(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対と、一端が前記電極対に電気的に接続され、かつ他端が接地されたコンデンサと、を含む偏向器と、
線を介して前記電極対に直流電圧を印加する電位生成部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記コンデンサは、電極と誘電体とが交互に積層されてなる積層構造を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記電極対を構成する電極が、前記コンデンサの一端の電極を兼ねている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記誘電体は、常誘電体である、
ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項５】
前記コンデンサを２つ有し、前記電極対を構成する電極のそれぞれに前記コンデンサが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
複数の前記偏向器と、
所定時間毎に、前記電圧の印加先を、複数の前記偏向器のそれぞれの前記電極対に切り替える切替部と、を有し、
前記コンデンサは、前記コンデンサと接続されている電極対と前記電位生成部とが接続されていない間に、前記切替部を介して前記電位生成部から与えられた前記直流電圧の低下を抑える、
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画が行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路などのデバイスの製造に用いられる描画装置は、素子の微細化、回路パターンの複雑化、またはパターンデータの大容量化が進み、描画精度の向上が要求されている。これを実現させる方法の１つとして、電子ビームなどの荷電粒子線を偏向させて、荷電粒子線の照射のＯＮ／ＯＦＦを制御することで所定の描画データを被処理基板の所定の位置に描画を行う描画装置が知られている。例えば、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、電子銃のクロスオーバから発散した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割、偏向、および結像させる光学系を有する。この光学系を構成する素子間では、好適に荷電粒子線を通過させるために、それぞれに形成されたアパーチャ（開口部）を正確に整列させることが望ましい。しかしながら、光学系における各素子の取り付け方だけでアパーチャを正確に整列させるようにするのには限界がある。そこで、特許文献１は、各電子ビームが基板上で所望の配置となるように、電子ビームの位置を調整する偏向器アレイ（補正電子光学系）を備えた電子ビーム露光装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２４５７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、特許文献１に示すような偏向器アレイは、真空チャンバー内の光学系として設置され、一方、偏向器に電位を与える偏向アンプ部は、その真空チャンバーの外部に設置された電装ラックに配置される。したがって、偏向器アレイと偏向アンプ部とを接続する電気ケーブルの長さは、比較的長くなる。これに対して、荷電粒子線描画装置では、電子銃や電子レンズなどの駆動に高電圧を使用するため、このようにユニット間のケーブルの長さが長いと、誘導ノイズやスパイクノイズなどが乗りやすく、偏向精度に影響を及ぼす可能性がある。
【０００５】
本発明は、偏向器に与えられる電位の安定化に有利な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対と、一端が電極対に電気的に接続され、かつ他端が接地されたコンデンサと、を含む偏向器と、線を介して電極対に直流電圧を印加する電位生成部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、偏向器に与えられる電位の安定化に有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置の構成を示す図である。
【図２】アライナ偏向器アレイの構成を示す図である。
【図３】アライナ偏向器の構成を示す図である。
【図４】荷電粒子線描画装置の本体部および制御部の設置構成を示す斜視図である。
【図５】従来のアライナ偏向器に関する制御系の構成を示す図である。
【図６】第１実施形態に係るアライナ偏向器に関する制御系を示す図である。
【図７】電極に配置したコンデンサの作用を説明する図である。
【図８】コンデンサの等価回路およびインピーダンス特性を示す図である。
【図９】他のアライナ偏向器の構成を示す図である。
【図１０】第２実施形態に係るアライナ偏向器に関する制御系を示す図である。
【図１１】第２実施形態に係るアライナ偏向器の制御系のチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置（以下、単に「描画装置」と表記する）について説明する。以下、各実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向させ、電子ビームの照射のＯＮ／ＯＦＦを個別に制御することで、所定の描画データを被処理基板（被露光基板）の所定の位置に描画するマルチビーム方式を採用するものとする。ただし、本発明は、これに限らず、単数の電子ビームによる描画装置にも適用可能である。また、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線などの他の荷電粒子線であってもよい。図１は、本実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。なお、以下の各図において、被処理基板に対する電子ビームの照射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。さらに、以下の各図では、図１と同一構成のものには同一の符号を付す。この描画装置１は、電子銃２と、該電子銃２のクロスオーバ３から発散した電子ビームを複数の電子ビームに分割、偏向、および結像させる光学系４と、被処理基板を保持する基板ステージ５と、描画装置１の各構成要素の動作などを制御する制御部６とを備える。なお、電子ビームは、大気圧雰囲気ではすぐに減衰し、また高電圧による放電を防止する意味もかねて、制御部６を除く上記構成要素は、真空チャンバー７内に設置され、特に電子銃２および光学系４の設置空間は、高い真空度に保たれている。また、被処理基板８は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。
【００１１】
電子銃２は、熱や電界の印加により電子ビームを放出する機構であり、図中、クロスオーバ３から放出された電子ビームの軌道９を点線で示している。光学系４は、電子銃２から基板ステージ５に向けて順に、コリメーターレンズ１１、アパーチャアレイ１２、第１静電レンズアレイ１３、ブランキング偏向器アレイ１４、ブランキングアパーチャアレイ１５、偏向器アレイ１６、第２静電レンズアレイ１７を備える。コリメーターレンズ１１は、電磁レンズで構成され、クロスオーバ３で発散した電子ビームを平行ビームとする光学素子である。アパーチャアレイ１２は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ１１から入射した電子ビームを複数の電子ビームに分割する機構である。第１静電レンズアレイ１３は、円形状の開口を有する３枚の電極板（図中、３枚の電極板を一体で示している）から構成され、ブランキングアパーチャアレイ１５に対して電子ビームを結像させる光学素子である。ブランキング偏向器アレイ（ブランカーアレイ）１４およびブランキングアパーチャアレイ１５は、共にマトリクス状に配置され、各電子ビームの照射のＯＮ（非ブランキング状態）／ＯＦＦ（ブランキング状態）動作を実施する機構である。特にブランキングアパーチャアレイ１５は、第１静電レンズアレイ１３が最初に電子ビームのクロスオーバを形成する位置に配置される。偏向器アレイ１６は、基板ステージ５上に載置された被処理基板８の表面上の像をＸ方向に偏向する機構である。さらに、第２静電レンズアレイ１７は、ブランキングアパーチャアレイ１５を通過した電子ビームを被処理基板８に結像させる、または、後述する基板ステージ５上の電子ビーム検出器１８に対して元のクロスオーバ３の像を結像させる光学素子である。
【００１２】
また、光学系４は、アライナ偏向器アレイ（静電偏向器アレイ）１９を備える。このアライナ偏向器アレイ１９は、例えば、次に示す３つの機能のいずれかを有する。第１の機能は、アパーチャアレイ１２から射出した各電子ビームが第１静電レンズアレイ１３の所定の位置に入射するように、各電子ビームを偏向させるものである。第２の機能は、第１静電レンズアレイ１３から射出した各電子ビームがブランキング偏向器アレイ１４の所定の位置に入射するように、各電子ビームを偏向するものである。さらに、第３の機能は、ブランキング偏向器アレイ１４から射出した各電子ビームがブランキングアパーチャアレイ１５の所定の位置に入射するように、各電子ビームを偏向するものである。すなわち、アライナ偏向器アレイ１９は、任意の２つの電子線光学素子の間に配置され得るものであり、この２つの光学素子の間で電子ビームを偏向し、電子ビームの位置合わせを行うものとして利用され得る。特に、本実施形態の光学系４では、上記３つの機能を実現するために、図１に示すようにアライナ偏向器アレイ１９を電子ビームの経路上に３箇所設置している。ただし、アライナ偏向器アレイ１９は、電子ビームの経路上の少なくとも１箇所、または１つの電子ビームごと、もしくは複数の電子ビームごとに設置されていてもよい。
【００１３】
図２は、アライナ偏向器アレイ１９の構成を示す図である。特に、図２（ａ）は、アライナ偏向器アレイ１９全体の構成を示す斜視図である。ここで、ある１つのアライナ偏向器１９（便宜上、アライナ偏向器アレイと同一符号を付す）は、電子ビームの軌道９を挟み込むように、Ｘ方向において対向する電極対（電極ｄ１、ｄ２）と、Ｙ方向において対向する電極対（電極ｄ３、ｄ４）とを上下２段有する。アライナ偏向器１９は、電位生成部２９により各電極ｄ１〜ｄ４に対して所望の電位を与えることで電極ｄ間に電位差を発生させ、この電位差に応じて電極ｄ間を通過する電子ビームを偏向させることで軌道９を調整する。なお、本実施形態のアライナ偏向器１９は、アライナ偏向器アレイ１９に複数備えられ、１つの電極対で１つの電子ビームを偏向するものとしているが、１つの電極対で複数本の電子ビームを偏向するように構成してもよい。また、アライナ偏向器１９は、電極ｄ１〜ｄ４の組と、その下部に位置する電極ｄ１´〜ｄ４´の組との２段構成としているが、１段のみの構成としてもよい。図２（ｂ）は、各電極ｄに対応する電位指令値を決定するための構成に特化したアライナ偏向器１９を含む光学系４および基板ステージ５の一部を示す図である。基板ステージ５は、その上面に設置された電子ビーム検出器１８の受光面において、電子ビームの入射量（強度）を適宜抑えるための突起部（ナイフエッジ）４０を有する。また、基板ステージ５の外部には、電子ビーム検出器１８の位置を検出する位置検出器４１が設置されている。
【００１４】
図３は、アライナ偏向器アレイ１９を構成する１つのアライナ偏向器の構成を示す図である。特に、図３（ａ）は、アライナ偏向器１９の斜視図である。このアライナ偏向器１９は、各電極ｄ（図３ではｄ１〜ｄ４を示す）の裏面、すなわち、電子ビームが通過する面の反対面にそれぞれコンデンサ５０を有する。図３（ｂ）は、コンデンサ５０の構成を示す分解斜視図である。このコンデンサ５０は、複数の誘電体５２と薄膜電極５３と交互に配置する積層構造とした積層コンデンサである。一般に、コンデンサの静電容量は、薄膜電極５３の面積に比例し、かつ、誘電体５２の比誘電率に比例する。そこで、誘電体５２の表面積は、電極ｄの反対面の表面積と合う（同等とする）ことが望ましい。図３（ｃ）は、電極ｄ（ｄ２）の裏面に設置したコンデンサ５０の構成を示す断面図である。コンデンサ５０を構成する誘電体５２と薄膜電極５３との積層部は、電極ｄとアース電極（アース）５１とに挟まれる。また、薄膜電極５３は、Ｚ方向上下に設置された電極支持部材５４にて保持される。この場合、Ｚ方向上部の電極支持部材５４は、電極ｄ側に接続されており、一方、Ｚ方向下部の電極支持部材５４は、アース電極５１側に接続（接地）される。図３（ｄ）は、コンデンサ５０の等価回路を示す図である。コンデンサ５０は、その一端がアライナ偏向器１９の電極ｄに接続され、一方、他端がアース電極５１に接続される。
【００１５】
基板ステージ５は、被処理基板８を、例えば静電吸着により保持しつつ、ＸＹ平面内を電子ビームの照射位置に対して適宜移動可能であり、その位置は、不図示のレーザー測長器などにより実時間で計測される。また、基板ステージ５は、上述のとおり、アライナ偏向器アレイ１９に対して与える電位に関連し、電子ビームの位置を検出する電子ビーム検出器１８を設置している。なお、この電子ビーム検出器１８は、本実施形態では基板ステージ５に設置する構成としているが、例えば、電子ビームの経路上の１箇所以上に挿入可能に構成されていてもよい。さらに、電子ビーム検出器１８は、基板ステージ５上に限られず、別途専用のステージに設置してもよい。
【００１６】
制御部６は、描画装置１の描画に関わる各構成要素の動作を制御する各種制御回路と、各制御部を統括する主制御部２０とを有する。各制御回路として、まず、第１レンズ制御部２１は、コリメーターレンズ１１および第１静電レンズアレイ１３の動作を制御し、また、第２レンズ制御部２２は、第２静電レンズアレイ１７の動作を制御する。ブランキング制御部２３は、描画パターン生成部２４、ビットマップ変換部２５およびブランキング指令生成部２６により生成されるブランキング信号に基づいて、ブランキング偏向器アレイ１４の動作を制御する。ここで、描画パターン生成部２４は、描画パターンを生成し、この描画パターンは、ビットマップ変換部２５によりビットマップデータに変換される。ブランキング指令生成部２６は、このビットマップデータに基づいて上記ブランキング信号を生成する。偏向アンプ部２７は、偏向信号生成部２８により生成される偏向信号に基づいて、偏向器アレイ１６の動作を制御する。電位生成部２９は、偏向に必要な電位を与えることでアライナ偏向器アレイ１９の動作を制御する。この電位生成部２９に対する電位指令値は、電子ビーム検出器１８の出力に基づいて電位指令部３０が決定する。ステージ制御部３１は、基板ステージ５のＸＹ方向の駆動を制御する。このステージ制御部３１は、パターン描画中は、被処理基板８（基板ステージ５）をＹ方向に連続的にスキャンさせる。このとき、偏向器アレイ１６は、レーザー測長器などの基板ステージ５の測長結果を基準として、被処理基板８の表面上の像をＸ方向に偏向させる。そして、ブランキング偏向器アレイ１４は、被処理基板８上で目標線量が得られるように電子ビームの照射のＯＮ／ＯＦＦを実施する。
【００１７】
ここで、図２（ｂ）を参照して、アライナ偏向器アレイ１９の各電極ｄに与える電位指令値の算出方法について説明する。まず、ステージ制御部３１は、突起部４０の先端部が第１静電レンズアレイ１３の中心軸と一致するように予め基板ステージ５を移動させておく。次に、電位生成部２９は、電子ビームの照射状態にてアライナ偏向器１９の各電極ｄに与える電圧を振り、このときに電子ビーム検出器１８から得られる電子ビームの強度との関係を求める。ここで、電極ｄ間を通過する電子ビームが第１静電レンズアレイ１３中の静電レンズの中心に入射すれば、突起部４０により電子ビームの強度が５０％で出力されるので、電位指令部３０は、各電極ｄに対応する電位指令値を決定することができる。なお、この電位指令値は、電子ビームの位置計測によらずに、計算により求めてもよい。例えば、電位指令部３０は、各電子線光学素子を含む光学系４の製造情報（各素子の寸法や配置など）や電子ビームの強度の情報に基づいて、予め電位指令値を算出してもよい。
【００１８】
次に、描画装置１の作用について説明する。図４は、描画装置１の本体部および制御部６の設置構成を示す斜視図である。ここで、本図では不図示であるが、アライナ偏向器アレイ１９は、光学系４の構成要素として他の電子線光学素子とともに真空チャンバー７（７ａ）内に収容されている。また、制御部６を構成する主制御部２０を始め、例えば第１レンズ制御部２１および電位生成部２９は、真空チャンバー７とは別に設置される筐体６０に収納されている。特に、アライナ偏向器アレイ１９と電位生成部２９との間の信号伝送は、真空チャンバー７ａに構成される真空フィードスルーコネクタ（真空フィードスルー）６１ａと、筐体６０に構成されるコネクタ６２ａとを介して行われる。この真空フィードスルーコネクタ６１ａとコネクタ６２ａとは、アライナ偏向器１９の電位指令を伝送する偏向器制御ケーブル（線）６３により接続されている。同様に、コリメーターレンズ１１と第１レンズ制御部２１との間の信号伝送も、真空チャンバー７ｂに構成される真空フィードスルーコネクタ６１ｂと、筐体６０に構成されるコネクタ６２ｂとを介したレンズ制御ケーブル６４にて行われる。このとき、レンズ制御ケーブル６４を介して第１レンズ制御部２１から伝送される電圧は、高電圧（数ｋＶ）である。したがって、第１レンズ制御部２１の近傍に敷設された偏向器制御ケーブル６３の長さが長いと、この偏向器制御ケーブル６３を伝わる信号に誘導ノイズやスパイクノイズなどが乗りやすくなり、偏向精度に影響が生じる場合がある。
【００１９】
次に、アライナ偏向器アレイ１９に関する制御系について説明する。図５は、アライナ偏向器アレイに関する従来の制御系の構成を示す図である。なお、ここでは、便宜上各構成要素に対して描画装置１の構成要素と類似部分には同一の符号を付す。電位生成部２９は、アライナ偏向器アレイ１９を構成する電極に電位を与えるデバイスとしてＤ／Ａコンバータ（デジタル−アナログ変換器）７０を含む。このＤ／Ａコンバータ７０は、電位指令部３０からの指令電位値に対応した電位を生成する。この場合、電位を与えるデバイスの数とアライナ偏向器アレイ１９中の電極の数とは同じである。これに対して、本実施形態では、アライナ偏向器１９を構成する各電極ｄにコンデンサ５０を設置する。図６は、アライナ偏向器アレイ１９に関する制御系の構成を示す図である。上述のとおり、このコンデンサ５０の一端は、アライナ偏向器１９の電極ｄに接続され、他端は、アース電極５１に接続される。コンデンサ５０は、直流インピーダンスが無限大となるので直流電流を流さず、交流（ノイズ）を流す性質がある。
【００２０】
図７は、コンデンサ５０の作用を示す図である。特に、図７（ａ）は、コンデンサ５０によるノイズ除去に関する図である。上述のとおり、偏向器制御ケーブル６３の長さが長いと、この偏向器制御ケーブル６３を伝わる信号に誘導ノイズやスパイクノイズなどが乗りやすい。これに対して、電位生成部２９は、アライナ偏向器１９に対して偏向電圧としてＤＣバイアス電圧を与えるので、直流の負荷電流は、電極ｄに向かって流れ、一方、交流のノイズ電流は、コンデンサ５０を通過してアース電極５１に向かって流れる。したがって、コンデンサ５０により負荷電流からノイズ成分を除去し、電位を安定化させることができる。一方、図７（ｂ）は、コンデンサ５０による負荷電流バックアップに関する図である。例えば、なんらかの理由でアライナ偏向器１９に大きな負荷電流が必要となった場合には、Ｄ／Ａコンバータ７０からの負荷電流に加えて、コンデンサ５０が電流（放電電流）を放電すれば、負荷電流をバックアップすることができる。また、これによりアライナ偏向器１９の電位を安定化させることができるという利点もある。
【００２１】
図８は、コンデンサの等価回路およびインピーダンス特性を示す図である。特に、図８（ａ）は、コンデンサの等価回路を示す図である。一般にコンデンサは、微小ながらも電気抵抗分やインダクタンス成分を含んでいる。これをＥＳＲ（等価直列抵抗）、ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）いう。一方、図８（ｂ）は、コンデンサのインピーダンス特性を模式的に示すグラフであり、横軸の周波数（ｋＨｚ）に対して縦軸にインピーダンス（Ω）を取っている。ここで、本実施形態のようにコンデンサ５０でノイズを効果的に除去するためには、インピーダンスを下げる必要がある。そこで、図８（ｂ）を参照すると、図中点線の矢印で示すように、静電容量を大きくし、ＥＳＲを小さくし、かつ、ＥＳＬを小さくすれば、コンデンサ５０のインピーダンスを下げることができる。なお、ＥＳＲの値は、コンデンサの材料、構成、または形状などにより決定される。
【００２２】
また、図３の各図に示すアライナ偏向器１９の構成を参照すると、まず、アライナ偏向器１９は、各電極ｄの裏面にそれぞれコンデンサ５０を配置している。このように、コンデンサ５０を電極ｄの裏面に直接配置することで、電極ｄとコンデンサ５０との間の配線長が最短となる。したがって、この間の抵抗が可能な限り減り、ノイズ除去特性を向上させることができる。また、コンデンサ５０は、積層構造を採用することでＥＳＲの値を小さくし、かつ、静電容量を大きくすることができる。また、コンデンサ５０は、薄膜電極５３に挟まれた複数の誘電体５２をそれぞれ並列に配置するので、積層数に比例して静電容量を増やすことができる。さらに、誘電体５２および薄膜電極５３の厚みを可能な限り薄くすれば、所定の寸法（厚み）での積層数を増やすことができる。
【００２３】
ここで、一般に誘電体には、比誘電率が１０００以上と高いのに対して損失が大きい強誘電体と、比誘電率が約１００以下と低いのに対して損失が小さい常誘電体とがある。このうち、強誘電体であるチタン酸バリウムなどは、ＤＣバイアスを印加すると静電容量がバイアスと共に変化する性質を有する。この性質は、「ＤＣバイアス特性」と呼ばれ、自発分極を有する強誘電性セラミックスに特有の現象である。したがって、本実施形態では、アライナ偏向器１９に対して偏向電圧としてＤＣバイアス電圧を与えるため、誘電体５２としては、常誘電体を採用することが望ましい。このような常誘電体としては、例えば、比誘電率１０程度のアルミナなどが採用可能である。
【００２４】
以上のように、本実施形態によれば、偏向器に与える電位の安定化に有利な荷電粒子線描画装置を提供することができる。
【００２５】
なお、アライナ偏向器１９の電極ｄに設置するコンデンサの構成は、コンデンサ５０のような電極ｄと同等の面積を有する薄膜を積層したものに限定しない。図９は、電極ｄに設置するコンデンサの他の例を示す図である。特に、図９（ａ）は、電極ｄ（ｄ２）の裏面に設置したコンデンサ５５を示す斜視図、一方、図９（ｂ）は、その分解図である。このコンデンサ５５は、電極ｄの裏面に対して複数設置したチップコンデンサであり、例えば積層セラミックチップコンデンサなどが採用可能である。この積層セラミックチップコンデンサを構成する誘電体は、厚さが数ミクロンで面積が小さいものの、静電容量が比較的大きい。したがって、このようなコンデンサ５５を採用することでも、コンデンサ５０と同様に静電容量を大きくすることができる。
【００２６】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る描画装置について説明する。図１０は、本実施形態に係るアライナ偏向器アレイ１９に関する制御系の構成を示す図である。本実施形態の描画装置の特徴は、第１実施形態のアライナ偏向器アレイ１９に関する制御系の構成において、電位生成部２９にサンプルホールド回路を配置する点にある。サンプルホールド回路は、コンデンサに電荷が蓄えられて電圧が保持されることを応用した回路であり、特にアライナ偏向器アレイ１９の各電極ｄに静電容量の大きなコンデンサ５０をホールドコンデンサとして採用することで配置可能となる。例えば、図１０に示す電位生成部（生成部）２９は、１つのＤ／Ａコンバータ７０と、一端がＤ／Ａコンバータ７０に接続され、他端が各アライナ偏向器１９に向かう偏向器制御ケーブル６３に接続されるスイッチング素子８０（切替部）とを含む。スイッチング素子８０は、一例として４つのスイッチＳＷ１〜ＳＷ４を含み、スイッチ切替指令部８１によりそれぞれＯＮ／ＯＦＦが切り替えられる。この場合、まず、電位指令部３０は、Ｄ／Ａコンバータ７０に対して時分割で電位指令を送信する。一方、スイッチ切替指令部８１は、スイッチング素子８０に含まれる各スイッチＳＷ１〜ＳＷ４に対して切替指令を送信してＯＮ／ＯＦＦの切り替えを実施させることで、各アライナ偏向器１９の電極ｄｅｆ１〜ｄｅｆ４に適宜電位を与える。ここで、図１０では、各電極ｄｅｆ１〜ｄｅｆ４への負荷電位をそれぞれ電位Ｖ１〜Ｖ４と表記し、また、各アライナ偏向器１９に設置されたコンデンサ５０をそれぞれコンデンサＣ１〜Ｃ４と表記している。
【００２７】
図１１は、本実施形態のアライナ偏向器アレイ１９に関する制御系の動作を示すチャート図（タイミングチャート）である。なお、図１１は、図１０に示す４つのアライナ偏向器１９の電極ｄｅｆ１〜ｄｅｆ４に対応するものであり、図中各電極ｄｅｆ１〜ｄｅｆ４に設定する電位データ（電位指令）をそれぞれｄａｔａ１〜ｄａｔａ４と表記している。例えば、まず、電位指令部３０は、電極ｄｅｆ１に設定する電位データ（ｄａｔａ１）をＤ／Ａコンバータ７０に送信し、一方、スイッチ切替指令部８１は、スイッチＳＷ１をＯＮ（サンプル）することで、電極ｄｅｆ１に対して電位Ｖ１を与える。次に、電位指令部３０は、電極ｄｅｆ２に設定する電位データ（ｄａｔａ２）をＤ／Ａコンバータ７０に送信する。一方、スイッチ切替指令部８１は、スイッチＳＷ１をＯＦＦ（ホールド）すると同時に、スイッチＳＷ２をＯＮすることで、電極ｄｅｆ２に対して電位Ｖ２を与える。ここで、電極ｄｅｆ１における電位Ｖ１は、コンデンサＣ１に蓄積された電荷により一定にホールドされる。このとき、電極ｄｅｆ１では、コンデンサのリーク電流などに起因し、いわゆる「ドループ」と呼ばれるホールドされた電位Ｖ１が次第に下がっていく現象（電圧低下ΔＶ）が起こる。この電圧低下量は、コンデンサＣ１の静電容量が大きければ大きいほど、小さな値に抑えることができる。そこで、本実施形態では、コンデンサＣ１〜Ｃ４の各静電容量は、低下した電圧が電極ｄｅｆ１〜ｄｅｆ４の仕様を満たすように決定される。なお、一旦低下した電圧は、再びスイッチＳＷ１がＯＮされることで回復する。このように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、アライナ偏向器アレイ１９に含まれる電極ｄ（ｄｅｆ）の総数に対して、電位を与えるデバイス（Ｄ／Ａコンバータ７０）の総数を大幅に削減することができる。したがって、描画装置１は、コストダウン、さらには省スペース化を可能とする。
【００２８】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３０】
１    描画装置
５    被処理基板
１９  アライナ偏向器（アレイ）
５０  コンデンサ
５１  アース電極
ｄ    電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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