(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の発光領域を区画するために隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁で囲まれた領域に機能液を吐出する吐出工程と、
前記機能液を乾燥して機能層を形成する機能層形成工程と、
不活性ガス雰囲気中において、前記隔壁とフィルムとが接するように前記基板に対して前記フィルムをラミネートし、前記フィルムと前記隔壁で囲まれた領域内を前記不活性ガスで満たされた状態にするラミネート工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記ラミネート工程は、減圧下でラミネートすることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記ラミネート処理工程の後に、前記機能層にベーク処理を施すベーク処理工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記ラミネート処理工程の後、ラミネートされた前記フィルムを剥離する剥離工程と、
前記フィルムが剥離された前記基板に表面処理を施す表面処理工程と、
前記表面処理が施された前記基板に対して再びフィルムをラミネートする再ラミネート処理工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを用いて構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、基板上に設けられた陽極を囲むようにバンク（隔壁）を形成する。次に、バンクで囲まれた開口穴（発光領域）の中に、インクジェット法などを用いて有機膜形成材料を含む機能液を塗布する。次に、例えば、特許文献１に記載のように、不活性ガス雰囲気中で機能液を乾燥させたり機能液に加熱処理を施したりして、有機層（機能層）を形成する。
【０００３】
しかし、この有機層が酸素と接触すると、有機ＥＬ装置としての特性（例えば、寿命や光効率）が大きく低下する場合がある。よって、有機層が酸素と接触しないように、有機層を形成した後も、グローブボックスなどを利用し、大気（酸素）と遮断した状態にしておく必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２７８００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、量産工程において、有機層を大気（酸素）と遮断した状態に維持しようとすると（保管しようとすると）、グローブボックスなどの製造装置を大型化する必要がある。大型化すると、グローブボックス内の環境にばらつきが生じて有機ＥＬ装置の品質が低下したり、設備投資のためのコストがかかったりするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上の発光領域を区画するために隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記隔壁で囲まれた領域に機能液を吐出する吐出工程と、前記機能液を乾燥して機能層を形成する機能層形成工程と、前記隔壁とフィルムとが接するように前記基板に対して前記フィルムをラミネートするラミネート工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、機能層をフィルムでラミネート（封止）して大気と遮断するので、機能層と大気（酸素や水分）とが接触することによる機能層の特性（品質）が低下することを抑えることができる。また、機能層が大気と遮断されているので、量産工程において、有機ＥＬ装置を大気中に保管することが可能となり、大気と遮断するための装置を新たに設備投資することなく、かかるコストを抑えることができる。また、大気中で保管できるので、量産における工程管理がしやすくなる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ラミネート工程は、減圧下でラミネートすることが好ましい。
【００１０】
この方法によれば、減圧下で基板をラミネートするので、機能層とフィルムとの間に大気が入り込むことを抑えることができる。よって、機能層と大気（酸素や水分）とが接触することによる機能層の特性（品質）が低下することを抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ラミネート処理工程の後に、前記機能層にベーク処理を施すベーク処理工程を有することが好ましい。
【００１２】
この方法によれば、フィルムによって機能層が大気と遮断されているので、大気中の雰囲気下においても、ベーク処理工程において機能層と酸素や水分と接触することを防ぐことが可能となる。よって、酸素や水分との接触に起因する、機能層が発光しないなどの不良を抑えることができる。更に、ベーク処理によって、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ラミネート処理工程の後、ラミネートされた前記フィルムを剥離する剥離工程と、前記フィルムが剥離された前記基板に表面処理を施す表面処理工程と、前記表面処理が施された前記基板に対して再びフィルムをラミネートする再ラミネート処理工程と、を有することが好ましい。
【００１４】
この方法によれば、フィルムを剥離することによって除去するので、液体を用いて溶解させる場合のように、既に形成されている機能層に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。よって、機能層の特性が低下することを防ぐことができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記フィルムは、ポリエチレンテレフタレートを用いて構成されていることが好ましい。
【００１６】
この方法によれば、フィルムとしてポリエチレンテレフタレートを用いるので、酸素や水分が透過することを防ぐことができる。よって、基板にフィルムをラミネートすることにより、機能層の上側を大気と遮断された状態でにすることが可能となり、その後、大気中に保管しても機能層が酸素や水分と接触することを防ぐことができる。よって、機能層の特性が低下することを抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造装置は、基板上の発光領域に設けられた機能層上に、前記機能層と大気とが触れないためのフィルムをラミネートするラミネート処理部と、前記フィルムがラミネートされた前記基板を加熱処理するベーク処理部と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、ラミネート処理部によって機能層上にフィルムをラミネートするので、機能層と酸素や水分と接触することを防ぐことができる。更に、ベーク処理部によって、機能層が大気と遮断された状態で機能層に加熱処理を施すので、特性を低下させることなく、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。更に、常に真空中（不活性ガスの雰囲気）で処理する場合のように、新たに製造装置を大型化する必要がなく、設備投資を抑えることが可能となり、かかるコストを抑えることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造装置において、前記ラミネート処理部は、減圧下に調整されていることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、減圧下に調整されたラミネート処理部において基板をラミネートするので、機能層とフィルムとの間に大気が入り込むことを抑えることができる。よって、機能層と大気（酸素や水分）とが接触することによる機能層の特性（品質）が低下することを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法の一部、及び製造装置の構造を示す模式側面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法の一部、及び製造装置の構造を示す模式側面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。
【００２３】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。
【００２４】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００２５】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用ＴＦＴ２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００２６】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００２７】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００２８】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００２９】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３０】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及び駆動用ＴＦＴ２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００３１】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３２】
基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３３】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００３４】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域４２において発光が行われるものであり、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４と、発光素子層４４上に形成されたフィルムとしてのラミネートフィルム３８と、ラミネートフィルム３８上に形成された陰極（共通電極）２５とを有する。基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。
【００３５】
回路素子層４３には、基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上に駆動用ＴＦＴ２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００３６】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５３（走査線）が形成されている。
【００３７】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、透明な第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００３８】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４と電気的に接続されている。
【００３９】
陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面的に略矩形状の形状となっている。なお、回路素子層４３には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスター（駆動用ＴＦＴ２３）が形成されている。
【００４０】
発光素子層４４は、マトリックス状に配置された発光素子２７を具備して基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４４は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６を区画するバンク（隔壁）６２とを主体として構成されている。機能層２６は、例えば、正孔注入層６３と、発光層６４などとから構成されている。
【００４１】
回路素子層４３とバンク６２との間には、絶縁層６６が形成されている。絶縁層６６としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の無機材料が挙げられる。絶縁層６６は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光領域４２の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層６６とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。更に言い換えれば、絶縁層６６は、発光領域４２を除いた領域に形成されていることになる。
【００４２】
バンク６２は、例えば、断面に見て傾斜面を有する台形状であり、発光領域４２（発光素子２７）を囲むように形成されている。つまり、囲まれた領域がバンク６２の開口部６７となる。バンク６２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。
【００４３】
機能層２６は、上記したように、正孔注入層６３と発光層６４とを有して構成されており、バンク６２に囲まれた領域、すなわち開口部６７（発光領域４２）に、インクジェット法を用いて順に形成されている。
【００４４】
正孔注入層６３は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６３は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。
【００４５】
発光層６４は、正孔注入層６３の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。機能層２６の上方、バンク６２上を含む基板３１上の全体には、機能層２６上の空間を減圧の雰囲気（不活性ガスの雰囲気）に維持するためのラミネートフィルム３８が全面に貼り付けられている。ラミネートフィルム３８上には、陰極２５が全面成膜（ベタ成膜）されている。
【００４６】
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）層、カルシウム（Ｃａ）層及びアルミニウム（Ａｌ）層を積層した構成や、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）などの合金が挙げられる。また、それ以外にも、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、銅、銀、金などの単体または合金を用いてもよい。また、炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３）を用いるようにしてもよい。
【００４７】
陰極２５の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。陽極２４と、機能層２６と、陰極２５とによって発光素子２７が構成されている。
【００４８】
上述した発光層６４は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６４には、正孔注入層６３から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６４において、これらが結合したときに光を発する。
【００４９】
このように、機能層２６の上側をラミネートフィルム３８で封止することにより、例えば、製造過程において、機能層２６と大気とが接触することを防ぐことが可能となり、機能層２６の特性が低下することを抑えることができる。以下、有機ＥＬ装置１１の製造方法を説明する。
【００５０】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
図４は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。図５は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。図６及び図７は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程、及び有機ＥＬ装置の製造装置の構成を示す模式側面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法、及び有機ＥＬ装置の製造装置の構成を、図４〜図７を参照しながら説明する。なお、図５〜図７は、回路素子層４３や絶縁層６６などの図示を省略している。
【００５１】
まず、ステップＳ１１では、基板３１上に公知の成膜技術を用いて回路素子層４３を形成する（図３参照）。具体的には、基板３１上に駆動用ＴＦＴ２３や走査線１２や信号線１３などを形成する。
【００５２】
ステップＳ１２では、第２層間絶縁膜５５上における発光領域４２周辺に、図５（ａ）に示すような、ＩＴＯからなる陽極２４を形成する。
【００５３】
ステップＳ１３（隔壁形成工程）では、陽極２４の周縁部にバンク６２を形成する。具体的には、まず、バンク６２の材料である有機材料を、例えば、塗布法などにより、基板３１上を覆うように成膜する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、有機材料のうち陽極２４の周縁部を除く部分を除去する。これにより、図５（ａ）に示すような、バンク６２が完成する。有機材料としては、ポリイミドやアクリルなどが挙げられる。なお、バンク６２の高さは、例えば、２μｍである。
【００５４】
ステップＳ１４（吐出工程）では、バンク６２の開口部６７に機能液２６ａを吐出する。具体的には、まず、バンク６２が形成された基板３１を洗浄する。その後、図５（ｂ）に示すように、機能液２６ａの液滴を、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）を用いて、陽極２４を底部としバンク６２を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液２６ａとしては、正孔注入層６３の材料を含んだ機能液である。
【００５５】
ステップＳ１５（機能層形成工程）では、図５（ｃ）に示すように、機能液２６ａを乾燥させて正孔注入層６３を形成する。詳しくは、機能液２６ａを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口部６７の中に正孔注入層６３が形成される。
【００５６】
次に、同様にして、正孔注入層６３上に発光層６４を形成する。具体的には、図５（ｄ）に示すように、機能液２６ｂの液滴を、液滴吐出法を用いて、バンク６２を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液２６ｂとしては、発光層６４の材料を含んだ機能液２６ｂなどである。次に、図５（ｅ）に示すように、機能液２６ｂを乾燥させて発光層６４を形成する。
【００５７】
ステップＳ１６（ラミネート処理工程）では、発光層６４の上方及びバンク６２上に、開口部６７で囲まれた領域の雰囲気を不活性ガスの雰囲気（例えば、窒素雰囲気）に維持するためのラミネートフィルム３８をラミネート処理する。ラミネート処理は、例えば、図６に示すラミネーター７１（有機ＥＬ装置１１の製造装置を構成する一つ）によって行われる。
【００５８】
ラミネーター７１は、有機ＥＬ装置１１となる前の段階の基板１１ａを搬送する搬送ベルト７２及び搬送ローラー７３と、ラミネートフィルム３８を供給する供給ローラー７５と、テンションローラー７６と、加圧ローラー７７と、圧着ローラー７８とを備えている。なお、ラミネート処理は、真空中（不活性ガスの雰囲気）で行われる。
【００５９】
ラミネートフィルム３８としては、酸素や水分を透過しないものが用いられ、例えば、５μｍ〜１０００μｍの厚みのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムに、２５μｍの厚みのアクリル系の粘着剤層が積層されたものが用いられる。
【００６０】
また、ラミネートフィルム３８の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ナイロン、ポリビニルアルコール、ナイロン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリカーカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリプロピレンなどが挙げられる。
【００６１】
基板１１ａは、搬送ベルト７２に載置されており、複数の搬送ローラー７３と圧着ローラー７８とによって、所定の方向に搬送される。ラミネートフィルム３８は、供給ローラー７５から供給され、テンションローラー７６によって搬送方向が規定される。ラミネートフィルム３８は、加圧ローラー７７が圧着ローラー７８側に可動することにより、ラミネートフィルム３８と基板１１ａとを圧着（例えば、熱圧着）し、ラミネートフィルム３８が基板１１ａにラミネートされる。
【００６２】
加圧ローラー７７の圧力は、例えば、０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである。圧着時の温度は、例えば、８０℃〜１５０℃である。ラミネートフィルム３８は、プロテクトフィルムとしてセパレーターが積層されている。このセパレーターを剥がしてラミネートすることで容易に接着することができる。
【００６３】
これによれば、ラミネートフィルム３８によって覆われたバンク６２の開口部６７内の雰囲気が、不活性ガスの雰囲気（窒素雰囲気など）で満たされた状態となる。よって、機能層２６が酸素と接触することがなく、機能層２６の特性が低下することを抑えることができる。
【００６４】
ステップＳ１７では、機能層２６上にラミネート処理が施された基板１１ａを保管する（例えば、処理工程の都合などにより）。なお、有機ＥＬ装置１１を量産する場合は、このステップにおいて保管することが好ましく、ステップＳ１８を行った後に保管するようにしてもよい。なお、保管する場所は大気中でよく、真空中であればより好ましい。これによれば、保管中においても、機能層２６と大気とが接触しないので、機能層２６の特性が低下することを抑えることができる。
【００６５】
ステップＳ１８（ベーク処理工程）では、機能層２６にベーク処理（加熱処理）を施す。具体的には、図７に示すベーク装置８１（有機ＥＬ装置１１の製造装置を構成する一つ）において、ホットプレート８２上に基板１１ａを載置し、基板１１ａを加熱する。加熱する温度は、例えば、１００℃〜２００℃である。
【００６６】
このように、ベーク処理を行うことにより、機能層２６に含まれる溶媒を更に蒸発させると共に機能層２６を固形化することによって、有機溶媒への不溶化機能を付加させることができる。また、その他の不溶化のメカニズムとしては、膜を構成している個々の分子が熱エネルギーを受け、架橋反応を行うことで、薄膜全体がネットワークを組み、その結果、有機溶媒に難溶となる等がある。
【００６７】
また、機能層２６上がラミネートフィルム３８によってラミネート（封止）されているので、機能層２６と大気とが接触しない。よって、機能層２６が、大気中に含まれる酸素や水分によって酸化がされず、ダークスポットなどの不良を抑えることができる。なお、処理能力を高めるため、多段式の加熱装置（ホットプレート）を使用することが望ましい。また、大気中でベーク処理ができる（バンク６２の開口部６７内は不活性ガスの雰囲気である）ので、不活性ガスの雰囲気をつくるために装置を大型化しなくても済む。
【００６８】
ステップＳ１９では、次の工程で陰極２５を形成するために、基板１１ａ上に形成されたラミネートフィルム３８を剥離する。
【００６９】
ステップＳ２０では、基板１１ａ上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極２５（図３参照）を形成する。
【００７０】
ステップＳ２１では、陰極２５上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００７１】
なお、ステップＳ１８の後、例えば、ラミネートフィルム３８の下側（開口部６７内）に膜を形成する等の必要がある場合、ステップＳ２２（剥離工程）に移行し、ラミネートフィルム３８を剥離する。剥離する方法としては、物理的（機械的）に行う（例えば、手で剥がす）。なお、この処理は、真空中で行う。その後、必要な成膜を行う。
【００７２】
ステップＳ２３（再ラミネート処理工程）では、再びラミネート処理する。なお、上述したラミネート処理と同様、真空中で行う。その後、ステップＳ１９に移行する。例えば、この後、基板１１ａを保管するようにしてもよい。
【００７３】
なお、上述した機能層２６の材料は、多層構造を形成可能な材料であれば良く、低分子材料であっても良いし、高分子材料であっても良い。
【００７４】
本実施形態では、高分子材料を用いて機能層２６を形成した。詳しくは、高分子材料（溶質）を溶媒に溶かした溶液をインクとして用いたインクジェット法によって、機能層２６を形成している。なお、溶液の塗布は、インクジェット法に限定するものではなく、溶液を塗布可能な方法であれば良い。例えば、ジェットディスペンサー法や、ニードルディスペンサー法などのディスペンサー法を用いることもできる。または、キャスティング法、スピンコート法であっても良い。
【００７５】
以下、機能層２６の材料としての高分子材料の好適例を列挙する。まず、溶液の溶媒について説明する。なお、インクジェット法に用いるインクの濃度は、０．０５ｗｔ％〜２ｗｔ％程度が望ましい。
【００７６】
溶媒としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラリン、3-フェノキシトルエン、シクロへキシルベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、などの芳香族系溶媒を用いることができる。また、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコール、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒や、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素系溶媒であっても良い。また、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの炭化水素系溶媒、アセトン、N-メチル-2-ピロリジノン、メチルエチルケトン、テトラロン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒であっても良い。また、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトニトリルなどの二トリル系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシドなどの硫黄化合物溶媒、および水であっても良い。また、これらの溶媒を２種類以上混ぜ合わせた溶液を溶媒として用いても良い。
【００７７】
続いて、正孔注入層６３の材料について説明する。正孔注入層６３の材料としては、上述した材料を含み、更に、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を用いることができる。また、これらの物質をエチレングリコールやジエチレングリコールなどのグリコール系溶媒に溶解した溶液として用いる。好適例としては、エーテル系溶媒にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを溶解して用いる。
【００７８】
また、銅フタロシアニンＴＡＰＣ、(1,1-ビス[4-(ジ-p-トリル)アミ.ノフェニル]シクロヘキサン))ＴＰＤ  N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(3-メチルフェニル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン、α−ＮＰＤN,N’-ジフェニル-N,N’-ビス-(1-ナフチル)-１,１’ビフェニル-4,4’-ジアミン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン２−ＴＮＡＴＡ、４，４’，４”−トリス（Ｎ, Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミンＴＣＴＡ、Tris-(4-carbazoyl-9-yl-phenyl)-amineスピローＴＡＤ、（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ、ＨＴＭ１、Tri-p-tolylamineHTM2,1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexaneＴＰＴ１、1,3,5-tris(4-pyridyl)-2,4,6-triazinTPTE、Triphenylamine-tetramerなども用いることができる。
【００７９】
次に、図示しないが、正孔輸送層の材料について説明する。正孔輸送層は、正孔注入層６３の上に形成されている。正孔輸送層の材料としては、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系などの高分子有機材料を用いることができる。また、正孔注入層６３で用いた材料、例えば、ＴＡＰＣ、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡ、スピローＴＡＤ、（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ、ＨＴＭ１、ＴＰＴＥなどの材料を用いても良い。
【００８０】
次に、発光層６４の材料について説明する。発光層６４は、正孔輸送層上に形成されている。まず、高分子系の蛍光発光材料としては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニリン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体を用いることができる。好適例としては、アメリカンダイソース社製のＡＤＳ１０９ＧＥ、ＡＤＳ１１１ＲＥ、ＡＤＳ１３６ＢＥ（いずれも商標）が挙げられる。
【００８１】
また、低分子系の材料を用いる場合、発光層６４は、ホスト材料とゲスト材料とから構成される。ホスト材料としては、ＣＢＰ（4,4’-bis(9-dicarbazolyl)-2,2’-biphenyl）、ＢＡｌｑ（Bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminium）、ｍＣＰ（N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl）、ＤＣＢ（N,N’-Dicarbazolyl-1,4-dimethene-benzene）、Ｐ０６（2,7-bis(diphenylphosphine oxide)-9,9-dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（3,5-bis(9-carbazolyl)tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（W-bis(triphenylsilyl)benzene）などを用いることができる。
【００８２】
ゲスト材料における燐光材料としては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Fac-tris(2-phenypyridine)iridium）、Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis(2-phenyl-pyridinato-N,C2)iridium(acetylacetone）、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis(2-phenylbenxothiozolato-N,C2’)iridium(III)(acetylacetonate)）、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis(2-2'-benzothienyl)-pyridinato-N,C3）Iridium(acetylacetonate）、ＦＩｒｐｉｃ（Iridium-bis(4,6difluorophenyl-pyridinato-N,C.2.)-picolinate）、Ｉｒ（ｐｍｂ）３（Iridium-tris(1-phenyl-3-methylbenzimidazolin-2-ylidene-C,C(2)'）、ＦＩｒＮ４（（(Iridium (III)bis(4,6-difluorophenylpyridinato)(5-(pyridin-2-yl)-tetrazolate）、Ｆｉｒｔａｚ（（Iridium(III)bis(4,6-difluorophenylpyridinato)(5-(pyridine-2-yl)-1,2,4-triazo-late）、ＰｔＯＥＰ（2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphine,platinum(II）などを用いることができる。
【００８３】
ゲスト材料における蛍光材料としては、Alq3(8-ヒドロキシキノリナート)アルミニウム,ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどを用いることができる。なお、ホスト材料にゲスト材料をドーピングする方式に限定するものではなく、これらの材料単一で発光層６４として用いてもよい。
【００８４】
次に、図示しない正孔阻止層の材料について説明する。正孔阻止層としては、BALq、OXD-1 1,3,5-トリ(5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール)、BCP(Bathocuproine）、PBD(2-(4-ビフェニル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-オキサジアゾール、TAZ（3-(4-ビフェニル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール、DPVBi4,4’-ビス(1,1-ジフェニルエテニル)ビフェニル、BND  2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール、DTVBi  4,4’-ビス(1,1-ビス(4-メチルフェニル)エテニル)ビフェニル、BBD 2,5-ビス(4-ビフェニリル)-1,3,4-オキサジアゾールなどを用いることができる。また、オキサジアゾール系高分子化合物や、トリアゾール系高分子化合物であっても良い。
【００８５】
次に、図示しない電子輸送層の材料について説明する。電子輸送層としては、Ａｌｑ3(8-ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などを用いることができる。また、前述した正孔阻止層の材料も、電子輸送層の材料として用いることができる。
【００８６】
また、上記した有機ＥＬ装置１１は、テレビ、携帯電話機、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。
【００８７】
以上詳述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法、及び有機ＥＬ装置の製造装置によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８８】
（１）本実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法によれば、機能層２６上をラミネートフィルム３８でラミネート（封止）して大気と遮断するので、機能層２６と大気（酸素）とが接触することによる機能層２６の特性（品質）が低下することを抑えることができる。また、機能層２６が大気と遮断されているので、量産工程において、有機ＥＬ装置１１を大気中に保管することが可能となり、大気と遮断するための装置を新たに設備投資をすることなく、かかるコストを抑えることができる。また、大気中で保管できるので、量産における工程管理がしやすくなる。
【００８９】
（２）本実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法によれば、ラミネートフィルム３８によって機能層２６がラミネートされているので、機能層２６にベーク処理を施す際に、機能層２６が大気と接触することを防ぐことができる。よって、酸素や水分などに起因する、機能層２６が発光しないなどの不良を抑えることができる。更に、ベーク処理によって、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。
【００９０】
（３）本実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法によれば、ラミネートフィルム３８を剥離によって除去するので、液体を用いて溶解させる場合のように、既に形成されている機能層２６に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。よって、機能層２６の特性が劣化することを防ぐことができる。
【００９１】
（４）本実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造装置によれば、ラミネーター７１によって機能層２６上にラミネートフィルム３８をラミネートするので、機能層２６と酸素や水分と接触することを防ぐことができる。更に、ベーク装置８１によって、機能層２６が大気と遮断された状態で機能層２６にベーク処理を施すので、有機溶媒への不溶化機能を付加することができる。これにより、機能層２６と酸素とが接触することによる機能層２６の特性が低下することを抑えることができる。更に、常に真空中（不活性ガスの雰囲気）で処理する場合のように、新たに製造装置を大型化する必要がなく、設備投資を抑えることが可能となり、かかるコストを抑えることができる。
【００９２】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００９３】
（変形例１）
上記したように、有機ＥＬ装置１１は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる発光素子２７を有するものに限定されない。例えば、白色などの単色発光が可能な照明装置に適用してもよい。また、発光素子２７を白色発光するトップエミッション構造として、発光素子２７の上方にカラーフィルターを備える構成としてもよい。
【００９４】
（変形例２）
上記した実施形態では、有機ＥＬ装置１１における機能層２６の製造方法を例に説明したが、これに限定されず、液晶装置などのカラーフィルターの製造方法に適用するようにしてもよい。
【００９５】
（変形例３）
上記したように、ベーク処理は、ベーク装置８１を用いて行うことに限定されず、例えば、赤外線を用いて行うようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１１…有機ＥＬ装置、１１ａ…基板、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…駆動用ＴＦＴ、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２６ａ，２６ｂ…機能液、２７…発光素子、３１…基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、３８…フィルムとしてのラミネートフィルム、４２…発光領域、４３…回路素子層、４４…発光素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６，５７…コンタクトホール、６２…隔壁としてのバンク、６３…正孔注入層、６４…発光層、６６…絶縁層、６７…開口部、７１…ラミネーター、７２…搬送ベルト、７３…搬送ローラー、７５…供給ローラー、７６…テンションローラー、７７…加圧ローラー、７８…圧着ローラー、８１…ベーク装置、８２…ホットプレート。
【図１】
0005736879.tif 000002
【図２】
0005736879.tif 000003
【図３】
0005736879.tif 000004
【図４】
0005736879.tif 000005
【図５】
0005736879.tif 000006
【図６】
0005736879.tif 000007
【図７】
0005736879.tif 000008