(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の配線基板上に行列状に実装された複数の第１の発光素子を備え、
各前記第１の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ所定の波長帯の光を発するチップ状の半導体素子であり、
各前記第１の発光素子において、各前記第１の発光素子の結晶成長基板の結晶成長面にはオフ角が設けられており、
複数の前記第１の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の前記第１の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する前記第１の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが、前記発光素子の積層面の法線から前記オフ角の分だけ傾いており、さらに、積層面内において互いに異なる方向を向いている
発光装置。
【請求項２】
複数の前記第１の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の前記第１の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する前記第１の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに９０°±５°の範囲内または１８０°±５°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記配線基板上に、複数の前記第１の発光素子と共に行列状に実装された複数の第２の発光素子を備え、
各前記第２の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ前記第１の発光素子とは異なる波長帯の光を発するチップ状の半導体素子であり、
各前記第２の発光素子において、各前記第２の発光素子の結晶成長基板の結晶成長面にはオフ角が設けられており、
複数の前記第２の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の前記第２の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する前記第２の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが、前記発光素子の積層面の法線から前記オフ角の分だけ傾いており、さらに、積層面内において互いに異なる方向を向いている
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の第２の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の第２の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第２の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに９０°±５°の範囲内または１８０°±５°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記複数の第１の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第１の列および第２の列に着目したときに、前記第１の列と前記第２の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１の列と前記第２の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに１８０°±５°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記複数の第１の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第１の列および第２の列に着目したときに、前記第１の列と前記第２の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いており、
前記複数の第２の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第３の列および第４の列に着目したときに、前記第３の列と前記第４の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている
請求項３に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１の列と前記第２の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに１８０°±５°の範囲内で異なる方向を向いており、
前記第３の列と前記第４の列とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに１８０°±５°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記複数の第１の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第１の列および第２の列に着目したときに、前記第１の列および前記第２の列に含まれる全ての第１の発光素子の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる方向を向いている
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに９０°±５°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記複数の第１の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第１の列および第２の列に着目したときに、前記第１の列および前記第２の列に含まれる全ての第１の発光素子の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる方向を向いており、
前記複数の第２の発光素子によって構成される行列のうち互いに近接する第３の列および第４の列に着目したときに、前記第３の列および前記第４の列に含まれる全ての第２の発光素子の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる方向を向いている
請求項３に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに９０°±５°の範囲内で異なる方向を向いている
請求項７に記載の発光装置。
【請求項１３】
各第１の発光素子および各第２の発光素子は、複数の電極を有し、
前記配線基板は、前記複数の電極のうち１つの電極に電気的に接続された第１配線と、前記複数の電極のうち他の電極に電気的に接続された第２配線とを有し、
前記第１配線および前記第２配線のレイアウトは、前記所定の領域内に属する全ての第１の発光素子および複数の第２の発光素子との関係で互いに等しくなっている部分を有する
請求項３に記載の発光装置。
【請求項１４】
共通の配線基板上に行列状に実装された複数の第１の発光素子を有する表示パネルと、
映像信号に基づいて前記複数の第１の発光素子を駆動する駆動回路と
を備え、
各前記第１の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ所定の波長帯の光を発するチップ状の半導体素子であり、
各前記第１の発光素子において、各前記第１の発光素子の結晶成長基板の結晶成長面にはオフ角が設けられており、
複数の前記第１の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の前記第１の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する前記第１の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが、前記発光素子の積層面の法線から前記オフ角の分だけ傾いており、さらに、積層面内において互いに異なる方向を向いている
表示装置。
【請求項１５】
前記配線基板上に、複数の前記第１の発光素子と共に行列状に実装された複数の第２の発光素子を備え、
各前記第２の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ前記第１の発光素子とは異なる波長帯の光を発するチップ状の半導体素子であり、
各前記第２の発光素子において、各前記第２の発光素子の結晶成長基板の結晶成長面にはオフ角が設けられており、
複数の前記第２の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の前記第２の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する前記第２の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが、前記発光素子の積層面の法線から前記オフ角の分だけ傾いており、さらに、積層面内において互いに異なる方向を向いている
請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
各第１の発光素子および各第２の発光素子は、複数の電極を有し、
前記配線基板は、前記複数の電極のうち１つの電極に電気的に接続された第１配線と、前記複数の電極のうち他の電極に電気的に接続された第２配線とを有し、
前記第１配線および前記第２配線のレイアウトは、前記所定の領域内に属する全ての第１の発光素子および複数の第２の発光素子との関係で互いに等しくなっている部分を有する
請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は、列方向に交互に配置されており、
前記複数の第１の発光素子および前記複数の第２の発光素子のうち前記所定の領域内に属する複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子を、列方向において互いに近接する第１の発光素子および第２の発光素子ごとにグループ分けしたときに、一のグループから発せられる光の偏光成分と、他のグループから発せられる光の偏光成分とが互いに異なっている
請求項１５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１または複数の発光素子を備えた発光装置、ならびに上記の発光装置を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量で薄型のディスプレイとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目を集めている。ＬＥＤディスプレイでは、見る角度によってコントラストや色合いが変化する視野角依存性がなく、色を変化させる場合の反応速度が速いとった特徴がある。しかし、例えば、対角４０インチのフルＨＤ（High Definition)高精細フルカラーディスプレイにおいては、画素数が１９２０×１０８０であり、画素ごとに３色のサブピクセルが必要となる。従って、この場合には、実装するＬＥＤの個数は、約６００万個となる。ＬＥＤディスプレイでは、上述したような膨大な数のＬＥＤを配線基板上に歩留まり良く実装し、結線することが要求される。そのため、簡易なプロセスで高歩留まりを実現できる方法が必要とされている。
【０００３】
従来では、マウンタによる実装の代わりに、例えば、以下に説明する拡大転写が行われている（特許文献１参照）。まず、表面に接着層の設けられた支持ウェハを用意する。次に、その支持ウェハの接着層側の面を、基板上に複数のＬＥＤがマトリクス状に形成されたウェハのうちＬＥＤ側の面に接触させたのち、レーザリフトオフによって、ウェハからＬＥＤを所定の間隔ごとに剥離し、支持ウェハに転写する。これにより、ＬＥＤの配列ピッチが疎になる。次に、疎に配置されたＬＥＤの配列ピッチと等しいピッチで接続電極が形成された回路基板（ガラス基板）を用意し、支持ウェハに付着したＬＥＤを回路基板に転写する。このようにして、回路基板上にＬＥＤが実装された実装基板を作製することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２-１８２５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＬＥＤディスプレイの３原色として、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤおよび青色ＬＥＤを用いた場合に、以下に示したような問題が生じる。まず、赤色ＬＥＤでは、例えば、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰを結晶成長させる際に、自然超格子の発生を避けるために、結晶軸が８°〜２０°の範囲内で傾けられる。そのため、赤色ＬＥＤにはオフ角が存在している。オフ角が存在すると、ファセットが非対称となり、放射角が傾く。ファセットの形成には、ウェット、ドライのいずれの手法も用いることができる。ウェットエッチングでは結晶面が顕著に現れるので、ファセットが確実に非対称となる。一方、ドライエッチングではウェットエッチングほどではないが、結晶面の影響によりファセットがわずかに非対称となる。従って、赤色ＬＥＤでは、ウェット、ドライのいずれの手法を用いても、放射角が傾き、色むらや輝度むらが生じるという問題があった。
【０００６】
また、緑色ＬＥＤおよび青色ＬＥＤでも、例えば、サファイア基板上にＡｌＧａＩｎＮ系の材料を結晶成長させる際に、結晶軸が０．４°程度傾けられる。このように結晶軸を傾けてＡｌＧａＩｎＮ系の材料を結晶成長させると、ウェハ表面にステップバウンチング現象（縞模様）が生じる。そのような表面を持ったウェハからＬＥＤを切り出すと、ＬＥＤの表面にも縞模様が存在することなる。この縞模様は、ＬＥＤをＥＬ発光させたときに、その光の面内強度分布に縞模様を生じさせる。従って、緑色ＬＥＤおよび青色ＬＥＤでは、ステップバウンチング現象に起因して、色むらや輝度むらが生じるという問題があった。
【０００７】
なお、上述したような問題は、ＬＥＤディスプレイだけに生じるものではなく、膨大な数のＬＥＤを２次元配置したデバイスにおいて共通に生じるものである。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、色むらや輝度むらが改善された発光装置を提供することにある。また、第２の目的は、そのような発光装置を備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光装置は、共通の配線基板上に行列状に実装された複数の第１の発光素子を備えたものである。本発明の表示装置は、共通の配線基板上に行列状に実装された複数の第１の発光素子を有する表示パネルと、映像信号に基づいて複数の第１の発光素子を駆動する駆動回路とを備えたものである。本発明の発光装置および表示装置において、各第１の発光素子は、単結晶からなる半導体積層構造を有し、かつ所定の波長帯の光を発するチップ状の半導体素子である。各第１の発光素子において、各第１の発光素子の結晶成長基板の結晶成長面にはオフ角が設けられている。ここで、複数の第１の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の第１の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第１の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが、発光素子の積層面の法線からオフ角の分だけ傾いており、さらに、積層面内において互いに異なる方向を向いている。なお、上述した「行列状に実装」とは、マトリクス状（格子状）の実装だけでなく、ハニカム状の実装も含む概念である。
【００１０】
本発明の発光装置および表示装置では、共通の配線基板上に行列状に実装された各第１の発光素子の結晶軸の向きが全て同じ方向を向いておらず、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第１の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている。これにより、例えば、１種類の発光素子が表示装置内に設けられている場合に、第１の発光素子に相当する１種類の発光素子が赤色ＬＥＤであったときには、各赤色ＬＥＤの放射角の傾きが面内で揃わなくなる。また、例えば、１種類の発光素子が表示装置内に設けられている場合に、第１の発光素子に相当する１種類の発光素子が緑色ＬＥＤまたは青色ＬＥＤであったときには、緑色ＬＥＤまたは青色ＬＥＤの表面に形成された縞模様が面内で揃わなくなる。また、例えば、発光色の互いに異なる複数種類の発光素子が表示装置内に設けられている場合に、第１の発光素子に相当する１種類の発光素子が赤色ＬＥＤであったときには、各赤色ＬＥＤの放射角の傾きが面内で揃わなくなる。また、例えば、発光色の互いに異なる複数種類の発光素子が表示装置内に設けられている場合に、第１の発光素子に相当する１種類の発光素子が緑色ＬＥＤまたは青色ＬＥＤであったときには、緑色ＬＥＤまたは青色ＬＥＤの表面に形成された縞模様が面内で揃わなくなる。
【００１１】
本発明の発光装置および表示装置において、上記の配線基板上に、複数の第１の発光素子と共に行列状に実装された複数の第２の発光素子がさらに設けられていてもよい。ここで、各第２の発光素子は、単結晶からなり、かつ第１の発光素子とは異なる波長帯の光を発するチップ状の半導体素子である。複数の第２の発光素子のうち所定の領域内に属する複数の第２の発光素子に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する第２の発光素子同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている。この場合に、例えば、発光色の互いに異なる複数種類の発光素子が表示装置内に設けられている場合に、第１の発光素子に相当する発光素子が赤色ＬＥＤであり、第２の発光素子に相当する発光素子が緑色ＬＥＤまたは青色ＬＥＤであったときには、各赤色ＬＥＤの放射角の傾きが面内で揃わなくなり、かつ緑色ＬＥＤまたは青色ＬＥＤの表面に形成された縞模様が面内で揃わなくなる。また、例えば、発光色の互いに異なる複数種類の発光素子が表示装置内に設けられている場合に、第１の発光素子に相当する発光素子が緑色ＬＥＤであり、第２の発光素子に相当する発光素子が青色ＬＥＤであったときには、緑色ＬＥＤおよび青色ＬＥＤの表面に形成された縞模様が面内で揃わなくなる。
【００１２】
さらに、本発明の発光装置および表示装置において、各第１の発光素子および各第２の発光素子が複数の電極を有している場合に、複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子のうち所定の領域内に属する部分的もしくは全ての第１の発光素子および複数の第２の発光素子の電極レイアウトが互いに等しくなっていることが好ましい。つまり、この場合には、第１および第２の発光素子の電極レイアウトが面内で揃っている一方で、第１および第２の発光素子の結晶軸の向きが面内で揃っていないということになる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の発光装置および表示装置によれば、第１の発光素子の結晶軸の向きが面内で揃わないようにしたので、第１の発光素子の結晶軸の向きが面内で揃っている場合と比べて、色むらや輝度むらを改善することができる。
【００１４】
また、本発明の発光装置および表示装置において、上記の配線基板上に、複数の第１の発光素子および複数の第２に発光素子が行列状に実装されている場合に、第１の発光素子の結晶軸の向きが面内で揃わないようにすると共に、第２の発光素子の結晶軸の向きも面内で揃わないようにしたときには、第１の発光素子の結晶軸の向きが面内で揃うとともに、第２の発光素子の結晶軸の向きが面内で揃っている場合と比べて、色むらや輝度むらを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の構成の一例を表す平面図である。
【図２】図１の光学素子の構成の一例を表す平面図および断面図である。
【図３】図１の光学素子の結晶軸の向きについて説明するための概念図である。
【図４】図１の光学素子の結晶軸の向きの面内分布の一例について説明するための概念図である。
【図５】図１の光学素子の結晶軸の向きの面内分布の第１変形例について説明するための概念図である。
【図６】図１の光学素子の結晶軸の向きの面内分布の第２変形例について説明するための概念図である。
【図７】図１の光学素子の結晶軸の向きの面内分布の第３変形例について説明するための概念図である。
【図８】図１の光学素子の結晶軸の向きの面内分布の第４変形例について説明するための概念図である。
【図９】図１の光学素子の結晶軸の向きの面内分布の第５変形例について説明するための概念図である。
【図１０】図１の配線基板の構成の一例を表す平面図である。
【図１１】図１の発光装置の製造に際して使用されるウェハの一例を表す斜視図である。
【図１２】図１の発光装置の製造に際して使用される仮固定基板の一例を表す斜視図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明する斜視図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明する斜視図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明する斜視図である。
【図１６】図１５に続く工程を説明する斜視図である。
【図１７】図１１のウェハの結晶軸の面内分布の一例を表す概念図である。
【図１８】図１７のウェハ上の発光素子を仮固定した基板における結晶軸の面内分布の一例を表す概念図である。
【図１９】図１８の仮固定基板上の発光素子の一部を配線基板上に転写した様子の一例を表す模式図である。
【図２０】図１９に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図２１】図２０に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図２２】図２１に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図２３】図２１に続く転写を実施した後の様子の他の例を表す模式図である。
【図２４】図１１のウェハの結晶軸の面内分布の他の例を表す概念図である。
【図２５】図２４のウェハ上の発光素子を仮固定した基板における結晶軸の面内分布の一例を表す概念図である。
【図２６】図２５の仮固定基板上の発光素子の一部を配線基板上に転写した様子の一例を表す模式図である。
【図２７】図２６に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図２８】図２７に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図２９】図２８に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図３０】図２８に続く転写を実施した後の様子の他の例を表す模式図である。
【図３１】図１７のウェハ上の発光素子を仮固定した基板における結晶軸の面内分布の他の例を表す概念図である。
【図３２】図３１の仮固定基板上の発光素子の一部を配線基板上に転写した様子の一例を表す模式図である。
【図３３】図３２に続く転写を実施する際に選択する素子の一例を表す模式図である。
【図３４】図３２に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図３５】図３４に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図３６】図３５に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図３７】図１１のウェハの結晶軸の面内分布のその他の例を表す概念図である。
【図３８】図３７のウェハ上の発光素子を仮固定した基板における結晶軸の面内分布の一例を表す概念図である。
【図３９】図３８の仮固定基板上の発光素子の一部を配線基板上に転写した様子の一例を表す模式図である。
【図４０】図３９に続く転写を実施する際に選択する素子の一例を表す模式図である。
【図４１】図３９に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図４２】図４１に続く転写を実施した後の様子の一例を表す模式図である。
【図４３】図４１に続く転写を実施した後の様子の他の例を表す模式図である。
【図４４】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を表す斜視図である。
【図４５】図４４の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。
【図４６】本発明の第３の実施形態に係る照明装置の構成の一例を表す斜視図である。
【図４７】図４６の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（発光装置）
３種類（３色）の発光素子が設けられている例
各種類（各色）の発光素子の結晶軸の向きが面内で揃っていない例
２．第１の実施の形態の変形例（発光装置）
２種類（２色）の発光素子が設けられている例
１種類（１色）の発光素子が設けられている例
３種類（３色）の発光素子のうち１種類（１色）の発光素子の
結晶軸の向きだけが面内で揃っていない例
３種類（３色）の発光素子のうち２種類（２色）の発光素子の
結晶軸の向きだけが面内で揃っていない例
２種類（２色）の発光素子だけが設けられている例
１種類（１色）の発光素子だけが設けられている例
３．第２の実施の形態（表示装置）
表示パネルに第１の実施の形態の発光装置が用いられている例
４．第２の実施の形態の変形例（表示装置）
上記第１の実施の形態の変形例と同様
５．第３の実施の形態（照明装置）
照明パネルに第１の実施の形態の発光装置が用いられている例
６．第３の実施の形態の変形例（照明装置）
上記第１の実施の形態の変形例と同様
【００１７】
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
まず、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１について説明する。図１は、発光装置１の平面構成の一例を表したものである。発光装置１は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれる表示装置の表示パネルに好適に適用可能なものである。発光装置１は、図１に示したように、１枚の配線基板１０と、この配線基板１０上に行列状に実装された複数の発光素子２０とを備えたものである。なお、図１では、配線基板１０の各種配線が省略されている。
【００１８】
（発光素子２０）
各発光素子２０は、所定の波長帯の光を上面から発するチップ状の固体発光素子（半導体素子）であり、具体的には、ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウェハから切り出した状態のものを指しており、取り出し面を球面上に成形した樹脂などで被われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば、５μｍ以上、１００ｍｍ以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、ほぼ正方形となっている。ＬＥＤチップは、薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比は、例えば、０．１以上、１未満となっている。
【００１９】
各発光素子２０は、互いに近接する複数の発光素子２０ごとにグループを構成している。具体的には、図１に示したように、各発光素子２０は、列方向に互いに近接する３つの発光素子２０ごとにグループＧｉ（ｉは正の整数）を構成している。各グループＧｉに含まれる３つの発光素子２０は、赤色帯の光を発する発光素子２０Ｒと、緑色帯の光を発する発光素子２０Ｇと、青色帯の光を発する発光素子２０Ｂとにより構成されている。
【００２０】
発光素子２０Ｒは、例えば、グループＧｉ内の他の発光素子２０Ｇ，Ｂとの関係で、列の一端に配置されており、発光素子２０Ｂは、例えば、グループＧｉ内の他の発光素子２０Ｒ，Ｇとの関係で、列の他端に配置されている。発光素子２０Ｇは、例えば、発光素子２０Ｒと発光素子２０Ｂとの間に配置されている。従って、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、列方向に周期的に配置されている。発光素子２０Ｒ，２０Ｇにだけ着目すると、発光素子２０Ｒ，２０Ｇは、列方向に交互に配置されている。同様に、発光素子２０Ｒ，２０Ｂにだけ着目すると、発光素子２０Ｒ，２０Ｂは、列方向に交互に配置されており、発光素子２０Ｇ，２０Ｂにだけ着目すると、発光素子２０Ｇ，２０Ｂは、列方向に交互に配置されている。なお、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではない。
【００２１】
図２（Ａ）は、発光素子２０の上面構成の一例を表したものである。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の発光素子２０のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。各発光素子２０は、例えば、図２（Ｂ）に示したように、第１導電型層２１、活性層２２および第２導電型層２３を順に積層してなる半導体積層構造を有している。各発光素子２０の上面（具体的には第２導電型層２３の上面）が、活性層２２から発せられた光を射出する光射出面２０Ａとなっている。
【００２２】
発光素子２０Ｒにおいて、第１導電型層２１、活性層２２および第２導電型層２３は、ＩｎＰ系化合物半導体からなり、例えば、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、またはＡｌＩｎＰなどによって構成されている。発光素子２０Ｒは、ＧａＡｓ基板を結晶成長基板として結晶成長させたものである。つまり、発光素子２０Ｒの第１導電型層２１、活性層２２および第２導電型層２３（第２導電型層２３にコンタクト層（図示せず）が含まれている場合にはコンタクト層は除く。）は単結晶によって構成されている。発光素子２０Ｒでは、結晶成長基板上にＩｎＰ系化合物半導体を結晶成長させる際に、結晶成長基板の結晶成長面にはオフ角が設けられており、例えば、図３（Ａ）に示したように、発光素子２０Ｒの結晶軸ＡＸ１が発光素子２０Ｒの積層面の法線ＡＸ２との関係で、例えば８°〜２０°の範囲内で傾いている。そのため、発光素子２０Ｒでも、ファセットが非対称となっている。なお、結晶軸ＡＸ１は、例えば、＜００１＞軸であり、積層面の法線から、オフ角の分だけ傾いた方向を向いている。つまり、結晶軸ＡＸ１は、発光素子２０Ｒの積層面の面内方向にベクトル成分を持っている。
【００２３】
一方、発光素子２０Ｇ，２０Ｂにおいて、第１導電型層２１、活性層２２および第２導電型層２３は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する窒化物半導体材料からなり、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料によって構成されている。発光素子２０Ｇ，２０Ｂは、サファイア基板またはＧａＮ基板を結晶成長基板として結晶成長させたものである。つまり、発光素子２０Ｇ，２０Ｂの第１導電型層２１、活性層２２および第２導電型層２３（第２導電型層２３にコンタクト層（図示せず）が含まれている場合にはコンタクト層は除く。）は単結晶によって構成されている。発光素子２０Ｇ，２０Ｂでは、結晶成長基板上に窒化物半導体材料を結晶成長させる際に、結晶成長基板の結晶成長面にはオフ角が設けられており、例えば、図３（Ｂ）に示したように、発光素子２０Ｇ，２０Ｂの結晶軸ＡＸ３が発光素子２０Ｇ，２０Ｂの積層面の法線ＡＸ４との関係で、例えば０．４°程度傾いている。そのため、発光素子２０Ｇ，２０Ｂでは、ファセットが若干、非対称となっている。なお、結晶軸ＡＸ３は、例えば、Ｃ軸であり、積層面の法線から、オフ角の分だけ傾いた方向を向いている。つまり、結晶軸ＡＸ３は、発光素子２０Ｇ，２０Ｂの積層面の面内方向にベクトル成分を持っている。
【００２４】
各発光素子２０には、発光素子２０に電流を注入するための一対の電極２４，２５が設けられている。電極２４は第２導電型層２３と電気的に接続されており、電極２５は第１導電型層２１と電気的に接続されている。電極２４は、例えば、発光素子２０の上面（具体的には第２導電型層２３の上面）に接して形成されており、電極２５は、例えば、発光素子２０の下面（具体的には第１導電型層２１の下面）に接して形成されている。
【００２５】
なお、電極２４，２５の位置は、上記の位置に限定されるものではない。例えば、電極２４，２５がともに、発光素子２０の上面または下面に設けられていてもよい。ただし、以下では、電極２４，２５が図２（Ａ），（Ｂ）に示した位置に配置されているものとして、種々の説明を行うものとする。
【００２６】
電極２４，２５は、発光素子２０の面内の中心を中心軸として発光素子２０を面内で回転させたときに、例えば、９０°回転対称または１８０°回転対称となっている。電極２４，２５が９０°回転対称となっている場合、電極２４，２５は、例えば、正方形状となっている。また、電極２４，２５が１８０°回転対称となっている場合、電極２４，２５は、例えば、長方形状となっている。なお、電極２４が９０°回転対称となっており、電極２５が１８０°回転対称となっていてもよい。また、電極２４が１８０°回転対称となっており、電極２５が９０°回転対称となっていてもよい。
【００２７】
次に、各発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの結晶軸の向きについて説明する。図４〜図９は、各発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの結晶軸の面内レイアウトの一例を表したものである。図中で２０Ｒと記載された箱の中にある矢印は、各発光素子２０Ｒに共通する１つの結晶軸の向きを表しており、例えば、＜００１＞軸の向きを表している。また、図中で２０Ｇと記載された箱の中にある矢印は、各発光素子２０Ｇに共通する１つの結晶軸の向きを表しており、例えば、Ｃ軸の向きを表している。同様に、図中で２０Ｂと記載された箱の中にある矢印は、各発光素子２０Ｂに共通する１つの結晶軸の向きを表しており、例えば、Ｃ軸の向きを表している。
【００２８】
なお、正確には、図中の矢印は、ある結晶軸を矢印で表したときに、その矢印を平面上に投影したときの、その矢印の向きを表している。本明細書において、結晶軸の向きについて言及している箇所があるが、そのときの結晶軸の向きとは、実際には、ある結晶軸を矢印で表したときに、その矢印を平面（例えばパネル面）上に投影したときの、その矢印の向きを意味している。
【００２９】
本実施の形態では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている。ここで、所定の領域α内において行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きは、９０°±５°の範囲内または１８０°±５°の範囲内で異なっていることがより好ましい。上記の「±５°」は、後述の転写プロセスにおける転写誤差などを考慮したものである。なお、例えば、図中の一番左側の列において、２０Ｒと記載された箱の中にある矢印と、２０Ｇと記載された箱の中にある矢印と、２０Ｂと記載された箱の中にある矢印とが全て、同一の方向を向いているが、互いに同一の方向を向いている必要はない。
【００３０】
なお、上記の領域αは、発光装置１において、製造過程で不具合の発見された発光素子２０のリペアをするなど、通常の実装方法（例えば転写）とは異なる方法（例えば手作業）で実装のなされた発光素子２０が存在する場合に、そのような発光素子２０を除く趣旨で規定されている。従って、上記の領域αは、発光装置１に含まれる複数の発光素子２０のうち、通常の実装方法（例えば転写）とは異なる方法（例えば手作業）で実装のなされた発光素子２０を除いた全ての発光素子２０を含む領域に対応していることが好ましい。
【００３１】
例えば、図４，図５に示した例では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに１８０°異なる方向を向いている。さらに、図４，図５に示した例では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、列方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに同一方向を向いている。例えば、図４，図５に示した例では、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０によって構成される行列のうち互いに近接する２つの列Ｌｖ１，Ｌｖ２に着目したときに（図では隣接する２つの列に着目している。）、列Ｌｖ１と列Ｌｖ２とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる（具体的には１８０°異なる）方向を向いている。また、図４では、１列ごとに、共通の結晶軸の向きが交互に入れ替わっており、図５では、２列ごとに、共通の結晶軸の向きが交互に入れ替わっている。なお、図示しないが、３列以上ごとに、共通の結晶軸の向きが交互に入れ替わっていてもよい。
【００３２】
また、例えば、図６，７に示した例では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに９０°異なる方向を向いている。さらに、図６，７に示した例では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、列方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに同一方向を向いている。例えば、図６，７に示した例では、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０によって構成される行列のうち互いに近接する２つの列Ｌｖ３，Ｌｖ４に着目したときに（図では隣接する２つの列に着目している。）、列Ｌｖ３と列Ｌｖ４とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる（具体的には９０°異なる）方向を向いている。また、図６では、１列ごとに、共通の結晶軸の向きが交互に入れ替わっており、図７では、２列ごとに、共通の結晶軸の向きが交互に入れ替わっている。なお、図示しないが、３列以上ごとに、共通の結晶軸の向きが交互に入れ替わっていてもよい。
【００３３】
また、例えば、図８に示した例では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに１８０°異なる方向を向いている。さらに、図８に示した例では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、列方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きも互いに１８０°異なる方向を向いている。例えば、図８に示した例では、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０によって構成される行列のうち互いに隣接する列Ｌｖ５および列Ｌｖ６に着目したときに、列Ｌｖ５および列Ｌｖ６に含まれる同一種類（同一発光色）の全ての発光素子２０の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる（具体的には１８０°異なる）方向を向いている。また、図８では、互いに隣接する２列ごとに、共通の結晶軸の向きが互いに等しい発光素子２０が互い違いに配置されている。
【００３４】
また、例えば、図９に示した例では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに９０°異なる方向を向いている。さらに、図９に示した例では、所定の領域α内に属する同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、列方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きも互いに９０°異なる方向を向いている。例えば、図９に示した例では、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０によって構成される行列のうち互いに隣接する列Ｌｖ７および列Ｌｖ８に着目したときに、列Ｌｖ７および列Ｌｖ８に含まれる同一種類（同一発光色）の全ての発光素子２０の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる（具体的には９０°異なる）方向を向いている。また、図９では、互いに隣接する２列ごとに、共通の結晶軸の向きの互いに等しい発光素子２０が互い違いに配置されている。
【００３５】
（配線基板１０）
配線基板１０は、例えば、図１０（Ａ）に示したように、支持基板１１上に、一対のパッド電極１２，１３がマトリクス状（格子状）に配置されたものである。なお、一対のパッド電極１２，１３はハニカム状に配置されていてもよい。各発光素子２０は、パッド電極１３上に配置されている。従って、複数の発光素子２０も、一対のパッド電極１２，１３と同様の配列となっており、具体的には、マトリクス状（格子状）またはハニカム状に配置されている。各発光素子２０の電極２５がパッド電極１３に電気的に接続されており、各発光素子２０の電極２４がパッド電極１２に電気的に接続されている。電極２５とパッド電極１３との接続には、例えば、半田が用いられており、電極２４とパッド電極１２との接続には、例えば、ワイヤビルドアップ配線が用いられている。
【００３６】
なお、配線基板１０は、さらに、例えば、図１０（Ｂ）に示したように、支持基板１１上に配線が設けられたものであってもよい。配線基板１０は、複数のデータ配線１４と、複数のスキャン配線１５とを備えている。複数のデータ配線１４は、例えば、列方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。一方、複数のスキャン配線１５は、例えば、行方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。ここで、一対のパッド電極１２，１３が例えば３つごとに、グループにまとめられており、各データ配線１４は、各グループに含まれる１つのパッド電極１３に電気的に接続されており、各スキャン配線１５は、各グループに含まれる１つのパッド電極１２に電気的に接続されている。データ配線１４およびスキャン配線１５は、例えば、Ｃｕ（銅）などの導電性材料からなる。また、各データ配線１４および各スキャン配線１５のレイアウトは、領域α内に属する全ての発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂとの関係で互いに等しくなっている。つまり、各データ配線１４および各スキャン配線１５のレイアウトが発光素子２０の結晶軸の向きに関係なく、いずれの発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂとの関係においても互いに等しくなっている。
【００３７】
［製造方法］
次に、本実施の形態の発光装置１の製造方法の一例について説明する。
【００３８】
まず、結晶成長用の基板上に、発光素子２０Ｒのうち電極２４以外の部分（発光素子１２０Ｒ）を多数形成したウェハ１００Ｒを用意する（図１１（Ａ））。また、結晶成長用の基板上に、発光素子２０Ｇのうち電極２４以外の部分（発光素子１２０Ｇ）を多数形成したウェハ１００Ｇを用意する（図１１（Ｂ））。さらに、結晶成長用の基板上に、発光素子２０Ｂのうち電極２４以外の部分（発光素子１２０Ｂ）を多数形成したウェハ１００Ｂを用意する（図１１（Ｃ））。なお、発光素子１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂはそれぞれ、第２導電型層２３、活性層２２、第１導電型層２１および電極２５が結晶成長用の基板側からこの順に積層された構造となっており、かつ断面が台形状となる形状となっている。つまり、この段階で、第２導電型層２３、活性層２２および第１導電型層２１が、発光素子１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂごとに分離されている。
【００３９】
また、ウェハ１００Ｒ上の発光素子１２０Ｒを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｒを用意する（図１２（Ａ））。同様に、ウェハ１００Ｇ上の発光素子１２０Ｇを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｇと、ウェハ１００Ｂ上の発光素子１２０Ｂを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｂを用意する（図１２（Ｂ），（Ｃ））。仮固定用基板２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂは、例えば、透明基板（例えば石英基板またはサファイア基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。
【００４０】
次に、ウェハ１００Ｒおよび仮固定用基板２００Ｒを、ウェハ１００Ｒ上の各発光素子１２０Ｒが仮固定用基板２００Ｒ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｒの基板を例えばラッピングなどによって除去して、第２導電型層２３を露出させる。その後、露出した第２導電型層２３上に電極２４を形成する。このようにして、仮固定用基板２００Ｒ上に、複数の発光素子２０Ｒが形成される。
【００４１】
また、ウェハ１００Ｇおよび仮固定用基板２００Ｇを、ウェハ１００Ｇ上の各発光素子１２０Ｇが仮固定用基板２００Ｇ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｇの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第２導電型層２３を露出させる。その後、露出した第２導電型層２３上に電極２４を形成する。このようにして、仮固定用基板２００Ｇ上に、複数の発光素子２０Ｇが形成される。
【００４２】
同様に、ウェハ１００Ｂおよび仮固定用基板２００Ｂを、ウェハ１００Ｂ上の各発光素子１２０Ｂが仮固定用基板２００Ｂ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１００Ｂの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第２導電型層２３を露出させる。その後、露出した第２導電型層２３上に電極２４を形成する。このようにして、仮固定用基板２００Ｂ上に、複数の発光素子２０Ｂが形成される。
【００４３】
次に、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを実装する配線基板１０を用意する（図１０（Ａ）または図１０（Ｂ））。続いて、配線基板１０のパッド電極１３上に、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを実装する。具体的には、仮固定用基板２００Ｒおよび配線基板１０を互いに貼り合わせたのち、レーザ照射により発光素子２０Ｒを仮固定用基板２００Ｒから剥離する。このとき、仮固定用基板２００Ｒ上の全ての発光素子２０Ｒに対して同時にレーザ照射するのではなく、仮固定用基板２００Ｒ上の一部の発光素子２０Ｒに対してレーザ照射する。簡単に言えば、間引き転写を行う。例えば、図１３に示したように、仮固定用基板２００Ｒ上の全ての発光素子２０Ｒを複数のブロックＢ１，Ｂ２，…ｉ，…（ｉは正の整数）に分け、ブロックＢｉごとに１つずつ、発光素子２０Ｒをレーザ照射により剥離する。このようにして、発光素子２０Ｒが、広いピッチで、配線基板１０に転写される。このとき、発光素子２０Ｒは、所定の位置のパッド電極１３の直上に配置される（図１４）。さらに、同様の方法によって、仮固定用基板２００Ｇ上の発光素子２０Ｇと、仮固定用基板２００Ｂ上の発光素子２０Ｂが配線基板１０の表面に転写される（図１５）。なお、図１４、図１５では、配線基板１０は、図１０（Ａ）に記載の態様のものだけでなく、図１０（Ｂ）に記載の態様のものも含まれる。
【００４４】
なお、上記の実装方法では、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの上面（つまり電極２４側の面）が配線基板１０側を向くことになる。発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの上面（つまり電極２４側の面）が配線基板１０とは反対側を向くようにしたい場合には、例えば、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを配線基板１０に実装する前に、再度、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを仮固定基板に転写して、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの上下を反転させておき、その上で、各発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを配線基板１０に実装すればよい。
【００４５】
また、図１０（Ａ）に記載の配線基板１０上に複数の発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを形成した場合に、例えば、図１６に示したように、互いに近接する３つの発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとに、３つの発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを樹脂で覆い、微小パッケージＰを形成してもよい。このとき、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの上面（つまり電極２４側の面）は配線基板１０側を向いていてもよいし、配線基板１０とは反対側を向いていてもよい。
【００４６】
上記のように微小パッケージＰを形成した場合には、さらに、微小パッケージＰごとに分離し、分離した微小パッケージＰを別の配線基板上に実装するようにしてもよい。例えば、まず、配線基板１１上の全ての微小パッケージＰを一時的に仮固定するための仮固定用基板を用意する。次に、その仮固定用基板と、複数の微小パッケージＰの形成された配線基板１０とを互いに貼り合わせたのち、例えばレーザ照射などを用いて微小パッケージＰを配線基板１０の基材から剥離する。次に、微小パッケージＰの仮固定された仮固定用基板と新たに用意した配線基板とを互いに貼り合わせたのち、例えばレーザ照射などを用いて微小パッケージＰを仮固定用基板から剥離し、配線基板に実装する。このとき新たに用意した配線基板が、例えば、図１０（Ｂ）に示した配線基板１０と同様、一対のパッド電極１２，１３がマトリクス状に配置されるとともに、複数のデータ配線１４が列方向に延在して形成され、かつ複数のスキャン配線１５が行方向に延在して形成されたものであることが好ましい。なお、一対のパッド電極１２，１３はハニカム状に配置されていてもよい。
【００４７】
なお、上記のプロセスを経て、微小パッケージＰを配線基板に実装したときに、微小パッケージＰの上下面の向きが所望の向きとは反対になってしまう場合には、例えば、微小パッケージＰを配線基板に実装する前に、再度、微小パッケージＰを仮固定基板に転写して、微小パッケージＰの上下を反転させておき、その上で、微小パッケージＰを配線基板に実装すればよい。
【００４８】
ところで、本実施の形態では、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを配線基板１０上に実装する際に、少なくとも上述の領域αに含まれる発光素子２０Ｒにおいて、結晶軸の向きが面内で揃わないようにしている。同様に、少なくとも上述の領域αに含まれる発光素子２０Ｇにおいて、結晶軸の向きが面内で揃わないようにするとともに、少なくとも上述の領域αに含まれる発光素子２０Ｂにおいて、結晶軸の向きが面内で揃わないようにしている。
【００４９】
例えば、複数の発光素子１２０Ｒが形成されたウェハ３００を用意する（図１７）。このとき、各発光素子１２０Ｒの１つの結晶軸の向き（図中の矢印）が同一の方向を向いている。なお、図１７には、各素子の座標が、結晶軸の向きを示す矢印とともに記載されている。次に、ウェハ３００上の全ての発光素子１２０Ｒを仮固定基板４００に転写したのち、上述した方法と同様の方法を用いて発光素子２０Ｒを形成する（図１８）。仮固定用基板４００は、例えば、透明基板（例えば石英基板またはサファイア基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。なお、転写に伴い図１８中の各素子の座標が図１７中の座標を反転させた状態になっている。
【００５０】
次に、仮固定用基板４００上の複数の発光素子２０Ｒのうち特定の発光素子２０Ｒ（図１８中で丸で囲んだ素子）だけを配線基板１０上の所定の領域ａ１内に転写する（図１９）。例えば、特定の列（例えば右から１，５）に含まれる複数の発光素子２０Ｒのうち３つの発光素子２０Ｒごとに１つずつ、配線基板１０上に転写する。次に、仮固定用基板４００を１８０°回転させて、仮固定用基板４００上の各発光素子２０Ｒの結晶軸の向きを１８０°回転させたのち、仮固定用基板４００上の複数の発光素子２０Ｒのうち特定の発光素子２０Ｒだけを配線基板１０上の所定の領域ａ１内に転写する（図２０）。例えば、既に転写の行われた列とは異なる列（例えば図１８において左から１，５列）に含まれる複数の発光素子２０Ｒのうち３つの発光素子２０Ｒごとに１つずつ、配線基板１０上の発光素子２０Ｒ同士の間に転写する。同様にして、配線基板１０上の他の領域ａ２，ａ３，ａ４，…に対しても、発光素子２０Ｒを転写する（図２１）さらに、同様にして、配線基板１０上に、発光素子２０Ｇ，２０Ｂを転写する（図２２）。
【００５１】
その結果、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに１８０°異なる方向を向く。さらに、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、列方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに同一方向を向く。同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０によって構成される行列のうち互いに近接する２つの列Ｌｖ１，Ｌｖ２に着目したときに（図では隣接する２つの列に着目している。）、列Ｌｖ１と列Ｌｖ２とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる（具体的には１８０°異なる）方向を向いている。また、１列ごとに、共通の結晶軸の向きが交互に入れ替わっている。このようにして、本実施の形態の発光装置１が製造される。
【００５２】
なお、上記と同様の方法を用いて、例えば、図２３に示したように、２列ごとに、共通の結晶軸の向きを交互に入れ替えるようにしてもよい。また、図示しないが、３列以上ごとに、共通の結晶軸の向きを交互に入れ替えるようにしてもよい。
【００５３】
また、発光素子２０Ｒを配線基板１０上に実装したときに、発光素子２０Ｒの上面（つまり電極２４側の面）が配線基板１０とは反対側を向くようにしたい場合には、例えば、発光素子２０Ｒを配線基板１０に実装する前に、再度、発光素子２０Ｒを仮固定基板に転写して、発光素子２０Ｒの上下を反転させておき、その上で、特定の発光素子２０Ｒを配線基板１０に実装すればよい。
【００５４】
また、例えば、以下のようにしても、本実施の形態の発光装置１を製造することができる。
【００５５】
（その１）
まず、複数の発光素子１２０Ｒが形成されたウェハ５００を用意する（図２４）。このとき、各発光素子１２０Ｒの１つの結晶軸の向き（図中の矢印）が同一の方向を向いている。なお、図２４には、各素子の座標が、結晶軸の向きを示す矢印とともに記載されている。次に、ウェハ５００上の全ての発光素子１２０Ｒを仮固定基板６００に転写したのち、上述した方法と同様の方法を用いて発光素子２０Ｒを形成する（図２５）。仮固定用基板６００は、例えば、透明基板（例えば石英基板またはサファイア基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。なお、転写に伴い図２５中の各素子の座標が図２４中の座標を左右反転させた状態になっている。
【００５６】
次に、仮固定用基板６００上の複数の発光素子２０Ｒのうち特定の発光素子２０Ｒ（図２５中で丸で囲んだ素子）だけを配線基板１０上の所定の領域ａ１内に転写する（図２６）。例えば、特定の列（例えば右から１，４，７列）に含まれる複数の発光素子２０Ｒのうち３つの発光素子２０Ｒごとに１つずつ、配線基板１０上に転写する。次に、仮固定用基板６００を９０°回転させて、仮固定用基板６００上の各発光素子２０Ｒの結晶軸の向きを９０°回転させたのち、仮固定用基板６００上の複数の発光素子２０Ｒのうち特定の発光素子２０Ｒだけを配線基板１０上の所定の領域ａ１内に転写する（図２７）。例えば、既に転写の行われた列とは異なる列（例えば図２５において左から１，４，７列）に含まれる複数の発光素子２０Ｒのうち３つの発光素子２０Ｒごとに１つずつ、配線基板１０上の発光素子２０Ｒ同士の間に転写する。同様にして、配線基板１０上の他の領域ａ２，ａ３，ａ４，…に対しても、発光素子２０Ｒを転写する（図２８）さらに、同様にして、配線基板１０上に、発光素子２０Ｇ，２０Ｂを転写する（図２９）。
【００５７】
その結果、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに９０°異なる方向を向く。さらに、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、列方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに同一方向を向く。同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０によって構成される行列のうち互いに近接する２つの列Ｌｖ３，Ｌｖ４に着目したときに（図では隣接する２つの列に着目している。）、列Ｌｖ３と列Ｌｖ４とにおいて、共通の結晶軸の向きが互いに異なる（具体的には９０°異なる）方向を向いている。また、１列ごとに、共通の結晶軸の向きが交互に入れ替わっている。
【００５８】
なお、上記と同様の方法を用いて、例えば、図３０に示したように、２列ごとに、共通の結晶軸の向きを交互に入れ替えるようにしてもよい。また、図示しないが、３列以上ごとに、共通の結晶軸の向きを交互に入れ替えるようにしてもよい。
【００５９】
（その２）
まず、複数の発光素子１２０Ｒが形成されたウェハ３００を用意したのち（図１７）、仮固定基板４００上に複数の発光素子２０Ｒを形成する（図１８）。次に、仮固定用基板４００上の複数の発光素子２０Ｒのうち特定の発光素子２０Ｒ（図３１中で丸で囲んだ素子）だけを配線基板１０上の所定の領域ａ１内に転写する（図３２）。例えば、特定の列（例えば図３２において右から１，３，５，７列）に含まれる複数の発光素子２０Ｒのうち６つの発光素子２０Ｒごとに１つずつ、配線基板１０上に転写する。このとき、図３２に示したように、各発光素子２０Ｒを互い違いに、配線基板１０上に転写する。次に、仮固定用基板４００を１８０°回転させて、仮固定用基板４００上の各発光素子２０の結晶軸の向きを１８０°回転させたのち、仮固定用基板４００上の複数の発光素子２０Ｒのうち特定の発光素子２０Ｒ（図３３中で丸で囲んだ素子）だけを配線基板１０上の所定の領域ａ１内に転写する（図３４）。例えば、特定の列（例えば図３３において右から１，３，５，７列）に含まれる複数の発光素子２０Ｒのうち一部の発光素子２０Ｒを互い違いに、配線基板１０上に転写する。同様にして、配線基板１０上の他の領域ａ２，ａ３，ａ４，…に対しても、発光素子２０Ｒを転写する（図３５）さらに、同様にして、配線基板１０上に、発光素子２０Ｇ，２０Ｂを転写する（図３６）。
【００６０】
その結果、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに１８０°異なる方向を向いている。さらに、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、列方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きも互いに１８０°異なる方向を向いている。例えば、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０によって構成される行列のうち互いに隣接する列Ｌｖ５および列Ｌｖ６に着目したときに、列Ｌｖ５および列Ｌｖ６に含まれる同一種類（同一発光色）の全ての発光素子２０の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる（具体的には１８０°異なる）方向を向いている。また、互いに隣接する２列ごとに、共通の結晶軸の向きの互いに等しい発光素子２０が互い違いに配置されている。
【００６１】
（その３）
まず、複数の発光素子１２０Ｒが形成されたウェハ７００を用意する（図３７）。このとき、各発光素子１２０Ｒの１つの結晶軸の向き（図中の矢印）が同一の方向を向いている。なお、図３７には、各素子の座標が、結晶軸の向きを示す矢印とともに記載されている。次に、ウェハ７００Ｒ上の全ての発光素子１２０Ｒを仮固定基板８００に転写したのち、上述した方法と同様の方法を用いて発光素子２０Ｒを形成する（図３８）。仮固定用基板８００は、例えば、透明基板（例えば石英基板またはサファイア基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。なお、転写に伴い図３８中の各素子の座標が図３７中の座標を左右反転させた状態になっている。
【００６２】
次に、仮固定用基板８００上の複数の発光素子２０Ｒのうち特定の発光素子２０Ｒ（図３８中で丸で囲んだ素子）だけを配線基板１０上の所定の領域ａ１内に転写する（図３９）。例えば、特定の列（例えば右から１，４，７，１０列）に含まれる複数の発光素子２０Ｒのうち６つの発光素子２０Ｒごとに１つずつ、配線基板１０上に転写する。このとき、図３９に示したように、各発光素子２０Ｒを互い違いに、配線基板１０上に転写する。次に、仮固定用基板８００を９０°回転させて、仮固定用基板８００上の各発光素子２０Ｒの結晶軸の向きを９０°回転させたのち、仮固定用基板８００上の複数の発光素子２０Ｒのうち特定の発光素子２０Ｒ（図４０中で丸で囲んだ素子）だけを配線基板１０上の所定の領域ａ１内に転写する（図４１）。例えば、既に転写の行われた列とは異なる列（例えば図４０において左から１，４，７，１０列）に含まれる複数の発光素子２０Ｒのうち６つの発光素子２０Ｒごとに１つずつ、配線基板１０上の発光素子２０Ｒ同士の間に転写する。このとき、図４１に示したように、各発光素子２０Ｒを互い違いに、配線基板１０上に転写する。同様にして、配線基板１０上の他の領域ａ２，ａ３，ａ４，…に対しても、発光素子２０Ｒを転写する（図４２）さらに、同様にして、配線基板１０上に、発光素子２０Ｇ，２０Ｂを転写する（図４３）。
【００６３】
その結果、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、行方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きが互いに９０°異なる方向を向いている。さらに、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０に着目したときに、列方向に互いに近接する同一種類（同一発光色）の発光素子２０同士の共通の結晶軸の向きも互いに９０°異なる方向を向いている。例えば、同一種類（同一発光色）の複数の発光素子２０によって構成される行列のうち互いに隣接する列Ｌｖ７および列Ｌｖ８に着目したときに、列Ｌｖ７および列Ｌｖ８に含まれる同一種類（同一発光色）の全ての発光素子２０の共通の結晶軸の面内レイアウトにおいて、互いに隣り合う結晶軸の向きは互いに異なる（具体的には９０°異なる）方向を向いている。また、互いに隣接する２列ごとに、共通の結晶軸の向きの互いに等しい発光素子２０が互い違いに配置されている。
【００６４】
なお、上述した３つの転写プロセスにおいて、発光素子２０Ｒを配線基板１０上に実装したときに、発光素子２０Ｒの上面（つまり電極２４側の面）が配線基板１０とは反対側を向くようにしたい場合には、例えば、発光素子２０Ｒを配線基板１０に実装する前に、再度、発光素子２０Ｒを仮固定基板に転写して、発光素子２０Ｒの上下を反転させておき、その上で、特定の発光素子２０Ｒを配線基板１０に実装すればよい。
【００６５】
[効果]
本実施の形態では、共通の配線基板１０上に行列状に実装された各発光素子２０Ｒの結晶軸の向きが全て同じ方向を向いておらず、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子２０Ｒ同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている。また、共通の配線基板１０上に行列状に実装された各発光素子２０Ｇの結晶軸の向きが全て同じ方向を向いておらず、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子２０Ｇ同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている。さらに、共通の配線基板１０上に行列状に実装された各発光素子２０Ｂの結晶軸の向きが全て同じ方向を向いておらず、行方向および列方向のうち少なくとも一方の方向に互いに近接する発光素子２０Ｂ同士の共通の結晶軸の向きが互いに異なる方向を向いている。
【００６６】
これにより、各赤色ＬＥＤの放射角の傾きが面内で揃わなくなり、緑色ＬＥＤの表面に形成された縞模様が面内で揃わなくなり、さらに、青色ＬＥＤの表面に形成された縞模様も面内で揃わなくなる。その結果、赤色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃うとともに、緑色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃い、青色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃っている場合と比べて、面内でのＦＦＰ（Far Field Pattern）の偏りを少なくすることができるので、色むらや輝度むらを改善することができる。なお、素子の結晶軸の向きが主軸からずれることで、ピエゾ電解が発生し、また偏光性が出るが、本実施の形態では、偏光性が打ち消し合うので発光装置１全体としてはムラのないものができる。
【００６７】
＜２．第１の実施の形態の変形例＞
上記実施の形態では、全ての色のＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃わないようにしていたが、例えば、３色のＬＥＤのうち１色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。また、例えば、３色のＬＥＤのうち２色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のＬＥＤと緑色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、赤色のＬＥＤと青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のＬＥＤと青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。
【００６８】
また、上記実施の形態およびその変形例では、発光装置１は、グループＧｉごとに３色の発光素子（ＬＥＤ）を備えていたが、４色の発光素子（ＬＥＤ）を備えていてもよいし、１色または２色の発光素子（ＬＥＤ）だけを備えていてもよい。発光装置１がグループＧｉごとに２色の発光素子（ＬＥＤ）だけを備えている場合に、各データ配線１４および各スキャン配線１５のレイアウトは、例えば、領域α内に属する各色の発光素子（ＬＥＤ）との関係で互いに等しくなっている。
【００６９】
＜３．第２の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置２について説明する。表示装置２は、例えば、上記実施の形態に係る１つの発光装置１が表示パネル全面に配置されたものである。なお、表示装置２は、上記実施の形態に係る複数の発光装置１が、表示パネル全面にマトリクス状（格子状）またはハニカム状に配置されたものであってもよい。
【００７０】
図４４は、表示装置２の概略構成の一例を斜視的に表したものである。表示装置２は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。表示装置２は、例えば、図４４に示したように、表示パネル２１０と、表示パネル２１０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
【００７１】
（表示パネル２１０）
表示パネル２１０は、実装基板２１０−１と、透明基板２１０−２とを互いに重ね合わせたものである。透明基板２１０−２の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域２１０Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域２１０Ｂを有している。
【００７２】
（実装基板２１０−１）
図４５は、実装基板２１０−１の透明基板２１０−２側の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板２１０−１の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域には、例えば、図４５に示したように、複数のデータ配線１４が列方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板２１０−１の表面のうち表示領域２１０Ａに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線１５がデータ配線１４と交差（例えば直交）する方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。
【００７３】
スキャン配線１５は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層（図示せず）上に形成されている。なお、実装基板２１０−１の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなり、基材上の絶縁層は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはＡｌ2Ｏ3からなる。一方、データ配線１４は、スキャン配線１５を含む最表層とは異なる層（例えば、最表層よりも下の層）内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線１５の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくともパッド電極１２，１３の非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。
【００７４】
データ配線１４とスキャン配線１５との交差部分の近傍が表示画素１６となっており、複数の表示画素１６が表示領域２１０Ａ内においてマトリクス状（格子状）またはハニカム状に配置されている。各表示画素１６には、例えば、図４５に示したように、複数の発光素子２０が実装されている。従って、複数の発光素子２０も、表示画素１６と同様の配列となっており、具体的には、マトリクス状（格子状）またはハニカム状に配置されている。なお、各発光素子２０は、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で実装されており、発光素子２０の上面（つまり電極２４側の面）が透明基板２１０−２側を向いている。なお、図４５には、３つの発光素子２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）で一つの表示画素１６が構成されており、発光素子２０Ｒから赤色の光を、発光素子２０Ｇから緑色の光を、発光素子２０Ｂから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。発光素子２０は、例えばＬＥＤチップである。
【００７５】
発光素子２０には、例えば、図２（Ａ），（Ｂ）に示したように、一対の電極２４，２５が設けられている。そして、電極２５がデータ配線１４に電気的に接続されており、電極２４がスキャン配線１５に電気的に接続されている。例えば、電極２５は、パッド電極１３を介してデータ配線１４に接続されている。また、例えば、電極２４は、パッド電極１２を介してスキャン配線１５に接続されている。また、各データ配線１４および各スキャン配線１５のレイアウトは、領域α内に属する全ての発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂとの関係で互いに等しくなっている。つまり、各データ配線１４および各スキャン配線１５のレイアウトが発光素子２０の結晶軸の向きに関係なく、いずれの発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂとの関係においても互いに等しくなっている。
【００７６】
各パッド電極１２，１３は、例えば、最表層に形成されており、例えば、図４５に示したように、各発光装置１が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極１２，１３は、例えば、Ａｕ（金）などの導電性材料からなる。
【００７７】
実装基板２１０−１には、さらに、例えば、実装基板２１０−１と透明基板２１０−２との間の間隔を規制する複数の支柱（図示せず）が設けられている。支柱は、表示領域２１０Ａとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域２１０Ｂとの対向領域内に設けられていてもよい。
【００７８】
（透明基板２１０−２）
透明基板２１０−２は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。透明基板２１０−２において、実装基板２１０−１側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域２１０Ａとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素１６との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子２０から発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチングなどによって作製可能である。
【００７９】
（駆動回路）
駆動回路は、映像信号に基づいて複数の表示画素１６を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素１６に接続されたデータ配線１４を駆動するデータドライバと、表示画素１６に接続されたスキャン配線１５を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板２１０−１上に実装されていてもよいし、表示パネル２１０とは別体で設けられ、かつ配線（図示せず）を介して実装基板２１０−１と接続されていてもよい。
【００８０】
［表示パネル２１０の製造方法］
次に、表示パネル２１０の製造方法の一例について説明する。
【００８１】
まず、例えば、基材上に、複数のデータ配線１４を内部に含む絶縁層と、配線パターン（スキャン配線１５およびパッド電極１２，１３）とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光素子２０を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光素子２０が実装される。これにより、実装基板２１０−１が形成される。次に、実装基板２１０−１と透明基板２１０−２とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、表示パネル２１０が製造される。
【００８２】
［表示装置２の動作・効果］
本実施の形態では、発光素子２０が駆動回路によって、データ配線１４およびスキャン配線１５を介して駆動（例えば単純マトリクス駆動）される。これにより、データ配線１４とスキャン配線１５との交差部分近傍に設けられた発光素子２０に順次、電流が供給され、表示領域２１０Ａに画像が表示される。
【００８３】
ところで、本実施の形態では、表示画素１６に使用される発光素子２０が上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で回路基板上に実装される。これにより、各赤色ＬＥＤの放射角の傾きが面内で揃わなくなり、緑色ＬＥＤの表面に形成された縞模様が面内で揃わなくなり、さらに、青色ＬＥＤの表面に形成された縞模様も面内で揃わなくなる。その結果、赤色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃うとともに、緑色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃い、青色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃っている場合と比べて、面内でのＦＦＰ（Far Field Pattern）の偏りを少なくすることができるので、色むらや輝度むらを改善することができる。なお、素子の結晶軸の向きが主軸からずれることで、ピエゾ電解が発生し、また偏光性が出るが、本実施の形態では、偏光性が打ち消し合うので表示装置２全体としてはムラのないものができる。
【００８４】
＜４．第２の実施の形態の変形例＞
上記第２の実施の形態では、全ての色のＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃わないようにしていたが、例えば、３色のＬＥＤのうち１色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。また、例えば、３色のＬＥＤのうち２色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のＬＥＤと緑色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、赤色のＬＥＤと青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のＬＥＤと青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。
【００８５】
また、上記第２の実施の形態およびその変形例において、ある方向に結晶軸の向きを有する発光素子２０と、他の方向に結晶軸の向きを有する発光素子２０とが互いに異なる偏光光を出力するようになっていてもよい。例えば、複数の発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのうち領域α内に属する複数の発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを、列方向において互いに近接する発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂごとにグループ分けしたときに、一のグループ（例えば一の表示画素１６）から発せられる光の偏光成分と、他のグループ（例えば他の表示画素１６）から発せられる光の偏光成分とが互いに異なっていてもよい。例えば、各発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂにおいて、オフ角を９０°近くにした場合には、歪の効果により偏光が生じる。このようにした場合には、一方の偏向成分の光で右目用の画像を表示し、他方の偏向成分の光で左目用の画像を表示することにより、偏向眼鏡にシャッターを設けなくても、３Ｄ映像を視認することが可能となる。
【００８６】
また、上記第２の実施の形態およびその変形例では、表示装置２は、表示画素１６として３色のＬＥＤを備えていたが、４色のＬＥＤを備えていてもよいし、１色または２色のＬＥＤだけを備えていてもよい。
【００８７】
＜５．第３の実施の形態＞
[構成]
次に、本発明の第３の実施の形態に係る照明装置３について説明する。照明装置３は、上記実施の形態に係る発光装置１が照明パネル全面に配置されたものである。なお、照明装置３は、上記実施の形態に係る複数の発光装置１が、照明パネル全面にマトリクス状（格子状）またはハニカム状に配置されたものであってもよい。
【００８８】
図４６は、照明装置３の概略構成の一例を斜視的に表したものである。照明装置３は、いわゆるＬＥＤ照明と呼ばれるものであり、光源としてＬＥＤが用いられたものである。照明装置３は、例えば、図４６に示したように、照明パネル３３０と、照明パネル３３０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。
【００８９】
（照明パネル３３０）
照明パネル３３０は、実装基板３３０−１と、透明基板３３０−２とを互いに重ね合わせたものである。透明基板３３０−２の表面が、照明光が出力される面となっており、中央部分に照明領域３３０Ａを有している。
【００９０】
図４７は、実装基板３３０−１の透明基板３３０−２側の表面のうち照明領域３３０Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。本実施の形態では、図４５に記載の表示画素１６に対応するものが、照明画素１７となる。
【００９１】
（駆動回路）
駆動回路は、複数の照明画素１７を駆動するものである。駆動回路は、例えば、照明画素１７に接続されたデータ配線１４を駆動するデータドライバと、照明画素１７に接続されたスキャン配線１５を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板３３０−１上に実装されていてもよいし、照明パネル３３０とは別体で設けられていてもよい。
【００９２】
［照明パネル３３０の製造方法］
次に、照明パネル３３０の製造方法の一例について説明する。
【００９３】
まず、例えば、基材上に、複数のデータ配線１４を内部に含む絶縁層と、配線パターン（スキャン配線１５およびパッド電極１２，１３）とを有する回路基板を用意する。次に、回路基板上に複数の発光素子２０を実装する。このとき、上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で、発光素子２０が実装される。これにより、実装基板３３０−１が形成される。次に、実装基板３３０−１と透明基板３３０−２とを互いに向かい合わせ、貼り合わせる。このようにして、照明パネル３３０が製造される。
【００９４】
［照明装置３の動作・効果］
本実施の形態では、発光素子２０が駆動回路によって、データ配線１４およびスキャン配線１５によって駆動される。これにより、データ配線１４とスキャン配線１５との交差部分近傍に設けられた発光素子２０に電流が供給され、照明領域３３０Ａから照明光が出力される。
【００９５】
ところで、本実施の形態では、照明画素１７に使用される発光素子２０が上記実施の形態で既に述べた方法と同一の方法で回路基板上に実装される。これにより、各赤色ＬＥＤの放射角の傾きが面内で揃わなくなり、緑色ＬＥＤの表面に形成された縞模様が面内で揃わなくなり、さらに、青色ＬＥＤの表面に形成された縞模様も面内で揃わなくなる。その結果、赤色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃うとともに、緑色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃い、青色ＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃っている場合と比べて、色むらや輝度むらを改善することができる。なお、素子の結晶軸の向きが主軸からずれることで、ピエゾ電解が発生し、また偏光性が出るが、本実施の形態では、偏光性が打ち消し合うので照明装置３全体としてはムラのないものができる。
【００９６】
＜６．第３の実施の形態の変形例＞
上記第３の実施の形態では、全ての色のＬＥＤの結晶軸の向きが面内で揃わないようにしていたが、例えば、３色のＬＥＤのうち１色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。また、例えば、３色のＬＥＤのうち２色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。例えば、赤色のＬＥＤと緑色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、赤色のＬＥＤと青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよいし、緑色のＬＥＤと青色のＬＥＤの結晶軸の向きだけが面内で揃わないようにしてもよい。
【００９７】
また、上記第３の実施の形態およびその変形例では、照明装置３は、照明画素１７として３色のＬＥＤを備えていたが、４色のＬＥＤを備えていてもよいし、１色または２色のＬＥＤだけを備えていてもよい。
【００９８】
以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【００９９】
例えば、上記実施の形態等では、電極２４が発光素子２０の上面に形成され、電極２５が発光素子２０の下面に形成されていたが、電極２４，２５がともに、発光素子２０の下面に形成されていてもよい。この場合、例えば、第１導電型層２１、活性層２２および第２導電型層２３に対して柱状メサが形成され、柱状メサの頂部（第１導電型層２１）に電極２４が電気的に接続され、柱状メサの裾野（第２導電型層２３）に電極２５が電気的に接続される。第２導電型層２３と電極２５との電気的な接続には、例えば、柱状バンプなどが用いられる。なお、第１導電型層２１と電極２４との電気的な接続にも、例えば、柱状バンプなどが用いられてもよい。
【０１００】
以下に、電極２４，２５がともに、発光素子２０の下面に形成されている場合の、発光素子２０の転写方法の一例について説明する。まず、結晶成長用の基板上に、発光素子２０Ｒのうち電極２４，２５以外の部分（発光素子２２０Ｒ（図示せず））を多数形成したウェハ１０００Ｒ（図示せず）を用意する。また、結晶成長用の基板上に、発光素子２０Ｇのうち電極２４，２５以外の部分（発光素子２２０Ｇ（図示せず））を多数形成したウェハ１０００Ｇ（図示せず）を用意する。さらに、結晶成長用の基板上に、発光素子２０Ｂのうち電極２４，２５以外の部分（発光素子２２０Ｂ（図示せず））を多数形成したウェハ１０００Ｂ（図示せず）を用意する。なお、発光素子２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂはそれぞれ、第２導電型層２３、活性層２２および第１導電型層２１が結晶成長用の基板側からこの順に積層された構造となっている。なお、この段階では、第２導電型層２３、活性層２２および第１導電型層２１は、発光素子２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂごとに分離されていない。
【０１０１】
また、ウェハ１０００Ｒ上の発光素子２２０Ｒを一時的に仮固定するための仮固定用基板２０００Ｒ（図示せず）を用意する。同様に、ウェハ１０００Ｇ上の発光素子２２０Ｇを一時的に仮固定するための仮固定用基板２０００Ｇ（図示せず）と、ウェハ１０００Ｂ上の発光素子２２０Ｂを一時的に仮固定するための仮固定用基板２００Ｂ（図示せず）を用意する。仮固定用基板２０００Ｒ，２０００Ｇ，２０００Ｂは、例えば、透明基板（例えば石英基板またはサファイア基板）上に、未硬化の接着層が配置されたものである。
【０１０２】
次に、ウェハ１０００Ｒおよび仮固定用基板２０００Ｒを、ウェハ１０００Ｒ上の各発光素子２２０Ｒが仮固定用基板２０００Ｒ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１０００Ｒの基板を例えばラッピングなどによって除去して、第２導電型層２３を露出させる。その後、露出した第２導電型層２３上に電極２４，２５を形成するとともに、各発光素子２２０Ｒを素子分離する。このようにして、仮固定用基板２０００Ｒ上に、複数の発光素子２０Ｒが形成される。
【０１０３】
また、ウェハ１０００Ｇおよび仮固定用基板２０００Ｇを、ウェハ１０００Ｇ上の各発光素子２２０Ｇが仮固定用基板２０００Ｇ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１０００Ｇの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第２導電型層２３を露出させる。その後、露出した第２導電型層２３上に電極２４，２５を形成するとともに、各発光素子２２０Ｇを素子分離する。このようにして、仮固定用基板２０００Ｇ上に、複数の発光素子２０Ｇが形成される。
【０１０４】
同様に、ウェハ１０００Ｂおよび仮固定用基板２０００Ｂを、ウェハ１０００Ｂ上の各発光素子２２０Ｂが仮固定用基板２０００Ｂ上の接着層と接するように貼り合わせたのち、接着層を硬化させる。続いて、ウェハ１０００Ｂの基板を例えばレーザ照射などによって除去して、第２導電型層２３を露出させる。その後、露出した第２導電型層２３上に電極２４，２５を形成するとともに、各発光素子２２０Ｂを素子分離する。このようにして、仮固定用基板２０００Ｂ上に、複数の発光素子２０Ｂが形成される。
【０１０５】
次に、発光素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを実装する配線基板１０を用意し、上記実施の形態と同様の方法で、配線基板１０のパッド電極１３上に、発光素子２０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを実装する。また、上記実施の形態と同様の方法で、必要に応じて、微小パッケージＰを形成したり、微小パッケージＰを別の配線基板上に実装したりしてもよい。
【０１０６】
また、上記実施の形態等では、複数の発光素子２０が格子状に実装されていたが、ハニカム状に実装されていてもよいし、ライン状に実装されていてもよい。なお、複数の発光素子２０がハニカム状に実装されている場合には、広義には、複数の発光素子２０が行列状に実装されていると言える。このとき、列方向は、例えば上下方向に対応し、行方向は、例えば、互いに隣り合う発光素子２０同士を直線で繋いだときの、その直線の延在方向に対応する。従って、このときには、行方向は、例えば、右肩上がりの直線および右肩下がりの直線のいずれか一方の直線の延在方向に対応することになる。
【０１０７】
また、上記実施の形態等では、発光素子２０を駆動する配線として、データ配線１４およびスキャン配線１５が用いられていたが、他の配線パターンが用いられてもよい。
【符号の説明】
【０１０８】
１…発光装置、２…表示装置、３…照明装置、１０…配線基板、１１…支持基板、１２，１３…パッド電極、１４…データ配線、１５…スキャン配線、１６…表示画素、１７…照明画素、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ，１２０Ｂ，１２０Ｇ，１２０Ｒ，２２０Ｂ，２２０Ｇ，２２０Ｒ…発光素子、２０Ａ…光射出面、２１…第１導電型層、２２…活性層、２３…第２導電型層、２４，２５…電極、１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ，３００，５００，７００，１０００Ｂ，１０００Ｇ，１０００Ｒ…ウェハ、２００Ｂ，２００Ｇ，２００Ｒ，４００，６００，８００，２０００Ｂ，２０００Ｇ，２０００Ｒ…仮固定用基板、２１０…表示パネル、２１０−１，３３０−１…実装基板、２１０−２，３３０−２…透明基板、２１０Ａ…表示領域、２１０Ｂ…フレーム領域、３３０…照明パネル、３３０Ａ…照明領域、ＡＸ１，ＡＸ３…結晶軸、ＡＸ２，ＡＸ４…法線、ａ1〜ａ4…領域、Ｂｉ…ブロック、Ｇ１，Ｇ２，Ｇｉ…グループ、Ｌｖ１〜Ｌｖ８…列、α…領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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