(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ極またはＮ極のいずれか一方が上部面に形成され、他の一方が下部面に形成された垂直型構造のチップダイと、
前記チップダイの下部面がダイアタッチング（ｄｉｅ  ａｔｔａｃｈｉｎｇ）された上面を有するサブマウントと、
前記チップダイの上部面に形成され、蛍光物質を有する樹脂層と、
前記チップダイの上部面に形成されるバンプと、を備え、
前記樹脂層および前記バンプは、前記バンプの少なくとも一部が露出するまで一緒に研磨処理されることにより形成され、前記サブマウントの側面と前記樹脂層の側面は実質的に同一平面をなし、前記同一平面は前記樹脂層と前記サブマウントを一緒に切断する工程によって得られ、これにより、前記側面において樹脂層部分が均一な厚さを有し、
前記樹脂層は、前記チップダイの前記サブマウントと接する面以外の外部面を均一に覆い、
前記樹脂層と前記サブマウントを一緒に切断する工程は、
ａ）複数個の前記チップダイがウェーハ上に一定間隔を置いてダイアタッチング方式で搭載される段階と、
ｂ）前記チップダイの上部面に少なくとも一つの前記バンプを具備する段階と、
ｃ）前記バンプを含む前記チップダイが前記樹脂層で覆われるよう前記ウェーハ上に前記樹脂層を形成する段階と、
ｄ）前記バンプが外部へ露出するよう前記樹脂層の上部面を研磨する段階と、
ｅ）前記チップダイと隣接するチップダイとの間に所定の間隔で形成された縦、横の切断線に沿って切断される段階と、を意味することを特徴とする発光チップ。
【請求項２】
前記バンプは、前記チップダイの上部面の中央部に形成されている請求項１に記載の発光チップ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光チップと、
前記バンプに接続された金属ワイヤと、
前記金属ワイヤにより、前記バンプと電気的に接続された電極部が設けられたパッケージ本体とを備えるＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
前記電極部は、前記パッケージ本体に一体で設けられるリードフレームである請求項３に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
前記パッケージ本体は、キャビティを有する樹脂構造物であり、
前記パッケージ本体は、前記キャビティにキャビティ電極を有し、
前記発光チップが、前記キャビティ電極上に搭載された請求項３または４に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
前記パッケージ本体が、射出成形された請求項５に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項７】
前記パッケージ本体の前記キャビティ内に、前記電極部が設けられている請求項５または６に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項８】
前記キャビティの内部面に、前記発光チップから発生した光を反射させる反射部を有する請求項５乃至７のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項９】
前記キャビティに設けられた透明な樹脂材から成る充填剤と、
前記パッケージ本体の上部に設けられたレンズとをさらに備える請求項５乃至８のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１０】
前記電極部は、パターン印刷により形成されている請求項３に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１１】
前記発光チップを搭載する金属シャシーをさらに備える請求項３または１０に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１２】
前記金属シャシーに搭載された前記発光チップを外部へ露出する配置孔を有する基板をさらに備える請求項１１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１３】
前記電極部が前記配置孔を有する基板の上部面にパターン印刷されている請求項１２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１４】
前記配置孔の内部面には、前記発光チップから発生した光を反射させる反射部を有する請求項１２または１３に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１５】
前記配置孔に設けられた透明な樹脂材から成る充填剤と、
前記パッケージ本体の上部に設けられたレンズと、をさらに備える請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１６】
請求項３乃至１５のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージを備える液晶ディスプレイ用バックライト。
【請求項１７】
請求項１６に記載の液晶ディスプレイ用バックライトを備える液晶ディスプレイ。
【請求項１８】
請求項３乃至１５のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージを備える照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップコーティング型ＬＥＤパッケージ及びその製造方法に関するものであって、より詳細には光抽出効率を増大させ、製品の小型化を図り、製造原価を低減することが出来るチップコーティング型ＬＥＤパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ、以下、ＬＥＤと称する）は、半導体のｐ−ｎ接合構造を用いて注入された少数キャリア（電子または正孔）を作り出し、これらの再結合によって電気エネルギーを光エネルギーに変えて発光させる電子部品である。即ち、特定元素の半導体に順方向の電圧を加えると、陽極と陰極の接合部分を通じて電子と正孔が移動しながら相互再結合するが、電子と正孔が離れている時より小さいエネルギーになるため、この際発生するエネルギー差によって光を放出する。
【０００３】
上記ＬＥＤから出る光の領域は、レッド（６３０ｎｍ〜７８０ｎｍ）からブルー−紫外線（Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）（３５０ｎｍ）までであって、ブルー、グリーン及びホワイトまでも含んでおり、ＬＥＤは白熱電球と蛍光灯のような従来の光源に比べ低電力消費、高効率、長時間動作寿命などの長所を有しており、その需要が持続的に増加している実情である。
【０００４】
このようなＬＥＤは、最近モバイル端末機の小型照明から室内外の一般照明、自動車照明、大型ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用バックライト（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ）までその適用範囲が拡大されつつある。
【０００５】
図１は従来のＬＥＤパッケージを図示した縦断面図であって、図示した通り、従来のＬＥＤパッケージ１０は、上部に開放されたキャビティを具備するパッケージ本体１１と、上記パッケージ本体１１の構成時これに一体で設けられるリードフレーム１２と、上記リードフレーム１２と電気的に連結されるよう複数個の金属ワイヤ１５を媒介にワイヤボンディングされ電源印加時光を発生させる発光源である発光チップ１４、及び上記発光チップ１４と金属ワイヤ１５を外部環境から保護するよう上記キャビティ内に満たされる透明樹脂部１７を含んで構成される。
【０００６】
上記透明樹脂部１７は、上記発光チップ１４から発生した光を外部へそのまま通過させるようエポキシのような透明性樹脂剤から成る。
【０００７】
一方、上記発光チップ１４が青色光を発生させる青色発光素子で設けられる場合、所望の白色光を得るため上記透明樹脂部１７に蛍光物質が含まれる。
【０００８】
このような蛍光物質は、上記発光チップ１４から発光される１次波長である青色光を２次波長である白色光に変換されるよう波長を変換させる波長変換手段で、これはＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット系）またはＴＡＧ（テルビウム−アルミニウム−ガーネット系）またはシリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系などを含む粉末から成って主剤の透明性樹脂に含まれ、イエロー（Ｙｅｌｌｏｗ）またはレッド（Ｒｅｄ）を混合した形態を全て含む。
【０００９】
しかし、上記発光チップ１４から発生した青色光を白色光に変換させて外部へ照射する過程で、上記青色光が白色光に変換する経路が蛍光物質を含む透明樹脂部１７の構造上、光の照射角度によって長かったり短かったりするため、白色光の照射角度によって色温度が一定でなく照射角度によって温度差が発生する問題点があった。
【００１０】
また、上記発光チップ１４と金属ワイヤ１５は、透明樹脂部１７に含まれたＹＡＧ系、ＴＡＧ系、Ｓｉｌｉｃａｔｅ系蛍光物質と接触することになるが、上記ＹＡＧ系、ＴＡＧ系、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系蛍光物質は、電気的伝導性を有する重金属系列の粉末から成っているため、発光時発光チップ１４の光効率を低下させる漏れ電流を発生させ、パッケージの信頼性を低下させる。
【００１１】
また、上記透明性樹脂部に含まれた蛍光物質と金属ワイヤ１５との接触による漏れ電流を防ぐための構造として、上記発光チップ１４をサブマウント（未図示）上の複数個のバンプボールを媒介にフリップチップボンディングし、上記サブマウントをパッケージ本体１１のリードフレーム１２上に搭載した後、上記サブマウントとリードフレーム１２とを相互電気的に連結するよう金属ワイヤを媒介にワイヤボンディングする構造がある。
【００１２】
このような状態で、上記蛍光物質を含む透明性樹脂が上記パッケージ本体１１のキャビティ内に満たされたり、サブマウント上にフリップチップボンディングされた発光チップ１４のみを覆ってこれを保護する透明性樹脂部１７を構成した。
【００１３】
しかし、上記発光チップ１４が搭載されるサブマウントとリードフレーム１２との間をワイヤボンディングする構造では、金属ワイヤの一端部がボンディング連結されるサブマウントの大きさを十分確保すべきであるため、パッケージの大きさを小型化するに限界があり、その製造工程が複雑で製造原価を上昇させる要因として作用した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記のような従来の問題点を解消するためのものであって、その目的は、照射角度による色温度差を防いで光効率を向上させることができ、工程歩留まりを高めることができ、パッケージの大きさをより小型化することができ、大量生産を図ることが出来るチップコーティング型ＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記のような目的を達成するべく、本発明は、Ｐ極またはＮ極のいずれか一方が上部面
に形成され、他の一方が下部面に形成された垂直型構造のチップダイと、チップダイを搭
載したサブマウントと、チップダイの上部面に形成され、蛍光物質を有する樹脂層と、チ
ップダイの上部面に形成されるバンプとを備え、樹脂層およびバンプは、バンプの少なく
とも一部が露出するまで一緒に研磨処理されることにより形成され、前記サブマウントの側面と前記樹脂層の側面は実質的に同一平面をなし、前記同一平面は前記樹脂層と前記サブマウントを一緒に切断する工程によって得られ、これにより、前記側面に位置した樹脂層部分が均一な厚さを有する発光チップを提供する。
【００１６】
バンプは、チップダイの上部面に単独または２個ずつ設けられる。
【００１７】
好ましく、上記電極部は上記パッケージ本体に一体で設けられるリードフレームで具備される。
【００１８】
好ましく、上記パッケージ本体は上記発光チップが搭載される電極部が外部へ露出されるキャビティを具備するよう樹脂物で射出成形される樹脂構造物である。
【００１９】
より好ましく、上記キャビティの内部面には上記発光チップから発生した光を反射させる反射部をさらに含む。
【００２０】
より好ましく、上記キャビティには透明な樹脂材から成る充填剤が満たされ、上記パッケージ本体の上部にはレンズをさらに含む。
【００２１】
好ましく、上記パッケージ本体は、上記発光チップが搭載される金属シャシーが外部へ露出される配置孔を具備し、上記電極部が上部面にパターン印刷された基板で具備される。
【００２２】
より好ましく、上記配置孔の内部面には上記発光チップから発生した光を反射させる反射部をさらに含む。
【００２３】
より好ましく、上記配置孔には透明な樹脂材から成る充填剤が満たされ、上記パッケージ本体の上部にはレンズをさらに含む。
【００２４】
また、本発明は、ａ）複数個のチップダイがウェーハ上にダイアタッチングされる段階と、ｂ）上記チップダイの上部面に少なくとも一つのバンプボールを具備する段階と、ｃ）上記バンプボールを含むチップダイが樹脂材で覆われるよう上記ウェーハ上に樹脂層を形成する段階と、ｄ）上記バンプボールが外部へ露出されるよう上記樹脂層の上部面を研磨する段階と、ｅ）上記チップダイと隣接するチップダイとの間を切断する段階と、を含むチップコーティング型ＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【００２５】
好ましく、上記ｃ）段階は、上記ウェーハ上に樹脂材をプリンティングする方式によって樹脂層を形成し、上記バンプボールを含むチップダイを覆うようプリンティングされた樹脂層を熱硬化する。
【００２６】
好ましく、上記樹脂層は、チップダイから発生した光の波長を変換させる蛍光物質がさらに含まれた樹脂材で構成される。
【００２７】
好ましく、上記ｅ）段階から切断されサブマウント上に搭載されたチップダイと、その外部面を覆う樹脂層から成る発光チップを、上部に開放されたキャビティを形成するよう射出成形されたパッケージ本体の電極部に搭載し、リードフレームから成る電極部と金属ワイヤを媒介にワイヤボンディングする段階をさらに含む。
【００２８】
好ましく、上記ｅ）段階から切断されサブマウント上に搭載されたチップダイと、その外部面を覆う樹脂層から成る発光チップを金属シャシーの上部面に搭載し、上記発光チップが配置される配置孔を貫通形成したパッケージ本体の上部面に電極パターンから成る電極部と金属ワイヤを媒介にワイヤボンディングする段階をさらに含む。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によると、電源印加時、光を発生させるチップダイの外部面に蛍光物質を含む樹脂層を均一な厚さで具備し、樹脂層を通じて外部露出されるバンプボールが金属ワイヤを媒介に電極部と電気的に連結されることにより、発生した光が樹脂層を通過する経路は照射角度に関係なく一定なため、従来のような照射角度による色温度差を防いで光効率を向上させることが出来る。
【００３０】
また、電気伝導性を有する蛍光物質と金属ワイヤとの接触を根本的に防ぐことが出来るため、従来のような漏れ電流を予防して製品の信頼性を向上させることが出来る。
【００３１】
また、パッケージの大きさを減らして製品の小型化を図ることができ、製造工程が単純でパッケージを大量に生産し、これによって製造原価を低減することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を添付の図面を参照してさらに詳細に説明する。
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は、本発明によるチップコーティング型ＬＥＤパッケージを図示した製造工程図で、図３は本発明によるチップコーティング型ＬＥＤパッケージの第１実施例を図示した斜視図である。
【００３３】
本発明のＬＥＤパッケージ１００は、発光チップ１１０、電極部１２０及びパッケージ本体１３０を含んで構成される。
【００３４】
上記発光チップ１１０は、チップダイ１０１、バンプボール１０２、樹脂層１０３及びサブマウント１０４から成り、上記チップダイ１０１はサブマウント１０４上にダイアタッチング（ｄｉｅ  ａｔｔａｃｈｉｎｇ）されて搭載され、電源印加時光を発生させる発光源である。
【００３５】
ここで、上記チップダイ１０１は、電源印加時近紫外線光や青色光を発生させる発光源であり、このようなチップダイ１０１は、高出力、高輝度の青色光を発生させる窒化ガリウム系発光ダイオードチップが好ましく、これはＰ極、Ｎ極が上部面に形成された水平型構造やＰ極、Ｎ極が上下部面にそれぞれ形成された垂直型構造の何れも採用することが出来る。
【００３６】
そして、上記窒化ガリウム系発光チップは、公知の半導体素子であるため、これに関する具体的な構成については説明を省略する。
【００３７】
上記サブマウント１０４上に搭載されたチップダイ１０１の上部面には、上記電極部１２０と電気的に連結されるバンプボール１０２を具備し、このようなバンプボール１０２は上記チップダイ１０１の構造によって単独または２個で具備されることが出来る。
【００３８】
即ち、上記バンプボール１０２は、上記チップダイ１０１の構造によってその形成個数が変更され、上記チップダイ１０１のＰ極、Ｎ極が上下部面にそれぞれ形成された垂直型構造で設けられる場合、上記バンプボール１０２は上記チップダイ１０１の上部面に形成されたＰ極と電気的に連結されるよう単独で具備される。
【００３９】
上記チップダイ１０１のＰ極、Ｎ極が両方とも上部面に形成された水平型構造で設けられる場合、上記バンプボール１０２は上記チップダイ１０１の上部面に形成されたＰ極とＮ極とがそれぞれ電気的に連結するよう２個で具備される。
【００４０】
また、上記樹脂層１０３は、上記サブマウント１０４上にダイアタッチングされたチップダイ１０１の外部面を一定に覆うよう、エポキシ、シリコン及びレジン等のような透明な樹脂材から成る。
【００４１】
ここで、上記樹脂層１０３には、上記チップダイから発生した光を白色光に変換できるＹＡＧ系、ＴＡＧ系、Ｓｉｌｉｃａｔｅ系のうち何れか一つの波長変換手段である蛍光物質が含まれる。
【００４２】
そして、上記電極部１２０は、上記樹脂層１０３の上部面を通じて外部露出される少なくとも一つのバンプボール１０２と金属ワイヤ１２５を媒介に電気的に連結される。
【００４３】
このような電極部１２０は、図３に図示した通り、射出成形される樹脂構造物であるパッケージ本体１３０の内部に一体で具備され、上記バンプボール１０２に一端がワイヤボンディングされた金属ワイヤ１２５の他端がワイヤボンディングされるリードフレーム１２１で具備されることも出来るが、これに限定されるのでなく、図４に図示した通り、基板１３１として設けられるパッケージ本体１３０の上部面に印刷される電極パターン１２２で具備されることも出来る。
【００４４】
また、上記電極部１２０と電気的に連結される発光チップ１１０が設けられるパッケージ本体１３０は、図３に図示した通り、上記発光チップ１１０が搭載される電極部１２０をリードフレーム１２１で具備して、これを外部へ露出するキャビティ（Ｃ）を具備するよう樹脂物で射出成形される樹脂構造物である。
【００４５】
このようなキャビティ（Ｃ）は、内部面に上記発光チップ１１０から発生した光を反射させる反射部１３５をさらに含み、このような反射部１３５は、上記キャビティ（Ｃ）の傾斜した内部面全体に光反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）及び銅（Ｃｕ）のうち何れか一つから成る反射物質を満遍なくコーティングまたは蒸着して具備できるが、これに限定されるのではなく、光反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）  及び銅（Ｃｕ）のうち何れか一つから成る板材を別途で接着して具備することも出来る。
【００４６】
また、上記パッケージ本体１３０の上部には、上記発光チップ１１０から発生した光の指向角を広げたり、光効率を高めることが出来るようレンズ（Ｌ）を具備することができ、上記レンズ（Ｌ）によって覆われるキャビティ（Ｃ）には、上記発光チップ１１０と金属ワイヤ１２５を外部環境から保護するよう透明な樹脂材から成る充填剤が満たされることが出来る。
【００４７】
一方、図４は本発明によるチップコーティング型ＬＥＤパッケージの第２実施例を図示したものであって、このようなＬＥＤパッケージ１００ａのパッケージ本体１３０は、上記発光チップ１１０が搭載される金属シャシー１３２と、これを外部へ露出できるよう一定大きさの配置孔１３３を貫通形成し、上記電極部１２０が上部面にパターン印刷される基板１３１で具備されることも出来る。
【００４８】
ここで、上記配置孔１３３の内部面にも上記と同様に上記発光チップ１１０から発生した光を反射させる反射部１３５を具備することが出来る。
【００４９】
そして、上記基板形態で設けられるパッケージ本体１３０の上部にも、上記発光チップ１１０から発生した光の指向角を広げたり光効率を高めるようレンズ（Ｌ）を具備することができ、上記レンズ（Ｌ）によって覆われる配置孔１３３とレンズとの間には透明な樹脂材から成る充填剤が満たされる。
【００５０】
上記構成のＬＥＤパッケージを製造する工程は、図２（ａ）に図示した通り、半導体の製造工程によって製造されたチップダイ１０１をウェーハ（Ｗ）上に一定間隔を置いて複数個ダイアタッチ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ）方式で搭載する。
【００５１】
ここで、上記ウェーハ（Ｗ）は、上記チップダイ１０１に設けられるＰ極、Ｎ極の配置形態によって、非伝導性または伝導性素材のうち何れか一つに選択して構成されることが出来る。
【００５２】
そして、上記ウェーハ（Ｗ）上にダイアタッチングされたチップダイ１０１の上部面には、図２（ｂ）に図示した通り、少なくとも一つのバンプボール１０２をそれぞれ具備する。
【００５３】
このようなバンプボール１０２は、上記チップダイ１０１に設けられるＰ、Ｎ極の配置形態（垂直型または水平型）によって単独または２個ずつ具備される。
【００５４】
上記バンプボール１０２は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどのように熱伝導性、電気伝導性に優れた金属材で構成されるのが好ましい。
【００５５】
次いで、上記ウェーハ（Ｗ）上に樹脂層１０３を形成する段階は、図２（ｃ）に図示した通り、上部面に上記バンプボール１０２を形成した複数個のチップダイ１０１が樹脂材で覆われるよう上記ウェーハ（Ｗ）上にシリコン、エポキシなどのような透明性樹脂を一定厚さでプリンティングする方式でプリンティングして具備する。
【００５６】
この際、上記透明性樹脂は、上記バンプボール１０２の直径サイズを考慮して３００μｍ以下の厚さを有するよう覆われる。
【００５７】
そして、上記バンプボール１０２を含むチップダイ１０１を覆うよう上記ウェーハ（Ｗ）上にプリンティングされた樹脂層１０３は、人為的に提供される熱によって熱硬化される。
【００５８】
ここで上記樹脂層１０３には、上記チップダイ１０１の発光色に応じて白色光に変換できるようチップダイ１０１の発光色を波長変化させる光波長変換手段である蛍光物質を含む。
【００５９】
また、図２（ｄ）に図示した通り、上記ウェーハ（Ｗ）上に具備された樹脂層１０３は、未図示の研磨手段によって上記チップダイ１０１上に具備されたバンプボール１０２を外部へ露出させるよう上部面が研磨され、研磨方法においてはグラインダーを用いた研磨方法やフライカッター（Ｆｌｙ  Ｃｕｔｔｅｒ）を用いたカット方法で均一な面を得ることができ、これは精密性と生産性を考慮して選択する。
【００６０】
この際、上記研磨手段によって研磨される樹脂層１０３は、上部面が上記ウェーハ（Ｗ）と並んで層の厚さが一定になるよう研磨すべきである。
【００６１】
次いで、図２（ｅ）に図示した通り、上記バンプボール１０２が外部へ露出されるよう樹脂層１０３が研磨されたチップダイ１０１は、隣接するチップダイ１０１との間に形成された縦、横の切断線に沿って切断されることによって、電源印加時光を発生させる発光チップ１１０として製造される。
【００６２】
このような発光チップ１１０は、ウェーハ（Ｗ）が切断されたサブマウント１０４上にダイアタッチングされたチップダイ１０１と、上記チップダイ１０１の上部面に設けられる少なくとも一つのバンプボール１０２及び上記バンプボール１０２を外部へ露出させながら上記チップダイ１０１の外部面を均一に覆う樹脂層１０３で構成される。
【００６３】
上記構成の発光チップ１１０は、図２（ｆ）に図示した通り、リードフレーム１２１で設けられる電極部１２０の上部面に搭載され、上記電極部１２０は上記発光チップ１１０のバンプボール１０２に一端がボンディングされた金属ワイヤ１２５の他端とワイヤボンディングされる。
【００６４】
ここで、上記電極部１２０は、上部に開放されたキャビティ（Ｃ）を形成するよう樹脂材で射出成形されるパッケージ本体１３０のキャビティ（Ｃ）を通じて外部へ露出される金属部材である。
【００６５】
上記の構造を有するＬＥＤパッケージ１００、１００ａに順方向の電流が印加される場合、この電流は上記電極部１２０を通じて発光チップ１１０に供給されることにより、上記発光チップ１１０のチップダイ１０１は、これを構成する半導体素材の差によってＲ、Ｇ、Ｂのうち何れか一つの色を有する光を発生することになる。
【００６６】
そして、上記チップダイ１０１から発生した光は、その外部面を均一に覆うよう具備された樹脂層１０３を通過して外部へ放射される。
【００６７】
この際、上記樹脂層１０３に蛍光物質が含まれている場合、上記チップダイから発生した青色光の１次波長は、蛍光物質に２次波長である白色光を転換して上記発光チップ１１０は白色光を発生させることに成る。
【００６８】
ここで、上記蛍光物質が含む樹脂層１０３は、チップダイの外部面に一定の厚さで均一に具備され、電源印加時チップダイ１０１から発生した光が上記樹脂層１０３を通過する経路が照射角度によって一定なため、照射角度による色温度差を防ぐことが出来る。
【００６９】
また、上記金属ワイヤ１２５が電気的伝導性を有する重金属系列から成る蛍光物質との接触を根本的に防いで漏れ電流が発生することを予防することができるため、上記発光チップ１１０の光効率を向上させることができ、劣化特性が悪化することを防いで製品の信頼性を高めることが出来る。
【００７０】
続いて、上記発光チップ１１０から発生した光は、キャビティ（Ｃ）または配置孔１３３の傾斜した内部面に具備された反射部１３５へ反射され、より広い角度で外部放射される。
【００７１】
本発明は、特定の実施例に関して図示し説明したが、添付の特許請求範囲によって備えられる本発明の精神や分野を外れない範囲内で本発明が多様に改造及び変化できることは、当業界で通常の知識を有している者は容易に分かることを明らかにする。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来のＬＥＤパッケージを図示した縦断面図である。
【図２】本発明によるチップコーティング型ＬＥＤパッケージの製造工程図である。
【図３】本発明によるチップコーティング型ＬＥＤパッケージの第１実施例を図示した斜視図である。
【図４】本発明によるチップコーティング型ＬＥＤパッケージの第２実施例を図示した断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０、１００、１００ａ  ＬＥＤパッケージ
１１、１３０  パッケージ本体
１２、１２１  リードフレーム
１５、１２５  金属ワイヤ
１４、１１０  発光チップ
１７  透明樹脂部
１０１  チップダイ
１０２  バンプボール
１０３  樹脂層
１０４  サブマウント
１２０  電極部
１２２  電極パターン
１３１  基板
１３２  金属シャシー
１３３  配置孔
１３５  反射部
Ｃ  キャビティ
Ｌ  レンズ
Ｗ  ウェーハ
【図１】
0005698496.tif 000002
【図２】
0005698496.tif 000003
【図３】
0005698496.tif 000004
【図４】
0005698496.tif 000005