(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて基板を乾燥させる基板処理方法において、
チャンバー内に収容され、かつ処理槽に貯留された処理液に基板を保持した保持機構を浸漬させる搬入工程と、
前記処理槽内の処理液に基板を浸漬させて、処理液により基板を液処理する液処理工程と、
前記処理槽の液面近傍に備えられた気体供給手段から乾燥用気体を供給させつつ、前記処理槽内の処理液から基板を保持した保持機構を引き上げる搬出工程とを有し、
前記搬出工程は、
前記チャンバー内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する搬出時判断工程と、
前記搬出時判断工程における判断結果に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御する搬出時制御工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記搬出時制御工程は、陽圧及び負圧の状況に対応した乾燥用気体の供給量と基板の処理枚数との関係に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、
前記液処理工程は、
前記チャンバー内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する液処理時判断工程と、
前記液処理時判断工程における判断結果に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御する液処理時制御工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記搬入工程は、
前記チャンバー内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する搬入時判断工程と、
前記搬入時判断工程における判断結果に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御する搬入時制御工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記搬出工程の後に、前記処理槽内に貯留された処理液を排出する処理液排出工程をさらに有し、
前記処理液排出工程は、
前記チャンバー内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する処理液排出時判断工程と、
前記処理液排出時判断工程における判断結果に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御する処理液排出時制御工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対して薬液、純水等の処理液により、洗浄、エッチング等の液処理を行った後、基板を乾燥させる基板処理方法に関し、処理対象となる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用ガラス基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
従来から実施されている基板処理装置として、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の洗浄・乾燥装置がある。この種の基板処理装置は、基板に対して薬液、純水等の処理液により、洗浄、エッチング等の液処理を行った後、基板を乾燥させるためのチャンバーと、このチャンバー内に収容され、処理液を貯留する処理槽と、複数枚の基板の下端を支持し、処理槽の内部と処理槽の上方位置（基板乾燥位置）とにわたって昇降可能に構成されたリフタと、処理槽の液面近傍に備えられ、水平方向に向けて、ドライエア等の乾燥用気体を供給するための供給部とを備えている（例えば、特許文献１〜特許文献４参照）。
【０００３】
このように構成された基板処理装置では、以下のような基板処理方法が実施されている。まず、例えば、純水を貯留している処理槽にリフタを下降させて基板を純水に浸漬させ、次いで、処理槽にフッ化水素酸を混合してエッチング用の処理液を生成する。そして、所定時間の処理の後に、純水を供給してフッ化水素酸を含む処理液を純水で置換する。純水によるリンス処理を所定時間行った後、ノズルから乾燥用気体を供給させつつ複数枚の基板を一括して支持したリフタを上昇させる。これにより、処理液の液面から引き上げられる基板をドライエアにより乾燥させる。なお、ドライエアを生成しているドライエア供給装置は、低露点のドライエアを生成するのに長時間を要するので、常時作動されているのが一般的である。その関係上、エッチング用の処理液による処理が行われている際にも供給部からはドライエアが供給されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−７８１９０号公報
【特許文献２】特開２００８−２１０８８２号公報
【特許文献３】特開２００９−１９３９９９号公報
【特許文献４】特開２０１０−２３８７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来からの基板処理装置では、パーティクル等のゴミをチャンバー内に持ち込まないために、チャンバー内を陽圧にしておく必要があり、通常チャンバー内は陽圧状態に制御されている。しかしながら、このようにチャンバー内を陽圧にしていると、種々の要因でチャンバー内の圧力が変動することがある。特に、複数枚の基板を保持したリフタを処理槽から基板乾燥位置へ引き上げる際に、リフタに保持されている基板の枚数や基板の位置により、チャンバー内の負荷が変動し、場合によってはチャンバー内が負圧になってしまうことがある。このようにチャンバー内が負圧になってしまうと、基板にパーティクル等が付着する恐れがある。
【０００６】
また、チャンバー内の圧力環境が大きく変化すると、この圧力環境の変化が原因で、基
板の処理に悪影響を及ぼしてしまう恐れがある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御することにより、基板へのパーティクル等の付着を防止し、基板の処理環境を一様に制御できる基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて基板を乾燥させる基板処理方法において、チャンバー内に収容され、かつ処理槽に貯留された処理液に基板を保持した保持機構を浸漬させる搬入工程と、前記処理槽内の処理液に基板を浸漬させて、処理液により基板を液処理する液処理工程と、前記処理槽の液面近傍に備えられた気体供給手段から乾燥用気体を供給させつつ、前記処理槽内の処理液から基板を保持した保持機構を引き上げる搬出工程とを有し、前記搬出工程が、前記チャンバー内を陽圧にすべきか負圧にすべきかを判断する搬出時判断工程と、前記搬出時判断工程における判断結果に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御する搬出時制御工程とを有することを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記搬出時制御工程が、陽圧及び負圧の状況に対応した乾燥用気体の供給量と基板の処理枚数との関係に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御することを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、前記液処理工程が、前記チャンバー内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する液処理時判断工程と、前記液処理時判断工程における判断結果に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御する液処理時制御工程とを有することを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理方法において、前記搬入工程が、前記チャンバー内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する搬入時判断工程と、前記搬入時判断工程における判断結果に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御する搬入時制御工程とを有することを特徴とするものである。
【００１２】
さらに、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板処理方法において、前記搬出工程の後に、前記処理槽内に貯留された処理液を排出する処理液排出工程をさらに有し、前記処理液排出工程が、前記チャンバー内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する処理液排出時判断工程と、前記処理液排出時判断工程における判断結果に基づいて、前記気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御する処理液排出時制御工程とを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る基板処理装置によれば、チャンバー内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断し、その判断結果に基づいて、気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御しているので、基板へのパーティクル等の付着を防止し、基板の処理環境を一様に制御できるという顕著な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る基板処理方法を実施する基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】基板処理装置の一連の処理動作を示すフローチャートである。
【図３】待機動作の具体的な処理工程示すフローチャートである。
【図４】基板搬入動作の具体的な処理工程示すフローチャートである。
【図５】基板処理動作の具体的な処理工程示すフローチャートである。
【図６】基板搬出動作の具体的な処理工程示すフローチャートである。
【図７】処理液排出動作の具体的な処理工程示すフローチャートである。
【図８】基板の処理枚数とドライエアの供給量との関係を示す図である。
【図９】リフタの引き上げスピードとインバータの立ち上げスピードとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面に基づいて、本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る基板処理方法を実施する基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１６】
この基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、起立姿勢とされ、かつ水平方向に配列された複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。処理槽１の底部には、複数枚の基板Ｗが整列されている方向（紙面方向）に沿って長軸を有し、処理槽１内へ処理液を供給するための二本の噴出管７が配設されている。各噴出管７には、基板Ｗの整列方向に沿って複数個の噴出孔が形成されている。
【００１７】
各噴出管７には、供給管９の下流の一端側が接続され、供給管９の上流の他端側は、図示しない処理液供給源に連通接続されている。供給管９は、フッ化水素酸（ＨＦ）等の薬液や、純水などを処理液として処理槽１へ供給する。
【００１８】
処理槽１は、その周囲がチャンバー１１で囲われている。チャンバー１１は、上部に開閉自在の上部カバー１３を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１５は、チャンバー１１の上方にあたる「待機位置」と、処理槽１の内部にあたる「処理位置」と、処理槽１の上方であってチャンバー１１の内部にあたる「乾燥位置」の３ポジションとにわたって移動可能である。
【００１９】
処理槽１の底部には、排出口１７が形成されている。この排出口１７には、ＱＤＲ弁１９が取り付けられている。このＱＤＲ弁１９を開放して排出口１７から処理槽１内の処理液を排出すると、処理液がチャンバー１１内の底部に一旦排出される。チャンバー１１の底部には排液弁２１が取り付けられており、排液弁２１が開放されると、チャンバー１１の底部に排出された処理液が外部に排出される。
【００２０】
チャンバー１１のうち、処理槽１の上縁一方側には、乾燥用気体としてのドライエアを供給するための気体供給部２３が配設されている。また、処理槽１を挟んで気体供給部２３と対向する位置であって、処理槽１の上縁他方側には、ドライエアを排出するための気体排出部２５が配設されている。気体供給部２３は、処理槽１に貯留している処理液の液面近傍に開口するように、ドライエアを噴出する噴射口２７を備え、気体排出部２５は、ドライエアをチャンバー１１外へ排出するための排出口２９を処理槽１側に備えている。
【００２１】
上述した気体供給部２３には、上流の一端側がドライエア供給装置３１に連通接続された供給配管３３の他端側が連通接続されている。ドライエア供給装置３１は、低露点に調整した空気をドライエアとして供給する。その供給量は、ドライエア供給装置３１内に内蔵されたインバータ（図示省略）によって調整される。インバータは、気体供給部２３へのドライエアの供給量を調整する他、気体供給部２３へのドライエアを全て一般排気へ供
給して、気体供給部２３へのドライエアの供給を停止する機能を備えている。なお、気体供給部２３及び供給配管３３並びに気体排出部２５は、薬液雰囲気の耐性を考慮して、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などのエンジニアリングプラスチックス製や、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）やテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）などのフッ素樹脂製とするのが好ましい。
【００２２】
また、気体排出部２５には、電動ダンパ３７が配設されている。この電動ダンパ３７は、気体排出部２５から排出されるドライエアの流量を調整するために用いられる。
【００２３】
処理槽１の側壁の一部位には、処理槽１内に貯留している純水の比抵抗を測定するための比抵抗計３９が配設されている。この比抵抗計３９は、測定の開始を指示された後、順次に測定した比抵抗値を出力信号ＳＲ１として制御部４５へ出力する。
【００２４】
また、チャンバー１１は、内部の気体を排出するための排気管４１を備えている。この排気管４１は、流量制御弁４３を備えており、この流量制御弁４３の開閉動作等によってチャンバー１１からの気体の排気流量が調整される。
【００２５】
チャンバー１１の側壁の一部位には、チャンバー１１内の圧力を測定するための圧力計４７が配設されている。この圧力計４７は、測定の開始を指示された後、順次に測定した圧力値を出力信号ＳＲ２として制御部４５へ出力する。
【００２６】
制御部４５は、上述した上部カバー１３の開閉動作や、リフタ１５の昇降、ＱＤＲ弁１９及び排液弁２１の開閉動作、電動ダンパ３７の開度などの制御を行う。また、制御部４５は、圧力計４７からの出力信号ＳＲ２に応じて、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量の制御等を行う。
【００２７】
次に、図２〜図９を参照して、上述した基板処理装置を使用した本発明に係る基板処理方法の実施形態について説明する。なお、図２は、基板処理装置の一連の処理動作を示すフローチャートである。
【００２８】
ここでは、処理対象である基板Ｗの表面には、既に酸化膜（ＳｉＯ２）が被着されているものとする。また、純水を供給管９から処理槽１に供給し、その後、フッ化水素酸（ＨＦ）を注入してエッチングを行い、次いで純水だけを供給してリンスを行った後にドライエアを供給しつつ、リフタ１５に保持された基板Ｗを処理槽１から引き上げる、基板Ｗの洗浄及び引き上げ乾燥を例に採って説明する。なお、初期状態では、ＱＤＲ弁１９は閉止され、排液弁２１は開放されているものとする。また、上部カバー１３は閉塞された状態である。
【００２９】
まず、図２に示す待機動作を実施する（ステップＳ１）。図３は、待機動作の具体的なを処理工程を示すフローチャートである。まず、制御部４５は、供給管９から処理液としての純水を処理槽１に供給させる（ステップＳ１１）。処理槽１を溢れた純水は、チャンバー１１の底部に回収される。次に、圧力計４７により、チャンバー１１内の圧力値を測定する（ステップＳ１２）。圧力計４７により測定された圧力値に基づいて、制御部４５は、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する（ステップＳ１３）。なお、圧力計４７により測定された基準となる圧力値を基本データとして、比抵抗値、ウエハマッピング情報、リフタ１５の位置情報、各弁の状態、処理レシピ等に基づいて、チャンバー１１内の汚染を防止したい場合、チャンバー１１内を陽圧にする。一方、圧力計４７により測定された基準となる圧力値等に基づいて、チャンバー１１内の雰囲気の拡散防止をしたい場合、チャンバー１１内を負圧にする。
【００３０】
ステップＳ１３において、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ１４）。一方、ステップＳ１３において、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開放する（ステップＳ１５）。ステップＳ１４またはステップＳ１５のそれぞれの工程が終了すると、制御部４５は、インバータを通常モードに戻し、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３をともに開放させた状態（通常モード）にする（ステップＳ１６）。以上により、待機動作が終了する。
【００３１】
待機動作（ステップＳ１）が終了すると、次に図２に示すように、基板搬入動作を実施する（ステップＳ２）。図４は、基板搬入動作の具体的な処理工程を示すフローチャートである。まず、制御部４５は、上部カバー１３を開放する（ステップＳ２１）。次に、圧力計４７により、チャンバー１１内の圧力値を測定する（ステップＳ２２）。このとき、圧力計４７により測定された基準となる圧力値を基本データとして、比抵抗値、ウエハマッピング情報、リフタ１５の位置情報、各弁の状態、処理レシピ等に基づいて、制御部４５は、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する（ステップＳ２３）。
【００３２】
ステップＳ２３において、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ２４）。一方、ステップＳ２３において、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放する（ステップＳ２５）。ステップＳ２４またはステップＳ２５のそれぞれの工程が終了すると、起立姿勢で複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１５は、チャンバー１１の上方にあたる「待機位置」から処理槽１の内部にあたる「処理位置」へ移動する（ステップＳ２６）。これにより、リフタ１５に保持された複数枚の基板Ｗが、処理槽１内に貯留された処理液内に浸漬される。ステップＳ２６が終了すると、制御部４５はインバータを通常モードに戻し、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３をともに開放させた状態（通常モード）にする（ステップＳ２７）。最後に、制御部４５は、上部カバー１３を閉塞する（ステップＳ２８）。以上により、基板搬入動作が終了する。
【００３３】
基板搬入動作（ステップＳ２）が終了すると、次に図２に示すように、基板処理動作を実施する（ステップＳ３）。図５は、基板処理動作の具体的な処理工程示すフローチャートである。まず、基板Ｗを処理液に浸漬させた状態で、圧力計４７により、チャンバー１１内の圧力値を測定する（ステップＳ３１）。このとき、圧力計４７により測定された基準となる圧力値を基本データとして、比抵抗値、ウエハマッピング情報、リフタ１５の位置情報、各弁の状態、処理レシピ等に基づいて、制御部４５は、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する（ステップＳ３２）。
【００３４】
ステップＳ３２において、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ３３）。一方、ステップＳ３２において、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放する（ステップＳ３４）。ステップＳ３３及びステップＳ３４のそれぞれの工程が終了すると、設定された時間基板Ｗが処理液により処理されたか否かが判断される（ステップＳ３５）。設定された時間だけ基板Ｗが処理液により処理された場合、制御部４５は、インバータを通常モードに戻し、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３をともに開放させた状態（通常モード）にする（ステップＳ３６）。以上により、基板処理動作が終了する。
【００３５】
基板処理動作（ステップＳ３）が終了すると、次に図２に示すように、基板搬出動作を実施する（ステップＳ４）。図６は、基板搬出動作の具体的な処理工程を示すフローチャートである。まず、基板Ｗを処理液に浸漬させた状態で、圧力計４７により、チャンバー１１内の圧力値を測定する（ステップＳ４１）。このとき、圧力計４７により測定された基準となる圧力値を基本データとして、比抵抗値、ウエハマッピング情報、リフタ１５の位置情報、各弁の状態、処理レシピ等に基づいて、制御部４５は、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する（ステップＳ４２）。
【００３６】
ステップＳ４２において、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ４３）。一方、ステップＳ４２において、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開放する（ステップＳ４４）。
【００３７】
このステップＳ４３とステップＳ４４においては、インバータの調整により制御されているドライエアの供給量は、リフタ１５に保持された基板の枚数に関連付けられて設定されている。図８は、基板の処理枚数とドライエアの供給量との関係を示す図である。図中グラフの縦軸はドライエアの供給量（リットル／分）、横軸は基板の枚数を示している。図８に示すように、基板の処理枚数が多いほど、ドライエアの供給量を増加させるように制御されている。なお、ステップＳ４３の陽圧の場合の方が、ステップＳ４４の負圧の場合よりも、基板の処理枚数とドライエアの供給量との関連性を示す直線の傾きが大きい。
【００３８】
また、このステップＳ４３とステップＳ４４においては、インバータの立ち上げスピードは、リフタの引き上げスピードに関連付けられて設定されている。図９は、インバータの立ち上げスピードとリフタの引き上げスピードとの関連性を示す図である。図中グラフの縦軸はインバータの立ち上げスピード、すなわちステップＳ４３またはステップＳ４４を実行するときのインバータの出力周波数の初期値（Ｈｚ）、横軸は基板の引き上げスピード（ｍｍ／秒）を示している。図９に示すように、ステップＳ４３とステップＳ４４のいずれの場合にも、リフタの引き上げスピードが速いほど、インバータの立ち上げスピードを速く（インバータの出力周波数を大きく）するように制御されている。
【００３９】
ステップＳ４３またはステップＳ４４のそれぞれの工程が終了すると、起立姿勢で複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１５は、処理槽１の内部にあたる「処理位置」から処理槽１の上方であってチャンバー１１の内部にあたる「乾燥位置」へ移動する。このとき、ドライエア供給装置３１から供給されるドライエアにより、リフタ１５に保持された基板Ｗは乾燥させられる（ステップＳ４５）。ステップＳ４５が終了すると、制御部４５は、インバータは通常モードに戻し、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３ともに開放させた状態（通常モード）にする（ステップＳ４６）。次に制御部４５は、上部カバー１３を開放する（ステップＳ４７）。
【００４０】
ステップＳ４７において、上部カバー１３が開放すると、起立姿勢で複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１５は、処理槽１の上方であってチャンバー１１の内部にあたる「乾燥位置」からチャンバー１１の上方にあたる「待機位置」へ移動し、基板Ｗをチャンバー１１
から搬出する（ステップＳ４８）。最後に、制御部４５は、上部カバー１３を閉塞する（ステップＳ４９）。以上により、基板搬出動作が終了する。
【００４１】
基板搬出動作（ステップＳ４）が終了すると、図２に示すように、処理液排出動作を実施する（ステップＳ５）。図７は、処理液排出動作の具体的な処理工程を示すフローチャートである。まず、制御部４５はＱＤＲ弁１９を開き、排水を開始する（ステップＳ５１）。そして、圧力計４７により、チャンバー１１内の圧力を測定する（ステップＳ５２）。このとき、圧力計４７により測定された基準となる圧力値を基本データとして、比抵抗値、ウエハマッピング情報、リフタ１５の位置情報、各弁の状態、処理レシピ等に基づいて、制御部４５はチャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかを判断する（ステップＳ５３）。
【００４２】
ステップＳ５３において、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ５４）。一方、ステップＳ５３において、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開放する（ステップＳ５５）。次に、制御部４５はＱＤＲ弁１９を開き、排水を開始する（ステップＳ５６）。ステップＳ５６が終了すると、制御部４５は、インバータを通常モードに戻し、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３をともに開放させた状態（通常モード）にする（ステップＳ５７）。以上により、処理液排出動作が終了し、一連の基板処理動作が終了する。
【００４３】
以上説明したように、この実施の形態の基板処理方法では、ステップＳ４の基板搬出動作において、制御部４５は、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかの搬出時判断（ステップＳ４２）を行っている。そして、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ４３）搬出時制御を行う。一方、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放する（ステップＳ４４）搬出時制御を行う。その結果、ステップＳ４の基板搬出動作において、基板Ｗへのパーティクル等の付着を防止し、基板Ｗの処理環境を一様に制御できるという顕著な効果がある。
【００４４】
また、この実施の形態の基板処理方法では、このステップＳ４３とステップＳ４４においては、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータの調整により制御されているドライエアの供給量は、リフタ１５に保持された基板の枚数に関連付けられて設定されているので、リフタに保持されている基板の枚数や基板の位置によるチャンバー内の負荷の変動が基板に与える影響を抑制できる。
【００４５】
また、この実施の形態の基板処理方法では、ステップＳ３の基板処理動作において、制御部４５は、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかの液処理時判断（ステップＳ３２）を行っている。そして、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ３３）液処理時制御を行う。一方、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放する（ステップＳ３４）液処理時制御を行う。その結果、ステップＳ３の基板処理動作において、基板Ｗへのパーティクル等の付着を防止し、基板Ｗの処理環境を一様に制御できるという顕著な効果がある。
【００４６】
また、この実施の形態の基板処理方法では、ステップＳ２の基板搬入動作において、制御部４５は、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかの搬入時判断（ステップＳ２３）を行っている。そして、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ２４）搬入時制御を行う。一方、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放する（ステップＳ２５）搬入時制御を行う。その結果、ステップＳ２の基板搬入動作において、基板Ｗへのパーティクル等の付着を防止し、基板Ｗの処理環境を一様に制御できるという顕著な効果がある。
【００４７】
また、この実施の形態の基板処理方法では、ステップＳ５の排水動作において、制御部４５は、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかの処理液排出時判断（ステップＳ５３）を行っている。そして、チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口を絞る（ステップＳ５４）処理液排出時制御を行う。一方、チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵されたインバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放する（ステップＳ５５）処理液排出時制御を行う。その結果、ステップＳ５の排水動作において、基板Ｗへのパーティクル等の付着を防止し、基板Ｗの処理環境を一様に制御できるという顕著な効果がある。
【００４８】
本発明は、上記実施の形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４９】
上述した実施の形態では、電動ダンパ３７によって乾燥用気体を気体供給部２３と一般排気とに切り換えたが、これを三方弁と流量制御弁とで構成してもよい。
【００５０】
また、上述した実施の形態では、処理槽１が単体の槽で構成されているが、内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備える複槽としてもよい。
【００５１】
さらに、上述した実施の形態では、薬液としてフッ化水素酸を例にとって説明したが、それ以外の薬液、例えば、硫酸及び過酸化水素水や、塩酸、燐酸などの薬液であっても同様の効果を奏する。
【符号の説明】
【００５２】
１  チャンバー
１５  リフタ
２３  気体供給部
３１  ドライエア供給装置
３３  供給配管
４５  制御部
４７  圧力計
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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