(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の発光量を検出する検出手段と、
初期光量制御処理において、前記検出手段で検出された発光量に基づいて、複数の発光素子のうちの基準発光素子の発光量が、予め定めた発光量となるように前記基準発光素子に印加する電圧を、基準電流に応じた電圧と前記基準発光素子の発光量に応じた電圧とに基づいて制御する第１制御手段と、
前記第１制御手段の制御により、前記基準発光素子の発光量が、前記予め定めた発光量となった際の前記基準発光素子に印加した電圧を基準電圧として記憶する第１記憶手段と、
前記基準電圧を印加した場合の前記基準発光素子の発光量と、前記第１記憶手段に記憶した前記基準電圧を印加させて前記複数の発光素子の各々を発光させた際の各発光素子の発光量との差または比に応じた第１電圧を発光素子毎に記憶する第２記憶手段と、
画像形成駆動時処理において、前記基準電流を前記複数の発光素子の数で除した値に応じた電圧と、前記第１電圧を前記複数の発光素子の数で除した値と、を加算して前記複数の発光素子毎に生成した参照電圧を各々印加させて前記複数の発光素子を同時に発光させて、
前記検出手段で検出した発光量に応じた電流を前記複数の発光素子の数で除した値と、前記第１電圧に応じた電流を前記複数の発光素子の数で除した値と、を加算して前記複数の発光素子毎に受光電流を算出し、当該受光電流に応じた電圧が前記参照電圧となるように前記複数の発光素子毎の発光量を同時に制御する第２制御手段と、
前記受光電流に応じた電圧が前記参照電圧となった際に前記複数の発光素子毎に印加した電圧を前記複数の発光素子の数で乗じることにより、前記複数の発光素子毎の駆動電圧を生成する生成手段と、
を備えた光量制御装置。
【請求項２】
前記第２制御手段は、画像データに基づいたライン毎に前記複数の発光素子毎の発光量を前記複数の発光素子毎に制御し、２ライン目以降は、１ライン目の制御により前記受光電流に応じた電圧が前記参照電圧となった際に各発光素子に印加した電圧を前記参照電圧として、受光電流に応じた電圧が前記参照電圧となるように前記複数の発光素子毎の発光量を制御する、
請求項１に記載の光量制御装置。
【請求項３】
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の発光量を制御する請求項１または請求項２に記載の光量制御装置と、
を備えた光走査装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光走査装置と、
前記光走査装置に備えられた複数の発光素子が画像データに基づいて発光したビームにより露光される感光体と、
を備えた画像形成装置。
【請求項５】
複数の発光素子の発光量を検出する検出手段と、
初期光量制御処理において、前記検出手段で検出された発光量に基づいて、前記複数の発光素子のうちの基準発光素子に基準電流に応じた電圧を印加させて発光させた際の発光量が、予め定めた発光量となるように制御する第１制御手段と、
前記第１制御手段の制御により、前記基準発光素子の発光量が、前記予め定めた発光量となった際の前記基準発光素子に印加した電圧を基準電圧として記憶する第１記憶手段と、
前記基準発光素子の発光量と、前記基準発光素子以外の発光素子に前記第１記憶手段に記憶した前記基準電圧を印加させて発光させた際の発光素子の発光量との差または比に応じた第１電圧を前記基準発光素子以外の発光素子毎に記憶する第２記憶手段と、
画像形成駆動時処理において、電圧を印加させて発光させた前記基準発光素子の発光量が、前記予め定めた発光量となるように制御する第２制御手段と、
前記基準電圧と、前記第２制御手段の制御により発光させた前記基準発光素子の発光量が前記予め定めた発光量となる際に印加した電圧と、の差または比に応じた補正値電圧を算出し、前記補正値電圧／前記基準電圧×前記第１電圧＋前記第１電圧を算出することにより補正した補正電圧を前記複数の発光素子毎に生成する補正電圧生成手段と、
前記第２制御手段の制御により発光させた前記基準発光素子の発光量が前記予め定めた発光量となる際に印加した電圧を前記補正電圧で補正した駆動電圧を前記複数の発光素子毎の駆動電圧として生成する駆動電圧生成手段と、
を備えた光量制御装置。
【請求項６】
複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の発光量を制御する請求項５に記載の光量制御装置と、
を備えた光走査装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光走査装置と、
前記光走査装置に備えられた複数の発光素子が画像データに基づいて発光したビームにより露光される感光体と、
を備えた画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光量制御装置、光走査装置、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、複数の光ビームの光量を検出する光検出手段と、前記光検出手段の検出光量に基づいて、前記光量が予め定めた目標光量となるように、前記複数の光ビームの光量を各々制御する光量制御手段と、前記光量制御手段による光量制御時に、前記複数の光ビームの本数が２n本か奇数本かに応じて、前記複数の光ビームの光量が前記目標光量に収束するように、前記複数の光ビームの点灯を制御する点灯制御手段と、を備えた光量制御装置が記載されている。
【０００３】
特許文献２には、複数の発光素子を有し複数本の光ビームを発生する光源から同時に出力される複数本の光ビームの光量の総和を検出する総光量検出手段と、前記光源の発光素子毎の発光強度のばらつきを予め調整する光強度バランス手段と、前記光強度バランス手段で発光強度のばらつきを調整された前記光源の複数の発光素子を同時に点灯し、点灯した前記光源の発光素子の発光量の総和を前記総光量検出手段により検出し、前記総光量検出手段の検出値に基づいて前記光源の発光素子の発光量の総和を調整する制御手段と、を備えた発光強度制御装置において、前記制御手段は、前記総光量検出手段により検出された総光量の検出値と基準値とを比較する比較手段と、前記比較手段の比較結果に基づいて前記光源の発光素子の光強度を設定する光強度設定手段と、を有し、前記光強度設定手段は、各発光素子の光強度を独立して設定することを特徴とする発光強度制御装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１４０４２１号公報
【０００５】
【特許文献２】特許第３５０３３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、基準発光素子に対して光量制御を行った基準電圧を用いて、他の発光素子の光量制御を行わない場合に比べて、光量制御時間を短縮すると共に、光量を制御する精度が向上する、光量制御装置、光走査装置、及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の光量制御装置は、発光素子の発光量を検出する検出手段と、初期光量制御処理において、前記検出手段で検出された発光量に基づいて、複数の発光素子のうちの基準発光素子の発光量が、予め定めた発光量となるように前記基準発光素子に印加する電圧を、基準電流に応じた電圧と前記基準発光素子の発光量に応じた電圧とに基づいて制御する第１制御手段と、前記第１制御手段の制御により、前記基準発光素子の発光量が、前記予め定めた発光量となった際の前記基準発光素子に印加した電圧を基準電圧として記憶する第１記憶手段と、前記基準電圧を印加した場合の前記基準発光素子の発光量と、前記第１記憶手段に記憶した前記基準電圧を印加させて前記複数の発光素子の各々を発光させた際の各発光素子の発光量との差または比に応じた第１電圧を発光素子毎に記憶する第２記憶手段と、画像形成駆動時処理において、前記基準電流を前記複数の発光素子の数で除した値に応じた電圧と、前記第１電圧を前記複数の発光素子の数で除した値と、を加算して前記複数の発光素子毎に生成した参照電圧を各々印加させて前記複数の発光素子を同時に発光させて、前記検出手段で検出した発光量に応じた電流を前記複数の発光素子の数で除した値と、前記第１電圧に応じた電流を前記複数の発光素子の数で除した値と、を加算して前記複数の発光素子毎に受光電流を算出し、当該受光電流に応じた電圧が前記参照電圧となるように前記複数の発光素子毎の発光量を同時に制御する第２制御手段と、前記受光電流に応じた電圧が前記参照電圧となった際に前記複数の発光素子毎に印加した電圧を前記複数の発光素子の数で乗じることにより、前記複数の発光素子毎の駆動電圧を生成する生成手段と、を備える。
【０００８】
請求項２に記載の光量制御装置は、請求項１に記載の光量制御装置において、前記第２制御手段は、画像データに基づいたライン毎に前記複数の発光素子毎の発光量を前記複数の発光素子毎に制御し、２ライン目以降は、１ライン目の制御により前記受光電流に応じた電圧が前記参照電圧となった際に各発光素子に印加した電圧を前記参照電圧として、受光電流に応じた電圧が前記参照電圧となるように前記複数の発光素子毎の発光量を制御する。
【０００９】
請求項３に記載の光走査装置は、複数の発光素子と、前記複数の発光素子の発光量を制御する請求項１または請求項２に記載の光量制御装置と、を備える。
【００１０】
請求項４に記載の画像形成装置は、請求項３に記載の光走査装置と、前記光走査装置に備えられた複数の発光素子が画像データに基づいて発光したビームにより露光される感光体と、を備える。
【００１１】
請求項５に記載の光量制御装置は、複数の発光素子の発光量を検出する検出手段と、初期光量制御処理において、前記検出手段で検出された発光量に基づいて、前記複数の発光素子のうちの基準発光素子に電圧を印加させて発光させた際の発光量が、予め定めた発光量となるように制御する第１制御手段と、前記第１制御手段の制御により、前記基準発光素子の発光量が、前記予め定めた発光量となった際の前記基準発光素子に印加した電圧を基準電圧として記憶する第１記憶手段と、前記基準発光素子の発光量と、前記基準発光素子以外の発光素子に前記第１記憶手段に記憶した前記基準電圧を印加させて発光させた際の発光素子の発光量との差または比に応じた第１電圧を前記基準発光素子以外の発光素子毎に記憶する第２記憶手段と、画像形成駆動時処理において、電圧を印加させて発光させた前記基準発光素子の発光量が、前記予め定めた発光量となるように制御する第２制御手段と、前記基準電圧と、前記第２制御手段の制御により発光させた前記基準発光素子の発光量が前記予め定めた発光量となる際に印加した電圧と、の差または比に応じた補正値電圧を算出し、前記補正値電圧／前記基準電圧×前記第１電圧＋前記第１電圧を算出することにより補正した補正電圧を前記複数の発光素子毎に生成する補正電圧生成手段と、前記第２制御手段の制御により発光させた前記基準発光素子の発光量が前記予め定めた発光量となる際に印加した電圧を前記補正電圧で補正した駆動電圧を前記複数の発光素子毎の駆動電圧として生成する駆動電圧生成手段と、を備える。
【００１２】
請求項６に記載の光走査装置は、複数の発光素子と、前記複数の発光素子の発光量を制御する請求項５に記載の光量制御装置と、を備える。
【００１３】
請求項７に記載の画像形成装置は、請求項６に記載の光走査装置と、前記光走査装置に備えられた複数の発光素子が画像データに基づいて発光したビームにより露光される感光体と、を備える。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６及び請求項７に記載の発明によれば、基準発光素子に対して光量制御を行った基準電圧を用いて、他の発光素子の光量制御を行わない場合に比べて、光量制御時間を短縮すると共に、光量を制御する精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施の形態に係る光走査装置の一例の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す光走査装置のレーザアレイの一例の構成を示す概略図である。
【図３】第１の実施の形態に係る画像形成装置の一例の概略構成を示す機能ブロック図である。
【図４】第１の実施の形態に係る駆動回路部の具体的一例の回路図である。
【図５】第１の実施の形態に係る光量制御装置における光量制御処理の流れの一例のフローチャートである。
【図６】第１の実施の形態に係る光量制御処理のタイミングチャートの一例である。
【図７】第１の実施の形態に係る初期ＡＰＣの流れの一例のフローチャートである。
【図８】第１の実施の形態に係る初期ＡＰＣにおける基準発光素子の光量フィードバック制御における電流の流れを示した回路図である。
【図９】第１の実施の形態に係るフィードバック制御を行う場合のＭＰＤの受光電流の電圧変換値と、時間との関係を説明するための説明図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る初期ＡＰＣにおける各発光素子の発光量のばらつきを含む電圧をホールドする際の電流の流れを示した回路図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る強制点灯を行った際の、発光素子ＣＨの発光量の具体的例を説明するための説明図である。
【図１２】第１の実施の形態に係る画像形成駆動時処理の流れの一例のフローチャートである。
【図１３】第１の実施の形態に係るＲＵＮ-ＡＰＣにおける、各発光素子ＣＨ毎の発光量を説明するための説明図である。
【図１４】第１の実施の形態に係る１ライン目のＲＵＮ-ＡＰＣにおける電流の流れを示した回路図である。
【図１５】第１の実施の形態に係るＲＵＮ-ＡＰＣの際の受光光量と、変調時の受光光量と、の関係を説明するための説明図である。
【図１６】第１の実施の形態に係る変調処理における電流の流れを示した回路図である。
【図１７】第１の実施の形態に係る駆動電位生成ブロックの具体的一例の回路図である。
【図１８】第１の実施の形態に係る１ライン目以外のＲＵＮ-ＡＰＣにおける電流の流れを示した回路図である。
【図１９】第２の実施の形態に係る画像形成装置の一例の概略構成を示す機能ブロック図である。
【図２０】第２の実施の形態に係るモジュールの一例の概略構成を示す機能ブロック図である。
【図２１】第２の実施の形態に係るフィードバック制御部の具体的一例の回路図である。
【図２２】第２の実施の形態に係る発光素子の発光量の具体的例を説明するための説明図である。
【図２３】第２の実施の形態に係る画像形成駆動時処理の流れの一例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１の実施の形態］
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。ここでは、具体的一例として複数の発光素子により発光されたレーザビーム（以下、単に「ビーム」という。）により感光体に対して走査露光を行う光走査装置、当該発光素子の光量をＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ：自動光量制御）制御する光量制御装置、及び当該光走査装置により感光体の走査露光が行われる画像形成装置に適用した場合について説明する。
【００１９】
まず、本実施の形態に係る光走査装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る光走査装置の一例の概略構成を示す平面図である。図１に示すように、この光走査装置１０は、複数（Ｎ個）の発光素子により複数のビームを出射する面発光型のレーザアレイ１２と、これら複数のビームを主走査方向に走査するポリゴンミラー２４と、を備えている。レーザアレイ１２は、回路基板１４に取り付けられている。なお、レーザアレイ１２は複数のビームを発生するが、図１では、簡略化のため１本のビームのみを図示している。
【００２０】
レーザアレイ１２には、図２に示すように、複数（Ｎ個）のレーザダイオード等の発光素子（ＣＨ）が２次元的に配置されている。以下では、これらのＣＨをＣＨ０〜ＣＨｎ−１といい、これらのＣＨの各々から出射されるビームを第０ビーム〜第ｎ−１ビームという。なお、個々の発光素子を区別する場合は、符号ＣＨの後に、個々の発光素子を識別する数字を付して説明し、個々を区別せずに総称する場合は、個々の発光素子を識別する数字の記載を省略する。また、発光素子に関して設けられたその他の構成部（例えば、後述する図３のモジュール４８等）についても、同様に総称する場合は、個々の発光素子を識別する数字の記載を省略する。
【００２１】
レーザアレイ１２から出射されたビームは、コリメータレンズ１６により略平行光とされる。ハーフミラー１８は、ビームの一部を分離して受光量を検出するための素子であるモニタフォトダイオード（ＭＰＤ）２０に導く。なお、レーザアレイ１２は、端面発光レーザとは異なり、共振器の後側からビーム（バックビーム）を出射することができない。そこで、光量制御用のモニター信号を得るために、レーザアレイ１２から出射されたビームの一部はハーフミラー１８により分離された後、上記のようにＭＰＤ２０に導かれる。
【００２２】
一方、ハーフミラー１８を通過したビームは、副走査方向にのみパワーを有するシリンドリカルレンズ２２によってポリゴンミラー２４の反射面近傍で主走査方向に長い線状に結像されてポリゴンミラー２４に入射される。
【００２３】
ポリゴンミラー２４は図示しないモータによって回転され、入射されたビームを主走査方向に偏向反射する。そして、ポリゴンミラー２４によって偏向反射されたビームは、主走査方向にのみパワーを有するｆθレンズ２６によって主走査方向において感光体６（図３参照）上に結像され、かつ当該感光体６上を略等速で移動するように結像される。
【００２４】
ｆθレンズ２６を通過したビームは、副走査方向にのみパワーを有するシリンドリカルミラー２８によって感光体６上で結像され、対応する色の画像信号に応じた静電潜像が感光体６上に形成される。
【００２５】
また、光走査装置１０は、ポリゴンミラー２４の各反射面での走査開始の同期を取る必要があるため、走査開始前のビームを反射するピックアップミラー３０と、ピックアップミラー３０で反射されたビームを検出する主走査同期センサ３２と、を備えており、主走査同期センサ３２から出力された主走査同期信号によって主走査方向の書き出しタイミングの同期が取られる。
【００２６】
つぎに、本実施の形態の光走査装置１０を備えた画像形成装置、及び光走査装置１０の発光素子ＣＨの光量を制御する光量制御装置について説明する。
【００２７】
図３に、本実施の形態に係る画像形成装置１の一例の概略構成を示す機能ブロック図を示す。本実施の形態の画像形成装置１は、画像形成制御部２及び画像形成制御部２から出力される画像データ信号や各種制御信号等に基づいて画像を形成する画像形成部４を備えて構成されている。
【００２８】
画像形成部４は、光走査装置１０及び光走査装置１０により走査露光される感光体６を備えて構成されている。
【００２９】
本実施の形態の光走査装置１０は、光量制御装置４０及び光量制御装置４０により発光量が制御されるＮ個の発光素子ＣＨを備えて構成されている。
【００３０】
本実施の形態の光量制御装置４０は、制御部４２、駆動回路部４４、及びＭＰＤを含んで構成されている。制御部４２は、光量制御装置４０全体を制御する機能を有するものであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）を含むメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）やフラッシュメモリ等から成る不揮発性の記憶部を有して構成されている。制御部４２は、駆動回路部４４に画像データ信号、主走査同期信号、及び制御信号等を出力し、駆動回路部４４に備えられたスイッチング素子ＳＷ（詳細後述）のオン・オフ等の制御を行う機能を有している。
【００３１】
駆動回路部４４は、全部（本実施の形態ではＮ個）の発光素子ＣＨに共通して設けられた１つの共通モジュール４６と、各発光素子ＣＨ毎に設けられたモジュール４８（４８０〜４８ｎ−１）を備えて構成されている。
【００３２】
本実施の形態の駆動回路部４４の具体的一例の回路図を図４に示す。駆動回路部４４は、基準電源５０、Ｖｒｅｆ×１／Ｎ参照電流生成ブロック５２、ＭＰＤ受光電流×１／Ｎ生成ブロック５４、１／Ｎ初期ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５６、１／Ｎ  ＲＵＮ−ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５８、ＲＵＮ−ＡＰＣ参照電流生成ブロック６０、ＲＵＮ−ＡＰＣ受光電流生成ブロック６２、駆動電位生成ブロック６４、ＡＰＣ−ＡＭＰ６６、オペアンプ６８、７０、７２、電位記憶部７４、７６、７８、７９、スイッチング素子ＳＷ１〜１５等を備えて構成されている。
【００３３】
共通モジュール４６に設けられた基準電源５０は、参照電流となる基準光量（基準光量に相当する電流、本実施の形態では、基準光量のＭＰＤ受光電流に相当）Ｖｒｅｆを供給する機能を有するものである。また、Ｖｒｅｆ×１／Ｎ参照電流生成ブロック５２は、基準光量Ｖｒｅｆの１／Ｎの電流を参照電流として生成する機能を有するものである。また、ＭＰＤ受光電流×１／Ｎ生成ブロック５４は、ＭＰＤの受光電流の１／Ｎの電流を生成する機能を有するものである。
【００３４】
モジュール４８に設けられた１／Ｎ初期ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５６は、初期ＡＰＣ（詳細後述）において、ＭＰＤの受光量の電圧Ｖｐｄと、基準発光素子ＣＨ０の発光量（目標光量）との差分に基づいて、１／Ｎ初期ＡＰＣ用差分電流を算出する機能を有するものである。１／Ｎ  ＲＵＮ−ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５８は、ＲＵＮ-ＡＰＣ用の差分電流を生成する機能を有するものである。ＲＵＮ−ＡＰＣ参照電流生成ブロック６０は、Ｖｒｅｆ×１／Ｎ参照電流生成ブロック５２により生成された電流、及び１／Ｎ初期ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５６により算出された電流に基づいて、ＲＵＮ-ＡＰＣ時の参照電流を生成する機能を有するものである。ＲＵＮ−ＡＰＣ受光電流生成ブロック６２は、ＭＰＤ受光電流×１／Ｎ生成ブロック５４により生成された電流、及び１／Ｎ  ＲＵＮ−ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５８により算出された電流に基づいてＲＵＮ-ＡＰＣ時の受光電流を生成する機能を有するものである。駆動電位生成ブロック６４は、電位記憶部７８に記憶された電位に基づいて発光素子ＣＨの駆動電位を生成する機能を有するものである。
【００３５】
ＡＰＣ−ＡＭＰ６６は、ＡＰＣの際に、参照電流とＭＰＤからの受光電流とが一致するようにフィードバック制御を行う機能を有するものであり、いわゆるオペアンプを用いている。
【００３６】
電位記憶部７４、７６、７８、７９は各々電位を記憶する機能を有しており、本実施の形態では、具体的一例としてサンプルホールドコンデンサ（以下、単にコンデンサという）Ｃ１〜４を用いているが、コンデンサＣに限定されるものではない。
【００３７】
スイッチング素子ＳＷ１〜１５は、各制御処理時（詳細後述）において、上述の各機能部に電流（電位）を供給するために制御部４２の制御によりオン・オフされる機能を有するものである。どのような素子により構成するかは特に限定されるものではなく、電流経路が切り替えられる素子であればよい。
【００３８】
次に本実施の形態の光量制御装置４０におけるＡＰＣ（光量制御）動作について詳細に説明する。なお、ここでは、具体的一例として発光素子ＣＨ０を基準発光素子とした場合について詳細に説明する。本実施の形態の光量制御装置４０における光量制御処理の流れの一例のフローチャートを図５に示す。また、光量制御処理のタイミングチャートの一例を図６に示す。本実施の形態では、主走査同期信号に基づいて、主走査信号のインターバルにおいて、光量制御を行う。
【００３９】
ステップ１０００では、初期光量制御処理（Ｉｎｉｔｉａｌ  ＡＰＣ、初期ＡＰＣという）を行う。画像形成の指示がなされると、まず初期ＡＰＣが実行され、基準発光素子ＣＨ０の光量のフィードバック制御及び、各発光素子ＣＨ１〜ｎ−１と、基準発光素子ＣＨ０と、の発光量（ＭＰＤの受光量）の差分にあたる差分電圧をホールドする処理が行われる。
【００４０】
次のステップ１００２では、画像データに基づいたライン毎に、画像形成駆動時処理（光量制御処理：ＲＵＮ-ＡＰＣ、変調処理）を行う。１ライン毎に画像形成前に画像形成領域以外の非画像形成領域においてＲＵＮ-ＡＰＣを行い、光量制御後に、変調処理を行い感光体６を走査露光する処理が行われる。
【００４１】
次のステップ１００４では、全ラインについてステップ１００２の処理が終了したか否かを判断する。まだ終了していないラインが残っている場合は、否定されてステップ１００２に戻り、画像形成駆動時処理を繰返す。一方、全ラインを終了した場合は、肯定されて本処理を終了する。
【００４２】
次に、各処理について詳細に説明する。
【００４３】
初期ＡＰＣ（図５ステップ１０００）について説明する。図７に初期ＡＰＣの流れの一例のフローチャートを示す。
【００４４】
まず、基準発光素子ＣＨ０の光量制御を行う。この際、スイッチング素子ＳＷ１、２、４、５、６がオン状態になる。また、ＳＷ３は端子ａに接続されオン状態になり、ＳＷ７は端子ｂに接続されオン状態になり、ＳＷ８は端子ａに接続されてオン状態になる。この場合の、電流の流れを図８の光量制御装置４０の回路図に太線で示す。
【００４５】
まず、参照電流＝基準光量Ｖｒｅｆとして基準発光素子ＣＨ０を点灯（ステップ２０００）させる。この際のＭＰＤの受光量（受光電流）に基づいて、ＡＰＣ−ＡＭＰ６６でフィードバック制御を行う（ステップ２００２）。ＭＰＤの受光量が目標光量（本実施の形態では、具体的一例として１ｍＷ）になったか否か判断し（ステップ２００４）、未だ目標光量になっていない場合は、否定されてステップ２００２に戻りフィードバック制御を繰返し、目標光量になった場合は、次の処理へ進む。フィードバック制御を行う場合のＭＰＤの受光電流の電圧変換値と、時間との関係を図９に示す。図９に示すように、フィードバック制御では、目標光量値に向かって徐々に近付く（収束する）。
【００４６】
なお、本実施の形態では、基準発光素子ＣＨ０の発光量（ＭＰＤの受光量）が目標光量になると、スイッチング素子ＳＷはが全てオフ状態になる。これにより、この際の基準発光素子ＣＨ０の駆動電圧Ｖｖ０が電位記憶部７４のコンデンサＣ１にホールドされる（ステップ２００６）。
【００４７】
次に、基準発光素子ＣＨ０と各発光素子ＣＨ１〜ｎ−１との発光量のばらつきを含む電圧をホールドする（ばらつきの有る各発光素子ＣＨ１〜ｎ−１の発光量を電位としてホールドする）処理を行う。この際、スイッチング素子ＳＷ９がオン状態になる。また、ＳＷ７は端子ａに接続されオン状態になる。この場合の、電流の流れを図１０の光量制御装置４０の回路図に太線で示す。
【００４８】
他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１のうちの１つに、電位記憶部７４のコンデンサＣ１にホールドされていた駆動電圧Ｖｖ０を印加させて強制点灯させる（ステップ２００８）。なお、本実施の形態では、このように基準発光素子ＣＨ０の駆動電圧を印加させて、その他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１を点灯させることを強制点灯という。強制点灯を行った際の、発光素子ＣＨの発光量の具体的例を図１１に示す。基準発光素子ＣＨ０では、発光量が１ｍＷであり、例えば１００μＡの電流が流れるとすると、発光素子ＣＨ１では、発光量が１．１ｍＷであり、０．１ｍＷ発光量が基準発光素子ＣＨ０よりも多く、受光電流は１０μＡ多い。また、発光素子ＣＨ２では、発光量が０．９ｍＷであり、０．１ｍＷ発光量が基準発光素子ＣＨ０よりも不足しており、受光電流は１０μＡ少ない。強制点灯させた際のＭＰＤの受光電流を負荷ＺによりＩ−Ｖ（電流−電圧）変換した電圧Ｖｐｄ、電位記憶部７９のコンデンサＣ４にホールドする（ステップ２０１０）。なお、さらに電位記憶部７９にホールドされた電圧Ｖｐｄと、基準発光素子ＣＨ０の発光量（ここでは、目標光量である１ｍＷ）に応じた電圧との差分に応じた光量差分電圧Ｖｓ（Ｖｓ＝１ｍＷに応じた電圧−Ｖｐｄ）を算出し（ステップ２０１２）、さらに光量差分電圧Ｖｓを１／Ｎ初期ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５６にホールドする（ステップ２０１４）ようにしてもよい。
【００４９】
基準発光素子ＣＨ０を除く全発光素子ＣＨ１〜ｎ−１に対してばらつきを有する電位がホールドされたかを判断し（ステップ２０１６）、まだ終了していない場合は、ステップ２００８〜ステップ２０１０の処理を基準発光素子ＣＨ０を除く全発光素子ＣＨ１〜ｎ−１に対して繰り返し、全発光素子ＣＨ１〜ｎ−１に対してばらつきを有する電位がホールドされたら本処理を終了する。
【００５０】
このように本実施の形態では、初期ＡＰＣでは、基準発光素子ＣＨ０のみフィードバック制御を伴う光量制御処理を行い、その他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１では、強制点灯させた際の基準発光素子ＣＨ０の発光量に対するばらつきを有する各発光素子の発光量に応じた電位が各発光素子毎にホールドされた状態になる。
【００５１】
次に、画像形成駆動時処理（図５ステップ１００２）について説明する。図１２に画像形成駆動時処理の流れの一例のフローチャートを示す。
【００５２】
本実施の形態の画像形成駆動時処理では、各ライン毎に、ＲＵＮ-ＡＰＣ、及び変調処理を行う。また、本実施の形態のＲＵＮ−ＡＰＣでは、全発光素子ＣＨの発光量の合計が目標光量（１ｍＷ）になるように、より具体的には、各発光素子ＣＨ毎の発光量が１／Ｎ×目標光量（１ｍＷ）となるように（図１３参照）フィードバック制御を行う。なお、１ライン目か、それ以外のラインかによりＲＵＮ-ＡＰＣの方法が異なっている。
【００５３】
そのため、本処理では、まず、１ライン目かを判断し（ステップ３０００）、１ライン目であれば、ＲＵＮ-ＡＰＣのために、まずスイッチング素子ＳＷ４、１０がオン状態になる。また、ＳＷ３は端子ａに接続されオン状態になり、ＳＷ１１は端子ａに接続されてオン状態になる。この場合の、電流の流れを図１４の光量制御装置４０の回路図に太線で示す。
【００５４】
１ライン目であれば、Ｖｒｅｆ×１／Ｎ参照電流生成ブロック５２で生成された基準光量Ｖｒｅｆを１／Ｎした電流と、１／Ｎ初期ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５６で生成された光量差分電圧Ｖｓに応じた電流の１／ＮとをＲＵＮ−ＡＰＣ参照電流生成ブロック６０で加算して、ＲＵＮ-ＡＰＣにおける参照電流を生成する（ステップ３００２）。さらに負荷ＺによりＩ−Ｖ変換し、ＡＰＣ−ＡＭＰ６６の非反転端子に入力される参照電位を生成する。スイッチング素子ＳＷ４がオン状態になり、当該参照電位により全発光素子ＣＨを点灯させる（ステップ３００４）。
【００５５】
さらに、スイッチング素子ＳＷ１２、１３がオン状態になる。また、ＳＷ７は端子ｃに接続されオン状態になり、ＳＷ８は端子ｂに接続されオン状態になる。ＭＰＤからの受光電流の流れを、参照電流の流れと同様に、図１４の光量制御装置４０の回路図に太線で示す。その後、ＭＰＤからの受光量をＭＰＤ受光電流×１／Ｎ生成ブロック５４で１／Ｎして算出した各発光素子ＣＨ毎に割当てられた電流と、１／Ｎ初期ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５６で算出された光量差分電圧Ｖｓに応じた電流と、に基づいてＲＵＮ−ＡＰＣ受光電流生成ブロック６２でＲＵＮ-ＡＰＣの際の受光電流を生成する。生成された受光電流は負荷ＺによりＩ−Ｖ変換されて受光電位となり、受光電位がＡＰＣ−ＡＭＰ６６の反転端子に入力される。さらに、受光電位が参照電位になるようにＡＰＣ−ＡＭＰ６６でフィードバック制御され（ステップ３００６）、受光電位＝参照電位となるまで当該フィードバック制御が繰り返される（ステップ３００８）。
【００５６】
なお、この受光電位＝参照電位とするためのフィードバック制御は、全発光素子ＣＨ同時に実行され、それぞれが収束するまで行われる。当該フィードバック制御により、電位記憶部７８のコンデンサＣ３に発光素子の駆動電位（ＡＰＣ駆動電位）Ｖａｐｃがホールドされる（ステップ３０１８）。
【００５７】
全発光素子ＣＨにおいて受光電位＝参照電位となったら、スイッチング素子ＳＷ７、８、１２、１３がオフ状態になる。これにより、電位記憶部７８のコンデンサＣ３にホールドされたＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃが電位記憶部７６のコンデンサＣ２にホールドされた状態になる（ステップ３０２０）。
【００５８】
このようにしてＲＵＮ-ＡＰＣが終了し、受光電位＝参照電位とした後、変調処理（画像を形成するため、画像データに基づいて感光体６の画像形成領域を走査露光する際の処理）を行う。なお本実施の形態では、変調処理では、具体的には、図１５に示すように、ＲＵＮ-ＡＰＣの際には、１／Ｎの光量を参照光量としたため、変調時の光量がＲＵＮ-ＡＰＣの際の受光光量のＮ倍になるように、ＡＰＣ駆動電位ＶａｐｃをＮ倍した駆動電位Ｖを各発光素子ＣＨ毎に生成して、当該駆動電位Ｖを印加させて各発光素子ＣＨを発光させる。これにより、全発光素子ＣＨの発光量が同一になる。
【００５９】
具体的には、全発光素子ＣＨ同時に、スイッチング素子ＳＷ１４、１５をオン状態にし、電位記憶部７８のコンデンサＣ３にホールドされたＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃを、駆動電位生成ブロック６４でＮ倍にして駆動電位Ｖを生成し（ステップ３０２２）、発光素子ＣＨに印加させる。この際の電流の流れを、図１６の光量制御装置４０の回路図に太線で示す。また、駆動電位生成ブロック６４の具体的一例の回路図を図１７に示す。
【００６０】
本実施の形態の駆動電位生成ブロック６４は、オペアンプ８０、カレントミラー回路８２、負荷Ｚ、及びコンデンサＣ５を含んで構成されている。ＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃはカレントミラー回路８２によりＮ倍され、負荷ＺでＩ−Ｖ変換されて駆動電圧ＶとなりコンデンサＣ５にホールドされる。なお、コンデンサＣ５は電位記憶手段の具体的一例であり、コンデンサ（サンプルホールドコンデンサ）に限らずともよい。
【００６１】
１ライン分のＲＵＮ-ＡＰＣ、及び変調処理が終了すると、全ライン分終了したか否か判断し（ステップ３０２４）、終了して入れば本処理を終了し、終了していない場合は、ステップ３０００に戻り、１ライン目以外のＲＵＮ-ＡＰＣ処理、及び変調処理を行う。
【００６２】
ＲＵＮ-ＡＰＣのために、ＳＷ３は端子ｂに接続されオン状態になり、ＳＷ１１は端子ｂに接続されてオン状態になる。この場合の、電流の流れを図１８の光量制御装置４０の回路図に太線で示す。
【００６３】
電位記憶部７６のコンデンサＣ２にホールドされているＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃが参照電位として、ＡＰＣ−ＡＭＰ６６の非反転端子に入力される（ステップ３０１０）。スイッチング素子ＳＷ４がオン状態になり、当該参照電位により全発光素子ＣＨを点灯させる（ステップ３０１２）。
【００６４】
さらに、スイッチング素子ＳＷ１２、１３がオン状態になる。また、ＳＷ７は端子ｃに接続されオン状態になり、ＳＷ８は端子ｂに接続されオン状態になる。ＭＰＤからの受光電流の流れを、参照電流の流れと同様に、図１８の光量制御装置４０の回路図に太線で示す。その後、１／Ｎ  ＲＵＮ−ＡＰＣ用差分電流算出ブロック５８で基準発光素子ＣＨ０の電位記憶部７６のコンデンサＣ２にホールドされている電位（基準発光素子ＣＨ０のＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃ）と、各発光素子ＣＨ自身の電位記憶部７６のコンデンサＣ２に記憶されている電位（各発光素子自身のＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃ）との差分に応じて生成された差分電流を生成し、生成した差分電流と、ＭＰＤからの受光量をＭＰＤ受光電流×１／Ｎ生成ブロック５４で１／Ｎして算出した各発光素子ＣＨ毎に割当てられた電流と、に基づいてＲＵＮ−ＡＰＣ受光電流生成ブロック６２でＲＵＮ-ＡＰＣの際の受光電流を生成する。生成された受光電流は負荷ＺによりＩ−Ｖ変換されて受光電位となり、受光電位がＡＰＣ−ＡＭＰ６６の反転端子に入力される。さらに、受光電位が参照電位になるようにＡＰＣ−ＡＭＰ６６でフィードバック制御され（ステップ３０１４）、受光電位＝参照電位となるまで当該フィードバック制御が繰り返される（ステップ３０１６）。なお、当該フィードバック制御は、１ライン目と同様である。当該フィードバック制御により、電位記憶部７８のコンデンサＣ３に発光素子の駆動電位（ＡＰＣ駆動電位）Ｖａｐｃが再びホールドされる（ステップ３０１８）。
【００６５】
全発光素子ＣＨにおいて受光電位＝参照電位となったら、スイッチング素子ＳＷ７、８、１２、１３がオフ状態になる。これにより、電位記憶部７８のコンデンサＣ３にホールドされたＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃが電位記憶部７６のコンデンサＣ２に再びホールドされた状態になる（ステップ３０２０）。
【００６６】
このようにしてＲＵＮ-ＡＰＣが終了し、受光電位＝参照電位とした後、変調処理を１ライン目と同様に実行する。
【００６７】
以上説明したように、本実施の形態では、初期ＡＰＣでは、基準発光素子ＣＨ０のみを参照電位Ｖｒｅｆを印加させて発光させ、ＭＰＤからの受光量に基づいてＡＰＣ−ＡＭＰ６６で参照電位＝受光量（受光電位）となるようにフィードバック制御し、その他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１は、参照電位＝受光電位となった際の基準発光素子ＣＨ０の駆動電圧Ｖｖ０で強制点灯させた際の発光量の、基準発光素子ＣＨ０の発光量（ここでは目標光量１ｍＷ）に対するばらつきを含む電位をホールドしておく。
【００６８】
このように、本実施の形態の初期ＡＰＣでは、基準発光素子ＣＨ０のみ、フィードバック制御を行い、他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１は、強制点灯を行いフィードバック制御を行わないので、光量制御処理に係る時間が短縮される。
【００６９】
また画像形成駆動時処理ではＲＵＮ-ＡＰＣと変調処理を行う。ＲＵＮ-ＡＰＣでは、１ライン目は、全発光素子ＣＨの発光量の合計が目標発光量（１ｍＷ）になるように、参照電位を生成し、全発光素子ＣＨを同時に点灯させて、ＭＰＤの受光量と、初期ＡＰＣの際にホールドした各発光素子ＣＨ毎の発光量のばらつきＶｓとから、各発光素子ＣＨに割り当てられた受光量を算出し、参照電位＝受光量（受光電位）となるようにフィードバック制御を全発光素子ＣＨ同時に行う。さらに、参照電位＝受光電位となった際の各発光素子ＣＨに印加したＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃをホールドしておくと共にＡＰＣ駆動電位Ｖａｐｃを各発光素子ＣＨ毎に、次ライン用の駆動電位としてホールドしておく。また、１ライン目以降は、ホールドされている次ライン用の駆動電位を参照電位とし、１ライン目と同様に、参照電位＝受光電位となるようにフィードバック制御を全発光素子ＣＨ同時に行う。
【００７０】
また、変調処理は、ＡＰＣ駆動電位ＶａｐｃをＮ倍した駆動電位Ｖを各発光素子ＣＨ毎に生成し、発光素子ＣＨに印加させて、発光させる。
【００７１】
このように本実施の形態の画像形成駆動時処理のＲＵＮ-ＡＰＣでは、全発光素子ＣＨを同時に発光させ、発光量の合計が目標光量となるように、フィードバック制御するため、１つの発光素子ＣＨあたりの制御光量が少なくなるため、フィードバック制御に係る時間が短縮されると共に、ＡＰＣ制御時のＭＰＤの受光量が少なくなるため、発光素子ＣＨの発光量が目標光量よりも多分に多い場合でも、受光量が多くなりすぎてＭＰＤが飽和してしまう等の問題が抑制される。また、全発光素子が目標光量の１／Ｎとなる同量の光量を目標値としているため、フィードバックの収束時間のばらつきが抑えられ、よりフィードバック制御に係る時間が短縮される。
【００７２】
従って、本実施の形態の光量制御装置４０は、光量制御時間を短縮すると共に、光量を制御する精度が向上する。また、ＲＵＮ−ＡＰＣの際の光量制御時間が短縮されるため、ライン毎の変調時間（画像形成時間）が、長時間確保される。
【００７３】
なお、本実施の形態では、初期ＡＰＣにおいて、各発光素子の発光量のばらつきとして、差分を算出してるが、これに限らず、基準発光素子ＣＨ０の発光量と、各発光素子の発光量との比によりばらつきを得るようにしてもよい。
【００７４】
また、本実施の形態では、ＲＵＮ-ＡＰＣにおいて、全発光素子ＣＨの発光量の合計が目標光量となるように光量制御しているがこれに限らず、発光量の合計よりも少なく、ＭＰＤの性能やＡＰＣ−ＡＭＰ６６等の性能を考慮したフィードバック制御が可能となる光量であれば、特に限定されない。なお、本実施の形態のように全発光素子ＣＨの発光量の合計が目標光量となるように光量制御する場合は、回路構成等が簡易になる等の利点があるため、好ましい。
【００７５】
［第２の実施の形態］
【００７６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。なお、本実施の形態は、第１の実施の形態と略同様の構成、動作を含むため、同一部分には、同一符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００７７】
本実施の形態の光走査装置１０の概略構成は第１の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。図１９本実施の形態の画像形成装置１０１の一例の概略構成を示す機能ブロック図を示す。本実施の形態の画像形成装置１０１は、画像形成制御部１０２及び画像形成制御部１０２から出力される画像データ信号や各種制御信号等に基づいて画像を形成する画像形成部１０４を備えて構成されている。画像形成部１０４は、光走査装置１１０及び感光体１０６を備えて構成されている。
【００７８】
本実施の形態の光走査装置１１０は、光量制御装置１４０及び光量制御装置１４０により発光量が制御されるＮ個の発光素子ＣＨを備えて構成されている。なお、本実施の形態の光量制御装置１４０と第１の実施の形態の光量制御装置４０とでは、初期ＡＰＣでは、略同様に動作する一方、画像形成駆動時処理が異なっているため、当該処理にかかる構成が異なっている。本実施の形態の駆動回路部１４４は、各発光素子毎に、モジュール１４８を備えて構成されている。
【００７９】
本実施の形態のモジュール１４８の一例の概略構成を示す機能ブロック図を図２０に示す。本実施の形態のモジュール１４８は、フィードバック制御部１５０、発光量差分電位生成部１５２、差分電位記憶部１５４、補正電圧生成部１５６、補正差分電圧生成部１５８、及び駆動電位生成部１６０を含んで構成されている。
【００８０】
本実施の形態のフィードバック制御部１５０は、発光素子ＣＨの発光量（ＭＰＤからの受光量）が、目標光量となるようにフィードバック制御を行うと共に、目標光量となった際の発光素子ＣＨの駆動電位Ｖｖｏをホールドする機能を有するものである。フィードバック制御部１５０の具体的一例の回路図を図２１に示す。フィードバック制御部１５０は、ＡＰＣ−ＡＭＰ１、オペアンプ１７０、電位記憶手段１７４、電位記憶手段１７８、及びスイッチング素子ＳＷ１０４、１０９を備えて構成されている。
【００８１】
ＡＰＣ−ＡＭＰ１６６の非反転端子には目標光量（ここでは、１ｍＷ）となる基準光量の電位Ｖｒｅｆが参照電位として入力される。ＳＷ１０４がオン状態になると、発光素子ＣＨに電圧が印加され、発光素子ＣＨが発光する。これによりＭＰＤから受光量に基づいた受光電流がＡＰＣ−ＡＭＰ１６６の反転端子に入力される。ＡＰＣ−ＡＭＰ１６６は、参照電位＝目標光量（１ｍＷ）となるようにフィードバック制御を行う機能を有している。電位記憶手段１７８は、参照電位＝目標光量（１ｍＷ）となった際に発光素子ＣＨに印加された駆動電位Ｖｖ０をホールドする機能を有しており、本実施の形態では、具体的一例としてコンデンサＣ１０３を用いている。また、この際にＳＷ１０９がオン・オフされることにより、電位記憶手段１７４のコンデンサＣ１０１に駆動電位Ｖｖ０がホールドされる。
【００８２】
発光量差分電位生成部１５２は、駆動電位Ｖｖ０で発光させた基準発光素子ＣＨ０の発光量と、駆動電位Ｖｖ０で発光させた基準発光素子以外の発光素子ＣＨ０１〜ｎ−１の発光量と、の差分に相当する差分電位Ｖｓを生成する機能を有するものであり、差分電位記憶部１５４は、発光量差分電位生成部１５２により生成された差分電位Ｖｓを記憶する機能を有するものであり、具体的には、他の電位記憶部と同様にサンプルホールドコンデンサを用いている。
【００８３】
補正値電圧生成部１５６は、電位を記憶するコンデンサ等の経時変化等により変動した駆動電位Ｖｖ０の補正値電圧Ｖｈを生成する機能を有するものである。補正差分電圧生成部１５８は、補正電圧生成部１５６で生成した補正値電圧Ｖｈに基づいて、各発光素子の差分電位Ｖｓを補正した補正差分電圧Ｖｈｓを生成する機能を有するものである。駆動電位生成部１６０は、補正差分電圧生成部１５８で生成した補正差分電圧Ｖｈｓと、駆動電位Ｖｖ０と、に基づいて各発光素子ＣＨの駆動電位Ｖを生成する機能を有するものである。
【００８４】
次に本実施の形態の光量制御装置１４０におけるＡＰＣ（光量制御）動作について詳細に説明する。なお、ここでは、第１の実施の形態と同様に、具体的一例として発光素子ＣＨ０を基準発光素子とした場合について詳細に説明する。本実施の形態の光量制御装置１４０における光量制御処理全体の流れ（図５参照）、及びタイミング（図６参照））は第１の実施の形態と略同様であるため説明を省略する。
【００８５】
また、本実施の形態の初期ＡＰＣの動作は、第１の実施の形態の初期ＡＰＣの処理の流れ（図７参照）と略同様である。基準発光素子ＣＨ０を発光させて、フィードバック制御部１５０で受光量＝目標光量（１ｍＷ）となるように、制御し（図７、ステップ２０００〜２００４）、この先の基準発光素子の駆動電圧Ｖｖｏを電位記憶手段１７４のコンデンサＣ１０１及び電位記憶手段１７８のコンデンサＣ１０３にホールドする（図７、ステップ２００６）。なお、本実施の形態では、電位記憶手段１７４にホールドされた電圧は、駆動電圧Ｖｖ０で基準発光素子を発光させた際のＭＰＤの受光量（受光電位）Ｖｐ０に相当している。
【００８６】
他の発光素子を駆動電圧Ｖｖ０で強制点灯させ、発光量差分電位生成部１５２で、各発光素子の発光量（ＭＰＤの受光量）Ｖｐｄと、基準発光素子ＣＨ０の受光量Ｖｐｄ０との差分電位Ｖｓを生成し、差分電位記憶部１５４にホールドする処理を全発光素子に対して行う（図７、ステップ２００８〜ステップ２０１６）。
【００８７】
強制点灯を行った際の、発光素子ＣＨの発光量の具体的例を図２２に示す。初期ＡＰＣでは、図２２に示すように、各発光素子ＣＨ毎に、発光量の差に基づく差分電位Ｖｓがホールドされた状態になる。
【００８８】
このように本実施の形態においても第１の実施の形態と同様に、初期ＡＰＣでは、基準発光素子ＣＨ０のみフィードバック制御を伴う光量制御処理を行い、その他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１では、強制点灯させた際の基準発光素子ＣＨ０の発光量に対するばらつきを有する各発光素子の発光量に応じた電位が各発光素子毎にホールドされた状態になる。
【００８９】
次に、本実施の形態の画像形成駆動時処理（図５、ステップ１００２）について説明する。図２３に画像形成駆動時処理の流れの一例のフローチャートを示す。
【００９０】
本実施の形態の画像形成駆動時処理では、各ライン毎に、ＲＵＮ-ＡＰＣ、及び変調処理をおこなう。また、本実施の形態のＲＵＮ−ＡＰＣでは、電位をホールドするコンデンサの経時変化による容量の変化等や発光素子ＣＨ０の温度変化等により、基準発光素子ＣＨ０の駆動電圧Ｖｖ０が初期ＡＰＣ時と変化している場合があるため、当該変化量を補正値電圧として求める。一般的に、発光素子ＣＨは、環境変化に対して同じ変化をする特性を持つと考えられるため、その他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１についても同様の経時変化に基づく変化が生じているとみなして、基準発光素子ＣＨ０により得られた補正値電圧により差分電圧Ｖｓを補正する処理を行う。さらに、変調処理では、補正した差分電圧（補正差分電圧Ｖｈｓ）により発光素子ＣＨの駆動電位Ｖを生成する処理を行う。
【００９１】
まず、参照電位＝基準光量の電位Ｖｒｅｆを印加させて基準発光素子ＣＨ０を点灯させる（ステップ４０００）。ＭＰＤの受光量に基づいて、フィードバック制御し（ステップ４００２）、受光量＝目標光量（１ｍＷ）となるまで繰り返す（ステップ４００４）。
【００９２】
受光量＝目標光量となった際の、基準発光素子ＣＨ０の駆動電圧Ｖｖ０ｒｕｎをホールドし（ステップ４００６）、初期ＡＰＣの際の駆動電圧Ｖｖ０と駆動電圧Ｖｖ０ｒｕｎとの差分を補正値電圧Ｖｈとして算出する（ステップ４００８）。
【００９３】
さらに補正値電圧Ｖｈに基づいて、各発光素子ＣＨ１〜ｎ−１の光量差分電圧Ｖｓを補正し、補正差分電圧Ｖｈｓを算出する（ステップ４０１０）。具体的には、Ｖｈｓ＝Ｖｈ／Ｖｖ０×Ｖｓ＋Ｖｓにより算出する。補正差分電圧Ｖｈｓは、各発光素子ＣＨ１〜ｎ−１に対して行う。
【００９４】
さらに変調処理では、補正差分電圧Ｖｈｓに基づいて、各発光素子ＣＨの駆動電位Ｖを生成する（ステップ４０１２）。具体的には、基準発光素子では、Ｖ＝Ｖｖ０であり、その他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１では、Ｖ＝Ｖｖ／（Ｖｖ印加時のＭＰＤ受光電位＋Ｖｈｓ）となる。これらの処理を全ラインにつて繰返し行い、全ラインについて終了したら本処理を終了する（ステップ４０１４）。
【００９５】
以上説明したように、本実施の形態では、初期ＡＰＣでは、基準発光素子ＣＨ０のみを参照電位Ｖｒｅｆを印加させて発光させ、ＭＰＤからの受光量に基づいてＡＰＣ−ＡＭＰ１６６で参照電位＝受光量（受光電位）となるようにフィードバック制御し、その他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１は、参照電位＝受光電位となった際の基準発光素子ＣＨ０の駆動電圧Ｖｖ０で強制点灯させた際の発光量の、基準発光素子ＣＨ０の発光量（ここでは目標光量１ｍＷ）に対するばらつきを含む電位をホールドしておく。
【００９６】
このように、本実施の形態の初期ＡＰＣでは、基準発光素子ＣＨ０のみ、フィードバック制御を行い、他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１は、強制点灯を行いフィードバック制御を行わないので、光量制御処理に係る時間が短縮される。
【００９７】
このように本実施の形態の画像形成駆動時処理のＲＵＮ-ＡＰＣでは、基準発光素子ＣＨ０のみ目標光量となるようにフィードバック制御を行い、経時変化等を考慮した駆動電圧Ｖｓの変化量を示す補正値電圧Ｖｈを算出し、その他の発光素子ＣＨ１〜ｎ−１については、同様の変化が生じているとみなして、初期ＡＰＣでホールドした光量差分電圧Ｖｓを補正値電圧Ｖｈに基づいて補正する。従って、基準発光素子ＣＨ０のみフィードバック制御を行うため、フィードバック制御に係る時間が短縮される。
【００９８】
従って、本実施の形態の光量制御装置１４０は、光量制御時間を短縮すると共に、光量を制御する精度が向上する。また、ＲＵＮ−ＡＰＣの際の光量制御時間が短縮されるため、ライン毎の変調時間（画像形成時間）が、長時間確保される。
【００９９】
なお、上述の第１の実施の形態及び第２の実施の形態では、基準発光素子を発光素子ＣＨ０としているがこれに限らず、その他の発光素子ＣＨを用いてもよい。なお、基準となるのは、複数の発光素子の中でも最も標準的な光量、電流量であることが好ましい。また、毎回同じ発光素子ＣＨを基準とするのではなく、その時に応じて、最も好ましいものを選択するようにしてもよい。例えば、制御部４２（制御部１４２）の記憶部に標準的な光量（理想値）を記憶させておき、当該標準的な光量に最も近いものを基準としたり、全発光素子ＣＨを発光させた際の平均値の光量に最も近いものを基準としたりしてもよい。
【符号の説明】
【０１００】
１、１０１  画像形成装置
１０、１１０  光走査装置
４０、１４０  光量制御装置
【図１】
0005707759.tif 000002
【図２】
0005707759.tif 000003
【図３】
0005707759.tif 000004
【図４】
0005707759.tif 000005
【図５】
0005707759.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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