(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（３）で表されることを特徴とするピリミジン化合物。
【化１】
0005664128.tif 000032
（一般式（３）中、Ｘ及びＺはそれぞれ独立に１−ナフチル基、２−ナフチル基及び９
−フェナントリル基のいずれかである。
Ｌ１及びＬ２は単結合である。）
【請求項２】
請求項１に記載のピリミジン化合物及び溶剤を含有することを特徴とする有機電界発光素子用組成物。
【請求項３】
基板上に、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が、有機電界発光素子用材料として請求項１に記載の化合物を含む層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項４】
基板上に、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が、湿式成膜法にて請求項２に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項５】
前記有機電界発光素子用材料を含む層が発光層であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層が発光層であることを特徴とする
請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項３〜６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピリミジン化合物、当該化合物からなる有機電界発光素子用材料、当該化合物及び溶剤を含有する有機電界発光素子用組成物、発光効率が高く、駆動電圧が低い有機電界発光素子、並びに当該有機電界発光素子を有する照明装置及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光（ＥＬ）素子）の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。このうち、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層を形成するための塗布液（有機電界発光素子用組成物）に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。
【０００３】
湿式成膜法によって形成された発光層の材料としては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体やポリフルオレン誘導体等の高分子材料が主に用いられているが、高分子材料には以下のような問題がある。  
・高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難である。
・連続駆動時に末端残基による劣化が起こる。
【０００４】
・材料自体の高純度化が困難で、不純物を含む。
上記問題のために、湿式成膜法による素子は、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。
以上の様な問題を解決する試みとして、特許文献１には高分子化合物ではなく、複数の低分子材料（電荷輸送材料、発光材料）を混合して湿式成膜法により形成した有機薄膜を用いた有機電界発光素子が記載されている。しかしながら、特許文献１に記載されている有機電界発光素子は蛍光発光を利用しているため、素子の発光効率及び最大発光輝度が低く、実用特性を満たしていない。
【０００５】
湿式成膜法により形成された複数の低分子材料からなる有機薄膜を用いた有機電界発光素子において、非特許文献１では、素子の発光効率を高めるために、燐光発光を利用した素子が記載されている。非特許文献１に記載の有機電界発光素子の電荷輸送材料は、以下に示すビフェニル誘導体を用いている。
【０００６】
【化１】
0005664128.tif 000002
【０００７】
しかしながら、上記ビフェニル誘導体は、非常に結晶化しやすく、湿式成膜法では均一な非晶質膜を得ることが困難であった。更に、上記ビフェニル誘導体は、溶媒に対する溶解性が低い。このため、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒を塗布溶媒に用いる必要があるが、ハロゲン系溶媒は環境負荷が大きく実用上問題がある。又、ハロゲン系溶媒中に含まれる不純物により材料が劣化する可能性が大きいため、ハロゲン系溶媒を用いた湿式成膜法による素子は駆動安定性が十分でないことが考えられる。
【０００８】
又、特許文献２には、下記の様なキノリン環とカルバゾール環を分子内に含む電荷輸送材料が記載されている。しかしながら、当該電荷輸送材料を用いた有機電界発光素子は駆動安定性が十分ではなかった。
【０００９】
【化２】
0005664128.tif 000003
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−２７３８５９号公報
【特許文献２】特開２００６−１９９６７７号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Japanese  Journal  of  Applied  Physics  Vol.44,No.1B,  2005,  pp.626-629
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、種々の有機溶媒に対する溶解性に優れ、且つ電子輸送性にも優れる有機電界発光素子用材料を提供すること、更には駆動安定性に優れ、低い電圧で駆動可能な有機電界発光素子を形成するための組成物、並びにそれを用いた有機電界発光素子、当該有機電界発光素子を有する照明装置及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らが鋭意検討した結果、特定構造のピリミジン化合物が、種々の溶媒に対する溶解性が優れ、非晶質性を有するため、湿式成膜法による薄膜形成が可能であり、しかも、優れた電荷輸送性を有するため、有機電界発光素子に用いると高い駆動安定性を示し、かつ低い駆動電圧で駆動可能であることを見出し、本発明に到達した。  
即ち、本発明の要旨は、下記（１）〜（８）に存する。（１）下記一般式（３）で表されることを特徴とするピリミジン化合物。
【００１４】
【化２】
0005664128.tif 000004
【００１５】
（一般式（３）中、Ｘ及びＺはそれぞれ独立に１−ナフチル基、２−ナフチル基及び９−フェナントリル基のいずれかである。
Ｌ１及びＬ２は単結合である。）
（２）前記（１）に記載のピリミジン化合物及び溶剤を含有することを特徴とする有機電
界発光素子用組成物。
（３）基板上に、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が、有機電界発光素子用材料として前記（１）に記載の化合物を含む層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
（４）基板上に、陽極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が、湿式成膜法にて前記（２）に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
（５）前記有機電界発光素子用材料を含む層が発光層であることを特徴とする（３）に記載の有機電界発光素子。
（６）前記有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層が発光層であることを特徴とする前記（４）に記載の有機電界発光素子。
（７）前記（３）〜（６）のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする表示装置。
（８）前記（３）〜（６）のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする照明装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のピリミジン化合物は、種々の溶媒に対する溶解性に優れると共に、非晶質性を有するため、湿式成膜法による薄膜形成が可能であり、しかも優れた電荷輸送性を有する。
このため、本発明のピリミジン化合物を用いて、駆動安定性に優れ、かつ低い駆動電圧で駆動可能な有機電界発光素子を容易に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
＜ピリミジン化合物＞
本発明のピリミジン化合物は、下記一般式（Ｉ）で表わされることを特徴とする。
【００１９】
【化４】
0005664128.tif 000005
【００２０】
（一般式（１）中、Ｘ及びＺはそれぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数３０以
下の芳香族環基である。
Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立に単結合、又は置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香族環基である。）
［１］構造上の特徴
上記一般式（１）で表される本発明のピリミジン化合物は、ピリミジン環の４位もしくは６位の少なくとも一方がｐ―ビフェニル基によって置換されていることが必須である。ピリミジン環の４位もしくは６位の少なくとも一方がｐ−ビフェニル基により置換されていることにより、電子輸送性に優れると考えられる。
又、ピリミジン環の２位、及び６位（ピリミジン環の４位がｐ―ビフェニル基によって置換されている場合）もしくは４位（ピリミジン環の６位がｐ―ビフェニル基によって置換されている場合）に置換基を有するフェニル基によって置換されていることにより、ピリミジン環の活性部位を保護し、化学的且つ電気的安定性を高めることができると考えられる。
【００２１】
［２］一般式（１）における各構成要素
以下に上記一般式（１）における各構成要素について詳細に説明する。
＜Ｘ及びＺについて＞
一般式（１）中のＸ及びＺは、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香族環基である。尚、本発明でいう「芳香族環基」とは、芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基である。
【００２２】
Ｘ及びＺの芳香族環基としては、炭素数３以上２５以下のものが好ましく、より具体的には、
フェニル基；
１−ナフチル基、２−ナフチル基等のナフチル基；
９−フェナンチル基、３−フェナンチル基等のフェナンチル基；
１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基等のアントリル基；
１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基等のナフタセニル基；
１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基等のクリセニル基；
１−ピレニル基等のピレニル基；
１−トリフェニレニル基等のトリフェニレニル基；
１−コロネニル基等のコロネニル基；
２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等のピリジル基；
２−チエニル基等のチエニル基；
３−ベンゾチエニル基等のベンゾチエニル基；
２−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基等のベンゾフラニル基
２−キノリニル基等のキノリニル基等が挙げられ、
中でもフェニル基、ナフチル基、フェナンチル基、アントラニル基等の芳香族炭化水素環基がより好ましい。
【００２３】
又、化合物の安定性の面から、Ｘ及びＺとしてはフェニル基、２−ナフチル基、１−ナフチル基、９−フェナントリル基、９−アントラニル基等が更に好ましく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基等が化合物の精製しやすさから特に好ましく、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−フェナントリル基が最も好ましい。
【００２４】
尚、Ｘ及びＺは置換基を有していてもよく、その置換基の具体例としては、
炭素数１〜２０のアルキル基；
炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基；
炭素数３〜２０の芳香族複素環基；
炭素数１〜２０のアルキルオキシ基；
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基；
炭素数１〜２０のアルキルチオ基；
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基；
シアノ基等が挙げられる。
【００２５】
これらの基は更に置換基を有していてもよく、その具体例としては、Ｘ及びＺの置換基として例示したものと同様である。
Ｘ及びＺが有する置換基としては炭素数１〜２０のアルキル基及び炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基が、化合物の安定性の面から好ましく、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基が特に好ましい。
【００２６】
Ｘ及びＺが有していてもよい置換基としての炭素数１〜２０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基等である。中でも、メチル基、エチル基等が原料の入手しやすさや、安価さなどから好ましく、又、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等も、非極性溶媒に高い溶解性を持つため好ましい。
【００２７】
Ｘ及びＺが有していてもよい置換基としての炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基の例としては、
フェニル基；
１−ナフチル基、２−ナフチル基等のナフチル基；
９−フェナンチル基、３−フェナンチル基等のフェナンチル基；
１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基等のアントリル基；
１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基等のナフタセニル基；
１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基等のクリセニル基；
１−ピレニル基等のピレニル基；
１−トリフェニレニル基等のトリフェニレニル基；
１−コロネニル基等のコロネニル基；
４−ビフェニル基、３−ビフェニル基等のビフェニル基；
オルト−ターフェニル基、メタ−ターフェニル基、パラ−ターフェニル基等のターフェニル基等が挙げられる。中でも、化合物の安定性の面からフェニル基、２−ナフチル基、１−アントラニル基、９−フェナントリル基、９−アントラニル基、４−ビフェニル基、
３−ビフェニル基等が好ましく、化合物の精製しやすさからフェニル基、２−ナフチル基、３−ビフェニル基等が特に好ましい。
【００２８】
Ｘ及びＺが有していてもよい置換基としての炭素数３〜２０の芳香族複素環基の例としては、
２−チエニル基等のチエニル基；
２−フリル基等のフリル基；
２−イミダゾリル基等のイミダゾリル基；
２−ピリジル基等のピリジル基；
２−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基等のベンゾフラニル基
１，３，５−トリアジン−２−イル基等のトリアジン−イル基等が挙げられる。
【００２９】
化合物の安定性の点からジベンゾフラニル基が好ましい
Ｘ及びＺが有していてもよい置換基としての炭素数１〜２０のアルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられ、化合物を分離・精製しやすい点から、メトキシ基、エトキシ基等が好ましい。
【００３０】
Ｘ及びＺが有していてもよい置換基としての炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、９−アントラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基等が挙げられ、溶解性の点から、フェノキシ基等が好ましい。
Ｘ及びＺが有していてもよい置換基としての炭素数１〜２０のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられ、化合物を分離・精製しやすい点から、メチルチオ基等が好ましい。
【００３１】
Ｘ及びＺが有していてもよい置換基としての炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントラニルチオ基、２−チエニルチオ基等が挙げられ、溶解性の点から、フェニルチオ基等が好ましい。
尚、本発明において、化合物の安定性の点から、少なくともＸが炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基であることが好ましく、Ｘ及びＺはそれぞれ炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基及び炭素数３〜２０の芳香族複素環基であることがより好ましい。
【００３２】
＜Ｌ１及びＬ２について＞
一般式（１）中のＬ１は、ピリミジン環の２位に結合するフェニル基と結合する置換基であり、Ｌ２はピリジン環の４位（ピリミジン環の６位がｐ―ビフェニル基によって置換されている場合）もしくは６位（ピリミジン環の４位がｐ―ビフェニル基によって置換されている場合）に結合するフェニル基と結合する置換基である。Ｌ１及びＬ２はそれぞれ単結合、又は置換基を有していてもよい炭素数３０以下の芳香族環基である。
【００３３】
Ｌ１及びＬ２の芳香族環基としては、炭素数３以上２５以下のものが好ましく、より具体的には、フェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基、アントリレン基、ナフタセニレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、トリフェニレニレン基、コロネニレン基、ピリジレン基、チエニレン基、ベンゾチエニレン基、又はキノリニレン基等が挙げられる。化合物の安定性の面から、Ｌ１及びＬ２としてはフェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基、アントリレン基等がより好ましい。又、フェニレン基、ナフチレン基等が化合物の精製しやすさから特に好ましく、更に溶解性や、共役を狭くし高い３重項励起エネルギーを輸送できる点からｍ−フェニレン基が最も好ましい。
【００３４】
尚、Ｌ１及びＬ２は置換基を有していてもよく、その置換基の具体例及び好ましい態様については、前記Ｘ及びＺが有する置換基と同様である。
本発明のＬ１及びＬ２は、化合物安定性の点から、それぞれ単結合及びフェニレン基であることが好ましい。又、化合物合成の簡便さからＬ１が単結合であることがより好ましく、前述の通り、Ｌ１が溶解性や、共役を狭くし高い３重項励起エネルギーを輸送できる点からｍ―フェニレン基であることも好ましい。
【００３５】
本発明のピリミジン化合物は、有機溶剤に対する溶解性の点から、下記一般式（３）で表わされる化合物であることが好ましい。
又、電子輸送性に優れる点からは、下記一般式（４）で表わされる化合物も好ましい。
【００３６】
【化５】
0005664128.tif 000006
【００３７】
＜その他の置換基について＞
本発明では、下記一般式（２）で表わされる部分構造を本発明のピリミジン化合物の主骨格という。
【００３８】
【化６】
0005664128.tif 000007
【００３９】
本発明のピリミジン化合物は、本発明の効果を損なわない限り、当該主骨格において、
前述した−Ｌ１−Ｘ及び−Ｌ２−Ｚ以外に、更に任意の置換基を有していてもよいが、化合物安定性の点から、当該置換基は、フェニル基又はアルキル基であることが好ましい。
主骨格が更に有していてもよい置換基がフェニル基である場合、当該フェニル基が更に置換基を有していてもよい。尚、当該フェニル基が更に有していてもよい置換基の具体例及び好ましい態様について、前記Ｘ及びＺが有する置換基として挙げたものと同様である。
主骨格が更に有していてもよい置換基がアルキル基である場合、当該アルキル基が更に置換基を有していてもよい。尚、当該アルキル基が更に有していてもよい置換基の具体例としては、
前記炭素数６〜２５の芳香族炭化水素環基；
前記炭素数３〜２０の芳香族複素環基；
前記炭素数１〜２０のアルキルオキシ基；
前記炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基；
前記炭素数１〜２０のアルキルチオ基；
前記炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基；
前記シアノ基等が挙げられる。
【００４０】
これらの基は更に置換基を有していてもよく、その具体例としては、Ｘ及びＺの置換基として例示したものと同様である。
本発明のピリミジン化合物は、分離・精製のしやすさから、主骨格において前述した−Ｌ１−Ｘ及び−Ｌ２−Ｚ以外に更に置換基を有さないものが好ましい。又、化合物の安定性等の点から主骨格において前述した−Ｌ１−Ｘ及び−Ｌ２−Ｚ以外に更にフェニル基、ナフチル基、又はフェナントリル基等を置換基として有するものも好ましい。
【００４１】
［３］分子量について
本発明のピリミジン化合物の分子量の上限は、通常５０００以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは３０００以下であり、溶媒に対する溶解性を考慮した場合特に好ましくは２０００以下、昇華精製による高純度化を考慮した場合、最も好ましくは１０００以下である。
【００４２】
又、本発明のピリミジン化合物の分子量の下限は、通常４００以上であり、化合物の熱的安定性を考慮した場合、好ましくは５００以上である。
［４］ガラス転移温度
本発明のピリミジン化合物は、通常９０℃以上のガラス転移温度を有するが、耐熱性の観点から１００℃以上であることが好ましい。
【００４３】
［５］例示化合物
本発明のピリミジン化合物の具体例を以下に挙げるが、本発明のピリミジン化合物は以下の例示化合物に限定されるものではない。
【００４４】
【化７】
0005664128.tif 000008
【００４５】
【化８】
0005664128.tif 000009
【００４６】
【化９】
0005664128.tif 000010
【００４７】
［６］合成方法
本発明のピリミジン化合物は、２，４，６−トリクロロピリミジンを出発原料として、金属触媒を用いたカップリング反応を行うことにより合成することができる。
一般式（１）で表される本発明のピリミジン化合物は、例えば、下記方法Ａにより合成
できる。
【００４８】
【化１０】
0005664128.tif 000011
【００４９】
又、一般式（１）で表わされる本発明のピリミジン化合物は、Ｌ１＝Ｌ２＝単結合、Ｘ＝Ｚの場合は、下記方法Ｂ又はＣによっても合成可能である。
【００５０】
【化１１】
0005664128.tif 000012
【００５１】
（上記反応式中、Ｘは一般式（１）におけるＸと同義である。Ｑは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、又はトリフルオロメタンスルホン酸エステル基を表す。）
以下に上記スキーム中に示した素反応について更に説明する。
＜ピリミジン環形成反応＞
ベンゾニトリル誘導体２モルとアセチルビフェニル誘導体１モルをトリフルオロメタンスルホン酸無水物に不活性な溶媒に溶解または懸濁させ、トリフルオロメタンスルホン酸
無水物１〜５モル緩やかに滴下し、攪拌しながら−１０〜６０℃の温度を加えることにより、ピリミジン環を含んだ混合物を得る。この混合物からの基質の精製は、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより行うことができる。
【００５２】
溶媒としては、トリフルオロメタンスルホン酸無水物と反応しないものであれば特に制限はないが、ヘキサン、シクロヘキサン等の非ベンゼン系無極性溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等の塩基性溶媒を用いて反応を行うことが好ましく、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒が特に好ましい。
＜カップリング反応＞
芳香族硼素試薬１モルとピリミジン基質を有するハロゲン化物またはトリフルオロメタンスルホン酸エステル試薬０．７５〜５モルを、遷移金属元素触媒を用いて、塩基の存在下で無極性または極性溶媒中で反応させることにより、基質がカップリングした混合物を得ることができる。この混合物からの目的物の精製は、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより行うことができる。
【００５３】
遷移金属元素触媒としては、有機パラジウム触媒、有機ニッケル触媒、有機銅触媒、有機白金触媒、有機ロジウム触媒、有機ルテニウム触媒、有機イリジウム触媒などが挙げられ、反応の簡便さや反応収率の高さから有機パラジウム触媒が好ましい。
塩基は、特に限定はしないが、金属水酸化物、金属塩、有機アルカリ金属試薬などが好ましい。
【００５４】
使用する溶媒としては、反応基質に対して活性である溶媒以外であれば特に限定はしないが、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の非芳香族炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、水等を単一または混合して使用することができる。
【００５５】
又、必要であれば反応系に界面活性剤を反応基質に対して１〜１００モル％加えることもできる。
［７］ピリミジン化合物の用途
本発明のピリミジン化合物は、高い電子輸送性を有するため、電子輸送材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。例えば、本発明のピリミジン化合物は、有機電界発光素子の発光層において、ホスト材料、とりわけ燐光発光材料のホスト材料として有用である。又、本発明のピリミジン化合物は、イオン化ポテンシャルが低く、電子親和力も低いため、高い電子輸送性を有し、例えば後述する正孔阻止層に使用する材料としても非常に有用である。
【００５６】
特に、本発明のピリミジン化合物は、真空蒸着法による有機電界発光素子の製造にも使用でき、又、湿式成膜法による薄膜形成も可能であることから、湿式成膜法に適用される有機電界発光素子用材料としても好適である。
従って、本発明のピリミジン化合物からなる有機電界発光素子用材料を用いて真空蒸着法による有機電界発光素子の製造もできれば、本発明のピリミジン化合物を含有する有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法による有機電界発光素子を製造することもできる。
【００５７】
得られた有機電界発光素子は、駆動安定性に優れ、低い駆動電圧で駆動可能である。
＜有機電界発光素子用材料＞
本発明の有機電界発光素子用材料は、本発明のピリミジン化合物からなるものであり、好ましくは、トルエンに対して２重量％以上、より好ましくは５重量％以上溶解する。
後述する様に、有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤としては芳香族炭化水素が好ましい。トルエンは、芳香族炭化水素の代表例として挙げており、溶解性を示す指標としている。
【００５８】
本発明の有機電界発光素子用材料のトルエンに対する溶解度が２重量％以上であることにより、湿式成膜法により有機電界発光素子を構成する層を容易に形成することができ好ましい。この溶解度の上限には特に制限はないが、通常５０重量％程度である。
＜有機電界発光素子用組成物＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、本発明のピリミジン化合物を含有するものであり、通常、本発明のピリミジン化合物及び溶剤を含有し、更に発光材料を含有することが好ましい。
【００５９】
［１］溶剤
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤としては、溶質である本発明のピリミジン化合物等が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。
本発明のピリミジン化合物は溶解性が高いため、種々の溶剤が適用可能である。例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。
【００６０】
有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式成膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される有機電界発光素子用組成物は、例えば、２５℃における水の溶解度が１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下である溶剤を、組成物中１０重量％以上含有することが好ましい。
【００６１】
又、湿式成膜時における組成物からの溶剤蒸発による、成膜安定性の低下を低減するためには、有機電界発光素子用組成物の溶剤として、沸点が１００℃以上、好ましくは沸点が１５０℃以上、より好ましくは沸点が２００℃以上の溶剤を用いることが効果的である。又、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要であり、このためには通常沸点８０℃以上、好ましくは沸点１００℃以上、より好ましくは沸点１２０℃以上で、通常沸点２７０℃未満、好ましくは沸点２５０℃未満、より好ましくは沸点２３０℃未満の溶剤を用いることが効果的である。
【００６２】
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、２種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。
［２］発光材料
本発明の有機電界発光素子用組成物は、更に発光材料を含有することが好ましい。発光材料とは、本発明の有機電界発光素子用組成物において、主として発光する成分を指し、有機電界発光デバイスにおけるドーパント成分に当たる。即ち、有機電界発光素子用組成物から発せられる光量（単位：ｃｄ／ｍ２）の内、通常１０〜１００％、好ましくは２０〜１００％、より好ましくは５０〜１００％、最も好ましくは８０〜１００％が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。
【００６３】
発光材料としては、公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料或いは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
本発明の有機電界発光素子用組成物に使用する場合、この発光材料の最大発光ピーク波長は３９０〜４９０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００６４】
尚、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。
青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【００６５】
燐光発光材料としては、例えば周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式（Ｖ）または式（VI）で表される化合物が挙げられる。  
【００６６】
ＭＱ（ｑ−ｊ）Ｑ’ｊ        （Ｖ）  
（一般式（Ｖ）中、Ｍは金属を表し、ｑは上記金属の価数を表す。また、ＱおよびＱ’は二座配位子を表す。ｊは０、１または２を表す。）
【００６７】
【化１２】
0005664128.tif 000013
【００６８】
（一般式（VI）中、Ｍｄは金属を表し、Ｔは炭素または窒素を表す。Ｒ９２〜Ｒ９５は、それぞれ独立に、置換基を表す。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ９４およびＲ９５はない。）
以下、まず、一般式（Ｖ）で表される化合物について説明する。
一般式（Ｖ）中、Ｍは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
又、一般式（Ｖ）中の二座配位子ＱおよびＱ’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
【００６９】
【化１３】
0005664128.tif 000014
【００７０】
Ｑ’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。
【００７１】
【化１４】
0005664128.tif 000015
【００７２】
上記Ｑ，Ｑ’の部分構造において、環Ａ１は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環Ａ２は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。
環Ａ１，Ａ２が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００７３】
一般式（Ｖ）で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される化合物が挙げられる。
【００７４】
【化１５】
0005664128.tif 000016
【００７５】
（一般式（Ｖａ）中、ＭａはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。又、環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００７６】
【化１６】
0005664128.tif 000017
【００７７】
（一般式（Ｖｂ）中、ＭｂはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。又、環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００７８】
【化１７】
0005664128.tif 000018
【００７９】
（一般式（Ｖｃ）中、ＭｃはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。又、ｊは０、１または２を表す。さらに、環Ａ１および環Ａ１’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環Ａ２および環Ａ２’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
上記一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）において、環Ａ１および環Ａ１’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
【００８０】
又、環Ａ２、環Ａ２’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
更に、一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【００８１】
上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上２４以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２以上２８以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上１２以下である。
【００８２】
なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、または、環Ａ１’が有する置換基と環Ａ２’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環基としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Ａ１、環Ａ１’、環Ａ２および環Ａ２’の置換基として、より好ましくはア
ルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
【００８３】
また、一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）におけるＭａ，Ｍｂ，Ｍｃとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。
上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）または（Ｖｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない（以下において、Ｐｈはフェニル基を表す。）。
【００８４】
【化１８】
0005664128.tif 000019
【００８５】
【化１９】
0005664128.tif 000020
【００８６】
上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｑおよび／またはＱ’として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
又、国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレットに記載の化合物も、発光材料として使用することも可能である。
【００８７】
次に、前記一般式（ＶＩ）で表される化合物について説明する。一般式（ＶＩ）中、Ｍｄは金属を表し、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【００８８】
又、一般式（VI）において、Ｒ９２およびＲ９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。
【００８９】
さらに、Ｔが炭素の場合、Ｒ９４およびＲ９５は、それぞれ独立に、Ｒ９２およびＲ９３と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Ｔが窒素の場合はＲ９４およびＲ９５はない。
又、Ｒ９２〜Ｒ９５はさらに置換基を有していてもよい。この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。  
【００９０】
さらに、Ｒ９２〜Ｒ９５は互いに連結して環を形成してもよく、この環が更に任意の置換基を有していてもよい。
一般式（ＶＩ）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ−１，Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。
【００９１】
【化２０】
0005664128.tif 000021
【００９２】
［３］その他の成分
本発明の有機電界発光素子用組成物中には、前述した溶剤および発光材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。  
【００９３】
又、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
更に、２層以上の層を湿式成膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、成膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
［４］有機電界発光素子用組成物中の材料濃度と配合比
有機電界発光素子用組成物中の本発明のピリミジン化合物、発光材料および必要に応じて添加可能な成分（レベリング剤など）などの固形分濃度は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、最も好ましくは１重量％以上であり、通常８０重量％以下、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下、最も好ましくは２０重量％以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる恐れがある。
【００９４】
又、本発明の有機電界発光素子用組成物において、発光材料／ピリミジン化合物の重量混合比は、通常、０．１／９９．９以上であり、より好ましくは０．５／９９．５以上であり、更に好ましくは１／９９以上であり、最も好ましくは２／９８以上で、通常、５０／５０以下であり、より好ましくは４０／６０以下であり、更に好ましくは３０／７０以下であり、最も好ましくは２０／８０以下である。この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下する恐れがある。
【００９５】
［５］有機電界発光素子用組成物の調製方法
本発明の有機電界発光素子用組成物は、本発明のピリミジン化合物、前述した発光材料、および必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、および組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
【００９６】
［６］有機電界発光素子用組成物の性状、物性等
（水分濃度）
有機電界発光素子を、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いた湿式成膜法により層形成して製造する場合、用いる有機電界発光素子用組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、本発明の有機電界発光素子用組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、有機電界発光素子用組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
【００９７】
具体的には、本発明の有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量は、通常１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下、より好ましくは０．０１重量％以下である。
有機電界発光素子用組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」（ＪＩＳ  Ｋ００６８：２００１）に記載の方法が好ましく、例えば、カールフィッシャー試薬法（ＪＩＳ  Ｋ０２１１−１３４８）等により分析することができる。
【００９８】
（均一性）
本発明の有機電界発光素子用組成物は、湿式成膜プロセスでの安定性、例えば、インクジェット成膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるためには、常温で均一な液状であることが好ましい。常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ
組成物中に粒径０．１μｍ以上の粒子成分を含有しないことをいう。
【００９９】
（物性）
本発明の有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば成膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット成膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット成膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の２５℃における粘度は、通常２ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは３ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上であり、通常１０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは５０ｍＰａ・ｓ以下である。
【０１００】
又、本発明の有機電界発光素子用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する成膜用液の濡れ性が低下する、液膜のレベリング性が悪く、乾燥時の成膜面乱れが起こりやすくなる等の問題が発生する場合があるため、本発明の組成物の２０℃における表面張力は、通常５０ｍＮ／ｍ未満、好ましくは４０ｍＮ／ｍ未満である。
更に、本発明の有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる場合がある。このため、本発明の組成物の２５℃における蒸気圧は、通常５０ｍｍＨｇ以下、好ましくは１０ｍｍＨｇ以下、より好ましくは１ｍｍＨｇ以下である。
【０１０１】
＜有機電界発光素子＞
本発明の有機電界発光素子は、基板上に陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機層を有するものであって、当該有機層が本発明のピリミジン化合物を含有することを特徴とする。当該ピリミジン化合物を含有する層は、本発明の有機電界発光素子用材料又は有機電界発光素子用組成物を用いて形成されることが好ましい。又、本発明のピリミジン化合物を含有する有機層は、発光層であることが好ましい。更に当該ピリミジン化合物を含有する層に、有機金属錯体がドープされていることが好ましい。この有機金属錯体としては、前記発光材料として例示したものを使用できる。
【０１０２】
又、本発明のピリミジン化合物は、イオン化ポテンシャル及び電子親和力が低く、高い電子輸送を有するため、正孔阻止層、電子輸送層に含まれることも好ましい。以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図１を参照にして説明する。
図１は本発明に係る有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図である。図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【０１０３】
尚、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、有機電界発光素子に用いられる塗布用の組成物特有の液性に合うためである。
【０１０４】
［１］基板
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあ
る。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１０５】
［２］陽極 
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
【０１０６】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【０１０７】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１０８】
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
［３］正孔注入層
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
【０１０９】
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１１０】
（湿式成膜法による正孔注入層の形成）
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１１１】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は、通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
【０１１２】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【０１１３】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。
【０１１４】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。 
【０１１５】
【化２１】
0005664128.tif 000022
【０１１６】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【０１１７】
【化２２】
0005664128.tif 000023
【０１１８】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ３１およびＲ３２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。）
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がより好ましい。
【０１１９】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
Ｒ３１およびＲ３２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１２０】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である３，４−エチレンジオキシチオフェン（3,4-ethylenedioxythiophene）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【０１２１】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上であり、また、通常７０質量％以下、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【０１２２】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。ここで、電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
【０１２３】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸ア
ンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
【０１２４】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上であり、また、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１２５】
（その他の構成材料） 
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１２６】
（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは２００℃以上であり、また、通常４００℃以下、好ましくは３００℃以下である。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があるし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
【０１２７】
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。
【０１２８】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
【０１２９】
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。
【０１３０】
（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましい。
【０１３１】
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【０１３２】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
【０１３３】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。
【０１３４】
（真空蒸着法による正孔注入層の形成）
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【０１３５】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１３６】
［４］正孔輸送層
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
【０１３７】
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【０１３８】
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【０１３９】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体またはグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
【０１４０】
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（II）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（II）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、ＡｒａまたはＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【０１４１】
【化２３】
0005664128.tif 000024
【０１４２】
（式（II）中、Ａｒａ及びＡｒｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上
直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１４３】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１４４】
溶解性、耐熱性の点から、ＡｒａおよびＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）およびフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
【０１４５】
ＡｒａおよびＡｒｂにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１４６】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（II）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III−１）および／または下記式（III−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【０１４７】
【化２４】
0005664128.tif 000025
【０１４８】
（式（III−１）中、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立に、アルキル基、ア
ルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基またはカルボキシ基を表す。ｔおよびｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｔまたはｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲａまたはＲｂは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲａまたはＲｂどうしで環を形成していてもよい。）
【０１４９】
【化２５】
0005664128.tif 000026
【０１５０】
（式（III−２）中、ＲｅおよびＲｆは、それぞれ独立に、上記式（III−１）におけるＲａ、Ｒｂ、ＲｃまたはＲｄと同義である。ｒおよびｕは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｒまたはｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅおよびＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅまたはＲｆどうしで環を形成していてもよい。Ｘは、５員環または６員環を構成する原子または原子群を表す。）
Ｘの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基である。
【０１５１】
また、ポリアリーレン誘導体としては、上記式（III−１）および／または上記式（III−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（III−３）で表される繰り返し単
位を有することが好ましい。
【０１５２】
【化２６】
0005664128.tif 000027
【０１５３】
（式（III−３）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、
芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。ｖおよびｗは、それぞれ独立に０または１を表す。）
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（II）における、Ａｒａ及びＡｒｂと同様である。
【０１５４】
上記式（III−１）〜（III−３）の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１５５】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バ
インダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
また、正孔輸送層４は、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
【０１５６】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。 
【０１５７】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖または側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（II）や式（III−１）〜（III−３）に架橋性基が直接または連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【０１５８】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１５９】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解または分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤などが挙げられる。
【０１６０】
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂などを含有していてもよい。
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１質量％以上、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上であり、また、通常５０質量％以下、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下含有する。
【０１６１】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、
好ましくは４００℃以下である。
【０１６２】
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で、１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。
【０１６３】
照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１６４】
［５］発光層
正孔注入層３の上、または正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。 
【０１６５】
（発光層の材料）
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などをホスト材料として使用してもよい。発光材料については特に限定はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよいが、本発明では前述した発光材料を用いることが好ましい。一方、ホスト材料、とりわけ電子輸送性化合物として本発明のピリミジン化合物を使用することが好ましい。
【０１６６】
特に、本発明の有機電界発光素子は、その発光層が、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法にて形成されることが好ましい。
更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、低分子量の材料（分子量通常１００００以下、好ましくは５０００以下）を使用することが好ましい。
【０１６７】
＜発光層の形成＞
湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、発光層に用いる材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物（本発明のピリミジン化合物を含む場合は有機電界発光素子用組成物）を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。
発光層５を湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、上記本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤として説明したものと同様である。
【０１６８】
また、発光層形成用組成物中の発光材料、電荷輸送性化合物等の固形分濃度としては、
通常０．０１質量％以上、通常７０質量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。
発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより、発光層が形成される。具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。
【０１６９】
発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
［６］正孔阻止層
本発明の有機電界発光素子は、前記発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けることが好ましい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
【０１７０】
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。
【０１７１】
このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、本発明のピリミジン化合物、及び国際公開第２００５／０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。イオン化ポテンシャル及び電子親和力が低く、高い電子輸送性を有することから、より好ましくは、本発明のピリミジン化合物である。
【０１７２】
なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、真空蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上であり、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０１７３】
また、正孔阻止層にかえて、正孔緩和層を設けてもよい。
［７］電子輸送層
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。 
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０１７４】
電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、本発明のピリミジン化合物、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１７５】
なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１７６】
［８］電子注入層
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ３）等が挙げられる（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９７年，７０巻，１５２頁；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，１９９７年，４４巻，１２４５頁；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，１５４頁等参照）。
【０１７７】
その膜厚は、通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報等参照）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１７８】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
［９］陰極
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８または発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。 
【０１７９】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０１８０】
なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１８１】
［１０］その他の層
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０１８２】
［１１］電子阻止層
任意の層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。電子阻止層は、正孔注入層３または正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
【０１８３】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、発光層５を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
【０１８４】
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
【０１８５】
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バ
ナジウム（Ｖ2Ｏ5）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０１８６】
更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
又、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０１８７】
本発明の有機電界発光素子は、有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明に使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明を形成することができる。
【実施例】
【０１８８】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
＜合成例１＞
（中間体１の合成）
【０１８９】
【化２７】
0005664128.tif 000028
【０１９０】
4口ナスフラスコに3-ブロモベンゾニトリル（7.57 g，41.63 mmol）を入れ、窒素置換
させたところへ塩化メチレン15 mLを加え、攪拌した。水浴で冷やし、トルフルオロメタ
ンスルホン酸無水物（6.43 g，22.79 mmol）、塩化メチレン15mLに溶解させた4-アセチルビフェニル（3.89g,19.82mmol）を添加し、3時間半攪拌した。反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液にて中和した後、塩化メチレンで抽出、有機層を水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製し、エタノールで懸濁洗浄することで中間体１（3.3 g
，収率31 ％）を得た。
（化合物２０３の合成）
【０１９１】
【化２８】
0005664128.tif 000029
【０１９２】
窒素雰囲気下、中間体１（3.8 g，7.01 mmol）、4-ジベンゾフランボロン酸（3.41 g，16.12 mmol）、トルエン（70 ml）、エタノール（35 ml）の懸濁溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（0）（0.40 g，0.35 mmol）、2M炭酸ナトリウム水溶液（17.5 ml）を加え、8時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をろ過、濾取物を塩化メチレンに溶かし、硫酸マグネシウムにて乾燥後、白土処理を行い、ろ過をした。濾液を濃縮後、塩化メチレンにて懸濁洗浄することで化合物２０３（3.2 g，収率65 ％）を得た。
＜合成例２＞
（化合物２０２の合成）
【０１９３】
【化２９】
0005664128.tif 000030
【０１９４】
窒素雰囲気下、中間体１（3.3 g，6.24 mmol）、9-フェナントレンボロン酸（3.18 g，14.35 mmol）、トルエン（62.4 ml）、エタノール（31.2 ml）の懸濁溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（0）（0.35 g，0.31 mmol）、2M炭酸ナトリウム水溶液（15.6 ml）を加え、6時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をろ過、濾取物を塩化メチレンに溶かし、硫酸マグネシウムにて乾燥後、白土処理を行い、ろ過をした。濾液を減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝1／1）にて精製し、メタノールで懸濁洗浄することで化合物２０２（3.41 g，収率81 %）を得た。
＜合成例３＞
（化合物２０１の合成）
【０１９５】
【化３０】
0005664128.tif 000031
【０１９６】
窒素雰囲気下、中間体１（2.8 g，5.16 mmol）、1-ナフタレンボロン酸（2.04 g，11.87 mmol）、トルエン（52 ml）、エタノール（26 ml）の懸濁溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（0）（0.30 g，0.26 mmol）、2M炭酸ナトリウム水溶液（13 ml）を加え、7時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物を塩化メチレンで抽出、有機層を水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝2／1，ヘキサン／酢酸エチル＝10／1）にて精製し、酢酸エチル／ヘキサンで再結晶することで化合物２０１（1.13 g，
収率35 %）を得た。
【符号の説明】
【０１９７】
１．基板
２．陽極
３．正孔注入層
４．正孔輸送層
５．発光層
６．正孔阻止層
７．電子輸送層
８．電子注入層
９．陰極
【図１】
0005664128.tif 000033