(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、
前記基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝を有する支持棒と、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構を有し、
前記水分除去機構は、前記支持棒の内部に設けた一端が閉塞された中央孔の開口端に接続される加圧気体供給ラインを有し、前記中央孔と前記支持溝の内部は連通孔を介して互いに連通していることを特徴とする無電解めっき装置。
【請求項２】
前記水分除去機構は、液浸入防止ラインを更に有しており、前記加圧気体供給ライン及び前記液浸入防止ラインは、前記中央孔の開口端に択一的に接続されることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき装置。
【請求項３】
複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、
前記基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝を有する支持棒と、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構を有し、
前記水分除去機構は、前記支持棒の内部に設けた一端が閉塞された中央孔の開口端に択一的に接続される水分吸引ライン及び液浸入防止ラインを有し、前記中央孔と前記支持溝の内部は連通孔を介して互いに連通していることを特徴とする無電解めっき装置。
【請求項４】
前記基板ホルダで保持した基板を浸漬させる前記処理槽内の処理液を循環させる液循環ラインを更に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。
【請求項５】
前記液浸入防止ラインは、前記中央孔内に加圧流体を供給する加圧流体供給ラインからなることを特徴とする請求項２または３記載の無電解めっき装置。
【請求項６】
前記連通孔は、基板ホルダで保持される基板の被めっき面に向けて開口していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。
【請求項７】
前記基板ホルダで保持した基板を前記処理槽内の処理液に浸漬させる浸漬速度と、前記処理槽内の処理液から引き上げる引き上げ速度を調整する制御部を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。
【請求項８】
前記浸漬速度は１００ｍｍ／s以上で、前記引き上げ速度は５０ｍｍ／s以下であること特徴とする請求項７記載の無電解めっき装置。
【請求項９】
前記基板ホルダで保持した基板を前記処理槽内の処理液に浸漬させる際に、前記基板ホルダを、振動、上下揺動または左右揺動させる移動機構を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の無電解めっき装置。
【請求項１０】
前記基板ホルダで保持した基板を前記処理槽内の処理液に浸漬させて該処理液から引き上げた後、基板に向けて純水を噴射する純水噴射機構を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載に無電解めっき装置。
【請求項１１】
支持棒に設けた複数の支持溝内に基板の外周部を位置させて複数枚の基板を基板ホルダで鉛直方向に平行に保持し、
基板ホルダで保持した基板を第１の処理槽内の第１処理液に浸漬させて該第１処理液から引き上げ、
基板を保持した基板ホルダを第２の処理槽の直上方に搬送し、
基板ホルダで保持した基板を第２の処理槽内の第２処理液に浸漬させて該第２処理液から引き上げる無電解めっき方法であって、
前記支持棒の内部に設けた一端が閉塞された中央孔の開口端に接続される加圧気体供給ラインを通じて前記中央孔の内部に高圧気体を導き、さらに、前記中央孔と前記支持溝の内部を互いに連通する連通孔を通して前記高圧気体を前記支持溝から噴出させることで、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を、処理の前後、または処理の途中で除去することを特徴とする無電解めっき方法。
【請求項１２】
複数枚の基板を基板ホルダで鉛直方向に平行に保持する前に、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去することを特徴とする請求項１１記載の無電解めっき方法。
【請求項１３】
前記第１処理液または前記第２処理液から基板を引き上げた後、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去することを特徴とする請求項１１または１２記載の無電解めっき方法。
【請求項１４】
前記第１処理液または前記第２処理液に基板を浸漬させる浸漬速度は１００ｍｍ／秒以上で、前記第１処理液または前記第２処理液から基板を引き上げる引き上げ速度は５０ｍｍ／秒以下であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の無電解めっき方法。
【請求項１５】
前記基板ホルダを振動、上下揺動または左右揺動させながら、前記第１処理液または前記第２処理液に該基板ホルダで保持した基板を浸漬させることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の無電解めっき方法。
【請求項１６】
前記中央孔の開口端に接続される液浸入防止ライン及び前記連通孔を通して、前記支持溝に向けて加圧流体を噴出させて、前記第１処理液及び前記第２処理液の、前記連通孔から前記中央孔への浸入を防止することを特徴とする請求項１１記載の無電解めっき方法。
【請求項１７】
支持棒に設けた複数の支持溝内に基板の外周部を位置させて複数枚の基板を基板ホルダで鉛直方向に平行に保持し、
基板ホルダで保持した基板を第１の処理槽内の第１処理液に浸漬させて該第１処理液から引き上げ、
基板を保持した基板ホルダを第２の処理槽の直上方に搬送し、
基板ホルダで保持した基板を第２の処理槽内の第２処理液に浸漬させて該第２処理液から引き上げる無電解めっき方法であって、
前記支持棒の内部に設けた一端が閉塞された中央孔の開口端に接続される水分吸引ライン及び前記中央孔と前記支持溝の内部を互いに連通する連通孔を通して、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を、処理の前後、または処理の途中で除去し、
前記中央孔の開口端に接続される液浸入防止ライン及び前記連通孔を通して、前記支持溝に向けて加圧流体を噴出させて、前記第１処理液及び前記第２処理液の、前記連通孔から前記中央孔への浸入を防止することを特徴とする無電解めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解めっき装置及び無電解めっき方法に係り、特に生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、半導体ウェーハ等の基板の表面により均一な処理を安定して行うことができるようにした無電解めっき装置及び無電解めっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ間の電気的な接続を行う３次元実装として、例えば、図１に示すように、ＣＰＵ１０の所定位置に設けたマイクロバンプ１２と、メモリ１４の所定位置に設けたマイクロバンプ１６を共に電極として用い、マイクロバンプ（電極）１２，１６を互いに接合することが提案されている。
【０００３】
メモリ１４に設けたマイクロバンプ１６は、例えばＣｕ−Ｓｎからなる。ＣＰＵ１０に設けたマイクロバンプ１２は、例えばＡｌまたはＣｕからなるバンプパッド１８の表面に、例えば２〜１０μｍのＮｉめっき膜２０を成膜し、このＮｉめっき膜２０の表面に、例えば５０〜２００ｎｍのＡｕめっき膜２２を成膜して形成される。Ａｕめっき膜２２は、マイクロバンプ１２，１６の接合時に、例えばＣｕ−Ｓｎからなるマイクロバンプ１６へ拡散する。そのため、Ａｕめっき膜２２自身は、接合に影響しないが、Ｎｉめっき膜２０の表面の酸化を防止して接合強度を保つ役割を持つ。
【０００４】
ここに、メモリ１４に設けたマイクロバンプ１６と、例えばＣｕからなるバンプパッド１８とを直接接続しない理由としては、Ｃｕだけでは、下地のLow-K材等へダメージを与えることが挙げられる。そのためＮｉめっき膜２０とＡｕめっき膜２２が緩衝材として採用されている。
【０００５】
また、ＴＳＶ（Through  Silicon  Via）配線接続においても、図２に示すように、ＴＳＶ３０の表面側にＮｉめっき膜３２とＡｕめっき膜３４とを順次積層して形成した表面バンプ３６と、ＴＳＶ３０の裏面側に形成した裏面バンプ３８とを互いに接合することが提案されている。
【０００６】
上記のような、Ｎｉめっき膜２０，３２やＡｕめっき膜２２，３４を成膜する手法として、電解めっきに代わって、無電解めっきの採用が検討されている。また、ＮｉやＡｕの他に、無電解めっき可能なＣｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｒｈ，Ｒｕ等の単体材料および複合材料からなるめっき膜にあっても、電解めっきに代わって、無電解めっきの採用が検討されている。
【０００７】
図１に示す、マイクロバンプ１２の下地金属（バンプパッド１８）には、ＡｌやＣｕ等が多く使われている。ＡｌやＣｕは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等のような触媒金属ではない。このため、めっき前処理として、下地金属がＡｌの場合はジンケート処理が、下地金属がＣｕの場合はＰｄ触媒付与処理（または初期通電）が一般に行われる。Ａｌ表面のジンケート処理では、一般に、置換めっきによってＡｌ表面に亜鉛を付与する。亜鉛そのものは触媒毒となり触媒作用を妨害するため、ジンケート処理を行う時には、亜鉛の置換めっき量を適正にする必要がある。無電解めっきに際して、亜鉛は、無電解めっき可能な触媒金属に置換される。
【０００８】
前述のように、Ａｌ表面やＣｕ表面のめっき前処理（活性化処理）は、触媒金属または亜鉛等の置換めっきであり、例えばＰｄ触媒付与処理は、基板を硫酸ベースの硫酸パラジウム含有液に浸漬させて行われ、ジンケート処理は、基板を水酸化ナトリウムベースの酸化亜鉛含有液に浸漬させて行われる。このため、めっき前処理（活性化処理）は、一般に、基板表面を硝酸やクエンで前洗浄して基板表面の酸化膜や汚染物を除去し、基板表面を水洗した後、基板表面を乾燥させることなく、連続して行われる。そして、無電解めっきは、めっき前処理後の基板表面を水洗した後、基板表面を乾燥させることなく、連続して行われる。つまり、一連の無電解めっき処理は、基板表面を乾燥させることなく、連続して行われる。これは、前洗浄やめっき前処理後に基板表面が乾燥すると、基板表面に酸化膜が形成されてめっき処理に不良が生じるからである。
【０００９】
ここに、めっき前処理方法によっては、例えばパターンウェーハでは、下地にダメージを与えたり、置換めっき膜の下地金属との緻密性が悪化したり、めっき膜の粗さが大きくなるといった問題が生じる。また、ベタウェーハでは、基板の表面モホロジーの均一性が悪化して外観が悪くなるといった問題が生じる。
【００１０】
無電解めっきのめっき前処理（活性化処理）では、ＺｎやＰｄ等の置換めっきを緻密かつ均一に行うことが重要になる。ここに、置換めっき時の置換めっき量および表面エッチング量は、処理液に含まれるエッチング剤の濃度、例えばＡｌの表面を水酸化ナトリウムベースの酸化亜鉛含有液でめっき前処理（ジンケート処理）する場合はＮａＯＨの濃度、Ｃｕの表面を硫酸ベースの硫酸パラジウム含有液でめっき前処理（Ｐｄ触媒付与処理）する場合は硫酸の濃度に強く影響を受け、数秒で決まってしまう場合がある。
【００１１】
無電解めっき装置は、一般に、基板を一枚ずつ処理する枚葉処理方式を採用した無電解めっき装置と、複数枚の基板を同時に保持して処理するバッチ処理方式を採用した無電解めっき装置に大別される。無電解めっきのめっきレートは、一般に１〜２０μｍ／ｓで、電解めっきのめっきレートと比較して格段に遅い。このため、無電解めっきをバンプ形成等の多大な時間を要する処理に適用する場合には、枚葉処理方式よりバッチ処理方式を検討するのが一般的である。
【００１２】
バッチ処理方式の無電解めっき装置は、同一フットプリントでのスループットが枚葉処理方式のものに比べて非常に高いという利点がある。しかし、バッチ処理方式の無電解めっき装置は、鉛直方向に並べて保持した複数枚の基板を、めっき前処理液やめっき液等の処理液中に同時に浸漬させて処理するようにしており、このため、基板下端から上端までを処理液中に完全に浸漬させるのに要する時間、処理液の流れの方向性、処理液の温度分布の均一性等に起因するプロセス性能（膜厚、膜質の均一性）が枚様処理方式に比べ劣ってしまう。
【００１３】
バッチ処理方式を採用した基板処理装置として、出願人は、複数枚の基板を保持して処理槽内の処理液に浸漬させる基板ホルダを、複数枚の基板を保持したまま処理槽内の処理液中で回転させるようにしたものを提案している（特許文献１参照）。また、バッチ処理方式を採用した基板処理装置として、キャリア載置部、水平移載ロボット、姿勢変換機構、プッシャ、搬送機構及び基板処理部を備え、複数枚の基板を同時に搬送しながら処理するようにしたものが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００９−５７５９３号公報
【特許文献２】特許第３９７４９８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
バッチ処理方式を採用した無電解めっき装置においては、複数枚の半導体ウェーハ等の基板を鉛直方向に保持した基板ホルダを移動させながら、移動の前後で複数枚の基板を各処理槽内の処理液に同時に浸漬させて処理を行うのが一般的である。その場合、例えば、基板ホルダで保持した基板を水洗槽からジンケート処理槽へ移動する際、基板は基板ホルダで鉛直方向に保持されているため、基板の下部に水分が溜まり易くなる。また、前ロットの処理で付着した水分が基板ホルダに残ったままになりやすい。
【００１６】
このように、水分が基板表面に不均一に残った状態でジンケート処理を行うと、水分とジンケート液とが混ざるときにジンケート液の濃度ムラが生じ、このジンケート液の濃度ムラの影響で、ベタウェーハにおいては外観不良が生じ、パターンウェーハにおいては、基板面内のめっき膜厚ばらつきが大きくなる。
【００１７】
図３は、Ａｌ表面にジンケート処理を行った時の、表面に水分残りが有る場合（Ａ１）と水分残りがない場合（Ｂ１）における亜鉛置換量と処理時間（秒）との関係を示し、図４は、Ａｌ表面にジンケート処理を行った時の、表面に水分残りが有る場合（Ａ２）と水分残りがない場合（Ｂ２）おけるＡｌエッチング量と処理時間（秒）との関係を示す。
【００１８】
図３及び図４に示すように、特に、Ａｌエッチング及び亜鉛の置換めっき速度の早いＡｌ表面のジンケート処理において、Ａｌエッチング量及び亜鉛置換量は、初期の数秒（２〜５秒）で決まり、しかも、水分が多い箇所ではエッチング量及び置換めっき量が大きくなる。このため、亜鉛がＡｌ表面に不均一に置換されて粗いめっき膜が形成され、また下地へダメージを与えてしまう。
【００１９】
しかも、亜鉛の付着量が多い箇所では無電解めっき液へ溶解する亜鉛の量が増え、これによって、局所的に亜鉛濃度が高くなる箇所が生じ、亜鉛は溶解して触媒毒になることから、亜鉛濃度の高低によって、めっき膜厚に差が生じてしまう。また、複数枚の基板を鉛直方向に平行に設置して処理液中に浸漬させる場合には、基板の上下方向での処理時間に差が生じるため、基板の上下でめっき膜の膜厚分布に差が出きやすい。特に、ジンケート処理等の処理時間が短い工程ではその差は顕著となる。
【００２０】
なお、基板を大気中に長時間放置して水分を除去しようとすると基板表面が乾燥し、金属表面に酸化膜が生じて置換めっき不良の原因となる。また、処理液から基板を引き上げる時に基板や基板ホルダに多量の水分が残ると、エッチング量や水洗の度合いに差が生じてしまう。
【００２１】
また、ジンケート処理液は一般に粘性が高く、処理液から基板を引き上げる時に基板や基板ホルダに付着して持ち出される量が多くなりやすい。また、Ａｕめっき液は一般に高価であり、同様に処理液の持ち出し量を少なくすることが望まれる。
【００２２】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、生産性の高いバッチ処理方式を採用し、しかも前の処理等で使用した水分の持込みを極力低減させて、一連の連続した各処理を、より均一に安定して行うことができるようにした無電解めっき装置及び無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
請求項１に記載の発明は、複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、前記基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝を有する支持棒と、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構を有し、前記水分除去機構は、前記支持棒の内部に設けた一端が閉塞された中央孔の開口端に接続される加圧気体供給ラインを有し、前記中央孔と前記支持溝の内部は連通孔を介して互いに連通していることを特徴とする無電解めっき装置である。
【００２４】
例えば、基板ホルダで保持した基板を処理液から引き上げた後、基板の外周部を位置させて基板を支持する支持溝の内部乃至その周辺に溜まった水分（処理液）を水分除去機構で除去することで、連続した次の処理への水分の持込みを極力低減させて、この連続した次の処理を、より均一に安定して行うことができる。
【００２５】
請求項２に記載の発明は、前記水分除去機構は、液浸入防止ラインを更に有しており、前記加圧気体供給ライン及び前記液浸入防止ラインは、前記中央孔の開口端に択一的に接続されることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき装置である。
【００２６】
これにより、加圧気体供給ラインを通して、支持棒の中央孔及び連通孔に加圧空気等の加圧気体を供給し、支持溝の内部に向けて噴出させることで、支持溝の内部乃至その周辺に溜まった水分（処理液）を加圧気体で吹き飛ばして除去することができる。液浸入防止ラインにより、処理中に支持棒の中央孔及び連通孔に内部に処理液が浸入することが防止される。
【００２７】
請求項３に記載の発明は、複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、前記基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝を有する支持棒と、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構を有し、前記水分除去機構は、前記支持棒の内部に設けた一端が閉塞された中央孔の開口端に択一的に接続される水分吸引ライン及び液浸入防止ラインを有し、前記中央孔と前記支持溝の内部は連通孔を介して互いに連通していることを特徴とする無電解めっき装置である。
【００２８】
これにより、水分吸引ラインを通して、支持棒の中央孔及び連通孔から支持溝の内部を真空等で吸引することで、支持溝の内部乃至その周辺に溜まった水分（処理液）を吸引除去することができる。しかも、吸引除去した水分（処理液）を回収することで、水分（処理液）の持ち出し量を削減することができる。
【００２９】
請求項４に記載の発明は、前記基板ホルダで保持した基板を浸漬させる前記処理槽内の処理液を循環させる液循環ラインを更に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。
【００３０】
請求項５に記載の発明は、前記液浸入防止ラインは、前記中央孔内に加圧流体を供給する加圧流体供給ラインからなることを特徴とする請求項２または３記載の無電解めっき装置である。
【００３１】
請求項６に記載の発明は、前記連通孔は、基板ホルダで保持される基板の被めっき面に向けて開口していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。
これにより、支持溝内の基板の被めっき面側に残る水分を主に除去することができる。
【００３２】
請求項７に記載の発明は、前記基板ホルダで保持した基板を前記処理槽内の処理液に浸漬させる浸漬速度と、前記処理槽内の処理液から引き上げる引き上げ速度を調整する制御部を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。
【００３３】
このように、基板の処理液内への浸漬速度及び処理液からの引き上げ速度を制御部で制御することで、基板下端から上端までを処理液中に完全に浸漬させるのに要する時間を少なくしたり、処理液から引き上げられた基板に多量の水分が残ることを防止したりすることができる。
【００３４】
請求項８に記載の発明は、前記浸漬速度は１００ｍｍ／s以上で、前記引き上げ速度は５０ｍｍ／s以下であること特徴とする請求項７記載の無電解めっき装置である。
【００３５】
請求項９に記載の発明は、前記基板ホルダで保持した基板を前記処理槽内の処理液に浸漬させる際に、前記基板ホルダを、振動、上下揺動または左右揺動させる移動機構を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の無電解めっき装置である。
基板ホルダを、振動、上下揺動または左右揺動させながら、基板ホルダで保持した基板を処理液中に浸漬させることで、基板表面の処理液の拡散を促進することができる。
【００３６】
請求項１０に記載の発明は、前記基板ホルダで保持した基板を前記処理槽内の処理液に浸漬させて該処理液から引き上げた後、基板に向けて純水を噴射する純水噴射機構を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載に無電解めっき装置である。
これにより、基板に付着して外部に持ち出される処理液の持ち出し量を更に減少させることができる。
【００３７】
請求項１１に記載の発明は、支持棒に設けた複数の支持溝内に基板の外周部を位置させて複数枚の基板を基板ホルダで鉛直方向に平行に保持し、基板ホルダで保持した基板を第１の処理槽内の第１処理液に浸漬させて該第１処理液から引き上げ、基板を保持した基板ホルダを第２の処理槽の直上方に搬送し、基板ホルダで保持した基板を第２の処理槽内の第２処理液に浸漬させて該第２処理液から引き上げる無電解めっき方法であって、前記支持棒の内部に設けた一端が閉塞された中央孔の開口端に接続される加圧気体供給ラインを通じて前記中央孔の内部に高圧気体を導き、さらに、前記中央孔と前記支持溝の内部を互いに連通する連通孔を通して前記高圧気体を前記支持溝から噴出させることで、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を、処理の前後、または処理の途中で除去することを特徴とする無電解めっき方法である。
【００３８】
請求項１２に記載の発明は、複数枚の基板を基板ホルダで鉛直方向に平行に保持する前に、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去することを特徴とする請求項１１記載の無電解めっき方法である。
【００３９】
請求項１３に記載の発明は、前記第１処理液または前記第２処理液から基板を引き上げた後、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去することを特徴とする請求項１１または１２記載の無電解めっき方法である。
【００４０】
請求項１４に記載の発明は、前記第１処理液または前記第２処理液に基板を浸漬させる浸漬速度は１００ｍｍ／秒以上で、前記第１処理液または前記第２処理液から基板を引き上げる引き上げ速度は５０ｍｍ／秒以下であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の無電解めっき方法である。
【００４１】
請求項１５に記載の発明は、前記基板ホルダを振動、上下揺動または左右揺動させながら、前記第１処理液または前記第２処理液に該基板ホルダで保持した基板を浸漬させることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の無電解めっき方法である。
請求項１６に記載の発明は、前記中央孔の開口端に接続される液浸入防止ライン及び前記連通孔を通して、前記支持溝に向けて加圧流体を噴出させて、前記第１処理液及び前記第２処理液の、前記連通孔から前記中央孔への浸入を防止することを特徴とする請求項１１記載の無電解めっき方法である。
請求項１７に記載の発明は、支持棒に設けた複数の支持溝内に基板の外周部を位置させて複数枚の基板を基板ホルダで鉛直方向に平行に保持し、基板ホルダで保持した基板を第１の処理槽内の第１処理液に浸漬させて該第１処理液から引き上げ、基板を保持した基板ホルダを第２の処理槽の直上方に搬送し、基板ホルダで保持した基板を第２の処理槽内の第２処理液に浸漬させて該第２処理液から引き上げる無電解めっき方法であって、前記支持棒の内部に設けた一端が閉塞された中央孔の開口端に接続される水分吸引ライン及び前記中央孔と前記支持溝の内部を互いに連通する連通孔を通して、前記支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を、処理の前後、または処理の途中で除去し、前記中央孔の開口端に接続される液浸入防止ライン及び前記連通孔を通して、前記支持溝に向けて加圧流体を噴出させて、前記第１処理液及び前記第２処理液の、前記連通孔から前記中央孔への浸入を防止することを特徴とする無電解めっき方法である。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、生産性の高いバッチ処理方式を採用し、しかも前の処理等で使用した水分の持込みを極力低減させて、一連の連続した各処理を、より均一に安定して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】マイクロバンプの接合例を示す断面図である。
【図２】ＴＳＶ配線の接続例を示す断面図である。
【図３】Ａｌ表面にジンケート処理を行った時の亜鉛置換量と処理時間（秒）との関係を示すグラフである。
【図４】Ａｌ表面にジンケート処理を行った時のアルミエッチング量と処理時間（秒）との関係を示すグラフである。
【図５】バンプパッドの表面にＮｉめっき膜及びＡｕめっき膜を無電解めっきで形成する例を工程順に示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態の無電解めっき装置の基板を前洗浄槽の処理液（硝酸）に浸漬させる時の状態の概要を示す縦断正面図である。
【図７】本発明の実施形態の無電解めっき装置の基板を前洗浄モジュールで処理する時の状態の概要を示す縦断正面図である。
【図８】本発明の実施形態の無電解めっき装置の基板を前洗浄モジュールの基板ホルダをジンケート処理モジュールの基板ホルダに受け渡す時の状態の概要を示す縦断正面図である。
【図９】本発明の実施形態の無電解めっき装置の基板をジンケート処理槽のジンケート液に浸漬させる時の状態の概要を示す縦断正面図である。
【図１０】本発明の実施形態の無電解めっき装置の基板をジンケート処理槽のジンケート液に浸漬させた後、ジンケート液から引き上げる時の状態の概要を示す縦断正面図である。
【図１１】本発明の実施形態の無電解めっき装置の基板をＡｕめっき槽のめっき液に浸漬させる時の概要を示す縦断正面図である。
【図１２】本発明の実施形態の無電解めっき装置の基板をＡｕめっき槽のめっき液から引き上げた時の概要を示す縦断正面図である。
【図１３】前洗浄モジュールの前洗浄槽と基板ホルダを示す概略縦断正面図である。
【図１４】前洗浄モジュールの前洗浄槽と基板ホルダを示す概略側断面図である。
【図１５】前洗浄モジュールの水洗槽と基板ホルダを示す概略縦断正面図である。
【図１６】前洗浄モジュールの基板ホルダに備えられている支持棒の一部を拡大した断面を、水分除去機構と共に示す概要図である。
【図１７】（ａ）は図１６のＡ−Ａ線断面図で、（ｂ）はその変形例である。
【図１８】ジンケート処理モジュールの基板ホルダに備えられている支持棒の一部を拡大した断面を、水分除去機構と共に示す概要図である。
【図１９】無電解めっき装置による一連の処理を示すブロック図である。
【図２０】基板ホルダの支持棒の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図２１】基板ホルダの支持棒の更に他の例を示す要部拡大断面図である。
【図２２】基板ホルダの支持棒の更に他の例を示す要部拡大断面図である。
【図２３】（ａ）は、本発明の一連の無電解めっきを行ってＮｉめっき膜とＡｕめっき膜を順次形成した時の外観図で、（ｂ）〜（ｄ）は、参考例を示す外観図である。
【図２４】（ａ）は、Ａｌを下地金属としたパターンウェーハの表面に、本発明の一連の無電解めっきを行って、Ｎｉめっき膜とＡｕめっき膜を順次形成した時の膜厚面内分布図を示し、（ｂ）は、ジンケート処理後及びめっき処理後の外観図、及び断面図を示す。
【図２５】（ａ）は、Ａｌを下地金属としたパターンウェーハの表面に、従来の一般的な無電解めっきを行って、Ｎｉめっき膜とＡｕめっき膜を順次形成した時の膜厚面内分布図を示し、（ｂ）は、ジンケート処理後及びめっき処理後の外観図、及び断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例において、同一または相当部材には、同一符号を付して、重複した説明を省略する。
【００４５】
以下の例では、図５（ａ）に示すように、例えば直径Ｄが数μｍのＡｌからなるバンプパッド４０を設けた半導体ウェーハ等の基板Ｗを用意する。そして、図５（ｂ）に示すように、この基板Ｗの表面に、めっき前処理としてのジンケート処理を行って、バンプパッド４０の表面に置換めっきにより亜鉛めっき膜４２を形成し、この亜鉛めっき膜４２の表面に、無電解めっきによって、例えば１．６μｍのＮｉめっき膜４４を形成し、このＮｉめっき膜４４の表面に、無電解めっき（置換めっき）によって、例えば０．１μｍのＡｕめっき膜４６を形成するようにしている。
【００４６】
図６乃至図１２は、本発明の実施形態の無電解めっき装置全体の概要を工程順に示す縦断正面図である。図６乃至図１２に示すように、この無電解めっき装置は、前洗浄槽５０と水洗槽５２を有する前洗浄モジュール５４、ジンケート処理槽５６と水洗槽５８を有するジンケート処理モジュール６０、Ｎｉめっき槽６２と水洗槽６４を有するＮｉめっきモジュール６６、Ａｕめっき槽６８と水洗槽７０を有するＡｕめっきモジュール７２、及び乾燥ユニット７４を有する乾燥モジュール７６を備えている。
【００４７】
前洗浄モジュール５４には、上下及び左右に移動自在で、前洗浄槽５０と水洗槽５２との間で複数枚の基板を搬送する基板ホルダ８０ａが備えられている。同様に、ジンケート処理モジュール６０には基板ホルダ８０ｂが、Ｎｉめっきモジュール６６には基板ホルダ８０ｃが、Ａｕめっきモジュール７２に基板ホルダ８０ｄが、乾燥モジュール７６には基板ホルダ８０ｅがそれぞれ備えられている。
【００４８】
更に、これらの基板ホルダ８０ａ〜８０ｅと平行に、ガイド８６に沿って走行自在な基板保持具８８を有し、複数枚の基板を搬送して各モジュール内基板搬送装置８４ａ〜８４ｅとの間で複数枚の基板の受け渡しを行うモジュール間基板搬送装置９０が配置されている。
【００４９】
基板ホルダ８０ａは、基板ホルダ８０ａで保持した複数枚の基板Ｗを処理槽内の処理液に浸漬させる浸漬速度を、例えば１００ｍｍ／ｓ以上に、処理槽内の処理液から引き上げる引き上げ速度を、例えば５０ｍｍ／ｓ以下に、それぞれ調整する制御部を有している。更に、基板ホルダ８０ａは、基板ホルダ８０ａで保持した基板Ｗを処理槽内の処理液に浸漬させる際に、基板ホルダ８０ａを、振動、上下揺動または左右揺動させる移動機構を更に有している。このように、制御部及び移動機構を有することは、他の基板ホルダ８０ｂ，８０ｃ，８０ｄにあっても同様である。
【００５０】
基板ホルダ８０ａは、所定間隔離間した位置に対向して配置される一対の側板９２ａと該側板９２ａ間に跨って延び基板Ｗの外周部を支持する複数の支持棒９４ａを有している。同様に、基板ホルダ８０ｂは、一対の側板９２ｂと複数の支持棒９４ｂを、基板ホルダ８０ｃは、一対の側板９２ｃと複数の支持棒９４ｃを、基板ホルダ８０ｄは、一対の側板９２ｄと複数の支持棒９４ｄを、基板ホルダ８０ｅは、一対の側板９２ｅと複数の支持棒９４ｅをそれぞれ有している。
【００５１】
この例では、Ａｕめっき槽６８の上方に位置して、モジュール内基板搬送装置８４ｄの基板ホルダ８０ｄで保持してＡｕめっき槽６８の処理液（Ａｕめっき液）から引き上げた基板Ｗに向けて純水を噴射する純水噴射ノズル（図示せず）が配置されている。
【００５２】
図１３は、前洗浄モジュール５４の前洗浄槽５０と基板ホルダ８０ａを示す概略縦断正面図で、図１４は、同じく概略側断面図である。この例の前洗浄槽５０は、基板Ｗの表面の酸化膜を除去し、更にダブルジンケート処理の時に、バンプパッド４０（図４参照）の表面に置換めっきで形成される亜鉛めっき膜の表面を除去するため、処理液として硝酸を使用している。前洗浄槽５０は、内槽１００と外槽１０２とを有しており、内槽１００と外槽１０２との間にオーバフロー槽１０４が形成されている。前洗浄槽５０のオーバフロー槽１０４の底部には、ポンプ１０６、温度調整器１０８及びフィルタ１１０を介装した処理液循環ライン１１２の一端が接続され、この処理液循環ライン１１２の他端は、内槽１００の底部に接続されている。更に、内槽１００の底部には、処理液の流れを整える整流板１１４が配置されている。
【００５３】
これによって、前洗浄槽５０内の処理液（硝酸）は、ポンプ１０６の駆動に伴って、フィルタ１１０でフィルタリングされ、必要に応じて、温度調整器１０８で温度が調整されながら、内槽１００の内部とオーバフロー槽１０４との間を循環するようになっている。なお、前洗浄槽５０内の処理液（硝酸）は、一般に温度を調整する必要がない（常温で使用される）ので、温度調整器１０８を省略してもよい。
【００５４】
ジンケート処理槽５６、Ｎｉめっき槽６２及びＡｕめっき槽６８は、処理液が異なるだけで、前洗浄槽５０と同様な構成を有している。つまり、ジンケート処理槽５６にあっては、処理液として、例えば液温を５０℃としたジンケート液、例えば水酸化ナトリウムベースの酸化亜鉛含有液が使用される。Ｎｉめっき槽６２にあっては、処理液として、例えば液温を８０℃としたＮｉめっき液が使用される。Ａｕめっき槽６８にあっては、処理液として、例えば液温を７５℃としたＡｕめっき液が使用される。
【００５５】
図１５は、前洗浄モジュール５４の水洗槽５２と基板ホルダ８０ａを示す概略縦断正面図である。水洗槽５２は、処理液として純水を使用している。水洗槽５２は、内槽１２０と外槽１２２とを有しており、内槽１２０と外槽１２２との間にオーバフロー槽１２４が形成されている。そして、内槽１２０の底部に純水供給ライン１２６が接続され、オーバフロー槽１２４の底部に排水ライン１２８が接続されている。これによって、純水供給ライン１２６を通して内槽１２０に供給された純水は、内槽１２０の内部を満し、しかる後、オーバフロー槽１２４内にオーバフローして、排水ライン１２８から排水されるようになっている。なお、他の水洗槽５８，６４，７０も、水洗槽５２と同様な構成を有している。
【００５６】
図１６は、前洗浄モジュール５４の基板ホルダ８０ａに備えられている支持棒９４ａの一部を拡大した断面を、水分除去機構と共に示す概要図であり、図１７（ａ）は、図１６のＡ−Ａ線断面図である。
【００５７】
図１６及び図１７（ａ）に示すように、支持棒９４ａには、基板Ｗの外周部を位置させて基板Ｗを鉛直方向に支持する複数の支持溝１３０が、支持棒９４ａの長さ方向に沿った所定のピッチ、例えば５ｍｍピッチで設けられている。更に、支持棒９４ａの内部には、一端が閉塞された中央孔１３２が設けられ、この中央孔１３２と各支持溝１３０は、複数の穴からなる連通孔１３４ａで互いに連通している。中央孔１３２の開口端には、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構１３６ａが接続されている。
【００５８】
水分除去機構１３６ａは、支持棒９４ａの中央孔１３２の開口端に択一的に選択される加圧気体供給ライン１３８と、この例では、中央孔１３２を通して処理液を循環させる液循環ライン１４０ａとを有している。加圧気体供給ライン１３８は、例えば高圧のエアを供給する加圧気体供給源１４２に接続され、液循環ライン１４０ａと合流する手前に開閉バルブ１４４ａが介装されている。液循環ライン１４０ａは、ポンプ１４６を有し、模式的に示すように、例えば水洗槽５２等の処理槽の内部に開口するようになっており、加圧気体供給ライン１３８と合流する手前に開閉バルブ１４４ｂが介装されている。
【００５９】
これにより、液循環ライン１４０ａの開閉弁１４４ｂを閉じ、加圧気体供給ライン１３８の開閉弁１４４ａを開くことで、エア等の高圧気体を支持棒９４ａの中央孔１３２の内部に導き、連通孔１３４ａを通して、支持溝１３０から外部に噴出させることで、支持溝１３０乃至その周辺に溜まる水分を高圧気体で吹き飛ばして除去する。なお、この水分の除去は、支持溝１３０内に基板Ｗの外周部を位置させて基板Ｗを支持している状態でも、また基板Ｗを支持していない状態でも行うことができる。
【００６０】
そして、例えば基板ホルダ８０ａで保持した基板Ｗを水洗槽５２内の処理液（純水）に浸漬させて基板Ｗの水洗処理を行っている時には、液循環ライン１４０ａの開閉弁１４４ｂを開き、加圧気体供給ライン１３８の開閉弁１４４ａを閉じる。これにより、水洗槽５２内の処理液（純水）を支持棒９４ａの中央孔１３２を通して水洗槽５２内に戻して循環させる。これにより、水洗槽５２内の処理液（純水）が、連通孔１３４ａから中央孔１３２内を通って循環し、連通孔１３４ａや中央孔１３２内を洗浄することができる。
【００６１】
上記の例では、図１７（ａ）に示すように、基板ホルダ８０ａの支持棒９４ａの中央孔１３２と支持溝１３０とを、複数の穴から成る連通孔１３４ａで互いに連通させるようにしているが、図１７（ｂ）に示すように、支持棒９４ａの中央孔１３２と支持溝１３０とを、扇状に拡がるスリット状の連通孔１３４ｂで互いに連通させるようにしてもよい。このことは、他の基板ホルダ８０ｂ〜８０ｄの支持棒９４ｂ〜９４ｄにあっても同様である。なお、支持溝１３０が直接中央孔１３２と連通するようにして、連通孔１３４ａを省略しても良い。
【００６２】
図１８は、ジンケート処理モジュール６０の基板ホルダ８０ｂに備えられている支持棒９４ｂの一部を拡大した断面を、水分除去機構と共に示す概要図である。図１８に示すように、支持棒９４ｂには、前述の支持棒９４ａと同様に、基板Ｗの外周部を位置させて基板Ｗを鉛直方向に支持する複数の支持溝１３０が設けられ、この各支持溝１３０は、支持棒９４ｂの内部に設けた、一端が閉塞された中央孔１３２と複数の穴からなる連通孔１３４ａで互いに連通している。中央孔１３２の開口端には、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構１３６ｂが接続されている。
【００６３】
水分除去機構１３６ｂは、支持棒９４ｂの中央孔１３２の開口端に択一的に選択される水分吸引ライン１５０と、この例では、加圧流体供給ラインからなる液浸入防止ライン１４０ｂとを有している。水分吸引ライン１５０は、例えば真空ポンプ等の水分吸引源１５２に接続され、液浸入防止ライン（加圧流体供給ライン）１４０ｂと合流する手前に開閉バルブ１４４ｃが介装されている。液浸入防止ライン１４０ｂは、例えばＮ２ガスやエア等の気体、或いは純水等の液体を加圧して供給する流体供給源１５４に接続され、水分吸引ライン１５０と合流する手前に開閉バルブ１４４ｄが介装されている。
【００６４】
これにより、液浸入防止ライン１４０ｂの開閉弁１４４ｄを閉じ、水分吸引ライン１５０の開閉弁１４４ｃを開くことで、支持棒９４ｂの中央孔１３２及び連通孔１３４ａを通して、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分を吸引除去する。なお、この水分の吸引除去は、前述と同様に、支持溝１３０内に基板Ｗの外周部を位置させて基板Ｗを支持している状態でも、また基板Ｗを支持していない状態でも行うことができる。水分吸引ライン１５０を通して吸引した水分（ジンケート処理液）は、ジンケート処理槽５６に戻るように構成されている。
【００６５】
そして、例えば基板ホルダ８０ｂで保持した基板Ｗをジンケート処理槽５６内の処理液（ジンケート液）に浸漬させて基板Ｗのジンケート処理を行っている時には、液浸入防止ライン１４０ｂの開閉弁１４４ｄを開き、水分吸引ライン１５０の開閉弁１４４ｂを閉じる。これにより、支持棒９４ｂの中央孔１３２及び連通孔１３４ａを通して、支持溝１３０に向けてＮ２ガスやエア等の気体を噴出させる。これにより、ジンケート処理槽５６内の処理液（ジンケート液）が、連通孔１３４ａから中央孔１３２内に浸入することを防止することができる。連通孔１３４ａや中央孔１３２は、径の細い管であるので、管の内部での処理液の析出等を防止するため、少しでも処理液の進入を防ぐことが望ましい。
【００６６】
なお、Ｎｉめっきモジュール６６の基板ホルダ８０ｃの支持棒９４ｃ、Ａｕめっきモジュール７２の基板ホルダ８０ｄの支持棒９４ｄにあっても、支持棒９４ａと同様に、複数の支持溝１３０が設けられ、この各支持溝１３０は、支持棒９４ａの内部に設けた、一端が閉塞された中央孔１３２と複数の穴からなる連通孔１３４ａで互いに連通している。そして、中央孔１３２の開口端には、水分吸引ライン１５０と加圧流体供給ラインからなる液浸入防止ライン１４０ｂとを有する、前述の同様な構成の水分除去機構１３６ｂが接続されている。
【００６７】
次に、この例の無電解めっき装置による、一連の処理を、図６〜図１２、並びに図１９を参照して説明する。
【００６８】
先ず、図６に示すように、前洗浄モジュール５４の基板ホルダ８０ａで、モジュール間基板搬送装置９０の基板保持部８８から複数枚の基板Ｗを同時に受け取って鉛直方向に保持する。この時、基板ホルダ８０ａは、前洗浄槽５０の直上方に位置し、各基板Ｗの外周部は、支持棒９４ａの支持溝１３０の内部に位置し、これによって、基板Ｗは所定のピッチで整列されて基板ホルダ８０ａで保持される。
【００６９】
そして、基板ホルダ８０ａを下降させて、基板ホルダ８０ａで保持した複数枚の基板Ｗを、前洗浄槽５０内の処理液（硝酸）に、例えば１分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面の酸化膜を除去する。このように、基板Ｗを処理液（硝酸）に浸漬させているときに、液循環ライン１４０ａの開閉弁１４４ｂを開き、加圧気体供給ライン１３８の開閉弁１４４ａを閉じることによって、液循環ライン１４０ａを通して、処理液（硝酸）を連通孔１３４ａから吸込み、前洗浄槽５０に戻すようにしても良い。このことは、以下同様である。
【００７０】
次に、図７に示すように、基板ホルダ８０ａで保持した複数枚の基板Ｗを、前洗浄槽５０内の処理液（硝酸）から引き上げ、水洗槽５２の直上方に移動させる。そして、基板ホルダ８０ａを下降させて、基板ホルダ８０ａで保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽５２内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面を水洗する。前述したように、基板Ｗの表面を水洗している間、水洗槽５２内の処理液（純水）を、連通孔１３４ａから中央孔１３２内を通って循環させ、連通孔１３４ａや中央孔１３２内を洗浄しても良い。しかる後、基板ホルダ８０ａで保持した複数枚の基板Ｗを、例えば５０ｍｍ／ｓ以下に調整された引き上げ速度で、水洗槽５２内の処理液（純水）から引き上げる。このように、引き上げ速度を、例えば５０ｍｍ／ｓ以下に調整することで、基板Ｗの表面に多量の処理液（純水）が残るのを防止することができる。
【００７１】
このように、基板Ｗを処理液（純水）から引き上げた後、液循環ライン１４０ａの開閉弁１４４ｂを閉じ、加圧気体供給ライン１３８の開閉弁１４４ａを開くことで、エア等の高圧気体を支持棒９４ａの中央孔１３２の内部に導き、連通孔１３４ａを通して、支持溝１３０に向けて噴出させ、これによって、支持溝１３０乃至その周辺に溜まる水分を高圧気体で吹き飛ばして除去する。吹き飛ばされた水分は、主に水洗槽５２内に戻るため、結果的に水分の持ち出し量の低減となる。また基板の下端に溜まった水分も適度に除去できるので、次のジンケート処理において水分とジンケート液とが混ざることによる悪影響を減らすことができる。
【００７２】
次に、図８に示すように、前洗浄モジュール５４の基板ホルダ８０ａで鉛直方向に保持した複数枚の基板Ｗを、モジュール間基板搬送装置９０の基板保持具８８を経由して、ジンケート処理モジュール６０の基板ホルダ８０ｂに受け渡す。この基板ホルダ８０ｂは、ジンケート処理槽５６の直上方に位置している。また、複数枚の基板Ｗを保持する前に、液浸入防止ライン１４０ｂの開閉弁１４４ｄを閉じ、水分吸引ライン１５０の開閉弁１４４ｃを開くことで、支持棒９４ｂの中央孔１３２及び連通孔１３４ａを通して、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分を予め吸引除去している。
【００７３】
次に、図９に示すように、基板ホルダ８０ｂを下降させて、基板ホルダ８０ｂで保持した複数枚の基板Ｗを、ジンケート処理槽５６内の処理液（ジンケート液）に、例えば３０秒浸漬させ、これによって、Ａｌからなるバンプパッド４０（図５参照）の表面の１回目のジンケート処理を行う。このように、基板Ｗを処理液（ジンケート液）に浸漬させているときは、液浸入防止ライン１４０ｂの開閉弁１４４ｄを開き、水分吸引ライン１５０の開閉弁１４４ｃを閉じる。これによって、ジンケート処理槽５６の処理液が、連通孔１３４ａから中央孔１３２内に浸入することを防止する。このことは、以下同様である。
【００７４】
この基板ホルダ８０ｂで保持した基板Ｗをジンケート処理槽５６内の処理液（ジンケート液）に浸漬させる時の浸漬速度は、例えば１００ｍｍ／ｓ以上に調整される。このように、浸漬速度を、例えば１００ｍｍ／ｓ以上に調整することで、基板Ｗの下端から上端までを処理液（ジンケート処理液）中に完全に浸漬させるのに要する時間を少なくすることができる。この基板Ｗを処理液（ジンケート液）に浸漬させる時に、移動機構を介して、基板ホルダ８０ｂを振動、上下揺動または左右揺動させることが好ましい。これらにより、基板表面の処理液の拡散を促進することができる。
【００７５】
次に、図１０に示すように、基板ホルダ８０ｂで保持した複数枚の基板Ｗを、例えば５０ｍｍ／ｓ以下に調整された引き上げ速度で、ジンケート処理槽５６内の処理液（ジンケート液）から引き上げる。このように、引き上げ速度を、例えば５０ｍｍ／ｓ以下に調整することで、基板Ｗの表面に多量の処理液（ジンケート液）が残って処理が不均一になったり、処理液の外部への持ち出し量が増えてしまうことを防止することができる。
【００７６】
このように、基板Ｗを処理液（ジンケート液）から引き上げた後、液浸入防止ライン１４０ｂの開閉弁１４４ｃを閉じ、水分吸引ライン１５０の開閉弁１４４ｃを開くことで、支持棒９４ｂの中央孔１３２及び連通孔１３４ａを通して、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分（ジンケート液）を吸引除去する。このように、水分（ジンケート液）を吸引除去して、再使用することで、水分（ジンケート液）の外部への持ち出し量を最低限に抑えることができる。
【００７７】
次に、前述とほぼ同様に、基板ホルダ８０ｂで保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽５８の直上方に移動させる。そして、基板ホルダ８０ｂを下降させて、基板ホルダ８０ｂで保持した複数枚の基板Ｗを、水洗槽５８内の処理液（純水）に、例えば１分間浸漬させ、これによって、基板Ｗの表面を水洗する。この時、液浸入防止ライン１４０ｂを通じて処理液（純水）を噴出させて管内を洗浄しても良い。しかる後、基板ホルダ８０ｂで保持した複数枚の基板Ｗを水洗槽５６内の処理液（純水）から引き上げる。
【００７８】
上記基板の硝酸中への浸漬及びその後の水洗、ジンケート液中への浸漬及びその後の水洗を１サイクルとして、このサイクルを２回繰返し、これによって、いわゆるダブルジンケート処理を行う。このように、ダブルジンケート処理を行うことで、Ａｌからなるバンプパッド４０（図５参照）の表面に、１回目のジンケート処理で粗く付与された亜鉛（亜鉛めっき膜）を硝酸で除去し、しかる後、バンプパッド４０の表面を、２回目のジンケート処理で細かく亜鉛に置換することができる。これによって、図５（ｂ）に示す亜鉛めっき膜４２を形成する。
【００７９】
次に、ダブルジンケート処置後の基板を、モジュール間基板搬送装置９０の基板保持具８８を経由して、Ｎｉめっきモジュール６６の基板ホルダ８０ｃに受け渡す。そして、前述のジンケート処理とほぼ同様にして、基板ホルダ８０ｃで鉛直方向に保持した複数枚の基板を、Ｎｉめっき槽６２内の、例えば液温が８０℃の処理液（Ｎｉめっき液）に、例えば５０分間浸漬させ、しかる後、Ｎｉめっき後の基板を、水洗槽６４内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させて水洗する。これによって、図５（ｂ）に示すＮｉめっき膜４４を形成する。
【００８０】
次に、Ｎｉめっき後の基板を、モジュール間基板搬送装置９０の基板保持具８８を経由して、Ａｕめっきモジュール７２の基板ホルダ８０ｄに受け渡す。そして、前述のジンケート処理とほぼ同様に、図１１に示すように、基板ホルダ８０ｄを下降させて、基板ホルダ８０ｄで鉛直方向に保持した複数枚の基板を、Ａｕめっき槽６８内の、例えば液温が７５℃の処理液（Ａｕめっき液）に、例えば１０分間浸漬させる。これによって、図５（ｂ）に示すＡｕめっき膜４６を形成する。
【００８１】
そして、前述のジンケート処理とほぼ同様に、図１２に示すように、基板ホルダ８０ｄで保持した複数枚の基板Ｗを、例えば５０ｍｍ／ｓ以下に調整された引き上げ速度で、Ａｕめっき槽６８内の処理液（Ａｕめっき液）から引き上げた後、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分（（Ａｕめっき液）を吸引除去する。しかる後、基板ホルダ８０ｄで保持した複数枚の基板Ｗに向けて、純水噴射ノズルから純水を噴射する。これによって、基板Ｗ等の付着した水分（Ａｕめっき液）を純水で洗い流して、Ａｕめっき槽６８に戻す。この時に噴射する純水の量は、例えば基板を処理することによって減少した純水の量に見合った量である。これによって、一般に高価なＡｕめっき液の外部への持ち出し量を更に削減することができる。
【００８２】
なお、Ｎｉめっき槽６２の上方に純水噴射ノズルを配置し、Ｎｉめっき後に基板等に付着したＮｉめっき液を、純水噴射ノズルから噴射される純水で洗い流してＮｉめっき槽６２に戻すようにしても良い。
【００８３】
そして、Ａｕめっき後の基板を、前述のジンケート処理とほぼ同様に、水洗槽８０内の処理液（純水）に、例えば５分間浸漬させて水洗する。
【００８４】
次に、Ａｕめっき後の基板を、モジュール間基板搬送装置９０の基板保持具８８を経由して、乾燥モジュール７６の基板ホルダ８０ｅに受け渡す。そして、基板ホルダ８０ｅで鉛直方向に保持した複数枚の基板Ｗを、乾燥モジュール８４で、例えばエアブローまたはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を使用した乾燥方法で乾燥させる。
【００８５】
そして、モジュール間基板搬送装置９０の基板保持具８８は、乾燥後の基板Ｗを基板ホルダ８０ｅから受け取って、次工程に搬送する。これにより、一連の無電解めっき処理を終了する。
【００８６】
なお、図２０に示すように、基板ホルダ８０ａの支持棒９４ａで、複数枚の基板Ｗを、被めっき面Ｗａが一定の方向を向くように、同一方向で支持する場合には、基板Ｗの被めっき面Ｗａを向くように一方向に開口させた連通孔１３４ｃを介して、中央孔１３２と支持溝１３０とが互いに連通するようにしてもよい。
【００８７】
また、図２１に示すように、基板ホルダ８０ａの支持棒９４ａで、複数枚の基板Ｗを、被めっき面Ｗａが互いに対向するように、互い違いの方向で支持する場合には、基板Ｗの被めっき面Ｗａを向くようにＹ字状に開口させた連通孔１３４ｄを介して、中央孔１３２と支持溝１３０とが互いに連通するようにしてもよい。この場合、図２２に示すように、基板Ｗの裏面を向くようにＹ字状に開口させた他の連通孔１３４ｅを設けるようにしてもよい。
【００８８】
このことは、他の基板ホルダ８０ｂ〜８０ｅの支持棒９４ｂ〜９４ｅにあっても同様である。
【００８９】
次に、１μｍのＡｌを下地金属としたベタウェーハの表面に、上記無電解めっき装置を使用した、上記一連の無電解めっきを行って、６μｍのＮｉめっき膜と０．１μｍのＡｕめっき膜を順次形成した時の外観図を図２３（ａ）に示す。
【００９０】
なお、図２３（ｂ）は、従来の一般的な無電解めっきによって、１μｍのＡｌを下地金属としたベタウェーハの表面に、６μｍのＮｉめっき膜と０．１μｍのＡｕめっき膜を順次形成した時の外観図を参考として示している。また、図２３（ｃ）は、純水で水洗した基板を純水から５０ｍｍ／ｓ以下の速度で引き上げた後、ジンケート液に１００ｍｍ／ｓ以上の浸漬速度で浸漬させてジンケート処理を行い、図２３（ｄ）は、基板をジンケート液に浸漬させるときに、更に基板を振動または揺動させ、それ以外は、従来の一般的な無電解めっきによって、前述と同様に、６μｍのＮｉめっき膜と０．１μｍのＡｕめっき膜を順次形成した時の外観図を示している。
【００９１】
図２３から、純水で水洗した基板を純水から５０ｍｍ／ｓ以下の速度で引き上げた後、ジンケート液に１００ｍｍ／ｓ以上の浸漬速度で浸漬させてジンケート処理を行うことで、斑な外観が改善され、更に、基板を振動または揺動させつつジンケート液に浸漬させ、更には、外周部を位置させて基板を支持する支持溝の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去することで、基板の外観が良好になることが判る。
【００９２】
図２４（ａ）は、１μｍのＡｌを下地金属（バンプパッド）としたパターンウェーハの表面に、上記無電解めっき装置を使用した、上記一連の無電解めっきを行って、６μｍのＮｉめっき膜と０．１μｍのＡｕめっき膜を順次形成した時の膜厚面内分布図を、図２４（ｂ）は、ジンケート処理後及びめっき処理後の外観図、及び断面図を示す。
【００９３】
なお、図２５（ａ）は、１μｍのＡｌを下地金属（バンプパッド）としたパターンウェーハの表面に、従来の一般的な無電解めっきを行って、６μｍのＮｉめっき膜と０．１μｍのＡｕめっき膜を順次形成した時の膜厚面内分布図を、図２５（ｂ）は、ジンケート処理後及びめっき処理後の外観図、及び断面図を示す。
【００９４】
図２４及び図２５から、パターンウェーハでは、膜厚の面内分布のばらつきが小さくなることが判る。これは、亜鉛置換量の適正化、均一化によるものであると考えられる。また、同時に、バンプパッド上の粗さ低減し、バンプパッド自身のダメージが低減していることが判る。
【００９５】
上記の例では、水分除去機構１３６ａとして、加圧気体供給ライン１３８と、中央孔１３２を通して処理液を循環させる液循環ライン１４０ａとを有するものを、水分除去機構１３６ｂとして、水分吸引ライン１５０と、加圧流体供給ラインからなる液浸入防止ライン１４０ｂとを有するものを使用した例を示しているが、加圧気体供給ラインと水分吸引ラインの一方と、液循環ラインと加圧流体供給ラインの一方を任意に組合せて、水分除去機構を構成するようにしても良い。
【００９６】
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００９７】
４０  バンプパッド
４２  亜鉛めっき膜
４４  Ｎｉめっき膜
４６  Ａｕめっき膜
５０  前洗浄槽
５２，５８，６４，７０  水洗槽
５４  前洗浄モジュール
５６  ジンケート処理槽
６０  ジンケート処理モジュール
６２  Ｎｉめっき槽
６６  Ｎｉめっきモジュール
６８  Ａｕめっき槽
７２  Ａｕめっきモジュール
７４  乾燥ユニット
７６  乾燥モジュール
８０ａ〜８０ｅ  基板ホルダ
８８  基板保持具
９０  モジュール間基板搬送装置
９２ａ〜９２ｅ  側板
９４ａ〜９４ｅ  支持棒
１０８  温度調整器
１１０  フィルタ
１１２  処理液循環ライン
１３０  支持溝
１３２  中央孔
１３４ａ〜１３４ｅ  連通孔
１３６ａ，１３６ｂ  水分除去機構
１３８  加圧気体供給ライン
１４０ａ  液循環ライン
１４０ｂ  液浸入防止ライン
１４２  加圧気体供給源
１４４ａ〜１４４ｄ  開閉バルブ
１５０  水分吸引ライン
１５２  水分吸引源
１５４  流体供給源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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