(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するコアと、
前記コアの側面に密着して前記コアを封止するクラッドと、
前記コア及び前記クラッド間に配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有する近接場光発生素子の製造方法であって、
前記クラッドのうち、第１クラッドを形成する第１クラッド形成工程と、
前記第１クラッド上に前記近接場光発生部の母材を形成する近接場光発生部形成工程と、
前記近接場光発生部の母材を覆うように前記コアの母材を形成するコア形成工程と、
前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材をパターニングして、前記コア及び前記近接場光発生部を形成するパターニング工程と、
前記第１クラッドとの間で前記コアを挟み込むように、前記クラッドのうち、第２クラッドを形成する第２クラッド形成工程と、を有し、
前記パターニング工程は、
前記一端側から前記他端側に向かうに従い先細る本体部、及び前記本体部から前記他端側へ一定幅で延びる舌部が残存するように前記コアの母材をパターニングする第１パターニング工程と、
前記第１パターニング工程でパターニングされた前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材を一括してエッチングし、前記コアの母材及び前記近接場光発生部の母材をパターニングする第２パターニング工程と、を有し、
前記コアの母材は、前記近接場光発生部の母材よりもエッチングレートが大きい材料からなり、
前記第２パターニング工程では、前記コアの母材と、前記近接場光発生部の母材とでのエッチングレートの差を利用して、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材をパターニングすることを特徴とする近接場光発生素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１パターニング工程では、前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向から見て矩形状になるようにパターニングし、
前記第２パターニング工程では、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材に対してプラズマ中でスパッタエッチングを行い、前記コアの母材における前記舌部を除去し、前記舌部に相当する領域における前記近接場光発生部に、前記コアよりも前記他端側に向けて一定幅で延びる延在部と、前記延在部における前記伝播方向から見て前記コア側に向けて突出する頂部と、を形成することを特徴とする請求項１記載の近接場光発生素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の近接場光発生素子の製造方法を用いて製造された近接場光発生素子であって、
前記近接場光発生部は、
前記本体部に相当する領域において、前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿う前記コアの一側面上に配置された基部と、
前記舌部に相当する領域において、前記基部の前記他端側から前記コアよりも前記伝播方向の前記他端側に向けて一定幅で延びる延在部と、を有していることを特徴とする近接場光発生素子。
【請求項４】
一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドであって、
前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、
前記スライダの先端側に配置され、前記記録磁界を発生させる主磁極及び補助磁極を有する記録素子と、
前記他端側を前記磁気記録媒体側に向けた状態で前記記録素子に隣接して固定された、請求項３記載の近接場光発生素子と、
前記スライダに固定され、前記一端側から前記コア内に前記光束を導入させる光束導入手段と、を備えていることを特徴とする近接場光ヘッド。
【請求項５】
請求項４記載の近接場光ヘッドと、
前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、
前記光束導入手段に対して前記光束を入射させる光源と、
前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、
前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、
前記記録素子及び前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光束を集光した近接場光を利用して磁気記録媒体に各種の情報を記録再生する近接場光発生素子の製造方法、近接場光発生素子、近接場光ヘッド、及び情報記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ機器におけるハードディスク等の容量増加に伴い、単一記録面内における情報の記録密度が増加している。例えば、磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度を高くする必要がある。ところが、記録密度が高くなるにつれて、記録媒体上で１ビット当たりの占める記録面積が小さくなっている。このビットサイズが小さくなると、１ビットの情報が持つエネルギーが、室温の熱エネルギーに近くなり、記録した情報が熱揺らぎ等のために反転したり、消えてしまったりする等の熱減磁の問題が生じてしまう。
【０００３】
一般的に用いられてきた面内記録方式では、磁化の方向が記録媒体の面内方向に向くように磁気を記録する方式であるが、この方式では上述した熱減磁による記録情報の消失等が起こり易い。そこで、このような不具合を解消するために、近年では記録媒体に対して垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式が採用されている。この方式は、記録媒体に対して、単磁極を近づける原理で磁気情報を記録する方式である。この方式によれば、記録磁界が記録膜に対してほぼ垂直な方向を向く。垂直な磁界で記録された情報は、記録膜面内においてＮ極とＳ極とがループを作り難いため、エネルギー的に安定を保ち易い。そのため、この垂直記録方式は、面内記録方式に対して熱減磁に強くなっている。
【０００４】
しかしながら、近年の記録媒体は、より大量且つ高密度情報の記録再生を行いたい等のニーズを受けて、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものが記録媒体として採用され始めている。そのため、上述した垂直記録方式であっても、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。
【０００５】
そこで、上述した不具合を解消するために、光を集光したスポット光、若しくは、近接場光を利用して磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に記録媒体への書き込みを行うハイブリッド磁気記録方式の記録再生ヘッドが提供されている。
このような記録再生ヘッドのうち、近接場光を利用した記録再生ヘッド（近接場光ヘッド）は、スライダと、スライダ上に配置された主磁極及び補助磁極を有する記録素子と、照射されたレーザ光から近接場光を発生させる近接場光発生素子と、近接場光発生素子に向けてレーザ光を照射するレーザ光源と、レーザ光源から発せられたレーザ光を近接場光発生素子まで導く光導波路と、を主に備えている（例えば、特許文献１参照）。近接場光発生素子は、レーザ光を反射させながら伝播させるコア、及びコアに密着してコアを封止するクラッドを有する光束伝播素子と、コア及びクラッド間に配置されてレーザ光から近接場光を発生させる金属膜と、を有している。コアは、一端側（光入射側）から他端側（光出射側）に向かうレーザ光の伝播方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されており、レーザ光を集光させながら他端側に向けて伝播させるようになっている。そして、コアにおける他端側の側面に上述した金属膜が配置されている。
【０００６】
このように構成された記録再生ヘッドを利用する場合には、近接場光を発生させると同時に記録磁界を印加することで、記録媒体に各種の情報を記録している。すなわち、レーザ光源から出射されたレーザ光は光導波路を介して光束伝播素子内に入射する。そして、光束伝播素子に入射したレーザ光は、コア内を伝播して金属膜に達する。すると、金属膜では、レーザ光によって内部の自由電子が一様に振動させられるのでプラズモンが励起され、コアの他端側に近接場光を局在化させた状態で発生させる。その結果、磁気記録媒体の磁気記録層は、近接場光によって局所的に加熱され、一時的に保磁力が低下する。
また、上述したレーザ光の照射と同時に記録素子に駆動電流を供給することで、主磁極の先端に近接する磁気記録媒体の磁気記録層に対して記録磁界を局所的に印加する。その結果、保磁力が一時的に低下した磁気記録層に各種の情報を記録することができる。つまり、近接場光と磁場との協働により、磁気記録媒体への記録を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１５２８９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、記録媒体のさらなる高密度化を図るためには、近接場光のスポットサイズを縮小して、磁気記録媒体の磁気記録層をより局所的に加熱し、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制する必要がある。近接場光のスポットサイズを縮小するためには、金属膜の幅（レーザ光の伝播方向から見てコアとの界面の幅）を縮小することが考えられる。
【０００９】
しかしながら、金属膜（及びコア）は、非常に微細なパターン（それぞれ寸法が数十ｎｍ程度）であり、それぞれの位置合わせした上で、このような微細パターンを形成するためには高価な製造装置を用いる必要がある。そのため、装置コストの増加に起因して、製造コストの増加に繋がるという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、製造コストの増加を抑制した上で、所望のスポットサイズの近接場光を発生させることができる近接場光発生素子の製造方法、近接場光発生素子、近接場光ヘッド、及び情報記録再生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上述した課題を解決するために以下の手段を提供する。
本発明に係る近接場光発生素子の製造方法は、端側に導入された光束を他端側に向けて集光しながら伝播するコアと、前記コアの側面に密着して前記コアを封止するクラッドと、前記コア及び前記クラッド間に配置され、前記コアとの界面に沿って前記光束を伝播させて、前記光束から近接場光を発生させる近接場光発生部と、を有する近接場光発生素子の製造方法であって、前記クラッドのうち、第１クラッドを形成する第１クラッド形成工程と、前記第１クラッド上に前記近接場光発生部の母材を形成する近接場光発生部形成工程と、前記近接場光発生部の母材を覆うように前記コアの母材を形成するコア形成工程と、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材をパターニングして、前記コア及び前記近接場光発生部を形成するパターニング工程と、前記第１クラッドとの間で前記コアを挟み込むように、前記クラッドのうち、第２クラッドを形成する第２クラッド形成工程と、を有し、前記パターニング工程は、前記一端側から前記他端側に向かうに従い先細る本体部、及び前記本体部から前記他端側へ一定幅で延びる舌部が残存するように前記コアの母材をパターニングする第１パターニング工程と、前記第１パターニング工程でパターニングされた前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材を一括してエッチングし、前記コアの母材及び前記近接場光発生部の母材をパターニングする第２パターニング工程と、を有し、前記コアの母材は、前記近接場光発生部の母材よりもエッチングレートが大きい材料からなり、前記第２パターニング工程では、前記コアの母材と、前記近接場光発生部の母材とでのエッチングレートの差を利用して、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材をパターニングすることを特徴としている。
【００１２】
この構成によれば、第２パターニング工程において、コアの母材と近接場光発生部の母材とを一括してエッチングする際に、コアの母材と近接場光発生部の母材との構成材料の違いに起因するエッチングレートの差を利用するため、エッチング時間の管理のみで近接場光発生部を所望の形状に形成することができる。これにより、コアや近接場光発生部の微細パターンの形成に高価な装置を用いる必要がない。したがって、製造コストの増加を抑制した上で、所望のスポットサイズの近接場光を発生させることができる。
【００１３】
また、前記第１パターニング工程では、前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向から見て矩形状になるようにパターニングし、前記第２パターニング工程では、前記コアの母材、及び前記近接場光発生部の母材に対してプラズマ中でスパッタエッチングを行い、前記コアの母材における前記舌部を除去し、前記舌部に相当する領域における前記近接場光発生部に、前記コアよりも前記他端側に向けて一定幅で延びる延在部と、前記延在部における前記伝播方向から見て前記コア側に向けて突出する頂部と、を形成することを特徴としている。
【００１４】
この構成によれば、第２パターニング工程においてスパッタエッチングを行うと、第１パターニング工程後におけるコアの母材の各角部が選択的にエッチングされていく。そして、この状態でさらにエッチングを続け、コアの母材が相似形を保ちながら外形が縮小していくと、コアの母材に覆われていた近接場光発生部の母材が露出する。
この際、舌部の領域では、舌部の外周縁に近接場光発生部の母材が露出する。その後、さらにスパッタエッチングを継続することで、近接場光発生部の母材は、舌部から露出した部分（外周縁の角部）から除々にエッチングが行われる。そして、最終的には、舌部が完全に除去されることで、舌部に覆われていた近接場光発生部の母材のみが残存する。これにより、舌部に相当する領域における近接場光発生部に、舌部と同一幅で延びる延在部が形成される。この際、上述したように舌部から露出した近接場光発生部の母材は、外周縁の角部から内側に向けて除々にエッチングされるため、延在部のうち、舌部により最後まで覆われていた部分に、コア側に向けて突出する頂部が残存することになる。
このように形成された近接場光発生部では、コア内を伝播する光束が入射することで、表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、近接場光発生部上を他端側に向けて伝播し、頂部において光強度の強い近接場光となり、外部に漏れ出す。
このように、頂部を形成することで、光束の伝播方向から見てコアとの界面の幅よりも狭いスポットサイズを有する近接場光を発生させることができる。
【００１５】
また、本発明の近接場光発生素子は、上記本発明の近接場光発生素子の製造方法を用いて製造された近接場光発生素子であって、前記近接場光発生部は、前記本体部に相当する領域において、前記一端側から前記他端側に向かう前記光束の伝播方向に沿う前記コアの一側面上に配置された基部と、前記舌部に相当する領域において、前記基部の前記他端側から前記コアよりも前記伝播方向の前記他端側に向けて一定幅で延びる延在部と、を有していることを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明の近接場光発生素子の製造方法を用いて製造することで、延在部の幅を所望の幅に形成することができるため、製造コストの増加を抑制した上で、所望のスポットサイズの近接場光を発生させることができる。
【００１６】
また、本発明に係る近接場光ヘッドは、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドであって、前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、前記スライダの先端側に配置され、前記記録磁界を発生させる主磁極及び補助磁極を有する記録素子と、前記他端側を前記磁気記録媒体側に向けた状態で前記記録素子に隣接して固定された、上記本発明の近接場光発生素子と、前記スライダに固定され、前記一端側から前記コア内に前記光束を導入させる光束導入手段と、を備えていることを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明の近接場光発生素子を備えているので、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制して、安定した記録を行うことができる。よって、近接場光ヘッド自体の書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。
【００１７】
また、本発明に係る情報記録再生装置は、上記本発明の近接場光ヘッドと、前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、前記磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、前記光束伝播素子に対して前記光束を入射させる光源と、前記ビームの基端側を支持するとともに、前記ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、前記記録素子及び前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、上記本発明の近接場光ヘッドを備えているので、書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る近接場光発生素子の製造方法、及び近接場光発生素子によれば、製造コストの増加を抑制した上で、所望のスポットサイズの近接場光を発生させることができる。
本発明に係る近接場光ヘッド及び情報記録再生装置によれば、上述した熱揺らぎ現象等の影響を抑制して、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができ、高品質化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態における情報記録再生装置の構成図である。
【図２】記録再生ヘッドを上向きにした状態でサスペンションを記録再生ヘッド側から見た斜視図である。
【図３】記録再生ヘッドを上向きにした状態でジンバルを見た平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図５】記録再生ヘッドの拡大断面図である。
【図６】記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。
【図７】コア及び金属膜の斜視図である。
【図８】コア及び金属膜の断面図である。
【図９】図７のＥ部拡大図である。
【図１０】図６の要部拡大図である。
【図１１】図１０のＦ矢視図である。
【図１２】情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図６に相当する図である。
【図１３】情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図１１に相当する図である。
【図１４】近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、コア母材の平面図である。
【図１５】近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、図１４（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図である。
【図１６】近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、（ａ）は図１４（ｃ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図、（ｂ）は図１４（ｃ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図である。
【図１７】近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、図１４（ｃ）のＩ−Ｉ線に相当する断面図である。
【図１８】第２実施形態における記録再生ヘッドの前側を拡大した断面図である。
【図１９】第２実施形態における近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、図１６に相当する断面図である。
【図２０】近接場光発生素子の他の製造方法を説明するための工程図であって、図１７に相当する断面図である。
【図２１】近接場光発生素子の他の製造方法を説明するための工程図であって、図１７に相当する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の情報記録再生装置１は、垂直記録層ｄ２を有するディスク（磁気記録媒体）Ｄに対して、近接場光Ｒと記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式によりディスクＤに記録再生を行う装置である（図２参照）。
【００２１】
（第１実施形態）
（情報記録再生装置）
図１は情報記録再生装置の構成図である。
本実施形態の情報記録再生装置１は、図１に示すように、キャリッジ１１と、キャリッジ１１の先端側に支持されたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１２と、ヘッドジンバルアセンブリ１２をディスク面Ｄ１（ディスクＤの表面）に平行なＸＹ方向に向けてスキャン移動させるアクチュエータ５と、ディスクＤを所定の方向に向けて回転させるスピンドルモータ６と、情報に応じて変調した電流をヘッドジンバルアセンブリ１２の記録再生ヘッド（近接場光ヘッド）２に対して供給する制御部８と、これら各構成品を内部に収容するハウジング９と、を備えている。
【００２２】
ハウジング９は、アルミニウム等の金属材料により、上面視四角形状に形成されているとともに、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部９ａの略中心には、スピンドルモータ６が取り付けられ、スピンドルモータ６に中心孔を嵌め込むことでディスクＤが着脱自在に固定される。なお、本実施形態では、３枚のディスクＤがスピンドルモータ６に固定されている場合を例に挙げて説明している。但し、ディスクＤの数は３枚に限定されるものではない。
【００２３】
凹部９ａの隅角部には、アクチュエータ５が取り付けられている。このアクチュエータ５には、ピボット軸１０を介してキャリッジ１１が取り付けられている。キャリッジ１１は、基端部から先端部に向けてディスク面Ｄ１に沿って延設されたアーム部１４と、基端部を介してアーム部１４を片持ち状に支持する基部１５とが、削り出し加工等により一体形成されたものである。
基部１５は、直方体形状に形成されたものであり、ピボット軸１０まわりを回動可能に支持されている。つまり、基部１５はピボット軸１０を介してアクチュエータ５に連結されており、このピボット軸１０がキャリッジ１１の回転中心となっている。
【００２４】
アーム部１４は、基部１５におけるアクチュエータ５が取り付けられた側面１５ａと反対側の側面（隅角部の反対側の側面）１５ｂにおいて、基部１５の上面の面方向（ＸＹ方向）と平行に延出する平板状のものであり、基部１５の高さ方向（Ｚ方向）に沿って３枚延出している。具体的には、アーム部１４は、基端部から先端部に向かうにつれ先細るテーパ形状に形成され、各アーム部１４間に、ディスクＤが挟み込まれるように配置されている。つまり、アーム部１４とディスクＤとが、互い違いになるように配されており、アクチュエータ５の駆動によってアーム部１４がディスクＤの表面に平行な方向（ＸＹ方向）に移動可能とされている。なお、キャリッジ１１及びヘッドジンバルアセンブリ１２は、ディスクＤの回転停止時にアクチュエータ５の駆動によって、ディスクＤ上から退避するようになっている。
【００２５】
（ヘッドジンバルアセンブリ）
ヘッドジンバルアセンブリ１２は、後述する近接場光発生素子（光束伝播素子）２６を有する近接場光ヘッドである記録再生ヘッド２を支持するものである。
【００２６】
図２は、記録再生ヘッドを上向きにした状態でサスペンションを記録再生ヘッド側から見た斜視図である。図３は、記録再生ヘッドを上向きにした状態でジンバルを見た平面図である。図４は図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図５は記録再生ヘッドの拡大断面図である。
図２〜５に示すように、本実施形態のヘッドジンバルアセンブリ１２は、上述した記録再生ヘッド２をディスクＤから浮上させる機能を有しており、記録再生ヘッド２と、金属性材料により薄い板状に形成され、ディスク面Ｄ１に平行なＸＹ方向に移動可能なサスペンション３と、記録再生ヘッド２を、ディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在な状態、すなわち２軸を中心として捻れることができるようにサスペンション３の下面に固定させるジンバル手段１６と、を備えている。
【００２７】
（サスペンション）
図２〜４に示すように、上述したサスペンション３は、上面視略四角状に形成されたベースプレート５１と、ベースプレート５１の先端側にヒンジ板５２を介して連結された平面視略三角状のロードビーム５３と、で構成されている。
【００２８】
ベースプレート５１は、ステンレス等の厚みの薄い金属材料によって構成されており、基端側には厚さ方向に貫通する開口５１ａが形成されている。そして、この開口５１ａを介してベースプレート５１がアーム部１４の先端に固定されている。
ベースプレート５１の下面には、ステンレス等の金属材料により構成されたシート状のヒンジ板５２が配置されている。このヒンジ板５２は、ベースプレート５１の下面の全面に亘って形成された平板状の板材であり、その先端部分はベースプレート５１の先端からベースプレート５１の長手方向（Ｘ方向）に沿って延出する延出部５２ａとして形成されている。この延出部５２ａは、ヒンジ板５２の幅方向（Ｙ方向）両端部から２本延出しており、その先端部分にロードビーム５３が連結されている。
【００２９】
ロードビーム５３は、ベースプレート５１と同様にステンレス等の厚みの薄い金属材料によって形成されており、その基端がベースプレート５１の先端との間に間隙を有した状態でヒンジ板５２に連結されている。
これにより、サスペンション３は、ベースプレート５１とロードビーム５３との間を中心に屈曲して、ディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向に向けて撓み易くなっている。
【００３０】
また、サスペンション３上には、フレクシャ５４が設けられている。
このフレクシャ５４は、ステンレス等の金属材料により形成されたシート状のものであり、シート状に形成されることで厚さ方向に撓み変形可能に構成されている。また、このフレクシャ５４は、ロードビーム５３の先端側に固定され、外形が上面視略五角形状に形成されたジンバル１７と、ジンバル１７より幅狭に形成され、ジンバル１７の基端からサスペンション３上に沿って延在する支持体１８と、で構成されている。
【００３１】
ジンバル１７は、中間付近から先端にかけてディスク面Ｄ１に向けて厚さ方向に僅かながら反るように形成されている。そして、この反りが加わった先端側がロードビーム５３に接触しないように、基端側から略中間付近にかけてロードビーム５３に固定されている。また、この浮いた状態のジンバル１７の先端側には、周囲がコ形状に刳り貫かれた切欠部５９が形成され、この切欠部５９に囲まれた部分には連結部１７ａによって片持ち状に支持されたパッド部１７ｂが形成されている。
つまり、このパッド部１７ｂは、連結部１７ａによってジンバル１７の先端側から基端側に向けて張出し形成されており、その周囲に切欠部５９を備えている。
【００３２】
これにより、パッド部１７ｂはジンバル１７の厚さ方向に撓みやすくなっており、このパッド部１７ｂのみがサスペンション３の下面と平行になるように角度調整されている。そして、このパッド部１７ｂ上に上述した記録再生ヘッド２が載置固定されている。つまり、記録再生ヘッド２は、パッド部１７ｂを介してロードビーム５３にぶら下がった状態となっている。
【００３３】
また、図３，４に示すように、ロードビーム５３の先端には、パッド部１７ｂ及び記録再生ヘッド２の略中心に向かって突出する突起部１９が形成されている。この突起部１９の先端は、丸みを帯びた状態となっている。そして突起部１９は、記録再生ヘッド２がディスクＤから受ける風圧によりロードビーム５３側に浮上したときに、パッド部１７ｂの表面（上面）に点接触するようになっている。
つまり、突起部１９は、ジンバル１７のパッド部１７ｂを介して、記録再生ヘッド２を支持するとともに、ディスク面Ｄ１に向けて（Ｚ方向に向けて）記録再生ヘッド２に荷重を付与するようになっている。
なお、これら突起部１９とパッド部１７ｂを有するジンバル１７とが、ジンバル手段１６を構成している。
【００３４】
（記録再生ヘッド）
図６は記録再生ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図である。
記録再生ヘッド２は、ディスクＤとサスペンション３との間に配置された状態で、サスペンション３の下面にジンバル１７を挟んで支持されている。
具体的に、記録再生ヘッド２は、図５，６に示すように、レーザ光Ｌから生成した近接場光Ｒを利用して回転するディスクＤに各種の情報を記録再生するヘッドである。記録再生ヘッド２は、ディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ浮上した状態でディスクＤに対向配置されたスライダ２０と、ディスクＤに情報を記録する記録素子２１と、ディスクＤに記録されている情報を再生する再生素子２２と、レーザ光Ｌを集光しながら伝播するとともに、近接場光Ｒに生成した後に外部に発する近接場光発生素子２６と、近接場光発生素子２６に向けてレーザ光Ｌを出射するレーザ光源２９と、を備えている。
【００３５】
スライダ２０は、石英ガラス等の光透過性材料や、ＡｌＴｉＣ（アルチック）等のセラミック等によって直方体状に形成されている。このスライダ２０は、ディスクＤに対向する対向面２０ａを有しており、後述するレーザマウント４３を介して上述したパッド部１７ｂに支持されている。
【００３６】
また対向面２０ａには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸条部２０ｂが形成されている。この凸条部２０ｂは、長手方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成され、レール状に並ぶように間隔を空けて左右（Ｙ方向）に２つ形成されている。但し、凸条部２０ｂはこの場合に限定されるものではなく、スライダ２０をディスク面Ｄ１から離そうとする正圧と、スライダ２０をディスク面Ｄ１に引き付けようとする負圧と、を調整して、スライダ２０を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸条部２０ｂの表面はＡＢＳ（ＡＩＲ  ＢＥＡＲＩＮＧ  ＳＵＲＦＡＣＥ）２０ｃと呼ばれている。
【００３７】
そしてスライダ２０は、この２つの凸条部２０ｂによってディスク面Ｄ１から浮上する力を受けている。一方、サスペンション３はディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向に撓むようになっており、スライダ２０の浮上力を吸収している。つまり、スライダ２０は、浮上した際にサスペンション３によってディスク面Ｄ１側に押さえ付けられる力を受けている。よってスライダ２０は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面Ｄ１から所定距離Ｈ離間した状態で浮上するようになっている。しかもスライダ２０は、ジンバル手段１６によってＸ軸回り及びＹ軸回りに回動するようになっているので、常に姿勢が安定した状態で浮上するようになっている。
なお、ディスクＤの回転に伴って生じる空気流は、スライダ２０の流入端側（サスペンション３のＸ方向基端側）から流入した後、ＡＢＳ２０ｃに沿って流れ、スライダ２０の流出端側（サスペンション３のＸ方向先端側）から抜けている。
以下、スライダ２０の流入端側（リーディングエッジ側）、つまり図５におけるＸ方向右側を「後方」とし、スライダ２０の流出端側（トレイリングエッジ側）、つまり図５におけるＸ方向左側を「前方」とする。また、記録再生ヘッド２に対してディスク面Ｄ１側、つまり図５におけるＺ方向下側を「下方」とし、その反対側、つまり図５におけるＺ方向上側を「上方」とする。
【００３８】
記録素子２１は、図５に示すディスク面Ｄ１に対向する対向面２１ａから記録磁界を発生させ、その記録磁界をディスクＤに作用させて情報を記録する素子であり、図６に示すように、スライダ２０の前方の端部に保持されている。この記録素子２１には、スライダ２０の前方の端面（前端面）に固定された補助磁極３１と、補助磁極３１の前方に配設されて磁気回路３２を介して補助磁極３１に接続された主磁極３３と、磁気回路３２を中心として磁気回路３２の周囲を螺旋状に巻回するコイル３４と、が備えられている。つまり、スライダ２０の前端面から前方に向かって、補助磁極３１、磁気回路３２、コイル３４、及び主磁極３３の順で並べて配置されている。
【００３９】
両磁極３１，３３及び磁気回路３２は、磁束密度が高い高飽和磁束密度（Ｂｓ）材料（例えば、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金等）により形成されている。また、コイル３４は、ショートしないように、隣り合うコイル線間、磁気回路３２との間、両磁極３１，３３との間に隙間が空くように配置されており、この状態で絶縁体３５によってモールドされている。そして、コイル３４は、情報に応じて変調された電流が制御部８（図１参照）から供給されるようになっている。すなわち、磁気回路３２及びコイル３４は、全体として電磁石を構成している。また、上述した主磁極３３、補助磁極３１及び絶縁体３５のディスク面Ｄ１に対向する各対向面３３ａ，３１ａ，３５ａ（Ｚ方向端面）は、スライダ２０のＡＢＳ２０ｃとそれぞれ面一に形成されている。上述した構成の記録素子２１では、コイル３４に電流が供給されることで、磁力線が主磁極３３の対向面３３ａから出て補助磁極３１の対向面３１ａに入る記録磁界が発生する。
【００４０】
図６に示すように、近接場光発生素子２６は、ディスク面Ｄ１に対向する対向面２６ａから近接場光Ｒを発生させる素子であり、記録素子２１の前方（図６に示す主磁極３３に対する補助磁極３１と反対側）に配設されている。この近接場光発生素子２６は、先端をディスク面Ｄ１に向けて上下に延設されたコア２３と、コア２３の下端部における主磁極３３側の側面（側面２３ｇ）に密着して配置された金属膜（近接場光発生部）７１と、コア２３の下端部を被覆する遮光膜２７と、コア２３の側面に密着してコア２３を封止するクラッド２４と、を備えている。
【００４１】
図７はコア及び金属膜の斜視図、図８はコア及び金属膜の断面図であり、（ａ）は図７のＢ−Ｂ線、（ｂ）は図７のＣ−Ｃ線、（ｃ）は図６のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
図７，８に示すように、コア２３は、上端側（一端側）から入射されたレーザ光Ｌを下端側（他端側）に向けて集光しながら伝播させる光束伝播部材である。このコア２３は、上端側から下端側にかけて漸次絞り成形され、レーザ光Ｌを内部で徐々に集光させながら伝播させることができるようになっている。具体的に説明すると、コア２３は、上側から光束集光部２３ａと、近接場光生成部２３ｂと、を有している。
【００４２】
光束集光部２３ａは、上端側から下端側に向かうＺ方向に直交する断面積（ＸＹ方向の断面積）が漸次減少するように絞り成形された部分であり、導入されたレーザ光Ｌを集光させながら下方に向けて伝播させている。つまり、光束集光部２３ａに導入されたレーザ光Ｌのスポットサイズを、徐々に小さいサイズに絞ることができるようになっている。具体的に、光束集光部２３ａは、上端側においてＺ方向から見た断面形状（入射側端面）が台形状に形成された台形部４１（図８（ｃ）参照）と、台形部４１の下端部に一体的に連設されＺ方向から見た断面形状が三角形状に形成された三角形部４２（図８（ｂ）参照）と、で構成されている。
【００４３】
図７，図８（ｃ）に示すように、台形部４１は、左右方向を長手方向（Ｙ方向）、前後方向（Ｘ方向）を短手方向とした扁平形状に形成されている。具体的に、台形部４１は、後側の側面２３ｇと、側面２３ｇの左右両端（Ｙ方向両端）から再生素子２２に向かって先細るように延在する一対の側面２３ｋと、側面２３ｇと平行に延在するとともに、一対の側面２３ｋ同士を掛け渡す側面２３ｊと、で構成されている。台形部４１は、下端側に向かうに従い両底面（後側の側面２３ｇ及び前側の側面２３ｊ）の長さ（Ｙ方向における幅）が漸次減少するように形成されている。また、台形部４１の上端面４１ａ（コア２３の上端面）は、スライダ２０の上面と面一に形成され、外部に向けて露出している。
【００４４】
図７，図８（ｂ）に示すように、三角形部４２は、底面及び一対の斜面が上述した側面２３ｇ及び側面２３ｋにより構成されている。三角形部４２は、下端側に向けて底面（側面２３ｇ）の長さ、及び斜面（側面２３ｋ）の長さが漸次減少するように形成されている。
【００４５】
図９は図７のＥ部拡大図である。また、図１０は図６の要部拡大図であり、図１１は図１０のＦ矢視図である。
図７〜１１に示すように、近接場光生成部２３ｂは、光束集光部２３ａにおける三角形部４２の下端部から下方に向けてさらに絞り成形された部分である。近接場光生成部２３ｂはＺ方向から見た断面形状が三角形状に形成されている。具体的に、近接場光生成部２３ｂは、底面が側面２３ｇにより構成され、この側面２３ｇが主磁極３３の先端部分３３ｂに密着している。近接場光生成部２３ｂは、側面２３ｇの両端（Ｙ方向両端）から再生素子２２に向かって（Ｘ方向に向かって）一対の側面２３ｄが形成されている。側面２３ｄは、レーザ光Ｌの光軸（Ｚ方向）に対して傾斜した状態で延在しており、これにより近接場光生成部２３ｂは下端側が尖形した状態となっている。そして、近接場光生成部２３ｂの下端は、スライダ２０のＡＢＳ２０ｃよりも上方に位置しており、クラッド２４により覆われて、外部には露出していない。このように、コア２３において、台形部４１の上端面４１ａがレーザ光源２９から出射されるレーザ光Ｌの入射端を、近接場光生成部２３ｂの下端部がレーザ光Ｌの出射端を構成している。
【００４６】
クラッド２４は、図６，７に示すように、コア２３よりも屈折率が低い材料で形成され、側面２３ｄ，２３ｇ，２３ｊ，２３ｋに密着して、コア２３を封止するモールド部材である。また、クラッド２４は、コア２３の上端面４１ａを外部に露出させる一方、コア２３の下端を内部に封止している。具体的に、クラッド２４は、コア２３と記録素子２１（主磁極３３）との間でコア２３を後側から覆うように形成された第１クラッド２４ａと、コア２３と再生素子２２との間でコア２３を前側から覆うように形成された第２クラッド２４ｂと、を備えている。このように、第１クラッド２４ａ及び第２クラッド２４ｂがコア２３の側面２３ｄ，２３ｇ，２３ｊ，２３ｋに密着しているので、コア２３とクラッド２４との間に隙間が生じないようになっている。
【００４７】
なお、クラッド２４及びコア２３として使用される材料の組み合わせの一例を記載すると、例えば、石英（ＳｉＯ2）でコア２３を形成し、フッ素をドープした石英でクラッド２４を形成する組み合わせが考えられる。この場合には、レーザ光Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア２３の屈折率が１．４７となり、クラッド２４の屈折率が１．４７未満となるので好ましい組み合わせである。
また、ゲルマニウムをドープした石英でコア２３を形成し、石英（ＳｉＯ2）でクラッド２４を形成する組み合わせも考えられる。この場合には、レーザ光Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア２３の屈折率が１．４７より大きくなり、クラッド２４の屈折率が１．４７となるのでやはり好ましい組み合わせである。
特に、コア２３とクラッド２４との屈折率差が大きいほど、コア２３内にレーザ光Ｌを閉じ込める力が大きくなるので、コア２３に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5：波長が５５０ｎｍのときに屈折率が２．１６）を用い、クラッド２４に石英やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等を用いて、両者の屈折率差を大きくすることがより好ましい。また、赤外領域のレーザ光Ｌを利用する場合には、赤外光に対して透明な材料であるシリコン（Ｓｉ：屈折率が約４）でコア２３を形成することも有効である。
【００４８】
図７〜１１に示すように、コア２３と第１クラッド２４ａとの間には、金属膜７１が形成されている。金属膜７１は、コア２３内を伝播してきたレーザ光Ｌから近接場光Ｒを発生させ、近接場光Ｒを近接場光発生素子２６の下端側とディスクＤとの間に局在化させるものであり、例えば金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）等により構成されている。また、金属膜７１における後側の側面７１ａ（図１０参照）は、第１クラッド２４ａから露出する主磁極３３の先端部分３３ｂに接している。
【００４９】
ここで、金属膜７１は、コア２３における近接場光生成部２３ｂの側面２３ｇ上に配置された基部７２と、基部７２から下方に向けて延在する延在部７３と、を有している。
基部７２は、Ｘ方向から見て三角形状のものであり、Ｙ方向における幅がコア２３よりも広く形成された第１基部７４と、第１基部７４の中央部から段差部７８を介して前方（コア２３側）に向けて立設された第２基部７５と、が連設されている。
第１基部７４は、図７，９に示すように、Ｚ方向において、上端側が近接場光生成部２３ｂと光束集光部２３ａとの境界部分に位置するとともに、下端側がコア２３の下端と同位置に位置している。また、第１基部７４は、前方に向かうに従いＹ方向における幅が漸次小さくなるように形成されている。具体的に、第１基部７４におけるＹ方向両側の側面７４ａ（図９参照）は、コア２３の側面２３ｄと平行な傾斜面に形成されている。すなわち、第１基部７４におけるＹ方向両端部の角度（側面７１ａと側面７４ａとのなす角度）は、近接場光生成部２３ｂにおけるＹ方向両端部の角度（側面２３ｇと側面２３ｄとのなす角度）と同等に形成されている。
【００５０】
段差部７８は、ＸＹ方向に沿う平坦面であり、そのＹ方向の内側に第２基部７５が形成されている。
第２基部７５は、Ｚ方向における長さが第１基部７４と同等に形成されるとともに、Ｙ方向における幅が第１基部７４よりも小さく形成され、ＸＹ方向における外形が近接場光生成部２３ｂの側面２３ｇと同等に形成されている。また、第２基部７５は、前方に向かうに従いＹ方向における幅が漸次小さくなるように形成されている。具体的に、第２基部７５におけるＹ方向両側の側面７５ａ（図９参照）は、コア２３の側面２３ｄと同一面上に配置された傾斜面に形成されている。すなわち、第２基部７５におけるＹ方向両端部の角度（側面７１ａと側面７５ａとのなす角度）は、近接場光生成部２３ｂにおけるＹ方向両端部の角度（側面２３ｇと側面２３ｄとのなす角度）と同等に形成されている。
【００５１】
図７〜１１に示すように、延在部７３は、Ｘ方向における厚さが第１基部７４と同等に形成され、第１基部７４の下端部（第１基部７４の頂部）から下方に向けて延在するＸ方向から見て長方形状のものであり、その下端部が近接場光発生素子２６の対向面２６ａにおいて外部に露出している。すなわち、延在部７３は、Ｚ方向において、上端部が近接場光生成部２３ｂの下端と同位置に配置され、下端部がスライダ２０のＡＢＳ２０ｃと面一に形成されている。また、延在部７３は、Ｙ方向における幅が主磁極３３の先端部分３３ｂよりも狭く形成されている。
【００５２】
延在部７３におけるＹ方向の中央部には、前方（コア２３側）に向けて立設された突起部７６が形成されている。突起部７６は、Ｚ方向から見て前方に向かうに従い先細る三角形状に形成され、その頂部７７の位置が上述したコア２３の後側の側面２３ｇとＸ方向において同位置に配置されている。
また、突起部７６は、Ｚ方向において、延在部７３の全域に亘って形成されている。具体的に、突起部７６は、上端部が第２基部７５の下端部に連設されるとともに、下端部がスライダ２０のＡＢＳ２０ｃと面一に形成されて、外部に露出している。したがって、上述した頂部７７は、第２基部７５の下端部からＺ方向に沿って稜線状に延在している。また、頂部７７の稜線は、Ｘ方向から見て近接場光生成部２３ｂの稜線（側面２３ｄ同士のなす稜線）と同一直線上に配置されている。
【００５３】
遮光膜２７は、外部から近接場光生成部２３ｂに入射される光を遮断するとともに、コア２３内を伝播するレーザ光Ｌがコア２３から漏れるのを防止するためのものであり、アルミニウム（Ａｌ）等の高反射率の材料からなる。この遮光膜２７は、近接場光生成部２３ｂの側面２３ｄを覆うように形成されている。すなわち、近接場光生成部２３ｂは、側面２３ｇが上述した金属膜７１に覆われ、側面２３ｄが遮光膜２７に覆われている。すなわち、上述した金属膜７１は、Ｘ方向から見て基部７２が遮光膜２７に覆われており、延在部７３は遮光膜２７の下端部よりも下方に延在している。なお、遮光膜２７は、Ｘ方向から見て金属膜７１の全域を覆うように形成しても構わない。
【００５４】
図５，６に示すように、再生素子２２は、ディスクＤの垂直記録層ｄ２（図５参照）から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜であり、近接場光発生素子２６を間に挟んで記録素子２１とは反対側のクラッド２４（第２クラッド２４ｂ）の前端面に形成されている。この再生素子２２には、後述する電気配線５６を介して制御部８からバイアス電流が供給されている。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行うことができるようになっている。
【００５５】
図５，６に示すように、上述した記録再生ヘッド２のスライダ２０には、レーザ光源２９が搭載されている。レーザ光源２９は、スライダ２０の上面に固定されたレーザマウント４３と、レーザマウント４３の前端面４３ａに固定された半導体レーザチップ４４と、を有している。
【００５６】
レーザマウント４３は、例えばスライダ２０と同一材料により構成され、ＸＹ方向における外形がスライダ２０と同等に形成された板状の部材であり、上面側がジンバル１７の後述するパッド部１７ｂに固定されている。すなわち、スライダ２０は、パッド部１７ｂとの間にレーザマウント４３を挟持した状態でパッド部１７ｂに固定されている。なお、図示しないがレーザマウント４３には、後述する電気配線５６（図５参照）が固定されており、レーザマウント４３の前端面４３ａに形成された図示しない電極パッドに電気的に接続されている。
【００５７】
半導体レーザチップ４４は、レーザマウント４３の前端面４３ａに形成された図示しない電極パッド上に実装されている。この場合、半導体レーザチップ４４は、レーザ光Ｌの出射側端面４４ａを下方に向けた状態で、かつコア２３の台形部４１の上端面４１ａに対向するように配置されている。なお、本実施形態の半導体レーザチップ４４は、スポット形状がＸ方向を短軸方向、Ｙ方向を長軸方向とした楕円形状のレーザ光Ｌを出射する。また、半導体レーザチップ４４の出射側端面４４ａと、台形部４１の上端面４１ａとの間に間隔Ｋを有しているが、この間隔Ｋ内にコア２３と同等の屈折率を有するオイル等を介在させても構わない。なお、上述した台形部４１の上端面４１ａの形状は、半導体レーザチップ４４から出射されて上端面４１ａに入射する時点のレーザ光Ｌのスポット形状に合わせて形成されている。
【００５８】
なお、本実施形態のディスクＤは、図５に示すように、ディスク面Ｄ１に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直記録層ｄ２と、高透磁率材料からなる軟磁性層ｄ３との少なくとも２層で構成される垂直２層膜ディスクＤを使用する。このようなディスクＤとしては、例えば、基板ｄ１上に、軟磁性層ｄ３と、中間層ｄ４と、垂直記録層ｄ２と、保護層ｄ５と、潤滑層ｄ６とを順に成膜したものを使用する。
基板ｄ１としては、例えば、アルミ基板やガラス基板等である。軟磁性層ｄ３は、高透磁率層である。中間層ｄ４は、垂直記録層ｄ２の結晶制御層である。垂直記録層ｄ２は、垂直異方性磁性層となっており、例えばＣｏＣｒＰｔ系合金が使用される。保護層ｄ５は、垂直記録層ｄ２を保護するためのもので、例えばＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜が使用される。潤滑層ｄ６は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。
【００５９】
ところで、図１に示すように、キャリッジ１１の基部１５における側面１５ｃには、ターミナル基板５５が配置されている。このターミナル基板５５は、ハウジング９に設けられた制御部８と記録再生ヘッド２とを電気的に接続する際の中継点となるものであり、その表面には、各種制御回路（不図示）が形成されている。
制御部８とターミナル基板５５とは、可撓性を有するフラットケーブル４により電気的に接続されている一方、ターミナル基板５５と記録再生ヘッド２とは、電気配線５６により接続されている。この電気配線５６は、各キャリッジ１１毎に設けられた記録再生ヘッド２に対応して３組設けられており、フラットケーブル４を介して制御部８から出力された信号に情報に応じて変調した電流が、電気配線５６を介して記録再生ヘッド２に供給されるようになっている。
【００６０】
電気配線５６は、ターミナル基板５５の表面からアーム部１４の側面を通って、アーム部１４上に引き回されている。具体的には、図２〜４に示すように、電気配線５６は、アーム部１４及びサスペンション３上において、フレクシャ５４の支持体１８上に配置されており、支持体１８を間に挟んだ状態でサスペンション３の先端まで引き回されている。
【００６１】
そして、電気配線５６は、サスペンション３の先端（ジンバル１７の中間位置）において再生素子２２及び記録素子２１に電流を供給するための第１電気配線５７と、レーザ光源２９に電流を供給するための第２電気配線５８と、に分岐している。
具体的に、第１電気配線５７は、電気配線５６の先端側における分岐地点において、ジンバル１７の外周部分に向けて屈曲されており、ジンバル１７の外周部分（切欠部５９の外側）から引き回されている。そして、切欠部５９の外側から引き回された第１電気配線５７は、連結部１７ａ上を通って記録再生ヘッド２の前端面側に接続されている。すなわち、第１電気配線５７は、スライダ２０の前端面側に設けられた再生素子２２と記録素子２１とのそれぞれに対して、記録再生ヘッド２の外部から直接接続されている。
【００６２】
一方、第２電気配線５８は、上述した分岐地点からジンバル１７の長手方向（Ｘ方向）に沿って延在しており、ジンバル１７の切欠部５９を跨いで記録再生ヘッド２の後端面側から、レーザマウント４３に直接接続されている。そして、第２電気配線５８は、レーザマウント４３の前端面４３ａに形成された電極パッドに接続され、この電極パッドを介して半導体レーザチップ４４に電流を供給するようになっている。また、第２電気配線５８は、分岐地点においてジンバル１７の下面から離間されており、分岐地点から記録再生ヘッド２の前端面側に向かうにつれ、パッド部１７ｂとジンバル１７との間を架け渡すように僅かながら浮いた状態で延在している。つまり、ジンバル１７の下面において、第２電気配線５８は略直線的（曲率半径が略無限大）に延在した状態で、記録再生ヘッド２の幅方向（Ｙ方向）中央部から記録再生ヘッド２の後側に引き回されている。
【００６３】
（情報記録再生方法）
次に、このように構成された情報記録再生装置１により、ディスクＤに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。
まず、図１に示すように、スピンドルモータ６を駆動させてディスクＤを一定方向に回転させる。次いで、アクチュエータ５を作動させて、キャリッジ１１を介してサスペンション３をＸＹ方向にスキャンさせる。これにより、ディスクＤ上の所望する位置に記録再生ヘッド２を位置させることができる。この際、記録再生ヘッド２は、スライダ２０の対向面２０ａに形成された２つの凸条部２０ｂによって浮上する力を受けるとともに、サスペンション３等によってディスクＤ側に所定の力で押さえ付けられる。記録再生ヘッド２は、この両者の力のバランスによって、図２に示すようにディスクＤ上から所定距離Ｈ離間した位置に浮上する。
【００６４】
また、記録再生ヘッド２は、ディスクＤのうねりに起因して発生する風圧を受けたとしても、サスペンション３によってＺ方向の変位が吸収されるとともに、ジンバル１７によってＸＹ軸回りに変位することができるようになっているので、うねりに起因する風圧を吸収することができる。そのため、記録再生ヘッド２を安定した状態で浮上させることができる。
【００６５】
図１２，１３は情報記録再生装置により情報を記録再生する際の説明図であって、図１２は図６に相当する図であり、図１３は図１１に相当する図である。
ここで、情報の記録を行う場合、図１２，１３に示すように、制御部８はレーザ光源２９を作動させてレーザ光Ｌを出射させるとともに、情報に応じて変調した電流をコイル３４に供給して記録素子２１を作動させる。
まず、レーザ光源２９からレーザ光Ｌを出射し、このレーザ光Ｌをコア２３の上端面４１ａからコア２３の光束集光部２３ａ内に入射させる。光束集光部２３ａを伝播するレーザ光Ｌは、ディスクＤ側に位置する下端側に向かってコア２３とクラッド２４との間で全反射を繰り返しながら伝播する。特に、コア２３の側面２３ｋ，２３ｄにはクラッド２４が密着しているので、コア２３の外部に光が漏れることはない。よって、導入されたレーザ光Ｌを無駄にすることなく絞りながら下端側に伝播させて、近接場光生成部２３ｂに入射させることができる。
この際、コア２３は、Ｚ方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されている。そのため、レーザ光Ｌは光束集光部２３ａ内を伝播するにしたがって徐々に絞り込まれてスポットサイズが小さくなる。
【００６６】
スポットサイズが小さくなったレーザ光Ｌは、続いて、近接場光生成部２３ｂに入射する。この近接場光生成部２３ｂは、下端側に向けてさらに絞り成形されており、光の波長以下のサイズとされている。この場合、近接場光生成部２３ｂの２つの側面２３ｄは、遮光膜２７によって遮光されている。よって、近接場光生成部２３ｂに入射したレーザ光Ｌは、第２クラッド２４ｂ側に漏れることなく、遮光膜２７と近接場光生成部２３ｂとの界面で反射されながら伝播する。
【００６７】
そして、近接場光生成部２３ｂを下端側まで伝播したレーザ光Ｌは、金属膜７１に入射する。すると、金属膜７１には、表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、金属膜７１上を下方に向けて伝播する。そして、金属膜７１上を伝播する表面プラズモンが延在部７３まで伝播すると、突起部７６の頂部７７において光強度の強い近接場光Ｒとなる。そして、頂部７７で発生した近接場光Ｒは、頂部７７を下方に向かって伝播した後、下端（近接場光発生素子２６の対向面２６ａ）で外部に漏れ出す。つまり、近接場光発生素子２６の下端側とディスクＤとの間に近接場光Ｒを局在化させることができる。するとディスクＤは、この近接場光Ｒによって局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。
【００６８】
一方、制御部８によってコイル３４に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路３２内に磁界が発生するので、主磁極３３と補助磁極３１との間にディスクＤに対して垂直方向の記録磁界を発生させることができる。すると、主磁極３３側から発生した磁束が、ディスクＤの垂直記録層ｄ２を真直ぐ通り抜けて軟磁性層ｄ３に達する。これによって、垂直記録層ｄ２の磁化をディスク面Ｄ１に対して垂直に向けた状態で記録を行うことができる。また、軟磁性層ｄ３に達した磁束は、軟磁性層ｄ３を経由して補助磁極３１に戻る。この際、補助磁極３１に戻るときには磁化の方向に影響を与えることはない。これは、ディスク面Ｄ１に対向する補助磁極３１の面積が、主磁極３３よりも大きいので磁束密度が大きく磁化を反転させるほどの力が生じないためである。つまり、主磁極３３側でのみ記録を行うことができる。
【００６９】
その結果、近接場光Ｒと両磁極３１，３３で発生した記録磁界とを協働させたハイブリッド磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。しかも垂直記録方式で記録を行うので、熱揺らぎ現象等の影響を受け難く、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性を高めることができる。
【００７０】
また、ディスクＤに記録された情報を再生する場合には、ディスクＤの保磁力が一時的に低下している時に、再生素子２２がディスクＤの垂直記録層ｄ２から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、再生素子２２の電圧が変化する。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部８は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、ディスクＤに記録されている情報の再生を行うことができる。
【００７１】
（記録再生ヘッドの製造方法）
次に、上述した近接場光発生素子２６を有する記録再生ヘッド２の製造方法について説明する。図１４は近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、コア母材の平面図である。また、図１５は図１４（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図である。なお、以下の説明では、記録再生ヘッド２の製造工程のうち、主として近接場光発生素子の製造工程について具体的に説明する。
本実施形態では、複数のスライダ２０がＸ方向及びＹ方向に沿って連なってなる基板１２０（例えば、ＡｌＴｉＣ（アルチック）等）を用意し、この基板１２０における記録再生ヘッド２の各形成領域上にそれぞれ記録素子２１、近接場光発生素子２６、及び再生素子２２を順に形成した後、記録再生ヘッド２の形成領域毎にダイシングすることで、記録再生ヘッド２を製造する。
【００７２】
まず図１５（ａ）に示すように、基板１２０上に記録素子２１（図６参照）を形成し、絶縁体３５でモールドする。その後、絶縁体３５上に近接場光発生素子２６の母材を成膜する（第１クラッド形成工程、及びコア形成工程）。具体的には、基板１２０（絶縁体３５）上に第１クラッド母材１２４ａ、金属膜母材１７１（例えば、２０ｎｍ程度）、コア母材１２３（数μｍ程度）の順で成膜する。なお、各母材１２４ａ，１７１，１２３の成膜後には、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)等でそれぞれの表面を研磨して、平坦面とする。
【００７３】
また、金属膜母材１７１は、第１クラッド母材１２４ａ上の全面に成膜した後、所定の領域のみ残存するように予めパターニングしておくことが好ましい。この場合、本実施形態では、Ｚ方向において、少なくともコア母材１２３における光束集光部２３ａ（図６参照）に相当する領域の金属膜母材１７１を除去するようにパターニングしている。この場合には、近接場光生成部２３ｂに相当する領域では、コア母材１２３と第１クラッド母材１２４ａとの間に金属膜母材１７１が挟持され、それ以外の領域（例えば、光束集光部２３ａに相当する領域）では、コア母材１２３と第１クラッド母材１２４ａとが密着することになる。これにより、少なくとも光束集光部２３ａに相当する領域では、コア母材１２３と、金属膜母材１７１よりもコア母材１２３との密着性が高い第１クラッド母材１２４ａと、が密着することになる。これにより、製造途中における膜剥がれを抑制できる。なお、金属膜母材１７１は、上述した金属膜７１の形成領域のみに残存するようにパターニングすることが、より好ましい。
【００７４】
続いて、図１５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、コア母材１２３を除去すべき領域が開口したマスクパターン（不図示）をコア母材１２３上に形成し、このマスクパターンを介して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行う（第１パターニング工程）。これにより、マスクパターンが開口した領域のコア母材１２３が垂直（Ｘ方向に沿って）にエッチングされ、Ｚ方向から見て矩形状のコア母材１２３が形成される。また、図１４（ａ），１５（ｂ）に示すように、コア母材１２３は、Ｘ方向から見て上端側から下端側にかけて先細る台形状に形成された第１母材（本体部）１２３ａと、第１母材１２３ａの下端側から下方に向けてさらに先細る第２母材（本体部）１２３ｂと、第２母材１２３ｂの下端側から下方に向けて一定幅で延在する第３母材（舌部）１２３ｃと、により構成される。なお、第１パターニング工程においては、マスクパターンが開口した領域のコア母材１２３は、完全に除去せず僅かに残存させることが好ましい（図１５（ｂ）中残存部１６０参照）。
【００７５】
次に、図１４（ｂ），１５（ｃ）に示すように、アルゴン（Ａｒ）等のプラズマ中でコア母材１２３及び金属膜母材１７１をスパッタエッチングする（第２パターニング工程）。第２パターニング工程において、上述した断面矩形状のコア母材１２３をスパッタエッチングすると、コア母材１２３の各角部が選択的にエッチングされて斜面が形成される。そして、この状態でさらにエッチングを続けると、斜面が底面（図７中側面２３ｇに相当）に対して一定の角度を保ちながらエッチングされる。なお、第１母材１２３ａのうち、上側が光束集光部２３ａの台形部４１、下側が光束集光部２３ａの三角形部４２となり、また第２母材１２３ｂが近接場光生成部２３ｂとなる。この場合、第３母材１２３ｃは、Ｙ方向の両側の角部が除去されてＺ方向から見て三角形状に残存している。
【００７６】
そして、第２パターニング工程において、エッチングを継続すると、コア母材１２３は相似形を保ちながら幅（Ｙ方向における幅）、及び高さ（Ｘ方向における高さ）が縮小して、コア母材１２３の外形が縮小する。すると、コア母材１２３に覆われていた金属膜母材１７１が露出する。
【００７７】
図１６は、近接場光発生素子の製造方法を説明するための工程図であって、（ａ）は図１４（ｃ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図、（ｂ）は図１４（ｃ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図である。
図１４（ｃ），１６に示すように、金属膜母材１７１が露出した状態からさらにスパッタエッチングを継続すると、コア母材１２３は相似形を保ったままエッチングされるとともに、金属膜母材１７１の角部がエッチングされる。
【００７８】
ここで、上述したコア母材１２３（コア２３）に用いる材料（例えば、石英）と、金属膜母材１７１（金属膜７１）に用いる材料（例えば、金）と、は異種材料であるため、スパッタエッチング時におけるエッチングレートに差が生じる。本実施形態の場合、コア母材１２３に用いる材料は、金属膜母材１７１に用いる材料に比べてエッチングレートが大きいため、金属膜母材１７１に比べてコア母材１２３が積極的にエッチングされることになる。
【００７９】
そのため、図１４（ｃ），１６（ａ）に示すように、コア母材１２３と金属膜母材１７１とがＸ方向で重なる領域のうち、第２母材１２３ｂの領域では、第２母材１２３ｂの外周縁（Ｙ方向の両側）に金属膜母材１７１が露出する。これにより、第２母材１２３ｂの領域では、第２母材１２３ｂよりもＹ方向における幅が広い基部７２が形成される。その後、さらにスパッタエッチングを継続することで、基部７２は、第２母材１２３ｂから露出した部分（外周縁の角部）から除々にエッチングが行われるため、図９に示すように近接場光生成部２３ｂの側面２３ｄと平行な側面７４ａを有する第１基部７４と、側面２３ｄと同一面上の側面７５ａを有する第２基部７５と、が段差部７８を介して形成されることになる。
【００８０】
一方で、図１４（ｃ），１６（ｂ）に示すように、第３母材１２３ｃ（図１４（ｂ）参照）の領域では、第３母材１２３ｃの外周縁から金属膜母材１７１が露出する。その後、さらにスパッタエッチングを継続することで、金属膜母材１７１は、第３母材１２３ｃから露出した部分（外周縁の角部）から内側に向けて除々にエッチングが行われる。そして、最終的には、第３母材１２３ｃが完全に除去されることで、第３母材１２３ｃに覆われていた金属膜母材１７１のみが残存する。これにより、第３母材１２３ｃの領域では、第３母材１２３ｃと同一幅で延びる延在部７３が形成される。この際、第３母材１２３ｃから露出した金属膜母材１７１が、外周縁の角部から内側に向けて除々にエッチングされるため、延在部７３のうち、第３母材１２３ｃにより最後まで覆われていた部分が、頂部７７を有する突起部７６として残存することになる。
以上により、第１クラッド母材１２４ａ（第１クラッド２４ａ）上に、金属膜７１及びコア２３が一括して形成される。
【００８１】
図１７は図１４（ｃ）のＩ−Ｉ線に相当する断面図である。
次に、図１７（ａ）に示すように、コア２３（コア母材１２３）を覆うように遮光膜２７を形成する（遮光膜形成工程）。具体的には、コア２３の側面２３ｄにおける近接場光生成部２３ｂに相当する領域に、遮光膜２７が残存するようにパターニングする。
そして、図１７（ｂ）に示すように、コア２３及び遮光膜２７を覆うように、第２クラッド２４ｂを形成する（第２クラッド形成工程）。その後、ＣＭＰ等で第２クラッド２４ｂの表面を研磨して、平坦面に形成する。そして、第２クラッド２４ｂ上に再生素子２２を形成する。これにより、基板１２０上に記録素子２１、近接場光発生素子２６、及び再生素子２２が形成される。
【００８２】
続いて、基板１２０をＹ方向に沿ってダイシングして、一方向（Ｙ方向）に沿って複数のスライダ２０が連なった状態のバー（不図示）を形成する。その後、ダイシングしたバーの側面（切断面）を研磨する（研磨工程）。これにより、基板１２０とともに近接場光発生素子２６におけるＺ方向の両端面が平坦面に形成される。
【００８３】
その後、各スライダ２０ごとの大きさになるようにバーをＺ方向に沿って切断する（スライダ工程）。
最後に、スライダ２０の上面にレーザ光源２９を搭載する。具体的には、半導体レーザチップ４４が、レーザ光Ｌの出射側端面を下方に向けた状態で、かつコア２３の台形部４１の上端面４１ａに対向するように配置する。
以上により、上述した近接場光発生素子２６を有する記録再生ヘッド２が完成する。
【００８４】
このように、本実施形態では、金属膜７１の基部７２からコア２３よりも下方に延びる延在部７３を形成し、この延在部７３に頂部７７を有する突起部７６を形成する構成とした。
この構成によれば、延在部７３に突起部７６を形成することで、金属膜７１の基部７２で励起された表面プラズモンが金属膜７１上を伝播し、突起部７６の頂部７７において光強度の強い近接場光Ｒとなる。そのため、Ｚ方向から見てコア２３との界面の幅よりも狭い近接場光Ｒを発生させることができる。
そして、本発明の情報記録再生装置１（記録再生ヘッド２）は、上述した近接場光発生素子２６を備えているので、情報の記録再生を正確且つ高密度に行うことができ、高品質化を図ることができる。
【００８５】
また、コア２３の側面２３ｄを覆うように遮光膜２７を形成することで、コア２３に入射したレーザ光Ｌは、クラッド２４側に漏れることなく、遮光膜２７とコア２３との界面で反射されながら伝播する。これにより、レーザ光を効率的に金属膜７１に入射させることができ、近接場光Ｒの発生効率を向上できる。
【００８６】
しかも、本実施形態では、コア２３と金属膜７１とを一括してパターニングする際に、コア２３と金属膜７１との構成材料の違いに起因するエッチングレートの差を利用して突起部７６を形成する構成とした。
この構成によれば、エッチング時間の管理のみで金属膜７１を微細パターンに形成することができるため、コア２３や金属膜７１の微細パターンの形成に高価な装置を用いる必要がない。これにより、製造コストの増加を抑制した上で、近接場光Ｒのスポットサイズを縮小できる。
また、コア２３と金属膜７１とを一括してパターニングすることで、コア２３と金属膜７１とをそれぞれ別工程でパターニングする場合と異なり、金属膜７１とコア２３とを精度良く位置決めすることができる。よって、コア２３の下端側まで伝播したレーザ光Ｌを漏れなく金属膜７１の基部７２に入射させることができるので、近接場光Ｒの発生効率を向上させることができる。
さらに、コア２３よりも下方に延びる延在部７３に突起部７６を形成することで、コア２３の形状やコア２３との位置精度に関わらず、延在部７３（突起部７６）のみを所望の形状に形成できるため、製造が容易であり、また設計の自由度を向上させることもできる。
【００８７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１８は、第２実施形態における記録再生ヘッドの前側を拡大した断面図である。なお、以下の説明では、上述した第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明は省略する。本実施形態では、コア２３の下端側を２層構造とした点で上述した第１実施形態と相違している。
図１８に示すように、本実施形態の記録再生ヘッド２０２（近接場光発生素子２６）におけるコア２２３の下端側は、Ｚ方向から見て三角形状の第１コア２２３ａと、第１コア２２３ａを覆うように形成された第２コア２２３ｂと、で構成されている。この場合、第１コア２２３ａは、上述した第１実施形態のコア２３と同様の構成からなり、上端側がスライダ２０の上面と面一に形成され、外部に向けて露出している。一方で、第１コア２２３ａ（近接場光生成部２３ｂ）の下端側は、スライダ２０のＡＢＳ２０ｃよりも上方に位置しており、クラッド２４により覆われて、外部には露出していない。
【００８８】
第２コア２２３ｂは、Ｙ方向において、第１コア２２３ａ及び金属膜７１を覆うように形成されている。そのため、Ｚ方向から見て、第２コア２２３ｂにおけるＹ方向の外側端部が、第１基部７４の外側端部よりも外側に位置することになる。すなわち、本実施形態のコア２２３全体のＹ方向における幅は、第１基部７４の幅よりも広く形成されている。
また、第２コア２２３ｂは、Ｚ方向において、第１コア２２３ａの下端側を覆うように形成され、第１コア２２３ａとともに光束集光部２３ａの下端側、及び近接場光生成部２３ｂを構成している。さらに、第２コア２２３ｂは、第１コア２２３ａの下端側よりも下方に向けて延びている。具体的に、第２コア２２３ｂは、遮光膜２７と金属膜７１との間から金属膜７１の延在部７３を覆うように延在しており、スライダ２０のＡＢＳ２０ｃと面一に形成されて外部に露出している。
【００８９】
なお、第２コア２２３ｂの形成領域は、上述した範囲に限られず、第１コア２２３ａ全体を覆うように形成してもよく、また下端位置を第１コア２２３ａの下端位置と同位置に形成してもよい。
【００９０】
また、第２コア２２３ｂの製作は、図１９に示すように、上述した第２パターニング工程（図１６参照）と遮光膜形成工程（図１７参照）との間で、第１コア２２３ａ（コア母材１２３）及び金属膜７１を覆うように第２コア２２３ｂとなるコア母材をパターニングすることで形成できる。なお、図１９は、図１６に相当する断面図である。
【００９１】
この構成によれば、第１コア２２３ａを覆うように第２コア２２３ｂを形成することで、コア２２３全体（第１コア２２３ａ及び第２コア２２３ｂ）のＹ方向における幅を、金属膜７１のＹ方向における幅に比べて広く形成できる。そのため、コア２３内を伝播するレーザ光Ｌの伝播効率の低下を抑制した上で、近接場光Ｒのスポットサイズの縮小化を図ることができる。これにより、光量を確保した上で、近接場光Ｒのスポットサイズを縮小できるので、ディスクＤをより局所的に加熱することができる。
【００９２】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、上述した実施形態で挙げた構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
例えば、上述の実施形態では、記録再生ヘッドを浮上させた空気浮上タイプの情報記録再生装置を例に挙げて説明したが、この場合に限られず、ディスク面に対向配置されていればディスクと記録再生ヘッドとが接触していても構わない。つまり、本発明の記録再生ヘッドは、コンタクトスライダタイプの記録再生ヘッドであっても構わない。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
また、各実施形態を適宜組み合わせても構わない。
【００９３】
また、上述した第１パターニング工程において、コア２３の残存部６０を形成する方法について説明したが、残存部６０を残さずにコア２３の形成領域以外のコア２３を全て除去しても構わない。
さらに、上述した実施形態では、第１コア５４及び第２コア５５の２層によりコア２３を構成したが、これに限らず３層以上で構成しても構わない。
【００９４】
また、上述した実施形態では、第１パターニング工程及び第２パターニング工程によりコア２３及び金属膜７１の形状を調整する場合について説明したが、これに限らず、金属膜７１が所望の外形になった時点で、コア２３のみをエッチングしてコア２３の外形を調整することも可能である。この方法を以下に詳述する。
【００９５】
図２０，２１は、近接場光発生素子の他の製造方法を説明するための工程図であって、図１７に相当する断面図である。
具体的には、図２０に示すように、上述した第２パターニング工程と同様に、コア母材１２３及び金属膜母材１７１をエッチングして、金属膜母材１７１をＹ方向において所望の幅になるように形成する。なお、図２０では、コア母材１２３におけるＹ方向の両側面と、金属膜母材１７１におけるＹ方向の両側面と、がほぼ面一になった時点でエッチングを停止している。
次に、図２１に示すように、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングを行い、コア母材１２３のみをエッチングする（第３パターニング工程）。これにより、コア母材１２３のみの外形が縮小される。なお、図２１では、図２０（ｂ）に示す第３母材１２３ｃが完全に除去されるまで、エッチングを継続する。
【００９６】
この構成によれば、コア２３及び金属膜７１をそれぞれ所望の外形に形成することができるため、近接場光Ｒのスポットサイズを所望の大きさに調整することができる。なお、この際、第２パターニング工程におけるエッチング時間を管理することで、図２０に示す状態に限らず、金属膜７１を所望の外形に形成した後、第３パターニング工程においてコア２３のみの外形を調整できる。
【００９７】
また、上述した実施形態では、本発明の記録再生ヘッド２をディスクＤに対して垂直な記録磁界を与える垂直磁気記録方式に採用する場合について説明したが、これに限らず、ディスクＤに対して水平な記録磁界を与える面内記録方式に採用しても構わない。
【００９８】
また、上述した実施形態における近接場光発生素子２６（図６等参照）では、Ｚ方向において金属膜７１がコア２３における近接場光生成部２３ｂのみと重なるように形成したが、金属膜７１の形成範囲は、少なくとも頂部７７が外部に露出していれば、これに限られない。例えば、コア２３のＺ方向の全域（光束集光部２３ａ及び近接場光生成部２３ｂ）に亘って金属膜７１を形成しても構わない。
但し、光束集光部２３ａと重なる領域にも金属膜７１が形成されていると、光束集光部２３ａを伝播するレーザ光Ｌが金属膜７１で吸収されて損失となり、レーザ光Ｌの伝播効率が低下する虞がある。これに対して、上述した実施形態のように、近接場光生成部２３ｂに相当する領域にのみ金属膜７１を形成することで、近接場光生成部２３ｂまではコア２３とクラッド２４との間でレーザ光Ｌを全反射条件で伝播させることができる。そのため、より多くのレーザ光Ｌを近接場光生成部２３ｂまで導くことができ、レーザ光Ｌの伝播効率を向上できる。
【符号の説明】
【００９９】
１…情報記録再生装置  ２…記録再生ヘッド（近接場光ヘッド）  ３…ビーム  ５…アクチュエータ  ６…スピンドルモータ（回転駆動部）  ８…制御部  ２０…スライダ  ２１…記録素子  ２３，２２３…コア  ２３ｄ…側面（他側面）  ２３ｇ…側面（一側面）  ２４…クラッド  ２４ａ…第１クラッド  ２４ｂ…第２クラッド  ２６…近接場光発生素子  ２７…遮光膜  ２９…レーザ光源（光源）  ３１…補助磁極  ３３…主磁極  ７１…金属膜（近接場光発生部）  ７２…基部  ７３…延在部  １２３ａ…第１母材（本体部）  １２３ｂ…第２母材（本体部）  １２３ｃ…第３母材（舌部）Ｄ…ディスク（磁気記録媒体）  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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