(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一色の画素を含む第１領域と、
互いに共通な発光層を含む有機層を有すると共に、前記画素とは異なる複数色の画素を含む第２領域と、
前記第１領域および第２領域を分離する隔壁とを備え、
前記画素は、基板上に設けられた薄膜トランジスタおよび前記薄膜トランジスタ上に設けられた発光層を有する表示素子を含み、前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は、前記薄膜トランジスタと表示素子との間の平坦化膜に段差を設けることで色ごとにそれぞれ異なる厚みの発光層を有する
表示装置。
【請求項２】
前記第２領域に設けられた複数色の画素はカラーフィルタによって色分割されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記隔壁は撥水処理されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記単一色の画素および複数色の画素の周囲には親液領域が設けられており、前記親液領域によって画素形状が規定されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は、互いに異なる色の画素が隣り合うように１列に配置されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は矩形状を有し、前記画素の長手方向が前記隔壁の延在方向に対して垂直に配置されている、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は、前記隔壁の延在方向に沿って色ごとに直線状に配置されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示素子は、前記平坦化膜上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた正孔注入または正孔輸送の少なくとも一方の特性を有する正孔注入・輸送層と、前記正孔注入・輸送層上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられると共に、前記第１領域および第２領域の全面に連続して設けられた電子注入または前記輸送の少なくとも一方の特性を有する電子注入・輸送層および上部電極とを備えた、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１領域に設けられた表示素子の発光層は、前記第１領域および第２領域の全面に連続して設けられ、前記第２領域に設けられた表示素子の発光層に積層されている、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
表示装置を有し、
前記表示装置は、
単一色の画素を含む第１領域と、
互いに共通な発光層を含む有機層を有すると共に、前記画素とは異なる複数色の画素を含む第２領域と、
前記第１領域および第２領域を分離する隔壁とを備え、
前記画素は、基板上に設けられた薄膜トランジスタおよび前記薄膜トランジスタ上に設けられた発光層を有する表示素子を含み、前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は、前記薄膜トランジスタと表示素子との間の平坦化膜に段差を設けることで色ごとにそれぞれ異なる厚みの発光層を有する
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する表示装置およびこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業の発達が加速するにつれて、高度な性能を有する表示素子が要求されている。その中で、次世代表示素子として注目されている有機ＥＬ素子は自発発光型表示素子として視野角が広くてコントラストが優秀なだけでなく応答時間が速いという長所がある。
【０００３】
有機ＥＬ素子を形成する発光層等に用いられる材料は、低分子材料と高分子材料に大別される。一般に、低分子材料の方がより高い発光効率、長寿命を示すことが知られており、特に青色発光の性能は高いとされる。
【０００４】
また、その有機膜は、低分子材料では一般的に真空蒸着法等の乾式法（蒸着法）、高分子材料ではスピンコーティング方式、インクジェット方式またはノズルコート方式等の湿式法（塗付法）やフレキソ印刷、オフセット印刷等の印刷法により成膜されている。
【０００５】
真空蒸着法は、有機薄膜の形成材料を溶媒に溶解させる必要がなく、成膜後に溶媒を除去する工程が不要という利点がある。但し、真空蒸着法はメタルマスクによる塗り分けが難しく、特に大型のパネルの作製における設備製造コストが高いため、大画面基板への適用が難しく、量産にも難があるなどの欠点を有していた。そこで表示画面の大面積化が比較的容易な塗布法が注目されている。
【０００６】
但し、塗布法を用いた場合には、隔壁に仕切られた画素間に塗布されたインクを乾燥する際に、インクが隔壁を伝って濡れ上がり開口率が著しく低下するという問題があった。また、高精細化のために画素幅を小さくした際に、所望の箇所に液滴を塗布することが難しいという問題があった。
【０００７】
この問題を解決するために、例えば特許文献１では、塗れ上がり等による膜厚ムラの発生を抑制する方法として有効画素領域の周囲にダミー画素領域を形成すると共に、下部電極付近の絶縁膜の形状を加工する方法が開示されている。また、高精細な表示装置を得る方法として、例えば特許文献２では、表示領域全面に塗布によって白色画素を形成し、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）のカラーフィルタを用いることで高精細化を実現したフルカラーの表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１４６８８５号公報
【特許文献２】特開２００６−２６９２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に開示された構成の表示装置では、少なくともＲ，Ｇではパターニングが必要であるため赤色画素および緑色画素で塗れ上がり生じ、開口率の十分な改善は得られなかった。また、特許文献２に開示された構成の表示装置では、開口率は確保されるが、消費電力が増大するため高負荷により信頼性が低下するという問題があった。
【００１０】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、開口率が向上した表示装置およびこれを備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本技術の表示装置は、単一色の画素を含む第１領域と、互いに共通な発光層を含む有機層を有すると共に、画素とは異なる複数色の画素を含む第２領域と、第１領域および第２領域を分離する隔壁とを備えたものであり、画素は、基板上に設けられた薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタ上に設けられた発光層を有する表示素子を含み、第２領域に設けられた複数色の画素は、薄膜トランジスタと表示素子との間の平坦化膜に段差を設けることで色ごとにそれぞれ異なる厚みの発光層を有する。
【００１２】
本技術の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【００１３】
本技術の表示装置および電子機器では、単一色の画素を含む第１領域と、単一色とは異なる複数色の画素を含む第２領域との間に隔壁を設け、第２領域内には隔壁を設けず、第２領域に含まれる画素間で共通の発光層を含む有機層を形成することにより、隔壁における塗れ上がりによる画素領域内の有機層の厚膜化が低減される。
【発明の効果】
【００１４】
本技術の表示装置および電子機器によれば、複数色の画素を含む第２領域内には隔壁を設けず、第２領域に含まれる画素間で共通の発光層を含む有機層を形成するようにしたので、隔壁における塗れ上がりによる画素領域内の有機層（特に発光層）の厚膜化が低減され、有効画素領域が広がる。これにより、画素の開口率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す平面図である。
【図２】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成の他の例を表す平面図である。
【図３】図１に示した表示装置における有機層の塗布方法を説明する模式図である。
【図４】図１に示した表示装置の概略図である。
【図５】図４に示した表示装置の画素駆動回路の一例を表す図である。
【図６】図１に示した表示装置の一部の断面図である。
【図７】図１に示した表示装置を構成する有機ＥＬ素子の断面図である。
【図８】図１に示した表示装置の製造工程の流れを表したものである。
【図９】比較例に係る表示装置の構成を表す平面図である。
【図１０】比較例および本開示の表示装置の断面を表す模式図である。
【図１１】本開示の変形例に係る表示装置の一部の断面表した模式図である。
【図１２】本開示の表示装置を用いたモジュールの構成を表す模式図である。
【図１３】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１４】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１７】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側断面、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
（表示領域に第１親液領域および第１撥液領域を有し、周辺領域に第２親液領域を有する表示装置）
１−１．表示領域の構成
１−２．表示装置の全体構成
２．変形例
（発光色によって有機層の膜厚が異なる表示装置）
３．適用例
【００１７】
１．第１の実施の形態
（１−１．表示領域の構成）
図１は本開示の第１の実施の形態に係る表示装置１Ａにおける表示領域２の平面構成を表したものである。この表示装置１Ａの表示領域２には、例えば、基板１１の上に、複数の画素５が配置されている。複数の画素５は、例えば赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂからなり、ここでは赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇおよび青色画素５Ｂの組み合わせが一つの表示画素（ピクセル）を構成している。これら赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇおよび青色画素５Ｂはマトリクス状に配置されている。具体的には、例えば図１に示したように、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇは交互に配置され、矩形状を有する画素５の長手方向が互いに隣り合うように直線状に設けられている。青色画素５Ｂは赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇの延在方向に沿って短手方向が隣り合うように配置されている。なお、各画素５（５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ）の配置方法は、これに限らず、例えば図２に示したように赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇおよび青色画素５Ｂをそれぞれ各色ごとに短手方向が隣り合うように直線状に配置してもよい。また、各画素５（５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ）にはそれぞれ対応する色の有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ、図６参照）が設けられている。
【００１８】
本実施の形態の表示装置１Ａの表示領域２には、親液領域３および撥液領域４が設けられている。この親液領域３は各画素５（５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ）の周囲に設けられており、撥液領域４は、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇが交互に配置されたＲＧ領域３Ａ（第２領域）と青色画素５Ｂが配置されたＢ領域３Ｂ（第１領域）を分割すると共に、画素５全体を囲うように形成されている。親液領域３および撥液領域４は、共に有機ＥＬ素子１０を塗布によって形成する際に吐出されるインクのバンクとしての機能を有するものであり、撥液領域４によって分割された親液領域３を設けることで、所望の画素パターンが形成される。
【００１９】
親液領域３は、インクの濡れ性を向上するためのものであり、画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの形状を規定するように、表示領域２内を連続して設けられている。親液領域３の材料としては、無機材料、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2），炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4），インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）等が用いられ、真空蒸着法，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法またはＰＶＤ（Physical Vapor Deposition；物理気相成長）法等によって形成される。
【００２０】
撥液領域４は、ＲＧ領域３ＡおよびＢ領域３Ｂに吐出されたインクの過剰な濡れ広がり、具体的には、隣接する画素ラインへの浸入を防止するためのものである。また、撥液領域４は、上述したように、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇが交互に配置されているＲＧ領域３Ａと青色画素５Ｂが配置されているＢ領域３Ｂとを分割すると共に、画素５全体を囲うように設けられている。撥液領域４の材料としては、有機材料、例えばポリイミドまたはノボラック等が挙げられ、これらを所定の形状に形成したのち、プラズマ処理を行うことで撥液性が付加される。
【００２１】
なお、ここでは示していないが、表示領域２の周囲には周辺領域６（図３参照）が設けられている。この周辺領域６には、全体に親液領域（図示なし）が設けられている。親液領域を設け、周辺領域６の濡れ性を向上することによって、各画素ライン（ＲＧ領域３Ａ，Ｂ領域３Ｂ）にインクを吐出する際の液溜まり（ビード）を形成しやすくなる。これにより、画素ライン上への連続したインクの吐出が可能となる。なお、周辺領域６の親液領域はこれに限らず、後述する理由により、少なくともＲＧ領域３ＡおよびＢ領域３Ｂの延在方向の一端側、具体的には、インク塗布開始時におけるビード形成領域に設けられていればよい。但し、両端に親液領域を設け対称的パターンとすることにより、有機層１５以降の製造工程において有利となる場合もある。なお、周辺領域６の親液領域は、上記親液領域３と同じ材料および方法によって形成される。
【００２２】
表示領域２の各色画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上には、上述したように各色画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに対応する色の有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）が設けられている。この有機ＥＬ素子１０は、詳細は後述するが、下部電極１２（第１電極），撥液層１４（隔壁），有機層１５および上部電極１６（第２電極）がこの順に積層された構成を有している（図６参照）。このうち、有機層１５の一部（特に、黄色発光層１５ＣＹ）が液滴吐出法等の塗布法により形成されている。具体的には、有機層１５を構成する有機材料を有機溶媒に溶解させたインクを、スリットコーター（またはストライプコーター）のヘッドに設けられた複数の吐出口から吐出し、各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂが配置された各画素ライン（ＲＧ領域３Ａ，Ｂ領域３Ｂ）に配する。この後、加熱することにより溶媒を除去して各層を形成する。
【００２３】
有機層１５は以下のように形成する。まず、図３（Ａ）に示したように、撥液領域４の外部、特に、各画素ラインの延在方向の一端側の周辺領域６にスリットコーターのヘッドの吐出口からインクを吐出し、ヘッドがインクを介して基板１１と接するようにビードを形成する。これにより、ヘッド表面の濡れ性を均一にすることができる。次に、図３（Ｂ）に示したように、画素ライン上に沿ってスキャンし、画素５上にインクを吐出していく。この際、ヘッドは図３（Ｃ）に示したように、インクを介して基板１１と接した状態を維持したままスキャン方向に移動する。
【００２４】
このような塗布法による有機層１５の形成では、上記ビードの形成が重要である。このため、表示領域２を囲む周辺領域６には、上述したように少なくともビード形成領域に親液領域を設けることが望ましい。これにより、インクの表面張力あるいは基板１１の撥液性等によるインクと基板１１との切断が抑制され、インクと基板１１との接続を維持しやすくなる。即ち、各色画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂにおける有機層１５の正確な塗布形成が可能となる。
【００２５】
（１−２．表示装置の全体構成）
次に、表示装置１Ａの断面構成について説明する。図４は、本実施の形態の表示装置１Ａの概略構成を表したものである。この表示装置１Ａは、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、上述したように、基板１１の上に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置された表示領域２が形成されており、表示領域２を囲うように周辺領域６が配置されている。周辺領域６には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００２６】
表示領域２内には画素駆動回路１４０が設けられている。図５は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１２の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ（または緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ）とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）により構成され、その構成は、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２７】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂのいずれか一つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２８】
図６は、表示装置１Ａ，１Ｂの一部の断面構成を表したものである。表示装置１Ａは、基板１１上に画素５を、例えばアクティブマトリックス方式により駆動するＴＦＴ２０が設けられ、このＴＦＴ２０上には、画素５（５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ）を構成する有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）が設けられている。
【００２９】
（ＴＦＴ）
ＴＦＴ２０は、いわゆるボトムゲート型のＴＦＴであり、チャネル（活性層）に、例えば酸化物半導体を用いたものである。このＴＦＴ２０では、ガラス等よりなる基板１１上に、ゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２，２３、チャネル層２４、チャネル保護膜２５およびソース電極２６Ａおよびドレイン電極２６Ｂがこの順に形成されている。ソース・ドレイン電極２６Ａ，２６Ｂ上には、基板１１の全面に渡ってＴＦＴ２０の凹凸を平坦化させるための平坦化層２７が形成されている。
【００３０】
ゲート電極２１は、ＴＦＴ２０に印加されるゲート電圧によってチャネル層２４中のキャリア密度（ここでは、電子密度）を制御する役割を果たすものである。このゲート電極２１は、例えばＭｏ，Ａｌおよびアルミニウム合金等のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜により構成されている。なお、アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム−ネオジム合金が挙げられる。
【００３１】
ゲート絶縁膜２２，２３は、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）お
よび酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等のうちの１種よりなる単層膜、またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。ここでは、ゲート絶縁膜２２，２３は、２層膜構造を有し、ゲート絶縁膜２２が例えばＳｉＯ2膜、ゲート絶縁膜２３は例えばＳｉ3Ｎ4膜によりそれぞれ構成されている。ゲート絶縁膜２２，２３の総膜厚は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００３２】
酸化物半導体層２４は、例えばインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ａｌ，Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含んでいる。このチャネル層２４は、ゲート電圧の印加によりソース・ドレイン電極２６Ａ，２６Ｂ間にチャネルを形成するものである。この酸化物半導体層２４の膜厚は、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００３３】
チャネル保護膜２５は、チャネル層２４上に形成され、ソース・ドレイン電極２６Ａ，２６Ｂ形成時におけるチャネルの損傷を防止するものである。チャネル保護膜２５の厚みは、例えば１０〜３００ｎｍである。
【００３４】
ソース・ドレイン電極２６Ａ，２６Ｂは、例えばＭｏ，Ａｌ，銅（Ｃｕ），Ｔｉ，ＩＴＯおよびＴｉＯ等のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの膜厚で積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。これにより、酸化物半導体の電気特性を安定して保持することができる。
【００３５】
平坦化層２７は、例えばポリイミド、ノボラック等の有機材料が用いられる。この平坦化層２７の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以下である。平坦化層２７上には、有機ＥＬ素子１０の下部電極１２が形成されている。
【００３６】
（有機ＥＬ素子）
図７は図２のＩ−Ｉ'破線における有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）の断
面構成を表したものである。有機ＥＬ素子１０は、下部電極１２（第１電極：アノード電極）から注入された正孔と上部電極１６（第２電極：カソード電極）から注入された電子が発光層１５Ｃ内で再結合する際に生じた発光光を基板１１と反対側（カソード電極側）から取り出す上面発光型（トップエミッション型）の表示素子である。上面発光型の有機ＥＬ素子１０を用いることにより表示装置の発光部の開口率が向上する。なお、本発明の有機ＥＬ素子１０は、このような構成に限定されることはなく、例えば基板１１側から光を取り出す透過型、即ち下面発光型（ボトムエミッション型）の表示素子としてもよい。
【００３７】
有機ＥＬ素子１０では、平坦化層２７上に、例えば表示装置１Ａが上面発光型である場合には、高反射性材料、例えば、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ等からなる下部電極１２が形成されている。また、表示装置１Ａが透過型である場合には、透明材料、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等が用いられる。
【００３８】
ここで、上方に有機層１５を除く下部電極１２上および平坦化層２７上には、例えば、ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4等が用いられた上述した親液領域３、ここでは親液層１３が形成され
ている。この親液層１３上には、図７（Ａ）に示したように、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇが配置されたＲＧ領域２Ａと青色発光素子１０Ｂが配置されたＢ領域２Ｂとの間に撥液層１４が設けられている。この撥液層１４は、有機層１５をパターニングするための撥液領域４である。なお、この撥液層１４は、下部電極１２と、後述する上部電極１６との絶縁性を確保する役割も有し、一般的に隔壁として機能するものである。この撥液層１４は、ＴＦＴ２０のソース・ドレイン電極２６Ａ，２６Ｂと下部電極１２との接続部上に設けられている。また、撥液層１４は図７（Ｂ）に示したように、下部電極１２および親液層１３上に後述する正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを順に積層したのち、正孔輸送層１５Ｂ上に形成してもよい。撥液層１４は、上述したようにポリイミドまたはノボラック等の有機材料により形成されており、プラズマ処理することにより、撥液性が付加される。
【００３９】
有機層１５は、例えば、図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、下部電極１２側から順に、正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，黄色発光層１５ＣＹ，青色発光層１５ＣＢ，電子輸送層１５Ｄおよび電子注入層１５Ｅを積層した構成を有する。有機層１５は、詳細は後述するが、例えば真空蒸着法やスピンコート法等によって形成される。この有機層１５の上面は上部電極１５によって被覆されている。有機層１５を構成する各層の膜厚および構成材料等は特に限定されないが、一例を以下に示す。
【００４０】
正孔注入層１５Ａは、発光層１５Ｃへの正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１６Ａの厚みは例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔注入層１５Ａの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボンなどが挙げられる。導電性高分子の具体例としてはオリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。
【００４１】
正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１５Ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔輸送層１５Ｂを構成する材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロールまたはＡｌｑ３などを用いることができる。
【００４２】
発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり発光するものであり、ここでは黄色の光を発する黄色発光層１５ＣＹおよび青色の光を発する青色発光層１５ＣＢから構成されている。具体的には、黄色発光層１５ＣＹは、ＲＧ領域２Ａ上、換言すると赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇ上に設けられており、青色発光層１５ＢはＲＧ領域２ＡおよびＢ領域２Ｂ、即ち画素領域全面にベタ膜として設けられている。黄色発光層１５ＣＹの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは１５ｎｍ〜１００ｎｍである。青色発光層１５ＣＢの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば２ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【００４３】
発光層１５Ｃを構成する材料としては、それぞれ所望の色を発光する材料を用いればよい。発光材料として分子量が１〜５０００程度の低分子材料を用いる場合には、ホスト材料およびドーパント材料として２種類以上の発光材料を混合して用いることが好ましい。発光材料として分子量が５０００〜数百万程度の高分子材料を用いる場合には、発光材料を有機溶媒に溶かし、インクとして使用する。
【００４４】
黄色発光層１５ＣＹの材料としては、例えば、５００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域に少なくとも１つのピーク波長を有するりん光性または蛍光性の材料が挙げられる。具体的には、例えばポリフルオレン系高分子誘導体や、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等の発光性高分子が挙げられる。また、低分子材料をホスト材料として用いた際に混合するドーパント材料としては、例えば、りん光性金属錯体化合物、具体的には、中心金属には周期表７〜１１族から選ばれる金属、例えばベリリウム（Ｂｅ），ホウ素（Ｂ），亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），マグネシウム（Ｍｇ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ），アルミニウム（Ａｌ），ガドリニウム（Ｇａ），イットリウム（Ｙ），スカンジウム（Ｓｃ），ルテニウム（Ｒｕ），ロジウム（Ｒｈ），オスミウム（Ｏｓ），イリジウム（Ｉｒ）等を用いることが好ましい。
【００４５】
青色発光層１５ＣＢの材料としては、例えば、アントラセン化合物をホスト材料として青色もしくは緑色の蛍光性色素のドーパント材料を組み合わせることで、青色もしくは緑色の発光光を発生する。ドーパント材料としては、発光効率が高い材料、例えば低分子蛍光材料またはりん光色素あるいは金属錯体などの有機発光材料が挙げられる。具体的には、ピーク波長が約４００ｎｍ〜４９０ｎｍの範囲内に有する化合物である。このような化合物としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビス（アジニル）メテンホウ素錯体などの有機物質が用いられる。なかでも、アミノナフタレン誘導体、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、アミノピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、ビス（アジニル）メテンホウ素錯体から選択されることが好ましい。
【００４６】
なお、発光層１５Ｃは、例えば上述した正孔輸送層１５Ｂを兼ねた正孔輸送性の発光層としてもよく、また、後述する電子輸送層１５Ｄを兼ねた電子輸送性の発光層としてもよい。
【００４７】
電子輸送層１５Ｄおよび電子注入層１５Ｅは、発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１５Ｄおよび電子注入層１５Ｅの総膜厚は素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１８０ｎｍである。
【００４８】
電子輸送層１５Ｄの材料としては、優れた電子輸送能を有する有機材料を用いることが好ましい。発光層１５Ｃの輸送効率を高めることにより、後述する電界強度による発光色の変化が抑制される。具体的には、例えばアリールピリジン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体などを用いることが好ましい。これにより、低い駆動電圧でも高い電子の供給効率が維持される。電子注入層１５Ｅの材料としては、アルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。
【００４９】
上部電極１６は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料により構成されている。また、酸化物を用いて透明導電膜を形成することによっても光取り出しを担保することができる。この場合には、ＺｎＯ，ＩＴＯ，ＩＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ等を用いる事が可能である。更に、上部電極１６は単層でもよいが、ここでは例えば下部電極１２側から順に第１層１６Ａ、第２層１６Ｂ、第3層１６Ｃと積層した構造となっている。
【００５０】
第１層１６Ａは、仕事関数が小さく、且つ、光透過性の良好な材料により形成されることが好ましい。具体的には、例えばカルシウム（Ｃａ），バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム（Ｌｉ），セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ）が挙げられる。更に、Ｌｉ2Ｏ，Ｃｓ2Ｃｏ3，Ｃｓ2ＳＯ4，ＭｇＦ，ＬｉＦやＣａＦ2等のアルカリ金属酸化物，アルカリ金属フッ化物，アルカリ土類金属酸化物，アルカリ土類フッ化物が挙げられる。
【００５１】
第２層１６Ｂは、薄膜のＭｇＡｇ電極やＣａ電極などの光透過性を有し、且つ、導電性が良好な材料で構成されている。第３層１６Ｃは、電極の劣化を抑制するために透明なランタノイド系酸化物を用いることが好ましい。これにより、上面から光を取り出すことが可能な封止電極として用いることが可能となる。また、ボトムエミッション型の場合には、第３層１６Ｃの材料として金（Ａｕ），白金（Ｐｔ）またはＡｕＧｅ等が用いられる。
【００５２】
なお、第１層１６Ａ、第２層１６Ｂおよび第３層１６Ｃは、真空蒸着法、スパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＤ法などの手法によって形成される。また、この表示素子を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、上部電極１６は、下部電極１２の一部を覆う撥液層１４（隔壁）および有機層１５によって、下部電極１２に対して絶縁された状態で基板１１上にベタ膜状で形成され、各画素に対して共通な電極として用いてもよい。
【００５３】
また、上部電極１６には、アルミキノリン錯体，スチリルアミン誘導体，フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層でもよい。この場合には、さらに第３層１６Ｃ（図示なし）としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。また、上部電極１６は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取ればよいことは言うまでもない。例えば、上記本実施の形態の上部電極１６の構成は、電極各層の機能分離、即ち有機層１５への電子注入を促進させる無機層（第１層）と、電極を司る無機層（第２層）と、電極を保護する無機層（第３層）とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層１５への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねてもよく、これらの層を単層構造としてもよい。
【００５４】
更に、この有機ＥＬ素子１０が、キャビティ構造となっている場合には、上部電極１６が半透過半反射材料を用いて構成されることが好ましい。これにより、下部電極１２側の光反射面と、上部電極１６側の光反射面との間で多重干渉させた発光光が上部電極１６側から取り出される。この場合、下部電極１２側の光反射面と上部電極１６側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の膜厚が設定されていることとする。このような上面発光型の表示素子においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能となる。
【００５５】
保護層１７は、有機層１５への水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料を用いて、例えば厚さ２〜３μｍで形成される。保護層１７の材料としては、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）,アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）,アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００５６】
封止用基板１８は、有機ＥＬ素子１０の上部電極１５の側に位置しており、接着層（図示せず）と共に有機ＥＬ素子１０を封止するものである。封止用基板１８は、有機ＥＬ素子１０で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板１８には、例えば、カラーフィルタ１８Ａおよびブラックマトリクスとしての遮光膜１８Ｂが設けられており、有機ＥＬ素子１０で発生した光を取り出すと共に、各有機ＥＬ素子１０間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００５７】
カラーフィルタ１８Ａは、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇ上にそれぞれ赤色フィルタ１８ＡＲおよび緑色フィルタ１８ＡＧを有している。赤色フィルタ１８ＡＲおよび緑色フィルタ１８ＡＧは、それぞれ例えば矩形形状で配置されている。これら赤色フィルタ１８ＡＲおよび緑色フィルタ１８ＡＧは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤色または緑色の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。なお、ここでは青色発光素子１０Ｂ上にカラーフィルタを設けなかったが、青色のカラーフィルタを設けても構わない。
【００５８】
遮光膜１８Ｂは、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００５９】
この有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００６０】
図８は、この有機ＥＬ表示装置１の製造方法の流れを表したものである。まず、上述した材料よりなる基板１１の上にトランジスタ２０を含む画素駆動回路１４０を形成し、例えば感光性樹脂よりなる平坦化層２７を設ける（ステップＳ１０１）。
【００６１】
（下部電極１２を形成する工程）
次いで、基板１１の全面に例えばＩＴＯよりなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターニングすることにより、下部電極１２を赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色有機ＥＬ素子１０Ｂの各々ごとに形成する（ステップＳ１０２）。その際、下部電極１２を、平坦化層２７のコンタクトホールを介してトランジスタ２０のドレイン電極２６Ｂと導通させる。
【００６２】
（親液層１３および撥液層１４を形成する工程）
続いて、下部電極１２上および平坦化層２７上に、例えばスリットコート法を用いて成膜したのち、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、画素形状を定義する親液層１３を形成する。次いで、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により、ＳｉＯ2等の無機絶縁材料を成膜し、ＲＧ領域２ＡおよびＢ領域２Ｂを区画する隔壁を形成したのち、プラズマ処理により隔壁表面の撥水性を向上させ、撥水層１４を形成する（ステップＳ１０３）。
【００６３】
（正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを形成する工程）
プラズマ処理を行ったのち、撥水層１４に囲まれた領域内に、上述した材料よりなる正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを順に形成する（ステップＳ１０４）。この正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂは、例えばスピンコート法、スプレーコート法またはスリット印刷により形成する。
【００６４】
（黄色発光層１５ＣＹを形成する工程）
正孔輸送層１５Ｂを形成したのち、黄色発光層１５ＣＹを形成する（ステップＳ１０５）。黄色発光層１５Ｃの形成方法としては、例えばインクジェット法，ノズルコート法またはストライプコート法を用いて形成する。
【００６５】
（青色発光層１５ＣＢ，電子輸送層１５Ｄ，電子注入層１５Ｅおよび上部電極１６を形成する工程）
黄色発光層１５ＣＹを形成したのち、正孔輸送層１５Ｂおよび黄色発光層１５ＣＹの全面に、蒸着法により、青色発光層１５ＣＢを形成する（ステップＳ１０６）。続いて、青色発光層１５ＣＢの全面に蒸着法により電子輸送層１５Ｄ，電子注入層１５Ｅおよび上部電極１６を形成する（ステップＳ１０７，Ｓ１０８）。
【００６６】
上部電極１６を形成したのち、保護膜１７、カラーフィルタ１８Ａおよび遮光膜１８Ｂを含む封止用基板１８を形成する。具体的には、まず保護膜１７を下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により形成する。例えば、アモルファス窒化シリコンからなる保護膜１７を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚に形成する。この際、有機層１５の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、保護膜１７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００６７】
青色発光層１５ＣＢ，電子輸送層１５Ｄ，電子注入層１５Ｅ，上部電極１６および保護膜１７は、マスクを用いることなく全面にベタ膜として形成される。また、青色発光層１５ＣＢ，電子輸送層１５Ｄ，電子注入層１５Ｅ，上部電極１６および保護膜１７の形成は、望ましくは、大気に暴露されることなく同一の成膜装置内において連続して行われる。これにより大気中の水分による有機層１５の劣化が防止される。
【００６８】
なお、下部電極１２と同一工程で補助電極（図示せず）を形成した場合、補助電極の上部にベタ膜で形成された有機層１５を、上部電極１６を形成する前にレーザアブレーションなどの手法によって除去してもよい。これにより上部電極１６を補助電極に直接接続させることが可能となり、接触性が向上する。
【００６９】
保護層１７を形成したのち、例えば、上述した材料よりなる封止用基板１８に、上述した材料よりなる遮光膜１８Ｂを形成する。続いて、封止用基板１８に赤色フィルタ１８ＡＲの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ１８ＡＲを形成する。続いて、赤色フィルタ１８ＡＲと同様にして、緑色フィルタ１８ＡＧを順次形成する。
【００７０】
そののち、保護層１７の上に、接着層（図示せず）を形成し、この接着層を間にして封止用基板１８を貼り合わせる。以上により図１，図２，図６および図７（Ａ）に示した有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂが完成する。
【００７１】
なお、図７（Ｂ）に示したように、正孔輸送層１５Ｂ上に撥液層１４を形成する場合には以下のように形成する。まず、正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを上記のように形成したのち、例えばインクジェット法，ノズルコート法またはストライプコート法あるいは凸版印刷，フレキソ印刷，オフセット印刷またはグラビア印刷を用いて撥液層１４を形成する。次いで、黄色発光層１５ＣＹ以降を上記方法を用いて形成する。これにより、正孔流入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂが容易に形成される。
【００７２】
この有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂでは、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下面発光（ボトムエミッション）の場合には下部電極１２および基板１１を透過して、上面発光（トップエミッション）の場合には上部電極１６，封止基板１８に設けられたカラーフィルタ１８Ａを透過して取り出される。
【００７３】
本実施の形態の表示装置１Ａ，１Ｂでは、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇを含むＲＧ領域２Ａと青色画素５Ｂを含むＢ領域２Ｂとの間にのみ隔壁を設け、共通発光層を有する赤色画素および緑色画素間には隔壁を設けないことにより、塗れ上がりによる画素内の有機層１５（特に発光層１５Ｃ）の厚膜化が低減され、画素の開口率が向上する。以下、これについて更に説明する。
【００７４】
有機層１５を構成する有機材料を溶解したインクは、前述したように粘度が低く、低接触角であるため濡れ性が高い。このため、吐出後のインクは表示領域２あるいは周辺領域６上で広がり、基板の信頼性を著しく低下させる、また、パターニングが難しく、更に各色画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂごとの膜厚の制御も難しい。この問題を解決する方法として、例えば図９に示したように赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇおよび青色画素５Ｂをそれぞれ色ごとに直線状に配置し、各色の画素ライン間に撥液領域を設けて色ごとに分割する方法が考えられる。しかしながら、各色の画素領域（Ｒ領域１０２Ａ，Ｇ領域１０２Ｂ，Ｂ領域１０２Ｃ）に塗布されたインクは乾燥時に外縁部から溶媒が徐々に蒸発し、隔壁側面に有機材料が固化される。すると、画素領域内に残っているインクは隔壁側面に固化した有機材料を伝って塗れ上がる。図１０（Ａ）は図９のＩＩ−ＩＩ破線における断面構成を模式的に表したものであり、撥液層１０４（隔壁）の延在方向に沿う画素周縁部の有機層１１５の膜厚が厚くなる。この膜厚が厚くなった領域の発光光の発光効率は低下するため、各画素１０５Ｒ，１０５Ｇ，１０５Ｂの開口率が低下するという問題があった。
【００７５】
これに対して本実施の形態の表示装置１Ａ，１Ｂでは、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇ間に隔壁を設けず、共通の発光層１５Ｃ（ここでは１５ＣＹ）を含む有機層１５を設けることにより、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇ間における塗れ上がりの発生が防止される。
【００７６】
表１は、本実施の形態における表示装置１Ａ，１Ｂおよび比較例としての表示装置１００における有効画素領域，最大開口率，最小塗布幅および塗布回数をまとめたものである。赤色画素５Ｒと緑色画素５Ｇとの間に隔壁を設けず、共通の発光層１５Ｃを含む有機層１５を設けた表示装置１Ａ，1Ｂは、赤色画素５Ｒと緑色画素５Ｇとの間に隔壁を設け、ＲＧ塗り分けを行った表示装置１００と比較して、有効画素領域および最大開口率が向上していることがわかる。特に、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇを長手方向が隣り合うように配置した表示装置１Ａの方が有効画素領域および最大開口率がより向上している。また、表示領域２の長手方向に延在するＲＧ領域３ＡおよびＢ領域３Ｂを形成するようにしたため、塗布回数も少なく、即ち、塗布工程を簡略化されている。
【００７７】
【表１】
0005808624.tif 000002
【００７８】
以上のように、本実施の形態の表示装置１Ａ，１Ｂでは、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇ間に隔壁を設けず、共通の発光層１５Ｃ（ここでは１５ＣＹ）を含む有機層１５を設けるようにしたので、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇ間における塗れ上がりの発生が防止される。具体的には、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇの周縁部における塗れ上がりが半分以上削減されるため有効画素領域が広がり、開口率が大幅に向上する。また、精細度を維持しながら画素５へのパターン精度を大幅に緩和することができるため、表示装置１００のような従来の表示装置と比較して倍以上の精細度を得ることが可能となる。即ち、高精細な表示装置および電子機器を提供することができる。
【００７９】
また、前述した特許文献２のように、表示領域全体に白色画素を形成してカラーフィルタにより赤色光，緑色光および青色光を取り出す表示装置よりも少ない消費電力、即ち、信頼性の高いフルカラー表示装置を提供することが可能となる。
【００８０】
更に、上記表示装置１００では、赤色画素１０５Ｒ，緑色画素１０５Ｇおよび青色画素１０５Ｂごとに異なる発光層（赤色発光層，緑色発光層および青色発光層）を設けているが、本実施の形態では、赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇに設けられる赤色有機ＥＬ素子１０Ｒおよび緑色有機ＥＬ素子１０Ｇの発光層１５Ｃを共通（ここでは黄色発光層１５ＣＹ）とし、カラーフィルタ１８Ａ（赤色カラーフィルタ１８ＡＲ，緑色カラーフィルタ１８ＡＧ）で色分割して赤色光および緑色光を得るようにした。これにより、コストが低減されると共に、製造工程の簡略化も可能となる。
【００８１】
（変形例）
図１１は、本開示の変形例に係る表示装置１Ｃにおける赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇの断面構成の一部を表したものである。本変形例１の表示装置１Ｃでは、同一領域（ＲＧ領域２Ａ）に設けられた赤色画素５Ｒおよび緑色画素５Ｇ上の有機層１５の膜厚が異なる点が第１の実施の形態と異なる。
【００８２】
本変形例の表示装置１Ｃでは、ＴＦＴ２０上に設けられた平坦化膜３７に、カラーフィルタ１８Ａによって分割される発光色に応じた段差を設けることにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇの有機層１５（例えば、正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂおよび黄色発光層１５ＣＹ）の膜厚を調整する。具体的には、短波長（ここでは緑色画素５Ｇ）よりも長波長側（ここでは赤色画素５Ｒ）の画素に対応する位置の平坦化膜３７にエッチング等により凹部３７Ａを形成する。これにより、有機層１５の有機材料を溶解したインクを塗布することによって、平坦化膜３７の膜厚比に応じた正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ等が形成され、各色に応じた正孔の注入効率が調整され、各色の発光効率が改善する。
【００８３】
表２は赤色画素５Ｒが設けられた平坦化膜３７に凹部３７Ａを設けた際の、凹部の深さによる赤色発光の取り出し効率の変化をまとめたものである。平坦化膜３７の赤色画素５Ｒに対応する位置にそれぞれ深さ０．２μｍ，０，５μｍ，１μｍ，１．５μｍの凹部２７Ａを設けた際の発光効率は、加工しない場合の取り出し効率を基準として、それぞれ１０％〜４０％の改善が得られた。
【００８４】
【表２】
0005808624.tif 000003
【００８５】
以上のことから、本変形例における表示装置１Ｃは、平坦化膜３７に凹部３７Ａを設け有機層１５の膜厚を調整することで所望の色度を有する発光光を効率よく取り出すことが可能となる。
【００８６】
上記表示装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、例えば次の適用例１〜５に示した電子機器に搭載することができる。
【００８７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃの適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００８８】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、例えば、図１２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、保護膜４０および封止用基板３０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printe Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００８９】
（適用例１）
図１３は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ，１Ｂ，２が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｃにより構成されている。
【００９０】
（適用例２）
図１４は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ，１Ｂ，２が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｃにより構成されている。
【００９１】
（適用例３）
図１５は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ，１Ｂ，２が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｃにより構成されている。
【００９２】
（適用例４）
図１６は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ，１Ｂ，２が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｃにより構成されている。
【００９３】
（適用例５）
図１７は、上記実施の形態等の表示装置１Ａ，１Ｂ，２が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置１Ａ〜１Ｃにより構成されている。
【００９４】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、黄色発光層１５ＣＹの材料として黄色発光材料を用いたが、これに限らず、赤色発光材料および緑色発光材料を混合して用いてもよい。また、上記実施の形態等では、１画素を赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇおよび青色画素５Ｂから構成したが、これに限らず、更に黄色画素を加えた４色画素からこうせいしても構わない。その場合には、ＲＧ領域２Ａ内に黄色画素を形成すればよい。
【００９５】
また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記第１の実施の形態では、ＴＦＴ２０におけるチャネルとして酸化物半導体を用いたが、これに限らず、シリコンまたは有機半導体等を用いてもよい。
【００９６】
更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ等の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、正孔注入層１５Ａ上に正孔輸送層１５Ｂを形成せず、直接発光層１５Ｃを形成してもよい。
【００９７】
更にまた、有機層１５は、上述した方法の他に、スピンコート法，ディッピング法，ドクターブレード法，吐出コート法，スプレーコート法などの塗布法、インクジェット法，オフセット印刷法，凸版印刷法，凹版印刷法，スクリーン印刷法，マイクログラビアコート法などの印刷法などによる形成も可能であり、各有機層や各部材の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスを併用しても構わない。
【００９８】
また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００９９】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）単一色の画素を含む第１領域と、互いに共通な発光層を含む有機層を有すると共に、前記画素とは異なる複数色の画素を含む第２領域と、前記第１領域および第２領域を分離する隔壁とを備えた表示装置。
（２）前記第２領域に設けられた複数色の画素はカラーフィルタによって色分割されている、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記隔壁は撥水処理されている、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記単一色の画素および複数色の画素の周囲には親液領域が設けられており、前記親液領域によって画素形状が規定されている、前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は、互いに異なる色の画素が隣り合うように１列に配置されている、前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は矩形状を有し、前記画素の長手方向が前記隔壁の延在方向に対して垂直に配置されている、前記（５）に記載の表示装置。
（７）前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は、前記隔壁の延在方向に沿って色ごとに直線状に配置されている、前記（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記画素は、基板上に設けられた薄膜トランジスタおよび前記薄膜トランジスタ上に設けられた発光層を有する表示素子を含み、前記第２領域に設けられた前記複数色の画素は、前記薄膜トランジスタと表示素子との間の平坦化膜に段差を設けることで色ごとにそれぞれ異なる厚みの発光層を有する、前記（１）乃至（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記表示素子は、前記平坦化膜上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた正孔注入または正孔輸送の少なくとも一方の特性を有する正孔注入・輸送層と、前記正孔注入・輸送層上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられると共に、前記第１領域および第２領域の全面に連続して設けられた電子注入または前記輸送の少なくとも一方の特性を有する電子注入・輸送層および上部電極とを備えた、前記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記第１領域に設けられた表示素子の発光層は、前記第１領域および第２領域の全面に連続して設けられ、前記第２領域に設けられた表示素子の発光層上に積層されている、前記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記第１領域に設けられた表示素子の発光層は蒸着法により形成されている前記（１０）に記載の表示装置。
（１２）前記第２領域に設けられた表示素子の前記正孔注入・輸送層および発光層、吐出方式を用いた印刷方法、版を用いた印刷方法、噴霧方法を用いて形成されている、前記（９）乃至（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）前記正孔注入・輸送層はスリットコート法、スプレーコート法またはスピンコート法により前記第１領域および第２領域の全面に形成されている、前記（９）乃至（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）表示装置を備え、前記表示装置は、単一色の画素を含む第１領域と、互いに共通な発光層を含む有機層を有すると共に、前記画素とは異なる複数色の画素を含む第２領域と、前記第１領域および第２領域を分離する隔壁とを有する、電子機器。
【０１００】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…表示装置１Ｃ…表示領域、２…表示領域、３…親液領域、３Ａ…ＲＧ領域、３Ｂ…Ｂ領域、４…撥液領域、５…画素、１０…有機ＥＬ素子、２０…ＴＦＴ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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