(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有し光透過性の第１電極と、
前記第１面に対して平行な平面に沿って延在し前記第１電極に電気的に接続され前記第１電極の導電率よりも高い導電率を有し光反射性の配線層であって、前記第１電極は前記平面に対して垂直な第１方向において前記配線層と重ならない部分を有する配線層と、
前記第１面と対向し、前記第１方向において前記配線層と重ならない領域の一部と重なる光反射性の導電部を有する第２電極と、
前記第１面と前記第２電極との間に設けられた有機発光層と、
樹脂層と、前記樹脂層に分散された複数の粒子と、を含む光散乱層であって、前記光散乱層と前記第２電極との間に前記第１電極が配置され、前記光散乱層は、前記第１方向において前記有機発光層と重なり、前記光散乱層は、前記第１方向において前記配線層及び前記導電部と重なる部分を有し、前記光散乱層は、前記第１方向において、前記配線層と重ならず前記導電部と重ならない領域の少なくとも一部を除いて設けられている光散乱層と、
光透過性の基板であって、前記基板と前記第１電極との間に前記光散乱層が配置される前記基板と、
前記基板と前記第１電極との間及び前記光散乱層と前記第１電極との間に設けられ前記第１電極と接する光透過性の樹脂の透過層と、
を備え、
前記光散乱層は、前記基板と前記透過層との間において前記透過層に埋め込まれ、前記第１電極から離れており、前記基板の一部と接する有機電界発光素子。
【請求項２】
前記基板と前記第１電極との間に設けられ、凹凸構造部を含む中間層をさらに備えた請求項１記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記導電部の幅は、１マイクロメートル以上２０００マイクロメートル以下である請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記配線層は、前記平面に対して平行な第２方向に沿って延在する帯状部分を有し、
前記配線層の前記帯状部分の前記延在方向に対して垂直で前記平面に対して平行な第３方向に沿った、前記配線層の幅は、１マイクロメートル以上２０００マイクロメートル以下である請求項１〜３のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記配線層は、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｎｉ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記第１電極の前記平面に対して平行な方向に沿った幅は２０ミリメートル以上である請求項１〜５のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記有機発光層から放出する光は、白色光である請求項１〜６のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の有機電界発光素子と、
前記配線層と前記第２電極とに電気的に接続され、前記配線層、前記第１電極及び前記第２電極を介して前記有機発光層に流れる電流を供給する電源部と、
を備えた照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、有機電界発光素子、及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面光源などの用途に有機電界発光素子が注目されている。有機電界発光素子においては、有機薄膜が、２つの電極の間に設けられる。有機薄膜に電圧を印加して電子と正孔とを注入し再結合させることにより、励起子を生成する。この励起子が放射失活する際の発光が利用される。  
有機電界発光素子において、薄型、軽量、面発光などの特徴から、これまでの照明器具や光源では実現できなかった応用が期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３６３０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、光透過性の有機電界発光素子、及び照明装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、第１電極と、配線層と、第２電極と、有機発光層と、光散乱層と、基板と、光透過層と、を含む有機電界発光素子が提供される。前記第１電極は、第１面を有し光透過性である。前記配線層は、前記第１面に対して平行な平面に沿って延在し前記第１電極に電気的に接続され前記第１電極の導電率よりも高い導電率を有し光反射性である。前記第１電極は前記平面に対して垂直な第１方向において前記配線層と重ならない部分を有する。前記第２電極は、前記第１面と対向する。前記第２電極は、光反射性の導電部を有する。前記導電部は、前記第１方向において前記配線層と重ならない領域の一部と重なる。前記有機発光層は、前記第１面と前記第２電極との間に設けられる。前記光散乱層は、樹脂層と、前記樹脂層に分散された複数の粒子と、を含む。前記光散乱層と前記第２電極との間に前記第１電極が配置される。前記光散乱層は、前記第１方向において前記有機発光層と重なる。前記光散乱層は、前記第１方向において前記配線層及び前記導電部と重なる部分を有する。前記光散乱層は、前記第１方向において、前記配線層と重ならず前記導電部と重ならない領域の少なくとも一部を除いて設けられている。前記基板は、光透過性である。前記基板と前記第１電極との間に前記光散乱層が配置される。前記透過層は、前記基板と前記第１電極との間及び前記光散乱層と前記第１電極との間に設けられる。前記透過層は、前記第１電極と接し、光透過性の樹脂である。前記光散乱層は、前記基板と前記透過層との間において前記透過層に埋め込まれ、前記第１電極から離れており、前記基板の一部と接する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を例示する模式的平面図である。
【図３】第１の実施形態に係る有機電界発光素子の概要の構成を例示する模式的平面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の概要の構成を例示する模式的平面図である。
【図５】第１の実施形態に係る有機電界発光素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的平面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を例示する模式的平面図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を例示する模式的平面図である。
【図１０】第１の実施形態に係る有機電界発光素子の特性を例示するグラフ図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の使用状態を例示する模式図である。
【図１２】図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の別の使用状態を例示する模式図である。
【図１３】第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
【図１４】第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
【図１５】図１５（ａ）〜図１５（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
【図１７】第２の実施形態に係る照明装置の構成を例示する模式図である。
【図１８】図１７（ａ）〜図１７（ｅ）は、第３の実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図１９】図１８（ａ）〜図１８（ｄ）は、第３の実施形態に係る有機電界発光素子の別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【図２０】第３の実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法を例示するフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。  
図２は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を例示する模式的平面図である。図１は、図２のＡ１−Ａ２線断面図である。  
これらの図は、本実施形態に係る有機電界発光素子の一部を拡大して例示している。  
図１及び図２に表したように、本実施形態に係る有機電界発光素子１１０は、第１電極１０と、第２電極２０と、配線層３１と、有機発光層４０と、光散乱層５１と、を含む。
【０００９】
第１電極１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａと反対側の面である。第１電極１０は、光透過性である。第１電極１０は、例えば、透明電極である。
【００１０】
この例では、有機電界発光素子１１０は、光透過性の基板８０をさらに含む。基板８０は、第１電極１０と光散乱層５１との間に設けられている。
【００１１】
第１主面１０ａに対して平行な１つの方向をＸ軸方向とする。第１主面１０ａに対して平行でＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向とＹ軸方向とに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向は、第１電極１０の厚さ方向に相当する。
【００１２】
配線層３１は、第１主面１０ａに対して平行な平面に沿って延在する。すなわち、配線層３１は、Ｘ−Ｙ平面内に延在する。第１電極１０は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層３１と重ならない部分を有する。
【００１３】
例えば、配線部３０が設けられ、配線部３０は、導電性の配線層３１を含む。そして、配線層３１は、配線層非形成領域３２を除いて設けられる。Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層非形成領域３２は、第１電極１０の少なくとも一部と重なる。例えば、配線層３１は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに第１電極１０の一部と重なる。配線層３１は、第１電極１０に電気的に接続されている。例えば、配線層３１は、Ｘ−Ｙ平面内に延在する帯状、または、格子状である。
【００１４】
図２に表したように、この例では、配線層３１は、帯状である。ただし、後述するように、配線層３１のパターン形状は任意である。配線層３１は、第１電極１０の導電率よりも高い導電率を有する。配線層３１は、光反射性である。配線層３１は、例えば、金属電極である。配線層３１は、第１電極１０に流れる電流を伝達する補助電極として機能する。この例では、配線層３１は、第１電極１０の上に設けられている。配線層３１は、第１電極１０の下に設けられても良い。配線層３１は、第１電極１０の少なくとも一部を露出させている。
【００１５】
配線層３１の光反射率は、第１電極１０の光反射率よりも高い。本願明細書においては、第１電極１０の光反射率よりも高い光反射率を有している状態を光反射性という。配線層３１の上面及び側面に絶縁層（図示しない）を設けても良い。
【００１６】
第２電極２０は、第１電極１０の第１主面１０ａと対向する。第２電極２０は、光反射性である。すなわち、第２電極２０の光反射率は、第１電極１０の光反射率よりも高い。
【００１７】
一方、第１電極１０の光透過率は、配線層３１の光透過率及び第２電極２０の光透過率よりも高い。本願明細書において、配線層３１の光透過率及び第２電極２０の光透過率よりも高い光透過率を有している状態を光透過性という。すなわち、基板８０の光透過率は、配線層３１の光透過率及び第２電極２０の光透過率よりも高い。
【００１８】
第２電極２０は、導電部２１を有する。導電部２１は、光反射性である。導電部２１は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層３１と重ならない領域の少なくとも一部と重なる。すなわち、導電部２１は、導電部非形成領域２２を除いて設けられる。導電部非形成領域２２は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層３１と重ならない領域の少なくとも一部に設けられる。第２電極２０において、例えば、複数の導電部非形成領域２２が設けられる。導電部非形成領域２２以外の領域に、導電部２１が設けられる。  
図２に表したように、この例では、第２電極２０の導電部２１は、帯状である。ただし、後述するように、第２電極２０の導電部２１のパターン形状は任意である。
【００１９】
有機発光層４０は、第１電極１０の第１主面１０ａと、第２電極２０と、の間に設けられる。
【００２０】
光散乱層５１と第２電極２０との間に第１電極１０が配置される。光散乱層５１は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１及び導電部２１と重なる部分を有する。すなわち、光散乱層５１は、配線層３１及び第２電極２０による光反射性の部分に対向する。光散乱層５１は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層３１と重ならず導電部２１と重ならない領域の少なくとも一部を除いて設けられている。光散乱層５１は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに導電部非形成領域２２と重なる領域の少なくとも一部には設けられていない。光散乱層５１は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層非形成領域３２と重なる領域の少なくとも一部には設けられていない。
【００２１】
例えば、光散乱部５０が設けられる。光散乱部５０は、光散乱層５１を含む。光散乱層５１は、一部の領域を除いて設けられる光散乱層５１が設けられていない領域は、非散乱部５２となる。非散乱部５２の光散乱性は、光散乱層５１の光散乱性よりも低い。光散乱層５１は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１及び導電部２１と重なる部分を有する。非散乱部５２は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに導電部非形成領域２２の少なくとも一部と重なり、配線層非形成領域３２の少なくとも一部と重なる。
【００２２】
基板８０が設けられているこの例においては、光散乱層５１は、基板８０の主面上において、部分的に設けられている。光散乱層５１は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１及び導電部２１と実質的に同じ形状を有する。実施形態は、これに限らず、光散乱層５１の縁は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層１の縁及び導電部２１の縁よりも外側でも内側でも良い。非散乱部５２が、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに導電部非形成領域２２の少なくとも一部と重なり、配線層非形成領域３２の少なくとも一部と重なることで、有機電界発光素子１１０は、光透過性となる。
【００２３】
図１に表したように、第１電極１０と第２電極２０（導電部２１）とが対向する部分の有機発光層４０が発光領域４４となる。この発光領域４４で生成された発光光４５は、第１電極１０及び光散乱層５１を介して有機電界発光素子１１０の外部に出射する。発光光４５の一部は、第２電極２０で反射し、第１電極１０及び光散乱層５１を介して外部に出射する。これらの光の一部は、非散乱部５２を介して外部に出射する。光散乱層５１を設けることで、発光光４５の進路が変更され、例えば全反射によって素子の内部に戻る光を低減し、光取り出し効率を向上できる。
【００２４】
一方、有機電界発光素子１１０においては、外部から入射する外光４６は、第２電極２０の導電部非形成領域２２、配線層非形成領域３２及び第１電極１０を通過する。このように、有機電界発光素子１１０は、発光光４５を出射しつつ、外部から有機電界発光素子１１０に入射する外光４６を透過させることができる。
【００２５】
非散乱部５２（例えば光散乱層５１が設けられていない部分）が、導電部非形成領域２２及び配線層非形成領域３２と重なるため、導電部非形成領域２２、配線層非形成領域３２及び第１電極１０を通過する外光４６は、実質的に散乱されない。このため、外光４６による像が形成可能である。すなわち、有機電界発光素子１１０は光透過性を有する。
【００２６】
そして、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、光反射性の配線層３１及び導電部２１と重なる位置に光散乱層５１を設けることで、配線層３１及び導電部２１における鏡面反射光を散乱することができる。これにより、外部の像の反射像が視認されることが抑制できる。
【００２７】
このように、光散乱層５１は、有機発光層４０から放出される光の進行方向を変える。光散乱層５１は、配線層３１及び導電部２１で反射した光を散乱させることができる。光散乱層５１は、配線層３１及び導電部２１の少なくともいずれかに入射する外光４６を散乱させることができる。有機電界発光素子１１０の、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、導電部非形成領域２２と重なり、光散乱層５１と重ならない部分は、透明である。有機電界発光素子１１０の、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層非形成領域３２と重なり、光散乱層５１と重ならない部分は、透明である。
【００２８】
本実施形態に係る有機電界発光素子１１０は、上記のように、光透過性（透明）である。このため、有機電界発光素子１１０を介して、背景の像を視認できる。このとき、配線層３１及び導電部２１において外部の像が鏡面反射すると、例えば、観察者の自分の像が、配線層３１及び導電部２１で反射し、その反射像が観察者に視認されてしまう。すなわち、外部の像の反射像が発生する。このため、背景の像の視認性を著しく劣化させる原因となる。
【００２９】
実施形態に係る有機電界発光素子１１０においては、光を透過させると同時に、反射像の形成を抑制できるので、背景像の高い視認性を得ることができる。  
このように、実施形態によれば、光透過性で実用的な有機電界発光素子を提供できる。実施形態によれば、高い発光効率が得られる。この有機電界発光素子を照明装置に応用した場合、照明機能の他に、背景像を透過させる機能により、種々の新たな応用が可能になる。
【００３０】
なお、例えば、有機ＥＬ表示装置において、複数の画素（発光領域）が設けられ、複数の画素の間に光透過領域が設けられる構成が考えられる。この場合、例えば円偏光板を用いることで反射電極での反射を抑制することができる。しかしながら、円偏光板を用いることで、透過率が低くなり、透明性が低下する上に、発光効率も低下する。光透過性の有機ＥＬ表示装置において反射像の形成を低減するために光散乱層を設けると、複数の画素の実効的な解像度が劣化する問題が生じる。
【００３１】
一方、有機電界発光素子を用いた照明装置において、反射像の形成を抑制するために、円偏光板などの光学層を用いると、透過率や発光効率が低下し、実用的ではない。そして、表示装置のように複数の画素ごとに異なる発光を得ないので、光散乱層５１を用いても解像の低下の問題はない。実施形態に係る有機電界発光素子１１０においては、光散乱層５１を用いることで、反射像の形成を抑制して、実用的な照明機能と背景像の透過機能とを得ることができる。
【００３２】
また、有機ＥＬ表示装置においては、それぞれの画素のサイズは小さいため、画素内における透明電極の電位降下の問題は顕在化しない。
【００３３】
これに対して、実施形態に係る有機電界発光素子１１０を大面積の照明装置などに応用した場合は、第１電極１０の抵抗に起因した電位降下により、発光輝度が不均一になる。このとき、本実施形態では、第１電極１０に、低抵抗の配線層３１を付与して、この電位降下を抑制する。配線層３１を低抵抗とするために配線層３１に金属を用いると、配線層３１において鏡面反射が生じる。
【００３４】
実施形態においては、光散乱層５１が、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１及び導電部２１と重なる部分を有する。これにより、発光領域４４に対向する第２電極２０による反射像の形成の抑制に加えて、配線層３１による反射像の形成も抑制する。
【００３５】
図３は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の概要の構成を例示する模式的平面図である。  
既に説明した図１及び図２は、図３に例示した、有機電界発光素子１１０の一部分ＰＡの構成を例示している。  
図３に表したように、本実施形態に係る有機電界発光素子１１０は、第１電極１０と、第１電極１０に接続された配線層３１と、第１電極１０に対向する第２電極２０と、を有する。この例では、有機発光層４０は省略されている。有機電界発光素子１１０をＺ軸方向に沿ってみたときの外形は、例えば、四角形（例えば長方形）である。四角形の１辺は、例えば、２０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下程度である。例えば、第１電極１０のＸ−Ｙ平面に対して平行な方向に沿った幅は、２０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下である。例えば、第１電極１０のＸ−Ｙ平面に対して平行な方向に沿った幅は、５０ｍｍ以上である。
【００３６】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の概要の構成を例示する模式的平面図である。  
図４（ａ）は、第２電極２０のパターン形状の例を示している。図４（ｂ）は、配線層３１のパターン形状の例を示している。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示した、有機電界発光素子１１０の一部分ＰＡが、図１及び図２で例示されている部分に相当する。
【００３７】
図４（ａ）に表したように、この例では、第２電極２０（導電部２１）は帯状である。この例では、第２電極２０（導電部２１）はＹ軸方向に沿って延在している。実施形態において、第２電極２０（導電部２１）の延在する方向は任意である。
【００３８】
図４（ｂ）に表したように、この例では、配線層３１は帯状である。この例では、配線層３１はＹ軸方向に沿って延在している。実施形態において、配線層３１の延在する方向は任意である。
【００３９】
実施形態において、第２電極２０（導電部２１）が帯状で、配線層３１が帯状である場合、第２電極２０（導電部２１）の帯の延在方向と、配線層３１の帯の延在方向と、の関係は任意である。第２電極２０（導電部２１）の帯の延在方向は、配線層３１の帯の延在方向に対して、平行、または、非平行（傾斜または垂直）である。第２電極２０（導電部２１）のパターン、及び、配線層３１のパターンの例については後述する。
【００４０】
以下、有機電界発光素子１１０に含まれる各層の例について説明する。  
図５は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。  
図５に表したように、有機発光層４０は、発光部４３を含む。有機発光層４０は、必要に応じて、第１層４１及び第２層４２の少なくともいずれかをさらに含むことができる。発光部４３は、可視光の波長を含む光を放出する。第１層４１は、発光部４３と第１電極１０との間に設けられる。第２層４２は、発光部４３と第２電極２０との間に設けられる。
【００４１】
発光部４３には、例えば、Ａｌｑ３（トリス(８−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム）、Ｆ８ＢＴ（ポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-ｃｏ-ベンゾチアジアゾール）及びＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）などの材料を用いることができる。発光部４３には、ホスト材料と、ホスト材料に添加されるドーパントと、の混合材料を用いることができる。ホスト材料としては、例えばＣＢＰ（4,4'−N,N'-ビスジカルバゾリルール−ビフェニル）、ＢＣＰ（2,9−ジメチル-4,7 ジフェニル−1,10−フェナントロリン）、ＴＰＤ、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）及びＰＰＴ（ポリ（３−フェニルチオフェン））などを用いることができる。ドーパント材料としては、例えば、Ｆｌｒｐｉｃ（イリジウム(III)ビス(4,6-ジ-フルオロフェニル)-ピ. リジネート-N,C2'-ピコリネート）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（トリス (２−フェニルピリジン)イリジウム）及びＦｌｒ６（ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジナト）−テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート−イリジウム（ＩＩＩ））などを用いることができる。
【００４２】
第１層４１は、例えば、正孔注入層として機能する。第１層４１は、例えば正孔輸送層として機能する。第１層４１は、例えば、正孔注入層として機能する層と、正孔輸送層として機能する層と、の積層構造を有しても良い。第１層４１は、正孔注入層として機能する層及び正孔輸送層として機能する層とは別の層を含んでも良い。
【００４３】
第２層４２は、例えば電子注入層として機能する層を含むことができる。第２層４２は、例えば、電子輸送層として機能する層を含むことができる。第２層４２は、例えば、電子注入層として機能する層と、電子輸送層として機能する層と、の積層構造を有しても良い。第２層４２は、電子注入層として機能する層及び電子輸送層として機能する層とは別の層を含んでも良い。
【００４４】
例えば、有機発光層４０は、可視光の波長の成分を含む光を放出する。例えば、有機発光層４０から放出される光は、実質的に白色光である。すなわち、有機電界発光素子１１０から出射する光は白色光である。ここで、「白色光」は、実質的に白色であり、例えば、赤色系、黄色系、緑色系、青色系及び紫色系などの白色の光も含む。
【００４５】
第１電極１０は、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含む。第１電極１０には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を用いることができる。第１電極１０は、例えば、陽極として機能する。
【００４６】
第２電極２０は、例えば、アルミニウム及び銀の少なくともいずれかを含む。例えば、第２電極２０には、アルミニウム膜が用いられる。さらに、第２電極２０として、銀とマグネシウムとの合金を用いても良い。この合金にカルシウムを添加しても良い。第２電極２０は、例えば、陰極として機能する。
【００４７】
配線層３１は、例えば、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｎｉ及びＴｉよりなる群から選択された、少なくともいずれかの元素を含む。配線層３１は、例えば、この群から選択された元素を含む混合膜とすることができる。配線層３１は、それらの元素を含む積層膜とすることができる。配線層３１には、例えばＮｂ／Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ／Ｎｂの積層膜を用いることができる。配線層３１は、例えば、第１電極１０の電位降下を抑制する補助電極として機能する。配線層３１は、電流供給のためのリード電極として機能することができる。
【００４８】
基板８０には、例えば、ガラス基板、または、樹脂基板などを用いることができる。
【００４９】
図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、光散乱層５１の構成を例示している。  
図６（ａ）に表したように、光散乱層５１は、樹脂層５５と、樹脂層５５に分散された複数の粒子５６と、を含む。樹脂層５５には、例えば、ポリシロキサン系ポリマーなどが用いられる。ただし、樹脂層５５の材料は任意である。粒子５６には、例えば、シリカ粒子及びポリスチレン粒子の少なくともいずれかを用いることができる。ただし、粒子５６の材料は任意である。粒子５６の径は、例えば、２００ｎｍ以上１００μｍ以下である。樹脂層５５の厚さは、例えば、０．２μｍ以上１００μｍ以下である。
【００５０】
樹脂層５５の屈折率と、粒子５６の屈折率と、の差の絶対値は、例えば、０．１以上であり、より好ましくは０．２以上である。樹脂層５５の屈折率と、粒子５６の屈折率と、の差の絶対値が小さいと散乱特性が低くなる。屈折率の差の絶対値を０．１以上にすることで、十分な散乱性が得られる。粒子５６の形状は、球形（扁平球を含む）、多面立体形、針状など、任意である。
【００５１】
例えば、樹脂層５５の屈折率は、基板８０の屈折率と同等である。樹脂層５５の屈折率と基板８０の屈折率との差の絶対値は０．２未満である。樹脂層５５は、透明である。
【００５２】
図６（ｂ）に表したように、光散乱層５１において、複数の粒子５６は互いに接触するように配置されても良い。
【００５３】
図６（ｃ）に表したように、光散乱層５１において、粒子５６の表面の一部が露出しても良い。
【００５４】
図６（ｄ）に表したように、光散乱層５１として、表面に凹凸が形成された透明層５７を用いることができる。例えば、光散乱層５１としては、マイクロレンズ層、溝層、ピラミッド形状層など、任意の凹凸が設けられた透明層５７を用いることができる。この透明層５７として、ポリシロキサン系ポリマーなどを用いることができる。なお、この透明層５７は、フィラーなどの樹脂以外の成分を含んでも良い。
【００５５】
光散乱層５１は、例えば、基板８０の裏面（基板８０の第１電極１０とは反対側の面）に形成される。光散乱層５１は、例えば、粒子５６を含む樹脂層５５の溶液などの原材料液を用いた、塗布または印刷などの方法により形成することができる。例えば、スピンコート、グラビア印刷、メニスカス印刷、キャピラリー印刷及びスリットコーティングなどを用いることができる。
【００５６】
光散乱層５１は、後述するように、第２電極２０及び配線層３１を用いた自己整合的手法によって形成しても良い。
【００５７】
光散乱層５１として、マイクロレンズ形状またはピラミッド形状などの凹凸が部分的に設けられたシートを用いることもできる。凹凸が設けられた部分が光散乱層５１となり、凹凸が設けられていない部分が非散乱部５２となる。このようなシートを用いる場合は、アライメント機構により位置あわせし、例えば、基板８０とこのシートとを貼り合わせる。
【００５８】
光散乱層５１として、例えば、粒子５６を分散した樹脂層５５と、マイクロレンズ形状またはピラミッド形状などの凹凸が部分的に設けられたシートと、を積層した構成を用いても良い。
【００５９】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的平面図である。  
図７（ａ）は、本実施形態に係る有機電界発光素子１１１の第２電極２０のパターン形状の例を示している。図７（ｂ）は、有機電界発光素子１１１の配線層３１のパターン形状の例を示している。例えば、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示した、有機電界発光素子１１１の一部分ＰＡの断面（Ａ１−Ａ２線断面）は、図１と同様である。
【００６０】
図７（ａ）に表したように、有機電界発光素子１１１においては、第２電極２０（導電部２１）は格子状である。この例では、第２電極２０に設けられる導電部非形成領域２２の形状は四角形（長方形）であるが、導電部非形成領域２２の形状は、四角形に限定されず、任意である。
【００６１】
また、図７（ｂ）に表したように、配線層３１は格子状である。この例では、配線層３１に設けられる配線層非形成領域３２の形状は四角形（長方形）であるが、配線層非形成領域３２の形状は、四角形に限定されず、任意である。
【００６２】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を例示する模式的平面図である。  
図８（ａ）は、第２電極２０が帯状の場合の構成を示し、図８（ｂ）は、第２電極２０が格子状である場合の構成を示している。図８（ａ）に表したように、第２電極２０（導電部２１）は、例えばＹ軸方向に沿って延在している。このように、第２電極２０は、第１主面１０ａに対して平行な第１方向（この例ではＹ軸方向）に延在する複数の帯状部分（第１パターン部２０ｐ）を含むことができる。第２電極２０のＸ軸方向に沿った長さを幅ｗｘ２とする。複数の第２電極２０（導電部２１）のうちで互いに隣り合う２つの第２電極２０（導電部２１）のＸ軸方向に沿った中心どうしの距離をピッチｐｘ２とする。
【００６３】
図８（ｂ）に表したように、第２電極２０（導電部２１）はＸ軸方向に沿って延在する部分（帯状部分）をさらに有している。このように、第２電極２０は、第１主面１０ａに対して平行で第１方向に対して非平行な第２方向（この例ではＸ軸方向）に沿って延在する複数の帯状の第２パターン部２０ｑをさらに含むことができる。第２電極２０のうちでＸ軸方向に沿って延在する部分（帯状部分、第２パターン部２０ｑ）のＹ軸方向に沿った長さを幅ｗｙ２とする。複数の第２電極２０（導電部２１）の上記の部分（第２パターン部２０ｑ）のうちで互いにＹ軸方向において隣り合う２つの上記の部分のＹ軸に沿った中心どうしの距離をピッチｐｙ２とする。
【００６４】
例えば、幅ｗｘ２及び幅ｗｙ２の少なくともいずれかは、１μｍ以上２０００μｍ以下である。具体的には、幅ｗｘ２及び幅ｗｙ２の少なくともいずれかは、１０μｍ以上である。幅ｗｘ２及び幅ｗｘ２を１０μｍ以上にすることで、加工性が良好になる。一方、幅ｗｘ２及び幅ｗｙ２は５００μｍ以下である。幅ｗｘ２及び幅ｗｙ２を５００μｍ以下にすることで、第２電極２０が目立ち難くなる。幅ｗｘ２及び幅ｗｙ２の少なくともいずれかは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００６５】
ピッチｐｘ２及びピッチｐｙ２の少なくともいずれかは、５０μｍ以上５０００μｍ以下である。
【００６６】
例えば、ピッチｐｘ２及びピッチｐｙ２を４００μｍ以上５００μｍ以下とし、幅ｗｘ２及び幅ｗｙ２を４０μｍ以上６０μｍ以下とする。この場合は、第２電極２０は、例えば、フォトリソグラフィとエッチングにより形成できる。
【００６７】
例えば、ピッチｐｘ２及びピッチｐｙ２を８００μｍ以上１０００μｍ以下とし、幅ｗｘ２及び幅ｗｙ２を８０μｍ以上１２０μｍ以下とする。この場合は、第２電極２０は、例えば、メタルマスクを用いた成膜（例えば蒸着など）によって形成できる。
【００６８】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の構成を例示する模式的平面図である。  
図９（ａ）は、配線層３１が帯状の場合の構成を示し、図９（ｂ）は、配線層３１が格子状である場合の構成を示している。図９（ａ）に表したように、配線層３１は、例えばＹ軸方向に沿って延在する。すなわち、配線層３１は、例えばＹ軸方向に沿って延在する帯状部分を有する。配線層３１のＸ軸方向に沿った長さを幅ｗｘ３とする。複数の配線層３１のうちで互いに隣り合う２つの配線層３１のＸ軸に沿った中心どうしの距離をピッチｐｘ３とする。
【００６９】
図９（ｂ）に表したように、配線層３１はＸ軸方向に沿って延在している部分をさらに有している。配線層３１のうちでＸ軸方向に沿って延在する部分（帯状部分）のＹ軸方向に沿った長さを幅ｗｙ３とする。複数の配線層３１の上記の部分のうちで互いにＹ軸方向において隣り合う２つの上記の部分のＹ軸に沿った中心どうしの距離をピッチｐｙ３とする。
【００７０】
例えば、幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３の少なくともいずれかは、１μｍ以上２０００μｍ以下である。具体的には、幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３の少なくともいずれかは、１０μｍ以上である。幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３を１０μｍ以上にすることで、加工性が良好になる。また、抵抗が下がり発光強度の面内均一性が高まる。一方、幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３は５００μｍ以下である。幅ｗｘ２及び幅ｗｙ２を５００μｍ以下にすることで、配線層３１が目立ち難くなる。幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３の少なくともいずれかは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００７１】
ピッチｐｘ３及びピッチｐｙ３の少なくともいずれかは、５０μｍ以上５０００μｍ以下である。
【００７２】
例えば、ピッチｐｘ３及びピッチｐｙ３を４００μｍ以上５００μｍ以下とし、幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３を４０μｍ以上６０μｍ以下とする。この場合は、配線層３１は、例えば、フォトリソグラフィとエッチングにより形成できる。
【００７３】
例えば、ピッチｐｘ３及びピッチｐｙ３を８００μｍ以上１０００μｍ以下とし、幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３を８０μｍ以上１２０μｍ以下とする。この場合は、配線層３１は、例えば、メタルマスクを用いた成膜（例えば蒸着など）によって形成できる。
【００７４】
本実施形態において、第２電極２０及び配線層３１のパターンの線幅が広いと（導電部２１の幅が広く、配線層３１の幅が広い）と、第２電極２０及び配線層３１が観察され易く、目立つ。第２電極２０及び配線層３１が目立つと、背景の像の認識を困難にする。
【００７５】
本願発明者は、第２電極２０及び配線層３１を目立ち難くする条件について検討した。この検討に用いた試料においては、ガラス基板の上に、複数の帯状のＡｇ膜が設けられている。このＡｇ膜が、第２電極２０及び配線層３１に相当する。Ａｇ膜の帯状パターンのピッチ（ピッチｐｙ２及びピッチｐｙ３に相当する）は２００μｍで一定である。Ａｇ膜の帯状パターンの幅（幅ｗｙ２及び幅ｗｙ３に相当する）を２０μｍ〜１００μｍで変えた試料を用いた。なお、Ａｇ膜の帯状パターンの幅が１００μｍとき、開口率は５０％となる。この試料の後ろに白い紙を配置し、試料と観察者との間の距離Ｄを０．３ｍとして、Ａｇ膜の帯状パターンが視認できる幅を求めた。観察者の視力は１．２であり、評価環境は、蛍光灯下の室内である。
【００７６】
その結果、Ａｇ膜の帯状パターンが５０μｍ以上のときには、Ａｇ膜の複数の帯状パターンのそれぞれが分離して観察され、４０μｍ（開口率７１％）以下のときには帯状パターンが観察されなかった。すなわち、４０μｍ以下においては、試料の全体が、透過率が低下した灰色の領域として観察された。また、幅が２０μｍ（開口率が８３％）のときは、帯状のパターンが設けられている領域の明るさと、それ以外の領域の明るさと、の差異が小さくなり、違和感が小さかった。
【００７７】
このように、実施形態において、第２電極２０の開口率（例えば、複数の導電部非形成領域２２のＸ−Ｙ平面に射影した面積の合計の、その面積の合計と、導電部２１のＸ−Ｙ平面に射影した面積と、の和に対する比）は、例えば、７１％以上である。また、第２電極２０の開口率は、例えば、８３％以上である。第２電極２０の開口率が高くなることで、有機電界発光素子の透過率が向上する。ただし、開口率が大きくなると、発光領域４４の面積が小さくなる。
【００７８】
同様に、実施形態において、配線層３１の開口率は、例えば、７１％以上である。配線層３１の開口率は、例えば、８３％以上である。
【００７９】
表示装置において、観察者からみた１つの画素の幅の視角が約０．０２８度以下のときに、画素が見えなくなる（区別できなくなる）と言われている。このことは、試料と観察者との間の距離Ｄが３０ｃｍのときに４０μｍ以下において帯状パターンが見えなくなるという上記の結果と、実質的に整合する。
【００８０】
図１０は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の特性を例示するグラフ図である。  図１０は、有機電界発光素子と観察者との間の距離Ｄと、パターンが観察されないパターン幅ｗａと、の関係を例示している。横軸は距離Ｄであり、縦軸はパターン幅ｗａである。パターン幅ｗａは、パターンが観察されないときの、最大の幅ｗｘ２、幅ｗｙ２、幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３などに相当する。
【００８１】
図１０に表したように、パターンが観察されないパターン幅ｗａは、距離Ｄに対して比例する。距離Ｄが０．３ｍのときに、パターン幅ｗａは４０μｍである。距離Ｄが６ｍのときに、パターン幅ｗａは８００μｍとなる。
【００８２】
本実施形態に係る有機電界発光素子が照明などに用いられる際に、その照明装置と使用者（観察者）との距離Ｄは、種々に変えることができる。実施形態において、用途に応じた距離Ｄに基づいて、幅ｗｘ２、幅ｗｙ２、幅ｗｘ３及び幅ｗｙ３は定められる。
【００８３】
以下、本実施形態に係る有機電界発光素子の使用例について説明する。以下では、有機電界発光素子１１０が用いられる場合として説明するが、有機電界発光素子１１１を用いても良い。
【００８４】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の使用状態を例示する模式図である。  
図１１（ａ）は、有機発光層４０から発光光４５が放出されている状態（点灯時）に対応し、図１１（ｂ）は、発光光４５が放出されていない状態（非点灯時）に対応する。これらの図に表したように、この例では、第２電極２０は観察者７１に対向し、光散乱層５１が物体７２に対向している。
【００８５】
図１１（ａ）に表したように点灯時には、発光光４５により物体７２が照明される。そして、外光４６の一部は第２電極２０で反射し、観察者７１に到達する。外光４６の別の一部は、有機電界発光素子１１０を透過し、物体７２に至り、その光は物体７２で反射し、有機電界発光素子１１０を介して観察者７１に到る。例えば、有機電界発光素子１１０の反射率をＲｏとし、透過率をＴｏとし、物体７２の反射率をＲｂとする。発光光４５の強度をＩｏとし、外光４６の強度をＩｓとする。このとき、観察者７１に到達する光の強度Ｉは、（Ｉｏ＋Ｉｓ）ＲｂＴｏ＋ＩｓＲｏとなる。
【００８６】
図１１（ｂ）に表したように非点灯時には、観察者７１に到達する光の強度Ｉは、ＩｓＲｂＴｏ＋ＩｓＲｏとなる。
【００８７】
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子の別の使用状態を例示する模式図である。  
図１２（ａ）は点灯時に対応し、図１２（ｂ）は非点灯時に対応する。これらの図に表したように、この例では、光散乱層５１が観察者７１に対向し、第２電極２０が物体７２に対向している。
【００８８】
図１２（ａ）に表したように点灯時には、発光光４５は観察者７１に向けて出射する。そして、外光４６の一部は第２電極２０で反射し、観察者７１に到達する。外光４６の別の一部は、有機電界発光素子１１０を透過し、物体７２に至り、その光は物体７２で反射し、有機電界発光素子１１０を介して観察者７１に到る。例えば、有機電界発光素子１１０の反射率をＲｏ’とし、透過率をＴｏとする。観察者７１に到達する光の強度Ｉは、ＩｓＲｂＴｏ＋Ｉｏ＋ＩｓＲｏ’となる。  
図１２（ｂ）に表したように非点灯時には、観察者７１に到達する光の強度Ｉは、ＩｓＲｂＴｏ＋ＩｓＲｏ’となる。
【００８９】
この使用状態において、非点灯時には、観察者７１は、有機電界発光素子１１０を介して物体７２を観察可能である。一方、点灯時には、有機電界発光素子１１０からの発光光４５により、観察者７１から物体７２が見え難くなる。
【００９０】
図１３は、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。  
図１３は、例えば、図２、図４（ａ）及び図４（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。  
図１３に表したように、本実施形態に係る別の有機電界発光素子１１２においては、基板８０の上に第２電極２０が設けられ、第２電極２０の上に有機発光層４０が設けられる。有機発光層４０の上に第１電極１０が設けられ、第１電極１０の上に配線層３１が設けられる。配線層３１の上、及び、第１電極１０の上面に、光散乱層５１が設けられる。有機電界発光素子１１２においても光透過性の有機電界発光素子を提供できる。なお、有機発光層４０の上に配線層３１を設け、配線層３１の上に第１電極１０を設けても良い。
【００９１】
図１４は、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。  
図１４に表したように、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子１１２ａにおいては、基板８０の第１電極１０とは反対側の面の一部に凹凸が設けられている。この凹凸が光散乱層５１となり、凹凸が設けられていない部分が非散乱部５２となる。このように、光散乱層５１として、基板８０の少なくとも一部を用いても良い。
【００９２】
図１５（ａ）〜図１５（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、例えば、図２、図４（ａ）及び図４（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。  
図１５（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の有機電界発光素子１１３においては、基板８０と第１電極１０との間に光散乱層５１が設けられる。基板８０と第１電極１０との間の光散乱層５１が設けられていない部分には、発光光４５を透過させる透過層６０が設けられる。透過層６０には、例えば、透明な樹脂などが用いられる。透過層６０必要に応じて設けられ、省略しても良い。例えば、基板８０の上に、光散乱層５１と透過層６０とが設けられる。その上に第１電極１０が設けられ、第１電極１０の上に配線層３１が設けられ、第１電極１０の上に有機発光層４０が設けられる。有機発光層４０の上に第２電極２０が設けられる。
【００９３】
有機電界発光素子１１３においては、反射による像の形成を発生させる反射性電極（第２電極２０）と、光散乱層５１と、の間の距離が近くなる。このため、視認する角度が変わっても、反射による像が生じ難い。
【００９４】
図１５（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の有機電界発光素子１１３ａにおいては、基板８０と第１電極１０との間に光散乱層５１が設けられる。そして、光散乱層５１を埋め込むように、透過層６０が設けられる。すなわち、透過層６０は、光散乱層５１どうしの間、及び、光散乱層５１と第１電極１０との間に設けられている。
【００９５】
図１５（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の有機電界発光素子１１３ｂにおいては、基板８０の第１電極１０に対向する面上に光散乱層５１が設けられている。すなわち、基板８０の表面に凹凸が形成され、その凹凸が、光散乱層５１となる。すなわち、光散乱層５１として、基板８０の少なくとも一部が用いられる。そして、基板８０と第１電極１０との間に、透過層６０が設けられている。透過層６０は、凹凸を平坦化させる。これにより、例えば、第１電極１０が安定して形成できる。
【００９６】
このように、本実施形態において、各層、電極及び基板の積層順は、種々の変形が可能である。
【００９７】
図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の有機電界発光素子の構成を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、例えば、図２、図４（ａ）及び図４（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面に相当する断面図である。  
図１６（ａ）に表したように、本実施形態に係る別の有機電界発光素子１１４においては、図１（ａ）〜図１（ｃ）に関して説明した有機電界発光素子１１０の構成において、基板８０と第１電極１０との間（すなわち、光散乱層５１と第１電極１０との間）に、中間層６３が設けられている。
【００９８】
中間層６３は、高屈折率部６１と、凹凸構造部６２と、を含む。高屈折率部６１は、第１電極１０に接する。高屈折率部６１の屈折率は、第１電極１０の屈折率と同じ程度である。高屈折率部６１の屈折率と、第１電極１０の屈折率と、の差の絶対値は、例えば、０．２以下である。高屈折率部６１の屈折率は、１．８以上２．０以下である。高屈折率部６１の屈折率は、有機発光層４０の屈折率と同じ程度である。高屈折率部６１は、凹凸構造部６２の表面を平坦化させる機能を有することができる。
【００９９】
凹凸構造部６２は、基板８０に接している。凹凸構造部６２は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１及び導電部２１と重なる部分を有する。凹凸構造部６２は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層３１と重ならず導電部２１と重ならない領域の少なくとも一部を除いて設けられている。凹凸構造部６２のパターン形状は、例えば、光散乱層５１のパターン形状と実質的に同じである。
【０１００】
凹凸構造部６２には、例えば、粒子が分散された樹脂層、並びに、マイクロレンズ形状またはピラミッド形状などの凹凸が部分的に設けられた層、の少なくともいずれかを用いることができる。
【０１０１】
有機電界発光素子１１４においては、有機発光層４０の内部及び第１電極１０の内部の少なくともいずれかを伝播する光を外部に取り出すことができる。これにより、より高い発光効率が得られる。
【０１０２】
図１６（ｂ）に表したように、本実施形態に係る別の有機電界発光素子１１４ａにおいては、基板８０と第１電極１０との間に中間層６３が設けられ、基板８０の中間層６３に対応する表面の一部に凹凸６４が設けられている。この凹凸６４が、凹凸構造部６２相当する。この場合も、有機発光層４０の内部及び第１電極１０の内部の少なくともいずれかを伝播する光を外部に取り出すことができる。
【０１０３】
図１６（ｃ）に表したように、本実施形態に係る別の有機電界発光素子１１４ｂにおいては、凹凸６４が設けられ、さらに、基板８０の第１電極１０とは反対側の面の一部に凹凸が設けられ、この凹凸が光散乱層５１となり、凹凸が設けられていない部分が非散乱部５２となる。
【０１０４】
（第２の実施形態）  
図１７は、第２の実施形態に係る照明装置の構成を例示する模式図である。  
図１７に表したように、本実施形態に係る照明装置２１０は、第１の実施形態に係る有機電界発光素子（例えば有機電界発光素子１１０）と、電源部２０１と、を備える。
【０１０５】
電源部２０１は、配線層３１と第２電極２０とに電気的に接続される。電源部２０１は、配線層３１、第１電極１０及び第２電極２０を介して有機発光層４０に流れる電流を供給する。  
本実施形態に係る照明装置２１０によれば、光透過性の照明装置を提供できる。
【０１０６】
（第３の実施形態）  
本実施形態は、有機電界発光素子の製造方法に係る。本実施形態は、照明装置の製造方法の一部に対応する。  
図１８（ａ）〜図１８（ｅ）は、第３の実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図１８（ａ）に表したように、例えば、基板８０の上に、第１電極１０を形成する。第１電極１０の上に配線層３１を形成する。配線層３１のパターンの形成には、例えば、フォトリソグラフィとエッチングが用いられる。また、マスクを用いた成膜（蒸着など）を用いても良い。
【０１０７】
図１８（ｂ）に表したように、第１電極１０及び配線層３１の上に、有機発光層４０を形成する。有機発光層４０の上に、第２電極２０を形成する。これにより、加工体１１０ｗが形成される。第２電極２０のパターンの形成には、例えば、フォトリソグラフィとエッチングが用いられる。また、マスクを用いた成膜（蒸着など）を用いても良い。
【０１０８】
図１８（ｃ）に表したように、基板８０の裏面（下面であり、基板８０の第１電極１０とは反対側の面）に、光散乱層５１となる光散乱膜５０ｆを形成する。光散乱膜５０ｆは、例えば感光性を有する。光散乱膜５０ｆは、感光性を有する樹脂膜５９である。ここでは、光散乱膜５０ｆがポジ形であるとする。
【０１０９】
図１８（ｄ）に表したように、加工体の上面から、露光光７５を照射する。この露光光７５は、第２電極２０（導電部２１）及び配線層３１により遮光される。露光光７５のうちで導電部非形成領域２２及び配線層非形成領域３２を通過する光が光散乱膜５０ｆに照射される。
【０１１０】
この後、図１８（ｅ）に表したように、光散乱膜５０ｆのうちで光が照射された部分を除去することで、光散乱層５１が形成できる。
【０１１１】
この例では、光散乱層５１は、第２電極２０及び配線層３１と自己整合的に形成されている。光散乱層５１の形状は、第２電極２０及び配線層３１の形状と実質的に重なり、加工精度が高い。また、この方法によれば、光散乱層５１を簡単に作製することができる。
【０１１２】
図１９（ａ）〜図１９（ｄ）は、第３の実施形態に係る有機電界発光素子の別の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図１９（ａ）に表したように、例えば、基板８０の上に、第１電極１０、配線層３１、有機発光層４０、及び、第２電極２０を含む加工体１１０ｗを形成した後、基板８０の裏面（下面であり、基板８０の第１電極１０とは反対側の面）に、感光性のレジスト膜５８を形成する。レジスト膜５８は、感光性の樹脂膜５９であり、ネガ形のレジストである。そして、加工体の上面から、露光光７５を照射する。この露光光７５は、第２電極２０（導電部２１）及び配線層３１により遮光され、露光光７５のうちで導電部非形成領域２２及び配線層非形成領域３２を通過する光がレジスト膜５８に照射される。
【０１１３】
図１９（ｂ）に表したように、例えば、レジスト膜５８のうちで光が照射されていない部分を除去する。
【０１１４】
図１９（ｃ）に表したように、基板８０の裏面（下面）において、レジスト膜５８を覆うように、光散乱膜５０ｆを形成する。
【０１１５】
図１９（ｄ）に表したように、レジスト膜５８を除去することで、レジスト膜５８上の光散乱膜５０ｆを除去する。この方法では、リフトオフ法により、光散乱膜５０ｆが加工されることにより、光散乱層５１が形成される。
【０１１６】
この例では、光散乱層５１は、第２電極２０及び配線層３１と自己整合的に形成されている。光散乱層５１の形状は、第２電極２０及び配線層３１の形状と実質的に重なり、加工精度が高い。また、この方法によれば、光散乱層５１を簡単に作製することができる。
【０１１７】
図２０は、第３の実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法を例示するフローチャート図である。  
図２０に表したように、本製造方法においては、加工体１１０ｗを準備する（ステップＳ１１０）。加工体１１０ｗは、第１電極１０と、配線層３１と、第２電極２０と、有機発光層４０と、を含む。第１電極１０は、第１主面１０ａを有し、光透過性である。配線層３１は、第１主面１０ａに対して平行な平面に沿って延在し、第１電極１０に電気的に接続される。配線層３１は、第１電極１０の導電率よりも高い導電率を有し、光反射性である。第１電極１０は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、配線層３１と重ならない部分を有する。第２電極２０は、第１主面１０ａと対向する。第２電極２０は、導電部２１を有する。導電部２１は、光反射性である。導電部２１は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１と重ならない領域の一部に設けられる。導電部２１は、導電部非形成領域２２を除いて設けられる。導電部非形成領域２２は、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１と重ならない領域の少なくとも一部に設けられる。有機発光層４０は、第１主面１０ａと第２電極２０との間に設けられる。
【０１１８】
例えば、光透過性の基板８０の上に、第１電極１０及び配線層３１を形成し、第１電極１０の上に有機発光層４０を形成し、有機発光層４０の上に、第２電極２０を形成する。例えば、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に関して説明した処理を行う。
【０１１９】
この後、図２０に表したように、本製造方法では、加工体１１０ｗのＸ−Ｙ平面に対して平行な面上に、配線層３１及び第２電極２０をマスクとした露光を用いた加工により、光散乱層５１を形成する（ステップＳ１２０）。光散乱層５１は、光散乱層５１と第２電極２０との間に第１電極１０が配置される位置に形成される。このステップでは、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１及び導電部２１と重なる領域であって、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに配線層３１と重ならず導電部２１と重ならない領域の少なくとも一部を除く領域（加工体１１０ｗのＸ−Ｙ平面に対して平行な面上の領域）に光散乱層５１を形成する。
【０１２０】
光散乱層５１の形成においては、例えば、加工体１１０ｗのＸ−Ｙ平面に対して平行な面上に、感光性を有する樹脂膜５９を形成する。樹脂膜５９は、樹脂膜５９と第２電極２０との間に第１電極１０が配置される位置に形成される。樹脂膜５９は、例えば光散乱膜５０ｆである。そして、配線層３１及び第２電極２０をマスクとして用いて樹脂膜５９に感光性が発現する光（露光光７５）を照射して、樹脂膜５９を配線層３１及び第２電極２０のパターン形状を反映したパターンに加工することを含む。
【０１２１】
例えば、基板８０の下面に、光散乱層５１を形成する。この光散乱層５１の形成は、例えば、基板８０の下面に、光に対して反応性を有する樹脂膜５９（光散乱膜５０ｆ）を形成する。そして、配線層３１及び第２電極２０をマスクとして用い、基板８０の上面の側から光（露光光７５）をこの樹脂膜５９（光散乱膜５０ｆ）に照射する。これにより、樹脂膜５９（光散乱膜５０ｆ）を、配線層３１及び第２電極２０のパターン形状を反映したパターンに加工する。例えば、図１８（ｃ）及び図１８（ｄ）に関して説明した処理を行う。
【０１２２】
例えば、樹脂膜５９は、レジスト膜５８でも良い。配線層３１及び第２電極２０をマスクとして用いてレジスト膜５８に露光光７５を照射して、レジスト膜５８を配線層３１及び第２電極２０のパターン形状を反映したパターンに加工する。そして、所定のパターンに加工されたレジスト膜５８を用いて、光散乱膜５０ｆを加工して光散乱層５１を得る。例えば、図１９（ａ）〜図１９（ｄ）に関して説明した処理を行う。
【０１２３】
第１〜第３の実施形態においては、反射性の、第２電極２０及び配線層３１を細線化することで、Ｘ−Ｙ平面に射影したときに、第２電極２０及び配線層３１の両方に重ならない領域を設ける。これにより、有機電界発光素子に透明性を付与する。そして、第２電極２０及び配線層３１の両方に重なる領域に光散乱層５１を設けることで、映り込みを防止する。そして、発光光４５の光取り出し効率を向上させる。これにより透過率を下げずに、発光効率を向上させることが可能となる。
【０１２４】
第２電極２０及び配線層３１を細線状または格子状にし、かつ、視認できない程度の線幅に形成することで、第２電極２０及び配線層３１は目立たなくなる（視認できなくなる）。１ｍ離れた位置から見た場合、視認できない程度の線幅は、例えば、１００μｍ程度以下（例えば１２０μｍ以下）である。例えば、第２電極２０及び配線層３１の線幅を１２０μｍ以下にすることで、第２電極２０及び配線層３１が線として視認できなくなる。
【０１２５】
実施形態に係る有機電界発光素子及び照明装置においては、透明性が得られ、背景像を視認でき、雰囲気にとけこみ、かつ発光効率の高い発光素子及び照明素子が実現できる。
【０１２６】
実施形態によれば、光透過性の有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法が提供される。
【０１２７】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、有機電界発光素子に含まれる、第１電極、第２電極、配線層、有機発光層、光散乱層及び基板、並びに、照明装置に含まれる電源部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１２８】
その他、本発明の実施の形態として上述した有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法の成長方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１２９】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１３０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１３１】
１０…第１電極、  １０ａ…第１主面、  １０ｂ…第２主面、  ２０…第２電極、  ２０ｐ…第１パターン部、  ２０ｑ…第２パターン部、  ２１…導電部、  ２２…導電部非形成領域、  ３０…配線部、  ３１…配線層、  ３２…配線層非形成領域、  ４０…有機発光層、  ４１…第１層、  ４２…第２層、  ４３…発光部、  ４４…発光領域、  ４５…発光光、  ４６…外光、  ５０…光散乱部、  ５０ｆ…光散乱膜、  ５１…光散乱層、  ５２…非散乱部、  ５５…樹脂層、  ５６…粒子、  ５７…透明層、  ５８…レジスト膜、  ５９…樹脂膜、  ６０…透過層、６１…高屈折率部、６２…凹凸構造部、６３…中間層、  ６４…凹凸、  ７１…観察者、  ７２…物体、  ７５…露光光、  ８０…基板、  １１０、１１１、１１２、１１２ａ、１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１４、１１４ａ、１１４ｂ…有機電界発光素子、  １１０ｗ…加工体、  ２０１…電源部、  ２１０…照明装置、  Ｄ…距離、  ＰＡ…一部分、  ｐｘ２、ｐｘ３、ｐｙ２、ｐｙ３…ピッチ、  ｗａ…パターン幅、  ｗｘ２、ｗｘ３、ｗｙ２、ｗｙ３…幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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