(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法において、ケイ素溶融層を介してフィード材と対向させて用いられるシード材であって、
結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有し、
前記表層の、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察され、前記Ｌ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ−１以上である、単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
【請求項２】
前記Ｌ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量が４ｃｍ−１以上である、請求項１に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
【請求項３】
前記Ｌ０ピークの半値幅が１５ｃｍ−１以下である、請求項１または２に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
【請求項４】
前記表層は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を主成分として含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
【請求項５】
前記表層は、実質的に、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素からなる、請求項４に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
【請求項６】
支持材と、前記支持材の上に形成されており、前記表層を構成している多結晶炭化ケイ素膜とを備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
【請求項７】
前記多結晶炭化ケイ素膜の厚みは、３０μｍ〜８００μｍの範囲内にある、請求項６に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
【請求項８】
結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む多結晶炭化ケイ素材により構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材の表層と、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有するフィード材の表層とをケイ素溶融層を介して対向させた状態で加熱することにより前記シード材の表層上に単結晶炭化ケイ素をエピタキシャル成長させる、単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及びそれを用いた単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、ケイ素（Ｓｉ）やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の従来の半導体材料では実現できない高温耐性、高耐電圧性、耐高周波性及び高耐環境性を実現することが可能であると考えられている。このため、炭化ケイ素は、次世代のパワーデバイス用の半導体材料や高周波デバイス用半導体材料として期待されている。
【０００３】
従来、単結晶炭化ケイ素を成長させる方法として、例えば、下記の特許文献１などにおいて、昇華再結晶法（改良レーリー法）が提案されている。この改良レーリー法では、坩堝内の低温側領域に単結晶炭化ケイ素からなるシード材を配置し、高温側領域に原料となるＳｉを含む原料粉末を配置する。そして、坩堝内を不活性雰囲気とした上で、１４５０℃〜２４００℃の高温に加熱することにより、高温側領域に配置されている原料粉末を昇華させる。その結果、低温側領域に配置されているシード材の表面上に炭化ケイ素をエピタキシャル成長させることができる。
【０００４】
しかしながら、改良レーリー法は、気相中で温度勾配を設けることにより炭化ケイ素結晶を成長させる方法である。このため、改良レーリー法を用いた場合、炭化ケイ素のエピタキシャル成長に大型の装置を要し、かつ、炭化ケイ素エピタキシャル成長のプロセス制御が困難となる。よって、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜の製造コストが高くなるという問題がある。また、気相中における炭化ケイ素エピタキシャル成長は、非平衡である。このため、形成される炭化ケイ素エピタキシャル成長膜に結晶欠陥が生じやすく、また、結晶構造に荒れが生じやすいという問題がある。
【０００５】
改良レーリー法以外の炭化ケイ素のエピタキシャル成長法としては、例えば特許文献２などで提案されている、液相において炭化ケイ素をエピタキシャル成長させる方法である準安定溶媒エピタキシー（Ｍｅｔａｓｔａｂｌｅ  Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＳＥ）法が挙げられる。
【０００６】
ＭＳＥ法では、単結晶炭化ケイ素や多結晶炭化ケイ素などの結晶性炭化ケイ素からなるシード材と、炭化ケイ素からなるフィード材とを、例えば１００μｍ以下といった小さな間隔をおいて対向させ、その間にＳｉの溶融層を介在させる。そして、真空高温環境で加熱処理することにより、シード材の表面上に炭化ケイ素をエピタキシャル成長させる。
【０００７】
このＭＳＥ法では、シード材の化学ポテンシャルと、フィード材の化学ポテンシャルとの差に起因して、Ｓｉ溶融層に溶解する炭素の濃度勾配が生じることにより炭化ケイ素エピタキシャル成長膜が形成されるものと考えられている。このため、改良レーリー法を用いる場合とは異なり、シード材とフィード材との間に温度差を設ける必要が必ずしもない。従って、ＭＳＥ法を用いた場合、簡素な装置で、炭化ケイ素のエピタキシャル成長プロセスを容易に制御できるばかりか、高品位な炭化ケイ素エピタキシャル成長膜を安定して形成することができる。
【０００８】
また、大きな面積を有するシード基板の上にも炭化ケイ素エピタキシャル成長膜を形成できるという利点、Ｓｉ溶融層が極めて薄いため、フィード材からの炭素が拡散しやすく
、炭化ケイ素のエピタキシャル成長プロセスの低温化を図れるという利点もある。
【０００９】
従って、ＭＳＥ法は、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長法として極めて有用な方法であると考えられており、ＭＳＥ法に関する研究が盛んに行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−９７０４０号公報
【特許文献２】特開２００８−２３０９４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述のように、ＭＳＥ法においては、フィード材の自由エネルギーがシード材の自由エネルギーよりも高くなるように、フィード材及びシード材を選択する必要があるものと考えられている。このため、例えば上記特許文献２には、フィード基板とシード基板との結晶多形を異ならしめることにより、フィード基板とシード基板とで自由エネルギーを異ならしめることが記載されている。具体的には、フィード基板を多結晶３Ｃ−ＳｉＣ基板により構成した場合は、３Ｃ−ＳｉＣ基板よりも低い自由エネルギーを有する単結晶４Ｈ−ＳｉＣ基板などによりシード基板を構成することが記載されている。
【００１２】
ここで、多結晶３Ｃ−ＳｉＣ基板は、ＣＶＤ法により容易に作製できる。このため、特許文献２に記載のように、３Ｃ−ＳｉＣ基板をフィード基板として用いることにより、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜の形成コストを低く抑えることができる。
【００１３】
しかしながら、４Ｈ−ＳｉＣ基板や３Ｃ−ＳｉＣ基板などの炭化ケイ素基板のなかで、３Ｃ−ＳｉＣ基板が最も高い自由エネルギーを有する。このため、自由エネルギーが低いことが要求されるシード基板として３Ｃ−ＳｉＣ基板を用いることはできないと考えられていた。従って、特許文献２では、製造が困難で高コストな単結晶４Ｈ−ＳｉＣ基板がシード基板として用いられており、炭化ケイ素エピタキシャル成長層の形成コストが高くなっているという問題がある。
【００１４】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、鋭意研究の結果、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素材の中にも、ケイ素溶融層への溶出が生じやすいものと溶出が生じにくいものとがあり、ケイ素溶融層への溶出が生じにくいものは、炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長のシード材として好適に用いることができることを見出した。その結果、本発明者は、本発明を成すに至った。
【００１６】
すなわち、本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材は、単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法に用いられるシード材である。本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。その表層の、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ−１以上である。このため、本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材からは、ケイ素溶融層への溶出が生じにくい。よって、本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を用いることにより、ケイ素溶融層における濃度勾配を好適に形成することができ、炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長を好適に行うことができる。なお、Ｌ０ピー
クの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ−１以上である場合にケイ素溶融層への溶出が生じにくくなるのは、シード材の表層における内部応力が大きくなり、表層の緻密性が高くなるためであると考えられる。
【００１７】
また、本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材の表層は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含むものである。このため、表層を、結晶多形が４Ｈや６Ｈなどである多結晶炭化ケイ素を含むものとしたり、単結晶炭化ケイ素からなるものとしたりする場合とは異なり、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により容易かつ安価に製造することができる。
【００１８】
すなわち、本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を用いることにより、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長膜を容易かつ安価に形成することができる。
【００１９】
また、本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を用いることにより、優れた特性を有する六方晶の単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長膜を形成することが可能となる。これは、表層の緻密性が高くなることにより、表層の表面に露出している結晶面の多くが、六方晶の（０００１）結晶面に似た形状となり、六方晶の単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長が好適に進行するためであると考えられる。
【００２０】
なお、本発明において、「液相エピタキシャル成長方法」とは、シード材とフィード材とをケイ素溶融層を介して対向させた状態で加熱することによりケイ素溶融層中に溶融する黒鉛の濃度勾配を形成し、その濃度勾配により、シード材の上に単結晶炭化ケイ素をエピタキシャル成長させる方法をいう。
【００２１】
本発明において、「多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピーク」とは、炭化ケイ素結晶中のＳｉ−Ｃの２原子間で振動する光学モードのうち縦光学（longitudinal optical）モードに由来するピークであり、通常３Ｃ多形の場合、９７２ｃｍ−１に現れるピークである。
【００２２】
本発明において、「フィード材」とは、例えば、Ｓｉ、Ｃ、ＳｉＣなどの単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長の材料となるものを供給する部材をいう。一方、「シード材」とは、表面上に単結晶炭化ケイ素が成長していく部材をいう。
【００２３】
本発明において、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量が４ｃｍ−１以上であることが好ましい。
【００２４】
本発明において、Ｌ０ピークの半値幅が１５ｃｍ−１以下であることが好ましい。この構成を有するシード材を用いることによって、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長速度をさらに向上できる。
【００２５】
Ｌ０ピークの半値幅が１５ｃｍ−１以下である場合に、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長速度をさらに向上できるのは、Ｌ０ピークの半値幅が小さいほど、表層における多結晶炭化ケイ素の結晶性が高かったり、不純物濃度が低かったりするため、表層からの溶出がさらに生じにくくなるためであると考えられる。
【００２６】
本発明において、表層は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を主成分として含むことが好ましく、実質的に、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素からなることが好ましい。この構成によれば、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長速度をさらに効果的に高めることができる。
【００２７】
なお、本発明において、「主成分」とは、５０質量％以上含まれる成分のことをいう。
【００２８】
本発明において、「実質的に、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素からなる」とは、不純物以外に、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素以外の成分を含まないことを意味する。通常、「実質的に、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素からなる」場合に含まれる不純物は、５質量％以下である。
【００２９】
本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材は、支持材と、支持材の上に形成されており、表層を構成している多結晶炭化ケイ素膜とを備えていてもよい。その場合において、多結晶炭化ケイ素膜の厚みは、３０μｍ〜８００μｍの範囲内にあることが好ましい。
【００３０】
また、本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む多結晶炭化ケイ素基板などの多結晶炭化ケイ素材により構成されていてもよい。
【００３１】
本発明に係る単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法では、上記本発明に係る単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材の表層と、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有するフィード材の表層とをケイ素溶融層を介して対向させた状態で加熱することによりシード材の表層上に単結晶炭化ケイ素をエピタキシャル成長させる。この方法によれば、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長膜を安価に形成することができる。また、シード材とフィード材との間に温度差を設ける必要が必ずしもない。従って、簡素な装置で、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長プロセスを容易に制御できるばかりか、高品位な単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜を安定して形成することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態における単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法を説明するための模式図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるフィード基板の略図的断面図である。
【図３】本発明の一実施形態におけるシード基板の略図的断面図である。
【図４】変形例におけるフィード基板の略図的断面図である。
【図５】変形例におけるシード基板の略図的断面図である。
【図６】サンプル１〜４の表層のラマン分光解析結果を表すグラフである。
【図７】サンプル１〜４におけるＬ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量（Δω）と、Ｌ０ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）とを表すグラフである。
【図８】サンプル１，２及び４における単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜の成長速度を示すグラフである。
【図９】サンプル３，４における単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜の成長速度を示すグラフである。
【図１０】実施例における液相エピタキシャル成長実験実施後のシード基板（サンプル３）のＳＥＭ写真である。
【図１１】比較例における液相エピタキシャル成長実験実施後のシード基板（サンプル２）のＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。
【００３５】
図１は、本実施形態における単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法を説明するための模式図である。
【００３６】
本実施形態では、ＭＳＥ法を用いて単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長膜を形成する例について説明する。
【００３７】
本実施形態では、図１に示すように、容器１０内において、シード材としてのシード基板１２と、フィード材としてのフィード基板１１とを、シード基板１２の主面１２ａとフィード基板１１の主面１１ａとがシリコンプレートを介して対向するように配置する。その状態でシード基板１２及びフィード基板１１を加熱し、シリコンプレートを溶融する。そうすることにより、シード基板１２とフィード基板１１とがケイ素溶融層１３を介して対向した状態となる。この状態を維持することにより、シード基板１２側からケイ素、炭素、炭化ケイ素などの原料がケイ素溶融層１３に溶出する。これにより、ケイ素溶融層１３に濃度勾配が形成される。その結果、シード基板１２の主面１２ａ上に単結晶炭化ケイ素がエピタキシャル成長し、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０が形成される。なお、ケイ素溶融層１３の厚みは、極めて薄く、例えば、１０μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。
【００３８】
（シード基板１２）
シード基板１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。具体的には、図３に示すように、本実施形態では、シード基板１２は、黒鉛からなる支持材１２ｂと、多結晶炭化ケイ素膜１２ｃとを有する。黒鉛からなる支持材１２ｂは、炭化ケイ素のエピタキシャル成長プロセスに十分に耐えることのできる高い耐熱性を有している。また、黒鉛からなる支持材１２ｂは、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０と似通った熱膨張率を有する。従って、黒鉛からなる支持材１２ｂを用いることにより、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０を好適に形成することができる。
【００３９】
なお、黒鉛の具体例としては、例えば、天然黒鉛、人造黒鉛、石油コークス、石炭コークス、ピッチコークス、カーボンブラック、メソカーボン等が挙げられる。黒鉛からなる支持材１２ｂの製造方法は、例えば、特開２００５−１３２７１１号公報に記載の製造方法などが挙げられる。
【００４０】
多結晶炭化ケイ素膜１２ｃは、支持材１２ｂの主面及び側面を覆うように形成されている。多結晶炭化ケイ素膜１２ｃは、多結晶炭化ケイ素を含む。この多結晶炭化ケイ素膜１２ｃによって、シード基板１２の表層が形成されている。なお、本実施形態における多結晶炭化ケイ素膜１２ｃは、多結晶３Ｃ−ＳｉＣを主成分として含むことが好ましく、実質的に多結晶３Ｃ−ＳｉＣからなることが好ましい。すなわち、本実施形態において、シード基板１２の表層は、多結晶３Ｃ−ＳｉＣを主成分として含むことが好ましく、実質的に多結晶３Ｃ−ＳｉＣからなることが好ましい。そうすることにより単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の成長速度を高めることができる。
【００４１】
多結晶炭化ケイ素膜１２ｃの厚みｔ１２は、３０μｍ〜８００μｍの範囲内にあることが好ましく、４０μｍ〜６００μｍの範囲内にあることがより好ましく、１００μｍ〜３００μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。多結晶炭化ケイ素膜１２ｃの厚みｔ１２が薄すぎると、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の形成時に、黒鉛からなる支持材１２ｂが露出し、支持材１２ｂからの溶出に起因して好適な単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０が得られなくなる場合がある。一方、多結晶炭化ケイ素膜１２ｃの厚
みｔ１２が厚すぎると、多結晶炭化ケイ素膜１２ｃにクラックが生じやすくなる場合がある。
【００４２】
多結晶炭化ケイ素膜１２ｃの形成方法は特に限定されない。多結晶炭化ケイ素膜１２ｃは、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や、スパッタリング法などにより形成することができる。特に、本実施形態では、多結晶炭化ケイ素膜１２ｃが多結晶３Ｃ−ＳｉＣを含むものであるため、ＣＶＤ法により緻密な多結晶炭化ケイ素膜１２ｃを容易かつ安価に形成することができる。
【００４３】
シード基板１２の表層を構成している多結晶炭化ケイ素膜１２ｃを、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析すると、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。そのＬ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値は、４ｃｍ−１以上である。
【００４４】
ところで、従来、上述のように、フィード材の自由エネルギーがシード材の自由エネルギーよりも高くなるように、フィード材及びシード材を選択する必要があり、自由エネルギーの低い３Ｃ−ＳｉＣ基板をフィード基板として用いた場合は、３Ｃ−ＳｉＣ基板をシード基板として用いることができず、４Ｈ−ＳｉＣ基板や６Ｈ−ＳｉＣ基板などの他の結晶多形を有する炭化ケイ素基板をシード基板として用いる必要があるものと考えられていた。
【００４５】
しかしながら、本発明者は、鋭意研究の結果、３Ｃ−ＳｉＣ基板のなかにも、ケイ素溶融層への溶出が生じやすいものとケイ素溶融層への溶出が生じにくいものとがあり、ケイ素溶融層への溶出が生じにくいものは、炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長のシード材として好適に用いることができることを見出した。そして、本発明者は、さらなる鋭意研究の結果、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ−１以上である場合に、ケイ素溶融層への溶出が生じにくくなることを見出した。この知見に従い、本発明者は、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ−１以上である表層を有する基板をシード基板１２として用いた。そうすることにより、表層が多結晶３Ｃ−ＳｉＣを含み、ＣＶＤ法により安価に作製できるシード基板１２を用いた際にも炭化ケイ素を好適に液相エピタキシャル成長させることができた。なお、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ−１以上である場合にケイ素溶融層への溶出が生じにくくなるのは、シード基板１２の表層における内部応力が大きくなり、表層の緻密性が高くなるためであると考えられる。
【００４６】
また、本実施形態のシード基板１２を用いた場合には、優れた特性を有する六方晶の単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長膜を形成することが可能となる。これは、シード基板１２の表層の緻密性が高くなることにより、表層の表面に露出している結晶面の多くが、六方晶の（０００１）結晶面に似た形状となり、六方晶の単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長が好適に進行するためであると考えられる。
【００４７】
なお、六方晶の単結晶炭化ケイ素の代表例としては、結晶多形が４Ｈまたは６Ｈである単結晶炭化ケイ素が挙げられる。これらの結晶多形が４Ｈまたは６Ｈである単結晶炭化ケイ素（４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ）は、他の結晶多形の炭化ケイ素と比較して、バンドギャップが広く、優れた耐熱性を有する半導体デバイスの実現が可能となるという利点を有する。
【００４８】
本実施形態において、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量が４ｃｍ−１以上であることが好ましい。
【００４９】
また、Ｌ０ピークの半値幅は、１５ｃｍ−１以下であることが好ましい。この場合、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長速度をさらに向上できる。
【００５０】
Ｌ０ピークの半値幅が１５ｃｍ−１以下である場合に、単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長速度をさらに向上できるのは、Ｌ０ピークの半値幅が小さいほど、シード基板１２の表層における多結晶炭化ケイ素の結晶性が高かったり、不純物濃度が低かったりするため、シード基板１２の表層からの溶出がさらに生じにくくなるためであると考えられる。
【００５１】
（フィード基板１１）
本実施形態においては、フィード基板１１は、シード基板１２よりもケイ素溶融層１３への溶出が生じにくいものである限りにおいて特に限定されない。このため、フィード基板１１としては、例えば、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有し、その表層の、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析により観察されるＬ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値が、４ｃｍ−１未満である基板を好適に用いることができる。
【００５２】
図２に、本実施形態のフィード基板１１の略図的断面図を示す。図２に示すように、本実施形態では、具体的には、フィード基板１１は、黒鉛からなる支持材１１ｂと、多結晶炭化ケイ素膜１１ｃとを有する。黒鉛からなる支持材１１ｂは、炭化ケイ素のエピタキシャル成長プロセスに十分に耐えることのできる高い耐熱性を有している。また、黒鉛からなる支持材１１ｂは、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０と似通った熱膨張率を有する。従って、黒鉛からなる支持材１１ｂを用いることにより、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０を好適に形成することができる。
【００５３】
なお、黒鉛の具体例としては、例えば、天然黒鉛、人造黒鉛、石油コークス、石炭コークス、ピッチコークス、カーボンブラック、メソカーボン等が挙げられる。黒鉛からなる支持材１１ｂの製造方法は、例えば、特開２００５−１３２７１１号公報に記載の製造方法などが挙げられる。
【００５４】
多結晶炭化ケイ素膜１１ｃは、支持材１１ｂの主面及び側面を覆うように形成されている。多結晶炭化ケイ素膜１１ｃは、多結晶炭化ケイ素を含む。この多結晶炭化ケイ素膜１１ｃによって、フィード基板１１の表層が形成されている。なお、多結晶炭化ケイ素膜１１ｃは、多結晶３Ｃ−ＳｉＣを主成分として含むことが好ましく、実質的に多結晶３Ｃ−ＳｉＣからなることが好ましい。すなわち、フィード基板１１の表層は、多結晶３Ｃ−ＳｉＣを主成分として含むことが好ましく、実質的に多結晶３Ｃ−ＳｉＣからなることが好ましい。そうすることにより単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の成長速度を高めることができる。
【００５５】
多結晶炭化ケイ素膜１１ｃの厚みｔ１１は、３０μｍ〜８００μｍの範囲内にあることが好ましく、４０μｍ〜６００μｍの範囲内にあることがより好ましく、１００μｍ〜３００μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。多結晶炭化ケイ素膜１１ｃの厚みｔ１１が薄すぎると、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の形成時に、黒鉛からなる支持材１１ｂが露出し、支持材１１ｂからの溶出に起因して好適な単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０が得られなくなる場合がある。一方、多結晶炭化ケイ素膜１１ｃの厚みｔ１１が厚すぎると、多結晶炭化ケイ素膜１１ｃにクラックが生じやすくなる場合がある。
【００５６】
多結晶炭化ケイ素膜１１ｃの形成方法は特に限定されない。多結晶炭化ケイ素膜１１ｃは、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や、スパ
ッタリング法などにより形成することができる。特に、本実施形態では、多結晶炭化ケイ素膜１１ｃが多結晶３Ｃ−ＳｉＣを含むものであるため、ＣＶＤ法により緻密な多結晶炭化ケイ素膜１１ｃを容易かつ安価に形成することができる。
【００５７】
フィード基板１１の表層を構成している多結晶炭化ケイ素膜１１ｃは、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析により観察されるＬ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量の絶対値が、４ｃｍ−１未満であるものである。従って、本実施形態においては、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０を高い成長速度で形成することができる。
【００５８】
なお、上記実施形態では、フィード基板１１及びシード基板１２のそれぞれが支持材１１ｂ、１２ｂと、多結晶炭化ケイ素膜１１ｃ、１２ｃとによって構成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図４に示すように、フィード基板１１は、炭化ケイ素を含む炭化ケイ素基板により構成されていてもよい。また、図５に示すように、シード基板１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む多結晶ケイ素基板により構成されていてもよい。
【００５９】
なお、炭化ケイ素基板は、例えば、黒鉛基材にＣＶＤ法により多結晶炭化ケイ素を被覆し、その後、黒鉛を機械的あるいは化学的に除去することにより作製することができる。また、炭化ケイ素基板は、黒鉛材とケイ酸ガスとを反応させて黒鉛材を炭化ケイ素に転化させることによっても作製することができる。また、炭化ケイ素基板は、炭化ケイ素粉末に焼結助剤を添加して１６００℃以上の高温で焼結させることによっても作製することができる。
【００６０】
以下、具体例に基づいて、本発明についてさらに説明するが、本発明は、以下の具体例に何ら限定されない。
【００６１】
（作製例１）
かさ密度１．８５ｇ／ｃｍ３、灰分５ｐｐｍ以下である高純度等方性黒鉛材料からなる黒鉛材（１５ｍｍ×１５ｍｍ×２ｍｍ）を基材として用いた。この基材をＣＶＤ反応装置内に入れ、ＣＶＤ法により基材上に厚み３０μｍの多結晶炭化ケイ素被膜を形成し、サンプル１を作製した。なお、原料ガスとしては、四塩化ケイ素及びプロパンガスを用いた。成膜は、常圧、１２００℃で行った。成膜速度は、３０μｍ／ｈとした。
【００６２】
（作製例２）
反応温度を１４００℃とし、成膜速度を６０μｍ／ｈとしたこと以外は、上記作製例１と同様にして黒鉛材の表面上に５０μｍの多結晶炭化ケイ素被膜を形成し、サンプル２を作製した。
【００６３】
（作製例３）
反応温度を１２５０℃とし、成膜速度１０μｍ／ｈとし、四塩化ケイ素に代えてＣＨ３ＳｉＣｌ３を用いたこと以外は、上記作製例１と同様にして黒鉛材の表面上に５０μｍの多結晶炭化ケイ素被膜を形成し、サンプル３を作製した。
【００６４】
（作製例４）
四塩化ケイ素及びプロパンガスに代えてジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）及びアセチレンを用い、反応温度を１３００℃とし、成膜速度１０μｍ／ｈとしたこと以外は、上記作製例１と同様にして黒鉛材の表面上に５０μｍの多結晶炭化ケイ素被膜を形成し、サンプル４を作製した。なお、サンプル４では、多結晶炭化ケイ素被膜の厚みは、約１ｍｍであった。
【００６５】
（ラマン分光解析）
上記作製のサンプル１〜４の表層のラマン分光解析を行った。なお、ラマン分光解析には、５３２ｎｍの励起波長を用いた。測定結果を図６に示す。
【００６６】
次に、図６に示す測定結果から、サンプル１〜４におけるＬ０ピークの９７２ｃｍ−１からのシフト量（Δω）と、Ｌ０ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）とを求めた。結果を図７に示す。
【００６７】
図７に示すように、サンプル３，４は、Δωの絶対値が４ｃｍ−１以上であり、ＦＷＨＭが７ｃｍ−１以上であった。一方、サンプル１，２は、ＦＷＨＭに関しては、サンプル３，４と同様に７ｃｍ−１以上であったが、Δωの絶対値は、４ｃｍ−１未満であった。
【００６８】
（単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長膜の成長速度評価）
上記実施形態において説明した液相エピタキシャル成長方法により、サンプル１〜４をフィード基板として用い、下記の条件で単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０を作製した。そして、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の断面を光学顕微鏡を用いて観察することにより、炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の厚みを測定した。測定された厚みを炭化ケイ素エピタキシャル成長を行った時間で除算することにより、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の成長速度を求めた。
【００６９】
結果を図８及び図９に示す。なお、図８及び図９において、縦軸は、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の成長速度であり、横軸はケイ素溶融層１３の厚み（Ｌ）の逆数（１／Ｌ）である。
【００７０】
図８及び図９に示す結果から、Δωの絶対値が４ｃｍ−１以上であったサンプル３，４を用いた場合は、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の成長速度が低かった。一方、Δωの絶対値が４ｃｍ−１未満であったサンプル１，２を用いた場合は、単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の成長速度が高かった。この結果から、Δωの絶対値を４ｃｍ−１以上とすることにより、ケイ素溶融層への溶出が生じにくくなることが分かる。
【００７１】
（単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜２０の成長速度の測定条件）
シード基板：結晶多形が４Ｈである炭化ケイ素基板
雰囲気の圧力：１０−６〜１０−４Ｐａ
雰囲気温度：１９００℃
【００７２】
（実施例）
上記作製のサンプル１をフィード基板１１として用い、上記作製のサンプル３をシード基板１２として用い、上記成長速度評価実験と同様の条件で単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長実験を行った。その後、シード基板１２としてのサンプル３の表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を撮影した。サンプル３の表面のＳＥＭ写真を図１０に示す。図１０に示す写真より、Δωの絶対値が４ｃｍ−１以上であったサンプル３をシード基板１２として用いることにより、六方晶である単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜を得ることができることが分かる。
【００７３】
（比較例）
上記作製のサンプル１をフィード基板として用い、上記作製のサンプル２をシード基板として用い、上記成長速度評価実験と同様の条件で単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長実験を行った。その後、シード基板としてのサンプル２の表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を撮影した。サンプル２の表面のＳＥＭ写真を図１１に示す。図１１に示
す写真より、Δωの絶対値が４ｃｍ−１未満であったサンプル２をシード基板として用いた場合は、ほとんどエピタキシャル成長が進行せず、かつ、六方晶である単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜が好適に得られないことが分かる。
【符号の説明】
【００７４】
１０…容器
１１…フィード基板
１１ａ…主面
１１ｂ…支持材
１１ｃ…多結晶炭化ケイ素膜
１２…シード基板
１２ａ…主面
１２ｂ…支持材
１２ｃ…多結晶炭化ケイ素膜
１３…ケイ素溶融層
２０…単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0005793817.tif 000006
【図６】
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【図７】
0005793817.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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