(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光取出側に開口する樹脂からなるケース、及び前記ケース内に充填された樹脂からなる封止部材を有する樹脂パッケージと、
前記樹脂パッケージの前記封止部材によって封止された発光素子と、
貫通孔に充填された樹脂によって分離され、前記発光素子を搭載するとともに、前記樹脂パッケージを素子搭載面側に形成するリードフレームとを備え、
前記リードフレームは、前記ケース及び前記封止部材と密着する凹部が前記貫通孔と連通しないように形成され、
前記封止部材と密着する凹部は、前記ケースを構成する樹脂が注入されていない
発光装置。
【請求項２】
前記リードフレームは、前記凹部に加えて、前記ケースと密着する凹凸部が側面に配置されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記リードフレームは、その表裏両面にエッチング処理を施すことにより、前記凹凸部のうち凸部が前記側面に形成されている請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記リードフレームは、その裏面にエッチング処理を施すことにより、前記凹凸のうち凹部が前記側面に切り欠きとして形成されている請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
光取出側に開口するケース、及び前記ケース内に充填される封止部材を有する樹脂パッケージを素子搭載面側に形成するものであって、樹脂が充填される貫通孔を有し、前記ケース及び前記封止部材と密着する凹部が前記貫通孔と連通しないように形成されたリードフレームを形成する第１の工程と、
前記リードフレームの前記貫通孔に樹脂を充填した状態で前記リードフレームを金型にセットし、前記ケースとなる液状樹脂を注入して前記封止部材と密着する凹部に前記ケースとなる液状樹脂が注入されないように前記リードフレームの素子搭載面側に前記ケースを形成する第２の工程と、
前記ケース内に発光素子を収容して前記リードフレームに搭載する第３の工程と、
前記封止部材となる液状樹脂を前記ケース内に注入して前記発光素子を封止し、前記樹脂パッケージを形成する第４の工程と
を備えた発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程は、前記リードフレームの形成が前記第２の工程における前記ケースの形成と同時に行われる請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載部に発光素子が搭載される発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高出力型の発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）素子の開発が進められてきており、消費電力が数ワット単位の高出力タイプのものも既に製品化されている。ＬＥＤ素子は発熱の少ないことが特徴であるが、高出力型のＬＥＤ素子は大電流が流れるため、無視できないレベルの発熱が生じる。
【０００３】
このため、発光装置においては、例えばＬＥＤ素子を搭載するリードフレームの裏面を外部に露出させ、この外部露出部からＬＥＤ素子による発熱を効果的に放散してその信頼性を確保することが行われる。
【０００４】
従来、この種の発光装置には、素子搭載部及びワイヤ接続部を有するリードフレームと、リードフレームの素子搭載部に搭載してワイヤ接続部にワイヤで接続するＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子を収容する樹脂ケースと、樹脂ケース内に充填されてＬＥＤ素子及びワイヤを封止する封止部材とを備えたものが知られている（例えば特許文献１）。
【０００５】
このような発光装置は、リードフレームに樹脂ケースを形成し、次いで樹脂ケース内でリードフレームの素子搭載部にＬＥＤ素子を搭載し、しかる後リードフレームのワイヤ接続部にＬＥＤ素子をワイヤで接続してから、樹脂ケース内に封止部材の樹脂材料を注入してＬＥＤ素子及びワイヤを封止することにより製造される。
【０００６】
ところで、上記した発光装置においては、リードフレームに対する樹脂ケースの剥離を防止する観点から、リードフレームと樹脂ケースとの間に凹凸部が形成される。この場合、凹凸部の形成は、リードフレームの片面（表面）であって樹脂ケースを形成する部位にエッチング処理を施して凹部を設け、この凹部に樹脂ケースの樹脂材料を入り込ませて樹脂ケースに凸部を設けることにより行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−６６１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に示す発光装置によると、リードフレームからの樹脂ケースの剥離発生を抑制する効果を期待することができるものの、リードフレームから封止部材の剥離発生を抑制することができないという問題があった。
【０００９】
従って、本発明の目的は、素子搭載基板からのケース及び封止部材の剥離発生を抑制することができる発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、（１）〜（６）の発光装置及びその製造方法を提供する。
【００１１】
（１）光取出側に開口する樹脂からなるケース、及び前記ケース内に充填された樹脂からなる封止部材を有する樹脂パッケージと、前記樹脂パッケージの前記封止部材によって封止された発光素子と、貫通孔に充填された樹脂によって分離され、前記発光素子を搭載するとともに、前記樹脂パッケージを素子搭載面側に形成するリードフレームとを備え、前記リードフレームは、前記ケース及び前記封止部材と密着する凹部が前記貫通孔と連通しないように形成され、前記封止部材と密着する凹部は、前記ケースを構成する樹脂が注入されていない発光装置。
【００１２】
（２）上記（１）に記載の発光装置において、前記リードフレームは、前記凹部に加えて、前記ケースと密着する凹凸部が側面に配置されている。
【００１３】
（３）上記（２）に記載の発光装置において、前記リードフレームは、その表裏両面にエッチング処理を施すことにより、前記凹凸部のうち凸部が前記側面に形成されている。
【００１４】
（４）上記（２）に記載の発光装置において、前記リードフレームは、その裏面にエッチング処理を施すことにより、前記凹凸のうち凹部が前記側面に切り欠きとして形成されている。
【００１５】
（５）光取出側に開口するケース、及び前記ケース内に充填される封止部材を有する樹脂パッケージを素子搭載面側に形成するものであって、樹脂が充填される貫通孔を有し、前記ケース及び前記封止部材と密着する凹部が前記貫通孔と連通しないように形成されたリードフレームを形成する第１の工程と、前記リードフレームの前記貫通孔に樹脂を充填した状態で前記リードフレームを金型にセットし、前記ケースとなる液状樹脂を注入して前記封止部材と密着する凹部に前記ケースとなる液状樹脂が注入されないように前記リードフレームの素子搭載面側に前記ケースを形成する第２の工程と、前記ケース内に発光素子を収容して前記リードフレームに搭載する第３の工程と、前記封止部材となる液状樹脂を前記ケース内に注入して前記発光素子を封止し、前記樹脂パッケージを形成する第４の工程とを備えた発光装置の製造方法。
【００１６】
（６）上記（５）に記載の発光装置の製造方法において、前記第１の工程は、前記リードフレームの形成が前記第２の工程における前記ケースの形成と同時に行われる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、素子搭載基板からのケース及び封止部材の剥離発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示す断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の素子搭載基板を示す平面図と断面図。（ａ）は平面図を、また（ｂ）は断面図をそれぞれ示す。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置のＬＥＤ素子を示す断面図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明するために示す断面図。（ａ）はケースの形成工程を、（ｂ）はめっき処理工程を、（ｃ）はＬＥＤ素子の搭載工程を、（ｄ）はワイヤボンディング工程を、また（ｅ）は封止工程をそれぞれ示す。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置を示す断面図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置における素子搭載基板の基板用素材とその変形例を示す断面図。（ａ）は第２の実施の形態を、また（ｂ）は変形例をそれぞれ示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[第１の実施の形態]
以下、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置及びその製造方法につき、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
（発光装置の全体構成）
図１は発光装置を示す。図２（ａ）及び（ｂ）はケース及び素子搭載基板を示す。図１及び図２（ａ），（ｂ）に示すように、発光装置１は、樹脂パッケージ２と、樹脂パッケージ２を素子搭載面（表面）３ａ側に形成する素子搭載基板３と、素子搭載基板３に搭載されたＬＥＤ素子４とから大略構成されている。
【００２１】
（樹脂パッケージ２の構成）
樹脂パッケージ２は、ケース２０及び封止部材２１を有し、素子搭載基板３の表面３ａ及び側面３ｂに跨って配置されている。樹脂パッケージ２の材料としては、光を遮蔽する例えばポリアミド等の熱可塑性樹脂，エポキシやシリコーン等の熱硬化性樹脂あるいはアルミナ等のセラミックスが用いられる。本実施の形態ではシリコーン樹脂が用いられる。
【００２２】
ケース２０は、光取出側に開口し、素子搭載基板３の表面３ａ（端縁）及び側面３ｂに配置され、全体が略平面正方形状の輪郭をもつ枠部材によって形成されている。ケース２０の素子側開口部は素子搭載基板３によって閉塞されている。また、ケース２０は、素子搭載基板３の表面３ａに密着する部位に平面略Ｕ字状の凸部２０ａが、また素子搭載基板３の側面３ｂに密着する部位に平面略Ｕ字状の凹部２０ｂがそれぞれ形成されている。
【００２３】
ケース２０には、ＬＥＤ素子４を収容する截頭略四角錐形状の収容空間２０ｃが形成されている。収容空間２０ｃは、その開口面積が素子搭載基板３の素子搭載面３ａ側からケース開口部２０ｄに向かって漸次大きくなる開口面積に設定されている。これにより、発光装置１の製造（ＬＥＤ素子４の封止）時に収容空間２０ｃに発生する気泡は、素子搭載基板３の素子搭載面３ａ側からケース開口部２０ｄに向かってケース２０の内面を移動し易くなり、その後にケース２０外に放出される。
【００２４】
封止部材２１は、素子搭載基板３の表面３ａに密着され、かつケース２０内に充填されている。そして、封止部材２１は、素子搭載基板３上でＬＥＤ素子４及びワイヤ４２を封止するように構成されている。また、封止部材２１は、素子搭載基板３の表面３ａに密着する部位に平面略Ｕ字状の凸部２１ａ，２１ｂが形成されている。封止部材２１の材料としては、シリコーン系の光透過性樹脂が用いられ、この他に例えばアクリル系の光透過性樹脂を用いてもよい。
【００２５】
（素子搭載基板３の構成）
素子搭載基板３は、第１の絶縁部材３０及び第２の絶縁部材３１によって互いに絶縁された一対の導体パッド３２，３３を有し、全体が平面矩形状の板部材によって形成されている。素子搭載基板３の厚さは約１．０ｍｍ程度の寸法に設定されている。素子搭載基板３には、ケース２０との間に互いに密着する凹凸部Ａ，Ｂが、また封止部材２１との間に互いに密着する凹凸部Ｃ，Ｄがそれぞれ配置されている。
【００２６】
本実施の形態においては、素子搭載基板３の表面３ａ（導体パッド３２，３３の表面）にケース２０の凸部２０ａに密着する平面略Ｕ字状の凹部３３ａを形成することにより、素子搭載基板３とケース２０との間に凹凸部Ａが配置されている。素子搭載基板３の側面３ｂ（導体パッド３２，３３の側面）にケース２０の凹部２０ｂに密着する平面略Ｕ字状の凸部３３ｂを形成することにより、素子搭載基板３とケース２０との間に凹凸部Ｂが配置されている。また、素子搭載基板３の表面３ａ（導体パッド３２の表面）に封止部材２１の凸部２１ａに密着する平面略Ｕ字状の凹部３２ａを形成することにより、素子搭載基板３と封止部材２１との間に凹凸部Ｃが配置されている。素子搭載基板３の表面３ａ（導体パッド３３の表面）に封止部材２１の凸部２１ｂに密着する平面略Ｕ字状の凹部３３ｃを形成することにより、素子搭載基板３と封止部材２１との間に凹凸部Ｄが配置されている。凹部３３ａ，３３ｃ，３２ａの形成は素子搭載基板３の表面３ａに、また凸部３３ｂの形成は素子搭載基板３の表面３ａ及び裏面３ｃにそれぞれエッチング処理を施すことにより行われる。
【００２７】
第１の絶縁部材３０は素子搭載基板３の一方側（素子搭載側）に、また第２の絶縁部材３１は素子搭載基板２の他方側（素子非搭載側）にそれぞれ配置されている。第１の絶縁部材３０及び第２の絶縁部材３１の材料としては、樹脂パッケージ２と同一の材料（シリコーン樹脂）が用いられる。
【００２８】
一対の導体パッド３２，３３は、第１の絶縁部材３０及び第２の絶縁部材３１を介して互いに隣接し、素子搭載基板３の面方向に互いに並列して配置されている。一方の導体パッド３２は素子搭載・ワイヤ接続用のパッドによって、また他方の導体パッド３３はワイヤ接続用のパッドによってそれぞれ形成されている。
【００２９】
一方の導体パッド３２の表裏面には、例えば銀（Ａｇ）等のめっき処理を施すことによりめっき処理部３４，３５が設けられている。他方の導体パッド３３の表裏面には、一方の導体パッド３２と同様に、例えばＡｇ等のめっき処理を施すことによりめっき処理部３６，３７が設けられている。一方の導体パッド３２の表面にはめっき処理部３４を介してＬＥＤ素子４のｎ側電極４１（後述）が、また他方の導体パッド３３の表面にはめっき処理部３６を介してＬＥＤ素子４のｐ側パッド電極４０ａ（後述）がそれぞれ接続される。一方の導体パッド３２の裏面にはめっき処理部３５を介して、また他方の導体パッド３３の裏面にはめっき処理部３７を介してそれぞれＬＥＤ素子４に電源電圧が供給される。一対の導体パッド３２，３３の材料としては例えば銅合金や鉄合金からなる金属が用いられる。
【００３０】
素子搭載基板３の形成は、凹部３２ａ，３３ａ，３３ｃ及び凸部３３ｂが予め形成された基板用素材（図示せず）としての金属板（銅合金や鉄合金）にその表面側からエッチング処理を施して第１の凹部を形成し、この第１の凹部にスクリーン印刷によって第１の絶縁部材３０を充填した後、金属板にその裏面側からエッチング処理を施して第２の凹部を形成し、この第２の凹部にスクリーン印刷によって第２の絶縁部材３１を充填することにより行われる。この場合、第１の凹部及び第２の凹部は、基板用素材の厚さ方向に隣接し、かつ異なる２つの開口幅をもつ断面略Ｔ字状の凹孔によって形成されている。
【００３１】
（ＬＥＤ素子４の構成）
図３はＬＥＤ素子を示す。図３に示すように、ＬＥＤ素子４は、ｐ側電極４０及びｎ側電極４１を有し、ｐ側電極４０（ｐ側パッド電極４０ａ）をめっき処理部３６（図１に示す）に、またｎ側電極４１をめっき処理部３４（図１に示す）にそれぞれワイヤ４２（図１に示す）で接続して素子搭載基板３（図１に示す）における素子搭載面３ａの略中央部に搭載されている。ＬＥＤ素子４としては例えば平面略正方形状の青色ＬＥＤ素子が用いられる。
【００３２】
そして、ＬＥＤ素子４は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板４３の表面にIII族窒化物系半導体を例えば７００℃の温度でエピタキシャル成長させることにより、バッファ層４４，ｎ型半導体層４５，発光層としてのＭＱＷ（Multiple Quantum Well：重量子井戸）層４６，及びｐ型半導体層４７が順次形成され、発光面４８からピーク発光波長が例えば４６０ｎｍ〜４６３ｎｍである青色光を発するように構成されている。
【００３３】
ｐ側電極４０は、ｐ側パッド電極４０ａを有し、ｐ型半導体層４７の表面に設けられている。ｎ側電極４１は、ｐ型半導体層４７からＭＱＷ層４６及びｎ型半導体層４５にわたってその一部にエッチング処理を施すことにより露出した部位（ｎ型半導体層４５）に設けられている。ｐ側電極４０の材料としては例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の酸化物からなる透明導電性材が、またｐ側パッド電極４０ａ及びｎ側電極４１の材料としては例えばＮｉ／Ａｕ，Ａｌ等の金属がそれぞれ用いられる。
【００３４】
（発光装置１の製造方法）
次に、本実施の形態に示す発光装置１の製造方法につき、図４（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。図４（ａ）〜（ｅ）は発光装置の製造手順を示す。
【００３５】
本実施の形態に示す発光装置の製造方法は、「ケースの形成」，「めっき処理」，「ＬＥＤ素子の搭載」，「ワイヤボンディング」及び「ＬＥＤ素子の封止」の各工程が順次実施されるため、これら各工程を順次説明する。
【００３６】
「ケースの形成」
図４（ａ）に示すように、予め素子搭載基板３が配置された金型（図示せず）内にケース２０となる液状樹脂を注入して硬化させることにより、素子搭載基板３の表面３ａ及び側面３ｂにケース２０を形成する。なお、ケース２０の形成後において、その素子側開口部と素子搭載基板３の表面３ａとの間に付着する樹脂ばりは、アルカリ液で溶かすか、あるいはシリカ（ＳｉＯ２）で飛ばすかして除去する。
【００３７】
本実施の形態においては、ケース２０が素子搭載基板３に形成されると、素子搭載基板３の凹部３３ａとケース２０の凸部２０ａとが、また素子搭載基板３の凸部３３ｂとケース２０の凹部２０ｂとがそれぞれ密着するため、素子搭載基板３とケース２０との間において所謂アンカー効果が得られる。特に、素子搭載基板３の凸部３３ｂとケース２０の凹部２０ｂとの密着は、素子搭載基板３がその厚さ方向にケース２０を係止する機能を伴うため、強固に行われる。
【００３８】
ケース２０の形成は、凹部３２ａ・３３ａ，凸部３３ｂ及び第１の絶縁部材３０を充填するための第１の凹部，第２の絶縁材３１を充填するための第２の凹部が予め形成された基板用素材を専用の金型内に配置し、金型内に液状樹脂を注入することにより、素子搭載基板３の形成と同時に行うこともできる。
【００３９】
「めっき処理」
図４（ｂ）に示すように、素子搭載基板３における導体パッド３２の表裏面にめっき処理を施すことによりめっき処理部３４，３５を設ける。同様に、素子搭載基板３における導体パッド３３の表裏面にめっき処理を施すことによりめっき処理部３６，３７を設ける。
【００４０】
「ＬＥＤ素子の搭載」
図４（ｃ）に示すように、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性接着剤（図示せず）を用い、素子搭載基板３の導体パッド３２上にめっき処理部３４を介してＬＥＤ素子４を接着する。この際、ＬＥＤ素子４の接着は、その光取出側をｐ側パッド電極４０ａ及びｎ側電極４１（共に図３に示す）が指向するようにして行われる。これにより、素子搭載基板３にはＬＥＤ素子４が搭載される（所謂、フェイスアップ搭載）。
【００４１】
「ワイヤボンディング」
図４（ｄ）に示すように、例えば銀粉含有の導電性接着剤を用い、ＬＥＤ素子４を導体パッド３２上のめっき処理部３４及び導体パッド３３上のめっき処理部３６にワイヤ４２によって接続する。この場合、ｐ側パッド電極４０ａがめっき処理部３６に、またｎ側電極４１がめっき処理部３４にそれぞれワイヤ４２を介して接続される。
【００４２】
「ＬＥＤ素子の封止」
図４（ｅ）に示すように、例えばディスペンサ（図示せず）を用いて封止部材２１となるシリコーン系の液状樹脂をケース２０内に注入して硬化させる。これにより、素子搭載基板３上のＬＥＤ素子４がワイヤ４２と共に封止部材２１によって封止される。この場合、ＬＥＤ素子４が封止されると、素子搭載基板３の表面３ａ側に樹脂パッケージ２が形成される。そして、素子搭載基板３の凹部３２ａと封止部材２１の凸部２１ａとが、また素子搭載基板３の凹部３３ｃと封止部材２１の凸部２１ｂとがそれぞれ密着するため、素子搭載基板３と封止部材２１との間において所謂アンカー効果が得られる。
【００４３】
なお、上記実施の形態においては、単数の発光装置１を製造する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、複数の素子搭載部を有する素子集合搭載基板を用いて複数の発光装置を製造することもできる。この場合、「ＬＥＤ素子の封止」工程後にケース及び素子集合搭載基板を切断することにより複数の発光装置に分割する「ダイシング」工程が追加される。
【００４４】
[第１の実施の形態の効果]
以上説明した第１の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
【００４５】
素子搭載基板３からのケース２０及び封止部材２１の剥離発生を抑制することができる。
【００４６】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２実施の形態に係る素子集合搭載基板につき、図５及び図６を用いて説明する。図５は発光装置を示す。図６（ａ）及び（ｂ）は基板用素材を示す。図５において、図１〜図３と同一又は同等の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４７】
図５に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置６は、素子搭載基板３の側面３ｂ（導体パッド３２，３３の側面）にケース２０の凸部２０ｅに密着する凹部３３ｄを形成することにより、素子搭載基板３とケース２０との間に凹凸部Ｅが配置されている点に特徴がある。
【００４８】
このため、素子搭載基板３の裏面３ｃにエッチング処理を施すことにより、側面３ｂに凹部３３ｄが切り欠きとして形成されている。
【００４９】
本実施の形態においては、ケース２０が素子搭載基板３に形成されると、素子搭載基板３の凹部３３ｄとケース２０の凸部２０ｅとが互いに密着するため、素子搭載基板３とケース２０との間において所謂アンカー効果が得られる。この密着は、素子搭載基板３がその厚さ方向（光取出側）にケース２０を係止する機能を伴うため、強固に行われる。
【００５０】
なお、本実施の形態においては、図６（ａ）に示すように、基板用素材３Ａに予め形成される第１の凹部３０Ａ及び第２の凹部３１Ａが基板用素材３Ａの厚さ方向に隣接し、かつ異なる２つの開口幅をもつ断面略Ｔ字状の凹孔によって形成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、図６（ｂ）に示すように基板用素材３Ｂの面方向及び厚さ方向に隣接し、かつ均一な開口幅をもつ断面矩形状の凹孔によって第１の凹部３０Ｂ及び第２の凹部３１Ｂを形成してもよい。
【００５１】
[第２の実施の形態の効果]
以上説明した第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態に示す効果と同様の効果が得られる。
【００５２】
以上、本発明の発光装置及びその製造方法を上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能であり、例えば次に示すような変形も可能である。
【００５３】
（１）上記実施の形態では、ＬＥＤ素子４が所謂フェイスアップ搭載され、かつワイヤ４２によって導体パッド３２，３３に接続されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、ＬＥＤ素子３を所謂フェイスダウン搭載し、かつ金属バンプ等によって導体パッド３２，３３に接続してもよい。
【００５４】
（２）上記実施の形態では、単数のＬＥＤ素子４を有する発光装置１を対象とする場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、複数のＬＥＤ素子を有する発光装置を対象としてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１…発光装置、２…樹脂パッケージ、２０…ケース、２０ａ…凸部、２０ｂ…凹部、２０ｃ…収容空間、２０ｄ…ケース開口部、２０ｅ…凸部、２１…封止部材、２１ａ，２１ｂ…凸部、３…素子搭載基板、３ａ…素子搭載面（表面）、３ｂ…側面、３ｃ…裏面、３０…第１の絶縁部材、３１…第２の絶縁部材、３２，３３…導体パッド、３２ａ…凹部、３３ａ…凹部、３３ｂ…凸部、３３ｃ，３３ｄ…凹部、３４〜３７…めっき処理部、３Ａ…基板用素材、３０Ａ…第１の凹部、３１Ａ…第２の凹部、３Ｂ…基板用素材、３０Ｂ…第１の凹部、３１Ｂ…第２の凹部、４…ＬＥＤ素子、４０…ｐ側電極、４０ａ…ｐ側パッド電極、４１…ｎ側電極、４２…ワイヤ、４３…基板、４４…バッファ層、４５…ｎ型半導体層、４６…ＭＱＷ層、４７…ｐ型半導体層、４８…発光面、６…発光装置、Ａ〜Ｅ…凹凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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