(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の信号線と、
ガラス繊維織物を有しない樹脂材料を用いて前記信号線の下方に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の下に形成され、電源又はグランドに接続される第１の導電層と、
ガラス繊維織物を有しない樹脂材料を用いて前記信号線の上方に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上に形成され、電源又はグランドに接続される第２の導電層と、
一対の前記信号線を挟む位置で前記第１の導電層から前記第２の導電層まで貫通し、内壁に導電膜を有しない複数の貫通孔と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うと共に、前記貫通孔に埋め込まれた樹脂と、
を含むことを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
ガラス繊維織物を有しない樹脂で形成された第１の絶縁層の上に一対の信号線を形成する工程と、
前記信号線の上に、ガラス繊維織物を有しない樹脂で形成された第２の絶縁層を配置する工程と、
一対の前記信号線を挟む位置で前記第１の絶縁層の下面に形成された第１の導電層から、前記第２の絶縁層の上面に形成された第２の導電層までを貫通し、内壁に導電膜を有しない貫通孔を複数形成する工程と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うと共に、前記貫通孔に樹脂を埋め込む工程と、
を含む多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を実装するときは、複数の半導体素子や半導体パッケージ基板を多層回路基板に実装することによって電気的に接続させる。ここで、従来の多層回路基板の製造方法の一例として、一括積層プロセスについて図４を参照して説明する。図４（ａ）に示すように、多層回路基板の製造にあたっては、下側から、銅箔１０１、未硬化の樹脂層１０２、３層配線板１０３、未硬化の樹脂層１０２、３層配線板１０３、未硬化の樹脂層１０２、銅箔１０１を積層する。未硬化の樹脂層１０２は、ガラス繊維織物からなるガラスクロスと樹脂を含む複合材料である。３層配線板１０３は、ガラスクロスを含有させて硬化させた樹脂層１１０の上側に一対の配線パターン１１１を有する。一対の配線パターン１１１は、銅箔をパターニングすることによって形成される。さらに、樹脂層１１０の下面には、銅箔１１２が全面にわたって貼り付けられている。
【０００３】
一括積層プロセスでは、図４（ａ）に示すように、樹脂層１０２，１１０などの絶縁層と、配線パターン１１１や銅箔１０１，１１２などの導体層とを交互に配置する。銅箔１０１や未硬化の樹脂層１０２、３層配線板１０３を複数積層させたら、加熱式の真空プレスによって一括に成型する。図４（ｂ）に真空プレス後の形態を示すように、未硬化の樹脂層１０２が熱溶融後に硬化して樹脂層１１０が形成されると共に各層が一体化され、多層回路基板１２０が形成される。この後、必要に応じて、多層回路基板１２０の所定位置に不図示の貫通穴を形成する。貫通穴には、めっき法によって導電膜が形成される。
【０００４】
ここで、このような多層回路基板１２０の使用用途としては、例えば、差動伝送のための回路基板がある。この場合には、一対の配線パターン１１１が差動伝送のための信号線として使用される。さらに、一対の配線パターン１１１に硬化後の樹脂層１１０を介して配置される銅箔１１２がグランド層又は電源層として使用される。差動伝送では、対をなす２本の配線パターン１１１にそれぞれ逆位相の信号を伝送することで、信号の電圧を低くでき、ノイズに強い信号伝達が可能になる。
【０００５】
ところが、差動伝送する信号の周波数を高周波数化すると、硬化した樹脂層１１０に含まれるガラス繊維織物の粗密によって一対の配線パターン１１１の間の伝播遅延時間に差が生じ易くなり、回路が許容する伝播遅延時間に収まらなくなることがあった。
【０００６】
ガラス繊維織物の影響を防止する方法としては、例えば、ガラス繊維織物を用いないリジッドフレキ基板で多層回路基板に製造することが考えられる。ここで、リジットフレキ基板は、コンポジット材料を用いた多層回路基板と、ガラス繊維織物を含有しないポリイミドなどの絶縁材料を用いたフレキシブル配線板を別々に製造した後、接着材で張り合わせて形成される。ところが、リジットフレキ基板では、コンポジット材料を用いた多層回路基板とフレキシブル配線板の熱膨張率や弾性率温度依存性の違いによって、接着部において剥離し易かった。
【０００７】
さらに、ガラス繊維織物を使用せずに製造した多層回路基板では、電子部品支持体としての機械的特性が低下する。例えば、一辺が数十ｃｍで、積層数が２０層を超えるような大型の多層回路基板では、機械的特性の低下が顕著に現れる。このために、ガラス繊維織物は、回路基板の寸法安定性向上に貢献するので、微細な電子部品を高密度で実装可能な回路基板においては必須の構成要素とされている。
【０００８】
そこで、従来では、ガラス繊維織物を格子状に織り込んで、一対の配線パターン１１１をガラス繊維織物と平行になるように形成することで、ガラス繊維織物の影響を低減させている。また、格子状に織り込んだガラス繊維織物に対して一対の配線パターン１１１を斜めに、かつジグザクに配置することで、信号線から見たガラス繊維織物の粗密をできるだけ均一化させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第２００４１８１７６４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、配線パターン１１１のレイアウトによっては、ガラス繊維織物の方向がたまたま一致することがあり、このような場合には、その領域における信号遅延を防止できなかった。このために、信号遅延を確実に防止しようとすると、配線パターン１１１のレイアウトに制約が生じていた。
さらに、ガラス繊維織物を格子状に織り込んだ大きい基材から、ガラス繊維織物が斜め配置されるように基板を分割しようとすると、使用されない部分が増えるので製造コストが増大する。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、多層回路基板に用いた差動伝送の信号遅延を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
実施形態の一観点によれば、一対の信号線と、ガラス繊維織物を有しない樹脂材料を用いて前記信号線の下方に形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の下に形成され、電源又はグランドに接続される第１の導電層と、ガラス繊維織物を有しない樹脂材料を用いて前記信号線の上方に形成された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の上に形成され、電源又はグランドに接続される第２の導電層と、一対の前記信号線を挟む位置で前記第１の導電層から前記第２の導電層まで貫通し、内壁に導電膜を有しない複数の貫通孔と、前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うと共に、前記貫通孔に埋め込まれた樹脂と、を含むことを特徴とする多層回路基板が提供される。
【００１２】
また、実施形態の別の観点によれば、ガラス繊維織物を有しない樹脂で形成された第１の絶縁層の上に一対の信号線を形成する工程と、前記信号線の上に、ガラス繊維織物を有しない樹脂で形成された第２の絶縁層を配置する工程と、一対の前記信号線を挟む位置で前記第１の絶縁層の下面に形成された第１の導電層から、前記第２の絶縁層の上面に形成された第２の導電層までを貫通し、内壁に導電膜を有しない貫通孔を複数形成する工程と、前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うと共に、前記貫通孔に樹脂を埋め込む工程と、を含む多層回路基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
信号線と第１及び第２の導電層との間に、ガラス繊維織物を有しない樹脂で形成された絶縁層を配置したので、ガラス繊維織物の影響を受けない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その１）である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その２）である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その３）である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その４）である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その５）である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その６）である。
【図１Ｇ】図１Ｇは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その７）である。
【図１Ｈ】図１Ｈは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その８）である。
【図１Ｉ】図Ｉ１は、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その９）である。
【図１Ｊ】図１Ｊは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その１０）である。
【図１Ｋ】図１Ｋは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その１１）である。
【図１Ｌ】図１Ｌは、本発明の第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その１２）である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その１）である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の第２の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その２）である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の第２の実施の形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図（その３）である。
【図３】図３は、本発明の変形例に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図である。
【図４】図４は、従来の多層回路基板の製造工程の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
発明の目的及び利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素及び組み合わせによって実現され達成される。
前述の一般的な説明及び以下の詳細な説明は、典型例及び説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図面を参照して第１の実施の形態に係る多層回路基板の製造方法について説明する。
まず、図１Ａに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
絶縁層１の両面に銅箔２Ａ，２Ｂを１枚ずつ貼り付けて両面銅張り板３を形成する。絶縁層１は、加撓性を有し、ガラス繊維を含まない。さらに、絶縁層１は、多層回路基板が使用される温度範囲内にはガラス転移温度を有しないポリイミド樹脂フィルムが用いられる。より好ましくは、絶縁層１は銅箔２Ａ，２Ｂと同じか同程度の熱膨張率を有する樹脂から形成される。このような絶縁層１としては、例えば、ポリイミドフィルムの一種である宇部興産株式会社製のユーピレックスが使用できる。また、この絶縁層１の厚さは、任意に選択できるが例えば１００μｍの厚さとする。
【００１７】
上側の銅箔２Ａ（第２の導電層）は、絶縁層１の上面の全体を覆い、下側の銅箔２Ｂ（第１の導電層）は絶縁層１の下面の全面を覆う。続いて、両面銅張り板３の各銅箔２Ａ，２Ｂのそれぞれの表面にフォトレジスト膜５Ａ，５Ｂを塗布によって形成する。フォトレジスト膜５Ａは上側の銅箔２Ａの全面を覆い、フォトレジスト膜５Ｂは下側の銅箔２Ｂの全面を覆う。
【００１８】
図１Ｂに示すように、上側のフォトレジスト膜５Ａを露光及び現像してパターニングしてレジストパターン５Ｃを形成する。フォトレジストパターン５Ｃは、後の工程で形成す
る配線のパターンに併せてレジスト膜５Ａが部分的に残されることによって形成される。一方、下側のフォトレジスト膜５Ｂは、パターニングしない。ここで、上側のフォトレジスト膜５Ａをパターニングする代わりに、下側のフォトレジスト膜５Ｂをパターニングしても良い。
【００１９】
この後、図１Ｃに断面構造を示すように、レジストパターン５Ｃをマスクにして上側の銅箔２Ａをウェットエッチングして一対の配線パターン１０を形成する。一対の配線パターン１０は、所定の間隔を設けて平行に配置され、例えば、高速差動伝送の信号線として用いられる。一方、下側の銅箔２Ｂは、フォトレジスト膜５Ｂにカバーされているので、エッチングされない。一対の配線パターン１０上に残されたフォトレジストパターン５Ｃと、下面側の銅箔２Ｂを保護していたフォトレジスト膜５Ｂは、アッシングや薬液処理によって除去する。これによって、絶縁層１の片面のみに配線パターン１０が形成され、下側の銅箔２Ｂが残されたコア材１１が得られる。
【００２０】
一方、図１Ｄに示すように、別の両面銅張り板３を形成し、上側の銅箔２Ａの全面にフォトレジスト膜５Ａを塗布によって形成する。下側の銅箔２Ｂにはフォトレジスト膜５Ｂを塗布しない。続いて、露出している下側の銅箔２Ｂをウェットエッチングによって除去する。このとき、上側の銅箔２Ａはフォトレジスト膜５Ａで保護されているので全て残る。これによって、図１Ｅに示すように、片面銅張りコア材２０が得られる。片面銅張りコア材２０としては、絶縁層１の上側のみに銅箔２Ａを予め貼り付けたコア材を使用しても良い。
【００２１】
続いて、図１Ｆに示すように、コア材１１の上に、接着層２５を介して片面銅張りコア材２０を積層する。接着層２５は、コア材１１の配線パターン１０上に配置され、片面銅張りコア材２０は、接着層２５に樹脂層１を密着させる。接着層２５には、例えば、京セラケミカル製のＴＦＡ−８６０ＦＢが用いられ、その厚さは２５μｍとする。
【００２２】
この後、コア材１１及び片面銅張りコア材２０を加熱が可能な真空プレスによって一体化させる。これによって、図１Ｇに示すように、３層板３１が形成される。３層板３１は、一対の配線パターン１０を絶縁層１が上下に挟み、下側の絶縁層１（第１の絶縁層）を介して銅箔２Ｂが配置され、上側の絶縁膜１（第２の絶縁層）を介して銅箔２Ａが配置された構造を有する。銅箔２Ａ，２Ｂの幅は、各配線パターン１０の幅より十分に大きい。このような構造は、配線パターン１０を信号線とし、その上下の銅箔２Ａ，２Ｂを電源層又はグランド層とするストリップライン構造である。
【００２３】
次に、図１Ｈに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
上側の銅箔２Ａの表面にフォトレジスト膜３２Ａを塗布によって形成する。同様に、下側の銅箔２Ｂの表面にフォトレジスト膜３２Ｂを塗布によって形成する。さらに、それぞれのフォトレジスト膜３２Ａ，３２Ｂを露光及び現像してパターニングする。このときに形成されるレジストパターン３３Ａ，３３Ｂは、後の工程で形成する配線のパターンに併せてフォトレジスト膜３２Ａ，３２Ｂが残されることで形成される。
【００２４】
続いて、レジストパターン３３Ａ，３３Ｂをマスクとして用いて銅箔２Ａ，２Ｂをウェットエッチングする。レジストパターン３３Ａから露出する銅箔２Ａと、レジストパターン３３Ｂから露出する銅箔２Ｂとが除去される。これによって、上面と下面のそれぞれに表面配線パターン３５を有する３層配線板４１が形成される。
【００２５】
表面配線パターン３５は、一対の配線パターン１０の上下に配置されるグランド層３６，３７と、一対の配線パターン１０が存在しない領域に形成された配線パターン３８，３９とを有する。グランド層３６，３７は、いずれか一方を電源層として使用しても良いし
、両方を電源層として使用しても良い。配線パターン３８，３９は、不図示の回路や他の部品などに電気的に接続される。このように、この３層配線板４１は、一対の配線パターン１０を有するストリップライン構造と、配線パターン３８，３９とが一体に形成された多層の回路基板である。差動伝送の信号線として使用される一対の配線パターン１０の上下には、配線パターン３８，３９が形成されないので、配線パターン１０と配線パターン３８，３９の間のクロストークは生じない。
【００２６】
続いて、図１Ｉに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
表面配線パターン３５上に残されたレジストパターン３３Ａ，３３Ｂをアッシングや薬液処理によって除去する。続いて、３層配線板４１の所定位置に不図示の機械ドリルを用いて、貫通孔４２を複数形成する。貫通孔４２は、上側の表面配線パターン３５（銅箔２Ａ）から下側の表面配線パターン３５（銅箔２Ｂ）まで貫通し、少なくとも配線パターン１０を挟む位置に１つずつ形成される。また、図示を省略するが、貫通孔４２は、配線パターン１０に沿って細長に形成しても良い。
【００２７】
この後、３層配線板４１を含む多数の基板材料を積層する。この実施の形態では、図１Ｊに示すように、下側から銅箔４４、未硬化の樹脂層４３、３層配線板４１、未硬化の樹脂層４３、３層配線板４１、未硬化の樹脂層４３、銅箔４４を積層する。未硬化の樹脂層４３は、エポキシ樹脂などの熱硬化性の樹脂４３Ａにガラス繊維織物４３Ｂを含有させた構成を有し、ガラス繊維織物は、例えば２方向に交差するように積層されたガラスクロスになっている。図１Ｉに配列して表示する積層体の積層数や、構成要素の種類は、これに限定されない。例えば、銅箔４４、未硬化の樹脂層４３、３層配線板４１、未硬化の樹脂層４３、銅箔４４を積層させても良い。
【００２８】
図１Ｋに示すように、３層配線板４１などを積層した状態では、３層配線板４１の上側のグランド層３６と配線パターン３８の上に未硬化の樹脂層４３（第２の層間絶縁層）が密着配置される。このために、グランド層３６及び配線パターン３８の間の配線溝３５Ａは空洞になっている。同様に、３層配線板４１の下側のグランド層３７と配線パターン３９の下に未硬化の樹脂層４３（第１の層間絶縁層）が密着配置される。このために、グランド層３７及び配線パターン３９の間の配線溝３５Ａは空洞になっている。さらに、貫通孔４２は、空洞のままである。
【００２９】
続いて、図１Ｌに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
３層配線板４１の上下に未硬化の樹脂層４３と銅箔４４をそれぞれ重ねた後、真空プレスによって一括積層する。真空プレス時の加熱によって、樹脂層４３の樹脂４３Ａが溶融、硬化する過程で、樹脂４３Ａが配線パターン３８，３９などの溝３５Ａに充填される。同様に、溶融した樹脂４３Ａが３層配線板４１の貫通孔４２に埋め込まれる。この状態で樹脂を硬化させると、貫通孔４２が樹脂４３Ａで埋められる。さらに、各３層配線板４１が上下の一対の硬化した樹脂層４５によって挟まれることで一体化された多層の回路基板５１が形成される。
【００３０】
ここで、一括成型時に樹脂４３Ａが貫通孔４２に充填されることによって、３層配線板４１を上下に挟む一対の樹脂層４３が一体となって硬化させられる。貫通孔４２を通り上下一体となった樹脂４３Ａは、各３層配線板４１のハトメとして機能する。即ち、３層配線板４１は、樹脂層４５によって上下から強固に押さえ付けされているので、膨らむことはできない。例えば、外部から熱が加えられたときに、接着層２５にガスが発生し、かつそのガスが集まった場合には、ガスが膨らもうとする力によって、３層配線板４１が押し拡げられて、樹脂層１や配線パターン１０が剥がれ易くなることが考えられる。しかしながら、この多層の回路基板５１では、貫通孔４２を通って上下に連結された樹脂４３Ａが３層配線板４１を上と下から押さえ込むことによって、３層配線板４１の膨らみを防止し
、絶縁層１や接着層２５、配線パターン１０などの層間剥離が防止される。
【００３１】
以上、説明したように、この実施形態によれば、配線パターン１０を内蔵した３層配線板４１の絶縁層１にガラス繊維織物を有しないポリイミドフィルムなどの樹脂材料を用いたので、ガラス繊維織物の疎密による影響を排除できる。一対の配線パターン１０を差動伝送に用いた場合には、信号遅延を低減でき、信頼性の高い多層回路基板が得られる。
３層配線板４１は、ストリップライン構造が一体的に形成されているので、取り扱いが容易である。例えば、図４（ｂ）に示す従来の多層回路基板１２０と同じ積層構造を形成した場合に比べて、多層回路基板５１は厚さが薄くなる。
【００３２】
また、３層配線板４１に貫通孔４２を形成し、一括積層時に貫通孔４２内に樹脂４３Ａを埋め込むようにしたので、３層配線板４１を挟む一対の樹脂層４５及び貫通孔４２内の樹脂４３Ａで３層配線板４１の層間剥離を防止できる。これによって、多層回路基板５１には、高い寸法精度や高い信頼性、熱安定性を実現できる。貫通孔４２は、一対の配線パターン１０を挟む位置に形成したので、一対の配線パターン１０が形成された領域の層間剥離をより確実に防止できる。また、樹脂４３Ａは、貫通孔４２内に隙間無く充填されることが好ましいが、層間剥離を防止できる強度を有するのであれば、一部に空隙を有しても良い。
【００３３】
さらに、絶縁層１は、多層回路基板５１の使用温度範囲内ではガラス転移しない材料を用いて製造されているので、銅箔２を用いた表面配線パターン３５との間に反りや剥がれを生じ難い。このために、３層配線板４１を一体として取り扱うことができ、使用温度範囲内での信頼性を向上できる。
【００３４】
（第２の実施の形態）
図面を参照して第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態と同じ構成要素には同一の符号を付してある。また、第１の実施の形態と重複する説明は省略する。
最初に、図１Ａから図１Ｉに示すように、３層配線板４１を形成し、一対の配線パターン１０を挟むように貫通孔４２を形成する。続いて、図２Ａに示すように、貫通孔４２の内壁に、例えば銅などの導電膜６２を成長させる。導電膜６２は、電解めっき法又は無電解めっき法によって所定の厚さに形成される。一対の配線パターン１０の上下のグランド層３６，３７は、貫通孔４２内の導電膜６２によって電気的に接続される。グランド層３６，３７は、電源パターンとして使用することも可能である。
【００３５】
続いて、図２Ｂに示すように、下側から銅箔４４、未硬化の樹脂層４３、貫通孔４２に導電膜６２を形成した３層配線板６１、未硬化の樹脂層４３、３層配線板６１、未硬化の樹脂層４３、銅箔４４を積層する。この段階では、グランド層３７及び配線パターン３９の間の配線溝３５Ａは空洞になっている。さらに、貫通孔４２は、空洞のままである。
【００３６】
続いて、図２Ｃに示すように、真空プレスによって多層回路基板６５を一括積層によって形成する。真空プレス時の加熱によって、樹脂層４３の樹脂４３Ａが溶融、硬化する過程で、樹脂４３Ａが配線パターン３７，３９などの溝３５Ａに充填される。同様に、溶融した樹脂４３Ａが３層配線板６１の貫通孔４２に充填される。この状態で樹脂を硬化させると、貫通孔４２が樹脂４３Ａで埋められる。さらに、各３層配線板６１が上下の一対の硬化した樹脂層４５によって挟まれることで一体化された多層の回路基板６５が形成される。
【００３７】
ここで、貫通孔４２に充填された樹脂４３Ａがハトメとなり、３層配線板４１の上下に配置された樹脂層４３が接着層２３の膨らみを防止する。さらに、貫通孔４２の内壁に形成された導電膜６２もハトメとして機能して接着層２３の膨らみを防止する。
【００３８】
以上、説明したように、この実施形態によれば、３層配線板６１の貫通孔４２に導電膜６２を形成したので、３層配線板４１を挟む一対の樹脂層４５及び貫通孔４２内の樹脂４３Ａで３層配線板４１の層間剥離をさらに防止できる。その他の作用及び効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００３９】
ここで、実施形態の変形例について説明する。
図３に示すように、一対の配線パターン１０を挟む一対のグランド層３６，３７を切り欠き６８によって区画しても良い。また、図示を省略するが、図１Ｉに示す３層配線板４１に切り欠き６８を形成しても良い。
【００４０】
ここで挙げた全ての例及び条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明及び概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例及び条件に限定することなく解釈するものであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換及び変形を施すことができる。
【００４１】
以下に、前記の実施の形態の特徴を付記する。
（付記１）  一対の信号線と、前記信号線の下方に形成され、樹脂で形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の下に形成され、電源又はグランドに接続される第１の導電層と、前記信号線の上方に形成され、樹脂で形成された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の上に形成され、電源又はグランドに接続される第２の導電層と、を含むことを特徴とする多層回路基板。
（付記２）  前記第１の導電層から前記第２の導電層まで貫通する貫通孔と、前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うと共に、前記貫通孔に埋め込まれた樹脂と、を含むことを特徴とする付記１に記載の多層回路基板。
（付記３）  前記貫通孔の内壁を覆う導電膜を有することを特徴とする付記２に記載の多層回路基板。
（付記４）  前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、使用温度範囲内でガラス転移温度を有しないポリイミド樹脂から形成されていることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか一項に記載の多層回路基板。
（付記５）  前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層と同じ熱膨張率を有することを特徴とする付記４に記載の多層回路基板。
（付記６）  前記貫通孔は、前記一対の信号線を挟んで形成されていることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか一項に記載の多層回路基板。
（付記７）  樹脂で形成された第１の絶縁層の上に一対の信号線を形成する工程と、前記信号線の上に、樹脂で形成された第２の絶縁層を配置する工程と、前記第１の絶縁層の下面に形成された第１の導電層から、前記第２の絶縁層の上面に形成された第２の導電層までを貫通する貫通孔を形成する工程と、を含む多層回路基板の製造方法。
（付記８）  前記貫通孔の内壁を導電膜で覆う工程を有することを特徴とする付記７に記載の多層回路基板の製造方法。
（付記９）  前記第１の導電層の下に未硬化の樹脂を含む第１の層間絶縁層を配置し、前記第２の導電層の上に未硬化の樹脂を含む第２の層間絶縁層を配置し、前記第１の層間絶縁層を前記第１の導電層に、前記第２の層間絶縁層を前記第２の導電層にそれぞれ接合する際に、前記第１の層間絶縁層及び前記第２の層間絶縁層の樹脂を前記貫通孔に埋め込む工程を含むことを特徴とする付記７又は付記８に記載の多層回路基板の製造方法。
（付記１０）  前記第１の層間絶縁層を前記第１の導電層に、前記第２の層間絶縁層を前記第２の導電層にそれぞれ接合する工程は、未硬化の樹脂を溶融させて前記貫通孔に埋め込む工程と、溶融した樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする付記９に記載の多
層回路基板の製造方法。
【００４２】
１  絶縁層（第１の絶縁層、第２の絶縁層）
２Ａ  銅箔（第２の導体層）
２Ｂ  銅箔（第１の導電層）
１０  配線パターン（信号線）
４１、６１  ３層配線板
４２  貫通孔
４３Ａ  樹脂
５１、６５  多層回路基板
６２  導電膜
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図１Ｉ】
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【図１Ｊ】
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【図１Ｋ】
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【図１Ｌ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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