(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ベースと、
前記金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、
前記金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、
前記金属ステージの上方に設けられた半導体装置と、
前記配線基板に設けられ、前記半導体装置のみを覆い、前記半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティとを備え、
前記配線層は、高周波グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、前記半導体装置側の端面よりも前記金属ベース側の端面の方が大きく、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記金属ステージは、その壁面が階段状になっていることを特徴とする、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体材料を用いた高出力増幅器であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
金属ベースと、
前記金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、
前記金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、
前記金属ステージの上方に設けられた半導体装置と、
前記配線基板に設けられ、前記半導体装置のみを覆い、前記半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティとを備え、
前記配線層は、高周波グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
信号を送信する送信部と、
送信した前記信号の反射信号を受信する受信部とを備え、
前記送信部及び前記受信部の少なくとも一方は、
金属ベースと、
前記金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、
前記金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、
前記金属ステージの上方に設けられた半導体装置と、
前記配線基板に設けられ、前記半導体装置のみを覆い、前記半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティとを備え、
前記配線層は、高周波グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、前記半導体装置側の端面よりも前記金属ベース側の端面の方が大きく、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されていることを特徴とする送受信装置。
【請求項６】
信号を送信する送信部と、
送信した前記信号の反射信号を受信する受信部とを備え、
前記送信部及び前記受信部の少なくとも一方は、
金属ベースと、
前記金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、
前記金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、
前記金属ステージの上方に設けられた半導体装置と、
前記配線基板に設けられ、前記半導体装置のみを覆い、前記半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティとを備え、
前記配線層は、高周波グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されていることを特徴とする送受信装置。
【請求項７】
金属ステージ用開口部を有し、高周波グランド配線層を含む配線層を含む配線基板、及び、グランドラインとなる金属ステージを、前記金属ステージが前記金属ステージ用開口部に設けられるように、金属ベースの上方に設ける工程と、
前記金属ステージの上方に、半導体装置を設ける工程と、
前記配線基板に、前記半導体装置のみを覆い、前記半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティを設ける工程とを備え、
前記金属ステージとして、前記半導体装置側の端面よりも前記金属ベース側の端面の方が大きく、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されている金属ステージを設けることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項８】
金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板、及び、グランドラインとなる金属ステージを、前記金属ステージが前記金属ステージ用開口部に設けられるように、金属ベースの上方に設ける工程と、
前記金属ステージの上方に、半導体装置を設ける工程と、
前記配線基板に、前記半導体装置のみを覆い、前記半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティを設ける工程とを備え、
前記配線層が、高周波グランド配線層を含み、
前記金属ステージの壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されるように、前記金属ステージを前記金属ステージ用開口部に設けることを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及びその製造方法、送受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばレーダや衛星通信などの用途においては、高出力・高効率・小型の高周波デバイス及びこれを備える送受信モジュールが必要であり、条件によっては数百Ｗの電力を扱う必要がある。
現状のレーダシステムでは、レーダビームの空間的制御のために、数百から数千の送受信モジュールを並列構成にしたフェーズドアレイシステムの構築が重要である。
【０００３】
このため、各送受信モジュールの高性能化や小型化が不可欠である。このような送受信モジュールを実現するために、送受信モジュールを構成するコンポーネンツをＭＭＩＣ（Monolithic microwave integrated circuit）チップ化し、それらを多層配線基板上に搭載する技術がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】H. Hommel et al., “Current Status of Airborne Active Phased Array (AESA) Radar Systems and Future Trends”, IEEE MTT-S International Microwave Symposium digest 2005, vol. 3, pp. 1449-1452
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、例えばレーダ帯域１０ＧＨｚ付近、出力数Ｗレベル向けの高周波デバイス及びこれを備える送受信モジュールでは課題は見えていなかったが、最近の高出力化、高効率化、小型化の流れを受けて、以下のような課題が見えてきた。
つまり、高出力・高効率・小型の高周波デバイス及びこれを備える送受信モジュールを実現すべく、例えばＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体材料を用いてＭＭＩＣチップ化した高出力増幅器（High Power Amplifier；ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ）を用いることが考えられる。
【０００６】
このようなＨＰＡ−ＭＭＩＣチップは発熱が大きいため、放熱のために、図１４に示すように、多層配線基板１００に金属ステージ用開口部１０１を設け、金属ステージ用開口部１０１に金属ステージ（ヒートスプレッダ）１０２を設け、金属ステージ１０２上にＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ１０３を設けることが考えられる。
しかしながら、金属ステージ１０２の熱抵抗が大きく、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ１０３の温度上昇を抑制することができなかった。
【０００７】
特に、結晶構造や放熱を考慮して、例えばＳｉＣ基板などの高熱伝導率の基板上に形成されたＨＰＡ−ＭＭＩＣチップの場合、熱経路が面内方向（横方向）に広がる傾向にある。このため、金属ステージの厚さ分がそのまま熱抵抗の増大に寄与してしまい、ヒートスプレッダとしての役割が不十分であった。
なお、ここでは、高出力増幅器を用いて高周波デバイス及びこれを備える送受信モジュールを構成する場合の課題として説明しているが、これに限られるものではなく、発熱がある半導体装置を用いて電子装置を構成する場合にも同様の課題がある。
【０００８】
そこで、金属ステージの熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させ、半導体装置の温度上昇を抑制できるようにしたい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このため、本電子装置は、金属ベースと、金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、金属ステージの上方に設けられた半導体装置と、配線基板に設けられ、半導体装置のみを覆い、半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティとを備え、配線層は、高周波グランド配線層を含み、金属ステージは、半導体装置側の端面よりも金属ベース側の端面の方が大きく、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されていることを要件とする。
【００１０】
本電子装置は、金属ベースと、金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、金属ステージの上方に設けられた半導体装置と、配線基板に設けられ、半導体装置のみを覆い、半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティとを備え、配線層は、高周波グランド配線層を含み、金属ステージは、その壁面が高周波グランド配線層に電気的に接続されていることを要件とする。
【００１１】
本送受信装置は、信号を送信する送信部と、送信した信号の反射信号を受信する受信部とを備え、送信部及び受信部の少なくとも一方は、金属ベースと、金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、金属ステージの上方に設けられた半導体装置と、配線基板に設けられ、半導体装置のみを覆い、半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティとを備え、配線層は、高周波グランド配線層を含み、金属ステージは、半導体装置側の端面よりも金属ベース側の端面の方が大きく、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されていることを要件とする。
【００１２】
本送受信装置は、信号を送信する送信部と、送信した信号の反射信号を受信する受信部とを備え、送信部及び受信部の少なくとも一方は、金属ベースと、金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、金属ステージの上方に設けられた半導体装置と、配線基板に設けられ、半導体装置のみを覆い、半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティとを備え、配線層は、高周波グランド配線層を含み、金属ステージは、その壁面が高周波グランド配線層に電気的に接続されていることを要件とする。
【００１３】
本電子装置の製造方法は、金属ステージ用開口部を有し、高周波グランド配線層を含む配線層を含む配線基板、及び、グランドラインとなる金属ステージを、金属ステージが金属ステージ用開口部に設けられるように、金属ベースの上方に設ける工程と、金属ステージの上方に、半導体装置を設ける工程と、配線基板に、半導体装置のみを覆い、半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティを設ける工程とを備え、金属ステージとして、半導体装置側の端面よりも金属ベース側の端面の方が大きく、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されている金属ステージを設けることを要件とする。
【００１４】
本電子装置の製造方法は、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板、及び、グランドラインとなる金属ステージを、金属ステージが金属ステージ用開口部に設けられるように、金属ベースの上方に設ける工程と、金属ステージの上方に、半導体装置を設ける工程と、配線基板に、半導体装置のみを覆い、半導体装置にワイヤ又はリボンによって接続されている金属キャビティを設ける工程とを備え、配線層が、高周波グランド配線層を含み、金属ステージの壁面が高周波グランド配線層に電気的に接続されるように、金属ステージを金属ステージ用開口部に設けることを要件とする。
【発明の効果】
【００１５】
したがって、本電子装置及びその製造方法、送受信装置によれば、金属ステージの熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させ、半導体装置の温度上昇を抑制できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態にかかる電子装置（送受信装置）の構成を示す模式的断面図である。
【図２】第１実施形態にかかる電子装置（送受信装置）に備えられる金属ステージの構成を示す模式的平面図である。
【図３】第１実施形態にかかる送受信装置の回路構成を示す模式図である。
【図４】第１実施形態にかかる送受信装置の全体構成を示す模式図である。
【図５】（Ａ）は、ＧａＡｓ基板上に形成されたＨＰＡ−ＭＭＩＣチップの放熱状態を示す図であり、（Ｂ）は、ＳｉＣ基板上に形成されたＨＰＡ−ＭＭＩＣチップの放熱状態を示す図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｋ）は、第１実施形態にかかる電子装置（送受信装置）の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態にかかる電子装置（送受信装置）の熱的効果を検証するための簡易モデルの構成を示す模式図であって、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）、（Ｄ）は、比較のための簡易モデルの構成を示す模式図であって、（Ｃ）は斜視図であり、（Ｄ）は断面図である。
【図８】（Ａ）は、第１実施形態にかかる電子装置（送受信装置）の熱的効果を検証するための簡易モデルを用いた熱シミュレーションの結果を示す図であり、（Ｂ）は、比較のための簡易モデルを用いた熱シミュレーションの結果を示す図である。
【図９】（Ａ）は、第１実施形態にかかる電子装置（送受信装置）の伝送特性の効果を検証するための簡易モデルの構成を示す模式的斜視図であり、（Ｂ）は、比較のための簡易モデルの構成を示す模式的斜視図である。
【図１０】（Ａ）は、第１実施形態にかかる電子装置（送受信装置）の伝送特性の効果を検証するための簡易モデルを用いた電磁界シミュレーションの結果を示す図であり、（Ｂ）は、比較のための簡易モデルを用いた電磁界シミュレーションの結果を示す図である。
【図１１】第２実施形態にかかる電子装置（送受信装置）の構成を示す模式的断面図である。
【図１２】第２実施形態にかかる電子装置（送受信装置）に備えられる金属ステージの構成を示す模式的平面図である。
【図１３】各実施形態の変形例にかかる電子装置（送受信装置）の構成を示す模式的断面図である。
【図１４】本発明の課題を説明するための模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる電子装置及びその製造方法、送受信装置について説明する。
［第１実施形態］
まず、第１実施形態にかかる電子装置及びその製造方法、送受信装置について、図１〜図１０を参照しながら説明する。
【００１８】
本実施形態にかかる送受信装置は、例えばレーダや各種通信に用いられる送受信モジュールである。
本送受信装置は、図３に示すように、送信系のコンポーネンツを備え、信号を送信する送信部１（図３中、下段）と、受信系のコンポーネンツを備え、送信した信号の反射信号を受信する受信部２（図３中、上段）とを備える。
【００１９】
ここでは、送信系のコンポーネンツとして、フィルタ（バンドパスフィルタ；ＢＰＦ）３と、高出力増幅器（ＨＰＡ）４と、ドライバ増幅器（ＤＡ）５とを備える。
ここで、バンドパスフィルタ３は、高周波などの不要波を抑圧するためのものである。
高出力増幅器４は、送信する高周波信号（送信波）の電力を所定の送信電力まで高効率で増幅し、高出力電力の高周波信号を送出するものである。
【００２０】
ドライバ増幅器５は、高出力増幅器４の所望の出力に必要な入力電力を持つ高周波信号を送出するものである。
また、受信系のコンポーネンツとして、フィルタ（ローパスフィルタ；ＬＰＦ）６と、リミッタ（ＬＭＴ）７と、スイッチ（ＳＷ）８と、低雑音増幅器（ＬＮＡ）９と、可変減衰器（ＶＡＴＴ）１０とを備える。
【００２１】
ここで、ローパスフィルタ６は、不要波を抑圧するためのものである。
リミッタ７は、受信された高周波信号（受信波）を所定の電力に制限し、後段へ送出するものである。このリミッタ７は、大電力の高周波信号を受信した時の低雑音増幅器９の保護回路として機能する。
スイッチ８は、高アイソレーションを確保するためのもので、所定の送受信タイミングで切り替えられるようになっている。このスイッチ８は、低雑音増幅器９の保護回路として機能する。
【００２２】
低雑音増幅器９は、受信波を低雑音で増幅するものである。
可変減衰器１０は、受信波の振幅調整を行なうものである。
そして、本送受信装置では、これらの系の一方の端部に接続されたスイッチ１１によって、所定の送受信タイミングで、送受信の切り替えが行なわれるようになっている。
また、これらの系の他方の端部に接続されたサーキュレータ１２によって、送信部１からの送信波のみがアンテナ１３側へ送信され、アンテナ１３からの受信波のみが受信部２へ送られるようになっており、送受信のアイソレーションが確保されるようになっている。
【００２３】
また、本送受信装置では、一方の側に送受信共用アンテナ１３が設けられており、この送受信共用アンテナ１３を介して空間的に信号の送受信が行なわれるようになっている。ここでは、送受信共用アンテナ１３は、サーキュレータ１２を介して、送信部１及び受信部２に接続されている。
また、本送受信装置では、他方の側に、移相器１４、及び、ＦＰＡＧやＡＤ／ＤＡＣなどの制御・処理回路１５が設けられており、これらを介して高度なデジタル信号処理が行われるようになっている。ここでは、移相器１４及び制御・処理回路１５は、スイッチを介して、送信部１及び受信部２に接続されている。
【００２４】
ここで、移相器１４は、システム側からの制御によって、ビーム走査のために高周波信号の位相を変えるものである。
制御・処理回路１５は、スイッチ８，１１、可変減衰器１０、移相器１４等を制御したり、アナログ−デジタル信号変換を行なうものである。
さらに、本送受信装置では、他方の側に、電源回路（電源・バイアス回路）１６が設けられており、電源の必要なコンポーネンツに接続されている。例えば、能動素子である高出力増幅器４、ドライバ増幅器５及び低雑音増幅器９を動作させるために、電源回路１６は、これらに接続されている。
【００２５】
ところで、本送受信装置は、上述のような回路構成を有するが、各コンポーネント３〜１６は、図４に示すように、多層配線基板２０に実装されており、電子装置を構成している。
つまり、本実施形態にかかる電子装置は、図１に示すように、金属ベース２１と、金属ベース２１の上方に設けられた多層配線基板２０と、多層配線基板２０に実装された複数のコンポーネンツ３〜１６とを備える。なお、ここでは、電子装置は高周波信号を伝送するものであるため、電子装置を高周波デバイスともいう。
【００２６】
ここで、金属ベース２１は、Ｋｏｖａｒ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属材料からなる。
多層配線基板２０は、配線層を含む配線基板である。ここで、多層配線基板２０は、表面に配線層２３を有するベース基板２２を複数積層させた構造になっており、上下の配線層２３は同じ材料からなるビア２４を介して接続されている。ここで、多層配線基板２０は、配線層２３として、高周波信号を伝送する高周波信号配線層２３Ａと、グランドラインとしての高周波グランド配線層２３Ｂと、ＭＭＩＣチップに電力を供給／制御するための電力供給／制御用配線層２３Ｃとを備える。ここでは、多層配線基板２０の表層に、高周波信号配線層２３Ａやチップコンデンサ２５を搭載するための電源グランド配線層２３Ｄなどが設けられている。また、多層配線基板２０は、機能内蔵構造になっており、例えばスタック構造の３段バンドパスフィルタ２６などが設けられている。このように、多層配線基板２０は、例えばフィルタや電力分配・合成回路などの機能を内蔵するため、その厚さが約１ｍｍ以上（例えば約２ｍｍ程度）になっている。このような約１ｍｍ以上の厚さを有する厚い多層配線基板２０を用いる場合、熱抵抗（Ｒｔｈ＝Ｗ・ｔ／Ｓ、ここで、Ｗは発熱量、Ｓは面積、ｔは厚さ）が大きくなるので、後述のような構造を有する金属ステージ２７を用いるのが特に有効である。
【００２７】
具体的には、多層配線基板２０は、表面に配線層２３を有する複数のセラミックベース基板２２を積層させた構造を有する多層配線セラミック基板である。例えば、多層配線基板２０は、表面に配線層２３を有するアルミナベース基板２２（例えば厚さ約２５０μｍ）を６層積層させた構造を有する多層配線アルミナ基板（例えば厚さ約１．５ｍｍ）である。
【００２８】
複数のコンポーネンツ３〜１６のうち、例えば、低雑音増幅器９、ドライバ増幅器５、高出力増幅器４は、ＭＭＩＣチップ化されて、多層配線基板２０に実装されている。ここでは、低雑音増幅器９及びドライバ増幅器５は、多層配線基板２０の表面上に実装されている。本実施形態では、多層配線基板２０の表面上にチップコンデンサ２５も実装されている。ここでは、チップコンデンサ２５は、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）チップコンデンサである。そして、チップコンデンサ２５は、ワイヤ（又はリボン）２９によって、電力供給／制御配線層２３Ｃ及び金属キャビティ２８の接続ランドのそれぞれに接続されている。
【００２９】
特に、本実施形態では、高出力・高効率・小型の高周波デバイス及びこれを備える送受信モジュールを実現するために、高出力増幅器４として、例えばＧａＮ等のワイドバンドギャップ半導体材料を用いてＭＭＩＣチップ化したＨＰＡ−ＭＭＩＣチップを用いている。なお、高出力増幅器４を、半導体装置、あるいは、半導体ＭＭＩＣチップともいう。
具体的には、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４は、例えば厚さ約１００μｍのＳｉＣ基板上に形成され、ＧａＮ−ＨＥＭＴを有するＨＰＡ−ＭＭＩＣチップである。なお、このようなＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４では、ＧａＮ−ＨＥＭＴが発熱部４Ａとなる。また、ここでは、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４には、その内部にグランドビア４Ｂが設けられている。
【００３０】
そして、このようなＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４は発熱が大きいため、放熱のために、多層配線基板２０に金属ステージ用開口部２０Ａを設け、金属ステージ用開口部２０Ａに金属ステージ２７を設け、金属ステージ２７の上方にＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４を設けている。つまり、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４は、多層配線基板２０の金属ステージ用開口部２０Ａに設けられた金属ステージ２７上に実装されている。なお、金属ステージ２７を半導体装置用ステージ部あるいは金属台座ともいう。
【００３１】
ここで、金属ステージ２７は、例えば比較的高い熱伝導率を有するＣｕやＣｕＷなどの金属材料からなり、ヒートスプレッダとして機能する。
特に、金属ステージ用開口部２０Ａは、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４側の大きさよりも金属ベース２１側の大きさの方が大きくなっている。また、金属ステージ２７は、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４側の端面よりも金属ベース２１側の端面の方が大きくなっている。
【００３２】
具体的には、本実施形態では、金属ステージ２７は、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４側から金属ベース２１側へ向けて面積が大きくなる形状になっている。つまり、金属ステージ２７は、裾広がりの断面形状を有し、図１、図２に示すように、階段状の壁面（側面）を有する形状になっている。また、多層配線基板２０には、この金属ステージ２７の形状に応じた形状を有する金属ステージ用開口部２０Ａが設けられている。つまり、金属ステージ用開口部２０Ａを規定する多層配線基板２０の壁面は、階段状になっている。そして、多層配線基板２０の金属ステージ用開口部２０Ａに金属ステージ２７がはめ込まれた構造になっている。
【００３３】
このように、ヒートスプレッダとしての金属ステージ２７が裾広がりの形状になっているため、金属ステージ２７の熱抵抗を小さくすることができ、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４の温度上昇を抑制することができる。
特に、ＳｉＣ基板上に形成されたＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４の場合［図５（Ｂ）参照］、ＧａＡｓ基板上に形成されたＨＰＡ−ＭＭＩＣチップの場合［図５（Ａ）参照］と比較して、熱経路（放熱経路）が面内方向に広がる傾向にあり、熱抵抗が増大してしまう。このため、上述のような構造の金属ステージ２７は、例えばＳｉＣ基板などの高熱伝導率の基板上に形成されたＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４を用いる場合に特に有効である。なお、図５（Ａ）、図５（Ｂ）では、厚さ約１ｍｍのアルミニウム台座上にＭＭＩＣチップを載せている。
【００３４】
ところで、本電子装置では、図１に示すように、外環境との電磁界干渉やシールを目的として金属キャビティ２８を設けている。特に、本実施形態では、高周波化に対応すべく、各コンポーネント間の電磁界干渉や寄生共振を抑制するために、ＭＭＩＣチップ（図１ではＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４）を覆うように金属キャビティ２８を設けている。ここでは、金属キャビティ２８として、例えば数ｍｍ角の小さい金属キャビティを設けている。そして、金属キャビティ２８は、その接続ランドを介してワイヤ（又はリボン）２９によってＭＭＩＣチップ（図１ではＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４）に接続されている。
【００３５】
一般に、小さい金属キャビティを設ける場合、金属ステージも小さくなり、放熱面積が小さくなるため、等価的に熱抵抗を小さくできない。このため、上述のように金属ステージ２７の形状を工夫して、放熱性を高めることが特に有効である。
ところで、高周波化に伴って、金属ステージ２７と多層配線基板２０との間のギャップによってインピーダンス不整合が生じやすくなり、高周波特性の劣化や電源系（バイアス系）のグランドの不安定につながる。また、グランドラインを設けるために、多くビアを形成すると、強度低下につながる。
【００３６】
そこで、本電子装置では、金属ステージ２７の壁面は、多層配線基板２０の配線層２３（高周波グランド配線層２３Ｂ）に、例えばろう付け又は低温接合によって、電気的に接続されている。このため、金属ステージ２７は高周波信号系のグランドラインとなる。
また、金属ステージ２７の壁面は、多層配線基板２０の配線層２３（電源グランド配線層２３Ｄ）に、例えばろう付け又は低温接合によって、電気的に接続されている。また、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４のチップ内グランドビア４Ｂは金属ステージ２７に、例えばはんだ付けによって、電気的に接続されている。このため、金属ステージ２７は電源系のグランドラインとなる。
【００３７】
ここでは、金属ステージ２７は、多層配線基板２０に接触している。つまり、金属ステージ２７の壁面は、多層配線基板２０の配線層２３（高周波グランド配線層２３Ｂ及び電源グランド配線層２３Ｄ）に接触している。なお、ここでは、金属ステージ２７の壁面が高周波グランド配線層２３Ｂ及び電源グランド配線層２３Ｄに接触しているが、例えば製造誤差等によって接触しておらず、金属ステージ２７の壁面が高周波グランド配線層２３Ｂ及び電源グランド配線層２３Ｄに電気的に接続されているだけでも良い。
【００３８】
このように、発熱部４Ａを有するＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４を実装する金属ステージ２７は、ヒートスプレッダとして機能するとともに、ＲＦ／電源グランドラインとしても機能する。
これにより、金属ステージ２７と高周波グランド配線層２３Ｂとの不連続性を緩和することができ、高周波特性（伝送特性）を向上させることができる。また、金属ステージ２７と電源グランド配線層２３Ｄとの不連続性を緩和することができ、電源グランドの安定化を図ることができる。さらに、金属ステージ２７がＲＦ／電源グランドラインとして機能するため、ビア数を減らすことができ、強度を向上させることもできる。このように、上述のような構成を採用することで、電気的、熱的、強度的に良好な特性を有し、高周波化、高出力化、高効率化、小型化に対応した電子装置や送受信モジュールを実現することが可能となる。
【００３９】
次に、本実施形態にかかる電子装置（送受信装置）の製造方法について、図６（Ａ）〜図６（Ｋ）を参照しながら説明する。
まず、図６（Ａ）に示すように、多層配線アルミナ基板２０（多層配線セラミック基板）を構成する複数のアルミナベース基板２２（セラミックベース基板；グリーンシート）を作製する。特に、互いに異なる大きさの開口部２２Ａを有する複数のアルミナベース基板２２を作製する。具体的には、例えば厚さ約２５０μｍのアルミナベース基板２２を６つ作製する。
【００４０】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、各アルミナベース基板２２のそれぞれにビアホールを形成し、導体を充填してビア２４を形成する。例えば、アルミナベース基板２２が、高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ；High Temperature Co-fired Ceramic）ベース基板である場合は、導体としてタングステンを用いる。また、例えば、アルミナベース基板２２が、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ；Low Temperature Co-fired Ceramic）ベース基板である場合は、導体として銀を用いる。
【００４１】
次に、図６（Ｃ）に示すように、各アルミナベース基板２２の表面上に、ビアホールに充填した導体と同一の導体を用いてパターン印刷を行なう。これにより、各アルミナベース基板２２のそれぞれの表面上に配線層２３が形成される。
次いで、図６（Ｄ）に示すように、多層配線アルミナ基板２０の最上層となるアルミナベース基板２２の表面上に金属キャビティ２８の壁部２８Ａ等を形成する。
【００４２】
次に、図６（Ｅ）に示すように、これらのアルミナベース基板２２を積層（ラミネート）して、積層体３２を形成する。ここでは、互いに異なる大きさの開口部２２Ａを有する複数のアルミナベース基板２２を、開口部２２Ａの位置が合うように積層させて、金属ステージ２７をはめ込むことが可能な金属ステージ用開口部２０Ａを有する積層体３２を形成する。本実施形態では、大きさの大きい開口部２２Ａを有するアルミナベース基板２２から順に積み重ねて、階段状の壁面を有する金属ステージ用開口部２０Ａを備える、アルミナベース基板２２の積層体３２を形成する。
【００４３】
次いで、この積層体３２を焼成する。
そして、めっきを施した後、図６（Ｆ）に示すように、スクライブを行なう。これにより、金属ステージ用開口部２０Ａを有する多層配線アルミナ基板２０が作製される。ここでは、金属キャビティ２８の一部を有する多層配線アルミナ基板２０が作製される。本実施形態では、階段状の壁面を有する金属ステージ用開口部２０Ａを有し、アルミナベース基板２２を６層積層させた構造を有する多層配線アルミナ基板２０（例えば厚さ約１．５ｍｍ）が作製される。ここで、各アルミナベース基板２２の表面に配線層２３が形成されているため、これらが積層された多層配線アルミナ基板２０は、各アルミナベース基板２２の間に配線層２３が設けられ、上下の配線層２３がビア２４によって接続されたものとなる。ここでは、配線層２３として高周波信号配線層２３Ａ、高周波グランド配線層２３Ｂ及び電力供給／制御用配線層２３Ｃを備え、例えばバンドパスフィルタなどの機能内蔵構造を含む多層配線アルミナ基板２０が作製される（図１参照）。例えばフィルタや電力分配・合成回路などの機能を内蔵する場合、その厚さが約１ｍｍ以上の多層配線アルミナ基板２０となる。
【００４４】
次に、図６（Ｇ）に示すように、このようにして作製された多層配線アルミナ基板２０を、階段状の側壁を有する金属ステージ２７とともに、金属ベース２１上に配置する。ここでは、多層配線アルミナ基板２０の金属ステージ用開口部２０Ａに金属ステージ２７がはめ込まれた状態で、金属ベース２１上に多層配線アルミナ基板２０及び金属ステージ２７を配置する。
【００４５】
次いで、多層配線アルミナ基板２０、金属ステージ２７及び金属ベース２１を相互に接合する。例えば、多層配線アルミナ基板２０が、ＨＴＣＣ基板である場合、ろう付けによって、多層配線アルミナ基板２０と金属ステージ２７及び金属ベース２１とを接合する。また、例えば、多層配線アルミナ基板２０が、ＬＴＣＣ基板である場合、例えばＡｕＳｎなどのプリフォーム材を用いて、多層配線アルミナ基板２０と金属ステージ２７及び金属ベース２１とを低温接合する。
【００４６】
このようにして、多層配線アルミナ基板２０の金属ステージ用開口部２０Ａに金属ステージ２７をはめ込み接合する。
次に、図６（Ｈ）に示すように、多層配線アルミナ基板２０上に、チップコンデンサ２５、ＭＭＩＣチップ（図示せず）などを表面実装する。
次いで、図６（Ｉ）に示すように、金属ステージ２７上に、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４を実装する。ここでは、例えば厚さ約１００μｍのＳｉＣ基板上に形成され、ＧａＮ−ＨＥＭＴを有するＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４を、例えばＡｕＳｎを用いたはんだ付けによって、金属ステージ２７上に実装する。なお、ここでは、ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４には、その内部にグランドビア４Ｂが設けられている。
【００４７】
その後、図６（Ｊ）に示すように、金属キャビティ２８の接続ランドとＭＭＩＣチップ［図６（Ｊ）ではＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ４］とをワイヤ（又はリボン）２９によって接続する。また、金属キャビティ２８の接続ランドとチップコンデンサ２５とをワイヤ（又はリボン）２９によって接続する。さらに、チップコンデンサ２５と電力供給／制御配線層２３Ｃとをワイヤ（又はリボン）２９によって接続する。
【００４８】
最後に、図６（Ｋ）に示すように、金属キャビティ２８の蓋部２８Ｂを設け、シームシールする。これにより、ＭＭＩＣチップを覆う金属キャビティが形成される。ここでは、例えば数ｍｍ角の小さい金属キャビティ２８が形成される。
このようにして、本送受信装置（電子装置）が作製される。
したがって、本実施形態にかかる電子装置及びその製造方法、送受信装置によれば、金属ステージ２７の熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させ、半導体装置４の温度上昇を抑制できるという利点がある。
【００４９】
上述のような構造の金属ステージ２７による効果について、簡易モデルで検証を行なったところ、以下のような結果が得られた。
ここでは、簡易モデルとして、図７（Ａ），図７（Ｂ）に示すように、高周波信号の伝送方向に沿って裾広がりの形状になっており、かつ、壁面が階段状になっている金属ステージ２７を備えるものを用意した。また、これとの比較のために、図７（Ｃ），図７（Ｄ）に示すように、直方体の金属ステージ４０を備えるものを用意した。これらの簡易モデルでは、タングステンからなる配線層２３やビア２４を有し、厚さ約２５０μｍのアルミナベース基板２２を、５層積層した多層配線アルミナ基板２０を用いた。また、Ｃｕからなる金属ステージ２７を用いた。また、５ｍｍ×１０ｍｍの大きさを有し、Ｋｏｖａｒからなる金属ベース２１を用いた。さらに、図７（Ａ），図７（Ｂ）に示す構造のものでは、金属ステージ２７の壁面と高周波グランド配線層２３Ｂとが電気的に接続されるようにした。これに対し、図７（Ｃ），図７（Ｄ）に示す構造のものでは、多層配線アルミナ基板２０と金属ステージ４０との間のギャップを約１００μｍとした。
【００５０】
まず、これらの簡易モデルを用いて、熱的な効果を検証すべく、熱シミュレーションを行なった。ここでは、図７（Ａ）、図７（Ｃ）に示すように、金属ステージ２７，４０上に、大きさ約０．１ｍｍ×約０．０５ｍｍで発熱量約３Ｗ（６００Ｗ／ｍｍ２）の発熱源４１を１４個設けた。また、金属ベース２１（ベースプレート）の裏面（底面）の温度を約５０℃に固定した。
【００５１】
この結果、図７（Ｃ），図７（Ｄ）に示す構造のものに対し、図７（Ａ），図７（Ｂ）に示す構造のものでは、約２℃程度最高温度が低下した。そして、図７（Ｃ），図７（Ｄ）に示す構造のものでは、図８（Ｂ）に示すように、金属ステージ４０の厚さ方向で広い領域にわたって温度上昇した。これに対し、図７（Ａ），図７（Ｂ）に示す構造のものでは、図８（Ａ）に示すように、金属ステージの厚さ方向で温度上昇が緩和された。このように、図８（Ａ）に示すような構造の金属ステージを用いることで、金属ステージの熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させることができることが確認できた。なお、図８（Ａ）、図８（Ｂ）では、白黒の濃淡で温度の高低を示しており、濃い部分が温度が低く、薄い部分が温度が高くなっている。
【００５２】
次に、これらの簡易モデルを用いて、伝送特性の効果を検証すべく、電磁界シミュレーションを行なった。ここでは、図９（Ａ）、図９（Ｂ）に示すように、金属ステージ２７，４０上に、約５０Ωのマイクロストリップライン４２を有する基板を設け、多層配線アルミナ基板２０の表面に形成された高周波信号配線層２３Ａにワイヤ２９によって接続した。
【００５３】
この結果、図９（Ｂ）に示す構造のものに対し、図９（Ａ）に示す構造のものでは、図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に示すように、高周波になるにしたがって伝送特性の改善効果が大きくなった。例えば２０ＧＨｚにおける伝送損失は、図９（Ｂ）に示す構造のものでは、図１０（Ｂ）に示すように、約１．３ｄＢであったのに対し、図９（Ａ）に示す構造のものでは、図１０（Ａ）に示すように、約０．８ｄＢと改善した。このように、図９（Ａ）に示すような構造の金属ステージ２７を用い、多層配線基板２０の高周波グランド配線層２３Ｂに電気的に接続することで、グランドのインダクタンスを低減し、インピーダンス不整合を改善することができ、高周波特性を向上させることができることが確認できた。
［第２実施形態］
次に、第２実施形態にかかる電子装置及びその製造方法、送受信装置について、図１１、図１２を参照しながら説明する。
【００５４】
本実施形態にかかる電子装置及びその製造方法、送受信装置は、上述の第１実施形態のもの（図１参照）に対し、多層配線基板２０の金属ステージ用開口部２０Ａの形状、及び、金属ステージ２７の形状が異なる。
つまり、本実施形態では、金属ステージ２７は、図１１、図１２に示すように、裾広がりの断面台形状のメサ型形状になっている。また、多層配線基板２０には、この金属ステージ２７の形状に応じた形状を有する金属ステージ用開口部２０Ａが設けられている。つまり、金属ステージ用開口部２０Ａを規定する多層配線基板２０の壁面は、傾斜した平面になっており、エッジに近い形状になっている。そして、多層配線基板２０の金属ステージ用開口部２０Ａに金属ステージ２７がはめ込まれた構造になっている。
【００５５】
なお、その他の構成、及び、製造方法の詳細は、上述の第１実施形態のものと同様であるため、ここではその説明を省略する。但し、多層配線アルミナ基板２０を構成する複数のアルミナベース基板２２を作製するのに、互いに異なる大きさの開口部２２Ａを有する複数のアルミナベース基板２２を作製することになるが、この際に、各アルミナベース基板２２の開口部２２Ａを規定する壁面を傾斜した平面とし、エッジに近い形状にすることになる。また、全てのアルミナベース基板２２を積層させた状態で、各アルミナベース基板２２の開口部２２Ａを規定する傾斜した壁面が連なり、一つの傾斜した平面になるように、各アルミナベース基板２２の開口部２２Ａを形成することになる。
【００５６】
したがって、本実施形態にかかる電子装置及びその製造方法、送受信装置によれば、上述の第１実施形態と同様に、金属ステージ２７の熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させ、半導体装置４の温度上昇を抑制できるという利点がある。
［その他］
なお、本発明は、上述した各実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
【００５７】
例えば、上述の各実施形態では、金属ステージ２７は、高周波信号の伝送方向（電力出力方向）及びこれに直交する方向の双方に沿って、裾広がりの断面形状を有する形状になっているが、これに限られるものではない。例えば、金属ステージ２７は、高周波信号の伝送方向（信号伝送方向）に沿って裾広がりの断面形状になっており、高周波信号の伝送方向に直交する方向に沿って断面長方形状になっていても良い。また、例えば、金属ステージ２７は、高周波信号の伝送方向に直交する方向に沿って裾広がりの断面形状になっており、高周波信号の伝送方向に沿って断面長方形状になっていても良い。
【００５８】
また、例えば、上述の各実施形態では、金属ステージ２７の壁面が多層配線基板２０の高周波グランド配線層２３Ｂ及び電源グランド配線層２３Ｄに電気的に接続されており、金属ステージ２７がＲＦ／電源グランドラインとして機能するようにしているが、これに限られるものではない。例えば、金属ステージ２７の壁面が、多層配線基板２０の高周波グランド配線層２３Ｂに電気的に接続され、電源グランド配線層２３Ｄは電気的に接続されないようにし、金属ステージ２７がＲＦグランドラインとして機能するようにしても良い。この場合、金属ステージ２７の高周波信号が入力される側の壁面及び高周波信号が出力される側の壁面が、高周波グランド配線層２３Ｂに電気的に接続されるようにすれば良い。これにより、少なくとも高周波特性（伝送特性）を向上させることができる。また、例えば、金属ステージ２７の壁面が、多層配線基板２０の電源グランド配線層２３Ｄに電気的に接続され、高周波グランド配線層２３Ｂに電気的に接続されないようにし、金属ステージ２７を電源グランドラインとして機能するようにしても良い。これにより、少なくとも電源グランドの安定化を図ることができる。
【００５９】
特に、金属ステージ２７を、高周波信号の伝送方向（信号伝送方向）に沿って裾広がりの断面形状になるようにし、高周波信号が入力される側の壁面及び高周波信号が出力される側の壁面を、高周波グランド配線層２３Ｂに電気的に接続するのが好ましい。これにより、少なくとも高周波特性（伝送特性）を向上させることができる。なお、この場合、金属ステージ２７は、半導体装置４側の端面の信号伝送方向に沿う方向の長さよりも金属ベース２１側の端面の信号伝送方向に沿う方向の長さの方が長くなる。
【００６０】
また、例えば、上述の各実施形態では、金属ステージ２７は、半導体装置４側から金属ベース２１側へ向けて面積が大きくなっているが、これに限られるものではない。つまり、上述の第１実施形態では、金属ステージ２７は、半導体装置４側から金属ベース２１側へ向けて、段階的に面積が大きくなっており、上述の第２実施形態では、半導体装置４側から金属ベース２１側へ向けて、連続的に面積が大きくなっているが、これに限られるものではない。例えば、金属ステージ２７は、半導体装置４側よりも金属ベース２１側の方が面積が小さい部分が含まれていても、少なくとも半導体装置４側の端面よりも金属ベース２１側の端面の方が大きくなっていれば良い。この場合、多層配線基板２０の金属ステージ用開口部２０Ａは、金属ステージ２７の形状に応じた形状になるため、半導体装置４側よりも金属ベース２１側の方が面積が小さい部分が含まれていても、少なくとも半導体装置４側の大きさよりも金属ベース２１側の大きさの方が大きくなっていれば良い。
【００６１】
また、例えば、上述の各実施形態では、金属ステージ２７は裾広がりの形状になっているが、これに限られるものではない。例えば、図１３に示すように、金属ステージ２７は、直方体形状になっていても良い。この場合、金属ステージ２７の壁面が、多層配線基板２０の高周波グランド配線層（グランド配線層）に電気的に接続されていれば、金属ステージ２７と高周波グランド配線層２３Ｂとの不連続性を緩和することができ、高周波特性（伝送特性）を向上させることができる。また、金属ステージ２７の壁面が、多層配線基板２０の電源グランド配線層（グランド配線層）に電気的に接続されていれば、金属ステージ２７と電源グランド配線層２３Ｄとの不連続性を緩和することができ、電源グランドの安定化を図ることができる。さらに、金属ステージ２７がＲＦ／電源グランドラインとして機能するため、ビア数を減らすことができ、強度を向上させることもできる。
【００６２】
また、例えば、上述の各実施形態では、高出力増幅器を備える電子装置（送受信装置）及びその製造方法に本発明を適用した場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、本発明は、発熱がある半導体装置を備える電子装置（送受信装置）及びその製造方法に広く適用することができる。例えば、ＧａＡｓ基板上に形成されたＭＭＩＣチップ、増幅器やスイッチ等をＭＭＩＣ化したＭＭＩＣチップなどのＭＭＩＣチップを備える電子装置（送受信装置）及びその製造方法に本発明を適用することもできる。
【００６３】
また、例えば、上述の各実施形態では、多層配線基板２０の金属ステージ用開口部２０Ａを、金属ステージ２７の形状に応じた形状にしているが、これに限られるものではない。例えば、多層配線基板２０を、その表面に直交する壁面によって規定される金属ステージ用開口部２０Ａを備えるものとしても良い。このように、金属ステージ用開口部２０Ａが金属ステージ２７の形状に応じた形状になっておらず、金属ステージ２７と多層配線基板２０との間にギャップができていても良い。このような場合であっても、金属ステージ２７は裾広がり形状になっているため、金属ステージ２７の熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させ、半導体装置４の温度上昇を抑制できるという利点は得られる。なお、この場合、金属ステージ２７は、金属ベース２１を介して、高周波グランド配線層２３Ｂに電気的に接続されることになる。
【００６４】
また、例えば、上述の各実施形態では、送受信装置の送信部１及び受信部２を構成する全てのコンポーネンツが多層配線基板２０に実装されており、電子装置を構成しているが、これに限られるものではない。例えば、送受信装置の送信部１及び受信部２の少なくとも一方を構成するコンポーネンツを多層配線基板２０に実装して、電子装置を構成しても良い。つまり、送受信装置において、送信部１及び受信部２の少なくとも一方が、金属ベース２１と、金属ベース２１の上方に設けられ、金属ステージ用開口部２０Ａを有し、配線層２３を含む配線基板２０と、金属ステージ用開口部２０Ａに設けられ、グランドラインとなる金属ステージ２７と、金属ステージ２７の上方に設けられた半導体装置４とを備え、金属ステージ２７が、半導体装置４側の端面よりも金属ベース２１側の端面の方が大きくなっていれば良い。
【００６５】
以下、上述の各実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
金属ベースと、
前記金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、
前記金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、
前記金属ステージの上方に設けられた半導体装置とを備え、
前記金属ステージは、前記半導体装置側の端面よりも前記金属ベース側の端面の方が大きいことを特徴とする電子装置。
【００６６】
（付記２）
前記配線層は、グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、その壁面が前記グランド配線層に電気的に接続されていることを特徴とする、付記１に記載の電子装置。
（付記３）
前記金属ステージは、その壁面が階段状になっていることを特徴とする、付記１又は２に記載の電子装置。
【００６７】
（付記４）
前記配線基板に設けられ、前記半導体装置を覆う金属キャビティを備えることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
（付記５）
前記半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体材料を用いた高出力増幅器であることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
【００６８】
（付記６）
前記配線層は、高周波グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されており、かつ、前記半導体装置側の端面の信号伝送方向に沿う方向の長さよりも前記金属ベース側の端面の信号伝送方向に沿う方向の長さの方が長いことを特徴とする、付記１、３〜５のいずれか１項に記載の電子装置。
【００６９】
（付記７）
金属ベースと、
前記金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、
前記金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、
前記金属ステージの上方に設けられた半導体装置とを備え、
前記配線層は、グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、その壁面が前記グランド配線層に電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。
【００７０】
（付記８）
信号を送信する送信部と、
送信した前記信号の反射信号を受信する受信部とを備え、
前記送信部及び前記受信部の少なくとも一方は、
金属ベースと、
前記金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、
前記金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、
前記金属ステージの上方に設けられた半導体装置とを備え、
前記金属ステージは、前記半導体装置側の端面よりも前記金属ベース側の端面の方が大きいことを特徴とする送受信装置。
【００７１】
（付記９）
前記配線層は、グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、その壁面が前記グランド配線層に電気的に接続されていることを特徴とする、付記８に記載の送受信装置。
（付記１０）
前記金属ステージは、その壁面が階段状になっていることを特徴とする、付記８又は９に記載の送受信装置。
【００７２】
（付記１１）
前記配線基板に設けられ、前記半導体装置を覆う金属キャビティを備えることを特徴とする、付記８〜１０のいずれか１項に記載の送受信装置。
（付記１２）
前記半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体材料を用いた高出力増幅器であることを特徴とする、付記８〜１１のいずれか１項に記載の送受信装置。
【００７３】
（付記１３）
前記配線層は、高周波グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、その壁面が前記高周波グランド配線層に電気的に接続されており、かつ、前記半導体装置側の端面の信号伝送方向に沿う方向の長さよりも前記金属ベース側の端面の信号伝送方向に沿う方向の長さの方が長いことを特徴とする、付記８、１０〜１２のいずれか１項に記載の送受信装置。
【００７４】
（付記１４）
信号を送信する送信部と、
送信した前記信号の反射信号を受信する受信部とを備え、
前記送信部及び前記受信部の少なくとも一方は、
金属ベースと、
前記金属ベースの上方に設けられ、金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板と、
前記金属ステージ用開口部に設けられ、グランドラインとなる金属ステージと、
前記金属ステージの上方に設けられた半導体装置とを備え、
前記配線層は、グランド配線層を含み、
前記金属ステージは、その壁面が前記グランド配線層に電気的に接続されていることを特徴とする送受信装置。
【００７５】
（付記１５）
金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板、及び、グランドラインとなる金属ステージを、前記金属ステージが前記金属ステージ用開口部に設けられるように、金属ベースの上方に設ける工程と、
前記金属ステージの上方に、半導体装置を設ける工程とを備え、
前記金属ステージとして、前記半導体装置側の端面よりも前記金属ベース側の端面の方が大きい金属ステージを設けることを特徴とする電子装置の製造方法。
【００７６】
（付記１６）
前記配線層が、グランド配線層を含み、
前記金属ステージの壁面が前記グランド配線層に電気的に接続されるように、前記金属ステージを前記金属ステージ用開口部に設けることを特徴とする、付記１５に記載の電子装置の製造方法。
【００７７】
（付記１７）
互いに異なる大きさの開口部を有し、配線層を有する複数のベース基板を、前記開口部の位置が合うように積層させることによって、前記配線基板を作製する工程をさらに備えることを特徴とする、付記１５又は１６に記載の電子装置の製造方法。
（付記１８）
前記配線基板に前記半導体装置を覆う金属キャビティを設ける工程をさらに備えることを特徴とする、付記１５〜１７のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【００７８】
（付記１９）
前記配線基板の上方に、他の半導体装置を設ける工程をさらに備えることを特徴とする、付記１５〜１８のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
（付記２０）
金属ステージ用開口部を有し、配線層を含む配線基板、及び、グランドラインとなる金属ステージを、前記金属ステージが前記金属ステージ用開口部に設けられるように、金属ベースの上方に設ける工程と、
前記金属ステージの上方に、半導体装置を設ける工程とを備え、
前記配線層が、グランド配線層を含み、
前記金属ステージの壁面が前記グランド配線層に電気的に接続されるように、前記金属ステージを前記金属ステージ用開口部に設けることを特徴とする電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【００７９】
１  送信部
２  受信部
３  フィルタ（バンドパスフィルタ）
４  高出力増幅器（ＨＰＡ−ＭＭＩＣチップ）
４Ａ  発熱部（ＧａＮ−ＨＥＭＴ）
４Ｂ  グランドビア
５  ドライバ増幅器
６  フィルタ（ローパスフィルタ）
７  リミッタ
８  スイッチ
９  低雑音増幅器
１０  可変減衰器
１１  スイッチ
１２  サーキュレータ
１３  アンテナ
１４  移相器
１５  制御・処理回路
１６  電源回路
２０  多層配線基板（多層配線セラミック基板；多層配線アルミナ基板）
２０Ａ  金属ステージ用開口部
２１  金属ベース
２２  ベース基板（セラミックベース基板；アルミナベース基板）
２２Ａ  開口部
２３  配線層
２３Ａ  高周波信号配線層
２３Ｂ  高周波グランド配線層
２３Ｃ  電力供給／制御用配線層
２３Ｄ  電源グランド配線層
２４  ビア
２５  チップコンデンサ
２６  スタック構造の３段バンドパスフィルタ
２７  金属ステージ
２８  金属キャビティ
２８Ａ  壁部
２８Ｂ  蓋部
２９  ワイヤ
３２  積層体
４０  直方体の金属ステージ
４１  発熱源
４２  マイクロストリップライン
【図１】
0005736716.tif 000002
【図２】
0005736716.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図５】
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