(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前側に開口を有すると共に、円盤状の鏡面ウェーハの上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハを支持する支持部を備える容器本体と、前記開口を塞ぐと共に、前記エピタキシャルウェーハを保持する保持部を備える蓋体と、からなるエピタキシャルウェーハ収納容器であって、
収納される前記エピタキシャルウェーハは前記エピタキシャル層の外周部のうち、結晶方位に起因してエッジが形成される領域を非接触領域として設定されており、
前記支持部は、前記非接触領域を両側から挟み且つ前記非接触領域を避けた位置で、前記エピタキシャルウェーハに接触し、
前記保持部は、前記非接触領域を両側から挟み且つ前記非接触領域を避けた位置で、前記エピタキシャルウェーハに接触することを特徴とするエピタキシャルウェーハ収納容器。
【請求項２】
前記非接触領域は円盤状の前記エピタキシャルウェーハの０°、４５°、９０°、１３５°、１８０°、２２５°、２７０°、３１５°の角度位置に設定されたことを特徴とする請求項１記載のエピタキシャルウェーハ収納容器。
【請求項３】
前記非接触領域は、各々の前記角度位置を中心に±５°の範囲に設定されることを特徴とする請求項２記載のエピタキシャルウェーハ収納容器。
【請求項４】
前記容器本体の側壁の内面のうち、前記非接触領域と対向する面に、前記非接触領域との間に空間を形成する凹部、又は、前記非接触領域の範囲の外側で前記エピタキシャルウェーハの位置を規制する凸部を設けることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハ収納容器。
【請求項５】
前記非接触領域を両側から挟み且つ前記非接触領域を避けた位置で、前記エピタキシャルウェーハに接触する支持部に、前記エピタキシャルウェーハの前方への飛び出しを防止する段差部が設けられ、
前記容器本体の側壁には、前記エピタキシャルウェーハの後方位置を規制する位置規制壁が設けられており、
前記段差部及び前記位置規制壁は、前記非接触領域を避けて配置されることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項記載のエピタキシャルウェーハ収納容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ、化合物ウェーハ等の半導体ウェーハを収納し、輸送、搬送、保管に使用されるウェーハ収納容器、特には、半導体ウェーハの表面において完全結晶層をエピタキシャル成長させたエピタキシャルウェーハと、ウェーハ収納容器の支持部やリテーナ等との接触位置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハ収納容器は、前側に開口を有し１又は複数の半導体ウェーハを整列させて収納する容器本体と、前記開口をシール可能に閉鎖し、ウェーハを保持するリテーナを有する蓋体とを備えてなり、半導体ウェーハの保管や工程内搬送あるいは外部への輸送に用いられる。
【０００３】
現在、半導体業界で主流となっている容器は、直径３００ｍｍ、厚さ７７５μｍのシリコンウェーハを収納するウェーハ収納容器である。このようなウェーハ収納容器として、各種の技術が提案されている（例えば、特許文献１（図２）参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載されるウェーハ収納容器では、複数のウェーハを支持する複数の支持部を容器本体の側壁内面に形成し、支持部の一部に低摩擦抵抗部を設け、この低摩擦抵抗部の作用によって、摩擦によるウェーハの損傷を防止する。
【０００５】
ところで、上記半導体ウェーハは、表面にボイド欠陥や転移欠陥がある場合、半導体デバイスの歩留まりを低下させる。このため、半導体デバイスの高集積化、微細化に伴い、半導体ウェーハの単結晶の完全性が求められてきた。そこで、鏡面研磨した半導体ウェーハの表面に、異なる導電型（Ｐ型とＮ型）もしくは同じ導電型（Ｐ型とＰ型、あるいはＮ型とＮ型)で、異なる抵抗率を有する単結晶の層を設け、この単結晶の層をエピタキシャル成長させて完全結晶層としたエピタキシャルウェーハが使用されるようになった。
【０００６】
このエピタキシャル成長では、化学的気相析出の反応により、基板としての鏡面ウェーハを所定の反応温度に加熱し、この加熱した鏡面ウェーハと、ドーパントが添加され超高純度の水素ガスに希釈されたトリクロロシランなどのソースガスとを接触反応させる。これにより、還元されたシリコン原子を基板の表面上に基板の結晶軸に沿って析出させ、エピタキシャル層を得る。
【０００７】
エピタキシャル層には、エピタキシャル成長がし易い領域が存在する。この領域では、エピタキシャル層の外縁がウェーハの外周部に達し、エッジ（いわゆるステップエッジ）を形成することがある。このエッジがウェーハ収納容器の支持部等と接触した状態で振動が加わると、パーティクルの発生（発塵）が起き易い。
【０００８】
ウェーハ収納容器の更なる品質向上が期待される中、パーティクルを効果的に防ぎ、パーティクルによるウェーハの汚染を防止する技術が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開2004-111830号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載される技術は、ウェーハ収納容器の支持部とウェーハとの摩擦を単に軽減する技術であり、特許文献１では、上記結晶のエッジと支持構成との関係についての開示はない。したがって、ウェーハをより好適に支持し、パーティクルの発生を効果的に防ぐウェーハの収納技術が求められる。
【００１１】
そこで、本発明は、ウェーハをより好適に支持してパーティクルの発生を防ぎ、ウェーハの汚染防止を図ることができるウェーハ収納容器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、前側に開口を有すると共に、円盤状のウェーハを支持する支持部を備える容器本体と、前記開口を塞ぐと共に、前記ウェーハを保持する保持部を備える蓋体と、からなる鏡面ウェーハの上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハを収納するウェーハ収納容器であって、前記収納されるエピタキシャルウェーハはエピタキシャル層の外周部のうち、結晶方位に起因してエッジが形成される領域を非接触領域として設定し、前記支持部と前記保持部は、前記非接触領域を両側から挟み、且つ非接触領域を避けた位置で、前記エピタキシャルウェーハに接触することを特徴とする。
【００１３】
上記発明では、前記エピタキシャル層の外周部のうち、結晶方位に起因してエッジが形成される領域を非接触領域とし、この非接触領域を避けた位置で、支持部及び保持部をウェーハに接触させた。
【００１４】
仮に、ウェーハの結晶方位を配慮せずに支持部等を設計すると、支持部や保持部がエッジと接触し、パーティクルが発生し易くなり、ウェーハを汚染する虞がある。
【００１５】
上記発明では、エッジと支持部との位置関係に着目した。すなわち、非接触領域を避けて、容器本体の支持部及び蓋体の保持部をウェーハに接触させたので、支持部や保持部がエッジに接触することが無くなり、パーティクルの発生を防ぐことができる。結果、ウェーハの汚染を効果的に防止できる。
【００１６】
上記発明では、前記非接触領域は円盤状のウェーハの０°、４５°、９０°、１３５°、１８０°、２２５°、２７０°、３１５°の角度位置に設定されたことを特徴とする。
上記発明では、ウェーハは、蓋体側の周縁部にノッチを備えており、非接触領域は、ノッチがウェーハの結晶方位の＜１１０＞にあるときは、ノッチの位置を基準に４５°、１３５°、２２５°、３１５°の角度位置に設定され、ノッチがウェーハの結晶方位の＜１００＞にあるときは、ノッチの位置を基準に０°、９０°、１８０°、２７０°の角度位置に設定されることを特徴とする。
【００１７】
上記発明では、ノッチがウェーハの結晶方位の＜１１０＞にあるときは、ノッチの位置（０°）を基準に４５°、１３５°、２２５°、３１５°の角度位置に非接触領域を設定した。一方、ノッチがウェーハの結晶方位の＜１００＞にあるときは、ノッチの位置（０°）を基準に０°、９０°、１８０°、２７０°の角度位置に非接触領域を設定した。
【００１８】
エピタキシャルウェーハにおけるエッジの位置と好適な支持位置との関係を具体的に検討する。
エピタキシャルェーハにおいて、ノッチが結晶方位の＜１１０＞にあるときは、ノッチ位置を基準にノッチの位置（０°）を基準に４５°、１３５°、２２５°、３１５°の角度位置で、エピタキシャル層の外周部にエッジが発生し易い。一方、ノッチが結晶方位の＜１００＞にあるときは、ノッチの位置（０°）を基準に０°、９０°、１８０°、２７０°の角度位置で、エピタキシャル層の外周部にエッジが発生し易い。したがって、このような角度位置に、支持部や保持部を配置すると、振動によりパーティクルが発生し易くなる。
【００１９】
この点、上記発明では、上記角度位置を避けて、支持部及び保持部をウェーハに接触させたので、エピタキシャルェーハにおいて、支持部や保持部がエッジと接触しなくなり、パーティクルの発生を効果的に防ぐことができる。
【００２０】
上記発明では、非接触領域は、各々の角度位置を中心に±５°の範囲に設定されることを特徴とする。
【００２１】
上記発明では、非接触領域を、上記角度位置を中心に±５°の範囲に設定とした。
仮に、角度位置のみを非接触領域とした場合、ウェーハの載置誤差により、支持部や保持部がエッジと干渉してしまうことがある。
【００２２】
この点、上記発明では、非接触領域を、上記角度位置を中心に±５°の範囲に設定したので、ウェーハの載置誤差が生じても、支持部や保持部がエッジと干渉する心配が無くなり、より確実にパーティクルの発生を防ぐことができる。
【００２３】
上記発明は、容器本体の側壁の内面のうち、非接触領域と対向する面に、非接触領域との間に空間を形成する凹部、又は、非接触領域の範囲の外側でウェーハの位置を規制する凸部を設けることを特徴とする。
【００２４】
上記発明では、容器本体の側壁の内面に、非接触領域との間に空間を形成する凹部、又は、非接触領域を避けてウェーハの位置を規制する凸部を設けた。
側壁の内面に凹部を設けたので、この凹部の空間にエッジを逃がすことができる。よって、エッジと側壁が干渉することを防ぎ、より確実にパーティクルの発生を防ぐことができる。
【００２５】
また、ウェーハの位置を規制する凸部を容器本体の側壁に形成してもよく、この場合、凸部の高さに相当する隙間にエッジを逃がすことができる。これにより、エッジと側壁が干渉することが無くなり、より確実にパーティクルの発生を防ぐことができる。
【００２６】
上記発明では、支持部には、ウェーハを支持する支承部と、ウェーハの前方への飛び出しを防止する段差部と、が設けられ、容器本体の側壁には、ウェーハの後方位置を規制する位置規制壁が設けられており、支承部、段差部、位置規制壁及び保持部は、非接触領域を避けて配置されることを特徴とする。
【００２７】
上記発明では、非接触領域を避けて、容器本体の支承部、段差部、位置規制壁及び蓋体の保持部を配置した。
ウェーハ収納容器において、ウェーハを支持する箇所、ウェーハを保持する箇所、そしてウェーハの位置を規制する箇所の全ての箇所が、エッジと接触することが無くなる。これにより、ウェーハを安定した姿勢で収納でき、しかもパーティクルの発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、パーティクルの発生を防ぎ、効果的にウェーハの汚染防止を図ることができるウェーハ収納容器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第1実施形態に係るウェーハ収納容器の斜視図である。
【図２】ウェーハの断面図であり、（ａ）は、鏡面ウェーハの上にエピタキシャル層を積層したエピタキシャルウェーハの断面図、（ｂ）は、（ａ）において、エピタキシャル層の成長が進んだ形態を説明する図である。
【図３】非接触領域を説明する図である。
【図４】ウェーハの平面図であり、非接触領域を模式的に示す図である。
【図５】ウェーハ収納容器の断面図である。
【図６】側壁及び支持部材の斜視図である。
【図７】図５のＢ部拡大図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】第２実施形態に係るウェーハ収納容器の断面図であり、図５に相当する図である。
【図１０】第３実施形態に係るウェーハ収納容器を説明する断面図であり、図７に相当する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態（以下、実施形態という。）について詳細に説明する。
【００３１】
先ず、本発明に係る第1実施形態を図１に基づいて説明する。
図１に示すように、ウェーハ収納容器１は、半導体ウェーハ２を収納する容器である。このウェーハ収納容器１は、前側に開口３を有するいわゆるフロントオープンボックスタイプの容器本体４と、この容器本体４の前側開口３を閉鎖し得る蓋体５と、を備える。
【００３２】
ウェーハ２は、円盤状であり、周縁部に結晶方位を表すノッチ２ａを有する。ノッチ２ａは、所定の結晶方位に向かって開放したＵ溝状の切欠きであり、ウェーハの位置を合わせるために使用される。また、ノッチ２ａの代わりにオリエンテーション・フラットを設けることもできる。オリエンテーション・フラットは、円弧の１部を弦となるように直線状に切り欠いたものである。
【００３３】
容器本体４は、上記フロントオープンボックスタイプに成形すべく、ウェーハ２よりも大きい底壁６と、この底壁６の上方に位置されて底壁６に対向される上壁７と、これら上壁７と底壁６との後部間を上下に連結する背面壁（図５、符号８）と、底壁６と上壁７の左右両側部間を上下に連結する左右一対の側壁９と、を備えるように成形されており、左右一対の側壁９と上壁７と底壁６とは、前側開口３を正面視横長形状に区画する。この容器本体４における左右一対の側壁９の間隔は、前後方向（矢印Ｘ）中間位置よりもやや後方位置部分を基準として、後側領域が前側領域よりも短くされており、その両者間領域における各側壁９は、後方に向かうに従って左右の両側壁９の間隔が徐々に狭まるように傾斜する。この側壁９部分は、開口３の後方領域に臨んでウェーハ２等の進入規制壁１０を構成する。
【００３４】
なお、容器本体４の底壁６には容器本体４を加工装置に位置決めするためのボトムプレート１１と位置決め部材が設けられ、容器本体４の上壁７には、搬送用のロボティックフランジ１２が取付けられる。
【００３５】
蓋体５は、皿状の蓋体本体１３と、この蓋体本体１３の開口部を閉鎖するように取付けられる表面プレート１４と、を有し、その内部には、蓋体５を容器本体４に係止する施錠機構１５が備えられる。この施錠機構１５は、回転部材１６と、この回転部材１６の回転によって長手方向に移動がなされる連結バー１７と、この連結バー１７の先端に設けられる係止部１８と、によって構成される。表面プレート１４には、回転部材１６と対向する部分において操作孔１９が形成されており、その操作孔１９を介して施錠機構１５を操作することができる。また、蓋体本体１３の側面全周にはガスケット部材２０が備えられており、そのガスケット部材２０は、蓋体５が開口３を閉鎖する際、容器本体４の開口３周縁部との間のシール性を確保する。
【００３６】
蓋体５の裏面には、ウェーハ２の蓋体側周縁を保持するリテーナ２１が設けられる。リテーナ２１は、矩形状の枠体２２と、この枠体２２から短冊状に分岐されてウェーハ２側に張り出す弾性片２３とを備えて構成される。弾性片２３にはウェーハ２と接触する断面がＶあるいはＵ字状をした保持溝２４が形成される。弾性片２３は、片持ち状に形成する他、連結して両持ち状に形成したり、中央に別の保持部をさらに追加したりすることもできる。
【００３７】
容器本体４の両側壁９の内面には、複数組の左右の支持部材２５（図１では片側の支持部材のみを示す）がそれぞれ設けられる。容器本体４の両側壁９の外面には、グリップ２６が設けられる。各組の支持部材２５は、開口３からやや容器本体４内に入った位置から進入規制壁１０までの範囲で、互いに横方向（矢印Ｙ）内方に向けて水平に張り出しつつ、前後方向（矢印Ｘ）に延びており、そのような各組における支持部材２５は、上下方向に所定の間隔を隔てて配置される。この所定の間隔としては、例えば直径３００ｍｍ、厚さ７７５μｍのウェーハの場合は、１０ｍｍに設定される。
【００３８】
容器本体４や蓋体５は、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーなどの合成樹脂から形成することができる。また、これらの樹脂に、カーボンパウダー、カーボン繊維、カーボンナノチューブなどの適量を添加して導電性を付与することもできる。
【００３９】
次に、ウェーハ２の構成及び本発明に係る非接触領域を図２〜図４に基づいて説明する。
図２（ａ）に示すように、ウェーハ２は、鏡面ウェーハ２ｂの上にエピタキシャル層２ｃを積層したエピタキシャルウェーハである。エピタキシャル層２ｃでは、エピタキシャル成長がし易い領域が存在する。このような領域では、（ｂ）に示すように、エピタキシャル層２ｃの外周部が鏡面ウェーハ２ｂの外周部に達し、エッジ（この例では略直角の角）２ｄが発生することがある。
【００４０】
図３に示すように、エピタキシャルウェーハの場合、ノッチ２ａがウェーハ２の結晶方位の＜１１０＞にあるとき、ノッチ２ａの位置θ１（０°）を基準にθ２（４５°）、θ４（１３５°）、θ６（２２５°）、θ８（３１５°）の角度位置において、ウェーハ２の外周部にエッジ（図２、符号２ｄ）が表れ易い。一方、ノッチ２ａがウェーハ２の結晶方位の＜１００＞にあるときは、ノッチ２ａの位置θ１（０°）を基準にθ１（０°）、θ３（９０°）、θ５（１８０°）、θ７（２７０°）の角度位置において、ウェーハ２の外周部にエッジが表れ易い。
【００４１】
本発明者は、これらの角度位置（θ１〜θ８で示される位置）を特定位置とし、これらの特定位置では、ウェーハ２の外周部とウェーハ収納容器１とを接触させないことが有効であることを見出した。
【００４２】
また、これらの特定位置を中心とした±５°の範囲の領域（θ９〜θ１６で示される各領域）を、ウェーハ２とウェーハ収納容器１とを接触させない特定領域（以下、単に非接触領域と記載する）とすることが、さらに有効であることを見出した。図４では、８個の非接触領域Ａを模式的に斜線で示す。
【００４３】
図５は、非接触領域Ａを有するウェーハ２をウェーハ収納容器１に収納した状態を示す図である。リテーナ２１の保持溝２４、２４は、非接触領域Ａを両側から挟むように配置される。すなわち、保持溝２４、２４は、非接触領域Ａを避けて、非接触領域Ａよりも横方向（図１、矢印Ｙ）外方に位置する。
【００４４】
次に、容器本体４において、非接触領域Ａを避けてウェーハ２を支持する、あるいは、位置規制する構成を図６〜図８に基づいて詳細に説明する。
図６に示すように、複数の支持部材２５は、各々、開口から後方に向く方向（図１、矢印Ｘ）に延びる板状の棚部２５ａを備える。
【００４５】
各々の棚部２５ａの上面には、ウェーハ２の外周部の下面を支持する複数（この例では２個）の支承部２５ｂが上に突出して形成される。これらの支承部２５ｂは、棚部２５ａの長手方向に間隔を隔てて並ぶ。また、棚部２５ａの前端部には、ウェーハ２の飛び出しを防止する段差部２５ｃが形成される。この段差部２５ｃの上面は、支承部２５ｂに支持されるウェーハ２の動きを阻止できるように、収納されたウェーハ２の上面より高い位置に形成される。
【００４６】
図７及び図８に示すように、複数の支承部２５ｂは、非接触領域Ａの挟み、且つ、非接触領域Ａを避ける位置に形成される。段差部２５ｃは、複数の支承部２５ｂよりも開口（図５、符号３）側に配置される。進入規制壁１０は、支承部２５ｂよりも背面壁（図５、符号８）側に配置される。このように配置される段差部２５ｃ及び進入規制壁１０は、非接触領域Ａを避けた位置でウェーハ２と接し、ウェーハ２の出し入れ方向の位置を規制する。なお、進入規制壁１０に、傾斜面の途中に変曲点１０ａを有するＶ宇状の溝を形成したり、進入規制壁１０を単一の傾斜面に形成したりすることができる。
【００４７】
さらに、側壁９の内面のうち、非接触領域Ａと対向する内面には、凹部９ａが形成される。この凹部９ａは、側壁９の内面を湾曲状に凹ませた形態である。凹部９ａと非接触領域Ａとの間には、結晶のエッジ（図２、符号２ｄ）を十分に逃がすことができる空間２７が形成される。なお、この凹部９ａの形状は、湾曲状に格別に限定されるものではなく、エッジ２ｄを逃がすことができる形状であれば、任意である。
【００４８】
以上に述べた第1実施形態の作用・効果を説明する。
仮に、ウェーハ２の結晶方位を考慮せずに支持部材２５や保持溝２４などを配置すると、支持部材２５や保持溝２４が結晶のエッジ２ｄと接触してしまい、振動が加わると、パーティクルが発生し易い。
【００４９】
この点、第１実施形態では、エッジ２ｄが生成し易い非接触領域Ａを避けて、保持溝２４、支承部２５ｂ、段差部２５ｃ、進入規制壁１０を配置したので、容器本体４や蓋体５の構成部材がエッジ２ｄに接触することがない。これにより、ウェーハ２を安定した姿勢で収納しつつ、パーティクルの発生も防ぐことができ、ウェーハ２の汚染を効果的に防止することができる。
【００５０】
また、非接触領域Ａを、角度位置（図３、符号θ１〜θ８）の各々において±５°の範囲に設定される領域（図３、符号θ９〜θ１６）としたので、ウェーハ２の載置誤差が生じても、保持溝２４、支承部２５ｂ等とエッジ２ｄとが干渉する心配が無い。結果、より確実にパーティクルの発生を防ぐことができる。
【００５１】
加えて、側壁９に凹部９ａを形成したので、エッジ２ｄを空間２７に逃がすことができる。これにより、エッジ２ｄと側壁９とが干渉しなくなるため、さらに確実にパーティクルの発生を防ぐことができる。
【００５２】
次に、第２実施形態に係るウェーハ収納容器を図９に基づいて説明する。なお、以降の第２、第３実施形態において、第１実施形態と同一の構成については同一の符号を流用して説明を省略する。
【００５３】
図９に示すように、第２実施形態に係るウェーハ収納容器１は、第１実施形態の基本構成において、背面壁８の内面に１組以上の左右のリアサポート２８を設けたものである。リアサポート２８は、常時又は非常時に、ウェーハ２の外周部を保持する複数の保持溝２８ａを備える。これら複数の保持溝２８ａは、上下方向に一定間隔を隔てて形成される。ここで、常時にウェーハ２の外周部を保持するとは、通常の状態でウェーハ２の後部を保持するこという。一方、非常時にウェーハ２の外周部を保持するとは、通常はウェーハ２と非接触の状態にあるが、非常時にはウェーハ２の後部を保持することをいう。
【００５４】
非常時にウェーハ２を保持する構成では、ウェーハ収納容器１が落下したときなど、大きな衝撃でウェーハ２が移動すると、リアサポート２８にウェーハ２が接触し保持される。すなわち、リアサポート２８は、隣接するウェーハ２との接触や、隣接する棚部への侵入を防ぐように、ウェーハ２の動きを制御する。
【００５５】
このような役割を果たすリアサポート２８は、背面壁８側の角度位置（図３、符号θ５）の非接触領域Ａを両側から挟むように配置される。すなわち、リアサポート２８の保持溝２８ａ、２８ａは、非接触領域Ａを避け、非接触領域Ａよりも横方向（図１、符号Ｙ）外方に位置する。
【００５６】
この第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用・効果を奏すると共に、パーティクルの発生防止に加え、リアサポート２８により、ウェーハ２の動きを制御してウェーハ２の損傷を防止することができる。
【００５７】
次に、第３実施形態に係るウェーハ収納容器を図１０に基づいて説明する。
図１０に示すように、第３実施形態に係るウェーハ収納容器１は、第１実施形態の基本構成において、非接触領域Ａの範囲の外側でウェーハ２の位置を規制する１又は複数個（この例では２個）の凸部９ｂを側壁９の内面に設けたものである。
【００５８】
この第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用・効果に加え、次の効果が得られる。すなわち、この凸部９ｂは、側壁９とウェーハ２との間に隙間２９を形成する。この隙間２９により、エッジ（図２、符号２ｄ）を逃がすための空間が増すので、エッジ２ｄと側壁９との干渉を一層防止することができ、より確実にパーティクルの発生を防ぐことができる。
【００５９】
なお、第２実施形態では、凹部９ａと凸部９ｂを形成したが、本発明において、凹部及び凸部の構成は格別に限定されるものではなく、凹部のみによる構成、凸部のみによる構成など、任意である。
【００６０】
以上、実施形態を用いて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されないことは言うまでもない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。またその様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【符号の説明】
【００６１】
Ａ            非接触領域
θ１〜θ８    角度位置
１            ウェーハ収納容器
２            ウェーハ
２ａ          ノッチ
２ｂ          鏡面ウェーハ
２ｃ          エピタキシャル層
２ｄ          エッジ
３            開口
４            容器本体
５            蓋体
９            側壁
９ａ          凹部
９ｂ          凸部
１０          進入規制壁（位置規制壁）
２１          リテーナ（保持部）
２５          支持部材（支持部）
２５ｂ        支承部
２５ｃ        段差部
２７          空間
２８          リアサポート（支持部）
【図１】
0005700434.tif 000002
【図２】
0005700434.tif 000003
【図３】
0005700434.tif 000004
【図４】
0005700434.tif 000005
【図５】
0005700434.tif 000006
【図６】
0005700434.tif 000007
【図７】
0005700434.tif 000008
【図８】
0005700434.tif 000009
【図９】
0005700434.tif 000010
【図１０】
0005700434.tif 000011