(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末と、ＳｉＯ２を含まず、かつ４００以上６００℃未満の軟化点を有するＢｉ系ガラス粉末とが、重量割合８：２〜９：1で混合された混合物の焼結体から成る電波吸収体と、
金属製またはセラミック製のカバー本体と、
前記電波吸収体と前記カバー本体との間で、これらとともに焼結温度４００℃未満で加圧焼結接合された低温焼結金属とを備えたことを特徴とする電波吸収体付き高周波回路ケース用カバー。
【請求項２】
前記電波吸収体は、前記軟磁性体球状粉末と前記ガラス粉末にバインダ成分を加えて加圧成形し、６００℃未満の温度で焼結して得られた焼結体であることを特徴とする請求項１に記載の電波吸収体付き高周波回路ケース用カバー。
【請求項３】
金属製またはセラミック製のカバー本体を用意する工程と、
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末と、ＳｉＯ２を含まず、かつ４００以上６００℃未満の軟化点を有するＢｉ系ガラス粉末とが重量割合８：２〜９：1で混合された混合物を焼結して、電波吸収体を形成する工程と、
焼結温度４００℃未満の低温焼結可能な未焼成低温焼結材料を調整する工程と、
前記電波吸収体と前記カバー本体との間に、前記未焼成低温焼結材料を挟み、これらとともに焼結温度４００℃未満で加圧焼結接合する工程とを含む電波吸収体付き高周波回路ケース用カバーの製造方法。
【請求項４】
前記電波吸収体を形成する工程は、前記軟磁性体球状粉末と前記ガラス粉末にバインダ成分を加えて加圧成形し、６００℃未満の温度で焼結する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の電波吸収体付き高周波回路ケース用カバーの製造方法。
【請求項５】
前記低温焼結材料を調整する工程は、直径数ナノメートルから数マイクロメートルの大気焼成可能な金属微粒子をペースト状、またはペーストを乾燥させたシート状とする工程を含むことを特徴とする請求項３または４に記載の電波吸収体付き高周波回路ケース用カバーの製造方法。
【請求項６】
ケース本体と、
誘電体基板上に搭載され、前記ケース本体内に収納された高周波回路チップと、
電波吸収体付き高周波回路ケース用カバーと、を備えた高周波回路モジュールであって、
前記電波吸収体付き高周波回路ケース用カバーが、
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末と、ＳｉＯ２を含まず、かつ４００以上６００℃未満の軟化点を有するＢｉ系ガラス粉末とが重量割合８：２〜９：1で混合された混合物の焼結体から成る電波吸収体と、
金属製またはセラミック製のカバー本体と、
前記電波吸収体と前記カバー本体との間で、これらとともに焼結温度４００℃未満で加圧焼結接合された低温焼結金属とを備えたことを特徴とする高周波回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路ケース用カバー、その製造方法およびこれを用いた高周波回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の分野では小型化・高性能化を図るため、高周波化と高密度実装化が進行している。特に高周波機器は回路機能ブロック毎に金属またはセラミックで形成されたケース等に収容し、実装された素子や回路導体を保護すると共に外部回路との相互電波干渉を防止する構造を採っている。高周波回路を完全に金属ケースで覆うことによって、ケース外部との相互電波干渉を防ぐことはできる。しかしながら、金属ケース内における自己干渉を防止することはできず、増幅器を含む高周波回路では金属ケース内に構成された高周波伝送線路から生じた輻射電波がケース内で反射し、増幅器に帰還して発信する場合がある。また使用周波数とケース内空間の寸法によっては空洞共振を起こす場合がある。空洞共振抑制のためには、空間寸法で決まる遮断周波数を考慮した電子機器設計を行うのが望ましい。しかしながら、回路規模、機能、大きさ等、同時に満足させなければならない制約が多いため、遮断周波数を優先した設計を行うことが難しいのが実情である。
【０００３】
これらケース内における自己干渉を抑制するには、ケース内で発生した不要電波を吸収する電波吸収体を設けることが有効であり、フェライト（磁性材料）を用いた電波吸収体をケース内に貼り付ける方法が採用されてきた。これはフェライトの電波吸収性能を利用したものである。特に高周波回路直上に設けることが有効であり、また十分に大面積に適用できるため高周波回路と対向するカバー（ケースの蓋面）に貼り付ける構成が一般的である。
【０００４】
しかし、従来高周波磁界用の磁性材料として広く用いられてきたフェライトは複素透磁率の損失項であるμ´´の絶対値が低く、適用可能な周波数は数百ＭＨzまでであり、問題となっている電磁波の周波数であるＧＨｚ帯では十分な吸収性能を有していない。ＧＨｚ帯の吸収に適した電波吸収体には軟磁性金属が適するとされていることから、樹脂材料に軟磁性金属粉末を混合・分散させたシート状の電波吸収体が提案されている（特許文献１）。
【０００５】
一般の樹脂材料は温度上昇と共に塩素、臭素、アンモニア、水素、炭化水素等、半導体素子にとっては腐食性となるガスが発生し易い。このため、半導体装置の封止樹脂としては、これら腐食性元素を含まない樹脂材料を用いているが、樹脂材料を使用する限り微量ではあるが水分発生は避けられない。温度上昇と共に発生した水蒸気は、温度低下と共に電子機器ケース内で結露し、短絡や高周波回路導体、半導体素子を腐食する要因となる。特に気密封止する電子デバイスでは微量の水蒸気が致命的となる場合がある。ここで樹脂から発生する水分の除去には高温・長時間のベーキングが有効であるが、長時間のバッチ処理となるため製造能力を圧迫することとなり、また高価となる要因になっている。
【０００６】
また、シート状の電波吸収体とカバーの接合固定には腐食ガス発生源となる接着剤は使用できない。このため、はんだ付けや低温ろう付けを用いているが、そのために電波吸収体にはんだや低温ろう材に濡れる金属層を形成しなければならず、やはり高価とならざるを得ない構成であった。軟磁性金属は鉄が主成分であるため非常に安価な素材であるが、このような軟磁性金属をカバーに貼り付けて電波吸収体として構成する場合には、高価になってしまう要因が多々あった。
【０００７】
また、ＧＨｚ帯で十分な電波吸収性能を有し、腐食ガスや水分の発生がほぼ無い焼結体を電波吸収体として使用し、蓋体に貼り付ける方法が開示されている（特許文献２）。しかしながら、この電波吸収体も金属層を形成し、はんだやろう材を用いて接合するところは前述したシート状電波吸収体の場合と同様であり、高価なものとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−８７６８６号公報
【特許文献２】特開２００５−７２１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に示されるようにフェライトではＧＨｚ帯の電波吸収体としては性能不足のため樹脂に軟磁性金属粉を分散させる方法により吸収性能を得ているが、樹脂は水分発生が避けられず、ケース内の高周波回路腐食要因を完全には無くすことはできない。また、水分除去のため、長時間のベーキング工程が必要であるなど製造に時間がかかり、高価となるという問題がある。また電波吸収体取り付けのため電波吸収体に金属層を形成するのが必須である一方、カバーにも、はんだ付けまたは低温ろう付け可能な金属層の形成が必須であるため、さらに高価となる問題がある。
【００１０】
特許文献２では電波吸収体を焼結体とすることで電波吸収体自体からの水分発生は防止されているが、電波吸収体及びカバーにはんだ付けまたはろう付け可能な金属層を形成する必要があり、高価となる製造工程が必要な点は何ら変わっていない。
【００１１】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、腐食ガスや水分を発生することなく、安定でかつ安価な高周波回路ケース用カバー、その製造方法およびこれを用いた高周波回路モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の高周波回路ケース用カバーは、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末と、ＳｉＯ２を含まず、かつ４００℃以上６００℃未満の軟化点を有するＢｉ系ガラス粉末とが重量割合が８：２〜９：1で混合された混合物から成る電波吸収体と、金属製またはセラミック製のカバー本体と、前記電波吸収体と前記カバー本体との間で、前記電波吸収体及びカバー本体とともに焼結温度４００℃未満で加圧焼結接合された低温焼結金属とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電波吸収体は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系で球状粉末形態の軟磁性体が高周波回路から発生したＧＨｚ帯の電波を吸収するため、高周波回路ケース内の共振、発振、ケース外への電波漏れを防止できる。また軟磁性体粉を固形化するためにＳｉＯ２を含まないＢｉ系ガラスを使用することで軟磁性体の特性を損なわない、電波吸収体を得ることが出来る。
【００１４】
また電波吸収体及び低温焼結金属はいずれも焼結物であるため腐食ガスや水分発生が無く、高周波回路を腐食する心配が無い。また低温焼結金属による接合では電波吸収体面とカバー面に金属層を設ける必要が無く、低コスト化を図ることができるという効果がある。また、軟磁性体の特性を保つため電波吸収体形成に適用するガラス粉末は４００℃以上６００℃未満の低温ガラス材料としているが、電波吸収体とカバーの接合には４００℃未満の低温焼結金属を使用しているので電波吸収体を固形化しているガラスが再溶融することもなく、安定な電波吸収体付き高周波回路用カバーを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施の形態１による高周波回路ケース用カバーを示す断面図である。
【図２】図２は、実施の形態１による高周波回路モジュールを示す断面図である。
【図３】図３は、実施の形態１による電波吸収体の製造方法を示す模式図である。
【図４】図４は、実施の形態１による高周波回路用カバーの製造方法を示す模式図である。
【図５】図５は、実施の形態１で用いられるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系軟磁性体球状粉末の通過損失周波数特性を示す図である。
【図６】図６は、比較例の六方晶系フェライトの通過損失周波数特性を示す図である。
【図７】図７は、比較例のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系軟磁性体扁平粉の通過損失周波数特性を示す図である。
【図８】図８は、実施の形態１によるガラスを重量比で２０％添加した場合の電波吸収体の通過損失周波数特性を示す図である。
【図９】図９は、比較例のガラスを重量比で４０％添加した場合の電波吸収体の通過損失周波数特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明にかかる高周波回路ケース用カバーの一実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
実施の形態１.
図１は実施の形態１の電波吸収体付き高周波回路ケース用カバーの例を示す断面図であり、金属製またはセラミック製のカバー本体１の面に電波吸収体２が取付けられている。図２はこの高周波回路ケース用カバーを用いた高周波回路モジュールを示す断面図である。本実施の形態１の電波吸収体付き高周波回路ケース用カバーＣは、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の損失性の軟磁性体球状粉末と、ＳｉＯ２を含まず、かつ４００℃以上６００℃未満の軟化点を有するＢｉ系ガラス粉末とが重量割合が８：２〜９：1で混合された混合物から成る電波吸収体２と、金属製またはセラミック製のカバー本体１と、電波吸収体２とカバー本体との間で、これらとともに加圧焼結接合された焼結温度４００℃未満の低温焼結金属３とを備えたことを特徴とする。電波吸収体２は高周波損失性が高いＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末とＳｉＯ２を含まないＢｉ系ガラスとから構成され、低温焼結金属３を焼結することによりカバー本体１の表面に焼結接合されている。ここで軟磁性体球状粉末としてはＣｕ、Ｎｂが添加された Ｆｅ-Ｃｕ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂを用いている。
【００１８】
また、この高周波回路ケース用カバーを用いた高周波回路モジュールにおいては、図２に示すように、多層誘電体基板を構成するセラミック基板４上に高周波回路チップ６ａと、信号処理のための回路チップ６ｂとが搭載され、筒状金属からなるケース本体１０に装着される。そしてこのケース本体１０に、高周波回路チップ６ａに相対向する位置に電波吸収体２が位置するように、高周波回路ケース用カバーＣが、装着されている。これら高周波回路チップ６ａ及び回路チップ６ｂは、セラミック基板４上に形成された回路パターン５にボンディングワイヤ７を介して電気的に接続されている。通常高周波回路モジュールにおいては、導波管などの伝送部が搭載されることが多いがここでは説明を省略する。
【００１９】
次に、この高周波回路ケース用カバーの製造方法について説明する。説明に先立ち、まず電波吸収体２の製造方法について説明する。図３はこの工程説明図である。図３（ａ）に示すように、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末とＳｉＯ２を含まないＢｉ系ガラスを混合し、さらに有機バインダを混合した電波吸収体粉末２Ｆを得る。そして電波吸収体粉末２Ｆを所望の大きさ・形状の成形型１００に入れ、プレス装置２００を用いて加圧成形して成形ペレット２Ｐを得る（図３（ｂ））。このとき、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末と、ＳｉＯ２を含まず、かつ４００以上６００℃未満の軟化点を有するＢｉ系ガラス粉末とが重量割合８：２〜９：1となるように混合する。また有機バインダとしては例えばセルロース系樹脂を用いた。
【００２０】
そしてこの成形ペレット２Ｐを形成した上で焼成・焼結することで、電波吸収体２が得られる。ガラスは金属やセラミックと強固な接合、固形化が出来るため古くから焼結助剤材として用いられ、導電材や抵抗材等の機能材料を固形化、接合する手段として広く用いられているが、本実施の形態ではＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末を機能材として用いる。
【００２１】
次に、この電波吸収体２のカバー本体１との接合方法について説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は工程説明図である。カバー本体１としては、金属製またはセラミック製が適用可能であるが、ここではセラミック製を用いる。図４（ａ）〜（ｂ）はこのカバー本体１と電波吸収体２との接合工程を示す図である。まず、図４（ａ）に示すように、カバー本体１に未焼成低温焼結金属３Ｐを塗布する。未焼成低温焼結金属３Ｐは直径数ナノメートルから数マイクロメートルの金属微粒子に溶剤を混合してペースト状としたものまたはこのペーストを乾燥させてシート状としたものである。
【００２２】
未焼成低温焼結金属３Ｐは、金属粒子が微小であることから微粒子同士が非常に低温で拡散接合する特質をもつ構成の金属であり、金、銀、銅、などが低温焼結可能な材質として代表的である。また未焼成低温焼結金属３Ｐは拡散性が高いことから他種金属やセラミックとの接合性が高いという特長があり、はんだやろう材との濡れ性を確保するためのめっき層などの金属層は必ずしも必要ではない。ここで未焼成低温焼結金属３Ｐを構成する金属微粒子の直径を数ナノメートルから数マイクロメートルとしたのは、コスト的に比較的安価で手に入りやすいという観点から下限を選択し、十分な分散性を得ることができるという観点から上限を設定している。
【００２３】
また未焼成低温焼結金属３Ｐは、焼結が完了すると、その融点はその金属元素固有の融点と同等であるため、焼結後に焼結接合工程温度を超える場合があっても溶融することが無く、はんだやろう材とは全く異なる特質を備えている。また原材料に樹脂成分を含まないため低温で焼成された焼結物であっても、塩素、臭素、アンモニア、水素、炭化水素、等、半導体素子にとっては腐食性となるガスや水分の発生が無く、電子機器ケース内を汚染する心配が無い。焼結温度は金属粒子のサイズ及び焼結を抑止している溶剤の種類や金属微粒子の分散性により選択可能であるが、電波吸収体２の電波吸収性能を損なわない温度として６００℃未満の制限を満足し、また軟化点が４００〜５００℃程度のガラスを用いていることから４００℃未満で焼結するよう調整されたものを選定した。本実施の形態では低温焼結金属としては、大気中３００℃焼成のＡｇナノ粒子ペーストを用いた。つまり、低温焼結金属としては大気中で焼成することができ、また素材としても安価な銀素材のものを用いているが、大気中で焼成することができる金素材のもの、あるいは焼成に還元雰囲気を必要とはするが安価な銅素材のものも適用可能である。
【００２４】
セラミック製のカバー本体１と電波吸収体２の間にペースト状またはシート状の未焼成低温焼結金属３Ｐを挟み、数ＭＰa以上の加圧下で加熱して焼成することにより電波吸収体２を金属製またはセラミック製のカバー本体１に接合した（図４（ｂ））。加圧は低温焼結金属の焼結には必ずしも必要ではないが、より強固な接合を実現するとともにより緻密な焼成物とするために加圧している。焼結に際し、低温焼結金属自体から腐食性ガスが発生することは無いが、気孔率が高い焼結物はガスや水分を吸蔵し易いため、加圧して気孔を低減し緻密な焼結物とし、ガスや水分の急増を防止する。
【００２５】
なお、電波吸収体２は焼結体であるため、焼成の際に表面に露出した軟磁性体表面には酸化膜が形成されている。このため、低温焼結接合に当たり、研磨して酸化膜を除去した上で低温焼結接合する方がさらに強固な接合を得られる。焼成雰囲気は未焼成低温焼結金属の種類により選定する必要がある。例えば、還元雰囲気を要する銅では大気中での焼成は出来ないが、金や銀であれば大気、不活性雰囲気のどちらでも焼成可能である。添加するガラスとしてＢｉ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系（軟化点４１４℃、焼成温度５５０℃、焼成雰囲気は大気）を用いた。
【００２６】
電波吸収体２が低温焼結金属３で金属製またはセラミック製のカバー本体１に接合して形成された高周波回路ケース用カバーＣを図２に示すように高周波回路チップ６ａを収容したケース本体１０に適用した場合、高周波回路チップ６ａから発生するＧＨｚ帯の電波を吸収し、ケース内共振の防止やケース外部への不要電波の放射を防止することができる。また電波吸収体２とその接合材料である低温焼結金属３は焼結体であるため加熱しても樹脂のように腐食ガスや水分が発生する恐れが無く、密閉ケースであっても収容された高周波回路チップ６ａを汚染したり腐食させることが無い高信頼性の電波吸収体２を得ることが出来る。
【００２７】
なお、前記実施の形態においては、磁性粉を固体化して電波吸収体として機能させるため用いられる、バインダ成分としてセルロース系樹脂を適用したが、特に限定されることはなく、エチルセルロースやメチルセルロース等のセルロース系樹脂や、メチルメタアクリレートやエチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂等を用いることができる。
【００２８】
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末は、ＧＨｚ帯の電波を吸収する損失性磁性体であり、電波吸収体２の基本組成である。電波吸収体２の材料組成・構成を決定するに当たり、高周波回路導体パターンに損失性磁性体を被せた際のＳ２１：通過損失（Ｓパラメータ）を測定した。また測定に当たり、磁性粉を固体化して電波吸収体として機能させるためバインダ成分、溶剤を混合してペースト状とし、セラミック基板に形成した高周波回路導体パターンに被せて印刷し、焼成した。ここでは純粋に磁性体の特性比較を行うため、また電波吸収体としての強度も必要ではないため焼結助剤としてのガラスは混合していない。
【００２９】
図５はＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉を用いた場合の高周波通過損失特性、図６は従来から電波吸収体として用いられている六方晶系フェライトを用いた場合の高周波通過損失特性を示している。図５、図６で示したように、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体材料の方が、六方晶系フェライトの場合よりも通過損失量が大きい。通過損失量が大きいということは電波吸収性能が高いということであり、図５に示すように、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末はＧＨｚ帯における電波吸収性能の有効性が認められた。図６の六方晶系フェライトではＧＨｚ帯の通過損失量が小さく、電波吸収性能が非常に低く有効ではない。
【００３０】
次に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性粉末の粒子形状が通過損失に与える影響を調べるために、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性材料の粒子形状が扁平状粉の場合につき高周波回路導体パターンに損失性磁性体を被せた際のＳ２１：通過損失を測定した。ここでも純粋に磁性体の特性比較を行うため、また電波吸収体としての強度も必要ではないため焼結助剤としてのガラスは混合していない。扁平粉とは球状粉を押しつぶした平たい形状の粉末をいうものとする。上記高周波回路導体パターンに損失性磁性体を被せた際の通過損失を測定した結果を図７に示す。図７は粒子形状が扁平状粉の場合の高周波通過損失を示しており、図５で示した軟磁性材料が球状粉末の場合の高周波通過損失と比べ、扁平粉はＧＨｚ帯における通過損失量が小さく、球状粉末の方が電波吸収性能として有効性が高いことが認められた。扁平粉の場合に高周波通過損失が小さいのは扁平形状であるため通過する高周波電波に対する粉末の分布方向性が不適当、また軟磁性体としての厚さが不足するためと考えられる。
【００３１】
次に電波吸収体を形成するためのガラス粉末の混合量について説明する。ガラス粉末としては、ＳｉＯ２を含まず、かつ４００℃以上６００℃未満の軟化点を有するＢｉ系ガラス粉末を用いる。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性粉末を結合し、電波吸収体２として固体化させるためガラス焼結を利用するが、混合するＢｉ系ガラス粉末の量（ガラス量）と軟磁性粉の混合比により電波吸収性能が変化するため電波吸収体粉末２Ｆ（図３参照）に混合するガラス量を変化させて電波吸収体としての損失性磁性体を形成し、この通過損失を測定した。ここでは、高周波回路導体パターンにこの損失性磁性体を被せた際のＳ２１：通過損失を測定した。図５、図８、図９はＢｉ系ガラス粉末の混合重量比に対する通過損失との関係を示しており、図５は前記したようにガラスの混合重量比は０％の場合を示し、図８はガラスの混合重量比２０％、図９はガラスの混合重量比４０％の場合を示している。図５、図８、図９から分かるようにガラスの混合重量比０％の場合が最も通過損失量が大きく、ガラス混合比が増えるに従い通過損失量が小さくなり、図９に示すガラスの混合重量比４０％の場合では高周波損失特性がほとんど消失した。高周波損失特性が有効と認められたのは図８に示すガラスの混合重量比２０％の場合までであるが、ガラスの混合重量比が１０％未満では軟磁性粉の結合・固体化が困難である。以上の結果から、ガラスの混合重量比は周波損失特性を有する１０〜２０％が最適である。
【００３２】
次に軟磁性粉末に混合するガラスの種別を決定するに当たり、焼成温度とＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末材料の物性変化の相関につき検討した。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末材料は焼成温度１５００℃以上の焼結物であるが、６００℃を越える温度に再昇温すると結晶化反応や酸化反応が進み、高周波損失性能が低下することが分っているため、これら反応が生じない温度を焼成温度として選ぶ必要があり、ガラスの種別も軟化温度が低いものを選定した。具体的にはＳｉＯ２を含まないＢｉ系ガラスであり、Ｂｉ２Ｏ３，ＺｎＯ，Ｂ２Ｏ３からなる組成により構成され、軟化点が４００〜５００℃程度で６００℃未満で焼結可能なガラスが適当である。ＳｉＯ２を含むガラスはＢｉ系であっても軟化点が高くなるため、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体の高周波損失特性を損なわずに焼結させるには適さない。なお、ここで用いるＢｉ系ガラスの軟化点はＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体の高周波損失特性の維持という観点からは、４００〜５００℃程度であるのが望ましいが、６００℃未満であればよい。
【００３３】
このようにして選定した材料構成において、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系の軟磁性体球状粉末材料とＳｉＯ２を含まないＢｉ系ガラス粉末を８：２〜９：1の重量割合で混合し、有機バインダを加えて電波吸収体粉末２Ｆを作製し、図３に示したように電波吸収体粉末２Ｆを所望の大きさ・形状の成形型１００に入れ、プレス装置２００を用いて５０ＭＰa以上（粉末が固形化される圧力であれば良い）の加圧力により粉体成形して成形ペレット２Ｐを形成した上で焼成・焼結し、電波吸収体２を作製した。
【００３４】
このようにして得られた電波吸収体２を、焼結温度４００℃未満の未焼成低温焼結金属３Ｐをはさんで金属製またはセラミック製のカバー本体に被せ、４００℃未満で焼結してカバーを作成しているため、安価でかつ腐食ガスや水分発生が無く、高周波回路を腐食する心配が無い低コストの電波吸収体付き高周波回路用カバーを提供することができる。
【００３５】
なお、未焼成低温焼結金属としては、大気焼成可能な金属微粒子をペースト状、またはペーストを乾燥させたシート状として使用し、これを電波吸収体とカバー本体との間に挟むようにした。未焼成低温焼結金属をペースト状にした場合は、必要とする厚さに塗布すればよく、調整が容易である。一方シート状にする場合は、挟み込むだけでよいため、取り扱いが容易である。
【００３６】
また、前記実施の形態では、カバー本体１の高周波回路チップ６ａに対向する領域にのみ電波吸収体２を形成したが、回路チップ6ｂ上にも到達するように、カバー本体1のほぼ全面にわたって電波吸収体２が形成されるようにしてもよい。
【００３７】
以上のように、本実施の形態によれは、高周波性能に優れ、長寿命の高周波回路ケース用カバーおよびこれを用いた、信頼性の高い高周波回路モジュールを提供することが可能となる。
【００３８】
なお、前記実施の形態では、高周波回路チップを搭載する基板として、多層誘電体基板を構成するセラミック基板を用いたが、単層誘電体基板でもよいことはいうまでもなく、金属またはセラミック基板を用いることができる。また、カバー本体１についても、金属またはセラミックで構成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
以上のように、本発明にかかる電波吸収体付き高周波回路用カバーは、腐食ガスや水分発生が無い構成の電波吸収体が形成できるため、特に気密封止する構成の高周波回路デバイスに有効性が高い。また焼結体であるため高湿下環境においても材質の変質は生じ難く、幅広い設置環境で安定した高周波電波吸収性能を発揮することが出来る。また電波吸収体は４００℃未満であれば焼結体構成が保たれ、低温焼結金属は４００℃程度で再溶融することは無く、軟磁性体は６００℃未満であれば電波吸収性能が損なわれることは無いため、４００℃未満の高温環境化での電波吸収体として利用できる。
【符号の説明】
【００４０】
Ｃ  電波吸収体付き高周波回路ケース用カバー
１  カバー本体
２  電波吸収体
２Ｆ  電波吸収体粉末
２Ｐ  成形ペレット
３  低温焼結金属
３Ｐ  未焼成低温焼結金属
４  セラミック基板
６ａ  高周波回路チップ
６ｂ  回路チップ
１０  ケース本体
１００  成形型
２００  プレス装置
【図１】
0005693486.tif 000002
【図２】
0005693486.tif 000003
【図３】
0005693486.tif 000004
【図４】
0005693486.tif 000005
【図５】
0005693486.tif 000006
【図６】
0005693486.tif 000007
【図７】
0005693486.tif 000008
【図８】
0005693486.tif 000009
【図９】
0005693486.tif 000010