(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と該基部から突出した型部とを含むモールドで基板上の第１インプリント材を成形して硬化させ、さらに離型して、前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板上にインプリント材を供給する供給部と、
制御部と、
を有し、
前記供給部は、前記第１インプリント材と第２インプリント材とを供給可能に構成され、
前記制御部は、前記型部に隣接する前記基部に前記第２インプリント材が供給されるように前記供給部による基板に対する前記供給の動作を制御し、且つ、前記制御により該基板上に供給された前記第２インプリント材に前記モールドを接触させて硬化させ、さらに離型する処理を実行させる、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記第２インプリント材の粘性は、前記第１インプリント材の粘性より高い、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記型部に前記第１インプリント材が供給され、且つ、前記型部に隣接する前記基部に前記第２インプリント材が供給されるように、前記供給部による基板に対する前記供給の動作を制御し、且つ、前記制御により該基板上に供給された前記第１インプリント材及び前記第２インプリント材に前記モールドを接触させて硬化させ、さらに離型する処理を実行させる、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
型部を含むモールドで基板上のインプリント材を成形して硬化させ、さらに離型して、前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板上にインプリント材を供給する供給部と、
制御部と、
を有し、
前記供給部は、第１インプリント材と第２インプリント材とを供給可能に構成され、
前記制御部は、前記基板上のショット領域内の第１領域と第２領域との間で前記第１インプリント材と前記第２インプリント材との比率が互いに異なるように、前記供給部による前記供給の動作を制御し、且つ、前記制御により前記ショット領域内に供給された前記第１インプリント材及び前記第２インプリント材に対して前記インプリント処理を実行させ、
前記制御部は、前記第１領域より前記第２領域の方が、前記第１インプリント材及び前記第２インプリント材のうち前記型部への充填速度の速い方の比率が高くなるように、前記供給部による前記供給の動作を制御する、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１領域に前記第１インプリント材が供給され、前記第２領域に前記第２インプリント材が供給されるように、前記供給部による前記供給の動作を制御する、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第１インプリント材の前記型部への充填速度と前記第２インプリント材の前記型部への充填速度とは互いに異なる、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記第１領域は、前記第２領域より、インプリント材に前記型が先に接触する、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記供給部は、前記第１インプリント材を供給する第１供給口及び前記第２インプリント材を供給する第２供給口を有する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成するステップと、
前記ステップで前記パターンを形成された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、及び、物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして提案されている（特許文献１参照）。インプリント技術を用いたインプリント装置では、基板上に転写すべきパターンが形成されたパターン面を含むパターン部を備えたモールド（原版）が使用される。そして、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板上の樹脂にモールドを押し付けた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離することでモールドのパターンを転写する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インプリント装置では、モールドのパターン面やパターン部の側面に異物が付着することがある。モールドに付着した異物が基板上に落下し、モールドを樹脂に押し付ける際に落下した異物を挟んでしまうと、パターン面が破損してしまうため、モールドに付着した異物を除去する必要がある。モールドのパターン面に付着した異物は、基板上にパターンを転写するための樹脂を供給してインプリント処理を繰り返すことで除去することが可能である。但し、パターン部の側面に付着した異物は、基板上に供給されたパターンを転写するための樹脂とパターン部の側面とが接触しないため、インプリント処理を繰り返しても除去することができない。
【０００５】
また、インプリント装置では、基板上の樹脂とモールドとを接触させる際、樹脂に気泡が発生することを抑制するために、パターン面に垂直な断面におけるパターン面の形状が基板側に凸形状となるようにパターン面を変形させることがある。このような場合、基板上の周辺領域では、基板上の中央領域に比べて、パターン面と樹脂との接触時間が短くなってしまう。従って、基板上の中央領域に対応するパターン面の部分の凹部に樹脂が充填されても、基板上の周辺領域に対応するパターン面の部分の凹部に樹脂が充填されていないことがある。その結果、基板上に転写されるパターン精度が低下してしまう。また、基板上の周辺領域に対応するパターン面の部分の凹部に樹脂が充填されるまで基板上の樹脂とモールドとを接触させていると、スループットの低下を招くことになる。
【０００６】
そこで、本発明は、モールドに対するインプリント材の供給に有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基部と該基部から突出した型部とを含むモールドで基板上の第１インプリント材を成形して硬化させ、さらに離型して、前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上にインプリント材を供給する供給部と、制御部と、を有し、前記供給部は、前記第１インプリント材と第２インプリント材とを供給可能に構成され、前記制御部は、前記型部に隣接する前記基部に前記第２インプリント材が供給されるように前記供給部による基板に対する前記供給の動作を制御し、且つ、前記制御により該基板上に供給された前記第２インプリント材に前記モールドを接触させて硬化させ、さらに離型する処理を実行させる、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、モールドに対するインプリント材の供給に有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置のモールドに付着した異物を除去する処理を説明するための図である。
【図３】図１に示すインプリント装置のモールドに付着した異物を除去する処理を説明するための図である。
【図４】図１に示すインプリント装置の樹脂供給部を説明するための図である。
【図５】モールドのパターン面を変形させた状態を示す図である。
【図６】基板上への樹脂の供給を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、モールドで基板上のインプリント材（例えば、樹脂）を成形して硬化させ、さらに離型して、基板上のショット領域にパターン（凹凸パターン）を形成するインプリント処理を実行する加工装置である。ここでは、図１に示すように、モールドに対する紫外線の照射軸に平行な方向にＺ軸を定義し、Ｚ軸に垂直な平面内で基板が移動する方向にＸ軸を定義し、Ｘ軸に直交する方向にＹ軸を定義する。
【００１３】
インプリント装置１は、照明系１０１と、モールド１０２と、モールドヘッド１０３と、マーク観察系１０４と、プリズム１０５と、基板１０６を保持する基板ステージ１０７と、位置決め系１０８と、樹脂供給部１０９と、制御部１１０とを有する。
【００１４】
照明系１０１は、基板１０６の上の樹脂とモールド１０２とを接触させた状態において、モールド１０２を介して、基板１０６の上の樹脂に紫外線ＵＬを照射する。照明系１０１は、光源から射出される光（紫外線ＵＬ）をインプリント処理に適した光に調整するための複数の光学素子を含む。
【００１５】
モールド１０２は、照明系１０１からの紫外線ＵＬを透過する材料（例えば、石英など）で構成され、基板１０６に転写すべきパターンを有する。モールド１０２は、モールドヘッド１０３に固定される。
【００１６】
モールドヘッド１０３は、モールド１０２を真空吸引力又は静電気力によって保持及び固定する保持装置である。モールドヘッド１０３は、モールド１０２をＺ軸方向に駆動する機構を含み、基板１０６の上の樹脂（未硬化樹脂）にモールド１０２を適切な力で押印し（押し付け）、基板１０６の上の樹脂（硬化樹脂）からモールド１０２を剥離（離型）する機能を有する。
【００１７】
マーク観察系１０４は、モールド１０２を介して、基板１０６に形成されたアライメントマークを観察する。マーク観察系１０４は、本実施形態では、光源からの可視光ＶＬを基板１０６に形成されたアライメントマークに照射するための照射系と、基板１０６に形成されたアライメントマークで反射された可視光ＶＬを検出するための検出系と、を含む。また、マーク観察系１０４は、モールド１０２を観察する機能も有し、後述するように、モールド１０２に付着した異物を検出することができる。なお、本実施形態では、マーク観察系１０４によってモールド１０２に付着した異物を検出しているが、マーク観察系１０４とは別に、モールド１０２を観察する（即ち、モールド１０２に付着した異物を検出する）専用の観察系を構成してもよい。
【００１８】
プリズム１０５は、本実施形態では、モールドヘッド１０３の内部に配置され、紫外光を反射し、可視光を透過する特性を有する。プリズム１０５は、照明系１０１からの紫外光ＵＬを反射して基板１０６の上の樹脂に導光する。また、プリズム１０５は、マーク観察系１０４（照射系）からの可視光ＶＬを透過して基板１０６に形成されたアライメントマークに導光すると共に、アライメントマークで反射された可視光ＶＬを透過してマーク観察系１０４（検出系）に導光する。プリズム１０５は、照明系１０１とマーク観察系１０４とを共存させて構成することを可能にしている。また、照明系１０１とマーク観察系１０４との配置関係は、図１に示す配置関係に限定されるものではない。例えば、可視光を反射し、紫外光を透過する特性をプリズム１０５が有している場合には、照明系１０１及びマーク観察系１０４の配置を逆にする。
【００１９】
基板ステージ１０７は、微動ステージ及び粗動ステージで構成され、ウエハなどの基板１０６を保持する。基板ステージ１０７は、ステージ駆動機構（例えば、リニアモータ）によって高速に駆動される。
【００２０】
位置決め系１０８は、例えば、基板ステージ１０７の位置を計測するレーザ干渉計などを含み、ステージ駆動機構を制御して基板ステージ１０７（に保持された基板１０６）を所定の位置に位置決めする。
【００２１】
樹脂供給部１０９は、基板１０６の上に光硬化型の樹脂（インプリント材）を供給する機能を有する。樹脂供給部１０９から樹脂を供給しながら基板ステージ１０７を移動（スキャン移動やステップ移動）させることで、基板１０６の上に樹脂を塗布することが可能となる。
【００２２】
樹脂供給部１０９は、本実施形態では、第１供給機構１０９ａと、第１供給機構１０９ａとは別体で構成される第２供給機構１０９ｂとを含む。第１供給機構１０９ａ及び第２供給機構１０９ｂは、液状の樹脂を滴下する複数のノズルを含むディスペンサヘッドで構成される。
第１供給機構１０９ａは、インプリント処理の際に用いられる第１樹脂（第１インプリント材）ＲＳ１を基板１０６に供給し、第２供給機構１０９ｂは、第１樹脂ＲＳ１とは異なる第２樹脂（第２インプリント材）ＲＳ２を供給する。換言すれば、樹脂供給部１０９は、第１樹脂ＲＳ１と第２樹脂ＲＳ２とを供給可能に構成される。なお、第２樹脂ＲＳ１は、硬化前において、第１樹脂ＲＳ１の粘性（表面張力）よりも高い粘性を有する。
【００２３】
インプリント処理の際に用いられる第１樹脂ＲＳ１は、揮発性が高いため、第１供給機構１０９ａは、１つのショット領域ごと、或いは、数ショット領域ごとに第１樹脂ＲＳ１を供給する。従って、基板ステージ１０７（に保持された基板１０６）の移動距離を短くするために、第１供給機構１０９ａは、モールド１０２（モールドヘッド１０３）の近傍に配置するとよい。
【００２４】
制御部１１０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１の全体（動作）を制御する。例えば、制御部１１０は、本実施形態では、樹脂供給部１０９による基板１０６への樹脂の供給の動作を制御して、モールド１０２に付着した異物を除去する処理（「異物除去処理」とする）を制御する。
【００２５】
以下、異物除去処理について説明する。図２（ａ）は、モールド１０２の断面図である。モールド１０２は、一般に、基部１０２ａと、基部１０２ａから突出し、基板１０６の上のショット領域に転写すべきパターンが形成されたパターン面ＰＳを含むパターン部（型部）１０２ｂとを含む。これにより、インプリント処理の際に、パターン面ＰＳを含むパターン部１０２ｂのみが基板１０６のショット領域に供給された第１樹脂ＲＳ１と接触することになる。
【００２６】
第１樹脂ＲＳ１は、上述したように、揮発性の高い樹脂であるため、図２（ｂ）に示すように、気化した第１樹脂ＲＳ１が異物ＦＰとしてパターン部１０２ｂの側面ＳＳ（基部１０２ａとパターン部１０２ｂとの境界を含む）に付着することがある。また、基板１０６の上のショット領域に供給された第１樹脂ＲＳ１にモールド１０２のパターン部１０２ｂを押し付けた際に、第１樹脂ＲＳ１が基板１０６とパターン面ＰＳとの間からはみ出し、異物ＦＰとして側面ＳＳに付着することもある。
【００２７】
パターン部１０２ｂのパターン面ＰＳに付着した異物は、基板１０６に第１樹脂ＲＳ１を供給してインプリント処理を繰り返すことで除去することができる。但し、パターン部１０２ｂの側面ＳＳに付着した異物ＦＰは、第１樹脂ＲＳ１とパターン部１０２ｂの側面ＳＳとが接触しないため、インプリント処理を繰り返しても除去することができない。そして、パターン部１０２ｂの側面ＳＳに付着した異物ＦＰが基板１０６の上に落下し、モールド１０２を樹脂に押し付ける際に異物ＦＰを挟んでしまうと、パターン面ＰＳが破損してしまう。
【００２８】
パターン部１０２ｂの側面ＳＳに異物が付着した場合、従来技術では、モールドヘッド１０３からモールド１０２を取り外し、インプリント装置１の外部でモールド１０２を洗浄して付着した異物を除去している。従って、モールド１０２を洗浄している間は、インプリント装置１を動作させることができない（インプリント処理を行えない）ため、従来技術では、スループットの低下を招くことになる。そこで、本実施形態では、図２（ｃ）に示すように、基板上のショット領域αの外側の領域β（即ち、パターン部に隣接する基部）に第２樹脂ＲＳ２を供給し、かかる第２樹脂ＲＳ２によってパターン部１０２ｂの側面ＳＳに付着した異物ＦＰを除去する。
【００２９】
本実施形態における異物除去処理について具体的に説明する。インプリント処理において、マーク観察系１０４によって、モールド１０２のパターン部１０２ｂ及びパターン部１０２ｂの近傍を観察する。マーク観察系１０４がパターン部１０２ｂの側面ＳＳに付着した異物ＦＰを検出した場合には、異物除去処理用の基板１０６Ａを基板ステージ１０７に保持させる。異物除去処理用の基板１０６Ａは、インプリント装置１に備えておいてもよいし、インプリント装置１の外部から搬送してきてもよい。また、本実施形態では、異物除去処理用の基板１０６Ａを用いているが、インプリント処理の対象となる基板１０６を用いてもよい。
【００３０】
異物除去処理用の基板１０６Ａは、基板ステージ１０７によって、第２供給機構１０９ｂの下に搬送される。そして、異物除去処理用の基板１０６Ａには、第２供給機構１０９ｂによって、図３（ａ）に示すように、ショット領域αの外側の領域β（即ち、基板１０６のショット領域の外側の領域に相当する領域）に第２樹脂ＲＳ２が供給される。なお、後述するように、異物除去処理では、インプリント処理と同様に、モールド１０２（パターン部１０２ｂの側面ＳＳ）と第２樹脂ＲＳ２とを接触させることが必要となる。従って、モールド１０２のパターン面ＰＳが破損する可能性がある（即ち、パターン面ＰＳと基板１０６（のショット領域α）とが接触する可能性がある）場合には、第１供給機構１０９ａによって、ショット領域αに第１樹脂ＲＳ１を供給する。これにより、基板１０６Ａの領域βに供給された第２樹脂ＲＳ２とパターン部１０２ｂの側面ＳＳとが接触した状態において、ショット領域αに供給された第１樹脂ＲＳ１がパターン面ＰＳに接触し、パターン面ＰＳの破損を防止することができる。
【００３１】
第２樹脂ＲＳ２が供給された異物除去処理用の基板１０６Ａは、基板ステージ１０７によって、モールド１０２の下に搬送される。そして、図３（ｂ）に示すように、モールド１０２を駆動して第２樹脂ＲＳ２とモールド１０２のパターン部１０２ｂの側面ＳＳとを接触させ、かかる状態において、紫外光ＵＬを照射して第２樹脂ＲＳ２（及び第１樹脂ＲＳ１）を硬化させる。
【００３２】
第２樹脂ＲＳ２を硬化させたら、硬化した第２樹脂ＲＳ２からモールド１０２を剥離させる。これにより、図３（ｃ）に示すように、モールド１０２のパターン部１０２ｂの側面ＳＳに付着していた異物ＦＰが第２樹脂ＲＳ２と共にモールド１０２から引き剥がされ、パターン部１０２ｂの側面ＳＳから異物ＦＰが除去される。
【００３３】
異物除去処理用の基板１０６Ａのショット領域αの外側の領域βに第１樹脂ＲＳ１を供給することで、上述したように、パターン部１０２ｂの側面ＳＳから異物ＦＰを除去することも考えられる。但し、第１樹脂ＲＳ１は、インプリント処理に適した特性、例えば、パターン面ＰＳの凹部への充填に適した特性を有しているため、硬化前の粘性が低い。従って、異物除去処理用の基板１０６Ａの領域βに第１樹脂ＲＳ１を供給したとしても、第１樹脂ＲＳ１とモールド１０２のパターン部１０２ｂの側面ＳＳとを接触させることができず、側面ＳＳに付着した異物ＦＰを除去することはできない。
【００３４】
また、第１樹脂ＲＳには、硬化後の第１樹脂ＲＳ１からモールド１０２を剥離しやすくするために、離型剤が含まれている。モールド１０２に付着した異物を除去するためには、高い接着力が要求されるため、離型剤を含む第１樹脂ＲＳ１は、異物除去処理には不向きである。
【００３５】
従って、モールド１０２のパターン部１０２ｂの側面ＳＳに付着した異物ＰＦを除去するためには、本実施形態のように、第１樹脂ＲＳ１の粘性よりも高い粘性、且つ、高い接着力を有する第２樹脂ＲＳ２を供給することが必要となる。
【００３６】
本実施形態では、マーク観察系１０４がパターン部１０２ｂの側面ＳＳに付着した異物ＦＰを検出した場合に異物除去処理を行う例を説明したが、所定のタイミングで定期的に異物除去処理を行ってもよい。
【００３７】
また、本実施形態では、第１樹脂ＲＳを供給する第１供給機構１０９ａと第２樹脂ＲＳを供給する第２供給機構１０９ｂとを別体で構成しているが、第１供給機構１０９ａ及び第２供給機構１０９ｂを配置できない場合もある。このような場合には、図４に示すように、第１樹脂ＲＳ１を供給する供給口（第１供給口）１０９ｄ及び第２樹脂ＲＳ２を供給する供給口（第２供給口）１０９ｅが形成された供給面１０９ｆを有する樹脂供給部１０９を構成すればよい。
【００３８】
このように、本実施形態のインプリント装置１では、モールドヘッド１０３からモールド１０２を取り外すことなく、インプリント装置内でモールド１０２のパターン部１０２ｂの側面ＳＳに付着した異物ＰＦを除去することができる。従って、インプリント装置１は、高いスループットで高品位なデバイス（半導体デバイス、液晶表示素子など）を製造することができる。
【００３９】
なお、インプリント装置１においては、モールド１０２のパターンを高精度に転写するために、モールド１０２のパターン面ＰＳに離型剤を均一に付着させ、硬化後の樹脂からモールド１０２を剥離する際に要する剥離力を低減させる必要がある。このような場合には、インプリント処理に用いられる第１樹脂ＲＳ１に含まれる離型剤の量よりも多い量の離型剤を含む樹脂を第２樹脂ＲＳ２として基板１０６の上のショット領域αに供給してもよい。
【００４０】
＜第２の実施形態＞
モールド１０２のパターン面ＰＳは平面であるため、パターン面ＰＳと基板上の樹脂とを接触させると、パターン面ＰＳの中央部分に気体が閉じ込められやすく、気泡が発生して未充填欠陥となることがある。そこで、インプリント装置１は、図５（ａ）に示すように、基板１０６の上の樹脂とモールド１０２とを接触させる際に、パターン面ＰＳに垂直な断面におけるパターン面ＰＳの形状が基板側に凸形状となるようにパターン面ＰＳを変形させる変形部１２０を有する。モールド１０２のパターン面ＰＳの形状を基板側に凸形状にしてモールド１０２を基板１０６の上の樹脂に押し付けることで、図５（ｂ）に示すように、パターン面ＰＳの中央部分から気体を逃がすことが可能となり、気泡の発生を抑制することができる。但し、モールド１０２のパターン面ＰＳの形状を基板側に凸形状にすると、基板１０６の上のショット領域αの周辺領域（第２領域）α’’では、パターン面ＰＳと樹脂との接触時間が短くなる。また、基板１０６の上のショット領域αの周辺領域α’’よりも内側の中心領域（第１領域）α’では、パターン面ＰＳと樹脂との接触時間が長くなる。換言すれば、中心領域α’では、周辺領域α’’より、樹脂にモールド１０２のパターン面ＰＳが先に接触する。
【００４１】
従来技術では、図６（ａ）に示すように、基板１０６の全面に一種類の樹脂ＲＳ３を供給している。従って、中心領域α’に対応するパターン面ＰＳの部分の凹部に樹脂ＲＳ３が充填されていても、周辺領域α’’に対応するパターン面ＰＳの部分の凹部に樹脂ＲＳ３が充填されていないことがあり、基板１０６に転写されるパターン精度が低下することになる。また、周辺領域α’’に対応するパターン面ＰＳの部分の凹部に樹脂ＲＳ３が充填されるまで基板上の樹脂ＲＳ３とモールド１０２とを接触させていることも考えられるが、スループットの低下を招くことになる。
【００４２】
そこで、本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、制御部１１０によって、周辺領域α’’に樹脂ＲＳ４が供給され、中心領域α’に樹脂ＲＳ３が供給されるように樹脂供給部１０９による基板１０６への樹脂の供給を制御する。なお、本実施形態では、樹脂供給部１０９は、図４に示したように、樹脂ＲＳ３を供給するための供給口及び樹脂ＲＳ４を供給するための供給口が形成された供給面を有することが好ましい。ここで、樹脂ＲＳ４は、樹脂ＲＳ３よりもモールド１０２のパターン面ＰＳの凹部に充填される充填速度が速いという特性を有する。換言すれば、中心領域α’ではパターン面ＰＳと樹脂との接触時間が長くなるため、充填速度が遅くてもモールド１０２のパターンを高精度に転写することができる樹脂を樹脂ＲＳ３として用いる。一方、周辺領域α’’ではパターン面ＰＳと樹脂との接触時間が短くなるため、充填速度が速い樹脂を樹脂ＲＳ４として用いる。周辺領域α’’は、一般的に、スクライブラインに相当しているため、モールド１０２のパターンの転写精度を考慮することなく、充填速度だけを考慮して樹脂ＲＳ４を選択することができる。なお、中心領域α’に重要なパターンが転写され、周辺領域α’’に欠陥に強いパターンが転写されるように、基板１０６の上のショット領域αに転写するパターンの配置を工夫するとよい。
【００４３】
本実施形態のインプリント装置１では、基板１０６の全面に一種類の樹脂を供給するのではなく、図６（ｂ）に示すように、ショット領域αの周辺領域α’’に樹脂ＲＳ４を供給し、ショット領域αの中心領域α’に樹脂ＲＳ３を供給する。基板上のショット領域内の中心領域α’と周辺領域α’’との間で樹脂ＲＳ３と樹脂ＲＳ４との比率が互いに異なるように、樹脂ＲＳ３及びＲＳ４を供給する。例えば、中心領域α’より周辺領域α’’の方が、樹脂ＲＳ４の比率が高くなるように、樹脂ＲＳ３及びＲＳ４を供給する。これにより、ショット領域αの中心領域α’に供給された樹脂ＲＳ３がパターン面ＰＳの凹部に充填されるまでの時間と周辺領域’’に供給された樹脂ＲＳ４がパターン面ＰＳの凹部に充填されるまでの時間とを同等にすることが可能となる。
【００４４】
インプリント装置１では、中心領域α’に対応するパターン面ＰＳの部分の凹部に樹脂ＲＳ３が充填されていても、周辺領域α’’に対応するパターン面ＰＳの部分の凹部に樹脂ＲＳ４が充填されていないことを抑制することができる。また、インプリント装置１では、周辺領域α’’に対応するパターン面ＰＳの部分の凹部に樹脂ＲＳ４が充填されるまでの時間を従来技術よりも短くすることができる。従って、インプリント装置１は、高いスループットで高品位なデバイス（半導体デバイス、液晶表示素子など）を製造することができる。
【００４５】
また、基板１０６のショット領域内への樹脂ＲＳ３及びＲＳ４の供給は、図６（ｂ）に示す形態に限定されるものではない。例えば、図６（ｃ）に示すように、樹脂ＲＳ４の供給量に対する樹脂ＲＳ３の供給量の割合がショット領域αの周辺から中心に向かうにつれて大きくなるように樹脂供給部１０９による基板１０６への樹脂の供給を制御してもよい。樹脂供給部１０９は、１ｐＬ（ピコリットル）乃至数ｐＬ程度の微小な容積の樹脂を供給することができるため、図６（ｃ）に示すように、樹脂ＲＳ４の供給量に対する樹脂ＲＳ３の供給量の割合を連続的に変更することが可能である。
【００４６】
また、本実施形態では、基板１０６のショット領域内において、中心領域α’と周辺領域α’’とで種類の異なる樹脂を供給する場合を説明したが、ショット領域内の位置に応じて種類の異なる樹脂を供給することも可能である。例えば、モールド１０２のパターンは、設計デザインによって粗密が異なる。従って、モールド１０２のパターンの粗密（即ち、パターンの種類）に対応させて、基板１０６の上に種類の異なる樹脂を供給してもよい。このように、基板１０６のショット領域内で必要とする樹脂の特性に応じて、種類の異なる樹脂を供給すればよい。
【００４７】
＜第３の実施形態＞
物品としてのデバイスの製造方法は、インプリント装置１を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。
【００４８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
0005806501.tif 000002
【図２】
0005806501.tif 000003
【図３】
0005806501.tif 000004
【図４】
0005806501.tif 000005
【図５】
0005806501.tif 000006
【図６】
0005806501.tif 000007