(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された複数の下地層と、前記下地層上に形成された磁性層と、基板と磁性層の間の任意の位置に形成されたヒートシンク層を少なくとも有する磁気記録媒体であって、前記ヒートシンク層はＣｕを主成分として含み、かつ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｃｏから成る第一添加元素群から選択された元素を1つ以上含み、さらにＺｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉから成る第二添加元素群から選択された元素を少なくとも1つ以上含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
第一添加元素群の元素を０．１〜５ａｔ％含むことを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】
第二添加元素群の元素を０．１〜３ａｔ％含むことを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項４】
複数の下地層のうち、少なくとも１層がＣｒ、Ｐｔ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＴｉＣ、ＴｉＮからなる群から選択された物質であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
磁性層が、Ｌ１０構造を有する合金を主成分として含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置において、前記磁気記録媒体が請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は熱アシスト磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報化社会の進展により、ハードディスク装置には更なる高記録密度が求められている。このハードディスクの高記録密度化を実現するには、磁気記録媒体のノイズ低減が必要であるが、このノイズ低減には磁化遷移幅を狭くすることが求められる。そのためには媒体中の磁性結晶粒子サイズを小さくすることが考えられる。しかし、ノイズ低減のために磁性粒子サイズを小さくすると、ＫｕＶ／ｋＴ（Ｋｕ：磁気異方性定数、Ｖ：粒子体積、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：温度）で表される熱ゆらぎが悪化する。
【０００３】
一方、熱ゆらぎを向上させるには、Ｋｕの高い材料の選択が考えられるが、一般にＫｕはＨｃに比例するため、飽和記録が困難となる。これらのことから、ノイズ低減と熱ゆらぎ、飽和記録の３つを同時に改善することができない。
【０００４】
この問題に対して、熱アシスト磁気記録が盛んに研究されている。熱アシスト磁気記録は、記録時に一時的に記録領域を局所加熱し、室温では高いＫｕを下げて、書き込みしやすい状態を作り出し記録する方式である。高Ｋｕ材料としては、Ｋｕ＝７×１０７ｅｒｇ／ｃｃを示し、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔが注目されている。
【０００５】
熱アシスト磁気記録では媒体表面の加熱時、記録領域だけでなくその隣接領域も同時に加熱されてしまうため、この隣接領域のＫｕが低下し、熱ゆらぎが起こりやすくなる。また、記録後、記録領域が熱を保持したままであると熱ゆらぎが発生する可能性がある。そのため、熱アシスト媒体には、磁性層に溜まった熱を速やかに散逸させるヒートシンク層が導入されている。ヒートシンク層は熱伝導率の高い材料で構成されており、磁気ヘッドでの記録後、磁性層の熱をすばやく吸収し冷却することができる。
【０００６】
ヒートシンク層の導入位置は、記録後磁性層から熱を速やかに取り除くために磁性層直下、或いは近傍が望ましいが、ヒートシンク層の結晶配向や表面形状が磁性層の結晶配向や結晶粒径、ヘッドの浮上性に影響するため、ヒートシンク層材料の選定や成膜条件の最適化などが重要である。また、ヒートシンク層と磁性層の間に中間層を設けて、結晶配向、粒径を制御することも考えられる。
【０００７】
ハードディスクドライブにおいて、高密度記録を達成するための方法として磁気ヘッドと磁気記録媒体のスペーシングを低減することが挙げられる。このヘッドメディアスペーシングの低減は、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）の向上やビットエラーレートの改善に繋がるため非常に重要である。
【０００８】
このスペーシングを調整、設定する方法として、磁気ヘッドのヒーターパワーを上げて磁気ヘッドを媒体に接近させて、その浮上が不安定化し、ヒーターパワーがあるしきい値を超えたときのそのパワー、いわゆるタッチダウンパワー（ＴＤＰ、Touch Down heater power）の測定が挙げられる。このヒーターパワーを高くできるということは、磁気ヘッドがより媒体に近づけることを表しており、ヘッドメディアスペーシングを低減できる高いタッチダウンパワーを示す媒体が求められている。
【０００９】
ヒートシンク層の組成について、例えば、特許文献１には、磁気記録媒体にＣｕＺｒとＡｇＰｄから成るヒートシンク層を用いることで高い熱伝導率と良好な機械特性を両立できると記載されている。また、特許文献２には、磁気記録媒体にＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、ＡｕＣｕ、ＰｔＡｕ、ＡｕＡｇなどの膜やＡｕ３Ｃｕ、ＡｕＣｕ３等の規則相膜を適用することができると示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許公開公報第２００７−００２６２６３号
【特許文献２】特開２００８−５２８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ヒートシンク層の材料選択は、熱アシスト磁気記録媒体の特性に大きな影響力を持つが、一般に、ヒートシンク層には高い熱散逸性が求められるため、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのような熱伝導率の高い材料が主に使用されている。しかし、これらの金属が薄膜化された場合、加熱などにより融点より低い温度でも原子の移動が起こり凝集する。そのため、磁気記録媒体の表面形状やその磁性層の結晶配向、腐食耐性を悪化させる。
【００１２】
一方、特許文献１に記載されているＣｕＺｒのような合金からなるヒートシンク層は、ある程度Ｃｕの凝集を抑えることが可能だが、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの面記録密度を有する媒体を達成するには、表面平坦性やヘッドメディアスペーシングを更に改善する必要がある。
【００１３】
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、表面平坦性が高く、高いタッチダウンパワーを示す熱アシスト記録媒体、並びに、そのような熱アシスト磁気記録媒体を備えた大容量の磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の特徴を有する磁気記録媒体を提供する。
【００１５】
（１）  基板と、前記基板上に形成された複数の下地層と、前記下地層上に形成された磁性層と、基板と磁性層の間の任意の位置に形成されたヒートシンク層を少なくとも有する磁気記録媒体であって、前記ヒートシンク層はＣｕを主成分として含み、かつ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｃｏから成る第一添加元素群から選択された元素を1つ以上含み、さらにＺｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉから成る第二添加元素群から選択された元素を少なくとも1つ以上含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（２）  第一添加元素群の元素を０．１〜５ａｔ％含むことを特徴とする（１）の磁気記録媒体。
（３）  第二添加元素群の元素を０．１〜３ａｔ％含むことを特徴とする（１）の磁気記録媒体。
（４）  複数の下地層のうち、少なくとも１層がＣｒ、Ｐｔ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＴｉＣ、ＴｉＮからなる群から選択された物質であることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）  磁性層が、Ｌ１０構造を有する合金を主成分として含むことを特徴とする請求項（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）  磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドから出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置において、前記磁気記録媒体が（１）〜（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、表面平坦性が高く、高いタッチダウンパワーを示す熱アシスト記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施例１、比較例１において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図２】実施例２、比較例２において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図３】実施例３において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図４】実施例４において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
これより本発明を、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００１９】
熱アシスト磁気記録媒体の基板は、円形非磁性基板を用いることができる。材料は、ガラス、アルミ、セラミックスなどを任意に用いることができるが、５００度付近までの加熱に耐えられる耐熱性のある基板が求められる。基板の選択には、耐熱性だけでなく、その表面粗さや熱容量、結晶化状態などを考慮することが必要である。
【００２０】
下地層は、Ｃｒ、Ｐｔ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＴｉＣ、ＴｉＮなどを用いることができる。例えば、下地層に（１００）配向面を作れば、その上部がＬ１０−ＦｅＰｔやＬ１０−ＣｏＰｔのような磁性層である場合、エピタキシャル成長により、磁性層に（００１）配向をとらせることができる。
【００２１】
本発明を適用した磁気記録媒体のヒートシンク層は、Ｃｕを主成分として含み、かつ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｃｏから成る第一添加元素群から選択された元素を1つ以上含み、さらにＺｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉから成る第二添加元素群から選択された元素を少なくとも1つ以上含むことを特徴とする。
【００２２】
Ｃｕに第一添加元素群と第二添加元素群から選択される元素を添加したヒートシンク層を形成することで、Ｃｕの凝集を抑制することができ、磁気記録媒体の表面平坦性やタッチダウンパワーを改善することができる。
【００２３】
Ｃｕヒートシンク層の導入位置は、設計に応じて選択できる。Ｃｕは（１１１）配向をとりやすいため、（００１）配向が求められるＦｅＰｔから成る磁性層の直下に置くことは、結晶配向の悪化に繋がる。そのため、Ｃｕヒートシンク層上には、配向制御層などの中間層を導入することが望ましい。しかし、この場合にはＣｕヒートシンク層と磁性層の距離が離れるため熱散逸性は不利となるので、中間層の膜厚を薄めにした方がよい。
【００２４】
前記に説明したようにＣｕヒートシンク層を配置する場合には、磁性層の配向制御及び粒径制御のため、ヒートシンク層と磁性層の間に中間層を導入することが望ましい。中間層としては、加熱によって（１００）配向を示すＣｒやＰｔ、ＭｇＯ、ＭｎＯなどを用いることができる。
【００２５】
Ｃｕは、ＡｕやＡｇに比べて格子定数が小さいため、Ｃｕ（１００）面とＭｇＯ（１００）面やＣｒ（１００）面との格子ミスフィットが大きい。このミスフィットを低減するために、Ｃｕヒートシンク層とＭｇＯ層などの間に、格子定数がＣｕとＭｇＯの中間を示すＰｔ等を挿入してもよい。
【００２６】
上記のＣｕとＭｇＯの格子ミスフィットを低減するためにＣｕに原子半径が大きなＧｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉなどの元素を添加してもよい。このような添加元素について、Ｃｕヒートシンク層に添加される第一添加元素群から選ばれた元素の含有量は、０．１〜５ａｔ％であることが望ましい。また、第二添加元素群から選ばれた元素の含有量は、０．１〜３ａｔ％が望ましい。Ｃｕヒートシンク層への添加元素数や量が少なすぎるとＣｕの凝集抑制効果が不十分となる。一方、添加元素数や量が多すぎるとＣｕの凝集を抑制することはできるが、ヒートシンク層の熱伝導率を著しく損なう可能性がある。このことから、第一添加元素群と第二添加元素群から選ばれた元素の総和は、なるべく少ない方が好ましい。
【００２７】
本発明を適用した磁気記録媒体にはＣｏＦｅＴａ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＺｒＢ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＺｒＢ、ＣｏＦｅＮｉＮｂのようなＳＵＬ（軟磁性下地層）を追加してもよい。ＳＵＬをヒートシンク層と磁性層の間に形成すれば、磁性層に印加される磁界の勾配を高めることができ、ヘッドからの磁界を効率よく磁性層に印加することができる。ＳＵＬを磁性層の直下とすると磁気的結合が生じるので、その調節のために中間層を形成することができる。さらに、ＳＵＬはヒートシンク層の下側に配置してもよい。
【００２８】
磁性層には、ＦｅＰｔ、ＦｅＰｔＮｉのようなＬ１０構造を有する合金を用いることができる。また、このＬ１０構造の合金に酸化物、窒化物、炭化物やＡｇ、Ａｕなどを添加することができる。このような非磁性物質を添加することで、磁性層は数ｎｍのＦｅＰｔ強磁性粒子とその粒界に非磁性物質が偏析した構造となる。このＦｅＰｔは（００１）配向をとることが望ましい。そのための下地として、（１００）配向をとるＭｇＯ層を置くことができる。（１００）配向したＭｇＯ層上にＦｅＰｔから成る磁性層を成膜すればエピタキシャル成長により、この磁性層は（００１）配向をとる。
【００２９】
以上のように本発明によれば、表面平坦性が高く、高いタッチダウンパワーを示す熱アシスト記録媒体を実現し、そのような熱アシスト磁気記録媒体を備えた大容量の磁気記録再生装置を提供することが可能である。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００３１】
（実施例１）
実施例１において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成を図１に示す。この磁気記録媒体は、ガラス基板１０１上に層厚５０ｎｍのＣｕからなるヒートシンク層１０２と１０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔａ下地層１０３を連続して成膜し、ランプヒーターにより５００度まで加熱した。その後、Ｃｒから成る下地層１０４を３０ｎｍ、ＭｇＯ層１０５を２０ｎｍ形成し、続けて層厚１０ｎｍの９０ｍｏｌ％（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ）−１０ｍｏｌ％ＳｉＯ２合金からなる磁性層１０６を積層した。その上に層厚３ｎｍのカーボンからなる保護膜１０７と、フッ素系のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑膜１０８とが順に形成された。
【００３２】
実施例１の熱アシスト磁気記録媒体について、Ｘ線回折で測定を行ったところ、加熱された基板上に形成されたＣｒ下地層１０４は、（１００）配向をとっており、その上のＭｇＯ層１０５も（１００）配向を示した。また、ＦｅＰｔ磁性層１０６は、エピタキシャル成長により（００１）配向をとっていることがわかった。一方、Ｃｕヒートシンク層１０２は、（１１１）配向を示した。
【００３３】
ＴＥＭ観察より、実施例１の磁気記録媒体は金属結晶相が非晶質相によって囲まれたグラニュラー構造をとっており、その結晶相の平均粒径が５．７ｎｍであることがわかった。
【００３４】
次に、表１に実施例１で作製した熱アシスト磁気記録媒体の表面粗さＲａとタッチダウンパワーの値を示す。表面粗さＲａは、Ｖｅｅｃｏ社製ＡＦＭタッピングモードを用いて測定した。また、タッチダウンパワーの測定には、ＧｕｚｉｋスピンスタンドでＤＦＨ（ダイナミック浮上高さ）を制御できるＲ／ＷヘッドとＡＥセンサーを用いて、ヒーターパワーを上昇させていったときのＡＥシグナルを測定し、このＡＥシグナルの値がベースから２０％以上変化したときのヒーターパワーの値をタッチダウンパワーと規定した。また、以下の実施例及び比較例すべてにおいて、同様の測定法でタッチダウンパワーを算出している。
【００３５】
【表１】
0005693345.tif 000002
【００３６】
実施例１の磁気記録媒体の表面粗さＲａは、５．５〜６．３Åであることがわかり、また、それらのタッチダウンパワーは１０３．０〜１０５．１ｍＷとなった。Ｃｕに２元素を添加したヒートシンク層を有する実施例１−１〜１−８の媒体もＣｕに３元素を添加したヒートシンク層を有する実施例１−９、１−１０の媒体も類似した結果であった。
【００３７】
（比較例１）
実施例１と同様の方法で比較例１に係る熱アシスト磁気記録媒体を作製した。ただし、ヒートシンク層１０２としてＣｕ−０．３ａｔ％Ｚｒ、Ｃｕ−０．４ａｔ％Ｃｒ、Ｃｕ−０．６ａｔ％Ｔｉ、Ｃｕ−０．３ａｔ％Ｎｄを用いた。表２に比較例１の磁気記録媒体の表面粗さＲａとタッチダウンパワー測定の結果を示す。
【００３８】
【表２】
0005693345.tif 000003
【００３９】
比較例１のヒートシンク層を有する媒体の表面粗さＲａは、６．８〜７．８Åで、実施例１のヒートシンク層を有する媒体の表面粗さＲａ＝５．５〜６．２Åよりも粗かった。さらに、比較例１の媒体のタッチダウンパワーは、９８．７〜１０２．２ｍＷで、実施例１の媒体のタッチダウンパワー１０３．４〜１０５．１ｍＷよりも値が小さかった。このことから、本発明を適用した磁気記録媒体は、高タッチダウンパワーを示し、ヘッドメディアスペーシングを低減できることがわかった。
【００４０】
（実施例２）
ガラス基板２０１に層厚３０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる下地層２０２と層厚５０ｎｍのＣｕヒートシンク層２０３を積層し、再度層厚２０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉ下地層２０４を成膜した。これをランプヒーターにて５００度まで加熱してから、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｒｕから成る下地層２０５を１０ｎｍと、８８ｍｏｌ％（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ−１５ａｔ％Ｎｉ）−１２ｍｏｌ％ＴｉＯ２から成る磁性層２０６を１０ｎｍスパッタした。さらに、カーボン保護膜２０７を３ｎｍ成膜し、フッ素系のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑膜２０８を塗布した。このように作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成を図２に示す。実施例２−１では、Ｃｕヒートシンク層としてＣｕ−１．０ａｔ％Ｎｄ−１．０ａｔ％Ｚｎを用いた。
【００４１】
（比較例２）
実施例２のＣｕヒートシンク層をＣｕ−１．０ａｔ％Ｎｄ−１．０ａｔ％Ｔａ、Ｃｕ−１．０ａｔ％Ｌａ−１．０ａｔ％Ｚｎ、Ｃｕ−１．０ａｔ％Ｌａ−１．０ａｔ％Ｔａとして、実施例２と同様の方法で比較例２の磁気記録媒体を作製した。
【００４２】
表３に実施例２で作製した磁気記録媒体の表面粗さＲａとタッチダウンパワーの結果を示す。実施例２−１のヒートシンク層を有する媒体は、比較例のヒートシンク層を有する媒体よりも表面粗さＲａが小さく、タッチダウンパワーが大きくなることが示された。
【００４３】
【表３】
0005693345.tif 000004
【００４４】
（実施例３）
実施例３において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成を図３に示す。この熱アシスト磁気記録媒体は、ガラス基板３０１に層厚２５ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる下地層３０２と層厚５０ｎｍのＣｕヒートシンク層３０３を成膜した。これをランプヒーターで５００度まで加熱し、Ｃｒからなる下地層３０４を３０ｎｍ成膜した。さらに、８５ｍｏｌ％（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ−１０ａｔ％Ｎｉ）−１５ｍｏｌ％ＳｉＯ２から成る磁性層３０５を１０ｎｍスパッタして、保護膜３０６としてカーボンを３ｎｍ形成し、フッ素系のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑膜３０７を塗布した。
【００４５】
表４に実施例３で作製した磁気記録媒体の表面粗さＲａとタッチダウンパワーの結果を示す。表面粗さＲａは５．３〜６．０Åで、タッチダウンパワーは１０３．６〜１０５．１ｍＷを示した。このことから、第一添加元素と第二添加元素の量を２〜３ａｔ％としても表面粗さＲａ及びタッチダウンパワーはそれほど変化しないことがわかった。
【００４６】
【表４】
0005693345.tif 000005
【００４７】
（実施例４）
実施例４において作製した熱アシスト磁気記録媒体の層構成を図４に示す。この熱アシスト磁気記録媒体は、ガラス基板４０１上に層厚２５ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる下地層４０２と層厚５０ｎｍのＣｕヒートシンク層４０３を積層し、さらに層厚２５ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる下地層４０４を成膜した。この基板をランプヒーターで５００度まで加熱し、Ｃｒからなる下地層４０５を１０ｎｍ、続けてＭｇＯ層４０６を２０ｎｍ成膜した。次に８５ｍｏｌ％（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−１５ｍｏｌ％ＳｉＯ２から成る磁性層４０７を１０ｎｍ成膜してから、カーボン保護膜４０８を３ｎｍ形成し、フッ素系のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）からなる潤滑膜４０９を塗布した。
【００４８】
（比較例４）
Ｃｕ−１ａｔ％Ｎｄからなるヒートシンク層を用いて、実施例４と同様の方法で比較例４−１５を作製した。
【００４９】
表５に実施例４で作製した磁気記録媒体の表面粗さＲａとタッチダウンパワーの結果を示す。実施例４−１〜４−７では、Ｃｕヒートシンク層の第一添加元素量を変化させ、実施例４−８〜４−１４は、Ｃｕヒートシンク層の第二添加元素量を変化させてその磁気記録媒体の各種特性を評価した。実施例４のヒートシンク層を有する磁気記録媒体は、比較例４のヒートシンク層を持つ媒体に比べて、表面粗さＲａが低く、タッチダウンパワーが高いことが示された。一方、実施例４−１〜４−７の結果より、第一添加元素が０．１〜５％ａｔ％の範囲で特に表面粗さＲａが低く、タッチダウンパワーが高くなるため望ましい。また、実施例４−８〜４−１４に示すように第二添加元素の場合は、０．１〜３ａｔ％で特に両特性が良好で、好ましい。
【００５０】
【表５】
0005693345.tif 000006
【符号の説明】
【００５１】
１０１…ガラス基板
１０２…ヒートシンク層
１０３…下地層
１０４…下地層
１０５…ＭｇＯ層
１０６…磁性層
１０７…保護膜
１０８…潤滑膜
２０１…ガラス基板
２０２…下地層
２０３…ヒートシンク層
２０４…下地層
２０５…下地層
２０６…磁性層
２０７…保護膜
２０８…潤滑膜
３０１…ガラス基板
３０２…下地層
３０３…ヒートシンク層
３０４…下地層
３０５…磁性層
３０６…保護膜
３０７…潤滑膜
４０１…ガラス基板
４０２…下地層
４０３…ヒートシンク層
４０４…下地層
４０５…下地層
４０６…ＭｇＯ層
４０７…磁性層
４０８…保護膜
４０９…潤滑膜
【図１】
0005693345.tif 000007
【図２】
0005693345.tif 000008
【図３】
0005693345.tif 000009
【図４】
0005693345.tif 000010