(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内にターゲット物質を供給するステップ（ａ）と、
前記ターゲット物質にレーザビームを照射することにより、プラズマを生成して極端紫外光を生成するステップであって、前記レーザビームは、前記ターゲット物質の照射位置において、ビーム軸の中心から光強度の半値半幅の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の範囲内に存在し、且つ、前記ターゲット物質の照射位置において、前記低強度領域における光強度よりも高い光強度を有する高強度領域が前記低強度領域よりさらに前記ビーム軸側に存在する空間的な光強度分布を有する、ステップ（ｂ）と、
を備える、極端紫外光生成方法。
【請求項２】
前記ターゲット物質の照射位置における前記レーザビームの空間的な光強度分布は、前記低強度領域と、前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の位置との間に、光強度の急勾配な立ち上がりを有する、請求項１に記載の極端紫外光生成方法。
【請求項３】
チャンバと、
前記チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット物質に照射されることによりプラズマを生成するレーザビームを、前記チャンバ内に導入する少なくとも１つの光学素子と、
前記レーザビームの光路に設置され、前記ターゲット物質の照射位置における前記レーザビームの空間的な光強度分布を、ビーム軸の中心から光強度の半値半幅の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の範囲内に存在する光強度分布となるように調節する光強度分布調節光学系と、
を備え、
前記光強度分布調節光学系は、
前記レーザビームを、ビーム軸に対して軸対称に、一定角度で屈折又は反射させる第３の光学系と、
前記第３の光学系から出射したビームを集光する第４の光学系と、
を含み、
前記第３の光学系と前記第４の光学系は１つの透過型の光学素子からなり、当該光学素子の一方の面に前記第３の光学系が形成され、他方の面に前記第４の光学系が形成された、
極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記第３の光学系は、同心円状の回折格子を含む、請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
前記ターゲット供給部は、少なくとも表面がチャンバ内に配置された透明な基板の前記表面に付着させたターゲット物質に、前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射することにより、前記ターゲット物質を供給する、請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置、及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を発生させる極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ生成プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
【０００４】
関連する技術として、特許文献１には、高エネルギーのレーザメインパルスの直前に低エネルギーのレーザ先行パルスを用いるＥＵＶ放射源が開示されている。
しかしながら、特許文献１において、レーザパルスのエネルギーからＥＵＶ光のエネルギーへの十分な変換効率（conversion efficiency、ＣＥ）を得ることは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６９７３１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、上記の点に鑑み、本発明の１つの観点においては、極端紫外光の生成において変換効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの観点に係る極端紫外光生成方法は、チャンバ内にターゲット物質を供給するステップ（ａ）と、前記ターゲット物質にレーザビームを照射することにより、プラズマを生成して極端紫外光を生成するステップであって、前記レーザビームは、前記ターゲット物質の照射位置において、ビーム軸の中心から光強度の半値半幅の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の範囲内に存在し、且つ、前記ターゲット物質の照射位置において、前記低強度領域における光強度よりも高い光強度を有する高強度領域が前記低強度領域よりさらに前記ビーム軸側に存在する空間的な光強度分布を有する、ステップ（ｂ）と、を備える。
【０００８】
また、本発明の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、チャンバと、前記チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記ターゲット物質に照射されることによりプラズマを生成するレーザビームを、前記チャンバ内に導入する少なくとも１つの光学素子と、前記レーザビームの光路に設置され、前記ターゲット物質の照射位置における前記レーザビームの空間的な光強度分布を、ビーム軸の中心から光強度の半値半幅の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の範囲内に存在する光強度分布となるように調節する光強度分布調節光学系と、を備え、前記光強度分布調節光学系は、前記レーザビームを、ビーム軸に対して軸対称に、一定角度で屈折又は反射させる第３の光学系と、前記第３の光学系から出射したビームを集光する第４の光学系と、を含み、前記第３の光学系と前記第４の光学系は１つの透過型の光学素子からなり、当該光学素子の一方の面に前記第３の光学系が形成され、他方の面に前記第４の光学系が形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の１つの観点によれば、ターゲット物質の照射位置において、ビーム軸の中心から光強度の半値半幅の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記半値半幅の範囲内に存在し、且つ、前記ターゲット物質の照射位置において、前記低強度領域における光強度よりも高い光強度を有する高強度領域が前記低強度領域よりさらに前記ビーム軸側に存在する空間的な光強度分布を有するレーザビームを、ターゲット物質に照射する。これにより、極端紫外光の生成において変換効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本開示の一態様による例示的なＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、比較例におけるレーザビームの光強度分布と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本開示におけるレーザビームの光強度分布の第１の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本開示におけるレーザビームの光強度分布の第２の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本開示におけるレーザビームの光強度分布の第３の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、本開示におけるレーザビームの光強度分布の第４の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、本開示におけるレーザビームの光強度分布の第５の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２Ｅに示す光強度分布を有するレーザビームをターゲット物質に照射した場合の、ターゲット物質の照射面付近における電子密度分布及び電子温度分布のシミュレーション結果を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図２Ｅに示す光強度分布を図３Ａにおける表示寸法の拡大率に合わせて表示した図である。
【図４】図４は、光強度分布調節光学系に関する第１の実施形態を示す概念図である。
【図５】図５は、光強度分布調節光学系に関する第２の実施形態を示す概念図である。
【図６】図６は、光強度分布調節光学系に関する第３の実施形態を示す概念図である。
【図７】図７は、光強度分布調節光学系に関する第４の実施形態を示す概念図である。
【図８Ａ】図８Ａは、光強度分布調節光学系に関する第５の実施形態を示す概念図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、回折格子が形成された面を示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、回折格子の断面を拡大した図である。
【図９Ａ】図９Ａは、光強度分布調節光学系に関する第６の実施形態を示す概念図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、回折格子が形成された面を示す図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、回折格子の断面を拡大した図である。
【図１０】図１０は、光強度分布調節光学系に関する第７の実施形態を示す概念図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、光強度分布調節光学系に関する第８の実施形態を示す概念図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１１Ａに示す光強度分布調節光学系によって形成される光強度分布の一例を、レーザビームの照射方向から見た図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、図１１ＢのＸ軸に沿った光強度分布を示す図である。
【図１２】図１２は、第９の実施形態におけるターゲット供給部を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
内容
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．光強度分布の例
５．光強度分布調節光学系の実施形態
５．１  円環状ビームを生成して集光光学系により集光する方式
５．１．１  アキシコンレンズによる円環状ビームの生成
５．１．２  アキシコンミラーによる円環状ビームの生成
５．２  ビームを軸対称に曲げて集光光学系により焦点を形成する方式
５．２．１  アキシコンレンズと集光光学系による円環状分布の形成
５．２．２  アキシコンレンズと集光光学系によるコアアンドホロー型分布の形成
５．２．３  同心円状の回折格子と集光光学系による円環状分布の形成
５．２．４  同心円状の回折格子と集光光学系によるコアアンドホロー型分布の形成
５．２．５  同心円状の回折格子と集光光学系との一体化
５．３  回折光学素子と集光光学系による任意の光強度分布の形成
６．ターゲット供給部の実施形態
【００１２】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１３】
１．概要
本開示の各実施形態においては、チャンバ内にターゲット物質に照射するレーザビームの光強度分布を高い変換効率（ＣＥ）となるように最適化する。
【００１４】
２．用語の説明
本願において使用する用語を説明する。
「チャンバ」は、ＥＵＶ光の生成が行われる空間を大気から隔絶するためのチャンバである。
「ターゲット供給部」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられるスズ等のターゲット物質をチャンバ内に供給する装置である。
「レーザビーム」は、ターゲット物質を励起してプラズマ化するレーザビームである。
「ＥＵＶ光集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を集光してチャンバ外に出力するミラーである。
【００１５】
３．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
３．１  構成
図１に本開示の一態様による例示的なＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す。ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いることができる（ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システムと称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含むことができる。チャンバ２内は好ましくは真空である。あるいは、チャンバ２の内部にＥＵＶ光の透過率が高いガスが存在していてもよい。また、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給部２６を更に含むことができる。ターゲット供給部２６は、例えばチャンバ２の壁に取り付けられていてもよい。ターゲット供給部２６は、ターゲットの材料となるスズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらの内のいずれか２つ以上の組合せを、チャンバ２内に供給することができる。しかしながら、ターゲットの材料はこれらに限定されない。
【００１６】
チャンバ２には、レーザ装置３によって発生したレーザビームが透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられていてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ光集光ミラー２３が配置されてもよい。回転楕円面形状のミラーは、第１の焦点、及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ発生位置（プラズマ生成領域２５）又はその近傍に位置し、その第２の焦点が、露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するよう配置されるのが好ましい。ＥＵＶ光集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよい。その貫通孔２４を、レーザ装置３によって発生したレーザビームが通過することができる。
【００１７】
更に、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置内部とを連通する連通管２９を含むことができる。連通管２９内部にはアパーチャが形成された壁２９１を含むことができ、そのアパーチャがＥＵＶ光集光ミラー２３の第２の焦点位置にあるように壁２９１を設置することができる。更に、ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光導入光学系３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット回収器２８なども含むことができる。
【００１８】
レーザ装置３によって発生したレーザビームの光路上には、ビーム調節光学系３７が配置されている。ビーム調節光学系３７と、レーザ光集光ミラー２２とによって、光強度分布調節光学系が構成される。ビーム調節光学系３７は、レーザビームを、ビーム軸に垂直な断面における光強度分布の形状が環状となるように調節し、或いは、レーザビームを、ビーム軸に対して軸対称に、一定角度で屈折又は反射させ、或いは、レーザビームに所定パターンの位相差を与える光学素子である。ビーム調節光学系３７から出射したレーザビームは、レーザ光集光ミラー２２等の集光光学系によって集光されてターゲット物質に照射される。これにより、ターゲット物質の照射位置におけるレーザビームの空間的な光強度分布は、ビーム軸の中心から所定距離の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記所定距離の範囲内に存在する空間的な光強度分布となる。なお、ビーム調節光学系３７は、レーザ装置３内の光路に配置されても良い。
【００１９】
３．２  動作
レーザ装置３から出射されたレーザビームは、レーザ光導入光学系３４を経てウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。レーザビームは、少なくとも１つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射して、ターゲット物質に集光されて照射されてもよい。
【００２０】
ターゲット供給部２６は、ターゲット物質をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出射してもよい。ターゲット物質には、レーザビームが照射される。レーザビームによって照射されたターゲット物質はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光が生成される。ＥＵＶ光は、ＥＵＶ光集光ミラー２３によって反射される。反射されたＥＵＶ光は、中間焦点２９２に集光された後に露光装置に出力される。
【００２１】
４．光強度分布の例
図２Ａは、比較例におけるレーザビームがターゲット物質に照射される位置での光強度分布と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。説明の簡潔化のため、本実施例に限らず以下の説明ではビーム軸に垂直な断面における光強度分布を単に光強度分布と呼称する。図２Ａには、比較例として、レーザビームの光強度分布がガウス分布（Gaussian distribution）である場合が示されている。このレーザビームのビーム径は、半値全幅（ピーク強度の半分の値におけるビーム直径）が２００μｍであり、ピーク強度は２×１０１０Ｗ／ｃｍ２である。シミュレーションは、このレーザビームが金属スズの平らな表面に対して垂直に入射する場合について行っている。シミュレーションの結果は、比較例におけるレーザビームのターゲット物質への吸収率は４０．２％であり、ＥＵＶ変換効率は２．４９％である。
【００２２】
図２Ｂは、本開示におけるレーザビームがターゲット物質に照射される位置での光強度分布の第１の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。第１の例において、レーザビームの光強度分布は、比較例と同一のビーム径及びピーク強度を有するガウス分布のうち、中心からの距離が０μｍ〜４０μｍの範囲における光強度を０とした分布となっている。シミュレーションは、このレーザビームが金属スズの平らな表面に対して垂直に入射する場合について行っている。シミュレーションの結果は、比較例に対して第１の例におけるレーザビームのターゲット物質への吸収率は５０．２％に向上し、ＥＵＶ変換効率は３．２１％に向上している。
【００２３】
図２Ｃは、本開示におけるレーザビームがターゲット物質に照射される位置での光強度分布の第２の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。第２の例において、レーザビームの光強度分布は、比較例と同一のビーム径及びピーク強度を有するガウス分布のうち、中心からの距離が０μｍ〜４０μｍの範囲における光強度を比較例のピーク強度の０．２５倍とした分布となっている。シミュレーションは、このレーザビームが金属スズの平らな表面に対して垂直に入射する場合について行っている。シミュレーションの結果、比較例に対して第２の例におけるレーザビームのターゲット物質への吸収率は４９．４％に向上し、ＥＵＶ変換効率は３．２５％に向上している。
【００２４】
図２Ｄは、本開示におけるレーザビームがターゲット物質に照射される位置での光強度分布の第３の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。第３の例において、レーザビームの光強度分布は、比較例と同一のビーム径及びピーク強度を有するガウス分布のうち、中心からの距離が４０μｍ〜８０μｍの範囲における光強度を比較例のピーク強度の０．２５倍とした分布となっている。シミュレーションは、このレーザビームが金属スズの平らな表面に対して垂直に入射する場合について行っている。シミュレーションの結果、比較例に対して第３の例におけるレーザビームのターゲット物質への吸収率は５０．９％に向上し、ＥＵＶ変換効率は３．３０％に向上している。
【００２５】
図２Ｅは、本開示におけるレーザビームがターゲット物質に照射される位置での光強度分布の第４の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。第４の例において、レーザビームの光強度分布は、比較例と同一のビーム径及びピーク強度を有するガウス分布のうち、中心からの距離が４０μｍ〜８０μｍの範囲における光強度を０とした分布となっている。シミュレーションは、このレーザビームが金属スズの平らな表面に対して垂直に入射する場合について行っている。シミュレーションの結果、比較例に対して第４の例におけるレーザビームのターゲット物質への吸収率は６２．０％に向上し、ＥＵＶ変換効率は４．１５％に向上している。
【００２６】
図２Ｆは、本開示におけるレーザビームがターゲット物質に照射される位置での光強度分布の第５の例と、ターゲット物質への吸収率及びＥＵＶ変換効率のシミュレーション結果とを示す図である。第５の例において、レーザビームの光強度分布は、第４の例におけるレーザビームの半分の光強度を有する光強度分布となっている。シミュレーションは、このレーザビームが金属スズの平らな表面に対して垂直に入射する場合について行っている。シミュレーションの結果、比較例に対して第５の例におけるレーザビームのターゲット物質への吸収率は７２．０％に向上し、ＥＵＶ変換効率は３．７７％に向上している。
【００２７】
以上のシミュレーションの結果は、レーザビームの空間的な光強度分布は、光強度の半値全幅の端部付近（第１の高強度領域）における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が当該半値全幅の範囲内に位置するような分布が好ましいことを示している。例えば、図２Ｂ及び図２Ｃに示すような円環状の光強度分布や、図２Ｄ、図２Ｅ及び図２Ｆに示すようにビーム軸付近の中央部にも光強度の高い第２の高強度領域を有するコアアンドホロー（core and hollow）型の光強度分布が好ましい。また、第１の高強度領域とこれより内側で光強度の低い低強度領域との間は光強度の急勾配な立ち上がりを有することが望ましく、光強度の低い低強度領域とこれより内側で光強度の高い第２の高強度領域との間も光強度の急勾配な立ち上がりを有することが望ましい。
【００２８】
図３Ａは、図２Ｅに示す光強度分布を有するレーザビームをターゲット物質に照射した場合の、ターゲット物質の照射面付近における電子密度分布及び電子温度分布のシミュレーション結果を示す図である。図３Ｂは、図２Ｅに示す光強度分布を図３Ａにおける表示寸法の拡大率に合わせて表示した図である。レーザビームがターゲット物質に照射されると、ターゲット物質が励起されてプラズマ化する。プラズマはターゲット物質の照射面から膨張する。このプラズマは、電子及びイオンを含んでいる。
【００２９】
シミュレーションの結果は、レーザビームの光強度が高い部分においては、電子温度が非常に高くなるが、電子密度はあまり高くならないことを示している。また、このシミュレーション結果は、レーザビームの光強度が高い部分の光路に挟まれた空間（光強度が低い低強度領域）において、電子密度が非常に高くなり、電子温度はあまり高くならないことを示している。
【００３０】
図２Ｅに示す光強度分布を有するレーザビームは、第１の高強度領域と第２の高強度領域とを有するコアアンドホロー型の光強度分布を有している。このため、これらの光強度の高い部分の光路に挟まれた円筒状の部分（光強度が低い部分）に、プラズマが閉じ込められ、高密度化すると考えられる。円筒状の部分（光強度が低い部分）で高密度化したプラズマは、レーザビームの進行方向と逆方向に、ジェット状に噴き出す。また、光強度が高い第２の高強度領域ではさらに高温のプラズマが発生し、膨張しようとする。しかし、第２の高強度領域は、高密度のプラズマを有する円筒状の部分（光強度が低い部分）に囲まれているので、第２の高強度領域から外側へ向かうプラズマの流れが抑制されると考えられる。つまり、レーザビームの照射によってターゲット物質から噴出したプラズマは、レーザビームの光強度が低い部分においてジェット状に噴出し、光強度が高い部分で生成したプラズマがターゲット表面に沿った方向に拡散するのを抑制していると考えられる。そして、光強度が高い部分において生成したプラズマはレーザビームの進行方向と逆方向に拡散し、レーザ光の吸収が良好となる密度を有する状態の領域が増大すると推測される。結果として、光強度が高い部分において生成したプラズマはレーザ光を効率的に吸収し、高温に加熱されるので変換効率が向上すると考えられる。図２Ｂ〜図２Ｆの例において変換効率が向上した理由には、以上のようにプラズマが効率的に加熱されたことが含まれるものと推測される。
【００３１】
５．光強度分布調節光学系の実施形態
次に、光強度分布調節光学系に関する各実施形態について説明する。以下、光強度分布調節光学系の例として、円環状ビームを生成して集光光学系により集光するものと、ビームを軸対称に曲げて集光光学系により焦点を形成するものと、回折光学素子を用いて任意の光強度分布を形成するものと、について説明する。
【００３２】
５．１  円環状ビームを生成して集光光学系により集光する方式
５．１．１  アキシコンレンズによる円環状ビームの生成
図４は、光強度分布調節光学系に関する第１の実施形態を示す概念図である。第１の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系３７として、２つのアキシコンレンズ３７ａ及び３７ｂを含んでいる。
【００３３】
アキシコンレンズ３７ａ及び３７ｂは、それぞれ円錐形のレンズである。アキシコンレンズ３７ａ及び３７ｂは、それぞれの頂点が互いに向き合うように、一定間隔をあけて配置されている。また、アキシコンレンズ３７ａ及び３７ｂは、各々の回転対称軸がレーザビームの光軸と実質的に一致するように配置されている。一方のアキシコンレンズ３７ａの底面から、レーザビームが入射すると、他方のアキシコンレンズ３７ｂの底面から円環状のビームが出射する。
【００３４】
円環状のビームは、集光レンズ２２ａによって集光され、集光レンズ２２ａの主面から焦点距離ｆの位置において焦点を形成する。この焦点における光強度分布は、例えば、中央部で光強度が高く、周辺部で光強度が低いガウス分布となっている。しかしながら、焦点の前方又は後方の位置Ａ又は位置Ｂにおける光強度分布は、中央部に低強度領域を有する円環状の分布（図２Ｂ及び図２Ｃに示す分布に類似する分布）となる。従って、位置Ａ又は位置Ｂにおいてレーザビームをターゲット物質に照射することにより、変換効率を向上させることができる。
なお、円環状のビームを集光する集光光学系は、集光レンズ２２ａに限定されず、集光ミラーでも良い。
【００３５】
５．１．２  アキシコンミラーによる円環状ビームの生成
図５は、光強度分布調節光学系に関する第２の実施形態を示す概念図である。第２の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系３７として、アキシコンミラー３７ｃ及び平面ミラー３７ｄを含んでいる。
【００３６】
アキシコンミラー３７ｃは、円錐の側面の形状を有する第１の反射面３７１と、その外側に配置された円錐台（circular truncated cone）の側面の形状を有する第２の反射面３７２とを組み合わせたミラー（Ｗアキシコンミラー）である。第１の反射面３７１の回転対称軸に対する傾斜角度と、第２の反射面３７２の回転対称軸に対する傾斜角度は、例えば、何れも４５°である。但し、第１の反射面３７１の回転対称軸に対する傾斜角度と、第２の反射面３７２の回転対称軸に対する傾斜角度との和が９０°となるようにしても良い。アキシコンミラー３７ｃは、その回転対称軸がレーザビームの光軸と実質的に一致するように配置されている。第１の反射面３７１及び第２の反射面３７２には、レーザ光の波長に対応した高反射膜がコートされている。
【００３７】
平面ミラー３７ｄは、中央に貫通孔３７３が形成されたミラーであり、当該貫通孔３７３をアキシコンミラー３７ｃの回転対称軸が貫通するように配置されている。また、平面ミラー３７ｄの反射面は、アキシコンミラー３７ｃの反射面に対向し、かつ、アキシコンミラー３７ｃの回転対称軸に対して傾斜した角度に配置されている。平面ミラー３７ｄの反射面にはレーザ光の波長に対応した高反射膜がコートされている。
【００３８】
平面ミラー３７ｄの裏面側から貫通孔３７３内を通過したレーザビームは、アキシコンミラー３７ｃの第１の反射面３７１において外周側に反射し、第２の反射面３７２において再度反射して、円環状のビームとなってアキシコンミラー３７ｃから出射する。アキシコンミラー３７ｃから出射した円環状のビームは、平面ミラー３７ｄの表面側の反射面において軸外放物面ミラー２２ｃに向けて反射する。
【００３９】
軸外放物面ミラー２２ｃは、放物面の形状を有し、平行光である入射光を所定の焦点位置に集光するミラーである。平面ミラー３７ｄにおいて反射した円環状のビームは、軸外放物面ミラー２２ｃによって集光され、軸外放物面ミラー２２ｃの焦点位置において焦点を形成する。この焦点における光強度分布は、例えばガウス分布となっている。しかしながら、焦点の前方又は後方の位置Ａ又は位置Ｂにおける光強度分布は、中央部に低強度領域を有する円環状の分布となる。従って、位置Ａ又は位置Ｂにおいてレーザビームをターゲット物質に照射することにより、変換効率を向上させることができる。
【００４０】
第２の実施形態によれば、光強度分布調節光学系を反射型の光学素子で構成しているので、光学素子を冷却し過熱を抑制する機構を備えることができる。従って、光強度分布調節光学系に高出力のレーザビームが入射しても、熱膨張による光学素子の変形が抑制され、波面の歪みが抑制される。
なお、円環状のビームを集光する集光光学系は、軸外放物面ミラー２２ｃに限定されず、他の種類の集光ミラーでも良いし、集光レンズでも良い。
また、貫通孔が形成されたミラーは、平面ミラー３７ｄに限定されず、軸外放物面ミラー等の曲面ミラーでも良い。
【００４１】
５．２  ビームを軸対称に曲げて集光光学系により焦点を形成する方式
５．２．１  アキシコンレンズと集光光学系による円環状分布の形成
図６は、光強度分布調節光学系に関する第３の実施形態を示す概念図である。第３の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系３７として、アキシコンレンズ３７ｅを含み、集光光学系として、集光レンズ２２ｅを含んでいる。
【００４２】
アキシコンレンズ３７ｅは、円錐形のレンズである。アキシコンレンズ３７ｅは、その回転対称軸がレーザビームの光軸と実質的に一致するように配置されている。アキシコンレンズ３７ｅに入射したレーザビームは、アキシコンレンズ３７ｅの回転対称軸に対して軸対称に、かつ回転対称軸からの距離に関わらず一定の角度で屈折して、アキシコンレンズ３７ｅから出射する。
【００４３】
アキシコンレンズ３７ｅから出射した光は、集光レンズ２２ｅによって、集光レンズ２２ｅの主面から焦点距離ｆの位置において集光する。この集光位置における光強度分布は、中央部に低強度領域を有する円環状の分布となる。従って、この集光位置においてレーザビームをターゲット物質に照射することにより、変換効率を向上させることができる。
【００４４】
なお、集光光学系は、集光レンズ２２ｅに限定されず、集光ミラーでも良い。
また、ここでは、アキシコンレンズ３７ｅとしてアキシコン凸レンズを用いた場合について説明したが、アキシコン凹レンズを用いても良い。また、アキシコンレンズに限らず、アキシコンミラーを用いても良い。
【００４５】
第３の実施形態によれば、集光レンズ２２ｅの焦点の位置に円環状のビームを集光できるので、光強度の急勾配を有する円環状のレーザビームをターゲット物質に照射することができる。
【００４６】
５．２．２  アキシコンレンズと集光光学系によるコアアンドホロー型分布の形成
図７は、光強度分布調節光学系に関する第４の実施形態を示す概念図である。第４の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系３７として、アキシコンレンズ３７ｆを含み、集光光学系として、集光レンズ２２ｆを含んでいる。
【００４７】
アキシコンレンズ３７ｆは、円錐台形のレンズである。アキシコンレンズ３７ｆは、その回転対称軸がレーザビームの光軸と実質的に一致するように配置されている。アキシコンレンズ３７ｆの傾斜を有する側面部３７４を透過するレーザビームは、アキシコンレンズ３７ｆの回転対称軸に対して軸対称に、かつ回転対称軸からの距離に関わらず一定の角度で屈折して、アキシコンレンズ３７ｆから出射する。アキシコンレンズ３７ｆの中央の平面部３７５を通過するレーザビームは、進行方向を変えることなくアキシコンレンズ３７ｆから出射する。
【００４８】
アキシコンレンズ３７ｆから出射した光は、集光レンズ２２ｆによって、集光レンズ２２ｆの主面から焦点距離ｆの位置において集光する。アキシコンレンズ３７ｆの中央の平面部３７５を通過したレーザビームは、光軸の中心付近において集光し、アキシコンレンズ３７ｆの傾斜を有する側面部３７４を透過したレーザビームは、光軸より外側に離れた位置に円環状に集光する。従って、集光位置における光強度分布は、第１の高強度領域と、第１の高強度領域より内側に位置する低強度領域と、低強度領域より内側に位置する第２の高強度領域とを有するコアアンドホロー型の分布となる。この集光位置においてレーザビームをターゲット物質に照射することにより、変換効率を向上させることができる。
【００４９】
なお、集光光学系は、集光レンズ２２ｆに限定されず、集光ミラーでも良い。
また、ここでは、アキシコンレンズ３７ｆとして、平面部３７５を中央に有し、傾斜した側面部３７４を外側に有する円錐台形のアキシコンレンズを用いた場合について説明したが、これと異なるアキシコンレンズを用いても良い。例えば、円錐の側面の形状を有する傾斜部を中央に有し、平面部を外側に有するアキシコンレンズを用いても良い。また、アキシコンレンズ３７ｆとしてアキシコン凸レンズを用いた場合について説明したが、アキシコン凹レンズを用いても良い。また、アキシコンレンズに限らず、アキシコンミラーを用いても良い。
【００５０】
第４の実施形態によれば、集光レンズ２２ｆの焦点の位置にコアアンドホロー型のビームを集光できるので、光強度の急勾配を有するコアアンドホロー型のレーザビームをターゲット物質に照射することができる。
【００５１】
５．２．３  同心円状の回折格子と集光光学系による円環状分布の形成
図８Ａは、光強度分布調節光学系に関する第５の実施形態を示す概念図である。第５の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系３７として、回折格子３７ｇを含み、集光光学系として、集光レンズ２２ｇを含んでいる。図８Ｂは、回折格子が形成された面を示す図であり、図８Ｃは、回折格子の断面を拡大した図である。
【００５２】
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、回折格子３７ｇは、同心円状の溝加工が施された透過型の回折格子である。回折格子３７ｇは、その回転対称軸がレーザビームの光軸と実質的に一致するように配置されている。図８Ｃに示すように、回折格子３７ｇの溝の断面は矩形形状である。溝の深さｄは、次式で示す大きさとなるように加工されている。
ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝          （１）
ここで、λはレーザビームの波長である。ｎは回折格子３７ｇの屈折率である。
【００５３】
図８Ａに示すように、光が回折格子３７ｇに垂直に入射する場合、即ち、入射角が０である場合、複数の溝において回折する光は、次式の条件で互いに位相が一致して強め合う。
ｍλ＝ａ・ｓｉｎβ                （２）
ここで、ｍは回折次数である。λは光の波長である。ａは溝の間隔である。βは出射角度である。
従って、出射角度βは、次式で表される。
β＝ｓｉｎ−１（ｍλ／ａ）          （３）
【００５４】
また、溝の深さｄを上述の式（１）のように設定すると、溝部分を透過する光と溝以外の山部分を透過する光との間に位相差πが与えられるため、０次の回折光が弱められる。従って、最も強い回折光は、±１次の回折光となる。
【００５５】
回折格子３７ｇには、同心円状かつ同一間隔の溝加工が施されているので、＋１次の回折光の出射角度及び−１次の回折光の出射角度は、それぞれ回転対称軸に対して軸対称の分布となり、回転対称軸からの距離に関わらず一定の角度となる。従って、図８Ａに示すように、回折格子３７ｇにレーザビームが入射すると、回折格子３７ｇからは、進行方向に向かって角度βで拡大する＋１次の回折光と、進行方向に向かって角度βで縮小する−１次の回折光とが出射する。
【００５６】
回折格子３７ｇから出射した光は、集光レンズ２２ｇによって、集光レンズ２２ｇの主面から焦点距離ｆの位置において集光する。この集光位置における光強度分布は、中央部に低強度領域を有する円環状の分布となる。従って、この集光位置においてレーザビームをターゲット物質に照射することにより、変換効率を向上させることができる。
【００５７】
集光位置における光強度が高い領域の直径Ｄは、次式で表される。
Ｄ＝２ｆ・ｔａｎ｛ｓｉｎ−１（λ／ａ）｝  （４）
ここで、ｆは集光レンズ２２ｇの焦点距離である。λは光の波長である。ａは溝の間隔である。
【００５８】
なお、集光光学系は、集光レンズ２２ｇに限定されず、集光ミラーでも良い。
また、回折格子３７ｇは、透過型の同心円状の回折格子に限定されず、反射型の回折格子でも良い。
【００５９】
第５の実施形態によれば、回折光のビーム径を大きくできるため、図６を参照しながら説明した第３の実施形態における場合よりも更に光強度の急勾配を有する円環状のレーザビームをターゲット物質に照射することができる。
【００６０】
５．２．４  同心円状の回折格子と集光光学系によるコアアンドホロー型分布の形成
図９Ａは、光強度分布調節光学系に関する第６の実施形態を示す概念図である。第６の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系３７として、回折格子３７ｈを含み、集光光学系として、集光レンズ２２ｈを含んでいる。図９Ｂは、回折格子が形成された面を示す図であり、図９Ｃは、回折格子の溝部断面を拡大した図である。
【００６１】
図９Ａ及び図９Ｂに示すように、回折格子３７ｈは、同心円状の溝加工が施された透過型の回折格子である。但し、回折格子３７ｈの中心付近は、溝加工を施しておらず、平面状である。回折格子３７ｈは、その回転対称軸がレーザビームの光軸と実質的に一致するように配置されている。図９Ｃに示すように、回折格子３７ｈの溝の断面は矩形形状である。溝の深さｄは、次式で示す大きさとなるように加工されている。
ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝          （５）
ここで、λはレーザビームの波長である。ｎは回折格子３７ｈの屈折率である。
【００６２】
図９Ａに示すように、光が回折格子３７ｈに垂直に入射する場合、即ち、入射角が０である場合、複数の溝において回折する光は、次式の条件で互いに位相が一致して強め合う。
ｍλ＝ａ・ｓｉｎβ                （６）
ここで、ｍは回折次数である。λは光の波長である。ａは溝の間隔である。βは出射角度である。
【００６３】
回折格子３７ｈから出射した光は、集光レンズ２２ｈによって、集光レンズ２２ｈの主面から焦点距離ｆの位置において集光する。回折格子３７ｈの中央の平面部を通過したレーザビームは、光軸の中心付近において集光し、回折格子３７ｈの溝加工を有する外周部を通過したレーザビームは、光軸より外側に離れた位置に円環状に集光する。従って、この集光位置における光強度分布は、第１の高強度領域と、第１の高強度領域より内側に位置する低強度領域と、低強度領域より内側に位置する第２の高強度領域とを有するコアアンドホロー型の分布となる。従って、この集光位置においてレーザビームをターゲット物質に照射することにより、変換効率を向上させることができる。
【００６４】
なお、集光光学系は、集光レンズ２２ｈに限定されず、集光ミラーでも良い。
また、回折格子３７ｈとして、溝加工を施さない平面部を中央に有し、同心円状の溝加工が外側に施されたものについて説明したが、これと異なる回折格子を用いても良い。例えば、同心円状の溝加工が中央に施され、溝加工を有しない平面部が外側に配置された回折格子を用いても良い。また、回折格子３７ｈは、透過型の同心円状の回折格子に限定されず、反射型の回折格子でも良い。
【００６５】
第６の実施形態によれば、回折光のビーム径を大きくできるため、図７を参照しながら説明した第４の実施形態における場合よりも更に光強度の急勾配を有するコアアンドホロー型のレーザビームをターゲット物質に照射することができる。
【００６６】
５．２．５  同心円状の回折格子と集光光学系との一体化
図１０は、光強度分布調節光学系に関する第７の実施形態を示す概念図である。第７の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系と集光光学系とが一体化した光学素子３７ｉを含んでいる。光学素子３７ｉの一方の面には、同心円状の回折格子が形成されており、他方の面にはフレネルレンズが形成されている。
【００６７】
光学素子３７ｉに形成された回折格子の構成及び機能は、図８Ａ〜図８Ｃを参照しながら説明した第５の実施形態における回折格子３７ｇの構成及び機能と同様である。光学素子３７ｉに形成されたフレネルレンズは、球面レンズを同心円状の領域に分割し、厚みを減らしたレンズであり、第５の実施形態における集光レンズ２２ｇと同様の機能を有している。光学素子３７ｉは、その回転対称軸がレーザビームの光軸と実質的に一致するように配置されている。
【００６８】
光学素子３７ｉに入射したレーザビームは、第５の実施形態と同様に、フレネルレンズの主面から焦点距離ｆの位置において円環状に集光する。従って、第７の実施形態によれば、第５の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、回折格子として、図９Ａ〜図９Ｃを参照しながら説明した第６の実施形態における回折格子３７ｈと同様の回折格子を光学素子３７ｉに形成すれば、第６の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
５．３  回折光学素子と集光光学系による任意の光強度分布の形成
図１１Ａは、光強度分布調節光学系に関する第８の実施形態を示す概念図である。第８の実施形態による光強度分布調節光学系は、ビーム調節光学系３７として、回折光学素子（diffractive optical element、ＤＯＥ）３７ｊを含み、集光光学系として、集光レンズ２２ｊを含んでいる。
【００７０】
回折光学素子３７ｊは、集光レンズ２２ｊによる集光位置において任意の光強度分布を形成するために設計された凹凸パターンを有する素子である。回折光学素子３７ｊは、凹凸パターンの凹部を透過した光と凸部を透過した光との間に位相差πを与えるとともに、各部を透過した光を回折させる。各部を透過して回折した光は、互いに干渉する。
【００７１】
回折光学素子３７ｊから出射した光は、集光レンズ２２ｊによって集光され、集光レンズ２２ｊの主面から焦点距離ｆの位置において回折像を形成する。フレネルの回折積分式により、焦点距離ｆの位置（ｘ'ｙ'面）における光強度分布Ｕ（ｘ'，ｙ'）と、回折光学素子３７ｊによって与えられた位相分布との関係は次のようになる。
｜Ｕ（ｘ'，ｙ'）｜２＝｜Ｆ｛ｅｘｐ［ｉφ（ｘ，ｙ）］｝｜２  （７）
ｘ'＝λｆ／ｘ                                              （８）
ここで、φ（ｘ，ｙ）は、回折光学素子３７ｊの凹凸パターンが形成されたｘｙ面において与えられる位相分布である。Ｆ｛  ｝は、フーリエ変換を意味する。また、λは光の波長である。ｆは集光レンズ２２ｊの焦点距離である。
以上のように、集光レンズ２２ｊによって焦点位置に形成される回折像（光強度分布）は、回折光学素子３７ｊの凹凸パターン（位相分布）のフーリエ変換で表される。
【００７２】
従って、任意の回折像を得るために、回折光学素子３７ｊの凹凸パターンを計算によって設計することができる。具体的には、回折光学素子に初期値として任意の凹凸パターンを与え、フーリエ変換によって必要とする回折像が得られるよう、反復計算を行って凹凸パターンを最適化する。
【００７３】
図１１Ｂは、図１１Ａに示す光強度分布調節光学系によって形成される光強度分布の一例を、レーザビームの照射方向から見た図である。図１１Ｃは、図１１ＢのＸ軸上の強度分布を示す図である。図１１Ｂ及び図１１Ｃに示す光強度分布においては、高い光強度を有する領域Ｈに囲まれた低い光強度を有する領域Ｌが、複数存在している。すなわち、周辺部より低い光強度を有する領域Ｌが、当該周辺部より中央側に位置しているため、このようなレーザビームをターゲット物質に照射すれば、光強度が高い領域Ｈの光路に囲まれた空間（光強度が低い部分）からジェット状のプラズマが噴出すると推測できる。
【００７４】
特に、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示す光強度分布においては、複数の低い光強度を有する領域Ｌが中央部を取り囲むように配列されている。このため、複数の低い光強度を有する領域Ｌから噴出する高密度のプラズマが、巨視的にはほぼ円筒状に形成されると推測できる。結果として、光強度分布の中央部から外側へ向かうプラズマの流れが抑制され、変換効率が向上すると考えられる。
【００７５】
なお、集光光学系は、集光レンズ２２ｊに限定されず、集光ミラーでも良い。
また、回折光学素子３７ｊは、透過型の回折光学素子に限定されず、反射型の回折光学素子でも良い。
【００７６】
６．ターゲット供給部の実施形態
図１２は、第９の実施形態におけるターゲット供給部を示す概念図である。図１２には、パンチアウトターゲット方式によるターゲット供給部２６が示されている。
ターゲット供給部２６は、ターゲット物質を付着させた円盤４４と、ターゲット供給用のレーザビーム４１を集光する光学系４３と、を含んでいる。円盤４４は、レーザビーム４１に対する透過率の高い基板の表面にターゲット物質を塗布したものである。円盤４４は、基板の中心を回転軸として回転でき、且つ回転軸が平行移動できるように、チャンバ２（図１参照）内に配置されている。
【００７７】
ターゲット供給用のレーザビーム４１が、チャンバ２（図１参照）の外側から導入され、光学系４３によって集光されて、円盤４４の裏面側から入射して円盤４４を透過し、ターゲット物質の塗布層に照射される。ターゲット物質はレーザビーム４１の照射によるアブレーションの反作用より、円盤４４から飛び出す。このターゲット物質４５の飛行経路と、プラズマ生成用のレーザビーム４２の光路が交差する位置において、レーザビーム４２がターゲット物質４５に照射される。これによりプラズマが生成し、プラズマから発生したＥＵＶ光４６がＥＵＶ光集光ミラー４７によって所望の位置に集光される。
【００７８】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００７９】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００８０】
１…ＬＰＰ式ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３…レーザ装置、２１…ウィンドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２ａ…集光レンズ、２２ｃ…軸外放物面ミラー、２２ｅ、２２ｆ、２２ｇ、２２ｈ、２２ｊ…集光レンズ、２３…ＥＵＶ光集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット供給部、２８…ターゲット回収器、２９…連通管、３４…レーザ光導入光学系、３７…ビーム調節光学系、３７ａ、３７ｂ…アキシコンレンズ、３７ｃ…アキシコンミラー、３７ｄ…平面ミラー、３７ｅ、３７ｆ…アキシコンレンズ、３７ｇ、３７ｈ…回折格子、３７ｉ…光学素子、３７ｊ…回折光学素子、４１…ターゲット供給用のレーザビーム、４２…プラズマ生成用のレーザビーム、４３…光学系、４４…円盤、４５…ターゲット物質、４６…ＥＵＶ光、４７…ＥＵＶ光集光ミラー、２９１…壁、２９２…中間焦点、３７１…第１の反射面、３７２…第２の反射面、３７３…貫通孔、３７４…側面部、３７５…平面部、Ｈ…高い光強度を有する領域、Ｌ…低い光強度を有する領域
【図１】
0005758662.tif 000002
【図２Ａ】
0005758662.tif 000003
【図２Ｂ】
0005758662.tif 000004
【図２Ｃ】
0005758662.tif 000005
【図２Ｄ】
0005758662.tif 000006
【図２Ｅ】
0005758662.tif 000007
【図２Ｆ】
0005758662.tif 000008
【図３Ｂ】
0005758662.tif 000009
【図４】
0005758662.tif 000010
【図５】
0005758662.tif 000011
【図６】
0005758662.tif 000012
【図７】
0005758662.tif 000013
【図８Ａ】
0005758662.tif 000014
【図８Ｂ】
0005758662.tif 000015
【図８Ｃ】
0005758662.tif 000016
【図９Ａ】
0005758662.tif 000017
【図９Ｂ】
0005758662.tif 000018
【図９Ｃ】
0005758662.tif 000019
【図１０】
0005758662.tif 000020
【図１１Ａ】
0005758662.tif 000021
【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
0005758662.tif 000023
【図１２】
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【図３Ａ】
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