(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する２つの端面と、相対向する２つの側面と、相対向する２つの主面とを有する基体と、前記基体の前記端面に形成される第１および第２の外部電極とを含む積層セラミックコンデンサ本体、および
前記第１および第２の外部電極に半田接合によって接続される第１および第２の金属端子を含む積層セラミックコンデンサであって、
前記積層セラミックコンデンサ本体の体積をＶｃ、前記第１の外部電極と前記第１の金属端子の１対における前記半田および前記第２の外部電極と前記第２の金属端子の１対における前記半田の平均の体積をＶｈとしたとき、２１≦Ｖｃ／Ｖｈ≦３２０の関係を満たすことを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミックコンデンサに関し、特にたとえば、複数のセラミック層と内部電極とが交互に積層された基体を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・高機能化が急速に進んでおり、電子機器に搭載される電子部品についても、小型化が要求されている。たとえば、積層セラミックコンデンサの場合、薄層化技術および多層化技術の進展により、アルミ電解コンデンサに代替できる高静電容量を有するものが商品化されるようになった。
【０００３】
積層セラミックコンデンサ１は、図１０に示すように、複数のセラミック層２と内部電極３とが交互に積層された基体４を含む。複数の内部電極３のうちの隣接するものが、基体４の対向する端面に交互に引き出される。内部電極３が引き出された基体４の端面には、内部電極３に電気的に接続される外部電極５が形成される。このような構成により、基体４の対向する端部に設けられた外部電極５間に静電容量が形成される。積層セラミックコンデンサ１は、半田６によって基板７上に取り付けられる。このとき、積層セラミックコンデンサ１の外部電極５が、半田６によって基板７上に取り付けられる。
【０００４】
このような積層セラミックコンデンサ１において、セラミック層２の材料として、誘電率の比較的高いチタン酸バリウムなどの強誘電体材料が一般的に用いられているが、このような強誘電体材料は圧電性および電歪性を有する。積層セラミックコンデンサ１に交流電圧が加わると、セラミック層２に機械的歪みが生じる。その振動が外部電極５を介して基板７に伝達されると、基板７全体が音響放射面となって、雑音となる振動音（鳴き）を発生する恐れがある。
【０００５】
この対策として、図１１に示すように、積層セラミックコンデンサ１の外部電極５に１対の金属端子８を半田で接続し、基板７と積層セラミックコンデンサ１とが間隔を隔てるようにして、金属端子８を基板７に半田付けする構成が考えられている。このような構成とすることにより、金属端子８の弾性変形によって交流電圧が加わることでセラミック層に生じる機械的歪みを吸収することができ、その振動が外部電極を介して基板に伝達されることを抑えて雑音の発生を減少することができる（特許文献１参照  図２１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２８８８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、金属端子を用いて積層セラミックコンデンサを基板に取り付ける構成を採用しても、十分に基板の振動音（鳴き）を抑制する効果を得ることができない。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、基板に取り付けても十分な振動音（鳴き）の抑制効果を得ることができる積層セラミックコンデンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、相対向する２つの端面と、相対向する２つの側面と、相対向する２つの主面とを有する基体と、基体の端面に形成される第１および第２の外部電極とを含む積層セラミックコンデンサ本体、および第１および第２の外部電極に半田接合によって接続される第１および第２の金属端子を含む積層セラミックコンデンサであって、積層セラミックコンデンサ本体の体積をＶｃ、第１の外部電極と第１の金属端子の１対における半田および第２の外部電極と第２の金属端子の１対における半田の平均の体積をＶｈとしたとき、２１≦Ｖｃ／Ｖｈ≦３２０の関係を満たすことを特徴とする、積層セラミックコンデンサである。
このような積層セラミックコンデンサにおいて、第１の外部電極と第１の金属端子の１対における半田および第２の外部電極と第２の金属端子の１対における半田の平均の体積体積Ｖｈは、積層セラミックコンデンサ本体の２つの端面における半田の体積の平均値で定義される。
金属端子に付着する半田の体積が大きくなると、その部分の端子厚みが大きくなるのと同様の効果があり、端子剛性が大きくなる。端子剛性が大きくなると、積層セラミックコンデンサ本体に発生した変形が金属端子で吸収されにくくなり、積層セラミックコンデンサ本体の変形が基板に伝わって、基板の振動音（鳴き）が大きくなる。逆に、金属端子に付着する半田の体積が小さくなると、その部分の端子厚みが小さくなるのと同様の効果があり、端子剛性が小さくなる。端子剛性が小さくなると、積層セラミックコンデンサ本体に発生した変形が金属端子で吸収されやすくなり、積層セラミックコンデンサ本体の変形が基板に伝わりにくくなって、基板の振動音（鳴き）が小さくなる。
ここで、積層セラミックコンデンサ本体の体積Ｖｃと、第１の外部電極と第１の金属端子の１対における半田および第２の外部電極と第２の金属端子の１対における半田の平均の体積Ｖｈとの関係を調べたところ、これらの比Ｖｃ／Ｖｈが２１以上のとき、基板の振動音を良好に抑制できることがわかった。
なお、半田の体積が小さくなるほど、基板の振動音を抑制する効果が高くなるが、外部電極と金属端子の間の固着強度は小さくなる。外部電極と金属端子の間において、十分な固着強度を得るためには、Ｖｃ／Ｖｈが３２０以下であることが必要である。
ここで、第１の外部電極と第１の金属端子の１対における半田および第２の外部電極と第２の金属端子の１対における半田の平均の体積Ｖｈは、積層セラミックコンデンサ本体の２つの端面における半田の体積の平均値で定義される値である。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、積層セラミックコンデンサ本体に発生する変形が基板に伝わりにくく、基板の振動音（鳴き）を抑制することができ、積層セラミックコンデンサ本体の外部電極と金属端子との間に十分な固着強度を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００１１】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための最良の形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサの正面図である。
【図３】図１に示す積層セラミックコンデンサの上面図である。
【図４】図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。
【図５】図２の線Ｖ−Ｖにおける断面図である。
【図６】積層セラミックコンデンサ本体の各寸法を示す図解図である。
【図７】半田の体積を求めるために複数位置で測定される外部電極と金属端子との間隔を示す図解図である。
【図８】積層セラミックコンデンサを実装した基板の振動音を測定するための装置の一例を示す図解図である。
【図９】積層セラミックコンデンサと金属端子の固着強度の測定方法を示す図解図である。
【図１０】従来の積層セラミックコンデンサを基板に実装した状態を示す図解図である。
【図１１】図１０に示す積層セラミックコンデンサの問題点を解決するために提案された従来の積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１はこの発明の積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図であり、図２はその正面図であり、図３はその上面図である。また、図４は、図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図であり、図５は図２の線Ｖ−Ｖにおける断面図である。
【００１４】
この積層セラミックコンデンサ１０は、積層セラミックコンデンサ本体１２を含む。積層セラミックコンデンサ本体１２は、たとえば直方体状の基体１４を含む。
【００１５】
基体１４は、積層された複数のセラミック層１６からなり、互いに対向する第１の主面１８ａおよび第２の主面１８ｂと、互いに対向する第１の側面２０ａおよび第２の側面２０ｂと、互いに対向する第１の端面２２ａおよび第２の端面２２ｂとを有する。基体１４は、角部２４および稜部２６にそれぞれ丸みがつけられていることが好ましい。
なお、第１の主面１８ａと第２の主面１８ｂとが対向する方向を高さ方向、第１の側面２０ａと第２の側面２０ｂとが対向する方向を幅方向、第１の端面２２ａと第２の端面２２ｂとが対向する方向を長さ方向とする。
【００１６】
基体１４を形成するためのセラミック層１６のセラミック材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などの主成分からなる誘電体セラミックを用いることができる。また、セラミック層１６のセラミック材料としては、それらの主成分にＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を添加したものが用いられてもよい。基体１４の各セラミック層１６の厚みは、０．５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００１７】
基体１４の内部には、セラミック層１６間に、複数の第１の内部電極２８ａおよび複数の第２の内部電極２８ｂが交互に配置される。第１の内部電極２８ａおよび第２の内部電極２８ｂの材料としては、それぞれ、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。各第１の内部電極２８ａの厚みまたは各第２の内部電極２８ｂの厚みは、それぞれ、０.３μｍ〜２.０μｍであることが好ましい。
【００１８】
第１の内部電極２８ａは、第１の対向部３０ａと、第１の引出し部３２ａと、第１の露出部３４ａとを有する。第１の対向部３０ａは、第２の内部電極２８ｂと対向する。第１の引出し部３２ａは、第１の対向部３０ａから基体１４の第１の端面２２ａに引出される。第１の露出部３４ａは、基体１４の第１の端面２２ａに露出する。
【００１９】
第２の内部電極２８ｂは、第１の内部電極２８ａと同様に、第１の内部電極２８ａと対向する第２の対向部３０ｂと、第２の対向部３０ｂから基体１４の第２の端面２２ｂに引出された第２の引出し部３２ｂと、基体１４の第２の端面２２ｂに露出する第２の露出面３４ｂとを有する。
【００２０】
基体１４の外表面には、第１の外部電極３６ａおよび第２の外部電極３６ｂが配置される。第１の外部電極３６ａは、基体１４の第１の端面２２ａを覆い、第１および第２の主面１８ａ、１８ｂと第１および第２の側面２０ａ、２０ｂに回り込むように形成される。この第１の外部電極３６ａは、基体１４の第１の端面２２ａにおいて、第１の内部電極２８ａの第１の露出部３４ａに接続される。同様に、第２の外部電極３６ｂは、基体１４の第２の端面２２ｂを覆い、第１および第２の主面１８ａ、１８ｂと第１および第２の側面２０ａ、２０ｂに回り込むように形成される。この第２の外部電極３６ｂは、基体１４の第２の端面２２ｂにおいて、第２の内部電極２８ｂの第２の露出部３４ｂに接続される。
【００２１】
第１の外部電極３６ａおよび第２の外部電極３６ｂの材料としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができるが、中でもＣｕを用いることが好ましい。第１の外部電極３６ａおよび第２の外部電極３６ｂの厚みは、１０μｍ〜８０μｍであることが好ましい。
【００２２】
積層セラミックコンデンサ本体１２の第１の外部電極３６ａには、半田接合によって第１の金属端子３８ａが取り付けられる。また、積層セラミックコンデンサ本体１２の第２の外部電極３６ｂには、半田接合によって第２の金属端子３８ｂが取り付けられる。第１の金属端子３８ａは、第１の外部電極３６ａに接続される第１の接続部４０ａと、後述の基板に接続される第２の接続部４２ａとがＬ字状に配置された形状に形成される。第１の金属端子３８ａの幅は、基体１４の第１の端面２２ａを覆う部分における第１の外部電極３６ａの幅方向の長さと同じとなるように設定される。また、第１の金属端子３８ａの長さは、基体１４の第１の端面２２ａを覆う部分における第１の外部電極３６ａの高さ方向の長さより長くなるように形成される。この第１の外部電極３６ａの端部に沿って基体１４の第１の主面１８ａが配置されるように、第１の金属端子３８ａの第１の接続部４０ａが半田４４で第１の外部電極３６ａに接続される。したがって、基体１４の第１の端面２２ａ上の第１の外部電極３６ａが第１の金属端子３８ａで覆われるようにして、第１の金属端子３８ａが第１の外部電極３６ａに接続される。
【００２３】
第２の金属端子３８ｂも第１の金属端子３８ａと同様に形成され、その第１の接続部４２ａが半田４４で第２の外部電極３６ｂに接続される。ここで、第１の金属端子３８ａの第２の接続部４０ｂおよび第２の金属端子３８ｂの第２の接続部４２ｂは、積層セラミックコンデンサ本体１２の内側に向かって延びるように配置される。
【００２４】
なお、第１の金属端子３８ａの第２の接続部４２ａの長さ方向の長さは、基体１４の第２の主面１８ｂに形成される第１の外部電極３６ａの長さ方向の長さよりも長く形成されていてもよい。同様に、第２の金属端子３８ｂの第２の接続部４２ｂの長さ方向の長さは、基体１４の第２の主面１８ｂに形成される第２の外部電極３６ｂの長さ方向の長さよりも長く形成されていてもよい。これによって、積層セラミックコンデンサ１０をマウントする際において、積層セラミックコンデンサ１０を下方からカメラで画像認識して部品の位置を検出する場合、積層セラミックコンデンサ１０の第１、第２の外部電極３６ａ，３６ｂを第１、第２の金属端子３８ａ，３８ｂとして誤認識することを防止でき、検出ミスを防止することができる。
また、第１の金属端子３８ａの第２の接続部４２ａの長さ方向の長さは、第１の接続部４０ａの第１の外部電極３６ａと対応しない部分の長さよりも長く形成されていてもよく、第１の外部電極３６ａに接続される第１の接続部４０ａと、後述の基板に接続される第２の接続部４２ａとがＬ字状に配置された角部は丸みが付けられていてもよい。同様に、第２の金属端子３８ｂの第２の接続部４２ｂの長さ方向の長さは、第１の接続部４０ｂの第１の外部電極３６ｂと対応しない部分の長さよりも長く形成されていてもよく、第１の外部電極３６ｂに接続される第１の接続部４０ｂと、後述の基板に接続される第２の接続部４２ｂとがＬ字状に配置された角部は丸みが付けられていてもよい。
【００２５】
金属端子３８ａ、３８ｂは、好ましくは、端子本体の表面に形成されためっき膜を含む。端子本体は、たとえば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成される。特に、端子本体は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。具体的には、端子本体の母材として、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金などが用いられる。端子本体の厚みは、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２６】
めっき膜は、たとえば、端子本体を覆う下層めっき膜と、下層めっき膜を覆う上層めっき膜とで構成される。下層めっき膜および上層めっき膜のそれぞれは、複数のめっき膜によって構成されていてもよい。
【００２７】
下層めっき膜は、たとえば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成される。特に、下層めっき膜は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。下層のめっき膜の厚みは１．０μｍ〜５．０μｍ程度であることが好ましい。端子本体および下層めっき膜のそれぞれが、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成することにより、外部電極３６ａ、３６ｂの耐熱性を向上させることができる。
【００２８】
上層めっき膜は、たとえば、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金で形成される。特に、上層めっき膜は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなることが好ましい。上層めっき膜の厚みは、１．０μｍ〜５．０μｍ程度であることが好ましい。上層めっき膜をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金で形成することにより、金属端子３８ａ、３８ｂと外部電極３６ａ、３６ｂとの半田付き性を向上させることができる。
【００２９】
半田４４としては、たとえば、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系などのＬＦ半田を用いることができる。中でも、Ｓｎ−Ｓｂ系半田の場合には、Ｓｂの含有率が５〜１５％程度であることが好ましい。
【００３０】
このような積層セラミックコンデンサ１０において、積層セラミックコンデンサ本体１２の体積をＶｃとし、外部電極３６ａ、３６ｂと金属端子３８ａ、３８ｂの一対における半田４４の体積をＶｈとしたとき、２１≦Ｖｃ／Ｖｈ≦３２０の関係を満たすように、各体積ＶｃおよびＶｈが設定される。ここで、半田４４の体積Ｖｈは、積層セラミックコンデンサ本体１２の対向する２つの端面における半田４４の体積の平均値で示される値である。
【００３１】
次に、積層セラミックコンデンサ本体１２の製造方法の一例について説明する。
【００３２】
まず、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストを準備する。セラミックグリーンシートや各種導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００３３】
次に、セラミックグリーンシート上に、たとえば、スクリーン印刷などにより所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
【００３４】
そして、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層し、その上に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層することによって、マザー積層体を作製する。
【００３５】
それから、マザー積層体を静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスする。
【００３６】
そして、プレスしたマザー積層体を所定のサイズにカットし、生のセラミック積層体を切り出す。このとき、バレル研磨などにより生のセラミック積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。
【００３７】
それから、生のセラミック積層体を焼成する。この場合、焼成温度は、基体や内部電極の材料にもよるが、９００℃〜１３００℃であることが好ましい。焼成後のセラミック積層体は、積層セラミックコンデンサの基体１４、第１の内部電極２８ａおよび第２の内部電極２８ｂとなる。
【００３８】
焼成後のセラミック積層体の第１の端面上に外部電極用導電性ペーストを付与し、焼き付けることにより、外部電極３６ａ、３６ｂを形成する。ここで、焼付け温度は、７００℃〜９００℃であることが好ましい。なお、外部電極用導電性ペーストの焼付けおよび上述の生のセラミック積層体の焼成は、たとえば、大気中、Ｎ２雰囲気中、水蒸気＋Ｎ２雰囲気中などにおいて行われる。
【００３９】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサ本体１２の外部電極３６ａ、３６ｂに、半田４４を用いて、第１および第２の金属端子３８ａ、３８ｂが接続される。このとき、たとえば、リフロー半田付けによって金属端子３８ａ、３８ｂが積層セラミックコンデンサ本体１２に接続されるが、その半田付け温度として、２７０℃〜２９０℃の熱が３０秒以上与えられる。
【００４０】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサ１０は、基板５０上に搭載される。このとき、第１の金属端子３８ａの第２の接続部４０ｂおよび第２の金属端子３８ｂの第２の接続部４２ｂが、基板５０上に半田付けされる。ここで、金属端子３８ａ、３８ｂの第１の接続部４０ａ、４２ａの長さが外部電極３６ａ、３６ｂの短辺方向の長さより長くなるように形成されているため、積層セラミックコンデンサ本体１２が基板５０の表面から浮いた状態で基板５０上に取り付けられる。
【００４１】
この積層セラミックコンデンサ１０に交流電圧を印加することにより、セラミック層１６に機械的歪みが発生する。しかしながら、積層セラミックコンデンサ本体１２が基板５０の表面から浮いた状態で、金属端子３８ａ、３８ｂによって支持されているため、金属端子３８ａ、３８ｂの弾性変形によって積層セラミックコンデンサ本体１２に発生する変形が吸収される。
【００４２】
しかしながら、半田４４の体積が大きくなると、相対的に端子剛性が上がる。そのため、金属端子３８ａ、３８ｂが曲がりにくくなり、積層セラミックコンデンサ本体１２で発生する変形が吸収されにくくなる。それにより、積層セラミックコンデンサ本体１２で発生する変形が基板５０に伝わりやすくなり、基板５０の振動音（鳴き）が大きくなる。
【００４３】
反対に、半田４４の体積が小さくなると、相対的に端子剛性が下がる。そのため、金属端子３８ａ、３８ｂが曲がりやすくなり、積層セラミックコンデンサ本体１２で発生する変形が吸収されやすくなる。それにより、積層セラミックコンデンサ本体１２で発生する変形が基板５０に伝わりにくくなり、基板５０の振動音（鳴き）が小さくなる。ただし、半田４４の体積が小さくなりすぎると、金属端子３８ａ、３８ｂと外部電極３６ａ、３６ｂとの固着強度が小さくなる。
【００４４】
この発明の積層セラミックコンデンサ１０においては、積層セラミックコンデンサ本体１２の体積をＶｃ、外部電極３６ａ、３６ｂと金属端子３８ａ、３８ｂの１対における半田４４の体積をＶｈとしたとき、２１≦Ｖｃ／Ｖｈ≦３２０の関係を満たすように設定されている。ここで、外部電極３６ａ、３６ｂと金属端子３８ａ、３８ｂの１対における半田４４の体積Ｖｈは、積層セラミックコンデンサ本体１２の２つの端面２２ａ、２２ｂにおける半田４４の体積の平均値で示される値である。Ｖｃ／Ｖｈの値が２１以上であれば、積層セラミックコンデンサ本体１２で発生する変形を良好に吸収することができる。また、Ｖｃ／Ｖｈが３２０以下であれば、積層セラミックコンデンサ本体１２に対する半田４４の体積の割合が大きくなり、金属端子３８ａ、３８ｂと外部電極３６ａ、３６ｂとの固着強度を十分に大きくすることができる。
【実施例１】
【００４５】
上記の製造方法にしたがって、チップサイズ３．２（±０．２）ｍｍ×１．６（±０．２）ｍｍ×１．６（±０．２）ｍｍ（±０．２ｍｍは、製造公差である）、容量１０μＦの積層セラミックコンデンサ本体１２を準備し、表１に示すように試料１〜９の積層セラミックコンデンサ１０を作製した。なお、積層セラミックコンデンサ本体１２と金属端子３８ａ，３８ｂの取付けは、Ｓｂが１０％含有されたＳｎ−Ｓｂ半田によって取り付けた。次に、これらの積層セラミックコンデンサ１０について、積層セラミックコンデンサ本体１２の体積Ｖｃと外部電極３６ａ、３６ｂと金属端子３８ａ、３８ｂの１対における半田４４の体積Ｖｈとの比Ｖｃ／Ｖｈと、基板５０の振動音（鳴き）との関係について調べた。また、比較例として、試料１〜９で用いたのと同じ積層セラミックコンデンサ本体１２を準備した。ただし、比較例には金属端子を取り付けなかった。
【００４６】
まず、積層セラミックコンデンサ本体１２の体積Ｖｃを求めるために、図６に示すように、外部電極３６ａ、３６ｂ部分を含めた積層セラミックコンデンサ本体１２の長さＬ、幅Ｗ、高さＴをマイクロメータで測定し、規格寸法＋製造公差の寸法の範囲内であることを確認した。ここで、規格寸法＋製造公差の寸法の範囲内のものを、規格寸法（３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍ）とみなして、積層セラミックコンデンサ本体１２の体積ＶｃをＶｃ＝Ｌ×Ｗ×Ｔによって定義した。
【００４７】
次に、外部電極３６ａ、３６ｂと金属端子３８ａ、３８ｂの１対における半田４４の体積をＶｈを求めるために、積層セラミックコンデンサ本体１２の幅Ｗおよび高さＴから、端面面積Ｓ＝Ｗ×Ｔを求めた。さらに、図７に示すように、光学顕微鏡により、第１の外部電極３６ａと第１の金属端子３８ａとの間において、間隔Ｅ１１、Ｅ１２、Ｅ１３の３箇所を測定した。これらの間隔Ｅ１１、Ｅ１２、Ｅ１３の３箇所の平均値を第１の外部電極３６ａと第１の金属端子３８ａとの間隔Ｅ１とした。そして、積層セラミックコンデンサ本体１２の端面面積Ｓおよび第１の外部電極３６ａと第１の金属端子３８ａとの間隔Ｅ１の積Ｖｈ１＝Ｓ×Ｅ１から、第１の外部電極３６ａと第１の金属端子３８ａとの間の半田４４の体積Ｖｈ１を求めた。
【００４８】
同様にして、第２の外部電極３６ｂと第２の金属端子３８ｂとの間隔Ｅ２１、Ｅ２２、Ｅ２３の３箇所を測定し、その平均値から第２の外部電極３６ｂと第２の金属端子３８ｂとの間隔Ｅ２を求めた。そして、第２の外部電極３６ｂと第２の金属端子３８ｂとの間の半田４４の体積Ｖｈ２をＶｈ２＝Ｓ×Ｅ２から求めた。得られた２つの半田４４の体積Ｖｈ１、Ｖｈ２の平均値を求めて、外部電極３６ａ、３６ｂと金属端子３８ａ、３８ｂの１対における半田４４の体積Ｖｈとした。
【００４９】
そして、積層セラミックコンデンサ１０を半田により厚み１．６ｍｍのガラスエポキシ基板５０に取り付け、図８に示すような装置６０で基板５０の振動音（鳴き）を測定した。つまり、積層セラミックコンデンサ１０を実装した基板５０を無響箱６２内に設置し、積層セラミックコンデンサ１０に対して、周波数：３ｋＨｚ、電圧：１Ｖｐｐの交流電圧を印加した。そして、その際に発生する振動音（鳴き）を集音マイク６４で集音し、騒音計６６およびＦＦＴアナライザ（株式会社小野測器製  ＣＦ−５２２０）６８で集音された音の音圧レベルを測定した。なお、集音マイク６４は、基板５０から３ｍｍだけ離して設置した。
【００５０】
得られた結果を表１に示す。表１には、Ｖｃ／Ｖｈと基板振動音圧レベルとの関係を示すとともに、金属端子を設けず、積層セラミックコンデンサ本体１２の外部電極３６ａ、３６ｂを直接基板５０に半田付けした場合の振動音圧レベルに対する音圧レベル比を示した。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
表１からわかるように、Ｖｃ／Ｖｈが２１以上になると、金属端子がない積層セラミックコンデンサに比べて、基板振動音圧レベルを４０％以上引き下げることができる。
【００５３】
また、図９に示すように、基板５０に積層セラミックコンデンサ本体１２を半田によって取り付け、積層セラミックコンデンサ本体１２の側面に加工治具を速度０．５ｍｍ／ｓの力で押し当て、外部電極３６ａ、３６ｂと金属端子３８ａ、３８ｂとの固着強度を調べた。その結果、Ｖｃ／Ｖｈが３２０以下において、３０Ｎ以上の固着強度を得ることができた。
なお、本実施例では、チップサイズが３．２（±０．２）ｍｍ×１．６（±０．２）ｍｍ×１．６（±０．２）ｍｍ（±０．２ｍｍは、製造公差である）のものを用いたが、この他にも、１．０（±０．０５）ｍｍ×０．５（±０．０５）ｍｍ×０．５（±０．０５）ｍｍ、１．６（±０．１）ｍｍ×０．８（±０．１）ｍｍ×０．８（±０．１）ｍｍ、２．０（±０．１）ｍｍ×１．２５（±０．１）ｍｍ×１．２５（±０．１）ｍｍ、３．２（±０．３）ｍｍ×２．５（±０．２）ｍｍ×２．５（±０．２）ｍｍ、などを用いることができる。
その場合、本実施例と同様、外部電極３６ａ，３６ｂ部分を含めた積層セラミックコンデンサ本体１２の長さＬ、幅Ｗ、高さＴは、マイクロメータで測定し、規格寸法＋製造公差の寸法の範囲内であることを確認し、企画寸法＋製造公差の寸法の範囲内のものを、規格寸法（製造公差は除く）とみなして、積層セラミックコンデンサ本体１２の体積Ｖｃを求めることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  積層セラミックコンデンサ本体
１４  基体
１６  セラミック層
２８ａ  第１の内部電極
２８ｂ  第２の内部電極
３６ａ  第１の外部電極
３６ｂ  第２の外部電極
３８ａ  第１の金属端子
３８ｂ  第２の金属端子
４４  半田
５０  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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