(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
おもて面側に備えた基板と、該基板に装着される半導体チップと、前記基板とは反対の裏面側に位置して前記半導体チップに接続される外部電極とを一体化してパッケージした半導体チップパッケージの製造方法において、
第１の支持板の表面に第１の配線パターンを形成して、該第１の配線パターン上に半導体チップを配置して、該半導体チップの電極端子と該第１の配線パターンの必要個所とを電気接続し、
第２の支持板により一体に連結されている配線付ポスト電極部品の第２の配線パターンと接続されたポスト電極を、第１の支持板に形成した第１の配線パターンの所定の位置に、一括して固定しかつ電気的に接続し、
樹脂封止後、第１及び第２の支持板を剥離し、おもて面側においては前記基板を貼り付け、かつ、裏面側においては第２の配線パターンに接続される前記外部電極を形成した、ことから成る半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項２】
おもて面側に備えた基板と、該基板に装着される半導体チップと、前記基板とは反対の裏面側に位置して前記半導体チップに接続される外部電極とを一体化してパッケージした半導体チップパッケージの製造方法において、
第１の支持板の表面に第１の配線パターンを形成して、該第１の配線パターン上に半導体チップを配置して、該半導体チップの電極端子と該第１の配線パターンの必要個所とを電気接続し、
第２の支持板の全面に貼り付けた絶縁基材テープにより一体に連結されている配線付ポスト電極部品の第２の配線パターンと接続されたポスト電極を、第１の支持板に形成した第１の配線パターンの所定の位置に、一括して固定しかつ電気的に接続し、
樹脂封止後、第１及び第２の支持板を剥離し、おもて面側においては前記基板を貼り付け、かつ、裏面側においては前記絶縁基材テープに穴を空け、開口により露出した第２の配線パターンと接続される前記外部電極を形成した、
ことから成る半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップは、イメージセンサＬＳＩチップであり、かつ前記基板はガラス基板又は光透過性の透明樹脂基板である請求項１又は２に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記基板は、ヒートシンクとして機能する高放熱基板である請求項１又は２に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記基板と前記第１の配線パターンの層の間に接着層を備える請求項１に記載の半導体チップパッケージの製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一方の面にガラス基板或いは高放熱基板を備えて、その反対側面から外部電極を取り出すイメージセンサ或いはパワーの大きなＬＳＩ用のパッケージとして最適な半導体チップパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話にカメラが搭載されるようになり、またデジカメの小型化・薄型化の要求に伴い、画像の撮像部と処理部の小型化の要求が非常に強くなっている。ＩＣの設計・製造技術の進展によって、回路の高度集積化かつ低消費電力化が可能となり、画像の撮像部と処理部を一体化してパッケージしたイメージセンサパッケージが用いられている。
【０００３】
このようなイメージセンサパッケージは、イメージセンサ面と反対に電極を取り出す必要があるが、従来、このような電極取り出しは、半導体基板に貫通孔を設け、この貫通孔内に金属材料を充填する貫通配線技術を使って行われている。図２４は、特許文献１に開示されている従来の貫通技術を説明する図である。図２４に示したシリコン基板が本来の半導体基板である。その上面に絶縁層を介して配線・電極パッド層が設けられている。シリコン基板の開口の内周面および裏面は絶縁膜で覆われている。このシリコン基板の厚みは、薄化され、相対的に相当に薄いものになっている。シリコン基板の厚みを薄くすることができたため、エッチングが容易になり、かつ絶縁膜の形成が容易になる。シリコン基板の上側部分には、ガラスの支持体が設けられる。シリコン基板の裏面側には別の基板が取り付けられる。別の基板は、上記開口に対応してそれに一致する位置に貫通状態の孔を形成し、この開口と孔には貫通配線が形成され、この貫通配線を介して外部端子に接続されている。
【０００４】
前述のごとく、シリコン基板は、別の基板を貼り付けることにより半導体チップとしての強度を確保し、これにより、本来のシリコン基板の厚みを薄くすることが可能となる。そして、シリコン基板を薄化することにより、貫通配線形成のためのシリコンエッチング工程、絶縁膜形成工程、絶縁膜のエッチング工程、金属材料充填工程などに要する時間を短くして、半導体装置の製造コストを低減することが可能となる。
【０００５】
しかし、例示のイメージセンサパッケージは、シリコン基板を薄化したとはいえ、依然として、シリコン基板に開口を開けて、そこに金属材料を充填する貫通配線技術が必要である。
【０００６】
また、イメージセンサパッケージと同様に、パワーの大きいＬＳＩチップ及びそのためのヒートシンクを一体化したパッケージにおいても、ヒートシンクとは反対側に設けた外部端子（電極）に対する配線を容易にする技術が求められている。
【特許文献１】特開２００７−１５８０７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
現行のイメージセンサパッケージで採光面と反対側に、或いはヒートシンクを一体化したパッケージでヒートシンクとは反対側に電極を取り出そうとする場合は、貫通電極（貫通配線）を用いるしかないために、製造工程が複雑でコストが高くなる。
【０００８】
本発明は、係る問題点を解決して、イメージセンサパッケージ或いはヒートシンク一体化パッケージのように基板と反対側に電極を取り出す必要のある半導体チップパッケージにおいて、半導体基板に貫通孔を開けて金属材料を充填する貫通配線技術の必要なく、半導体基板と反対側に容易に電極を取り出すと共に、裏面再配線を容易に行うことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体チップパッケージ及びその製造方法は、おもて面側に備えた基板と、該基板に装着される半導体チップと、前記基板とは反対の裏面側に位置して前記半導体チップに接続される外部電極とを一体化してパッケージする。第１の支持板の表面に第１の配線パターンを形成して、該第１の配線パターン上に半導体チップを配置して、該半導体チップの電極端子と該第１の配線パターンの必要個所とを電気接続する。第２の支持板により一体に連結されている配線付ポスト電極部品の第２の配線パターンと接続されたポスト電極を、第１の支持板に形成した第１の配線パターンの所定の位置に、一括して固定しかつ電気的に接続する。樹脂封止後、第１及び第２の支持板を剥離し、おもて面側においては前記基板を貼り付け、かつ、裏面側においては第２の配線パターンに接続される前記外部電極を形成する。
【００１０】
また、本発明の半導体チップパッケージ及びその製造方法は、基板の表面に第１の配線パターンを形成して、該第１の配線パターン上に半導体チップを配置して、該半導体チップの電極端子と該第１の配線パターンの必要個所とを電気接続する。支持板により一体に連結されている配線付ポスト電極部品の第２の配線パターンと接続されたポスト電極を、前記基板に形成した第１の配線パターンの所定の位置に、一括して固定しかつ電気的に接続する。樹脂封止後、前記支持板を剥離し、裏面側において第２の配線パターンに接続される前記外部電極を形成する。
【００１１】
また、本発明の半導体チップパッケージ及びその製造方法は、第１の支持板の表面に第１の配線パターンを形成して、該第１の配線パターン上に半導体チップを配置して、該半導体チップの電極端子と該第１の配線パターンの必要個所とを電気接続する。第２の支持板の全面に貼り付けた絶縁基材テープにより一体に連結されている配線付ポスト電極部品の第２の配線パターンと接続されたポスト電極を、第１の支持板に形成した第１の配線パターンの所定の位置に、一括して固定しかつ電気的に接続する。樹脂封止後、第１及び第２の支持板を剥離し、おもて面側においては前記基板を貼り付け、かつ、裏面側においては前記絶縁基材テープに穴を空け、開口により露出した第２の配線パターンと接続される前記外部電極を形成する。
【００１２】
半導体チップは、イメージセンサＬＳＩチップであり、かつ基板はガラス基板又は光透過性の透明樹脂基板である。或いは、基板は、ヒートシンクとして機能する高放熱基板である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、簡易な方法で、イメージセンサあるいは高放熱のパッケージのような基板と反対側に電極を取り出す必要のある半導体パッケージを製作できる。半導体基板に貫通孔を開けて金属材料を充填する貫通配線技術の必要も無く、半導体基板と反対側に容易に電極を取り出し、かつ裏面の再配線を行うことが容易にでき、新規に高価な設備を準備をしなくも製造工程が構築できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、例示に基づき、本発明を説明する。最初に、本発明をイメージセンサチップパッケージに具体化した第１の実施形態を、図１〜図８を参照して説明する。図１（Ａ）は、配線を有する下支持板を示す斜視図であり、（Ｂ）は、この下支持板上に、イメージセンサ（ＬＳＩチップ）のような電子部品が搭載されて接続された状態で示す図である。イメージセンサは、受光面を下側に向けて配置する。後の工程で配線層から剥離されることになる下支持板は、詳細は後述する電鋳法により、配線パターンを形成して、配線パターン造り込みがなされている。
【００１５】
この配線パターン（配線層）上にイメージセンサを配置して、該イメージセンサの電極端子と該配線パターンの必要個所とを電気接続する。即ち、配線パターンを有する下支持板上に、イメージセンサを含む電子部品をダイボンド材により接着して、配線パターンとはボンディングワイヤにより接続するか（ワイヤボンド接続方式）、或いは、フリップチップ方式で搭載する。
【００１６】
図２は、板状の支持板により一体に連結されている配線付ポスト電極部品の詳細を示す図であり、図２（Ａ）は１個の半導体パッケージのための単体パターンの斜視図を示し、また図２（Ｂ）は複数個（１６個）の半導体パッケージのための複数個を連結した連結パターンの斜視図を示している。これら単体パターン或いは連結パターンは、複数個の配線付ポスト電極を支持板により一体に連結して構成される。ポスト電極は、例示したような円柱形状に限らず、矩形、多角形状等を含む柱状（棒状）形状であれば良い。パターン中央部は、例示したようにベタ板にすることに限らず、中抜きでも可能である。配線付ポスト電極パターンの製造は電鋳法によって行われる。
【００１７】
電鋳法自体は、周知の加工法である。電鋳法とは「電気めっき法による金属製品の製造・補修又は複製法」であって、基本的には電気めっきと同様であるが、めっき厚、めっき皮膜の分離操作を行う点が、電気めっきとは異なる。また、母型よりめっき皮膜を剥離して使用する場合、めっき皮膜の物性の制御・管理が重要ポイントとなる。電鋳法により成長させる導電性材料のめっき金属としては、ニッケルまたは銅とか、ニッケル合金、或いは銅合金を含む材料を用いることができる。母型材質としては、一般的な導電性材料であるステンレスを用いることができるが、それ以外に、樹脂封止のために用いる樹脂材料と熱膨張係数が大きく異ならない材質、例えばベースに銅材料を用いて表面はめっきパターンが剥離し易いようにめっき用の電気を通す程度の薄い酸化膜等の材料で覆ったものを用いることができる。内部応力の生じないようなめっき浴の組成やめっき条件を選定する必要があり、ニッケルめっきの場合、めっき浴として、スルファミン酸ニッケル浴が利用されている。
【００１８】
図２５は、フォトレジストを用いた電鋳部品の製造方法を示す工程図である。図２５（ａ）に示すように、ステンレス等の母型の上面に、フォトレジスト（不導体被膜）を塗布する。次いで、パターンフィルムを通して露光するパターン焼き付け及びその後の現像により、非めっき部分をフォトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成する（図２５（ｂ））。例えば、ポスト電極を形成する場合は、樹脂封止された半導体単体チップあるいは複数チップの積層のトータル厚さ以上、例えば100μｍ〜300μ前後の厚さとする。続いて、フォトレジストパターンの開口部にめっき金属が形成される（図２５（ｃ））。これは、めっき装置を用いて行う。適性温度に維持されためっき浴（例えば、スルファミン酸ニッケル液）中に、陽極側に電鋳させようとする電鋳金属を入れ、陰極側にステンレス等の電鋳母型を配置する。陰極側の電鋳母型の表面上には、図２５（ｂ）に示すように、フォトレジストパターンが予め形成されている。電流を流すと、陽極側の電鋳金属が溶け出して、電鋳母型上のフォトレジストパターン開口部にめっきされる。
【００１９】
次に、図２５（ｄ）に示すように、平坦化加工が行われる。図２に示すような配線付ポスト電極を形成する場合、最初の工程（図２５（ａ）〜（ｄ））で、配線パターンを形成した後、さらに、この工程を繰り返す２回目の工程で、配線パターンに接続されるポスト電極を形成する。
【００２０】
次に、レジストを除去すると（図２５（ｅ））、レジスト部分以外がそのままポスト電極や配線パターンとなる。そして、めっき金属により形成されたポスト電極を電鋳母型から剥離する（図２５（ｆ））。本発明は、後述するように、この剥離工程を、樹脂封止工程後に行う（図６参照）。形成されためっき電極と支持板の剥がしが、熱や圧力で容易に行うことができるのが、電鋳法の特徴である。このように、配線付ポスト電極部品は、支持板である導電性材料（電鋳母型）にリソグラフィーとメッキを用いて、配線層とポスト電極を成長させることにより、支持板と一体になった配線付ポスト電極パターンを形成する。
【００２１】
図３（Ａ）はイメージセンサを搭載した下支持板の斜視図を示し（図１参照）、かつ（Ｂ）はこの下支持板上に、図２に示すような配線付ポスト電極部品を配置した状態で示す断面図である。下支持板に形成した配線層をボンディングパッド領域として、イメージセンサのような電子部品を固定しかつ電気的に接続する。
【００２２】
図４は、下支持板上に配線付ポスト電極部品を接続、固定した状態で示す図である。下支持板の配線パターンの所定の位置には、上支持板により一体に連結された配線付ポスト電極部品が、一括して固定されかつ電気的に接続される。ポスト電極を固定及び接続する手法としては、（１）超音波による接合、（２）銀ペースト等の導電性ペーストによる接続、（３）半田接続、（４）有機基板側に設けた接続電極用金属パッド部に凹部を設ける一方、ポスト電極部品側は凸部を設けて挿入圧着あるいは挿入しカシメる方法、により行うことができる。ポスト電極が配線パターン上の所定の位置に固定された段階では、全てのポスト電極が、板状の上下の両支持板により一体に連結されている。
【００２３】
図５は、固定後、樹脂封止した状態で示す図である。図は１個のみの部品を示しているが、実際には多数個連結されている状態で、金型に入れて樹脂を充填する。これによって、上下の両支持板の間の空間を満たすようにトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００２４】
図６は、上下の両支持板（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。支持板を剥離することにより、上下両側に配線層が露出する。次に、図７に示すように、天地（上下）逆転させる。
【００２５】
次に、図８に示すように、おもて面側においては、イメージセンサ受光面側にガラス基板を貼り付ける。下支持板を剥離した位置に、ガラス基板又は光透過性の良い透明樹脂（アクリル、シクロオレフィンポリマーなど）板などの透明板を貼り付ける。透明板の貼り付けは、例えば、熱硬化型樹脂のような接着剤を用いて行う。なお、透明板の貼り付けは、以下の個片化を行った後でも良い。裏面側においては、配線層に接続される外部接続用のバンプ電極を形成する。この際、必要に応じて、裏面配線層には、保護膜を塗布する。裏面の再配線を利用して、ポスト電極の配置から、任意にイメージセンサチップの外部電極の位置に持っていくことができる。このため容易に3次元に、イメージセンサチップパッケージを接続することができる。
【００２６】
実際の製造においては、この後、個々のチップに切断して切り分ける個片化を経た後に、製品として完成する。これによって、従来技術のような貫通電極の必要なく、透明ガラス基板の反対側に配線層及び外部電極としてバンプ電極を形成したイメージセンサチップパッケージが完成する。このようして完成したイメージセンサチップパッケージは、個片化前に、信号処理用ＬＳＩチップパッケージのような別のパッケージと容易に接続することができる。
【００２７】
次に、本発明をイメージセンサチップパッケージに具体化した第２の実施形態を、図９〜図１５を参照して説明する。図９（Ａ）は、配線をしたガラス基板（又は光透過性の良い透明樹脂基板）を示す斜視図であり、（Ｂ）は、ガラス基板上に、イメージセンサのような電子部品が搭載されて接続された状態で示す図である。イメージセンサは、受光面を下側に向けて配置する。
【００２８】
図９の例では、支持部として透明ガラス基板を用いる。透明ガラス基板の全面に、配線パターンとなるべき金属のシード層を形成する（例えばスパッタ層あるいはナノ金属材料を塗膜）。このシード層としては、例えば、銅メッキを可能とする金、銀、銅、パラジューム箔を用いることができる。配線層のパターンはシード層の上にレジストを塗布し、パターンを露光、現像してさらにエッチングを行い、レジストを除去して完成させる。このシード層の上にメッキにより配線層を成長させる。或いは、ナノ金属粒子で直接シード層をパターンニングにしてリソグラフィ工程を省略することもできる。この直接パターンニングは、有機溶媒中に銅等のナノ金属粒子を含有させて、それをプリンターで実用されているインクジェット法で所望のパターンを描く方法である。
【００２９】
図１０（Ａ）は、ガラス基板上にイメージセンサを接続した状態を示す斜視図であり、（Ｂ）は、このガラス基板上に、図２に示すような配線付ポスト電極部品を配置した状態で例示する断面図である。ガラス基板に形成した配線層をボンディングパッド領域として、イメージセンサ（半導体ＬＳＩチップ）のような電子部品を固定しかつ電気的に接続する。
【００３０】
図１１は、ガラス基板上に配線付ポスト電極部品を接続、固定した状態で示す図である。この接続は、図４を参照して前述したように行う。また、図１２は、固定後、樹脂封止した状態で示す図である。図５を参照して前述したようにして、ガラス基板と上支持板の間の空間を満たすようにトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００３１】
図１３は、上支持板を剥離した後の状態で示す図である。上支持板を剥離することにより、上側に配線層が露出する。次に、図１４に示すように、天地（上下）逆転させる。
【００３２】
次に、図１５に示すように、裏面側においては、配線層に接続される外部接続用のバンプ電極を形成する。この際、必要に応じて、裏面配線層には、保護膜を塗布する。この後、個々のチップに切断して切り分ける個片化を経た後に、製品として完成する。
【００３３】
次に、本発明をイメージセンサチップパッケージに具体化した第３の実施形態を、図１６〜図２３を参照して説明する。図１６（Ａ）は、配線をした下支持板を示す斜視図であり、（Ｂ）は、下支持板上にイメージセンサのような電子部品が搭載されて接続された状態で示す断面図である。図１６は、図１と同一のものであり、配線パターンを有する下支持板上に、イメージセンサを搭載して接続している。
【００３４】
図１７は、図２とは異なる別の配線付ポスト電極部品を示す図であり、（Ａ）は、多数個一体に連結された状態で示す配線付ポスト電極部品を示す斜視図であり、図中のＹ−Ｙ’ラインで切断した断面図を（Ｂ）に示している。
【００３５】
図１７において、支持部として、下支持板（例えば、シリコン基板又はガラス）の一方の全面に、ポリイミドテープなどに代表される薄膜フィルムの絶縁基材により作成したテープを貼り付けたものを用いる。この絶縁機材テープは、完成製品において配線層を覆う保護膜として機能する。下支持板は、後の工程で絶縁機材テープから剥離される。このため、例えばリフロー温度より高温（モールド温度以上）を加えると、シリコン基板（又はガラス）とテープが剥離し易い処理を予め行っておく。例えば熱カプセル入り接着剤、または支持部として光を透過する材料（耐熱低熱膨張ガラスなど）にして、紫外線剥離型接着剤を用いる。または熱可塑性の接着剤でも良い。
【００３６】
さらに、このテープ上に、配線パターンとなるべき金属のシード層を形成して、メタル付きテープを形成する。このシード層としては、例えば、銅メッキを可能とする金、銀、銅、パラジューム箔を用いることができる。配線層のパターンはシード層の上にレジストを塗布し、パターンを露光、現像してさらにエッチングを行い、レジストを除去して完成させる。このシード層の上にメッキにより配線層を成長させる。さらにその上に、ポスト電極部形成のためレジスト塗布と現像を行い、ポスト部をメッキ成長させる。或いは、配線部はナノ金属粒子で直接シード層をパターンニングにしてリソグラフィ工程を省略することもできる。前記と同じようにさらにその上に、ポスト電極部形成のためレジスト塗布と現像を行い、ポスト部をメッキ成長させる。これによって、配線付ポスト電極部品が完成する。
【００３７】
図１７に示した配線付ポスト電極部品は、図１６に示したイメージセンサを装着した下支持板上に接続、固定されることになるが、図１８は、接続前の状態で例示している。配線層上のボンディングパッド領域には、配線付ポスト電極部品のポスト電極が固定されかつ電気的に接続される。
【００３８】
図１９は、配線付ポスト電極部品を下支持板上に接続、固定した状態で示す図である。図２０は、固定後、樹脂封止した状態で示す図である。一体に連結されている配線付ポスト電極部品が下支持板に固定された後、この状態で、イメージセンサの上面は、絶縁基材テープの下面までトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００３９】
図２１は、上下の両支持板を剥離した後の状態で示す図である。例えば、所定の高温を加えることにより、下支持板を剥離する。これにより図２１の上側に露出した絶縁基材テープは、完成製品の保護膜として機能する。
【００４０】
図２２は、天地（上下）逆転した状態で示す図である。次に、図２３に示すように、おもて面側においては、イメージセンサの受光面側にガラス基板を貼り付ける。裏面側においては、絶縁基材テープに穴を空け、開口により露出した配線と接続される外部接続用のバンプ電極を形成する。これによって、第３の実施形態の半導体パッケージが完成する。
【００４１】
次に、本発明の第４の実施形態として、高放熱型チップパッケージに具体化した例（図示省略）を説明する。以上に説明した第１〜第３の実施形態において例示した透明ガラス基板に代えて、第４の実施形態は、ヒートシンク、ヒートスプレッダー等として機能する高放熱基板を用いた点でのみ上述の構成とは相違している。
【００４２】
これによって、ヒートシンクとして機能する高放熱基板の裏面側に、高放熱型のＬＳＩチップが実装されて、従来技術のような貫通電極の必要なく、ヒートシンクとして機能する高放熱基板の反対側に外部電極を形成した高放熱型チップパッケージが完成する。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】（Ａ）は、配線を有する下支持板を示す斜視図であり、（Ｂ）は、この下支持板上にイメージセンサが搭載されて接続された状態で示す断面図である。
【図２】板状の支持板により一体に連結されている配線付ポスト電極部品の詳細を示す図である。
【図３】（Ａ）はイメージセンサを搭載した下支持板の斜視図を示し、（Ｂ）はこの下支持板上に、配線付ポスト電極部品を配置した状態で示す断面図である。
【図４】下支持板上に配線付ポスト電極部品を接続、固定した状態で示す図である。
【図５】固定後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図６】上下の両支持板（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。
【図７】天地（上下）逆転した状態で示す図である。
【図８】ガラス基板を貼り付け及びバンプ電極の形成を示す図である。
【図９】（Ａ）は、配線をしたガラス基板を示す斜視図であり、（Ｂ）は、ガラス基板上に、イメージセンサが搭載されて接続された状態で示す図である。
【図１０】（Ａ）は、ガラス基板上にイメージセンサを接続した状態を示す斜視図であり、（Ｂ）は、このガラス基板上に、配線付ポスト電極部品を配置した状態で例示する断面図である。
【図１１】ガラス基板上に配線付ポスト電極部品を接続、固定した状態で示す図である。
【図１２】固定後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図１３】上支持板を剥離した後の状態で示す図である。
【図１４】天地（上下）逆転した状態で示す図である。
【図１５】外部接続用のバンプ電極の形成を示す図である。
【図１６】（Ａ）は、配線をした下支持板を示す斜視図であり、（Ｂ）は、下支持板上にイメージセンサが搭載されて接続された状態で示す断面図である。
【図１７】図２とは異なる別の配線付ポスト電極部品を示す図である。
【図１８】接続前の状態で例示する図である。
【図１９】配線付ポスト電極部品を下支持板上に接続、固定した状態で示す図である。
【図２０】固定後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図２１】上下の両支持板を剥離した後の状態で示す図である。
【図２２】天地（上下）逆転した状態で示す図である。
【図２３】イメージセンサの受光面側へのガラス基板の貼り付け、及び外部接続用のバンプ電極の形成を示す図である。
【図２４】従来の貫通技術を説明する図である。
【図２５】電鋳部品の製造方法を示す工程図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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