(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの光電子半導体素子（１０１）を備えた装置であって、
前記少なくとも１つの光電子半導体素子を支持するのに適した支持部材装置（１０８）と、１つの吸光性プラスチックから形成されたハウジング体（１０３）とを含んでおり、前記支持部材装置は、前記少なくとも１つの光電子半導体素子（１０１）に接続された少なくとも１つの接続面（１１０）を有する表面（１０９）を有しており、前記ハウジング体は前記支持部材装置上に配置されており、少なくとも１つの隆起部（１０４）、少なくとも１つの後退部（１０５）および前記少なくとも１つの隆起部（１０４）と前記少なくとも１つの後退部（１０５）との間の傾斜面（１１５）を有しており、前記少なくとも１つの後退部（１０５）は前記少なくとも１つの光電子半導体素子まで達しており、
ａ）前記後退部（１０５）は直接的に前記光電子半導体素子（１０１）まで達している、または
ｂ）前記後退部（１０５）と前記光電子半導体素子（１０１）の間の距離は１００μｍ以下であり、
前記支持部材装置は互いに電気的に絶縁された少なくとも２つの導電性の部分から形成されており、
前記ハウジング体の一部分は前記支持部材装置の少なくとも２つの部分の間に配置されており、
前記ハウジング体の前記一部分は前記装置の下面では前記支持部材装置から垂直方向に突き出ていないため、前記装置の下面は平坦に形成されており、隆起を有していないことを特徴とする、少なくとも１つの光電子半導体素子（１０１）を備えた装置。
【請求項２】
前記後退部は、単に部分的にまたは環状に前記光電子半導体素子から離されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記吸光性プラスチックは黒色である、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記隆起部は、前記少なくとも１つの光電子半導体素子（１０１）から放射される光の出射角（１１３）が１４０°以上となる高さ（１０６）および幅（１０７）を有している、請求項１から３のいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
ボンディングワイヤ（１０２）と少なくとも１つの別の接続面（１１１）とを含んでおり、前記ボンディングワイヤは、前記少なくとも１つの別の接続面（１１１）に接続されており、前記少なくとも１つの光電子半導体素子（１０１）に対する電気接続を形成しており、前記ハウジング体の前記少なくとも１つの後退部（１０５）が前記少なくとも１つの別の接続面（１１１）まで達している、請求項１から４のいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記支持部材装置（３０８）に接続された少なくとも１つの電子素子（３１３）を含んでおり、該電子素子が前記ハウジング体（３０３）によって完全に囲まれている、請求項１から５のいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの隆起部（２０４）に配置された透光性のカバー（２１２）を含んでおり、該カバーが前記少なくとも１つの光電子半導体素子（２０１）を覆っている、請求項１から６のいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
前記透光性カバー（２１２）は前記装置外から来た光の反射を低減するために吸光物質を含んでいる、請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記透光性カバー（２１２）は前記装置外から来た光の反射を低減するために構造化された表面（２１３）を有している、請求項７または８記載の装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの隆起部（３０４）に配置された透過光学系、とりわけレンズ（３１２）を含んでおり、前記透過光学系が前記少なくとも１つの光電子半導体素子（３０１）を覆っている、請求項１から６のいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの隆起部によって包囲された開口部の中に配置された透光性の充填物質（２１４）を含んでおり、該充填物質が前記少なくとも１つの光電子半導体素子（２０１）を包囲している、請求項１から１０のいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記透光性の充填物質（２１４）は前記少なくとも１つの光電子半導体素子（２０１）から放射された光を散乱させるために光拡散物質を含んでいる、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記透光性の充填物質（２１４）は前記装置外から来た光の反射を低減するために吸光物質を含んでいる、請求項１１または１２記載の装置。
【請求項１４】
前記吸光物質はカーボンブラックおよび／またはグラファイトを含んでいる、請求項８または１３記載の装置。
【請求項１５】
第１の面と、第２の面と、第３の面と、第４の面とを有しており、
前記第１の面は前記装置の下面であって、かつ、前記装置を平面上に載置するためのものであり、
前記第２の面は前記第１の面から距離を有しており、かつ、当該第２の面には前記少なくとも１つの接続面（１１０）が在り、かつ、当該第２の面には前記少なくとも１つの光電子半導体素子（１０１）が配置されており、
前記第３の面は前記第１の面からさらに距離を有しており、かつ、当該第３の面には、前記ハウジング体（１０３）の前記後退部（１０５）の上面が在り、
前記第４の面は前記第１の面からさらに距離を有しており、かつ、当該第４の面まで前記ハウジング体（１０３）の前記隆起部（１０４）が延びている、請求項１から１４のいずれか１項記載の装置。
【請求項１６】
前記バリエーションａ）において、前記後退部の側面は支持部材装置に向かって傾斜して形成されており、前記後退部の前記支持部材装置に直接配置されている領域だけが前記光電子半導体素子の側面と直接接触する、請求項１から１５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１７】
前記光電子半導体素子はＬＥＤチップである、請求項１から１６までのいずれか1項記載の装置。
【請求項１８】
請求項１から１７までのいずれか１項に記載された複数の装置から成るフィールドとディスプレイとを備えたシステムであって、
前記装置の放射ビームの出射角はαに調整されており、
前記フィールドは、第１の側辺長ｌ604と第２の側辺長ｌ605とを有しており、前記ディスプレイは第１の側辺長ｌ606と別の側辺長ｌ607とを有しており、当該ディスプレイは前記フィールドと距離ｌ603で配置されており、前記フィールドの最小サイズは、側辺長ｌ604と側辺長ｌ605に対して、式
ｌ604＝ｌ606−２*ｌ603*ｔａｎ（α／２）
ｌ605＝ｌ607−２*ｌ603*ｔａｎ（α／２）
が有効であるように選択されている、
ことを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は少なくとも１つの光電子半導体素子を備えた装置に関する。
【０００２】
この特許出願はドイツ特許出願第１０２００７０６０２０６．７号の優先権を主張するものであり、ドイツ特許出願第１０２００７０６０２０６．７号の全開示内容は参照により本願に含まれる。
【０００３】
電子素子には種々多数のハウジングが使用される。半導体素子は構造化された金属支持部材の上に何重にも取り付けられ、封止用コンパウンドの中で射出成形される。外部からの光がハウジングに当たると、ハウジング部材、支持部材または電子部品に反射が生じることがありうる。したがって、電圧の印加されていない光電子半導体素子の場合、この半導体素子が光を発しているような印象を与える。
【０００４】
本発明の課題は、不所望な反射からより良く保護された、少なくとも１つの光電子半導体素子を備えた装置を示すことである。
【０００５】
上記課題は請求項１に記載された特徴を備えた装置によって解決される。
【０００６】
少なくとも１つの光電子半導体素子を備えた装置が、少なくとも１つの光電子半導体素子を支持するのに適した支持部材装置を有する。この光電子半導体素子は光を放射する半導体素子としてよい。支持部材装置は少なくとも１つの接続面を有する表面を有している。光電子半導体素子はこの接続面と接続されている。本装置はさらにプラスチックで形成されたハウジング体を有しており、このハウジング体は支持部材装置上に配置されている。ハウジング体は隆起部と後退部を有している。隆起部と後退部の間には傾斜面が形成されている。後退部は光電子半導体素子まで達している。上記のプラスチックは吸光性であり、例えば黒色である。
【０００７】
とりわけ、ハウジング体の隆起部と後退部は好ましくはそれぞれ少なくとも部分的に支持部材装置上に配置されている。特に好ましくは、後退部は支持部材装置の半導体素子側の表面の大部分、例えば６０％以上、有利には７０％以上、好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上を覆う。後退部は支持部材装置の半導体素子側の表面上で支持部材装置の横方向に延びている。
【０００８】
有利には、支持部材装置上の半導体素子の取付領域には、ハウジング体が配置されていない、とりわけハウジング体の後退部が配置されていない。
【０００９】
有利には、後退部の支持部材装置とは逆側の表面の１つと接続面とは互いに同一平面上にない。
【００１０】
とりわけ、後退部は垂直方向に接続面から突き出ている。後退部は少なくとも部分的に半導体素子に沿って支持部材から離れて延在している。
【００１１】
後退部は光電子半導体素子まで達している。  有利には、後退部は直に光電子半導体素子まで達している。その場合、後退部は直接半導体素子に沿って延在していてよい。その場合、とりわけ、後退部の側面は半導体素子の側面と直接接触している。好ましくは、後退部のすべての側面が半導体素子の側面と直接接触する。
【００１２】
さらに、後退部の側面の領域だけが光電子半導体素子の側面に直接配置されるようにしてもよい。その場合、後退部の側面と光電子半導体素子の側面は部分的に接触しているだけである。例えば、後退部の側面は支持部材装置に向かって傾斜して形成されているため、後退部の支持部材装置上に直接置かれた領域だけが半導体素子の側面と直接接触する。
【００１３】
あるいは、後退部と光電子半導体素子との間に距離を置いてもよい。好ましくは、後退部と光電子半導体素子の間の距離は５００μｍ以下、例えば３００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。後退部は単に部分的にまたは環状に半導体素子から離されているようにしてよい。
【００１４】
光電子半導体素子と接続された、支持部材装置の接続面は、好ましくは光電子半導体素子のための電気接続面である。とりわけ、光電子半導体素子は例えば導電性接着剤または導電性はんだによって接続面と導電接続されている。
【００１５】
１つの実施形態では、ハウジング体の隆起部は１４０°以上の出射角を可能にする高さと幅を有している。
【００１６】
ハウジング体の内部に、例えば支持部材と接続され、ハウジング体のプラスチック材で包囲された別の電子部品を配置してもよい。この場合、支持部材装置の表面は好ましくは別の電子部品と接続された、とりわけ導電接続された別の接続面を有している。
【００１７】
別の実施形態では、支持部材装置は導電性材料、とりわけ導電性金属、例えば銅を含んでいる。支持部材装置は互いに電気的に絶縁された少なくとも２つの有利には導電性の部分から形成されていてよい。
【００１８】
有利には、ハウジング体の一部分は支持部材装置の少なくとも２つの部分の間に配置されている。支持部材装置の少なくとも２つの部分の間に形成されたハウジング体の部分は、半導体素子とは反対側の表面上で、好ましくは支持部材装置の半導体素子とは反対側の表面とともに終わる。とりわけ、ハウジング体の前記部分は装置の下面では支持部材装置から垂直方向に突き出ていないため、装置の下面は平坦に形成されており、とりわけ隆起をまったく有していない。装置の下面はこのように平坦な取付面を有しており、この取付面によって装置を例えばプリント基板上に外部から取り付けることができる。
【００１９】
１つの実施形態では、支持部材装置の表面上の接続面は支持部材装置の中心を含んでいる。
【００２０】
別の実施形態では、装置は別の接続面に接続されたボンディングワイヤを含んでおり、このボンディングワイヤが光電子半導体素子に対する電気接続を形成する。この実施形態では、ハウジング体の後退部はボンディングワイヤの接続面まで達している。
【００２１】
装置は、少なくとも１つの隆起部に配置された、光電子半導体素子を覆う透光性カバーを含んでいてよい。このカバーは装置外から来た光の反射を低減するために吸光物質を含んでいてよい。吸光物質は半導体素子から放射された光をほとんど吸収しないことが好ましい。とりわけ、吸光物質は半導体素子から放射された光の５０％以下、好ましくは３０％以下、特に好ましくは１０％以下を吸収する。
【００２２】
同じ目的で、透光性カバーが構造化された表面を有していてもよい。
【００２３】
別の実施形態では、装置は透過光学系を含んでいる。この透過光学系は例えば少なくとも１つの隆起部に配置されたレンズであり、少なくとも１つの半導体素子を覆う。
【００２４】
前記少なくとも１つの隆起部は開口部を包囲している。開口部の中には透光性の充填物質を配置してもよい。充填物質は光電子半導体素子から放射された光を散乱させるために光拡散物質を含んでいてよい。充填物質は装置外から来た光の反射を低減するために吸光物質を含んでいてよい。吸光物質は例えばカーボンブラックまたはグラファイトを含有する。吸光物質は半導体素子から放射された光はほとんどまったく吸収しないことが好ましい。とりわけ、吸光物質は半導体素子から放射された光の５０％以下、好ましくは３０％以下、特に好ましくは１０％以下を吸収する。
【００２５】
有利には、光電子半導体素子は発光ダイオード（ＬＥＤ）、とりわけＬＥＤチップである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】１つの実施例による装置の概略図である。
【図２】透光性カバーを有する別の実施形態による装置の概略図である。
【図３】レンズを有する別の実施形態による装置の概略図である。
【図４】光電子半導体素子を有する別の実施形態による装置の概略図である。
【図５】３つの光電子半導体素子を有し、そのうちの１つの光電子半導体素子が残りの光電子半導体素子よりも大きな実施形態による装置の概略図である。
【図６】光電子半導体素子のフィールドがディスプレイのための照明を提供する適用例の概略図である。
【００２７】
以下では、本発明のさらなる特徴、利点および発展形態を図１−６に関連する実施例に基づいて説明する。
【００２８】
図１には、光電子半導体素子１０１、ボンディングワイヤ１０２、ハウジング体１０３および支持部材装置１０８が示されている。ハウジング体は隆起部１０４と後退部１０５ならびに両領域間の斜面１１５を有している。支持部材装置は接続面１１０と別の接続面１１１とを持つ表面１０９を有している。
【００２９】
とりわけ、ハウジング体１０３の隆起部１０４と後退部１０５は好ましくはそれぞれ少なくとも部分的に支持部材装置１０８上に配置されている。有利には、後退部の支持部材装置とは逆側の表面の１つと接続面とは互いに同一平面上には配置されていない。とりわけ、後退部は垂直方向に接続面から突き出ている。
【００３０】
図示された実施形態では、支持部材装置は第１の部分１１８と第２の部分１１９を含んでおり、これらはハウジング体の一部１１２によって互いに電気的に絶縁されている。
【００３１】
有利には、ハウジング体１０３の一部１１２は支持部材装置１０８の少なくとも２つの部分１１８，１１９の間に配置されている。支持部材装置の少なくとも２つの部分の間のハウジング体の前記部分は、半導体素子とは反対側の表面では、好ましくは支持部材装置の半導体素子とは反対側の表面とともに終わる。とりわけ、ハウジング体の前記部分は装置の下面では支持部材装置から垂直方向に突き出ていないため、装置の下面は平坦に形成されており、とりわけ隆起をまったく有していない。装置の下面はこのように平坦な取付面を有しており、この取付面によって装置を例えばプリント基板上に外部から取り付けることができる。
【００３２】
光電子半導体素子は接続面１１０上に配置されており、この接続面１１０を介して電圧を供給される。ボンディングワイヤは別の接続面１１１と接続されており、光電子半導体素子への電圧の印加を可能にする。
【００３３】
有利には、光電子半導体素子は発光ダイオード（ＬＥＤ）、とりわけＬＥＤチップである。
【００３４】
支持部材は、光電子半導体素子の電気的コンタクトを可能にするために、例えば金属などの導電性材料から形成されていてよい。支持部材は互いに電気的に絶縁された別々の部分に分割された、例えば銅からなる、構造化された金属層であってよい。光電子素子はコンタクト面を介して支持部材装置の下面１１４で電気的に接触される。支持部材装置はこのようにハウジングへの外部電気接続を形成している。この実施形態では、ハウジングは外部へ通じるストリップ状の接続導線を備えていなくてよい。支持部材装置の下面のコンタクト面は外部電気接続のために例えばボードにハンダ付けされいてよい。
【００３５】
ハウジング体はできるだけ光を反射しない材料からできている。ハウジング体は例えば黒いプラスチックから形成されている。ハウジング体は支持部材装置上に配置された複数の部分から形成されていてよい。ハウジング体の隆起部は高さ１０６と幅１０７を有している。これらの範囲が、光電子半導体素子から放射された光の広い出射角１１３を可能にする。出射角は１３０°〜１７０°の範囲内、例えば１６０°としてよい。高さ１０６は例えば１００μｍ〜３００μｍの範囲内にある。放射された光の受信器はできるだけ広い範囲で放射された光を受信することができなければならない。
【００３６】
ハウジング体の後退部は支持部材装置の表面のできるだけ大きな面積を覆う。後退部は好ましくは支持部材装置の半導体素子側の表面の大部分、例えば６０％以上、有利には７０％以上、好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上を覆う。後退部はハウジング体の斜面から光電子半導体素子またはボンディングワイヤの接続面へと向かっている。後退部は支持部材装置の半導体側の表面上で支持部材装置の横方向に延びている。
【００３７】
後退部は単に部分的にまたは環状に半導体素子から離されているようにしてよい。
【００３８】
有利には、支持部材装置上の半導体素子の取付領域には、ハウジング体が配置されていない、とりわけハウジング体の後退部が配置されていない。
【００３９】
後退部は例えば５０μｍ〜２００μｍの範囲の高さ１２０を有している。後退部と光電子半導体素子の間の距離１２１は例えば５０μｍ以上であり、例えば１５０μｍ〜２００μｍの範囲内である。
【００４０】
あるいは、後退部が直に光電子半導体素子まで達していてもよい。その場合、後退部は直接半導体素子に沿って延在するようにしてよい。さらに、後退部の側面の領域だけが光電子半導体素子の側面に直接配置されるようにしてもよい。例えば、後退部の側面が支持部材装置に向かって傾斜して形成されているため、後退部の支持部材装置上に直接置かれた領域だけが半導体素子の側面と直接接触する。
【００４１】
図３に示されているように、支持部材装置上に配置できるハウジング体に囲まれて、さらなる電子素子が、例えば静電気の帯電による損傷に対する保護回路が、含まれていてよい。この場合、高さ１０６は２００μｍ〜３００μｍの範囲内とすることができるが、２ｍｍまでであってもよい。この付加的な電子素子内に発生する熱は黒いハウジング体によって良く排出される。ハウジング体はさらに比較的低い熱膨張率を有している。これによって、付加的な電子素子の信頼性を高めることができる。
【００４２】
支持部材装置の接続面は好ましくは光電子半導体素子と電子素子のための電気接続面である。とりわけ、光電子半導体素子と電子素子は例えば導電性接着剤または導電性はんだによって接続面に導電接続されている。
【００４３】
図２には、光電子半導体素子２０１、ボンディングワイヤ２０２、ハウジング体２０３および支持部材装置２０８が示されている。ハウジング体は隆起部２０４と後退部２０５を有している。支持部材装置は接続面２１０を含む表面２０９を有している。さらに、表面２１３を有するカバー２１２が示されている。装置は充填物質２１４を含んでいる。
【００４４】
光電子半導体素子は支持部材装置の接続面に接続されており、接続面とボンディングワイヤを介して光電子半導体素子に電圧が供給される。ハウジング体の一部２１１が支持部材装置を２つの部分に分割し、これら２つの部分を互いに電気的に絶縁している。支持部材装置のでくるだけ多くの領域を覆うために、ハウジング体の後退部はできるだけ光電子半導体素子の近くまで達している。
【００４５】
例えばボンディングワイヤにおいて生じる反射をできるだけ防止するために、カバーは例えばカーボンブラック、グラファイトまたは黒色顔料などの吸光物質を含んでいてよい。
【００４６】
吸光物質は半導体素子から放射された光をほとんど吸収しないことが好ましい。とりわけ、吸光物質は半導体素子から放射された光の５０％以下、好ましくは３０％以下、特に好ましくは１０％以下を吸収する。
【００４７】
さらに、カバーは反射をさらに弱めるために構造化された表面を有していてよい。カバーは例えば接着によって簡単にハウジング体の隆起部に固定することができる。
【００４８】
ハウジング体の隆起部によって包囲された開口部の中に透明な充填物質を配置してもよい。充填物質は後退部と光電子半導体素子の上に例えば隆起部の高さまで充填される。充填物質は隆起部より高くてもよい。例えば、充填物質は隆起部から５０〜５００μｍ突き出ていてよい。この実施例では、充填物質の上にカバーが配置される。
【００４９】
反射をさらに弱めるために、充填物質に例えばカーボンブラックまたはグラファイトなどの吸光物質を添加してもよい。充填物質は例えば０．１％の割合の吸光物質を有していてよいが、０．１％未満および０％と０．１％の間の低い濃度を有していてもよい。これによって、妨害的な散乱光と光反射を低減することができる。散乱光と光反射は例えば支持部材装置、電気接続部、または装置の他の部材によって生じうる。
【００５０】
できるだけ広く光を出射させるために、充填物質に光拡散物質を添加してもよい。光拡散物質は例えば充填物質の１０％の濃度を有していてよい。しかし、この濃度は０％〜１０％の範囲内であってもよい。光拡散物質は光電子半導体素子から放射された光を散乱させる。したがって、装置から光が出射する面積が大きくなる。装置内に充填物質をより良く付着させるために、ハウジング体に切り欠きを設けてもよい。
【００５１】
図３には、光電子半導体素子３０１、ボンディングワイヤ３０２、ハウジング体の隆起部３０４および後退部３０５、ならびに支持部材装置３０８が示されている。支持部材装置は接続面３１０を含んだ表面３０９を有している。ハウジング体は、この実施形態では支持部材装置の部分間を区切るために設けられた部分３１１を有している。ボンディングワイヤの一端は光電子半導体素子に接続されており、他端は支持部材装置の接続面に接続されている。
【００５２】
実施例では、例えば保護ダイオード、ドライバ素子、または支持部材装置上に配置された抵抗などの、電気素子３１３が示されている。電気素子には支持部材装置を介して電圧を供給することができる。支持部材装置は前記部分３３１によって互いに電気的に絶縁された部分に分割されるようにしてよい。電気素子には支持部材装置を介して装置外から電圧が印加されるようにしてよい。
【００５３】
電気素子はハウジング体によって完全に包囲されているものとしてよい。このような複数の電気素子がハウジング体の内部に配置されるようにしてよい。付加的な電子素子をハウジング体の内部に配置することにより、電子素子には反射が生じない。
【００５４】
図には、ハウジング体の隆起部に配置されたレンズ３１２が示されている。レンズの代わりに任意の光学系を配置してもよい。光学系は例えば接着によってハウジング体の隆起部に固定されているものとしてもよい。
レンズは例えば光電子半導体素子から放射された光の出射角を所望の範囲に設定するために使用することができる。１つの実施形態では、この出射角は４０°未満の範囲内にあり、例えば２０°〜３０°の範囲内としてよい。原則的に、適切な光学系を用いれば、ほぼ任意の出射角を定めることができる。
【００５５】
図４には、それぞれボンディングワイヤ４０２を有する３つの光電子半導体素子４０１が示されている。さらに、ハウジング体の隆起部４０３と後退部４０４も示されている。光電子半導体素子もボンディングワイヤもそれぞれ接続面４０９と接触している。ハウジング体は辺の側辺長４０５および別の側辺長４０６を有している。
【００５６】
接続面は少なくとも光電子半導体素子足すことの取付公差ないし少なくともボンディングワイヤのコンタクト足すことの取付公差と同じ大きさである。光電子半導体素子は例えば０．２ｍｍの辺の長さを有し、取付公差は１０μｍから１００μｍの間の範囲となりうる。
【００５７】
図示された実施例では、３つの光電子半導体素子は並列して配置されている。しかし、例えば三角形または菱形などの他の配置で配置してもよい。光電子半導体素子は例えば装置の中心に関して対称に配置される。
【００５８】
各光電子半導体素子は異なる波長域の光を放射する。例えば、ある光電子半導体素子は緑色域の光を放射し、別の光電子半導体素子は青色域の光を放射し、また別の光電子半導体素子は赤色域の光を放射する。結果として生じる全放射のスペクトルはこのように加えられた異なるスペクトル範囲から形成される。ハウジングのサイズ、とりわけ側辺長４０５および側辺長４０６の大きさは、所望のサイズに応じて決定することができる。例えば側辺長は６ｍｍであるが、もっと短く、例えば２ｍｍまたは３ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であってもよい。
【００５９】
図示された装置のうちの複数を互いに隣接させて配置すれば、それぞれの側辺長を各装置の光電子半導体素子の間の所望の距離に適合させることができる。例えば５ｍｍの距離が望ましいならば、側辺長４０５および側辺長４０６は、例えば２０μｍ〜１００μｍの範囲内の取付公差をそれぞれ差し引いて、それぞれ５ｍｍである。上記とは異なる、光電子半導体素子間の距離が望ましいならば、側辺長を相応して定めることができる。
【００６０】
図５には、それぞれボンディングワイヤ５０２を有する光電子半導体素子５０１、別の光電子半導体素子５１１、ハウジング体の隆起部５０３および後退部５０４、ならびに接続面５０９が示されている。
【００６１】
光電子半導体素子とボンディングワイヤは接続面に接続されている。これらは外側に向かってハウジング体の隆起部に接するハウジング体の後退部によって包囲されている。光電子半導体素子５１１は光電子半導体素子５０１よりも寸法が大きい。大きな方の半導体素子の代わりに、同じ波長域で放射する２つ以上の光電子半導体素子を用いてもよい。これによって所望の放射域を、例えば赤色域を、装置の全体的な放射スペクトルにおいて強化することができる。様々な領域を放射スペクトル内で異なる強さで強調することができる。
【００６２】
図６には、第１の側辺長６０４および第２の側辺長６０５を有する本発明による装置６０１のフィールドと、側辺長６０６および側辺長６０７を有する、フィールドから距離６０３の位置に配置されたディスプレイ６０２が示されている。装置は供給電圧が印加されたときに光を放出するのに適した半導体素子を含んでいる。この半導体素子はこの実施形態では例えば液晶ディスレプイのバックライトである。
【００６３】
装置は例えばマトリクス形状にまとめられている。このためにまず、例えば各半導体素子間の所望の距離に依存して、半導体素子の各ハウジング体のサイズを所望のサイズに合わせるようにしてよい。所望の距離は例えば５ｍｍとしてよい。所望の数の個々の装置を有するフィールドをより多くの数の装置を有するフィールドから個別化させてもよい。
【００６４】
３６ｍｍの第１の側辺長６０６と１８ｍｍの第２の側辺長６０７を有するディスプレイの場合、例えば４×８の装置を有する半導体フィールドを使用することができる。装置（側辺長４０６および６０５）のフィールドの最小サイズは、例えばディスプレイ（側辺長６０６および６０７）のサイズとディスプレイとフィールドの間の距離６０３とに依存して、近似的に以下の式で計算することができる。ここで、αは装置の放射光の出射角に相当する。
ｌ604＝ｌ606−２*ｌ603*ｔａｎ（α／２）              （１）
ｌ605＝ｌ607−２*ｌ603*ｔａｎ（α／２）              （２）
個々の装置はそれぞれ１つの光電子半導体素子を含んでいてよいが、例えば図４に示されているように、個々の装置が複数の光電子半導体素子を含んでいてもよい。各ハウジング体には、図３に示されているように、光学系が配置されていてよい。光学系は例えば１０°〜３０°の放射角を可能にするレンズである。
【００６５】
半導体素子のフィールドのサイズは、フィールドの全照明面が距離６０３でディスプレイをできるだけ均一に照明するように選んでよい。そのために、レンズを介して放射角を、ハウジング体のサイズを介して装置の各半導体素子間の距離を互いに適切に調整するようにしてもよい。本発明による装置をディスプレイの照明に使用することにより、ディスプレイ上の照明された部分と暗い部分との間に高いコントラストを実現することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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