(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続され、高周波電圧を供給する送電回路を備えた送電装置と、
アクティブ電極とパッシブ電極とで構成され、前記送電装置側結合電極と結合する受電装置側結合電極、および前記受電装置側結合電極に接続された受電回路を備えた受電装置と、
を備えた電力伝送システムにおいて、
前記受電回路は前記受電装置側結合電極の間に接続された放電型過電圧保護デバイスを備え、
前記送電装置側結合電極の電圧、または前記送電回路の入力電流を測定し、前記受電装置側結合電極の電圧が前記放電型過電圧保護デバイスの閾値電圧を超えて前記放電型過電圧保護デバイスが放電したことに伴う前記受電装置側結合電極のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極に誘導される電圧の不連続点を検出し、過電圧制御を行う過電圧制御手段を備えた、電力伝送システム。
【請求項２】
前記送電装置は、昇圧回路を備え、
前記送電装置側結合電極と前記昇圧回路とは共振回路を構成する、
請求項１に記載の電力伝送システム。
【請求項３】
前記受電装置は、降圧回路を備え、
前記受電装置側結合電極と前記降圧回路とは共振回路を構成する、
請求項２に記載の電力伝送システム。
【請求項４】
前記放電型過電圧保護デバイスは、絶縁性セラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第１、第２放電電極と、前記空洞部内において前記第１，第２放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたＥＳＤ保護デバイスであって、
前記放電補助電極は、表面が無機酸化物によりコーティングされた金属粒子と、半導体粒子とを含む、請求項１から３のいずれかに記載の電力伝送システム。
【請求項５】
前記受電回路は、前記放電型過電圧保護デバイスに直列する抵抗素子を備える、請求項１から４の何れかに記載の電力伝送システム。
【請求項６】
前記過電圧制御手段は、前記送電回路の出力電圧を低下させるかまたは電圧出力を停止する、請求項１から５のいずれかに記載の電力伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電界結合により電力を伝送する電力伝送システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
二つの装置を近接させて装置間で電力を伝送する代表的なシステムとして、送電装置の一次コイルから受電装置の二次コイルに磁界を利用して電力を伝送する磁界結合方式の電力伝送システムが知られている。しかし、磁界結合で電力を伝送する場合、各コイルを通る磁束の大きさが起電力に大きく影響するため、一次コイルと二次コイルとの相対位置関係に高い精度が要求される。また、コイルを利用するため、装置の小型化が困難である。
【０００３】
一方、特許文献１〜３に記載されているような準静電界を利用して送電ユニット側の結合用電極から負荷ユニット側の結合用電極に電力を伝送する電界結合方式のワイヤレス電力伝送システムも知られている。このシステムでは、送電装置の結合電極から受電装置の結合電極に電界を介して電力が伝送される。この方式は、結合電極の相対位置精度が比較的緩く、また、結合電極の小型・薄型化が可能である。
【０００４】
図１０は特許文献１の電力伝送システムの基本構成を示す図である。この電力伝送システムは、送電装置と受電装置とで構成される。送電装置には、送電回路１、パッシブ電極２およびアクティブ電極３を備えている。受電装置には、受電回路５、パッシブ電極７およびアクティブ電極６を備えている。そして、送電装置のアクティブ電極３と受電装置のアクティブ電極６とが高電圧電界領域４を介して近接することにより、この二つの電極同士が電界結合する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００９−５３１００９号公報
【特許文献２】特開２００９−２９６８５７号公報
【特許文献３】特開２００９−０８９５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電界結合型の非接触電力伝送システムにおいては、磁界結合型の非接触電力伝送システムに比べると、送電装置と受電装置が高インピーダンスで結合する。低損失な共振回路を使用しており、結合状態や負荷のインピーダンスの変動により受電装置側の結合電極に過電圧が発生する場合がある。ここで過電圧とは、異常電圧であり、結合電極に掛かる定格電圧を超える電圧である。
【０００７】
本発明は電界結合型の非接触電力伝送システムにおいて過電圧の発生を防止して、結合電極に掛かる電圧が一定範囲内に抑えられるようにした電力伝送システムを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の受電装置は、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続された高周波高電圧発生回路を備えた送電装置から電力を受電する装置であり、
前記送電装置側結合電極に電気的に結合する受電装置側結合電極、および前記受電装置側結合電極に接続された負荷回路を備え、
前記負荷回路は、前記受電装置側結合電極に接続された降圧トランスと、前記受電装置側結合電極と前記降圧トランスの一次コイルとの間に接続された放電型過電圧保護デバイスとを備えたことを特徴とする。
【０００９】
（２）前記放電型過電圧保護デバイスは、絶縁性セラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第１、第２放電電極と、前記空洞部内において前記第１，第２の放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたＥＳＤ保護デバイスであって、
前記放電補助電極は、表面が無機酸化物によりコーティングされた金属粒子と、半導体粒子とを含むことが好ましい。
【００１０】
（３）本発明の電力伝送システムは、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続された高周波高電圧発生回路を備えた送電装置から電力を受電する受電装置と、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成され、前記送電装置側結合電極と結合する受電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路とを有する送電装置とを備え、
前記送電装置側結合電極の電圧、または前記高周波高電圧発生回路の入力電流を測定し、前記受電装置側結合電極の電圧が前記放電型過電圧保護デバイスの閾電圧を超えて前記放電型過電圧保護デバイスが放電したことに伴う結合電極のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極に誘導される電圧の不連続点を検出し、過電圧制御を行う過電圧制御手段を備えたことを特徴としている。
【００１１】
（４）前記過電圧制御手段は、前記高周波高電圧発生回路の出力電圧を低下させるかまたは電圧出力を停止するものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、受電装置側結合電極に誘導される電圧が、閾値電圧を超えると放電型過電圧保護デバイスが放電し短絡するので、受電装置側結合電極および送電装置側結合電極に異常な高電圧が発生するのを防止できる。
【００１３】
特に、放電型過電圧保護デバイスを、ガラスセラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第１、第２放電電極と、空洞部内において前記第１，第２の放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたＥＳＤ保護デバイスで構成すれば、静電容量が小さく、受電装置側の結合電極の浮遊容量を増大させないので、過電圧保護機能を持つことができるとともに、電力伝送効率を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は第１の実施形態の電力伝送システム４０１の外観斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、ジャケット付き端末の正面図、図２（Ｂ）は送電装置１０１にジャケット付き端末が載置された状態での側面図である。
【図３】図３は電力伝送システム４０１の等価回路図である。
【図４】図４は電力伝送システム４０１の別の等価回路図である。
【図５】図５は送電装置１０１のブロック構成図である。
【図６】図６は、図５に示した制御回路５２の処理内容のうち、ＥＳＤ保護デバイス４３の作動による送電装置側の過電圧保護動作についての処理内容を示すフローチャートである。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は本発明の実施形態の電力伝送システムの動作を示す波形図であり、図８（Ａ）、図８（Ｂ）は比較例の電力伝送システムについての動作を示す波形図である。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）は比較例の電力伝送システムについての動作を示す波形図である。
【図９】図９は放電部の断面構造を拡大して表した模式図である。
【図１０】図１０は特許文献１の電力伝送システムの基本構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態の電力伝送システム４０１の外観斜視図である。この電力伝送システム４０１は送電装置１０１および受電装置で構成されている。この例では、端末１０とその外周枠に被せられたジャケット２０１とで受電装置が構成されている。そして、外周枠にジャケット２０１が被せられた状態の端末１０（以下、「ジャケット付き端末」という。）が送電装置１０１に載置される。後に詳述するが、ジャケット２０１内には受電回路が構成されていて、ジャケット２０１内のコネクタを介して受電回路に端末１０が接続される。
【００１６】
図２（Ａ）は、ジャケット付き端末の正面図、図２（Ｂ）は送電装置１０１にジャケット付き端末が載置された状態での側面図である。図２（Ａ）に表れているように、端末１０の下部に下部ジャケット２０１Ｂがスライド式に装着され、端末１０の上部に上部ジャケット２０１Ｔがスライド式に装着される。下部ジャケットの内部にはコネクタのプラグ４７が設けられていて、端末１０に下部ジャケット２０１Ｂが装着されることによって、プラグ４７は端末１０の下部に設けられているレセプタクル１１に接続される。
【００１７】
図３は前記電力伝送システム４０１の等価回路図である。この図３において、送電装置１０１は、送電回路３９、パッシブ電極３１およびアクティブ電極３２を備えている。このパッシブ電極３１およびアクティブ電極３２が送電装置側結合電極である。送電回路３９は高周波電圧発生回路３８、昇圧トランスＴＧおよびインダクタＬＧ等で構成されている。高周波電圧発生回路３８は例えば１００ｋＨｚ〜数１０ＭＨｚの高周波電圧を発生する。昇圧トランスＴＧおよびインダクタＬＧによる昇圧回路は、高周波電圧発生回路３８の発生する電圧を昇圧してパッシブ電極３１とアクティブ電極３２との間に印加する。キャパシタＣＧはパッシブ電極３１とアクティブ電極３２とによる容量である。前記昇圧回路とキャパシタＣＧは共振回路を構成する。
【００１８】
ジャケット２０１は、受電回路４９、パッシブ電極４１およびアクティブ電極４２を備えている。このパッシブ電極４１およびアクティブ電極４２が受電装置側結合電極である。受電回路４９は、負荷回路４８、ＥＳＤ保護デバイス４３、降圧トランスＴＬとインダクタＬＬによる降圧回路等で構成されている。パッシブ電極４１とアクティブ電極４２との間には、降圧トランスＴＬおよびインダクタＬＬによる降圧回路が接続されている。キャパシタＣＬはパッシブ電極４１とアクティブ電極４２とによる容量である。前記降圧回路とキャパシタＣＬは共振回路を構成する。降圧トランスＴＬの二次側には負荷回路４８が接続されている。
【００１９】
例えば、送電装置に対する受電装置の載置位置が大きくずれた場合に、受電装置の共振状態が定常状態から大きくずれて、送電装置側結合電極３１，３２の間に過電圧が印加される状態になると、受電装置側結合電極４１，４２の間に掛かる電圧が上昇する。この受電装置側結合電極４１，４２の間に掛かる電圧がＥＳＤ保護デバイス４３の閾値電圧（放電開始電圧）を超えると、ＥＳＤ保護デバイス４３は素子内部で放電が生じる。ＥＳＤ保護デバイス４３が放電するとＥＳＤ保護デバイス４３のインピーダンスが非常に小さくなるので、負荷回路４８への印加電圧の上昇が抑えられる。
【００２０】
図４は電力伝送システム４０１の別の等価回路図である。この回路は後に示す実験用の回路図でもある。図３に示した結合容量Ｃｍを図４ではキャパシタ素子で表している。これらのキャパシタＣＧ，ＣＬ，Ｃｍは、送電装置側パッシブ電極、送電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、受電置側アクティブ電極の立体的な構造に生じる電界分布から導出される容量成分により定まる。
【００２１】
送電装置１０１のインダクタＬＧとキャパシタＣＧとによってＬＣ共振回路ＬＣ１が構成されている。また、降圧トランスＴＬの１次側コイルとキャパシタＣＬとでＬＣ共振回路ＬＣ２が構成されている。
【００２２】
降圧トランスＴＬの２次側には、ダイオードブリッジＤＢとコンデンサＣｏによる整流平滑回路および二次電池等の負荷ＲＬで構成される負荷回路が接続されている。
【００２３】
図５は送電装置１０１のブロック構成図である。ここで駆動電源回路５１は商用電源を入力して例えば一定の直流電圧（例えばＤＣ５Ｖ）を発生する電源回路である。制御回路５２は次に述べる各部との間で信号を入出力して各部の制御を行う。
【００２４】
駆動制御回路５５は制御回路５２から出力される信号に従ってスイッチング回路５６のスイッチ素子をスイッチングする。スイッチング回路５６は後に示すように昇圧回路３７の入力部を交番駆動する。
【００２５】
ＤＣＩ検出回路５３は、スイッチング回路５６に流れる駆動電流（すなわち、駆動電源回路５１から昇圧回路３７への供給電流量）Ｉ１を検出する。制御回路５２はこの検出信号Ｖ（Ｉ１）を読み取る。ＡＣＶ検出回路５８は、結合電極３１，３２間の電圧を容量分圧し、この分圧された交流電圧を整流した直流電圧を検出信号Ｖ（Ｖ１）として生成する。制御回路５２はこの検出信号Ｖ（Ｖ１）を読み取る。
【００２６】
図６は、図５に示した制御回路５２の処理内容のうち、ＥＳＤ保護デバイス４３の作動による送電装置側の過電圧保護動作についての処理内容を示すフローチャートである。
【００２７】
先ず、発生すべき高周波電圧の最適な周波数を検知して、その周波数の高周波電圧を発生するように周波数を定める（Ｓ１１）。その後、駆動電源回路５１は定電圧の給電を開始する（Ｓ１２）。続いて、ＡＣＶ検出回路５８の検出値Ｖ１およびＤＣＩ検出回路５３の検出値Ｉ１を読み取る（Ｓ１３，Ｓ１４）。
【００２８】
ＡＣＶ検出回路５８の検出値は送電装置側結合電極３１，３２の印加電圧Ｖ１に相当する電圧信号Ｖ（Ｖ１）である。この送電装置側結合電極３１，３２の印加電圧Ｖ１が所定の閾値Ｖ１ｔｈを超えるか否かを判定する（Ｓ１５）。また、入力電流Ｉ１が所定の閾値Ｉ１ｔｈを超えるか否かを判定する。このように、受電装置側結合電極４１，４２間の電圧Ｖ２が放電型過電圧保護デバイスの閾値電圧を超えてＥＳＤ保護デバイスが放電したことに伴う受電装置側結合電極４１，４２のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極３１，３２に誘導される電圧の不連続点を検出する。
【００２９】
ＥＳＤ保護デバイス４３が作動（放電）すれば、送電装置側結合電極３１，３２の印加電圧Ｖ１は上昇し、且つスイッチング回路５６に流れる駆動電流Ｉ１は増大する。Ｖ１＞Ｖ１ｔｈ且つＩ１＞Ｉ１ｔｈの条件を満たせばＥＳＤ保護デバイス４３が作動（放電）したものと見なし、駆動制御回路５５の駆動を停止することにより過電圧制御を行う（Ｓ１７）。
【００３０】
なお、ＥＳＤ保護デバイス４３が作動したことを検知して駆動制御回路５５の駆動を停止すること以外に、駆動制御回路５５によるスイッチング回路５６のオンデューティ比を小さくして、受電装置側結合電極４１，４２に掛かる電圧Ｖ２の電圧上昇を抑制するようにしてもよい。
【００３１】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）は本発明の実施形態の電力伝送システムの動作を示す波形図であり、図８（Ａ）、図８（Ｂ）は比較例の電力伝送システムについての動作を示す波形図である。この比較例の電力伝送システムは前記ＥＳＤ保護デバイスを設けないものである。いずれの図も縦軸は任意単位電圧である。
【００３２】
図７（Ａ）、図８（Ａ）は送電装置側結合電極３１，３２に掛かる電圧Ｖ１を次第に上昇させたときの電圧波形図、図７（Ｂ）、図８（Ｂ）はそのときの受電装置側結合電極４１，４２に掛かる電圧Ｖ２の波形図である。
【００３３】
図７（Ｂ）は、受電装置側結合電極４１，４２に掛かる電圧Ｖ２が時刻ｔｏで閾値を超えたことを表している。図７（Ａ）に表れているように、時刻ｔｏで送電装置側結合電極３１，３２に掛かる電圧Ｖ１が急激に上昇している。これは、図４に示したＬＣ共振回路ＬＣ２のインピーダンスの変化による。すなわち、定常状態ではＬＣ共振回路ＬＣ２のインピーダンスは高いが、ＥＳＤ保護デバイス４３がオンすることによりＬＣ共振回路ＬＣ２のインピーダンスは低下し、インダクタＬＧと等価的に共振する容量値で構成される共振周波数が駆動周波数に近接し、そのことで送電装置側結合電極３１，３２に掛かる電圧Ｖ１は不連続的に変化する。図７（Ａ）に示した例では電圧Ｖ１が急激に上昇したが、上記共振周波数が駆動周波数から遠ざかるように変化すると、逆に電圧Ｖ１が減少する方向へ不連続的に変化する場合も条件によってはあり得る。
【００３４】
ＥＳＤ保護デバイス（放電型過電圧保護デバイス）は、降圧トランスの二次コイルの端子間に接続することも考えられるが、受電装置側結合電極の間にＥＳＤ保護デバイスを接続した方が受電装置側のインピーダンス変化を送電装置側で感度よく検出できるので、好ましい。また、受電装置側結合電極の間すなわち回路のインピーダンスが高い箇所にＥＳＤ保護デバイスを接続した方が保護動作時に流れる電流が小さくて済むので、電流ストレスが軽減できるという点でも好ましい。なお、ＥＳＤ保護デバイス４３に対して直列に電流制限抵抗を挿入してもよい。
【００３５】
なお、受電装置側結合電極４１，４２に掛かる電圧Ｖ２は交流電圧であるので、ＥＳＤ保護デバイス４３がオンするような電圧になった以降は、印加される交流電圧の瞬時電圧に応じて放電を断続または継続することになる。図７（Ａ）、図７（Ｂ）は実験状態での波形であるので、時刻ｔｏ以降も送電装置側の電力送電は維持されて、図７（Ｂ）において電圧Ｖ２は０にならず、ＥＳＤ保護デバイス４３のほぼ閾値電圧を維持している。
【００３６】
一方、前記ＥＳＤ保護デバイスが無い場合には、図８（Ｂ）に示すように、受電装置側結合電極４１，４２に掛かる電圧Ｖ２は時刻ｔ１で過電圧状態となる。実験では、電圧Ｖ２を次第に上昇させているので、電圧Ｖ２はその後も過電圧状態を継続することになる。
【００３７】
なお、図８（Ａ）と図８（Ｂ）を比較すると、送電装置側結合電極３１，３２に掛かる電圧Ｖ１より、受電装置側結合電極４１，４２に掛かる電圧Ｖ２の方が高くなっている。この例では、受電装置側のＬＣ共振回路ＬＣ２の共振作用により、Ｖ１＜Ｖ２の関係となっているためである。
【００３８】
このようにして、電圧Ｖ２はＥＳＤ保護デバイス４３の閾値電圧を超えることがないので、負荷回路４８内のＩＣチップなどが過電圧から保護される。
【００３９】
ここで、ＥＳＤ保護デバイス４３の構成について示す。図９はＥＳＤ保護デバイス４３の断面構造を表した模式図である。ガラスセラミックなどの絶縁性セラミック層１７内に設けられた空洞部１８内に露出して対向する第１、第２放電電極１６、１６が設けられている。第１，第２の放電電極１６、１６を電気的に接続するように放電補助電極１９が設けられている。
【００４０】
放電補助電極１９は、絶縁性被膜により表面がコーティングされた粒子状の金属材料１９Ａと、粒子状の半導体材料１９Ｂとからなる。ここでは、金属材料１９ＡはCu粒子であり、半導体材料１９ＢはSiC粒子である。また、絶縁性被膜はアルミナ被膜である。
【００４１】
また、ガラス様物質２０が、放電補助電極１９Ａ，１９Ｂを囲むように形成されている。ガラス様物質２０は作為的に形成したものではなく、絶縁性セラミック層１７などの周辺部材由来の構成材料などの酸化等の反応によって形成されるものである。
【００４２】
このＥＳＤ保護デバイス４３の製造方法は以下のとおりである。
【００４３】
(1)セラミック材料の準備
絶縁性セラミック層１７の材料となるセラミック材料には、Ba、Al、Siを中心とした組成からなる材料(BAS材)を用いる。各素材を所定の組成になるよう調合、混合し、800-1000℃で仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで粉砕し、セラミック粉末を得る。このセラミック粉末に、トルエン・エキネンなどの有機溶媒を加え混合する。さらにバインダー、可塑剤を加え混合しスラリーを得る。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ50μｍのセラミックグリーンシートを得る。
【００４４】
また、放電電極を形成するための電極ペーストを作製する。平均粒径約2μｍのCu粉80wt%とエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、3本ロールで撹拌、混合することで電極ペーストを得る。
【００４５】
空洞１８を形成する樹脂ペーストとしてPETに対して有機溶剤を適宜の割合で含む樹脂ペーストを用意する。
【００４６】
(2)スクリーン印刷による電極、樹脂ペーストの塗布
放電補助電極を形成するための混合ペーストは、表面に平均粒径数ｎｍ〜数十ｎｍのＡｌ２Ｏ３粉末を付着してなる平均粒径約3μｍのCu粉を用意する。このCu粉に平均粒形１μｍのSiC粉末を所定の割合で配合する。この配合物に、バインダー樹脂と溶剤を添加し３本ロールで撹拌、混合することで混合ペーストを得る。
【００４７】
先ず、混合ペーストを下地のグリーンシートに塗布する。その後、電極および樹脂ペーストを塗布する。
【００４８】
(3)積層、圧着
セラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより積層体を構成する。
【００４９】
(4)カット、端面電極塗布
次に、積層体を厚み方向に切断し、各素体に分離する。その後、素体１４の端面に、焼成後に外部電極１５となる電極ペースト（Ｃｕペースト）を塗布する。
【００５０】
(5)焼成
次いで、N2雰囲気中で焼成し、ＥＳＤ保護デバイスを得る。
【００５１】
(6)めっき
次に、外部電極１５の表面に電解Ni-SnめっきによりNi-Snめっき膜を形成する。
【００５２】
また、放電補助電極を形成するための金属／セラミックの混合材料は、ペーストとして形成するだけでなく、シート化して配置してもよい。
【００５３】
なお、前記放電補助電極は、導電性粒子、絶縁性粒子および半導体粒子の全てを含んでいる必要はなく、導電性粒子とともに絶縁性粒子または半導体粒子を含んで構成されていてもよい。
【符号の説明】
【００５４】
ＣＧ，ＣＬ，Ｃｍ…キャパシタ
Ｃｏ…コンデンサ
ＤＢ…ダイオードブリッジ
ＬＣ１，ＬＣ２…ＬＣ共振回路
ＬＧ，ＬＬ…インダクタ
ＲＬ…負荷
ＴＧ…昇圧トランス
ＴＬ…降圧トランス
１０…端末
１１…レセプタクル
１４…素体
１５…外部電極
１６…放電電極
１７…絶縁性セラミック層
１８…空洞
１９…放電補助電極
１９Ａ，１９Ｂ…放電補助電極
２０…ガラス様物質
３１，３２…送電装置側結合電極
３７…昇圧回路
３８…高周波電圧発生回路
３９…送電回路
４１，４２…受電装置側結合電極
４３…ＥＳＤ保護デバイス
４７…プラグ
４８…負荷回路
４９…受電回路
５１…駆動電源回路
５２…制御回路
５３…ＤＣＩ検出回路
５５…駆動制御回路
５６…スイッチング回路
５８…ＡＣＶ検出回路
１０１…送電装置
２０１…ジャケット
２０１Ｂ…下部ジャケット
２０１Ｔ…上部ジャケット
４０１…電力伝送システム
【図１】
0005799656.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
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【図１０】
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【図７】
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【図８】
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