(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側にマグネシウム酸化物を含む絶縁障壁層及び電極層を順に配置した積層構造体に対して、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加するとともに、前記磁気異方性制御層、前記絶縁障壁層および前記超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性を、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間のみに強磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加することにより制御し、前記超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起することを特徴とする電界駆動型強磁性共鳴励起方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電界駆動型強磁性共鳴励起方法において、
前記超薄膜強磁性層の膜厚が、該超薄膜強磁性層の材質及び膜厚、前記磁気異方性制御層の材質並びに前記絶縁障壁層の材質及び膜厚に応じて、伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い膜厚に設定されていることを特徴とする電界駆動型強磁性共鳴励起方法。
【請求項３】
請求項２に記載の電界駆動型強磁性共鳴励起方法において、
前記超薄膜強磁性層の膜厚は、前記高周波成分を有する電界を印加することによって誘起される最大の垂直磁気異方性磁界変化量が、前記磁気異方性制御層、前記絶縁障壁層及び前記超薄膜強磁性層の組み合わせによって決定される、前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性の５％以上となるように決定することを特徴とする電界駆動型強磁性共鳴励起方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電界駆動型強磁性共鳴励起方法において、
前記磁気異方性制御層及び前記絶縁障壁層との界面磁気異方性若しくは結晶磁気異方性を選定することにより、前記超薄膜強磁性層の膜面直方向の有効反磁界が１０００(Ｏｅ)以下であることを特徴とする電界駆動型強磁性共鳴励起方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに１項に記載の電界駆動型強磁性共鳴励起方法において、
前記磁気異方性制御層として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄまたはそれらの合金を用いることを特徴とする電界駆動型強磁性共鳴励起方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の電界駆動型強磁性共鳴励起方法において、
前記積層構造体に、前記電極層の反対側に、バイアス磁界を印加するためのバイアス磁性層を設け、該電極層とバイアス磁性層の間に、直流電界と前記磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を重畳させて印加することにより、任意の平衡磁化方向周りにおける強磁性共鳴を励起することを特徴とする電界駆動型強磁性共鳴励起方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の電界駆動型強磁性共鳴励起方法において、
前記絶縁障壁層の抵抗面積値が１０Ωμｍ2以上であり、電圧印加時において該絶縁障壁層を介して流れるトンネル電流密度が１×１０9Ａ／ｍ2以下としたことを特徴とする電界駆動型強磁性共鳴励起方法。
【請求項８】
伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側にマグネシウム酸化物を含む材料からなる絶縁障壁層、及び、電極層を順に配置した積層構造体と
該積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する手段と、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間のみに磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する電界印加手段とを備え、
前記磁気異方性制御層、前記絶縁障壁層、及び前記超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性を前記電界印加手段により制御し、前記超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起して局所的に発生させたスピン波を、前記超薄膜強磁性層あるいは前記磁気異方性制御層と連続して形成した少なくとも１つ以上のスピン波導波路から取り出すようにしたことを特徴とするスピン波信号生成素子。
【請求項９】
請求項８に記載のスピン波信号生成素子において、
前記スピン波導波路上にスピン波信号検出部を有することを特徴とするスピン波信号生成素子。
【請求項１０】
請求項９に記載のスピン波信号生成素子において、
前記スピン波信号検出部は、前記超薄膜強磁性層上に前記絶縁障壁層を介して設置された高周波信号伝送路により形成され、スピン波により発生する誘導起電力を用いて信号を検出することを特徴するスピン波信号生成素子。
【請求項１１】
請求項９に記載のスピン波信号生成素子において、
前記スピン波信号検出部は、前記超薄膜強磁性層上に形成された、前記絶縁障壁層及び強磁性層からなる積層構造から形成され、信号の検出に前記絶縁障壁層を介したトンネル磁気抵抗効果を用いることを特徴とするスピン波信号生成素子。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれか１項に記載のスピン波信号生成素子において、
前記積層構造体に、前記電極層の反対側に、バイアス磁界を印加するためのバイアス強磁性層を設け、該電極層とバイアス強磁性層の間に、直流電界及び磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を重畳させて印加することにより、任意の平衡磁化方向周りにおける強磁性共鳴を励起させ、伝搬するスピン波の周波数を任意に制御することを特徴とするスピン波信号生成素子。
【請求項１３】
請求項８に記載のスピン波信号生成素子において、
前記スピン波導波路の一部に前記絶縁障壁層及び前記電極層からなる積層構造を設け、前記磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界に加え、直流電圧信号を印加することによって、前記スピン波導波路を形成する超薄膜強磁性層の磁気異方性を局所的に直接制御することで、該スピン波導波路を伝搬するスピン波の周波数、波長、振幅、位相などの波動性を変化させることを特徴とするスピン波信号生成素子。
【請求項１４】
伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側にマグネシウム酸化物を含む材料からなる絶縁障壁層、及び、電極層を順に配置した積層構造体と、
該積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する手段と、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間のみに、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する電界印加手段とを備え、
前記磁気異方性制御層、絶縁障壁層、および超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜磁性層の垂直磁気異方性を、前記電界印加手段により前記電界を印加することにより制御し、前記超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起して局所的に発生させた純スピン流を、前記磁気異方性制御層内に生成し、該前記磁気異方性制御層をスピン流伝送路としたことを特徴とするスピン流信号生成素子。
【請求項１５】
請求項１４に記載のスピン流信号生成素子において、
前記積層構造体に、前記電極層の反対側に、バイアス磁界を印加するためのバイアス強磁性層を設け、該電極層とバイアス強磁性層の間に、直流電界及び磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を重畳させて印加することにより、任意の平衡磁化方向周りにおける強磁性共鳴を励起させ、伝搬するスピン流の強度を任意に制御することを特徴とするスピン波信号生成素子。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載のスピン流信号生成素子において、
前記磁気異方性制御層がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄまたはそれらのうち少なくとも１つを含む合金のいずれかからなるスピン流信号生成素子。
【請求項１７】
請求項１４から１６のいずれか１項に記載のスピン流信号生成素子において、
前記スピン流を伝送信号とし、前記磁気異方性制御層をスピン流伝送路とし、該磁気異方性制御層に逆スピンホール効果を用いたスピン流検出部を備えることを特徴とするスピン流信号生成素子。
【請求項１８】
請求項１７に記載のスピン流信号生成素子において、
前記スピン流を伝送信号とし、前記磁気異方性制御層からなるスピン流伝送路上に形成された、強磁性層、非磁性スぺーサー層及び強磁性層を順次積層してなるトンネル磁気抵抗素子を、前記スピン流検出部として備えることを特徴とするスピン流信号生成素子。
【請求項１９】
請求項１８に記載のスピン流信号生成素子において、
前記磁気異方性制御層からなるスピン流伝送路上に接するように前記強磁性層を形成し、該強磁性層の磁化方向を制御することを特徴とするスピン流信号生成素子。
【請求項２０】
請求項１９に記載のスピン流信号生成素子において、
前記スピン流信号生成素子を複数組み合わせ、スピン流の合成により、前記強磁性層の磁化方向を制御することを特徴とするスピン流信号生成素子。
【請求項２１】
請求項８から１３のいずれか一項に記載のスピン波信号生成素子を複数組み合わせ、前記磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する手段のそれぞれを介して入力された信号により、前記のスピン波導波路を伝搬するスピン波の波動性を制御することで論理演算を行うことを特徴とするスピン波論理素子。
【請求項２２】
伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側にマグネシウム酸化物を含む材料からなる絶縁障壁層、及び、強磁性層からなる電極層を順に配置した積層構造体と、
該積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する手段と、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間のみに磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する電界印加手段とを備え、
前記磁気異方性制御層、絶縁障壁層、および超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性を、前記電界印加手段により直接制御することによって強磁性共鳴を励起し、前記強磁性層からなる電極層によるトンネル磁気抵抗効果を組み合わせることによって発生する直流電圧により検波を行うことを特徴とする高周波検波素子。
【請求項２３】
請求項２２に記載の高周波検波素子において、
前記積層構造体がバイアス磁界を印加するためのバイアス強磁性層を備え、該積層構造に直流電界と前記磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を重畳させて印加することにより、検波周波数を任意に制御できることを特徴とする高周波検波素子。
【請求項２４】
伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層からなる垂
直磁化磁性媒体層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記垂直磁化磁性媒体層側に絶縁障壁層となるギャップを介して高周波電界アシストヘッドを配置し、書き込み磁界ヘッドにより、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加した上で、前記高周波電界アシストヘッドの先端を電極層として、前記磁気異方性制御層との間にのみ、強磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する電界印加手段を備え、前記磁気異方性制御層、絶縁障壁層、および超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性を前記電界印加手段により制御し、前記垂直磁化磁性媒体層に強磁性共鳴を励起して、該垂直磁化磁性媒体の磁化反転に必要なエネルギー障壁を見かけ上低減することによって、書き込み用磁化反転磁界を低減することを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電界駆動型の強磁性共鳴励起方法の提案を基本とし、この強磁性共鳴励起方法を用いて、スピン波信号を生成するスピン波信号生成素子及びスピン流信号を生成するスピン流信号生成素子、さらには、これらの方法及び素子を使用した、機能素子、論理素子、高周波検波素子及び磁気記録装置等の磁気機能素子等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在の電子情報処理デバイスの根幹を成す技術がCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)テクノロジーであり、時代が求める高性能化、大容量化に応えるべく継続的な製造プロセスの開発、素子の微細化が進められてきた。これらの努力により、いわゆるムーアの法則が保たれてきたが、近年ではCMOSトランジスタの動作原理の微細化限界が現実的な問題となり、そのロードマップの見直しが求められている。この中でも従来のCMOS技術を超える、新原理に基づく技術を目指す分野を総称して”Beyond CMOS”と呼ぶ。Beyond CMOS技術として特に注目されているのが、電子の”電荷”だけではなく、”スピン”自由度を利用し、新規デバイスの創製を目指す、スピントロニクスと呼ばれる分野である。
【０００３】
スピントロニクスにおける代表的なデバイスの例が磁気抵抗効果型固体磁気メモリ(MRAM:Magnetic Random Access Memory)である（例えば非特許文献１を参照）。MRAMでは、磁性素子を含む積層構造体がマトリックス状に配置され、個々の素子記録情報が磁性素子の有する磁気抵抗効果を利用して読み出される。情報の書込みは磁性素子の磁化方向を制御することにより行われる。磁化状態を記録状態に置き換えるため、原理的に不揮発性であることから、低消費電力性、高速性、大容量性、書込み耐性、及び半導体との整合性などすべての条件を満たし得る不揮発性メモリとして期待されている。特に磁性を利用することによる不揮発性は、理想的には情報保持に必要とする待機電力をゼロにすることが可能であることから、グリーンテクノロジーを実現する革新的な技術として重要視されている。
【０００４】
最近では、上記の積層構造において、スピン偏極電流注入によるスピン角運動量移行効果(非特許文献２を参照)を利用し、より直接的に強磁性体の磁化をダイナミックに制御することが可能となり、MRAMなどにおける磁化反転制御だけでなく、トンネル磁気抵抗素子における巨大な磁気抵抗効果（非特許文献３）を積極的に利用した高周波発振素子(非特許文献４を参照)や高周波検波素子(非特許文献５を参照)なども提案・実験実証されている。
一方、連続強磁性体内において、交換相互作用、若しくは双極子相互作用を媒介してスピンの歳差運動が異なる位相を有して波動として伝搬する、「スピン波」を用いて新しいデバイスの創製を目指す”マグノニクス”も注目を集めている（特許文献１、２及び非特許文献６を参照）。
さらに、電荷の流れを伴わないスピン角運動量の流れである、「純スピン流」を利用した信号伝送や磁気機能素子も検討され始めている(特許文献３、４)。純スピンの流れはジュール熱の発生を伴わないため、低損失な情報伝送が可能であると期待されている。
【０００５】
以上のような電子が有するスピン自由度を利用したデバイスへの期待が高まるにつれて、スピン状態を高効率で制御する、強磁性共鳴ダイナミクスの制御法の確立が重要となっている。強磁性共鳴は、強磁性体に対し、静磁界印加下において、それと直交する方向に高周波磁界を印加することにより励起される。印加高周波磁界の周波数が強磁性体が有する固有の共鳴周波数と一致する場合に、印加エネルギーが高効率で吸収され、共鳴ダイナミクスが励起される。
こうした磁気デバイスのうち、特にスピン波や純スピン流は、このFMRダイナミクス励起によって生成することが可能であり、その制御法が応用技術化において重要な鍵となる。
また、最近では磁気記録分野においても、共鳴運動を用いた磁化反転磁場低減の試みがなされており、次世代の磁気記録方式として注目を集めている（非特許文献７）。
【０００６】
これまで、この強磁性共鳴励起に必要な高周波磁界は、Cavityを用いた電磁界印加や、基板上に作製したコプレーナウェーブガイドなどの伝送路への高周波電流印加によって発生する電流磁界が利用されてきた。しかしながら、これらの方法によって発生する磁界は空間的な分布を有するため、例えば素子スケールが数百ｎｍ以下のオーダーに至った場合に、隣接素子間での干渉などが問題となる。上記に述べた、スピン角運動量トランスファー効果を利用した共鳴励起法（非特許文献５を参照）を利用すれば、素子内に制限した局所的な共鳴励起が可能となる。しかしながら、電流磁界やスピン角運動量トランスファー効果といった、電流を駆動力とする手法は高消費電力となることが問題となっている。
例として磁化反転制御に必要な電力を考える。室温のエネルギーｋBＴ（ｋBはボルツマン定数、Ｔは温度）を指標として表わすと、１００ｎｍ角オーダーの磁性薄膜素子の磁化反転に必要なエネルギーは、電流磁界の場合で１０6〜１０7ｋBＴ、スピン角運動量トランスファー効果の場合で１０5〜１０6ｋBＴオーダーで必要となる。一方、１０年以上の情報保持に必要なエネルギーは６０ｋBＴ程度であり、電流をベースとしたスピン制御法がいかに低効率な技術であるかが分かる。
【０００７】
これらの問題を解決する大きなブレークスルーの１つが、電界によるスピン状態制御法を確立することである。電界による磁化状態制御、特に磁化反転制御の試みはさまざまな形態で成されている。例えば代表的なものとして、磁性薄膜をピエゾ素子と接合させ、ピエゾ素子への電圧印加による歪を利用し、磁性薄膜の磁歪効果を制御する方法（特許文献５を参照）、強磁性半導体のキャリア濃度制御によって磁性を制御する方法（非特許文献８を参照）、単相マルチフェロイック材料(特許文献６を参照)及び強磁性/マルチフェロイック複合構造（非特許文献９）における電気磁気効果を利用する方法などがある。
【０００８】
しかしながら、いずれの手法においても、応用上必要とされる、
（１）室温動作が可能であること。
（２）高い繰り返し動作耐性を有すること。
（３）作製プロセスが単純であること。
などの要件をすべて満たす技術は確立されていない。
これらの３条件をすべて満たし得る技術として、数原子層オーダーの超薄膜金属磁性層の磁気異方性を電圧印加によって直接制御する方法があり、この現象を用いた磁化容易軸制御方法や磁化反転制御方法が提案されている（特許文献７）。この技術の重要な特徴として、応用上重要なスピントロニクスデバイスである強磁性トンネル接合素子と基本構造が同じであり、比較的容易に既存のプロセスへの導入が可能である点が挙げられる。
しかしながら、こうした電界制御法は、すべて静電界印加効果に限られており、高周波電界印加による強磁性共鳴ダイナミクス励起制御方法の提案はなされていない。
高周波電圧印加による電界駆動型の強磁性共鳴励起が可能となれば、電子スピン共鳴を利用したデバイスの信号入力構成を根本的に置き換える重要な技術となり、さまざまな低消費電力磁気機能素子の提供が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開WO2007/037625
【特許文献２】特開2010-205975号公報
【特許文献３】特開2009-295824号公報
【特許文献４】国際公開  WO2011/004891
【特許文献５】特開2001-93273号公報
【特許文献６】国際公開  WO2007/135817
【特許文献７】国際公開  WO2009/133650
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】C. Chappertet al. Naturematerials、6、813 (2007).
【非特許文献２】J. C. Slonczewski、J. Magn. Magn. Mater. 159、L1 (1996).
【非特許文献３】S. Yuasa et al. Nature Materials 3、868(2004).
【非特許文献４】A. Deac et al. Nature Phys. 4、803 (2008).
【非特許文献５】A. A. Turapurkar et al. Nature 438、339(2005).
【非特許文献６】V. V. Kruglyak et al. J. Phys. D: Appl.Phys. 43、264001 (2010).
【非特許文献７】J. -G. Zhu et al. IEEE Trans. Magn. 44、125 (2008).
【非特許文献８】H. Ohno et al. Nature 408、944 (2007).
【非特許文献９】Y. -H. Chu et al. Nature Materials 7、478 (2008).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、以上の事情を考慮してなされたものであって、究極的に低消費電力な電界駆動型強磁性共鳴励起手法、及び、この電界駆動型強磁性共鳴励起手法を用いたスピン波・スピン流信号生成素子、及び、それを用いた論理素子、また、高周波検波素子及び磁気記録装置等の磁気機能素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この技術課題を解決するため、本発明による電界強磁性共鳴励起方法では、次のような技術的手段を講じた。すなわち、
（１）伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側にマグネシウム酸化物を含む絶縁障壁層、及び、電極層を順に配置した積層構造体に対して、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加するとともに、前記磁気異方性制御層、前記絶縁障壁層及び前記超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性を、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間のみに、強磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加することにより制御し、前記超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起する。
【００１３】
（２）前記超薄膜強磁性層の膜厚が、該超薄膜強磁性層の材質及び膜厚、前記磁気異方性制御層の材質並びに前記絶縁障壁層の材質及び膜厚に応じて、伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い膜厚に設定されるようにした。
【００１４】
（３）前記超薄膜強磁性層の膜厚は、前記高周波成分を有する電界を印加することによって誘起される最大の垂直磁気異方性磁界変化量が、前記磁気異方性制御層、前記絶縁障壁層及び前記超薄膜強磁性層の組み合わせによって決定される、前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性の５％以上となるように決定した。
【００１５】
（４）前記磁気異方性制御層及び前記絶縁障壁層との界面磁気異方性若しくは結晶磁気異方性を選定することにより、前記超薄膜強磁性層の膜面垂直方向の有効反磁界が１０００(Ｏｅ)以下になるようにした。
【００１６】
（５）前記磁気異方性制御層として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄまたはそれらの合金を用いた。
【００１７】
（６）前記積層構造体に、前記電極層の反対側に、バイアス磁界を印加するためのバイアス磁性層を設け、該電極層とバイアス磁性層の間に、直流電界と前記磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を重畳させて印加することにより、任意の平衡磁化方向周りにおける強磁性共鳴を励起するようにした。
【００１８】
（７）前記絶縁障壁層の抵抗面積値が１０Ωμｍ2以上であり、電圧印加時において該絶縁障壁層を介して流れるトンネル電流密度が１×１０9Ａ／ｍ2以下とした。
【００１９】
また、上記電界強磁性共鳴励起方法を利用した本発明のスピン波信号生成素子では、次のような技術的手段を講じた。すなわち、
（８）伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側にマグネシウム酸化物を含む材料からなる絶縁障壁層、及び、電極層を順に配置した積層構造体と、該積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する手段と、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間のみに磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する電界印加手段とを備え、前記磁気異方性制御層、前記絶縁障壁層、及び前記超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性を前記電界印加手段により制御し、前記超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起して局所的に発生させたスピン波を、前記超薄膜強磁性層あるいは前記磁気異方性制御層と連続して形成した少なくとも１つ以上のスピン波導波路から取り出すようにした。
【００２０】
（９）前記スピン波導波路上にスピン波信号検出部を有するようにした。
【００２１】
（１０）前記スピン波信号検出部は、前記超薄膜強磁性層上に前記絶縁障壁層を介して設置された高周波信号伝送路により形成され、スピン波により発生する誘導起電力を用いて信号を検出するようにした。
【００２２】
（１１）前記スピン波信号検出部は、前記超薄膜強磁性層上に形成された、前記絶縁障壁層及び強磁性層からなる積層構造から形成され、信号の検出に前記絶縁障壁層を介したトンネル磁気抵抗効果を用いるようにした。
【００２３】
（１２）前記積層構造体に、前記電極層の反対側に、バイアス磁界を印加するためのバイアス強磁性層を設け、該電極層とバイアス強磁性層の間に、直流電界及び磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を重畳させて印加することにより、任意の平衡磁化方向周りにおける強磁性共鳴を励起させ、伝搬するスピン波の周波数を任意に制御するようにした。
【００２４】
（１３）前記スピン波導波路の一部に前記絶縁障壁層及び前記電極層からなる積層構造を設け、前記磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界に加え、直流電圧信号を印加することによって、前記スピン波導波路を形成する超薄膜強磁性層の磁気異方性を局所的に直接制御することで、該スピン波導波路を伝搬するスピン波の周波数、波長、振幅、位相などの波動性を変化させるようにした。
【００２５】
また、上記電界強磁性共鳴励起方法を利用した本発明のスピン流信号生成素子では、次のような技術的手段を講じた。すなわち、
（１４）伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側にマグネシウム酸化物を含む材料からなる絶縁障壁層、及び、電極層を順に配置した積層構造体と、該積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する手段と、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間のみに、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する電界印加手段とを備え、前記磁気異方性制御層、絶縁障壁層、及び、超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜磁性層の垂直磁気異方性を、前記電界印加手段により前記電界を印加することにより制御し、前記超薄膜強磁性層に強磁性共鳴を励起して局所的に発生させた純スピン流を、前記磁気異方性制御層内に生成し、該前記磁気異方性制御層をスピン流伝送路た。
【００２６】
（１５）前記積層構造体に、前記電極層の反対側に、バイアス磁界を印加するためのバイアス強磁性層を設け、該電極層とバイアス強磁性層の間に、直流電界及び磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を重畳させて印加することにより、任意の平衡磁化方向周りにおける強磁性共鳴を励起させ、伝搬するスピン流の強度を任意に制御するようにした。
【００２７】
（１６）前記磁気異方性制御層として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄまたはそれらのうち少なくとも１つを含む合金のいずれかを使用した。
【００２８】
（１７）前記スピン流を伝送信号とし、前記磁気異方性制御層をスピン流伝送路とし、該磁気異方性制御層に逆スピンホール効果を用いたスピン流検出部を備えるようにした。
【００２９】
（１８）前記スピン流を伝送信号とし、前記磁気異方性制御層からなるスピン流伝送路上に形成された、強磁性層、非磁性スぺーサー層及び強磁性層を順次積層してなるトンネル磁気抵抗素子を、前記スピン流検出部として備えるようにした。
【００３０】
（２０）前記スピン流信号生成素子を複数組み合わせ、スピン流の合成により、前記強磁性層の磁化方向を制御するようにした。
【００３１】
また、上記のスピン波信号生成素子を利用して、本発明では、次のようなスピン波及びスピン流論理素子を構成した。すなわち、
（２１）上記のスピン波信号生成素子を複数組み合わせ、前記磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する手段のそれぞれを介して入力された信号により、前記のスピン波導波路を伝搬するスピン波の波動性を制御することで論理演算を行うスピン波論理素子を構成した。
【００３２】
また、上記の電界強磁性共鳴励起方法を利用した、本発明による高周波検波素子及び磁気記録素子では次のような技術的手段を講じた。すなわち、
（２２）伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記超薄膜強磁性層側にマグネシウム酸化物を含む材料からなる絶縁障壁層、及び、強磁性層からなる電極層を順に配置した積層構造体と、該積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加する手段と、前記磁気異方性制御層と前記電極層との間のみに磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する電界印加手段とを備え、前記磁気異方性制御層、絶縁障壁層、及び、超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性を、前記電界印加手段により直接制御することによって強磁性共鳴を励起し、前記強磁性層からなる電極層によるトンネル磁気抵抗効果を組み合わせることによって発生する直流電圧により検波を行う高周波検波素子を構成した。
【００３３】
（２３）上記の高周波検波素子において、前記積層構造体がバイアス磁界を印加するためのバイアス強磁性層を備え、該積層構造体に直流電界と前記磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を重畳させて印加することにより、検波周波数を任意に制御できるようにした。
【００３４】
（２４）伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層からなる垂直磁化磁性媒体層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、前記垂直磁化磁性媒体層側に絶縁障壁層となるギャップを介して高周波電界アシストヘッドを配置し、書き込み磁界ヘッドにより、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加した上で、前記高周波電界アシストヘッドの先端を電極層として、前記磁気異方性制御層との間にのみ、強磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加する電界印加手段を備え、前記磁気異方性制御層、絶縁障壁層、及び、超薄膜強磁性層自身により付与された前記超薄膜強磁性層の垂直磁気異方性を前記電界印加手段により制御し、前記垂直磁化磁性媒体層に強磁性共鳴を励起して、該垂直磁化磁性媒体の磁化反転に必要なエネルギー障壁を見かけ上低減することによって、書き込み用磁化反転磁界を低減する磁気記録装置を構成した。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、積層構造体に特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加した上で、磁気異方性制御層と電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加するだけで、効率よく強磁性共鳴ダイナミクスを励起することができ、先に説明した３つの条件を同時に満足することができる。
しかも、電界印加によるものであることから、きわめて微小の消費電力で強磁性共鳴を励起させることができるので、電界駆動を基本とした強磁性共鳴励起を行うスピン波信号生成素子、スピン流信号生成素子を信号入力・制御に用いた論理素子や、高周波検波素子及び磁気記録装置等、さまざまな磁気機能素子として利用することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の原理を説明するためのトンネル接合素子の構造模式図
【図２】実施例１における電界強磁性共鳴励起手法の基本構造例
【図３】実施例１におけるホモダイン検波測定回路模式図
【図４】（ａ）実施例１におけるホモダイン検波信号例、（ｂ）実施例１における強磁性共鳴周波数の外部磁界強度依存性を示す図
【図５】（ａ）実施例１におけるホモダイン検波信号強度の外部磁界印加角度及び磁界強度依存性、（ｂ）実施例１におけるホモダイン検波信号強度の磁界印加角度依存性を示す図
【図６】実施例１におけるホモダイン検波信号強度の印加高周波電圧依存性を示す図
【図７】実施例１におけるマクロスピンモデルシミュレーションに基づく電界強磁性共鳴ダイナミクスの計算例を示す図
【図８】実施例２におけるスピン波信号生成素子の基本構造例
【図９】実施例３におけるスピン波信号生成素子の基本構造例
【図１０】実施例４におけるスピン波信号生成素子の基本構造例
【図１１】実施例５におけるスピン波信号生成素子の基本構造例
【図１２】実施例６におけるスピン波信号生成素子の基本構造例
【図１３】実施例７におけるスピン波信号素子を使用した機能素子の基本構造例
【図１４】実施例８におけるスピン波信号素子を使用した機能素子の基本構造例
【図１５】実施例９における（ａ）スピン波信号生成素子を使用した機能素子の基本構造例、（ｂ）スピン波信号を利用したOR論理回路の概念図、（ｃ）スピン波信号を利用しＡＮＤ論理回路の概念図
【図１６】実施例１０における（ａ）第１０実施形態におけるスピン波信号生成素子を使用した機能素子の基本構造例、（ｂ）スピン波信号生成素子を使用したＸＯＲ論理回路の概念図
【図１７】実施例１１における（ａ）第１１実施形態におけるスピン波信号生成素子を使用した機能素子の基本構造例、（ｂ）スピン波信号生成素子を使用したＮＯＴ論理回路の概念図
【図１８】実施例１２におけるスピン流信号生成素子の基本構造例
【図１９】実施例１３におけるスピン流信号生成素子の基本構造例
【図２０】実施例１４におけるスピン流信号生成素子の基本構造例
【図２１】実施例１５におけるスピン流信号生成素子の基本構造例
【図２２】実施例１６におけるスピン流信号生成素子の基本構造例
【図２３】実施例１７における（ａ）スピン流信号生成素子を使用した機能素子の基本構造例、（ｂ）実施例１８におけるスピン流信号生成素子を使用した機能素子の基本構造例
【図２４】実施例１９における高周波検波素子の基本構造例
【図２５】実施例２０における高周波検波素子の基本構造例
【図２６】実施例２１における磁気記録装置の概念図
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明による電界駆動強磁性共鳴励起手法、及びこれを用いた磁気機能素子について図面を用いて説明する。
【実施例】
【００３８】
図１は、本発明の原理を説明するための基本構造を示しており、磁気異方性制御層１、超薄膜強磁性層２、絶縁障壁層３及び上部電極層４からなる積層構造を備え、外部に設置された磁界印加装置により、特定の磁界印加角度及び磁界強度で磁界を印加できるようになっており、磁気異方性制御層１と上部電極層４間に高周波電圧信号５を供給することによって、外部より印加した任意の磁界の周りに強磁性共鳴を励起する。なお、磁界は、積層構造の外部に、所定の磁界強度を有する永久磁石のＮ極とＳ極を対向配置させ、超薄膜強磁性層２の面方向に対する磁界印加角度を調整できるようにしてもよいし、後述するように、バイアス磁性層を配置して、磁気異方性制御層１と上部電極層４との間に直流電圧を印可することにより、超薄膜強磁性層２における有効磁界を調整できるようにしてもよい。
また、超薄膜強磁性層２と磁気異方性制御層１については、両者を直接積層することが必要であるが、絶縁障壁層３及び上部電極層４は、必ずしも超薄膜強磁性層２あるいは磁気異方性制御層１に直接する積層する必要はなく、上部電極層４として、超薄膜強磁性層２から微小空隙離隔した電極を使用し、この空隙を絶縁障壁層３としてもよい。
【００３９】
ここで、高周波電圧信号５には、連続波、パルス波状の高周波信号に加えて、パルス幅、若しくは立ち上がり時間が共鳴周波数の逆数程度の短い時間幅(具体的には数ｎｓ以下)を有する直流電圧パルスも含む。
また、磁気異方性制御層１には、超薄膜強磁性層２との界面において、強い界面磁気異方性を誘起する材料、若しくは超薄膜強磁性層２とのエピタキシャル関係を保持し、超薄膜強磁性層２に結晶磁気異方性に由来する強い垂直磁気異方性を誘起する材料が有効であり、超薄膜強磁性層２に使用する材料との組み合わせにより最適構造が決定される。具体的な材料としては、非磁性金属材料のＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄなどの貴金属や遷移金属元素からなる層、またはこれらのうち、少なくとも１つの元素を含む合金層、またはそれらの積層構造を挙げることができる。また、後述する絶縁障壁層３の膜厚、若しくは面積抵抗の条件値よりも十分に薄い膜厚、若しくは低い面積抵抗値を有する非磁性絶縁材料を用いることもできる。具体的な材料としては、アルミニウム、マグネシウム、ハフニウム、セリウム、ストロンチウム、タンタル、バリウム、ジルコニウム、及びチタンなどを含む酸化物、窒化物、並びにフッ化物などからなる層が挙げられる。
【００４０】
超薄膜強磁性層２には、例えばＦｅ、Ｃｏ及びＮｉ、若しくはこれらのうち、少なくとも１つの元素を含む合金層、またはＮｄ、Ｓｍ、Ｔｂなどの希土類元素を含む化合物及び合金等からなる層、若しくは上記材料を含む積層構造体を用いることができ、その膜厚は、伝導電子による電界シールドが発生しない程度に十分に薄くする必要があり、図１の基本構造では、数原子層オーダーとしている。
【００４１】
絶縁障壁層３には面積抵抗値が１０Ωμｍ2以上で、素子に流れる電流密度が１×１０9Ａ／ｍ2以下となるように設計された障壁層を用いることが有効である。
具体的な材料としては、アルミニウム、マグネシウム、ハフニウム、セリウム、ストロンチウム、タンタル、バリウム、ジルコニウム、及びチタンなどを含む酸化物、窒化物、並びにフッ化物などからなる層が挙げられる。
【００４２】
上部電極層４には、非磁性金属材料であるＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕなど、あるいは、これらの非磁性金属材料のうち、少なくとも１つの元素を含む合金層、またはそれらの積層構造を挙げることができる。また、上部電極層４に強磁性電極層を用いることも可能であり、具体的な材料としては、超薄膜強磁性層２と同様の材料を用いることができる。
【００４３】
効率的に電界によって強磁性共鳴を励起する、つまり同じ電界強度により大きな歳差運動角を励起するためには、超薄膜強磁性層２が有する垂直磁気異方性の設計が重要となる。
最も電界供給に対する磁化ダイナミクスの応答が高感度となる条件の１つは、膜面垂直方向の有効反磁界が零に近い状況であり、そこでは磁化容易軸の膜面内-面直間遷移が生じる。
加えて、膜面内における磁気異方性(結晶磁気異方性、形状磁気異方性等)に関しても、これらが等方的である場合、磁化は理想的な円軌道をとることが可能となり、高効率な共鳴励起が可能となり得る。膜面垂直方向の有効反磁界の制御は、磁気異方性制御層１、絶縁障壁層３、及び超薄膜強磁性層２に使用する材料と、その膜厚によって設計することが可能であり、これらの材料の組み合わせによってその最適値が決定される。
【００４４】
具体的な設計値の例としては、電界による界面磁気異方性変化の傾きが３０ｆＪ／Ｖｍ程度の場合、膜面垂直方向の有効反磁界を１０００(Ｏｅ)以下とすることで、一般的なトンネル絶縁障壁層の絶縁破壊電圧である１Ｖ／ｎｍ以下の電界によっても、歳差運動角が数十度を超える非線形強磁性共鳴の励起が可能となる。さらに、外部より印加する磁界の強度、角度に応じて、その最適値制御が可能である。
以上は歳差運動角を最大化するための条件であるが、いわゆる線形応答領域の強磁性共鳴の場合、歳差運動の開き角は数度程度であり、高周波磁界による励起の場合、異方性磁界の５％程度の磁界印加で十分である。同様の議論は、電界励起においても適用可能であり、この場合必要な開き角に応じて超薄膜強磁性層の膜厚の厚膜化が可能となる。
例えば、前記の界面磁気異方性変化の傾きを３０ｆＪ/Ｖｍ、印加電界強度を１Ｖ／ｎｍとした場合を仮定すると、超薄膜強磁性層の飽和磁化が１Ｔの場合、電界印加による異方性磁界変化の最大値は、超薄膜強磁性層の膜厚をｔ(ｎｍ)とすると、約７５０/ｔ(Ｏｅ)と表わされる。
この場合、例えば膜厚５nmにおいても、約１５０(Ｏｅ)の異方性変化が誘起され、この変化量が５％に相当する有効反磁界を考えると、有効反磁界が３ｋ(Ｏｅ)程度に設計されていれば線形強磁性共鳴の励起が可能となる。ただし、通常界面磁気異方性の場合は、膜厚の増加とともに有効反磁界が大きくなるため、前記と同様、磁気異方性制御層１、絶縁障壁層３、及び超薄膜強磁性層２に使用する材料と、その膜厚、及び、外部から印加される磁界の条件により最適値が決定される。
【００４５】
［実施例１］
図２は、実験に用いた実施例１のトンネル接合素子の構造模式図である。分子線エピタクシー法を用いてＭｇＯ（００１）基板上に順に、バッファー層６、磁気異方性制御層としてのＡｕ層７（５０ｎｍ）、超薄膜強磁性層としての超薄膜ＦｅＣｏ層８（０．５４ｎｍ）、ＭｇＯ絶縁障壁層９（１.９ｎｍ）、上部Ｆｅ層１０（１０ｎｍ）、電極層を兼ねるキャップ層１１を積層し、キャップ層１１と上部Ｆｅ層１０の側面を、ＭｇＯ障壁層９に至るまでエッチングすることで微細加工を施し、断面積が１×１μｍ2の微小トンネル接合素子としている。
抵抗面積値（ＲＡ）は約９.２ｋΩμｍ2であり、電流による影響（電流磁場若しくはスピン角運動量移行効果）による共鳴励起への影響が十分無視できるように設計されている。
【００４６】
図３に示されるように、高周波電界印加による強磁性共鳴励起の検出にはホモダイン検波法を利用している。
シグナルジェネレーター１２より印加された高周波電圧（Ｖrf＝ＶPｃｏｓ（ωｔ）：周波数はω／２π）により、特定の外部磁場印加下において超薄膜ＦｅＣｏ層８に強磁性共鳴が励起される。
ＭｇＯ絶縁障壁層９を介したトンネル磁気抵抗は、超薄膜ＦｅＣｏ層８と上部Ｆｅ層１０の磁化相対角に依存するため、発生する位相差をφとしたとき、上記共鳴ダイナミクスは素子抵抗の時間変動成分δＲ（ｔ）＝δＲｃｏｓ（ωｔ＋φ）を生む。
【００４７】
一方、高周波電圧信号の印加によって、キャップ層１１とバッファー層５との間に微小に流れるトンネル電流は、磁化方向の平衡点（高周波電圧が印加されていない状態での磁化方向、すなわち超薄膜ＦｅＣｏ層と上部Ｆｅ層の磁化相対角）でのトンネル磁気抵抗をＲ（θ0）として、Ｉrf＝Ｖrf／Ｒ（θ0）で表わされる。
抵抗振動成分とトンネル電流の積（オームの法則）により素子両端に直流電圧及び２ω成分を有する付加電圧成分が発生する。このうち、直流電圧成分を電圧計１３により測定する方法がホモダイン検波法である。
【００４８】
図４（ａ）は印加する高周波電圧信号の電力を４０μＷ（−１４ｄＢｍ）とし、外部磁界を膜面内から５５度傾けて５００(Ｏｅ)印加した場合のホモダイン検波信号例であり、約１.４ＧＨｚを共鳴周波数とする分散型のスペクトルが観測されている。スペクトルの形状は共鳴ダイナミクスを励起するトルクの方向と、超薄膜ＦｅＣｏ層８−上部Ｆｅ層１０間の磁化配置に依存して決定され、本実験の場合、分散型のスペクトルは電界による磁気異方性変化が共鳴励起の起源であると考えることで説明できる。
さらに、強磁性共鳴の重要な特徴である外部磁界強度依存性について調べた結果が図４（ｂ）である。強磁性共鳴周波数の外部磁界依存性は、Kittelの式で表わされることがよく知られており、本実験で得られた結果に関しても黒線で示す理論式でよく再現される。このことからも観測されているスペクトルが強磁性共鳴ダイナミクスに起因するものであることが裏付けられる。
【００４９】
図５（ａ）は図２で示した素子と同じ素子に関して、外部磁界印加角度を３０度から６０度の範囲で変化させ、各外部磁界印加角度毎に外部磁界強度を変化させることにより、信号強度の外部磁界強度依存性を調べた結果である。印加角度を固定した場合に、磁界強度が小さいほど信号強度が大きくなる（共鳴歳差運動角が大きい）傾向が共通として見られる。
さらに、信号強度の大きさは印加角度に大きく依存し、特定の角度（本結果の場合５５度）において最大値を取ることが分かる。
【００５０】
図５（ｂ）は、この傾向を磁界強度が５００(Ｏｅ)の場合を例として示したものである。この角度は磁気異方性制御層、絶縁障壁層の材料及び超薄膜強磁性層の材料及び膜厚、さらには界面状態によって決定される、超薄膜強磁性層が有する垂直磁気異方性の大きさ、及び超薄膜強磁性層の膜面内方向の磁気異方性、素子形状等によってその最適値が決定される。
【００５１】
図６は外部磁界強度、及び印加角度をそれぞれ５００(Ｏｅ)、５５度に固定した条件において調べた、ホモダイン検波信号強度の印加高周波電力（横軸はピーク電圧値の２乗としている）依存性を示している。共鳴歳差運動角は信号強度に比例することから、入力される高周波電圧信号の電力によって歳差運動角を連続的に制御できることを示している。
【００５２】
図７はマクロスピンモデルシミュレーションにより計算した電界強磁性共鳴励起の軌道例である。基本式はLandau-Lifshitz-Gilbert方程式であり、電界による磁気異方性変化を膜面垂直方向（Ｚ軸）の有効磁界変化として導入した。計算に用いたパラメータは以下のとおりであり、すべて実験より得られた数値である。
ゼロ電圧下における膜面垂直方向の有効反磁界：  ４５(Ｏｅ)
Ｘ軸方向を容易軸とする膜面内の異方性磁界：  １５(Ｏｅ)
飽和磁化：  １.４４Ｔ
ダンピング定数：  ０.０２５
ｇ因子：２.０８
面内からの磁界印加角度：  ５５度（ただし、外部磁界の膜面内成分はＸ−Ｚ平面に平行）
印加磁界強度：５００(Ｏｅ)、２０００(Ｏｅ)、３０００(Ｏｅ)
高周波電圧信号の印加による有効反磁界変化量の最大値：７５(Ｏｅ)
【００５３】
実験結果の傾向と同様に、印加磁界が小さいほど歳差運動角は増大し、５００(Ｏｅ)の条件下においては、約５０度を超える歳差運動角が得られている。本結果は膜面垂直方向の有効反磁界を小さく、かつ面内の異方性磁界と同程度となるように設計することにより、円形に近く大きな歳差運動角を有する軌道を高効率で励起可能であることを示している。大きな歳差運動角を得るための素子設計では、磁気異方性制御層、絶縁障壁層の材料及び超薄膜強磁性層の材料及び膜厚、さらには界面状態によって決定される超薄膜強磁性層が有する垂直磁気異方性の大きさ、及び超薄膜強磁性層の膜面内方向の磁気異方性、素子形状、外部印加磁界強度及び角度が重要なパラメーターとなり、これらの設定により各素子での最適値が決定される。
【００５４】
［実施例２］
図８は本発明の実施例２による電界駆動型強磁性共鳴励起方法を実施するための基本構造である。図１の基本構造に加えて、磁気異方性制御層１の下部にバイアス磁性層１４を有している。このバイアス磁性層１４からの漏れ磁界を利用することにより、外部から磁界を印加することなく、超薄膜強磁性層２に一定の固定磁界を印加することが可能となる。
このバイアス磁性層１４は必ずしも磁気異方性制御層１と隣接する必要はなく、絶縁障壁層３を挟んで素子上部側に設けることも可能である。バイアス磁性層１４に適用可能な具体的な材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉ、若しくはこれらの内少なくとも１つの元素を含む合金層、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂなどの希土類元素を含む化合物及び合金等からなる層、若しくは上記材料を含む積層構造体などが挙げられる。
【００５５】
さらにもう１つの特徴は、高周波電圧信号５に加えて、直流電圧信号２３を重畳することである。この直流電圧信号２３の強度、符号を制御することによって、バイアス磁性層１４から印加されるバイアス磁界と超薄膜強磁性層２の磁気異方性の強度関係を制御し、外部より磁界を印加することなく超薄膜強磁性層２の磁化方向を任意に制御することが可能となる。
これにより、任意の磁化方向状態で電界による強磁性共鳴を励起することができる。また、バイアス磁性層１４に反強磁性材料を用い、交換結合磁界を利用することも可能である。この場合、バイアス磁性層１４は超薄膜強磁性層２に隣接するように配置する必要がある。
【００５６】
［実施例３］
図９は実施例３による電界駆動型強磁性共鳴励起方法を用いたスピン波信号生成素子の基本構造である。素子の一部のみに上部電極層４を有し、前記の電界による強磁性共鳴励起をこの上部電極層４と磁気異方性制御層１間にて行う。これにより、上部電極層４直下の超薄膜強磁性層２の領域にのみ強磁性共鳴が励起される。この強磁性共鳴励起は交換相互作用、双極子相互作用、若しくはそれらが組み合わさった相互作用を介してスピン波として超薄膜強磁性層２内を伝搬する。つまり、強磁性共鳴励起部と連続する超薄膜強磁性層２がスピン波伝送路となる。このスピン波信号生成素子を基本として、後述するさまざまな磁気機能素子の構成が可能となる。
【００５７】
［実施例４］
図１０は本発明の実施例４による電界駆動型強磁性共鳴励起方法を用いたスピン波信号生成素子の基本構造の第２例である。図９の基本構造に加えて、前記のバイアス磁性層１４を備え、また、高周波電圧信号５に加えて、図８と同様に、直流電圧信号２３を重畳している。
バイアス磁性層１４からの漏れ磁界強度と、直流電圧信号２３の印加による超薄膜強磁性層２の垂直磁気異方性強度を制御することによって、超薄膜強磁性層２の平衡磁化配置を任意に制御し、これにより超薄膜強磁性層２内を伝搬するスピン波の周波数、強度、伝搬モード等を制御することが可能となる。
【００５８】
［実施例５］
図１１は本発明の実施例５によるスピン波信号生成素子の基本構造例である。図９のスピン波信号生成素子による入力部４としての上部電極層４−１、及び超薄膜強磁性層２に形成されたスピン波伝送路を有し、加えて、入力部で生成されたスピン波信号を検出する検出部としての上部電極層４−２を少なくとも１つ有する。検出方法としては、スピン波によって発生する誘導起電力を検出する方法や、スピン整流効果(Spin rectification effect) 、絶縁障壁層を介した磁気抵抗効果を用いる方法などが挙げられる。
図１１では検出部を単一層で表記しているが、コプレーナウェーブガイド等、検出に適した形状をとる。上部電極層４−１、４−２を形成する材料としては前記の電極層形成材料と同様の材料を適用できる。ただし、電極層４−１、４−２が必ずしも同じ材料である必要はなく、上部電極層４−１を非磁性金属材料、上部電極層４−２を強磁性材料で形成するといったように、用途に応じで設計することができる。
【００５９】
［実施例６］
図１２は本発明の実施例６によるスピン波信号生成素子の基本構造例である。図１０のスピン波信号生成素子による入力部４としての上部電極層４−１、及び超薄膜強磁性層２に形成されたスピン波伝送路、バイアス磁性層１４を有し、加えて、入力部で生成されたスピン波信号を検出する検出部としての上部電極層４−２を少なくとも１つ有する。図１０の構造と同様に、高周波電圧信号５に加えて、直流電圧信号２３を重畳し、バイアス磁性層１４からの漏れ磁界強度と直流電圧印加による超薄膜強磁性層２の垂直磁気異方性強度を制御することによって超薄膜強磁性層２の平衡磁化配置を任意に制御し、これにより超薄膜強磁性層２内を伝搬するスピン波の周波数、強度、伝搬モード等を制御できるようにする。検出部の構成は図１１と同様である。
【００６０】
［実施例７］
図１３は本発明の実施例７によるスピン波信号生成素子を使用した機能素子の基本構造例である。図１１のスピン波信号生成素子に加えて、入力部-検出部間のスピン波伝送路上の一部にゲート制御部用の上部電極層４−３を備えている。
ゲート制御部用の上部電極層４−３に用いる材料としては、上部電極４−２と同様の材料を適用することができる。ゲート制御部の上部電極層４−３に直流、若しくは交流電圧信号を供給し、上部電極層４−３直下のスピン波伝送路を形成する超薄膜強磁性層２の一部の磁気異方性を局所的に制御し、伝送するスピン波の周波数、波長、振幅、位相などの波動性を変化させることができる。これにより、検出部としての上部電極層４−２にて検出される伝送スピン波を入力部としての上部電極４−１において生成されたスピン波と異なる波動性を有するスピン波に変換することが可能となる。
【００６１】
［実施例８］
図１４は本発明の実施例８によるスピン波信号生成素子を使用した機能素子の基本構造例である。図１２のスピン波信号生成素子に加えて、入力部-検出部間のスピン波伝送路上の一部にゲート制御部用の上部電極層４−３を備えている。
ゲート制御部の上部電極層４−３に用いる材料としては、図１３の形態と同様の材料が適用できる。高周波電圧信号５に加えて、直流電圧信号２３を重畳し、バイアス磁性層１４からの漏れ磁界強度と直流電圧信号２３の印加による超薄膜強磁性層２の垂直磁気異方性強度を制御することによって、超薄膜強磁性層２の平衡磁化配置を任意に制御し、これにより超薄膜強磁性層内を伝搬する入力スピン波信号の周波数、強度、伝搬モード等を制御することが可能となる。さらに、ゲート制御部の上部電極層４−３に直流、若しくは交流電圧信号を供給し、ゲート制御部直下のスピン波伝送路を形成する超薄膜強磁性層の一部の磁気異方性を制御することで、入力部としての上部電極４−１で生成されたスピン波の周波数、波長、振幅、位相などの波動性を変化させることができる。これにより、検出部にて検出される伝送スピン波を入力部としての上部電極４−１において生成されたスピン波と異なる波動性を有するスピン波に変換することが可能となる。
【００６２】
［実施例９］
図１５（ａ）は、本発明の実施例９によるスピン波信号生成素子を使用した機能素子の構造を示し、ＯＲ論理回路の構成例である。
２つの電界スピン波信号生成素子に対して、それぞれ、入力１、２から、スイッチング素子やトリガー信号により入力される高周波電圧信号５―１、５−２を基本信号としてそれぞれ入力し、検出部においてスピン波が検出される場合を１、検出されない場合を０と定義する。ここではより現実的に制御性の高い、直流電圧パルスの符号を入力とし、例えば負電圧パルスを１、正電圧パルスを０とする場合を例として示している。電界による垂直磁気異方性変化を最適に設計することにより、負電圧パルスの場合のみ強いスピン波を生成することが可能である。これにより、図１５（ｂ）の真理値表に示すＯＲ演算が可能となる。一方、同一の回路において、検出部におけるスピン波検出強度をＯＲ回路よりも高く設定し、入力１と２の波の重ね合わせの信号のみを検出することにより、図１５（ｃ）の真理値表に示すＡＮＤ演算が可能となる。このようにスピン波の波動性を利用することにより、同一の回路で異なる論理演算構成も可能となる。
【００６３】
［実施例１０］
図１６（ａ）は、本発明の実施例１０によるスピン波信号生成素子を使用した機能素子の構造を示し、ＸＯＲ論理回路（排他的論理和回路）の構成例である。
図１５（ａ）のＯＲ回路とほぼ同じ構成であるが、入力１側（若しくは２側どちらでも良い）のスピン波伝送路上にゲート制御部を備えており、入力１側において生成された伝搬スピン波の位相を１８０度変換する機能を有する。入力直流電圧パルスの符号を入力とし、例えば負電圧パルスを１、正電圧パルスを０とすると、入力１ではスピン波が生成され、入力０ではスピン波は生成されない。検出部においてスピン波が検出される場合を１、検出されない場合を０と定義する。どちらか一方のみが入力１である場合には検出部においてスピン波が検出されるため出力が１となり、両方が０の場合はスピン波が入力されないため、出力が０となる。さらに、入力がともに１の場合は両方入力からスピン波が生成されるが、入力１側のみ位相が１８０度変化されるため、合成されたスピン波は消失し、検出部にてスピン波は検出されない。これにより、図１６（ｂ）の真理値表に示すＸＯＲ演算が可能となる。
【００６４】
［実施例１１］
図１７（ａ）は、本発明の実施例１１によるスピン波信号生成素子を使用した機能素子の構造を示し、ＮＯＴ論理回路の構成例である。図１６（ａ）に示すＸＯＲ回路と近い構成であるが、２つのスピン波信号生成素子に対して共通の高周波電界信号供給部を有し、基本信号をそれぞれのスピン波伝送路に与えている。この場合、入力電圧信号はパルス状高周波信号、若しくは直流パルス電圧信号のどちらでも良い。ゲート制御部２４は入力２において生成されたスピン波信号の位相を１８０度制御するために設けられており、この部分の入力が有る場合を１、無い場合を入力値と定義する。検出部におけるスピン波信号の有無を出力とし、スピン波信号が検出される場合を１、検出されない場合を０と定義する。ゲート制御部２４が入力０の場合、生成されたスピン波はそのまま合成されて検出されるため、出力は１となる。一方、ゲート制御部が入力１の場合、ゲート制御部において入力２の信号の位相が１８０度変換されるため、合成スピン波は打ち消しあい、出力は０となる。これにより図１７（ｂ）の真理値表に示すＮＯＴ演算が可能となる。
【００６５】
［実施例１２］
図１８は、本発明の実施例１２による電界駆動型強磁性共鳴励起方法を用いたスピン流信号生成素子の基本構造である。素子の一部のみに上部電極層４／絶縁障壁層３／超薄膜強磁性層２からなる積層構造を有し、前記の電界による強磁性共鳴励起を上部電極層４と磁気異方性制御層１間にて行う。これにより、上部電極層４の直下の超薄膜強磁性層２に強磁性共鳴が励起され、それにより純スピン流が拡散的に磁気異方性制御層１内に生成される。上記した積層構造の下から右方に連続する磁気異方性制御層１がスピン流伝送路となる。このスピン流信号生成素子を基本として、後述するさまざまな磁気機能素子の構成が可能となる。
【００６６】
［実施例１３］
図１９は本発明の実施例１３による電界駆動型強磁性共鳴励起方法を用いたスピン流信号生成素子の基本構造である。図１８の基本構造に加えて、バイアス磁性層１４を備え、また、高周波電圧信号５に加えて、直流電圧信号２３を重畳している。バイアス磁性層１４からの漏れ磁界強度と直流電圧信号２３の印加による超薄膜強磁性層２の垂直磁気異方性強度を制御することによって、超薄膜強磁性層２の平衡磁化配置を任意に制御し、これにより磁気異方性制御層１内を伝搬するスピン流の強度等を制御することを特徴とする。
【００６７】
［実施例１４］
図２０は本発明の実施例１４によるスピン流生成素子の基本構造例である。図１８のスピン流信号生成素子による入力部としての上部電極層４−１及び磁気異方性制御層１内に形成されるスピン流伝送路を有し、加えて、入力部で生成されたスピン流信号を検出する検出部としての上部電極層４−２を少なくとも１つ有する。検出方法としては、逆スピンホール効果などが挙げられ、高い検出信号強度を得るために、上部電極層４−２に用いる材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂｉなど、若しくはそれらのうち、少なくともいずれか１つを含む合金が挙げられる。
【００６８】
［実施例１５］
図２１は本発明の実施例１５によるスピン流生成素子の第２の基本構造例である。図２０の構造に加えて、バイアス磁性層１４を備えており、バイアス磁性層１４からの漏れ磁界強度と直流電圧印加による超薄膜強磁性層２の垂直磁気異方性強度を制御することによって超薄膜強磁性層２の平衡磁化配置を任意に制御し、これによりスピン流伝送路内を伝搬するスピン流の強度等を制御できるようになっている。なお、検出部の構成は図２０と同様である。
【００６９】
［実施例１６］
図２２は本発明の実施例１６によるスピン流生成素子の基本構造例である。図２０のスピン流信号生成素子と入力部、スピン流伝送路の構造は同様であるが、検出部に、スピン流伝送路である磁気異方性制御層１上に接するように強磁性層１５／非磁性スペーサー層１６／強磁性層１７からなる接合構造を有している。
入力部に供給された電圧信号により生成されたスピン流は、スピン流伝送路を伝搬して強磁性層１７中に吸収される。このスピン流吸収によるスピン角運動量移行効果を利用し、強磁性層１７の磁化方向を超薄膜強磁性層２の磁化方向を反映させて制御することが可能であり、磁気記憶素子の基本構成としても利用できる。
強磁性層１７の磁化方向は、非磁性スペーサー層１６を介した強磁性層１７との相対磁化角度を反映した磁気抵抗効果により検出することができる。強磁性層１５、及び１７に関しては、具体的な材料として超薄膜強磁性層２と同じ材料を用いることができる。非磁性スペーサー層１６に関しては、巨大磁気抵抗効果を検出信号とする場合、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ若しくはそれらのうち、少なくとも１つの元素を含む合金などを挙げることができる。トンネル磁気抵抗効果を検出信号とする場合、絶縁障壁層３と同じ材料を用いることができる。入力部側の超薄膜強磁性層２の磁化方向は入力電圧信号により制御できる。
【００７０】
［実施例１７］
図２３（ａ）は本発明の実施例１７によるスピン流信号生成素子を使用した機能素子の構造例である。図２０に示したスピン流生成素子における入力部を２端子（入力１、２）備えている。超薄膜強磁性層２の磁化方向を例えば右向きで同一としておき、それぞれに独立に高周波電圧信号５−１、５−２を入力する。ここでは現実的に制御性の高い、直流電圧パルスの符号を入力とし、例えば負電圧パルスを１、正電圧パルスを０とした例を示す。電界による垂直磁気異方性変化を最適に設計することにより、負電圧パルスの場合のみ強い強磁性共鳴が励起され、スピン流を生成することが可能となる。検出部は、入力１及び２から伝送されるスピン流の合成信号をＹ字型に接続された磁気異方性制御層１を介して検出する。スピン流が検出されない場合を０、検出される場合を１とすると、図１５（ｂ）に示した真理値表を満たすＯＲ演算が可能となる。また、スピン流が合成され、２倍の強度となる入力がともに１の条件のみ検出されるように検出部の感度を設定すれば、同一の素子によって図１５（ｃ）に示した真理値表を満たすＡＮＤ演算が可能となる。
【００７１】
［実施例１８］
図２３（ｂ）は本発明の実施例１８によるスピン流信号生成素子を使用した機能素子の構造例である。図２３（ａ）と構造は同じであるが、入力１及び２部の磁化方向が反平行配置となっている。
この場合、図２３（ａ）と同様の動作によって論理計算を行う場合、（入力１、入力２）の組み合わせが（０、０）、（０、１）、（１、０）の場合は図２３（ａ）と同様の出力となるが、入力（１、１）に関しては、反平行状態から生成されるスピン流が合成された結果打ち消しあい、出力は０となる。その結果、本素子の場合、図１６（ｂ）に示した真理値表を満たすＸＯＲ演算が可能となる。このように、本素子は入力１及び２の相対磁化配置を制御することによって異なる演算素子に書き換えることができるようになっている。以上では磁化が面内方向に磁化されている状況を例としたが、用途に応じて任意の磁化方向を選択することが可能である。
入力部の状態は磁化方向を用いた不揮発性を有するため、待機電力を必要とせず、かつ入力部の書き換えはより大きな電圧信号の入力によって磁化反転を制御することができるため、低電力駆動で再構成可能な論理素子を提供することが可能である。
【００７２】
［実施例１９］
図２４は本発明の実施例１９による高周波検波素子の構造及び回路模式図である。素子構造は図１とほぼ同様であるが、電極層が強磁性層１８からなる点で相違している。磁気異方性制御層１と強磁性層１８間に、超薄膜強磁性層１の共鳴周波数に一致する周波数を有する高周波電圧信号５を印加し、それによって発生する電界信号を供給することによって、外部より印加した任意の磁界の周りに強磁性共鳴を励起する。磁気異方性制御層１、超薄膜強磁性層２、絶縁障壁層３に適用できる具体的な材料は、図１の説明で挙げた材料と同様であり、強磁性層１８に関しては、超薄膜強磁性層２と同様の材料を適用できる。これまでの実施例で述べたように、高周波電圧信号５（周波数ω）、それによって発生する高周波電界により誘起される超薄膜強磁性層２の磁化の強磁性共鳴運動は、トンネル抵抗の時間振動（周波数ω）を生む。この抵抗振動と、微弱に素子に流れる高周波電流との積により、素子端には直流電圧と高周波電圧（周波数２ω）成分が発生する。この直流電圧を検出することにより高周波検波素子を提供できる。高周波電流によるスピン角運動量移行効果を利用した強磁性共鳴励起とトンネル磁気抵抗効果を組み合わせることによる検波素子は同様の構造、及び回路によって提案されている（非特許文献５）。しかしながら、背景技術で述べたように、電流による制御は効率が悪く、消費電力が大きくなる点が問題である。本発明は以下の構造的な特徴を有する強磁性トンネル接合素子を用いることにより、究極的には電力をほとんど消費することなく高い感度を有する高周波検波素子を提供する。
すなわち、超薄膜強磁性層２に求められる特性は、図７における説明と同様であり、磁気異方性制御層１、絶縁障壁材料３、及び超薄膜強磁性層２の材料、及び膜厚制御によって膜面垂直方向の有効反磁界が１０００(Ｏｅ)以下となるように制御する。絶縁障壁層３のトンネル障壁としての特性に関しても図１における説明と同様であり、面積抵抗値が１０Ωμｍ2以上で、素子に流れる電流密度が１×１０9Ａ／ｍ2以下となるように設計された絶縁障壁層３を用いている。
【００７３】
［実施例２０］
図２５は本発明の実施例２０による高周波検波素子の構造及び回路模式図である。図２４の構造、及び回路に加えてバイアス磁性層１９を有し、また、高周波電圧信号５に加えて直流電圧信号２３を印加している。各層に用いる材料は、図２４の構成材料と同様の材料が適用できる。バイアス磁性層１９からの漏れ磁界と、直流電圧信号５の印加による超薄膜強磁性層２の磁気異方性制御を組み合わせることによって、超薄膜強磁性層２の平衡磁化方向を任意に制御することができる。その結果、外部から磁界を印加することなく、共鳴励起条件を任意に制御することが可能となる。これは同時に検波周波数を電圧で制御できることに相当し、電界のみを駆動力とし、周波数可変な超低電力高周波検波素子を提供できる。
【００７４】
図２６は本発明の実施例２１による磁気記録装置の模式図である。ここで垂直磁化磁性媒体２０は、超薄膜強磁性層が絶縁層により分離された孤立微粒子の形態を採り、１粒子、若しくは複数の粒子群により１記録ビットを形成する。この構造に対し、高周波電界アシストヘッド２１を用いて、その先端を電極層、垂直磁化磁性媒体２０とのギャップを絶縁障壁層として、超薄膜強磁性層の共鳴周波数に一致する高周波電界、若しくは共鳴周波数の逆数程度のパルス幅を有する直流パルス電界を印加することで、垂直磁化磁性媒体２０の超薄膜強磁性層に局所的に強磁性共鳴を励起し、同時に書き込み磁界ヘッドより印加される直流磁界により磁化反転制御を行う。強磁性共鳴励起により、超薄膜強磁性層の磁化反転に必要なエネルギー障壁を見かけ上低減することで、通常のハードディスクで採用されている書き込み磁化ヘッド２２からの磁界印加による磁化反転磁界を低減した磁気記録方式を実現することができる。望ましい形態としては、高周波電界アシストヘッド２１への入力は連続的に行い、複数bitに対して電界誘起強磁性共鳴を励起した状態で、書き込みが必要なbitに対してのみ、より局所的に直流磁界を印加することで磁化反転制御を行う。そのため、高周波電界アシストヘッド２１の先端径は１bit記録領域よりも十分大きい設計(例えば数百ｎｍ程度)も可能である。直流磁界の印加強度、および角度は、電界印加によって誘起される超薄膜強磁性層の磁気異方性変化量によってその最適値が決定される。
【００７５】
垂直磁化磁性媒体２０の超薄膜磁性層に印加される電界が１Ｖ/ｎｍ以下となるように制御するため、高周波電界アシストヘッド２１と垂直磁化磁性媒体２０２０間のギャップは３ｎｍ以下に設計されることが望ましい。垂直磁化磁性媒体２０の超薄膜強磁性層２０用の材料としてはすでに応用されているＣｏを主成分とする合金から形成される材料（例えばＣｏＣｒＰｔ）が好ましいが、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉ、若しくはこれらの内少なくとも１つの元素を含む合金層、または酸化物（フェライト、ガーネット等）、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔｂなどの希土類元素を含む化合物及び合金等からなる層、若しくは上記材料を含む積層構造体など、幅広い材料系を用いることができる。
【００７６】
高周波電界アシストヘッド２１で消費される電力は電流制御型と比較して１／１０００以下と非常に小さいため、従来の直流電流磁界のみによる磁化反転制御、及び高周波スピントルク発振を利用した高周波アシスト磁化反転制御と比較すると、共鳴励起による磁化反転磁界の減少分そのものに相当する大幅な低消費電力化が期待される。一方、高周波電界アシストヘッド２１により、実効的な反転磁界を低減することが可能になれば、電界を印加していない状態、つまり記録保持状態における磁気異方性は高く設計することができるため、１ビットのサイズ縮小、つまり記録媒体の大容量化が可能となる。
【００７７】
本発明の電界による強磁性共鳴励起を基本とする磁気機能素子は電界のみを駆動力とする低消費電力な論理演算素子や磁気記憶素子、高周波検波素子、さらには磁気記録方式を提供することが可能である。
【００７８】
以上、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備える限り、本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明によれば、伝導電子による電界シールド効果が起きない程度に十分薄い超薄膜強磁性層と、磁気異方性制御層とを直接積層し、超薄膜強磁性層側に絶縁障壁層及び電極層を順に配置した積層構造体に対し、特定の磁界印加角度及び磁界強度を有する磁界を印加した上で、磁気異方性制御層と電極層との間に、磁性共鳴周波数の高周波成分を有する電界を印加するだけで、効率よく強磁性共鳴ダイナミクスを励起することができる。
これにより、室温での動作、高い繰り返し動作耐性、単純な作製プロセスによる製造コストを低減することができる。
さらに、電界印加によるものであることから、きわめて微小の消費電力で強磁性共鳴を励起させることができるので、電界駆動を基本とした強磁性共鳴励起を行うスピン波信号生成素子、スピン流信号生成素子を信号入力・制御に用いることにより、論理素子、高周波検波素子、及び、磁気記録装置等の磁気機能素子として利用されることが期待できる。
【符号の説明】
【００８０】
１    磁気異方性制御層
２    超薄膜強磁性層
３    絶縁障壁層
４    上部電極層
５    高周波電圧信号
６    バッファー層
７    Ａu磁気異方性制御層
８    超薄膜ＦｅＣo層
９    ＭｇＯ絶縁障壁層
１０  上部Ｆｅ層
１１  キャップ層
１２  シグナルジェネレータ
１３  電圧計
１４、１９  バイアス磁性層
１５、１７、１８  強磁性層
２０  垂直磁化媒体
２１  高周波電界アシストヘッド
２２  書き込み磁化ヘッド
【図１】
0005673951.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005673951.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005673951.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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