(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が配置された有効領域と前記有効領域の外側の領域となる周辺領域とを有する照明装置であって、
前記有効領域と前記周辺領域とに形成された第１電極と、
前記有効領域と前記周辺領域とに形成され第２電極と、
前記有効領域に配置され、前記第１電極と前記第２電極とに挟まれた発光層と、
前記周辺領域に形成され、前記周辺領域にて前記第１電極と前記第２電極とを絶縁する絶縁層と、
前記第２電極に電気的に接続された補助電極と、
を備え、
前記絶縁膜は内側端部と外側端部とを有し、前記内側端部が前記有効領域と前記周辺領域との境界となっており、
前記周辺領域にて、前記第２電極の端部は前記補助電極の端部と前記絶縁層の外側端部とよりも内側に位置する事を特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は、前記周辺領域にて前記第１電極の上面と前記第１電極の端面とを覆う事を特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記絶縁層の外側端部は前記第２電極の端部と前記補助電極の端部との間に位置する事を特徴とする請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記補助電極は、平面視で第１の方向に沿ったストライプ状の複数の個別電極であり、前記有効領域と前記周辺領域とにまたがって形成されている事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記複数の個別電極を互いに接続する第２電極用電源線が、前記周辺領域に、更に形成されている事を特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記絶縁層の外側端部は第２電極用電源線の内側端部よりも内側に形成されており、前記補助電極と前記第２電極用電源線とは、前記絶縁層の外側端部の外側の領域にて、接続される事を特徴とする請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
前記第２電極用電源線は、前記第１の方向と交差する方向に延在している事を特徴とする請求項５又は６に記載の照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ（Electro luminescence）ともいう）素子などの発光素子を用いた照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上の有効領域に複数の発光素子が配列され、有効領域を囲む周辺領域に各種配線等が配置された発光装置が知られている。各発光素子は、第１電極と第２電極の間に挟まれ、例えば有機ＥＬ材料などの発光材料で形成される発光層を有する。多くの場合、この第２電極は複数の発光素子に共通して設けられた共通電極であり、上記有効領域全体にわたって設けられる。
しかしながら、電極自体が有する抵抗により電極の面内において電圧降下が発生し、基板における位置によって発光素子に供給される電位がばらついて発光素子の輝度が位置によってばらつくおそれがある。そこで、従来から、共通電極よりも低抵抗の材料で形成され共通電極と電気的に接続された補助電極を設け、共通電極の抵抗を下げることが行われている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５２９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のような発光素子を用いた照明装置は、特許文献１に記載されたような発光装置に比べて大きな発光面積を有するものが多い。従って、照明装置において補助陰極をパターニングする場合、従来の発光装置用の蒸着マスクに比べて大きな蒸着マスクを使用する。
補助電極の製造について図を用いて以下に説明する。図８は従来の補助電極の製造方法を示す簡略図である。（ａ）は、基板１０に蒸着マスク３００を用いて補助電極１５０を形成する図であり、（ｂ）は、基板１０に蒸着マスク３０１を用いて補助電極１５０を形成する図である。
【０００５】
図８（ａ）に示すように、大きな蒸着マスク３００を使用する場合、補助電極１５０の蒸着時に熱によるたわみや、蒸着マスク３００を作製する際のマスクの加工精度の面内分布によって、複数の補助電極１５０のそれぞれの線幅（Ｔ１およびＴ２）のばらつきが生じ易い。このため複数の補助電極１５０自身が有する抵抗によりそれぞれの補助電極１５０の抵抗値ばらつく。その結果発光素子に電流を流して点灯させた場合、複数の補助電極１５０の電圧降下量のばらつきによって複数の補助電極１５０に接続されたそれぞれの発光素子に流れる電流が異なってしまう。このため、発光素子の輝度が照明装置の面内の位置によってばらつくおそれがある。
そこで、従来から、図８（ｂ）に示すように、前記蒸着マスク３００よりも小さい蒸着マスク３０１を複数回使用してライン状の補助電極１５０を形成することが行われてきた。
この場合、ライン状の補助電極１５０のつなぎ目部Ｃにおいて、蒸着マスク３０１の位置合わせずれによる補助電極１５０の断線や細りが発生しないように、前記蒸着マスク３００を使用する場合に比べて精密な位置合わせができる機構が用いられる。
【０００６】
これに対し、共通電極は有効領域全体を覆う領域に一様に形成される。よって、補助電極１５０と比較して、位置合わせにおける誤差が許容され得る。よって、補助電極１５０よりも共通電極の位置合わせの誤差が問題となる。したがって、共通電極の誤差を吸収可能なように基板上において周辺領域の幅（いわゆる、「額縁領域」）を十分に確保することが望ましく、装置の小型化の妨げとなっていた。
【０００７】
また、図には示さないが、前記第１電極と共通電極および補助電極との間に絶縁層を設けて、共通電極および補助電極を第１電極から絶縁する。ところが、絶縁層が段差を含む場合には、その段差と重なる上層部分で電極に断線や亀裂が生じるおそれがある。断線や亀裂が生じた箇所では電極の抵抗値が増加するので、発光素子の輝度ムラが顕著となる。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、照明装置の額縁領域を縮小するとともに、発光素子の輝度ムラを抑制するこが可能な照明装置を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するため、以下の形態、または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例の照明装置は、基板上の発光素子が配置された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有し、前記発光素子は第１電極と第２電極と両者の間にある発光層とを有する照明装置であって、前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、前記第１電極の上層に配置されるとともに、前記第２電極および前記補助電極よりも下層に配置される部分を有する絶縁層と、を有し、前記第２電極は、前記有効領域を覆うとともに、前記周辺領域と重なるように形成され、前記補助電極は、前記周辺領域の一部に形成され、前記周辺領域において、前記第２電極の端は、前記基板の面内において前記補助電極の端および前記絶縁層の端の各々よりも内側に位置することを特徴とする。
【００１０】
本発明の照明装置においては、補助電極の端は共通電極の端よりも外側に配置される。また、補助電極は、小さいマスクを複数回使用してライン状の補助電極を形成される。このため、高精度な位置合わせ機構を用いて形成されるのが望ましい。これに対し、共通電極は有効領域全体を覆う領域と重なるように形成されるから、共通電極の形成に際しては、位置合わせ精度が補助電極ほど要求されない。すなわち、補助電極は共通電極よりも小さな誤差で形成される場合が多い。
よって、本発明によれば、共通電極の端を補助陰極の端よりも外側に配置する構成と比較して、補助電極の誤差に応じて額縁領域を縮小することができ、装置の小型化が可能となる。そして、補助電極は、第２電極よりも抵抗が低くなるように構成される。特に、補助電極は、第２電極よりも低抵抗の材料で形成されることが好ましい。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に記載の照明装置では、前記第２電極は、前記補助電極の下層に配置されることを特徴とする。
【００１２】
共通電極は、脆い材料で形成されたり、あるいは薄く形成されたりすることが多いので、絶縁層の端の段差の影響で共通電極に断線または亀裂が生じることがある。しかしながら、本発明においては、共通電極の端は絶縁層の端よりも内側に配置されるから、共通電極における断線や亀裂が防止される。よって、断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子の輝度ムラを抑制することが可能である。本発明の好適な態様において、前記第２電極は、前記補助電極の下層に配置されるのが好ましい。この態様によれば、補助電極の膜厚を厚くできるので補助電極自身の抵抗をより下げられるので輝度ムラを抑制することができる。
【００１３】
［適用例３］本適用例の照明装置は、基板上の発光素子が配置された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有する照明装置であって、前記発光素子に対応して設けられた第１電極と、前記発光素子に共通に設けられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する発光層と、前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、前記第２電極または前記補助電極と前記第１電極との間を絶縁する絶縁層と、を備え、前記第２電極は、前記有効領域全体と前記周辺領域の少なくとも一部とを含む第１の領域に設けられており、前記絶縁層は、前記有効領域全体において前記第１の領域と重なり、前記周辺領域において前記第１の領域よりも第１の方向にはり出した第２の領域に設けられており、前記補助電極は、前記周辺領域において、前記第１の領域の内側と前記第１の領域の外側であって且つ前記第２の領域の内側である領域とを通り前記第２の領域の外側に至るように設けられていることを特徴とする。
【００１４】
上記の照明装置において、補助電極は、共通電極が設けられた第１の領域よりも外側の領域にも設けられる。よって、補助電極の端は共通電極の端よりも外側に配置される。また、補助電極の形成には高精度な位置合わせ機構を用いられる。これに対し、共通電極は有効領域全体を覆う領域に一様に形成されるから、共通電極の形成に際しては位置合わせ精度が補助電極ほど要求されない。よって、補助電極の誤差は共通電極よりも小さいので、本発明によれば、共通電極の端を補助陰極の端よりも外側に配置する構成と比較して、補助電極の誤差に応じて額縁領域を縮小することができ、装置の小型化が可能となる。
【００１５】
さらに、上記の照明装置では、共通電極が設けられた第１の領域は、絶縁層が設けられる第２の領域よりも内側に配置される。よって、絶縁層の端と共通電極とが重なる部分において、共通電極における断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子の輝度ムラを抑制することが可能である。
【００１６】
［適用例４］上記適用例３に記載の照明装置において、前記補助電極は、前記有効領域の内側から外側に至るように、第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極を有することを特徴とする。
【００１７】
［適用例５］上記適用例４に記載の照明装置において、前記周辺領域において前記複数の個別電極を互いに接続する接続電極をさらに有することを特徴とする。
【００１８】
［適用例６］上記適用例５に記載の照明装置において、前記絶縁層の前記第１の方向における端が、前記接続電極と重なるように前記接続電極を配置したことを特徴とする。
【００１９】
［適用例７］上記適用例３乃至６のいずれかに記載の照明装置において、前記第２電極に電位を供給するための第２電極用電源線が、前記第１の方向と交差するように前記周辺領域に設けられており、前記第２電極用電源線は、前記補助電極と電気的に接続されることを特徴とする。
【００２０】
［適用例８］上記適用例に記載の照明装置において、前記第２電極用電源線は、前記第１の領域の外側に設けられたことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る照明装置の構成の一部を示す概略平面図である。
【図２】図１の照明装置におけるＤ−Ｄ’線の部分断面図である。
【図３】比較例において、共通電極に亀裂が生じた様子を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る照明装置の部分断面図である。
【図５】本発明の変形例に係る照明装置の部分簡略断面図である。
【図６】本発明の変形例に係る照明装置の部分簡略断面図である。
【図７】本発明の変形例に係る照明装置のレイアウトの概略である。
【図８】従来の補助電極の製造方法を示す簡略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜Ａ−１：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る照明装置１の構成の一部を示す概略平面図である。図１に示すように、この照明装置１は、基板１０とフレキシブル基板２０とを備える。基板１０の端部には接続端子が形成され、この接続端子とフレキシブル基板２０に形成された接続端子とが、ＡＣＦ（anisotropic  conductive  film：異方性導電膜）と呼ばれる導電粒子を含有したフィルム状の接着剤を介して圧着固定される。また、フレキシブル基板２０には、電源回路２００が設けられており、さらに、フレキシブル基板２０を介して各種の電源電圧が基板１０に供給される。
【００２３】
基板１０には、有効領域Ａと、その外側（つまり基板１０もしくは基板１０の外周と有効領域Ａとの間）の周辺領域Ｂが設けられている。周辺領域Ｂには第１電極７６および第２電極（不図示）を絶縁する絶縁層３５の端や、共通電極７２の端や、第２電極用電源線１４０を配置する。
【００２４】
有効領域Ａには、ＯＬＥＤ（organic  light  emitting  diode）素子を含み、第１電極７６および共通電極７２および補助電極１５０から給電を受ける。
【００２５】
また、図１に示すように、周辺領域Ｂの外周部側（つまり基板１０もしくは基板１０の外周と周辺領域Ｂの間）には、第２電極用電源線１４０が形成されている。第２電極用電源線１４０は、後述するように発光素子の第２電極（陰極）に電源電圧（この例では、Ｖｓｓ：グランドレベル）を供給するための配線である。
【００２６】
発光素子７０は、第１電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層を含む）７４を有する（図２参照）。共通電極７２は、図１に示すように有効領域Ａ全体と周辺領域Ｂの一部にわたる領域（第１の領域）に形成される。また、共通電極７２と第２電極用電源線１４０とを接続する補助電極１５０が、周辺領域Ｂにおいて接続される。本明細書でいう補助電極とは、共通電極７２に重ねて電気的に接続され、共通電極７２の抵抗を下げる導体のことである。
【００２７】
この実施形態の照明装置１は、トップエミッションの形式で構成されており、発光機能層７４からの光が共通電極７２を通過して射出される。共通電極７２は、透明材料から形成されている。一方、上述した補助電極１５０には、導電性を有する金属が用いられる。
【００２８】
図２は、図１の照明装置１におけるＤ−Ｄ’線の部分断面図を示す。絶縁層３５は、第１電極７６、ならびに第２電極用電源線１４０と、補助電極１５０、あるいは共通電極７２との間に設けられ、これらを絶縁する役目を果たす。この絶縁層３５は、有効領域Ａ全体において上述の第１の領域（共通電極７２が形成される領域）と重なり、周辺領域Ｂにおいて第１の領域よりも第１の方向にはり出した第２の領域に設けられる。
詳細には、本実施形態においては、図１において、基板１０の４辺のうち第２電極用電源線１４０が配設された左右両辺においては、第２の領域は第１の領域よりも基板１０の面内における外側方向に突出している。図２に示すように、説明の簡易のため下地保護層（図示せず）や第２電極用電源線１４０の上に形成する保護絶縁層（図示せず）を含め素子層３０として纏めて示す。この素子層３０内の上層部には、第２電極用電源線１４０が形成されており、上述したように、第２電極用電源線１４０の上面は上層の電極とのコンタクト領域として機能する。
【００２９】
絶縁層３５の材料には、例えば、アクリル系、ポリイミド系の有機高分子材料が用いられる。この場合、有機樹脂にパターニングのための感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。あるいは、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料から化学気相成長法（chemical vapor deposition：CVD）により絶縁層３５を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよい。無機材料は化学気相成長法によって膜を形成した場合、その膜厚は１μｍ以下であり、しかもほぼ一様であるから、上面が下層の凹凸の影響を受けやすいのに対し、有機樹脂はコーティングによって形成するのでその膜厚を２〜３μｍ程度に大きくでき、しかもその上面は下層の凹凸の影響を受け難いので絶縁層３５の材料に適している。尤も、ある程度の凹凸を許容するのであれば、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料を絶縁層３５に用いることもできる。以上のように、絶縁層は所定の膜厚が必要であるため、周辺領域に段差を発生させることがある。
【００３０】
絶縁層３５上には、共通電極７２および補助電極１５０を形成する。この実施形態における第１電極７６は発光素子７０の陽極である。また、陽極である第１電極７６の材料としては、仕事関数が大きい材料が望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれらの合金が好適である。これらの材料は反射性を持つので、発光機能層７４で発光した光を共通電極７２に向けて反射する。この場合には、補助電極１５０もこれらの材料から形成される。
【００３１】
また、第１電極７６としては、仕事関数が高いＩＴＯ（indium  tin  oxide）、ＩＺＯ（indium  zinc  oxide）、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料からなる光透過性、導電性を備えた第１層と、反射性の金属、例えばアルミニウムからなる第２層とを含み、発光機能層７４側に第１層が設けられる構成であってもよい。
【００３２】
補助電極１５０は、有効領域Ａにおいてストライプ状に形成され、周辺領域Ｂにおいては絶縁層３５が形成された第２の領域が、共通電極７２が形成された第１の領域よりもはみ出した側（本実施形態では基板１０の左右両辺側）において、第１の領域の内側と第１の領域の外側であって、且つ第２の領域の内側である領域とを通り第２の領域の外側に至るように形成される。補助電極１５０は、周辺領域Ｂにおいて、絶縁層３５に形成されたコンタクトホールを介して第２電極用電源線１４０と接続される。
【００３３】
次に、第１電極７６の上に、少なくとも発光層を含む発光機能層７４を形成する。発光層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材料であっても良いし、高分子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
【００３４】
次に、有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって補助電極１５０および発光機能層７４を覆うように、共通電極７２（第２電極）が形成される。共通電極７２は透光性であり、発光素子７０からの光は、共通電極７２を透過して図中上側の方向に射出される。この実施形態の共通電極７２をすべての発光素子７０の陰極として機能させるため、共通電極７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。
例えば、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やそれらの合金である。また、この合金は仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望ましい。例えば、マグネシウムと銀の合金が好適である。これらの金属または合金を共通電極７２に使用する場合には、透光性を得るために厚さを小さくすればよい。
【００３５】
また、共通電極７２（第２電極）は、上記の仕事関数が低い材料、もしくは、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からなる第１層と、ＩＴＯ（indium  tin  oxide）、ＩＺＯ（indium  zinc  oxide）、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料からなる光透過性、導電性を備えた第２層とを含み、発光機能層側に第１層が設けられる構成であってもよい。ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料は緻密な素材であり、ガス透過率が低い。このような材料で共通電極７２を形成すれば、共通電極７２が有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって形成されているため、有効領域Ａの発光機能層７４が外気から保護され、これらの劣化が抑制される。このように、共通電極７２（第２電極）が上記の第２層を含む構成であれば、第１層を構成する材料と比して光透過性、導電性が優れているため、共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができるとともに、発光機能層からの光取り出し効率を向上させることができる。また、共通電極７２（第２電極）が、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、上記の酸化導電材料からなる第２層とを含んで構成することにより、第１層と第２層が反応し、電子注入効率が劣化するのを防止することができる。
【００３６】
次に、共通電極７２および補助電極１５０を覆うように封止膜８０が形成される。封止膜８０には、例えば、透明度が高く防湿性が良好な酸窒化珪素、酸化珪素などのガス透過率が低い無機材料が用いられる。基板１０の外端縁には封止膜８０が形成されず、この外端縁においては、基板１０の上にシール９０が接合され、その上部に透明封止基板（対向基板）１１０が接合される。シール９０は、例えば、接着剤でもよいし、対向基板１１０を保持するためのスペーサーを接着剤で接合してもよい。
【００３７】
図２に示されるように、第２電極用電源線１４０の上層には絶縁層３５が形成され、絶縁層３５の端Ｅ２は、第２電極用電源線１４０のコンタクト領域の内側の端Ｅ３よりもさらに内側である。絶縁層３５の上面と、素子層３０の上面のうち絶縁層３５の端Ｅ２と端Ｅ３とに挟まれる領域およびコンタクト領域とには、補助電極１５０が形成される。
これにより、補助電極１５０は、第２電極用電源線１４０と接して重なり、第２電極用電源線１４０と電気的に接続される。図示の例においては、補助電極１５０の端Ｅ４はコンタクト領域の外側の端と一致しているが、一致している必要はなく、補助電極１５０がコンタクト領域を覆うように形成されていればよい。すなわち補助電極の端Ｅ４はコンタクト領域の外側の端よりもさらに外側に位置する構成としてもよい。
なお、本明細書において、「内側」「外側」とは基板１０の端Ｅ５を基準とした場合の基板面内における相対位置を示す。よって、例えば、「端Ｅ１は、端Ｅ２よりも内側である」とは、端Ｅ１と基板１０の端Ｅ５との距離は、端Ｅ２と端Ｅ５との距離よりも長いことを示す。
【００３８】
補助電極１５０の上には、共通電極７２が形成される。共通電極７２の端Ｅ１は絶縁層３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。また、補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも外側に位置するよう形成される。なお、上述したように、第１電極７６および第２電極用電源線１４０が形成され、次いで発光機能層７４が形成され、補助電極１５０が形成された後に、発光機能層７４を覆うように、共通電極７２が形成される。
【００３９】
上述したように、補助電極１５０には導電性を有する金属が用いられる。補助電極１５０は前述のように、補助電極１５０同士のつなぎ目において断線や他の補助電極幅よりも細くならないよう、高精度なアライメント機構を用いて形成されることが望ましい。
これに対し、共通電極７２は、透明材料から形成されるため、有効領域Ａにおいて発光素子７０を覆うように有効領域Ａ内において一様に形成されている。このため、共通電極７２は、補助電極１５０の形成に用いるアライメント機構よりも精度が低いものを用いても形成することが可能である。ところが、精度の低いアライメント機構を用いて共通電極７２が形成された場合、共通電極７２の端Ｅ１の位置が変動するおそれがある。
【００４０】
例えば、共通電極７２の端Ｅ１の位置の誤差の範囲をｔ１とし、補助電極１５０の端Ｅ４の位置の誤差の範囲をｔ２とする。補助電極１５０に対して精度がより高いアライメント機構を用いた場合、ｔ１＞ｔ２となる。また、補助電極１５０の形成に必要とされる程度の精度を有する単一のアライメント機構を補助電極１５０と共通電極７２の両方に対して用いた場合には、おおよそｔ１＝ｔ２となる。
よって、補助電極１５０の誤差ｔ２が共通電極７２の誤差よりも大きくなる可能性は低く、仮に、後者の場合においてｔ１＜ｔ２となったとしても、高精度のアライメント機構を用いているので、ｔ１の誤差はさほど問題とならない。そこで、本実施形態においては、補助電極１５０の端Ｅ４が共通電極７２の端Ｅ１よりも外側に位置するように構成する。
【００４１】
この構成によれば、補助電極１５０の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ４max（端Ｅ４が基板１０の端Ｅ５側に最も近づいた場合の位置）から端Ｅ５までの距離を考慮して、周辺領域Ｂの幅（すなわち、「額縁領域」）を決定することができる。よって、より大きな誤差が許容される共通電極７２の端Ｅ１を補助電極１５０の端Ｅ４よりも外側に配置する場合と比較して、額縁領域を縮小することが可能となる。すなわち、共通電極７２の形成に用いられるアライメント機構の精度が額縁領域の幅に与える影響を低減することが可能となる。なお、共通電極７２の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ１maxが、補助電極１５０の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ４maxよりも内側となるように、端Ｅ２および端Ｅ４の基準位置（誤差がない場合の位置）を定めることが望ましい。
【００４２】
図３に、比較例として、共通電極７２が絶縁層３５の端Ｅ２に重なって形成された場合を示す。図３に示されるように、この比較例においては、共通電極７２の端Ｅ１は、絶縁層３５の端Ｅ２よりも外側に配置されている。上述したように、絶縁層３５は、下層の凸凹を平坦化するために厚く形成されることが多い。よって、絶縁層３５の端Ｅ２は大きな段差となる。
これに対し、共通電極７２は、例えば、ＩＴＯなどの薄膜材料で形成される。このため、比較例に示す構成においては、絶縁層３５の端Ｅ２の段差の影響で、共通電極７２に図３に示すような亀裂Ｉが生じることがある。亀裂Ｉが生じると、亀裂部分で抵抗値が増加するため、亀裂Ｉが生じた部分と亀裂Ｉが生じていない部分で流れる電流値が異なり電圧降下量が異なってしまう。
しかしながら、本実施形態においては、共通電極７２の端Ｅ１は絶縁層３５の端Ｅ２よりも内側に配置されるから、共通電極７２における断線や亀裂が防止される。よって、断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子７０の輝度ムラを抑制することが可能である。
【００４３】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る照明装置について説明する。図４に示す照明装置２Ａにおいて、補助電極１５０は共通電極７２の上に面接触するように形成され、補助電極１５０および共通電極７２を覆うように封止膜８０が形成される。照明装置２Ａは、共通電極７２が補助電極１５０の下層に形成される点を除いて第１実施形態の照明装置１（図３）と同様である。よって、その説明を適宜省略する。
【００４４】
照明装置２Ａの製造工程の概略は、以下の通りである。
第１電極７６および第２電極用電源線１４０を形成する。この後、第１電極７６の上層に絶縁層３５を形成し、第１電極７６上の空間に発光機能層７４を形成する。さらに、透明な共通電極７２を有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって形成する。この後、補助電極１５０を形成し、封止膜８０が形成される。
但し、基板１０の外端縁には封止膜８０は形成されず、この外端縁においては、基板１０の上にシール９０が接合され、その上部に透明封止基板１１０が接合される。
【００４５】
図４に示されるように、照明装置２Ａにおいては、共通電極７２の端Ｅ１は、絶縁層３５の端Ｅ２よりも内側に形成され、補助電極１５０の端Ｅ４よりも内側に形成される。よって、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。
ところで、図３のように補助電極１５０を成膜してから共通電極７２を成膜する場合、補助電極１５０の膜厚を共通電極７２よりも厚くしすぎると共通電極７２が断線するおそれがある。
図４に示すように、共通電極７２を成膜した後に補助電極１５０を成膜するので、共通電極７２が補助電極１５０の段差で断線することがなく、図３の構成に比べて補助電極１５０を厚く成膜できる。したがって、図３の構成よりも補助電極１５０の抵抗を下げることができるので輝度むらを低減できる。
【００４６】
＜Ｃ：変形例＞
（１）上記第１および第２実施形態においては、共通電極７２または補助電極１５０の上層を封止膜８０で覆うことにより、素子層３０、第２電極用電源線１４０、絶縁層３５、共通電極７２、補助電極１５０を含む層構造を外気から保護する構成としていたが、封止膜８０を省く構成としてもよい。
図５に本変形例に係る照明装置１Ｃの簡略断面図を示す。図５に示されるように、照明装置１Ｃにおいては、封止膜８０が設けられておらず、シール９０と対向基板１１０により、基板１０上に形成された層構造を保護している。なお、対向基板１１０の内側に、水分を吸着するための乾燥剤（図示略）を配置したり、あるいは対向基板１１０自体に乾燥剤を埋め込んだものを用いたりする構成としてもよい。また、対向基板１１０とシール９０の替わりに封止缶を用いてもよい。
図６に本変形例に係る別の照明装置１Ｄの簡略断面図を示す。図６に示されるように、照明装置１Ｄにおいては、対向基板１１０と、基板１０の上に形成された層構造と、の間に防湿性充填材６５を充填することにより、層構造を外気から保護している。防湿性充填材６５としては光透過性で低吸湿のものが望ましく、エポキシ系、またはウレタン系接着剤等を用いることができる。
【００４７】
図７に、照明装置の他のレイアウト例を示す。図７に示されるように、照明装置３Ａにおいては、第２電極用電源線１４０がコの字状に配設される。さらに、第２電極用電源線１４０の内側には第１電極用電源線１３０がコの字状に配設される。
【００４８】
図示のように、絶縁層３５は、有効領域Ａ全体と、第１電極用電源線１３０の一部を覆うように形成される。共通電極７２は、絶縁層３５とほぼ同じ部分を覆い、且つ、共通電極７２の四辺の各端において絶縁層３５の対応する端よりも内側となるように形成される。よって、本変形例においては、基板１０のすべての辺側において、絶縁層３５が形成される第２の領域は、基板１０の面内における外側方向に共通電極７２が形成される第１の領域よりもはみ出している。
【００４９】
図示のように、補助電極は、接続端子から平面的に対向する辺に向かって延在するストライプ状の個別電極１５０ｅとして形成される。基板１０の一端側における個別電極１５０ｅの端は、第２電極用電源線１４０と重なって接するように形成される。
なお、この例において、個別電極１５０ｅは第１電極用電源線１３０と交差しているが、第１電極用電源線１３０の上面には絶縁層３５が形成されているので個別電極１５０ｅが第１電極用電源線１３０と接することなく第２電極用電源線１４０とのみ接するように形成できる。同様に、共通電極７２と第１電極用電源線１３０とは重なるが、第１電極用電源線１３０の上面には絶縁層３５が形成されているので、共通電極７２と第１電極用電源線１３０とが電気的に接触しない構成とすることができる。一方、基板１０の他端側における個別電極１５０ｅの端は、共通電極７２の端よりも外側であり、さらに、絶縁層３５の端（第２の領域）よりも外側に位置するように形成される。よって、照明装置３Ａによっても、上述した各実施形態と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００５０】
１，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ…照明装置、１０…基板、７０…発光素子、３５…絶縁層、６５…防湿性充填材、７２…共通電極（第２電極）、７４…発光機能層、７６…第１電極、８０…封止膜、９０…シール、１１０…対向基板、１４０…第２電極用電源線、１５０…補助電極、１５０ｅ…個別電極、Ａ…有効領域、Ｂ…周辺領域、Ｃ…つなぎ目部、Ｅ１〜Ｅ５…端、３００〜３０１…蒸着マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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