(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を伝送する伝送線路と、
前記伝送線路の左右に設けられ、導電性材料で形成された２つのランドと、
２つの電極を有し、前記伝送線路と電磁結合するように近接したチップインダクタと、
前記２つのランドの一方に接続されたモニタポートと、を備え、
前記２つの電極は前記２つのランドに固定されたことを特徴とする高周波装置。
【請求項２】
前記チップインダクタは、スパイラル状に形成されたコイルパターンを有するフィルム型チップインダクタで形成され、
前記フィルム型チップインダクタの前記コイルパターンが形成された面は、前記伝送線路と対向することを特徴とする請求項１に記載の高周波装置。
【請求項３】
前記伝送線路上に形成された非導電性の保護膜を備え、
前記チップインダクタは、前記保護膜と重なるように形成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波装置。
【請求項４】
前記２つのランドの他方と接続され、かつ前記伝送線路と電磁結合するように近接した、前記チップインダクタのインダクタンスとは異なるインダクタンスであるサブチップインダクタを備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高周波装置。
【請求項５】
高周波信号を伝送する第１伝送線路と、
前記高周波信号を伝送する第２伝送線路と、
一端が前記第１伝送線路と接続され、他端が前記第２伝送線路と接続され、前記第１伝送線路から前記第２伝送線路へ前記高周波信号を伝送するチップインダクタと、
前記チップインダクタと電磁結合するように近接したモニタ用伝送線路と、
前記モニタ用伝送線路の一端と接続されたモニタポートと、を備えたことを特徴とする高周波装置。
【請求項６】
前記チップインダクタは、スパイラル状に形成されたコイルパターンを有するフィルム型チップインダクタで形成され、
前記フィルム型チップインダクタの前記コイルパターンが形成された面は、前記モニタ用伝送線路と対向することを特徴とする請求項５に記載の高周波装置。
【請求項７】
前記モニタ用伝送線路上に形成された非導電性の保護膜を備え、
前記チップインダクタは、前記保護膜と重なるように形成されたことを特徴とする請求項５又は６に記載の高周波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話の高周波信号を伝送する高周波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、高周波信号を伝送する伝送線路、及びこれに電磁結合した副伝送線路を有する高周波装置が開示されている。副伝送線路は、伝送線路を伝送する高周波信号をモニタするために設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３０７１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
伝送線路を伝送する高周波信号をモニタするためには、伝送線路と副伝送線路を長くして副伝送線路を伝送線路に十分に電磁結合させる必要がある。ところが、伝送線路と副伝送線路を長くすると高周波装置が大型化してしまう。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、伝送線路を伝送する高周波信号をモニタでき、かつ小型化に有利な高周波装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願の発明に係る高周波装置は、高周波信号を伝送する伝送線路と、該伝送線路の左右に設けられ、導電性材料で形成された２つのランドと、２つの電極を有し、該伝送線路と電磁結合するように近接したチップインダクタと、該２つのランドの一方に接続されたモニタポートと、を備え、該２つの電極は該２つのランドに固定されたことを特徴とする。
【０００７】
本願の発明に係る他の高周波装置は、高周波信号を伝送する第１伝送線路と、該高周波信号を伝送する第２伝送線路と、一端が該第１伝送線路と接続され、他端が該第２伝送線路と接続され、該第１伝送線路から該第２伝送線路へ該高周波信号を伝送するチップインダクタと、該チップインダクタと電磁結合するように近接したモニタ用伝送線路と、該モニタ用伝送線路の一端と接続されたモニタポートと、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、チップインダクタを用いて伝送線路の高周波信号をモニタするので、伝送線路の高周波信号をモニタ可能としつつ、小型化に有利な高周波装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る高周波装置を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るストリップラインとフィルム型チップインダクタの斜視図である。
【図３】フィルム型チップインダクタの底面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る高周波装置を示す図である。
【図５】ソルダーレジストの上にフィルム型チップインダクタを形成することを示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る高周波装置の変形例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る高周波装置を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る高周波装置のカプラ回路の底面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る高周波装置を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係るストリップラインとフィルム型チップインダクタの斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態４に係る高周波装置の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る高周波装置を示す図である。高周波装置１０は、ＲＦ入力ポート１２を備えている。ＲＦ入力ポート１２には増幅器１４が接続されている。増幅器１４はＲＦ入力ポートから入力された高周波信号を増幅して出力するものである。増幅器１４の出力にはストリップライン１６の一端が接続されている。ストリップライン１６の他端にはＲＦ出力ポート１８が接続されている。
【００１１】
高周波装置１０はフィルム型チップインダクタ２０を備えている。フィルム型チップインダクタ２０は電極２０ａと電極２０ｂを備えている。電極２０ａはランド２２に固定され、電極２０ｂはランド２６に固定されている。これらの固定には例えばはんだを用いる。ランド２２とランド２６は導電性材料で形成されている。フィルム型チップインダクタ２０は、ストリップライン１６と電磁結合するようにこれと近接している。図１から分かるように、フィルム型チップインダクタ２０はストリップライン１６と交差している。フィルム型チップインダクタ２０とストリップライン１６は接触していない。
【００１２】
ランド２２には、モニタポート２４が接続されている。ランド２６は、終端抵抗２８を介して接地されている。フィルム型チップインダクタ２０、ランド２２及び２６、モニタポート２４、並びに終端抵抗２８はカプラ回路を形成している。
【００１３】
図２は、本発明の実施の形態１に係るストリップラインとフィルム型チップインダクタの斜視図である。フィルム型チップインダクタ２０の底面は、ストリップライン１６に最近接している。ランド２２及び２６は、ストリップライン１６より厚く形成されており、フィルム型チップインダクタ２０の底面がストリップライン１６と離間できるようになっている。
【００１４】
図３は、フィルム型チップインダクタの底面図である。フィルム型チップインダクタ２０の底面にはスパイラル状のコイルパターン２０ｃが形成されている。フィルム型チップインダクタ２０のコイルパターン２０ｃが形成された面（底面）がストリップライン１６と対向している。
【００１５】
次に高周波装置１０の動作について説明する。ＲＦ入力ポート１２に高周波信号の入力があると、増幅器１４で当該高周波信号が増幅される。増幅器１４で増幅された高周波信号はストリップライン１６を伝送し、ＲＦ出力ポート１８へ至る。ここで、ストリップライン１６とフィルム型チップインダクタ２０は電磁結合しているので、ストリップライン１６の高周波信号の一部はフィルム型チップインダクタ２０に取り出される。フィルム型チップインダクタ２０で取り出された電力をモニタポート２４に接続された外部機器でモニタする。
【００１６】
本発明の実施の形態１に係る高周波装置１０によれば、ストリップライン１６と電磁結合したフィルム型チップインダクタ２０を用いて、ストリップライン１６の高周波信号をモニタすることができる。ストリップライン１６の高周波信号は増幅器１４の出力信号であるので、増幅器１４の出力をモニタできる。
【００１７】
また、フィルム型チップインダクタ２０のコイルパターン２０ｃをストリップライン１６と対向させて両者を近接させるので、フィルム型チップインダクタ２０をストリップライン１６に十分に電磁結合させることができる。そのため、ストリップライン１６の高周波信号をモニタすることができる。さらに、カップリング回路の部品としてフィルム型チップインダクタ２０を用いているので小型化に有利な高周波装置を提供できる。
【００１８】
増幅器１４の出力を伝送する線路はストリップライン１６としたが、高周波を伝送する伝送線路を用いる限りにおいて特に限定されない。例えば、ガラスエポキシ基板上のプリントパターン（マイクロストリップライン）で伝送線路を形成してもよい。また、増幅器１４の出力以外の出力を伝送線路に伝送してもよい。
【００１９】
ストリップライン１６と電磁結合する要素をフィルム型チップインダクタ２０としたが、チップインダクタである限り高周波装置の小型化をなし得る。例えば、巻線型、又は積層型などのチップインダクタを用いても良い。
【００２０】
フィルム型チップインダクタ２０は、ストリップライン１６と交差するように設けたが、ストリップライン１６と十分に電磁結合できれば交差して設けなくてもよい。また、十分な電磁結合を得るために、フィルム型チップインダクタ２０とストリップライン１６を接触させてもよい。
【００２１】
実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２に係る高周波装置を示す図である。既に説明した構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。今後の実施の形態についても同様である。
【００２２】
本発明の実施の形態２に係る高周波装置は、ストリップライン１６上に形成されたソルダーレジスト４０を備えている。ソルダーレジスト４０はストリップライン１６にはんだが付着することを防止し、かつストリップライン１６を異物などから保護するものである。フィルム型チップインダクタ２０はソルダーレジスト４０と重なるように形成されている。
【００２３】
図５は、ソルダーレジストの上にフィルム型チップインダクタ２０を形成することを示す図である。電極２０ａはランド２２にはんだ付けされ、電極２０ｂはランド２６にはんだ付けされる。このはんだ付けにより、ソルダーレジスト４０とフィルム型チップインダクタ２０を接触させる。
【００２４】
本発明の実施の形態２に係る高周波装置によれば、ストリップライン１６とフィルム型チップインダクタ２０との距離はソルダーレジスト４０の膜厚で規定される。よって、ソルダーレジスト４０の膜厚を調整することにより所望の電磁結合を実現できる。また、ソルダーレジスト４０がストリップライン１６の一部を覆っているので、はんだによるストリップライン１６とランド２２又は２６の導通を回避できる。
【００２５】
なお、フィルム型チップインダクタ２０はソルダーレジスト４０と接触することとしたが、両者を離間させてもよい。
【００２６】
ストリップライン１６の上にソルダーレジスト４０を形成したが、ストリップライン１６上に非導電性の保護膜を形成する限りこれに限定されない。例えば、ストリップライン１６上にオーバーガラス（オーバーガラスコート）を形成してもよい。
【００２７】
図６は、本発明の実施の形態２に係る高周波装置の変形例を示す図である。この高周波装置は、ランド５０及び５２の厚みをストリップライン１６の厚みよりも厚くすることでフィルム型チップインダクタ２０のストリップライン１６に対する電磁結合を最適化したものである。ランド５０及び５２の厚みを調整することで、容易に電磁結合の結合量を最適化できる。なお、本発明の実施の形態２に係る高周波装置は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。
【００２８】
実施の形態３．
図７は、本発明の実施の形態３に係る高周波装置を示す図である。本発明の実施の形態３に係る高周波装置は、ストリップライン１６と交差するように設けられたフィルム型チップインダクタ６０を備えている。フィルム型チップインダクタ６０の一端には電極６０ａが形成され、他端には電極６０ｂが形成されている。電極６０ａはランド６４に固定され、電極６０ｂはランド６６に固定されている。これらの固定には例えばはんだを用いる。
【００２９】
フィルム型チップインダクタ６０の隣にはフィルム型のサブチップインダクタ６２が形成されている。サブチップインダクタ６２は一端に電極６２ａが形成され他端に電極６２ｂが形成されている。電極６２ａはランド６８に固定され、電極６２ｂはランド６６に固定されている。これらの固定には例えばはんだを用いる。サブチップインダクタ６２の電極６２ａはランド６８を介して終端抵抗２８に接続されている。        
【００３０】
すなわち、サブチップインダクタ６２の電極６２ｂは、ランド６６を介してフィルム型チップインダクタ６０の他端と接続されている。この接続によりサブチップインダクタ６２とフィルム型チップインダクタ６０とはカプラ回路に直列に接続されている。サブチップインダクタ６２は、ストリップライン１６と交差しており、これと電磁結合するように近接している。
【００３１】
図８は、本発明の実施の形態３に係る高周波装置のカプラ回路の底面図である。フィルム型チップインダクタ６０はスパイラル状のコイルパターン６０ｃを備えている。サブチップインダクタ６２はスパイラル状のコイルパターン６２ｃを備えている。コイルパターン６０ｃのコイル巻数とコイルパターン６２ｃのコイル巻数は相違している。これにより、サブチップインダクタ６２は、フィルム型チップインダクタ６０のインダクタンスとは異なるインダクタンスを有している。
【００３２】
本発明の実施の形態３に係る高周波装置によれば、インダクタンスの異なるフィルム型チップインダクタ６０とサブチップインダクタ６２がそれぞれストリップライン１６と電磁結合している。従って、フィルム型チップインダクタ６０で第１の周波数の高周波信号をモニタしつつ、サブチップインダクタ６２で第２の周波数の高周波信号をモニタできる。換言すればカプラ回路の広帯域化ができる。なお、本発明の実施の形態３に係る高周波装置は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。
【００３３】
実施の形態４．
図９は、本発明の実施の形態４に係る高周波装置を示す図である。本発明の実施の形態４に係る高周波装置は、高周波信号を伝送する第１伝送線路７０と、高周波信号を伝送する第２伝送線路７２を備えている。フィルム型チップインダクタ８０の一端（電極８０ａ）は第１伝送線路７０と接続され、他端（電極８０ｂ）は第２伝送線路７２と接続されている。こうして、フィルム型チップインダクタ８０は、第１伝送線路７０から第２伝送線路７２へ高周波信号を伝送できるように接続されている。なお、これらの接続には例えばはんだを用いる。
【００３４】
次に、カプラ回路について説明する。カプラ回路はモニタ用ストリップライン９０を備えている。モニタ用ストリップライン９０の一端にはモニタポート２４が接続されている。モニタ用ストリップライン９０の他端には終端抵抗２８が接続されている。モニタ用ストリップライン９０は、フィルム型チップインダクタ８０の下にこれと交差するように形成されている。これにより、モニタ用ストリップライン９０はフィルム型チップインダクタ８０と電磁結合するように近接して形成されている。
【００３５】
図１０は、本発明の実施の形態４に係るストリップラインとフィルム型チップインダクタの斜視図である。実施の形態１のフィルム型チップインダクタと同様に、フィルム型チップインダクタ８０の底面には、スパイラル状にコイルパターンが形成されている。
【００３６】
本発明の実施の形態４に係る高周波装置によれば、モニタ用ストリップライン９０がフィルム型チップインダクタ８０と電磁結合しているので、増幅器１４の出力をモニタできる。また、フィルム型チップインダクタ８０は高周波信号（増幅器１４の出力）を伝送する回路の一部を構成しているので、整合回路の一部としても機能させることができる。
【００３７】
図１１は、本発明の実施の形態４に係る高周波装置の変形例を示す図である。モニタ用ストリップライン９０の上には保護膜９２が形成されている。保護膜９２はソルダーレジストなどである。フィルム型チップインダクタ８０は保護膜９２と重なるように、これと接触して形成されている。保護膜９２の厚みを調整することでモニタ用ストリップライン９０とフィルム型チップインダクタ８０の距離を調整できる。なお、本発明の実施の形態４に係る高周波装置は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１０  高周波装置、  １２  ＲＦ入力ポート、  １４  増幅器、  １６  ストリップライン（伝送線路）、  １８  ＲＦ出力ポート、  ２０  フィルム型チップインダクタ、  ２０ａ，２０ｂ  電極、  ２２，２６  ランド、  ２４  モニタポート、  ２８  終端抵抗
【図１】
0005736955.tif 000002
【図２】
0005736955.tif 000003
【図３】
0005736955.tif 000004
【図４】
0005736955.tif 000005
【図５】
0005736955.tif 000006
【図６】
0005736955.tif 000007
【図７】
0005736955.tif 000008
【図８】
0005736955.tif 000009
【図９】
0005736955.tif 000010
【図１０】
0005736955.tif 000011
【図１１】
0005736955.tif 000012