(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射と複数のガス吸引孔からのガス吸引との圧力負荷により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を前記浮上ステージの両側から保持する少なくとも一対の基板保持手段と、前記基板保持手段を基板搬送路に沿って移動させることにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、
前記基板保持手段は、
前記浮上ステージの両側に設けられた支柱に沿って昇降移動する昇降部材と、
前記昇降部材上に、基板の幅方向に沿って設けられたガイド部材と、
前記ガイド部材に沿って摺動自在に設けられ、前記基板の幅方向両端において、該基板の下面を吸着保持する吸着部材と、
前記浮上ステージの一側に設けられた一の昇降部材の先端に設けられた投光器と、前記浮上ステージの他側に設けられた、対向する他の昇降部材の先端に設けられた受光器とを有し、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の撓み量が所定値以上か否かを検出する撓み検出手段と、
前記吸着部材を前記基板の幅方向外側に引張る引張り手段と、
前記撓み手段の検出結果に基づき前記引張り手段の駆動制御を行う制御手段と、
を備え、
前記浮上ステージ上に浮上する前記基板は、その幅方向両端の下面が前記吸着部材により吸着保持され、
前記制御手段は、前記基板の撓み量が所定値以上である検出結果が前記撓み検出手段から入力された場合に、前記引張り手段を駆動し、前記吸着部材を前記基板の幅方向外側に引張るよう制御し、
前記引張り手段により幅方向両端が幅方向外側に引張られた状態で、前記基板搬送手段により基板が搬送されることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記吸着部材は、前記基板保持手段において基板幅方向に沿って摺動自在に設けられ、
前記引張り手段は、前記吸着部材の基板幅方向外側に接続されたワイヤと、前記基板保持手段において回転自在に設けられ、前記ワイヤを巻き取り可能な巻き取りロールと、前記巻き取りロールの回転を駆動する回転駆動部とを有し、
前記制御手段は、前記基板の撓み量が所定値以上である検出結果が前記撓み検出手段から入力された場合に、前記回転駆動部を駆動し、前記吸着部材が基板幅方向外側に摺動するよう制御することを特徴とする請求項１に記載された基板搬送装置。
【請求項３】
前記引張り手段は、前記浮上ステージの左右両側に敷設された一対のガイドレールを有し、
前記一対のガイドレールは、基板搬送方向に沿って、そのガイドレール間の幅寸法が徐々に拡張するように設けられ、
前記基板保持手段は前記ガイドレールに沿って移動自在に設けられ、
前記基板の幅方向両端を前記吸着部材により吸着保持する前記基板保持手段が前記一対のガイドレールに沿って移動することにより、該基板の幅方向両端が幅方向外側に引張られた状態となされることを特徴とする請求項１に記載された基板搬送装置。
【請求項４】
前記吸着部材は、前記基板保持手段において基板幅方向に沿って摺動自在に設けられ、
前記基板保持手段は、前記吸着部材により吸着される前記基板の両端が基板幅方向外側に引っ張られた際に、該吸着部材に対し基板幅方向内側に向けて付勢力を与える緩衝部材を有することを特徴とする請求項３に記載された基板搬送装置。
【請求項５】
前記基板保持手段は、前記吸着部材に接続されて、該吸着部材と前記基板との接触領域の空気を吸引する吸引手段を備え、
前記引張り手段は、シリンダと、前記シリンダに対し基板幅方向に沿って摺動自在に設けられた中空のピストンとを有し、
前記吸着部材は、前記ピストン上に設けられると共に、前記シリンダと前記ピストンとにより形成される内部空間を介して前記吸引手段と連通し、
前記吸着部材が前記基板の下面に吸着することにより、前記シリンダと前記ピストンとにより形成される内部空間の容積が収縮され、該吸着部材が基板幅方向外側に移動されることを特徴とする請求項１に記載された基板搬送装置。
【請求項６】
前記シリンダと、該シリンダに対し摺動自在に設けられたピストンとの間には、前記吸着部材が基板幅方向外側に移動された際に、該吸着部材に対し基板幅方向内側に向けて付勢力を与える緩衝部材を有することを特徴とする請求項５に記載された基板搬送装置。
【請求項７】
基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射と複数のガス吸引孔からのガス吸引とにより形成された気流により被処理基板を浮上させ、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を前記浮上ステージの両側から保持した状態で、該基板を基板搬送路に沿って平流し搬送する、前記請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された基板搬送装置における基板搬送方法であって、
前記浮上ステージ上に浮上する前記基板における幅方向両端の下面を吸着部材により吸着保持し、
前記基板の撓み量が所定値以上である場合に、前記吸着部材を前記基板の幅方向外側に引張り、
該基板の幅方向両端を幅方向外側に引張った状態で、該基板を基板搬送路に沿って搬送することを特徴とする基板搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造においては、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成することが行われている。
具体的には、ガラス基板等の被処理基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するものである。
【０００３】
ところで近年、このフォトリソグラフィ工程では、スループット向上の目的により、被処理基板を略水平姿勢の状態で搬送しながら、その被処理面に対しレジストの塗布、乾燥、加熱、冷却処理等の各処理を施す構成が多く採用されている。
前記基板搬送の構成としては、基板支持部材のレジスト塗布面への転写を防止するため、基板を略水平姿勢の状態で所定の高さに浮上させ、基板搬送方向に搬送する浮上搬送が注目されている。
【０００４】
この浮上搬送を用いた基板搬送装置は、例えばレジスト塗布処理装置に採用されている。その一般的な構成について図１０に基づいて説明する。
例えば、図１０の基板搬送装置２００は、被処理基板であるＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ基板）Ｇを浮上搬送するための浮上ステージ２０１と、浮上ステージ２０１の左右両側に敷設された一対のレール２０２と、基板Ｇの左右両側を保持し、レール２０２上をスライド移動するスライダ２０３とを備えている。
【０００５】
また、浮上ステージ２０１上で浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル２０４を備え、このレジストノズル２０４には、基板幅方向に長いスリット状の吐出口（図示せず）が設けられている。
また、浮上ステージ２０１の前段及び後段には、複数の搬送コロ２０６，２０７が回転可能に設けられ、基板Ｇは搬送コロ２０６によって浮上ステージ２０１に搬入され、浮上搬送後の基板Ｇは前記搬送コロ２０７によって搬出される構成となされている。
【０００６】
また、浮上ステージ２０１の上面には、上方（Ｚ方向）に向かって不活性ガスを噴射するための多数のガス噴射孔２０１ａと、吸気を行うための多数の吸引孔２０１ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で交互に設けられている。そして、ガス噴射孔２０１ａから噴射されるガス噴射量と吸引孔２０１ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、基板Ｇを浮上ステージ２０１の表面から一定の高さに浮上させるように構成されている。
【０００７】
この構成により、レジスト液の塗布処理に際しては、搬送コロ２０６によって浮上ステージ２０１に搬入された基板Ｇは、レール２０２上をスライド移動するスライダ２０３により左右両端が保持され、Ｘ軸方向に移動する。そして、基板Ｇがレジストノズル２０４の下方を移動する際、スリット状の吐出口（図示せず）よりレジスト液が帯状に供給され、レジスト液が基板Ｇに塗布される。
尚、被処理基板を浮上搬送しながら塗布処理を行う装置については特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−１３２４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、近年にあっては、被処理基板の大型化、及び薄型化が要求されている。
しかしながら、従来の装置構成を、単に大型化した基板面積、或いは薄くなされた基板厚さに合わせても、浮上ステージ２０１での基板搬送において不具合が生じる虞があった。
具体的には、基板面積に対する厚さが所定値よりも薄い基板Ｇを浮上ステージ２０１において浮上させた場合、ガス噴射孔２０１ａからのガス噴射とガス吸引孔２０１ｂからのガス吸引とによって、基板面が波打つように凹凸状の撓みが生じるという課題があった。
【００１０】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置において、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板面の平坦性を維持しながら搬送することができる基板搬送装置及び基板搬送方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射と複数のガス吸引孔からのガス吸引との圧力負荷により被処理基板を浮上させる浮上ステージと、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を前記浮上ステージの両側から保持する少なくとも一対の基板保持手段と、前記基板保持手段を基板搬送路に沿って移動させることにより前記基板を平流し搬送する基板搬送手段とを具備する基板搬送装置であって、前記基板保持手段は、前記浮上ステージの両側に設けられた支柱に沿って昇降移動する昇降部材と、前記昇降部材上に、基板の幅方向に沿って設けられたガイド部材と、前記ガイド部材に沿って摺動自在に設けられ、前記基板の幅方向両端において、該基板の下面を吸着保持する吸着部材と、前記浮上ステージの一側に設けられた一の昇降部材の先端に設けられた投光器と、前記浮上ステージの他側に設けられた、対向する他の昇降部材の先端に設けられた受光器とを有し、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の撓み量が所定値以上か否かを検出する撓み検出手段と、前記吸着部材を前記基板の幅方向外側に引張る引張り手段と、前記撓み手段の検出結果に基づき前記引張り手段の駆動制御を行う制御手段と、を備え、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板は、その幅方向両端の下面が前記吸着部材により吸着保持され、前記制御手段は、前記基板の撓み量が所定値以上である検出結果が前記撓み検出手段から入力された場合に、前記引張り手段を駆動し、前記吸着部材を前記基板の幅方向外側に引張るよう制御し、前記引張り手段により幅方向両端が幅方向外側に引張られた状態で、前記基板搬送手段により基板が搬送されることに特徴を有する。
【００１２】
ここで、前記吸着部材は、前記基板保持手段において基板幅方向に沿って摺動自在に設けられ、前記引張り手段は、前記吸着部材の基板幅方向外側に接続されたワイヤと、前記基板保持手段において回転自在に設けられ、前記ワイヤを巻き取り可能な巻き取りロールと、前記巻き取りロールの回転を駆動する回転駆動部とを有し、前記制御手段は、前記基板の撓み量が所定値以上である検出結果が前記撓み検出手段から入力された場合に、前記回転駆動部を駆動し、前記吸着部材が基板幅方向外側に摺動するよう制御することが望ましい。
【００１３】
或いは、前記引張り手段は、前記浮上ステージの左右両側に敷設された一対のガイドレールを有し、前記一対のガイドレールは、基板搬送方向に沿って、そのガイドレール間の幅寸法が徐々に拡張するように設けられ、前記基板保持手段は前記ガイドレールに沿って移動自在に設けられ、前記基板の幅方向両端を前記吸着部材により吸着保持する前記基板保持手段が前記一対のガイドレールに沿って移動することにより、該基板の幅方向両端が幅方向外側に引張られた状態となされるように構成してもよい。
その場合、前記吸着部材は、前記基板保持手段において基板幅方向に沿って摺動自在に設けられ、前記基板保持手段は、前記吸着部材により吸着される前記基板の両端が基板幅方向外側に引っ張られた際に、該吸着部材に対し基板幅方向内側に向けて付勢力を与える緩衝部材を有することが望ましい。
【００１４】
或いは、前記基板保持手段は、前記吸着部材に接続されて、該吸着部材と前記基板との接触領域の空気を吸引する吸引手段を備え、前記引張り手段は、シリンダと、前記シリンダに対し基板幅方向に沿って摺動自在に設けられた中空のピストンとを有し、前記吸着部材は、前記ピストン上に設けられると共に、前記シリンダと前記ピストンとにより形成される内部空間を介して前記吸引手段と連通し、前記吸着部材が前記基板の下面に吸着することにより、前記シリンダと前記ピストンとにより形成される内部空間の容積が収縮され、該吸着部材が基板幅方向外側に移動されるように構成してもよい。
その場合、前記シリンダと、該シリンダに対し摺動自在に設けられたピストンとの間には、前記吸着部材が基板幅方向外側に移動された際に、該吸着部材に対し基板幅方向内側に向けて付勢力を与える緩衝部材を有することが望ましい。
【００１５】
このような構成によれば、ガス噴出と吸引との圧力負荷により基板の浮上搬送を行う浮上ステージにおいて、前記引張り手段により、基板の幅方向両端が幅方向外側に引張られながら搬送される。これにより、基板における凹凸状の撓みを補正することができる。
即ち、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板の平坦性を維持した状態で所定の基板処理を行うことができる。
【００１６】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送方法は、基板搬送路を形成すると共に、上面に形成された複数のガス噴射孔からのガス噴射と複数のガス吸引孔からのガス吸引とにより形成された気流により被処理基板を浮上させ、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板の幅方向両端を前記浮上ステージの両側から保持した状態で、該基板を基板搬送路に沿って平流し搬送する、上記基板搬送装置における基板搬送方法であって、前記浮上ステージ上に浮上する前記基板における幅方向両端の下面を吸着部材により吸着保持し、前記基板の撓み量が所定値以上である場合に、前記吸着部材を前記基板の幅方向外側に引張り、該基板の幅方向両端を幅方向外側に引張った状態で、該基板を基板搬送路に沿って搬送することに特徴を有する。
【００１７】
このような方法によれば、ガス噴出と吸引との圧力負荷により基板の浮上搬送を行う浮上ステージにおいて、基板の幅方向両端が幅方向外側に引張られながら搬送される。これにより、基板における凹凸状の撓みを補正することができる。
即ち、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板の平坦性を維持した状態で所定の基板処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置において、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板面の平坦性を維持しながら搬送することができる基板搬送装置及び基板搬送方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明にかかる第一の実施形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図３は、図１のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）の動作を説明するためのフローである。
【図４】図４は、基板に生じた凹凸状の撓みを説明するための断面図である。
【図５】図５は、図４の凹凸状の撓みを補正した状態を説明するための断面図である。
【図６】図６は、本発明にかかる第二の実施形態の全体概略構成を示す平面図である。
【図７】図７は、図６のレジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図８】図８は、図６のレジスト塗布処理ユニットにおいて、塗布処理部を搬送される状態を説明するための平面図である。
【図９】図９は、本発明にかかる第三の実施形態の基板保持部の構成を説明するための断面図である。
【図１０】図１０は、従来の基板搬送装置（レジスト塗布処理ユニット）の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の基板搬送装置にかかる第一の実施形態を、図面に基づき説明する。尚、この実施形態にあっては、本発明に係る基板搬送装置が、被処理基板であるガラス基板を浮上搬送しながら、前記基板に対し処理液であるレジスト液の塗布処理を行うレジスト塗布処理ユニットにおいて適用される場合を例にとって説明する。
図１は、本発明の基板搬送装置が適用されるレジスト塗布ユニットの平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００２１】
図１、図２に示すように、このレジスト塗布処理ユニット１は、ガラス基板Ｇを枚様式に一枚ずつ浮上搬送するための浮上ステージ２（基板搬送路）を備え、基板Ｇが所謂平流し搬送されるように構成されている。
浮上ステージ２は、基板搬送方向（Ｘ軸方向）に沿って、基板搬入部２Ａと、塗布処理部２Ｂと、基板搬出部２Ｃとが順に配置され構成されている。基板搬入部２Ａ及び基板搬出部２Ｃの上面には、図１に示すように多数のガス噴射孔２ａがＸ方向とＹ方向に一定間隔で設けられ、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射による圧力負荷によって、ガラス基板Ｇを浮上させている。
【００２２】
また、塗布処理部２Ｂの上面には、多数のガス噴射孔２ａとガス吸引孔２ｂとがＸ方向とＹ方向に一定間隔で交互に設けられている。そして、この塗布処理部２Ｂにおいては、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射量と、ガス吸引孔２ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、ガラス基板Ｇをよりステージに近接させた状態で浮上させている。
【００２３】
また、浮上ステージ２の幅方向（Ｙ軸方向）の左右側方には、Ｘ軸方向に平行に延びる一対のガイドレール５が設けられている。
各ガイドレール５には、基板搬送方向（Ｘ軸方向）に移動可能に取り付けられたスライダ６（基板搬送手段）がそれぞれ複数（図では５台づつ）設けられている。各スライダ６には、ガラス基板Ｇの端部を下方から吸着保持する基板保持部７（基板保持手段）が設けられ、基板両側の計１０台の基板保持部７により基板Ｇの幅方向両端部が保持されている。また、各スライダ６は、コンピュータからなる制御部４０（制御手段）によって、その駆動が制御される。
【００２４】
各基板保持部７は、図２に示すように、基板Ｇの下面に対し吸引動作により吸着可能な吸着部材７ａと、吸着部材７ａをスライダ６上に立設された支柱７ｂに沿って昇降移動させる昇降部材７ｃとを有する。更に、昇降部材７ｃ上には、基板幅方向に沿ってガイド部材７ｄが設けられ、このガイド部材７ｄに沿って前記吸着部材７ａが摺動自在に設けられている。
尚、吸着部材７ａには、吸引ポンプ（図示せず）が接続され、基板Ｇとの接触領域の空気を吸引して真空状態に近づけることにより、基板Ｇに吸着するようになされている。
また、前記昇降部材７ｃと前記吸引ポンプとは、図２に示すように制御部４０によって駆動制御される。
【００２５】
また、前記昇降部材７ｃにおいて、前記吸着部材７ａには、ワイヤ７ｅが接続され、このワイヤ７ｅがサーボモータ７ｆ（回転駆動部）の駆動により巻き取りロール７ｇに所定長さ分を巻き取られることによって、吸着部材７ａがガイドレール７ｄに沿って基板幅方向外側（図中矢印方向）に移動するようになされている。
尚、前記ワイヤ７ｅと前記巻き取りロール７ｇと前記サーボモータ７ｆとにより引張り手段が構成されている。また、前記サーボモータ７ｆは図２に示すように制御部４０によって駆動制御される。
【００２６】
また、支柱７ｂ側に設けられたガイドレール７ｄの端部と前記吸着部材７ａとの間には、前記ガイドレール７ｄに沿って戻りバネ７ｈが設けられ、吸着部材７ａに対し基板幅方向内側に向けて戻りバネ７ｈの付勢力が与えられている。
これにより、サーボモータ７ｆの駆動が解除された際に、戻りバネ７ｈの付勢力により吸着部材７ａが元の位置（基板幅方向内側）に戻されるように構成されている。
【００２７】
また、昇降部材７ｃの先端（図ではガイドレール７ｄの先端）には、正面に対向する基板保持部７を対として、一方に所定波長の光照射を行う投光器８ａが設けられ、他方に前記投光器８ａから照射された光を受光する受光器８ｂが設けられている。受光器８ｂが検出した光信号は、電気信号に変換され、制御部４０に入力されるようになっている。前記投光器８ａと受光器８ｂとにより撓み検出センサ８（撓み検出手段）が構成されている。
【００２８】
この撓み検出センサ８を設けることにより、基板Ｇの撓み量が所定値以上か否かを検出することができる。即ち、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射とガス吸引孔２ｂからの吸気とにより基板Ｇに大きな凹凸状の撓みが生じた場合、凹状に撓んだ部位が前記投光器８ａから照射された光を遮る。これにより、受光器８ｂの受光量が大きく落ち込むため、その受光量（電気信号の大きさ）に所定の閾値を設定すれば、制御部４０は、基板Ｇの撓み量が所定値以上か否かを検出することができる。
【００２９】
また、図１に示すように塗布処理部２Ｂの上方には、基板Ｇにレジスト液を吐出するノズル１１が設けられている。ノズル１１は、基板幅方向（Ｙ方向）に向けて長い略直方体形状に形成され、基板幅よりも長く形成されている。
また、図２に示すようにノズル１１の下端部には、スリット状の吐出口（図示せず）が形成され、このノズル１１には、レジスト液供給源（図示せず）からレジスト液が供給され、基板Ｇへの塗布処理時において前記吐出口からレジスト液が吐出されるようになされている。
尚、ノズル１１は、基板Ｇへの塗布処理時において、昇降手段（図示せず）によって下降移動され、その吐出口が基板面に近接される構成となっている。
【００３０】
続いて、このように構成されたレジスト塗布処理ユニット１における基板搬送の一連の流れについて図３を用いて説明する。
レジスト塗布処理ユニット１において、基板搬入部２Ａに搬入されたガラス基板Ｇは、その幅方向両端が基板保持部７によって保持され、スライダ６の移動により基板搬入部２Ａ上を搬送される（図３のステップＳ１）。この基板搬入部２Ａにおける基板搬送時には、そのステージ上においてガス噴射孔２ａより不活性ガスが噴射され、この不活性ガスが基板下面に当たることにより基板Ｇは浮上される。
【００３１】
次いで、基板Ｇは塗布処理部２Ｂに搬入され（図３のステップＳ２）、塗布処理前の段階において、制御部４０は撓み検出センサ８（受光器８ｂ）からの入力信号に基づき、基板Ｇに所定値以上の撓み変位が生じているか否かを検出する（図３のステップＳ３）。
即ち、塗布処理部２Ｂにおいては、ガス噴射孔２ａからの不活性ガスの噴射と、ガス吸引孔２ｂからの吸気とにより、基板面に反対方向の圧力負荷が一定間隔で与えられるため、特に基板面積に対して厚さ寸法が薄い基板Ｇにあっては、基板面に凹凸状の撓みが生じる。制御部４０は、そのように塗布処理部２Ｂにおいて発生した基板Ｇの撓みを検出する。
【００３２】
このステップＳ３において、例えば図４に示すように基板Ｇに所定値以上の撓み量ｄが検出された場合、制御部４０は、各基板保持部７においてサーボモータ７ｆを駆動し、ワイヤ７ｅを所定の長さ分だけ巻き取りロール７ｇに巻き取る制御を行うことにより吸着部材７ａをガイド部材７ｄに沿って基板幅方向外側に所定距離だけ移動させる（図３のステップＳ４）。
これにより、対となる基板保持部７は、その幅方向の距離が拡張され、基板Ｇは図５に示すように、その左右両端部が基板幅方向外側にそれぞれ引張られ、凹凸状の撓みが補正されて平坦度が維持される。
【００３３】
このようにして平坦度が維持された基板Ｇは、塗布処理部２Ｂを搬送され、ノズル１１によりレジスト液が基板面に吐出されることによりレジスト液の塗布処理が行われる（図３のステップＳ５）。
尚、ステップＳ３において、所定値以上の撓み量が検出されなかった場合には、ステップＳ４の保持幅の拡張動作は行われず、ステップＳ５における塗布処理がなされる。
また、塗布処理が完了した基板Ｇは、基板搬出部２Ｃから搬出される（図３のステップＳ６）。
【００３４】
以上のように、本発明に係る第一の実施形態によれば、不活性ガスの噴出と吸引との圧力負荷により基板Ｇの浮上搬送を行う塗布処理部２Ｂにおいて、基板Ｇの撓み量が所定値以上の場合、その幅方向両端を基板幅方向外側にそれぞれ引張る制御がなされる。これにより、基板Ｇにおける凹凸状の撓みが補正される。
即ち、本実施の形態によれば、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板Ｇの平坦性を維持した状態で塗布処理を行うことができる。
【００３５】
尚、前記第一の実施形態にあっては、前記ワイヤ７ｅと前記巻き取りロール７ｇと前記サーボモータ７ｆとにより引張り手段が構成されるものとしたが、この構成に限定されるものではない。即ち、制御部４０の命令に従い駆動可能な駆動手段と、この駆動手段により吸着部材７ａを基板幅方向外側に引張ることが可能な手段とを備えればよい。
そのような構成としては、例えば、モータ駆動により動作する電動シリンダなどがあげられる。
【００３６】
続いて、本発明の基板搬送装置にかかる第二の実施形態について図６、図７に基づき説明する。
図６は、本発明の基板搬送装置が適用されるレジスト塗布ユニットの第２の実施形態の平面図であり、図７は、図６のＢ−Ｂ矢視断面図である。
この第二の実施形態にあっては、前記した第一の実施形態の構成とは、一対のガイドレール５の配置、及び基板保持部７の構成がそれぞれ異なる。また、撓み検出センサ８を不要とする点が異なる。
【００３７】
図面を用いて詳しく説明すると、図６に示すように一対のガイドレール５は、基板搬入部２Ａにおいてはレール間の距離が狭い幅狭部５Ａとされ、塗布処理部２Ｂの上流部においてはレール間の幅が徐々に広くなる拡幅部５Ｂとされ、塗布処理部２Ｂの下流部及び基板搬出部２Ｃにおいてはレール間の幅が広い幅広部５Ｃとなされている。
具体的には、拡幅部５Ｂは塗布処理部２Ｂの先頭から始まり、ノズル１１の吐出口（図示せず）の直下で終わり、そこから幅広部５Ｃとなされている。また、幅狭部５Ａのレール間の幅Ｌ１に対し幅広部５Ｃのレール間の幅Ｌ２は、例えば１．００１〜１．０１倍となるように拡幅部５Ｂが敷設されている。
【００３８】
このように一対のガイドレール５が敷設され、スライダ６がガイドレール５上を基板搬送方向に沿って移動することにより、対となる基板保持部７の幅は塗布処理部２Ｂにおいて、塗布処理がなされる位置（ノズル１１直下の位置）まで徐々に拡張されるようになされている。即ち、第二の実施形態において、一対のガイドレール５は、引張り手段として機能する。
【００３９】
また、この第二の実施形態における基板保持部７は、前記第一の実施形態において図２に示した構成とは、吸着部材７ａの位置を駆動機構（サーボモータ７ｆ）により制御しない構成となされる。
即ち、図７に示す基板保持部７は、基板Ｇの下面に対し吸引動作により吸着可能な吸着部材７ａと、吸着部材７ａをスライダ６上に立設された支柱７ｂに沿って昇降移動させる昇降部材７ｃとを有する。
【００４０】
また、昇降部材７ｃ上には、基板幅方向に沿ってガイド部材７ｄが設けられ、このガイド部材７ｄに沿って前記吸着部材７ａが摺動自在に設けられている。
また、支柱７ｂ側に設けられたガイド部材７ｄの端部と前記吸着部材７ａとの間には、前記ガイド部材７ｄに沿って戻りバネ７ｈ（緩衝部材）が設けられ、吸着部材７ａが基板幅方向外側に引張られた際に、基板幅方向内側に向けて戻りバネ７ｈの付勢力が与えられるようになされている。
【００４１】
このように構成されたレジスト塗布処理ユニット１において、基板保持部７に保持された基板Ｇが塗布処理部２Ｂに搬入され、スライダ６がレール５上を移動すると、図８に示すように、対となる基板保持部７の幅寸法は、塗布処理がなされるノズル１１直下の位置まで徐々に拡張される。
対となる基板保持部７の吸着部材７ａにあっては、双方がその幅を拡張する方向に引っ張り合う力が働き、前記第一の実施形態と同様に図５に示したように基板Ｇの凹凸が補正され、平坦度が維持される。
即ち、本発明に係る第二の実施形態によれば、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板Ｇの平坦性を維持した状態で塗布処理を行うことができる。
尚、前記第二の実施形態においては、緩衝部材として、戻りバネ７ｈを用いたが、これに代えて他の弾性部材を用いてもよい。
【００４２】
続いて、本発明の基板搬送装置にかかる第三の実施形態について図９に基づき説明する。この第三の実施の形態にあっては、前記した第一の実施形態とは、基板保持部７の構成が異なる。また、撓み検出センサ８を不要とする点が異なる。
図９（ａ）、図９（ｂ）は、第三の実施の形態における基板保持装置７の断面図である。図９に示す基板保持部７は、基板Ｇの下面に対し吸引動作により吸着可能な吸着部材７ａと、吸着部材７ａを支柱７ｂ（図示省略）に沿って昇降移動させる昇降部材７ｃとを有する。また、昇降部材７ｃ上には、基板幅方向に沿ってガイドレール７ｄが設けられ、このガイドレール７ｄに沿って前記吸着部材７ａを保持する中空のピストン９（引張り手段）が移動自在に設けられている。
【００４３】
前記ピストン９はシリンダ１０（引張り手段）内に摺動自在に挿着され、その位置によってシリンダ１０とピストン９とにより形成される内部空間９ｂの容積が変化するようになっている。
また、シリンダ１０の端部１０ａとピストン９に形成された段差部９ａとの間には、戻りバネ１２（緩衝部材）が設けられている。尚、シリンダ１０とピストン９とにより形成される内部空間９ｂの容積が収縮する方向にピストン９が移動する際には、ガイド部材７ｄに設けられたストッパ７１によって、その最大移動距離が制限されている。
【００４４】
また、吸着部材７ａには、貫通孔７２が形成され、基板Ｇを吸着しない状態にあっては、ピストン９内部の空間９ｂは外気側に連通している。また、シリンダ１０とピストン９とにより形成された内部空間９ｂは、シリンダ１０に設けられた排気孔１０ｂを介して吸引ポンプ１３に接続されている。
【００４５】
このように構成された各基板保持部７に基板Ｇの左右両端部が保持されると、図９（ｂ）に示すように吸着部材７ａの貫通孔７２が塞がれ、吸引ポンプ１３の吸引により吸着部材７ａは基板Ｇを吸着し、シリンダ１０とピストン９とにより形成される内部空間９ｂは陰圧の状態となる。
このため、ピストン９は、前記内部空間９ｂの容積が収縮するようシリンダ１０側に移動する。これにより対となる基板保持部７の吸着部材７ａにあっては、双方がその幅を拡張する方向に引張り合う力（横引張力）が働き、前記第一の実施形態と同様に図５に示したように基板Ｇの凹凸が補正され、平坦度が維持される。
即ち、本発明に係る第三の実施形態によれば、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板Ｇの平坦性を維持した状態で塗布処理を行うことができる。
【００４６】
尚、この図９に示す構成にあっては、吸着部材７ａに働く横引張力によって基板Ｇに対する吸着部材７ａの吸着破壊が生じた場合、戻りバネ１２の付勢力により吸着部材７ａは図９（ａ）に示す状態に戻る。
このため、吸着部材７ａを自動的に再び基板Ｇの下面に吸着させることができ、横引張力を維持することができる。
【００４７】
尚、前記第三の実施形態においては、緩衝部材として、戻りバネ１２を用いたが、これに代えて他の弾性部材を用いてもよい。
また、前記第一乃至第三の実施形態にあっては、浮上ステージ２の片側に５台のスライダ６と基板保持部７とを設け、両側で計１０台の基板保持部７により基板両側を保持するものとしたが、その左右両側で対となる数は限定されるものではない。
また、前記第一乃至第三の実施形態にあっては、本発明にかかる基板搬送装置をレジスト塗布処理ユニットに適用した場合を例にとって説明したが、塗布処理ユニットに限定されることなく、他の基板処理ユニット等においても好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１          レジスト塗布処理ユニット（基板搬送装置）
２          浮上ステージ（基板搬送路）
２ａ        ガス噴出孔
２ｂ        ガス吸引孔
２Ｂ        塗布処理部（浮上ステージ）
５          ガイドレール（引張り手段）
６          スライダ（基板搬送手段）
７          基板保持部（基板保持手段）
７ａ        吸着部材
７ｅ        ワイヤ（引張り手段）
７ｇ        巻き取りローラ（引張り手段）
７ｆ        サーボモータ（回転駆動部）
９          ピストン（引張り手段）
１０        シリンダ（引張り手段）
Ｇ          ガラス基板（被処理基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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