(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、
触媒として作用する前記転写部の表面に、溶液を塗布する塗布手段と、
前記溶液が塗布された前記転写部の表面を、前記半導体基板の表面と接触すべく配置する配置手段と、
を備え、
前記転写部の表面は、前記半導体基板の表面と対向する前記半導体基板の表面に平行な領域を含み、
前記半導体基板を水平移動する水平移動手段と、
前記水平移動とともに、前記領域が前記半導体基板の表面と平行を維持するように、前記転写部の表面を回転する回転手段と、
をさらに備え、
前記配置手段は、前記回転にしたがって、前記転写部の表面を前記半導体基板の表面と接触すべく配置することを特徴する半導体製造装置。
【請求項２】
前記塗布手段は、前記回転にしたがって、前記転写部の表面に溶液を塗布することを特徴する請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記塗布手段は、前記半導体基板毎に所定量の溶液を塗布することを特徴する請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記溶液が塗布された前記転写部の表面に前記触媒をさらに備えることを特徴する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記転写部の表面は、前記転写部の表面に塗布された溶液の一部を、前記転写部の裏面に通過する穴と、
前記裏面に通過した溶液を保持する溶液保持手段と、
をさらに備え、
前記溶液保持手段が、前記配置手段が前記半導体基板の表面と接触すべく配置した場合に、前記保持した溶液を前記半導体基板の表面に前記穴を介して供給することを特徴する請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記半導体基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記半導体基板は太陽電池用であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項１１】
前記溶液保持手段に使用する部材はテフロン（登録商標）であり、前記テフロンの表面を親水性に加工することを特徴とする請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項１２】
転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法であって、
触媒として作用する前記転写部の表面に、溶液を塗布する塗布工程と、
前記溶液が塗布された前記転写部の表面を、前記半導体基板の表面と接触すべく配置す
る配置工程と、
を含み、
前記転写部の表面は、前記半導体基板の表面と対向する前記半導体基板の表面に平行な領域を含み、
前記半導体基板を水平移動する水平移動工程と、
前記水平移動とともに、前記領域が前記半導体基板の表面と平行を維持するように、前記転写部の表面を回転する回転工程と、
をさらに含み、
前記配置工程は、前記回転にしたがって、前記転写部の表面を前記半導体基板の表面と接触すべく配置することを特徴する半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、結晶系太陽電池においては、シリコン基板における平面状の表面を凹凸状に変形させることにより、いわゆる「光トラップ効果」を利用したエネルギー変換効率の向上が図られている。これは、基板表面が平面である場合に比べて、凹凸の斜面で一旦反射した光をも隣接する凹凸の斜面で受光して取込むことにより、実質的に表面からの反射率を低減させることが可能となるためである。その結果、入射光の総量が増大することになるため、変換効率の増加が実現される。
溶液にシリコンウエハを浸漬させて、シリコンウエハ全表面に凹部に形成する技術としては以下のような技術が開示されている。
【０００３】
先行文献１においては、シリコンウエハ表面に凹部に形成するために、過酸化水素とフッ酸溶液との混合溶液の中に浸漬させて、全表面を凸部に加工しかつ全表面に白金を成膜したシリコンウエハ表面と、凹部を形成させたいシリコンウエハ表面を接触させる技術が開示されている。
転写ロールを用いて、転写ロール上の被転写物を基板表面に転写する技術としては以下のような技術が開示されている。
先行文献２においては、転写ロールの表面に形成された転写用薄膜を、基板表面に圧接して基板表面に転写する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】（雑誌名）「Electrochemical andSolid-State Letters」（タイトル）「Fabrication of LowReflectivity Poly-Crystalline Si Surface by Structure Transfer Method」2010.11.18発行 Vol.14,No2,p.B13-B15
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３２１６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来技術における半導体基板表面を浸漬して転写処理する場合には、半導体基板表面が浸漬可能な大量の溶液が必要になり、転写処理自体に必要な量を超えた溶液を準備する必要があり、少枚数の半導体基板を転写処理する場合においては、浸漬するために大量の溶液を使用することが、溶液のコストアップとなってしまい、転写処理に十分な量のだけの溶液を使用したいといった課題を解決することはできないという問題がある。
本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明は、転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、触媒として作用する前記転写部の表面に、溶液を塗布する塗布手段と、前記溶液が塗布された前記転写部の表面を、前記半導体基板の表面と接触すべく配置する配置手段と、を備えることを特徴する。
【０００８】
また、前記転写部の表面は、前記半導体基板の表面と対向する前記半導体基板の表面に平行な領域を含み、前記半導体基板を水平移動する水平移動手段と、前記水平移動とともに、前記領域が前記半導体基板の表面と平行を維持するように、前記転写部の表面を回転する回転手段と、をさらに備え、前記配置手段は、前記回転にしたがって、前記転写部の表面を前記半導体基板の表面と接触すべく配置することを特徴する。
また、前記塗布手段は、前記回転にしたがって、前記転写部の表面に溶液を塗布することを特徴する。
また、前記塗布手段は、前記半導体基板毎に所定量の溶液を塗布することを特徴する。
また、前記溶液が塗布された前記転写部の表面に前記触媒をさらに備えることを特徴する。
【０００９】
また、前記転写部の表面は、前記転写部の表面に塗布された溶液の一部を、前記転写部の裏面に通過する穴と、前記裏面に通過した溶液を保持する溶液保持手段と、をさらに備え、前記溶液保持手段が、前記配置手段が前記半導体基板の表面と接触すべく配置した場合に、前記保持した溶液を前記半導体基板の表面に前記穴を介して供給することを特徴する。
また、前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする。
また、前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする。
また、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。
また、前記半導体は太陽電池であることを特徴とする。
また、前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする。
また、前記溶液保持手段に使用する部材はテフロン（登録商標）であり、前記テフロンの表面を親水性に加工することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ハードウエア構成（断面図）を示す図である。
【図２】処理ステップを示す図である。
【図３】転写部の表面を示す図である。
【図４】基板の表面を示す図である。
【図５】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【図６】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【図７】転写部及び基板の断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１を説明する。
＜第１の実施例＞
図１は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。
図１は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。
１００は基板であり、本願発明の転写処理の対象となるものである。
【００１３】
１０１は基板保持部であり、基板１００を基板保持部に保持した状態で、転写処理を実行する位置に水平移動、または転写処理を実行しない位置に水平移動するものである。
基板保持部（位置１）１０１は、基板１００の表面に転写処理が加工されていない移動開始の位置であり、基板１００の全表面は転写処理されていない。
【００１４】
基板保持部（位置２）１０１は、転写処理を連続的に実行する位置であり、停止しない位置である。転写部１０３の表面と基板１００の表面との接触（接触界面の摩擦力）により、転写部１０３が連続的に回転することで、基板の表面の端から転写処理を連続的に実行する。
基板保持部（位置３）１０１は、基板１００の表面に転写処理が加工された移動停止位置であり、基板１００の全表面は転写処理されている。
基板保持部１０１の部材としては、基板１００との相性からシリコンにしてもよい。
これにより、転写処理により基板１００が破損することを回避することができる。
【００１５】
１０２は転写部ユニット回転部であり、基板１００の表面との接触（接触界面の摩擦力）により、転写部ユニット１０４（転写部１０３、弾性部１０８、固定部１１０にて構成される）を一体で回転することができる。
【００１６】
転写部ユニット回転部１０２により、液転写部１０６により溶液４０４が塗布された転写部１０３の表面を、半導体基板１００の表面と接触するように配置することができる（配置手段）。
【００１７】
転写部ユニット回転部１０２により、基板保持部水平移動制御部１１２による基板１００の水平移動とともに、領域（図３の２０３）が半導体基板１００の表面と平行を維持するように、転写部１０３の表面を回転させることができる（回転手段）。
【００１８】
つまり、転写部ユニット回転部１０２は、基板保持部水平移動制御部１１２による転写部ユニット１０４の回転にしたがって、転写部１０３の表面を半導体基板１００の表面と接触すべく配置することができる。
【００１９】
１０３は転写部であり、転写処理において、基板１００の表面に接触するように配置されるためのものである。少なくとも基板１００に対向する表面には触媒（白金）がコーティングされており、基板１００の表面に接触するように配置されると、図６に示すように、表面にコーテゥングされた触媒が溶液４０４（過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液）中で過酸化水素水の分解触媒として作用することで、図７に示すように基板１００の表面がエッチングされる。
【００２０】
転写部１０３は、図１に示すように転写部を半導体基板の表面に接触するように配置した時に半導体基板１００の表面と対向することが可能な領域を備えている。
転写部１０３の表面は、転写部の表面に塗布された溶液の一部を、転写部の裏面に通過する穴（図３の２０２）を備えている。
転写部は１０３、溶液が塗布される表面に白金である触媒を備えている。
転写部１０３の表面は、半導体基板１００の表面と対向する領域であって、かつ半導体基板の表面に平行な領域を含んだ表面である。
転写部１０３の形状は、図１及び図３に示すようにロール状（円筒型）の形状である。
図１の転写部１０３の直径は、転写部１０３の１回転毎に、基板１００を１枚転写処理完了可能な回転距離に基づいて算出された直径であればよい。
図３の転写部１０３の長さ（幅）は、基板１００の長さ（幅）と同等の長さであればよいが、特に限定されない。
【００２１】
また転写部１０３の部材としては転写処理の際に、基板１００との界面接触の圧力や基板１００自体の反りを考慮するとゴムのような柔らかい弾性体であり、かつ溶液４０４に対する耐食性を備えることが望ましい。
１０４は転写部ユニットであり、転写部１０３と弾性部１０８と固定部１１０が一体となって、構成される。
さらに転写部ユニット１０４が回転するための回転軸である転写部ユニット回転部１０２と図示しない連結部を備えている。
１０５は液投下口であり、供給制御部１１１から送られた溶液４０４を液転写部１０６の表面に送るための投下口である。
【００２２】
液投下口１０５は１つに限定されるものではなく、供給制御部から送られた所定量の溶液４０４を液転写部１０６表面（ロール状）に均一に分散されるように、複数（例えば１０個程度）の液投下口が２次元的に配置されているものであってもよい。
１０６は液転写部であり、転写部１０３の形状と同様にロール状（円筒型）の形状である。
図示しない液転写部１０６の長さ（幅）は図３の転写部１０３の長さ（幅）と同等の長さ（幅）であればよい。
液転写部１０６により、触媒として作用する転写部の表面に、溶液４０４を塗布することができる（塗布手段）。
【００２３】
つまり、液転写部１０６は、基板保持部水平移動制御部１１２による転写部ユニット１０４の回転にしたがって、転写部１０３の表面に溶液を塗布することができる。
液転写部１０６はさらに、半導体基板毎(単位)に所定量の溶液を塗布することができる。
１０７は液転写部ユニットであり、液転写部１０６で構成される。
さらに液転写部ユニット１０７が回転するための回転軸である液転写部ユニット回転部１０９と図示しない連結部を備えている。
１０８は弾性部であり、転写部１０３を巻きつけるローラである。
【００２４】
弾性部１０８は、液転写部１０６が溶液を転写部の表面に塗布する時に、転写部１０３の表面から転写部１０３の裏面に穴２０２を介して通過した溶液４０４を保持することができる（溶液保持手段）。
弾性部１０８は、穴２０２を介して通過した吸収しに転写処理するまでの間、内部保持するために部材がスポンジで作成される。
【００２５】
弾性部１０８は、転写部１０３は半導体基板の表面と接触すべく配置した時に、溶液保持手段が保持した溶液４０４を、転写部１０３の裏面から転写部１０３の表面に穴２０２を介して通過させ、半導体基板１００の表面に供給する。
また弾性部１０８としては転写処理の際に、基板１００への押下圧力や基板１００自体の反りを考慮するとゴムのような弾性体を使用するものとする。
【００２６】
弾性部１０８は溶液４０４に対する耐食性を備えることが望ましいので、耐食性を高めるに、弾性部１０８の部材にテフロン（登録商標）を使用したり、弾性部１０８の表面をテフロン加工するものとする。
溶液が弾性部１０８をうまく通過するために、さらに疎水性であるテフロン表面には親水性の加工をするものとする。
【００２７】
弾性部１０８は、液転写部１０６が溶液を転写部の表面に塗布する時に、転写部１０３の表面から転写部１０３の裏面に穴２０２を介して通過した溶液４０４を保持することができる（溶液保持手段）。
弾性部１０８は、穴２０２を介して通過した吸収した溶液を転写処理するまでの間、内部に一旦保持するために部材がスポンジで作成される。
【００２８】
弾性部１０８は、転写部１０３は半導体基板の表面と接触すべく配置した時に、溶液保持手段が保持した溶液４０４を、転写部１０３の裏面から転写部１０３の表面に穴２０２を介して通過させ、半導体基板１００の表面に供給する（溶液供給手段）。
【００２９】
１０９は液転写部ユニット回転部であり、転写部１０３の表面との接触（接触界面の摩擦力）により、液転写部ユニット１０７（液転写部１０６で構成される）を一体で回転することができる。
１１０は固定部であり、転写部１０３を弾性部１０８に固定（接続）するためのものである。
【００３０】
１１１は供給制御部であり、転写処理回数（例えば基板１００）単位で所定の量（例えば５０ｃｃ単位）の溶液４０４を供給する。供給制御部１１１は液投下口１０５の上部に設置させてもよく。液投下口１０５よりも下部に設置されてもよい。
【００３１】
１１２は基板保持部水平移動制御部であり、基板１００を上部に保持した基板保持部１０１を、所定の速度（例えば１００ｍｍ／ｓｅｃ）を維持しながらベルトコンベアのように直進方向に移動する。
【００３２】
設定された基板保持部水平移動制御部１１２の所定の速度に同期して、転写部１０３の回転速度も連動する。つまり基板１００が遅い水平移動速度においては転写部１０３の回転速度も遅くなり、早い水平移動速度では回転速度も速くなる。
よって、基板保持部水平移動制御部１１２により、半導体基板１００を水平移動することができる（水平移動手段）。
【００３３】
本願発明の溶液４０４は、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ）濃度が５．４Ｍであり、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）濃度が７．２Ｍの混合溶液、または濃度が２．７Ｍであり、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）濃度が８．１Ｍの混合溶液を使用して転写処理を行った。
【００３４】
本願発明の溶液４０４の温度は、室温放置温度（例えば２５℃）、または溶液を加熱して溶液温度を所定範囲に保持した温度（例えば６０℃）に制御して転写処理を行った。常温だと反応速度が遅く、反応熱で６０℃になると速度が速くなることが測定された。そのため、穴から注入する溶液は、６０℃に加熱保温しておくことが望ましい。
図２を説明する。
図２は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法（処理ステップ）である。
ステップＳ１０１では、基板保持部水平移動制御部１１２が、基板１００を水平移動する（水平移動工程）。
【００３５】
基板保持部水平移動制御部１１２が基板を水平移動すると、基板１００と転写部１０３が接触し基板と転写部との接触界面の摩擦力により転写部１０３（転写部ユニット１０４）を回転する（回転工程）。
【００３６】
転写部１０３が回転を開始すると、液投下口１０５が液転写部１０６の表面に溶液の供給を開始し、転写部１０３が回転を停止すると、液投下口１０５が液転写部１０６の表面への溶液の供給を停止する（供給工程）。
【００３７】
ステップＳ１０２では、転写部１０３が回転すると液転写部１０６が回転し、液転写部１０６が触媒として作用する転写部１０３の表面に溶液４０４を塗布する（塗布工程）。
【００３８】
液転写部１０６が転写部１０３の表面に溶液４０４を塗布すると、弾性部１０８が転写部１０３の表面から転写部１０３の裏面に穴２０２を介して通過した溶液４０４を保持する（溶液保持工程）。
【００３９】
ステップＳ１０３では、転写部１０３が回転すると、転写部ユニット回転部１０２によりステップＳ１０２で溶液が塗布された転写部の表面を半導体基板の表面と接触すべく配置する（配置工程）。
【００４０】
転写部ユニット回転部１０２が配置すると、弾性部１０８が保持した溶液４０４を転写部１０３の裏面から転写部１０３の表面に穴２０２を介して通過させ、半導体基板１００の表面に供給する（溶液供給工程）。
ステップＳ１０４では、転写部１０３が、転写部１０３の形状を基板１００の表面に転写する（転写工程）。
転写処理を終了する。
図３を説明する。
【００４１】
図３は転写部１０３の半導体基板１００の表面と対向する領域であって、かつ半導体基板の表面に平行な領域を含んだ表面を上から見た図である。つまりこの領域が図６の転写処理中に基板１００と接触可能な領域である。
２０１の領域は転写部の領域であり、転写部の表面には触媒である白金がコーティングされている。
【００４２】
２０２の領域は、転写部に開いた穴であり、転写部の表面（半導体基板１００の表面と対向する領域であって、かつ半導体基板の表面に平行な領域）と裏面を貫通している。
【００４３】
転写部に開いた穴は丸型でなくてもよく、どのような形状（例えば四角型、三角型、星型、アルファベット文字、直線、曲線、ＬＳＩの配線パターン等）でもよい。さらに穴の数は特に限定されるものではない。さらに穴同士の配置関係は、一定間隔に整列する必要はなく特に限定されるものではない。
【００４４】
また図３に示す全ての穴２０２（１００％）またはその一部（例えば割合５０％）を転写部の表面（半導体基板１００の表面と対向する領域であって、かつ半導体基板の表面に平行な領域）と裏面を貫通させないようにしてもよい。この場合は、穴２０２の領域が凹部となり、触媒２０１の領域が凸部となり、転写部表面に形成された凹凸形状を基板１００の表面に転写することができる。
なお、図３の転写部の表面にある円形の穴（凹部）２０２の直径は２０μｍ程度である。
なお、図３の転写部の表面にある触媒（凸部）２０１の最短のスペースは２μｍ程度である。
図４を説明する。
【００４５】
図４は図７に示す半導体基板１００の表面の転写処理加工が完了した後の、半導体基板１００の表面を上から見た図である。つまりこの表面が図６に示す半導体基板１００の表面の転写処理中に転写部１０３と接触可能な表面である。
３０１の領域は非転写部分の領域であり、２０２の穴（凹部）の領域（エッチングされない）に該当する領域である。
３０２の領域は転写部分の領域であり、２０１の触媒（凸部）の領域（エッチングされる）に該当する領域である。
【００４６】
なお、半導体基板１００の表面を上から見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、単結晶シリコンウエハのような円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。
【００４７】
図５乃至図７は、連続的な転写部１０３と基板１００の状態を示す図であり、図１の（１）⇒図１の（２）⇒図１の（３）の順序で転写処理が進んだ場合の転写部１０３及び基板１００の変化を示している。
図５を説明する。
図５は図１の（１）の状態での転写部１０３と基板１００を拡大した図である。
【００４８】
同期して移動する転写部１０３（及び弾性部１０８）の回転移動及び基板の直進移動に従って、転写部１０３の表面と基板の表面との距離は徐々に近づいていく。
溶液４０４は、液転写部１０６により触媒として作用する転写部１０３の表面に塗布された状態である。
なお、転写部１０３の断面図は四角であるが丸型や三角でもよく、四角に特に限定されない。
図６を説明する。
図６は図１の（２）の状態での転写部１０３と基板１００を拡大した図である。
【００４９】
基板の直進移動に従って、転写部１０３の表面と基板の表面との距離は一定に保たれ、同時に転写部１０３の表面と基板１００の表面との接触により、接触界面（反応スペース４０３）の摩擦力が発生し、転写部１０３（及び弾性部１０８）は基板と同期して回転移動（接触している時は直進移動）する。
溶液４０４が接触界面（反応スペース４０３）において、触媒及び基板と反応することにより、基板がエッチング（転写処理）される。
【００５０】
ここで、転写部１０３の表面に弾性部１０８に通じる穴２０２がある場合には、更にこの時、弾性部１０８に保持されている溶液４０４も、穴２０２から接触界面（反応スペース４０３）に供給される。
【００５１】
ここで、転写部１０３の表面に、弾性部１０８に通じる穴２０２が全くない場合には、弾性部１０８から接触界面（反応スペース４０３）には溶液４０４は供給されず、液転写部１０６により転写部１０３の表面に塗布された溶液４０４だけで、接触界面（反応スペース４０３）において、触媒及び基板と反応することにより、基板がエッチング（転写処理）される。
【００５２】
なお、触媒２０１は転写部１０３の全面（表面全て）を被覆する必要はなく、転写処理中において基板１００に対向する面にあればよい。また転写部１０３の部材すべてを触媒２０１で作成してもよい。
図７を説明する。
図７は図１の（３）の状態での転写部１０３と基板１００を拡大した図である。
同期して移動する転写部１０３（及び弾性部１０８）の回転移動及び基板の直進移動に従って、転写部１０３の表面と基板の表面との距離は徐々に離れていく。
【００５３】
図６の転写処理により、転写部１０３の表面（半導体基板１００の表面と対向する領域であって、かつ半導体基板の表面に平行な領域）から塗布された溶液４０４が無くなる。
基板１００の３０１の領域は非転写部分の領域であり、２０２の穴の領域（エッチングされない）に該当する領域である。
基板１００の３０２の領域は転写部分の領域であり、２０１の触媒の領域（エッチングされる）に該当する領域である。
＜変形例＞
【００５４】
尚、本願発明において使用する溶液は、半導体基板を酸化する機能を備える酸化剤である過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、二クロム酸カリウム水溶液（Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７）、マンガン酸カリウム水溶液（ＫＭｎＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、酸素（Ｏ２）又はオゾン（Ｏ３）を溶解させた水、の中から選ばれる少なくとも１種の酸化剤を含んでいればよい。かつ、半導体基板を溶解する機能を備える溶解剤であるフッ化水素酸を含んでいればよい。つまり酸化剤と溶解剤の混合水溶液であればよい。
【００５５】
尚、本願発明において使用する触媒は、溶液中の酸化剤の分解触媒であり、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、それらの内少なくとも１つを含む合金、の中から選ばれる少なくとも１種であればよい。
【００５６】
尚、本願発明において使用する触媒は、スパッタリング法、メッキ法、ＣＶＤ法によって形成された膜、あるいは化合物の塗布被膜から還元生成して形成した膜が採用されるが、膜に限定されない。
【００５７】
尚、本願発明において転写処理する対象の半導体は、太陽電池、光デバイス、ＭＥＭＳ構造を備えたデバイス、または大規模集積回路（ＬＳＩ）を備えたデバイスであってもよい。
尚、本願発明における転写処理する対象の基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓであってもよい。
【００５８】
尚、基板の転写処理枚数を高める（スループットの向上）ために、本願発明における転写処理の転写部ユニット１０４を複数にして、複数の基板を同時に転写処理することもできる。
【符号の説明】
【００５９】
１００  半導体基板（太陽電池用シリコン基板）
１０３  転写部
２０１  触媒（白金）
２０２  穴
４０４  溶液（過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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