(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送キャビティと２つの基板アクセスポートとを有するメインアセンブリであって、前記２つの基板アクセスポートは、前記メインアセンブリを貫通して形成されており、前記キャビティに接続されているメインアセンブリと、
前記メインアセンブリの前記アクセスポートのうちの１つの近傍に、前記アクセスポートのうちの１つに揃えられた孔を有し、前記メインアセンブリから分離されている第１のスリットバルブドアシールコンパートメントであって、前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメントの外部のロボットが、前記孔を通して前記基板搬送キャビティへ及び前記基板搬送キャビティから基板を搬送することができる通路を提供する第１のスリットバルブドアシールコンパートメントと、
前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメント内に配置され、前記メインアセンブリの前記アクセスポートをシールするように、前記孔を開閉するよう作用するスリットバルブドアと、
前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメントを前記メインアセンブリに結合するシールアセンブリとを含むロードロックチャンバ。
【請求項２】
前記シールアセンブリは更に、
前記メインアセンブリに対してクランプされる第１の横方向のエッジと、前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメントに対してクランプされる第２の横方向のエッジとを有するリボン形状のガスケットを含む請求項１記載のロードロックチャンバ。
【請求項３】
前記リボンは更に、
前記第１の横方向のエッジに沿って配列される第１の複数の孔と、
前記第２の横方向のエッジに沿って配置される第２の複数の孔とを含む請求項２記載のロードロックチャンバ。
【請求項４】
前記第１の複数の孔を貫通する締結具により、前記メインアセンブリに結合される、少なくとも１つの第１のクランプブロックと、
前記第２の複数の孔を貫通する締結具により、前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメントに結合される、少なくとも１つの第２のクランプブロックとを更に含む請求項３記載のロードロックチャンバ。
【請求項５】
前記シールアセンブリは更に、
前記スリットバルブドアシールコンパートメントの孔をとり囲む実質的に方形のチューブを更に含む請求項１記載のロードロックチャンバ。
【請求項６】
前記リボンは更に、
前記第１の複数の孔の内側に前記リボンから盛り上がった第１の環状の突起部と、
前記第２の複数の孔の内側に前記リボンから盛り上がった第２の環状の突起部とを含む請求項４記載のロードロックチャンバ。
【請求項７】
前記リボンは更に、
前記第１及び第２の横方向のエッジの間の環状のウェーブ部分を含む請求項２記載のロードロックチャンバ。
【請求項８】
前記メインアセンブリ及び前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメントは更に、
前記シールアセンブリにより結合される対向面を有し、前記対向面は共に階段状のへこみ部分を形成し、前記シールアセンブリは前記へこみ部分の上側部分に置かれ、前記へこみ部分の下側部分は前記シールアセンブリと、前記シールアセンブリに囲まれた前記基板アクセスポートとの間に位置する請求項１記載のロードロックチャンバ。
【請求項９】
前記シールアセンブリを前記メインアセンブリに固着する第１のクランプブロックであって、前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメントに対向する前記第１のクランプブロックの下側の角は丸められている第１のクランプブロックと、
前記シールアセンブリを前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメントに固着する第２のクランプブロックであって、前記メインアセンブリに対向する前記第２のクランプブロックの下側の角は丸められている第２のクランプブロックを含む請求項１記載のロードロックチャンバ。
【請求項１０】
前記シールアセンブリを前記メインアセンブリに固着する複数の第１のクランプブロックと、
前記シールアセンブリを前記第１のスリットバルブドアシールコンパートメントに固着する複数の第２のクランプブロックとを更に含む請求項１記載のロードロックチャンバ。
【請求項１１】
前記アクセスポートのうちの１つに隣接し、前記アクセスポートのうちの１つに揃えられた孔を有する第２のスリットバルブドアシールコンパートメントであって、前記第２のスリットバルブドアシールコンパートメントは前記メインアセンブリから分離されている第２のスリットバルブドアシールコンパートメントと、
前記第２のスリットバルブドアシールコンパートメントを前記メインアセンブリに結合する第２のシールアセンブリとを更に含む請求項１記載のロードロックチャンバ。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明の実施形態は、主に真空処理システムのためのロードロックチャンバに関し、特に分離されたスリットバルブドアシールコンパートメントを有するロードロックチャンバに関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
２つの急速に進化する技術分野として薄膜トランジスタと光起電装置の分野が挙げられる。フラットパネル技術により形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はコンピュータ、テレビのモニター、携帯電話の表示部、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）及び数が増えつつある他のデバイスなどのアクティブマトリックスディスプレイのために主に共通に用いられる。一般に、フラットパネルは一層の液晶材料を挟む２つのガラス板を含む。このガラス板の少なくとも１つは電源に接続された１つの導電フィルムを含む。電源から導電フィルムへ供給される電力は液晶部材の配向を変化させ、パターン表示をもたらす。
【０００３】
光起電装置（ＰＶ）又は太陽電池は太陽光を直流電流（ＤＣ）電力パワーに変換するデバイスである。ＰＶ若しくは太陽電池は、一般にはパネル上に形成された１つ以上のｐ‐ｎジャンクションを有する。各ジャンクションは一方の側はP型領域とされ、他方のサイドはN型領域とされる半導体材料内の２つの異なる領域を含む。PVセルのｐ‐ｎジャンクションは太陽光（光子からのエネルギーからなる）にさらされると、この太陽光はＰＶ効果により直接電気に変換される。一般に、高品質なシリコンベースの材料は高効率のジャンクションデバイス（即ち、単位面積あたりの高電力出力）を生成するよう要望される。アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）フィルムは従来の低温度プラズマエンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセス内で製造するのにローコストで行われうるので、ＰＶ太陽電池内のシリコンベースのパネル材料として広く使われてきた。
【０００４】
パネル技術が市場に受入れられるにつれ、及び、急騰するエネルギーコストを相殺するための、より高効率なＰＶデバイスが求められるにつれ、より大きなパネル、向上した生産効率、より低い製造コストへの需要がフラットパネディスプレイ及びＰＶデバイスの製作者のために、より大きいサイズの基板を収容する新しいシステムを開発するよう装置製造業者を駆り立てる。現在の基板処理装置は一般に約２ｍ２より少し大きい基板を収容するよう構成されている。より大きい基板のサイズを収容するよう構成された処理装置が近い将来に考えられる。
【０００５】
そのような大きい基板を作成する装置は製造者にとって、かなりの投資に相当する。従来のシステムは、大きく、かつ、高価なハードウエアを必要とする。ロードロックチャンバの動作の間に、生じる大きい圧力差により、ロードロックチャンバの壁は、たわみを最小化するために、とても厚いものでなければならない。チャンバのたわみは、多くの処理の問題の原因となり、および／又は，それらの問題を引き起こす。それらの問題のいくつかは、熱伝導の非均一性をもたらす、熱調整要素と基板との間の非均一な距離、および、ロボットによる引き渡しの問題、シール寿命の減少、及び、パーティクルの発生をもたらす、プロセスチャンバ内の基板支持体の動きを含む。しかしながら、それらの問題を解決する程度に必要な程度に壁の厚さを増すと、チャンバボディは受け入れ難く、重くかつ高価なものになってしまう。そこで、チャンバのたわみを制限及び／または隔絶する他の解決法がとても望まれる。
【０００６】
このようにして、大きい面積の基板を効率的に搬送するためのロードロックチャンバが必要とされる。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の実施形態は分離されたスリットバルブドアシールコンパートメントを有するロードロックチャンバを含む。一実施形態において、ロードロックチャンバはメインアセンブリと、第１のスリットバルブシールコンパートメントと、シールアセンブリを含む。このメインアセンブリはその中に形成された基板搬送キャビティを有する。２つの基板アクセスポートがメインアセンブリに形成され、キャビティに流動可能に結合される。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントはアクセスポートのうちの１つに隣接して、及び、揃えられて設けられた孔を有する。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントはメインアセンブリから分離されている。シールアセンブリはスリットバルブドアシールコンパートメントをメインアセンブリに結合する。
【０００８】
他の実施形態において、ロードロックチャンバは、メインアセンブリと、第１のスリットバルブドアシールコンパートメントと、スリットバルブドアと、円環状の弾性シールとを含む。メインアセンブリは基板搬送キャビティを有する。２つの基板アクセスポートがメインアセンブリに形成されており、キャビティに流体可能に結合されている。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントは基板搬送通路を有する。基板搬送通路はメインアセンブリのアクセスポートのうちの１つに揃えられた、隣接するポートを有する。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントはメインアセンブリから分離されている。スリットバルブドアは基板搬送通路を選択的にシールするために、ドアシールコンパートメントのシーリング面を開閉する。円環状の弾性シールは第１のスリットバルブドアシールコンパートメントとメインアセンブリとの間のシールを形成する。
【０００９】
さらに別の実施形態において、ロードロックチャンバは、メインアセンブリと、第１のスリットバルブドアシールコンパートメントと、スリットバルブドアと、円環状の弾性シールとを含む。メインアセンブリは基板搬送キャビティと２つの基板アクセスポートを有する。２つの基板アクセスポートはメインアセンブリ内のキャビティに流体可能に結合されている。第１のスリットバルブドアシールコンパートメントはスリットバルブドアが設けられている基板搬送通路を有する。スリットバルブドアは基板搬送通路を選択的にシールするためにドアシールコンパートメントのシーリング面を選択的に開閉するよう動作する。円環状の弾性シールは第１のスリットバルブドアシールコンパートメントとメインアセンブリとの間においてシールを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
上記に短く要約されたが、本発明の上述された構成が達成され詳細に理解されるように、本発明のより特定的な記述が添付図面に図説された実施形態を参照しながら説明される。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを説明するものであり、したがって、本発明の範囲は、それに制限されるものではなく、本発明は他の同等に有効な実施形態をも含む。
【００１１】
【図１】本発明のロードロックチャンバの一実施形態を有する、説明のためのクラスターツールの平面図である。
【図２】図１の切断線２−２に添って切断されたロードロックチャンバの断面図である。
【図３】図１のロードロックチャンバの部分断面図である。
【図４】ロードロックチャンバからファクトリーインターフェースをシールするのに用いられるスリットバルブドアの位置を説明するチャンバ本体アセンブリの単純化された断面図である。
【図５】シールアセンブリの一実施形態の断面図である。
【図６】シールリングの一実施形態の断面図である。
【図７】シールリングの一実施形態の斜視図である。
【図８Ａ】〜
【図８Ｂ】クランプブロックのセグメントの断面図及び上面図である。
【図９Ａ】〜
【図９Ｂ】クランプブロックの別のセグメントの上面図及び断面図である。
【図１０】ロードロックチャンバから搬送チャンバをシールするのに用いられるスリットバルブドアの位置を説明するチャンバ本体アセンブリの単純化された断面図である。
【図１１Ａ】図１のロードロックチャンバの他の部分断面図である。
【図１１Ｂ】ロードロックチャンバの内部の他の実施形態の部分斜視図である。
【図１１Ｃ】ロードロックチャンバの内部の他の実施形態の部分断面図である。
【図１２】図１のロードロックチャンバの他の部分断面図である。
【図１３】ランプアセンブリの一実施形態を説明する図１のロードロックチャンバの部分断面図である。
【図１４】〜
【図１５】ロードロックチャンバ内に支持されるランプアセンブリの収束端の部分断面図である。
【００１２】
理解を容易にするために、可能な範囲で、図面中に共通な要素を示すために同じ参照番号がふられている。一実施形態の要素は更なる引用なしに他の実施形態において効果的に用いることができる。
【詳細な説明】
【００１３】
大きい面積の基板の効率的な搬送に適した分離されたスリットバルブドアシールコンパートメントを有するロードロックチャンバが提供される。スリットバルブドアシールコンパートメントは、ロードロックチャンバのメインチャンバ本体アセンブリに比べ、より少ない表面面積を有しているので、熱膨張、圧力若しくは他の力によるたわみなど、チャンバ本体アセンブリの部品に加えられる力は、スリットバルブドアシールコンパートメントから分離、隔絶され、したがって、シールコンパートメントに、変動、若しくは、たわみをあまり伝わらない。これより、分離したという用語は、チャンバの真空精度を妥協することなく、シーリングに関し、変動する、若しくは、たわむチャンバ本体アセンブリの能力と定義する。これにより、シールコンパートメントに形成されたスリットバルブドアのシーリング表面は動作誤差内に効果的に維持され、動作の間のパーティクルの発生を低減せしめ、スリットバルブドアシールの寿命を延ばす。主な実施形態はロードロックチャンバにおける実施形態として記載されるが、例えば、基板搬送、化学蒸着、物理蒸着、サーマル処理、エッチ、イオンインプラント、または他の真空チャンバなどの他の真空チャンバも、本明細書に記述される分離されたシールコンパートメントの構成を用いて構成されうる。さらに、カリフォルニア州サンタクララ市のアプライドマテリアルズインクから市販されているロードロックチャンバの構成を以下に参照して、分離されたシールコンパートメントを有するチャンバの特定の実施形態について説明されるが、本発明の特徴は他の製造業者からのものを含む他のロードロック、サーマル、及び／または真空処理チャンバにおいても用いられうる。
【００１４】
図１は本発明のロードロックチャンバ１０４の一実施形態を有するクラスターツール１００の説明のための平面図である。クラスターツール１００は、ロードロックチャンバ１０４により、搬送チャンバ１０６へと結合されたファクトリーインターフェース１０２を含む。ファクトリーインターフェース１０２は概ね、複数の基板保持カセット１１４及び大気圧下で動作するロボット１１２を含む。大気下で動作するロボット１１２はカセット１１４とロードロックチャンバ１０４との間で基板１１６の搬送を行う。複数の基板処理チャンバ１０８は搬送チャンバ１０６に結合されている。真空ロボット１１０は、搬送チャンバ１０６内に設けられ、ロードロックチャンバ１０４と処理チャンバ１０８との間で基板１１６の搬送を行う。      
【００１５】
ロードロックチャンバ１０４は、概ね、その中に区分けられた基板保持スロットを有する環境的に隔絶可能な、少なくとも１つのキャビティを含む。いくつかの実施形態において、複数の環境的に隔絶可能なキャビティが設けられ、各々はその中に区分けられた１つ以上の基板保持スロットを有する。ロードロックチャンバ１０４はファクトリーインターフェース１０２の周囲環境若しくは大気圧環境と、搬送チャンバ１０６内に維持された真空環境との間で基板１１６の搬送を行うよう動作する。
【００１６】
図１の破線で示されるような複数のランプアセンブリ１２０が、ロードロックチャンバ１０２を介して、ファクトリーインターフェース１０２と搬送チャンバ１０６との間を通過する基板の搬送方向に、ほぼ垂直に、ロードロックチャンバ１０４を横切って延びる。ランプアセンブリ１２０は、電源１２２に接続され、ロードロックチャンバ１２０内に載置された基板は選択的に加熱される。五つのランプアセンブリ１２０が図１に示された実施形態において示されているが、ロードロックチャンバ１０２は加熱条件及び形状的な制限に適合するよう選択されて、より多くの、若しくは、より少ないランプアセンブリ１２０を含むよう構成されるかもしれない。ランプアセンブリ１２０に替えて、若しくは、ランプアセンブリ１２０に加えて他のタイプのヒーターが用いられるかもしれない。
【００１７】
ロードロックチャンバ１０４は、概ね、メインアセンブリ１４０を有する本体アセンブリ１６０と少なくとも１つの分離されたスリットバルブシールコンパートメントを含む。スリットバルブドアシールコンパートメントは、スリットバルブドアがロードロックチャンバ１０４の内部を環境的に隔絶するために、それに対してシールするところの表面を含む。図１に示される実施形態において、第１のスリットバルブドアシールコンパートメント１４２はメインアセンブリ１４０とファクトリーインターフェース１０２との間に設けられ、第２のスリットバルブドアシールコンパートメント１４４はメインアセンブリ１４０と搬送チャンバ１０６との間に設けられる。
【００１８】
さらに、図２は 図１のロードロックチャンバの詳細を示す。ロードロックチャンバ１０４が複数の基板搬送キャビティを有し、それらのうちの１つがその中に設けられたランプアセンブリ１２０を有するよう示されているが、ランプアセンブリ１２０は、１つのキャビティあたりに一枚の基板より大きい容量を有するロードロックチャンバを含む、基板搬送のために用いられる少なくとも１つのキャビティを有する、いかなるロードロックチャンバにも用いられうる。
【００１９】
本体アセンブリ１６０は、概ね、ステンレススチール、アルミニウム、若しくは他の適宜な材料などの剛体材料から作成される。本体アセンブリ１６０は、リークのない構造となるように、部品を組合わせて製造されるかもしれない。メインアセンブリ１４０は単一若しくはサブコンポーネンツの組み合わせからなっているかもしれない。本発明の恩恵を受けるような、１つの適宜な本体アセンブリは、２００６年１月１３日に出願された、出願番号１１／３３２，７８１の米国特許出願に記載されている。本発明の恩恵を受けるような他のロックチャンバは、２００４年４月２６日に出願された出願番号１０／８３２，７９５の米国特許出願、２０００年９月１５日に出願された出願番号０９／６６３，８６２の米国特許出願、２００４年５月１０日に出願された出願番号１０／８４２，０７９の米国特許出願、２００６年６月２日に出願された出願番号１１／４２１，７９３の米国特許出願などを含む。前記の米国特許出願のすべては、それらの全体を本明細書において参照し組みこまれる。
【００２０】
一実施形態において、メインアセンブリ１４０は、複数のリング形状の本体２４８を挟む、トッププレート２０４及びボトムプレート２０６を含む。内部プレート２９８は本体２４８の間に設けられる。プレート２０４、２０６、２９８は、本体２４８のそれぞれの内部で定義される内部空間２２０を囲む。図２に示される実施形態において、上側及び下側の内部空間２２０は基板搬送キャビティ２０８、２１０として構成され、中間体２４８に区分けられた内部空間２２０は加熱キャビティ２１２として構成される。
【００２１】
図２に示される実施形態において、ランプアセンブリ１２０は加熱キャビティ２１２内に設けられるよう示されている。しかしながら、ランプアセンブリは選択的に、他の搬送キャビティ２０８、２１０のうちの１つ、若しくは、キャビティ２０８、２１０，２１２のいかなる組み合わせの中に設けられてもよい。
【００２２】
トッププレート及びボトムプレート２０４、２０６は、トッププレート及びボトムプレート２０４、２０６のうちの少なくとも１つと本体２４８との相対的な動きを許容するように、複数の締結具により本体２４８に密封可能に結合されている。例えば、少なくともトッププレート及びボトムプレート２０４、２０６のうちの少なくとも１つは溶接なしで本体２４８に結合されている。プレート２０４，２０６から側壁への加えられる力があまり問題にはならない実施形態においては、トッププレート及びボトムプレート２０４、２０６及び本体２４８は溶接により結合されるかもしれない。
【００２３】
さらに、図３に示される本体アセンブリ１６０の部分断面図を参照すると、少なくとも１つのスペーサ３１６が、トッププレート２０４の下側表面３０２と本体２４８の上側表面３０４の間に設けられている。スペーサ３１６はギャップ３０６がその間に定義されるように、トッププレート２０４とチャンバ本体２４８を分離する。一実施形態において、スペーサ３１６はチャンバ本体２４８の上側表面３０４の平面面積よりずっと小さい平面面積を有する部材である。例えば、複数のスペーサ３１６がチャンバ本体２４８の一方の側に沿って上側表面３０４の上に設けられるかもしれない。
【００２４】
ガスケット若しくはＯリング３８６がプレートと本体との間で真空シールを維持するよう適切に圧縮され、トッププレート２０４が真空若しくは他の圧力状況下でチャンバ本体２４８に接触するのを防ぐように、スペーサ３１６の厚さは選択される。同様に、ギャップ３０６が維持されるように、１つ以上のスペーサ３１６がボトムプレート２０６とチャンバ本体２４８との間に設けられる。
【００２５】
図３に示される実施形態において、第１のスペーサ３１２、第２のスペーサ３１４は、トッププレート２０４とチャンバ本体２４８との間に設けられるよう示されている。スペーサ３１２、３１４は，スペーサとチャンバ本体２４８及び／若しくはトッププレート２０４との間の摩擦係数より，それらの間の摩擦係数（すなわち，スペーサ３１４に対するスペーサ３１２の摩擦係数）のほうが低い材料から形成されている。このように、真空排気により、熱により、若しくは、他の力により、チャンバ本体２４８及びトッププレート２０４が相対的に動くと、トッププレート２０４及び第１のスペーサ３１２は、第２のスペーサ３１４（及び本体２４８）に対して、横方向に自由にずり動くと共に、トッププレート２０４及び本体２４８が接触するのを防ぐ。
【００２６】
一実施形態において、スペーサ３１２、３１４はディスクである。このディスクは組み立ての容易のために本体アセンブリ１６０を締結するために用いられるボルト２８２の周りに設けられたワッシャーであるかもしれない。摺動部品、例えば（スペーサ３１２，３１４）が本体２４８の上側表面３０４に対して、小さい接触面積を有するので、動き出すのに必要な力は、より小さくなる。さらに、スペーサ３１２、３１４の接触表面はガスケット２８６の外側にあるので、スペーサ３１２、３１４の摺動の間に発生するパーティクルは効果的にロックチャンバ１０４の内部空間２２０に入るのを防ぐことができる。スペーサ３１６は、ギャップを維持するのにプレートと本体との間に延びる、リブ若しくは他の要素の形状のものであるかもしれない。また、スペーサはプレート若しくは本体に組み込まれるかもしれない。スペーサ３１６はギャップを維持するのにプレートと本体との間にのびるリブ若しくは他のフィーチャーの形状のものであるかもしれない。また、スペーサはプレート若しくは本体のいずれかに組み込まれるかもしれない（すなわち一体成型されている）。
【００２７】
図３に示される実施形態において、へこみ部分３０８が第２のスペーサ３１４の位置決めをするために本体２４８の上側表面３０４に形成される。選択的に、へこみ部分（図示せず）は、第１のスペーサ３１２の位置決めをするためにトッププレート２０４内に形成されるかもしれない。第１のスペーサ３１２が本体２４８に対して自由に横方向にずれ動くことができるようにするために、スペーサ３１４が上側表面３０４を超えて伸び出るように、へこみ部分（図示せず）３０８は、選択された深さを有する。
【００２８】
選択的に、ロードロックチャンバ１０４のトッププレート（および他の水平方向のプレート）に与えられる力の影響をさらに最小限にするために、少なくとも１つのスロット（図示せず）がその中に形成されるかもしれない。このスロットはトッププレート２０４の中央領域が動き、たわみ、および／または、拡張するのを許容し、トッププレートの端の部分での動きによる影響を最小化する。スロット内に設けられたシールアセンブリはロードロックチャンバ１０４の内部空間へのリークを防ぐ。たわみを解決するためのスロットを有するロードロックチャンバは２００６年１月１３日に出願された出願番号１１／３３２,７８１の米国特許出願に記載されており、その全体が本明細書の中で参照され組み込まれる。
【００２９】
図２に戻ると、２つの基板アクセスポート２１６は、基板搬送キャビティ２０８、２１０の内部空間２２０から基板の出し入れを行うために、本体２４８の対抗する側壁に形成されている。ポート２１６のうちのひとつのみが図２において示されている。加熱キャビティ２１２は、搬送チャンバ１０６に結合されている本体２４８の一方の側に設けられた、少なくとも１つの基板アクセスポート２１６を含み、搬送キャビティ２１２の内部空間２２０は（図１に示されている）真空ロボット１１２によりアクセスされうる。選択的に、加熱キャビティ２１２は、第２の基板アクセスポート（図２には図示せず）を有し、加熱キャビティ２１２とファクトリーインターフェース１０２との間で基板の搬送を行わしめる。このロードロックアセンブリの構成において、基板アクセスポートは主にキャビティのメンテナンスのために用いられるので、第２の基板アクセスポートは選択的にスリットバルブドアによりシールされ、または、選択的にブランクプレートにより封印される。
【００３０】
図４はロードロックチャンバ１０４のファクトリーインターフェースの側の基板アクセスポート２１６をシールするのに用いられるスリットバルブドア４００の位置を説明するチャンバ本体アセンブリ１０６の単純化された断面図である。ロードロックチャンバ１０４の搬送チャンバの側のスリットバルブドア４００の位置決めについては、さらに図１０を参照して以下に説明される。スリットバルブドア４００はスリットバルブドアシールコンパートメント１４２、１４４内に収容される。スリットバルブドア４００は圧力バリアを提供し、本体メインアセンブリのキャビティを選択的に隔絶するために用いられる。閉じた位置において、スリットバルブドア４００はポート２１６からのガス及び基板の動きを防ぐ。開いた位置において、スリットバルブドア４００は本技術分野においてよく知られているように、基板アクセスポートからの流れを防ぐ。本発明から恩恵を受けるであろう１つのスリットバルブドアはタナセによる２００４年６月１４日に出願された、曲面スリットバルブドアと題する出願番号１０／８６７、１００の米国特許出願に記載されており、その全体が本明細書において参照され組込まれる。         
【００３１】
図４に示される実施形態において、シールコンパートメント１４２は、概ね、ロードロックチャンバ１０４とファクトリーインターフェース１０２との間で基板が搬送される搬送通路４０２を含む。搬送通路４０２は基板搬送ポート４０６及びドアキャビティ４０４を有する。シールコンパートメント１４２の第１の側４２０で、シールコンパートメント１４２からの出口が形成されており、基板搬送ポート４０６は、メインアセンブリ１４０の基板アクセスポート２１６とほぼ揃えて配置される。シールコンパートメント１４２の第２の側４２０でシールコンパートメント１４２からの出口が形成されており、ドアキャビティ４０４は、その所でファクトリーインターフェース１０２に対し、開いた状態となる。基板（及びロボット）がそこを通って運ばれるのに、十分な空間をもたらす、ドア４００の開いた位置と、搬送通路４０２を効果的にシールする（図示されるような）、ドア４００の閉じた位置との間で、ドア４００が回転するに十分な大きさをドアキャビティ４０４は有している。
【００３２】
シール面４０８は、ドアキャビティ４０４と搬送ポート４０６との間の搬送通路４０２内において、決められる。図４において、シール面４０８は垂直方向に図示されているが、ドア４００を作動するアクチュエータ（図示せず）の動きを少なくするために、垂直方向から、一定の傾斜角度を有するように決められるかもしれない。
【００３３】
シールアセンブリ４１０は、シールコンパートメント１４２とメインアセンブリ１４０との間に設けられている。シールアセンブリ４１０はシールコンパートメント１４２とメインアセンブリ１４０との間に真空の気密シールをもたらし、ポート２１６、４０６をとり囲む。
【００３４】
図５はシールアセンブリの一実施形態の断面図である。シールアセンブリ４１０は、概ね、本体アセンブリ１４０及びシールコンパートメント１４２の端のところで形成されたへこみ部分５０４に、はまり込むシールリング５００及び複数のクランプブロック５０２を含む。シールリング５００は、真空環境下で用いるのに効果的なＶＩＴＯＮなどのポリマー若しくは他のガスケット材料から作成されるかも知れない。選択的にシールリング５００は金属加工されたベローズであるかもしれない。
【００３５】
クランプブロック５０２は２つの離間した環状リング内に配置され、各クランプブロックリングはシールリング５００の反対の端をシールする。クランプブロック５００には、ほぼ金属、セラミック、ポリマーなどの主に硬い材料から作られている。主に、クランプブロック５０２の材料は、以下に説明されるように、リング５００を圧迫するのに十分な硬さとなるように選択される。
【００３６】
締結具５１４はクランプブロック５０２及びシールリング５００を通って形成された貫通孔５１６、５１８を貫き、シールコンパートメント１４２及びメインアセンブリ１４２にそれぞれ形成されたスレッドホール５２０に係合する。締結具５１４がかたく締められるにつれ、各クランプブロック５０２はそれぞれシールコンパートメント１４２及びメインアセンブリ１４０に対してシールリング５００の反対側の端を押しつけ、その間に気密状態を形成する。シールコンパートメント１４２及びメインアセンブリ１４０は離れた状態にあるので、すなわち、その間にギャップがあるので、本体アセンブリの動き、および／または、たわみはシールリング５００の柔軟性のためにシールコンパートメント１４２に伝達されない。このように、シールアセンブリ４１０は、メインアセンブリル１４０をシールコンパートメント１４２に締結する他の硬い締結具若しくは他の硬い要素なしに、メインアセンブリ１４０の動き、および／または、たわみを実質的に許容するので、メインアセンブリ１４０の動き、および／または、たわみはシールコンパートメントから断絶、分離される。これにより、堅牢な、そして信頼性のあるシールのためのドアアセンブリ４００及びシールフェイス４０８の方向を堅持することができ、シールの長寿命化、及び、パーティクルの発生の低減のために、ドアに対しシール面が横ずれする動きを実質的に除去することができる。
【００３７】
さらに図６‐図７を参照すると、シールリング５００は、概ね、ポート２１６、４０６を形成する壁に対して、はまり込むよう形成された環状のリングである。図７に示された実施形態において、シールリング５００は概ね、方形の形をしているが、ポートを囲むに適当な他の形状のものが用いられるかもしれない。シールリング５００は、内部の第１のサイド７０２と外部の第２のサイド７０４を有し、チューブ形状のフラットリボンを形成する。シールリング５００は第２のサイド７０４から張り出たウェーブ５１０を含む。へこみ部分５０４は、メインアセンブリ１４０及びプレート１４２の部分において形成されるが、リング５００が機密に圧迫されるボトム５０６を含む。谷間部５０８は、ウェーブ５１０を収容するために、へこみ部分５０４のボトム５０６に形成される。谷間部５０８の側壁とボトム５０６との間の中間部分５１２は、リング５００への衝撃を防ぐために丸められているかもしれない。同様に、クランプブロック５０２の内側の底の角も、真空に晒されたとき鋭角の角であるが故にシールリング５００が引っ張られるのを防ぐために、丸められている。リング５００の第１のサイド４２０が真空下に持ってこられると、ウエーブ５１０はシールを維持するためにクランプブロック５０２に対して平らになるかもしれない。シールリング５００の孔５１８は真空環境にさらされているので、真空精度の維持を向上させるために、リング５００と、クランプブロック５０２の対応する表面と、へこみ部分５００のボトム５０６との間の接触圧力を集中させるように、ホール５１８より内側に、突起部７０６が、リング５００の第１及び第２のサイド４２０、４２２上に設けられる。
【００３８】
クランプブロック５０２は金属若しくは他の適宜な材料から作成されるかも知れない。クランプブロック５０２はリング５１０によるクランピングを可能ならしめるよう少し柔軟性のある環状の形状のものであるかもしれない。他の実施形態において、クランプブロック５０２は、組み立てを容易にするために複数のクランプセグメントから作成されるかも知れない。
【００３９】
例えば、図８Ａ‐Ｂおよび図９Ａ‐Ｂに示される実施形態において、一のクランプブロックはクランプセグメントを含むかもしれない。クランプセグメントは図示されるように一対に若しくは千鳥状に配置されるかもしれない。クランプセグメントはリング５００の内側の第１のサイド７０２をほぼカバーするために相互に近接して締結される。クランプセグメントは、リングの内側の第１のサイド７０２をほぼカバーするように配置されるかも知れない、いかなるサイズおよび形状のセグメントをも含む。図８Ａ‐Ｂおよび図９Ａ‐Ｂに示される実施形態において、クランプブロック５０２は複数のコーナーセグメント５００（Ａ）および複数の直線状のセグメント５００（Ｂ）を含む。図８Ａの断面図および図８Ｂの上面図に示されるように、コーナーセグメント５００（Ａ）は、へこみ部分５０４がポート２１６、４０６の周辺を沿って湾曲し、若しくは、曲がるにつれ、へこみ部分５０４のコーナーにほぼ合致する曲がり部分８０２を有する。図９Ａの断面図および図９Ｂの上面図に示されるように、線形状のセグメント５００（Ｂ）は、単一の扇形のセグメント５００（Ｂ）、若しくは、複数の隣接する線形のセグメント５００（Ｂ）のいずれかとして、へこみ部分５０４の直線状若しくは線形の部分に沿ってリング５００をカバーするようなサイズのものである。クランプブロック５００には他の構成を有するかもしれない。
【００４０】
図１０は、シールコンパートメント１４４内に収容され、ロードロックチャンバ１０４の搬送チャンバ側上の基板アクセスポート２１６をシールするのに用いられるスリットバルブドア４００の位置を説明するチャンバ本体アセンブリ１０６の簡略化された断面図である。シールコンパートメント１４４は、概ね、基板がロードロックチャンバ１０４と搬送チャンバ１０６との間を搬送されるための搬送通路１００２を含む。搬送通路１００２は、基板搬送ポート１００６、基板搬送孔１０１０と、ドアキャビティ１００４とを有する。基板搬送孔１０１０は、シールコンパートメント１４４の第１のサイド１０２０上に、シールコンパートメント１４４からの出口を有し、メインアセンブリ１４４の基板アクセスポート２１６に、ほぼ揃えて配置されている。基板搬送ポート１００６は、シールコンパートメント１４４の第２のサイド１０２２上に、シールコンパートメント１４４からの出口を有し、搬送チャンバ１０６に対し、ほぼ開いた状態になる。ドアキャビティ１００４はポート１００６と孔１０１０との間に形成される。ドアキャビティ１００４は、基板（およびロボット）がそれを介して運ばれることができる空間を有する開いた位置と、効果的に搬送通路１００２をシールする閉じた位置（図示せず）との間で、回転ドア１０００が回動するに十分な大きさを概ね、有する。
【００４１】
シール表面１００８はドアキャビティ１００４と搬送ポート１００６との間の搬送通路１００２において形成される。図１０において、シール面１００８は、垂直方向に示されているが、ドア１０００を動作させるアクチュエータ（図示せず）の動きを少なくするために、垂直方向から少し傾いているかもしれない。リップ１０１２が、ドア４００の単位面積あたりの負荷を増加するために、シール面１００８の周囲から延び出るかもしれない。
【００４２】
シールアセンブリ４１０はシールコンパートメント１４４とメインアセンブリ１４０との間に設けられる。シールアセンブリ４１０は、シールコンパートメント１４４とメインアセンブリ１４０との間の真空の気密なシールをもたらし、ポート２１６、１００６をとり囲み、上述の図５−９を参照して説明されるように構成される。シールアセンブリ４１０は、シールコンパートメントをメインアセンブリ１４０に結合する柔軟性のある部材を有する。従って、金属性の締結手段、締結具、溶接などの剛性部材がシールコンパートメント１４４をメインアセンブリ１４２に直接、結合していないので、メインアセンブリ１４２の動き、およびい／または、力はシールコンパートメント１４４から隔絶される。これにより、シールの摩耗／くたびれによるパーティクルの発生が低減されるとともに、シールの寿命及び信頼性が改善される。
【００４３】
図２に戻ると、プレート２０４、プレート２０６、２９８のうちの少なくとも１つは温度調整プレートとして構成されるかもしれない。１つ以上の通路２２４は、プレート２０４、２０６、２９８に形成され、流体源２２８に結合される。流体源２２８は、プレート２０４、２０６、２９８の温度、最終的には、基板１１６の温度を調整（すなわち、加熱及び/又は冷却）する通路２２４を介して巡回される熱伝導液体を提供する。プレート２０４、２０６、２９８を冷却することにより、処理から戻ってきた熱い基板は、キャビティ２０８、２１０内に設けられる別個の周知の冷却プレートを用いることなく効果的に冷却される。
【００４４】
加熱キャビティ２１２は、選択的に基板１１６を加熱するのに用いられる内部空間２２０を通って設けられた１つ以上のランプアセンブリ１２０を含む。図２に示された断面図において、１つのランプアセンブリ２２０が本体アセンブリ１６０の側壁の間を延びるように示されている。
【００４５】
内部空間１２０内に設けられた各ランプアセンブリは独立に制御され得、これにより、例えば、均一に加熱することにより、及び／又は、第２の領域より早く基板の第１の領域を加熱することにより、基板１１６の温度プロファイルを所望に形成することができるように、各ランプアセンブリ１２０は電源１２２に結合されるかもしれない。一実施形態にいて、ランプアセンブリ１２０は、基板１１６の中央が基板の周辺部とは異なる割合で加熱されるようにランプアセンブリ１２０は配置され、及び／又は、制御される。
【００４６】
図２及び図１１Ａ−Ｂを参照すると、基板支持構造２１８は搬送キャビティ２０８、２１０の内部空間２２０内に設けられる。基板支持構造２１８は、概ね、２つの基板を積み重ねる方向に支持するよう構成されている。また、支持構造２１８の高さは、ポート２１６を介して基板の交換が行われるように制御されるかもしれない。一実施形態において、各基板支持体２１８は１つ以上のアクチュエータ２９４に結合され、各キャビティ内の基板支持体２１８の高さが独立に制御されるように結合される。他の基板支持構造が選択的に用いられるかもしれない。又、基板支持構造の高さは、１つ以上のアクチュエータを用いて、キャビティの間で同期して動作するかもしれない。
【００４７】
一実施形態において、基板支持構造２１８はアクチュエータ２９４に接続された１つのプレート若しくは複数のバー２９６を含む。バー２９６はアクチュエータ２９４へのバーの結合を行わしめるために、基板支持体の間の距離を調整するように構成される。
【００４８】
１つ以上のピン２２６が、その上で基板１１６を支持するバー２９６の各々から伸び出るかもしれない。基板１１６を支持するピン２２６の端は、基板１１６の底の表面とピン２２６との間の動的な摩擦を低減するために、および、基板のひっかきを防ぐために、丸まっているか、及び／又は、ボールを含む。図２に示された実施形態では、各ピン２２６の先端の端にボールが設けられている。ボールによりもたらされる低減された摩擦によって、基板を引っ掻くこともなく、基板はピン２２６上に支持されながら、容易に膨張したり、縮小することが可能となる。他の適宜な基板支持体は２００３年３月５日に出願された米国特許６，５２８，７６７、２００１年１０月２７日に出願された出願番号０９／９８２，４０６の米国特許出願、２００３年２月２７日に出願された出願番号６０／３７６，８５７の米国特許出願に記載されており、それらの全てはその全体が本明細書において参照され組み込まれる。ピン２２６は、概ねロボットによるエンドエフェクタを用いて基板の交換が行われるよう配置される。ピン２２６は基板を支持するために、加熱キャビティ２１２の床を構成する内部プレート２９８に更に結合される。
【００４９】
基板とチャンバ本体２４８との熱伝導を向上するために、基板支持体２１８は搬送キャビティ２０８、２１０の床（若しくは天井）の近傍で、支持した基板を動かすかもしれない。基板と搬送キャビティの床／天井との間の距離は基板の温度に基づいて調整されるかもしれない。例えば、処理から戻ってきた熱い基板は２４０℃を超える温度を有しているかもしれない。凝縮、及び／又は、熱応力が形成されるのを防ぐために、熱い基板は搬送キャビティの床／天井から大きく離れた距離に維持されるかもしれない。熱い基板が、例えば約１４０℃までに、十分に冷却されると、より冷たい基板は熱伝導効率を増すために搬送キャビティの床／天井により近くに動かされ、より速い割合でより冷却された基板温度が達成され、またそれが基板処理のスループットを向上せしめる。
【００５０】
基板と搬送キャビティ２０８、２１０の床／天井との間の熱伝導をさらに向上させるために、基板支持体２１８は搬送キャビティの床／天井にぴったりとフィットするよう構成されるかもしれない。これにより、基板とチャンバ本体アセンブリ１６０との間の距離は最小化され、幾つかの実施形態においては、通路２２４を通る熱伝導液体による熱交換を最大限に利用するために、チャンバ本体アセンブリ１６０に接触して基板を載置することが可能となる。
【００５１】
図１２は基板支持体２１８にぴったりとはまり込むよう構成された内部プレート２９８の一実施形態の断面図を図示する。プレート２９８は基板支持体２１８のバー２９６がその中に移動できるよう構成されたスロット１２０２（図２において１つは示されている）を含む。一実施形態において、バー２９６がスロット１２０２の床へと動くにつれ、基板がプレート２９８によりピン２２６から持ち上げられるように、スロット１２０２の深さは、選択されるかもしれない。選択的に、スロット１２０２、若しくは、バー２９６の動きは、基板が通路２２４を巡回する液体によって効果的に冷却されるように、プレートのより近傍の所で、ピン２２６上で支持されるよう構成されるかもしれない。第２の搬送キャビティ２１０も同様に、内部プレート２９８の境界部分のより低い部分に形成されたスロット１２０２を備えて構成される。
【００５２】
図１１Ｃはロードロックチャンバの他の実施形態の部分等角図である。図１１Ｃに示される実施形態において、第１のアクチュエータ１１０４は、下側の基板支持体１１４４の高さを制御し、第２のアクチュエータ１１０２は上側の基板支持体１１４２の高さを制御し、これにより単一のキャビティ内の別個の基板の高さを独立して制御することが可能となる。第１のアクチュエータ１０４は、下側の基板支持体１１４２内に形成された特徴部分１１４０を通過し、これにより、アクチュエータ１１０２、１１０６を揃えることが可能となる。このように、基板支持体１１４２、１１４４は、ロードロックチャンバの内部空間内で、同じ投影表面面積（例えば、設置面積）となるように構成され、これにより、ロードロックチャンバ本体の壁を基板支持体１１４２、１１４４の近くに設けることができるので、ロードロックチャンバの内部空間を効果的に小さくし、排気および吸気のための時間を短くすることができる。本実施形態において、特徴部分１１４０は、上側の基板支持体１１４２を貫通して形成された孔であるかもしれない。特徴部分１１４０は、上側の基板支持体１１４２が障害となることなく、下側の基板支持体１１４４の高さを制御するアクチュエータ１１４０を下側の基板支持体１１４４に結合せしめる、上側の基板支持体１１４２と下側の基板支持体１１４４との間に設けられた、ノッチ、溝、スロット、切り欠き、または、他の形状的なずれであるかもしれない。又、アクチュエータ１１０２，１１０４の一対は、図１１Ｃに示されるように、上側のアクチュエータ１１０２のロッド１１６２を通って伸びる下側のアクチュエイションロッド１１６４及び上側の基板支持体１１４２の特徴部分１１４０と同軸上に揃えられるかもしれない。
【００５３】
図２に再び戻ると、圧力制御システム２５０は、本体アセンブリ１６０の内部空間２２０内の圧力を制御するために、ロードロックチャンバ１０４に接続される。圧力制御システム２５０は、概ね、ガス源２５２及び排気システム２５４を含む。ガス源２５２はチャンバ本体アセンブリ１６０に形成された少なくとも１つの入口ポート２６０に接続される。ガス源２５２はチャンバ本体アセンブリ１６０の内部空間２２０内の圧力を上げるか及び／又は、調整するために用いられるベントガスを提供する。例えば、ガス源２５２は真空環境から周囲環境へ基板１１６を搬送するトランスファースキャビティ２０８、２１０の内部空間２２０にベントガスを流入せしめるかもしれない。一実施形態において、排気用ガスは、窒素、ヘリウム、空気、若しくは他の適宜なガスのうちの少なくとも１つを含む。選択的に、一実施形態において、キャビティ２１２は動作真空圧力に一定に維持されるかもしれないので、加熱キャビティ２１２は入力ポートを含まないかもしれない。
【００５４】
入力制御バルブ２５６は、本体アセンブリ１６０の内部空間２２０に排気用ガスの流れを選択的に制御するために、ガス源２５２と入力ポート２６０との間に設けられる。入力制御バルブ２５６は真空環境下で実質的に漏れのない気密シールを提供することができる。一実施形態において、ガス源２５２は、排気用ガスの流量、温度、及び／又は、湿度などの排気用ガスの属性を制御するよう構成される。
【００５５】
図２に示された実施形態において、入口ポート２６０はベント通路２３８により１つ以上のディフューザ２４０に結合される。ディフューザ２４０は内部空間２２０に流れるガスが基板１１６の上面方向に方向付けられるように、トッププレート２０４（若しくは他のプレート）の内側の面に形成される。この構成により、基板１１６が処理された後、基板１１６は効果的に冷却され、ロードロックチャンバ１０４は排気される。
【００５６】
一実施形態において、ディフューザ２４０はプレート２０４、２９８のボトム表面内に定義されたへこみ部分２３２内に形成される。キャップ２４４はプレート内にプレナム２４２を形成する、へこみ部分２３２を覆う。接続孔２３６はプレナム２４２をベント通路２３８に結合する。複数の孔２７６が、矢印２３４に示されるように、排気用ガスがガス源２５２からプレナム２４２を通り内部空間２２０に流れることができるように、キャップ２４４に形成される。ディフューザ２４０は主にロードロックチャンバ１０４内への排気用ガスの方向づけをするためのものであるが、ディフューザ２４０はチャンバ１０４の内部空間２２０を排気するためにも用いられるかもしれない。
【００５７】
排気システム２５４は、概ね、チャンバ本体アセンブリ１６０に形成された少なくとも１つの排気ポート２６２に結合される。排気システム２５４はロードロックチャンバ１０４の内部空間２２０からガスを取り除くよう構成されている。排気システム２５４は、１つ以上の真空ポンプ（図示せず）を含み、最終的には、設備排気システム（これも図示せず）に結合される。例えば、排気システムは周囲環境から真空環境への基板１１６の搬送を行うために、内部空間２２０からガスを排気するかもしれない。
【００５８】
排気制御バルブ２５８は排気システム２５４と排気ポート２６２との間に設けられ、選択的に、本体アセンブリ１６０の内部空間２２０から出てくるガスの流れを選択的に制御する。排気制御バルブ２５８は、典型的には入口制御バルブ２５６に類似のものであり、真空環境下実質的にリークのない気密なシールをもたらすことができる。
【００５９】
コントローラ２８０は動作を制御するためにロードロックチャンバ１０４に結合されている。コントローラ２８０は中央処理ユニット（ＣＰＵ）２８２、サポート回路２８６及びメモリ２８４を含む。ＣＰＵ２８２は様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業的な設定に用いられ得るコンピュータプロセッサの形態のもののうちの１つのものであるかもしれない。サポート回路２８６は周知の態様によりプロセッサをサポートするためＣＰＵ２８２に結合されている。これらの回路はキャッシュ、電源供給、クロック回路、入主力回路、サブシステム等を含む。メモリ２８４はＣＰＵ１１２に接続されている。メモリ２８４、若しくは、コンピュータにより読取可能なメディアは、ローカル制御されるか、リモート制御されるかは問わず、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），フロッピー（商標名）ディスク、ハードディスク、デジタル信号により保持記録がされる形態のものなどの容易に入手可能なメモリのうちの１つであってもよい。
【００６０】
図１３はランプアセンブリ１２０の一実施形態を説明するためのロードロックチャンバ１０４の部分断面図である。ランプアセンブリ１２０は、概ね、ランプ１０４を収容するチューブ１３０２を含む。ランプ１０４は内部空間２２０内に設けられた基板を放射加熱するためのカーボンＩＲランプ若しくは他のランプであるかもしれない。
【００６１】
ランプ１３０４、及び／又は、チューブ１３０２の上側表面は、反射材料によりコーティングされており、ランプ１３０４により発生されたエネルギーは基板の方向の下側に向かい、加熱効率を向上せしめる。一実施形態において、コーティングは金を含む。
【００６２】
チューブ１３０２は、ランプ１３０４により発生された放射熱が、本体アセンブリ１６０の内部空間２２０内に設けられた基板１１６を効果的に加熱することができるに好適な透過性材料から作成されている。一実施形態において、チューブ１３０２は石英から作られる。チューブ１３０２の直径及び厚さは、概ね、チューブ１３０２が真空環境に囲まれたときに、圧力差により崩壊を防ぐよう選択される。
【００６３】
チューブ１３０２は、概ね、解放端１３０６及び収束端１３０８を含む。チューブ１３０２は本体２４８の側壁１３１４を介して形成された孔１３１２を介して設けられる。チューブ１３０２は解放端１３０６のところで形成されるフレアードフランジ１３１０を含む。収束端１３０８は本体アセンブリ１６０内に形成される内部空間２０２内へと延びる。
【００６４】
チューブ１３０２はマウンティングアセンブリ１３１６により本体アセンブリ１６０に結合されている。マウンティングアセンブリ１３１８は概ね、マウンティンブロック１３１８、リテイナ１３２０、及びキャップ１３２２を含む。マウンティングアセンブリ１３１６は、概ね、チューブ１３０２の収束端１３０８がそれを通って延伸する孔１３３２を含む。
【００６５】
リテイナ１３２０は、ほぼ円環状の形をしており、複数の締結具１３２４によりマウンティンブロック１３１８に結合されている。リテイナ１３２０の内側の直径はチューブ１３０２のフランジ１３１０の外側直径より小さい。これによりチューブ１３２０の解放端１３０６が孔１３３２を通って、本体アセンブリ１６０の内部空間２２０の中に入ってしまうのを防ぐ。
【００６６】
キャップ１３２２は複数の締結具１３２６によりマウンティングブロック１３１８に結合される。キャップ１３２２はリテイナ１３２０に対してチューブ２０６のフランジ１３１０を捕捉する。第１のシール１３２８はキャップ１３２２とマウンティンブロック１３１８との間に設けられる。第２のシール１３３０はキャップ１３２２とチューブ１３０２のフランジ１３１０との間に設けられる。第３のシールはマウンティングブロック１３１８と本体２４８との間に設けられる。締結具１３２６はキャップ１３２２をマウンティングブロック１３１８へ、マウンティングブロック１３１８を本体２４８に圧縮するので、シール１３２８、１３３０、１３４０は、真空シールをもたらすよう圧縮され、これにより本体アセンブリ１６０の外部から内部空間２２０を隔絶する。更に、チューブ１３０２とマウンティングアセンブリ１３１６との間に設けられた第２のシール１３３０はチューブ１３０２の内部を、本体アセンブリ１６０の内部空間から流動可能に隔絶する。
【００６７】
ランプアセンブリ１２０は主に、上面または底面より、より小さい面積を有する本体アセンブリ１６０の壁から支えられているので、圧力の変化及び／又は本体のたわみに起因するランプアセンブリ１２０の動きは最小化される。更に、基板とランプアセンブリ１２０との間の間隔は実質的に均一の距離に維持される。
【００６８】
チューブ１３０２の解放端２０６は、チャンバ本体２０２の外側の周囲に露出され、これによりランプ２０４はロードロックチャンバの内部空間２２０を周囲環境に露出することなくチューブ１３０２から挿入され及び／又は置き換えられることが可能となる。更に、ランプ１３０４は、内部空間２２０の外側（例えば、大気圧下）において、コネクタ１３３６及びワイヤ１３４２により接続され得るリード１３３４を含み、これにより、アーキング及び関連するパーティクルの発生の可能性をなくする。更に、ランプ、若しくは、ランプの電気接続に関連するパーティクルは基板から隔絶され、これにより、これらのソースからのパーティクルの汚染の機会を取り除く。
【００６９】
ワイヤ１３４２は、チャンバ本体２０２の外側に設けられた、シャーシ１３３８又は他のワイヤ導管を介して配線されるかもしれない。シャーシ１３３８により、内部空間２２０へと伸びる複数のランプアセンブリ１２０は単一の部位からもたらされ得る。
【００７０】
図１４−１５はチャンバ本体２０２内に支持されたランプアセンブリ１２０の収束端１３０８の部分断面図である。図１４−１５に示された実施形態において、ランプアセンブリ１２０の複数の対は列状に配置される。一対を形成する各ランプアセンブリ１２０はロードロックチャンバ１０４の対抗する側壁１３１４を通って形成される孔（６１２）を介して延伸する。各対のランプアセンブリ１２０は、ガイド１４００により支持される収束端１３０８を有する。図１５において破線に示されるように、ガイド１４００は単一のバー１５００の形態であるかもしれない。対抗するランプアセンブリの構成は、チューブ１３０２内で用いられる短いランプ１３０４により、チャンバ本体の内部空間をカバーする。短いランプ１３４０（すなわち、内部チャンバの幅より短い）はランプ交換の間、より少ないクリアランス空間のみを必要とする。この短いランプの特徴は、図１に示されるように、ロードロックチャンバ１０４の側壁の近くにプロセッシングスチャンバ１０８があるので、より効果的である。
【００７１】
図１４に示される実施形態において、チューブ１３０２の収束端１３０８はガイド１４００により支持される。ガイド１４００はチューブ１３０２の収束端１３０８を受け入れる孔１４０２を含む。ガイドは各チューブ１３０２に対して用いられるかもしれない。一実施形態において、ホール４０２は、ランプアセンブリ１２０が、側壁から片持ち支持されるように、チューブ１３０２内に十分なクリアランス空間を有し、これによりランプと基板との間の間隔の均一性を向上せしめることができる。
【００７２】
ガイド１４００は内部空間２２０の天井１４０４に取り付けられる。ガイド１４００は天井１４０４から少し離れてランプアセンブリ１２０を保持する。図１４に示される実施形態において、天井１４０４は内部プレート２９８の下側である。他の実施形態において、ガイドはトッププレート２０４、ボトムプレート２０６、若しくは、他の本体アセンブリ１６０の部分の底面に取り付けられるかもしれない。
【００７３】
このように加熱されるロードロックチャンバが提供される。一端で支持されたランプアセンブリにより、真空状況下においてチャンバ本体の上面にもたらされるたわみから、ランプの位置が影響されなくなり、これにより、吸気及び真空排気サイクルの間でも、ランプと基板との間の距離における変化を最小化することができる。更に、ランプの接続は真空環境の外側に位置するので、真空環境内でのアーキングの問題はなくなる。更に、チューブが対向するよう設計しているので、隣接するチャンバが、ロードロックチャンバの近傍に設けられている場合でも、真空を破ることなく、ランプの交換が可能である。
【００７４】
本発明のより好ましい実施形態について上述されてきたが、本発明の他のあるいは更なる実施形態は本発明の基本範囲を逸脱することなく創作することができる。本発明の範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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