(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射体に荷電粒子線を照射する照射部を有する荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法であって、
前記照射部を通じて前記被照射体へ向かう前記荷電粒子線の照射位置を検出する位置検出手段に対して前記荷電粒子線の下流側に配置された遮断手段により前記荷電粒子線を遮断可能な状態にする遮断ステップと、
前記遮断ステップの後、前記荷電粒子線を照射する照射ステップと、
前記位置検出手段により前記荷電粒子線の照射位置を検出する照射位置検出ステップと、
前記照射位置検出ステップにおける前記照射位置の検出結果を利用して前記荷電粒子線の照射位置を調整する照射位置調整ステップと、
を有し、
前記遮断手段は、前記位置検出手段に隣接しており、前記遮断ステップにおいて、前記遮断手段は前記荷電粒子線を完全に遮断する
ことを特徴とする荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法。
【請求項２】
前記遮断手段は、前記荷電粒子線を吸収して遮断する遮断部材と、前記遮断部材を前記荷電粒子線の照射経路上と前記照射経路の外との間で移動させることが可能な遮断部材移動手段と、を有し、
前記遮断ステップは、前記遮断部材移動手段が前記遮断部材を前記荷電粒子線の照射経路上に移動させることで前記荷電粒子線を遮断可能な状態にする
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線照射装置及び荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、患者の腫瘍などの被照射体に荷電粒子線を照射して治療を施す荷電粒子線照射装置が知られている。このような荷電粒子線照射装置では、照射位置の正確な調整のため、治療直前に荷電粒子線を実際に照射することで照射位置の確認が行われる。このときには、患者への影響を抑えるために強度を低減させた荷電粒子線の照射が行われる。例えば、特許文献１には、照射位置の確認時に、ビーム輸送系に設けられた減衰器によって荷電粒子線の強度を減衰させるシステムが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１０４９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、照射位置確認時の荷電粒子線は未だ照射位置が調整されておらず正確なコントロールができていない。このため、被照射体の何れの部位に照射されるか分からず、精密に管理すべき被照射体への照射量に誤差が生じるおそれがある。
【０００５】
そこで、本発明は、被照射体に対する荷電粒子線の照射量の高精度なコントロールを実現できる荷電粒子線照射装置及び荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明は、被照射体に荷電粒子線を照射する照射部を有する荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法であって、照射部を通じて被照射体へ向かう荷電粒子線の照射位置を検出する位置検出手段に対して荷電粒子線の下流側に配置された遮断手段により荷電粒子線を遮断可能な状態にする遮断ステップと、遮断ステップの後、荷電粒子線を照射する照射ステップと、位置検出手段により荷電粒子線の照射位置を検出する照射位置検出ステップと、照射位置検出ステップにおける照射位置の検出結果を利用して荷電粒子線の照射位置を調整する照射位置調整ステップと、を有し、遮断手段は、位置検出手段に隣接しており、遮断ステップにおいて、遮断手段は荷電粒子線を完全に遮断することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法によれば、遮断手段を遮断可能な状態にした後に荷電粒子線を照射部に供給して、荷電粒子線の照射位置を検出することで、患者の腫瘍などの被照射体に実際に照射することなく照射位置の確認を行うことができる。従って、この照射位置検出方法によれば、調整前の荷電粒子線が患者や被照射体に照射されることなく照射位置を確認して調整することができるので、被照射体に対する照射量の高精度なコントロールを実現できる。
【００１６】
本発明に係る荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法においては、荷電粒子線を吸収して遮断する遮断部材と、遮断部材を荷電粒子線の照射経路上と照射経路の外との間で移動させることが可能な遮断部材移動手段と、を有し、遮断ステップは、遮断部材移動手段が遮断部材を荷電粒子線の照射経路上に移動させることで荷電粒子線を遮断可能な状態にすることが好ましい。
【００１７】
本発明に係る荷電粒子線照射装置の照射位置検出方法によれば、簡素な構成の遮断手段を用いることで、遮断可能な状態にするための時間を短くすることができ、遮断ステップの短時間化が図られる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、被照射体に対する照射量の高精度なコントロールを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１の実施形態に係る荷電粒子線照射装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示すスキャニング方式の照射部を示す斜視図である。
【図３】（ａ）開放状態のシャッター機構を示す平面図である。（ｂ）開放状態のシャッター機構を示す正面図である。
【図４】（ａ）遮断状態のシャッター機構を示す平面図である。（ｂ）遮断状態のシャッター機構を示す正面図である。
【図５】第１の実施形態に係る荷電粒子線照射装置で実行される処理を示すフローチャートである。
【図６】第２の実施形態に係るワブラー方式の照射部を示す斜視図である。
【図７】第２の実施形態に係る荷電粒子線照射装置で実行される処理を示すフローチャートである。
【図８】他の実施形態に係るワブラー方式の照射部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、図５，図７を除く各図にはＸＹＺ直交座標系を示しており、必要に応じてＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を用いた説明を行う。
【００２３】
［第１の実施形態］
図１に示されるように、照射部１は、荷電粒子線照射装置１００において、治療台１０５を取り囲むように設けられた回転ガントリ１０３に取り付けられ、この回転ガントリ１０３によって治療台１０５の回りに回転可能とされている。そして、治療台１０５に寝かされた患者の腫瘍などの被照射体に対して、照射方向Ａで荷電粒子線Ｒ（図２参照）を照射する。荷電粒子線Ｒは、電荷をもった粒子を高速に加速したものであり、荷電粒子線Ｒとしては、例えば陽子線、重粒子（重イオン）線等が挙げられる。
【００２４】
なお、図１には示されていないが、荷電粒子線照射装置１００は、イオン源で生成した荷電粒子線を加速して荷電粒子線Ｒを出射するサイクロトロンを治療台１０５及び回転ガントリ１０３から離れた位置に備えている。サイクロトロンから出射された荷電粒子線Ｒはビーム輸送系を介して照射部１に供給される。
【００２５】
この照射部１では、スキャニング方式により、治療台１０５上の患者の体内の腫瘍に向けて荷電粒子線Ｒを連続照射する。照射部１は、腫瘍を深さ方向（照射方向Ａ）に複数層に分け、各層に設定された照射野内において荷電粒子線Ｒを走査しながら連続照射（いわゆるラスタースキャニングやラインスキャニング）を行う。荷電粒子線Ｒは、スキャニング方式で用いられるペンシルビームである。
【００２６】
図２に示すように、照射部１は、荷電粒子線Ｒの照射方向Ａに順に配列され、ビーム輸送ラインを介してサイクロトロンから入力された荷電粒子線Ｒが発散するのを抑え収束させるための四極磁石２と、荷電粒子線ＲをＸ軸方向とＹ軸方向に走査するスキャニング電磁石３と、荷電粒子線Ｒが通過するダクト４と、荷電粒子線ＲのＸ軸方向とＹ軸方向の照射位置を検出するビーム位置モニタ（位置検出手段）５と、荷電粒子線Ｒを遮断又は通過させるシャッター機構（遮断手段）６と、を備えている。
【００２７】
スキャニング電磁石３は、荷電粒子線ＲのＸ軸方向の照射位置を制御する一組の電磁石３Ａと、Ｙ軸方向の照射位置を制御する一組の電磁石３Ｂと、を含んで構成されている。電磁石３Ａ及び電磁石３Ｂにより照射位置が制御された荷電粒子線Ｒは、略四角錐状のダクト４内を通ってビーム位置モニタ５に到達する。
【００２８】
ビーム位置モニタ５は、照射部１内に設けられている。ビーム位置モニタ５は、ＸＹ平面内で格子状に配置されたグリッドワイヤを含んで構成されている。ビーム位置モニタ５は、荷電粒子線Ｒが照射されたグリッドワイヤの電気反応を検知することで、荷電粒子線Ｒの照射位置の検出を行う。
【００２９】
次に、シャッター機構６について図３及び図４を参照して詳細に説明する。図３（ａ）は開放状態のシャッター機構６を示す平面図、図３（ｂ）は開放状態のシャッター機構６を示す正面図である。また、図４（ａ）は遮断状態のシャッター機構６を示す平面図、図４（ｂ）は遮断状態のシャッター機構６を示す正面図である。
【００３０】
図３及び図４に示されるように、シャッター機構６は、照射部１の先端でビーム位置モニタ５に対して荷電粒子線Ｒの下流側に配置されている。シャッター機構６は、ビーム位置モニタ５に隣接して設けられている。シャッター機構６は、荷電粒子線Ｒの進路を遮ることで荷電粒子線Ｒの照射を遮断する遮断部材７と、遮断部材７をＸ軸方向（荷電粒子線Ｒの照射方向Ａと直交する方向）に移動させるリニアアクチュエータ（遮断部材移動手段）８と、を有している。
【００３１】
遮断部材７は、タングステン等の放射線を吸収する材質から構成されたブロック状の部材である。遮断部材７は、治療に用いられる強度の荷電粒子線Ｒを完全に遮断できるように形成されている。この遮断部材７の先端は、Ｚ軸方向から見て半円形状をなすように形成されている。なお、遮断部材７は、先端が半円形状のものに限られず、例えば角状のものであっても良い。また、遮断部材７の基端側は、リニアアクチュエータ８に取り付けられている。
【００３２】
リニアアクチュエータ８は、遮断部材７を荷電粒子線Ｒの照射経路の外と荷電粒子線Ｒの照射経路上との間で移動させることが可能なボールねじ方式のアクチュエータである。リニアアクチュエータ８は、遮断部材７をＸ軸方向で移動可能に支持するベース１０と、遮断部材７を移動させるためのモータ１１を有している。ベース１０には、モータ１１の回転によって遮断部材７をＸ軸方向に移動させるねじ軸１２と、遮断部材７をＸ軸方向に案内する二本のリニアガイド１３と、が設けられている。
【００３３】
また、ベース１０の下面には、遮断部材７の位置を検知するためのリミットスイッチ１４，１５が設けられている。なお、遮断部材７の位置検出は、リミットスイッチ１４，１５を用いる方法に限られず、遮断部材７の位置を常に検出可能なポテンショメータ等を用いても良い。
【００３４】
シャッター機構６は、リニアアクチュエータ８が遮断部材７を荷電粒子線Ｒの照射経路の外（図３の位置）に移動させることで開放状態に切り換えられる。また、シャッター機構６は、リニアアクチュエータ８が遮断部材７を荷電粒子線Ｒの照射経路上（図４の位置）に移動させることで遮断状態に切り換えられる。
シャッター機構６は、荷電粒子線Ｒを通過させる開放状態及び荷電粒子線Ｒを遮断する遮断状態の何れか一方に切り換え可能に構成されている。
【００３５】
シャッター機構６が開放状態の場合、遮断部材７は照射口Ｅを遮ることなく荷電粒子線Ｒは照射口Ｅを通過して患者体内の腫瘍に照射される。一方、シャッター機構６が遮断状態の場合、遮断部材７により荷電粒子線Ｒが完全に遮断され、荷電粒子線Ｒは患者に当たらない。
【００３６】
次に、照射部１の制御系について説明する。図２に示す制御装置Ｔは、照射部１における荷電粒子線Ｒの照射を制御するものである。制御装置Ｔは、スキャニング電磁石３、ビーム位置モニタ５、及びシャッター機構６と通信可能に接続されている。制御装置Ｔは、荷電粒子線照射装置１００とは別の治療計画装置で事前に決定された治療計画に基づき荷電粒子線Ｒの照射を行う。
【００３７】
制御装置Ｔは、照射位置の確認のため荷電粒子線Ｒの試射を行う。制御装置Ｔは、シャッター機構６を遮断状態に切り換えた状態で試射を行う。制御装置Ｔは、荷電粒子線Ｒの照射位置をビーム位置モニタ５により検出した後、検出した実際の照射位置と治療計画に沿った正しい照射位置とのずれを判定する。制御装置Ｔは、ずれがあると判定した場合、ずれ量に応じてスキャニング電磁石３を制御することにより荷電粒子線Ｒの照射位置を調整する。なお、照射位置の調整は手動で行うこともできる。
【００３８】
以下、図５を参照して、照射部１の制御装置Ｔにおいて実行される治療前の照射位置調整方法（照射位置検出方法）について説明する。
【００３９】
制御装置Ｔは、治療前の照射位置調整が開始されると、まずシャッター機構６を遮断状態にする（Ｓ１）。ステップＳ１では、シャッター機構６のリニアアクチュエータ８が遮断部材７を図３に示す開放状態の位置から図４に示す遮断状態の位置に移動させることで、シャッター機構６の遮断状態への切り換えが行われる。なお、治療時以外は常にシャッター機構６を遮断状態にしているような場合は、このステップＳ１を行う必要はない。
【００４０】
次に、制御装置Ｔは、サイクロトロンから出射された荷電粒子線Ｒを照射部１に供給して、荷電粒子線Ｒの照射を行う（Ｓ２）。その後、制御装置Ｔは、ビーム位置モニタ５により荷電粒子線Ｒの照射位置を検出する（Ｓ３）。このとき、荷電粒子線Ｒはシャッター機構６によって完全に遮断され、被照射体には照射されない。
【００４１】
次に、制御装置Ｔは、荷電粒子線Ｒの照射位置が治療計画に沿った正しい照射位置であるか否かを判定する（Ｓ４）。制御装置Ｔは、荷電粒子線Ｒの照射位置が治療計画に沿った正しい照射位置であると判定した場合、ステップＳ６に移行する。
【００４２】
制御装置Ｔは、荷電粒子線Ｒの照射位置が治療計画に沿った正しい照射位置ではないと判定した場合、荷電粒子線Ｒの照射位置の調整を行う（Ｓ５）。ステップＳ５において、制御装置Ｔは、ビーム位置モニタ５が検出した実際の照射位置と治療計画に沿った正しい照射位置とのずれ量を算出する。制御装置Ｔは、算出したずれ量に応じてスキャニング電磁石３を制御することで、荷電粒子線Ｒの照射位置を最適値に調整する。
【００４３】
ステップＳ６において、制御装置Ｔは、シャッター機構６を遮断状態から開放状態にする。その後、制御装置Ｔは、荷電粒子線Ｒの照射による治療を開始する（Ｓ７）。
【００４４】
以上説明した第１の実施形態に係る荷電粒子線照射装置１００及びその照射位置検出方法によれば、シャッター機構６を遮断状態に切り換えることにより荷電粒子線Ｒを遮断できるので、腫瘍などの被照射体に実際に照射することなくビーム位置モニタ５による照射位置の確認を行うことができる。従って、この荷電粒子線照射装置１００及びその照射位置検出方法によれば、調整前の荷電粒子線Ｒが患者や被照射体に照射されることなく照射位置の確認及び調整を行うことができるので、被照射体に対する照射量の高精度なコントロールを実現できる。
【００４５】
更に、荷電粒子線照射装置１００及びその照射位置検出方法によれば、照射位置の確認のため実際の強度より低い強度で荷電粒子線Ｒを照射する場合やビーム輸送系に設けた減衰器で荷電粒子線Ｒの強度を減衰する場合と比べて、治療に使用する強度のまま照射部１の先端まで至った荷電粒子線Ｒの照射位置を検出できるので、強度の低下や減衰に起因する誤差が検出結果に含まれない。従って、荷電粒子線照射装置１００及びその照射位置検出方法によれば、精度の高い検出結果を利用した高精度な照射位置の調整を行うことができる。
【００４６】
また、荷電粒子線照射装置１００の照射部１では、シャッター機構６がビーム位置モニタ５に隣接する構成を採用している。この荷電粒子線照射装置１００によれば、シャッター機構６とビーム位置モニタ５との間に他の部材が介在する場合と比べて、ビーム位置モニタ５を被照射体の近くに配置すると共にシャッター機構６を被照射体の遠くに配置することができる。従って、荷電粒子線照射装置１００によれば、ビーム位置モニタ５を被照射体の近くに配置することでビーム位置モニタ５と被照射体との間に介在する大気の影響で検出した荷電粒子線の照射位置と実際の照射位置に誤差が生じることを避けることができる。また、荷電粒子線照射装置１００によれば、シャッター機構６を照射部１に取り付けるので、患者側にシャッター機構６を配置する場合に比べ、被照射体の遠くに配置することで荷電粒子線の遮断時にシャッター機構で発生した中性子線が患者に影響することを避けることができる。
【００４７】
更に、荷電粒子線照射装置１００によれば、シャッター機構６を遮断部材７とリニアアクチュエータ８とを有する簡素な構成とすることにより、シャッター機構６を小型化することができ、シャッター機構６の配置に必要なスペースの削減を図ることができる。また、簡素な構成のシャッター機構６を用いることで、遮断状態にするための時間を短くすることができ、遮断ステップ（ステップＳ１）の短時間化が図られる。
【００４８】
また、荷電粒子線照射装置１００では、ワブラー方式の場合と比べて荷電粒子線Ｒの照射幅が狭いスキャニング方式のペンシルビームを用いるので、ワブラー方式の場合と比べてシャッター機構６の遮断する範囲を狭めることができる。従って、この荷電粒子線照射装置１００によれば、遮断する範囲を狭くできるので、シャッター機構６の小型化及び省スペース化に有利である。しかも、荷電粒子線照射装置１００によれば、ワブラー方式よりも強度の高いスキャニング方式のペンシルビームについて調整前の照射を防止するので、ワブラー方式の場合よりも効果的に、被照射体に対する照射量の高精度なコントロールが実現される。
【００４９】
［第２の実施形態］
図６に示されるように、第２の実施形態に係る荷電粒子線照射装置は、スキャニング方式ではなくワブラー方式の照射部２０を備えている点と、マルチリーフコリメータ２６によって荷電粒子線Ｒを遮断する点と、が第１の実施形態に係る荷電粒子線照射装置１００と異なる。
【００５０】
具体的には、ワブラー方式の照射部２０は、荷電粒子線Ｒの照射方向Ａに順に配列され、ビーム輸送ラインを介してサイクロトロンから入力された荷電粒子線Ｒが発散するのを抑え収束させるための四極磁石２１と、荷電粒子線ＲをＸ軸方向とＹ軸方向に制御するワブラー電磁石２２と、荷電粒子線Ｒを散乱させる散乱体２３と、を備えている。
【００５１】
更に、照射部２０は、照射される荷電粒子線Ｒの線量（強度）を測定する線量モニタ２４と、荷電粒子線ＲのＸ軸方向とＹ軸方向の照射位置を検出するビーム位置モニタ（位置検出手段）２５と、荷電粒子線Ｒの照射野を所望形状に整形するためのマルチリーフコリメータ（遮断手段）２６と、照射方向Ａの奥行きについて荷電粒子線Ｒを被照射体の形状に合わせて成形するボーラスが設置されるスノート（照射筒）２７と、を備えている。なお、第２の実施形態における照射位置とは、ワブラー電磁石２２の制御によりビーム径を拡大された荷電粒子線Ｒの照射範囲を意味している。
【００５２】
ワブラー電磁石２２は、Ｘ軸方向で荷電粒子線Ｒを制御するための一組の電磁石２２Ａと、Ｙ軸方向で荷電粒子線Ｒを制御するための一組の電磁石２２Ｂと、を含んで構成されている。ワブラー電磁石２２により制御された荷電粒子線Ｒは、散乱体２３で散乱した後、線量モニタ２４及びビーム位置モニタ２５により線量等を検出される。
【００５３】
マルチリーフコリメータ２６は、タングステン等の放射線を吸収する材質からなる多数のリーフ（板状部材）より構成されている。これらのリーフは厚さ方向（Ｙ軸方向）に連隣接して並べられた二列のリーフ群を構成している。マルチリーフコリメータ２６では、各リーフがＸ軸方向で独立して移動することで二列のリーフ群の間に所望形状の開口部Ｇが形成される。マルチリーフコリメータ２６では、被照射体の形状に合わせて開口部Ｇを形成することにより、荷電粒子線Ｒの照射野を被照射体の形状に整形する。
【００５４】
また、マルチリーフコリメータ２６は、荷電粒子線Ｒの照射経路上にリーフを配置することで荷電粒子線Ｒを遮断する。このマルチリーフコリメータ２６では、リーフの移動により、荷電粒子線Ｒを通過させる開放状態から荷電粒子線Ｒを完全に遮断する遮断状態に切り換えることができる。なお、遮断状態においては、必ずしも開口部Ｇを完全に閉じる必要はなく、荷電粒子線Ｒがリーフによって遮断されていれば良い。
【００５５】
次に、照射部２０の制御系について説明する。図６に示す制御装置Ｔ１は、荷電粒子線Ｒの照射を制御するものである。制御装置Ｔ１は、ワブラー電磁石２２、線量モニタ２４、ビーム位置モニタ２５、及びマルチリーフコリメータ２６と通信可能に接続されている。制御装置Ｔ１は、線量モニタ２４及びビーム位置モニタ２５の検出結果を利用してワブラー電磁石２２による荷電粒子線Ｒの制御を行う。
【００５６】
以下、図７を参照して、照射部２０の制御装置Ｔ１において実行される治療前の照射位置調整方法（照射位置検出方法）について説明する。
【００５７】
制御装置Ｔ１は、治療前の照射位置調整が開始されると、まずマルチリーフコリメータ２６を遮断状態にする（Ｓ１１）。なお、治療時以外は常にマルチリーフコリメータ２６を遮断状態にしているような場合は、このステップＳ１１を行う必要はない。
【００５８】
次に、制御装置Ｔ１は、サイクロトロンから供給された荷電粒子線Ｒを照射部２０により照射する（Ｓ１２）。制御装置Ｔ１は、ビーム位置モニタ２５により荷電粒子線Ｒの照射位置を検出すると共に、線量モニタ２４により荷電粒子線Ｒの線量を検出する（Ｓ１３）。このとき、荷電粒子線Ｒはマルチリーフコリメータ２６によって完全に遮断され、被照射体には照射されない。
【００５９】
次に、制御装置Ｔ１は、荷電粒子線Ｒの照射位置が治療計画に沿った正しい照射位置であるか否かを判定する（Ｓ１４）。制御装置Ｔ１は、荷電粒子線Ｒの照射位置が治療計画に沿った正しい照射位置であると判定した場合、ステップＳ１６に移行する。
【００６０】
制御装置Ｔ１は、荷電粒子線Ｒの照射位置が治療計画に沿った正しい照射位置ではないと判定した場合、ビーム位置モニタ２５による照射位置の検出結果に応じて荷電粒子線Ｒの照射位置を最適値に調整する（Ｓ１５）。
【００６１】
ステップＳ１６において、制御装置Ｔ１は、マルチリーフコリメータ２６を遮断状態から開放状態にする。その後、制御装置Ｔ１は、荷電粒子線Ｒの照射による治療を開始する（Ｓ１７）。
【００６２】
以上説明した第２の実施形態に係る荷電粒子線照射装置及びその照射位置検出方法によれば、第１の実施形態に係る荷電粒子線照射装置１００及びその照射位置検出方法と同じ効果を得ることができる。更に、第２の実施形態に係る照射部２０では、シャッター機構６などの遮断専用の機構を新たに設けることなく、従来の構成を利用して荷電粒子線Ｒの遮断を実現することができる。
【００６３】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
【００６４】
例えば、図８に示されるように、第２の実施形態に係る照射部２０に、第１の実施形態に係るシャッター機構６を設けても良い。マルチリーフコリメータ２６とは別にシャッター機構６を設けることで、荷電粒子線Ｒの遮蔽の信頼性が一層向上する。この場合、マルチリーフコリメータ２６ではなく、シャッター機構６が特許請求の範囲に記載の遮断手段として機能する。なお、このシャッター機構６は、図８に示すようにマルチリーフコリメータ２６とスノート２７との間に設けることが好ましいが、ビーム位置モニタ２５に対して荷電粒子線Ｒの下流側であればどの位置に設けても良い。また、第１の実施形態の照射部１では、ビーム位置モニタ５及びシャッター機構６を部先端に配置したが、必ずしも先端に配置する必要はない。
【００６５】
更に、シャッター機構６の構成は上述したものに限られない。また、シャッター機構６は、照射部１の照射口Ｅを完全に閉じる必要はない。例えば、照射口Ｅの中央ではなく縁側に向かうように荷電粒子線Ｒの大まかな制御を行い、荷電粒子線Ｒの向かう照射口Ｅの縁側を塞ぐようにシャッター機構６の遮断部材７を移動させることでも、荷電粒子線Ｒの遮断が実現される。この場合、シャッター機構６における遮断部材７の移動量を少なくできるので、シャッター機構６の小型化に有利である。また、照射口Ｅの中央まで遮断部材７を移動させる場合と比べて、シャッター機構６の切り換え時間を短くすることができる。
【００６６】
また、荷電粒子線照射装置１００の備える回転ガントリ１０３は３６０°回転するものに限らず、３６０°未満の範囲で揺動するものであっても良い。更に、荷電粒子線照射装置１００は、回転ガントリを備えず、一方向からの固定照射方式であっても良い。
【００６７】
また、第１の実施形態に係る荷電粒子線照射装置１００は、連続照射であるラスタースキャン、ラインスキャンを行うものに限られず、非連続照射であるスポットスキャンを行うものであっても良い。
【００６８】
シャッター機構６は、照射部１に取り付ける構成に限らず、照射部１と治療台１０５との間に設けても良く、治療台１０５に取り付けても良い。この場合、シャッター機構６を照射部１に取り付けるときと比べ、照射部１を小型化することができる。
【００６９】
また、シャッター機構６の遮断部材７を移動させる機構は、リニアアクチュエータ８に限られず、例えば遮断部材７をＸＹ平面内で回転移動させることで開放状態と遮断状態とを切り換える回転移動機構等を用いても良い。
【００７０】
また、特許発明の請求に記載の遮断手段はシャッター機構である必要はなく、形状や切り替え動作の態様に関わらず、遮断状態で荷電粒子線Ｒを確実に遮断できるものであれば良い。
【００７１】
また、図５，図７に示す照射位置調整方法のフローチャートにおいて、照射位置の調整処理（Ｓ５，Ｓ１５）を行った後に、照射位置の検出（Ｓ３，Ｓ１３）へ戻る態様であっても良い。
【符号の説明】
【００７２】
１,２０…照射部  ２，２１…四極磁石  ３…スキャニング電磁石  ４…ダクト  ５，２５…ビーム位置モニタ  ６…シャッター機構（遮断手段）  ７…遮断部材  ８…リニアアクチュエータ（遮断部材移動手段）  ２２…ワブラー電磁石  ２３…散乱体  ２４…線量モニタ  ２６…マルチリーフコリメータ  １００…荷電粒子線照射装置  １０３…回転ガントリ  １０５…治療台  Ａ…照射方向  Ｅ…照射口  Ｇ…開口部  Ｒ…荷電粒子線  Ｔ，Ｔ１…制御装置
【図１】
0005670800.tif 000002
【図２】
0005670800.tif 000003
【図３】
0005670800.tif 000004
【図４】
0005670800.tif 000005
【図５】
0005670800.tif 000006
【図６】
0005670800.tif 000007
【図７】
0005670800.tif 000008
【図８】
0005670800.tif 000009