(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシング溝により個片化された複数のチップ領域を有し、素子形成面である第１の面に貼付された表面保護フィルムでウエハ形状が維持された半導体ウエハを用意する工程と、
液状接着剤を、前記ダイシング溝の少なくとも一部に充填しつつ、前記半導体ウエハの前記第１の面とは反対側の第２の面に塗布して接着剤層を形成する工程と、
粘着力を低下させることが可能な粘着層を有する支持シートを、前記半導体ウエハの前記第２の面に前記接着剤層を介して貼付する工程と、
前記半導体ウエハから前記表面保護フィルムを剥離した後、前記支持シートを引き伸ばして前記ダイシング溝内に充填された接着剤を含めて前記接着剤層を割断する工程と、
前記支持シートを引き伸ばした状態を維持しつつ、前記半導体ウエハの第１の面と前記ダイシング溝内を洗浄する工程とを具備し、
前記洗浄工程の前に、前記粘着層の前記ダイシング溝に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記粘着層は紫外線硬化型樹脂からなり、
前記粘着層の前記ダイシング溝内に存在する部分に紫外線を選択的に照射し、前記粘着層の粘着力を選択的に低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤層の形成工程は、前記ダイシング溝内に前記液状接着剤を充填する第１の工程と、前記半導体ウエハの前記第２の面に前記液状接着剤を塗布する第２の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（半導体チップ）の製造工程は、半導体ウエハの表面側にチップ領域に応じて半導体回路や配線層等を有する半導体素子部を形成する工程と、半導体ウエハをチップ領域（チップ形状）に応じて切断（個片化）する工程とに大別される。半導体ウエハを加工するにあたって、ウエハの薄厚化とチップの個片化とを兼ねる加工工程として、先ダイシングと呼ばれる工程が適用されている。先ダイシング工程においては、まず半導体ウエハに半導体素子部が形成された表面側からウエハ厚より浅く、チップ完成厚より深い溝を形成する。次いで、半導体ウエハの表面に保護フィルムを貼り付けた後、半導体ウエハの裏面を研削して半導体ウエハを各チップに個片化する。
【０００３】
次に、表面保護フィルムで全体形状が維持されている半導体ウエハの裏面に、シート状の接着剤フィルムと支持フィルムとを貼り付ける。接着剤フィルムは各チップの接着剤層として機能させるものであるため、各チップ形状に応じて切断（個片化）される。接着剤フィルムは、例えば表面保護フィルムを剥離した後、半導体ウエハの表面側からダイシング溝に沿ってレーザ光を照射することにより切断される。また、半導体ウエハが貼り付けられた支持フィルムを水平方向に引き伸ばし、チップ間に存在する接着剤フィルムを選択的に改質することによって、接着剤フィルムを切断する方法等も提案されている。
【０００４】
接着剤フィルムをレーザ光で切断する方法は、半導体ウエハの貼り付けを繰り返す中でチップの整列性が低下しやすいため、接着剤フィルムの切断速度が低下して切断工数が増大しやすい。また、接着剤フィルムをレーザ光で切断する際に発生する屑が半導体チップを汚染するおそれがある。接着剤フィルムを選択的に改質する方法は、改質に要するコストが切断コストを増大させやすく、また改質方法によっては接着剤フィルムの切断性を十分に高められないおそれもある。そこで、先ダイシング等によりチップ形状に個片化された半導体ウエハの裏面に接着剤層を形成するにあたって、接着剤層の切断性を高めると共に、接着剤層の切断時における半導体チップの汚染等を抑制することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０９３２１３号公報
【特許文献２】特開２００６−１２０８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、個片化された半導体チップを有する半導体ウエハの裏面に形成した接着剤層の切断性を高めて製造コストの低減を図ると共に、接着剤層の切断屑等による半導体チップの汚染等を抑制して製造歩留りを高めることを可能にした半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の半導体装置の製造方法は、ダイシング溝により個片化された複数のチップ領域を有し、素子形成面である第１の面に貼付された表面保護フィルムでウエハ形状が維持された半導体ウエハを用意する工程と、液状接着剤をダイシング溝の少なくとも一部に充填しつつ、半導体ウエハの第１の面とは反対側の第２の面に塗布して接着剤層を形成する工程と、粘着力を低下させることが可能な粘着層を有する支持シートを、半導体ウエハの第２の面に接着剤層を介して貼付する工程と、半導体ウエハから表面保護フィルムを剥離した後、支持シートを引き伸ばしてダイシング溝内に充填された接着剤および接着剤層を割断する工程と、支持シートを引き伸ばした状態を維持しつつ、前記半導体ウエハの第１の面とダイシング溝内を洗浄する工程とを具備している。粘着層のダイシング溝に対応する部分の粘着力を、洗浄工程の前に選択的に低下させる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】実施形態の半導体装置の製造方法における半導体ウエハの先ダイシング工程を示す断面図である。
【図３】実施形態の半導体装置の製造方法における接着剤層の形成工程を示す断面図である。
【図４】実施形態の半導体装置の製造方法における接着剤層の割断工程の第１の例を示す断面図である。
【図５】実施形態の半導体装置の製造方法における接着剤層の割断工程の第２の例を示す断面図である。
【図６】実施形態における支持シートの引き伸ばし量とダイシング溝の拡大量との関係を示す図である。
【図７】実施形態におけるダイシング溝の拡大量と接着剤層の割断成功率との関係を示す図である。
【図８】実施形態の製造方法で作製した半導体チップを用いた半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態の半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。図１は実施形態による半導体装置の製造方法を示す図である。図２ないし図５は実施形態の半導体装置の製造方法における各工程を示す図である。まず、図１（ａ）に示すように、ダイシング溝１により個片化された複数のチップ領域２、２…を有する半導体ウエハ３を用意する。半導体ウエハ３は各チップ領域２に個片化されているものの、素子形成面である第１の面３ａに貼付された表面保護フィルム４でウエハ形状が維持されている。このような半導体ウエハ３は、例えば先ダイシング工程により作製される。
【００１０】
半導体ウエハ３の先ダイシング工程について、図２を参照して述べる。図２（ａ）に示すように、半導体回路や配線層等を有する半導体素子部が形成された半導体ウエハ３Ａを用意する。半導体ウエハ３Ａは素子形成面である第１の面（表面）３ａとそれとは反対側の第２の面（裏面）３ｂとを有している。半導体ウエハ３Ａは複数の複数のチップ領域２、２…を有しており、各チップ領域２の第１の面３ａ側には半導体回路や配線層等を有する半導体素子部が形成されている。複数のチップ領域２間にはダイシング領域５が設けられており、このダイシング領域５に沿って半導体ウエハ３Ａを切断することによって、複数のチップ領域２、２…をそれぞれ個片化して半導体チップを作製する。
【００１１】
半導体ウエハ３Ａを切断するにあたって、まず図２（ａ）に示すように、半導体ウエハ３Ａに第１の面３ａ側からダイシング領域５に沿って溝１を形成する。半導体ウエハ３Ａの溝１は、例えばダイシング領域５の幅に応じた刃厚を有するブレード６を用いて形成される。溝１の深さは半導体ウエハ３Ａの厚さより浅く、かつ半導体チップの完成時の厚さより深く設定される。溝１はエッチング等で形成してもよい。このような深さの溝（ダイシング溝）１を半導体ウエハ３Ａに形成することによって、複数のチップ領域２、２…はそれぞれ半導体チップの完成厚さに応じた状態に区分される。
【００１２】
次いで、図２（ｂ）に示すように、ダイシング溝１を形成した半導体ウエハ３Ａの第１の面３ａに表面保護フィルム４を貼付する。表面保護フィルム４は後工程で半導体ウエハ３Ａの第２の面（裏面）３ｂを研削する際に、チップ領域２に設けられた半導体素子部を保護すると共に、第２の面３ｂの研削工程でチップ領域２を個片化した後の半導体ウエハ３Ａの形状を維持するものである。表面保護フィルム４としては、例えば粘着層を有するポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムのような樹脂フィルムが用いられる。
【００１３】
次に、図２（ｃ）に示すように、表面保護フィルム４を貼付した半導体ウエハ３Ａの第２の面（裏面）３ｂを研削および研磨する。半導体ウエハ３Ａの第２の面３ｂは、例えばラッピング定盤を用いて機械的に研削され、続いて研磨定盤を用いて研磨（例えばドライポリッシング）される。半導体ウエハ３Ａの第２の面３ｂの研削・研磨工程は、第１の面３ａ側から形成したダイシング溝１に達するように実施される。このように、半導体ウエハ３Ａの第２の面３ｂを研削することで、各チップ領域２はそれぞれ個片化される。
【００１４】
この段階において、各チップ領域２は個片化されているものの、表面保護フィルム４で保持されているため、全体的にはウエハ形状が維持されている。すなわち、図２（ｃ）に示すように、ダイシング溝１により個片化された複数のチップ領域２、２…を有し、素子形成面である第１の面３ａに貼付された表面保護フィルム４でウエハ形状が維持された半導体ウエハ３が作製される。個片化されたチップ領域２間には、ダイシング溝１の幅に相当する隙間が存在している。なお、半導体ウエハ３の作製工程は先ダイシング工程に限られるものではなく、レーザ光によるダイシング工程等を適用してもよい。
【００１５】
次に、図１（ｂ）に示すように、表面保護フィルム４で全体形状が維持されている半導体ウエハ３の第２の面３ｂに、液状接着剤を塗布して接着剤層７を形成する。液状接着剤はダイシング溝１の少なくとも一部に充填しつつ、半導体ウエハ３の第２の面３ｂに塗布される。液状接着剤としては、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂のような熱硬化性樹脂の液状組成物が用いられる。また、光および熱硬化型の樹脂や水分蒸発と再湿により可逆的に硬化する（再活性接着）樹脂の液状組成物等を使用することも可能である。
【００１６】
半導体ウエハ３の第２の面３ｂに液状接着剤を塗布する方法としては、例えばインクジェット法、スプレー法、ロールコーター法、スクリーン印刷法等を適用することができる。なかでも、半導体ウエハ３と非接触な状態で液状接着剤を塗布することが可能なインクジェット法やスプレー法を適用することがより好ましい。さらに、インクジェット法によれば膜厚の薄い液状接着剤の塗布層を比較的均一に形成することができるため、インクジェット法は半導体ウエハ３への液状接着剤の塗布方法として好適である。
【００１７】
接着剤層７は、個片化した半導体チップ（チップ領域２）を配線基板や他の半導体チップ上に実装する際に接着層として機能するものであり、半導体チップの外形に応じて切断（個片化）されるものである。このような接着剤層７の厚さは１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。接着剤層７は、次工程の前に室温では粘着力（タック力）を示さない状態としておくことが好ましい。例えば、液状接着剤として熱硬化性樹脂の液状組成物（Ａステージ）を用いた場合、接着剤層７は液状接着剤の塗布層を所定の温度で乾燥させて半硬化状態（Ｂステージ）としておくことが好ましい。熱硬化性以外の樹脂を用いた場合にも、硬化形態に応じた処理を施しておくことが好ましい。
【００１８】
ところで、予めダイシング溝１が形成されている半導体ウエハ３の第２の面３ｂに液状接着剤を塗布して接着剤層７を形成するにあたって、単に液状接着剤を半導体ウエハ３の全面に塗布しただけではダイシング溝１内に液状接着剤が流れ込むことで、各チップ領域２上の接着剤層７の膜厚を均一化することが難しい。例えば、膜厚が１０μｍの接着剤層７を形成しようとしたときに、液状接着剤を半導体ウエハ３の全面に塗布しただけでは、チップ領域（サイズ：１１×１３ｍｍ）２の中央部の厚さが２０μｍ程度となり、かつ端部から５０μｍの位置での厚さが１〜２μｍ程度となってしまう。接着剤層７の膜厚が不均一であると、後工程のダイボンディング工程で接着不良が生じやすくなる。
【００１９】
このような点に対して、ダイシング溝１内に液状接着剤を充填する第１の工程と、半導体ウエハ３の第２の面３ｂに液状接着剤を塗布する第２の工程とを有する接着剤層７の形成工程を適用することが好ましい。接着剤層７の形成工程について、図３を参照して述べる。まず、図３（ａ）に示すように、幅が３０〜４０μｍ程度のダイシング溝１内に液状接着剤７Ａを充填する。この際、各チップ領域２は半導体ウエハ３（３Ａ）のダイシング時に整列性が低下している（ダイシング溝１がずれている）おそれがあるため、ダイシング溝１の幅以上（例えば溝幅の１．５倍以上３倍以下）に塗布することによって、ダイシング溝１内に液状接着剤７Ａを充填することが好ましい。
【００２０】
次に、図３（ｂ）に示すように、ダイシング溝１内に液状接着剤７Ａを充填した半導体ウエハ３の第２の面３ｂ全体に液状接着剤７Ａを塗布する。この段階において、液状接着剤７Ａを半導体ウエハ３の全面に単に塗布した場合に比べて、各チップ領域２内の接着剤層７の膜厚の面内均一性を大幅に高めることができる。ただし、ダイシング溝１内に液状接着剤７Ａを充填した際の第２の面３ｂへの盛り上がりや充填時における液状接着剤７Ａのダイシング溝１からのずれ等によって、部分的に接着剤層７の膜厚が不均一になる場合がある。そのような場合には、図３（ｃ）に示すように、液状接着剤７Ａを塗布した半導体ウエハ３全体を揺動させて液状接着剤７Ａの塗布厚を均一化する（液状接着剤７Ａの塗布層の凹凸部分を平坦化する）ことが好ましい。
【００２１】
半導体ウエハ３を揺動させる方法としては、半導体ウエハ３を機械的に前後左右に揺らす、半導体ウエハ３に歳差運動を加える、半導体ウエハ３に超音波を印加する等が挙げられる。このような方法で半導体ウエハ３を揺動させることによって、液状接着剤７Ａの塗布層の凹凸部分を平坦化し、接着剤層７の膜厚の面内均一性をより一層高める、例えば接着剤層７の膜厚の面内ばらつきを３０％以下にすることが可能となる。膜厚の面内ばらつきは、チップ領域２内の接着剤層７の膜厚を測定して最大値と最小値を求め、［｛（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）｝×１００（％）］の式から求める。
【００２２】
例えば、サイズが１１×１３ｍｍのチップ領域２に膜厚が１０μｍの接着剤層７を形成する際に、まず幅が３０〜４０μｍのダイシング溝１内に液状接着剤７Ａを充填（充填幅＝溝幅の１．５倍）した後、半導体ウエハ３の第２の面３ｂに液状接着剤７Ａを塗布し、さらに半導体ウエハ３全体を揺動させた場合、チップ領域２の中央部の厚さを１３μｍ程度とすることができ、さらにチップ領域２の端部の厚さを７μｍ程度とすることができる。この膜厚の面内ばらつき（膜厚の面内分布）を上式に当てはめて計算すると、｛（１３−７）／（１３＋７）｝×１００＝３０（％）となる。
【００２３】
チップ領域２内における接着剤層７の膜厚の面内均一性を高めることで、半導体チップのダイボンディング工程における接着不良を抑制することができる。さらに、ダイシング溝１内に接着剤を充填しつつ、接着剤層７の膜厚の面内均一性を高めることによって、後工程の接着剤層７の割断工程の成功率を向上させることが可能となる。すなわち、後述する引き伸ばし工程時において、ダイシング溝１内に充填された接着剤に割断の起点が生じるため、接着剤層７の割断性を高めることができる。加えて、ダイシング溝１内に充填された接着剤は、半導体チップの側面を保護する層として機能させることができる。
【００２４】
次に、図１（ｃ）に示すように、粘着層８を有する支持シート９を、接着剤層７を介して半導体ウエハ３の第２の面３ｂに貼付する。支持シート９は粘着層８が接着剤層７と接するように半導体ウエハ３に貼付される。粘着層８は粘着力を低下させることが可能な材料からなり、例えば紫外線の照射により硬化して粘着力が低下する紫外線硬化型樹脂、レーザ光等の照射により硬化して粘着力が低下する光および熱硬化型樹脂、接着剤層７を構成する樹脂との熱膨張差に基づいて冷却時に粘着力が低下する樹脂等が使用される。粘着層８を有する支持シート９としては、例えば紫外線硬化型粘着テープ（例えば、ポリエチレンやポリプロピレンのようなポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等からなる基材シートに紫外線硬化型樹脂からなる粘着層を形成したテープ）を用いることができる。
【００２５】
図１（ｄ）に示すように、半導体ウエハ３から表面保護フィルム４を剥離した後、支持シート９を水平方向（半導体ウエハ３の各面３ａ、３ｂに平行な方向）に引き伸ばす（エキスパンド）して、ダイシング溝１内に充填された接着剤を含めて接着剤層７を割断する。このように、接着剤層７をチップ領域２の形状に合わせて割断することによって、各チップ領域２に接着剤層７を形成する。すなわち、個片化された接着剤層７を有するチップ領域２、言い換えると個片形状の接着剤層７を有する半導体チップを作製する。
【００２６】
上述した接着剤層７の割断工程に先立って、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させる。例えば、粘着層８が紫外線硬化型樹脂からなる場合には、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ３の第１の面３ａ側から紫外線Ｘを照射する。半導体ウエハ３の第１の面３ａに照射された紫外線Ｘは、各チップ領域２がマスクとなって紫外線Ｘを遮断するため、ダイシング溝１内のみを透過して粘着層８のダイシング溝１に対応する部分を選択的に硬化させる。すなわち、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることができる。
【００２７】
また、粘着層８として光および熱硬化型の樹脂を用いた場合には、例えばレーザ光をダイシング溝１内に照射することによって、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を低下させる。この際、レーザ光のフォーカスを粘着層８に合わせることによって、ダイシング溝１内の接着剤層７を硬化させることなく、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分のみを選択的に硬化させることができる。すなわち、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることができる。他の樹脂を用いる場合にも粘着力の低下形態に応じた処理を適用することによって、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させる。
【００２８】
このように、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させた後に支持シート９を水平方向に引き伸ばすことで、図４（ｂ）に示すように、接着剤層７の粘着層８からの接着状態が解除された部分、すなわちダイシング溝１内で粘着層８と界面を形成している部分に割断の起点Ａが生じる。この状態から支持シート９の引き伸ばし量（エキスパンド量）を増加させることによって、図４（ｃ）に示すように、ダイシング溝１内の接着剤を含めて接着剤層７を良好に割断することができる。すなわち、支持シート９の引き伸ばし（エキスパンド）によるダイシング溝１内の接着剤層７の割断性が向上し、これにより接着剤層７の割断成功率を高めることが可能となる。
【００２９】
接着剤層７が例えば紫外線を透過しないような場合には、図５（ａ）に示すように、支持シート９を水平方向に引き伸ばして接着剤層７の一部を割断した後、支持シート９の引き伸ばし状態を維持しつつ、半導体ウエハ３の第１の面３ａ側から紫外線Ｘを照射する。接着剤層７の割断部を介して粘着層８に紫外線Ｘを照射し、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分を選択的に硬化させて粘着力を低下させる。これによって、図５（ｂ）に示すように、ダイシング溝１内に存在する接着剤層７の底部（粘着層８と界面を形成している部分）を良好に割断することができる。
【００３０】
図６に支持シート９の引き伸ばし（エキスパンド）量とダイシング溝１の拡大量との関係を、また図７にダイシング溝１の拡大量と接着剤層７の割断成功率との関係を示す。図６および図７から明らかなように、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させた場合には、ダイシング溝１の拡大量を３０μｍ以上とすることによって、接着剤層７の割断成功率を１００％とすることができる。これはダイシング溝１の当初の溝幅には影響されない。すなわち、当初の溝幅にかかわらず、ダイシング溝１の拡大量を３０μｍ以上とすることによって、接着剤層７の割断成功率が大幅に向上する。
【００３１】
このように、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることによって、支持シート９の引き伸ばし工程（エキスパンド工程）における接着剤層７の割断成功率を高めることができる。粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させる工程は、支持シート９の引き伸ばし工程前、引き伸ばし工程時、あるいは引き伸ばし工程後のいずれの時期に実施してもよい。場合によっては、粘着シート等の段階（半導体ウエハ３への貼付前）において、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させておいてもよい。粘着層８の粘着力の選択的な低下工程は、後述する洗浄工程前に実施すればよい。
【００３２】
さらに、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることで、接着剤層７の割断による不都合の発生を抑制することができる。粘着層８の粘着力を選択的に低下させない場合には、接着剤層７の割断時に飛散する樹脂片が増加する。加えて、ダイシング溝１内に割断が不十分な部分が生じやすいため、後工程の洗浄工程を実施してもダイシング溝１内に飛散した樹脂片や樹脂残渣等を除去できないおそれがある。ダイシング溝１内の接着剤層７は、図５（ａ）に示した状態から強制的に引きちぎられるため、割断エッジにバリ（ひげバリ等）が生じ、これが半導体チップのピックアップ時に脱落して電極パッド等を汚染して接続不良を生じさせる。このように、飛散した割断樹脂片や割断エッジに生じるバリ等が半導体チップの不良発生率を増加させる要因となる。
【００３３】
このような点に対して、粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることによって、接着剤層７（ダイシング溝１内の接着剤層７）の割断性が向上するため、割断時に飛散する樹脂片量を低減することができる。また、ダイシング溝１内に飛散した樹脂片や樹脂残渣等は、後工程の洗浄工程で十分に除去することができる。さらに、割断エッジにおけるバリ（ひげバリ等）の発生を抑制することができる。これらによって、飛散した樹脂片、樹脂残渣、割断エッジに生じたバリ等に起因する半導体チップの不良発生率を低下させることが可能となる。
【００３４】
洗浄工程前に粘着層８の粘着力を選択的に低下させた場合（実施例）と粘着層８の粘着力の選択的な低下を実施しなかった場合（比較例）について、飛散した割断樹脂片やピックアップ時におけるバリの落下等による半導体チップの不良発生率を比較した。なお、いずれも後工程の洗浄工程を実施した。その結果、洗浄工程前に粘着層８の粘着力を選択的に低下させた場合には、半導体チップの不良発生率が０％であったのに対し、粘着層８の粘着力を選択的に低下させなかった場合には、半導体チップの不良発生率が１６％にまで上昇した。このように、洗浄工程前に粘着層８の粘着力を選択的に低下させることによって、半導体チップの不良発生率を抑えることができる。この半導体チップの不良発生率の低減と上述した接着剤層７の割断成功率の向上とに基づいて、半導体チップやそれを用いた半導体装置の製造歩留りを大幅に向上させることが可能となる。
【００３５】
この後、支持シート９の引き伸ばし状態を維持しつつ、半導体ウエハ３の第１の面３ａとダイシング溝１内を洗浄する。洗浄工程には、例えば二流体洗浄（加速した空気等の気体に純水等を混入して発生させたミスト（液滴）を、洗浄面に高速で衝突させて洗浄する方法）、超音波洗浄、高温水を使用した超音波洗浄、氷の吹き付けによる洗浄、加熱水蒸気による洗浄等を適用することが好ましい。これらの洗浄方法を適用することで、飛散した樹脂片等が効果的に除去される。さらに、支持シート９の引き伸ばし状態を維持したまま洗浄工程を実施することで、ダイシング溝１内の樹脂片や樹脂残渣等を効果的に除去することができる。従って、半導体チップの不良発生率が低下する。
【００３６】
洗浄工程はダイシング溝１内に存在する接着剤を全て除去するように実施してもよいが、チップ領域２の側面に残存する接着剤はそのまま残し、ダイシング溝１内に飛散した樹脂片や樹脂残渣のみを除去するように実施することが好ましい。接着剤層７の割断後にチップ領域２の側面に残存する接着剤は、半導体チップの保護層として機能するため、半導体チップの側面に存在させておくことが好ましい。これによって、半導体チップを樹脂封止する際のフィラーによる半導体チップの損傷等を抑制することができる。
【００３７】
上述した各製造工程を経ることによって、チップ領域２にはその形状に応じた接着剤層７が形成される。すなわち、個片形状の接着剤層７を有する半導体チップ（２）が作製される。この実施形態の製造工程によれば、接着剤層７の割断性を向上させると共に、割断時に生じる樹脂片や樹脂残渣等を効果的に除去することを可能にしている。従って、接着剤層７のチップ領域２の形状に応じた切断工程（個片化工程）に要するコストを削減できると共に、割断時に生じる樹脂片、樹脂残渣、バリ等による半導体チップの製造歩留りの低下を抑制することができる。これらによって、例えば先ダイシングを適用した半導体チップの製造工程の低コスト化や高精度化等を実現することができ、さらに後工程の半導体チップの実装工程の信頼性等も向上させることが可能となる。
【００３８】
洗浄工程が終了した半導体ウエハ３は、通常の半導体装置の製造工程と同様に、半導体チップ２のピックアップ工程に送られる。すなわち、個片形状の接着剤層７を有する半導体チップ２は、支持シート９からピックアップされた後、例えば図８に示すように配線基板１１上に実装される。半導体チップ２の実装は接着剤層７を用いて実施される。半導体チップ２を多段に積層する場合には、図８に示すように配線基板１１上に実装された半導体チップ２上に、他の半導体チップ２を接着剤層７により順に積層する。
【００３９】
図８において、配線基板１１と半導体チップ２とは金属ワイヤ１３により電気的に接続されている。半導体チップ２は金属ワイヤ１３等と共に封止樹脂層１４により封止されている。配線基板１１の下面側には外部電極１５が設けられている。図８は配線基板１１上に複数の半導体チップ２を階段状に積層した半導体装置１２を示しているが、半導体装置１２には各種公知の構成を適用することができる。例えば、半導体チップ２を実装する回路基材はリードフレームでもよく、また半導体チップ２の積層構造は電極パッドを露出させる交互積層や電極パッド上も他のチップで覆う直上積層等、種々の積層構造を適用することができる。これら以外の構成についても同様である。
【００４０】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４１】
１…ダイシング溝、２…チップ領域、３，３Ａ…半導体ウエハ、４…表面保護フィルム、７…接着剤層、７Ａ…液状接着剤、８…粘着層、９…支持シート。
【図１】
0005659033.tif 000002
【図２】
0005659033.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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