(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽電子加速器における真空チャンバを構成するチャンバパイプの内面に形成されたグルーブの範囲をマスキング範囲とし、このマスキング範囲に、常温において凝固する油脂類を加熱して溶解させたマスキング剤を流した後、該マスキング剤を凝固させて前記マスキング範囲をマスキングするマスキング工程と、
前記チャンバパイプの内面の加工工程が完了した後に、前記チャンバパイプを外面から加熱し、凝固している前記マスキング剤を溶解させて前記マスキング範囲から除去する除去工程と、
前記チャンバパイプの内面に付着している前記マスキング剤の残留成分を洗浄する洗浄工程と、
を備えてなることを特徴とする陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法。
【請求項２】
前記除去工程においては、前記マスキング範囲を上側にして前記チャンバパイプを保持し、前記チャンバパイプの外側から前記マスキング範囲を加熱して、凝固している前記マスキング剤の、前記チャンバパイプとの界面付近のみを溶解させることにより、前記マスキング剤の大半を固体状で前記マスキング範囲から剥離後、これを落下させて前記チャンバパイプから取り出すことを特徴とする請求項１に記載の陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法。
【請求項３】
前記マスキング工程においては、前記マスキング範囲を下側にして前記チャンバパイプを保持し、前記チャンバパイプの内側、且つ前記マスキング範囲の上に固体状の前記マスキング剤を所定の間隔で載置した後に、前記チャンバパイプを外面から加熱し、凝固している前記マスキング剤を溶解させて前記マスキング範囲に流して凝固させることを特徴とする請求項１または２に記載の陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法。
【請求項４】
前記洗浄工程においては、前記チャンバパイプの内面を僅かにエッチングすることによって前記マスキング剤の残留成分を化学洗浄することを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法。
【請求項５】
前記マスキング剤として固形パラフィンを用いることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面の所定の範囲をマスキングするための、陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
陽電子を加速させるための陽電子加速器は、アルミニウムや銅等の金属で形成された管状のチャンバパイプを多数連結することにより、例えば直径１ｋｍ程度の環状に構成された真空チャンバを備えており、この真空チャンバの内部を高真空とし、その内部で陽電子を電磁場により周回走行させて光速近くまで加速することにより、陽電子に高エネルギーを付与する装置である。
【０００３】
このような陽電子加速器では、真空チャンバの内部における陽電子の不安定性を引き起こす光電子や二次電子の放出を抑制するために、各チャンバパイプの内面に、パイプの長手方向に沿う細かいグルーブ（溝）を加工形成したり、特許文献１に開示されているように、チャンバパイプの内面をブラスト処理により粗面化することが行われている。
【０００４】
特許文献１に開示されている真空チャンバのブラスト処理方法は、チャンバパイプ内面の所定の部位のみをブラスト処理可能にするべく、噴射ノズルを有する走行台車を、チャンバパイプ内面の所定位置に当接する複数の走行ローラおよびガイドローラを介して走行させ、この走行台車の噴射ノズルから、常にチャンバパイプ内面の所定の部位に向けて細粒を噴射し、所定部分のみをブラスト処理するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３８２５４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、チャンバパイプの内面にグルーブが加工形成される場合には、先にグルーブが加工され、その後で上記のブラスト処理やパイプ加工等が行われるため、ブラスト噴射される細粒や、パイプ加工に伴う切削屑等の異物が、細かいグルーブ間の隙間に噛み込んで残留してしまい、その除去が困難になるという問題があった。特に長尺のチャンバパイプの場合には、手の届かないパイプ奥深部に残留した異物の除去が難しく、また、除去できたとしてもパイプ内面に傷が発生する懸念があった。グルーブ部分のみをマスキングしようにも、長いチャンバパイプの内面にはテープ等のマスキング部材を貼ることができず、実質的にマスキングを行うことは不可能であった。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、簡素且つ安価な構成により、チャンバパイプ内面の所定範囲のみを容易にマスキングすることのできる、陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
即ち、本発明に係る陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法の第１の態様は、陽電子加速器における真空チャンバを構成するチャンバパイプの内面に形成されたグルーブの範囲をマスキング範囲とし、このマスキング範囲に、常温において凝固する油脂類を加熱して溶解させたマスキング剤を流した後、該マスキング剤を凝固させて前記マスキング範囲をマスキングするマスキング工程と、前記チャンバパイプの内面の加工工程が完了した後に、前記チャンバパイプを外面から加熱し、凝固している前記マスキング剤を溶解させて前記マスキング範囲から除去する除去工程と、前記チャンバパイプの内面に付着している前記マスキング剤の残留成分を洗浄する洗浄工程と、を備えてなることを特徴とする。
【０００９】
上記のマスキング方法によれば、マスキング工程において、加熱して液状化させたマスキング剤をチャンバパイプの内面のグルーブの範囲に流し込み、その後、マスキング剤を常温中で凝固させることにより、マスキング範囲を確実にマスキングすることができる。除去工程においては、チャンバパイプを外面から加熱して凝固しているマスキング剤を溶解させれば、マスキング剤を容易に除去することができる。このため、簡素且つ安価な構成により、従来では困難であったチャンバパイプのグルーブの範囲のみのマスキングを容易に行うことができる。
しかも、加熱されて液状化したマスキング剤が、グルーブの範囲の凹凸形状の内部に流れ込み、凹凸形状を完全にマスキングするため、次工程で発生する異物が凹凸加工部分の内部に噛み込むことを確実に防止することができる。
陽電子加速器における真空チャンバを構成するチャンバパイプの内面は、陽電子の不安定性を引き起こす光電子や二次電子の放出を抑制するために、パイプの長手方向に沿う細かいグルーブが形成された後に、ブラスト処理が施されて内面が粗くされるが、ブラスト処理を行う前にグルーブの形成された範囲を本発明に係るマスキング方法によりマスキングすることにより、グルーブの形成された範囲を確実且つ容易にマスキングし、ブラスト処理における細粒がグルーブ間の隙間に噛み込んで残留することを防止できる。
【００１０】
また、本発明に係る陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法の第２の態様は、前記第１の態様において、前記除去工程においては、前記マスキング範囲を上側にして前記チャンバパイプを保持し、前記チャンバパイプの外側から前記マスキング範囲を加熱して、凝固している前記マスキング剤の、前記チャンバパイプとの界面付近のみを溶解させることにより、前記マスキング剤の大半を固体状で前記マスキング範囲から剥離後、これを落下させて前記チャンバパイプから取り出すことを特徴とする。
【００１１】
上記のマスキング方法によれば、マスキング範囲を覆って凝固しているマスキング剤を全て溶解させずに、凝固しているマスキング剤の、チャンバパイプとの界面付近のみを溶解させることにより、マスキング剤の大半を固体状でチャンバパイプから取り出すことができるため、マスキング剤の除去や、使用済のマスキング剤の後処理が容易になる。
しかも、チャンバパイプの内面及び端面の加工の際にマスキング剤の表面に付着した異物が、固体状のマスキング剤と共にチャンバパイプから取り出されるため、この異物が再びマスキング範囲に付着することを確実に防止することができる。
【００１２】
また、本発明に係る陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法の第３の態様は、前記第１または第２の態様において、前記マスキング工程においては、前記マスキング範囲を下側にして前記チャンバパイプを保持し、前記チャンバパイプの内側、且つ前記マスキング範囲の上に固体状の前記マスキング剤を所定の間隔で載置した後に、前記チャンバパイプを外面から加熱し、凝固している前記マスキング剤を溶解させて前記マスキング範囲に流して凝固させることを特徴とする。
【００１３】
上記のマスキング方法によれば、マスキング剤をチャンバパイプの内部に供給する時にはマスキング剤が固体状であるため、マスキング剤が液体状である場合に比べて取扱いが容易であり、不必要な部分にマスキング剤が付着することを防止し、マスキング作業を容易にすることができる。
【００１４】
また、本発明に係る陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法の第４の態様は、前記第１から第３の何れかの態様において、前記洗浄工程においては、前記チャンバパイプの内面を僅かにエッチングすることによって前記マスキング剤の残留成分を化学洗浄することを特徴とする。
【００１５】
上記のマスキング方法によれば、チャンバパイプおよびマスキング剤の材質に応じてエッチングの薬剤を適宜選択することにより、チャンバパイプのエッチング量を最小限に抑えつつ、マスキング剤の残留成分を完全に除去することができる。
【００２０】
また、本発明に係る陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法の第５の態様は、前記第１から第４の何れかの態様において、前記マスキング剤として固形パラフィンを用いることを特徴とする。
【００２１】
このように、マスキング剤として固形パラフィンを用いることにより、マスキング剤を安価にするとともに、マスキング剤の融点を低くし、マスキング剤の施工および除去を容易にすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明に係る陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法によれば、簡素且つ安価な構成により、チャンバパイプ内面の所定範囲のみを容易にマスキングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明を適用可能なチャンバパイプの縦断面図である。
【図２】図１のII部拡大図である。
【図３】本発明の一実施形態を示す工程図であり、（ａ）はマスキング工程において液体状のマスキング剤がチャンバパイプに流し込まれた状態を示す縦断面図、（ｂ）はマスキング工程においてマスキング剤が凝固した状態を示す縦断面図、（ｃ）は除去工程を示す縦断面図、（ｄ）は洗浄工程を示す縦断面図である。
【図４】マスキング工程の他の実施形態を示し、（ａ）は固体状のマスキング剤がチャンバパイプの内部に配置された状態を示す縦断面図、（ｂ）は（ａ）のマスキング剤が溶解した状態を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明の一実施形態について、図１〜図４を参照しながら説明する。
図１は、本発明に係るチャンバパイプの内面マスキング方法を適用可能な陽電子加速器のチャンバパイプ１の縦断面図である。このチャンバパイプ１は、例えばアルミニウム合金材料を押出成形したものであり、長さが３〜５メートル程度である。チャンバパイプ１には、直線状のものと緩く湾曲したものとがあり、これらのチャンバパイプ１が環状に連結されて、例えば直径１ｋｍ程度、周長３ｋｍ程度の陽電子加速器の真空チャンバが構成される。真空チャンバの内部は１×１０−８Ｔｏｒｒ程度の高真空とされ、その内部を陽電子が電磁場により周回走行して光速近くまで加速されることにより、当該陽電子に高エネルギーが付与される。
【００２５】
図１に示すチャンバパイプ１は真空チャンバの曲線部分を構成するものであり、陽電子が周回する部分である円形断面のビームチャンネル２の両側に、矩形断面の放射光チャンネル３が水平に延びるように形成されている。放射光チャンネル３の内端面４の外側には冷却水が循環する冷却水チャンネル５が形成されている。なお、真空チャンバの直線部分を構成するチャンバパイプ１には放射光チャンネル３が設けられず、ビームチャンネル２のみの円形断面となる。ビームチャンネル２の肉厚は例えば６ｍｍであり、ビームチャンネル２の内径は例えば９０ｍｍである。また、放射光チャンネル３の一方の内端面４から他方の内端面４までの寸法は例えば２２０ｍｍであり、放射光チャンネル３の上面と下面の対向間隔は例えば１４ｍｍである。
【００２６】
湾曲したチャンバパイプ１のビームチャンネル２内を光速に近い高エネルギーの陽電子が磁場中を通過しつつ軌道を曲げられる時には、その軌道の接線方向に放射光が生じるが、この放射光が放射光チャンネル３の内端面４に照射される。その際に内端面４が加熱されるため、その熱が冷却水チャンネル５を流れる冷却水によって冷却される。これにより、チャンバパイプ１（ビームチャンネル２）の内面に熱負荷が加わることが防止されるとともに、放射光の照射に伴う光電効果により光電子が放出されて周回する陽電子の障害となり、陽電子雲が不安定になるといった問題が回避される。
【００２７】
図２にも拡大して示すように、チャンバパイプ１の内面の上下面には、パイプ長手方向に沿う複数のグルーブ７（溝）が形成されている。このグルーブ７は、その表面形状による制限により、チャンバパイプ１の内部において放出された光電子がビーム側に戻る確率を抑制するために設けられている。また、同様の理由により、放射光チャンネル３の内端面４がブラスト処理されて粗面化される。グルーブ７は、チャンバパイプ１の押出成形時と同時に形成される。また、内端面４のブラスト処理は、チャンバパイプ１の内部を走行可能に構成された専用のブラスト処理装置（非図示）により行われる。このブラスト処理の完了後、チャンバパイプ１の曲げ加工および他の機械加工が行われる。
【００２８】
内端面４のブラスト処理や、他の機械加工を行う際には、ブラスト噴射される細粒や、パイプ加工に伴う切削屑等の異物が多量に発生するため、これらの異物がチャンバパイプ１の内面の凹凸加工が施された部分、即ちグルーブ７間の隙間に噛み込んで残留することを防止するために、グルーブ７が形成されている幅よりも若干広い幅の範囲をマスキング範囲Ｍとし、本発明に係るマスキング方法によってマスキング処理が行われる。本発明に係るマスキング方法は、マスキング工程Ａと、除去工程Ｂと、洗浄工程Ｃとを備えている。以下に、各工程Ａ〜Ｃについて、図３（ａ）〜（ｄ）に基づいて順に説明する。
【００２９】
［マスキング工程Ａ］
マスキング工程Ａでは、まず図３（ａ）に示すように、上下一方のグルーブ７（マスキング範囲Ｍ）が真下を向くように、チャンバパイプ１を水平に保持し、その内部に、常温において凝固する油脂類、例えば融点が７０℃程度の固形パラフィンを加熱して液体状に溶解させたものをマスキング剤として流し込む。この液体状の固形パラフィン８の注入量は、下側のグルーブ７が液面下に完全に没する量とされる（図２中の液面８ａの高さ）。この時には、液体状の固形パラフィン８が外部に流れ出ないように、チャンバパイプ１の両端開口部を線８ａよりも高い位置まで覆う必要がある。そして、そのまま固形パラフィン８を自然冷却して凝固させる。固形パラフィン８が凝固したらチャンバパイプ１を反転させ、図３（ｂ）に示すように反対側のマスキング範囲Ｍも同様にマスキングする。
【００３０】
上下のマスキング範囲Ｍのマスキングが完了したら、チャンバパイプ１の内面（内端面４）のブラスト処理や他の機械加工、およびチャンバパイプ１の曲げ加工等が行われる。その際に発生するブラスト細粒や切削屑等の異物は、固形パラフィン８によってマスキングされているグルーブ７には付着しない。したがって、異物がグルーブ７の間の隙間に噛み込んで残留することがない。なお、固形パラフィン８は凝固しても柔軟性があることと、チャンバパイプ１の曲率が浅いものであることから、チャンバパイプ１内に固形パラフィン８によるマスキングを行ってからチャンバパイプ１の曲げ加工を行っても固形パラフィン８が割れたり剥離したりしない。チャンバパイプ１の諸加工が完了したら、チャンバパイプ１の内部に堆積している異物を水流洗浄やエアブロー等によって取り除く。
【００３１】
［除去工程Ｂ］
上記異物除去が完了したら、除去工程Ｂに移る。除去工程Ｂでは、上下一方のグルーブ７（マスキング範囲Ｍ）が真上を向くように、チャンバパイプ１を水平に保持し、このチャンバパイプ１のビームチャンネル２の上面を外側から図示しないバーナー等で固形パラフィン８の融点よりも高い温度（例えば９０〜１００℃程度）に加熱して、凝固している上側の固形パラフィン８の、ビームチャンネル２（マスキング範囲Ｍ）との界面付近のみを溶解させる。これにより、図３（ｃ）に示すように、上側の固形パラフィン８とマスキング範囲Ｍとの結合が解けて、固形パラフィン８の大半が固体状のままマスキング範囲Ｍから剥離し、落下する。このように落下した固体状の固形パラフィン８は、チャンバパイプ１の一端の開口部から引き出して取り出す。その後、チャンバパイプ１を反転させて、反対側のグルーブ７（マスキング範囲Ｍ）をマスキングしている固形パラフィン８も同様にして剥離し、チャンバパイプ１から取り出す。
【００３２】
なお、このように固形パラフィン８のチャンバパイプ１との界面付近のみを溶解させて固形パラフィン８の大半を固体状のままで外部に取り出す代わりに、チャンバパイプ１全体を固形パラフィン８の融点よりも充分に高い温度になるまで加熱し、上下のマスキング範囲Ｍに固着された固形パラフィン８を同時に完全に溶解させて液体状にしてチャンバパイプ１から流し出してもよい。しかし、こうすると、液体状の固形パラフィン８がマスキング範囲Ｍ以外の不要な部位に付着してしまう可能性があるため、次の洗浄工程Ｃにおける工数が増大することがある。
【００３３】
［洗浄工程Ｃ］
前述のように固形パラフィン８の取り出しが完了したら、洗浄工程Ｃに移る。洗浄工程Ｃでは、まず熱湯と水溶性中性洗剤にてチャンバパイプ１の内部を洗浄し、さらに図３（ｄ）に示すようにチャンバパイプ１の内面を僅かにエッチングすることによって、チャンバパイプ１の内面に付着している固形パラフィン８の残留成分を化学洗浄する。チャンバパイプ１の素材がアルミニウム合金である場合、エッチング剤としては、例えば水酸化ナトリウム水溶液が用いられる。エッチング量は例えば１ミクロン程度でよい。これにより、チャンバパイプ１の内面に付着している固形パラフィン８の残留成分を完全に除去することができる。なお、チャンバパイプ１の素材に応じて他のエッチング剤を用いてもよい。
【００３４】
以上のように、本発明に係る陽電子加速器におけるチャンバパイプの内面マスキング方法は、常温において凝固する固形パラフィン８を加熱して溶解させ、これをマスキング剤としてチャンバパイプ１の内面のマスキング範囲Ｍに流した後、この固形パラフィン８を凝固させてマスキング範囲Ｍをマスキングするマスキング工程Ａと、チャンバパイプ１の内面の加工工程が完了した後に、チャンバパイプ１を外面から加熱し、凝固している固形パラフィン８を溶解させてマスキング範囲Ｍから除去する除去工程Ｂと、マスキング範囲Ｍの内面に付着している固形パラフィン８の残留成分を洗浄する洗浄工程Ｃを備えている。
【００３５】
このマスキング方法によれば、マスキング工程Ａにおいて、加熱して液状化させた固形パラフィン８をマスキング範囲Ｍの上に流し込んで固形化させることにより、マスキング範囲Ｍを確実にマスキングすることができる。また、除去工程Ｂにおいては、チャンバパイプ１を外面から加熱して、凝固している固形パラフィン８を溶解させれば、これを容易に除去することができる。このため、簡素且つ安価な構成により、従来では困難であったチャンバパイプ１の内面の所定の範囲のみのマスキングを容易に行うことができる。
【００３６】
また、除去工程Ｂにおいては、マスキング範囲Ｍを上側にしてチャンバパイプ１を保持し、チャンバパイプ１の外側からマスキング範囲Ｍを加熱して、凝固している固形パラフィン８の、チャンバパイプ１との界面付近のみを溶解させることにより、固形パラフィン８の大半を固体状でマスキング範囲Ｍから剥離後、これを落下させてチャンバパイプ１から取り出すようにしている。このように、固形パラフィン８の大半を固体状のままでチャンバパイプ１から取り出すことができるため、固形パラフィン８の除去や、使用済みの固形パラフィン８の後処理が容易になる。しかも、チャンバパイプ１の内面のブラスト処理等の際に固形パラフィン８の表面に付着した（食い込んだ）異物が、固体状の固形パラフィン８と共にチャンバパイプ１から取り出されるため、この異物が再びマスキング範囲Ｍに付着することを確実に防止することができる。
【００３７】
さらに、洗浄工程Ｃにおいては、チャンバパイプ１の内面を僅かにエッチングすることによって固形パラフィン８等のマスキング剤の残留成分を化学洗浄するようにしたので、チャンバパイプ１およびマスキング剤の材質に応じてエッチングの薬剤を適宜選択することにより、チャンバパイプ１のエッチング量を最小限に抑えつつ、マスキング剤を完全に除去することができる。
【００３８】
上記実施形態では、陽電子加速器における真空チャンバを構成するチャンバパイプ１の内面の、陽電子の不安定性を引き起こす光電子や二次電子の放出を抑制するために形成された凹凸加工部分であるグルーブ７の部分をマスキング範囲Ｍとし、ここに加熱して液化させた固形パラフィン８を流し込んでマスキングするようにしたので、液化した固形パラフィン８が細かいグルーブ７の間に流れ込んでグルーブ７を完全にマスキングする。このため、次工程であるブラスト処理における細粒等の異物がグルーブ７間の隙間に噛み込んで残留することを確実に防止し、グルーブ７を有するチャンバパイプ１の内面を容易にブラスト処理することができる。
【００３９】
また、マスキング剤として固形パラフィン８を用いることにより、マスキング剤を安価にするとともに、マスキング剤としての融点を低くし、マスキング剤の施工および除去を容易にすることができる。
【００４０】
［マスキング工程Ａの他の実施形態］
図４は、マスキング工程Ａの他の実施形態であるマスキング工程Ａ´を示している。
まず、図４（ａ）に示すように、上下一方のグルーブ７（マスキング範囲Ｍ）が真下を向くように、チャンバパイプ１を水平に保持し、その内側、且つマスキング範囲Ｍの上に固体状の固形パラフィン８のブロックを所定の間隔で載置する。固形パラフィン８のブロックの大きさや配置間隔等は、固形パラフィン８が溶解して液化した時に、図２に示すように、下側のグルーブ７が液面下に完全に没する体積となるように予め設定しておく。
【００４１】
次に、チャンバパイプ１を外面から加熱し、凝固している固形パラフィン８を溶解させて、図４（ｂ）に示すようにマスキング範囲Ｍに行き渡らせて凝固させる。そして、そのまま固形パラフィン８を自然冷却して凝固させる。固形パラフィン８が凝固したらチャンバパイプ１を反転させ、反対側のマスキング範囲Ｍも同様にマスキングする。この反対側のマスキング範囲Ｍのマスキングを行う時には、チャンバパイプ１の加熱時に、先にマスキングした固形パラフィン８を溶かさないように配慮する必要がある。
【００４２】
このマスキング工程Ａ´方法によれば、固形パラフィン８をチャンバパイプ１の内部に供給する時には固形パラフィン８が固体状であるため、固形パラフィン８が液体状である場合に比べて取扱いが容易であり、不必要な部分に固形パラフィン８が付着することを確実に防止し、マスキング作業を容易にすることができる。
【００４３】
なお、本発明は上記の実施形態の構成のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜変更や改良を加えることができ、このように変更や改良を加えた実施形態も本発明の権利範囲に含まれるものとする。
例えば、マスキングを行うパイプ部材は必ずしも陽電子加速器の真空チャンバを構成するチャンバパイプでなくてもよく、他の種類のパイプ部材であっても構わない。
また、マスキング剤としては固形パラフィン８を用いるのが好適であるが、固形パラフィン８のみには限定されず、他の油脂類をマスキング剤として用いてもよい。さらに、変形例として、油脂類でなくても、常温において凝固し、概ね６０℃〜１２０℃程度の温度で液化する他の物質（低融点金属等）をマスキング剤とすることも考えられる。
【符号の説明】
【００４４】
１  チャンバパイプ
７  グルーブ
８  固形パラフィン（マスキング剤）
Ａ，Ａ´  マスキング工程
Ｂ  除去工程
Ｃ  洗浄工程
Ｍ  マスキング範囲
【図１】
0005755167.tif 000002
【図２】
0005755167.tif 000003
【図３】
0005755167.tif 000004
【図４】
0005755167.tif 000005