(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型を有する基板と、
前記基板に位置し前記第１導電型と反対の第２導電型を有するエミッタ部と、
前記エミッタ部上に位置し、
前記エミッタ部を露出する第１開口部及び前記エミッタ部を露出し互いに離隔された複数の第２開口部を備えた反射防止部と、
前記第１開口部を介して露出した前記エミッタ部の第１部分の上に位置し、前記エミッタ部の前記第１部分と接続している第１電極と、
前記複数の第２開口部を介して露出した前記エミッタ部の第２部分の上に位置し、前記エミッタ部の前記第２部分及び前記第１電極と接続している第１バスバーと、
前記基板に位置し前記基板に接続している第２電極を含み、
前記反射防止部は前記複数の第２開口部が形成された第１バスバー形成領域を含み、
前記第１電極と前記第１バスバーはメッキ法で形成し、
前記第１バスバーは前記第１バスバー形成領域に位置し、
前記第１バスバー形成領域で、前記第１バスバー形成領域の中央部分に位置した隣接した第２開口部の間の間隔は、前記第１バスバー形成領域の端部分に位置した隣接した第２開口部の間の間隔より大きく、
前記第１バスバーの端部分の高さは前記第１バスバーの中央部分の高さより高く、
前記第１バスバー形成領域の中央部分に位置した隣接した二つの第２開口部の間の間隔は、前記第１バスバー形成領域の端部分に位置した隣接した二つの第２開口部の間の間隔の１．５倍乃至５倍である太陽電池。
【請求項２】
前記複数の第２開口部の個数は３０個乃至７０個である、請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】
前記反射防止部の第１バスバー形成領域の幅に対してその下部に位置した前記複数の第２開口部のすべて幅の割合が１：０．２乃至０．５である、請求項１記載の太陽電池。
【請求項４】
隣接した前記二つの第２開口部の間隔は１５μｍ乃至３０μｍである、請求項３記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第１バスバーは前記複数の第２開口部の間に位置した反射防止部の上に追加で位置する、請求項１記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１バスバーの上部面は曲面である、請求項１記載の太陽電池。
【請求項７】
前記反射防止部上に位置した前記第１バスバーの高さは前記第２開口部を介して露出した前記エミッタ部の第２部分の上に位置した前記第１バスバーの高さより低い、請求項６記載の太陽電池。
【請求項８】
前記第１開口部は前記第１電極下部で第１方向に伸びていて、
前記複数の第２開口部それぞれは前記第１バスバー下部で前記第１方向と交差する第２方向に伸びている、請求項１記載の太陽電池。
【請求項９】
前記第１開口部及び前記第２開口部の中で少なくとも一つの側面は平坦面である、請求項１記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記第１開口部及び前記第２開口部の中で少なくとも一つの側面は凹凸面である、請求項１記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記エミッタ部は第１シート抵抗値を有する第１エミッタ部分と前記第１シート抵抗値より小さな第２シート抵抗値を有する第２エミッタ部分を含む、請求項１記載の太陽電池。
【請求項１２】
前記第２エミッタ部分は前記第１開口部を介して露出した前記エミッタ部の前記第１部分と前記複数の第２開口部を介して露出した前記エミッタ部の前記第２部分に位置する、
請求項１１記載の太陽電池。
【請求項１３】
前記第２エミッタ部分の幅は前記第１開口部の幅及び前記複数の第２開口部それぞれの幅と同一である、請求項１２記載の太陽電池。
【請求項１４】
前記第１開口部を介して露出した前記エミッタ部の前記第１部分に形成された第２エミッタ部分の幅は前記第１電極の幅より小さい、請求項１２記載の太陽電池。
【請求項１５】
前記反射防止部は前記複数の第２開口部が形成された第１バスバー形成領域を含み、
前記第１バスバーは前記第１バスバー形成領域に位置し、前記第１バスバー形成領域で、前記第１バスバー形成領域の幅より前記第１バスバーの幅がさらに大きい、請求項１２記載の太陽電池。
【請求項１６】
前記第２電極の下部に位置した前記基板に位置し前記基板と接続されていて前記第１導電型を有する電界部をさらに含む、請求項１記載の太陽電池。
【請求項１７】
前記電界部上に位置し前記電界部の第１部分を露出する第３開口部を備える保護部をさらに含み、
前記第２電極は前記第３開口部を介して露出した前記電界部の前記第１部分の上に位置し前記電界部と接続している、請求項１６記載の太陽電池。
【請求項１８】
前記保護部は前記電界部の前記第１部分と異なる前記電界部の第２部分に互いに離隔されるように位置した複数の第４開口部をさらに備え、
前記太陽電池は前記複数の第４開口部を介して露出した前記電界部の前記第２部分の上に位置し前記第２電極と接続している第２バスバーをさらに備える、請求項１７記載の太陽電池。
【請求項１９】
前記複数の第４開口部の個数は３０個乃至７０個である、請求項１８記載の太陽電池。
【請求項２０】
前記保護部の第２バスバー形成領域の幅に対してその下部に位置した前記複数の第４開口部のすべて幅の割合が１：０．２乃至０．５である、請求項１８記載の太陽電池。
【請求項２１】
前記複数の第４開口部で隣接した第４開口部の間の間隔は相異なる、請求項１８記載の太陽電池。
【請求項２２】
前記第２バスバーは前記複数の第２開口部の間に位置した保護部上に追加で位置する、請求項１５記載の太陽電池。
【請求項２３】
第１導電型を有する半導体基板の第１面に前記第１導電型または前記第１導電型と異なる第２導電型を有する不純物をドーピングして不純物部を形成する段階と、
前記不純物部上に保護部を形成する段階と、
前記保護部上にレーザービームを選択的に照射し、前記保護部に前記不純物部の第１部分を露出する第１開口部と前記第１開口部と離隔されており前記不純物部の第２部分を露出する複数の第２開口部を形成する段階と、
前記第１開口部を介して露出した前記不純物部の前記第１部分の上に電極を形成し、前記複数の第２開口部を介して露出した前記不純物部の前記第２部分の上に前記電極と接続されるバスバーを形成する段階と、
を含み、
前記反射防止部は前記複数の第２開口部が形成された第１バスバー形成領域を含み、
前記第１バスバーは前記第１バスバー形成領域に位置し、
前記第１バスバー形成領域で、前記第１バスバー形成領域の中央部分に位置した隣接した第２開口部の間の間隔は、前記第１バスバー形成領域の端部分に位置した隣接した第２開口部の間の間隔より大きく、
前記第１バスバーの端部分の高さは前記第１バスバーの中央部分の高さより高く、
前記第１電極と前記第１バスバーはメッキ法を用いた形成し、
前記第1バスバー形成領域の中央部分に位置した隣接した二つの第２開口部の間の間隔は、前記第１バスバー形成領域の端部分に位置した隣接した二つの第２開口部の間の間隔の１．５倍乃至５倍である太陽電池の製造方法。
【請求項２４】
前記第１開口部の幅と前記第２開口部の幅は同一である、請求項２３記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２５】
前記複数の第２開口部で隣接した二つの第２開口部の間の間隔は相異なる、請求項２３記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２６】
隣接した前記二つの第２開口部の間隔は１５μｍ乃至３０μｍである、請求項２５記載の太陽電池の製造方法。
【請求項２７】
前記保護部上に前記不純物部と同一である導電型を有する不純物膜を形成する段階をさらに含み、
前記レーザービームは前記不純物膜の上に選択的に照射され、
前記保護部下部に位置した前記不純物部の部分は第１シート抵抗値を有する第１不純物部分になり、
前記第１開口部と前記複数の第２開口部を介して露出した前記不純物部の前記第１部分と前記第２部分は前記第１シート抵抗値より小さな第２シート抵抗値を有する第２不純物部分になる、請求項２３記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予測され、これらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなり、これによって太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されている。
【０００３】
一般的な太陽電池はｐ型とｎ型のように互いに異なる導電型(conductive type)によりｐ−ｎ接合を形成する半導体部、それと互いに異なる導電型の半導体部にそれぞれ接続された電極を備える。
【０００４】
このような太陽電池に光が入射されれば半導体で電子と正孔が生成され、ｐ−ｎ接合により生成された電子はｎ型半導体部の方向に移動し、生成された正孔はｐ型半導体部の方向に移動する。移動した電子と正孔はそれぞれｐ型半導体部とｎ型半導体部に接続された互いに異なる電極によって収集され、この電極を電線で接続して電力を得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、太陽電池の製造費用と製造時間を減らすことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の太陽電池は第１導電型を有する基板、基板に位置し第１導電型と反対の第２導電型を有するエミッタ部、エミッタ部上に位置し、エミッタ部を露出する第１開口部及びエミッタ部を露出して互いに離隔された複数の第２開口部を備えた反射防止部と第１開口部を介して露出したエミッタ部の第１部分の上に位置し、エミッタ部の第１部分と接続している第１電極、複数の第２開口部を介して露出したエミッタ部の第２部分の上に位置し、エミッタ部の第２部分及び第１電極と接続している第１バスバーと、基板に位置し基板に接続している第２電極を含む。
【０００７】
複数の第２開口部の個数は３０個乃至７０個で有り得る。
【０００８】
反射防止部の第１バスバー形成領域の幅に対してその下部に位置した複数の第２開口部のすべて幅の割合が１： ０．２乃至０．５で有り得る。
【０００９】
複数の第２開口部で隣接した第２開口部の間の間隔は同一で有り得る。
【００１０】
複数の第２開口部で隣接した第２開口部の間の間隔は相異なることがある。
【００１１】
反射防止部は複数の第２開口部が形成された第１バスバー形成領域を含み、第１バスバーは第１バスバー形成領域に位置し、第１バスバー形成領域で、第１バスバー形成領域の中央部分に位置した隣接した第２開口部の間の間隔は第１バスバー形成領域の端部分に位置した隣接した第２開口部の間の間隔より大きくなることができる。
【００１２】
第１バスバー形成領域の中央部分に位置した隣接した二つの第２開口部の間の間隔は第１バスバー形成領域の端部分に位置した隣接した二つの第２開口部の間の間隔に比べ１．５倍乃至５倍で有り得る。
【００１３】
隣接した二つの第２開口部の間隔は１５μｍ乃至３０μｍで有り得る。
【００１４】
第１バスバーは複数の第２開口部の間に位置した反射防止部上に追加で位置することができる。
【００１５】
第１バスバーの上部面は曲面で有り得る。
【００１６】
反射防止部上に位置した第１バスバーの高さは第２開口部を介して露出したエミッタ部の第２部分の上に位置した第１バスバー高さより低いことがある。
【００１７】
第１バスバーの端部分の高さは第１バスバーの中央部分の高さより高いことがある。
【００１８】
第１開口部は第１電極下部で第１方向に伸びており、複数の第２開口部それぞれは第１バスバー下部で第１方向と交差する第２方向に伸び得る。
【００１９】
第１開口部の側面は平坦面または凹凸面で有り得る。
【００２０】
エミッタ部は第１シート抵抗値を有する第１エミッタ部分と第１シート抵抗値より小さな第２シート抵抗値を有する第２エミッタ部分を含むことがある。
【００２１】
第２エミッタ部分は第１開口部を介して露出したエミッタ部の第１部分と複数の第２開口部を介して露出したエミッタ部の第２部分に位置することがある。
【００２２】
第２エミッタ部分の幅は第１開口部の幅及び複数の第２開口部それぞれの幅と同一で有り得る。
【００２３】
第１開口部を介して露出したエミッタ部の第１部分に形成された第２エミッタ部分の幅は第１電極の幅より小さいことがある。
【００２４】
反射防止部は複数の第２開口部が形成された第１バスバー形成領域を含み、第１バスバーは第１バスバー形成領域に位置し、第１バスバー形成領域で、第１バスバー形成領域の幅より第１バスバーの幅がさらに大きくなることができる。
【００２５】
特徴による太陽電池は基板に位置し第２電極下部に位置した基板に位置し基板と接続されており第１導電型を有する電界部をさらに含むことができる。
【００２６】
前記特徴による太陽電池は電界部上に位置し電界部の第１部分を露出する第３開口部を備える保護部をさらに含むことができ、第２電極は第３開口部を介して露出した電界部の第１部分の上に位置し電界部と接続することが良い。
【００２７】
保護部は電界部の第１部分と異なる電界部の第２部分に互いに離隔するように位置した複数の第４開口部をさらに備えることができ、太陽電池は複数の第４開口部を介して露出した電界部の第２部分の上に位置し第２電極と接続している第２バスバーをさらに備えることができる。
【００２８】
複数の第４開口部の個数は３０個乃至７０個で有り得る。
【００２９】
保護部の第２バスバー形成領域の幅に対してその下部に位置した複数の第４開口部のすべて幅の割合が１： ０．２乃至０．５で有り得る。
【００３０】
複数の第４開口部で隣接した第４開口部の間の間隔は相異なることができる。第２電極は複数の第２開口部の間に位置した保護部上に追加で位置することができる。
【００３１】
本発明の他の特徴による太陽電池の製造方法は第１導電型を有する半導体基板の第１面に第１導電型または第１導電型と異なる第２導電型を有する不純物をドーピングして不純物部を形成する段階と不純物部上に保護部を形成する段階と保護部上にレーザービームを選択的に照射し、保護部に不純物部の第１部分を露出する第１開口部と第１開口部と離隔されており不純物部の第２部分を露出する複数の第２開口部を形成する段階、そして第１開口部を介して露出した不純物部の第１部分の上に電極を形成し、複数の第２開口部を介して露出した不純物部の第２部分の上に電極と接続されるバスバーを形成する段階を含む。
【００３２】
第１開口部の幅と第２開口部の幅は同一で有り得る。
【００３３】
複数の第２開口部で隣接した二つの第２開口部の間の間隔は同一で有り得る。
【００３４】
複数の第２開口部で隣接した二つの第２開口部の間の間隔は相異なることがある。
【００３５】
隣接した二つの第２開口部の間隔は１５μｍ乃至３０μｍで有り得る。
【００３６】
電極とバスバーはメッキ法を利用して同時に形成されうる。
【００３７】
前記特徴による太陽電池の製造方法は保護部上に不純物部と同一の導電型を有する不純物膜を形成する段階をさらに含むことができ、レーザービームは不純物膜の上に選択的に照射され、保護部下部に位置した不純物部の部分は第１シート抵抗値を有する第１不純物部分になり、第１開口部と複数の第２開口部を介して露出した不純物部の第１部分と第２部分は第１シート抵抗値より小さな第２シート抵抗値を有する第２不純物部分になることが良い。
【発明の効果】
【００３８】
本発明に係る太陽電池及びその製造方法は第１バスバー下部全体に第２開口部が位置しない代わり、部分的に複数の第２開口部が位置し第２開口部の形成面積が減少する。したがって、第２開口部の形成時間が減少し、第２開口部形成のためにレーザーに露出する基板の面積が減り、基板の劣化現象が減る。これにより、太陽電池の製造時間が減少し、基板の特性変化が減少する。
【００３９】
また、メッキ法で形成される第１電極の幅が減り、基板に入射される光の量が増加し、太陽電池の効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る太陽電池の一例に対する一部斜視図である。
【図２】図１に示した太陽電池をＩＩ−ＩＩ線に沿って切った断面図である。
【図３】本実施の形態に係る太陽電池の前面電極部の一部とその下部に位置したエミッタ部の一部を概略的に示した平面図である。
【図４】本実施の形態に係る太陽電池の前面電極部の一部とその下部に位置したエミッタ部の一部を概略的に示した平面図である。
【図５】本実施の形態に係る前面バスバーの上に導電性フィルムが位置する場合の一例を概略的に示した断面図である。
【図６Ａ】図１乃至図４に示した太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図６Ｂ】図１乃至図４に示した太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図６Ｃ】図１乃至図４に示した太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図６Ｄ】図１乃至図４に示した太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図６Ｅ】図１乃至図４に示した太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図６Ｆ】図１乃至図４に示した太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図７】本実施の形態に係り反射防止部に形成された複数の第１及び第２開口部を概略的に示した平面図である。
【図８】本実施の形態に係り反射防止部に形成された複数の第１及び第２開口部を概略的に示した平面図である。
【図９】本実施の形態に係り第２開口部によって露出した第２エミッタ部分の上にメッキされた前面バスバーの一部を概略的に示した断面図である。
【図１０（ａ）】本実施の形態に係り第２開口部によって露出した第２エミッタ部分の上にメッキにより前面バスバーが形成される過程を概略的に示した断面図である。
【図１０（ｂ）】本実施の形態に係り第２開口部によって露出した第２エミッタ部分の上にメッキにより前面バスバーが形成される過程を概略的に示した断面図である。
【図１０（ｃ）】本実施の形態に係り第２開口部によって露出した第２エミッタ部分の上にメッキにより前面バスバーが形成される過程を概略的に示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態に係る太陽電池の他の例に対する一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施の形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ多様な形態に具現されることができここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を介して類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。
【００４２】
図で多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、基板などの部分が他の部分「上に」あると言う時、これは他の部分「真上に」ある場合だけではなくその中間に他の部分がある場合も含む。反対に何れの部分が他の部分「真上に」あると言う時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００４３】
それでは添付した図面を参照にして本発明の一実施の形態に係る太陽電池を説明する。
【００４４】
先ず、図１ないし図３を参照にして、本発明の一実施の形態に係る太陽電池の一例に対して詳細に説明する。
【００４５】
図１及び図２を参照にすれば、本発明の一実施の形態に係る太陽電池は基板１１０、 光が入射される基板１１０の前面(front surface)(第１面) の方に位置したエミッタ部(emitter region)１２１、エミッタ部１２１上に位置する反射防止部(層)１３０、基板１１０の前面に位置し複数の前面電極１４１(複数の第１電極)と複数の前面電極１４１と接続された複数の前面バスバー(複数の第１バスバー)１４２を備えた前面電極部１４０、基板１１０の前面の反対側面である基板１１０の後面(back surface)（第２面）の方に位置する電界部(surface field region)（１７２）、そして電界部（１７２）上と基板１１０の後面上に位置し後面電極(第２電極)１５１と後面電極１５１と接続された複数の後面バスバー(複数の第２バスバー)１５２を備えた後面電極部１５０を備える。
【００４６】
基板１１０は第１導電型、例えばｐ型導電型を有しシリコン(silicon)のような半導体からなる半導体基板である。この時、半導体は多結晶シリコンまたは単結晶シリコンのような結晶質半導体である。
【００４７】
基板１１０がｐ型の導電型を有する場合、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などのような３価元素の不純物が基板１１０にドーピング(doping)される。しかし、これとは異なり、基板１１０はｎ型導電型で有り得、シリコン以外の他の半導体物質からなることもある。基板１１０がｎ型の導電型を有する場合、基板１１０はりん（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのように５価元素の不純物が基板１１０にドーピングされる。
【００４８】
このような基板１１０の前面はテクスチャリング(texturing)されて複数の突出部と複数の凹部を有する凹凸面であるテクスチャリング表面(textured surface)を有することができる。この場合、テクスチャリング表面によって、基板１１０の表面積が増加して光の入射面積が増加し基板１１０によって反射する光の量が減少するので、基板１１０に入射される光の量が増加する。
【００４９】
エミッタ部１２１は基板１１０の導電型と反対の第２導電型、例えば、ｎ型の導電型を有する不純物がドーピングされた不純物ドーピング部として、基板１１０の前面側に位置する。これにより、エミッタ部１２１は基板１１０の第１導電型部分とｐ−ｎ接合を成す。
【００５０】
このようなエミッタ部１２１は互いに異なる不純物のドーピング厚さと互いに異なる シート抵抗値を有する第１エミッタ部分１２１１（第１不純物ドーピング部分）と第２エミッタ部分１２１２（第２不純物ドーピング部分）を備えている。
【００５１】
本実施の形態で、第１エミッタ部分１２１１の不純物ドーピング厚さ（又は深さ）は第２エミッタ部分１２１２の不純物ドーピング厚さ(又は深さ)より小さく、これにより、第１エミッタ部分１２１１の不純物ドーピング濃度もまた第２エミッタ部分１２１２の不純物ドーピング濃度より少ない。これにより、第１エミッタ部分１２１１のシート抵抗値は第２エミッタ部分１２１２のシート抵抗値より大きい。例えば、第１エミッタ部分１２１１のシート抵抗値は約８０Ω/sq．乃至１２０Ω/sq．であり、第２エミッタ部分１２１２のシート抵抗値は約１０Ω/sq．乃至５０Ω/sq．で有り得る。
【００５２】
したがって、本例のエミッタ部１２１は互いに異なるシート抵抗値と不純物ドーピング濃度を有する第１及び第２エミッタ部分（１２１１、１２１２）を備えた選択的エミッタ構造(selective emitter structure)を有している。
【００５３】
この時、第１エミッタ部分１２１１と基板１１０ [すなわち、基板１１０の第１導電型部分]とのｐ−ｎ接合面(第１接合面)と第２エミッタ部分１２１２と基板１１０とのｐ−ｎ接合面(第２接合面)は互いに異なる高さに位置する。したがって、基板１１０の後面から第１接合面までの厚さ（又は距離）は基板１１０の後面から第２接合面までの厚さより大きい。
【００５４】
図１乃至図３に示すように、エミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１は反射防止部（層）１３０下部に位置する。第２エミッタ部分１２１２は複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２下部に位置し、複数の前面電極１４１下部に位置する第２エミッタ部分１２１２である複数の電極用第２エミッタ部分１２ａ(エミッタ部の第１部分)と複数の前面バスバー１４２下部に位置する第２エミッタ部分１２１２である複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ(エミッタ部の第２部分)を備える。
【００５５】
この時、各電極用第２エミッタ部分１２ａの幅Ｗ１１と各バスバー用第２エミッタ部分１２ｂの幅Ｗ１２は互いに同一である。一例として、各電極用第２エミッタ部分１２ａの幅Ｗ１１と各バスバー用第２エミッタ部分１２ｂの幅Ｗ１２はそれぞれ約５μｍ乃至１５μｍで有り得る。
【００５６】
図３に示すように、各電極用第２エミッタ部分１２ａは各前面電極１４１下部で前面電極１４１に沿って前面電極１４１と同一である方向に長く伸びていているので、各前面電極１４１下部には一つの電極用第２エミッタ部分１２ａが存在する。
【００５７】
各バスバー用第２エミッタ部分１２ｂは各前面バスバー１４２下部で前面バスバー１４２に沿って前面バスバー１４２と同一の方向に伸びていて互いに離隔されている複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂが存在する。したがって、隣接したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間には第１エミッタ部分１２１１が存在する。
【００５８】
この時、図３に示すように、複数の前面電極１４１の延長方向と複数の前面バスバー１４２の延長方向は互いに交差する方向であるので、複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２は交差する部分で複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２は互いに接続している。したがって、複数の前面電極１４１下部と複数の前面バスバー１４２下部でこれら〔１４１、１４２〕と同一の方向に伸びている電極用第２エミッタ部分１２ａと複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂもまた互いに交差する部分で互いに接続している。
【００５９】
したがって、複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２が互いに交差する部分を除けば、各前面バスバー１４２下部には互いに離隔されている複数の第２エミッタ部分１２１２[すなわち、バスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]が存在する。隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）は１５μｍ乃至 ３０μｍで有り得る。
【００６０】
図１と図２そして図３に示すように、本例による太陽電池で、各前面バスバー１４２下部に位置した複数の第２エミッタ部分１２１２[すなわち、複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の形成間隔（Ｄ１１）は一定である。
【００６１】
しかし、図４に示すように、他の例で、各前面バスバー１４２下部に位置した複数の第２エミッタ部分１２１２[複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の間隔（Ｄ１１）は互いに相異する。
【００６２】
例えば、図４に示すように、複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間の間隔（Ｄ１１）は各前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の中央部分に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）が複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の端部分に位置したバスバー用第２エミッタ部１２ｂの間隔（Ｄ１１）より大きくなることができる。
【００６３】
この時、各前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の中央部分に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）は互いに同一で有り得、複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の端部分に位置したバスバー用第２エミッタ部１２ｂの間隔（Ｄ１１）は同一で有り得る。
【００６４】
この時、各前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の中央部分に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）は複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の端部分に位置したバスバー用第２エミッタ部１２ｂの間隔（Ｄ１１）に比べて約１．５乃至５倍で有り得る。
【００６５】
しかし、これに限定されず、複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の位置に無関係に互いに隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部１２ｂの間の間隔（Ｄ１１）は互いに相異なることがある。
【００６６】
本例で、各前面バスバー１４２下部に存在する複数の第２エミッタ部分１２１２[すなわち、バスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の個数は各第２エミッタ部分１２１２の幅と隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）と各第２エミッタ部分１２ｂの幅によって決まり、一例として、約３０乃至７０個で有り得る。
【００６７】
基板１１０とエミッタ部１２１の間に形成されたｐ−ｎ接合による内部電位差(built-in potential difference)によって、基板１１０に入射した光によって生成された電荷である電子と正孔の中で電子はｎ型の方向に移動し正孔はｐ型の方向に移動する。したがって、基板１１０がｐ型でエミッタ部１２１がｎ型の場合、電子はエミッタ部１２１の方向へ移動し正孔は基板１１０の後面方向に移動する。
【００６８】
エミッタ部１２１は基板１１０とｐ−ｎ接合を形成するので、これと異なり、基板１１０がｎ型の導電型を有する場合、エミッタ部１２１はｐ型の導電型を有する。この場合、電子は基板１１０の後面方向に移動し正孔はエミッタ部１２１の方向へ移動する。
【００６９】
エミッタ部１２１がｎ型の導電型を有する場合、エミッタ部１２１には５価元素の不純物がドーピングすることができ、反対にエミッタ部１２１がｐ型の導電型を有する場合エミッタ部１２１には３価元素の不純物がドーピングすることができる。
【００７０】
第１エミッタ部分１２１１のシート抵抗値が約８０Ω/sq．以上であり約１２０Ω/sq．以下の場合、第１エミッタ部分１２１１自体で吸収される光の量をさらに減少させ基板１１０に入射される光の量を増加させ、不純物による電荷損失をもう少し減少させる。
【００７１】
また、第２エミッタ部分１２１２のシート抵抗値が約１０ Ω/sq．以上で約５０Ω/sq．以下である場合、第２エミッタ部分１２１２と前面電極部１４０との接触抵抗が減り電荷の移動の中で抵抗による電荷損失が減る。
【００７２】
既に説明したように、エミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１が反射防止部１３０下部に位置するので、反射防止部１３０はエミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１上に位置する。したがって、各前面バスバー１４２下部に位置した複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ中で、隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間にも第１エミッタ部分１２１１が存在するので、隣接したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間に位置した第１エミッタ部分１２１１上に反射防止部１３０が存在する。
【００７３】
このような反射防止部（層）１３０は水素化された窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）、水素化された酸化シリコン（ＳｉＯｘ：Ｈ）、水素化された酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ：Ｈ）、または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などからなり得るが、前記物質を除いた他の物質からなることもできる。
【００７４】
反射防止部１３０は太陽電池に入射する光の反射度を減らし特定の波長領域の選択性を増加させ、太陽電池の効率を高める。
【００７５】
また反射防止部１３０を形成する時注入した水素（Ｈ）や酸素（Ｏ）などを介して反射防止部１３０は基板１１０の表面及びその近くに存在するダングリングボンド（dangling bond）のような欠陥(defect)を安定した結合に変えて欠陥によって基板１１０の表面の方向に移動した電荷が消滅することを減少させるパッシベーション機能(ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｆｕｎｃｔｉｏｎ)を遂行し、反射防止部１３０を保護部(ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｒｅｇｉｏｎ)としても機能する。このような反射防止部１３０によって、欠陥によって基板１１０の表面及びその近所で損失する電荷の量が減少するので、太陽電池の効率は向上する。
【００７６】
本実施の形態で、反射防止部１３０は単一膜構造を有するが他の実施の形態で反射防止部（層）１３０は２重膜のような多層膜構造を有することができ、必要によって省略することができる。
【００７７】
複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０はエミッタ部１２１上と反射防止部１３０上に位置しエミッタ部１２１の第２エミッタ部分１２１２と接続している。
【００７８】
既に説明したように、複数の前面電極１４１は互いに離隔され決まった方向に並んで伸びており、各前面電極１４１は第２エミッタ部分１２１２の各電極用第２エミッタ部分１２ａと電気的及び物理的に接続している。
【００７９】
したがって、反射防止部１３０は前面電極１４１と電極用第２エミッタ部分１２ａを接続するために電極用第２エミッタ部分１２ａを部分的(partially) または局所的(locally)で露出する複数の第１開口部１８１と、前面バスバー１４２とバスバー用第２エミッタ部分１２ｂを接続するためにバスバー用第２エミッタ部分１２ｂを部分的または局所的に露出する複数の第２開口部１８２を備える。
【００８０】
複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）は反射防止部１３０の該の位置にレーザービームを照射して形成することができる。
【００８１】
各第１開口部１８１と各第２開口部１８２によって露出した第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の各両側面の形状は平坦面や非平坦面である凹凸面で有り得る。
【００８２】
各前面電極１４１は各電極用第２エミッタ部分１２ａの上だけではなく隣接した反射防止部１３０上にも一部位置する。したがって、図１及び図３に示すように、各電極用第２エミッタ部分１２ａの幅Ｗ１１よりその上に位置した各前面電極１４１の幅（Ｗ２１）がさらに大きい。一例として、各前面電極１４１の幅（Ｗ２１）は２０μｍ乃至４０μｍで有り得る。したがって、第１電極１４１の幅が大きい部分は第１反射防止部１３０の表面に形成される。
【００８３】
これにより、各前面電極１４１は第２エミッタ部分１２１２[すなわち、電極用第２エミッタ部分１２ａ]と電気的及び物理的に接続している。
【００８４】
このような複数の前面電極１４１はエミッタ部１２１の第１エミッタ部１２１１を介して第２エミッタ部分１２１２の電極用第２エミッタ部分１２ａに移動した電荷、例えば、電子を収集する。
【００８５】
既に説明したように、一つの前面電極１４１を形成するために電極用第２エミッタ部分１２ａを露出させる第１開口部１８１の個数は一つであり、一つの前面バスバー１４２を形成するためにバスバー用第２エミッタ部分１２ｂを露出させる複数の第２開口部１８２の個数は約３０個乃至７０個で有り得る。
【００８６】
本例で、一つの前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）に対してその下部に形成された複数の第２開口部１８２の全ての幅の割合は約１： ０．２乃至０．５で有り得る。
【００８７】
一つの前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）に対してその下部に形成された複数の第２開口部１８２の全ての幅の割合が約１：０．２以上の場合、複数の第２開口部１８２を介して露出したバスバー用第２エミッタ部分上に形成される一つの前面バスバー１４２がさらに安定的に形成され所望する幅と所望する伝導度を有する前面バスバー１４２が得られる。
【００８８】
一つの前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）に対してその下部に形成された複数の第２開口部１８２の全ての幅の割合が約１：０．５以下の場合、複数の第２開口部１８２を形成するのに所要する時間をさらに節約し複数の第２開口部１８２形成のために熱に露出するエミッタ部１２１の面積をさらに減らすことができるようになる。
【００８９】
複数の前面バスバー１４２は互いに離隔され複数の前面電極１４１と交差する方向に
並びに伸びていて、各前面バスバー１４２は複数の第２開口部１８２を介して露出した第２エミッタ部分１２１２の複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂと電気的及び物理的に接続している。
【００９０】
また隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間に反射防止部１３０が位置するので、一つの前面バスバー１４２は第２エミッタ部分１２１２[すなわち、複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]だけでなく反射防止部１３０とも接続している。
【００９１】
もちろん隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間の反射防止部１３０下部に第１エミッタ部分１２１１が存在するので、一つの前面バスバー１４２下部には第２エミッタ部分１２１２[すなわち、複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]だけでなく第１エミッタ部分１２１１も存在する。
【００９２】
各前面電極１４１と同一に、一つの前面バスバー１４２下部に存在する複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂが位置した基板１１０の全体幅(複数のバスバー用第２エミッタ部分の形成幅)（Ｗ３）[すなわち、図３で、一つの前面バスバー１４２下部に存在する複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ中で最も上部(すなわち最外郭)に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの最側面から最も下部(すなわち、最外郭)に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの最側面までの距離]よりその上に位置した各前面バスバー１４２の幅（Ｗ２２）がさらに大きい。一例として、各前面バスバー１４２の幅（Ｗ２２）は１ｍｍ乃至１．５ｍｍで有り得る。
【００９３】
結局、各前面バスバー１４２は第２エミッタ部分１２１２の電極用第２エミッタ部分１２ａ及び第２エミッタ部分１２１２のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂと電気的及び物理的に接続している。
【００９４】
複数の前面バスバー１４２は複数の前面電極１４１と同一層に位置し、既に説明したように、各前面電極１４１と交差する地点で該当の前面電極１４１と電気的及び物理的に接続している。
【００９５】
したがって、図１及び図３に示すように、複数の前面電極１４１は横または縦方向のような決まった一方向(第１方向)に伸びているストライプ(stripe) 形状を有し、複数の前面バスバー１４２は複数の前面電極１４１と交差する縦または横方向のような他の方向(第２方向)に伸びているストライプ形状を有していて、前面電極部１４０は基板１１０の前面に格子形態で位置する。
【００９６】
複数の前面バスバー１４２は接触されたエミッタ部１２１の第２エミッタ部分１２１２から移動する電荷だけではなく複数の前面電極１４１によって収集されて移動する電荷を収集した後該当の方向に収集された電荷を伝送する。
【００９７】
各前面バスバー１４２は交差する複数の前面電極１４１によって収集された電荷を集めて所望する方向に移動させなければならないので、各前面バスバー１４２の幅（Ｗ２２）は各前面電極１４１の幅（Ｗ２１）より大きい。
【００９８】
この時、エミッタ部１２１が第１及び第２エミッタ部分（１２１１、１２１２）を備えた選択的エミッタ構造を有していて、前面電極部１４０への電荷移動が主に行われる第１エミッタ部分１２１１は低い不純物ドーピング濃度を有し、前面電極部１４０と接している第２エミッタ部分１２１２は高い不純物濃度を有してある。したがってエミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１を介して前面電極部１４０の方向に移動する電荷の量と不純物の濃度増加による伝導度増加で第２エミッタ部分１２１２で前面電極部１４０に移動する電荷の量が増加する。これにより、エミッタ部１２１で前面電極部１４０に収集される電荷の量が増加し、太陽電池の効率は大きく向上する。
【００９９】
追加で、前面電極部１４０の前面電極１４１及び前面バスバー１４２と主に接触し電荷を出力する第２エミッタ部分１２１２は高い不純物ドーピング濃度によって第１エミッタ部分１２１１より高い伝導度と低いシート抵抗値を有してある。これにより、第２エミッタ部分１２１２と前面電極部１４０との接触抵抗が減少し、第２エミッタ部分１２１２から前面電極部１４０に移動する電荷の伝送効率が向上する。
【０１００】
この時、各前面電極１４１の幅（Ｗ２１）より第２エミッタ部分１２１２の電極用第２エミッタ部分１２ａの幅Ｗ１１が少なくて、高濃度の不純物ドーピング領域である電極用第２エミッタ部分１２ａの形成面積が減少する。また、各前面バスバー１４２の幅（Ｗ２２）より複数のバスバー用第２エミッタ部分形成幅（Ｗ３）が少なく、各前面バスバー１４２全体が第２エミッタ部分１２１２と接する代わり、各前面バスバー１４２が部分的又は局部的に高濃度の不純物ドーピング領域であるバスバー用第２エミッタ部１２ｂと接続している。これにより、各前面バスバー１４２下部に形成された高濃度の不純物ドーピング領域[バスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の形成面積が減少する。したがってエミッタ部１２１で高濃度の不純物ドーピング領域１２１２が減少して不純物による電荷の損失量が大きく減少し、太陽電池の効率が向上する。
【０１０１】
複数の太陽電池を直列または並列接続するため、複数の前面バスバー１４２上にはリボン(ribbon)のような導電性テープ(conductive tape)が附着して、この導電性テープを介して複数の前面バスバー１４２は外部装置と接続される。これにより、複数の前面バスバー１４２を介して収集された電荷（例、電子）は導電性テープを介して外部装置に出力される。
【０１０２】
また、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２が電極用第２エミッタ部分１２ａとバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの上だけではなく反射防止部１３０上にも位置して各開口部（１８１、１８２）の幅より各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の幅が大きい。これにより、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の表面積と断面積が増加し、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の伝導度が安定的に維持され電荷の移動が安定的に行われ、各前面バスバー１４２上に附着する導電性テープとの接触面積が増加して各前面バスバー１４２と導電性テープとの接着力がさらに向上する。
【０１０３】
本例で、前面電極部１４０はメッキ法を利用して形成され、このために、反射防止部１３０にエミッタ部１２１を露出する複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）が形成された後、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出されたエミッタ部１２１上に電気メッキ法などのようなメッキが行われる。
【０１０４】
この時メッキの成長方向は、垂直方向だけではなく水平方向にも行われ、垂直方向と水平方向に成長するメッキがほぼ同一の厚さで成長する等方成長である。
【０１０５】
これにより、既に説明したように、前面電極部１４０の各前面電極１４１と各前面バスバー１４２は複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出されたエミッタ部１２１の第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）だけではなく複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）周辺に位置した反射防止部１３０上にも形成され、水平方向と垂直方向に成長されるメッキの成長厚さはほとんど同一であるので、各電極用第２エミッタ部分１２ａと各バスバー用第２エミッタ部分１２ｂ上に成長されたメッキ部分の表面は曲面形状を有するようになる。
【０１０６】
この時、隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間の間隔が近距離に位置するので、隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの上でそれぞれ成長して反射防止部１３０上にまで成長したメッキ部分は隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間に位置した反射防止部１３０部分の上で互いに重畳されて接続される。したがって、 一つの前面バスバー１４２のための複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの上で成長したメッキ部分は互いに接して一体になって一つの前面バスバー１４２を形成するようになる。
【０１０７】
この時、各前面バスバー１４２の上部面 [すなわち、下部面の反対側に位置した前面バスバー１４２の面]は高さが一定する水平した面を有しないで位置によって上部面の高さが相異なる。したがって、各前面バスバー１４２の上部面は複数の突出部と複数の凹部を有する凹凸面を有する曲面形状である。この時、第２開口部１８２を介して露出したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ上に位置した前面バスバー１４２の上部面高さが反射防止部１３０上に位置した前面バスバー１４２の高さより高い。
【０１０８】
これにより、各前面バスバー１４２の上部面の表面の荒さが増加して各前面バスバー１４２と導電性テープとの接触面積が増加するので、前面バスバー１４２から導電性テープに移動する電荷の量が増加する。
【０１０９】
また図４に示すように、各前面バスバー１４２下部に位置した複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の間隔（Ｄ１１）が位置によって互いに相異なる時、各前面バスバー１４２の中央部分で隣接したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ上にメッキ成長した部分の重畳面積より端部分で隣接したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ上にメッキ成長した部分の重畳面積が増加し、これにより一つの前面バスバー１４２で中央部分に成長した前面バスバー１４２の高さより端部分で成長した前面バスバー１４２の高さが大きくなる。
【０１１０】
したがって、図５に示すように、一つの前面バスバー１４２の上部面で凸な部分を接続した仮想線（Ｌ１）によって形成される仮想の上部面の場合、前面バスバー１４２の中央部分での最低上部面高さと前面バスバー１４２の端部分での最高上部面高さの差（Ｈ１）は増加するようになる。これにより、隣接した二つの第２開口部１８２によって形成される隣接した二つの凸部の間の高さの差（Ｈ２）より仮想の上部面での高さ差（Ｈ２）がずっと増加するようになる。
【０１１１】
これにより、図５に示したように、概略的な前面バスバー１４２の上部面(さらに具体的には仮想の上部面)の断面形状は端部分凸な形状を持ち、中央部分は端部分に比べて相対的に凹な形状を有するようになる。これにより、一つの前面バスバー１４２で中央部分の高さは端部分の高さと相異し、端部分の高さが中央部分の高さより高い。
【０１１２】
一般的に前面バスバー１４２上に配置され前面バスバー１４２と隣接するように位置し前面バスバー１４２と接続される導電性フィルム２００の下部面の断面形状は図５に示したように、平坦面ではなく中央部分の高さが端部分の高さより高い凸な曲面形状を有する。
【０１１３】
したがって、凹凸面である前面バスバー１４２の上部面形状による導電性フィルム２００との接合面積増加だけではなく、互いに接合が成る前面バスバー１４２の上部面と導電性フィルム２００の下部面の形状が互いに相反した形状を有し前面バスバー１４２と導電性フィルム２００の接合がさらに容易に安定的に成る。
【０１１４】
したがって、各前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の中央部分に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）が複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の端部分に位置したバスバー用第２エミッタ部１２ｂの間隔（Ｄ１１）に比べて約１．５以上の時、さらに安定的に前面バスバー１４２の上部面の中央部分が窪む断面形状を得ることができて導電性フィルム２００との接合効率をさらに高めることができる。また、各前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の中央部分に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）が複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の端部分に位置したバスバー用第２エミッタ部１２ｂの間隔（Ｄ１１）に比べて約５以下の時、所望する大きさの表面積と伝導度を有する前面バスバー１４２の形成がさらに安定的に成る。
【０１１５】
本例で、前面バスバー１４２の中央部分と前面バスバー１４２の端部分での上部面高さの差（Ｈ１）または傾きは前面バスバー１４２上に配置される導電性フィルムの下部面の傾きによって変化させることができ、前面バスバー１４２の中央部分と前面バスバー１４２の端部分での上部面高さの差（Ｈ１）または傾きは第２開口部１８２の幅と隣接した二つの開口部１８２の間隔によって変わることがある。
【０１１６】
しかし、各前面電極１４１は一つの第１開口部１８１を利用し形成されるので複数の突出部と複数の凹部を有しない凹凸面代りに凸形状のなめらかな曲面形状を有するようになる。
【０１１７】
このように、複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２は同一のメッキ工程を介して同時に形成されるので、前面電極１４１と前面バスバー１４２の膜構造と材料は同一である。
【０１１８】
また前面電極部１４０がメッキによって形成されるので、前面電極部１４０の密度は銀ペーストなどを利用したスクリーン印刷法に製造された前面電極部の密度よりずっと増加して前面電極部１４０の伝導度が大きく向上する。
【０１１９】
複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０は銀（Ａｇ）のような物質からなる単一膜構造を有してあるか、２重膜または３重膜のような多重膜構造を有することがある。
【０１２０】
前面電極部１４０が銀からなる単一膜である場合、前面電極部１４０の比抵抗値(specific line resistivity)１．６ｕΩｃｍ乃至２．５ｕΩｃｍで有り得り、このような比抵抗値の大きさは銀ペーストを利用してスクリーン印刷法に形成された前面電極部１４０の比抵抗値（約６．７ｕΩｃｍ）よりずっと減少する。
【０１２１】
前面電極部１４０が２重膜構造を有する場合、エミッタ部１２１と接している下部膜はニッケル（Ｎｉ）から形成することができ、下部膜の上に位置した上部膜は銀（Ａｇ）から形成することができる。また、前面電極部１４０が３重膜構造を有する場合、エミッタ部１２１と接している下部膜はニッケル（Ｎｉ）から形成することができ、下部膜の上に位置した中間膜は銅（Ｃｕ）から形成され中間膜の上に位置した上部膜は銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）から形成することができる。この時、前面電極部１４０が２重膜である時、下部膜の厚さは約０．５μｍ乃至約１μｍで有り得、上部膜は約５μｍ乃至約１０μｍであり得、前面電極部１４０が３重膜である時、下部膜と上部膜それぞれの厚さは約０．５μｍ乃至約１μｍで有り得、中間膜は約５μｍ乃至約１０μｍで有り得る。
【０１２２】
この時、下部膜がニッケル（Ｎｉ）からなる場合、ニッケル（Ｎｉ）とエミッタ部１２１、すなわち、基板１１０の第２導電型の部分のシリコンとの結合によって下部膜とエミッタ部１２１の間にはニッケルシリサイド(nickel silicide)が存在する。
【０１２３】
一方、前面電極１４１と前面バスバー１４２をガラスフリット(glass frit)を含む銀ペーストなどを利用したスクリーン印刷法を利用して形成する場合、ガラスフリットが反射防止部１３０を貫通しエミッタ部１２１２と接するようになるので、前面電極１４１及び前面バスバー１４２とエミッタ部１２１２が接する部分にはガラスフリットの成分の中で少なくとも一つ、例えば、ＰｂＯのような鉛（Ｐｂ）系列物質、Ｂｉ2Ｏ3のようなビスマス（Ｂｉ）系列物質、Ａｌ2Ｏ3のようなアルミニウム（Ａｌ）系列物質、Ｂ2Ｏ3のようなホウ素（Ｂ）系列物質、スズ（Ｓｎ）系列物質、ＺｎＯのような亜鉛（Ｚｎ）系列物質、ＴｉＯのようなチタン（Ｔｉ）系列物質及びＰ2Ｏ5のような燐（Ｐ）系列物質の中で少なくとも一つが検出される。
【０１２４】
しかし、本例の場合、前面電極１４１と前面バスバー１４２はメッキで形成されるので、このようなガラスフリットの成分は検出されない。
【０１２５】
図１で、基板１１０に位置する前面電極１４１の個数、前面バスバー１４２の個数及び第２エミッタ部分１２１２の個数は一例に過ぎない。前面電極１４１の個数、前面バスバー１４２の個数及びエミッタ部１２１２の個数は場合によって変更可能である。
【０１２６】
電界部１７２は基板１１０と同一の導電型の不純物が基板１１０より高濃度にドーピングされた不純物部として、例えば、ｐ＋領域である。
【０１２７】
このような基板１１０の第１導電性領域と電界部１７２の間の不純物濃度差によって電位障壁が形成され、これにより、正孔の移動方向である電界部１７２の方向に電子移動を妨害する一方、電界部１７２の方向での正孔移動を容易にする。したがって、基板１１０の後面及びその近傍で電子と正孔の再結合で失われる電荷の量を減少させ、所望の電荷(例、正孔)の移動を加速化させ後面電極部１５０への電荷移動量を増加させる。
【０１２８】
後面電極部１５０は後面電極１５１と後面電極１５１と接続している複数の後面バスバー１５２を備える。
【０１２９】
後面電極１５１は基板１１０の後面に位置した電界部１７２と接触していて、基板１１０の後面端と後面バスバー１５２が位置した部分を除けば実質的に基板１１０の後面全体に位置する。
【０１３０】
後面電極１５１はアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）のような導電性物質を含んでいる。
【０１３１】
このような後面電極１５１は電界部１７２の方向から移動する電荷、例えば正孔を収集する。
【０１３２】
この時、後面電極１５１が基板１１０より高い不純物濃度で維持する電界部１７２と接触しているので、基板１１０ 、すなわち、電界部１７２と後面電極１５１の間の接触抵抗が減少して基板１１０から後面電極１５１にの電荷転送効率）が向上する。
【０１３３】
複数の後面バスバー１５２は後面電極１５１が位置しない基板１１０の後面上に位置し隣接した後面電極１５１と接続している。
【０１３４】
また、複数の後面バスバー１５２は基板１１０を中心に複数の前面バスバー１４２と対応されるように見合わせる。一例として複数の後面バスバー１５２と複数の前面バスバー１４２は整列され得る。
【０１３５】
複数の後面バスバー１５２は複数の前面バスバー１４２と類似に、後面電極１５１から伝達する電荷を収集する。
【０１３６】
複数の前面バスバー１４２と同一に、複数の後面バスバー１５２上に導電性フィルムが位置しこの導電性フィルムを介して外部装置と接続され、複数の後面バスバー１５２によって収集された電荷(例、正孔)は外部装置に出力される。
【０１３７】
このような複数の後面バスバー１５２は後面電極１５１より良好な伝導度を有する物質からなることができ、例えば、銀（Ａｇ）のような少なくとも一つの導電性物質を含む。したがって後面電極１５１と後面バスバー１５２は互いに異なる物質からなることができる。
【０１３８】
本例と異なり、代案的な例として、太陽電池のエミッタ部１２１は選択的エミッタ構造を有さないこともある。
【０１３９】
こういう場合、反射防止部１３０直下に位置したエミッタ部１２１部分の不純物ドーピング濃度、不純物ドーピング厚さ及びシート抵抗値は反射防止部１３０が位置せず、前面電極部１４０直下に位置したエミッタ部１２１部分の不純物ドーピング濃度、不純物ドーピング厚さ及びシート抵抗値と同一である。したがって、エミッタ部１２１は位置に無関係に全て同一のシート抵抗値、例えば、約５０Ω／ｓｑ．乃至８０Ω/sq．の値を有することができる。
【０１４０】
このような構造を有する本実施の形態に係る太陽電池の動作は次のようである。
【０１４１】
太陽電池に光が照射され反射防止部１３０を介して基板１１０に入射されれば光エネルギーによって半導体部から電子と正孔が発生する。この時、反射防止部１３０によって基板１１０に入射される光の反射損失が減り基板１１０に入射される光の量が増加する。
【０１４２】
これら電子と正孔は基板１１０とエミッタ部１２１のｐ−ｎ接合によってｎ型の導電型を有するエミッタ部１２１とｐ型の導電型を有する基板１１０の方向にそれぞれ移動する。このように、エミッタ部１２１の方向に移動した電子は第１エミッタ部分１２１１を経て第２エミッタ部分１２１２に移動して複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２によって収集されて複数の前面バスバー１４２に沿って移動し、基板１１０の方向に移動した正孔は隣接した後面電極１５１と複数の後面バスバー１５２によって収集されて複数の後面バスバー１５２に沿って移動する。このような前面バスバー１４２と後面バスバー１５２を導電性テープで接続すれば電流が流れるようになり、これを外部で電力に利用するようになる。
【０１４３】
この時、エミッタ部１２１が選択的エミッタ構造を有するエミッタ部１２１によって、電荷の損失量は減少し、前面電極１４１に移動する電荷の量は増加し、太陽電池の効率は大きく向上する。
【０１４４】
また、前面電極部１４０がメッキ法からなり、各前面電極１４１の幅はペースト(paste)を利用してスクリーン印刷法に製作された各前面電極の幅(例、８０μｍ乃至１２０μｍ)よりずっと小さい。これにより、光の入射を邪魔する前面電極１４１に形成面積が減少して太陽電池の光の入射面積が増加する。よって、太陽電池の効率が向上する。
【０１４５】
また、選択的エミッタ構造を形成する時、各前面バスバー１４２下部全体ではなく下部に選択的に高濃度の不純物ドーピング部である第２エミッタ部１２１２が位置し、また、各前面電極１４１の幅よりその下部に位置した第２エミッタ部１２１２の幅が小さいので、高濃度の不純物ドーピング領域が減少する。これにより、不純物によって失われる電荷の量が大きく減少する。
【０１４６】
次に、図６Ａ乃至図６Ｆを参照して、本発明の一実施の形態に係る太陽電池の製造方法を説明する。
【０１４７】
先ず、図６Ａに示すように、第１導電型(例、ｐ型)を有し単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなる基板１１０の前面に第２導電型を有する不純物[例、燐（Ｐ）]を含むエミッタ部１２０を形成する。この時、エミッタ部１２０はイオン注入法や熱拡散法などを利用し形成することができ、基板１１０の第１導電型の部分とｐ−ｎ接合を形成することができる。このようなエミッタ部１２０のシート抵抗値は約８０Ω/sq．乃至１２０Ω/sq．で有り得る。このように、基板１１０の中に第２導電型の不純物が注入されエミッタ部１２０が形成されるので、エミッタ部１２０は基板１１０と同一の材料である単結晶シリコンまたは多結晶シリコンのような結晶質半導体からなる。これにより、基板１１０とエミッタ部１２０は同種接合を形成する。
【０１４８】
代案的な例として、エミッタ部１２０を形成する前にまたはエミッタ部１２０を形成した後平坦面である基板１１０の前面[またはエミッタ部１２０の表面] または前面と後面に反応性イオン蝕刻法(reactｉon ion etching)のような乾式蝕刻法や湿式蝕刻法を利用して基板１１０の前面または前面と後面に複数の突出部と複数の凹部を有するテクスチャリング表面を形成することができる。このように、基板１１０の表面がテクスチャリング表面を有する場合、基板１１０に入射される光の反射防止効果が向上して基板１１０に入射される光の量が増加する。
【０１４９】
その後、図６Ｂに示すように、プラズマ化学気相蒸着法(plasma enhanced chemical vapor deposition、ＰＥＣＶＤ) などを利用して基板１１０の前面の方に形成されたエミッタ部１２０上に反射防止部１３０を形成する。この時、反射防止部１３０は水素化された窒化ケイ素（シリコン）（ＳｉＮｘ：Ｈ）、水素化された酸窒化ケイ素（シリコン）（ＳｉＯｘＮｙ：Ｈ）、水素化された酸化シリコン（ＳｉＯｘ：Ｈ）または酸化アルミニウム（Al2Ｏ3) などからなることができる。
【０１５０】
その後、図６Ｃに示すように、反射防止部１３０上にインクジェットプリンティング法(ink jetting)、スピンコーティング法(spin coating)、またはスクリーン印刷法などを利用し第２導電型の不純物を含む不純物膜２０を形成する。
【０１５１】
次に、図６Ｄに示すように、反射防止部１３０上に部分的にレーザービームを照射し、 エミッタ部１２０をそれぞれ露出する複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を 反射防止部１３０に形成する。
【０１５２】
第１及び第２開口部（１８１、１８２)それぞれの幅（Ｗ４１、Ｗ４２）は同一であり、各第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅（Ｗ４１、Ｗ４２）は約５μｍ乃至約１５μｍで有り得る。複数の第１開口部１８１は複数の前面電極１４１を形成するための開口部(すなわち、前面電極用開口部)であり、複数の第２開口部１８２は複数の前面バスバー１４２を形成するための開口部(すなわち、前面バスバー用開口部)である。
【０１５３】
この時、一つの第１開口部１８１は一つの前面電極１４１を形成するための開口部であるので、反射防止部１３０に一つの前面電極１４１を形成するための形成領域（以下、 「前面電極形成領域」又は「第１電極形成領域」と称する）（ＡＡ）に形成される第１開口部１８１の個数は一つである。このため、複数の第１開口部１８１の個数は複数の前面電極１４１の個数と同一である。
【０１５４】
しかし、複数の前面電極１４１とは異なり、約１ｍｍ乃至１．５ｍｍの幅を有する一つの前面バスバー１４２を形成するためには約３０個乃至約７０個の第２開口部１８２が必要であり、これにより一つの前面バスバー１４２を形成するための反射防止部１３０の領域（以下、「前面バスバー形成領域」又は「第１バスバー形成領域」と称する）（ＡＢ）に形成する第２開口部１８２の個数は約３０個乃至約７０個である。したがって複数の第２開口部１８２の個数は複数の前面バスバー１４２の個数よりずっと大きい。
【０１５５】
このように、一つの前面バスバー１４２を形成するため、一つの前面バスバー１４２の幅と少なくとも同一の幅を有する一つの第２開口部１８２を形成する代わり、離隔された複数の第２開口部１８２を形成する時、反射防止部１３０の前面バスバー形成領域（ＡＢ）の幅または一つの前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）に対してその下部に形成された複数の第２開口部１８２のすべて幅の割合は約１： ０．２乃至０．５で有り得る。
【０１５６】
このように、レーザービームが不純物膜２０を塗布した反射防止部１３０上に照射されエミッタ部１２０を露出させる複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成する場合、反射防止部１３０上に位置した不純物膜２０に含有された第２導電型の不純物が第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出したエミッタ部１２０の部分に追加に注入されてドーピングする。
【０１５７】
したがって、レーザービームの照射目的は、反射防止部１３０の所望の部分を除去し反射防止部１３０の所望する位置に複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成することと、エミッタ部１２０の所望する部分に第２導電型を有する不純物を追加にドーピングするためである。
【０１５８】
これにより、レーザービームが照射された部分エミッタ部１２０の部分、すなわち、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出したエミッタ部１２０の部分はレーザービームが照射されなかったエミッタ部１２０の残りの部分より高い不純物ドーピング濃度を有するようになり、このためシート抵抗値もまた最初エミッタ部１２０のシート抵抗値より減少するようになる。
【０１５９】
したがって、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出したエミッタ部１２０の部分はエミッタ部１２０のシート抵抗値(８０Ω/sq．乃至１２０Ω/sq．)より低いシート抵抗値、例えば、１０Ω/sq．乃至５０Ω/sq．のシート抵抗値を有する。
【０１６０】
これにより、レーザービームの照射動作が完了した後、エミッタ部１２０は反射防止部１３０下部に位置し約８０Ω/sq．乃至１２０Ω/sq．のシート抵抗値(第１シート抵抗値)を有する第１エミッタ部分１２１１と複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出したエミッタ部１２０部分に位置し約１０Ω/sq．乃至５０Ω/sq．(第２シート抵抗値)を有する第２エミッタ部分１２１２を備えた選択的エミッタ構造のエミッタ部１２１になる。
【０１６１】
したがって、各第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅（Ｗ４１、Ｗ４２）は各第１及び第２開口部（１８１、１８２）によって形成された各第２エミッタ部分１２１２の幅（Ｗ１１、Ｗ１２）と同一であることがあり、一つの前面バスバー１４２を形成するために形成された複数の第２開口部１８２中で隣接した二つの第２開口部１８２の間の間隔（Ｄ１１）は隣接した二つの第２開口部１８２によって形成された隣接した二つの第２エミッタ部分１２１２の間の間隔（Ｄ１１）と同一で有り得る。
【０１６２】
その後、反射防止部１３０上に残存する不純物膜２０をフッ酸（ＨＦ）や純水などを利用して除去する。
【０１６３】
図７に示すように、一つの前面バスバー形成領域（ＡＢ）に形成される隣接した二つの第２開口部１８２間の間隔（Ｄ１１）は互いに一定であるが、図８に示すように、他の例で、一つの前面バスバー形成領域（ＡＢ）に形成される隣接した二つの第２開口部１８２間の間隔（Ｄ１１）は相異なることがある。一例として、隣接した二つの第２開口部１８２間の間隔（Ｄ１１）は約１５μｍ乃至３０μｍで有り得る。
【０１６４】
一つの前面バスバー形成領域（ＡＢ）で隣接した 二つの第２開口部１８２間の間隔（Ｄ１１）が相異なる場合、一つの前面バスバー形成領域（ＡＢ）または一つの前面バスバー１４２で、中央部分に位置した隣接した二つの第２開口部１８２の間隔（Ｄ１１）は端部分に位置した隣接した二つの第２開口部１８２の間隔（Ｄ１１）に比べて約１．５倍乃至５倍で有り得る。
【０１６５】
一つの前面バスバー形成領域（ＡＢ）で隣接した二つの第２開口部１８２間の間隔（Ｄ１１）が相異なる場合、一例として、図８に示すように、隣接した二つの第２開口部１８２間の間隔（Ｄ１１）は前面バスバー形成領域（ＡＢ）の中央部分が端部分よりさらに大きい値を有し得る。この時、前面バスバー形成領域（ＡＢ）が前面バスバー１４２を横切る方向(例、Ｙ方向)で３等分に分け三つの副領域（ＡＢ１、ＡＢ２、ＡＢ３）が得られる場合、前面バスバー形成領域（ＡＢ）の端部分は三つの副領域（ＡＢ１−ＡＢ３）中前面バスバー形成領域（ＡＢ）の両端に位置した二つの副領域（ＡＢ１、ＡＢ３）であり、前面バスバー形成領域（ＡＢ）の中央部分は前面バスバー形成領域（ＡＢ）の三つの副領域（ＡＢ１−ＡＢ３）の中に位置した領域（ＡＢ２）で有り得る。
【０１６６】
このように、レーザービームの照射によって反射防止部１３０に形成された複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２)はメッキ法を利用して複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を形成する時、エミッタ部１２１[すなわち、第２エミッタ部分１２１２]と複数の前面電極１４１及び複数の前面バスバー１４２の間の接触のためである。
【０１６７】
以下、一つの前面バスバー１４２を形成するために反射防止部１３０の一つの前面バスバー形成領域（ＡＢ）に形成された第２開口部１８２の個数に対してさらに詳しく説明する。
【０１６８】
比較例の太陽電池で、複数の前面電極と複数の前面バスバーを備えた前面電極部は
一般的にスクリーン印刷法(screen printing)を用いて銀（Ａｇ）を含む銀ペースト(Ag paste)を前面電極部の形状にしたがって決まったパターンに塗布した後熱処理して製作する。
【０１６９】
銀ペーストで製作された各前面バスバーの比抵抗(specific line resistivity)は約６．７ｕΩcmであり、製造された一つのバスバーに対する断面積は約1５００μｍ(幅)×２５μｍ(厚さ)=約３７、５００μｍ2になる。また銀ペーストで製作された各前面バスバーの接触抵抗(specific contact resistivity)は約３ｍΩcmである。
【０１７０】
上に記載したように、 比較例に使われた前面バスバーの幅は約１５００μｍ（１．５mm）であり、前面バスバーの厚さは約２５μｍである。
【０１７１】
しかし、前面電極と前面バスバーの幅を減少させ太陽電池の入射面積を増加させるため、スクリーン印刷法に製作された前面電極及び前面バスバーと同一である動作特性を維持しながらスクリーン印刷法に製作されたより小さな幅を有する前面電極と前面バスバーを形成するために前面電極部はメッキ法で使われることができる。
【０１７２】
したがって、本例による太陽電池の前面バスバー１４２はメッキ法を利用して製作される。
【０１７３】
メッキ法を利用し前面バスバー１４２を製造する場合、エミッタ部１２１と接する前面バスバー１４２を製造するため、既に説明したように、エミッタ部１２０上に位置した反射防止部１３０を部分的または局所的に除去して複数の第２開口部１８２を形成する。
【０１７４】
複数の第２開口部１８２を介して露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキが行われる場合、既に説明したように、メッキ方向は第２エミッタ部分１２１２の垂直方向だけではなく水平方向にそれぞれ行われ、垂直方向と水平方向にメッキされる厚さが一定である等方成長と成る。したがって、メッキされた金属物質[例、銀（Ａｇ）]が第２開口部１８２を完全に満たして第２開口部１８２に隣接した反射防止部１３０の上部面[すなわち、前面電極部１４０と接している面] の高さまで成長した後からは上側だけではなく水平方向でもメッキが行われ、開口部１８２の幅を脱して開口部１８２に隣接した反射防止部１３０上にもメッキが行われる。
【０１７５】
次に、図９及び図１０を参照して、メッキ法で前面バスバー１４２を製作する場合、形成された前面電極１４１と前面バスバー１４２の特性に対して注意深く見る。
【０１７６】
図９及び図１０で、概略的に示すために基板１１０の表面はテクスチャリング表面ではない平坦面に示す。
【０１７７】
図９に示したように、反射防止部１３０を除去して決まった幅（Ｗｃ）を有する第２開口部１８２[または複数の第１開口部１８１]を形成した後露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキを実施する場合、反射防止部１３０の上部面高さからメッキされた厚さはＨｆであり、既に説明したように、メッキは等方成長であるので第２開口部１８２ [または複数の第１開口部１８１]の端から水平方向に反射防止部１３０上に行われたメッキの厚さもまたＨｆである。したがって、第２開口部１８２[または複数の第１開口部１８１]を介して露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキされた部分の上部面形状は曲面形状を有するようになる。
【０１７８】
図９で、メッキされた前面バスバー１４２のすべて幅（Ｗｆ）は第２開口部１８２の幅（Ｗｃ）と反射防止部１３０のメッキ厚さ（Ｈｆ）の２倍である２Ｈｆの合計である（Ｗｃ＋２Ｈｆ）と実質的に同一である。この時、メッキされた金属[例、銀（Ａｇ）]の比抵抗値(specific line resistivity)は約２．２ｕΩcmであるので、銀ペーストで製作された前面バスバーの比抵抗値（約 ６．７ｕΩcm）の約１／３にあたることが分かる。また、メッキされた物質の接触抵抗(specific contact resistivity)は約１ｍΩcmであり、この接触抵抗もまた銀ペーストを利用する場合の接触抵抗（約３ｍΩcm）の約１／３にあたることが分かる。
【０１７９】
このように、メッキで製作された前面バスバー１４２の比抵抗値と接触抵抗値それぞれが銀ペーストで製作された前面バスバーの比抵抗値と接触抵抗値それぞれの１／３に対応するので、メッキ法を利用して製作された前面バスバー１４２と銀ペーストで製作された前面バスバー１４２が同一の断面積を有する場合、メッキで製作された前面バスバーの動作特性(例、接触特性や伝導度)は銀ペーストで製作された前面バスバーの動作特性より約３倍向上することが分かる。
【０１８０】
図９で、ＷｃとＨｆが約１０μｍであるとき、一つの第２開口部１８２でメッキ成長された前面バスバー１４２の一部断面積（Ａ）は約２５７μｍ2である。
【０１８１】
一方、銀ペーストで製作された前面バスバー１４２と同一の配線抵抗を有する一つの前面バスバー１４２の断面積（Ａ１）はＲ(配線抵抗)=[ρ(比抵抗値)×ｌ(長さ)]/Ａ１(断面積)の算出式に基づいて算出することができる。この時、銀ペーストで製作された前面バスバーとメッキで製作された前面バスバー１４２と長さ（ｌ）は同一であることと見做すので、上の算出式で長さ（ｌ）に対する要素は省略する。
【０１８２】
したがって、銀ペーストで製作された前面バスバーの配線抵抗をＲｐａｓｔｅであるとする時、既に説明したように、この時の比抵抗値は６．７μΩcmであり、断面積は３７、５００μｍ2であるので、Ｒｐａｓｔｅ＝６．７／３７５００＝１．７８６×１０-4Ωになる。
【０１８３】
したがって、メッキで製作された前面バスバーの配線抵抗(Rplating)が銀ペーストで製作された前面バスバーと同一の配線抵抗(Rpaste)を有する場合の断面積（Ａ１）は次のように算出される。この時、既に説明したように、メッキで製作された前面バスバー１４２の比抵抗値は２．２ｕΩcmである。
【０１８４】
Ｒｐｌａｔｉｎｇ  ＝ρ／Ａ１で、１．７８６×１０-4Ω＝２．２／Ａ１であるので、 断面積（Ａ１）は約１２、３１３μｍ2が算出される。
【０１８５】
したがって、この断面積（Ａ１）を一つの開口部１８２でメッキ成長した部分の断面積（Ａ）で分ければこの断面積（Ａ１）を得るために反射防止部１３０に形成される第２開口部１８２の個数が算出され、約１０μｍの幅を有する開口部１８２の個数は約４８個になる。
【０１８６】
すなわち、幅が約１．５ｍｍである一つの前面バスバーを形成するため、反射防止部１３０に約１．５ｍｍの幅を有する一つの第２開口部を形成する代りに、約１０μｍの幅を有する開口部１８２を約４８個形成した後、第２開口部１８２内にメッキを実施し一つの前面バスバー１４２を形成する場合、前面バスバー１４２のメッキ成長が既に説明したように、第２開口部１８２の上の方だけではなく左側と右側方向でも等方成長するので、 複数の第２開口部１８２上に形成された前面バスバー１４２の幅は約１．５ｍｍを有するようになる。
【０１８７】
これにより１ｍｍ乃至１．５ｍｍの幅を有する一つの前面バスバー１４２を複数の第２開口部１８２を介して露出したエミッタ部１２１の上にメッキ法を利用し形成する場合、約５μｍ乃至１５μｍの幅を有する第２開口部１８２が約３０個乃至７０個が必要となることが分かる。この時、隣接した二つの第２開口部１８２の間隔は約１５μｍ乃至３０μｍで有り得る。第２開口部１８２の個数は各第２開口部１８２の幅と隣接した二つの第２開口部１８２の間の間隔によって変わる。
【０１８８】
隣接した二つの第２開口部１８２の間隔が約１５μｍ以上の時、高濃度の不純物ドーピング部分である第２エミッタ部分１２ｂの形成面積を減少させ第２エミッタ部分１２１２のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂによる電荷の損失量がさらに安定的に減少し、隣接した二つの第２開口部１８２の間隔が約３０μｍ 以上の時、隣接した第２開口部１８２にそれぞれ成長した前面バスバー１８２部分がさらに安定的に接するようになって安定的な伝導度を有する一つの前面バスバー１４２が複数の第２開口部１８２上に形成する。
【０１８９】
このように、各前面バスバー１４２の形成のために一つの前面バスバー１４２が位置する部分の反射防止部１３０全体を全てレーザーで除去する代わり、各前面バスバー１４２の形成のために一つの前面バスバー１４２が位置する部分の反射防止部１３０を部分的にまたは選択的に除去するので、レーザービームが照射される反射防止部１３０の領域が減少するようになる。
【０１９０】
これにより、レーザービームの照射時間が減少し、レーザービームによって印加される熱によるエミッタ部１２１や基板１１０の劣化現状が減少して、太陽電池の製造時間と特性変化の減少効果が発生する。
【０１９１】
本例で、一つの前面バスバー１４２のための複数の第２開口部１８２の個数が３０個以上の場合、さらに安定的な伝導度と表面積を有する前面バスバー１４２が形成され、一つの前面バスバー１４２のための複数の第２開口部１８２の個数が７０個以下の場合、不必要な時間の無駄とレーザーの照射面積が減る。
【０１９２】
また、蝕刻ペーストや別途のマスクを利用した反射防止部１３０の除去動作の代わりに反射防止部１３０上に直接照射されるレーザービームを利用して反射防止部１３０の所望する部分を除去するので、形成される第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅が蝕刻ペーストやマスクを利用する時よりずっと減少するようになる。
【０１９３】
これにより、高濃度の不純物ドーピング部分である第２エミッタ部分１２１２の形成面積が減少し、前面電極１４１の形成幅が減少して複数の前面電極１４１の形成面積が減少する。
【０１９４】
本例では、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成するためのレーザーは５３２ｎｍの波長を有するレーザーで有り得、レーザーの電力(power)は約５W乃至２０Ｗで有り得る。この時、レーザーの電力や照射時間は反射防止部１３０の材料や厚さなどによって決めることができる。
【０１９５】
このように、レーザービームの照射によって形成された複数の第１開口部１８１それぞれと複数の第２開口部１８２それぞれの側面形状は平坦面であるか非平坦面である凹凸面で有り得る。
【０１９６】
第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出した第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の両側面が平坦面である時、使われるレーザービームは第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅と同一の幅を有するストライプ(stripe)形状を有することができ、第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出した第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の両側面が凹凸面である時、使われるレーザービームは第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅と同一の幅を有するスポット(spot)形状を有することができる。
【０１９７】
各第１開口部１８１と各第２開口部１８２によって露出した第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の各両側面の形状が凹凸面の場合、第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出する第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の面積が増加するので前面電極１４１及び前面バスバー１４２と第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）が接触する接触面積が増加するようになり、ストライプ形状を有するレーザービームを利用して第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成する場合、第１及び第２開口部（１８１、１８２）の形成時間が減小する。
【０１９８】
このように、メッキ法で前面電極部１４０を形成するために反射防止部１３０に複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）が形成されれば、図６Ｅに示すように、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を介して露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキを実施し複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０を形成する。この時、使われるメッキ法は電気メッキ法やＬＩＰ法(light induced plating、ＬＩＰ) などを使うことができる。
【０１９９】
したがって、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２)を介して露出したエミッタ部１２１の第２エミッタ部分１２１２に該当の金属イオン(例、銀イオン)を含む溶液[例、シアン化銀カリウム（ＫＡｇ（ＣＮ）2）を中に沈澱させメッキを実施する。
【０２００】
この時、メッキが行われる場合図１０（ａ）に示すように、各第１開口部１８１(図１０に図示せず)と各第２開口部１８２内に位置した第２エミッタ部分１２１２で金属メッキが形成され所望する金属が成長し複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０が形成され始めながら、次第に第１及び第２開口部（１８１、１８２）外部にまで前面電極部１４０が成長する。
【０２０１】
この時、前面電極部１４０のための金属のメッキ成長は、既に説明したように、垂直方向だけではなく水平方向に同一の速度で成長する等方成長であるので、図１０(b)に示したように、第１及び第２開口部（１８１、１８２） 内でメッキ成長した前面電極１４１と前面バスバー１４２が隣接した反射防止部１３０の上部面高さまで成長すれば、水平方向でも金属成長が成り開口部（１８１、１８２）に隣接した反射防止部１３０上にも前面電極１４１と前面バスバー１４２が成長する。
【０２０２】
したがって、各前面電極１４１の上部面と各前面バスバー１４２の上部面は曲面形状を有するようになる。
【０２０３】
本例で、一つの前面バスバー１４２を形成するために隣接するように位置した複数の開口部１８２が形成されるので、図１０（ｃ）に示したように、一つの前面バスバー１４２を形成するために形成された複数の第２開口部１８２から、近距離で接するように形成された二つの第２開口部１８２でそれぞれ成長した金属(すなわち、各前面バスバー１４２の一部)が反射防止部１３０の上で互いに会うようにする。
【０２０４】
結局、互いに離隔されいるそれぞれの第２開口部１８２内で金属メッキ成長が形成されても隣接した二つの第２開口部１８２の間の間隔（Ｄ１１）が水平方向にの金属メッキ成長範囲内に含まれているので隣接した二つの第２開口部１８２を中心にそれぞれ成長した金属は二つの第２開口部１８２の間に位置した反射防止部１３０の上で会うようになり一つの前面バスバー１４２を形成するようになる。
【０２０５】
したがって、最終的に形成された各前面バスバー１４２の幅[すなわち、反射防止部１３０と第２エミッタ部分１２１２に接している各前面バスバー１４２の下部面の幅]は前面バスバー形成領域（ＡＢ）の幅（Ｄ２１）より大きい値を有するようになる。
【０２０６】
既に説明したように、金属メッキ成長は等方成長であるので、各第２開口部１８２を中心にメッキが行われる前面バスバー１４２の一部である金属の上部面[すなわち、下部面の反対側に位置した前面バスバー１４２の面]もやはり曲面形状を有するようになる。しかし、隣接した二つの第２開口部１８２を中心に金属メッキがそれぞれ行われて隣接した二つの第２開口部１８２の間に位置した反射防止部１３０の上で重畳するので、メッキ成長した金属の重畳部分の上部面の高さが第２開口部１８２に露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキ成長した金属部分の上部面の高さより低くなる。
【０２０７】
したがって、反射防止部１３０上と第２開口部１８２を介して露出した第２エミッタ部分１２１２上に形成された各前面バスバー１４２の上部面[すなわち、下部面の反対側に位置した前面バスバー１４２の面]は複数の突出部と複数の凹部を有する凹凸面を有する曲面形状を有するようになる。既に説明したように、第２開口部１８２を介して露出した第２エミッタ部分１２１２上に位置した前面バスバー１４２の上部面の高さが反射防止部１３０上に位置した前面バスバー１４２の高さより高い。
【０２０８】
これにより、各前面バスバー１４２の上部面の表面の荒さが増加して各前面バスバー１４２と導電性フィルム間の接触面積が増加するので、前面バスバー１４２から導電性フィルムに移動する電荷の量が増加する。
【０２０９】
このようにメッキ法で形成する前面電極部１４０の各前面電極１４１と各前面バスバー１４２は銀（Ａｇ）のような金属からなる単一膜構造を有してあるが、代案的な例で、２重膜または３重膜のような多重膜構造を有することができる。
【０２１０】
前面バスバー１４２が銀からなる単一膜である場合、前面バスバー１４２の比抵抗値(specific line resistivity)が１．６ｕΩｃｍ乃至２．５ｕΩｃｍで有り得る。前面バスバー１４２がメッキにより形成されるので前面バスバー１４２の密度は銀ペーストを利用したスクリーン印刷法で製造された前面バスバーの密度よりずっと増加し銀ペーストで製作された前面バスバー１４２の比抵抗値（約６．７ｕΩｃｍ）よりずっと減少する。これにより、前面バスバー１４２の伝導度が大きく向上する。
【０２１１】
各前面電極１４１と各前面バスバー１４２が２重膜の構造を有する場合、エミッタ部１２１と接している下部膜はニッケル（Ｎｉ）からなることができ、下部膜の上に位置した上部膜は銀（Ａｇ）からなることができる。また、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２が３重膜構造を有する場合、エミッタ部１２１と接している下部膜はニッケル（Ｎｉ）からなることができ、下部膜の上に位置した中間膜は銅（Ｃｕ）からなり中間膜の上に位置した上部膜は銀（Ａｇ）や柱石（Ｓｎ）からなることができる。
【０２１２】
この時、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の下部膜は接している第２エミッタ部分１２１２との接触抵抗を減少させ接着特性を向上するためであり、中間膜は費用節減のためで銅（Ｃｕ）のように安価ながらも良好な伝導度を有する材料からなることができる。中間膜が銅（Ｃｕ）からなる場合、この中間膜下部に位置した下部膜はシリコン（Ｓｉ）との結合力が良好な銅がシリコン（Ｓｉ）からなる第２エミッタ部分１２１２の中に浸透(吸収)して電荷の移動を妨害する不純物として作用することを防止する。
【０２１３】
また、上部膜はその下部に位置した膜(例、下部膜または中間膜)の酸化を防止し上部膜の上に位置する導電性テープとの接着力を向上するためである。
【０２１４】
このように、前面電極部１４０が多層膜からなる場合、下部膜から上部膜までメッキ法を利用し順に所望の厚さを有する多層膜を形成するようになる。
【０２１５】
複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２の形成は同一のメッキ工程を介して同時に形成するので、前面電極１４１と前面バスバー１４２の膜構造と材料は同一である。
【０２１６】
次に、図６Ｆに示すように、銀（Ａｇ）を含むペーストをスクリーン印刷法で印刷した後乾燥させ前面バスバー１４２と対応する基板１１０の後面上に部分的に後面バスバーパターン５２を形成し、後面バスバーパターン５２が位置しない基板１１０の残り後面上にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）-銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）を含むペーストをスクリーン印刷法で印刷した後乾燥させて基板１１０の後面に部分的に位置する後面電極パター５１を形成し、後面電極パター５１と後面バスバーパターン５２を備えた後面電極部パターン５０を完成する。
【０２１７】
この時、後面電極パター５１は隣接した後面バスバーパターン５２の一部の上に位置し、隣接した後面バスバーパターン５２と部分的に重畳することができ、基板１１０の後面端部分には形成されないこともある。
【０２１８】
基板１１０がｐ型である時、後面電極パター５１はアルミニウム（Ａｌ）を含むペーストを使うことができ、基板１１０がｎ型である時、後面電極パター５１はアルミニウム（Ａｌ）-銀（Ａｇ）を含むペーストや銀（Ａｇ）を含むペーストを使うことができる。
【０２１９】
この時、これらパターン（５１、５２）の乾燥温度は約１２０℃乃至約２００℃で有り得、パターン(５１、５２)の形成順序では変更可能である。
【０２２０】
その後、後面電極部パターン５０が形成された基板１１０を約7５０℃乃至約８００℃の温度で熱処理工程を施行する。
【０２２１】
これにより、基板１１０と電気的に接続される後面電極１５１と基板１１０と後面電極１５１に接続される複数の後面バスバー１５２を備えた後面電極部１５０、そして後面電極１５１と接している基板１１０の後面に位置した後面電界部１７２が形成される(図１及び図２)。
【０２２２】
すなわち、熱処理工程によって、後面電極部パターン５０の後面電極パター５１と後面バスバーパターン５２は基板１１０との化学的結合が成り、後面電極パター５１と後面バスバーパターン５２はそれぞれ後面電極１５１と複数の後面バスバー１５２に形成されこの時、隣接した後面電極パター５１と後面バスバーパターン５２との化学的結合もまた成り隣接した後面電極１５１と後面バスバー１５２の間の電気的な接続もまた形成する。
【０２２３】
また、熱処理工程の中に、後面電極部パターン５０の後面電極パター５１に含まれたアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）が基板１１０で拡散して基板１１０内部に基板１１０より高い不純物濃度を有する不純物ドーピング部である電界部１７２が形成される。これにより、後面電極１５１は基板１１０より高い伝導度を有する電界部１７２と接触して基板１１０と電気的に接続されるので、基板１１０からの電荷収集がさらに容易に行われる。
【０２２４】
本例の場合、基板１１０の前面にだけエミッタ部１２１が形成されるので、基板１１０の後面に位置するエミッタ部との電気的な接続を遮断する側面分離工程(edge isolation)や基板１１０の後面に形成されたエミッタ部を除去するための別途の工程が必要ではない。したがって、太陽電池の製造時間が短縮され、太陽電池の生産性が向上し製造費用が減る。
【０２２５】
本例で、複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０を形成した後後面電極１５１と複数の後面バスバー１５２を備えた後面電極部１５０を形成したが、これとは反対に後面電極部１５０を形成した後前面電極部１４０を形成することができる。
【０２２６】
このように、複数の前面電極１４１がメッキで行われるので、スクリーン印刷法を利用して形成される時より各前面電極１４１の幅が減少し、太陽電池の入射面積が増加する。 これにより、太陽電池１の効率が向上する。
【０２２７】
本例と異なり、エミッタ部１２１の構造が選択的エミッタ構造を有さない場合、すなわち、エミッタ部１２１が位置に無関係に同一のシート抵抗値を有していて前面電極部１４０下部に位置したエミッタ部１２１のシート抵抗値とその以外のエミッタ部１２１のシート抵抗値が全て同一の場合、既に記述した工程の中で、図６Ｃの工程は省略される。
【０２２８】
したがって、基板１１０のエミッタ部１２０上に反射防止部１３０を形成した後、直接、反射防止部１３０上にレーザービームが直接照射され反射防止部１３０に複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成する。
【０２２９】
この時、エミッタ部１２０に追加で第２導電型の不純物を注入できる別途の不純物膜が反射防止部１３０の上部や下部に存在しないで、レーザービームの照射目的が第２導電型の不純物を追加にドーピングするためではなく反射防止部１３０の所望の部分のみを除去するためなので、レーザービームが照射されたエミッタ部１２０部分には追加の不純物ドーピング工程は実施されない。
【０２３０】
したがって、エミッタ部１２０でレーザービームが照射された部分とそうではない部分の不純物ドーピング濃度とシート抵抗値は同一に維持される。
【０２３１】
このように、レーザービームの照射目的がすでに図６Ｄを参照にして説明したことと相異なるので、この時、照射されるレーザービームの波長は３５５nmを有することができる。やはりレーザーの電力(約５Ｗ乃至２０Ｗ)や照射時間は反射防止部１３０の材料や厚さなどによって決まる。
【０２３２】
このような場合、不純物膜２０の形成及び除去工程が省略されるので、太陽電池の製造時間と製造費用が減少する。
【０２３３】
本例で、後面電極１５１はアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）を含むペーストを利用したスクリーン印刷法を介して形成され、後面バスバー１５２もまた銀（Ａｇ）を含むペーストを利用したスクリーン印刷法を介して形成する。
【０２３４】
しかし、代案的な例として、後面電極１５１と後面バスバー１５２また前面電極１４１と前面バスバー１４２のようにメッキ法を介して形成されることができる。
【０２３５】
この場合、前面電極部１４０のように、後面電極１５１と後面バスバー１５２は同一のメッキ工程を介して同時に形成され後面電極１５１と後面バスバー１５２は同一の材料からなることができる。
【０２３６】
さらに、後面電極１５１と後面バスバー１５２は前面電極１４１と前面バスバー１４２のためのメッキ工程を介して前面電極１４１及び前面バスバー１４２と同時に形成されることができ、この場合、後面電極部１５０の材料は前面電極部１４０の材料と同一である。また、後面電極部１５０もまた単一膜だけではなく２重膜と３重膜のように多重膜からなることができる。
【０２３７】
このように、後面電極１５１と後面バスバー１５２がメッキ法からなる場合、後面電極１５１と後面バスバー１５２が２重膜または３重膜からなるとき、電界部１７２、すなわち、第１導電型の不純物が高濃度にドーピングされた基板１１０の部分と接する下部膜がニッケル（Ｎｉ）からなる場合、ニッケル（Ｎｉ）と電界部１７２のシリコン（Ｓｉ）との結合によって下部膜と電界部１７２の間にはニッケルシリサイド(nickel silicide)が存在する。
【０２３８】
また、後面電極１５１と後面バスバー１５２および電界部１７２の間にはＰｂＯのような鉛（Ｐｂ）系列物質、Ｂｉ2Ｏ3のようなビスマス（Ｂｉ）系列物質、Ａｌ2Ｏ3のようなアルミニウム（Ａｌ）系列物質、Ｂ2Ｏ3のようなホウ素（Ｂ）系列物質、スズ（Ｓｎ）系列物質、ＺｎＯのような亜鉛（Ｚｎ）系列物質、ＴｉＯのようなチタン（Ｔｉ）系列物質及びＰ2Ｏ5のような燐（Ｐ）系列物質の中で少なくとも一つのようなガラスフリット(glass frit)の成分が検出されない。
【０２３９】
本発明の実施の形態で前面バスバー１４２が前面電極１４１と交差するので、前面バスバー１４２はシート(ｓｈｅｅｔ)形状で反射防止部１３０の表面に形成される第１部分と、格子形状で反射防止部１３０を貫通し形成される第２部分を有する。
【０２４０】
本例に係る太陽電池は基板１１０の前面と後面中一つの面(例、前面)に光が入射される構造を有しているが、本実施の形態は、図１１に示したように、基板１１０の前面だけではなく後面でも光を入射の受ける両面受光型太陽電池にも適用することができる。
【０２４１】
すなわち、反射防止部１３０に複数の第１及び第２開口部(１８１、１８２)を形成しエミッタ部１２１の一部分を露出した後、露出したエミッタ部１２１の部分にメッキを実施し前面電極部１３０を形成する時、各前面バスバー１４２形成のために形成された第２開口部１８２の個数は一つではなく複数の第１開口部１８１と交差される部分を除けば互いに離隔された複数の開口部１８２を利用し一つの前面バスバー１４２を形成することは両面受光型太陽電池の後面電極部の形成に適用されることができる。
【０２４２】
図１１を参照してこのような両面受光型太陽電池を説明する。
【０２４３】
図１１は図２に示した太陽電池が両面受光型太陽電池である時を示した図であり、図１１で、図１及び図２と比べて同一の機能を遂行する構成要素に対しては同じ図面符号を付与し、それに対する詳細な説明は省略する。
【０２４４】
図１１に示したように、両面受光型太陽電池は基板１１０の後面上に複数の第３及び第４開口部(１８３、１８４)(または第１及び第２開口部)を備えた保護部１９２を備え、保護部１９２下部に位置した基板１１０の後面に基板１１０と同一の導電型を有する不純物が基板１１０より高い濃度にドーピングされた電界部１７２ａが位置する。この時、複数の第３開口部１８３を介して電界部１７２ａの第１部分が露出され、複数の第４開口部１８４を介して電界部１７２ａの第２部分が露出される。
【０２４５】
この時、電界部１７２ａは選択的エミッタ構造と類似し位置によって互いに不純物ドーピング濃度とシート抵抗値が相異なる第１及び第２電界部分（１７２１、１７２２）（第１及び第２不純物部分)を備える。この時、第２電界部分１７２１の不純物ドーピング濃度が第１電界部分１７２２の不純物ドーピング濃度より高く、第２電界部分１７２１のシート抵抗値が第１電界部分１７２２のシート抵抗値より低い。
【０２４６】
この時、第２電界部分１７２２は複数の第３及び第４開口部（１８３、１８４）を介して露出した電界部１７２ａ部分として、電界部１７２ａの第１ 及び第２部分に当たり、保護部１９２下部に位置した電界部１７２ａの部分は第１電界部分１７２１になる。
【０２４７】
反射防止部１３０と同様に、保護部１９２は基板１１０の後面及びその周りに位置した欠陥を治癒するパッシベーション機能を遂行し、基板１１０をパスした光を基板１１０ の方向に反射させる反射部としても機能する。このような保護部１９２は窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）や酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなることもできる。
【０２４８】
後面電極部１５０ａは前面電極部１４０と同様に、互いに分離している複数の後面電極１５１ａと互いに分離していて複数の後面電極１５１ａと接続している複数の後面バスバー１５２ａを備える。
【０２４９】
この時、各後面電極１５１ａの延長方向は各前面電極１４１の延長方向と同一し、各後面バスバー１５２ａの延長方向は各前面バスバー１４２の延長方向と同一である。したがって、各後面バスバー１５２ａは交差する複数の後面電極１５１ａとの交差部分で複数の後面電極１５１ａと接続している。本発明の実施の形態で、前面電極１４１全体または一部は後面電極１５１ａと整列されることができ、前面バスバー１４２の全体または一部は後面バスバー１５２ａと整列されることができる。これとは異なり、前面電極１４１ 全体は後面電極１５１ａと整列されないこともあり、前面バスバー１４２ 全体は後面バスバー１５２ａと整列されないこともある。
【０２５０】
各第３開口部１８３は各後面電極１５１ａを形成するためであり、 複数の第４開口部１８４は複数の後面バスバー１５２ａを形成するためである。
【０２５１】
したがって、各後面電極１５１ａと各後面バスバー１５２ａは第１電界部分１７２１より高い不純物ドーピング濃度を有する第２電界部分１７２１と接しているので、基板１１０で各後面電極１５１ａと各後面バスバー１５２ａに移動する電荷の伝送効率が向上する。
【０２５２】
本例では、各前面電極１４１と同様に、各後面電極１５１ａのための第３開口部１８３の個数は一つであり各後面バスバー１５２ａのための複数の第４開口部１８４の個数は複数個、例えば、３０個乃至７０個で有り得、一つの後面バスバー１５２に対応する複数の後面バスバー用第２電界部形成幅または電界部の後面バスバー形成領域(または第２バスバー形成領域)に対してその下部に形成された複数の第４開口部１８４のすべて幅の割合は約１： ０．２乃至０．５で有り得る。
【０２５３】
各後面電極１５１ａのための第３開口部１８３の幅と各後面バスバー１５２ａのための第４開口部１８４の幅、そして一つの後面バスバー１５２ａのための複数の第４開口部１８４の中で隣接した第４開口部１８４の間の間隔などに関する記載は既に第１及び第２開口部（１８１、１８２）を参照にして説明したことと同一である。
【０２５４】
したがって、一つの後面バスバー形成領域で隣接した二つの第４開口部１８４の間の間隔が相異する場合、一つの後面バスバー形成領域または一つの後面バスバー１４２で、中央部分に位置した隣接した二つの第４開口部１８４の間隔は端部分に位置した隣接した二つの第４開口部１８４の間隔に比べて約 １．５倍乃至５倍で有り得る。
【０２５５】
この時、第３及び第４開口部（１８３、１８４）に露出した電界部１７２ａ部分に第２電界部分１７２２が形成されるので、保護部１９２に形成された各第３及び第４開口部（１８３、１８４）の幅は第２電界部分１７２２の幅と同一で有り得る。
【０２５６】
これにより、各後面電極１５１ａは当る一つの第３開口部１８３を介して露出した第２電界部分１７２２上にメッキを実施して形成され、各後面バスバー１５２ａは当る複数の第４開口部１８４を介して露出した第２電界部分１７２２上にメッキを実施して形成する。
【０２５７】
既に説明したように、メッキ成長は垂直方向だけではなく水平方向に同一の速度で行われる等方成長である。
【０２５８】
したがって、前面電極部１４０と同一し、各後面電極１５１ａは各第３開口部１８３に露出した電界部１７２ａの第１部分の上だけではなく隣接した保護部１９２上にも位置し、各第３開口部１８３の幅（Ｗ５１）よりさらに大きい幅（Ｗ６１）を有し、各後面バスバー１５２ａもまた一つの後面バスバー１５２ａの形成のための複数の第４開口部１８４に露出した電界部１７２ａの第２部分の上だけではなく各第４開口部１８４に隣接した保護部１９２上に位置し、隣接した二つの第４開口部１８４の間に存在する保護部１９２の上で重畳されて形成される。これにより、各後面バスバー１５２ａの幅（Ｗ６２）は一つの後面バスバー１５２ａのために複数の第４開口部１８４が形成された保護部１９２の幅（Ｗ５２）より大きい。
【０２５９】
また、重畳部分に位置した後面バスバー１５２ａの上部面[すなわち、電界部１７２ａまたは保護部１９２と接している後面バスバー１５２ａの面の反対側面]の高さは各第４開口部１８４に露出した電界部１７２ａの第２部分の上に位置した後面バスバー１５２ａの上部面の高さより低いことがある。この時、複数の後面電極１５１ａの個数は複数の前面電極１４１の個数と同一であるかさらに多いことがある。
【０２６０】
このように、複数の後面電極１５１ａ及び複数の後面バスバー１５２ａもまたメッキ法に形成されることによって、後面電極１５１ａ及び複数の後面バスバー１５２ａが２重膜または３重膜からなる時、電界部１７２ａ、すなわち、第１導電型の不純物が高濃度でドーピングされた基板１１０の部分と接する下部膜がニッケル（Ｎｉ）からなる場合、ニッケル（Ｎｉ）と電界部１７２ａのシリコンとの結合によって下部膜と電界部１７２ａの間にはニッケルシリサイド(nickel silicide)が存在する。
【０２６１】
また、本例の場合、後面電極１５１ａと後面バスバー１５２ａ及び電界部１７２ａの間にはＰｂＯのような鉛（Ｐｂ）系列物質、Ｂｉ2Ｏ3のようなビスマス（Ｂｉ）系列物質、Ａｌ2Ｏ3のようなアルミニウム（Ａｌ）系列物質、Ｂ2Ｏ3のようなホウ素（Ｂ）系列物質、スズ（Ｓｎ）系列物質、ＺｎＯのような亜鉛（Ｚｎ）系列物質、ＴｉＯのようなチタン（Ｔｉ）系列物質及びＰ2Ｏ5のような燐（Ｐ）系列物質の中で少なくとも一つのようなガラスフリットの成分が検出されない。
【０２６２】
また、既に図１及び図２を参照にして説明したエミッタ部１２１と類似に、 第１及び第２電界部分（１７２１、１７２２）を備えた電界部１７２ａ代りに、位置に無関係に同一のシート抵抗値と不純物ドーピング濃度を有する電界部の形成もまた可能である。
【０２６３】
このような電界部１７２ａの形成過程は、使われる材料を除けば、エミッタ部１２１の形成過程と等しくて、後面電極部１５０ａの形成過程は前面電極部１４０の形成過程と同一であるので省略する。
【０２６４】
本発明の実施の形態で、後面バスバー１５２ａが後面電極１５１ａと交差するので、後面バスバー１５２ａはシート(sheet)形状で後面保護膜１９２の表面に形成される第１部分と、格子形状で後面保護膜１９２を貫通し形成される第２部分を有する。
【０２６５】
このように、基板１１０は前面だけではなく後面にまで光の入射を受けるので、基板１１０内に入射される光の量が増加し太陽電池の効率は向上する。
【０２６６】
本実施の形態で、エミッタ部１２１及び電界部（１７２、１７２ａ）は基板１１０と同一の半導体、すなわち結晶質半導体からなる同種接合を形成する太陽電池に対して説明したが、本発明の実施の形態に係る前面電極部と後面電極部の中で少なくとも一つ及びその製造方法は異種接合を形成する太陽電池の前面電極部と後面電極部の少なくとも一つに適用することができる。異種接合を形成する太陽電池で、基板は単結晶シリコンや多結晶シリコンのような結晶質半導体からなり、エミッタ部及び電界部の中で少なくとも一つは非晶質シリコンのような非結晶質半導体から成り得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図７】
0005735474.tif 000013
【図８】
0005735474.tif 000014
【図９】
0005735474.tif 000015
【図１０（ａ）】
0005735474.tif 000016
【図１０（ｂ）】
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【図１０（ｃ）】
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【図１１】
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