(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口が形成されたベース基板を有し、
複数の開口が形成され、かつ該複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に電極が設けられた基板を備える偏向器チップを、複数有し、
前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に前記偏向器チップの複数の開口が配置され、かつ複数の前記偏向器チップが前記ベース基板に沿う方向に並ぶように、固定手段により複数の前記偏向器チップが前記ベース基板に固定されることを特徴とする偏向器アレイ。
【請求項２】
前記固定手段は、電気的接続、接着、及び締結のうち少なくとも１つの方法を用いて複数の前記偏向器チップを前記ベース基板に固定することを特徴とする請求項１に記載の偏向器アレイ。
【請求項３】
複数の前記偏向器チップは、前記電極に電圧を印加するための配線部を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の偏向器アレイ。
【請求項４】
複数の前記偏向器チップは、前記電極に電圧を印加するためのドライバを備えることを特徴とする請求項３に記載の偏向器アレイ。
【請求項５】
前記ベース基板に固定される複数の偏向器チップは、同一の形状であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の偏向器アレイ。
【請求項６】
複数の前記偏向器チップの少なくとも２つは、互いに異なる取り付け角度で前記ベース基板に固定されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の偏向器アレイ。
【請求項７】
前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に複数の開口が形成された第２のベース基板を有し、
複数の開口が形成され、かつ該複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に電極が設けられた基板を備える第２の偏向器チップを、複数有し、
前記第２のベース基板の複数の開口に対応する位置に前記第２の偏向器チップの複数の開口が配置され、かつ複数の前記第２の偏向器チップが前記第２のベース基板に沿う方向に並ぶように、固定手段により複数の前記第２の偏向器チップが前記第２のベース基板に固定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の偏向器アレイ。
【請求項８】
前記ベース基板に固定される複数の偏向器チップと、前記第２のベース基板に固定される複数の第２の偏向器チップは同一の形状であり、かつ、前記偏向器チップの複数の開口のうち一部の開口には電極対が設けられておらず、
前記ベース基板に固定される偏向器チップ及び前記第２のベース基板に固定される第２の偏向器チップのいずれか一方のチップの電極対が設けられていない開口と、他方のチップの電極対が設けられた開口とが対応するように、前記ベース基板に固定される複数の前記偏向器チップと、前記第２のベース基板に固定される複数の第２の偏向器チップとが互いにずれた状態で固定されることを特徴とする請求項７に記載の偏向器アレイ。
【請求項９】
複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、複数の荷電粒子線を形成するアパーチャアレイと、
前記複数の荷電粒子線を偏向させてブランキングを行うためのブランキング偏向器アレ
イと、を備え、
前記ブランキング偏向器アレイは、
複数の開口が形成されたベース基板を有し、
複数の開口が形成され、かつ該複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に電極が設けられた基板を備える偏向器チップを、複数有し、
前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に前記偏向器チップの複数の開口が配置され、かつ複数の前記偏向器チップが前記ベース基板に沿う方向に並ぶように、固定手段により複数の前記偏向器チップが前記ベース基板に固定されることを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の荷電粒子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
その基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１１】
複数の開口と、複数の電極対とを基板に形成する工程と、
前記基板を複数のチップに分割する工程と、
複数の開口を備えたベース基板を用意する工程と、
前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に前記チップの複数の開口が配置されるように、前記複数のチップをベース基板に固定する工程と、
を備えることを特徴とする偏向器アレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置に好適に用いられる偏向器アレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の荷電粒子線を用いたマルチ荷電粒子線描画装置は、半導体プロセスのなかで、リソグラフィ工程で用いられる。このような荷電粒子線描画装置は、特許文献１に開示されている。荷電粒子線描画装置は、ブランカーアレイ（ブランキング偏向器アレイ）を備え、これは複数の荷電粒子線を個別に偏向する電極対を一枚の基板上に複数形成したものである。
【０００３】
また、特許文献２には、ブランキング偏向器アレイを構成する電極対と同一の基板に、電極対に電圧を印加するためのスイッチング素子を設けることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３５３１１３号公報
【特許文献２】特開２００８−２３５５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
マルチ荷電粒子線描画装置において、スループットを向上させるために、荷電粒子線の本数を増加させることが考えられる。
【０００６】
しかしながら、従来の荷電粒子線描画装置におけるブランキング偏向器アレイは、荷電粒子線の総数に対応する数の電極対が同一基板に形成される。そのため、荷電粒子線の本数が増加すると、ブランキング偏向器アレイの製造における歩留まりが悪くなってしまうという問題がある。特に、マルチ荷電粒子線描画装置において、ブランキング偏向器アレイを構成する複数の電極対の一部に欠陥があればパターンの描画に悪影響を与える可能性が高いため、可能な限り欠陥をなくしたブランキング偏向器アレイの製造が望まれる。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、信頼性が高い偏向器アレイを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明の偏向器アレイは、複数の開口が形成されたベース基板と、複数の開口が形成され、前記複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に設けられた複数の電極対を有する複数の偏向器チップと、を備え、前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に前記偏向器チップの複数の開口が配置されるように、前記１枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、信頼性が高い偏向器アレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態におけるマルチ荷電粒子線描画装置の構成を示した図である。
【図２】第１実施形態における偏向器チップの構成を示した図である。
【図３】第１実施形態におけるベース基板の構成を示した図である。
【図４】第１実施形態におけるブランキング偏向器アレイの構成を示した図である。
【図５】第１実施形態におけるブランキング偏向器アレイの製造工程フローである。
【図６】第２実施形態におけるベース基板の構成を示した図である。
【図７】第２実施形態におけるブランキング偏向器アレイの構成を示した図である。
【図８】第３実施形態におけるブランキング偏向器アレイの構成を示した図である。
【図９】第４実施形態におけるマルチ荷電粒子線描画装置の構成を示した図である。
【図１０】第４実施形態における偏向器チップの構成を示した図である。
【図１１】第４実施形態におけるベース基板の構成を示した図である。
【図１２】第４実施形態におけるブランキング偏向器アレイの構成を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
［第１実施形態］
図１は本発明の第１実施形態によるマルチ荷電粒子線描画装置の構成を示した図である。電子銃（荷電粒子線源）１０９はクロスオーバ１１０を形成する。１１２、１１３はクロスオーバ１１０から発散した荷電粒子線の軌道を示している。
【００１３】
クロスオーバ１１０から発散した荷電粒子線は、電磁レンズで構成されたコリメータレンズ１１１の作用により平行ビームとなり、アパーチャアレイ１１４に入射する。
【００１４】
アパーチャアレイ１１４は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、アパーチャアレイ１１４に入射した平行ビームは複数の荷電粒子線に分割される。
【００１５】
アパーチャアレイ１１４を通過した複数の荷電粒子線は、複数の円形状の開口を有した電極板（図中では、上下方向に並べられた３枚の電極板を一体で図示している）から構成される静電レンズ１１５に入射する。
【００１６】
静電レンズ１１５がクロスオーバを形成する位置に複数の開口をマトリクス状に配置したブランキングアパーチャ（遮蔽手段）１１８が配置される。静電レンズおよびコリメータレンズ１１１は、レンズ制御回路１０２からの信号に基づいて制御される。
【００１７】
このブランキングアパーチャ１１８と、マトリクス状に電極対を配置した偏向器チップ１１６を備えるブランキング偏向器アレイ１１７とを用いてブランキングを実行する。
【００１８】
ブランキング偏向器アレイ１１７は描画パターン発生回路１０３、ビットマップ変換回路１０４、ブランキング指令生成回路１０５によって生成されるブランキング信号により制御される。
【００１９】
このブランキングアパーチャ１１８を通過した荷電粒子線は、静電レンズ１２０により結像され、ウエハまたはマスクなどの基板１２２上にクロスオーバ１１０の像を結像する。
【００２０】
パターン描画中は、基板１２２はＹ方向にステージ１２３により連続的に移動し、レーザー測長器による実時間での測長結果にもとづいて、基板１２２の表面上の像が偏向器１１９でＸ方向に偏向され、かつブランキング偏向器アレイ１１７でブランキングされる。偏向器１１９は、偏光アンプ１０７を介した偏向信号発生回路１０６からの信号にもとづいて制御される。静電レンズ１２０は、レンズ制御回路１０８からの信号に基づいて制御される。これらの制御回路は、コントローラ１０１によって統括して制御される。ただし、制御システムは、上述のシステムに限られるものではない。
【００２１】
図２〜図４は、ブランキング偏向器アレイ１１７の構成を説明する図である。
図２は３×３の荷電粒子線を偏向できる偏向器チップ１１６を示す。
【００２２】
偏向器チップ１１６には、荷電粒子線が通過可能な複数の開口２０２が形成され、開口の両側に設けられた複数の電極対（電極部）２０１と、電極対を駆動するための電圧を出力するドライバ（スイッチング素子）２０４を備える。
【００２３】
加えて、偏向器チップ１１６は、ドライバ２０４を制御する制御回路２０５と、電極対と回路とを電気的に接続する配線パターン２０３（配線部）とを備える。さらに、ブランキング指令生成回路１０５からの各荷電粒子線のオンオフ信号を入力する、半田、Ｃｕ、Ａｕを基材としたバンプ、パッドなどで形成された端子２０６を備える。配線パターン２０３は、複数の電極対２０１に電圧を印加するように形成される。ドライバ２０４を偏向器チップ１１６上に搭載することは、応答性の面で有利であり、これにより高速なオンオフ信号に対応可能となる。
【００２４】
図３は、偏向器チップ１１６が固定されるベース基板２０７を示す。
【００２５】
ベース基板２０７には、複数の開口２１０が形成され、ブランキング指令生成回路１０５からの各荷電粒子線のオンオフ信号を、偏向器チップ１１６に中継する半田、Ｃｕ、Ａｕを基材としたバンプ、パッドなどで形成される端子２０８、２０９を備える。複数の開口は、複数の荷電粒子線に対応した位置（すなわち、アパーチャアレイの開口に対応する位置）に設けられ、ベース基板２０７の上面に沿う方向（例えばＸＹ方向）に配列して形成される。
【００２６】
加えて、端子２０８、２０９間を接続する配線パターン２１５を備える。破線２１１は、ブランキングチップ１１６が固定される位置を示す模式線である。ここで、ベース基板２０７の複数の開口に対応する位置に偏向器チップ１１６の複数の開口が配置されるように、１枚のベース基板２０７に対して複数の偏向器チップ１１６が並列して固定される。
【００２７】
図４（ａ）は、図３で示すベース基板２０７に図２で示す偏向器チップ１１６を固定した様子を示す。４枚の偏向器チップ１１６を固定することで、６×６の荷電粒子線のブランキング制御が可能となる。偏向器チップ１１６の上面（または下面）の面積は、ベース基板２０７の上面（または下面）の面積よりも小さくなるように構成される。本実施形態では、６×６が荷電粒子線描画装置における複数の荷電粒子線の総数である。
【００２８】
本実施例では、好適な例として、複数の偏向器チップ１１６の形状を同一としている。これにより、複数種類の形状の偏向器チップ１１６を用いる場合に比べて偏向器チップ１１６の製造歩留まりを向上させることができる。また、本実施形態では、複数の偏向器チップ１１６の取り付け角度が異なるように配置している。具体的には、図４（ａ）中の左側の偏向器チップ１１６と右側の偏向器チップ１１６とは１８０°取り付け角度が異なる。ここで、偏向器チップ１１６の端子２０６がベース基板２０７の端部側に位置するように、複数の偏向器チップを取り付けることによって、配線パターン２０３または後述する配線２１４を配置するスペースを容易に確保することができる。偏向器チップ１１６の端子２０６が隣接する偏向器チップから遠い側に位置していてもよい。
【００２９】
図４（ｂ）は、ブランキング偏向器アレイ１１７と、ブランキング指令生成回路１０５との接続の様子を示す断面図である。
【００３０】
ブランキング指令生成回路１０５からの制御信号は、シリアル化され光ファイバや電気ケーブルで構成された配線２１４により、通信処理回路２１３が構成された通信処理基板２１２に伝送される。
【００３１】
本実施形態では、シリアル化された伝送形態であるが、パラレル化された光ファイバ、電気ケーブルによる伝送形態でも構成可能である。
【００３２】
通信処理基板２１２と、ベース基板２０７の端子２０９とは、接続手段を介して接続される。本実施形態ではフリップチップ実装による接続形態であるが、配線を介したコネクタ接続、ワイヤボンディングにより接続することも可能である。
【００３３】
ベース基板２０７の端子２０８と偏向器チップ１１６の端子２０６は接続手段２１６を介して電気的に接続される。実施形態ではフリップチップ実装による接続形態であるが、配線を介したコネクタ接続、ワイヤボンディングにより接続することも可能である。また、この電気的な接続手段を介してベース基板２０７と偏向器チップ１１６を固定してもよく、別途、接着や締結などの固定手段により固定してもよい。
【００３４】
このように、分割された偏向器チップとすることで、偏向器チップを小型化することが可能となり、ブランキング偏向器アレイを一体で構成する場合に比べ、歩留まりを向上することが可能である。また、ベース基板２０７に複数の偏向器チップを固定することによって、複数の偏向器チップの位置決めが容易になり、相互の位置関係を容易に維持することが可能となる。
【００３５】
なお、本実施形態では、好適な例として荷電粒子線描画装置が１枚のみのベース基板を備え、このベース基板に対して複数の偏向器チップが固定されている。しかしながら、荷電粒子線描画装置はＸＹ平面に並列された複数のベース基板を備え、そのうちの少なくとも１枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定されていてもよい。
【００３６】
本実施形態では、３×３の開口（電極対）をもつ偏向器チップ１１６を４枚構成したブランキング偏向器アレイ１１７を示したが、偏向器アレイもしくは偏向器チップの開口（電極対）の行列段数や、偏向器チップの枚数を変更して適用する事も可能である。
【００３７】
また、本実施形態では、複数の開口（電極対）を正方行列に配置した構成を示しているが、千鳥状に偏向電極アレイを配置した構成としてもよい。
【００３８】
図５は、本実施形態におけるブランキング偏向器アレイ１１７（デバイス）の製造工程を示す。Ｓ１〜Ｓ８において偏向器チップが製造され、Ｓ９において偏向器チップ１１６を別途製造したベース基板２０７に固定する。
【００３９】
工程Ｓ１において、チップの母体（基板）にゲートが形成される。
工程Ｓ２において、母体に配線パターン（配線部）が形成される。配線パターンはリソグラフィにより形成される。配線パターンは、配線層として形成されてもよい。
工程Ｓ３において、電気特性試験が行われる。
工程Ｓ４において、例えばメッキ法により母体に複数の電極対２０１が形成される。
工程Ｓ５において、母体に複数の入力端子が形成される。
工程Ｓ６において、例えばエッチングにより、母体に複数の開口が形成される。
工程Ｓ７において、ダイシングにより母体は切断され、複数のチップに分割される。
【００４０】
これらのいずれかの工程の前または後においてドライバ２０４、制御回路２０５が母体に取り付けられる。
【００４１】
工程Ｓ８において、チップ毎に性能検査を行う。この性能検査において、欠陥のないチップが選定される。
工程Ｓ９において、性能検査で欠陥がないと判断されたチップのみを、用意されたベース基板に固定する。
【００４２】
以上の工程により、製造の過程において欠陥があった場合には欠陥があるチップのみを除外すればよいため、製造の歩留まりを向上させることができる。また、ブランキング偏向器アレイが欠陥を有する可能性が低くなるため、信頼性の高いブランキング偏向器アレイを製造することができる。
【００４３】
本実施形態において、ブランキング偏向器アレイについて説明したが、ブランキング以外の用途に用いられる偏向器アレイにも適用可能である。
【００４４】
［第２実施形態］
図６、図７（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態におけるブランキング偏向器アレイ１１７の構成を説明する図である。本実施形態は、ベース基板の構成、および配線接続の構成が第１実施形態と異なる。本実施形態において特に言及しない箇所については第１実施形態の構成と同様であるものとする。
【００４５】
図６は、偏向器チップが固定されるベース基板４０１を示す。
【００４６】
ベース基板４０１には、複数の開口４０２が設けられる。複数の開口４０２は、複数の荷電粒子線に対応した位置に設けられ、ベース基板４０１の上面に沿う方向（例えばＸＹ方向）に配列して形成される。
【００４７】
破線４０３は、偏向器チップ１１６が固定される位置を示す模式線である。ここで、ベース基板４０１の複数の開口に対応する位置に偏向器チップの複数の開口が配置されるように、１枚のベース基板４０１に対して複数の偏向器チップ１１６が並列して固定される。本実施形態において、ベース基板４０１は、第１実施形態で説明された端子２０８、２０９をもたない。
【００４８】
図７（ａ）、図７（ｂ）は、図６で示すベース基板４０１に図２で示す偏向器チップ１１６を固定した様子を示す。
【００４９】
また、第１実施形態はベース基板４０１と偏向器チップ１１６とが電気的な接続手段（バンプ、半田）で接続または固定されていたのに対して、本実施形態では、電気的な接続手段を介さずに接着剤などにより固定される。
【００５０】
ブランキング指令生成回路１０５からの制御信号は、シリアル化され光ファイバや電気ケーブルで構成された配線４０６により、通信処理回路４０５が構成された通信処理基板４０４に伝送される。
【００５１】
本実施形態では、シリアル化された伝送形態であるが、パラレル化された光ファイバ、電気ケーブルによる伝送形態でも構成可能である。
【００５２】
通信処理基板４０４と、偏向器チップ１１６の端子２０６は、接続手段４０７を介して接続される。本実施形態ではフリップチップ実装による接続形態であるが、配線を介したコネクタ接続、ワイヤボンディングにより接続することも可能である。
【００５３】
［第３実施形態］
図８は、第３実施形態におけるブランキング偏向器アレイ１１７の構成を説明する図である。先の実施形態に対し、偏向器チップ１１６のベース基板４０１に対する配置が異なる。本実施形態において特に言及しない箇所については第１実施形態の構成と同様であるものとする。
【００５４】
ベース基板５０１に対し、４つの偏向器チップを互いに９０°回転させた状態で偏向器チップ１１６に取り付ける。本実施形態により、配線の引き出し方向が左右方向、上下方向に分散することが可能である。
【００５５】
ブランキング偏向器アレイ１１７と、ブランキング指令生成回路１０５との接続形態の自由度が増し、偏向器チップを小型化することが可能となり、一体で構成する場合に比べ、歩留まりを向上することが可能である。
【００５６】
［第４実施形態］
図９は第４実施形態におけるマルチ荷電粒子線描画装置の構成を示した図である。本実施形態において特に言及しない箇所については第１実施形態の構成と同様であるものとする。電子銃６０９はクロスオーバ６１０を形成する。６１２、６１３はクロスオーバ６１０から発散した荷電粒子線の軌道を示している。
【００５７】
クロスオーバ６１０から発散した荷電粒子線は、電磁レンズで構成されたコリメータレンズ６１１の作用により平行ビームとなり、アパーチャアレイ６１４に入射する。
【００５８】
アパーチャアレイ６１４は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、入射した平行ビームは複数の荷電粒子線に分割される。
【００５９】
アパーチャアレイ６１４を通過した荷電粒子線は、複数の円形状の開口を有した３枚の電極板（図中では、上下方向に並べられた３枚の電極板を一体で図示している）から構成される静電レンズ６１５に入射する。
【００６０】
静電レンズ６１５が最初にクロスオーバ像を形成する位置に複数の開口をマトリクス状に配置したブランキングアパーチャ６１８が配置される。静電レンズおよびコリメータレンズ６１１レンズ制御回路６０２からの信号に基づいて制御される。
【００６１】
このブランキングアパーチャ６１８と、マトリクス状に電極を配置した偏向器チップ６１６を備えるブランキング偏向器アレイ６１７によりブランキングが実行される。
【００６２】
ブランキング偏向器アレイ６１７は、描画パターン発生回路６０３、ビットマップ変換回路６０４、ブランキング指令生成回路６０５によって生成されるブランキング信号により制御される。
【００６３】
ブランキングアパーチャ６１８を通過した荷電粒子線は、静電レンズ６１９に入射する。静電レンズ６１９が最初にクロスオーバを形成する位置に開口をマトリクス状に配置した第２のブランキングアパーチャ６２１が配置される。
【００６４】
ブランキングアパーチャ６２１と、マトリクス状に電極を配置した偏向器チップ６１６を備えるブランキング偏向器アレイ６２０によりブランキングが実行される。
【００６５】
ブランキング偏向器アレイ６２０は、描画パターン発生回路６０３、ビットマップ変換回路６０４、ブランキング指令生成回路６０５によって生成されるブランキング信号により制御される。
【００６６】
以上のように、第４実施形態における荷電粒子線描画装置は、２つのブランキング偏向器アレイ６１７、６２０によりブランキングを行う。つまり、複数の荷電粒子線のうち、一部の荷電粒子線を一方のブランキング偏向器アレイが偏向させ、それ以外の荷電粒子線を他方のブランキング偏向器アレイが偏向させる。このような構成により、荷電粒子線の総本数が多い場合であっても、配線のためのスペースの制限が緩和される。
【００６７】
ブランキングアパーチャ６２１を通過した荷電粒子線は、静電レンズ６２３により結像され、ウエハまたはマスクなどの基板６２４上にクロスオーバ６１０の像を結像する。
【００６８】
パターン描画中は、基板６２４はＹ方向にステージ６２５により連続的に移動する。レーザー測長器による実時間での測長結果にもとづいて基板６２４の表面上の像が偏向器６２２でＸ方向に偏向され、かつブランキング偏向器アレイ６１７、６２０でブランキングされる。偏向器６２２は、偏光アンプ６０７を介した偏向信号発生回路６０６からの信号にもとづいて制御される。静電レンズ６２３は、レンズ制御回路６０８からの信号に基づいて制御される。これらの制御回路は、コントローラ６０１によって統括して制御される。ただし、制御システムは、上述のシステムに限られるものではない。
【００６９】
図１０（ａ）〜図１２（ｂ）は、ブランキング偏向器アレイ６１７、６２０の構成を説明する図である。
【００７０】
図１０（ａ）は偏向器チップ６１６ａを示す図である。偏向器チップ６１６ａは、荷電粒子線が通過可能な複数の開口７０２、７０３が形成され、開口７０２の両側に設けられた複数の電極対７０１と、電極対を駆動するための電圧を印加するドライバ（スイッチング素子）７０５を備える。ここで、第１実施形態とは異なり、複数の電極対７０１は、複数の開口のうちの一部の開口に設けられている。本実施形態において、正方行列に配置された複数の開口に対して、複数の電極対が１列おきに設けられる。
【００７１】
加えて、偏向器チップ６１６ａは、ドライバ７０５を制御する制御回路７０６、各回路間を接続する配線パターン７０４を備える。さらに、ブランキング指令生成回路６０５からの各荷電粒子線のオンオフ信号を入力する、半田、Ｃｕ、Ａｕを基材としたバンプ、パッドなどで形成された端子７０７を備える。
【００７２】
図１１（ａ）は偏向器チップ６１６ａが固定されるベース基板７１２ａ（第１のベース基板）を示し、図１１（ｂ）は、偏向器チップ６１６ａが固定されるベース基板７１２ｂ（第２のベース基板）を示す。なお、図１１（ａ）と図１１（ｂ）とで同様の機能をもつ構成については同一の符号を用いて説明する。
【００７３】
ベース基板７１２ａ、７１２ｂには、複数の開口７１６が形成される。ベース基板は、ブランキング指令生成回路６０５からの各荷電粒子線のオンオフ信号を、偏向器チップ７０７に中継する端子７１４、７１５を備える。端子７１４、７１５は、半田、Ｃｕ、Ａｕを基材としたバンプ、パッドなどで形成される。複数の開口７１６は、複数の荷電粒子線に対応した位置（すなわち、アパーチャアレイの開口の対応する位置）に設けられ、ベース基板２０７の上面に沿う方向（例えばＸＹ方向）に配列して形成される。
【００７４】
加えて、偏向器チップ６１６ａは、端子７１４、７１５間を接続する配線パターンを備える。ここで、破線７１３は、ブランキング偏向器アレイ６１７において、偏向器チップ６１６ａが固定される位置を示す模式線である。破線７１３は、ブランキング偏向器アレイ６２０において、偏向器チップ６１６ａが固定される位置を示す模式線である。
【００７５】
図１２（ａ）はベース基板７１２ａに偏向器チップ６１６ａが固定された様子を示し、図１２（ｂ）は、ベース基板７１２ｂに偏向器チップ６１６ａが固定された様子を示す。
【００７６】
本実施形態では、偏向器チップ６１６ａの電極対を１列おきに設け、ベース基板７１２ａに固定される偏向器チップ６１６ａに対してベース基板７１２ｂに固定される偏向器チップ６１６ａを一列ずらして配置している。すなわち、ベース基板７１２ｂに固定される複数の偏向器チップは、ベース基板７１２ａに固定される複数の偏向器チップに対して少なくとも１つ以上の開口分だけずらして固定される。これにより、２枚のベース基板７１２ａ、７１２ｂに対して同一の偏向器チップ６１６ａを用いることができる。本実施形態において、正方行列に配置された複数の開口に対して、複数の電極対が１列おきに設けられるが、これに限られず、例えば、複数列おきに設けてもよい。また、ベース基板７１２ａとベース基板７１２ｂに、千鳥状の偏向器チップを固定してもよい。
【００７７】
ここで、偏向器チップの複数の開口のうち一部の開口には電極対が設けられていない。さらに、ベース基板７１２ａ、７１２ｂのいずれか一方に固定される複数の偏向器チップの電極対が設けられていない開口と、他方に固定される複数の偏向器チップの電極対が設けられた開口とが対応するよう偏向器チップは位置決めされる。ベース基板７１２ａに固定される複数の偏向器チップと、ベース基板７１２ｂに固定される複数の偏向器チップとが互いにずれた状態で固定される。
【００７８】
これにより、ブランキング偏向器アレイ６１７、６２０の製造の歩留まりを向上させることができる。また、コストの面でも有利である。
【００７９】
なお、本実施形態において、ベース基板７１２ａと端子の位置が異なるベース基板７１２ｂを用いているが、同一のベース基板を用いて、両者を互いにずらして構成することも可能である。
【００８０】
図１０（ｂ）は、第４実施形態の変形例を示す図である。変形例として、ブランキング偏向器アレイ６１７、６２０が有する偏向器チップの少なくとも一部を図１０（ｂ）の偏向器チップに置き換えた例について説明する。本実施形態では、好適な例として、ブランキング偏向器アレイ７１２ａに偏向器チップ６１６ａを固定して、ブランキング偏向器アレイ７１２ｂに偏向器６１６ｂチップを固定する。
【００８１】
偏向器チップ６１６ｂは、荷電粒子線が通過可能な複数の開口が形成され、開口の両側に設けられた複数の電極対７０１、７０８、７１０と、電極対を駆動するための電圧を印加するドライバ（スイッチング素子）７０５を備える。ここで、図１０（ａ）の偏向器チップと同様に、一列おきに配置された電極対７０１を主として使用し、電極対７０１に欠陥があった場合にのみ電極対７０８、７１０を用いるようにする。すなわち、電極対を冗長に配置することによって、電極対に欠陥が発生した場合であっても、荷電粒子線描画装置を稼働しつづけることができる。その場合、定期的なメンテナンス時に、欠陥があるブランキング偏向器アレイまたは偏向器チップを交換すればよい。これは、生産装置としてのスループットに大きく寄与する。
【００８２】
つぎに、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の荷電粒子線描画装置を使用して感光剤が塗布されたウエハにパターンを描画する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の荷電粒子線描画装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板にパターンを描画する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００８３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００８４】
２０７，４０１，５０１，７１２ａ，７１２ｂ  ベース基板
１１６，６１６ａ，６１６ｂ  偏向器チップ
１１７，６１７，６２０  ブランキング偏向器アレイ
１２２，６２４  基板
２０１，７０１，７０９，７１０  電極対
２０４，７０５  ドライバ
２０３  配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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