(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と第２の主面とを有する絶縁基板と、前記第１の主面に形成されており、表面が電解錫めっき層で被覆された複数の第１の主面側の接続パッドと、前記第２の主面に形成されており、前記第１の接続パッドに電気的に接続されているとともに表面が電解ニッケルめっき層および電解金めっき層で順次被覆された複数の第２の主面側の接続パッドとを具備して成る配線基板の製造方法であって、前記第１の主面と第２の主面とに前記第１の主面側の接続パッドと前記第２の主面側の接続パッドとを互いに電気的に接続された状態で形成するとともに、前記第２の主面のみに前記第１および第２の主面側の接続パッドを電気的に共通に接続するめっき導通線をその一部が露出するように形成する工程と、前記第２の主面側の接続パッドを露出させるとともに前記第１の主面側の接続パッドおよび前記めっき導通線を被覆する第１のめっきマスクを前記第１および第２の主面に形成した状態で前記めっき導通線を介して電解めっきのための電荷を供給することによって前記第２の主面側の接続パッドの表面に電解ニッケルめっき層および電解金めっき層を選択的に順次被着する工程と、前記第１の主面側の接続パッドを露出させるとともに前記第２の主面側の接続パッドおよび前記めっき導通線を被覆する第２のめっきマスクを前記第２の主面のみに形成した状態で前記めっき導通線を介して電解めっきのための電荷を供給することによって前記第１の主面側の接続パッドの表面に電解錫めっき層を選択的に被着する工程と、前記めっき導通線の前記一部を露出させるとともに前記第１の主面側の接続パッドおよび前記第２の主面側の接続パッドを被覆するエッチングマスクを前記第１および第２の主面に形成した状態で前記めっき導通線の前記一部をエッチング除去する工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するため等に用いられる配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、図７（ａ），（ｂ）に示すように、下面外周部に電極端子Ｔがペリフェラル配置された半導体素子Ｓをフリップチップ接続により搭載する配線基板２０は、多数のスルーホール１２を有する樹脂系絶縁材料から成る絶縁基板１１の上面から下面にかけて銅から成る複数の配線導体１３を被着させて成るとともに、さらにその上下面に配線導体１３の一部を露出させるようにしてソルダーレジスト層１４が被着されている。
【０００３】
配線基板２０の上面中央部には、半導体素子Ｓを搭載するための搭載部が設けられており、この搭載部には半導体素子Ｓの電極Ｔと接続するための多数の半導体素子接続パッド１５が配線導体１３の一部により形成されている。そして、この半導体素子接続パッド１５上に半導体素子Ｓの電極Ｔを当接させるとともに、両者間を半田を介して接続することにより半導体素子Ｓが配線基板２０に搭載される。
【０００４】
また、配線基板２０の下面は、外部の電気回路基板と接続するための外部接続面となっており、この外部接続面には外部の電気回路基板と接続するための多数の外部接続パッド１６が配線導体１３の一部により形成されている。そして、この外部接続パッド１６と外部電気回路基板とを半田を介して接続することにより配線基板２０が外部の電気回路基板に実装される。
【０００５】
ところで、このような配線基板２０においては、半導体素子接続パッド１５の酸化を防止するとともに半導体素子Ｓの電極Ｔとの接続を良好なものとするために、半導体素子接続パッド１５の露出表面に錫めっき層１７を被着させておく場合がある。また、外部接続パッド１６の酸化を防止するとともに外部電気回路基板との接続を良好なものとするために外部接続パッド１６の露出表面にニッケルめっき層と金めっき層とを順次被着させたニッケル−金めっき層１８を被着させておく場合がある。
【０００６】
このように、半導体素子接続パッド１５の表面に錫めっき層１７を被着させるとともに外部接続パッド１６の表面にニッケル−金めっき層１８を被着させるには、従来より電解めっき法が採用されている。
【０００７】
ここで、従来の配線基板２０において、半導体素子接続パッド１５の表面に錫めっき層１７を電解めっき法により被着させるとともに外部接続パッド１６の表面にニッケル−金めっき層１８を電解めっき法により被着させる方法を図８〜１３を参照して説明する。
【０００８】
まず、図８（ａ）に示すように、配線基板２０となる製品領域Ｘがその周囲に捨て代領域Ｙを介して多数一体的に配列形成されて成る配線基板用パネル２０Ｐを準備する。各製品領域Ｘには、上面に半導体素子接続パッド１５を形成しておくとともに下面に外部接続パッド１６を形成しておく。なお、図８〜図１３においては、簡便のため、１個の製品領域Ｘおよびその周囲の捨て代領域Ｙを部分的に示している。
【０００９】
配線基板用パネル２０Ｐには、図１０に示すように、絶縁基板１１の上面における製品領域Ｘの配線導体１３のいくつかから捨て代領域Ｙに延びるとともに捨て代領域Ｙにおいて電気的に共通に接続された銅から成るめっき導通線１９を設けておく。捨て代領域Ｙにおけるめっき導通線１９は、ソルダーレジスト層１４から完全に露出させる。また、製品領域Ｘにおける異なる配線導体１３同士のいくつかをめっき導通線１９により接続しておき、そのめっき導通線１９の一部をソルダーレジスト層１４に設けた開口部１４ａから露出させておく。
【００１０】
さらに、図１１に示すように、絶縁基板１１の下面においても同様に、製品領域Ｘの配線導体１３のいくつかから捨て代領域Ｙに延びるとともに捨て代領域Ｙにおいて電気的に共通に接続された銅から成るめっき導通線１９を設けておく。捨て代領域Ｙにおけるめっき導通線１９は、ソルダーレジスト層１４から完全に露出させる。また、製品領域Ｘにおける異なる配線導体１３同士のいくつかをめっき導通線１９により接続しておき、そのめっき導通線１９の一部をソルダーレジスト層１４に設けた開口部１４ａから露出させておく。
【００１１】
製品領域Ｘにおける各半導体素子接続パッド１５と外部接続パッド１６とは、所定のもの同士がスルーホール１２を介して電気的に接続されており、互いに接続された半導体素子接続パッド１５と外部接続パッド１６のうちの一方をめっき導通線１９により電気的に共通に接続することによって、全ての半導体素子接続パッド１５および外部接続パッド１６が電気的に電気的に共通に接続される。
【００１２】
次に、図８（ｂ）に示すように、配線基板用パネル２０Ｐの上下面に、第１のめっきマスクＭ１を形成する。第１のめっきマスクＭ１は、配線基板用パネル２０Ｐの上面の全面を被覆するとともに、下面におけるめっき導通線１９のソルダーレジスト層１４からの露出部を被覆するようにする。これにより、製品領域Ｘにおける外部接続パッド１６のみが選択的に露出することとなる。
【００１３】
次に、図８（ｃ）に示すように、第１のめっきマスクＭ１から露出する外部接続パッド１６の表面に電解めっき法によりニッケルめっき層および金めっき層を順次被着してニッケル−金めっき層１８を形成する。なお、この場合、めっき導通線１９を介して電解めっきのための電荷を各外部接続パッド１６に供給することによって電解めっきを行なう。このとき、第１のめっきマスクＭ１で被覆された半導体素子接続パッド１５およびめっき導通線１９には、ニッケル−金めっき層１８は被着されない。
【００１４】
次に、図８（ｄ）に示すように、第１のめっきマスクＭ１を除去する。これにより外部接続パッド１６にのみにニッケル−金めっき層１８が被着された配線基板用パネル２０Ｐが得られる。
【００１５】
次に、図８（ｅ）に示すように、配線基板用パネル２０Ｐの上下面に、第２のめっきマスクＭ２を形成する。第２のめっきマスクＭ２は、配線基板用パネル２０Ｐの下面の全面を被覆するとともに、上面におけるめっき導通線１９のソルダーレジスト層１４からの露出部を被覆するようにする。また、半導体素子接続パッド１５を露出させるようにする。これにより、製品領域Ｘにおける半導体素子接続パッド１５のみが選択的に露出することとなる。
【００１６】
次に、図９（ｆ）に示すように、第２のめっきマスクＭ２から露出する半導体素子接続パッド１５の表面に電解めっき法により錫めっき層１７を被着形成する。この場合、めっき導通線１９を介して電解めっきのための電荷を各半導体素子接続パッド１５に供給することによって電解めっきを行なう。このとき、第２のめっきマスクＭ２で被覆された外部接続パッド１６およびめっき導通線１９には、錫めっき層１７は被着されない。
【００１７】
次に、図９（ｇ）に示すように、第２のめっきマスクＭ２を除去する。これにより外部接続パッド１６にニッケル−金めっき層１８が被着されているとともに半導体素子接続パッド１５に錫めっき層１７が被着された配線基板用パネル２０Ｐが得られる。このとき、めっき導通線１９の露出部には、ニッケル−金めっき層１８も錫めっき層１７も被着されておらず、銅がむき出しの状態となっている。
【００１８】
次に、図９（ｈ）に示すように、配線基板用パネル２０Ｐの上下面に、エッチングマスクＭ３を形成する。エッチングマスクＭ３は、半導体素子接続パッド１５および外部接続パッド１６を被覆するとともに、ソルダーレジスト層１４から露出するめっき導通線１９を露出させるようにする。
【００１９】
次に、図９（ｉ）に示すように、エッチングマスクＭ３から露出するめっき導通線１９をエッチング除去する。これにより、図１２および図１３に示すように、各半導体素子接続パッド１５および外部接続パッド１６の所定のもの同士が電気的に独立されることとなる。
【００２０】
最後に、図９（ｊ）に示すように、エッチングマスクＭ３を除去し、その後、配線基板用パネル２０Ｐを各製品領域Ｘの境界に沿って切断することによって図７に示したような配線基板２０が得られる。なお、めっきマスクＭ１，Ｍ２やエッチングマスクＭ３は、感光性を有するドライフィルムレジストを配線基板用パネル２０Ｐの上下面に圧着するとともに、それをフォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光および現像することによって形成される。
【００２１】
しかしながら、このような従来の配線基板２０の製造方法によると、第２のめっきマスクＭ２を形成する際、図１４に要部拡大断面図で示すように、第２のめっきマスクＭ２におけるソルダーレジスト層１４との接合部から電解錫めっきの析出を阻害する成分がマスクＭ２を形成するための現像液により溶出して、その溶出した成分がめっきスクＭ２近傍の半導体素子接続パッド１５に付着し、その結果、半導体素子接続パッド１５への錫めっき層１７の被着が阻害されてしまい、錫めっき層１７を全ての半導体素子接続パッド１５に良好に被着させることが困難となる場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】特開２０１０−１０３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
本発明が解決しようとする課題は、配線基板の一方の主面に形成された第１の接続パッドに錫めっき層を電解めっき法により被着させるとともに、配線基板の他方の主面に形成された第２の接続パッドにニッケルめっき層および金めっき層を電解めっき法により順次被着させる場合に、第１の接続パッドに錫めっき層を良好に被着させることが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の配線基板の製造方法は、第１の主面と第２の主面とを有する絶縁基板と、前記第１の主面に形成されており、表面が電解錫めっき層で被覆された複数の第１の主面側の接続パッドと、前記第２の主面に形成されており、前記第１の主面側の接続パッドに電気的に接続されているとともに表面が電解ニッケルめっき層および電解金めっき層で順次被覆された複数の第２の主面側の接続パッドとを具備して成る配線基板の製造方法であって、前記第１の主面と第２の主面とに前記第１の主面側の接続パッドと前記第２の主面側の接続パッドとを互いに電気的に接続された状態で形成するとともに、前記第２の主面のみに前記第１および第２の主面側の接続パッドを電気的に共通に接続するめっき導通線をその一部が露出するように形成する工程と、前記第２の主面側の接続パッドを露出させるとともに前記第１の主面側の接続パッドおよび前記めっき導通線を被覆するめっきマスクを前記第１および第２の主面に形成した状態で前記めっき導通線を介して電解めっきのための電荷を供給することによって前記第２の主面側の接続パッドの表面に電解ニッケルめっき層および電解金めっき層を選択的に順次被着する工程と、前記第１の主面側の接続パッドを露出させるとともに前記第２の主面側の接続パッドおよび前記めっき導通線を被覆するめっきマスクを前記第２の主面のみに形成した状態で前記めっき導通線を介して電解めっきのための電荷を供給することによって前記第１の主面側の接続パッドの表面に電解錫めっき層を選択的に被着する工程と、前記めっき導通線の前記一部を露出させるとともに前記第１の主面側の接続パッドおよび前記第２の主面側の接続パッドを被覆するエッチングマスクを前記第１および第２の主面に形成した状態で前記めっき導通線の前記一部をエッチング除去する工程とを行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の配線基板の製造方法によれば、第１の主面に形成された第１の主面側の接続パッドおよび第２の主面に形成された第２の主面側の接続パッドを電気的に共通に接続するめっき導通線を第２の主面のみに形成し、次に、第１の主面側の接続パッドを露出させるとともに第２の主面側の接続パッドおよびめっき導通線を被覆するめっきマスクを第２の主面のみに形成した状態でめっき導通線を介して電解めっきのための電荷を供給することによって第１の主面側の接続パッドの表面に電解錫めっき層を選択的に被着することから、第２の主面にめっきマスクを形成する際に、第２の主面に形成されためっきマスクから電解錫めっきの析出を阻害する成分が溶出したとしても、その溶出した成分は反対側の第１の主面側の接続パッドまで到達することはない。したがって、めっきマスクから溶出した成分が第１の主面側の接続パッドにおける電解錫めっき層の被着を阻害することはなく、その結果、第１の主面側の接続パッドに錫めっき層を良好に被着させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板の例を示す概略断面図および上面図である。
【図２】図２は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図３】図３は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図４】図４は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明するための下面図である。
【図５】図５は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明するための上面図である。
【図６】図６は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態例を説明すめための下面図である。
【図７】図７は、従来の配線基板の製造方法により製造される配線基板の例を示す概略断面図および上面図である。
【図８】図８は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図９】図９は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。
【図１０】図１０は、従来の配線基板の製造方法を説明するための上面図である。
【図１１】図１１は、従来の配線基板の製造方法を説明するための下面図である。
【図１２】図１２は、従来の配線基板の製造方法を説明するための上面図である。
【図１３】図１３は、従来の配線基板の製造方法を説明するための下面図である。
【図１４】図１４は、従来の配線基板の製造方法における問題点を説明するための要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
次に、本発明の配線基板の製造方法を添付の図面を参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）は、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板１０を示す断面図および上面図であり、図中、１は絶縁基板、３は配線導体、４はソルダーレジスト層、５は半導体素子接続パッド、６は外部接続パッド、７は電解錫めっき層、８は電解ニッケル−金めっき層である。
【００２８】
図１に示すように、本発明による配線基板１０は、多数のスルーホール２を有する絶縁基板１の上面から下面にかけて複数の配線導体３を被着させて成るとともに、さらにその上下面に配線導体３の一部を露出させるようにしてソルダーレジスト層４が被着されている。絶縁基板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料により形成されている。また、配線導体３は、銅箔や銅めっき層等の銅により形成されている。さらにソルダーレジスト層４は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化ケイ素等の無機絶縁フィラーを分散させた電気絶縁材料により形成されている。
【００２９】
配線基板１０の上面中央部には、半導体素子Ｓを搭載するための搭載部が設けられており、この搭載部には半導体素子Ｓの電極Ｔと接続するための多数の半導体素子接続パッド５が配線導体３の一部により形成されている。そして、この半導体素子接続パッド５上に半導体素子Ｓの電極Ｔを当接させるとともに、両者間を半田を介して接続することにより半導体素子Ｓが配線基板１０に搭載される。
【００３０】
また、配線基板１０の下面は、外部の電気回路基板と接続するための外部接続面となっており、この外部接続面には外部の電気回路基板と接続するための多数の外部接続パッド６が配線導体３の一部により形成されている。そして、この外部接続パッド６と外部電気回路基板とを半田を介して接続することにより配線基板１０が外部の電気回路基板に実装される。
【００３１】
なお、この配線基板１０においては、半導体素子接続パッド５の酸化を防止するとともに半導体素子Ｓの電極Ｔとの接続を良好なものとするために、半導体素子接続パッド５の露出表面に錫めっき層７が電解めっき法により被着されている。また、外部接続パッド６の酸化を防止するとともに外部電気回路基板との接続を良好なものとするために外部接続パッド６の露出表面にニッケルめっき層と金めっき層とを順次被着させたニッケル−金めっき層８が電解めっき法により被着されている。
【００３２】
ここで、この配線基板１０において、半導体素子接続パッド５の表面に錫めっき層７を電解めっき法により被着させるとともに外部接続パッド６の表面にニッケル−金めっき層８を電解めっき法により被着させる方法を図２〜図６を参照して説明する。
【００３３】
まず、図２（ａ）に示すように、配線基板１０となる製品領域Ｘがその周囲に捨て代領域Ｙを介して多数一体的に配列形成されて成る配線基板用パネル１０Ｐを準備する。各製品領域Ｘには、上面に半導体素子接続パッド５を形成しておくとともに下面に外部接続パッド６を形成しておく。また、各半導体素子接続パッド５と外部接続パッド６とは、所定のもの同士がスルーホール２を介して互いに電気的に接続するようにしておく。なお、図２〜図６においては、簡便のため、１個の製品領域Ｘおよびその周囲の捨て代領域Ｙを部分的に示している。
【００３４】
また、配線基板用パネル１０Ｐには、図４に示すように、絶縁基板１の下面における製品領域Ｘの配線導体３のいくつかから捨て代領域Ｙに延びるとともに捨て代領域Ｙにおいて電気的に共通に接続された銅から成るめっき導通線９を設けておく。捨て代領域Ｙにおけるめっき導通線９はソルダーレジスト４から完全に露出させる。また、製品領域Ｘにおける異なる配線導体３同士のいくつかをめっき導通線９により接続しておき、そのめっき導通線９の一部をソルダーレジスト層４に設けた開口部４ａから露出させておく。
【００３５】
他方、図５に示すように、絶縁基板１の上面においては、めっき導通線９は設けないでおく。この場合、製品領域Ｘにおける各半導体素子接続パッド５と外部接続パッド６とは、所定のもの同士がスルーホール２を介して電気的に接続されており、外部接続パッド６を下面側のめっき導通線９により電気的に共通に接続することによって、全ての半導体素子接続パッド５および外部接続パッド６が電気的に共通に接続される。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示すように、配線基板用パネル１０Ｐの上下面に、第１のめっきマスクＭ１を形成する。第１のめっきマスクＭ１は、配線基板用パネル１０の上面の全面を被覆するとともに、下面におけるめっき導通線９のソルダーレジスト層４からの露出部を被覆するようにする。これにより、製品領域Ｘにおける外部接続パッド６のみが選択的に露出することとなる。なお、第１のめっきマスクＭ１は、感光性を有するドライフィルムレジストを配線基板用パネル１０Ｐの上下面に真空プレスにより熱圧着するとともに、周知のフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。
【００３７】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１のめっきマスクＭ１から露出する外部接続パッド６の表面に電解めっき法によりニッケルめっき層および金めっき層を順次被着してニッケル−金めっき層８を形成する。なお、この場合、めっき導通線９を介して電解めっきのための電荷を各外部接続パッド６に供給することによって電解めっきを行なう。このとき、第１のめっきマスクＭ１で被覆された半導体素子接続パッド５およびめっき導通線９には、ニッケル−金めっき層８は被着されない。
【００３８】
次に、図２（ｄ）に示すように、第１のめっきマスクＭ１を除去する。これにより外部接続パッド６にのみにニッケル−金めっき層８が被着された配線基板用パネル１０Ｐが得られる。なお、第１のめっきマスクＭ１の除去は、アルカリ性の剥離液を用いて第１のめっきマスクＭ１を剥離することにより行なう。
【００３９】
次に、図２（ｅ）に示すように、配線基板用パネル１０Ｐの下面のみに、第２のめっきマスクＭ２を形成する。第２のめっきマスクＭ２は、配線基板用パネル１０の下面の全面を被覆するようにする。これにより、外部接続パッド６およびめっき導通線９が第２のめっきマスクＭ２により被覆されるとともに半導体素子接続パッド５のみが選択的に露出することとなる。なお、第２のめっきマスクＭ２は、感光性を有するドライフィルムレジストを配線基板用パネル１０Ｐの下面に真空プレスにより熱圧着するとともに、周知のフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。このとき、配線基板用パネル１０Ｐの下面に形成された第２のめっきマスクＭ２から電解錫めっきの析出を阻害する成分が溶出したとしても、その溶出した成分は配線基板用パネル１０Ｐの上面側に形成された半導体素子接続パッド５まで到達することはない。したがって、半導体素子接続パッド５の表面に電解錫めっき７を良好に被着することが可能となる。
【００４０】
次に、図３（ｆ）に示すように、第２のめっきマスクＭ２から露出する半導体素子接続パッド５の表面に電解めっき法により錫めっき層７を被着形成する。この場合、めっき導通線９を介して電解めっきのための電荷を各半導体素子接続パッド５に供給することによって電解めっきを行なう。このとき、第２のめっきマスクＭ２は、配線基板用パネル１０の下面側のみに形成されており、この第２のめっきマスクＭ２から電解錫めっきの析出を阻害する成分が溶出していたとしても、その成分は配線基板用パネル１０Ｐの上面側に形成された半導体素子接続パッド５には付着していないことから、第２のめっきマスクＭ２から溶出した成分が半導体素子接続パッド５における電解錫めっき層７の被着を阻害することはない。したがって、本発明によれば、半導体素子接続パッド５に錫めっき層７を良好に被着させることができる。なお、第２のめっきマスクＭ２で被覆された外部接続パッド６およびめっき導通線９には、錫めっき層７は被着されない。
【００４１】
次に、図３（ｇ）に示すように、第２のめっきマスクＭ２を除去する。これにより外部接続パッド６にニッケル−金めっき層８が被着されているとともに半導体素子接続パッド５に錫めっき層７が被着された配線基板用パネル１０Ｐが得られる。このとき、めっき導通線９には、ニッケル−金めっき層８も錫めっき層７も被着されておらず、銅がむき出しの状態となっている。なお、第２のめっきマスクＭ２の除去は、アルカリ性の剥離液を用いて第２のめっきマスクＭ２を剥離することにより行なう。
【００４２】
次に、図３（ｈ）に示すように、配線基板用パネル１０Ｐの上下面に、エッチングマスクＭ３を形成する。エッチングマスクＭ３は、半導体素子接続パッド５および外部接続パッド６を被覆するとともに、ソルダーレジスト層４から露出するめっき導通線９を露出させるようにする。なお、エッチングマスクＭ３は、感光性を有するドライフィルムレジストを配線基板用パネル１０Ｐの上下面に真空プレスにより熱圧着するとともに、周知のフォトリソグラフィー技術を採用して露光および現像することにより形成される。
【００４３】
次に、図３（ｉ）に示すように、エッチングマスクＭ３から露出するめっき導通線９をエッチング除去する。これにより、図６に示すように、外部接続パッド６の所定のもの同士が電気的に独立されることとなる。
【００４４】
最後に、図３（ｊ）に示すように、エッチングマスクＭ３を除去し、その後、配線基板用パネル１０Ｐを各製品領域Ｘの境界に沿って切断することによって図１に示したような配線基板１０が得られる。なお、エッチングマスクＭ３の除去は、アルカリ性の剥離液を用いてエッチングマスクＭ３を剥離することにより行なう。
【符号の説明】
【００４５】
１    絶縁基板
５    半導体素子接続パッド（第１の接続パッド）
６    外部接続パッド（第２の接続パッド）
７    電解錫めっき層
８    電解ニッケルめっき層および電解金めっき層
９    めっき導通線
Ｍ１  第１のめっきマスク
Ｍ２  第２のめっきマスク
Ｍ３  エッチングマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図６】
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