(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマイクロ・エレクトロ・メカニカル型のスピーカユニット（２）と、
音響周波数領域の音波（２２）を出力するために、電気的な制御信号（Ｓ１）でもって前記スピーカユニット（２）を制御する制御回路装置（４）と、
を有しているスピーカシステム（１）において、
前記スピーカシステム（１）は、音波伝播方向（Ｒ）において、前記スピーカユニット（２）の前方に、周波数選択性の減衰を行なうフィルタ装置（６）を有しており、
前記フィルタ装置（６）は、超音波周波数領域の少なくとも１つの部分領域の音波（２３）を、前記音響周波数領域の音波（２２）よりも強く減衰させ、
前記フィルタ装置（６）は、少なくとも一つの層（１０，１２，１４，１５，１６，１７）から成る層系（６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ）であり、
前記層系（６）は、開かれた孔（１８）を備えており、少なくとも一つの連続気泡性の層（１０，１４，１６）を有している、
スピーカシステム（１）。
【請求項２】
前記スピーカユニット（２）のマイクロ・メカニカル型のメンブレン（２１）を制御するために、前記制御信号（Ｓ１）はバイナリ及び／又はディジタルであり、
前記制御信号（Ｓ１）のクロック周波数は前記音響周波数領域を上回る、
請求項１に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項３】
前記制御信号（Ｓ１）のクロック周波数は超音波領域にある、
請求項２に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項４】
前記制御信号（Ｓ１）はパルス幅変調信号である、
請求項２又は３に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項５】
前記制御信号（Ｓ１）は、１６ｋＨｚから１ＭＨｚの間の周波数領域にあるクロック周波数を有している、
請求項４に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項６】
前記スピーカユニット（２）は、それぞれ、空洞部（２０）と前記メンブレン（２１）とを備えている半導体基板（７）を有しており、
前記メンブレン（２１）は、前記空洞部（２０）を上から覆っており、且つ、前記制御信号（Ｓ１）によって撓ませることができ、
前記スピーカユニット（２）は、一つの共通の基板に形成されているか、又は、一つの回路支持体（３）上に配置されている複数の基板（７）に形成されている、
請求項２乃至５のいずれか一項に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項７】
前記スピーカユニット（２）は一つの平面において横方向に相互に並んで配置されており、前記フィルタ装置（６）は前記平面に平行に配置されている、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項８】
前記スピーカユニット（２）を収容するためのケーシング（５）が設けられており、
前記層系（６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ）は支柱無しで自立式に前記ケーシング（５）の支持位置（９）に懸架されている、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項９】
前記少なくとも一つの連続気泡性の層（１０，１４，１６）は、発泡材料又は焼結体から成る、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項１０】
前記層系（６ｂ，６ｃ，６ｄ）は少なくとも一つの独立気泡性の層（１２，１５，１７）を有している、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの層（１０，１２，１４，１５，１６，１７）は以下の材料の内の少なくとも一つから製造されている、即ち、プラスチック、ゴム、金属、セラミック又はガラスの内の少なくとも一つから製造されている、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項１２】
前記層系（６ｂ，６ｃ，６ｄ）は、音波伝播方向（Ｒ）において連続的に配置されている複数の層（１２，１４；１５，１６，１７）を有している、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項１３】
前記層系（６ｂ，６ｃ）は連続気泡性の層（１２）と独立気泡性の層（１４）とを一つずつ有している、
請求項１２に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項１４】
前記層系（６ｄ）は下側の独立気泡性の層（１７）と、中央の連続気泡性の層（１６）と、上側の独立気泡性の層（１５）とを有している、
請求項１２に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項１５】
超音波周波数領域の少なくとも１つの部分領域の音波（２３）のための共振調整部を有しており、
前記共振調整部は、以下のパラメータの内の少なくとも一つを調整することによって形成されている、即ち、前記スピーカユニット（２）から前記層系（６）迄の距離（ｄ）、層厚（ｅ，ｆ，ｇ）、下側境界部から前記層系（６）迄の高さ（ｈ）、前記層系（６）の材料パラメータ、連続気泡性の層（１０，１４，１６）及び／又は独立気泡性の層（１５，１７）の孔径の内の少なくとも一つを調整することによって形成されている、
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のスピーカシステム（１）。
【請求項１６】
前記共振調整部は、前記制御信号（Ｓ１）のクロック周波数及び／又は前記クロック周波数の数倍の周波数のためのものである、
請求項１５に記載のスピーカシステム（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
スピーカシステムは、電気信号を音波に変換するための電気音響変換器として使用されている。
【０００２】
従来のスピーカシステムは、アナログ信号レベルに依存してスピーカダイアフラムを撓ませるためにアナログ電気信号を使用している。それによって、所望の可聴周波数領域（音響周波数領域、オーディオ周波数領域）にある音波が直接的に形成される。
【０００３】
更には、オーディオ周波数領域にある所望の音波の他に、原理上、オーディオ周波数領域を上回る音波、特に超音波も形成されるスピーカ構造が公知である。これに関しては、特にＭＥＭＳ（micro-electro-mechanical systems）スピーカが公知であり、このＭＥＭＳスピーカは多数の小さい音波を形成する複数のスピーカユニットから形成されており、それらのスピーカユニットの音波を形成するダイアフラムは比較的高い周波数、例えば超音波でクロック制御される。その種のＭＥＭＳスピーカシステムは例えば、Diamond, Brett M等著「Digital Sound Reconstruction Using Arrays of CMOS-MEMS Microspeakers」，Proc. of the Fifteenth IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems，Las Vegas，2002，292-295頁、及びDiamond, Brett Matthew著「Digital Sound Reconstruction Using Arrays of CMOS-MEMS Microspeaker, Electrical and Computer Engineering」，Carnegie Mellon University，2002に記載されている。EP 1 216 602 B1，WO 2009-066290 A2及びWO 2007-135678 A2にも、ＭＥＭＳシステムを備えているスピーカ構造が開示されている。
【０００４】
ここで、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システムズ・スピーカユニット又はＭＥＭＳスピーカユニットとは、空洞部と、この空洞部を上から覆うダイアフラムとを備えている基板、特に半導体基板に形成されているスピーカユニットであると解される。マイクロ・メカニカルな構成は、一般的に、１０ｍｍを下回る、有利には１ｍｍを下回る、即ちマイクロメートルの範囲のダイアフラム直径を含む。ダイアフラムは、ディジタル信号、例えばバイナリ信号でもって制御され、特に、比較的高い周波数領域、例えば超音波領域にあるクロック周波数のパルス幅変調（ＰＷＭ）でもって制御される。制御されるマイクロ・メカニカルスピーカユニットの数によって音波レベルの大きさ乃至音量を調整することができる。つまり、オーディオ周波数領域にある周波数の調整は、有利にはパルス幅変調のパルス幅によって行なわれる。
【０００５】
しかしながら、その種のＭＥＭＳスピーカユニットの欠点は、比較的高い周波数領域でのダイアフラムのクロック制御は、付加的に、超音波領域におけるダイアフラムの相応の振動も惹起し、それによって、一般的に、音響信号に超音波信号が重畳されているということである。
【０００６】
基本的に、この超音波信号を小さく維持すること、又は、破壊的な干渉による超音波信号成分の低減を達成することを試みることができる。
【０００７】
発明の概要
本発明によれば、複数のスピーカユニットから出力される音波を周波数選択的に減衰する装置が設けられる。従って、周波数選択性の減衰装置はマイクロ・メカニカル型のスピーカユニットと聴き手との間に設けられている。この周波数選択性の減衰装置はオーディオ周波数領域若しくは可聴周波数領域、即ち、約１６Ｈｚから約２０ｋＨｚの間の周波数領域にある音波を比較的弱く減衰させるか、又はそれどころか無視できる程にしか減衰させず、また、超音波周波数領域の少なくとも一つの部分領域、即ち１６ｋＨｚを超える領域、例えば１ＭＨｚ迄の領域の音波をより強く減衰させる。
【０００８】
この関係において、減衰とは、周波数選択性の減衰装置を通過する際の音圧レベル、即ち音響信号強度の低減であると解される。この減衰を、基本的にはエネルギの吸収によって行なうことができるが、しかしながら例えば別の方向への反射によっても行なうことができる。
【０００９】
周波数選択性の減衰装置は特に、結合個所、例えばスピーカユニット若しくはその半導体構成素子を収容するケーシングの横方向の側方の個所に取り付けられており、また場合によっては、横方向の中央の別の支持個所に取り付けられている支柱無しで自立式の層系で良い。その種の層系を平坦若しくは平らに形成することができるか、又は、湾曲した形状、シャーレの形状若しくは包囲構造の形状で形成することもできる。更には、多層の配置構成も考えられる。周波数選択性の減衰装置は、スピーカシステムのケーシングを完全に覆うことができるか、又は、例えば個々の複数の開口部を有することもできる。
【００１０】
従って、周波数選択性の減衰装置は、マイクロ・メカニカル型のスピーカユニットに取り付けられており、且つ、不所望な超音波領域を減衰する音響的なローパスフィルタとして機能する。このローパスフィルタはオーディオ周波数を妨げずに通過させることができるか、又はほぼ妨げずに通過させることができるが、しかしながら関連する超音波周波数を実質的に低減若しくは減衰する遷移周波数応答特性を有している。
【００１１】
層系は一つ又は複数の層を有することができる。それらの層を連続気泡性の材料、例えば連続気泡性フォーム、又は、気体透過性の自由空間若しくは孔を備えている焼結体から形成することができるか、又は、独立気泡性の材料、例えば独立気泡性に架橋されているフォーム若しくはフィルム、例えば相応の厚さのフィルム、特にプラスチックフィルムから形成することもできる。有利には、気泡性（連続気泡性又は独立気泡性）の材料の層厚は、孔の大きさ（孔径）の少なくとも３倍である。これによって、直接的な音波通過は生じないことを保証することができる。複数の層から成る構成ではそれらの材料を組み合わせることができ、例えば、連続気泡性フォームから成るシャーレの一方の面、例えば上面又は下面、又は、両面を適切なフィルムでもって閉じることができる。
【００１２】
多孔性の材料として、例えば、ＰＵ（ポリウレタン）フォーム、発泡シリコーン、発泡ゴム、発泡金属、例えば発泡アルミニウム、更には焼結セラミック又は焼結金属が使用される。
【００１３】
オーディオ領域（可聴周波数領域）においてではなく超音波領域での効果、若しくはオーディオ領域においては無視できる程度の効果を達成するために、個々の層が有利には凡そ少なくとも１ｍｍから５０ｍｍ迄の厚さを有している。典型的な層厚は例えば２ｍｍから１０ｍｍ迄である。本発明によれば、複数の層を組み合わせることができるので、その場合には個々の層の層厚を薄くすることができる。
【００１４】
他の影響、例えば埃又は湿気からの保護のために、層若しくは層系にプラスチック又はゴムから成る薄い膜、例えば５０から３００マイクロメートルの厚さの膜を被せることができる。
【００１５】
共振的な構成のためには、例えばＰＵフォームから成る一つ又は複数の軟らかい層と、例えばセラミック又は発泡金属から成る重い層の組み合わせが有利である。
【００１６】
基本的には、超音波周波数全体がオーディオ周波数領域の周波数よりも強く減衰されるように、周波数選択性の減衰装置を構成することができる。従って、超音波の広帯域の低減が達成される。しかしながら、例えば、選択された周波数領域の超音波のみを減衰させることもできる。これに関しては、特定の超音波周波数領域においては遷移減衰が高くなるように個々の層を特別に形成することができる。
【００１７】
その種の周波数選択性の減衰のために、音響的なローパスフィルタの種々の特性を適切に設計することができる。特に、スピーカの幾何学形状又は層系の幾何学形状全体をそのように適合させることができる。これに関する適切なパラメータには、特に、層系からマイクロ・メカニカル型のスピーカユニット迄の距離、更には、個々の層の層厚及びそれら層相互の配置構成が含まれるが、更に、スピーカシステムのケーシング内部空間、即ち、適切な共振体を形成するための、層系と下側の境界、例えばケーシング底部又はスピーカユニットの回路支持体との間に形成すべき共振空間の正確な構成も含むことができる。しかしながら、周波数選択性の減衰を、特定の周波数を減衰する適切な材料によっても規定することができる。この場合、周波数選択性は、目標周波数領域において系の一つ又は複数の共振を生じさせることを目的として、材料特性、特に弾性モジュール及び厚さの設計及び幾何学的な寸法によって達成される。多孔性の材料が使用される場合には、特定の超音波周波数の共振減衰を達成するために、孔の大きさも適切に選択することができる。共振構成を特に、制御信号のクロック周波数若しくはその高調波又はオーバートーンに合わせて調整することができる。
【００１８】
以上のことから、本発明によれば幾つかの利点が得られる。ＭＥＭＳの構成は、所要面積及び所要体積の小さい廉価な構成を実現する。音響領域における音波の品質はバイナリ又ディジタルの直接的な制御によって非常に良好である。つまり、信号対雑音比が非常に良好である。従来のＭＥＭＳスピーカシステムにおいて発生する妨害的な超音波負荷を、本発明によれば、僅かな付加的な装置コストでもって著しく低減することができる。更には、ローパスフィルタは別の外的な影響、例えば湿気又は汚染等に対する保護部も表すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一つの実施の形態によるスピーカシステムが制御エレクトロニクスと共に示されている。
【図２】連続気泡性の層としての音響的なローパスフィルタを示す。
【図３】上側の独立気泡性の層と下側の連続気泡性の層とを備えている音響的なローパスフィルタを示す。
【図４】上側の連続気泡性の層と下側の独立気泡性の層とを備えている音響的なローパスフィルタを示す。
【図５】上側及び下側の独立気泡性の層と中央の連続気泡性の層とを備えている音響的なローパスフィルタを示す。
【図６】図１のスピーカシステムのパラメータ化乃至調整を示す。
【図７】図５のスピーカシステムのパラメータ化乃至調整を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１によれば、スピーカシステム１は複数のマイクロ・エレクトロ・メカニカル型のスピーカユニット２を有しており、それらのスピーカユニット２は一つの回路支持体３、例えば回路基板、又は共通の平面内にある別の適切な基板の上に実装されており、また接触接続されている。回路支持体３には更に制御回路装置（制御エレクトロニクス）４が実装されており、この制御回路４は個々のマイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２を電気制御信号Ｓ１によって制御する。図１に示されている概略図においては、図面を見やすくするために、制御回路装置４は回路基板３の下面に実装されている。しかしながら、この制御回路装置４を回路支持体３の上面側において、スピーカユニット２の側方に実装することもできる。更に本発明によれば、制御回路装置４が複数のスピーカユニット２を備えている共通の回路支持体３上に取り付けられているのではなく、制御回路装置４が図２から図５に示されているスピーカシステムを制御するための外部ユニットとして設けられていることも考えられる。
【００２１】
マイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２は適切な構造化部を備えている半導体素子、例えばＣＭＯＳ−ＭＥＭＳ技術により作成された半導体素子によって形成される。従って、図１の詳細拡大図によれば、マイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２は半導体基板７（半導体ダイ７）に空洞部２０と、この空洞部２０を上方から塞ぐ、マイクロ・メカニカルに形成されたダイアフラム２１とを有しており、このダイアフラム２１は例えば圧電式又は静電式の制御（コンデンサ制御）によって撓まされる。複数のマイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２を別個の半導体素子に形成し、また共通の回路支持体３上に配置することができる。しかしながら、これに択一的又は補完的に、複数のスピーカユニット２を一つの共通の半導体基板７に形成することもできる。
【００２２】
マイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２の寸法は数マイクロメートルからミリメートル迄の範囲、例えば１０ｍｍを下回る範囲に達すると考えられる。
【００２３】
制御回路装置４によるマイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２の制御は、１７ｋＨｚを上回る周波数領域のパルスでもって、有利にはパルス幅変調によって直接的にパルス式に行なわれ、これによって、音響領域の音波２２を形成することができる。ここでは、この制御を例えばEP 1 216 602 B1に記載されているように行なうことができる。特に、個々のマイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２のＰＷＭ制御を行なうことができ、このＰＷＭ制御においては出力される音波２２の周波数は制御信号Ｓ１のパルス幅に比例している。音圧レベル、即ち音響信号強度を有利には、並行して、若しくは同時に制御されるスピーカユニット２の数によっても規定することができる。しかしながら、この制御によって不所望な超音波周波数も付加的に発生し、そのような不所望な超音波周波数によって超音波領域の音波２３も生じる。つまり、この超音波領域の音波２３は音響周波数領域にある音波２２に重畳されている。
【００２４】
回路支持体３は、未だ上方が開かれているケーシング５内に収容されており、それにより、スピーカユニット２はケーシングから離れる方向、即ち図面においては上側に向かう方向である、放射方向若しくは音波出力方向Ｒを示している。回路支持体３をここでは、例えばケーシング５の底部に載置することもできる。スピーカユニット２から距離ｄを置いて、層系６が音響的なローパスフィルタとして、支柱無しで自立式にケーシング５内又はケーシング５上に固定されている。層系６は有利には回路支持体３に実質的に平行に設けられているので、それによりスピーカユニット２迄の距離ｄは実質的に等しい。
【００２５】
自立式の層系６を形成しているローパスフィルタは有利には、その横方向の縁部において支持個所９、例えばケーシング５においてのみ固定されている。しかしながら基本的には、補完的な支持部若しくは結合部を中央領域に設けることもできる。
【００２６】
従って、図１によれば、またこの図１に関して図２から図７に示されている実施例によれば、下側及び側面はケーシング５によって画定されており、上側若しくは音波出力方向（放射方向）においては層系６によって画定されている小型のスピーカシステム１が形成される。つまり、ケーシング５及び層系６は、複数のマイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２を備えている回路支持体３が収容されている内部空間８を規定する。
【００２７】
本発明によれば層系６は音響的なローパスフィルタとして、音波に関して波長に依存する減衰特性を有している。この層系６は、マイクロ・メカニカル型のスピーカユニット２から出力される、超音波周波数領域、即ち約１６ｋＨｚを上回る、例えば２０ｋＨｚから１ＭＨｚの間の周波数領域にある音波２３をフィルタリングするため、若しくは選択的に減衰するために使用される。１６Ｈｚから２０ｋＨｚの音響領域にある音波２２は少なくとも、超音波周波数領域にある音波２３よりも弱く減衰され、有利には無視できる程度にしか減衰されない。
【００２８】
図１の層系６はスピーカシステム１を音波伝播方向Ｒにおいて有利には大部分に閉じているか、又は完全に閉じている。しかしながら基本的には、例えば層系６に開口部又は音波を全く通さない領域も設けることができる。層系を図面に示されているように平坦に形成することができるが、更には、層系がシャーレの形状又は湾曲した包囲構造を有することも考えられる。
【００２９】
図２から図７には、層系６ａ−６ｄによって形成されている、図１に示した周波数選択性の減衰装置６の有利な構成が詳細に示されている。
【００３０】
図２には、層系６ａとして、単一の連続気泡性の層１０が設けられている実施の形態が示されている。従って連続気泡性の層１０は気体透過性若しくは空気透過性であり、それにより気体は内部空間８から外部に向かって通過することができる。
【００３１】
図３には、上側の独立気泡性の層１２、従って非連続性の層１２と、図２に示した層１０に相応する、下側の連続気泡性の層１４とを有している層系６ｂが示されている。
【００３２】
図４には、図３とは逆の構成の層系６ｃ、即ち上側の連続気泡性の層１４と下側の独立気泡性の層１２とを備えている層系６ｃが示されている。
【００３３】
図５には、３つの層１５，１６，１７、即ち上側の独立気泡性の層１５、中央の連続気泡性の層１６及び下側の独立気泡性の層１７を備えている層系６ｄの構成が示されている。
【００３４】
連続気泡性の層１０，１４，１６の材料として、例えば連続気泡性フォーム、特にプラスチックフォーム又はゴムフォームが考えられ、更には、固体若しくは硬い物体、例えば金属、ガラス又は硬いプラスチックから成るフォーム、又は、焼結プロセスの間に孔が形成される焼結体、例えば焼結セラミック又は焼結ガラスも考えられる。
【００３５】
独立気泡性の層１２，１５及び１７も同様にそれらの材料、即ち比較的柔らかいプラスチック又はゴム、若しくは、金属、セラミック、ガラス又は硬いプラスチックのような比較的硬い材料から形成することができる。それらの材料は特に一貫した途切れの無い材料、即ち連続性の材料、例えば厚いフィルムであることが考えられるが、更には、架橋が孔を塞いでいるフォーム、即ち、非連続性の孔を形成しているフォームであっても良い。
【００３６】
従って、図３，４及び５の混合型の配置構成では、独立気泡性の層と連続気泡性の層を基本的には同一の基本材料から形成することができ、この基本材料は、それぞれの連続気泡性の層１４，１６の構成に関しては相応に構造化されているか、発泡されており、また、独立気泡性の構成に関しては非連続性である。
【００３７】
製造に関して、層系６ａ−６ｄを例えば一つの適切な基板上に形成し、続いて剥がすことができる。従って、必要に応じて、複数の層１２，１４又は１５，１６，１７を漸次的に所望の層厚で被着させ、続いて層系を剥がすことができる。
【００３８】
これによって、図３及び図４においては、連続気泡性の層１４の片面が、例えば厚いフィルムとして構成されている独立気泡性の層１２によって終端している。図５においては、連続気泡性の層１６の両面が、例えば厚いフィルムとして構成されている独立気泡性の層１５，１７によって終端している。従って、図３，４及び５の構成はそれぞれのケーシング内部空間８を気密性にシーリングすることができる。
【００３９】
音響的なローパスフィルタ６乃至６ａ−６ｄを基本的には、超音波が広帯域で減衰されるように設計することができる。しかしながら本発明によれば、超音波領域の幾つかの周波数帯域を所期のようにより強く減衰させることもでき、それにより超音波領域の別の周波数帯域はそれ程強く減衰されない。これによって、それらの選択された超音波領域に関する減衰作用も非常に高く調整することができる。この際に、とりわけ、超音波領域の音波２３は制御信号Ｓ１によって惹起されることから、それらの音波２３はその周波数に基づき実質的に既知であることを考慮することができる。従って、その周波数は例えばＳ１のクロック周波数と一致しているか、その高調波であることが考えられる。つまり、有利な構成によれば、関連する周波数領域にある超音波を選択的にフィルタリング除去するために、共振調整を選択することができる。
【００４０】
これに関して、図６及び図７によれば、適切な寸法設計を選択することができる。図６及び図７によれば、全体の層系、つまり例えば６ａ又は６ｄからスピーカユニット２迄の距離ｄを適切に選択することができる。距離ｄのこの種の適切な選択は本発明による全ての層系において可能である。
【００４１】
更には、それぞれの層系の個々の層厚の寸法も適切に選択することができる。図２の実施の形態においては、図６によれば、共振調整を距離ｄ並びに層厚によって選択することができる。更には、ケーシング内部空間８の高さｈを適切に選択することができ、この高さｈは層系６と下側の境界部、即ちケーシング底部との間に形成されるか、又は図１のように、層系６と回路支持体３の上面若しくは基板表面との間に形成される。
【００４２】
図３から図５の多層系、特に図５の三層系においては、層１２，１４；１５，１６，１７の数が比較的多いことによって、相応に多くの数のパラメータを変更することができる。例えば、図５及び図７の層１５，１６，１７又は図３，４の層１２及び１４の層厚ｅ，ｆ，ｇを適切に選択することができる。更には、連続気泡性の層１０，１４，１６においては、中空部若しくは開孔１８の大きさも適切に寸法設計することができ、非連続性の孔１８を有している独立気泡性の材料においても相応に寸法設計することができる。
【００４３】
更には、材料パラメータ、即ち、個々の層の材料組成を適切に選択することができる。つまり、例えば、ゴム又はプラスチック材料の減衰特性、しかしながらまた金属又はセラミックの減衰特性も利用及び調整することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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