(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク物品をセンサに電気的に接続するステップと、
前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに導体を用いてバイアス電圧を印加するステップと、
前記複数の試験コンタクトの各々につき、前記バイアス電圧に応答して流れる電流値を前記センサを用いて測定し、前記フォトマスク物品上の該電流値の電流分布を取得するステップと、
前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定するステップと、
を含む、フォトマスク物品の試験方法。
【請求項２】
前記フォトマスク物品は導電層を備えており、前記センサは前記導電層に電気的に接続される、請求項１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項３】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、電流値が閾値未満の試験コンタクトの数を計算することを含む、請求項２に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項４】
前記フォトマスク物品は導電層と前記導電層上に配設されている誘電層とを備えており、前記センサは前記誘電層に電気的に接続される、請求項１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項５】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、電流値が閾値を超える試験コンタクトの数を計算することを含む、請求項４に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項６】
前記複数の試験コンタクトの平均電流を計算することを含む、請求項１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項７】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記複数の試験コンタクトの電流値と前記平均電流とを比較することを含む、請求項６に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項８】
前記フォトマスク物品の前記複数の試験コンタクトの第１の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記フォトマスク物品を流れる第１の電流値を、前記センサを用いて測定するステップと、
前記フォトマスク物品の前記複数の試験コンタクトの第２の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記フォトマスク物品を流れる第２の電流値を、前記センサを用いて測定するステップと、
を含む、請求項１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項９】
フォトマスク物品をセンサに電気的に接続するステップが、
前記フォトマスク物品上に少なくとも一つのコンタクトを形成するステップと、
前記センサのセンサプローブを前記コンタクトに接触させるステップと、
を含む、請求項１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１０】
フォトマスク物品をセンサに電気的に接続するステップが、
前記フォトマスク物品を載置台に載置して、前記センサに電気的に接続するステップと、
前記センサと前記フォトマスク物品との間を電気的に接続するステップと、
を含む、請求項１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１１】
前記フォトマスク物品が、少なくとも一つの第１のコンタクトを有する第１の層と、少なくとも一つの第２のコンタクトを有する第２の層とを備えており、
前記試験方法は、
前記第１のコンタクトを前記センサに電気的に接続するステップと、
前記第１の層に前記導体を用いて前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第１の層の第１の電流分布を前記センサで測定するステップと、
前記第２のコンタクトを前記センサに電気的に接続するステップと、
前記第１の層に前記導体を用いて前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第２の層の第２の電流分布を前記センサで測定するステップと、
を含む、請求項１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１２】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記第１の電流分布および前記第２の電流分布を少なくとも考慮する、請求項１１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１３】
少なくとも一つの第１のコンタクトを有する第１の層を形成するステップと、
前記第１のコンタクトを前記センサに電気的に接続するステップと、
前記第１の層に前記導体を用いて前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第１の層の第１の電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、
少なくとも一つの第２のコンタクトを有する第２の層を形成するステップと、
前記第２のコンタクトを前記センサに電気的に接続するステップと、
前記第１の層に前記導体を用いて前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第２の層の第２の電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、
を含む、請求項１に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１４】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記第１の電流分布および前記第２の電流分布を少なくとも考慮する、請求項１３に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１５】
フォトマスク物品にバイアス電圧を印加するステップと、
導体をセンサに電気的に接続するステップと、
前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記複数の試験コンタクトの各々につき、前記導体を介して前記バイアス電圧に応答して流れる電流値を前記センサを用いて測定し、前記フォトマスク物品上の該電流値の電流分布を取得するステップと、
前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定するステップと、
を含む、フォトマスク物品の試験方法。
【請求項１６】
前記フォトマスク物品は導電層を備えており、前記バイアス電圧が前記導電層に印加される、請求項１５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１７】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、電流値が閾値未満の試験コンタクトの数を計算することを含む、請求項１６に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１８】
前記フォトマスク物品は導電層と前記導電層上に配設されている誘電層とを備えており、前記バイアス電圧は前記導電層に印加される、請求項１５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項１９】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、電流値が閾値を超える試験コンタクトの数を計算することを含む、請求項１８に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２０】
前記複数の試験コンタクトの平均電流を計算することを含む、請求項１５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２１】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記複数の試験コンタクトの電流値と前記平均電流とを比較することを含む、請求項２０に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２２】
前記フォトマスク物品の前記複数の試験コンタクトの第１の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記フォトマスク物品を流れる第１の電流値を、前記センサを用いて測定するステップと、
前記フォトマスク物品の前記複数の試験コンタクトの第２の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、
前記フォトマスク物品を流れる第２の電流値を、前記センサを用いて測定するステップと、
を含む、請求項１５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２３】
フォトマスク物品にバイアス電圧を印加するステップが、
前記フォトマスク物品上に少なくとも一つのコンタクトを形成するステップと、
前記バイアス電圧の電源プローブを前記コンタクトに接触させるステップと、
を含む、請求項１５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２４】
フォトマスク物品にバイアス電圧を印加するステップが、前記フォトマスク物品を載置台に載置して、電源に電気的に接続するステップを含む、請求項１５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２５】
前記フォトマスク物品が、少なくとも一つの第１のコンタクトを有する第１の層と、少なくとも一つの第２のコンタクトを有する第２の層とを備えており、
前記試験方法は、
前記第１のコンタクトを、前記バイアス電圧の電源プローブまたは前記センサに電気的に接続して、前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第１の層に前記導体を接触させるステップと、
前記第１の層の第１の電流分布を前記センサで測定するステップと、
前記第２のコンタクトを、前記バイアス電圧の電源プローブまたは前記センサに電気的に接続して、前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第１の層に前記導体を接触させるステップと、
前記第２の層の第２の電流分布を前記センサで測定するステップと、
を含む、請求項１５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２６】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記第１の電流分布および前記第２の電流分布を少なくとも考慮する、請求項２５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２７】
少なくとも一つの第１のコンタクトを有する第１の層を形成するステップと、
前記第１のコンタクトを、前記バイアス電圧の電源プローブまたは前記センサに電気的に接続して、前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第１の層に前記導体を接触させるステップと、
前記第１の層の第１の電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、
少なくとも一つの第２のコンタクトを有する第２の層を形成するステップと、
前記第２のコンタクトを、前記バイアス電圧の電源プローブまたは前記センサに電気的に接続して、前記バイアス電圧を印加するステップと、
前記第１の層に前記導体を接触させるステップと、
前記第２の層の第２の電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、
を含む、請求項１５に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【請求項２８】
前記フォトマスク物品の品質を決定するステップが、前記第１の電流分布および前記第２の電流分布を少なくとも考慮する、請求項２７に記載のフォトマスク物品の試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク物品の試験方法に関し、特にバイアス電圧を被試験フォトマスク物品に印加するとともに、その対応する電流分布を測定するフォトマスク物品の試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体のフォトリソグラフィ工程ではフォトマスクでパターンを定義している。従来技術では、フォトマスクの設計者がフォトマスクを製造するとき、通常、半導体産業または光電産業における集積回路（ＩＣ）／薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）／液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）／カラーフィルタ（ＣＦ）／プリント回路板（ＰＣＢ）設計者または顧客の集積回路設計図、液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ設計図、カラーフィルタ設計図またはプリント回路板設計図に基づいて実施される。フォトマスクの完成後、フォトマスク設計者は通常、フォトマスク上に形成されているフォトマスクの欠陥が対応するウェハまたは光電基板上に転写される対応位置を示す欠陥分布図を設計者または顧客に提供する。
【０００３】
フォトマスク上の欠陥は所望のフォトマスク設計パターン外の何らかのパターンとは異なり、通常はフォトマスクの製造工程中に現れる。一般的に言えば、フォトマスクの欠陥は高倍率の顕微鏡または検査機器でフォトマスクの表面を走査するとともに、フォトマスクの画像を取得して検査を行っている。この後、取得したフォトマスク画像を検査者が実体のフォトマスク上の欠陥の形態を確認するとともに、フォトマスクの規格上での合否を決定することで、フォトリソグラフィ工程中に実際に応用することができるようになる。この確認作業は一般的には経験が豊富な検査者により検査用ソフトウェアを用いて実現されるものである。もしフォトマスクの欠陥一切が発見されない場合、または発見されたフォトマスクの欠陥が製造者または使用者が許容可能な範囲であった場合には、このフォトマスクは検査合格とされるともに実際にウェハまたは光学基板での露光に応用される。反対に、もし発見されたフォトマスクの欠陥が製造者または使用者の許容可能な範囲にないときには、このフォトマスクは検査不合格となり、洗浄および／または修復を行ってフォトマスクの欠陥を修正しなければならない。もし発見されたフォトマスクの欠陥が深刻で修正できない場合には、フォトマスクは再度製造しなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体集積回路の急速な発展は材料および設計の技術的な進歩に伴い、集積回路製品の回路設計もますます微細に複雑になってきている。しかしながら、技術の進歩と同時に集積回路の製造加工も日増しに複雑化している。例えば、一枚の集積回路上に異なる回路素子を複数含ませることが求められる可能性がある。これら回路素子の大きさはサブミクロンまたはディープサブミクロンの段階にまで小型化されてきているが、集積回路の素子密度および機能密度は製造工程の要因の制限を受けてしまう。集積回路の製造工程が日増しに複雑化しているおり、フォトマスク上またはフォトマスク基板上の非常に細微な欠陥でも集積回路製品の歩留まりに深く影響する。例えば、極端紫外線リソグラフィ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、ＥＵＶＬ）が直面している主な技術的難題の一つとして、欠陥のないフォトマスク基板をどのように提供するか、ということがある。しかしながら、従来のフォトマスクの欠陥検査方法ではこの技術的難題を克服することはできなかった。よって、産業界では、極端紫外線リソグラフィが直面している主な技術的難題を克服する試験システムおよび方法を提供することが求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明では、被試験フォトマスク物品上に物品バイアス電圧を印加することでその対応する電流分布を測定するフォトマスク物品の試験方法を提供する。
【０００６】
本発明の一実施例では、フォトマスク物品をセンサに電気的に接続するステップと、前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに導体を用いてバイアス電圧を印加するステップと、前記複数の試験コンタクトの少なくとも一つの電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定するステップと、を含む、フォトマスク物品の試験方法を提供する。
【０００７】
本発明の他の実施例では、フォトマスク物品にバイアス電圧を印加するステップと、導体をセンサに電気的に接続するステップと、前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップと、前記導体を介して前記複数の試験コンタクトの少なくとも一つの電流分布を、前記センサを用いて測定するステップと、前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定するステップと、を含む、フォトマスク物品の試験方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施例のフォトマスク物品の試験方法を例示するフローチャート。
【図２】本発明の試験方法をフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図３】本発明の試験方法をフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図４Ａ】フォトマスク基板（Ｐ−０．５）の形状の走査画像。
【図４Ｂ】図４Ａに対応する電流分布画像。
【図５Ａ】フォトマスク基板（Ｐ−３）の形状の走査画像。
【図５Ｂ】図５Ａに対応する電流分布画像。
【図６Ａ】フォトマスク基板（Ｐ−５）の形状の走査画像。
【図６Ｂ】図６Ａに対応する電流分布画像。
【図７Ａ】図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂの電流分布図。
【図７Ｂ】図７Ａの低電導領域の電流分布図。
【図８Ａ】前記フォトマスク基板の低電導領域の電流分布画像。
【図８Ｂ】前記フォトマスク基板の３−Ｄ画像。
【図９Ａ】前記フォトマスク基板の低電導領域の電流分布画像。
【図９Ｂ】前記フォトマスク基板の３−Ｄ画像。
【図１０Ａ】前記フォトマスク基板の低電導領域の電流分布画像。
【図１０Ｂ】前記フォトマスク基板の３−Ｄ画像。
【図１１】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図１２Ａ】フォトマスク基板（Ｍ−０．５）の形状の走査画像。
【図１２Ｂ】図１２Ａに対応する電流分布画像。
【図１３Ａ】フォトマスク基板（Ｍ−１）の形状の走査画像。
【図１３Ｂ】図１３Ａに対応する電流分布画像。
【図１４Ａ】フォトマスク基板（Ｍ−２）の形状の走査画像。
【図１４Ｂ】図１４Ａに対応する電流分布画像。
【図１５Ａ】図１２Ｂ、図１３Ｂ、図１４Ｂの電流分布図。
【図１５Ｂ】図１５Ａの高電導領域の電流分布図。
【図１６Ａ】前記フォトマスク基板の高電導領域の電流分布画像。
【図１６Ｂ】前記フォトマスク基板の３−Ｄ画像。
【図１７Ａ】前記フォトマスク基板の高電導領域の電流分布画像。
【図１７Ｂ】前記フォトマスク基板の３−Ｄ画像。
【図１８Ａ】前記フォトマスク基板の高電導領域の電流分布画像。
【図１８Ｂ】前記フォトマスク基板の３−Ｄ画像。
【図１９】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２０】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２１】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２２】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２３】本発明の他の実施例のフォトマスク物品の試験方法を例示するフローチャート。
【図２４】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２５】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２６】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２７】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２８】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図２９】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図３０】本発明の試験方法を他のフォトマスク物品の試験に応用する例示図。
【図３１】本発明の試験方法を他のフォトマスク基板の試験に応用する例示図。
【図３２】本発明の試験方法を他のフォトマスク基板の試験に応用する例示図。
【図３３】本発明の試験方法を他のフォトマスク基板の試験に応用する例示図。
【図３４】本発明の試験方法を他のフォトマスク基板の試験に応用する例示図。
【図３５】本発明の試験方法を他のフォトマスク基板の試験に応用する例示図。
【図３６】本発明の試験方法を他のフォトマスク基板の試験に応用する例示図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
上記では本発明の技術的特徴および長所を広く概略的に説明したが、下記における本発明の詳細な説明により更に明確な理解が得られるであろう。本発明の特許請求の標的を構成するその他技術的特徴および長所は下記に記載する。本発明が属する技術的分野における当業者であれば、下記に開示する概念および特定の実施例を用いて、その他構造または製造工程を改変または設計して、本発明と同じ目的を容易に達成することができることが理解できるはずである。本発明が属する技術分野における当業者であればまた、このような同等効果の構造は別紙の特許請求の範囲で規定する本発明の技術的思想および範囲から乖離しないということも理解できるはずである。
【００１０】
以下の実施形態の説明およびその対応する図面は、本発明の実施例を説明するためのものであり、本発明に開示する内容を下記実施例に縮減すべきものではない。また、本発明が属する技術分野の当業者であれば、下記にて開示する実施例は適正に組み合わせることでその他実施例を形成することができることを理解できるはずである。
【００１１】
本発明はフォトマスク物品の試験方法に関する。下記にて本発明の実施手順およびフォトマスク物品構造を詳細に説明することで、本発明は完全に理解できる。本発明の技術を実現するのは特定の知識を持つ当業者に限定されない。また、本願の創作が不要な限定を受けないために、周知の構造および手順は以下には記載しない。本発明の好ましい実施例は下記にて記述するが、本発明は下記以外に、その他実施例中に広く実現することができる。本発明の範囲は下記に限定されるべきでなく、特許請求の範囲により定義される。
【００１２】
図１は本発明の一実施例のフォトマスク物品の試験方法を例示するフローチャートである。本発明の実施例において、前記試験方法は、フォトマスク物品をセンサに電気的に接続するステップ１０１と、前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに導体を用いてバイアス電圧を印加するステップ１０３と、前記複数の試験コンタクトの少なくとも一つの電流分布を、前記センサを用いて測定するステップ１０５と、前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定するステップ１０７と、を含む。本発明の一実施例において、前記導体は導電性のプローブであって、その接触面積および押圧力は以下の数式で計算される：
ａ３=３ＦＲ/４Ｙ*；
１/Ｙ*=（１-ｖ１２）/Ｙ１+（１-ｖ１２）/ Ｙ２；
式中、ａは接触面積の半径であり、Ｆは押圧力であり、Ｒはプローブの半径であり、Ｙ１はプローブのヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ）であり、Ｙ２はプローブの接触層のヤング率であり、ｖ１はプローブのポアソン比（Ｐｏｉｓｓｏｎ’ｓ ｒａｔｉｏ）、ｖ２はプローブの接触層のポアソン比である。
【００１３】
図２および図３は本発明の試験方法をフォトマスク物品２０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品２０は基板２１と、導電層２３（例えば、ケイ化モリブデン層）とを備えている。本発明の一実施例において、前記基板２１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。本発明に一実施例においては、図２に示すように、前記ステップ１０１（フォトマスク物品をセンサに電気的に接続する）を実現するには、前記導電層２３上に少なくとも一つのコンタクト２３Ａを形成するとともに、前記センサ３１のセンサプローブ（図示しない）を前記コンタクト２３Ａに接触させることで可能になる。本発明の他の実施例において、図３に示すように、前記ステップ１０１（フォトマスク物品をセンサに電気的に接続する）を実現するには、前記フォトマスク物品２０を載置台１０上に載置（前記センサ３１に電気的に接続する）するとともに、前記フォトマスク物品２０と前記載置台１０との間に電気通路を形成することで可能になる。本発明の好ましい実施例において、前記フォトマスク物品２０と前記載置台１０との間の電気通路は前記導電層２３上のコンタクト２３Ａと、前記載置台１０上のコンタクト１０Ａと、前記コンタクト２３Ａと前記コンタクト１０Ａとを接続するリード線１１とを含む。
【００１４】
図２および図３を参照する。本発明の一実施例において、前記ステップ１０３（前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに導体を用いてバイアス電圧を印加する）を実現するには、導体３３をバイアス電圧３５（例えば電圧源）に電気的に接続するとともに、前記フォトマスク物品２０の複数の試験コンタクトに前記導体３３を接触させることで可能となる。本発明の一実施例において、前記導体３３は導電性のプローブであり、半径は約５０ｎｍである。
【００１５】
本発明の一実施例において、前記ステップ１０５（前記複数の試験コンタクトの少なくとも一つの電流分布を、前記センサを用いて測定する）を実現するには、前記バイアス電圧３５から前記導体３３および前記フォトマスク物品２０を経由して前記センサ３１に流れる電流を測定することで可能となる。本発明の好ましい実施例において、前記ステップ１０３および前記ステップ１０５を実現するには、前記フォトマスク物品２０の第１のコンタクト２５Ａに前記導体３３を接触させる、前記第１のコンタクト２５Ａを流れる第１の電流値を、前記センサ３１を用いて測定する、前記導体３３を移動させて第２のコンタクト２５Ｂに接触させる、前記第２のコンタクト２５Ｂを流れる第２の電流値を、前記センサ３１を用いて測定する、ことで可能となるものであって、これにより類推し、前記フォトマスク物品２０の導電層２３を走査して電流分布を取得する、ということになる。
【００１６】
図４Ａ、図５Ａ、図６Ａはそれぞれ三枚のフォトマスク基板（以下説明では、Ｐ−０．５、Ｐ−３およびＰ−５でそれぞれ標記する）の形状の走査画像であり、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂは対応する電流分布画像である。これらフォトマスク基板は石英基板と、導電層（ケイ化モリブデン層）とを備えており、このうち形状の走査画像のサイズは３×３μｍ２であり、対応する試験コンタクトの数は２５６×２５６である。これらフォトマスク基板は異なる電力（それぞれ０.５Ｗ、３Ｗおよび５Ｗ）での洗浄工程を経ている。これらフォトマスク基板の電流分布画像を取得するとき、バイアス電圧を０．１Ｖに設定するとともに、電流検出型原子間力顕微鏡の導体プローブ（半径は約５０ｎｍ）を用いて前記バイアス電圧をこれらフォトマスク基板の導電層上に印加する。図７Ａは図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂの電流分布図であり、図７Ｂは図７Ａの低導電領域の電流分布図であって、このうち低導電領域は電流値が平均電流の１／２未満の領域のことである。
【００１７】
図４Ａ、図５Ａ、図６Ａの形状の走査画像を参照する。その対応する面粗度パラメータＲｍｓ値はそれぞれ０．１１８ｎｍ、０．１４０ｎｍおよび０．１３６ｎｍであって、Ｒｐｖはそれぞれ０．７９２ｎｍ、１．４６０ｎｍおよび１．４０ｎｍであり、これらフォトマスク基板の面粗度は近いことを示している。図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂの電流分布画像を参照する。その対応する電気的特性パラメータには、表１に示すように、平均電流、標準偏差および相対標準偏差が含まれる。標準偏差の計算数式はＩｒｍｓ%＝（Σ（Ｉｉ−Ｉａｖ）２／ｎ）１／２であり、相対標準偏差の計算数式はＩｒｍｓ／Ｉａｖであり、電流の相対標準偏差が小さければ電流分布が均一であることを表している。
【表１】
0005689908.tif 000002
【００１８】
図８Ａ、図９Ａおよび図１０Ａはこれらフォトマスク基板の低導電領域の電流分布画像であり、図８Ｂ、図９Ｂおよび図１０Ｂはこれらフォトマスク基板の３−Ｄ画像である。三枚のフォトマスク基板（Ｐ−０．５、Ｐ−３およびＰ−５）の低導電領域のカバー率はそれぞれ０．０２２％、０．１２１％および０．１９９％である。低導電領域の形成要因は前記導電層（ケイ化モリブデン層）の欠陥領域にて、前記欠陥領域を流れる電流が少ないことで測定された電流値が小さくなってしまうことが考えられる。また、三枚のフォトマスク基板（Ｐ−０．５、Ｐ−３およびＰ−５）の低導電領域は不規則的に表面に分布する。さらに、電流検出型原子間力顕微鏡を用いて前記導電層の低導電領域（欠陥と見なされる）のサイズが１２ないし９５ｎｍの間であることを測定する。本発明の一実施例において、前記ステップ１０７（前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定する）を実現するには、これら試験コンタクトの電流値と前記平均電流とを比較するとともに、電流値が閾値（例えば、平均電流）未満の試験コンタクトの数を計算することで可能となる。
【００１９】
図１１は本発明の試験方法をフォトマスク物品４０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品４０は基板４１と、導電層４３（例えば、クロム層）と、誘電層（例えば、酸化クロム層）とを備えている。本発明の一実施例において、前記ステップ１０１（フォトマスク物品をセンサに電気的に接続する）を実現するには、前記フォトマスク物品４０の導電層４３上に少なくとも一つのコンタクト４３Ａを形成するとともに、前記センサ３１のセンサプローブ（図示しない）を前記コンタクト４３Ａに接触させることで可能になる。本発明の一実施例において、前記基板４１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。本発明の他の実施例において、前記フォトマスク物品４０と前記センサ３１との電気的な接続を実現するには、図３に示す技術的手法を採用することで可能となる。
【００２０】
図１２Ａ、図１３Ａ、図１４Ａはそれぞれ三枚のフォトマスク基板（以下説明では、Ｍ−０．５、Ｍ−１およびＭ−２でそれぞれ標記する）の形状の走査画像であり、図１２Ｂ、図１３Ｂ、図１４Ｂは対応する電流分布画像である。これらフォトマスク基板は石英基板と、前記石英基板上に配設されている導電層（クロム層）と、前記導電層上に配設されている誘電層（酸化クロム層）とを備えており、このうち形状の走査画像のサイズは３×３μｍ２であり、対応する試験コンタクトの数は２５６×２５６である。これらフォトマスク基板は異なる電力（それぞれ０.５Ｗ、１Ｗおよび２Ｗ）での洗浄工程を経ている。これらフォトマスク基板の電流分布画像を取得するとき、バイアス電圧を０．１Ｖに設定するとともに、電流検出型原子間力顕微鏡の導体プローブ（半径は約５０ｎｍ）を用いて前記バイアス電圧をこれらフォトマスク基板の導電層上に印加する。図１５Ａは図１２Ｂ、図１３Ｂ、図１４Ｂの電流分布図であり、図１５Ｂは図１５Ａの高導電領域の電流分布図であって、このうち高導電領域は電流値が平均電流の２倍を超える領域のことである。
【００２１】
図１２Ａ、図１３Ａ、図１４Ａの形状の走査画像を参照する。その対応する面粗度パラメータＲｍｓ値はそれぞれ０．２８０ｎｍ、０．２８５ｎｍおよび０．２１９ｎｍであって、Ｒｐｖはそれぞれ２．５０ｎｍ、２．５５ｎｍおよび２．２３ｎｍであり、これらフォトマスク基板の面粗度は近いことを示している。図１２Ｂ、図１３Ｂ、図１４Ｂの電流分布画像を参照する。その対応する電気的特性パラメータには、表２に示すように、平均電流、標準偏差および相対標準偏差が含まれる。標準偏差の計算数式はＩｒｍｓ%＝（Σ（Ｉｉ−Ｉａｖ）２／ｎ）１／２であり、相対標準偏差の計算数式はＩｒｍｓ／Ｉａｖであり、電流の相対標準偏差が小さければ電流分布が均一であることを表している。
【表２】
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【００２２】
図１６Ａ、図１７Ａおよび図１８Ａはこれらフォトマスク基板の高導電領域の電流分布画像であり、図１６Ｂ、図１７Ｂおよび図１８Ｂはこれらフォトマスク基板の３−Ｄ画像である。三枚のフォトマスク基板（Ｍ−０．５、Ｍ−１およびＭ−２）の高導電領域のカバー率はそれぞれ０．８３％、２．５７％および５．７３％である。酸化クロム層の導電率（室温が約１０４ Ｓ／ｍ）はクロム層の導電率（室温が約７．９×１０６ Ｓ／ｍ）未満である。よって、高導電領域の形成要因は前記酸化クロム層の欠陥領域にて、前記欠陥領域を流れる電流が多くなることで測定された電流値が大きくなってしまうことが考えられる。また、三枚のフォトマスク基板（Ｍ−０．５、Ｍ−１およびＭ−２）の高導電領域は不規則的に表面に分布する。さらに、電流検出型原子間力顕微鏡を用いて前記誘電層の高導電領域（欠陥と見なされる）のサイズが１５ないし１００ｎｍの間であることを測定する。本発明の一実施例において、前記ステップ１０７（前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定する）を実現するには、これら試験コンタクトの電流値と前記平均電流とを比較するとともに、電流値が閾値（例えば、平均電流）を超える試験コンタクトの数を計算することで可能となる。
【００２３】
図１９および図２０は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク物品５０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品５０は基板５１と、少なくとも一つの第１のコンタクト５３Ａを有する第１の層５３と、少なくとも一つの第２のコンタクト５５Ａを有する第２の層５５とを備えたフォトマスク基板である。本発明の一実施例において、前記基板５１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。本発明の好ましい実施例において、前記フォトマスク物品５０の試験方法は、図１９に示すように、前記第１のコンタクト５３Ａを前記センサ３１に電気的に接続するステップと、前記第１の層５３に前記導体３３を用いて複数の試験コンタクトを介して前記バイアス電圧３５を印加するステップと、前記第１の層５３の第１の電流分布を、前記センサ３１を用いて測定するステップとを含み、その後、図２０に示すように、前記第２のコンタクト５５Ａを前記センサ３１に電気的に接続するステップと、前記第１の層５３に前記導体３３を用いて前記複数の試験コンタクトを介して前記バイアス電圧３５を印加するステップと、前記第２の層５５の第２の電流分布を、前記センサ３１を用いて測定するステップとを含む。本発明の他の実施例において、前記フォトマスク物品５０と前記センサ３１との電気的な接続を実現するものも、図３に示す技術的手法を採用することで可能となる。
【００２４】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品５０の試験方法で前記フォトマスク物品５０の品質を決定するには、前記第１の電流分布および前記第２の電流分布を少なくとも考慮する。例えば、前記第２の電流分布は実質的に前記第１の層５３と前記第２の層５５の両者の電気的特性の総和を表し、そして前記第１の電流分布は実質的には前記第１の層５３の電気的特性のみを表している。したがって、前記第２の電流分布から前記第１の電流分布を除去すると、実質的につまり前記第２の層５５の電気的特性となる。
【００２５】
図２１および図２２は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク物品６０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、図２１に示すように、前記フォトマスク物品６０の試験方法は、少なくとも一つの第１のコンタクト６３Ａを有する第１の層６３を基板６１上に形成するステップと、前記第１のコンタクト６３Ａを前記センサ３１に電気的に接続するステップと、前記第１の層６３に前記導体３３を用いて複数の試験コンタクトを介して前記バイアス電圧３５を印加するステップと、前記第１の層６３の第１の電流分布を、前記センサ３１を用いて測定するステップとを含み、その後、図２２に示すように、少なくとも一つの第２のコンタクト６５Ａを有する第２の層６５を前記第１の層６３上に形成するステップと、前記第２のコンタクト６５Ａを前記センサ３１に電気的に接続するステップと、前記第２の層６５に前記導体３３を用いて前記複数の試験コンタクトを介して前記バイアス電圧３５を印加するステップと、前記第２の層６５の第２の電流分布を、前記センサ３１を用いて測定するステップとを含む。本発明の一実施例において、前記基板６１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品６０の試験方法で前記フォトマスク物品６０の品質を決定するには、前記第１の電流分布と前記第２の電流分布を少なくとも考慮する。本発明の他の実施例において、前記フォトマスク物品６０と前記センサ３１との電気的な接続を実現するものも、図３に示す技術的手法を採用することで可能となる。
【００２６】
図２３は本発明の他の実施例のフォトマスク物品の試験方法を例示するフローチャートである。本発明の一実施例において、前記試験方法は、フォトマスク物品にバイアス電圧を印加するステップ２０１と、導体をセンサに電気的を接続するステップ２０３と、前記フォトマスク物品の複数の試験コンタクトに前記導体を接触させるステップ２０５と、前記導体を介して前記複数の試験コンタクトの少なくとも一つの電流分布を、前記センサを用いて測定するステップ２０７と、前記電流分布を少なくとも考慮して、前記フォトマスク物品の品質を決定するステップ２０９と、を含む。本発明の一実施例において、前記導体は導電性のプローブであって、その接触面積および押圧力は以下の数式で計算される：
ａ３=３ＦＲ/４Ｙ*；
１/Ｙ*=（１-ｖ１２）/Ｙ１+（１-ｖ１２）/Ｙ２；
式中、ａは接触面積の半径であり、Ｆは押圧力であり、Ｒはプローブの半径であり、Ｙ１はプローブのヤング率であり、Ｙ２はプローブの接触層のヤング率であり、ｖ１はプローブのポアソン比、ｖ２はプローブの接触層のポアソン比である。
【００２７】
図２４および図２５は本発明の試験方法をフォトマスク物品２０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品２０は基板（例えば、石英基板）２１と、導電層（例えば、ケイ化モリブデン層）２３とを備えている。本発明の一実施例において、図２４に示すように、前記ステップ２０１（フォトマスク物品にバイアス電圧を印加する）を実現するには、前記導電層２３上に少なくとも一つのコンタクト２３Ａを形成するとともに、バイアス電圧３５（例えば電圧源）の電源プローブ（図示しない）を前記コンタクト２３Ａに接触させることで可能になる。
【００２８】
本発明の他の実施例において、図２５に示すように、前記ステップ２０１（フォトマスク物品にバイアス電圧を印加する）を実現するには、前記フォトマスク物品２０を載置台１０上に載置（前記バイアス電圧３５に電気的に接続する）するとともに、前記フォトマスク物品２０と前記載置台１０との間に電気通路を形成することで可能になる。本発明の好ましい実施例において、前記フォトマスク物品２０と前記載置台１０との間の電気通路は前記導電層２３上のコンタクト２３Ａと、前記載置台１０上のコンタクト１０Ａと、前記コンタクト２３Ａと前記コンタクト１０Ａとを接続するリード線１１とを含む。
【００２９】
本発明の一実施例において、前記ステップ２０７（前記導体を介して前記複数の試験コンタクトの少なくとも一つの電流分布を、前記センサを用いて測定する）を実現するには、前記バイアス電圧３５から前記フォトマスク物品２０および前記導体３３を経由して前記センサ３１に流れる電流を測定することで可能となるものであって、前記導体３３は導電性のプローブであり、半径が約５０ｎｍである。本発明の好ましい実施例において、前記ステップ２０５および前記ステップ２０７を実現するには、前記フォトマスク物品２０の第１のコンタクト２５Ａに前記導体３３を接触させる、前記第１のコンタクト２５Ａを流れる第１の電流値を、前記センサ３１を用いて測定する、前記導体３３を移動させて第２のコンタクト２５Ｂに接触させる、前記第２のコンタクト２５Ｂを流れる第２の電流値を、前記センサ３１を用いて測定する、ことで可能となるものであって、これにより類推し、前記フォトマスク物品２０の導電層２３を走査して電流分布を取得する、ということになる。
【００３０】
図２６は本発明の試験方法をフォトマスク物品４０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品４０は基板（例えば、石英基板）４１と、導電層４３（例えば、クロム層）と、誘電層（例えば、酸化クロム層）４５とを備えているフォトマスク基板である。本発明の一実施例において、前記ステップ２０１（フォトマスク物品にバイアス電圧を印加する）を実現するには、前記導電層４３上に少なくとも一つのコンタクト４３Ａを形成するとともに、バイアス電圧３５（例えば電圧源）の電源プローブ（図示しない）を前記コンタクト４３Ａに接触させることで可能になる。本発明の他の実施例において、図２５に示すように、前記ステップ２０１（フォトマスク物品にバイアス電圧を印加する）を実現するには、前記フォトマスク物品４０を載置台１０上に載置（前記バイアス電圧３５に電気的に接続する）するとともに、前記フォトマスク物品４０と前記載置台１０との間に電気通路を形成することで可能になる。
【００３１】
図２７および図２８は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク物品５０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品５０は基板（例えば、石英基板）５１と、少なくとも一つの第１のコンタクト５３Ａを有する第１の層５３と、少なくとも一つの第２のコンタクト５５Ａを有する第２の層５５とを備えたフォトマスク基板である。本発明の好ましい実施例において、前記フォトマスク物品５０の試験方法は、図２７に示すように、前記第１のコンタクト５３Ａに前記バイアス電圧３５を印加するステップと、前記第１の層５３の複数の試験コンタクトに前記導体３３を接触させるステップと、前記第１の層５３の第１の電流分布を、前記センサ３１を用いて測定するステップとを含み、その後、図２８に示すように、前記第２のコンタクト５５Ａに前記バイアス電圧３５を印加するステップと、前記第１の層５３の複数の試験コンタクトに前記導体３３を接触させるステップと、前記第２の層５５の第２の電流分布を、前記センサ３１を用いて測定するステップと、を含む。
【００３２】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品５０の試験方法で前記フォトマスク物品５０の品質を決定するには、前記第１の電流分布および前記第２の電流分布を少なくとも考慮する。本発明の他の実施例において、図２５に示すように、前記ステップ２０１（フォトマスク物品にバイアス電圧を印加する）を実現するには、前記フォトマスク物品５０を載置台１０上に載置（前記バイアス電圧３５に電気的に接続する）するとともに、前記フォトマスク物品５０と前記載置台１０との間に電気通路を形成することで可能になる。図２９および図３０は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク物品６０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、図２９に示すように、前記フォトマスク物品６０の試験方法は、少なくとも一つの第１のコンタクト６３Ａを有する第１の層６３を形成するステップと、前記第１のコンタクト６３Ａに前記バイアス電圧３５を印加するステップと、前記第１の層６３の複数の試験コンタクトに前記導体３３を接触させるステップと、前記第１の層６３の第１の電流分布を、前記センサ３１を用いて測定するステップとを含み、その後、図３０に示すように、少なくとも一つの第２のコンタクト６５Ａを有する第２の層６５を形成するステップと、前記第２のコンタクト６５Ａに前記バイアス電圧３５を印加するステップと、前記第２の層６５の複数の試験コンタクトに前記導体３３を接触させるステップと、前記第２の層６５の第２の電流分布を、前記センサ３１を用いて測定するステップとを含む。
【００３３】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク物品６０の試験方法で前記フォトマスク物品６０の品質を決定するには、前記第１の電流分布および前記第２の電流分布を少なくとも考慮する。本発明の他の実施例において、図２５に示すように、前記ステップ２０１（フォトマスク物品にバイアス電圧を印加する）を実現するには、前記フォトマスク物品６０を載置台１０上に載置（前記バイアス電圧３５に電気的に接続する）するとともに、前記フォトマスク物品６０と前記載置台１０との間に電気通路を形成することで可能になる。
【００３４】
図３１および図３２は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク基板７０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板７０は基板７１と、多層反射構造７３と、ケイ素を含むトップカバー（保護）層７５と、バッファ層（クロムおよび／または窒化クロムを含む）７７と、吸収層（窒化チタンを含む）７９とを備えている。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板７０の各層は少なくとも一つのコンタクトを備えており、つまり、前記多層反射構造７３は少なくとも一つのコンタクト７３Ａを備え、前記トップカバー層７５は少なくとも一つのコンタクト７５Ａを備え、前記バッファ層７７は少なくとも一つのコンタクト７７Ａを備え、前記吸収層７９は少なくとも一つのコンタクト７９Ａを備えている。本発明の好ましい実施例において、これらコンタクトは前記フォトマスク基板７０の膜層の一部の上のみに形成されており、各々の膜層がいずれもコンタクトを有するというわけではない。
【００３５】
本発明の一実施例において、前記基板７１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。本発明の一実施例において、前記多層反射構造７３は交互に積層されているケイ素層７２Ａとモリブデン層７２Ｂ（例えば、図３２に示すモリブデン／ケイ素多層交互積層）とを備えているが、本発明の多層反射構造７３は上記構造に限定されるものではない。例えば、ルテニウム／ケイ素の多層交互積層の反射構造、モリブデン／ベリリウムの多層交互積層の反射構造、モリブデン化合物／ケイ素化合物の多層交互積層の反射構造、ケイ素／モリブデン／ルテニウム／モリブデンの多層交互積層の反射構造、またはケイ素／ルテニウム／モリブデン／ルテニウムの多層交互積層の反射構造も本発明の技術的手法に応用することができる。
【００３６】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板７０の各膜層は少なくとも一つのコンタクトを備えているため、前記フォトマスク基板７０の製造工程完了後、図１９〜２０または図２７〜２８に記載の試験方法はいずれも前記フォトマスク基板７０の各膜層の品質の試験に用いることができる。本発明の他の実施例において、もし前記フォトマスク基板７０の各膜層の製造工程にて各膜層に少なくとも一つのコンタクトを形成する場合には、図２１〜２２または図２９〜３０に記載の試験方法は各膜層の製造工程において、前記フォトマスク基板７０の各膜層の品質を試験することができる。
【００３７】
図３３は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク基板８０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板８０は基板８１と、バック層（例えば、クロムを含む導電層）８２と、多層反射構造（例えば、図３２に示すモリブデン／ケイ素の多層交互積層）８３と、クロムまたは窒化クロムを含むバッファ層（保護）８５と、吸収層（窒化チタンを含む）８７と、フォトレジスト層８９とを備えている。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板８０の各層は少なくとも一つのコンタクトを備えており、つまり、前記多層反射構造８３は少なくとも一つのコンタクト８３Ａを備え、前記バッファ層８５は少なくとも一つのコンタクト８５Ａを備え、前記吸収層８７は少なくとも一つのコンタクト８７Ａを備え、前記フォトレジスト層８９は少なくとも一つのコンタクト８９Ａを備えている。本発明の一実施例において、前記基板８１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。本発明の好ましい実施例において、これらコンタクトは前記フォトマスク基板８０の膜層の一部の上のみに形成されており、各々の膜層がいずれもコンタクトを有するというわけではない。
【００３８】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板８０の各膜層は少なくとも一つのコンタクトを備えているため、前記フォトマスク基板８０の製造工程完了後、図１９〜２０または図２７〜２８に記載の試験方法はいずれも前記フォトマスク基板８０の各膜層の品質の試験に用いることができる。本発明の他の実施例において、もし前記フォトマスク基板８０の各膜層の製造工程にて各膜層に少なくとも一つのコンタクトを形成する場合には、図２１〜２２または図２９〜３０に記載の試験方法は各膜層の製造工程において、前記フォトマスク基板８０の各膜層の品質を試験することができる。
【００３９】
図３４は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク基板９０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板９０は基板８１と、バック層（例えば、クロムを含む導電層）９２と、多層反射構造（例えば、図３２に示すモリブデン／ケイ素の多層交互積層）９３と、ルテニウムを含むトップカバー（保護）層９５と、吸収層（窒化チタンを含む）９７と、フォトレジスト層９９とを備えている。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板９０の各層は少なくとも一つのコンタクトを備えており、つまり、前記多層反射構造９３は少なくとも一つのコンタクト９３Ａを備え、前記トップカバー層９５は少なくとも一つのコンタクト９５Ａを備え、前記吸収層９７は少なくとも一つのコンタクト９７Ａを備え、前記フォトレジスト層９９は少なくとも一つのコンタクト９９Ａを備えている。本発明の一実施例において、前記基板９１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。本発明の好ましい実施例において、これらコンタクトは前記フォトマスク基板９０の膜層の一部の上のみに形成されており、各々の膜層がいずれもコンタクトを有するというわけではない。
【００４０】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板９０の各膜層は少なくとも一つのコンタクトを備えているため、前記フォトマスク基板９０の製造工程完了後、図１９〜２０または図２７〜２８に記載の試験方法はいずれも前記フォトマスク基板９０の各膜層の品質の試験に用いることができる。本発明の他の実施例において、もし前記フォトマスク基板９０の各膜層の製造工程にて各膜層に少なくとも一つのコンタクトを形成する場合には、図２１〜２２または図２９〜３０に記載の試験方法は各膜層の製造工程において、前記フォトマスク基板９０の各膜層の品質を試験することができる。
【００４１】
図３５は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク基板１２０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板９０は基板１２１と、バック層（例えば、クロムを含む導電層）１２２と、多層反射構造（例えば、図３２に示すモリブデン／ケイ素の多層交互積層）１２３と、ルテニウム・ケイ素を含むトップカバー（保護）層１２５と、バッファ層（窒化クロムを含む）１２７と、吸収層（窒化チタンを含む）１２９と、フォトレジスト層１３１とを備えている。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板１２０の各層は少なくとも一つのコンタクトを備えており、つまり、前記多層反射構造１２３は少なくとも一つのコンタクト１２３Ａを備え、前記トップカバー層１２５は少なくとも一つのコンタクト１２５Ａを備え、前記バッファ層１２７は少なくとも一つのコンタクト１２７Ａを備え、前記吸収層１２９は少なくとも一つのコンタクト１２９Ａを備え、前記フォトレジスト層１３１は少なくとも一つのコンタクト１３１Ａを備えている。本発明の一実施例において、前記基板１２１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。本発明の好ましい実施例において、これらコンタクトは前記フォトマスク基板１２０の膜層の一部の上のみに形成されており、各々の膜層がいずれもコンタクトを有するというわけではない。
【００４２】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板１２０の各膜層は少なくとも一つのコンタクトを備えているため、前記フォトマスク基板１２０の製造工程完了後、図１９〜２０または図２７〜２８に記載の試験方法はいずれも前記フォトマスク基板１２０の各膜層の品質の試験に用いることができる。本発明の他の実施例において、もし前記フォトマスク基板１２０の各膜層の製造工程にて各膜層に少なくとも一つのコンタクトを形成する場合には、図２１〜２２または図２９〜３０に記載の試験方法は各膜層の製造工程において、前記フォトマスク基板１２０の各膜層の品質を試験することができる。
【００４３】
図３６は本発明の試験方法を、多層構造を有するフォトマスク基板１４０の試験に応用する例示図である。本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板９０は基板１４１と、バック層（例えば、クロムまたは窒化クロムを含む導電層）１４２と、多層反射構造（例えば、図３２に示すモリブデン／ケイ素の多層交互積層）１４３と、トップ／バッファ層（保護層）１４５と、吸収層１４７と、反射防止層１４９と、フォトレジスト層１５１とを備えている。本発明の一実施例において、前記基板１４１は石英基板またはチタンをドーピングしたシリカガラス基板である。前記吸収層１４７の材料は窒化タンタル、窒化ケイ素・タンタル、窒化ケイ素、シリカ、タンタル、窒化クロム、タングステン、ルテニウムおよびその組み合わせからなる群から選ばれる。前記反射防止層１４９の材料はシリカ、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、ケイ素窒酸化物およびその組み合わせからなる群から選ばれる。前記トップ／バッファ層（保護層）１４５の材料は炭素、炭化物、ルテニウム、窒化ケイ素およびその混合物からなる群から選ばれる。また、前記トップカバー／バッファ（保護）層１４５の材料はクロム、アルミニウム、チタンおよびその窒化物から選んでもよい。ルテニウム、ルテニウム化合物（ホウ化ルテニウム、ケイ化ルテニウムなど）、シリカ、窒化ケイ素、酸化アルミニウムおよびその混合物において、ルテニウム、ルテニウム化合物（ホウ化ルテニウム、ケイ化ルテニウムなど）および窒化クロム、シリカがより好ましく、そしてルテニウム、ルテニウム化合物（ホウ化ルテニウム、ケイ化ルテニウムなど）が最も好ましい。
【００４４】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板１４０の各層は少なくともコンタクトを備えており、つまり、前記多層反射構造１４３は少なくとも一つのコンタクト１４３Ａと備え、前記トップ／バッファ層１４５は少なくとも一つのコンタクト１４５Ａを備え、前記吸収層１４７は少なくとも一つのコンタクト１４７Ａを備え、前記反射防止層１４９は少なくとも一つのコンタクト１４９Ａを備え、前記フォトレジスト層１５１は少なくとも一つのコンタクト１５１Ａを備えている。本発明の好ましい実施例において、これらコンタクトは前記フォトマスク基板１４０の膜層の一部の上のみに形成されており、各々の膜層がいずれもコンタクトを有するというわけではない。
【００４５】
本発明の一実施例において、前記フォトマスク基板１４０の各膜層は少なくとも一つのコンタクトを備えているため、前記フォトマスク基板１４０の製造工程完了後、図１９〜２０または図２７〜２８に記載の試験方法はいずれも前記フォトマスク基板１４０の各膜層の品質の試験に用いることができる。本発明の他の実施例において、もし前記フォトマスク基板１４０の各膜層の製造工程にて各膜層に少なくとも一つのコンタクトを形成する場合には、図２１〜２２または図２９〜３０に記載の試験方法は各膜層の製造工程において、前記フォトマスク基板１４０の各膜層の品質を試験することができる。
【００４６】
本発明の技術内容および技術的特長は上記したとおりであるが、本発明の属する技術分野の当業者であれば、別紙の特許請求の範囲にて規定する本発明の技術的思想に違わない範囲内で、本発明の教示および開示で各種の置換および付加を行うことができることが理解できるはずである。例えば、上記にて開示した数多くの製造工程は、別の方法で実施したり、またはその他製造工程で置換したり、または上記した二種類の方式を組み合わせて用いることもできる。
【００４７】
またこれ以外にも、本願の権利範囲は上記にて開示した特定の実施例の製造工程、機器、製造、物質の成分、装置、方法またはステップに限定されるものではない。本発明の属する技術分野の当業者であれば、本発明が教示および開示する製造工程、機器、製造、物質の成分、装置、方法またはステップに基づいて、現在または未来の開発者のいずれを問わず、本願の実施例に開示するものと実質的に同じ方式で実質的に同じ効果を実行して、実質的に同じ結果に到達するものも本発明に使用できることが理解できるはずである。したがって、別紙の特許請求の範囲は、この種の製造工程、機器、製造、物質の成分、装置、方法またはステップに用いるものを包括するのに用いることもできる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  載置台
１０Ａ、２３Ａ、４３Ａ 、７３Ａ、７５Ａ、７７Ａ、７９Ａ、８３Ａ、８５Ａ、８７Ａ、８９Ａ、９３Ａ、９５Ａ、９７Ａ、９９Ａ、１２３Ａ、１２５Ａ、１２７Ａ、１２９Ａ、１３１Ａ、１４１Ａ、１４３Ａ、１４５Ａ、１４７Ａ、１４９Ａ、１５１Ａ  コンタクト
１１  リード線
２０、４０、５０、６０  フォトマスク物品
２１、４１、５１、６１、７１、８１、９１、１２１、１４１  基板
２３、４３  導電層
２５Ａ、５３Ａ、６３Ａ  第１のコンタクト
２５Ｂ、５５Ａ、６５Ａ  第２のコンタクト
３１  センサ
３３  導体
３５  バイアス電圧
４５  誘電層
５３、６３  第１の層
５５、６５  第２の層
７０、８０、９０、１２０、１４０  フォトマスク基板
７２Ａ  ケイ素層
７２Ｂ  モリブデン層
７３、８３、９３、１２３、１４３  多層反射構造
７５、９５、１２５  トップカバー層
７７、８５、１２７  バッファ層
７９、８７、９７、１２９、１４７  吸収層
８２、９２、１２２、１４２  バック層
８９、９９、１３１、１５１  フォトレジスト層
１０１、１０３、１０５、１０７、２０１、２０３、２０５、２０７、２０９  ステップ
１４５  トップカバー／バッファ層
１４９  反射防止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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