(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的に投入される各々の基板に対して枚葉処理とバッチ処理とをこの順序で連続的に施す基板処理装置であって、
前記バッチ処理を繰り返し行うバッチ式処理部と、
プロセスフローの順に基板を搬送するための搬送ライン上で前記バッチ式処理部の周囲に設けられる搬送機構と
を有し、
前記搬送機構は、鉛直方向に昇降可能であって、各々独立に方位角方向の回転移動と水平方向の進退移動または伸縮移動とを行える第１および第２の搬送アームを有し、
前記第１の搬送アームは一度に１枚の基板を保持可能であり、前記２の搬送アームは一度に複数枚の基板を保持可能であり、
前記搬送機構は、前記バッチ式処理部に搬入されるべき基板を前記プロセスフローの上流側から前記第１の搬送アームにより１枚受け取る動作と、前記バッチ式処理部より搬出された基板を前記第２の搬送アームにより複数枚一括して前記プロセスフローの下流流側に送り出す動作とを同時に行う、
基板処理装置。
【請求項２】
バッチ処理枚数の基板を一列に並べて保持するように構成された複数のボートと、
前記バッチ式処理部と前記搬送機構との間に設けられ、前記複数のボートに対して順番に、前記バッチ処理枚数までの基板の装入が完了したいずれかのボートを前記搬送機構のアクセス可能な位置から前記バッチ式処理部へ移し、前記バッチ処理が済んだ前記バッチ処理枚数の基板を保持している他のいずれかのボートを前記バッチ式処理部から前記搬送機構のアクセス可能な位置へ移すボート移送部と
を有し、
前記搬送機構は、前記バッチ式処理部から前記搬送機構のアクセス可能な位置へ移されたいずれかの前記ボートに対して、１回のアクセスで、前記第２の搬送アームを用いて前記バッチ処理の済んだ基板を複数枚一括して取り出す動作と、前記第１の搬送アームを用いて前記バッチ処理を受ける前の基板を１枚装入する動作とを連続して行う、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
連続的に投入される各々の基板に対してバッチ処理と枚葉処理とをこの順序で連続的に施す基板処理装置であって、
前記バッチ処理を繰り返し行うバッチ式処理部と、
プロセスフローの順に基板を搬送するための搬送ライン上で前記バッチ式処理部の周囲に設けられる搬送機構と
を有し、
前記搬送機構は、鉛直方向に昇降可能であって、各々独立に方位角方向の回転移動と水平方向の進退移動または伸縮移動とを行える第１および第２の搬送アームを有し、
前記第１の搬送アームは一度に１枚の基板を保持可能であり、前記２の搬送アームは一度に複数枚の基板を保持可能であり、
前記搬送機構は、前記バッチ式処理部に搬入されるべき基板を前記プロセスフローの上流側から前記第２の搬送アームにより複数枚一括して受け取る動作と、前記バッチ式処理部より搬出された基板を前記第１の搬送アームにより１枚単位で前記プロセスフローの下流側に送り出す動作とを同時に行う、
基板処理装置。
【請求項４】
バッチ処理枚数の基板を一列に並べて保持するように構成された複数のボートと、
前記バッチ式処理部と前記搬送機構との間に設けられ、前記複数のボートに対して順番に、前記バッチ処理枚数までの基板の装入が完了したいずれかのボートを前記搬送機構のアクセス可能な位置から前記バッチ式処理部へ移し、前記バッチ処理が済んだ前記バッチ処理枚数の基板を保持している他のいずれかのボートを前記バッチ式処理部から前記搬送機構のアクセス可能な位置へ移すボート移送部と
を有し、
前記搬送機構は、前記バッチ式処理部から前記搬送機構のアクセス可能な位置へ移されたいずれかの前記ボートに対して、１回のアクセスで、前記第１の搬送アームを用いて前記バッチ処理の済んだ基板を１枚取り出す動作と、前記第２の搬送アームを用いて前記バッチ処理を受ける前の基板を複数枚一括して装入する動作とを連続して行う、
請求項３に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に微細加工のための処理を施す基板処理装置に係り、特に処理工程毎に基板を各プロセスの処理装置に転送して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体デバイス、ＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）、太陽電池パネル等の製造ラインでは、一連のプロセスに応じた多種類の処理装置を集約配置して、処理対象の基板（半導体ウエハ、ガラス基板等）をプロセスフローの順に各処理装置に転送して一連の工程処理を行うインラインのシステム形態が多く採られている。特に、一連のプロセスがいずれも基板を１枚ずつ処理する枚葉式のプロセスである場合は、このようなインラインシステムを採用しやすい。すなわち、基板１枚当たりのタクト時間がＴSで、各枚葉プロセスＰmの所要時間をＴmとすると、その枚葉プロセスＰmには台数Ｎi（ただし、Ｎiは自然数であって、Ｎi≧Ｔm／ＴS）の枚葉式処理装置ＰＵmをタクト時間ＴSの時間差で並列的に稼働させればよい。
【０００３】
その点、枚葉式の処理装置とバッチ式の処理装置とを混在させる場合は、プロセス時間や基板搬送形態の著しい違いからインラインシステムの構築が非常に難しい。このため、通常は、すべて枚葉式処理装置で固めた枚葉インラインシステムからバッチ式処理装置を切り離して配置し、枚葉インラインシステムで全ての枚葉処理工程を終えた基板をいったんカセットに収納して搬送車等でバッチ式処理装置へ運び込むようにしている。バッチ式処理装置では、運び込まれたカセットから基板を取り出し、バッチ処理枚数ずつ基板をボートに積め込んで処理室または処理容器（チャンバ）に搬入して、処理容器内で一括的なバッチ処理を施し、バッチ処理の終了後にボートを処理容器から搬出して、処理済みの基板をボートからカセットに移して払い出しするようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１５２０４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、従来は、枚葉式処理装置とバッチ式処理装置との間で基板を連続的に効率よく搬送する技術が確立されておらず、カセットやバッファなどを介して基板のやりとりを行っており、枚葉処理とバッチ処理とが入り混じった枚葉／バッチ混載処理のスループットを上げるのは非常に困難であった。
【０００６】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、プロセスフローの順に基板を搬送するための搬送ライン上で基板を１枚ずつ搬送する枚葉搬送と基板を複数枚ずつ一括搬送するバッチ搬送とを効率よく織り交ぜて、枚葉／バッチ混載処理のスループットを向上させる基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の観点における基板処理装置は、連続的に投入される各々の基板に対して枚葉処理とバッチ処理とをこの順序で連続的に施す基板処理装置であって、前記バッチ処理を繰り返し行うバッチ式処理部と、プロセスフローの順に基板を搬送するための搬送ライン上で前記バッチ式処理部の周囲に設けられる搬送機構とを有し、前記搬送機構は、鉛直方向に昇降可能であって、各々独立に方位角方向の回転移動と水平方向の進退移動または伸縮移動とを行える第１および第２の搬送アームを有し、前記１の搬送アームは一度に１枚の基板を保持可能であり、前記２の搬送アームは一度に複数枚の基板を保持可能であり、前記搬送機構は、前記バッチ式処理部に搬入されるべき基板を前記プロセスフローの上流側から前記第１の搬送アームにより１枚受け取る動作と、前記バッチ式処理部より搬出された基板を前記第２の搬送アームにより複数枚一括して前記プロセスフローの下流流側に送り出す動作とを同時に行う。
【０００９】
上記第１の観点の基板処理装置においては、プロセスフローの順に基板を搬送するための搬送ライン上でバッチ式処理部の周囲に設けられる搬送機構が、一度に１枚の基板を保持可能な第１の搬送アームと一度に複数枚の基板を保持可能な第２の搬送アームとを有し、これら第１および第２の搬送アームを各々独立に方位角方向の回転移動と水平方向の進退移動または伸縮移動とを行えるように構成しているので、バッチ式処理部に搬入されるべき基板をプロセスフローの上流側から第１の搬送アームにより１枚受け取る動作と、バッチ式処理部より搬出された基板を第２の搬送アームにより複数枚一括してプロセスフローの下流流側に送り出す動作とを同時または平行して行うことができる。このことにより、基板を１枚ずつ搬送する枚葉搬送と基板を複数枚ずつ一括搬送するバッチ搬送とを該搬送ライン上で効率よく織り交ぜることが可能であり、枚葉／バッチ混載処理のスループットを向上させることができる。
【００１０】
本発明の第２の観点における基板処理装置は、連続的に投入される各々の基板に対してバッチ処理と枚葉処理とをこの順序で連続的に施す基板処理装置であって、前記バッチ処理を繰り返し行うバッチ式処理部と、プロセスフローの順に基板を搬送するための搬送ライン上で前記バッチ式処理部の周囲に設けられる搬送機構とを有し、前記搬送機構は、鉛直方向に昇降可能であって、各々独立に方位角方向の回転移動と水平方向の進退移動または伸縮移動とを行える第１および第２の搬送アームを有し、前記第１の搬送アームは一度に１枚の基板を保持可能であり、前記２の搬送アームは一度に複数枚の基板を保持可能であり、前記搬送機構は、前記バッチ式処理部に搬入されるべき基板を前記プロセスフローの上流側から前記第２の搬送アームにより複数枚一括して受け取る動作と、前記バッチ式処理部より搬出された基板を前記第１の搬送アームにより１枚単位で前記プロセスフローの下流側に送り出す動作とを同時に行う。
【００１１】
上記第２の観点の基板処理装置においては、プロセスフローの順に基板を搬送するための搬送ライン上でバッチ式処理部の周囲に設けられる搬送機構が、一度に１枚の基板を保持可能な第１の搬送アームと一度に複数枚の基板を保持可能な第２の搬送アームとを有し、これら第１および第２の搬送アームを各々独立に方位角方向の回転移動と水平方向の進退移動または伸縮移動とを行えるように構成しているので、バッチ式処理部に搬入されるべき基板をプロセスフローの上流側から第２の搬送アームにより複数枚一括して受け取る動作と、バッチ式処理部より搬出された基板を第１の搬送アームにより１枚単位でプロセスフローの下流側に送り出す動作とを同時に行うことができる。このことにより、基板を１枚ずつ搬送する枚葉搬送と基板を複数枚ずつ一括搬送するバッチ搬送とを該搬送ライン上で効率よく織り交ぜることが可能であり、枚葉／バッチ混載処理のスループットを向上させることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、プロセスフローの順に基板を搬送するための搬送ライン上で基板を１枚ずつ搬送する枚葉搬送と基板を複数枚ずつ一括搬送するバッチ搬送とを効率よく織り交ぜて、枚葉／バッチ混載処理のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】発明の一実施形態における基板処理装置のシステム上のレイアウトを示す平面図である。
【図２】上記基板処理装置における枚葉／バッチ混載ブロック内の構成を示す平面図である。
【図３Ａ】上記基板処理装置に組み込まれる枚葉式処理ユニットの第１のタイプを模式的に示す図である。
【図３Ｂ】上記基板処理装置に組み込まれる枚葉式処理ユニットの第２のタイプを模式的に示す図である。
【図４Ａ】第１のタイプの枚葉式処理ユニットにおいて基板を出し入れする際の各部の様子を示す図である。
【図４Ｂ】第２のタイプの枚葉式処理ユニットにおいて基板を出し入れする際の各部の様子を示す図である。
【図５】上記基板処理装置に組み込まれるバッチ式熱処理装置内の第１のボート移載機回りの構成を示す斜視図である。
【図６】上記基板処理装置に組み込まれるバッチ式熱処理装置内の第２のボート移載機回りの構成を示す斜視図である。
【図７】上記基板処理装置に組み込まれるバッチ式焼成装置内のバッチ搬送機構回りの構成を示す斜視図である。
【図８】上記基板処理装置に組み込まれるバッチ式焼成装置内のバッチ／枚葉搬送機構回りの構成を示す斜視図である。
【図９】上記基板処理装置における枚葉シャトル搬送部の構成を示す斜視図である。
【図１０】上記基板処理装置におけるバッチシャトル搬送部の構成および動作の一例を示す略側面図である。
【図１１】上記基板処理装置における枚葉搬送機構の構成を示す斜視図である。
【図１２】上記枚葉搬送機構の可動範囲を示す平面図である。
【図１３Ａ】上記枚葉搬送機構が各処理ユニットに対して基板の出し入れを行う動作の各段階を示す図である。
【図１３Ｂ】上記枚葉搬送機構が各処理ユニットに対して基板の出し入れを行う動作の各段階を示す図である。
【図１４Ａ】上記枚葉搬送機構が上流側の上部シャトルから基板を降ろす動作と下流側の下部シャトルに基板を積む動作とを同時に行う場合の各段階を示す図である。
【図１４Ｂ】上記枚葉搬送機構が上流側の下部シャトルから基板を降ろす動作と下流側の上部シャトルに基板を積む動作とを同時に行う場合の各段階を示す図である。
【図１５Ａ】上記枚葉搬送機構が上流側の下部シャトルから基板を降ろす動作と下流側の上部シャトルに基板を積む動作とを順次行う場合の各段階を示す図である。
【図１５Ｂ】上記枚葉搬送機構が上流側の下部シャトルから基板を降ろす動作と下流側の上部シャトルに基板を積む動作とを順次行う場合の各段階を示す図である。
【図１６】第１の転送形態における上記枚葉搬送機構の一連の転送動作手順を示す図である。
【図１７】第２の転送形態における上記枚葉搬送機構の一連の転送動作手順を示す図である。
【図１８】上記基板処理装置における枚葉／バッチ搬送機構の構成を示す斜視図である。
【図１９Ａ】上記枚葉／バッチ搬送機構による複数枚単位での基板の取り出しと１枚単位での基板の装入とを連続的に行う動作を示す図である。
【図１９Ｂ】上記枚葉／バッチ搬送機構による複数枚単位での基板の取り出しと１枚単位での基板の装入とを連続的に行う動作を示す図である。
【図２０】上記枚葉／バッチ搬送機構が処理後の基板の取り出しと処理前の基板の装入とを繰り返し行う際の周囲の各部との連携動作の一例を示す図である。
【図２１Ａ】上記バッチ式熱処理装置内の動作を説明するための略平面図である。
【図２１Ｂ】上記バッチ式熱処理装置内の動作を説明するための略平面図である。
【図２２】色素増感太陽電池（図２３）の製造プロセスの全工程を集約して実施する処理システムのレイアウトを示す平面図である。
【図２３】色素増感太陽電池の基本構造を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２８】
図１に、本発明の一実施形態における基板処理装置のシステム構成を示す。この基板処理装置は、たとえば図２３に示すような断面構造を有する色素増感太陽電池の製造プロセスにおいて、対向電極（陽極）と貼り合わされる前の透明基板側の積層アッセンブリをインラインで製作する工程で使用される。
【００２９】
この色素増感太陽電池は、基本構成として、透明電極（陰極）３００と対向電極（陽極）３０２との間に増感色素を担持する多孔質の半導体微粒子層（作用極）３０４と電解質層３０６を挟み込んでいる。ここで、半導体微粒子層３０４は、透明電極３００、電界質層３０６および対向電極３０２と共にセル単位に分割されており、透明基板３０８上に透明電極３００を介して形成される。対向電極３０２は対向基板３１０上に下地電極３０５を介して形成されている。各セルの透明電極３００は、隣の対向電極３０２と電気的に接続されており、モジュール全体で多数のセルが電気的に直列接続または並列接続されている。図示のタイプでは、透明電極３００上に各々の半導体微粒子層（作用極）３０４に隣接してそれと平行に延びる集電用のグリッド配線３１２が形成され、真向かいの対向電極（陽極）３０２側にも同様のグリッド配線３１４が形成される。両グリッド配線３１２，３１４には保護用の絶縁膜３１６，３１８がそれぞれ被せられる。
【００３０】
かかる構成の色素増感太陽電池においては、透明基板３０８の裏側から可視光が照射されると、半導体微粒子層３０４に担持されている色素が励起され、電子を放出する。放出された電子は半導体微粒子層３０４を介して透明電極３００に導かれ、外部に送り出される。送り出された電子は、外部回路（図示せず）を経由して対向電極３０２に戻り、電界質層３０６中のイオンを介して再び半導体微粒子層３０４内の色素に受け取られる。こうして、光エネルギーを即時に電力に変換して出力するようになっている。
【００３１】
この実施形態の基板処理装置においては、透明電極３００がパターニングされる前のブランケットの透明導電層が形成されている透明基板３０８が、未処理の被処理基板Ｇとして投入される。そして、各々の基板Ｇに対して、透明電極３００のパターニング、半導体微粒子層３０４の成膜、グリッド配線の成膜、半導体微粒子層３０４の焼成および半導体微粒子層３０４への色素吸着といった一連のメインプロセスおよびそれらのメインプロセスに付随するサブプロセス（洗浄処理、熱処理等）がインラインで順次行われる。結果として、対向電極（陽極）３０２と貼り合わされる前の透明基板３０８側の積層アッセンブリ（３０８／３００／３０４／３１２）が作製される。そして、この透明基板３０８側の積層アッセンブリが、処理済みの基板Ｇとして、次工程を担う別の基板処理装置へ向けて払い出しされる。この実施形態における基板Ｇは、四角形または矩形の形状を有するものとする。
［装置全体の構成］
【００３２】
図１において、この基板処理装置は、横長のプロセスステーション１０をシステム中心部に配置し、そのシステム長手方向（Ｘ方向）の両端部にローダ１２およびアンローダ１４を連結している。
【００３３】
ローダ１２は、未処理の基板Ｇをカセット単位でたとえば自走搬送車より搬入するポートであり、この基板処理装置によりインラインで一連の処理を受ける前の複数枚（たとえば２５枚）の未処理基板Ｇを水平姿勢で縦に積み重ねて保持するカセットＣをシステム幅方向（Ｙ方向）に複数個並べて載置するカセットステージ１６と、このステージ１６上のいずれかのカセットＣから基板Ｇを１枚単位で取り出し、取り出した基板Ｇをプロセスステーション１０へ投入するローダ搬送機構１８とを備えている。ローダ搬送機構１８は、Ｙ，Ｚ，θの３軸で移動する本体１８ａと、この本体１８ａ上で進退または伸縮移動の可能な１本の搬送アーム１８ｂとを有しており、隣接するプロセスステーション１０側と定置の基板中継台２０を介して基板Ｇのやり取りを行えるようになっている。
【００３４】
アンローダ１４は、この基板処理装置においてすべての処理工程を終えた処理済みの基板Ｇをカセット単位でたとえば自走搬送車へ払い出しするポートであり、複数枚（２５枚）の処理済み基板Ｇを水平姿勢で縦に積み重ねて保持するカセットＣをシステム幅方向（Ｙ方向）に複数個並べて載置するカセットステージ２２と、このステージ２２上のいずれかのカセットＣへ処理済みの基板Ｇを１枚ずつ収納するアンローダ搬送機構２４とを備えている。アンローダ搬送機構２４は、Ｙ，Ｚ，θの３軸で移動する本体２４ａと、この本体２４ａ上で進退または伸縮移動の可能な１本の搬送アーム２４ｂとを有しており、隣接するプロセスステーション１０側と定置の基板中継台２６を介して基板Ｇのやり取りを行えるようになっている。
【００３５】
プロセスステーション１０は、ローダ１２からアンローダ１４に向かってプロセスフローの順に配置された枚葉集中ブロック１０Ａ，枚葉／バッチ混載ブロック１０Ｂおよび枚葉集中ブロック１０Ｃから構成されている。
【００３６】
ローダ１２に隣接する上流側の枚葉集中ブロック１０Ａには、１台または複数台の枚葉式洗浄ユニット３２と、１台または複数台の枚葉式パターニング・ユニット３４とが配備されている。各枚葉式洗浄ユニット３２は、１枚ずつ基板Ｇの被処理面を洗浄するための装置構成を有している。各枚葉式パターニング・ユニット３４は、１枚ずつ基板Ｇの被処理面上の透明導電層をパターニングして透明電極３００を形成するための装置構成を有している。
【００３７】
中間の枚葉／バッチ混載ブロック１０Ｂには、１台または複数台の枚葉式作用極成膜ユニット３６と、１台または複数台の枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８と、バッチ式熱処理装置４０と、バッチ式焼成装置４２とが配備されている。枚葉式作用極成膜ユニット３６は、１枚ずつ基板Ｇの被処理面上に半導体微粒子層（作用極）３０４をたとえば印刷塗布により成膜するための装置構成を有している。枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８は、１枚ずつ基板Ｇの被処理面上にグリッド配線３１２および保護膜３１６をたとえば印刷塗布により重ねて成膜するための装置構成を有している。バッチ式熱処理装置４０は、所定のバッチ処理枚数（たとえば１００枚）ずつ成膜（印刷塗布）後の基板Ｇの被処理面をベーキングするための装置構成を有している。バッチ式焼成装置４２は、ベーキング後の基板Ｇの被処理面（特に半導体微粒子層３０４）を焼成するための装置構成を有している。
【００３８】
アンローダ１４に隣接する下流側の枚葉集中ブロック１０Ｃには、複数台の枚葉式色素吸着ユニット４４が配備されている。各枚葉式色素吸着ユニット４４は、基板Ｇの被処理面に形成されている多孔質の半導体微粒子層（作用極）３０４に増感色素を吸着させるための装置構成を有している。
【００３９】
プロセスステーション１０内には、プロセスフローの順に基板Ｇを搬送するために各ブロック１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃの中を縦貫または巡回する搬送ライン４６が設けられている。
【００４０】
上流側の枚葉集中ブロック１０Ａ内では、基板中継台２０、枚葉搬送機構４８および枚葉シャトル搬送部５０がシステム長手方向（Ｘ方向）に一列に配置されて搬送ライン４６の一区間を構成し、枚葉搬送機構４８の左右両側に枚葉式洗浄ユニット３２および枚葉式パターニング・ユニット３４が配置されている。
【００４１】
図２に、枚葉／バッチ混載ブロック１０Ｂ内の詳細なレイアウトを示す。図示のように、枚葉／バッチ混載ブロック１０Ｂには、上流側の枚葉集中ブロック１０Ａからの枚葉シャトル搬送部５０が引き込まれている。そして、枚葉シャトル搬送部５０の後段でシリアルに接続される一連の搬送手段として、枚葉搬送機構５２、基板中継台５４、枚葉搬送機構５６、枚葉シャトル搬送部５８、枚葉搬送機構６０、基板中継台６２、枚葉／バッチ搬送機構６４、バッチシャトル搬送部６６、バッチ搬送機構６８、バッチシャトル搬送部７０、バッチ／枚葉搬送機構７２および枚葉シャトル搬送部７４がそれぞれ所定の位置に配置されている。
【００４２】
ここで、枚葉搬送機構５２は、その周囲に配置されている各枚葉式作用極成膜ユニット３６と、枚葉シャトル搬送部５０（荷卸位置）と、基板中継台５４とにアクセスできるようになっている。一方、枚葉搬送機構５６は、その隣のバッチ式熱処理装置４０の第１のボート載置台７５，７６上に載置されている第１のボート８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃの中のいずれか２つと、基板中継台５４と、枚葉シャトル搬送部５８（積出位置）とにアクセスできるようになっている。
【００４３】
枚葉搬送機構６０は、その周囲に配置されている各枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８と、枚葉シャトル搬送部５８（荷卸位置）と、基板中継台６２とにアクセスできるようになっている。枚葉／バッチ搬送機構６４は、その隣のバッチ式熱処理部４０の第２のボート載置台８２，８４上に載置されている第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆの中のいずれか１つまたは２つと、基板中継台６２と、バッチシャトル搬送部６６（積出位置）とにアクセスできるようになっている。
【００４４】
バッチ搬送機構６８は、バッチ式焼成装置４２に設けられる第３のボート載置台９０，９２上の第３のボート９４Ａ，９４Ｂと、第４のボート載置台９６，９８上の第４のボート１００Ａ，１００Ｂと、バッチシャトル搬送部６６（荷卸位置）と、バッチシャトル搬送部７０（積出位置）とにアクセスできるようになっている。
【００４５】
バッチ／枚葉搬送機構７２は、バッチ式焼成部４２に設けられる第５のボート載置台１０２，１０４上の第５のボート１０６Ａ，１０６Ｂと、第６のボート載置台１０８，１１０上の第６のボート１１２Ａ，１１２Ｂと、バッチシャトル搬送部７０（荷卸位置）と、枚葉シャトル搬送部７４（積出位置）とにアクセスできるようになっている。
【００４６】
バッチ式熱処理装置４０は、１台の縦型バッチ熱処理炉１１４を有し、その両側に第１および第２のボート移送機１１６，１１８を配置し、さらに第１のボート移送機１１６の周りに３つの第１のボート載置台７５，７６，７８を配置し、第２のボート移送機１１８の周りに３つの第２のボート載置台８２，８４，８６を配置している。
【００４７】
ここで、第１のボート載置台７５，７６，７８のうち、ボート載置台７５，７６は処理前の基板Ｇと処理後の基板Ｇの詰め替えに用いられ、ボート載置台７８は熱処理を受けた直後に基板Ｇを冷却するために用いられる。また、第２のボート載置台８２，８４，８６のうち、ボート載置台８４は処理前の基板Ｇと処理後の基板Ｇの詰め替えに用いられ、ボート載置台８２はバッチ処理枚数の処理前の基板Ｇの装入を完了したボートを待機させておくために用いられ、ボート載置台８６は熱処理を受けた直後の基板Ｇを冷却するために用いられる。
【００４８】
後に詳細に説明するように、バッチ式熱処理装置４０は、３つの第１のボート８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃに対して順番に、第１のボート移載機１１６を用いて、その中の２つのボートを処理後の基板Ｇの取り出しおよび処理前の基板Ｇの装入のために枚葉搬送機構５６よりアクセス可能な詰め替え用のボート載置台７６，７５上に載せる動作と、残りの１つのボートを熱処理のために縦型バッチ熱処理炉１１４の中に入れ、あるいはその残りの１つのボートを熱処理直後の冷却のために冷却用のボート載置台７８上に載せる動作とを繰り返し行うようになっている。
【００４９】
一方で、バッチ式熱処理装置４０は、３つの第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆに対して順番に、第２のボート移載機１１８を用いて、その中の１つのボートを処理後の基板Ｇの取り出しおよび処理前の基板Ｇの装入のために枚葉／バッチ搬送機構６４よりアクセス可能な詰め替え用のボート載置台８４上に載せる動作と、バッチ処理枚数の処理前の基板Ｇを装入し終えた他の１つのボートを待機用のボート載置台８２上に載せる動作と、残りの１つのボートを熱処理のために縦型バッチ炉１１４の中に入れ、あるいはその残りの１つのボートを熱処理直後の冷却のために冷却用のボート載置台８６上に載せる動作とを繰り返し行うようになっている。
【００５０】
バッチ式焼成装置４２は、一定の時間差を置いて所定のバッチ処理時間のサイクルで同一の焼成処理を繰り返し行う複数台たとえば４台の縦型バッチ焼成炉１２０，１２２，１２４，１２６を有し、第１の焼成炉１２０と第３のボート載置台９０，９２との間に第３のボート移載機１２８を配置し、第２の焼成炉１２２と第４のボート載置台９６，９８との間に第４のボート移載機１３０を配置し、第３の焼成炉１２４と第５のボート載置台１０２，１０４との間に第５のボート移載機１３２を配置し、第４の焼成炉１２６と第６のボート載置台１０８，１１０との間に第６のボート移載機１３４を配置している。第３〜第６のボート載置台９０，９２〜１０８，１１０は、いずれも搬送機構６８，７２側から処理後の基板Ｇと処理前の基板Ｇとを詰め替えるために用いられる。
【００５１】
後に詳細に説明するように、バッチ式焼成装置４２は、２つの第３のボート９４Ａ，９４Ｂに対して順番または交互に、第３のボート移載機１２８を用いて、片方のボートを焼成処理のためにボート載置台９０，９２のいずれかから第１の焼成炉１２０に移す動作と、他の片方のボートを処理後の基板Ｇの取り出しおよび処理前の基板Ｇの装入のために第１の焼成炉１２０からボート載置台９０，９２のいずれかへ移す動作とを繰り返し行うようになっている。
【００５２】
一方で、バッチ式焼成装置４２は、２つの第４のボート１００Ａ，１００Ｂに対して順番または交互に第４のボート移載機１３０を用いて、片方のボートを焼成処理のためにボート載置台９６，９８のいずれかから第２の焼成炉１２２に移す動作と、他の片方のボートを処理後の基板Ｇの取り出しおよび処理前の基板Ｇの装入のために第２の焼成炉１２２からボート載置台９６，９８のいずれかへ移す動作とを繰り返し行うようになっている。
【００５３】
また、バッチ式焼成装置４２は、２つの第５のボート１０６Ａ，１０６Ｂに対して順番または交互に、第５のボート移載機１３２を用いて、片方のボートを焼成処理のためにボート載置台１０２，１０４のいずれかから第３の焼成炉１２４に移す動作と、他の片方のボートを処理後の基板Ｇの取り出しおよび処理前の基板Ｇの装入のために第３の焼成炉１２４からボート載置台１０２，１０４のいずれかへ移す動作とを繰り返し行うようになっている。
【００５４】
さらに、バッチ式焼成装置４２は、２つの第６のボート１１２Ａ，１１２Ｂに対して順番に、第６のボート移載機１３４を用いて、片方のボートを焼成処理のためにボート載置台１０８，１１０のいずれかから第４の焼成炉１２６に移す動作と、他の片方のボートを処理後の基板Ｇの取り出しおよび処理前の基板Ｇの装入のために第４の焼成炉１２６からボート載置台１０８，１１０のいずれかへ移す動作とを繰り返し行うようになっている。
【００５５】
再び図１を参照すると、下流側の枚葉集中ブロック１０Ｃ内では、枚葉／バッチ混載ブロック１０Ｂより引き込まれている枚葉シャトル搬送部７４、枚葉搬送機構１３６および基板中継台２６がシステム長手方向（Ｘ方向）に一列に配置されて搬送ライン４６の一区間（最終区間）を構成し、枚葉搬送機構１３６の左右両側に複数台の枚葉式色素吸着ユニット４４が配置されている。
［全処理工程の手順］
【００５６】
ここで、この基板処理装置において１枚の基板Ｇnに対して行われる全処理または搬送工程の手順を説明する。
【００５７】
先ず、ローダ１２において、ローダ搬送機構１８がステージ１６上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇnを１枚抜き出し、その抜き出した基板Ｇnを基板中継台２０に載置する。
【００５８】
しかる後、枚葉搬送機構４８が、基板中継台２０から基板Ｇnを引き取って、枚葉式洗浄ユニット３２に搬入する。このとき、基板Ｇnが当該枚葉式洗浄ユニット３２に搬入されるのに先立って、このユニット３２から洗浄処理が済んだばかりの別の基板が搬出される。
【００５９】
この枚葉式洗浄ユニット３２では、基板Ｇnの被処理面（ブランケットの透明導電層）に対して枚葉方式の洗浄処理が施される。この洗浄処理によって、基板Ｇnの被処理面から異物や汚染物が除去される。
【００６０】
上記のような枚葉方式の洗浄処理が終了すると、枚葉搬送機構４８が基板Ｇnを当該枚葉式洗浄ユニット３２から搬出して、向かい側の枚葉式パターニング・ユニット３４に搬入する。このときも、基板Ｇnが当該枚葉式パターニング・ユニット３４に搬入されるのに先立って、このユニット３４からパターニング処理が済んだばかりの別の基板が搬出される。
【００６１】
この枚葉式パターニング・ユニット３４では、たとえばレーザエッチング法により、基板Ｇnの被処理面（ブランケットの透明導電層）に対して枚葉方式のパターニング処理が施される。このパターニング処理によって、基板Ｇnの被処理面にはパターニングされた透明電極３００が形成される。
【００６２】
なお、透明導電層ないし透明電極３００は、たとえばフッ素ドープＳnＯ2（ＦＴＯ）、あるいはインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる。また、基板Ｇの母材である透明基板３０８は、たとえば石英、ガラスなどの透明無機材料、あるいはポリエステル、アクリル、ポリイミドなどの透明プラスチック材料からなる。
【００６３】
上記のような枚葉方式のパターニング処理が終了すると、枚葉搬送機構４８は、この基板Ｇnを当該枚葉式パターニング・ユニット３４から搬出し、枚葉シャトル搬送部５０に積む。枚葉シャトル搬送部５０は、積まれた基板Ｇnを積出位置から荷卸位置まで搬送する。
【００６４】
基板Ｇnが枚葉シャトル搬送部５０の荷卸位置に着くと、枚葉搬送機構５２が基板Ｇnを卸して、いずれかの枚葉式作用極成膜ユニット３６へ搬入する。このときも、基板Ｇnが当該枚葉式作用極成膜ユニット３６に搬入されるのに先立って、このユニット３６から作用極（半導体微粒子層）３０４の成膜処理が済んだ直後の別の基板が搬出される。
【００６５】
枚葉式作用極成膜ユニット３６では、たとえばスクリーン印刷法により、基板Ｇnの被処理面（パターニングされている透明電極３００）に対して枚葉方式の成膜処理が施される。この成膜処理によって、基板Ｇnの被処理面にはパターニングされた半導体微粒子層３０４が形成される。なお、半導体微粒子層３０４は、たとえばＴiＯ2，ＺnＯ，ＳnＯ2などの金属酸化物からなる。
【００６６】
上記のような枚葉方式の作用極成膜処理が終了すると、枚葉搬送機構５２は、この基板Ｇnを当該枚葉式作用極成膜ユニット３６から搬出して、基板中継台５４に移載する。この直後に、向かい側の枚葉搬送機構５６が、基板中継台５４から基板Ｇnを引き取り、引き取った基板Ｇnを隣接するボート載置台７５，７６上に載置されている第１のボート８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃの中のいずれか１つに装入する。この例では、基板Ｇnがボート載置台７５上のボート８０Ａに装入されたとする。
【００６７】
ボート８０Ａに装入された基板（その中に基板Ｇnも含まれる）の枚数がバッチ処理枚数（１００枚）に達すると、このボート８０Ａは第１のボート移載機１１６によりボート載置台７５上から縦型バッチ熱処理炉１１４の傍へ移され、次いで熱処理炉１１４の中に入れられる。それから一定の熱処理時間が経過すると、ボート８０Ａは、熱処理炉１１４の外に出され、ボート移載機１１６によって冷却用のボート載置台７８上に移される。こうして、ボート８０Ａに保持されている基板Ｇnは他の基板と一緒に大気空間の下で一定時間冷却される。しかる後、ボート移載機１１６が、ボート８０Ａをボート載置台７８から詰め替え用のボート載置台７６に移す。
【００６８】
そうすると、枚葉搬送機構５６が、ボート載置台７６上のボート８０Ａから所定の順番で基板Ｇnを抜き出し、抜き出した基板Ｇnを枚葉シャトル搬送部５８に積む。枚葉シャトル搬送部５８は、積まれた基板Ｇnを積出位置から荷卸位置まで搬送する。
【００６９】
基板Ｇnが枚葉シャトル搬送部５８の荷卸位置に着くと、枚葉搬送機構６０が基板Ｇnを卸して、いずれかの枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８へ搬入する。このときも、基板Ｇnが当該枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８に搬入されるのに先立って、このユニット３８からグリッド配線３１２および保護層３１６の成膜処理が済んだ直後の別の基板が搬出される。
【００７０】
枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８においては、たとえばスクリーン印刷法により、基板Ｇnの被処理面に対して枚葉方式の成膜処理がグリッド配線層３１２用と保護層３１６用とで２回続けて実施される。１回目の成膜処理によって、基板Ｇnの被処理面（正確には透明電極３００）上にグリッド配線層３１２が形成される。さらに、２回目の成膜処理によって、基板Ｇnの被処理面（正確にはグリッド配線層３１２）上に保護層３１６が形成される。なお、グリッド配線層３１２はたとえばＡｇなどの抵抗率の低い導体からなり、保護層３１６はたとえばＵＶ硬化樹脂などの絶縁体からなる。
【００７１】
上記のような枚葉方式のグリッド配線成膜処理が終了すると、枚葉搬送機構６０は、この基板Ｇnを当該枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８から搬出して、基板中継台６２に移載する。この直後に、向かい側の枚葉／バッチ搬送機構６４が、基板中継台６２から基板Ｇnを引き取り、引き取った基板Ｇnを隣接する詰め替え用のボート載置台８４上に載置されている第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆの中のいずれか１つに装入する。この例では、基板Ｇnがボート８８Ｅに装入されたとする。
【００７２】
ボート８８Ｅに装入された基板Ｇ（その中に基板Ｇnも含まれる）の枚数がバッチ処理枚数（１００枚）に達すると、第２のボート移載機１１８により、このボート８８Ｅはいったん待機用ボート載置台８２に移され、次いで所定のタイミングで熱処理炉１１４へ移される。そして、熱処理炉１１４の中で一定時間の熱処理が終了すると、ボート８８Ｅは、熱処理炉１１４の外に出され、ボート移載機１１８によって冷却用のボート載置台８６上に移される。こうして、ボート８８Ｅに保持されている基板Ｇnは他の基板と一緒に大気空間の下で一定時間冷却される。しかる後、ボート移載機１１８が、ボート８８Ｅをボート載置台８６から詰め替え用ボート載置台８４に移す。
【００７３】
そうすると、枚葉／バッチ搬送機構６４が、ボート載置台８４上のボート８８Ｅから所定の順番で基板Ｇnを他の基板Ｇと一緒に、つまり一度に複数枚（たとえば１０枚）抜き出し、抜き出したそれら複数枚（１０枚）の基板Ｇをバッチシャトル搬送部６６に積む。バッチシャトル搬送部６６は、積まれたそれら複数枚の基板Ｇ（その中に基板Ｇnも含まれる。）を積出位置から荷卸位置まで一括搬送する。
【００７４】
基板Ｇnを含む複数枚の基板Ｇがバッチシャトル搬送部６６の荷卸位置に着くと、バッチ搬送機構６８がいったんそれら複数枚の基板Ｇをまとめて卸す。そして、バッチ搬送機構６８は、まとめて卸した複数枚の基板Ｇ（その中に基板Ｇnも含まれる。）を４台の縦型バッチ焼成炉１２０，１２２，１２４，１２６のいずれかに割り振る。この例では、第４の焼成炉１２６が割り振り先であったとする。
【００７５】
この場合、バッチ搬送機構６８は、基板Ｇnを含むそれら複数枚の基板Ｇをバッチシャトル搬送部７０に積む。バッチシャトル搬送部７０は、積まれた複数枚の基板Ｇを積出位置から荷卸位置まで一括搬送する。バッチ／枚葉搬送機構７２は、基板Ｇnを含むそれら複数枚の基板Ｇをバッチシャトル搬送部７０から卸して、第６のボート載置台１０８，１１０上に載置されている第６のボート１１２Ａ，１１２Ｂのいずれか１つに一括装入する。この例では、基板Ｇnが他の基板Ｇと一緒に、ボート載置台１１０上のボート１１２Ｂに装入されたとする。
【００７６】
この場合、ボート１１２Ｂに装入された基板Ｇ（その中に基板Ｇnも含まれる）の枚数がバッチ処理枚数（１００枚）に達すると、このボート１１２Ｂは第６のボート移載機１３４により第４の焼成炉１２６へ移される。こうして、基板Ｇnはボート１１２Ｂ上の他の基板と一緒に焼成処理を受ける。この焼成処理によって、基板Ｇnの被処理面上に半導体微粒子層３０４の焼結体が得られる。  このバッチ方式の焼成処理が終了すると、ボート１１２Ｂは焼成炉１２６の外に出され、ボート１１２Ｂ上の基板Ｇnは他の基板と一緒に大気空間の下で一定時間冷却される。しかる後、所定のタイミングで、バッチ／枚葉搬送機構７２が、ボート載置台１１０上のボート１１２Ｂにアクセスし、ボート１１２Ｂから所定の順番で基板Ｇnを１枚単位で抜き取り、抜き取った基板Ｇnを枚葉シャトル搬送部７４に積む。枚葉シャトル搬送部７４は、積まれた基板Ｇnを積出位置から荷卸位置まで搬送する。
【００７７】
基板Ｇnが枚葉シャトル搬送部７４の荷卸位置に着くと、枚葉搬送機構１３６が基板Ｇnを卸して、いずれかの枚葉式色素吸着ユニット４４へ搬入する。このときも、基板Ｇnが当該枚葉式色素吸着ユニット４４に搬入されるのに先立って、そのユニット４４から色素吸着処理が済んだ直後の別の基板が取り出され、ユニットの外へ搬出される。
【００７８】
基板Ｇnを搬入した枚葉式色素吸着ユニット４４では、基板Ｇnの被処理面（多孔質の半導体微粒子層３０４）に対してノズルより色素溶液が吹き掛けられ、枚葉方式の色素吸着処理が実施される。この色素吸着処理によって、基板Ｇnの被処理面上の多孔質半導体微粒子層３０４に増感色素が吸着される。なお、この色素吸着ユニット４４で用いられる色素溶液は、増感色素を所定の濃度で溶媒に溶かしたものである。増感色素としては、たとえば金属フタロシアニンなどの金属錯体あるいはシアニン系色素、塩基性色素などの有機色素が用いられる。溶媒には、たとえばアルコール類、エーテル類、アミド類、炭化水素などが用いられる。
【００７９】
上記のような枚葉方式の色素吸着処理が終了すると、枚葉搬送機構１３６は、この基板Ｇnを当該枚葉式色素吸着ユニット４４から搬出して、基板中継台２６に載置する。直後に、アンローダ搬送機構２４が、基板中継台２６から基板Ｇnを引き取り、ステージ２２上のいずれか１つのカセットＣに処理済みの基板Ｇnを収納する。
［処理部の構成］
【００８０】
図３Ａおよび図３Ｂに、この実施形態の基板処理装置に組み込まれる枚葉式処理ユニットのタイプを示す。
【００８１】
図３Ａに示す第１のタイプは、処理室またはチャンバ１４０の中心部に設けたステージ１４２の上に基板Ｇを水平に載せ、ステージ１４２の上方で水平方向および鉛直方向に移動可能なヘッド１４４を用いて基板Ｇのおもて面（被処理面）に所要の枚葉処理を施す。たとえば、ブラシスクラバ洗浄装置または紫外線洗浄装置を用いる枚葉式洗浄式ユニット３２、レーザエッチング装置を用いる枚葉式パターンニング・ユニット３４や、スクリーン印刷機を用いる枚葉式作用極成膜ユニット３６、枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８およびノズル式の色素吸着装置を用いる枚葉式色素吸着ユニット４４は、この第１のタイプになる。その場合、ブラシスクラバ洗浄装置のヘッド１４４には回転ブラシが搭載され、紫外線洗浄装置のヘッド１４４には紫外線ランプが搭載され、レーザエッチング装置のヘッド１４４にはレーザ出射ユニットが搭載され、スクリーン印刷機のヘッド１４４にはスキージなどが搭載され、ノズル式の色素吸着装置のヘッド１４４にはスリットノズルの吐出口の長さが基板Ｇと略等しいノズル、もしくは各半導体微粒子層に対応した筒状、スリット状または円形状などの複数の吐出口を有するノズルが搭載される。
【００８２】
図３Ｂに示す第２のタイプは、処理室またはチャンバ１４６の中心部に設けた回転駆動部１４８に結合されるスピンチャック１５０の上に基板Ｇを水平に載せて回転可能に保持し、スピンチャック１５０の上方で水平方向および鉛直方向に移動可能なヘッド１５２を用いて基板Ｇのおもて面（被処理面）に所要の枚葉処理を施す。たとえば、ノズル式の色素吸着装置を用いる枚葉式色素吸着ユニット４４は、この第２のタイプになる。また、枚葉式洗浄ユニット３２にジェットスクラバ洗浄装置を用いる場合や、枚葉式パターンニング・ユニット３４にウエットエッチング装置を用いる場合も、この第２のタイプになる。その場合、ノズル式の色素吸着装置のヘッド１５２には色素溶液を吐出するノズルが搭載され、ジェットスクラバ洗浄装置のヘッド１５２には洗浄液を噴射するノズルが搭載され、ウエットエッチング装置のヘッド１５２にはエッチング液を吐出するノズルが搭載される。
【００８３】
図４Ａおよび図４Ｂに、上記第１および第２のタイプの枚葉式処理ユニットにおける基板のローディング／アンローディングの動作を示す。
【００８４】
第１のタイプ（図４Ａ）において、ステージ１４２上で処理済みの基板Ｇiと次に処理を受ける基板Ｇjとを入れ替える場合、最初にステージ１４２の中から複数本の昇降ピン１５４が上昇（突出）して処理済みの基板Ｇiを持ち上げる。そこに、処理室１４０の側壁の基板出入口１４５から空状態の搬送アーム（たとえば後述する上部搬送アームＭＵ1）が処理室１４０の中に入って来て、昇降ピン１５４から処理済みの基板Ｇiを受け取り、受け取った基板Ｇiを処理室１４０の外へ持ち去る。昇降ピン１５４はいったん下降する。直後に、この枚葉式処理ユニットで次に枚葉処理を受けるべき基板Ｇjを保持している後述する下部搬送アームＭＬ1が処理室１４０の中に入って来て、直後に昇降ピン１５４が再び上昇してこの基板Ｇjを受け取る。そして、空状態になった下部搬送アームＭＬ1が処理室１４０の外へ出た後に、昇降ピン１５４がステージ１４２の中まで下降し、基板Ｇjがステージ１４２の上に載置される。
【００８５】
第２のタイプ（図４Ｂ）においても、回転駆動部１４８の中またはその付近に設けられている昇降ピン１５６を上記昇降ピン１５４と同様に搬送アームＭＵ1，ＭＬ1と連携して昇降動作させることにより、スピンチャック１５０上で処理済みの基板Ｇiと次に処理を受ける基板Ｇjとを上記と同様にして入れ替えることができる。
【００８６】
図５および図６に、この実施形態の基板処理装置に組み込まれるバッチ式熱処理装置４０の構成を示す。
【００８７】
この実施形態のバッチ式熱処理装置４０は、上端が閉塞した円筒状の縦型バッチ熱処理炉１１４の両側に第１および第２のボート移送機１１６，１１８を配置し、さらに第１のボート移送機１１６の周りに３つの第１のボート載置台７５，７６，７８を配置し、第２のボート移送機１１８の周りに３つの第２のボート載置台８２，８４，８６を配置している。上述したように、第１のボート載置台７５，７６，７８のうち、ボート載置台７５，７６は基板Ｇを詰め替えるために用いられ、ボート載置台７５は熱処理を受けた直後の基板Ｇを冷却するために用いられる。また、第２のボート載置台８２，８４，８６のうち、ボート載置台８４は基板Ｇを詰め替えるために用いられ、ボート載置台８２は次に熱処理処理を受けるべきバッチ処理枚数（たとえば１００枚）の処理前の基板Ｇを待機させておくために用いられ、ボート載置台８６は熱処理を受けた直後の基板Ｇを冷却するために用いられる。
【００８８】
ボート支持アーム１５８には保温筒１６０が取り付けられており、この保温筒１６０の上に、３つの第１のボート８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃの中から順番に選ばれたいずれか１つのボート、または３つの第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆの中から順番に選ばれたいずれか１つのボートが、ボート移送機１１６，１１８により熱処理時間のサイクルで交互に載せられる。各々のボート８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ，８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆは、バッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇを保持した状態で、ボート支持アーム１５８に載せられる。
【００８９】
ボート支持アーム１５８に載置されたボート（図５のときはボート８０Ａ、図６のときはボート８８Ｅ）は、たとえばリニアモータあるいはボールネジ機構などからなる昇降機構１６２の昇降駆動により、熱処理炉１１４の中に入れられ、所定の温度下で一定時間の熱処理時間が経過した後に、熱処理炉１１４の外へ出される。
【００９０】
熱処理炉１１４は、たとえば抵抗加熱式のヒータを内蔵しており、後述するようにバッチ処理（熱処理）の間はもちろんボートの出し入れを行っている間もヒータをオン状態に維持するようになっている。
【００９１】
図５において、枚葉搬送機構５６は、後に詳細に説明するように、一度に基板Ｇを１枚ずつ保持可能な上下２段の枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1を有し、各々のアームＭＵ1，ＭＬ1が水平の進退または伸縮移動を独立に行えるようになっている。そして、枚葉搬送機構５６は、ボート載置台７５，７６上に順番に載置される第１のボート８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃの中のいずれか２つ（図５ではボート８０Ｂ，８０Ｃ）にアクセスし、枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1のいずれか一方を用いてアクセス先の一方のボートから処理後の基板Ｇを１枚ずつ取り出すとともに、枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1の他方を用いてアクセス先の他方のボートに処理前の基板Ｇを１枚ずつ装入するように動作する。
【００９２】
一方、図６において、枚葉／バッチ搬送機構６４は、後に詳細に説明するように、一度に基板Ｇを複数枚（たとえば１０枚）ずつ保持可能なバッチ搬送アームＭＵ10と一度に基板Ｇを１枚ずつ保持可能な枚葉搬送アームＭＬ1とを有しており、各々の搬送アームＭＵ10，ＭＬ1が水平の進退または伸縮移動を独立に行えるようになっている。そして、枚葉／バッチ搬送機構６４は、ボート載置台８２，８４上に順番に載置される第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆのいずれか２つ（図６ではボート８８Ｄ，８８Ｆ）にアクセスし、バッチ搬送アームＭＵ10を用いてアクセス先の一方のボートから処理後の基板Ｇを複数枚（１０枚）ずつ取り出し、枚葉搬送アームＭＬ1を用いてアクセス先の他方のボートに処理前の基板Ｇを１枚ずつ装入するように動作する。
【００９３】
図７および図８に、この実施形態の基板処理装置に組み込まれるバッチ式焼成装置４２の第１および第４の縦型バッチ焼成炉１２０，１２６回りの構成を示す。第２および第３の縦型バッチ焼成炉１２２，１２４回りもそれぞれ同様の構成になっている。
【００９４】
バッチ式焼成装置４２は、図７に示すように、上端が閉塞した円筒状の縦型バッチ焼成炉１２０の隣にボート移載機１２８を配置し、このボート移送機１２８とバッチ搬送機構６８との間に２つの第３のボート載置台９０，９２を並べて配置している。
【００９５】
ボート支持アーム１６４には保温筒１６６が取り付けられており、この保温筒１６６の上に、２つのボート９４Ａ，９４Ｂの中から順番に選ばれたいずれか１つのボートが、ボート移載機１２８により所定のバッチ処理時間のサイクルで交互に載せられる。各々のボート９４Ａ，９４Ｂは、バッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇを保持した状態でボート支持アーム１６４に載せられる。
【００９６】
ボート支持アーム１６４に載置されたボート（図７ではボート９４Ａ）は、昇降機構１６８の昇降駆動により、所定の温度の下でバッチ式の焼成処理を受けるために焼成炉１２０の中に入れられ、所定の焼成時間が経過した後に焼成炉１２０の外へ出される。焼成炉１２０の外に出されたボート９４Ａは、ボート支持アーム１６４の上で一定時間放置され、ボート９４Ａ上の基板が冷却される。この後、ボート移載機１２８が、ボート９４Ａをボート載置台９０の上に移すようになっている。
【００９７】
焼成炉１２０は、たとえば抵抗加熱式のヒータを内蔵しており、ボートが中に入っている焼成処理の期間中だけ該ヒータを所定の発熱温度でオンさせ、ボートが入っていない間は該ヒータをオフさせるようになっている。
【００９８】
図７において、バッチ搬送機構６８は、後に詳細に説明するように、水平の進退または伸縮移動が可能で一度に基板Ｇを複数枚たとえば１０枚ずつ保持可能な１本（または２本）のバッチ搬送アームＭＡ10を有している。そして、バッチ搬送機構６８は、ボート載置台９０，９２上に順番に載置される第３のボート９４Ａ，９４Ｂのいずれか１つ（図５ではボート９４Ｂ）にアクセスし、バッチ搬送アームＭＡ10を用いてそのアクセス先のボートから処理後の基板Ｇを複数枚（１０枚）ずつ取り出し、および／またはそのアクセス先のボートに処理前の基板Ｇを複数枚（１０枚）ずつ装入するようになっている。
【００９９】
一方、図８において、バッチ／枚葉搬送機構７２は、枚葉バッチ／搬送機構６４と同様に、一度に基板Ｇを複数枚たとえば１０枚ずつ保持可能なバッチ搬送アームＭＵ10と一度に基板Ｇを１枚ずつ保持可能な枚葉搬送アームＭＬ1とを有しており、各々の搬送アームＭＵ10，ＭＬ1が水平の進退または伸縮移動を独立に行えるようになっている。そして、バッチ／枚葉搬送機構７２は、ボート載置台１０８，１１０上に順番に載置される第６のボート１１２Ａ，１１２Ｂのいずれか１つ（図８ではボート１１２Ａ）にアクセスし、バッチ搬送アームＭＵ10を用いてそのアクセス先のボートに処理前の基板Ｇを複数枚（１０枚）ずつ装入し、枚葉搬送アームＭＬ1を用いてそのアクセス先のボートから処理後の基板Ｇを１枚ずつ取り出すようになっている。
［シャトル搬送部の構成］
【０１００】
図９に、枚葉シャトル搬送部５０の構成およびシャトル可動範囲を示す。他の枚葉シャトル搬送部５８，７４も枚葉シャトル搬送部５０と同様の構成および機能を有している。
【０１０１】
図示のように、枚葉シャトル搬送部５０（５８，７４）は、鉛直方向で一定の間隔またはスペースを空けて、システム長手方向（Ｘ方向）に任意の長さで平行に延びる上部および下部搬送路１７０，１７２と、これらの搬送路１７０，１７２上で独立に直進移動する上部および下部枚葉シャトルＳＵ1，ＳＬ1とを有している。各々の枚葉シャトルＳＵ1，ＳＬ1は、基板Ｇを水平に１枚積載する荷台１７４を有している。この荷台１７４には、基板Ｇの四隅を保持する保持部１７６や、基板Ｇの積み卸し（ローディング／アンローディング）の際に基板Ｇを水平姿勢で上げ下げする複数の昇降ピン１７８などが設けられている。各枚葉シャトルＳＵ1，ＳＬ1の直進移動は、モータまたはシリンダ等を駆動源とし、ＬＭガイド、ボールネジあるいはベルト等の直進可動機構を用いて行われる。
【０１０２】
搬送路１７０，１７２の上流側端部（図の左側端部）には、両枚葉シャトルＳＵ1，ＳＬ1が基板Ｇを積むために停止して一時的に滞在する上部および下部積出位置ＦＵ，ＦＬがそれぞれ設けられている。一方、搬送路１７０，１７２の下流側端部（図の右側端部）には、両枚葉シャトルＳＵ1，ＳＬ1が基板Ｇを卸すために停止して一時的に滞在する上部および下部荷卸位置ＷＵ，ＷＬがそれぞれ設けられている。
【０１０３】
上部枚葉シャトルＳＵ1は、上部積出位置ＦＵで基板Ｇの積出のために一定時間ＴFUだけ滞在した後、上部搬送路１７０上を往路方向（Ｘ方向）に一定の速度または一定の走行時間で直進移動し、終点の上部荷卸位置ＷＵに到達するとそこで停止して当該基板Ｇの荷卸のために一定時間ＴWUだけ滞在する。そして、その滞在時間ＴWUの経過後に、基板の無い空の状態で上部荷卸位置ＷＵから上部搬送路１７０上を復路方向（−Ｘ方向）に一定の速度または一定の走行時間で直進移動し、終点の上部積出位置ＦＵに到達するとそこで停止して新たな基板Ｇの積出のために一定時間ＴFUだけ滞在する。上部枚葉シャトルＳＵは、上記のような積出・往動移動・荷卸・復動移動からなる一連の動作を一定のサイクルつまり２ＴSで繰り返すようになっている。ここで、ＴSはこの基板処理装置における基板１枚単位のタクト時間である。
【０１０４】
同様に、下部枚葉シャトルＳＬ1は、下部積出位置ＦＬで基板Ｇの積出のために一定時間ＴFLだけ滞在した後、下部搬送路１７２上を往路方向（Ｘ方向）に一定の速度で直進移動し、終点の下部荷卸位置ＷＬに到達するとそこで停止して当該基板Ｇの荷卸のために一定時間ＴWLだけ滞在する。そして、その滞在時間ＴWLの経過後に、基板の無い空の状態で下部荷卸位置ＷＬから下部搬送路１７２上を復路方向（−Ｘ方向）に一定の速度または一定の走行時間で直進移動し、終点の下部積出位置ＦＬに到達するとそこで停止して新たな基板Ｇの積出のために一定時間ＴFLだけ滞在する。下部枚葉シャトルＳＬ1も、上記のような積出・往動移動・荷卸・復動移動からなる一連の動作を一定のサイクルつまり２ＴSで繰り返すようになっている。
【０１０５】
そして、上部枚葉シャトルＳＵ1の往復動作と下部枚葉シャトルＳＬ1の往復動作とは、互いに逆サイクルまたは逆位相の関係になっている。すなわち、上部枚葉シャトルＳＵ1が基板Ｇの積出のために上部積出位置ＦＵに滞在している時は、下部枚葉シャトルＳＬ1が基板Ｇの荷卸のために下部荷卸位置ＷＬで同じ時間だけ滞在する。つまり、ＴFU＝ＴWLである。そして、上部枚葉シャトルＳＵ1が基板Ｇを積んで上部積出位置ＦＵから上部荷卸位置ＷＵに向かって上部搬送路１７０上を往路方向（Ｘ方向）に一定の速度または一定の走行時間で直進移動する時は、同時に下部枚葉シャトルＳＬ1が基板を積まない空の状態で下部荷卸位置ＷＬから下部積出位置ＦＬに向かって下部搬送路１７２上を復路方向（−Ｘ方向）に同一の速度または同一の走行時間で直進移動する。
【０１０６】
上部枚葉シャトルＳＵ1が基板Ｇの荷卸のために上部荷卸位置ＷＵに滞在している時は、下部枚葉シャトルＳＬ1が基板Ｇの積出のために下部積出位置ＦＬで同じ時間だけ滞在する。つまり、ＴFL＝ＴWUである。そして、下部枚葉シャトルＳＬ1が基板Ｇを積んで下部積出位置ＦＬから下部荷卸位置ＷＬに向かって下部搬送路１７２上を往路方向（Ｘ方向）に一定の速度または一定の走行時間で直進移動する時は、同時に上部枚葉シャトルＳＵ1が基板を積まない空の状態で上部荷卸位置ＷＵから上部積出位置ＦＵに向かって上部搬送路１７０上を復路方向（−Ｘ方向）に同一の速度または同一の走行時間で直進移動する。要するに、ＴFU＝ＴWL＝ＴFL＝ＴWUの関係がある。
【０１０７】
このように、この実施形態の基板処理装置では、上部枚葉シャトルＳＵ1による上部積出位置ＦＵから上部荷卸位置ＷＵへの基板Ｇの枚葉搬送と、下部枚葉シャトルＳＬ1による下部積出位置ＦＬから下部荷卸位置ＷＬへの基板Ｇの枚葉搬送とがタクト時間ＴS毎に交互に行われるようになっている。
【０１０８】
バッチシャトル搬送部６６（７０）は、一度に積載ないし搬送する基板Ｇの枚数が１枚から複数枚に変わるだけで、基本的には上述した枚葉シャトル搬送部５０と同じ構成を有している。すなわち、バッチシャトル搬送部６６（７０）は、複数（たとえば１０個）の上部枚葉シャトルＳＵ1を一定の隙間を挟んで一体に重ねた構成の上部バッチシャトルＳＵ10と、複数（たとえば１０個）の下部枚葉シャトルＳＬ1を一定の隙間を挟んで一体に重ねた構成の下部バッチシャトルＳＬ10とを有している。
【０１０９】
上部バッチシャトルＳＵ10は、上部積出位置ＦＵで複数枚数（１０枚）の基板Ｇの積出のために一定時間だけ滞在した後、上部搬送路１７０上を往路方向に一定の速度または一定の走行時間で直進移動し、終点の上部荷卸位置ＷＵに到達するとそこで停止して複数枚数（１０枚）の基板Ｇの荷卸のために一定時間だけ滞在する。そして、その滞在時間の経過後に、基板の無い空の状態で上部荷卸位置ＷＵから上部搬送路１７０上を復路方向に一定の速度または一定の走行時間で直進移動し、終点の上部積出位置ＦＵに到達するとそこで停止して新たな基板Ｇの積出のために一定時間だけ滞在する。
【０１１０】
下部枚葉シャトルＳＬ10も、下部搬送路１７２上で、上部バッチシャトルＳＵ10と同様に動作する。もっとも、上部バッチシャトルＳＵ10の往復動作と下部バッチシャトルＳＬ10の往復動作とは、基本的には各々独立しており、必ずしも互いに逆サイクルまたは逆位相の関係である必要はない。したがって、たとえば、上部バッチシャトルＳＵ10および下部バッチシャトルＳＬ10を同相で往復動作させることや、あるいは上部バッチシャトルＳＵ10のみの運行もしくは下部バッチシャトルＳＬ10のみの運行も可能である。さらには、バッチシャトル搬送部６６（７０）を上部バッチシャトルＳＵ10もしくは下部バッチシャトルＳＬ10のいずれか片方のみで構成することも可能である。
【０１１１】
なお、枚葉シャトル搬送部５０，５８およびバッチシャトル搬送部６６において、基板を水平面内で回転する回転する回転機構がシャトルに設けられてもよい。
［枚葉搬送機構の構成］
【０１１２】
図１１および図１２に、枚葉搬送機構４８の構成および搬送アーム可動範囲を示す。他の枚葉搬送機構５２，５６，６０，１３６も枚葉搬送機構４８と同様の構成および機能を有している。
【０１１３】
枚葉搬送機構４８（５２，５６，６０，１３６）は、方位角方向（θ方向）に回転可能かつ鉛直方向（Ｚ方向）に昇降可能であって、水平の進退または伸縮移動を各々独立に行える上下２段の枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1を有している。より詳細には、枚葉搬送機構４８は、図１１に示すように、たとえばリニアモータまたはボールネジ機構を有する定置型の昇降駆動部１８０の昇降駆動軸１８２に上部および下部搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌを２段に重ねて昇降可能に取り付け、昇降駆動軸１８２上で各搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌを方位角方向（θ方向）で各々独立に任意の方角に回転移動できるように構成し、搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌ上で両枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1をそれぞれ独立に進退または伸縮移動できるように構成している。各々の枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1は、矩形の基板Ｇを１枚ずつ着脱可能に載置、担持または保持できるように構成されている。
【０１１４】
かかる構成の枚葉搬送機構４８（５２，５６，６０，１３６）は、図１２に示すように、その周囲に配置されている任意の処理部たとえば処理ユニットＡ（たとえば枚葉式洗浄ユニット３２）および処理ユニットＢ（たとえば枚葉式パターニング・ユニット３４）と、上流側の枚葉シャトル搬送部（上部枚葉シャトルＪＳＵ1／下部枚葉シャトルＪＳＬ1）もしくは基板中継台（上部載置台／下部載置台）と、下流側の枚葉シャトル搬送部（上部枚葉シャトルＫＳＵ1／下部枚葉シャトルＫＳＬ1）もしくは基板中継台（上部載置台／下部載置台）とにアクセス可能であり、各アクセス先で基板Ｇの受け渡しを１枚ずつ行えるようになっている。
【０１１５】
なお、搬送ライン４６の始端に位置する基板中継台２０は、１枚の基板Ｇを複数の支持ピンまたは昇降ピンに載せて水平に支持できる一対の載置台２０Ｕ，２０Ｌを上下に２段重ねて配置している。隣の枚葉搬送機構４８から見て、上部載置台２０Ｕは荷卸位置で静止している上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1に相当し、下部載置台２０Ｌは荷卸位置で静止している上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1に相当する。
【０１１６】
同様に、搬送ライン４６の終端に位置する基板中継台２６も、基板中継台２０と同様に、１枚の基板Ｇを複数の支持ピンまたは昇降ピンに載せて水平に支持できる一対の載置台２６Ｕ，２６Ｌを上下２段に重ねて配置している。隣の枚葉搬送機構１３６から見ると、上部載置台２６Ｕは積出位置で静止している下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に対応し、下部載置台２６Ｌは積出位置で静止している下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1に対応している。
【０１１７】
枚葉式作用極成膜ユニット３６側の枚葉搬送機構４８とバッチ式熱処理装置４０側の枚葉搬送機構５６との間に設けられる基板中継台５４も、やはり１枚の基板Ｇを複数の支持ピンまたは昇降ピンに載せて水平に支持できる一対の載置台５４Ｕ，５４Ｌを上下２段に重ねて配置している。枚葉搬送機構４８側から見ると、上部載置台５４Ｕは積出位置で静止している下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に対応し、下部載置台５４Ｌは積出位置で静止している下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1に対応している。一方、枚葉搬送機構５６側から見ると、上部載置台５４Ｕは荷卸位置で静止している上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1に対応し、下部載置台５４Ｌは荷卸位置で静止している上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1に対応している。
【０１１８】
なお、枚葉シャトル搬送部５０の終端部（荷卸位置ＷＵ／ＷＬ）および枚葉シャトル搬送部５８の始端部（積出位置ＦＵ／ＦＬ）が、基板中継台５４と上下に重なっていてもよい。
【０１１９】
また、枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８側の枚葉搬送機構６０とバッチ式熱処理装置４０側の枚葉／バッチ搬送機構６４との間に設けられる基板中継台６２も、やはり１枚の基板Ｇを複数の支持ピンまたは昇降ピンに載せて水平に支持できる一対の載置台６２Ｕ，６２Ｌを上下２段に重ねて配置している。枚葉搬送機構６０側から見ると、上部載置台６２Ｕは積出位置で静止している下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に対応し、下部載置台６２Ｌは積出位置で静止している下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1に対応している。一方、枚葉／バッチ搬送機構６４側から見ると、上部載置台６２Ｕは荷卸位置で静止している上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1に対応し、下部載置台６２Ｌは荷卸位置で静止している上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1に対応している。
【０１２０】
なお、枚葉シャトル搬送部５６の終端部（荷卸位置ＷＵ／ＷＬ）およびバッチシャトル搬送部６６の始端部（積出位置ＦＵ／ＦＬ）が、基板中継台６２と上下に重なっていてもよい。
［枚葉搬送機構の基本動作］
【０１２１】
図１３Ａおよび図１３Ｂにつき、各枚葉搬送機構４８（５２，５６，６０，１３６）が各担当エリア内の各枚葉式処理ユニットまたは各バッチ式処理装置にアクセスして処理済みの基板Ｇiと処理前の基板Ｇjとを入れ替える動作を説明する。
【０１２２】
先ず、図１３Ａの（ａ）に示すように、当該枚葉搬送機構は、両枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1を原位置または復動位置に引き戻した状態で、それぞれの搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌを昇降移動および回転移動させて、アクセス先の処理ユニット（図示せず）の手前に両枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1を付ける。この時、両枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1の片方たとえば下部枚葉搬送アームＭＬ1は、このアクセス先の処理ユニットで処理前の基板Ｇjを保持している。もう片方つまり上部枚葉搬送アームＭＵ1は、基板Ｇの無い空の状態になっている。この空状態の上部枚葉搬送アームＭＵ1の方を基板受け渡し用の高さ位置に合わせる。
【０１２３】
次に、当該枚葉搬送機構は、図１３Ａの（ｂ）に示すように、空状態の上部枚葉搬送アームＭＵ1を往動位置まで前進または伸長移動させて、このアクセス先の処理ユニットから処理済みの基板Ｇiを上部枚葉搬送アームＭＵ1で受け取る。次いで、図１３Ａの（ｃ）に示すように、上部枚葉搬送アームＭＵ1を原位置まで後退または短縮移動させて、この処理ユニットから処理済みの基板Ｇiを搬出する。
【０１２４】
こうして処理済みの基板Ｇiを搬出した直後に、当該枚葉搬送機構は、図１３Ｂの（ｄ）に示すように、昇降移動（図示の場合は上昇移動）を行って、処理前の基板Ｇjを保持している方の下部枚葉搬送アームＭＬ1を基板受け渡し用の高さ位置に合わせる。次いで、図１３Ｂの（ｅ）に示すように、下部枚葉搬送アームＭＬ1を往動位置まで前進または伸長移動させて、当該処理ユニット内に処理前の基板Ｇjを搬入して渡す。そして、図１３Ｂの（ｆ）に示すように、空の状態になった下部枚葉搬送アームＭＬ1を原位置まで後退または短縮移動させる。
【０１２５】
この実施形態における各枚葉搬送機構４８，５２，５６，６０，１３６は、２つの枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1を用いて、それと隣接する上流側の枚葉シャトルＪＳＵ1／ＪＳＬ1（または基板中継台）から１枚の基板Ｇを降ろす動作と、それと隣接する下流側の枚葉シャトルＫＳＵ1／ＫＳＬ1（または基板中継台）に１枚の基板Ｇを積む動作とを同時または並行して行うことができる。
【０１２６】
図１４Ａに、各枚葉搬送機構４８，５２，５６，６０，１３６において、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1から１枚の基板Ｇjを卸し、これと同時に下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1に１枚の基板Ｇiを積む動作を示す。この場合、当該枚葉搬送機構は、図１４Ａの（ａ）に示すように、両枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1を原位置または復動位置に引き戻した状態で、それぞれの搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌを昇降移動および回転移動させて、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1に上部枚葉搬送アームＭＵ1を付け、下流側の下部シャトルＫＳＬ1に下部枚葉搬送アームＭＬ1を付ける。この時、上部枚葉搬送アームＭＵ1は空の状態であり、下部枚葉搬送アームＭＬ1は基板Ｇiを保持している。また、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1は基板Ｇjを積んでおり、下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1は空の状態になっている。
【０１２７】
次に、当該枚葉搬送機構は、図１４Ａの（ｂ）に示すように、上部枚葉搬送アームＭＵ1を前進または伸長移動させて、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1から基板Ｇjを卸し（受け取り）、同時に下部枚葉搬送アームＭＬ1を前進または伸長移動させて、下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1に基板Ｇiを積む（渡す）。しかる後、図１４Ａの（ｃ）に示すように、上部枚葉搬送アームＭＵ1および下部枚葉搬送アームＭＬ1を原位置に引き戻す。
【０１２８】
図１４Ｂに、枚葉搬送機構４８，５２，５６，６０，１３６において、上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1から１枚の基板Ｇjを卸し、それと同時に下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に１枚の基板Ｇiを積む動作を示す。この場合、当該枚葉搬送機構は、図１４Ｂの（ａ）に示すように、両枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1を原位置または復動位置に引き戻した状態で、それぞれの搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌを昇降移動および回転移動させて、上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1に下部枚葉搬送アームＭＬ1を付け、下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に上部枚葉搬送アームＭＵ1を付ける。この時、下部枚葉搬送アームＭＬ1は空の状態であり、上部枚葉搬送アームＭＵ1は基板Ｇiを保持している。また、上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1は基板Ｇjを積んでおり、下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1は空になっている。
【０１２９】
次に、当該枚葉搬送機構は、図１４Ｂの（ｂ）に示すように、下部枚葉搬送アームＭＬ1を前進または伸長移動させて、上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1から基板Ｇjを卸し（受け取り）、同時に上部枚葉搬送アームＭＵ1を前進または伸長移動させて、下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に基板Ｇiを積む（渡す）。しかる後、図１３Ｂの（ｃ）に示すように、上部枚葉搬送アームＭＵ1および下部枚葉搬送アームＭＬ1を原位置に引き戻す。
【０１３０】
また、この実施形態における各枚葉搬送機構４８，５２，５６，６０，１３６は、別の搬送形態として、２つの枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1のうち、専ら一方たとえば上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて上流側の枚葉シャトルＪＳＵ1／ＪＳＬ1（または基板中継台）から１枚の基板Ｇを降ろす動作と、専ら他方つまり下部枚葉搬送アームＭＬ1を用いて下流側の枚葉シャトルＫＳＵ1／ＫＳＬ1（または基板中継台）に１枚の基板Ｇを積む動作とを並行してまたは順次行うことができる。
【０１３１】
たとえば、上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1から１枚の基板Ｇjを卸し、かつ下部枚葉搬送アームＭＬ1を用いて下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1に１枚の基板Ｇiを積むときは、図１４Ａと同様の並行的または同時的な動作を行うことができる。しかし、上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1から１枚の基板Ｇjを卸し、かつ下部搬送アームＭＬ1を用いて下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に１枚の基板Ｇiを積むときは、図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように順次的な動作になる。
【０１３２】
先ず、当該枚葉搬送機構は、図１５Ａの（ａ）に示すように、搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌを昇降移動および回転移動させて、下流側の上部シャトルＫＳＵ1に基板Ｇiを保持している下部枚葉搬送アームＭＬ1を付ける。次に、図１５Ａの（ｂ）に示すように、下部枚葉搬送アームＭＬ1を前進または伸長移動させて、下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に基板Ｇjを積む（渡す）。しかる後、図１５Ａの（ｃ）に示すように、空になった下部枚葉搬送アームＭＬ1を原位置に引き戻す。
【０１３３】
次に、当該枚葉搬送機構は、図１５Ｂの（ｄ）に示すように、搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌを昇降移動および回転移動させて、上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1に空状態の上部搬送枚葉アームＭＵ1を付ける。次に、図１５Ｂの（ｅ）に示すように、上部枚葉搬送アームＭＵ1を前進または伸長移動させて、上流側の下部シャトルＪＳＬ1から基板Ｇjを卸す（受け取る）。しかる後、図１５Ｂの（ｆ）に示すように、基板Ｇjを保持する上部枚葉搬送アームＭＵ1を原位置に引き戻す。
［枚葉搬送機構の転送形態１］
【０１３４】
図１６を参照して、各枚葉搬送機構４８，５２，５６，６０，１３６が、第１の転送形態によって、上流側の枚葉シャトルＪＳＵ1／ＪＳＬ1から下流側の枚葉シャトルＫＳＵ1／ＫＳＬ1へ基板Ｇを転送するまでの一連の動作を説明する。なお、上述したように、上流側枚葉シャトルＪＳＵ1／ＪＳＬ1および下流側枚葉シャトルＫＳＵ1／ＫＳＬ1は基板中継台（上部載置台／下部載置台）に置換可能である。
【０１３５】
この第１の転送形態は、当該枚葉搬送機構のアクセス可能な周囲に工程が連続する２種類の枚葉式処理ユニットＡ，Ｂ（たとえば枚葉式洗浄ユニット３２および枚葉式パターニング・ユニット３４）がそれぞれ１台ずつ設けられている場合に適用される。この場合、前工程の１台の枚葉式処理ユニットＡおよび後工程の１台の枚葉式処理ユニットＢは、いずれもタクト時間ＴSのサイクルで各基板Ｇnに対して所定の枚葉処理（枚葉洗浄処理および枚葉パターニング処理）をそれぞれ施す。図中、たとえば時点ｔ0〜ｔ4の期間および時点ｔ4〜ｔ8の期間は、タクト時間ＴSに相当する。
【０１３６】
図１６において、時点ｔ0では、上記連続する２種類（前工程および後工程）の枚葉処理を終えた１番目の基板Ｇ1が、枚葉搬送機構の下部枚葉搬送アームＭＬ1上で下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1への積出を待っている。２番目の基板Ｇ2は、後工程を担う枚葉処理ユニットＢ内に滞在している。３番目の基板Ｇ3は、前（先）工程を担う枚葉処理ユニットＡ内に滞在している。この時、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1が４番目の基板Ｇ4を積んで上部荷卸位置ＷＵに到着する。
【０１３７】
この直後に、当該枚葉搬送機構は、図１４Ａに示した動作により、上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1から４番目の基板Ｇ4を卸すと同時に、下部枚葉搬送アームＭＬ1を用いて下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1に１番目の基板Ｇ1を積む（ｔ＝ｔ1〜ｔ2）。
【０１３８】
次いで、当該枚葉搬送機構は、枚葉処理ユニットＡにアクセスして、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1から卸したばかりの４番目の基板Ｇ4をこの時点で前工程が済んでいる３番目の基板Ｇ3と入れ替える（ｔ＝ｔ2〜ｔ3）。この場合、空になっている方の下部枚葉搬送アームＭＬ1を用いて処理済みの３番目の基板Ｇ3を枚葉処理ユニットＡから搬出し、それと入れ替わりに上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて処理前の４番目の基板Ｇ4を枚葉処理ユニットＡに搬入する。
【０１３９】
次に、当該枚葉搬送機構は、枚葉処理ユニットＢにアクセスして、枚葉処理ユニットＡから搬出したばかりの３番目の基板Ｇ3をこの時点で後工程が済んでいる２番目の基板Ｇ2と入れ替える（ｔ＝ｔ3〜ｔ4）。この場合、空になっている方の上部枚葉搬送アームＭＵ1を先に用いて処理済みの２番目の基板Ｇ2を枚葉処理ユニットＢから搬出し、それと入れ替わりに下部枚葉搬送アームＭＬ1を用いて処理前の３番目の基板Ｇ3を枚葉処理ユニットＢに搬入する。一方、上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1が５番目の基板Ｇ5を積んで下部荷卸位置ＷＬに到着する（ｔ＝ｔ4）。
【０１４０】
この直後に、当該枚葉搬送機構は、図１４Ｂに示した動作により、下部枚葉搬送アームＭＬ1を用いて上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1から５番目の基板Ｇ5を卸すと同時に、上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に２番目の基板Ｇ2を積む（ｔ＝ｔ5〜ｔ6）。
【０１４１】
次いで、当該枚葉搬送機構は、枚葉処理ユニットＡにアクセスして、上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1から卸したばかりの５番目の基板Ｇ5をこの時点で前工程が済んでいる４番目の基板Ｇ4と入れ替える（ｔ＝ｔ6〜ｔ7）。この場合、空になっている方の上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて処理済みの４番目の基板Ｇ4を枚葉処理ユニットＡから搬出し、それと入れ替わりに下部枚葉搬送アームＭＬ1を用いて処理前の５番目の基板Ｇ5を枚葉処理ユニットＡに搬入する。
【０１４２】
次に、当該枚葉搬送機構は、枚葉処理ユニットＢにアクセスして、枚葉処理ユニットＡから搬出したばかりの４番目の基板Ｇ4をこの時点で後工程が済んでいる３番目の基板Ｇ3と入れ替える（ｔ＝ｔ7〜ｔ8）。この場合、空になっている方の下部枚葉搬送アームＭＬ1を先に用いて処理済みの３番目の基板Ｇ3を枚葉処理ユニットＢから搬出し、それと入れ替わりに上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて処理前の４番目の基板Ｇ4を枚葉処理ユニットＢに搬入する。搬出された３番目の基板Ｇ3は、下部枚葉搬送アームＭＬ1上で下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1への積出を待つ。一方、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1が６番目の基板Ｇ6を積んで上部荷卸位置ＷＵに到着する（ｔ＝ｔ8）。以後も、タクト時間ＴSを基準周期として上記のような一連の基板転送動作が繰り返し行われる。
［枚葉搬送機構の転送形態２］
【０１４３】
図１７に、当該枚葉搬送機構が担当するエリア内に枚葉式処理ユニットＡ、Ｂがそれぞれ複数台たとえば２台（Ａ1，Ａ2）および３台（Ｂ1，Ｂ2，Ｂ3）ずつ設けられている場合に適用される第２の基板転送形態を示す。ここで、枚葉式処理ユニットＡ1，Ａ2は、タクト時間ＴSの時間差で各々が２ＴSの基板滞在時間（この中に正味の処理時間が含まれる）を要する前工程の枚葉処理Ａを繰り返し行うようになっている。一方、枚葉式処理ユニットＢ1，Ｂ2，Ｂ3は、タクト時間ＴSの時間差で各々が３ＴSの基板滞在時間を要する後工程の枚葉処理Ｂを繰り返し行うようになっている。
【０１４４】
この場合、時点ｔ0では、上記連続する２種類（前工程および後工程）の枚葉処理を終えた１番目の基板Ｇ1が、下部枚葉搬送アームＭＬ1に保持され、下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1への積出を待っている。２番目、３番目および４番目の基板Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4は、後工程を担う枚葉処理ユニットＢ1，Ｂ2，Ｂ3内にそれぞれ滞在している。５番目および６番目の基板Ｇ5，Ｇ6は、前工程を担う枚葉処理ユニットＡ1，Ａ2内に滞在している。この時、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1が７番目の基板Ｇ7を積んで上部荷卸位置ＷＵに到着する。
【０１４５】
この直後に、当該枚葉搬送機構は、図１４Ａに示した動作により、上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1から７番目の基板Ｇ7を卸すと同時に、下部搬送アームＭＬ1を用いて下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1に１番目の基板Ｇ1を積む（ｔ＝ｔ1〜ｔ2）。
【０１４６】
次いで、当該枚葉搬送機構は、枚葉処理ユニットＡ1にアクセスして、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1から卸したばかりの７番目の基板Ｇ7をこの時点で間近に前工程が済んでいる５番目の基板Ｇ5と入れ替える（ｔ＝ｔ2〜ｔ3）。
【０１４７】
次に、当該枚葉搬送機構は、枚葉処理ユニットＢ1にアクセスして、枚葉処理ユニットＡ1から搬出したばかりの５番目の基板Ｇ5をこの時点で間近に後工程が済んでいる２番目の基板Ｇ2と入れ替える（ｔ＝ｔ3〜ｔ4）。一方、上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1が８番目の基板Ｇ8を積んで下部荷卸位置ＷＬに到着する（ｔ＝ｔ4）。
【０１４８】
この直後に、当該枚葉搬送機構は、図１４Ｂに示した動作により、下部枚葉搬送アームＭＬ1を用いて上流側の下部枚葉シャトルＪＳＬ1から８番目の基板Ｇ8を卸すと同時に、上部枚葉搬送アームＭＵ1を用いて下流側の上部枚葉シャトルＫＳＵ1に２番目の基板Ｇ2を積む（ｔ＝ｔ5〜ｔ6）。
【０１４９】
次いで、当該枚葉搬送機構は、枚葉処理ユニットＡ2にアクセスして、上流側の下部シャトルＪＳＬ1から卸したばかりの８番目の基板Ｇ8をこの時点で間近に前工程が済んでいる６番目の基板Ｇ4と入れ替える（ｔ＝ｔ6〜ｔ7）。
【０１５０】
次に、枚葉搬送機構３２は、枚葉処理ユニットＢ2にアクセスして、枚葉処理ユニットＡ2から搬出したばかりの６番目の基板Ｇ6をこの時点で間近に後工程が済んでいる３番目の基板Ｇ3と入れ替える（ｔ＝ｔ7〜ｔ8）。搬出された３番目の基板Ｇ3は、下部枚葉搬送アームＭＬ1上で下流側の下部枚葉シャトルＫＳＬ1への積出を待つ。一方、上流側の上部枚葉シャトルＪＳＵ1が９番目の基板Ｇ9を積んで上部荷卸位置ＷＵに到着する（ｔ＝ｔ8）。以後も、タクト時間ＴSを基準周期として上記のような一連の基板転送動作が繰り返し行われる。
［枚葉／バッチ搬送機構の構成］
【０１５１】
図１８に、枚葉／バッチ搬送機構６４の構成を示す。なお、バッチ／枚葉搬送機構７２も枚葉／バッチ搬送機構６４と同様の構成を有している。
【０１５２】
枚葉／バッチ搬送機構６４は、方位角方向（θ方向）に回転可能かつ鉛直方向（Ｚ方向）に昇降可能であって、水平の進退または伸縮移動を各々独立に行える上下２段のバッチ搬送アームＭＵ10および枚葉搬送アームＭＬ1を有している。より詳細には、枚葉／バッチ搬送機構６４は、図１８に示すように、たとえばリニアモータまたはボールネジ機構を有する定置型の昇降駆動部１８６の昇降駆動軸１８８に上部および下部搬送本体１９０Ｕ，１９０Ｌを２段に重ねて昇降可能に取り付け、昇降駆動軸１８８上で各搬送本体１９０Ｕ，１９０Ｌを方位角方向（θ方向）で各々独立に任意の方角に回転移動できるように構成し、搬送本体１９０Ｕ，１９０Ｌ上で両搬送アームＭＵ10，ＭＬ1をそれぞれ独立に進退または伸縮移動できるように構成している。ここで、バッチ搬送アームＭＵ10は、一度に複数枚（たとえば１０枚）の基板Ｇを着脱可能に載置、担持または保持できるように構成されている。一方、枚葉搬送アームＭＬ1は、一度に１枚の基板Ｇを着脱可能に載置、担持または保持できるように構成されている。
【０１５３】
かかる構成の枚葉／バッチ搬送機構６４は、その周囲に配置されている枚葉シャトル搬送部５８と、基板中継台６２と、バッチ式熱処理装置４０の第２のボート載置台８２，８４上に載置されている第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆのいずれか２つと、バッチシャトル搬送部６６とにアクセス可能であり、各アクセス先で基板Ｇのやり取りを１枚単位または１０枚単位で行えるようになっている。
［枚葉／バッチ搬送機構の動作］
【０１５４】
図１９Ａおよび図１９Ｂにつき、枚葉／バッチ搬送機構６４がバッチ式熱処理装置４０の第２のボート載置台８２上に載置されている第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆのいずれかに対して、一度に１０枚の処理後の基板Ｇj〜Ｇj+9を取り出し、それと入れ替わりに処理前の基板Ｇiを１枚装入する動作を説明する。
【０１５５】
先ず、図１９Ａの（ａ）に示すように、枚葉／バッチ搬送機構６４は、両搬送アームＭＵ10，ＭＬ1を原位置または復動位置に引き戻した状態で、それぞれの搬送本体１９０Ｕ，１９０Ｌを昇降移動および回転移動させて、アクセス先の第２のボート（図示せず）の手前に両搬送アームＭＵ10，ＭＬ1を付ける。この時、枚葉搬送アームＭＬ1は、直前に基板中継台６２より引き取った１枚の基板Ｇiを保持している。バッチ搬送アームＭＵ10は、基板Ｇの無い空の状態になっている。この空状態のバッチ搬送アームＭＵ10の高さ位置をアクセス先の１０個のスロット（図示せず）に合わせる。
【０１５６】
次に、枚葉／バッチ搬送機構は、図１９Ａの（ｂ）に示すように、空状態のバッチ搬送アームＭＵ10を往動位置まで前進または伸長移動させて、このアクセス先の第２のボート内の連続する１０個のスロットから１０枚の処理後の基板Ｇj〜Ｇj+9をバッチ搬送アームＭＵ1の上に移載する。次いで、図１９Ａの（ｃ）に示すように、１０枚の処理後の基板Ｇj〜Ｇj+9を保持するバッチ搬送アームＭＵ10を原位置まで後退または短縮移動させる。
【０１５７】
こうして一度に１０枚の処理後の基板Ｇi〜Ｇj+9を搬出した直後に、枚葉／バッチ搬送機構６４は、図１９Ｂの（ｄ）に示すように、昇降移動（図示の場合は上昇移動）を行って、今度は処理前の基板Ｇjを保持している枚葉搬送アームＭＬ1の高さ位置をアクセス先の１個のスロット（図示せず）に合わせる。次いで、図１９Ｂの（ｅ）に示すように、枚葉搬送アームＭＬ1を往動位置まで前進または伸長移動させて、当該スロット内に処理前の基板Ｇjを装入する。そして、図１９Ｂの（ｆ）に示すように、空の状態になった枚葉搬送アームＭＬ1を原位置まで後退または短縮移動させる。
【０１５８】
図２０を参照して、枚葉／バッチ搬送機構６４が、たとえば第２のボート８８Ｄをアクセス先として、上記のような処理後の基板の取り出しと処理前の基板の装入とを繰り返し行う際の周囲の各部、特に基板中継台６２（６２Ｕ／６２Ｌ）およびバッチシャトル搬送部６６との連携動作を説明する。
【０１５９】
図２０において、時点ｔaでは、枚葉／バッチ搬送機構６４のバッチ搬送アームＭＵ10および枚葉搬送アームＭＬ1はいずれも基板が無い空の状態になっている。
【０１６０】
この直後に、枚葉搬送機構６０（図２）が、処理前の基板Ｇ401を基板中継台６２の上部載置台６２Ｕに置く（ｔ＝ｔa）。この時、枚葉／バッチ搬送機構６４は、バッチ搬送アームＭＵ10を用いてボート８８Ｄから１０枚の処理後の基板Ｇ1〜Ｇ10を一括して取り出している（ｔ＝ｔa〜ｔb）。
【０１６１】
次に、枚葉／バッチ搬送機構６４は、枚葉搬送アームＭＬ1を伸ばして上部載置台６２Ｕ上の基板Ｇ401を受け取る一方で、バッチ搬送アームＭＵ10を前進させて処理後の基板Ｇ1〜Ｇ10をバッチシャトル６６に積む（ｔ＝ｔc）。
【０１６２】
１０枚の処理後の基板Ｇ1〜Ｇ10を積んだバッチシャトル６６は、直後に積出位置から荷卸位置へ移動する（ｔ＝ｔc）。枚葉／バッチ搬送機構６４は、枚葉搬送アームＭＬ1に保持している１枚の処理前の基板Ｇ401をボート８８Ｄの所定のスロットに装入する（ｔ＝ｔe）。
【０１６３】
この直後に、枚葉搬送機構６０（図２）が、次の処理前の基板Ｇ402を基板中継台６２の下部載置台６２Ｌに置く（ｔ＝ｔf）。一方、枚葉／バッチ搬送機構６４は、バッチ搬送アームＭＵ10を用いてボート８８Ｄから次の１０枚の処理後の基板Ｇ11〜Ｇ20を一括して取り出す（ｔ＝ｔg）。そして、枚葉搬送アームＭＬ1を用いて下部載置台６２Ｌ上の基板Ｇ402を引き取るとともに、バッチ部搬送アームＭＵ10を前進させて処理後の基板Ｇ11〜Ｇ20をバッチシャトル６６に積む（ｔ＝ｔh〜ｔi）。
【０１６４】
こうして１０枚の処理後の基板Ｇ11〜Ｇ20を積んだバッチシャトル６６は、直後に積出位置から荷卸位置へ向かう。一方、枚葉／バッチ搬送機構６４は、枚葉搬送アームＭＬ1に保持している処理前の基板Ｇ402をボート８８Ｄの対応するスロットに装入する（ｔ＝ｔj）。
【０１６５】
以後も、ボート８８Ｄに対して上記と同様な複数枚単位での処理後の基板の取り出しと１枚単位での処理前の基板の装入とが同時に繰り返される。ただし、このバッチ取り出し／枚葉装入の複合動作が１０回繰り返されると、ボート８８Ｄの中は、処理後の基板Ｇ1〜Ｇ100が全部（１００枚）取り出されて無くなり、代わって新たに１０枚の処理前の基板Ｇ401〜Ｇ410が格納された状態になる。
【０１６６】
この後、枚葉搬送機構６０よりタクト時間ＴSの周期で基板中継台６２（上部載置台６２Ｕ／下部載置台６２）を介して送られてくる後続（９０枚）の処理前の基板Ｇ411〜Ｇ500について、枚葉／バッチ搬送機構６４は、枚葉部搬送アームＭＬ1を用いて１枚ずつボート８８Ｄの対応する各スロットに装入する（つまり枚葉装入動作だけを繰り返す）。
［バッチ式熱処理装置内の動作］
【０１６７】
図２１Ａおよび図２１Ｂを参照して、バッチ式熱処理装置４９内の全体的な動作の手順を説明する。なお、図２１Ａおよび図２１Ｂでは、第１のボート８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃおよび第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８ＦをＡ，Ｂ，ＣおよびＤ，Ｅ，Ｆとそれぞれ略記している。
【０１６８】
図２１Ａの（ａ）は、第１のボート８０Ａが縦型バッチ熱処理炉１１４内に入れられ、このボート８０Ａに保持されているバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇが一括的な熱処理を受けているときの各部の状態を示す。ここで、第１のボート８０Ａは、第２のボート８８Ｆの後にそれと入れ替わりで熱処理炉１１４に入れられている。したがって、第２のボート８８Ｆに保持されているバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇは、熱処理を終えた直後であり、冷却用の第２のボート載置台８６上に置かれている。
【０１６９】
第１のボート移載機１１６回りにおいて、ボート載置台７５，７６上には、第１のボート８０Ｂ，８０Ｃがそれぞれ載置されている。枚葉搬送機構５６は、タクト時間ＴSの１サイクル毎に、ボート８０Ｃの各スロットから処理後の基板Ｇを１枚ずつ取り出して枚葉シャトル搬送部５８に送り出すとともに、処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台５４から引き取ってボート８０Ｂの各対応するスロットに装入する動作を行う。ボート８０Ａが熱処理炉１１４内に入っている期間中、ボート８０Ｃからは前半部（５０枚）の処理後の基板Ｇが順次１枚ずつ取り出され、ボート８０Ｂには前半部（５０枚）の処理前の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。
【０１７０】
一方、第２のボート移載機１１８回りにおいて、ボート載置台８２，８４上には、第２のボート８８Ｄ，８８Ｅがそれぞれ載置されている。枚葉／バッチ搬送機構６４は、タクト時間ＴSの１サイクル毎に、処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台６２から引き取ってボート８８Ｅの各対応するスロットに装入する。ボート８０Ａが熱処理炉１１４内に入っている間は、ボート８８Ｅにはそこに収納されるべきバッチ処理枚数（１００枚）の後半部（５０枚）の処理前の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。ボート載置台８２上に載置されているボート８８Ｄは、ボート８０Ａの次に熱処理炉１１４に入れられる順番にあり、バッチ処理枚数（１００枚）の処理前の基板Ｇの格納を既に完了している。
【０１７１】
第１のボート８０Ａ上の基板Ｇに対するバッチ方式の熱処理が終了すると、昇降機構１６８（図７）が作動して、ボート８０Ａを熱処理炉１１４の外に抜き出す。すると、第１のボート移載機１１６が、ボート８０Ａをボート支持アーム１６４から引き取って冷却用の第１のボート載置台７８の上に移す。そして、これと入れ替わりに、第２のボート移載機１１８が、第２のボート８８Ｄを第２のボート載置台８２からボート支持アーム１６４に移す。直後に、昇降機構１６８が作動して、第２のボート８８Ｄを熱処理炉１１４の中に入れる。
【０１７２】
第２のボート８８Ｄが熱処理炉１１４の中に入れられると、このボート８８Ｄに保持されているバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇに対する熱処理が即座に開始される。一方で、第２のボート移載機１１８は、図２１Ａの（ｂ）に示すように、ボート８８Ｅをボート載置台８４からボート載置台８２に移すとともに、ボート８８Ｆをボート載置台８６からボート載置台８４に移す。
【０１７３】
熱処理炉１１４のヒータは、熱処理の期間中はもちろんボートの出し入れを行っている間も常に一定の発熱温度でオンしており、故障でも起こらない限りバッチ式熱処理装置４０の稼働中にオフ状態になることはない。
【０１７４】
こうして第２のボート８８Ｄが熱処理炉１１４に入っている期間中に、枚葉／バッチ搬送機構６４は、ボート載置台８４上のボート８８Ｆに対して、図１９Ａおよび図１９Ｂに示すようなバッチ取り出し／枚葉装入の複合動作によりボート８８Ｆから処理後の基板Ｇを複数枚（１０枚）ずつ取り出してバッチシャトル搬送部６６へ渡す。そして、処理後の基板Ｇをバッチ式焼成装置４２へ全部（１００枚）送り出した後は、ボート８８Ｆに処理前の基板Ｇを１枚ずつ装入する動作だけを繰り返し行う。ボート載置台８２上に移された第２のボート８８Ｅは、次に熱処理炉１１４に入れられる第２のボートであり、バッチ処理枚数（１００枚）分の処理前の基板Ｇの装入を既に完了している。
【０１７５】
一方、枚葉搬送機構５６は、第２のボート８８Ｄが熱処理炉１１４に入っている期間中も、タクト時間ＴSの１サイクル毎に、ボート８０Ｃの各スロットから処理後の基板Ｇを１枚ずつ取り出して枚葉シャトル搬送部５８に送り出すとともに、処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台５４から引き取ってボート８０Ｂの各対応するスロットに装入する動作を行う。この期間中は、ボート８０Ｃから後半部（５０枚）の基板Ｇが順次１枚ずつ取り出され、ボート８０Ｂには後半部（５０枚）の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。
【０１７６】
第２のボート８８Ｄ上の基板Ｇに対するバッチ方式の熱処理が終了すると、上記と同様に昇降機構１６８が作動して、ボート８８Ｄを熱処理炉１１４の外に出す。そうすると、第２のボート移載機１１８が、ボート８８Ｄをボート支持アーム１６４から引き取って冷却用の第２のボート載置台８６の上に移す。そして、これと入れ替わりに、第１のボート移載機１１６が、第１のボート８０Ｂをボート載置台７５からボート支持アーム１６４の上に移す。この直後に、昇降機構１６８が第１のボート８０Ｂを熱処理炉１１４の中に入れる。
【０１７７】
第１のボート８０Ｂが熱処理炉１１４の中に入れられると、このボート８０Ｂに保持されているバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇに対する熱処理が即座に開始される。一方で、第１のボート移載機１１６は、図２１Ａの（ｃ）に示すように、ボート８０Ｃをボート載置台７６からボート載置台７５に移すとともに、ボート８０Ａをボート載置台７８からボート載置台７６に移す。
【０１７８】
こうして第１のボート８０Ｂが熱処理炉１１４に入っている期間中に、枚葉搬送機構５６は、タクト時間ＴSの１サイクル毎に、ボート８０Ａの各スロットから処理後の基板Ｇを１枚ずつ取り出して枚葉シャトル搬送部５８に送り出すとともに、処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台５４から引き取ってボート８０Ｃの各対応するスロットに装入する動作を行う。この期間中は、ボート８０Ａからは前半部（５０枚）の処理後の基板Ｇが順次１枚ずつ取り出され、ボート８０Ｃには前半部（５０枚）の処理前の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。
【０１７９】
一方、枚葉／バッチ搬送機構６４は、タクト時間ＴSの１サイクル毎に処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台６２から引き取ってボート載置台８４上のボート８８Ｆの各対応するスロットに装入する動作を継続する。この場合、ボート８８Ｆには後半部（５０枚）の処理前の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。ボート載置台８２上のボート８８Ｅは、バッチ処理枚数（１００枚）の処理前の基板Ｇを格納した状態で待機する。
【０１８０】
第１のボート８０Ｂ上の基板Ｇに対するバッチ方式の熱処理が終了すると、上記と同様に昇降機構１６８がボート８０Ｂを熱処理炉１１４の外に出す。そうすると、図２１Ｂの（ｄ）に示すように、第１のボート移載機１１６が、ボート８０Ｂをボート支持アーム１６４から引き取って冷却用の第１のボート載置台７８の上に移す。そして、これと入れ替わりに、第２のボート移載機１１８が、第２のボート８８Ｅをボート載置台８２からボート支持アーム１６４の上に移す。直後に、第２のボート８８Ｅは熱処理炉１１４の中に入れられる。
【０１８１】
第２のボート８８Ｅが熱処理炉１１４の中に入れられると、このボート８８Ｅに保持されているバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇに対する熱処理が即座に開始される。こうして第２のボート８８Ｅが熱処理炉１１４に入っている期間中に、枚葉／バッチ搬送機構６４は、ボート載置台８４上のボート８８Ｄにアクセスして、バッチ取り出し／枚葉装入の複合動作によりボート８８Ｄから処理後の基板Ｇを複数枚（１０枚）ずつ取り出してバッチシャトル搬送部６６へ渡す。そして、処理後の基板Ｇをバッチ式焼成装置４２へ全部（１００枚）送り出した後は、ボート８８Ｆに処理前の基板Ｇを１枚ずつ装入する動作だけを繰り返し行う。ボート載置台８２上に移された第２のボート８８Ｆは、次に熱処理炉１１４に入れられる第２のボートであり、バッチ処理枚数（１００枚）分の処理前の基板Ｇの装入を既に完了している。
【０１８２】
一方、枚葉搬送機構５６は、タクト時間ＴSの１サイクル毎に、ボート８０Ａの各スロットから処理後の基板Ｇを１枚ずつ取り出して枚葉シャトル搬送部５８に送り出すとともに、処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台５４から引き取ってボート８０Ｃの各対応するスロットに装入する動作を継続する。この期間中は、ボート８０Ａからは後半部（５０枚）の処理後の基板Ｇが順次１枚ずつ取り出され、ボート８０Ｃには後半部（５０枚）の処理前の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。
【０１８３】
第２のボート８８Ｅ上の基板Ｇに対するバッチ方式の熱処理が終了すると、上記と同様にボート８８Ｅは熱処理炉１１４の外に出される。そうすると、第２のボート移載機１１８が、ボート８８Ｅをボート支持アーム１６４から引き取って冷却用の第２のボート載置台８６の上に移す。そして、これと入れ替わりに、第１のボート移載機１１６が、第１のボート８０Ｃをボート載置台７５からボート支持アーム１６４の上に移す。そして、第１のボート８０Ｃは縦型バッチ熱処理炉１１４の中に入れられる。
【０１８４】
第１のボート８０Ｃが熱処理炉１１４の中に入れられると、このボート８０Ｃに保持されているバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇに対する熱処理が即座に開始される。一方で、第１のボート移載機１１６は、図２１Ｂの（ｅ）に示すように、ボート８０Ａをボート載置台７６からボート載置台７５に移すとともに、ボート８０Ｂをボート載置台７８からボート載置台７６に移す。
【０１８５】
こうして第１のボート８０Ｃが熱処理炉１１４に入っている期間中に、枚葉搬送機構５６は、タクト時間ＴSの１サイクル毎に、ボート８０Ｂの各スロットから処理後の基板Ｇを１枚ずつ取り出して枚葉シャトル搬送部５８に送り出すとともに、処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台５４から引き取ってボート８０Ａの各対応するスロットに装入する動作を行う。この期間中は、ボート８０Ｂからは前半部（５０枚）の処理後の基板Ｇが順次１枚ずつ取り出され、ボート８０Ａには前半部（５０枚）の処理前の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。
【０１８６】
一方、枚葉／バッチ搬送機構６４は、タクト時間ＴSの１サイクル毎に処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台６２から引き取ってボート８８Ｄの各対応するスロットに装入する動作を継続する。この場合、ボート８８Ｄには後半部（５０枚）の処理前の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。
【０１８７】
第１のボート８０Ｃ上の基板Ｇに対する熱処理が終了すると、上記と同様にボート８０Ｃは熱処理炉１１４の外に出される。すると、図２１Ｂの（ｆ）に示すように、第１のボート移載機１１６が、ボート８０Ｃをボート支持アーム１６４から引き取って冷却用の第１のボート載置台７８の上に移す。そして、これと入れ替わりに、第２のボート移載機１１８が、第２のボート８８Ｆをボート載置台８２からボート支持アーム１６４の上に移す。直後に、第２のボート８８Ｆは縦型バッチ熱処理炉１１４の中に入れられる。
【０１８８】
第２のボート８８Ｆが熱処理炉１１４の中に入れられると、このボート８８Ｆに保持されているバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇに対する熱処理が即座に開始される。こうして第２のボート８８Ｆが熱処理炉１１４に入っている期間中に、枚葉／バッチ搬送機構６４は、ボート載置台８４上のボート８８Ｅにアクセスして、バッチ取り出し／枚葉装入の複合動作によりボート８８Ｅから処理後の基板Ｇを複数枚（１０枚）ずつ取り出してバッチシャトル搬送部６６へ渡す。そして、処理後の基板Ｇをバッチ式焼成装置４２へ全部（１００枚）送り出した後は、ボート８８Ｅに処理前の基板Ｇを１枚ずつ装入する枚葉装入動作のみを継続する。ボート載置台８２上に移された第２のボート８８Ｄは、次に熱処理炉１１４に入れられる第２のボートであり、バッチ処理枚数（１００枚）分の処理前の基板Ｇの装入を既に完了している。
【０１８９】
一方、枚葉搬送機構５６は、タクト時間ＴSの１サイクル毎に、ボート８０Ｂの各スロットから処理後の基板Ｇを１枚ずつ取り出して枚葉シャトル搬送部５８に送り出すとともに、処理前の基板Ｇを１枚ずつ基板中継台５４から引き取ってボート８０Ａの各対応するスロットに装入する動作を継続する。この期間中は、ボート８０Ｂからは後半部（５０枚）の処理後の基板Ｇが順次１枚ずつ取り出され、ボート８０Ａには後半部（５０枚）の処理前の基板Ｇが順次１枚ずつ装入される。
【０１９０】
以後も、図２１Ａおよび図２１Ｂの（ａ）→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）→（ｅ）→（ｆ）に示す動作ないし状態が繰り返される。上述したように、熱処理炉１１４には、枚葉式作用極成膜処理を受けた直後のバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇを保持する第１のボート８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃの中から順番に選ばれるいずれか１つと、枚葉式グリッド配線成膜処理を受けた直後のバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇを保持する第２のボート８８Ｄ，８８Ｅ，８８Ｆの中から順番に選ばれるいずれか１つが交互に入れられる。熱処理炉１１４のヒータは常時一定の発熱温度でオンしており、熱処理炉１１４の中に入れられるボートが第１のボートであるのか第２のボートであるのかに関係なく、ボートの入れ替え時間を挟んで同一プロセスのバッチ式熱処理が連続的に繰り返される。
【０１９１】
なお、この実施形態では第１のボート載置台７５，７６，７８の各々および第２のボート載置台８２，８４，８６の各々に特定の役割を分担させたが、必ずしもそのような役割固定方式に限定する必要はない。たとえば、第１のボート載置台７５，７６の役割を共通化することより、それらの間で第１のボートを移す手間を省くことも可能である。同様に、第２のボート載置台８２，８４の役割を共通化することより、それらの間で第２のボートを移す手間を省くことも可能である。また、可動のボート載置台を用いることにより、ボート移載機１１６，１１８のタスクを減らすことも可能である。
［バッチ式焼成装置の動作手順］
【０１９２】
バッチ式焼成装置４２は、上述したように４台の縦型バッチ焼成炉１２０，１２２，１２４，１２６が一定の時間差を置いて同一の焼成処理を繰り返し行うようになっている。
【０１９３】
バッチ式熱処理装置４０で２回目の熱処理を終えた基板Ｇは、複数枚（１０枚）単位でバッチシャトル搬送部６６を介してバッチ式焼成装置４２に送られて来る。バッチ搬送機構６８は、バッチ搬送アームＭＵ10を用いて、バッチシャトル搬送部６６より卸した複数枚（１０枚）の基板Ｇをそのまま一括して第１〜第４の焼成炉１２０，１２２，１２４，１２６のいずれかに割り振る。
【０１９４】
より詳細には、バッチ搬送機構６８は、受け取ったそれら複数枚（１０枚）の基板Ｇを第１の焼成炉１２０に割り振るときは、それら複数枚（１０枚）の基板Ｇを第３のボート載置台９０，９２上に載置されている第３のボート９４Ａ，９４Ｂのいずれかに一括して装入する。また、第２の焼成炉１２２に割り振るときも、自らそれら複数枚（１０枚）の基板Ｇを第４のボート載置台９６，９８上に載置されている第４のボート１００Ａ，１００Ｂのいずれかに一括して装入する。
【０１９５】
しかし、焼成炉１２４，１２６のいずれかに割り振るときは、バッチ搬送機構６８は、それら複数枚（１０枚）の基板Ｇをバッチシャトル搬送部７０を介してバッチ／枚葉搬送機構７２に渡す。バッチ／枚葉搬送機構７２は、バッチシャトル搬送部７０からそれら複数枚（１０枚）の基板Ｇを卸し、第３の焼成炉１２４に割り振るときは、第５のボート載置台１０２，１０４上に載置されている第５のボート１０６Ａ，１０６Ｂのいずれかにそれら複数枚（１０枚）の基板Ｇをまとめて装入し、第４の焼成炉１２６に割り振るときは、第６のボート載置台１０８，１１０上に載置されている第６のボート１１２Ａ，１１２Ｂのいずれかにそれら複数枚（１０枚）の基板Ｇを一括して装入する。
【０１９６】
上記のような複数枚（１０枚）単位の基板Ｇの割り振りは、所定回数（１０回）連続して行われる。たとえば、第３のボート載置台９２上に載置されている第３のボート９４Ｂに、バッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇを装入するときは、１０枚単位の一括割り当てないし一括装入が１０回連続して行われる。この場合、第３のボート９４Ｂから第１の焼成炉１２０で焼成処理を終えているバッチ処理枚数（１００枚）の処理後の基板Ｇをいったん全部取り出して空にした後に、複数枚（１０枚）ずつの処理前の基板Ｇの搬入を繰り返し行ってもよいが、複数枚（１０枚）ずつの処理後の基板Ｇの取り出しと複数枚（１０枚）ずつの処理前の基板Ｇの装入とを並行して交互に行うことも可能である。
【０１９７】
一方、バッチ／枚葉搬送機構７２は、たとえば第５のボート載置台１０２上に載置されている第５のボート１０６Ａにバッチ処理枚数（１００枚）の基板Ｇを装入するときは、バッチ搬送機構６８と同様にバッチ搬送アームＭＵ10を用いて複数枚（１０枚）単位の一括装入を繰り返す。しかし、ボート１０６Ａから処理後の基板Ｇを取り出すときは、枚葉搬送アームＭＬ1を用いて１枚ずつの枚葉取り出しを行い、取り出した１枚の基板Ｇを枚葉シャトル搬送部７４に送り出す。
【０１９８】
また、第１または第２の焼成炉１２４，１２６で焼成処理を受けた基板Ｇは、複数枚（１０枚）単位でバッチ搬送機構６８よりバッチシャトル搬送部７０を介してバッチ／枚葉搬送機構７２に送られてくる。バッチ／枚葉搬送機構７２は、枚葉搬送アームＭＬ1を用いて、バッチシャトル搬送部７０の荷卸位置に着いたバッチシャトル（ＳＵ10もしくはＳＬ10）から処理後の基板Ｇを１枚ずつ卸して枚葉シャトル搬送部７４に転送する。
［実施形態における主な作用効果］
【０１９９】
上述したように、この実施形態の基板処理装置は、搬送ライン４６上に、または搬送ライン４６に沿って、枚葉式の処理ユニット（処理装置）３２，３４，３６，３８，４４とバッチ式処理装置４０，４２とを混在させて配置し、基板Ｇを１枚ずつ搬送する枚葉搬送と基板Ｇを複数枚ずつ一括搬送するバッチ搬送とを巧みに織り交ぜることにより、異なる枚葉式処理装置同士の間および異なるバッチ式処理装置同士の間だけでなく、枚葉式処理装置とバッチ式処理装置との間でも基板を連続的に効率よく搬送するようにしており、これによって枚葉／バッチ混載処理のスループットを大きく向上させている。
【０２００】
特に、異なる枚葉式処理装置同士（たとえば３４，３６）の間では、それぞれの枚葉式処理装置（３６，３８）にアクセス可能な２つの枚葉搬送機構（４８，５２）を介して基板Ｇが１枚ずつ搬送される。一方、異なるバッチ式処理装置同士（たとえば４０，４２）の間では、それぞれのバッチ式処理装置（４０，４２）にアクセス可能な２つのバッチ搬送機構（６４，６８）を介して基板Ｇが複数枚ずつ搬送される。
【０２０１】
この場合、上流側のバッチ式処理装置（４０）は、枚葉／バッチ搬送機構６４を介して、それよりも上流側の枚葉式処理装置（３８）から処理前の基板Ｇを１枚ずつ受け取るとともに、それよりも下流側のバッチ式処理装置（４２）へ処理後の基板Ｇを複数枚ずつ渡す。また、下流側のバッチ式処理装置（４２）は、バッチ搬送機構６８を介してそれよりも上流側のバッチ式処理部（４２）から処理前の基板Ｇを複数枚ずつ受け取るとともに、バッチ／枚葉搬送機構７２を介してそれよりも下流側の枚葉式処理装置（４４）へ基板Ｇを１枚ずつ渡す。
【０２０２】
また、枚葉式処理装置（たとえば３６）→バッチ式処理装置（４０）→枚葉式処理装置（たとえば３８）の基板搬送においては、搬送ライン４６上の各枚葉搬送機構５２，５６，６０が、各担当のエリア内に設けられる処理装置が枚葉式またはバッチ式のいずれであっても、一律にタクト時間ＴSのサイクルで基板Ｇを１枚ずつ出し入れまたは入れ替えする。これによって、搬送ライン４６上の各部における基板Ｇの枚葉搬送がすべてタクト時間ＴSを基準周期として繰り返され、高スループット化が達成される。
【０２０３】
また、この実施形態の基板処理装置においては、枚葉式作用極成膜処理を終えた基板Ｇに対する熱処理と枚葉式グリッド配線成膜処理を終えた基板Ｇに対する熱処理とを１台のバッチ式熱処理装置に交互にしかも連続的に行わせているので、熱処理装置のハードウェアコストを半減できるだけでなく、消費電力を著しく低減することができる。通常の熱処理装置は、ヒータのオン／オフを頻繁に繰り返すことによって、熱処理の時よりもいったん冷えた状態から設定加熱温度まで温める時に多大な電力を消費する。この実施形態におけるバッチ式熱処理装置４０は、稼働中にヒータをオンし続け、ヒータの発生する熱を殆ど休みなく有効利用するので、電力使用効率を大幅に向上させることができる。
【０２０４】
さらに、この実施形態の基板処理装置においては、搬送ライン４６上に枚葉シャトル搬送部５０，５８，７４およびバッチシャトル搬送部６６，７０が設けられている。
【０２０５】
たとえば、枚葉搬送機構４８と枚葉搬送機構５２との間では、枚葉シャトル搬送部５０の上部／下部枚葉シャトルＳＵ1／ＳＬ1を交互に用いて上流側（４８）から下流側（５２）に基板Ｇをタクト時間ＴSのサイクルで１枚ずつ搬送する。この場合、枚葉搬送機構４８は、上部／下部枚葉シャトルＳＵ1／ＳＬ1のどちらかが積出位置ＦＵ／ＦＬに滞在している間に基板Ｇを積めばよく、枚葉搬送機構５２の出方を気にしなくてよい。一方、枚葉搬送機構５２の方は、上部／下部シャトルＳＵ1／ＳＬ1のどちらかが荷卸位置ＷＵ／ＷＬに滞在している間に基板Ｇを卸せばよく、枚葉搬送機構４８の状況を気にしなくてよい。
【０２０６】
同様の関係は、枚葉シャトル搬送部５８を挟んで基板Ｇをやりとりする枚葉搬送機構５６と枚葉搬送機構６０との間でも成立する。上流側の枚葉搬送機構は、上部／下部枚葉シャトルＳＵ1／ＳＬ1のどちらかが積出位置ＦＵ／ＦＬに滞在している間に基板Ｇを積めばよく、下流側の枚葉搬送機構は、上部／下部シャトルＳＵ1／ＳＬ1のどちらかが荷卸位置ＷＵ／ＷＬに滞在している間に基板Ｇを卸せばよい。したがって、上流側の枚葉搬送機構が基板Ｇjを積むタイミングと下流側の枚葉搬送機構が基板Ｇiを卸すタイミングが一致していてもよく、多少ずれていてもよい。
【０２０７】
また、各々の枚葉搬送機構４８，５２，５６，６０，１３６は、各々の担当エリア内で基板Ｇの転送を行うために、搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌの昇降移動・回転移動と枚葉搬送アームＭＵ1，ＭＬ1の進退または伸縮移動を行えばよく、搬送本体１８４Ｕ，１８４Ｌの水平移動を必要としない。このため、各々の枚葉搬送機構４８，５２，５６，６０，１３６は、基板転送を高速かつ効率よく行えるうえ、パーティクルの発生または巻き上がりを少なくすることができる。
【０２０８】
一方、枚葉シャトル搬送部５０，５８，７４は、基板Ｇを１枚積載するだけの軽量小型の荷台１７４を有する上部／下部枚葉シャトルＳＵ1／ＳＬ1を一軸の搬送機構で水平移動させるだけなので、構造および動作が至って簡単であり、パーティクルを発生させることも少ない。
【０２０９】
さらに、各々の枚葉シャトル搬送部５０，５８，７４は、同一構造および同一機能を有する上部枚葉シャトルＳＵ1および下部枚葉シャトルＳＬ1の定型動作（積出滞在→往路移動→荷卸滞在→復路移動）を逆サイクルまたは逆位相で繰り返し行えばよいので、搬送プログラム（ソフトウェア）を著しく簡易化し低コスト化することができる。
【０２１０】
この実施形態では、枚葉シャトル搬送部５０，５８，７４の動作をすべて同期させることも可能であり、それによってシステム全体で搬送プログラム（ソフトウェア）の一層の簡易化・低コスト化さらには高スループットを実現することができる。
【０２１１】
また、バッチシャトル搬送部６６，７０は、複数枚の基板Ｇを一括搬送するので、異なるバッチ式処理装置間またはバッチ処理部内の基板の転送やボートに基板Ｇを出し入れする作業に時間的な余裕を作れるとともに、バッチ式処理部と枚葉式処理部との間で基板１枚当たりのタクトを揃えることも可能である。
［他の実施形態または変形例］
【０２１２】
上述した実施形態の基板処理装置において、搬送ライン４６上の基板中継台５４，６２あるいはローダ１２側の基板中継台２０またはアンローダ１４側の基板中継台２６の一部または全部を枚葉シャトル搬送部に置き換えることも可能である。
【０２１３】
一般に、複数の搬送機構に定置の基板中継台を介して基板のやり取りを行わせる場合は、基板を渡す側の搬送機構が基板を基板中継台に載せた後に、基板を受け取る側の搬送機構が基板中継台から当該基板を持ち去るという手順になる。しかし、別な見方をすれば、基板を受け取る側の搬送機構が基板を基板中継台から持ち去った後に、基板を渡す側の搬送機構が別の基板を基板中継台に載せる手順でもある。要するに、基板を渡す側の搬送機構が基板を基板中継台に載せる動作と、基板を受け取る側の搬送機構が基板を基板中継台から持ち去る動作とは同時に実行できない。両搬送機構は、それぞれ固有の搬送タスクを独立に行いつつも、双方の間で基板のやり取りを行う時は基板中継台の空き状況を確認しなければならず、場合によっては割り込み制御も必要になる。これによって、搬送効率の低下を来すだけでなく、搬送機構の制御プラグラム（ソフトウェア）が膨大かつ高コストになることがある。基板中継台を枚葉シャトル搬送部に置き換えることにより、搬送プログラムの簡易化・低コスト化を推進することができる。
【０２１４】
上述した実施形態における基板処理装置の発展形として、たとえば図２２に示すように、色素増感太陽電池（図２３）の製造プロセスに使用する全ての処理ユニットを集約した処理システムを構築することも可能である。
【０２１５】
この処理システムでは、上記実施形態のように第１のプロセスステーション１０により透明基板２０８側の第１積層アッセンブリ（３０８／３００／３０４／３１２）を作製するとともに、第２のプロセスステーション２００により対向基板３１０側の第２積層アッセンブリ（３１０／３０５／３０２／３１８）を作製し、貼り合わせユニット２０２において第１積層アッセンブリ（３０８／３００／３０４／３１２）と第２積層アッセンブリ（３１０／３０５／３０２／３１８）とを貼り合わせるようにしている。
【０２１６】
ここで、第１のプロセスステーション１０には、上記実施形態と同様に透明電極３０２がパターニングされる前のブランケットの透明導電層が形成されている透明基板３０８が未処理の基板Ｇとしてローダ１２よりタクト時間ＴSのサイクルで投入される。一方、第２のプロセスステーション２００には、下地電極３０５がパターニングされる前のブランケットの導電層（たとえばＦＴＯ）が形成されている対向基板３１０が未処理の基板Ｈとしてローダ２０４よりタクト時間ＴSのサイクルで投入される。ローダ２０４は、ローダ１２と同様の構成および機能を有し、ローダ搬送機構２０６を備えている。
【０２１７】
第２のプロセスステーション２００は、ローダ２０４から貼り合わせユニット２０２に向かってプロセスフローの順に配置された枚葉集中ブロック２００Ａおよび枚葉／バッチ混載ブロック２００Ｂから構成されている。
【０２１８】
ローダ２０４に隣接する上流側の枚葉集中ブロック２００Ａには、１台または複数台の枚葉式洗浄ユニット２０８と、１台または複数台の枚葉式パターニング・ユニット２１０とが配備されている。各枚葉式洗浄ユニット２０８は、１枚ずつ基板Ｈの被処理面を洗浄するための装置構成を有している。各枚葉式パターニング・ユニット２１０は、１枚ずつ基板Ｇの被処理面上の透明導電層をパターニングして下地電極３０５を形成するための装置構成を有している。
【０２１９】
中間の枚葉／バッチ混載ブロック２００Ｂには、１台または複数台の枚葉式対極成膜ユニット２１１と、１台または複数台の枚葉式グリッド配線成膜ユニット２１２と、バッチ式熱処理装置２１４と、バッチ式焼成装置２１６とが配備されている。枚葉式作用極成膜ユニット２１１は、１枚ずつ基板Ｇの被処理面上に対向電極導電層（対極）３０２をたとえば印刷塗布により成膜するための装置構成を有している。枚葉式グリッド配線成膜ユニット２１２は、１枚ずつ基板Ｈの被処理面上にグリッド配線３１４および保護膜３１８をたとえば印刷塗布により重ねて成膜するための装置構成を有している。バッチ式熱処理装置２１４は、所定のバッチ処理枚数（たとえば１００枚）ずつ印刷塗布後の基板Ｇの被処理面（特に塗布膜）をベーキングするための装置構成を有している。バッチ式焼成装置２１６は、ベーキング後の基板Ｇの被処理面（特に対向電極導電層３０２）を焼成するための装置構成を有している。
【０２２０】
プロセスステーション２００内には、プロセスフローの順に基板Ｇを搬送するために各ブロック２００Ａ，２００Ｂの中を縦貫または巡回する搬送ライン２１８が設けられている。
【０２２１】
上流側の枚葉集中ブロック２００Ａでは、基板中継台２２０、枚葉搬送機構２２２および枚葉シャトル搬送部２２４がシステム長手方向（Ｘ方向）に一列に配置されて搬送ライン２１８の一区間を構成し、枚葉搬送機構２２２の左右両側に枚葉式洗浄ユニット２０８および枚葉式パターニング・ユニット２１０が配置されている。枚葉／バッチ混載ブロック２００Ｂの内部は、詳細なレイアウトを図示省略するが、図２と実質的に同じである。
【０２２２】
第２のプロセスステーション２００においては、基板Ｈが搬送ライン２１８を下りながら一連の枚葉処理またはバッチ処理を順次受ける。そして、第２積層アッセンブリ（３１０／３０５／３０２／３１４）となった処理済みの基板Ｈは、タクト時間ＴSのサイクルで、枚葉シャトル搬送部２２６の荷卸位置（ＷＵ／ＷＬ）から貼り合わせユニット２０２の搬送機構２２８に引き取られる。
【０２２３】
一方、第１のプロセスステーション１０においては、上記実施形態のように基板Ｇが搬送ライン４６を下りながら一連の枚葉処理またはバッチ処理を順次受ける。そして、第１積層アッセンブリ（３０８／３００／３０４／３１２）となった処理済みの基板Ｇは、タクト時間ＴSのサイクルで、枚葉シャトル搬送部４５の荷卸位置から貼り合わせユニット２０２の搬送機構２２８に引き取られる。
【０２２４】
貼り合わせユニット２０２は、第１のプロセスステーション１０より取り込んだ第１積層アッセンブリ（３０８／３００／３０４／３１２）と第２のプロセスステーション２００より取り込んだ第２積層アッセンブリ（３１０／３０５／３０２／３１４）とをたとえば接着剤を用いて貼り合わせて、一体的な積層アッセンブリ（３０８／３００／３０４／／３１２／３０２／３０５／３１０／３１４）を形成する。
【０２２５】
この一体化された積層アッセンブリ（３０８／３００／３０４／／３１２／３０２／３０５／３１０／３１４）は、次段の電解液注入ユニット２３０に送られ、このユニット２３０内で一体化積層アッセンブリの中に、より詳細には多孔質半導体微粒子層３０４と対向電極３０２との間に、電解液が注入される。
【０２２６】
最後に、次段の封止ユニット２３２において、電解液が漏れないように一体化積層アッセンブリに封止（シール）が施されて、最終製品である図２３の色素増感太陽電池モジュールＧ／Ｈが得られる。この色素増感太陽電池モジュールＧ／Ｈは、アンローダ１４からカセットＣS単位で払い出しされる。
【０２２７】
なお、貼り合わせユニット２０２、電解液注入ユニット２３０および封止ユニット２３２の間では、本発明における枚葉搬送機構およびシャトル搬送部は使用されず、従来公知または周知の搬送機構（図示せず）によって基板または各積層アッセンブリないし一体化積層アッセンブリ基板Ｇ／Ｈが１枚ずつ搬送される。
【０２２８】
別の変形例として、システムの仕様に応じて、枚葉シャトル搬送部においても、上部シャトルの往復動作（積出・往動移動・荷卸・復動移動）と下部シャトルの往復動作（積出・往動移動・荷卸・復動移動）とを独立または非同期で行わせることも可能である。
【０２２９】
上記実施形態のバッチ式熱処理装置４０は、その後段のバッチ式の焼成装置４２に基板Ｇを複数枚ずつ送るために枚葉／バッチ搬送機構６４を備えた。しかし、バッチ式熱処理装置４０の後段に枚葉処理装置が設けられている場合は、枚葉／バッチ搬送機構６４をたとえば上記枚葉搬送機構５６と同様の枚葉搬送機構に置き換えて、バッチ式熱処理装置４０からその後段の枚葉処理装置に基板Ｇを１枚ずつ送るようにすればよい。
【０２３０】
同様に、バッチ式熱処理装置４０の前段にバッチ式処理装置が設けられ場合は、枚葉搬送機構５６をたとえば上記バッチ枚葉／搬送機構７２と同様のバッチ枚葉／搬送機構に置き換えて、その前段のバッチ式処理装置から基板を複数枚ずつ受け取ってボートに一括搬入し、バッチ式熱処理装置４０で熱処理の済んだ基板をボートから１枚ずつ取り出して後段の枚葉式処理装置（たとえば枚葉式グリッド配線成膜ユニット３８）へ送るようにすればよい。
【０２３１】
本発明は、上記実施形態のように枚葉式の処理ユニットとバッチ式の処理ユニットとが混在するシステムに最も好適に適用できる。しかし、システム内の全ての処理ユニットが枚葉式の処理ユニットであるようなインラインシステム、あるいはシステム内の全ての処理ユニットがバッチ式の処理ユニットであるようなインラインシステムにも、本発明を適用することができる。さらには、インラインシステムに限らず、多数の処理ユニットをプロセスフローの順に概ね横に並べて配置する任意のシステムの一部または全体に本発明を適用することも可能である。
【０２３２】
したがって、本発明は、上記実施形態のような色素増感太陽電池の製造プロセス用の基板処理装置に限定されず、たとえば半導体デバイスやＦＰＤを製造するための基板処理装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【０２３３】
１０，２００    プロセスステーション
１０Ａ，１０Ｃ，２００Ａ    枚葉集中ブロック
１０Ｂ    枚葉／バッチ混載ブロック
１２    ローダ
１４    アンローダ
１８    ローダ搬送機構
２４    アンローダ搬送機構
４０，２１４    バッチ式熱処理装置
４２，２１６    バッチ式焼成装置
４４    枚葉式色素吸着ユニット
４６    搬送ライン
４８，５２，５６，６０    枚葉搬送機構
５０，５８，７４    枚葉シャトル搬送部
３２，２０８    枚葉式洗浄ユニット
３４，２１０    枚葉式パターンニング・ユニット
３６，２１１    枚葉式作用極成膜ユニット
３８，２１２    枚葉式グリッド配線成膜ユニット
ＭＵ1，ＭＬ1    枚葉搬送アーム
ＭＵ10    バッチ搬送アーム
ＳＵ1    上部枚葉シャトル
ＳＬ1    下部枚葉シャトル
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
0005735809.tif 000004
【図３Ｂ】
0005735809.tif 000005
【図４Ａ】
0005735809.tif 000006
【図４Ｂ】
0005735809.tif 000007
【図５】
0005735809.tif 000008
【図６】
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【図７】
0005735809.tif 000010
【図８】
0005735809.tif 000011
【図９】
0005735809.tif 000012
【図１０】
0005735809.tif 000013
【図１２】
0005735809.tif 000014
【図１３Ａ】
0005735809.tif 000015
【図１３Ｂ】
0005735809.tif 000016
【図１４Ａ】
0005735809.tif 000017
【図１４Ｂ】
0005735809.tif 000018
【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
0005735809.tif 000020
【図１６】
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【図１７】
0005735809.tif 000022
【図１９Ａ】
0005735809.tif 000023
【図１９Ｂ】
0005735809.tif 000024
【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
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【図２３】
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【図１１】
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【図１８】
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