(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸の転写パターンが形成された転写領域と、凹凸のアライメントマークが形成されたアライメントマーク領域とを有するインプリント用モールドであって、
前記アライメントマーク領域の表面には、硬化前のインプリント用被転写樹脂に対して、前記転写領域の表面よりも高い撥液性を有する撥液層が形成されており、
前記撥液層の表面における前記硬化前のインプリント用被転写樹脂の接触角が、６０°〜１１０°であることを特徴とするインプリント用モールド。
【請求項２】
前記撥液層が、撥液性官能基を有するシランカップリング剤により形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用モールド。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のインプリント用モールドを用い、
被転写基板上に形成された硬化前のインプリント用被転写樹脂に、前記モールドの転写領域とアライメントマーク領域を接触させ、
前記モールドに形成されたアライメントマークの凹部に気体を有する状態で、前記モールドに形成されたアライメントマークと、前記被転写基板に形成されたアライメントマークとを、光学的に位置合わせし、
前記被転写樹脂を硬化させ、
硬化した前記被転写樹脂と前記モールドとを離型して、
前記モールドの転写パターンを前記被転写基板上の前記被転写樹脂に転写することを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な凹凸パターンを、被転写基板上に形成された被転写樹脂に転写するインプリントリソグラフィに用いられるモールド、およびインプリント方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、特に半導体デバイスについては、微細化の一層の進展により高速動作、低消費電力動作が求められ、また、システムＬＳＩという名で呼ばれる機能の統合化などの高い技術が求められている。このような中、半導体デバイスのパターンを作製する要となるリソグラフィ技術は、パターンの微細化が進むにつれ、露光装置などが極めて高価になってきており、また、それに用いるマスク価格も高価になっている。
【０００３】
これに対して、１９９５年Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ大学のＣｈｏｕらによって提案されたナノインプリント法（インプリント法とも呼ばれる）は、装置価格や使用材料などが安価でありながら、１０ｎｍ程度の高解像度を有する微細パターン形成技術として注目されている（特許文献１）。
【０００４】
インプリント法は、予め表面にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成したモールド（テンプレート、スタンパ、金型とも呼ばれる)を、半導体ウエハなどの被転写基板表面に塗布形成された樹脂に押し付けて、前記樹脂を力学的に変形させて前記凹凸パターンを転写し、このパターン転写された樹脂をレジストマスクとして被転写基板を加工する技術である。一度モールドを作製すれば、ナノ構造が簡単に繰り返して成型できるため高いスループットが得られて経済的であるとともに、有害な廃棄物が少ないナノ加工技術であるため、近年、半導体デバイスに限らず、さまざまな分野への応用が期待されている。
【０００５】
このようなインプリント法には、熱可塑性樹脂を用いて熱により凹凸パターンを転写する熱インプリント法や、光硬化性樹脂を用いて紫外線により凹凸パターンを転写する光インプリント法などが知られている（特許文献２）。
光インプリント法は、室温で低い印加圧力でパターン転写でき、熱インプリント法のような加熱・冷却サイクルが不要でモールドや樹脂の熱による寸法変化が生じないために、解像性、アライメント精度、生産性などの点で優れていると言われている。
【０００６】
ここで、上述のようなインプリント法を用いて凹凸パターンを被転写基板に転写する際には、モールドと被転写基板との位置合わせを精密に行う必要がある。
一般的には、モールドに設けられているアライメントマークと、被転写基板に設けられているアライメントマークとを、モールド側から光学的に検出することにより位置合わせを行う。
【０００７】
図４は、従来のインプリント用モールドの例を示す説明図であり、（ａ）はモールド全体の模式的断面図を示し、（ｂ）は（ａ）におけるアライメントマーク部の拡大図を示す。
図４（ａ）に示すように、一般に、インプリント用モールド１０１は、透明な材料からなるメサ構造をしており、このメサ構造のトップ面に転写領域１０２とアライメントマーク領域１０３を有している。
そして、図４（ｂ）に示すように、アライメントマーク領域１０３に形成されるアライメントマークは、通常、モールド材１０５を凹凸状に加工した段差構造のマークである。
このアライメントマークの平面形状は、例えば、矩形状、十字型状の形状が１個以上配設されたものや、モアレ縞等の周期構造のもの等がある。
【０００８】
次に、従来のインプリント方法の例を、図５に示す。ここで、図５は、従来のインプリント用モールドと被転写基板上に形成された被転写樹脂との関係を示す説明図であり、（ａ）はアライメントマーク検出の概要を示し、（ｂ）はアライメントマークにおける被転写樹脂の充填状態を示す。
【０００９】
図５（ａ）に示すように、インプリント用モールド１０１の転写パターンをアライメント転写する際には、まず、被転写基板１１１上に形成された硬化前の被転写樹脂１２１にインプリント用モールド１０１を接触させ、検出器１３１により、モールド側のアライメントマーク領域１０３のアライメントマークと基板側のアライメントマーク領域１１３のアライメントマークとを光学的に検出し、そのズレを補正するようにモールド１０１と被転写基板１１１を相対的に移動させて両者の位置を合わせる。
そして、位置合わせした状態で被転写樹脂１２１を硬化させることにより、前記モールドの転写パターンを被転写樹脂１２１に転写する。
【００１０】
上述のように、モールド１０１を被転写基板１１１上の被転写樹脂１２１に接触させた状態で位置合わせを行う理由は、モールド１０１が被転写樹脂１２１から離れた状態でアライメントを行った後にモールド１０１を被転写樹脂１２１に接触させる方法では、モールド１０１を被転写樹脂１２１に接触させる過程で位置ズレ（いわゆるロックズレ）が生じてしまうからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−９３７４８号公報
【特許文献３】特開２００７−１０３９１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、従来のモールドにおいては、アライメントのためにモールドを被転写樹脂に接触させると、図５（ｂ）に示すように、モールド側のアライメントマークの凹部に被転写樹脂１２１が充填され、モールド側のアライメントマークの凹部が、被転写樹脂１２１によって満たされた状態になると、モールド側のアライメントマークを構成するモールド材（一般的には、石英）の屈折率と、被転写樹脂の屈折率とがほとんど同じであることから、モールド側のアライメントマークを光学的に識別することが困難になってしまうという課題がある。
【００１３】
ここで、一般に、屈折率が大きく異なる物質間では、その界面における光の屈折や散乱、若しくは反射によって構造物を認識することができる。しかしながら、上述のように屈折率の差が小さい場合は、構造物を認識することは困難になり、特に微細な構造体においてコントラストを得るためには、光路長の差が重要になる。
【００１４】
例えば、図５（ｂ）に示すように、モールド１０１のアライメントマークの凸部と凹部に、モールド１０１の裏面側（図５（ｂ）において上側）から入射し、被転写樹脂１２１を通過して被転写基板１１１表面で反射する検出光１３２ａ、１３２ｂの光路長の差は、モールド材の屈折率をｎ１、被転写樹脂の屈折率をｎ２、モールド側アライメントマークの凸部と凹部の段差をｔとすると、２×ｔ×｜ｎ２−ｎ１｜になる。
【００１５】
ここで、検出光１３２ａ、１３２ｂには、被転写樹脂が硬化しない波長域の光が用いられ、一般的には可視光域の波長が用いられる。
また、一般的なモールド材である石英（ＳｉＯ2）の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５であり、また、インプリント法に用いられる被転写樹脂の屈折率は、一般的には１．５程度である。
【００１６】
そこで、例えば、検出光の光源として、６３３ｎｍの単波長の光源を用いる場合を仮定し、モールド１０１のアライメントマークの凸部と凹部の段差ｔを１５０ｎｍ、モールド材の屈折率ｎ１を１．４５、被転写樹脂の屈折率ｎ２を１．５０として、上式を計算すると、得られる光路長の差は１５ｎｍになり、この値は波長６３３ｎｍの１／４０程の違いしかないため、モールドのアライメントマークを良好に識別することは困難になってしまう。
【００１７】
この課題に対して、例えば、チタン酸化物（屈折率２．４）等の高屈折率材料でアライメントマークを構成し、モールド側のアライメントマークの凹部に被転写樹脂が充填された状態でも、前記高屈折率材料の屈折率と、被転写樹脂の屈折率との間で差が出るようにしてモールドのアライメントマークを光学的に識別する方法が提案されている（特許文献３）。
【００１８】
しかしながら、上述のような方法では、従来のモールド製造技術に加えて、チタン酸化物等の高屈折率材料をモールド上に形成する工程や、アライメントマーク構造への加工工程が必要となり、製造工程が複雑化するため好ましくない。
【００１９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、モールドの製造に複雑な工程を要することなく、モールド材と同じ材料からなるアライメントマークを光学的に識別することを可能とし、高いアライメント精度で位置合わせすることができるインプリント用モールド、およびインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明者は、種々研究した結果、前記モールドのアライメントマーク領域の表面が、硬化前のインプリント用被転写樹脂に対して、少なくとも、前記モールドの転写領域の表面よりも高い撥液性を生じるようにすることにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００２１】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、凹凸の転写パターンが形成された転写領域と、凹凸のアライメントマークが形成されたアライメントマーク領域とを有するインプリント用モールドであって、前記アライメントマーク領域の表面には、硬化前のインプリント用被転写樹脂に対して、前記転写領域の表面よりも高い撥液性を有する撥液層が形成されており、前記撥液層の表面における前記硬化前のインプリント用被転写樹脂の接触角が、６０°〜１１０°であることを特徴とするインプリント用モールドである。
【００２３】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記撥液層が、撥液性官能基を有するシランカップリング剤により形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用モールドである。
【００２４】
また、本発明の請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載のインプリント用モールドを用い、被転写基板上に形成された硬化前のインプリント用被転写樹脂に、前記モールドの転写領域とアライメントマーク領域を接触させ、前記モールドに形成されたアライメントマークの凹部に気体を有する状態で、前記モールドに形成されたアライメントマークと、前記被転写基板に形成されたアライメントマークとを、光学的に位置合わせし、前記被転写樹脂を硬化させ、硬化した前記被転写樹脂と前記モールドとを離型して、前記モールドの転写パターンを前記被転写基板上の前記被転写樹脂に転写することを特徴とするインプリント方法である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、モールドのアライメントマーク領域の表面には、硬化前のインプリント用被転写樹脂に対して、モールドの転写領域の表面よりも高い撥液性を有する撥液層が形成されているため、アライメントのためにモールドを被転写樹脂に接触させた場合に、被転写樹脂がアライメントマークの凹部に浸入することを抑制する効果を奏する。
【００２６】
上述のような効果のため、本発明においては、モールドのアライメントマークの凹部が硬化前のインプリント用被転写樹脂によって満たされていない状態、すなわち、アライメントマークの凹部内に、インプリント時のモールド周囲の気体を有する状態で、アライメントすることができることになる。
【００２７】
そして、モールド材の屈折率と、上記アライメントマークの凹部内に残留した気体の屈折率とは、その大きさに差があるため、モールド材と同じ材料からなるアライメントマークを光学的に識別することを可能とし、高いアライメント精度でモールドの転写パターンを被転写樹脂にインプリントすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係るインプリント用モールドの例を示す説明図であり、（ａ）はモールド全体の模式的断面図を示し、（ｂ）は（ａ）におけるアライメントマーク部の拡大図を示す。
【図２】本発明に係るインプリント用モールドと被転写樹脂との関係を示す説明図であり、（ａ）はアライメントマーク検出の概要を示し、（ｂ）はアライメントマーク部における被転写樹脂の充填状態を示す。
【図３】本発明に係るインプリント方法の例を示す模式的工程図である。
【図４】従来のインプリント用モールドの例を示す説明図であり、（ａ）はモールド全体の模式的断面図を示し、（ｂ）は（ａ）におけるアライメントマーク部の拡大図を示す。
【図５】従来のインプリント用モールドと被転写樹脂との関係を示す説明図であり、（ａ）はアライメントマーク検出の概要を示し、（ｂ）はアライメントマークにおける被転写樹脂の充填状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
［インプリント用モールド］
まず、本発明に係るインプリント用モールドについて説明する。
図１は、本発明に係るインプリント用モールドの例を示す説明図であり、（ａ）はモールド全体の模式的断面図を示し、（ｂ）は（ａ）におけるアライメントマーク部の拡大図を示す。
【００３０】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、インプリント用モールド１は、モールド材５を加工して凹凸の転写パターンが形成された転写領域２と、凹凸のアライメントマークが形成されたアライメントマーク領域３とを有しており、前記アライメントマーク領域３の表面には、硬化前のインプリント用被転写樹脂に対して、前記転写領域２の表面よりも高い撥液性を有する撥液層４が形成されている。
【００３１】
モールド材５の材料としては、インプリント法に適用可能な透明な材料であれば用いることができるが、好ましくは、石英である。モールド側アライメントマークはモールド材を凹凸状に加工した段差構造のマークであり、その平面形状は、例えば、矩形状、十字型状の形状が１個以上配設されたものや、モアレ縞等の周期構造のもの等がある。
【００３２】
上述の撥液層４がアライメントマーク領域３の表面に形成されているため、本発明においては、アライメントのためにモールドを被転写樹脂に接触させた場合に、硬化前のインプリント用被転写樹脂がアライメントマークの凹部に浸入することを抑制する効果、若しくは、硬化前のインプリント用被転写樹脂がアライメントマークの凹部に浸入する速度を遅くする効果を奏する。
【００３３】
上述のような効果のため、本発明においては、モールドのアライメントマークの凹部が硬化前のインプリント用被転写樹脂によって満たされていない状態、すなわち、アライメントマークの凹部内に、インプリント時のモールド周囲の気体を有する状態で、アライメントすることができることになる。
【００３４】
そして、モールド材の屈折率と、上記アライメントマークの凹部内の気体の屈折率とは、その大きさに差があるため、モールド材と同じ材料からなるアライメントマークを光学的に識別することを可能とし、高いアライメント精度でモールドの転写パターンを被転写樹脂にインプリントすることができる。
【００３５】
上述のアライメントの状態について、図２を用いて、より詳しく説明する。
図２は、本発明に係るインプリント用モールドと被転写基板上に形成された被転写樹脂との関係を示す説明図であり、（ａ）はアライメントマーク検出の概要を示し、（ｂ）はアライメントマークにおける被転写樹脂の充填状態を示す。
【００３６】
図２（ａ）に示すように、インプリント用モールド１の転写パターンをアライメント転写する際には、まず、被転写基板１１上に形成された硬化前の被転写樹脂２１に、インプリント用モールド１を接触させる。
【００３７】
ここで、本発明に係るモールド１においては、撥液層４がアライメントマーク領域３の表面に形成されているため、被転写樹脂２１がアライメントマークの凹部に浸入することを抑制することができる。それゆえ、アライメントマークの凹部内に、インプリント時のモールド周囲の気体を有する状態で、アライメントすることができることになる。
【００３８】
例えば、図２（ｂ）に示すように、モールド１のアライメントマークの凸部と凹部に、モールド１の裏面側（図２（ｂ）において上側）から入射し、被転写樹脂２１を通過して被転写基板１１表面で反射する検出光３２ａ、３２ｂの光路長の差は、モールド材５の屈折率をｎ１、被転写樹脂２１の屈折率をｎ２、モールド１のアライメントマークの凹部内の気体２２の屈折率をｎ３、モールド１のアライメントマークの凸部と凹部の段差をｔ、モールド１のアライメントマーク凹部内の気体２２が占める高さをＴとすると、
２×｜Ｔ×ｎ３＋（ｔ−Ｔ）×ｎ２−ｔ×ｎ１｜になる。
なお、図２（ｂ）は、モールド１のアライメントマークの凸部と凹部の段差ｔと、アライメントマークの凹部内の気体２２が占める高さＴが同じである状態を示している。
【００３９】
ここで、一般的なモールド材である石英（ＳｉＯ2）の波長６３３ｎｍの光における屈折率は、１．４５であり、また、空気の屈折率は、１．００であることから、上述同様に、検出光の光源として、６３３ｎｍの単波長の光源を用いる場合を仮定し、モールドのアライメントマークの凹部内が全て空気で満たされており（すなわち、ｔ＝Ｔ）、その段差ｔを１５０ｎｍ、モールド材の屈折率ｎ１を１．４５、空気の屈折率ｎ３を１．００として、上式を計算すると、得られる光路長の差は１３５ｎｍになり、この値は波長６３３ｎｍの１／５程の大きさであるため、モールドのアライメントマークを良好に識別することができる。
【００４０】
そして、上述のようにして検出したモールド側のアライメントマークと、被転写基板側のアライメントマークとを、光学的に位置合わせした状態で、被転写樹脂を硬化させることにより、モールドの転写パターンを、高いアライメント精度で、被転写樹脂にインプリントすることができる。
【００４１】
［撥液層］
次に、本発明に係る撥液層について説明する。
本発明に係る撥液層は、図１（ａ）に示すように、モールド１のアライメントマーク領域３の表面に形成され、硬化前のインプリント用被転写樹脂に対して、モールドの転写領域２の表面よりも高い撥液性を有する層である。
【００４２】
本発明においては、アライメントマーク領域３の表面に形成された撥液層４が、上述のような機能を有するため、アライメントのためにモールドを被転写樹脂に接触させた際に、少なくとも、硬化前のインプリント用被転写樹脂がアライメントマークの凹部に浸入する速度を、転写領域２の転写パターンの凹部への充填速度より遅くすることができる。
それゆえ、アライメントマークの凹部内が被転写樹脂によって満たされる前に、上述のようなモールド材とアライメントマークの凹部内の気体との屈折率の差を利用して、モールドのアライメントマークを識別することができる。
【００４３】
また、本発明に係る撥液層は、その表面における硬化前のインプリント用被転写樹脂の接触角が６０°以上であることが好ましく、例えば、接触角が６０°〜１１０°となる範囲が好ましい。上記のような接触角であれば、アライメントマークの凹部のような微細な凹部への毛細管力による被転写樹脂の浸入が抑えられるからである。
【００４４】
また、本発明に係る撥液層は、撥液性官能基を有するシランカップリング剤により形成されたものであることが好ましい。撥液性に優れた撥液層を容易に形成することができるからである。
【００４５】
上記のような撥液層としては、例えば、シランカップリング剤を基板上の官能基と反応させ単分子膜を形成したもの、あるいは、シランカップリング剤を基板上の官能基と反応させるとともに、ゾルゲル反応等により加水分解、重縮合させたもの等を挙げることができ、中でもシランカップリング剤を基板上の官能基と反応させ単分子膜を形成したものが好ましい。
【００４６】
また、上記シランカップリング剤が有する撥液性官能基としては、例えば、メチル基（−ＣＨ3）、エチル基（−Ｃ2Ｈ5）およびフルオロメチル基（−ＣＦ3）等を挙げることができる。さらに、上記撥液性官能基を有するシランカップリング剤としては、例えば、ＣＦ3Ｓｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3、ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3、およびＣＨ3（ＣＨ2）5Ｓｉ（ＯＣＨ3）3等を挙げることができる。
【００４７】
上記のような撥液層を、モールドのアライメントマーク領域にのみ形成する方法としては、例えば、フォトレジスト等を用いた製版により、転写領域を被覆し、アライメントマーク領域を露出させたモールドを、撥液層を形成する材料の溶液に浸漬し、加熱乾燥した後に、転写領域を被覆していたフォトレジスト等を除去する手法（リフトオフ）等をもちいることで、アライメントマーク領域のみに撥液層を形成することができる。
【００４８】
上記の撥液層の厚みとしては、構成する材料等により異なるが、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内である。
【００４９】
なお、本発明に用いる被転写樹脂としては、インプリント法に適用可能なものであれば用いることができ、例えば、光硬化性樹脂としては、ＰＡＫ−０１（東洋合成工業社製）、ＮＩＰ−Ｋ（Zen Photonics製）、およびＴＳＲ−８２０（帝人製機製）等を挙げることができる。一方、熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、およびポリカーボネート（ＰＣ）等を挙げることができる。
【００５０】
上述のように、本発明に係るインプリント用モールドにおいては、従来と同様の技術を用いて、モールド材を凹凸状に加工してアライメントマークを形成することができ、その後、アライメントマーク領域の表面に撥液層を浸漬等の方法で形成するため、本発明に係るインプリント用モールドは、従来と同様の信頼性を確保できる。
また、チタン酸化物等の高屈折率材料を用いてアライメントマークを形成する方法のような、従来とは異なる複雑な工程が増えることもないため、製造コストの点からも有益である。
【００５１】
［インプリント方法］
次に、本発明に係るインプリント方法について説明する。
本発明に係るインプリント方法は、上述のような構成を有する本発明に係るインプリント用モールドを用い、被転写基板上に形成された硬化前のインプリント用被転写樹脂に、前記モールドの転写領域の表面とアライメントマーク領域の表面を接触させ、前記モールドに形成されたアライメントマークの凹部に気体を有する状態で、前記モールドに形成されたアライメントマークと、前記被転写基板に形成されたアライメントマークとを、光学的に位置合わせする工程に特徴があり、その他の工程、例えば、被転写樹脂の硬化工程や、モールド離型工程については、従来の方法を用いることができる。
【００５２】
図３は、本発明に係るインプリント方法の例を示す模式的工程図である。なお、図３においては、煩雑になることを避けるため記載を省略しているが、モールド１のアライメントマーク領域３の表面には、本発明に係る撥液層が形成されている。
【００５３】
本発明に係るインプリント方法においては、まず、図３（ａ）に示すように、本発明に係るインプリント用モールド１を準備し、被転写基板１１上の、少なくとも、被転写領域１２および基板側アライメントマーク領域１３上に未硬化の被転写樹脂２１を形成する。
なお、この例においては、被転写樹脂２１は光硬化型樹脂である。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、モールド１と被転写基板１１上の被転写樹脂２１とを接触させ、モールド側アライメントマークおよび相対する基板側アライメントマークの位置情報を、検出光３２を用いて検出器３１で検出することにより、モールド１と被転写基板１１との位置合わせを行う。
【００５５】
この際、モールドの転写領域２の凹凸パターンの凹部は被転写樹脂２１で充填されるが、本発明に係るインプリント用モールドにおいては、アライメントマーク領域３の表面には、本発明に係る撥液層が形成されているため、アライメントマーク領域３の凹部への被転写樹脂２１の浸入は抑制され、モールド周囲の気体２２が残留することになる。
それゆえ、例え、モールド材と被転写樹脂の屈折率が近い値の場合であっても、前記気体の屈折率の値との差によって、モールド側アライメントマークを十分識別することができる。
【００５６】
次に、図３（ｃ）に示すように、紫外線４２を所定量照射することにより、被転写樹脂２１を硬化させ、その後、図３（ｄ）に示すように、モールド１を離型して硬化した被転写樹脂のパターン２３を得る。
【００５７】
以上、本発明に係るインプリント用モールドおよびインプリント方法について、それぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
モールド用基板として、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、この合成石英基板の一主面上に、電子線レジストを厚さ２００ｎｍで塗布し、電子線描画し、現像した後、ドライエッチングして、深さ１５０ｎｍ、幅１００ｎｍ、ピッチ２００ｎｍのライン／スペースパターンの転写パターンが形成された転写領域と、深さ１５０ｎｍの凹凸形状の周期構造のアライメントマークが形成されたアライメントマーク領域とを有するインプリント用モールドを形成した。
【００５９】
次に、撥液層を形成する材料の溶液として、ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3溶液（溶媒：１，３−ビストリフルオロベンゼン）を用意し、フォトレジストを用いた製版により転写領域を被覆し、アライメントマーク領域を露出させた前記モールドを、前記溶液に５分間室温で浸漬し、５５度で３０分間加熱した後に、転写領域を被覆していた前記フォトレジストを除去して、アライメントマーク領域に撥液層を有する本発明に係るインプリント用モールドを得た。
【００６０】
次に、インプリント用被転写樹脂として光硬化型樹脂（東洋合成工業社製、ＰＡＫ−０１）を用い、前記モールドのアライメントマーク領域に形成された撥液層の表面における接触角を接触角測定機（協和界面科学社製、ＣＡ−Ｚ型）で測定したところ、接触角は７０°であった。
【００６１】
次に、被転写基板として、直径２００ｍｍのシリコン・ウェハに、被転写領域と基板側アライメントマーク領域とを有する基板を用意した。
【００６２】
次に、上記の被転写基板上に、被転写樹脂として光硬化型樹脂ＰＡＫ−０１（東洋合成工業社製）を形成し、前記の本発明に係るモールドを接触させ、波長６３３ｎｍの検出光を用いて、アライメントマーク検出したところ、モールド側アライメントマークを良好に識別することができた。
【００６３】
次に、前記モールドと前記被転写基板を位置合わせした後に、波長３２０ｎｍの紫外線を照射して前記被転写樹脂を硬化させ、その後、前記モールドを前記被転写基板から離型して、前記被転写基板上に硬化した樹脂パターンを得た。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・モールド
２・・・転写領域
３・・・アライメントマーク領域
４・・・撥液層
５・・・モールド材
１１・・・被転写基板
１２・・・被転写領域
１３・・・基板側アライメントマーク領域
１４・・・基板側アライメントマーク
２１・・・被転写樹脂
２２・・・気体
２３・・・硬化した樹脂パターン
３１・・・検出器
３２・・・検出光
４２・・・紫外線
１０１・・・モールド
１０２・・・転写領域
１０３・・・モールド側アライメントマーク領域
１０５・・・モールド材
１１１・・・被転写基板
１１２・・・被転写領域
１１３・・・基板側アライメントマーク領域
１１４・・・基板側アライメントマーク
１２１・・・被転写樹脂
１３１・・・検出器
１３２、１３２ａ、１３２ｂ・・・検出光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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