(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
0005664220.tif 000012
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、ｎは１又は２である。）で示される、分子量が１０００以下で、２５℃で固体の脂環式エポキシ化合物Ａ、
式（ＩＩ）
【化２】
0005664220.tif 000013
（式中、Ｒ１３〜Ｒ２４は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）で示される、分子量が１０００以下で、２５℃で液体の脂環式エポキシ化合物Ｂ、
２５℃で液体の酸無水物系硬化剤、
硬化促進剤、及び
溶融球状シリカを含有し、
エポキシ化合物の合計量が、半導体封止材料中、５〜５０重量％、
前記脂環式エポキシ化合物Ａ及び脂環式エポキシ化合物Ｂの合計量が、エポキシ化合物全体の５０〜１００重量％で、
前記脂環式エポキシ化合物Ａの含有量に対する脂環式エポキシ化合物Ｂの含有量の割合が、（脂環式エポキシ化合物Ｂ）／（脂環式エポキシ化合物Ａ）の重量比で０．５〜２であり、
かつ、
前記２５℃で液体の酸無水物系硬化剤の含有量が、エポキシ化合物の合計量１００重量部に対して５０〜２００重量部であること
を特徴とする半導体封止材料。
【請求項２】
２５℃で液体の酸無水物系硬化剤が、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、又はメチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止材料。
【請求項３】
硬化促進剤が、有機リン系硬化促進剤又はイミダゾール系硬化促進剤であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体封止材料。
【請求項４】
溶融球状シリカの含有量が、半導体封止材料全体の３０〜８０重量％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体封止材料。
【請求項５】
さらに、シラン系カップリング剤を、前記溶融球状シリカ１００重量部に対して、０．０５〜５重量部含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体封止材料。
【請求項６】
２５℃における粘度が、１〜２０Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体封止材料。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数が小さい半導体封止材料、及び、該半導体封止材料により封止されてなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高度情報化社会の急激な進展、情報通信網の発達に伴い、情報処理速度の高速化、通信波長領域の高周波化を達成するために、半導体チップ等の電子部品と、プリント基板との接続配線距離を極力短縮して伝送速度の高速化、高周波領域での伝送損失の低下を図る開発がなされている。
半導体チップ等の電極とプリント基板の電極とを接続する方法としては、金線や半田等を介して直接接続する方法（ベアチップ実装法）が最も一般的である。
【０００３】
また、この方法により接続された電極及び電極間の配線は、接続信頼性の向上を目的として封止材料により封止される。封止材料としては、従来公知のエポキシ樹脂からなる液状封止材料やフィルムが広く使用されている。例えば、ベアチップ実装法の１つであるフリップチップボンディング技術では、半導体チップとプリント基板とを、半導体チップ電極部に形成された半田バンプ等によりプリント基板上に形成された電極と直接接続を行う。
【０００４】
ところで、この場合、得られる半導体回路をヒートサイクル試験に供すると、プリント基板と半導体チップとの線膨張係数の差に起因して半田バンプ等に過剰な機械的応力が加わり半田バンプにクラックが発生し、半導体回路の接続信頼性が損なわれることがある。
この問題を解決すべく、プリント基板と半導体チップとの間隙にエポキシ樹脂を用いるアンダーフィル（封止材料）を充填して封止が行われる。エポキシ樹脂を用いる封止材料には、回路の微細な隙間に対する浸透性、塗布作業性といった性能等が要求されており、これらの性能を満たすため、適度な粘度を有する材料がいくつか提案されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等の、常温で液状のエポキシ樹脂、及び、下記式（ａ）
【０００６】
【化１】
0005664220.tif 000002
【０００７】
（式中、ｐは１又は２を表す。）で表される脂環式エポキシ化合物を含有し、２５℃における粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下であるエポキシ樹脂組成物が開示されている。
【０００８】
特許文献２には、平均分子量３００〜６００のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、常温で液状の環に縮合したエポキシ基を有する脂環式エポキシ樹脂とからなるエポキシ樹脂に対し、常温で液状の酸無水物、及び特定量の、常温で液状のイミダゾール化合物を配合した含浸に好適な液状エポキシ樹脂組成物が開示されている。
また、特許文献３には、式（ｂ）
【０００９】
【化２】
0005664220.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｙは２価の脂環式炭化水素基等を表す。）で表される脂環式エポキシ樹脂Ａと、芳香族エポキシ樹脂を核水素化して得られる２５℃で固体の脂環式エポキシ樹脂Ｂとを、所定割合で含み、４５℃における粘度が６００００ｍＰａ・ｓ以下である脂環式エポキシ樹脂、２５℃における粘度が５００ｍＰａ・ｓ以下の酸無水物、及び、硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物が開示されている。
【００１１】
特許文献４には、エポキシ樹脂及び硬化剤及び／又は硬化促進剤からなるエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂がエステル結合を含まない脂環式エポキシ化合物を該エポキシ樹脂中１００〜２０重量％含有することを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物が記載されている。
【００１２】
特許文献５には、非グリシジルエーテルエポキシ類、所定量の触媒、及び不活性成分を含む低粘度組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−１４３３６２号公報
【特許文献２】特公平６−２７１８２号公報
【特許文献３】特開２００８−１０１１７１号公報
【特許文献４】特開２００２−３３８６５９号公報
【特許文献５】特開２００７−３３２３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、特許文献１、２で用いられるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び特許文献３で用いられる芳香族エポキシ樹脂を核水素化して得られる２５℃で固体の脂環式エポキシ樹脂Ｂは、グリシジルエーテル基を含有するエポキシ樹脂であるため、合成反応に起因する塩素が樹脂中に高濃度で残留してしまうため、電子材料用途で用いるには分子蒸留等の操作が必要であり生産性が悪くコストが高い、また、分子蒸留等を行っても樹脂中の塩素を完全には除去できないため、微細化によりバンプ間距離がさらに小さくなると絶縁信頼性が悪くなってしまうという問題がある。
特許文献４の発明では、用いられるエポキシ類は固体であり、硬化剤の酸無水物への溶解性が悪いという問題がある。
特許文献５の発明では、液体の脂環式エポキシ化合物のみを用いると、粘度が低くフィラーの分離や沈降が起こり易い、固体の脂環式エポキシ化合物のみでは硬化剤の酸無水物への溶解性が悪く単独では使用できないという問題がある。
【００１５】
本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数が小さい半導体封止材料、及び、該半導体封止材料により封止されてなる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、２５℃で固体の特定の脂環式エポキシ化合物Ａと、２５℃で液体の特定の脂環式エポキシ化合物Ｂ、２５℃で液体の硬化剤、硬化促進剤、及びシリカを含み、前記脂環式エポキシ化合物Ｂの脂環式エポキシ化合物Ａに対する重量比が０．５〜２の範囲である組成物は、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数が小さく、半導体封止材料として好ましいことを見出し、かかる知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１７】
かくして本発明の第１によれば、下記（１）〜（７）の半導体封止材料が提供される。
（１）分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で固体の脂環式エポキシ化合物Ａ、
分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で液体の脂環式エポキシ化合物Ｂ、
２５℃で液体の硬化剤、
硬化促進剤、及び
シリカを含有し、かつ、
前記脂環式エポキシ化合物Ａの含有量に対する脂環式エポキシ化合物Ｂの含有量の割合が、（脂環式エポキシ化合物Ｂ）／（脂環式エポキシ化合物Ａ）の重量比で、０．５〜２であることを特徴とする半導体封止材料。
（２）脂環式エポキシ化合物Ａが、式（Ｉ）
【００１８】
【化３】
0005664220.tif 000004
【００１９】
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、ｎは１又は２である。）で示される化合物であることを特徴とする（１）に記載の半導体封止材料。
（３）脂環式エポキシ化合物Ｂが、式（ＩＩ）
【００２０】
【化４】
0005664220.tif 000005
【００２１】
（式中、Ｒ１３〜Ｒ２４は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）で示される化合物であることを特徴とする（１）又は（２）に記載の半導体封止材料。
（４）２５℃で液体の硬化剤が、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、又はメチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体封止材料。
（５）硬化促進剤が、有機リン系硬化促進剤又はイミダゾール系硬化促進剤であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体封止材料。
（６）シリカが、平均粒径が５μｍ以下の溶融球状シリカであり、かつその含有量が半導体封止材料全体に対して４０重量％以上であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体封止材料。
【００２２】
本発明の第２によれば、下記（７）の半導体装置が提供される。
（７）前記（１）〜（６）のいずれかに記載の半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体封止材料は、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数が小さい。また、該硬化物は残留塩素濃度が低いので絶縁信頼性が高い。
本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止材料によって封止されてなるため、微細なバンプ間へも樹脂が充分に浸透するためボイドの少ない封止が可能であり、チップとの線膨張率差が比較的小さいため、ヒートサイクル試験において優れた接続信頼性を示す。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】半導体チップがワイヤボンディング実装された本発明の半導体装置の一例を示す図である。
【図２】半導体チップがフリップチップ実装された本発明の半導体装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を、１）半導体封止材料、及び、２）半導体装置に項分けして、詳細に説明する。
【００２６】
１）半導体封止材料
本発明の半導体封止材料は、集積回路等の素子を封止して、外界から保護するために使用されるものであり、以下の（１）〜（５）の成分を含有するものである。
（１）分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で固体の脂環式エポキシ化合物Ａ
（２）分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で液体の脂環式エポキシ化合物Ｂ
（３）２５℃で液体の硬化剤
（４）硬化促進剤
（５）シリカ
【００２７】
（１）脂環式エポキシ化合物Ａ
本発明に用いる脂環式エポキシ化合物Ａは、脂環式構造を有し、分子量が１０００以下であり、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有し、かつ、２５℃で固体の化合物である。
【００２８】
脂環式エポキシ化合物Ａが有する脂環式構造としては、飽和脂環式炭化水素（シクロアルカン）構造、不飽和脂環式炭化水素（シクロアルケン）構造等が挙げられ、シクロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造としては、単環構造であっても、多環構造であってもよい。多環構造としては、特に限定されず、縮合環構造、橋架け環構造、スピロ環構造、脂環族基が直接又は連結基（アルキレン基、アルキレンオキシ基、−Ｏ−等）を介して結合した構造であってもよい。脂環式構造を構成する炭素原子数は、通常４〜２０個、好ましくは５〜１５個の範囲である。
【００２９】
脂環式エポキシ化合物Ａの分子量は１０００以下、好ましくは５００以下、さらに好ましくは１００〜３００である。
また、脂環式エポキシ化合物Ａは、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する。エポキシ基の個数は、好ましくは２〜４個、より好ましくは２又は３個、特に好ましくは２個である。
脂環式エポキシ化合物Ａは、一種単独で、或いは二種以上を組み合わせて用いることができる。
このような脂環式エポキシ化合物Ａの好ましい具体例としては、式（Ｉ）
【００３０】
【化５】
0005664220.tif 000006
【００３１】
で示される化合物であって、分子量が１０００以下で、２５℃で固体であるものが挙げられる。
前記式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ１２は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数１〜２０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族基等が挙げられる。
ｎは、１又は２であり、１が好ましい。
【００３２】
なかでも、脂環式エポキシ化合物Ａとしては、本発明のより優れた効果を有する半導体封止材料を得ることができることから、式（Ｉ−１）
【００３３】
【化６】
0005664220.tif 000007
【００３４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ１２は、前記と同じ意味を表す。）で表される化合物であって、分子量が１０００以下で、２５℃で固体であるものが好ましく、式（Ｉ−１）中、Ｒ１〜Ｒ１２がすべて水素原子である化合物（ジシクロペンタジエンジオキサイド）が特に好ましい。
脂環式エポキシ化合物Ａとしては、その他、トリシクロペンタジエンジオキサイドや１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタン等が挙げられる。
【００３５】
式（Ｉ）で表される化合物は、従来公知の方法により製造することができる。例えば、特開２００２−１４５８７２号公報に記載の、対応する脂環式オレフィン化合物を酸化剤により酸化（エポキシ化）する方法が挙げられる。
【００３６】
酸化剤としては、過酸化水素、脂肪族過カルボン酸、有機過酸化物等が挙げられる。
酸化剤の使用量は、脂環式オレフィン化合物に対して等モル以上、好ましくは、１〜１．５倍モルである。
【００３７】
エポキシ化反応は、溶媒中で行うのが好ましい。用いる溶媒としては、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン等の芳香族炭化水素類；酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；等が挙げられる。
【００３８】
反応温度は、０℃以上用いる溶媒の沸点以下、好ましくは２０〜７０℃である。
反応時間は、反応規模等にもよるが、通常１〜１００時間、好ましくは２〜５０時間である。
反応終了後は、例えば、貧溶媒で沈殿させる方法、エポキシ化物を熱水中に攪拌の下で投入し溶媒を蒸留除去する方法、又は、直接脱溶媒法等を行うことにより、目的とする脂環式エポキシ化合物を得ることができる。
【００３９】
（Ｂ）脂環式エポキシ化合物Ｂ
本発明に用いる脂環式エポキシ化合物Ｂは、脂環式構造を有し、分子量が１０００以下であり、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有し、かつ、２５℃で液体の化合物である。
【００４０】
脂環式エポキシ化合物Ｂが有する脂環式構造、好ましい分子量、及び好ましいエポキシ基の個数は、脂環式エポキシ化合物Ａの場合と同様である。
【００４１】
このような脂環式エポキシ化合物Ｂとしては、例えば、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ジシクロアリファティックジエステルジエポキシド、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、下記式（ＩＩ）
【００４２】
【化７】
0005664220.tif 000008
【００４３】
（式中、Ｒ１３〜Ｒ２４は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）で示される化合物であって、分子量が１０００以下で、２５℃で液体であるもの、式（ＩＩＩ）
【００４４】
【化８】
0005664220.tif 000009
【００４５】
（式中、Ｘは、単結合、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＣＢｒ２−、−Ｃ（ＣＢｒ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｃ（ＣＣｌ３）２−、又は−ＣＨ（Ｃ６Ｈ５）−を表し、Ｒ２５〜Ｒ４２は、互いに独立して、水素原子；ハロゲン原子；酸素原子もしくはハロゲン原子を含んでもよい、炭素数１〜２０の炭化水素基；又は置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。）で示される化合物であって、分子量が１０００以下で、２５℃で液体であるもの等が挙げられる。
なお、前記式中のＲ１３〜Ｒ４２のハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基としては、前記式（Ｉ）のＲ１〜Ｒ１２で例示したハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基と同様のものが挙げられる。
Ｒ２５〜Ｒ４２の置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基の、炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基等が挙げられる。その置換基としては、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；等が挙げられる。
脂環式エポキシ化合物Ｂは、一種単独で、或いは二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】
これらの中でも、本発明のより優れた効果を有する半導体封止材料が得られる観点から、脂環式エポキシ化合物Ｂとしては、前記式（ＩＩ）で示される化合物であって、分子量が１０００以下で、２５℃で液体であるものが好ましく、下記式（ＩＩ−１）
【００４７】
【化９】
0005664220.tif 000010
【００４８】
で表される化合物（テトラヒドロインデンジオキサイド）が特に好ましい。
本発明の半導体封止材料中における前記脂環式エポキシ化合物Ａと脂環式エポキシ化合物Ｂの含有割合は、（脂環式エポキシ化合物Ｂ）／（脂環式エポキシ化合物Ａ）の重量比で０．５〜２である。固体の脂環式エポキシ化合物Ａの溶解性と得られる半導体封止材料の粘度を良好なものとする観点から、該重量比としては、０．５〜１．５であるのが好ましく、０．５〜１であるのがより好ましい。
【００４９】
また、本発明においては、前記脂環式エポキシ化合物Ａや脂環式エポキシ化合物Ｂ以外の、従来、エポキシ樹脂として知られている、他のエポキシ化合物を含有していても良い。
【００５０】
他のエポキシ化合物の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂等の、２官能エポキシ樹脂が挙げられ、塩素含有率が低いものが好ましい。
上記以外にもフェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤノボラック型エポキシ樹脂等のノボラックエポキシ樹脂；トリシクロデセンオキサイド基を有するエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂のエポキシ化物等の環式脂肪族エポキシ樹脂；ナフタレン型フェノール樹脂のエポキシ化物等の芳香族エポキシ樹脂；ダイマー酸グリシジルエステル、トリグリシジルエステル等のグリシジルエステル型エポキシ樹脂；テトラグリシジルアミノジフェニルメタン、トリグリシジルｐ−アミノフェノール、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシリレンジアミン、テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂；フロログリシノールトリグリシジルエーテル、トリヒドロキシビフェニルトリグリシジルエーテル、トリヒドロキシフェニルメタントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］エチル］フェニル］プロパン、１，３−ビス［４−［１−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−１−［４−［１−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチル］フェノキシ］−２−プロパノール等の３官能型エポキシ樹脂；テトラヒドロキシフェニルエタンテトラグリシジルエーテル、テトラグリシジルベンゾフェノン、ビスレゾルシノールテトラグリシジルエーテル、テトラグリシドキシビフェニル等の４官能型エポキシ樹脂；等が挙げられる。
【００５１】
本発明の半導体封止材料における、脂環式エポキシ化合物Ａ、脂環式エポキシ化合物Ｂ、及び他のエポキシ化合物の総使用量（エポキシ化合物の合計量）は、通常５〜５０重量％、好ましくは１０〜４０重量％、特に好ましくは１５〜３０重量％である。また、エポキシ化合物中の脂環式エポキシ化合物Ａ及び脂環式エポキシ化合物Ｂの合計量は、エポキシ化合物全体の５０〜１００重量％、好ましくは６０〜１００重量％である。
このようなエポキシ化合物を用いることにより、適度な粘度を有し、残留塩素濃度が低く、その硬化物の線膨張係数が小さい半導体封止材料を得ることができる。
【００５２】
（３）硬化剤
本発明の半導体封止材料は、脂環式エポキシ化合物Ａ、Ｂに加えて、２５℃で液体の硬化剤をさらに含有する。
２５℃で液体の硬化剤としては、２５℃で液体であり、エポキシ樹脂を硬化させ得るエポキシ樹脂用の硬化剤であれば特に制約はない。
例えば、酸無水物系硬化剤やフェノール系硬化剤等が挙げられ、前記脂環式エポキシ化合物Ａ、Ｂをより好適に硬化できることから、酸無水物系硬化剤が好ましい。
【００５３】
２５℃で液体の酸無水物系硬化剤としては、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、及び水素化メチルナジック酸無水物等が挙げられる。
【００５４】
また、２５℃で固体の酸無水物系硬化剤を、２５℃で液状の酸無水物系硬化剤に溶解させ、２５℃で液状の混合物として使用してもよい。２５℃で固体の酸無水物系硬化剤としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、及びナジック酸無水物等が挙げられる。
【００５５】
２５℃で液体のフェノール系硬化剤としては、明和化成工業社製の商品名「ＭＥＨ−８０００Ｈ」や「ＭＥＨ−８００５」等が挙げられる。
これらの硬化剤は、一種単独で、或いは二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５６】
これらの中でも、本発明の目的とする効果がより得られやすいことから、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、及び、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物が好ましい。
【００５７】
硬化剤の使用割合は、硬化剤としての効果を発揮しうる有効量であれば特に制限はないが、前記エポキシ化合物の合計量１００重量部に対して、通常５０〜２００重量部、好ましくは７５〜１５０重量部の範囲である。
【００５８】
（４）硬化促進剤
本発明の半導体封止材料は、前記エポキシ化合物及び硬化剤に加えて硬化促進剤を更に含有する。硬化促進剤は、前記エポキシ樹脂が硬化剤によって硬化する際、硬化反応を促進する機能を有する化合物である。
【００５９】
硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ベンジルジメチルアミン、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ジメチルシクロヘキシルアミン等の３級アミン類；１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール等のイミダゾール系硬化促進剤；トリフェニルホスフィン、亜リン酸トリフェニル等の有機リン系硬化促進剤；テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の４級ホスホニウム塩類；１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等やその有機酸塩等のジアザビシクロアルケン類；オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫やアルミニウムアセチルアセトン錯体等の有機金属化合物類；テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド等の４級アンモニウム塩類；三ふっ化ホウ素、トリフェニルボレート等のホウ素化合物；塩化亜鉛、塩化第二錫等の金属ハロゲン化物；が挙げられる。更には、高融点イミダゾール化合物、ジシアンジアミド、アミンをエポキシ樹脂等に付加したアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性促進剤；イミダゾール系、リン系、ホスフィン系促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性促進剤；アミン塩型潜在性硬化促進剤；ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型の熱カチオン重合型の潜在性硬化促進剤；等に代表される潜在性硬化促進剤も使用することができる。これらの硬化促進剤は単独で、又は２種以上を混合して使用することができる。
これらの中でも、より本発明の目的とする効果が得られやすいことから、有機リン系硬化促進剤及びイミダゾール系硬化促進剤が好ましく、トリフェニルホスフィン及び２−エチル−４−メチルイミダゾールが特に好ましい。
【００６０】
硬化促進剤の使用割合は、硬化促進効果が得られる量であれば特に制限はないが、前記エポキシ化合物の合計量１００重量部に対して、通常０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部である。
【００６１】
（５）シリカ
本発明の半導体封止材料は、脂環式エポキシ化合物Ａ，Ｂ、硬化剤、及び硬化促進剤に加えて、シリカを更に含有する。シリカは熱膨張係数の小さな非導電性充填剤として用いる。充填剤としてシリカを用いることにより、得られる半導体装置の接続信頼性を高めることができる。
【００６２】
用いるシリカとしては、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶質シリカ、ゾルゲルシリカ、フュームドシリカ等が挙げられる。
【００６３】
溶融球状シリカは、球状の非晶質シリカであって、最密充填に適した粒度分布の設計が可能なため、高充填が可能なシリカである。
【００６４】
溶融破砕シリカは不定形角状の非晶質シリカである。水洗された数ｃｍサイズの天然ケイ石を熔融炉にて熔融して非晶質のインゴットとし、プレス機やボールミル等の粉砕機で粉砕して製造される。
【００６５】
結晶質シリカは不定形角状の結晶質シリカである。天然のケイ石、あるいは水晶を水洗、破砕して製造される。熔融シリカより高い熱伝導率と熱膨張率を示す。
【００６６】
ゾルゲルシリカは、球形度の高い非晶質の球状シリカである。アルコキシシランを原料に、液中で加水分解によって製造される。条件によって平均粒子径がサブミクロンから３０μｍ程度のものが製造される。粒子径の制御精度が高く、粗大粒子をほとんど含まない。
【００６７】
フュームドシリカは、非常に嵩高い煙霧状の非晶質シリカである。金属ケイ素と塩化水素から合成された高純度四塩化ケイ素を火炎中に供給し、高温加水分解によって製造される。非常に微細な数十ナノメートルサイズの一次粒子が三次元的に融着した不定形の数珠状の粒子形状を持っている。
【００６８】
これらの中でも、粒子形状が球状で、かつ最密充填に適した粒度分布の設計が可能であることから、溶融球状シリカが好ましい。
溶融球状シリカは、製法によって、天然溶融球状シリカと合成溶融球状シリカに大別され、本発明においては、いずれも使用可能である。
【００６９】
天然溶融球状シリカは天然ケイ石が原料として用いられる。水洗、破砕されたミクロンサイズのケイ石が、ＬＰＧ／酸素火炎中に供給され、加熱されて軟化し表面張力によって球状になり、火炎を出たところで急冷されて非晶質の球状シリカとなる。原料の破砕ケイ石の粒度や溶融条件によって種々の平均粒径のものが製造される。
【００７０】
合成溶融球状シリカは、金属ケイ素と塩化水素から合成された高純度四塩化ケイ素が原料として用いられる。水素／酸素火炎中に四塩化ケイ素が供給され、火炎中にて四塩化ケイ素の高温加水分解によりシリカが生成する。次いで火炎中でシリカが溶融し、表面張力によって球状になり、火炎を出たところで急冷されて非晶質の球状シリカとなる。溶融条件によって種々の平均粒径のものが製造される。
【００７１】
用いるシリカの粒径（平均粒径）は、特に限定されるものではないが、凝集・沈降がしにくいことから、粒子を三次元的にみたときの長手方向と短手方向の長さの平均値で、通常０．１〜１０μｍ、好ましくは０．３〜５μｍ、さらに好ましくは０．５〜３μｍの範囲である。また、同じく用いるシリカに含まれる粗大粒子の粒径（最大粒径）は、通常５０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。この範囲のシリカを用いることで、微細バンプ間にも浸透容易な液状封止材料を効率的に提供することが可能となる。
【００７２】
シリカの使用割合は、通常、半導体封止材料全体の３０〜８０重量％、好ましくは４０〜７０重量％の範囲である。
なかでも、微細バンプ間への浸透性と作業性を考慮すると共に、得られる半導体装置の接続信頼性を充分高める観点から、シリカが、平均粒径が５μｍ以下の溶融球状シリカであり（下限は通常０．１μｍ）、かつその含有量が半導体封止材料全体の４０重量％以上である（上限は通常８０重量％）のが特に好適である。
【００７３】
また、本発明の半導体封止材料には、樹脂成分とシリカとの接着性を高めるために、必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物を添加することができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング剤等が挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記カップリング剤の配合量は、シリカ１００重量部に対して０．０５〜５重量部であることが好ましく、０．１〜２．５重量部がより好ましい。
【００７４】
本発明においては、本発明の目的を損なわない範囲で、シリカと共に他の充填剤を併用してもよい。他の充填剤としては、シリカバルーン、アルミナ、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化すず、酸化ベリリウム、バリウムフェライト、及びストロンチウムフェライト等の無機酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、及び炭酸水素ナトリウム等の無機炭酸塩；硫酸カルシウム等の無機硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、カオリン、フライアッシュ、モンモリロナイト、ケイ酸カルシウム、ガラス、及びガラスバルーン等の無機ケイ酸塩；等が挙げられる。
【００７５】
本発明の半導体封止材料は、前記脂環式エポキシ化合物、硬化剤、硬化促進剤、シリカの他に、本発明の目的を損なわない範囲で、その他の成分を含んでいてもよい。
その他の成分としては、非ハロゲン難燃剤、老化防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、離型剤、滑剤、着色剤、光安定剤、及び発泡剤等が挙げられる。
【００７６】
本発明の半導体封止材料は、脂環式エポキシ化合物Ａ、脂環式エポキシ化合物Ｂ、硬化剤、硬化促進剤、シリカ、並びに、所望によりその他の成分等を、従来公知の方法、例えば、三本ロール、ニーダー、万能攪拌機、ボールミル、プラネタリミキサー、ホモジナイザー、ホモディスパーザー等により均一になるまで混合（混練）することにより得ることができる。
【００７７】
本発明の半導体封止材料は、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数は小さいため、作業性が良好で、半導体封止用途に好適である。
適度な粘度とは、通常、２５℃において１〜２０Ｐａ・ｓ、好ましくは３〜１５Ｐａ・ｓである。粘度は、公知のＥ型粘度計により測定することができる。
【００７８】
本発明の半導体封止材料は、前記硬化剤及び硬化促進剤を含有するため、容易に硬化して、半導体を封止することができる。
硬化方法としては、特に限定されないが、例えば、８０〜２００℃程度に設定された加熱炉内に０．５〜４時間程度静置する方法が挙げられる。
硬化方法は、多段階のステップキュアとすることも可能であり、例えば本発明の半導体封止材料を硬化させる場合、１次硬化を８０〜１２０℃で０．５〜２時間程度行った後、２次硬化を１２０〜２００℃で０．５〜２時間程度行って硬化することが好ましい。
【００７９】
本発明の半導体封止材料は、後述するように、特に、フリップチップ実装パッケージ等において、チップの電極とプリント基板の電極を接続する半田バンプ等の部分を封止するのに好適に用いられる。本発明の半導体封止材料をアンダーフィル剤として用いた場合、半田バンプ等の間隙に容易に浸透し、当該間隙をボイド残り無く充填することができ、さらに低線膨張率であるため、ヒートサイクル試験において優れた接続信頼性を有する半導体装置を形成することができる。
【００８０】
２）半導体装置
本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止材料を用いて封止されてなることを特徴とする。
本発明の半導体装置としては、半導体チップ等の電子部品とプリント基板（インターポーザ）との間等が本発明の半導体封止材料を用いて封止されたものであれば、特に制約はない。
【００８１】
プリント基板は、少なくとも、絶縁層と導体回路と電極とを有し、電子部品の電極からの電気信号を他の電子部品等に伝送可能なものであれば特に限定はない。プリント基板としては、例えば、従来のガラスエポキシプリント配線基板、ガラスポリイミドプリント配線基板、ビスマレイミドトリアジン樹脂プリント基板、ポリフェニレンエーテル（ポリフェニレンオキサイド）プリント配線基板、フッ素樹脂プリント配線基板、その他環状オレフィン系樹脂プリント配線基板等の低誘電率プリント配線基板等のプリント配線基板；ポリエチレンテレフタレートフレキシブルプリント配線基板、ポリイミドフレキシブルプリント配線基板等のフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）；シリコンウェハー基板；セラミック基板；感光性樹脂等を使用した高密度実装基板；樹脂付き金属箔やドライフィルム、接着性絶縁フィルム等のフィルム積層型の高密度実装基板；ポリフェニレンスルフィドや液晶ポリマー等の熱可塑性エンジアリングプラスチックフィルム等のフィルム配線基板等や、近年のパッケージ形態であるチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）に使用されるキャリアフィルム（ポリイミドキャリアフィルム等）や単層基板等、並びにこれらの基板に電子部品が実装されたプリント回路板等が挙げられる。
【００８２】
電子部品としては、ＩＣチップ、ＬＳＩチップ等の半導体チップ、及び、複数の半導体部品を実装してなるマルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）等の半導体パッケージ等が挙げられる。電子部品は、プリント基板の電極に直接接続するための接続ワイヤ又は突起状電極（バンプ）を有する。突起状電極としては、例えば、半田バンプや金バンプ等が挙げられる
【００８３】
電子部品をプリント基板に実装する方法としては、特に制約はないが、基板側の電極と電子部品側の電極とをワイヤによって接続するワイヤボンディング実装（図１参照）、電子部品の電極を基板側の電極と直接接続するフリップチップ実装（図２参照）、及びリード線を設けたフィルムを用いて基板側の電極と電子部品側の電極とを接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装が挙げられる。
なかでも、フリップチップ実装で実装されていることが好ましい。フリップチップ実装では、電子部品は、突起状電極形成面を逆さまにして、フェースダウンの状態でプリント基板の電極上に搭載され直接接続されることになる。
【００８４】
本発明の半導体装置は、前記プリント基板と電子部品との間にできた間隙等に前記半導体封止材料を充填し、加熱・硬化することにより、電極間接続部分を該材料により封止する。
充填する方法としては、例えば、プリント基板と電子部品との間隙等に、前記半導体封止材料を、注型、トランスファー成形機、射出成形機、ディスペンサー等を用いて流し込み（注入し）、毛細管現象を利用して該材料を間隙に充填する方法、ディスペンサー等を用いて、プリント基板上に電子部品の大きさに合わせて半導体封止材料を塗布し、又は、半導体封止材料をドライフィルムの形態として、電子部品の大きさに合わせてプリント基板上に設置し、次いで電子部品のプリント基板への接続を行う方法等が挙げられる。
【００８５】
前記ワイヤボンディング実装を行った場合（図１参照）は、前記半導体封止材料を、少なくともワイヤ接続部分を覆うように塗布することで電極間接続部分を該材料により被覆することができる。その際、塗布した材料が流れないように、電子部品の周辺に枠（ダム）を設置したり、電子部品の実装部分のみを凹部分にしてもよい。
【００８６】
加熱は、例えば、電子部品との電極間接続部分が前記半導体封止材料で充填された状態にあるプリント基板ごと加熱炉内に静置することにより行われる。
前記半導体封止材料を硬化させるための加熱温度は、８０〜２００℃程度であり、加熱時間は、通常０．５〜４時間程度である。多段階のステップキュアで硬化させることも可能である。
【００８７】
得られる半導体装置の例を、図１及び図２に示す。図１は、半導体チップがワイヤボンディング実装された半導体装置を示す図であり、図２は、半導体チップがフリップチップ実装された半導体装置を示す図である。図中、１及び１’はプリント基板を、２は接続ワイヤを、３及び３’は半導体チップを、４及び４’は本発明の半導体封止材料の硬化物を、５は半田バンプ（半田ボール）をそれぞれ示す。
【００８８】
プリント基板に対して電子部品を取り付ける反対側の面に半田バンプが設けられている場合、上述のようにしてプリント基板と電子部品との電極間接続部分を封止した後（１次封止）、得られたプリント回路板をマザーボード（通常のプリント配線板）上にさらに搭載し接続してもよい。この場合、前記プリント回路板とマザーボードとの間隙に対してアンダーフィル法により本発明の半導体封止材料をディスペンサー等を使用して流し込み、硬化させることにより、２次封止することができる。
【００８９】
また、本発明の半導体装置は、半導体ベアチップ実装パッケージであってもよい。用いられる電子部品としては、半導体部品の中でもＣＰＵ（中央演算装置）やメモリ（ＤＲＡＭ）等に使用されるような、微細配線が高度に集積された大規模集積回路（ＬＳＩ）等が挙げられる。半導体ベアチップ実装パッケージは、少なくとも半導体チップの電極とプリント基板の電極との間の接続部分を、本発明の半導体封止材料を用いて封止することにより得られる。
前記パッケージに、さらにマザーボードのプリント基板に接続する目的で半田ボール等の突起状電極を取付けたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、半導体チップが複数実装されたマルチチップパッケージ（マルチチップモジュール）は、コンピューターや通信機器に使用可能である。
【実施例】
【００９０】
以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されるものではない。各例中の部及び％は、特に断りのない限り、重量基準である。
【００９１】
［合成例１：脂環式エポキシ化合物Ａの合成］
内容量５Ｌのガラス製フラスコに、ジシクロペンタジエン５００ｇ及びアセトニトリル４５０ｇを入れ、攪拌しながら６５℃に昇温した。ここに、水酸化カリウムでｐＨ８に調整した５０％ピロリン酸カリウム水溶液５００ｇと３５％過酸化水素水１５００ｇの混合液を、約２０時間かけて滴下し、その後同温度で２０時間攪拌を継続した。反応液を室温まで冷却し、析出してきた結晶を濾過分離し、水洗、乾燥して、ジシクロペンタジエンジオキサイドの白色結晶を得た。得られた結晶の収量は３００ｇであり、ガスクロマトグラフィにより測定した純度は９８％であった。
【００９２】
［合成例２：脂環式エポキシ化合物Ｂの合成］
内容量５Ｌのガラス製フラスコに、テトラヒドロインデン５００ｇ及びアセトニトリル４５０ｇを入れ、攪拌しながら６５℃に昇温した。ここに、水酸化カリウムでｐＨ８に調整した５０％ピロリン酸カリウム水溶液５００ｇと３５％過酸化水素水１５００ｇの混合液を、約２０時間かけて滴下し、その後同温度で２０時間攪拌を継続した。反応液を室温まで冷却し、反応液をエバポレーターで濃縮し、得られた溶液をトルエン１０００ｍｌで２回抽出し、水洗、乾燥した後、トルエンを留去し、テトラヒドロインデンジオキサイドの透明液体を得た。得られた液体の収量は２８０ｇであり、ガスクロマトグラフィにより測定した純度は９５％であった。
【００９３】
（実施例１）
脂環式エポキシ化合物Ａとして合成例１で合成したジシクロペンタジエンジオキサイド４０部、脂環式エポキシ化合物Ｂとして合成例２で合成したテトラヒドロインデンジオキサイド２０部、その他のエポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（商品名ＥＰ−４１００ＨＦ、ＡＤＥＫＡ社製）４０部、及び、硬化剤としてメチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物（商品名ＭＨ−７００Ｇ、新日本理化社製）１１０部を６０℃に加温しながら４時間攪拌し、ジシクロペンタジエンジオキサイドを溶解させた。得られた溶液に、溶融球状シリカ（商品名ＰＬＶ−３、龍森社製、平均粒径３μｍ、最大粒径１０μｍ）３２０部、さらにシランカップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名ＫＢＭ−４０３、信越シリコーン社製）３．２部、硬化促進剤として２−メチル−４−メチルイミダゾール（商品名２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業社製）２部を加え、自転公転式のミキサーにて１０分間攪拌し、本発明の半導体封止材料（ワニス１）を調製した。
【００９４】
得られたワニス１につき、Ｅ型粘度計を用いて、２５℃における粘度と、２４時間後の粘度上昇を測定した。なお、ワニス１中の溶融球状シリカの含有量は６０％であった。
さらに、得られたワニス１を、ポリイミドフィルム上にギャップ１００μｍのドクターブレードを用いて塗布し、１次硬化を１００℃で１時間、２次硬化を１５０℃で２時間行って硬化させた後、ポリイミドフィルム上から硬化物を剥離して、厚さ５０μｍ前後のフィルム１を作製した。得られたフィルム１を、ＴＭＡ試験機（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）の引張モードにて昇温速度１０℃／分で測定し、ガラス転移温度（Ｔｇ）前の線膨張率α１、Ｔｇ後の線膨張率α２、及びＴｇを求めた。
【００９５】
（実施例２）
溶融球状シリカとして、ＰＬＶ−６（龍森社製、平均粒径４．５μｍ、最大粒径２４μｍ）３２０部を用いたこと以外は実施例１と同様にしてワニス２を調製し、次いでフィルム２を作製した。ワニス２の粘度等測定及びフィルム２のＴＭＡ測定を実施した。なお、ワニス２中の溶融球状シリカの含有量は６０％であった。
【００９６】
（参考例１）
脂環式エポキシ化合物Ａとして合成例１で合成したジシクロペンタジエンジオキサイドを５５部用い、脂環式エポキシ化合物Ｂとして３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート（商品名セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ、ダイセル化学工業社製）４５部を用い、ＭＨ−７００Ｇを１２６部、ＰＬＶ−３を３４０部、ＫＢＭ−４０３を３．４部用いたこと以外は実施例１と同様にしてワニス３を調製し、次いでフィルム３を作製した。ワニス３の粘度等測定及びフィルム３のＴＭＡ測定を実施した。なお、ワニス３中の溶融球状シリカの含有量は６０％であった。
【００９７】
（参考例２）
脂環式エポキシ化合物Ａとして合成例１で合成したジシクロペンタジエンジオキサイドを５５部用い、脂環式エポキシ化合物Ｂとして３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート（商品名セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ、ダイセル化学工業社製）４５部を用い、ＭＨ−７００Ｇを１２６部、ＰＬＶ−６を３４０部、ＫＢＭ−４０３を３．４部用いたこと以外は実施例１と同様にしてワニス４を調製し、次いでフィルム４を作製した。ワニス４の粘度等測定及びフィルム４のＴＭＡ測定を実施した。なお、ワニス４中の溶融球状シリカの含有量は６０％であった。
【００９８】
（比較例１）
エポキシ樹脂として、ＥＰ−４１００ＨＦ  １００部を用い、ＭＨ−７００Ｇを８８部、ＰＬＶ−３を２８２部、ＫＢＭ−４０３を２．８部用いたこと以外は実施例１と同様にしてワニス５を調製し、次いでフィルム５を作製した。ワニス５の粘度等測定及びフィルム５のＴＭＡ測定を実施した。なお、ワニス５中の溶融球状シリカの含有量は６０％であった。
【００９９】
（比較例２）
エポキシ樹脂として、ＥＰ−４１００ＨＦ  １００部を用い、ＭＨ−７００Ｇを８８部、ＰＬＶ−６を２８２部、ＫＢＭ−４０３を２．８部用いたこと以外は実施例１と同様にしてワニス６を調製し、次いでフィルム６を作製した。ワニス６の粘度等測定及びフィルム６のＴＭＡ測定を実施した。なお、ワニス６中の溶融球状シリカの含有量は６０％であった。
【０１００】
上記実施例１〜３及び比較例１，２で調製したワニス１〜６の配合組成、ワニス１〜６の、Ｅ型粘度系で測定した配合直後の粘度、当該粘度と２４時間経過後に測定した粘度とから算出した粘度変化率、並びに、フィルム１〜６の、ＴＭＡ試験機で測定したＴｇ前の線膨張率α１、Ｔｇ後の線膨張率α２、及びＴｇを下記第１表にまとめて示す。表中、「Ａ１」は合成例１で合成したジシクロペンタジエンジオキサイドを、「Ｂ１」は合成例２で合成したテトラヒドロインデンジオキサイドを、「Ｂ２」は３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート（商品名セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ、ダイセル化学工業社製）をそれぞれ表す。
【０１０１】
【表１】
0005664220.tif 000011
【０１０２】
第１表より、脂環式エポキシ化合物Ａ及び脂環式エポキシ化合物Ｂを用いることにより、従来のビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂を用いた液状半導体封止材料よりも低粘度であり、その硬化物の線膨張率が低い半導体封止材料を提供できることが分かる。
本発明の半導体封止材料は、その中に含まれるシリカが微細化すると従来品との粘度差が大きくなると考えられることから、特にバンプ間距離が短く、チップとパッケージ基板とのギャップが小さい高密度実装品の封止に対しより好適に用いうる。
【符号の説明】
【０１０３】
１，１’・・・プリント基板、２・・・接続ワイヤ、３，３’・・・半導体チップ、４，４’・・・本発明の半導体封止材料の硬化物、５・・・半田バンプ
【図１】
0005664220.tif 000014
【図２】
0005664220.tif 000015