(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部分と第２の部分とを含み、前記第１の部分は、前記第２の部分に対して動くように構成されるアクチュエータであって、
ラビリンスシールの第１の部分が前記アクチュエータの第１の部分に設けられ、
前記ラビリンスシールの第２の部分が前記アクチュエータの第２の部分に設けられ、
前記ラビリンスシールは、前記ラビリンスシールの第１の側から前記ラビリンスシールの第２の側へのガスの流れを制限するように構成され、
１つ以上のインレットおよび１つ以上のアウトレットが前記ラビリンスシール内に設けられ、前記１つ以上のインレットは、前記ラビリンスシール内の位置にガスを提供するように構成され、前記１つ以上のアウトレットは、前記ラビリンスシール内の位置から前記ガスの少なくとも一部を除去するように構成され、
前記アクチュエータは、前記ラビリンスシールの第１の部分と前記ラビリンスシールの第２の部分との間の相対運動によって、前記ラビリンスシールの第１および第２の部分間に傾斜を導入することにより、前記アクチュエータを用いて移動される基板の不所望の傾斜を補正できるように構成されている、アクチュエータ。
【請求項２】
前記アクチュエータは、前記ラビリンスシールの第１の部分のリッジのテーパリングと、前記ラビリンスシールの第２の部分のリッジのテーパリングとによって、前記ラビリンスシールの第１の部分と前記ラビリンスシールの第２の部分との間の相対運動を可能にするように構成されている、請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記ラビリンスシールの第１および第２の部分のリッジは、円形リッジである、請求項２に記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記ラビリンスシールは、帯電しており、前記アクチュエータは、前記ラビリンスシールの第１および第２の部分のリッジの接触を電気的にモニタリングできるように構成されている、請求項２に記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記ラビリンスシールは、回転対称である、請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記ラビリンスシールは、複数のリッジを含み、隣接リッジ間の間隙が前記ガスの流れを制限する、請求項１乃至請求項５のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記間隙は、５０ミクロン以上２００ミクロン以下の幅を有する、請求項６に記載のアクチュエータ。
【請求項８】
前記間隙は、１５０ミクロン以上２００ミクロン以下の幅を有する、請求項６に記載のアクチュエータ。
【請求項９】
前記１つ以上のインレットは、前記ラビリンスシールの周囲に分布される複数のインレットを含む、請求項１乃至請求項８のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項１０】
前記１つ以上のアウトレットは、前記ラビリンスシールの周囲に分布される複数のアウトレットを含む、請求項１乃至請求項９のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項１１】
前記アクチュエータは、リニアアクチュエータであり、前記ラビリンスシールは、複数のリニアリッジを含み、隣接リッジ間の間隙が前記ガスの流れを制限する、請求項１乃至請求項１０のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項１２】
前記ラビリンスシールは、リッジが設けられていない２つの面をさらに含み、前記面間の間隙が前記ガスの流れを制限する、請求項１乃至請求項１１のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項１３】
前記アクチュエータは、関節アームを含む、請求項１乃至請求項１２のうち何れか１項に記載のアクチュエータ。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のうち何れか１項に記載のアクチュエータを含むリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記ラビリンスシールは、前記リソグラフィ装置の他の部品から電気的に絶縁され、かつ、前記ラビリンスシールを帯電させる電源に接続される、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置の一部を形成しうるアクチュエータに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を製造可能にするためのより重大な要素になりつつある。
【０００４】
[0004]  パターンプリンティングの限界の理論推定値は、次式に示されるような解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えることができる：
【数１】
0005827827.tif 000002
ここで、λは用いられる放射の波長であり、ＮＡはパターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、ＣＤはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすることによって得られることが分かる。
【０００５】
[0005]  露光波長を短くする、したがって最小プリント可能なサイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった例えば５〜１０ｎｍの範囲内である例えば１３〜１４ｎｍの範囲内である５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって供給されるシンクロトロン放射に基づいた放射源が挙げられる。
【０００６】
[0006]  ＥＵＶ放射はプラズマを用いて生成されうる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを供給するように燃料を励起するためのレーザと、プラズマを閉じ込めるための放射源コレクタモジュールとを含みうる。プラズマは、例えば、好適な物質（例えばスズ）の粒子、または、ＸｅガスまたはＬｉ蒸気といった適切なガスまたは蒸気のストリームである燃料にレーザビームを向けることによって生成されうる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は放射コレクタを用いて集められる。放射コレクタは、放射を受け取りかつ放射をビームに集束するミラー付き法線入射放射コレクタであってよい。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支援するための真空環境を与えるように構成された囲い構造またはチャンバを含みうる。このような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置内で基板を移動させることが通常必要である。基板は、例えば基板の保管位置から基板がリソグラフィ装置によってパターン付けされうる位置まで移動されうる。アクチュエータを用いて基板を移動させうる。アクチュエータ内には１つ以上のモータが設けられうる。この１つ以上のモータが汚染物質を発生しうる。
【０００８】
[0008]  汚染物質がモータから基板に、またはリソグラフィ装置内の別の位置に進行する可能性を少なくすることが望ましい。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  本発明の第１の態様によれば、第１の部分と第２の部分とを含み、第１の部分は第２の部分に対して動くように構成されるアクチュエータであって、ラビリンスシールが第１の部分と第２の部分との間に設けられ、ラビリンスシールはラビリンスシールの第１の側からラビリンスシールの第２の側へのガスの流れを制限するように構成され、
１つ以上のインレットおよび１つ以上のアウトレットがラビリンスシール内に設けられ、１つ以上のインレットはラビリンスシール内の位置にガスを提供するように構成され、１つ以上のアウトレットはラビリンスシール内の位置からガスの少なくとも一部を除去するように構成される、アクチュエータが提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の第２の態様によれば、ラビリンスシールを用いてアクチュエータをシールする方法であって、ラビリンスシール内の位置に接続された１つ以上のインレットを介してラビリンスシール内にガスを導入することと、ラビリンスシール内の位置に接続された１つ以上のアウトレットを介してラビリンスシールからガスを除去することと、を含む方法が提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の更なる特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載した具体的な実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は本明細書において例示目的のみに提示される。本明細書に含まれる教示内容に基づき、当業者には追加の実施形態が明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
[0012]  本発明の幾つかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参考符号は対応する部分を示す。
【図１】[0013]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0014]  図２は、図１のリソグラフィ装置をより詳細に示す。
【図３】[0015]  図３は、本発明の一実施形態による、リソグラフィ装置の関節アームを示す。
【図４】[0016]  図４は、本発明の一実施形態による関節アームの差動シールを示す。
【図５】[0017]  図５は、図４の差動シールの一部をより詳細に示す。
【図６】[0018]  図６は、本発明の代替の実施形態による差動シールを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[0019]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、
−放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射投影レンズシステム）ＰＳと、
を含む。
【００１４】
[0020]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１５】
[0021]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００１６】
[0022]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
【００１７】
[0023]  パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
【００１８】
[0024]  投影システムは、照明システムと同様に、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の光学コンポーネントを含みうる。ＥＵＶ放射には、ガスは放射を吸収しすぎることがあるので、真空を用いることが望ましい。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。
【００１９】
[0025]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい（例えば反射型マスクを採用する）。
【００２０】
[0026]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２１】
[0027]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）ビームを受け取る。ＥＵＶ放射を生成する方法には、次に必ずしも限定されないが、物質を、ＥＵＶ範囲内の１本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるこのような方法の１つでは、必要とされるプラズマは、燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。燃料は、例えば、必要な輝線を放出する元素を有する物質の液滴、ストリームまたはクラスタでありうる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供する、図１には図示しないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射源コレクタを使って集められる。例えばＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００２２】
[0028]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータは、ファセットフィールドデバイスおよび瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００２３】
[0029]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされうる。
【００２４】
[0030]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００２５】
[0031]  １．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００２６】
[0032]  ２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００２７】
[0033]  ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２８】
[0034]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２９】
[0035]  図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの囲い構造２２０内に真空環境が維持可能であるように構成される。
【００３０】
[0036]  レーザＬＡは、燃料供給源２００から提供されるキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料にレーザビーム（２０５）を介してレーザエネルギーを堆積するように構成され、それにより、数十ｅＶの電子温度を有する、高度にイオン化されたプラズマ２１０が生成される。脱励起およびこれらのイオンの再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学系ＣＯによって集められ合焦される。
【００３１】
[0037]  コレクタ光学系ＣＯによって反射される放射は、仮想放射源点ＩＦに合焦される。仮想放射源点ＩＦは、通常、中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールＳＯは、中間焦点ＩＦが囲い構造２２０内の開口２２１にまたは付近に位置付けられるように配置される。仮想放射源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。
【００３２】
[0038]  次に、放射は照明システムＩＬを通過する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角分布を、かつ、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように構成されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含みうる。パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１が反射すると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射素子２８、３０を介して、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。
【００３３】
[0039]  通常、図示されるよりも多くの素子が、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳ内にあってよい。さらに、図に示すものよりも多くのミラーが存在してよく、例えば、図２に示すものよりも１〜６個多い追加の反射素子が投影システムＰＳ内にあってよい。
【００３４】
[0040]  図３は、図１および図２に示すリソグラフィ装置の一部を形成する基板ハンドリングロボット１０１の片側から見た概略図を示す。この基板ハンドリングロボットを用いて、基板ホルダ１００から基板テーブルＷＴに基板Ｗを移送する。基板ハンドリングロボット１０１は、内側部分１１０ａと外側部分１１０ｂを有する関節アーム１１０を含む。関節アームの内側部分１１０ａは、サポート１１２に回転自在に取り付けられる。関節アームの外側部分１１０ｂは、関節アームの内側部分１１０ａに回転自在に取り付けられ、それによりアームの内側部分とアームの外側部分との間に関節接続部１１５を与える。
【００３５】
[0041]  使用時、関節アーム１１０は、外側部分１１０ｂに接続されたピン１１３が、基板ホルダ１００内で保持された基板Ｗの下に押されるように動かされる。基板Ｗは、次に、関節アーム１１０を動かすことによって基板ホルダ１００から取り出される。次に関節アーム１１０を用いて、基板が基板テーブルＷＴ上に位置するように基板Ｗを動かす。関節アーム１１０は、次にピン１１３を基板Ｗの下から取り出し、それにより基板が基板テーブルＷＴ上に置かれることを可能にする。破線は、基板が基板テーブルＷＴ上に位置する場合の関節アームと基板の位置を示す。基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に一旦置かれると、基板テーブルは、基板Ｗが投影システムＰＳ（図１および図２を参照）の下に位置するまで動かされ、上に詳述したように基板上にパターンが投影される。
【００３６】
[0042]  関節アーム１１０の動きは、サポート１１２周りのアームの内側部分１１０ａの回転を介して、かつ、アームの内側部分周りのアームの外側部分１１０ｂの回転を介して達成される。図３には（関節アームの内側部分１１０ａと外側部分１１０ｂとの間に）関節接続部１１５を１つしか示していないが、２つ以上の関節接続部が設けられてもよい。例えば関節アームは、内側部分と、外側部分と、中間部分とを含み、内側部分は関節接続部を介して中間部分に接続され、中間部分は関節接続部を介して外側部分に接続されうる。２つ以上の関節接続部を有することによって、外側アームの動きの制御が向上され、それにより基板Ｗの移動の制御が向上できる。
【００３７】
[0043]  関節アーム１１０は、（例えばＥＵＶリソグラフィ装置内の）真空空間、または、汚染物質を回避することが望ましい他の環境内に設けられうる。モータ（図示せず）が関節接続部１１５内に設けられうる。電動でありうるモータは、グリースの粒子といった汚染物質を発生させうる。この汚染物質が、関節アーム１１０が設けられている環境内に侵入することを阻止する（または汚染物質がその環境内に侵入する可能性を減少する）ことが望ましい。
【００３８】
[0044]  図４は、関節接続部１１５の概略断面部分をより詳細に示す。関節アームの内側部分１１０ａのセクションを、アームの外側部分１１０ｂのセクションと共に図４に示す。内側部分１１０ａに対する関節アームの外側部分１１０ｂの回転は、関節接続部１１５内に設けられたモータ１２０を作動させることによって達成される。関節アームの内側部分１１０ａと外側部分１１０ｂとの間に軸受１２１が設けられている。軸受１２１は、関節接続部１１５の周囲に延在し、関節接続部の滑らかな回転を助けるリング軸受である。さらに、軸受１２１は、関節アームの内側部分１１０ａと外側部分１１０ｂとの間にｚ方向における所望の間隔を維持する。
【００３９】
[0045]  ラビリンスシール１３０が、関節アームの内側部分１１０ａと外側部分１１０ｂとの間に設けられる。ラビリンスシール１３０は、アルミニウム、他の金属、または任意の他の好適な材料から形成されうる。ラビリンスシール１３０は、モータ１２０を、関節アーム１１０を囲む環境から分離する（または実質的に分離する）。したがって、ラビリンスシール１３０は、モータ１２０によって発生された汚染物質（例えばグリース粒子）がモータから関節アーム１１０を囲む環境内へと渡される可能性を低くする。ラビリンスシール１３０は、関節アームの外側部分１１０ｂ内に設けられた下部環状基部１３３から上方向に延在する一連の円形リッジ１３１ａ〜ｊと、関節アームの内側部分１１０ａ内に設けられた上部環状基部１３４から下方向に延在する一連の円形リッジ１３２ａ〜ｊを含む。簡単にするために、図４では、全ての円形リッジにラベルを付けてはいない。円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊは、１つを除きすべての上方向に延在する円形リッジ１３１ａ〜ｉが下方向に延在する円形リッジ１３２ａ〜ｊ間の空間に受容されるような相補的な寸法を有する。同様に、１つを除きすべての下方向に延在する円形リッジ１３２ｂ〜ｊが上方向に延在する円形リッジ１３１ａ〜ｊ間の空間に受容される。
【００４０】
[0046]  上方向に延在する円形リッジ１３１ａ〜ｊおよび下方向に延在するリッジ１３２ａ〜ｊは、円形なので、互いに対して回転しうる。これにより、関節アームの内側部分１００ａと外側部分１００ｂとが互いに対して回転可能となる。
【００４１】
[0047]  図５に、ラビリンスシールの一部をより詳細に示す。図５では、円形リッジではなくて、隣接する円形リッジ間の間隙にラベルが付けられる。（これは、図面を過剰に複雑にすることなく間隙を特定できるようにするためである。）記載の本部分で言及される特定の円形リッジは、図４を参照することによって特定しうる。
【００４２】
[0048]  図５を参照すると、間隙１３５ａ〜ｓが、各隣接円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊ間に存在する。各間隙は、例えば２００ミクロン以下と狭く、したがって間隙を通るガスの流れを制限する。本実施形態では全部で１９個の間隙がある（他の実施形態では異なる数の間隙があってよい）。各間隙によって与えられる流れ制限は、共に合わされて累積流れ制限を与える。この累積流れ制限は、ラビリンスシールの内側からラビリンスシールの外側へのガスの流れを厳しく制限し、それによりシーリング効果が与えられる。
【００４３】
[0049]  上方向に延在する円形リッジ１３１ａ〜ｊは、上部環状基部１３４のところまでは延在しない。代わりに、上方向に延在する各円形リッジ１３１ａ〜ｄの頂点と上部環状基部１３４との間に空間が存在する。同様に、下方向に延在する円形リッジ１３２ａ〜ｊも下部環状基部１３３のところまで延在しない。代わりに、下方向に延在する円形リッジ１３２ａ〜ｊの底部と下部環状基部１３３との間に空間が存在する。円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊの端部と環状基部１３３、１３４との間に存在する空間は、隣接する円形リッジ間の間隙よりもはるかに大きい。したがって、これらの空間は、ラビリンスシール１３０によって与えられるシーリング効果に著しい効果は与えない。
【００４４】
[0050]  一実施形態では、リッジは２．８２ｍｍの幅を有し、隣接リッジ間の間隙は例えば３．１８ｍｍでありうる。したがって、１つのリッジは２つの隣接リッジ間の真ん中に位置決めされていると仮定すると、隣接リッジ面間の間隙は１８０ミクロンでありうる。１８０ミクロンの間隙は、ガスの流れの著しい制限を与える。
【００４５】
[0051]  これに対して、リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊの端部と隣接環状基部１３３、１３４との間の空間は、例えば０．５ｍｍ以上、１ｍｍ以上、または、１．５ｍｍ以上でありうる。上述したように、これらの空間のサイズは、空間は著しいシーリング効果を与えないようなサイズである。しかし、これらの空間は、関節アーム１１０の内側部分１１０ａと外側部分１１０ｂとのｚ方向における相対運動のための余地を与え、したがって、関節アームの内側部分と外側部分との間にある程度の傾斜を可能にする。したがって、これらの空間は、アームの内側部分１１０ａに対するアームの外側部分１１０ｂ（およびその反対も）の傾斜の調節を可能にすることによって、基板Ｗの不所望の傾斜を補正することを可能にしうる。これらの空間は、円形リッジの中央性、平坦性、および高さといったラビリンスシールの製造時に発生する製造公差にも対応しうる。
【００４６】
[0052]  図４および図５から分かるように、第１の上方向に延在する円形リッジ１３１ａと上部環状基部１３４との間の空間は、ラビリンスシールにおける他の対応する空間よりも大きい。この空間は、以下最初の上部空間１４０と呼ぶ。最初の上部空間１４０は、上部環状基部１３４内に設けられた内部リザーバ１４３に接続された複数のインレットチャネル１４２（そのうちの１つのみを図５に示す）からガスを受け取る。内部リザーバ１４３は、ガス供給チャネル１４４を介してガス供給源（図示せず）に接続される。ガス供給源は、例えば窒素または他のガスをラビリンスシールに供給しうる。チャネル１４２、１４４および内部リザーバ１４３を通るガスの流れは、矢印によって概略的に示す。
【００４７】
[0053]  内部リザーバ１４３は環状形状を有し、ラビリンスシールの周囲に延在する。したがって、内部リザーバ１４３はガス供給チャネル１４４からインレットチャネル１４２にガスを運ぶチャネルの機能を果たす。
【００４８】
[0054]  インレットチャネル１４２によってガスが最初の上部空間１４０にガスが送られると、ガスの一部は、第１の間隙１３５ａ、すなわち、第１の下方向に延在する円形リッジ１３２ａと第１の上方向に延在する円形リッジ１３１ａとの間を通過する。したがって、インレットチャネル１４２は、（最初の上部空間１４０を介して）第１の間隙１３５ａに接続されていると言うことができる。第１の間隙１３５ａを通過するガスは、ラビリンスシールからガスを送り出すために用いられるポンプ（図示せず）に接続されたガスアウトレット（図示せず）に流れる。矢印によって示されるガスの流れによって、汚染物質がラビリンスシール１３０に侵入することが阻止される。これは、汚染物質は侵入するのではなくラビリンスシールから送り出されるからである。
【００４９】
[0055]  インレットチャネル１４２によって最初の上部空間１４０内に送られたガスの一部が、第２の間隙１３５ｂ、すなわち、第１の上方向に延在する円形リッジ１３１ａと第２の下方向に延在する円形リッジ１３２ｂとの間を通過する。したがって、インレットチャネル１４２は、（最初の上部空間１４０を介して）第２の間隙１３５ｂに接続されていると言うことができる。ガスは次に、複数のアウトレットチャネル１４５（そのうちの１つのみを図５に示す）に接続された下部空間１４７に入る。アウトレットチャネル１４５は、下部空間１４７を介して第２の間隙１３５ｂに接続されていると言うことができる。アウトレットチャネル１４５は、ガスアウトレットと、ラビリンスシールからガスを送り出すために用いられるポンプとに接続される。矢印によって示すガスの流れによって、汚染物質がラビリンスシール１３０の残りの部分内に侵入することが阻止される。これは、汚染物質は侵入するのではなくラビリンスシールから送り出されるからである。
【００５０】
[0056]  一実施形態では、ポンプによって全てのガスがラビリンスシール１３０から除去されるわけではない。残留ガスは、第３の間隙１３５ｃ、すなわち、第２の下方向に延在する円形リッジ１３１ｂと第２の上方向に延在する円形リッジ１３２ｂとの間を通過し、ラビリンスシールの長さに沿って連続する間隙の中を進行し続ける。上述したように、間隙の狭さは、間隙がガスの流れを制限するような狭さである。ラビリンスシール１３０の１９個の間隙の累積効果は、少量のガスしかラビリンスシールから出ないような効果でありうる。このことは破線の矢印で概略的に示す。
【００５１】
[0057]  ラビリンスシール内をガスが進行する経路の長さは、間隙１３５ａ〜ｓの狭さが組み合わさることにより、ラビリンスシールから出るガスの流れは弱く、かつ、汚染物質がラビリンスシールから漏出する可能性が低いような長さである。したがって、ラビリンスシール１３０は、アームの関節接続部１１５を動かすために用いられるモータ１２０から、関節アーム１１０を囲む環境を分離する（または実質的に分離する）。用語「シール」とは、関節アームを囲む環境内にガスが漏れないことを意味することを意図して用いているわけではない。
【００５２】
[0058]  最初の上部空間１４０は、インレットチャネル１４２を通じて送られたガスのバッファリングを与え、それによりインレットチャネル１４２の出口における大きい圧力降下を回避している。下部空間１４７も同様に、ポンプ（図示せず）に繋がるアウトレットチャネル１４５の入口における大きい圧力降下を回避するバッファリングを与える。最初の上部空間１４０および下部空間１４１においてバッファリングを与えることによって、ラビリンスシール１３０周囲のガスの不所望の円周方向の流れが回避される。
【００５３】
[0059]  図４および図５は、断面図のラビリンスシール１３０を示す。したがって、これらの図では、ラビリンスシールの周囲を円周方向に延在する間隙または他の開口と、ラビリンスシールの周囲を円周方向に延在しないチャネルとは区別されない。図５を再度参照するに、円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊ間の間隙１３５ａ〜ｓは、ラビリンスシール１３０の周囲に延在する。同様に、円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊと環状基部１３３、１３４との間の空間もラビリンスシール１３０の周囲に延在する。上述したように、内部リザーバ１４３は環状形状であり、ラビリンスシールの周囲に延在する。これに対して、内部リザーバ１４３を最初の上部間隙１４０に接続するインレットチャネル１４２は環状ではなく、代わりに例えば断面が円形でありうるボアでありうる。複数のインレットチャネル１４２が、ラビリンスシール１３０の周囲に分布させられてよく、それにより内部リザーバ１４３と最初の上部間隙１４０との間に複数の接続が与えられる。一実施形態では、４つ以上のインレットチャネル、８つ以上のインレットチャネル、または１２以上のインレットチャネルが設けられてよい。
【００５４】
[0060]  ガス供給源（図示せず）を内部リザーバ１４３に接続するチャネル１４４もボアであってよい。このチャネルは比較的大きい断面を有するので、内部リザーバ１４３に必要量のガスを供給するためには１つのチャネルで十分でありうる。２つ以上のチャネルが設けられてもよい。下部空間１４７からポンプ（図示せず）にガスを運ぶアウトレットチャネル１４５も例えば円形断面を有しうるボアであってよい。複数のアウトレットチャネル１４５がラビリンスシール１３０の周囲に分布されてよく、それにより、下部空間１４７とポンプとの間に複数の接続が与えられる。一実施形態では４つ以上のアウトレットチャネル、８つ以上のアウトレットチャネル、または１２以上のアウトレットチャネルが設けられてよい。
【００５５】
[0061]  第１の間隙１３５ａを通るガスの流れの速度が汚染物質の抑制に効果を有することがあり、これはラビリンスシールによって与えられる。高いガス流速度は、低いガス流速度よりもより効果的な汚染物質の制限を与える。これは、高いガス流速度は、ラビリンスシール１３０に汚染物質が侵入する可能性を低くするからである。多数のインレットチャネル１４２を最初の上部間隙１４０に設けること、または、チャネル直径を増加することによってガス流が増加され、それによりラビリンスシールによって与えられる汚染物質の抑制が増加される。しかし、最初の上部間隙１４０における大きい圧力降下を回避することが望ましく、また、多数のインレットチャネルまたは大きいインレットチャネル直径は大きい圧力降下をもたらすことがある。したがってインレットチャネル１４２の数および／またはサイズは、多数および／または大きいサイズのインレットチャネルによって与えられる高いガス流と、少数および／または小さいサイズのインレットチャネルによってもたらされる小さい電圧降下とからもたらされる妥協でありうる。一実施形態では、１２個のインレットチャネル１４２が用いられてよく、各インレットチャネルは１．４ｍｍの直径を有する。別の実施形態では、インレットチャネルの数とインレットチャネルの直径は異なってよい。
【００５６】
[0062]  最初の上部間隙１４０または最初の下部間隙１４１における圧力降下を回避することが望ましいが、圧力降下が回避されることは必須ではない。
【００５７】
[0063]  上述したように、インレットチャネル１４２を介して導入されたガスの一部は、アウトレットチャネル１４５を介してポンプ（図示せず）によってラビリンスシール１３０から除去される。ラビリンスシールからガスを除去することは、高いガス流が、ラビリンスシールの最後の間隙１３５ｓを通過して関節アームを囲む環境に、容認し難いほど大量のガスが侵入することをもたらすことなく、高いガス流が第１の間隙１３５ａに与えられる（それにより、より強力な汚染物質抑制を与える）ことを可能にするので有利である。
【００５８】
[0064]  ポンプは、第１の間隙１３５ａおよび第２の間隙１３５ｂに接続されたアウトレットチャネル１４５および下部空間１４７に接続されるが、ポンプはラビリンスシールの１つ以上の他の位置に接続されてもよい。ポンプは、ガスがラビリンスシールの外側に出る前にラビリンスシールからガスを除去するようにラビリンスシールに接続されうる。
【００５９】
[0065]  一実施形態では、同じ数のインレットチャネル１４２およびアウトレットチャネル１４５があってよい。一実施形態では、インレットチャネル１４２の数は、アウトレットチャネル１４５の数と異なってもよい。
【００６０】
[0066]  軸受１２１は、例えば球面ころ軸受であってもよい。図４には１つの軸受１２１しか示さないが、他の実施形態では２つ以上の軸受が用いられてもよい。例えば関節アーム１１０に働く力のモーメントが大きい場合に、２つ以上の軸受を用いることが望ましい。
【００６１】
[0067]  円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊはある程度のテーパリングを含んでもよい。このテーパリングは、テーパリングがない場合に比べてより大きい傾斜補正を達成することを可能とする。
【００６２】
[0068]  モータ１２０の環境内に存在しうる最大圧力は、まず、関節アーム１１０を囲む環境へのガスの許容可能な漏れ率を計算し、次に、ラビリンスシールの経路長および隣接円形リッジ間の間隙のサイズを考慮に入れて、どれくらいの圧力がその漏れ率を生じさせるのかを求めることによって決定しうる。一実施形態では、関節アーム１０を囲む環境内の真空は約１パスカルの圧力を有しうる。関節アーム１１０内のモータ１２０は、約４ミリバールの真空を有する環境内にあってよい。
【００６３】
[0069]  上記の説明は、基板Ｗを動かすために用いられる関節アーム１１０の一部を形成するラビリンスシール１３０について言及したが、ラビリンスシール１３０は他の関節接続部にも設けられてもよい。ラビリンスシールは、マスクまたは他のパターニングデバイス、或いは装置の任意の他の部品を動かすように構成された関節アーム内に設けられてもよい。
【００６４】
[0070]  ラビリンスシール１３０は、シールの片側からもう片側へのガスの流れと、シールの片側からもう片側への汚染物質の流れとを制限することを意図する。ラビリンスシールは、シールの片側からもう片側へ流れるガスの全てを阻止することを意図しておらず、ガスの流れを制限するに過ぎない。
【００６５】
[0071]  一実施形態では、ラビリンスシール１３０は、ラビリンスシールを帯電させるように構成された電源（図示せず）に接続されてもよい。これは、汚染物質がラビリンスシールの表面に入射しラビリンスシールによって保持される可能性を増加する。これが行われる場合、上部環状基部１３３および下部環状基部１３４は、例えばリソグラフィ装置内でのアースループ（earth loop）の生成を阻止するためにリソグラフィ装置の他の部分から電気的に絶縁されうる。
【００６６】
[0072]  汚染物質を発生する可能性があるので、隣接する円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊが互いに接触することは望ましくない。ラビリンスシール１３０が帯電される場合、電気的モニタリングを用いて隣接する円形リッジ間の接触を検出しうる。電気的モニタリングは、ラビリンスシールの組立てまたは試験時に用いられてもよく、また、リソグラフィ装置の作動時に用いられてもよい。電気的モニタリングは、例えば抵抗または電気容量を測定しうる。電気容量が測定される場合、隣接円形リッジ間の接触のみをモニタリングするのではなく、隣接円形リッジ間の間隔をモニタリングすることも可能でありうる。
【００６７】
[0073]  ラビリンスシール１３０によって与えられる汚染物質抑制および圧力分離の観点からは、隣接する円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊ間の間隙１３５ａ〜ｓは、可能な限り小さいべきである。しかし、エンジニアリングの観点からは、間隙１３５ａ〜ｓが小さいほど、円形リッジが互いに接触する可能性が高くなる。エンジニアリングの観点から、隣接する円形リッジ間に最小で５０ミクロンの間隙を信頼度が高く設けることが可能である。しかし、より大きい間隙を設けることはコストがかからなくて済む。したがって、間隙は５０ミクロン以上、１００ミクロン以上、１５０ミクロン以上、または２００ミクロン以上でありうる。これらの例示的な間隙サイズは図４および図５に示す本発明の実施形態以外の本発明の実施形態にも適用されうる。
【００６８】
[0074]  ある程度までは、間隙幅の増加は、間隙をより長く製造することによって補償されうる。しかし、ガス流に対する抵抗は長さによって線形に増加するが、間隙幅が増加するにつれて高い電力に対して減少する。したがって、非常に大きい間隙幅には、非常に長い間隙を必要となりうる。
【００６９】
[0075]  隣接する円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊ間の間隙１３５ａ〜ｓの幅に依存することに加えて、ラビリンスシール１３０の有効性は、ラビリンスシールの片側からもう片側に行くために進まなければならない全間隙の全長にも依存する。この長さは、以下、間隙路長と呼ぶ。円形リッジ１３１ａ〜ｊ、１３２ａ〜ｊの端部と環状基部１３３、１３４との間の空間は、ガスの流れの著しい制限は与えないので、間隙路長には含まれない。本発明の図示する実施形態では、ガスが通過しなければならない１９個の間隙１３５ａ〜ｓがあり、各間隙は約１０ｍｍの長さを有する。したがって、ラビリンスシール１３０の間隙路長は約１９０ｍｍである。本発明の他の実施形態は、例えば少ない円形リッジを用いて間隙路長を減少したり、または、多くの円形リッジを用いて間隙路長を増加したりして、他の間隙路長を与えうる。同様に、各円形リッジを短く作って間隙路長を減少したりまたは長く作って間隙路長を増加してもよい。
【００７０】
[0076]  本発明の実施形態のラビリンスシール１３０は、関節アーム１１０の内側部分１１０ａと外側部分１１０ｂとの間に設けられているが、ラビリンスシールは他の場所に設けられてもよい。例えばラビリンスシール１３０は、サポート１１２と関節アーム１１０の内側部分１１０ａとの間に設けられてもよい。
【００７１】
[0077]  図６に、本発明の代替の実施形態を概略的に示す。本実施形態では、上面３００と下面３０１によってキャビティ（図示せず）が画定される。上面３００は、左側に２つの下方向に延在するリッジ３０２ａ、３０２ｂが、また右側に２つの下方向に延在するリッジ３０２ｃ、３０２ｄが設けられている。同様に、上面３０１は、左側に２つの上方向に延在するリッジ３０３ａ、３０３ｂが、また右側に２つの上方向に延在するリッジ３０３ｃ、３０３ｄが設けられている。上方向に延在するリッジ３０３ａ〜ｄは、下方向に延在するリッジ３０２ａ〜ｄ間の空間内に受容され、それによりラビリンスシールを形成する。上面３００は、上面が下面３０１に対してｙ方向に動くことができるようにする軸受（図示せず）によって支持されうる。或いはまたは追加的に、下面３０１は、下面が上面３００に対して動くことができるようにする軸受（図示せず）上に取り付けられてもよい。
【００７２】
[0078]  モータまたは他の装置（図示せず）が上面３００と下面３０１との間に位置するキャビティ内に設けられてよい。リッジ３０２ａ〜ｄ、３０３ａ〜ｄは、キャビティから、上面３００および下面３０１を囲む環境へのガスの流れを制限するラビリンスシールを提供しうる。上面３００と下面３０１との間の間隙は例えば約２００ミクロンでありうる。この間隙は、リッジ３０２ａ〜ｄ、３０３ａ〜ｄによって画定される間隙路長と組み合わされて、キャビティと上面および下面を囲む環境との間の差動シールを提供しうる。面３００、３０１の両側には２つの上方向に延在するリッジと２つの下方向に延在するリッジしか図示していないが、より多くのリッジが設けられてもよい。例えば３つ以上のリッジ、５つ以上のリッジ、または１０つ以上のリッジが面の両側に設けられてもよい。
【００７３】
[0079]  リッジ３０２ａ〜ｄ、３０３ａ〜ｄ間の中心領域３０５には、リッジが設けられていない。キャビティからの真っ直ぐの視線（ここではｙ方向）に延在するリッジはシーリング効果を与えないので、中心領域３０５にはリッジは設けられていない。これは、ガスはリッジを越えて流れることはなくリッジ間を進むに過ぎないからである。中心領域３０５にリッジを設けるのではなく、中心領域は、第１の平面３０６および第２の平面３０７を含む。第１の平面３０６と第２の平面３０７は例えば約２００ミクロンで離され、したがってキャビティからのガスの流れを制限する。平面３０６、３０７のガスの流れの制限における有効性は、平面間の間隙と、平面の経路長とによって決定される。間隙は２００ミクロンであってよく、経路長は例えば２００ｍｍである。この経路長は、リッジ３０２ａ〜ｄ、３０３ａ〜ｄを通り越すガスが進む経路長と同じであっても異なってもよい。したがって、平面３０６、３０７は、リッジによって与えられる差動シーリング効果以上の差動シーリング効果を提供しうる。図６に示す面３０６、３０７は平らであるが、任意の好適な形状であってもよい（例えば面は湾曲されていてもよい）。
【００７４】
[0080]  図６に示すラビリンスシールに、図５に関連して上述したものと同じような方法でガスが供給されうる。例えば、ガスは最内部の上方向に延在するリッジ３０３ｂ、３０３ｃの上方に導入されて、上面３００と下面３０１とによって画定される第１の間隙３１０ｄ、３１０ｅ内に進みうる。ガスは、第１の間隙３１０ｄ、３１０ｅの底部においてラビリンスシールから送り出されうる。ガスは、複数のインレットチャネル（図示せず）を介して供給されて、複数のアウトレットチャネル（図示せず）を介してラビリンスシールから送り出されうる。
【００７５】
[0081]  図示する実施形態に示すラビリンスシールでは、シールを形成するリッジは上方向および下方向に延在する。代替の実施形態では、リッジは左から右に、および、右から左に延在してもよい。実にリッジは任意の向きを有してよい。
【００７６】
[0082]  デカルト座標を、便宜上、図中に用いているが、図示する装置が特定の向きを有さなければならないことを暗示していると解釈すべきではない。
【００７７】
[0083]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７８】
[0084]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００７９】
[0085]  「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００８０】
[0086]  用語「ＥＵＶ放射」は、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内といった５〜２０ｎｍの範囲内、または、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含しているとみなしてよい。
【００８１】
[0087]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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