(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー基板と、
前記センサー基板上に二次元配置される複数の超音波トランスデューサーを有し、
前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する第１分割仮想線及び第２分割仮想線により分割される４つの領域を備え、
前記複数の超音波トランスデューサーは、前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線に沿って二次元配置され、
前記複数の超音波トランスデューサーの各々は、第１電極及び第２電極を備え、
前記４つの領域の各領域内において、前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線は、前記第１分割仮想線及び前記第２分割仮想線の交点から離れ、かつ前記第１分割仮想線に沿う方向に延びている直線部分を有し、
前記各領域内において、前記各第２電極のうちの少なくとも２つの第２電極の間を接続する第２電極線は、前記第１分割仮想線に沿う方向に延在し、かつ前記第２分割仮想線に沿って配置される共通電極線に接続されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項２】
請求項１に記載の超音波センサーにおいて、
前記各第１電極線の直線部分は、前記４つの領域の領域毎に、所定の方向に沿って延びている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される直線状の引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線は、互いに直交している
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記第２電極線は、前記各超音波トランスデューサーから前記第１分割仮想線に沿う方向に直線状に延び、前記第１分割仮想線に沿う方向に沿って配設される前記各超音波トランスデューサーの各第２電極を互いに接続し、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第２分割仮想線に沿う方向に引き出される引出部と、
前記引出部から前記第１分割仮想線に沿う方向に延びる配線部と、を備える
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項６】
請求項５に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１電極線の前記引出部は、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極を始点として前記第１分割仮想線から離間する方向に延びている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項７】
センサー基板と、
前記センサー基板上に二次元配置される複数の超音波トランスデューサーを有し、
前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する第１分割仮想線および第２分割仮想線により分割される４つの領域を備え、
前記複数の超音波トランスデューサーは、第１電極と第２電極とを備え、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点を中心する複数の同心円上の位置に配置され、
前記第１分割仮想線に沿って前記センサー基板の外周部から前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点まで延びる共通電極線が配置され、
前記４つの領域の各領域内において、前記各超音波トランスデューサーの第１電極から引き出される各第１電極線は、前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点から離れる方向に前記センサー基板の外周部まで延在し、
前記第２電極から引き出される各第２電極線は、前記複数の同心円のうちの最も外側の円より内側の領域に延在し、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点に近づく方向に伸びている直線部分を有する
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記第１分割仮想線及び前記第２分割仮想線の交点は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、前記センサー基板の略中心点である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項９】
センサー基板と、
前記センサー基板上に、第１方向と該第１方向に交差する第２方向とに沿って二次元配置され、各々が第１電極と第２電極を備える複数の超音波トランスデューサーと、
前記第１方向に沿って、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置される共通電極線と、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする複数の第１電極線と、
前記複数の超音波トランスデューサーのうち前記第２方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する複数の第２電極線と、を有し、
前記第１電極線は、前記第２方向に沿い、かつ前記共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記第２電極線は、前記第２方向に沿って延在し、かつ前記共通電極線に接続する
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１０】
請求項９に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第１方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１１】
請求項１０に記載の超音波センサーにおいて、
前記共通電極線に接続される共通電極端子を備え、
前記共通電極線の共通電極端子に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に前記第２電極線が接続され、
前記共通電極線の途中から前記先端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、
前記共通電極線の途中から前記基端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１２】
センサー基板と、
前記センサー基板上に、第１方向と該第１方向に交差する第２方向とに沿って二次元配置され、各々が第１電極と第２電極を備える複数の超音波トランスデューサーと、
前記第１方向に沿って延在し、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置される第１共通電極線と、
前記第２方向に沿って延在し、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置されて前記第１共通電極線に接続する第２共通電極線と、を有し、
平面視で、前記第１共通電極線と前記第２共通電極線とによって区分される複数の領域のうちの少なくとも１つの領域は第１配線パターン領域とされ、残りの領域は第２配線パターン領域とされ、
前記第１配線パターン領域においては、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線が、前記第２方向に沿い、かつ前記第１共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記複数の超音波トランスデューサーのうち前記第２方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する第２電極線が、前記第２方向に沿って延在し、かつ前記第１共通電極線に接続し、
前記第２配線パターン領域においては、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線が、前記第１方向に沿い、かつ前記第２共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記複数の超音波トランスデューサーのうちの前記第１方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する第２電極線が、前記第１方向に沿って延在し、かつ前記第２共通電極線に接続する、
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１３】
請求項１２に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１配線パターン領域においては、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第１方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部であり、
前記第２配線パターン領域においては、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第２方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１４】
請求項１３に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１共通電極線に接続される共通電極端子を備え、
前記第１共通電極線の共通電極端子に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に前記第２共通電極線が接続され、
前記第１共通電極線における第２共通電極線との接続点から前記先端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、
前記第１共通電極線における第２共通電極線との接続点から前記基端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１５】
請求項１４に記載の超音波センサーにおいて、
前記第２共通電極線における第１共通電極線との接続点から第２共通電極線の一方の端部間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、
前記第２共通電極線における第１共通電極線との接続点から第２共通電極線の他方の端部間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５のいずれかに記載の超音波センサーを備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波センサーおよび電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、超音波を送受信する超音波トランスデューサーをマトリックス状に配置した二次元アレイ構造の超音波内視鏡が知られている（例えば、特許文献１参照）。
具体的に、特許文献１に記載の超音波トランスデューサーは、圧電素子を個別電極及び共通電極で挟んで構成されている。そして、この超音波トランスデューサーは、円周方向及び幅方向に沿って、半円周状にそれぞれ並べられて、配置されている。
【０００３】
特許文献１では、超音波トランスデューサーを円周方向に１５行、幅方向に５列配置するアレイを、円周方向に沿って１２組配置している。この構成において、各超音波トランスデューサーの各個別電極から列毎に円周方向に沿って、電極線である信号配線が引き出される。この各個別電極から引き出される信号配線は、全て、円周方向に沿う一方向に向かって延びている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−６１２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の超音波トランスデューサーにおいて、各個別電極から引き出される信号配線は、全て、円周方向に沿う一方向に向かって延びているので、各列間には、１５本の信号配線が配置されることとなる。
例えば、１５行以上に数多くの超音波トランスデューサーを配置した場合には、配置した超音波トランスデューサーの数だけ信号配線が各列間に引き出されることとなる。ところで、各列間のスペースには制約があり、数多くの超音波トランスデューサーを配置した場合には、各列間のスペースにおいて、信号配線が複雑化するという問題がある。
【０００６】
本発明は、超音波トランスデューサー間に電極から引き出される電極線の本数を少なくできる超音波センサーおよび電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の超音波センサーは、センサー基板と、前記センサー基板上に二次元配置される複数の超音波トランスデューサーを有し、前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する第１分割仮想線及び第２分割仮想線により分割される４つの領域を備え、前記複数の超音波トランスデューサーは、前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線に沿って二次元配置され、前記複数の超音波トランスデューサーの各々は、第１電極及び第２電極を備え、前記４つの領域の各領域内において、前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線は、前記第１分割仮想線及び前記第２分割仮想線の交点から離れ、かつ前記第１分割仮想線に沿う方向に延びている直線部分を有し、前記各領域内において、前記各第２電極のうちの少なくとも２つの第２電極の間を接続する第２電極線は、前記第１分割仮想線に沿う方向に延在し、かつ前記第２分割仮想線に沿って配置される共通電極線に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、センサー基板は、少なくとも互いに交差する２つの分割仮想線により分割された複数の領域を備える。そして、各領域内において、超音波トランスデューサーが備える第１電極を始点として配線される各第１電極線は、前記分割仮想線の交点から離れる方向に延びている直線部分を有する。
これによれば、各領域内において、各第１電極線は、交点から離れる方向に延びている直線部分を有するので、分割仮想線を跨いで他の領域に向けて引き出されることがない。すなわち、分割仮想線により、センサー基板を複数の領域に分割し、各領域内において、第１電極線は各領域間を跨がないように、第１電極から引き出されている。従って、従来のように、センサー基板を分割することなく、第１電極線を同じ方向のみに引き出す場合と比べて、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第１電極線の本数を少なくできる。
【０００９】
本発明では、前記各第１電極線の直線部分は、前記４つの領域の領域毎に、所定の方向に沿って延びていることが好ましい。
本発明によれば、各領域内に配置された第１電極線の直線部分は、所定の方向に沿って延びているので、互いにほぼ平行に配置することができる。このため、たとえば、複数の超音波トランスデューサーがマトリクス状に二次元配置されている場合に、超音波トランスデューサーの配列方向に沿って、各第１電極線の直線部分を配置することで、各超音波トランスデューサーの間に配置される配線数も均等にできる。このため、配線レイアウトの設計も容易に行え、超音波トランスデューサーや第１電極線の製造も容易に行うことができる。
【００１０】
本発明では、前記第１電極線は、前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される直線状の引出部と、前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、前記直線部分は前記配線部であることが好ましい。
【００１１】
本発明によれば、第１電極線は、引出部と配線部を備えているので、配線部を引出部の長さ分だけ第１電極から離れた位置に配置できる。このため、一方向に並んでいる複数の超音波トランスデューサーの第１電極から引き出される前記引出部の長さをそれぞれ異ならせることで、各配線部を前記一方向に沿ってかつ互いにほぼ平行に配線することができ、配線レイアウトの設計も容易に行え、超音波トランスデューサーや第１電極線の製造も容易に行うことができる。
【００１２】
本発明では、前記少なくとも２つの分割仮想線は、第１分割仮想線と第２分割仮想線とを含み、前記複数の超音波トランスデューサーは、前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線に沿って二次元配置され、前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線により分割される４つの領域を備え、前記各領域内において、前記各第１電極線の前記直線部分は、前記第１分割仮想線に沿う方向に延びていることを特徴とする。
【００１３】
ここで、４つ以上の領域で分割した場合には、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第１電極線の本数をさらに少なくできる。しかし、例えば、正方形状のセンサー基板を用いて、３×３に９分割した場合には、中央部分に形成される領域は周囲を他の領域に囲まれている。このため、中央部分の領域に配置された超音波トランスデューサーの第１電極線は分割仮想線を跨いで、他の領域に引き出さざるを得ない状況となる。この場合には、中央部分の領域から第１電極線が分割仮想線を跨いで別の領域に引き出されるため、分割する領域数を多くしても、各領域内において超音波トランスデューサー間に引き出される第１電極線の本数は、少なくできない。
本発明によれば、センサー基板を互いに交差する２つの分割仮想線によって、４つの領域に分割している。これによれば、４分割することで、上述したような例えば、９分割の構成において、中央部分に形成される領域が生じることなく、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第１電極線の本数を確実に少なくでき、分割する領域数を多くした場合での第１電極線の引き出し方向の煩雑化を防止できる。
【００１４】
本発明では、前記第１分割仮想線および第２分割仮想線は、互いに直交していることが好ましい。
ここで、第１分割仮想線をＸ軸、第２分割仮想線をＹ軸に設定することができる。この場合、前記複数の超音波トランスデューサーは、Ｘ軸およびＹ軸に沿って二次元配置され、前記各第１電極線の前記直線部分は、前記Ｘ軸に沿って延びている。
【００１５】
本発明によれば、例えば、第２分割仮想線（Ｙ軸）を挟んだ２つの領域において、第１分割仮想線（Ｘ軸）に沿って延びる第１電極線が、Ｙ軸を跨いでＹ軸方向に引き出されることがない。同様に、Ｘ軸を挟んだ２つの領域において、Ｙ軸に沿って延びる第１電極線がＸ軸を跨いでＸ軸方向に引き出されることがない。すなわち、第１電極から引き出される各第１電極線が、それぞれＸ軸及びＹ軸を跨いで他の領域に引き出されることがなく、各領域内において、超音波トランスデューサー間に引き出される第１電極線の本数を少なくできる。
【００１６】
本発明では、前記複数の超音波トランスデューサーの各々は、さらに第２電極を備え、前記各領域内において、前記各第２電極のうちの少なくとも２つの第２電極の間を接続する第２電極線は、前記第１分割仮想線に沿う方向に延在し、かつ前記第２分割仮想線に沿って配置される共通電極線に接続されていることを特徴とする。
【００１７】
ところで、上述した従来の構成では、各超音波トランスデューサーの各共通電極から引き出された配線を行毎に設けた共通電極線にそれぞれ接続している。すなわち、行毎に共通電極線を設ける必要があり、共通電極線の本数が多くなり、構造が複雑化する。
本発明によれば、共通電極線には、第１分割仮想線に沿う方向に延在する第２電極線がそれぞれ接続され、この共通電極線は、第２分割仮想線に沿って配置されているのみである。従って、共通電極線の本数を従来の構成に比べて大幅に減らすことができ、構成を簡素化できる。
また、第１電極線は、分割仮想線の交点から離れる第１分割仮想線に沿った方向に延び、共通電極線は、第２分割仮想線に沿うので、第１電極線と共通電極線との接触を防止できる。
【００１８】
本発明では、前記第２電極線は、前記各超音波トランスデューサーから前記第１分割仮想線に沿う方向に直線状に延び、前記第１分割仮想線に沿う方向に沿って配設される前記各超音波トランスデューサーの各第２電極を互いに接続し、前記第１電極線は、前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第２分割仮想線に沿う方向に引き出される引出部と、前記引出部から前記第１分割仮想線に沿う方向に延びる配線部と、を備えることが好ましい。
【００１９】
本発明によれば、第１電極線の引出部は、各超音波トランスデューサー間において、第２分割仮想線に沿う方向に引き出され、配線部は、引出部の先端から第１分割仮想線に沿う方向に延びている。また、第２電極線は、第１分割仮想線に沿う方向に直線状に延びている。これによれば、配線部は、引出部によって、第２電極線とは離れた位置で第１分割仮想線に沿う方向に延びているので、第２電極線と交差することがない。従って、第１電極線と第２電極線とが接触することによる第１電極および第２電極のショートを確実に防止できる。
【００２０】
本発明では、前記第１電極線の前記引出部は、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極を始点として前記第１分割仮想線から離間する方向に延びていることが好ましい。
【００２１】
ここで、第１電極線の引出部の引き出し方向によっては、引出部が分割仮想線に沿って配置された共通電極線と交差するおそれがある。
本発明によれば、第１電極線の引出部は、第１分割仮想線から離間する方向に引き出されるので、共通電極線が第２分割仮想線に沿って配置された場合でも、引出部と共通電極線とが交差することをより確実に防止できる。
【００２２】
本発明では、センサー基板と、前記センサー基板上に二次元配置される複数の超音波トランスデューサーを有し、前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する第１分割仮想線および第２分割仮想線により分割される４つの領域を備え、前記複数の超音波トランスデューサーは、第１電極と第２電極とを備え、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点を中心する複数の同心円上の位置に配置され、前記第１分割仮想線に沿って前記センサー基板の外周部から前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点まで延びる共通電極線が配置され、前記４つの領域の各領域内において、前記各超音波トランスデューサーの第１電極から引き出される各第１電極線は、前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点から離れる方向に前記センサー基板の外周部まで延在し、前記第２電極から引き出される各第２電極線は、前記複数の同心円のうちの最も外側の円より内側の領域に延在し、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点に近づく方向に伸びている直線部分を有することを特徴とする。
【００２３】
本発明では、超音波トランスデューサーは、たとえば３つの同心円上に配置される。この際、各同心円上の超音波トランスデューサーの配置数は各領域で同数とされる。たとえば、直径が小さい順で、１番目の同心円上には、各領域に１つずつ、計４個の超音波トランスデューサーが配置され、２番目の同心円上には、各領域に２つずつ、計８個の超音波トランスデューサーが配置され、３番目の同心円上には、各領域に３つずつ、計１２個の超音波トランスデューサーが配置される。
本発明によれば、前記共通電極線が第１分割仮想線に沿って交点まで延長され、前記第１電極線は、前記交点から離れる方向にセンサー基板の外周部まで延在される。また、前記第２電極線は、複数の同心円のうちの最も外側の円より内側の領域に延在され、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点に近づく方向に伸びている直線部分を有する。
従って、第１電極線および第２電極線は互いに交差することなく配線される。また、第１電極線は、他の超音波トランスデューサーの第１電極線を介して共通電極線に接続することもでき、配線の引き回しも容易に行うことができる。
【００２４】
本発明では、前記第１分割仮想線及び前記第２分割仮想線の交点は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、前記センサー基板の略中心点であることが好ましい。
【００２５】
ここで、「センサー基板の略中心点」とは、超音波トランスデューサーを偶数分、二方向に配置した場合には、基板中心点となり、超音波トランスデューサーを奇数分、二方向に配置した場合には、基板中心点からずれた位置で２つの分割仮想線が交差する点となり、この両者を含むものである。
本発明によれば、第１分割仮想線および第２分割仮想線の交点がセンサー基板の略中心点となるので、センサー基板を略均等に４つの領域に分割できる。これによれば、領域毎での超音波トランスデューサー間における第１電極線の本数の偏りを抑制でき、本数を略均等にできる。従って、各領域の大きさが大きく異なる場合には、領域毎に超音波トランスデューサー間のスペースの広さをそれぞれ変更する必要があるが、各領域で本数を略均等にできるので、超音波トランスデューサーをセンサー基板に配置する製造工程を簡素化できる。
【００２６】
本発明の超音波センサーは、センサー基板と、前記センサー基板上に、第１方向と該第１方向に交差する第２方向とに沿って二次元配置され、各々が第１電極と第２電極を備える複数の超音波トランスデューサーと、前記第１方向に沿って、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置される共通電極線と、前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする複数の第１電極線と、前記複数の超音波トランスデューサーのうち前記第２方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する複数の第２電極線と、を有し、前記第１電極線は、前記第２方向に沿い、かつ前記共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、前記第２電極線は、前記第２方向に沿って延在し、かつ前記共通電極線に接続することを特徴とする。
【００２７】
本発明によれば、センサー基板上に、複数の超音波トランスデューサーが、互いに交差する第１方向および第２方向に沿って二次元に配置されている。そして、第１方向に沿った超音波トランスデューサーの列の間に、第１方向に沿って共通電極線が配置され、第２方向に沿った複数の超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する複数の第２電極線は、第２方向に沿って延在して前記共通電極線に接続する。このため、センサー基板上に配置された複数の超音波トランスデューサーの第２電極は、複数の第２電極線を介して１本の共通電極線に接続できる。従って、センサー基板には、前記共通電極線に接続する１つの端子を設ければ、第２電極に電圧を印加することができ、第２電極用の配線や端子数を少なくできる。
また、超音波トランスデューサーの第１電極を始点として配線される各第１電極線は、第２方向に沿い、かつ前記共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有する。
このため、各第１電極線は、共通電極線を跨いで引き出されることがない。従って、従来のように、第１電極線を同じ方向のみに引き出す場合と比べて、超音波トランスデューサー間に引き出される第１電極線の本数を少なくできる。このため、配線レイアウトの設計も容易に行える。
【００２８】
本発明において、前記第１電極線は、前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第１方向に沿って引き出される引出部と、前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、前記直線部分は前記配線部であることが好ましい。
【００２９】
本発明によれば、第１電極線は、引出部と配線部を備えているので、配線部を引出部の長さ分だけ第１電極から離れた位置に配置できる。このため、一方向に並んでいる複数の超音波トランスデューサーの第１電極から引き出される前記引出部の長さをそれぞれ異ならせることで、各配線部を引出部と交差する直線に沿って、互いにほぼ平行に配線することができ、配線レイアウトの設計も容易に行え、超音波トランスデューサーや第１電極線の製造も容易に行うことができる。
【００３０】
本発明において、前記共通電極線に接続される共通電極端子を備え、前記共通電極線の共通電極端子に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に前記第２電極線が接続され、前記共通電極線の途中から前記先端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、前記共通電極線の途中から前記基端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されていることが好ましい。
【００３１】
本発明によれば、超音波トランスデューサーの第２電極線が共通電極線に接続される位置で、複数の超音波トランスデューサーを２つのグループに分け、各グループの超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部を、互いに離れる方向に引き出しているので、第１電極線の配線レイアウトを対称的にできて容易に設計できる。
【００３２】
本発明の超音波センサーは、センサー基板と、前記センサー基板上に、第１方向と該第１方向に交差する第２方向とに沿って二次元配置され、各々が第１電極と第２電極を備える複数の超音波トランスデューサーと、前記第１方向に沿って延在し、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置される第１共通電極線と、前記第２方向に沿って延在し、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置されて前記第１共通電極線に接続する第２共通電極線と、を有し、平面視で、前記第１共通電極線と前記第２共通電極線とによって区分される複数の領域のうちの少なくとも１つの領域は第１配線パターン領域とされ、残りの領域は第２配線パターン領域とされ、前記第１配線パターン領域においては、前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線が、前記第２方向に沿い、かつ前記第１共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、前記複数の超音波トランスデューサーのうち前記第２方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する第２電極線が、前記第２方向に沿って延在し、かつ前記第１共通電極線に接続し、前記第２配線パターン領域においては、前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線が、前記第１方向に沿い、かつ前記第２共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、前記複数の超音波トランスデューサーのうちの前記第１方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する第２電極線が、前記第１方向に沿って延在し、かつ前記第２共通電極線に接続する、ことを特徴とする。
【００３３】
本発明によれば、第１配線パターン領域および第２配線パターン領域とで、第１電極線の直線部分の延長方向を、第２方向および第１方向と異ならせることができる。このため、さまざまな配線レイアウトで超音波センサーを設計することができる。
【００３４】
本発明において、前記第１配線パターン領域においては、前記第１電極線は、前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第１方向に沿って引き出される引出部と、前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、前記直線部分は前記配線部であり、前記第２配線パターン領域においては、前記第１電極線は、前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第２方向に沿って引き出される引出部と、前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、前記直線部分は前記配線部であることが好ましい。
【００３５】
本発明においても、第１配線パターン領域および第２配線パターン領域とで、第１電極線の引出部および配線部の方向を異ならせることができる。このため、さまざまな配線レイアウトで超音波センサーを設計することができる。
【００３６】
本発明において、前記第１共通電極線に接続される共通電極端子を備え、前記第１共通電極線の共通電極端子に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に前記第２共通電極線が接続され、前記第１共通電極線における第２共通電極線との接続点から前記先端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、前記第１共通電極線における第２共通電極線との接続点から前記基端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されていることが好ましい。
【００３７】
本発明によれば、第１配線パターン領域において、第１電極線の引出部が、第２共通電極線に沿った部分から、互いに離れる方向に引き出しているので、第１配線パターン領域の第１電極線と、第２共通電極線とが交差することをより確実に防止できる。
【００３８】
本発明において、前記第２共通電極線における第１共通電極線との接続点から第２共通電極線の一方の端部間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、前記第２共通電極線における第１共通電極線との接続点から第２共通電極線の他方の端部間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されていることが好ましい。
【００３９】
本発明によれば、第２配線パターン領域において、第１電極線の引出部が、第１共通電極線に沿った部分から、互いに離れる方向に引き出しているので、第２配線パターン領域の第１電極線と、第１共通電極線とが交差することをより確実に防止できる。
【００４０】
本発明の電子機器は、上述の超音波センサーを備えることを特徴とする。
本発明では、上述の超音波センサーを備えるので、電極線の本数を少なくできる効果を奏する電子機器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る超音波センサーの概略構成を示す平面図。
【図２】前記第１実施形態に係る超音波トランスデューサーを示す平面図及び断面図。
【図３】前記第１実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。
【図４】前記第１実施形態に係る超音波センサーの回路図。
【図５】本発明の第２実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。
【図６】本発明の第３実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。
【図７】本発明の第４実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。
【図８】本発明の第５実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。
【図９】本発明の第６実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。
【図１０】本発明の第７実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。
【図１１】本発明の第８実施形態に係る超音波センサーの概略構成を示す平面図。
【図１２】本発明の第９実施形態に係る超音波トランスデューサーの配線構造を拡大して示す平面図。
【図１３】超音波トランスデューサーの配線構造の変形例を示す平面図。
【図１４】本発明の電子機器である生体測定装置の一例を示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
［第１実施形態］
以下、本発明に係る第１実施形態を図面に基づいて説明する。
［超音波センサーの概略構成］
図１は、本実施形態に係る超音波センサー１０の概略構成を示す平面図である。
超音波センサー１０は、センサー基板２０上に実装される複数の超音波トランスデューサー３０を備える。この超音波センサー１０は、図１に示すように、センサー基板２０上に複数の超音波トランスデューサー３０を水平方向（Ｘ軸Ｌ１）及び垂直方向（Ｙ軸Ｌ２）に沿って均等間隔に配置されたマトリクス状の二次元アレイ構造に構成されている。本実施形態では、Ｙ軸Ｌ２に沿った垂直方向を第１方向とし、Ｘ軸Ｌ１に沿った水平方向を第２方向としている。
【００４３】
センサー基板２０は、略矩形状に形成され、例えばシリコン（Ｓｉ）などの半導体形成素材により形成される。このセンサー基板２０は、当該基板２０の厚み方向に見る平面視において、基板中心点Ｏ（交点、基板略中心点）を通り、互いに直交するＸ軸Ｌ１（第１分割仮想線）及びＹ軸Ｌ２（第２分割仮想線）により分割される４つの領域（第１領域Ａｒ１、第２領域Ａｒ２、第３領域Ａｒ３、及び第４領域Ａｒ４）を有する。
【００４４】
［超音波トランスデューサーの構成］
ここで、超音波トランスデューサー３０の概略構成について説明する。図２は、本実施形態の超音波トランスデューサー３０の概略構成を示す平面図、および断面図である。
超音波トランスデューサー３０は、図４に示す送受信回路４０からの信号に基づいて超音波を送信する素子であり、また、被検出体等で反射された超音波を受信して電気信号に変換し、送受信回路４０に出力する素子である。
超音波トランスデューサー３０は、図２に示すように、開口部３１Ａが形成された支持部３１と、支持部３１上を覆い、開口部３１Ａを閉塞する支持膜３２と、支持膜３２上に形成される圧電体３３とを備えている。
【００４５】
支持部３１は、センサー基板２０の超音波トランスデューサー３０の配置位置に形成される部分である。また、支持部３１に形成される開口部３１Ａは、例えば、平面視で円形状に形成されている。これにより、開口部３１Ａの内側の支持膜３２であるダイアフラム３２１において、ダイアフラム３２１の撓みに対する応力を均一にすることができる。
【００４６】
支持膜３２は、支持部３１上で、開口部３１Ａを閉塞する状態に成膜されている。この支持膜３２は、例えばＳｉＯ２層３２ＡとＺｒＯ２層３２Ｂとの２層構造により構成されている。ここで、ＳｉＯ２層３２Ａは、支持部３１がＳｉ基板である場合、基板表面を熱酸化処理することで成膜することができる。また、ＺｒＯ２層３２Ｂは、ＳｉＯ２層３２Ａ上に例えばスパッタリングなどの手法により成膜される。ここで、ＺｒＯ２層３２Ｂは、圧電膜３３２として例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：lead zirconate titanate）を用いる場合に、ＰＺＴを構成するＰｂがＳｉＯ２層３２Ａに拡散することを防止するための層である。また、ＺｒＯ２層３２Ｂは、圧電体３３の歪みに対する撓み効率を向上させるなどの効果もある。
【００４７】
圧電体３３は、支持膜３２の上層に積層される下部電極３３１（第１電極）と、下部電極３３１上に形成される圧電膜３３２と、圧電膜３３２上に形成される上部電極３３３（第２電極）とを備えている。
また、下部電極３３１には、図１及び図２に示すように支持膜３２上のＹ軸方向に沿って下部電極線３３４（第１電極線）が引き出されている。また、上部電極３３３には、支持膜３２上のＸ軸方向に沿って上部電極線３３５（第２電極線）が引き出されている。
【００４８】
圧電膜３３２は、例えばＰＺＴを膜状に成膜することで形成される。なお、本実施形態では、圧電膜３３２としてＰＺＴを用いるが、電圧を印加することで、面内方向に収縮することが可能な素材であれば、いかなる素材を用いてもよく、例えばチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）、チタン酸鉛ランタン（（Ｐｂ、Ｌａ）ＴｉＯ３）などを用いてもよい。
【００４９】
このような超音波トランスデューサー３０では、下部電極３３１と、上部電極３３３とに電圧を印加することで、圧電膜３３２が面内方向に伸縮する。このとき、圧電膜３３２の一方の面は、下部電極３３１を介して支持膜３２に接合される。圧電膜３３２の他方の面には、上部電極３３３が形成されるものの、この上部電極３３３上には他の層が積層形成されない。従って、圧電膜３３２は、支持膜３２側が伸縮しにくく、上部電極３３３側が伸縮し易くなる。このため、圧電膜３３２に電圧を印加すると、開口部３１Ａ側に凸となる撓みが生じ、ダイアフラム３２１を撓ませる。したがって、圧電膜３３２に交流電圧を印加することで、ダイアフラム３２１が膜厚方向に対して振動し、このダイアフラム３２１の振動により超音波が出力される。
また、超音波トランスデューサー３０は、被検出体により反射された超音波をダイアフラム３２１で受信することでダイアフラム３２１が膜厚方向に振動する。超音波トランスデューサー３０では、このダイアフラム３２１の振動により、圧電膜３３２の下部電極３３１側の面と上部電極３３３側の面とで電位差が発生し、上部電極３３３および下部電極３３１から圧電膜３３２の変位量に応じた電気信号（電流）が出力される。
【００５０】
［超音波トランスデューサーの配置構成］
図３は、図１に示す超音波センサー１０の一部を拡大して、超音波トランスデューサー３０の配線構造を示す平面図である。
第１領域Ａｒ１において、各超音波トランスデューサー３０の下部電極３３１から引き出される下部電極線３３４は、下部電極３３１からＹ軸Ｌ２に沿って＋Ｙ軸方向側（第２分割仮想線に平行な方向）に延びる引出部３３４１と、引出部３３４１の先端からＸ軸Ｌ１に沿って−Ｘ軸方向側（第１分割仮想線に平行な方向）に延びる配線部３３４２とを備える。
第２領域Ａｒ２において、下部電極線３３４は、Ｙ軸Ｌ２に沿って＋Ｙ軸方向側（第２分割仮想線に平行な方向）に延びる引出部３３４１と、引出部３３４１の先端からＸ軸Ｌ１に沿って＋Ｘ軸方向側（第１分割仮想線に平行な方向）に延びる配線部３３４２とを備える。
なお、第１領域Ａｒ１及び第２領域Ａｒ２において、下部電極線３３４の引出部３３４１は、それぞれＸ軸Ｌ１から離間する方向に引き出されていたが、本実施形態のように、後述する共通電極線３３６がＸ軸Ｌ１に沿って形成されていない場合には、引出部３３４１をＸ軸Ｌ１に向けて引き出してもよい。
【００５１】
第３領域Ａｒ３において、下部電極線３３４は、Ｙ軸Ｌ２に沿って−Ｙ軸方向側に延びる引出部３３４１と、引出部３３４１の先端からＸ軸Ｌ１に沿って−Ｘ軸方向側に延びる配線部３３４２とを備える。
第４領域Ａｒ４において、下部電極線３３４は、Ｙ軸Ｌ２に沿って−Ｙ軸方向側に延びる引出部３３４１と、引出部３３４１の先端からＸ軸Ｌ１に沿って＋Ｘ軸方向側に延びる配線部３３４２とを備える。
【００５２】
また、上部電極線３３５は、各超音波トランスデューサー３０の上部電極３３３を互いに接続し、Ｘ軸Ｌ１に沿う方向である配線部３３４２に沿う方向（第１分割仮想線に平行な方向）に直線状に延びている。そして、各上部電極線３３５は、第１、第３領域Ａｒ１，Ａｒ３と、第２、第４領域Ａｒ２，Ａｒ４との間にＹ軸Ｌ２に沿って配置される共通電極線３３６に接続される。なお、共通電極線３３６は、図３において、Ｙ軸Ｌ２の近傍に沿って配置したが、Ｙ軸Ｌ２上に配置してもよい。
【００５３】
センサー基板２０には、下部電極線３３４および共通電極線３３６に接続する端子が形成されている。
すなわち、図１に示すように、各超音波トランスデューサー３０の下部電極３３１から引き出された各下部電極線３３４には、それぞれ下部電極端子３５１が接続されている。また、共通電極線３３６には共通電極端子３６１が接続されている。
これらの各端子３５１，３６１は、図１に示すように、センサー基板２０の３辺に分散して配置されている。
【００５４】
このため、本実施形態では、共通電極線３３６は、第１方向であるＹ軸Ｌ２方向に沿って配置され、かつ、この第１方向に沿った複数の超音波トランスデューサー３０によって構成される２つの列の間に配置されている。
また、第１電極線である下部電極線３３４は、引出部３３４１と配線部３３４２とを備える。引出部３３４１は第１方向に引き出される。配線部３３４２は第２方向であるＸ軸Ｌ１に沿って延びる直線部分である。
そして、共通電極線３３６の共通電極端子３６１に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間において、共通電極線３３６の途中の点から先端部との間には第１領域Ａｒ１および第２領域Ａｒ２に設けられた超音波トランスデューサー３０の第２電極線である上部電極線３３５が接続されている。
また、前記点から基端部の間には第３領域Ａｒ３および第４領域Ａｒ４に設けられた超音波トランスデューサー３０の第２電極線である上部電極線３３５が接続されている。
そして、第１領域Ａｒ１および第２領域Ａｒ２に設けられた超音波トランスデューサー３０の第１電極である下部電極３３１から引き出された引出部３３４１と、第３領域Ａｒ３および第４領域Ａｒ４に設けられた超音波トランスデューサー３０の第１電極である下部電極３３１から引き出された引出部３３４１とは、互いに離れる方向、つまり＋Ｙ軸方向および−Ｙ軸方向に引き出されている。
【００５５】
［超音波トランスデューサーの回路構成］
図４は、図１に示す超音波センサー１０の回路構成を示す回路図である。
図４に示すように、超音波センサー１０は、前記センサー基板２０と、送受信回路４０と、制御回路６０とを備えている。
【００５６】
送受信回路４０は、送信時には、超音波トランスデューサー３０の下部電極３３１に駆動信号を出力し、各超音波トランスデューサー３０から超音波を出力させる。ここで、各超音波トランスデューサー３０が二次元に配列されて二次元アレイとされているので、各超音波トランスデューサー３０から超音波を発信させるタイミングを遅延させることで、所望の方向に平面波として伝搬するビーム状の超音波を発信可能となる。
【００５７】
また、送受信回路４０は、各超音波トランスデューサー３０から送信された超音波ビームが測定対象物に反射して各超音波トランスデューサー３０で受信した際に出力される受信信号を処理することで、超音波発信タイミングから超音波受信タイミングまでの時間（ＴＯＦデータ：Time Of Flightデータ）を計測し、超音波素子から測定対象物までの距離を検出することができる。
【００５８】
制御回路６０は、前記送受信回路４０を制御して、超音波センサー１０を送信モードまたは受信モードで動作させるものである。
【００５９】
上述した第１実施形態における超音波センサー１０によれば、以下の効果を奏する。
（１）超音波トランスデューサー３０をセンサー基板２０上に、二次元アレイ状に配置した場合において、センサー基板２０に対する平面視において、互いに直交するＸ軸Ｌ１及びＹ軸Ｌ２によって、センサー基板２０を４つの領域Ａｒ１〜Ａｒ４に分割している。そして、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４内において、超音波トランスデューサー３０の下部電極３３１から引き出される各下部電極線３３４は、基板中心点Ｏから離れる方向へ延びている。
すなわち、Ｘ軸に沿って、Ｙ軸を挟んだ２つの領域Ａｒ１，Ａｒ２またはＡｒ３，Ａｒ４において、下部電極線３３４がＹ軸を跨いで同方向に引き出されることがない。これによれば、Ｘ軸Ｌ１及びＹ軸Ｌ２により、センサー基板２０を領域Ａｒ１〜Ａｒ４に分割して、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４内で下部電極線３３４を引き出しているので、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４内において、超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数を少なくできる。
【００６０】
（２）センサー基板２０は、互いに直交するＸ軸Ｌ１及びＹ軸Ｌ２によって、４つの領域に分割されている。４分割することで、上述したような９分割の構成において、中央部分に形成される領域が生じることなく、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４内において、超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数を確実に少なくでき、分割数を多くした場合での下部電極線３３４の引き出し方向の煩雑化を防止できる。
【００６１】
（３）Ｘ軸Ｌ１及びＹ軸Ｌ２がセンサー基板２０の基板中心点Ｏを通るので、センサー基板２０を均等に４つの領域Ａｒ１〜Ａｒ４に分割できる。これによれば、領域Ａｒ１〜Ａｒ４毎での超音波トランスデューサー３０間における下部電極線３３４の本数の偏りを防止でき、本数を均等にできる。従って、各領域が均等でない場合には、領域毎に超音波トランスデューサー３０間のスペースの広さをそれぞれ変更する必要があるが、本実施形態によれば、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４において本数を均等にできるので、超音波トランスデューサー３０をセンサー基板２０に配置する製造工程を簡素化できる。
【００６２】
（４）共通電極線３３６には、下部電極線３３４に沿う上部電極線３３５がそれぞれ接続され、この共通電極線３３６は、Ｙ軸Ｌ２に沿って配置されているのみである。従って、共通電極線の本数を従来の構成に比べて大幅に減らすことができ、構成を簡素化できる。また、共通電極線３３６は、Ｙ軸Ｌ２に沿って配置されるので、Ｘ軸Ｌ１に沿う下部電極線３３４との接触を防止できる。
【００６３】
（５）下部電極線３３４の引出部３３４１は、各超音波トランスデューサー３０間において、上部電極線３３５と直交する方向に引き出され、配線部３３４２は、引出部３３４１の先端から上部電極線３３５に対して平行に延びている。また、上部電極線３３５は、一方向に直線状に延びている。これによれば、配線部３３４２は、引出部３３４１によって、上部電極線３３５とは離れた位置で平行に延びているので、上部電極線３３５と交差することがない。従って、上部電極線３３５と下部電極線３３４とが接触することによる一対の電極のショートを確実に防止できる。
【００６４】
（６）下部電極線３３４の引出部３３４１は、Ｘ軸Ｌ１から離間する方向に引き出されるので、共通電極線３３６がＸ軸Ｌ１及びＹ軸Ｌ２の両方に沿って配置された場合でも、引出部３３４１と共通電極線３３６とが交差することをより確実に防止できる。
【００６５】
［第２実施形態］
図５は、第２実施形態の超音波センサー１０Ａに係る超音波トランスデューサー３０の配線構造を拡大して示す平面図である。
第２実施形態では、第２領域Ａｒ２において、第１電極線である下部電極線３３４を＋Ｙ軸方向側へ引き出している点で、前記第１実施形態と相違する。すなわち、第２領域Ａｒ２では、Ｙ軸方向が第１分割仮想線に平行な方向とされ、Ｘ軸方向が第２分割仮想線に平行な方向とされている。その他の領域Ａｒ１，Ａｒ３，Ａｒ４については、前記第１実施形態と同様の構成である。また、本実施形態では、２本の共通電極線３３６，３３７を備え、共通電極線３３７は、第２領域Ａｒ２及び第４領域Ａｒ４の間にＸ軸Ｌ１に沿って設けられている。
【００６６】
第２領域Ａｒ２において、下部電極線３３４の引出部３３４１は、Ｘ軸Ｌ１に沿って＋Ｘ軸方向側（第２分割仮想線に平行な方向）に延びており、配線部３３４２は、引出部３３４１の先端からＹ軸Ｌ２に沿って＋Ｙ軸方向側（第１分割仮想線に平行な方向）に延びている。また、上部電極線３３５は、Ｙ軸方向（第１分割仮想線に平行な方向）に沿って延び、第２領域Ａｒ２及び第４領域Ａｒ４の間にＸ軸Ｌ１に沿って設けられた共通電極線３３７に接続される。
【００６７】
このため、本実施形態では、Ｙ軸Ｌ２に沿った方向が第１方向となり、このＹ軸Ｌ２に沿って設けられた共通電極線３３６で第１共通電極線が構成される。また、Ｘ軸Ｌ１に沿った方向が第２方向となり、このＸ軸Ｌ１に沿って設けられた共通電極線３３７で第２共通電極線が構成される。
そして、センサー基板を各共通電極線３３６，３３７で区分すると、３つの領域に分けられる。すなわち、図５において、共通電極線３３６の左側の第１領域Ａｒ１および第３領域Ａｒ３で１つの領域である。他の２つの領域は、共通電極線３３６の右側でかつ共通電極線３３７の上側の第２領域Ａｒ２と、共通電極線３３６の右側でかつ共通電極線３３７の下側の第４領域Ａｒ４とである。
【００６８】
そして、本実施形態では、第１領域Ａｒ１および第３領域Ａｒ３と、第４領域Ａｒ４は第１配線パターン領域であり、第２領域Ａｒ２は第２配線パターン領域である。
第１配線パターン領域では、第１電極線である下部電極線３３４は、引出部３３４１と配線部３３４２とを備える。引出部３３４１は第１方向に引き出される。配線部３３４２は第２方向に沿って延びる直線部分である。
また、第２電極線である上部電極線３３５は、第２方向に沿って設けられ、第１共通電極線３３６に接続されている。
【００６９】
そして、第１共通電極線３３６の共通電極端子３６１に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に第２共通電極線３３７が接続されている。第１共通電極線３３６において、第２共通電極線３３７が接続された点から先端部間には第１領域Ａｒ１に設けられた超音波トランスデューサー３０の第２電極線である上部電極線３３５が接続されている。
また、第１共通電極線３３６において、第２共通電極線３３７が接続された点から基端部間には、第３領域Ａｒ３および第４領域Ａｒ４に設けられた超音波トランスデューサー３０の第２電極線である上部電極線３３５が接続されている。
そして、第１領域Ａｒ１に設けられた超音波トランスデューサー３０の第１電極である下部電極３３１から引き出された引出部３３４１と、第３領域Ａｒ３および第４領域Ａｒ４に設けられた超音波トランスデューサー３０の第１電極である下部電極３３１から引き出された引出部３３４１とは、互いに離れる方向、つまり＋Ｙ軸方向および−Ｙ軸方向に引き出されている。
【００７０】
なお、図５における第１配線パターン領域の１つは、第１共通電極線３３６の基端部から該第１共通電極線３３６の先端部を延長してセンサー基板外縁に達する第１共通電極延長線と、センサー基板の外縁とによって囲まれ、かつ、第２共通電極線３３７を含まない領域（図５における第１共通電極線３３６の左側の領域）である。
また、図５における第１配線パターン領域の他の１つは、第１共通電極線３３６の基端部から第２共通電極線３３７との接続点までと、この接続点から第２共通電極線３３７の先端部を延長してセンサー基板外縁に達する第２共通電極延長線と、センサー基板の外縁によって囲まれる領域（図５における第１共通電極線３３６の右側で、かつ、第２共通電極線３３７の下側の領域）である。
図５における第２配線パターン領域は、第１共通電極延長線における第１共通電極線３３６および第２共通電極線３３７の接続点から、第１共通電極線３３６の先端部側のセンサー基板外縁に達する部分までと、前記接続点から第２共通電極線３３７の先端部を延長してセンサー基板外縁に達する第２共通電極延長線と、センサー基板の外縁によって囲まれる領域（図５における第１共通電極線３３６の右側で、かつ、第２共通電極線３３７の上側の領域）である。
【００７１】
上述した第２実施形態の超音波センサー１０Ａによれば、前記第１実施形態の効果（１）〜（６）と同様の効果を奏し、様々な配線レイアウトを実現できる。
【００７２】
［第３実施形態］
図６は、第３実施形態の超音波センサー１０Ｂに係る超音波トランスデューサー３０の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、第４領域Ａｒ４での配線レイアウトが前記第２実施形態と相違する。他の領域Ａｒ１〜Ａｒ３の構成は前記第２実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。また、本実施形態では、前記第２実施形態と同様に、第１共通電極線３３６および第２共通電極線３３７の２本の共通電極線が設けられている。
【００７３】
第４領域Ａｒ４において、下部電極線３３４の引出部３３４１は、Ｘ軸Ｌ１に沿って＋Ｘ軸方向側に延びており、配線部３３４２は、引出部３３４１の先端からＹ軸Ｌ２に沿って−Ｙ軸方向側に延びている。また、上部電極線３３５は、Ｙ軸方向に沿って延び、第２領域Ａｒ２及び第４領域Ａｒ４の間にＸ軸Ｌ１に沿って設けられた共通電極線３３７にそれぞれ接続される。すなわち、第４領域Ａｒ４では、Ｙ軸方向が第１分割仮想線に平行な方向とされ、Ｘ軸方向が第２分割仮想線に平行な方向とされている。
【００７４】
このため、本実施形態では、共通電極線３３６の左側の第１領域Ａｒ１および第３領域Ａｒ３は第１配線パターン領域であり、第２領域Ａｒ２および第４領域Ａｒ４は第２配線パターン領域である。
そして、第２領域Ａｒ２および第４領域Ａｒ４に設けられた上部電極線３３５は、それぞれ第２共通電極線３３７における第１共通電極線３３６との接続点から一方の端部間に接続されている。このため、これらの領域Ａｒ２，Ａｒ４に設けられた下部電極線３３４の引出部３３４１は、同じ方向（＋Ｘ軸方向）に引き出されている。
【００７５】
なお、図６における第１配線パターン領域は、第１共通電極線３３６の基端部から該第１共通電極線３３６の先端部を延長してセンサー基板外縁に達する第１共通電極延長線と、センサー基板の外縁によって囲まれ、かつ、第２共通電極線３３７を含まない領域（図６における第１共通電極線３３６の左側の領域）である。
また、図６における第２配線パターン領域は、前記第１共通電極延長線と、センサー基板の外縁によって囲まれ、第２共通電極線３３７を含む領域（図６における第１共通電極線３３６の右側の領域）である。
【００７６】
上述した第３実施形態の超音波センサー１０Ｂによれば、前記第１実施形態の効果（１）〜（６）と同様の効果を奏し、様々な配線レイアウトを実現できる。
【００７７】
［第４実施形態］
図７は、第４実施形態の超音波センサー１０Ｃに係る超音波トランスデューサー３０の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、第３領域Ａｒ３での配線レイアウトが前記第２実施形態と相違する。他の領域Ａｒ１，Ａｒ２，Ａｒ４の構成は前記第２実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。また、本実施形態では、第１共通電極線３３６および第２共通電極線３３８の２本の共通電極線を備え、共通電極線３３８は、第１領域Ａｒ１及び第２領域Ａｒ２と、第３領域Ａｒ３及び第４領域Ａｒ４との間にＸ軸Ｌ１に沿って設けられている。
【００７８】
第３領域Ａｒ３において、下部電極線３３４の引出部３３４１は、Ｘ軸Ｌ１に沿って−Ｘ軸方向側に延びており、配線部３３４２は、引出部３３４１の先端からＹ軸Ｌ２に沿って−Ｙ軸方向側に延びている。また、上部電極線３３５は、Ｙ軸方向に沿って延び、第１領域Ａｒ１及び第２領域Ａｒ２と、第３領域Ａｒ３及び第４領域Ａｒ４との間にＸ軸Ｌ１に沿って設けられた共通電極線３３８にそれぞれ接続される。すなわち、第３領域Ａｒ３では、Ｙ軸方向が第１分割仮想線に平行な方向とされ、Ｘ軸方向が第２分割仮想線に平行な方向とされている。
【００７９】
本実施形態では、共通電極線３３６，３３８は、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４間に設けられているので、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４において、下部電極線３３４の引出部３３４１をＸ軸Ｌ１またはＹ軸Ｌ２のうちいずれか一方から離間する方向に引き出すことで、引出部３３４１と共通電極線３３６とが交差することを防止している。
【００８０】
このため、本実施形態では、第１領域Ａｒ１および第４領域Ａｒ４は第１配線パターン領域であり、第２領域Ａｒ２および第３領域Ａｒ３は第２配線パターン領域である。
そして、第１領域Ａｒ１および第４領域Ａｒ４に設けられた上部電極線３３５は、第１共通電極線３３６において、第１共通電極線３３６および第２共通電極線３３８の接続点に対して、先端部側および基端部側にそれぞれ接続されている。このため、これらの領域Ａｒ１，Ａｒ４に設けられた下部電極線３３４の引出部３３４１は、互いに離れる方向（＋Ｙ軸方向および−Ｙ軸方向）に引き出されている。
また、第２領域Ａｒ２および第３領域Ａｒ３に設けられた上部電極線３３５は、第２共通電極線３３８において、第１共通電極線３３６および第２共通電極線３３８の接続点に対して、一方の端部側および他方の端部側にそれぞれ接続されている。このため、これらの領域Ａｒ２，Ａｒ３に設けられた下部電極線３３４の引出部３３４１は、互いに離れる方向（＋Ｘ軸方向および−Ｘ軸方向）に引き出されている。
【００８１】
なお、図７における第１配線パターン領域は、第１共通電極線３３６の基端部から該第１共通電極線３３６の先端部を延長してセンサー基板外縁に達する第１共通電極延長線と、第２共通電極線３３８の両端部を延長してセンサー基板外縁に達する第２共通電極延長線と、センサー基板の外縁によって囲まれる４つの領域のうち、第１共通電極線３３６および第２共通電極線３３８の接続点に対して、＋Ｙ軸側および−Ｘ軸側の領域（図７における第１共通電極線３３６の左側でかつ第２共通電極線３３８の上側の領域）と、−Ｙ軸側および＋Ｘ軸側の領域（図７における第１共通電極線３３６の右側でかつ第２共通電極線３３８の下側の領域）である。
また、図７における第２配線パターン領域は、前記第１共通電極延長線、第２共通電極延長線、センサー基板の外縁によって囲まれる４つの領域のうち、第１共通電極線３３６および第２共通電極線３３８の接続点に対して、＋Ｙ軸側および＋Ｘ軸側の領域（図７における第１共通電極線３３６の右側でかつ第２共通電極線３３８の上側の領域）と、−Ｙ軸側および−Ｘ軸側の領域（図７における第１共通電極線３３６の左側でかつ第２共通電極線３３８の下側の領域）である。
【００８２】
上述した第４実施形態の超音波センサー１０Ｃによれば、前記第１実施形態の効果（１）〜（６）と同様の効果を奏し、様々な配線レイアウトを実現できる。
【００８３】
［第５実施形態］
図８は、第５実施形態の超音波センサー１０Ｄに係る超音波トランスデューサー３０の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、共通電極線の配線レイアウトが前記第１実施形態と相違する。超音波トランスデューサー３０の配置レイアウトや、下部電極線３３４の配線レイアウトは、前記第１実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。
【００８４】
本実施形態では、共通電極線３４０，３４１，３４２を備える。共通電極線３４０は、Ｘ軸Ｌ１に沿って設けられるとともに、二股に分岐されてＸ軸Ｌ１に隣接する各上部電極線３３５に接続されている。共通電極線３４１，３４２は、Ｙ軸Ｌ２に沿って設けられている。
【００８５】
共通電極線３４１には、第１領域Ａｒ１及び第２領域Ａｒ２に設けられた上部電極線３３５が接続されている。
共通電極線３４２には、第３領域Ａｒ３及び第４領域Ａｒ４に設けられた上部電極線３３５が接続されている。
【００８６】
このような第５実施形態の超音波センサー１０Ｄによれば、前記第１実施形態の効果（１）〜（６）と同様の効果を奏する。
さらに、共通電極線３４０を、下部電極線３３４と同様にＸ軸Ｌ１の方向に引き出すことができるので、超音波センサー１０Ｄにおける配線の端子をセンサー基板２０のＸ軸方向の２つの辺に集中させることができる。
【００８７】
［第６実施形態］
図９は、第６実施形態の超音波センサー１０Ｅに係る超音波トランスデューサー３０の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、超音波トランスデューサー３０の配置レイアウトと、共通電極線の配線レイアウトが前記第１実施形態と相違する。
【００８８】
第１実施形態では、２つの分割仮想線は、互いに直交するＸ軸Ｌ１及びＹ軸Ｌ２であった。本実施形態では、２つの分割仮想線のうち、第１分割仮想線はＸ軸Ｌ１であるが、第２分割仮想線はＹ軸Ｌ２ではなく、Ｘ軸Ｌ１に対して９０度未満の所定角度で交差する軸Ｌ４である。軸Ｌ１，Ｌ４の公差角度は、たとえば、９０度未満でかつ６０度以上の範囲で設定される。
そして、超音波トランスデューサー３０は、前記Ｘ軸Ｌ１および軸Ｌ４に沿って二次元配置されている。
【００８９】
本実施形態では、軸Ｌ４に沿った共通電極線３４３を備える。この共通電極線３４３には、第１実施形態と同様に、Ｘ軸Ｌ１に沿って設けられた上部電極線３３５が接続されている。
下部電極線３３４の配線レイアウトは、前記第１実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。
【００９０】
このような第６実施形態の超音波センサー１０Ｅによれば、前記第１実施形態の効果（１）〜（６）と同様の効果を奏する。
さらに、前記軸Ｌ１，Ｌ４の公差角度を９０度未満に設定し、各超音波トランスデューサー３０を各軸Ｌ１，Ｌ４に沿って配列すれば、１つの超音波トランスデューサー３０の周囲を６個の超音波トランスデューサー３０が取り囲むように配置できる。このため、いわゆる六方細密配置構造とすることもでき、様々な配線レイアウトを実現できる。
【００９１】
［第７実施形態］
図１０は、第７実施形態の超音波センサー１０Ｆに係る超音波トランスデューサー３０の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、超音波トランスデューサー３０の配置レイアウトと、共通電極線の配線レイアウトが前記第１実施形態と相違する。
【００９２】
第１実施形態では、超音波トランスデューサー３０は、Ｘ軸Ｌ１およびＹ軸Ｌ２に沿ってマトリクス状に配置されていた。本実施形態では、超音波トランスデューサー３０は、Ｘ軸Ｌ１に沿った方向には揃っているが、Ｙ軸Ｌ２に沿った方向では各超音波トランスデューサー３０の位置が異なり、ジグザクに配置されている。具体的には、超音波トランスデューサー３０は、Ｙ軸Ｌ２方向には、１つおきに位置が一致するように配置されている。
【００９３】
本実施形態では、Ｙ軸Ｌ２に沿って配置された共通電極線３４４を備える。共通電極線３４４は、Ｙ軸Ｌ２を挟んで配置される２つの超音波トランスデューサー３０間を通ってジグザグ状に配線されている。
この共通電極線３４４には、前記第１実施形態と同様に、Ｘ軸Ｌ１に沿って設けられた上部電極線３３５が接続されている。
下部電極線３３４の配線レイアウトは、前記第１実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。
【００９４】
このような第７実施形態の超音波センサー１０Ｆによれば、前記第１実施形態の効果（１）〜（６）と同様の効果を奏する。
さらに、Ｙ軸Ｌ２に沿って設けられる共通電極線３４４をジグザグ状に配線し、各超音波トランスデューサー３０もジグザグ状に配置したので、１つの超音波トランスデューサー３０の周囲を６個の超音波トランスデューサー３０が取り囲む、いわゆる六方細密配置構造とすることもでき、様々な配線レイアウトを実現できる。
【００９５】
［第８実施形態］
図１１は、第８実施形態の超音波センサー１０Ｇの概略構成を示す平面図である。
本実施形態では、超音波トランスデューサー３０の配置レイアウトと、共通電極線、上部電極線、下部電極配線の配線レイアウトが前記各実施形態と相違する。
【００９６】
第１実施形態では、超音波トランスデューサー３０は、Ｘ軸Ｌ１およびＹ軸Ｌ２に沿ってマトリクス状に配置されていた。本実施形態では、超音波トランスデューサー３０は、直交する第１分割仮想線および第２分割仮想線としての軸Ｌ５，Ｌ６の交点Ｏを中心として、三重の同心円状に配置されている。
【００９７】
超音波センサー１０Ｇのセンサー基板２０Ａは、平面正方形状に形成されている。このセンサー基板２０Ａは、センサー基板２０Ａの対角線に沿って設けられた前記軸Ｌ５，Ｌ６によって４つの領域Ａｒ１，Ａｒ２，Ａｒ３，Ａｒ４に分割されている。
そして、前記三重の同心円上に配置された超音波トランスデューサー３０のうち、交点Ｏに最も近接する１番目の同心円上には、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４に１つずつ、計４個の超音波トランスデューサー３０Ａが配置されている。
また、交点Ｏから２番目の同心円上には、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４に２つずつ、計８個の超音波トランスデューサー３０Ｂが配置されている。
さらに、交点Ｏから３番目の同心円上には、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４に３つずつ、計１２個の超音波トランスデューサー３０Ｃが配置されている。
すなわち、各同心円上に配置される超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃは、交点Ｏから離れるにしたがって、配置される数が増えるように設定されている。
【００９８】
本実施形態では、第１分割仮想線である軸Ｌ５に沿って配置された共通電極線３４５を備える。共通電極線３４５は、センサー基板２０Ａの外周に設けられた共通電極端子３４５Ａから前記交点Ｏつまり同心円状に配置された超音波トランスデューサー３０の中心位置まで配線されている。
【００９９】
そして、この交点Ｏに位置する共通電極線３４５の端部には、超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃの上部電極線３３５が接続されている。
すなわち、４個の超音波トランスデューサー３０Ａと、８個の超音波トランスデューサー３０Ｂからそれぞれ引き出された上部電極線３３５は、前記交点Ｏに向かって延長されて共通電極線３４５に直接接続されている。
さらに、最外周の１２個の超音波トランスデューサー３０Ｃの上部電極線３３５は、その内周側に配置される超音波トランスデューサー３０Ａ，３０Ｂに向かって引き出されて、これらの超音波トランスデューサー３０Ａ，３０Ｂの上部電極線３３５に接続されている。
【０１００】
また、各超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃの下部電極からは、交点Ｏから離れる方向に下部電極線３３４（第１電極線）がそれぞれ引き出されている。このため、センサー基板２０Ａの４つの外周辺には、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４に設けられた超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃの数に対応した下部電極端子３３４Ａが設けられている。
【０１０１】
さらに、最外周の超音波トランスデューサー３０Ｃ間を通る下部電極線３３４の数は、同心円の数を最大とするように設定されている。本実施形態では同心円の数は３つであるため、最外周の超音波トランスデューサー３０Ｃ間を通る配線数は３本以下に設定されている。図１１に示すように、本実施形態では、超音波トランスデューサー３０Ｃ間を通る配線は、最大２本とされている。
【０１０２】
このような第８実施形態の超音波センサー１０Ｇによれば、前記第１実施形態の効果（１）〜（４）と同様の効果を奏する。
さらに、共通電極線３４５を軸Ｌ５に沿って共通電極端子３４５Ａから交点Ｏまで引き出し、超音波トランスデューサー３０の上部電極線３３５は前記交点Ｏに向かって引き出し、下部電極線３３４は前記交点Ｏから離れる方向にセンサー基板２０Ａの外周部まで引き出している。このため、共通電極線３４５、下部電極線３３４、上部電極線３３５が互いに交差することがなく、配線レイアウトも容易に設計できる。
【０１０３】
［第９実施形態］
図１２は、第９実施形態の超音波センサー１０Ｈに係る超音波トランスデューサー３０の配線構造を拡大して示す平面図である。
本実施形態では、上部電極線３３５の配線レイアウトと、交点Ｏの位置に超音波トランスデューサー３０が配置されている点が、前記第８実施形態の超音波センサー１０Ｇと相違する。
【０１０４】
本実施形態では、同心円上に配置された各超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃから引き出された上部電極線３３５は、その一つ内周側に配置された超音波トランスデューサー３０，３０Ａ，３０Ｂの上部電極線３３５に接続されている。
すなわち、最外周の超音波トランスデューサー３０Ｃから引き出された上部電極線３３５は、交点Ｏから２番目の同心円上の超音波トランスデューサー３０Ｂの上部電極線３３５に接続されている。
【０１０５】
また、超音波トランスデューサー３０Ｂから引き出された上部電極線３３５は、交点Ｏから１番目の同心円上の超音波トランスデューサー３０Ａの上部電極線３３５に接続されている。
さらに、超音波トランスデューサー３０Ａから引き出された上部電極線３３５は、交点Ｏ上の超音波トランスデューサー３０の上部電極に接続されている。
そして、交点Ｏ上の超音波トランスデューサー３０の上部電極には、軸Ｌ５に沿って配置された共通電極線３４５が接続されている。
【０１０６】
各超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃの下部電極線３３４の配線レイアウトは、第８実施形態と同じであるため、説明を省略する。なお、交点Ｏに配置された超音波トランスデューサー３０の下部電極線３３４も、交点Ｏから離れる方向に引き出されている。
【０１０７】
さらに、本実施形態では、交点Ｏにも超音波トランスデューサー３０が配置されているので、最外周の隣接する超音波トランスデューサー３０Ｃ間を通る配線数は、同心円の数に１を加算した数を最大とするように設定されている。本実施形態では同心円の数は３つであるため、最外周の超音波トランスデューサー３０Ｃ間を通る配線数は３＋１＝４本以下に設定されている。図１２に示すように、本実施形態では、最外周の超音波トランスデューサー３０Ｃ間を通る配線は、最大２本とされている。
【０１０８】
このような第９実施形態の超音波センサー１０Ｈによれば、前記第８実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、共通電極線３４５を軸Ｌ５に沿って共通電極端子３４５Ａから交点Ｏまで引き込み、超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃの上部電極線３３５は常に１つ内側の超音波トランスデューサー３０，３０Ａ，３０Ｂに接続されている。このため、共通電極線３４５の共通電極端子３４５Ａから、各超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃの上部電極までの配線抵抗を、同じ同心円上の超音波トランスデューサー３０Ａ〜３０Ｃ同士でほぼ等しくすることができる。
【０１０９】
［実施形態の変形］
本発明を実施するための最良の構成、方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
前記各実施形態では、センサー基板２０は、４つの領域Ａｒ１〜Ａｒ４を備えたが、例えば、３つの領域に分割してもよく、この場合でも各領域内の超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数を、基板２０を分割しない場合よりも少なくできる。また、５つ以上に分割してもよく、この場合には、４分割する場合よりも、超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数をより少なくできる。
【０１１０】
前記第１〜７実施形態では、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４内において、下部電極線３３４の引き出し方向は、Ｘ軸またはＹ軸に沿って延びていたが、基板中心点Ｏから離間する方向に延びていればよく、例えば、斜め方向に延びていてもよい。
【０１１１】
図１３は、上述した５つ以上に分割する一例として６分割する変形例を示す図である。
本変形例では、センサー基板２０は、Ｘ軸Ｌ１、及び２本のＹ軸Ｌ２，Ｌ３で６分割され、６つの領域Ａｒ１〜Ａｒ６を備える。
図１３（Ａ）では、各領域Ａｒ１〜Ａｒ６において、３行３列ずつ均等に分割されている。
この構成では、特に、第２領域Ａｒ２及び第５領域Ａｒ５において、下部電極線３３４は、各領域間を跨がないため、必然的に、Ｙ軸Ｌ２，Ｌ３に沿って延びることとなる。すなわち、第２領域Ａｒ２の下部電極線３３４が、Ｘ軸Ｌ１に沿って延びることがないので、第１領域Ａｒ１または第３領域Ａｒ３内に延びることがなく、第１領域Ａｒ１及び第３領域Ａｒ３内における超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数をさらに減らすことができる。第５領域Ａｒ５についても同様に、第５領域Ａｒ５の下部電極線３３４が、第４領域Ａｒ４または第６領域Ａｒ６内に延びることがなく、第４領域Ａｒ４及び第６領域Ａｒ６内における超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数をさらに減らすことができる。
【０１１２】
図１３（Ｂ）に示すように、領域Ａｒ３，Ａｒ６の構成は図１３（Ａ）と同じで、領域Ａｒ１，Ａｒ４において、３行４列の構成とし、領域Ａｒ２，Ａｒ５において、３行２列の構成とした場合には、領域Ａｒ２，Ａｒ５の超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数は３本で、図１３（Ａ）の領域Ａｒ２，Ａｒ５において、超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数と同じである。
しかし、領域Ａｒ１，Ａｒ４では、Ｘ軸方向に延出して、超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数は４本となり、図１３（Ａ）の場合に比べて、本数が多くなる。
【０１１３】
そこで、図１３（Ｃ）に示すように、領域Ａｒ１，Ａｒ３，Ａｒ４，Ａｒ６において、３行２列の構成とし、領域Ａｒ２，Ａｒ５において、３行５列の構成とした場合には、領域Ａｒ２，Ａｒ５の超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数は３本で、図１３（Ａ），（Ｂ）の構成と同じであるが、領域Ａｒ１，Ａｒ３，Ａｒ４，Ａｒ６において、Ｘ軸方向に延出して、超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数は２本となり、図１３（Ａ），（Ｂ）の場合に比べて、本数を少なくできる。すなわち、図１３に示す超音波トランスデューサー３０の構成（６行９列）をＸ軸Ｌ１により上下に３行ずつ分割した場合において、Ｙ軸Ｌ２，Ｌ３の列方向の分割位置を領域Ａｒ１，Ａｒ３，Ａｒ４，Ａｒ６において、３列未満となるように分割することで、Ｘ軸方向に延出して、超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数を図１３（Ａ），（Ｂ）の場合よりも少なくできる。
なお、図１３（Ｃ）では、領域Ａｒ１，Ａｒ３，Ａｒ４，Ａｒ６において、３行２列の構成としたが、領域Ａｒ１，Ａｒ４または領域Ａｒ３，Ａｒ６のいずれか一方を３行２列の構成としてもよい。この場合では、図１３（Ａ），（Ｂ）の構成に対して、領域Ａｒ１，Ａｒ４または領域Ａｒ３，Ａｒ６のいずれか一方において、超音波トランスデューサー３０間に引き出される下部電極線３３４の本数を少なくできる。
【０１１４】
前記各実施形態では、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４を基板中心点Ｏで均等に分割したが、第１分割仮想線および第２分割仮想線で単に４分割されればよく、各領域Ａｒ１〜Ａｒ４を均等に分割しなくてもよい。
前記各実施形態では、配線レイアウトの一例を示したにすぎず、用途に応じて、配線レイアウトを変更してもよい。この場合には、各領域内での下部電極線３３４が第１分割仮想線および第２分割仮想線である各軸Ｌ１〜Ｌ６を跨がないように構成すればよい。
【０１１５】
前記第１〜４実施形態では、Ｙ軸Ｌ２に沿う共通電極線３３６が配線レイアウトの都合上、必須であったが、Ｘ軸Ｌ１に沿う共通電極線のみで構成してもよい。例えば、前記第１実施形態において、下部電極線３３４はＸ軸Ｌ１に沿う方向に引き出されていたが、これをＹ軸Ｌ２に沿う方向に引き出せば、Ｘ軸Ｌ１に沿って配置される共通電極線に上部電極線が接続されることとなる。
【０１１６】
本発明の超音波センサーは、血流や血圧などを測定する電子機器としての生体測定装置に組み込んで利用できる。たとえば、図１４に示すように、腕に巻かれるバンド５１の内周面に前記センサー基板２０を貼り付け、さらにセンサー基板２０の共通電極線と、下部電極線に導通する送受信回路と、この送受信回路を制御する制御回路とを備えるＩＣ等を組み込んで生体測定装置５０を構成すればよい。
この際、第１実施形態の超音波センサー１０のように、第１電極線である下部電極線３３４と、第２電極線である上部電極線３３５とが第１分割仮想線であるＸ軸Ｌ１方向に延長され、共通電極線３３６が第２分割仮想線であるＹ軸Ｌ２方向に延長されている場合、バンド５１が湾曲する方向に沿って共通電極線３３６が配線されるようにセンサー基板２０を配置すれば、下部電極線３３４や上部電極線３３５が湾曲されることがないため、これらの電極線の断線を防止できる。共通電極線３３６は本数が少ないため、太く形成することで湾曲しても断線しないように構成できる。
【０１１７】
また、電子機器としては、生体測定装置５０に限らない。例えばロボットや自動車などに組み込まれて、被検出物までの距離や速度を測定する近接センサーや距離測定センサー、配管の非破壊検査や配管中の流体の流速などの監視する測定センサー、生体の体内の状態を超音波により検査する生体検査装置など、超音波の出力および受信により測定処理を実施するいかなる装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【０１１８】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ…超音波センサー、２０，２０Ａ…センサー基板、３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ…超音波トランスデューサー、３３１…下部電極（第１電極）、３３３…上部電極（第２電極）、３３４…下部電極線（第１電極線）、３３５…上部電極線（第２電極線）、３３６〜３３８，３４０〜３４５…共通電極線、３３４１…引出部、３３４２…配線部、Ａｒ１〜Ａｒ６…領域、Ｌ１…Ｘ軸（第１分割仮想線）、Ｌ２，Ｌ３…Ｙ軸（第２分割仮想線）、Ｌ４…軸（第２分割仮想線）、Ｌ５…軸（第１分割仮想線）、Ｌ６…軸（第２分割仮想線）、Ｏ…基板中心点（交点、基板略中心点）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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