(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１０ａ）および前記一面（１０ａ）と反対側の他面（１０ｂ）を有するセラミック基板（１０）と、
前記一面（１０ａ）に備えられ、樹脂フィルム（２１）を有すると共に当該樹脂フィルム（２１）に厚さ方向に貫通するビアホール（２２）が形成され、前記ビアホール（２２）内に第１熱伝導性部材（２３）が充填されている第１接合部材（２０）と、
前記第１接合部材（２０）における前記セラミック基板（１０）側と反対側に備えられ、前記セラミック基板（１０）と前記第１熱伝導性部材（２３）を介して熱的に接続される搭載部品（３０、７０）と、
前記他面（１０ｂ）に備えられ、前記第１接合部材（２０）を構成する樹脂フィルム（２１）と同じ樹脂フィルム（４１）を有すると共に当該樹脂フィルム（４１）に厚さ方向に貫通するビアホール（４２）が形成され、前記ビアホール（４２）内に第２熱伝導性部材（４３）が充填されている第２接合部材（４０）と、
前記第２接合部材（４０）における前記セラミック基板（１０）側と反対側に備えられ、前記セラミック基板（１０）と前記第２熱伝導性部材（４３）を介して熱的に接続されているヒートシンク（５０）と、を備えていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記樹脂フィルム（２１、４１）は、熱可塑性樹脂で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１、第２熱伝導性部材（２３、４３）は、同じ熱伝導性材料で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記搭載部品（３０）は、熱可塑性樹脂中に複数の配線パターン（３２）が多層に形成され、前記配線パターン（３２）間がビアホール（３３）に充填された層間接続部材（３４）を介して電気的、熱的に接続されている多層基板であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子部品。
【請求項５】
前記搭載部品（３０）は、前記配線パターン（３２）を前記セラミック基板（１０）の一面（１０ａ）に投影したとき、前記配線パターン（３２）のうち最も外縁に位置する部分と前記一面（１０ａ）における端辺との間隔が１ｍｍとされ、
前記搭載部品（３０）および前記第１接合部材（２０）は、前記搭載部品（３０）および前記第１接合部材（２０）全体の前記一面（１０）の面方向と平行な方向における線膨張係数が４０ｐｐｍ以下とされており、前記線膨張係数をα、前記搭載部品（３０）および前記第１接合部材（２０）全体の弾性率をσとしたとき、線膨張係数が１０ｐｐｍ以上４０ｐｐｍ以下である場合には、σ≦−１００α＋９０００とされていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記セラミック基板（１０）の側面は、前記第１、第２接合部材（２０、４０）を構成する前記樹脂フィルム（２１、４１）と同じ材料で構成された封止部材（６０）で覆われていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板の一面側に第１接合部材を介して搭載部品が備えられると共に当該セラミック基板の他面側に第２接合部材を介してヒートシンクが備えられてなる電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、セラミック基板の一面側に銀ペースト等を介して半導体チップ等の搭載部品が備えられ、セラミック基板の他面側に高放熱性を有する樹脂等の接合部材を介してヒートシンクが備えられてなる電子部品が提案されている（例えば、特許文献１参照）。これによれば、半導体チップにて生成された熱がセラミック基板を介してヒートシンクから放熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２８１６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記電子部品では、銀ペーストと接合部材との線膨張係数や弾性率等が異なるため、例えば、高温と低温との間で繰り返し使用されるような場合には、セラミック基板の一面側と他面側とに異なる応力が印加されることになり、セラミック基板が反ってしまうことがある。
【０００５】
このため、セラミック基板と接合部材が剥離したり、セラミック基板が破壊されてしまうという問題がある。また、セラミック基板が反ることによってセラミック基板とヒートシンクとの接合性が低下するという問題もあり、さらに、これに伴って放熱性も低下するという問題もある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、セラミック基板が反ることを抑制することができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）および一面（１０ａ）と反対側の他面（１０ｂ）を有するセラミック基板（１０）と、一面（１０ａ）に備えられ、樹脂フィルム（２１）を有すると共に当該樹脂フィルム（２１）に厚さ方向に貫通するビアホール（２２）が形成され、ビアホール（２２）内に第１熱伝導性部材（２３）が充填されている第１接合部材（２０）と、第１接合部材（２０）におけるセラミック基板（１０）側と反対側に備えられ、セラミック基板（１０）と第１熱伝導性部材（２３）を介して熱的に接続される搭載部品（３０、７０）と、他面（１０ｂ）に備えられ、第１接合部材（２０）を構成する樹脂フィルム（２１）と同じ樹脂フィルム（４１）を有すると共に当該樹脂フィルム（４１）に厚さ方向に貫通するビアホール（４２）が形成され、ビアホール（４２）内に第２熱伝導性部材（４３）が充填されている第２接合部材（４０）と、第２接合部材（４０）におけるセラミック基板（１０）側と反対側に備えられ、セラミック基板（１０）と第２熱伝導性部材（４３）を介して熱的に接続されているヒートシンク（５０）とを備えていることを特徴としている。
【０００８】
このような電子部品によれば、セラミック基板（１０）の一面（１０ａ）および他面（１０ｂ）に同じ樹脂フィルム（２１、４１）を有する第１、第２接合部材（２０、４０）が備えられている。言い換えると、セラミック基板（１０）の一面（１０ａ）および他面（１０ｂ）には同じ線膨張係数、弾性率を有する部材が備えられている。このため、セラミック基板（１０）の一面（１０ａ）および他面（１０ｂ）に印加される応力がばらつくことを抑制することができる。したがって、セラミック基板（１０）が反ることを抑制することができる。
【０００９】
この場合、請求項２に記載の発明のように、樹脂フィルム（２１、４１）を熱可塑性樹脂で構成することができる。
【００１０】
これによれば、例えば、樹脂フィルム（２１、４１）を熱硬化性樹脂で構成する場合と比較して、弾性率を小さくすることができ、セラミック基板（１０）の一面（１０ａ）および他面（１０ｂ）に印加される応力を小さくすることができる。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明のように、第１、第２熱伝導性部材（２３、４３）を同じ熱伝導性材料で構成することができる。
【００１２】
これによれば、セラミック基板（１０）に第１熱伝導性部材（２３）から印加される応力と第２熱伝導性部材（４３）から印加される応力とがばらつくことを抑制することができる。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明のように、搭載部品（３０）として、熱可塑性樹脂中に複数の配線パターン（３２）が多層に配置され、配線パターン（３２）間がビアホール（３３）内に充填された層間接続部材（３４）を介して電気的、熱的に接続されている多層基板を用いることができる。
【００１４】
この場合、請求項５に記載の発明のように、搭載部品（３０）は、配線パターン（３２）をセラミック基板（１０）の一面（１０ａ）に投影したとき、投影した配線パターン（３２）のうち最も外縁に位置する部分と一面（１０ａ）における端辺との間隔が１ｍｍとされ、搭載部品（３０）および第１接合部材（２０）は、搭載部品（３０）および第１接合部材（２０）全体の一面（１０）の面方向と平行な方向における線膨張係数が４０ｐｐｍ以下とされており、線膨張係数をα、搭載部品（３０）および第１接合部材（２０）全体の弾性率をσとしたとき、線膨張係数が１０ｐｐｍ以上４０ｐｐｍ以下である場合には、σ≦−１００α＋９０００とされているものを用いることができる（図２参照）。
【００１５】
これによれば、セラミック基板（１０）と第１接合部材（２０）との接合面の端部にクラックが発生することを抑制することができ、セラミック基板（１０）から第１接合部材（２０）が剥離することを抑制することができる。
【００１６】
また、請求項６に記載の発明のように、セラミック基板（１０）の側面を第１、第２接合部材（２０、４０）を構成する樹脂フィルム（２１、４１）と同じ材料で構成される封止部材（６０）で覆うことができる。
【００１７】
これによれば、セラミック基板（１０）の側面にも第１、第２接合部材（２０、４０）と同じ応力が印加されることになり、さらにセラミック基板（１０）が反ることを抑制することができる。また、セラミック基板（１０）の側面に封止部材（６０）を備えているため、線膨張係数差に起因する応力が特定箇所に集中することを抑制することができる。このため、セラミック基板（１０）と第１、第２接合部材（２０、４０）との接合面の端部にクラックが発生することを抑制することができ、セラミック基板（１０）から第１、第２接合部材（２０、４０）が剥離することを抑制することができる。
【００１８】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態における電子部品の断面構成を示す図である。
【図２】多層基板および第１接合部材全体の弾性率と面方向における線膨張係数との関係について、耐久試験でセラミック基板と第１接合部材との剥離の有無を調べた結果である。
【図３】図１に示す電子部品の分解図である。
【図４】本発明の第２実施形態における電子部品の断面構成を示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態における電子部品の断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態における電子部品の断面構成を示す図である。
【００２１】
図１に示されるように、電子部品は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する板状であり、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等からなるセラミック基板１０を有している。そして、セラミック基板１０の一面１０ａにはＣｕ等で構成される第１導電性部材１１が形成されており、当該第１導電性部材１１は適宜パターニングされている。
【００２２】
また、セラミック基板１０の一面１０ａには、第１導電性部材１１を覆うように、第１接合部材２０が備えられている。この第１接合部材２０は、本実施形態では、熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム２１を用いて構成されており、樹脂フィルム２１に厚さ方向に貫通する複数のビアホール２２が形成されていると共に各ビアホール２２内に第１熱伝導性部材２３が充填されて構成されている。
【００２３】
この第１熱伝導性部材２３は、セラミック基板１０の一面１０ａに形成されている第１導電性部材１１と化学的に結合されており、当該第１導電性部材１１と熱的に接続されていると共にパターニングされた第１導電性部材１１を介して第１熱伝導性部材２３同士が適宜電気的に接続されている。すなわち、本実施形態の第１熱伝導性部材２３は、第１導電性部材１１と熱的に接続されるのみでなく電気的にも接続されるものである。
【００２４】
このような第１熱伝導性部材２３は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ等の金属粒子に有機溶媒を加えてペースト化したものが焼結されて構成されている。
【００２５】
そして、第１接合部材２０のうちセラミック基板１０側と反対側には、本発明の搭載部品に相当する多層基板３０が備えられている。本実施形態の多層基板３０は、熱可塑性樹脂３１中および熱可塑性樹脂３１外に配線パターン３２が多層に形成され、配線パターン３２間がビアホール３３内に充填された層間接続部材３４を介して電気的、熱的に接続されてなるいわゆるＰＡＬＡＰ（登録商標）である。
【００２６】
そして、この多層基板３０のうち最もセラミック基板１０側に形成された配線パターン３２が第１接合部材２０における第１熱伝導性部材２３と化学的に結合されている。すなわち、多層基板３０は第１熱伝導性部材２３を介してセラミック基板１０と熱的に接続されている。
【００２７】
また、セラミック基板１０の他面１０ｂには、全面に第２導電性部材１２が形成されている。この第２導電性部材１２は、第１導電性部材１１と同じ材料で構成されており、第１導電性部材１１がＣｕで構成されている場合にはＣｕで構成される。
【００２８】
そして、セラミック基板１０の他面１０ｂには、第２導電性部材１２を覆うように、第２接合部材４０が備えられている。この第２接合部材４０は、第１接合部材２０と同じ熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム４１を用いて構成され、樹脂フィルム４１に厚さ方向に貫通する複数のビアホール４２が形成されていると共に各ビアホール４２内に第２熱伝導性部材４３が充填されて構成されている。
【００２９】
第２熱伝導性部材４３は、セラミック基板１０の他面１０ｂに形成されている第２導電性部材１２と化学的に結合されており、第２導電性部材１２と熱的に接続されている。なお、第２熱伝導性部材４３は、第１熱伝導性部材２３と同じ材料の導電性ペーストが焼結されることによって構成されている。
【００３０】
また、第２接合部材４０のうちセラミック基板１０側と反対側には、ヒートシンク５０が備えられており、当該ヒートシンク５０は第２熱伝導性部材４３と化学的に結合されている。すなわち、ヒートシンク５０は、第２熱伝導性部材４３を介してセラミック基板１０と熱的に接続されている。なお、ヒートシンク５０は、高熱伝導かつ導電性材料で構成され、例えば、ＣｕやＡｌ等の金属、カーボングラファイト等が用いられる。
【００３１】
さらに、本実施形態では、多層基板３０における配線パターン３２をセラミック基板１０の一面１０ａに投影したとき、外縁部と一面１０ａにおける端辺との間隔が１ｍｍとされている。なお、外縁部とは、投影したパターンのうち最も一面１０ａの端辺側に位置する部分のことである。
【００３２】
そして、多層基板３０および第１接合部材２０は、全体の弾性率と面方向における線膨張係数とが以下のように規定されている。図２は、多層基板３０および第１接合部材２０全体の弾性率と面方向の線膨張係数との関係について、耐久試験でセラミック基板１０と第１接合部材２０との剥離の有無を調べた結果である。なお、図２中の面方向とは、一面１０ａの面方向と平行な方向のことである。また、耐久試験は、−４０〜１６０℃の範囲内で繰り返し温度を変化させることにより行っている。
【００３３】
図２に示されるように、多層基板３０および第１接合部材２０は、全体の線膨張係数が１０ｐｐｍ以下の場合では、セラミック基板１０から第１接合部材２０（多層基板３０）が剥離しなかったことが確認される。そして、線膨張係数が１０〜４０ｐｐｍである場合には、多層基板３０および第１接合部材２０全体の線膨張係数をαとし、多層基板３０および第１接合部材２０全体の弾性率をσとすると、σ≦−１００α＋９０００のときにセラミック基板１０から第１接合部材２０（多層基板３０）が剥離しなかったことが確認される。以上より、本実施形態では、多層基板３０および第１接合部材２０は、全体の線膨張係数が１０ｐｐｍ未満とされるか、または、全体の線膨張係数が１０ｐｐｍ以上４０ｐｐｍ以下の場合には、σ≦−１００α＋９０００を満たす線膨張係数および弾性率となるようにそれぞれ構成されている。
【００３４】
以上が本実施形態における電子部品の構造である。次に、上記電子部品の製造方法について説明する。図３は、図１に示す電子部品の分解図であり、図３を参照しつつ説明する。
【００３５】
まず、搭載部品としての多層基板３０を構成する部材を用意する。具体的には、複数の樹脂フィルム３５を用意し、樹脂フィルム３５の一面にそれぞれ配線パターン３２を形成すると共に他面から配線パターン３２を底面とする有底のビアホール３３を形成する。その後、スクリーン印刷機やディスペンサ等により、ビアホール３３内に導電性ペーストを充填する。
【００３６】
また、同様に、第１、第２接合部材２０、４０を構成する樹脂フィルム２１、４１を用意し、樹脂フィルム２１、４１の一面から樹脂フィルム２１、４１を貫通するビアホール２２、４２を形成する。その後、スクリーン印刷機やディスペンサ等により、ビアホール２２、４２内に導電性ペーストを充填する。
【００３７】
なお、この導電性ペーストは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ等の金属粒子に有機溶媒を加えてペースト化したものであるが、常温で固体状態となる溶媒としての樹脂が含まれている。つまり、樹脂フィルム２１、４１の各ビアホール２２、４２内に導電性ペーストが充填された際、導電性ペーストがビアホール２２、４２内に保持されるようになっている。
【００３８】
そして、ヒートシンク５０、第２接合部材４０を構成する樹脂フィルム４１、セラミック基板１０、第１接合部材２０を構成する樹脂フィルム２１、多層基板３０を構成する樹脂フィルム３５を順に積層する。その後、これら積層したものを上下両面から真空加熱プレス機により加熱しながら加圧して接合する。
【００３９】
このとき、各ビアホール２２、３３、４２に充填された導電性ペーストが焼結されて第１熱伝導性部材２３、層間接続部材３４、第２熱伝導性部材４３が構成される。また、第１熱伝導性部材２３と第１導電性部材１１および最もセラミック基板１０側に配置された樹脂フィルム３５の配線パターン３２とが化学的に結合され、第２熱伝導性部材４３と第２導電性部材１２およびヒートシンク５０とが化学的に結合される。これにより、セラミック基板１０と多層基板３０とが第１熱伝導性部材２３を介して熱的に接続されると共に、セラミック基板１０とヒートシンク５０とが第２熱伝導性部材４３を介して熱的に接続され、上記図１に示す電子部品が製造される。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態の電子部品では、セラミック基板１０の一面１０ａおよび他面１０ｂには同じ樹脂フィルム２１、４１からなる第１、第２接合部材２０、４０が備えられている、言い換えると、セラミック基板１０の一面１０ａおよび他面１０ｂには同じ線膨張係数、弾性率を有する部材が備えられている。このため、セラミック基板１０の一面１０ａおよび他面１０ｂに印加される応力がばらつくことを抑制することができ、セラミック基板１０が反ることを抑制することができる。
【００４１】
なお、第１、第２接合部材２０、４０は同じ樹脂フィルム２１、４１を用いて構成されているため、樹脂フィルム２１、４１の線膨張係数や弾性率は同じになる。しかしながら、セラミック基板１０の一面１０ａおよび他面１０ｂに印加される全体の応力は第１、第２接合部材２０、４０の厚さ、多層基板３０を構成する材料や厚さ、ヒートシンク５０を構成する材料や厚さ等によって適宜変化する。このため、第１、第２接合部材２０、４０を構成する樹脂フィルム２１、４１の厚さは、多層基板３０を構成する材料や厚さ、ヒートシンク５０を構成する材料や厚さ等に応じて適宜変更されることが好ましく、セラミック基板１０の一面１０ａおよび他面１０ｂに全体として同じ応力が印加されるようにするのが好ましい。
【００４２】
また、第１、第２接合部材２０、４０の樹脂フィルム２１、４１を熱可塑性樹脂で構成しているため、例えば、樹脂フィルム２１、４１を熱硬化性樹脂で構成する場合と比較して、弾性率を小さくすることができ、セラミック基板１０の一面１０ａおよび他面１０ｂに印加される応力を小さくすることができる。そして、樹脂フィルム２１、４１を熱可塑性樹脂で構成することにより、上記のように、積層したものをプレスすることによって各部材１０〜５０を一度に接合することができるため、製造工程を簡略化することもできる。
【００４３】
さらに、第１、第２熱伝導性部材２３、４３を同じ材料で構成しているため、セラミック基板１０に第１熱伝導性部材２３から印加される応力と第２熱伝導性部材４３から印加される応力とがばらつくことを抑制することができ、セラミック基板１０が反ることをさらに抑制することができる。
【００４４】
また、セラミック基板１０の一面１０ａおよび他面１０ｂには、第１、第２導電性部材１１、１２が形成されており、第１熱伝導性部材２３は第１導電性部材１１と化学的に結合され、第２熱伝導性部材４３は第２導電性部材１２と化学的に結合されている。このため、第１、第２熱伝導性部材２３、４３がセラミック基板１０と接触することによって熱的に接続されている場合と比較して、接続性が低下することを抑制することができる。
【００４５】
そして、多層基板３０および第１接合部材２０は、全体の線膨張係数が１０ｐｐｍ未満とされるか、または、全体の線膨張係数が１０ｐｐｍ以上４０ｐｐｍ以下の場合には、σ≦−１００α＋９０００を満たす線膨張係数および弾性率となるように構成されている。このため、セラミック基板１０と第１接合部材２０との接合面の端部にクラックが発生することを抑制することができ、セラミック基板１０から第１接合部材２０（多層基板３０）が剥離することを抑制することができる。
【００４６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は第１実施形態に対してセラミック基板１０の側面を封止部材で覆ったものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図４は、本実施形態における電子部品の断面構成を示す図である。
【００４７】
図４に示されるように、本実施形態の電子部品は、セラミック基板１０の側面に第１、第２接合部材２０、４０の樹脂フィルム２１、４１と同じ材料からなる封止部材６０が配置されている。言い換えると、セラミック基板１０は、第１、第２接合部材２０、４０および封止部材６０にて覆われている。
【００４８】
これによれば、セラミック基板１０は、一面１０ａおよび他面１０ｂのみならず、側面にも同じ線膨張係数、弾性率を有する部材が備えられているため、セラミック基板１０が反ることをさらに抑制することができる。
【００４９】
また、セラミック基板１０は、第１、第２接合部材２０、４０との接合面の端部（図４中Ａ）が、第１、第２接合部材２０、４０と同じ材料で構成された封止部材６０で覆われている。このため、線膨張係数差に起因する応力が特定箇所、つまり図４中Ａ領域に集中することを抑制することができる。すなわち、上記第１実施形態のように、図２を満たすように線膨張係数および弾性率を規定しなくても、セラミック基板１０と第１、第２接合部材２０、４０との接合面の端部にクラックが発生することを抑制することができ、セラミック基板１０から第１、第２接合部材２０、４０が剥離することを抑制することができる。
【００５０】
なお、このような電子部品は基本的には上記第１実施形態と同様に製造され、上記第１実施形態の製造方法に対して封止部材６０を用意すればよい。すなわち、封止部材６０を構成する樹脂フィルムを用意し、当該樹脂フィルムのうちセラミック基板１０が収容される領域に貫通孔を形成する。そして、封止部材６０に形成された貫通孔内にセラミック基板１０を収容しつつ、各部材１０〜５０を順に積層し、これら積層したものを加熱しながら加圧して接合することにより製造される。
【００５１】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、搭載部品が多層基板３０である例を説明したが、搭載部品はこれに限定されるものではない。図５は、他の実施形態における電子部品の断面図である。
【００５２】
図５に示されるように、搭載部品は半導体素子が形成された半導体チップ７０であってもよい。なお、この場合は、第１接合部材２０における第１熱伝導性部材２３と半導体チップ７０とは銀ペースト等の導電性部材８０を介して熱的に接続されることになるが、セラミック基板１０の一面１０ａには第１接合部材２０が備えられていると共に他面１０ｂには第２接合部材４０が備えられているため、従来の電子部品と比較してセラミック基板１０が反ることを抑制することができる。
【００５３】
さらに、特に図示しないが、搭載部品は、半導体チップ７０が多層基板３０に内蔵されたいわゆる半導体チップ内蔵多層基板であってもよい。
【００５４】
また、上記各実施形態において、セラミック基板１０の他面１０ｂの全面に第２導電性部材１２が形成されていなくてもよく、セラミック基板１０の他面１０ｂの一部のみに第２導電性部材１２が形成されていてもよい。なお、この場合においても、第２導電性部材１２と第２熱伝導性部材４３とが化学的に接合されるようにすることが好ましい。
【００５５】
さらに、上記各実施形態において、セラミック基板１０の他面１０ｂに第２導電性部材１２を形成せず、第２熱伝導性部材４３とセラミック基板１０とを接触させることによって第２熱伝導性部材４３とセラミック基板１０とを熱的に接続することもできる。
【００５６】
そして、上記各実施形態において、第２接合部材４０に一つのビアホール４２を形成し、このビアホール４２内のみに第２熱伝導性部材４３を充填するようにしてもよい。この場合は、ビアホール４２を大きくするほど、セラミック基板１０とヒートシンク５０との熱的な接続性を向上させることができる。
【００５７】
また、上記第１実施形態において、次のように電子部品を製造してもよい。例えば、まず、樹脂フィルム３５を積層した後にプレスして多層基板３０を生成する。次に、ヒートシンク５０、第２接合部材４０を構成する部材、セラミック基板１０、第１接合部材２０を構成する部材、多層基板３０を順に積層した後、プレスして電子部品を製造してもよい。
【００５８】
同様に、セラミック基板１０とヒートシンク５０とを第２接合部材４０を介して接合した後、セラミック基板１０上に第１接合部材２０、多層基板３０を構成する樹脂フィルム３５を順に積層してこれらをプレスすることにより電子部品を製造してもよい。また、セラミック基板１０上に第１接合部材２０、多層基板３０を構成する樹脂フィルム３５を順に積層してこれらをプレスし、ヒートシンク５０上に第２接合部材４０、多層基板３０を備えたセラミック基板１０を積層してこれらをプレスすることにより電子部品を製造することもできる。そして、上記第２実施形態においても、電子部品の製造方法は適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００５９】
１０    セラミック基板
１０ａ  一面
１０ｂ  他面
２０    第１接合部材
２１    樹脂フィルム
２３    第１熱伝導性部材
３０    多層基板（搭載部品）
４０    第２接合部材
４１    樹脂フィルム
４３    第２熱伝導性部材
５０    ヒートシンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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