(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンにより形成された加工対象物の内部にレーザ光を集光させて改質領域を形成し、該改質領域に沿ってエッチングすることにより、前記加工対象物に貫通孔を形成するレーザ加工方法であって、
前記エッチングに耐性を有する耐エッチング膜を前記加工対象物の外表面に生成する耐エッチング膜生成工程と、
前記耐エッチング膜生成工程の後、前記加工対象物に前記レーザ光を前記耐エッチング膜を透過させて集光させることにより、前記加工対象物における前記貫通孔に対応する部分に沿って前記改質領域を形成し、続けて前記耐エッチング膜に前記レーザ光を集光させることにより、前記耐エッチング膜における前記貫通孔に対応する部分に沿って、エッチング処理により除去される欠陥領域を形成するレーザ光集光工程と、
前記レーザ光集光工程の後、前記加工対象物にエッチング処理を施すことにより、前記改質領域に沿って前記エッチングを選択的に進展させて前記貫通孔を形成するエッチング処理工程と、を含むことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
前記加工対象物は、（１００）面となる主面を有する板状を呈し、
前記貫通孔は、前記加工対象物の厚さ方向に対し傾斜し、
前記エッチング処理工程では、前記エッチング処理として異方性エッチングを施すことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
前記レーザ光集光工程の後で前記エッチング処理工程の前に、前記耐エッチング膜にエッチング処理を施すことにより、前記耐エッチング膜の前記欠陥領域を除去する工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記加工対象物に複数の前記貫通孔を形成するレーザ加工方法であって、
前記エッチング処理工程の後、前記加工対象物の前記貫通孔の内面に絶縁膜を生成する絶縁膜生成工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項記載のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工方法に関し、特に、加工対象物に貫通孔を形成するレーザ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のレーザ加工方法としては、板状の加工対象物にレーザ光を集光させて加工対象物の内部に改質領域を形成した後、この加工対象物にエッチング処理を施して改質領域を除去することにより、厚さ方向に沿った貫通孔を加工対象物に形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３５１４９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、上記のレーザ加工方法では、エッチング処理の前に、エッチングに耐性を有する耐エッチング膜を加工対象物の外表面にパターニングする場合がある。すなわち、加工対象物の外表面全域を覆うよう耐エッチング膜を生成する。その後、耐エッチング膜に露光等を施し、エッチング剤を改質領域へ侵入させる開口を耐エッチング膜の変質層に対応する領域に形成する場合がある。これにより、例えば形成された貫通孔の開口側がエッチングされ過ぎて拡がるということ等を抑制し、貫通孔を精度よく形成することが図られている。しかしこの場合、前述のように、露光等を施してパターニングする工程が別途に必要であることから、加工が複雑化及び煩雑化するおそれがある。
【０００５】
そこで、本発明は、貫通孔を精度よく形成でき且つ加工容易化が可能なレーザ加工方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係るレーザ加工方法は、シリコンにより形成された加工対象物の内部にレーザ光を集光させて改質領域を形成し、該改質領域に沿ってエッチングすることにより、加工対象物に貫通孔を形成するレーザ加工方法であって、エッチングに耐性を有する耐エッチング膜を加工対象物の外表面に生成する耐エッチング膜生成工程と、耐エッチング膜生成工程の後、加工対象物にレーザ光を集光させることにより、加工対象物における貫通孔に対応する部分に沿って改質領域を形成すると共に、耐エッチング膜にレーザ光を集光させることにより、耐エッチング膜における貫通孔に対応する部分に沿って欠陥領域を形成するレーザ光集光工程と、レーザ光集光工程の後、加工対象物にエッチング処理を施すことにより、改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させて貫通孔を形成するエッチング処理工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
この本発明のレーザ加工方法では、耐エッチング膜にレーザ光が集光されることにより、耐エッチング膜における貫通孔に対応する部分に沿ってアブレーションするように加工され、かかる部分に欠陥領域（ダメージ領域）が形成されることとなる。よって、その後のエッチング処理工程では、耐エッチング膜の欠陥領域から改質領域へエッチング剤が侵入され、改質領域に沿ってエッチングが選択的に進展される。従って、本発明では、加工対象物の外表面に耐エッチング膜を生成する場合、露光等を施してパターニングする工程が不要となり、その結果、貫通孔を精度よく形成でき且つ加工容易化が可能となる。
【０００８】
また、加工対象物は、（１００）面となる主面を有する板状を呈し、貫通孔は、加工対象物の厚さ方向に対し傾斜し、エッチング処理工程では、エッチング処理として異方性エッチングを施すことが好ましい。この場合、厚さ方向に対し傾斜する貫通孔を加工対象物に好適に形成することができる。
【０００９】
また、レーザ光集光工程の後でエッチング処理工程の前に、耐エッチング膜にエッチング処理を施すことにより、耐エッチング膜の欠陥領域を除去する工程をさらに含んでいることが好ましい。この場合、エッチング処理工程において、エッチング剤を改質領域へ確実に侵入させることができる。
【００１０】
また、加工対象物に複数の貫通孔を形成するレーザ加工方法であって、エッチング処理工程の後、加工対象物の貫通孔の内面に絶縁膜を生成する絶縁膜生成工程をさらに含んでいることが好ましい。これにより、例えば複数の貫通孔それぞれに導体を埋め込んで複数の貫通電極を形成する場合、隣接する貫通電極間での絶縁性を確保することが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のレーザ加工方法によれば、貫通孔を精度よく形成でき且つ加工容易化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。
【図２】改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。
【図３】図２の加工対象物のIII−III線に沿っての断面図である。
【図４】レーザ加工後の加工対象物の平面図である。
【図５】図４の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。
【図６】図４の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。
【図７】エッチング剤の一例を示す図表である。
【図８】（ａ）は本実施形態のレーザ加工方法を説明するフロー図であり、（ｂ）は図８（ａ）の後段を示すフロー図である。
【図９】（ａ）は図８（ｂ）の後段を示すフロー図であり、（ｂ）は図９（ａ）の後段を示すフロー図である。
【図１０】図９（ｂ）の加工対象物の一部を拡大して示す図である。
【図１１】（ａ）は図９（ｂ）の後段を示すフロー図であり、（ｂ）は図１１（ａ）の後段を示すフロー図である。
【図１２】（ａ）は図１１（ｂ）の後段を示すフロー図であり、（ｂ）は図１２（ａ）の後段を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１４】
本実施形態に係るレーザ加工方法では、加工対象物の内部にレーザ光を集光させて改質領域を形成する。そこで、まず、改質領域の形成について、図１〜図６を参照して以下に説明する。
【００１５】
図１に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸（光路）の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。
【００１６】
このレーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された板状の加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して改質領域形成予定部５に沿って相対移動させられる。これにより、改質領域形成予定部５に沿った改質領域が加工対象物１に形成されることとなる。
【００１７】
加工対象物１としては、半導体材料や圧電材料等が用いられ、図２に示すように、加工対象物１には、改質領域形成予定部５が設定されている。ここでの改質領域形成予定部５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示すように、加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを改質領域形成予定部５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４〜図６に示すように、改質領域７が改質領域形成予定部５に沿って加工対象物１の内部に形成され、この改質領域７が、後述のエッチングによる除去領域８となる。
【００１８】
なお、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、改質領域形成予定部５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、曲面状や平面状の３次元状であってもよいし、座標指定されたものであってもよい。また、改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域７は列状でも点状でもよく、要は、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面、裏面、若しくは外周面）に露出していてもよい。
【００１９】
ちなみに、ここでは、レーザ光Ｌが、加工対象物１を透過すると共に加工対象物１の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。一般的に、表面３から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）場合、加工領域は表面３側から徐々に裏面側に進行する。
【００２０】
ところで、本実施形態に係る改質領域７は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域７としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。さらに、改質領域７としては、加工対象物１の材料において密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある（これらをまとめて高密転移領域ともいう）。
【００２１】
また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域７の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更にそれら領域の内部や改質領域７と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域７の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。加工対象物１としては、シリコンを含む、又はシリコンからなるものが挙げられる。
【００２２】
ここで、本実施形態では、加工対象物１に改質領域７を形成した後、この加工対象物１にエッチング処理を施すことにより、改質領域７に含まれる又は改質領域７から延びる亀裂（クラック、微小クラック、割れ等とも称される。以下、単に「亀裂」という）に沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物１において改質領域７に沿った部分を除去する。
【００２３】
例えば、本実施形態のエッチング処理では、毛細管現象等を利用して、加工対象物１の改質領域７に含まれる又は該改質領域７から延びる亀裂にエッチング剤を浸潤させ、亀裂面に沿ってエッチングを進展させる。これにより、加工対象物１では、亀裂に沿って選択的且つ高いエッチングレートでエッチングを進展させ除去する。これと共に、改質領域７自体のエッチングレートが高いという特徴を利用して、改質領域７に沿って選択的にエッチングを進展させ除去する。
【００２４】
本実施形態のエッチング処理としては、例えばエッチング剤に加工対象物を浸漬する場合（ディッピング方式：Dipping）と、加工対象物を回転させつつエッチング剤を塗布する場合（スピンエッチング方式：SpinEtching）とがある。また、ここでのエッチングには、等方性エッチング及び異方性エッチングを含んでいる。
【００２５】
図７は、用いられるエッチング剤の一例を基板の材質別に示す図表である。エッチング剤は、常温〜１００℃前後の温度で用いられ、必要とされるエッチングレート等に応じて適宜の温度に設定される。例えば、Ｓｉ（異方性）をＫＯＨでエッチング処理する場合には、好ましいとして、約６０℃とされる。また、エッチング剤は、液体状のものだけでなく、ゲル状（ゼリー状，半固形状）のものを用いることができる。
【００２６】
なお、等方性エッチングの場合には、比較的薄い加工対象物（例えば、厚さ１０μｍ〜１００μｍ）に適用でき、結晶方位や改質領域に依存せずに、等方向にエッチングを進行させることができる。また、この場合、表面に亀裂が露出していると、エッチング液が当該亀裂を伝わって内部に浸潤され、改質領域において厚さ方向の全面が改質領域の起点とされることから、切断面が半円形に窪むようにエッチングされたチップを取り出すことが可能となる。他方、異方性エッチングの場合には、比較的薄い加工対象物だけでなく厚いもの（例えば、厚さ８００μｍ〜１００μｍ）にも適用できる。また、この場合、改質領域を形成する面が面方位と異なるときにも、この改質領域に沿ってエッチングを進行させることができる。つまり、ここでの異方性エッチングでは、結晶方位に倣った面方位のエッチングに加えて、結晶方位に依存しないエッチングも可能である。
【００２７】
次に、本発明の一実施形態に係るレーザ加工方法ついて詳細に説明する。図８〜１２は本実施形態のレーザ加工方法を示す各フロー図である。
【００２８】
図８〜１２に示すように、本実施形態は、例えば半導体デバイスとプリント配線基板やフレキシブル基板とを互いに電気的に接続する部品（インターポーザ等）を製造する加工方法であり、加工対象物１に複数の貫通孔２４（図１１参照）を形成し、貫通孔２４に導体を埋め込むことによって複数の貫通電極３０（図１２参照）を形成する。
【００２９】
図８（ａ）に示すように、加工対象物１は、照射するレーザ光Ｌの波長（例えば１０６４ｎｍ）に対して透明な板状のシリコン基板であり、（１００）面となる表面３及び裏面２１（主面）を有している。加工対象物１には、貫通孔２４に対応する部分に沿って、改質領域形成予定部５が３次元的な座標指定により設定されている。この改質領域形成予定部５は、加工対象物１の厚さ方向に対し傾斜する方向に沿って延びるように設定されている。ここでの改質領域形成予定部５は、加工対象物１の（１１１）面に倣って延びるように設定されている。
【００３０】
ちなみに、以下の説明においては、加工対象物１の厚さ方向（レーザ光Ｌの照射方向）をＺ方向とし、厚さ方向に対し改質領域形成予定部５（貫通孔２４）が傾斜する方向をＸ方向とし、Ｘ，Ｚ方向に直交する方向をＹ方向として説明する。
【００３１】
本実施形態において加工対象物１を加工する場合、まず、内部温度が例えば１０００℃の炉に加工対象物１を入れてウェット酸化法により全面酸化する。これにより、図８（ｂ）に示すように、エッチングに耐性を有する耐エッチング膜としての酸化膜２２が、加工対象物の外表面（少なくとも表面３及び裏面２１）に生成される。この酸化膜２２は、レーザ光Ｌに対して透明性が高いものとされている。また、ここでの酸化膜２２は、エッチング剤であるアルカリエッチング液に対し耐性が高い熱酸化膜とされている。
【００３２】
続いて、加工対象物１の表面３側を上方にして載置台に載置して保持する。そして、図９（ａ）に示すように、裏面２１側の酸化膜２２にレーザ光Ｌの集光点（以下、単に「集光点」という）を合わせ、この集光点をＸ方向に相対移動させながらレーザ光Ｌを表面３側からＯＮ・ＯＦＦ照射する（スキャン）。これにより、レーザ光Ｌは表面３側の酸化膜２２と加工対象物１とを透過し、裏面２１側の酸化膜２２において改質領域形成予定部５に沿った位置に、ダメージ領域としての欠陥領域２２ｂを生じさせる。
【００３３】
続いて、集光点のＺ方向位置を表面３側に移動させ、加工対象物１の裏面２１側近傍のＺ方向位置に集光点を変更した後、上述したＸ方向のスキャンを実施する。これにより、レーザ光Ｌが表面３側の酸化膜２２を透過しつつ加工対象物１に集光され、既成の欠陥領域２２ｂに繋がる改質領域７が加工対象物１の裏面２１側に形成される。なお、ここでは、パルスレーザ光をレーザ光Ｌとしてスポット照射することから、形成される改質領域７は改質スポットで構成されている。また、改質領域７には、該改質領域７から発生した亀裂が内包されて形成されている（以下の改質領域について同じ）。
【００３４】
続いて、上述したＸ方向のスキャンを、加工対象物１において裏面２１側から表面３側の順で集光点のＺ方向位置を変えて繰り返し実施する。これにより、貫通孔２４に対応する部分に沿って互いに繋がる改質領域７が、加工対象物１内に形成される。つまり、加工対象物１の（１１１）面に沿うようＺ方向に傾斜する改質領域７が、加工対象物１の内部に形成される。
【００３５】
そして、図９（ｂ）に示すように、表面３側の酸化膜２２に集光点を合わせ、上述したＸ方向のスキャンを実施する。これにより、表面３側の酸化膜２２において改質領域形成予定部５に沿った位置に、ダメージ部としての欠陥領域２２ｂを生じさせる。
【００３６】
ここで、図１０に示すように、酸化膜２２に集光するようにレーザ光Ｌを照射すると、かかるレーザ光Ｌの照射によって酸化膜２２がアブレーションするように加工され、酸化膜２２が飛散されて凡そ除去され、或いは、その緻密度が周囲と比べて粗とされる。その結果、酸化膜２２においては、外表面２２ａに露出し且つ改質領域形成予定部５に沿う上記欠陥領域２２ｂが、エッチング剤の改質領域７への侵入部として形成されることとなる。
【００３７】
続いて、図１１（ａ）に示すように、加工対象物１に対し、例えば８５℃のＫＯＨをエッチング剤として用いて６０分間エッチング処理を施す。具体的には、酸化膜２２の欠陥領域２２ｂから改質領域７へとエッチング剤を浸潤させ、改質領域７及び該改質領域７に内包された亀裂に沿ってエッチングを選択的に進展させる。これにより、加工対象物１の内部が改質領域７に沿って選択的に除去され、（１１１）面に沿うようＺ方向に対し傾斜する貫通孔２４が加工対象物１に形成されることとなる。このとき、酸化膜２２の欠陥領域２２ｂについては、エッチングの進展の際に剥離され除去される。
【００３８】
なお、本実施形態のエッチング処理では、異方性エッチングを行っており、加工対象物１の（１１１）面はエッチングがされ難く（エッチングレートが遅く）なっている。よって、本実施形態のように改質領域７が（１１１）面に倣って延びていると、エッチングが好適に改質領域７に沿って進展される。これと共に、貫通孔２４の内面が凹凸の少ない平滑面となり、また、貫通孔２４の断面形状が矩形（ひし形）形状となる。
【００３９】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、ウェット酸化法により加工対象物１を再酸化させる。これにより、電気的絶縁性を有する絶縁膜としての酸化膜２６が、貫通孔２４の内面に生成される。その後、図１２（ａ）に示すように、貫通孔２４内に導体２８を埋入し、そして、図１２（ｂ）に示すように、表面３側の酸化膜２２の外表面２２ａに電極パッド２９を導体２８と電気的に接続するよう形成すると共に、裏面２１側の酸化膜２２の外表面２２ａに電極パッド２９を導体２８と電気的に接続するよう形成し、貫通電極３０を構成する。
【００４０】
以上、本実施形態では、加工対象物１を全面酸化させることにより、表面３及び裏面２１に酸化膜２２を形成する。そして、裏面２１側の酸化膜２２の欠陥領域２２ｂ、加工対象物１内の改質領域７、及び、表面３側の酸化膜２２の欠陥領域２２ｂを形成するレーザ加工を行う。よって、その後のエッチング処理においては、酸化膜２２の欠陥領域２２ｂを基点にエッチング剤が確実に侵入されると共に、改質領域７に沿ってエッチングが選択的に進展されることとなる。
【００４１】
従って、本実施形態では、加工対象物１の表面３及び裏面２１に酸化膜２２を生成する上で、露光等を施してパターニングする従来工程が不要となり、その結果、貫通孔２４を精度よく形成でき且つ加工容易化が可能となる。さらに、酸化膜２２によれば、貫通孔２４の開口側が拡がったり、改質領域７がエッチングされ過ぎて貫通孔２４の断面積が拡がったり等するのを抑制することができ、貫通孔２４の形状・寸法を好適に制御することが可能となる。これと共に、酸化膜２２によれば、エッチング処理による加工対象物１の厚さ低減を抑制でき、また、表面３及び裏面２１の面精度の維持が可能となる。
【００４２】
また、本実施形態では、上述したように、加工対象物１が（１００）面となる表面３及び裏面２１を有する板状を呈しており、異方性エッチングによって貫通孔２４の傾斜方向（つまり、（１１１）面に倣う方向）にエッチングされ易くなっている。従って、本実施形態では、傾斜する貫通孔２４を加工対象物１に好適に形成することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、上述したように、貫通孔２４の内面に絶縁膜としての酸化膜２６を生成している。そのため、隣接する貫通電極３０間での絶縁性を充分に確保することが可能となる。
【００４４】
また、本実施形態では、前述のように、酸化膜２２にレーザ光Ｌを集光させることで、改質領域７へのエッチング剤の侵入口である欠陥領域２２ｂを酸化膜２２に生じさせてパターニングするため、酸化膜２２を厚く形成する場合にも容易に対応可能である。
【００４５】
ところで、近年、高集積化が進む中、微細な配線ピッチを有するインターポーザの開発が強く要求されている。この点、Ｚ方向に傾斜する貫通電極３０を形成できる本実施形態にあっては、次の作用効果を有する。すなわち、微細な配線ピッチとする場合、表面３側の電極パッド２９と裏面２１側の電極パッド２９をダイレクトに配線し、配線幅を充分に確保し、電気抵抗増加を防止することができる。
【００４６】
なお、本実施形態では、Ｙ方向における集光点位置を変えてＸ方向のスキャンを繰り返し行い（ＸＹ面上のレーザ加工）、これを、Ｚ方向における集光点位置を変えて繰り返し行うことで、複数の貫通孔２４に対応する改質領域７を形成することができる。或いは、Ｚ方向における集光点位置を変えてＸ方向のスキャンを繰り返し行い（ＸＺ面上のレーザ加工）、これを、Ｙ方向における集光点位置を変えて繰り返し行ってもよい。或いは、集光点をＸ，Ｙ，Ｚ方向に適宜移動させながらレーザ光Ｌを照射して１つの貫通孔２４に対応する改質領域７を形成し、これを貫通孔２４の数だけ繰り返してもよい。
【００４７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明に係るレーザ加工方法は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。
【００４８】
例えば、改質領域を形成する際のレーザ光入射面は、加工対象物１の表面３に限定されるものではなく、加工対象物１の裏面２１であってもよい。また、上記実施形態では、耐エッチング膜として酸化膜２２を生成したが、窒化膜を生成してもよく、耐エッチング膜は、エッチング処理で用いられるエッチング剤に対し耐性を有するものであればよい。
【００４９】
また、欠陥領域２２ｂを形成した後でエッチング処理を行う前に、酸化膜２２にエッチング処理を別途施して欠陥領域２２ｂを除去してもよい。この場合、後段の加工対象物１に対するエッチング処理において、エッチング剤を改質領域７へ確実に侵入させることができ、貫通孔２４を精度よく形成することができる。また、上記実施形態では、酸化膜２２にスキャンを１回実施して欠陥領域２２ｂを形成したが、酸化膜２２の厚さに応じてスキャンを複数回実施してもよい。
【００５０】
また、上記実施形態でのレーザ光ＬのＯＮ・ＯＦＦ照射は、レーザ光Ｌの出射のＯＮ・ＯＦＦを制御する他に、レーザ光Ｌの光路上に設けられたシャッタを開閉したり、加工対象物１の表面３をマスキングしたり等して実施してもよい。さらに、レーザ光Ｌの強度を、改質領域７が形成される閾値（加工閾値）以上の強度と加工閾値未満の強度との間で制御してもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１…加工対象物、３…表面（外表面，主面）、７…改質領域、２１…裏面（外表面，主面）、２２…酸化膜（耐エッチング膜）、２２ｂ…欠陥領域、２４…貫通孔、２６…酸化膜（絶縁膜）、Ｌ…レーザ光、Ｐ…集光点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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