(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉまたは式ＩＩ
【化１】
0005837611.tif 000021
（式中、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一であるか、または異なっており、炭化水素アリール、芳香環に少なくとも１個の窒素を有する複素環式芳香族基、およびそれらの重水素化類似体である）を有する化合物。
【請求項２】
Ａｒ1〜Ａｒ4の少なくとも１個が、アルキル、アリール、シリル、ジアリールアミン、カルバゾールまたはそれらの重水素化類似体である置換基を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ａｒ1〜Ａｒ4が、次式ａ
【化２】
0005837611.tif 000022
（式中、
Ｒ1は、それぞれ出現毎に、同一であるか、または異なっており、Ｄ、アリール、アルキル、シリル、ジアリールアミノ、カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体であり、
ａは、それぞれ出現毎に、同一であるか、または異なっており、０〜４の整数であり、
ｂは、０〜５の整数であり、かつ
ｍは、１〜５の整数である）を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ａｒ1〜Ａｒ4が、次式ｂ
【化３】
0005837611.tif 000023
（式中、
Ｒ1は、Ｈ、Ｄ、アリール、アルキル、シリル、ジアリールアミノ、カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体であり、かつ
ｍは、１〜５の整数である）を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
Ａｒ1〜Ａｒ4が、次式ｃ
【化４】
0005837611.tif 000024
（式中、
Ｒ1は、Ｈ、Ｄ、アリール、アルキル、シリル、ジアリールアミノ、カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体である）を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
Ａｒ1〜Ａｒ4の１個またはそれ以上が、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、ピリジン、ピリミジン、トリアジンまたはそれらの重水素化類似体である、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
式Ｉまたは式ＩＩ
【化５】
0005837611.tif 000025
（式中、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一であるか、または異なっており、Ｈ、Ｄまたはアリールであり、Ａｒ1〜Ａｒ4の１個またはそれ以上が、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、ピリジン、ピリミジン、トリアジンまたはそれらの重水素化類似体であり、更に、Ａｒ1〜Ａｒ4の少なくとも１個は、ジアリールアミノ、カルバゾールまたはそれらの重水素化類似体で置換される）を有する化合物。
【請求項８】
化合物１〜化合物８から選択される、請求項１に記載の化合物。
化合物１
【化６】
0005837611.tif 000026
化合物２
【化７】
0005837611.tif 000027
化合物３
【化８】
0005837611.tif 000028
化合物４
【化９】
0005837611.tif 000029
化合物５
【化１０】
0005837611.tif 000030
化合物６
【化１１】
0005837611.tif 000031
化合物７
【化１２】
0005837611.tif 000032
化合物８
【化１３】
0005837611.tif 000033
【請求項９】
（ａ）式Ｉまたは式ＩＩ
【化１４】
0005837611.tif 000034
（式中、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一であるか、または異なっており、Ｈ、Ｄまたはアリールである（但し、式ＩにおいてＡｒ2及びＡｒ4の両方が同時にＨである場合を除く））を有するホスト化合物を含んでなる電子デバイス用組成物。
【請求項１０】
式Ｉまたは式ＩＩ
【化１５】
0005837611.tif 000035
（式中、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、同一であるか、または異なっており、Ｈ、Ｄまたはアリールである（但し、式ＩにおいてＡｒ2及びＡｒ4の両方が同時にＨである場合を除く））の化合物を含んでなる少なくとも１層を有する電子デバイス。
【請求項１１】
前記デバイスが、
基板と、
絶縁層と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
式Ｉまたは式ＩＩを有する電気活性化合物を含んでなる有機半導体層と
を含んでなる有機薄膜トランジスタであって、
前記絶縁層、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記ゲート電極および前記半導体層が両方とも前記絶縁層と接触し、前記ソース電極および前記ドレイン電極が両方とも前記半導体層と接触し、かつ前記電極が互いに接触しないという条件の下で、任意の配列で配置することができる
有機薄膜トランジスタである、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記デバイスが、２層の電気接触層の間に配置された少なくとも１層の活性層を含んでなり、前記デバイスの前記少なくとも１層の活性層が式Ｉまたは式ＩＩを有する化合物を含む、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
アノードと、正孔注入層と、光活性層と、電子輸送層と、カソードとを含んでなり、前記光活性層および前記電子輸送層の少なくとも１層が式Ｉまたは式ＩＩを有する化合物を含んでなる、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記光活性層が、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料と、（ｂ）有機金属エレクトロルミネセントドーパントとを含んでなる、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記正孔注入層が、少なくとも１種の導電性ポリマーと、少なくとも１種のフッ素化酸ポリマーとを含んでなる、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記電子輸送層が、式Ｉまたは式ＩＩを有する化合物を含んでなる、請求項１３に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）に基づき、その記載内容全体が参照により援用される２０１０年１２月１５日に出願された米国仮特許出願第６１／４２３，３７２号明細書の優先権を主張する。
【０００２】
本開示は、一般に、電気活性化合物に関する。これはまた電気活性化合物を有する少なくとも１層を含む有機電子デバイスにも関する。
【背景技術】
【０００３】
ＯＬＥＤディスプレイを構成する有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）などの有機電子デバイスにおいて、有機活性層は、ＯＬＥＤディスプレイ中で２層の電気接触層の間に挟まれている。ＯＬＥＤ中、電気接触層の間に電圧が印加された時に、有機光活性層は、光透過性電気接触層を透過する光を発する。
【０００４】
発光ダイオード中の活性成分として有機エレクトロルミネッセント化合物が使用されることは周知である。単純な有機分子、共役ポリマー、および有機金属錯体が使用されている。
【０００５】
光活性材料を使用するデバイスは、多くの場合、光活性（例えば発光）層と接触層（正孔注入接触層）との間に配置された１層またはそれ以上の電荷輸送層を含む。デバイスは２層以上の接触層を含むことができる。光活性層と正孔注入接触層との間に正孔輸送層を配置することができる。正孔注入接触層はアノードと呼ばれてもよい。光活性層と電子注入接触層との間に電子輸送層を配置することができる。電子注入接触層はカソードと呼ばれてもよい。電荷輸送材料は、光活性材料と組み合わせてホストとして使用することもできる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子デバイスのための新規材料が引き続き必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
式Ｉまたは式ＩＩ
【０００８】
【化１】
0005837611.tif 000002
【０００９】
（式中、
Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一であるか、または異なっており、Ｈ、Ｄまたはアリールである）を有する化合物が提供される。
【００１０】
（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト化合物と、（ｂ）３８０〜７５０ｎｍで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントとを含んでなる組成物も提供される。
【００１１】
式Ｉまたは式ＩＩの化合物を含んでなる少なくとも１層を含んでなる電子デバイスも提供される。
【００１２】
基板と、
絶縁層と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
式Ｉまたは式ＩＩを有する電気活性化合物を含んでなる有機半導体層と
を含んでなる薄膜トランジスタであって、前記絶縁層、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、ゲート電極および半導体層が両方とも絶縁層と接触し、ソース電極およびドレイン電極が両方とも半導体層と接触し、且つ電極が互いに接触しないという条件の下で、任意の配列で配置することができる、薄膜トランジスタも提供される。
【００１３】
また、２層の電気接触層の間に配置された少なくとも１層の活性層を含んでなり、デバイスの少なくとも１層の活性層が式ＩＩを有する電気活性化合物を含む電子デバイスも提供される。
【００１４】
また、アノードと、正孔注入層と、光活性層と、電子輸送層と、カソードとを含んでなる有機電子デバイスであって、光活性層および電子輸送層の少なくとも１層が式Ｉまたは式ＩＩを有する化合物を含んでなる有機電子デバイスも提供される。
【００１５】
以上の一般的説明および以下の詳細な説明は、単に例示的および説明的なものであり、添付の特許請求の範囲に定義される本発明を限定するものではない。
【００１６】
本明細書において提示される概念の理解を深めるために、添付の図面に実施形態を説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】図１Ａは、底面接触モードのそのようなデバイスの活性層の相対的な位置を示す有機電界効果トランジスタ（ＯＴＦＴ）の概略図を含む。
【図１Ｂ】図１Ｂは、上面接触モードのそのようなデバイスの活性層の相対的な位置を示すＯＴＦＴの概略図を含む。
【図１Ｃ】図１Ｃは、ゲートが上面にある底面接触モードのそのようなデバイスの活性層の相対的な位置を示す有機電界効果トランジスタ（ＯＴＦＴ）の概略図を含む。
【図１Ｄ】図１Ｄは、ゲートが上面にある底面接触モードのそのようなデバイスの活性層の相対的な位置を示す有機電界効果トランジスタ（ＯＴＦＴ）の概略図を含む。
【図２】図２は、有機電子デバイスの別の例の概略図を含む。
【図３】図３は、有機電子デバイスの別の例の概略図を含む。
【００１８】
当業者は、図面中の物体が、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではないことを認識する。例えば、実施形態の理解を高めるために、図面中の一部の物体の寸法が他の物体よりも誇張されていてもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
多くの態様および実施形態を以上に説明しているが、これらは単に例示的で非限定的なものである。本明細書を読めば、本発明の範囲から逸脱することなく他の態様および実施形態が可能であることは当業者に認識される。
【００２０】
いずれか１つまたはそれ以上の実施形態のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。詳細な説明では、最初に用語の定義および説明を記載し、続いて新規化合物、電気活性組成物、電子デバイス、そして最後に実施例を記載する。
【００２１】
１．用語の定義および説明
以下に記載される実施形態の詳細を記載する前に、一部の用語について定義または説明を行う。
【００２２】
用語「アルキル」は、脂肪族炭化水素から誘導される基を意味することが意図される。
【００２３】
用語「アリール」は、芳香族炭化水素から誘導される基を意味することが意図される。用語「芳香族化合物」は、非局在化パイ電子を有する少なくとも１個の不飽和環式基を含んでなる有機化合物を意味することが意図される。この用語は、炭素および水素原子のみを有する芳香族化合物、ならびに環式基中の炭素原子の１個またはそれ以上が、窒素、酸素、硫黄などの別の原子によって置き換えられる複素環式芳香族化合物を包含することが意図される。
【００２４】
層、材料、部材、または構造に関して言及される場合、用語「電荷輸送」は、そのような層、材料、部材、または構造が、比較的効率的かつ少ない電荷損失で、そのような層、材料、部材、または構造の厚さを通過するそのような電荷の移動を促進することを意味することを意図している。正孔輸送材料は正電荷を促進し；電子輸送材料は負電荷を促進する。光活性材料も、ある程度の電荷輸送特性を有し得るが、用語「電荷輸送層、材料、部材、または構造」は、主要な機能が発光または光受容である層、材料、部材、または構造を含むことが意図されない。
【００２５】
用語「ドーパント」は、ホスト材料を含む層中で、そのような材料を含まない場合の層の放射線放出の電子的特徴または波長、受容、またはフィルタリングと比較して、層の放射線放出の電子的特徴または標的波長、受容、またはフィルタリングを変化させる材料を意味することが意図される。
【００２６】
用語「ホスト材料」は、ドーパントが添加されていても、されていなくてもよい、通常は層の形態の材料を意味することが意図される。ホスト材料は、電子的特性、あるいは放射線の放出、受容、またはフィルタリングする能力を有していてもよく、または有さなくてもよい。
【００２７】
用語「炭化水素アリール」は、水素および炭素原子のみを含有するアリール基を意味することが意図される。
【００２８】
用語「層」は、用語「膜」と同義的に使用され、所望の領域を覆うコーティングを意味する。この用語は大きさによって限定されることはない。この領域は、デバイス全体の大きさであることが可能であり、実際の視覚的表示などの特殊機能領域の小ささ、または１つのサブピクセルの小ささであることも可能である。層および膜は、気相堆積、液相堆積（連続的技術および不連続的技術）などの従来の任意の堆積技術および熱転写によって形成することができる。連続堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングが挙げられるが、これらに限定されるものではない。不連続堆積技術としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２９】
用語「Ｎ−複素環」は、芳香環に少なくとも１個の窒素を有する複素環式芳香族基を意味することが意図される。
【００３０】
用語「有機電子デバイス」または単に「電子デバイス」は、１種またはそれ以上の有機半導体層または材料を含むデバイスを意味することが意図される。
【００３１】
用語「光活性」は、印加電圧によって活性化されると光を発する（発光ダイオードまたは化学電池など）か、あるいは印加バイアス電圧の有無にかかわらず放射エネルギーに反応して信号を生じる（光検出器など）材料または層を意味することが意図される。
【００３２】
特に明記しない限り、全ての基は未置換であることも、置換されていることも可能である。特に明記しない限り、全ての基は、可能な位置で、直鎖であることも、分枝であることも、環式であることも可能である。いくつかの実施形態において、置換基は、アルキル、アルコキシおよびアリールからなる群から選択される。
【００３３】
本明細書において使用される場合、用語「含んでなる（comprises）」、「含んでなること（comprising）」、「含む（includes）」、「含むこと（including）」、「有する」、「有すること」、またはそれらの他のいずれの変化形も、非排他的な包含を含むことが意図される。例えば、ある一連の要素を含むプロセス、方法、物品、または装置は、それらの要素にのみに必ずしも限定されるわけではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明示されず固有のものでもない他の要素を含んでもよい。開示された本明細書の対象の別の実施形態は、特定の特徴または要素から本質的になるものとして記載され、そのような実施形態においては、実施形態の作動原理または顕著な特徴を大いに変更する特徴または要素は存在しない。開示された本明細書の対象のさらに別の実施形態は、特定の特徴または要素からなるものとして記載され、そのような実施形態においては、またはそれらのごくわずかな変形形態においては、具体的に記述または記載された特徴または要素のみが存在する。さらに、反対の意味で明記されない限り、「または」は、包含的な「または」を意味するのであって、排他的な「または」を意味するのではない。例えば、条件ＡまたはＢが満たされるのは、Ａが真であり（または存在し）Ｂが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在せず）Ｂが真である（または存在する）、ならびにＡおよびＢの両方が真である（または存在する）のいずれか１つによってである。
【００３４】
また、本発明の要素および成分を説明するために「ａ」または「ａｎ」も使用されている。これは単に便宜的なものであり、本発明の一般的な意味を提供するために行われている。この記述は、１つまたは少なくとも１つを含むものと読むべきであり、明らかにそうではない場合を除けば、単数形は複数形も含んでいる。
【００３５】
元素周期表中の縦列に対応する族の番号は、ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，８１ｓｔＥｄｉｔｉｏｎ（２０００−２００１）に見ることができる「Ｎｅｗ  Ｎｏｔａｔｉｏｎ」の規則を使用している。
【００３６】
特に定義しない限り、本明細書において使用される全ての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を、本発明の実施形態の実施または試験において使用することができるが、好適な方法および材料については以下に説明する。本明細書において言及されるいずれの刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献も、特定の部分に言及される場合を除けば、それらの記載内容全体が援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであって、限定を意図したものではない。
【００３７】
本明細書に記載されていない範囲まで、具体的な材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細は従来通りであり、それらについては、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光電池、および半導体要素の技術分野の教科書およびその他の情報源中に見ることができる。
【００３８】
２．新規化合物
電子輸送材料は、光活性層および電子輸送層のホスト材料として使用されている。Ａｌ、ＧａまたはＺｒなどのキノリン配位子の金属錯体に基づく電子輸送材料がこれらの用途で使用されている。しかしながら、いくつかの不都合がある。この錯体は、ホストとして使用される場合、低い大気安定性を有する可能性がある。そのような金属錯体を使用して製造された部品をプラズマ洗浄することは困難である。低いトリプレットエネルギーによって、＞２．０ｅＶエネルギーの燐光発光の消滅を導く。いくつかの実施形態において、本明細書に記載される新規化合物は、より高いトリプレットエネルギーを有する。
【００３９】
いくつかの実施形態において、新規化合物は、ＯＬＥＤデバイスの溶液加工可能な電子により支配されるホストとして、または厚い電子輸送層を有するＯＬＥＤデバイスにおいてｎ−ドープするために適切な電子輸送材料として有用である。いくつかの実施形態において、新規化合物から製造されるデバイスは、より低い作動電圧、より高い効率およびより長い間寿命を有することができる。いくつかの実施形態において、この材料は、フォトボルタイクスおよびＴＦＴを含むいずれの印刷電子技術応用においても有用である。
【００４０】
いくつかの実施形態において、式Ｉまたは式ＩＩを有する化合物は重水素化される。用語「重水素化」は、少なくとも１個のＨがＤによって置き換えられたことを意味することが意図される。用語「重水素化類似体」は、１個またはそれ以上の利用可能な水素が重水素に置き換えられた化合物または基の構造類似体を指す。重水素化化合物または重水素化類似体において、重水素は天然存在量の少なくとも１００倍で存在する。いくつかの実施形態において、化合物は少なくとも１０％重水素化される。「％重水素化される」または「％重水素化」は、重陽子対全てのプロトンおよび重陽子の比率を意味し、パーセントで表される。いくつかの実施形態において、化合物は少なくとも２０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも３０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも４０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも５０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも６０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも７０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも８０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも９０％重水素化され、いくつかの実施形態において、１００％重水素化される。
【００４１】
いくつかの実施形態において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一であるか、または異なっており、炭化水素アリール、Ｎ−複素環、およびそれらの重水素化類似体からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、Ａｒ１〜Ａｒ４の少なくとも１個は置換される。そのような基のための適切な置換基には、限定されないが、アルキル、アリール、シリル、ジアリールアミン、カルバゾールまたはそれらの重水素化類似体が含まれる。いくつかの実施形態において、アリール置換基はヘテロアリールである。
【００４２】
いくつかの実施形態において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一であるか、または異なっており、全て、次式ａ
【００４３】
【化２】
0005837611.tif 000003
【００４４】
（式中、
Ｒ１は、それぞれ出現毎に、同一であるか、または異なっており、Ｄ、アリール、アルキル、シリル、ジアリールアミノ、カルバゾリルまたはそれらの重水素化類似体であり、
ａは、それぞれ出現毎に、同一であるか、または異なっており、０〜４の整数であり、
ｂは、０〜５の整数であり、そして
ｍは、１〜５の整数である）を有する。
【００４５】
いくつかの実施形態において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一であるか、または異なっており、全て、次式ｂ
【００４６】
【化３】
0005837611.tif 000004
【００４７】
（式中、Ｒ１およびｍは上記で定義された通りである）を有する。式ｂによる基は重水素化されてもよい。
【００４８】
式ａおよび式ｂのいくつかの実施形態において、ｍは１〜２である。
【００４９】
いくつかの実施形態において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一であるか、または異なっており、全て、次式ｃ
【００５０】
【化４】
0005837611.tif 000005
【００５１】
（式中、Ｒ１は上記で定義された通りである）を有する。式ｃによる基は重水素化されてもよい。
【００５２】
いくつかの実施形態において、Ａｒ１〜Ａｒ４は、同一であるか、または異なっており、上記式ａ、式ｂおよび式ｃからなる群から選択される式を有する。
【００５３】
いくつかの実施形態において、Ａｒ1〜Ａｒ4の１個またはそれ以上は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、ピリジン、ピリミジン、トリアジンまたはそれらの重水素化類似体である。いくつかの実施形態において、Ａｒ1〜Ａｒ4の少なくとも１個は、ジアリールアミノ、カルバゾールまたはそれらの重水素化類似体で置換される。
【００５４】
いくつかの実施形態において、Ａｒ１＝Ａｒ３であり、そしてＡｒ２＝Ａｒ４と異なる。いくつかの実施形態において、Ａｒ１〜Ａｒ４の全ては同一である。
【００５５】
式Ｉを有する化合物のいくつかの例を以下に示す。
化合物１
【００５６】
【化５】
0005837611.tif 000006
【００５７】
化合物２
【００５８】
【化６】
0005837611.tif 000007
【００５９】
化合物３
【００６０】
【化７】
0005837611.tif 000008
【００６１】
化合物４
【００６２】
【化８】
0005837611.tif 000009
【００６３】
化合物５
【００６４】
【化９】
0005837611.tif 000010
【００６５】
式Ｉを有する化合物のいくつかの例を以下に示す。
化合物６
【００６６】
【化１０】
0005837611.tif 000011
【００６７】
化合物７
【００６８】
【化１１】
0005837611.tif 000012
【００６９】
化合物８
【００７０】
【化１２】
0005837611.tif 000013
【００７１】
上記構造において、「Ｐｈ」はフェニル基を表す。
【００７２】
式ＩおよびＩＩを有する新規化合物は、既知の合成技術によって製造することができる。中心四環ジアザクリセン構造は、１，５−および２，６−ジアミノナフタレンのエナミン誘導体の酸媒介環化によって容易に調製される。塩素化（ハロゲン化）とその後の金属触媒による架橋反応によって、様々な構造を導く。ジアミノナフタレン上での二重Ｓｋｒａｕｐ反応によって、この種類の化合物を生じることも可能である。この中心構造への他のルートを、当業者は容易に考案することができる。これは実施例でさらに説明される。
【００７３】
重水素化類似体化合物は、重水素化前駆体材料を使用して、同様の方法で調製することができ、または、一般に、三塩化アルミニウムもしくは塩化エチルアルミニウム、またはＣＦ３ＣＯＯＤ、ＤＣｌなどの酸などのルイス酸Ｈ／Ｄ交換触媒の存在下で、ｄ６−ベンゼンなどの重水素化溶媒で非重水素化化合物を処理することによって調製することができる。重水素化反応は、同時係属出願［ＵＣ０９１７］にも記載されている。
【００７４】
３．電気活性組成物
（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト化合物と、（ｂ）３８０〜７５０ｎｍで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能なドーパントとを含んでなる組成物も提供される。式ＩおよびＩＩの新規化合物は、光活性材料のホスト材料として有用である。この化合物は、単独でも、別のホスト材料と組み合わせても使用することができる。式ＩおよびＩＩの化合物は、任意の色の発光を有するドーパントのためのホストとして使用することができる。いくつかの実施形態において、化合物を、有機金属エレクトロルミネセント材料のためのホストとして使用する。
【００７５】
いくつかの実施形態において、組成物は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト化合物と、（ｂ）３８０〜７５０ｎｍで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な光活性ドーパントとを含んでなる。いくつかの実施形態において、組成物は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト化合物と、（ｂ）３８０〜７５０ｎｍで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な光活性ドーパントとから本質的になる。いくつかの実施形態において、組成物は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト化合物と、（ｂ）３８０〜７５０ｎｍで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な光活性ドーパントと、（ｃ）第２のホスト材料とを含んでなる。いくつかの実施形態において、組成物は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト化合物と、（ｂ）３８０〜７５０ｎｍで発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な光活性ドーパントと、（ｃ）第２のホスト材料とを含んでなる。
【００７６】
組成物に存在するドーパントの量は、一般に、組成物の全重量に基づき、３〜２０重量％、いくつかの実施形態においては５〜１５重量％の範囲にある。第２のホストが存在する場合、式Ｉを有する第１のホスト対第２のホストの比率は、一般に、１：２０〜２０：１、いくつかの実施形態においては５：１５〜１５：５の範囲である。いくつかの実施形態において、式Ｉを有する第１のホスト材料は、全ホスト材料の少なくとも５０重量％、いくつかの実施形態においては少なくとも７０重量％である。
【００７７】
ドーパントとして使用可能なエレクトロルミネセント（「ＥＬ」）材料としては、限定されないが、小分子有機ルミネセント化合物、ルミネセント金属錯体、共役ポリマーおよびそれらの混合物が含まれる。小分子ルミネセント有機化合物の例としては、限定されないが、クリセン、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、アントラセン、チアジアゾール、それらの誘導体およびそれらの混合物が含まれる。金属錯体の例としては、限定されないが、金属キレート化オキシノイド化合物、ならびにイリジウムおよび白金などの金属のシクロメタレート化された錯体が含まれる。共役ポリマーの例としては、限定されないが、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（スピロビフルオレン）、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレン）、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が含まれる。
【００７８】
赤色発光材料の例としては、限定されないが、フェニルキノリンまたはフェニルイソキノリン配位子を有するＩｒの錯体、ペリフランテン、フルオランテンおよびペリレンが含まれる。赤色発光材料は、例えば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書および米国特許出願公開第２００５−０１５８５７７号明細書に開示されている。
【００７９】
緑色発光材料の例としては、限定されないが、フェニルピリジン配位子を有するＩｒの錯体、ビス（ジアリールアミノ）アントラセンおよびポリフェニレンビニレンポリマーが含まれる。緑色発光材料は、例えば、国際公開第２００７／０２１１１７号パンフレットに開示されている。
【００８０】
青色発光材料の例としては、限定されないが、フェニルピリジンまたはフェニルイミダゾール配位子を有するＩｒの錯体、ジアリールアントラセン、ジアミノクリセン、ジアミノピレンおよびポリフルオレンポリマーが含まれる。青色発光材料は、例えば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書、ならびに米国特許出願公開第２００７−０２９２７１３号明細書および同第２００７−００６３６３８号明細書に開示されている。
【００８１】
いくつかの実施形態において、ドーパントは有機金属錯体である。いくつかの実施形態において、有機金属錯体は、シクロメタレート化される。「シクロメタレート化される」とは、錯体が少なくとも２点で金属と結合する少なくとも１個の配位子を含有して、少なくとも１個の炭素−金属結合を有する少なくとも１個の５−または６員環を形成することを意味する。いくつかの実施形態において、金属はイリジウムまたは白金である。いくつかの実施形態において、有機金属錯体は電気的に中性であり、そして式ＩｒＬ３を有するイリジウムのトリスシクロメタレート化錯体であるか、または式ＩｒＬ２Ｙを有するイリジウムのビスシクロメタレート化錯体である。いくつかの実施形態において、Ｌは、炭素原子および窒素原子によって配位するモノアニオン二座シクロメタレート化配位子である。いくつかの実施形態において、Ｌは、アリールがフェニルまたはナフチルであり、そしてＮ−複素環がピリジン、キノリン、イソキノリン、ジアジン、ピロール、ピラゾールまたはイミダゾールであるアリールＮ−複素環である。いくつかの実施形態において、Ｙはモノアニオン二座配位子である。いくつかの実施形態において、Ｌはフェニルピリジン、フェニルキノリンまたはフェニルイソキノリンである。いくつかの実施形態において、Ｙは、β−ジエノレート、ジケチミン、ピコリネートまたはＮ−アルコキシピラゾールである。配位子は未置換であっても、またはＦ、Ｄ、アルキル、ペルフルオロアルキル、アルコキシル、アルキルアミノ、アリールアミノ、ＣＮ、シリル、フルオロアルコキシルもしくはアリール基で置換されてもよい。
【００８２】
いくつかの実施形態において、ドーパントは、イリジウムまたは白金のシクロメタレート化錯体である。そのような材料は、例えば、米国特許第６，６７０，６４５号明細書、国際公開第０３／０６３５５５号パンフレット、同第２００４／０１６７１０号パンフレットおよび同第０３／０４０２５７号パンフレットに開示されている。
【００８３】
いくつかの実施形態において、ドーパントは、式Ｉｒ（Ｌ１）ａ（Ｌ２）ｂ（Ｌ３）ｃ
（式中、
Ｌ１は、炭素および窒素によって配位するシクロメタレート化されたモノアニオン二座配位子であり、
Ｌ２は、炭素によって配位しないモノアニオン二座配位子であり、
Ｌ３は、単座配位子であり、
ａは１〜３であり、
ｂおよびｃは、独立して０〜２であり、そして
ａ、ｂおよびｃは、イリジウムが六配位であり、錯体が電気的に中性であるように選択される）を有する錯体である。
【００８４】
式のいくつかの例には、限定されないが、Ｉｒ（Ｌ１）３、Ｉｒ（Ｌ１）２（Ｌ２）およびＩｒ（Ｌ１）２（Ｌ３）（Ｌ３’）（式中、Ｌ３はアニオンであり、そしてＬ３’は非イオンである）が含まれる。
【００８５】
Ｌ１配位子の例には、限定されないが、フェニルピリジン、フェニルキノリン、フェニルピリミジン、フェニルピラゾール、チエニルピリジン、チエニルキノリンおよびチエニルピリミジンが含まれる。本明細書に使用される場合、用語「キノリン」は、特記しない限り、「イソキノリン」を含む。フッ素化誘導体は、１種またはそれ以上のフッ素置換基を有することができる。いくつかの実施形態において、１〜３個のフッ素置換基が配位子の非窒素環上にある。
【００８６】
モノアニオン二座配位子、Ｌ２は、金属配位化学において周知である。一般に、これらの配位子は、配位原子としてＮ、Ｏ、ＰまたはＳを有し、イリジウムに配位する場合は５−または６員環を形成する。適切な配位基には、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシレート、ホスフィノ、チオレートなどが含まれる。これらの配位子のための適切な親化合物の例は、β−ジカルボニル（β−エノレート配位子）ならびにそれらのＮおよびＳ類似体、アミノカルボン酸（アミノカルボキシレート配位子）、ピリジンカルボン酸（イミノカルボキシレート配位子）、サリチル酸誘導体（サリチレート配位子）、ヒドロキシキノリン（ヒドロキシキノリネート配位子）およびそれらのＳ類似体、ならびにホスフィノアルカノール（ホスフィノアルコキシド配位子）が含まれる。
【００８７】
単座配位子Ｌ３は、アニオンまたは非イオンであることができる。アニオン配位子には、限定されないが、Ｈ−（「水素化物」）および配位原子としてＣ、ＯまたはＳを有する配位子が含まれる。配位基には、限定されないが、アルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレート、ジチオカルボキシレート、スルホネート、チオレート、カルバメート、ジチオカルバメート、チオカルバゾンアニオン、スルホンアミドアニオンなどが含まれる。いくつかの場合、β−エノラートおよびホスフィノアルコキシドなどのＬ２として上記される配位子は、単座配位子として機能することができる。単座配位子は、ハロゲン化物、シアン化物、イソシアン化物、硝酸塩、硫酸塩、ヘキサハロアンチモネートなどの配位アニオンであることもできる。これらの配位子は、一般に商業的に入手可能である。
【００８８】
単座Ｌ３配位子は、ＣＯまたは単座ホスフィン配位子などの非イオン配位子であることもできる。
【００８９】
いくつかの実施形態において、配位子の１個またはそれ以上は、Ｆおよびフッ素化アルキルからなる群から選択される少なくとも１個の置換基を有する。
【００９０】
イリジウム錯体ドーパントは、例えば、米国特許第６，６７０，６４５号明細書に記載されるような標準的な合成技術を使用して製造することができる。
【００９１】
いくつかの実施形態において、ドーパントは小有機ルミネセント化合物である。いくつかの実施形態において、ドーパントは、非ポリマースピロビフルオレン化合物およびフルオランテン化合物からなる群から選択される。
【００９２】
いくつかの実施形態において、ドーパントはアリールアミン基を有する化合物である。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは、次式：
【００９３】
【化１３】
0005837611.tif 000014
【００９４】
（式中、
Ａは、それぞれ出現毎に、同一であるか、または異なっており、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり、
Ｑ’は、単結合または３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり、
ｐおよびｑは、独立して、１〜６の整数である）から選択される。
【００９５】
上記式のいくつかの実施形態において、各式のＡおよびＱ’の少なくとも１個は、少なくとも３つの縮合環を有する。いくつかの実施形態において、ｐおよびｑは１に等しい。
【００９６】
いくつかの実施形態において、Ｑ’はスチリルまたはスチリルフェニル基である。
【００９７】
いくつかの実施形態において、Ｑ’は、少なくとも２個の縮合環を有する芳香族基である。いくつかの実施形態において、Ｑ’は、ナフタレン、アントラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドンおよびルブレンからなる群から選択される。
【００９８】
いくつかの実施形態において、Ａは、フェニル、ビフェニル、トリル、ナフチル、ナフチルフェニルおよびアントラセニル基からなる群から選択される。
【００９９】
いくつかの実施形態において、ドーパントは次式：
【０１００】
【化１４】
0005837611.tif 000015
【０１０１】
（式中、
Ｙは、それぞれ出現毎に、同一であるか、または異なっており、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり、
Ｑ’’は、芳香族基、二価トリフェニルアミン残基または単結合である）を有する。
【０１０２】
いくつかの実施形態において、ドーパントはアリールアセンである。いくつかの実施形態において、ドーパントは非対称アリールアセンである。
【０１０３】
いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは、クリセン誘導体である。用語「クリセン」は、１，２−ベンゾフェナントレンを意味することが意図される。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは、アリール置換基を有するクリセンである。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは、アリールアミノ置換基を有するクリセンである。いくつかの実施形態において、光活性ドーパントは、２個の異なるアリールアミノ置換基を有するクリセンである。いくつかの実施形態において、クリセン誘導体は、濃青色発光を有する。
【０１０４】
いくつかの実施形態において、新規化合物は追加のホスト材料とともに使用される。いくつかの実施形態において、新規化合物は、光活性層のホストとしては使用されない。単独で、または新規化合物と組み合わせて使用することができる他の種類のホストの例には、限定されないが、インドールカルバゾール、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、トリアジン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、フェニルピリジン、ベンゾジフラン、金属キノリネート錯体、およびそれらの重水素化類似体が含まれる。
【０１０５】
４．有機電子デバイス
本明細書に記載の重水素化材料を含んでなる１層またはそれ以上の層を有することから有益となり得る有機電子デバイスとしては、限定されないが、（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（例えば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、発光照明器具、またはダイオードレーザー）、（２）電子的プロセスを介して信号を検出するデバイス（例えば、光検出器、光導電セル、フォトレジスタ、光スイッチ、光トランジスタ、光電管、ＩＲ検出器）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（例えば、光起電力デバイスまたは太陽電池）、ならびに（４）１つまたはそれ以上の有機半導体層を含む１つまたはそれ以上の電子部品を含むデバイス（例えば、薄膜トランジスタまたはダイオード）が挙げられる。発明の化合物は、バイオアッセイの酸素感応性インジケータおよびルミネセントインジケータなどの用途でしばしば有用となることが可能性である。
【０１０６】
一実施形態において、有機電子デバイスは、上記式Ｉを有する化合物を含んでなる少なくとも１層を含んでなる。
【０１０７】
ａ．第１の例示的なデバイス
トランジスタの特に有用な種類である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、一般に、ゲート電極、ゲート電極上のゲート誘電体、ソース電極、ゲート誘電体に隣接したドレイン電極、ならびにゲート誘電体に隣接し、そしてソースおよびドレイン電極に隣接する半導体層を含む（例えば、Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅ，Ｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，２ｎｄ  ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ａｎｄ  Ｓｏｎｓ，ｐａｇｅ  ４９２を参照のこと）。これらの成分は、様々な構造で組み立てることができる。有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）は、有機半導体層を有することを特徴とする。
【０１０８】
一実施形態において、ＯＴＦＴは、
基板と、
絶縁層と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
式Ｉまたは式ＩＩを有する電気活性化合物を含んでなる有機半導体層と
を含んでなり、ゲート電極および半導体層が両方とも絶縁層と接触し、ソース電極およびドレイン電極が両方とも半導体層と接触し、そして電極は互いに接触しない条件の任意の配列において、絶縁層、ゲート電極、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を配置することができる。
【０１０９】
図１Ａにおいて、有機電界効果トランジスタ（ＯＴＦＴ）は概略的に説明され、「底面接触モード」におけるそのようなデバイスの活性層の相対的な位置を示す。（ＯＴＦＴの「底面接触モード」において、ソースおよびドレイン電極ならびに任意の残存する曝露されたゲート誘電層上へ活性有機半導体層を堆積させる前に、ドレインおよびソース電極はゲート誘電層上へ堆積される。）基板１１２は、ゲート電極１０２および絶縁層１０４と接触しており、その上にソース電極１０６およびドレイン電極１０８が堆積される。ソースおよびドレイン電極の上部および間は、式Ｉまたは式ＩＩの電気活性化合物を含んでなる有機半導体層１１０である。
【０１１０】
図１Ｂは、上面接触モードにおけるそのようなデバイスの活性層の相対的な位置を示すＯＴＦＴの概略図である。（「上面接触モード」において、ＯＴＦＴのドレインおよびソース電極は活性有機半導体層上面へ堆積される。）
【０１１１】
図１Ｃは、ゲートが上面にある底面接触モードのそのようなデバイスの活性層の相対的な位置を示すＯＴＦＴの概略図である。
【０１１２】
図１Ｄは、ゲートが上面にある上面接触モードのそのようなデバイスの活性層の相対的な位置を示すＯＴＦＴの概略図である。
【０１１３】
基板は、無機ガラス、セラミック箔、ポリマー材料（例えば、アクリル、エポキシ、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリケトン、ポリ（オキシ−１，４−フェニレンオキシ−１，４−フェニレンカルボニル−１，４−フェニレン）（ポリ（エーテルエーテルケトン）またはＰＥＥＫと呼ばれることもある）、ポリノルボルネン、ポリフェニレンオキシド、ポリ（エチレンナフタレンジカルボキシレート）（ＰＥＮ）、ポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポリ（フェニレンスルフィド）（ＰＰＳ））、充填ポリマー材料（例えば、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ））、および／またはコーティングされた金属箔を含んでなることが可能である。基板の厚さは、約１０マイクロメートル〜１０ミリメートル超であることが可能であり、例えば、可撓性プラスチック基板に関しては約５０〜約１００マイクロメートル、そしてガラスまたはシリコンなどの剛性基板に関しては約１〜約１０ミリメートルであることが可能である。典型的に、基板は、製造、試験および／または使用の間、ＯＴＦＴを支持する。任意選択で、基板は、ソース、ドレインおよび電極へのバスライン接続、ならびにＯＴＦＴのための回路などの電気的機能を提供することができる。
【０１１４】
ゲート電極は、金属薄膜、導電性ポリマー膜、導電性インクもしくはペーストから製造された導電性膜、または基板自体、例えば高濃度にドープされたシリコンであることができる。適切なゲート電極材料の例には、アルミニウム、金、クロム、インジウムスズ酸化物、ポリスチレンスルホネートがドープされたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＳＳ−ＰＥＤＯＴ）などの導電性ポリマー、カーボンブラック／グラファイトから構成される導電性インク／ペースト、または高分子バインダー中のコロイド状銀の分散系が含まれる。いくつかのＯＴＦＴにおいては、同一材料でゲート電極機能を提供することができ、また基板の支持体機能を提供することができる。例えば、ドープされたシリコンはゲート電極として機能することができ、ＯＴＦＴを支持することができる。
【０１１５】
ゲート電極を、真空蒸発、金属または導電性金属酸化物のスパッタリング、スピンコーティング、キャスティング、または印刷による導電性ポリマー溶液または導電性インクのコーティングによって調製することができる。ゲート電極の厚さは、例えば、金属膜に関しては約１０〜約２００ナノメートル、そしてポリマー導体に関しては約１〜約１０マイクロメートルであることが可能である。
【０１１６】
ソースおよびドレイン電極は、半導体層とソースおよびドレイン電極との間の接触の抵抗が半導体層の抵抗より低いように、低い抵抗接点を半導体層にもたらす材料から製造することができる。チャネル抵抗は、半導体層の伝導性である。典型的に、抵抗はチャネル抵抗未満である。ソースおよびドレイン電極としての使用に適切な典型的な材料には、アルミニウム、バリウム、カルシウム、クロム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、チタンおよびそれらの合金、カーボンナノチューブ、ポリアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ−（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）などの導電性ポリマー、導電性ポリマー中のカーボンナノチューブの分散系、導電性ポリマー中の金属の分散系、ならびにそれらの多層フィルムが含まれる。当業者に既知であるように、これらの材料のいくつかはＮ型半導体材料の用途に適切であり、そして他はＰ型半導体材料の用途に適切である。ソースおよびドレイン電極の典型的な厚さはおおよそ、例えば、約４０ナノメートル〜約１マイクロメートルである。いくつかの実施形態において、厚さは約１００〜約４００ナノメートルである。
【０１１７】
絶縁層は、無機材料膜または有機ポリマー膜を含んでなる。絶縁層として適切な無機材料の実例としては、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、窒化ケイ素、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、セレン化亜鉛および硫化亜鉛が含まれる。加えて、上記材料の合金、組み合わせおよび多層フィルムを絶縁層に使用することができる。絶縁層のための有機ポリマーの実例としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（ビニルフェノール）、ポリイミド、ポリスチレン、ポリ（メタクリレート）、ポリ（アクリレート）、エポキシ樹脂、ならびにそれらのブレンドおよび多層フィルムが含まれる。絶縁層の厚さは、使用される誘電体材料の誘電率に応じて、例えば約１０ナノメートル〜約５００ナノメートルである。例えば、絶縁層の厚さは約１００ナノメートル〜約５００ナノメートルであることができる。絶縁層は、例えば、約１０−１２Ｓ／ｃｍ（Ｓ＝ジーメンス＝１／オーム）未満である伝導性を有することができる。
【０１１８】
絶縁層、ゲート電極、半導体層、ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極および半導体層の両方が絶縁層と接触し、そしてソース電極およびドレイン電極の両方が半導体層と接触する限り、任意の配列で形成される。「任意の配列で」という句は、連続および同時形成を含む。例えば、ソース電極およびドレイン電極は、同時に、または連続的に形成されることができる。ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は、物理気相堆積（例えば、熱蒸発またはスパッタリング）、あるいはインクジェット印刷などの既知の方法を使用して提供されることができる。電極のパターン化は、シャドーマスキング、アディティブフォトリソグラフィー、サブトラクティブフォトリソグラフィー、印刷、マイクロコンタクト印刷およびパターンコーティングなどの既知の方法によって達成することができる。
【０１１９】
底面接触モードのＯＴＦに関して（図１Ａ）、フォトリソグラフ法を使用して、それぞれソースおよびドレインのためのチャネルを形成する電極１０６および１０８を二酸化ケイ素層上に形成することができる。次いで、半導体層１１０を、電極１０６および１０８ならびに層１０４の表面上に堆積する。
【０１２０】
一実施形態において、半導体層１１０は式Ｉまたは式ＩＩによって表される１種またはそれ以上の化合物を含んでなる。半導体層１１０は、当該技術で既知の様々な技術によって堆積することができる。これらの技術には、熱蒸発、化学気相堆積、熱移動、インクジェット印刷およびスクリーン印刷が含まれる。堆積のための分散系薄膜コーティング技術には、スピンコーティング、ドクターブレードコーティング、ドロップキャスティングおよび他の既知の技術が含まれる。
【０１２１】
上面接触モードのＯＴＦＴに関して（図１Ｂ）、電極１０６および１０８の製造の前に、層１１０を層１０４上に堆積する。
【０１２２】
ｂ．第２の例示的なデバイス
また本発明は、２層の電気接触層の間に配置される少なくとも１層の活性層を含んでなり、デバイスの少なくとも１層の活性層が、式Ｉまたは式ＩＩを有する新規化合物を含む電子デバイスに関する。
【０１２３】
有機電子デバイス構造の別の例を図２に示す。デバイス２００は、第１の電気接触層、アノード層２１０、第２の電気接触層、カソード層２６０、およびそれらの間の光活性層２４０を有する。アノードに隣接して、正孔注入層２２０が存在してもよい。正孔注入層に隣接して、正孔輸送材料を含んでなる正孔輸送層２３０が存在してもよい。カソードに隣接して、電子輸送材料を含んでなる電子輸送層２５０が存在してもよい。デバイスは、アノード２１０の隣に１つまたはそれ以上の追加の正孔注入層または正孔輸送層（図示せず）、および／またはカソード２６０の隣に１つまたはそれ以上の追加の電子注入または電子輸送層（図示せず）を使用することができる。
【０１２４】
層２２０〜２５０は、個々に、そして集合的に、活性層と呼ばれる。
【０１２５】
いくつかの実施形態において、光活性層２４０は図３で示すようにピクセル化される。層２４０は層上に繰り返されるピクセルまたはサブピクセルユニット２４１、２４２および２４３に分離される。各ピクセルまたはサブピクセルユニットは異なる色を表す。いくつかの実施形態において、サブピクセルユニットは、赤色、緑色、青色である。３つのサブピクセルユニットが図に示されるが、２つまたは４つ以上が使用されてもよい。
【０１２６】
一実施形態において、種々の層は以下の厚さの範囲を有する。アノード２１０、５００〜５０００Å、一実施形態において１０００〜２０００Å、正孔注入層２２０、５０〜２０００Å、一実施形態において２００〜１０００Å、正孔輸送層２３０、５０〜２０００Å、一実施形態において２００〜１０００Å、電気活性層２４０、１０〜２０００Å、一実施形態において１００〜１０００Å、層２５０、５０〜２０００Å、一実施形態において１００〜１０００Å、カソード２６０、２００〜１００００Å、一実施形態において３００〜５０００Å。デバイスの電子正孔再結合領域の位置、したがって、デバイスの発光スペクトルは、各層の相対的な厚さに影響を受けることができる。層の厚さの所望の比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。いくつかの実施形態において、デバイスは、処理を補助するか、機能性を改善するための追加的な層を有する。
【０１２７】
デバイス２００の用途によって、光活性層２４０は、印加電圧によって活性化される発光層（発光ダイオードまたは発光電気化学電池など）、あるいは印加バイアス電圧の有無にかかわらず放射エネルギーに反応して信号を生じる材料の層（光検出器など）であることができる。光検出器の例には、光伝導電池、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタおよび光電管、ならびに光電池が含まれる。これらの用語については、Ｍａｒｋｕｓ，Ｊｏｈｎ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ａｎｄ  Ｎｕｃｌｅｏｎｉｃｓ  Ｄｉｃｔｉｏｎａｒｙ，４７０  ａｎｄ  ４７６（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，Ｉｎｃ．１９６６）に説明されているとおりである。発光層を有するデバイスは、ディスプレイを形成するため、または白色光証明器具などの照明用途のために使用されてもよい。
【０１２８】
本明細書に記載される新規電気活性化合物の１種またはそれ以上が、デバイスの活性層の１層またはそれ以上に存在しもよい。
【０１２９】
いくつかの実施形態において、式Ｉまたは式ＩＩを有する新規電気活性化合物は、光活性層２４０の光活性ドーパント材料のためのホスト材料として有用である。これらの化合物が単独で、または他の共ホストとともに使用される場合、ＯＬＥＤデバイスの改善された効率および寿命がもたらされることが見出された。計算により、これらの化合物が、高いトリプレットエネルギー、ならびに電荷輸送に適切なＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ準位を有し、有機金属発光体のための優れたホスト材料となることが発見された。
【０１３０】
いくつかの実施形態において、新規電気活性化合物は、層２５０の電子輸送材料として有用である。
【０１３１】
光活性層
いくつかの実施形態において、光活性層２４０は、上記電気活性組成物を含んでなる。
【０１３２】
いくつかの実施形態において、ドーパントは有機金属材料である。いくつかの実施形態において、有機金属材料は、ＩｒまたはＰｔの錯体である。いくつかの実施形態において、有機金属材料は、Ｉｒのシクロメタレート化された錯体である。
【０１３３】
いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、および（ｂ）１種またはそれ以上のドーパントを含んでなる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、および（ｂ）有機金属エレクトロルミネセントドーパントを含んでなる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）光活性ドーパント、および（ｃ）第２のホスト材料を含んでなる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）ＩｒまたはＰｔの有機金属錯体、および（ｃ）第２のホスト材料を含んでなる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）Ｉｒのシクロメタレート化錯体、および（ｃ）第２のホスト材料を含んでなる。
【０１３４】
いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、および（ｂ）１種またはそれ以上のドーパントから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、および（ｂ）有機金属エレクトロルミネセントドーパントから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）光活性ドーパント、および（ｃ）第２のホスト材料から本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）ＩｒまたはＰｔの有機金属錯体、および（ｃ）第２のホスト材料から本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）Ｉｒのシクロメタレート化錯体、および（ｃ）第２のホスト材料から本質的になる。
【０１３５】
いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）化合物が重水素化された式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、および（ｂ）１種またはそれ以上のドーパントから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、化合物が重水素化された式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、および（ｂ）有機金属エレクトロルミネセントドーパントから本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）化合物が重水素化された式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）光活性ドーパント、および（ｃ）第２のホスト材料から本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、化合物が重水素化された式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）ＩｒまたはＰｔの有機金属錯体、および（ｃ）第２のホスト材料から本質的になる。いくつかの実施形態において、光活性層は、（ａ）化合物が重水素化された式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、化合物が重水素化された式Ｉまたは式ＩＩを有するホスト材料、（ｂ）Ｉｒのシクロメタレート化錯体、および（ｃ）第２のホスト材料から本質的になる。いくつかの実施形態において、式Ｉまたは式ＩＩの重水素化された化合物は少なくとも１０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも５０％重水素化される。いくつかの実施形態において、第２のホスト材料は重水素化される。いくつかの実施形態において、第２のホスト材料は少なくとも１０％重水素化され、いくつかの実施形態において、少なくとも５０％重水素化される。
【０１３６】
電子輸送層
式ＩおよびＩＩの新規化合物は、層２５０の電子輸送材料として有用である。化合物は単独でも、別の電子輸送材料と組み合わせても使用することができる。いくつかの実施形態において、電子輸送層は、式ＩまたはＩＩの新規化合物から本質的になる。
【０１３７】
単独で、または新規化合物と組み合わせて使用することができる他の電子輸送材料の例としては、限定されないが、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（ＡｌＱ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、テトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ハフニウム（ＨｆＱ）、およびテトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ジルコニウム（ＺｒＱ）などの金属キノレート誘導体などを含む金属キレート化オキシノイド化合物；ならびに２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンズイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン；ならびにそれらの混合物が挙げられる。いくつかの実施形態において、電子輸送材料は、金属キノレートおよびフェナントロリン誘導体からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、電子輸送層は、ｎ−ドーパントをさらに含む。ｎ−ドーパント材料は周知である。ｎ−ドーパントとしては、限定されないが、１族および２族金属；１族および２族金属の塩、例えば、ＬｉＦ、ＣｓＦ、およびＣｓ２ＣＯ３；１族および２族金属の有機化合物、例えばＬｉキノレート；ならびに分子ｎ−ドーパント、例えばロイコ染料、Ｗ２（ｈｐｐ）４（式中、ｈｐｐ＝１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド−［１，２−ａ］−ピリミジンである）などの金属錯体、ならびにコバルトセン、テトラチアナフタセン、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、複素環式ラジカルまたはジラジカル、ならびに複素環式ラジカルまたはジラジカルのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物、および多環化合物が挙げられる。
【０１３８】
他のデバイス層
デバイスの他の層は、そのような層で有用であることが知られている任意の材料から製造することができる。
【０１３９】
アノード２１０は、正電荷キャリアの注入に特に有効な電極である。これは、例えば、金属、混合金属、合金、金属酸化物、または混合金属酸化物を含有する材料から製造することができ、あるいは導電性ポリマー、またはそれらの混合物でることもできる。適切な金属としては、１１族金属、４〜６族金属および８〜１０族遷移金属が挙げられる。アノードが光透過性となる場合には、インジウムスズ酸化物などの１２族、１３族、および１４族金属の混合金属酸化物が一般に使用される。アノード２１０は、“Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ  ｍａｄｅ  ｆｒｏｍ  ｓｏｌｕｂｌｅ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ”，Ｎａｔｕｒｅ  ｖｏｌ．３５７，ｐｐ４７７−４７９（１９９２年６月１１日）に記載されるようなポリアニリンなどの有機材料を含んでなることができる。アノードおよびカソードの少なくとも１つは、発生した光を観察できるように、望ましくは少なくとも部分的に透明となる。
【０１４０】
正孔注入層２２０は正孔注入材料を含んでなり、有機電子デバイスにおいて、限定されないが、下にある層の平坦化、電荷輸送および／または電荷注入特性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに有機電子デバイスの性能を促進または改善する他の特徴を含む１つまたはそれ以上の機能を有することができる。正孔注入材料は、ポリマー、オリゴマーまたは小分子でもよい。それらは気相堆積されるか、あるいは溶液、分散系、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物または他の組成物の形態であってもよい液体から堆積されてもよい。
【０１４１】
正孔注入層は、プロトン酸がしばしばドープされるポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などのポリマー材料を使用して形成することができる。プロトン酸は、例えば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）などであることができる。
【０１４２】
正孔注入層は、銅フタロシアニンおよびテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）などの電荷輸送化合物などを含むことができる。
【０１４３】
いくつかの実施形態において、正孔注入層は、少なくとも１種の導電性ポリマーと少なくとも１種のフッ素化酸ポリマーとを含んでなる。いくつかの実施形態において、正孔注入層は、フッ素化酸ポリマーでドープされた導電性ポリマーを含んでなる。材料は、例えば、米国特許出願公開第２００４／０１０２５７７号明細書、同第２００４／０１２７６３７号明細書、同第２００５／０２０５８６０号明細書および国際公開第２００９／０１８００９号パンフレットに記載されている。
【０１４４】
層２３０の正孔輸送材料の例は、例えば、Ｙ．Ｗａｎｇにより，Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｆｏｕｒｔｈ  Ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｖｏｌ．１８，ｐ．８３７−８６０，１９９６にまとめられている。正孔輸送分子およびポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物が挙げられる。一般に使用される正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、およびポリアニリンである。ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中に上記などの正孔輸送分子をドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることもできる。場合によっては、トリアリールアミンポリマー、特にトリアリールアミン−フルオレンコポリマーが使用される。場合によっては、これらのポリマーおよびコポリマーは架橋性である。いくつかの実施形態において、正孔輸送層は、ｐ−ドーパントをさらに含んでなる。いくつかの実施形態において、正孔輸送層は、ｐ−ドーパントでドープされる。ｐ−ドーパントの例には、限定されないが、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）およびペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−二無水物（ＰＴＣＤＡ）が含まれる。
【０１４５】
カソード２６０は、電子または負電荷キャリアの注入に特に効率的な電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有するいずれの金属または非金属であってよい。カソードの材料は、１族のアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族（アルカリ土類）金属、１２族金属、例えば希土類元素およびランタニド、ならびにアクチニドから選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム、およびマグネシウム、ならびにそれらの組み合わせなどの材料を使用することができる。作動電圧を下げるために、Ｌｉ−またはＣｓ含有有機金属化合物、ＬｉＦ、ＣｓＦ、およびＬｉ２Ｏを有機層とカソード層との間に堆積することもできる。
【０１４６】
有機電子デバイス中に別の層が存在することが知られている。例えば、注入される正電荷の量を制御するため、および／または層のバンドギャップを一致させるため、または保護層として機能させるために、アノード２１０と正孔注入層２２０との間に層（図示せず）が存在することができる。銅フタロシアニン、ケイ素オキシ窒化物、フルオロカーボン、シラン、またはＰｔなどの金属の超薄層などの当技術分野において周知の層を使用することができる。あるいは、アノード層２１０、活性層２２０、２３０、２４０および２５０、またはカソード層２６０の一部または全てを、電荷キャリア輸送効率を増加させるために表面処理することができる。それぞれの構成層の材料の選択は、好ましくは、高エレクトロルミネッセンス効率を有するデバイスを得るために発光層中の正電荷および負電荷のバランスがとられるように行われる。
【０１４７】
それぞれの機能層を２層以上の層で構成することができることは理解される。
【０１４８】
適切な基板上での個々の層の連続的気相堆積を含む様々な技術によって、デバイスを調製することができる。ガラス、プラスチックおよび金属などの基板を使用することができる。熱蒸発、化学気相堆積などの従来の気相堆積技術を使用することができる。あるいは、限定されないが、スピンコーティング、ディップコーティング、ロール−ツー−ロール技術、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などを含む従来のコーティングまたは印刷技術を使用して、適切な溶媒中の溶液または分散系から有機層を塗布することができる。
【０１４９】
いくつかの実施形態において、デバイスは、緩衝層、正孔輸送層および光活性層の液相堆積によって、そしてアノード、電子輸送層、電子注入層およびカソードの気相堆積によって製造される。
【０１５０】
効率の高いＬＥＤを達成するため、正孔輸送材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）は、望ましくはアノードの仕事関数と一致し、そして電子伝達材料のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）は、望ましくはカソードの仕事関数と一致する。材料の化学適合性および昇華温度も、電子および正孔輸送材料を選択する時に考慮すべきこととなり得る。
【０１５１】
本明細書に記載の新規化合物によって製造されるデバイスの効率を、デバイスの他の層を最適化することによってさらに改善することができることは理解される。例えば、Ｃａ、ＢａまたはＬｉＦなどのより効率的なカソードを使用することができる。作動電圧の低下をもたらすか、または量子効率を増加させる成形基板および新規正孔輸送材料も適用可能である。様々な層のエネルギー準位を調整し、エレクトロルミネセンスを促進するために、追加の層を加えることもできる。
【実施例】
【０１５２】
本明細書に記載の概念を以下の実施例においてさらに説明するが、これらの実施例は、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定するものではない。
【０１５３】
合成実施例１
本実施例は、化合物１、２，４，８，１０−テトラフェニル−キノ［８，７−ｈ］キノリンの合成を説明する。
【０１５４】
工程１：
【０１５５】
【化１５】
0005837611.tif 000016
【０１５６】
１，５−ジアミノナフタレン（１０．０ｇ、６３．１ｍｍｏｌ）、エチルベンゾイルアセテート２２．８ｍＬ、１３３ｍｍｏｌ）、およびカンフル−１０−スルホン酸（２．９４ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、ならびに４００ｍＬ無水エタノールを組み合わせた。この混合物を９０℃の反応フラスコ中で加熱し、そしてＤｅａｎ−Ｓｔａｒｋトラップを使用して、５時間かけて１００ｍＬの溶媒蒸留物を排出した。反応物をさらに２４時間加熱した。その後、冷却された反応混合物に４００ｍＬ水を添加し、続いて、沈殿物を濾過し、そして固体をメタノールですすいだ。次いで熱トルエン（１Ｌ）から生成物を再結晶して、真空乾燥し、２３．９ｇ（７４．５％）の白色結晶を得た。
【０１５７】
工程２：
【０１５８】
【化１６】
0005837611.tif 000017
【０１５９】
反応の前に、Ｅａｔｏｎ試薬（２１０ｍＬ、メタンスルホン酸中７．７重量％のＰ２Ｏ５）を新たに調製した。五酸化リン（２４．０６ｇ）および１９５ｍＬメタンスルホン酸（２８８．４４ｇ）を窒素下で反応フラスコ中で組み合わせて、そして７０℃で１時間加熱し、その後、室温まで冷却した。１，５−ビス（エチルベンゾイルアセトアニリド）ナフタレン（２３．５ｇ、４３．６ｍｍｏｌ）を溶液に添加し、そして混合物を３４時間窒素下で５０℃まで加熱し、その後、周囲温度まで冷却した。水（４００ｍＬ）をゆっくり添加し、次いで、５０％ＮａＯＨ溶液を使用して、得られた混合物を中和した。この混合物を１時間攪拌し、その後、濾過し、そして得られた沈殿物をメタノールですすぎ、真空下で乾燥させ、１８．５５ｇ（収率９６．５％）のオフホワイト色粉末を得た。
【０１６０】
工程３：
【０１６１】
【化１７】
0005837611.tif 000018
【０１６２】
オキシ塩化リン（Ｖ）（１６５ｍＬ）および基板（１８．５ｇ、４４．７ｍｍｏｌ）を窒素下で反応フラスコ中で組み合わせ、そして７時間還流温度まで加温し、その後、室温まで冷却した。この混合物を４Ｌの冷水にゆっくり添加し、さらに３０分間攪拌した。次いで、５０％ＮａＯＨ溶液で混合物を中和した。沈殿物を濾過し、１Ｌの水ですすぎ、続いて５００ｍＬのメタノールですすいだ。回収された固体を真空下で乾燥させ、１９．１ｇの粗製生成物を得た。次いで、この材料をトルエン中に懸濁させ、そして撹拌しながら、スラリー混合物を還流温度まで加熱した。固体は熱トルエンに完全には溶解しなかった。４時間還流下で加熱後、混合物を室温に戻した。次いで、固体を濾過し、そしてトルエン（５００ｍＬ）およびヘキサン（５００ｍＬ）ですすぎ、そして真空下で乾燥させ、１８．３ｇ（収率９０．８％）を得た。８０℃でクロロベンゼン−ｄ５を使用して、１Ｈ  ＮＭＲによって構造を確認した。
【０１６３】
工程４：
【０１６４】
【化１８】
0005837611.tif 000019
【０１６５】
フェニルボロン酸（３．３８ｇ、２７．７ｍｍｏｌ）、１，７−ジクロロ−４，１０−ジアザクリセン（２．５０ｇ、５．５０ｍｍｏｌ）、７０ｍＬの水に溶解された炭酸カリウム（１９．１ｇ、１３８ｍｍｏｌ）、および１，４−ジオキサン（７０ｍＬ）をフラスコ中で組み合わせ、そして４５分間窒素でスパージした。トリス（ジベンジリンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１４２ｇ、０．１４０ｍｍｏｌ）およびトリシクロホスフィン（０．１１２ｇ、０．５５０ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下で組み合わせ、そしてこの溶液を迅速に反応混合物に添加した。反応混合物を２０時間９０℃で加熱した。次いで、反応混合物を室温まで冷却し、そして生成物をクロロホルムで抽出し、そして溶液を硫酸マグネシウム上で乾燥させ、その後、減圧下で濃縮した。次いで、シリカゲルおよび溶離剤として１００％クロロホルムを使用して、カラムクロマトグラフィーによって粗製生成物を精製した。生成物フラクションを回収し、減圧下で濃縮して、オフホワイト色固体を得た。次いで、この残渣を熱トルエン（約４００ｍＬ）から再結晶し、１．８２ｇ（収率６１．６％）を得た。最終精製工程として生成物に蒸気昇華を行った。８０℃でクロロベンゼン−ｄ５を使用して、１Ｈ  ＮＭＲによって構造を確認した。
【０１６６】
デバイス実施例１
本実施例は、ＯＬＥＤデバイス中の電子輸送層における新規化合物の使用を説明する。
【０１６７】
（ａ）デバイス材料および構造
アノード＝インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、５０ｎｍ
正孔注入層＝ＨＩＪ−１、５０ｎｍ。ＨＩＪ−１は、導電性ポリマーおよびポリマーフッ素化スルホン酸の水性分散系である。このような材料は、例えば、米国特許出願公開第２００４／０１０２５７７号明細書、同第２００４／０１２７６３７号明細書、および同第２００５／０２０５８６０号明細書、ならびに国際公開第２００９／０１８００９号パンフレットに記載されている。
【０１６８】
正孔輸送層＝ＨＴ−１（２０ｎｍ）。ＨＴ−１はトリアリールアミンポリマーである正孔輸送材料である。このような材料は、例えば、国際公開第２００９／０６７４１９号パンフレットに記載されている。正孔輸送層（ＨＴＬ）＝Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（ＮＰＢ）、２５ｎｍ
光活性層＝重量比１：１３のホストＨ１：ドーパントＥ１、４０ｎｍ。Ｈ１は重水素化ジアリールアントラセンである。そのような材料の非重水素化類似体については、青色ホスト材料として、例えば、米国特許出願公開第２００７−００８８１８５号明細書（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ）に開示されている。Ｅ１は、ビス（ジアリールアミノ）クリセンである。そのような材料は、国際公開第２０１００３５３６４号パンフレットに記載されている。
【０１６９】
電子輸送層＝以下の化合物、１０ｎｍ
電子注入層／カソード＝ＣｓＦ／Ａｌ、１ｎｍ／１００ｎｍ
【０１７０】
比較例Ａに関して、電子輸送層は、テトラキス（８−ヒドロキシキノリン）ジルコニウム（「ＺｒＱ４」）であった。
【０１７１】
実施例１に関して、電子輸送層は化合物１であった。
【０１７２】
（ｂ）デバイス製造
溶液処理および熱蒸発技術の組み合わせによってＯＬＥＤデバイスを製造した。Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃからのパターン化されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）コーティングガラス基板を使用した。これらのＩＴＯ基板は、３０オーム／スクエアのシート抵抗および８０％の光透過率を有するＩＴＯでコーティングされたＣｏｒｎｉｎｇ  １７３７ガラスをベースとした。パターン化されたＩＴＯ基板を洗浄水溶液中で超音波によって洗浄し、蒸留水ですすいだ。その後、パターン化されたＩＴＯをアセトン中で超音波によって洗浄し、イソプロパノールですすぎ、そして窒素流中で乾燥させた。
【０１７３】
デバイス製造直前に、洗浄してパターン化されたＩＴＯ基板を１０分間ＵＶオゾンで処理した。冷却直後に、ＨＩＪ−１の水分散系をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次いで基板をＨＴ−１のトルエン溶液でスピンコーティングし、次いで加熱して溶媒を除去した。基板をマスクし、真空チャンバーに配置した。冷却後、ホストおよびドーパントの基板を安息香酸メチル溶液でスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基板をマスクし、真空チャンバー中に置いた。電子輸送材料の層を熱蒸発によって堆積し、続いて、ＣｓＦの層を堆積した。次いで、真空でマスクを変化させ、そしてＡｌの層を熱蒸発によって堆積した。チャンバーを排気し、そしてデバイスを、ガラスの蓋、防湿剤およびＵＶ硬化性エポキシを使用して封入した。
【０１７４】
（ｃ）デバイス特徴決定
ＯＬＥＤ試料は、それらの（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）電圧に対するエレクトロルミネセンス放射輝度、および（３）電圧に対するエレクトロルミネセンススペクトルを測定することによって特徴決定した。３つの測定は全て同時に実行されて、コンピュータで制御された。特定の電圧でのデバイスの電流効率は、ＬＥＤのエレクトロルミネセンス放射輝度をデバイスを作動するために必要とされる電流密度で割ることによって決定する。単位はｃｄ／Ａである。色座標は、Ｍｉｎｏｌｔａ  ＣＳ−１００メーターまたはＰｈｏｔｏｒｅｓｅａｒｃｈ  ＰＲ７０５メーターのいずれかを使用して決定した。
【０１７５】
結果を表１に示す。
【０１７６】
【表１】
0005837611.tif 000020
【０１７７】
化合物１を有するデバイスが、ＺｒＱ４を有するデバイスに等しいか、または優れた性能を有したことがわかる。
【０１７８】
一般的説明または実施例において前述した全ての行為が必要であるとは限らず、特定の行為の一部は不要である場合があり、記載の行為に加えて１つ以上のさらなる行為を行うことができることを留意されたい。さらに、行為が記載される順序は、必ずしもそれらが行われる順序ではない。
【０１７９】
以上の明細書において、具体的な実施形態を参照しながら本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者であれば、以下の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱せずに種々の修正および変更を行えることを認識する。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく説明的なものであると見なすべきであり、すべてのこのような修正形態は本発明の範囲内に含まれることを意図している。
【０１８０】
特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある、いずれの特徴も、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴であるとして解釈すべきではない。
【０１８１】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、任意の副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、ある範囲内にあると記載される値への言及は、その範囲内のありとあらゆる値を含んでいる。
【図１Ａ】
0005837611.tif 000036
【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３】
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