(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能部を有する半導体チップと、
前記機能部を取り囲むように、前記半導体チップ上に配置された額縁状のスペーサーと、
前記スペーサーを介して前記半導体チップ上に配置された、前記スペーサーの平面視寸法より大きく前記半導体チップの平面視寸法より小さい平面視寸法のカバー部材と、
前記スペーサーの外側の、前記半導体チップと前記カバー部材との隙間を充填する、前記カバー部材の平面視寸法より大きく前記半導体チップの平面視寸法より小さい平面視寸法の補強部材と、を具備し、
前記スペーサーは、感光性接着フィルムからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
機能部を有する半導体チップと、
前記機能部を取り囲むように、前記半導体チップ上に配置された額縁状のスペーサーと、
前記スペーサーを介して前記半導体チップ上に配置された、前記スペーサーの平面視寸法より大きく前記半導体チップの平面視寸法より小さい平面視寸法のカバー部材と、
前記スペーサーの外側の、前記半導体チップと前記カバー部材との隙間を充填する、前記カバー部材の平面視寸法より大きく前記半導体チップの平面視寸法より小さい平面視寸法の補強部材と、を具備し、
前記スペーサーは、単結晶シリコンからなり、前記半導体チップと接する端部のミラー指数（１００）の端面には、ミラー指数（１１１）のテーパー面が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
機能部を有する半導体チップと、
前記機能部を取り囲むように、前記半導体チップ上に配置された額縁状のスペーサーと、
前記スペーサーを介して前記半導体チップ上に配置された、前記スペーサーの平面視寸法より大きく前記半導体チップの平面視寸法より小さい平面視寸法のカバー部材と、
前記スペーサーの外側の、前記半導体チップと前記カバー部材との隙間を充填する、前記カバー部材の平面視寸法より大きく前記半導体チップの平面視寸法より小さい平面視寸法の補強部材と、を具備し、
前記補強部材が、アモルファスフッ素樹脂からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップと前記カバー部材との隙間が５０μｍ以下であり、
前記補強部材が、補強部材溶液が前記隙間に毛管現象により充填された後に固体化されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップが、前記補強部材の外側に、第１の主面に形成された前記機能部と接続された電極パッドを前記第１の主面に有していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップが、前記機能部である受光素子部を有する固体撮像素子チップであり、
前記カバー部材は透明平板からなることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
機能部を有する半導体チップと前記半導体チップの平面視寸法より小さいカバー部材とを、前記機能部を取り囲むように前記半導体チップ上に配置された、前記カバー部材の平面視寸法より小さい額縁状のスペーサーを介して、接合する接合工程と、
前記スペーサーの外側の、前記半導体チップと前記カバー部材との隙間を、補強部材で充填する補強部材充填工程と、を具備し、
前記スペーサーは、感光性接着フィルムからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
主面のミラー指数が（１００）の単結晶シリコンからなるウエハの第１の主面をパターンエッチングして、額縁状の凸部を形成する工程と、
前記ウエハの前記第１の主面を、透光性基板と接合し接合基板を作製する工程と、
前記ウエハの第２の主面側から前記接合基板をエッチングして、ミラー指数（１１１）のテーパー面が形成されたミラー指数（１００）の端面のある端部を有する額縁状のスペーサーを形成する工程と、
機能部を有する、前記スペーサーの平面視寸法より大きい半導体チップを、前記機能部が前記スペーサーの内部に収納されるように前記接合基板と接着剤を用いて接合する接合工程と、
前記スペーサーの外側の、前記半導体チップと前記透光性基板との隙間に補強部材を充填する補強部材充填工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記補強部材充填工程が、補強部材溶液を、５０μｍ以下の前記隙間に毛管現象により充填する溶液充填工程と、前記補強部材溶液を固体化する硬化工程とを、有することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記補強部材が、アモルファスフッ素樹脂からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体チップが、前記補強部材の外側に、前記機能部と接続された電極パッドを有していることを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体チップは、前記機能部である受光素子部を有する固体撮像素子チップであり、
前記カバー部材は透明平板からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップとカバー部材とを、スペーサーおよび補強部材を介して接合した半導体装置および前記半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の信頼性向上のために、集積回路形成領域を封止することがある。例えば、特開２００２−２３１９１９号公報には、基板部と透明平板部とを枠基体部および接着剤層を介して接合することにより形成した封止部により、基板部の固体撮像素子を保護した撮像装置が開示されている。
【０００３】
接着剤層の形成方法としては、隙間に接着剤を注入する方法、および、接着剤を予め接合面に充填してから貼り合わせる方法が開示されている。
【０００４】
しかし、隙間に側面から接着剤を埋め込んで充填すると、接着剤が隙間を完全に埋められずに接着層に気泡が混入して、撮像装置の信頼性が低下するおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２３１９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、信頼性の高い半導体装置、および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態の半導体装置は、機能部を有する半導体チップと、前記機能部を取り囲むように、前記半導体チップ上に配置された額縁状のスペーサーと、前記スペーサーを介して前記半導体チップ上に配置された、前記スペーサーの平面視寸法より大きく前記半導体チップの平面視寸法より小さい平面視寸法のカバー部材と、前記スペーサーの外側の、前記半導体チップと前記カバー部材との隙間を充填する、前記カバー部材の平面視寸法より大きく前記半導体チップの平面視寸法より小さい平面視寸法の補強部材と、を具備し、前記スペーサーは、感光性接着フィルムからなる。
【０００８】
また本発明の別の実施の形態の半導体装置の製造方法は、機能部を有する半導体チップと前記半導体チップの平面視寸法より小さいカバー部材とを、前記機能部を取り囲むように前記半導体チップ上に配置された、前記カバー部材の平面視寸法より小さい額縁状のスペーサーを介して、接合する接合工程と、前記スペーサーの外側の、前記半導体チップと前記カバー部材との隙間を、補強部材で充填する補強部材充填工程と、を具備し、前記スペーサーは、感光性接着フィルムからなる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、信頼性の高い半導体装置、および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施の形態の撮像装置の上面図である。
【図２】第１の実施の形態の撮像装置の図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】第１の実施の形態の撮像装置の構造を説明するための分解図である。
【図４】第１の実施の形態の撮像装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】第２の実施の形態の撮像装置の断面図である。
【図６】第２の実施の形態の撮像装置の製造方法を説明するための部分断面図である。
【図７】第２の実施の形態の撮像装置の製造方法を説明するための部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜第１実施形態＞
図１から図３に示すように、第１実施形態の半導体装置である撮像装置１０は、半導体チップ２０と、スペーサー３０と、カバー部材である透明平板部４０と、補強部材５０と、を具備する。後述するように、撮像装置１０では、半導体チップ２０と透明平板部４０とはスペーサー３０を介して接合されている。補強部材５０はスペーサー３０を介した接合の接合強度を補強するだけでなく、信頼性向上、特に受光部２１への水分の進入を防止するために配設されている。
【００１２】
半導体チップ２０は、中央付近に機能部である固体撮像部すなわち受光部２１と、受光部２１の上に配設された複数のマイクロレンズ２２と、を有する固体撮像子チップである。額縁状のスペーサー３０は、受光部２１を取り囲むように半導体チップ２０上に配置されている。透明平板部４０は、スペーサー３０を介して半導体チップ２０上に配置されている。
【００１３】
撮像装置１０では、半導体チップ２０はシリコンからなり、公知の半導体プロセスにより第１の主面２４に、ＣＯＭＳ撮像素子等からなる受光部２１と、受光部２１と配線（不図示）を介して電気的に接続された複数の電極パッド２３と、が形成される。さらに受光部２１上にマイクロレンズ２２が形成される。
【００１４】
スペーサー３０には、所望の形状に加工でき、所望の機械的強度の材料を用いる。例えば、シリコン等の半導体、セラミック、金属、またはテフロン（登録商標）等のプラスチックを用いる。特に、感光性接着フィルムは、所望の形状への加工が容易であり、かつ、接着剤等を用いることなく透明平板部４０および半導体チップ２０と接合することができるため好ましい。
【００１５】
透明平板部４０の材料は、撮像する光の波長帯域において透明であればよく、例えば、ホウケイ酸ガラス等のガラス、石英、またはサファイヤ等を用いる。
【００１６】
補強部材５０の材料には、液体状態の補強部材溶液が加熱により固体化する熱硬化性樹脂または紫外線照射により固体化する紫外線硬化樹脂を用いる。また、撮像装置１０の信頼性向上のためには、補強部材５０には低透湿性が要求される。このため、補強部材５０としては、アモルファスフッ素樹脂が好ましく、特に、酸素原子を有するパーフルオロシクロアモルファスポリマー、例えば、サイトップ（登録商標）が好ましい。
【００１７】
そして、透明平板部４０の平面視寸法は、スペーサー３０の平面視寸法より大きく、半導体チップ２０の平面視寸法より小さい。
【００１８】
ここで、平面視寸法とは、撮像装置１０を上面（図３、Ｚ方向）から観察したときの、外周部のＸ方向およびＹ方向の寸法である。すなわち、図３に示すように、半導体チップ２０の平面視寸法を、Ｘ２０、Ｙ２０、スペーサー３０の平面視寸法をＸ３０、Ｙ３０、透明平板部４０の平面視寸法をＸ４０、Ｙ４０としたとき、Ｘ２０＞Ｘ４０＞Ｘ３０、かつ、Ｙ２０＞Ｙ４０＞Ｙ３０である。撮像装置１０では、例えば、Ｘ３０＝Ｙ３０、Δ４０＝（Ｘ４０−Ｘ３０）＝１００〜５００μｍ、Δ２０＝（Ｘ２０−Ｘ４０）＝３００〜５００μｍである。
【００１９】
補強部材５０は、スペーサー３０の外側の、半導体チップ２０と透明平板部４０との隙間を充填する。補強部材５０の一部は半導体チップ２０上にも広がっている。このため、補強部材５０の平面視寸法Ｘ５０、Ｙ５０は、透明平板部４０の平面視寸法より大きく、半導体チップ２０の平面視寸法より小さい。すなわち、Ｘ２０＞Ｘ５０＞Ｘ４０、かつ、Ｙ２０＞Ｙ５０＞Ｙ４０、である。
【００２０】
補強部材５０の厚さとなるスペーサー３０の厚さｄは、受光部２１上に設けられたマイクロレンズ２２と透明平板部４０とが接触しないように、マイクロレンズ２２の高さを超える値に設定される。なお、透明平板部４０とスペーサー３０と半導体チップ２０により囲まれる封止された封止空間への水分浸入を防止するためには、厚さｄは薄いことが好ましい。
【００２１】
撮像装置１０では、補強部材５０は、補強部材溶液が半導体チップ２０と透明平板部４０との隙間に、毛管現象により充填された後に固体化されている。すなわち、補強部材溶液は透明平板部４０外周に滴下されると、毛管現象により隙間を充填する。このため、補強部材は気泡を残留することなく確実に隙間を充填する。補強部材溶液を毛管現象により隙間に充填するためには、隙間の厚さｄは、５０μｍ以下が好ましい。
【００２２】
さらに、耐湿性を考慮すると、隙間は、厚さｄが１０〜５０μｍ、奥行きΔ４０が１００〜５００μｍが好ましい。
【００２３】
すなわち、厚さｄが、上記範囲下限以上であれば、高さ１０μｍ未満の通常のマイクロレンズ２２を収納することができ、厚さｄが、前記範囲上限以下かつ奥行きΔ４０が前記範囲内であれば毛管現象により隙間を充填し、かつ、所望の信頼性が確保できる。
【００２４】
補強部材溶液としては、毛管現象により透明平板部４０と半導体チップ２０との隙間に良好に充填されるように低粘度溶液が選択される。補強部材溶液の粘度は、１０１〜１０４ｍＰａ・ｓが好ましく、特に好ましくは、１０１〜１０２ｍＰａ・ｓである。
【００２５】
なお、透明平板部４０と半導体チップ２０との平面視寸法が同じ、言い換えれば、端面が揃っている撮像装置では、充填する隙間が上面になるように配置し、かつ４つの側面に塗布するためには回転操作も必要となる。このため、低粘度溶液を側面に塗布することは容易ではない。
【００２６】
これに対して、透明平板部４０よりも半導体チップ２０が平面視寸法が大きい撮像装置１０では、透明平板部４０の外周の半導体チップ２０に塗布することにより容易に隙間に充填することが可能である。また、余分な溶液は半導体チップ２０上に広がって保持されるために、低粘度溶液の塗布が容易である。
【００２７】
撮像装置１０は、半導体チップ２０と透明平板部４０との隙間を容易に、かつ確実に封止できるために、信頼性、特に耐湿信頼性が高い。
【００２８】
また、半導体チップと透明平板部とが同じ平面視寸法の公知の撮像装置では、撮像装置を配線板に実装するために、半導体チップを貫通する貫通配線および第２の主面（裏面）２５に裏面電極パッドを作製する必要があった。
【００２９】
これに対して、撮像装置１０は、透明平板部４０の平面視寸法は、スペーサー３０の平面視寸法より大きく、半導体チップ２０の平面視寸法より小さい。また、補強部材５０の平面視寸法は、透明平板部４０の平面視寸法より大きく半導体チップ２０の平面視寸法より小さい。
【００３０】
このため、撮像装置１０は、半導体チップ２０が、第１の主面（おもて面）２４に形成された受光部２１と接続された電極パッド２３を、第１の主面２４の補強部材５０の外側に有している。このため、撮像装置１０を配線板に実装するときに、電極パッド２３と配線板上の接続ランドとをワイヤボンディングまたはフリップチップボンディング等により接続することが可能である。
【００３１】
すなわち、撮像装置１０は、電極パッド２３を第１の主面２４に有するために、各種の実装方法を用いて配線板に実装できる。
【００３２】
次に、図４を用いて、撮像装置１０の製造方法を説明する。
【００３３】
＜ステップＳ１０＞
最初に、複数の透明平板部４０を作製するためのガラスウエハに、スペーサー３０となる感光性樹脂フィルムが貼り付けられる。感光性樹脂フィルムはフォトリソグラフィにより複数のスペーサー３０に加工される。次に、外形寸法がスペーサー３０より大きく、半導体チップ２０より小さくなるようにガラスウエハが切断される。すなわち、スペーサー３０が接合された複数の透明平板部４０が、１枚のガラスウエハから作製される。
【００３４】
＜ステップＳ１１＞
一方、半導体チップ２０は、シリコンウエハを用い、公知のプロセスにより多数のチップが一括作製された後、個片化される。
【００３５】
＜ステップＳ１２＞
スペーサー３０が接合された透明平板部４０と半導体チップ２０とが、スペーサー３０が半導体チップ２０の受光部２１を取り囲むように貼り合わされ、さらに、加熱処理されることで接合される。
【００３６】
すなわち、機能部を有する半導体チップと半導体チップの平面視寸法より小さいカバー部材とを、機能部を取り囲むように半導体チップ上に配置された、カバー部の平面視寸法より小さい額縁状のスペーサーを介して、接合する接合工程が行われる。
【００３７】
＜ステップＳ１３＞
次に、補強部材溶液であるアモルファスフッ素樹脂溶液が、透明平板部の外周に塗布されると、毛管現象により透明平板部と固体撮像素子との隙間に充填される。
塗布方法としては、例えば、ディスペンサの先端ノズルから溶液を押し出して塗布するディスペンス法を用いる。
【００３８】
そして、透明平板部４０の平面視寸法はスペーサー３０よりも大きく、半導体チップ２０よりも小さく設定されているため、補強部材５０を充填するときには、半導体チップ２０上の透明平板部４０の周辺部に補強部材溶液を滴下するだけで、毛管現象によって容易に隙間に充填することができる。
【００３９】
以上の説明のように、補強部材溶液を隙間に毛管現象により充填する溶液充填工程が行われる。
【００４０】
＜ステップＳ１４＞
加熱処理または紫外線照射処理により、アモルファスフッ素樹脂溶液を硬化処理することで、固体のアモルファスフッ素樹脂からなる補強部材５０とする。すなわち、補強部材溶液を固体化する硬化工程が行われる。
【００４１】
以上の説明のように、スペーサーの外側の、半導体チップとカバー部材との隙間を、補強部材で充填する補強部材充填工程として、補強部材溶液を隙間に毛管現象により充填する溶液充填工程と、補強部材溶液を固体化する硬化工程と、が行われる。
【００４２】
また、以上の説明では、スペーサー３０を接合した透明平板部４０を、半導体チップ２０に接合する例を示したが、スペーサー３０を接合した半導体チップ２０を、透明平板部４０に接合してもよい。
【００４３】
本実施形態の半導体装置の製造法は、信頼性の高い撮像装置１０が製造可能である。
【００４４】
＜第２実施形態＞
次に本発明の第２実施形態の半導体装置である撮像装置１０Ａについて説明する。撮像装置１０Ａは撮像装置１０と類似しているため同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００４５】
図５および図６に示すように、撮像装置１０Ａの構造は撮像装置１０の構造と類似しているが、撮像装置１０Ａでは、スペーサー３５が単結晶シリコンからなる。このため、スペーサー３５は、透明平板部４０とは陽極接合法により接合されており、半導体チップ２０とは接着剤３６によって接合されている。
【００４６】
ここで、スペーサー３５は、接着剤３６によって半導体チップ２０と接合されているために、接合のときに接着剤３６が受光部２１の領域にはみ出すことによって撮像装置の画像不良が生じるおそれがある。
【００４７】
このため、スペーサー３５の、半導体チップ２０と接する端部のミラー指数（１００）の端面３５Ａには、ミラー指数（１１１）のテーパー面３５Ｂが形成されている
撮像装置１０Ａは、スペーサー端部の端面３５Ａにテーパー面３５Ｂが設けられているため、接合のときに、接着剤３６がはみ出しても、テーパー面３５Ｂにより形成された空間に収納される。このため、接着剤３６が受光部２１の領域にはみ出すことがない。
【００４８】
シリコンからなるスペーサー３５は、樹脂材料からなるスペーサーに比べて透湿性が極めて低い。
【００４９】
このため、撮像装置１０Ａは、撮像装置１０が有する効果を有し、さらに信頼性が高く、かつ、撮像装置の画像不良が生じるおそれがない。
【００５０】
次に、図６および図７（Ａ）〜図７（Ｆ）を用いて、撮像装置１０Ａの製造方法について説明する。なお、図７（Ａ）〜図７（Ｆ）は、スペーサー３５が接合された２つの透明平板部４０を含む領域の断面模式図である。また図６は、透明平板部４０とスペーサー３５と半導体チップ２０との接合部の部分断面図である。
【００５１】
図７（Ａ）に示すように、単結晶シリコン（１００）からなるウエハ３１の第１の主面３３に、フォトレジスト３２が、スペーサー３５の形状、すなわち額縁形状にパターニングされる。
【００５２】
図７（Ｂ）に示すように、フォトレジスト３２をエッチングマスクとして、ＩＣＰ-ＲＩＥ法により、ドライエッチングが行われる。すると、第１の主面３３に、額縁状の凸部を残して、深さ６０μｍ〜１００μｍの凹部が形成されたウエハ３１Ａが作製される。
すなわち、主面のミラー指数が（１００）の単結晶シリコンからなるウエハ３１の第１の主面３３をパターンエッチングして、額縁状の凸部を形成する工程が行われる。
【００５３】
図７（Ｃ）に示すように、ウエハ３１Ａの第１の主面３３とガラスウエハ４１とが陽極接合される。
すなわち、ウエハ３１Ａの第１の主面３３を、透光性基板４１と接合し接合基板を作製する工程が行われる。
【００５４】
図７（Ｄ）に示すように、接合基板のバックグラインド処理、すなわち、ウエハ３１Ａの第２の主面（裏面）３４の研削加工が行われる。バックグラインド処理は、凹部が開口しない厚さ、例えば、凹部の深さ＋１０μｍの厚さのウエハ３１Ｂになるまで行われる。
【００５５】
図７（Ｅ）に示すように、接合基板のウエハ３１Ｂの第２の主面３４側から、ＫＯＨまたはＴＭＡＨ等のアルカリ溶液により、ウエットエッチングが行われる。
【００５６】
アルカリ溶液による、シリコン（１００）ウエハのウエットエッチングでは、凹部が露出すると、端部のミラー指数（１００）の端面３５Ａには、ミラー指数（１１１）のテーパー面３５Ｂが形成される。これは、シリコンの（１１１）面のウエットエッチング速度が、（１００）面のエッチング速度に比べて約１／１００と極めて遅いためである。
【００５７】
以上の説明のように、単結晶シリコン（１００）からなるウエハの第２の主面側から接合基板をエッチングして、ミラー指数（１１１）のテーパー面が形成されたミラー指数（１００）の端面のある端部を有する額縁状のスペーサー３５を形成する工程が行われる。
【００５８】
また、ウエットエッチング法では、研削のような機械的加工法と異なり、シリコンを徐々に溶解させながら除去していく。このため、機械的加工法のように、大きい破片がガラスウエハ４１に衝突することがないために、ガラスウエハ４１にキズが入ったり汚れが付着したりすることがない。
【００５９】
図７（Ｆ）に示すように、複数のスペーサー３５が接合されたガラスウエハ４１を切断することにより、スペーサー３５が接合された複数の透明平板部４０が作製される。
【００６０】
半導体チップ２０の作製方法は、撮像装置１０の作成方法と同じである。
【００６１】
図６に示すように、スペーサー３５が接合された透明平板部４０は、スペーサー３５が、半導体チップ２０の受光部２１を取り囲むように位置合わせし、接着剤３６により接着される。接着剤３６としては、例えば紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いる。接着剤３６はディスペンス法、印刷法、または転写法により供給される。
【００６２】
すなわち、機能部を有する、スペーサー３５の平面視寸法より大きい半導体チップを、機能部がスペーサー３５の内部に収納されるように接合基板と接着剤を用いて接合する接合工程が行われる。
【００６３】
接着剤３６を用いて圧着しながら接合すると、余剰の未硬化の接着剤３６が受光部２１に流れ出すおそれがある。しかし、撮像装置１０Ａでは、スペーサー端部の端面３５Ａにテーパー面３５Ｂが設けられているため、接着剤３６が受光部２１の領域にはみ出すことによって生じる撮像装置の画像不良を防止ができる。
【００６４】
なお、端面３５Ａとテーパー面３５Ｂとがなす角度θは、３０度〜７０度であれば、上記効果が顕著である。
【００６５】
特に、主面のミラー指数が（１００）の単結晶シリコンをウエットエッチングしてミラー指数（１００）の端面３５Ａのある端部を形成したスペーサー３５は、常にθ＝５４．７度となるために、製造が容易である。
【００６６】
さらに、撮像装置１０の製造方法と同様に、補強部材溶液を前記隙間に毛管現象により充填する溶液充填工程と、補強部材溶液を固体化する硬化工程とを、有する、スペーサーの外側の、半導体チップと透光性基板との隙間に補強部材を充填する補強部材充填工程が行われ、撮像装置１０Ａが完成する。
【００６７】
本実施形態の撮像装置１０Ａ、および、その製造方法は、第１実施形態の撮像装置１０等と同じ効果を有し、さらに信頼性の高い撮像装置１０Ａを高歩留まりで製造することができる。
【００６８】
本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。
【符号の説明】
【００６９】
１０、１０Ａ…撮像装置、２０…半導体チップ、２１…受光部、２２…マイクロレンズ、２３…電極パッド、２４…第１の主面、２５…第２の主面、３０…スペーサー、３１、３１Ａ、３１Ｂ…ウエハ、３２…フォトレジスト、３３…第１の主面、３４…第２の主面、３５…スペーサー、３５Ａ…端面、３５Ｂ…テーパー面、３６…接着剤、４０…透明平板部、４１…ガラスウエハ、５０…補強部材
【図１】
0005775707.tif 000002
【図２】
0005775707.tif 000003
【図３】
0005775707.tif 000004
【図４】
0005775707.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0005775707.tif 000008