(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
遷移金属により形成された金属層を有する基板の表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置と、
前記基板の表面に前記遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置と、
前記金属層に吸着した前記分子を取り除く分子除去部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の処理液と前記第２の処理液とを前記基板の表面に同時に供給するように前記第１の処理液供給装置及び前記第２の処理液供給装置を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の処理液と前記第２の処理液とを前記基板の表面上に交互に供給するように前記第１の処理液供給装置及び前記第２の処理液供給装置を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の処理液を供給し、前記分子が前記金属層に吸着した状態で前記第１の処理液を供給するように前記第１の処理液供給装置及び前記第２の処理液供給装置を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
遷移金属により形成された金属層を有する基板の表面に第１の処理液と前記遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液とを供給し、前記第１の処理液と前記第２の処理液の供給が完了した後、前記金属層に吸着した前記分子を取り除くことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
前記基板の表面に前記第１の処理液と前記第２の処理液とを同時に供給することを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記基板の表面に前記第１の処理液と前記第２の処理液とを交互に供給することを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第２の処理液を供給し、その後、前記第１の処理液を供給することを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液により基板表面を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、半導体装置や液晶表示装置などの製造工程において、半導体ウェーハやガラス基板などの基板の表面に処理液を供給し、その基板表面を処理する装置である。この基板処理装置としては、例えば、基板表面から不要になったレジスト膜を除去するレジスト除去装置（例えば、特許文献１参照）や基板表面に付着した有機物を洗浄する洗浄装置などが挙げられる。
【０００３】
基板表面から不要となったレジスト膜や有機物を除去する工程では、ドライアッシングあるいはオゾン水によりレジスト膜や有機物を酸化除去する酸化除去処理が行われている。基板表面には、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）用の反射型マスクのように、反射膜などの金属層（例えばＭｏやＣｒ、Ｒｕなどの遷移金属）が積層されていることがあるが、この場合にも、前述と同様の酸化除去処理が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２７８５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、金属層を有する基板表面に前述と同様の酸化除去処理を行った場合には、レジスト膜や有機物を除去する際に、それらと一緒に金属層を０．１〜１．０ｎｍ程度不均一にエッチングしてしまう。このため、金属層の表面が粗くなり、金属層の機能性が低下してしまう。
【０００６】
本発明は上記を鑑みてなされたものであり、その目的は、基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態に係る第１の特徴は、基板処理装置において、
遷移金属により形成された金属層を有する基板の表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置と、
前記基板の表面に前記遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置と、
前記金属層に吸着した前記分子を取り除く分子除去部と、
を備えることである。
【０００８】
本発明の実施形態に係る第２の特徴は、基板処理方法において、
遷移金属により形成された金属層を有する基板の表面に第１の処理液と前記遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液とを供給し、前記第１の処理液と前記第２の処理液の供給が完了した後、前記金属層に吸着した前記分子を取り除くことである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示す基板処理装置が行う基板表面に対する処理液供給を説明するための第１の断面図である。
【図３】前述の基板表面に対する処理液供給を説明するための第２の断面図である。
【図４】図１に示す基板処理装置が行う基板処理工程の流れを示すフローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図６】図５に示す基板処理装置が行う基板処理工程の流れの一部を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置が備える第１のノズル及び第２のノズルの概略構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置が備える第１のノズル及び第２のノズルの概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図１ないし図４を参照して説明する。
【００１２】
図１に示すように、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１は、処理ボックス２と、その処理ボックス２内に設けられたカップ３と、そのカップ３内で基板Ｗを水平状態で支持するテーブル４と、そのテーブル４を水平面内で回転させるテーブル回転機構５と、テーブル４上の基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、テーブル４上の基板Ｗの表面に第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７と、各部を制御する制御部８とを備えている。
【００１３】
処理ボックス２は、カップ３やテーブル４などを収容する処理室である。この処理ボックス２の上部には、ダウンフロー用のフィルタ付きファン２ａが設けられている。このファン２ａは制御部８に電気的に接続されており、その駆動が制御部８により制御される。
【００１４】
カップ３は、円筒形状に形成されており、テーブル４を周囲から囲んで内部に収容する。カップ３の周壁の上部は径方向の内側に向かって傾斜しており、テーブル４上の基板Ｗが露出するように開口している。このカップ３は、回転する基板Ｗ上から流れ落ちるあるいは飛散する処理液を受け取る。なお、カップ３の底部には、受け取った処理液を排出するための排出管（図示せず）が設けられている。
【００１５】
テーブル４は、カップ３内の上部付近に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。このテーブル４は、チャックピンなどの挟持部材（図示せず）などにより、ウェーハやガラス基板などの基板Ｗを着脱可能に保持する。
【００１６】
テーブル回転機構５は、テーブル４に連結された回転軸５ａと、その回転軸５ａを回転させる駆動源となるモータ５ｂとを有している。このモータ５ｂは制御部８に電気的に接続されており、その駆動が制御部８により制御される。テーブル回転機構５は、モータ５ｂにより回転軸５ａを介してテーブル４を回転させる。
【００１７】
第１の処理液供給装置６は、テーブル４上の基板Ｗの表面に対して上方から第１の処理液を供給する第１のノズル６ａと、その第１のノズル６ａに第１の処理液を供給する第１の供給部６ｂとを備えている。
【００１８】
第１のノズル６ａは、テーブル４の上方に配置されており、テーブル４上の基板Ｗの表面に第１の処理液を吐出して供給する。第１のノズル６ａは、第１の処理液供給流路となる配管６ｃにより第１の供給部６ｂに接続されている。
【００１９】
第１の供給部６ｂは、第１の処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えている。ポンプやバルブは制御部８に電気的に接続されており、その駆動が制御部８により制御される。この第１の供給部６ｂは制御部８の制御に応じてポンプにより第１の供給液を第１のノズル６ａに送る。なお、本発明の実施形態では、第１の処理液として、例えば、オゾン（Ｏ３）水が用いられる。
【００２０】
第２の処理液供給装置７は、テーブル４上の基板Ｗの表面に対して上方から第２の処理液を供給する第２のノズル７ａと、その第２のノズル７ａに第２の処理液を供給する第２の供給部７ｂとを備えている。
【００２１】
第２のノズル７ａは、テーブル４の上方に配置されており、テーブル４上の基板Ｗの表面に第２の処理液を吐出して供給する。第２のノズル７ａは、第２の処理液供給流路となる配管７ｃにより第２の供給部７ｂに接続されている。
【００２２】
第２の供給部７ｂは、第２の処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えている。ポンプやバルブは制御部８に電気的に接続されており、その駆動が制御部８により制御される。この第２の供給部７ｂは制御部８の制御に応じてポンプにより第２の供給液を第２のノズル７ａに送る。なお、本発明の実施形態では、第２の処理液として、例えば、ＣＯ（一酸化炭素）が溶解している溶液（ＣＯ溶解水）あるいはＣＯの気泡を含んでいる溶液（ＣＯバブル水）が用いられる。
【００２３】
制御部８は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部とを備えている。この制御部８は、基板処理情報や各種プログラムに基づいてテーブル回転機構５、第１の処理液供給装置６及び第２の処理液供給装置７を制御し、テーブル回転機構５によりテーブル４を回転させながら回転中のテーブル４上の基板Ｗの表面に対し、第１のノズル６ａにより第１の処理液を、さらに、第２のノズル７ａにより第２の処理液を供給する。
【００２４】
ここで、図２に示すように、基板Ｗの表面には、その全面にわたってＲｕなどの遷移金属による金属層Ｍ１が積層されており、その金属層Ｍ１上には、パターン形成済の吸収体層Ｍ２が積層されている。さらに、吸収体層Ｍ２上にはレジスト層（レジスト膜）Ｍ３が積層されている。吸収体層Ｍ２はＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光を吸収する層である。レジスト層Ｍ３はフォトレジストにより形成されており、金属層Ｍ１上に吸収体層Ｍ２のパターンを形成するための層である。この基板Ｗは、最終的に、ＥＵＶリソグラフィ技術で用いるＥＵＶ用の反射型マスクとなる。
【００２５】
このような基板Ｗの表面上のレジスト層Ｍ３が第１の処理液によりエッチングされて除去されるが、このとき、レジスト層Ｍ３により覆われていない露出状態の金属層Ｍ１の表面も第１の処理液により例えば０．１〜１．０ｎｍ程度不均一にエッチングされてしまう。これを防止するため、基板Ｗの表面に対して第１の処理液の供給に加え、第２の処理液が第２の処理液供給装置７により供給される。
【００２６】
第２の処理液は、金属層Ｍ１を形成する材料である遷移金属（例えばＭｏやＣｒ、Ｒｕなど）に対して吸着特性を有する分子を含む処理液である。この吸着特性を有する分子としては、不対電子を持つ一酸化炭素や二重結合を持つエチレン、ＯＨ基を持つ有機化合物など、配位結合や水素結合する分子が挙げられる。
【００２７】
ここでは、第１の処理液（レジスト層Ｍ３を除去する処理液）としてＯ３水が用いられ、第２の処理液（金属層Ｍ１を保護する処理液）としてＣＯ溶解水あるいはＣＯバブル水が用いられる。なお、金属層Ｍ１の表面上では、第１の処理液と第２の処理液とで競合吸着（競争吸着）が発生する。ただし、第２の処理液中に含まれるＣＯの分子（ＣＯ）の方が第１の処理液に比べ金属層Ｍ１に吸着しやすい。
【００２８】
したがって、図３に示すように、第２の処理液中に含まれるＣＯの分子であるＣＯは、レジスト層Ｍ３により覆われていない露出状態の金属層Ｍ１の表面に吸着（化学吸着）し、その表面を被覆する。このＣＯ被覆は第１の処理液から露出状態の金属層Ｍ１を保護することになる。なお、第２の処理液内の分子はレジストなどの有機化合物に対してそれほど吸着性を有していないため、レジスト層Ｍ３が被覆されることは無く、レジスト層Ｍ３は第１の処理液によりエッチングされて完全に除去される。
【００２９】
次に、前述の基板処理装置１が行う基板処理（基板処理方法）について図４を参照して説明する。なお、テーブル４上には基板Ｗが取り付けられており、前準備は完了している。
【００３０】
図４に示すように、制御部８はテーブル回転機構５を制御し、テーブル４を回転させ、さらに、第２の処理液供給装置７を制御し、第２の供給部７ｂから第２のノズル７ａに第２の処理液を送り、第２のノズル７ａから回転するテーブル４上の基板Ｗの表面に第２の処理液を供給する（ステップＳ１）。第２のノズル７ａは第２の処理液を回転するテーブル４上の基板Ｗの表面中央付近に向けて吐出する。基板Ｗの表面中央付近に供給された第２の処理液は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がる。
【００３１】
この第２の処理液の供給は、基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する前に行われる。これにより、第１の処理液の供給前には、金属層Ｍ１の表面に分子（ＣＯ）が吸着し、その表面は分子（ＣＯ）により被覆される（図３参照）。これにより、第１の処理液が基板Ｗの表面に供給された場合でも、その第１の処理液により金属層Ｍ１の表面がエッチングされることを防止することができる。
【００３２】
前述のステップＳ１の所定時間後、制御部８は第１の処理液供給装置６を制御し、第１の供給部６ｂから第１のノズル６ａに第１の処理液を送り、第１のノズル６ａから回転するテーブル４上の基板Ｗの表面に第１の処理液を供給し、前述の第２の処理液と第１の処理液とを同時に供給する（ステップＳ２）。第１のノズル６ａも、第２のノズル７ａと同じように、第１の処理液を回転するテーブル４上の基板Ｗの表面中央付近に向けて吐出する。基板Ｗの表面中央付近に供給された第１の処理液は、第２の処理液と混ざりながら基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がる。
【００３３】
この第１の処理液の供給により基板Ｗの表面上のレジスト層Ｍ３がエッチングされて取り除かれる。このとき、第１の処理液（Ｏ３水）は、前述のステップＳ１において金属層Ｍ１の表面に吸着した分子（ＣＯ）と化学反応し、その吸着した分子（ＣＯ）が金属層Ｍ１の表面から取り除かれてしまうことがある。この化学反応を抑止するため、ステップＳ２においても第２の処理液が供給されている。これにより、分子（ＣＯ）が補充されるので、分子（ＣＯ）による金属層Ｍ１の被覆状態を維持することができる。
【００３４】
前述のステップＳ２の所定時間後、制御部８は第１の処理液供給装置６を制御し、第１の供給部６ｂから第１のノズル６ａに対する第１の処理液の供給を停止し、前述の第２のノズル７ａによる第２の処理液の供給を継続して、基板Ｗの表面に第２の処理液のみを供給する（ステップＳ３）。第２のノズル７ａは前述と同じように第２の処理液を回転するテーブル４上の基板Ｗの表面中央付近に向けて吐出する。基板Ｗの表面中央付近に供給された第２の処理液は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がる。これにより、基板Ｗの表面全体が第２の処理液により洗浄される。
【００３５】
この第２の処理液の供給は基板Ｗの表面から第１の処理液を除去するために行われるが、第１の処理液を次のリンス工程で除去可能である場合には、前述のステップＳ３を省くことも可能である。
【００３６】
前述のステップＳ３の所定時間後、制御部８は第２の処理液供給装置７を制御し、第２の供給部７ｂから第２のノズル７ａに対する第２の処理液の供給を停止し、図示しないノズルから基板Ｗの表面に超純水を供給し、その超純水によるリンス処理を行う（ステップＳ４）。基板Ｗの表面に供給された超純水は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がる。これにより、基板Ｗの表面全体が超純水により洗浄される。
【００３７】
前述のステップＳ４の所定時間後、制御部８は前述のノズルによる超純水の供給を停止し、基板Ｗが載置されたテーブル４の回転を所定時間持続し、そのテーブル４上の基板Ｗの表面を乾燥させる（ステップＳ５）。基板Ｗの表面上に残った超純水は基板Ｗの回転による遠心力により飛散してカップ３により回収される。この乾燥処理後、基板Ｗがテーブル４から取り外され、処理ボックス２から取り出される。
【００３８】
以上説明したように、本発明の第１の実施形態によれば、遷移金属により形成された金属層Ｍ１を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、前述の基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを設けることによって、第１の処理液に加え第２の処理液が基板Ｗの表面に供給されることになる。これにより、第２の処理液中に含まれる分子（ＣＯ）が基板Ｗの表面上の金属層Ｍ１に吸着し、その金属層Ｍ１の表面は前述の分子により被覆されて保護される。このため、金属層Ｍ１の表面が第１の処理液により処理されることが抑えられ、金属層Ｍ１の表面が粗くなることを防止することが可能となる。その結果、基板Ｗ上の金属層Ｍ１の機能性が低下することを抑止することができる。
【００３９】
また、前述のステップＳ１において第２の処理液を供給し、その後、分子（ＣＯ）が基板Ｗの表面上の金属層Ｍ１に吸着した状態で第１の処理液（Ｏ３）を供給することから、第１の処理液（Ｏ３）の供給前に、基板Ｗ上の金属層Ｍ１の表面が分子（ＣＯ）により被覆されて確実に保護されるため、その表面が第１の処理液（Ｏ３）により処理されることを確実に抑えることが可能となる。その結果、基板Ｗ上の金属層Ｍ１の機能性が低下することを確実に抑止することができる。
【００４０】
また、前述のステップＳ２において第１の処理液と第２の処理液とを同時に基板Ｗの表面に供給することによって、第１の処理液と第２の処理液を均一に混ぜることが可能となり、基板Ｗに対する処理の均一性を向上させることができる。このように前述のステップＳ２においては、第１の処理液と第２の処理液とを同時に基板Ｗの表面に供給しているが、これに限るものではなく、例えば、第１の処理液と第２の処理液とを交互に基板Ｗの表面に供給するようにしても良い。第１の処理液と第２の処理液とを交互に供給した場合には、それらを同時に供給した場合に比べ、第１の処理液と第２の処理液との前述の化学反応を抑えることが可能となるので、第２の処理液において吸着分子（ＣＯ）の含有濃度が低下することを抑止することができる。
【００４１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について図５及び図６を参照して説明する。
【００４２】
本発明の第２の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
【００４３】
図５に示すように、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置１においては、基板Ｗの表面上の金属層Ｍ１に吸着した分子（ＣＯ）を除去する分子除去部１１がテーブル４の上方に設けられている。この分子除去部１１は、紫外線や熱処理などにより金属層Ｍ１に吸着した分子（ＣＯ）を除去する除去装置であり、制御部８に電気的に接続されており、その駆動が制御部８により制御される。このような分子除去部１１は、金属層Ｍ１に吸着した分子（ＣＯ）を除去する必要がある場合、すなわち分子（ＣＯ）が金属層Ｍ１の表面上に残っていると問題になる場合に設けられる。
【００４４】
次に、前述の基板処理装置１が行う基板処理（基板処理方法）について図６を参照して説明する。なお、図６には、ステップＳ６以降が記載されているが、このステップＳ６は第１の実施形態に係る図５のステップＳ５につながるステップであり、図５のステップＳ５が行われた後、図６のステップＳ６以降が行われる。
【００４５】
図６に示すように、ステップＳ５が完了すると、制御部８は分子除去部１１を制御し、基板Ｗの表面、すなわち金属層Ｍ１に吸着した分子（ＣＯ）を除去する分子除去処理を行う（ステップＳ６）。分子除去部１１は、テーブル４上の基板Ｗの表面に対して紫外線の照射あるいは熱供給を所定時間行い、基板Ｗの表面上の金属層Ｍ１に吸着した分子（ＣＯ）を除去する。このとき、制御部８はテーブル回転機構５を制御し、テーブル４を回転させても良く、あるいは、回転させなくても良い。
【００４６】
前述のステップＳ６の所定時間後、制御部８は、図示しないノズルから基板Ｗの表面に超純水を供給し、その超純水によるリンス処理を行う（ステップＳ７）。基板Ｗの表面に供給された超純水は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がる。これにより、基板Ｗの表面全体が超純水により洗浄される。
【００４７】
前述のステップＳ７の所定時間後、制御部８は前述のノズルによる超純水の供給を停止し、基板Ｗが載置されたテーブル４の回転を所定時間持続し、そのテーブル４上の基板Ｗの表面を乾燥させる（ステップＳ８）。基板Ｗの表面上に残った超純水は基板Ｗの回転による遠心力により飛散してカップ３により回収される。この乾燥処理後、基板Ｗがテーブル４から取り外され、処理ボックス２から取り出される。
【００４８】
以上説明したように、本発明の第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、基板Ｗの表面上の金属層Ｍ１に吸着した分子（ＣＯ）を除去する分子除去部１１を設けることによって、必要に応じて、基板Ｗの表面上の金属層Ｍ１に吸着した分子（ＣＯ）を取り除くことが可能となる。すなわち、金属層Ｍ１に吸着した分子（ＣＯ）が残っていると問題が発生する場合、その分子（ＣＯ）を除去することが可能となるので、分子残留が原因となる問題の発生を防止することができる。
【００４９】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について図７を参照して説明する。
【００５０】
本発明の第３の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。第３の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
【００５１】
本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置１においては、図７に示すように、第１のノズル６ａ内に第２のノズル７ａが設けられている。この第２のノズル７ａは、第２の処理液が通る中央流路となる内筒として機能し、第１のノズル６ａは、前述の内筒を収容してリング状の流路を有する外筒として機能する。なお、第２のノズル７ａの先端は、第１のノズル６ａ内に位置しており、特に、第２の処理液が第１の処理液に良く混ざるように、上下方向において第１のノズル６ａの中央位置より上側に位置している。
【００５２】
以上説明したように、本発明の第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第１の処理液と第２の処理液は第１のノズル６ａ内で混ぜられてからテーブル４上の基板Ｗの表面に供給される。これにより、第１の処理液と第２の処理液を均一に混ぜることが可能となり、基板Ｗに対する処理の均一性を向上させることができる。
【００５３】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態について図８を参照して説明する。
【００５４】
本発明の第４の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。第４の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
【００５５】
本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置１において、図８に示すように、第１のノズル６ａ及び第２のノズル７ａは、テーブル４上の基板Ｗの表面に対する第１の処理液と第２の処理液との各々の供給位置が同じ位置になるように形成されている。これにより、第１の処理液及び第２の処理液は基板Ｗの表面上の同じ位置に供給され、その位置で混ぜられることになる。
【００５６】
以上説明したように、本発明の第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第１の処理液及び第２の処理液が基板Ｗの表面上で混ぜられるので、前述の第３の実施形態に比べ、第１の処理液と第２の処理液との化学反応の開始を遅らせることが可能となるので、第２の処理液において吸着分子（ＣＯ）の含有濃度が低下することを抑止することができる。
【００５７】
（他の実施形態）
なお、本発明に係る前述の実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。前述の実施形態は種々変更可能であり、例えば、前述の実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素が削除されても良く、さらに、異なる実施形態に係る構成要素が適宜組み合わされても良い。
【符号の説明】
【００５８】
１    基板処理装置
６    第１の処理液供給装置
７    第２の処理液供給装置
８    制御部
１１  分子除去部
Ｍ１  金属層
Ｗ    基板
【図１】
0005693199.tif 000002
【図２】
0005693199.tif 000003
【図３】
0005693199.tif 000004
【図４】
0005693199.tif 000005
【図５】
0005693199.tif 000006
【図６】
0005693199.tif 000007
【図７】
0005693199.tif 000008
【図８】
0005693199.tif 000009