(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される素子形成領域と、
前記素子形成領域を外部領域から絶縁分離するべく前記素子形成領域表面から前記基板表面までの深さで前記素子形成領域側面を包囲するよう形成された第１絶縁トレンチ領域とを備える半導体装置であって、
前記素子形成領域は、
前記基板上面に埋め込み酸化膜を介して形成された高濃度第１導電型の埋め込みコレクタ領域と、
前記埋め込みコレクタ領域の上部に形成された低濃度第１導電型のコレクタ耐圧領域と、
前記コレクタ耐圧領域の表面部に形成される第２導電型のベース領域と、
前記コレクタ耐圧領域内で島状となるように前記コレクタ耐圧領域の表面部に前記ベース領域と離れて形成される高濃度第１導電型の表面コレクタ領域と、
前記ベース領域の表面部に形成される高濃度第１導電型のエミッタ領域と、
前記ベース領域と前記表面コレクタ領域との間におけるキャリアの直線的な移動を遮るよう、当該領域間において前記素子形成領域表面から前記基板表面までの深さで形成される第２絶縁トレンチ領域とを備え、
前記半導体装置を平面視した際、前記第２絶縁トレンチと前記第１絶縁トレンチ領域との間には、前記キャリアが前記第２絶縁トレンチを迂回して前記ベース領域と前記表面コレクタ領域との間を移動するためのキャリア迂回領域が形成されており、
前記素子形成領域を平面視した場合に、前記第２絶縁トレンチ領域は、前記第１絶縁トレンチ領域と分離するよう形成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記第１絶縁トレンチ領域および前記第２絶縁トレンチ領域は、トレンチ内部に埋め込みポリシリコンを有しており、
前記第１絶縁トレンチ領域の前記埋め込みポリシリコン、および前記第２絶縁トレンチ領域の前記埋め込みポリシリコンの各々と電気的に接続され、前記第１絶縁トレンチ領域の前記埋め込みポリシリコン、および前記第２絶縁トレンチ領域の前記埋め込みポリシリコンを予め定められた電位になるよう制御する電位制御部をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置を製造する方法であって、
前記基板上面に前記酸化膜を介して前記埋め込みコレクタ領域、および、当該埋め込みコレクタ領域の上部に前記コレクタ耐圧領域を形成するコレクタ領域形成工程と、
前記埋め込みコレクタ領域および前記コレクタ耐圧領域のうち、前記第１絶縁トレンチ領域および前記第２絶縁トレンチ領域が形成される領域をエッチングして、前記第１絶縁トレンチ領域のトレンチと前記第２絶縁トレンチ領域のトレンチとが分離するようにトレンチを形成するエッチング工程と、
前記トレンチ内に絶縁層を形成することによって前記第１絶縁トレンチ領域、および前記第２絶縁トレンチ領域を同時に形成する絶縁領域形成工程と、
前記コレクタ耐圧領域に前記第１導電型イオンおよび前記第２導電型イオンを注入することによって前記ベース領域、前記表面コレクタ領域、および前記エミッタ領域を形成するイオン注入工程とを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、横型バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、バイポーラトランジスタの耐圧性能を向上するべく、種々の構成の半導体装置が開発されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に開示される半導体装置５００は、図８に示すように、コレクタ耐圧領域２４においてベース領域２５と表面コレクタ領域２７とを分離するシリコン酸化膜２０ｂ（第２側面分離絶縁物領域）を具備する。図８は、従来の半導体装置の構成を示す縦断面図の一例である。なお、シリコン酸化膜２０ｂは、埋め込みコレクタ領域２３までは分断しない。このシリコン酸化膜２０ｂを備えることによってベース領域２５と表面コレクタ領域２７との間における電界が緩和され、ベース領域２５と表面コレクタ領域２７との間の距離を狭めても（半導体装置を小型集積化しても）高い耐圧性能を維持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２３２１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示される半導体装置は、製造工程数が増えてしまうという問題があった。具体的には、図８に示すシリコン酸化膜２０ｂ（第２側面分離絶縁物領域）、および素子形成領域を囲むシリコン酸化膜２０ａ（第１側面分離絶縁物領域）は、これらを形成する領域をエッチングしてトレンチ溝を形成した後に、当該トレンチ溝内表面を酸化およびポリシリコンで埋めることによって形成される。但し、シリコン酸化膜２０ｂは、埋め込みコレクタ領域２３を分断しないようにシリコン酸化膜２０ａに比べて浅く形成する必要がある。すなわち、シリコン酸化膜２０ａおよびシリコン酸化膜２０ｂを形成する際には、各々について異なる深さのトレンチ溝を形成する必要がある。そのため、シリコン酸化膜２０ｂとシリコン酸化膜２０ａとを同じ条件で同時にエッチングすることができない。したがって、特許文献１に係る半導体装置を製造する際には、シリコン酸化膜２０ａおよびシリコン酸化膜２０ｂの各々の深さに応じてエッチングの条件を変更して、エッチングを複数回行う必要があった。
【０００６】
このように、従来の半導体装置では、製品の性能が向上する一方で製造工程が増加し、製造コストが増加したり、製造時間が増加したりしてしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は上記の課題を鑑みて成されたものであり、少ない工数で製造可能でありながら高い耐圧性能を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本願は以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明は、基板と、基板上に形成される素子形成領域と、素子形成領域を外部領域から絶縁分離するべく、素子形成領域表面から基板表面までの深さで素子形成領域側面を包囲するよう形成された第１絶縁トレンチ領域とを備える半導体装置であって、素子形成領域は、基板上面に埋め込み酸化膜を介して形成された高濃度第１導電型の埋め込みコレクタ領域と、埋め込みコレクタ領域の上部に形成された低濃度第１導電型のコレクタ耐圧領域と、コレクタ耐圧領域の表面部に形成される第２導電型のベース領域と、コレクタ耐圧領域の表面部にベース領域と離れて形成される高濃度第１導電型の表面コレクタ領域と、ベース領域の表面部に形成される高濃度第１導電型のエミッタ領域と、ベース領域と表面コレクタ領域との間におけるキャリアの直線的な移動を遮るよう、当該領域間において素子形成領域表面から基板表面にまでの深さで形成される第２絶縁トレンチ領域とを備え、半導体装置を平面視した際、第２絶縁トレンチと第１絶縁トレンチ領域との間には、キャリアが第２絶縁トレンチを迂回してベース領域と表面コレクタ領域との間を移動するためのキャリア迂回領域が形成されていることを特徴とする、半導体装置である。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明において、素子形成領域を平面視した場合に、第２絶縁トレンチ領域は、第１絶縁トレンチ領域と分離するよう形成されることを特徴とする。
【００１０】
第３の発明は、第２の発明において、第１絶縁トレンチ領域、および第２絶縁トレンチ領域の各々と電気的に接続され、第１絶縁トレンチ領域、および第２絶縁トレンチ領域を予め定められた電位になるよう制御する電位制御部をさらに備えることを特徴とする。
【００１１】
第４の発明は、第１の発明において、素子形成領域を平面視した場合に、第２絶縁トレンチ領域は、一方端部において第１絶縁トレンチ領域と連結するよう一体的に形成され、他方端部において第１絶縁トレンチ領域と分離するよう形成されることを特徴とする。
【００１２】
第５の発明は、第４の発明において、一体的に形成された第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域の何処かの部位において電気的に接続され、当該接続された第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域を予め定められた電位になるよう制御する電位制御部をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
第６の発明は、第１の発明に係る半導体装置を製造する方法であって、基板上面に酸化膜を介して埋め込みコレクタ領域、および、当該埋め込みコレクタ領域の上部にコレクタ耐圧領域を形成するコレクタ領域形成工程と、埋め込みコレクタ領域およびコレクタ耐圧領域のうち、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域が形成される領域をエッチングしてトレンチを形成するエッチング工程と、トレンチ内に絶縁層を形成することによって第１絶縁トレンチ領域、および第２絶縁トレンチ領域を同時に形成する絶縁領域形成工程と、コレクタ耐圧領域に第１導電型イオンおよび第２導電型イオンを注入することによってベース領域、表面コレクタ領域、およびエミッタ領域を形成する電極領域形成工程とを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
第１の発明によれば、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域が同じ深さで形成されるため、これらの領域を同じ工程で同時に形成することができる。そして、ベース領域と表面コレクタ領域との間に第２絶縁トレンチ領域が形成されていることによって、ベース領域と表面コレクタ領域との間の電位が安定し、高い耐圧性能を得ることができる。なお、第１絶縁トレンチ領域と第２絶縁トレンチ領域との間にはキャリア迂回領域が形成されているため、第２絶縁トレンチ領域によってベース領域と表面コレクタ領域との間のキャリアの移動が完全に断絶されることはなく、トランジスタとしての機能が損なわれることはない。
【００１５】
第２の発明によれば、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域を各々分離形成することができる。
【００１６】
第３の発明によれば、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域の電位を固定することによって、ベース領域と表面コレクタ領域との間の電位分布を、より安定化することができる。
【００１７】
第４の発明によれば、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域を一体形成することができる。
【００１８】
第５の発明によれば、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域の電位を固定することによって、ベース領域と表面コレクタ領域との間の電位分布を、より安定化することができる。また、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域が一体的に形成されているため、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域の何れかと電位制御部を接続することによって、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域の双方の電位を同時に制御することができる。
【００１９】
第６の発明によれば、第１絶縁トレンチ領域および第２絶縁トレンチ領域を同じ工程で形成することができるので、第１の発明に係る半導体装置を比較的少ない工数で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置１００の構成を示す平面視レイアウト図
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置１００の構成を示す、図１のＡＡ’線における断面図
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置１００の製造過程を示す図
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置１００の製造過程を示す図
【図５】第１の実施形態に係る半導体装置１００を平面視した際の電位分布を示す図
【図６】第２絶縁トレンチ１０ｂを備えない従来の半導体装置を平面視した際の電位分布を示す図
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置２００の構成を示す平面視レイアウト図
【図８】従来の半導体装置の構成を示す縦断面図の一例
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００について説明する。半導体装置１００は、いわゆるバイポーラトランジスタ装置である。先ず、図１および図２を参照して半導体装置１００の構成について説明する。なお、図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１００の構成を示す平面視レイアウト図である。図２は、第１の実施形態に係る半導体装置１００の構成を示す、図１のＡＡ’線における断面図である。なお、以下では、図１に示す半導体装置１００の基板平面をＸＹ平面とし、図２に示す断面をＸＺ平面としたＸＹＺ座標系で半導体装置１００の構成等について説明する。
【００２２】
図１および図２に示すように、半導体装置１００は、シリコン基板１、素子形成領域１１、第１絶縁トレンチ領域１０ａ、および電位制御部１３を備える。素子形成領域１１はシリコン基板１上に形成されており、当該素子形成領域１１の側面を包囲するよう第１絶縁トレンチ領域１０ａが形成されている。なお、シリコン基板１は、典型的には単結晶シリコンの支持基盤である。
【００２３】
第１絶縁トレンチ領域１０ａは、素子形成領域１１を外部領域から絶縁分離する絶縁部である。第１絶縁トレンチ領域１０ａは、図２に示すように素子形成領域１１表面からシリコン基板１表面に至るまでの深さを有する。第１絶縁トレンチ領域１０ａは、トレンチ側壁酸化膜６およびトレンチ埋込ポリシリコン７から成る。
【００２４】
素子形成領域１１は、埋め込みコレクタ領域３、コレクタ耐圧領域４、ベース領域５、エミッタ領域８ａ、表面コレクタ領域８ｂ、および第２絶縁トレンチ１０ｂを備える。また、素子形成領域１１の上部にはエミッタ電極９ａ、ベース電極９ｂ、コレクタ電極９ｃ、表面酸化膜１６が形成される。本実施形態においては、図１に示すように、素子形成領域１１は、平面視矩形領域として形成される。
【００２５】
素子形成領域１１の底面、すなわちシリコン基板１の上面には埋込酸化膜２が形成される。埋込酸化膜２は、典型的には、ＢＯＸ（Buried Oxide）酸化膜である。そして、埋込酸化膜２の上部には埋め込みコレクタ領域３が形成される。埋め込みコレクタ領域３は、Ｎ+型の領域である。さらに、埋め込みコレクタ領域３の上部にはコレクタ耐圧領域４が形成されている。コレクタ耐圧領域４は、Ｎ-型の領域である。コレクタ耐圧領域４の上面は、エミッタ電極９ａ、ベース電極９ｂ、コレクタ電極９ｃと接続される領域（いわゆる、コンタクトホール）を除き、表面酸化膜１６によって覆われている。
【００２６】
ベース領域５は、コレクタ耐圧領域４の表面部において島状に形成されるＰ+型の領域である。ベース電極９ｂは、ベース領域５に電気的に接続される電極である。表面コレクタ領域８ｂは、コレクタ耐圧領域４の表面部においてベース領域５と離れて形成される島状のＮ+型の領域である。コレクタ電極９ｃは、表面コレクタ領域８ｂと電気的に接続される電極である。エミッタ領域８ａは、ベース領域５の表面部に島状に形成されるＮ+型の領域である。エミッタ電極９ａは、エミッタ領域８ａと電気的に接続される電極である。なお、エミッタ電極９ａ、ベース電極９ｂ、およびコレクタ電極９ｃは、典型的には、アルミ等の金属製の電極である。
【００２７】
第２絶縁トレンチ領域１０ｂは、ベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間において、キャリアの直線的な移動を遮るよう形成された絶縁領域である。図２に示すように半導体装置１００を縦断面視した場合、第２絶縁トレンチ領域１０ｂは、素子形成領域１１表面からシリコン基板１表面にかけて形成される。なお、第２絶縁トレンチ領域１０ｂは、第１絶縁トレンチ領域１０ａと同様にトレンチ側壁酸化膜６およびトレンチ埋込ポリシリコン７から成る。また、図１に示すように半導体装置１００を平面視した際に、第２絶縁トレンチ１０ｂと第１絶縁トレンチ領域１０ａとの間には、キャリア迂回領域１２ａ、１２ｂが形成されている。すなわち、第２絶縁トレンチ１０ｂと第１絶縁トレンチ領域１０ａとは分離して形成されている。より詳細には、第２絶縁トレンチ１０ｂは、平面視した場合にＹ軸方向に延設される壁状領域となっており、その両端が一定の距離で第１絶縁トレンチ領域１０ａとは離間するよう形成されている。この離間した領域が上述キャリア迂回領域１２ａ、１２ｂに相当する。
【００２８】
第２絶縁トレンチ１０ｂのＸＹ平面における形状および配置は、図１に示すものに限らず、キャリアの直線的な移動を遮るよう形成していれば任意の形態に変形して構わない。但し、第２絶縁トレンチ１０ｂは、半導体装置１００を平面視した際に、ベース領域５の外周状の任意の点と、表面コレクタ領域８ｂの外周上の任意の点とを結ぶ直線が遮られるよう形成することが、より好ましい。
【００２９】
上記のような構成により、半導体装置１００のコレクタ・ベース間に所定の電圧がバイアスされた際には、キャリアは、キャリア迂回領域１２ａ、１２ｂを通ってベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間を移動することができる。より具体的には、キャリアは、図１の太線矢印ＣＭ１で示す経路でベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間を移動することができる。このように、キャリア迂回領域１２ａ、１２ｂが設けられていることによって、第２絶縁トレンチ領域１０ｂが素子形成領域１１表面からシリコン基板１表面に至るまでの深さで形成されていても、キャリアの移動経路が確保され、半導体装置１００のトランジスタとしての機能が損なわれることはない。
【００３０】
図１に示すように、第１絶縁トレンチ領域１０ａは第１接続線１４を介して、第２絶縁トレンチ１０ｂは第２接続線１５を介して、各々、電位制御部１３と電気的に接続される。電位制御部１３は、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂの電位を固定する回路或いは部材である。電位制御部１３は、典型的には接地端子台である。
【００３１】
上述の半導体装置１００を製造する方法について、図３および図４を参照して説明する。図３および図４は、各々第１の実施形態に係る半導体装置１００の製造過程を示す図である。
【００３２】
先ず、Ｎ-型の半導体基板を用意し、当該半導体基板の一方面に高濃度のＮ+型イオンを注入拡散することによって、Ｎ+型の埋め込みコレクタ領域３およびＮ-型のコレクタ耐圧領域４を層状に形成する。次いで、例えば、Ｐ-型の半導体基板を別途用意し、当該半導体基板を熱酸化することによって、シリコン基板１および埋込酸化膜２を層状に形成する。そして、これらの２つの基板を加熱および圧接して張り合わせることによって、図３に示すように、半導体基板１、埋込酸化膜２、埋め込みコレクタ領域３、およびコレクタ耐圧領域４が順に積層した、いわゆるＳＯＩ(Silicon on Insulator)基板を製造する。なお、上記の方法は一例であり、図３のようなＳＯＩ基板を製造する方法は従来周知の任意の手法を用いて良い。
【００３３】
次いで、図３に示したＳＯＩ基板において、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂを形成する予定領域以外にレジストマスクを形成する。そして、プラズマエッチング等のエッチング処理を施すことによって、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂの形成予定領域にトレンチ溝を形成する。なお、エッチング処理の方法は従来周知の任意の手法を用いて良い。トレンチ溝形成後にＳＯＩ基板を熱酸化することによって、トレンチ溝内表面にトレンチ側壁酸化膜６を形成する。そして、トレンチ溝内の空洞にポリシリコンを注入することによってトレンチ埋込ポリシリコン７を形成する。このような工程を経て、図４に示すように第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂが同時に形成される。
【００３４】
次いで、図４のようなＳＯＩ基板に、各々対応する導電型イオンを順次注入することによってベース領域５、エミッタ領域８ａ、表面コレクタ領域８ｂを形成する。その後、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法)等によって表面酸化膜１６を形成する。表面酸化膜１６にはフォトリソグラフィおよびエッチング処理を施し、ベース領域５、エミッタ領域８ａ、表面コレクタ領域８ｂを対応する電極と接合するためのコンタクトホール（開口部）を形成する。そして、アルミ等の金属配線を上述のコンタクトホールに蒸着することによって、エミッタ電極９ａ、ベース電極９ｂ、およびコレクタ電極９ｃを形成する。
【００３５】
この通り、本発明に係る半導体装置１００は、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂが同じ深さで形成されるため、これらを同じ工程で形成することができる。すなわち、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂを形成するためにエッチングの条件を変更して繰り返しエッチングを行う必要が無いため、従来の半導体装置に比して低コスト、短時間で製造することができる。
【００３６】
上述の半導体装置１００は、第２絶縁トレンチ１０ｂを備えていることによって、ベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間における電界を緩和し、高い耐圧性能を得ることができる。以下、図５および図６を参照して、半導体装置１００において電界が緩和される様子について説明する。図５は、第１の実施形態に係る半導体装置１００を平面視した際の電位分布を示す図である。図６は、第２絶縁トレンチ１０ｂを備えない従来の半導体装置を平面視した際の電位分布を示す図である。より具体的には、図５および図６は、各半導体装置の平面図において同じ電位の箇所を通る等電位線を示したものである。なお、図５および図６に示す等電位線は、同寸法の半導体装置１００および従来の半導体装置各々についてコレクタ・ベース間に同一の正電圧をバイアスした状態にした場合を想定し、デバイスシミュレーションを行って得られたシミュレーション結果である。
【００３７】
図５および図６の各々に示すベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間（図５および図６の点線で囲われた領域）における等電位線の間隔を比べると、図５に示す半導体装置１００の方が、図６に示す従来品に比べて当該等電位線の間隔が長くなっている。すなわち、半導体装置１００ではベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間において単位長さ当たりの電位変化量が従来品に比して小さくなっており、当該領域における電界強度が緩和されている。これは、半導体装置１００では、第２絶縁トレンチ１０ｂの存在により、ベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間におけるキャリアの直線的な移動が遮られていることに起因する。このように、本発明に係る半導体装置１００によれば、ベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間における電界強度を緩和し、高い耐圧性能を得ることができる。
【００３８】
以上に示した通り、本発明第１の実施形態に係る半導体装置１００によれば、少ない工数で製造可能でありながら高い耐圧性能を得ることができる。
【００３９】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、第２絶縁トレンチ１０ｂが第１絶縁トレンチ領域１０ａと分離して形成されている例について説明したが、第２絶縁トレンチ１０ｂは、第１絶縁トレンチ領域１０ａと一体的に形成されていても構わない。以下、第２の実施形態に係る半導体装置２００について説明する。
【００４０】
第２の実施形態に係る半導体装置２００は、図７に示すように、第２絶縁トレンチ１０ｂの一端が第１絶縁トレンチ領域１０ａと連結するよう一体的に形成されている。図７は、第２の実施形態に係る半導体装置２００の構成を示す平面視レイアウト図である。なお、図７において上述第１の実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。図７に示すように、第２絶縁トレンチ１０ｂは、平面視した場合にＹ軸方向に延設される壁状領域となっており、第２絶縁トレンチ１０ｂの他方端部は第１絶縁トレンチ領域１０ａと離間している。そして、当該離間箇所がキャリア迂回領域１２ｃとして機能する。
【００４１】
上記のような構成により、半導体装置２００がコレクタ・ベース間に所定の電圧がバイアスされた際には、キャリアは、キャリア迂回領域１２ｃを通ってベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間を移動することができる。より具体的には、キャリアは、図７の太線矢印ＣＭ２で示す経路でベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間を移動することができる。すなわち、キャリア迂回領域１２ｃが設けられていることによって、第２の実施形態に係る半導体装置２００においても第１の実施形態と同様にキャリアの移動経路が確保され、半導体装置２００のトランジスタとしての機能が損なわれることはない。
【００４２】
また、上述の通り、第２の実施形態に係る半導体装置２００も、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂが同じ深さで形成されるため、上述第１の実施形態に係る半導体装置１００と同様に、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂを同じ工程で形成することができる。以上の通り、第２の実施形態に係る半導体装置２００も、第１の実施形態に係る半導体装置１００と同様に、少ない工数で製造可能でありながら高い耐圧性能を得ることができる。
【００４３】
なお、第２の実施形態に係る半導体装置２００においても、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂは、電位制御部１３と電気的に接続されることが好ましい。ここで、半導体装置２００においては第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂが一体的に形成されて電気的にも接続されているため、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂと電位制御部１３とを接続する配線を１本で構成することができる。なお、図７では、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂと電位制御部１３とが、第１接続線１４によって第１絶縁トレンチ領域１０ａと接続するよう配線されている例を示しているが、当該接続線は第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂの任意の箇所に接続して構わない。
【００４４】
なお、上記各実施形態では第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂが電位制御部１３と接続されることによって、電位が固定されている例について説明したが、第１絶縁トレンチ領域１０ａおよび第２絶縁トレンチ１０ｂの電位を固定せずとも、第２絶縁トレンチ１０ｂを形成するだけでベース領域５と表面コレクタ領域８ｂとの間における電界強度を、ある程度緩和することが可能である。すなわち、半導体装置に要求される性能や、コスト、およびレイアウトを考慮して電位制御部１３、第１接続線１４、および第２接続線１５の構成は適宜省略しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明に係る半導体装置は、少ない工数で製造可能でありながら高い耐圧性能を有する半導体装置などとして有用である。
【符号の説明】
【００４６】
１    シリコン基板
２    埋込酸化膜
３    埋め込みコレクタ領域
４    コレクタ耐圧領域
５    ベース領域
６    トレンチ側壁酸化膜
７    トレンチ埋込ポリシリコン
８ａ    エミッタ領域
８ｂ    表面コレクタ領域
９ａ    エミッタ電極
９ｂ    ベース電極
９ｃ    コレクタ電極
１０ａ    第１絶縁トレンチ領域
１０ｂ    第２絶縁トレンチ
１１    素子形成領域
１２ａ、１２ｂ    キャリア迂回領域
１３    電位制御部
１４    第１接続線
１５    第２接続線
１６    表面酸化膜
１００、２００    半導体装置
【図１】
0005674121.tif 000002
【図２】
0005674121.tif 000003
【図３】
0005674121.tif 000004
【図４】
0005674121.tif 000005
【図５】
0005674121.tif 000006
【図６】
0005674121.tif 000007
【図７】
0005674121.tif 000008
【図８】
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