(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配設された電気機械システムデバイスを含む前記基板の表面に誘電体層を設けることと、
前記誘電体層上に自己組織化単分子層を形成することと、
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することと、
エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に構成要素を接着することと
を備え、
前記自己組織化単分子層の前記シール領域を選択的に処理することが、前記誘電体層上に酸化ケイ素層を形成することと、前記シール領域内の前記自己組織化単分子層のテール基を除去することとの一方または両方を含む、方法。
【請求項２】
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することが、酸化雰囲気内で紫外光に前記シール領域を選択的にさらすことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
酸化雰囲気内で紫外光に前記シール領域を選択的にさらすことが、前記シール領域を画定する開領域を含むマスクを使用して実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記紫外光および前記酸化雰囲気がオゾンを形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することによって、前記シール領域内の前記自己組織化単分子層の前記テール基が除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することが、酸化プラズマに前記シール領域を選択的にさらすことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することが、酸化雰囲気内で励起エネルギーに前記シール領域を選択的にさらすことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記自己組織化単分子層の前記シール領域を選択的に処理することによって、前記誘電体層上に酸化ケイ素層が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体層がアルミナ層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の前記表面に設けられた前記誘電体層が、原子層堆積プロセスを用いて形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記自己組織化単分子層が、オルガノシランまたはオルガノシロキサンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記自己組織化単分子層が、ｎ−デシルトリクロロシランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記構成要素が、ホウケイ酸ガラスの構成要素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記構成要素が、前記電気機械システムデバイスをカプセル化するように構成された要素の一部分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板の前記表面に電気機械システムデバイスを作製することと、
前記電気機械システムデバイスと前記基板の前記表面との上に前記誘電体層を形成することと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記エポキシが紫外光硬化エポキシを含み、前記紫外光硬化エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に前記構成要素を接着することが、紫外光に前記エポキシをさらすことによって前記エポキシを硬化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記エポキシが熱硬化エポキシを含み、前記熱硬化エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に前記構成要素を接着することが、高温に前記エポキシをさらすことによって前記エポキシを硬化させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法に従って作製されるデバイス。
【請求項１９】
基板の表面にアルミナ層を設けることと、
前記アルミナ層上に自己組織化単分子層を形成することと、
シール領域を画定する開領域を含むマスクを使用して酸化雰囲気内で紫外光に前記シール領域を選択的にさらすことによって、前記自己組織化単分子層の前記シール領域を選択的に処理することであって、前記自己組織化単分子層の前記選択的に処理されたシール領域が酸化ケイ素層を含む、選択的に処理することと、
エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に構成要素を接着することと
を備える、方法。
【請求項２０】
酸化雰囲気内で紫外光に前記シール領域を選択的にさらすことが、前記シール領域を画定する開領域を含むマスクを使用して実行される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記自己組織化単分子層がテール基を含み、前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することによって、前記シール領域内の前記自己組織化単分子層の前記テール基が除去される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
表面を含む基板と、
電気機械システムデバイスを含む、前記基板のデバイス領域と、
前記電気機械システムデバイスを含む前記基板の前記表面に配設された誘電体層と、
前記誘電体層上に配設されたヘッド基およびテール基を含む自己組織化単分子層と、
前記自己組織化単分子層のシール領域であって、処理された前記自己組織化単分子層の一部分を含み、処理された前記自己組織化単分子層が、ａ）酸化ケイ素層と、ｂ）前記自己組織化単分子層のテール基から除去されたヘッド基との一方または両方を含む、シール領域と、
エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に接着されているカバーと
を備える、装置。
【請求項２３】
前記基板が、ホウケイ酸ガラスを含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記カバーが、前記電気機械システムデバイスをカプセル化するように構成される、請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
前記電気機械システムデバイスがディスプレイを含む、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記誘電体層が約２０〜１００オングストロームの厚さである、請求項２２に記載の装置。
【請求項２７】
前記誘電体層がアルミナ層を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２８】
ディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成され、画像データを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスと
をさらに備える、請求項２２に記載の装置。
【請求項２９】
前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送信するように構成されたドライバ回路をさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送信するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成された画像ソースモジュールをさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３２】
前記画像ソースモジュールが、受信機と、トランシーバと、送信機とのうちの少なくとも１つを含む、請求項３１に記載の装置。
【請求項３３】
入力データを受信して、前記プロセッサに前記入力データを通信するように構成された入力デバイスをさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本開示は、２０１１年３月１１日に出願された「ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ  ＯＦ  Ａ  ＳＥＬＦ−ＡＳＳＥＭＢＬＥＤ  ＭＯＮＯＬＡＹＥＲ  ＯＮ  Ａ  ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＬＡＹＥＲ  ＦＯＲ  ＩＭＰＲＯＶＥＤ  ＥＰＯＸＹ  ＡＤＨＥＳＩＯＮ」と題する、本出願の譲受人に譲渡された米国特許出願第１３／０４６，５５８号の優先権を主張する。先願の開示は、本開示の一部と見なされ、参照により本開示に組み込まれる。
【０００２】
本開示は、一般に、電気機械システムに関し、より詳細には、マイクロ電気機械システムデバイスのための作製方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
電気機械システムは、電気的および機械的要素と、アクチュエータと、トランスデューサと、センサーと、光学的構成要素（たとえば、ミラー）と、電子回路とを有するデバイスを含む。電気機械システムは、限定はしないが、マイクロスケールおよびナノスケールを含む、様々なスケールで製造され得る。たとえば、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ：microelectromechanical system）デバイスは、約１ミクロンから数百ミクロン以上に及ぶサイズを有する構造を含むことができる。ナノ電気機械システム（ＮＥＭＳ：nanoelectromechanical system）デバイスは、たとえば、数百ナノメートルよりも小さいサイズを含む、１ミクロンよりも小さいサイズを有する構造を含むことができる。電気および電気機械デバイスを形成するために、堆積、エッチング、リソグラフィを使用して、ならびに／あるいは、基板および／または堆積された材料層の部分をエッチング除去するかまたは層を追加する、他の微細加工プロセスを使用して、電気機械要素が作成され得る。
【０００４】
１つのタイプの電気機械システムデバイスは干渉変調器（ＩＭＯＤ：interferometric modulator）と呼ばれる。本明細書で使用する干渉変調器または干渉光変調器という用語は、光学干渉の原理を使用して光を選択的に吸収および／または反射するデバイスを指す。いくつかの実装形態では、干渉変調器は伝導性プレートのペアを含み得、そのペアの一方または両方は、全体的にまたは部分的に、透明でおよび／または反射性であり、適切な電気信号の印加時の相対運動が可能であり得る。一実装形態では、一方のプレートは、基板上に堆積された固定層を含み得、他方のプレートは、エアギャップによって固定層から分離された金属膜を含み得る。別のプレートに対するあるプレートの位置は、干渉変調器に入射する光の光学干渉を変化させることがある。干渉変調器デバイスは、広範囲の適用例を有しており、特にディスプレイ能力がある製品の場合、既存の製品を改善し、新しい製品を作成する際に使用されることが予期される。
【０００５】
電気および電気機械のシステムデバイスを形成するために、堆積、エッチング、リソグラフィを使用して、ならびに／あるいは、基板および／または堆積された材料層の部分を除去するかまたは層を追加する、他の微細加工プロセスを使用して、電気機械要素が作成され得る。電気機械システムデバイス内のエアギャップ、すなわち構造内で材料の層が開空間によって分離された領域が、通常、作製プロセス中に作成される。いくつかの電気機械システムデバイスでは、エアギャップが崩壊することがあり、すなわち２つの分離した材料の層が互いに接触するようになることがあり、したがって、電気機械システムデバイスが作動中に元の状態に戻ることがある。
【０００６】
２つの分離した材料の層が互いに接触すると、層相互間の粘着力によって２つの材料の層がそれらの元の分離した状態に戻ることができなくなり、電気機械システムデバイスが動作不能になることがある。このようにして２つのそのような表面が互いに粘着する現象は、静摩擦（すなわち、静的摩擦）と呼ばれる。電気機械システムデバイスにおける静摩擦は、水蒸気によって悪化することがある。電気機械システムデバイスにおける静摩擦を低減する方法は、２つの分離した材料の層上に静摩擦低減層を堆積させることを含む。静摩擦低減層には、誘電体層と自己組織化単分子層（ＳＡＭ）コーティングとが含まれる。
【発明の概要】
【０００７】
本開示のシステム、方法およびデバイスは、それぞれいくつかの発明的態様を有し、それらのうちの単一の態様だけが、本明細書で開示する望ましい属性に関与するとは限らない。
【０００８】
本開示で説明する主題の１つの発明的態様は、自己組織化単分子層コーティングの処理を含む。いくつかの実装形態では、誘電体層が基板の表面に設けられる。自己組織化単分子層が、誘電体層上に形成される。自己組織化単分子層のシール領域が、選択的に処理される。構成要素が、エポキシで自己組織化単分子層のシール領域に接着される。
【０００９】
いくつかの実装形態では、自己組織化単分子層のシール領域は、酸化雰囲気内で紫外光にシール領域を選択的にさらすことによって、選択的に処理され得る。
【００１０】
いくつかの実装形態では、自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することによって、シール領域内の自己組織化単分子層のテール基（tail group）が除去される。
【００１１】
いくつかの実装形態では、アルミナ層が基板の表面に設けられる。自己組織化単分子層が、アルミナ層上に形成される。自己組織化単分子層のシール領域は、マスクを使用して酸化雰囲気内で紫外光にシール領域を選択的にさらすことによって処理される。マスクは、シール領域を画定する開領域を含む。自己組織化単分子層の選択的に処理されたシール領域は、酸化ケイ素層を含む。構成要素が、エポキシで自己組織化単分子層のシール領域に接着される。
【００１２】
いくつかの実装形態では、装置は、表面を含む基板を含む。誘電体層が、基板の表面に配設される。自己組織化単分子層が、誘電体層上に配設される。自己組織化単分子層のシール領域は、自己組織化単分子層の、処理された一部分を含む。カバーが、エポキシで自己組織化単分子層のシール領域に接着される。
【００１３】
本明細書で説明する主題の１つまたは複数の実装形態の詳細が、添付の図面および以下の説明において示されている。他の特徴、態様、および利点は、説明、図面、および特許請求の範囲から明らかになるであろう。以下の図の相対寸法は一定の縮尺で描かれていないことがあることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】干渉変調器（ＩＭＯＤ）ディスプレイデバイスの一連のピクセル中の２つの隣接ピクセルを示す一例の等角図。
【図２】３×３干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示す一例のシステムブロック図。
【図３】図１の干渉変調器についての可動反射層位置対印加電圧を示す一例の図。
【図４】様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されたときの干渉変調器の様々な状態を示す一例の表。
【図５Ａ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す一例の図。
【図５Ｂ】図５Ａに示すディスプレイデータのフレームを書き込むために使用され得るコモン信号およびセグメント信号についての一例のタイミング図。
【図６Ａ】図１の干渉変調器ディスプレイの一例の部分断面図。
【図６Ｂ】干渉変調器のある実装形態を示す一例の断面図。
【図６Ｃ】干渉変調器の別の実装形態を示す一例の断面図。
【図６Ｄ】干渉変調器のさらに別の実装形態を示す一例の断面図。
【図６Ｅ】干渉変調器のさらに別の実装形態を示す一例の断面図。
【図７】干渉変調器のための製造プロセスを示す一例の流れ図。
【図８Ａ】干渉変調器を製作する方法におけるある段階を示す一例の断面概略図。
【図８Ｂ】干渉変調器を製作する方法における別の段階を示す一例の断面概略図。
【図８Ｃ】干渉変調器を製作する方法におけるさらに別の段階を示す一例の断面概略図。
【図８Ｄ】干渉変調器を製作する方法におけるさらに別の段階を示す一例の断面概略図。
【図８Ｅ】干渉変調器を製作する方法におけるさらに別の段階を示す一例の断面概略図。
【図９】電気機械システム装置のための製造プロセスを示す流れ図の一例を示す図。
【図１０Ａ】電気機械システム装置のための製造プロセスを示す流れ図の一例を示す図。
【図１０Ｂ】自己組織化単分子層コーティングを形成するためのプロセスを示す流れ図の一例を示す図。
【図１１Ａ】図１０Ａおよび図１０Ｂの動作中に形成された材料層の上面および断面の概略図の一例を示す図。
【図１１Ｂ】図１０Ａおよび図１０Ｂの動作中に形成された材料層の断面の概略図の一例を示す図。
【図１１Ｃ】図１０Ａおよび図１０Ｂの動作中に形成された材料層の上面および断面の概略図の一例を示す図。
【図１１Ｄ】図１０Ａおよび図１０Ｂの動作中に形成された材料層の断面の概略図の一例を示す図。
【図１１Ｅ】図１０Ａおよび図１０Ｂの動作中に形成された材料層の断面の概略図の一例を示す図。
【図１２Ａ】マスクの概略図の一例を示す図。
【図１２Ｂ】マスクの概略図の一例を示す図。
【図１３】カバーの概略図の一例を示す図。
【図１４Ａ】複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイスを示す一例のシステムブロック図。
【図１４Ｂ】複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイスを示す一例のシステムブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
様々な図において、同様の参照番号および参照記号は同様の要素を示す。
【００１６】
以下の詳細な説明は、発明的態様について説明する目的で、いくつかの実装形態を対象とする。しかしながら、本明細書の教示は、多数の異なる方法で適用され得る。説明する実装形態は、動いていようと（たとえば、ビデオ）、静止していようと（たとえば、静止画像）、およびテキストであろうと、グラフィックであろうと、絵であろうと、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実装され得る。より詳細には、実装形態は、限定はしないが、携帯電話、マルチメディアインターネット対応セルラー電話、モバイルテレビジョン受信機、ワイヤレスデバイス、スマートフォン、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ワイヤレス電子メール受信機、ハンドヘルドまたはポータブルコンピュータ、ネットブック、ノートブック、スマートブック、プリンタ、コピー機、スキャナ、ファクシミリデバイス、ＧＰＳ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、クロック、計算器、テレビジョンモニタ、フラットパネルディスプレイ、電子リーディングデバイス（たとえば、電子リーダー）、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（たとえば、オドメータディスプレイなど）、コックピットコントロールおよび／またはディスプレイ、カメラビューディスプレイ（たとえば、車両における後部ビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子ビルボードまたは標示、プロジェクタ、アーキテクチャ構造物、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダーまたはプレーヤ、ＤＶＤプレーヤ、ＣＤプレーヤ、ＶＣＲ、ラジオ、ポータブルメモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯機／乾燥機、パッケージング（たとえば、ＭＥＭＳおよび非ＭＥＭＳ）、審美構造物（たとえば、１つの宝飾品上の画像のディスプレイ）、ならびに様々な電気機械システムデバイスなど、様々な電子デバイス中に実装されるかまたはそれらに関連付けられ得ると考えられる。また、本明細書の教示は、限定はしないが、電子スイッチングデバイス、無線周波フィルタ、センサー、加速度計、ジャイロスコープ、動き感知デバイス、磁力計、コンシューマーエレクトロニクスのための慣性構成要素、コンシューマーエレクトロニクス製品の部品、バラクタ、液晶デバイス、電気泳動デバイス、駆動方式、製造プロセス、電子テスト機器など、非ディスプレイ適用例において使用され得る。したがって、本教示は、単に図に示す実装形態に限定されるものではなく、代わりに、当業者に直ちに明らかになるであろう広い適用性を有する。
【００１７】
低減された静摩擦を有する高信頼の電気機械システムデバイスを作製する方法を開示する。方法の実装形態では、基板の表面に誘電体層を有する基板が提供される。自己組織化単分子層（「ＳＡＭ」）コーティングが、誘電体層上に形成される。次いで、ＳＡＭコーティングのシール領域が処理され、その後で、構成要素がＳＡＭコーティングのシール領域に接着される。
【００１８】
方法の実装形態は、カバーを用いて基板上の電気機械システムデバイスをカプセル化するために使用され得る。たとえば、互いに接触するように設計された電気機械システムデバイスの２つの表面は、２面間の静摩擦を低減するために、誘電体層とＳＡＭコーティングとでコーティングされ得る。電気機械システムデバイスをカプセル化するために、いくつかの実装形態では、カバーがエポキシで基板に接着されて、電気機械システムデバイスを取り囲む。本方法の実装形態は、エポキシおよびＳＡＭコーティングの接着特性を向上させる。エポキシ／ＳＡＭコーティング接着における改善によって、静摩擦によって破壊する前に、より長い時間期間の間動作する電気機械システム装置の作製が可能になる。
【００１９】
本開示で説明する主題の特定の実装形態は、以下の潜在的な利点のうちの１つまたは複数を実現するように実装され得る。エポキシおよびＳＡＭコーティングの接着特性を向上させることによって、電気機械システムデバイスの静摩擦破壊が低減される。エポキシおよびＳＡＭコーティングの接着が破壊すると、カバーと基板との間をカプセル化された電気機械システムデバイスが大気にさらされる。大気は水蒸気を含んでおり、水蒸気は、電気機械システムデバイス内で静摩擦破壊を加速させ、かつ／または静摩擦を悪化させる可能性がある。さらに、本方法の実装形態は、表面に配設された電気機械システムデバイスを有するより大きな基板が、エポキシを使用してカバーで効果的にカプセル化することを可能にする。
【００２０】
説明する実装形態が適用され得る好適な電気機械システムデバイスの一例は、反射型ディスプレイデバイスである。反射型ディスプレイデバイスは、光学干渉の原理を使用してそれに入射する光を選択的に吸収および／または反射するために干渉変調器（ＩＭＯＤ）を組み込むことができる。ＩＭＯＤは、吸収器、吸収器に対して可動である反射体、ならびに吸収器と反射体との間に画定された光共振キャビティを含むことができる。反射体は、２つ以上の異なる位置に移動され得、これは、光共振キャビティのサイズを変化させ、それにより干渉変調器の反射率に影響を及ぼすことがある。ＩＭＯＤの反射スペクトルは、かなり広いスペクトルバンドをもたらすことができ、そのスペクトルバンドは、異なる色を生成するために可視波長にわたってシフトされ得る。スペクトルバンドの位置は、光共振キャビティの厚さを変更することによって、すなわち、反射体の位置を変更することによって調整され得る。
【００２１】
図１は、干渉変調器（ＩＭＯＤ）ディスプレイデバイスの一連のピクセル中の２つの隣接ピクセルを示す等角図の一例を示している。ＩＭＯＤディスプレイデバイスは、１つまたは複数の干渉ＭＥＭＳディスプレイ要素を含む。これらのデバイスでは、ＭＥＭＳディスプレイ要素のピクセルが、明状態または暗状態のいずれかにあることがある。明（「緩和」、「開」または「オン」）状態では、ディスプレイ要素は、たとえば、ユーザに、入射可視光の大部分を反射する。逆に、暗（「作動」、「閉」または「オフ」）状態では、ディスプレイ要素は入射可視光をほとんど反射しない。いくつかの実装形態では、オン状態の光反射特性とオフ状態の光反射特性は逆にされ得る。ＭＥＭＳピクセルは、黒および白に加えて、主に、カラーディスプレイを可能にする特定の波長において、反射するように構成され得る。
【００２２】
ＩＭＯＤディスプレイデバイスは、ＩＭＯＤの行／列アレイを含むことができる。各ＩＭＯＤは、（光ギャップまたはキャビティとも呼ばれる）エアギャップを形成するように互いから可変で制御可能な距離をおいて配置された反射層のペア、すなわち、可動反射層と固定部分反射層とを含むことができる。可動反射層は少なくとも２つの位置の間で移動され得る。第１の位置、すなわち、緩和位置では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きい距離をおいて配置され得る。第２の位置、すなわち、作動位置では、可動反射層は、部分反射層により近接して配置され得る。それら２つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて、強め合うようにまたは弱め合うように干渉し、各ピクセルについて全反射状態または無反射状態のいずれかを引き起こすことがある。いくつかの実装形態では、ＩＭＯＤは、作動していないときに反射状態にあり、可視スペクトル内の光を反射し得、また、作動していないときに暗状態にあり、可視範囲外の光（たとえば、赤外光）を反射し得る。ただし、いくつかの他の実装形態では、ＩＭＯＤは、作動していないときに暗状態にあり、作動しているときに反射状態にあり得る。いくつかの実装形態では、印加電圧の導入が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。いくつかの他の実装形態では、印加電荷が、状態を変更するようにピクセルを駆動することができる。
【００２３】
図１中のピクセルアレイの図示の部分は、２つの隣接する干渉変調器１２を含む。（図示のような）左側のＩＭＯＤ１２では、可動反射層１４が、部分反射層を含む光学スタック１６からの所定の距離における緩和位置に示されている。左側のＩＭＯＤ１２の両端間に印加された電圧Ｖ0は、可動反射層１４の作動を引き起こすには不十分である。右側のＩＭＯＤ１２では、可動反射層１４は、光学スタック１６の近くの、またはそれに隣接する作動位置に示されている。右側のＩＭＯＤ１２の両端間に印加された電圧Ｖbiasは、可動反射層１４を作動位置に維持するのに十分である。
【００２４】
図１では、ピクセル１２の反射特性が、概して、ピクセル１２に入射する光を示す矢印１３と、左側のＩＭＯＤ１２から反射する光１５とを用いて示されている。詳細に示していないが、ピクセル１２に入射する光１３の大部分は透明基板２０を透過され、光学スタック１６に向かうことになることを、当業者なら理解されよう。光学スタック１６に入射する光の一部分は光学スタック１６の部分反射層を透過されることになり、一部分は反射され、透明基板２０を通って戻ることになる。光学スタック１６を透過された光１３の部分は、可動反射層１４において反射され、透明基板２０に向かって（およびそれを通って）戻ることになる。光学スタック１６の部分反射層から反射された光と可動反射層１４から反射された光との間の（強め合うまたは弱め合う）干渉が、ＩＭＯＤ１２から反射される光１５の（１つまたは複数の）波長を決定することになる。
【００２５】
光学スタック１６は、単一の層またはいくつかの層を含むことができる。その（１つまたは複数の）層は、電極層と、部分反射および部分透過層と、透明な誘電体層とのうちの１つまたは複数を含むことができる。いくつかの実装形態では、光学スタック１６は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であり、たとえば、透明基板２０上に上記の層のうちの１つまたは複数を堆積させることによって、作製され得る。電極層は、様々な金属、たとえば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）など、様々な材料から形成され得る。部分反射層は、様々な金属、たとえば、クロム（Ｃｒ）、半導体、および誘電体など、部分的に反射性である様々な材料から形成され得る。部分反射層は、材料の１つまたは複数の層から形成され得、それらの層の各々は、単一の材料または材料の組合せから形成され得る。いくつかの実装形態では、光学スタック１６は、光吸収体と導体の両方として働く、金属または半導体の単一の半透明の膜（thickness）を含むことができるが、（たとえば、光学スタック１６の、またはＩＭＯＤの他の構造の）異なる、より伝導性の高い層または部分が、ＩＭＯＤピクセル間で信号をバスで運ぶ（bus）ように働くことができる。光学スタック１６は、１つまたは複数の伝導性層または伝導性／吸収層をカバーする、１つまたは複数の絶縁層または誘電体層をも含むことができる。
【００２６】
いくつかの実装形態では、光学スタック１６の（１つまたは複数の）層は、以下でさらに説明するように、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。当業者によって理解されるように、「パターニング」という用語は、本明細書では、マスキングプロセスならびにエッチングプロセスを指すために使用される。いくつかの実装形態では、アルミニウム（Ａｌ）などの高伝導性および反射性材料が可動反射層１４のために使用され得、これらのストリップはディスプレイデバイスにおける列電極を形成し得る。可動反射層１４は、（光学スタック１６の行電極に直交する）１つまたは複数の堆積された金属層の一連の平行ストリップとして形成されて、ポスト１８の上に堆積された列とポスト１８間に堆積された介在する犠牲材料とを形成し得る。犠牲材料がエッチング除去されると、画定されたギャップ１９または光キャビティが可動反射層１４と光学スタック１６との間に形成され得る。いくつかの実装形態では、ポスト１８間の間隔は１〜１０００μｍ程度であり得、一方、ギャップ１９は＜１０，０００オングストローム（Å）程度であり得る。
【００２７】
いくつかの実装形態では、ＩＭＯＤの各ピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタである。電圧が印加されないとき、可動反射層１４は、図１中の左側のＩＭＯＤ１２によって示されるように、機械的に緩和した状態にとどまり、可動反射層１４と光学スタック１６との間のギャップ１９がある。しかしながら、電位差、たとえば、電圧が、選択された行および列のうちの少なくとも１つに印加されたとき、対応するピクセルにおける行電極と列電極との交差部に形成されたキャパシタは帯電し、静電力がそれらの電極を引き合わせる。印加された電圧がしきい値を超える場合、可動反射層１４は、変形し、光学スタック１６の近くにまたはそれに対して移動することができる。光学スタック１６内の誘電体層（図示せず）が、図１中の右側の作動ＩＭＯＤ１２によって示されるように、短絡を防ぎ、層１４と層１６との間の分離距離を制御し得る。その挙動は、印加電位差の極性にかかわらず同じである。いくつかの事例ではアレイ中の一連のピクセルが「行」または「列」と呼ばれることがあるが、ある方向を「行」と呼び、別の方向を「列」と呼ぶことは恣意的であることを、当業者は容易に理解されよう。言い換えれば、いくつかの配向では、行は列と見なされ得、列は行であると見なされ得る。さらに、ディスプレイ要素は、直交する行および列に一様に配置されるか（「アレイ」）、または、たとえば、互いに対して一定の位置オフセットを有する、非線形構成で配置され得る（「モザイク」）。「アレイ」および「モザイク」という用語は、いずれかの構成を指し得る。したがって、ディスプレイは、「アレイ」または「モザイク」を含むものとして言及されるが、その要素自体は、いかなる事例においても、互いに直交して配置される必要がなく、または一様な分布で配設される必要がなく、非対称形状および不均等に分布された要素を有する配置を含み得る。
【００２８】
図２は、３×３干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスを示すシステムブロック図の一例を示している。電子デバイスは、１つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成され得るプロセッサ２１を含む。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサ２１は、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他のソフトウェアアプリケーションを含む、１つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成され得る。
【００２９】
プロセッサ２１は、アレイドライバ２２と通信するように構成され得る。アレイドライバ２２は、たとえば、ディスプレイアレイまたはパネル３０に、信号を与える行ドライバ回路２４と列ドライバ回路２６とを含むことができる。図２には、図１に示したＩＭＯＤディスプレイデバイスの断面が線１−１によって示されている。図２は明快のためにＩＭＯＤの３×３アレイを示しているが、ディスプレイアレイ３０は、極めて多数のＩＭＯＤを含んでいることがあり、列におけるＩＭＯＤの数とは異なる数のＩＭＯＤを行において有し得、その逆も同様である。
【００３０】
図３は、図１の干渉変調器についての可動反射層位置対印加電圧を示す図の一例を示している。ＭＥＭＳ干渉変調器の場合、行／列（すなわち、コモン／セグメント）書込みプロシージャが、図３に示すこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用し得る。干渉変調器は、可動反射層またはミラーに緩和状態から作動状態に変更させるために、たとえば、約１０ボルトの電位差を必要とし得る。電圧がその値から低減されると、電圧が低下して、たとえば、１０ボルトより下に戻ったとき、可動反射層はそれの状態を維持するが、電圧が２ボルトより下に低下するまで、可動反射層は完全には緩和しない。したがって、図３に示すように、印加電圧のウィンドウがある電圧の範囲、約３〜７ボルトが存在し、そのウィンドウ内でデバイスは緩和状態または作動状態のいずれかで安定している。これは、本明細書では「ヒステリシスウィンドウ」または「安定性ウィンドウ」と呼ばれる。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイ３０の場合、行／列書込みプロシージャは、一度に１つまたは複数の行をアドレス指定するように設計され得、その結果、所与の行のアドレス指定中に、作動されるべきアドレス指定された行におけるピクセルは、約１０ボルトの電圧差にさらされ、緩和されるべきピクセルは、ほぼ０ボルトの電圧差にさらされる。アドレス指定後に、それらのピクセルは、それらが前のストローブ状態にとどまるような、約５ボルトの定常状態またはバイアス電圧差にさらされる。この例では、アドレス指定された後に、各ピクセルは、約３〜７ボルトの「安定性ウィンドウ」内の電位差を経験する。このヒステリシス特性の特徴は、たとえば、図１に示した、ピクセル設計が、同じ印加電圧条件下で作動または緩和のいずれかの既存の状態で安定したままであることを可能にする。各ＩＭＯＤピクセルは、作動状態にあろうと緩和状態にあろうと、本質的に、固定反射層および可動反射層によって形成されるキャパシタであるので、この安定状態は、電力を実質的に消費するかまたは失うことなしに、ヒステリシスウィンドウ内の定常電圧において保持され得る。その上、印加電圧電位が実質的に固定のままである場合、電流は本質的にほとんどまたはまったくＩＭＯＤピクセルに流れ込まない。
【００３１】
いくつかの実装形態では、所与の行におけるピクセルの状態の所望の変化（もしあれば）に従って、列電極のセットに沿って「セグメント」電圧の形態のデータ信号を印加することによって、画像のフレームが作成され得る。次に、フレームが一度に１行書き込まれるように、アレイの各行がアドレス指定され得る。第１の行におけるピクセルに所望のデータを書き込むために、第１の行におけるピクセルの所望の状態に対応するセグメント電圧が列電極上に印加され得、特定の「コモン」電圧または信号の形態の第１の行パルスが第１の行電極に印加され得る。次いで、セグメント電圧のセットは、第２の行におけるピクセルの状態の所望の変化（もしあれば）に対応するように変更され得、第２のコモン電圧が第２の行電極に印加され得る。いくつかの実装形態では、第１の行におけるピクセルは、列電極に沿って印加されたセグメント電圧の変化による影響を受けず、第１のコモン電圧行パルス中にそれらのピクセルが設定された状態にとどまる。このプロセスは、画像フレームを生成するために、一連の行全体、または代替的に、一連の列全体について、連続方式で繰り返され得る。フレームは、何らかの所望の数のフレーム毎秒でこのプロセスを断続的に反復することによって、新しい画像データでリフレッシュおよび／または更新され得る。
【００３２】
各ピクセルの両端間に印加されるセグメント信号とコモン信号の組合せ（すなわち、各ピクセルの両端間の電位差）は、各ピクセルの得られる状態を決定する。図４は、様々なコモン電圧およびセグメント電圧が印加されたときの干渉変調器の様々な状態を示す表の一例を示している。当業者によって容易に理解されるように、「セグメント」電圧は、列電極または行電極のいずれかに印加され得、「コモン」電圧は、列電極または行電極のうちの他方に印加され得る。
【００３３】
図４に（ならびに図５Ｂに示すタイミング図に）示すように、開放電圧（release voltage）ＶＣRELがコモンラインに沿って印加されたとき、コモンラインに沿ったすべての干渉変調器要素は、セグメントラインに沿って印加された電圧、すなわち、高いセグメント電圧ＶＳHおよび低いセグメント電圧ＶＳLにかかわらず、代替的に開放または非作動状態と呼ばれる、緩和状態に入れられることになる。特に、開放電圧ＶＣRELがコモンラインに沿って印加されると、そのピクセルのための対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧ＶＳHが印加されたときも、低いセグメント電圧ＶＳLが印加されたときも、変調器の両端間の潜在的な電圧（代替的にピクセル電圧と呼ばれる）は緩和ウィンドウ（図３参照。開放ウィンドウとも呼ばれる）内にある。
【００３４】
高い保持電圧ＶＣHOLD_Hまたは低い保持電圧ＶＣHOLD_Lなどの保持電圧がコモンライン上に印加されたとき、干渉変調器の状態は一定のままであることになる。たとえば、緩和ＩＭＯＤは緩和位置にとどまることになり、作動ＩＭＯＤは作動位置にとどまることになる。保持電圧は、対応するセグメントラインに沿って高いセグメント電圧ＶＳHが印加されたときも、低いセグメント電圧ＶＳLが印加されたときも、ピクセル電圧が安定性ウィンドウ内にとどまることになるように、選択され得る。したがって、セグメント電圧スイング（voltage swing）、すなわち、高いＶＳHと低いセグメント電圧ＶＳLとの間の差は、正または負のいずれかの安定性ウィンドウの幅よりも小さい。
【００３５】
高いアドレス指定電圧ＶＣADD_Hまたは低いアドレス指定電圧ＶＣADD_Lなどのアドレス指定または作動電圧がコモンライン上に印加されたとき、それぞれのセグメントラインに沿ったセグメント電圧の印加によって、データがそのコモンラインに沿った変調器に選択的に書き込まれ得る。セグメント電圧は、作動が印加されたセグメント電圧に依存するように選択され得る。アドレス指定電圧がコモンラインに沿って印加されたとき、一方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウ内のピクセル電圧をもたらし、ピクセルが非作動のままであることを引き起こすことになる。対照的に、他方のセグメント電圧の印加は、安定性ウィンドウを越えるピクセル電圧をもたらし、ピクセルの作動をもたらすことになる。作動を引き起こす特定のセグメント電圧は、どのアドレス指定電圧が使用されるかに応じて変動することができる。いくつかの実装形態では、高いアドレス指定電圧ＶＣADD_Hがコモンラインに沿って印加されたとき、高いセグメント電圧ＶＳHの印加は、変調器がそれの現在位置にとどまることを引き起こすことがあり、低いセグメント電圧ＶＳLの印加は、変調器の作動を引き起こすことがある。当然の結果として、低いアドレス指定電圧ＶＣADD_Lが印加されたとき、セグメント電圧の影響は反対であり、高いセグメント電圧ＶＳHは変調器の作動を引き起こし、低いセグメント電圧ＶＳLは変調器の状態に影響しない（すなわち、安定したままである）ことがある。
【００３６】
いくつかの実装形態では、常に変調器の両端間で同じ極性電位差を引き起こす保持電圧、アドレス電圧、およびセグメント電圧が使用され得る。いくつかの他の実装形態では、変調器の電位差の極性を交番する信号が使用され得る。変調器の両端間の極性の交番（すなわち、書込みプロシージャの極性の交番）は、単一の極性の反復書込み動作後に起こることがある電荷蓄積を低減または抑止し得る。
【００３７】
図５Ａは、図２の３×３干渉変調器ディスプレイにおけるディスプレイデータのフレームを示す図の一例を示している。図５Ｂは、図５Ａに示すディスプレイデータのフレームを書き込むために使用され得るコモン信号およびセグメント信号についてのタイミング図の一例を示している。それらの信号は、たとえば、図２の３×３アレイに印加され得、これは、図５Ａに示すライン時間６０ｅディスプレイ配置を最終的にもたらすことになる。図５Ａ中の作動変調器は暗状態にあり、すなわち、その状態では、反射光の実質的部分が、たとえば、閲覧者に、暗いアピアランスをもたらすように可視スペクトルの外にある。図５Ａに示すフレームを書き込むより前に、ピクセルは任意の状態にあることがあるが、図５Ｂのタイミング図に示す書込みプロシージャは、各変調器が、第１のライン時間６０ａの前に、開放されており、非作動状態に属すると仮定する。
【００３８】
第１のライン時間６０ａ中に、開放電圧７０がコモンライン１上に印加され、コモンライン２上に印加される電圧が、高い保持電圧７２において始まり、開放電圧７０に移動し、低い保持電圧７６がコモンライン３に沿って印加される。したがって、コモンライン１に沿った変調器（コモン１、セグメント１）、（１、２）および（１、３）は、第１のライン時間６０ａの持続時間の間、緩和または非作動状態にとどまり、コモンライン２に沿った変調器（２、１）、（２、２）および（２、３）は、緩和状態に移動することになり、コモンライン３に沿った変調器（３、１）、（３、２）および（３、３）は、それらの前の状態にとどまることになる。図４を参照すると、コモンライン１、２または３のいずれも、ライン時間６０ａ中に作動を引き起こす電圧レベルにさらされていないので（すなわち、ＶＣREL−緩和、およびＶＣHOLD_L−安定）、セグメントライン１、２および３に沿って印加されたセグメント電圧は、干渉変調器の状態に影響しないことになる。
【００３９】
第２のライン時間６０ｂ中に、コモンライン１上の電圧は高い保持電圧７２に移動し、コモンライン１に沿ったすべての変調器は、アドレス指定または作動電圧がコモンライン１上に印加されなかったので、印加されたセグメント電圧にかかわらず、緩和状態にとどまる。コモンライン２に沿った変調器は、開放電圧７０の印加により、緩和状態にとどまり、コモンライン３に沿った変調器（３、１）、（３、２）および（３、３）は、コモンライン３に沿った電圧が開放電圧７０に移動するとき、緩和することになる。
【００４０】
第３のライン時間６０ｃ中に、コモンライン１は、コモンライン１上に高いアドレス電圧７４を印加することによってアドレス指定される。このアドレス電圧の印加中に低いセグメント電圧６４がセグメントライン１および２に沿って印加されるので、変調器（１、１）および（１、２）の両端間のピクセル電圧は変調器の正の安定性ウィンドウの上端よりも大きく（すなわち、電圧差は、あらかじめ定義されたしきい値を超えた）、変調器（１、１）および（１、２）は作動される。逆に、高いセグメント電圧６２がセグメントライン３に沿って印加されるので、変調器（１、３）の両端間のピクセル電圧は、変調器（１、１）および（１、２）のピクセル電圧よりも小さく、変調器の正の安定性ウィンドウ内にとどまり、したがって変調器（１、３）は緩和したままである。また、ライン時間６０ｃ中に、コモンライン２に沿った電圧は低い保持電圧７６に減少し、コモンライン３に沿った電圧は開放電圧７０にとどまり、コモンライン２および３に沿った変調器を緩和位置のままにする。
【００４１】
第４のライン時間６０ｄ中に、コモンライン１上の電圧は、高い保持電圧７２に戻り、コモンライン１に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン２上の電圧は低いアドレス電圧７８に減少される。高いセグメント電圧６２がセグメントライン２に沿って印加されるので、変調器（２、２）の両端間のピクセル電圧は、変調器の負の安定性ウィンドウの下端を下回り、変調器（２、２）が作動することを引き起こす。逆に、低いセグメント電圧６４がセグメントライン１および３に沿って印加されるので、変調器（２、１）および（２、３）は緩和位置にとどまる。コモンライン３上の電圧は、高い保持電圧７２に増加し、コモンライン３に沿った変調器を緩和状態のままにする。
【００４２】
最後に、第５のライン時間６０ｅ中に、コモンライン１上の電圧は高い保持電圧７２にとどまり、コモンライン２上の電圧は低い保持電圧７６にとどまり、コモンライン１および２に沿った変調器を、それらのそれぞれのアドレス指定された状態のままにする。コモンライン３上の電圧は、コモンライン３に沿った変調器をアドレス指定するために、高いアドレス電圧７４に増加する。低いセグメント電圧６４がセグメントライン２および３上に印加されるので、変調器（３、２）および（３、３）は作動するが、セグメントライン１に沿って印加された高いセグメント電圧６２は、変調器（３、１）が緩和位置にとどまることを引き起こす。したがって、第５のライン時間６０ｅの終わりに、３×３ピクセルアレイは、図５Ａに示す状態にあり、他のコモンライン（図示せず）に沿った変調器がアドレス指定されているときに起こり得るセグメント電圧の変動にかかわらず、保持電圧がコモンラインに沿って印加される限り、その状態にとどまることになる。
【００４３】
図５Ｂのタイミング図では、所与の書込みプロシージャ（すなわち、ライン時間６０ａ〜６０ｅ）は、高い保持およびアドレス電圧、または低い保持およびアドレス電圧のいずれかの使用を含むことができる。書込みプロシージャが所与のコモンラインについて完了されると（また、コモン電圧が、作動電圧と同じ極性を有する保持電圧に設定されると）、ピクセル電圧は、所与の安定性ウィンドウ内にとどまり、開放電圧がそのコモンライン上に印加されるまで、緩和ウィンドウを通過しない。さらに、各変調器が、変調器をアドレス指定するより前に書込みプロシージャの一部として開放されるので、開放時間ではなく変調器の作動時間が、必要なライン時間を決定し得る。詳細には、変調器の開放時間が作動時間よりも大きい実装形態では、開放電圧は、図５Ｂに示すように、単一のライン時間よりも長く印加され得る。いくつかの他の実装形態では、コモンラインまたはセグメントラインに沿って印加される電圧が、異なる色の変調器など、異なる変調器の作動電圧および開放電圧の変動を相殺するように変動し得る。
【００４４】
上記に記載した原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は大きく異なり得る。たとえば、図６Ａ〜図６Ｅは、可動反射層１４とそれの支持構造とを含む、干渉変調器の異なる実装形態の断面図の例を示している。図６Ａは、金属材料のストリップ、すなわち、可動反射層１４が、基板２０から直角に延在する支持体１８上に堆積される、図１の干渉変調器ディスプレイの部分断面図の一例を示している。図６Ｂでは、各ＩＭＯＤの可動反射層１４は、概して形状が正方形または長方形であり、コーナーにおいてまたはその近くでテザー３２に接して支持体に取り付けられる。図６Ｃでは、可動反射層１４は、概して形状が正方形または長方形であり、フレキシブルな金属を含み得る変形可能層３４から吊るされる。変形可能層３４は、可動反射層１４の外周の周りで基板２０に直接または間接的に接続することがある。これらの接続は、本明細書では支持ポストと呼ばれる。図６Ｃに示す実装形態は、変形可能層３４によって行われる可動反射層１４の機械的機能からのそれの光学的機能の分離から派生する追加の利益を有する。この分離は、反射層１４のために使用される構造設計および材料と、変形可能層３４のために使用される構造設計および材料とが、互いとは無関係に最適化されることを可能にする。
【００４５】
図６Ｄは、可動反射層１４が反射副層１４ａを含む、ＩＭＯＤの別の例を示している。可動反射層１４は、支持ポスト１８などの支持構造上に載る。支持ポスト１８は、たとえば、可動反射層１４が緩和位置にあるとき、可動反射層１４と光学スタック１６との間にギャップ１９が形成されるように、下側静止電極（すなわち、図示のＩＭＯＤにおける光学スタック１６の一部）からの可動反射層１４の分離を可能にする。可動反射層１４は、電極として働くように構成され得る伝導性層１４ｃと、支持層１４ｂとをも含むことができる。この例では、伝導性層１４ｃは、基板２０から遠位にある支持層１４ｂの一方の面に配設され、反射副層１４ａは、基板２０の近位にある支持層１４ｂの他方の面に配設される。いくつかの実装形態では、反射副層１４ａは、伝導性であることがあり、支持層１４ｂと光学スタック１６との間に配設され得る。支持層１４ｂは、誘電材料、たとえば、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）の、１つまたは複数の層を含むことができる。いくつかの実装形態では、支持層１４ｂは、たとえば、ＳｉＯ2／ＳｉＯＮ／ＳｉＯ2３層スタックなど、複数の層のスタックであり得る。反射副層１４ａと伝導性層１４ｃのいずれかまたは両方は、たとえば、約０．５％のＣｕまたは別の反射金属材料を用いた、Ａｌ合金を含むことができる。誘電支持層１４ｂの上および下で伝導性層１４ａ、１４ｃを採用することは、応力のバランスをとり、伝導の向上を与えることができる。いくつかの実装形態では、反射副層１４ａおよび伝導性層１４ｃは、可動反射層１４内の特定の応力プロファイルを達成することなど、様々な設計目的で、異なる材料から形成され得る。
【００４６】
図６Ｄに示すように、いくつかの実装形態はブラックマスク（black mask）構造２３をも含むことができる。ブラックマスク構造２３は、周辺光または迷光を吸収するために、光学不活性領域において（たとえば、ピクセル間にまたはポスト１８の下に）形成され得る。黒いマスク構造２３はまた、光がディスプレイの不活性部分から反射されることまたはそれを透過されることを抑止し、それによりコントラスト比を増加させることによって、ディスプレイデバイスの光学的特性を改善することができる。さらに、ブラックマスク構造２３は、伝導性であり、電気的バス層として機能するように構成され得る。いくつかの実装形態では、行電極は、接続された行電極の抵抗を低減するために、ブラックマスク構造２３に接続され得る。ブラックマスク構造２３は、堆積およびパターニング技法を含む様々な方法を使用して形成され得る。ブラックマスク構造２３は１つまたは複数の層を含むことができる。たとえば、いくつかの実装形態では、黒いマスク構造２３は、光吸収器として働くモリブデンクロム（ＭｏＣｒ）層と、ＳｉＯ2層と、反射体およびバス層として働く、アルミニウム合金とを含み、それぞれ、約３０〜８０Å、５００〜１０００Å、および５００〜６０００Åの範囲内の厚さである。１つまたは複数の層は、たとえば、ＭｏＣｒ層およびＳｉＯ2層の場合は、ＣＦ4および／またはＯ2、ならびにアルミニウム合金層の場合は、Ｃｌ2および／またはＢＣＬ3を含む、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを含む、様々な技法を使用してパターニングされ得る。いくつかの実装形態では、ブラックマスク２３はエタロン（etalon）または干渉スタック（interferometric stack）構造であり得る。そのような干渉スタックブラックマスク構造２３では、伝導性吸収体は、各行または列の光学スタック１６における下側静止電極間で信号を送信するかまたは信号をバスで運ぶために使用され得る。いくつかの実装形態では、スペーサ層３５が、ブラックマスク２３中の伝導性層から吸収層１６ａを概して電気的に絶縁するのに、役立つことができる。
【００４７】
図６Ｅは、可動反射層１４が自立している、ＩＭＯＤの別の例を示している。図６Ｄとは対照的に、図６Ｅの実装形態は支持ポスト１８を含まない。代わりに、可動反射層１４は、複数のロケーションにおいて、下にある光学スタック１６に接触し、可動反射層１４の湾曲は、干渉変調器の両端間の電圧が作動を引き起こすには不十分であるとき、可動反射層１４が図６Ｅの非作動位置に戻るという、十分な支持を与える。複数のいくつかの異なる層を含んでいることがある光学スタック１６は、ここでは明快のために、光吸収体１６ａと誘電体１６ｂとを含む状態で示されている。いくつかの実装形態では、光吸収体１６ａは、固定電極としても、部分反射層としても働き得る。
【００４８】
図６Ａ〜図６Ｅに示す実装形態などの実装形態では、ＩＭＯＤは直視型デバイスとして機能し、直視型デバイスでは、画像が、透明基板２０の正面、すなわち、変調器が配置された面の反対の面から、閲覧される。これらの実装形態では、デバイスの背面部分（すなわち、たとえば、図６Ｃに示す変形可能層３４を含む、可動反射層１４の背後のディスプレイデバイスの任意の部分）は、反射層１４がデバイスのそれらの部分を光学的に遮蔽するので、ディスプレイデバイスの画質に影響を及ぼすことまたは悪影響を及ぼすことなしに、構成され、作用され得る。たとえば、いくつかの実装形態では、バス構造（図示せず）が可動反射層１４の背後に含まれ得、これは、電圧アドレス指定およびそのようなアドレス指定に起因する移動など、変調器の電気機械的特性から変調器の光学的特性を分離する能力を与える。さらに、図６Ａ〜図６Ｅの実装形態は、たとえば、パターニングなどの処理を簡略化することができる。
【００４９】
図７は、干渉変調器のための製造プロセス８０を示す流れ図の一例を示しており、図８Ａ〜図８Ｅは、そのような製造プロセス８０の対応する段階の断面概略図の例を示している。いくつかの実装形態では、製造プロセス８０は、図７に示されていない他のブロックに加えて、たとえば、図１および図６に示す一般的なタイプの干渉変調器を製造するために実装され得る。図１、図６および図７を参照すると、プロセス８０はブロック８２において開始し、基板２０上への光学スタック１６の形成を伴う。図８Ａは、基板２０上で形成されたそのような光学スタック１６を示している。基板２０は、ガラスまたはプラスチックなどの透明基板であり得、それは、フレキシブルであるかまたは比較的固く曲がらないことがあり、光学スタック１６の効率的な形成を可能にするために、事前準備プロセス、たとえば、洗浄にかけられていることがある。上記で説明したように、光学スタック１６は、電気伝導性であり、部分的に透明で、部分的に反射性であることがあり、たとえば、透明基板２０上に、所望の特性を有する１つまたは複数の層を堆積させることによって、作製され得る。図８Ａでは、光学スタック１６は、副層１６ａおよび１６ｂを有する多層構造を含むが、いくつかの他の実装形態では、より多いまたはより少ない副層が含まれ得る。いくつかの実装形態では、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つは、組み合わせられた導体／吸収体副層１６ａなど、光吸収特性と伝導特性の両方で構成され得る。さらに、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つまたは複数は、平行ストリップにパターニングされ得、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し得る。そのようなパターニングは、当技術分野で知られているマスキングおよびエッチングプロセスまたは別の好適なプロセスによって実行され得る。いくつかの実装形態では、副層１６ａ、１６ｂのうちの１つは、１つまたは複数の金属層（たとえば、１つまたは複数の反射層および／または伝導性層）上に堆積された副層１６ｂなど、絶縁層または誘電体層であり得る。さらに、光学スタック１６は、ディスプレイの行を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。
【００５０】
プロセス８０はブロック８４において続き、光学スタック１６上への犠牲層２５の形成を伴う。犠牲層２５は、キャビティ１９を形成するために後で（たとえば、ブロック９０において）除去され、したがって、犠牲層２５は、図１に示した得られた干渉変調器１２には示されていない。図８Ｂは、光学スタック１６上で形成された犠牲層２５を含む、部分的に作製されたデバイスを示している。光学スタック１６上での犠牲層２５の形成は、後続の除去後に、所望の設計サイズを有するギャップまたはキャビティ１９（図１および図８Ｅも参照）を与えるように選択された厚さの、モリブデン（Ｍｏ）またはアモルファスシリコン（Ｓｉ）など、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）エッチング可能材料の堆積を含み得る。犠牲材料の堆積は、物理蒸着（ＰＶＤ、たとえば、スパッタリング）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、熱化学蒸着（熱ＣＶＤ）、またはスピンコーティングなど、堆積技法を使用して行われ得る。
【００５１】
プロセス８０はブロック８６において続き、支持構造、たとえば、図１、図６および図８Ｃに示すポスト１８の形成を伴う。ポスト１８の形成は、支持構造開口を形成するために犠牲層２５をパターニングすることと、次いで、ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤ、熱ＣＶＤ、またはスピンコーティングなど、堆積方法を使用して、ポスト１８を形成するために開口中に材料（たとえば、ポリマーまたは無機材料、たとえば、酸化ケイ素）を堆積させることとを含み得る。いくつかの実装形態では、犠牲層中に形成された支持構造開口は、ポスト１８の下側端部が図６Ａに示すように基板２０に接触するように、犠牲層２５と光学スタック１６の両方を通って、下にある基板２０まで延在することがある。代替的に、図８Ｃに示すように、犠牲層２５中に形成された開口は、犠牲層２５は通るが、光学スタック１６は通らないで、延在することがある。たとえば、図８Ｅは、光学スタック１６の上側表面（upper surface）と接触している支持ポスト１８の下側端部を示している。ポスト１８、または他の支持構造は、犠牲層２５上に支持構造材料の層を堆積させることと、犠牲層２５中の開口から離れて配置された支持構造材料の部分をパターニングすることとによって形成され得る。支持構造は、図８Ｃに示すように開口内に配置され得るが、少なくとも部分的に、犠牲層２５の一部分の上で延在することもある。上述のように、犠牲層２５および／または支持ポスト１８のパターニングは、パターニングおよびエッチングプロセスによって実行され得るが、代替エッチング方法によっても実行され得る。
【００５２】
プロセス８０はブロック８８において続き、図１、図６および図８Ｄに示す可動反射層１４などの可動反射層または膜の形成を伴う。可動反射層１４は、１つまたは複数のパターニング、マスキング、および／またはエッチングプロセスとともに、１つまたは複数の堆積プロセス、たとえば、反射層（たとえば、アルミニウム、アルミニウム合金）堆積を採用することによって、形成され得る。可動反射層１４は、電気伝導性であり、電気伝導性層（electrically conductive layer）と呼ばれることがある。いくつかの実装形態では、可動反射層１４は、図８Ｄに示すように複数の副層１４ａ、１４ｂ、１４ｃを含み得る。いくつかの実装形態では、副層１４ａ、１４ｃなど、副層のうちの１つまたは複数は、それらの光学的特性のために選択された高反射性副層を含み得、別の副層１４ｂは、それの機械的特性のために選択された機械的副層を含み得る。犠牲層２５は、ブロック８８において形成された部分的に作製された干渉変調器中に依然として存在するので、可動反射層１４は、一般にこの段階では可動でない。犠牲層２５を含んでいる部分的に作製されたＩＭＯＤは、本明細書では「非開放（unreleased）」ＩＭＯＤと呼ばれることもある。図１に関して上記で説明したように、可動反射層１４は、ディスプレイの列を形成する個々の平行ストリップにパターニングされ得る。
【００５３】
プロセス８０はブロック９０において続き、キャビティ、たとえば、図１、図６および図８Ｅに示すキャビティ１９の形成を伴う。キャビティ１９は、（ブロック８４において堆積された）犠牲材料２５をエッチャントにさらすことによって形成され得る。たとえば、ＭｏまたはアモルファスＳｉなどのエッチング可能犠牲材料が、ドライ化学エッチングによって、たとえば、一般に、キャビティ１９を囲む構造に対して選択的に除去される、所望の量の材料を除去するのに有効である時間期間の間、固体ＸｅＦ2から派生した蒸気などの気体または蒸気エッチャントに犠牲層２５をさらすことによって、除去され得る。エッチング可能な犠牲材料とエッチング方法との他の組合せ、たとえば、ウェットエッチングおよび／またはプラズマエッチングも使用され得る。犠牲層２５がブロック９０中に除去されるので、可動反射層１４は、一般に、この段階後に可動となる。犠牲材料２５の除去後に、得られた完全にまたは部分的に作製されたＩＭＯＤは、本明細書では「開放」ＩＭＯＤと呼ばれることがある。
【００５４】
上記のように、２つの層が互いに接触するときの２つの分離した材料の層相互の粘着が、いくつかの電気機械システムデバイスにおいて問題となる。このようにして２つのそのような層が互いに粘着する現象は、静摩擦（すなわち、静的摩擦）と呼ばれる。たとえば、図１に示すＩＭＯＤディスプレイデバイスにおいて、電圧が少なくとも１つの選択された行および列に印加されると、可動反射層１４の表面が変形して光学スタック１６の表面と反対方向に移動することができる。電圧が除去されて復元力が可動反射層を緩和位置に戻すことが期待されるとき、静摩擦は、これらの２つの層を接触したままにすることがある。ＩＭＯＤ１２を作動位置に付勢する粘着力の合計がＩＭＯＤ１２を緩和位置に向けて付勢する復元力の合計より大きいときに、静摩擦が発生する。粘着力には、静電力、毛管力、分子間力、および／または水素結合力が含まれることがある。復元力には、作動している可動反射層１４の機械的張力が含まれることがある。デバイスの寸法が減少するにつれて粘着力が比較的強くなり、復元力が比較的弱くなるので、ナノ電気機械システム（ＮＥＭＳ）デバイスおよびマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む電気機械システムデバイスなどにおいて、デバイス寸法が減少するにつれて、静摩擦はより大きな問題となる。
【００５５】
上記のように、粘着力には、静電力、毛管力、分子間力、および／または水素結合力が含まれることがある。粘着力にはまた、他の化学的結合力とトラップ電荷による力とが含まれることがある。これらの粘着力のすべては、可動構成要素間の接触面積が増加するにつれて増加する。たとえば、可動反射層１４と光学スタック１６との間の粘着力は、これら２つの層の間の接触面積が増加するにつれて増加し、これら２つの層の間の間隔が増大するにつれて減少する。
【００５６】
いかなる理論にも縛られるものではないが、ＩＭＯＤディスプレイデバイスを含む電気機械システムデバイスのいくつかの実装形態における静摩擦は、互いに接触する表面に残された製造プロセスの残留物によって、少なくとも部分的には引き起こされるものと考えられる。たとえば、犠牲材料の除去エッチングを使用して図１に示すＩＭＯＤ１２の光キャビティ１９を形成する際に、エッチングプロセスの不揮発性生成物が、キャビティ内に製造残留物として残されることがある。ＸｅＦ2を使用してＭｏ犠牲材料をエッチングにおいて、不揮発性生成物には、不揮発性Ｍｏ含有生成物（たとえば、モリブデンオキシフロライド）、不揮発性モリブデン非含有生成物（たとえば、犠牲材料内の不純物による生成物）、残留フォトレジスト（たとえば、不完全に剥がされたフォトレジスト）などが含まれることがある。製造残留物の他の発生源には、エッチャントと非犠牲材料との反応と、除去エッチングによって大気にさらされた非犠牲材料の反応と、隣接層の堆積および／またはエッチングにおいて形成された副生成物と、隣接層間の反応の生成物とが含まれることがある。
【００５７】
図９は、電気機械システム装置のための製造プロセスを示す流れ図の一例を示す。ブロック９０２で、犠牲材料を含む電気機械システムデバイスが、基板の表面に形成される。電気機械システムデバイスは、たとえば、上述のＩＭＯＤデバイス、ジャイロスコープデバイス、加速度計デバイス、またはマイクロフォンデバイスを含む任意のタイプの電気機械システムデバイスであってよい。基板には、限定はしないが、ガラス、プラスチック、半導体材料（たとえば、シリコン）などを含む任意の好適な材料が含まれてよい。基板の表面は、基板材料および／または基板上に形成された他の材料の１つまたは複数の層を含むことができる。形成されるべく完成した電気機械システムデバイスは、電気機械システムデバイスの構成要素が互いに対して移動することおよび／または互いに接触することができるように、キャビティまたは開空間を含むことができる。いくつかの実装形態では、これらのキャビティは、犠牲材料を使用することによって形成され得る。上記のように、犠牲材料の例は、ＭｏとアモルファスＳｉとを含む。基板の表面に犠牲材料を含む電気機械システムデバイスを形成するプロセスの一例を、図７の動作８２〜８８に関して上述されている。電気機械システムデバイスを形成することは、所望の実装形態によって、任意の数の堆積、エッチング、パターニング、リソグラフィ、および／または他の処理動作を伴うことがあることは、当業者には理解されよう。
【００５８】
ブロック９０４で、犠牲材料が、電気機械システムデバイスから除去される。上記のように、いくつかの実装形態では、犠牲材料は、それをエッチャントにさらすことによって除去され得る。たとえば、ＭｏまたはアモルファスＳｉなどのエッチング可能犠牲材料が、ドライ化学エッチングによって、たとえば、所望の量の材料を除去するのに有効な時間期間の間、固体ＸｅＦ2から派生した蒸気などの気体または蒸気のエッチャントに犠牲材料をさらすことによって、除去され得る。他のエッチング方法、たとえば、ウェットエッチングおよび／またはプラズマエッチングも使用され得る。塩酸（ＨＣｌ）と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液が、たとえば、ウェットエッチングするために使用され得る。四フッ化炭素（ＣＦ4）プラズマが、たとえば、Ｍｏをプラズマエッチングするために使用され得る。
【００５９】
ブロック９０６で、誘電体層が、電気機械システムデバイスの表面および基板の表面に形成される。いくつかの実装形態において、誘電体層は静摩擦を低減する。たとえば、電気機械システムデバイスにおける表面に誘電体層を形成することによって、表面にとどまるエッチングプロセスによる残留物がカバーされ得、それにより、それらの静摩擦への寄与が大幅に低減されるかまたは排除される。原子層堆積（「ＡＬＤ」）プロセスから生じるような高品質誘電体層もまた、電気機械システムデバイスの動作中に発生することがある表面の帯電を最小化し得、いくつかの例では、電気機械システムデバイスの動作中に発生することがある表面の帯電もまた、静摩擦に寄与することがある。
【００６０】
いくつかの実装形態では、誘電体層は、ＡＬＤプロセスによって形成される。ＡＬＤは、前駆物質とも呼ばれる１つまたは複数の化学反応物質を用いて実行される薄膜堆積技法である。ＡＬＤは、連続的な自己限定的表面反応に基づく。前駆物質は、気体状態で連続的に反応チャンバに通されて、そこで前駆物質は、被加工物（すなわち、コーティングされている１つまたは複数の表面）に接触する。たとえば、第１の前駆物質は、それが反応チャンバに通されたときに表面に吸収される。次いで、第２の前駆物質が反応チャンバに通されたときに、第１の前駆物質は、その表面において第２の前駆物質と反応する。両前駆物質の交互の連続的なパルスに表面を繰り返しさらすことによって、誘電体材料の薄膜が堆積される。ＡＬＤプロセスはまた、表面が単一の前駆物質の連続的なパルスにさらされるプロセスを含み、そのプロセスは、表面に誘電体材料の薄膜を堆積する。ＡＬＤは、一般に、共形の層、すなわち下にある表面の輪郭を忠実に追従する層を形成する。ＡＬＤ前駆物質は、気体状態で反応チャンバに通され、プラズマによって活性化されることに依存しないので、またＡＬＤ反応速度は表面限定（surface-limited）であるので、膜は、気体の前駆物質にアクセス可能で堆積に好適な、反応チャンバ内のすべての表面上に堆積される。
【００６１】
いくつかの実装形態では、誘電体層には、酸化物層（たとえば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化タンタル、他の酸化物でドープされた酸化ケイ素）、窒化物層（たとえば、窒化ケイ素）、オキシ窒化物層、または炭化物層が含まれる。酸化ケイ素がドープされ得る酸化物には、酸化プラセオジムが含まれる。
【００６２】
いくつかの実装形態では、誘電体層は、アルミナとも呼ばれる酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）である。ＡＬＤによってＡｌ2Ｏ3を堆積させるための条件は、当業者に知られており、いくつかの実装形態では、表面をアルミニウム前駆物質ガスのパルスと接触させ、続いて酸素前駆物質ガスのパルスと接触させることを含む。いくつかの実装形態では、Ａｌ2Ｏ3は、アルミニウム前駆物質ガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を、酸素前駆物質ガスとして水（Ｈ2Ｏ）またはオゾン（Ｏ3）の少なくとも一方を使用して、ＡＬＤによって堆積される。他の適切な前駆物質ガスが、当業者に知られている。たとえば、他の適切なアルミニウム前駆物質ガスには、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡＬ）と、トリエチルメチルアルミニウム（ＴＥＡ／ＴＭＡ）と、ジメチルアルミニウムヒドリド（ＤＭＡＨ）とが含まれる。電気機械システムデバイスにおいて表面をコーティングするための方法および材料の詳細な記述については、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第７，７３３，５５２号を参照されたい。
【００６３】
上記のように、ＡＬＤによって堆積される材料は、前駆物質ガスによってアクセス可能であり堆積に好適な、被加工物のすべての表面に堆積される。いくつかの実装形態では、Ａｌ2Ｏ3または他の誘電体材料が、電気機械システムデバイスの上ならびに電気機械システムデバイスが作製されている基板上に堆積される。いくつかの他の実装形態では、Ａｌ2Ｏ3または他の誘電体材料が、電気機械システムデバイスの上ならびに電気機械システムデバイスが作製されている基板を覆っている他の材料上に堆積される。
【００６４】
いくつかの実装形態では、堆積されているＡｌ2Ｏ3または他の誘電体材料は、約２０〜１００オングストロームの厚さを有する。いくつかの実装形態では、堆積されているＡｌ2Ｏ3または他の誘電体材料は、約２０〜２５オングストローム、約２５〜４０オングストローム、約４０〜７５オングストローム、または約７５〜８０オングストロームの厚さを有する。誘電体層は、概して、電気機械システムデバイスの表面に存在する可能性がある残留物をマスキングするのに十分な厚さである。しかしながら、誘電体層は、厚すぎてはいけない。たとえば、ＩＭＯＤデバイスにおけるより厚い誘電体層は、より固い層につながることがあり、そのことが次には、ＩＭＯＤデバイスを作動させるために使用される電圧がより高くなることにつながることがある。さらに、いくつかの実装形態では、ＩＭＯＤまたは他の電気機械システムデバイスにおける開キャビティ内に誘電体層を堆積させるために、限られた空間が存在する。
【００６５】
誘電体の層は、電気機械システムデバイスにおいて静摩擦性能の向上をもたらすが、その表面をＡｌ2Ｏ3または他の誘電体でコーティングした電気機械システムデバイスは、依然として静摩擦を示す可能性がある。いかなる理論にも縛られるものではないが、いくつかのＡＬＤプロセスによって堆積されたＡｌ2Ｏ3または他の誘電体の表面は、ヒドロキシル（−ＯＨ）基などの反応基で終端されているものと考えられる。電気機械システムデバイスの作製中または動作中に誘電体層付近の構成要素（たとえば、以下で説明するエポキシまたは乾燥剤）からガス放出される何らかの残留物または他の化学物質が、反応基と反応することがある。そのような残留物または化学物質は、残留物または化学物質の特性に応じて静摩擦特性を向上または劣化させることがある。
【００６６】
ブロック９０８で、自己組織化単分子層（ＳＡＭ）コーティングが、電気機械システムデバイスの誘電体コーティングされた表面と基板の表面とに形成される。いくつかの実装形態では、静摩擦をさらに低減するために、誘電体層がＳＡＭコーティングでコーティングされる。本明細書で使用するＳＡＭコーティングは、両親媒性分子の組織化層である。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングの両親媒性分子は、無極性の（nonpolar）非水溶性炭化水素鎖（すなわち、テール基）に接続された有極性の（polar）水溶性基（すなわち、ヘッド基（head group））を有する。両親媒性分子のヘッド基は、基板と基板への接着剤とに対して親和性を示す。両親媒性分子のテール基は、ヘッド基から延びて疎水性の表面をもたらす。電気機械システムデバイスにおいて疎水性の表面をもたらすテール基は、静摩擦に対する表面の感受性をさらに低減する。
【００６７】
表面にＳＡＭコーティングを形成する方法は、当業者に知られている。表面にＳＡＭコーティングを形成する１つの方法を、図１０Ｂを参照して以下で説明する。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングは、オルガノシランまたは他のシラン分子であるか、またはそれらを含む。たとえば、いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングは、トリクロロシランまたはメトキシシランなどのクロロシランである。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのトリクロロシランには、ｎ−デシルトリクロロシラン（ＤＴＳ）、ｎ−ドデシルトリクロロシラン、ペルフルオロトリクロロシラン（ＦＤＴＳ）、またはｎ−オクタデシルトリクロロシランが含まれる。ＳＡＭコーティングには、ジメチルアミノシランを含むアミノ官能性シラン（amino-functionalized silane）と、アルキルトリクロロシランまたはアルキルメトキシシランを含むアルキルシランとがさらに含まれる。
【００６８】
いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングには、オルガノシロキサンを含むシロキサン分子が含まれる。たとえば、シロキサンには、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）が含まれる。ＳＡＭコーティングはまた、アミン、アルコールならびにカルボキシル酸およびリン酸を含む様々な酸を含む他の化学物質群（class of chemicals）に基づくことがある。
【００６９】
いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのテール基には、電気機械システムデバイスにおいて静摩擦の低減を達成するために、少なくとも約５炭素原子、約１５未満の炭素原子、または約５と１５との間の炭素原子が含まれる。より短いテール基は、静摩擦に対して、より長いテール基ほど大きな効果を与えない。しかしながら、より長いテール基の機械的健全性（mechanical integrity）は、より短いテール基の機械的健全性ほど高くない可能性があり、すなわち、２つのＳＡＭコーティングされた表面が互いに接触する電気機械システムデバイスの動作中に、より長いテール基は、より短いテール基より早く壊れて、それらの有効性を失う可能性がある。
【００７０】
表面にＳＡＭコーティングを形成する方法は、気相反応を含む。その結果、いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングは、ガスがアクセス可能で堆積に好適な、電気機械システムデバイスおよび基板のすべての表面にコーティングされる。
【００７１】
ブロック９１０で、誘電体でコーティングされた基板の表面のＳＡＭコーティングの一部分が処理される。ＳＡＭコーティングを処理する方法を以下で詳細に説明するが、いくつかの実装形態では、後続の動作においてカバーを接着することを容易にするために、ＳＡＭコーティングを化学的および／または物理的に修正することを伴う。
【００７２】
ブロック９１２で、電気機械システムデバイスをカプセル化するために、カバーが基板に接着される。上記のように、電気機械システムデバイスにおける静摩擦は、水蒸気によって悪化することがある。電気機械システムデバイスを大気中の水蒸気から分離するために、いくつかの実装形態では、電気機械システムデバイスがパッケージの中にカプセル化される。いくつかの実装形態では、電気機械システムデバイスは、乾燥剤とともにパッケージの中にカプセル化される。乾燥剤は、パッケージによってカプセル化された容積から水蒸気をさらに除去することができる。カバーは、電気機械システムデバイスを完全に取り囲み、電気機械システムデバイスは、カバーと、電気機械システムデバイスが作製されている基板との間で隔離される。いくつかの実装形態では、カバーは、エポキシで基板に接着される。カプセル化プロセスはまた、いくつかの実装形態では、水分がキャビティ内に侵入するのを低減することに加えて、電気機械システムデバイスのための機械的保護をもたらすことに役立つ。
【００７３】
カバーは、適切な機械的強度と、耐食性と、熱膨張係数とを有する任意の数の異なる材料であってよい。いくつかの実装形態では、カバーはガラスカバーである。ガラスカバーは、ホウケイ酸ガラスを含む、ディスプレイ産業で使用される任意のタイプのガラスであってよい。ディスプレイ産業で使用される１つの特有のガラスは、ニューヨーク州コーニングのコーニング社によるＧｏｒｉｌｌａ  Ｇｌａｓｓである。いくつかの他の実装形態では、カバーは、ステンレス鋼のカバー、ニッケルコバルト鉄合金（たとえば、ペンシルバニア州ワイオミッシングのＣａｒｐｅｎｔｅｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによるＫｏｖａｒ）のカバー、またはセラミック材料のカバーである。
【００７４】
いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングを処理することによって、カバー／基板接着の強度が向上することになる。基板はＳＡＭコーティングでコーティングされるので、たとえば、エポキシでカバーを基板に接着することによって、エポキシ／ＳＡＭコーティング界面がもたらされる。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングを処理することによって、エポキシ／ＳＡＭコーティング界面の強度が向上することになる。上記のように、いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのテール基が、疎液性の表面をもたらす。静摩擦障害に対する電気機械システムデバイスの感受性を低減する一方で、エポキシは、未処理のままであると、基板の誘電体層上にあるＳＡＭコーティングの疎水性の表面に十分に接着され得ない。
【００７５】
たとえば、エポキシとＳＡＭコーティングとの界面に破壊があるとき、その破壊は、粘着モードまたは凝集モードで発生することがある。粘着破壊は、剥離がエポキシとＳＡＭコーティングとの間に発生するときである。エポキシ／ＳＡＭコーティング界面に凝集破壊が発生すると、カバーに接着されたエポキシは残っており、ＳＡＭコーティングされた基板表面に接着されていたエポキシは実質的に残っていない。対照的に、エポキシシールの凝集破壊は、剥離破壊が発生するのではなく、エポキシ自体が機械的に破壊する（たとえば、エポキシ内に伝播した亀裂による）ときである。剥離によるのではなく、凝集破壊がエポキシ内に発生すると、エポキシは、カバーとＳＡＭコーティングの両方に接着されたままである。破壊はまた、粘着モードと凝集モードの両方で発生することもある。いくつかの実装形態では、本明細書で説明する方法は、粘着モードまたは粘着／凝集モードで発生する破壊を低減するかまたは実質的に排除する。
【００７６】
粘着破壊は、より大きい基板上の電気機械システムデバイス（たとえば、対角線が約５．７インチ以上の基板上の電気機械システムデバイス）に対してより顕著になる。粘着破壊は、ＳＡＭコーティングされた基板表面とエポキシとの間の弱い接着、または場合によってはエポキシとカバーとの間の弱い接着を示している可能性がある。いかなる理論にも縛られるものではないが、より大きい基板に対して増加する粘着破壊が、基板表面またはカバーに対するエポキシ接着において見られるのは、おそらく、より小さい基板と比較して、より大きい基板がハンドリングによって受けるより大きい量の屈曲または曲げに起因するものと考えられる。カバーとＳＡＭコーティングされた基板表面との間に接着の破壊が発生すると、粘着モードであれ凝集モードであれ、電気機械システムデバイスは、大気および大気中の水蒸気にさらされる。上記のように、電気機械システムデバイスにおける静摩擦は、水蒸気によって悪化させられて、電気機械システムデバイスの早期故障につながる可能性がある。
【００７７】
図１０Ａは、電気機械システム装置のための製造プロセスを示す流れ図の一例を示す。たとえば、図１０Ａの製造プロセスは、図９のコンテキストにおいて上記で説明したように、カバーをバインドして電気機械システムデバイスをカプセル化するために使用され得る。図１０Ｂは、自己組織化単分子層コーティングを形成するためのプロセスを示す流れ図の一例を示す。図１１Ａ〜図１１Ｅは、図１０Ａおよび図１０Ｂの動作中に形成された材料層の上面および断面の概略図の例を示す。
【００７８】
最初に図１０Ａを参照すると、方法１０００のブロック１００２で、基板の表面の誘電体層が設けられる。いくつかの実装形態では、基板は、表面に作製される電気機械システムデバイスを含む。いくつかの実装形態では、電気機械システムデバイスは、基板の表面に誘電体層を設ける前に、基板の表面に作製される。
【００７９】
電気機械システムデバイスの表面および基板の表面に誘電体層を形成する方法を、上記で説明した。上記のように、いくつかの実装形態では、誘電体層は、酸化物層（たとえば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化タンタル、他の酸化物でドープされた酸化ケイ素）、窒化物層（たとえば、窒化ケイ素）、オキシ窒化物層、または炭化物層を含む。
【００８０】
いくつかの実装形態では、誘電体層はＡｌ2Ｏ3層を含む。いくつかの実装形態では、基板の表面に設けられた誘電体層は、共形堆積プロセス、たとえばＡＬＤプロセスで形成される。いくつかの実装形態では、基板の表面の誘電体層は、約２０〜１００オングストロームの厚さである。
【００８１】
図１１Ａは、部分的に作製されたデバイスの上面概略図および断面概略図の一例を示す。図１１Ａの上部は上面概略図１１００を示し、図１１Ａの下部は、矢印１−１の方向に沿った断面概略図１１０５を示す。
【００８２】
上面概略図１１００は、基板の表面の図を示す。誘電体層は、上面概略図１１００には示されていない。電気機械システムデバイス１１０４と周辺領域１１０６とが、基板の表面に含まれる。たとえば、電気機械システムデバイス１１０４は、電気機械システムディスプレイであってよい。周辺領域１１０６は、たとえば、周辺配線ならびに電気パッドおよび／または取付けパッドを含んでもよい。たとえば、ＩＭＯＤの実装形態では、周辺領域は、電気機械システムディスプレイのためのドライバチップとフレックス回路を実装するためのチップオングラス（ＣＯＧ：chip on glass）パッドおよびフレックスオングラス（ＦＯＧ：Flex On Glass）パッドの上のチップを含んでもよい。基板は、電気機械システムデバイスをサポートするのに適切な任意のサイズであってよい。たとえば、基板は、約４インチ（１０１．２ｍｍ）の正方形、すなわち約５．７インチ（１４４．８ｍｍ）の対角線であってよい。より小さい基板は、約１インチ（２５．４ｍｍ）以下の正方形であってよい。より大きい基板は、約６インチ（１５２．４ｍｍ）以上の正方形であってよい。基板は、正方形以外の他の形状であってよい。たとえば、基板は長方形であってよい。いくつかの実装形態では、電気機械システムデバイスは、基板の表面の利用可能な面積の大部分を占める。
【００８３】
断面概略図１１０５は、電気機械システムデバイス１１０４と、周辺領域１１０６と、誘電体層１１０８とを含む基板１１０２を示す。誘電体層１１０８は、電気機械システムデバイス１１０４および周辺領域１１０６の露出した外面および内面（図示せず）の上に配設される。たとえば、ＩＭＯＤの実装形態では、誘電体層１１０８は、周辺配線、ＣＯＧおよびＦＯＧのパッド、ならびにアクティブなＩＭＯＤディスプレイ領域内のミラー下（under the mirrors）をカバーすることができる。周辺配線、電気パッド、および周辺領域１１０６内に存在し得る他の構成要素に加えて、周辺領域１１０６は、シール領域を含む。シール領域は、ＣＯＧ、ＦＯＧ、または外部構成要素へ接続するために構成された他のパッドをカバーすることなく、カバーがシールされ、かつ電気機械システムデバイスの外周の周りに全体的に及ぶ領域である。
【００８４】
方法１０００のブロック１００４で、自己組織化単分子層（ＳＡＭ）コーティングが誘電体層上に形成される。誘電体層上にＳＡＭコーティングを形成する方法を、図１０Ｂを参照して以下で詳細に説明する。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングは、オルガノシランまたはオルガノシロキサンを含む。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングはｎ−デシルトリクロロシランを含む。ＳＡＭコーティングの他の例を、図９を参照して上記で説明した。
【００８５】
図１１Ｂは、誘電体層上のＳＡＭコーティングの断面概略図の一例を示す。断面概略図１１５０は、電気機械システムデバイス１１０４と、周辺領域１１０６と、誘電体層１１０８と、ＳＡＭコーティング１１１０とを含む基板１１０２を示す。ＳＡＭコーティング１１１０は、前に誘電体層でコーティングされている表面、すなわち、電気機械システムデバイス１１０４および周辺領域１１０６の外面および内面（図示せず）の上に配設される。誘電体層１１０８および１１１０は、概略的に平らな層として示されているが、それらは、電気機械システムデバイス１１０４および周辺領域１１０６の表面を共形にコーティングすることに留意されたい。
【００８６】
図１０Ｂは、自己組織化単分子層コーティングを形成するためのプロセスを示す流れ図の一例を示す。方法１０５０は、たとえば、誘電体層上にＳＡＭコーティングを形成するために、図１０Ａの方法１０００のブロック１００４で、または図９の方法９００のブロック９０８で使用され得る。
【００８７】
方法１０５０のブロック１０５２で、基板が処理チャンバ内に設置される。処理チャンバは真空チャンバであってよく、ガスが通過できるポートを含むことができる。処理チャンバはまた、基板を間接的に加熱するために、真空チャンバの壁または基板の支持体を加熱するためのヒータを含むことができる。いくつかの実装形態では、基板は、約３０〜７５℃に、または約４５℃に加熱される。いくつかの実装形態では、処理チャンバは真空にされる（すなわち、処理チャンバにおいて真空を抜く）。
【００８８】
ブロック１０５４で、ＳＡＭ分子の一部が気体状態に変換されるように、液体状態のＳＡＭ分子（すなわち、液体状態の両親媒性分子）が加熱される。たとえば、ｎ−デシルトリクロロシラン（ＤＴＳ）がＳＡＭコーティングとして使用されるとき、液体のＤＴＳは、約９５〜１２０℃に、または約１０５〜１１０℃に加熱され得る。いくつかの実装形態では、液体のＳＡＭ分子は、処理チャンバとは別の第１のプリチャンバ内で加熱される。液体のＳＡＭ分子が第１のプリチャンバ内で加熱された後、第１のプリチャンバと第２のプリチャンバとの間の弁を開くことによって気体状態のＳＡＭ分子が第２のプリチャンバに通される。
【００８９】
ブロック１０５６で、水が加熱されて水蒸気を生じる。いくつかの実装形態では、水は、処理チャンバとは別の第３のプリチャンバ内で加熱される。第３のプリチャンバ内で水が加熱された後、第３プリチャンバと第４のプリチャンバとの間の弁を開くことによって水蒸気が第４のプリチャンバに通される。
【００９０】
ブロック１０５８で、基板が、気体状態のＳＡＭ分子と水蒸気とにさらされる。たとえば、ブロック１０５２で処理チャンバが真空になっているとき、処理チャンバを第３および第４のプリチャンバに接続している処理チャンバの弁を開くことによって、基板は、気体状態のＳＡＭ分子と水蒸気とにさらされ得る。気体状態のＳＡＭ分子と水蒸気とに基板をさらした後、ＳＡＭコーティングが誘電体層上に形成する。
【００９１】
いかなる理論にも縛られるものではないが、ＳＡＭコーティングが形成されるときに、水がＳＡＭ分子を架橋するものと考えられる。このことは、ＳＡＭコーティングの耐摩耗性を助けることができる。いくつかの実装形態では、基板は、水蒸気にさらされることなく気体のＳＡＭ分子にさらされる。
【００９２】
図１０Ａの方法１０００に戻ると、ブロック１００６で、ＳＡＭコーティングのシール領域が選択的に処理される。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのシール領域を選択的に処理することによって、シール領域内のＳＡＭコーティングのテール基が除去される。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのシール領域を選択的に処理することによって、処理されたＳＡＭコーティングに対する、エポキシまたは他の粘着性材料の粘着性が向上する。
【００９３】
図１１Ｃは、部分的に作製されたデバイスの上面概略図および断面概略図の一例を示す。図１１Ｃの上部は上面概略図１１６０を示し、図１１Ｃの下部は、矢印１−１の方向に沿った断面概略図１１６５を示す。
【００９４】
上面概略図１１６０は、ＳＡＭコーティング１１１０とＳＡＭコーティングの処理された部分１１１２とを示す。上縁および下縁に沿った、ＳＡＭコーティング１１１０の処理された部分１１１２のパターンは、ＳＡＭコーティングを処理するために使用される方法に起因する。いくつかの方法は、ＳＡＭコーティングを処理するときにそのようなパターンまたは他のパターンを生じることがある。
【００９５】
断面概略図１１６５は、電気機械システムデバイス１１０４と、周辺領域１１０６と、誘電体層１１０８と、ＳＡＭコーティング１１１０と、ＳＡＭコーティングの処理された部分１１１２とを含む基板１１０２を示す。ＳＡＭコーティングの処理された部分１１１２は、周辺領域１１０６の幅全体を占めるように概略的に示されるが、それらは、周辺領域１１０６内のより狭い帯域を占めてもよい。
【００９６】
ＳＡＭコーティングのシール領域は、多くの異なる技法を使用して選択的に処理され得る。いくつかの実装形態では、上記のように、ＳＡＭコーティングのシール領域を選択的に処理することによって、シール領域内のＳＡＭコーティングのテール基が除去される。シール領域を選択的に処理することは、シール領域に隣接するＳＡＭコーティングの領域に著しい影響を及ぼすことなくシール領域を処理することを意味する。ＳＡＭコーティングのテール基の少量の除去が、ＳＡＭコーティングの選択的に処理されたシール領域に近い領域に発生することがあることは、当業者には理解されよう。いくつかの実装形態では、シール領域を選択的に処理することは、ＳＡＭコーティングの任意の他の領域のテール基を著しく除去することなく、シール領域内だけのＳＡＭコーティングのテール基を除去することを伴う。
【００９７】
いくつかの実装形態では、シール領域を選択的に処理することは、酸化雰囲気内で紫外光にシール領域を選択的にさらすことを含む。酸化雰囲気内で紫外光にシール領域を選択的にさらすことは、少なくともシール領域に隣接する領域を、酸化雰囲気内で紫外光にさらすことなく、シール領域をさらすことを意味する。このことは、所望の実装形態に従って、紫外光および／または酸化雰囲気に選択的にさらすことによって達成され得る。
【００９８】
紫外光は、テール基がＳＡＭコーティングから除去され得るような波長および強度のものである。紫外光の波長は約１０〜４００ナノメートル（ｎｍ）にわたり、紫外光の強度は約５〜１７ミリワット／平方センチメートル（ｍＷ／ｃｍ2）にわたる。たとえば、紫外光は、約２５４ｎｍの波長であり、約１１ｍＷ／ｃｍ2の強度であってよい。
【００９９】
被加工物が置かれる処理チャンバは、紫外光露光の前の約２分間、窒素で浄化され得る。次いで、紫外光露光が、処理チャンバ内で酸化雰囲気の下で発生する。たとえば、適切な酸化雰囲気には、実質的に純粋な酸素、不活性ガスと混合された酸素、または空気が含まれ得る。たとえば、紫外光露光の間、空気は、約０．５リットル毎分（Ｌ／ｍｉｎ）の速度でプリチャンバに通されてよい。いくつかの実装形態では、フローおよび紫外光露光の継続時間は約３００秒である。いくつかの実装形態では、紫外光および酸化雰囲気が、ＳＡＭコーティングと反応してＳＡＭコーティングからテール基を除去するオゾンを形成する。いくつかの他の実装形態では、オゾンまたは別の酸化剤が、紫外光に酸化雰囲気をさらすことによって異なるチャンバ内で形成される。次いで、ＳＡＭコーティングのシール領域の全部または一部が、オゾンに選択的にさらされ得る。
【０１００】
上述のように、ＳＡＭコーティングは、両親媒性分子の層である。いくつかの実装形態では、両親媒性分子は、無極性の（nonpolar）非水溶性炭化水素鎖（すなわち、テール基）に接続された有極性の（polar）水溶性基（すなわち、ヘッド基（head group））を有する。両親媒性分子のヘッド基は、基板と基板の接着剤とに対して親和性を示す。両親媒性分子のテール基は、ヘッド基から延びて疎水性の表面をもたらす。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングは、上記のように有機のテール基を含む。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのシール領域内のテール基を選択的に除去することによって、ＳＡＭコーティングの実質的にすべてのテール基が除去される。いくつかの他の実装形態では、ＳＡＭコーティングのシール領域内のテール基を選択的に除去することによって、ＳＡＭコーティングの一部のテール基が除去される。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのシール領域内のテール基を選択的に除去することによって、誘電体層上に酸化ケイ素層が形成される。
【０１０１】
いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングを処理することによって、エポキシが強力に接着する表面がもたらされる。たとえば、いくつかの実装形態は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスによって形成された、基板上のＡｌ2Ｏ3層を含む。上記のように、いくつかのＡＬＤプロセスは、ヒドロキシルで終端された表面を有するＡｌ2Ｏ3層を形成する。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングはｎ−デシルトリクロロシラン（ＤＴＳ）である。ＤＴＳは、ケイ素原子と、ケイ素原子に結合した３つの塩素原子と、ケイ素原子に結合した１０個の炭素の炭化水素鎖とを含み；ケイ素原子および３つの塩素原子がヘッド基を構成し、１０個の炭素の炭化水素鎖がテール基を構成する。ＤＴＳがヒドロキシルで終端されたＡｌ2Ｏ3層に結合すると、ＤＴＳ分子のケイ素原子がＡｌ2Ｏ3の表面のヒドロキシルからの酸素と結合し；ＤＴＳからの塩素およびＡｌ2Ｏ3層のヒドロキシルからの水素が、この反応の揮発性の副生成物となる。得られた化学構造は、Ａｌ2Ｏ3の表面の２つの酸素原子に結合したＤＴＳ分子のケイ素原子であり、ＤＴＳ分子の炭化水素鎖がＡｌ2Ｏ3の表面から上に突き出ている。いかなる理論にも縛られるものではないが、Ａｌ2Ｏ3でコーティングされたＤＴＳの表面が、紫外光および紫外光によって生成されたオゾンにさらされると、炭化水素鎖が除去されて、ＡＬＤ  Ａｌ2Ｏ3の表面に単一の二酸化ケイ素の単分子層が残されるものと考えられる。
【０１０２】
いくつかの実装形態では、酸化雰囲気内で紫外光にＳＡＭコーティングのシール領域をさらすことは、マスクを使用して実行される。いくつかの実装形態では、マスクは、紫外光にさらされるＳＡＭコーティングの領域を画定する開領域を含む。いくつかの実装形態では、マスクは、紫外光にさらされるＳＡＭコーティングの領域を画定する、紫外光に対して透明な領域を含む。マスクは、ＳＡＭコーティングのシール領域の選択な処理を可能にする。
【０１０３】
図１２Ａおよび図１２Ｂは、マスクの概略図の例を示す。図１２Ａでは、マスク１２００は、たとえば切欠き１２０４および１２０６を有する金属などの材料のシート１２０２を含む。基板はマスク１２００の下に位置合わせされ、紫外光がマスクに向けられる。切欠き１２０４および１２０６は、図１１Ｃに示す上面概略図１１６０におけるように、シール領域内で紫外光に選択的にさらされるＳＡＭコーティングの位置を画定する。マスクは、電気機械システムデバイス１１０４の外面および内面を紫外光にさらさせないことによって、電気機械システムデバイスのＳＡＭコーティングを保護するように働く。紫外光にさらされない表面は、オゾンにさらされない。
【０１０４】
図１２Ｂでは、マスク１２５０は、材料のシート上に金属の層１２５４を有する、紫外光に対して透明な材料のシート１２５２を含む。材料のシートは、たとえば石英であってよい。金属１２５４は、紫外光を遮断するのに十分な厚さになるように、材料のシート１２５２上に堆積され得る。金属の層１２５４でカバーされない材料のシート１２５２の領域は、シール領域内で紫外光に選択的にさらされるＳＡＭコーティングの位置を画定する。マスク内の他のパターンが、特定の実装形態に従って使用され得る。
【０１０５】
上記のように、ＳＡＭコーティングのシール領域を選択的に処理することは、異なる技法を用いて実行され得る。いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのシール領域を選択的に処理することは、酸化プラズマにシール領域を選択的にさらすことを含む。たとえば、基板がプラズマ反応チャンバ内に設置され、ＳＡＭコーティングを選択的に処理するために、基板の選択された領域が酸化種を含むプラズマにさらされる。マスクは、紫外光露光技法で使用されるマスクと同様に、酸化プラズマ技法とともに使用され得る。
【０１０６】
いくつかの実装形態では、酸化プラズマは、酸化イオンおよび／またはラジカル種を含む。いくつかの実装形態では、シール領域は、酸素ラジカルにさらされる。プラズマは、直流であってよく、またはリモートに生成されてもよい。直流プラズマを生成することは、基板が置かれる領域内でプラズマを発生させることを伴う。たとえば、プラズマは、基板が載っている台と基板の上のガス分配プレートとの間で発生され得る。いくつかの実装形態では、プラズマ種は、リモートで生成されて基板露出領域に供給される。
【０１０７】
いくつかの実装形態では、ＳＡＭコーティングのシール領域を選択的に処理することは、酸化雰囲気内で励起エネルギーにシール領域を選択的にさらすことを含む。たとえば、ＳＡＭコーティングの領域を選択的に加熱してテール基を除去するために、基板の小さな表面積を加熱することができる熱源またはレーザが、酸化雰囲気内で使用され得る。熱源またはレーザが基板の特定の領域に向けられ得るとき、これらの実装形態ではマスクは必要ではなくなることがある。熱エネルギーに加えて、励起エネルギーには、紫外線、赤外線、およびマイクロ波エネルギーなどの放射エネルギー、ならびにプラズマエネルギーが含まれる。これらの実装形態のいくつかについては上述されている。
【０１０８】
誘電体層がＳＡＭコーティングでコーティングされないいくつかの実装形態では、ＡＬＤステップが、誘電体層の表面にケイ素−酸素表面を形成するために使用される。そのような表面はまた、エポキシとの良好な粘着特性を有することができる。たとえば、Ａｌ2Ｏ3の誘電体層がＡＬＤによって堆積されるとき、最終のＡＬＤステップは、アルミニウム前駆物質ガスではなく、ケイ素前駆物質ガスを含むことがある。一般的なケイ素前駆物質ガスの例には、シランとシラノールとが含まれる。しかしながら、これらの実装形態では、誘電体層がＳＡＭコーティングでコーティングされていないため、ＳＡＭコーティングの利益はまったく存在しない。
【０１０９】
図１０の方法１０００に戻ると、ブロック１００８で、構成要素がエポキシでＳＡＭコーティングのシール領域に接着される。いくつかの実装形態では、基板は、その上に配設された電気機械システムデバイスを含み、構成要素は、電気機械システムデバイスをカプセル化するように構成された要素の一部分である。たとえば、構成要素は、図９を参照して上記で説明したカバーまたはカバーの一部分であってよい。いくつかの実装形態では、構成要素は、ホウケイ酸ガラスの構成要素を含む。
【０１１０】
図１１Ｄは、電気機械システムデバイスをカプセル化するカバーを有する電気機械システム装置の断面概略図の一例を示す。断面概略図１１７０は、電気機械システムデバイス１１０４と、周辺領域１１０６と、誘電体層１１０８と、ＳＡＭコーティング１１１０と、ＳＡＭコーティングの処理された部分１１１２とを含む基板１１０２を示す。エポキシ１１１４は、ＳＡＭコーティングの処理された部分１１１２にカバー１１１６を接着する。いくつかの実装形態では、カバーはガラスカバーである。いくつかの実装形態では、乾燥剤要素１１１８は、カバーとともに含まれる。エポキシ１１１４は、周辺領域１１０６の幅全体に延在するように概略的に示されているが、上述のように、エポキシ１１１４は、電気パッドまたは取付けパッドなどへのアクセスを可能にするために、周辺領域の狭い帯域を占めることがある。
【０１１１】
図１１Ｅは、電気機械システムデバイスをカプセル化するカバーを有する電気機械システム装置の断面概略図の別の例を示す。図１１Ｅにおいて、電気機械システムデバイスが基板の一領域上に作製され、基板の他の部分または基板上に重なる層が露出したままであること以外は、図１１Ｅに示す装置は図１１Ｄに示す装置に類似する。図１１Ｅでは、断面概略図１１８０は、電気機械システムデバイス１１０４と、誘電体層１１０８と、ＳＡＭコーティング１１１０と、ＳＡＭコーティングの処理された部分１１１２とを含む基板１１０２を示す。エポキシ１１１４は、ＳＡＭコーティングの処理された部分１１１２にカバー１１１６を接着する。
【０１１２】
図１３は、カバーの概略図の一例を示す。断面概略図１３０５は、矢印１−１の方向に沿ったカバー１１１６の図であり、陥凹領域１３１２を示す。カバー１１１６の一部分１３１４は、エポキシでＳＡＭコーティングの処理部に接着される。カバーの下面概略図１３００は、陥凹領域１３１２と一部分１３１４とを示す。上記のように、いくつかの実装形態では、カバー全体がガラスである。たとえば、カバーは、ホウケイ酸ガラスであってよい。カバーはまた、ディスプレイ産業で使用される任意のタイプのガラスであってよい。
【０１１３】
いくつかの実装形態では、エポキシは紫外光硬化エポキシを含み、紫外光硬化エポキシでＳＡＭコーティングのシール領域に構成要素を接着することは、紫外光にエポキシをさらすことによってエポキシを硬化させることを含む。紫外光硬化エポキシは、当業者によく知られている。紫外光硬化エポキシの２つの例は、日本国大阪の長瀬ケムテックス株式会社によるＸＮＲ５５７０型およびＸＮＲ５５１６型のエポキシである。
【０１１４】
いくつかの実装形態では、エポキシは熱硬化エポキシを含み、熱硬化エポキシでＳＡＭコーティングのシール領域に構成要素を接着することは、高温にエポキシをさらすことによってエポキシを硬化させることを含む。熱硬化エポキシは、当業者によく知られている。
【０１１５】
いくつかの実装形態では、シール領域からテール基を除去するためにＳＡＭコーティングのシール領域を処理することによって、ＳＡＭコーティングに対するエポキシの粘着性が向上する。たとえば、前述のように、ｎ−デシルトリクロロシラン（ＤＴＳ）ＳＡＭコーティングに対する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスによって形成されたＡｌ2Ｏ3層に対して、紫外光露光によって処理されたＤＴＳコーティングとのエポキシ接着が向上することは、接着の破壊モードから明らかである。ＤＴＳコーティングが紫外光に露光済みである場合、破壊モードは凝集性であり、亀裂がエポキシ自体の中で伝播する。ＤＴＳコーティングが紫外光に露光されていない場合、破壊モードは概して粘着性であり、剥離がエポキシとＤＴＳコーティングとの間に発生する。いかなる理論にも縛られるものではないが、ＤＴＳが処理された後、エポキシ接着は、ＡＬＤ  Ａｌ2Ｏ3の表面の酸化ケイ素の単一の単分子層に、より強固に接着するものと考えられる。全体的に凝集破壊モードは、エポキシ／ＤＴＳ界面の強度を向上させる。
【０１１６】
エポキシ／ＳＡＭコーティング接着の向上によって、向上した性能を有する電気機械システム装置の作製が可能になる。誘電体層およびＳＡＭコーティングは、電気機械システム装置の電気機械システムデバイス内の静摩擦を緩和するように働くことができる。カバーと電気機械システム装置の基板との間に形成され得る強固な接着によって、この界面におけるより少ない破壊、ひいては電気機械システムデバイスへの水蒸気の悪影響の低減がもたらされる。これらの効果の総合的な結果として、電気機械システム装置は、電気機械システムデバイス内の静摩擦によって破壊する前に、より長い時間期間の間動作する。
【０１１７】
上記のように、方法９００、１０００、および１０５０の実装形態は、電気機械システム装置を作製するために使用され得る。いくつかの実装形態では、装置は、表面と、基板の表面に配設された誘電体層と、誘電体層上に配設された自己組織化単分子層（ＳＡＭ）コーティングと、ＳＡＭコーティングのシール領域とを含む基板を含む。シール領域は、処理されたＳＡＭコーティングの一部分を含む。いくつかの実装形態では、装置は、エポキシで基板のシール領域に接着されているカバーを含む。いくつかの実装形態では、基板はホウケイ酸ガラスを含む。
【０１１８】
いくつかの実装形態では、装置内の誘電体層は約２０〜１００オングストロームの厚さである。いくつかの実装形態では、装置内の誘電体層はＡｌ2Ｏ3層を含む。
【０１１９】
いくつかの実装形態では、基板は基板のデバイス領域をさらに含む。基板のデバイス領域は電気機械システムデバイスを含み、カバーは電気機械システムデバイスをカプセル化するように構成される。いくつかの実装形態では、装置の電気機械システムデバイスはディスプレイである。たとえば、ディスプレイはＩＭＯＤタイプのディスプレイまたはＯＬＥＤタイプのディスプレイであってよい。
【０１２０】
図１４Ａおよび図１４Ｂは、複数の干渉変調器を含むディスプレイデバイス４０を示すシステムブロック図の例を示している。ディスプレイデバイス４０は、たとえば、セルラー電話または携帯電話であり得る。ただし、ディスプレイデバイス４０の同じ構成要素またはディスプレイデバイス４０の軽微な変形が、テレビジョン、電子リーダーおよびポータブルメディアプレーヤなど、様々なタイプのディスプレイデバイスを示す。
【０１２１】
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１と、ディスプレイ３０と、アンテナ４３と、スピーカー４５と、入力デバイス４８と、マイクロフォン４６とを含む。ハウジング４１は、射出成形および真空成形を含む様々な製造プロセスのうちのいずれかから形成され得る。さらに、ハウジング４１は、限定はしないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組合せを含む、様々な材料のうちのいずれかから製作され得る。ハウジング４１は、異なる色の、または異なるロゴ、ピクチャ、またはシンボルを含んでいる、他の取外し可能な部分と交換され得る、取外し可能な部分（図示せず）を含むことができる。
【０１２２】
ディスプレイ３０は、本明細書で説明する、双安定またはアナログディスプレイを含む様々なディスプレイのうちのいずれかであり得る。ディスプレイ３０はまた、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ、またはＴＦＴ  ＬＣＤなど、フラットパネルディスプレイ、あるいはＣＲＴまたは他の管デバイスなど、非フラットパネルディスプレイを含むように構成され得る。さらに、ディスプレイ３０は、本明細書で説明する干渉変調器ディスプレイを含むことができる。
【０１２３】
ディスプレイデバイス４０の構成要素は図１４Ｂに概略的に示されている。ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１を含み、それの中に少なくとも部分的に密閉された追加の構成要素を含むことができる。たとえば、ディスプレイデバイス４０は、トランシーバ４７に結合されたアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含む。トランシーバ４７はプロセッサ２１に接続され、プロセッサ２１は調整ハードウェア５２に接続される。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（たとえば、信号をフィルタ処理する）ように構成され得る。調整ハードウェア５２は、スピーカー４５およびマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１は、入力デバイス４８およびドライバコントローラ２９にも接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８に、およびアレイドライバ２２に結合され、アレイドライバ２２は次にディスプレイアレイ３０に結合される。電源５０が、特定のディスプレイデバイス４０設計によって必要とされるすべての構成要素に電力を与えることができる。
【０１２４】
ネットワークインターフェース２７は、ディスプレイデバイス４０がネットワークを介して１つまたは複数のデバイスと通信することができるように、アンテナ４３とトランシーバ４７とを含む。ネットワークインターフェース２７はまた、たとえば、プロセッサ２１のデータ処理要件を軽減するための、何らかの処理能力を有し得る。アンテナ４３は信号を送信および受信することができる。いくつかの実装形態では、アンテナ４３は、ＩＥＥＥ１６．１１（ａ）、（ｂ）、または（ｇ）を含むＩＥＥＥ１６．１１規格、あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ａ、ｂ、ｇまたはｎを含むＩＥＥＥ８０２．１１規格に従って、ＲＦ信号を送信および受信する。いくつかの他の実装形態では、アンテナ４３は、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）標準によるＲＦ信号を送信および受信する。セルラー電話の場合、アンテナ４３は、３Ｇまたは４Ｇ技術を利用するシステムなどのワイヤレスネットワーク内で通信するために使用される、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、周波数分割多元接続（ＦＤＭＡ）、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＧＳＭ）（登録商標）、ＧＳＭ／Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｒａｄｉｏ  Ｓｅｒｖｉｃｅ（ＧＰＲＳ）、Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｄａｔａ  ＧＳＭ  Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ（ＥＤＧＥ）、Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ  Ｔｒｕｎｋｅｄ  Ｒａｄｉｏ（ＴＥＴＲＡ）、広帯域ＣＤＭＡ（Ｗ−ＣＤＭＡ）、Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ  Ｄａｔａ  Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ（ＥＶ−ＤＯ）、１ｘＥＶ−ＤＯ、ＥＶ−ＤＯ  Ｒｅｖ  Ａ、ＥＶ−ＤＯ  Ｒｅｖ  Ｂ、高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ）、高速ダウンリンクパケットアクセス（ＨＳＤＰＡ）、高速アップリンクパケットアクセス（ＨＳＵＰＡ）、発展型高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ＋）、Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（ＬＴＥ）、ＡＭＰＳ、または他の知られている信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、アンテナ４３から受信された信号がプロセッサ２１によって受信され、プロセッサ２１によってさらに操作され得るように、その信号を前処理することができる。トランシーバ４７はまた、プロセッサ２１から受信された信号がアンテナ４３を介してディスプレイデバイス４０から送信され得るように、その信号を処理することができる。
【０１２５】
いくつかの実装形態では、トランシーバ４７は受信機によって置き換えられ得る。さらに、ネットワークインターフェース２７は、プロセッサ２１に送られるべき画像データを記憶または生成することができる画像ソースによって置き換えられ得る。プロセッサ２１は、ディスプレイデバイス４０の全体的な動作を制御することができる。プロセッサ２１は、ネットワークインターフェース２７または画像ソースから圧縮された画像データなどのデータを受信し、そのデータを生画像データに、または生画像データに容易に処理されるフォーマットに、処理する。プロセッサ２１は、処理されたデータをドライバコントローラ２９に、または記憶のためにフレームバッファ２８に送ることができる。生データは、一般に、画像内の各ロケーションにおける画像特性を識別する情報を指す。たとえば、そのような画像特性は、色、飽和、およびグレースケールレベルを含むことができる。
【０１２６】
プロセッサ２１は、ディスプレイデバイス４０の動作を制御するためのマイクロコントローラ、ＣＰＵ、または論理ユニットを含むことができる。調整ハードウェア５２は、スピーカー４５に信号を送信するための、およびマイクロフォン４６から信号を受信するための、増幅器およびフィルタを含み得る。調整ハードウェア５２は、ディスプレイデバイス４０内の個別構成要素であり得、あるいはプロセッサ２１または他の構成要素内に組み込まれ得る。
【０１２７】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された生画像データをプロセッサ２１から直接、またはフレームバッファ２８から取ることができ、アレイドライバ２２への高速送信のために適宜に生画像データを再フォーマットすることができる。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ２９は、生画像データを、ラスタ様フォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることができ、その結果、そのデータフローは、ディスプレイアレイ３０にわたって走査するのに好適な時間順序を有する。次いで、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２２に送る。ＬＣＤコントローラなどのドライバコントローラ２９は、しばしば、スタンドアロン集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１に関連付けられるが、そのようなコントローラは多くの方法で実装され得る。たとえば、コントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ２１中に埋め込まれるか、ソフトウェアとしてプロセッサ２１中に埋め込まれるか、またはハードウェアにおいてアレイドライバ２２と完全に一体化され得る。
【０１２８】
アレイドライバ２２は、ドライバコントローラ２９からフォーマットされた情報を受信することができ、ビデオデータを波形の並列セットに再フォーマットすることができ、波形の並列セットは、ディスプレイのピクセルのｘ−ｙ行列から来る、数百の、および時には数千の（またはより多くの）リード線に毎秒何回も適用される。
【０１２９】
いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２、およびディスプレイアレイ３０は、本明細書で説明するディスプレイのタイプのうちのいずれにも適している。たとえば、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ（たとえば、ＩＭＯＤコントローラ）であり得る。さらに、アレイドライバ２２は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（たとえば、ＩＭＯＤディスプレイドライバ）であり得る。その上、ディスプレイアレイ３０は、従来のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ（たとえば、ＩＭＯＤのアレイを含むディスプレイ）であり得る。いくつかの実装形態では、ドライバコントローラ２９はアレイドライバ２２と一体化され得る。そのような実装形態は、セルラーフォン、ウォッチおよび他の小面積ディスプレイなどの高集積システムでは一般的である。
【０１３０】
いくつかの実装形態では、入力デバイス４８は、たとえば、ユーザがディスプレイデバイス４０の動作を制御することを可能にするように、構成され得る。入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、ロッカー、タッチセンシティブスクリーン、あるいは感圧膜または感熱膜を含むことができる。マイクロフォン４６は、ディスプレイデバイス４０のための入力デバイスとして構成され得る。いくつかの実装形態では、ディスプレイデバイス４０の動作を制御するために、マイクロフォン４６を介したボイスコマンドが使用され得る。
【０１３１】
電源５０は、当技術分野でよく知られている様々なエネルギー蓄積デバイスを含むことができる。たとえば、電源５０は、ニッケルカドミウムバッテリーまたはリチウムイオンバッテリーなどの充電式バッテリーであり得る。電源５０はまた、再生可能エネルギー源、キャパシタ、あるいはプラスチック太陽電池または太陽電池塗料を含む太陽電池であり得る。電源５０はまた、壁コンセントから電力を受け取るように構成され得る。
【０１３２】
いくつかの実装形態では、制御プログラマビリティがドライバコントローラ２９中に存在し、これは電子ディスプレイシステム中のいくつかの場所に配置され得る。いくつかの他の実装形態では、制御プログラマビリティがアレイドライバ２２中に存在する。上記で説明した最適化は、任意の数のハードウェアおよび／またはソフトウェア構成要素において、ならびに様々な構成において実装され得る。
【０１３３】
本明細書で開示する実装形態に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装され得る。ハードウェアとソフトウェアの互換性が、概して機能に関して説明され、上記で説明した様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路およびステップにおいて示された。そのような機能がハードウェアで実装されるか、ソフトウェアで実装されるかは、特定の適用例および全体的なシステムに課された設計制約に依存する。
【０１３４】
本明細書で開示する態様に関して説明した様々な例示的な論理、論理ブロック、モジュール、および回路を実装するために使用される、ハードウェアおよびデータ処理装置は、汎用シングルチップまたはマルチチッププロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、あるいは本明細書で説明した機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実装または実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサ、あるいは任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械であり得る。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいは任意の他のそのような構成として実装することもできる。いくつかの実装形態では、特定のステップおよび方法が、所与の機能に固有である回路によって実行され得る。
【０１３５】
１つまたは複数の態様では、説明した機能は、本明細書で開示する構造を含むハードウェア、デジタル電子回路、コンピュータソフトウェア、ファームウェア、およびそれらの上記構造の構造的等価物において、またはそれらの任意の組合せにおいて実装され得る。また、本明細書で説明する主題の実装形態は、１つまたは複数のコンピュータプログラムとして、すなわち、データ処理装置が実行するためにコンピュータ記憶媒体上に符号化された、またはデータ処理装置の動作を制御するための、コンピュータプログラム命令の１つまたは複数のモジュールとして、実装され得る。
【０１３６】
本開示で説明する実装形態への様々な修正は当業者には容易に明らかであり得、本明細書で定義した一般原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく他の実装形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書で示した実装形態に限定されるものではなく、本明細書で開示する特許請求の範囲、原理および新規の特徴に一致する、最も広い範囲を与られるべきである。「例示的」という単語は、本明細書ではもっぱら「例、事例、または例示の働きをすること」を意味するために使用される。本明細書に「例示的」と記載されたいかなる実施形態も、必ずしも他の実装形態よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。さらに、「上側」および「下側」という用語は、図の説明を簡単にするために時々使用され、適切に配向されたページ上の図の配向に対応する相対位置を示すが、実装されたＩＭＯＤの適切な配向を反映しないことがあることを、当業者は容易に諒解されよう。
【０１３７】
また、別個の実装形態に関して本明細書で説明されたいくつかの特徴は、単一の実装形態において組み合わせて実装され得る。また、逆に、単一の実装形態に関して説明された様々な特徴は、複数の実装形態において別個に、あるいは任意の好適な部分組合せで実装され得る。その上、特徴は、いくつかの組合せで働くものとして上記で説明され、初めにそのように請求されることさえあるが、請求される組合せからの１つまたは複数の特徴は、場合によってはその組合せから削除され得、請求される組合せは、部分組合せ、または部分組合せの変形形態を対象とし得る。
【０１３８】
同様に、動作は特定の順序で図面に示されているが、これは、望ましい結果を達成するために、そのような動作が、示される特定の順序でまたは順番に実行されることを、あるいはすべての図示の動作が実行されることを必要とするものとして理解されるべきでない。さらに、図面は、流れ図の形態で１つまたは複数の例示的なプロセスを概略的に示し得る。ただし、図示されていない他の動作が、概略的に示される例示的なプロセスに組み込まれ得る。たとえば、１つまたは複数の追加の動作が、図示の動作のうちのいずれかの前に、後に、同時に、またはそれの間で、実行され得る。いくつかの状況では、マルチタスキングおよび並列処理が有利であり得る。その上、上記で説明した実装形態における様々なシステム構成要素の分離は、すべての実装形態においてそのような分離を必要とするものとして理解されるべきでなく、説明するプログラム構成要素およびシステムは、概して、単一のソフトウェア製品において互いに一体化されるか、または複数のソフトウェア製品にパッケージングされ得ることを理解されたい。さらに、他の実装形態が以下の特許請求の範囲内に入る。場合によっては、特許請求の範囲に記載の行為は、異なる順序で実行され、依然として望ましい結果を達成することができる。
以下に本件出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］
基板の表面に誘電体層を設けることと、
前記誘電体層上に自己組織化単分子層を形成することと、
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することと、
エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に構成要素を接着することと
を備える、方法。
［２］
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することが、酸化雰囲気内で紫外光に前記シール領域を選択的にさらすことを含む、［１］に記載の方法。
［３］
酸化雰囲気内で紫外光に前記シール領域を選択的にさらすことが、前記シール領域を画定する開領域を含むマスクを使用して実行される、［２］に記載の方法。
［４］
前記紫外光および前記酸化雰囲気がオゾンを形成する、［２］に記載の方法。
［５］
前記自己組織化単分子層がテール基を含み、前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することによって、前記シール領域内の前記自己組織化単分子層の前記テール基が除去される、［１］に記載の方法。
［６］
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することが、酸化プラズマに前記シール領域を選択的にさらすことを含む、［１］に記載の方法。
［７］
前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することが、酸化雰囲気内で励起エネルギーに前記シール領域を選択的にさらすことを含む、［１］に記載の方法。
［８］
前記自己組織化単分子層の前記シール領域を選択的に処理することによって、前記誘電体層上に酸化ケイ素層が形成される、［１］に記載の方法。
［９］
前記誘電体層がアルミナ層を含む、［１］に記載の方法。
［１０］
前記基板の前記表面に設けられた前記誘電体層が、原子層堆積プロセスを用いて形成される、［１］に記載の方法。
［１１］
前記自己組織化単分子層が、オルガノシランまたはオルガノシロキサンを含む、［１］に記載の方法。
［１２］
前記自己組織化単分子層が、ｎ−デシルトリクロロシランを含む、［１］に記載の方法。
［１３］
前記構成要素が、ホウケイ酸ガラスの構成要素を含む、［１］に記載の方法。
［１４］
前記基板が、その上に配設された電気機械システムデバイスを含み、前記構成要素が、前記電気機械システムデバイスをカプセル化するように構成された要素の一部分である、［１］に記載の方法。
［１５］
前記基板の前記表面に電気機械システムデバイスを作製することと、
前記電気機械システムデバイスと前記基板の前記表面との上に前記誘電体層を形成することと
をさらに備える、［１］に記載の方法。
［１６］
前記エポキシが紫外光硬化エポキシを含み、前記紫外光硬化エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に前記構成要素を接着することが、紫外光に前記エポキシをさらすことによって前記エポキシを硬化することを含む、［１］に記載の方法。
［１７］
前記エポキシが熱硬化エポキシを含み、前記熱硬化エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に前記構成要素を接着することが、高温に前記エポキシをさらすことによって前記エポキシを硬化させることを含む、［１］に記載の方法。
［１８］
［１］に記載の方法に従って作製されるデバイス。
［１９］
基板の表面にアルミナ層を設けることと、
前記アルミナ層上に自己組織化単分子層を形成することと、
シール領域を画定する開領域を含むマスクを使用して酸化雰囲気内で紫外光に前記シール領域を選択的にさらすことによって、前記自己組織化単分子層の前記シール領域を選択的に処理することであって、前記自己組織化単分子層の前記選択的に処理されたシール領域が酸化ケイ素層を含む、選択的に処理することと、
エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に構成要素を接着することと
を備える、方法。
［２０］
酸化雰囲気内で紫外光に前記シール領域を選択的にさらすことが、前記シール領域を画定する開領域を含むマスクを使用して実行される、［１９］に記載の方法。
［２１］
前記自己組織化単分子層がテール基を含み、前記自己組織化単分子層のシール領域を選択的に処理することによって、前記シール領域内の前記自己組織化単分子層の前記テール基が除去される、［１９］に記載の方法。
［２２］
表面を含む基板と、
前記基板の前記表面に配設された誘電体層と、
前記誘電体層上に配設された自己組織化単分子層と、
処理された前記自己組織化単分子層の一部分を含む、前記自己組織化単分子層のシール領域と、
エポキシで前記自己組織化単分子層の前記シール領域に接着されているカバーと
を備える、装置。
［２３］
前記基板が、ホウケイ酸ガラスを含む、［２２］に記載の装置。
［２４］
電気機械システムデバイスを含む前記基板のデバイス領域をさらに備え、前記カバーが前記電気機械システムデバイスをカプセル化するように構成される、［２２］に記載の装置。
［２５］
前記電気機械システムデバイスがディスプレイを含む、［２４］に記載の装置。
［２６］
前記誘電体層が約２０〜１００オングストロームの厚さである、［２２］に記載の装置。
［２７］
前記誘電体層がアルミナ層を含む、［２２］に記載の装置。
［２８］
ディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するように構成され、画像データを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスと
をさらに備える、［２２］に記載の装置。
［２９］
前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送信するように構成されたドライバ回路をさらに備える、［２８］に記載の装置。
［３０］
前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送信するように構成されたコントローラをさらに備える、［２９］に記載の装置。
［３１］
前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成された画像ソースモジュールをさらに備える、［２８］に記載の装置。
［３２］
前記画像ソースモジュールが、受信機と、トランシーバと、送信機とのうちの少なくとも１つを含む、［３１］に記載の装置。
［３３］
入力データを受信して、前記プロセッサに前記入力データを通信するように構成された入力デバイスをさらに備える、［２８］に記載の装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
0005763793.tif 000008
【図６Ｂ】
0005763793.tif 000009
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７】
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【図８Ａ】
0005763793.tif 000014
【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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