(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルムが複数積層された多層基板に電気的に接続されている複数の内蔵部品が内蔵された部品内蔵基板であって、
前記多層基板の一主面にのみ形成され、前記部品内蔵基板が実装される実装基板に接続される実装電極と、
前記実装電極に近い層に位置し、電気的に接続される端子を備える第１の内蔵部品と、
前記第１の内蔵部品が位置する層よりも前記実装電極から離れた層に位置し、電気的に接続される端子を備える第２の内蔵部品と、を備え、
前記樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂からなり、
前記第１の内蔵部品の端子の数は、前記第２の内蔵部品の端子の数より多く、
平面視において、前記第１の内蔵部品の面積は、前記第２の内蔵部品の面積より小さい
部品内蔵基板。
【請求項２】
平面視において、前記第１の内蔵部品は、前記第２の内蔵部品に重複する
請求項１に記載の部品内蔵基板。
【請求項３】
平面視において、前記第１の内蔵部品は、すべて前記第２の内蔵部品に重複する
請求項２に記載の部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第１の内蔵部品の端子及び前記第２の内蔵部品の端子は、前記多層基板に形成された層間接続導体に電気的に接続されるものを含む、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の部品内蔵基板。
【請求項５】
前記第２の内蔵部品は、前記第１の内蔵部品に比べて電磁波を放射しにくい
請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の部品内蔵基板。
【請求項６】
前記第１の内蔵部品は、平面視において矩形状であり、
前記第１の内蔵部品の端子は、平面視において各辺に沿ってそれぞれ複数設けられている、請求項１乃至５のいずれかに記載の部品内蔵基板。
【請求項７】
前記第１の内蔵部品は、高周波信号を処理するＲＦＩＣであり、
前記第２の内蔵部品は、セキュリティ機能を備えたセキュアＩＣである
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の部品内蔵基板を構成要素として含む
通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  この発明は、多層基板に複数の部品を内蔵してなる部品内蔵基板およびこれを用いた通信モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】  従来、電子機器の小型化を実現するために、基板内に複数の部品を実装する高密度実装が求められている。【０００３】  特許文献１には、複数の絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層プリント基板内に２つのＩＣが内蔵された構造が記載されている。【０００４】  特許文献１に示す多層プリント基板において、２つのＩＣは、多層プリント基板の異なる層に配置されている。各ＩＣの電極（端子）は、多層プリント基板内に形成された内部配線を介して、内部の他の回路あるいは外部に引き回されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１１７５０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  特許文献１に示す多層プリント基板のように、２つの内蔵部品（ＩＣ）を有する部品内蔵基板においては外部接続用の電極がともに実装面にある場合、実装面に対向する面側に配置されるＩＣからの内部配線と、実装面側に配置されるＩＣからの内部配線とが、実装面側に密集する。ＩＣに電極（端子）が多ければ多いほど、内部配線は多くなって、実装面側はさらに内部配線が密集し、内部配線の引き回しは、より困難となる。【０００７】  内部配線のスペースを確保するためには、それに応じた領域を多層プリント基板内に確保すればよいが、多層プリント基板の外形形状が大きくなってしまう。【０００８】  そこで、この発明は、複数の部品を内蔵しても、大型化することがない部品内蔵基板及び通信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の部品内蔵基板は、樹脂フィルムが複数積層された多層基板に電気的に接続されている複数の内蔵部品が内蔵されたものである。本発明の部品内蔵基板は、前記多層基板の一主面にのみ形成され、前記部品内蔵基板が実装される実装基板に接続される実装電極と、前記実装電極に近い層に位置し、電気的に接続される端子を備える第１の内蔵部品と、前記第１の内蔵部品が位置する層よりも前記実装電極から離れた層に位置し、電気的に接続される端子を備える第２の内蔵部品と、を備え、前記樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂からなり、前記第１の内蔵部品の端子の数は、前記第２の内蔵部品の端子の数より多く、平面視において、前記第１の内蔵部品の面積は、前記第２の内蔵部品の面積より小さい。
【００１０】  第１の内蔵部品の端子及び第２の内蔵部品の端子の多くは、それぞれ内部配線を介して実装電極に電気的に接続される。すなわち、第１の内蔵部品からの内部配線及び第２の内蔵部品からの内部配線の多くは、それぞれ実装電極が備えられる実装面に向かう。その結果、多層基板の実装面側に内部配線が密集し、内部配線の引き回しは困難となる。第１の内蔵部品の端子数が第２の内蔵部品の端子数より多いため、内部配線の引き回しはさらに困難となる。【００１１】  しかしながら、平面視において、第１の内蔵部品は、第２の内蔵部品より面積が小さく、第２の内蔵部品よりも実装面側に配置されているので、内部配線を引き回すスペースを多層基板の実装面側に確保することができる。【００１２】  以上のように、第１の内蔵部品の端子数が多くても、部品内蔵基板は、内部配線を引き回すスペースを確保するために多層基板の外形形状を大きくしたり、内部配線を上下の層に迂回させるために層数を多くしたりすることなく、すなわちサイズが小さいままで、第１の内蔵部品及び第２の内蔵部品を内蔵できる。【００１３】  また、熱可塑性樹脂（例えばポリイミド又は液晶ポリマ）を含む複数のシートを一括積層して加熱圧着すると多層基板が形成される。ビルドアップ層として１層ずつ樹脂層を積層する従来のビルドアップ工法は、コア層となる基材にある程度の厚みを必要とする。しかし、本発明の多層基板の積層方法は、従来のビルドアップ工法と異なり、コア層となる基材を必要としない。その結果、多層基板は、厚みを抑えることができる。また、本発明の多層基板の製造は、１層ずつ積層する必要がないため、従来のビルドアップ工法に比べて、より簡易である。【００１４】  また、平面視において、前記第１の内蔵部品は、前記第２の内蔵部品に重複してもよいし、すべて前記第２の内蔵部品に重複してもよい。【００１５】  平面視において、第１の内蔵部品と第２の内蔵部品とが重複すれば重複するほど、多層基板の一主面の面積を少なくすることができる。この場合でも、第１の内蔵部品の面積が第２の内蔵部品の面積より小さく、第１の内蔵部品が第２の内蔵部品よりも実装面側に配置されることから、内部配線を引き回すスペースを確保しつつ、部品内蔵基板をさらに小型化することができる。【００１６】  また、前記第１の内蔵部品の端子及び前記第２の内蔵部品の端子は、前記多層基板に形成された層間接続導体に電気的に接続されるものが含まれてもよい。【００１７】  内部配線と、第１の内蔵基板の端子及び第２の内蔵基板の端子とを電気的に接続するために、半田を塗布した層や半田バンプ等を別途設ける必要はない。その結果、部品内蔵基板は、半田を塗布した層等を設ける場合よりも薄型になる。【００１８】  また、前記第２の内蔵部品は、前記第１の内蔵部品に比べて電磁波を放射しにくいものであってもよい。【００１９】  第１の内蔵部品が電磁波を放射しても、実装面と対向する面側に配置された第２の内蔵部品が電磁シールドとなるため、当該電磁波は、部品内蔵基板の外に放射されにくい。【００２０】
また、前記第１の内蔵部品は、平面視において矩形状であり、前記第１の内蔵部品の端子は、平面視において各辺に沿ってそれぞれ複数設けられてもよい。
また、前記第１の内蔵部品が高周波信号を処理するＲＦＩＣであり、前記第２の内蔵部品がセキュリティ機能を備えたセキュアＩＣである部品内蔵基板を構成要素として含むと通信モジュールとなる。
【発明の効果】
【００２１】  この発明によれば、サイズを大きくすることなく、複数の部品を内蔵できる部品内蔵基板及び通信モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態１に係る部品内蔵基板１の上面図、Ａ−Ａ断面図、及び下面図である。
【図２】セキュアＩＣ１１の上面図及びＲＦＩＣ１３の上面図である。
【図３】実施形態１に係る部品内蔵基板１を各層に分解した状態の側面断面図である。
【図４】実施形態１に係る部品内蔵基板１を含む通信モジュール３００の回路ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】  図１乃至図４を参照して、実施形態１に係る部品内蔵基板１について説明する。
【００２４】  図１（Ａ）は、実施形態１に係る部品内蔵基板１の上面図であり、図１（Ｂ）は、部品内蔵基板１のＡ−Ａ断面図である。図１（Ｃ）は、部品内蔵基板１の下面図である。なお、図１（Ｃ）には、説明上必須の実装電極１７のみを記載している。図２（Ａ）は、セキュアＩＣ１１の上面図であり、図２（Ｂ）は、ＲＦＩＣ１３の上面図である。図１（Ｂ）において、＋Ｚ方向の面を部品内蔵基板１の上面とし、−Ｚ方向の面を下面とする。
【００２５】  部品内蔵基板１は、図１（Ａ）及び図１（Ｃ）に示すように、例えば直方体であり、幅方向（図中、＋Ｘ、−Ｘ方向）及び奥行き方向（図中、＋Ｙ、−Ｙ方向）に比べて、高さ方向（図中、＋Ｚ、−Ｚ方向）に短い。なお、実際の部品内蔵基板１は、高さが極めて低い（例えば０．５ｍｍ）が、図１（Ｂ）においては、説明のために実際の高さよりも高く誇張して図示している。
【００２６】  部品内蔵基板１は、多層基板１０、複数の実装電極１７、複数の配線１８を備える。
【００２７】  多層基板１０は、直方体であり、絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５（詳細は、後述する。）がそれぞれ積層されてなる。
【００２８】  複数の実装電極１７は、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、それぞれ多層基板１０の下面に備えられる。複数の配線１８は、それぞれ多層基板１０の上面に備えられる。複数の実装電極１７及び複数の配線１８は、それぞれ導電性材料（例えば銅（Ｃｕ）からなる金属箔）からなる。
【００２９】  多層基板１０は、セキュアＩＣ１１、ＲＦＩＣ１３、複数の層間接続導体１５、及び複数の導体パターン１６を内部に備える。
【００３０】  セキュアＩＣ１１及びＲＦＩＣ１３は、それぞれ板形状である。セキュアＩＣ１１は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、主面の面積がＲＦＩＣ１３より大きい。
【００３１】  ＲＦＩＣ１３は、図１（Ｂ）に示すように、セキュアＩＣ１１よりも下方向（−Ｚ方向）に配置される。すなわち、ＲＦＩＣ１３は、セキュアＩＣ１１よりも複数の実装電極１７に近い層に配置されている。
【００３２】  ＲＦＩＣ１３は、図１（Ａ）に示すように、平面視すると、主面全てがセキュアＩＣ１１に覆われているように、多層基板１０内に実装されている。
【００３３】  セキュアＩＣ１１には、メモリ１１０（図４を参照。）が内蔵されている。セキュアＩＣ１１は、セキュリティ機能を有するＩＣであり、内部のメモリ１１０に記憶する認証用情報のクローニングを防止する。ＲＦＩＣ１３は、高周波信号を変復調したり、外部との通信を制御したりする機能を有するＩＣである。
【００３４】  セキュアＩＣ１１は、図１（Ｂ）及び図２（Ａ）に示すように、端子１２Ａ及び端子１２Ｂを上面（＋Ｚ方向の面）に備える。ＲＦＩＣ１３は、図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）に示すように、端子１４Ａ〜１４Ｐを上面（＋Ｚ方向の面）に備える。すなわち、ＲＦＩＣ１３は、セキュアＩＣ１１より多くの端子を備える。ただし、セキュアＩＣ１１の端子数及びＲＦＩＣ１３の端子数は、それぞれ図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す端子数に限らない。また、各ＩＣには層間接続導体１５などの内部配線に接続されないダミーとなる端子が設けられている場合もあるが、そのような端子は、本発明の端子の数には含めないものとする。
【００３５】  複数の層間接続導体１５は、それぞれ＋Ｚ、−Ｚ方向に伸長する略柱形状である。複数の層間接続導体１５は、それぞれ導電性材料（例えばスズ（Ｓｎ）や銀（Ａｇ）を主成分として含む材料）からなる。複数の導体パターン１６は、それぞれ平膜形状であり、部品内蔵基板１の上面に平行となるようにそれぞれ配置される。複数の導体パターン１６は、それぞれ導電性材料（例えば銅（Ｃｕ）からなる金属箔）からなる。複数の導体パターン１６は、それぞれ複数の層間接続導体１５に電気的に接続されている。多層基板１０の上面に備えられる複数の配線１８も、それぞれ複数の層間接続導体１５に電気的に接続されている。複数の実装電極１７も、それぞれ複数の層間接続導体１５に電気的に接続されている。これら、複数の層間接続導体１５、複数の導体パターン１６、及び複数の配線１８によって、セキュアＩＣ１１及びＲＦＩＣ１３と、複数の実装電極１７とを接続する回路が構成される。
【００３６】  セキュアＩＣ１１の上面に備えられる端子１２Ａ及び端子１２Ｂは、図１（Ｂ）に示すように、それぞれ複数の層間接続導体１５に電気的に接続されている。ＲＦＩＣ１３の上面に備えられる端子１４Ａ及び端子１４Ｂは、それぞれ複数の層間接続導体１５に電気的に接続されている。図１（Ｂ）で図示されていないが、ＲＦＩＣ１３の端子１４Ｃ〜１４Ｐも、それぞれ複数の層間接続導体１５に電気的に接続されている。すなわち、ＲＦＩＣ１３における複数の実装電極１７にそれぞれ電気的に接続されている端子数は、セキュアＩＣ１１における複数の実装電極１７にそれぞれ電気的に接続されている端子数よりも多い。
【００３７】  端子１２Ａ、端子１２Ｂ、及び端子１４Ａ〜１４Ｐは、層間接続導体１５、導体パターン１６、及び配線１８を介して、互いに電気的に接続されているものもあるが、多くが層間接続導体１５、導体パターン１６、及び配線１８を介して、それぞれ複数の実装電極１７に電気的に接続されている。
【００３８】  すなわち、層間接続導体１５、及び導体パターン１６からなる内部配線の多くは、それぞれに接続される複数の実装電極１７が配置される多層基板１０の下面に向かう。その結果、多層基板１０の下面側に内部配線が多くなる。
【００３９】  しかしながら、ＲＦＩＣ１３は、部品内蔵基板１を平面視して、面積がセキュアＩＣ１１より小さく、ＲＦＩＣ１３がセキュアＩＣ１１よりも実装面側に配置されているので、セキュアＩＣ１１とＲＦＩＣ１３との面積の差に応じて、内部配線を引き回すスペースを多層基板１０の実装面側に確保することができる。したがって、部品内蔵基板１に複数のＩＣを内蔵していても、適切に内部配線を引き回して、複数のＩＣと複数の実装電極１７とを接続することができる。
【００４０】  さらに、本実施形態に示すように、ＲＦＩＣ１３の端子数が多くても、外形形状の小さいＲＦＩＣ１３が実装面側に配置されることで、部品内蔵基板１は、内部配線を引き回すスペースを確保できる。したがって、多層基板１０の層の面積を増やしたり、内部配線を上下の層に迂回させるために多層基板１０の層の数を増やしたりすることなく、すなわちサイズが小さいままで端子数が多いＩＣを含む複数の部品を内蔵できる。
【００４１】  また、部品内蔵基板１を平面視して、ＲＦＩＣ１３は、すべてセキュアＩＣ１１に重なっている。このため、ＲＦＩＣ１３がセキュアＩＣ１１に重複しない場合に比べて、多層基板１０の層（ＸＹ平面）の面積は、より小さくてもよい。すなわち、内部配線を引き回すスペースを確保しつつ、部品内蔵基板１のサイズをさらに小型化することができる。
【００４２】  さらに、本願実施形態のように、ＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐが多層基板１０の実装面側と反対側になるようにＲＦＩＣ１３が実装された場合、内部配線の引き回しがさらに複雑となる。具体的には、多層基板１０を平面視して、ＲＦＩＣ１３以外の領域以外に内部配線を引き回さなければならない。しかしながら、本実施形態の構成を用いれば、このような実装態様でも適切に内部配線を引き回すことができる。
【００４３】  次に、図３を用いて部品内蔵基板１の製造方法の一部について説明する。図３は、部品内蔵基板１を各層に分解した状態の側面断面図である。
【００４４】  上述の通り、多層基板１０は、絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５が積層されてなる。絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５は、それぞれ熱可塑性樹脂（例えばポリイミドや液晶ポリマ）からなる。絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５の片面は、銅膜が貼られている。
【００４５】  複数の配線１８、及び複数の導体パターン１６は、絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５の銅膜が貼られた面をそれぞれパターニング処理することにより形成される。複数の層間接続導体１５は、絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５の銅貼面と反対側の面から絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５を貫通する孔を設け、当該貫通孔に導電性ペーストを充填して固化させることにより形成される。
【００４６】  絶縁性樹脂フィルム１００の下面（−Ｚ方向の面）には、セキュアＩＣ１１が仮圧着されている。絶縁性樹脂フィルム１０１には、絶縁性樹脂フィルム１００に仮圧着されたセキュアＩＣ１１が格納される空洞部１０６が形成されている。空洞部１０６は、絶縁性樹脂フィルム１０１を貫通する穴によって形成されている。
【００４７】  絶縁性樹脂フィルム１０３の下面（−Ｚ方向の面）には、ＲＦＩＣ１３が仮圧着されている。絶縁性樹脂フィルム１０４には、絶縁性樹脂フィルム１０３に仮圧着されたＲＦＩＣ１３が格納される空洞部１０７が形成されている。空洞部１０７は、絶縁性樹脂フィルム１０４を貫通する穴によって形成されている。
【００４８】  絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５は、積層後にそれぞれ加熱圧着される。絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５は、加熱圧着されると、それぞれ軟化して流動し、空洞部１０６及び空洞部１０７を埋める。その結果、セキュアＩＣ１１及びＲＦＩＣ１３は、固定され、多層基板１０は形成される。この際、上述の導電性ペーストは、固化し、複数の層間接続導体１５が形成される。
【００４９】  ビルドアップ層として１層ずつ樹脂層を積層する従来のビルドアップ工法は、コア層となる基材にある程度の厚みを必要とする。しかし、上述の多層基板１０の積層方法は、従来のビルドアップ工法と異なり、コア層となる基材を必要としない。その結果、多層基板１０は、厚みを抑えることができる。また、多層基板１０の製造は、１層ずつ積層する必要はないため、ビルドアップ工法に比べて、より簡易である。
【００５０】  また、絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５の加熱圧着時に、複数の層間接続導体１５は、それぞれ固化して端子１２Ａ、端子１２Ｂ、及び端子１４Ａ〜１４Ｐにそれぞれ接合される。絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５が軟化して流動することにより、複数の層間接続導体１５には圧着の圧力がかかりやすくなる。その結果、複数の層間接続導体１５は、より強く端子１２Ａ、端子１２Ｂ、及び端子１４Ａ〜１４Ｐにそれぞれ接合する。
【００５１】  さらに、絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５が軟化して流動することを利用して、複数の層間接続導体１５は、１２Ａ、端子１２Ｂ、及び端子１４Ａ〜１４Ｐだけでなく、導体パターン１６及び配線１８にも、より強くそれぞれ接合する。
【００５２】  また、ＲＦＩＣ１３がセキュアＩＣ１１に覆われ、ＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐのある面（＋Ｚ方向の面）とセキュアＩＣ１１の下面（−Ｚ方向の面）とが互いに平行に対向しているため、ＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐには、多層基板１０の加熱圧着時の圧力が均一に加わる。したがって、ＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐと複数の層間接続導体１５との接合信頼性を向上できる。
【００５３】  また、ＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐのある面（＋Ｚ方向の面）に、ＲＦＩＣ１３よりも平面視した面積が大きなセキュアＩＣ１１が平面視で重なるように配置されている。これにより、加熱圧着時におけるＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐのある面（＋Ｚ方向の面）とセキュアＩＣ１１との間の不均一な樹脂の流動が抑制され、ＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐと複数の層間接続導体１５との接合信頼性をさらに向上できる。
【００５４】  なお、セキュアＩＣ１１のように大きな内蔵部品と比較してＲＦＩＣ１３のような小さな内蔵部品は樹脂流動により動き易く傾きやすい傾向がある。また、ＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐのある面（＋Ｚ方向の面）側に、セキュアＩＣ１１における端子が存在しない平坦面が対向している。これにより、加熱圧着時におけるＲＦＩＣ１３の端子１４Ａ〜１４Ｐのある面（＋Ｚ方向の面）とセキュアＩＣ１１との間の不均一な樹脂の流動がより抑制される。
【００５５】  以上のように、導体パターン１６と、端子１２Ａ、端子１２Ｂ、端子１４Ａ〜１４Ｐとを電気的に接続するために、半田を塗布した層や半田バンプ等を設ける必要がないため、部品内蔵基板１を薄型にできる。
【００５６】  また、層間接続導体１５と、配線１８、導体パターン１６、端子１２Ａ、端子１２Ｂ、端子１４Ａ〜１４Ｐとの接合は、絶縁性樹脂フィルム１００〜１０５の加熱圧着時に同時に行うことができる。
【００５７】  次に、実施形態１に係る部品内蔵基板１の実装例について図４を用いて説明する。図４は、部品内蔵基板１を含む通信モジュール３００の回路ブロック図である。
【００５８】  通信モジュール３００は、部品内蔵基板１と実装基板２００とを備える。実装基板２００は、ＲＦ回路を実現する実装基板であり、ＲＦ回路を実現するための回路素子群が実装されている。また、実装基板２００には、部品内蔵基板１が実装されている。
【００５９】  ＲＦＩＣ１３は、実装基板２００のフィルタ素子２０１に接続され、セキュアＩＣ１１は、ＲＦＩＣ１３に接続されている。メモリ１１０は、セキュアＩＣ１１に内蔵され、セキュアＩＣ１１以外から直接読み書きされない。
【００６０】  ＲＦＩＣ１３は、高周波信号を処理するため、セキュアＩＣ１１に比べて、電磁波を放射しやすい。しかしながら、ＲＦＩＣ１３から＋Ｚ方向に放射された電磁波は、図１（Ｂ）に示すように、ＲＦＩＣ１３から＋Ｚ方向に配置されたセキュアＩＣ１１によって電磁シールドされることにより、セキュアＩＣ１１を貫通しにくく部品内蔵基板１の外に漏れにくい。また、セキュアＩＣ１１は、ＲＦＩＣ１３より面積が大きく、部品内蔵基板１の平面視において、ＲＦＩＣ１３を覆っているため、より効果的に電磁シールドできる。
【００６１】  なお、部品内蔵基板１は、セキュアＩＣ１１とＲＦＩＣ１３とを内蔵しているが、電磁波を放射しやすい部品を複数の実装電極１７の近くに配置し、電磁波を放射しにくい部品を複数の実装電極１７から遠くに配置する態様であっても構わない。この態様では、電磁波は、部品内蔵基板１の実装面側と反対側の外部に漏れにくい。
【００６２】  また、部品内蔵基板１の平面視において、ＲＦＩＣ１３は、すべてがセキュアＩＣ１１に覆われていたが、一部が重複される態様であってもかまわない。
【００６３】  なお、本実施形態においては、第１の内蔵部品および第２の内蔵部品としてそれぞれＲＦＩＣ１３とセキュアＩＣ１１を用いたが、これ以外の内蔵部品を用いることもできる。
【符号の説明】
【００６４】１…部品内蔵基板１０…多層基板１１…セキュアＩＣ１３…ＲＦＩＣ１２Ａ、１２Ｂ、１４Ａ〜１４Ｐ…端子１５…層間接続導体１６…導体パターン１７…実装電極１８…配線１００〜１０５…絶縁性樹脂フィルム１０６、１０７…空洞部１１０…メモリ２０１…フィルタ素子２００…実装基板３００…通信モジュール
【要約】  部品内蔵基板（１）は、熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを複数積層した多層基板（１０）の実装電極（１７）に近い層に位置し、電気的に接続される端子を備える第１の内蔵部品（１３）と、第１の内蔵部品（１３）が位置する層よりも実装電極（１７）から離れた層に位置し、電気的に接続される端子を備える第２の内蔵部品（１１）と、を備え、第１の内蔵部品（１３）の端子の数は、第２の内蔵部品（１１）の端子の数より多い。第１の内蔵部品（１３）及び第２の内蔵部品（１１）からの内部配線の多くは実装電極（１７）が備えられる実装面に向かう。しかしながら、第１の内蔵部品（１３）は、平面視において第２の内蔵部品（１１）より面積が小さく、第２の内蔵部品（１１）よりも実装面側に配置されているので、内部配線を引き回すスペースを多層基板（１０）の実装面側に確保することができる。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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