(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させてなる光電気混載基板であって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と、このアンダークラッド層の表面に形成された光路用のコアと、このコアを被覆するオーバークラッド層と、上記アンダークラッド層および上記オーバークラッド層の少なくとも一方の一端縁の部分に、上記コアの軸方向に沿って延設された電気回路ユニット位置決め用の突起部とを備え、上記電気回路ユニットが、電気回路基板と、この電気回路基板上の所定部分に実装された光学素子と、上記突起部が嵌合する嵌合孔とを備え、上記光導波路ユニットの上記突起部が、上記コアの光透過面に対して所定位置に位置決め形成され、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔が、上記光学素子に対して所定位置に位置決め形成され、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させた状態でなされ、その結合状態では、上記突起部と上記光学素子との間に間隙が形成されているとともに、上記光導波路ユニットの、上記突起部が形成されている少なくとも一端部が、上記電気回路ユニットの電気回路基板上に起立状に配置されていることを特徴とする光電気混載基板。
【請求項２】
上記光導波路ユニットの上記突起部と異なる部分に、第２の突起部が延設され、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔と異なる部分に、上記第２の突起部が嵌合する第２の嵌合孔が形成されている請求項１記載の光電気混載基板。
【請求項３】
光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させる請求項１記載の光電気混載基板の製法であって、上記光導波路ユニットの作製が、アンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、光路用のコアを形成する工程と、上記コアを被覆するようオーバークラッド層を形成する工程とを備え、上記アンダークラッド層を形成する工程および上記オーバークラッド層を形成する工程の少なくとも一方の工程において、上記コアの光透過面に対して位置決めされた、上記アンダークラッド層および上記オーバークラッド層の少なくとも一方の一端縁の部分に、上記コアの軸方向に沿って、電気回路ユニット位置決め用の突起部を延設することが行われ、上記電気回路ユニットの作製が、電気回路基板を形成する工程と、この電気回路基板上の所定部分に光学素子を実装する工程とを備え、上記電気回路基板を形成する工程において、上記光学素子の実装予定位置に対して位置決めされた所定位置に、上記突起部を嵌合させる嵌合孔を形成することが行われ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させ光電気混載基板にすることが、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させることにより行われ、上記突起部と上記光学素子との間に間隙が形成されているとともに、上記光導波路ユニットの、上記突起部が形成されている少なくとも一端部が、上記電気回路ユニットの電気回路基板上に起立状に配置されている光電気混載基板を得ることを特徴とする光電気混載基板の製法。
【請求項４】
上記光導波路ユニットの上記突起部と異なる部分に、第２の突起部を延設し、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔と異なる部分に、上記第２の突起部を嵌合させる第２の嵌合孔を形成する請求項３記載の光電気混載基板の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを備えた光電気混載基板およびその製法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子機器等では、伝送情報量の増加に伴い、電気配線に加えて、光配線が採用されている。すなわち、電気配線が形成された電気回路基板に、電気信号を光信号に変換する発光素子や光信号を電気信号に変換する受光素子等の光学素子が実装された電気回路ユニットと、上記光信号を伝送する光配線として光導波路が形成された光導波路ユニットとを備えた光電気混載基板が、上記電子機器等に組み込まれている。
【０００３】
上記光電気混載基板では、上記発光素子から発光された光を、上記光導波路ユニットのコア（光配線）の一端面（光入口）に入射させ、また、上記コアの他端面（光出口）から出射した光を、上記受光素子に受光させる必要がある。そのため、上記光学素子（発光素子，受光素子）とコアとを調芯する必要がある。
【０００４】
そこで、上記光学素子とコアとの調芯方法が、従来より提案されている。その一例として、光導波路ユニットを固定し、その光導波路ユニットのコアの一端面（光入口）に対して、発光素子から光を発光させた状態で、その発光素子の位置を変化させつつ、上記コアの他端面（光出口）から出射した光の強度をモニタリングし、その強度が最大となった位置を、調芯位置として決定する方法がある（特許文献１参照）。また、他の例として、位置決め用の孔部が形成されたコネクタを光導波路ユニットに取り付け、上記孔部に嵌合する位置決め用のピンを電気回路ユニットに取り付け、上記孔部とピンとを嵌合することにより、光学素子と光導波路ユニットのコアとを自動的に調芯する方法がある（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１９６８３１号公報
【特許文献２】特開２００９−２２３０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１の調芯方法では、高精度な調芯が可能であるものの、手間と時間とを要し、量産性に欠ける。また、上記特許文献２の調芯方法では、孔部とピンとの嵌合という簡単な方法で位置合わせが可能であるものの、コネクタおよびピンそれぞれの作製の際の寸法誤差だけでなく、光導波路ユニットに対するコネクタの取り付け位置の位置ずれ，電気回路ユニットに対する位置決め用のピンの取り付け位置の位置ずれ等も生じるため、それら寸法誤差および位置ずれが累積することで、調芯精度が悪化する。そこで、調芯精度を高めようとすると、上記寸法誤差や位置ずれが発生しないよう、寸法精度の管理が必要となるため、コストが高くなるとともに、量産性に欠けたものとなる。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯作業が不要であり、かつ、量産性に優れている光電気混載基板およびその製法の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させてなる光電気混載基板であって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と、このアンダークラッド層の表面に形成された光路用のコアと、このコアを被覆するオーバークラッド層と、上記アンダークラッド層および上記オーバークラッド層の少なくとも一方の一端縁の部分に、上記コアの軸方向に沿って延設された電気回路ユニット位置決め用の突起部とを備え、上記電気回路ユニットが、電気回路基板と、この電気回路基板上の所定部分に実装された光学素子と、上記突起部が嵌合する嵌合孔とを備え、上記光導波路ユニットの上記突起部が、上記コアの光透過面に対して所定位置に位置決め形成され、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔が、上記光学素子に対して所定位置に位置決め形成され、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させた状態でなされ、その結合状態では、上記突起部と上記光学素子との間に間隙が形成されているとともに、上記光導波路ユニットの、上記突起部が形成されている少なくとも一端部が、上記電気回路ユニットの電気回路基板上に起立状に配置されている光電気混載基板を第１の要旨とする。
【０００９】
また、本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させる上記光電気混載基板の製法であって、上記光導波路ユニットの作製が、アンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、光路用のコアを形成する工程と、上記コアを被覆するようオーバークラッド層を形成する工程とを備え、上記アンダークラッド層を形成する工程および上記オーバークラッド層を形成する工程の少なくとも一方の工程において、上記コアの光透過面に対して位置決めされた、上記アンダークラッド層および上記オーバークラッド層の少なくとも一方の一端縁の部分に、上記コアの軸方向に沿って、電気回路ユニット位置決め用の突起部を延設することが行われ、上記電気回路ユニットの作製が、電気回路基板を形成する工程と、この電気回路基板上の所定部分に光学素子を実装する工程とを備え、上記電気回路基板を形成する工程において、上記光学素子の実装予定位置に対して位置決めされた所定位置に、上記突起部を嵌合させる嵌合孔を形成することが行われ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させ光電気混載基板にすることが、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させることにより行われ、上記突起部と上記光学素子との間に間隙が形成されているとともに、上記光導波路ユニットの、上記突起部が形成されている少なくとも一端部が、上記電気回路ユニットの電気回路基板上に起立状に配置されている光電気混載基板を得る光電気混載基板の製法を第２の要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光電気混載基板は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを、結合させたものとなっている。上記光導波路ユニットでは、コアの光透過面と、電気回路ユニット位置決め用の突起部とが、互いに位置決めされた位置関係になっている。また、上記電気回路ユニットでは、光学素子と、上記光導波路ユニットの突起部が嵌合する嵌合孔とが、互いに位置決めされた位置関係になっている。そのため、上記光導波路ユニットの突起部が、上記電気回路ユニットの嵌合孔に嵌合した状態、すなわち、光導波路ユニットと電気回路ユニットとが結合した状態では、光導波路ユニットのコアと、電気回路ユニットの光学素子とが、自動的に調芯された状態になる。しかも、上記光導波路ユニットの突起部は、その光導波路ユニットを構成するアンダークラッド層およびオーバークラッド層の少なくとも一方の一端縁の部分に、上記コアの軸方向に沿って延設されたものであり、上記電気回路ユニットの嵌合孔は、その電気回路ユニットに形成されたものであることから、上記突起部と上記嵌合孔との嵌合に、コネクタ等の他の部品は設けられていない。そのため、光導波路ユニットと電気回路ユニットとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積がなく、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯は、高精度になっている。本発明の光電気混載基板は、以上のように、上記光導波路ユニットの突起部と上記電気回路ユニットの嵌合孔とを嵌合するという簡単な作業により、コアと光学素子とが自動的に高精度に調芯される構造となっていることから、手間と時間とを要する調芯作業が不要であるため、量産性に優れている。また、上記突起部と上記嵌合孔との嵌合に、コネクタ等の他の部品が不要であることから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要であるため、この点からも、量産性に優れている。
【００１１】
特に、上記光導波路ユニットの上記突起部と異なる部分に、第２の突起部が延設され、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔と異なる部分に、上記第２の突起部が嵌合する第２の嵌合孔が形成されている場合には、上記光導波路ユニットの第２の突起部と、上記電気回路ユニットの第２の嵌合孔とを、嵌合させることにより、上記電気回路ユニットに対する上記光導波路ユニットの位置ずれが、より確実に防止されるため、コアと光学素子との調芯を、より確実に維持することができる。
【００１２】
本発明の光電気混載基板の製法は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを、結合させることにより行われる。上記光導波路ユニットを作製する工程では、コアの光透過面に対して位置決めされた、上記アンダークラッド層および上記オーバークラッド層の少なくとも一方の一端縁の部分に、上記コアの軸方向に沿って、電気回路ユニット位置決め用の突起部を延設している。また、上記電気回路ユニットを作製する工程では、光学素子に対して位置決めされた所定位置に、上記光導波路ユニットの突起部を嵌合させる嵌合孔を形成している。そのため、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させると、光導波路ユニットのコアと、電気回路ユニットの光学素子とを、自動的に調芯することができる。しかも、上記光導波路ユニットの突起部は、その光導波路ユニットを構成するアンダークラッド層およびオーバークラッド層の少なくとも一方の一端縁の部分に、上記コアの軸方向に沿って延設して形成され、上記電気回路ユニットの嵌合孔は、その電気回路ユニットを構成する電気回路基板の一部に形成されることから、上記突起部と上記嵌合孔との嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しない。そのため、光導波路ユニットと電気回路ユニットとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積が生じず、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯が、高精度になる。本発明の光電気混載基板の製法は、以上のように、上記光導波路ユニットの突起部と上記電気回路ユニットの嵌合孔とを嵌合するという簡単な作業により、コアと光学素子とが自動的に高精度に調芯されることから、手間と時間とを要する調芯作業が不要であるため、量産性に優れている。また、上記突起部と上記嵌合孔との嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しないことから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要であるため、この点からも、量産性に優れている。
【００１３】
特に、上記光導波路ユニットの上記突起部と異なる部分に、第２の突起部を延設し、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔と異なる部分に、上記第２の突起部を嵌合させる第２の嵌合孔を形成する場合には、上記光導波路ユニットの第２の突起部と、上記電気回路ユニットの第２の嵌合孔とを、嵌合させることにより、上記電気回路ユニットに対する上記光導波路ユニットの位置ずれを、より確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の光電気混載基板の第１の実施の形態を模式的に示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、上記光電気混載基板を構成する光導波路ユニットを模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面の要部を拡大した断面図である。
【図３】上記光電気混載基板を構成する電気回路ユニットを模式的に示す斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、上記光電気混載基板の製法における光導波路ユニットの作製工程を模式的に示す説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、上記光電気混載基板の製法における電気回路ユニットの作製工程を模式的に示す説明図である。
【図６】本発明の光電気混載基板の第２の実施の形態を模式的に示す斜視図である。
【図７】本発明の光電気混載基板の第３の実施の形態を模式的に示す斜視図である。
【図８】本発明の光電気混載基板の第４の実施の形態を模式的に示す斜視図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、上記光導波路ユニットに形成された、電気回路ユニット位置決め用の突起部の変形例を模式的に示す正面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、上記光導波路ユニットの他の作製工程を模式的に示す説明図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、上記光導波路ユニットの他の形態の作製工程を模式的に示す説明図である。
【図１２】上記光導波路ユニットの他の形態を模式的に示す斜視図である。
【図１３】上記光導波路ユニットのさらに他の形態を模式的に示し、（ａ）はその正面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図１４】上記光電気混載基板の第５の実施の形態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
【００１６】
図１は、本発明の光電気混載基板の第１の実施の形態を模式的に示す斜視図である。この光電気混載基板は、電気回路ユニット位置決め用の突起部４を有する光導波路ユニットＷと、その突起部４が嵌合する嵌合孔１５を有する電気回路ユニットＥとを、個別に作製し、上記光導波路ユニットＷの上記突起部４を、上記電気回路ユニットＥの上記嵌合孔１５に嵌合することにより、上記光導波路ユニットＷと上記電気回路ユニットＥとを結合して一体化したものとなっている。ここで、光導波路ユニットＷにおいて、上記突起部４は、コア２の光透過面（一端面）２ａに対して所定位置（両ユニットＷ，Ｅの結合時に光導波路ユニットＷの光透過面２ａが電気回路ユニットＥの光学素子１０と対面するよう予め設定された位置）に位置決め形成されている。また、上記電気回路ユニットＥにおいて、上記突起部４が嵌合する上記嵌合孔１５は、光学素子１０に対して所定位置（両ユニットＷ，Ｅの結合時に電気回路ユニットＥの光学素子１０が光導波路ユニットＷの光透過面２ａと対面するよう予め設定された位置）に位置決め形成されている。このため、上記光電気混載基板では、上記突起部４と上記嵌合孔１５との嵌合により、コア２の光透過面２ａと光学素子１０とが、適正に位置決めされ、調芯された状態になっている。なお、この実施の形態では、上記光導波路ユニットＷが曲げられた状態で、上記電気回路ユニットＥに結合している。
【００１７】
より詳しく説明すると、上記光導波路ユニットＷは、その斜視図を図２（ａ）に、そのＡ−Ａ断面での要部拡大断面図を図２（ｂ）に示すように、アンダークラッド層１と、このアンダークラッド層１の表面に所定パターンの線状に形成された光路用のコア２と、このコア２を被覆した状態で上記アンダークラッド層１の表面に形成されたオーバークラッド層３とを備えている。そして、この光導波路ユニットＷの一端縁〔図２（ａ）では下端縁〕では、コア２の存在しない、上記アンダークラッド層１とオーバークラッド層３との積層部分が、コア２の軸方向に沿って延長され、その延長部分が、電気回路ユニット位置決め用の上記突起部４に形成されている。この突起部４は、コア２の光透過面２ａに対して所定位置に位置決め形成されている。この実施の形態では、上記突起部４の配置は、コア２の両側（２個所）に形成されており、上記突起部４の形状は、厚み（アンダークラッド層１とオーバークラッド層３との積層方向の厚み）が一定で、幅が延長方向にいくにつれて徐々に狭くなる正面視台形状に形成されている。
【００１８】
一方、上記電気回路ユニットＥは、図３にその斜視図を示すように、基板１１と、この基板１１の表面に絶縁層（図示せず）を介して実装された光学素子１０および駆動ＩＣとを備えている。そして、この電気回路ユニットＥには、上記光導波路ユニットＷの突起部４〔図２（ａ）参照〕が嵌合する嵌合孔１５が形成されている。この嵌合孔１５は、上記光学素子１０に対して、所定位置に位置決め形成されている。この実施の形態では、上記嵌合孔１５の配置は、上記光学素子１０の両側（２個所）に形成されており、上記嵌合孔１５の形状は、平面視長方形状に形成されている。
【００１９】
なお、上記絶縁層は、上記基板１１のうち嵌合孔１５を除く表面に形成されている。そして、その絶縁層の表面には、上記駆動ＩＣと接続する電気回路（図示せず）が形成されているとともに、光学素子１０を位置決め形成する際の目印として利用される光学素子位置規定用電極（図示せず）、および上記嵌合孔１５を位置決め形成する際の目印として利用される嵌合孔位置決め用回路（図示せず）が形成されている。その嵌合孔位置決め用回路は、上記嵌合孔１５の周縁に、枠状に形成されている。さらに、これら電気回路，光学素子位置規定用電極，嵌合孔位置決め用回路の表面には、めっき層（図示せず）が形成されている。上記光学素子位置規定用電極は、上記絶縁層の表面の略中央部に形成され、上記光学素子１０は、上記光学素子位置規定用電極を基準とした所定位置に実装されている。そして、上記光学素子１０と上記駆動ＩＣとがワイヤーボンディングにより電気的に接続され、その駆動ＩＣと電極パッド（上記電気回路の一部分）とがワイヤーボンディングにより電気的に接続されている。その状態で、上記光学素子１０およびその周辺部が樹脂封止されている（図示せず）。上記光学素子１０は、この実施の形態では、ワイヤーボンディングタイプの素子が用いられており、その発光部または受光部は、光学素子１０の表面（図３では上面）に形成されている。なお、上記駆動ＩＣは、例えば、発光素子（光学素子１０）を駆動させるドライバー、または受光素子（光学素子１０）からの信号を増幅するトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）等を指す。
【００２０】
そして、上記光電気混載基板は、図１に示すように、上記光導波路ユニットＷの上記突起部４が、上記電気回路ユニットＥの上記嵌合孔１５に嵌合されている状態で、光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとが結合され一体化されている。ここで、先に述べたように、光導波路ユニットＷに形成された上記突起部４は、コア２の光透過面２ａに対して所定位置に位置決め形成されている。また、電気回路ユニットＥに形成された嵌合孔１５は、光学素子１０に対して所定位置に位置決め形成されている。そのため、上記突起部４と嵌合孔１５との嵌合により、コア２の光透過面２ａと光学素子１０とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になっている。
【００２１】
さらに、この実施の形態では、光導波路ユニットＷの上記突起部４が台形状に形成されているため、電気回路ユニットＥの上記長方形状の嵌合孔１５の開口長さを所定値に設定することにより、上記台形状の突起部４の対向する傾斜面を、上記長方形状の嵌合孔１５の対向する両面に当接させて、上記突起部４の嵌合量（嵌合深さ）を適正に設定することができ、それにより、光導波路ユニットＷの一端面（コア２の光透過面２ａ）と、電気回路ユニットＥの光学素子１０との間の距離を適正に設定することができる。また、上記突起部４の幅や上記嵌合孔１５の開口長さ等に寸法収縮等が発生しても、上記台形状の突起部４の対向する傾斜面を利用することにより、上記突起部４と上記嵌合孔１５とは、同軸的に嵌合し、コア２と光学素子１０との調芯ずれを防止することができる。なお、図１では、理解を容易にするため、上記嵌合孔１５の大きさを、上記突起部４の大きさに対し大きめに図示しているが、実際は、同等ないし僅かに大きい程度である。
【００２２】
上記光電気混載基板は、下記の（１）〜（３）の工程を経て製造される。
（１）上記光導波路ユニットＷを作製する工程〔図４（ａ）〜（ｄ）参照〕。
（２）上記電気回路ユニットＥを作製する工程〔図５（ａ）〜（ｆ）参照〕。
（３）上記光導波路ユニットＷを上記電気回路ユニットＥに結合する工程。
【００２３】
〔（１）光導波路ユニットＷの作製工程〕
上記（１）の光導波路ユニットＷの作製工程について説明する。まず、アンダークラッド層１を形成する際に用いる平板状の基台２０〔図４（ａ）参照〕を準備する。この基台２０の形成材料としては、例えば、ガラス，石英，シリコン，樹脂，金属等があげられる。なかでも、ステンレス製基板が好ましい。ステンレス製基板は、熱に対する伸縮耐性に優れ、上記光導波路ユニットＷの製造過程において、様々な寸法が設計値に略維持されるからである。また、基台２０の厚みは、例えば、２０μｍ〜１ｍｍの範囲内に設定される。
【００２４】
ついで、図４（ａ）に示すように、上記基台２０の表面の所定領域に、フォトリソグラフィ法により、その一端縁の２個所に平面視台形状の突起片１ａが形成されたアンダークラッド層１を形成する。このアンダークラッド層１の形成材料としては、感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が用いられる。アンダークラッド層１の厚みは、例えば、５〜５０μｍの範囲内に設定される。
【００２５】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、上記アンダークラッド層１の表面に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア２を形成する。このとき、コア２の光透過面（一端面）２ａを、アンダークラッド層１の表面のうち、上記２個所の突起片１ａの間の部分において、上記２個所の突起片１ａに対して所定位置に位置決めする。このコア２の位置決めは、上記２個所の突起片１ａを基準に形成されたフォトマスクを、上記フォトリソグラフィ法によりコア２を形成する際に、上記２個所の突起片１ａを基準に配置した状態で、上記フォトマスクを介して露光することにより行われる。
【００２６】
上記コア２の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層１と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層１およびオーバークラッド層３〔図４（ｃ）参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層１，コア２，オーバークラッド層３の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。コアの数は、１本でも複数本でもよい〔図４（ｂ）では１本〕。コア２のパターンは、例えば、直線状，分岐状，交差状等があげられ、それらが混在していてもよい〔図４（ｂ）では直線状〕。コア２の厚みは、例えば、２０〜１００μｍの範囲内に設定される。コア２の幅は、例えば、２０〜１００μｍの範囲内に設定される。
【００２７】
そして、図４（ｃ）に示すように、上記コア２を被覆するよう、上記アンダークラッド層１の表面に、フォトリソグラフィ法により、オーバークラッド層３を形成する。このとき、上記アンダークラッド層１の突起片１ａ上にも、その突起片１ａと同形状の突起片３ａを形成する。上記オーバークラッド層３の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層１と同様の感光性樹脂があげられる。上記オーバークラッド層３の厚み（アンダークラッド層１の表面からの厚み）は、例えば、コア２の厚みを上回り１０００μｍ以下の範囲内に設定される。
【００２８】
ここで、上記アンダークラッド層１の突起片１ａと、その上に形成された上記オーバークラッド層３の突起片３ａとの積層部分が、電気回路ユニット位置決め用の前記突起部４となる。そして、先に述べたように、コア２の光透過面２ａが、上記アンダークラッド層１の突起片１ａに対して所定位置に位置決め形成されていることから、その突起片１ａに上記オーバークラッド層３の突起片３ａを積層してなる上記突起部４は、コア２の光透過面２ａに対して所定位置に位置決め形成されている。上記突起部４の寸法は、例えば、突出量が３００〜５０００μｍの範囲内、幅が１００〜５０００μｍの範囲内にそれぞれ設定される。
【００２９】
ついで、図４（ｄ）に示すように、アンダークラッド層１の裏面から基台２０〔図４（ｃ）参照〕を剥離する。これにより、アンダークラッド層１，コア２，オーバークラッド層３を備え、上記アンダークラッド層１とオーバークラッド層３との積層部分に電気回路ユニット位置決め用の突起部４が延設された光導波路ユニットＷを得る。この光導波路ユニットＷの厚みは、例えば、３０〜１１５０μｍの範囲内に設定される。このようにして、上記（１）の光導波路ユニットＷの作製工程が完了する。
【００３０】
〔（２）電気回路ユニットＥの作製工程〕
つぎに、上記（２）の電気回路ユニットＥの作製工程について説明する。まず、前記基板１１〔図５（ａ）参照〕を準備する。この基板１１の形成材料としては、例えば、金属，樹脂等があげられる。なかでも、加工容易性および寸法安定性の観点から、ステンレス製基板が好ましい。また、上記基板１１の厚みは、例えば、０．０２〜０．１ｍｍの範囲内に設定される。
【００３１】
ついで、図５（ａ）に示すように、上記基板１１の表面の所定領域に、絶縁層１２を形成する。この絶縁層１２の形成は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の、絶縁層形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理して乾燥させ、絶縁層形成用の感光性樹脂層を形成する。そして、その感光性樹脂層を、フォトマスクを介して紫外線等の照射線により露光することにより、所定形状の絶縁層１２に形成する。絶縁層１２の厚みは、例えば、５〜１５μｍの範囲内に設定される。
【００３２】
つぎに、図５（ｂ）に示すように、上記絶縁層１２の表面に、電気回路（図示せず）と、光学素子位置規定用電極１３と、枠状の嵌合孔位置決め用回路１４とを、同時に形成し、電気回路基板を作製する。これら電気回路等の形成は、例えば、セミアディティブ法により行われる。
【００３３】
すなわち、まず、上記絶縁層１２の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により金属層（厚み６０〜２６０ｎｍ程度）を形成する。この金属層は、後の電解めっきを行う際のシード層（電解めっき層形成の素地となる層）となる。ついで、上記基板１１，絶縁層１２およびシード層からなる積層体の両面に、ドライフィルムレジストを貼着した後、上記シード層が形成されている側のドライフィルムレジストに、フォトリソグラフィ法により上記電気回路等のパターンの孔部を同時に形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、電解めっき層（厚み５〜２０μｍ程度）を積層形成する。そして、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層部分をソフトエッチングにより除去し、残存した電解めっき層とその下のシード層とからなる積層部分を上記電気回路等に形成する。このようにして、上記基板１１，絶縁層１２、電気回路，光学素子位置規定用電極１３，および枠状の嵌合孔位置決め用回路１４からなる電気回路基板を得る。
【００３４】
そして、その電気回路基板を露光機にセットし、表面側（電気回路側）と裏面側（基板１１側）とをカメラで撮影し、その画像を基に、上記表面側の枠状の嵌合孔位置決め用回路１４を目印として、上記裏面側における嵌合孔形成予定部（上記枠状の嵌合孔位置決め用回路１４の枠内に対応する部分）の位置を適正に位置決めする。ついで、その嵌合孔形成予定部を除く裏面側部分を、ドライフィルムレジスト（図示せず）で覆う。つぎに、図５（ｃ）に示すように、露呈している上記嵌合孔形成予定部の基板１１の部分を、塩化第２鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、その除去部分１１ａから上記絶縁層１２の部分が露呈する。
【００３５】
ついで、図５（ｄ）に示すように、上記露呈した絶縁層１２の部分を、ケミカルエッチング液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、上記嵌合孔形成予定部を嵌合孔１５に形成する。この嵌合孔１５は、上記セミアディティブ法により光学素子位置規定用電極１３と同時に形成した枠状の嵌合孔位置決め用回路１４を基準に形成されているため、上記嵌合孔１５は、上記光学素子位置規定用電極１３に対して所定位置に位置決め形成される。上記嵌合孔１５の開口長さおよび開口幅は、その嵌合孔１５に嵌合する上記光導波路ユニットＷの突起部４（図１参照）の嵌合部分の幅および厚みと同等ないしそれよりも僅かに（例えば１〜１００μｍ程度）大きく設定される。
【００３６】
つぎに、電解めっき処理を施すことにより、図５（ｅ）に示すように、上記電気回路，光学素子位置規定用電極１３，および嵌合孔位置決め用回路１４の表面に、めっき層１６を形成する。その後、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。なお、上記めっき層１６の成分としては、金，ニッケル等があげられる。また、そのめっき層１６の厚みは、通常、０．２〜０．５μｍの範囲内に設定される。
【００３７】
そして、図５（ｆ）に示すように、上記光学素子位置規定用電極１３を基準とした所定位置に、上記光学素子１０および駆動ＩＣ（図示せず）を実装（ダイボンディング）する。ついで、上記光学素子１０と上記駆動ＩＣとをワイヤーボンディングにより電気的に接続するとともに、上記駆動ＩＣと電極パッド（上記電気回路の一部分）とをワイヤーボンディングにより電気的に接続する。その後、上記光学素子１０およびその周辺部を、樹脂封止（図示せず）する。これにより、上記嵌合孔１５を有する電気回路ユニットＥを得る。ここで、先に述べたように、図５（ｄ）の工程で形成された嵌合孔１５が、上記光学素子位置規定用電極１３に対して所定位置に位置決め形成されているため、その光学素子位置規定用電極１３に対する所定位置に実装した光学素子１０と上記嵌合孔１５とは、互いに位置決めされた位置関係になっている。このようにして、上記（２）の電気回路ユニットＥの作製工程が完了する。
【００３８】
〔（３）光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとの結合工程〕
つぎに、光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとの結合工程について説明する。この結合は、上記電気回路ユニットＥの光学素子１０と、上記光導波路ユニットＷのコア２の光透過面２ａとを対面させた状態で、上記光導波路ユニットＷの突起部４を、上記電気回路ユニットＥの嵌合孔１５に嵌合させ、上記光導波路ユニットＷと上記電気回路ユニットＥとを一体化する（図１参照）。その後、必要に応じて、上記突起部４と嵌合孔１５との嵌合部を接着剤で固定してもよい。そして、上記光導波路ユニットＷを、図１に示すように、曲げる。このようにして、上記（３）の光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとの結合工程が完了し、目的とする光電気混載基板が完成する。
【００３９】
ここで、先に述べたように、上記光導波路ユニットＷでは、コア２の光透過面２ａと電気回路ユニット位置決め用の突起部４とが互いに位置決めされた位置関係になっている。また、上記光学素子１０が実装された電気回路ユニットＥでは、光学素子１０と上記突起部４が嵌合する嵌合孔１５とが互いに位置決めされた位置関係になっている。そのため、上記のように、上記突起部４を上記嵌合孔１５に嵌合させて、上記光電気混載基板を作製すると、コア２の光透過面２ａと光学素子１０とが、自動的に調芯される。その結果、上記光電気混載基板の作製には、手間と時間とを要する調芯作業が不要となる。すなわち、上記光電気混載基板は、量産性に優れたものとなっている。
【００４０】
しかも、上記光導波路ユニットＷの突起部４は、その光導波路ユニットＷを構成するアンダークラッド層１およびオーバークラッド層３の所定部分が延設されたものである。また、上記電気回路ユニットＥの嵌合孔１５は、その電気回路ユニットＥを構成する電気回路基板に形成されたものである。すなわち、上記突起部４と上記嵌合孔１５との嵌合に、コネクタ等の他の部品は設けられていない。そのため、光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積がなく、光導波路ユニットＷのコア２と電気回路ユニットＥの光学素子１０との調芯は、高精度になっている。また、上記突起部４と上記嵌合孔１５との嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しないことから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要となっており、この点からも、量産性に優れている。
【００４１】
図６は、本発明の光電気混載基板の第２の実施の形態を模式的に示す斜視図である。この実施の形態では、光導波路ユニットＷは、その一端縁の上記突起部（第１の突起部）４に加えて、その光導波路ユニットＷの片側側縁に、その第１の突起部４と同様の第２の突起部５が延設されたものとなっている。また、上記電気回路ユニットＥは、上記第１の突起部４が嵌合する嵌合孔（第１の嵌合孔）１５が形成された部分と、直角に折り曲げられた折り曲げ部分とからなり、その曲げ部分に、上記第２の突起部５が嵌合する第２の嵌合孔１７が形成されたものとなっている。それ以外の部分は、図１に示す上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００４２】
この実施の形態の光電気混載基板では、光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとの結合が、第１の突起部４と第１の嵌合孔１５との嵌合に加えて、第２の突起部５と第２の嵌合孔１７とが嵌合されているため、上記電気回路ユニットＥに対する上記光導波路ユニットＷの位置ずれを、より確実に防止することができる。それにより、コア２と光学素子１０との調芯を、より確実に維持することができる。
【００４３】
この実施の形態において、光導波路ユニットＷの作製は、上記第１の実施の形態と同様にして作製することができる。電気回路ユニットＥの上記折り曲げ部分は、第１の突起部４と第１の嵌合孔１５とを嵌合させた後に折り曲げられる部分である。すなわち、その電気回路ユニットＥの作製では、上記折り曲げ部分を、第１の嵌合孔１５が形成された部分と同一平面状にした状態で、上記第１の実施の形態と同様にして、上記第１の嵌合孔１５を形成するとともに、この第１の嵌合孔１５に対して所定位置に、折り曲げ予定線および上記第２の嵌合孔１７を位置決め形成することが行われる。そして、光導波路ユニットＷと電気回路ユニットＥとの結合工程において、上記第１の突起部４と第１の嵌合孔１５とを嵌合させた後、上記電気回路ユニットＥの上記折り曲げ部分を、上記折り曲げ予定線から直角に折り曲げ、上記第２の突起部５を第２の嵌合孔１７に嵌合させることが行われる。
【００４４】
図７は、本発明の光電気混載基板の第３の実施の形態を模式的に示す斜視図である。この実施の形態では、光導波路ユニットＷのコア２が、その一端部において、光導波路ユニットＷの片側側縁の方に曲がっており、それに対応して、電気回路ユニットＥの（第１の）嵌合孔１５に嵌合する（第１の）突起部４が、光導波路ユニットＷの片側側縁に延設されている。それ以外の光導波路ユニットＷの部分および電気回路ユニットＥは、図１に示す上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。そして、上記第１の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。なお、上記コア２の曲がりの構造として、例えば、曲率半径０．５〜１０ｍｍの曲がり等が考えられる。
【００４５】
図８は、本発明の光電気混載基板の第４の実施の形態を模式的に示す斜視図である。この実施の形態では、図７に示す上記第３の実施の形態において、図６に示す上記第２の実施の形態と同様にして、第１の突起部４と第１の嵌合孔１５とに加えて、第２の突起部５と第２の嵌合孔１７とを形成し、それらを嵌合させたものである。この実施の形態においても、上記第２の実施の形態と同様の作用・効果を奏する。
【００４６】
図９（ａ），（ｂ）は、上記電気回路ユニット位置決め用の突起部４の変形例を模式的に示す正面図である。すなわち、図９（ａ）では、上記突起部４が三角形状に形成されている。この場合は、図１に示す台形状の突起部４と同様、三角形状の傾斜面を利用して、光導波路ユニットＷの一端面（コア２の光透過面２ａ）と、電気回路ユニットＥの光学素子１０との間の距離を適正に設定することができ、また、コア２と光学素子１０との調芯ずれを防止することもできる（図１参照）。図９（ｂ）では、上記突起部４が段部状に形成されている。この場合は、上記突起部４が嵌合孔１５（図１参照）に嵌合した後は、突起部４が抜け難くなっている。上記以外にも、例えば、上記突起部４を半円状等に形成してもよい。
【００４７】
図１０（ａ）〜（ｄ）は、光導波路ユニットＷの作製おいて、突起片３ａを含むオーバークラッド層３〔図４（ｃ）参照〕の他の作製工程（作製方法）として、型成形による方法を模式的に示している。すなわち、上記各実施の形態では、上記突起片３ａを含むオーバークラッド層３の形成をフォトリソグラフィ法により形成したが、型成形により形成してもよい。その形成は、つぎのようにして行われる。
【００４８】
すなわち、まず、図１０（ａ）に示すように、上記突起片３ａを含むオーバークラッド層３の形状に対応する型面３１を有する凹部が、その下面に形成されている成形型３０を準備する。ついで、図１０（ｂ）に示すように、基台２０の表面に、突起片１ａを有するアンダークラッド層１が形成され、このアンダークラッド層１の表面にコア２が所定パターンに形成された状態〔図４（ｂ）と同様の状態〕において、図１０（ｃ）に示すように、上記成形型３０の下面を基台２０の表面に密着させる。このとき、上記成形型３０の、上記突起片３ａに対応する型面部分３１ａを、アンダークラッド層１の突起片１ａ上に位置決めする。ついで、上記突起片１ａを含むアンダークラッド層１の表面と上記成形型３０の型面３１とコア２の表面とで囲まれた成形空間に、オーバークラッド層形成用の樹脂を、上記成形型３０に形成された注入孔（図示せず）から注入し、上記成形空間を上記樹脂で満たす。つぎに、その樹脂が感光性樹脂の場合は、上記成形型３０を通して紫外線等の照射線を露光した後に加熱処理を行い、上記樹脂が熱硬化性樹脂の場合は、加熱処理を行う。これにより、上記オーバークラッド層形成用の樹脂が硬化し、上記突起片３ａを含むオーバークラッド層３が形成される。そして、脱型し、図１０（ｄ）に示すように、図４（ｃ）と同様のものを得る。このようにして形成してもよい。
【００４９】
図１１（ａ）〜（ｄ）は、光導波路ユニットＷの他の形態の作製工程を模式的に示している。すなわち、上記各実施の形態では、光導波路ユニットＷにおける電気回路ユニット位置決め用の突起部４を、アンダークラッド層１とオーバークラッド層３との積層部分を延設したものとしたが〔図４（ｃ）参照〕、オーバークラッド層３のみを延設したものとしてもよい。そのような光導波路ユニットＷの作製工程（作製方法）は、つぎのようにして行われる。
【００５０】
すなわち、まず、図１１（ａ）に示すように、基台２０の表面の所定領域に、フォトリソグラフィ法により、上記突起片１ａ〔図４（ａ）参照〕のないアンダークラッド層１を形成する。ついで、図１１（ｂ）に示すように、上記アンダークラッド層１の表面に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア２を形成する。つぎに、図１１（ｃ）に示すように、突起部４を含むオーバークラッド層３の形状に対応する型面３１を有する凹部が、その下面に形成されている成形型３０を準備する。そして、図１１（ｄ）に示すように、上記成形型３０の下面を基台２０の表面に密着させる。このとき、上記成形型３０の、上記突起部４に対応する型面部分３１ａを、コア２の光透過面２ａに対して位置決めする。ついで、上記成形型３０の型面３１と上記基台２０の表面とアンダークラッド層１の表面とコア２の表面とで囲まれた成形空間に、オーバークラッド層形成用の樹脂を、上記成形型３０に形成された注入孔（図示せず）から注入し、上記成形空間を上記樹脂で満たす。その後は、図１０（ｃ）で説明した上記方法と同様にして、上記突起部４を含むオーバークラッド層３を形成する。そして、脱型し、図１２に示すように、基台２０の表面に、オーバークラッド層３のみに上記突起部４が延設された光導波路ユニットＷを得る。または、上記オーバークラッド層３の形成は、上記型成形〔図１１（ｃ）〜（ｄ）参照〕に代えて、フォトリソグラフィ法により行ってもよい。
【００５１】
なお、上記形態〔図１１（ａ）〜（ｄ）参照〕では、オーバークラッド層３のみに、電気回路ユニット位置決め用の突起部４を延設したが、アンダークラッド層１のみに、電気回路ユニット位置決め用の突起部４を延設してもよい。そのような光導波路ユニットＷの作製工程（作製方法）は、基台２０の表面に、突起片１ａを有するアンダークラッド層１が形成され、このアンダークラッド層１の表面にコア２が所定パターンに形成された状態〔図４（ｂ）と同様の状態〕において、型成形またはフォトリソグラフィ法により、上記突起片３ａ〔図４（ｃ）参照〕のないオーバークラッド層３を形成することにより、作製することができる。
【００５２】
図１３（ａ），（ｂ）は、光導波路ユニットＷのさらに他の形態を模式的に示している。この実施の形態では、図１３（ａ）に正面図、図１３（ｂ）に図１３（ａ）のＢ−Ｂ断面図で示すように、オーバークラッド層３がアンダークラッド層１よりも、一回り大きく形成されている。このような光導波路ユニットＷも、先に述べた型成形またはフォトリソグラフィ法により作製することができる。
【００５３】
上記のように〔図１０（ａ）〜（ｃ）、図１１（ａ）〜（ｄ）、図１３（ａ），（ｂ）参照〕、電気回路ユニット位置決め用の突起部４を型成形により形成すると、その突起部４の厚みを厚く形成することが可能となり、その突起部４を電気回路ユニットＥの嵌合孔１５に嵌合した状態において、その嵌合部分の強度を強化することができる。また、上記型成形の場合、上記成形型３０の、上記突起部４に対応する型面部分３１ａを変形することにより、上記突起部４の厚みを、延長方向にいくにつれて徐々に薄く形成してもよい。
【００５４】
なお、上記各実施の形態では、光学素子１０として、ワイヤーボンディングタイプの素子を用いたが、フリップチップタイプの素子を用いてもよい。このフリップチップタイプの素子を用いる場合は、発光部または受光部が、光学素子１０の実装面（裏面）に形成されているため、図１４に示すように、光導波路ユニットＷは、光学素子１０が実装されていない側から電気回路ユニットＥに嵌合され、上記発光部または受光部に対応する電気回路ユニットＥの部分には、光通過用の貫通孔１８が形成されている。
【００５５】
また、上記各実施の形態では、光電気混載基板の一端部について説明したが、他端部においても、上記各実施の形態と同様の構成としてもよい。この場合は、上記光学素子１０として、例えば、一端部側に発光素子、他端部側に受光素子を実装することにより、その発光素子からの光を、コア２を介して、上記受光素子で受光するようにすることができる。
【００５６】
さらに、上記各実施の形態では、電気回路ユニットＥの作製工程において、電気回路，光学素子位置規定用電極１３，嵌合孔位置決め用回路１４の表面に、めっき層１６を形成したが、このめっき層１６は、必要に応じて形成されるものであり、不要な場合は、形成しなくてもよい。
【００５７】
つぎに、実施例について説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。
【実施例】
【００５８】
〔アンダークラッド層，オーバークラッド層（突起部を含む）の形成材料〕
成分Ａ（固形エポキシ樹脂）：芳香環骨格を含むエポキシ樹脂（三菱化学社製、エピコート１００２）７０重量部。
成分Ｂ（固形エポキシ樹脂）：脂環骨格を含むエポキシ樹脂（ダイセル化学工業社製、ＥＨＰＥ３１５０）３０重量部。
成分Ｃ（光酸発生剤）：トリアリールスルホニウム塩の５０％プロピレンカーボネイトト溶液（サンアプロ社製、ＣＰＩ−２００Ｋ）２重量部。
これら成分Ａ〜Ｃを乳酸エチル（武蔵野化学研究所社製）５５重量部に撹拌溶解（温度８０℃、撹拌２５０ｒｐｍ×３時間）させ、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料（感光性樹脂組成物）を調製した。この感光性樹脂組成物の粘度は、デジタル粘度計（ブルックフィールド社製、ＨＢＤＶ−Ｉ＋ＣＰ）で測定すると、１３２０ｍＰａ・ｓであった。
【００５９】
〔コアの形成材料〕
成分Ｄ：Ｏ−クレゾールノボラックグリシジルエーテル（新日鐡化学社製、ＹＤＣＮ−７００−１０）１００重量部。
この成分Ｄと上記成分Ｃ１重量部とを乳酸エチル（武蔵野化学研究所社製）６０重量部に撹拌溶解（温度８０℃、撹拌２５０ｒｐｍ×３時間）させ、コアの形成材料（感光性樹脂組成物）を調製した。この感光性樹脂組成物の粘度は、上記デジタル粘度計で測定すると、１９００ｍＰａ・ｓであった。
【００６０】
〔実施例１〕
〔光導波路ユニットの作製〕
上記アンダークラッド層，コア，オーバークラッド層の各形成材料を用い、上記第１の実施の形態と同様にして、電気回路ユニット位置決め用の等脚台形状の突起部を有する光導波路ユニットを作製した。上記等脚台形状の突起部の寸法は、底辺（長い方の辺）の幅を２．５ｍｍ、頂辺（短い方の辺）の幅を１．０ｍｍ、高さ（突出長さ）を３．０ｍｍ、隣り合う突起部の中心間距離を６．５ｍｍとした。
【００６１】
〔電気回路ユニットの作製〕
上記第１の実施の形態と同様にして、上記電気回路ユニット位置決め用の突起部が嵌合する長方形状の嵌合孔を有する電気回路ユニットを作製した。その嵌合孔の寸法は、開口長さを２．５ｍｍ、開口幅を０．１ｍｍ、隣り合う嵌合孔の中心間距離を６．５ｍｍとした。なお、光学素子として、ワイヤーボンディング，フリップチップ両用の発光素子（ＶＣＳＥＬ：ＵＬＭフォトニクス社製、ＵＬＭ８５０−１０−ＣＯ０１０４Ｕ）を実装した。
【００６２】
〔光電気混載基板の製造〕
上記光導波路ユニットの突起部を、上記電気回路ユニットの嵌合孔に嵌合させ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを一体化した。そして、その嵌合部を接着剤で固定した。
【００６３】
〔光伝播試験〕
上記実施例１の光電気混載基板の発光素子に電流を流し、発光素子から光を出射させた。そして、光電気混載基板のコアの他端部から光が出射されることを確認した。
【００６４】
〔実施例２〕
〔光導波路ユニットの作製〕
上記実施例１の光導波路ユニットにおいて、他端部も、一端部と同様に、電気回路ユニット位置決め用の等脚台形状の突起部を有する光導波路ユニットを作製した。それ以外は、上記実施例１と同様にした。
【００６５】
〔電気回路ユニットの作製〕
上記実施例１の電気回路ユニットに、発光素子用のドライバーを実装した送信用電気回路ユニットを作製した。さらに、上記実施例１の電気回路ユニットにおいて、発光素子に代えて、ワイヤーボンディング，フリップチップ両用の受光素子（ＰＤ：ａｌｂｉｓ社製、ＰＤＣＡ０４−７０−ＧＳ）を実装し、また、その受光素子用のＴＩＡを実装した受信用電気回路ユニットを作製した。上記発光素子および受光素子の実装方法は、ワイヤーボンディング，フリップチップのそれぞれの方法を採用した。
【００６６】
〔光電気混載基板の製造〕
上記実施例１と同様にして、光導波路ユニットの一端部に、上記送信用電気回路ユニットを固定し、他端部に、上記受信用電気回路ユニットを固定した。
【００６７】
〔信号伝送試験〕
別途用意したパーソナルコンピュータを用い、上記ドライバーとＴＩＡとを制御しながら、上記送信用電気回路ユニットからパルスパターンジェネレータにより、高速信号を入力し、上記受信用電気回路ユニットからオシロスコープで信号を読み取った。そして、アイパターン評価により、実施例２の光電気混載基板の信号伝送特性を評価した。その結果、１０Ｇｂｐｓの信号伝送においても、良好な信号伝送を確認することができた。
【００６８】
上記実施例１，２の結果から、上記製法では、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子（発光素子，受光素子）との調芯作業をしなくても、得られた光電気混載基板は、適正に光伝播することがわかる。
【００６９】
なお、上記第２〜４の実施の形態、図９〜１４に示すように形成した光電気混載基板でも、調芯作業をしなくても、適正に光伝播するという結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明の光電気混載基板は、音声や画像等のデジタル信号を高速で伝送，処理する情報通信機器，信号処理装置等に用いることができる。
【符号の説明】
【００７１】
Ｗ  光導波路ユニット
Ｅ  電気回路ユニット
２  コア
２ａ  光透過面
４  突起部
１０  光学素子
１５  嵌合孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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