(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理及び／又は化学量のエバネセントセンシング用積分光学導波路型干渉計であって、第１導波路コア層であって、前記第１導波路コア層よりも低い屈折率の第１下部クラッド層及び第１上部クラッド層より形成される２つの第１クラッド層の間に挟入される第１導波路コア層、
第２導波路コア層であって、前記第２導波路コア層よりも低い屈折率の第２下部クラッド層及び第２上部クラッド層より形成される２つの第２クラッド層の間に挟入される第２導波路コア層、
第１及び第２接合において、それぞれに前記第１及び第２導波路コア層を光結合させるためのスプリッタ及び結合器、
が備わっている導波路層構造を支持する基板を具備し、
少なくとも前記第１上部クラッド層の１つ又は前記第２上部クラッド層の１つが含まれるポリマークラッド材の調節部であって、前記ポリマークラッド材は、前記第１及び前記第２接合の間の窓の中に設けられ、前記窓は、少なくとも前記第１上部クラッド層の１つ又は前記第２上部クラッド層の１つにより元々設けられた領域を局所的に取り除くことによって形成された領域を備えており、前記ポリマークラッド材は前記第１または第２下部クラッド材よりも高い屈折率を有し、前記ポリマークラッド材は、温度によって可変する１．４６〜２．５の屈折率を有し、前記第１及び第２導波路コア層を通じて伝搬する様に放射位相を変化させる調節部と、
前記ポリマークラッド材の前記温度を上昇及び低下させるための手段とを備えたことを特徴とする積分光学導波路型干渉計。
【請求項２】
前記調節部において、前記干渉計は、次の式（１）〜（３）（数１〜数３で表される式）を満たす請求項１に記載の積分光学導波路型干渉計。
【数１】
0005737722.tif 000007
【数２】
0005737722.tif 000008
【数３】
0005737722.tif 000009
ｎｃは第１及び／又は第２上部（ポリマー）クラッド層の屈折率であり、ｎｓは第１及び／又は第２下部クラッド層の屈折率であり、ｎｆは第１及び／又は第２コア層の屈折率であり、ｈは第１及び／又は第２コア層の厚さであり、λは光学波長であり、そしてＶは、ｒ＞１．１のときに０．１〜４の間で変化する。
【請求項３】
前記ポリマークラッド材は、少なくとも十分に、ポリメタクリル酸ペンタブロモフェニル、ポリアクリル酸ペンタブロモフェニル、ポリメタクリル酸ペンタブロモベンジル、ポリアクリル酸ペンタブロモベンジル、ポリメタクリル酸２，４，６−トリブロモフェニル、ポリビニルフェニルスルフィド、ポリ１−ナフチルメタクリルアミド、ポリ２−ビニルチオフェン、ポリ２，６−ジクロロスチレン、ポリＮ−ビニルフタルアミド、ポリ２−クロロスチレン及びポリメタクリル酸ペンタクロロフェニルで構成されるグループから選択される材料から成る請求項１又は２に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項４】
前記ポリマークラッド材は、少なくとも十分に、芳香族ベンゼン環をベースとしたポリマー及び縮合芳香環をベースとしたポリマー、ＳＵ−８のようなエポキシモノマー又は芳香族ポリイミドで構成されるグループから選択される材料から成る請求項１又は２に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項５】
高屈折率の粒子が、その屈折率を増加させるために、前記ポリマークラッド材の材料に付加される請求項３又は４に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項６】
前記ポリマークラッド材の温度を上昇及び低下させるための前記手段が、前記ポリマークラッド材の面に隣接して、ヒータ及び／又はクーラを具備する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項７】
前記第１導波路コア層及び／又は前記第２導波路コア層の導波路では、導波路に隣接する前記コア層の厚みを（局所的に取り除くことにより）薄くすることによって形成されるリッジ形状を持った導波路コア層の輪郭が形成される、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項８】
前記第１導波路コア層及び／又は前記第２導波路コア層の屈折率が、１．５〜２．５の範囲で選択される請求項１乃至７のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項９】
前記第１導波路コア層及び／又は前記第２導波路コア層は、少なくとも十分に、窒化ケイ素、二酸化チタン、酸化タンタル、二酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム及び五酸化ニオブで構成されるグループから選択される材料から成る請求項１乃至８のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項１０】
前記第１下部クラッド層及び／又は前記第２下部クラッド層は、少なくとも十分に、熱成長若しくは化学蒸着（ＣＶＤ）シリカ、シリカ含有多成分ガラス、フッ化物ガラス、ケイ素含有有機ポリマー或いはシリカ含有有機−無機ハイブリッドポリマー或いはフッ素含有ポリマー或いはフッ素含有有機−無機ハイブリッドポリマーで構成されるグループから選択される材料から成る請求項１乃至９のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項１１】
偏光金属ストリップが、前記ポリマークラッド材の温度を上昇及び低下させるための手段として用いられる請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項１２】
発泡体が、前記ポリマークラッド材の温度上昇及び低下させるための手段に適用される請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項１３】
カバープレートが、前記ポリマークラッド材の温度上昇及び低下させるための手段に適用され、且つ空気ギャップが、前記カバープレート並びに前記ポリマークラッド材の温度上昇及び低下させるための手段との間で保持される請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項１４】
装置が、前記ポリマークラッド材の温度上昇及び低下させるための手段の電気的変調信号のために備え付けられている請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計における、前記ポリマークラッド材の温度上昇及び低下させるためのヒータエレメントの信号を電気的に変調するための方法であって、該ヒータは、セロダイン信号処理のために前記干渉計の正弦波センサ応答を産出するような電圧が供給され、適用された電圧及び熱光学変調との間の非直線関係を補うことを特徴とする方法。
【請求項１６】
２つの分離型ヒータが備え付けられ、及び前記ヒータエレメントは、セロダイン信号処理のために前記干渉計の正弦波センサ応答を産出するような電力が代わりに供給される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ルックアップテーブル及び電気スキームが使用され、前記電気スキームの助けにより、正及び負電圧が、単入力信号から前記２つの分離型ヒータへと送られ、並びに前記ルックアップテーブルが、セロダイン信号処理において前記干渉計の正弦波センサ応答を得るために最適化され、適用された電圧及び熱光学変調との間の非直線関係を補う請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
計深棒としての請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の積分光学導波路型干渉計の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理及び／又は化学量のエバネセントセンシング用積分光学導波路型干渉計であって、第１導波路コア層であって、前記第１導波路コア層よりも低い屈折率の、第１下部クラッド層及び第１上部クラッド層より形成される２つの第１クラッド層の間に挟入される第１導波路コア層、第２導波路コア層であって、前記第２導波路コア層よりも低い屈折率の、第２下部クラッド層及び第２上部クラッド層より形成される２つの第２クラッド層の間に挟入される第２導波路コア層と、第１及び第２接合において、それぞれに前記第１及び第２導波路コア層を光結合させるためのスプリッタ及び結合器が備わっている導波路層構造を支持する基板を具備する、（エバネセントセンシング用）積分光学導波路型干渉計に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような積分光学導波路型干渉計は、米国特許第６，２４０，２２６号公報（Ｌｕｃｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，  Ｉｎｃ．による。以下、「特許文献１」と記載する。）に開示されている。特許文献１に開示されている積分光学導波路型干渉計は、マッハツェンダー（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）型である。このような既知のマッハツェンダー干渉計は、第１方向性結合器及び第２方向性結合器において、双方ともお互いに近づけられる、第１導波路コアチャネル及び第２導波路コアチャネルから成る。該第１導波路コアチャネルは、第１クラッド（層）により基板に接触せずにあらゆる面にて囲まれ、そして該第２導波路コアチャネルは、第１クラッド（層）により基板に接触せずにあらゆる面にて囲まれる。該第１クラッド層は、基板とあらゆる面にて接触せずに、第１及び第２方向性結合器の間にて第１導波路コアチャネルと接触するポリマークラッドから成るセクションを含める。該ポリマーセクションの外側において、第１導波路コアチャネルは、標準的なクラッド材により囲まれる。第２導波路コアチャネルは、標準的なクラッド材が丈の至るところに使用されていることを除けば、第１導波路コアチャネルと同じである。該ポリマークラッドは、温度により変化する屈折率を有する。ポリマークラッドのセクションの温度は、好ましい光のスイッチング若しくは調節をもたらすために、該ポリマークラッドによって固定された第１導波路コアを通じて、光の流れの段階で対応する変化をもたらすために、調節される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６，２４０，２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、マッハツェンダー干渉計に限られるだけでなく、マイケルソン干渉計若しくはヤング干渉計と称される他の干渉計にまで拡大適用される。しかしながら、本発明は特に、大きなエバネセント光学センシング領域がクラッド層に存在するといった、光伝播を制限する、より低い屈折率を持った透明なクラッド層の間に挟さまれた薄い透明コアフィルムから成る、平面用光学導波路干渉計に関連し、そのような導波路の積層は、機械的安定性を目的として、好ましくは平滑基材上に設けられる。更に、本発明の構成においては、スプリッタ及び結合器は、特許文献１に記載されているような第１及び第２方向性結合器に関連するだけでなく、例えば、第１マイクロ光学ビーム分割管及び第２マイクロ光学ビーム分割管、又は第１Ｙ分岐スプリッタ及び第２Ｙ分岐スプリッタそれぞれに関連する。最終的には、上述した“エバネセントセンシング”なる用語は、当該技術分野において、よく知られている用語であり、元々設けられたクラッド層を局所的に取り除くことにより得られる窓の中に、クラッド層として、化学的感光性材料を設けている。
【０００５】
前記特許文献１に開示されているような積分型光学導波路型干渉計の欠点は、使用技術分野に左右されて、センシングへの応用における性能及び正確さが今日的要請に対応していないということである。センシングへの応用のためには、大きなエバネセント場が必要とされ、コアは、リッジが全く無いか浅い構造を持ち、薄く且つ主に平面状にしなければならない。ポリマークラッドの部分はそれゆえ、導波路コアの上部のみをカバーするようになる。その結果として、熱光学調節は、基材と接触せずにコア全体を取り囲むポリマークラッドにとっては、効率的ではなくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
従って、本発明における課題を解決するための目的においては、本発明における干渉計は、第１上部クラッド層の１つ及び／又は第２上部クラッド層の１つに包含されるポリマークラッド材の調節部であって、前記ポリマークラッド材は、第１及び第２接合点の間における前記第１導波路コア層及び／又は前記第２導波路コア層の識別領域を覆っており、前記ポリマークラッド材は、温度によって可変する１．４６〜２．５の屈折率を有し、前記第１及び第２導波路コア層を通じて伝搬する様に放射位相を変化させる調節部、前記ポリマークラッド材の前記温度を上昇及び低下させるための手段を特徴とする。
【０００７】
従って、重要な特徴とは、調節部は、エバネセント領域が“カット−オフ”に近付くように選択される下部クラッド層よりも高い屈折率を有するポリマークラッド材の領域を備えている非対称層構造によって、得られるということである。このことは、エバネセント領域が、前記ポリマークラッド部に引っ張られるということを意味するのに対し、屈折率における熱変化は、該構造の効果的な屈折率で強い効果を有する。
【０００８】
とりわけ、本発明における干渉計は、前記調節部において、次の式（１）〜（３）を満たす（数１〜数３参照）。
【数１】
0005737722.tif 000002
【数２】
0005737722.tif 000003
【数３】
0005737722.tif 000004
ｎｃは第１及び／又は第２上部クラッド層の屈折率であり、ｎｓは第１及び／又は第２下部クラッド層の屈折率であり、ｎｆは第１及び／又は第２コア層の屈折率であり、ｈは第１及び／又は第２コア層の厚さであり、λは光学波長であり、そしてＶは、ｒ＞１．１のときに０．１〜４の間で変化する。
【０００９】
本発明の好ましい態様は、光学モードがそのクラッドにおいて大きなエバネセント領域を有するように、該ポリマークラッドの屈折率ｎｃの選択による熱光学的効率（与えられた実効屈折率変化のための要求動力）の最適化である。その条件は、次の１）に示すようなことである。
１）ポリマークラッドの屈折率ｎｃは、コア層の屈折率ｎｆに近い。これは、該コア層からの強力な領域拡大を伴った状態のカット−オフ値を誘導する。この状態における基準は、Ｖ−パラメータ（下記数４に示す式）と称される値である。
【数４】
0005737722.tif 000005
【００１０】
ポリマー上部クラッド及び下部クラッドにおいて同一の屈折率を有する対称な導波路において、基本モードにおけるカットオフ条件は、Ｖ＝０である。第１オーダーモードは、Ｖ＝π（導波路が単一モードでとどまらなくてはならないことに留意。）から出発する。
【００１１】
ポリマー（上部）クラッドの屈折率ｎｃと下部クラッドの屈折率ｎｆとの間の大きな屈折率の差を有する高度な非対称導波路において、基本モードにおけるカットオフは、Ｖ＝π／２において現れる。第１オーダーモードは、Ｖ＝３π／２から出発する。その条件は、次の２）に示すようなことである。
２）ポリマー（上部）クラッドの屈折率ｎｃと下部クラッドの屈折率ｎｆとの間における屈折率の差は、大きい（高い非対称性）。これは、ポリマークラッドにおいて独占的に存在するための領域拡大を誘導する。この状態における質の基準は、ポリマークラッド（Ｐｃ）を伴ったコア及び下部クラッド（Ｐｓ）を伴ったコアの限界における屈折力の比である。ＴＥモードにおけるこの比Ｐｃ／Ｐｓは、次式（下記数５）で示される。
【数５】
0005737722.tif 000006
【００１２】
従って、Ｖにとっての適切な選択とは、ｒ＞１．１のときのｒと組み合わせて、Ｖが０．１〜４になることである。
【００１３】
好ましくは、前記ポリマークラッド材は、少なくとも十分に、ポリメタクリル酸ペンタブロモフェニル、ポリアクリル酸ペンタブロモフェニル、ポリメタクリル酸ペンタブロモベンジル、ポリアクリル酸ペンタブロモベンジル、ポリメタクリル酸２，４，６−トリブロモフェニル、ポリビニルフェニルスルフィド、ポリメタクリル酸１−ナフチル、ポリ２−ビニルチオフェン、ポリ２，６−ジクロロスチレン、ポリＮ−ビニルフタルアミド、ポリ２−クロロスチレン及びポリメタクリル酸ペンタクロロフェニルからなるグループから選択される材料から成る。別の方法では、前記ポリマークラッド材は、少なくとも十分に、芳香族ベンゼン環をベースとしたポリマー及び縮合芳香環をベースとしたポリマー、ＳＵ−８のようなエポキシモノマー、又は芳香族ポリイミドからなるグループから選択される材料から成る。好ましくは、高屈折率の粒子が、屈折率を増加させるために、前記ポリマークラッド材の材料に付け足される。
【００１４】
好ましくは、前記下部クラッド層は、熱成長若しくは化学蒸着（ＣＶＤ）化されたシリカ、シリカ含有多成分ガラス、フッ化物ガラス、ケイ素含有有機ポリマー或いはシリカ含有有機−無機ハイブリッドポリマー或いはフッ素含有有機ポリマー或いはフッ素含有有機−無機ハイブリッドポリマーから成る。
【００１５】
本発明における好ましい態様は、前記ポリマークラッド材の温度を上昇及び低下させるための手段が、前記ポリマークラッド材の面に隣接して、ヒータ及び／又はクーラを具備する。前記ヒータ及び／又はクーラは、前記ポリマー面の近くに配置された電気的加熱抵抗ストライプ又は熱電冷却／加熱要素を含む。
【００１６】
本発明における更なる態様において、前記第１導波路コア層及び／又は前記第２導波路コア層の導波路では、導波路に隣接する前記コア層の厚みを（局所的に取り除くことにより）薄くすることによって形成されるリッジ形状を持った導波路コア層の輪郭が形成されている。
【００１７】
本発明における更なる態様において、前記第１導波路コア層及び／又は前記第２導波路コア層の屈折率は、１．５〜２．５の範囲で選択される。とりわけ、前記第１導波路コア層及び／又は前記第２導波路コア層は、少なくとも十分に、窒化ケイ素、二酸化チタン、酸化タンタル、二酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム及び五酸化ニオブからなるグループから選択される材料から成る。
【００１８】
本発明における更なる態様において、発泡体が、前記ポリマークラッド材の温度の上昇及び低下のための前記手段上に置かれている。
【００１９】
本発明に係る干渉計は、前記ポリマークラッド材の温度の上昇及び低下させるための手段上の乱気流、即ちヒータ上の乱気流に対して、感度が良い。これらは、干渉信号の振動を誘導する。このことは、ヒータ上の断熱器として、薄いポリウレタン（ＰＵＲ）発泡体層を適用することにより回避される。ＰＵＲ発泡体は、優れた断熱器である。該発泡体層は、希釈されたＰＵＲプレポリマー溶液をヒータの上に滴下すること並びに大気圧からの吸湿により、発泡層として保存するようにすることより、適用される。その代わりとしては、ヒータは、より高密度な材料からなるカバープレートで覆われ、同時に残された部分を残し、ヒータの表面と該カバープレートとの間における空隙を熱的に分離している。
【００２０】
本発明の更なる態様としては、手段が、前記ポリマークラッド材の前記温度上昇及び低下させるための手段の信号の電気変調のために、備え付けられる。セロダイン変調と称される、高度な変調原理は、高い感度を伴った本発明に係る干渉計のセンサ応答を得るために使用される。セロダイン信号処理は、光位相測定のためのフーリエ分析を実行するために、正弦波出力信号を必要とする。該ヒータは、印加電圧に応じて、主として平方根変調を生じさせる。従って、正弦波光学変調が得られるように最適化された変調電圧は、ルックアップテーブルにエンコードされ、且つデジタル／アナログ変換器を通じて、電子回路に送られる。ダイオードを使用することで、その結果として正及び負電圧は、電気ヒータを駆動する電気増幅回路を分離するために送られる。このように、シングルルックアップテーブルから導かれる単入力変調信号を使用することは、正弦関数的光応答を得るために、本発明の干渉計における２つの熱光学的調節器（モジュレータ）から成るヒータを連続して駆動するために用いられ、その結果として、熱光学効果の挙動に依存している非線形電圧を補う。また、ヒータの抵抗に関する温度の影響は、ルックアップテーブルの的確な設計により、補われる。２つのヒータ要素の変わりにまた、１つのヒータ要素が備え付けられる。
【００２１】
本発明に係る干渉計の更なる好ましい態様は、偏光金属ストリップが、前記ポリマークラッド材の温度上昇及び降下用手段として使用される。本発明に係る干渉計は、２つの起こりうる光偏光状態（ＴＥ及びＴＭ）のうち１つを十分に作動する。該干渉計に入力する光学ファイバは、両方の偏光を供給する。従って、偏光ストリッパが望ましい。このことは、該干渉計の輸送面において、ケイ素基板材料における偏光の１つ（ＴＭ）の選択吸収により成される。これは、１０ｄＢ／ｃｍ以下の減衰を生み出す。金属層にて、ずっと高い値（短ストリッパ）が、選択ＴＭモード吸収により得られる。該干渉計において、これがヒータの金属層となる。該ヒータ及びストリッパは、多層金属構造（例えば、剥離するためのクロム（Ｃｒ）及び温めるための金（Ａｕ）から成るＣｒ／Ａｕ層）を適用することにより、機能的に分断される。
【００２２】
本発明はまた、計深棒に属する発明として、積分光学導波路型干渉計の使用にも関連する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】マッハツェンダー型標準形光学干渉計の配置図である。
【図２】エバネセントセンシングの化学及び／又は物理量のための、図１の標準形干渉計における機能の配置図である。
【図３】本発明の干渉計の配置図である。
【図４】図３に記載の干渉計の使用、即ち計深棒として使用する場合に関連する。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、図面を参照しながら、本発明をより詳細に説明する。
【００２５】
図１の干渉計１は、２つの同一の分岐３，４に分かれる入力チャネル導波路２から成る。明確に定義された長さにしてから、これら２つの分岐３，４は、出力導波路５を形成するために再び組み合わされる。入力導波路２に入った光は、２つの分岐３，４で均一に分裂し、出力導波路５にて再び組み合わされる。干渉計１の光学導波路チャネルの横断面は、低い屈折率の緩衝層の間に挟まれたリッジ形状を伴った高い屈折率のコア層から成る。埋め込み型導波路の場合、その光場は完全にコア及び緩衝層の中に含まれ、光の伝播は環境の変動によって影響されない。
【００２６】
図２に関して、エッチング技術を使用することにより、頂部クラッド６は、干渉計１の両方の分岐３，４において、明確に定義された位置にてチャネル導波路の上に局部的に除かれる。いわゆる窓７，８において、下部敷設チャネル導波路を通じて伝播する光のエバネセント領域は、干渉計１上の周囲に及び、そして、周囲の変化に影響を受けやすくなる。興味深い、分析物分子を特に結合させるインターフェース層は、センシング窓７の表面上に備え付けられる。干渉計１のバランスを保つために、参照窓８が、明確な結合を示すことのないインターフェース層に備え付けられている。サンプル材料が、センシング窓７及び参照窓８の両方を超えて流されるとき、センシング窓７におけるインターフェース層へ特に結合させる分析物分子は、センシング分岐３を通じて、光伝播のエバネセント領域が精査される。このことは、出力導波路６におけるセンシング分岐３及び参照分岐４から来る光の合間における位相差をもたらし、光の伝播速度の変化を引き起こす。その誘導された位相差は、インターフェース層に対して結合させる分析物分子の量に比例し、及び出力導波路５における光強度の周期的変化をもたらす。
【００２７】
図３に関して、エッチング技術を用いることにより、頂部クラッド６は、分岐３，４両方における明確な位置において、導波路チャネルの上に局部的に除かれる。これらいわゆる調節部は、高い屈折率のポリマークラッド材９、即ち温度により可変する１．４６〜２．５の屈折率を有するクラッド材で満足する。このポリマークラッド材９上では、金属製ヒータストリップ１０が、加熱又は冷却の状態におけるポリマーの屈折率を変化させるために付設される。このことは、干渉計における光の調節をもたらすためのチャネルを通じて流れる光の層を変化させることができる。干渉計１における熱光学活性部分及び専用電子の組み合わせにおいて、進歩的な変調原理（セロダイン変調）を使用することで、干渉計１の出力強度は、センシング窓７におけるインターフェース層に対する分析物分子の特異的結合によって引き起こされて誘導された位相差と等しい、センサ応答信号の中に変換される。
【００２８】
図４（ａ）は、図３に記載されている本発明の干渉計、即ち熱光学的モジュレータ（調節器）１１，１２を伴った計深棒１の具体的な使用について示す。この干渉計は、折り畳みミラー１３若しくは曲がり導波管を使用することにより、チップの入力エッジへと送られるような導波管を有するマッハツェンダー干渉計を基にしている。結果として、本発明の干渉計は、とてもコンパクトであり、図に示されたように、計深棒に応用して使用される。言い換えると、センサの端部は、分析されるための若干（小さな）の基板１５で満たされる容器１４の中に浸漬される。図４（ｂ）は、代わりの計深棒構造を示す。
【符号の説明】
【００２９】
１          干渉計（図４においては計深棒）
２          入力（チャネル）導波路
３          （センシング）分岐
４          （参照）分岐
５          出力導波路
６          頂部クラッド
７          （センシング）窓
８          （参照）窓
９          ポリマークラッド材
１０        ヒータストリップ
１１，１２  熱光学的モジュレータ
１３        折り畳みミラー
１４        容器
１５        基板
【図１】
0005737722.tif 000010
【図２】
0005737722.tif 000011
【図３】
0005737722.tif 000012
【図４】
0005737722.tif 000013