固定部材と、
前記チャンバの前記第２の貫通孔の周囲と、前記固定部材とをフレキシブルに接続し、前記チャンバを密閉するためのフレキシブル管である第３の接続部材と、
をさらに備える請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記フレームに固定され、前記チャンバの内部において生成された極端紫外光のエネルギーを検出するための極端紫外光センサをさらに備える、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記フレームを構成する少なくとも１つの材質の熱膨張率が、前記チャンバを構成する少なくとも１つの材質の熱膨張率より小さい、請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記チャンバが、弾性部材を介して前記フレームに接続されている、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
前記フレームの少なくとも一部が、前記チャンバの外部に位置している、請求項１記載の装置。
【請求項１１】
前記チャンバにフレキシブル管である第４の接続部材を介して接続された真空ポンプをさらに備える、請求項１記載の装置。
【請求項１２】
ターゲット物質を励起してプラズマ化することにより極端紫外光を生成するためのシステムであって、
フレームと、
極端紫外光の生成が内部で行われるチャンバと、
前記チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記フレームと前記チャンバとをフレキシブルに接続するための第１の接続部材と、
前記ターゲット供給部を前記フレームに固定するための機構と、
前記ターゲット供給部を前記チャンバにフレキシブルに接続するための第２の接続部材と、
前記ターゲット供給部から前記チャンバの内部に供給された前記ターゲット物質に照射されるレーザ光を出力するよう構成されるドライバレーザと、
前記フレームに固定され、前記チャンバの内部に出力された前記レーザ光を反射するためのミラーと、
前記ミラーによって反射された前記レーザ光の進行方向に配置されて、前記レーザ光を吸収するためのビームダンプと、
を備えるシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィーにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、６０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、更には３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することにより生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（laser produced plasma）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（discharge produced plasma）方式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（synchrotron radiation）方式の装置との３種類が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６７１６号公報
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、ターゲット物質を励起してプラズマ化することにより極端紫外光を生成するための装置であって、フレームと、極端紫外光の生成が内部で行われるチャンバと、前記チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記フレームと前記チャンバとをフレキシブルに接続するための第１の接続部材と、前記ターゲット供給部を前記フレームに固定するための機構と、前記ターゲット供給部を前記チャンバにフレキシブルに接続するための第２の接続部材と、を備えてもよい。
【０００６】
本開示の他の観点に係る極端紫外光生成システムは、ターゲット物質を励起してプラズマ化することにより極端紫外光を生成するためのシステムであって、フレームと、極端紫外光の生成が内部で行われるチャンバと、前記チャンバの内部に前記ターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記フレームと前記チャンバとをフレキシブルに接続するための第１の接続部材と、前記ターゲット供給部を前記フレームに固定するための機構と、前記ターゲット供給部を前記チャンバにフレキシブルに接続するための第２の接続部材と、前記ターゲット供給部から前記チャンバの内部に供給された前記ターゲット物質に照射されるレーザ光を出力するよう構成されるドライバレーザと、前記フレームに固定され、前記チャンバの内部に出力された前記レーザ光を反射するためのミラーと、前記ミラーによって反射された前記レーザ光の進行方向に配置されて、前記レーザ光を吸収するためのビームダンプと、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてターゲット供給部を支持するための構成を示す断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、第１の実施形態における冷却機構の第１の例を示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、第１の実施形態における冷却機構の第２の例を示す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、第１の実施形態における冷却機構の第３の例を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、第１の実施形態における冷却機構の第４の例を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第１の実施形態における冷却機構の第５の例を示す断面図である。
【図５】図５は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてターゲットセンサを支持するための構成を示す断面図である。
【図６】図６は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてＥＵＶ発光位置センサを支持するための構成を示す断面図である。
【図７】図７は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてレーザ光中継ミラーを支持するための構成を示す断面図である。
【図８】図８は、本開示の第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す断面図である。
【図９】図９は、本開示の第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムに含まれるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてターゲット供給部を支持するための構成を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本開示の第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてターゲットセンサを支持するための構成を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本開示の第８の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてＥＵＶ発光位置センサを支持するための構成を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本開示の第９の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてレーザ光中継ミラーを支持するための構成を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本開示の第１０の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムに含まれるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１５】図１５は、本開示の第１１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいて真空ポンプを支持するための構成を示す一部断面図である。
【図１６】図１６は、本開示の第１２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１７】図１７は、本開示の第１３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムが露光装置の投影光学系に接続された例を示す側面図である。
【実施形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明する実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、以下の実施形態で説明される構成の全てが本開示の構成として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
＜１．第１の実施形態＞
図１は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す断面図である。ＥＵＶ光生成システム１００では、ＬＰＰ方式が採用されてもよい。図１に示すように、ＥＵＶ光生成システム１００は、チャンバ１と、支持フレーム２と、ターゲット供給部３と、ＥＵＶ集光ミラー４と、ドライバレーザ５と、を含んでもよい。
【００１０】
チャンバ１は、ＥＵＶ光の生成が行われる内部空間を密閉するよう構成されてもよい。チャンバ１の内部は所定の圧力（大気よりも低圧）に保持されてもよい。また、チャンバ１は、円筒状のチャンバ壁１ａと、円板状のチャンバ壁１ｂ及び１ｅとを含んでもよい。円板状のチャンバ壁１ｂ及び１ｅは、それぞれ円筒状のチャンバ壁１ａの両端に、気密に固定されてもよい。
【００１１】
チャンバ壁１ｂの中央には、貫通孔１ｆが形成されてもよい。チャンバ１内において、円筒部材１ｃが、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｆの周囲と、円板１ｄの周縁部との間に接続されてもよい。また、円板１ｄの中央には、貫通孔１ｈが形成されてもよい。そして、フレキシブル管１３が、円板１ｄの貫通孔１ｈの周囲と、レーザ光透過窓１１を支持するホルダ１１ａとの間に接続されてもよい。レーザ光透過窓１１を、ドライバレーザ５から出力されたレーザ光がチャンバ１の内部に透過してもよい。ホルダ１１ａは、レーザ光透過窓１１の周縁部において、レーザ光透過窓１１に対して気密に固定されてもよい。以上の構成により、貫通孔１ｆが封止されてもよい。
【００１２】
チャンバ壁１ｂにおいて、貫通孔１ｆの周囲に複数の貫通孔１ｇが形成されてもよい。貫通孔１ｇの各々は、後述するように、フレキシブル管５５と、ミラーホルダ５３ａとによって封止されてもよい。
【００１３】
また、チャンバ１は、チャンバ１の内部で生成されたＥＵＶ光を露光装置の投影光学系等の処理装置に出力するための開口が形成された接続部１２をさらに含んでもよい。チャンバ壁１ｅの中央に形成された貫通孔の周囲と、接続部１２の周縁部との間に、フレキシブル管１４が接続されてもよい。これにより、接続部１２の開口が、フレキシブル管１４を介してチャンバ壁１ｅの開口に連通してもよい。フレキシブル管１３及びフレキシブル管１４は、チャンバ１内外の圧力差により生じる応力に耐え得る蛇腹を有するのが好ましい。
【００１４】
支持フレーム２は、機械的基準面に対して正確に位置決めされて配置されており、ターゲット供給部３や、ＥＵＶ集光ミラー４等を所定位置に支持し、かつ固定する機能を有してもよい。支持フレーム２には、レーザ光透過窓１１を支持するためのホルダ１１ａと、接続部１２とが固定されてもよい。また、支持フレーム２は、弾性部材２５を介してチャンバ１とフレキシブルに接続されてもよい。
【００１５】
ターゲット供給部３は、ＥＵＶ光を生成するために用いられるスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）等のターゲット物質をチャンバ１内に供給するよう構成されてもよい。ターゲット供給部３は、ターゲット物質を収容するタンク３ａと、タンク３ａ内のターゲット物質をチャンバ１内に出力するためのノズル３ｂと、を含んでもよい。
【００１６】
ターゲット供給部３は、連続流れ（ターゲット噴流）や液滴（ドロップレット）等の、公知の何れの態様でターゲット物質をチャンバ１内に供給するよう構成されてもよい。例えば、ターゲット物質としてスズを溶融した状態で用いる場合には、ターゲット供給部３は、スズを溶融するためのヒータ、溶融スズを加圧して噴出させるための高純度アルゴン（Ａｒ）ガスを供給するためのガスボンベ、高純度アルゴンガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ等をさらに含んでもよい。
【００１７】
ドライバレーザ５は、ターゲット物質を励起してプラズマ化するために用いられるレーザ光を出力するよう構成されてもよい。ドライバレーザ５は例えば、発振増幅（ＭＯＰＡ）型のレーザ装置でもよい。ドライバレーザ５から出力されたレーザ光は、レーザ光集光ミラー４１やレンズ等を含む光学系と、レーザ光透過窓１１とを介してチャンバ１内に導入されてもよい。チャンバ１内に導入されたレーザ光は、ＥＵＶ集光ミラー４に形成された貫通孔を通って、チャンバ１内の所定のプラズマ生成領域ＰＳで集光されてもよい。プラズマ生成領域ＰＳにおいて、ターゲット物質がレーザ光に照射されると、ターゲット物質がプラズマ化し得る。このプラズマから、ＥＵＶ光を含む様々な波長の光が放射され得る。レーザ光集光ミラー４１は、支持フレーム２によって支持されてもよい。レーザ光集光ミラー４１を支持フレーム２によって支持することにより、チャンバ１が熱膨張しても、機械的基準面に対してレーザ光集光ミラー４１が所望の位置及び姿勢に維持され得る。
【００１８】
ＥＵＶ集光ミラー４は、チャンバ１内に設けられてもよい。ＥＵＶ集光ミラー４は、所定の波長のＥＵＶ光を高い反射率で反射する多層膜がコートされた反射面を有してもよい。例えば、波長が１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を選択的に反射するミラーとしては、反射面にモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とが交互に積層されたミラーが用いられてもよい。ＥＵＶ集光ミラー４の反射面は回転楕円面の形状で、ＥＵＶ集光ミラー４は、回転楕円面の第１の焦点位置がプラズマ生成領域ＰＳに位置するように配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー４によって反射されたＥＵＶ光は、回転楕円面の第２の焦点位置、すなわち中間集光点ＩＦに集光されてもよい。
【００１９】
以上のように、チャンバ１内に供給されたターゲット物質にレーザ光が照射されることにより、ターゲット物質がプラズマ化し得る。このプラズマからＥＵＶ光を含む様々な波長の光が放射され得る。放射される光の内、所定の波長（例えば、１３．５ｎｍ）のＥＵＶ光が、ＥＵＶ集光ミラー４によって高い反射率で反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー４によって反射されたＥＵＶ光は、接続部１２の開口を介して、チャンバ１の外部に接続された露光装置の投影光学系等の処理装置に出力されてもよい。
【００２０】
第１の実施形態においては、ドライバレーザ５を含むＥＵＶ光生成システム１００について説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ドライバレーザ５とは異なる外部装置から出力される励起用エネルギーをチャンバ１内に導入し、チャンバ内のターゲット物質を励起してＥＵＶ光が生成される装置にも、本開示が適用されてもよい。このように、ドライバレーザ５等の外部装置と組み合わせてＥＵＶ光を生成するための装置のことを、本願においては、「極端紫外光生成装置」又は「ＥＵＶ光生成装置」と称する。また、ＥＵＶ光を用いて処理を行うための処理装置として露光装置の投影光学系を例示したが、処理装置は、これに限らず、レチクル検査装置（マスク検査装置）であってもよい。
【００２１】
＜１−１．ターゲット供給部を支持するための構成＞
図２は、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてターゲット供給部を支持するための構成を示す断面図である。
【００２２】
ターゲット供給部３は、上述のプラズマ生成領域ＰＳにターゲット物質を正確に供給するために、機械的基準面に対して所望の位置に維持されることが好ましい。しかしながら、プラズマからの輻射熱、ターゲット物質を励起するのに使われなかった散乱エネルギー（ＬＰＰ方式の装置においては、レーザ光の散乱エネルギー）等によって、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材が加熱されて膨張し、変形するおそれがある。従って、ターゲット供給部３がチャンバ壁１ａによって支持されている場合には、チャンバ壁１ａの変形によってターゲット供給部３の位置がずれてしまい、プラズマ生成領域ＰＳにターゲット物質を正確に供給できなくなるおそれがある。そこで、第１の実施形態においては、ターゲット供給部３が支持フレーム２によって支持されてもよい。
【００２３】
第１の実施形態においては、支持フレーム２がチャンバ１の外側に配置されてもよい。このため、支持フレーム２はプラズマからの輻射熱やレーザ光の散乱エネルギーに直接曝されにくくなり得る。従って、支持フレーム２の構成部材はチャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材よりも加熱されにくく、支持フレーム２の熱膨張による変形が抑制され得る。
【００２４】
支持フレーム２の構成部材の熱膨張率は、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材の熱膨張率より小さくてもよく、その場合には、支持フレーム２の変形量はさらに小さくなり得る。熱膨張率の小さい材料としては、例えば、ムライト系セラミック、βコジェライト系セラミック等が用いられてもよい。
【００２５】
支持フレーム２には、６軸ステージ３０の固定プレート３１が固定されてもよい。６軸ステージ３０の可動プレート３２は、ターゲット供給部３のタンク３ａに固定されてもよい。６軸ステージ３０のアクチュエータによって、固定プレート３１に対する可動プレート３２の位置及び傾きが調整され得る。これにより、支持フレーム２に対してターゲット供給部３が任意の位置及び傾きに調整され得る。
【００２６】
チャンバ１は、チャンバ壁１ａの他に、チャンバ蓋３４ａを構成部材として含んでもよい。チャンバ壁１ａには、開口３４が形成されていてもよい。開口３４の周囲において、チャンバ蓋３４ａがチャンバ壁１ａに対して気密に固定され、チャンバ１を密封してもよい。チャンバ蓋３４ａには、チャンバ壁１ａに固定された部分に囲まれた領域に、貫通孔３４ｂが形成されてもよい。ターゲット供給部３は、チャンバ蓋３４ａの貫通孔３４ｂを貫通してもよい。ターゲット供給部３は、タンク３ａに可動プレート３２が固定された部分と、ノズル３ｂの先端の開口部３ｃとの間に、フランジ部３８を有してもよい。
【００２７】
チャンバ１内において、フレキシブル管３５が、チャンバ壁１ａと、ターゲット供給部３のフランジ部３８との間に接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管３５の一端が、チャンバ壁１ａに固定されたチャンバ蓋３４ａの貫通孔３４ｂの周囲において、チャンバ蓋３４ａに対して気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管３５の他端が、ターゲット供給部３のフランジ部３８に対して気密に固定されてもよい。このように、フレキシブル管３５は、チャンバ蓋３４ａの貫通孔３４ｂの周囲と、ターゲット供給部３のフランジ部３８との間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。また、フレキシブル管３５は、チャンバ１内外の圧力差により生じる応力に耐え得る蛇腹を有してもよい。このように、チャンバ１の気密性を維持しつつ、ターゲット供給部３とチャンバ１とがフレキシブルに接続され得る。
【００２８】
このような構成により、チャンバ１内の低圧状態が維持されると共に、ターゲット供給部３が６軸ステージ３０によって位置調整可能に保持され得る。また、支持フレーム２は、チャンバ１内で生成された高温のプラズマからの輻射熱に直接曝されにくく、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材よりも加熱されにくくなり得るので、熱による変形が抑制され得る。従って、第１の実施形態によれば、ターゲット供給部３が支持フレーム２によって支持されることにより、ターゲット供給部３の位置ずれが抑制され得る。
【００２９】
また、第１の実施形態においては、支持フレーム２の全体がチャンバ１の外側に配置されてもよい。このため、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材の熱膨張による変形を軽減する目的でチャンバ１を大型化する必要がなく、チャンバ１の軽量化及び薄肉化が可能である。従って、第１の実施形態によれば、チャンバ１を比較的低コストで製作することが可能となる。
【００３０】
さらに、第１の実施形態においては、６軸ステージ３０はチャンバ１の外側に配置されてもよい。このため、６軸ステージ３０は、潤滑油の蒸発抑制等の真空対応を施したものである必要がなく、低コスト化が可能である。また、６軸ステージ３０の潤滑油等がチャンバ１内に拡散する可能性が低く、潤滑油等により露光装置の投影光学系等の処理装置が汚染されることが抑制され得る。
【００３１】
ＥＵＶ光生成システム１００は、上述の構成部品の他にも、例えば、チャンバ１内においてプラズマ生成時に生成されるイオンを回収ためのイオン回収部、及び、ＥＵＶ集光ミラー４等をクリーニングするためにチャンバ１内に水素ラジカル（Ｈ）を供給するためのラジカル源等を含んでもよい。このようなイオン回収部やラジカル源は、ターゲット供給部３のように精密に位置決めされる必要がないので、チャンバ壁１ａによって支持されてもよい。
【００３２】
＜１−２．ＥＵＶ集光ミラーを支持するための構成＞
再び図１を参照しながら、ＥＵＶ集光ミラー４を支持するための構成について説明する。ＥＵＶ集光ミラー４は、露光装置の投影光学系等の処理装置の仕様によって要求される中間集光点ＩＦに対して正確にＥＵＶ光を集光できるように、機械的基準面に対して所望の位置及び姿勢に維持されることが好ましい。しかしながら、プラズマからの輻射熱、ターゲット物質を励起するのに使われなかった散乱エネルギー（ＬＰＰ方式においては、レーザ光の散乱エネルギー）等によって、チャンバ壁１ｂ等のチャンバ１の構成部材が加熱されて膨張し、変形するおそれがある。従って、ＥＵＶ集光ミラー４がチャンバ壁１ｂによって支持されている場合には、チャンバ壁１ｂの変形によってＥＵＶ集光ミラー４の位置がずれてしまい、中間集光点ＩＦにＥＵＶ光を集光できなくなるおそれがある。そこで、第１の実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー４が支持フレーム２によって支持されてもよい。
【００３３】
支持フレーム２には、６軸ステージ５０の固定プレート５１が固定されてもよい。６軸ステージ５０の可動プレート５２には、支持棒（固定部材）５３を介してＥＵＶ集光ミラー４が固定されてもよい。従って、６軸ステージ５０のアクチュエータによって固定プレート５１に対する可動プレート５２の位置及び傾きが調整され得る。これにより、支持フレーム２に対してＥＵＶ集光ミラー４が任意の位置及び傾きに調整され得る。
【００３４】
支持棒５３は、チャンバ壁１ｂに形成された貫通孔１ｇを貫通してもよい。支持棒５３の一端は６軸ステージ５０の可動プレート５２に固定され、支持棒５３の他端はＥＵＶ集光ミラー４を支持するためのミラーホルダ５３ａに固定されてもよい。チャンバ１内において、フレキシブル管５５が、チャンバ壁１ｂと、ミラーホルダ５３ａとの間に接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管５５の一端が、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｇの周囲において、チャンバ壁１ｂに対して気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管５５の他端が、ミラーホルダ５３ａに対して気密に固定されてもよい。このように、フレキシブル管５５は、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｇの周囲と、ミラーホルダ５３ａとの間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。また、フレキシブル管５５は、チャンバ１内外の圧力差により生じる応力に耐え得る蛇腹を有してもよい。こうして、チャンバ１の気密性が維持されつつ、ＥＵＶ集光ミラー４とチャンバ壁１ｂとがフレキシブルに接続され得る。
【００３５】
このような構成により、チャンバ１内の低圧状態が維持されると共に、ＥＵＶ集光ミラー４が６軸ステージ５０及び支持棒５３によって位置調整可能に保持され得る。また、６軸ステージ５０及びこれが取り付けられた支持フレーム２は、チャンバ１内で生成された高温のプラズマからの輻射熱に直接曝されにくく、チャンバ壁１ｂ等のチャンバ１の構成部材よりも加熱されにくいので、熱による変形が抑制され得る。従って、第１の実施形態によれば、ＥＵＶ集光ミラー４が支持フレーム２によって支持されることにより、ＥＵＶ集光ミラー４の位置ずれが抑制され得る。
【００３６】
上述のように、第１の実施形態においては、支持フレーム２の熱膨張による変形を抑制するために、支持フレーム２がチャンバ１の外側に配置されてもよい。第１の実施形態において、さらに、支持フレーム２が、例えば、冷却媒体通路６を含む冷却機構を有することにより、支持フレーム２の熱膨張を抑制するよう構成されてもよい。
【００３７】
図１に示すように、冷却媒体通路６は、ポンプ６０及び熱交換部６１に連通してもよい。熱交換部６１において冷却された水等の冷却媒体は、ポンプ６０によって冷却媒体通路６内に送られてもよい。冷却媒体通路６は、支持フレーム２の加熱されやすい部分に形成されてもよい。
【００３８】
例えば、上述の６軸ステージ５０は、チャンバ１内のＥＵＶ集光ミラー４を、支持棒５３を介して支持しているので、ＥＵＶ集光ミラー４からの熱伝導によって加熱される場合がある。６軸ステージ５０の熱はさらに支持フレーム２に伝わり、支持フレーム２が加熱される可能性がある。そこで、支持フレーム２の６軸ステージ５０を支持する部分付近に、冷却媒体通路６が形成されてもよい。
【００３９】
上述の弾性部材２５は、チャンバ１と支持フレーム２とを接続しているので、チャンバ１からの熱伝導によって加熱される場合がある。弾性部材２５が受けた熱は、さらに支持フレーム２に伝わり、支持フレーム２が加熱される可能性がある。そこで、支持フレーム２の弾性部材２５が固定された部分付近に、冷却媒体通路６が形成されてもよい。
【００４０】
上述のレーザ光透過窓１１及び接続部１２は、チャンバ１内の空間に露出しているので、プラズマからの輻射熱やレーザ光の散乱エネルギーによって加熱される場合がある。レーザ光透過窓１１のホルダ１１ａ、及び、接続部１２は支持フレーム２に固定されているので、ホルダ１１ａ及び接続部１２が受けた熱はさらに支持フレーム２に伝わり、支持フレーム２が加熱される可能性がある。そこで、支持フレーム２のホルダ１１ａ及び接続部１２が固定された部分付近に、冷却媒体通路６が形成されてもよい。
【００４１】
また、図２に示すように、上述の６軸ステージ３０は、ターゲット供給部３を支持しているので、ターゲット供給部３からの熱伝導によって加熱される場合がある。６軸ステージ３０が受けた熱はさらに支持フレーム２に伝わり、支持フレーム２が加熱される可能性がある。そこで、支持フレーム２の６軸ステージ３０を支持する部分付近に、冷却媒体通路６が形成されてもよい。これにより、支持フレーム２の熱膨張が抑制され得る。
【００４２】
＜１−３．冷却機構の例＞
図３Ａ〜図３Ｃは、第１の実施形態における冷却機構の例を示す断面図である。例えば、図３Ａに示すように、冷却媒体通路６となる溝が形成された支持フレーム２の外面に、封止板６２をボルト６４によって固定してもよい。これにより、支持フレーム２と封止板６２との間に冷却媒体通路６が形成され得る。冷却媒体通路６の流路方向（図３Ａにおける紙面奥行方向）に沿って、冷却媒体通路６の両側にシール材６３が配置されることによって、支持フレーム２と封止板６２との接合面からの液漏れが防止され得る。
【００４３】
また、図３Ｂに示すように、支持フレーム２の外面に、冷却媒体配管６５を熱伝導性接着材６６、熱伝導性セメント等によって固定することにより、冷却媒体通路６が形成されてもよい。
【００４４】
また、図３Ｃに示すように、熱電素子６７を含む冷却機構が支持フレーム２の外面に配置されてもよい。熱電素子６７として例えばペルチェ素子が用いられる場合には、熱電素子６７に直流電源６８を接続し、直流電源６８を動作させてもよい。これにより、熱電素子６７の一方の面側から他方の面側への熱エネルギーの移動が起こり得る。その結果、熱電素子６７の一方の面では外部から熱が吸収され、他方の面では外部に熱が放出され得る。従って、熱電素子６７の吸熱側の面を支持フレーム２に貼り付けて直流電源６８を動作させることにより、支持フレーム２が冷却され得る。
【００４５】
図４Ａ及び図４Ｂは、第１の実施形態における冷却機構の他の例を示す断面図である。図４Ａに示すように、チャンバ１はチャンバ１外部の支持フレーム２にフレキシブルに接続されてもよく、支持フレーム２は、フレーム支持台１２０に支持されてもよい。チャンバ１、支持フレーム２及びフレーム支持台１２０は、筐体カバー１７０によって覆われてもよい。冷却機構は、筐体カバー１７０と、筐体カバー１７０内の空気を冷却するための空調機１３０とによって構成されてもよい。
【００４６】
また、図４Ｂに示すように、冷却機構は、筐体カバー１７０と、筐体カバー１７０内の空気を排気するための図示しない排熱ブロアに連通した排熱ダクト１４０とによって構成されてもよい。
【００４７】
＜２．第２の実施形態＞
図５は、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてターゲットセンサを支持するための構成を示す断面図である。第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、チャンバ１内に供給されたターゲット物質を撮像するためのターゲットセンサ８をさらに含んでもよく、ターゲットセンサ８は複数設けられてもよい。その他の点は、第１の実施形態と同様でよい。
【００４８】
ターゲットセンサ８は、例えば、ＣＣＤ（charge coupled device）イメージセンサ８６と、少なくとも１つのレンズを有する光学系８７とを含み、チャンバ１の内部を撮像して画像データを出力するよう構成されてもよい。別途設けられる画像処理装置が、この画像データを解析処理することにより、チャンバ１内に供給されて移動するターゲット物質の軌道を画像処理装置が検出し得る。ターゲットセンサ８が複数設けられる場合、撮像した複数の画像データから、画像処理装置がターゲット物質の軌道の空間的位置を３次元で検出し得る。この検出結果は、例えば、第１の実施形態において説明した６軸ステージ３０（図２参照）の制御にフィードバックされ、上述のプラズマ生成領域ＰＳにターゲット物質が正確に供給されるように、ターゲット供給部３の位置が制御されるように構成されてもよい。
【００４９】
ターゲットセンサ８は、プラズマ生成領域ＰＳとターゲット物質の軌道との位置関係を正確に検出できるように、機械的基準面に対して所望の位置に維持されることが好ましい。
【００５０】
しかしながら、プラズマからの輻射熱、ターゲット物質を励起するのに使われなかった散乱エネルギー（ＬＰＰ方式においては、レーザ光の散乱エネルギー）等によって、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材が加熱されて膨張し、変形するおそれがある。このとき、ターゲットセンサ８がチャンバ壁１ａによって支持されている場合には、チャンバ壁１ａの変形によってターゲットセンサ８の位置がずれてしまい、ターゲット物質の軌道を正確に検出できなくなるおそれがある。そこで、第２の実施形態においては、ターゲットセンサ８が支持フレーム２によって支持されてもよい。
【００５１】
第２の実施形態においては、支持フレーム２がチャンバ１の外側に配置されてもよい。このため、支持フレーム２はプラズマからの輻射熱やレーザ光の散乱エネルギーに直接曝されにくくなり得る。従って、支持フレーム２の構成部材は、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材よりも加熱されにくく、支持フレーム２の熱膨張による変形が抑制され得る。支持フレーム２の構成部材の熱膨張率は、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材の熱膨張率より小さくてもよく、その場合には、支持フレーム２の変形量はさらに小さくなり得る。
【００５２】
支持フレーム２には、ＸＹＺステージ８０の固定プレート８１が固定されてもよい。ＸＹＺステージ８０の可動プレート８２には、ターゲットセンサ８が固定されてもよい。従って、ＸＹＺステージ８０によって固定プレート８１に対する可動プレート８２の位置が調整され得る。これにより、支持フレーム２に対してターゲットセンサ８が任意の位置に調整され得る。
【００５３】
支持フレーム２には、ホルダ８３ｂが固定されてもよい。ホルダ８３ｂに、観測する光の波長に対して透明な窓８３を支持するための窓枠８３ａが固定されてもよい。支持フレーム２とホルダ８３ｂ、ホルダ８３ｂと窓枠８３ａ、窓枠８３ａと窓８３は、それぞれ互いに気密に固定されてもよい。チャンバ壁１ａには、貫通孔８４が形成されてもよい。
【００５４】
チャンバ１の外部において、フレキシブル管８５が、チャンバ壁１ａと、窓８３との間に接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管８５の一端が、チャンバ壁１ａの貫通孔８４の周囲において、チャンバ壁１ａに対して気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管８５の他端が、窓８３の窓枠８３ａが固定されたホルダ８３ｂに対して気密に固定されてもよい。このように、フレキシブル管８５は、チャンバ壁１ａの貫通孔８４の周囲と、窓８３との間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。また、フレキシブル管８５は、チャンバ１内外の圧力差により生じる応力に耐え得る蛇腹を有してもよい。ターゲットセンサ８は、窓８３の外側に配置され、窓８３及び貫通孔８４を介してチャンバ１内のターゲット物質を撮像してもよい。
【００５５】
このような構成により、チャンバ１内の低圧状態が維持されると共に、ターゲットセンサ８がＸＹＺステージ８０によって位置調整可能に保持され得る。また、ターゲットセンサ８はＸＹＺステージ８０を介して支持フレーム２によって保持されてもよい。支持フレーム２は、チャンバ１内で生成された高温のプラズマからの輻射熱に直接曝されにくく、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材よりも加熱されにくいので、熱による変形が抑制され得る。従って、第２の実施形態によれば、ターゲットセンサ８が支持フレーム２によって支持されることにより、ターゲットセンサ８の位置ずれが抑制され得る。
【００５６】
また、第２の実施形態においては、窓８３及びＸＹＺステージ８０がチャンバ壁１ａに固定される場合に比べて、窓８３及びＸＹＺステージ８０自体が熱によって変形又は移動してしまうことが抑制され得る。従って、ターゲットセンサ８による検出精度がより良好となり得る。
【００５７】
また、上述のように、第２の実施形態においては、支持フレーム２の全体がチャンバ１の外側に配置されてもよい。このため、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材の熱膨張による変形を軽減する目的でチャンバ１を大型化する必要がなく、チャンバ１の軽量化及び薄肉化が可能である。従って、第２の実施形態においては、チャンバ１を比較的低コストで製作することが可能となる。
【００５８】
第２の実施形態においても、支持フレーム２に冷却機構を設けることにより、支持フレーム２の熱膨張を抑制してもよい。上述の窓８３は、フレキシブル管８５の内部の空間を介してチャンバ１内の低圧雰囲気に触れているので、プラズマからの輻射熱やレーザ光の散乱エネルギーによって加熱されるおそれがある。窓８３は支持フレーム２に固定されているので、窓８３が受けた熱は、支持フレーム２に伝わり、支持フレーム２が加熱される可能性がある。そこで、支持フレーム２の窓８３が固定された部分付近に、例えば、冷却媒体通路６を含む冷却機構が形成されてもよい。
【００５９】
＜３．第３の実施形態＞
図６は、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてＥＵＶ発光位置センサを支持するための構成を示す断面図である。第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、チャンバ１内のプラズマ生成領域ＰＳの位置を撮像するためのＥＵＶ発光位置センサ７をさらに含んでもよく、ＥＵＶ発光位置センサ７は複数設けられてもよい。その他の点は、第１の実施形態と同様でよい。
【００６０】
ＥＵＶ発光位置センサ７は、例えば、ＣＣＤイメージセンサ７６と、少なくとも１つのレンズを有する光学系７７とを含み、チャンバ１の内部を撮像して画像データを出力するよう構成されてもよい。別途設けられる画像処理装置が、この画像データを解析処理することにより、ＥＵＶ光等の光が生成されるプラズマ生成領域ＰＳの位置を画像処理装置が検出してもよい。ＥＵＶ発光位置センサ７が複数設けられる場合、撮像した複数の画像データから、画像処理装置がプラズマ生成領域ＰＳの空間的位置を３次元で検出してもよい。この検出結果は、例えば、第１の実施形態において説明した６軸ステージ５０（図１参照）の制御にフィードバックされ、当該プラズマ生成領域ＰＳにＥＵＶ集光ミラー４の第１の焦点が位置するように、ＥＵＶ集光ミラー４の位置が制御されるように構成されてもよい。ＥＵＶ発光位置センサ７の支持構成は、図５を参照しながら説明したターゲットセンサ８の支持構成と同様でよい。
【００６１】
＜４．第４の実施形態＞
図７は、本開示の第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてレーザ光中継ミラーを支持するための構成を示す断面図である。第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、チャンバ１の内部に出力されてプラズマ生成領域ＰＳを通過したレーザ光を反射するためのレーザ光中継ミラー４２と、レーザ光中継ミラー４２によって反射されたレーザ光の進行方向に配置されて、そのレーザ光を吸収するためのビームダンプ５９とをさらに含んでもよい。その他の点は、第１の実施形態と同様でよい。
【００６２】
第４の実施形態においては、レーザ光中継ミラー４２が支持フレーム２によって支持されてもよい。支持フレーム２には、６軸ステージ４０の固定プレート４８が固定されてもよい。６軸ステージ４０の可動プレート４９は、支持棒４３に固定されてもよい。レーザ光中継ミラー４２は、支持棒４３の先端に支持されてもよい。
【００６３】
チャンバ１は、チャンバ壁１ａの他に、チャンバ蓋４４ａを構成部材として含んでもよい。チャンバ壁１ａには、開口４４が形成されてもよい。開口４４の周囲において、チャンバ蓋４４ａがチャンバ壁１ａに対して気密に固定され、チャンバ１を密封してもよい。チャンバ蓋４４ａには、チャンバ壁１ａに固定された部分に囲まれた領域に、貫通孔４４ｂが形成されてもよい。支持棒４３は、チャンバ蓋４４ａの貫通孔４４ｂを貫通してもよい。支持棒４３は、可動プレート４９が固定された部分と、レーザ光中継ミラー４２を支持する部分との間に、フランジ部４３ａを有してもよい。
【００６４】
チャンバ１内において、フレキシブル管４５が、チャンバ壁１ａと、支持棒４３のフランジ部４３ａとの間に接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管４５の一端が、チャンバ壁１ａに固定されたチャンバ蓋４４ａの貫通孔４４ｂの周囲において、チャンバ蓋４４ａに対して気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管４５の他端が、支持棒４３のフランジ部４３ａに対して気密に固定されてもよい。このように、フレキシブル管４５は、チャンバ蓋４４ａの貫通孔４４ｂの周囲と、支持棒４３のフランジ部４３ａとの間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。また、フレキシブル管４５は、チャンバ１内外の圧力差による生じる応力に耐え得る蛇腹を有してもよい。
【００６５】
＜５．第５の実施形態＞
図８は、本開示の第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す断面図である。第５の実施形態は、ミラーホルダ５３ａが支持フレーム２に固定されることによって、ＥＵＶ集光ミラー４が支持され、ＥＵＶ光生成システム１００が６軸ステージ５０（図１参照）を含まない点で、第１の実施形態と異なってもよい。その他の点は、第１の実施形態と同様でよい。
【００６６】
第５の実施形態において、ＥＵＶ集光ミラー４はミラーホルダ５３ａに支持されており、ミラーホルダ５３ａは支持棒５３に固定されてもよい。支持棒５３は、支持フレーム２に直接固定されてもよい。従って、ＥＵＶ集光ミラー４と支持フレーム２との位置関係はほぼ一定に維持され得る。機械的基準面に対して、支持フレーム２の位置、傾き等を調整することにより、ＥＵＶ集光ミラー４の位置、傾き等が調整され得る。
【００６７】
第１の実施形態において説明したのと同様に、支持棒５３は、チャンバ壁１ｂに形成された貫通孔１ｇを貫通してもよい。チャンバ１内において、フレキシブル管５５は、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｇの周囲と、ミラーホルダ５３ａとの間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。こうして、チャンバ１の気密性を維持しつつ、ＥＵＶ集光ミラー４とチャンバ壁１ｂとがフレキシブルに接続され得る。
【００６８】
第５の実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー４がミラーホルダ５３ａを介して支持フレーム２に固定されることによって支持される場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ターゲット供給部３、ＥＵＶ発光位置センサ７、ターゲットセンサ８、レーザ光中継ミラー４２等が、支持フレーム２に直接固定されることによって支持されてもよい。
【００６９】
＜６．第６の実施形態＞
図９は、本開示の第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいて用いられるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。ＥＵＶ光生成装置９０は、チャンバ１と、支持フレーム２０と、ターゲット供給部３と、ＥＵＶ集光ミラー４と、を含んでもよい。ＥＵＶ光生成装置９０においては、支持フレーム２０の構成が、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成システム１００における支持フレーム２の構成と異なってもよい。また、ＥＵＶ光生成装置９０は、ドライバレーザ５を含んでいない点で、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成システム１００と異なってもよい。他の点については、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成システム１００と同様でよい。
【００７０】
ＥＵＶ光生成装置９０では、ドライバレーザ５等の外部装置から励起エネルギーを導入してチャンバ１内のターゲット物質を励起することにより、ＥＵＶ光を生成してもよい。ＥＵＶ光生成装置９０にドライバレーザ５を組み合わせることにより、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムが構成されてもよい。
【００７１】
ＥＵＶ光生成装置９０においては、チャンバ壁１ｂに貫通孔１ｉが形成されてもよい。貫通孔１ｉを支持フレーム２０の一部が貫通することにより、支持フレーム２０の一部がチャンバ１の内部に位置してもよい。従って、ＥＵＶ光生成装置９０においては、支持フレーム２０の一部がチャンバ１の内部において加熱される可能性がある。
【００７２】
しかし、支持フレーム２０の構成部材の熱膨張率が、チャンバ壁１ａ等のチャンバ１の構成部材の熱膨張率より小さい場合には、支持フレーム２０の変形量を小さくし得る。また、支持フレーム２０の一部でチャンバ１の外部に位置する部分は高温のプラズマからの輻射熱に直接曝されにくく、熱による変形が抑制され得る。
【００７３】
チャンバ１の外部において、管状の弾性部材２３が、チャンバ壁１ｂと支持フレーム２０との間に接続されてもよい。より詳しくは、管状の弾性部材２３の一端が、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｉの周囲において、チャンバ壁１ｂに対して気密に固定されてもよい。また、管状の弾性部材２３の他端が、支持フレーム２０に対して気密に固定されてもよい。このように、管状の弾性部材２３は、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｉの周囲と、支持フレーム２０との間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。こうして、チャンバ１の気密性を維持しつつ、支持フレーム２０とチャンバ壁１ｂとがフレキシブルに接続され得る。
【００７４】
また、チャンバ１は、チャンバ１の内部で生成されたＥＵＶ光を露光装置の投影光学系等の処理装置に出力するための開口が形成された接続部１２を含んでもよい。接続部１２は、弾性部材２２を介してチャンバ壁１ｅに接続されてもよい。
【００７５】
図１０は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてターゲット供給部を支持するための構成を示す断面図である。図１０に示すように、ターゲット供給部３は、支持フレーム２０の一部であってチャンバ１の内部に位置する部分によって支持されてもよい。
【００７６】
チャンバ壁１ａには、貫通孔３６が形成されてもよい。支持フレーム２０の一部であってチャンバ１の内部に位置する部分には、開口２６が形成されてもよい。開口２６の周囲において、蓋２６ａが支持フレーム２０に対して気密に固定されてもよい。蓋２６ａには、支持フレーム２０に固定された部分に囲まれた領域に、貫通孔２６ｂが形成されてもよい。ターゲット供給部３は、貫通孔３６及び貫通孔２６ｂを貫通してもよい。
【００７７】
支持フレーム２０の貫通孔３６側の面であって、開口２６の周囲の領域に、ステージホルダ３０ａが気密に固定されてもよい。ステージホルダ３０ａには、６軸ステージ３０の固定プレート３１が固定されてもよい。６軸ステージ３０の可動プレート３２は、ターゲット供給部のタンク３ａに固定されてもよい。従って、６軸ステージ３０のアクチュエータによって固定プレート３１に対する可動プレート３２の位置及び傾きが調整され得る。これにより、支持フレーム２に対してターゲット供給部３が任意の位置及び傾きに調整され得る。
【００７８】
チャンバ１内において、管状の弾性部材３７が、チャンバ壁１ａと、支持フレーム２０との間に接続されてもよい。より詳しくは、管状の弾性部材３７の一端が、チャンバ壁１ａの貫通孔３６の周囲において、チャンバ壁１ａに対して気密に固定されてもよい。また、弾性部材３７の他端が、支持フレーム２０に固定されたステージホルダ３０ａの周縁部において、ステージホルダ３０ａに対して気密に固定されてもよい。このように、管状の弾性部材３７は、チャンバ壁１ａの貫通孔３６の周囲と、支持フレーム２０との間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。こうして、支持フレーム２０上でターゲット供給部３を支持するための６軸ステージ３０と、チャンバ壁１ａとがフレキシブルに接続され得る。
【００７９】
ターゲット供給部３は、タンク３ａに可動プレート３２が固定された部分と、ノズル３ｂの先端の開口部３ｃとの間に、フランジ部３８を有してもよい。そして、フレキシブル管３５が、支持フレーム２０とターゲット供給部３のフランジ部３８との間に接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管３５の一端が、支持フレーム２０に固定された蓋２６ａの貫通孔２６ｂの周囲において、蓋２６ａに対して気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管３５の他端が、フランジ部３８に対して気密に固定されてもよい。このように、フレキシブル管３５は、蓋２６ａの貫通孔２６ｂの周囲とターゲット供給部３のフランジ部３８との間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。こうして、チャンバ１の気密性が維持されつつ、ターゲット供給部３と支持フレーム２０とがフレキシブルに接続され得る。
【００８０】
このような構成により、チャンバ１内の低圧状態が維持されると共に、ターゲット供給部３が６軸ステージ３０によって位置調整可能に保持され得る。また、ターゲット供給部３が支持フレーム２０によって支持されているので、熱膨張率が小さい材料で支持フレーム２０を構成することにより、ターゲット供給部３の位置ずれが抑制され得る。
【００８１】
また、第６の実施形態においては、６軸ステージ３０は、管状の弾性部材３７によってチャンバ１内の低圧雰囲気から遮断されてもよい。このため、６軸ステージ３０に、潤滑油の蒸発防止等の真空対応を施す必要がなく、より低コスト化され得る。
【００８２】
再び図９を参照しながら、ＥＵＶ集光ミラー４の支持構成について説明する。第６の実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー４が支持フレーム２０の一部であってチャンバ１の外部に位置する部分によって支持されてもよい。これにより、ＥＵＶ集光ミラー４の位置ずれが抑制され得る。支持フレーム２０の構成部材の熱伝導率が小さい場合には、ＥＵＶ集光ミラー４の位置ずれが一層抑制され得る。他の点については、図１を参照しながら説明したＥＵＶ集光ミラー４の支持構成と同様でよい。
【００８３】
＜７．第７の実施形態＞
図１１は、本開示の第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてターゲットセンサを支持するための構成を示す断面図である。第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、チャンバ１内に供給されたターゲット物質を撮像するためのターゲットセンサ８をさらに含んでもよい。その他の点は、第６の実施形態と同様でよい。図１１に示すように、ターゲットセンサ８は、支持フレーム２０の一部であってチャンバ１の内部に位置する部分によって支持されてもよい。
【００８４】
ターゲットセンサ８は、例えば、ＣＣＤイメージセンサ８６と、少なくとも１つのレンズを有する光学系８７とを含み、チャンバ１の内部のターゲット物質を撮像して画像データを出力するよう構成されてもよい。別途設けられる画像処理装置が、この画像データを解析処理することにより、チャンバ１内に供給されて移動するターゲット物質の軌道を画像処理装置が検出してもよい。ターゲットセンサ８が複数設けられる場合、撮像した複数の画像データから、画像処理装置がターゲット物質の軌道の空間的位置を３次元で検出してもよい。この検出結果は、例えば、第６の実施形態において説明した６軸ステージ３０（図１０参照）の制御にフィードバックされ、上述のプラズマ生成領域ＰＳにターゲット物質が正確に供給されるように、ターゲット供給部３の位置が制御されてもよい。
【００８５】
チャンバ壁１ａには、貫通孔８４が形成されてもよい。支持フレーム２０の貫通孔８４側の面には、ステージホルダ８０ａが気密に固定されてもよい。ステージホルダ８０ａには、ＸＹＺステージ８０が固定されてもよい。ＸＹＺステージ８０には、ターゲットセンサ８が固定されてもよい。従って、ＸＹＺステージ８０が駆動されることによって、支持フレーム２０に対してターゲットセンサ８が任意の位置に調整され得る。
【００８６】
チャンバ１内において、フレキシブル管８５が、チャンバ壁１ａと、支持フレーム２０との間に接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管８５の一端が、チャンバ壁１ａの貫通孔８４の周囲において、チャンバ壁１ａに対して気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管８５の他端が、支持フレーム２０に固定されたステージホルダ８０ａの周縁部において、ステージホルダ８０ａに対して気密に固定されてもよい。このように、フレキシブル管８５は、チャンバ壁１ａの貫通孔８４の周囲と、支持フレーム２０との間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。こうして、支持フレーム２０上でターゲットセンサ８を支持するためのＸＹＺステージ８０と、チャンバ壁１ａとがフレキシブルに接続され得る。
【００８７】
支持フレーム２０に固定されたステージホルダ８０ａには、観測する光の波長に対して透明な窓８３を支持する窓枠８３ａが固定されてもよい。ターゲットセンサ８は、窓８３の外側に配置され、窓８３を介してチャンバ１内のターゲット物質を撮像し得る。このような構成により、チャンバ１内の低圧状態が維持されると共に、ターゲットセンサ８はＸＹＺステージ８０によって位置調整可能に保持され得る。また、ターゲットセンサ８及びＸＹＺステージ８０はチャンバ１内で生成された高温のプラズマからの輻射熱に直接曝されにくく、熱による変形が抑制され得る。
【００８８】
また、第７の実施形態によれば、ターゲットセンサ８が支持フレーム２０によって支持されているので、熱膨張率が小さい材料で支持フレーム２０を構成することにより、ターゲットセンサ８の位置ずれが抑制され得る。
【００８９】
さらに、第７の実施形態においては、窓８３及びＸＹＺステージ８０がチャンバ壁１ａに固定される場合に比べて、窓８３及びＸＹＺステージ８０自体が熱により変形又は移動してしまうことが抑制され得る。従って、ターゲットセンサ８による検出精度がより良好となり得る。
【００９０】
＜８．第８の実施形態＞
図１２は、本開示の第８の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてＥＵＶ発光位置センサを支持するための構成を示す断面図である。第８の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、チャンバ１内のプラズマ生成領域ＰＳの位置を撮像するためのＥＵＶ発光位置センサ７をさらに含んでもよく、ＥＵＶ発光位置センサ７は複数設けられてもよい。その他の点は、第６の実施形態と同様でよい。
【００９１】
ＥＵＶ発光位置センサ７は、例えば、ＣＣＤイメージセンサ７６と、少なくとも１つのレンズを有する光学系７７とを含み、チャンバ１の内部を撮像して画像データを出力するよう構成されてもよい。別途設けられる画像処理装置が、この画像データを解析処理することにより、ＥＵＶ光等の光が生成されるプラズマ生成領域ＰＳの位置を画像処理装置が検出してもよい。ＥＵＶ発光位置センサ７が複数設けられる場合、撮像した複数の画像データから、画像処理装置がプラズマ生成領域ＰＳの空間的位置を３次元で検出してもよい。この検出結果は、例えば、図９に示す６軸ステージ５０の制御にフィードバックされ、プラズマ生成領域ＰＳにＥＵＶ集光ミラー４の第１の焦点が位置するように、ＥＵＶ集光ミラー４の位置が制御されてもよい。ＥＵＶ発光位置センサ７を支持するための構成は、図１１を参照しながら説明したターゲットセンサ８を支持するための構成と同様でよい。
【００９２】
＜９．第９の実施形態＞
図１３は、本開示の第９の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいてレーザ光中継ミラーを支持するための構成を示す断面図である。第９の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、レーザ光中継ミラー４２と、ビームダンプ５９とをさらに含んでもよい。レーザ光中継ミラー４２は、プラズマ生成領域ＰＳを通過したレーザ光を反射してもよい。ビームダンプ５９は、レーザ光中継ミラー４２によって反射されたレーザ光の進行方向に配置されて、そのレーザ光を吸収してもよい。その他の点は、第６の実施形態と同様でよい。
【００９３】
図１３に示すように、レーザ光中継ミラー４２は、支持フレーム２０の一部であってチャンバ１の内部に位置する部分によって支持されてもよい。チャンバ壁１ａには、貫通孔４６が形成されてもよい。支持フレーム２０の一部であってチャンバ１の内部に位置する部分には、貫通孔２７が形成されてもよい。レーザ光中継ミラー４２を支持する支持棒４３は、貫通孔４６及び貫通孔２７を貫通してもよい。
【００９４】
支持フレーム２０の貫通孔４６側の面であって、貫通孔２７の周囲の領域には、６軸ステージ４０の固定プレート４８が固定されてもよい。６軸ステージ４０の可動プレート４９は、支持棒４３に固定されてもよい。レーザ光中継ミラー４２は、支持棒４３の先端に支持されてもよい。
【００９５】
チャンバ１内において、管状の弾性部材４７が、チャンバ壁１ａと、支持フレーム２０との間に接続されてもよい。より詳しくは、管状の弾性部材４７の一端が、チャンバ壁１ａの貫通孔４６の周囲において、チャンバ壁１ａに対して気密に固定されてもよい。また、弾性部材４７の他端が、支持フレーム２０の６軸ステージ４０が固定された部分の周囲において、支持フレーム２０に対して気密に固定されてもよい。このように、管状の弾性部材４７は、チャンバ壁１ａの貫通孔４６の周囲と、支持フレーム２０との間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。
【００９６】
支持棒４３は、可動プレート４９が固定された部分と、レーザ光中継ミラー４２が固定された部分との間に、フランジ部４３ａを有してもよい。そして、フレキシブル管４５が、支持フレーム２０と支持棒４３のフランジ部４３ａとの間に接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管４５の一端が、支持フレーム２０の貫通孔２７の周囲において、支持フレーム２０に対して気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管４５の他端が、支持棒４３のフランジ部４３ａに対して気密に固定されてもよい。このように、フレキシブル管４５は、支持フレーム２０の貫通孔２７の周囲と支持棒４３のフランジ部４３ａとの間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。
【００９７】
＜１０．第１０の実施形態＞
図１４は、本開示の第１０の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムに含まれるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。第１０の実施形態は、ミラーホルダ５３ａが支持フレーム２０に固定されることによって、ＥＵＶ集光ミラー４が支持され、ＥＵＶ光生成装置９０が６軸ステージ５０（図９参照）を含んでいない点で、第６の実施形態と異なってもよい。その他の点は、第６の実施形態と同様でよい。
【００９８】
第１０の実施形態において、ＥＵＶ集光ミラー４はミラーホルダ５３ａに支持されており、ミラーホルダ５３ａは支持棒５３に固定されてもよい。支持棒５３は、支持フレーム２０に直接固定されてもよい。従って、ＥＵＶ集光ミラー４と支持フレーム２０との位置関係は一定に維持され得る。機械的基準面に対して、支持フレーム２０の位置、傾き等を調整することにより、ＥＵＶ集光ミラー４の位置、傾き等が調整されてもよい。
【００９９】
第６の実施形態において説明したのと同様に、支持棒５３は、チャンバ壁１ｂに形成された貫通孔１ｇを貫通してもよい。チャンバ１内において、フレキシブル管５５は、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｇの周囲と、ミラーホルダ５３ａとの間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。こうして、チャンバ１の気密性を維持しつつ、ＥＵＶ集光ミラー４とチャンバ壁１ｂとがフレキシブルに接続され得る。
【０１００】
第１０の実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラー４がミラーホルダ５３ａを介して支持フレーム２０に固定されることによって支持される場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ターゲット供給部３、ＥＵＶ発光位置センサ７、ターゲットセンサ８、レーザ光中継ミラー４２等が、支持フレーム２０に直接固定されることによって支持されてもよい。
【０１０１】
＜１１．第１１の実施形態＞
図１５は、本開示の第１１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおいて真空ポンプを支持するための構成を示す一部断面図である。第１１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、チャンバ１内を排気するための真空ポンプ１５をさらに含んでもよい。その他の点は、第１の実施形態と同様でよい。
【０１０２】
真空ポンプ１５としては、例えばターボ分子ポンプが用いられてもよい。ターボ分子ポンプは、内部のロータが高速で回転し、気体分子を弾き飛ばすことによってガスを排気するよう構成されてもよい。真空ポンプ１５を動作させると、例えば、上記のようなロータの回転によって、振動が発生し得る。真空ポンプ１５の振動が支持フレーム２に伝わる場合、支持フレーム２が振動して、上述のＥＵＶ集光ミラー４（図１参照）、ターゲット供給部３（図２参照）、ターゲットセンサ８（図５参照）、ＥＵＶ発光位置センサ７（図６参照）等が振動する可能性がある。また、真空ポンプ１５の振動がチャンバ壁１ａに伝わる場合、チャンバ１には、内外の圧力差により生じる応力に加えて、振動による応力がかかるため、チャンバ１の強度を高めに設計する必要が生じ得る。
【０１０３】
そこで、第１１の実施形態においては、真空ポンプ１５が、支持フレーム２とは別の第２支持フレーム１８によって支持されてもよい。これにより、真空ポンプ１５において発生する振動が支持フレーム２に直接伝わることが抑制され得る。
【０１０４】
また、チャンバ壁１ａには貫通孔１６が形成され、第２支持フレーム１８には貫通孔１９が形成されてもよい。第２支持フレーム１８のチャンバ１側の面には、貫通孔１９の周囲において、環状部材１８ａが固定されてもよい。第２支持フレーム１８のチャンバ１と反対側の面には、貫通孔１９の周囲において、真空ポンプ１５の吸気ポート１５ａが固定されてもよい。
【０１０５】
そして、チャンバ１の外部において、フレキシブル管１７が、チャンバ壁１ａと、第２支持フレーム１８との間に接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管１７の一端が、チャンバ壁１ａの貫通孔１６の周囲において、チャンバ壁１ａに対して気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管１７の他端が、第２支持フレーム１８の貫通孔１９の周囲に固定された環状部材１８ａに対して気密に固定されてもよい。こうして、チャンバ内部と、真空ポンプ１５の吸気ポート１５ａとが貫通孔１６を介して連通してもよい。フレキシブル管１７は、支持フレーム２の貫通孔２ｃを貫通してもよい。また、フレキシブル管１７は、チャンバ１内外の圧力差により生じる応力に耐え得る蛇腹を有してもよい。これにより、真空ポンプ１５において発生する振動がチャンバ壁１ａに直接伝わることが抑制され得る。
【０１０６】
なお、第１１の実施形態においては、支持フレーム２がチャンバ１の外側に配置される場合について説明したが、支持フレーム２の一部がチャンバ１の内側に配置されてもよい。
【０１０７】
＜１２．第１２の実施形態＞
図１６は、本開示の第１２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。ＥＵＶ光生成装置２００では、電極間に放電を生じさせてターゲット物質を励起することによりＥＵＶ光が生成される放電生成プラズマ（ＤＰＰ）方式が採用されてもよい。ＤＰＰ方式においては、ＥＵＶ光生成装置を小型化することができ、さらに、ＥＵＶ光生成装置が低消費電力化され得るという利点がある。ＥＵＶ光生成装置２００は、チャンバ１と、支持フレーム２０と、ターゲット供給部３と、ＥＵＶ集光ミラー４ａと、一対の電極９ａ及び９ｂと、を含んでもよい。
【０１０８】
チャンバ１は、ＥＵＶ光の生成が行われる内部空間を画定してもよい。チャンバ１の内部は所定の圧力（大気よりも低圧）に保持されてもよい。また、チャンバ１は、チャンバ１の内部で生成されたＥＵＶ光を露光装置の投影光学系等の処理装置に出力するための開口が形成された接続部１２を含んでもよい。接続部１２は、弾性部材２２を介してチャンバ壁１ｅに接続されてもよい。
【０１０９】
支持フレーム２０は、機械的基準面に対して正確に位置決めされて配置されており、ターゲット供給部３や、ＥＵＶ集光ミラー４ａ等を所定位置に支持するための機能を有してもよい。支持フレーム２０には、接続部１２が固定されてもよい。また、支持フレーム２０は、弾性部材２５を介してチャンバ壁１ａとフレキシブルに接続されてもよい。
【０１１０】
また、第１２の実施形態においては、チャンバ壁１ｂに貫通孔１ｉが形成されてもよい。貫通孔１ｉに支持フレーム２０の一部が挿入されることにより、支持フレーム２０の一部がチャンバ１の内部に位置してもよい。
【０１１１】
チャンバ１の外部において、管状の弾性部材２３が、チャンバ壁１ｂと支持フレーム２０との間に接続されてもよい。より詳しくは、管状の弾性部材２３の一端が、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｉの周囲において、チャンバ壁１ｂに対して気密に固定されてもよい。また、管状の弾性部材２３の他端が、支持フレーム２０に対して気密に固定されてもよい。このように、管状の弾性部材２３は、チャンバ壁１ｂの貫通孔１ｉの周囲と、支持フレーム２０との間に接続されて、チャンバ１を密閉してもよい。こうして、チャンバ１の気密性が維持されつつ、支持フレーム２０とチャンバ壁１ｂとがフレキシブルに接続され得る。
【０１１２】
ターゲット供給部３は、ＥＵＶ光を生成するために用いられるキセノン（Ｘｅ）ガス、リチウム（Ｌｉ）蒸気、スズ（Ｓｎ）蒸気等のターゲット物質を、チャンバ１内の一対の電極９ａ及び９ｂ間に供給するよう構成されてもよい。ターゲット供給部３は、ターゲット物質を収容するタンク３ａと、タンク３ａ内のターゲット物質をチャンバ１内に出力するためのノズル３ｂと、を含んでもよい。
【０１１３】
一対の電極９ａ及び９ｂは、チャンバ１内に設けられてもよい。一対の電極９ａ及び９ｂは、高電圧パルス生成部９に接続されてもよい。或いは、一対の電極９ａ及び９ｂの内の一方が高電圧パルス生成部９に接続され、他方が所定電位（例えば接地電位）に接続されてもよい。高電圧パルス生成部９が高電圧パルスを生成すると、一対の電極９ａ及び９ｂ間に放電が生じ得る。一対の電極９ａ及び９ｂ間に供給されたターゲット物質は、この放電によって励起されてプラズマ化し得る。このプラズマからは、ＥＵＶ光を含む様々な波長の光が放射され得る。
【０１１４】
ＥＵＶ集光ミラー４ａは、チャンバ１内に設けられてもよい。ＥＵＶ集光ミラー４ａは、径の異なる複数の回転楕円面形状の反射面を含んでもよい。ＥＵＶ集光ミラー４ａは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、又はロジウム（Ｒｈ）等の金属がコーティングされたものでもよい。これにより、ＥＵＶ集光ミラー４ａは、０°〜２５°の斜入射角度のＥＵＶ光を、高い反射率で反射し得る。
【０１１５】
ＥＵＶ集光ミラー４ａは、回転楕円面の第１の焦点位置がプラズマ生成領域ＰＳと一致するように配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー４ａによって反射されたＥＵＶ光は、回転楕円面の第２の焦点位置、すなわち、中間集光点ＩＦに集光され得る。そして、ＥＵＶ光は、チャンバ１の外部に接続される露光装置の投影光学系等の処理装置に出力されてもよい。
【０１１６】
第１２の実施形態においても、ＥＵＶ集光ミラー４ａ及びターゲット供給部３が支持フレーム２０によって支持されてもよい。また、図１１及び図１２を参照しながら説明したと同様のターゲットセンサやＥＵＶ発光位置センサが支持フレーム２０によって支持されてもよい。
【０１１７】
例えば、ＥＵＶ集光ミラー４ａは、支持フレーム２０の一部でチャンバ１の内部に位置する部分によって支持されてもよい。すなわち、支持フレーム２０には、ＥＵＶ集光ミラーステージ５０ａが固定され、ＥＵＶ集光ミラーステージ５０ａには、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４ｂが固定され、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４ｂには、ＥＵＶ集光ミラー４ａが固定されてもよい。従って、ＥＵＶ集光ミラーステージ５０ａのアクチュエータが駆動されることによって、支持フレーム２０に対してＥＵＶ集光ミラー４ａが任意の位置及び傾きに調整され得る。
【０１１８】
第１２の実施形態においては、支持フレーム２０の一部がチャンバ１の内部に位置する場合について説明したが、これに限らず、支持フレームの全体がチャンバ１の外部に位置してもよい。
【０１１９】
ターゲット供給部３を支持するための構成は、図２及び図１０を参照しながら説明した構成と同様でもよい。また、ターゲットセンサやＥＵＶ発光位置センサを支持するための構成は、図５、図６、図１１、図１２を参照しながら説明した構成と同様でもよい。
【０１２０】
＜１３．第１３の実施形態＞
図１７は、本開示の第１３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムが、露光装置の投影光学系に接続された例を示す側面図である。第１３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムとしては、第１〜第１２の実施形態と同様のＥＵＶ光生成システムが用いられてもよい。第１３の実施形態において、ＥＵＶ光生成システムを構成するチャンバ１は、チャンバ支持台１１０によって支持されてもよい。チャンバ支持台１１０は、熱膨張等によりチャンバ１が変形したり移動したりしても、変形や移動に伴う応力が支持フレーム２に伝達しないようにチャンバ１を支持するのが好ましい。ＥＵＶ光生成システムを構成する支持フレーム２は、チャンバ支持台１１０とは独立のフレーム支持台１２０によって支持されてもよい。フレーム支持台１２０は、機械的基準面に対して支持フレーム２を所望の位置、角度となるよう調整する位置角度調整装置を備えてもよい。さらに、フレーム支持台１２０は、調整された位置、角度で固定して支持フレーム２を支持するための位置角度固定装置を備えてもよい。機械的基準面は処理装置の一部として設けられてもよいし、設置床面に設けられてもよいし、チャンバ１周辺に設置された他の装置に設けられてもよい。
【０１２１】
投影光学系１６０は、ＥＵＶ光を用いて処理を行う処理装置の一例であり、マスクにＥＵＶ光を照射する光学系であるマスク照射部１６１と、マスクの像をウエハ上に投影する光学系であるワークピース照射部１６２とを含んでもよい。マスク照射部１６１は、ＥＵＶ光生成システムのチャンバ１から入射したＥＵＶ光を、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターン上に照射してもよい。ワークピース照射部１６２は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴのワークピース（半導体ウエハ等）上に結像させてもよい。そして、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同時に平行移動させることにより、投影光学系１６０はマスクパターンをワークピースに転写し得る。投影光学系を構成する要素の一部に機械的基準面が設けられてもよい。
【０１２２】
チャンバ１の接続部１２には、光路接続モジュール１５０の一端が固定され、マスク照射部１６１には、光路接続モジュール１５０の他端が固定されてもよい。光路接続モジュール１５０は、チャンバ１とマスク照射部１６１との間においてＥＵＶ光の経路を画定するとともに、ＥＵＶ光の経路を外部から隔離してもよい。中間集光点ＩＦは、光路接続モジュール１５０内に位置してもよい。
【０１２３】
以上の構成により、チャンバ１及び支持フレーム２を含むＥＵＶ光生成システムは、露光装置の投影光学系１６０に接続され得る。マスク照射部１６１の光路接続モジュール１５０との接続部に機械的基準面が設けられてもよい。光路接続モジュール１５０の一部に機械的基準面が設けられてもよい。たとえば、光路接続モジュール１５０とマスク照射部１６１との接合面が機械的基準面であってもよい。または、光路接続モジュール１５０と接続部１２との接合面が機械的基準面であってもよい。
【０１２４】
以上の説明において、弾性部材２３及び２５は、それぞれ、フレームとチャンバとをフレキシブルに接続するための第１の接続部材に相当し得る。フレキシブル管３５は、ターゲット供給部をチャンバにフレキシブルに接続するための第２の接続部材に相当し得る。フレキシブル管５５は、チャンバの貫通孔の周囲と固定部材とをフレキシブルに接続し、チャンバを密閉するための第３の接続部材に相当し得る。フレキシブル管１７は、チャンバと真空ポンプとを接続するための第４の接続部材に相当し得る。
【０１２５】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１２６】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１２７】
１…チャンバ、１ａ、１ｂ、１ｅ…チャンバ壁、１ｃ…円筒部材、１ｄ…円板、１ｆ、１ｇ、１ｈ、１ｉ…貫通孔、２、２０…支持フレーム、２ｃ…貫通孔、３…ターゲット供給部、３ａ…タンク、３ｂ…ノズル、３ｃ…開口部、４、４ａ…ＥＵＶ集光ミラー、４ｂ…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、５…ドライバレーザ、６…冷却媒体通路、７…ＥＵＶ発光位置センサ、８…ターゲットセンサ、９…高電圧パルス生成部、９ａ、９ｂ…電極、１１…レーザ光透過窓、１１ａ…ホルダ、１２…接続部、１３、１４…フレキシブル管、１５…真空ポンプ、１５ａ…吸気ポート、１６…貫通孔、１７…フレキシブル管、１８…第２支持フレーム、１８ａ…環状部材、１９…貫通孔、２２、２３、２５…弾性部材、２６…開口、２６ａ…蓋、２６ｂ…貫通孔、２７…貫通孔、３０…６軸ステージ、３０ａ…ステージホルダ、３１…固定プレート、３２…可動プレート、３４…開口、３４ａ…チャンバ蓋、３４ｂ…貫通孔、３５…フレキシブル管、３６…貫通孔、３７…弾性部材、３８…フランジ部、４０…６軸ステージ、４１…レーザ光集光ミラー、４２…レーザ光中継ミラー、４３…支持棒、４３ａ…フランジ部、４４…開口、４４ａ…チャンバ蓋、４４ｂ…貫通孔、４５…フレキシブル管、４６…貫通孔、４７…弾性部材、４８…固定プレート、４９…可動プレート、５０…６軸ステージ、５０ａ…ＥＵＶ集光ミラーステージ、５１…固定プレート、５２…可動プレート、５３…支持棒、５３ａ…ミラーホルダ、５５…フレキシブル管、５９…ビームダンプ、６０…ポンプ、６１…熱交換部、６２…封止板、６３…シール材、６４…ボルト、６５…冷却媒体配管、６６…熱伝導性接着材、６７…熱電素子、６８…直流電源、７６…ＣＣＤイメージセンサ、７７…光学系、８０…ＸＹＺステージ、８０ａ…ステージホルダ、８１…固定プレート、８２…可動プレート、８３…窓、８３ａ…窓枠、８３ｂ…ホルダ、８４…貫通孔、８５…フレキシブル管、８６…ＣＣＤイメージセンサ、８７…光学系、９０…ＥＵＶ光生成装置、１００…ＥＵＶ光生成システム、１１０…チャンバ支持台、１２０…フレーム支持台、１３０…空調機、１４０…排熱ダクト、１５０…光路接続モジュール、１６０…投影光学系、１６１…マスク照射部、１６２…ワークピース照射部、１７０…筐体カバー、２００…ＥＵＶ光生成装置、ＰＳ…プラズマ生成領域、ＩＦ…中間集光点、ＭＴ…マスクテーブル、ＷＴ…ワークピーステーブル
【図１】
0005758750.tif 000002
【図２】
0005758750.tif 000003
【図３Ａ】
0005758750.tif 000004
【図３Ｂ】
0005758750.tif 000005
【図３Ｃ】
0005758750.tif 000006
【図４Ａ】
0005758750.tif 000007
【図４Ｂ】
0005758750.tif 000008
【図５】
0005758750.tif 000009
【図６】
0005758750.tif 000010
【図７】
0005758750.tif 000011
【図８】
0005758750.tif 000012
【図９】
0005758750.tif 000013
【図１０】
0005758750.tif 000014
【図１１】
0005758750.tif 000015
【図１２】
0005758750.tif 000016
【図１３】
0005758750.tif 000017
【図１４】
0005758750.tif 000018
【図１５】
0005758750.tif 000019
【図１６】
0005758750.tif 000020
【図１７】
0005758750.tif 000021