(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向一方側面に電極部が接続された光半導体層と、前記光半導体層の厚み方向他方側面に接触するように積層された蛍光体層とを備える発光素子シートを用意する工程、
前記発光素子シートを複数に分割し、前記電極部、前記光半導体層および前記蛍光体層を備える発光素子を、複数形成する工程、
複数の前記発光素子を、離型基材上に、前記蛍光体層が前記離型基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置する工程、
前記離型基材上において、光反射成分を含有する反射樹脂層を、前記発光素子を被覆するように形成する工程、および、
前記離型基材上において、前記反射樹脂層から前記電極部の厚み方向一方側面が露出するように、前記反射樹脂層を一部除去する工程
を含み、
前記蛍光体層の厚み方向他方側面に前記離型基材が積層されている発光素子転写シートを製造することを特徴とする、発光素子転写シートの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子転写シートの製造方法によって、前記発光素子転写シートを製造する工程と、
前記発光素子転写シートを、少なくとも１つの前記発光素子を備える個片に、複数に分割する工程と、
前記個片と、端子が設けられたベース基板とを、厚み方向に対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程と、
前記フリップチップ実装された前記発光素子、および、前記反射樹脂層から前記離型基材を剥離する工程と
を備えることを特徴とする、発光装置の製造方法。
【請求項３】
離型基材と、
光半導体層、前記光半導体層の厚み方向一方側面に接続された電極部、および、前記光半導体層の厚み方向他方側面に接触するように積層された蛍光体層を備え、前記離型基材上に、前記蛍光体層が前記離型基材に対向するように、互いに間隔を隔てて配置される、複数の発光素子と、
光反射成分を含有し、前記離型基材上において、前記発光素子を被覆するとともに、前記電極部の厚み方向一方側面を露出させる反射樹脂層と
を備え、
前記蛍光体層の厚み方向他方側面に前記離型基材が積層されていることを特徴とする、発光素子転写シート。
【請求項４】
請求項３に記載の発光素子転写シートが複数に分割されて得られる、少なくとも１つの前記発光素子を備える個片と、端子が設けられたベース基板とが、厚み方向に対向配置され、前記電極部と前記端子とが電気的に接続されて、前記発光素子が前記ベース基板にフリップチップ実装され、前記離型基材が前記個片から剥離されていることを特徴とする、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置、詳しくは、発光素子転写シートの製造方法およびそれにより得られる発光素子転写シート、および、発光装置の製造方法およびそれにより得られる発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高エネルギーの光を発光できる発光装置として、白色発光装置が知られている。白色発光装置には、例えば、ダイオード基板と、それに積層され、青色光を発光するＬＥＤ（発光ダイオード）と、青色光を黄色光に変換でき、ＬＥＤを被覆する蛍光体層と、ＬＥＤを封止する封止層とが設けられている。そのような白色発光装置は、封止層によって封止され、ダイオード基板から電力が供給されるＬＥＤから発光され、封止層および蛍光体層を透過した青色光と、蛍光体層において青色光の一部が波長変換された黄色光との混色によって、高エネルギーの白色光を発光する。
【０００３】
そのような白色発光装置を製造する方法として、例えば、次の方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
すなわち、まず、基板部と、それの周部から上側に突出する白色の反射枠部とからなる基体を形成し、次いで、半導体発光素子を、基板部の中央において反射枠部によって形成される凹部の底部に、反射枠部の内側に間隔を隔てるようにワイヤーボンディングする。
【０００５】
次いで、凹部に、蛍光体と液状のエポキシ樹脂との混合物を塗布によって充填し、続いて、蛍光体を凹部の底部に自然沈降させ、その後、エポキシ樹脂を加熱硬化させる方法が提案されている。
【０００６】
特許文献１で提案される方法によって得られる白色発光装置では、沈降によって形成される蛍光体を高濃度で含む蛍光体層（波長変換層）が、半導体発光素子の上側の領域に区画され、エポキシ樹脂を高濃度で含む封止部が、蛍光体層の上側の領域に区画される。
【０００７】
そして、その白色発光装置では、光半導体発光素子が青色光を放射状に発光し、そのうち、光半導体発光素子から上方に向かって発光された青色光の一部は、蛍光体層で黄色光に変換されるとともに、残部は、蛍光体層を通過する。また、光半導体発光素子から側方向かって発光された青色光は、反射枠部で反射して、続いて、上側に向かって照射される。そして、特許文献１の白色発光装置は、それら青色光および黄色光の混色によって、白色光を発色している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１９１４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献１の製造方法により得られる白色発光装置では、光半導体発光素子と反射枠部とが間隔を隔てて配置されているため、光半導体発光素子から側方に向かって発光される光の一部は、反射枠部で反射される前に、封止部に吸収される。その結果、光の取出効率が低下するという不具合がある。
【００１０】
本発明の目的は、発光装置の光の取出効率を向上させることができる発光素子転写シートおよびその製造方法、および、その発光素子転写シートを用いて得られる発光装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の発光素子転写シートの製造方法は、厚み方向一方側面に電極部が接続された光半導体層と、前記光半導体層の厚み方向他方側面に積層された蛍光体層とを備える発光素子シートを用意する工程、前記発光素子シートを複数に分割し、前記電極部、前記光半導体層および前記蛍光体層を備える発光素子を、複数形成する工程、複数の前記発光素子を、基材上に、前記蛍光体層が前記基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置する工程、前記基材上において、光反射成分を含有する反射樹脂層を、前記発光素子を被覆するように形成する工程、および、前記反射樹脂層から前記電極部の厚み方向一方側面が露出するように、前記反射樹脂層を一部除去する工程を含むことを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の発光装置の製造方法は、上記の発光素子転写シートの製造方法によって、発光素子転写シートを製造する工程、前記発光素子転写シートを、少なくとも１つの前記発光素子を備える個片に、複数に分割する工程、前記個片と、端子が設けられたベース基板とを、厚み方向に対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程を備えることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の発光素子転写シートは、基材と、光半導体層、前記光半導体層の厚み方向一方側面に接続された電極部、および、前記光半導体層の厚み方向他方側面に積層された蛍光体層を備え、前記基材上に、前記蛍光体層が前記基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置される、複数の発光素子と、光反射成分を含有し、前記基材上において、前記発光素子を被覆するとともに、前記電極部の厚み方向一方側面を露出させる反射樹脂層とを備えることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の発光装置は、上記の発光素子転写シートが複数に分割されて得られる、少なくとも１つの前記発光素子を備える個片と、端子が設けられたベース基板とが、厚み方向に対向配置され、前記電極部と前記端子とが電気的に接続されて、前記発光素子が前記ベース基板にフリップチップ実装されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の発光素子転写シートの製造方法およびそれにより得られる本発明の発光素子転写シートでは、光反射成分を含有する反射樹脂層を、発光素子を被覆するように形成する。
【００１６】
そのため、このような発光素子転写シートを用いる発光装置の製造方法およびそれにより得られる発光装置では、光半導体層から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層の光反射成分によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の発光装置の一実施形態の断面図である。
【図２】本発明の発光素子転写シートの一実施形態を示す断面図であって、（ａ）は、分割前における発光素子転写シートを示し、（ｂ）は、分割時における発光素子転写シートを示す。
【図３】図２に示される発光素子転写シートの製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、発光素子シートを用意する工程、（ｂ）は、発光素子シートが分割されて得られた発光素子を離型基材上に配置する工程、（ｃ）は、反射樹脂層を、発光素子を被覆するように形成する工程、（ｄ）は、反射樹脂層を一部除去する工程を示す。
【図４】図１に示される発光装置の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、発光素子転写シートを製造する工程、（ｂ）は、発光素子転写シートを、個片に分割する工程、（ｃ）は、発光素子を、ダイオード基板にフリップチップ実装する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の発光装置の一実施形態の断面図、図２は、本発明の発光素子転写シートの一実施形態を示す断面図であって、（ａ）は、分割前における発光素子転写シートを示し、（ｂ）は、分割時における発光素子転写シートを示す。
【００１９】
図１において、この発光装置としての発光ダイオード装置１は、ベース基板としてのダイオード基板２と、後述する発光素子３を備える個片９とを備えている。
【００２０】
ダイオード基板２は、略平板状をなし、具体的には、絶縁基板の上に、導体層が回路パターンとして積層された積層板から形成されている。絶縁基板は、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、ポリイミド樹脂基板などからなり、好ましくは、セラミックス基板、具体的には、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板からなる。導体層は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。これら導体は、単独使用または併用することができる。
【００２１】
また、導体層は、端子６を含んでいる。
【００２２】
端子６は、絶縁基板の上面において、面方向に間隔を隔てて形成されており、後述する電極部８に対応するパターンに形成されている。なお、端子６は、図示しないが、導体層を介して電力供給部と電気的に接続されている。
【００２３】
個片９は、ダイオード基板２にフリップチップ実装される少なくとも１つ（図１では１つ）の発光素子３と、その発光素子３の側方に設けられる反射樹脂層４とを備えている。
【００２４】
発光素子３は、光半導体層７と、光半導体層７の厚み方向一方側面（裏面（図１における下面））に接続された電極部８と、光半導体層７の厚み方向他方側面（表面（図１における上面））に積層された蛍光体層５とを備えている。
【００２５】
光半導体層７は、図示しないが、例えば、厚み方向に順次積層される緩衝層、Ｎ形半導体層、発光層およびＰ形半導体層を備えている。光半導体層７は、公知の半導体材料から形成されており、エピタキシャル成長法などの公知の成長法によって形成される。光半導体層７の厚みは、例えば、０．１〜５００μｍ、好ましくは、０．２〜２００μｍである。
【００２６】
電極部８は、光半導体層７と電気的に接続されており、厚み方向に投影したときに、光半導体層７に含まれるように形成されている。また、電極部８は、例えば、Ｐ形半導体層に接続されるアノード電極と、Ｎ形半導体層に形成されるカソード電極とを備えている。
【００２７】
電極部８は、公知の導体材料から形成されており、その厚みは、例えば、１０〜１０００ｎｍである。
【００２８】
蛍光体層５は、光半導体層７の厚み方向他方側面（表面（図１における上面））全面に形成されており、厚み方向に投影したときに、光半導体層７の外形形状と同一パターンの平面視略矩形状に形成されている。
【００２９】
蛍光体層５は、例えば、蛍光体を含有する蛍光体組成物から形成されている。
【００３０】
蛍光体組成物は、好ましくは、蛍光体および樹脂を含有している。
【００３１】
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体が挙げられる。そのような蛍光体としては、例えば、複合金属酸化物や金属硫化物などに、例えば、セリウム（Ｃｅ）やユウロピウム（Ｅｕ）などの金属原子がドープされた蛍光体が挙げられる。
【００３２】
具体的には、蛍光体としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ２ＣａＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）３Ｏ１２：Ｃｅなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ、Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ、Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕなどのシリケート蛍光体、例えば、ＣａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕなどのアルミネート蛍光体、例えば、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＣａＳ：Ｅｕ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕなどの硫化物蛍光体、例えば、ＣａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＢａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉ５Ｎ８：Ｅｕなどの窒化物蛍光体、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎなどのフッ化物系蛍光体などが挙げられる。好ましくは、ガーネット型蛍光体、さらに好ましくは、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ）が挙げられる。
【００３３】
蛍光体は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３４】
蛍光体の配合割合は、例えば、蛍光体組成物に対して、例えば、１〜５０重量％、好ましくは、５〜３０重量％である。また、樹脂１００質量部に対する蛍光体の配合割合は、例えば、１〜１００質量部、好ましくは、５〜４０質量部である。
【００３５】
樹脂は、蛍光体を分散させるマトリックスであって、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの透明樹脂などが挙げられる。好ましくは、耐久性の観点から、シリコーン樹脂が挙げられる。
【００３６】
シリコーン樹脂は、主として、シロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）からなる主鎖と、主鎖の硅素原子（Ｓｉ）に結合する、アルキル基（例えば、メチル基など）またはアルコキシル基（例えば、メトキシ基）などの有機基からなる側鎖とを分子内に有している。
【００３７】
具体的には、シリコーン樹脂としては、例えば、脱水縮合型シリコーンレジン、付加反応型シリコーンレジン、過酸化物硬化型シリコーンレジン、湿気硬化型シリコーンレジン、硬化型シリコーンレジンなどが挙げられる。好ましくは、付加反応型シリコーンレジンなどが挙げられる。
【００３８】
シリコーン樹脂の２５℃における動粘度は、例えば、１０〜３０ｍｍ２／ｓである。
【００３９】
樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００４０】
樹脂の配合割合は、蛍光体組成物に対して、例えば、５０〜９９質量％、好ましくは、５７〜９５質量％である。
【００４１】
蛍光体組成物は、蛍光体および樹脂を上記した配合割合で配合し、攪拌混合することにより調製される。
【００４２】
蛍光体層５の厚みは、例えば、０．１〜１０００μｍ、好ましくは、０．２〜８００μｍである。
【００４３】
また、発光素子３の厚み（蛍光体層５、光半導体層７および電極部８の総厚み）は、例えば、２０〜５００μｍ、好ましくは、５０〜３００μｍである。
【００４４】
反射樹脂層４は、ダイオード基板２の上面において、平面視で、発光素子３が形成される領域以外の領域、具体的には、発光素子３の左右方向両外側および前後方向両側に設けられ、発光素子３の左面、右面、前面および後面の各面に密着している。これによって、反射樹脂層４は、発光素子３の上面を露出している。
【００４５】
このような反射樹脂層４は、例えば、光反射成分を含有しており、具体的には、反射樹脂層４は、樹脂と、光反射成分とを含有する反射樹脂組成物から形成されている。
【００４６】
樹脂としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。
【００４７】
光反射成分は、例えば、白色の化合物であって、そのような白色の化合物としては、具体的には、白色顔料が挙げられる。
【００４８】
白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリン（カオリナイト）などの粘土鉱物などが挙げられる。
【００４９】
白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。
【００５０】
酸化チタンであれば、高い白色度、高い光反射性、優れた隠蔽性（隠蔽力）、優れた着色性（着色力）、高い分散性、優れた耐候性、高い化学的安定性などの特性を得ることができる。
【００５１】
そのような酸化チタンは、具体的には、ＴｉＯ２、（酸化チタン（ＩＶ）、二酸化チタン）である。
【００５２】
酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト（板チタン石）、アナターゼ（鋭錐石）などであり、好ましくは、ルチルである。
【００５３】
また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系である。
【００５４】
酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、反射樹脂層４が長期間高温に曝される場合でも、光（具体的には、可視光、とりわけ、波長４５０ｎｍ付近の光）に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。
【００５５】
光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値（球状である場合には、その平均粒子径）は、例えば、１〜１０００ｎｍである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。
【００５６】
光反射成分の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．５〜９０質量部、好ましくは、着色性および光反射性の観点から、１．５〜７０質量部である。
【００５７】
また、光反射成分の配合割合は、反射樹脂組成物１００質量部に対して、例えば、０．５〜９０質量部、光反射率およびハンドリング性の観点から、好ましくは、１．５〜７０質量部である。
【００５８】
上記した光反射成分は、樹脂中に均一に分散混合される。
【００５９】
また、反射樹脂組成物には、さらに、充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分（具体的には、白色顔料）と併用することができる。
【００６０】
充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、無機質充填剤が挙げられ、そのような無機質充填剤としては、例えば、シリカ粉末、タルク粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末などが挙げられる。
【００６１】
充填剤として、好ましくは、反射樹脂層４の線膨張率を低減する観点から、シリカ粉末が挙げられる。
【００６２】
シリカ粉末としては、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末などが挙げられ、好ましくは、溶融シリカ粉末（すなわち、石英ガラス粉末）が挙げられる。
【００６３】
充填剤の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、優れた充填性および流動性の観点から、球状が挙げられる。
【００６４】
従って、シリカ粉末として、好ましくは、球状溶融シリカ粉末が挙げられる。
【００６５】
充填剤の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、５〜６０μｍ、好ましくは、１５〜４５μｍである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。
【００６６】
充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、例えば、樹脂１００質量部に対して、１０〜８０質量部となるように、調整され、線膨張率の低減および流動性の確保の観点から、樹脂１００質量部に対して、好ましくは、２５〜７５質量部、さらに好ましくは、４０〜６０質量部となるように、調整される。
【００６７】
また、充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、光反射率およびハンドリング性の観点から、反射樹脂組成物１００質量部に対して、好ましくは、１．５〜７０質量部である。
【００６８】
反射樹脂組成物は、上記した樹脂と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合することにより調製される。
【００６９】
また、反射樹脂組成物は、Ｂステージ状態として調製される。
【００７０】
このような反射樹脂組成物は、例えば、液状または半固形状に形成されており、その動粘度は、例えば、１０〜３０ｍｍ２／ｓである。
【００７１】
このようにして、発光素子３の外側面は、反射樹脂層４によって封止されている。
【００７２】
なお、光半導体層７の下側には、図１において仮想線で示すように、電極部８の厚みに対応する下部隙間１２が形成されている。
【００７３】
この下部隙間１２にも、反射樹脂層４が充填され、また、このような下部隙間１２において、反射樹脂層４は、電極部８から露出する光半導体層７の下面および電極部８の側面にも密着する。
【００７４】
反射樹脂層４の厚みは、上記した発光素子３の厚み（蛍光体層５、光半導体層７および電極部８の総厚み）と同様であって、具体的には、例えば、２０〜５００μｍ、好ましくは、５０〜３００μｍである。
【００７５】
上記した個片９は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、発光素子転写シート１０を、複数に分割することにより、得ることができる。
【００７６】
発光素子転写シート１０は、発光素子３（および反射樹脂層４）を、ダイオード基板２（図１参照）に転写するための転写シートであって、後述するように分割されることにより、複数（例えば、３つ）の個片９を形成する。
【００７７】
発光素子転写シート１０は、基材としての離型基材１４と、離型基材１４に支持された複数（例えば、３つ）の発光素子３と、発光素子３の側面を被覆する反射樹脂層４とを備えている。
【００７８】
具体的には、発光素子転写シート１０では、複数（例えば、３つ）の発光素子３が、離型基材１４上において、蛍光体層５と離型基材１４とが対向するように、互いに間隔を隔てて配置されている。また、反射樹脂層４は、上記したように、離型基材１４上において、電極部８の厚み方向一方側面（裏面（図２（ａ）における上面）が露出するように、発光素子３を被覆している。
【００７９】
これら発光素子３および反射樹脂層４を支持する離型基材１４は、例えば、略矩形状の離型シート（離型フィルム）であって、上面および下面が平坦状に形成されている。
【００８０】
離型基材１４は、加熱により容易に剥離できる熱剥離シートから、形成される。熱剥離シートは、支持層１５と、支持層１５の上面に積層される粘着層１６とを備えている。
【００８１】
支持層１５は、例えば、ポリエステルなどの耐熱性樹脂から形成されている。
【００８２】
粘着層１６は、例えば、常温（２５℃）において、粘着性を有し、加熱時に、粘着性が低減する（あるいは、粘着性を失う）熱膨張性粘着剤などから形成されている。
【００８３】
上記した熱剥離シートは、市販品を用いることができ、具体的には、リバアルファシリーズ（登録商標、日東電工社製）などを用いることができる。
【００８４】
熱剥離シートは、支持層１５によって、個片９（発光素子３および反射樹脂層４）を、粘着層１６を介して確実に支持しながら、後述するように、加熱による粘着層１６の粘着性の低下に基づいて、個片９（発光素子３および反射樹脂層４）から剥離される。
【００８５】
また、離型基材１４を、例えば、ポリオレフィン（具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン）、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）などのビニル重合体、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などの樹脂材料などから形成されている。また、離型基材１４は、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料などから形成することもできる。
【００８６】
離型基材１４の厚みは、例えば、１０〜１０００μｍである。
【００８７】
図３は、図２に示される発光素子転写シート１０の製造方法を示す工程図である。
【００８８】
次に、上記した発光素子転写シート１０を製造する方法について、図３を参照して説明する。
【００８９】
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、発光素子シート１１を用意する。
【００９０】
発光素子シート１１は、複数（例えば、８つ）の発光素子３を一体的に備える発光素子３の集合体シートであって、後述するように、分割されることによって複数（例えば、８つ）の発光素子３を形成する。
【００９１】
具体的には、発光素子シート１１は、面方向に長いシート状の光半導体層７（光半導体シート）と、その光半導体層７の厚み方向一方側面（裏面（図３（ａ）における下面））に、各発光素子３に対応するように接続された複数の電極部８と、光半導体層７の厚み方向他方側面（表面（図３（ａ）における上面））に積層された面方向に長いシート状の蛍光体層５とを備えている。
【００９２】
このような発光素子シート１１は、例えば、まず、上記した蛍光体組成物を、面方向に長いシート状に成形し、例えば、５０〜１５０℃に、加熱して乾燥することにより、蛍光体層５を形成し、次いで、蛍光体層５の厚み方向一方側面（裏面（図３（ａ）における下面））に、公知の方法により、面方向に長いシート状の光半導体層７を積層し、その後、光半導体層７の厚み方向一方側面（裏面（図３（ａ）における下面））に、電極部８を接続することにより、得ることができる。
【００９３】
次いで、この方法では、図３（ａ）において一点鎖線で示すように、発光素子シート１１を複数に分割し、発光素子３、詳しくは、電極部８、光半導体層７および蛍光体層５を備える発光素子３を、複数（例えば、８つ）形成する。
【００９４】
発光素子シート１１を分割する方法としては、特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
【００９５】
なお、上記の分割によって得られた複数（例えば、８つ）の発光素子３を、次の工程（図３（ｂ）〜図３（ｄ））において、上下方向を反転させる。
【００９６】
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、複数（例えば、３つ）の発光素子３を、離型基材１４上に、発光素子３の蛍光体層５が離型基材１４と対向するように、互いに間隔を隔てて配置する。
【００９７】
なお、各発光素子３の間隔は、特に制限されず、目的および用途に応じて適宜設定される。
【００９８】
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、離型基材１４上において、反射樹脂層４を、発光素子３を被覆するように、形成する。
【００９９】
反射樹脂層４を形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、上記した反射樹脂組成物を、例えば、印刷、ディスペンサなどの塗布方法により、離型基材１４の上に、発光素子３を被覆するように、塗布する。
【０１００】
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、反射樹脂層４から電極部８の厚み方向一方側面（裏面（図３（ｄ）における上面））が露出するように、公知のエッチング法などによって、反射樹脂層４を一部除去する。
【０１０１】
詳しくは、電極部８の厚み方向一方側面（裏面（図３（ｄ）における上面））と、反射樹脂層４の厚み方向一方側面（裏面（図３（ｄ）における上面））とが面一となるように、反射樹脂層４を一部除去する。
【０１０２】
これにより、離型基材１４の上において、発光素子３を被覆するとともに、電極部８の厚み方向一方側面（裏面（図３（ｄ）における上面））を露出させるように、反射樹脂層４を形成し、発光素子転写シート１０を製造することができる。
【０１０３】
このような発光素子転写シート１０の製造方法およびそれにより得られる発光素子転写シート１０では、光反射成分を含有する反射樹脂層４を、発光素子３を被覆するように形成する。
【０１０４】
そのため、後述するように、このような発光素子転写シート１０を用いる発光ダイオード装置１の製造方法およびそれにより得られる発光ダイオード装置１では、光半導体層７から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層４の光反射成分によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。
【０１０５】
また、このような発光素子転写シート１０を用いる発光ダイオード装置１の製造方法およびそれにより得られる発光ダイオード装置１では、シート状に形成された蛍光体層を予め用意するので、蛍光体層を、薄く、短時間、かつ、簡便に形成することができる。そのため、製造コストの上昇を抑制することができる。
【０１０６】
また、このような発光素子転写シート１０を用いる発光ダイオード装置１の製造方法およびそれにより得られる発光ダイオード装置１では、反射樹脂層４によって、光半導体層７の下側の下部隙間１２に、反射樹脂層４を良好に充填することができる。
【０１０７】
また、このような発光素子転写シート１０を用いる発光ダイオード装置１の製造方法およびそれにより得られる発光ダイオード装置１では、反射樹脂層４によって、発光素子３を封止することができるので、別途、封止樹脂などを用いて発光素子を封止する必要がなく、そのため、コストおよび工数の削減を図ることができる。
【０１０８】
図４は、図１に示される発光ダイオード装置１の製造方法を示す製造工程図である。
【０１０９】
次に、上記した発光素子転写シート１０を用いて、発光ダイオード装置１を製造する方法について、図４を参照して説明する。
【０１１０】
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、上記の方法（上記の図３（ａ）〜（ｄ）に示す方法）によって製造された発光素子転写シート１０を用意する。
【０１１１】
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、発光素子転写シート１０を、少なくとも１つの発光素子３（図４（ａ）では１つ）を備える個片９に、複数（例えば、３つ）に分割する。
【０１１２】
この工程において、個片９は、上記したように、発光素子３と、発光素子３を封止する反射樹脂層４を備えており、離型基材１４に支持されている。
【０１１３】
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、端子６が設けられたダイオード基板２を用意し、個片９と、ダイオード基板２とを、厚み方向に対向配置させる。
【０１１４】
そして、発光素子３の電極部８と、ダイオード基板２の端子６とを電気的に接続して、発光素子３を、ダイオード基板２にフリップチップ実装する（実線矢印参照）。
【０１１５】
また、この工程において、反射樹脂層４の樹脂が熱硬化性樹脂からなる場合には、Ｂステージ状態であるため、個片９とダイオード基板２とを厚み方向に圧着させ、これにより、光半導体層７の下側の下部隙間１２（仮想線参照）に、反射樹脂層４を充填する。
【０１１６】
その後、例えば、加熱することにより、離型基材１４における粘着層１６の粘着性を低下させ、個片９から、離型基材１４を剥離させることにより、発光素子３および反射樹脂層４を、ダイオード基板２に転写する（破線矢印参照）。
【０１１７】
また、必要により、Ｂステージ状態の反射樹脂層４を加熱して、硬化させる。
【０１１８】
これにより、図４（ｄ）に示すように、発光ダイオード装置１を得ることができる。
【０１１９】
このような発光ダイオード装置１およびその製造方法では、上記の発光素子転写シート１０が用いられているため、光半導体層７から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層４の光反射成分によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。
【０１２０】
また、このような発光ダイオード装置１およびその製造方法では、シート状に形成された蛍光体層を予め用意するので、蛍光体層を、薄く、短時間、かつ、簡便に形成することができる。そのため、製造コストの上昇を抑制することができる。
【０１２１】
また、このような発光ダイオード装置１およびその製造方法では、反射樹脂層４によって、光半導体層７の下側の下部隙間１２に、反射樹脂層４を良好に充填することができる。
【０１２２】
また、このような発光ダイオード装置１およびその製造方法では、反射樹脂層４によって、発光素子３を封止することができるので、別途、封止樹脂などを用いて発光素子を封止する必要がなく、そのため、コストおよび工数の削減を図ることができる。
【実施例】
【０１２３】
実施例１（発光素子転写シートの製造）
緩衝層（ＧａＮ）、Ｎ形半導体層（ｎ−ＧａＮ）、発光層（ＩｎＧａＮ）およびＰ形半導体層（ｐ−ＧａＮ：Ｍｇ）を含む光半導体層と、アノード電極およびカソード電極を含む電極部とを備える、厚み０．２ｍｍ、最大長さ１００ｍｍのシート状に広がる光半導体層（光半導体シート）を用意した。
【０１２４】
次いで、光半導体層（光半導体シート）の表面に、蛍光体層を、積層した。
【０１２５】
詳しくは、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅからなる蛍光体粒子（球形状、平均粒子径８μｍ）２６質量部、および、シリコーン樹脂（付加反応型シリコーンレジン、動粘度（２５℃）２０ｍｍ２／ｓ、旭化成ワッカーシリコーン社製）７４質量部を配合して、均一攪拌することにより、蛍光体組成物を調製した。
【０１２６】
次いで、調製した蛍光体組成物を、光半導体層の表面に印刷により塗布して蛍光体皮膜を形成した後、蛍光体皮膜を、１００℃で乾燥させて、蛍光体層を形成した。これにより発光素子シートを得た（図３（ａ）参照）。
【０１２７】
次いで、発光素子シートを複数に分割（ダイシング）し、電極部、光半導体層および蛍光体層を備える発光素子を、複数形成した（図３（ａ）一点鎖線参照）。
【０１２８】
次いで、複数の発光素子を、上面および下面が平坦状に形成され、フッ素樹脂からなる厚み５０μｍの離型基材上に、蛍光体層が離型基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置した（図３（ｂ）参照）。
【０１２９】
次いで、反射樹脂組成物を調製し、かかる反射樹脂組成物を、離型基材上に印刷し、発光素子を被覆するＢステージ状態の反射樹脂層を形成した（図３（ｃ）参照）。
【０１３０】
反射樹脂組成物は、熱硬化性シリコーン樹脂１００質量部、および、球状で、平均粒子径３００ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ２、：ルチルの正方晶系）粒子２０質量部を均一に混合することにより、調製した。
【０１３１】
次いで、反射樹脂層から電極部の厚み方向一方側面が露出するように、反射樹脂層を、エッチングによって一部除去した（図３（ｄ）参照）。
【０１３２】
その後、反射樹脂層を加熱により硬化させることにより、発光素子転写シートを得た。
【０１３３】
実施例２
実施例１により得られた発光素子転写シート（図４（ａ）参照）を、少なくとも１つの発光素子を備える個片、および、その個片を支持する離型基材に、複数に分割した（図４（ｂ）参照）。
【０１３４】
次いで、得られた個片と、厚み１ｍｍのダイオード基板とを厚み方向に対向配置させ、発光素子をダイオード基板の上面にフリップチップ実装した（図４（ｃ）参照）。なお、ダイオード基板は、サファイアからなる絶縁基板と、その上面に、銅、ニッケルおよび金からなる端子を含む導体層とを備えていた。
【０１３５】
これにより、発光ダイオード装置を得た（図４（ｄ）参照）。
【符号の説明】
【０１３６】
１      発光ダイオード装置
２      ダイオード基板
３      発光素子
４      反射樹脂層
５      蛍光体層
６      端子
７      光半導体層
８      電極部
９      個片
１０    発光素子転写シート
１１    発光素子シート
１４    離型基材
【図１】
0005670249.tif 000002
【図２】
0005670249.tif 000003
【図３】
0005670249.tif 000004
【図４】
0005670249.tif 000005