(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
力学量を検出するセンシング部（１）と、
前記センシング部（１）に隣接する気密空間（２３、１１２）とを備える力学量センサの製造方法において、
前記センサウェハ（１００）に前記センシング部（１）を複数形成するとともに、前記センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）の一方のウェハに前記気密空間（２３、１１２）を構成する凹部（２）を複数形成する工程と、
前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）のどちらかに対して、前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）との接合界面（３）の端部（３ａ）を覆って封止するための封止用材料（３０）を、前記封止用材料（３０）が溶けて流動したときに前記接合界面（３）の端部（３ａ）に到達する部位に配置する工程と、
前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）の表面同士を共有結合させ、前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とを直接接合し、前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）の前記一方のウェハに形成された前記凹部（２）を他方のウェハで塞ぐことで、前記気密空間（２３、１１２）を形成する工程と、
前記封止用材料（３０）を加熱して溶かし、溶けた封止用材料（３０）を前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）の接合界面（３）の端部（３ａ）に流動させる工程と、
前記封止用材料（３０）を硬化させて、前記接合界面（３）の端部（３ａ）を前記封止用材料（３０）で覆う工程と、
接合した前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とをチップ毎に分割する工程とを有することを特徴とする力学量センサの製造方法。
【請求項２】
前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とを接合する工程は、重ね合わせた前記センサウェハ（１００）および前記パッケージウェハ（２００）に対して熱処理を行うものであり、
前記封止用材料（３０）を配置する工程では、前記封止用材料（３０）として、前記熱処理の温度で溶けて流動するものを配置し、
前記封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程を、前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とを接合する工程と同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の力学量センサの製造方法。
【請求項３】
前記封止用材料（３０）を配置する工程では、前記凹部（２）の少なくとも側面（２ａ）に前記封止用材料（３０）を配置し、
前記封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程では、前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）のうち前記凹部（２）が形成された一方のウェハを上とし、他方のウェハを下とした状態で、前記封止用材料（３０）を溶かすことを特徴とする請求項１または２に記載の力学量センサの製造方法。
【請求項４】
前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とを接合する工程の前に、前記他方のウェハの表面に対して、溶けた前記封止用材料（３０）を溜めるための溝部（１０２、２０２）を形成する工程を有し、
前記封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程では、溶けた前記封止用材料（３０）を前記溝部（１０２、２０２）に溜めることで、前記接合界面（３）の端部（３ａ）を覆う位置に留めることを特徴とする請求項３に記載の力学量センサの製造方法。
【請求項５】
前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とを接合する工程の前に、前記他方のウェハの表面に対して、溶けた前記封止用材料（３０）を堰き止めるための突出部（１０３、２０３）を形成する工程を有し、
前記封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程では、溶けた前記封止用材料（３０）を前記突出部（１０３、２０３）で堰き止めることで、前記接合界面（３）の端部（３ａ）を覆う位置に前記封止用材料（３０）を留めることを特徴とする請求項３または４に記載の力学量センサの製造方法。
【請求項６】
前記封止用材料（３０）として半田を用い、
前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とを接合する工程の前に、前記他方のウェハの表面に対して、溶けた前記封止用材料（３０）を溜めるための金属膜（１０４、２０４）を形成する工程を有し、
前記封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程では、溶けた前記封止用材料（３０）を前記金属膜（１０４、２０４）の表面上に溜めることで、前記接合界面（３）の端部（３ａ）を覆う位置に前記封止用材料（３０）を留めることを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１つに記載の力学量センサの製造方法。
【請求項７】
前記封止用材料（３０）を配置する工程では、前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とのうち前記凹部（２）が形成されていない他方のウェハに対して、前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）とを接合したときに前記凹部（２）の上端角部（２ｃ）に対向する位置に予め設けておいた溝部（１０５）の内部に前記封止用材料（３０）を配置し、
前記封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程では、前記センサウェハ（１００）と前記パッケージウェハ（２００）のうち前記凹部（２）が形成された一方のウェハを下とし、前記他方のウェハを上とした状態で、前記封止用材料（３０）を溶かすことを特徴とする請求項１または２に記載の力学量センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、力学量を検出する力学量センサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図２２、２３に従来の力学量センサの断面図を示す。従来、力学量センサとして、図２２、２３に示すように、センシング部に隣接した気密空間を有するものがある。
【０００３】
図２２に示す力学量センサは、加速度センサであり、力学量としての加速度を検出するセンシング部１を有するセンサ基板１０と、センシング部１に隣接する気密空間２３を形成するための凹部２を有するパッケージ基板２０とを備えており、センサ基板１０とパッケージ基板２０とが接合されることで、凹部２とセンサ基板１０との間で気密空間２３が形成されている。
【０００４】
図２３に示す力学量センサは、圧力センサであり、力学量としての圧力を検出するセンシング部１およびこのセンシング部１に隣接する気密空間１１２を形成するための凹部２を有するセンサ基板１１０と、凹部２を塞ぐパッケージ基板２１０とを備えており、センサ基板１１０とパッケージ基板２１０とが接合されることで、凹部２とパッケージ基板２１０との間で気密空間１１２が形成されている。
【０００５】
また、このような力学量センサの製造方法として、特許文献１に開示されているように、センサウェハとパッケージウェハとをウェハレベルでパッケージしたＷＬＰ（Wafer Level Packaging）技術を用いた方法がある。
【０００６】
特許文献１に記載の方法は、具体的には、センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハと、センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が形成されたパッケージウェハとをウェハレベルで接合する際に、互いの対向面においてセンサ本体に対応する領域ごとに多重に設けた複数の枠状封止用接合層の各接合表面を活性化してから常温接合することで、センサウェハと凹部との間に気密空間を形成する。その後、接合したセンサウェハおよびパッケージウェハをチップ毎に分割している。この方法では、枠状封止用接合層を多重に設けることで、気密空間の気密信頼性の向上を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３９３８１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述の特許文献１に記載の方法のように枠状封止用接合層を多重に設けても、表面粗さやゴミなどが、枠状封止用接合層の各接合表面に存在すると、接合界面に空間ができる可能性が高く、そこから気密リークが始まる可能性がある。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成できる力学量センサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、
センサウェハ（１００）にセンシング部（１）を複数形成するとともに、センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）の一方のウェハに気密空間（２３、１１２）を構成する凹部（２）を複数形成する工程と、
センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）のどちらかに対して、センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）との接合界面（３）の端部（３ａ）を覆って封止するための封止用材料（３０）を、封止用材料（３０）が溶けて流動したときに接合界面（３）の端部（３ａ）に到達する部位に配置する工程と、
センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）の表面同士を共有結合させ、センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）とを直接接合し、センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）の一方のウェハに形成された凹部（２）を他方のウェハで塞ぐことで、気密空間（２３、１１２）を形成する工程と、
封止用材料（３０）を加熱して溶かし、溶けた封止用材料（３０）をセンサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）の接合界面（３）の端部（３ａ）に流動させる工程と、
封止用材料（３０）を硬化させて、接合界面（３）の端部（３ａ）を封止用材料（３０）で覆う工程と、
接合したセンサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）とをチップ毎に分割する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
このように、本発明は、チップに分割する前のウェハ状態の段階で、センサウェハとパッケージウェハの接合界面の端部を封止用材料で覆うようにしている。したがって、本発明によれば、接合界面の端部を封止用材料で覆うので、表面粗さやゴミがセンサウェハとパッケージウェハとの接合界面に存在しても、気密信頼性の高い気密空間を形成することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、
センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）とを接合する工程は、重ね合わせたセンサウェハ（１００）およびパッケージウェハ（２００）に対して熱処理を行うものであり、
封止用材料（３０）を配置する工程では、封止用材料（３０）として、熱処理の温度で溶けて流動するものを配置し、
封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程を、センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）とを接合する工程と同時に行うことを特徴としている。
【００１３】
このように、封止用材料として、接合工程での熱処理温度で溶けて流動するものを用いれば、接合工程での熱処理によって封止用材料（３０）を加熱して溶かすことができる。
【００１４】
また、請求項１または２に記載の発明において、封止用材料（３０）を配置する工程における封止用材料の配置場所については、例えば、請求項３に記載の発明のように、凹部（２）の少なくとも側面（２ａ）とすることができる。この場合、封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程では、センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）のうち凹部（２）が形成された一方のウェハを上とし、他方のウェハを下とした状態とすることで、溶けた封止用材料を接合界面の端部に流動させることができる。
【００１５】
さらに、凹部（２）の少なくとも側面（２ａ）に封止用材料を配置する場合では、例えば、請求項４に記載の発明のように、他方のウェハの表面に対して、溶けた封止用材料（３０）を溜めるための溝部（１０２、２０２）を形成しておくことが好ましい。これにより、封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程において、溶けた封止用材料（３０）を溝部（１０２、２０２）に溜めることで、接合界面（３）の端部（３ａ）を覆う位置に留めることができる。
【００１６】
また、凹部（２）の少なくとも側面（２ａ）に封止用材料を配置する場合では、例えば、請求項５に記載の発明のように、他方のウェハの表面に対して、溶けた封止用材料（３０）を堰き止めるための突出部（１０３、２０３）を形成しておくことが好ましい。これにより、封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程において、溶けた封止用材料（３０）を突出部（１０３、２０３）で堰き止めることで、接合界面（３）の端部（３ａ）を覆う位置に封止用材料（３０）を留めることができる。
【００１７】
また、凹部（２）の少なくとも側面（２ａ）に封止用材料としての半田を配置する場合では、請求項６に記載の発明のように、他方のウェハの表面に対して、溶けた封止用材料（３０）を溜めるための金属膜（１０４、２０４）を形成しておくことが好ましい。これにより、封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程において、溶けた封止用材料（３０）を濡れ性が高い金属膜（１０４、２０４）の表面上に溜めることで、接合界面（３）の端部（３ａ）を覆う位置に封止用材料（３０）を留めることができる。
【００１８】
また、請求項１または２に記載の発明において、封止用材料（３０）を配置する工程における封止用材料の配置場所については、例えば、請求項７に記載の発明のように、凹部（２）が形成されていない他方のウェハのうち、センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）とを接合したときに凹部（２）の上端角部（２ｃ）に対向する位置に予め設けておいた溝部（１０５）の内部とすることができる。この場合、封止用材料（３０）を加熱して溶かす工程では、センサウェハ（１００）とパッケージウェハ（２００）のうち凹部（２）が形成された一方のウェハを下とし、他方のウェハを上とした状態で、封止用材料（３０）を溶かすことで、溶けた封止用材料を接合界面の端部に流動させることができる。
【００１９】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態における加速度センサの断面図である。
【図２】第１実施形態における加速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図３】第１実施形態における加速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図４】第１実施形態における加速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図５】第１実施形態における加速度センサの製造工程を示す図であり、（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、接合後のセンサウェハとパッケージウェハの平面図、側面図である。
【図６】接合用熱処理後における図４（ｂ）中の破線で囲まれた領域Ａ２の拡大図である。
【図７】第２実施形態における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図である。
【図８】第３実施形態における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図である。
【図９】第４実施形態における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図である。
【図１０】第５実施形態における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、封止用材料３０が溶ける前と後における図１０中の破線で囲まれた領域Ａ３の拡大図である。
【図１２】第６実施形態における圧力センサの断面図である。
【図１３】第６実施形態における加速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図１４】第６実施形態における加速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図１５】第６実施形態における加速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図１６】接合用熱処理時における図１５（ｂ）中の破線で囲まれた領域Ｂ１の拡大図である。
【図１７】第６実施形態の変形例における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図である。
【図１８】第６実施形態の変形例における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図である。
【図１９】第６実施形態の変形例における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図である。
【図２０】第７実施形態における接合用熱処理時の圧力センサの断面図である。
【図２１】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、封止用材料３０が溶ける前と後における図２０中の破線で囲まれた領域Ｂ２の拡大図である。
【図２２】従来の力学量センサの断面図である。
【図２３】従来の力学量センサの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２２】
（第１実施形態）
図１に本実施形態における力学量センサとしての加速度センサの断面図を示す。本実施形態の加速度センサは、図１に示すように、加速度を検出するセンシング部１を有するセンサ基板１０と、センシング部１に隣接する気密空間を構成する凹部２を有するパッケージ基板２０とを備えている。
【００２３】
センサ基板１０は、シリコンからなる支持基板１１と、支持基板１１の表面上に配置されたシリコン酸化膜からなる埋込絶縁膜１２と、埋込絶縁膜１２を挟んで支持基板１１の反対側に配置されたシリコンからなる半導体層１３とを有するＳＯＩ基板を用いて構成されている。
【００２４】
半導体層１３には、センシング部１として、加速度の印加に応じて基板面と平行な方向へ変位可能な可動電極１４およびこの可動電極１４に対向して配置された固定電極１５が形成されている。可動電極１４と固定電極１５とは、半導体層１３に形成された溝１６によって分離されている。また、埋込絶縁膜１２のうち可動電極１４、固定電極１５に対向する部分が除去されている。
【００２５】
パッケージ基板２０は、シリコンからなる半導体基板２１と、半導体基板２１のセンサ基板１０側の表面に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜２２とを備えている。パッケージ基板２０は、センサ基板１０側の表面に形成された絶縁膜２２を介して、センサ基板１０の半導体層１３と接合されている。
【００２６】
凹部２は、パッケージ基板２０のセンサ基板１０側の表面のうちセンシング部１に対向する位置に形成されている。この凹部２は、半導体基板２１に形成された凹部表面に絶縁膜２２が形成されることで構成されている。この凹部２とセンサ基板１０（支持基板１１）とによって真空状態の気密空間２３が形成され、センシング部１が気密封止されている。
【００２７】
そして、本実施形態では、この凹部２の表面に、センサ基板１０とパッケージ基板２０との接合界面を覆うための封止用材料３０が付着している。この封止用材料３０の詳細については後述する。
【００２８】
パッケージ基板２０には、センサ基板１０側の表面からその反対側の表面まで貫通する貫通孔２４が形成されている。なお、この貫通孔２４の壁面およびパッケージ基板２０のセンサ基板１０側とは反対側の表面には、絶縁膜２５、２６が形成されている。そして、貫通孔２４の内部およびパッケージ基板２０のセンサ基板１０側とは反対側の表面上にわたって、センサ基板１０と電気的に接続されたＡｌやＣｕ等からなる金属配線層２７が形成されている。なお、金属配線層２７は複数形成されており、各金属配線層２７はそれぞれ可動電極１４、固定電極１５等と電気的に接続されている。
【００２９】
この加速度センサは、基板面と平行な方向に加速度が印加されたとき、この加速度の印加に伴い可動電極１４と固定電極１５との距離が変化し、この距離の変化により生じる両電極間の容量変化に基づいて加速度を検出する。
【００３０】
次に、本実施形態の加速度センサの製造方法について説明する。
【００３１】
図２〜図４に本実施形態の加速度センサの製造工程を示す。図２〜４は、図１中の破線で囲まれた領域Ａ１の部分に相当する。
【００３２】
まず、図２（ａ）〜（ｅ）に示す工程を行うことにより、１枚のセンサウェハ１００に対して、センシング部１を有するセンサ基板１０を複数形成する。なお、図２（ａ）〜（ｅ）では、センサウェハ１００のうち１つのセンサ基板１０に相当する部分のみを示している。
【００３３】
具体的には、図２（ａ）に示すように、センサウェハ１００として、支持基板１１の表面上に埋込絶縁膜１２と半導体層１３とが順に積層されたＳＯＩ基板を用意する。続いて、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程を行い、半導体層１３の表面上に所望パターンとされたレジスト４１を形成した後、図２（ｃ）に示すように、半導体層１３に対するレジスト４１をマスクとしたエッチング工程を行い、可動電極１４、固定電極１５のパターンを画定するように、溝１６を形成する。
【００３４】
続いて、図２（ｄ）に示すように、埋込絶縁膜１２に対する溝１６を介したエッチング工程を行うことで、埋込絶縁膜１２のうち可動電極１４および固定電極１５に対向する部分をエッチング除去して空洞部４２を形成する。その後、図２（ｅ）に示すように、レジストを除去する。このようして、１枚のセンサウェハ１００に対して、センシング部１を有するセンサ基板１０を複数形成する。
【００３５】
一方、図３（ａ）〜（ｈ）に示す工程を行うことにより、１枚のパッケージウェハ２００に対して、凹部２を有するパッケージ基板２０を複数形成する。なお、図３（ａ）〜（ｈ）では、パッケージウェハ２００のうち１つのパッケージ基板２０に相当する部分のみを示している。
【００３６】
具体的には、図３（ａ）に示すように、パッケージウェハ２００として半導体ウェハ（半導体基板２１）を用意する。そして、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程を行い、半導体基板２１の一面上に所望パターンとされたレジスト４３を形成する。続いて、図３（ｃ）に示すように、レジスト４３をマスクとしたエッチング工程を行って、半導体基板２１の一面側に凹部２１ａを形成した後、図３（ｄ）に示すように、レジスト４３を除去する。続いて、図３（ｅ）に示すように、半導体基板２１の表面にＣＶＤ法等により絶縁膜２２を形成する。これにより、パッケージウェハ２００に凹部２が形成される。このとき、半導体基板２１の凹部２が形成された表面とは反対側の表面にも絶縁膜２６を形成する。
【００３７】
続いて、図３（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィ工程を行い、凹部２を除くパッケージウェハ２００の一面上にレジスト４４を形成する。続いて、図３（ｇ）に示すように、凹部２の内部を含むパッケージウェハ２００の一面に封止用材料３０を塗布もしくは蒸着する。封止用材料３０としては、後述する接合用熱処理の温度で溶けて流動するものを用いる。例えば、ＢＰＳＧ、低融点ガラスを用いたり、ビニールや塩化ビニール等の有機物を用いたり、半田等の低融点金属を用いたりすることができる。
【００３８】
その後、図３（ｈ）に示すように、凹部２の内部以外に位置する封止用材料３０を、レジスト４４とともに除去する。これにより、この凹部２の側面２ａおよび底面２ｂに封止用材料３０が配置される。このとき、封止用材料３０は、凹部２の全ての側面２ａに配置されており、側面２ａに配置された封止用材料３０は環状に連続していると言える。本実施形態では、図３（ｆ）から図３（ｈ）に示す工程が、封止用材料３０を配置する工程である。
【００３９】
なお、図３（ｅ）に示す工程よりも前において、半導体基板２１をエッチングすることで貫通孔２４が形成され、図３（ｅ）に示す工程で、貫通孔２４の内面に絶縁層２５が形成された後、図３（ｆ）に示す工程の前もしくは図３（ｈ）に示す工程後に、金属配線層２７が形成される。
【００４０】
このようにして、１枚のパッケージウェハ２００に対して、凹部２を有するパッケージ基板２０を複数形成する。
【００４１】
その後、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合し、パッケージウェハ２００に形成された凹部２をセンサウェハ１００で塞ぐことで、気密空間２３を形成するする工程を行う。
【００４２】
具体的には、まず、センサウェハ１００のセンシング部１側の表面と、パッケージウェハ２００の凹部２側の表面のそれぞれに対して表面活性処理を施しておく。この表面活性処理としては、例えば、プラズマ照射等のエネルギー処理や、化学薬品等の液体に漬けるウェット処理が採用可能である。
【００４３】
続いて、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、真空下で、センサウェハ１００のセンシング部１とパッケージウェハ２００の凹部２とを対向させて、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを重ね合わせた後、接合用熱処理を施す。この接合用熱処理では、センサウェハ１００が下、パッケージウェハ２００が上に位置する状態とする。また、このときの熱処理温度は、パッケージウェハ２００に形成された金属配線層２７が溶融しないように、金属配線層２７の融点よりも低い温度、例えば、３００℃とする。
【００４４】
この接合用熱処理により、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の表面同士を共有結合させ、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを直接接合する。なお、図５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合した状態の平面図、側面図であり、図５（ａ）中の破線で囲まれた１つの四角が１つのセンサ基板１０および１つのパッケージ基板２０に相当する。
【００４５】
そして、接合用熱処理を施した後、接合したセンサウェハ１００およびパッケージウェハ２００を冷却する工程を行う。例えば、接合用熱処理後のセンサウェハ１００およびパッケージウェハ２００を自然冷却する。
【００４６】
その後、接合したセンサウェハ１００およびパッケージウェハ２００をダイシングしてチップ毎に分割する工程等を経ることで、本実施形態の加速度センサが製造される。なお、センサウェハ１００およびパッケージウェハ２００からチップ毎に分割された部分がセンサ基板１０およびパッケージ基板２０を構成する。
【００４７】
ここで、図６に、接合用熱処理後における図４（ｂ）中の破線で囲まれた領域Ａ２の拡大図を示す。本実施形態では、封止用材料３０として、接合用熱処理時の温度で溶けて粘性流動するものを採用しているので、図６に示すように、接合用熱処理時に、凹部２の側面２ａおよび底面２ｂに塗布しておいた封止用材料３０が加熱されて溶け、溶けた封止用材料３０がセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａに流動する。そして、接合用熱処理後の自然冷却により封止用材料３０が硬化し、封止用材料３０によって接合界面３の端部３ａが覆われた状態となる。
【００４８】
このように、本実施形態によれば、凹部２の内部から封止用材料３０がセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａを覆うので、表面粗さやゴミがセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００との接合界面３に存在しても、気密信頼性の高い気密空間２３を形成することができる。
【００４９】
なお、本実施形態では、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程が封止用材料３０を加熱して溶かす工程を兼ねており、すなわち、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程と同時に、封止用材料３０を加熱して溶かす工程を行っている。また、接合したセンサウェハ１００およびパッケージウェハ２００を冷却する工程が封止用材料３０を硬化させる工程に相当する。
【００５０】
（第２実施形態）
図７に本実施形態における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図を示す。図７は、図６に対応する図である。以下では、第１実施形態との相違点のみを説明する。
【００５１】
本実施形態では、センサウェハ１００のパッケージウェハ２００側の表面１０１に対して、接合用熱処理時に溶けた封止用材料３０を溜めるための溝部１０２を予め設けている。
【００５２】
この溝部１０２は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａに隣接しており、センサウェハ１００の表面１０１においてパッケージウェハ２００との接合界面３の端部３ａを内側から取り囲むように環状に連続して配置されている。
【００５３】
また、溝部１０２は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程の前に形成される。例えば、図２（ｂ）、（ｃ）に示す工程での半導体層１３のエッチングにより、溝１６とともに溝部１０２を形成することができる。
【００５４】
本実施形態によれば、接合用熱処理時において、溶けた封止用材料３０を溝１０２に溜めることで、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａを覆う位置に封止用材料３０を確実に留めることができる。また、溶けた封止用材料３０がセンシング部１に付着してセンシング部１に悪影響を及ぼすことを防止することができる。
【００５５】
（第３実施形態）
図８に本実施形態における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図を示す。図８は、図６に対応する図である。以下では、第１実施形態との相違点のみを説明する。
【００５６】
本実施形態では、第２実施形態の溝部１０２の代わりに、センサウェハ１００のパッケージウェハ２００側の表面１０１に対して、接合用熱処理時に溶けた封止用材料３０を堰き止めるための突出部１０３を設けている。
【００５７】
この突出部１０３は、突出部１０３以外の領域と比較して、センサウェハ１００の表面１０１から突出した部分であり、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａよりも内側に間をあけて位置し、センサウェハ１００の表面１０１においてパッケージウェハ２００との接合界面３の端部３ａを内側から取り囲むように環状に連続して配置されている。
【００５８】
また、突出部１０３は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程の前に形成される。例えば、図２（ｅ）に示す工程でレジスト４１を除去した後に、半導体、金属、絶縁体を堆積して突出部１０３を形成したり、突出部１０３の形成予定領域以外をエッチング除去することで突出部１０３を形成したりすることができる。
【００５９】
本実施形態によれば、接合用熱処理時において、溶けた封止用材料３０を突出部１０３により堰き止めることで、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａを覆う位置に封止用材料３０を確実に留めることができる。また、溶けた封止用材料３０がセンシング部１に付着してセンシング部１に悪影響を及ぼすことを防止することができる。
【００６０】
なお、本実施形態では、第２実施形態の溝部１０２の代わりに、突出部１０３を設けたが、図８において破線で示すように、第２実施形態の溝部１０２と、突出部１０３との両方をセンサウェハ１００の表面１０１に設けても良い。
【００６１】
（第４実施形態）
図９に本実施形態における接合用熱処理時の加速度センサの部分断面図を示す。図９は、図６に対応する図である。以下では、第１実施形態との相違点のみを説明する。
【００６２】
本実施形態では、封止用材料３０として半田を用いるとともに、第２実施形態の溝部１０２の代わりに、センサウェハ１００のパッケージウェハ２００側の表面１０１に対して、接合用熱処理時に溶けた半田を溜めるための金属膜１０４を設けている。
【００６３】
この金属膜１０４は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａよりも内側（図９では左側）に位置し、センサウェハ１００の表面１０１においてパッケージウェハ２００との接合界面３の端部３ａを内側から取り囲むように環状に連続して配置されている。
【００６４】
また、金属膜１０４は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程の前に形成される。例えば、図２（ｅ）に示す工程でレジスト４１を除去した後に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により金属膜１０４を形成することができる。
【００６５】
本実施形態によれば、センサウェハ１００のパッケージウェハ２００側の表面１０１に、センサウェハ１００の表面よりも半田の濡れ性が高い金属膜１０４を設けているので、接合用熱処理時において、溶けた半田３０を金属膜１０４の表面上に溜めることができ、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａを覆う位置に封止用材料３０を確実に留めることができる。また、溶けた封止用材料３０がセンシング部１に付着してセンシング部１に悪影響を及ぼすことを防止することができる。
【００６６】
なお、本実施形態では、第２実施形態の溝部１０２の代わりに、金属膜１０４を設けたが、第２実施形態の溝部１０２をセンサウェハ１００の表面１０１に設け、さらに、その溝部１０２の表面に金属膜１０４を設けても良い。また、第３実施形態の突出部１０３をセンサウェハ１００の表面１０１に設け、さらに、その突出部１０３の表面から接合界面３の端部３ａまでの間に金属膜１０４を設けても良い。また、第２実施形態の溝部１０２と第３実施形態の突出部１０３との両方をセンサウェハ１００の表面１０１に設け、突出部１０３の表面から接合界面３の端部３ａまでの間に金属膜１０４を設けても良い。
【００６７】
（第５実施形態）
図１０に本実施形態における接合用熱処理時の力学量センサの断面図を示し、図１１（ａ）、（ｂ）に図１０中の破線で囲まれた領域Ａ３の拡大図を示す。なお、図１１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、封止用材料３０が溶ける前と後の状態を示している。
【００６８】
本実施形態では、図１０に示すように、接合用熱処理時に、センサウェハ１００が上、パッケージウェハ２００が下に位置する状態とする。
【００６９】
このとき、図１１（ａ）に示すように、センサウェハ１００のパッケージウェハ２００側の表面１０１に、封止用材料３０を配置しておくための溝部１０５を予め設けており、この溝部１０５に封止用材料３０を予め配置している。
【００７０】
この溝部１０５は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合したときに、パッケージウェハ２００の凹部２の上端角部２ｃに対向する位置に配置されている。より詳細に言うと、溝部１０５の外側（図１１中の右側）の側面は、凹部２の側面２ｂよりも外側に位置し、溝部１０５の内側（図１１中の左側）の側面は、凹部２の側面２ｂよりも内側に位置している。このように、溝部１０５がパッケージウェハ２００に完全に塞がれず、凹部２に連なる隙間が形成されるように、センサウェハ１００の表面に平行な方向で、溝部１０５は上端角部２ｃを跨いで配置されている。
【００７１】
溝部１０５の外側の側面の位置によって、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００との接合界面３の端部３ａの位置が決まる。なお、溝部１０５の内側の側面を、凹部２の側面２ｂよりも内側に位置させて、隙間を形成するのは、溶けた封止用材料３０を流動させるためである。ただし、溶けた封止用材料３０が隙間から垂れないように、隙間はできるだけ小さいことが好ましい。
【００７２】
溝部１０５は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合したときに、凹部２を囲むように環状に連続して配置されている。
【００７３】
また、この溝部１０５は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程の前に形成される。例えば、図２（ｅ）に示す工程でレジスト４１を除去した後に、半導体層１３をエッチングすることにより、溝部１０５が形成され、その後、この溝部１０５に封止用材料３０が塗布される。本実施形態では、この溝部１０５を形成した後、封止用材料３０を塗布する工程が、封止用材料３０を配置する工程である。
【００７４】
そして、図１１（ｂ）に示すように、接合用熱処理の際では、溝部１０５に配置しておいた封止用材料３０が加熱されて溶け、溶けた封止用材料３０がセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａに流動する。接合用熱処理後の自然冷却により封止用材料３０が硬化し、封止用材料３０によって接合界面３の端部３ａが覆われた状態となる。
【００７５】
したがって、本実施形態においても、封止用材料３０によって接合界面３の端部３ａを覆うので、第１実施形態と同様に、気密信頼性の高い気密空間２３を形成することができる。
【００７６】
（第６実施形態）
図１２に本実施形態における力学量センサとしての圧力センサの断面図を示す。本実施形態の圧力センサは、図１２に示すように、圧力を検出するセンシング部１とセンシング部１に隣接する気密空間１１２を構成する凹部２とを有するセンサ基板１１０と、センサ基板１１０に接合されて凹部２を塞ぐパッケージ基板２１０とを備えている。
【００７７】
センサ基板１１０は、一面とその反対側の他面とを有するシリコンからなる半導体基板であり、その他面側（パッケージ基板２１０側の表面）に設けられた凹部２によって、一面側（パッケージ基板２１０側とは反対側の表面）にダイアフラム１１１が形成されている。
【００７８】
このダイアフラム１１１には、図示しないが、ダイアフラム１１１の歪みに基づく電気信号を発生するゲージ拡散抵抗（歪みゲージ）が、ブリッジ回路を構成するように形成されている。ダイアフラム１１１とパッケージ基板２１０との間の空間１１２は気密に封止されており、例えば、基準圧力室としての真空室として構成されている。
【００７９】
そして、本実施形態では、第１実施形態と同様に、この凹部２の側面２ａおよび底面２ｂに、センサ基板１１０とパッケージ基板２１０との接合界面を覆うための封止用材料３０が付着している。
【００８０】
パッケージ基板２１０は、シリコンからなる半導体基板２１１で構成され、半導体基板２１１の一面（センサ基板１１０側の表面）に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜２１２を介して、半導体基板２１１がセンサ基板１１０に接合されている。なお、本実施形態では、半導体基板２１１の一面だけでなく、他面（センサ基板１１０側とは反対側の表面）および側面にも絶縁膜２１２が形成されているが、他面および側面に絶縁膜２１２が形成されていなくても良い。
【００８１】
この圧力センサにおいては、ダイアフラム１１１の表面側から圧力が印加されると、ダイアフラム１１１が歪み、このダイアフラム１１１の歪みに基づいてゲージ拡散抵抗の抵抗値が変化し、ブリッジ回路における電圧値が変化する。この変化した電圧値に基づいて、印加圧力が検出されるようになっている。本実施形態の圧力センサにおいては、ダイアフラム１１１の表面にかかる圧力と真空室１１２内との圧力差、すなわち、絶対圧が検出される。
【００８２】
次に、本実施形態の圧力センサの製造方法について説明する。
【００８３】
図１３〜図１５に本実施形態の圧力センサの製造工程を示す。
【００８４】
まず、図１３（ａ）〜（ｅ）に示す工程を行うことにより、１枚のセンサウェハ１００に対して、センシング部１を有するセンサ基板１１０を複数形成する。なお、図１３（ａ）〜（ｅ）では、センサウェハ１００のうち１つのセンサ基板１１０に相当する部分のみを示している。
【００８５】
具体的には、図１３（ａ）に示すように、シリコンからなるセンサウェハ１００を用意する。このセンサウェハ１００には、センサウェハ１００の一面（図３中の下面）側におけるダイアフラム１１１の形成予定位置にゲージ拡散抵抗等が形成されている。
【００８６】
そして、図１３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程を行い、センサウェハ１００の他面（図１３中の上面）に所望パターンとされたレジスト５１を形成する。続いて、図１３（ｃ）に示すように、レジスト５１をマスクとしたエッチング工程を行い、センサウェハ１００の他面に凹部２を形成する。これにより、凹部２の底部としてダイアフラム１１１が形成される。
【００８７】
続いて、図１３（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様に、凹部２の内部を含むセンサウェハ１００の他面に封止用材料３０を塗布する。その後、図１３（ｅ）に示すように、凹部２の内部以外に位置する封止用材料３０を、レジスト５１とともに除去する。これにより、この凹部２の側面２ａおよび底面２ｂに封止用材料３０が設けられる。本実施形態では、図１３（ｄ）、（ｅ）に示す工程が、封止用材料３０を配置する工程である。
【００８８】
このようして、１枚のセンサウェハ１００に対して、センシング部１および気密空間１１２を構成する凹部２を有するセンサ基板１１０を複数形成する。
【００８９】
一方、図１４（ａ）に示すように、シリコンからなるパッケージウェハ２００（半導体基板２１１）を用意し、図１４（ｂ）に示すように、半導体基板２１１の表面に絶縁膜２１２を形成する。これにより、１枚のパッケージウェハ２００に対して、パッケージ基板２１０を複数形成する。
【００９０】
その後、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合し、センサウェハ１００に形成された凹部２をパッケージウェハ２００で塞ぐことで、気密空間１１２を形成する工程を行う。
【００９１】
具体的には、まず、センサウェハ１００の凹部２側の表面と、パッケージウェハ２００の表面のそれぞれに対して第１実施形態と同様に表面活性処理を施しておく。続いて、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、真空下で、センサウェハ１００の凹部２とパッケージウェハ２００とを対向させて、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを重ね合わせた後、第１実施形態と同様に、接合用熱処理を施す。このとき、センサウェハ１００が上、パッケージウェハ２００が下に位置する状態とする。これにより、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを直接接合する。
【００９２】
その後、接合したセンサウェハ１００およびパッケージウェハ２００を冷却する工程を行い、チップ毎にダイシングする工程を経ることで、本実施形態の圧力センサが製造される。
【００９３】
ここで、図１６に、接合用熱処理時における図１５（ｂ）中の破線で囲まれた領域Ｂ１の拡大図を示す。本実施形態においても、図１６に示すように、接合用熱処理時に、凹部２の側面２ａに塗布しておいた封止用材料３０が加熱されて溶け、溶けた封止用材料３０がセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａに流動する。そして、接合用熱処理後の自然冷却により封止用材料３０が硬化し、封止用材料３０によって接合界面３の端部３ａが覆われた状態となる。
【００９４】
したがって、本実施形態によっても、凹部２の内部から封止用材料３０がセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３を覆うので、表面粗さやゴミがセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００との接合界面３に存在しても、気密信頼性の高い気密空間１１２を形成することができる。
【００９５】
なお、本実施形態では、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程が封止用材料３０を加熱して溶かす工程を兼ねており、接合したセンサウェハ１００およびパッケージウェハ２００を冷却する工程が封止用材料３０を硬化させる工程に相当する。
【００９６】
また、本実施形態に対して、下記の通り、第２〜第４実施形態を組み合わせることも可能である。図１７〜図１９に、それぞれ、本実施形態の変形例を示す。
【００９７】
図１７に示すように、パッケージウェハ２００のセンサウェハ１００側の表面２０１に対して、第２実施形態と同様に、溶けた封止用材料３０を溜めるための溝部２０２を設けておくこともできる。この溝部２０２は、第２実施形態の溝部１０２と同様のものである。
【００９８】
また、図１８に示すように、パッケージウェハ２００のセンサウェハ１００側の表面２０１に対して、第３実施形態と同様に、溶けた封止用材料３０を堰き止めるための突出部２０３を設けておくことができる。この突出部２０３は、第３実施形態の突出部１０３と同様のものである。なお、図１８において破線で示すように、溝部２０２と突出部２０３の両方をパッケージウェハ２００の表面２０１に設けても良い。
【００９９】
また、封止用材料３０として半田を用いる場合では、図１９に示すように、パッケージウェハ２００のセンサウェハ１００側の表面２０１に対して、第４実施形態と同様に、半田の濡れ性を高めるために金属膜２０４を設けておくことができる。この金属膜２０４は、第４実施形態の金属膜１０４と同様のものである。なお、図１７に示すように溝部２０２を設け、溝部２０２の表面に金属膜２０４を設けたり、図１８に示すように、突出部２０３を設け、突出部２０３の表面から接合界面３の端部３ａまでの間に金属膜２０４を設けたり、図１８において破線で示すように溝部２０２と突出部２０３との両方を設け、突出部２０３の表面から接合界面３の端部３ａまでの間に金属膜２０４を設けても良い。
【０１００】
このようにすることで、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａを覆う位置に封止用材料３０を確実に留めることができる。
【０１０１】
（第７実施形態）
図２０に本実施形態における接合用熱処理時の圧力センサの断面図を示し、図２１（ａ）、（ｂ）に図２０中の破線で囲まれた領域Ｂ２の拡大図を示す。なお、図１１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、封止用材料３０が溶ける前と後の状態を示している。
【０１０２】
本実施形態では、図２０に示すように、接合用熱処理時に、センサウェハ１００が下、パッケージウェハ２００が上に位置する状態とする。
【０１０３】
このとき、図２１（ａ）に示すように、パッケージウェハ２００のセンサウェハ１００側の表面２０１に、封止用材料３０を配置しておくための溝部２０５を予め設けており、この溝部２０５に封止用材料３０を予め塗布している。
【０１０４】
この溝部２０５は、第５実施形態の溝部１０５に相当するものであり、第５実施形態と同様に、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合したときに、センサウェハ１００の凹部２の上端角部２ｃに対向する位置に配置されている。
【０１０５】
また、この溝部２０５は、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを接合する工程の前に形成される。例えば、図１４（ｂ）に示す工程で絶縁膜２１２が形成された後に、半導体基板２１１および絶縁膜２１２がエッチングされることにより、溝部２０５が形成され、その後、この溝部２０５に封止用材料３０が塗布される。本実施形態では、この溝部２０５を形成した後、封止用材料３０を塗布する工程が、封止用材料３０を配置する工程である。
【０１０６】
そして、図２１（ｂ）に示すように、接合用熱処理の際では、溝部２０５に配置しておいた封止用材料３０が加熱されて溶け、溶けた封止用材料３０がセンサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａに流動する。接合用熱処理後の自然冷却により封止用材料３０が硬化し、封止用材料３０によって接合界面３の端部３ａが覆われた状態となる。
【０１０７】
したがって、本実施形態においても、封止用材料３０によって接合界面３の端部３ａを覆うので、第６実施形態と同様に、気密信頼性の高い気密空間１１２を形成することができる。
【０１０８】
ところで、第６、第７実施形態のように、センサウェハ１００に凹部２を設ける場合では、第６実施形態よりも本実施形態が好ましい。この理由は次の通りである。第６実施形態では、図１２に示すように、封止用材料３０をセンサウェハ１００の凹部２に配置するため、センシング部１に封止用材料３０が付着する。センシング部１に封止用材料３０が付着していても圧力検出は可能であるが、センシング部１に封止用材料３０が付着していない場合と比較して、検出精度が低下する恐れがある。これに対して、本実施形態によれば、封止用材料３０をパッケージウェハ２００に配置するため、センシング部１に封止用材料３０が付着しないようにできる。
【０１０９】
（他の実施形態）
（１）第１〜第４、第６実施形態では、凹部２の側面２ａおよび底面２ｂに封止用材料３０を配置したが、凹部２の側面２ａおよび底面２ｂのうち側面２ａのみに配置しても良い。
【０１１０】
また、第５、第７実施形態では、封止用材料３０が配置される溝部１０５、２０５を、凹部２の上端角部２ｃに対向する位置に配置することにより、凹部２に隣接させていたが、溝部１０５、２０５を凹部２から離れた位置に配置しても良い。すなわち、封止用材料３０を凹部２から離れた位置に配置しても良い。このとき、溝部１０５、２０５を、ダイシングされて形成されたチップの端面よりもチップの内側に位置させれば、チップの内側から凹部２を気密封止することができる。
【０１１１】
要するに、封止用部材３０については、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００のどちらかに対し、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００の接合界面３の端部３ａから離れた部位であって、封止用材料３０が溶けて流動したときに接合界面３の端部３ａに到達する部位、すなわち、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００との接合界面３に連続する面に配置していれば良い。
【０１１２】
（２）上述の各実施形態では、接合用熱処理温度を３００℃としたが、他の温度に変更することも可能である。
【０１１３】
例えば、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００との接合工程を行う際に、センサウェハ１００およびパッケージウェハ２００に金属配線層が形成されていない場合等では、接合用熱処理温度を３００℃よりも高温とすることができる。この場合、封止用材料３０としては、この熱処理温度で溶ける材料を用いれば良い。
【０１１４】
また、特許文献１のように、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００とを常温接合しても良い。この場合、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００との接合工程および冷却工程とは別に、封止用材料３０を溶かす工程と封止用材料３０を硬化させる工程とを行う。このように、接合工程と、封止用材料３０を溶かす工程とを別々に行うこともできる。
【０１１５】
（３）第１〜第５実施形態では加速度センサの製造方法に本発明を適用し、第６、７実施形態では圧力センサの製造方法に本発明を適用したが、角速度センサ等の他の力学量センサの製造方法においても本発明の適用が可能である。
【０１１６】
また、上述の各実施形態では、センサウェハ１００の半導体層と、パッケージウェハ２００の絶縁膜とを接合していたが、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００のそれぞれの接合面を構成する材料については任意に変更可能である。例えば、センサウェハ１００とパッケージウェハ２００のそれぞれの表面に形成された金属膜同士を接合しても良い。また、半導体層としてＳｉ（単結晶、多結晶バルク）等を採用したり、絶縁膜としてＳｉＯ、ＳｉＮ等を採用したり、金属膜としてＡｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｗ、Ｔｉ等を採用したりすることができる。  
【０１１７】
また、上述の各実施形態では、気密空間２３、１１２を真空としていたが、気密であれば、気密空間２３、１１２を真空としなくても良く、気密空間２３、１１２を常圧、陽圧としても良い。
【符号の説明】
【０１１８】
１      センシング部
２      凹部
２ｃ    凹部の上端角部
３      接合界面
３ａ    接合界面の端部
１０    センサ基板
２０    パッケージ基板
２３    気密空間
３０    封止用材料
１００  センサウェハ
１１０  センサ基板
１１２  気密空間
２００  パッケージウェハ
２１０  パッケージ基板
【図１】
0005704029.tif 000002
【図２】
0005704029.tif 000003
【図３】
0005704029.tif 000004
【図４】
0005704029.tif 000005
【図５】
0005704029.tif 000006
【図６】
0005704029.tif 000007
【図７】
0005704029.tif 000008
【図８】
0005704029.tif 000009
【図９】
0005704029.tif 000010
【図１０】
0005704029.tif 000011
【図１１】
0005704029.tif 000012
【図１２】
0005704029.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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