(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に流路が形成されるとともに該流路と連通する吐出口が先端部に形成されるノズル本体部と、
前記ノズル本体部の外周部を取り囲み、かつ、該外周部から離間して配置され、他の部材へ取り付けられる取付部と、
前記ノズル本体部の前記先端部側および前記取付部の上面側の間を閉塞するとともに、前記流路と平行な方向に前記ノズル本体部が前記取付部に対して移動した場合に、前記ノズル本体部の移動に伴って伸縮するカバー体と
を備えることを特徴とする可動ノズル。
【請求項２】
前記カバー体は、柔軟性を有する膜であること
を特徴とする請求項１に記載の可動ノズル。
【請求項３】
前記ノズル本体部、前記取付部および前記カバー体が一体成形されること
を特徴とする請求項１または２に記載の可動ノズル。
【請求項４】
前記流路と平行な方向に前記ノズル本体部を移動させる移動機構
をさらに備えることを特徴とする請求項１、２または３に記載の可動ノズル。
【請求項５】
前記移動機構は、
前記取付部に固定されるとともに前記ノズル本体部の外周部を移動可能に支持する筐体部と、
前記ノズル本体部を前記流路の流れ方向または前記流れ方向と反対方向へ付勢するとともに、外力が加えられた場合には、前記流れ方向または前記反対方向への付勢に抗して前記ノズル本体部を移動させる可動部と
を備え、
前記可動部は、
前記ノズル本体部、前記取付部、前記カバー体および前記筐体部によって囲まれる空間内に配置されること
を特徴とする請求項４に記載の可動ノズル。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の可動ノズルと、
前記可動ノズルの取付部を固定するノズル固定部と、
基板の板面が前記流路に対して垂直となる向きに前記基板を回転可能に支持する基板支持部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
液体を貯留する貯留部
をさらに備え、
前記ノズル固定部の上面は、前記貯留部の底面であること
を特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ノズル本体部は、
前記貯留部に液体が貯留された状態で前記吐出口から液体を吐出する場合に、前記吐出口が前記貯留部に貯留された液体の液面よりも高い位置に位置すること
を特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
内部に流路が形成されるとともに該流路と連通する吐出口が先端部に形成されるノズル本体部と、
前記流路と平行な方向に前記ノズル本体部を移動させる移動機構と、
前記ノズル本体部の外周部を取り囲み、かつ、該外周部から離間して配置される取付部と、
前記ノズル本体部の前記先端部側および前記取付部の上面側の間を閉塞するとともに、前記流路と平行な方向に前記ノズル本体部が前記取付部に対して移動した場合に、前記ノズル本体部の移動に伴って伸縮するカバー体と、
基板の板面が前記流路に対して垂直となる向きに前記基板を回転可能に支持する基板支持部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
液体を貯留する貯留部
をさらに備え、
前記取付部の上面は、前記貯留部の底面であること
を特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ノズル本体部は、
前記貯留部に液体が貯留された状態で前記吐出口から液体を吐出する場合に、前記吐出口が前記貯留部に貯留された液体の液面よりも高い位置に位置すること
を特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、可動ノズルおよび基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハやガラス基板等の基板に処理液を供給することによって、基板の洗浄やレジスト除去等の液処理を行う基板処理装置が知られている。
【０００３】
たとえば、特許文献１には、基板を回転させながら基板に対して洗浄液を吐出することによって基板の洗浄を行う基板洗浄装置が開示されている。
【０００４】
特許文献１に記載の基板洗浄装置は、洗浄液を吐出するノズルが基板上方に配置されたプレートと一体に形成されており、かかるプレートを基板に対して接近または後退させることによってノズルと基板との距離を変更することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−７８３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、ノズルとともにプレートも移動するため、可動部位が大きいという問題がある。
【０００７】
可動部位を小さくするために、プレートを固定とし、ノズルだけを可動させることが考えられるが、かかる場合には、可動部位であるノズルと非可動部位であるプレートとの間の密閉性を確保することが重要である。これは、ノズルだけを可動させる場合、可動部位であるノズルと非可動部位であるプレートとの擦り合わせ部分に隙間が生じ易く、かかる隙間を介して処理液やパーティクル等の流入出が生じるおそれがあるためである。
【０００８】
実施形態の一態様は、可動部位と非可動部位との間の密閉性を確保することのできる可動ノズルおよび基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の一態様に係る可動ノズルは、ノズル本体部と、取付部と、カバー体とを備える。ノズル本体部は、内部に流路が形成されるとともに、かかる流路と連通する吐出口が先端部に形成される。取付部は、ノズル本体部の外周部を取り囲み、かつ、かかる外周部から離間して配置され、他の部材へ取り付けられる。カバー体は、ノズル本体部の先端部側および取付部の上面側の間を閉塞するとともに、流路と平行な方向にノズル本体部が取付部に対して移動した場合に、ノズル本体部の移動に伴って伸縮する。
【００１０】
また、実施形態の一態様に係る基板処理装置は、ノズル本体部と、移動機構と、取付部と、カバー体と、基板支持部とを備える。ノズル本体部は、内部に流路が形成されるとともに、かかる流路と連通する吐出口が先端部に形成される。移動機構はノズル本体部の流路と平行な方向にノズル本体部を移動させる。取付部は、ノズル本体部の外周部を取り囲み、かつ、かかる外周部から離間して配置される。カバー体は、ノズル本体部の先端部側および取付部の上面側の間を閉塞するとともに、流路と平行な方向にノズル本体部が取付部に対して移動した場合に、ノズル本体部の移動に伴って伸縮する。基板支持部は、基板の板面がノズル本体部の流路に対して垂直となる向きに基板を回転可能に支持する。
【発明の効果】
【００１１】
実施形態の一態様によれば、可動部位と非可動部位との間の密閉性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る下側ノズルの構成を示す模式断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、下側ノズルの取付方法を示す模式図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、下側ノズルの伸縮動作を示す模式図である。
【図４】図４は、基板処理装置が実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図５Ａ】図５Ａは、レジスト除去処理の動作例を示す模式図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、洗浄処理の動作例を示す模式図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、排液処理の動作例を示す模式図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、リンス処理の動作例を示す模式図である。
【図６】図６は、下側ノズルの他の構成を示す模式断面図である。
【図７】図７は、下側ノズルの他の構成を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する可動ノズルおよび基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１４】
（第１の実施形態）
＜基板処理装置の構成＞
第１の実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を用いて説明する。図１は、第１の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す模式断面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１５】
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、基板支持部１０と、液体貯留部２０と、カップ部３０とを備える。基板支持部１０は、基板Ｗの上方に配置され、基板Ｗを側方から水平に支持する。液体貯留部２０は、基板支持部１０によって支持される基板Ｗの下方に配置され、カップ部３０は、液体貯留部２０の周囲を取り囲むように配置される。
【００１６】
まず、基板支持部１０の構成について説明する。基板支持部１０は、水平向きに基板Ｗを回転可能に支持する部材である。具体的には、基板支持部１０は、天板１１と、爪部１２と、回転支持部１３と、ベース部１４と、第１昇降部１５とを備える。また、基板支持部１０は、上側ノズル１６と、加熱部１７とを備える。
【００１７】
天板１１は、基板Ｗの上方を覆う略円板状の部材である。かかる天板１１には、中央に開口部が形成されており、かかる開口部に、後述する上側ノズル１６が取り付けられる。
【００１８】
爪部１２は、天板１１の下面外周部に対して複数（たとえば、３個）設けられ、基板Ｗを側方から挟持する部材である。かかる爪部１２によって、基板Ｗは、天板１１から離間し、かつ、基板Ｗの中心が天板１１の中心とほぼ一致する位置に固定される。なお、基板Ｗは、パターン面を下側に向けた状態で爪部１２に挟持されるものとする。
【００１９】
回転支持部１３は、たとえばモータであり、天板１１を回転可能に支持する。具体的には、回転支持部１３は、出力軸が天板１１の中央部に固定されるとともに、かかる出力軸を下方に向けた状態で基端部がベース部１４に固定される。回転支持部１３は、天板１１を鉛直軸まわりに回転させことによって爪部１２を回転させ、かかる爪部１２の回転に伴って基板Ｗを鉛直軸まわりに回転させる。
【００２０】
ベース部１４は、回転支持部１３の上方に配置され、回転支持部１３の基端部を支持する部材である。第１昇降部１５は、ベース部１４を鉛直方向に沿って移動させることによって基板Ｗの鉛直方向の位置、すなわち、高さ位置を変更する。
【００２１】
上側ノズル１６は、天板１１の中央に形成された開口に取り付けられ、基板Ｗの上方から基板Ｗの上面に対して流体を吐出するノズルである。具体的には、上側ノズル１６は、先端部に形成される吐出口から基板Ｗの上面へ向けて処理液であるＣＤＩＷ（常温の脱イオン水）または不活性ガスであるＮ２（窒素）を吐出する。
【００２２】
ＣＤＩＷは、バルブ４１ａおよび配管４０ａを介して上側ノズル１６へ供給され、Ｎ２は、バルブ４１ｂおよび配管４０ａを介して上側ノズル１６へ供給される。これらバルブ４１ａおよびバルブ４１ｂの開閉を制御することによって、基板処理装置１は、上側ノズル１６から吐出させる流体の切り替えや流量制御等を行う。
【００２３】
加熱部１７は、たとえば、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）であり、基板Ｗ上の上面近傍に配置される。かかる加熱部１７によって、基板Ｗおよび基板Ｗ上の液体の温度が均一に保たれる。
【００２４】
つづいて、液体貯留部２０について説明する。液体貯留部２０は、貯留槽底部２１と、可動堰部２２と、第２昇降部２３と、下側ノズル２４と、吐出口２５と、超音波振動子２６とを備える。
【００２５】
貯留槽底部２１は、基板支持部１０によって支持される基板Ｗの下方に配置される。かかる貯留槽底部２１は、中央に開口部を有しており、かかる開口部に後述する下側ノズル２４が取り付けられる。
【００２６】
貯留槽底部２１の開口部近傍には、貯留槽底部２１の上面および下面を連通する吐出口２５が形成される。吐出口２５は、配管４０ｄと連結し、かかる配管４０ｄを介して供給されるＨＤＩＷ（高温の脱イオン水）を貯留槽底部２１の上面へ吐出する。
【００２７】
貯留槽底部２１の下面には、超音波振動子２６が設けられる。超音波振動子２６は、後述する洗浄処理においてＨＤＩＷに浸漬された基板Ｗに対して超音波振動を付与することによって、基板Ｗの表面に付着した異物を物理的に除去する。
【００２８】
可動堰部２２は、貯留槽底部２１を取り囲む略円筒状の部材であり、貯留槽底部２１の外周部から僅かに離間した状態で配置される。かかる可動堰部２２は、第２昇降部２３によって鉛直方向に移動可能である。
【００２９】
基板処理装置１は、第２昇降部２３を用いて可動堰部２２を上昇させ、可動堰部２２の上端部を貯留槽底部２１の上面よりも高い位置に配置することで、貯留槽底部２１と可動堰部２２とによる貯留槽（貯留部に相当）を形成する。
【００３０】
ここで、可動堰部２２の高さは、第２昇降部２３によって「Ｌｏｗポジション」、「Ｈｉポジション」および「Ｍｉｄポジション」の３段階に調整可能である。ここで、「Ｌｏｗポジション」は、可動堰部２２の上端部が貯留槽底部２１の上面と略同一の高さに配置された状態であり、「Ｈｉポジション」は、可動堰部２２の上端部が貯留槽底部２１の上面よりも高い位置に配置された状態である。また、「Ｍｉｄポジション」は、ＬｏｗポジションとＨｉポジションの間の位置である。
【００３１】
貯留槽底部２１および可動堰部２２によって形成される貯留槽には、吐出口２５から吐出されるＨＤＩＷが貯留される。なお、吐出口２５から吐出されたＨＤＩＷは、貯留槽底部２１と可動堰部２２との間の開口部２２ａから排出されるが、かかる開口部２２ａからの排出量を上回る量のＨＤＩＷが吐出口２５から供給されることによって、貯留槽にＨＤＩＷが貯留される。
【００３２】
すなわち、液体貯留部２０は、ＨＤＩＷの供給と排出を同時に行いながら、貯留槽底部２１および可動堰部２２によって形成される貯留槽に対してＨＤＩＷを貯留する。なお、ＨＤＩＷは、可動堰部２２の上端部からもオーバーフローして排出されてもよい。
【００３３】
下側ノズル２４は、貯留槽の底面部である貯留槽底部２１に取り付けられ、基板Ｗの下方から基板Ｗの下面へ向けて流体を吐出する。具体的には、下側ノズル２４は、先端部に形成された吐出口から処理液であるＨ２ＳＯ４（硫酸）およびＨ２Ｏ２（過酸化水素水）を吐出する。
【００３４】
Ｈ２ＳＯ４は、バルブ４１ｃおよび配管４０ｂを介して下側ノズル２４へ供給され、Ｈ２Ｏ２は、バルブ４１ｄおよび配管４０ｂを介して下側ノズル２４へ供給される。基板処理装置１は、これらＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２を下側ノズル２４へ同時に供給することによって、Ｈ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合液であるＳＰＭ（Sulfuric  Acid  Hydrogen  Peroxide  Mixture）を生成して下側ノズル２４から吐出する。
【００３５】
また、下側ノズル２４は、吐出口からＣＤＩＷおよびＮ２の吐出も行う。ＣＤＩＷは、バルブ４１ｅおよび配管４０ｂを介して下側ノズル２４へ供給され、Ｎ２は、バルブ４１ｆおよび配管４０ｂを介して下側ノズル２４へ供給される。
【００３６】
基板処理装置１は、バルブ４１ｃ〜４１ｅの開閉を制御することによって、下側ノズル２４から吐出させる流体の切り替えや流量制御等を行う。
【００３７】
つづいて、カップ部３０について説明する。カップ部３０は、液体貯留部２０の貯留槽から排出されるＨＤＩＷを集液する第１カップ３１と、上側ノズル１６から吐出されるＣＤＩＷおよび下側ノズル２４から吐出されるＳＰＭを集液する第２カップ３２とを備える。
【００３８】
第１カップ３１は、円筒状の内壁部３１ａと、かかる内壁部３１ａを取り囲んで配置される円筒状の外壁部３１ｂと、内壁部３１ａの下部および外壁部３１ｂの下部に連接する底部３１ｃとを備える。
【００３９】
内壁部３１ａの上端部は、貯留槽底部２１の外周部近傍の下面に固定され、外壁部３１ｂの上端部は、可動堰部２２の上端部よりも高い位置に配置される。また、底部３１ｃには、複数の排出口３１ｄが形成される。
【００４０】
内壁部３１ａと外壁部３１ｂとの間、すなわち、第１カップ３１の内部には、液体貯留部２０の可動堰部２２が配置される。かかる可動堰部２２によって、外壁部３１ｂおよび貯留槽底部２１間の開口部は、貯留槽底部２１および可動堰部２２間の開口部２２ａと、外壁部３１ｂおよび可動堰部２２間の開口部３１ｅとに仕切られる。
【００４１】
第１カップ３１は、これら開口部２２ａ，３１ｅから流入するＨＤＩＷを集液して排出口３１ｄから外部へ排出する。
【００４２】
第２カップ３２は、第１カップ３１の外周側に設けられる。具体的には、第２カップ３２は、円筒状の外壁部３２ａと、外壁部３２ａの下部および第１カップ３１の外壁部３１ｂに連接する底部３２ｂとを備える。外壁部３２ａの上端部は、第１カップ３１の外壁部３１ｂの上端部よりも高い位置に配置される。また、底部３２ｂには、複数の排出口３２ｃが形成される。
【００４３】
かかる第２カップ３２は、外壁部３２ａと第１カップ３１の外壁部３１ｂとの間に形成される開口部３２ｄから流入するＣＤＩＷおよびＳＰＭを集液して排出口３２ｃから外部へ排出する。
【００４４】
＜可動ノズルの構成および動作＞
第１の実施形態に係る上側ノズル１６および下側ノズル２４は、吐出口を有するノズル本体部を基板Ｗに対して接近・後退させることができる可動ノズルであり、吐出口から基板Ｗまでの距離を変更することができる。
【００４５】
具体的には、上側ノズル１６は、外部から配管４０ｃを介して供給されるＡＩＲ（空気）の圧力によってノズル本体部を移動させることにより、天板１１の下面から吐出口を突出させて吐出口から基板Ｗの上面までの距離を変更することができる。また、下側ノズル２４は、外部から供給されるＡＩＲの圧力によってノズル本体部を移動させることによって、貯留槽底部２１の上面から吐出口を突出させて吐出口から基板Ｗの下面までの距離を変更することができる。
【００４６】
ここで、第１の実施形態に係る上側ノズル１６および下側ノズル２４は、可動部位と非可動部位と擦りあわせ部分を削減することにより、可動部位と非可動部位との間の密閉性を確保することとしている。
【００４７】
以下では、かかる上側ノズル１６および下側ノズル２４の構成および動作について具体的に説明する。なお、上側ノズル１６と下側ノズル２４とは同一の構成であるため、以下では、下側ノズル２４について説明することとし、上側ノズル１６については説明を省略する。
【００４８】
＜下側ノズルの構成および動作＞
図２は、第１の実施形態に係る下側ノズル２４の構成を示す模式断面図である。図２に示すように、下側ノズル２４は、ノズル本体部５１と、取付部５２と、膜５３と、移動機構５４とを備える。
【００４９】
ノズル本体部５１は、鉛直方向に延在する流路５１ａが内部に形成されるとともに、かかる流路５１ａと連通する吐出口５１ｂが先端部に形成された略円筒状の部材である。
【００５０】
ノズル本体部５１の基端部には、配管４０ｂが連結されており、かかる配管４０ｂを介して流体（Ｈ２ＳＯ４，Ｎ２，Ｈ２Ｏ２，ＣＤＩＷ）が流路５１ａへ供給される。ノズル本体部５１は、流路５１ａへ供給された流体を吐出口５１ｂから基板Ｗの下面へ向けて鉛直上向きに吐出する。なお、配管４０ｂは、溶接部６１によってノズル本体部５１に固定される。
【００５１】
また、ノズル本体部５１には、基端部の外周面の周方向に沿って溝部が形成されており、かかる溝部には封止部材であるＯリング６２が設けられる。かかるＯリング６２によって、ノズル本体部５１は、移動機構５４との密閉性を確保しつつ、後述する移動機構５４によって移動可能に支持される。
【００５２】
取付部５２は、ノズル本体部５１の先端部近傍の外周部を取り囲み、かつ、かかる外周部から離間して配置される略円環状の部材である。
【００５３】
取付部５２の上端部５２ａには、取付部５２の内周部を鉛直上方へ向けて突出させた略円環状の突出部５２ｂが形成されるとともに、かかる突出部５２ｂの外周面に沿って溝部５２ｃが環状に形成される。
【００５４】
突出部５２ｂの外周面および上端部５２ａの上面は、他の部材（ここでは、貯留槽底部２１）への取付面となる。また、溝部５２ｃには、封止部材であるＯリングが嵌め込まれる。
【００５５】
膜５３は、表面に凹凸のない平坦な部材で形成される略円板状のカバー体であり、ノズル本体部５１および取付部５２間の開口を閉塞する。具体的には、膜５３は、内周部においてノズル本体部５１の先端部外縁に連接し、外周部において取付部５２の突出部５２ｂ先端に連接する。
【００５６】
かかる膜５３は、柔軟性を有し、ノズル本体部５１および取付部５２間において撓んだ状態で設けられる。これにより、膜５３は、後述するようにノズル本体部５１が鉛直方向に移動した場合に、かかるノズル本体部５１の移動に伴って伸縮することが可能となる。
【００５７】
このように、下側ノズル２４は、可動部位であるノズル本体部５１と非可動部位である取付部５２とが離間して配置されるとともに、ノズル本体部５１の移動に伴って伸縮可能な膜５３を用いてノズル本体部５１と取付部５２との間の開口を閉塞することとした。
【００５８】
したがって、下側ノズル２４によれば、可動部位であるノズル本体部５１と非可動部位である取付部５２とが擦り合うことなく、しかも、これらの間の密閉性を確保した状態で、可動部位であるノズル本体部５１を鉛直方向へ移動させることができる。
【００５９】
また、ノズル本体部５１、取付部５２および膜５３は、たとえば金型を用いたプレス加工によって一体成形される。これにより、下側ノズル２４は、可動部位であるノズル本体部５１と非可動部位である取付部５２との間の密閉性をより確実に確保することができる。
【００６０】
なお、膜５３は、耐化学薬品性の高いテフロン（登録商標）製であることが好ましいが、金属製や樹脂製などであってもよい。
【００６１】
移動機構５４は、筐体部５４ａと、固定側部材５４ｂと、付勢部材５４ｃと、可動側部材５４ｄとを備える。筐体部５４ａは、上方に開口部を有する有底筒状の部材であり、溶接部６３によって取付部５２に固定される。
【００６２】
筐体部５４ａの底部には、円形の開口部が形成されており、かかる開口部にノズル本体部５１の基端部が挿通される。移動機構５４は、かかる筐体部５４ａの開口部がノズル本体部５１に設けられた回転体６２ａ，６２ｂと当接することにより、ノズル本体部５１を鉛直方向に移動可能に支持する。
【００６３】
固定側部材５４ｂは、ノズル本体部５１と取付部５２との間に設けられる略円筒状の部材であり、外周部に形成されるフランジ部５４ｂ＿１が取付部５２と筐体部５４ａとによって挟持されることによって、これら取付部５２および筐体部５４ａによって固定される。なお、固定側部材５４ｂは、ノズル本体部５１の外周部から離間して配置される。このため、固定側部材５４ｂとノズル本体部５１との間には擦り合せ部は存在しない。
【００６４】
付勢部材５４ｃは、たとえばコイルばねであり、固定側部材５４ｂと筐体部５４ａとの間に配置される。
【００６５】
可動側部材５４ｄは、付勢部材５４ｃと筐体部５４ａとの間に設けられる略円筒状の部材であり、付勢部材５４ｃによって鉛直下方、すなわち、流路５１ａの流れ方向とは反対方向に付勢される。
【００６６】
可動側部材５４ｄは、溶接部６５によってノズル本体部５１の外周部に固定される。したがって、可動側部材５４ｄが付勢部材５４ｃによって付勢されることにより、ノズル本体部５１は、流路５１ａの流れ方向とは反対方向に付勢されることとなる。
【００６７】
可動側部材５４ｄの外周面には、周方向に沿って溝部が形成され、かかる凹部には封止部材であるＯリング６４が設けられる。可動側部材５４ｄは、かかるＯリング６４を介して筐体部５４ａの内周部に当接することによって、筐体部５４ａとの密閉性を確保しつつ、ノズル本体部５１を鉛直方向へ移動可能である。
【００６８】
筐体部５４ａの基端部には、筐体部５４ａ、可動側部材５４ｄおよびノズル本体部５１によって覆われる密閉空間を外部と連通する流路５４ａ＿１が形成される。また、かかる流路５４ａ＿１には、上記の密閉空間に対してＡＩＲ（空気）を供給するための配管４０ｃが連結される。
【００６９】
次に、下側ノズル２４の取付方法および伸縮動作について図３Ａおよび図３Ｂを用いて説明する。図３Ａは、下側ノズル２４の取付方法を示す模式図であり、図３Ｂは、下側ノズル２４の伸縮動作を示す模式図である。
【００７０】
図３Ａに示すように、貯留槽底部２１の開口部２１ａには、貯留槽底部２１の上端部を開口部２１ａの中心へ向けて突出させたフランジ部２１ｂが形成される。
【００７１】
作業者等は、封止部材であるＯリング７１を下側ノズル２４の溝部５２ｃに取り付けた状態で、下側ノズル２４を貯留槽底部２１の下方から開口部２１ａへ挿通させ、取付部５２の上端部５２ａをフランジ部２１ｂに当接させる。これにより、貯留槽底部２１は、フランジ部２１ｂの下面に取付部５２の上端部５２ａが当接し、フランジ部２１ｂの内周面に突出部５２ｂの外周面が当接した状態となり、開口部２１ａが閉塞される。
【００７２】
また、取付部５２には両端開口のネジ穴（図示せず）が形成され、フランジ部２１ｂには一端開口のネジ穴（図示せず）が形成される。作業者等は、これらのネジ穴に対して固定部材であるネジ７２を挿通し、下側ノズル２４を貯留槽底部２１に対してネジ止めする。これにより、下側ノズル２４は、貯留槽底部２１に取り付けられた状態となる。
【００７３】
このように、下側ノズル２４の取付部５２が、貯留槽底部２１のフランジ部２１ｂに対してＯリング７１を介して固定されることにより、下側ノズル２４と貯留槽底部２１との密閉性が確保される。
【００７４】
つづいて、下側ノズル２４の伸縮動作について図３Ｂを用いて説明する。図３Ｂに示すように、基板処理装置１は、筐体部５４ａ、可動側部材５４ｄおよびノズル本体部５１によって覆われる密閉空間に対して配管４０ｃおよび流路５４ａ＿１を介してＡＩＲ（空気）を供給する。これにより、可動側部材５４ｄには、空気圧による外力が加えられる。
【００７５】
この結果、可動側部材５４ｄは、付勢部材５４ｃによる付勢に抗して鉛直上方へ移動し、ノズル本体部５１を鉛直上方へ移動させる。これにより、ノズル本体部５１の吐出口５１ｂは、貯留槽底部２１の上面から突出した状態となる。
【００７６】
上述したように、可動部位であるノズル本体部５１と非可動部位である取付部５２との間は、ノズル本体部５１の移動に伴って伸縮可能な膜５３によって閉塞される。このため、下側ノズル２４は、可動部位であるノズル本体部５１と非可動部位である取付部５２との間の密閉性を確保しつつ、可動部位であるノズル本体部５１を移動させることができる。
【００７７】
また、下側ノズル２４は、可動部位であるノズル本体部５１と非可動部位である取付部５２とが互いに離間して配置される。すなわち、ノズル本体部５１と取付部５２との間には擦り合せ部分が存在しないため、かかる擦り合せ部分から発塵が生じることがない。
【００７８】
また、下側ノズル２４の取付部５２と、かかる取付部５２が取り付けられる貯留槽底部２１とは、共に非可動部位である。このため、下側ノズル２４と貯留槽底部２１との間にも擦り合わせ部分は存在しない。したがって、下側ノズル２４によれば、貯留槽底部２１との間の密閉性を容易に確保することができる。
【００７９】
また、下側ノズル２４は、移動機構５４の駆動系である付勢部材５４ｃおよび可動側部材５４ｄが、ノズル本体部５１、取付部５２、膜５３および筐体部５４ａによって覆われる閉空間内に配置される。このため、仮に、付勢部材５４ｃや可動側部材５４ｄから発塵が起きたとしても、かかる発塵による基板Ｗへの影響を抑えることができる。
【００８０】
また、ノズル本体部５１と取付部５２との間を閉塞する膜５３は、凹凸のない平坦な部材で形成される。このため、たとえばカバー体としてベローズなどの凹凸のある部材を用いた場合と比較し、排出すべき液体が凹凸部分に残存したり凹凸部分によって液体の流れが阻害されたりといったことが生じ難い。
【００８１】
なお、第１の実施形態に係る付勢部材５４ｃおよび可動側部材５４ｄは、ノズル本体部５１を流路５１ａの流れ方向と反対方向へ付勢するとともに、外力が加えられた場合には、流れ方向と反対方向への付勢に抗してノズル本体部５１を移動させる可動部の一例である。
【００８２】
＜基板処理装置の動作＞
次に、基板処理装置１の具体的動作について図４および図５Ａ〜図５Ｄを用いて説明する。図４は、基板処理装置１が実行する基板処理の処理手順を示すフローチャートである。
【００８３】
なお、基板Ｗは、パターン面を下方に向けた状態で図示しない搬送機構によって基板支持部１０の下方へ搬送された後、図示しない受渡機構によって搬送機構から基板支持部１０の爪部１２へ受け渡され、基板支持部１０によって支持されるものとする。図４には、基板Ｗが基板支持部１０によって支持された後の処理手順を示している。
【００８４】
図４に示すように、基板処理装置１は、まず、基板Ｗの下面に付着しているレジストを除去するレジスト除去処理を行う（ステップＳ１０１）。
【００８５】
レジスト除去処理において、基板処理装置１は、基板Ｗを回転させつつ、下側ノズル２４から基板Ｗへ向けてＳＰＭを吐出することによって、基板Ｗの下面に付着したレジストを除去する。
【００８６】
ここで、レジスト除去処理の内容について図５Ａを用いて説明する。図５Ａは、レジスト除去処理の動作例を示す模式図である。
【００８７】
図５Ａに示すように、基板処理装置１は、まず、第１昇降部１５（図１参照）を用いてベース部１４（図１参照）を下方に移動させる。これにより、基板Ｗは、第１カップ３１の外壁部３１ｂの上端部よりも高く、第２カップ３２の外壁部３２ａの上端部よりも低い位置に配置される。その後、基板処理装置１は、回転支持部１３を用いて基板Ｗを所定の回転速度（たとえば、５００ｒｐｍ）で回転させる。
【００８８】
つづいて、基板処理装置１は、下側ノズル２４に対してＡＩＲ（空気）を供給することにより、ノズル本体部５１（図２参照）を鉛直上方へ移動させる。これにより、下側ノズル２４の吐出口５１ｂが、貯留槽底部２１の上面よりも高い位置に配置される。
【００８９】
また、基板処理装置１は、第２昇降部２３を用いて液体貯留部２０の可動堰部２２を鉛直上方へ移動させ、可動堰部２２の位置を「Ｍｉｄポジション」とする。これにより、貯留槽底部２１と可動堰部２２とによって貯留槽が形成される。
【００９０】
なお、「Ｍｉｄポジション」において、可動堰部２２の上端部は、貯留槽底部２１の上面よりも高く、貯留槽底部２１の上面から突出した状態の吐出口５１ｂよりも低い位置に配置される。
【００９１】
つづいて、基板処理装置１は、貯留槽底部２１の吐出口２５からＨＤＩＷを吐出する。これにより、貯留槽底部２１と可動堰部２２とによって形成される貯留槽にＨＤＩＷが貯留される。
【００９２】
ここで、上記のように、可動堰部２２の上端部は、下側ノズル２４の吐出口５１ｂよりも低い位置に配置される。言い換えれば、下側ノズル２４の吐出口５１ｂは、貯留槽底部２１と可動堰部２２とによって形成される貯留槽に貯留されるＨＤＩＷの液面よりも高い位置に配置される。
【００９３】
このように、基板処理装置１は、ノズル本体部５１を鉛直上方へ移動させて下側ノズル２４の吐出口５１ｂをＨＤＩＷの液面よりも高い位置に配置することで、貯留槽に貯留されたＨＤＩＷが下側ノズル２４の内部へ流入することを防止することができる。
【００９４】
また、貯留槽にＨＤＩＷが貯留された状態で下側ノズル２４の吐出口５１ｂからＳＰＭを吐出する場合に、吐出口５１ｂを貯留槽に貯留されたＨＤＩＷの液面よりも高い位置に配置することで、ＨＤＩＷがＳＰＭとともに基板Ｗへ吐出されることを防止することができる。
【００９５】
つづいて、基板処理装置１は、バルブ４１ｃおよびバルブ４１ｄ（図１参照）を開くことによって、下側ノズル２４から基板Ｗの下面へ向けてＳＰＭを吐出する。基板Ｗの下面に付着したＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて中央から外周縁に向けて拡散し、基板Ｗの下面に付着するレジストを酸化反応によって除去する。
【００９６】
基板Ｗ上のＳＰＭの温度は、基板Ｗの中央部から外周縁に向かうにつれて徐々に低くなるが、基板処理装置１は、加熱部１７を用いて基板Ｗの外周部を加熱することによって、基板Ｗ上のＳＰＭの温度を均一に保つことができる。
【００９７】
基板Ｗの外周縁から基板Ｗの外方へ飛散したＳＰＭは、開口部３２ｄから第２カップ３２内に入り、かかる第２カップ３２によって集液されて排出口３２ｃから外部へ排出される。
【００９８】
ところで、ＳＰＭは、基板Ｗへ付着した後、重力により基板Ｗから下方へ落下する場合もある。仮に、ＳＰＭが貯留槽底部２１へ直接落下したとすると、ＳＰＭの凝集物が貯留槽底部２１の上面に付着して貯留槽底部２１が汚損するおそれがある。
【００９９】
これに対し、基板処理装置１では、ＨＤＩＷを貯留した状態でＳＰＭの吐出を行うこととたため、基板Ｗから落下したＳＰＭは、ＨＤＩＷの液面に落下することとなる。すなわち、貯留槽底部２１にＳＰＭが直接落下することはないため、ＳＰＭの凝集物が貯留槽底部２１に付着することを防止することができる。
【０１００】
しかも、基板処理装置１は、ＨＤＩＷの排出と供給を常時行っているため、基板Ｗから落下したＳＰＭをＨＤＩＷとともにすぐに排出することができる。したがって、貯留槽底部２１にＳＰＭによるヒュームの付着をより確実に防止することができる。
【０１０１】
なお、ここでは、下側ノズル２４のノズル本体部５１（図２参照）を鉛直上方へ移動させた後で、貯留槽にＨＤＩＷを貯留することとしたが、基板処理装置１は、貯留槽にＨＤＩＷを貯留した後で、または、貯留槽にＨＤＩＷを貯留しながらノズル本体部５１を移動させてもよい。
【０１０２】
図４へ戻り、基板処理装置１の動作についての説明を続ける。ステップＳ１０１のレジスト除去処理を終えると、基板処理装置１は、バルブ４１ｃおよびバルブ４１ｄ（図１参照）を閉じてＳＰＭの吐出を停止する。また、基板処理装置１は、基板Ｗの回転を停止する。そして、基板処理装置１は、下側ノズル２４へのＡＩＲの供給を停止して下側ノズル２４の吐出口５１ｂを下方に下げる。その後、基板処理装置１は、基板Ｗの洗浄処理を行う（ステップＳ１０２）。
【０１０３】
なお、ステップＳ１０２の洗浄処理へ移行する際、基板処理装置１は、吐出口２５からのＨＤＩＷの吐出を継続させておく、すなわち、貯留槽にＨＤＩＷが貯留された状態を維持しておく。
【０１０４】
洗浄処理において、基板処理装置１は、貯留槽に貯留されたＨＤＩＷに基板Ｗを浸漬させた状態で、貯留槽底部２１に設けられた超音波振動子２６を用いて基板Ｗを超音波洗浄する。
【０１０５】
ここで、洗浄処理の内容について図５Ｂを用いて説明する。図５Ｂは、洗浄処理の動作例を示す模式図である。
【０１０６】
図５Ｂに示すように、基板処理装置１は、第２昇降部２３を用いて液体貯留部２０の可動堰部２２を鉛直上方へ移動させ、可動堰部２２の位置を「Ｈｉポジション」へ変更する。これにより、図５Ａに示す貯留槽よりも深い貯留槽が形成され、貯留槽には、レジスト除去処理時よりも多量のＨＤＩＷが貯留される。
【０１０７】
ここで、貯留槽には、レジスト除去処理の時点でＨＤＩＷがある程度（Ｍｉｄポジション分）貯留されている。このため、基板処理装置１は、貯留槽にＨＤＩＷが貯留されていない場合やＨＤＩＷ以外の液体が貯留されている場合と比較して、可動堰部２２が「Ｈｉポジション」へ移動してからＨＤＩＷの貯留が完了するまでの時間を短縮することができる。
【０１０８】
このように、基板処理装置１は、レジスト除去処理において貯留槽へ貯留する液体として、洗浄処理において貯留槽へ貯留する液体と同一の液体（ここでは、ＨＤＩＷ）を用いることとしたため、レジスト除去処理から洗浄処理への移行を迅速に行うことができる。
【０１０９】
つづいて、基板処理装置１は、第１昇降部１５（図１参照）を用いてベース部１４（図１参照）をさらに下方に移動させる。これにより、基板Ｗは、貯留槽底部２１の上面よりも高く、可動堰部２２の上端部よりも低い位置に配置されて、ＨＤＩＷに浸漬された状態となる。
【０１１０】
そして、基板処理装置１は、超音波振動子２６を用いてＨＤＩＷに浸漬された基板Ｗの超音波洗浄を行う。これにより、基板Ｗの板面に付着した異物が物理的に除去される。
【０１１１】
なお、ここでは、基板Ｗを停止させた状態で超音波洗浄を行う場合の例について示したが、基板処理装置１は、ＨＤＩＷに浸漬させた基板Ｗを回転させながら、超音波洗浄を行ってもよい。
【０１１２】
超音波洗浄処理を終えると、基板処理装置１は、貯留槽に貯留されたＨＤＩＷの排液を行う。ここで、ＨＤＩＷの排液処理について図５Ｃを用いて説明する。図５Ｃは、排液処理の動作例を示す模式図である。
【０１１３】
図５Ｃに示すように、基板処理装置１は、吐出口２５からのＨＤＩＷの供給を停止する。また、基板処理装置１は、第２昇降部２３を用いて液体貯留部２０の可動堰部２２を鉛直下方へ移動させることによって、可動堰部２２の高さを「Ｌｏｗポジション」とする。これにより、貯留されていたＨＤＩＷは、開口部２２ａおよび開口部３１ｅから第１カップ３１へ流入し、第１カップ３１の排出口３１ｄから外部へ排出される。
【０１１４】
なお、貯留槽底部２１の上面および可動堰部２２の上端部には、外周部側が低くなる傾斜が設けられている。これにより、ＨＤＩＷをスムーズに排出することができる。
【０１１５】
図４に戻り、基板処理装置１の動作についての説明を続ける。ステップＳ１０２の洗浄処理を終えると、基板処理装置１は、基板Ｗのリンス処理を行う（ステップＳ１０３）。かかるリンス処理において、基板処理装置１は、ＨＤＩＷを用いて洗浄した後の基板ＷをＨＤＩＷよりも低温の液体であるＣＤＩＷですすぐ処理を行う。
【０１１６】
ここで、リンス処理の内容について図５Ｄを用いて説明する。図５Ｄは、リンス処理の動作例を示す模式図である。
【０１１７】
図５Ｄに示すように、基板処理装置１は、第１昇降部１５（図１参照）を用いてベース部１４（図１参照）を上方に移動させて、基板Ｗを図５Ａに示す位置と同位置に配置する。その後、基板処理装置１は、回転支持部１３を用いて基板Ｗを所定の回転速度（たとえば、１０００ｒｐｍ）で回転させる。
【０１１８】
つづいて、基板処理装置１は、下側ノズル２４に対してＡＩＲ（空気）を供給することによって、ノズル本体部５１（図２参照）を基板Ｗの裏面へ向けて鉛直上方へ移動させる。これにより、下側ノズル２４の吐出口５１ｂが、貯留槽底部２１の上面よりも高い位置に配置される。
【０１１９】
同様に、基板処理装置１は、上側ノズル１６に対してＡＩＲ（空気）を供給することによって、上側ノズル１６のノズル本体部を基板Ｗの表面へ向けて鉛直下方へ移動させる。これにより、上側ノズル１６の吐出口が、天板１１の下面よりも低い位置に配置される。
【０１２０】
つづいて、基板処理装置１は、バルブ４１ｅ（図１参照）を開くことによって、下側ノズル２４から基板Ｗの下面へ向けてＣＤＩＷを吐出するとともに、バルブ４１ａ（図１参照）を開くことによって、上側ノズル１６から基板Ｗの上面へ向けてＣＤＩＷを吐出する。
【０１２１】
基板Ｗの板面へ付着したＣＤＩＷは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて中央から外周縁に向けて拡散し、基板Ｗの板面を洗浄する。なお、基板Ｗの外周縁から基板Ｗの外方へ飛散したＣＤＩＷは、開口部３２ｄから第２カップ３２内に入り、かかる第２カップ３２によって集液されて排出口３２ｃから外部へ排出される。
【０１２２】
このように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、上側ノズル１６および下側ノズル２４を基板Ｗへ近付けた状態で、ＣＤＩＷを基板Ｗへ向けて吐出する。これにより、ＣＤＩＷによる基板Ｗの洗浄力を高めることができる。また、基板Ｗへ近付けた状態でＣＤＩＷを吐出することによってＣＤＩＷの跳ね返りが抑えられるため、基板処理装置１内を清潔に保つことができる。また、少ない流量で洗浄することができるため、使用するＣＤＩＷの量を節約することができる。
【０１２３】
基板処理装置１は、ＣＤＩＷの吐出を開始してから所定時間が経過すると、バルブ４１ａおよびバルブ４１ｅを閉じて、リンス処理を終える。
【０１２４】
なお、ここでは、図５Ｃに示す排液処理が完了した後、基板Ｗを鉛直上方へ移動させることとしたが、基板処理装置１は、基板Ｗの鉛直上方への移動を排液処理時に行ってもよい。これにより、基板処理に要する時間を短縮することができる。
【０１２５】
図４へ戻り、基板処理装置１の動作についての説明を続ける。ステップＳ１０３のリンス処理を終えると、基板処理装置１は、基板Ｗの乾燥処理を行う（ステップＳ１０４）。かかる乾燥処理において、基板処理装置１は、リンス処理時よりも速い回転速度（たとえば、１５００ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させながら、上側ノズル１６および下側ノズル２４の双方から基板Ｗの板面に対して不活性ガスであるＮ２を吐出することによって、基板Ｗを乾燥させる。
【０１２６】
具体的には、基板処理装置１は、リンス処理を終えた後、バルブ４１ｆ（図１参照）を開くことによって下側ノズル２４から基板Ｗの下面へ向けてＮ２を吐出するとともに、バルブ４１ｂ（図１参照）を開くことによって上側ノズル１６から基板Ｗの上面へ向けてＮ２を吐出する。これにより、基板Ｗの板面に残存するＣＤＩＷがＮ２によって除去され、基板Ｗが乾燥する。
【０１２７】
かかる乾燥処理を終えると、基板処理装置１は、基板Ｗの回転を停止した後、図示しない搬送機構を用いて処理済の基板Ｗを搬出して、基板処理を終える。
【０１２８】
上述してきたように、第１の実施形態に係る下側ノズル２４は、ノズル本体部５１と、取付部５２と、膜５３とを備える。ノズル本体部５１は、内部に流路５１ａが形成されるとともに、かかる流路５１ａと連通する吐出口５１ｂが先端部に形成される。取付部５２は、ノズル本体部５１の外周部を取り囲み、かつ、かかる外周部から離間して配置され、他の部材（貯留槽底部２１）へ取り付けられる。膜５３は、ノズル本体部５１および取付部５２間の開口を閉塞するとともに、流路５１ａと平行な方向にノズル本体部５１が移動した場合に、ノズル本体部５１の移動に伴って伸縮する。
【０１２９】
したがって、第１の実施形態に係る下側ノズル２４によれば、可動部位と非可動部位との間の密閉性を確保することができる。
【０１３０】
なお、上述した第１の実施形態では、移動機構５４が、空気圧を利用してノズル本体部５１を移動させる空気作動式の移動機構である場合について説明したが、移動機構は、空気作動式である必要はない。たとえば、移動機構は、電磁石の磁力を利用してノズル本体部を移動させる電磁式の移動機構であってもよい。
【０１３１】
また、第１の実施形態では、可動部（付勢部材５４ｃおよび可動側部材５４ｄ）が、ノズル本体部５１を流路５１ａの流れ方向とは反対方向へ付勢する場合の例を示したが、可動部による付勢方向は、流路５１ａの流れ方向と同一方向であってもよい。すなわち、可動部は、ノズル本体部を流路５１ａの流れ方向へ付勢するとともに、外力が加えられた場合には、流路５１ａの流れ方向への付勢に抗してノズル本体部を移動させるものであってもよい。
【０１３２】
また、上述した第１の実施形態では、ノズル本体部５１、取付部５２および膜５３が一体成形される場合の例を示したが、これらは、必ずしも一体成形されることを要しない。すなわち、それぞれ別体に形成したノズル本体部５１、取付部５２および膜５３を溶接等により接合しても構わない。
【０１３３】
また、上述した第１の実施形態では、下側ノズル２４が貯留槽底部２１に取り付けられ、上側ノズル１６が天板１１に取り付けられる場合の例を示したが、可動ノズルの取付部を固定するノズル固定部は、貯留槽底部２１や天板１１に限定されない。
【０１３４】
また、上述した第１の実施形態では、レジスト除去処理において基板Ｗに対してＳＰＭを吐出する場合に、貯留槽にＨＤＩＷを貯留する場合の例について説明した。しかし、レジスト除去処理において貯留槽に貯留される液体は、ＨＤＩＷに限定されない。たとえば、レジスト除去処理において貯留槽に貯留される液体は、レジスト除去処理後の洗浄処理において貯留槽に貯留される液体がＣＤＩＷである場合には、ＣＤＩＷであってもよい。
【０１３５】
（第２の実施形態）
ところで、本願の開示するノズルは、第１の実施形態において示した構成に限定されない。以下では、ノズルの他の構成について図６および図７を用いて説明する。図６および図７は、下側ノズルの他の構成を示す模式断面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０１３６】
図６に示すように、基板処理装置１ａは、下側ノズル２４ａを備える。かかる下側ノズル２４ａは、ノズル本体部５１＿１と、取付部５２＿１と、膜５３＿１とを備え、第１の実施形態と同様に、取付部５２＿１において貯留槽底部２１に固定される。
【０１３７】
また、基板処理装置１ａは、ノズル本体部５１＿１を鉛直方向、すなわち、ノズル本体部５１＿１の流路と平行な方向へ移動させる移動機構５４＿１を備える。かかる移動機構５４＿１は、たとえばノズル本体部５１＿１の基端部に連結され、モータ等による駆動力あるいは空気圧等によってノズル本体部５１＿１を移動させる。
【０１３８】
このように、本願の開示する可動ノズルは、少なくともノズル本体部、取付部およびカバー体を備えていればよく、必ずしも移動機構を備えることを要しない。
【０１３９】
また、図７に示すように、膜５３＿２が貯留槽底部２１＿１に対して直接設けられてもよい。具体的には、基板処理装置１ｂは、貯留槽底部２１＿１と、先端側ノズル本体部５１＿２ａと、膜５３＿２とを備える。
【０１４０】
先端側ノズル本体部５１＿２ａは、貯留槽底部２１＿１の開口部２１ｃ内に配置される略円筒状の部材である。かかる先端側ノズル本体部５１＿２ａは、内部に流路５５ａが形成され、かかる流路５５ａと連通する吐出口５５ｂが先端部に形成される。
【０１４１】
また、先端側ノズル本体部５１＿２ａの基端部には、径方向に突出するフランジ部５５ｄと、流路５５ａを含んで下方へ突出する突出部５５ｃとが形成される。
【０１４２】
膜５３＿２は、中央に円形の開口部を有する円板状の膜であり、内周部が先端側ノズル本体部５１＿２ａの先端部外縁に連接し、外周部が貯留槽底部２１＿１の開口部２１ｃ上端に連接する。かかる膜５３＿２により、貯留槽底部２１＿１と先端側ノズル本体部５１＿２ａとの間の開口が閉塞される。
【０１４３】
一方、下側ノズル２４ｂは、基端側ノズル本体部５１＿２ｂを備える。基端側ノズル本体部５１＿２ｂは、内部に流路５６ａが形成され、かかる流路５６ａに連通し、先端側ノズル本体部５１＿２ａの突出部５５ｃが挿入される凹部５６ｂが形成される略円筒状の部材である。
【０１４４】
さらに、基端側ノズル本体部５１＿２ｂの上端部には、凹部５６ｂの外周に形成される段部５６ｃと、径方向に突出するフランジ部５６ｄとが形成される。また、基端側ノズル本体部５１＿２ｂの基端部には、配管４０ｂが連結される。
【０１４５】
かかる基端側ノズル本体部５１＿２ｂは、凹部５６ｂに対して先端側ノズル本体部５１＿２ａの突出部５５ｃが挿入され、先端側ノズル本体部５１＿２ａと段部５６ｃとによって形成される溝部にＯリング７３が取り付けられる。かかる状態で、基端側ノズル本体部５１＿２ｂのフランジ部５６ｄおよび先端側ノズル本体部５１＿２ａのフランジ部５５ｄにそれぞれ形成されたネジ穴（図示せず）に対して固定部材であるネジ７４を挿通することによって、基端側ノズル本体部５１＿２ｂは、先端側ノズル本体部５１＿２ａにネジ止めされた状態となる。
【０１４６】
このように、基板処理装置１ｂが、膜５３＿２を備える構成であってもよい。
【０１４７】
なお、上述してきた各実施形態では、カバー体として平坦な膜を用いることとしたが、膜は、必ずしも平坦でなくてもよく、多少の凹凸を有するものであってもよい。また、カバー体として膜以外の部材、たとえばベローズ等を用いてもよい。
【０１４８】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１４９】
１  基板処理装置
１０  基板支持部
１１  天板
１２  爪部
１３  回転支持部
１４  ベース部
１５  第１昇降部
１６  上側ノズル
１７  加熱部
２０  液体貯留部
２１  貯留槽底部
２２  可動堰部
２３  第２昇降部
２４  下側ノズル
５１  ノズル本体部
５２  取付部
５３  膜
５４  移動機構
５４ａ  筐体部
５４ｂ  固定側部材
５４ｃ  付勢部材
５４ｄ  可動側部材
２５  吐出口
２６  超音波振動子
３０  カップ部
３１  第１カップ
３２  第２カップ
４０ａ〜４０ｄ  配管
４１ａ〜４１ｆ  バルブ
【図１】
0005827593.tif 000002
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７】
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