(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲット組織の析出物のサイズ（大きさ）が１０μｍ以下で、かつ該析出物の個数が５００個／ｍｍ２以下であることを特徴とする高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲットに含まれる不純物の炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であり、純度が９９．９９％（４Ｎ）以上であることを特徴とする請求項１に記載の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造方法であって、コバルト及び銅の原料を溶解・鋳造してインゴットを作製し、このインゴットを時効硬化処理せずに、熱間鍛造、冷間圧延、熱処理を行い、ターゲットに加工することを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項４】
原料の純度が９９．９９％（４Ｎ）以上であり、該原料に含まれる不純物の炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）がそれぞれ１０ｐｐｍ以下である原料を用いることを特徴とする請求項３に記載の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーティクルの発生を抑制できる高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットに関する。本願明細書で成分組成を％表示する場合で、特に表示が無い場合においても、全て「ａｔ％」を意味するものとする。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子の配線材料としてＡｌ合金（比抵抗：３．０μΩ・ｃｍ程度）が使われてきたが、配線の微細化に伴い、より抵抗の低い銅配線（比抵抗：２．０μΩ・ｃｍ程度）が実用化されてきた。銅配線の形成プロセスとしては、配線又は配線溝にＴａやＴａＮなどの拡散バリア層を形成した後、銅をスパッタ成膜することが一般に行われる。銅は通常、純度４Ｎ（ガス成分抜き）程度の電気銅を粗金属として湿式や乾式の高純度化プロセスによって、５Ｎ〜６Ｎの高純度のものを製造し、これをスパッタリングターゲットとして使用していた。【０００３】
上記の通り、半導体用配線として、銅は非常に有効であるが、配線の微細化に伴い、エレクトロマイグレーションやストレスインデューストボイドの形成により銅配線の信頼性が低下するようになり、銅配線材そのものの改良も要求されている。このような材料として、銅コバルト合金を挙げることができる。【０００４】
スパッタリング法により薄膜の層を形成する場合には、銅コバルト合金のターゲットが必要となる。このターゲットの製造は、大きく分けて焼結法によるものと、溶解・鋳造法によるものと２種類に分けられる。ターゲットの強度、密度及び生産効率の面から見て、溶解・鋳造法により作製するのが望ましいと言える。
しかしながら、銅コバルト合金のターゲットについては、固有の問題があり、スパッタリング時にパーティクルが多く発生するという問題が発生した。【０００５】
そこで、従来技術を見ると、銅（Ｃｕ）にコバルト（Ｃｏ）を添加した、銅コバルト合金スパッタリングターゲットがいくつか提案されている。
例えば、下記特許文献１には（Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｖ）から選ばれる１ 種または２種以上の遷移金属元素を２〜２０ａｔ％含有するＣｕ系スパッタリングターゲットであって、Ｃｕを主体とするマトリックスに、該マトリックスに非固溶な前記遷移金属元素の単体または合金相でなる遷移金属元素相が分散していることを特徴とする電極膜形成用Ｃｕ系スパッタリングターゲットが記載されている。しかし、この技術は、粉末冶金法により製作するもので、ターゲットの強度、密度及び生産効率の面から見て得策ではない。【０００６】
また、下記特許文献２には、高純度銅または低濃度銅合金からなる銅素材に対して、異なる方向からそれぞれ圧縮加工を施す多軸鍛造加工処理を行い、結晶粒が微細化された銅材料を製出する微細結晶粒銅材料の製造方法であり、前記多軸鍛造加工処理における１パス目の圧縮加工を行う初期加工温度Ｔ１が、銅素材において動的再結晶が少なくとも部分的に発生する温度とするものである。
そしてこの製造方法によって製造される微細結晶粒銅材料並びにこの微細結晶粒銅材料からなるスパッタリングターゲットを提供することが記載されている。この文献２の銅材料の添加元素として、Ｃｏも挙げられているが、その具体例はなく、ターゲットに加工した後の、パーティクルの発生状況を示すものは、一切記載されていない。【０００７】
また、下記特許文献３には、本発明は、低固有抵抗および高耐食性を有し、成分不均一の小さい薄膜を製造できるＣｕ系スパッタリングターゲット材を提供するという目的で、Ｃｕベースのマトリックスを主相とし、Ｃｕと非固溶、偏晶系または包晶系の状態図を示す元素を含み、その元素を主とする第２相がＣｕマトリックス中に平均面積率５％以下析出したスパッタリングターゲット材において、第２相の平均径が５０μｍ以下であることを特徴とするＣｕ系スパッタリングターゲット材が記載されている。
この材料にはＣｏ添加も含まれているが、原料は粉末であり、これをＨＩＰ処理して製造するものなのでターゲットの強度、密度及び生産効率の面から見て得策ではない。【０００８】
また、下記特許文献４には、Ｃｕを主成分とする合金（Ｃｕ合金）であって、ガラス基板やシリコン膜との密着性が改善された合金を実現し、このＣｕ合金を用いた配線材料を提供するという目的で、Ａｕおよび／またはＣｏと、ＣｕとからなるＣｕ合金であって、Ｃｕの組成比率が８０〜９９．５ｗｔ％であり、Ａｕの組成比率とＣｕの組成比率の和が０．５〜２０ｗｔ％であることを特徴とするＣｕ合金を、配線材料として提案することが記載されている。そして、このような構成の配線材料をスパッタ法によってガラス基板やシリコンウエハ上に成膜したところ、電気抵抗が十分に低く、かつ、基板との強い密着強度が観察されたと記載されている。
しかし、文献４の段落００５３で、スパッタリングターゲットを製造する工程が簡略的に記載され、ターゲットに加工された場合のパーティクルの発生等の問題に全く関心がないようである。【０００９】
一般に、ターゲットの製作に際しては、溶解鋳造した銅コバルト合金インゴットを加工して、所定の寸法のターゲット形状に加工した後、表面を切削して製作される。
ターゲット表面の平滑性が改善されると、スパッタリング時のパーティクルの発生を抑制し、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することができる。
しかしながら、銅コバルト合金では、単に表面を平滑にしただけでは解決できない問題があり、従来技術では、このような観点でターゲット材料を開発した例が見られない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第３７１００２２号公報
【特許文献２】特開２０１０−６５２５２号公報
【特許文献３】特開２００５−２２０３８４号公報
【特許文献４】特開２００３−３４２６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
一般に、ＣｕＣｏ合金は強度の向上を狙いとして、時効硬化処理（例えば、大気中で１０００℃×１ｈｒ加熱後、水冷するという処理）後、７００℃以下の温度で時効硬化処理を行う。このような従来方法で作成したターゲットをスパッタしたところパーティクルが大量に発生するという問題が発生した。
この原因を調査したところ、組織中に球状のＣｕ−Ｃｏ析出物が多量存在しており、これがパーティクルの原因であることが分かった。そして、この析出物の生成は、ＣｕＣｏ合金の純度、酸素濃度、カーボン濃度に依存していることがわかった。このことから、さらに詳細な原因の究明と対策が必要であった。【００１２】
スパッタリング時のパーティクルの発生を解決することが喫緊の課題であるが、これを解決すれば、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を大きく向上させることができ、半導体用銅合金配線の形成に有用な高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットを提供することができる。本願発明は、これらの対策を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本発明は、以下の発明を提供するものである。  
１）Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲット組織の析出物のサイズ（大きさ）が１０μｍ以下で、かつ該析出物の個数が５００個／ｍｍ２以下であることを特徴とする高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲット。【００１４】
２）Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットであって、該ターゲットに含まれる不純物の炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であり、純度が９９．９９％（４Ｎ）以上であることを特徴とする上記１）に記載の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲット。【００１５】
３）ターゲット原料を、溶解、鋳造、鍛造、熱処理、機械加工により製造したターゲットであることを特徴とする上記１）〜２）のいずれか一項に記載の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲット。【００１６】
４）Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造方法であって、コバルト及び銅の原料を溶解・鋳造してインゴットを作製し、このインゴットを時効硬化処理せずに、熱間鍛造、冷間圧延、熱処理を行い、ターゲットに加工することを特徴とする上記１）〜２）のいずれか一項に記載の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造方法。【００１７】
５）原料の純度が９９．９９％（４Ｎ）以上であり、該原料に含まれる不純物の炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）がそれぞれ１０ｐｐｍ以下である原料を用いることを特徴とする上記４）に記載の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットは、Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットであり、該ターゲットに含まれる不純物の炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）をそれぞれ１０ｐｐｍ以下とし、純度が９９．９９％（４Ｎ）以上である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットを提供するものであり、これによってスパッタリング時のパーティクルの発生を抑制することが可能となった。
そして、これにより、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上させることができるスパッタリングターゲットを提供できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】ターゲットの析出物の評価を行う場合の測定箇所を示す図であり、５箇所（中心部、Ｒ／２部×２箇所、外周部×２箇所）で実施した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットは、Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である、純度が９９．９９％（４Ｎ）以上の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットである。そして、このターゲットに含まれる不純物の炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）をそれぞれ１０ｐｐｍ以下とする。
これによって、ターゲット組織中のＣｕ−Ｃｏ析出物を著しく減少させることができる。なお、ターゲット組織のマトリックスは、Ｃｕの中にＣｏが固溶した状態にある。
【００２１】
上記の通り、ターゲット組織中のＣｕ−Ｃｏ析出物は、スパッタリング中のパーティクルの発生の直接的原因となり、成膜の品質を低下させるので、析出物の抑制（低減）は、高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの大きな効果と言える。
【００２２】
なお、Ｃｏ０．１ａｔ％未満では、耐エレクトロマイグレーション性能、耐ストレスインデュースボイド性能が小さくなり、Ｃｏ２０ａｔ％を超えると抵抗が増大し、半導体用銅合金配線としての機能は低下するため好ましくないので、銅コバルト合金の組成範囲は、上記の範囲とすることが必要である。
【００２３】
また、前記の範囲の添加であると、切削性や加工性が向上するという効果もあるので、ターゲットの製作が容易となり、生産性を向上させる効果もある。
また、切削性は、ターゲットの表面の平滑性が改善され、スパッタリング時のパーティクルの発生を、さらに抑制する効果もある。
【００２４】
また、高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットは、ターゲット組織中の析出物のサイズ（大きさ）を１０μｍ以下とし、かつ該析出物の個数が５００個／ｍｍ２以下とすることができる。これも本願発明の大きな特徴の一つである。析出物のサイズ（大きさ）をより小さくすること、そして析出物の個数を低減することは、良好なターゲットを獲得するための大きな指標である。
【００２５】
そして、高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットは、ターゲットの原料を、溶解、鋳造、鍛造、熱処理、機械加工により製造することができる。これは、従来の焼結体ターゲットに比べて、密度及び強度を向上させることができる。
高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造方法は、コバルト及び銅の原料を溶解・鋳造してインゴットを作製し、このインゴットを時効硬化処理せずに、熱間鍛造、冷間圧延、熱処理を行い、ターゲットに加工するものである。
【００２６】
ここで重要なことは、銅コバルト合金の製造に際して、強度を向上させるために、時効硬化処理することが通常の技術手段と考えられていることである。しかし、本願発明のスパッタリングターゲットの製造では、この工程は実施してはならないことである。
すなわち、時効硬化すると、上記の成分の範囲であっても、ターゲット組織中のＣｕ−Ｃｏ析出物の発生を抑制することが難しくなるからである。
【００２７】
高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造に際しては、純度を９９．９９％（４Ｎ）以上とし、該原料に含まれる不純物の炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）がそれぞれ１０ｐｐｍ以下である原料を用いることである。製造の途中での、これらの不純物の増加を極力制限することが必要である。炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）は炭化物及び酸化物形成の原因となる。
以上の工程によって、ターゲット組織の析出物のサイズ（大きさ）を１０μｍ以下とし、かつ該析出物の個数を５００個／ｍｍ２以下とすることを可能とし、これによって得られた高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすると、パーティクルの発生を著しく低減することができる。
【００２８】
高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットの製造に際しては、カーボンルツボ（坩堝）内に純度が４Ｎ以上である高純度銅と純度が４Ｎ以上である添加元素のコバルトを入れて溶解する。または、予め純度が４Ｎ以上である高純度銅をカーボンルツボ（坩堝）内で溶解し、これに４Ｎ以上の純度を有するコバルトを、目的とする成分組成となるように添加することもできる。
【００２９】
このようにして得た合金を鋳造して、本発明のＣｏ０．１〜２０ａｔ％と添加元素を含有する高純度の銅コバルト合金インゴットを得ることができる。
また、この銅コバルト合金には、必要に応じて、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｂｅ，Ｂ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅから選択した一元素以上を総計が５００ｐｐｍ以下添加することもできる。これらの添加元素は、粒径を微細にする効果があるので、結晶粒径を制御する必要がある場合は、これらを適宜添加することができる。
【００３０】
その後、この銅コバルト合金のインゴットを、所定の鍛造比で熱間鍛造し、その後所定の圧下率で圧延して圧延板を得る。これをさらに、所定の温度及び時間で熱処理する。
この後、研削及び研磨等の表面加工し、バッキングプレートにボンディングし、さらに仕上げ加工して、前記高純度銅コバルト合金から作製されたスパッタリングターゲット組立体に製造する。
【実施例】
【００３１】
次に、実施例に基づいて本発明を説明する。以下に示す実施例は、理解を容易にするためのものであり、これらの実施例によって本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく変形及び他の実施例は、当然本発明に含まれる。【００３２】
（実施例１）
実施例１では、純度４Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度４Ｎの高純度コバルト（Ｃｏ）を調整し、銅の溶湯に投入した。この銅コバルト合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。インゴットのサイズは、φ１６０ｍｍ×３００ｍｍＬとした。ここまでの工程は、以下の実施例において同様の手順を経る（但し、純度を除く）。【００３３】
得られた純度４Ｎ、Ｃ:４ｐｐｍ、Ｏ:５ｐｐｍ,Ｃｕ−０．１ａｔ％Ｃｏインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。ターゲットのサイズはφ４３０ｍｍ×７ｍｍｔとした。以下の実施例、比較例におけるターゲットの寸法は同様なので、寸法の記載は省略する。
作成したターゲットは１０μｍ以下の析出物が１３０個／ｍｍ２であった。
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例１のターゲットをスパッタして成膜し、パーティクルの発生を評価した。その結果を、表１に示す。【００３４】
スパッタ条件は、以下の通りである。
投入電力：３８ [ｋＷ]
成膜時間：６．５ [秒]
Ａｒ流量：４ [ｓｃｃｍ]
析出物の評価方法は、以下の通りである。
ターゲットにおいて、図１に示すように、１ｍｍ×１ｍｍの面積を５ヶ所観察し、各々について、１０μｍ以下のサイズ（大きさ）の析出物の個数を求め、これらの平均を１ｍｍ×１ｍｍの面積で除した。なお、析出物のサイズ（大きさ）は、長径と短径の平均とした。【００３５】
パーティクルの評価は、ＫＬＡ-Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｓｕｒｆｓｃａｎで成膜表面のパーティクル数の計測によるもので、０．０８μｍ以上のパーティクル数（個／ウエハ）と、０．２μｍ以上のパーティクル数（個／ウエハ）をカウントした。
ウエハ上のパーティクル数（平均値）は、０．２μｍ以上のパーティクル数が５．２個／ウエハ、０．０８μｍ以上パーティクル数が９．８個／ウエハと、非常に少ない結果となった。なお、このパーティクル数（平均値）とは、３００ｍｍφのウエハ３枚の“平均値”であり、以下同様である。【００３６】
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００３７】
【表１】
0005837202.tif 000002
【００３８】
（実施例２）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ５、Ｃ: ５ｐｐｍ、Ｏ: ９ｐｐｍ,Ｃｕ−１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。
作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が３００個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００３９】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が６．１個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１１．３個／ウエハと非常に少ない結果となった。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００４０】
（実施例３）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ５、Ｃ：２ｐｐｍ、Ｏ：８ｐｐｍ、Ｃｕ−５ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が２９０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００４１】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が６．０個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１０．８個／ウエハと、非常に少ない結果となった。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００４２】
（実施例４）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ５、Ｃ：７ｐｐｍ、Ｏ：５ｐｐｍ、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が３６０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００４３】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が６．３個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１２．１個／ウエハと、非常に少ない結果となった。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００４４】
（実施例５）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度５Ｎ、Ｃ：９ｐｐｍ、Ｏ：９ｐｐｍ、Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が４５０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００４５】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が６．７個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１２．５個／ウエハと、非常に少ない結果となった。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００４６】
（比較例１）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ、Ｃ:４ｐｐｍ、Ｏ：６ｐｐｍ、Ｃｕ−０．１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを、大気１０００℃×１ｈｒ加熱して時効硬化処理した後水冷し、これを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。
作成したターゲットは１０μｍ以下の析出物が８００個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００４７】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。その結果Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３８．３個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１０２．８個／ウエハと非常に多い結果となった。これは時効硬化処理を行ったことにより、Ｃｕ−Ｃｏが析出したことが原因と考えられる。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００４８】
（比較例２）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ５、Ｃ：３ｐｐｍ、Ｏ：８ｐｐｍ、Ｃｕ−１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを大気１０００℃×１ｈｒ加熱して時効硬化処理した後水冷し、これを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が７５０個／ｍｍ２であった。【００４９】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。この結果、Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が４９．１個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１１１．５個／ウエハと非常に多い結果となった。
これは時効硬化処理を行ったことにより、Ｃｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００５０】
（比較例３）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ５、Ｃ：２ｐｐｍ、Ｏ：７ｐｐｍ、Ｃｕ−５ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを大気１０００℃×１ｈｒ加熱して時効硬化処理した後水冷し、これを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が６８０個／ｍｍ２であった。【００５１】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。この結果、Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が４２．１個／ウエハ、０．０８μm以上が９８．３個／ウエハと非常に多い結果となった。
これは時効硬化処理を行ったことにより、Ｃｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００５２】
（比較例４）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ５、Ｃ：６ｐｐｍ、Ｏ：９ｐｐｍ、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを大気１０００℃×１ｈｒ加熱して時効硬化処理した後水冷し、これを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が５６０個／ｍｍ２であった。【００５３】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。この結果、Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３３．１個／ウエハ、０．０８μm以上が６５．２個／ウエハと非常に多い結果となった。
これは時効硬化処理を行ったことにより、Ｃｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。                    【００５４】
（比較例５）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度５Ｎ、Ｃ：５ｐｐｍ、Ｏ：８ｐｐｍ、Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを大気１０００℃×１ｈｒ加熱して時効硬化処理した後水冷し、鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が９００個／ｍｍ２であった。【００５５】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。その結果Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が５６．３個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１２３．２個／ウエハと、非常に多い結果となった。
これは時効硬化処理を行ったことにより、Ｃｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００５６】
（比較例６）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度３Ｎ５、Ｃ：２ｐｐｍ、Ｏ：７ｐｐｍ、Ｃｕ−０．１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が８９０個／ｍｍ２であった。【００５７】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。結果Ｃｏの面内分布は一定であった。またウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３２．１個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１２１．１個／ウエハと非常に多い結果となった。これは純度が悪く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００５８】
（比較例７）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度３Ｎ５、Ｃ：６ｐｐｍ、Ｏ：３ｐｐｍ、Ｃｕ−１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が８５０個／ｍｍ２であった。【００５９】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。結果Ｃｏの面内分布は一定であった。またウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３１．９個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１１１．９個／ウエハと非常に多い結果となった。これは純度が悪く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００６０】
（比較例８）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度３Ｎ５、Ｃ：３ｐｐｍ、Ｏ：４ｐｐｍ、Ｃｕ−５ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が８２０個／ｍｍ２であった。【００６１】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。結果Ｃｏの面内分布は一定であった。またウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３４．８個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１００．２個／ウエハと非常に多い結果となった。これは純度が悪く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００６２】
（比較例９）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度３Ｎ５、Ｃ：８ｐｐｍ、Ｏ：５ｐｐｍ、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が８６０個／ｍｍ２であった。【００６３】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。結果Ｃｏの面内分布は一定であった。またウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３５．２個／ウエハ、０．０８μｍ以上が１４０．２個／ウエハと非常に多い結果となった。これは純度が悪く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００６４】
（比較例１０）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度３Ｎ５、Ｃ：４ｐｐｍ、Ｏ：５ｐｐｍ、Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは、１０μｍ以下の析出物が７６０個／ｍｍ２であった。【００６５】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。結果Ｃｏの面内分布は一定であった。またウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が４３．７個／ウエハ、０．０８μｍ以上が７９．２個／ウエハと非常に多い結果となった。これは純度が悪く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。
表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００６６】
（比較例１１）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： １２ｐｐｍ , Ｏ： ４ｐｐｍ,Ｃｕ−０．１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が８００個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００６７】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果、Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３９．２個／ウエハ、０．０８μｍ以上が７８．９個／ウエハと、非常に多い結果となった。
これは不純物としてのＣ濃度が高く、結果として多量にＣｕ−Ｃｏが析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００６８】
（比較例１２）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： ６ｐｐｍ , Ｏ： １３ｐｐｍ,Ｃｕ−０．１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が８３０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００６９】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３３．８個／ウエハ、０．０８μｍ以上が６５．３個／ウエハと非常に多い結果となった。これは不純物としてのＯ濃度が高く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００７０】
（比較例１３）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： ２０ｐｐｍ , Ｏ： ５ｐｐｍ,Ｃｕ−１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が６８０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００７１】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果、Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が２８．９個／ウエハ、０．０８μｍ以上が４９．７個／ウエハと、非常に多い結果となった。
これは不純物としてのＣ濃度が高く、結果として多量にＣｕ−Ｃｏが析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００７２】
（比較例１４）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： ７ｐｐｍ , Ｏ： ３０ｐｐｍ,Ｃｕ−１ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が８００個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００７３】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３１．１個／ウエハ、０．０８μｍ以上が５７．７個／ウエハと非常に多い結果となった。これは不純物としてのＯ濃度が高く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００７４】
（比較例１５）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： １５ｐｐｍ , Ｏ： ５ｐｐｍ,Ｃｕ−５ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が５６０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００７５】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果、Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３５．２個／ウエハ、０．０８μｍ以上が７８．９個／ウエハと、非常に多い結果となった。
これは不純物としてのＣ濃度が高く、結果として多量にＣｕ−Ｃｏが析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００７６】
（比較例１６）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： ５ｐｐｍ , Ｏ： １４ｐｐｍ,Ｃｕ−５ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が６２０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００７７】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が４４．２個／ウエハ、０．０８μｍ以上が７７．９個／ウエハと非常に多い結果となった。これは不純物としてのＯ濃度が高く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００７８】
（比較例１７）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： １１ｐｐｍ , Ｏ： ６ｐｐｍ,Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が５９０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００７９】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果、Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が３２．５個／ウエハ、０．０８μｍ以上が６９．２個／ウエハと、非常に多い結果となった。
これは不純物としてのＣ濃度が高く、結果として多量にＣｕ−Ｃｏが析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００８０】
（比較例１８）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： ９ｐｐｍ , Ｏ： １９ｐｐｍ,Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が５４０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００８１】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が２９．７個／ウエハ、０．０８μｍ以上が５６．６個／ウエハと非常に多い結果となった。これは不純物としてのＯ濃度が高く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００８２】
（比較例１９）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： １４ｐｐｍ , Ｏ： ９ｐｐｍ,Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が６３０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００８３】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果、Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が２３．４個／ウエハ、０．０８μｍ以上が５９．８個／ウエハと、非常に多い結果となった。
これは不純物としてのＣ濃度が高く、結果として多量にＣｕ−Ｃｏが析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。【００８４】
（比較例２０）
インゴットを得るまでの工程は、上記実施例１と同様の手順を経る（但し、純度を除く）ので、記載を省略する。これによって、純度４Ｎ, Ｃ： ５ｐｐｍ , Ｏ： ２０ｐｐｍ,Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｏインゴットを製造し、次にこのインゴットを鍛造温度９００℃、冷間圧延（圧下率７０％）、熱処理（５００℃）で組織調整してターゲットを作成した。作成したターゲットは  １０μｍ以下の析出物が８１０個／ｍｍ２であった。作成したターゲットをスパッタ装置で成膜してウエハ上のパーティクルを測定した。【００８５】
パーティクル数の計測は、実施例１と同様にして行った。この結果Ｃｏの面内分布は一定であったが、ウエハ上のパーティクル数（平均値）は０．２μｍ以上が２６．７個／ウエハ、０．０８μｍ以上が６９．４個／ウエハと非常に多い結果となった。これは不純物としてのＯ濃度が高く、結果としてＣｕ−Ｃｏが多量に析出したことが原因と考えられる。表１に、ターゲットのＣｏの含有量、時効硬化処理の有無、純度（％）、Ｃ濃度（ｐｐｍ）、Ｏ濃度（ｐｐｍ）、析出物数（１０μｍ以下）、パーティクル数（平均値）を測定した結果と評価を示す。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明の高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットは、Ｃｏ０．１〜２０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットであり、該ターゲットに含まれる不純物の炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）をそれぞれ１０ｐｐｍ以下とし、純度が９９．９９％（４Ｎ）以上である高純度銅コバルト合金スパッタリングターゲットを提供するものであり、これによってスパッタリング時のパーティクルの発生を抑制することが可能となる。【００８７】
そして、これにより、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上させることができる。さらに、高純度銅コバルト合金固有の特性であるエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等に優れた半導体用銅合金配線の形成に有用である。
【図１】
0005837202.tif 000003