(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハーと接着する接着層を含むダイボンディング部；及び
粘着層を含むダイシング部を含み、
ウエハーとダイボンディング部の接着層と間の接着力（Ｘ）及びダイボンディング部とダイシング部の粘着層と間の粘着力（Ｙ）の割合［（Ｘ）／（Ｙ）］が０．１５〜１であり、前記ダイボンディング部の接着層の室温貯蔵弾性率が１００〜１０００ＭＰａであるダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２】
前記ウエハーとダイボンディング部の接着層と間の接着力（Ｘ）が２０ｇｆ以上である、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項３】
前記ダイボンディング部の接着層は、ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂；及びｂ）低弾性高分子量樹脂とを含む、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項４】
前記ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂は、主鎖内に少なくとも２個以上のエポキシ基を含有し、ガラス転移温度が５０℃以上である、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項５】
前記ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂は、平均エポキシ当量が、１８０〜１，０００である、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項６】
前記ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂は、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及びジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂よりなる群から選択される一つ以上である、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項７】
前記ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂の軟化点は、５０〜１００℃である、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項８】
前記ｂ）低弾性高分子量樹脂は、ガラス転移温度が５０℃以下である、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項９】
前記ｂ）低弾性高分子量樹脂の重量平均分子量は、１００，０００〜２，５００，０００である、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１０】
前記ｂ）低弾性高分子量樹脂は、カルボキシル基が含有されているニトリルブタジエンゴム；高分子量の脂肪族エポキシ；ゴム変性エポキシ；グリシジル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基又はアミン基を含有するアクリル共重合体；及びマレイン酸変性スチレンエチレンブタジエンスチレン共重合体；よりなる群から選択される一つ以上である、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１１】
前記ダイボンディング部の接着層は、さらに硬化剤を含む、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１２】
前記硬化剤が、多官能フェノール樹脂である、請求項１１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１３】
前記多官能フェノール樹脂は、水酸基当量が１００〜１，０００である、請求項１２に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１４】
前記多官能フェノール樹脂は、ビスフェノールＡ樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、多官能ノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック樹脂、アミノトリアジンフェノールノボラック樹脂、ポリブタジエンフェノールノボラック樹脂、及びビフェニルタイプ樹脂よりなる群から選択される一つ以上である、請求項１２に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１５】
前記硬化剤は軟化点が、５０〜１５０℃である、請求項１１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１６】
前記硬化剤は、前記ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂の当量対比０．４〜２当量である、請求項１１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１７】
前記ダイボンディング部の接着層は、さらに硬化促進剤を含む、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１８】
前記硬化促進剤は、２−メチルイミダゾール（２ＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ−ＣＮ）、２−ウンデシルイミダゾール（Ｃ１１Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（Ｃ１７Ｚ）、及び１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールトリメタレート（２ＰＺ−ＣＮＳ）よりなる群から選択される一つ以上である、請求項１７に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項１９】
前記硬化促進剤は、含量が、ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂及びｂ）低弾性高分子量樹脂の重量和１００重量部に対して、０．１〜１０重量部である、請求項１７に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２０】
前記ダイボンディング部の接着層は、さらに無機充填剤を含む、請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２１】
前記ダイボンディング部は、さらに保護フィルムを含む、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２２】
前記ダイシング部の粘着層は、アクリル系共重合体を含む、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２３】
前記アクリル系共重合体は、炭素数１〜１２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル系単量体及び架橋性官能基含有単量体が共重合されて得られる、請求項２２に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２４】
前記炭素数１〜１２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル系単量体は、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチルメタアクリレート、及びｎ−テトラデシルメタアクリレートよりなる群から選択される一つ以上である、請求項２３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２５】
前記架橋性官能基含有単量体は、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピレングリコール（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、アクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、及びＮ−ビニルカプロラクタムよりなる群から選択される一つ以上である、請求項２３に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２６】
前記ダイシング部の粘着層が、多官能性架橋剤を含む、請求項２２に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２７】
前記ダイシング部が、基材フィルムを含む、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２８】
請求項１〜２７のいずれか１項に記載のダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層が、ウエハーの一面に付着され、前記ダイシング・ダイボンディングフィルムの粘着層がウエハーリングフレームに固定されている半導体ウエハー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置に関する。特に、半導体パッケージ工程中のダイシング工程でのバリ発生を減らすために、ダイボンディングフィルムの接着力及びダイシングフィルムの粘着力の割合が調節されたダイシング・ダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップサイズの小型化及び高集積化につれて、一層進歩したパッケージ中の一つがＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）である。前記ＭＣＰはチップ上にチップをもう一つ実装する技術であり、同じチップサイズのパッケージ中に、従来に比べて遥かに多くの容量を実装することができる。
【０００３】
このようなＭＣＰ方式で、半導体チップと半導体基板との接合は従来の液状エポキシ系ペーストの代りにフィルム状の接着剤が使われている（特許文献１、２）。フィルム状の接着剤を使用する方法には、フィルム単品接着方式とウエハー裏面接着方式がある。フィルム単品接着方式はフィルム状の接着剤をカット又はパンチし、チップに合うように単品に加工して半導体基板に接着し、チップをウエハーからピックアップした後、その上にダイボンディングする方式であり、後工程のワイヤーボンディング及びモルディング工程を経て半導体装置が得られる（特許文献３）。
【０００４】
これに比べて、ウエハー裏面接着方式は、ウエハーの裏面にフィルム状の接着剤を付着し、ウエハー裏面と接着しない反対面に粘着層のあるダイシングテープをさらに付着し、前記ウエハーをダイシングして個別のチップに分離する。分離されたチップをピックアップして半導体用基板にダイボンディングした後、ワイヤーボンディング及びモルディング工程を経て半導体装置を得る。前記ウエハー裏面接着方式は、薄型化されたウエハーの移送、工程数の増加、様々なチップ厚さとサイズに対する適応性、フィルムの薄膜化及び高機能半導体装置の信頼性の確保に問題があった。
【０００５】
前記問題を解決するために、接着剤と粘着剤とが一つの層からなるフィルムをウエハー裏面に接着する方式が提案されている（特許文献４、５、６）。前記方式は、２回の接着工程を必要とせず、１回だけの工程で可能であり、ウエハー支持のためのウエハーリングがあるため、ウエハーの移送時に問題が発生しない。前記特許文献らによれば、特定の組成物からなる粘着剤／接着剤と基材からなるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、放射線硬化タイプの粘着剤と熱硬化タイプの接着剤が混合されている。前記接着剤は、ダイシング工程では粘着剤としての役割を果たした後、放射線硬化工程を経て粘着力を喪失し、ウエハーからチップのピックアップを容易にし、ダイボンディング工程では接着剤として熱硬化し、チップを半導体用基板に堅固に接着することができる。しかし、このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、放射線硬化後、粘着力が十分に低下されず、ダイシング後に半導体チップをピックアップする工程で基材とチップとがよく剥離されず、不良を発生させる問題点があった。
【０００６】
このような一体型フィルムの問題点を解消するために、ダイシング工程では、ダイシングテープの用途として使われ、ダイボンディング工程で接着剤の用途として使用することができるように、粘着剤層と接着剤層の２層からなるダイシング・ダイボンディング分離型フィルムが提案されている。前記ダイシング・ダイボンディング分離型フィルムは、ダイシング工程後に放射線硬化や熱を加えることによって、粘着剤層と接着剤層とが容易に分離され、半導体チップピックアップ工程時に問題が発生せず、ダイボンディング工程時、フィルム厚さを薄くできる利点を提供している。このような利点により、従来の液状エポキシに比べて、半導体用基板に接着時、充填性に問題点があるにもかかわらず、多くの改善を通して実際パッケージ工程にフィルム状の接着剤使用が急速に増大されている。
【０００７】
しかし、このようなダイシング・ダイボンディング分離型フィルムは、特性上、多層構造からなり、各構造間の物性差からダイシング時発生される苛酷な外部条件によってバリ（Ｂｕｒｒ）が発生してしまう。ダイシング・ダイボンディング分離型フィルムが高い信頼性を有し、小型化、薄型化傾向の半導体チップに適用されるためには、ダイシング・ダイボンディングフィルムの基本的な物性の他に各層間の均衡的な物性を確保し、バリを最小化する方案の開発が至急求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平３−１９２１７８号公報
【特許文献２】特開平４−２３４４７２号公報
【特許文献３】特開平９−０１７８１０号公報
【特許文献４】特開平２−０３２１８１号公報
【特許文献５】特開平８−０５３６５５号公報
【特許文献６】特開平１０−００８００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、多層構造のダイシング・ダイボンディングフィルムの各層間の均衡的な物性を確保し、ダイシング工程時発生されるバリを最小化し、パッケージ工程の信頼性を高めるダイシング・ダイボンディングフィルムとそれを用いた半導体ウエハー及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するための手段として、ウエハーと接着する接着層を含むダイボンディング部；及び粘着層を含むダイシング部を含み、ウエハーとダイボンディング部の接着層との間の接着力（Ｘ）とダイボンディング部の接着層とダイシング部の粘着層との間の粘着力（Ｙ）との割合［（Ｘ）／（Ｙ）］が０．１５〜１であり、前記ダイボンディング部の接着層の室温貯蔵弾性率が１００〜１，０００ＭＰａであるダイシング・ダイボンディングフィルムを提供する。
【００１１】
本発明は、前記課題を解決するための別の手段として、本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層がウエハーの一面に付着され、前記ダイシング・ダイボンディングフィルムの粘着層がウエハーリングフレームに固定されている半導体ウエハーを提供する。
【００１２】
本発明は、前記課題を解決するためのさらに別の手段として、配線基板と、配線基板のチップ搭載面に接着されている本発明に係る接着フィルムと、前記接着フィルム上に搭載された半導体チップとを含む半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のダイシング・ダイボンディングフィルムは、ウエハー裏面に接着され、個々のチップにダイシングする過程で、接着フィルムでのバリ（ｂｕｒｒ）発生を２％以内に極小化し、発生されたバリによりボンディングパッド部が覆われて接続信頼性が落ちる不良なしに、接着することができ、優れた信頼性を有する半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一態様に係るダイボンディングフィルムの断面図である。
【図２】本発明の一態様に係るダイシング・ダイボンディングフィルムの断面図である。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、ウエハーと接着する接着層を含むダイボンディング部と、粘着層を含むダイシング部とを含み、ウエハーとダイボンディング部の接着層との間の接着力（Ｘ）及びダイボンディング部の接着層とダイシング部の粘着層との間の粘着力（Ｙ）の割合［（Ｘ）／（Ｙ）］が０．１５〜１であり、前記ダイボンディング部の接着層の室温貯蔵弾性率が１００〜１，０００ＭＰａであるダイシング・ダイボンディングフィルムに関するものである。
【００１６】
一般に、パターンが形成されている半導体ウエハーを個片化する工程のダイシング工程中にダイヤモンドグリット（ｄｉａｍｏｎｄ  ｇｒｉｔｓ）が突き刺されている回転刃とウエハーと間の摩擦により温度上昇が発生する。この熱によってウエハーの裏面に接着されているダイシング・ダイボンディングフィルムに流動性が生まれ、これにより切断ラインに高分子の凝集が生じ、交差切断工程中にダイのエッジ部分で回転刃によってバリが生成され得る。
【００１７】
本発明によりウエハーとダイボンディング部の接着層と間の接着力（Ｘ）及びダイボンディング部の接着層とダイシング部の粘着層と間の粘着力（Ｙ）の割合［（Ｘ）／（Ｙ）］が０．１５〜１の場合前記原因によるバリ発生を減らすことができる。好ましくは、ウエハーとダイボンディング部の接着層との間の接着力（Ｘ）及びダイボンディング部の接着層とダイシング部の粘着層との間の粘着力（Ｙ）の割合［（Ｘ）／（Ｙ）］が０．２〜０．８であり、より好ましくは０．２５〜０．５である。前記割合が０．１５未満の場合には、バリ発生率が増加し、チップサイズを小さく個片化する場合、ダイボンディング部の接着層とチップとの間の界面で剥離が発生し、チップの飛散が発生する可能性がある。また、前記割合が１を超えると、ダイシングテープからのウエハーのピックアップ性が劣る可能性がある。
【００１８】
また、本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムのダイボンディング部接着層の室温貯蔵弾性率は１００〜１，０００ＭＰａであり、好ましくは１００〜５００ＭＰａであり、より好ましくは１００〜３００ＭＰａである。前記ダイボンディング部接着層の室温貯蔵弾性率が１００ＭＰａ未満の場合には、ウエハーとの密着性は向上されるが、フィルム自体の耐熱性が低下され、高温信頼性に悪影響を及ぼし、１，０００ＭＰａ超えると、ウエハーとの密着力が落ち、バリ発生の原因になるか、又はチップ飛散の原因になる可能性がある。
【００１９】
また、前記ダイシング・ダイボンディングフィルムは、ウエハーとダイボンディング部の接着層との間の接着力（Ｘ）が２０ｇｆ以上である。好ましくは、前記接着力（Ｘ）は２５〜１００ｇｆであり、より好ましくは３０〜７５ｇｆである。前記接着力（Ｘ）が２０ｇｆ未満の場合にはウエハー裏面にダイボンディング接着層の付着力が落ち、ダイシング工程中にチップの飛散を生じる可能性がある。
【００２０】
以下、本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムの構成成分を具体的に説明する。
【００２１】
＜接着層を含むダイボンディング部＞
本発明でダイボンディング部の接着層は、パッケージ内でチップと基板との間で撓みの防止と応力緩和の両方の特性を満たさなければならない。チップの熱膨張係数（ＣＴＥ）は４ｐｐｍ／℃であり、基板の場合は１０〜１５ｐｐｍ／℃であるので、ＣＴＥ差による撓み及び高温信頼性時に引き裂きが発生され得る。
【００２２】
従って、本発明の接着層は、前記物性を具現するために、ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂を利用してＣＴＥを低減し、撓みを最小化し、接着力及び耐熱性の物性を具現して、ｂ）低弾性高分子量樹脂を使用することによって高温及び低温での応力緩和効果を付与した。即ち、ポリマーアロイ技術を適用して、それぞれ異なる弾性を有する２種類の樹脂を混合使用することによって、ソフトセグメントとハードセグメントが共存して両方の特性を満足させることができる。
【００２３】
ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂
本発明に使われる、ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂は、主鎖内に２個以上のエポキシ基を含有し、ガラス転移温度が５０℃以上の樹脂であれば、制限がなく使用することができ、例えばエポキシの骨格をなす主鎖内に芳香族構造の繰り返し単位を含むエポキシ樹脂を使用することができる。前記ガラス転移温度が５０℃未満の場合には接着フィルムのタック（ｔａｃｋ）が大きくなり取扱性が不良になり、ダイシングテープとの剥離性も落ちるおそれがある。
【００２４】
このようなエポキシ樹脂は、硬化工程によって架橋構造を形成して硬くなり、優れた接着力と耐熱性等機械的強度を有する。
【００２５】
前記熱硬化性多官能エポキシ樹脂は、平均エポキシ当量が１８０〜１，０００の樹脂を使用することが好ましい。前記エポキシ当量が１８０未満の場合には、過度に架橋密度が高くなり、接着フィルム全体が硬い性質を示し易く、１，０００を超えると、高耐熱特性が要求される本発明の特性に反して、ガラス転移温度が低くなるおそれがある。前記エポキシ樹脂の例は、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタンエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、又はジシクロペンタジエン型変性フェノール型エポキシ樹脂などが挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用することができる。
【００２６】
前記熱硬化性多官能エポキシ樹脂の硬化前の自体軟化点は５０〜１００℃が好ましい。軟化点が５０℃より低いものは接着フィルムのＡ−ステージ状態のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）を落とし、タックが大きくなり取扱性が悪化し、１００℃より高いものはウエハーとの付着性が低下され、ダイシング時のチップ飛散などの問題を発生する。
【００２７】
前記熱硬化性多官能エポキシ樹脂の含量は、ｂ）低弾性高分子量樹脂１００重量部に対して、１０〜２００重量部が好ましく、２０重量部〜１００重量部がより好ましい。前記含量が１０重量部未満のとき、耐熱性及び取扱性が低下され、２００重量部を超えると、フィルムの剛性が強くなり、作業性及び信頼性が低下される。
【００２８】
ｂ）低弾性高分子量樹脂
本発明で使われる、ｂ）低弾性高分子量樹脂は、ガラス転移温度が５０℃以下であり、高分子量で硬化前に、破壊などがなくフィルム状に保持でき、硬化工程中に、ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂又は後述するｃ）硬化剤と架橋構造を形成し、架橋体になった後にも粘弾性を有する樹脂であれば制限なく使用することができる。また、フィルム状に形成される前であるワニス状態で、ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂及びｃ）硬化剤と相溶性を有していなければならず、相分離などが進行されない等の貯蔵安定性がなければならない。
【００２９】
前記低弾性高分子量樹脂の硬化前の自体ガラス転移温度は−３０〜５０℃が好ましく、−２０〜４０℃がより好ましく、０〜３０℃が最も好ましい。ガラス転移温度が−３０℃未満のとき、フィルム形成時の流動性が大きくなり、取扱性が悪化される問題があり、５０℃を超えると、低温でのウエハーとの付着力が低くなり、ダイシング工程中にチップが飛散するか、又は接着剤とチップとの間に洗浄水が浸透する問題がある。
【００３０】
前記低弾性高分子量樹脂の重量平均分子量は、１００，０００〜２，５００，０００が好ましく、１００，０００〜８００，０００がより好ましい。重量平均分子量が１００，０００未満のとき、フィルムの強度が落ちて取扱性及び耐熱性が落ち、半導体用基板の回路充填時の流動性を制御できなくなる。重量平均分子量が２，５００，００を超えると、弾性率が増え、ダイボンディング時の流動性抑制効果が大きくなり、接着フィルムの回路充填性及び信頼性を減少させる。
【００３１】
前記ガラス転移温度が−３０〜５０℃であり、重量平均分子量が１００，０００〜２，５００，０００の低弾性高分子量樹脂は自体的な弾性に優れた構造が好ましく、具体的に例えば、カルボキシル基が含有されているニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）；高分子量の脂肪族エポキシ；ゴム変性エポキシ；グリシジル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、又はアミン基などを含有するアクリル共重合体；又はマレイン酸変性スチレンエチレンブタジエンスチレン共重合体（ＳＥＢＳ）などが挙げられ、これらを単独又は２種以上混合して使用することができる。
【００３２】
ｃ）硬化剤
前記ダイボンディング部の接着層は、さらに硬化剤を含んでいてもよい。本発明で使われるｃ）硬化剤は、前記ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂及び／又は前記ｂ）低弾性高分子量樹脂と反応して架橋構造を形成する樹脂であれば、その種類が特に制限されないが、ソフトセグメントをなすｂ）低弾性高分子量樹脂とハードセグメントをなすａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂とがそれぞれ架橋構造をなして接着硬化物の耐熱性を向上させ、同時にａ）多官能エポキシ樹脂とｂ）低弾性高分子量樹脂の界面で２樹脂間の連結の輪として機能し、半導体パッケージの信頼性を顕著に向上させる側面から、前記ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂及び前記ｂ）低弾性高分子量樹脂の両方と反応して架橋構造を形成する樹脂が好ましい。
【００３３】
このような樹脂としては、多官能フェノール樹脂が耐熱性の側面から好ましく、フェノール樹脂は水酸基当量が１００〜１，０００のものが好ましい。水酸基当量が１００未満の場合、フェノール樹脂の種類によって違うが、概してエポキシとの硬化物が硬くなり、接着フィルムの半導体パッケージ内での緩衝効果を低下させ、水酸基当量が１０００を超えると、エポキシとの硬化物の架橋密度が落ちて耐熱性が低下される。
【００３４】
このような多官能系フェノール樹脂としては、ビスフェノールＡ樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、多官能ノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック樹脂、アミノトリアジンフェノールノボラック樹脂、ポリブタジエンフェノールノボラック樹脂、ビフェニルタイプ樹脂、又はその他の多官能性樹脂であればいずれも使用可能であり、これらは単独又は２種以上混合して使用することができる。
【００３５】
また、前記硬化剤は軟化点が５０〜１５０℃のものが好ましい。軟化点が５０℃未満の場合、タック性の増加により取扱性が悪く耐熱性が落ち、１５０℃を超えると、接着フィルムの硬度を上げ、接着フィルムとウエハーとの付着力を落とし、ダイシング時のチップの飛散などの不良を引き起こす可能性がある。
【００３６】
前記硬化剤の含量は、ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂のエポキシ当量対比０．４〜２当量比が好ましく、０．８〜１．２当量比がより好ましい。ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂のエポキシ当量対比０．４当量比未満の場合、未反応エポキシが多く残り、ガラス転移温度が低くなり耐熱性が落ち、未反応エポキシ基の反応のために高温／又は長時間の熱を供給しなければならない問題がある。２当量比を超えると、架橋密度は増加するが、未反応水酸基によって貯蔵安定性の低下、吸湿率及び誘電特性の上昇などの短所が引き起こされる。
【００３７】
ｄ）硬化促進剤
前記ダイボンディング部の接着層は、さらに硬化促進剤を含んでいてもよい。本発明に使われる硬化促進剤の種類は特に制限されなく、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン（ＴＰＰ）、又は第３級アミン類などが挙げられる。イミダゾール類硬化促進剤は、２−メチルイミダゾール（２ＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ−ＣＮ）、２−ウンデシルイミダゾール（Ｃ１１Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（Ｃ１７Ｚ）、又は１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールトリメタレート（２ＰＺ−ＣＮＳ）などが挙げられ、これらを単独又は２種以上混合して使用することができる
【００３８】
前記硬化促進剤の含量は、前記ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂及びｂ）低弾性高分子量樹脂の重量和１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好ましく、０．５〜３重量部がさらに好ましい。硬化促進剤の含量が０．１重量部未満のとき、反応速度が低下され、エポキシ樹脂の架橋が不充分になり耐熱性が低下され、１０重量部を超えると、硬化反応が急激に起こり、保存安定性が低下される。
【００３９】
ｅ）無機充填材
前記ダイボンディング部の接着層は、さらに充填材を含んでいてもよい。充填材を含むことによって、取扱性向上、耐熱性向上、溶融粘度調整が可能になる。前記充填材の種類としては有機充填材及び無機充填材が挙げられるが、特性の側面で無機充填材がより好ましい。前記無機充填材は特に制限されないが、シリカ、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、タルク、窒化アルミニウムなどが好ましい。
【００４０】
前記充填材の含量は特に限定されないが、充填材を除いた樹脂１００重量部に対して、０．５〜１００重量部が好ましく、５重量部〜５０重量部がより好ましい。前記含量が０．５重量部未満のとき、充填材添加による耐熱性、取扱性向上効果が充分でなく、１００重量部を超えると、作業性と基材付着性が低下される。
【００４１】
充填材の平均粒径は０．００１〜１０μｍが好ましく、０．００５〜１μｍがより好ましい。前記平均粒径が０．００１μｍ未満のとき、接着フィルムで充填材が凝集され易く、外観不良が発生する。また、前記平均粒径が１０μｍを超えると、接着フィルム内で充填材が表面に突出し易くなり、ウエハーとの熱圧着時にチップに損傷を与え、接着性の向上効果が低下される場合がある。
【００４２】
＜保護フィルム＞
本発明のダイシング・ダイボンディングフィルムのダイボンディング部は、接着層の一面に保護フィルムを含むことが好ましい。また前記保護フィルムは離型処理されたものが好ましい。
【００４３】
本発明で使用可能な保護フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、又はポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムが挙げられる。
【００４４】
また、前記保護フィルム表面の離型処理に用いられる離型剤は、アルキド系、シリコン系、フッ素系、不飽和エステル系、ポリオレフィン系、又はワックス系が挙げられるが、特にアルキド系、シリコン系、又はフッ素系などが耐熱性を有するので好ましい。
【００４５】
保護フィルムの厚さは、通常１０〜５００μｍ、好ましくは２０〜２００μｍ程度が好ましい。その厚さが１０μｍ未満のとき、乾燥工程中にフィルムの変形が容易に起こり、結果的に接着層の不均一な外観をもたらし、５００μｍを超えると、経済的でない。
【００４６】
＜ダイボンディング部製造方法＞
本発明のダイシング・ダイボンディングフィルムのダイボンディング部は、前記成分を溶剤に溶解又は分散して樹脂ワニスを製造する工程；前記樹脂ワニスを離型処理された保護フィルムに塗布する工程；及び前記保護フィルムを加熱して溶剤を除去する工程：によって製造することができる。
【００４７】
前記成分は前述のようなものであり、前記接着層組成物を製造するためのワニス化の溶剤は、通常的にメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、メチルセロソルブ（ＭＣＳ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）などが挙げられる。保護フィルムの耐熱性がよくないため、低沸点の溶剤を使用することが好ましいが、塗膜の均一性を向上させるために高沸点の溶剤を使用することもでき、これらの溶媒を２種以上混合使用することも可能である。
【００４８】
前記保護フィルムに樹脂ワニスを塗布する方法としては、公知方法を利用できる。例えばナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、コンマコート法又はリップコート法などが挙げられる。
【００４９】
前記接着層組成物に充填材を含む場合に、接着層内の分散性を良くするために、ボールミル（Ｂａｌｌ  Ｍｉｌｌ）、ビーズミル（Ｂｅａｄ  Ｍｉｌｌ）、３本ロール、粉砕機を単独使用するか、又は組み合わせて使用することができる。ボールやビーズの材質はガラス、アルミナ、ジルコニウムなどが挙げられるが、粒子の分散性側面ではジルコニウム材質のボール又はビーズが好ましい。
【００５０】
本発明においては、溶剤と充填材を混合し、ボールミル又はビーズミルで一定時間混合した後、ａ）熱硬化性多官能エポキシ樹脂とｃ）硬化剤を添加して混合し、最終的にｃ）低弾性高分子量樹脂と、場合に応じて要求される添加物を混合することにより、配合時間を短縮することが容易で、分散性が良くなる。
【００５１】
また、前記保護フィルムを加熱して溶剤を除去する工程で、加熱条件は７０〜２５０℃で１分〜１０分程度が好ましい。
【００５２】
＜粘着層を含むダイシング部＞
本発明のダイシング部の粘着層は、ダイシング時にはウエハーリングとウエハーを固定して個片化過程中のチップの飛散を防止し、この後、熱及び／又は放射線によって粘着力が喪失され、ピックアップ工程が円滑に行える粘着剤であれば特に制限なく使用することができるが、一般的にアクリル系共重合体を使用することができる。
【００５３】
熱硬化性粘着剤として本発明で使用することができる前記アクリル系共重合体は、特に限定されず、当技術分野で粘着剤として用いられるものであればよい。前記アクリル系共重合体の例は、炭素数１〜１２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル系単量体及び架橋性官能基含有単量体が共重合されたものが好ましい。
【００５４】
前記炭素数が１〜１２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル系単量体は、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチルメタアクリレート、ｎ−テトラデシルメタアクリレートなどを単独又は２種以上混合して使用することができる。
【００５５】
また、架橋性官能基含有単量体の例は、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピレングリコール（メタ）アクリレートなどのヒドロキシ基を含有した単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸などのカルボキシル基を含有した単量体；又はアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素を含有した単量体；などが挙げられ、これらを単独又は２種以上混合して使用することができる。
【００５６】
アルキル（メタ）アクリル酸エステル系単量体及び架橋性官能基含有単量体の割合は、限定されないが、（メタ）アクリル酸エステル系単量体１００重量部に対して、架橋性官能基含有単量体１〜２０重量部が好ましい。
【００５７】
前記アクリル系共重合体に粘着力と凝集力を付与するために、アルキル（メタ）アクリル酸エステル単量体を高いガラス転移温度を有する共単量体（ｃｏ−ｍｏｎｏｍｅｒ）と共重合させることができる。共重合可能な共単量体には、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ビニルアセテート、スチレン、アクリロニトリルなどが挙げられ、これらの単量体は単独又は２種以上混合して使用することができ、共重合可能なビニル基を有した単量体であればいずれでもよい。
【００５８】
本発明において、アクリル系共重合体の重合は特に限定されず、溶液重合法、光重合法、バルク重合法、サスペンション重合法、エマルジョン重合法等の重合方法で製造でき、特に溶液重合することが好ましい。
【００５９】
また、前記粘着層は、さらに、粘着剤の粘着特性を調節するために、多官能性架橋剤を含んでいてもよい。前記多官能性架橋剤はカルボキシル基及び水酸基などと反応することによって粘着剤の凝集力を高め、粘着力を調節する役割をする。前記多官能性架橋剤の含量はアクリル系共重合体１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部を使用することが好ましい。
【００６０】
前記多官能性架橋剤は、イソシアネート系、エポキシ系、アジリジン系、金属キレート系架橋剤などが挙げられ、この中からイソシアネート系が使用上容易である。前記イソシアネート系架橋剤には、トリレンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォームジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、及びこれらのトリメチロールプロパンなどのポリオールとの反応物などが挙げられる。
【００６１】
また、エポキシ系架橋剤には、エチレングリコールジグリシジルエーテル、トリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ’−テトラグリシジルエチレンジアミン、グリセリンジグリシジルエーテルなどが挙げられる。前記アジリジン系架橋剤には、Ｎ，Ｎ‘−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキサイド）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキサイド）、トリエチレンメラミン、ビスイソプロタロイル−１−（２−メチルアジリジン）、トリ−１−アジリジニルホスフィンオキシドなどが挙げられる。
【００６２】
前記金属キレート系架橋剤には、アルミニウム、鉄、亜鉛、スズ、チタン、アンチモン、マグネシウム、バナジウムなどの多価金属がアセチルアセトン又はアセト酢酸エチルに配位した化合物などが挙げられる。
【００６３】
本発明の粘着層の製造方法は特に限定されず、上記のアクリル系共重合体と多官能性架橋剤とを常法で混合して得ることができる。この時、多官能性架橋剤は、粘着層の形成のために実施する配合過程で架橋剤の官能基架橋反応がほとんど起こらない場合にだけ均一なコーティング作業が行える。前記コーティング作業が終了し、乾燥及び熟成過程を経ると、架橋構造が形成され、弾性があり、且つ凝集力の強い粘着層を得ることができる。この時粘着剤の強い凝集力によって粘着製品の耐久信頼性などの粘着物性及び切断性が向上される。
【００６４】
本発明は特定の目的のために、アクリル系低分子量物質、粘着付与樹脂、エポキシ樹脂及び硬化剤などをさらに混合使用することができ、紫外線安定剤、酸化防止剤、調色剤、補強剤、充填剤、消泡剤、界面活性剤、可塑剤、発泡剤などを一般的な目的に応じて適宜添加して使用することができる。
【００６５】
放射線硬化性粘着剤は、ゴム減圧粘着剤又はアクリル系粘着剤などを使用することができる。放射線硬化性粘着剤は前記熱硬化性粘着剤に放射線硬化性組成物を添加して製造できるが、その組成物としては不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、光重合性化合物、又は光重合開始剤を使用することができる。
【００６６】
不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物には、アクリル酸又はメタクリル酸の多価アルコール系エステル、オリゴエステル、エポキシ系、又はウレタン系化合物などが挙げられる。
【００６７】
エポキシ基を有するアルコキシシランのような光重合性化合物は、前記熱硬化性粘着剤組成物に添加し、混合後、塗工して熱硬化した後、未硬化した状態で用いる。光重合性化合物の含量は、熱硬化型粘着樹脂１００重量部に対して３〜５００重量部を使用することが好ましい。
【００６８】
光重合開始剤は、光重合性化合物を硬化させるために用いられ、具体的な例はカルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、又はオニウム塩系化合物などがある。光重合開始剤の含量は光重合性化合物１００重量部に対して、０．１〜２０重量部を使用することが好ましい。
【００６９】
また、放射線硬化性粘着剤は、側鎖にラジカル反応性不飽和基を有するか、若しくは分子中にエポキシ基を有するアクリル系高分子を利用でき、又はエチレングリコールジグリシジルエーテルのような分子中にエポキシ基を１個若しくは２個以上有するエポキシ基官能性架橋剤をさらに配合して架橋効率を上げたものも利用できる。
【００７０】
本発明のダイシング・ダイボンディングフィルムのダイシング部は前記粘着層に基材フィルムを含むことが好ましい。
【００７１】
本発明に使われる基材フィルムとしては、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、エチレン及び酢酸ビニル共重合体、エチレン及びプロピレン共重合体、エチレン及びエチルアクリレート共重合体、ポリ塩化ビニル及びこれらの中から２つ以上が混合されたフィルムなどが挙げられ、その他の高分子フィルム及び金属箔などが使われる。基材フィルムの厚さは１０〜２００μｍが好適であり、好ましくは５０〜１８０μｍ、より好ましくは８０〜１５０μｍが好適である。基材フィルムの厚さが１０μｍ未満のとき、ダイシング工程時切断深さ（ｃｕｔ  ｄｅｐｔｈ）の調節が非常に不安定になり、２００μｍを超えると、基材フィルムが厚過ぎてダイシング時、却ってバリが発生される可能性が高く、延伸率が非常に低くなり正確なエキスパンド工程が行われるのが困難である。
【００７２】
本発明において、基材フィルムに粘着層を形成し、ダイシングテープを作る方法は特別な制限がなく、基材フィルム表面に直接バーコーターなどを利用して前記粘着剤を塗布し、乾燥させる方法、又は前記粘着剤を剥離性基材表面に塗布し、乾燥した後、この剥離性基材表面に形成された粘着層を基材フィルム表面に転写し、次いで熟成させる方法を適用できる。粘着層の厚さは１〜１００μｍ以内が好ましく、より好ましくは５〜３０μｍ以内が好ましい。前記厚さ範囲以下の粘着層が製造されると、均一な粘着層を得るのが難しく、粘着フィルムの物性が不均一になる。
【００７３】
本発明のダイシング・ダイボンディングフィルムの製造方法は、ダイシングテープとダイボンディング部とを熱ロールラミネートする方法とプレスする方法を使用することができ、連続工程の可能性及び効率側面から熱ロールラミネート方法が好ましい。熱ロールラミネート条件は１０〜１００℃で０．１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力が好ましい。
【００７４】
また、本発明は、前記本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層がウエハーの一面に接着され、前記ダイシング・ダイボンディングフィルムのダイシング部がウエハーリングフレームに固定されている半導体ウエハーに関するものである。
【００７５】
前記のような半導体ウエハーは、半導体ウエハーの裏面に、ダイシング・ダイボンディングフィルムの接着層を接着温度０〜１８０℃でウエハー裏面に付着し、前記ダイシング・ダイボンディングフィルムのダイシング部をウエハーリングフレームに固定させて製造することができる。
【００７６】
また、本発明は、配線基板と、前記配線基板のチップ搭載面に接着されている本発明に係るダイシング部の接着層と、前記接着層上に搭載された半導体チップと、を含む半導体装置に関するものである。
【００７７】
前記半導体装置の製造工程を説明すれば、次の通りである。
【００７８】
前述したダイシング・ダイボンディングフィルムが付着された半導体ウエハーをダイシング機器を利用して完全に切断し、個々のチップに分割する。
【００７９】
その後、ダイシングテープが放射線硬化粘着剤のとき、基材側から放射線を照射して硬化させ、熱硬化粘着剤のとき、温度を上げて粘着剤を硬化させる。前記通りに放射線又は熱により硬化された粘着剤は接着剤との密着力が低下され、後工程でチップのピックアップが容易になる。このとき、必要に応じて、ダイシング・ダイボンディングフィルムを引張ることができる。このようなエキスパンド工程を実施すれば、チップ間の間隔が確定され、ピックアップが容易になり、接着層と粘着剤層と間にずれが発生してピックアップ性が向上される。
【００８０】
続いて、チップピックアップを実施する。このとき、半導体ウエハー及びダイシング・ダイボンディングフィルムの粘着層は、ダイシング・ダイボンディングフィルムの粘着剤層から剥離され、接着剤層だけが付着されたチップを得ることができる。得られた前記接着剤層が付着されたチップを半導体用基板に付着する。チップの付着温度は通常１００〜１８０℃であり、付着時間は０．５〜３秒、付着圧力は０．５〜２ｋｇｆ／ｃｍ２である。
【００８１】
前記工程が完了した後、ワイヤーボンディングとモルディング工程を経て半導体装置が得られる。
【００８２】
半導体装置の製造方法は、前記工程に限定されず、任意の工程を含むこともでき、工程の順序を変えることができる。例えば、粘着層硬化−ダイシング−エキスパンド工程で進めることもでき、ダイシング−エキスパンド−粘着層硬化工程でも進めることができる。チップ付着工程後に、さらに加熱又は冷却工程を含むことができる。
【実施例】
【００８３】
本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は様々な形態に変形でき、本発明の範囲が後記する実施例に限定解釈されるものではない。
【００８４】
実施例１
芳香族系エポキシ樹脂（ノボラック型エポキシ樹脂、軟化点８０℃）２０重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、軟化点９０℃）１０重量部、エポキシ基含有アクリル共重合体（ＳＡ−５５、ＬＧ化学製、Ｔｇ＝５℃、重量平均分子量５００，０００）７０重量部、硬化促進剤（２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ））０．３重量部、充填剤としてシリカ（溶融シリカ、平均粒径７５ｎｍ）１０重量部からなる組成物をメチルエチルケトンに撹拌混合し、ワニスを製造した。
【００８５】
前記接着樹脂組成物を厚さ３８μｍの離型フィルム（ＳＫＣ、ＲＳ−２１Ｇ）に塗布し、乾燥し、パッケージ分野で通常的に使用する塗膜厚さ２０μｍの接着フィルムを製作した。この接着フィルムをラミネーター（富士ソク社）を用いてＳＵＳ３０４に対する１８０℃粘着力が１６０ｇｆ／ｉｎｃｈのダイシングテープとラミネートして半導体用ダイシング・ダイボンディングフィルムを得た。
【００８６】
実施例２
エポキシ基含有アクリル共重合体（ＳＡ−０５、ＬＧ化学製、Ｔｇ＝０℃、重量平均分子量５００，０００）７０重量部、充填剤としてシリカ（溶融シリカ、平均粒径７５ｎｍ）２０重量部にしたことを除いては実施例１と同様にして樹脂を製造し、接着フィルムを製作した。
【００８７】
実施例３
エポキシ基含有アクリル共重合体（ＳＡ−３４、ＬＧ化学製、Ｔｇ＝２０℃、重量平均分子量３００，０００）７０重量部、充填剤としてシリカ（溶融シリカ、平均粒径７５ｎｍ）５重量部にしたことを除いては実施例１と同様にして樹脂を製造し、接着フィルムを製作した。
【００８８】
実施例４
芳香族系エポキシ樹脂（ノボラック型エポキシ樹脂、軟化点８０℃）３３重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、軟化点９０℃）１７重量部、エポキシ基含有アクリル共重合体（ＳＡ−５５、ＬＧ化学製、Ｔｇ＝５℃、重量平均分子量５００，０００）５０重量部、充填剤としてシリカ（溶融シリカ、平均粒径７５ｎｍ）５重量部にしたことを除いては実施例１と同様にして樹脂を製造し、接着フィルムを製作した。
【００８９】
比較例１
芳香族系エポキシ樹脂（ノボラック型エポキシ樹脂、軟化点８０℃）２０重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、軟化点９０℃）１０重量部、エポキシ基含有アクリル共重合体（ＳＡ−３４、ＬＧ化学製、Ｔｇ＝２０℃、重量平均分子量３００，０００）７０重量部、硬化促進剤（２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ））０．３重量部、充填剤としてシリカ（溶融シリカ、平均粒径７５ｎｍ）２０重量部からなる組成物を、メチルエチルケトンに撹拌混合してワニスを製造した。これを用いて実施例１の方法でダイシング・ダイボンディングフィルムを製造した。
【００９０】
比較例２
充填剤を添加しないことを除いて、実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンディングフィルムを製造した。
【００９１】
比較例３
実施例１で製造した接着フィルムをラミネーター（富士ソク社製）を利用してＳＵＳ３０４に対する１８０℃粘着力が４００ｇｆ／ｉｎｃｈのダイシングテープとラミネートして半導体用ダイシング・ダイボンディングフィルムを得た。
【００９２】
比較例４
実施例１で製造した接着フィルムをラミネーター（富士ソク社製）を利用してＳＵＳ３０４に対する１８０℃粘着力が５０ｇｆ／ｉｎｃｈのダイシングテープとラミネートして半導体用ダイシング・ダイボンディングフィルムを得た。
【００９３】
＜物性評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜４のダイシング・ダイボンディングフィルムに対して、下記項目の物性を測定し、評価結果を下記表１に示した。
【００９４】
１．ウエハー裏面付着性評価
５０℃に維持されるテープマウンタ（ｔａｐｅ  ｍｏｕｎｔｅｒ）（ＤＳ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｉｎｄ．）を用いて８インチシリコンウエハーに、製作したＡ−ステージ状態の接着フィルムを１０秒かけて接着した。裏面付着性は接着後にボイドの有無で評価した。
【００９５】
２．室温貯蔵弾性率
接着フィルムを一定方向に１５（Ｗ）×４５（Ｌ）ｍｍの大きさに切断して用意した。ＴＡ（Ｔｅｘｔｕｒｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）を利用してサンプルの測定部が長手方向に２５ｍｍになるようにジグを利用して両端を固定させた後、１２．８ｍｍ／分の条件で引っ張りながら測定した。
【００９６】
３．ウエハー−ダイボンディング接着層間の界面粘着力
ダイシング・ダイボンディングフィルムを２５（Ｗ）×１５０（Ｌ）ｍｍの大きさに切断して用意した。用意されたフィルムを、ウエハーに接着フィルムと接触するように５０℃ホットロールラミネーターを利用して接着した。ＴＡ（Ｔｅｘｔｕｒｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）を利用して３００ｍｍ／分の条件で１８０゜剥離強度を測定した。
【００９７】
４．ダイボンディング接着層−ダイシングテープ粘着層と間の界面粘着力
ダイシング・ダイボンディングフィルムを２５（Ｗ）×１５０（Ｌ）ｍｍの大きさに切断して用意した。用意されたフィルムのダイボンディング接着部をガラス板に固定させた後、ＴＡ（Ｔｅｘｔｕｒｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）を利用してダイシングフィルムを引っ張り、３００ｍｍ／分の条件で１８０゜剥離強度を測定した。
【００９８】
５．チップの飛散及びバリ発生の観察
１００μｍのウエハーとウエハーリングにマウンタを利用して５０℃でダイシング・ダイボンディングフィルムを接着した。ＮｅｏｎＴｅｃｈ社のダイシング装備を利用してｒｐｍ４００００、送り速度（ｆｅｅｄｉｎｇ  ｓｐｅｅｄ）２０ｍｍ／秒、チップサイズ２ｍｍ×２ｍｍにダイシング後、チップの飛散の有無及びバリが発生された個片化されたチップの個数％を確認した。
【００９９】
６．ピックアップ成功率
ダイシング後、接着層が付着された個片化されたチップをダイシングテープからピックアップし、ピックアップ不良が発生しないものを良好、１個でも発生したものを不良とした。
【０１００】
７．パッケージ信頼性
接着フィルムでチップをＰＣＢ基板に接着後、耐温度サイクル（−５５℃で１５分間放置し、１２５℃雰囲気で１５分間放置する工程を１サイクルとする）を５サイクル実施し、恒温恒湿チャンバー８５℃／８５％の条件で７２時間放置した後、サンプル表面の最高温度が２６０℃で２０秒間維持されるように温度設定したＩＲリフローにサンプルを通過させ、室温に放置して冷却する処理を３回繰り返し、サンプル中のクラックを超音波顕微鏡で観察した。剥離やクラックなどの破壊が発生しないものを良好、１個以上発生したものを不良とした。
【０１０１】
【表１】
0005725329.tif 000002
【０１０２】
前記表１に示されるように、本発明によって製造した実施例１〜４のダイシング・ダイボンディングフィルムが、比較例１〜４のダイシング・ダイボンディングフィルムに比べて裏面付着性とチップの飛散、バリ発生、ピックアップ性、パッケージ信頼性にいずれも優れていることがわかる。即ち、ウエハーとダイボンディング部の接着層との間の接着力（Ｘ）とダイボンディング部の接着層とダイシング部の粘着層との間の粘着力（Ｙ）の割合［（Ｘ）／（Ｙ）］が０．２５〜１であり、ダイボンディング部接着層の室温貯蔵弾性率が１００ＭＰａ〜１，０００ＭＰａの場合、個片化過程中のバリ発生を２％以下に最小化し、半導体パッケージの接続信頼性を高め、バリによる不良率を最小化できることを確認することができた。
【０１０３】
また、比較例１のように、（Ｘ）／（Ｙ）の割合が低く、室温貯蔵弾性率が高く、特に（Ｘ）が低い場合チップを超小型でダイシングする工程中にチップとダイボンディング界面でのチップの飛散が発生し、バリが基準値以上発生した。比較例２のように、室温貯蔵弾性率が低く、無機充填材を使用しない場合、ボンディング時ワイヤーを覆うことができる長いバリは観察されなかったが、ピックアップ不良が発生し、パッケージ信頼性を観察した場合、チップのエッジ（ｅｄｇｅ）部分で浮きが発生する等の高温信頼性不良を示した。比較例３のように、（Ｘ）が大きくても（Ｙ）が大きくて（Ｘ）／（Ｙ）の割合が低い場合、バリの発生が基準値以上観察され、ピックアップ不良が発生した。比較例４のように、（Ｘ）／（Ｙ）の割合が高い場合、ウエハーを個片化する過程でダイシングテープと接着層との界面でチップの飛散が発生し、バリが基準値以上発生した。
【符号の説明】
【０１０４】
１  半導体チップ
１０  ダイボンディング部の保護フィルム
２０  ダイボンディング部の接着層
３０  ダイシング部の粘着層
４０  ダイシング部の基材フィルム
５０  配線基板
【図１】
0005725329.tif 000003
【図２】
0005725329.tif 000004
【図３】
0005725329.tif 000005