(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤダイと、
表面に前記ＬＥＤダイが実装されたサブマウント基板と、
前記サブマウント基板の底面の外周部に沿って配置された外周電極と、
前記外周電極に囲まれ且つ前記ＬＥＤダイの電極に接続された内側電極と、
を有することを特徴とするＬＥＤ装置。
【請求項２】
前記外周電極は、前記底面の外周部の全体に亘って配置されている、請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項３】
前記底面の形状は矩形であり、
前記外周電極は、前記底面の３辺に沿って配置されている、請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項４】
前記外周電極は、前記ＬＥＤダイの電極に接続されている、請求項１〜３の何れか一項に記載のＬＥＤ装置。
【請求項５】
前記外周電極は、前記ＬＥＤ装置が搭載されたマザー基板に形成されたグランド配線に接続されている、請求項１〜３の何れか一項に記載のＬＥＤ装置。
【請求項６】
少なくとも２つの前記内側電極を有する、請求項１〜５の何れか一項に記載のＬＥＤ装置。
【請求項７】
前記ＬＥＤダイが、赤色発光ＬＥＤダイ、緑色発光ＬＥＤダイ及び青色発光ＬＥＤダイである、請求項１〜６の何れか一項に記載のＬＥＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ベアチップ状態のＬＥＤ（以降、ＬＥＤダイとも称する）をサブマウント基板上に搭載し、樹脂等で被覆してパッケージ化したＬＥＤ装置が知られている。サブマウント基板は、抵抗及びコンデンサなど他の電子部品が実装される大型の基板（以後、マザー基板とも称する）とＬＥＤダイとの間に挿入される小型の基板であり、インターポーザとも称される。サブマウント基板は、マザー基板の表面と対向する底面にアノード電極とカソード電極とを備える（例えば特許文献１を参照）。【０００３】
図１４は特許文献１の図１に対応する従来の半導体パッケージの斜視図であり、図１５は特許文献１の図４に対応する従来の半導体パッケージの底面図である。【０００４】
ＬＥＤ装置（半導体パッケージ）２０は、サブマウント基板（配線基板）１０と、サブマウント基板にフリップチップ実装されたＬＥＤダイ（ＬＥＤ素子）６１とを有する。ＬＥＤダイ６１の底面には、ＬＥＤダイのカソード電極及びアノード電極にそれぞれ接合されたバンプ６１ａ、６１ｂを備えている。サブマウント基板１０は、セラミック基板１１と、セラミック基板１１に配置される一対の電極１２、１３を有する。一対の電極１２、１３のそれぞれは、表面電極１２ａ、１３ａ、側面電極１２ｂ、１３ｂ（図示せず）及び底面電極１２ｃ、１３ｃを有し、ＬＥＤ装置２０のカソード電極及びアノード電極として機能する。ＬＥＤダイ６１は、一対の電極１２、１３の表面電極１２ａ、１３ａにそれぞれ形成されるランド部分にバンプ６１ａ、６１ｂを介して接合される。【０００５】
またサブマウント基板１０は、一対の凹部１１ａ、１１ｂと一対のビア１１ｃ、１１ｄが形成される。一対の凹部１１ａ、１１ｂには、側面電極１２ｂ、１３ｂが配置され、ビア１１ｃ、１１ｄは、ＬＥＤダイ６１から生じた熱をサブマウント基板１０の表面から底面に伝導させる。【０００６】
ＬＥＤ装置２０の底面には、同一形状を有し且つ同一面積を有する底面電極１２ｃ、１３ｃが配置される。上側電極１２ａ、１２ｂの大きさ及び間隙はＬＥＤダイ６１の電極仕様（デザインルールや実装精度等）により決定されるに対し、底面電極１２ｃ、１３ｃの大きさ及び間隙はマザー基板の実装仕様により決定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１９１０９７号公報  （図１、図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図１４に示す従来のＬＥＤ装置（半導体パッケージ）２０は、マザー基板に実装されているときに、ＬＥＤ装置が搭載されたマザー基板に液体が付着した場合にＬＥＤ装置の底面が汚染されるおそれがある。ＬＥＤ装置の底面に付着した液体等の異物は、ＬＥＤ装置の電極間をショートさせることがあると共に、マイグレーションが発生する原因になることがある。【０００９】
本発明は、この課題に鑑みて為されたものであり、液体などの異物が付着した場合でも底面が汚染されないＬＥＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のＬＥＤ装置は、ＬＥＤダイと、表面にＬＥＤダイが実装されたサブマウント基板と、サブマウント基板の底面の外周部に沿って配置された枠状電極と、枠状電極に囲まれ且つＬＥＤダイの電極に接続された内側電極とを有することを特徴とする。【００１１】
このＬＥＤ装置をマザー基板に実装する際、枠状電極及び内側電極は、ハンダによりマザー基板上の配線電極に接続される。枠状電極をマザー基板に接合するハンダは、ＬＥＤ装置の底面を形成するサブマウント基板の底面の外周部に沿って存在するため、サブマウント基板の底面において枠状電極が配置された辺が密封される。この結果、マザー基板に実装されたＬＥＤ装置では、枠状電極が配置された辺からはＬＥＤ装置の底面に液体などの異物が侵入しなくなる。【００１２】
本発明のＬＥＤ装置では、枠状電極が底面の外周部全体に配置されていても良い。【００１３】
本発明のＬＥＤ装置では、底面の形状は矩形であり、枠状電極が底面の３辺に沿って配置されていても良い。【００１４】
本発明のＬＥＤ装置では、枠状電極は、ＬＥＤダイの電極に接続していても良い。【００１５】
本発明のＬＥＤ装置では、枠状電極は、ＬＥＤ装置が搭載されたマザー基板に形成されたグランド配線に接続されていても良い。【００１６】
本発明のＬＥＤ装置は、少なくとも２つの内側電極を有しても良い。【００１７】
本発明のＬＥＤ装置では、ＬＥＤダイが、赤色発光ＬＥＤダイ、緑色発光ＬＥＤダイ及び青色発光ＬＥＤダイであっても良い。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のＬＥＤ装置は、底面の外周部に沿って配置された枠状電極を備えるため、マザー基板に実装されたＬＥＤ装置の底面において枠状電極が配置された辺を密封し、ＬＥＤ装置の底面の汚染を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態におけるＬＥＤ装置の斜視図である。
【図２】図１に示すＬＥＤ装置をマザー基板に実装した状態を示す斜視図である。
【図３】図１に示すＬＥＤ装置の外形図である。
【図４】図１に示すＬＥＤ装置の実装状態を示す断面図である。
【図５Ａ】第２実施形態におけるＬＥＤ装置の底面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示すＬＥＤ装置の実装状態を示す断面図である。
【図６Ａ】第３実施形態におけるＬＥＤ装置の底面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示すＬＥＤ装置の実装状態を示す断面図である。
【図７】図６Ａに示すＬＥＤ装置の回路図である。
【図８Ａ】第４実施形態におけるＬＥＤ装置の底面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに示すＬＥＤ装置の実装状態を示す断面図である。
【図９】第５実施形態におけるＬＥＤ装置の底面図である。
【図１０】第６実施形態におけるＬＥＤ装置の底面図である。
【図１１】第７実施形態におけるＬＥＤ装置の底面図である。
【図１２Ａ】第８実施形態におけるＬＥＤ装置の斜視図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに示すＬＥＤ装置の底面図である。
【図１３】図１２ＡのＬＥＤ装置を実装するためのハンダパターンを示す平面図である。
【図１４】従来例におけるＬＥＤ装置の斜視図である。
【図１５】図１４に示すＬＥＤ装置の底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図１〜１３を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。
【００２１】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態のＬＥＤ装置１の斜視図である。ＬＥＤ装置１は、最上部に配置される反射層２と、反射層２の下方に配置される蛍光体層３と、蛍光体層３の下方に配置されるサブマウント基板４と、サブマウント基板４の下方に配置される枠状電極５とを有する。
【００２２】
図２は、第１実施形態のＬＥＤ装置１がマザー基板７に実装された状態を示す斜視図である。ＬＥＤ装置１は、マザー基板７に形成された不図示の配線電極にハンダ６により接続される。ハンダ６は、フィレットを形成し、ＬＥＤ装置１を取り囲んでいる。
【００２３】
図３は、第１実施形態のＬＥＤ装置１の外観図であり、図３（ａ）はＬＥＤ装置１の平面図であり、図３（ｂ）はＬＥＤ装置１の正面図であり、図３（ｃ）はＬＥＤ装置１の底面図である。ＬＥＤ装置１の表面方向からは、反射層２が見られる。ＬＥＤ装置１の正面方向からは、枠状電極５と、枠状電極５が形成されたサブマウント基板４と、サブマウント基板４にそれぞれ積層された蛍光体層３及び反射層２とが見られる。ＬＥＤ装置１の底面方向からは、サブマウント基板４の底面の外周部を囲むように形成されて配置された枠状電極５と、枠状電極５に囲まれた内側電極８が見られる。枠状電極５と内側電極８との間には、サブマウント基板４の底面が見られる。
【００２４】
図４は、図２のＡＡ線に沿う断面図である。サブマウント基板４の表面には表面電極４ａ、４ｂが形成され、サブマウント基板４には、表面から底面に貫通するスルーホール４ｃ、４ｄが形成される。表面電極４ａはスルーホール４ｃを介して枠状電極５に接続され、表面電極４ｂはスルーホール４ｄを介して内側電極８に接続される。表面電極４ｂの表面にはＬＥＤダイ９がダイボンディングされる。ワイヤ９ａは、ＬＥＤダイ９の電極と表面電極４ａ、４ｂとを接続する。ＬＥＤダイ９及びワイヤ９ａは、蛍光体層３で被覆される。蛍光体層３は、反射層２が上方に配置される。配線電極７ａ、７ｂは、マザー基板７の表面に形成される。配線電極７ａはハンダ６を介して枠状電極５に接続され、配線電極７ｂはハンダ６ａを介して内側電極８に接続される。
【００２５】
サブマウント基板４を形成する材料は、熱伝導性の高い絶縁材から選択される。本実施形態では、熱伝導率が良く且つ反射率が高いアルミナがサブマウント基板４を形成する材料として使用される。サブマウント基板４の表面に反射層が配置される場合、反射率は低いが熱伝導率の高い窒化アルミニウムを、サブマウント基板４を形成する材料として使用しても良い。また、樹脂又は表面を絶縁処理した金属基板をサブマウント基板４の材料として使っても良い。
【００２６】
表面電極４ａ、４ｂ、枠状電極５及び内側電極８のそれぞれは、ＣｕにＮｉ、Ａｕを積層することにより形成される。スルーホール４ｃ、４ｄの中空部は、銅ペーストなどの導電部材が充填される。ＬＥＤダイ９は、青色発光ダイオードであり、サファイア基板とサファイアの上に積層した半導体層とを含む。サファイア基板の厚さは１５０μｍ程度であり、半導体層の厚さは１０μｍ弱である。半導体層はｎ型ＧａＮ層とＧａＮ層の上に積層されたｐ型ＧａＮ層とを含み、ｎ型ＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層との間の境界部が発光層となる。またｎ型ＧａＮ層はＬＥＤダイ９のカソードに接続され、ｐ型ＧａＮ層はＬＥＤダイ９のアノードに接続される。
【００２７】
蛍光体層３は、蛍光体が混練されたシリコーンを硬化させることにより形成される。反射層２は、アルミナ又は酸化チタンが混練されたシリコーンを硬化させることにより形成される。反射層２は、金属板又は反射テープであっても良い。ＬＥＤダイ９から発光された光は、サブマウント基板４の表面及び反射層２で反射すると共に蛍光体層３を伝播して、ＬＥＤ装置１の側面から出射する。ＬＥＤダイ９から発光された光の一部は、蛍光体層３に含まれる蛍光体により波長変換される。
【００２８】
ＬＥＤ装置１の底面は、ハンダ６で周囲を密封されているため、汚染された液体等の異物が侵入するおそれが低い。ＬＥＤ装置１の底面は、汚染された液体等の異物により汚染されるおそれが低いので、ＬＥＤ装置１の電極間をショートさせるおそれは低く、内側電極８と枠状電極５の間にマイグレーションが発生する可能性も低い。なお、本願発明者等が、ＬＥＤ装置１を実装したマザー基板に汚染された液体として食塩を付着させたところ、ＬＥＤ装置１の電極間をショートは発生しなかった。
【００２９】
（第２実施形態）
図１〜４に示した第１実施形態のＬＥＤ装置１では、枠状電極５がＬＥＤダイ９のアノード又はカソードのどちらか一方の電極に接続し、内側電極８がカソード又はアノードの他方の電極に接続していた。しかしながら、実施形態のＬＥＤ装置は、底面に配置された電極にアノード及びカソードに接続されるものの、枠状電極はアノード及びカソードの双方に接続されなくても良い。図５Ａ及び５Ｂを参照して、枠状電極がアノード及びカソードの双方に接続されない第２実施形態のＬＥＤ装置５０を第２実施形態として説明する。
【００３０】
図５Ａは第２実施形態のＬＥＤ装置５０の底面図であり、図５Ｂは図５ＡのＡＡ線に沿う断面図である。ＬＥＤ装置５０は、第１実施形態のＬＥＤ装置１と同様に、サブマウント基板５４上にＬＥＤダイ５９、蛍光体層５３、及び反射層５２が配置されている。しかしながら、ＬＥＤ装置５０は、ＬＥＤ装置１と同様の外観を有するので、ＬＥＤ装置５０の外観を示す斜視図は示されない（以下に説明する実施形態でも同様に外観を示す斜視図は示されない）。
【００３１】
ＬＥＤ装置５０の底面は、周辺部に枠状電極５５が配置され、枠状電極５５の内側に２個の内側電極５８ａ、５８ｂが配置される。枠状電極５５は、マザー基板５７のグランド配線５７ａに接続され、サブマウント基板５４に実装されたＬＥＤダイ５９には接続されない。内側電極５８ａは、スルーホール５４ｄ、表面電極５４ａ及びワイヤを介してＬＥＤダイ５９のアノードに接続される。内側電極５８ｂは、スルーホール５４ｃ、表面電極５４ｂ及びワイヤ５９ａを介してＬＥＤダイ５９のカソードに接続される。
【００３２】
ＬＥＤ装置５０は、マザー基板５７に実装されるとき、底面の周囲に形成された枠状電極５５がグランドレベルになり、枠状電極５５はＬＥＤダイ５９に接続されないため、静電気がＬＥＤ装置５０に影響を与える可能性は低い。
【００３３】
（第３実施形態）
第１及び第２実施形態のＬＥＤ装置１、５０は、サブマウント基板４、５４上に１個のＬＥＤダイ（ＬＥＤ装置１ではＬＥＤダイ９（図４参照））が実装される。しかしながら、サブマウント基板上に実装されるＬＥＤダイの個数は、１個に限られない。図６Ａ、６Ｂ及び図７を参照して、サブマウント基板６４上に３個のＬＥＤダイが実装されたＬＥＤ装置６０を第３実施形態として説明する。
【００３４】
図６Ａは、ＬＥＤ装置６０の底面図であり、図６Ｂは図６ＡのＡＡ線に沿う断面図であり、図７はＬＥＤ装置６０の回路図である。ＬＥＤ装置６０は、サブマウント基板６４上にＬＥＤダイ７１、７２、７３、蛍光体層６３、及び反射層６２が配置される。ＬＥＤ装置６０の底面は、周辺部に枠状電極６５が配置され、枠状電極６５の内側に３個の内側電極６８ａ、６８ｂ、６８ｃが配置される。３個の内側電極６８ａ、６８ｂ、６８ｃは、内側電極６８ａを頂点とし且つ内側電極６８ｂ及び６８ｃで底辺を形成する二等辺三角形となるように三角配置される。枠状電極６５はＬＥＤダイ７１、７２、７３のそれぞれのアノードに接続される共通電極であり、内側電極６８ａ、６８ｂ、６８ｃはそれぞれＬＥＤダイ７１、７２、７３のカソード７８ａ、７８ｂ、７８ｃに接続される。
【００３５】
ＬＥＤダイ７１、７２、７３はそれぞれ、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードである。ＬＥＤダイ７１、７２、７３はアノード７５を共通とし、それぞれカソード７８ａ、７８ｂ、７８ｃを備えている。ＬＥＤダイ７１、７２、７３のアノード７５は、ワイヤ６９ａ、表面電極６４ａ及びスルーホール６４ｃを介して枠状電極６５に接続される。ＬＥＤダイ７１、７２、７３のカソード７８ａ、７８ｂ、７８ｃは内側電極６８ａ、６８ｂ、６８ｃに接続される。ＬＥＤダイ７２のカソード７８ｂは、ワイヤ、表面電極６４２ｂ及びスルーホール６４２ｄを介して内側電極６８ｂに接続される。ＬＥＤダイ７３のカソード７８ｃは、ワイヤ、表面電極６４３ｂ及びスルーホール６４３ｄを介して内側電極６８ｃに接続される。ＬＥＤ装置６０は、ＬＥＤダイ７１、７２、７３のそれぞれに流れる電流を個別制御できるので、ＬＥＤダイ７１、７２、７３に流れる電流を変化させることにより、様々な色を発光することが可能になる。
【００３６】
（第４実施形態）
第３実施形態のＬＥＤ装置６０では、内側電極６８ａ、６８ｂ、６８ｃは、三角配置される。しかしながら、内側電極の配置は、三角配置に限られない。図８を参照して、内側電極が直線状に配列されるＬＥＤ装置８０を第４実施形態として説明する。図８は、ＬＥＤ装置８０の底面図である。ＬＥＤ装置８０は、第３実施形態のＬＥＤ装置６０と同様に図７に示す回路構成を有する。ＬＥＤ装置８０は、サブマウント基板８４上に３個のＬＥＤダイ７１、７２、７３（図７参照）、蛍光体層８３、及び反射層８２が配置される。ＬＥＤ装置８０の底面は、周辺部に枠状電極８５が配置され、枠状電極８５の内側に３個の内側電極８８ａ、８８ｂ、８８ｃが一列に並んで配置される。枠状電極８５は、ＬＥＤダイ７１、７２、７３のアノードに接続される共通電極である。ＬＥＤダイ７１、７２、７３のアノード７５は、ワイヤ８９ａ、表面電極８４ａ及びスルーホール８４ｃを介して枠状電極８５に接続される。内側電極８８ａ、８８ｂ、８８ｃはそれぞれ、ＬＥＤダイ７１、７２、７３のカソード７８ａ、７８ｂ、７８ｃに接続される。ＬＥＤダイ７１のカソード７８ａは、ワイヤ、表面電極８４１ｂ及びスルーホール８４１ｄを介して内側電極８８ａに接続される。ＬＥＤダイ７２のカソード７８ｂは、ワイヤ、表面電極８４２ｂ及びスルーホール８４２ｄを介して内側電極８８ｂに接続される。ＬＥＤダイ７３のカソード７８ｃは、ワイヤ、表面電極８４３ｂ及びスルーホール８４３ｄを介して内側電極８８ｃに接続される。
【００３７】
（第５、６、７実施形態）
第３、４実施形態のＬＥＤ装置６０、８０では、枠状電極６５、８５はＬＥＤダイ７１、７２、７３のアノードに接続される。しかしながら、実施形態のＬＥＤ装置では、枠状電極はＬＥＤダイ７１、７２、７３のアノードに接続されなくても良い。図９、１０、１１を参照して、枠状電極がマザー基板のグランド配線に接続され且つＬＥＤダイの電極に接続されないＬＥＤ装置９０、１００、１１０を第５、６、７実施形態として説明する。
【００３８】
図９、１０、１１はそれぞれ、ＬＥＤ装置９０、１００、１１０の底面図である。ＬＥＤ装置９０、１００、１１０のそれぞれは、第３実施形態のＬＥＤ装置６０と同様に図７に示す回路構成を有する。ＬＥＤ装置９０、１００、１１０のそれぞれは、サブマウント基板９４、１０４、１１４上に３個のＬＥＤダイ７１、７２、７３（図７参照）、蛍光体層、及び反射層が配置される。
【００３９】
ＬＥＤ装置９０の底面は、周辺部に枠状電極９５が配置され、枠状電極９５の内側に４個の内側電極９８ａ、９８ｂ、９８ｃ、９８ｄが一列に並んで配置される。枠状電極９５は、マザー基板のグランド配線に接続される一方、ＬＥＤダイ７１、７２、７３の電極に接続されない。内側電極９８ａ、９８ｂ、９８ｃ、９８ｄの何れか１個は共通のアノード７５（図７参照）に接続され、他の内側電極のそれぞれはＬＥＤダイ７１、７２、７３のカソード７８ａ、７８ｂ、７８ｃに接続される。
【００４０】
ＬＥＤ装置１００の底面は、周辺部に枠状電極１０５が配置され、枠状電極１０５の内側に４個の内側電極１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄのそれぞれが正方形の頂点に位置するように四角配置される。枠状電極１０５は、マザー基板のグランド配線に接続される一方、ＬＥＤダイ７１、７２、７３の電極に接続されない。内側電極１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄの何れか１個は共通のアノード７５（図７参照）に接続され、他の内側電極のそれぞれはＬＥＤダイ７１、７２、７３のカソード７８ａ、７８ｂ、７８ｃに接続される。
【００４１】
ＬＥＤ装置１１０の底面は、周辺部に枠状電極１１５が配置され、枠状電極１１５の内側に１個の内側電極１１８ａと、内側電極１１８ａに隣接して一列に配列された３個の内側電極１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄが配置される。枠状電極１１５はマザー板のグランド配線に接続される一方、ＬＥＤダイ７１、７２、７３の電極に接続されない。内側電極１１８ａは共通のアノード７５（図７参照）に接続され、内側電極１１８ｂ、１１８ｃ、１１８ｄのそれぞれはＬＥＤダイ７１、７２、７３のカソード７８ａ、７８ｂ、７８ｃに接続される。
【００４２】
（第８実施形態）
第１〜７実施形態のＬＥＤ装置１、５０、６０、８０、９０、１００、１１０では、枠状電極がＬＥＤ装置の底面の外周部全体に亘って形成される。枠状電極をＬＥＤ装置の底面の外周部全体に亘って形成することにより、マザー基板に実装したときにＬＥＤ装置の底面の周囲を外周部に沿ってハンダで塞ぐことができる。ＬＥＤ装置の底面の周囲を外周部に沿ってハンダで塞ぐので、特別なコーティングティング処理を施すことなく、水分等の導電性の異物がＬＥＤ装置の底面に侵入することを防ぐことができる。しかしながら、ＬＥＤ装置の底面の外周部全体に亘って枠状電極が配置される場合、枠状電極を横切るために、枠状電極の内側に配置される内側電極は、マザー基板を貫通するスルーホールを介して枠状電極の外側の配線に接続される。図１２Ａ、１２Ｂ及び１３を参照して、スルーホールを使用することなしに内側電極を枠状電極の外側の配線に接続可能なＬＥＤ装置１２０を第８実施形態として説明する。
【００４３】
図１２ＡはＬＥＤ装置１２０の斜視図であり、図１２ＢはＬＥＤ装置１２０の底面図である。ＬＥＤ装置１２０は、サブマウント基板１２１上にＬＥＤダイ、蛍光体層１２８、及び反射層１２７が配置される。ＬＥＤ装置１２０の断面構造は、第１実施形態のＬＥＤ装置１と略同様なので、ＬＥＤ装置１２０の断面図は示されない。ＬＥＤ装置１２０の底面に配置される外周電極１２２は、上辺と、上辺の左端から下方に向かって延伸する左辺と、上辺の右端から下方に向かって延伸する右辺の３辺を有し、枠形状の一辺が欠損した形状に形成される。すなわち、外周電極１２２は、Ｕの字状に形成される。外周電極１２２は、電界めっき用パターン１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃを備える。内側電極１２３は、外周電極１２２に囲まれるように形成される。内側電極１２３は、電界めっき用パターン１２３ａを備える。なおサブマウント基板１２１は、製造時には、互いに接続された状態で大判基板に配置され、大判基板を切断することにより個片化される。複数のＬＥＤ装置１２０が大判基板に配置された状態では、電界めっき用パターン１２２ａと電界めっき用パターン１２２ｃとが接続され、電界めっき用パターン１２２ｂと電界めっき用パターン１２３ａとが接続されている。
【００４４】
図１３は、ＬＥＤ装置１２０が実装されるマザー基板上に形成されるハンダパターンを示す平面図である。図１５に示されるハンダパターンは、外周電極１２２（図１２参照）に接続されるハンダパターン１２４と、内側電極１２３に接続されるハンダパターン１２５とを有する。内側電極１２３に接続するマザー基板上の配線は、ハンダパターン１２４の開口側からハンダパターン１２５に接続するよう形成される。
【００４５】
ＬＥＤ装置１２０は、ＬＥＤ装置１２０が実装されるマザー基板の配線を簡単化できる。なお、ＬＥＤ装置１２０をマザー基板に実装した後に、ハンダパターン１２４（図１３参照）の開口側の辺だけに保護部材を塗布してコーティング処理することにより、ＬＥＤ装置１２０の底面への異物の侵入は防止される。従来のＬＥＤ装置（図１４、１５を参照）では、ＬＥＤ装置の底面への異物の侵入を防止するためにＬＥＤ装置の底面の外周部の全体に亘ってコーティングしなければならないのに対し、ＬＥＤ装置１２０では、底面の一辺のみコーティングするだけで良い。また、ＬＥＤ装置の底面の外周部の全体に亘って枠状電極５等（図３参照）が配置された第１実施形態のＬＥＤ装置１と比較すると、ＬＥＤ装置１２０では、内側電極の配線のためのスルーホールをマザー基板に形成する必要はない。ＬＥＤ装置２０を使用すると、マザー基板の配線が簡単になるので、サブマウント基板１２１（図１２参照）の平面サイズを小さくでき、ＬＥＤ装置１２０はより小型化することができる。
【００４６】
第８実施形態のＬＥＤ装置１２０には、１つの内側電極１２３が配置されるが、Ｕの字状の外周電極を備えたＬＥＤ装置において複数の内側電極を配置しても良い。Ｕの字状の外周電極を備えたＬＥＤ装置において複数の内側電極を配置するとき、ＬＥＤ装置は複数のＬＥＤダイを有して良く、ＬＥＤ装置に実装されるＬＥＤダイの発光色が互いに異なっても良い。
【００４７】
実施形態１〜８のＬＥＤ装置１、５０、６０、８０、９０、１００、１１０、１２０は、その上部に反射層２が配置され、側部に蛍光体層３が配置される。しかしながら、実施形態のＬＥＤ装置では、サブマウント基板のＬＥＤダイが配置される面に配置される素子の構造は記載された実施形態に限定されない。例えば、実施形態のＬＥＤ装置では、ＬＥＤダイは、フリップチップ実装されていても良い。また、実施形態のＬＥＤ装置では、ＬＥＤ装置の上部に配置される反射層を除去しても良い。また、実施形態のＬＥＤ装置では、上部ではなく側部に反射部材を配置しても良い。
【００４８】
また、実施形態１、３、５のＬＥＤ装置１、６０、８０では、枠状電極５、６５、８５はＬＥＤダイのアノードに接続され、内側電極８、６８ａ〜６８ｃ、８８ａ〜８８ｃのそれぞれはＬＥＤダイのカソードに接続される。すなわち、説明された実施形態では、枠状電極がアノードに接続されたときに内側電極はカソードに接続され、枠状電極がカソードに接続されたとき内側電極はアノードに接続される。しかしながら、枠状電極がアノード又はカソードの何れか一方に接続され、いくつかの内側電極はアノードに接続され、他のいくつかの内側電極はカソードに接続される構成としても良い。例えば、図５の底面の電極構成を有するＬＥＤ装置の場合、枠状電極５５と内側電極５８ａをＬＥＤダイ９（図４参照）のアノードに接続し、内側電極５８ｂをＬＥＤダイ９のカソードに接続しても良い。
【符号の説明】
【００４９】
１，５０，６０，８０，９０，１００，１１０，１２０    ＬＥＤ装置
２，５２，６２，８２，１２７    反射層
３，５３，６３，８３，１２８    蛍光体層
４，５４，６４，８４，９４，１０４，１１４，１２１    サブマウント基板
４ａ，４ｂ，５４ａ，５４ｂ，６４ａ，６４２ｂ，６４３ｂ，８４ａ，８４１ｂ，８４２ｂ，８４３ｂ    表面電極
４ｃ，４ｄ，５４ｃ，５４ｄ，６４ｃ，６４２ｄ，６４３ｄ，８４ｃ，８４１ｄ，８４２ｄ，８４３ｄ，    スルーホール
５，５５，６５，８５，９５，１０５，１１５，１２２    枠状電極
６，６ａ，５６，５６ａ，５６ｂ，６６，６６２，６６３，８６，８６１，８６２，８６３    ハンダ
７，５７，６７，８７    マザー基板
７ａ，７ｂ，５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，６７ａ，６７２ｂ，６７３ｂ，８７ａ，８７１ｂ，８７２ｂ，８７３ｂ    配線電極
８，５８ａ，５８ｂ，６８ａ〜ｃ，８８ａ〜ｃ，９８ａ〜ｄ，１０８ａ〜ｄ，１１８ａ〜ｄ，１２３    内側電極
９，５９，７１，７２，７３    ＬＥＤダイ
９ａ，５９ａ，６９ａ，８９ａ    ワイヤ
７５    アノード
７８ａ，７８ｂ，７８ｃ    カソード
１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃ，１２３ａ    電界めっき用パターン
１２４，１２５    ハンダパターン
【要約】
液体などの異物が付着した場合でも底面が汚染されるおそれが低いＬＥＤ装置を提供する。
ＬＥＤ装置１は、ＬＥＤダイ９と、表面にＬＥＤダイが実装されたサブマウント基板４と、サブマウント基板の底面の外周部に沿って配置された枠状電極５と、枠状電極に囲まれ且つＬＥＤダイ９の電極に接続された内側電極８とを有する。ＬＥＤ装置１では、枠状電極は、底面の外周部の全体に亘って配置されている。また、ＬＥＤ装置１２０では、底面の形状は矩形であり、枠状電極は、底面の３辺に沿って配置されている。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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