(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面の上方に設けられた発光素子と、分離層と、導電層と、を有し、
前記発光素子は、
前記絶縁表面の上方の第１の電極と、
前記第１の電極の上方の第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層と、
を有し、
前記分離層は、前記発光素子の発光領域の一辺に沿って設けられ、下層部と、上層部と、を有し、
前記上層部は、前記下層部よりも突き出した形状を有し、
前記導電層は、前記分離層の下方に設けられ、前記第１の電極と電気的に分離しており、
前記発光領域の前記有機化合物層と前記第２の電極とは、前記上層部の下方まで延在し、
前記上層部の下方において、前記第２の電極は前記導電層と接する領域を有し、
前記絶縁表面に垂直な方向からみた場合に、前記発光領域に面する前記上層部の輪郭は、凹凸形状を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記導電層は前記第１の電極と同じ材料で形成されることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に有機化合物を含む発光層を有するＥＬ素子を用いた発光装置又は照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、一対の電極間に有機化合物を含む発光層（以下ＥＬ層とも称する）を有する発光素子（エレクトロルミネッセンス素子：ＥＬ素子ともいう）の開発が盛んに行われている。その用途として注目されている分野のひとつが照明分野である。この理由として、ＥＬ素子を用いた照明装置は薄型軽量に作製できること、面での発光が可能であること等、他の照明器具にはない特徴を備えることが挙げられる。
【０００３】
また、ＥＬ素子は電力の光への変換効率が高く、省エネルギー性能でも高いポテンシャルを秘めている点でも注目されている。また、基板の選択によっては可撓性を有する照明装置や物理的な破壊に強い耐衝撃性を有する照明装置、非常に軽量な照明装置を提供できる点も特徴的である。
【０００４】
特許文献１には、有機ＥＬ素子を用いた照明器具が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１３０１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
１枚の基板上に、複数の発光領域を有するＥＬ素子もしくは複数のＥＬ素子を形成する場合、少なくとも一方の電極を所望の形状にパターニングする必要がある。一対の電極のうち、当該基板側に位置する電極をパターニングするには、フォトリソグラフィ技術を使用することができるが、他方の電極をパターニングする場合は、有機化合物を含む発光層を形成してから行うため、溶剤を使用するフォトリソグラフィ技術の適用は困難を極める。
【０００７】
そのため、このような場合には、通常メタルマスク（シャドーマスク）を用いたパターニングが行われる。これは、基板と材料源との間にメタルマスクを設け、当該メタルマスクの開口部を介して基板に成膜し、パターニングを行う方法である。
【０００８】
しかし、このメタルマスクは、フォトリソグラフィ工程において用いられるフォトマスクに比べて、アライメント精度、パターン加工精度ともに大きく劣るため、部分選択的に成膜を行うには、成膜領域周辺に十分な余裕が必要とされる。すなわち、メタルマスクを用いたパターニングではフォトリソグラフィ工程を経て行われるパターニングに比べ、圧倒的に面積ロスが大きい。そのため、メタルマスクを用いて作製した照明装置は、当該面積ロス分、発光領域が小さくなってしまう。発光領域が小さい照明装置において所望の輝度を得るためには、発光領域の大きい照明装置より大きな電流を流さなくてはいけないが、大きな電流を流すことによって劣化が促進されてしまうため、寿命に悪影響を及ぼす恐れがある。
【０００９】
さらに、メタルマスクは基板との距離が短いほど精密なパターンを形成することができるが、メタルマスクを基板に近づけすぎると、基板表面に接触し、すでに形成してある発光層などに傷をつけてしまう場合がある。また、メタルマスクに付着したゴミなどが基板に付着してしまう場合もある。発光層に傷がつくことや、ゴミが付着することなどによって、ショートや非発光領域の形成などの不良が引き起こされ、信頼性や製造歩留まりの低下につながる。
【００１０】
そこで、本発明では、信頼性の高い発光装置又は照明装置を提供することを課題とする。また、製造歩留まりの高い発光装置又は照明装置を提供する。
【００１１】
また、照明装置として使用するためには、消費電力が小さいことが大きなメリットとなりうる。
そこで、本発明では、上記課題の少なくとも１を解決しつつ、コンタクト抵抗を低下させ、消費電力のより小さい発光装置又は照明装置を提供することを課題とする。
【００１２】
本発明では、上記課題の少なくとも１を解決すればよい。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を鑑み、本発明者らは、逆テーパー型に代表される、上部輪郭よりも底部輪郭が内側に存在するような形状の分離層を用い、上部輪郭内への発光層材料成膜時の回り込み量と、上部電極材料成膜時の回りこみ量との差を利用したコンタクト構造を有する発光装置を見出した。また、当該コンタクト構造を形成する分離層の輪郭に凹凸形状を設けることによってコンタクト可能部分の長さが長くなり、コンタクト抵抗を低下できることを見出した。
【００１４】
すなわち、本発明の構成の一は絶縁表面上に形成された発光素子を有し、発光素子は、絶縁表面により近い第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層とを有し、第１の電極と有機化合物層と第２の電極とが接して重なっている部分に発光領域が形成され、発光領域の一辺に沿って底部よりも上部が外側に突き出した突出部を有する分離層を有し、分離層の下に第１の電極と電気的に分離した導電層を有し、発光領域の有機化合物層と第２の電極とが、分離層の突出部の軒下部分まで延在すると共に、第２の電極が有機化合物層よりも突出部の輪郭の内側に延在することにより、第２の電極は、導電層と電気的に接続され、分離層の突出部における発光領域に面する輪郭の長さの和が、発光領域における分離層に面する辺の長さの和よりも長いことを特徴とする発光装置である。
【００１５】
また、本発明の他の構成は、絶縁表面上に形成された発光素子を有し、発光素子は、絶縁表面により近い第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層とを有し、第１の電極と有機化合物層と第２の電極とが接して重なっている部分に発光領域が形成され、発光領域の一辺に沿って底部よりも上部が外側に突き出した突出部を有する分離層を複数有し、分離層の下に第１の電極と電気的に分離した導電層を有し、発光領域の有機化合物層と第２の電極とが、分離層の突出部の軒下部分まで延在すると共に、第２の電極が有機化合物層よりも突出部の輪郭の内側に延在することにより、第２の電極は、導電層と電気的に接続され、複数の分離層の突出部における輪郭の長さの和が、発光領域における分離層に面する辺の長さの和よりも長いことを特徴とする発光装置である。
【００１６】
以上のような構成を有する本発明の発光装置は、メタルマスクを用いずとも第２の電極をパターニングすることができることから、信頼性の高い発光装置である。また、同様の理由により、製造歩留まりの高い発光装置とすることができる。また、第１の電極と電気的に分離された導電層は、第２の電極と接触していることから、第２の電極に対する補助配線として機能する。これにより、第２の電極の電圧降下を抑制することができ、品質の高い発光装置を提供することができる。また、第２の電極と導電層の接触する長さが長いことから、コンタクト抵抗のより小さい、消費電力の小さい発光装置とすることができる。なお、分離層の輪郭の長さに対応してコンタクト部が形成されることから、当該分離層が複数の島状に分割されている場合は、それら複数の分離層の輪郭の長さの和が、当該発光領域における分離層に面する辺の長さの和より長ければ、その分コンタクト抵抗が低減されることとなる。
【００１７】
また、本発明の他の構成は、絶縁表面上に形成されたＥＬ素子を有し、ＥＬ素子は絶縁表面により近い第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層と、を有し、第１の電極と有機化合物層と第２の電極とが接して重なっている部分に発光領域が形成され、発光領域に挟まれる領域に分離層を有し、分離層は絶縁表面に垂直な方向から見た輪郭よりも内側に脚部が形成されており、分離層の下には、第１の電極と電気的に分離された導電層を有し、第２の電極と導電層は、分離層における絶縁表面に垂直な方向から見た輪郭より内側において接触しており、輪郭の長さが、絶縁表面に垂直な方向から見て、分離層を覆うことができる最小の四角形を想定した場合、四角形における辺の長さの和より長いことを特徴とする発光装置である。
【００１８】
また、本発明の他の構成は、絶縁表面上に形成されたＥＬ素子を有し、ＥＬ素子は絶縁表面により近い第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層と、を有し、第１の電極と有機化合物層と第２の電極とが接して重なっている部分に発光領域が形成され、発光領域に挟まれる領域に、分離層を複数有し、複数の分離層は絶縁表面に垂直な方向から見た輪郭よりも内側に脚部が形成されており、分離層の下には、第１の電極と電気的に分離された導電層を有し、第２の電極と導電層は、分離層における絶縁表面に垂直な方向から見た輪郭より内側において接触しており、複数の分離層の輪郭の長さの和が、絶縁表面に垂直な方向から見て、複数の分離層を覆うことができる最小の四角形を想定した場合、四角形における辺の長さの和より長いことを特徴とする発光装置である。
【００１９】
以上のような構成を有する本発明の発光装置は、メタルマスクを用いずとも第２の電極をパターニングすることができることから、信頼性の高い発光装置である。また、同様の理由により、製造歩留まりの高い発光装置とすることができる。また、第１の電極と電気的に分離された導電層は、第２の電極と接触していることから、第２の電極に対する補助配線として機能する。これにより、第２の電極の電圧降下を抑制することができ、品質の高い発光装置を提供することができる。また、第２の電極と導電層の接触する長さが長いことから、コンタクト抵抗のより小さい、消費電力の小さい発光装置とすることができる。なお、分離層の輪郭の長さに対応してコンタクト部が形成されることから、当該分離層が複数の島状に分割されている場合は、それら複数の分離層の輪郭の長さの和が、当該複数の分離層を覆うことができる最小の四角形の辺の長さの和より長ければ、その分コンタクト抵抗が低減されることとなる。
【００２０】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、第２の電極が透光性を有する材料により形成されていることを特徴とする発光装置である。
【００２１】
このような構成を有する本発明の発光装置は、トップエミッション型の発光装置とすることができる。トップエミッション型の発光装置とすることによって、ボトムエミッション型の発光装置と比較して、放熱を容易に行うことができるため、信頼性の高い発光装置とすることができる。また、透光性を有する材料は一般に電気伝導率が小さく、電極の厚さ、形状によっては電圧降下によって、発光領域内に輝度むらが発生する恐れがあるが、導電層を補助電極として用いることによって、当該輝度むらの発生を抑制することが可能となる。
【００２２】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、導電層が第１の電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする発光装置である。
【００２３】
上記構成を有する本発明の発光装置は、導電層を第１の電極と同時に形成することができ、簡便に上記構成を実現することができる。
【００２４】
また、本発明の他の構成は、絶縁表面上に形成された第１の発光素子と第２の発光素子を有し、第１の発光素子は絶縁表面側に位置する第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層とを有し、第２の発光素子は絶縁表面側に位置する第３の電極と、第３の電極に対向する第４の電極と、第３の電極と第４の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層とを有し、第１の発光素子と第２の発光素子に挟まれる領域に分離層を有し、分離層の下には、第３の電極に電気的に接続する配線が形成され、分離層は底部よりも上部が外側に突き出した突出部を有し、第１の発光素子の有機化合物層と第２の電極とが、分離層の突出部の軒下部分まで延在すると共に、第２の電極が有機化合物層よりも突出部の輪郭の内側に延在することにより、第２の電極は、配線と接触し、第２の電極が配線と接触する長さが、第１の発光素子における分離層に面する辺の長さよりも長いことを特徴とする発光装置である。
【００２５】
上記構成を有する発光装置は、第１の発光素子と第２の発光素子が直列に接続する構造を有する。さらに、当該直列接続するためのコンタクト部は、発光層形成後のフォトリソグラフィ工程や、メタルマスクを用いずに形成できることから、信頼性の高い発光装置とすることができる。また、製造歩留まりの高い発光装置とすることができる。また、直列接続するためのコンタクト部の長さが第１の発光素子における分離層に面する辺の長さよりも長いことによって、コンタクト抵抗を低減することができ、消費電力の小さい発光装置とすることができる。
【００２６】
また、本発明の他の構成は、絶縁表面上に形成された第１の発光素子と第２の発光素子を有し、第１の発光素子は絶縁表面側に位置する第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層とを有し、第２の発光素子は絶縁表面側に位置する第３の電極と、第３の電極に対向する第４の電極と、第３の電極と第４の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層とを有し、第１の発光素子と第２の発光素子に挟まれる領域に複数の分離層を有し、分離層の下には、第３の電極に電気的に接続する配線が形成され、複数の分離層は底部よりも上部が外側に突き出した突出部を有し、第１の発光素子の有機化合物層と第２の電極とが、複数の分離層の突出部の軒下部分まで延在すると共に、第２の電極が有機化合物層よりも突出部の輪郭の内側に延在することにより、第２の電極は、配線と接触し、第２の電極が配線と接触する長さが、第１の発光素子における複数の分離層に面する辺の長さよりも長いことを特徴とする発光装置である。
【００２７】
上記構成を有する発光装置は、第１の発光素子と第２の発光素子が直列に接続する構造を有する。さらに、当該直列接続するためのコンタクト部は、発光層形成後のフォトリソグラフィ工程や、メタルマスクを用いずに形成できることから、信頼性の高い発光装置とすることができる。また、製造歩留まりの高い発光装置とすることができる。また、直列接続するためのコンタクト部の長さが分離層を覆うことができる最小の四角形辺の長さより長いことによって、コンタクト抵抗を低減することができ、消費電力の小さい発光装置とすることができる。なお、分離層の輪郭の長さに対応してコンタクト部が形成されることから、当該分離層が複数の島状に分割されている場合は、それら複数の分離層の輪郭の長さの和が、第１の発光素子における分離層に面する辺の長さよりも長ければ、その分コンタクト抵抗が低減されることとなる。
【００２８】
また、本発明の他の構成は、絶縁表面上に形成された第１の発光素子と第２の発光素子を有し、第１の発光素子は絶縁表面側に位置する第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層と、を有し、第２の発光素子は絶縁表面側に位置する第３の電極と、第３の電極に対向する第４の電極と、第３の電極と第４の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層と、を有し、第１の発光素子と第２の発光素子に挟まれる領域に分離層を有し、分離層は絶縁表面に垂直な方向から見た輪郭よりも内側に脚部が形成されており、分離層の下には第３の電極に電気的に接続する配線が形成され、輪郭における第２の発光素子に面した部分及びその内側の一部に重なり、且つ配線上に形成された絶縁層を有し、第２の電極と配線は、輪郭より内側において、絶縁層が存在しない部分で接触しており、輪郭のうち、輪郭と絶縁層が重なっていない部分の長さが、絶縁表面に垂直な方向から見て、分離層を覆うことができる最小の四角形を想定した場合、四角形の辺のうち、辺と絶縁層が重なっていない部分の長さより長いことを特徴とする発光装置である。
【００２９】
上記構成を有する発光装置は、第１の発光素子と第２の発光素子が直列に接続する構造を有する。さらに、当該直列接続するためのコンタクト部は、発光層形成後のフォトリソグラフィ工程や、メタルマスクを用いずに形成できることから、信頼性の高い発光装置とすることができる。また、製造歩留まりの高い発光装置とすることができる。また、直列接続するためのコンタクト部の長さが分離層を覆うことができる最小の四角形のコンタクト部に対応する辺の長さより長いことによって、コンタクト抵抗を低減することができ、消費電力の小さい発光装置とすることができる。
【００３０】
また、本発明の他の構成は、絶縁表面上に形成された第１の発光素子と第２の発光素子を有し、第１の発光素子は絶縁表面側に位置する第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層と、を有し、第２の発光素子は絶縁表面側に位置する第３の電極と、第３の電極に対向する第４の電極と、第３の電極と第４の電極との間に設けられた発光物質を含む有機化合物層とを有し、第１の発光素子と第２の発光素子に挟まれる領域に、分離層を複数有し、複数の分離層は絶縁表面に垂直な方向から見た輪郭よりも内側に脚部が形成されており、複数の分離層の下には第３の電極に電気的に接続する配線が形成され、複数の分離層における輪郭のうち、第２の発光素子に面した部分及びその内側の一部に重なり、且つ配線上に形成された絶縁層を有し、第２の電極と配線は、複数の分離層における輪郭より内側において、絶縁層が存在しない部分で接触しており、複数の分離層における輪郭のうち、絶縁層と重なっていない部分の長さの和が、絶縁表面に垂直な方向から見て、複数の分離層を覆うことができる最小の四角形を想定した場合、四角形の辺のうち、辺と絶縁層が重なっていない部分の長さより長いことを特徴とする発光装置である。
【００３１】
上記構成を有する発光装置は、第１の発光素子と第２の発光素子が直列に接続する構造を有する。さらに、当該直列接続するためのコンタクト部は、発光層形成後のフォトリソグラフィ工程や、メタルマスクを用いずに形成できることから、信頼性の高い発光装置とすることができる。また、製造歩留まりの高い発光装置とすることができる。また、直列接続するためのコンタクト部の長さが分離層を覆うことができる最小の四角形の辺の長さより長いことによって、コンタクト抵抗を低減することができ、消費電力の小さい発光装置とすることができる。なお、分離層の輪郭の長さに対応してコンタクト部が形成されることから、当該分離層が複数の島状に分割されている場合は、それら複数の分離層の輪郭の長さの和が、当該複数の分離層を覆うことができる最小の四角形の辺の長さの和より長ければ、その分コンタクト抵抗が低減されることとなる。
【００３２】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、第２の電極及び第４の電極は透光性を有する材料で形成されていることを特徴とする発光装置である。
【００３３】
このような構成を有する本発明の発光装置は、トップエミッション型の発光装置とすることができる。トップエミッション型の発光装置とすることによって、ボトムエミッション型の発光装置と比較して、放熱を容易に行うことができるため、信頼性の高い発光装置とすることができる。また、透光性を有する材料は一般に電気伝導率が小さく、電極の厚さ、形状によっては電圧降下によって、発光領域内に輝度むらが発生する恐れがあるが、導電層を補助電極として用いることによって、当該輝度むらの発生を抑制することが可能となる。
【００３４】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、配線は第３の電極と連続して形成されていることを特徴とする発光装置である。
【００３５】
上記構成を有する本発明の発光装置は、導電層を第１の電極と同時に形成することができ、簡便に上記構成を実現することができる。
また、本発明の他の構成は、上記構成において、輪郭が凹凸形状を有していることを特徴とする発光装置である。
【００３６】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、複数の分離層のうち少なくとも一つの分離層の輪郭が、凹凸を有することを特徴とする発光装置である。
【００３７】
また、本発明の他の構成は、上記構成において、凹凸の形状は、四角、三角、半円及び波型のいずれか一もしくは複数組み合わされた形状であることを特徴とする発光装置である。また、本発明の他の構成は、上記構成において、複数の分離層の少なくとも一つの輪郭が円形、楕円形、四角形、三角形及び六角形のいずれかの形状を有することを特徴とする発光装置である。
【００３８】
また、本発明の他の構成は上記構成を有する発光装置を用いた照明装置である。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の発光装置は、信頼性の高い発光装置である。また、製造歩留まりの高い発光装置である。また、本発明の発光装置は、信頼性が高く、且つ消費電力の小さい発光装置である。また、本発明の発光装置は、製造歩留まりが高く、且つ消費電力の小さい発光装置である。また、本発明の発光装置は、信頼性及び製造歩留まりが高く、且つ消費電力の小さい発光装置である。
【００４０】
本発明の照明装置は、信頼性の高い照明装置である。また、製造歩留まりの高い照明装置である。また、本発明の照明装置は、信頼性が高く、且つ消費電力の小さい照明装置である。また、本発明の照明装置は、製造歩留まりが高く、且つ消費電力の小さい照明装置である。また、本発明の照明装置は、信頼性及び製造歩留まりが高く、且つ消費電力の小さい照明装置である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一態様である発光装置の構成を表す図。
【図２】本発明の一態様である発光装置の構成を表す図。
【図３】本発明の一態様である発光装置の構成を表す図。
【図４】本発明の一態様である発光装置の構成を表す図。
【図５】本発明の一態様である発光装置の構成を表す図。
【図６】本発明の一態様である発光装置の構成を表す図。
【図７】本発明の一態様である発光装置の構成を表す図。
【図８】ＥＬ素子の構成を説明する図。
【図９】本発明の一態様である発光装置を表す図。
【図１０】本発明の一態様である照明装置を表す図。
【図１１】本発明の一態様である照明装置を表す図。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４３】
なお、説明に用いる図はわかりやすさを優先し、各要素における拡大、縮小率は一定ではない。そのため、図における各要素の厚さ、長さ、大きさの比率がそのまま本発明の一態様である発光装置の厚さ、長さ、大きさの比率を表すわけではないことに留意されたい。また、数値が同一であり、アルファベットの符号のみが異なる符合については、同一のグループとして扱う場合があり、上述のような符号に関して数値のみ示された場合は、アルファベットの異なる符号をすべて含めたグループを指すものとする。
【００４４】
また、本明細書中において、「輪郭」とは、特に説明（場所の特定）が無い限り、対象を絶縁表面に垂直な方向から見た場合の最も外側の輪郭のことをいう。すなわち、最も突出した突出部の輪郭であるとする。
【００４５】
また、本明細書中においては当該発光領域が複数設けられている場合は、電極の電位が同じ電位となるように形成されている発光領域については、発光領域が分断されていたとしても同一のＥＬ素子とみなす。
【００４６】
（実施の形態１）
図１は本発明の一態様である発光装置の断面の模式図である。なお、ここでは、本発明の発光装置の一部を抜き出して図示している。図１（Ａ）は、ＥＬ素子を有する発光装置２００の断面概略図である。発光装置２００は、絶縁表面を有する基板１０１上に、当該基板に近いほうから第１の電極２０３、ＥＬ層２０５、第２の電極２０７が設けられ、これらが接して形成されている部分が発光領域２２０となるＥＬ素子を有している。
【００４７】
なお、本明細書中においては当該発光領域が複数設けられている場合は、電極の電位が同じ電位となるように形成されている発光領域については、発光領域が分断されていたとしても同一のＥＬ素子とみなすと先に述べたが、逆に、複数の発光領域に対して第１の電極２０３同士、第２の電極２０７同士の電位を比較した際、有意に違いがある場合には異なるＥＬ素子であるとみなす。そのため、図１（Ａ）の断面図に示した発光領域２２０ａと発光領域２２０ｂは、発光領域２２０ａの第１の電極２０３ａと発光領域２２０ｂの第２の電極２０７ｂが直列に接続しており、発光させた際、第１の電極２０３ａと第１の電極２０３ｂ、第２の電極２０７ａと第２の電極２０７ｂの電位がそれぞれ異なる構造となっているため、異なるＥＬ素子の発光領域として扱う。以下、本実施の形態においては、発光領域２２０ａを有するＥＬ素子をＥＬ素子ａ、発光領域２２０ｂを有するＥＬ素子をＥＬ素子ｂとして記載する。
【００４８】
発光装置２００は、第２の電極２０７に電気的に接続される配線２１３と、配線２１３上にそれぞれ設けられた分離層２１１と、配線２１３上に形成された絶縁層２０９とを有する。また、ＥＬ素子は、第１の電極２０３及び第２の電極２０７に電圧を印加し、これらに挟持されたＥＬ層２０５に電流を流すことにより発光を得るものである。
【００４９】
ここでＥＬ素子は、発光を取り出す側の電極層にＥＬ素子からの発光に対する透光性を有する材料を設ける。例えば上面発光型であれば第２の電極２０７に、下面発光型であれば第１の電極２０３に、また両面発光型であれば、両方の電極層に透光性を有する導電性材料を用いる。
【００５０】
分離層２１１は配線２１３上に設けられ、その底部の輪郭が、分離層２１１の輪郭の内側に位置するような形状、すなわち、底部よりも上部が外側に突き出した突出部を有する形状を有する。例えば、いわゆる逆テーパーといわれる形や、図１（Ａ）の分離層２１１のような、細い脚部２１１ａと太い台部２１１ｂから構成される形状などがこれにあたる。分離層２１１の輪郭から底部の輪郭に至る形状は特に問わないが、直線よりは、段差や曲率を有しているほうがより確実に第２の電極２０７を分離することができるため好ましい。また、同様の理由により、分離層２１１の輪郭と底部の輪郭との差はより大きいほうが好ましい。
【００５１】
ＥＬ層２０５は分離層２１１が存在することによって成膜時に分断され、ＥＬ素子ａのＥＬ層２０５ａとＥＬ素子ｂのＥＬ層２０５ｂに分割する。同様に第２の電極２０７も成膜時に分断され、ＥＬ素子ａの第２の電極２０７ａとＥＬ素子ｂの第２の電極２０７ｂに分割するが、回り込みの大きい成膜方法によって成膜することによって、ＥＬ層２０５よりも、分離層２１１の輪郭の内側（分離層２１１の突出部の軒下部分）、に伸張して成膜される。これにより、ＥＬ素子ｂの第２の電極２０７ｂが分離層２１１の下部に形成された配線２１３に接触し、当該配線２１３がＥＬ素子ａの第１の電極２０３ａと電気的に接続していることから、ＥＬ素子ｂの第２の電極２０７ｂとＥＬ素子ａの第１の電極２０３ａを接続することができ、ＥＬ素子ａとＥＬ素子ｂを直列に接続することが可能となる。言い換えると、ＥＬ素子ｂの第２の電極２０７ｂと配線２１３とが、分離層２１１の輪郭の内側において接触している構造によりＥＬ素子ｂとＥＬ素子ａとが直列に接続されている。
【００５２】
ＥＬ層２０５及び第２の電極２０７は、基板１０１上に第１の電極２０３、配線２１３、絶縁層２０９、分離層２１１を形成した後、成膜を行うことにより形成される。ＥＬ層２０５は例えば真空蒸着法等の成膜方法を用いて形成でき、第２の電極２０７は、真空蒸着法、スパッタリング法などの成膜方法により形成できる。
【００５３】
第２の電極２０７の成膜時に、膜の回りこみを大きくするには、例えばスパッタリングターゲット、又は蒸着源と基板１０１との距離を小さくして成膜する方法などが挙げられる。また、基板１０１に対し、斜め上方から成膜を行うことや、基板１０１を面内方向に動かしながら成膜する方法などが挙げられる。
【００５４】
このように、本実施の形態における発光装置はメタルマスクを使用しなくとも、ＥＬ層２０５及び第２の電極２０７を分断することができ、直列接続構造を形成することができる構成を有している。そのため、本実施の形態における発光装置は信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、製造歩留まりの高い発光装置とすることができる。
【００５５】
また、分離層２１１の形成はＥＬ層２０５の成膜前に行うことから、フォトリソグラフィ技術を採用することができる。そのため、メタルマスクを用いて作製する発光装置と比較して、面積ロスを小さくすることができ、発光装置における発光領域の割合を大きくすることができる。
【００５６】
図１（Ａ）ではＥＬ素子ｂの第２の電極２０７ｂとＥＬ素子ａの第１の電極２０３ａに接続する配線２１３が接触してＥＬ素子ａとＥＬ素子ｂの直列構造を実現しているが、分離層２１１の輪郭のＥＬ素子ａに面する部分とその下の配線２１３との間には絶縁層２０９ａが形成されることで、ＥＬ素子ａの第２の電極２０７ａと配線２１３との接触を防いでいる。すなわち、絶縁層２０９ａは、分離層２１１の輪郭のうち、配線２１３と同電位の第１の電極を有するＥＬ素子に面する部分の下部に形成される。
絶縁層２０９ａは少なくとも第２の電極２０７ａと配線２１３との接触を防ぐことができる程度に形成されていれば良いが、その分離層２１１側の端部が分離層２１１底部輪郭に接触するように形成されていることで、より確実にＥＬ素子ａの第２の電極２０７ａと配線２１３との接触を抑制することができる。
【００５７】
第１の電極２０３及び配線２１３のそれぞれの端部を覆うように形成された絶縁層２０９ｂは、ＥＬ層２０５ｂ及び第２の電極２０７ｂが、第１の電極２０３ｂの段差により断線しないために設けられる。そのため、絶縁層２０９ｂは、その上面に形成される膜が途切れないよう、順テーパー形状を有していることが好ましい。順テーパー形状とは、断面において、ある層がその端部からなだらかに厚みを増して下地となる層に接する構成をいう。
【００５８】
ここで図１（Ｂ）に配線２１３と第２の電極２０７とが接続する領域を拡大した断面概略図を示す。
【００５９】
図１（Ｂ）中の破線で示す領域は、配線２１３と第２の電極２０７との接触部を示す。配線２１３と第２の電極２０７とは分離層２１１の輪郭の内側、すなわち分離層２１１の輪郭と分離層２１１底部の輪郭との間に存在する配線２１３の表面で接触し、これらが電気的に接続される。ここで、第２の電極２０７の配線２１３と接触する部分の厚さは、発光領域２２０（第１の電極２０３、ＥＬ層２０５、及び第２の電極２０７が接触して積層される領域）における第２の電極２０７の厚さに比べて薄く形成される。また、その接触部分の厚さは、分離層２１１の底部輪郭に近いほど薄くなる、所謂順テーパー形状を有していてもよい。このように接触部分の厚さが薄く形成されることにより、分離層２１１の側面と配線２１３との隙間が小さい場合であっても接触面を大きくすることが出来るため接触抵抗を小さくすることが出来る。
【００６０】
発光装置の作製方法において、通常ではＥＬ層２０５及び第２の電極２０７の形成時に、ＥＬ素子に重なる開口部を有するメタルマスクを用いて成膜を行う。しかし、分離層２１１をこのように設けることにより、当該メタルマスクを用いることなく発光装置２００を作製することができる。したがって、メタルマスクを用いた場合におけるコストの増大や、当該メタルマスクと基板との接触による不具合を抑制することができる。
【００６１】
なお、分離層２１１は、図１（Ａ）では発光領域２２０ａを有するＥＬ素子と発光領域２２０ｂを有するＥＬ素子とを分離すると同時に、一方の陰極と他方の陽極とを直列に接続するのにも用いているが、単に隣接するＥＬ素子を分離するために分離層２１１を用いる場合は、分離層２１１を配線２１３上ではなく、絶縁層２０９ａの上に設ければ良い。
【００６２】
図２（Ａ）〜（Ｅ）に本実施の形態における発光装置の上面概略図（基板に垂直な方向から見た概略図）の一部を示す。図１で説明したように、配線２１３はＥＬ素子ａの第１の電極２０３ａに電気的に接続する配線であり、図２においてはその端部は一点鎖線で示した。配線２１３上には分離層２１１が形成されており、その輪郭は実線で示した。また、絶縁層２０９ａは少なくとも分離層２１１のＥＬ素子ａに面した輪郭及びその内側に連続して設けられており、その端部は破線で示した。また、絶縁層２０９ｂは配線２１３端部及びＥＬ素子ｂの第１の電極２０３ｂ（図示せず）の端部を覆って形成されている。ＥＬ層２０５及び第２の電極２０７は見易さを優先し、省略してある。
【００６３】
ＥＬ層２０５及び第２の電極２０７は分離層２１１によって分断される。そして、ＥＬ層２０５の回りこみ量と第２の電極２０７の回り込み量との差を利用して、分離層２１１の輪郭に沿って当該輪郭より内側で第２の電極２０７と配線２１３が接触する。この接触抵抗が高いと余分な電力を消費してしまい、消費電力が増大してしまうが、第２の電極２０７の回り込み量は成膜方法によって一定であるため、第２の電極２０７と配線２１３の接触面積を増やすには、分離層２１１の長さを長くする必要がある。
【００６４】
ＥＬ素子の直列接続部を形成するための分離層２１１はＥＬ素子における発光領域の一辺に沿って設けられる。そのため、分離層２１１を長くすることは、必然的に発光領域の当該辺の長さおよび対辺を拡大することになる。このとき、発光領域の他の辺およびその対辺を、当該直列接続部が形成される辺と同率程度に拡大した場合、発光させる際に必要な電流値も増大する。そのため、この電流経路に存在する直列接続領域は当該電流値に応じて低抵抗化される必要があるが、発光領域の拡大が縦、横の二次元になされるのに対し、直列接続部は縦方向（長さ方向）にしか伸ばすことができない。すなわち、この場合、直列接続部の接触抵抗による問題は相対的に悪化する方向にある。
次に発光領域の他の辺及びその対辺の長さを伸ばさず、直列接続部が形成される辺およびその対辺のみ拡大した場合を考える。この場合、直列接続部も発光領域も一次元のみの拡大であるので、直列接続部の接触抵抗による問題は悪化もしないが、改善もされない。
最後に、直列接続部が形成される辺およびその対辺を拡大し、その他の辺及びその対辺を縮小した場合、直列接続部の接触抵抗による問題は改善されるが、発光領域に対する、直列接続部（非発光領域）の形成領域が大幅に増加するため、開口率が低下してしまう。また、直列に接続するＥＬ素子の段数が増えるため、駆動電圧が高くなるなどの問題がある。
【００６５】
ここで、本発明者らは、コンタクト部の長さを長くするために、分離層２１１自体の長さを変えるのではなく、分離層２１１の輪郭の長さを長くすることによって、コンタクト面積が増加し、コンタクト抵抗を低減させることができることを見出した。
【００６６】
すなわち、分離層２１１の輪郭に凹凸を設けることによって、もしくは、分離層２１１を複数の島で形成することによって分離層２１１の形成領域を大きくしなくても、当該輪郭に沿って分断される第２の電極２０７と配線２１３とが接触する長さを増やすことができることを見出した。
【００６７】
図２（Ａ）では分離層２１１の輪郭が櫛歯状の凹凸を有する場合の例を、（Ｂ）では山型の凹凸を有する例を、（Ｃ）では櫛歯の角が丸みを帯びている形状の凹凸を有する例を、（Ｄ）では波状の凹凸を有する例を示した。本実施の形態においては、直列接続構造を形成するための構成を示していることから、配線２１３と同電位になる第１の電極２０３を有するＥＬ素子側の分離層２１１の輪郭における、少なくとも下部及びその内側に絶縁層２０９ａが形成され、分離層２１１の絶縁層２０９ａ側の端部で分断された第２の電極２０７が配線２１３と接触してしまうことを防いでいる。そのため、直列接続部における接触抵抗低減の効果を奏する輪郭の長さは、少なくとも配線２１３との間に絶縁層が形成されていない輪郭部分の長さということになる。なお、第２の電極２０７と同様にＥＬ層２０５も分離層にて分断されるため、多少の回り込みにより分離層２１１と配線２１３との間に存在する場合も考えられる。ＥＬ層２０５は基本的に絶縁性であるが、本発明は、第２の電極２０７とＥＬ層２０５との回り込み量の差を利用して接続を得るものであり、分離層２１１と配線２１３との間にＥＬ層２０５が存在していたとしても直列接続部の形成が可能であることから、ＥＬ層２０５に関しては上記絶縁層として含めないものとする。図２（Ｅ）では、当該分離層が島状に複数形成されている例を示した。この場合、複数の島状に形成されている分離層２１１の輪郭を足し合わせた長さが、図２（Ａ）〜（Ｄ）における輪郭の長さに相当する。このように、分離層２１１の短い方向（幅方向）に深さを有する凹凸が輪郭に形成されていることによって、分離層２１１自体の形成領域を変えずに、第２の電極２０７と配線２１３との接触長さ、ひいては接触面積を増やすことができる。これにより、直列接続部の接触抵抗が低減し、消費電力の低減につながる。
なお、本実施の形態の発光装置における分離層２１１の輪郭の形状は上記のものに限られない。
【００６８】
また、分離層２１１の輪郭に設けられる凹凸は、幅方向になるべく深いことが、より輪郭の長さを長くできるために好ましい構成である。また、同様に、その凹凸の形成密度はなるべく密であることが好ましい。
【００６９】
なお、上記概念をもたない発光素子における分離層の発光領域に面する輪郭は凹凸形状を有さない。通常発光領域の辺の長さは凹凸を有さないことから、発光領域における分離層に面する辺の長さと、本実施の形態における分離層の輪郭の長さを比較して、分離層の長さが長ければ、コンタクト抵抗低減効果が得られているということができる。
【００７０】
また、本発明の概念を持たない分離層の輪郭形状は一つの四角形であるということもできる。このことから少なくとも本実施の形態における分離層と同じ形成領域に形成された四角形の輪郭を有する分離層を想定して、当該四角形の分離層の輪郭より、本実施の形態の分離層の輪郭の長さが長ければ、接触抵抗の低減効果が得られる。ここで、実際にコンタクトを形成するのは、絶縁層が重なっていない部分の輪郭の下部であることから、上記輪郭の長さはどちらも絶縁層（ＥＬ層を除く）が重なっていない部分の輪郭の長さで比較するものとする。また、「本実施の形態における分離層と同じ形成領域に形成された四角形」とは、より具体的に、「本実施の形態における分離層を覆うことができる最小の四角形」と言い換えることもできる。
【００７１】
直列接続部の上面図を表示領域を拡大して図３に示した。上述したように、本実施の形態における発光装置はＥＬ素子の直列接続構造を有している。ＥＬ素子ａとＥＬ素子ｂの直列接続構造は、ＥＬ素子ａにおける発光領域２２０ａとＥＬ素子ｂにおける発光領域２２０ｂとに挟まれる領域に設けられる。
【００７２】
（実施の形態２）
図４は実施の形態１とは異なる本発明の一態様である発光装置の断面図である。なおここでは、本発明の発光装置の一部を抜き出して図示している。図４の発光装置は図１の発光装置と同様に、絶縁表面を有する基板１０１上に当該基板に近いほうから第１の電極３０３、ＥＬ層３０５、第２の電極３０７が設けられ、これらが接して形成されている部分が発光領域３２０となるＥＬ素子を有している。ＥＬ素子は、発光を取り出す側の電極層にＥＬ素子からの発光に対する透光性を有する材料を設ける。例えば上面発光型であれば第２の電極３０７に、下面発光型であれば第１の電極３０３に、また両面発光型であれば、両方の電極層に透光性を有する導電性材料を用いる。
【００７３】
本明細書中においては当該発光領域が複数設けられている場合は、電極の電位が常に同じ電位となるように形成されている発光領域については、発光領域が分断されていたとしても同一のＥＬ素子とみなす。図４においては図示されていないが、第１の電極３０３ａと第１の電極３０３ｂは同電位であるとする。すなわち、発光領域３２０ａと発光領域３２０ｂとは同じＥＬ素子内の異なる発光領域ということができる。なお、発光領域３２０ａと発光領域３２０ｂとは図４に示した断面以外の部分においてつながっていても良い。
【００７４】
図４の発光装置は、第１の電極３０３ａ及び第１の電極３０３ｂから電気的に独立した導電層３１３を備えており、導電層３１３上には分離層３１１が設けられている。分離層３１１はその底部の輪郭が、分離層３１１の輪郭の内側に位置するような形状、すなわち、底部よりも上部が外側に突出した突出部を有する。例えば、いわゆる逆テーパーといわれる形や、細い脚部３１１ａと太い台部３１１ｂから構成される形状などがこれにあたる。分離層３１１の輪郭から底部の輪郭に至る形状は特に問わないが、直線よりは、段差や曲率を有しているほうがより確実に第２の電極３０７を分離することができるため好ましい。また、同様の理由により、分離層３１１の輪郭と底部の輪郭との差はより大きいほうが好ましい。
【００７５】
ＥＬ層３０５は分離層３１１が存在することによって成膜時に分断される。同様に第２の電極３０７も成膜時に分断されるが、回り込みの大きい成膜方法によって成膜することによって、ＥＬ層３０５よりも、分離層３１１の輪郭の内側（（分離層２１１の突出部の軒下部分））に伸張して成膜される。これにより、第２の電極３０７ａ、第２の電極３０７ｂが分離層３１１の下部に形成された導電層３１３に接触し、電気的にも接続する。この際、導電層３１３を、第２の電極３０７ａ及び３０７ｂよりも抵抗の低い構造体とすることで、導電層３１３は第２の電極３０７ａ、３０７ｂの補助電極として用いることができる。この構成は、第２の電極３０７ａ及び３０７ｂが導電率の比較的小さい透光性を有する電極である場合、すなわち、第２の電極３０７側から光を取り出す構成である場合に、特に有効である。
【００７６】
導電層３１３と第２の電極３０７とは分離層３１１の輪郭の内側、すなわち分離層３１１の輪郭と分離層３１１底部の輪郭との間に存在する導電層３１３の表面で接触し、これらが電気的に接続される。ここで、第２の電極３０７の導電層３１３と接触する部分の厚さは、発光領域３２０における第２の電極３０７の厚さに比べて薄く形成される。また、その接触部分の厚さは、分離層３１１の底部輪郭に近いほど薄くなる、所謂順テーパー形状を有していてもよい。このように接触部分の厚さが薄く形成されることにより、分離層３１１の側面と導電層３１３との隙間が小さい場合であっても接触面を大きくすることが出来るため接触抵抗を小さくすることが出来る。
【００７７】
ＥＬ層３０５及び第２の電極３０７は、基板１０１上に第１の電極３０３、導電層３１３、絶縁層３０９、分離層３１１を形成した後、成膜を行うことにより形成される。ＥＬ層３０５は例えば真空蒸着法等の成膜方法を用いて形成でき、第２の電極３０７は、真空蒸着法、スパッタリング法などの成膜方法により形成できる。
【００７８】
第２の電極３０７の成膜時に、膜の回りこみを大きくするには、例えばスパッタリングターゲット、又は蒸着源と基板１０１との距離を小さくして成膜する方法などが挙げられる。また、基板１０１に対し、斜め上方から成膜を行うことや、基板１０１を面内方向に動かしながら成膜する方法などが挙げられる。
【００７９】
このように、本実施の形態における発光装置はメタルマスクを使用しなくとも、ＥＬ層３０５及び第２の電極３０７を分断することができ、補助配線を形成することができる構成を有している。そのため、本実施の形態における発光装置は信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、製造歩留まりの高い発光装置とすることができる。
【００８０】
また、分離層３１１の形成はＥＬ層３０５の成膜前に行うことから、フォトリソグラフィ技術を採用することができる。そのため、メタルマスクを用いて作製する発光装置と比較して、デザイン上、マスクのアライメントのために設けられるレイアウト面積を狭くすることができ、発光装置における発光領域の割合を大きくすることができる。
【００８１】
第１の電極３０３及び導電層３１３のそれぞれの端部を覆うように形成された絶縁層３０９ａ、絶縁層３０９ｂは、ＥＬ層３０５及び第２の電極３０７が、第１の電極３０３及び導電層３１３の段差により断線しないために設けられる。そのため、絶縁層３０９ａ、３０９ｂは、その上面に形成される膜が途切れないよう、順テーパー形状を有していることが好ましい。順テーパー形状とは、断面において、ある層がその端部からなだらかに厚みを増して接する構成をいう。
【００８２】
図５（Ａ）〜（Ｆ）に本実施の形態における発光装置の上面概略図（基板に垂直な方向から見た概略図）の一部を示す。図４で説明したように、導電層３１３はＥＬ素子の第１の電極３０３ａ、３０３ｂと電気的に独立している層であり、図５においてはその端部は一点鎖線で示した。導電層３１３上には分離層３１１が形成されており、その輪郭は太い実線で示した。また、絶縁層３０９ａ、３０９ｂは第１の電極３０３と導電層３１３の端部を覆って形成されている。ＥＬ層３０５及び第２の電極３０７は見易さを優先し、省略してある。ＥＬ層３０５及び第２の電極３０７が形成されることで、発光領域３２０ａ、３２０ｂが形成されるが、補助配線を構成する分離層３１１及び導電層３１３は当該発光領域３２０ａ及び３２０ｂの間に形成される。なお、上述したように、本実施の形態において、発光領域３２０ａと３２０ｂは同一のＥＬ素子における発光領域である。
【００８３】
ＥＬ層３０５及び第２の電極３０７は分離層３１１によって分断され、ＥＬ層３０５の回りこみ量と第２の電極３０７の回り込み量との差を利用して、分離層３１１の輪郭に沿って当該輪郭より内側で第２の電極３０７と導電層３１３が接触する。この接触抵抗が高いと余分な電力を消費してしまい、消費電力が増大してしまうが、本実施の形態に示したように、分離層３１１の輪郭の長さを長くすることによって、コンタクト面積が増加し、接触抵抗を低減させることができる。
【００８４】
すなわち、分離層３１１の輪郭に凹凸を設けることによって、又は、分離層３１１を複数の島で形成することによって分離層３１１の形成領域を大きくしなくても、当該輪郭に沿って分断される第２の電極３０７と導電層３１３とが接触する長さを増やすことができることを見出した。なお、分離層３１１自体の長さを長くすることなどとの優位性は、実施の形態１に記載したので、実施の形態１の説明を同時に参照されたい。
【００８５】
図５（Ａ）では、分離層３１１の輪郭が櫛歯状の凹凸を有する場合の例を、（Ｂ）では分離層３１１がミアンダ状に形成されている例を、（Ｃ）では複数の四角い島状に形成されている例を、（Ｄ）では複数の丸い島状に形成されている例を、（Ｅ）では山型の凹凸を有する場合の例を、（Ｆ）では波型の分離層と丸い島状の分離層とを組み合わせた例を示した。なお、本発明における分離層の形状はこれらに限られない。このように、分離層３１１の短い方向（幅方向）に深さを有する凹凸が輪郭に形成されていること、もしくは分離層３１１が複数、島状に分割されていることによって、分離層３１１自体の形成領域を変えずに、第２の電極３０７と導電層３１３との接触長さ、ひいては接触面積を増やすことが可能となる。これにより、補助配線となる導電層３１３と第２の電極３０７との接触抵抗が低減し、有効に第２の電極３０７の電圧降下を抑制することができる。
【００８６】
また、分離層３１１の輪郭に設けられる凹凸は、幅方向（短軸方向）になるべく深いことが、より輪郭の長さを長くできるために好ましい構成である。また、同様に、その凹凸の形成密度はなるべく密であることが好ましい。
【００８７】
なお、上記概念をもたない発光素子における分離層の発光領域に面する輪郭は凹凸形状を有さない。通常発光領域の辺の長さは凹凸を有さないことから、発光領域における分離層に面する辺の長さと、本実施の形態における分離層の輪郭の長さを比較して、分離層の長さが長ければ、コンタクト抵抗低減効果が得られているということができる。
【００８８】
また、本発明の概念を持たない分離層の輪郭形状は一つの四角形であるということもできる。このことから少なくとも本実施の形態における分離層と同じ形成領域に形成された四角形の輪郭を有する分離層を想定して、当該四角形の分離層の輪郭より、本実施の形態の分離層の輪郭の長さが長ければ、接触抵抗の低減効果が得られることがわかる。また、「本実施の形態における分離層と同じ形成領域に形成された四角形」とは、より具体的に、「本実施の形態における分離層を覆うことができる最小の四角形」と言い換えることもできる。
【００８９】
本実施の形態の構成は実施の形態１と組み合わせて用いることができる。
【００９０】
（実施の形態３）
【００９１】
図６に実施の形態１の構成と実施の形態２の構成を組み合わせた本発明の一態様の発光装置３００の上面概略図を示す。
【００９２】
発光装置３００は、分離層３１１に囲まれた４つのＥＬ素子（第１のＥＬ素子ａ、第２のＥＬ素子ｂ、第３のＥＬ素子ｃ、及び第４のＥＬ素子ｄ）を有し、これら４つのＥＬ素子が、直列接続部３５０ａ、直列接続部３５０ｂ、直列接続部３５０ｃ、直列接続部３５０ｄによって直列に接続された発光装置である。当該直列接続部の構成については実施の形態１に記載したため、その記載を省略する。実施の形態１を参照されたい。なお、図６におけるＡ−Ａ’断面図が実施の形態１における図１（Ａ）の断面図に相当する。
【００９３】
なお、図６には明瞭化のためＥＬ層３０５、第２の電極３０７などは明示していない。
【００９４】
第１のＥＬ素子ａの第１の電極３０３は、コンタクト領域３１７ａを介して配線３１５ａと電気的に接続されている。また、第４のＥＬ素子ｄの第２の電極３０７（図示しない）は、接続配線３１９及びコンタクト領域３１７ｂを介して配線３１５ｂと電気的に接続される。したがって、配線３１５ａと配線３１５ｂとの間に電圧を印加することにより、直列に接続されたそれぞれの発光領域に電流を流すことができ、発光を取り出すことができる。
【００９５】
また、それぞれの発光領域には、第２の電極３０７（図示しない）の導電性を補助するための補助配線となる導電層３１３が電流の流れる向きに沿って複数設けられ、当該補助配線となる導電層３１３上には分離層３１１が配置されている。実施の形態２で説明したように分離層３１１の輪郭の内側において、第２の電極３０７（図示しない）が導電層３１３と電気的に接続する。導電層３１３、その上に形成された分離層３１１及びそれらを用いた補助配線の構成については実施の形態２を参照されたい。なお、図６におけるＣ−Ｃ’断面図が図４の断面図に相当する。
【００９６】
発光装置３００の右下部分の拡大図を図７（Ａ）に、等価回路を図７（Ｂ）に示す。図７（Ａ）に示すように、導電層３１３および分離層３１１からなる補助配線３７０は一つのＥＬ素子中の発光領域に挟まれた部分に形成される。例えば、図７（Ａ）のＥＬ素子ｄにおける発光領域３２０ａと発光領域３２０ｂとの間には補助配線３７０が形成されているということができる。
【００９７】
なお、導電層３１３は、当該導電層３１３が補助配線を構成するＥＬ素子が他のＥＬ素子と直列接続する図６のような構造において、当該他のＥＬ素子の第１の電極とは電気的に接続する構造であっても良い。例えば、導電層３１３が補助電極として機能するＥＬ素子ｘの第２の電極ｘが他のＥＬ素子ｙの第１の電極ｙと接続して直列構造を形成するため、導電層３１３はＥＬ素子ｙの第１の電極ｙと接続し、同電位となる構造であっても良い。
【００９８】
図７（Ｂ）は図６における発光装置３００の等価回路である。ＥＬ素子ａ乃至ＥＬ素子ｄが直列接続部３５０ａ乃至３５０ｄを介して接続しており、コンタクト領域３１７ａを介して配線３１５ａがＥＬ素子ａの陽極側に、コンタクト領域３１７ｂを介して配線３１５ｂがＥＬ素子ｄの陰極側に接続する構成である。なお、陽極、陰極の関係は、この逆であってもかまわない。
【００９９】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態３で説明した発光装置３００内の各構成に用いることのできる材料の一例と、その形成方法について説明する。
【０１００】
［基板］
発光装置３００が下面発光型、両面発光型の場合、基板１０１の材料としては、ガラス、石英、有機樹脂などの透光性を有する材料を用いることができる。また上面発光型の場合は、透光性を有していなくともよく、上記の材料に加え金属、半導体、セラミック、有色の有機樹脂などの材料を用いることができる。導電性の基板を用いる場合、その表面を酸化させる、または表面に絶縁膜を形成することにより絶縁性を持たせることが好ましい。
【０１０１】
基板１０１として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
【０１０２】
特に、上面発光型の発光装置３００の場合、基板には金属基板などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい。ＥＬ素子を用いた大型の発光装置の場合、ＥＬ素子からの発熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高めることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化物との積層などを用いると、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。
【０１０３】
［封止膜・下地膜］
下面発光型、両面発光型の発光装置の場合、封止膜・下地膜は、透光性且つバリア性を有する材料を用いて形成することができる。上面発光型の発光装置では、必ずしも透光性を有していなくともよい。
【０１０４】
封止膜・下地膜としては、例えば、無機絶縁膜をスパッタリング法で形成することができる。例えば、窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ケイ素膜などを形成すればよい。また、光射出方向と反対側に設けられる封止膜、または下地膜は、金属膜と上記無機絶縁膜を積層したものを用いてもよい。
【０１０５】
封止膜は、例えば水分の透過率が１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下程度のガスバリア性を備えるものが好ましい。また、封止膜の構成としては、例えば無機物を含む層を少なくとも一層、有機物を含む層の間に挟んで積層したものを用いることができる。有機物を含む層としては、例えばエポキシ系などの接着材層を一例として挙げることができ、無機物を含む層としては酸化珪素、窒化珪素などバリア性を有する膜を一例として挙げることができる。
【０１０６】
また、基板として有機樹脂を用いる場合には、下地膜として、２５μｍ以上１００μｍ以下の厚さのガラス層を用いてもよい。ガラス層の厚さは、代表的には、４５μｍ以上８０μｍ以下である。有機樹脂基板とガラス層とを組み合わせることで水分又は不純物等が発光装置の外部から侵入し、発光素子に含まれる有機化合物や金属材料に悪影響を及ぼすことを抑制することができ、かつ発光装置の軽量化を実現することができる。
【０１０７】
［分離層］
分離層は無機絶縁材料、有機絶縁材料を用いて形成することができる。例えば、ネガ型やポジ型の感光性を有する樹脂材料、非感光性の樹脂材料などを用いることができる。
【０１０８】
ここではネガ型の感光性を有する有機樹脂を用いて形成する例について説明する。
【０１０９】
まず、ネガ型の感光性を有する有機樹脂から成る有機樹脂膜を形成する。有機樹脂膜はスピンコート法などの塗布法、液滴吐出法（インクジェット法等）、スクリーン印刷、オフセット印刷などの印刷法等を用いて形成することができる。
【０１１０】
続いて、マスクを介して後に分離層が形成される領域の有機樹脂膜に露光光を照射する。ここで、露光光は、有機樹脂膜の厚さ方向に対して、基板１０１に近いほど露光強度が小さくなるように調整する。ネガ型の感光性を有する有機樹脂は、感光した領域が後の現像処理での溶解性が低下する性質を有するため、露光強度を膜表面が最も大きく、基板１０１に近いほど小さくなるよう、光を照射することにより、現像処理を経て形成される分離層の形状は、基板１０１に近い部分ほど輪郭が小さくなる。
【０１１１】
また、露光の際、露光の焦点をずらし、基板１０１に近い領域の露光強度を小さくなるようにしてもよい。
【０１１２】
続いて、現像処理を行い、露光光が照射されていない領域の有機樹脂膜を除去することにより、分離層が形成される。また、加熱処理を行い、分離層を硬化させてもよい。
【０１１３】
分離層は、上記のように単層で形成してもよいし、２層以上の多層としてもよく、絶縁性の有機材料、無機材料を組み合わせて形成してもよい。
【０１１４】
［配線］
配線の材料としては、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成する。また、配線の材料としてアルミニウムを用いることもできるが、その場合にはＩＴＯなどと直接接して設けると腐食する恐れがある。よって、配線を積層構造とし、ＩＴＯなどと接しない層にアルミニウムを用いればよい。また銅は抵抗が低いため、好適に用いることができる。配線の膜厚は、１００ｎｍ以上３５μｍ以下とすることが好ましい。
【０１１５】
ここで、発光素子や配線に用いる導電膜を形成する方法としては、スパッタリング法や真空蒸着法などの堆積方法を適宜用いることができる。また、可能であればスクリーン印刷法、インクジェット法などの液滴吐出法、めっき法などの形成方法も適用することが出来る。
【０１１６】
［隔壁］
隔壁の材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂、無機絶縁材料を用いることができる。
【０１１７】
隔壁の側壁面の角度としては、例えば１０度以上８５度以下、好ましくは６０度以上８０度以下を有する。
【０１１８】
特に感光性の樹脂材料を用いて開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。具体的には、隔壁の断面が描いている曲線の曲半径が、０．２〜２μｍ程度であることが望ましい。
【０１１９】
隔壁の形成方法は、特に限定されないが、スパッタ法、蒸着法、塗布法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）などを用いればよい。
【０１２０】
隔壁の膜厚としては、例えば、２０ｎｍ以上２０μｍ以下とすればよい。好ましくは、５０ｎｍ以上３μｍ以下である。
【０１２１】
［平坦化膜］
平坦化膜を用いる場合は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化膜を形成してもよい。
【０１２２】
平坦化膜の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、印刷法、インクジェット法等を用いることができる。
【０１２３】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが出来る。
【０１２４】
続いて、ＥＬ素子について図８を用いて説明する。ＥＬ素子の第１の電極及び第２の電極からなる一対の電極は、その一方が陽極７０２として機能し、もう一方が陰極７０４として機能する。本実施の形態におけるＥＬ素子は、基板１０１と反対側の方向に光を射出するトップエミッション型であっても、基板１０１の方向に光を射出するボトムエミッション型であってもよいが、特にトップエミッション型の発光装置に適する構造である。光を射出する方の電極は、少なくとも可視光領域において透光性を有する材料によって形成する。また、他方の電極はその電極の方向に向かって放出された光も有効に取り出せるように、反射率の高い材料で形成することが好ましい。
【０１２５】
陽極として機能する電極の材料としては、仕事関数が大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等などが挙げられる。このほか、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、インジウム錫酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：ＩＴＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）やガリウムを添加した酸化亜鉛などの透光性を有する導電性金属酸化物も用いることができる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。
陽極側から光を取り出す場合には、前述の透光性を有する導電性金属酸化物を用いればよい。また、その他の材料を用いる場合には透光性を有する程度に薄く形成することによって透光性を有せしめることが可能である。なお、複数の材料による積層構造を有していても良い。
なお、ＥＬ層１０３の陽極と接する面に後述の複合材料を用いることによって、仕事関数の大小にかかわらず、電極材料を選択することができるようになる。
【０１２６】
陰極として機能する電極としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。このような材料としては、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等、、元素周期表の１族または２族に属する金属およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなど）や、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、アルミニウム（Ａｌ）およびその合金等を用いることができる。
陰極側から光を取り出す場合には、充分な透光性を有する程度にこれら材料を薄く形成することによって透明導電膜として用いることができる。また、これらの材料を透光性を有する程度に薄く形成したのち、上述の透光性を有する導電性金属酸化物と積層しても良い。
なお、ＥＬ層１０３の陰極に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物、又は電子輸送性物質に、当該電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質を添加した材料（以下ドナー準位を有する材料と称する）を用いることによって、仕事関数の大小にかかわらず電極材料を選択することができるようになる。すなわち、ＩＴＯに代表される酸化物透明導電膜を陰極の材料として用いることができる。また、複合材料からなる層とドナー準位を有する材料からなる層との積層体からなる電荷発生層を用いても同様の効果を得ることができる（但し、この場合は複合材料からなる層が陰極と接することとする）。
【０１２７】
また、透光性を有する導電性高分子も陽極として用いることが可能である。導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン及びまたはその誘導体、ポリピロール及びまたはその誘導体、ポリチオフェン及びまたはその誘導体、これらの２種以上の共重合体など、π電子共役系導電性高分子を用いることができる。
【０１２８】
陽極７０２および陰極７０４はこれら用いられる材料に応じて、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍ  ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法（ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法やＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法）やゾル−ゲル法、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、コータ法、印刷法など公知の方法で作製することができる。
【０１２９】
ＥＬ層１０３の積層構造については特に限定されず、発光層、電子輸送性の高い物質を含む電子輸送層または正孔輸送性の高い物質を含む正孔輸送層、電子注入性の高い物質を含む電子注入層、正孔注入性の高い物質を含む正孔注入層、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含むバイポーラ層など、各機能層を適宜組み合わせて構成すればよい。これら機能層は発光層以外は必須ではなく、また、上述以外の他の機能層を備えていても良い。なお、このような積層構造を発光ユニットと称することもある。
【０１３０】
本実施形態では、ＥＬ層１０３は、陽極７０２側から正孔注入層７１１、正孔輸送層７１２、発光層７１３、電子輸送層７１４、電子注入層７１５の積層構造を有する構成について説明する（図８（Ａ）参照）。各層の構成及び材料について以下に具体的に示す。
【０１３１】
正孔注入層７１１は、陽極７０２に接して設けられ、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層７１１を形成することができる。
【０１３２】
また、正孔注入層７１１として、正孔輸送性の高い物質に当該正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性を示す物質を含有させた複合材料を用いることもできる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を陽極に接して形成することにより、仕事関数に依らず陽極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、陽極を構成する材料として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料も用いることができる。アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１３３】
複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【０１３４】
例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１３５】
複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【０１３６】
また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１３７】
また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１３８】
複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１３９】
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。
【０１４０】
なお、このような複合材料からなる層は、その膜厚が厚くても薄くても駆動電圧の変化がほとんど無いことから、発光層から発する光の取り出し効率や指向性などを制御するための光学設計を行う際に非常に好適に用いることができる。
【０１４１】
正孔輸送層７１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１４２】
また、正孔輸送層７１２として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
【０１４３】
発光層７１３は、発光性の物質を含む層である。発光層７１３の種類としては、発光中心物質を主成分とする単膜の発光層であっても、ホスト材料中に発光中心材料を分散するいわゆるホスト−ゲスト型の発光層であってもどちらでも構わない。
【０１４４】
用いられる発光中心材料に制限は無く、公知の蛍光又は燐光を発する材料を用いることができる。蛍光発光性材料としては、例えばＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、等の他、発光波長が４５０ｎｍ以上の４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。燐光発光性材料としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、の他、発光波長が４７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、発光波長が５００ｎｍ（緑色発光）以上のトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニ���）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。以上のような材料又は他の公知の材料の中から、各々のＥＬ素子における発光色を考慮し選択すれば良い。
【０１４５】
ホスト材料を用いる場合は、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３���５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、各々が分散する発光中心物質のエネルギーギャップ（燐光発光の場合は三重項エネルギー）より大きなエネルギーギャップ（三重項エネルギー）を有する物質を有し、且つ各々の層が有すべき輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。
【０１４６】
電子輸送層７１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層７１４として用いても構わない。
【０１４７】
また、電子輸送層７１４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１４８】
また、電子輸送層７１４と発光層７１３との間に電子の移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子の移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層７１３を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【０１４９】
電子注入層７１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はこれらの化合物を用いることができる。または、電子輸送性を有する物質からなる層中に当該電子輸送性を有する物質に対して電子供与性を示す物質（代表的にはアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物）を含有させた材料（ドナー準位を有する材料）、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させた材料等を電子注入層７１５として用いることができる。なお、電子注入層７１５として、ドナー準位を有する材料を用いた構成は、陰極７０４からの電子注入が効率良く行われるため、より好ましい構成である。
【０１５０】
なお、上述のＥＬ層１０３は図８（Ｂ）のように陽極７０２と陰極７０４との間に発光ユニットが複数積層されている構造であっても良い。この場合、積層された第１の発光ユニット８００と第２の発光ユニット８０１との間には、電荷発生層８０３を設けることが好ましい。電荷発生層８０３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層８０３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有するＥＬ素子は、発光ユニット間におけるエネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つＥＬ素子とすることが容易である。また、一方の発光ユニットで燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。
図８（Ｂ）においては、二つの発光ユニット（第１の発光ユニット８００及び第２の発光ユニット８０１）が積層されている構成を例示したが、３層以上の発光ユニットを積層することも可能である。この際も各発光ユニットの間には電荷発生層が設けられていることが好ましい。
【０１５１】
各発光ユニットは、図８（Ａ）におけるＥＬ層１０３と同様の構成をそれぞれ有しており、発光層、電子輸送性の高い物質を含む電子輸送層または正孔輸送性の高い物質を含む正孔輸送層、電子注入性の高い物質を含む電子注入層、正孔注入性の高い物質を含む正孔注入層、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含むバイポーラ層など、図８（Ａ）の説明の際にＥＬ層の構成として説明した各機能層を適宜組み合わせて構成すればよい。なお、これら機能層は発光層以外は必須ではなく、また、上述以外の他の機能層を備えていても良い。
これらの層の詳しい説明は上述したとおりであるので繰り返しとなる説明を省略する。図８（Ａ）におけるＥＬ層１０３の説明を参照されたい。
【０１５２】
特に図８（Ｂ）の構成は白色の発光を得る場合に好ましく、照明用途として特に有効である。これによって高品質な発光装置を得ることができる。
【０１５３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した発光装置が適用された、上面発光型の照明装置の例について図９を用いて説明する。
【０１５４】
図９（Ａ）に示す照明装置４００は、第１の基板４０１ａ上に複数の発光装置４０３が形成されている。また第１の基板４０１ａと、これと対向する透光性を有する第２の基板４０１ｂとは、発光装置４０３を覆うシール材４０５ａと、端部に設けられるシール材４０５ｂによって貼り合わされた構成となっている。
【０１５５】
発光装置４０３は、上記実施の形態で例示した発光装置を適宜用いることができる。
【０１５６】
第１の基板４０１ａには、金属基板などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい。ＥＬ素子を用いた大型の照明装置の場合、ＥＬ素子からの発熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高めることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化物との積層などを用いると、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。
【０１５７】
第２の基板４０１ｂには透光性の基板を用いる。また、発光装置４０３の表面や、第２の基板４０１ｂの表裏面など、発光装置４０３からの発光と交差する面に凹凸形状を設け、全反射を抑制する構成としてもよい。例えば、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルムなどを貼り付けてもよいし、直接凹凸形状を形成してもよい。
【０１５８】
シール材４０５ａ、４０５ｂとしては、対向する面同士を接着することができる材料を用いることができる。例えば熱硬化型の材料、紫外線硬化型の材料などからなる公知のシール材を用いることができる。特に、シール材４０５ａには透光性を有する材料を用いることが好ましい。これらの材料は、できるだけ水分や酸素などの不純物を透過しない材料であることが望ましい。また、乾燥剤入りのシール材を用いることもできる。
【０１５９】
図９（Ｂ）に示す照明装置４２０は、第１のガラス層４０７ａ上に形成された複数の発光装置４０３が、第２のガラス層４０７ｂで封止されたものを、第１の基板４０１ａ及び第２の基板４０１ｂで囲う構成となっている。
【０１６０】
第１のガラス層４０７ａと第２のガラス層４０７ｂとはシール材４０５ａを用いて貼り合わされており、第１の基板４０１ａと、第２の基板４０１ｂとはシール材４０５ｂで貼り合わされている。
【０１６１】
また、第１のガラス層４０７ａと第２のガラス層４０７ｂとの間の空間は、充填材として不活性気体（窒素、アルゴン等）を充填してもよいし、透光性を有するシール材で充填していてもよい。
【０１６２】
照明装置４２０は、発光装置４０３が２枚の薄いガラス層で封止された構成となっているため、外部からの水分、酸素などの不純物の浸入を抑制でき、信頼性の高い照明装置とすることができる。
【０１６３】
また、照明装置４００及び４２０には、第１の基板４０１ａ上に発光装置４０３と接続するコンバータ４０９が設けられている。コンバータ４０９は例えば家庭用電源の電源電圧から、照明駆動用の電源電圧に変換する。なお、コンバータ４０９はシール材４０５ｂよりも内側に形成されていてもよい。
【０１６４】
また、照明装置４００及び４２０に用いる基板の材料として、プラスチックや有機樹脂フィルムや薄いガラス基板、金属薄膜などの可撓性を有する材料を用いることにより、軽量で可撓性を有する照明装置とすることができる。
【０１６５】
なお、本実施の形態では上面発光型の照明装置について説明したが、例えば下面発光型とする場合には、発光装置が設けられる側の基板に透光性の基板を用いればよい。
【０１６６】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１６７】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様により形成された発光装置を用いた照明装置について図１０及び図１１を用いて説明する。
【０１６８】
図１０は照明装置（卓上照明装置）であり、照明部７５０１、傘７５０２、可変アーム７５０３、支柱７５０４、台７５０５、電源スイッチ７５０６を含む。なお、照明装置は、本発明の一態様により作製される発光装置を照明部７５０１に用いることにより作製される。なお、照明装置には、図１０に示す卓上照明装置の他、天井固定型の照明装置（天井固定型照明装置）または壁掛け型の照明装置（壁掛け型照明装置）なども含まれる。
【０１６９】
なお、本発明の一態様を適用して形成される照明装置は、信頼性や製造歩留まりの高い照明装置であるため、照明装置（卓上照明装置３０００）の照明部７５０１に用いることで、信頼性が高く、価格競争力の高い照明装置（卓上照明装置）を提供することができる。また、本発明の一態様を適用して形成される照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。
【０１７０】
図１１は、本発明の一態様を適用して形成される発光装置を、室内照明装置として用いた例である。本発明の一態様の発光装置は信頼性や製造歩留まりの高い照明装置であるため、天井固定型照明装置３００１に示すように大面積の照明装置として非常に好適に用いることができる。その他、壁掛け型照明装置３００２として用いることもできる。また、本発明の一態様を適用して形成される照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。
【符号の説明】
【０１７１】
１０１    基板
１０３    ＥＬ層
２００    発光装置
２０３    第１の電極
２０３ａ    第１の電極
２０３ｂ    第１の電極
２０５    ＥＬ層
２０５ａ    ＥＬ層
２０５ｂ    ＥＬ層
２０７    第２の電極
２０７ａ    第２の電極
２０７ｂ    第２の電極
２０９    絶縁層
２０９ａ    絶縁層
２０９ｂ    絶縁層
２１１    分離層
２１１ａ    脚部
２１１ｂ    台部
２１３    配線
２２０    発光領域
２２０ａ    発光領域
２２０ｂ    発光領域
３００    発光装置
３０３    第１の電極
３０３ａ    第１の電極
３０３ｂ    第１の電極
３０５    ＥＬ層
３０７    第２の電極
３０７ａ    第２の電極
３０７ｂ    第２の電極
３０９    絶縁層
３０９ａ    絶縁層
３０９ｂ    絶縁層
３１１    分離層
３１１ａ    脚部
３１１ｂ    台部
３１３    導電層
３１５ａ    配線
３１５ｂ    配線
３１７ａ    コンタクト領域
３１７ｂ    コンタクト領域
３１９    接続配線
３２０    発光領域
３２０ａ    発光領域
３２０ｂ    発光領域
３５０ａ    直列接続部
３５０ｂ    直列接続部
３５０ｃ    直列接続部
３５０ｄ    直列接続部
３７０    補助配線
４００    照明装置
４０１ａ    第１の基板
４０１ｂ    第２の基板
４０３    発光装置
４０５ａ    シール材
４０５ｂ    シール材
４０７ａ    第１のガラス層
４０７ｂ    第２のガラス層
４０９    コンバータ
４２０    照明装置
７０２    陽極
７０４    陰極
７１１    正孔注入層
７１２    正孔輸送層
７１３    発光層
７１４    電子輸送層
７１５    電子注入層
８００    発光ユニット
８０１    発光ユニット
８０３    電荷発生層
３０００    照明装置
３００１    天井固定型照明装置
３００２    壁掛け型照明装置
７５０１    照明部
７５０２    傘
７５０３    可変アーム
７５０４    支柱
７５０５    台
７５０６    電源スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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