(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、前記半導体レーザと光結合された半導体光増幅器とを備える光半導体装置の制御方法であって、
前記半導体光増幅器の出力光強度を検知し、
前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度の検知結果が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなし、
前記半導体レーザの発光量を低下させる制御を実施した後、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を下回った場合に、前記半導体レーザの発光量を維持しつつ、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなす、光半導体装置の制御方法。
【請求項２】
前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなした結果、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を上回った場合には、前記半導体光増幅器の利得を低下させる制御をなす、請求項１記載の光半導体装置の制御方法。
【請求項３】
前記半導体光増幅器の利得を低下させる制御は、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御における制御量よりも小さい制御量によってなされる、請求項２記載の光半導体装置の制御方法。
【請求項４】
前記目標値は所定の許容幅を有しており、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御は、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量によってなされる、請求項１記載の光半導体装置の制御方法。
【請求項５】
前記目標値は所定の許容幅を有しており、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御は、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量によってなされる、請求項１記載の光半導体装置の制御方法。
【請求項６】
前記レーザチップは、前記半導体レーザと前記半導体光増幅器との間に、前記半導体レーザの出力光を変調する光変調器を備える、請求項１〜５のいずれかに記載の光半導体装置の制御方法。
【請求項７】
半導体レーザと、
前記半導体レーザの出力光を増幅する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度を検出する受光素子と、
前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなし、その後、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を下回った場合に、前記半導体レーザの発光量を維持しつつ、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなすコントローラと、を備えることを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体光増幅器（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）と半導体レーザとで構成されたレーザモジュールが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３４８０２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような、レーザモジュールは、半導体レーザの出力が大きくなりすぎると、ＳＯＡの効率が低下するため、半導体レーザの出力は低く抑えられていた。すなわち、このようなレーザモジュールの光出力の大きさは、ＳＯＡの利得によって制御されていた。しかし、このようなレーザモジュールの光出力をさらに増大させるには、ＳＯＡの利得を増大するだけでは不十分である。
【０００５】
さらに光出力を増大するには、ＳＯＡだけでなく、半導体レーザの出力を増大することが考えられる。しかし、上記したように半導体レーザの出力を増大しすぎるとＳＯＡの効率が低下するため、半導体レーザの出力を増大するには、その光出力強度を綿密に制御しなければならない。このためには、半導体レーザの光出力をたとえばバックモニタによって検知する必要がある。しかし、半導体レーザの出力を検知するためにバックモニタを導入すると、受光素子および受光素子を担持するキャリアなどを収容する必要があり、レーザモジュールのサイズを小さくできないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる光半導体装置およびその制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光半導体装置の制御方法は、半導体レーザと、前記半導体レーザと光結合された半導体光増幅器とを備える光半導体装置の制御方法であって、前記半導体光増幅器の出力光強度を検知し、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度の検知結果が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすことを特徴とする。本発明に係る光半導体装置の制御方法によれば、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる。
【０００８】
前記半導体レーザの発光量を低下させる制御を実施した後、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を下回った場合に、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなしてもよい。前記半導体レーザの発光量を低下させる制御を実施した後、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を下回った場合に、前記半導体レーザの発光量を増加させる制御をなしてもよい。
【０００９】
前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなした結果、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を上回った場合には、前記半導体光増幅器の利得を低下させる制御をなしてもよい。前記半導体レーザの発光量を増加させる制御は、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御における制御量よりも小さい制御量によってなされてもよい。
【００１０】
前記半導体光増幅器の利得を低下させる制御は、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御における制御量よりも小さい制御量によってなされてもよい。前記目標値は所定の許容幅を有しており、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御は、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量によってなされてもよい。前記レーザチップは、前記半導体レーザと前記半導体光増幅器との間に、前記半導体レーザの出力光を変調する光変調器を備えていてもよい。
【００１１】
本発明に係る光半導体装置は、半導体レーザと、前記半導体レーザの出力光を増幅する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度を検出する受光素子と、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を超えた場合に、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすコントローラと、を備えることを特徴とする。本発明に係る光半導体装置によれば、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる。
【００１２】
前記コントローラは、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を下回った場合に、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなしてもよい。前記コントローラは、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を下回った場合に、前記半導体レーザの発光量を増加させる制御をなしてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる光半導体装置およびその制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例１に係る光半導体装置の全体構成を説明するための模式図である。
【図２】半導体光増幅器の利得と、光出力強度と、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａとの関係を示す図である。
【図３】飽和領域における波形劣化について説明するための図である。
【図４】実施例１に係るＡＰＣ制御を説明するためのフローチャートの一例である。
【図５】モニタ値が目標値を上回った場合の制御について具体的に説明するための図である。
【図６】モニタ値が目標値を下回った場合の制御について具体的に説明するための図である。
【図７】光出力強度の調整量が多すぎた場合について説明するための図である。
【図８】実施例２に係るＡＰＣ制御を表すフローチャートの一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、実施例１に係る光半導体装置１００の全体構成を説明するための模式図である。図１に示すように、光半導体装置１００は、レーザチップ１０、レンズ２０、ビームスプリッタ３０、受光素子４０、およびコントローラ５０を備える。
【００１７】
レーザチップ１０は、半導体レーザ１１、変調器１２、および半導体光増幅器１３が集積化された構成を有する。本実施例においては、半導体レーザ１１のフロント側に変調器１２および半導体光増幅器１３がこの順に集積化されている。変調器１２は、例えば電界吸収型の変調器であり、半導体レーザ１１から出力されるＣＷ光を変調することによって変調光を出力する。半導体光増幅器１３は、変調器１２が出力する変調光を増幅する。それにより、レーザチップ１０は、高出力の変調光を出力することができる。
【００１８】
レンズ２０は、コリメート用のレンズであり、レーザチップ１０のフロント側に配置されている。ビームスプリッタ３０は、レンズ２０よりもさらにフロント側に配置されている。ビームスプリッタ３０は、レーザチップ１０から出力される光信号を２つの光信号に分岐する。ビームスプリッタ３０の一方の分岐光は、出力信号として外部に出力される。ビームスプリッタ３０から出力される他方の分岐光は、受光素子４０で受光される。受光素子４０は、入射光を電流信号に変換する素子であり、ビームスプリッタ３０から出力される他方の分岐光を受光する位置に配置されている。
【００１９】
コントローラ５０は、ＣＰＵ（中央演算装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）などから構成されている。コントローラ５０は、半導体レーザ１１、変調器１２、および半導体光増幅器１３に電気信号を入力することによって、これら各機器を制御する。また、受光素子４０が光電変換によって出力する電流（モニタ値）は、コントローラ５０に入力される。
【００２０】
コントローラ５０は、レーザチップ１０が光出力を開始した後に、レーザチップ１０の光出力強度を所望の目標値にフィードバック制御する。この制御を、以下、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）制御と称する。ＡＰＣ制御においては、コントローラ５０は、受光素子４０のモニタ値が所望の目標値になるように半導体レーザ１１および半導体光増幅器１３をフィードバック制御する。本実施例においては、コントローラ５０から半導体レーザ１１に入力され、半導体レーザ１１の発光量を制御するための電流をＬＤ電流Ｉｏｐと称する。コントローラ５０から半導体光増幅器１３に入力され、半導体光増幅器１３の利得を制御するための電流をＳＯＡ電流Ｉｓｏａと称する。
【００２１】
本実施例においては、半導体レーザ１１のフロント側に配置された半導体光増幅器１３で半導体レーザ１１の出力光を増幅させるため、レーザチップ１０のフロント側発光量とリア側発光量との間に相関関係が得られない。したがって、半導体光増幅器が備わっていないレーザチップの場合のように、レーザチップ１０のリア側発光量をモニタしてもレーザチップ１０のフロント側発光量をモニタしていることにならないので、半導体レーザ１１のフロント側の発光量をモニタする必要がある。
【００２２】
ここで、半導体光増幅器の特性について説明する。半導体光増幅器に入力される光量を増加させていくと、半導体光増幅器の光出力強度も比例して増加する。しかしながら、半導体光増幅器の光出力強度が所定値を超えると、半導体光増幅器の利得（増幅率）が徐々に低下する現象が生じる（光出力飽和）。この飽和光出力は、例えば３ｄＢの利得飽和が生じる出力で定義される。この飽和光出力は、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａに依存する。例えば、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを増加させると、飽和光出力および利得が共に増加する。次に、図２を参照して、光出力飽和について具体的に説明する。
【００２３】
図２は、半導体光増幅器１３の利得（Ｇａｉｎ）と、光出力強度（Ｏｕｔｐｕｔ  Ｐｏｗｅｒ）と、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａとの関係を示す図である。図２において、光出力強度とは、半導体光増幅器１３から出力される光のパワーである。図２に示すように、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａが増加すると、実線ａ〜ｄのように半導体光増幅器１３の利得が増加するとともに、光出力強度が増加する。なお、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａが一定で光出力強度が変化することは、半導体レーザ１１から半導体光増幅器１３に入力される光の強度が変化することを意味している。
【００２４】
また、図２に示すように、同一のＳＯＡ電流Ｉｓｏａに対し、半導体光増幅器１３に入力される光出力強度が過度に大きくなると、利得が低下する。このように、一定値を保つ利得が低下する現象が上述した光出力飽和である。光出力飽和が生じる領域を、以下、飽和領域と称する。飽和領域で変調光を半導体光増幅器１３で増幅した場合、パターン効果と呼ばれる現象に起因して変調光信号の波形劣化が生じる。この場合、通信品質が著しく劣化する。したがって、本実施例のように半導体レーザ１１、変調器１２、および半導体光増幅器１３が集積化されたレーザチップ１０を対象とする場合、光出力が飽和していない条件でレーザチップ１０を駆動させることが好ましい。
【００２５】
図３は、飽和領域における波形劣化について説明するための図である。図３に示すように、飽和領域以外の領域（非飽和領域）においては、波形が劣化していない。これに対して、飽和領域においては、アイパターンが崩れ、波形が劣化している。したがって、非飽和領域においてレーザチップ１０を駆動させることが好ましい。
【００２６】
続いて、受光素子４０のモニタ値の変化について説明する。レーザチップ１０に起因して受光素子４０のモニタ値が変化する原因として、以下の２つの場合が想定される。
１）半導体光増幅器１３の利得（増幅率）が変化して半導体光増幅器１３の光出力強度が変動した場合。
２）半導体レーザ１１の発光量が変化して半導体光増幅器１３の光出力強度が変動した場合。
【００２７】
受光素子４０のモニタ値だけでは、上記１）および２）のいずれの場合が生じているのか判断することができない。いずれの場合においても、ＳＯＡ電流ＩｓｏａまたはＬＤ電流Ｉｏｐを調整することによって、レーザチップ１０の光出力強度を調整することができ、上述した飽和領域を回避するようにＡＰＣ制御を実施することができる。そこで、本実施例においては、受光素子４０のモニタ値を用いて飽和領域を回避することができるＡＰＣ制御について説明する。図４は、本実施例に係るＡＰＣ制御を説明するためのフローチャートの一例である。
【００２８】
まず、コントローラ５０は、目標とする光出力強度および伝送波形を満たすレーザチップ１０の駆動条件を選定する（ステップＳ１）。駆動条件には、ＳＯＡ電流ＩｓｏａおよびＬＤ電流Ｉｏｐに加えて、変調器１２に対する駆動信号が含まれる。次に、コントローラ５０は、上記駆動条件に対応する受光素子４０の目標値を設定する（ステップＳ２）。次に、コントローラ５０は、レーザチップ１０の駆動を開始する（ステップＳ３）。
【００２９】
次に、コントローラ５０は、受光素子４０のモニタ値と目標値の差の絶対値を検知する（ステップＳ４）。次に、コントローラ５０は、光出力強度の調整を実施する。具体的には、ステップＳ４の検知結果に基づいて、モニタ値が目標値を上回ればＬＤ電流Ｉｏｐを調整する。モニタ値が目標値を下回ればＳＯＡ電流Ｉｓｏａを調整する（ステップＳ５）。このような制御により、レーザチップ１０の光出力強度を調整することができ、飽和領域を回避するようにＡＰＣ制御を実施することができる。
【００３０】
モニタ値が目標値を上回った場合、半導体光増幅器１３の光出力強度を低下させる必要がある。例えば、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを低下させることによって、半導体光増幅器１３の光出力強度を低下させることができる。しかしながら、制御点が半導体光増幅器１３の非飽和領域と飽和領域との境界付近に存在する場合、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを低下させると、半導体光増幅器１３の飽和領域で光出力されることになる。すなわち、半導体光増幅器１３の非飽和領域と飽和領域との境界となる入力光強度の条件は、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａの低下に従って低くなる。このため、光出力強度を低下させるために、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを低下させた場合、光出力強度が増加した原因が、半導体レーザ１１の発光量増加である場合においては、半導体光増幅器１３が飽和領域で出力するおそれがある。この場合、波形劣化が生じるおそれがある。
【００３１】
そこで、本実施例においては、モニタ値が目標値を上回った場合には、ＬＤ電流Ｉｏｐを低下させることによって、半導体光増幅器１３の光出力強度を低下させる。この場合、飽和光出力が低下しないため、飽和領域での出力を抑制することができる。以上のことから、モニタ値の増加原因が半導体光増幅器１３および半導体レーザ１１のどちらに起因する場合においても、半導体光増幅器１３の飽和領域での出力を抑制することができる。
【００３２】
図５は、この場合の制御について具体的に説明するための模式図である。図５に示すように、モニタ値が目標値に制御されている状態を点０（Ｐ０，Ｇ０）とし、半導体光増幅器１３起因の光出力増加状態を点Ａ（Ｐ１，Ｇ１）とし、半導体レーザ１１起因の光出力増加状態を点Ｂ（Ｐ１，Ｇ２）とする。なお、Ｐ０＜Ｐ１であり、Ｇ２＜Ｇ０＜Ｇ１である。点Ａは非飽和領域に位置し、点Ｂは飽和領域に位置しているとする。点Ｂの状態からＳＯＡ電流Ｉｓｏａを低下させた場合、飽和光出力が低下する。したがって、飽和領域を回避することができない。
【００３３】
これに対して、点Ａおよび点Ｂのいずれの場合においても、ＬＤ電流Ｉｏｐを低下させて半導体光増幅器１３への入力光強度を低下させれば、飽和光出力が低下しない。したがって、飽和領域に移行することを回避しつつ、光出力強度をＰ０に戻すことができる。
【００３４】
一方、受光素子４０のモニタ値が目標値を下回った場合、半導体光増幅器１３の光出力強度を増加させる必要がある。例えば、ＬＤ電流Ｉｏｐを増加させることによって、半導体光増幅器１３の光出力強度を増加させることができる。しかしながら、半導体光増幅器１３の光出力強度が低下した原因が、半導体光増幅器１３の利得低下である場合においては、半導体レーザ１１の発光量を増加させると、半導体光増幅器１３が光出力飽和の状態になるおそれがあり、波形劣化が生じるおそれがある。そこで、本実施例においては、モニタ値が目標値を下回った場合には、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを増加させることによって、半導体光増幅器１３の光出力強度を増加させる。この場合、モニタ値の低下原因が半導体光増幅器１３および半導体レーザ１１のどちらに起因する場合においても、半導体光増幅器１３からの光出力強度が飽和領域に調整されない。
【００３５】
図６は、この場合の制御について具体的に説明するための模式図である。図６に示すように、モニタ値が目標値に制御されている状態を点０（Ｐ０，Ｇ０）とし、半導体光増幅器１３起因の光出力低下状態を点Ｃ（Ｐ２，Ｇ３）とし、半導体レーザ１１起因の光出力低下状態を点Ｄ（Ｐ２，Ｇ０）とする。なお、Ｐ２＜Ｐ０であり、Ｇ３＜Ｇ０である。点Ｃは非飽和領域の限界付近に位置し、点Ｄは飽和領域に位置しているとする。点Ｃの状態から半導体レーザ１１の発光量を増加させた場合、半導体光増幅器１３の光出力強度が飽和領域に移行する。したがって、飽和領域を回避することができない。これに対して、点Ｃおよび点Ｄのいずれの場合においても、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを増加させれば、非飽和領域と飽和領域との境界となる飽和光出力が増加する。したがって、飽和領域に移行することを回避しつつ、光出力強度をＰ０に戻すことができる。
【００３６】
図４のフローチャートに従った制御によって、半導体光増幅器１３の光出力強度が飽和領域で制御されることを回避することができる。なお、上記ステップＳ５の後にステップＳ４およびステップＳ５を繰り返し実施することによって、半導体光増幅器１３の光出力強度が飽和領域で制御されることを回避しつつ、半導体光増幅器１３からの光出力強度をフィードバック制御することができる。以上のことから、本実施例に係る光半導体装置１００によれば、適切にＡＰＣ制御することができる。また、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる。
【００３７】
また、一度目標値に設定された後、チップの状態が変化することでモニタ値が変動し、目標値からずれた場合であっても、上述のステップＳ４、ステップＳ５を実施しているので、レーザチップ１０の光出力強度を調整することができ、飽和領域を回避するようにＡＰＣ制御を実施することができる。受光素子４０のモニタ値が目標値に対して変動した否かは、モニタ値と目標値との差の絶対値が所定のしきい値を上回ったか否かを検出することによって判断することができる。
【実施例２】
【００３８】
図４のフローチャートに従ってＡＰＣ制御した場合において、光出力強度の調整量が多すぎた場合について考察する。図７は、光出力強度の調整量が多すぎた場合について説明するための図である。モニタ値が目標値に制御されている状態である点０（Ｐ０，Ｇ０）からモニタ値が増加して点Ａ（Ｐ１，Ｇ−１）に変化していたとする（Ｐ０＜Ｐ１、Ｇ−１＜Ｇ０）。図４のフローチャートに従えば、ＬＤ電流Ｉｏｐが低下してモニタ値が低下する。この場合において調整量が多すぎると、目標値に制御されている状態の点０（Ｐ０，Ｇ０）を通り過ぎてモニタ値が目標値よりも低い状態の点Ｂ（Ｐ−１，Ｇ０）に調整される（Ｐ−１＜Ｐ０）。
【００３９】
この場合、目標値よりもモニタ値が低下しているので、図４のフローチャートに従えば、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａが増加してモニタ値が増加する。この場合においても調整量が多すぎると、モニタ値がＰ０を通り過ぎて目標値よりも高い状態の点Ｃ（Ｐ１，Ｇ２）に調整される（Ｐ−１＜Ｐ０＜Ｐ１、Ｇ０＜Ｇ２）。この場合、目標値よりもモニタ値が増加しているので、図４のフローチャートに従えば、ＬＤ電流Ｉｏｐが低下してモニタ値が低下する。この場合において調整量が多すぎると、モニタ値がＰ０を通り過ぎて目標値よりも低い状態の点Ｄ（Ｐ−１，Ｇ２）に調整される（Ｐ−１＜Ｐ０）。この場合、さらにＳＯＡ電流Ｉｓｏａが増加することになる。
【００４０】
このように、図４のフローチャートに従ったＡＰＣ制御において調整量が多すぎると、ＳＯＡ電流ＩｓｏａとＬＤ電流Ｉｏｐとが階段状に調整されて、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａが過剰に増加し、ＬＤ電流Ｉｏｐが過剰に低下し、最終的に調整不可能または半導体レーザ１１の発光量低下による変調光信号の波形劣化が生じるおそれがある。
【００４１】
そこで、実施例２では、例えばモニタ値が目標値を上回ってＬＤ電流Ｉｏｐを調整する場合にＬＤ電流Ｉｏｐを低下し過ぎてモニタ値が目標値よりも低下してしまった場合でも、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを増加させるのではなくＬＤ電流Ｉｏｐを増加させることによってモニタ値をフィードバック制御する。一方、モニタ値が目標値を下回ってＳＯＡ電流Ｉｓｏａを調整する場合も同様に、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａを増加し過ぎてモニタ値が目標値よりも増加してしまった場合でも、ＬＤ電流Ｉｏｐを低下させるのではなくＳＯＡ電流Ｉｓｏａを低下させることによってモニタ値をフィードバック制御する。
【００４２】
図８は、実施例２に係るＡＰＣ制御を表すフローチャートの一例である。図８に示すように、実施例２では、ステップＳ５´において、最初に選択したパラメータ（ＳＯＡ電流ＩｓｏａまたはＬＤ電流Ｉｏｐ）のみを用いてモニタ値をフィードバック制御する。例えば、モニタ値が目標値を上回って増加した場合においては、ＬＤ電流Ｉｏｐのみを用いてモニタ値をフィードバック制御し、モニタ値が目標値を下回って低下した場合においては、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａのみを用いてモニタ値をフィードバック制御する。このように制御することで、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａが過剰に増加し、ＬＤ電流Ｉｏｐが過剰に低下することを抑制することができる。
【実施例３】
【００４３】
図４および図８のフローチャートに従ってモニタ値をフィードバック制御する場合において、光出力強度の調整量が多すぎないように調整幅に制限を設けてもよい。具体的には、前記目標値は所定の許容幅を有しており、半導体光増幅器１３の光出力強度が目標値を超えた場合に、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量で半導体レーザ１１の発光量を低下させる制御をなすことで半導体光増幅器１３の光出力強度が目標値を下回ることを抑制することができる。また、半導体光増幅器１３の光出力強度が目標値を下回った場合に、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量で半導体光増幅器１３の利得を増加させる制御をなすことで半導体光増幅器１３の光出力強度が目標値を超えることを抑制することができる。このように制御することで、ＳＯＡ電流Ｉｓｏａが過剰に増加し、ＬＤ電流Ｉｏｐが過剰に低下することを抑制することができる。
【００４４】
また、モニタ値のフィードバック制御の際に、ＳＯＡ電流ＩｓｏａまたはＬＤ電流Ｉｏｐの変化量を最適量（フィードバック制御に要する時間を考慮しなくてもよければ、最も増減率の小さい量）にすればよい。この場合、ＳＯＡ電流ＩｓｏａまたはＬＤ電流Ｉｏｐが少しずつ変化するため、調整量が多すぎることが抑制される。または、モニタ値の調整量が、ステップＳ４で受光素子４０のモニタ値が変動するか否かを判定する際に用いるしきい値よりも小さくなるように、ＳＯＡ電流ＩｓｏａまたはＬＤ電流Ｉｏｐの調整幅を設定すれば、この場合も、ＳＯＡ電流ＩｓｏａまたはＬＤ電流Ｉｏｐが少しずつ変化するため、調整量が多すぎることが抑制される。
【００４５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  レーザチップ
１１  半導体レーザ
１２  変調器
１３  半導体光増幅器
２０  レンズ
３０  ビームスプリッタ
４０  受光素子
５０  コントローラ
１００  光半導体装置
【図１】
0005837380.tif 000002
【図２】
0005837380.tif 000003
【図３】
0005837380.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0005837380.tif 000007
【図７】
0005837380.tif 000008
【図８】
0005837380.tif 000009