(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合部を介して基板と支持基板とが貼り合わされた基板積層体であって、
前記基板の前記接合部が設けられる側には複数のパターンが形成され、
前記接合部は、
前記基板の前記パターンが形成された側の主面の周縁に沿って、前記パターンが形成された領域を囲うように設けられた第１の接合部と、
前記第１の接合部よりも前記基板の中心側に設けられた第２の接合部と、を有し、
前記基板と前記支持基板との間で、かつ、前記第１の接合部よりも前記基板の中心側に、前記パターンが形成された領域を覆うように設けられ、前記第２の接合部よりもレーザ光の透過率が低い保護体を備えたことを特徴とする基板積層体。
【請求項２】
前記第１の接合部は前記第２の接合部よりも耐薬品性が高いことを特徴とする請求項１記載の基板積層体。
【請求項３】
前記保護体は、板状の形態、複数の孔部が設けられた板状の形態、および網状の形態、からなる群より選ばれたいずれかの形態を有したことを特徴とする請求項１または２記載の基板積層体。
【請求項４】
第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する保護体であって、基板の主面の周縁に沿って設けられる接合部を介して基板と支持基板とが貼り合わされた基板積層体の前記基板と前記支持基板との間で、かつ前記接合部よりも前記基板の中心側に、前記第１の主面は前記基板に当接し、前記第２の主面は前記支持基板に当接するように設けられ、前記支持基板を介して照射されたレーザ光が前記基板に到達するのを抑制することを特徴とする保護体。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板積層体を製造する貼り合わせ装置であって、
第１の基体を載置する載置部と、
前記載置部に載置された前記第１の基体と所定の間隔をあけて対峙させて第２の基体を支持する支持部と、
前記載置部と前記支持部とを接離方向に相対移動させる移動機構部と、
を備え、
前記第１の基体が、支持基板と、前記支持基板の前記第２の基体に対峙する側の主面に設けられた接合部と、前記支持基板の前記第２の基体に対峙する側の主面に設けられた保護体と、を有している場合には、前記第２の基体は基板であり、
前記第１の基体が基板である場合には、前記第２の基体は、前記支持基板と、前記支持基板の前記第１の基体に対峙する側の主面に設けられた前記接合部と、前記支持基板の前記第１の基体に対峙する側の主面に設けられた保護体と、を有したこと、を特徴とする貼り合わせ装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板積層体を載置する載置部と、
前記基板積層体に設けられた接合部にレーザ光を照射する照射部と、
前記基板積層体に設けられた接合部に剥離液を供給する剥離液供給部と、
を備えたことを特徴とする剥離装置。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板積層体を製造する工程と、
前記基板積層体に設けられた前記基板の厚み寸法が所定の寸法となるように加工する工程と、
前記接合部にレーザ光を照射して支持基板を剥離する工程と、
前記接合部に剥離液を供給して前記接合部と、前記保護体と、を剥離する工程と、
を備え、
前記基板積層体を製造する工程は、
支持基板の一方の主面または基板のパターンが形成された主面に、接合部と、保護体と、を設ける工程と、
前記接合部と前記保護体とを介して、前記支持基板と前記基板とを貼り合わせる工程と、
前記接合部を硬化させる工程と、を備えたことを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護体、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の半導体素子（半導体チップ）を積層し、ワイヤーボンディングやシリコン貫通電極（ＴＳＶ；Through Silicon Via）などを用いて１つのパッケージ内に実装するマルチチップパッケージ（ＭＣＰ;Multi Chip Package）が用いられるようになってきている。  
この様なマルチチップパッケージに用いられる半導体素子は、通常の半導体素子よりも厚み寸法が薄くされるのが一般的である。  
また、半導体装置の高集積化などの観点からも半導体素子の厚み寸法が薄くなる傾向にある。
【０００３】
この様な厚み寸法の薄い半導体素子を製造するためには、例えば、ダイシングする前の基板の厚み寸法を薄くする必要がある。ところが、基板の厚み寸法を薄くすると機械的な強度が低下するので、基板の厚み寸法を薄く加工する際に基板が破損するおそれがある。  そのため、基板の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与するために、パターンが形成された基板（製品基板）と、支持基板とを貼り合わせて基板積層体を形成し、厚み寸法の加工後に基板から支持基板を剥離させる技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
特許文献１に開示された技術においては、支持基板と接着剤層との間に設けられた光熱変換層にレーザ光を照射して光熱変換層を分解し、基板から支持基板を剥離させるようにしている。  
しかしながら、レーザの出力などによっては照射されたレーザ光やレーザ光による熱が基板上に形成されたパターンに到達するなどしてパターンや基板が損傷するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４０５２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、レーザ光を照射して基板から支持基板を剥離させる際の損傷を抑制することができる保護体、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、
接合部を介して基板と支持基板とが貼り合わされた基板積層体であって、
前記基板の前記接合部が設けられる側には複数のパターンが形成され、
前記接合部は、
前記基板の前記パターンが形成された側の主面の周縁に沿って、前記パターンが形成された領域を囲うように設けられた第１の接合部と、
前記第１の接合部よりも前記基板の中心側に設けられた第２の接合部と、を有し、
前記基板と前記支持基板との間で、かつ、前記第１の接合部よりも前記基板の中心側に、前記パターンが形成された領域を覆うように設けられ、前記第２の接合部よりもレーザ光の透過率が低い保護体を備えたことを特徴とする基板積層体が提供される。
【０００８】
また、他の実施形態によれば、
第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する保護体であって、基板の主面の周縁に沿って設けられる接合部を介して基板と支持基板とが貼り合わされた基板積層体の前記基板と前記支持基板との間で、かつ前記接合部よりも前記基板の中心側に、前記第１の主面は前記基板に当接し、前記第２の主面は前記支持基板に当接するように設けられ、前記支持基板を介して照射されたレーザ光が前記基板に到達するのを抑制することを特徴とする保護体が提供される。
【０００９】
また、他の実施形態によれば、
上記の基板積層体を製造する貼り合わせ装置であって、
第１の基体を載置する載置部と、
前記載置部に載置された前記第１の基体と所定の間隔をあけて対峙させて第２の基体を支持する支持部と、
前記載置部と前記支持部とを接離方向に相対移動させる移動機構部と、
を備え、
前記第１の基体が、支持基板と、前記支持基板の前記第２の基体に対峙する側の主面に設けられた接合部と、前記支持基板の前記第２の基体に対峙する側の主面に設けられた保護体と、を有している場合には、前記第２の基体は基板であり、
前記第１の基体が基板である場合には、前記第２の基体は、前記支持基板と、前記支持基板の前記第１の基体に対峙する側の主面に設けられた前記接合部と、前記支持基板の前記第１の基体に対峙する側の主面に設けられた保護体と、を有したこと、を特徴とする貼り合わせ装置が提供される。
【００１０】
また、他の実施形態によれば、上記の基板積層体を載置する載置部と、前記基板積層体に設けられた接合部にレーザ光を照射する照射部と、前記基板積層体に設けられた接合部に剥離液を供給する剥離液供給部と、を備えたことを特徴とする剥離装置が提供される。
【００１１】
また、他の実施形態によれば、
上記の基板積層体を製造する工程と、
前記基板積層体に設けられた前記基板の厚み寸法が所定の寸法となるように加工する工程と、
前記接合部にレーザ光を照射して支持基板を剥離する工程と、
前記接合部に剥離液を供給して前記接合部と、前記保護体と、を剥離する工程と、
を備え、
前記基板積層体を製造する工程は、
支持基板の一方の主面または基板のパターンが形成された主面に、接合部と、保護体と、を設ける工程と、
前記接合部と前記保護体とを介して、前記支持基板と前記基板とを貼り合わせる工程と、
前記接合部を硬化させる工程と、を備えたことを特徴とする基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の実施形態によれば、レーザ光を照射して基板から支持基板を剥離させる際の損傷を抑制することができる保護体、基板積層体、貼り合わせ装置、剥離装置、および基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。
【図２】第２の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。
【図３】第３の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。
【図４】第４の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。
【図５】第５の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。
【図６】第６の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。
【図７】本実施の形態に係る貼り合わせ装置について例示をするための模式図である。
【図８】本実施の形態に係る剥離装置を例示するための模式図である。
【図９】本実施の形態に係る基板の製造方法について例示をするためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。  
なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  また、各図中の矢印Ｘ、Ｙ、Ｚは互いに直交する三方向を表しており、例えば、Ｘ、Ｙは基板の主面と平行な方向、Ｚは基板の主面と直交する方向を表している。  
また、一例として、レーザ光を照射して剥離を行う場合を例示するが、レーザ光の照射に限らず、熱線やレーザ光以外の高エネルギー線を照射して剥離を行う場合にも適用させることができる。
【００１５】
[第１の実施形態]  
図１は、第１の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図１（ａ）は基板積層体の模式分解図、図１（ｂ）は基板積層体の模式図である。この場合、図１（ａ）においては、煩雑化を避けるため接合部を省略して描いている。
図１に示すように、基板積層体１には、支持基板２、基板（製品基板）３、接合部４、保護体５が設けられている。  
ここで、基板３のパターン３ａが形成された主面とは反対側の主面には、はんだバンプが形成される場合がある。はんだバンプが形成される場合には、基板積層体１がはんだの溶融温度以上にまで加熱されるので、はんだの溶融温度までの耐熱性を有する接合部４とする必要がある。  
この様な高い耐熱性を有する接合部４を剥離するためには、はんだの溶融温度を超える温度にまで接合部４を加熱する必要がある。  
一方、基板３に形成されているはんだバンプの溶融を抑制したり、パターン３ａへの損傷を抑制したりするためには、基板３の温度がはんだの溶融温度未満となるようにする必要がある。
【００１６】
ところが、図１（ｂ）に示すように、はんだの溶融温度を超える温度にまで加熱したい接合部４と、温度がはんだの溶融温度未満となるようにしたい基板３とは互いに接触している。そのため、接合部４をはんだの溶融温度を超える温度にまで加熱すると、基板３の温度がはんだの溶融温度を超えてしまうおそれがある。  
また、基板３の温度がはんだの溶融温度以下となっていても、パターン３ａにレーザ光が照射されると損傷が生ずるおそれもある。  
この場合、レーザ光を透過させない接合部４とすることもできるが、接合部４の厚み寸法が大きくなったり、厚み寸法の精度や平面度が悪化するおそれがある。  
そのため、本実施の形態においては、支持基板２と基板３との間に保護体５を設けることで、支持基板２に向けて照射されたレーザ光やレーザ光による熱が基板３に到達することを抑制するようにしている。  
すなわち、保護体５は、接合部４を介して基板３と支持基板２とが貼り合わされた基板積層体の基板３と支持基板２との間に設けられ、支持基板２を介して照射されたレーザ光が基板３に到達するのを抑制する。  
また、基板３の接合部が設けられる側に複数のパターン３ａが形成されている場合には、支持基板２を介して照射されたレーザ光が複数のパターンが含まれる領域に到達するのを抑制するようにすることができる。
【００１７】
支持基板２は、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与する。  
支持基板２の大きさは特に限定されるわけではなく、基板３の大きさと略同一とすることができる。この場合、支持基板２の大きさが基板３の大きさよりも若干大きくなるようにすることができる。例えば、支持基板２の大きさが基板３の大きさよりも０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度大きくなるようにすることができる。
【００１８】
支持基板２の形状は特に限定されるわけではなく、基板３を支持できる形状であれば任意の形状とすることができる。ただし、支持基板２の形状と基板３の形状とが相似の関係となるようにすることが好ましく、一般的には基板３が円形（例えば、ウェーハなど）であることを考慮すると、支持基板２の形状は図１（ａ）に示すように円形とすることができる。
【００１９】
支持基板２の材料は特に限定されず、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与できるものであればよい。例えば、ガラス、金属、セラミックスなどの無機材料、樹脂などの有機材料などとすることができる。  
ただし、支持基板２と基板３とを貼り合わせた状態で基板３の厚み寸法を薄く加工する際に後述するエッチング液などがかかるので耐薬品性が高いものとすることができる。また、基板３から支持基板２を剥離させる際に支持基板２に向けて後述するレーザ光が照射されることを考慮すると耐熱性が高くレーザ光に対する透過率が高いものとすることができる。その様なものとしては、例えば、石英ガラスなどのガラスを例示することができる。
また、支持基板２の材料の熱膨張係数が基板３の材料の熱膨張係数に近ければ、例えば、レーザ光が照射された際などに発生する熱応力を抑制することができる。そのため、支持基板２は、基板３の材料の熱膨張係数になるべく近い熱膨張係数を有する材料から形成されるものとすることができる。
【００２０】
基板３としては特に限定されるわけではなく、例えば、図１（ｂ）に示すように、表面にパターン３ａ（例えば、回路パターン）が形成されたウェーハとすることができる。  
基板３の材料としては特に限定されるわけではなく、例えば、基板３がウェーハである場合には、シリコンなどの半導体材料から形成されたものとすることができる。また、基板３の表面には酸化物や窒化物からなる層が形成されたものとすることもできる。
【００２１】
接合部４は、支持基板２と基板３とを貼り合わせるために設けられている。接合部４は、接着剤を塗布し、これを硬化させることで形成されたものとすることができる。例えば、接合部４は、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリスチレンなどやこれらの混合樹脂を主成分とする接着剤を塗布し、これを硬化させることで形成されたものとすることができる。
【００２２】
接合部４の厚み寸法は特に限定されるわけではなく、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与できるような厚み寸法であればよい。例えば、接合部４の厚み寸法は数μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。  
なお、例えば、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる平面度が維持できれば、支持基板２や基板３の必ずしも全面に接合部４を設ける必要はない。
【００２３】
また、接合部４の材料の熱膨張係数が基板３の材料の熱膨張係数に近ければ、例えば、レーザ光が照射された際などに発生する熱応力を抑制することができる。そのため、接合部４は、基板３の材料の熱膨張係数になるべく近い熱膨張係数を有する材料から形成されるものとすることができる。
【００２４】
保護体５は、支持基板２と基板３との間に設けられている。  
図１中のＺ方向における保護体５の配設位置は特に限定されない。例えば、図１（ｂ）に示すように、保護体５が支持基板２および基板３と接触しないような位置に保護体５を配設することもできるし、保護体５が支持基板２および基板３の少なくともいずれかと接触するような位置に保護体５を配設することもできる。ただし、基板３の表面にパターン３ａが形成されている場合には、保護体５とパターン３ａとが接触しないような位置に保護体５を配設するようにすることができる。
【００２５】
保護体５の大きさは特に限定されるわけではなく、基板３の表面にパターン３ａが形成されている場合には、パターン３ａが形成されている領域を覆うことができる大きさとすることができる。この場合、保護体５の大きさがパターン３ａが形成されている領域の大きさよりも０．５ｍｍ〜数ｍｍ程度大きいものとすることができる。
【００２６】
保護体５の形状は特に限定されるわけではなく、基板３の表面にパターン３ａが形成されている場合には、パターン３ａが形成されている領域を覆うことができる形状とすることができる。  
一般的には基板３が円形（例えば、ウェーハなど）であることを考慮すると、保護体５の形状は図１（ａ）に示すように円形とすることができる。  
保護体５の材料は特に限定されるわけではなく、支持基板２を介して照射されたレーザ光やレーザ光による熱で分解され難いものとすることができる。また、保護体５の材料は、レーザ光を透過させないか、レーザ光の透過率が低いものとすることができる。また、後述するように、保護体５を剥離する際には薬液を用いる場合がある。そのため、保護体５の材料は、耐薬品性の高いものとすることができる。また、保護体５の材料の熱膨張係数が基板３の材料の熱膨張係数に近ければ、例えば、レーザ光が照射された際などに発生する熱応力を抑制することができる。そのため、保護体５の材料は、基板３の材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するものとすることができる。また、保護体５が熱伝導率の低い材料から形成されるようにすれば、レーザ光が照射される側が接合部４を剥離するのに充分な温度となっていても、レーザ光が照射される側とは反対の側においては温度の上昇を抑制することができる。すなわち、保護体５が熱伝導率の低い材料から形成されるようにすれば、レーザ光による熱が基板３に到達することをさらに抑制することができる。そのため、保護体５の材料は、熱伝導率の低いものとすることができる。  
保護体５の材料としては、例えば、ステンレスなどの金属、セラミックスなどの無機材料、耐熱性、耐薬品性の高い樹脂などを例示することができる。  
保護体５の厚み寸法は特に限定されるわけではなく、レーザ光が照射されることや剥離された保護体５を再利用することなどを考慮して適宜決定することができる。
【００２７】
図１に例示をしたように、保護体５は板状の形態を有したものとすることができる。例えば、孔部のない板状体とすることができる。
【００２８】
本実施の形態によれば、支持基板２と基板３との間に保護体５を設けているので、支持基板２に向けて照射されたレーザ光やレーザ光による熱が基板３に到達することを抑制することができる。そのため、レーザ光を照射して基板３から支持基板２を剥離させる際に、支持基板２と保護体５との間に相当な出力のレーザ光を照射しても基板３やパターン３ａに損傷を与えることを抑制することができる。  
この場合、保護体５を孔のない板状体としているので、支持基板２の任意の位置にレーザ光を照射することができる。そのため、支持基板２に向けてレーザ光を照射する際の作業性を向上させることができる。
【００２９】
[第２の実施形態]  
図２は、第２の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図２（ａ）は基板積層体の模式分解図、図２（ｂ）は基板積層体の模式図である。この場合、図２（ａ）においては、煩雑化を避けるため接合部を省略して描いている。
図２に示すように、基板積層体１ａには、支持基板２、基板３、接合部４、保護体５ａが設けられている。  
保護体５ａは、支持基板２と基板３との間に設けられている。  
保護体５ａの配設位置、大きさ、形状、材料、厚み寸法などは、前述した保護体５と同様とすることができる。
【００３０】
図２に例示をしたように、保護体５ａは複数の孔部５ａ１が設けられた板状の形態を有するものとすることができる。例えば、保護体５ａは複数の孔部５ａ１が形成された板状体とすることができる。  
後述するように、レーザ光を照射して支持基板２を剥離した後に、後述する剥離液を用いて保護体５ａと残余の接合部４とを剥離する必要がある。  
本実施の形態においては、保護体５ａに複数の孔部５ａ１を形成しているので、孔部５ａ１を介して剥離液を浸透させることができる。すなわち、保護体５ａと基板３との間に設けられている接合部４にも効率よく剥離液を浸透させることができる。
【００３１】
孔部５ａ１の配設位置、大きさ、形状、数などは特に限定されるわけではなく、適宜変更することができる。  
この場合、孔部５ａ１の配設位置、大きさ、形状、数などを、基板３の表面に形成されたパターン３ａに応じて規定するようにすることもできる。すなわち、支持基板２と基板３との間に保護体５ａを設けた際に孔部５ａ１により画された空間にパターン３ａが収まるように、孔部５ａ１の配設位置、大きさ、形状、数などを規定するようにすることもできる。  
すなわち、複数の孔部５ａ１が設けられた板状の形態である場合には、孔部５ａ１の大きさは、複数のパターン３ａのいずれか１つの大きさよりも大きいものとすることができる。  
また、複数の孔部５ａ１のいずれか１つにより画された領域に複数のパターン３ａのいずれか１つが含まれるようにすることができる。  
その様にすれば、保護体５ａとパターン３ａとが接触することで発生する損傷を抑制することができる。  
また、孔部５ａ１の配設位置、大きさ、形状、数などを、保護体５ａのＸ、Ｙ方向の機械的な強度を考慮して規定するようにすることもできる。前述したように、基板３にはんだバンプが形成されたり、基板３より支持基板２を剥離させるために支持基板２に向けてレーザ光が照射されたりすると、保護体５ａと基板３との間に熱応力が発生する場合がある。この場合、保護体５ａの材料の熱膨張係数が基板３の材料の熱膨張係数に近ければ熱応力の発生を抑制することができるが、すべての基板３の材料の熱膨張係数に対応させることが難しい場合もある。  
この場合、孔部５ａ１を形成することで保護体５ａのＸ、Ｙ方向の機械的な強度を低下させることができれば、基板３の熱膨張に応じて保護体５ａを膨張させることができる。その結果、保護体５ａと基板３との間に発生する熱応力を低減させることができる。
【００３２】
保護体５ａに複数の孔部５ａ１を形成する方法には特に限定はないが、例えば、サンドブラスト法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、エンドミル加工などの機械的な加工法などとすることができる。
【００３３】
なお、保護体５ａには複数の孔部５ａ１が形成されているので、支持基板２を剥離する際には、孔部５ａ１を避けるようにしてレーザ光を照射するようにすることが好ましい。
また、孔部５ａ１を避けるようにして接合部４を設けるようにすることが好ましい。
【００３４】
本実施の形態によれば、支持基板２と基板３との間に保護体５ａを設けているので、支持基板２に向けて照射されたレーザ光やレーザ光による熱が基板３に到達することを抑制することができる。そのため、レーザ光を照射して基板３から支持基板２を剥離させる際に、支持基板２と保護体５ａとの間に相当な出力のレーザ光を照射しても基板３やパターン３ａに損傷を与えることを抑制することができる。
【００３５】
またさらに、複数の孔部５ａ１が形成された保護体５ａとしているので、孔部５ａ１を介して剥離液を浸透させることができる。また、孔部５ａ１により画された空間にパターン３ａが収まるようにすれば、保護体５ａとパターン３ａとが接触することで発生する損傷を抑制することができる。また、孔部５ａ１を形成することで保護体５ａのＸ、Ｙ方向の機械的な強度を低下させることができるので、基板３の熱膨張に応じて保護体５ａを膨張させることができる。その結果、保護体５ａと基板３との間に発生する熱応力を低減させることができる。
【００３６】
[第３の実施形態]  
図３は、第３の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図３（ａ）は基板積層体の模式分解図、図３（ｂ）は基板積層体の模式図である。この場合、図３（ａ）においては、煩雑化を避けるため接合部を省略して描いている。
図３に示すように、基板積層体１ｂには、支持基板２、基板３、接合部４ａ（第１の接合部）、接合部４ｂ（第２の接合部）、保護体５ａが設けられている。
【００３７】
ここで、支持基板２と基板３とを貼り合わせた状態で基板３の厚み寸法を薄く加工する際には、ウェットエッチング法、研磨法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法などが用いられる。この場合、これらの方法において用いられるエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板３の表面に形成されているパターン３ａに接触するとパターン３ａに損傷が発生するおそれがある。  
そのため、本実施の形態においては、基板３のパターン３ａが形成された側の主面の周縁（以下においては、単に基板３の周縁と称する）に沿って設けられた接合部４ａと、接合部４ａよりも基板３の中心側に設けられた接合部４ｂと、を備えるようにしている。接合部４ａは、パターン３ａが形成された領域を囲うように閉ループ状に設けられている。そして、接合部４ａは、接合部４ｂよりも耐薬品性が高いものとなっている。この場合、接合部４ａは、エッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などにより分解されにくいものとすることができる。また、接合部４ｂは、接合部４ａよりも容易に剥離させることができるものとすることができる。  
接合部４ａは、例えば、ＡＳ(アクリロニトリル・スチレン）系樹脂を含む接着剤により形成されたものとすることができる。  
また、接合部４ｂは、例えば、水性接着剤により形成されたものとすることができる。
【００３８】
この様にすれば、接合部４ａによりエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体１ｂの内部に侵入することを抑制することができる。  
また、基板３から支持基板２を剥離させた後、保護体５ａと残余の接合部４ｂを剥離する際には、水などを供給するなどして接合部４ｂを容易に剥離することができる。なお、基板３から支持基板２を剥離させる際には、接合部４ａにレーザ光が照射されるので、接合部４ａはレーザ光により分解された状態となる。そのため、基板３から支持基板２を剥離させた後に、接合部４ｂとともに接合部４ａを容易に剥離することができる。
【００３９】
本実施の形態によれば、図２に例示をしたものと同様の効果を享受することができる。  またさらに、接合部４ｂよりも耐薬品性が高い接合部４ａを基板３の周縁に沿って設けているので、基板３の厚み寸法を薄く加工する際にエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体１ｂの内部に侵入することを抑制することができる。そのため、エッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板３の表面に形成されているパターン３ａに接触することで発生する損傷を抑制することができる。  
また、接合部４ａよりも基板３の中心側に設けられた接合部４ｂは、接合部４ａよりも容易に剥離させることができるものとしているので保護体５ａと残余の接合部４ｂを剥離する際には、水などを供給するなどして接合部４ｂを容易に剥離することができる。この際、レーザ光により分解された状態となっている接合部４ａも接合部４ｂとともに容易に剥離することができる。
【００４０】
[第４の実施形態]  
図４は、第４の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図４（ａ）は基板積層体の模式分解図、図４（ｂ）は基板積層体の模式図である。この場合、図４（ａ）においては、煩雑化を避けるため接合部を省略して描いている。
図４に示すように、基板積層体１ｃには、支持基板２、基板３、接合部４ａ、接合部４ｂ、保護体５ｂが設けられている。
【００４１】
保護体５ｂは、支持基板２と基板３との間に設けられている。  
図４に例示をしたように、保護体５ｂは網状の形態を有するものとすることができる。例えば、保護体５ｂは網目５ｂ１が形成された網状体とすることができる。  
すなわち、保護体５ｂは、図２、図３に例示をした板状の保護体５ａとは網状であることが異なっている。そのため、保護体５ｂの配設位置、大きさ、形状、材料、厚み寸法などは保護体５ａについて例示をしたものと同様とすることができる。また、網目５ｂ１の配設位置、大きさ、形状、数などは孔部５ａ１について例示をしたものと同様とすることができる。  
例えば、網状の形態である場合には、網状の形態の有する網目５ｂ１の大きさは、複数のパターン３ａのいずれか１つの大きさよりも大きくなるようにすることができる。  
また、網状の形態の網目のいずれか１つにより画された領域に複数のパターン３ａのいずれか１つが含まれるようにすることができる。  
なお、網状体の作成には既知の技術を適用させることができるので、保護体５ｂの作成方法に関する説明は省略する。  
本実施の形態によれば、図３に例示をしたものと同様の効果を享受することができる。
【００４２】
[第５の実施形態]  
図５は、第５の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図５（ａ）は基板積層体の模式分解図、図５（ｂ）は基板積層体の模式図である。この場合、図５（ａ）においては、煩雑化を避けるため接合部を省略して描いている。
図５に示すように、基板積層体１ｄには、支持基板２、基板３、接合部４、保護体５ｃが設けられている。
【００４３】
保護体５ｃは、支持基板２と基板３との間に設けられている。  
そして、保護体５ｃは、基板３の支持基板２と対峙する側の主面上に設けられている。  保護体５ｃの大きさは特に限定されるわけではなく、基板３の表面にパターン３ａが形成されている場合には、パターン３ａが形成されている領域を覆うことができる大きさとすることができる。この場合、保護体５ｃの大きさがパターン３ａが形成されている領域の大きさよりも０．５ｍｍ〜数ｍｍ程度大きいものとすることができる。
【００４４】
保護体５ｃの形状は特に限定されるわけではなく、基板３の表面にパターン３ａが形成されている場合には、パターン３ａが形成されている領域を覆うことができる形状とすることができる。  
保護体５ｃの材料は、支持基板２を介して照射されたレーザ光やレーザ光による熱で分解され易いものとすることができる。この場合、保護体５ｃの材料は、レーザ光を透過させないか、レーザ光の透過率が低いものとすることができる。また、保護体５ｃの材料は、レーザ光の吸収率が高いものとすることができる。  
保護体５ｃの材料としては、例えば、ステンレス、クロム、アルミニウムなどの金属を例示することができる。
【００４５】
保護体５ｃは、支持基板２の基板３に面する側の主面に設けられた膜状の形態を有したものとすることができる。この場合、保護体５ｃは、孔部のない膜状体とすることもできるし、孔部のある膜状体とすることもできる。この場合、保護体５ｃは、めっき法、スパッタリング法などの既知の成膜法を用いて基板３の主面上に形成するようにすることができる。  
また、前述したように、保護体５ｃは、レーザ光が照射されることで分解されるものとすることができる。  保護体５ｃの厚み寸法は特に限定されるわけではなく、レーザ光の照射で容易に分解できる程度の厚み寸法とすることができる。
【００４６】
なお、基板３から支持基板２を剥離させる際には、保護体５ｃにレーザ光が照射されるので、保護体５ｃはレーザ光により分解された状態となる。そのため、基板３から支持基板２を剥離させた後に、接合部４とともに分解された保護体５ｃを容易に剥離することができる。
【００４７】
本実施の形態によれば、支持基板２と基板３との間に保護体５ｃを設けているので、支持基板２に向けて照射されたレーザ光やレーザ光による熱が基板３に到達することを抑制することができる。そのため、レーザ光を照射して基板３から支持基板２を剥離させる際に、支持基板２と保護体５ｃとの間にレーザ光を照射しても基板３やパターン３ａに損傷を与えることを抑制することができる。  
またさらに、膜状の保護体５ｃはレーザ光により分解された状態となっているので、接合部４に剥離液を容易に浸透させることができる。
【００４８】
[第６の実施形態]  
図６は、第６の実施形態に係る保護体、基板積層体を例示するための模式図である。  
なお、図６（ａ）は基板積層体の模式分解図、図６（ｂ）は基板積層体の模式図である。この場合、図６（ａ）においては、煩雑化を避けるため接合部を省略して描いている。
図６に示すように、基板積層体１ｅには、支持基板２、基板３、接合部４ａ、接合部４ｂ、保護体５ｄが設けられている。  
保護体５ｄは、支持基板２と基板３との間に設けられている。
【００４９】
保護体５ｄの大きさ、形状、材料などは、前述した保護体５ａと同様とすることができる。  
図６に例示をしたように、保護体５ｄは複数の孔部５ｄ１が形成された板状体とすることができる。この場合、孔部５ｄ１の配設位置、大きさ、形状、数などは前述した孔部５ａ１と同様とすることができる。
【００５０】
なお、図３に例示をしたものと同様に、基板３の表面にパターン３ａが形成されている場合には、支持基板２と基板３との間に保護体５ｄを設けた際に孔部５ｄ１により画された空間にパターン３ａが収まるように、孔部５ｄ１の配設位置、大きさ、形状、数などを規定するようにすることができる。その様にすれば、保護体５ｄとパターン３ａとが接触することで発生する損傷を抑制することができる。
【００５１】
図６に示すように、保護体５ｄは、図３に例示をした保護体５ａとは配設形態が異なっている。  
すなわち、保護体５ｄは、第１の主面５ｄ２と、第１の主面５ｄ２とは反対側の第２の主面５ｄ３と、を有し、第１の主面５ｄ１は基板３に当接し、第２の主面５ｄ３は支持基板２に当接している。  
そして、基板３の周縁に沿って設けられた接合部４ａと、保護体５ｄの周端面（Ｘ、Ｙ方向の面）との間に接合部４ｂが設けられている。  
また、第１の主面５ｄ２と基板３との間、および第２の主面５ｄ３と支持基板２との間には、接合部が設けられないようにすることができる。  
この場合、基板３と第１の主面５ｄ２との間、支持基板２と第２の主面５ｄ３との間に接合部４ｂを設けていないので、剥離工程における作業時間の短縮や生産性の向上などを図ることができる。
【００５２】
本実施の形態によれば、図３に例示をしたものと同様の効果を享受することができる。
【００５３】
またさらに、基板３と保護体５ｄとの間、支持基板２と保護体５ｄとの間に接合部４ｂを設けていないので、剥離工程における作業時間の短縮や生産性の向上などを図ることができる。
【００５４】
なお、図１〜図６に例示をした保護体５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄと、接合部４、４ａ、４ｂとは任意に組み合わせて設けるようにすることができる。例えば、図１、図２、図５において例示をした接合部４の代わりに、接合部４ａ、４ｂを設けるようにすることもできる。
【００５５】
次に、本実施の形態に係る貼り合わせ装置について例示をする。    
[第７の実施形態]  
図７は、本実施の形態に係る貼り合わせ装置について例示をするための模式図である。  図７に示すように、貼り合わせ装置１０には、処理容器１１、載置部１２、支持部１３、移動機構部１４、排気部１５が設けられている。  
処理容器１１は、気密構造となっており大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能となっている。処理容器１１の側壁には、基体Ｗ１（第１の基体）、基体Ｗ２（第２の基体）の搬入搬出を行うための開口部１１ａが設けられ、開口部１１ａを気密に開閉可能な開閉扉１１ｂが設けられている。また、処理容器１１の底部には、処理容器１１内の排気をするための開口部１１ｃが設けられている。
【００５６】
処理容器１１の内部には、貼り合わされる一方の基体Ｗ１を載置、保持する載置部１２が設けられている。載置部１２の載置面（上面）は平坦面となっており、載置面に基体Ｗ１が載置されるようになっている。また、載置部１２には静電チャックなどの図示しない保持部が設けられており、載置された基体Ｗ１を保持することができるようになっている。
この場合、基体Ｗ１は、前述した基板積層体のうち基板３を除いた部分とすることができる。すなわち、基体Ｗ１は、支持基板２の一方の主面上に前述した接合部と保護体とが設けられたものとすることができる。
【００５７】
処理容器１１の内部であって、載置部１２の上方であって対向する位置には、貼り合わされる他方の基体Ｗ２を支持する支持部１３が設けられる。  
この場合、基体Ｗ２は、前述した基板３とすることができる。  
支持部１３は、載置部１２に載置された基体Ｗ１と所定の間隔をあけて対峙させて基体Ｗ２を支持する。  
支持部１３には、真空チャックや静電チャックなどを用いることができる。  
この支持部１３は、移動機構部１４の動作により、載置部１２に対して接離方向に移動することができる。移動機構部１４としては、エアシリンダなどを備えたものとすることができる。
また、図示しない画像処理部からの画像情報に基づいて、載置部１２に載置された基体Ｗ１に対する基体Ｗ２の位置を調整する図示しない調整部を設けるようにすることができる。
【００５８】
排気部１５は、配管１５ａを介して開口部１１ｃに接続されている。排気部１５は、例えば、ドライポンプなどとすることができる。なお、基体Ｗ１と基体Ｗ２との貼り合わせは、必ずしも減圧雰囲気下で行う必要はなく、例えば、大気圧雰囲気下で行うこともできる。基体Ｗ１と基体Ｗ２との貼り合わせを減圧雰囲気下で行わない場合には、排気部１５を設ける必要はなく、また、処理容器１１をパーティクルなどの侵入が抑制される程度の気密構造とすればよい。  
ここで、基体Ｗ１と基体Ｗ２の間に空気が巻き込まれることによりボイドが発生すると、基板３の厚み寸法を薄く加工する際に厚み寸法の加工精度が低下するおそれがある。この場合、基体Ｗ１と基体Ｗ２との貼り合わせを減圧雰囲気下で行ようにすれば、基体Ｗ１と基体Ｗ２との間に空気が巻き込まれることによるボイドの発生が抑制されるので、基板３の厚み寸法の加工精度を向上させることができる。
【００５９】
次に、貼り合わせ装置１０の作用について例示をする。  
まず、図示しない搬送装置により基体Ｗ１が処理容器１１内に搬入され、基体Ｗ１が載置部１２に載置される。この際、接合部と保護体とが設けられた側の主面を上方に向けるようにして基体Ｗ１が載置部１２に載置される。  
次に、図示しない搬送装置により基体Ｗ２が処理容器１１内に搬入され、基体Ｗ２が支持部１３により支持される。この際、パターン３ａが形成された主面を下方に向けるようにして基体Ｗ２が支持部１３により支持される。  
次に、図示しない搬送装置が処理容器１１の外に退避した後、開閉扉１１ｂが閉じられ処理容器１１が密閉される。そして、処理容器１１内が排気される。  
次に、移動機構部１４により、支持部１３を下降させる。これにより、基体Ｗ１と基体Ｗ２とを貼り合わせることで前述した基板積層体となる積層体を形成する。
なお、支持部１３に基体Ｗ１に対する基体Ｗ２の位置を調整する図示しない調整部が設けられている場合には、貼り合わせの前に図示しない調整部により基体Ｗ１に対する基体Ｗ２の位置が調整される。
【００６０】
本実施の形態に係る貼り合わせ装置によれば、前述した基板積層体を効率よく製造することができる。また、接合部が設けられた支持基板２と、基板３とを減圧環境下で貼り合わせるようにすればボイドが発生することを抑制することができる。
【００６１】
なお、基体Ｗ１を支持基板２の一方の主面上に接合部と保護体とが設けられたもの、基体Ｗ２を基板３としたがこれに限定されるわけではない。基体Ｗ１を基板３のパターン３ａが形成された主面に接合部と保護体とが設けられたもの、基体Ｗ２を支持基板２とすることもできる。  
例えば、基体Ｗ１が支持基板２と、支持基板２の基体Ｗ２に対峙する側の主面に設けられた接合部と、基体Ｗ２に対峙する側の主面に設けられた保護体と、を有している場合には、基体Ｗ２は基板３であり、基体Ｗ１が基板３である場合には、基体Ｗ２は、支持基板２と、支持基板２の基体Ｗ１に対峙する側の主面に設けられた接合部と、基体Ｗ１に対峙する側の主面に設けられた保護体とを有したものとすることができる。すなわち、支持基板、基板、接合部、保護体の組み合わせは任意のものとすることができる。  
また、載置部１２に対して支持部１３側が接離動する構成を例示したが、載置部１２側が支持部１３に対して接離動するように構成することもできる。
【００６２】
また、基体Ｗ１と基体Ｗ２とを貼り合わせた後に接合部の硬化を行うようにすることができる。接合部の硬化は、接合部の材料などに応じて適宜選択することができる。例えば、接合部が紫外線硬化樹脂からなる場合は紫外線を照射するようにすることができる。接合部が熱硬化樹脂からなる場合は加熱を行うようにすることができる。  
なお、接合部の形成は、既知の塗布装置（例えば、ディスペンス装置、インクジェット装置など）を用いて行うようにすることができるので詳細な説明は省略する。
【００６３】
次に、本実施の形態に係る剥離装置について例示をする。    
[第８の実施形態]  
図８は、本実施の形態に係る剥離装置を例示するための模式図である。  
図８に示すように、剥離装置３０には、照射部３２、載置部３３、剥離液供給部３４、制御部３５が設けられている。  
照射部３２は、載置部３３に載置された基体Ｗに向けてレーザ光を照射する。基体Ｗは、前述した基板積層体とすることができる。  
この場合、照射部３２は、基体Ｗに設けられた接合部にレーザ光を照射する。  
照射部３２には、レーザ部２５、アーム部２６、駆動部２７が設けられている。  
アーム部２６は、レーザ部２５の出射面２５ａを載置台２２の載置面２２ａに向けるようにしてレーザ部２５を保持する。また、アーム部２６の一端は駆動部２７に接続されている。
【００６４】
駆動部２７は、例えば、サーボモータなどの制御モータなどから構成され、アーム部２６を介してレーザ部２５の位置を変化させる。すなわち、レーザ光の照射位置を変化させる。この場合、駆動部２７は、例えば、揺動方向および水平方向の少なくともいずれかの方向にアーム部２６を移動させるものとすることができる。また、アーム部２６をさらに鉛直方向に移動させるものとすることもできる。なお、レーザ部２５によりレーザ光の走査が可能な場合には、駆動部２７を省略することもできる。
【００６５】
載置部３３は基体Ｗを載置、保持する。  
載置部３３には、載置台２２、駆動部２３、処理カップ２４が設けられている。  
載置台２２は円板状を呈し、一方の主面が基体Ｗを載置する載置面２２ａとなっている。載置面２２ａの周縁には、基体Ｗの周端を支持する支持部２２ｂが設けられている。この場合、載置面２２ａに載置された基体Ｗを保持するバキュームチャックなどの図示しない保持部を設けるようにすることができる。ただし、図示しない保持部は必ずしも必要ではなく、支持部２２ｂにより基体Ｗの周端面を支持することで、載置面２２ａに載置された基体Ｗが保持されるようにしてもよい。  
載置台２２の他方の主面の中心には回転軸２２ｃが設けられている。回転軸２２ｃは駆動部２３と接続され、載置面２２ａに保持された基体Ｗを回転軸２２ｃ周りに回転させることができるようになっている。
【００６６】
駆動部２３は、例えば、サーボモータなどの制御モータなどから構成され、載置台２２を回転軸２２ｃ周りに回転させるとともに、回転数や、停止位置などの位置制御などができるようになっている。  
処理カップ２４は、載置台２２の外周方向を覆うように設けられている。処理カップ２４は、有底の円筒状を呈し、上面が開放されている。処理カップ２４の底板の中央には、回転軸２２ｃを挿通させるための孔２４ａが設けられている。底板には、排出口２４ｂが設けられており、排出口２４ｂには排出液配管３８の一端が接続されている。処理カップ２４の側壁上部には、剥離液が処理カップ２４の上面から飛散することを抑制するために、先端が処理カップ２４の中心に向けて傾斜している傾斜部２４ｃが設けられている。
【００６７】
剥離液供給部３４は、基体Ｗに設けられた接合部に剥離液を供給する。  
すなわち、剥離液供給部３４は、支持基板２が剥離された状態において接合部に剥離液を供給する。  
剥離液供給部３４には、タンク１７、送液配管１８、送液部１９、送液制御部２０、剥離液ノズル２１、排出液配管３８、タンク３９が設けられている。  
タンク１７は、剥離液を収納する。剥離液は、前述した接合部４、４ａ、４ｂを剥離することができるものとすることができる。ここで、接合部４ａは耐薬品性が高いものとなっているが、剥離時においては接合部４ａがレーザ光により分解された状態となるので、分解された状態の接合部４ａを剥離することができる剥離液であればよい。剥離液は、例えば、純水、脱イオン化された純水などとすることができる。ただし、これらに限定されるわけではなく、接合部４、４ａ、４ｂの溶解性などに応じて適宜選択することができる。
【００６８】
送液配管１８の一端は剥離液ノズル２１に接続され、送液配管１８の他端はタンク１７内の剥離液に浸漬する位置に設けられている。  
送液部１９は、送液配管１８に設けられ、タンク１７内に収納された剥離液を剥離液ノズル２１に供給する。送液部１９は、例えば、剥離液に対する耐性を有するポンプなどとすることができる。  
送液制御部２０は、送液配管１８に設けられ、送液部１９により送液される剥離液の供給と停止とを制御する。また、送液部１９により送液される剥離液の流量を制御するようにすることもできる。  
剥離液ノズル２１の開口端は載置台２２の載置面２２ａに向けて設けられており、基体Ｗ３（基板３が剥離された状態の基板積層体）に剥離液を供給することができるようになっている。剥離液ノズル２１の開口端とは反対側の端部には送液配管１８が接続されている。
【００６９】
位置変化部２８には、アーム部２８ａ、駆動部２８ｂが設けられている。  
アーム部２８ａは、剥離液ノズル２１の開口端を載置台２２の載置面２２ａに向けるようにして剥離液ノズル２１を保持する。また、アーム部２８ａの一端は駆動部２８ｂに接続されている。  
駆動部２８ｂは、例えば、サーボモータなどの制御モータなどから構成され、アーム部２８ａを移動させることで、載置面２２ａに対する剥離液ノズル２１の開口端位置を変化させる。この場合、駆動部２８ｂは、基体Ｗ３に対する剥離液の供給位置を変化させるとともに、停止位置などの位置制御ができるようになっている。駆動部２８ｂは、例えば、揺動方向および水平方向の少なくともいずれかの方向にアーム部２８ａを移動させるものとすることができる。また、アーム部２８ａをさらに鉛直方向に移動させるものとすることもできる。
【００７０】
タンク３９は、使用済みの剥離液を収納する。  
排出液配管３８は、一端が処理カップ２４の排出口２４ｂに接続され、他端がタンク３９に接続されている。
【００７１】
制御部３５は、駆動部２８ｂ、送液部１９、送液制御部２０、駆動部２３、レーザ部２５、駆動部２７と電気的に接続されている。そして、制御部３５は、照射部３２、載置部３３、剥離液供給部３４の動作を制御する。  
次に、剥離装置３０の作用について例示をする。  
まず、図示しない搬送手段により基体Ｗが載置台２２の載置面２２ａに載置される。載置面２２ａに載置された基体Ｗは、バキュームチャックなどの図示しない保持部により保持される。なお、バキュームチャックなどの図示しない保持部が設けられていない場合には、支持部２２ｂにより基体Ｗの周端面が支持されることで、載置面２２ａに載置された基体Ｗが保持される。そのため、載置台２２が回転した際に基体Ｗの位置がずれることを抑制することができる。  
なお、基体Ｗを載置する際には、基板積層体の基板３側を載置面２２ａに載置するようにする。
【００７２】
基板積層体が円板状の場合には、駆動部２３により回転軸２２ｃを回転させることで、載置面２２ａに保持された基体Ｗを所定の回転速度で回転させる。  
そして、レーザ部２５からレーザ光を出射させて、支持基板２を介して接合部にレーザ光を照射する。この場合、基体Ｗの回転方向位置やレーザ部２５の水平方向位置を制御することで所望の位置にレーザ光が照射されるようにすることができる。なお、基体Ｗを回転させるようにすれば、レーザ部２５の水平方向位置の制御を容易とすることができる。
【００７３】
基板積層体が非円板状（例えば、矩形状など）の場合にも、レーザ部２５からレーザ光を出射させて、支持基板２を介して接合部にレーザ光を照射するようにすることができる。この場合も、基体Ｗの回転方向位置やレーザ部２５の水平方向位置を制御することで所望の位置にレーザ光が照射されるようにすることができる。
【００７４】
なお、接合部４ａ、接合部４ｂが設けられている場合には、接合部４ａと、接合部４ｂとでレーザ光の照射条件を変更することができる。例えば、接合部４ａを照射する際のレーザ光の出力を高くしたり、照射時間を長くしたりすることができる。  
また、保護体に孔が設けられている場合には、孔を避けた位置にレーザ光が照射されるようにすることが好ましい。  
ここで、基体Ｗである基板積層体には保護体が設けられているので、支持基板２に向けて照射されたレーザ光やレーザ光による熱が基板３に到達することを抑制することができる。そのため、レーザ光を照射して基板３から支持基板２を剥離させる際に、支持基板２と保護体との間にレーザ光を照射しても基板３やパターン３ａに損傷を与えることを抑制することができる。
【００７５】
次に、支持基板２を剥離する。  
レーザ光が照射されることで接合部が分解されるので、支持基板２を持ち上げるようにして剥離することができる。  
なお、支持基板２の剥離は図示しないロボット装置などにより行うようにすることができる。
【００７６】
次に、残余の接合部、保護体を剥離する。  
残余の接合部、保護体を剥離する際には、まず、駆動部２３により回転軸２２ｃを回転させることで、載置面２２ａに保持された基体Ｗ３を所定の回転速度で回転させる。  
そして、送液部１９により、送液配管１８を介してタンク１７内に収納された剥離液が剥離液ノズル２１に向けて送液される。この際、送液制御部２０により送液される剥離液の流量が所定の値となるように制御される。
【００７７】
送液された剥離液は剥離液ノズル２１の開口端から基体Ｗ３の表面に供給される。この際、位置変化部２８により基体Ｗ３に対する剥離液の供給位置が制御される。  
例えば、剥離液ノズル２１の開口端を、回転する基体Ｗ３の回転半径方向に移動させながら剥離液を供給したり、基体Ｗ３の回転中心付近の上方に剥離液ノズル２１の開口端を固定した状態で剥離液を供給したりすることができる。  
基体Ｗ３の表面面に供給された剥離液により、残余の接合部、保護体が剥離される。  
この際、基体Ｗ３の回転を停止させ、図示しないロボット装置などにより保護体を機械的に剥離させた後に、残余の接合部の剥離を続行するようにすることができる。  
また、保護体が剥離される前は回転速度を遅く、保護体が剥離された後は回転速度を速くするようにすることができる。  
保護体に孔が形成されている場合には、孔部を介して剥離液を浸透させることができるので、作業時間の短縮や生産性の向上を図ることができる。
【００７８】
基体Ｗ３に向けて供給された剥離液は遠心力により基体Ｗ３の外側に向けて排出される。基体Ｗ３の外側に向けて排出された剥離液は、処理カップ２４により飛散が抑制され、処理カップ２４の底板上に集められる。底板上に集められた剥離液は、排出口２４ｂ、排出液配管３８を介してタンク３９に排出される。
【００７９】
本実施の形態に係る剥離装置によれば、前述した基板積層体の剥離を効率よく行うことができる。  
なお、レーザ光を照射することで支持基板２を剥離する剥離装置と、剥離液を供給することで接合部、保護体を剥離する剥離装置とが一体的に設けられる場合を例示したが、これらが別々に設けられるようにすることもできる。  
また、回転により基体Ｗ、Ｗ３の移動を行う場合を例示したが、基体Ｗ、Ｗ３の移動をＸＹテーブルなどで行うようにすることもできる。また、基体Ｗ、Ｗ３と、レーザ部２５、剥離液ノズル２１と、の相対的な位置を変化させることができるように、基体Ｗ、Ｗ３、およびレーザ部２５、剥離液ノズル２１の少なくともいずれかの位置を変化させることができるようになっていればよい。  
また、１つの基体Ｗ３に対して剥離液が供給される枚様式の剥離装置を例示したが、例えば、複数の基体Ｗ３を剥離液に浸漬させるディップ式の剥離装置とすることもできる。
【００８０】
次に、本実施の形態に係る基板の製造方法について例示をする。    
[第９の実施形態]  
図９は、本実施の形態に係る基板の製造方法について例示をするためのフローチャートである。  
まず、支持基板２の一方の主面または基板３のパターン３ａが形成された主面に接合部と保護体とを設ける（ステップＳ１）。  
例えば、図１、図２に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面上に接合部４を形成し、所定の位置に保護体５または保護体５ａを載置する。その後、載置された保護体５または保護体５ａを覆うようにして接合部４を再度形成する。  
また、図３、図４に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面の周縁に沿って接合部４ａを形成し、接合部４ａよりも支持基板２の中心側に接合部４ｂを形成し、所定の位置に保護体５ａまたは保護体５ｂを載置する。その後、載置された保護体５ａまたは保護体５ｂを覆うようにして接合部４ｂを再度形成する。  
また、図５に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面の所定の位置に保護体５ｃを成膜する。その後、成膜された保護体５ｃを覆うようにして接合部４を形成する。  また、図６に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面の所定の位置に保護体５ｄを載置する。その後、支持基板２の一方の主面の周縁に沿って接合部４ａを形成し、接合部４ａと保護体５ｄの周端面との間に接合部４ｂを形成する。  
なお、支持基板２の一方の主面に接合部と保護体とを設ける場合を例示したが、基板３のパターン３ａが形成された主面に接合部と保護体とを設けるようにすることもできる。ただし、図５に例示をしたものの場合には、支持基板２の一方の主面の所定の位置に保護体５ｃを成膜するようにする。
【００８１】
次に、接合部と保護体とを介して、支持基板２と基板３とを貼り合わせることで積層体を形成する（ステップＳ２）。  
貼り合わせは、例えば、前述した貼り合わせ装置１０を用いて行うようにすることができる。そのため、貼り合わせの手順の詳細は省略する。  
次に、形成された積層体の接合部を硬化させることで基板積層体を作成する（ステップＳ３）。  
接合部の硬化は、接合部の材料などに応じて適宜選択することができる。例えば、接合部が紫外線硬化樹脂からなる場合は紫外線を照射するようにすることができる。接合部が熱硬化樹脂からなる場合は加熱を行うようにすることができる。
【００８２】
次に、基板積層体に設けられた基板３の厚み寸法が所定の寸法となるように加工する（ステップＳ４）。  
基板３の加工は、ウェットエッチング法、研磨法、ＣＭＰ法などを用いて行うようにすることができる。なお、基板３の加工は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
ここで、接合部４ａが形成されている場合には、接合部４ａによりエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体の内部に侵入することを抑制することができる。
【００８３】
次に、支持基板２、接合部、保護体を剥離する（ステップＳ５）。  
この場合、接合部にレーザ光を照射して支持基板２を剥離する工程と、接合部に剥離液を供給して接合部と、保護体と、を剥離する工程と、を備えるようにすることができる。  支持基板２、接合部、保護体の剥離は、例えば、前述した剥離装置３０を用いて行うようにすることができる。そのため、前述した剥離の工程の詳細は省略する。  
以上のようにして、厚み寸法の薄い基板３を製造することができる。  
本実施の形態によれば、レーザ光を照射して基板３から支持基板２を剥離させる際の損傷を抑制することができる。そのため、歩留まりや生産性などを向上させることができる。
【００８４】
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、基板積層体１、基板積層体１ａ〜１ｅ、貼り合わせ装置１０、剥離装置３０が備える各要素の形状、寸法、材料、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００８５】
１  基板積層体、１ａ〜１ｅ  基板積層体、２  支持基板、３  基板、３ａ  パターン、４  接合部、４ａ  接合部、４ｂ  接合部、５  保護体、５ａ〜５ｄ  保護体、５ａ１  孔部、５ｂ１  網目、５ｄ１  孔部、１０  貼り合わせ装置、１１  処理容器、１２  載置部、１３  支持部、１４  移動機構部、１５  排気部、３０  剥離装置、３２  照射部、３３  載置部、３４  剥離液供給部、３５  制御部、Ｗ  基体、Ｗ１〜Ｗ３  基体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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