(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードする方法であって、
高速交換デバイス（ＲＥＤ）を前記レチクルステージに位置合わせすることであって、前記ＲＥＤは、その上に前記パターニングデバイスが位置決めされており、第１の３自由度に適合した前記パターニングデバイスの移動を可能にする、ことと、
前記パターニングデバイスとの接触を始めるために前記レチクルステージを移動させることと、
前記レチクルステージと前記パターニングデバイスとの間の接触力を監視することと、 前記監視に基づき前記レチクルステージと前記パターニングデバイスとが実質的に接触して同一平面上にあるようになるまで、第２の３自由度に適合した前記レチクルステージの移動を可能にするように前記レチクルステージを制御することと、を含み、
前記第１の３自由度および前記第２の３自由度は、ｘ軸に沿った並進、前記ｘ軸に直角に規定されたｙ軸に沿った並進、前記ｘ軸および前記ｙ軸の両方に直角に規定されたｚ軸に沿った並進、前記ｘ軸周りの回転、前記ｙ軸周りの回転および前記ｚ軸周りの回転から構成されたグループから選択され、
前記第１の３自由度と前記第２の３自由度とはすべて異なる、方法。
【請求項２】
監視されている前記接触力が、予め設定された閾値に達した場合、前記パターニングデバイスを前記レチクルステージに固定するためにクランプを起動させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の３自由度は、前記ｘ軸に沿った並進、前記ｙ軸に沿った並進および前記ｚ軸周りの回転を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
コンプライアントピンを含む動的マウントを用いて前記ＲＥＤ上の前記パターニングデバイスを位置決めすることをさらに含み、
前記動的マウントは前記第１の３自由度を可能にする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記コンプライアントピンはピン屈曲部を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の３自由度は、前記ｚ軸に沿った並進、前記ｘ軸周りの回転および前記ｙ軸周りの回転を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記レチクルステージと前記パターニングデバイスとが接触した後にサーボアクチュエータのゲインを減少させて前記第２の３自由度での前記ｘ軸周りの回転および前記ｙ軸周りの回転を可能にすることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードする高速交換デバイス（ＲＥＤ）であって、
中心軸に沿って位置決めされたシャフトに取り付けられた複数のアームであって、前記複数のアームおよび前記シャフトは前記中心軸周りに回転する、複数のアームと、
各前記アームに取り付けられたグリッパと、
前記グリッパ上のパターニングデバイスを位置決めするために前記グリッパに取り付けられたコンプライアントピンを含む動的マウントと、を含み、
前記動的マウントは、第１の３自由度に適合した前記パターニングデバイスの移動を可能にし、かつ、第２の自由度での移動を制限し、
前記第１の３自由度および前記第２の３自由度は、ｘ軸に沿った並進、前記ｘ軸に直角に規定されたｙ軸に沿った並進、前記ｘ軸および前記ｙ軸の両方に直角に規定されたｚ軸に沿った並進、前記ｘ軸周りの回転、前記ｙ軸周りの回転および前記ｚ軸周りの回転から構成されたグループから選択され、
前記第１の３自由度と前記第２の３自由度とはすべて異なる、高速交換デバイス（ＲＥＤ）。
【請求項９】
前記コンプライアントピンはピン屈曲部を含む、請求項８に記載のＲＥＤ。
【請求項１０】
前記コンプライアントピンを用いて前記グリッパに結合される、前記パターニングデバイスを支持するためのベースプレートをさらに含む、請求項８に記載のＲＥＤ。
【請求項１１】
半導体デバイスをリソグラフィで製造するためのシステムであって、前記システムは、  レチクルステージと、
前記レチクルステージ上にパターニングデバイスをロードする高速交換デバイス（ＲＥＤ）と、を含み、
前記ＲＥＤは、
中心軸に沿って位置決めされたシャフトに取り付けられた複数のアームであって、前記複数のアームおよび前記シャフトは前記中心軸周りに回転する、複数のアームと、
各前記アームに取り付けられたグリッパと、
前記グリッパ上のパターニングデバイスを位置決めするために前記グリッパに取り付けられたコンプライアントピンを含む動的マウントと、を含み、
前記動的マウントは、第１の３自由度に適合した移動を可能にし、かつ、第２の３自由度での移動を制限し、
前記第１の３自由度および前記第２の３自由度は、ｘ軸に沿った並進、前記ｘ軸に直角に規定されたｙ軸に沿った並進、前記ｘ軸および前記ｙ軸の両方に直角に規定されたｚ軸に沿った並進、前記ｘ軸周りの回転、前記ｙ軸周りの回転および前記ｚ軸周りの回転から構成されたグループから選択され、
前記第１の３自由度と前記第２の３自由度とはすべて異なる、システム。
【請求項１２】
前記コンプライアントピンはピン屈曲部を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記パターニングデバイスを支持し、前記動的マウントで前記グリッパに結合されるベースプレートをさらに含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記レチクルステージは、前記第２の３自由度に適合した移動を可能にする、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第２の３自由度は、前記ｚ軸に沿った並進、前記ｘ軸周りの回転および前記ｙ軸周りの回転を含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記レチクルステージの動作および適合した移動を制御するサーボアクチュエータをさらに含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第１の３自由度は、前記ｘ軸に沿った並進、前記ｙ軸に沿った並進および前記ｚ軸周りの回転であり、
前記第２の３自由度は、前記ｘ軸周りの回転、前記ｙ軸周りの回転および前記ｚ軸に沿った並進である、請求項８に記載のＲＥＤ。
【請求項１８】
前記第１の３自由度は、前記ｘ軸に沿った並進、前記ｙ軸に沿った並進および前記ｚ軸周りの回転であり、
前記第２の３自由度は、前記ｘ軸周りの回転、前記ｙ軸周りの回転および前記ｚ軸に沿った並進である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記システムは、前記パターニングデバイスおよび前記レチクルステージの間の接触力を監視する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項２０】
リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードする方法であって、
高速交換デバイス（ＲＥＤ）を前記レチクルステージに近接して位置決めすることであって、前記ＲＥＤはその上に前記パターニングデバイスが位置決めされている、ことと、 前記パターニングデバイスとの接触を始めるために前記レチクルステージを移動させることと、
前記レチクルステージと前記パターニングデバイスとが実質的に接触して同一平面上にあるようになるまで、第１の３自由度に適合するように前記パターニングデバイスを制御し、第２の３自由度に適合するように前記レチクルステージを制御することと、
前記レチクルステージと前記パターニングデバイスとが接触している間、前記レチクルステージと前記パターニングデバイスとの間の力を監視することと、を含み、
前記第１の３自由度と前記第２の３自由度は異なる、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードする方法、パターニングデバイスをリソグラフィシステムのレチクルステージ上にロードするように構成された高速交換デバイス（ＲＥＤ）および半導体デバイスをリソグラフィで製造するためのシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）、ならびに他のデバイスおよび／または構造を製造するための重要なプロセスとして広く認識されている。リソグラフィ装置は、リソグラフィ中に使用される、所望のパターンを基板上、例えば、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置を用いたＩＣの製造中、パターニングデバイス（マスクまたはレチクルとも呼ばれる）は、ＩＣにおける個々の層上に形成される回路パターンを生成する。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（例えば、レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。ＩＣの異なる層を製造することは、多くの場合、異なるレチクルを有する異なる層上に異なるパターンを結像することを要求する。したがって、リソグラフィプロセス中にレチクルを交換する必要がある。
【０００３】
[0003]市場では、リソグラフィ装置がリソグラフィプロセスをできる限り迅速に行って生産力を最大にして１つのデバイス当たりのコストを低く保つことが要求されている。したがって、リソグラフィプロセス中のレチクルの交換にかかる時間はできる限り短いことが好ましい。極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、真空環境を必要とするが、あいにく、従来のレチクル交換デバイスは、真空環境内で機能するように設計されておらず、真空環境で機能するように設計されているものは十分な速度を有していない。従来のレチクル交換デバイスは、レチクルを保持する交換デバイスとレチクルステージとの間の相対的な動きにより、レチクルをリソグラフィ装置のレチクルステージに移動するときに粒子生成を引き起こし得る。微粒子汚染は、生産力、時間、材料を無駄にする製造欠陥を引き起こす。この無駄は、鋳造効率を低下させ、製造費を増大させる。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  本発明の一実施形態では、リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードする方法が示される。方法は、高速交換デバイス（ＲＥＤ）をレチクルステージに極めて近接して位置決めすることであって、ＲＥＤはその上にパターニングデバイスが位置決めされている、ことと、パターニングデバイスとの接触を始めるためにレチクルステージを移動させることと、レチクルステージとパターニングデバイスとが実質的に接触しかつ同一平面上にあるまで、第１の３自由度のみに適合するようにパターニングデバイスを制御し、第２の３自由度のみに適合するようにレチクルステージを制御することとを含む。第１の３自由度と第２の３自由度とは異なる。
【０００５】
[0005]  本発明の別の実施形態では、リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードするように構成された高速交換デバイス（ＲＥＤ）が示される。ＲＥＤは、グリッパと、グリッパ上のパターニングデバイスを位置決めするためにグリッパに取り付けられたコンプライアント(compliant)ピンを含む動的マウントとを含む。動的マウントは、パターニングデバイスが３自由度のみで移動することを可能にする。
【０００６】
[0006]  本発明は、半導体デバイスをリソグラフィで製造するためのシステムにも関する。システムは、レチクルステージと、レチクルステージ上にパターニングデバイスをロードする高速交換デバイス（ＲＥＤ）とを含む。ＲＥＤは、グリッパと、グリッパ上のパターニングデバイスを位置決めするためにグリッパに取り付けられた動的マウントとを含む。動的マウントは、パターニングデバイスが第１の３コンプライアント自由度のみで移動することを可能にする。
【０００７】
[0007]  本発明のさらなる実施形態、特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照しながら以下で詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
[0008]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0009]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２Ａ】[0010]  図２Ａは、本発明の一実施形態によるツーアーム高速交換デバイスの上面図を示す。
【図２Ｂ】[0011]  図２Ｂは、本発明の一実施形態による高速交換デバイスの側面図を示す。
【図２Ｃ】[0012]  図２Ｃは、本発明の一実施形態によるサポートを有する高速交換デバイスの側面図を示す。
【図２Ｄ】[0013]  図２Ｄは、本発明の一実施形態によるツーアーム高速交換デバイスの上面図を示す。
【図２Ｅ】[0013]  図２Ｅは、本発明の一実施形態によるツーアーム高速交換デバイスの上面図を示す。
【図３Ａ】[0014]  図３Ａは、本発明の一実施形態によるスリーアーム高速交換デバイスの上面図を示す。
【図３Ｂ】[0014]  図３Ｂは、本発明の一実施形態によるスリーアーム高速交換デバイスの上面図を示す。
【図３Ｃ】[0014]  図３Ｃは、本発明の一実施形態によるスリーアーム高速交換デバイスの上面図を示す。
【図３Ｄ】[0014]  図３Ｄは、本発明の一実施形態によるスリーアーム高速交換デバイスの上面図を示す。
【図４】[0015]  図４は、本発明の一実施形態による方法を示す。
【図５】[0016]  図５は、本発明の一実施形態による別の方法を示す。
【図６Ａ】[0017]  図６Ａは、本発明の一実施形態による高速交換デバイスの例示的動的動作を示す。
【図６Ｂ】[0017]  図６Ｂは、本発明の一実施形態による高速交換デバイスの例示的動的動作を示す。
【図６Ｃ】[0017]  図６Ｃは、本発明の一実施形態による高速交換デバイスの例示的動的動作を示す。
【図６Ｄ】[0017]  図６Ｄは、本発明の一実施形態による高速交換デバイスの例示的動的動作を示す。
【図６Ｅ】[0017]  図６Ｅは、本発明の一実施形態による高速交換デバイスの例示的動的動作を示す。
【図６Ｆ】[0017]  図６Ｆは、本発明の一実施形態による高速交換デバイスの例示的動的動作を示す。
【図６Ｇ】[0017]  図６Ｇは、本発明の一実施形態による高速交換デバイスの例示的動的動作を示す。
【図７】[0018]  図７は、本発明の一実施形態によるｘ−ｙ−ｚ座標系を示す。
【図８】[0019]  図８は、本発明の一実施形態によるグリッパを示す。
【図９】[0020]  図９は、本発明の一実施形態によるグリッパの分解図を示す。
【図１０Ａ】[0021]  図１０Ａは、本発明の一実施形態による、リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードするための、本発明の一実施形態に従うシーケンスにおけるステップを概略的に示す。
【図１０Ｂ】[0021]  図１０Ｂは、本発明の一実施形態による、リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードするための、本発明の一実施形態に従うシーケンスにおけるステップを概略的に示す。
【図１０Ｃ】[0021]  図１０Ｃは、本発明の一実施形態による、リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードするための、本発明の一実施形態に従うシーケンスにおけるステップを概略的に示す。
【図１０Ｄ】[0021]  図１０Ｄは、本発明の一実施形態による、リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードするための、本発明の一実施形態に従うシーケンスにおけるステップを概略的に示す。
【図１０Ｅ】[0021]  図１０Ｅは、本発明の一実施形態による、リソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードするための、本発明の一実施形態に従うシーケンスにおけるステップを概略的に示す。
【図１１】[0022]  図１１は、本発明の一実施形態によるコンプライアント動的ピンの概略的な切り欠き図を示す。
【図１２】[0023]  図１２は、本発明の一実施形態によるコンプライアント動的ピンの一部を概略的に示す。
【図１３】[0024]  図１３は、本発明の一実施形態による別の方法を示す。
【図１４】[0025]  図１４は、半導体デバイスをリソグラフィで製造するためのシステムを概略的に示す。
【０００９】
[0026]  本発明の１つ以上の実施形態を、添付の図面を参照して以下に説明する。図面では、同様の参照番号は同一または機能的に類似する要素を示してよい。さらに、参照番号の最も左側の（１つ以上の）桁は、参照番号が最初に現れた図面を識別することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[0027]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される(１つ以上の)実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される（１つ以上の）実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１１】
[0028]  記載される（１つ以上の）実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１２】
[0029]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェアまたはその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読取可能媒体に記憶した命令としても実施することができる。機械読取可能媒体は、機械（例えば計算デバイス）で読取可能な形態で情報を記憶するかまたは伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読取可能媒体はリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響または他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）およびその他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかしながら、そのような記述は便宜的なものにすぎず、そのような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００１３】
[0030]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示している。このリソグラフィ装置１００は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００は、さらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを有する。
【００１４】
[0031]  照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１５】
[0032]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００１６】
[0033]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応してもよい。
【００１７】
[0034]  パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００１８】
[0035]  「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含してよい。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対しては真空環境が使用されてもよい。というのは、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。
【００１９】
[0036]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置１００は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置１００は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２０】
[0037]  リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うこともできる。 
【００２１】
[0038]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図示せず）を使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２２】
[0039]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図示せず）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネント（図示せず）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２３】
[0040]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。 
【００２４】
[0041]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２５】
[0042]  例示のリソグラフィ装置１００は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２６】
[0043]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２７】
[0044]  本発明の一実施形態では、レチクル交換時間、粒子生成および脱ガスを最小限にするために回転高速交換デバイス（ＲＥＤ）を使用する極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィツールなどのリソグラフィツール１００の真空環境内でレチクルＭＡを交換する方法が提供される。方法は、レチクルＭＡの交換の間にレチクルＭＡをＲＥＤによって直接把持する代わりにレチクルＭＡを保持するベースプレートを扱うことを要する。レチクル交換時間を最小限にするために、ＲＥＤは少なくとも２つのロボットグリッパを有し、各ロボットグリッパはそれぞれベースプレートを保持する。各ベースプレートは、それぞれのレチクルＭＡを保持してよい。多数のロボットグリッパを用いることによって、ＲＥＤへの第１レチクルのローディング、第２レチクルのプリアライメント（必要に応じて）、レチクルステージへの第３レチクルの移動、および第３レチクルのためのベースプレートのバッファリングは、実質的に同時に行われてよい。多数のグリッパを用いることによって、レチクルを格納する時間、第２レチクルを取り出す時間および第２レチクルをレチクルステージに移動する時間が縮小される。なぜなら、様々な位置での多数のレチクルのローディングおよびアンローディングの少なくとも一部は、連続的の代わりに実質的に同時に行われるからである。ＲＥＤは、多数のレチクルを連続的の代わりに実質的に同時に１つの位置から別の位置へと移動させることによって時間を節約も行う。
【００２８】
[0045]  ＲＥＤは、さらに、レチクルおよび未完成のリソグラフィ製品を保護する。ＲＥＤの回転部は、ＲＥＤを回転させるモータシステムを保持する少なくとも１つの密閉チャンバを有する。密閉チャンバは、モータ、モータベアリング、位置エンコーダなどのモータシステム部品からの微粒子汚染および脱ガスを最小限にする。差動シールまたは差動ポンプシールとしても知られている掃気シールは、回転コンポーネントと密閉チャンバとの間に使用されてＲＥＤの外のクリーンな真空環境内で真空を維持する一方、微粒子汚染および脱ガスがクリーンな真空環境に入ることを減少させる。ＲＥＤは、ＲＥＤの回転軸に沿ってＲＥＤを並進させる並進機構を保持する少なくとも１つのさらなる密閉チャンバを有してもよい。この第２チャンバは、アクチュエータ、ベアリングなどの並進機構内の汚れたコンポーネントから真空を離すためにベローズを有する。ＲＥＤのベローズは、微粒子汚染および脱ガスが真空に入ることを減少させる。
【００２９】
[0046]  図２Ａ〜図２Ｅは、ツーアーム回転高速交換デバイス（ＲＥＤ）２００を有する本発明の一実施形態を示す。続いては図３Ａ〜図３Ｄであり、これらはスリーアーム回転高速交換デバイス（ＲＥＤ）３００を有する発明の一実施形態を示す。ツーアームＲＥＤ２００およびスリーアームＲＥＤ３００を示しているが、これらの例は限定的ではない。様々な実施形態は２つ以上のアームを有してもよく、したがって２つ以上のレチクルを同時に移動してもよい。さらに、様々な実施形態では、ＲＥＤの第１アームは、ＲＥＤの第２アームに対してあらゆる角度で固定されてもよい。
【００３０】
[0047]  図２Ａは、ツーアーム回転高速交換デバイス２００の上面図を示す。ツーアームＲＥＤ２００は、ページに衝突する中心軸２１５の周りを回転する第１アーム２０５および第２アーム２１０を有する。第１アーム２０５の端部には、第１レチクル２２５を保持するように構成された第１ベースプレート２２２を把持するように構成された第１ロボットグリッパ２２０がある。同様に、第２アーム２１０の端部には、第２レチクル２３５を保持することができる第２ベースプレート２３２を把持するように構成された第２ロボットグリッパ２３０がある。したがって、第１アーム２０５および第２アーム２１０は、ベースプレートサポートである。
【００３１】
[0048]  第１ベースプレート２２２および第２ベースプレート２３２ならびに第１アーム２０５および第２アーム２１０は、一体的に回転するように構成される。一実施形態では、第１ベースプレート２２２および第２ベースプレート２３２は、中心軸２１５から実質的に等距離に配置される。一実施形態では、第１アーム２０５は、第２アーム２１０から実質的に９０度の角度で配置される。
【００３２】
[0049]  本発明の一実施形態によると、ツーアームＲＥＤ２００は３つの位置に回転する。第１位置は、レチクルローディングおよびアンローディング位置２４０である。レチクルローディングおよびアンローディング位置２４０では、第１レチクル２２５を保持する第１ベースプレート２２２は、第１ロボットデバイス（図示せず）によって第１ロボットグリッパ２２０とレチクル格納デバイスとの間で移動される。第２位置は、レチクルステージローディングおよびアンローディング位置２４５である。レチクルステージローディングおよびアンローディング位置２４５では、第１レチクル２２５は、第１ベースプレート２２２と図１のリソグラフィ装置１００内のサポート構造ＭＴなどのレチクルステージ（図示せず）との間で移動される。第１レチクル２２５は、ＲＥＤ２００によってレチクルステージ（図示せず）に直接移動することができる。第３位置はベースプレートバッファリング位置２５０である。第１レチクル２２５がレチクルステージ上に配置された場合、ツーアームＲＥＤ２００は第１ロボットグリッパ２２０および第１ベースプレート２２２をベースプレートバッファリング位置２５０に回転および移動させてツーアームＲＥＤ２００が第１レチクル２２５の使用を妨げないようにする。様々な位置では、第２レチクル２３５は第１レチクル２２５と同様の方法で処理および交換されてよいことが理解されたい。ツーアームＲＥＤ２００の動的動作は、本明細書中に他の箇所でさらに詳細に説明される。
【００３３】
[0050]  図２Ｂは、本発明の実施形態による、ツーアーム回転高速交換デバイス２００およびスリーアーム回転高速交換デバイス３００の部分側面図を示す。便宜上、１つのみの例示的アーム、第１アーム２０５が図２Ｂに示されている。ツーアーム回転高速交換デバイス２００およびスリーアーム回転高速交換デバイス３００の他のアームは、同様の構成を有してもよい。
【００３４】
[0051]  図２Ｂは、第１アーム２０５の遠位端には第１ベースプレート２２２を保持する第１ロボットグリッパ２２０があることを示し、この第１ベースプレート２２２は第１レチクル２２５を保持する。第１アーム２０５は、シャフト２５５に結合されて中心軸２１５の周りを回転する。シャフト２５５は、シャフト２５５を回転するように構成されたモータシステム２５６に機械的に結合される。任意の位置エンコーダ２５８は、位置フィードバックを提供するためにシャフト２５５に結合されてよい。図２Ｂに示す例では、シャフト２５５は回転するだけはなく、矢印２５９で示すように回転軸２１５に沿って並進可能であり、それによってＲＥＤ２００および３００は回転軸２１５に沿って並進可能である。ＲＥＤ２００および３００の並進は、異なる高さでの中心軸２１５に沿ったベースプレートおよびレチクルの移動を可能にする。アクチュエータ２６２は、シャフト２５５に機械的に結合されてシャフト２５５を回転軸２１５に沿って並進させる。
【００３５】
[0052]  モータシステム２５６およびアクチュエータ２６２はチャンバ２６０内に密閉され、それによってモータシステムからの脱ガスおよび粒子汚染は、従来のレチクル交換デバイスと比較してクリーンな真空から実質的に排除される。チャンバ２６０は、従来のＯリングシールに存在するであろう粒子生成および従来のＯリングシールに必要となるであろう脱ガスグリースをさらに排除する掃気シールなどのシール２６５を用いてシャフト２５５の周りで密閉される。可撓性ベローズ２７０は、シャフト２５５が回転軸２１５に沿って並進するときにチャンバ２６０を密閉されたままに保つ。
【００３６】
[0053]  図２Ｃは、本発明の一実施形態による、図２Ｂに示す構成の代替の構成であるツーアーム回転高速交換デバイス２００およびスリーアーム回転高速交換デバイス３００の側面図を示す。図２Ｂに示すように、便宜上、１つのみの例示的アーム、すなわち、第１アーム２０５が図２Ｃに示されている。ツーアーム回転高速交換デバイス２００およびスリーアーム回転高速交換デバイス３００の他のアームは、同様の構成を有してもよい。
【００３７】
[0054]  図２Ｃのチャンバ２６０は、シャフト２５５を回転させるモータシステム２５６を含む。チャンバ２６０は、アクチュエータ２８６および２８７に結合されたサポート２８５上に取り付けられ、このアクチュエータは、回転軸２１５に沿ってシャフト２５５、チャンバ２６０およびフレーム２８５を並進させる。アクチュエータ２８６および２８７は、それぞれ可撓性ベローズ２８８および２８９を有し、それによって、シャフト２５５が回転軸２１５に沿って並進する場合にアクチュエータ２８６および２８７を真空などの周囲大気から遮断する。従来のレチクル交換デバイスと比較した場合に、ベローズ２８８および２８９の使用は、アクチュエータ２８６および２８７から脱ガスおよび粒子汚染を実質的に排除する。
【００３８】
[0055]  図２Ａ、図２Ｄおよび図２Ｅの組み合わせは、ツーアームＲＥＤ２００の例示的動的動作を示す。図２Ａは、レチクルローディングおよびアンローディング位置２４０における第１アーム２０５を示しており、第１レチクル２２５およびベースプレート２２２は第１アーム２２０上にロードされている。その後、ツーアーム回転高速交換デバイス２００は、図２Ｄに示すように、第１アーム２０５をレチクルステージローディングおよびアンローディング位置２４５に回転させる。第１レチクル２２５が第１ベースプレート２２２からレチクルステージにロードされた後、第１ベースプレート２２２を保持したままである第１アーム２０５は、図２Ｅに示すベースプレートバッファリング位置２５０に回転される。
【００３９】
[0056]  第１アーム２０５がベースプレートバッファリング位置２５０にある間、位置２４５にある第１レチクル２２５は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用される。第１レチクル２２５がパターニングのためにもう必要とされない場合、第１ベースプレート２２２を保持したままである第１アーム２０５は、レチクルステージローディングおよびアンローディング位置２４５に戻り、ここで第１レチクル２２５はレチクルステージからアンロードされて第１ベースプレート２２２に戻る。その後、ツーアーム回転高速交換デバイス２００は、図２Ａに示すように第１アーム２０５を回転させてレチクルローディングおよびアンローディング位置２４０に戻し、ここでベースプレート２２２を有する第１レチクル２２５はツーアームＲＥＤ２００からアンロードされる。
【００４０】
[0057]  第１ベースプレート２２２がベースプレートバッファリング位置２５０内でバッファリングされる間、第２レチクル２３５は、ＲＥＤとレチクル格納デバイスとの間のレチクルローディングおよびアンローディング位置２４０に実質的に同時に移動される。実質的に同時の第１ベースプレート２２２のバッファリングおよび第２レチクル２３５の移動は、従来のレチクル交換デバイスと比較した場合に、時間を節約してＲＥＤ２００のスループットを向上させる。
【００４１】
[0058]  図６Ａ〜図６Ｇは、本発明の一実施形態による、ツーアームＲＥＤ２００などの回転高速交換デバイスの例示的動的動作を示す。図６Ａ〜図６Ｇでは、レチクルは識別番号「Ｎ」によって識別される。レチクルステージ配置を「ＲＳ」で示す。レチクルハンドラに対する配置を「ＲＨ」で示す。一実施形態では、当業者に明らかになるように、図６Ａ〜Ｇに示すような回転高速交換デバイスの動作は、図６Ａ〜Ｇに示すあらゆる差異を除いては、ツーアームＲＥＤ２００に関して上述したものと同様である。
【００４２】
[0059]  図３Ａは、スリーアーム回転高速交換デバイス（ＲＥＤ）３００の上面図を示す。スリーアームＲＥＤ３００は、ページに衝突する中心軸３１５の周りを回転する第１アーム３０５、第２アーム３１０および第３アーム３１２を有する。第１アーム３０５の端部には、第１レチクル３２５を保持するように構成された第１ベースプレート３２２を把持するように構成された第１ロボットグリッパ３２０がある。同様に、第２アーム３１０の端部には、第２レチクル３３５を保持するように構成された第２ベースプレート３３２を把持するように構成された第２ロボットグリッパ３３０がある。第３アーム３１２の端部には、第３レチクル３３７を保持するように構成された第３ベースプレート３３４を把持するように構成された第３ロボットグリッパ３３２がある。第１、第２および第３ベースプレート３２２、３３２および３３４ならびに第１、第２、第３アーム３０５、３１０および３１２は、一体的に回転するように構成される。一実施形態では、第１、第２および第３ベースプレート３２２、３３２および３３４は、中心軸３１５から実質的に等距離に配置される。
【００４３】
[0060]  本発明の一実施形態によると、スリーアームＲＥＤ３００は４つの位置を通って回転する。第１位置は、レチクルローディングおよびアンローディング位置３４０であり、ここではレチクルおよびベースプレートはレチクル格納デバイス（図示せず）からＲＥＤアーム上にロードされる。レチクルローディングおよびアンローディング位置３４０では、第１レチクル３２５および第１ベースプレート２２２のいずれかは、第１ロボットグリッパ３２０にまたはそこからレチクル格納デバイスに移動される。第２位置はレチクルプリアライメント位置３４２である。レチクルプリアライメント位置３４２では、第１レチクル３２５は、図１に示すリソグラフィ装置１００内のサポート構造ＭＴなどのレチクルステージ（図示せず）に移動する前にプリアラインされる。第３位置は、レチクルステージローディングおよびアンローディング位置３４５である。レチクルステージローディングおよびアンローディング位置３４５では、第１レチクル３２５は、第１ベースプレート３２２とレチクルステージ（図示せず）との間で移動される。第４位置は、ベースプレートバッファリング位置３５０である。第１レチクル３２５がレチクルステージ上に配置されている場合、スリーアームＲＥＤ３００は、第１ロボットグリッパ３２０および第１ベースプレート３２２をベースプレートバッファリング位置３５０に回転させて、例えば露光動作のための放射ビームのパターニング中、スリーアームＲＥＤ３００が第１レチクル３２５の使用を妨げないようにする。様々な位置では、第２レチクル３３５は第１レチクル３２５と同様の方法で処理および交換されてよい。同様に、様々な位置では、第３レチクル３３７は第１レチクル３２５と同様の方法で処理および交換されてよい。スリーアームＲＥＤ３００の動的動作は、本明細書中に他の箇所でさらに詳細に説明される。
【００４４】
[0061]  図３Ａ〜Ｄの組み合わせは、スリーアームＲＥＤ３００の例示的動的動作を示す。図３Ａは、レチクルローディングおよびアンローディング位置３４０における第１アーム３０５を示しており、ここで第１レチクル３２５およびベースプレート３２２は第１ロボットデバイス（図示せず）によってレチクル格納デバイスから第１ＲＥＤアーム３０５上にロードされる。その後、スリーアームＲＥＤ３００は、図３Ｂに示すように、第１アーム３０５をレチクルプリアライメント位置３４２に回転させ、ここで第１レチクル３２５はプリアラインされる。レチクルプリアライメントの後、スリーアームＲＥＤ３００は、図３Ｃに示すように、次いで第１アーム３０５をレチクルステージローディングおよびアンローディング位置３４５に回転する。第１レチクル３２５が第１ベースプレート３２２からレチクルステージにロードされた後、第１ベースプレート３２２を保持したままである第１アーム３０５は、図３Ｄに示すベースプレートバッファリング位置３５０に回転される。
【００４５】
[0062]  第１アーム３０５がベースプレートバッファリング位置３５０にある間、第１レチクル３２５は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用される。第１レチクル３２５がパターニングのためにもう必要とされない場合、第１ベースプレート３２２を保持したままである第１アーム３０５は、レチクルステージローディングおよびアンローディング位置３４５に戻り、ここでは第１レチクル３２５はレチクルステージからアンロードされて第１ベースプレート３２２に戻る。その後、スリーアームＲＥＤ３００は、図３Ａに示すように第１アーム３０５を回転させてレチクルローディングおよびアンローディング位置３４０に戻し、ここで第１ベースプレート３２２を有する第１レチクル３２５は第１ロボットデバイスによってスリーアームＲＥＤ３００からアンロードされる。
【００４６】
[0063]  第１レチクル３２５がレチクルプリアライメント位置３４２でプリアラインされている間、第２アーム３１０はベースプレートバッファリング位置３５０に配置され、ここで第２ベースプレート３３２はバッファリングされてよい。さらに、第１レチクル３２５がレチクルプリアライメント位置３４２にプリアラインされている間、第３アーム３１２はレチクルローディングおよびアンローディング位置３４０に配置され、ここで第３ベースプレート３３４を有する第３レチクル３３７は、スリーアームＲＥＤ３００上にロードされるかまたはそこからアンロードされてもよい。第１レチクル３２５のプリアライメント、第２ベースプレート３３２のバッファリングおよび第３レチクル３３７の移動は、実質的に同時に行われ、単一のアーム真空ロボットなどの従来の真空レチクル交換デバイスと比較した場合に、処理時間を節約してスリーアームＲＥＤ３００のスループットを向上させる。スリーアームＲＥＤ３００が回転された場合、第１、第２および第３ベースプレート３２２、３３２および３３４も実質的に同時に回転され、それによって多数のレチクルは実質的に同時に処理位置の間で移動され、従来のレチクル交換デバイスと比較した場合に、処理時間を節約してスリーアームＲＥＤ３００のスループットを向上させる。
【００４７】
[0064]  図４は、例示的方法４００を示すフローチャートである。例えば、方法４００は、図１、図２Ａ〜Ｅおよび図３Ａ〜Ｄのデバイスを用いて行われてよい。ステップ４０５では、回転高速交換デバイス（ＲＥＤ）の第１アーム上で第１レチクルを保持する第１ベースプレートを受ける。ステップ４１０では、第２レチクルが第２ベースプレートからレチクルステージに移動される。ステップ４１５では、ＲＥＤの第２アームによって支持される第２ベースプレートがバッファリングされる。一例では、第１および第２ベースプレートはＲＥＤの回転軸から実質的に等距離に配置される。任意選択として、バッファリングは、受けることと同時に行われてもよい。ステップ４２０では、第２レチクルはレチクルステージから第２ベースプレートに移動される。ステップ４２５では、ＲＥＤの第３アームによって支持される第３ベースプレートによって保持される第３レチクルはプリアラインされる。
【００４８】
[0065]  ステップ４３０では、ＲＥＤはモータシステムによって回転される。モータシステムは排気チャンバ内で密封され、それによってモータシステムからの脱ガスおよび粒子汚染を実質的に排除される。ＲＥＤは、あらゆるベースプレートをあらゆる位置に移動するように回転されてよい。例えば、ＲＥＤは、第１レチクルのプリアライメントを可能とする位置に第１ベースプレートを移動するか、またはレチクルステージへの第１レチクルの移動を可能とする位置に第１ベースプレートを移動するために回転されてよい。さらに、ＲＥＤは、レチクルステージから第１ベースプレートへの第１レチクルの移動を可能とする位置に第１ベースプレートを移動するか、または第１ベースプレートのバッファリングを可能とする位置に第１ベースプレートを移動するために回転されてよい。別の例では、ＲＥＤは、第１ベースプレートがＲＥＤから外れる移動を可能とする位置に第１ベースプレートを移動するために回転される。ステップ４３５では、第１ベースプレートはＲＥＤからアンロードされる。
【００４９】
[0066]  方法４００内のステップ４０５およびステップ４１５以外の全てのステップは任意選択である。一実施形態では、方法４００の少なくとも一部は、リソグラフィ装置１００、ツーアームＲＥＤ２００および／またはスリーアームＲＥＤ３００の少なくとも一部によって行われてよい。
【００５０】
[0067]  図５は、例示的方法５００を示すフローチャートである。一実施形態では、方法５００の少なくとも一部は、リソグラフィ装置１００、ツーアームＲＥＤ２００および／またはスリーアームＲＥＤ３００の少なくとも一部によって行われてよい。ステップ５０５では、第１ベースプレートを有する第１レチクルは、第１位置上にロードされる。ステップ５１０では、第２ベースプレートによって支持される第２レチクルは、第２位置にプリアラインされる。ステップ５１５では、第３ベースプレートは第３位置でバッファリングされる。ローディング、プリアラインおよびバッファリングは、実質的に同時に行われてよい。ステップ５２０では、ロータリサポートデバイスを回転させて第１レチクルを第２位置に移動される。ステップ５２５では、第１ベースプレートを有する第１レチクルは、第１アームからアンロードされる。
【００５１】
[0068]  上記の考察は、リソグラフィツールの真空環境のまわりのレチクルを迅速かつ効率的に移動するためのＲＥＤ（例えば、ＲＥＤ２００または３００）用の方法およびシステムを開示する。さらに詳細に説明するべき事項は、レチクルがどのように実際にＲＥＤ（およびベースプレート）からレチクルステージに移動されるかということである。これは、例えば、図２Ｄに示すようにレチクルステージローディングおよびアンローディング位置２４５で起こり得る。
【００５２】
[0069]  従来のレチクル交換デバイスでは、真空グリッパがレチクルを保持する。グリッパは、６自由度（ＤＯＦ）全てに適合し得る。グリッパは６ＤＯＦ全てに適合し得るため、レチクルステージは、グリッパからレチクルステージへの移動中は静止したまま残ることができ、グリッパがレチクルをレチクルステージ上にアラインおよび堆積させる。レチクルステージは、パターニングデバイスを固定させるためにクランプを有してよい。グリッパがレチクルをアラインし、レチクルステージと接触させた後、クランプは起動してレチクルをレチクルステージに固定させ、グリッパはレチクルを解放して離れる。その瞬間から、レチクルステージ自体がレチクルを保持して６ＤＯＦに適合する。
【００５３】
[0070]  レチクルが静止したままでありレチクルを受動的に受ける間、移動中に６ＤＯＦ全てにおいてレチクルをアラインするのはグリッパであるため、６ＤＯＦグリッパは、レチクルステージとレチクルハンドラとの間に緩和並列仕様およびレチクルステージ上に緩和動的仕様という利点を有する。
【００５４】
[0071]  しかしながら、真空環境（例えば、ＥＵＶ環境）では、従来のグリッパは明確な欠点を有する。第１に、真空グリッパは真空環境では機能しない。第２に、レチクルが反転された場合（例えば、図１に示すＭＡが「反転」され、イルミネータＩＬはレチクルＭＡへと上方に投影し、その後投影システムＰＳへと下方に反射する）、ハンドラはレチクルを底面から保持する必要があり、これは重力解放を非効果的にする。第３に、ＲＥＤは投影光学系（例えば、図１のＰＳ）とレチクルステージ（例えば、図１のＭＴ）とに間に存在し得るため、ＲＥＤデバイスが使用できる体積はＥＵＶ環境内で制限され得る。これらの理由により、完全な６ＤＯＦコンプライアントグリッパは、縮小された体積環境には適してないことがある。
【００５５】
[0072]  上記の理由により、本発明に従う一実施形態では、ＲＥＤは６ＤＯＦ未満のみに適合する。ＲＥＤは６ＤＯＦ未満に適合する場合であっても、レチクルがレチクルステージに移動されるときは依然としてレチクルを６ＤＯＦで制御する必要がある。この理由により、ＲＥＤおよびレチクルステージは、６ＤＯＦ全てにおけるコンプライアンスを得るために一緒に協働する必要がある。ＲＥＤおよびレチクルステージの両方はサーボ制御電気機械デバイスであり得るため、移動中に互いは「喧嘩」（fight）するかもしれない危険性がある。この危険性は、各デバイスは１つ以上のＤＯＦに適合することにより起こる。この問題を回避するためには、ＤＯＦ間の制御が２つのデバイス間に適切に配置されなければならない。例えば、本発明に従う実施形態では、ＲＥＤが「水平」ＤＯＦにおいてコンプライアンスを提供する一方、レチクルステージは「垂直」ＤＯＦにおいてコンプライアンスを提供する。このような方法でコンプライアンスを共有することは、サーバ制御デバイスが互いに喧嘩する危険性を減少または排除する。共有されたコンプライアンスを以下により詳細に説明する。
【００５６】
[0073]  図７を参照すると、本発明の一実施形態に従うｘ−ｙ−ｚ座標系７００が示されている。３つの軸（ｘ、ｙおよびｚ）は相互に直角をなす。座標系７００は、右手または左手座標系であってよい。ｘ軸の周りの回転をＲｘと示し、ｙ軸の周りの回転をＲｙと示し、ｚ軸の周りの回転をＲｚと示す。一実施形態では、ｘ−ｙ平面はレチクルの「レベル」位置と一致する。例示的目的のために、図２ではｘ−ｙ平面がレチクル２２５上に示される。レベル位置では、ＲｘおよびＲｙの両方がゼロである。例示的目的のために、図２Ｂではレベル位置が示されており、ここではｚ軸は上方に垂直に指向され、ｘ軸は半径方向外側に指向される。レベル位置は局所的なアースレベル（すなわち、地面に対して平行）と一致し得るが、これは本発明を限定するものではない。例えば、一実施形態では、ｘ−ｙ平面は局所的なアースレベルに対してあらゆる角度であってよい。したがって、本明細書中で使用されるように、「レベル」という用語は、指摘しない限り必ずしもアースに対して特定の向きを意味するわけではない。同様に、方向「ｘ」、「ｙ」および「ｚ」および回転「Ｒｘ」、「Ｒｙ」および「Ｒｚ」はアースに対して特定の向きを意味しないが、向きが任意的であり得る座標系７００に対してのみ特定の向きを意味する。
【００５７】
[0074]  上記したように、一実施形態では、ＲＥＤは水平ＤＯＦにおいてコンプライアンスを提供する。座標系７００については、「水平」ＤＯＦはｘおよびｙ並進およびＲｚ回転である。これらのＤＯＦを「水平」と呼ぶ。なぜなら、物体がこれら３つのＤＯＦのうちのいずれかで移動する場合、その物体の内のどの点も垂直軸であるｚ軸に沿った動作の成分によって並進しないからである。むしろ、物体内の点は水平に移動するように強いられる（すなわち、ｘ軸および／またはｙ軸のみに沿った動作の成分）。上記したように、一実施形態では、レチクルステージは「垂直」ＤＯＦにおいてコンプライアンスを提供する。垂直ＤＯＦはｚ並進ならびにＲｘおよびＲｙ回転である。これらのＤＯＦを「垂直」と呼ぶ。なぜなら、物体がこれらの３つのＤＯＦのうちのいずれかで移動する場合、その物体内の点はｚ軸（垂直軸）と平行に並進し、ｘまたはｙ軸（水平軸）のいずれかに沿った動作の成分を有さないからである。
【００５８】
[0075]  ＲＥＤとレチクルステージとの間に水平および垂直のコンプライアンスを割り当てることは、ＲＥＤおよび（サーボ作動される）レチクルステージが互いに喧嘩することなく、パターニングデバイスが６ＤＯＦでＲＥＤからレチクルステージに移動されることを可能とする。
【００５９】
[0076]  本発明に従う一実施形態では、ＥＵＶ環境で動作することができるリソグラフィ装置はペリクルなしのレチクルを有することがある。この場合、ＥＵＶ内側ポッド（図示せず）は取り外し可能なペリクルとして機能することができる。ＥＵＶ内側ポッドの一部はレチクルが上に位置するベースプレートであり、それによってレチクルハンドラ（例えば、ＲＥＤ）はレチクルに直接触れない。例えば、図２Ａ〜図２Ｃに一実施形態が図示されており、ここではレチクル２２５はベースプレート２２２上に位置決めされる。この実施形態では、ＲＥＤ２００のグリッパ２２０は、レチクルに直接触れることなくベースプレート２２２を把持する。
【００６０】
[0077]  本発明に従うグリッパ８００の一実施形態は、図８に概略的に示され、図９の分解図に概略的に示されている。グリッパ８００は、ＥＵＶ内側ポッドのベースプレートと係合するように構成される。一実施形態では、グリッパ８００は、ピンを用いてベースプレートと係合する。図示した実施形態では、グリッパ８００は、３つのコンプライアントピン、すなわち、前のコンプライアントピン８１０および後の２つのコンプライアントピン８２０を含む。ピンは、グリッパプレート８４０内の孔８３０を通って結合される。ピンは、例えば、クランプ８５０およびピン８６０または当該技術分野において周知である他の保持手段によって固定されてよい。コンプライアントピン８１０および８２０は、パターニングデバイス用の動的マウントを形成する。一実施形態では、パターニングデバイスはベースプレート上にあってよく、ベースプレートは、動的マウントによってグリッパに取り付けられてよい。
【００６１】
[0078]  図１０Ａ〜図１０Ｅは、レチクル（パターニングデバイス）１０１０をリソグラフィシステムのレチクルステージ１０２０上にロードするための、本発明の一実施形態に従うシーケンスにおけるステップを概略的に示す。図示した実施形態では、レチクル１０１０は、ＥＵＶ内側ポッドベースプレート１０３０上に位置する。一実施形態では、ベースプレート１０３０は、ＲＥＤのグリッパ（図示せず）によって係合される。例えば、グリッパ８００は、ベースプレート１０３０を係合するために使用されるＲＥＤの一部であってもよい。ＲＥＤはグリッパを位置決めし、その後ベースプレート１０３０を係合し、それによってレチクル１０１０を位置決めする。図示した実施形態では、ベースプレート１０３０は底面に溝１０４０を有する。溝１０４０は、コンプライアントピン８１０および８２０の配置と一致する。コンプライアントピンは、ベースプレート１０３０を溝１０４０で係合させる。
【００６２】
[0079]  レチクル１０１０およびベースプレート１０３０は、図１０Ａではレチクルステージ１０２０に対して傾斜しているように概略的に示されている。傾斜は、説明目的のために大きく誇張されている。完全に平坦なレチクルまたはベースプレートを製造することは実際不可能なため、そのような傾斜が発生し得る。実際には、これらの物品はくさび特性を示しており、製造欠陥により、一方端は他方端より厚い。傾斜の他の原因はＲＥＤ較正精度およびＲＥＤ繰り返し精度から発生する。この傾斜または他の要因により、図１０Ａに示すように、レチクル１０１０およびレチクルステージ１０２０は、接触する前に互いに平行でないことがある。
【００６３】
[0080]  図１０Ａに概略的に示すように、ベースプレート１０３０は、初めにレチクルステージ１０２０の付近に持ってこられる。一実施形態では、ＲＥＤ（図示せず）は、ベースプレート１０３０をこの位置に位置決めする。一実施形態では、この位置は図２Ｄに示すものと一致してもよく、ＲＥＤ２００は、レチクル２２２をレチクルローディングおよびアンローディング位置２４５の付近に移動させる。位置２４５は、リソグラフィシステムのレチクルステージの下であってもよい。この位置では、ギャップ１０５０は、レチクルステージ１０２０とパターニングデバイス１０１０との間に存在する。
【００６４】
[0081]  本発明に従う一実施形態では、ベースプレート１０３０は、図１０Ｂに示すように、レチクルステージ１０２０に極めて接近するように上方に移動される。この構成では、ギャップ１０５０のサイズは縮小され、より小さなギャップ１０５０’として示される。この時点で、レチクルステージ１０２０およびパターニングデバイスは、依然として互いに接触していない。パターニングデバイス１０１０とレチクルステージ１０２０との間の離隔距離を縮めるためにベースプレート１０３０を上方に移動させることは任意である。別の実施形態では、ＲＥＤは、上方に移動する余分のステップを必要とすることなく水平に移動することによってベースプレート１０３０をレチクルステージ１０２０に極めて接近するように位置決めし得る。
【００６５】
[0082]  レチクルステージ１０２０およびパターニングデバイス１０１０が一度互いに極めて接近すると、レチクルステージ１０２０はパターニングデバイスとの接触を開始するために移動される。一実施形態では、レチクルステージ１０２０は、接触を始めるために下方に移動される。（図１０Ｃで大きく誇張されて示される）固有の傾斜または他の要因により、レチクルステージ１０２０は、図１０Ｃに示すように、まず初めに一つの側面１０６０または他方の側面に沿ってパターニングデバイス１０１０と接触し得る。実際には、レチクルステージ１０２０は、まず初めに単一のポイント（すなわち、ゼロ次元接触ポイント）でパターニングデバイス１０１０と接触し得る。レチクルステージが下方に移動し続けると、ライン（すなわち、一次元接触ライン）に沿って、例えば、側面１０６０に沿って接触がなされる。パターニングデバイス１０１０をレチクルステージ１０２０と揃えることが目標である（すなわち、図１０Ｄおよび図１０Ｅに示すように、二次元または実質的に同一平面上の接触）。これをどのように達成するかを以下に説明する。
【００６６】
[0083]  本発明に従う一実施形態では、レチクルステージ１０２０は、サーボアクチュエータ（図示せず）を介して下方に移動される。サーボアクチュエータは、比例制御を使用してよい。一実施形態では、サーボアクチュエータは、初めに、所望の速度を達成するためにレチクルステージ１０２０に対して一定の加速度で下方に命令する。所望の速度に一度到達すると、レチクルステージ１０２０は、初めての接触がなされるまで（例えば、図１０Ｃに示す側面１０６０における第１接触）一定の速度で下方に移動し続ける（それによって、図１０Ａに示すギャップ１０５０を図１０Ｂに示すギャップ１０５０’に減少させる）。一度接触がなされると、パターニングデバイス１０１０およびレチクルステージ１０２０は、互いに反力を発揮する。一実施形態では、この反力は監視される。
【００６７】
[0084]  接触がなされた場合、ＲＥＤ（図示せず）およびレチクルステージ１０２０は、互いの喧嘩を回避するために、さらにパターニングデバイス１０１０とレチクルステージ１０２０との間の相対運動を制限することによって粒子生成を減少させるためにコンプライアンスを共有する。上記したように、ＤＯＦ間のコンプライアンスを割り当てることによってコンプライアンスを共有することができ、それによって、１つのデバイスのみが水平ＤＯＦに適合する一方、他のデバイスは垂直ＤＯＦに適合する。これを以下により詳細に説明する。
【００６８】
[0085]  本発明に従う一実施形態では、パターニングデバイス１０１０は、第１の３ＤＯＦのみに適合するように制御されてよい。一実施形態では、第１の３ＤＯＦは水平ＤＯＦ、すなわち、ｘ軸に沿った並進、ｙ軸に沿った並進およびｚ軸の周りの回転である。パターニングデバイス１０１０は、ベースプレート１０３０に固定される。一実施形態では、ベースプレート１０３０は、コンプライアントピンを含む動的マウントによってＲＥＤ上に位置決めされる。コンプライアントピンは、第１の３ＤＯＦのコンプライアンスを可能にする。例示的コンプライアントピン８１０および８２０は、図９および図１０を参照して上述された。
【００６９】
[0086]  コンプライアント動的ピン８２０の概略的な切り欠き図を図１１に示す。コンプライアント動的ピン８１０の切り欠き図も類似しており、別々に示す必要はない。コンプライアント動的ピン８２０は、ストップカラー１１２０を介してピンのヘッド１１３０へと延在するコンプライアントピン屈曲部(flexure)１１１０を有する。図１２は、ピン屈曲部１１１０およびヘッド１１３０のみの詳細を示すためにピンの他の部分を取り除いたものを概略的に示している。コンプライアンスは、主に、屈曲１１１０の形状および材料を調整することによって達成される。
【００７０】
[0087]  レチクルステージ１０２０およびパターニングデバイス１０１０が互いに接触している場合、互いに力およびトルクを発揮する。物体が力およびトルクを受けると、物体は加えられた力およびトルクの方向および大きさと比例して移動および回転する傾向がある。力およびトルクは、ｘ、ｙおよびｚ方向における成分へと変化することができる。ピンシャフト１１１０は、その軸の周りでねじられることができる。これは、ｚ軸の周りの回転のコンプライアンスを提供するが、コンプライアントピンはｘまたはｙ軸の周りを回転することは制限されている。コンプライアントピン（８１０，８２０）は、ｚ軸に沿った並進も制限されているが、ｘ軸およびｙ軸に沿った並進に適合することができる。一実施形態では、これらｘおよびｙ並進は、約１００ミクロンである。このように、パターニングデバイス１０１０は、レチクルステージ１０２０と接触した後に第１の３ＤＯＦ（水平ＤＯＦ：ｘ軸に沿った並進、ｙ軸に沿った並進およびｚ軸に周りの回転）に適合するように制御される（図１０Ｃ〜図１０Ｄを参照）。
【００７１】
[0088]  本発明に従う一実施形態では、レチクルステージ１０２０は、第２の３ＤＯＦのみに適合するように制御されてもよい。一実施形態では、第２の３ＤＯＦは、垂直ＤＯＦ、すなわち、ｚ並進、ＲｘおよびＲｙ回転である。既に説明したように、一実施形態では、レチクルステージ１０２０は、ｚ並進コンプライアンスを提供するパターニングデバイス１０１０との接触を始めるために下方に命令される。一実施形態では、サーボアクチュエータは、レチクルステージ１０２０を公称レベル位置で保持する。この文脈では、レベルとはアースの表面に対してのことを指しており、（図１０Ａ〜図１０Ｄに示すように）ある角度で傾斜され得るパターニングデバイス１０１０の平面に対してのことを指していない。レチクルステージ１０２０がパターニングデバイス１０１０一度接触すると（図１０Ｃ）、レチクルステージ１０２０は、ＲｘおよびＲｙ回転に適合することが可能となる。一実施形態では、これは、レチクルステージを制御するサーボアクチュエータのゲインを減少させることによって達成される。一実施形態では、サーボアクチュエータは、レチクルステージショートストロークモジュールである。一実施形態では、ゲインは比例ゲインである。ゲインを減少させることは、傾斜されたパターニングデバイス１０１０からの反力および反作用トルクに応じてレチクルステージ１０２０がｘ軸およびｙ軸の周りを回転することを可能にする。このように、レチクルステージ１０２０は、パターニングデバイス１０１０と接触した後に第２の３ＤＯＦ（垂直ＤＯＦ）に適合する（図１０Ｃ〜図１０Ｄを参照）。
【００７２】
[0089]  図１０Ｄに示すように、レチクルステージ１０２０が垂直ＤＯＦでコンプライアンスを有するようにすることは、レチクルステージ１０２０がパターニングデバイス１０１０と実質的に同一平面上でありそれと接触するように回転することを可能にする。上記したように、パターニングデバイス１０１０は、製造欠陥または他の理由により傾斜を有し得る。したがって、パターニングデバイス１０１０またはレチクルステージ１０２０のいずれかが実質的に同一平面状態を達成するように適合できることが必須である。図示した実施形態では、レチクルステージ１０２０に対するパターニングデバイス１０１０のあらゆる傾斜を説明するために回転（ＲｘおよびＲｙ）するのはレチクルステージ１０２０である。パターニングデバイス１０１０が水平ＤＯＦ（ｘ、ｙ、Ｒｚ）でコンプライアンスを有するようにすることは、パターニングデバイス１０１０とレチクルステージ１０２０が接触しているときのその間の相対運動、したがって粒子生成を実質的に排除する。
【００７３】
[0090]  レチクルステージ１０２０とパターニングデバイス１０１０とが一度実質的に同一表面上であってそれらが接触すると、図１０Ｄに示すように、レチクルステージ１０２０は、パターニングデバイス１０１０をベースプレート１０３０から受ける準備ができている。一実施形態では、ベースプレート１０３０は、ＲＥＤのグリッパに取り付けられている。上記したように、パターニングデバイス１０１０とレチクルステージ１０２０との間の接触力を監視することができる。本発明に従う一実施形態では、監視されている力が予め設定された閾値に達した場合、パターニングデバイス１０１０をレチクルステージ１０２０に固定するためにクランプ（図示せず）が起動される。これは、パターニングデバイス１０１０とレチクルステージ１０２０とが実質的に接触および同一平面上にある前にクランプが早まって起動されないことを確実にするために行われる。一実施形態では、図１０Ｄに示す構成が達成されたときにクランプは起動される。一実施形態では、クランプは静電クランプである。一実施形態では、クランプはレチクルステージの一部である。
【００７４】
[0091]  クランプが起動された場合、図１０Ｅに示すように、レチクルステージ１０２０はパターニングデバイス１０１０を固定し、その後ベースプレート１０３０より上方へそこから離れるように移動する。さらに、その後レチクルステージ１０２０は公称レベル位置に戻るように回転する。一実施形態では、この公称レベル位置は、重力に対してのことを指している。レチクルステージ１０２０とパターニングデバイス１０１０が接触している間にレチクルステージサーボアクチュエータ上のゲインが減少されていた場合、この時にゲインをその正常レベルに増加させることができる。
【００７５】
[0092]  本発明の一実施形態に従うリソグラフィシステムのレチクルステージ上にパターニングデバイスをロードする方法のフローチャートを図１３に示す。ブロック１３１０では、ＲＥＤはレチクルステージに極めて接近して位置決めされる。ＲＥＤの上にはパターニングデバイスが位置決めされる。ブロック１３２０では、レチクルステージは、パターニングデバイスとの接触を始めるために移動される。ブロック１３３０では、パターニングデバイスは、レチクルステージとパターニングデバイスとが実質的に接触して同一平面上にあるまで第１の３自由度に適合するように制御される。ブロック１３４０では、レチクルステージは、レチクルステージとパターニングデバイスとが実質的に接触して同一平面上にあるまで第２の３自由度のみに適合するように制御される。ブロック１３３０および１３４０における第１および第２の３自由度は異なる。一実施形態では、ブロック１３３０および１３４０は、実質的に同時に起こる。
【００７６】
[0093]  本発明に従う一実施形態では、ブロック１３３０においてパターニングデバイスを第１の３自由度に適合するように制御することは、ｘ軸およびｙ軸に沿った並進ならびにｘ軸およびｙ軸の両方と直角に規定されたｚ軸の周りの回転を制御することを含む。一実施形態では、方法１３００は、コンプライアントピンを含む動的マウントによってＲＥＤ上のパターニングデバイスを位置決めすることをさらに含み、動的マウントは第１の３自由度でのコンプライアンスを可能にする。一実施形態では、コンプライアントピンはピン屈曲部を含む。
【００７７】
[0094]  本発明に従う一実施形態では、ブロック１３４０においてレチクルステージを第２の３自由度に適合するように制御することは、ｚ軸に沿った並進ならびにｘ軸およびｙ軸の周りの回転を制御することを含む。一実施形態では、方法１３００は、サーボアクチュエータによってレチクルステージの動きを制御することをさらに含む。一実施形態では、方法１３００は、レチクルステージとパターニングデバイスとが接触した後にサーボアクチュエータのゲインを減少させて第２の３自由度でのｘ軸およびｙ軸の周りの回転を可能にすることをさらに含む。
【００７８】
[0095]  本発明に従う一実施形態では、方法１３００は、レチクルステージとパターニングデバイスが接触している間にその２つの間の力を監視することをさらに含む。一実施形態では、方法１３００は、監視されている力が予め設定された閾値に達した場合、パターニングデバイスをレチクルステージに固定するためにクランプを起動させることをさらに含む。
【００７９】
[0096]  本発明に従う、半導体デバイスをリソグラフィで製造するシステム１４００の一実施形態を図１４に概略的に示す。システム１４００はレチクルステージ１４１０およびＲＥＤ１４２０を含む。ＲＥＤ１４２０は、パターニングデバイス（図示せず）を位置決めするためにグリッパ１４３０および動的マウントを含む。動的マウントはピン屈曲部１４４０を含む。一実施形態では、ピン屈曲部１４４０は、コンプライアントピンの一部として含まれている。ピン屈曲部１４４０は、パターニングデバイスを第１の３ＤＯＦのみで移動させる。一実施形態では、第１の３ＤＯＦは、ｘ軸およびｙ軸に沿った並進ならびにｘ軸およびｙ軸の両方と直角に規定されたｚ軸の周りの回転である。本発明に従う一実施形態では、システム１４００は、パターニングデバイスを支持するためのベースプレート１４５０をさらに含む。ベースプレート１４５０は、動的マウントによってグリッパ１４３０に結合されてよい。
【００８０】
[0097]  本発明に従う一実施形態では、システム１４００のレチクルステージ１４１０は、第１の３自由度とは異なる第２の３自由度のみで移動する。一実施形態では、第２の３自由度は、ｚ軸に沿った並進ならびにｘ軸およびｙ軸の周りの回転を含む。一実施形態では、システム１４００は、レチクルステージ１４１０の動作を制御するためにサーボアクチュエータ１４６０をさらに含む。
【００８１】
[0098]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置１００の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置１００が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。
【００８２】
[0099]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。
【００８３】
[00100]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、実質的に５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００８４】
[0100]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の少なくとも一部は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００８５】
結論
[0101]  本発明の様々な実施形態が以上で説明されているが、この実施形態は一例として示されているだけで限定ではないことを理解されたい。形態および詳細の様々な変更が、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明においてなされてよいことは当業者には明らかであろう。したがって、本発明の幅および範囲は、以上で説明したいかなる例示の実施形態によっても限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲およびその均等物に従ってのみ定義されるべきである。
【００８６】
[0102]  本発明の概要および要約の項目は、（一人以上の）発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全ての例示的実施形態を述べることはできず、したがって、本発明および添付の請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【図１】
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【図２Ａ】
0005667620.tif 000003
【図２Ｂ】
0005667620.tif 000004
【図２Ｃ】
0005667620.tif 000005
【図２Ｄ】
0005667620.tif 000006
【図２Ｅ】
0005667620.tif 000007
【図３Ａ】
0005667620.tif 000008
【図３Ｂ】
0005667620.tif 000009
【図３Ｃ】
0005667620.tif 000010
【図３Ｄ】
0005667620.tif 000011
【図４】
0005667620.tif 000012
【図５】
0005667620.tif 000013
【図６Ａ】
0005667620.tif 000014
【図６Ｂ】
0005667620.tif 000015
【図６Ｃ】
0005667620.tif 000016
【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
0005667620.tif 000018
【図６Ｆ】
0005667620.tif 000019
【図６Ｇ】
0005667620.tif 000020
【図７】
0005667620.tif 000021
【図８】
0005667620.tif 000022
【図９】
0005667620.tif 000023
【図１０Ａ】
0005667620.tif 000024
【図１０Ｂ】
0005667620.tif 000025
【図１０Ｃ】
0005667620.tif 000026
【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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