(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
入射する荷電粒子線を偏向することで前記基板に入射させず、入射する荷電粒子線を偏向しないことで前記基板に入射させる複数の偏向器、および、入射する荷電粒子線を偏向できない異常偏向器を有するブランキング部と、
シャッターブレードを駆動し、駆動した前記シャッターブレードによって、前記異常偏向器に入射する荷電粒子線を遮断するシャッター機構と、
前記ブランキング部および前記シャッター機構を制御する制御部と、
を備え、
前記複数の偏向器には、前記制御部により前記異常偏向器に入射する荷電粒子線を遮断するように制御された前記シャッター機構が前記シャッターブレードを駆動する際に生じる駆動誤差に起因して、一部分が遮断される荷電粒子線が入射する偏向器が含まれ、
前記制御部は、前記一部分が遮断される荷電粒子線を偏向することで前記基板に入射させないように前記ブランキング部を制御して、前記一部分が遮断される荷電粒子線を前記パターンの描画に使用しないようにする、
ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項２】
前記シャッター機構は、前記シャッターブレードの駆動誤差に基づいて前記シャッターブレードを駆動する、ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項３】
前記異常偏向器を検出する検出部をさらに備え、
前記一部分が遮断される荷電粒子線は、前記検出部の検出結果と前記駆動誤差とに基づいて、特定される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項４】
前記異常偏向器は、入射する荷電粒子線を一部分のみ偏向できない偏向器を含む、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項５】
前記シャッター機構は、前記シャッターブレードを複数備える、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項６】
前記シャッター機構は、前記複数の荷電粒子線と直交する平面に沿って前記シャッターブレードを駆動する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
前記パターンを描画された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路等のデバイスの製造に用いられる荷電粒子線描画装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造に用いられる電子ビーム描画装置においては、近年、半導体集積回路内の素子の微細化、回路パターンの複雑化、パターンデータの大容量化が進み、描画精度の向上と共に、描画スループットの向上が要求されている。このため、複数本の電子ビームを一斉に偏向し、被露光基板の露光部／被露光部に対して電子ビームの照射をオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）して描画するマルチビーム方式の電子ビーム描画装置の開発が近年盛んに進められている。
【０００３】
特許文献１には、異常な電子ビームを遮断するマルチ電子ビーム描画装置が提案されている。特許文献１に記載のマルチ電子ビーム描画装置は、電子ビーム行路上に正常な電子ビームを選択的に通過させることの出来る開口部を有する可動式のシャッター機構を備える。そして、特許文献１に記載のマルチ電子ビーム描画装置は、前記可動式のシャッター機構の開口部を選択的に通過させた正常な電子ビームだけを用いて、可能な限り描画処理速度の低下を抑えている。
【０００４】
マルチ電子ビーム描画装置は、ブランキング偏向器によって、複数の電子ビームを個別に基板に入射するオン状態と基板に入射しないオフ状態にするオン／オフ制御を行う。そして、マルチ電子ビーム描画装置は、上記オン／オフ制御を行うことによって、所定の描画データを基板の所定の位置に描画する。ブランキング偏向器は、各電子ビーム開口を通過してくる電子ビームに対し、向かい合うように電極が対向に配置され、また、各電極に配線も形成されている。各電極間に電圧を印加して電子ビームを静電偏向させ、ストッピングアパーチャに衝突させることにより、電子ビームはオフ（遮断）される。従って、電極の不良や、配線の断線が起こると、電極への電圧の印加が出来ず、電子ビームのオフが出来なくなる。電子ビームのオフが出来なくなったブランキング偏向器の開口を、「白欠陥」と呼ぶことにする。また、逆にブランキング偏向器の開口へのゴミの付着などにより電子ビームのオンが完全にできなくなった開口を「黒欠陥」と呼ぶ。さらに、電子ビームが不完全にしかオンできなくなった開口を「グレー欠陥」と呼ぶことにする。黒欠陥及びグレー欠陥については、ブランキング偏向器だけでは無く、アパーチャアレイ、静電レンズ、ブランキングアパーチャ、偏向器等の各開口へのゴミの付着や、配線の断線等においても発生し得る。
【０００５】
半導体集積回路の微細化に伴い、電子ビームのサイズも微細になる傾向がある。また、半導体集積回路の生産性を向上するために、同時に描画可能な電子ビームの数を増加して、描画面積を大きくする手法が採用される傾向がある。電子ビームや開口の微細化、電子ビーム数の増加により、ブランキング偏向器の欠陥の発生確率は高くなる傾向にあり、欠陥が在る場合、正しい描画ができなくなるという課題がある。欠陥を修理するためには交換作業が必要であり、交換作業は煩雑なため装置のダウンタイムも長くなってしまう。そこで、特許文献１には、白欠陥のブランキング偏向器があったとしても使用し続けることを可能となるマルチ電子ビーム描画装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４５１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、生産性のさらなる向上のために、電子ビーム本数を数万〜数百万本に増やすと共に、電子ビーム間のピッチを数μｍ〜数十μｍとする傾向がある。ここで、特許文献１に記載のマルチ電子ビーム描画装置における可動式のシャッター機構を使用した際の課題を述べる。シャッター機構の駆動における位置決め精度が数十μｍオーダー以上となった場合、シャッターブレードによる遮光領域の境界線上、又は、その隣接する領域において、電子ビームを誤って遮光してしまうことが発生する可能性がある。その状態が発生した場合、黒欠陥の状態や、グレー欠陥の状態が発生することになる。そのようにして黒欠陥、グレー欠陥の状態が発生した場合、基板上に正常に描画を行うことができなくなることになる。上記課題を回避するため、シャッター機構の位置決め精度を数μｍオーダー以下にしようとすると、シャッター機構に対するコストの増大が懸念されてしまう。
【０００８】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、シャッターブレードの位置決め精度の緩和に有利な荷電粒子線描画装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板上にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、入射する荷電粒子線を偏向することで前記基板に入射させず、入射する荷電粒子線を偏向しないことで前記基板に入射させる複数の偏向器、および、入射する荷電粒子線を偏向できない異常偏向器を有するブランキング部と、シャッターブレードを駆動し、駆動した前記シャッターブレードによって、前記異常偏向器入射する荷電粒子線を遮断するシャッター機構と、前記ブランキング部および前記シャッター機構を制御する制御部と、を備え、前記複数の偏向器には、前記制御部により前記異常偏向器に入射する荷電粒子線を遮断するように制御された前記シャッター機構が前記シャッターブレードを駆動する際に生じる駆動誤差に起因して、一部分が遮断される荷電粒子線が入射する偏向器が含まれ、前記制御部は、前記一部分が遮断される荷電粒子線を偏向することで前記基板に入射させないように前記ブランキング部を制御して、前記一部分が遮断される荷電粒子線を前記パターンの描画に使用しないようにする、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、シャッターブレードの位置決め精度の緩和に有利な荷電粒子線描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】マルチ電子ビーム描画装置の構成を示す図である。
【図２】描画に使用しないビーム領域を算出するフローチャートを示す図である。
【図３】第１実施形態におけるアパーチャアレイと白欠陥の開口を示す図である。
【図４】従来例におけるシャッター機構による遮光を示す図である。
【図５】従来例における駆動誤差を有するシャッター機構による遮光を示す図である。
【図６】第１実施形態におけるシャッターブレードの駆動位置を示す図である。
【図７】第１実施形態における正常なブランキング偏向器により電子ビームをオフする領域を示す図である。
【図８】第２実施形態におけるシャッターブレードの駆動位置と正常なブランキング偏向器により電子ビームをオフする領域を示す図である。
【図９】第３実施形態におけるアパーチャアレイの開口の配置を示す図である。
【図１０】第３実施形態におけるシャッターブレードの駆動位置と正常なブランキング偏向器により電子ビームをオフする領域を示す図である。
【図１１】シャッターブレードの２枚構成を示す図である。
【図１２】シャッターブレードの４枚構成を示す図である。
【図１３】開口部を備えたシャッターブレードの構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、複数の荷電粒子線を基板上に照射して描画を行う荷電粒子線描画装置に適用可能であるが、複数の電子ビームを用いて描画を行う電子ビーム描画装置に適用した例を説明する。
【００１３】
［第１実施形態］
図１は、複数の電子ビームで基板上にパターンを描画するマルチ電子ビーム描画装置の構成を示す図である。電子銃２１１はクロスオーバ像２１２を形成する。クロスオーバ像２１２から発散した電子ビームは、電磁レンズで構成されたコリメーターレンズ２１３の作用により平行ビームとなり、アパーチャアレイ２１６に入射する。アパーチャアレイ２１６は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、入射した電子ビームは複数の電子ビームに分割される。電子銃２１１、コリメーターレンズ２１３、アパーチャアレイ２１６は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を生成する生成部を構成している。
【００１４】
アパーチャアレイ２１６を通過した電子ビームは、円形状の開口を有した３枚の電極板（図中では、３枚を一体で図示している）から構成される静電レンズ２１７に入射する。静電レンズ２１７が最初にクロスオーバ像を形成する位置に、開口がマトリクス状に配置されたブランキングアパーチャ２１９が配置される。このブランキングアパーチャ２１９による電子ビームの個別のオン／オフ動作は、マトリクス状に配置された複数のブランキング偏向器（偏向器）２１８により実行される。各ブランキング偏向器２１８は、各電子ビームを個別に基板２２２に入射するオン状態または基板に入射しないオフ状態に制御する。ブランキング偏向器２１８は、ブランキングを制御する回路１０５により制御される。ブランキングを制御する回路１０５は描画パターンを発生する回路１０２、ビットマップに変換する回路１０３、エネルギー量の指令を生成する回路１０４によって生成されるブランキング信号により制御される。ブランキング偏向器２１８、ブランキングアパーチャ２１９、ブランキングを制御する回路１０５等は、ブランキング部を構成している。
【００１５】
ブランキングアパーチャ２１９を通過した電子ビームは、静電レンズ２２１により結像され、ウエハ、マスクなどの基板２２２や、電子ビーム検出部２２４に元のクロスオーバ像２１２を結像する。基板２２２にパターンが描画される間、基板２２２はＹ方向にステージ２２３により連続的にスキャンされ、レーザ測長器などによるステージ２２３に対する測長結果を基準として、基板２２２の表面上の像が偏向器２２０でＸ方向に偏向される。さらに、ブランキング偏向器２１８で描画に必要なタイミングで電子ビームがオン／オフされる。偏向器２２０は、偏向信号を発生する回路１０９により発生される偏向信号を偏向アンプ１１０に送信することによって制御される。
【００１６】
シャッター機構２２５は、電子ビームの通過方向に垂直な平面（荷電粒子線と交差する平面）内においてＸ方向、Ｙ方向又はＸＹ両方向にシャッターブレードを駆動することによって複数の電子ビームの少なくとも一部を遮断可能である。それによって、シャッター機構２２５は、ブランキング偏向器２１８に異常が発生し、オフできなくなってしまった電子ビームを遮光することができる。
【００１７】
信号処理回路１０７は、電子ビーム検出部２２４からの信号（出力）を検出し、信号処理を行っている。コリメーターレンズ２１３、静電レンズ２１７は、レンズ制御回路１０１により制御され、静電レンズ２２１は、レンズ制御回路１０６により制御され、シャッター機構２２５は、シャッター制御回路１１１により制御される。さらに、全ての描画動作に関わるものは、コントローラー１００により統括される。データ記憶回路１１２は、コントローラー１００が統括し描画動作等する際に使用する各種データや、各種制御回路等に関わるデータを記憶する。遮断領域を算出する回路１１３は、電子ビームを遮断する領域を算出する。コントローラー１００、シャッター制御回路１１１等は、制御部を構成している。
【００１８】
図２は、描画に使用しないビーム領域を算出するフローチャートを示す図である。Ｓ３０１で、電子ビーム検出部（検出部）２２４を使用して全電子ビームの特性が測定される。コントローラー１００は、電子ビームをオフ状態(遮断状態)にすることができないブランキング偏向器、つまり、白欠陥の第１異常偏向器を特定する情報を電子ビーム検出部２２４の出力から取得する。コントローラー１００は、単一の電子ビーム検出部２２４毎に一本ずつ電子ビームをオン／オフさせて、ビーム電流を計測し、各ブランキング偏向器が白欠陥かどうかを判定する。もしくは、コントローラー１００は、複数の電子ビーム検出部２２４で一度に複数の電子ビームについて、白欠陥かどうかを判定する。つまり、コントローラー１００は、電子ビーム検出部２２４により検出され、信号処理回路１０７により処理された後の検出情報を演算処理してブランキング偏向器の白欠陥かどうかを判定する。コントローラー１００は、白欠陥の第１異常偏向器だけではなく、電子ビームをオン状態にすることができない黒欠陥の第２異常偏向器とオン状態にしても電子ビームの一部分を通過させることができないグレー欠陥の第３異常偏向器も一緒に特定することができる。白欠陥の第１異常偏向器、黒欠陥の第２異常偏向器、グレー欠陥の第３異常偏向器をまとめて異常偏向器と総称する。
【００１９】
Ｓ３０２で、コントローラー１００は、白欠陥の偏向器があったかどうかを判定する。白欠陥の偏向器が無ければ、Ｓ３０５に進む。Ｓ３０３で、コントローラー１００は、シャッター機構２２５により電子ビームを遮光する領域を決定し、さらに、シャッターブレードの駆動位置を算出する。図３は、マルチ電子ビーム描画装置のアパーチャアレイ２１６を前段のコリメーターレンズ２１３側から見た図である。アパーチャアレイ２１６にはマトリクス状に２次元配置された複数の円形状の開口４０１を有する。開口４０１の数は実際には数万〜数百万本になるが、ここではＸ方向に６列、Ｙ方向に６行の計３６個の開口を有するアパーチャアレイとなっている。Ｌ１は開口径で数μｍ〜数百μｍとなり、Ｌ２は開口間隔で数μｍ〜数十μｍとなる。また、同図の黒く塗りつぶされた開口４０２は、後段のブランキング偏向器２１８が白欠陥となってしまっているため、オフできない電子ビームに対応する開口を示す。遮断領域を算出する回路１１３は、シャッター機構２２５を使用してどのように遮光するかを決定する。このとき、遮断領域を算出する回路１１３は、シャッターブレードにより遮光される電子ビーム領域が比較的少なくなるように決定する。次に、コントローラー１００は、シャッターブレードの駆動位置を算出する。
【００２０】
図４は、従来例に沿って算出されるシャッターブレード２２６の駆動目標位置と、シャッター機構２２５の遮光による効果を示す図である。シャッターブレード２２６は駆動目標位置に駆動されることで、開口４０２へ入射する電子ビームを遮光し、白欠陥のブランキング偏向器２１８があったとしても電子ビームをオフできるようになる。同図の縦の点線は、従来例におけるシャッター機構２２５の右端の駆動目標位置４０３を示す。この図では、シャッターブレード２２６が駆動目標位置まで正確に駆動された場合を示している。この結果、基板２２２に対してオンし続ける白欠陥の電子ビームが遮光できるため、遮光されていない複数の正常な電子ビームを使用して基板２２２の所定の位置に描画を行うことが可能性となる。しかしながら、シャッター機構２２５には駆動動作に対する駆動誤差が必ずある。ここで、駆動誤差が最大±ΔＸであるとする。図５はシャッターブレード２２６の駆動目標位置４０３に対して、駆動誤差により目標位置からＸ軸に対して−ΔＸずれた位置で止まってしまった場合を示す図である。図５にはシャッターブレード２２６の駆動可能方向４０４も示す。この場合、白欠陥の開口４０２への電子ビームをシャッターブレード２２６にて適切に遮光できていないため、引き続き電子ビームをオフできていない白欠陥のままになってしまう。そのため、シャッターブレード２２６の駆動目標位置４０３は、駆動誤差±ΔＸを考慮してより適切に設定される必要がある。駆動誤差は、シャッターブレード２２６の位置決め精度であり、例えば、「位置ずれ量の平均値の絶対値」＋ｎ＊「位置ずれ量の標準偏差」（ｎは正の整数）等、所定の計算式にしたがって求めることができる。
【００２１】
図６は、駆動誤差±ΔＸを考慮して算出した本発明における駆動目標位置４０５を示す図である。遮断領域を算出する回路１１３は、白欠陥の開口４０２の右端からＸ軸のプラス方向に少なくとも＋ΔＸ離れたところに駆動目標位置４０５を設定する。この結果、シャッターブレードに駆動誤差が発生する場合においても、開口４０２を完全に遮断されることが保証されるようになる。このように、制御部は、白欠陥の異常偏向器に対応する電子ビーム（第１荷電粒子線）がシャッターブレード２２６によって完全に遮断されるようにシャッター機構２２５を制御する第１制御を行う。算出された駆動目標位置４０５は、データ記憶回路１１２により記憶される。駆動誤差±ΔＸは、シャッター機構２２５の設計上の位置決め精度から設定することができる。シャッター機構２２５の製造誤差や組み付け誤差も駆動誤差に含めるようにしても良い。また、アパーチャアレイ２１６に配置される開口の製造上の配置誤差や、開口径誤差も考慮した数値としても良い。さらに、シャッターブレード２２６により電子ビームに対し光学的な悪影響を与えてしまうシャッター端からの範囲をあらかじめ算出しておき、この影響範囲を考慮した数値としても良い。駆動誤差±ΔＸは、マルチ電子ビーム描画装置上で計測により推定することもできる。シャッターブレード２２６をある目標位置まで駆動させる。その状態で、全電子ビーム、又は、特定の電子ビームのビーム電流を電子ビーム検出部２２４により計測し、グレー欠陥、黒欠陥になる電子ビーム領域の対応を調査する。この動作を複数回行ったり、さらには、シャッターブレード２２６の駆動位置を変えながら複数回行ったりすることで、電子ビームの２次元配置における行単位や、列単位の駆動誤差を推定することが可能となる。上述した駆動誤差に対して、ある程度のマージンを考慮してより大きな数値を最終的な駆動誤差として設定しても良い。駆動誤差（シャッタ-機構の位置決め精度）は、データ記憶回路１１２にて予め記憶させておいたり、マルチ電子ビーム描画装置上での計測による推定後に記憶されたりする。
【００２２】
Ｓ３０４で、コントローラー１００は、正常なブランキング偏向器２１８により描画中に電子ビームをオフし続ける領域を算出する。図７は、駆動目標位置４０５に対して、シャッターブレード２２６が駆動誤差によりＸ軸方向に＋ΔＸずれた位置で止まってしまった場合を示す図である。この場合、シャッターブレード２２６の右端の境界線上において、正常なブランキング偏向器２１８の開口４０１を中途半端に遮光してしまい、グレー欠陥の状態を作ってしまっている。図７では６個の開口群４０６がグレー欠陥になっている。遮断領域を算出する回路１１３は、シャッター機構２２５の駆動誤差を考慮して、グレー欠陥となってしまう可能性のある開口群４０６の領域を算出する。開口群４０６に対応するブランキング偏向器２１８は、描画中には電子ビームをオフし続けるようにする。このようにして、制御部は、第１制御によりシャッターブレード２２６で少なくとも一部分が遮断される可能性がある電子ビーム（第２荷電粒子線）をオフ状態にするようにブランキング偏向器２１８を制御する第２制御を行う。また、開口群４０６の領域は、データ記憶回路１１２により記憶される。
【００２３】
Ｓ３０５で、コントローラー１００は、描画中に使用しない電子ビーム領域を記憶する機能を示す。コントローラー１００は、Ｓ３０４にて記憶したシャッターブレード２２６の境界線上のグレー欠陥となってしまう開口群４０６を、描画中に使用しない電子ビーム領域として改めて記憶する。また、コントローラー１００は、シャッター機構２２５により遮光されてしまう領域も描画に使用しない電子ビーム領域として記憶する。
【００２４】
基板２２２に描画を実行する場合、コントローラー１００は、シャッターブレード２２６を駆動目標位置４０５に移動し、さらに、描画に使用しない電子ビーム領域以外の電子ビームを使用して描画を行わせる。その結果、基板２２２の所定の位置に描画を行うことが可能性となる。
【００２５】
第１実施形態では、Ｓ３０３で、ブランキング偏向器２１８の白欠陥の開口のみ着目して、シャッター機構２２５により遮光する領域を算出していたが、黒欠陥やグレー欠陥を含めてシャッター機構２２５により遮光するように、遮光領域を算出しても良い。また、黒欠陥及びグレー欠陥は、ブランキング偏向器２１８に起因するものだけでは無く、アパーチャアレイ２１６、静電レンズ２１７、ブランキングアパーチャ２１９、偏向器２２０等の各要素により発生する欠陥も含めて遮光領域を算出しても良い。第１実施形態では、Ｓ３０５で、シャッター機構２２５の右端側境界線上のグレー欠陥となりうる電子ビーム領域と、シャッター機構２２５により遮光される電子ビーム領域とが、描画に使用しない電子ビーム領域として記憶されている。しかし、さらに、シャッター機構２２５による遮光領域とは異なる領域に存在する黒欠陥やグレー欠陥も描画に使用しない電子ビーム領域として記憶されても良い。第１実施形態では、コントローラー１００とデータ記憶回路１１２とを分けて記載していたが、コントローラー１００の内部に、データ記憶回路１１２と同等の機能を備えても良い。同様にコントローラー１００の内部に、遮断領域を算出する回路１１３と同等の機能を備えても良い。
【００２６】
［第２実施形態］
第２実施形態では、シャッター機構２２５の駆動誤差が開口径に対して十分に大きい。図８は、シャッター機構２２５の駆動誤差が開口径に対して十分大きい場合のシャッターブレード２２６の駆動目標位置４０５と、グレー欠陥になる可能性のある開口群４０６を示す図である。図８には、アパーチャアレイ２１６に配置された開口４０１と、白欠陥が存在する開口４０２も示す。図８の±ΔＸは、シャッター機構２２５の駆動誤差範囲を示している。図８では、シャッターブレード２２６の右端が駆動目標位置４０５に停止した場合を示している。シャッター機構２２５の駆動誤差が大きいため、グレー欠陥になる可能性のある開口群４０６も大きい領域となってしまう。そして、シャッター機構２２５による遮光領域に隣接する領域のグレー欠陥になる可能性のある電子ビーム開口群４０６については、正常なブランキング偏向器２１８を使用して、描画中に電子ビームをオフし続けるように動作させれば良い。
【００２７】
［第３実施形態］
第３実施形態では、図９に示されるように、アパーチャアレイ２１６が第１実施形態及び第２実施形態とは異なる開口配置を有する。開口４０１は、Ｘ方向にＮ行、Ｙ方向にＭ列の完全な格子状の開口配置からＸ方向に相互に距離Ｌ３だけずれた千鳥配置となっている。図９ではＸ方向の列が上から次の列に順次Ｌ３ずつ、ずれていき、ずれ量がＬ１と同じになる列で、開口４０１のＸ方向の位置は周期的に第１行と同じ位置になる。この周期のＹ方向の長さＬ５とＸ方向のビーム領域の長さＬ４でできる領域を１千鳥ブロックと呼ぶ。
【００２８】
図１０は、白欠陥が存在する開口４０２に対するシャッターブレード２２６の駆動目標位置４０５と、グレー欠陥になる可能性のある開口群４０６を示す図である。図１０では、開口４０２はＸ方向に６行、Ｙ方向に６列あり、千鳥ブロックが２個構成されたアパーチャアレイ２１６となっている。図１０の±ΔＸは、シャッター機構２２５の駆動誤差範囲を示している。また、図１０ではシャッターブレード２２６の右端が駆動目標位置４０５に停止した場合を示している。グレー欠陥が発生しうる開口群４０６については、正常なブランキング偏向器２１８を使用して、描画中に電子ビームをオフし続けるように動作させれば良い。
【００２９】
［第４実施形態］
第１実施形態〜第３実施形態では、シャッターブレード２２６が１枚のときのみを説明してきたが、必ずしも１枚である必要はない。図１１はアパーチャアレイ２１６の中に、白欠陥のブランキング偏向器２１８に対応する開口４０２が２箇所にある場合を示す。シャッター機構２２５は、Ｘ軸方向にそれぞれ独立駆動可能なシャッターブレード２２６ａ，２２６ｂを複数備えることができる。そうすると、シャッターブレード２２６が１枚のときよりも遮光する電子ビームの領域を狭くすることができ、描画時の処理時間の低下をより低く抑えることが可能になる。この場合には、シャッターブレード２２６ａの右端と、シャッターブレード２２６ｂの左端からシャッターブレード２２６ａ，２２６ｂの駆動目標位置が算出される。さらに、正常なブランキング偏向器２１８を使用して描画中に電子ビームをオフし続ける領域が算出される。Ｘ軸方向に駆動可能なシャッターブレードを２枚構成するのではなく、Ｙ軸方向にそれぞれ独立駆動可能なシャッターブレードを２枚構成するようにしたりしても良い。また、互いに直交する２つの方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向）にそれぞれ独立駆動可能なシャッターブレードを１枚ずつ構成するようにしたりしても良い。
【００３０】
図１２はアパーチャアレイ２１６の中に、白欠陥のブランキング偏向器２１８に対応する開口４０２が４箇所ある場合を示す。白欠陥の開口がアパーチャアレイ２１６の４辺の近辺に同時に存在する場合もある。図１２に示すように、Ｘ軸方向にそれぞれ独立駆動可能なシャッターブレード２２６ａと２２６ｂの２枚を構成し、Ｙ軸方向にそれぞれ独立駆動可能なシャッターブレード２２６ｃと２２６ｄの２枚を追加構成するようにしても良い。
【００３１】
以上、Ｘ軸方向又はＹ軸方向の１軸方向にのみ駆動可能なシャッターブレードを使用した場合を説明してきたが、ＸＹ軸方向の２軸方向に駆動可能なシャッターブレードを使用しても良い。図１３は２軸方向に駆動可能なシャッターブレード２２６を使用して白欠陥のブランキング偏向器２１８に対応する開口を遮光した状況を示す図である。さらに、アパーチャを備えた可動式のシャッターブレード２２６を、Ｚ軸方向に２段構成し、遮光する電子ビームの領域がより狭くなるようにしても良い。
【００３２】
［デバイス製造方法］
本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、ＦＰＤのデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の電子線描画装置を描画する工程と、前記パターンが描画された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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