(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォーマット処理を実行する際、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定し、判定した該状態に適した処理を実行する手段として、
前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、更に、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定するフォーマット手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体記憶装置のメモリをフォーマット処理する方法であって、半導体記憶装置が、フォーマット処理を開始する前に、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定するステップａ、前記半導体記憶装置が、判定したフォーマット処理の状態に適した処理を実行するステップｂを含み、
前記ステップａにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、前記ステップｂにおいて、前記半導体記憶装置は、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、前記ステップａにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記ステップｂにおいて、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、
半導体記憶装置のフォーマット処理方法。
【請求項５】
前記ステップａにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記ステップｂにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする、請求項４に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法。
【請求項６】
前記ステップａにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記ステップｂにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする、請求項５に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
メモリ、ＣＰＵ、及びそれらを動作させるためのプログラムを搭載した半導体記憶装置をフォーマット処理するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
メモリ、ＣＰＵ、及びそれらを動作させるためのプログラムを搭載した半導体記憶装置（例えば、ＩＣカード）を製造する際、半導体記憶装置の製造者は、半導体記憶装置を使用可能な状態にするために、半導体記憶装置に搭載されたメモリをフォーマット処理する。
【０００３】
フォーマット処理には、フォーマット処理専用の命令であるフォーマット命令が用いられ、フォーマット処理が実行されることで、メモリの容量、ブロックサイズ及びブロック数などの管理データ、及び、メモリを複数のブロックに分割するためのデータが半導体記憶装置のメモリに書き込まれる。
【０００４】
半導体記憶装置を大量に製造する際、複数の半導体記憶装置を並列かつ逐次的に処理する必要があるため、ベルトコンベアやアクチュエータなど複数の搬送部を有する発行装置により、半導体記憶装置に対するフォーマット処理が実行されるが、複数の搬送部を制御するコントローラー(例えば、外付けされたＰＣや装置に組み込まれたＣＰＵなど)は単一であるため、少なくとも一つの搬送部が何らかの原因によって停止してしまった場合には、複数の搬送部が全て停止し、複数の搬送部上に半導体記憶装置が取り残されてしまう。
【０００５】
比較的に安価な製品であれば、複数の搬送部上に取り残された半導体記憶装置を全て不良品扱いにすることも考えられるが、半導体記憶装置は安価ではないため、複数の搬送部上に取り残された半導体記憶装置を良品とする処理が必要とされる。
【０００６】
例えば、特許文献１において、複数のカード発行装置のいずれか一つにおいて搬送異常が発生した際、発行途上のカードを良品にするカード発行システムのリカバリー処理方法が開示されている。
【０００７】
特許文献１で開示されているカード発行システムのリカバリー処理方法では、複数のカード発行装置のいずれか一つにおいて搬送異常が発生すると、該カード発行装置を停止して、発行途上のカードの全てを不良品回収部に回収し、一旦、発行区分を「不良」とした後に、カードの発行状態を点検し、良品となり得るカードをカード発行装置側で良品に変更する。
【０００８】
特許文献１で開示されている方法によれば、良品となり得る半導体記憶装置を発行装置側で良品に変更する前に、フォーマット処理の状態を示す内部状態を点検することが必要になる。搬送部上に取り残された半導体記憶装置の内部状態は、フォーマット処理が開始されていない状態である初期状態、フォーマット処理が開始から完了していない状態である開始中状態、フォーマット処理が完了した状態である完了状態のいずれかになるが、半導体記憶装置の外観から内部状態は判断できないため、搬送部上に取り残された半導体記憶装置を良品にする際、該半導体記憶装置の内部状態を読み取り、該内部状態に応じた処理を実行することが必要になる。
【０００９】
発行装置が、半導体記憶装置から内部状態を読み出し、該内部状態に応じた処理を実行する機能を有していればよいが、発行装置が該機能を有していない場合、発行装置とは別の装置を用いて半導体記憶装置から内部状態を読み出し、搬送部上に取り残された半導体記憶装置を内部状態に基づいて選別しなければならなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−５８８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、フォーマット処理の状態を示す内部状態を半導体記憶装置から読み出し、該内部状態に応じた処理を実行する機能を有していない発行装置を使用する場合であっても、半導体記憶装置の内部状態に応じてフォーマット処理できる半導体記憶装置及び半導体記憶装置のフォーマット処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決する第１の発明の半導体記憶装置は、上記課題を解決するために、フォーマット処理を実行する際、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定し、判定した該状態に適した処理を実行する手段として、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、更に、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定するフォーマット手段を備えたことを特徴とする。
【００１４】
更に、第２の発明は、第１の発明に記載の半導体記憶装置であって、フォーマット処理が完了した状態の半導体記憶装置であっても良品に変更できるように、前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする。
【００１５】
更に、第３の発明は、第２の発明に記載の半導体記憶装置であって、内部状態が不明な半導体記憶装置であっても良品に変更できるように、前記フォーマット手段は、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする。
【００１６】
上述した課題を解決する第４の発明に係る半導体記憶装置のフォーマット処理方法は、上記課題を解決するために、半導体記憶装置のメモリをフォーマット処理する方法であって、半導体記憶装置が、フォーマット処理を開始する前に、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報をフォーマット処理するメモリから読み出し、前記メモリから読み出した前記内部状態情報に従い、前記メモリのフォーマット処理の状態を判定するステップａ、前記半導体記憶装置が、判定したフォーマット処理の状態に適した処理を実行するステップｂを含み、前記ステップａにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、フォーマット処理が開始される前の状態である初期状態が示される場合、前記ステップｂにおいて、前記半導体記憶装置は、フォーマット処理が開始されてから完了までの状態である開始中状態に前記内部状態情報を設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、フォーマット処理が完了した状態である完了状態に前記内部状態情報を設定し、前記ステップａにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって前記開始中状態が示される場合、前記ステップｂにおいて、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする。
【００１８】
更に、第５の発明は、第４の発明に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法であって、フォーマット処理が完了した状態の半導体記憶装置であっても良品に変更できるように、前記ステップａにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記完了状態が示される場合、前記ステップｂにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理を完了することを特徴とする。
【００１９】
更に、第６の発明は、第５の発明に記載の半導体記憶装置のフォーマット処理方法であって、前記ステップａにおいて、前記メモリから読み出した前記内部状態情報によって、前記初期状態、前記開始中状態及び前記完了状態のいずれもが示されない場合、前記ステップｂにおいて、前記半導体記憶装置は、前記内部状態情報を含む前記メモリの内容全てを初期化し、前記内部状態情報を前記開始中状態に設定した後、フォーマット処理を開始し、フォーマット処理が完了すると、前記内部状態情報を前記完了状態に設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
このように、本発明によれば、フォーマット処理の状態を示す内部状態を半導体記憶装置から読み出し、該内部状態に応じた処理を実行する機能を有していない発行装置を使用する場合であっても、半導体記憶装置の内部状態に応じてフォーマット処理できる半導体記憶装置及び半導体記憶装置のフォーマット処理方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係る半導体記憶装置のブロック図。
【図２】半導体記憶装置に備えられ機能の動作を説明する図。
【図３】半導体記憶装置の動作を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
ここから、本発明の実施形態について、本発明の技術分野に係わる当業者が、発明の内容を理解し、発明を実施できる程度に説明する。なお、これから説明する実施形態は本発明の一実施形態にしか過ぎず、本発明は、これから説明する実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能である。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る半導体記憶装置１のブロック図である。本発明において、半導体記憶装置１とは、例えば、接触型／非接触型のＩＣカード、携帯電話／スマートフォンに実装されるＵＳＩＭカード（USIM: user identity module）のように、メモリ、ＣＰＵ、及びそれらを動作させるためのプログラムを搭載した製品を意味し、半導体記憶装置１には、半導体記憶装置１を制御するＣＰＵ１ａ（Central Processing Unit）と、フォーマット処理する電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリ１ｂと、ＣＰＵ１ａを動作させるためのコンピュータプログラムが記憶されるＲＯＭ１ｄ、該コンピュータプログラムが利用する揮発性メモリであるＲＡＭ１ｃ、外部装置とデータ通信するためのＩ／Ｏポート１ｅなどが実装され、本実施形態において、Ｉ／Ｏポート１ｅには、外部装置から受信した命令を格納する受信バッファが少なくとも設けられている。
【００２４】
図２は、半導体記憶装置１に備えられる機能を説明する図である。半導体記憶装置１のＲＯＭ１ｄに記憶されるコンピュータプログラムには、外部装置から受信した命令を実行するモジュールと、外部装置から受信した命令の実行を制御するモジュールが含まれ、これらのモジュールによって、半導体記憶装置１には、外部装置から受信した命令の実行を制御する命令制御手段１１と、半導体記憶装置１のメモリ１ｂをフォーマット処理するフォーマット手段１０が備えられる。
【００２５】
半導体記憶装置１に実装されるフォーマット手段１０は、メモリ１ｂの容量、メモリ１ｂを分割するブロックのサイズ、及び、該ブロックの数などの管理データと、メモリ１ｂを複数のブロックに分割するためのデータを半導体記憶装置１のメモリ１ｂに書き込むフォーマット処理を実行する手段で、メモリ１ｂに書き込まれる管理データには、フォーマット処理の状態を示す内部状態情報が含まれる。
【００２６】
フォーマット処理が開始される前の半導体記憶装置１のメモリ１ｂには内部状態情報は書き込まれておらず、内部状態情報の値はメモリ１ｂの初期値である。フォーマット処理が開始されると、内部状態情報は、フォーマット処理が開始から完了していない状態である開始中状態を示す値に書き換えられ、フォーマット処理が完了すると、内部状態情報は、フォーマット処理が完了した状態である完了状態を示す値に書き換えられる。
【００２７】
図３は、半導体記憶装置１の動作を説明する図である。半導体記憶装置１の命令制御手段１１は、半導体記憶装置１のＩ／Ｏポート１ｅに設けられた受信バッファを確認し（Ｓ１）、外部装置から命令を受信したか否かで処理を分岐させる（Ｓ２）。
【００２８】
半導体記憶装置１の命令制御手段１１は、外部装置から命令を受信していない場合、半導体記憶装置１のＩ／Ｏポート１ｅに設けられた受信バッファを確認する処理（Ｓ１）に戻り、外部装置から命令を受信した場合、半導体記憶装置１の命令制御手段１１は、外部装置から受信した命令がフォーマット命令であるか確認する（Ｓ３）。
【００２９】
半導体記憶装置１の命令制御手段１１は、外部装置から受信した命令がフォーマット命令でない場合、外部装置から受信した命令を実行させて（Ｓ１２）、この手順は終了する。
【００３０】
また、外部装置から受信した命令がフォーマット命令の場合、半導体記憶装置１の命令制御手段１１は、フォーマット手段１０を呼び出してフォーマット処理を開始する（Ｓ４）。
【００３１】
半導体記憶装置１のフォーマット手段１０は、まず、半導体記憶装置１のメモリ１ｂに記憶されている内部状態情報によって完了状態が示されているか確認し（Ｓ５）、内部状態情報によって完了状態が示されていれば、半導体記憶装置１の内部状態は、フォーマット処理が完了していると判定できるため、半導体記憶装置１のフォーマット手段１０は、内部状態情報を変更せず、フォーマット処理を実行することなく、フォーマット処理の完了を外部装置へ通知して（Ｓ１１）、この手順を終了する。
【００３２】
また、半導体記憶装置１のフォーマット手段１０は、半導体記憶装置１のメモリ１ｂに記憶されている内部状態情報によって完了状態が示されてなければ、内部状態情報によって初期状態が示されているか確認し（S６）、内部状態情報によって初期状態が示されていれば、半導体記憶装置１の内部状態は、フォーマット処理が開始されていない状態と判定できるため、半導体記憶装置１のフォーマット手段１０は、内部状態情報を含むメモリ１ｂの内容全てを初期化することなく、内部状態情報を開始中状態に設定した後（Ｓ８）、半導体記憶装置１のメモリ１ｂをフォーマット処理し（Ｓ９）、フォーマット処理が完了すると、内部状態情報を完了状態に設定し（Ｓ１０）、フォーマット処理の完了を外部装置へ通知して（Ｓ１１）、この手順を終了する。
【００３３】
また、半導体記憶装置１のフォーマット手段１０は、半導体記憶装置１のメモリ１ｂに記憶されている内部状態情報によって初期状態が示されていなければ、半導体記憶装置１の内部状態は、フォーマット処理が途中の状態又は半導体記憶装置１の内部状態が不明と判定できるため、この時点のメモリ１ｂの内容を消去すべく、内部状態情報を含むメモリ１ｂの内容全てを初期化する（Ｓ７）。なお、半導体記憶装置１のメモリ１ｂの内容全てを初期化することで、内部状態情報も初期化される。
【００３４】
半導体記憶装置１のメモリ１ｂの内容全てを初期化すると、内部状態情報を開始中状態に設定した後（Ｓ８）、半導体記憶装置１のメモリ１ｂをフォーマット処理し（Ｓ９）、フォーマット処理が完了すると、内部状態情報を完了状態に設定し（Ｓ１０）、フォーマット処理の完了通知を外部装置へ通知して（Ｓ１１）、この手順を終了する。
【符号の説明】
【００３５】
１    半導体記憶装置
１ｂ  メモリ
１０  フォーマット手段
１１  命令制御手段
【図１】
0005673949.tif 000002
【図２】
0005673949.tif 000003
【図３】
0005673949.tif 000004