(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンディング装置であって、
半導体チップをピックアップしてボンディングするボンディングツールが先端に取り付けられるシャフトと、
少なくとも１つの平板リンクを介して前記シャフトが取り付けられ、前記シャフトの延びる方向に沿って直線移動するボンディングヘッドと、
前記平板リンクは、前記シャフトの延びる方向と交差する面に沿って延び、外縁の対向する２つ固定点で前記ボンディングヘッドに固定される環状板と、
前記環状板と同一面に配置され、前記環状板の前記各固定点を結ぶ方向と直交する方向に延びて前記環状板の内側にある中空部分を渡り、その中央に前記シャフトが取り付けられる渡り板と、を含み、
前記環状板は前記渡り板を挟んで対向する２つの半環状板で構成され、前記各固定点は前記各半環状板の中央にそれぞれ配置されていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のダイボンディング装置であって、
前記渡り板は、前記シャフトが接続される中央から前記環状板に接続される両端に向かって幅が小さくなること、
を特徴とするダイボンディング装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のダイボンディング装置であって、
前記環状板は、前記各固定点から前記渡り板に接続される両端に向かって幅が小さくなっていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のダイボンディング装置であって、
前記環状板は、略四角環状で、前記各固定点が対向する２辺の中央にそれぞれ配置されていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のダイボンディング装置であって、
前記シャフトは、離間して平行に配置された２つの平板リンクによって前記ボンディングヘッドに取り付けられていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のダイボンディング装置であって、
回転ガイドによって前記ボンディングヘッドに回転自在に取り付けられ、一端が前記シャフトに接続され、他端に前記ボンディングツールを前記半導体チップに押し付ける押圧荷重を付与するスプリングが接続されるレバーを含み、
前記回転ガイドは、２枚の板ばねを十字型に交差させた十字板ばねであること、
を特徴とするダイボンディング装置。
【請求項７】
請求項６に記載のダイボンディング装置であって、
前記十字板ばねは、４つの端点を有し、そのうちの隣接する２つの端点は、前記レバーに接続され、他の２つの端点は、それぞれ前記ボンディングヘッドに取り付けられていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンディング装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップをリードフレーム等の基板に接合し、半導体チップの各電極と基板の電極或いはリードフレームのリードとを接続する半導体装置の製造の後工程においては、半導体チップを基板等に接合するためのダイボンディング装置や、基板等に接合した半導体チップの電極とリードフレームのリードとをワイヤで接続するワイヤボンディング装置等のボンディング装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。また、μＧＢＡ・ＩＣの製造においては、ＴＡＢテープのインナーリードを半導体の電極に圧着するシングルポイントボンディング装置等が用いられる（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
このようなワイヤボンディング装置、或いはシングルポイントボンディング装置では、ボンディングツールであるキャピラリやシングルポイントボンディングツール等を半導体チップの電極に対して接離する方向に移動させて、ワイヤ或いは、インナーリードを半導体チップの電極に圧接させるとともに超音波加振によってワイヤ或いは、インナーリードを半導体チップの電極に接合する。このため、各ボンディング装置には、それぞれボンディングツールを半導体チップの面に対して垂直方向に移動させることが必要となる。このような従来技術のボンディング装置では、例えば、特許文献１の図７に記載されているように、ボンディングツールが取り付けられたアームを回転させて、アーム先端に取り付けられているボンディングツールを半導体チップの電極表面に対して略垂直に接離させる構造が用いられていた。
【０００４】
しかし、この構造では、アームの長さを長くしてもボンディングツール先端は円弧状の移動をするため、半導体チップの電極に対して常に垂直方向にボンディングツールを移動させることが困難であった。
【０００５】
そこで、特許文献１の図３に示すように、回転するアームの先端にボンディングツールを取り付けることに代えて、ボンディングツールを２枚の平行ばねによって支持し、キャピラリを半導体チップに対して垂直方向に接離させることが提案されている。また、特許文献２の図７に示すように、２枚の板を平行に配置し、その中央部分を挟み板によって挟んで剛性を高くし、２枚の板の各両端にそれぞれ１つずつ、合計４つの回転ヒンジを形成し、この４つの回転ヒンジによってシングルポイントボンディングツールを半導体チップの電極面に対して垂直方向に移動させる平行リンク構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１２７０９７号公報
【特許文献２】特開２０００−３２３５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、半導体チップを基板等に接合するためのダイボンディング装置は、ダイシングされたウェハから半導体チップをピックアップし、ピックした半導体チップを基板またはリードの上にボンディングして接合するものである。このダイボンディング装置は半導体チップを吸着してピックアップするツールであるコレットが取り付けられたボンディングヘッドを半導体チップの表面に対して垂直方向に移動させるため、垂直方向に移動するスライダを用いていることが多い。半導体チップをピックアップする際或いは半導体チップを基板等の上にボンディングする際には、コレットをある程度の押圧荷重で半導体チップに押しつける必要がある。しかし、半導体チップに大きな押圧力が掛ってしまうと半導体チップが破損してしまうことから、コレットとボンディングヘッドとの間にはボンディングヘッドの下降距離によってコレットの半導体チップへの押圧力を調整できるような荷重ばねを取り付け、半導体チップをピックアップ或いは基板等の上にボンディングする際に過剰な押圧力が半導体チップに加わらないように構成しているものが多い。
【０００８】
一方、近年、半導体チップの厚さは非常に薄く、その強度が低くなってきている。また、ガリウムヒ素等の脆い素材を用いた半導体チップも多く用いられるようになってきている。このため、従来の様なピックアップ荷重が加わるとこのような薄い或いは脆い半導体チップが破損する場合があるという問題があった。しかし、半導体のピックアップ荷重を低減するために荷重ばねを弱くすると、コレットをボンディングヘッドに対して上下方向にスライドさせるＺ方向ガイドの摩擦力のために適切な押圧荷重をかけることができない場合やＺ方向ガイドに引っ掛かりなどが発生して一時的に過剰な押圧荷重がかかってしまうという問題があった。また、このＺ方向ガイドに代えて、例えば、特許文献１，２に記載されている様な平行ばねや平行リンクを用いた場合、平行ばねや平行リンク自体の曲げ剛性が大きいことから、ボンディングヘッドが下降すると荷重ばねの反力と平行リンク等の変形反力がコレットの半導体チップへの押圧力として掛ってしまう。このため、ボンディングヘッドの下降距離によって半導体チップへの押圧力を適切に調整することができず、薄い或いは脆い半導体チップをピックアップ或いは基板等の上にボンディングする際に必要な小さな押圧荷重をかけられず、薄い或いは脆い半導体チップを適切にピックアップして基板等の上にボンディングすることが難しいという問題があった。
【０００９】
本発明は、ダイボンディング装置において、薄い或いは脆い半導体チップを適切にピックアップしてボンディングすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のダイボンディング装置は、半導体チップをピックアップしてボンディングするボンディングツールが先端に取り付けられるシャフトと、少なくとも１つの平板リンクを介してシャフトが取り付けられ、シャフトの延びる方向に沿って直線移動するボンディングヘッドと、を備えるダイボンディング装置であって、平板リンクは、シャフトの延びる方向と交差する面に沿って延び、外縁の対向する２つ固定点でボンディングヘッドに固定される環状板と、環状板と同一面に配置され、環状板の各固定点を結ぶ方向と直交する方向に延びて環状板の内側にある中空部分を渡り、その中央にシャフトが取り付けられる渡り板と、を含み、環状板は渡り板を挟んで対向する２つの半環状板で構成され、各固定点は各半環状板の中央にそれぞれ配置されていること、を特徴とする。
【００１１】
本発明のダイボンディング装置において、渡り板は、シャフトの接続される中央から環状板に接続される両端に向かって幅が小さくなること、としても好適であるし、環状板は、各固定点から渡り板に接続される両端に向かって幅が小さくなっていること、としても好適であるし、環状板は、略四角環状で、各固定点が対向する２辺の中央にそれぞれ配置されていること、としても好適である。
【００１２】
本発明のダイボンディング装置において、シャフトは、離間して平行に配置された２つの平板リンクによってボンディングヘッドに取り付けられていること、としても好適である。
【００１３】
本発明のダイボンディング装置において、回転ガイドによってボンディングヘッドに回転自在に取り付けられ、一端がシャフトに接続され、他端にボンディングツールを半導体チップに押し付ける押圧荷重を付与するスプリングが接続されるレバーを含み、回転ガイドは、２枚の板ばねを十字型に交差させた十字板ばねであること、としても好適であるし、十字板ばねは、４つの端点を有し、そのうちの１つの端点は、レバーに接続され、他の３つの端点は、それぞれボンディングヘッドに取り付けられていること、としても好適である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、ダイボンディング装置において、薄い或いは脆い半導体チップを適切にピックアップしてボンディングすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の構造を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクを示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の半導体チップをピックアップする前の状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の半導体チップをピックアップする状態を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクの変形状態を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクの変形状態を示す側面図である。
【図７】本発明の実施形態におけるダイボンディング装置のボンディングヘッドの沈み込み量に対する押圧荷重の変化を示すグラフである。
【図８】本発明の他の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクを示す平面図である。
【図９】本発明の他の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１に示す様に、本実施形態のダイボンディング装置１００は、図示しないＸＹ方向への移動装置に取り付けられたリニアガイド６２と、リニアガイド６２に沿ってＺ方向に移動するスライダ６１と、スライダ６１に固定され、スライダ６１と共にＺ方向に移動するボンディングヘッド５０とを備えている。ボンディングヘッド５０は、スライダ６１に固定される本体５１と、本体５１からＹ方向に延びる一対の下アーム５２と一対の上アーム５３と、下アーム５２にブッシュ５５を介してボルト５４によって固定された下平板リンク２０と、上アーム５３にブッシュ５５を介してボルト５４によって固定された上平板リンク３０と、下平板リンク２０と上平板リンク３０とにそれぞれ固定されたシャフト１２と、シャフト１２の下側の先端に取り付けられている半導体チップを吸着するボンディングツール１１とを備えている。下平板リンク２０と上平板リンク３０とは平行に配置されている。シャフト１２の上端にはシャフト１２よりも外径の大きなエンドブロック１３が取り付けられており、エンドブロック１３の本体５１側の下面は、上アーム５３にボルト５４で固定された逆Ｕ字型のストッパ５６の上面に当たるよう構成されている。なお、図１においては、Ｚ方向は垂直方向であり、ＸＹ方向は互いに直交する水平面を示す。以下説明する他の図面においても同様である。
【００１７】
また、本体５１の上部には回転ガイドである十字板ばね４５を介してレバー４０がボンディングヘッド５０に対して回転自在に取り付けられている。レバー４０の先端部４１（シャフト１２側或いはＹ方向プラス側）とシャフト１２のエンドブロック１３とは連結板４９によって連結されている。また、レバー４０の後端部（スライダ６１側あるいはＹ方向マイナス側）にはバランスウェイト４８がボルト４２によって固定されている。バランスウェイト４８の下側の本体５１に設けられた穴５７にはボンディングツール１１を半導体チップに押し付ける押圧荷重を付与するスプリング５８が取り付けられている。スプリング５８の上端はバランスウェイト４８に接触している。
【００１８】
十字板ばね４５は、水平ばね板４６と、垂直ばね板４７とを十字に組み合わせたもので、水平ばね板４６の後端（スライダ６１側あるいはＹ方向マイナス側）はボンディングヘッド５０の本体５１にボルト４２によって固定され、先端（シャフト１２側あるいはＹ方向プラス側）は、レバー４０の中央ブロック４４の下面にボルト４２によって固定されている。また、垂直ばね板４７の下端はボルト４２によってボンディングヘッド５０の本体５１の上部に固定されており、その上端は、レバー４０の中央ブロック４４の垂直面にボルト４２によって固定されている。このように、十字板ばね４５は水平ばね板４６の先端と後端、垂直ばね板４７の上端と下端との４つの端部を有しており、隣接する水平ばね板４６の後端と垂直ばね板４７の下端とはボンディングヘッド５０の本体５１に固定され、水平ばね板４６の先端と垂直ばね板４７の上端とはレバー４０の中央ブロック４４に固定されている。そして、水平ばね板４６と垂直ばね板４７との交差するＸ方向に延びる線が回転軸となり、十字板ばね４５はレバー４０をＸ軸周りに回転自在に支持する。
【００１９】
図２を参照しながら上平板リンク３０の構造の詳細について説明する。図２に示す様に、上平板リンク３０は、薄いステンレス鋼やバネ鋼などを加工したもので、シャフト１２の延びるＺ方向と垂直なＸＹ面内に沿って延びている。上平板リンク３０は、環状板３１と、環状板３１の内側の中空部分３４をＹ方向に渡る渡り板３２とを備えている。環状板３１と渡り板３２とは同一平内に配置されている。環状板３１は、略四角環状で各辺は、Ｘ方向とＹ方向とに延びている。そして、Ｙ方向に延びる一対の第１の辺３１ａの長手方向の中央はブッシュ５５を介してボルト５４によって上アーム５３の上面に固定されている。このボルト５４によって上アーム５３に固定されている第１の辺３１ａの部分はそれぞれ上平板リンク３０の固定点３３である。また、環状板３１のＸ方向に延びる一対の第２の辺３１ｂの各中央は渡り板３２によってＹ方向に接続されている。そして、渡り板３２の中央にはシャフト１２が固定されている。図２に示す様に、渡り板３２の中心線７２はシャフト１２の中心線７１を通る線である。シャフト１２が渡り板３２に取り付けられる部分はリング１４によって補強されている。図２に示す様に、渡り板３２はシャフト１２の中心線７１を通ってＹ方向に延び、シャフト１２が固定されている中央部分は幅が広く、環状板３１と接続される端部に向ってその幅が小さくなるテーパー形状となっている。また、Ｙ方向に延びる一対の第１の辺３１ａはボルト５４によって固定される固定点３３の部分は幅が広く、第２の辺３１ｂに向うにつれて第１の辺３１ａの幅が小さくなるように構成されている。そして、２つの固定点３３とシャフト１２とは、一つの直線７３の上に配置され、Ｘ方向に一列に並んでいる。以上、上平板リンク３０の構造について説明したが、下平板リンク２０の構造も上平板リンク３０と同様の構造である。
【００２０】
以上説明したように構成される本実施形態のダイボンディング装置１００によって半導体チップをピックアップする際の動作について説明する。図１，２を参照して説明した部分には同様の符号を付してその説明は省略する。図３に示す様に、ピックアップしようとする半導体チップ９０は、裏面にダイシングテープ８３が貼り付けられた状態でピックアップステージ８１の上に吸着固定されている。ダイシングテープ８３は、周囲に向って引っ張られた状態で、各半導体チップ９０の間には微小な隙間ができている。ダイボンディング装置１００は、図示しないＸＹ移動装置によってボンディングヘッド５０を移動させ、シャフト１２の下端に取り付けられたボンディングツール１１の位置をピックアップしようとする半導体チップ９０の真上にもってくる。
【００２１】
次に、図４に示す様に、ダイボンディング装置１００は、図示しない制御部の指令によって、ボンディングヘッド５０が取り付けられているスライダ６１をＺ方向下向きに降下させる。そして、制御部はボンディングツール１１の先端が半導体チップ９０の表面に接してから更に、高さΔＺ０だけスライダ６１及びボンディングヘッド５０を降下させる。すると、図４に示す様に、シャフト１２は、２つの平板リンク２０，３０にガイドされてボンディングヘッド５０に対して高さΔＺ０だけ上方に移動し、シャフト１２の上端のエンドブロック１３も高さΔＺ０だけ上方に移動する。そして、エンドブロック１３に連結板４９によって接続されているレバー４０の先端部４１も高さΔＺ０だけ上方に移動する。レバー４０は、十字板ばね４５の水平ばね板４６と垂直ばね板４７との交差する線に沿ってＸ軸周りに回転し、レバー４０の後端部４３は下向きに高さΔＺ５だけ移動する。すると、スプリング５８がＺ方向に長さΔＺ５だけ縮み、その反力によってレバー４０の後端部４３を押し上げ、レバー４０の先端部４１に連結板４９を介して接続されているエンドブロック１３、シャフト１２に対して下向きに力Ｆ０を加える。ボンディングツール１１の内部は、図示しない真空装置によって真空となっているので、この力Ｆ０によってボンディングツール１１が半導体チップ９０の表面に押し付けられると、ボンディングツール１１は半導体チップ９０を吸着する。その後、図示しない制御部によってスライダ６１が上昇すると、ボンディングツール１１は半導体チップ９０をピックアップする。
【００２２】
図５、図６を参照して、ボンディングツール１１が半導体チップ９０の表面に接した後、ボンディングヘッド５０が更に高さΔＺ０だけ降下した際の上平板リンク３０の変形とシャフト１２の移動について詳細に説明する。ボンディングツール１１が半導体チップ９０の表面に接した後、ボンディングヘッド５０が更に高さΔＺ０だけ降下すると、図５に示す様に、上平板リンク３０を固定している上アーム５３もボンディングツール１１が半導体チップ９０の表面に接した際の高さよりも高さΔＺ０だけ降下するので、上平板リンク３０の固定点３３もボンディングツール１１が半導体チップ９０の表面に接した際の高さよりも高さΔＺ０だけ降下する。一方、シャフト１２は先端のボンディングツール１１が半導体チップ９０の表面に接しているので、それ以上降下しないので、上平板リンク３０のシャフト１２を固定している渡り板３２の中央と、２つの固定点３３との間にはΔＺ０だけ高さの差ができることとなる。上平板リンク３０の固定点３３によって中央が上アーム５３に固定されている各第１の辺３１ａは、図５及び図６（ａ）に示す様に、固定点３３から第２の辺３１ｂに向かって上方に湾曲していく。また、図５、図６（ｂ）に示す様に、第２の辺３１ｂの間を渡っている渡り板３２は、第２の辺３１ｂからシャフト１２の取り付けられている中央部が盛り上がるように上方に向って変形する。更に、図５、図６（ｂ）に示す様に、第２の辺３１ｂは渡り板３２が接続されている中央部分が第１の辺３１ａに接続されている両端から盛り上がるように上に向って変形する。図６（ａ）に示すように、第１の辺３１ａの上方への湾曲により、固定点３３と第１の辺３１ａの両端或いは第２の辺３１ｂとの間には、ΔＺ１だけの高さの差ができる。また、図６（ｂ）に示す様に、第２の辺３１ｂの盛り上がり変形によって第１の辺３１ａの両端と第２の辺３１ｂの中央部との間には、ΔＺ２の高さの差ができる。更に、図６（ｂ）に示すように、渡り板３２の盛り上がり変形によって第２の辺３１ｂの中央とシャフト１２の取り付けられている渡り板３２の中央との間には、ΔＺ３だけの高さの差ができる。そして、この高さの差ΔＺ１，ΔＺ２，ΔＺ３の合計が高さΔＺ０となる。つまり、ΔＺ１+ΔＺ２+ΔＺ３＝ΔＺ０、となる。
【００２３】
このように、上平板リンク３０は、固定点３３から延びる第１の辺３１ａの曲げ変形と、第２の辺３１ｂの盛り上がり変形と、第２の辺３１ｂとの間に渡された渡り板３２の盛り上がり変形とによってシャフト１２をボンディングヘッド５０に対して高さΔＺ０だけＺ方向に移動させる。また、第１の辺３１ａと渡り板３２の第２の辺３１ｂに接続する端部はその幅が小さくなっているので、第２の辺３１ｂの両端、及び渡り板３２の両端にそれぞれリンクを形成し、各リンクの回転によってシャフト１２をＺ方向に移動させる。
このため、シャフト１２のＺ方向の移動に対する抵抗がほとんど発生しない。また、本実施形態のダイボンディング装置１００は、下平板リンク２０と上平板リンク３０の２つの平板リンクを平行に配置し、これによってシャフト１２がＺ方向に移動可能に支持するので、シャフト１２が半導体チップ９０の表面に対して垂直方向にスムーズに移動することができる。さらに、図４に示す様に、レバー４０は十字板ばね４５によって回転支持されているので、回転軸受けなどのような摩擦抵抗がなく、回転に対する抵抗がほとんど発生しない。
【００２４】
このため、ボンディングツール１１が半導体チップ９０の表面に接した後、ボンディングヘッド５０が高さΔＺだけ沈み込んだ際に半導体チップ９０の表面に掛かる力は、図７に示す様に、沈み込み高さΔＺに対して正比例するようになる。つまり、Ｆ＝Ｋ×ΔＺ、となる。これにより制御部は、ボンディングヘッド５０の沈み込み量ΔＺを制御することによって、半導体チップ９０に加わる押圧荷重を正確に制御することができる。このため、薄い或いは脆い半導体チップ９０をピックアップする際に、より小さな押圧荷重を正確に制御することができ、薄く強度の低い或いは脆い半導体チップ９０損傷させずに適切にピックアップすることできる。また、本実施形態のダイボンディング装置１００は、従来のボンディング装置の様にシャフト１２をＺ方向にスライドさせたり、レバー４０を回転支持したりする部分のような摺動部が無いことから、磨耗がなく長寿命であり、かつ、摩擦抵抗の変化による押圧荷重が変化することもなく、長期間に渡り安定した動作をすることができる。
【００２５】
以上、本実施形態のダイボンディング装置１００によって半導体チップ９０をピックアップする際の動作について説明したが、半導体チップ９０を基板或いはリードフレーム等の上に接合する際の動作も同様で、半導体チップ９０に掛かる小さな押圧力を正確に制御できるので、薄く強度の低い或いは脆い半導体チップ９０を損傷させずに基板或いはリードフレーム等の上に適切にボンディングすることができる。また、半導体チップの上に更に半導体チップをボンディングする際にも同様に半導体チップ９０を損傷させずに適切にボンディングを行うことができる。
【００２６】
図８、図９を参照して本発明の他の実施形態について説明する。図１から図７を参照して説明した部分には同様の符号を付して説明は省略する。図８に示す上平板リンク１３０は、図１から７を参照して説明した実施形態の上平板リンク３０の略四角環状の環状板３１を楕円形状の環状板１３１とし、その長円側に固定点１３３を設け、対向する短円を渡るように渡り板１３２を設けたものである。また、図９に示す実施形態は、図１から図７を参照して説明した実施形態の第１の辺３１ａの中央の外側にラグ３５を設け、このラグ３５を上アーム５３に固定するように構成したものである。図８、図９に示すいずれの実施形態も図１から図７を参照して説明した実施形態と同様の効果を奏する。
【符号の説明】
【００２７】
１１  ボンディングツール、１２  シャフト、１３  エンドブロック、１４  リング、２０  下平板リンク、２１，３１，１３１  環状板、２２，３２，１３２  渡り板、２４，３４  中空部分、３０，１３０  上平板リンク、３１ａ  第１の辺、３１ｂ  第２の辺、３３，１３３  固定点、３５  ラグ、４０  レバー、４１  先端部、４２  ボルト、４３  後端部、４４  中央ブロック、４５  十字板ばね、４６  水平ばね板、４７  垂直ばね板、４８  バランスウェイト、４９  連結板、５０  ボンディングヘッド、５１  本体、５２  下アーム、５３  上アーム、５４  ボルト、５５  ブッシュ、５６  ストッパ、５７  穴、５８  スプリング、６１  スライダ、６２  リニアガイド、７１，７２  中心線、７３  直線、８１  ピックアップステージ、８３  ダイシングテープ、９０  半導体チップ、１００  ダイボンディング装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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