(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑剤層とをこの順序で有する磁気記録媒体であって、
前記保護層が、炭素または窒化炭素からなり、
前記潤滑剤層が、前記保護層上に接して形成されており、下記一般式（１）に示す化合物Ａと、下記一般式（２）に示す化合物Ｂとを含み、前記化合物Ｂに対する前記化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内であり、前記潤滑剤層の平均膜厚が０．８ｎｍ〜２ｎｍであり、
前記化合物Ａの平均分子量が１５００〜１８００の範囲内であり、
前記化合物Ｂの平均分子量が１０００〜１７００の範囲内であることを特徴とする磁気記録媒体。
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（１）
（一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙのカッコ内は、この順に、または逆に、またはランダムにつなげて良い（ｘ、ｙは、それぞれ０〜１５の実数である。）。））
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（２）
（一般式（２）中、ｍは整数である。）
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブなどの磁気記録再生装置に好適に用いられる磁気記録媒体およびこれを備えた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
磁気記録媒体としては、磁気記録媒体用の基板上に、情報を記録する磁性層と、カーボン等で形成された保護層と、潤滑剤層とをこの順序で形成したものがある。
保護層は、磁性層に記録された情報を保護するとともに、磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの摺動性を高めるものである。しかし、磁性層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分には得られない。
【０００３】
このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成し、磁気記録媒体の耐久性を向上させている。潤滑剤層を設けることにより、磁気記録再生装置の磁気ヘッドと保護層とが直接接触することを防止できる。また、潤滑剤層を設けることにより、磁気記録媒体と、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドとの摩擦力が著しく低減される。また、潤滑剤層は、周囲の環境から侵入した不純物によって、磁気記録媒体の磁性層等が腐食されるのを防ぐ役割を有する。
【０００４】
従来、磁気記録媒体の潤滑剤層に使用される潤滑剤として、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤や脂肪族炭化水素系潤滑剤などがある。
例えば、特許文献１には、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｐ−（ＣＦ２Ｏ）ｑ−ＣＨ２ＯＨ（ｐ、ｑは整数。）の構造をもつパーフロロアルキルポリエーテルの潤滑剤を炭素保護膜上に塗布した磁気記録媒体が開示されている。
【０００５】
特許文献２には、ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ−（Ｃ２Ｆ４Ｏ）ｐ−（ＣＦ２Ｏ）ｑ―ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２―ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（ｐ、ｑは整数。）で表されるパーフロロアルキルポリエーテル（テトラオール）よりなる潤滑剤を塗布した磁気記録媒体が開示されている。
【０００６】
特許文献３には、ホスファゼン化合物と、パーフルオロオキシアルキレン単位を有する化合物とを特定の範囲で混合した潤滑剤層を有する磁気記録媒体が記載されている。また、特許文献３には、この潤滑剤層は、保護層との結合力が高く、かつ、保護層の層厚を下げた場合にも高い被覆率が得られることが開示されている。
【０００７】
特許文献４には、Ｒ１−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ３で示される化合物を含有する潤滑剤が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６２−６６４１７号公報
【特許文献２】特開平９−２８２６４２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０８５８３号公報
【特許文献４】特開２０１３−１６３６６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
磁気記録再生装置においては、より一層記録密度を向上させて、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。この要求に対応するためには、磁気記録媒体の潤滑剤層の厚みを、より一層薄くすることが好ましい。しかし、潤滑剤層の厚さを薄くすると、潤滑剤層に隙間が形成されやすくなる。その結果、保護層の表面を被覆している潤滑剤層の被覆率が低下する。被覆率の低い潤滑剤層の隙間から、潤滑剤層の下層に汚染物質を生成させる環境物質が侵入すると、環境物質によってイオン性不純物などの磁気記録媒体を汚染する汚染物質が生成されてしまう。
【００１０】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、十分に薄い厚みの潤滑剤層によって、保護層の表面が高い被覆率かつ高い結合性で被覆されている磁気記録媒体およびこれを具備する磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記課題を解決するために、以下に示すように鋭意検討した。
すなわち、潤滑剤層の材料として用いられる化合物は、その分子構造中に含まれるＯＨ基の数が多い程、炭素等で形成されている保護層との結合性が高いことが知られている。そのため、従来、潤滑剤層に用いられる化合物に含まれるＯＨ基の数は、２個、４個、６個、８個と増加していく傾向にあった。
【００１２】
しかしながら、本発明者らが検討した結果、化合物中におけるＯＨ基の数を増加させると、ＯＨ基同士の相互作用によって、この化合物を含む潤滑剤層を有する磁気記録媒体の表面エネルギーが高まることが明らかになった。また、化合物中のＯＨ基の数を増やすと、化合物の分子量が高まる傾向がある。このため、化合物を含む潤滑剤の粘性が高くなって潤滑剤の塗布性が低下し、潤滑剤を塗布して形成された潤滑剤層がアイランド状または網目状となる傾向が高まってしまう。
【００１３】
そこで本発明者は、潤滑剤層の材料を最適化するために、磁気記録媒体の表面エネルギーに着目して検討した。すなわち、従来、磁気記録媒体の表面に形成された潤滑剤層の被覆性を評価する手法としては、磁性層上に潤滑剤層を形成して高温高湿環境下でのコロージョン耐性を評価する等の間接的な方法しかなかった。これは、磁気記録媒体の潤滑剤層の厚さは１ｎｍ程度と薄く、直接的な解析が困難であったためである。そして、このことは潤滑剤層の材料の最適化を困難にしていた。これに対し、本願発明者は、磁気記録媒体の表面におけるトータルの表面エネルギー（以下「γｔｏｔａｌ」という場合がある。）を計算により求め、γｔｏｔａｌの十分に低い潤滑剤層を形成すればよいことを見出した。
【００１４】
この表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）は、潤滑剤層と保護層との結合性を表すパラメータをγＡＢとし、潤滑剤の被覆性を表すパラメータをγＬＷとすると、それらの合計値（γｔｏｔａｌ＝γＡＢ＋γＬＷ（γｔｏｔａｌ、γＡＢ、γＬＷの単位はｍＪ／ｍ２である。））として示すことができる。γＡＢ、γＬＷは、例えば、The  Measurement  of  Surface  Energy  of  Polymers  by  Means  of  Contact  Angles  of  Liquids  on  Solid  Surfaces（２００４，Finn  Knut  Hansen，University  of  Oslo）に記載の方法により算出できる。γＡＢが低いほど結合性が高いことを示し、γＬＷが低いほど被覆性が高いことを示す。
【００１５】
したがって、γＡＢおよびγＬＷが低い（すなわち、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低い）潤滑剤層であるほど、厚さが薄くてもアイランド状または網目状となりにくく、保護層の表面に対する高い被覆性および結合性を有する。
【００１６】
本発明者は、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）の低い潤滑剤層の得られる材料について検討を重ねた。その結果、下記一般式（１）に示す化合物Ａと下記一般式（２）に示す化合物Ｂとを、所定の割合で含有する所定の膜厚のものとすることで、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）の十分に低い潤滑剤層が得られることを見出した。そして、このような潤滑剤層が、保護層の表面に対する高い被覆性および結合性を有していることを確認し、以下に示す本発明を完成するに至った。
【００１７】
［１］  非磁性基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑剤層とをこの順序で有する磁気記録媒体であって、前記保護層が、炭素または窒化炭素からなり、前記潤滑剤層が、前記保護層上に接して形成されており、下記一般式（１）に示す化合物Ａと、下記一般式（２）に示す化合物Ｂとを含み、前記化合物Ｂに対する前記化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内であり、前記潤滑剤層の平均膜厚が０．８ｎｍ〜２ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１８】
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（１）
（一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基である。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙのカッコ内は、この順に、または逆に、またはランダムにつなげて良い（ｘ、ｙは、それぞれ０〜１５の実数である。）。）、または−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−（ｚは１〜１５の実数である。）、または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、である（ｎは０〜４の実数である。）。）
【００１９】
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ  ‥‥（２）
（一般式（２）中、ｍは整数である。）
【００２０】
［２］  前記化合物Ａの平均分子量が１５００〜１８００の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
［３］  前記化合物Ｂの平均分子量が１０００〜１７００の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【００２１】
［４］  ［１］〜［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドからの記録再生信号の処理を行う記録再生信号処理部と、を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の磁気記録媒体は、保護層上に接して形成されている潤滑剤層が、上記一般式（１）に示す化合物Ａと上記一般式（２）に示す化合物Ｂとを、所定の割合で含有する所定の膜厚のものである。このため、十分に薄い厚みの潤滑剤層によって、保護層の表面が高い被覆率かつ高い結合性で被覆されている磁気記録媒体となる。
【００２３】
したがって、本発明の磁気記録媒体では、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が潤滑剤層の隙間から侵入することが防止され、環境物質に起因する磁気記録媒体の汚染が防止される。よって、本発明の磁気記録媒体は、耐環境性に優れ、安定した磁気記録再生特性を有する。
また、本発明の磁気記録媒体は、十分に薄い厚みの潤滑剤層を有するものであるので、さらなる記録密度の向上に対応可能しうるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の磁気記録媒体および磁気記録再生装置について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。
はじめに、本発明の磁気記録媒体において、炭素または窒化炭素からな保護層上に接して形成されている潤滑剤層について説明する。
【００２６】
「潤滑剤層」
本発明者は、上述したように、潤滑剤層の材料の最適化に関して、磁気記録媒体の表面エネルギーに着目して検討した。そして、磁気記録媒体の表面におけるトータルの表面エネルギーであるγｔｏｔａｌ（γｔｏｔａｌ＝γＡＢ＋γＬＷ）を低減できる潤滑剤層について検討した。
【００２７】
γＡＢは、Ｌｅｗｉｓ  ａｃｉｄ−ｂａｓｅの相互作用から成り立つ表面エネルギーである。γＡＢにより、保護層および潤滑剤層に存在する電子の均衡状態を見積もることが出来る。一般的に、保護層（Ｌｅｗｉｓ  ｂａｓｅ）は電子のｄｏｎｏｒであり、潤滑剤層（Ｌｅｗｉｓ  ａｃｉｄ）は電子のａｃｃｅｐｔｏｒである。γＡＢの値が低いということは、保護層と潤滑剤層との相互作用が十分に発揮されている状態であるといえる。したがって、γＡＢの値が低いということは、潤滑剤層と保護層との結合性が高いと考えることができる。
【００２８】
γＬＷは、ロンドン分散力またはＤｉｐｏｌｅ−Ｄｉｐｏｌｅ量子論からなるファンデルワールス力を示す表面エネルギーである。γＬＷにより、潤滑剤層を形成している化合物の分散性を見積もることが出来る。γＬＷの値が低いということは、潤滑剤層の被覆性が十分に発揮されている状態であるといえる。したがって、γＬＷの値が低いということは、保護層の露出を妨げる効果が高い（被覆率が高い）と考えることができる。
【００２９】
γＡＢ、γＬＷは次の手順で算出した。先ず、３種類の溶媒（溶媒Ａ、溶媒Ｂ、溶媒Ｃ）を用いて、磁気記録媒体の保護層上の接触角を測定した。
接触角は公知の方法で測定できる。すなわち、磁気記録媒体の保護層表面に一定量の溶媒を滴下し、一定時間経過後の水滴と保護層表面とのなす角度を接触角計で測定する。
なお、本願発明では、溶媒Ａとして水、溶媒Ｂとしてヨウ化メチレン（Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｉｏｄｉｄｅ）、溶媒Ｃとしてエチレングリコール（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｇｌｙｃｏｌ）を使用した。溶媒Ａを用いた場合の接触角をθＡ、溶媒Ｂを用いた場合の接触角をθＢ、溶媒Ｃを用いた場合の接触角をθＣとした。
【００３０】
γＡＢ、γＬＷの算出に用いる式、パラメータは下記のとおりである。
下記の式において「γ１＋」などの符号における数字の１は、溶媒のパラメータであることを示し、「γ２＋」などの符号における数字の２は潤滑剤のパラメータであることを示す。また、「γ１＋」などの符号における「＋」はＶａｎ  Ｏｓｓの方法の電子受容性の寄与を示すパラメータであることを示し、「γ１−」などの符号における「−」はＶａｎ  Ｏｓｓの方法の電子供与性の寄与を示すパラメータであることを示す。
γｔｏｔａｌ、γＡＢ、γＬＷは、γ１、γ１ＬＷ、γ１＋、γ１−が公知である溶媒Ａ〜溶媒Ｃを用いて、下記の連立方程式を解くことにより求めた。
【００３１】
γＡＢ＝２（γ１＋γ２−）１／２＋２（γ１−γ２＋）１／２
γＬＷ＝２（γ１ＬＷγ２ＬＷ）１／２
γ１Ａ（１＋ＣＯＳθＡ）＝２（γ１ＡＬＷγ２ＬＷ）１／２＋２（γ１Ａ＋γ２−）１／２＋２（γ１Ａ−γ２＋）１／２
γ１Ｂ（１＋ＣＯＳθB）＝２（γ１BＬＷγ２ＬＷ）１／２＋２（γ１B＋γ２−）１／２＋２（γ１B−γ２＋）１／２
γ１C（１＋ＣＯＳθC）＝２（γ１CＬＷγ２ＬＷ）１／２＋２（γ１C＋γ２−）１／２＋２（γ１C−γ２＋）１／２
【００３２】
水：γ１Ａ＝７２．８、γ１ＡＬＷ＝２１．８、γ１Ａ＋＝２５．５、γ１Ａ−＝２５．５
ヨウ化メチレン：γ１Ｂ＝５０．８、γ１ＢＬＷ＝５０．８、γ１Ｂ＋＝０、γ１Ｂ−＝０
エチレングリコール：γ１Ｃ＝４８．０、γ１ＣＬＷ＝２９．０、γ１Ｃ＋＝１．９２、γ１Ｃ−＝４７．０
【００３３】
本実施形態の磁気記録媒体の潤滑剤層は、上記の方法により算出した磁気記録媒体の表面におけるトータルの表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が２６．０ｍＪ／ｍ２以下のものである。トータルの表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）は、２５．０ｍＪ／ｍ２以下であることが好ましく、２４．０ｍＪ／ｍ２以下であることがより好ましい。表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が２６．０ｍＪ／ｍ２以下であると、保護層の表面が高い被覆率かつ高い結合性で潤滑剤層に被覆された磁気記録媒体となる。
【００３４】
本実施形態の磁気記録媒体の潤滑剤層は、上記一般式（１）に示す化合物Ａと、上記一般式（２）に示す化合物Ｂとを含む。表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）の低い潤滑剤層を得るには、潤滑剤層に含まれる化合物中におけるＯＨ基同士の相互作用を抑制する必要がある。このため、本実施形態では、化合物Ａおよび化合物Ｂとして、分子構造中に含まれるＯＨ基の数が３個のものを用いる。また、化合物Ａおよび化合物Ｂは、分子構造中に含まれるＯＨ基の数が３個であるため、ＯＨ基の数が４個以上である化合物と比較して、好ましい分子量を有する化合物となりやすい。したがって、化合物Ａおよび化合物Ｂを含む潤滑剤を塗布して形成した潤滑剤層が、アイランド状または網目状となりにくく、好ましい。しかも、潤滑剤層が化合物Ａおよび化合物Ｂを含むことにより、ＯＨ基の数が１個または２個以上である化合物を用いる場合と比較して、保護層との結合性が高い潤滑剤層が得られる。
【００３５】
上記一般式（１）に示す化合物Ａは、主に、保護層の表面における潤滑剤層の被覆率に寄与する。潤滑剤層が化合物Ａを含むことにより、γＬＷの値が低くなり、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低くなりやすくなる。
一般式（１）に示す化合物Ａとしては、平均分子量が１５００〜１８００の範囲内であるものが好ましい。化合物Ａの平均分子量が上記範囲内であると、化合物Ａおよび化合物Ｂを含む潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する場合に、十分に粘性が低く塗布しやすい潤滑剤が得られるため、好ましい。
【００３６】
一般式（１）に示す化合物Ａは、例えば、特許文献４に開示されているように、片方の末端に水酸基を有し、他方の末端にヒドロキシアルキル基を有する直鎖フルオロポリエーテルと、エポキシ基を有するフェノキシ化合物とを反応させることにより得られる。
【００３７】
上記一般式（１）に示す化合物Ａの市販のものとして、例えば、ＭＯＲＥＳＣＯ社製のＡＲＴ−１（商品名）を用いることができる。ＡＲＴ−１は、一般式（１）中のＲ１が炭素数１のアルコキシ基であり、Ｒ２が−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−であって、平均分子量が１５００〜１８００となるようにｘ、ｙが調整されたものである。
【００３８】
上記一般式（２）に示す化合物Ｂは、主に、保護層と潤滑剤層との結合力に寄与する。潤滑剤層が化合物Ｂを含むことにより、γＡＢの値が低くなり、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低くなりやすくなる。
一般式（２）に示す化合物Ｂとしては、平均分子量が１０００〜１７００の範囲内であるものが好ましい。化合物Ｂの平均分子量が上記範囲内であると、化合物Ａおよび化合物Ｂを含む潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成する場合に、十分に粘性の低い塗布しやすい潤滑剤が得られるため、好ましい。
【００３９】
一般式（２）に示す化合物Ｂの市販のものとして、例えば、ＭＯＲＥＳＣＯ社製のＤ３ＯＨ（ｓ）（製品名）などを用いることができる。Ｄ３ＯＨ（ｓ）は、一般式（２）中のｍの値が、平均分子量が１０００〜１７００の範囲内となるように調整されたものである。
【００４０】
本実施形態の磁気記録媒体の潤滑剤層は、一般式（２）に示す化合物Ｂに対する一般式（１）に示す化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内のものであり、０．２５〜２．３の範囲内であることが好ましい。質量比（Ａ／Ｂ）を０．２〜３．０の範囲内とすることにより、保護層の表面が潤滑剤層によって、高い被覆率かつ高い結合性で被覆されたものとなる。
【００４１】
質量比（Ａ／Ｂ）が３．０を超えると、化合物Ｂが不足するため、潤滑剤層がアイランド状となりやすくなり、保護層の被覆率が不十分になる。また、質量比（Ａ／Ｂ）が０．２未満になると、化合物Ａが不足するため、潤滑剤層が網目状となりやすくなり、保護層と潤滑剤層との結合力が不十分になる。
【００４２】
潤滑剤層は、平均膜厚は、０．８ｎｍ（８Å）〜２ｎｍ（２０Å）の範囲内とされており、１ｎｍ〜１．９ｎｍの範囲内であることが好ましい。潤滑剤層の平均膜厚を０．８ｎｍ以上とすることにより、潤滑剤層がアイランド状または網目状とならず、潤滑剤層によって、保護層の表面を均一の膜厚で高い被覆率で被覆できる。潤滑剤層の平均膜厚が厚いほど、γＡＢおよびγＬＷの値が低くなるため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ）が低くなる。したがって、潤滑剤層の平均膜厚が厚いほど、潤滑剤層によって、保護層の表面が高い被覆率かつ高い結合性で被覆される。また、潤滑剤層の平均膜厚を２ｎｍ以下とすることにより、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくして、磁気記録媒体の記録密度を高くすることができる。
【００４３】
「磁気記録媒体」
以下に、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態である磁気記録媒体の一例を示す断面模式図である。
図１に示すように、本実施形態の磁気記録媒体１１は、非磁性基板１上に、磁性層２と保護層３と潤滑剤層４とがこの順序で積層されたものである。
【００４４】
本実施形態においては、非磁性基板１と磁性層２との間に、密着層と軟磁性下地層とシード層と配向制御層とがこの順序で積層されている場合を例に挙げて説明する。密着層、軟磁性下地層、シード層、配向制御層は、必要に応じて設けられるものであり、これらのうちの一部または全部は設けられていなくてもよい。
【００４５】
非磁性基板１としては、Ａｌなどの金属材料、またはＡｌ合金などの合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成されたものなどを用いることができる。また、非磁性基板１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなるものを用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成したものを用いてもよい。
【００４６】
密着層は、非磁性基板１と密着層上に設けられる軟磁性下地層とを接して配置した場合における非磁性基板１の腐食の進行を防止するものである。密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択できる。密着層の厚みは、密着層を設けることによる効果が十分に得られるように２ｎｍ以上であることが好ましい。
密着層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００４７】
軟磁性下地層は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性下地層は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性下地層がＡＦＣ結合した構造を有していることにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。
【００４８】
軟磁性下地層の膜厚は、１５〜８０ｎｍの範囲であることが好ましく、２０〜５０ｎｍの範囲であることが更に好ましい。軟磁性下地層の膜厚が１５ｎｍ未満であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができず、書き込みが不十分となり、記録再生特性が悪化する恐れがあるため、好ましくない。一方、軟磁性下地層の膜厚が８０ｎｍを超えると、生産性が著しく低下するため好ましくない。
【００４９】
第１および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなるものであることが好ましい。第１および第２軟磁性膜がＣｏＦｅ合金からなるものである場合、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現できる。また、第１および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れか１種以上を添加することが好ましい。これにより、第１および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、軟磁性下地層上に形成されるシード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性下地層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００５０】
シード層は、その上に設けられる配向制御層および磁性層２の配向および結晶サイズを制御する。シード層が設けられていることにより、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分が大きくなるとともに、磁性層２の磁化の方向がより強固に非磁性基板１と垂直な方向に固定される。
【００５１】
シード層は、ＮｉＷ合金からなるものであることが好ましい。シード層がＮｉＷ合金からなるものである場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
シード層の膜厚は、２〜２０ｎｍの範囲であることが好ましい。シード層の膜厚が２ｎｍ未満であると、シード層を設けたことによる効果が十分に得られない場合がある。一方、シード層の膜厚が２０ｎｍを超えると、結晶サイズが大きくなるために好ましくない。
シード層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。
【００５２】
配向制御層は、磁性層２の配向が良好なものとなるように制御するものである。配向制御層は、Ｒｕ又はＲｕ合金からなるものであることが好ましい。
配向制御層の膜厚は、５〜３０ｎｍの範囲であることが好ましい。配向制御層の膜厚を３０ｎｍ以下とすることで、磁気ヘッドと軟磁性下地層との間の距離が小さくなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。また、配向制御層の膜厚を５ｎｍ以上とすることで、磁性層２の配向を良好に制御できる。
【００５３】
配向制御層は、１層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。配向制御層が複数層からなるものである場合、全ての配向制御層が同じ材料からなるものであってもよいし、少なくとも一部が異なる材料からなるものであってもよい。
配向制御層は、スパッタリング法により形成できる。
【００５４】
磁性層２は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。磁性層２は、ＣｏとＰｔを含むものであり、更にＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどを含むものであってもよい。
磁性層２に含有される酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２などが挙げられる。
【００５５】
磁性層２は、１層からなるものであってもよいし、組成の異なる複数層からなるものであってもよい。
例えば、磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造のものであることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましい。その中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２などを好適に用いることができる。
【００５６】
第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
第１磁性層が上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００５７】
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造のものであることが好ましい。
また、第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造のものであることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、又は結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。
【００５８】
磁性層２の厚みは、５〜２５ｎｍとすることが好ましい。磁性層２の厚みが上記未満であると、十分な再生出力が得られず、熱揺らぎ特性も低下する。また、磁性層２の厚さが上記範囲を超えた場合には、磁性層２中の磁性粒子の肥大化が生じ、記録再生時におけるノイズが増大し、信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）や記録特性（ＯＷ）に代表される記録再生特性が悪化するため好ましくない。
【００５９】
磁性層２が複数層からなるものである場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層２が第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
【００６０】
磁性層の間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の元素を表す。）などを好適に用いることができる。
【００６１】
磁性層の間に設けられる非磁性層としては、酸化物、金属窒化物、又は金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２などを用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴａＮ、ＣｒＮなどを用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣなどを用いることができる。
【００６２】
磁性層の間に設けられる非磁性層の厚みは、０．１〜１ｎｍとすることが好ましい。非磁性層の厚みを上記の範囲とすることで、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。
非磁性層は、スパッタリング法により形成できる。
【００６３】
また、磁性層２は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層２は、面内磁気記録であってもよい。
磁性層２は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法など従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層２は、通常、スパッタリング法により形成される。
【００６４】
保護層３は、磁性層２を保護するものである。保護層３は、一層からなるものであってもよいし、複数層からなるものであってもよい。
本実施形態の保護層３は、炭素または窒化炭素で形成されている。保護層３が炭素または窒化炭素からなるものである場合、保護層３に含まれる炭素原子と、または保護層３に含まれる炭素原子および窒素原子と、潤滑剤層４とが結合して、保護層３と潤滑剤層４とが高い結合力で結合されたものとなる。その結果、潤滑剤層４の厚みが薄くても、潤滑剤層４によって、高い被覆率および結合性で保護層３の表面が被覆された磁気記録媒体１１となり、磁気記録媒体１１の表面の汚染を効果的に防止できる。
【００６５】
保護層３の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。
保護層３の膜厚が１０ｎｍ以下である場合、本実施形態の磁気記録媒体１１を備える磁気記録再生装置における磁気的スペーシングを十分に低減することができる。磁気的スペーシングとは、磁気ヘッドと磁性層２との間の距離のことを意味する。磁気的スペーシングを狭くするほど、磁気記録再生装置の電磁変換特性を向上させることができる。
保護層３の膜厚が１ｎｍ以上である場合、磁性層２を保護する効果が十分に得られ、耐久性を向上させることができる。
【００６６】
保護層３の成膜方法としては、保護層３が炭素からなるものである場合、カーボンターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエンなどの炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法などを用いることができる。保護層３が窒化炭素からなるものである場合は、保護層３が炭素からなるものである場合に用いる原料に、窒素を含有させることで成膜できる。
【００６７】
本実施形態の潤滑剤層４は、保護層３上に接して形成されている。潤滑剤層４は、上述したように、一般式（１）に示す化合物Ａと一般式（２）に示す化合物Ｂとを、所定の割合で含有する所定の膜厚のものである。潤滑剤層４は、保護層３を形成している炭素または窒化炭素に対する結合性、被覆性が非常に高いものである。
潤滑剤層４は、磁気記録媒体１１の汚染を防止するとともに、磁気記録媒体１１上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１１の耐久性を向上させるものである。
【００６８】
潤滑剤層４は、例えば、以下に示す方法により形成できる。
まず、非磁性基板１上に保護層３までの各層の形成された製造途中の磁気記録媒体を作成する。次いで、製造途中の磁気記録媒体の保護層３上に、潤滑剤層形成用溶液を塗布する。
【００６９】
潤滑剤層形成用溶液は、化合物Ｂに対する化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）が、０．２〜３．０の範囲内となるように、化合物Ａと化合物Ｂとを混合し、必要に応じて溶剤で希釈して、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑剤層形成用溶液に用いられる溶剤としては、例えば、バートレルＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒などが挙げられる。
【００７０】
潤滑剤層形成用溶液の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法やディップ法などが挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑剤層形成用溶液中に、保護層３までの各層が形成された非磁性基板１を浸漬する。その後、浸漬槽から非磁性基板１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑剤層形成用溶液を非磁性基板１の保護層３上の表面に塗布する。ディップ法を用いることで、潤滑剤層形成用溶液を非磁性基板１の保護層３上の表面に均一に塗布することができ、保護層３上に均一な膜厚の潤滑剤層４を形成できる。
【００７１】
本実施形態の磁気記録媒体１１は、非磁性基板１上に、少なくとも磁性層２と保護層３と潤滑剤層４とをこの順序で有し、保護層３が炭素または窒化炭素からなり、潤滑剤層４が保護層３上に接して形成されたものである。そして、潤滑剤層４が、一般式（１）に示す化合物Ａと、一般式（２）に示す化合物Ｂとを含み、化合物Ｂに対する化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）が０．２〜３．０の範囲内であり、平均膜厚が０．８ｎｍ〜２ｎｍのものである。このことにより、本実施形態の磁気記録媒体１１は、潤滑剤層４の厚みが薄くてもアイランド状または網目状とならず、潤滑剤層４によって高い被覆率かつ結合性で保護層３の表面が被覆されているものとなる。
【００７２】
よって、本実施形態の磁気記録媒体１１は、潤滑剤層４の隙間から潤滑剤層４の下層に侵入した環境物質が、潤滑剤層４の下層に存在するイオン成分を凝集させて、磁気記録媒体１１を汚染することを防止できる。
また、本実施形態の磁気記録媒体１１は、厚みが薄くても磁気記録媒体１１の表面の汚染を効果的に防止できる潤滑剤層４を有しているので、潤滑剤層４を十分薄くすることにより、さらなる記録密度の向上に対応可能しうるものとなる。
また、本実施形態の磁気記録媒体１１は、磁気記録媒体１１の汚染がより顕著となる高温状態で使用した場合であっても、汚染されにくく、耐環境性に優れ、安定した磁気記録再生特性が得られる。
【００７３】
「磁気記録再生装置」
次に、本実施形態の磁気記録再生装置の一例について説明する。図２は、本発明の実施形態である磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
本実施形態の磁気記録再生装置１０１は、図１に示す磁気記録媒体１１と、媒体駆動部１２３と、磁気ヘッド１２４と、ヘッド移動部１２６と、記録再生信号処理部１２８とを具備したものである。
【００７４】
媒体駆動部１２３は、磁気記録媒体１１を記録方向に駆動するものである。磁気ヘッド１２４は、磁気記録媒体１１に情報の記録再生を行うものであり、記録部と再生部とを有する。ヘッド移動部１２６は、磁気ヘッド１２４を磁気記録媒体１１に対して相対運動させるものである。記録再生信号処理部１２８は、磁気ヘッド１２４からの記録再生信号の処理を行うものである。
【００７５】
本実施形態の磁気記録再生装置１０１は、十分に厚みの薄い潤滑剤層４によって高い被覆率かつ結合性で保護層３の表面が被覆されているため、磁気記録媒体上に存在する汚染物質が少ない磁気記録媒体１１を具備している。したがって、磁気記録媒体１１上に存在する汚染物質が、磁気記録再生装置１０１の磁気ヘッド１２４に転写されて、記録再生特性が低下したり、浮上安定性が損なわれたりすることが防止されたものとなる。よって、本発明の磁気記録再生装置１０１は、安定した磁気記録再生特性を有する。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
（実施例）
洗浄済みのガラス基板（ＨＯＹＡ社製、外形２．５インチ）を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。
【００７７】
その後、このガラス基板の上に、スパッタリング法によりＣｒターゲットを用いて層厚１０ｎｍの密着層を成膜した。
次いで、スパッタリング法により、密着層の上に軟磁性下地層を形成した。軟磁性下地層としては、第１軟磁性層と中間層と第２軟磁性層とを成膜した。まず、Ｃｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａ｛Ｆｅ含有量２０原子％、Ｚｒ含有量５原子％、Ｔａ含有量５原子％、残部Ｃｏ｝のターゲットを用いて、１００℃以下の基板温度で、層厚２５ｎｍの第１軟磁性層を成膜した。次に、第１軟磁性層の上に、層厚０．７ｎｍのＲｕからなる中間層を成膜した。その後、中間層の上に、層厚２５ｎｍのＣｏ−２０Ｆｅ−５Ｚｒ−５Ｔａからなる第２軟磁性層を成膜した。
【００７８】
次に、軟磁性下地層の上に、スパッタリング法によりＮｉ−６Ｗ｛Ｗ含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲットを用いて、層厚５ｎｍのシード層を成膜した。
その後、シード層の上に、スパッタリング法により第１の配向制御層として、スパッタ圧力を０．８Ｐａとして層厚１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。次に、第１の配向制御層上に、スパッタリング法により第２の配向制御層として、スパッタ圧力を１．５Ｐａとして層厚１０ｎｍのＲｕ層を成膜した。
【００７９】
続いて、第２の配向制御層の上に、スパッタリング法により９１（Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ）−６（ＳｉＯ２）−３（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１５原子％、Ｐｔ含有量１６原子％、残部Ｃｏの合金を９１ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物を６ｍｏｌ％、ＴｉＯ２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝からなる第１磁性層を、スパッタ圧力を２Ｐａとして層厚９ｎｍで成膜した。
【００８０】
次に、第１磁性層の上に、スパッタリング法により８８（Ｃｏ３０Ｃｒ）−１２（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量３０原子％、残部Ｃｏの合金を８８ｍｏｌ％、ＴｉＯ２からなる酸化物を１２ｍｏｌ％｝からなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで成膜した。
その後、非磁性層の上に、スパッタリング法により９２（Ｃｏ１１Ｃｒ１８Ｐｔ）−５（ＳｉＯ２）−３（ＴｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１１原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏの合金を９２ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物を５ｍｏｌ％、ＴｉＯ２からなる酸化物を３ｍｏｌ％｝からなる第２磁性層を、スパッタ圧力を２Ｐａとして層厚６ｎｍで成膜した。
【００８１】
その後、第２磁性層の上に、スパッタリング法によりＲｕからなる非磁性層を層厚０．３ｎｍで成膜した。
次いで、非磁性層の上に、スパッタリング法によりＣｏ−２０Ｃｒ−１４Ｐｔ−３Ｂ｛Ｃｒ含有量２０原子％、Ｐｔ含有量１４原子％、Ｂ含有量３原子％、残部Ｃｏ｝からなるターゲットを用いて、スパッタ圧力を０．６Ｐａとして第３磁性層を層厚７ｎｍで成膜した。
次に、イオンビーム法により窒化炭素（窒素含有量は５原子％）からなる層厚３ｎｍの保護層を成膜した。
【００８２】
次に、以下に示す化合物Ａおよび化合物Ｂ、または、その他の化合物を、以下に示す溶剤に溶解させて潤滑剤層形成用溶液を作成した。そして、得られた潤滑剤層形成用溶液をディップコート装置の浸漬槽に入れ、保護層までの各層が形成された非磁性基板を浸漬した。その後、浸漬槽から非磁性基板を一定の速度で引き上げることにより、非磁性基板の保護層上の表面に潤滑剤層形成用溶液を塗布し、潤滑剤層を形成した。以上の工程を行うことにより、実施例１〜実施例１３、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体を得た。
【００８３】
「化合物Ａ」ＡＲＴ−１（商品名：ＭＯＲＥＳＣＯ社製）
「化合物Ｂ」Ｄ３ＯＨ（ｓ）（商品名：ＭＯＲＥＳＣＯ社製）
「その他の化合物」Ｄ４ＯＨ（商品名：ＭＯＲＥＳＣＯ社製）
Ｄ４ＯＨは、下記一般式（３）のｐが４〜３０の範囲内であり、平均分子量が約２５００である。
「溶剤」バートレルＸＦ（商品名：三井デュポンフロロケミカル社製）
【００８４】
【化１】
0005789710.tif 000002
（一般式（３）中、ｐは４〜３０の範囲内である。）
【００８５】
実施例１〜実施例１３、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体について、潤滑剤層の平均膜厚をフーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）により測定した。その結果を表１に示す。
また、潤滑剤層に含まれる化合物Ａと化合物Ｂとの質量比（Ａ：Ｂ）、化合物Ｂに対する化合物Ａの質量比（Ａ／Ｂ）を表１に示す。
【００８６】
また、実施例１〜実施例１３、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体について、潤滑剤層のγＡＢ（結合性）、γＬＷ（被覆性）を前述の方法で測定し、（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ）を算出して評価した。磁気記録媒体表面（保護層上）の接触角の測定には、溶媒として、水、ヨウ化メチレン、エチレングリコールの３種類を使用した。評価結果を表１に示す。
【００８７】
【表１】
0005789710.tif 000003
【００８８】
表１に示すように、実施例１〜実施例１３の磁気記録媒体は、比較例１〜比較例６の磁気記録媒体と比較して、磁気記録媒体の表面におけるトータルの表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が低いものであった。このため、実施例１〜実施例１３の磁気記録媒体では、保護層の表面の被覆率が高く、かつ結合性も高いという結果になったものと推定される。
【００８９】
これに対し、比較例１では化合物Ａが多すぎるため、比較例２では化合物Ｂが多すぎるため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が高くなり、潤滑剤層による保護層の表面に対する被覆率および結合性が不足したものと推定される。
また、比較例３は、潤滑剤層の平均膜厚が薄すぎるため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が高くなり、潤滑剤層による保護層の表面に対する被覆率および結合性が不足したものと推定される。
【００９０】
また、比較例４では化合物Ｂを含まないため、比較例５では化合物Ａを含まないため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が高くなり、潤滑剤層による保護層の表面に対する被覆率および結合性が不足したものと推定される。
また、比較例６では化合物がＯＨ基を４つ有する構造の潤滑剤であるため、表面エネルギー（γｔｏｔａｌ（γＡＢ＋γＬＷ））が高くなり、潤滑剤層による保護層の表面に対する被覆率および結合性が不足したものと推定される。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明の磁気記録媒体及び磁気記録再生装置は、高記録密度の磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を利用・製造する産業において利用可能性がある。
【符号の説明】
【００９２】
１・・・非磁性基板、２・・・磁性層、３・・・保護層、４・・・潤滑剤層、１１・・・磁気記録媒体、１０１・・・磁気記録再生装置、１２３・・・媒体駆動部、１２４・・・磁気ヘッド、１２６・・・ヘッド移動部、１２８・・・記録再生信号処理部。
【要約】
【課題】十分に薄い厚みの潤滑剤層によって、保護層の表面が高い被覆率かつ結合性で被覆されている磁気記録媒体の提供。
【解決手段】潤滑剤層４が式（１）に示す化合物Ａと式（２）に示す化合物Ｂとを含み、（Ａ／Ｂ）０．２〜３．０、平均膜厚０．８ｎｍ〜２ｎｍである磁気記録媒体１１。Ｒ１−Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（１）（Ｒ１は炭素数１〜４のアルコキシ基。Ｒ２は−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−（ｘ、ｙは０〜１５）、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−（ｚは１〜１５）、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−（ｎは０〜４）。ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（２）（ｍは整数）
【選択図】図１【図１】
0005789710.tif 000004
【図２】
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