(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
通電されることによって発熱する発熱電子デバイスに断続的に通電し、そのオン・オフの繰り返し動作による温度変移からの前記発熱電子デバイスの耐性を評価するための断続通電試験装置において、
前記発熱電子デバイスに接触することによって、この発熱電子デバイスの放熱を行う２つの部材からなる放熱部材と、
２つの前記放熱部材の間に配置され、前記発熱電子デバイスの発熱状態に基づいて、前記発熱電子デバイスに対して前記放熱部材の少なくとも一部を接近・離間させる熱変形部材とを備え、
前記熱変形部材は、加熱・冷却に応じて変形するバイメタルからなり、
２つの前記放熱部材のうち、一方の放熱部材は前記発熱デバイスに接触し、他方の放熱部材は前記熱変形部材によって前記一方の放熱部材に対して接近・離間し、
２つの前記放熱部材のうち、少なくとも何れか一方には、前記熱変形部材に対応する箇所に、この熱変形部材を収容可能な凹部が形成されていることを特徴とする断続通電試験装置。
【請求項２】
前記発熱電子デバイスと前記放熱部材との接触部に、グリスを塗布したことを特徴とする請求項１に記載の断続通電試験装置。
【請求項３】
前記熱変形部材は、前記接近・離間方向に沿う断面形状がＺ状となるように形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の断続通電試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、断続通電試験装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワートランジスタ等の発熱電子デバイス（半導体素子）は、通電した際の熱抵抗、電力損失によって温度が上昇し、劣化する場合がある。このため、発熱電子デバイスの信頼性試験として所謂パワーサイクル試験と呼ばれる断続通電試験（断続負荷動作寿命試験）が行われる。この試験は、発熱電子デバイスへの通電を断続的に行い、そのオン・オフの繰り返し動作による温度変移から発熱電子デバイスの劣化に対する耐性を評価するものである。
【０００３】
ここで、断続通電試験装置は、発熱電子デバイスの温度が設計値を超えないようにするためや温度降下を促進させるために放熱部材（冷却体）を有している。そして、この放熱部材上に発熱電子デバイスを載置した状態で、発熱電子デバイスに通電を断続的に行い、この発熱電子デバイスの温度を変移させている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１４８９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の従来技術にあっては、発熱電子デバイスの温度を上昇させる際、評価に必要な温度に達するように、その発熱電子デバイス自身の熱抵抗と、使用される放熱部材の放熱能力を考慮して発熱電子デバイスに通電を行う必要がある。すなわち、断続通電試験を行うにあたって、発熱電子デバイス単体を温度上昇させる場合と比較して大きな電力が必要になり、電源と線材コストが嵩むという課題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、電源と線材コストを抑え、かつ試験サイクルの時間を短縮することができる断続通電試験装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明に係る断続通電試験装置は、通電されることによって発熱する発熱電子デバイスに断続的に通電し、そのオン・オフの繰り返し動作による温度変移からの前記発熱電子デバイスの耐性を評価するための断続通電試験装置において、前記発熱電子デバイスに接触することによって、この発熱電子デバイスの放熱を行う２つの部材からなる放熱部材と、２つの前記放熱部材の間に配置され、前記発熱電子デバイスの発熱状態に基づいて、前記発熱電子デバイスに対して前記放熱部材の少なくとも一部を接近・離間させる熱変形部材とを備え、前記熱変形部材は、加熱・冷却に応じて変形するバイメタルからなり、２つの前記放熱部材のうち、一方の放熱部材は前記発熱デバイスに接触し、他方の放熱部材は前記熱変形部材によって前記一方の放熱部材に対して接近・離間し、２つの前記放熱部材のうち、少なくとも何れか一方には、前記熱変形部材に対応する箇所に、この熱変形部材を収容可能な凹部が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る断続通電試験装置は、前記発熱電子デバイスと前記放熱部材との接触部に、グリスを塗布したことを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る断続通電試験装置において、前記熱変形部材は、前記接近・離間方向に沿う断面形状がＺ状となるように形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、発熱電子デバイスに通電し、この発熱電子デバイスの温度を上昇させる際に発熱電子デバイスと放熱部材とを離間させることができる。このため、発熱電子デバイスの温度を上昇させる際、放熱部材の放熱能力を考慮する必要がなく、効率よく発熱電子デバイスの温度を上昇させることができる。よって、電源と線材コストを抑えた断続通電試験装置を提供することが可能になる。
【００１８】
一方、発熱電子デバイスの温度を降下させる際に発熱電子デバイスと放熱部材とを接触させることができる。すなわち、発熱電子デバイスへの通電を遮断し、この発熱電子デバイスの温度を降下させる際、放熱部材を用いて効率よく発熱電子デバイスを冷却させることができる。このため、発熱電子デバイスの冷却時間を短縮することができ、試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１参考例における断続通電試験装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第１参考例における断続通電試験装置の概略構成図であって、バイメタルが収縮変形している状態を示す。
【図３】本発明の第１参考例における半導体パッケージの温度変化を示すグラフである。
【図４】本発明の実施形態における断続通電試験装置の概略構成図である。
【図５】本発明の第２参考例における断続通電試験装置の概略構成図である。
【図６】本発明の第２参考例における断続通電試験装置の概略構成図である。
【図７】本発明の第３参考例における断続通電試験装置の概略構成図である。
【図８】本発明の第４参考例における断続通電試験装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１参考例）
（断続通電試験装置）
次に、この発明の第１参考例を図１〜図３に基づいて説明する。
図１は、断続通電試験装置の概略構成図である。
同図に示すように、断続通電試験装置１は、半導体パッケージ２に断続的に通電を行う電源３と、半導体パッケージ２を不図示のボルト等を用いて締結固定可能な放熱ユニット４とを備えている。
【００２１】
放熱ユニット４は、互いに接近・離間可能な２つの放熱板５，６と、これら２つの放熱板５，６を連結する複数（例えば、この第１参考例では２つ）のバイメタル７とにより構成されている。
２つの放熱板５，６は、例えばアルミにより板状に形成されたものであって、２つの放熱板５，６のうちの一方の放熱板５に、半導体パッケージ２が締結固定されている。また、各放熱板５，６の合わせ面５ａ，６ａは、それぞれ平坦に形成されており、各合わせ面５ａ，６ａに、それぞれ放熱グリス８が塗布されている。
【００２２】
バイメタル７は、熱膨張率が異なる異種金属板を貼り合わせ、断面略Ｚ状に形成されたものであって、温度変化に応じて伸縮変形するようになっている。すなわち、バイメタル７は、温度が所定値以上（例えば、約７５℃以上）になると伸長変形する一方、温度が所定値を下回ると収縮変形する。
【００２３】
（半導体パッケージ）
半導体パッケージ２は、板状のヒートシンク９上に基板１０を載置し、さらに基板１０上に半導体チップ１１を実装したものを封止樹脂１２に樹脂封止したものである。半導体チップ１１は、例えばダイオードやトランジスタ等の半導体素子であって、平面視略矩形状に形成されている。そして、その上面に電極を有しており、この電極と封止樹脂１２から外部に突出するリード１３とが接続子１４を介して電気的に接続されている。リード１３に、電源３から延びるハーネス３ａが接続されるようになっている。
ヒートシンク９は、半導体パッケージ２（半導体チップ１１）で生じた熱を、効率よく放熱板５に伝達するためのものであって、ヒートシンク９を放熱板５側に向けた状態で、この放熱板５に半導体パッケージ２が固定される。
【００２４】
（断続通電試験方法、および断続通電試験装置の動作）
次に、図１、図２に基づいて、断続通電試験装置１を用いた断続通電試験方法について説明する。
図２は、断続通電試験装置の概略構成図であって、バイメタルが収縮変形している状態を示す。
ここで、断続通電試験方法では、半導体パッケージ２に電流を供給する通電状態と、半導体パッケージ２への電流の供給を停止する非通電状態とを１つのサイクルとし、これを例えば１万回まで実施する。そして、通電状態時の半導体パッケージ２の所望の温度を例えば約１１０℃程度に設定する。
【００２５】
すなわち、断続通電試験方法は、電源３により半導体パッケージ２に電流を供給した後（通電状態）、半導体パッケージ２が所望の温度（例えば、約１１０℃）に達すると、半導体パッケージ２への電流の供給を停止する（非通電状態）。そして、半導体パッケージ２の温度が所定値（例えば、約２５℃）まで冷却された後、再び通電状態とし、これを繰り返すことにより行われる。
【００２６】
次に、断続通電試験における断続通電試験装置１の挙動について説明する。
図２に示すように、半導体パッケージ２に電流を供給する前は、半導体パッケージ２が冷却されており、バイメタル７が収縮変形した状態になっている。バイメタル７が収縮変形した状態では、２つの放熱板５，６が互いに接近し、重ね合わさった状態になっている。このとき、各放熱板５，６の合わせ面５ａ，６ａには、それぞれ放熱グリス８が塗布されているので、互いの放熱板５，６の密接性が高まり、この放熱板５，６間において、良好に熱伝達が行われる。
【００２７】
この状態から、電源３によって半導体パッケージ２に電流を供給すると、半導体パッケージ２が発熱する。すると、この半導体パッケージ２の温度がヒートシンク９を介して一方の放熱板５に伝達され、さらにバイメタル７に伝達される。バイメタル７は、例えば、温度が約７５℃以上に上昇すると伸長変形するようになっている。このため、バイメタル７の伸長変形により、図１に示すように、２つの放熱板５，６が離間する。
【００２８】
互いの放熱板５，６が離間すると、この間の熱伝達が行われなくなるので、放熱ユニット４の放熱能力が低下する。放熱能力が低下することにより、一方の放熱板５に取り付けられている半導体パッケージ２の温度上昇速度が速まる。
この後、半導体パッケージ２が所望の温度（例えば、約１１０℃程度）に達すると、半導体パッケージ２への電流の供給を停止する。そして、半導体パッケージ２がヒートシンク９、および一方の放熱板５を介して放熱される。
【００２９】
ここで、半導体パッケージ２が冷却されるのと同時に、バイメタル７も冷却される。バイメタル７が冷却されて所定の温度（例えば、約７５℃程度）を下回ると、バイメタル７が再び収縮変形する。すると、図２に示すように、２つの放熱板５，６が互いに接近して重ね合わさり、半導体チップ１１に対する放熱面積が増大する。このため、半導体パッケージ２の冷却が促進される。
【００３０】
（効果）
したがって、上述の第１参考例によれば、半導体パッケージ２を冷却するための放熱ユニット４を、互いに接近・離間可能な２つの放熱板５，６と、これら２つの放熱板５，６を連結する複数（例えば、この第１参考例では２つ）のバイメタル７とにより構成し、通電状態にして半導体パッケージ２を加熱する際、２つの放熱板５，６を離間させ、放熱ユニット４の放熱能力を低下させて半導体パッケージ２の発熱を促進させることができる。このため、効率よく半導体パッケージ２の温度を上昇させることができ、電源３のコストや、この電源３から延びるハーネス３ａ、およびリード１３等の線材のコストを抑えた断続通電試験装置１を提供することが可能になる。
【００３１】
一方、非通電状態にして半導体パッケージ２を冷却する際、２つの放熱板５，６を重ね合わせ、放熱ユニット４の放熱能力を高めて半導体パッケージ２の冷却を促進させることができる。このため、効率よく半導体パッケージ２の温度を下降させることができる。よって、半導体パッケージ２の冷却時間を短縮することができ、断続通電試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。
【００３２】
より詳しく、図３に基づいて説明する。
図３は、縦軸を半導体パッケージ２の温度（Ｔｊ）とし、横軸を時間とした場合の半導体パッケージの温度変化を従来と第１参考例とで比較したグラフである。
ここで、図３中、破線は、半導体パッケージ２に放熱板等の放熱部材を取り付けずに通電状態、および非通電状態とした場合を示す（以下、「放熱板未使用の場合」という）。
また、図３中、２点鎖線は、２つの放熱板５，６を、バイメタル７を介さずに重ね合わせたものを半導体パッケージ２に取り付け、この半導体パッケージ２を通電状態、および非通電状態とした場合を示す（以下、「バイメタル未使用の場合」という）。
【００３３】
同図に示すように、放熱板未使用の場合、半導体パッケージ２単体分の放熱能力しかないので、半導体パッケージ２に電流を供給すると、速やかに半導体パッケージ２の温度が上昇していくことが確認できる。そして、半導体パッケージ２の温度が所望の温度（例えば、約１１０℃以上）に達し、半導体パッケージ２への電流の供給を停止した後は、放熱板が取り付けられていない分、放熱能力が低いので、半導体パッケージ２を所定の温度（例えば、約２５℃）まで冷却させるために時間がかかってしまうことが確認できる。
【００３４】
また、バイメタル未使用の場合、２つの放熱板５，６による放熱能力が高いので、速やかに半導体パッケージ２が冷却されることが確認できる。しかしながら、２つの放熱板５，６による放熱能力が高いために、通電状態において、半導体パッケージ２を所望の温度まで上昇させることが困難であることが確認できる。
【００３５】
これに対し、本第１参考例では、半導体パッケージ２に電流を供給し始めた時点では、この半導体パッケージ２の温度上昇がバイメタル未使用とほぼ同じような推移をたどるが、バイメタル７が所定の温度以上（例えば、７５℃以上）に上昇すると、伸長変形し、２つの放熱板５，６が離間して放熱ユニット４の放熱能力が低下する。
このため、半導体パッケージ２の温度が所定値以上（例えば、７５℃以上）に達すると、その後、バイメタル未使用の場合と比較して半導体パッケージ２の温度上昇が促進されることが確認できる（図３中ＳＯ１参照）。よって、必要以上に電源３のサイズを大きく設定する必要がなく、また、電源３から延びるハーネス３ａやリード１３等の線材の線径を太くする等の必要がなくなる。
【００３６】
さらに、半導体パッケージ２への電流の供給を停止し、半導体パッケージ２の放熱を開始し始めた時点では、２つの放熱板５，６が離間した状態のままなので、半導体パッケージ２の温度下降は放熱板未使用の場合とほぼ同じような推移をたどる。しかしながら、バイメタル７が冷却されて所定の温度（例えば、約７５℃程度）を下回ると、バイメタル７が再び収縮変形し、放熱ユニット４の放熱能力が高まる。すると、半導体パッケージ２の冷却が促進される（図３中ＳＯ２参照）。このため、結果的に放熱板未使用の場合と比較して半導体パッケージ２の冷却時間を短縮することができる。
【００３７】
（実施形態）
なお、上述の第１参考例では、放熱ユニット４を構成する２つの放熱板５，６の合わせ面５ａ，６ａがそれぞれ平坦に形成されている場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、例えば、図４に示すように、２つの放熱板５，６のうち、他方の放熱板６のバイメタル７に対応する箇所に、このバイメタル７を収納可能な凹部１５を形成してもよい。凹部１５を形成することにより、バイメタル７が収縮変形した際の２つの放熱板５，６の密接性を高めることができる。
【００３８】
（第２参考例）
次に、この発明の第２参考例を図５、図６に基づいて説明する。なお、第１参考例と同一態様には、同一符号を付して説明する。
図５、図６は、この第２参考例における断続通電試験装置の概略構成図である。
図５、図６に示すように、この第２参考例の断続通電試験装置２１と前述の第１参考例の断続通電試験装置１との相違点は、前述の第１参考例の断続通電試験装置１の放熱ユニット４と、この第２参考例の断続通電試験装置２１の放熱ユニット２４との構成が異なる点にある（以下の参考例についても同様）。
【００３９】
すなわち、放熱ユニット２４は、放熱板２５と、この放熱板２５上に設けられた平板状のバイメタル２７とにより構成され、このバイメタル２７上に半導体パッケージ２が取り付けられるようになっている。放熱板２５は、例えばアルミにより板状に形成されたものである。
図５に示すように、バイメタル２７は、温度が所定値以上（例えば、約７５℃以上）になると、中央部の大部分が膨出するように湾曲変形する一方、図６に示すように、温度が所定値を下回ると平坦になるように変形する。
【００４０】
このような構成のもと、電源３によって半導体パッケージ２に電流が供給されると、半導体パッケージ２が発熱し、この熱がバイメタル２７へと伝達される。そして、バイメタル２７の温度が所定値（例えば、約７５℃程度）以上に上昇すると、バイメタル２７が湾曲変形する。すると、図５に示すように、放熱板２５から半導体パッケージ２が離間する。
【００４１】
一方、半導体パッケージ２が所望の温度（例えば、約１１０℃程度）に達すると、半導体パッケージ２への電流の供給を停止し、半導体パッケージ２の放熱が開始される。このとき、バイメタル２７も放熱されるので、このバイメタル２７の温度が所定値（例えば、約７５℃程度）を下回ると、バイメタル２７が再び平坦になるように変形する（図６参照）。
ここで、バイメタル２７が平坦に変形すると、このバイメタル２７と半導体パッケージ２との接触面積が増大すると共に、バイメタル２７と放熱板２５との接触面積が増大する。このため、半導体パッケージ２の熱が、バイメタル２７を介して放熱板２５に効率よく伝達される。
【００４２】
なお、半導体パッケージ２とバイメタル２７との各接触面２ａ，２７ａ、およびバイメタル２７と放熱板２５との各接触面２７ｂ，２５ａに、それぞれ不図示の放熱グリスを塗布することが望ましい。このように構成することで、半導体パッケージ２からバイメタル２７への熱伝達、およびバイメタル２７から放熱板２５への熱伝達を効率よく行うことが可能になる。
【００４３】
したがって、上述の第２参考例によれば、前述の第１参考例と同様の効果を奏することができる。また、前述の第１参考例の断続通電試験装置１と比較して、さらに断続通電試験装置２１の構造を簡素化できる。このため、装置の製造コストを低減することが可能になる。
【００４４】
なお、上述の第１参考例では、２つの放熱板５，６を接近・離間させるためにバイメタル７を使用し、第２参考例では、半導体パッケージ２と放熱板２５とを接近・離間させるためにバイメタル２７を使用した場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、温度に応じて変形する素材を採用すればよい。例えば、バイメタル７，２７に代わって、形状記憶合金を用いてもよい。
【００４５】
（第３参考例）
次に、この発明の第３参考例を図７に基づいて説明する。
図７は、この第３参考例における断続通電試験装置の概略構成図である。
同図に示すように、断続通電試験装置３１の放熱ユニット３４は、互いに接近・離間可能な２つの放熱板５，６と、これら２つの放熱板５，６を連結する駆動部４５と、半導体パッケージ２の温度を検出する温度センサ４６と、この温度センサ４６の検出結果に基づいて、駆動部４５の駆動制御を行う制御部４７とを備えている。
【００４６】
２つの放熱板５，６のうちの一方の放熱板５には、半導体パッケージ２が締結固定されている。また、各放熱板５，６の合わせ面５ａ，６ａは、それぞれ平坦に形成されており、各合わせ面５ａ，６ａに、それぞれ放熱グリス８が塗布されている。
駆動部４５は、不図示のアクチュエータを備えており、このアクチュエータが動作することにより、２つの放熱板５，６が互いに接近したり、離間したりするようになっている。
【００４７】
温度センサ４６は、検出した半導体パッケージ２の温度を信号として制御部４７に出力する。
制御部４７は、温度センサ４６からの出力信号が入力される入力部４８と、予め閾値温度Ｔが記憶されている記憶部４９と、記憶部４９に記憶された閾値温度Ｔと入力部４８に入力された半導体パッケージ２の温度とを比較する比較部５０と、この比較部５０の比較結果に基づいて駆動部４５に制御信号を出力する出力部５１とを有している。
【００４８】
ここで、記憶部４９に記憶されている閾値温度Ｔは、例えば、約７５℃程度に設定されている。そして、入力部４８に入力された半導体パッケージ２の温度が閾値温度Ｔ以上の場合、出力部５１から駆動部４５に、２つの放熱板５，６を離間させる制御信号を出力するようになっている。一方、入力部４８に入力された半導体パッケージ２の温度が閾値温度Ｔを下回る場合、出力部５１から駆動部４５に、２つの放熱板５，６を接近させる制御信号を出力するようになっている。
【００４９】
より詳しく、断続通電試験装置３１の動作について説明する。
ここで、まず、電源３によって、半導体パッケージ２に電流を供給する前は、半導体パッケージ２が冷却されており、制御部４７の出力部５１から駆動部４５に２つの放熱板５，６が接近するように制御信号が出力される。そして、２つの放熱板５，６が互いに接近して重ね合わさった状態になる。
【００５０】
この状態から、電源３によって半導体パッケージ２に電流を供給すると、半導体パッケージ２が発熱する。そして、比較部５０において、半導体パッケージ２の温度が記憶部４９の閾値温度Ｔ以上に達したと判断された場合、出力部５１から駆動部４５に２つの放熱板５，６を互いに離間させる制御信号が出力される。そして、２つの放熱板５，６が互いに離間される。
【００５１】
この後、半導体パッケージ２が所望の温度（例えば、約１１０℃程度）に達すると、半導体パッケージ２への電流の供給を停止し、半導体パッケージ２の放熱が開始される。そして、半導体パッケージ２が冷却され、比較部５０において、半導体パッケージ２の温度が記憶部４９の閾値温度Ｔを下回ったと判断された場合、出力部５１から駆動部４５に、再び２つの放熱板５，６を互いに接近するように制御信号が出力される。すると、２つの放熱板５，６が互いに接近して重ね合わさり、半導体チップ１１に対する放熱面積が増大し、半導体チップ１１の冷却が促進される。
【００５２】
したがって、上述の第３参考例によれば、前述の第１参考例と同様の効果を奏することができる。また、断続通電試験装置３１に、２つの放熱板５，６を接近・離間させる駆動部４５と、温度センサ４６の検出結果に基づいて、駆動部４５の駆動制御を行う制御部４７とを設けることにより、２つの放熱板５，６を接近・離間させるタイミングを決定するための半導体チップ１１の設定温度を容易に変更することができる。このため、半導体チップ１１を発熱させるために要する時間や放熱させるために要する時間をより細かく制御することが可能になり、さらに断続通電試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。
【００５３】
なお、上述の第３参考例では、制御部４７の記憶部４９に予め閾値温度Ｔが記憶されており、温度センサ４６により検出された半導体パッケージ２の温度が、閾値温度Ｔ以上になると２つの放熱板５，６が互いに離間する一方、閾値温度Ｔを下回ると２つの放熱板５，６が互いに接近する場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、記憶部４９に、２つの放熱板５，６を互いに接近させる第１閾値温度Ｔ１と、２つの放熱板５，６を離間させる第２閾値温度Ｔ２とをそれぞれ別々に設定してもよい（図７における２点鎖線参照）。
【００５４】
このように構成することで、半導体チップ１１を発熱させるために要する時間や放熱させるために要する時間をより細かく制御することが可能になり、さらに断続通電試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。
【００５５】
例えば、第１閾値温度Ｔ１を第２閾値温度Ｔ２よりも低く設定すると、断続通電試験において、半導体パッケージ２に電流を供給する通電状態時に、２つの放熱板５，６を離間させるタイミングが上述の第３参考例のタイミングと比較して速くなる。このため、半導体チップ１１の発熱がさらに促進され、半導体チップ１１を所望の温度まで上昇させる時間を短縮することができる。
一方、第２閾値温度Ｔ２は第１閾値温度Ｔ１よりも高く設定されているので、半導体パッケージ２への電流の供給を停止する非通電状態において、２つの放熱板５，６を互いに接近させるタイミングが上述の第３参考例のタイミングと比較して速くなる。このため、半導体チップ１１の放熱が促進され、半導体チップ１１の放熱時間をさらに短縮することができる。
【００５６】
（第４参考例）
次に、この発明の第４参考例を図８に基づいて説明する。
図８は、この第４参考例における断続通電試験装置の概略構成図である。
同図に示すように、この第４参考例の断続通電試験装置６１と前述の第３参考例の断続通電試験装置３１との相違点は、第３参考例の断続通電試験装置３１が半導体パッケージ２の温度に基づいて２つの放熱板５，６を接近・離間させるのに対し、第４参考例の断続通電試験装置６１は、半導体パッケージ２への通電状態に基づいて２つの放熱板５，６を接近・離間させる点にある。
【００５７】
すなわち、断続通電試験装置６１の放熱ユニット６４は、互いに接近・離間可能な２つの放熱板５，６と、これら２つの放熱板５，６を連結する駆動部４５と、電源３のオン・オフを検出する通電検出センサ６６と、この通電検出センサ６６の検出結果に基づいて、駆動部４５の駆動制御を行う制御部６７とを備えている。
通電検出センサ６６は、例えば電源３に取り付けられており、電源３のオン・オフ状態を検出した後、この検出結果を信号として制御部６７に出力するようになっている。
【００５８】
制御部６７は、通電検出センサ６６からの出力信号が入力される入力部４８と、この入力部４８に入力された信号に基づいて駆動部４５に駆動信号を出力する出力部６９とを有している。出力部６９は、電源３がオンのとき、２つの放熱板５，６を離間させる制御信号を、駆動部４５に出力する。また、電源３がオフのとき、２つの放熱板５，６を接近させる制御信号を出力する。
【００５９】
したがって、上述の第４参考例によれば、前述の第１参考例と同様の効果を奏することができる。
また、電源３のオン・オフに基づいて２つの放熱板５，６を接近・離間させるので、断続通電試験において、通電状態にして半導体パッケージ２の温度を上昇させる場合、通電状態開始時から放熱ユニット６４の放熱能力を低下させることができる。一方、非通電状態にして半導体パッケージ２を冷却する場合、非通電状態開始時から放熱ユニット６４の放熱能力を高めることができる。
このため、半導体パッケージ２の温度を速やかに上昇させたり、速やかに下降させたりすることができるので、さらに断続通電試験サイクルの時間を短縮することが可能になる。
【００６０】
なお、上述の第３参考例、および第４参考例では、２つの放熱板５，６の間に駆動部４５を設け、２つの放熱板５，６を接近・離間させる場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、一体化された放熱板５，６のうちの放熱板５と半導体パッケージ２との間に駆動部４５を設け、放熱板５と半導体パッケージ２とを接近・離間させるように構成してもよい。この場合、放熱板５に半導体パッケージ２が接近した状態で、この半導体パッケージ２と放熱板５とが互いに接触するように構成する。
例えば、前述の第２参考例に、第３参考例の断続通電試験装置３１、または第４参考例の断続通電試験装置６１を採用してもよい。すなわち、図５、図６に示す第２参考例のバイメタル２７に代わって、駆動部４５を設けるように構成してもよい。
【００６１】
また、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述の実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
例えば、上述の実施形態では、断続通電試験装置１，２１，３１，６１によって試験を行うための被試験モジュールが半導体パッケージ２であり、この半導体パッケージ２は、ヒートシンク９上に基板１０を載置し、さらに基板１０上に半導体チップ１１を実装したものを封止樹脂１２に樹脂封止したものである場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、被試験モジュールは、通電されることによって発熱する電子デバイスであればよい。
【００６２】
さらに、上述の実施形態では、放熱板５，６，２５は、例えばアルミにより板状に形成されたものである場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、放熱板５，６，２５は、半導体パッケージ２の発熱を放熱可能な部材で形成されていればよい。例えば、アルミに代わって銅などで放熱板５，６，２５を形成してもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１，２１，３１，６１  断続通電試験装置
２  半導体パッケージ
２ａ，２５ａ，２７ａ，２７ｂ  接触面（接触部）
３  電源
４，２４，３４，６４  放熱ユニット
５，６ ，２５  放熱板（放熱部材）
５ａ，６ａ  合わせ面（接触部）
７，２７  バイメタル
８  放熱グリス（グリス）
４５  駆動部
４６  温度センサ（検出部）
４７  制御部
４８，６８  入力部
４９  記憶部
５０  比較部
５１，６９  出力部
６６  通電検出センサ
Ｔ  閾値温度
Ｔ１  第１閾値温度（第１温度）
ｔ２  第２閾値温度（第２温度）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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