(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に電子部品が搭載される基体と、該基体の上面の載置部に載置された載置用基台と、上面に信号線路導体が形成され、下面に接地導体が形成されているとともに前記載置用基台の上面に載置された回路基板と、前記載置部を囲繞するように前記基体の上面に取着されているとともに側部に貫通孔が形成された枠体と、前記貫通孔に嵌着されて前記回路基板に電気的に接続された同軸コネクタとを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、前記載置用基台の側面に突出部が形成され、前記枠体の前記同軸コネクタの直下部と前記載置用基台の前記側面の上端から前記突出部の上面までが導電性接合材を介して接合されていることを特徴とする電子部品収納用パッケージ。
【請求項２】
前記回路基板は、前記同軸コネクタ側の側面に側面導体が形成され、前記枠体の内周側面と前記回路基板の前記側面導体とが前記導電性接合材を介して接合されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子部品収納用パッケージと、該電子部品収納用パッケージの前記基体に搭載されているとともに前記回路基板の前記信号線路導体に電気的に接続された電子部品と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備していることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信分野やマイクロ波通信およびミリ波通信等の分野で用いられる、高い周波数帯域で作動する各種電子部品を収納する電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光通信やマイクロ波通信またはミリ波通信等で使用される、高い周波数帯域で作動する各種電子部品を収納する電子部品収納用パッケージを用いた電子装置を図９に示す。
【０００３】
図９に示す例のように、従来の電子装置における電子部品収納用パッケージは、上面に電子レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の電子部品17が載置される基体11を有し、この基体11は、上面に信号線路導体14ａが形成され下面に接地導体14ｂが形成された回路基板14が載置用基台15を介して載置される載置部11ａを有していた。また、載置部11ａを囲繞するようにして基体11の上面に取着され、側部に貫通孔12ａが形成された枠体12を有していた。そして、枠体12の貫通孔12ａに同軸コネクタ13が嵌着され、この同軸コネクタ13と回路基板14とが、電気的に接続されたものであった。さらに、基体11に電子部品17を実装して、電子部品17と回路基板14の信号線路導体14ａとをボンディングワイヤ19で電気的に接続し、枠体12の上面に回路基板14および電子部品17を覆うように蓋体18を接合して気密封止することによって、電子装置としていた（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2003−115630号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の電子部品収納用パッケージにおいて、信号線は、同軸コネクタ13の中心導体13ｃから回路基板14の信号線路導体14ａを伝搬するという経路を辿るのに対して、接地電位（グランド）は、図９の破線矢印のように、同軸コネクタ13の下面の外周導体13ａから、枠体12の内周側面および基体11の表面ならびに載置用基台15の側面を介して、回路基板14の下面に形成された接地導体14ｂに伝わるという経路を辿る。このように、同軸コネクタ13から回路基板104までの接地電位の伝搬経路が長くなるため、この接
地電位の経路長と、同軸コネクタの中心導体から回路基板の信号線路導体を伝搬する信号線の経路長との長さに大きな差が生じる。その結果、インピーダンスの不整合が発生し、高周波信号の入出力時における反射損失が大きくなり高周波信号の伝送性が劣化し易くなるという問題点があった。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、同軸コネクタから回路基板までの接地電位の伝搬経路を短くしてインピーダンスの不整合を小さくし、高周波信号の反射損失を小さくすることにより、高周波信号を効率よく伝送させることができる電子部品収納用パッケージを提供することにある。また、電子部品収納用パッケージに実装された電子部品の、高周波での作動性が良好な電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子部品収納用パッケージは、上面に電子部品が搭載される基体と、該基体の上面の載置部に載置された載置用基台と、上面に信号線路導体が形成され、下面に接地導体が形成されているとともに前記載置用基台の上面に載置された回路基板と、前記載置部を囲繞するように前記基体の上面に取着されているとともに側部に貫通孔が形成された枠体と、前記貫通孔に嵌着されて前記回路基板に電気的に接続された同軸コネクタとを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、前記載置用基台の側面に突出部が形成され、前記枠体の前記同軸コネクタの直下部と前記載置用基台の前記側面の上端から前記突出部の上面までが導電性接合材を介して接合されていることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、上記構成において、前記回路基板は、前記同軸コネクタ側の側面に側面導体が形成され、前記枠体の内周側面と前記回路基板の前記側面導体とが前記導電性接合材を介して接合されていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の電子装置は、上記本発明の電子部品収納用パッケージと、該電子部品収納用パッケージの前記基体に搭載されているとともに前記回路基板の前記信号線路導体に電気的に接続された電子部品と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを具備していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上面に電子部品が搭載される基体と、該基体の上面の載置部に載置された載置用基台と、上面に信号線路導体が形成され、下面に接地導体が形成されているとともに載置用基台の上面に載置された回路基板と、載置部を囲繞するように基体の上面に取着されているとともに側部に貫通孔が形成された枠体と、貫通孔に嵌着されて回路基板に電気的に接続された同軸コネクタとを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、枠体の同軸コネクタの直下部と載置用基台の側面側の上部とが導電性接合材を介して接合されていることから、接地電位（グランド）の伝搬経路が、枠体の内周側面および基体の表面ならびに載置用基台の側面を介することなく短くなって、接地電位の経路長と、信号線の経路長とをほぼ等しくすることができる。その結果、インピーダンスの不整合を小さくすることができ、高周波信号の反射損失が小さくなり、高周波信号を効率よく伝送させることが可能となる。
【００１１】
本発明の電子部品収納用パッケージによれば、上記構成において、回路基板は、同軸コネクタ側の側面に側面導体が形成され、枠体の内周側面と回路基板の側面導体とが導電性接合材を介して接合されている場合は、枠体の内周側面と搭載用基台との間の隙間に充填された導電性接合材を、搭載用基台の上面よりも高い位置にまで這い上がらせて、同軸コネクタの中心導体の絶縁体から突出した部分と、接地電位としての導電性接合材との間の距離を短くすることができる。その結果、中心導体の絶縁体から突出した部分におけるインピーダンスの不整合をより小さくすることができ、高周波信号の反射損失がより小さくなり、高周波信号をより効率よく伝送させることが可能となる。
【００１２】
本発明の電子装置によれば、上記本発明の電子部品収納用パッケージと、該電子部品収納用パッケージの基体に搭載されているとともに回路基板の信号線路導体に電気的に接続された電子部品と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備していることから、同軸コネクタから回路基板までの接地電位の伝搬経路を短くして、接地電位の経路長と、同軸コネクタの中心導体から回路基板の信号線路導体を伝搬する信号線の経路長とをほぼ等しくすることができる。その結果、インピーダンスの不整合を小さくすることができ、高周波信号を効率よく伝送させて、電子部品収納用パッケージに実装された電子部品を、高周波での作動性が良好なものとすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図４】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図５】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図６】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図７】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形態の他の例を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の一例を示す断面図である。
【図９】従来の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置について、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１５】
図１（ａ）は、本発明の電子部品収納用パッケージを用いた電子装置の蓋体を透視して上面からみた実施の形態の一例を示す平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の一例を示す断面図である。この図１（ａ），（ｂ）において、１は電子部品７を収容する電子部品収納用パッケージ本体の底面を構成する基体、２は電子部品収納用パッケージ本体の側壁用の枠体、２ａは枠体２の側部に形成され同軸コネクタ３が嵌着される貫通孔である。３は高周波信号の入出力端子である同軸コネクタであり、外周導体３ａ、絶縁体３ｂ、中心導体３ｃからなる。４はインピーダンス整合用の回路基板であり、回路基板４の上面には信号線路導体４ａが形成され、回路基板４の上面および下面に接地導体４ｂが形成されている。回路基板４の上面および下面に形成された接地導体４ｂは、貫通導体４ｄを介して電気的に接続されている。５は基体１の上面の載置部１ａに載置され、回路基板４が搭載接合される載置用基台、６は枠体２の内周側面と、載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面とを接合する導電性接合材である。７は基体１に搭載実装されたＬＮ変調素子等の電子部品、８は枠体２の上面に接合され、回路基板４および電子部品７を気密封止する蓋体である。本発明の電子部品収納用パッケージは、これら基体１，枠体２，同軸コネクタ３，回路基板４および載置用基台５で構成され、枠体２と載置用基台５とが導電性接合材６を介して接合されている。また、本発明の電子装置は、上記の電子部品収納用パッケージに、電子部品７を搭載実装し、枠体２の上面に蓋体８を接合することにより、回路基板４および電子部品７を気密封止してなる。
【００１６】
また、本発明の電子部品収納用パッケージは、高周波信号の周波数が10ＧＨｚ以上、特に30ＧＨｚ以上の周波数において有効であり、従来反射損失が発生していたのを抑制し、高周波信号を効率よく伝送させることができる。
【００１７】
また、電子装置における電気的接続は、同軸コネクタ３の中心導体３ｃの一端が、回路基板４の上面の信号線路導体４ａに接合され、電子部品７と信号線路導体４ａとがボンディングワイヤ９で電気的接続されて、高周波信号の伝播が行なわれる。
【００１８】
本発明の電子部品収納用パッケージは、図１（ａ），（ｂ）に示す例のように、上面に電子部品７が搭載される基体１と、該基体１の上面の載置部１ａに載置された載置用基台５と、上面に信号線路導体４ａが形成され、下面に接地導体４ｂが形成されているととも
に載置用基台５の上面に載置された回路基板４と、載置部１ａを囲繞するように基体１の上面に取着されているとともに側部に貫通孔２ａが形成された枠体２と、貫通孔２ａに嵌着されて回路基板４に電気的に接続された同軸コネクタ３とを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、枠体２の同軸コネクタ３の直下部と載置用基台５の側面側の上面とが導電性接合材６を介して接合されていることを特徴とするものである。このような構成としたことから、枠体２の同軸コネクタ３の直下部と載置用基台５の側面側の上面とが直線状に接続することとなり、接地電位（グランド）が、枠体２の内周側面および基体１の表面ならびに載置用基台５の側面を介することなく、直接、同軸コネクタ３の下面の外周導体３ａから、回路基板４の下面に形成された接地導体４ｂに伝わるという経路を辿る。このように、接地電位の伝搬経路が、従来の電子部品収納用パッケージに比べて短くなることにより、この接地電位の経路長と、同軸コネクタ３の中心導体３ｃから回路基板４の信号線路導体４ａを伝搬する信号線の経路長とをほぼ等しくすることができる。その結果、インピーダンスの不整合を小さくすることができ、高周波信号の反射損失が小さくなり、高周波信号を効率よく伝送させることが可能となる。
【００１９】
本発明の電子部品収納用パッケージは、具体的には、図１（ａ）に平面図で示す例のように、回路基板４の上面に、同軸コネクタ３の中心導体３ｃが接続される信号線路導体４ａと、貫通導体４ｄを介して回路基板４の下面に形成された接地導体４ｂと電気的に接続される接地導体４ｂとが形成されている。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の一例を示す断面図であり、回路基板４の下面に、回路基板４の上面に形成された接地導体４ｂに貫通導体４ｄを介して電気的に接続される接地導体４ｂが形成されている。信号線は、同軸コネクタ３の中心導体３ｃを経由し、回路基板４の上面に形成された信号線路導体４ａに伝播し、また接地電位（グランド）は、同軸コネクタ３の外周導体３ａの外周面から導電性接合材６の上面を経由して回路基板４の下面に形成された接地導体４ｂに伝播する。
【００２０】
基体１は、電子部品７を支持するための支持部材として機能し、基体１の上面には、回路基板４が載置用基台５を介して載置される載置部１ａを有しており、この載置部１ａに、載置用基台５がＡｕ−Ｓｎ半田等の低融点ろう材を介して接着固定されている。
【００２１】
基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金(ＪＩＳ規格のＳＵＳ304、ＳＵＳ310等)やＦｅ-Ｎｉ-Ｃｒ-Ｍｏ合金(ＪＩＳ規格のＳＵＳ303、ＳＵＳ316等)等のステンレス鋼や、Ｆｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ合金や、Ｃｕ−Ｚｎ合金等の金属材料から成る。
【００２２】
例えば、基体１の上面に載置実装される電子部品７が、強誘電体素子であるＬＮ(ニオ
ブ酸リチウム)による変調素子（以下、ＬＮ素子という）の場合、ＬＮ素子の熱膨張係数15.4×10-６／℃と近似しているＳＵＳ303(熱膨張係数14.6×10-6／℃)、ＳＵＳ304(熱膨
張係数17.3×10-6／℃)、ＳＵＳ310(熱膨張係数15.8×10-6／℃)、ＳＵＳ316(熱膨張係数16.0×10-6／℃)等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金の金属材料を
用いて、基体１を作製することが好ましい。この場合、基体１の上面にＬＮ素子を載置実装して電子装置とした場合、基体１と電子部品７との熱膨張係数が近似しているため、電子部品７が作動した際に発生する熱により、熱膨張係数の差に起因する応力で、電子部品７が基体１から剥がれたりすることがなくなるので好ましい。
【００２３】
また、基体１は、基体１を形成する金属材料のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。また、その表面に耐蝕性に優れ、かつ、ろう材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜９μｍのＮ
ｉ層と厚さ0.5〜９μｍのＡｕ層を順次めっき法により被着させておくのがよく、基体１
が酸化腐食するのを有効に防止するとともに、基体１の上面に電子部品７および回路基板４が載置された載置用基台５を強固に接着固定させることができる。
【００２４】
枠体２は、電子部品収納用パッケージ外部との電磁的遮蔽を行なうとともに、貫通孔２ａに同軸コネクタ３が嵌着接合される。枠体２は、基体１との接合における熱歪みを小さくし接合を強固なものとするために、基体１の熱膨張係数に近似する金属材料が用いられる。この枠体２は、基体１と同様に、その材料のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことにより所定の形状に製作される。そして、基体１と同様に、その表面に耐蝕性に優れ、かつ、ろう材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さ0.5〜９μｍのＡｕ層を順次めっき法により被着させておくのがよく、枠体２が酸化腐食するのを有効に防止するとともに貫通孔２ａに同軸コネクタ３を強固に接合できる。
【００２５】
また、枠体２は、基体１と同じ金属材料を用いて、基体１と枠体２とを一体成形することが好ましい。この一体成形の方法としては、上述したＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金等の金属材料のインゴットに切削加工等の従来周知の金属加工法を施すことにより所定の形状に製作することができる。基体１と枠体２とを一体成形した場合は、組み立て時の接合ずれを生じるという不具合が発生することがなくなるので好ましい。
【００２６】
同軸コネクタ３は、外部電気回路（図示せず）と電子部品７とを電気的に接続する機能を有するとともに、電子部品収納用パッケージ内部を塞ぐ機能を有し、外周導体３ａ，絶縁体３ｂおよび中心導体３ｃからなる。外周導体３ａは、筒状であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料からなり、絶縁体３ｂは、外周導体３ａの貫通孔に充填されたホウケイ酸ガラス等の絶縁材料からなる。中心導体３ｃは、外周導体３ａの中心軸部分に絶縁体３ｂを介して装着され電子部品収納用パッケージ内外を導通させるものであり、両端部が絶縁体３ｂから突出している。貫通孔２ａへの同軸コネクタ３の嵌着接合は、貫通孔２ａに同軸コネクタ３を挿入するとともに、リング状のＡｕ−Ｓｎ合金等の低融点ろう材を外周導体３ａと貫通孔２ａの内周面との間に挿入保持させ、しかる後、低融点ろう材を加熱溶融させて貫通孔２ａの内周面と外周導体３ａとの間の隙間が全周にわたりＡｕ−Ｓｎ合金等の封着材によって充填されることによって行なわれる。
【００２７】
また、同軸コネクタ３は、高周波信号が伝送される中心導体３ｃと、それを取り囲む部位、すなわち金属材料からなる外周導体３ａおよび貫通孔２ａ内周面部とが、高周波信号伝送時のインピーダンスの整合が可能な同軸構造をなしている。
【００２８】
また、同軸コネクタ３の形状は、円柱状または角柱状であり、枠体２に形成された貫通孔２ａの内周面に嵌着接合して電子部品収納用パッケージ内部を塞ぐような形状であればよい。例えば、同軸コネクタ３が円柱状の場合は、同軸コネクタ３の外周導体３ａの外周面を貫通孔２ａの円状の内周面に嵌着接合する。また、同軸コネクタ３が角柱状の場合は、同軸コネクタ３の外周導体３ａの外周面に平坦面を形成し、貫通孔２ａの内面にも平坦面を形成しておき、外周導体３ａの外周面に形成された平坦面と、貫通孔２ａの内面に形成された平坦面とを接合して、貫通孔２ａ内に同軸コネクタ３を嵌着接合する。
【００２９】
回路基板４は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックスまたは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス等のセラミックスから成り、インピーダンス整合用の基板として機能する。また、回路基板４は、図１（ａ）,（ｂ）に示す例のように、その上面に高周波信号の
伝送線路としての信号線路導体４ａが形成され、上面および下面には、接地導体４ｂが形成され、また、回路基板４の上面および下面に形成された接地導体４ｂを接続するビア導体４ｄが形成されている。信号線路導体４ａは、同軸コネクタ３の中心導体３ｃのインピーダンスと同じになるように形成されたグランド付きコープレナー線路であり、その一端側は電子部品７とボンディングワイヤ９を介して接続され、他端側は中心導体３ｃの先端
部に接合される。そして、中心導体３ｃと電子部品７とを電気的に接続することにより、同軸コネクタ３と電子部品７とが電気的に接続される。また、接地電位（グランド）は、同軸コネクタ３の下面の外周導体３ａから、枠体２と載置用基台５とを接合する導電性接合材６の上面を経由して、回路基板４の下面に形成された接地導体４ｂに接続され、貫通導体４ｄを介して回路基板４の上面に形成された接地導体４ｂに接続され、電子部品７とボンディングワイヤ９を介して電気的に接続される。
【００３０】
回路基板４は、例えばアルミナセラミックスからなる場合であれば、酸化アルミニウム，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ，可塑剤，および溶剤を添加混合して泥漿物に従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、この成形体を約1,600℃の温度で
焼成することによって製作される。
【００３１】
信号線路導体４ａ、接地導体４ｂ、貫通導体４ｄは、タングステン，モリブデン，マンガン，銅，銀，パラジウム，白金，金等の金属材料からなる。
【００３２】
信号線路導体４ａ、接地導体４ｂ、貫通導体４ｄは、例えばタングステンからなる場合であれば、タングステンの粉末に有機溶剤，バインダを添加混練して金属ペーストを作製する。信号線路導体４ａおよび接地導体４ｂを形成する場合は、回路基板４となるセラミックグリーンシートに金属ペーストを所定の配線パターンとなるように、従来周知のスクリーン印刷法を用いて印刷することによって形成する。貫通導体４ｄを形成する場合は、回路基板４を作製する際にセラミックグリーンシートに打ち抜き加工やレーザ加工等によって貫通孔を形成しておき、この貫通孔に金属ペーストを充填することによって形成する。
【００３３】
信号線路導体４ａ、接地導体４ｂ、貫通導体４ｄは、薄膜加工で作製することもできる。信号線路導体４ａ、接地導体４ｂ、貫通導体４ｄを薄膜加工で作製することにより、信号線路導体４ａ、接地導体４ｂ、貫通導体４ｄを密着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層とすることができ、高精度なパターンを形成できるので好ましい。
【００３４】
信号線路導体４ａ、接地導体４ｂ、貫通導体４ｄは、例えば以下のようにして薄膜加工で作製する。
【００３５】
焼成後の回路基板４にレーザ加工やサンドブラストのような従来周知の加工法によって、貫通孔を形成し、蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティング法等の薄膜形成法によって信号線路導体４ａ、接地導体４ｂ、貫通導体４ｄとなる各層（密着金属層、拡散防止層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層）を形成する。その後レジスト膜を形成し、フォトリソ加工、エッチング等の薄膜加工によって信号線路導体４ａ、接地導体４ｂ、貫通導体４ｄを形成する。
【００３６】
載置用基台５は、基体１の上面の載置部１ａに載置されており、載置用基台５の上面には、回路基板４が載置されている。また、載置用基台５は、基体１の熱膨張係数と、回路基板４の熱膨張係数との中間の熱膨張係数を持つＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、温度変化によって、上面に載置する回路基板４に大きな応力が働いて割れたりすることがないようにするための緩衝材としての中継基体として機能する。すなわち、ＬＮ素子の熱膨張係数に合わせた基体１に、直接、回路基板４を載置すると、基体１の熱膨張係数と回路基板４の熱膨張係数との違いによる応力で、回路基板４が割れてしまうことがあるために、
基体１の上面の載置部１ａに載置用基台５を載置し、この載置用基台５の上面に回路基板４を載置するという本発明の構成としている。
【００３７】
載置用基台５は、例えば基体１がＳＵＳ304（熱膨張係数17.3×10-6／℃）で、回路基
板４がアルミナセラミックス（熱膨張係数6.5×10-6／℃）の場合は、基体１および回路
基板４の中間の熱膨張係数を持つＦｅ−50Ｎｉ合金（熱膨張係数9.9×10-6／℃）の金属
材料からなることが好ましい。この場合、載置用基台５が、基体１および回路基板４の中間の熱膨張係数を持つことで、熱膨張係数の差による応力によって、回路基板４が割れてしまうことがなくなるので好ましい。
【００３８】
導電性接合材６は、枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面とを接合する機能を有する。導電性接合材６は、Ａｕ−Ｓｎ合金やＳｎ−Ａｇ合金等の低融点ろう材が用いられる。
【００３９】
導電性接合材６は、図１（ｂ）に示す例のように、枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面との間の隙間全体に充填されていてもよく、この場合の枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面とを接合させる方法としては、導電性接合材６を従来周知のディスペンス法で、枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面との隙間に注入して充填し、その後、導電性接合材６を加熱溶融し、固化させることにより、枠体２と載置用基台５とを接合させることができる。
【００４０】
また、導電性接合材６は、図２に示す例のように、枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面との間の隙間の上部のみに充填されていてもよく、この場合の枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面とを接合させる方法としては、箔状または板状のＡｕ−Ｓｎ合金を枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面との隙間に挿入し挟み込んで、その後、導電性接合材６を加熱溶融し、固化させることにより、枠体２と載置用基台５とを接合させることができる。
【００４１】
載置用基台５の側面側の上面と、枠体２の同軸コネクタ３の直下部と接合する際、図２に示す例のように、枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面との間の隙間の上部のみに導電性接合材６を充填して接合することが好ましい。この場合、枠体２の内周側面および載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面の全面が導電性接合材６を介して接合されることがないので、枠体２と載置用基台５との熱膨張係数の差に起因する応力によって、導電性接合材６が、枠体２の内周側面または載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面から剥がれたりすることがなくなるので好ましい。
【００４２】
載置用基台５は、図３および図４に示す例のように、載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面に突出部５ａが形成されていることが好ましい。このような構成の場合、枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面と突出部５ａの上面とで、凹部が形成され、この凹部に導電性接合材６が溜まるように充填されるので、図２に示す例のような、枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面との間の隙間の上部のみに導電性接合材６を充填して接合することを安定して容易に行なうことができる。また、載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面に突出部５ａが形成されていることから、導電性接合材６の上面の位置決めを確実に行うことができ、突出部５ａより下方に導電性接合材６が落ち込むことがなく、導電性接合材６の上面の位置が下がることで接地電位（グランド）の経路長が長くなり、信号線路との長さに差が生じることを有効に防止することができる。また、図３および図４に示す例のように、載置用基台５に突出部５ａを形成することにより、この突出部５ａを枠体２の内周側面に当接させて、載置用基台５の上面に載置された回路基板４の位置決めが容易にできる点でも好ましい。
【００４３】
突出部５ａの形状は、図３に示す例のように、載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面の中央部の一部に形成されていてもよく、図４に示す例のように、載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面の中央部から基体１の上面にかけてつながって形成されていてもよい。また、図３に示す例のように、突出部５ａが、載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面の中央部の一部に形成されている場合がより好ましい。この場合は、枠体２と載置用基台５とが当接する面積が小さくなるので、枠体２と載置用基台５との熱膨張係数の差に起因する応力によって、導電性接合材６が、枠体２の内周側面または載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面から剥がれたりすることがなくなるので好ましい。
【００４４】
載置用基台５は、その材料のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことで形成でき、突出部５ａについては、その周辺部を研削したり、別に加工した突出部５ａ部の形状の部品を載置用基台５の側面に金属ろう材等で接合することで作製される。
【００４５】
蓋体８は、図１（ｂ）に示す例のように、枠体２の上面に接合され、電子部品７を電子部品収納用パッケージの中に気密封止するものである。蓋体８の材料は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料やアルミナセラミックス等のセラミックスから成り、枠体２上面にＡｕ−Ｓｎ合金等の低融点ろう材を介して接合したり、シーム溶接等の溶接により接合することで、電子部品７を電子部品収納用パッケージ内に封止する。
【００４６】
本発明の電子部品収納用パッケージは、図５および図６に示す例のように、上記構成において、回路基板４は、同軸コネクタ３側の側面に、接地導体４ｂと接続され、かつ信号線路導体４ａと絶縁されて、側面導体４ｃが形成されており、枠体２の内周側面と回路基板４の側面導体４ｃとが導電性接合材６を介して接合されていることが好ましい。このような構成としたときには、枠体２の内周側面と搭載用基台５との間の隙間に充填された導電性接合材６を、搭載用基台５の上面よりも高い位置にまで這い上がらせて、中心導体３ｃと接地電位としての導電性接合材６との間の距離を短くすることができる。その結果、同軸コネクタ３の中心導体３ｃの絶縁体３ｂから突出した部分のインピーダンスの不整合をより小さくすることができるので、高周波信号の反射損失がより小さくなり、高周波信号をより効率よく伝送させることが可能となる。
【００４７】
側面導体４ｃは、図５および図６に示す例のように、回路基板４の同軸コネクタ３側の側面に、接地導体４ｂと接続され、かつ信号線路導体４ａと絶縁されて形成されている。図５に示す例は、側面導体４ｃの同軸コネクタ３側の端面が、載置用基台５の枠体２側の側面と面一になるように、回路基板４の同軸コネクタ３側の側面に形成されている例である。図６に示す例は、より好ましい例であり、側面導体４ｃの同軸コネクタ３側の端面が、載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面より同軸コネクタ３側に突出するように、回路基板４の同軸コネクタ３側の側面に形成されている例である。図６に示す例のように側面導体４ｃが形成されている場合は、導電性接合材６が、側面導体４ｃの同軸コネクタ３側の端面から側面導体４ｃの下面にかけて回り込むように充填されるので、側面導体４ｃと導電性接合材６とがかみ合い、また接合にあずかる側面導体４ｃの接合面積が増えるため、枠体２の内周側面と側面導体４ｃとを強固に接合することができるので好ましい。
【００４８】
図７に示す例は、枠体２の内側に貫通孔２ａと連続してつながるように、貫通孔２ａよりも小径の貫通孔２ｂを形成した例である。枠体２の貫通孔２ａ，２ｂをこのような形状として、枠体２の内周側面と載置用基台５の同軸コネクタ３側の側面との間の隙間に導電性接合材６を充填することにより、中心導体３ｃと接地電位としての導電性接合材６との間の距離をより短くすることができる。その結果、同軸コネクタ３の中心導体３ｃの絶縁体３ｂから突出した部分のインピーダンスの不整合をより小さくすることができるので、高周波信号の反射損失がより小さくなり、高周波信号をより効率よく伝送させることが可
能となる。導電性接合材６と中心導体３ｃとの距離を小さくするためには、枠体２の同軸コネクタ３の下部と回路基板４との間に枠体２の内周側面が位置されればよいが、枠体２の貫通孔２ａ，２ｂを上記のような形状とすることで、貫通孔２ｂの部分は中心導体３ｃの周りの誘電体が空気である、いわゆるエア同軸構造となるので、この部分でのインピーダンスの不整合が発生しにくくなるので好ましい。また同軸コネクタ３を貫通孔２ａ内に嵌着させる際に、同軸コネクタ３を貫通孔２ａの内周面に突き当てることによって、同軸コネクタ３の位置決めが容易にできる点でも好ましい。
【００４９】
図８（ａ），（ｂ）に示す例は、回路基板４の側面のうち、回路基板４の上面に形成された接地導体４ｂの端の下だけに、側面導体４ｃを形成した例である。具体的には、本発明の電子部品収納用パッケージは、図８（ａ）に平面図で示す例のように、回路基板４の上面に、同軸コネクタ３の中心導体３ｃが接続される信号線路導体４ａと、貫通導体４ｄを介して回路基板４の下面に形成された接地導体４ｂと電気的に接続される接地導体４ｂとが形成されている。この回路基板４の上面に形成された接地導体４ｂの端の下だけに側面導体４ｃを形成して、同軸コネクタ３側の接地電位と接続することで導通をとることができる。この場合は、回路基板４の上面の接地導体４ｂと下面の接地導体４ｂとを接続するように側面導体４ｃを形成することが好ましい。このように、側面導体４ｃを形成し、枠体２と側面導体４ｃとを導電性接合材６で接合すると、中心導体３ｃの下面を接地導体が擬似同軸構造で覆うようになるので、同軸コネクタ３の中心導体３ｃの絶縁体３ｂから突出した部分のインピーダンスの不整合をより小さくすることができるので、高周波信号の反射損失がより小さくなり、高周波信号をより効率よく伝送させることが可能となる。
【００５０】
側面導体４ｃは、信号線路導体４ａおよび接地導体４ｂと同様な金属材料を用い同様な作製方法をすることにより形成される。
【００５１】
本発明の電子装置は、図１（ｂ）に示す例のように、基体１の載置部１ａに電子部品７を、この電子部品７の電極と電気的に接続された信号線路導体４ａを有する回路基板４に実装した状態で搭載固定し、信号線路導体４ａと中心導体３ｃとを半田を介して電気的に接合するとともに電子部品７と信号線路導体４ａとをボンディングワイヤ９で電気的に接続し、しかる後、枠体２の上面に蓋体８を半田付け法やシーム溶接法により接合することにより構成される。そして、同軸コネクタ３と同軸ケーブル（図示せず）とを接続することにより、電子部品７が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００５２】
なお、本発明は、上述した最良の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行なうことは何ら差し支えない。例えば、本実施形態では、電子部品７をＬＮ素子の例として回路基板４をグランド付きコープレナー構造としたが、電子部品７の入出力端子形状や素子形状によって、回路基板４をマイクロストリップ構造の基板としてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・・・基体
１ａ・・・・載置部
２・・・・・枠体
２ａ・・・・貫通孔
２ｂ・・・・小径の貫通孔
３・・・・・同軸コネクタ
３ａ・・・・外周導体
３ｂ・・・・絶縁体
３ｃ・・・・中心導体
４・・・・・回路基板
４ａ・・・・信号線路導体
４ｂ・・・・接地導体
４ｃ・・・・側面導体
４ｄ・・・・貫通導体
５・・・・・載置用基台
５ａ・・・・突出部
６・・・・・導電性接合材
７・・・・・電子部品
８・・・・・蓋体
９・・・・・ボンディングワイヤ
【図１】
0005725876.tif 000002
【図２】
0005725876.tif 000003
【図３】
0005725876.tif 000004
【図４】
0005725876.tif 000005
【図５】
0005725876.tif 000006
【図６】
0005725876.tif 000007
【図７】
0005725876.tif 000008
【図８】
0005725876.tif 000009
【図９】
0005725876.tif 000010