(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板に対して電子ビームを照射し前記表示装置用基板から放出された二次電子を検出して解析を行う検査方法であって、
前記表示装置用基板の予め定められた検査対象領域に前記電子ビームをスキャンし、放出された二次電子を取得し予め定められた解析対象領域に対して解析を行い、
前記表示装置の設計情報に基づき、検出結果に重み付け演算し、前記検査対象領域と前記解析対象領域の少なくとも一方を設定し前記非矩形状の表示エリアに対応したものとする、ことを特徴とする検査方法。
【請求項２】
前記設計情報のうち、前記表示装置用基板の配線に接続される画素の数を利用する、ことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記設計情報のうち、前記画素の周囲の画素の数又は存在位置を利用する、ことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
【請求項４】
複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板に対して電子ビームを照射し前記表示装置用基板から放出された二次電子を検出して解析を行う検査方法であって、
前記表示装置用基板の予め定められた検査対象領域に前記電子ビームをスキャンし、放出された二次電子を取得し予め定められた解析対象領域に対して解析を行い、
前記検査対象領域と前記解析対象領域の少なくとも一方を設定し前記非矩形状の表示エリアに対応したものとし、前記表示装置の設計情報に基づき、検査対象の良否を判定するしきい値に重み付け演算する、ことを特徴とする検査方法。
【請求項５】
複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板に対して電子ビームを照射し前記表示装置用基板から放出された二次電子を検出して解析を行う検査方法であって、
演算部が前記表示装置の設計情報を入力するステップと、
前記演算部が前記設計情報に基づき前記非矩形状の表示エリアに対応した検査対象領域を設定するステップと、
測定部が前記表示装置用基板の前記検査対象領域に限定して前記電子ビームをスキャンするステップと、
前記演算部が前記設計情報に基づき検査による検出信号への重み付け情報を生成するステップと、
前記演算部が、前記測定部による検査対象の検査測定の検出信号を保存するステップと、
前記演算部が前記保存された検出信号と前記重み付け情報とを演算するステップと、
前記演算部が前記検査対象の良否の判定をするしきい値を設定するステップと、
前記演算部が前記保存された検出信号と該重み付け情報との演算で得られた重み付き検出信号と前記しきい値とから、前記検査対象の良否を判定するステップと、
を有する、ことを特徴とする検査方法。
【請求項６】
複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板に対して電子ビームを照射し前記表示装置用基板から放出された二次電子を検出して解析を行う検査方法であって、
演算部が前記表示装置の設計情報を入力するステップと、
前記演算部が前記設計情報に基づき前記非矩形状の表示エリアに対応した検査対象領域を設定するステップと、
測定部が前記表示装置用基板の前記検査対象領域に限定して前記電子ビームをスキャンするステップと、
前記演算部が前記設計情報に基づき検査対象の良否を判定するしきい値への重み付け情報を生成するステップと、
前記演算部が、前記測定部による検査対象の検査測定の検出信号を保存するステップと、
前記演算部が前記検査対象の良否の判定をするしきい値を設定するステップと、
前記演算部が前記しきい値と該重み付け情報とを演算するステップと、
前記演算部が前記しきい値と該重み付け情報との演算で得られた重み付きしきい値と該検出信号とから該検査対象の良否を判定するステップと、
を有する、ことを特徴とする検査方法。
【請求項７】
前記演算部は、前記設計情報の配線の接続画素数、又は、周囲画素数に基づき、前記重み付け情報を生成する、ことを特徴とする請求項５又は６に記載の検査方法。
【請求項８】
前記設計情報に基づき、前記表示装置基板外周部の画素及び形状に応じて、前記表示装置基板の画素へ照射する電子ビームスポットの配置及び／又はスポット数を制御する、ことを特徴とする請求項５又は６に記載の検査方法。
【請求項９】
前記表示装置基板の一の画素とその周辺画素に関する二次元の重み付けにより、前記一の画素に存在する欠陥に関連する情報を、欠陥が存在しない周辺画素の情報よりも大きく扱い、欠陥の検出を容易化する、ことを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項１０】
前記表示装置基板の一の画素とその周辺画素に関する二次元の重み付けにより、前記一の画素の周辺画素の欠陥に関連する情報よりも前記一の画素が無欠陥である情報の方を大きく扱い、周辺画素の欠陥の存在に影響されずに、無欠陥画素を検出可能としている、ことを特徴とする請求項５乃至９のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項１１】
前記表示装置基板の一の画素とその周辺画素に関する二次元の重み付けにより、前記一の画素の周辺画素の欠陥に関する情報を差し引き、前記一の画素の無欠陥である情報が欠陥のある周囲画素から受ける影響を削減する、ことを特徴とする請求項５乃至１０のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項１２】
前記一の画素の欠陥に関する情報を強調し、正常な画素からの影響を削減する、ことを特徴とする請求項１１に記載の検査方法。
【請求項１３】
複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板に対して電子ビームを照射し前記表示装置用基板から放出された二次電子を検出して解析を行う検査装置であって、
前記表示装置用基板の予め定められた検査対象領域に限定して前記電子ビームをスキャンし、放出された二次電子を取得し予め定められた解析対象領域に限定して解析を行い、
前記表示装置の設計情報に基づき、検出結果に重み付け演算し、前記検査対象領域と前記解析対象領域の少なくとも一方を設定し前記非矩形状の表示エリアに対応したものとする、ことを特徴とする検査装置。
【請求項１４】
前記設計情報のうち、前記表示装置用基板の配線に接続される画素の数を利用する、ことを特徴とする、請求項１３に記載の検査装置。
【請求項１５】
前記設計情報のうち、前記画素の周囲の画素の数又は存在位置を利用する、ことを特徴とする、請求項１３に記載の検査装置。
【請求項１６】
複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板に対して電子ビームを照射し前記表示装置用基板から放出された二次電子を検出して解析を行う検査装置であって、
前記表示装置用基板の予め定められた検査対象領域に限定して前記電子ビームをスキャンし、放出された二次電子を取得し予め定められた解析対象領域に限定して解析を行い、
前記表示装置の設計情報に基づき、前記検査対象領域と前記解析対象領域の少なくとも一方を設定し前記非矩形状の表示エリアに対応したものとし、前記設計情報に基づき、検査対象の良否を判定するしきい値に重み付け演算する、ことを特徴とする検査装置。
【請求項１７】
演算部と測定部を備え、複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板に対して電子ビームを照射し前記表示装置用基板から放出された二次電子を検出して解析を行う検査装置であって、
前記演算部が、
前記表示装置の設計情報を入力する手段と、
前記設計情報に基づき前記非矩形状の表示エリアに対応した検査対象領域を設定する手段と、
前記設計情報に基づき検査による検出信号への重み付け情報を生成する手段と、
前記測定部による検査対象の前記検査測定の検出信号を保存する手段と、
前記保存された検出信号と前記重み付け情報とを演算する手段と、
前記検査対象の良否の判定をするしきい値を設定する手段と、
前記保存された検出信号と該重み付け情報との演算で得られた重み付き検出信号と前記しきい値とから、前記検査対象の良否を判定する手段と、
を有し、
前記測定部は、前記表示装置用基板の前記検査対象領域に限定して前記電子ビームをスキャンする、ことを特徴とする検査装置。
【請求項１８】
演算部と測定部を備え、複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板に対して電子ビームを照射し前記表示装置用基板から放出された二次電子を検出して解析を行う検査装置であって、
演算部が、
前記表示装置の設計情報を入力する手段と、
前記設計情報に基づき前記非矩形状の表示エリアに対応した検査対象領域を設定する手段と、
前記設計情報に基づき検査対象の良否を判定するしきい値への重み付け情報を生成する手段と、
前記測定部による検査対象の検査測定の検出信号を保存する手段と、
前記検査対象の良否の判定をするしきい値を設定する手段と、
前記しきい値と該重み付け情報とを演算する手段と、
前記しきい値と該重み付け情報との演算で得られた重み付きしきい値と該検出信号とから該検査対象の良否を判定する手段と、
を有し、
前記測定部は、前記表示装置用基板の前記検査対象領域に限定して前記電子ビームをスキャンする、ことを特徴とする検査装置。
【請求項１９】
前記演算部は、前記設計情報の配線の接続画素数、又は、周囲画素数に基づき、前記重み付け情報を生成する、ことを特徴とする請求項１７又は１８に記載の検査装置。
【請求項２０】
前記測定部は、前記設計情報に基づき、外周部の画素及び形状に応じて、前記表示装置基板の画素へ照射する電子ビームスポットの配置及び／又はスポット数を制御する、ことを特徴とする請求項１７又は１８に記載の検査装置。
【請求項２１】
複数の画素を有し、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板の製造方法であって、
製造工程中に、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の検査方法を用いて、前記表示装置の表示装置用基板を検査し良否判定を行う工程を含む、表示装置の表示装置用基板の製造方法。
【請求項２２】
前記設計情報が、ダミー画素の配置情報を含み、前記ダミー画素領域を検査対象領域から外す、ことを特徴とする請求項１記載の検査方法。
【請求項２３】
前記重み付けを、検査対象領域の画素に隣接するダミー画素の情報を用いて行う、ことを特徴とする請求項１又は４記載の検査方法。
【請求項２４】
前記重み付け情報を生成する際に、検査対象領域の画素に隣接するダミー画素の情報を利用する、ことを特徴とする請求項５又は６記載の検査方法。
【請求項２５】
前記設計情報を、
前記非矩形状の表示エリアの外形情報、
繰り返しピッチで繰り返される画素単位の形状情報と接続情報、
繰り返しの方向、繰り返しのための原点の少なくとも１つに変換するステップを含む、ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項２６】
前記設計情報が、ダミー画素の配置情報を含み、前記ダミー画素領域を検査対象領域から外す、ことを特徴とする請求項１３記載の検査装置。
【請求項２７】
前記重み付けを、検査対象領域の画素に隣接するダミー画素の情報を用いて行う、ことを特徴とする請求項１３又は１６記載の検査装置。
【請求項２８】
前記重み付け情報を生成する際に、検査対象領域の画素に隣接するダミー画素の情報を利用する、ことを特徴とする請求項１７又は１８記載の検査装置。
【請求項２９】
前記設計情報を、前記非矩形状の表示エリアの外形情報、繰り返しの基本単位である画素単位の形状情報と接続情報、繰り返しの方向、原点の位置の情報の少なくとも１つを含む情報に変換して記憶する、ことを特徴とする請求項１３乃至２０のいずれか１項に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用基板の検査技術に関し、特に、非矩形状の表示エリアを有する表示装置に用いられる表示装置用基板の検査方法、検査装置と表示装置用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ。以下、ＴＦＴ）等のスイッチング素子をアレイ上に配列したＴＦＴ基板を用いた、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ。以下、ＦＰＤ）が実用化されている。
【０００３】
液晶ディスプレイでは、通常、ＴＦＴと画素電極、対向電極、及びこれらに接続される配線類とが、ＴＦＴ基板上もしくはＴＦＴ基板と対向する対向基板上に設けられ、両者の間に液晶を狭持した構造となっている。対向電極がＴＦＴ基板側に設けられるか対向基板側に設けられるかは、使用する液晶や表示モードに依存する。ＴＦＴ基板は、通常、ガラス基板等の平坦な基板上に、ＴＦＴと画素電極及び必要に応じて蓄積容量や対向電極をアレイ上に配置した矩形状の表示エリアを有し、且つ表示エリアを含み矩形状の外形を有するパネルを一つ又は複数有する。
【０００４】
図２８は、特許文献１に開示された、典型的なＴＦＴ  ＦＰＤを示す概略図である。単一のガラス基板４０上には、リソグラフと半導体製造プロセスを用いてＴＦＴパネル５０が多数形成されている（図２８（ａ））。各ＴＦＴパネル５０は、アレイ状に配列されたピクセル電極で構成されている。ピクセル５１は、図２８（ｂ）、図２８（ｃ）に示すように、縦行と横列のマトリックス状に配列される。
【０００５】
図２８（ｃ）において、各ピクセル５１の横列Ｌｒと縦行Ｌｃとの選択信号をアドレスすることによって、ＴＦＴパネル５０の表示操作を行う。
【０００６】
図２９は、特許文献３に開示された、ディスプレイ用ＴＦＴの一構成例を示す図である。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ａ、画素電極ｂ、奇数データ線ｅ、偶数データ線ｆ、奇数ゲート線ｃ、偶数ゲート線ｄ、及びコモン線ｇから構成される。ここで、データ線ｅ，ｆとゲート線ｃ，ｄは交差しているが、電気的には接続されていない。各ＴＦＴａは、それぞれデータ線ｅ，ｆとゲート線ｃ，ｄに接続されている。なお、コモン線ｇを持たないＴＦＴアレイも存在し、この場合には、画素電極ｂは静電容量を介して隣接するゲート線に接続されている。
【０００７】
ディスプレイが機能するためには、各ＴＦＴが正常に機能し、画像を映し出すように画素電極に電圧が印加されなければならない。画素電極に正常に電圧が印加されているか否かを調べるために、荷電粒子を画素電極に照射した場合に発生する二次電子の運動エネルギーが画素電極の電圧によって変化することを利用することができる。
【０００８】
図３０は、特許文献１に開示されている構成を示す図である。図３０に示すように、表示装置のアレイ基板５に電子線ＥＢを照射する電子線源１１を備え、電子の照射によって発生する二次電子放出ＳＥは、電子検出器ＤＥ（二次電子検出器）で検出される。二次電子放出ＳＥは、放出する基板のピクセル６の電圧に比例する。電子検出器ＤＥの出力は検査対象のピクセルの電圧を表しており、信号発生器及び信号解析器８に送られ解析される。各ピクセルのＴＦＴの端子に供給する駆動信号は信号発生器及び信号解析器８で形成され、ライン６１、６２を通してピクセル６に供給される。この駆動信号の走査は、矢印Ｓで表される電子線ＥＢの走査と同期して行われる（特許文献１、２等参照）。この荷電粒子の電圧コントラスト技術（もしくは「電子ビーム検査技術」とも呼ばれる）は、非接触で基板上の各ＴＦＴの状態を判定する方法であり、従来の機械的プローブを用いた検査方法に比べてコストが安く、また、光学的検査方法に比べて、検査速度が速いという利点を有する。
【０００９】
以下、特許文献３の記載に基づき、二次電子の検出量に基づく電圧コントラスト技術の原理について説明する。
【００１０】
ＴＦＴ基板の各画素電極から放出され電子検出器ＤＥに到達する二次電子の量は、画素電極の電圧の極性に依存している。例えば、画素電極が正電位（プラス）の場合、該画素電極への荷電粒子の照射により発生した二次電子は、負電位（マイナス）の電荷をもっているために該画素電極へ引き込まれる。この結果、電子検出器ＤＥに到達する二次電子の量は減少する。
【００１１】
一方、画素電極が負電位（マイナス）の場合、発生した二次電子は、負電位の電荷をもっているため該画素電極と反発しあう。この結果、発生した二次電子は減少することなく電子検出器ＤＥに到達する。
【００１２】
このように、画素電極の電圧の極性（負、正、電圧無印加等）によって、該画素電極から発生した二次電子の検出量が影響されることを利用して、画素電極の電圧波形に対応した二次電子波形を測定することができる。
【００１３】
すなわち、間接的に画素電極の電圧波形を知ることが可能となり、予め予測される二次電子波形と比較することにより画素電極に正常に電圧が印加されているか否かを調べることができる。
【００１４】
ＴＦＴアレイの画素電極の形状は、通常、長方形又は多角形であり、大きさは、数十ミクロンから数百ミクロンである。
【００１５】
画素電極の大きさは、完成品であるディスプレイの大きさと解像度によって決まる。そのため、一つのＴＦＴアレイ検査装置によって大きさや解像度が異なるＴＦＴアレイを検査する場合、それぞれ大きさが異なる画素電極を検査する必要がある。
【００１６】
一方、従来の荷電粒子ビームを用いたＴＦＴアレイ検査装置は、一定の口径の荷電粒子ビーム径をＴＦＴ基板上で走査させ、所定のタイミングで二次電子を検出することによって二次電子波形を取得している。
【００１７】
図３１は、荷電粒子ビームの走査及び二次電子の検出を説明するための図である。なお、ここでは、一画素電極上で得る検出点を４点とする場合について示している。また、ここでは、各画素電極をα、β、γで表した横方向座標とタイミングで二次電子を検出する。
【００１８】
図３１（ａ）は、座標位置（α１）の画素電極上の１点目の検出点α１−１の位置を示す。
【００１９】
図３１（ｂ）は、２点目の検出点α１−２の位置を示している。
次に、荷電粒子ビームは、隣接する座標位置（β１）の画素電極に移動し、画素電極上の１点目の検出点β１−１を検出する（図３１（ｃ））。
【００２０】
荷電粒子ビームは、ＴＦＴ基板の１行目の走査が終了した後２行目の走査を行い、同様にして、画素電極上の検出点の二次電子を検出する（図３１（ｄ）、図３１（ｅ））。
【００２１】
この走査と所定タイミングでの二次電子信号の検出を繰り返すことによって、画素電極上において４点の検出を行う（図３１（ｅ）において、内部にハッチングを施した丸）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】特開２０００−３１４２号公報
【特許文献２】米国特許第５，９８２，１９０号明細書
【特許文献３】特開２００５−２１７２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
以下に本発明による関連技術の分析を与える。
【００２４】
第１の問題点は、従来の検査方法及び検査装置では、非矩形状の表示エリアを有する表示装置（特に、アクティブマトリクス型表示装置）のアレイ基板を効率よく検査できない。
【００２５】
その理由は、従来の表示装置は、矩形状の表示エリアを有しており、非矩形状の表示エリアを有するアクティブマトリクス型表示装置がほとんど存在していず、非矩形状の表示エリアを有するアクティブマトリクス型表示装置の検査の必要性が存在しなかったためである。必要性が存在しないため、従来の検査方法及び検査装置では、非矩形状の表示装置を効率よく検査することが出来ない。
【００２６】
特に、矩形状の表示エリアを検査する検査装置を非矩形状の表示エリアを有する表示装置に適用した場合、表示エリア以外の部分も検査対象としてしまうことが生じる。
【００２７】
さらに、検査結果も装置自体の機能で自動判定することが出来ず、検査装置外部に結果を取り出し、検査されたエリアの検査結果情報から非矩形状の表示エリアに対応する情報を取り出し、取り出された情報に対し良否判定をする必要がある。
【００２８】
このように、
・矩形状の表示エリアと非矩形状の表示エリアとの違いにより、本来、検査する必要のない領域まで検査対象とされ、
・非矩形状のエリアを全て含有するような矩形状エリアを指定する結果、画素以外の部分を検査対象とする不必要な検査及び不必要なデータ蓄積が必要となる、
・蓄積データから本来検査すべき対象を選別する作業が必要となる、
・選別された、本来検査すべき対象の良否判定を、通常と異なる環境（検査装置外部）で行う必要がある、
等、極めて非効率な検査をする必要があった。
【００２９】
また、本来検査すべき対象の領域からの測定データと検査対象外の領域からの測定データが混在するため良否判定で誤りが生じることがあった。
【００３０】
第２の問題点は、従来の検査方法と検査装置においては、非矩形状の表示エリアを有する表示装置（特にアクティブマトリクス型表示装置）のアレイ基板の検査において、正常画素と異常画素を誤認することが多い点である。
【００３１】
その理由は、非矩形状の表示エリアを有する表示装置（特にアクティブマトリクス型表示装置）では、矩形状の表示エリアを有する表示装置と異なり、各配線に付随する画素数が異なるためである。
【００３２】
すなわち、各配線に付随する画素（すなわち、直接接続される画素もしくは直接接続でない寄生容量として寄与する画素）の数は、表示エリアの形状によって配線毎に異なる。
【００３３】
この点に関し、図２７を参照して説明する。図２７には、ハート型の表示エリアを有する表示装置の表示エリア内部における配線２７１〜２７４が示されている。
【００３４】
ここでは、図２７において、配線２７１と２７２に注目する。図からも明らかなように、配線２７１と配線２７２では、配線の長さが全く異なっている。当然、配線に接続される画素の数も大きく異なってくる。
【００３５】
図２７では、配線２７２の長さは配線２７１の長さのほぼ３倍である。画素が同じピッチで配列されている場合、これらの配線に直接接続される画素の数も、配線２７２が配線２７１のほぼ３倍となる。
【００３６】
更に、配線２７１と配線２７２で各配線の下側に隣接する配線は、破線で示した配線２７３と２７４である。配線２７３と２７４は、ほぼ同じ長さとなっており、これらに直接接続される画素の数もほぼ同じである。
【００３７】
この結果、配線２７１と配線２７２では、配線の長さ・直接接続する画素の数が１：３の関係であり、各配線の下側に隣接し寄生容量として寄与する画素は１：１の関係となっている。
【００３８】
このように、付随する画素数が異なると、各配線への充電及び各配線での信号伝播の様子が異なってくる。その結果、同じ信号を書き込む条件でも、各画素に書き込まれる電圧も異なってくる。各画素の電圧が異なってくると、正常画素と異常画素の判定に狂いが生じる。
【００３９】
更に、矩形状の表示エリアを有する表示装置では、ある画素の周囲に存在し、その画素への寄生容量として寄与する画素の数は、最外周部分の各辺と、四隅の画素のみが周辺画素の数が異なる構成となっている。
【００４０】
例えば、直交して正方形画素が配置される場合、中央部の大部分の画素の周囲画素は８つ、最外周の辺の画素では５つ、４隅の画素では、３つとなる。
【００４１】
一方、非矩形状の表示エリアを有する表示装置では、この周囲画素の数は様々なバリエーションがあり、矩形状の表示エリアを有する表示装置とは大きく様相が異なる。例えば、上記と同様に直交して正方形画素が配置される場合、各画素の周辺画素の数は、１つから８つまで全てのバリエーションが存在し得る。
【００４２】
このような周辺画素の違いは、前述の配線への寄生容量を変化させ、正常画素と異常画素の判定に影響する。
【００４３】
更には、電子線を照射した際にも、寄生容量の違いが２次電子放出に少なからず影響を与えていることが予想される。このような効果も、従来の検査装置で非矩形状の表示エリアを有する表示装置を検査した際に、正常画素と異常画素の誤認が多い原因と推定される。
【００４４】
第２の問題点の他の例として、表示エリアの外周部にダミー画素が設けられた表示装置を検査する場合に生じる不具合が挙げられる。
【００４５】
ダミー画素は、表示領域の外周部分で生じる可能性のある様々な問題、例えば、
・表示媒体の特性が乱れる、
・加工プロセスの均一性が取れず、画素電極の大きさ・形状や配線の太さが画素アレイの中心部分と異なり特性が変わる、
等を生じさせないために設けられている。これらの問題は、外周部分の表示領域側には、画素が密集し、外周部分の表示領域より外側には、画素が存在しないという構造の不均一性から生じる。
【００４６】
そこで、ダミー画素を配置し、様々な不具合が、当該ダミー画素部分のみに発生させるようにしたり、ダミー画素よりも内側の表示領域に入り込まないようにすることで、表示領域内では不具合を生じさせないようにした構成が用いられる（図３３参照）。
【００４７】
例えば図３３に示すように、このダミー画素７５０においては、ＴＦＴ７０１等のアクティブ素子が設けられない。あるいは、ＴＦＴ等のアクティブ素子を設けても、該アクティブ素子をデータ線やゲート線等の配線には接続されない。
ダミー画素７５０において、ＴＦＴ７０１等のアクティブ素子を設けない場合、画素電極７０２をデータ線７０４やゲート線７０３等の配線に直接接続するか、もしくは、画素電極７０２を、配線類に接続せずにフローティングとする。図３３の例では、ダミー画素７５０の画素電極７０２はフローティングとされる。
【００４８】
ダミー画素７５０の画素電極７０２をフローティングとした場合、画素電極７０２の電位をデータ線７０４、ゲート線７０３によって制御することは出来ない。このため、それぞれのダミー画素７５０の画素電極７０２に、何らかの原因で蓄積された電荷等により、ダミー画素７５０の画素電極７０２の電位が決定される。
【００４９】
そして、検査において、ダミー画素７５０に電子ビーム等が照射されると、容易に、蓄積電荷の値が変異し、画素電極７０２の電位が変化する。このため、ダミー画素７５０は、欠陥画素と判定されるか正常画素と判定されるかが一義的でない（例えば欠陥画素が良（ＰＡＳＳ）と判定される場合がある一方、正常画素が不良（ＦＡＩＬ）と判定される場合がある）。この結果、従来の検査方法では、通常の画素とダミー画素とを区別することが難しい。
【００５０】
特に、非矩形の表示エリアを有する場合、通常の画素とダミー画素がどこまで存在するかを判定することは、格別に困難である。
【００５１】
一方、ダミー画素の画素電極をデータ線やゲート線に直接接続した場合、ダミー画素部は、アクティブ素子を経由した制御が行われないことから、データ線又はゲート線と画素電極とを電気的に分離できない。このため、通常、画素部の検査において、データ線やゲート線に入力される信号に応じて、ダミー画素の画素電極の電位が変動する。この結果、検査において、異常画素と判定されるか、正常画素と判定されるかが、測定時の信号に依存することになる。
【００５２】
さらに、ダミー画素も通常の画素と同様の構成とする場合もある。すなわち、ＴＦＴ等のアクティブ素子を設けデータ線とゲート線をアクティブ素子に接続する構成とする場合がある。この場合、データ線に入力するデータを、特定のデータに制限することがしばしば行われる。このように、ダミー画素部分も通常画素部分と同じ構造とした場合、ダミー画素と通常画素を識別することは、特段に難しくなる。
【００５３】
上記の通り、いずれの場合においても、ダミー画素をダミー画素として正確に判定することは困難であり、表示基板の検査を簡易化の障害となっている。
【００５４】
さらに、仮に、ダミー画素部分を、ダミー画素として、その良／不良判定を正確に行おうとした場合に、当該判定のために、検査に要する時間やメモリ容量が増大し、テストコストの増大をまねくほか、判定されたダミー画素部分の情報を、製品の表示領域の検査情報から削除する手間等が生じることになる。
【００５５】
第３の問題点は、従来の検査方法及び検査装置では、非矩形状の表示エリアを有する表示装置（特にアクティブマトリクス型表示装置）のアレイ基板の検査において、特に表示エリア外周部の画素の検査に不具合が発生することが多い点である。
【００５６】
その理由は、非矩形状の表示エリアを有する表示装置では、しばしば、表示エリア外周部の画素の画素電極の形状とサイズが異なっていることがあるためである。
【００５７】
従来の矩形状の表示エリアを有する表示装置では、画素アレイは通常、一画素もしくは複数（通常は、色の三原色に対応し３つ）の画素からなる画素群が構成する矩形領域を単位とする繰り返しパターンで形成されている。
【００５８】
デルタ配列と呼ばれる画素配列では、色の異なる３つの画素からなる画素群が凸形状（各画素の重心が三角形）を構成しており、これが繰り返しパターンとなっている。
【００５９】
この繰り返しパターンは、上向きの凸形状と下向きの凸形状の二つが存在するが、原則、この二つ以外のパターンを用いることはない。
【００６０】
一方、非矩形形状の表示エリアを有する表示装置では、矩形状の表示エリアと異なり、しばしば、表示エリア全体の非矩形状の形が優先され、表示エリア外周部で画素の形状やサイズが異なっている。
【００６１】
これは、非矩形状の表示エリアの外周部に矩形形状の画素を用いると、表示エリア外周の形状と画素の形状が整合しないため、不整合している画素の配列によるギザギザ、例えば、曲線を複数の直交する直線で近似した状態が観察される。
【００６２】
このギザギザ感は、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の非矩形状から得られる意匠効果を著しく低減させる。
【００６３】
また、このギザギザ部が本来表示すべき内容で注視してもらいたい注視領域と同等に注視され、情報の提示効果を低減させる。
【００６４】
この結果、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の外周部では、画素の形状及びサイズを、外周部の形状に沿うような形に変形することが行われる。
【００６５】
この結果、外周部の画素は、中央部の画素と同様の電子線を照射した場合に、
・２次電子の発生量が異なる、
・電子線が照射させる回数（点の数）が異なる、
・場合によっては全く電子線が照射されない、
等の現象が発生する。
【００６６】
その結果、正常画素と異常画素の判定がうまくいかなかったり、全く検査できなかったりする。
【００６７】
第４の問題点は、従来の検査方法及び検査装置では、非矩形状の表示エリアを有する表示装置（特にアクティブマトリクス型表示装置）のアレイ基板において、従来の矩形状の表示エリアを有する表示装置とは画素の繰り返しパターンが異なる場合、検査が出来ない点である。
【００６８】
矩形状の表示エリアを有する従来の表示装置では、画素が直交する二つの軸に沿って各々の軸で等間隔に配置される。デルタ配置の場合、上向きの凸形状と下向きの凸形状の繰り返しパターンがあるが、配置する軸は、直交する二つの軸とその二つの軸の位置を平行移動した別の直交する二つの軸とに沿って配置される。
【００６９】
このため、画素の検査、すなわち、電子線を用いた検査の場合、電子線の照射、２次電子の読み取り、測定結果の判定と解釈は、直交する座標を元に行われる。
【００７０】
一方、非矩形状の表示エリアを有する表示装置では、非矩形状の表示エリアでの意匠効果を実現しやすい形に画素が配列されることがある。たとえば、直交しない二つ、もしくは三つの軸に沿って、幾つかの非矩形状の画素からなる繰り返しパターンを配列する。また、例えば、非矩形状の画素をある線を中心に線対称に配置する。この場合、中心線の左右では、非矩形状の画素もミラー反転されるため、しばしば平行移動や回転操作では重ならない異なる画素形状となる。
【００７１】
同様に、ある点を中心に点対称に配列したりする。更には、ある点を中心に回転軸上に配列したりする。更には、全くランダムに配列することもある。
【００７２】
このような様々な配列は、従来の検査装置では想定されていず、検査することが出来なかった。
【００７３】
したがって、本発明の主たる目的は、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板を検査可能とするとともに、検査の効率化を可能とする検査方法及び検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００７４】
本発明によれば、前記課題を解決するため、概略以下の構成の装置、方法が提供される。
【００７５】
本発明の１つの側面において、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板（アレイ基板）の設計情報を用いて、検査対象とする非矩形状の領域を設定する。また、非矩形状の表示エリアを有する表示装置のアレイ基板上の設計情報を用いて、検査結果を解析する領域を設定する。
【００７６】
また本発明の他の側面において、非矩形状の表示エリアを有する表示装置のアレイ基板の設計情報を用いて、検査対象の各画素や検査対象の各画素が接続される各配線に重み付け演算を行う。例えば、検査対象の各画素に対し重み付け情報を生成し、その重み付け情報と検査時の検出信号とを演算する。この重み付けされた検出信号と良否判定のしきい値とを比較することにより、検出対象の画素の良否の判定を行う。
【００７７】
本発明の他の側面において、非矩形状の表示エリアを有する表示装置のアレイ基板の設計情報を用いて、検査対象の各画素の良否判定を決めるしきい値に重み付け演算を行う。例えば、検査対象の各画素に対し重み付け情報を生成し、その重み付け情報と検出対象の画素の良否判定を決めるしきい値とを演算することにより、良否の判定を行うしきい値に重み付けを行う。検査時の検出信号と、重み付けを行ったしきい値と比較することにより、検出対象の画素の良否の判定を行う。
【００７８】
本発明のさらに他の側面において、非矩形状の表示エリアを有する表示装置のアレイ基板を通常の検査時とは異なるビーム強度もしくは異なるビーム角度もしくは異なるビームサイズによってスキャンすることにより、アレイ基板上の表示エリアの形状及び画素の配置情報を得る。
【００７９】
また、得られたアレイ基板の表示エリアの形状及び画素の配置情報を用いて、欠陥検査を行う非矩形状の領域を設定する。
【００８０】
また、得られたアレイ基板の表示エリアの形状及び画素の配置情報を用いて、検査結果を解析する領域を設定する。更に、得られたアレイ基板の表示エリアの形状及び画素の配置情報を用いて、検査ビームをスキャンする方法、すなわち、スキャン方向やビームサイズ・ビーム形状等を設定する。
【００８１】
本発明のさらに他の側面において、前記設計情報を、
該非矩形状の表示エリアの外形情報、
繰り返しの基本単位である画素単位の形状情報と接続情報、
繰り返しの方向、
原点の位置
の情報の少なくとも１つを含む情報に変換して記憶する。
【発明の効果】
【００８２】
本発明によれば、非矩形状の表示エリアを有する表示装置を効率よく検査できる。その理由は、設計情報を利用して、検査する領域を指定するためである。
【００８３】
本発明によれば、設計情報を利用して、解析する領域を指定するため、検査結果を効率よく解析でき、さらなる検査の効率化を可能としている。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の第一の実施例を説明するブロック図である。
【図２】比較例において、非矩形状の表示装置を検査した時のビームの動作の一例を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施例において、非矩形状の表示装置を検査した時のビームの動作の一例を示す図である。
【図４】本発明の第二の実施例を説明するブロック図である。
【図５】配線と該配線に付随する画素電極等の寄生容量を、抵抗と容量により模式的に示した図である。
【図６】配線と該配線に付随する画素電極等の寄生容量を、抵抗と容量により模式的に示した図である。
【図７】非矩形状の表示エリアの端部の配線及び画素を示す図である。
【図８】表示装置用基板における配線と画素電極の配置を示す図である。
【図９】図８のＡ−Ａ‘における断面図である。
【図１０】表示装置用基板における配線と画素電極の配置を示す図である。
【図１１】図１０のＢ−Ｂ‘における断面図である。
【図１２】本発明の第四の実施例を説明するブロック図である。
【図１３】非矩形状の表示エリアの端部の配線及び画素を示す図である。
【図１４】図１３における検査用の電子ビームスポットの様子を示す図である。
【図１５】非矩形状の表示エリアの外周部を拡大した図である。
【図１６】図１５における電子ビームスポットの配置の一例を示す図である。
【図１７】本発明の第七の実施例の検査装置における検査手順を説明するための流れ図である。
【図１８】本発明の第七の実施例の検査装置における演算部及び測定部を示す図である。
【図１９】本発明の第八の実施例の検査装置における検査手順を示す流れ図である。
【図２０】本発明の第八の実施例の検査装置における演算部及び測定部を示す図である。
【図２１】本発明の第七及び第八の実施例の検査装置の構成の概要を示す図である。
【図２２】本発明における、中心画素とその周囲の８つの画素の容量への重み付けの具体例を示す図である。
【図２３】図２２における数値の一例を示す図である。
【図２４】本発明における、中心画素とその周囲の８つの画素の容量への重み付けの具体例を示す図である。
【図２５】図２４の数値の一例を示す図である。
【図２６】本発明において、５ｘ６の画素アレイでの検出されるデータを示す図である。
【図２７】非矩形状の表示エリアを有する表示装置の一例を示す図である。
【図２８】従来の典型的なＴＦＴフラットパネルディスプレイの概略を示す図である。
【図２９】従来のディスプレイ用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の一構成例である。
【図３０】従来のフラットパネルディスプレイを検査する一構成例を示す概略図である。
【図３１】従来のＴＦＴアレイ検査装置における、荷電粒子ビームの走査及び二次電子の検出を説明するための図である。
【図３２】本発明の第五’の実施例で用いる、非矩形状の表示エリアの端部の配線及び画素を示す図である。
【図３３】本発明の第九の実施例で用いる、非矩形状の表示エリアの端部の配線及び画素を示す図である。
【図３４】設計情報であるＧＤＳＩＩストリームのライブラリの構造を示す図である。
【図３５】設計情報であるＧＤＳＩＩストリームのライブラリの階層構造と引用構造を概念的に示す図である。
【図３６】本発明の第十一の実施例を説明するブロック図である。
【図３７】本発明の第十一の実施例の検査装置における検査手順を説明するための流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００８５】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。本発明の一態様においては、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示装置用基板（アレイ基板）の設計情報を用いて、検査対象とする非矩形状の領域を設定する。このため、非矩形状の表示エリアを有する表示装置を効率よく検査できる。また、検査データを保存する記憶領域の容量が小さくて済む。更に、表示エリア以外の部分に、検査用の電子線を照射して不具合を生じることがない。
【００８６】
また、本発明の別の態様においては、設計情報がダミー画素の配置情報を含み、ダミー画素の配置情報を利用して、ダミー画素はダミー画素領域として設定する。ダミー画素領域は欠陥検査の非矩形状の領域とせず、ダミー画素自体の性能が必要等の特別な目的がない限り、検査領域から外す。
【００８７】
また、本発明の一態様においては、非矩形状の表示エリアを有する表示装置のアレイ基板上の設計情報を用いて、検査結果を解析する領域を設定する。設計情報を利用して、解析する領域を指定するため、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の検査結果を効率よく解析できる。また、解析データを保存する記憶領域の容量が小さくて済む。設計情報を利用して、解析する領域を指定するためである。
【００８８】
本発明の一態様においては、非矩形状の表示エリアを有する表示装置のアレイ基板の設計情報を用いて、検査ビームをスキャンする方法、すなわち、スキャン方向やビームサイズ・ビーム形状等を設定する。また、検査データを保存する記憶領域の容量が小さくて済む。更に、表示エリア以外の部分に、検査用の電子線を照射して不具合を生じることがない。
【００８９】
本発明の一態様においては、各配線に接続される画素による寄生容量や、各画素に隣接する画素による寄生容量を考慮した重み付けすることによって、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の検査における良否の誤認を大幅に低減することができる。この結果、生産性を向上できると共に、製造コストを大幅に下げることができる。
【００９０】
本発明においては、非矩形状の表示エリアを有する表示装置のアレイ基板の設計情報を用いて、検査対象の各画素の良否判定を決めるしきい値に重み付け演算を行う。例えば、検査対象の各画素に対し重み付け情報を生成し、その重み付け情報と検出対象の画素の良否判定を決めるしきい値とを演算することにより、良否の判定を行うしきい値に重み付けを行う。検査時の検出信号と、重み付けを行ったしきい値と比較することにより、検出対象の画素の良否の判定を行う。
【００９１】
表示エリアの外周部においては、重み付け情報を生成する際に、隣接するダミー画素の情報も利用する。
【００９２】
本発明のさらに他の形態において、非矩形状の表示エリアを有する表示装置のアレイ基板の設計情報を検査において、設計情報を次の情報に変換する。すなわち、
検査対象の非矩形状の表示エリアの外形情報、
特定の繰り返しピッチで繰り返される画素単位の形状情報と接続情報、
繰り返しの方向又は角度、
繰り返しのための任意の原点、
原点に関するミラー反転の情報、
等である。
【００９３】
上記の通り、本発明によれば、検査の高速化や、検査結果用メモリの容量の削減、検査に必要な装置の種類の削減等を実現する。また、検査での操作性を著しく向上させる。
【００９４】
また、本発明によれば、非矩形状の表示装置のアレイ基板を検査する際の正常・異常の誤判定を減らすことを可能としている。再検査による手戻りを防ぎ生産性を向上すると共に、欠陥品を次工程に流出し次工程での関連資材や製造・検査時間を無駄にせず資源・エネルギーの削減と生産性向上を実現する。
【００９５】
本発明によれば、非矩形状の表示装置のアレイ基板の表示エリア外周部を正しく検査可能である。表示エリア外周部の画素の形状やサイズが大きく異なっている場合も、検査が可能となり、この結果、検査性能が向上する。
【００９６】
本発明によれば、非矩形状の表示装置のアレイ基板において、従来の矩形状の表示装置と画素群の繰り返しパターンが異なっている場合でも、検査が可能な検査方法及び検査装置、それらを適用したアレイ基板や表示装置が提供される。これにより、様々な画素の配置パターンの表示装置を検査することが可能となり、適用範囲の広い検査装置等が提供できる。
【００９７】
本発明によれば、ダミー画素の配置情報を利用するため、ダミー画素をダミー画素として取り扱うことが可能となり、ダミー画素を検査対象から外すことができる。この結果、検査結果から、ダミー画素部分の情報を排除する等の手間が不要となる。また、本発明によれば、ダミー画素の配置情報を利用して、外周部の重み付けを決定する構成とした場合、外周部での検査を正確に行うことができる。さらに、本発明によれば、設計情報の蓄積において、必要な記憶容量を大幅に削減することができると共に、非矩形の表示エリアを有する表示装置に特有の画素構造に対応したデータ構造で、検査結果を保存できる。以下実施例に即して説明する。
【００９８】
＜実施例１＞
図１は、本発明の第一の実施例の検査装置の構成を説明するための図である。図１には、検査装置の演算部１０と測定部２０の構成が示されている。本実施例では、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の設計情報を用いる。演算部１０は、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の設計情報を取り込み、該設計情報を、設計データベース（設計ＤＢ）１０１に蓄積する。
【００９９】
演算部１０は、設計ＤＢ１０１の情報に基づき、検査対象領域を指定する検査対象領域指定部１０２と、解析対象領域を指定する解析対象領域指定部１０３を備えている。
【０１００】
本実施例においては、検査対象領域指定部１０２によって、検査対象領域が指定されるため、検査対象以外の領域を検査する必要が無くなる。また、解析対象領域指定部１０３によって、解析対象領域が指定されるため、解析対象以外の領域を解析する必要が無くなる。
【０１０１】
一例として、図１に示した電子線のビームを制御して、指定された検査領域を検査する例で説明する。
【０１０２】
測定部２０は、演算部１０からのデータを受け、実際に測定し測定データを演算部１０に返す。
【０１０３】
演算部１０は、設計情報を取り込み設計ＤＢ１０１に蓄える。
【０１０４】
演算部１０は、設計ＤＢ１０１を利用して、検査対象領域を指定する。
【０１０５】
演算部１０の検査対象領域指定部１０２によって指定された検査対象領域の情報は、測定部２０のビーム制御部２０２、ステージ制御部２０３に送られる。
【０１０６】
測定部２０のビーム制御部２０２は電子線源２０１のスキャン、ビーム方向、ビームサイズ、ビーム形状等の制御を行う。
【０１０７】
また、測定部２０のステージ制御部２０３は、検査対象の基板が載せられたステージ２０６の（主に）ＸＹ方向の移動の制御を行う。
【０１０８】
ステージ制御部２０３は、必要に応じて、ＸＹ面内での回転角度方向（θ方向）や、電子線源２０１とステージ２０６の距離を調節するＺ方向、また電子線源２０１とステージ２０６との角度を調節する角度方向（φ方向）等も制御する。
【０１０９】
ビームスキャン方向とステージのＸＹ方向の移動の制御の例を図２及び図３を参照して示す。
【０１１０】
図２は、比較例として、ハート型の表示エリアを有する非矩形状の表示装置を従来の検査装置で検査した時のビームの動作の一例を示す図である。
【０１１１】
図３は、ハート型の表示エリアを有する非矩形状の表示装置を、本実施例の検査装置で検査した時のビームの動作の一例を示す図である。
【０１１２】
図２に示すように、従来の検査装置では、ビーム照射の開始位置と表示エリアの位置合わせが行われるが、ビームは、表示エリアよりも広いエリアをスキャンする。そのため、ビームスキャン領域のうち、３分の１強の領域には画素が存在しない。
【０１１３】
この結果、例えば以下の（Ａ）乃至（Ｅ）のような問題が生じる。（Ａ）検査時間が大幅に長くなる。（Ｂ）検出データを保存する記憶領域を大きく確保する必要がある。（Ｃ）画素が存在するエリアと存在しないエリアを見分けるには、検出された信号を利用するしかなく、画素の有無を見分けるのに手間がかかる。（Ｄ）画素自体の有無の判断と画素の欠陥の有無の判断はしばしば誤認されることがあり、画素が存在しない領域に欠陥画素が存在すると判定されたり、欠陥画素の部分には画素が存在しないと判定されたりする。（Ｅ）画素が存在しない領域で、且つビームが照射される領域に、表示装置で必要な回路等が形成されている場合、この回路がビームによって悪影響（例えば、電気的ストレスによる動作点のシフト等）を受ける可能性がある。
【０１１４】
これに対して、本実施例の検査装置においては、図３に示すように、表示エリアのみをビームがスキャンする。これにより、上述した従来の検査装置による問題点が全て解消する。
【０１１５】
また、従来の検査装置では、解析対象の領域が指定されないか、指定されても、矩形状の領域である。このため、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の検査では、以下の（Ｆ）、（Ｇ）のような問題が生じる。
【０１１６】
（Ｆ）解析対象としてデータ処理される領域が矩形状の領域のため、非矩形状の表示エリアを有する表示装置に対しては、非矩形状の表示エリア全てを含有する矩形状の領域を用いるか、非矩形状の表示エリアを複数のブロックでカバーすることが可能な幾つかの矩形状のブロックに分割する必要がある。このため、実際には画素が存在しない領域まで解析する必要が有り、データの処理量が増え、解析に時間を要する。
【０１１７】
（Ｇ）解析用データ及び解析後のデータを保存するメモリ領域を大きくする必要があり、コスト増を招いていた。
【０１１８】
一方、本実施例では、設計情報に基づき、解析対象領域を指定する。すなわち、解析対象領域を、非矩形状の表示エリアに沿ったものとすることが出来、解析データ数が大幅に減少し、解析時間を短縮できると共に、解析データに必要なメモリ領域を削減することができコストを大幅に低減できる。
【０１１９】
＜実施例２＞
図４は、本発明の第二の実施例の検査装置の構成を示す図である。本実施例においても、前記実施例と同様、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の設計情報を用いる。図４を参照すると、本実施例においては、重み付け演算部１０５が、設計情報に基づき、測定結果（測定結果ＤＢ１０４に保存されるものとしている）のデータに対して重み付け演算を行う。重み付け演算において、設計情報として、例えば、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の各配線に接続される画素の数を利用する。以下、図５から図７を用いて、本発明の実施例の重み付けについて説明する。
【０１２０】
図５と図６は、配線と、その配線に付随する画素電極等の寄生容量を、抵抗と容量により模式的に示した図である。
【０１２１】
図５、図６において、抵抗Ｒｆｉｘと容量Ｃｆｉｘは、接続される画素数に関係なく、全ての配線に共通に存在する抵抗と容量である（実際には、各配線の画素までの引き回し配線の長さが異なる等の原因で完全に同じ値でないことが多いが、ここでは、同じ値として扱う）。抵抗Ｒｆｉｘの一端から信号が入力されるとする。また、簡単化のために、接続される画素は同じサイズ・形状であり一定のピッチで配列されているとしている。画素が配列されるピッチに応じた分の配線の長さに対する抵抗をＲｐａｒ、その長さに付随する画素による寄生容量をＣｐａｒとしている。
【０１２２】
図５の配線には、６画素が接続され、図６の配線には、３画素が接続される。図５、図６における配線の抵抗と容量は、単純に計算すると、
図５では、抵抗は、Ｒｆｉｘ＋６×Ｒｐａｒ、容量は、Ｃｆｉｘ＋６×Ｃｐａｒ、
図６では、抵抗は、Ｒｆｉｘ＋３×Ｒｐａｒ、容量は、Ｃｆｉｘ＋３×Ｃｐａｒとなる。
【０１２３】
以下では、入力された信号が、図５のノードＥ１（６画素目の寄生容量の端子電圧）と、図６のノードＥ２（３画素目の寄生容量の端子電圧）での遅延を調べる。
【０１２４】
通常、信号の遅延は、抵抗と容量の積で表される。例えば、図５では、
（Ｒｆｉｘ＋６ｘＲｐａｒ）×（Ｃｆｉｘ＋６ｘＣｐａｒ）
となる。
【０１２５】
一般的に、接続される画素数をｎとすると、
（Ｒｆｉｘ＋ｎ×Ｒｐａｒ）×（Ｃｆｉｘ＋ｎ×Ｃｐａｒ）
となる。
【０１２６】
しかし、図５や図６のように、複数の抵抗と容量で形成された回路の場合、入力された信号の遅延を正しく扱うには、この回路を分布定数回路として扱う必要が生じる。
【０１２７】
すなわち、図５と図６に示したような分布抵抗（Ｒｐａｒ）と分布容量（Ｃｐａｒ）を用いて、伝送線として扱う必要がある。
【０１２８】
画素の数に関連する部分に関し、分布定数回路としての取り扱いを行うと、画素数をｎとした時、近似的な信号遅延として、
0005692691.tif 000002
・・・（１）
という関係が得られる。
【０１２９】
すなわち、単純な合計抵抗・合計容量によるものの約半分となる。
【０１３０】
本実施例では、例えば、式（１）を用いて、非矩形状の表示エリアを持つ表示装置の各配線の長さと画素数に応じた信号遅延を考慮して、重み付け演算を行う。
【０１３１】
なお、図５と図６では、簡単化のために、画素のピッチに対して寄生する容量を一定としている。しかしながら、非矩形状の表示エリアを有する表示装置では、この寄生容量が一定でない場合が発生する。その例を、図７に示す。
【０１３２】
図７は、表示エリアの端部を拡大して示した拡大図であり、配線及び画素を示している。図７では、簡単化のために、縦横共に一定のピッチで正方のアレイ状に画素が配列されているものとしている。なお、蓄積容量電極及び蓄積容量電極線は図示されない。
【０１３３】
図７を参照すると、各画素は、ゲート線７０３とデータ線７０４の交差部に配列され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）７０１、画素電極７０２を備えている。ＴＦＴ７０１のゲートはゲート線７０３に接続され、ドレイン、ソースの一方がデータ線７０４に接続され、ドレイン、ソースの他方が画素電極７０２に接続されている。図７では、ゲート線にはＧ１からＧ７の番号がつけられている。Ｐ２４，Ｐ４３，Ｐ５５は、各々の画素電極を指定するためにつけた番号であり、Ｐ２４は２番目のゲート線Ｇ２と４番目のデータ線の交差部の画素電極に対応する。
【０１３４】
ゲート線Ｇ４に注目した場合、図７において、ゲート線Ｇ４の下側にゲートが接続されたＴＦＴに接続される画素電極が６個存在し、ゲート線Ｇ４の上側には、ゲート線Ｇ３にＴＦＴを介して接続される画素の画素電極が６個存在する。
【０１３５】
この結果、ゲート線Ｇ４の寄生容量として、少なくとも、
ゲート線Ｇ４にゲートが接続された６つのＴＦＴの容量、
６つのＴＦＴに接続される６つの画素電極の容量、
ゲート線Ｇ３に接続される６つの画素電極の容量
が存在する。
【０１３６】
この場合、配線を画素ピッチ毎に分けた場合、
１つのＴＦＴの容量Ｃｔｆｔと、
該ＴＦＴに接続される１つの画素電極の容量Ｃｇｐ１と、
該ＴＦＴが接続するゲート線の上隣のゲート線に接続される１つの画素電極の容量Ｃｇｐ２と、
が存在する。
【０１３７】
すなわち、１画素の長さあたりの寄生容量Ｃｐａｒは、次式（２）で表すことができる。
0005692691.tif 000003
・・・（２）
【０１３８】
ゲート線Ｇ３に注目した場合、ゲート線Ｇ３の下側に６つのＴＦＴと６つの画素電極、ゲート線Ｇ３の上側にゲート線Ｇ２に接続される４つの画素電極が存在する。この場合、ゲート線Ｇ３に接続される６個の画素のうち、左側の４画素の寄生容量Ｃｐａｒは、式（２）となるが、右側の２画素のＣｐａｒは、ゲート線Ｇ２に接続される画素電極が存在しないため、
0005692691.tif 000004
・・・（３）
となる。
【０１３９】
ゲート線Ｇ６に注目した場合、ゲート線Ｇ６の下側に３つのＴＦＴと３つの画素電極、ゲート線Ｇ６の上側のゲート線Ｇ５にＴＦＴを介して接続される５つの画素電極が存在する。この場合、ゲート線Ｇ６の左側の３画素の寄生容量Ｃｐａｒは、式（２）となり、ゲート線Ｇ６の右側の２画素（隣のゲート線Ｇ５の５個の画素のうち右側２つの画素）に対応する寄生容量Ｃｐａｒは、
0005692691.tif 000005
・・・（４）
となる。
【０１４０】
このように、単位画素長さあたりの寄生容量Ｃｐａｒとして、少なくとも式（２）から式（４）で表される３種類の容量が存在する。
【０１４１】
本実施例では、この点を考慮して、重み付け演算を行う。各配線の長さによる抵抗の違いや寄生容量の違いを各配線（及び、隣接する配線）に接続される画素数で表すことができる。これにより、抵抗及び容量で規定される配線遅延を設計情報から推定することができる。推定された遅延情報に基づき、重み付けを行うことにより、各配線での遅延の違いの影響を排除した検査が可能となる。この結果、非矩形状の表示エリアがもたらす各配線での遅延の違いの影響を排除することができる。
【０１４２】
以上、ゲート配線に関する寄生容量のみを示したが、データ配線に対しても同様にして重み付け処理できる。
【０１４３】
ゲート配線、データ配線、蓄積容量配線等の全てに対し、同様の処理を行うことにより、非矩形状の表示エリアがもたらす各配線での遅延の違いの影響を更に排除することができる。
【０１４４】
図４において、演算部１０の検査対象領域指定部１０２で指定された検査領域の情報は、測定部２０に送られる。
【０１４５】
また、測定部２０による測定結果は演算部１０に送られ、重み付き演算に利用される。演算部１０において、重み付け演算後の結果は、良否判定を行う解析部（不図示）等に送られる。
【０１４６】
＜実施例３＞
次に、本発明の第三の実施例を説明する。本発明の第三の実施例では、上述の第二の実施例と同様に設計情報を用いて重み付け演算をする。本実施例では、重み付け演算において、設計情報として、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の各画素の周囲の画素の数や存在する位置を利用する。
【０１４７】
以下では、まず、画素電極の配置に関する基本的な情報を、図８から図１１を参照して概説しておく。
【０１４８】
図８は、一般的な表示装置用基板における配線と画素電極８０２の配置を示す図である。簡単化のために、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子は図示されない。また、縦横に同じピッチで正方に配置されるものとしている。図８を参照すると、一画素は、ゲート線８０１とデータ線８０３と画素電極８０２からなる。
【０１４９】
図９は、図８のＡ−Ａ’線の断面を模式的に示す図である。図９を参照すると、表示装置用基板の断面は、ガラス等からなる基板８０４の上に、絶縁膜８０５が形成されている。更に、ゲート線８０１が形成され、その上を再び絶縁膜８０６が覆っている。画素電極８０２はゲート線と鉛直方向に重ならない位置に配置されている。
【０１５０】
図８及び図９に示した構成では、画素電極８０２からの電界はゲート線８０１、及び、図示されない対向電極へほぼ全て流れ込む。そのため、画素電極８０２間には寄生容量がほとんど生じない。
【０１５１】
図１０は、図８と若干異なる構成の表示装置用基板における配線と画素電極１００２の配置を示す図である。図１０では、図８より各配線の線幅が細くなっている。また、画素電極１００２の大きさが大きくなっており、各配線（ゲート配線１００１やデータ配線１００３）と重なる部分が生じている。
【０１５２】
図１１は、図１０のＢ−Ｂ’線の断面を模式的に示す図である。図１１の構成が図９の構成と大きく異なる点は、ゲート線１００１の上の絶縁膜１００６が、図１１の方が厚くなっている点である。かかる構成により、ゲート線１００１と画素電極１００２間の寄生容量が小さくなるため、ゲート線１００１と画素電極１００２とを鉛直方向に重ねた構造が可能となる。
【０１５３】
図１０及び図１１に示した構成では、画素電極１００２からの電界はゲート線１００１、図示されない対向電極だけでなく、画素電極１００２間にも流れ込む。このため、画素電極１００２間に寄生容量が発生する。このように、画素電極間の寄生容量が大きい構成では、周辺の画素が、測定対象の画素の特性に大きな影響を与える。
【０１５４】
本実施例では、この周辺の画素の情報を重み付けに利用し、周辺の画素の影響を軽減する。本実施例においては、前記第二の実施例で配線に対し適用したように、隣接する画素が存在するか、存在しないかだけの情報でも、重み付け演算に使用可能である。これは、単純に周辺画素の数を重み付けに利用する。
【０１５５】
＜実施例４＞
次に本発明の第四の実施例を説明する。本発明の第四の実施例は、上述の第二及び第三の実施例と同様に、設計情報を用いて重み付け演算をする。但し、本実施例では、重み付け演算をする対象が、測定結果でなく、測定結果の良否を判定するしきい値としている。
【０１５６】
図１２は、本発明の第四の実施例の検査装置における演算部の構成を示す図である。図１２を参照すると、演算部１０は、設計情報を設計ＤＢ１０１に取り込む。この設計情報は、検査対象領域指定部１０２において、検査対象領域の指定に用いられる。
【０１５７】
しきい値設定部１０７は、検査結果の良否を判定する基準となるしきい値が外部から入力する。
【０１５８】
重み付け演算部１０５では、このしきい値に対し、設計情報との重み付け演算を行う。重みをつけられたしきい値は、重み付きしきい値ＤＢ１０８として保存される。
【０１５９】
この重み付きしきい値は、検査対象の領域の全て、及び、判定条件の全てに対して、作成する必要がある。そのため、データ量が増える。しかしながら、実際の検査結果の判定の段階では、上記の実施例のような重みつき演算を随時行う必要が無くなる。
【０１６０】
すなわち、事前に重み付き演算が施されたしきい値と、検査の結果のデータを、単純に比較することにより、良否の判定が可能である。
【０１６１】
この事前の重み付き演算処理は、設計情報が与えられたら直ちに処理することが可能である。
【０１６２】
一方、検査で各測定点を測定する時に並列して、各測定点の重みつき演算を実行することも可能である。この結果、良否判定時に重みつき演算が不要となるため、良否判定の高速化が可能となる。
【０１６３】
しきい値としては、例えば、比較値が、その値よりも上もしくは下の場合に、欠陥（もしくは良好）と判定する値が用いられる。あるいは、他のしきい値として、例えば、比較値が、中心値とその前後のある範囲にある場合に、欠陥（もしくは良好）と判定するものが用いられる。
【０１６４】
＜実施例５＞
次に本発明の第五の実施例を説明する。以下では、第五の実施例として、非矩形状の表示エリアを有する表示装置において、外周部の画素の面積・形状・サイズが異なる表示装置に本発明を適用した例を説明する。
【０１６５】
図７では、全て正方形の画素となる例を示したが、非矩形状の表示エリアを有する表示装置では、表示エリア外周部での見栄えを改善するために、図１３のような画素形状を採用することもできる。
【０１６６】
図１３は、図７と同様、表示エリアの端部を拡大した拡大図である。図１３には、配線及び画素が示されており、特に、表示エリアの外周部で画素の形状が正方形でない画素が存在する例である。図７と比較すると、図１３では、表示エリア外形は滑らかに変化するようになっている。このような画素構成においても、外周部において寄生容量の値を変えることにより、上記までの検討が成立する。
【０１６７】
また、外周部の画素、例えばＰ２４やＰ５５では、画素電極が小さくなり、かつ、変形していることを設計情報として考慮して検査を行う。すなわち、検査領域の指定のみでなく、外周部の画素の面積及び形状を考慮して、検査用の電子ビームを照射する。
【０１６８】
図１４に、図１３の画素構成において、検査用の電子ビームを照射するときの電子ビームのスポットの配置の一例を示す。図１４は、図１３と同じ画素配置を示す図であり、簡単化のため、配線及びＴＦＴは図示されない。
【０１６９】
図１４に示すように、例えばＰ４３の画素では、４つのビームスポットがほぼ均等に配置されている。
【０１７０】
また、Ｐ２４の画素では、上側の２つのスポットの位置が左側にシフトしている。
【０１７１】
そして、Ｐ５５の画素では、４つの全てのスポットが一つのライン上に配置されている。
【０１７２】
このようなビームスポットの配置を取ることにより、全ての画素で、４つのビームスポットを配置することができる。
【０１７３】
また、全てのビームスポットがスキャンライン上に配置される。
【０１７４】
この構成によれば、表示エリア外形が滑らかな非矩形状の表示エリアを有する表示装置の検査を良好に行うことが可能である。
【０１７５】
本実施例においては、各画素のビームスポットを同じスキャンライン上に配置したが、画素の形状によって、このような配置が困難な場合には、別のスキャンラインを設定しても良い。
【０１７６】
また、上記説明では、画素に照射するビームの数を全ての画素で同一としたが、画素の形状により個数を同一と出来ない場合には、ビームスポット数を画素によって変化させてもよい。この場合、ビームスポット数が異なるという情報を設計情報と共に保持することによって、後の良否判定に反映させることが可能である。
【０１７７】
このように、設計情報を利用することにより、非矩形状の表示エリアに対応した柔軟な測定及びデータ処理が可能となる。
【０１７８】
＜実施例５’＞
次に本発明の第五’の実施例を説明する。以下では、本発明の第五’の実施例として、画素の形状が正方形や矩形でない非矩形の形状の表示装置に、本発明を適用した例を説明する。
【０１７９】
図３２は、図７と同様、表示エリアの端部を拡大して示した拡大平面図である。図３２には、配線及び画素が示されており、画素１つ当りの形状は台形とされる。台形の画素が二つ組合され（台形画素電極１３０２の長辺同士が離間して対向配置される）、略六角形の画素対が形成されている。また、ゲート線１３０３やデータ線１４０４も直線ではなく、六角形の画素対の辺に対応して配設されている。本発明を特に制限するものではないが、図３２の例では、ゲート線１３０３は、台形の短辺同士が対向して隣接する画素の間を、当該短辺に平行に配設され、短辺同士が対向して隣接する画素の短辺の隅（角部付近）のＴＦＴ１３０１のゲート電極と接続されている。データ線１３０４は、隣接する画素対の間を台形の斜辺に沿って屈曲して（ジグザクに）配設され、台形短辺の隅のＴＦＴの第１の拡散層（ソース、又はドレイン）に接続され、ＴＦＴの第２の拡散層（ドレイン又はソース）は台形の画素電極１３０２に接続されている。
【０１８０】
図７と比較すると、図３２の構成は、表示エリアの外形が滑らかに変化するようになっている。このような画素構成においても、外周部において、寄生容量の値を変えることにより、上記した検討事項が成立する。すなわち、このような、単独の画素形状が台形であり、二つの台形の画素の組合せにより、六角形の画素対が形成され、六角形の画素対により、画素アレイが形成されるような複雑な形状においても、画素アレイ部分の設計情報を利用して検査するため良好に検査することができる。また、外周部でも、非矩形状の外周部の設計情報に基づいて検査するために良好に検査することができる。
【０１８１】
＜実施例６＞
次に本発明の第六の実施例を説明する。以下では、第六の実施例として、非矩形状の表示エリアを有する表示装置において、画素の形状も正方形や矩形でなく、且つ、複数の画素による画素群の配列が直交する軸上にない例での検査を説明する。
【０１８２】
図１５を参照して、本発明の第六の実施例を説明する。図１５は、非矩形状の表示エリアを有する表示装置の表示エリアの外周部を拡大した図である。図１５では、簡単化のために、配線やＴＦＴや画素電極は図示せず、１画素の占めるエリアのみを点線で示している。図１５では、画素１５０３は、矩形状でなく、非矩形状であり、具体的には三角形としている。複数の画素１５０３が集まり、繰り返しパターンの元となる画素群１５０４を形成している。
【０１８３】
図１５において、画素群１５０４は、三角形の二つの画素１５０３を重ねて構成されている。また、表示エリアの外形１５０１近辺には、繰り返しパターンである画素群１５０４から孤立した画素１５０５が存在し、表示エリア外形を滑らかな形としている。画素１５０３は、直角三角形でなく、三角形の３つの内角のうち最も角度が大きい部分の角度は、８５度となっている。
【０１８４】
このような配置の場合、画素群１５０４は、８５度の角度をなす二つの軸に沿って配置される。また、その軸は、水平軸、垂直軸と角度を持って配置されている。
【０１８５】
図１５に示すような構成に対し、図１６に示すように、検査用の電子ビームを照射するときの電子ビームのスポット１５０２を配置することができる。電子ビームのスキャン方向は、垂直方向や水平方向でなく、ある角度を持った方向となっている。
【０１８６】
このように、本実施例では、設計情報を元に検査領域を決定するため、検査対象の画素の配置等に応じて、検査ビームの角度を含むスキャン方向も設定することが可能である。また、全てのビームスポット１５０２は、画素１５０３の重心に着実に当たるように設定されている。
【０１８７】
従来の検査装置では、水平方向及び垂直方向にしか対応できなかったため、図１５のような画素配置に対応できない。
【０１８８】
また、各画素の重心とは異なる位置に照射されたり、画素によって当たる位置が変わり、場合によっては、画素電極のごく一部にしか照射されなくなったりすることがある。このため、測定結果の信頼性が低い。
【０１８９】
＜実施例７＞
次に本発明の第七の実施例を説明する。本発明の第七の実施例として、非矩形状の表示エリアを有する表示装置を検査する検査装置の一例を示す。本実施例では、前記第一と第二の実施例の検査方法を適用する。図１７は、本実施例の検査方法の動作を説明する流れ図である。
【０１９０】
設計情報を取り込む（ステップＳ１）。
【０１９１】
ステップＳ１で取り込んだ設計情報に基づいて、検査対象の領域を設定する（ステップＳ２）。この設定は、設計情報を表示した画面を見ながら手動で設定したり、設計情報を自動的に解析し自動で設定したり、また、自動設定と手動設定を併用したりすることが可能である。
【０１９２】
ステップＳ１で取り込んだ設計情報に基づき、測定データに適用する重み付け情報を計算する（ステップＳ３）。
【０１９３】
測定を行い、また、測定結果である測定データを保存する（ステップＳ４）。ステップＳ３、Ｓ４の順番は逆でもよく、また、並列に処理しても良い。
【０１９４】
ステップＳ３で計算した重み付け情報と、ステップＳ４で測定し保存した測定データとを演算し、重み付き測定データを生成する（ステップＳ５）。
【０１９５】
良否を判定するためのしきい値を設定する（ステップＳ６）。なお、ステップＳ６は、ステップＳ１乃至Ｓ５のいずれかの前に行ってもよい。しきい値を調整する場合を想定しているため、このステップで実行される。
【０１９６】
ステップＳ５で演算された結果の重みつき測定データと、ステップＳ６で設定されたしきい値とを比較し、良否判定を行う（ステップＳ７）。
【０１９７】
ステップＳ７の判定結果に誤認等が生じていないかの判断を行う（ステップＳ８）。
【０１９８】
ステップＳ８の判断において、誤認が確認され、しきい値の設定を変えることにより、誤認を解消できる可能性がある場合、ステップＳ６に戻り、しきい値の設定を変更する。
【０１９９】
ステップＳ８の判断は、以下に示すように、幾つかの方法が可能である。
【０２００】
例えば、事前に他の検査方法で検査したデータと比較する方法を用いてもよい。
【０２０１】
また、複数回の測定を繰り返し、測定間の差異を比較する方法を用いてもよい。特に、ビーム角度を変えたり、ビームスポットのサイズを変えたり、ビームスポットの位置や数を変えたりして複数回測定することにより、誤認の発生を確認しやすくなる。
【０２０２】
更に、同じ設計条件及び試作条件で作製された過去のサンプルの良否の分布の結果と比較する方法によっても、試作条件での良否の分布の傾向を適用して誤認の発生を確認することができる。
【０２０３】
図１８は、図１７を参照して説明した手順を行う検査装置の構成を示す図である。
【０２０４】
図１７を参照すると、演算部１０は、設計情報を設計ＤＢ１０１に取り込む（図１７のステップＳ１）。
【０２０５】
演算部１０の検査対象領域指定部１０２は、設計ＤＢ１０１から検査対象領域指定する（図１７のステップＳ２）。
【０２０６】
設計ＤＢ１０１から重み付け演算部１０５での処理を経て重み付け情報１（１０９）を生成する（図１７のステップＳ３）。
【０２０７】
指定された検査対象領域に基づいて、測定部２０では、電子線源２０１を制御するビーム制御、サンプルを載せるステージ２０６を制御するステージ制御を行う。
【０２０８】
サンプルに照射された電子ビームによる２次電子を検出器（ＤＥ）２０５で検出する。検出制御部２０４は、検出器（ＤＥ）２０５での検出を制御する。
【０２０９】
検出制御部２０４からの検査結果のデータは、演算部１０の測定結果ＤＢ１０４に送られる。図１７のステップＳ４の測定と、測定データの保存が完了する。
【０２１０】
演算手段１１０は、測定結果ＤＢ１０４と重み付け情報１（１０９）のデータベースを用いて演算し、重み付き結果ＤＢ１０６を生成する（図１７のステップＳ５）。このデータは、解析部（後述される図２１の１４２）に送られ、ステップＳ６〜Ｓ８の処理が行われる。
【０２１１】
本実施例では、非矩形状の表示エリアを有する表示装置用基板を良好に検査できる。
【０２１２】
図２１は、本実施例で用いられる検査装置の構成の概要を示す図である。真空制御部１５３、センサ部１５４、必要に応じてローダ／アンローダ１５６、電源１５５、コントローラ１５０等を有し、記憶部１５１、演算部１０、測定部２０、解析部１４２、入出力部１５２を備えている。また、必要に応じてネットワーク接続手段（不図示）を備える。
【０２１３】
入出力部１５２は、設計情報を外部から入力する。設計情報、重み付けされた各種データは、必要に応じて記憶部１５１に記憶される。
【０２１４】
演算部１０は、重み付け演算等の演算処理を行う。
【０２１５】
測定部２０は、設計情報に基づき測定領域やビーム方向等を制御する。
【０２１６】
解析部１４２は、設計情報、測定データ、重み付けされた各種データを用い、測定結果を解析する。
【０２１７】
＜実施例８＞
次に本発明の第八の実施例を図１９と図２０を用いて説明する。以下では、非矩形状の表示エリアを有する表示装置を検査する検査装置の別の例を示す。本実施例における検査装置全体の構成は、前記第七の実施例と同様、図２１で示される。
【０２１８】
図１９は、本発明の第八の実施例の検査方法の手順を示す図である。本実施例においては、前記した第一の実施例と第四の実施例を適用する。すなわち、図１９を参照すると、以下のような手順で検査を行う。ステップＳ１、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ８は、図１７の対応するステップと同様である。
【０２１９】
ステップＳ３Ａでは、ステップＳ１で取り込んだ設計情報に基づき、デフォルトで指定しておいたしきい値に適用する重み付け情報を計算する。ステップＳ３ＡとステップＳ４の順番は逆でもよく、また、並列に処理しても良い。
【０２２０】
ステップＳ５Ａでは、判定のためのしきい値を設定する。デフォルトから変更しない場合は、ここでは何もしない。
【０２２１】
ステップＳ３Ａの重み付け情報と、ステップＳ５Ａで設定したしきい値（ステップＳ５Ａで設定しない場合は、デフォルトのしきい値）を演算し、重み付きのしきい値情報を生成する（ステップＳ６Ａ）。
【０２２２】
ステップＳ７Ａでは、ステップＳ４の測定データと、ステップＳ６Ａで演算された重み付きしきい値とを比較し、良否の判定をする。
【０２２３】
ステップＳ８では、良否判定結果に誤認が無いか判定し、誤認が認められる場合はステップＳ５Ａに戻り、しきい値を設定し直す。
【０２２４】
図２０は、図１９の手順を実行する検査装置の演算部１０と測定部２０の構成を示す図である。
【０２２５】
図２０において、設計情報を演算部１０の設計ＤＢ１０１に取り込む（図１９のステップＳ１）。設計ＤＢ１０１から検査対象領域を指定する（ステップＳ２）。
【０２２６】
設計ＤＢ１０１から重み付け演算（１０５）を経て、重み付け情報２（１１１）のデータベースを生成する（ステップＳ３Ａ）。
【０２２７】
図２０において、指定された検査対象領域に基づいて、測定部２０では、電子線源２０１を制御するビーム制御、サンプルを載せるステージ２０６を制御するステージ制御を行いながら、測定が行われる。サンプルに照射された電子ビームによる２次電子を検出器（ＤＥ）２０５で検出する。この検出は、検出制御で制御される。検出制御からの検査結果のデータは、演算部１０の測定結果ＤＢ１０４に送られる。これにより測定と、測定データの保存が完了する（図１９のステップＳ４）。
【０２２８】
本実施例では、測定結果ＤＢ１０４及び重み付け情報２（１１１）は、図２１の解析部１４２に送られ、ステップＳ５Ａ〜Ｓ８の処理が行われる。
【０２２９】
すなわち、図１９のステップＳ５Ａのしきい値設定は解析部１４２で行う。但し、本発明かかかる構成に限定されるものでなく、必要に応じて、図１２のように、演算部１０で、しきい値設定を行っても良い。
【０２３０】
本実施例の検査装置では、非矩形状の表示エリアを有する表示装置用基板を良好に検査できる。
＜実施例９＞
次に本発明の第九の実施例について説明する。図３３は、本発明の第九の実施例を説明するための図である。以下では、本発明の第九の実施例として、表示に用いる表示エリアの外側周辺に、表示に寄与しないダミーの画素が配置された場合の検査の一例を示す。図３３には、表示エリアの端部の配線及び画素をが拡大して示されている。図３３には、図７の画素配列に対して、ダミー画素７５０が付加された画素の配列が示されている。
【０２３１】
ダミー画素を外周部に何画素分設けるかは任意であるが、図３３の例では、簡単化のため、ダミー画素を外周部に1画素分設けた例が示されている。この例では、トランジスタ（ＴＦＴ）７０１が、ダミー画素に設けられておらず、且つ、ダミー画素がフローティングとされている。
【０２３２】
本実施例においては、予め設計情報としてダミー画素の情報が与えられている。そのため、例えば、図１７の検査手法において、ステップＳ２の検査対象領域からダミー画素領域を、外すことができる。この結果、検査の効率化が可能である。特に、ダミー画素による異常画素の誤検出等がなくなるため、検査精度の向上、及び検査効率の向上が実現される。
＜実施例１０＞
次に本発明の第十の実施例を説明する。本実施例では、表示に使用する表示エリアの外側の周辺に表示に寄与しないダミーの画素が配置された場合の検査における重み付けの一例を示す。重みづけの手順としては、前記第二の実施形態と同様に行う。
【０２３３】
本実施例では、前記第二の実施形態の説明で参照された図４において、重み付け演算部１０５が、設計情報に基づき、測定結果（測定結果ＤＢ１０４に保存されるものとしている）のデータに対して重み付け演算を行う。この例を、前記第九の実施例の説明に用いた図３３を参照して以下に説明する。
【０２３４】
ゲート線Ｇ４に注目した場合、図３３において、ゲート線Ｇ４の下側（Ｇ５側）に、ゲートが接続されたＴＦＴに接続される画素電極（Ｐ４３等）が６個存在し、ＴＦＴを設けずにゲート線に接続されないダミー画素電極が１個存在し、ゲート線Ｇ４の上側（Ｇ３側）には、ゲート線Ｇ３にＴＦＴを介して接続される画素の画素電極が６個存在し、ＴＦＴを設けずにゲート線に接続されないダミー画素電極が１個存在する。この結果、ゲート線Ｇ４の寄生容量として、少なくとも、
ゲート線Ｇ４にゲートが接続された６つのＴＦＴの容量、
６つのＴＦＴに接続される６つの画素電極の容量、
ゲート線Ｇ４に接続されない１つのダミー画素電極の容量、
ゲート線Ｇ３に接続される６つの画素電極の容量、
ゲート線Ｇ３に接続されない１つのダミー画素電極の容量
が存在する。
【０２３５】
以下、前記第二の実施例で考慮した場合と同様の容量や抵抗が、ダミー画素電極も考慮して求めることが出来る。
【０２３６】
本実施例では、前記第二の実施例の重み付け演算に対し、このダミー画素も考慮して、重み付け演算を行う。この結果、ダミー画素が与える影響を排除することができる。
【０２３７】
＜実施例１１＞
次に本発明の第十一の実施例を説明する。本実施例では、設計情報を非矩形の表示エリアを有する表示装置用基板を検査する際に、効率的な形に変換する。
【０２３８】
表示装置用基板の設計情報として、現在、最も広く使われる形態は、GDSIIストリーム（GDSIIフォーマット）の形態である。その理由は、GDSIIストリームの形式が半導体マスクパターンの記述に対し、デ・ファクトスタンダードとなっているためである。マスクを利用して作成されることが多い表示装置用基板自体の設計情報も、そのマスクの設計情報と同一のフォーマットである方が都合良く、GDSIIストリームが広く利用される。
【０２３９】
そこで、この実施例では、GDSIIストリームの設計情報を一例として示すが、この例以外の形式の設計情報に対しても有効である。
【０２４０】
GDSIIストリームのデータ全体の構造は、図３４のような構造であり、「ライブラリ構造」と呼ばれる。なお、図３４において、発明の主題に直接関与しないデータは省略されている。
【０２４１】
バージョン名を示すVERSIONのあと、BGNLIBでライブラリデータが記述され、ENDLIBで記述が終わる。ライブラリデータは、ライブラリ名を示すLIBNAME、単位を示すUNITS等からなるヘッダ部と、実際のデータの中身であるセルが多数並んだセル群からなる。すなわち、ライブラリ構造のうち、形状や配置等を示す部分は、セル群にある。
【０２４２】
ライブラリ構造は、複雑な階層構造と引用構造を有する。図３５は、ライブラリ構造を概念的に示す図であり、GDSIIストリームの構造が概念的に示されている。すなわち、GDSIIライブラリ９１０がどのような階層構造であって、どのような引用関係になっているかが概念的に示されている。
【０２４３】
図３５において、セル９２０は、そのセル名と、エレメント９３０と呼ばれる図形等の構成要素が多数並んだエレメント群からなる。エレメント９３０としては、幅のない配線を示すPATH（幅はエレメント内の記述WIDTHで指定される）、塗りつぶされたポリゴン（多角形）を示すBOUNDARY、テキストを示すTEXT、矩形を示すBOX、等の図形の構成要素と、電気的な接続でのノードを示すNODE、さらに、別のセルを引用する際に使用するいくつかのエレメント等からなる。
【０２４４】
別のセルを引用するエレメントの中に、セルがXYのマトリクス形状になったXYアレイを引用するAREF（アレイ参照エレメント）９３１というエレメントがある。従来の通常の表示装置用基板では、あるセル（仮に「DISPLAY」という名称とする）９２５から、このAREFで画素単位のセル（仮に「PIXEL」という名称とする）９２６を参照することで、画素アレイを構成している。
【０２４５】
すなわち、DISPLAY９２５のセル構造の中の一つのエレメントにAREFで画素アレイのセルPIXEL９２６を参照するエレメントが存在する。このAREFエレメントの中で、X方向、Y方向の繰り返しピッチや繰り返しの数を指定している。
【０２４６】
また、このAREFエレメントやTEXTエレメントでは、データの向きを示すフラグSTRANSを指定する事ができる。このフラグSTRNASでは、ミラー反転、回転の角度を指定する事ができ、図形や文字を希望する向きに配置する。
【０２４７】
一方、画素単位のセルPIXEL９２６もまた、複数のエレメントからなり、PATHやBOXやBOUNDARY等を組み合わせるによって、画素電極やアクティブ素子や配線を記述している。しばしば、このセルPIXELも、画素電極を示す別のセル（仮に「ELPIX」と称呼する）９２７を参照する。
【０２４８】
この画素電極を示すセルELPIX９２７の中には、画素電極の形状を示すエレメント９３５が存在する。
【０２４９】
表示装置用基板の設計情報としては、
・画素アレイ以外に、
・外部との接続のためのパッドを記述するセルや表示装置基板内での配線の引き回しを記述するセルに加えて、
・様々なプロセスや検査で使用するマーク類を記述するセル
等も存在し、複雑な構造となっている。また、データ数も多い。
【０２５０】
検査では、各画素電極を様々に検査して、検査終了時点に結果を保存する。この過程で、検査を開始する際には、
（Ａ）検査対象基板内における、検査対象領域の配置を把握するための情報、
（Ｂ）領域内での画素と配線等との接続情報、
（Ｃ）各画素の配置と形状、
の情報が必要である。
【０２５１】
そして、検査終了時点では、各画素電極の検査結果が重要となる。すなわち、上述の設計情報の複雑さに対して、検査で実際に必要とされる情報ははるかに少ない。
【０２５２】
検査で必要な情報としては、図３５を参照すると、
・DISPLAYセル９２５中の画素を参照するエレメント内の繰り返しピッチ等の情報とデータの向きを示すフラグ（STRANS）、
・画素を示すPIXELセル９２６中の画素電極を参照するエレメント内のデータの向きを示すフラグ（及び、画素内が繰り返し構成の場合には、繰り返しピッチ等の情報）、
・画素電極を示すELPIXセル９２７内の画素電極の形状を示すエレメント９３５、
等がある。これらの情報に基づき、画素電極の配置の情報が得られるためである。
【０２５３】
また、同じ情報に基づき、検査対象の表示領域の外形の形状の情報を作成することができる。
【０２５４】
更に、画素を示すPIXELセル９２６の画素電極セルを参照するエレメントと他の配線やトランジスタを記述もしくは参照するエレメントとの関係により、画素内での接続情報が把握できる。
【０２５５】
検査で必要な情報は、
・表示エリアの外形情報、
・繰り返し単位である画素もしくは画素の集まりである画素群の形状情報と接続情報、
・繰り返しやミラー反転や回転の原点、繰り返しのピッチ、ミラー反転の有無や、回転の角度
等である。
【０２５６】
これらの設計情報は、繰り返し単位やピッチ等が異なる複数の繰り返し構造を有する場合は、それぞれについて必要となる。
【０２５７】
本実施例では、設計情報を、これらの検査に必要な情報に変換する。この変換では、いくつかの手法が可能である。すなわち、
第一の手法は、設計情報から全てソフトウェア的に演算することによって、検査に必要な情報に変換するものである。
【０２５８】
第一の手法は、現在広く行われている、レイアウト情報から接続情報を抽出し、接続関係の情報、すなわち、ネットリストに変換する処理に一見類似しているようにもみえるが、接続情報（ネットリスト）だけでなく、各画素の形状情報の情報を含む点で大きく異なっている。
更には、従来の抽出手法や他の従来の手法であるレイアウト情報とネットリストを対比する手法とは相違してり、繰り返し情報等の配置情報と表示エリア全体の外形情報を有する。
【０２５９】
次に、第二の手法は、設計情報以外に変換における解析をサポートする情報（解析サポート情報）を別途用意して処理するものである。この解析サポート情報は、種々の情報が利用できる。例えば、接続関係を示すデータである。これは、従来のレイアウト情報から接続情報を抽出したデータ、すなわち、ネットリストとレイアウトとの対比情報が得られていれば、そのまま使用できる。また、解析サポート情報の別の例では、
・繰り返しの単位構造と、
・繰り返し方向と、
・繰り返しピッチ
等の情報が指定される。
【０２６０】
設計情報で指定されている繰り返し構造（例えば１つの画素）よりも大きな単位での繰り返し構造（例えば、６つの画素等）が繰り返しの基本単位となっている場合がある。この場合、設計情報から全てソフトウェア的に解析する時間を短縮するために、繰り返しの構造に関する情報を解析サポート情報として指定する。
【０２６１】
また、従来、GDSIIフォーマットでは、XYでの繰り返しのみをサポートしており、任意の角度方向での繰り返しは記述されない。
【０２６２】
そのため、図１５のような構造の場合、角度方向等を解析サポート情報で与えると変換を高速に処理することができる。
【０２６３】
図３６に、この第二の手法を、図１２のブロック図に追加した場合の構成を、ブロック図を示す。
【０２６４】
解析サポート情報を入力し、設計情報を蓄えている設計ＤＢ１０１と演算する。これにより、設計情報の変換１２１を実現する。
【０２６５】
その結果は、変換ＤＢ１２０に保存される。以降の処理は、設計ＤＢ１０１の代わりに、この変換ＤＢ１２０を利用して実施される。
【０２６６】
図３６では、設計ＤＢ１０１を利用する構成を示したが、設計ＤＢ１０１を利用せず、設計情報と解析サポート情報から直接、設計情報の変換１２１を実施しても良い。
【０２６７】
図３７は、図１７の検査の流れに、第二の手法を適用した場合の検査の流れを示す図である。
【０２６８】
解析サポート情報の取り込み（ステップＳ２）、設計情報の変換（ステップＳ３）の処理ステップが追加されると共に、検査対象領域の計算（ステップＳ４）や重み付け情報の計算（ステップＳ５）等に使用される情報が、設計情報から変換後の情報に変更される。
【０２６９】
これらの手法により、データ量を削減しつつ、且つ、検査に必要な情報へのアクセスを早くして、検査の効率化を図ることが出来る。
【０２７０】
＜具体例１＞
以下に、より具体的な例として、前記第三の実施例において上記した記載より、高度な重み付けを施した例を示す。より高度な重み付けとして、画像処理のローパスフィルタと同様に、周辺画素に影響の重みを想定した重み付けをする例を示す。すなわち、周辺画素がどの位置に存在するかという情報を利用し、その存在位置に依存した影響を考慮する。その一例を、図２２に示す。
【０２７１】
図２２は、中心画素とその周囲の８つの画素の容量への重み付け例を示す。この例では、測定対象の画素の容量及び隣接する画素の寄生容量を、図の中に示した重みで計算した重み付け演算とする。
【０２７２】
図２２において、ｃ／ｎは中心画素への重み付け係数である。中心画素の上下左右に存在する画素への重み付け係数は、互いにほぼ等しい数ｂ１２、ｂ２１、ｂ２３、ｂ３２を用い、ｂ１２／ｎ、ｂ２１／ｎ、ｂ２３／ｎ、ｂ３２／ｎとする。
【０２７３】
また、中心画素の斜め方向に存在する画素への重み付け係数は、互いにほぼ等しい数ａ１１、ａ１３、ａ３１、ａ３３を用いて、ａ１１／ｎ、ａ１３／ｎ、ａ３１／ｎ、ａ３３／ｎとする。
【０２７４】
なお、ｎは次式（５）で表される。
0005692691.tif 000006
・・・（５）
【０２７５】
図２２の９個の全ての係数を合計すると、１となる。これにより、隣接する寄生容量の影響の大きさを考慮した重み付け演算が可能となる。
【０２７６】
隣接する画素が欠損する場合、その画素の係数を除き、重み付けの分母は全画素の合計が１となるようにする。例えば、図２２の右側の３つの画素が存在しない場合、重み付けに使用する係数の分母を、
0005692691.tif 000007
・・・（６）
とする。
【０２７７】
図２２において、検査対象の画素の係数はｃ／ｎのままであるが、分母ｎが式（５）から式（６）に変わる。
【０２７８】
中心画素と、その上下左右の画素、及び、斜め方向の画素では、寄生容量に影響を与える効果が異なるため、各係数は、通常、
0005692691.tif 000008
・・・（７）
とする。
【０２７９】
画素のレイアウトによって、斜め方向の画素の係数同士（ａ１１、ａ１３、ａ３１、ａ３３）、上下左右方向の画素の係数同士（ｂ１２、ｂ２１、ｂ２３、ｂ３２）の値は異なる。
【０２８０】
しかし、最も簡単な例では、各方向内では同じと扱うことも可能である。一例として、図２３に、ａ１１＝ａ１３＝ａ３１＝ａ３３＝１、ｂ１２＝ｂ２１＝ｂ２３＝ｂ３２＝２、ｃ＝４とした重み付け例を示す。この時、ｎ＝１６である。
【０２８１】
また、図２３の右側の３つの画素が存在しない場合は、式（６）に従い、ｎ＝１２となり、例えば、中央の検査対象の画素の係数は、４／１２となる。このような重み付けを利用することにより、周辺画素の寄生容量の影響を考慮することができる。
【０２８２】
＜具体例２＞
別の例として、本発明の第三の実施例において前記具体例１と異なる重み付けを施した例を示す。ここでは、欠陥が発生した画素を際立たせつつ、隣接画素の影響を排除する方法として、画像処理のハイパスフィルタと同様の方法、すなわち、重み付けした対象画素の測定データと重み付けした周辺画素の測定データとの差分を取る方法を用いる。
【０２８３】
すなわち、周辺画素がどの位置に存在するかという情報を利用し、測定データ自体を重み付け差分することで、周辺画素の存在位置による影響を排除する。その一例を、図２４に示す。
【０２８４】
図２４は、中心画素とその周囲の８つの画素への重み付け例を示す。図２４に示すように、検査対象の中心の画素と周囲の画素では、係数のプラスマイナスの符号が異なる。
【０２８５】
ここで、ｍは中心画素への重み付け係数である。
【０２８６】
中心画素の上下左右に存在する画素への重み付け係数は、互いにほぼ等しい係数ｌ１２、ｌ２１、ｌ２３、ｌ３２とする。
【０２８７】
また、中心画素の斜め方向に存在する画素への重み付け係数は、互いにほぼ等しい係数ｋ１１、ｋ１３、ｋ３１、ｋ３３とする。
【０２８８】
なお、各係数の間には以下の関係が存在する。
0005692691.tif 000009
・・・（８）
【０２８９】
0005692691.tif 000010
・・・（９）
【０２９０】
式（８）より、図２４の９個の全ての係数を合計すると、１となる。これにより、各画素の測定データを用い、隣接する画素の影響の大きさを考慮した重み付け演算が可能となる。
【０２９１】
この例では、測定対象の画素の測定データ及び隣接する画素の測定データに図の中に示した重みで計算した重み付け演算を行い、その合計を測定対象の重み付け後の測定データとする。
【０２９２】
また、この方法では、隣接する画素が欠損する場合、その画素の係数を除き、中心画素の重み付けの係数を周辺画素の係数の合計に１を加えたものとする。例えば、図２４の右側の３つの画素が存在しない場合、検査対象の画素の係数は次式（１０）から得られる。
【０２９３】
0005692691.tif 000011
・・・（１０）
【０２９４】
画素のレイアウトによって、斜め方向の画素の係数同士（ｋ１１、ｋ１３、ｋ３１、ｋ３３）、上下左右方向の画素の係数同士（ｌ１２、ｌ２１、ｌ２３、ｌ３２）の値は異なる。
【０２９５】
しかし、最も簡単な例では、各方向内では同じと扱うことも可能である。例えば、図２５に、ｋ１１＝ｋ１３＝ｋ３１＝ｋ３３＝０、ｌ１２＝ｌ２１＝ｌ２３＝ｌ３２＝１とした例を示す。この時、ｍ＝５である。
【０２９６】
また、図２５の右側の３つの画素が存在しない場合は、式（１０）に従い、ｍ＝４となる。この方法では、欠陥が生じた場合の判定を鋭敏（感度よく）に検出することができる。この点を以下に説明する。
【０２９７】
簡単化のために、検査対象の周囲の８つの画素が全て存在している図２４の状態を例に説明する。全ての画素に同じデータＸが書き込まれており、全ての画素に欠陥が存在しない場合、８つの周辺画素の測定されたデータ（理想的には、周辺の全ての画素でＸが検出される）に、図２４の重み付け係数を掛けて合計すると、
0005692691.tif 000012
・・・（１１）
となる。
【０２９８】
式（１１）に式（８）を適用すると、式（１１）は極めて簡単な形となり、
（１−ｍ）Ｘ
となる。
【０２９９】
検査対象の中心画素にもＸが書き込まれており、対応する係数を掛けると、
ｍＸ
となる。
【０３００】
周辺画素と中心画素の重み付け後の値を合計すると、
（１−ｍ）Ｘ＋ｍＸ＝Ｘ
となる。すなわち、本来、測定すべきＸが検出できる。
【０３０１】
次に、中心画素に欠陥が存在し、その欠陥の存在によって、中心画素のデータがＹとなった場合を考える。この時、重み付け後の合計は、
ｍＹ−（ｍ−１）Ｘ
となる。
【０３０２】
ｍ＞ｍ−１であるため、中央画素に存在する欠陥に関連する情報（Ｙ）が、欠陥が存在しない周囲の画素の情報（Ｘ）より大きく扱われ、欠陥の検出が容易となる。
【０３０３】
一方、上下左右方向に隣接する画素のうちの一つに（例えば図２４の中心画素の右隣の画素に）欠陥が存在する場合を考える。
【０３０４】
この時、重み付け後の合計は、
ｍＸ−（ｍ−１−ｌ２３）Ｘ−ｌ２３Ｙ
＝（ｌ２３＋１）Ｘ−ｌ２３Ｙ
となる。
【０３０５】
この場合、ｌ２３＋１＞ｌ２３であり、周辺画素の欠陥に関連する情報（Ｙ）よりも、中心画素が無欠陥である情報（Ｘ）の方が大きく扱われる。このため、欠陥の存在に影響されずに、無欠陥画素を検出することができる。
【０３０６】
ここで説明した内容を、図２５の係数によって、より具体的に説明する。
【０３０７】
中央に欠陥が存在する場合、
５Ｙ−４Ｘ
となる。
【０３０８】
欠陥情報（Ｙ）に関係する係数が５であり、無欠陥である情報（Ｘ）の係数４よりも大きいため、欠陥情報（Ｙ）を鋭敏に検出できる。
【０３０９】
一方、中央の右隣に欠陥が存在する場合、
２Ｘ−Ｙ
となる。
【０３１０】
無欠陥である情報（Ｘ）に関係する係数の方が大きいために、欠陥の存在に影響されない。
【０３１１】
＜具体例３＞
具体例３として、本発明の第三の実施例において、前記具体例２と同様の重み付けを施し、且つ、欠陥に関する情報の影響を軽減する例を示す。
【０３１２】
この具体例３では、周辺画素の欠陥に関する情報を差し引くため、実際の中心画素のデータが周囲の欠陥の影響を受けていた場合も、その影響を削減することができる。この点を、図２６を用いて詳しく説明する。
【０３１３】
図２６は、５ｘ６の画素アレイでの検出されるデータを示しており、一つの欠陥画素が存在し、それ以外の全ての画素は正常な画素であることを想定している。γで示される画素に欠陥が存在するために、その周囲の画素は、図２２に示したのと同様の重みによる影響を受けるものとしている。
【０３１４】
この具体例では、欠陥のない正常な画素で周囲の画素の影響がない場合に本来検出されるデータをＸとし、欠陥のある画素で周囲の画素の影響がない場合に本来検出されるデータをＹとする。その結果、各々の画素を測定した場合に検出されるデータは、図２６に示すようなデータとなる。
【０３１５】
α１１、α１３、α３１、α３３、及びβ１２、β２１、β２３、β３２で示した画素と、欠陥が存在しているγで示される画素のデータは、例えば、図２６の係数とＸ、Ｙを用いて、以下のように表記できる。
【０３１６】
0005692691.tif 000013
・・・（１２）
【０３１７】
0005692691.tif 000014
・・・（１３）
【０３１８】
0005692691.tif 000015
・・・（１４）
【０３１９】
0005692691.tif 000016
・・・（１５）
【０３２０】
0005692691.tif 000017
・・・（１６）
【０３２１】
0005692691.tif 000018
・・・（１７）
【０３２２】
0005692691.tif 000019
・・・（１８）
【０３２３】
0005692691.tif 000020
・・・（１９）
【０３２４】
0005692691.tif 000021
・・・（２０）
【０３２５】
ここで、ρは測定したい画素の測定データに対し、周囲の画素の寄生容量による影響を示す割合であり、０から１の値を取る（０＜ρ＜１）。
【０３２６】
式（１２）から式（２０）では、各画素の寄生容量の影響が加味され、測定されるデータが寄生容量で影響を受けた値となることを示している。
【０３２７】
周囲の画素に欠陥が存在しない場合は、これらの式（１２）から式（２０）の値は全てＸとなる。
【０３２８】
なお、式（２０）のγの式は、その画素に欠陥が存在することを前提としているため、扱いが異なるが、その画素に欠陥がなく周囲も全て正常画素の場合、Ｘとなる。
【０３２９】
さて、図２６において、γを付した画素の左隣の画素を測定して得られるデータは、寄生容量の影響により、式（１７）に示したβ２１となる。
【０３３０】
ついで、この画素の測定データ（β２１）に図２４の重み付け演算を施す。すなわち、図２６において、β２１を付した画素とその周囲の３×３の９つの画素に対し、図２４の重み付けを与えると、次式（２１）となる。
【０３３１】
0005692691.tif 000022
・・・（２１）
【０３３２】
但し、ｉ、ｊはそれぞれ以下の式（２２）、（２３）で表される。
0005692691.tif 000023
・・・（２２）
【０３３３】
0005692691.tif 000024
・・・（２３）
【０３３４】
式（１７）のβ２１と式（２１）の重み付け後のデータを比較すると、重み付け後のデータでは、欠陥による情報（すなわち、Ｙに関連する項）を積極的に減算している。
【０３３５】
これにより、欠陥による影響を削減し、欠陥以外の画素の情報（Ｘに関連する項）を際立たせ、寄生容量による影響が存在していても、正しい結果を得やすい。
【０３３６】
一方、図２６において、欠陥が存在する画素を測定して得られるデータは、寄生容量の影響により、式（２０）に示したγとなる。ついで、この画素の測定データに図２４の重み付け演算を施す。すなわち、図２６の画素（γ）とその周囲の３×３の９つの画素に対し、図２４の重み付けを与えると、次式（２４）となる。
【０３３７】
0005692691.tif 000025
・・・（２４）
【０３３８】
但し、ｈは以下の式で表される。
0005692691.tif 000026
・・・（２５）
【０３３９】
式（２０）のγと式（２４）の重み付け後のデータを比較すると、重み付け後のデータでは、欠陥による情報（Ｙ）が係数ｍによって拡大される。ただし、ｍは、式（８）と式（９）から係数ｋやｌが有限の大きさを有する限り、必ず、ｍ＞１となる。
【０３４０】
これにより、欠陥が存在する画素では、欠陥の情報が拡大され、認識しやすくなる。
【０３４１】
以下、ここまでの説明を、図２３及び図２５の係数を用いて、より具体的に説明する。上記式（１２）から式（２５）の導出で用いた図２２及び図２４の代わりに、より具体的な数値である、図２３及び図２５の係数を用いる。その結果、図２６の各画素の値は、数式を用いて、より具体的に示すことができる。
【０３４２】
ここで、図２６のβ２１が付された画素を測定し、上述の重み付け演算をすることを考える。
【０３４３】
式（２１）に図２３及び図２５の係数を用いて計算すると、次式（２６）のようになる。
0005692691.tif 000027
・・・（２６）
【０３４４】
一方、直接測定した値β２１は、次式（２７）のようになる。
0005692691.tif 000028
・・・（２７）
【０３４５】
直接測定による式（２７）では、欠陥による影響が加算されているが、重み付け演算を行う式（２６）では、欠陥による影響が減算されている。
【０３４６】
このように、本実施例によれば、正常な画素から欠陥の影響が排除される。
【０３４７】
一方、欠陥画素であるγを測定し、上述の重み付け演算をした場合、式（２４）から、
0005692691.tif 000029
・・・（２８）
という値が得られる。
【０３４８】
式（２８）では、欠陥情報（Ｙ）に、欠陥情報と無欠陥情報（Ｘ）との差分（Ｙ−Ｘ）に関連する値が加算されている。
【０３４９】
すなわち、欠陥情報は強調され、正常な画素からの影響は減算され、排除される方向にある。このように、本発明によれば、正常な画素と欠陥画素の選択が容易となる。
【０３５０】
一方、直接測定した値γは、次式（２９）のようになる。
0005692691.tif 000030
・・・（２９）
【０３５１】
この直接測定による結果（式（２９））では、欠陥情報（Ｙ）に、欠陥情報と無欠陥情報（Ｘ）との差分（Ｙ−Ｘ）に関連する値が減算されている。
【０３５２】
すなわち、欠陥情報に、正常な画素からの影響が加算される。このため、周囲が全て欠陥画素である時に期待される値（Ｙ）より少ない量の欠陥情報（Ｙ）の寄与しか検出されないため、欠陥画素の判定が困難となる。
【０３５３】
このように、周辺の画素の影響があると、欠陥情報の識別が困難となる。これに対し、式（２８）で見たように、本発明の方法では、欠陥情報を強調するため、欠陥の識別が容易となる。
【０３５４】
ここまでの説明では、簡単化のために、縦横に同じピッチで正方状に画素が配列される例を示した。しかしながら、縦と横のピッチは異なっていても良い。
【０３５５】
更には、画素とＴＦＴと周囲の配線で形成される一画素単位が矩形状である必要性はなく、様々な形状が可能である。全てが同じ形状の画素単位でもよいが、様々な形状の画素単位が組み合わさった画素単位群を用いても良い。
【０３５６】
更には、全ての画素の形状が異なっていても良い。
【０３５７】
ここで、このような画素単位の形状のバリエーションの一例として、図１５に示したような構成でもよく、また、一画素単位が６つの三角形状の画素から構成される六角形状の画素群で構成されることも可能である。
【０３５８】
本発明は、表示エリアの中央部分と周辺部分で画素単位の形状や配置の密度が異なっていても適用できる。
【０３５９】
設計情報として、画素の形状や配列情報を利用する。そのため、
（I）ある画素の検査時に誤って隣接する他の画素にも検出用信号、たとえば電子線、を印加することが発生しない、
（II）表示エリアの外部で画素が存在しない領域にも検出用信号、例えば電子線、を印加することが発生しない、
等の顕著な効果が得られる。
【０３６０】
本発明による検査装置は、非矩形状の表示エリアを有する表示装置を検査できると共に、矩形状の表示エリアを有する表示装置も良好に検査できる。矩形状の表示エリアを有する表示装置に対しても、設計情報を利用し、検査範囲もしくは解析範囲の設定、及び、表示エリア外形部等での寄生容量の影響を考慮した重み付け演算を実施することが可能である。その結果、従来の矩形状の表示エリアを有する表示装置を検査した場合においても、検査の効率が向上すると共に、検査結果の解析の精度が向上する。
【０３６１】
本発明による検査方法及び検査装置では、設計情報を利用するため特殊な画素構造に対応が可能である。上述の形状やサイズが異なる画素だけでなく、インプレーンスイッチング（ＩＰＳ）方式のように対向電極が画素内に存在する構造も検査できる。
【０３６２】
また、画素内に配向やギャップを制御するための突起が設けられていても検査可能である。
【０３６３】
更に、画素内にＴＦＴから直接でなく容量を介して制御するような電極が設けられている場合も検査可能である。
【０３６４】
加えて、画素内に複数のＴＦＴ及び画素電極が存在する場合も検査可能である。更に、画素内に表示データを記憶するメモリが設けられている画素構造でも検査可能である。
【０３６５】
また、例えば特許第３０４２４９３号公報のように、画素内にアンプ等の回路が設けられた画素構造でも検査可能である。
【０３６６】
加えて、ＯＬＥＤ（有機ＥＬ）等の発光素子を駆動するために、画素内に複数のＴＦＴを設けている画素構造でも検査可能である。
【０３６７】
すなわち、本発明で検査する表示装置用基板は、液晶表示装置用、有機ＥＬ表示装置用、電子ペーパー用等、構造を問わない。更に、表示装置用基板だけでなく、非矩形状のセンサ領域を有するＸ線センサや赤外センサ等のセンサ用途の基板や、非矩形状の感度部を有する指紋読み取り用基板も検査可能である。また、バイオチップ等の用途に用いられる基板にも適用可能である。
【０３６８】
上記までの説明では、設計情報を取り込むことを前提としていたが、設計情報が与えられない場合に、サンプル上の表示エリア形状や画素の配置を測定によって入手することも可能である。この測定は、別の光学測定装置等で実施してもよい。また、本発明の検査装置で、ステップ１の段階で、通常の検査で使用するビームと、ビームの角度や強度を変えたり、電子線ビームスポットの形状やサイズを変更してスキャンし、表示エリアの形状や、画素の配置を測定しても良い。
【０３６９】
本発明を適用することで、非矩形状の表示エリアを有する表示装置を効率よく検査できる検査装置が提供される。また、非矩形状の表示エリアを有する表示装置を効率よく検査できる検査装置を用いて検査した、非矩形状の表示エリアもしくは矩形状の表示エリアを有する表示装置用基板及び表示装置が提供される。更には、表示装置だけでなく、画素構造を有し、非矩形状のアクティブ領域を有するセンサ等の用途に用いられる基板を検査する検査装置及び検査された基板を用いたセンサ等の装置が提供される。
【０３７０】
本発明を適用することで、ダミー画素を検査対象から外すことができ、検査結果から、ダミー画素部分の情報を排除する等の手間が不要となる。また、ダミー画素の配置情報を利用して、外周部の重み付けを決定する構成とした場合、外周部での検査を正確に行うことができる。さらに設計情報の蓄積において、必要な記憶容量を大幅に削減することができると共に、非矩形の表示エリアを有する表示装置に特有の画素構造に対応したデータ構造で、検査結果を保存できる。
【０３７１】
なお、上記の特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【符号の説明】
【０３７２】
２  電子ビームスポット
４  基板（ガラス基板）
５  フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）のアレイ基板
６  ピクセル
８  信号発生器及び信号解析器
１０  演算部
１１  電子線源
２０  測定部
３０  ステージ
４０  ガラス基板
４３  しきい値設定を含む演算部
５０  ＴＦＴパネル
５１  ピクセル
５２  ピクセル電極
５３  ＴＦＴ
５４  蓄積容量
６１  縦行のライン
６２  横列のライン
８０  絶縁膜
９０  ハート型の表示エリア
１０１  設計ＤＢ
１０２  検査対象領域指定部
１０３  解析対象領域指定部
１０４  測定結果ＤＢ
１０５  重み付け演算部
１０６  重み付き結果ＤＢ
１０７  しきい値設定部
１０８  重み付きしきい値ＤＢ
１０９  重み付け情報１
１１０  演算手段
１１１  重み付け情報２
１２０  変換ＤＢ
１２１  設計情報の変換
１４２  解析部
１５０  コントローラ
１５１  記憶部
１５２  入出力部
１５３  真空制御部
１５４  センサ部
１５５  電源
１５６  ローダ／アンローダ
２０１  電子線源
２０２  ビーム制御部
２０３  ステージ制御部
２０４  検出制御部
２０５  電子検出器
２０６  ステージ
２７１〜２７４  配線
７０１、１３０１  ＴＦＴ
７０３、８０１、１００１、１３０３  ゲート線
７０２、８０２、１００２、１３０２  画素電極
７０４、８０３、１００３、１３０４  データ線
７５０  ダミー画素
８０４、１００４  基板
８０５、８０６、１００５、１００６  絶縁膜
９１０  GDSIIライブラリ
９２０  セル
９２５  表示アレイを示すセル（DISPLAY）
９２６  画素を示すセル（PIXEL）
９２７  画素電極を示すセル（ELPIX）
９３０  エレメント
９３１  AREF（アレイ参照エレメント）
９３５  画素電極の形状を示すエレメント
１３０５、１５０２  電子ビームスポット
１５０１  非矩形状の表示エリアの外形
１５０３  非矩形状の画素
１５０４  画素群の繰り返しパターン
１５０５  画素群から孤立した画素
Ｓ  試料
ＥＢ  電子線
ＳＥ  二次電子
ＤＥ  電子検出器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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