(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に接続された上アームスイッチ部および下アームスイッチ部と、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間に設けられた入力または出力のための端子と、を備えたアームを３つ備え、配線を変更することで任意の回路を構成可能な基準回路モジュールであって、
前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ワイドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子及びダイオードで構成され
前記上アームスイッチ部及び前記下アームスイッチ部のうち少なくともいずれか一つは、内部で前記スイッチング素子と前記ダイオードの端部同士が接続されていないことを特徴とする基準回路モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の基準回路モジュールを有し、３つの前記アームは並列に接続され、
前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ダイオードとスイッチング素子とからなり、３つの前記アームのそれぞれは、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間から出力するＵ相出力端子を備えたＵ相アーム、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間から出力するＶ相出力端子を備えたＶ相アーム、
前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間から出力するＷ相出力端子を備えたＷ相アームとしたことを特徴とする三相インバータ回路。
【請求項３】
請求項２に記載の２つの三相インバータ回路を、第１の三相インバータ回路、第２の三相インバータ回路とし、前記第１の三相インバータ回路の前記Ｕ相アームと前記Ｖ相アームとを並列に接続して新たなＵ相アームとするとともに、前記Ｕ相出力端子と前記Ｖ相出力端子とを接続して新たなＵ相出力端子とし、前記第１の三相インバータ回路の前記Ｗ相アームと前記第２の三相インバータ回路の前記Ｕ相アームとを並列に接続して新たなＶ相アームとするとともに、前記第１の三相インバータ回路の前記Ｗ相出力端子と前記第２の三相インバータ回路の前記Ｕ相出力端子と接続して新たなＶ相出力端子とし、
前記第２の三相インバータ回路の前記Ｖ相アームと前記Ｗ相アームとを並列に接続して新たなＷ相アームとするとともに、前記Ｖ相出力端子と前記Ｗ相出力端子とを接続して新たなＷ相出力端子としたことを特徴とする三相インバータ回路。
【請求項４】
請求項２に記載の３つの三相インバータ回路を、第１の三相インバータ回路、第２の三相インバータ回路、第３の三相インバータ回路とし、前記第１の三相インバータ回路において、前記Ｕ相アームと前記Ｖ相アームと前記Ｗ相アームとを並列に接続して新たなＵ相アームとするとともに、前記Ｕ相出力端子と前記Ｖ相出力端子と前記Ｗ相出力端子とを接続して新たなＵ相出力端子とし、前記第２の三相インバータ回路において、前記Ｕ相アームと前記Ｖ相アームと前記Ｗ相アームとを並列に接続して新たなＶ相アームとするとともに、前記Ｕ相出力端子と前記Ｖ相出力端子と前記Ｗ相出力端子とを接続して新たなＶ相出力端子とし、前記第３の三相インバータ回路において、前記Ｕ相アームと前記Ｖ相アームと前記Ｗ相アームとを並列に接続して新たなＷ相アームとするとともに、前記Ｕ相出力端子と前記Ｖ相出力端子と前記Ｗ相出力端子とを接続して新たなＷ相出力端子としたことを特徴とする三相インバータ回路。
【請求項５】
交流電源を直流電源に変換する整流回路、前記整流回路で生成された前記直流電源を三相交流電源に変換するインバータ回路、前記三相交流電源により駆動される圧縮機のモータを備え、前記インバータ回路は、請求項２から４のいずれか１項に記載の三相インバータ回路であり、前記三相インバータ回路のＵ相出力端子が前記モータのＵ相入力端子に接続し、前記三相インバータ回路のＶ相出力端子が前記モータのＶ相入力端子に接続し、前記三相インバータ回路のＷ相出力端子が前記モータのＷ相入力端子に接続することを特徴とする空気調和装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基準回路モジュールを有し、３つの前記アームは並列に接続され、前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ダイオードからなり、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源に接続する入力端子であることを特徴とする整流回路。
【請求項７】
請求項１に記載の基準回路モジュールを有し、３つの前記アームのうち２つのアームにおいて、２つの前記アームが並列に接続され、前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ダイオードからなり、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源に接続する入力端子であり、３つの前記アームのうちの残り１つのアームにおいて、下アームスイッチ部のみが並列に接続されたスイッチング素子とダイオードとを備え、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、２つの前記アームの上アームスイッチ部側端部と接続して前記下アームスイッチ部が２つの前記アームと並列に接続することを特徴とするＰＡＭ回路。
【請求項８】
請求項１に記載の基準回路モジュールを有し、３つの前記アームのうち２つのアームにおいて、２つの前記アームが並列に接続され、前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ダイオードからなり、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源に接続する入力端子であり、３つの前記アームのうちの残り１つのアームにおいて、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、２つの前記アームの上アームスイッチ部側端部とリアクトルを介して接続し、上アームスイッチ部はダイオードからなるとともにインバータ回路に接続する母線に接続し、下アームスイッチ部はスイッチング素子からなるとともに、２つの前記アームの下アームスイッチ部側端部と接続することを特徴とする一石型ＰＡＭ回路。
【請求項９】
請求項１に記載の基準回路モジュールを有し、３つの前記アームのうち２つのアームにおいて、前記上アームスイッチ部はダイオードからなり、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源に接続する入力端子であって、上アームスイッチ部のダイオードが並列接続し、上アームスイッチ部側の端部はインバータ回路に母線を介して接続し、前記下アームスイッチ部はスイッチング素子とダイオードを備えるとともに並列接続して、インバータ回路に母線を介して接続することを特徴とするハーフブリッジ／インターリーブ回路。
【請求項１０】
請求項６に記載の整流回路、請求項７に記載のＰＡＭ回路、請求項８に記載の一石型ＰＡＭ回路、または請求項９に記載のハーフブリッジ／インターリーブ回路のいずれか１つの回路が交流電源に接続し、前記回路には直流電源を三相交流電源に変換するインバータ回路が接続し、前記インバータ回路には前記三相交流電源により駆動される圧縮機のモータが接続することを特徴とする空気調和装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、インバータを用いた空気調和装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧縮機をインバータ制御する装置は、整流回路、力率改善回路、インバータ回路等を備
えており、例えば、特許文献１には、整流回路部が交流電源を整流し、整流された電源の
力率改善を高力率コンバータ回路部が行い、高力率コンバータ回路部で生成された電圧を
平滑コンデンサが平滑し、インバータ回路部が、平滑された直流電源を三相交流に変換し
て圧縮機のモータを駆動するモータ制御装置が開示されている。また、特許文献１には、
小型化や低ノイズ化を目指し、整流回路部、インバータ回路部のそれぞれを１パッケージ
化したり、整流回路部と高力率コンバータ回路部とインバータ回路部とを１パッケージ化
したりする技術が開示されている（０００８、０００９、００３２、００３３欄等）。
【０００３】
同様に、特許文献２においても、高力率コンバータ部と平滑コンデンサとインバータ回
路部とをモジュール化する旨が記載されている（００１１、００１９欄等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２９１２６０（図１）
【特許文献２】特開２００２−２３３１６５（図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の整流回路部、コンバータ回路部、インバータ回路部には、各回路を構成
するダイオードやスイッチング素子に通常のシリコン素子が用いられていた。
このとき、整流回路部において、電圧降下が大きく、それに伴いダイオードの定常損失
が増大し、コンバータ部分の効率を低下させる要因となっていた。
また、整流回路部やインバータ回路部におけるダイオードの定常損失の増大により温度
上昇が発生するにも関わらず、シリコンを用いたダイオードの使用温度限界は１５０度程
度と低いため、温度上昇が発生しないような運転を行ったり、温度上昇を防止するために
ダイオードに放熱部品を取り付けたりする必要があった。また、放熱部品を取り付ける場
合においても、放熱部品を含むインバータ制御装置が大きくなったり、放熱部品の冷却の
ために放熱部品を風路に位置するような構成にする必要が発生するなど、空気調和装置の
大きさや空気調和装置内の部品配置に制約が生ずる問題もあった。
【０００６】
また、一般的に、半導体素子においては、物性上チップの単位面積あたりに流すことが
できる電流量が決まっており、ダイオードやスイッチング素子のチップサイズを小さくす
るにも限界があり、上記のように放熱部品を取り付ける必要があることから、インバータ
制御部を小型集積化することが困難であった。
【０００７】
この発明は、上記のような問題を解決するためのものであり、インバータ回路や整流回
路等を構成するための共通回路モジュール、特に高効率で小型の回路モジュールを得るこ
とを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る基準回路モジュールは、直列に接続された上アームスイッチ部および下アームスイッチ部と、前記上アームスイッチ部と前記下アームスイッチ部との間に設けられた入力または出力のための端子と、を備えたアームを３つ備え、配線を変更することで任意の回路を構成可能な基準回路モジュールであって、前記上アームスイッチ部および前記下アームスイッチ部のそれぞれは、ワイドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子及びダイオードで構成され前記上アームスイッチ部及び前記下アームスイッチ部のうち少なくともいずれか一つは、内部で前記スイッチング素子と前記ダイオードの端部同士が接続されていないことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、基準回路モジュールが、直列に接続された上アームスイッチ部およ
び下アームスイッチ部と、上アームスイッチ部と下アームスイッチ部との間に設けられた
入力または出力のための端子と、を備えたアームを３つ備え、上アームスイッチ部および
下アームスイッチ部のそれぞれは、スイッチング素子またはダイオードを備えたため、スイッチング損失が少なく、高温で動作する上発熱量が少なくなり、高効率かつ小型集積した基準回路モジュールを得ることができる。
また、基準回路モジュールにおいて実装する部品を選択することにより、インバータ回
路、整流回路、コンバータ回路等を実現できるため、ひとつのインバータ制御装置をひと
つの共通化したモジュールで構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係るモータ制御部の回路ブロック図である。
【図２】図１におけるモータ制御部を構成するインバータ回路５である。
【図３】実施の形態２に係るインバータ回路である。
【図４】実施の形態３に係るインバータ回路である。
【図５】実施の形態４に係る整流回路３である。
【図６】実施の形態５に係る簡易ＰＡＭコンバータである。
【図７】実施の形態６に係る一石型ＰＡＭ回路である。
【図８】実施の形態７に係るハーフブリッジ／インターリーブ回路である。
【図９】実施の形態１−７に係る基準回路モジュール１２の他の形態である。
【図１０】実施の形態１−７に係る基準回路モジュール１２の他の形態である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
ここでは、本発明に係るインバータ制御装置の一例として、空気調和装置を構成する圧
縮機のモータを制御するためのモータ制御部について説明する。空気調和装置は室内機と
室外機とを有し、これらの室内機や室外機は、冷媒回路を構成する熱交換器や圧縮機や膨
張弁等を有し、この冷媒回路内を冷媒が循環する。また、室外機では、圧縮機が冷媒を圧
縮する。この圧縮機のモータの回転をモータ制御部が制御している。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係るモータ制御部の回路ブロック図である。
モータ制御部は、モータ１に接続しており、交流電源２に接続して交流を直流に変換す
る整流回路３、整流回路３と母線４ａおよび４ｂで接続して直流から三相交流に変換し、
モータ１の入力端子（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）に接続してモータ１を駆動するインバータ回路
５を備える。
また、整流回路３とインバータ回路５との間には、リアクトル６、ダイオード７、およ
び母線４ａと４ｂとの間に配置されたスイッチング素子８からなる高力率コンバータ回路
９を備えることで、電源力率改善を行っている。
また、高力率コンバータ回路９とインバータ回路５との間であって、母線４ａと４ｂと
の間にコンデンサ１０を設けることで、高力率コンバータ部９からの電圧を平滑化してい
る。
また、制御部１１が、インバータ回路５を構成するスイッチング素子（図示せず）に回
線１１ａを介して接続するとともに、高力率コンバータ回路９を構成するスイッチング素
子８に回線１１ｂを介して接続し、スイッチング素子のスイッチング制御を行っている。
【００１３】
図２は、図１におけるモータ制御部を構成するインバータ回路５であり、特に破線で囲
まれた部分は基準回路モジュール１２である。
インバータ回路５は、基板上に基準回路モジュール１２が搭載されるとともに、インバ
ータ回路用に基板上で配線されたものである。
基準回路モジュール１２は、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１３Ｖ、およびＷ相アーム
１３Ｗを有し、Ｕ相アーム１３Ｕは、点線で囲まれた上アームスイッチ部１４Ｕａ、およ
び点線で囲まれた下アームスイッチ部１４Ｕｂを有する。また、Ｕ相アーム１３Ｕと同様
に、Ｖ相アーム１３ＶおよびＷ相アーム１３Ｗも、それぞれ、上アームスイッチ部１４Ｖ
ａ、１４Ｗａ、および下アームスイッチ部１４Ｖｂ、１４Ｗｂを有する（点線、および符
号による図示せず）。
【００１４】
上アームスイッチ部１４Ｕａ、１４Ｖａ、１４Ｗａ、および下アームスイッチ部１４Ｕ
ｂ、１４Ｖｂ、１４Ｗｂは、それぞれ、並列接続されたスイッチング素子Ｑ１〜６とダイ
オードＤ１〜６とから構成されている。
ダイオードＤ１〜６には、半導体と金属を接合させてダイオード作用を行うショットキ
ーバリアダイオードが使用され、スイッチング素子Ｑ１〜６およびダイオードＤ１〜６に
は、ワイドギャップ半導体であるＳｉＣにより構成されている。
なお、スイッチング素子Ｑ１〜６およびダイオードＤ１〜６には、ＳｉＣではなく、ワ
イドギャップ半導体の一つであるＧａＮを用いても良い。
【００１５】
また、Ｕ相アーム１３Ｕにおいて、上アームスイッチ部１４Ｕａと下アームスイッチ部
１４Ｕｂとの間には端子１５Ｕが設けられ、この端子は、Ｕ相出力端子としてモータ１の
Ｕ相入力端子に接続する。同様に、Ｖ相アーム１３ＶおよびＷ相アーム１３Ｗにおいても
、端子１５Ｖおよび端子１５Ｗが、Ｖ相出力端子およびＷ相出力端子として、モータ１の
Ｖ相入力端子、Ｗ相入力端子に接続する。
【００１６】
また、基準回路モジュール１２が搭載される基板上において、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相
アーム１３Ｖ、Ｗ相アーム１３Ｗの上アームスイッチ部１４Ｕａ、１４Ｖａ、１４Ｗａ側
の端部１６Ｕａ、１６Ｖａ、１６Ｗａを母線４ａに接続し、下アームスイッチ部１４Ｕｂ
、１４Ｖｂ、１４Ｗｂ側の端部１６Ｕｂ、１６Ｖｂ、１６Ｗｂ（図２における一点鎖線）
を母線４ｂに接続する。これより、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１３Ｖ、Ｗ相アーム１
３Ｗが並列に接続することになる。
【００１７】
上記のように、基準回路モジュール１２を用い、基板上で任意の配線を行うことで、三
相インバータ回路５を構成できる。
このようなインバータ回路は、インバータ駆動のために各スイッチング素子Ｑ１〜６が
オンからオフに切り替わるときに非常に大きな逆回復電流が流れる。また、各スイッチン
グ素子Ｑ１〜６には、２０Ａ以上の大きな電流が定常的に流れている。
しかし、このスイッチング素子Ｑ１〜６およびダイオードＤ１〜６にはワイドギャップ
半導体であるＳｉＣが用いられているため、逆回復電流に関しては逆回復電流が従来のシ
リコンに比べて非常に少なく、逆回復時間が非常に短い。例えば、定格逆耐圧６００Ｖお
よび定格順電流６ＡのＳｉＣショットキーバリアダイオードでは逆回復電荷は２０ｎｃ程
度であり、通常のシリコンＰＮ接合ダイオードの逆回復電荷１５０〜１５００ｎｃに比べ
て著しく小さい。
これにより、スイッチング損失を大幅に小さくすることができ、また発熱を抑えること
ができるため、放熱部品が不要であるか小さな放熱部品の取り付けで十分となり、スイッ
チング素子Ｑ１〜６とダイオードＤ１〜６とをモジュール化した基準回路モジュール１２
を構成することができる。また、モジュールの放熱も少ないため、基準回路モジュール１
２、およびインバータ回路５部分の小型化も図ることができる。
【００１８】
また、オン抵抗については、ショットキーバリアダイオードで比較した場合、ＳｉＣを
用いたダイオードＤ１〜６は、従来のシリコンの１／１００程度になり、スイッチング素
子Ｑ１〜６に関しても、従来のシリコンを用いた場合の１／１０程度となる。このように
、オン抵抗値も小さいため、大規模な放熱部品が不要となる。
【００１９】
また、スイッチング素子Ｑ１〜６にＳｉＣを用いた場合、電力密度が通常のシリコンに
比べて約４倍となるため、同量の電力を扱う場合に半導体チップ面積が小さくすることが
でき、半導体素子そのものも小さくでき、基準回路モジュール１２、引いてはインバータ
制御装置を小さくすることができる。
【００２０】
さらに、上アームスイッチ部、下アームスイッチ部を有するアーム１３Ｕ、１３Ｖ、１
３Ｗを有する基準回路モジュール１２を準備し、必要な箇所にスイッチング素子とダイオ
ードとを設けるとともに、基準回路モジュール１２を搭載する基板上で配線を行うように
したので、基準回路モジュール１２の小型化と共通化を図ることができる。
【００２１】
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２に係るインバータ回路である。この実施の形態２に係る
インバータ回路は、実施の形態１に係る基準回路モジュール１２を２つ使用してインバー
タ回路を構成するものであり、実施の形態１と同じ構成については実施の形態１と同じ符
号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
【００２２】
図３では、第１の基準回路モジュール１２−１、第２の基準回路モジュール１２−２が
並列に配置されている。
（新たなＵ相アーム）
まず、第１の基準回路モジュール１２−１のＵ相出力端子１５ＵとＶ相出力端子１５Ｖ
とを接続して新たなＵ相出力端子１５Ｕ−２としてモータ１のＵ相入力端子に接続する。
また、制御部１１（図示せず）は、第１の基準回路モジュール１２−１におけるスイッチ
ング素子Ｑ１とＱ２とを一纏めにして新たなＵ相アームの上アーム側とし、スイッチング
素子Ｑ４とＱ５とを一纏めにして新たなＵ相アームの下アーム側として、それぞれのスイ
ッチング素子をＯＮ・ＯＦＦする。これにより、図３に点線で図示したように、第１の基
準回路モジュール１２−１のＵ相アーム１３ＵとＶ相アーム１３Ｖとが、新たなＵ相アー
ムとなる。
【００２３】
（新たなＶ相アーム）
また、第１の基準回路モジュール１２−１のＷ相出力端子１５Ｗと第２の基準回路モジ
ュール１２−２のＵ相出力端子１５Ｕとを接続して新たなＶ相出力端子１５Ｖ−２として
モータ１のＶ相入力端子に接続する。また、制御部１１（図示せず）は、第１の基準回路
モジュール１２−１におけるスイッチング素子Ｑ３と第２の基準回路モジュール１２−２
におけるスイッチング素子Ｑ１とを一纏めにして新たなＶ相アームの上アーム側とし、第
１の基準回路モジュール１２−１におけるスイッチング素子Ｑ６と第２の基準回路モジュ
ール１２−２におけるスイッチング素子Ｑ４とを一纏めにして新たなＶ相アームの下アー
ム側として、それぞれのスイッチング素子をＯＮ・ＯＦＦする。これにより、図３に点線
で図示したように、第２の基準回路モジュール１２−１のＷ相アーム１３Ｗと第２の基準
回路モジュール１２−２のＵ相アーム１３Ｕとが、新たなＶ相アームとなる。
【００２４】
（新たなＷ相アーム）
また、第２の基準回路モジュール１２−２のＶ相出力端子１５ＶとＷ相出力端子１５Ｗ
とを接続して新たなＷ相出力端子１５Ｗ−２としてモータ１のＷ相入力端子に接続する。
また、制御部１１（図示せず）は、第２の基準回路モジュール１２−２におけるスイッチ
ング素子Ｑ２とＱ３とを一纏めにして新たなＷ相アームの上アーム側とし、スイッチング
素子Ｑ５とＱ６とを一纏めにして新たなＷ相アームの下アーム側として、それぞれのスイ
ッチング素子をＯＮ・ＯＦＦする。これにより、図３に点線で図示したように、第２の基
準回路モジュール１２−２のＶ相アーム１３ＶとＷ相アーム１３Ｗとが、新たなＷ相アー
ムとなる。
【００２５】
以上のように、この実施の形態２によれば、２つの基準回路モジュール１２−１、１２
−２を並列接続し、基準回路モジュール１２−１、１２−２のＵ相出力端子、Ｖ相出力端
子、Ｗ相出力端子を接続し直すとともに、制御部１１において、２つのスイッチング素子
を一纏めにして制御することで、三相インバータ回路を実現することができる。
また、実施の形態１では１つの基準回路モジュール１２でインバータ回路５を構成して
いたところ、この実施の形態２では基準回路モジュール１２を２つ使用しているため、実
施の形態１に記載のインバータ回路よりも大容量の電力を扱うことができる。
また、基準回路モジュール１２の構成は変えずに、同じ２つの基準回路モジュール１２
−１、１２−２を並べて、基板上で一部の配線を変更するだけで大容量に対応したインバ
ータ回路を実現することができ、使用する回路、つまり基準回路モジュールを共通化する
ことで構成を簡素化することができる。
また、実施の形態１でも述べたように、スイッチング素子Ｑ１〜６、ダイオードＤ１〜
６にワイドギャップ半導体を用いているため、スイッチング損失が少なく、放熱量も少な
いので、基準回路モジュールを２つ用いてインバータ制御装置を動作させても発熱量が少
なく、大きな放熱部品を使用することなく、大容量電力に対応することができる。
【００２６】
実施の形態３．
図４は、本発明の実施の形態３に係るインバータ回路である。この実施の形態３に係る
インバータ回路は、実施の形態１に係る基準回路モジュール１２を３つ使用してインバー
タ回路を構成するものであり、実施の形態１と同じ構成については実施の形態１と同じ符
号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
【００２７】
図４では、第１の基準回路モジュール１２−１、第２の基準回路モジュール１２−２、
第３の基準モジュール１２−３が並列に配置されている。
（新たなＵ相アーム）
まず、第１の基準回路モジュール１２−１のＵ相出力端子１５ＵとＶ相出力端子１５Ｖ
とＷ相出力端子１５Ｗとを接続して新たなＵ相出力端子１５Ｕ−３としてモータ１のＵ相
入力端子に接続する。また、制御部１１（図示せず）は、第１の基準回路モジュール１２
−１におけるスイッチング素子Ｑ１とＱ２とＱ３とを一纏めにして新たなＵ相アームの上
アーム側とし、スイッチング素子Ｑ４とＱ５とＱ６とを一纏めにして新たなＵ相アームの
下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をＯＮ・ＯＦＦする。これにより、第１
の基準回路モジュール１２−１全体が新たなＵ相アームとなる。
【００２８】
（新たなＶ相アーム）
また、第２の基準回路モジュール１２−２のＵ相出力端子１５ＵとＶ相出力端子１５Ｖ
とＷ相出力端子１５Ｗとを接続して新たなＶ相出力端子１５Ｖ−３としてモータ１のＶ相
入力端子に接続する。また、制御部１１（図示せず）は、第２の基準回路モジュール１２
−２におけるスイッチング素子Ｑ１とＱ２とＱ３とを一纏めにして新たなＶ相アームの上
アーム側とし、スイッチング素子Ｑ４とＱ５とＱ６とを一纏めにして新たなＶ相アームの
下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をＯＮ・ＯＦＦする。これにより、第２
の基準回路モジュール１２−３全体が新たなＶ相アームとなる。
【００２９】
（新たなＷ相アーム）
また、第３の基準回路モジュール１２−３のＵ相出力端子１５ＵとＶ相出力端子１５Ｖ
とＷ相出力端子１５Ｗとを接続して新たなＷ相出力端子１５Ｗ−３としてモータ１のＷ相
入力端子に接続する。また、制御部１１（図示せず）は、第３の基準回路モジュール１２
−３におけるスイッチング素子Ｑ１とＱ２とＱ３とを一纏めにして新たなＷ相アームの上
アーム側とし、スイッチング素子Ｑ４とＱ５とＱ６とを一纏めにして新たなＷ相アームの
下アーム側として、それぞれのスイッチング素子をＯＮ・ＯＦＦする。これにより、第３
の基準回路モジュール１２−３全体が新たなＷ相アームとなる。
【００３０】
以上のように、この実施の形態３によれば、３つの基準回路モジュール１２を並列接続
し、基準回路モジュール１２−１、１２−２、１２−３のＵ相出力端子、Ｖ相出力端子、
Ｗ相出力端子を接続し直すとともに、制御部１１において、３つのスイッチング素子を一
纏めにして制御することで、三相インバータ回路を実現することができる。
また、実施の形態２では、２つの基準回路モジュール１２でインバータ回路５を構成し
ていたところ、この実施の形態３では基準回路モジュール１２を３つ使用しているため、
実施の形態２に記載のインバータ回路よりもさらに大容量の電力を扱うことができる。
また、基準回路モジュール１２の構成は変えずに、同じ３つの基準回路モジュール１２
−１、１２−２、１２−３を並べて一部の配線を変更するだけで大容量に対応したインバ
ータ回路を実現することができ、使用する回路を共通化することで構成を簡素化すること
ができる。
また、実施の形態１でも述べたように、スイッチング素子Ｑ１〜６、ダイオードＤ１〜
６にワイドギャップ半導体を用いられているため、スイッチング損失が少なく、放熱量も
少ないので、基準回路モジュールを３つ用いてインバータ制御装置を動作させても発熱量
が少なく、放熱部品を使用することなく、大容量電力に対応することができる。
【００３１】
実施の形態４．
実施の形態１〜３では、基準回路モジュール１２を用いて構成した容量の異なる三相イ
ンバータ回路について説明した。この実施の形態４では、図１に記載した基準回路モジュ
ール１２を利用して整流回路３を構成する場合について説明する。
図５は、本発明の実施の形態４に係る整流回路３である。この実施の形態４に係る整流
回路は、実施の形態１に係る基準回路モジュール１２を利用するものであり、実施の形態
１と同じ構成については実施の形態１と同じ符号を用いるとともに、それらの構成、作用
、効果等の説明を省略する。
【００３２】
この実施の形態４に係る整流回路３は、図１に記載の基準回路モジュール１２を構成す
る上アームスイッチ部１４Ｕａ、１４Ｖａ、１４Ｗａ、および下アームスイッチ部１４Ｕ
ｂ、１４Ｖｂ、１４Ｗｂのそれぞれにおいて、スイッチング素子Ｑ１〜６を備えず、ダイ
オードＤ１〜６のみ実装されている。
また、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１３Ｖ、Ｗ相アーム１３Ｗにおける上アームスイ
ッチ部と下アームスイッチ部との間の端子は、交流電源２に接続する。
また、基板上において、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１３Ｖ、Ｗ相アーム１３Ｗの端
部１６Ｕａ、１６Ｖａ、１６Ｗａを図１における母線４ａに接続し、下アームスイッチ部
１４Ｕｂ、１４Ｖｂ、１４Ｗｂ側の端部１６Ｕｂ、１６Ｖｂ、１６Ｗｂを母線４ｂに接続
する。これにより、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１３Ｖ、Ｗ相アーム１３Ｗが並列に接
続することになる。
【００３３】
以上のように、基準回路モジュール１２を用い、基準回路モジュール１においてダイオ
ードＤ１〜６のみ実装するとともに、スイッチング素子Ｑ１〜６を未実装にして、基板上
の配線を行うことで、３相整流ブリッジ回路を実現できる。
また、実施の形態１と同様、ダイオードＤ１〜６にワイドギャップ半導体を用いるため
、発熱が少なく、モジュールの放熱も少ないため、整流回路部分も小型化することができ
る。
【００３４】
実施の形態５．
実施の形態４では、基準回路モジュール１２を利用して構成した整流回路３について説
明した。この実施の形態５では、図１に記載した基準回路モジュール１２を利用して簡易
ＰＡＭコンバータを構成する場合について説明する。
図６は、本発明の実施の形態５に係る簡易ＰＡＭコンバータである。この実施の形態５
に係る簡易ＰＡＭコンバータは、実施の形態１に係る基準回路モジュール１２を利用する
ものであり、実施の形態１と同じ構成については実施の形態１と同じ符号を用いるととも
に、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
【００３５】
この実施の形態５に係る簡易ＰＡＭコンバータは、実施の形態４に係る整流回路３を構
成する場合と同様、図１に記載の基準回路モジュール１２の一部の部品の実装／未実装に
するものである。
具体的には、図１に記載の基準回路モジュール１２を構成するＵ相アーム１３Ｕ、およ
びＶ相アーム１３Ｖの上アームスイッチ部１４Ｕａ、１４Ｖａ、および下アームスイッチ
部１４Ｕｂ、１４Ｖｂのそれぞれにおいて、スイッチング素子Ｑ１、２、４、５を未実装
にし、ダイオードＤ１、２、４、５のみ実装している。
また、Ｕ相アーム１３Ｕ、およびＶ相アーム１３Ｖにおける上アームスイッチ部と下ア
ームスイッチ部との間の端子は、交流電源２に接続する。
また、基板上において、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１３Ｖの端部１６Ｕａ、１６Ｖ
ａを図１における母線４ａに接続し、下アームスイッチ部１４Ｕｂ、１４Ｖｂ側の端部１
６Ｕｂ、１６Ｖｂを母線４ｂに接続する。これにより、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１
３Ｖが並列に接続することになる。
【００３６】
また、W相アームの上アームスイッチ部１４Wａにおいてスイッチング素子Ｑ３、および
ダイオードＤ３を未実装にするとともに、基板上において、Ｗ相アームの上アームスイッ
チ部と下アームスイッチ部との間の端子を、Ｕ相アーム１３Ｕ、およびＶ相アーム１３Ｖ
の上アーム側の接続部分（母線４ａ側）に接続する。また、基板上では、Ｖ相アームの下
アーム側端部とＷ相アームの下アーム側端部との間に抵抗１７を配置している。
これにより、並列に接続したＵ相アーム１３ＵおよびＶ相アーム１３Ｖの出力側に、ス
イッチング素子Ｑ６およびダイオードＤ６が接続されることになり、このスイッチング素
子Ｑ６を制御部１１からＰＡＭ制御を行う。
【００３７】
以上のように、基準回路モジュール１２を用い、基準回路モジュール１２からスイッチ
ング素子Ｑ１〜５を未実装にして、ダイオードＤ３を未実装にすることで、簡易ＰＡＭコ
ンバータを容易に構成することができる。
また、実施の形態１や４と同様、ダイオードＤ１、２、４〜６、スイッチング素子Ｑ６
にワイドギャップ半導体を用いるため、発熱が少なく、基準回路モジュール１２全体の放
熱も少ないため、簡易ＰＡＭコンバータ部分も小型化することができる。
【００３８】
実施の形態６．
実施の形態５では、基準回路モジュール１２を利用して構成した簡易ＰＡＭコンバータ
について説明した。この実施の形態６は、図１に記載した基準回路モジュール１２を利用
して一石型ＰＡＭ回路を構成する場合について説明する。
図７は、本発明の実施の形態６に係る一石型ＰＡＭ回路である。この実施の形態６に係
る一石型ＰＡＭ回路は、実施の形態１に係る基準回路モジュール１２を利用するものであ
り、実施の形態１と同じ構成については実施の形態１と同じ符号を用いるとともに、それ
らの構成、作用、効果等の説明を省略する。
【００３９】
この実施の形態６に係る一石型ＰＡＭ回路は、実施の形態５に係る簡易ＰＡＭコンバー
タを構成する場合と同様、図１に記載の基準回路モジュール１２の一部の部品を実装／未
実装にし、基板上で配線するものである。
具体的には、図１に記載の基準回路モジュール１２を構成するＵ相アーム１３Ｕ、およ
びＶ相アーム１３Ｖの上アームスイッチ部１４Ｕａ、１４Ｖａ、および下アームスイッチ
部１４Ｕｂ、１４Ｖｂのそれぞれにおいて、スイッチング素子Ｑ１、２、４、５を備えず
、ダイオードＤ１、２、４、５のみ実装している。
また、Ｕ相アーム１３Ｕ、およびＶ相アーム１３Ｖから延びるＵ相出力端子１５Ｕ、お
よびＶ相出力端子１５Ｖは、交流電源２に接続する。
また、基板上において、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１３Ｖの端部１６Ｕａ、１６Ｖ
ａを図１における母線４ａに接続し、下アームスイッチ部１４Ｕｂ、１４Ｖｂ側の端部１
６Ｕｂ、１６Ｖｂを母線４ｂに接続する。これにより、Ｕ相アーム１３Ｕ、Ｖ相アーム１
３Ｖが並列に接続することになる。
【００４０】
また、W相アームの上アームスイッチ部１４Wａにおいて、ダイオードＤ３を実装して、
スイッチング素子Ｑ３を未実装にするとともに、下アームスイッチ部１４Ｗｂにおいて、
スイッチング素子Ｑ６を実装してダイオードＤ６を未実装にする。
また、基板上において、Ｗ相出力端子１５Ｗを、リアクトル１８を介してＵ相アーム１
３Ｕ、およびＶ相アーム１３Ｖの上アーム側の接続部分に接続する。これにより、ダイオ
ードＤ３は母線４ａに位置することになる。
また、Ｖ相アームの下アーム側端部とＷ相アームの下アーム側端部との間に抵抗を配置
している。これにより、並列に接続したＵ相アームおよびＶ相アームの出力側に、母線４
ａ側ではリアクトル１８およびダイオードＤ３、母線４ｂ側では抵抗１７を介してスイッ
チング素子Ｑ６と接続する構成となる。また、このスイッチング素子Ｑ６を制御部１１か
ら制御する。
これにより、並列に接続したＵ相アーム１３ＵおよびＶ相アーム１３Ｖの出力側に、リ
アクトル１８、ダイオードＤ３が接続され、母線４ａと４ｂとの間にスイッチング素子Ｑ
６が位置することになる。
【００４１】
以上のように、基準回路モジュール１２を用い、基準回路モジュール１２からスイッチ
ング素子Ｑ１〜５、およびダイオードＤ６を未実装にすることで、一石型ＰＡＭ回路を容
易に構成することができる。
また、実施の形態１や４、５と同様、ダイオードＤ１〜５、スイッチング素子Ｑ６にワ
イドギャップ半導体を用いるため、発熱が少なく、モジュールの放熱も少ないため、一石
型ＰＡＭ回路も小型化することができる。
【００４２】
実施の形態７．
実施の形態５，６では、基準回路モジュール１２を利用して、スイッチング素子および
ダイオードの実装／未実装と基板上の配線を変更することで、容易に構成した簡易ＰＡＭ
コンバータと一石型ＰＡＭ回路について説明した。この実施の形態７では、図１に記載し
た基準回路モジュール１２を利用して、ハーフブリッジ／インターリーブ回路を構成する
場合について説明する。
図８は、本発明の実施の形態７に係るハーフブリッジ／インターリーブ回路である。こ
の実施の形態７に係るハーフブリッジ／インターリーブ回路は、実施の形態１に係る基準
回路モジュール１２を利用するものであり、実施の形態１と同じ構成については実施の形
態１と同じ符号を用いるとともに、それらの構成、作用、効果等の説明を省略する。
【００４３】
この実施の形態７に係るハーフブリッジ／インターリーブ回路は、実施の形態５、６に
係る簡易ＰＡＭコンバータ、一石型ＰＡＭ回路を構成する場合と同様、図１に記載の基準
回路モジュール１２の一部の部品を実装／未実装にするものである。
具体的には、図１に記載の基準回路モジュール１２を構成するＵ相アーム１３Ｕ、およ
びＶ相アーム１３Ｖの上アームスイッチ部１４Ｕａ、１４Ｖａのそれぞれにおいて、ダイ
オードＤ１、２を実装するとともに、スイッチング素子Ｑ１、２を未実装にする。
また、下アームスイッチ部１４Ｕｂ、１４Ｖｂのそれぞれにおいては、スイッチング素
子Ｑ４、５とダイオードＤ４、５を実装する。
【００４４】
また、基板上において、Ｕ相アーム１３Ｕ、およびＶ相アーム１３Ｖから延びるＵ相出
力端子１５Ｕ、およびＶ相出力端子１５Ｖは、交流電源２に接続する。
また、基板上において、Ｕ相アーム１３ＵとＶ相アーム１３Ｖの上アーム側を母線４ａ
に接続し、下アーム側ではスイッチング素子Ｑ４、５、ダイオードＤ４、５が並列接続し
て母線４ｂに接続する。
なお、Ｗ相アームは使用せず、スイッチング素子もダイオードも実装せず、基板上では
母線４ａ、４ｂに接続しない。
【００４５】
以上のように、基準回路モジュール１２を用い、基準回路モジュール１２からスイッチ
ング素子Ｑ１〜３、６、およびダイオードＤ３、６を未実装にし、基板上で上記の配線を
することで、ハーフブリッジ／インターリーブ回路を容易に構成することができる。
また、実施の形態１や４〜６と同様、ダイオードＤ１、２、４、５、スイッチング素子
Ｑ４、５にワイドギャップ半導体を用いるため、発熱が少なく、モジュールの放熱も少な
いため、ハーフブリッジ／インターリーブ回路部分も小型化することができる。
【００４６】
以上のように、実施の形態１〜７では、図１等に記載の基準回路モジュール１２を使用
し、スイッチング素子Ｑ１〜６、およびダイオードＤ１〜６の実装／未実装を選択すれば
、所望の回路の一部を実現でき、基板上の配線で残る回路を構成するだけで、所望の回路
を得ることができる。このスイッチング素子およびダイオードにはワイドギャップ半導体
を用いるため、発熱を抑えて集積化と共通モジュール化が可能であり、複数の基準回路モ
ジュールを使用して大容量の電力にも対応できる。
【００４７】
なお、基準回路モジュール１２について、図２〜８、特に図２においては、上アームス
イッチ部１４Ｕａ、１４Ｖａ、１４Ｗａにおいては、スイッチング素子Ｑ１〜３とダイオ
ードＤ１〜３とが並列接続し、下アームスイッチ部１４Ｕｂ、１４Ｖｂ、１４Ｗｂにおい
ては、スイッチング素子Ｑ４〜６とダイオード４〜６の一端だけが接続しており、スイッ
チング素子Ｑ４〜６とダイオード４〜６の他端は接続せずに開放していた。そして、基板
上で、スイッチング素子Ｑ４〜６とダイオードＤ４〜６とが並列接続するように配線され
ていた。
このようにすれば、実施の形態２〜７に係るインバータ回路、整流回路、簡易ＰＡＭ回
路、一石型ＰＡＭ回路、ハーフブリッジ／インターリーブ回路のいずれも実現することが
できる。
【００４８】
しかし、基準回路モジュール１２内でさらに配線を行っても良い。図９は、基準回路モ
ジュール１２の他の形態であり、図２に記載の基準回路モジュール１２と同じ構成につい
ては実施の形態１と同じ符号を用いるとともに、それらの構成等の説明を省略する。
図９に記載の基準回路モジュールにおいては、Ｕ相アーム１３ＵとＶ相アーム１３Ｖの
上アームスイッチ部側端部１６Ｕａおよび１６Ｖａが接続している。また、Ｗ相アーム１
３Ｗの下アームスイッチ側の端部１６Ｗｂが基準モジュール１２内で接続して、スイッチ
ング素子Ｑ６とダイオードＤ６が並列接続している。
このような接続を基準回路モジュール１２内で行っておくことで、基板上での配線数を
減らすとともに簡素化することができる。
【００４９】
さらに、図１０に記載の基準回路モジュール１２の他の形態では、Ｕ相アーム１３Ｕ、
Ｖ相アーム１３Ｖ、Ｗ相アーム１３Ｗの下アーム側端部１６Ｕｂ、１６Ｖｂ、１６Ｗｂの
それぞれが基準モジュール内で接続して、スイッチング素子Ｑ４とダイオードＤ４、スイ
ッチング素子Ｑ５とダイオードＤ５、スイッチング素子Ｑ６とダイオードＤ６、がそれぞ
れ基準モジュール１２内で並列接続している。この場合には、さらに基板上での配線を簡
素化することができる。
【００５０】
また、上記実施の形態１〜７においては、モータ制御部を構成するインバータ回路５、
整流回路３、整流回路３および高力率コンバータ回路９、の一つ一つについて基準回路モ
ジュール１２で実現する場合について説明したが、図１に記載のモータ制御部を構成する
インバータ回路、整流回路３、高力率コンバータ回路９の全てを基準回路モジュール１２
を用いて実現しても良い。
【００５１】
また、上記実施の形態１〜７においては、空気調和装置を構成する圧縮機のモータ１を
制御するためのモータ制御部を例として説明したが、本願発明は、モータだけでなく、三
相交流で制御されるものに適用することができる。
【００５２】
また、交流電源２を単相交流としたが、三相交流であっても良い。
【符号の説明】
【００５３】
１  モータ
２  交流電源
３  整流回路
４ａ、４ｂ  母線
５  インバータ回路
６  リアクトル
７  ダイオード
８  スイッチング素子
9  高力率コンバータ回路
１０  平滑コンデンサ
１２、１２−１、１２−２、１２−３  基準回路モジュール
１３Ｕ  Ｕ相アーム、１３Ｖ  Ｖ相アーム、１３Ｗ  Ｗ相アーム
１４Ｕａ、１４Ｖａ、１４Ｗａ  上アームスイッチ部
１４Ｕｂ、１４Ｖｂ、１４Ｗｂ  下アームスイッチ部
Ｑ１〜６  スイッチング素子
Ｄ１〜６  ダイオード
１５Ｕ、１５Ｕ−２、１５Ｕ−３  Ｕ相出力端子
１５Ｖ、１５Ｖ−２、１５Ｖ−３  Ｖ相出力端子
１５Ｗ、１５Ｗ−２、１５Ｗ−３  Ｗ相出力端子
１６Ｕａ、１６Ｕｂ  Ｕ相アームの端部
１６Ｖａ、１６Ｖｂ  Ｖ相アームの端部
１６Ｗａ、１６Ｗｂ  Ｗ相アームの端部
【図１】
0005740837.tif 000002
【図２】
0005740837.tif 000003
【図３】
0005740837.tif 000004
【図４】
0005740837.tif 000005
【図５】
0005740837.tif 000006
【図６】
0005740837.tif 000007
【図７】
0005740837.tif 000008
【図８】
0005740837.tif 000009
【図９】
0005740837.tif 000010
【図１０】
0005740837.tif 000011