(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
深溝を有するＰＮ接合の形成方法において、
基材上にエピタキシャル層（N型）を積層する積層ステップと、
前記エピタキシャル層上に順次に第一媒質層、第二媒質層を形成する媒質形成ステップと、
前記エピタキシャル層に深溝を形成する深溝形成ステップと、
深溝にエピタキシャル材料（P型）を充填して深溝を詰めるとともに、第二媒質層を超えるまでエピタキシャル材料を充填する第一充填ステップと、
前記第二媒質層と前記エピタキシャル材料を含む全表面に第三媒質を充填して、所定の高さを有する表面充填層を形成する第二充填ステップと、
第一媒質層とエピタキシャル材料が隣接する面まで、前記表面充填層とエピタキシャル材料をエッチングするエッチングステップと、
前記第一媒質層、第二媒質層及び表面充填層を除去して、エピタキシャル材料の平坦化を実現する除去ステップと、を含み、
前記PN接合は、前記N型と前記P型が接合して形成されることを特徴とする深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項２】
前記エッチングステップにおいて、プラズマエッチング方法を採用することを特徴とする請求項１に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項３】
前記プラズマエッチング方法は、エッチングの選択比率を調節することにより、前記エピタキシャル材料と前記第三媒質のエッチング速度比を１：１にすることを特徴とする請求項２に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項４】
前記第二充填ステップにおいて、充填設備を採用して前記第三媒質を充填し、且つ前記第三媒質が流動性のある媒質であることを特徴とする請求項２に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項５】
前記表面充填層の高さは、少なくとも前記エピタキシャル材料の最高点より高いことを特徴とする請求項４に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項６】
前記第二充填ステップにおいて、前記充填設備を回転させながら塗布する方法により、流動性のある第三媒質を前記第二媒質層とエピタキシャル材料の全表面に充填することを特徴とする請求項４に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項７】
前記除去ステップにおいて、ウェット方法を採用して各層を除去することを特徴とする請求項４に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項８】
前記第一充填ステップにおいて、前記エピタキシャル材料における上部表面の最低部は前記第一媒質層より高いことを特徴とする請求項４に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項９】
前記第一媒質層が酸化物であり、前記第二媒質層が窒化物であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【請求項１０】
前記第一媒質層の厚さが５００オングストロームより厚く、前記第二媒質層の厚さが３００オングストロームより厚いことを特徴とする請求項９に記載の深溝を有するＰＮ接合の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の製造技術に関し、より具体的には、深溝を有する新型ＰＮ接合（Super  Junctions）の製造技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体の分野において、パワーMOSの性能を向上させる新型ＰＮ接合（Super  Junctions）は、高電圧分野で著しい効果を奏している。
【０００３】
従来の新型ＰＮの製造工程は、主に深溝のエッチング工程、エピタキシャル成長工程、シリコンのＣＭＰ平坦化工程とを採用することにより実現する。
【０００４】
具体的に、従来技術の新型ＰＮの製造工程は、次のようなステップを含む。
【０００５】
ステップ１において、Ｎ＋シリコン基材上に単一なエピタキシャル層（Ｎ型）を形成する。
【０００６】
ステップ２において、該エピタキシャル層に深溝を形成する。具体的には、熱酸化物層（thermal  oxide  layer）を成長させ、窒化ケイ素層を積層した後、プラズマ化学気相成長法により酸化物層を積層する。次は、シリコン基材が露出するまで、前記三層膜をエッチングする。次は、フォトレジストを除去するとともに、前記三層膜をフォトマスクとしてエッチングを実施して深溝を形成する。次は、ウェット除去法により、窒化ケイ素層表面に残っているプラズマ化学気相成長酸化物層を除去する。
【０００７】
ステップ３において、深溝中にエピタキシャルシリコン（Ｐ型）を充填して、新型ＰＮ接合を形成する。
【０００８】
ステップ４において、ＣＭＰ工程によりシリコン表面が平坦になるまでその表面を研磨する。
【０００９】
しかし、ＣＭＰ装置を採用する工程において、通常ＣＭＰ設備を生産ラインの後段に設けなければならないので、新型ＰＮ接合を形成する設備と混用することができない。従って、ＣＭＰ平坦化方法によりＰＮ接合を形成するとき、専用のＣＭＰ設備を用意しなければならないので、工程が複雑になり、コストが多くかかる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した従来技術の問題を解決するため、本発明は、現在の工程と混用することができ、工程が簡単であり、効率が高い深溝を有する新型ＰＮ接合（Super  Junctions）の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した技術的課題を解決する本発明の深溝を有する新型ＰＮ接合の形成方法は、基材上にエピタキシャル層を積層する積層ステップと、前記エピタキシャル層上に順次に第一媒質層、第二媒質層を形成する媒質形成ステップと、前記エピタキシャル層に深溝を形成する深溝形成ステップと、深溝にエピタキシャル材料を充填して深溝を詰めるとともに、第二媒質層を超えるまでエピタキシャル材料を充填する第一充填ステップと、前記第二媒質層と前記エピタキシャル材料を含む全表面に第三媒質を充填して、所定の高さを有する表面充填層を形成する第二充填ステップと、第一媒質層とエピタキシャル材料が隣接する面まで、前記表面充填層をエッチングするエッチングステップと、前記第一媒質層、第二媒質層及び表面充填層を除去して、エピタキシャル材料の平坦化を実現する除去ステップとを含む。
【００１２】
好ましくは、前記エッチングステップにおいて、プラズマエッチング方法を採用する。
【００１３】
好ましくは、前記第二充填ステップにおいて、充填設備を採用して前記第三媒質を充填し、且つ前記第三媒質が流動性のある媒質である。
【００１４】
上述した本発明により、従来技術のＣＭＰを採用する方法を使わず、流動性のある第三媒質材料を充填する方法とプラズマエッチング方法を採用することができる。従って、ＣＭＰにより平坦化を行うとき、工程が複雑で、制御しにくく、コストがかかる技術問題を解決することができる。
【００１５】
好ましくは、前記プラズマエッチング方法が、エッチングの選択比率を調節することにより、前記エピタキシャル材料と前記第三媒質のエッチング速度比を１：１にする。
【００１６】
好ましくは、前記表面充填層の高さが少なくとも前記エピタキシャル材料の最高点より高い。
【００１７】
好ましくは、前記第二充填ステップにおいて、前記充填設備を回転させながら塗布する方法により、流動性のある第三媒質を前記第二媒質層とエピタキシャル材料の全表面に充填する。
【００１８】
好ましくは、前記除去ステップにおいて、ウェット方法を採用して各層を除去する。
【００１９】
好ましくは、前記第一充填ステップにおいて、前記エピタキシャル材料の最低点を前記第一媒質層と前記エピタキシャル材料の隣接面より低くする。
【００２０】
好ましくは、前記第一媒質層が酸化物であり、前記第二媒質層が窒化物であり、前記エピタキシャル材料がＳＯＧである。
【００２１】
好ましくは、前記第一媒質層の厚さが５００オングストロームより厚く、前記第二媒質層の厚さが３００オングストロームより厚い。
【発明の効果】
【００２２】
上述した本発明は、流動性のある第三媒質材料を充填する方法とプラズマエッチング方法を採用するので、従来の工程と混用し、シリコンの平坦化を実現することができ、且つ専用ＣＰＭ設備を使わなくてもよい。従って、本発明は工程が簡単で、効率が高く、工程コストが多くかからない利点を有している。また、ＣＭＰを採用することによりSi部品のパラメーターが不安定になる問題を有効に避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る新型ＰＮ接合の形成過程を示す流れ図である。
【図２】本発明の実施形態に係る新型ＰＮ接合の形成過程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る新型ＰＮ接合の形成過程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る新型ＰＮ接合の形成過程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る新型ＰＮ接合の形成過程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る実施例の中の好適な実施例を選んで説明する。下述する実施例は、本発明の技術的内容を説明するものであるが、本発明の重要な要素と決定的な要素を限定するか、或いは特許請求の範囲を限定するものではない。
【００２５】
本発明の目的、技術的事項及び発明の効果をより詳しく説明するため、以下図面を参照しながら本発明の内容を詳細に説明する。
【００２６】
以下、図１〜図５を参照しながら、本発明の実施形態に係る深溝を有する新型ＰＮ接合の形成方法を説明する。
【００２７】
図１は、本発明の実施形態に係る新型ＰＮ接合の形成過程を示す流れ図である。
【００２８】
図１に示す通り、本発明の新型ＰＮ接合の形成方法は、次のようなステップを含む。
【００２９】
ステップ１は、基材上にエピタキシャル層を積層する積層ステップである。
【００３０】
ステップ２は、前記エピタキシャル層上に順次に第一媒質層、第二媒質層を形成する媒質形成ステップである。
【００３１】
ステップ３は、前記エピタキシャル層に深溝を形成する深溝形成ステップである。
【００３２】
ステップ４は、深溝にエピタキシャル材料を充填して深溝を詰めるとともに、第二媒質層を超えるまでエピタキシャル材料を充填する第一充填ステップである。
【００３３】
ステップ５は、前記第二媒質層と前記エピタキシャル材料を含む全表面に第三媒質を充填して、所定の高さを有する表面充填層を形成する第二充填ステップである。
【００３４】
ステップ６は、第一媒質層とエピタキシャル材料が隣接する面まで、前記表面充填層をエッチングするエッチングステップである。
【００３５】
ステップ７は、前記第一媒質層、第二媒質層及び表面充填層を除去して、エピタキシャル材料の平坦化を実現する除去ステップである。
【００３６】
図２〜図５は、本発明の実施形態に係る新型ＰＮ接合の形成過程を示す断面図である。
【００３７】
以下、上述したステップ１〜ステップ７と、図２〜図５と参照しながら本実施例を具体的に説明する。
【００３８】
図２〜図５に示す通り、本発明の実施形態に係る深溝を有する新型ＰＮ接合の形成方法は、次のようなステップを含む。
【００３９】
ステップ１において、基材上のエピタキシャル層１００を積層する。
【００４０】
ステップ２において、前記エピタキシャル層１００上に順次に第一媒質層２００、第二媒質層３００を形成する
【００４１】
ステップ３において、前記エピタキシャル層に深溝４００を形成する。
【００４２】
ステップ４において、図２に示す通り、前記深溝４００にエピタキシャル材料５００を充填して深溝４００を充填し、且つ第二媒質層３００を超えるまで充填する。
【００４３】
ステップ５において、図３に示す通り、前記第二媒質層３００と前記エピタキシャル材料５００を含む全表面を覆うため、第三媒質６００を全表面に充填して、所定の高さを有する表面充填層を形成する。
【００４４】
ステップ６において、図４に示す通り、第一媒質層２００とエピタキシャル材料５００が隣接する面まで、前記表面充填層をエッチングする。
【００４５】
ステップ７において、前記第一媒質層２００、第二媒質層３００及び表面充填層を除去して、エピタキシャル材料の平坦化を実現する。
【００４６】
上述した方法により、従来技術のＣＭＰを採用する方法を使わず、第三媒質材料充填方法とエッチング方法を採用することができる。従って、ＣＭＰにより平坦化を行うとき、工程が複雑であり、制御しにくく、コストがかかる技術問題を解決することができる。
【００４７】
以下、上述した本実施形態の変形例について、説明する。
【００４８】
前記第三媒質６００の材料として、流動性のある材料を採用することが好ましい。例えば、ＳＯＧを採用することができる。この場合、前記ステップ５において、流動性のある第三媒質６００を、例えばＳＯＧを、図２中の前記第二媒質層３００と前記エピタキシャル材料５００を含む全表面に充填して、所定の高さを有する表面充填層を形成する。
【００４９】
第三媒質６００を充填するとき、常用の充填設備を採用することができる。充填設備で流動性のある第三媒質６００を充填するとき、充填設備を回転させながら塗布する方法により流動性のある第三媒質６００を全表面に充填することができる。
【００５０】
上述した「所定の高さ」は、少なくとも前記エピタキシャル材料５００の最高点より高いことを意味する。
【００５１】
前記ステップ６において、前記エッチング方法として、プラズマエッチング方法を採用することが好ましい。前記エピタキシャル材料５００と第三媒質６００を平坦にエッチングするため、プラズマエッチング方法のエッチング選択比率を調節することができる。例えば、前記エピタキシャル材料５００と第三媒質６００のエッチング選択比率を１：１にすることにより、同様な速度で前記エピタキシャル材料５００と第三媒質６００をエッチングすることができる。従って、両者を平坦にエッチングするとともに、エピタキシャル材料の平坦化を実現することができる。
【００５２】
通常、エピタキシャル材料５００として、通常Ｓｉを採用する。
【００５３】
また、前記ステップ７において、前記第一媒質層２００、第二媒質層３００及び表面充填層を除去する方法として、ウェット方法を採用することができる。
【００５４】
また、前記第一媒質層２００の材料として、酸化物を採用し、第二媒質層３００材料として、窒化物を採用することが好ましい。前記第一媒質層の厚さは、５００オングストロームより厚くし、前記第二媒質層の厚さは、３００オングストロームより厚くする。
【００５５】
上述した本発明は、従来の工程と混用可能な方法により、エピタキシャル材料（Si）の平坦化を実現するので、工程が簡単で、効率が高く、専用設備（即ち、ＣＰＭ設備）が不要である。従って、工程コストを下げ、ＣＭＰを採用することによりSi部品のパラメーターが不安定になる問題を有効に避けることができる。
【００５６】
上述した実施例は、本発明の新型ＰＮ接合の形成方法を説明するためのものである。本発明の一部分の実施例を詳述してきたが、上述した実施例は本発明の例示にしか過ぎないものであるため、本発明が実施例の構成にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても当然に本発明に含まれる。また、各実施例に複数の構成が含まれている場合には、特に記載がなくとも、これらの構成の可能な組合せが含まれることは勿論である。また、複数の実施例や変形例が示されている場合には、特に記載がなくとも、これらに跨がった構成の組合せのうちの可能なものが含まれることは勿論である。
【符号の説明】
【００５７】
１００  エピタキシャル層
２００  第一媒質層
３００  第二媒質層
４００  深溝
５００  エピタキシャル材料
６００  第三媒質
【図１】
0005755803.tif 000002
【図２】
0005755803.tif 000003
【図３】
0005755803.tif 000004
【図４】
0005755803.tif 000005
【図５】
0005755803.tif 000006