(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の一面または両面を、接着剤を使用することなく、前記一面または前記両面のそれぞれの面上に少なくとも２つ以上の互いに異なる表面処理領域が形成されるように、表面処理する段階；
前記支持体の前記少なくとも２つ以上の互いに異なる表面処理領域上に、架橋反応性基を有する透明シロキサン系列樹脂または有機樹脂にガラスフィラーが含浸または分散された透明複合体であるフレキシブルなガラスフィラー強化プラスチック基板を形成する段階；
前記ガラスフィラー強化プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階；及び、
前記薄膜パターンが形成された前記ガラスフィラー強化プラスチック基板を前記支持体から分離させる段階；を含むフレキシブル素子（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）の製作方法。
【請求項２】
前記支持体がガラスを含む請求項１に記載のフレキシブル素子の製作方法。
【請求項３】
前記互いに異なる表面処理領域は、プラズマ若しくはイオンビーム処理により形成される領域；または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂組成物の蒸着若しくは塗布により形成される領域；を含む請求項１に記載のフレキシブル素子の製作方法。
【請求項４】
前記表面処理は、プラズマ若しくはイオンビーム処理による支持体の表面改質、または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂または有機樹脂の薄膜コーティングによる支持体の表面改質を含む請求項１に記載のフレキシブル素子の製作方法。
【請求項５】
前記ガラスフィラーは、ガラスクロス（ｇｌａｓｓ ｃｌｏｔｈ）またはガラス織物（ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃ）、ガラス不織布（ｎｏｎｗｏｖｅｎ ｇｌａｓｓ  ｆａｂｒｉｃ）、ガラスメッシュ（ｍｅｓｈ）、ガラスビーズ（ｇｌａｓｓ ｂｅａｄｓ）、ガラスパウダー（ｇｌａｓｓ ｐｏｗｄｅｒ）、ガラスフレーク（ｇｌａｓｓ ｆｌａｋｅ）、チョップトガラス（ｃｈｏｐｐｅｄ ｇｌａｓｓ）、ミルドガラス（ｍｉｌｌｅｄ ｇｌａｓｓ）、ヒュームドシリカゾル（ｆｕｍｅｄ ｓｉｌｉｃａ ｓｏｌ）、コロイド状シリカ（ｃｏｌｌｏｉｄａｌ ｓｉｌｉｃａ）及びこれらの混合物から選択されることを使用する請求項１に記載のフレキシブル素子の製作方法。
【請求項６】
前記ガラスフィラー強化プラスチック基板を、架橋反応性シロキサン系列樹脂または架橋反応性有機樹脂をガラスフィラーに含浸させること、または、圧力を加えて表面を平坦化することによって形成する請求項１に記載のフレキシブル素子の製作方法。
【請求項７】
前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、平坦化及び／またはガスの遮断のために硬質塗布膜が塗布されている請求項１に記載のフレキシブル素子の製作方法。
【請求項８】
前記硬質塗布膜は、架橋性有機樹脂、無機ナノ粒子が分散された架橋性有機樹脂、無機膜、及びこれらの組み合わせのうち少なくとも一つ以上を含む請求項７に記載のフレキシブル素子の製作方法。
【請求項９】
前記薄膜パターンは、薄膜トランジスター（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、液晶表示素子（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、電気泳動表示素子（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、プラズマ表示素子（ｐｌａｓｍａｄｉｓｐｌａｙ）、タッチスクリーンパネル（ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）、太陽電池素子（ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、微細光学素子（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｖｉｃｅｓ）を含む請求項１に記載のフレキシブル素子の製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル素子を製作する方法に関し、より詳しくは、ディスプレイを含む電子、光電子、及びエネルギー素子をプラスチック基板上に安定的に製作することができ、支持体上に形成されるプラスチック基板が別途の分離工程無しに支持体から分離されやすくて容易に製作されることができるフレキシブル素子の製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、既存の平板ディスプレイを含む電子、光電子、及びエネルギー素子の親環境、省電力、小型化、軽量化、柔軟化を図るための技術開発の一環として、フレキシブル素子（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ）に対する研究が活発に進行されている。フレキシブル素子の具現のためにはフレキシブル基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）が使用されなければならない。一般的に、フレキシブル基板としては、薄膜型金属（ｍｅｔａｌ ｆｏｉｌ）、薄膜型ガラス板（ｕｌｔｒａ-ｔｈｉｎ ｇｌａｓｓ）、プラスチック、或いは高分子フィルム（ｐｌａｓｔｉｃ ｏｒ ｐｏｌｙｍｅｒ ｆｉｌｍ）が使われることができるが、特に、最近にはｒｏｌｌ-ｔｏ-ｒｏｌｌ工程及びインクジェット印刷技術（ｉｎｋ-ｊｅｔ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）への適用が容易で、コスト競争力に優れたプラスチック或いは高分子フィルムを使用するフレキシブル素子開発に対する研究が非常に活発に進行されている。しかし、このような時代的、技術的要求にもかかわらず、商用化及び大量生産のための安定的なフレキシブル素子の製作工程に対する研究は不十分なのが実情である。
【０００３】
ディスプレイを含む電子、光電子、及びエネルギー素子をプラスチックフィルム基板上に製作する方法としては、直接素子製作工程（ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｅｖｉｃｅｓ ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎｔｏ ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ ｐｌａｓｔｉｃ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ）、接着剤を用いた脱着工程（ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｅｖｉｃｅｓ ｏｎ ｐｌａｓｔｉｃ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｕｓｉｎｇ ａｄｈｅｓｉｖｅｓ）、素子転写製作工程（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｐｒｏｃｅｓｓ）、及びレーザーを用いた脱着工程（ｌａｓｅｒ ｒｅｌｅａｓｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）などが報告されている。直接素子製作工程の場合、支持体（ｃａｒｒｉｅｒ ｐｌａｔｅ）無しにプラスチック基板上に直接素子を製作する方式で、支持体の不在による工程上の操作（ｈａｎｄｌｉｎｇ）が難しく、プラスチック基板の変形が激しくて安定的な製作が難しいという短所がある。従って、最近にはガラス基板などを支持体とし、プラスチック或いは高分子フィルム基板を付着し、その上に素子を製作した後に分離してフレキシブル素子（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｅｖｉｃｅ ｂａｃｋｐｌａｎｅ）を得る工程方式が一般化されている傾向である。このような支持体を使用する方法としては、例えば、大韓民国公開特許公報１０-２００６-００２８５３７には接着剤を使用してプラスチック基板を支持体に接着させ、素子製作後に脱着する方法が開示されている。しかし、接着剤を用いた脱着工程の場合、支持体に接着剤或いは接着テープ（ｔａｐｅ）を使用して付着されたプラスチック基板上に素子を製作した後に有機溶媒を使用する等の方法によりフレキシブル素子を支持体から取り外す方式で、比較的安定的な素子の製作が可能であるが、残留接着剤による汚染（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）や有機溶媒の使用による追加的な分離工程の導入が不可避であるという短所を有する。一方、素子転写製作工程及びレーザーを用いた脱着工程としては、例えば、ＰＣＴ公開番号ＷＯ２００５/０５０７５４ Ａ１及びＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ、ＶＯＬ．４９、ＮＯ．８（２００２）には非晶質シリコン系の犠牲層（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ ｌａｙｅｒ）を使用してプラスチック基板を支持体に接着させ、素子製作後にレーザーを使用して脱着させる方法、及び類似方法を含む素子電子方法が各々開示されている。しかし、これらの方法の場合、プラスチック基板の接着役割をする非晶質シリコン系の犠牲層を導入しなければならない等、工程が複雑で、特に転写及び分離工程中にレーザーを使用すべきであるため収率が低く且つコストが高いという短所がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためのものであり、素子製作のための工程条件に適する耐火学性及び耐熱性などを備えたプラスチック基板を支持体上に形成し、素子製作が完了した後に支持体から容易に分離されることができるフレキシブル素子の製作方法を提供することをその目的とする。
【０００５】
また、本発明は、安定的な素子の製作のために低い熱膨張係数を有するプラスチック基板を使用し、前記プラスチック基板を支持体上に形成したり、或いは分離させるとき、接着剤またはレーザーなどを使用しないフレキシブル素子の製作方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるフレキシブル素子の製作方法は、前記言及された従来の技術とは差別されるものであり、支持体の一面または両面を、接着剤を使用することなく、前記一面または前記両面のそれぞれの面上に少なくとも２つ以上の互いに異なる表面処理領域が形成されるように、表面処理する段階；前記支持体の前記少なくとも２つ以上の互いに異なる表面処理領域上に、架橋反応性基を有する透明シロキサン系列樹脂または有機樹脂にガラスフィラーが含浸または分散された透明複合体であるフレキシブルなガラスフィラー強化プラスチック基板を形成する段階；前記ガラスフィラー強化プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階；及び前記薄膜パターンが形成された前記ガラスフィラー強化プラスチック基板を前記支持体から分離させる段階；を含む。
【０００７】
以下、図面を参考して本発明のフレキシブル素子の製作方法を詳細に説明する。図１に示すように、本発明によるフレキシブル素子の製作方法は、下記の通りである。
【０００８】
（Ａ）支持体１を必要な大きさに切断した後、（Ｂ）前記支持体１の一面または両面を、同一面上に互いに異なる表面処理領域２、２’、２''を有するように表面処理する。（Ｃ）前記表面処理された支持体上にガラスフィラー強化プラスチック基板３を形成する。（Ｄ）前記ガラスフィラー強化プラスチック基板３上に薄膜パターン４を形成し、（Ｅ）前記薄膜パターン４が形成されたガラスフィラー強化プラスチック基板３を支持体１から分離する。
【０００９】
前記支持体としてはガラスを使用するのが好ましく、必ずしもこれに限定されない。
【００１０】
前記（Ｂ）で、互いに異なる表面処理領域は、プラズマ若しくはイオンビーム処理により形成される領域；または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂組成物の蒸着若しくは塗布により形成される領域；を含み、図１の（Ｂ）に示すように、２、２’、２''の形態を含む。
【００１１】
このとき、前記支持体上に互いに異なる表面処理領域を有するように、一部面を相違に表面処理したり、或いはパターンが形成されることができるように表面処理することは、支持体上に形成されるプラスチック基板が容易に分離されることができるようにするためのことであり、２’、２''の形態がより好ましい。
【００１２】
前記支持体の表面処理は、プラズマ若しくはイオンビーム処理による支持体の表面改質、または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂または有機樹脂の薄膜コーティングによる支持体の表面改質を含む。即ち、支持体の表面をプラズマ若しくはイオンビーム処理したり、或いは有機シラン若しくは有機シラザンを表面に蒸着したり、或いはシロキサン樹脂を含む有機樹脂をコーティングして薄膜を形成することであり、ガラスフィラー強化プラスチック基板形成に使われる樹脂と異なる有機官能基を有する有機樹脂コーティングを含むことができる。これは支持体とガラスフィラー強化プラスチック基板との間の強い直接的な物理的または化学的結合を緩衝する役割をすることによって、従来の接着剤を使用する技術とは差別される。
【００１３】
このとき、前記表面処理は、支持体の全面或いは一部面に一定のパターンを有する形態であり、例えば、支持体の四つの辺に一定の幅を有する領域に選択的にすることができ、この場合、前記言及された表面処理のうち少なくとも一つ以上が混合的に適用されることができる。
【００１４】
前記表面処理に使われる有機シラン及び有機シラザンとしては、３-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ-ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどが使われることができる。
【００１５】
また、前記表面処理に使われる有機樹脂としては、３，４-ジヒドロキシフェニル-Ｌ-アラニン、メタクリル、アクリル、エポキシ、ビニル、アミンなどを含む樹脂が使われることができる。
【００１６】
前記（Ｃ）で、前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、架橋反応性基を有する透明シロキサン系列樹脂または有機樹脂にガラスフィラー（ｇｌａｓｓ ｆｉｌｌｅｒ）が含浸または分散された透明複合体を有するものであり、熱硬化触媒または光硬化触媒により架橋されて支持体上に形成されることができ、このとき、表面を平坦化するために圧力を加えて形成することができる。このように、特別にガラスフィラー強化プラスチック基板を使用すると、熱膨張係数を低くすることができ、可撓性を向上させることができ、機械的及び熱的安定性を向上させることができるため好ましい。
【００１７】
前記ガラスフィラーは、ガラスクロス（ｇｌａｓｓ ｃｒｏｓｓ）またはガラス織物（ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃ）、ガラス不織布（ｎｏｎｗｏｖｅｎ ｇｌａｓｓ  ｆａｂｒｉｃ）、ガラスメッシュ（ｍｅｓｈ）、ガラスビーズ（ｇｌａｓｓ ｂｅａｄｓ）、ガラスパウダー（ｇｌａｓｓ ｐｏｗｄｅｒ）、ガラスフレーク（ｇｌａｓｓ ｆｌａｋｅ）、チョップトガラス（ｃｈｏｐｐｅｄ ｇｌａｓｓ）、ミルドガラス（ｍｉｌｌｅｄ ｇｌａｓｓ）、ヒュームドシリカゾル（ｆｕｍｅｄ ｓｉｌｉｃａ ｓｏｌ）、コロイド状シリカ（ｃｏｌｌｏｉｄａｌ ｓｉｌｉｃａ）及びこれらの混合物から選択されることができる。
【００１８】
このとき、ガラス織物を使用する場合、ガラスフィラー強化プラスチック基板の厚さは、ガラス織物の厚さ、数量、含浸される樹脂の量、及び平坦化のために加えられる圧力の強度などにより決定されることができる。
【００１９】
また、前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、平坦化及び／またはガス・水分の遮断、物理的及び化学的損傷防止のために硬質塗布膜が形成されることができる。
【００２０】
前記塗布膜は、架橋性有機樹脂、無機ナノ粒子が分散された架橋性有機樹脂、無機膜のうち少なくとも一つ以上を含む形態である。前記塗布膜は、メタクリル、アクリル、及びエポキシ樹脂などから選択されることができ、前記無機膜は、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を含むことができるが、必ずしもこれに限定されない。
【００２１】
前記（Ｄ）で、薄膜パターンは、例えば、薄膜トランジスター（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、液晶表示素子（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）、電気泳動表示素子（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、プラズマ表示素子（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ）、タッチスクリーンパネル（ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）、太陽電池素子（ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、微細光学素子（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｖｉｃｅｓ）などを含むことができる。
【００２２】
前記本発明によって、（Ｅ）で、従来レーザーの照射またはウェットエッチング（ｗｅｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）を含む溶媒使用などの分離工程を追加することなく、薄膜パターンが形成されたガラスフィラー強化プラスチック基板を支持体から容易に分離することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上で説明した通り、本発明によるフレキシブル素子の製作方法は、支持体の表面処理を用いて素子が製作されたガラスフィラー強化プラスチック基板を支持体から簡単に分離することができるため、フレキシブル素子をより容易に製作することができるという長所がある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明によるフレキシブル素子の製作方法の一態様である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
【００２６】
ただし、下記実施例は例示に過ぎず、本発明の内容は下記実施例により限定されない。
【００２７】
＜実施例１＞
ガラス基板を１０×１０ｃｍの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅１ｃｍの領域を除いた残りの中央領域には１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ-ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを蒸着処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ５０μｍのＥ-ｇｌａｓｓガラス織物（ｇｌａｓｓ-ｆａｂｒｉｃ、Ｎｉｔｔｏｂｏ社、Ｊａｐａｎ）を位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂（ＭＤ或いはＨＭＤ Ｈｙｂｒｉｍｅｒ、ＫＡＩＳＴ、Ｋｏｒｅａ）を塗布して含浸させた。次に、圧力を加えながら窒素雰囲気下で３６５ｎｍ波長の紫外線に５分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法（ＡＬＤ；ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びＲＦスパッタリング法（ＲＦ-ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）により１５０℃で酸化物半導体薄膜トランジスター（ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。
【００２８】
＜実施例２＞
ガラス基板を１０×１０ｃｍの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅１ｃｍの領域を除いた残りの中央領域にはエポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂（ＥＤ Ｈｙｂｒｉｍｅｒ、ＫＡＩＳＴ、Ｋｏｒｅａ）を薄膜コーティングして表面処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ２５μｍのＥ-ｇｌａｓｓガラス織物（ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃ、Ｎｉｔｔｏｂｏ社、Ｊａｐａｎ）を２枚重ねて位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂（ＭＤ或いはＨＭＤ Ｈｙｂｒｉｍｅｒ、ＫＡＩＳＴ、Ｋｏｒｅａ）を塗布して含浸させた。次に、圧力を加えながら３６５ｎｍ波長の紫外線に５分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法（ＡＬＤ；ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びＲＦスパッタリング法（ＲＦ-ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）により１５０℃で酸化物半導体薄膜トランジスター（ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。
【００２９】
＜実施例３＞
ガラス基板を１０×１０ｃｍの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅１ｃｍの領域にはポリドーパミン水溶液樹脂を薄膜コーティングして表面処理し、これを除いた残りの中央領域には１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ-ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを蒸着処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ２５μｍのＥ-ｇｌａｓｓガラス織物（ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃ、Ｎｉｔｔｏｂｏ社、Ｊａｐａｎ）を２枚重ねて位置させ、エポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂（ＥＤ Ｈｙｂｒｉｍｅｒ、ＫＡＩＳＴ、Ｋｏｒｅａ）を塗布して含浸させた。次に、３６５ｎｍ波長の紫外線に５分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法（ＡＬＤ；ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びＲＦスパッタリング法（ＲＦ-ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）により１５０℃で酸化物半導体薄膜トランジスター（ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。
【００３０】
＜実施例４＞
ガラス基板を１０×１０ｃｍの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅１ｃｍの領域を除いた残りの中央領域にはエポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂を薄膜コーティングして表面処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ２５μｍのＥ-ｇｌａｓｓガラス織物（ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃ、Ｎｉｔｔｏｂｏ社、Ｊａｐａｎ）を２枚重ねて位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂（ＭＤ或いはＨＭＤ Ｈｙｂｒｉｍｅｒ、ＫＡＩＳＴ、Ｋｏｒｅａ）を塗布して含浸させた。次に、３６５ｎｍ波長の紫外線に５分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上にｐｈｏｔｏ-ＣＶＤ（ｐｈｏｔｏ-ａｓｓｉｓｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、及びＲＦ-ＰＥＣＶＤ（ｒｆ-ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により２５０℃で非晶質シリコン薄膜太陽電池（ａ-Ｓｉ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）を製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。前記実施例１〜４のフレキシブル素子は、支持体上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板が容易に分離されることを確認することができた。
【符号の説明】
【００３１】
１  支持体
２、２’、２''  表面処理された領域
３  ガラスフィラー強化プラスチック基板
４  薄膜パターン
【図１】
0005799459.tif 000002