(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の上面に第１の箔体が形成され下面に第２の箔体が形成された、複数の磁気素子に切断可能な絶縁基板を用意し、
前記絶縁基板の各磁気素子となる領域間の位置に貫通孔を形成し、各磁気素子となる領域内にスルーホールを形成する第１工程、
前記第１の箔体及び前記第２の箔体に重ねて、第１のめっき層を形成し、このとき、前記スルーホール内に前記第１のめっき層による導通層を形成するとともに、前記第１の箔体の表面から前記貫通孔内の側壁面、及び前記第２の箔体の表面にかけて前記第１のめっき層を形成する第２工程、
フォトリソグラフィ技術を用いて、前記絶縁基材の上面側に、前記第１の箔体及び前記第１のめっき層を有して成る第１のコイルを形成し、さらに、前記絶縁基材の下面側に、前記第２の箔体及び前記第１のめっき層を有して成る第２のコイルを形成し、
このとき、前記第１のコイルの内側及び前記第２のコイルの内側に位置する各巻き始端と前記導通層とを一体化して形成し、
さらに、前記絶縁基材の第１の側面に相当する前記貫通孔の第１の側壁面に形成された第１の側面部と、前記第１の側面部から前記絶縁基材の上面に延出し前記第１のコイルの外側に位置する巻き終端と一体化された第１の上面部と、前記第１の側面部から前記絶縁基材の下面に延出した第１の下面部とを有する第１の取出電極層を形成するとともに、前記絶縁基材の前記第１の側面と異なる第２の側面に相当する前記貫通孔の第２の側壁面に形成された第２の側面部と、前記第２の側面部から前記絶縁基材の下面に延出し前記第２のコイルの外側に位置する巻き終端と一体化された第２の下面部とを有する第２の取出電極層を形成する第３工程、
前記絶縁基板を切断して、複数の前記磁気素子を得る第４工程、
を有する磁気素子の製造方法であって、
前記第３工程と前記第４工程との間に、
前記第１の取出電極層及び前記第２の取出電極層の前記第１のめっき層の表面に前記第１のめっき層と同じ材料からなる第２のめっき層を重ねて形成する第５工程、
を有し、
前記第５工程の後に、前記第１のコイルの上面側に重ねて第１の磁性体層を設け、前記第２のコイルの下面側に重ねて第２の磁性体層を設ける第６工程を有し、前記第１の磁性体層、及び前記第１の上面部の各表面を略同一面とし、あるいは前記第１の上面部の表面を前記第１の磁性体層の表面よりも前記絶縁基材から離れる方向に突出させ、前記第２の磁性体層、前記第１の下面部及び前記第２の下面部の各表面を略同一面とし、あるいは前記第１の下面部及び前記第２の下面部の各表面を前記第２の磁性体層の表面よりも前記絶縁基材から離れる方向に突出させることを特徴とする磁気素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の取出電極層及び前記第２の取出電極層の最表面に、はんだランドを形成する請求項１に記載の磁気素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２の取出電極層には、前記第２の側面部及び前記第２の下面部とともに、前記第２の側面部から前記絶縁基材の上面に延出し前記第１の上面部と同じ構造の第２の上面部を形成する請求項１又は２に記載の磁気素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１の箔体、前記第２の箔体、前記第１のめっき層、および前記第２のめっき層がすべてＣｕからなる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１のめっき層は無電解めっき法で形成され、前記第２のめっき層は電解めっき法で形成される請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基材の表面にコイルと、コイルから引き出された取出電極層とを備える磁気素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献には、平面インダクタ等として用いられる薄膜磁気素子に関する発明が開示されている。
【０００３】
特許文献１や特許文献２には、絶縁基材の上下面にコイルが形成された積層構造が開示されている。ただし、特許文献１や特許文献２には、コイルに電気的に接続される取出電極層の構造について開示されていない。
【０００４】
一方、特許文献３，特許文献４及び特許文献５には、取出電極層の構造が開示されているものの、コイルとは別に形成しており、接触抵抗が増大する問題があった。また接触抵抗は、絶縁基材の上下にコイルが設置された構成では、絶縁基材に形成されたスルーホールを介して各コイルと導通する導通層との間でも生じた。
【０００５】
また従来では、コイルの形成工程と取出電極層の形成工程とが別々になり、製造効率の低下等が問題となった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−３６３００６号公報
【特許文献２】特開２０００−２４３６３７号公報
【特許文献３】特開平８−１１５８４０号公報
【特許文献４】特開平９−２７０３４２号公報
【特許文献５】特開２０００−６８１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで本発明は、上記の従来課題を解決するためのものであり、特に、従来に比べて接触抵抗を低減できる磁気素子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また本発明は、コイル及び取出電極層の製造効率を向上させることができる磁気素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明における磁気素子の製造方法は、
絶縁基材の上面に第１の箔体が形成され下面に第２の箔体が形成された、複数の磁気素子に切断可能な絶縁基板を用意し、
前記絶縁基板の各磁気素子となる領域間の位置に貫通孔を形成し、各磁気素子となる領域内にスルーホールを形成する第１工程、
前記第１の箔体及び前記第２の箔体に重ねて、第１のめっき層を形成し、このとき、前記スルーホール内に前記第１のめっき層による導通層を形成するとともに、前記第１の箔体の表面から前記貫通孔内の側壁面、及び前記第２の箔体の表面にかけて前記第１のめっき層を形成する第２工程、
フォトリソグラフィ技術を用いて、前記絶縁基材の上面側に、前記第１の箔体及び前記第１のめっき層を有して成る第１のコイルを形成し、さらに、前記絶縁基材の下面側に、前記第２の箔体及び前記第１のめっき層を有して成る第２のコイルを形成し、
このとき、前記第１のコイルの内側及び前記第２のコイルの内側に位置する各巻き始端と前記導通層とを一体化して形成し、
さらに、前記絶縁基材の第１の側面に相当する前記貫通孔の第１の側壁面に形成された第１の側面部と、前記第１の側面部から前記絶縁基材の上面に延出し前記第１のコイルの外側に位置する巻き終端と一体化された第１の上面部と、前記第１の側面部から前記絶縁基材の下面に延出した第１の下面部とを有する第１の取出電極層を形成するとともに、前記絶縁基材の前記第１の側面と異なる第２の側面に相当する前記貫通孔の第２の側壁面に形成された第２の側面部と、前記第２の側面部から前記絶縁基材の下面に延出し前記第２のコイルの外側に位置する巻き終端と一体化された第２の下面部とを有する第２の取出電極層を形成する第３工程、
前記絶縁基板を切断して、複数の前記磁気素子を得る第４工程、
を有する磁気素子の製造方法であって、
前記第３工程と前記第４工程との間に、
前記第１の取出電極層及び前記第２の取出電極層の前記第１のめっき層の表面に前記第１のめっき層と同じ材料からなる第２のめっき層を重ねて形成する第５工程、
を有し、
前記第５工程の後に、前記第１のコイルの上面側に重ねて第１の磁性体層を設け、前記第２のコイルの下面側に重ねて第２の磁性体層を設ける第６工程を有し、前記第１の磁性体層、及び前記第１の上面部の各表面を略同一面とし、あるいは前記第１の上面部の表面を前記第１の磁性体層の表面よりも前記絶縁基材から離れる方向に突出させ、前記第２の磁性体層、前記第１の下面部及び前記第２の下面部の各表面を略同一面とし、あるいは前記第１の下面部及び前記第２の下面部の各表面を前記第２の磁性体層の表面よりも前記絶縁基材から離れる方向に突出させることを特徴とする。
【００２１】
上記により、前記第１の取出電極層及び前記第２の取出電極層における第１のめっき層上に第２のめっき層を重ねて形成でき、第１の取出電極層の第１の上面部及び第１の下面部、第２の取出電極層の第２の下面部を、各コイルよりも厚く形成できる。このため、コイルの表面側に重ねて磁性体層を設けたとき、各磁性体層、第１の取出電極層及び第２の取出電極層の各表面を略同一面で形成でき、あるいは下面部及び上面部の各表面を各磁性体層の各表面よりも突出させる構造にできる。
【００２２】
また本発明では、前記第１の取出電極層及び前記第２の取出電極層の最表面に、はんだランドを形成することが好ましい。
【００２３】
また本発明では、前記第２の取出電極層には、前記第２の側面部及び前記第２の下面部とともに、前記第２の側面部から前記絶縁基材の上面に延出し前記第１の上面部と同じ構造の第２の上面部を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の磁気素子の製造方法によれば、従来に比べて、第１のコイルと第１の取出電極層間、第２のコイルと第２の取出電極層間及び、各コイルと導通層間の接触抵抗を低減できる磁気素子が得られる。
【００２５】
また本発明の磁気素子の製造方法によれば、各コイル、導通層及び各取出電極層を、同じ工程で形成でき、各コイル、導通層及び各取出電極層を一体化形成できる。よって製造効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１（ａ）は、本実施形態における薄型インダクタの平面図であり、特に、絶縁基材上に設けられた第１のコイルと、取出電極層の上面部の平面図であり、絶縁基材下に設けられた第２のコイルを点線で示した図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た本実施形態における薄型インダクタの縦断面図であり、図１（ｃ）は、絶縁基材下に設けられる第２のコイル及び取出電極層の下面部の平面図である。
【図２】図２は、図１（ｂ）に示す薄型インダクタの部分拡大縦断面図である。
【図３】図３（ａ）、図３（ｂ）は、第１のコイル及び第２のコイルの平面図である。
【図４】図４は、別の実施形態における薄型インダクタの縦断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｆ）は、本実施形態における薄型インダクタの製造方法を説明するための工程図（縦断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１（ａ）は、本実施形態における薄型インダクタの平面図であり、特に、絶縁基材上に設けられた第１のコイルと、取出電極層の上面部の平面図であり、絶縁基材下に設けられた第２のコイルを点線で示した図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た本実施形態における薄型インダクタの縦断面図であり、図１（ｃ）は、絶縁基材下に設けられる第２のコイル及び取出電極層の下面部の平面図であり、図２は、図１（ｂ）に示す薄型インダクタの部分拡大縦断面図である。
【００２８】
図１（ｂ）に示すように薄型インダクタ（磁気素子）１０は、絶縁基材１１と、第１のコイル１２と、第２のコイル１３と、導通層１４と、第１の取出電極層１５と、第２の取出電極層１６と、磁性シート（磁性体層）１７，３０と、を有して構成される。
【００２９】
絶縁基材１１の材質は特に限定しないが、後述する各コイル１２，１３の銅箔（箔体）を合わせて、ガラスエポキシ基板であることが好適である。
【００３０】
図１（ａ）では、絶縁基材１１の平面は、正方形や矩形状であるが、形状を限定するものでない。
【００３１】
図１（ａ）（ｂ）に示すように、第１のコイル１２は、絶縁基材１１の上面１１ａに形成される。また図１（ｂ）に示すように第２のコイル１３は、絶縁基材１１の下面１１ｂに形成される。
【００３２】
図１（ａ）に示すように、第１のコイル１２は、内側の巻き始端１２ａから外側の巻き終端１２ｂにかけて直角に折れ曲がりながら巻回された平面コイルである。図１（ａ）に示すように、第１のコイル１２は、巻き始端１２ａからの最初の延出方向α１がＸ１方向とされている。
【００３３】
また、図１（ｃ）に示すように、第２のコイル１３は、内側の巻き始端１３ａから外側の巻き終端１３ｂにかけて直角に折れ曲がりながら巻回された平面コイルである。図１（ｃ）に示すように、第２のコイル１３は、巻き始端１３ａからの最初の延出方向α２がＸ２方向とされている。
【００３４】
図１（ｂ）に示すように絶縁基材１１の略中央には、上面１１ａから下面１１ｂにかけて貫通するスルーホール１１ｃが形成されている。図１（ｂ）に示すようにスルーホール１１ｃ内には導通層１４が設けられている。そして導通層１４と第１のコイル１２の巻き始端１２ａとが電気的に接続され、導通層１４と第２のコイル１３の巻き始端１３ａとが電気的に接続されている。
【００３５】
図１（ｂ）に示すように、絶縁基材１１の第１の側面（Ｘ１側面）１１ｄ側に第１の取出電極層１５が形成されている。また図１（ｂ）に示すように、絶縁基材１１の第２の側面（Ｘ２側側面）１１ｅ側に第２の取出電極層１６が形成されている。
【００３６】
図１（ｂ）に示すように第１の取出電極層１５は、絶縁基材１１の第１の側面１１ｄに形成された第１の側面部１５ａと、第１の側面部１５ａから絶縁基材１１の上面１１ａに延出し、第１のコイル１２の巻き終端１２ｂに接続される第１の上面部１５ｂと、第１の側面部１５ａから絶縁基材１１の下面１１ｂに延出する第１の下面部１５ｃとを有して構成される。
【００３７】
図１（ａ）に示すように、絶縁機材１１の上面１１ａには第１の取出電極層１５の第１の上面部１５ｂが現れている。また、図１（ｃ）に示すように、絶縁基材１１の下面１１ｂには第１の取出電極層１５の第１の下面部１５ｃが現れている。
【００３８】
図１（ｂ）に示すように第２の取出電極層１６は、絶縁基材１１の第２の側面１１ｅに形成された第２の側面部１６ａと、第２の側面部１６ａから絶縁基材１１の上面１１ａに延出する第２の上面部１６ｂと、第２の側面部１６ａから絶縁基材１１の下面１１ｂに延出し、第２のコイル１３の巻き終端１３ｂに接続される第２の下面部１６ｃとを有して構成される。なお、図１（ａ）においては、後述するように第１のコイル１２と、第２のコイル１３とのターン数を一致させるため、第２の側面１１ｅを第１の側面１１ｄと向かい合う反対側に位置させているが、薄型インダクタ１０を実装基板２５に実装させる際、実装基板２５の接続端子２５ａの配線パターンの位置に応じて、第１の側面１１ｄと隣り合う位置とすることも可能である。
【００３９】
図１（ａ）に示すように、絶縁機材１１の上面１１ａには第２の取出電極層１６の第２の上面部１６ｂが現れている。また、図１（ｃ）に示すように、絶縁基材１１の下面１１ｂには第２の取出電極層１６の第２の下面部１６ｃが現れている。
【００４０】
図１（ｂ）、図２に示すように、第１のコイル１２は、絶縁基材１１の上面１１ａに形成された第１の箔体（例えば銅箔）１８と、第１の箔体１８の表面１８ａに重ねて形成された第１のめっき層１９との積層構造で形成される。
【００４１】
また図１（ｂ）、図２に示すように、第２のコイル１３は、絶縁基材１１の下面１１ｂに形成された第２の箔体（例えば銅箔）２０と、第２の銅箔２０の表面２０ａに重ねて形成された第１のめっき層１９との積層構造で形成される。
【００４２】
図１（ｂ）、図２に示すように、第１の取出電極層１５の第１の上面部１５ｂは、第１のコイル１２と同様に、第１の箔体１８と、第１のめっき層１９との積層構造を有する。第１の上面部１５ｂにおいて、第１の箔体１８と、第１のめっき層１９との積層構造を内層２１とする。また図１（ｂ）、図２に示すように、第１の取出電極層１５の第１の下面部１５ｃは、第２のコイル１３と同様に、第２の箔体２０と、第１のめっき層１９との積層構造を有する。第１の下面部１５ｃにおいて、第２の箔体２０と、第１のめっき層１９との積層構造を内層２２とする。
【００４３】
図２に示すように、第１の取出電極層１５の第１の上面部１５ｂの内層２１と、第１のコイル１２とはほぼ同じ膜厚であり、第１の取出電極層１５の第１の下面部１５ｃの内層２２と、第２のコイル１３とはほぼ同じ膜厚である。
【００４４】
図１（ｂ）、図２に示すように、第１の取出電極層１５の第１の上面部１５ｂを構成する内層２１の表面には外層としての第２のめっき層２３が形成される。また、第１の取出電極層１５の第１の下面部１５ｃを構成する内層２２の表面には外層としての第２のめっき層２３が形成される。
【００４５】
また図１（ｂ）、図２に示すように、第１の取出電極層１５の第１の側面部１５ａは、第１のめっき層１９と第２のめっき層２３との積層構造で形成される。
【００４６】
第１の取出電極層１５の第１の側面部１５ａでは、第１のめっき層１９が、絶縁基材１１の第１の側面１１ｄに直接、形成され、前記第１のめっき層１９の表面に第２のめっき層２３が重ねて形成されている。
【００４７】
上記では第１の取出電極層１５の積層構造について説明したが、第２の取出電極層１６についても同様である。すなわち図１（ｂ）に示すように、第２の取出電極層１６の第２の側面部１６ａは、第１のめっき層１９と第２のめっき層２３との積層構造であり、第２の上面部１６ｂは、第１の箔体１８と、第１のめっき層１９と第２のめっき層２３との積層構造であり、第２の下面部１６ｃは、第２の箔体２０と、第１のめっき層１９と第２のめっき層２３との積層構造である。
【００４８】
図１（ｂ）に示すように導通層１４は、第１のめっき層１９で形成されている。
例えば、第１の箔体１８、２０は銅箔であり、第１のめっき層１９及び第２のめっき層２３は銅めっきである。よって内層２１，２２と外層である第２のめっき層２３とが一体化している。
【００４９】
図１（ａ）（ｂ）、図２に示すように、第１のコイル１２と第１の取出電極層１５とは、共通の第１の箔体１８及び第１のめっき層１９からなる積層構造を備えて一体化されており、また第２のコイル１３と第２の取出電極層１６とは、共通の第２の箔体２０及び第１のめっき層１９からなる積層構造を備えて一体化されている。また、導通層１４は第１のめっき層１９で形成され、第１のめっき層１９を備える第１のコイル１２及び第２のコイル１３と一体化して形成されている。
【００５０】
このように本実施形態では、第１のコイル１２、第２のコイル１３、第１の取出電極層１５、第２の取出電極層１６及び導通層１４が一体的に形成されている。
【００５１】
これにより、従来のように、各コイル１２，１３と各取出電極層１５，１６とを別々に形成した構成に比べて接触抵抗の低減を図ることが出来る。本実施形態の構成によれば各コイルと各取出電極層間の接触抵抗をゼロにすることが可能である。また本実施形態ではコイル１２，１３と導通層１４間の接触抵抗の低減を図ることができ、具体的には各コイルと導通層間の接触抵抗をゼロにすることが可能である。
【００５２】
本実施形態では、絶縁基材１１の上下に第１のコイル１２と第２のコイル１３とが形成されている。これにより高いインダクタンスを得ることができる。またコイル１２，１３を絶縁基材１１の上下に形成したことで、各コイル１２、１３から取出電極層１５、１６を簡単な構造で引き出すことが出来る。
【００５３】
また本実施形態では、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６には、どちらにも上面部１５ｂ，１６ｂと下面部１５ｃ，１６ｃとが設けられている。このため、薄型インダクタ１０の上下面のどちらを、実装基板２５に向けても、前記実装基板２５に導通接続することができる。すなわち図２に示すように、第１の取出電極層１５の第１の下面部１５ｃと、図２にて図示しない第２の取出電極層１６の第２の下面部１６ｃとが実装基板２５表面の接続端子２５ａと電気的に接続されているが、図２に示す薄型インダクタを１８０度、ひっくりかえしても実装基板２５の接続端子２５ａと電気的に接続できる。よって、薄型インダクタ１０を実装基板２５の表面に簡単かつ確実に実装することができ、良好な組立性を得ることができる。なお、このような機能が必要なければ、第２のコイル１３は第２の取出電極１６と第２の下面部１６ｃにおいて接続されているため、後述するはんだ層３５が第１、第２の側面部１５ａ、１６ａと第１、第２の下面部１５ｃ間に設けられることを考慮すると、第２の上面部１６ｂは無くてもよい。
【００５４】
また図１（ｂ）、図２に示すように、各取出電極層１５，１６は、上面部１５ｂ，１６ｂ及び下面部１５ｃ，１６ｃのみならず側面部１５ａ，１６ａを備えて上面部１５ｂ，１６ｂ及び下面部１５ｃ，１６ｃと一体化し絶縁基材１１をＸ１−Ｘ２方向の両側から支える構造となっている。よって各取出電極層１５，１６を薄型インダクタの変形等を抑制する両側支持体として機能させることができる。
【００５５】
図１（ｂ）、図２に示すように、第１の取出電極層１５を構成する第１の上面部１５ｂ及び第１の下面部１５ｃと、第２の取出電極層１６を構成する第２の上面部１６ｂ及び第２の下面部１６ｃは、第１のコイル１２及び第２のコイル１３よりも厚く形成されている。
【００５６】
このため、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の各上面部１５ｂ，１６ｂ及び各下面部１５ｃ，１６ｃと、第１のコイル１２及び第２のコイル１３との間に段差を形成できる。そして、図１（ｂ）、図２に示すように、第１のコイル１２の上面には絶縁層（接着層）３１を介して第１の磁性シート１７が配置されている。また、図１（ｂ）、図２に示すように、第２のコイル１３の下面には絶縁層（接着層）３２を介して第２の磁性シート３０が配置されている。このとき、本実施形態では、図１（ｂ）、図２に示すように、第１の磁性シート１７、第１の上面部１５ｂ及び第２の上面部１６ｂの各表面が略同一面となるように、第１の磁性シート１７を配置できる。また、第２の磁性シート３０、第１の下面部１５ｃ及び第２の下面部１６ｃの各表面が略同一面となるように、第２の磁性シート３０を配置できる。
【００５７】
あるいは、本実施形態では、第１の上面部１５ｂ及び第２の上面部１６ｂの各表面を第１の磁性体層１７の表面よりも絶縁基材１１から離れる方向（上方）に突出させる形態とすることもできる。また、第１の下面部１５ｃ及び第２の下面部１６ｃの各表面を第２の磁性体層３０の表面よりも絶縁基材１１から離れる方向（下方）に突出させる形態とすることもできる。
【００５８】
以上のように、各上面部、各下面部及び各磁性体層を略同一面で形成するか、あるいは各上面部、各下面部の各表面を各磁性体層の各表面よりも外方に突出させることで、薄型インダクタ１０を実装基板２５にはんだ等で実装する際、実装不良等が発生しにくくなる。
【００５９】
本実施形態では、磁性シート１７，３０を用いたことで、Ｑ値の向上を図ることができ、また磁性シート１７，３０を磁気シールドとして用いることができる。磁性シート１７，３０の構成は特に限定されるものでない。ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド系等の絶縁シート表面にＦｅＡｌＮやＦｅＮの磁性層が形成された構成、絶縁シートの表面に、ＦｅＡｌＮやＦｅＮの磁性層とＳｉＯ2等の絶縁層とが交互に所定数、積層された構成、あるいは既存のフェライトシートやフェライト板、磁性合金薄帯等を提示できる。
【００６０】
各コイル１２，１３と各磁性シート１７，３０間を接合する絶縁層（接着層）３１，３２には、例えば、エポキシ系低温硬化剤、アクリル系低温硬化剤を用いることができる。
【００６１】
各コイル１２，１３と各磁性シート１７，３０間には絶縁層３１，３２が介在するため、磁性シート１７，３０の磁性層をコイル１２，１３側に向けて接合することもできるし、磁性シート１７，３０の磁性層を外側に向けて接合することも可能である。また、各磁性シート１７，３０の磁性層表面に予めＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＡｌＯＮ，ＡｌＮ等で絶縁膜（図示しない）を形成しておき、絶縁層３１，３２に接着剤を使用し、前記接着剤を充填した状態で、磁性シート１７，３０の磁性層をコイル１２，１３側に向けて圧着、接合する構造としても良い。この構成により接着剤が圧着によって潰れ、コイル１２，１３と磁性シート１７，３０の間隔がほぼ磁性層表面の絶縁膜のみの厚さとなり、磁性シート１７，３０とコイル１２，１３との絶縁を保持したまま薄型インダクタの厚さをさらに薄くすることが可能となり、インダクタンス値及びＱ値を向上させることも可能となる。
【００６２】
また図２に示す構成では、第１の磁性シート１７、第１の上面部１５ｂ及び第２の上面部１６ｂの各表面が略同一面とされており、また第２の磁性シート３０、第１の下面部１５ｃ及び第２の下面部１６ｃの各表面が略同一面とされていりため、各上面部１５ｂ，１６ｂや各下面部１５ｃ，１６ｃを実装基板２５に対する実装面として構成でき、実装基板２５の接続端子２５ａとの良好な電気接続性を得ることが出来る。
【００６３】
図１（ｂ）、図２に示すように、本実施形態では、第１の取出電極層１５の第１の上面部１５ｂ及び第１の下面部１５ｃが、内層２１，２２と外層（第２のめっき層２３）との積層構造で形成される。そして前記内層２１が各コイル１２，１３とほぼ同じ膜厚で形成される。なお第２の取出電極層１６も第１の取出電極層１５と同様の構成であり、以下では、第１の取出電極層１５を用いて説明する。
【００６４】
図２に示すように、第１の上面部１５ｂの内層２１及び第１のコイル１２は、同じ第１の箔体１８と第１のめっき層１９との積層構造であり、よって、第１の上面部１５ｂの内層２１及び第１のコイル１２とを同じ膜厚で形成できる。
【００６５】
また図２に示すように、第１の下面部１５ｃの内層２２及び第２のコイル１３は、同じ第２の箔体２０と第１のめっき層１９との積層構造であり、よって、第１の下面部１５ｃの内層２１及び第２のコイル１３とを同じ膜厚で形成できる。第１のめっき層１９は例えば無電解めっき層であり、これにより第１のめっき層１９を第１の箔体１８及び第２の箔体２０の表面から絶縁機材１１の第１の側面１１ｄにかけて直接形成できる。
【００６６】
そして、第１の上面部１５ｂ及び第１の下面部１５ｃを構成する第１のめっき層１９の表面に第２のめっき層２３が重ねて形成されており、これにより、第１の上面部１５ｂ及び第１の下面部１５ｃの膜厚を、第１のコイル１２及び第２のコイル１３よりも厚く形成できる。
【００６７】
また第２のめっき層２３は、第１の側面１１ｄに形成された第１のめっき層１９にも重ねて形成され、第１の側面部１５ａが第１のめっき層１９と第２のめっき層２３との積層構造で形成される。
【００６８】
第２のめっき層２３は電解めっき層であることが好ましい。無電解とすることもできるが電解めっき層としたほうが、第２のめっき層２３を短時間で厚く形成できる。
【００６９】
また第１のめっき層１９と第２のめっき層２３は同じあるいは同質の材質で形成され、一体化していることが好ましい。
【００７０】
各層の膜厚の一例を示すと、各箔体１８，２０の膜厚は３５μｍ程度、第１のめっき層１９の膜厚は３５μｍ程度、第２のめっき層２３の膜厚は６５〜７５μｍ程度である。
【００７１】
図１（ａ）、図１（ｃ）に示すように、本実施形態では、第１の取出電極層１５は絶縁基材１１の第１の側面１１ｄと同一長さで形成されている。また第２の取出電極層１６は絶縁基材１１の第２の側面１１ｅと同一長さで形成されている。図１（ａ）に示すように、第１の取出電極層１５、第１の側面１１ｄ、第２の取出電極層１６及び第２の側面１１ｅのＹ１−Ｙ２方向における長さ寸法はＬ１である。
【００７２】
また図１（ａ）に示すように、第１の取出電極層１５の第１の上面部１５ｂ及び第２の取出電極層１６の第２の上面部１６ｂはＬ１の長さ寸法を保ちながらＸ１−Ｘ２方向にＴ１の幅寸法で形成されている。また、図１（ｃ）に示すように、第１の取出電極層１５の第１の下面部１５ｃ及び第２の取出電極層１６の第２の下面部１６ｃはＬ１の長さ寸法を保ちながらＸ１−Ｘ２方向にＴ１の幅寸法で形成されている。
長さ寸法Ｌ１は、２〜５ｍｍ程度であり、幅寸法Ｔ１は０．３５ｍｍ程度である。
【００７３】
以上により第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６を広い面積で形成でき、実装基板２５の接続端子２５ａとの間の接触抵抗を低減できるとともに、各取出電極層１５，１６と接続端子２５ａ間を確実且つ簡単に電気的に接続することが可能になる。
【００７４】
また図２に示すように、本実施形態では第１の取出電極層１５の最表面にはんだランド３４が形成されている。なお第２の取出電極層１６の最表面にもはんだランドが形成されている。はんだランド３４は例えばＮｉ／Ａｕ層（Ｎｉが下地側）、Ｎｉ／Ｓｎ層、Ｎｉ／はんだ層、Ｎｉ／Ａｇ層である。はんだランド３４の膜厚は、５μｍ程度に薄く形成されている。
【００７５】
図２に示すように、第１の取出電極層１５と実装基板２５の接続端子２５ａとの間ははんだ層３５により接合されている。第１の取出電極層１５の最表面にはんだランド３４を設けたことで、第１の取出電極層１５の最表面のはんだ濡れ性が向上し、図２に示すようにフィレット状のはんだ層３５を形成することができ、第１の取出電極層１５と実装基板２５の接続端子２５ａ間の電気接続性を向上させることができる。なお第２の取出電極層１６と実装基板２５の接続端子２５ａ間についてもフィレット状のはんだ層により接合できる。
【００７６】
図１（ａ）に示すように、第１のコイル１２の巻き始端１２ａからの最初の延出方向α１は、Ｘ１方向（第１の方向）であり、一方、図１（ｃ）に示すように、第２のコイル１３の巻き始端１３ａからの最初の延出方向α２は、Ｘ２方向（第２の方向）であり、第１のコイル１２と第２のコイル１３とで延出方向が反対となっている。
【００７７】
さらに、前記延出方向α１，α２は、絶縁基材１１の第１の側面１１ｄ及び第２の側面１１ｅの長さ方向（Ｙ１−Ｙ２）に対して直交している。これにより、第１のコイル１２と第２のコイル１３とのターン数を同じにでき、またターン数を最大限に増やすことができ、インダクタンスの増加を図ることができる。
【００７８】
図３（ａ）は、図１（ａ）、図１（ｃ）と異なる別の実施形態であり、図３（ａ）の右図は、第１のコイル４０の平面図を示し、図３（ａ）の左図は、第２のコイル４１の平面図を示す。
【００７９】
図３（ａ）に示すように第１のコイル４０の巻き始端４０ａからの最初の延出方向α３はＹ１方向であり、第２のコイル４１の巻き始端４１ａからの最初の延出方向α４はＹ２方向である。
【００８０】
図３（ａ）の右図に示すように、第１のコイル４０の巻き終端４０ｂは一体化した第１の取出電極層４２に接続されており、第１の取出電極層４２は、絶縁基材の第１の側面（図示せず）の長さ方向（Ｘ１−Ｘ２）に沿って形成されている。
【００８１】
また図３（ａ）の左図に示すように、第２のコイル４１の巻き終端４１ｂは一体化した第２の取出電極層４３に接続されており、第２の取出電極層４３は、絶縁基材の第２の側面（図示せず）の長さ方向（Ｘ１−Ｘ２）に沿って形成されている。
【００８２】
すなわち、第１のコイル４０及び第２のコイル４１の各巻き始端４０ａ，４１ａからの最初の延出方向α３，α４（Ｙ１−Ｙ２）は互いに反対方向であり、且つ、前記延出方向α３，α４は、絶縁基材の第１の側面及び第２の側面の長さ方向（Ｘ１−Ｘ２）に対して直交している。
【００８３】
この結果、図３（ａ）に示すように、第１のコイル４０と第２のコイル４１のターン数は同じとなり、第１のコイル４０と第２のコイル４１とを重ね合わせると、第１のコイル４０の各ターンの位置と第２のコイル４１の各ターンの位置とが一致し、ターン数を最大限に増やすことが可能になる。
【００８４】
一方、図３（ｂ）は、比較例におけるコイルを示し、図３（ｂ）の右図は、第１のコイル４５の平面図を示し、図３（ｂ）の左図は、第２のコイル４６の平面図を示す。
【００８５】
図３（ｂ）に示すように第１のコイル４５の巻き始端４５ａからの最初の延出方向α５はＹ１方向であり、第２のコイル４６の巻き始端４６ａからの最初の延出方向α６はＹ２方向である。
【００８６】
図３（ｂ）の右図に示すように、第１のコイル４５の巻き終端４５ｂは一体化した第１の取出電極層４７に接続されており、第１の取出電極層４７は、絶縁基材の側面（図示せず）の長さ方向（Ｙ１−Ｙ２）に沿って形成されている。
【００８７】
また図３（ｂ）の左図に示すように、第２のコイル４６の巻き終端４６ｂは一体化した第２の取出電極層４８に接続されており、第２の取出電極層４８は、絶縁基材の側面（図示せず）の長さ方向（Ｙ１−Ｙ２）に沿って形成されている。
【００８８】
図３（ｂ）の比較例では、第１のコイル４５及び第２のコイル４６の各巻き始端４５ａ，４６ａからの最初の延出方向α５，α６（Ｙ１−Ｙ２）は互いに反対方向であるが、前記延出方向α５，α６は、各取出電極層４７，４８が形成された絶縁基材の側面の長さ方向（Ｙ１−Ｙ２）と平行となっている。
【００８９】
この結果、図３（ｂ）に示すように、第１のコイル４５と第２のコイル４６のターン数は異なる。図３（ｂ）に示すように、第１のコイル４５の巻き始端４５ａから見てＹ２側領域でのコイルターン数は３であるが、第２のコイル４６の巻き始端４６ａから見てＹ２側領域でのコイルターン数は４である。
【００９０】
このように図３（ｂ）の比較例では、第１のコイル４５と第２のコイル４６とのターン数が一部で一致せず、ターン数を最大限に増やすことができず、図３（ａ）の実施形態に比べてインダクタンスが低下する。
【００９１】
以上により、図３（ａ）のように、第１のコイル４０及び第２のコイル４１の各巻き始端４０ａ，４１ａからの最初の延出方向α３，α４（Ｙ１−Ｙ２）を互いに反対方向とし、且つ、前記延出方向α３，α４を、絶縁基材の第１の側面及び第２の側面の長さ方向（Ｘ１−Ｘ２）に対して直交させることで、インダクタンスの増加を図ることができる。また同じターン数を得るのに、取出電極層も含めて最小サイズの薄型インダクタにできる。
【００９２】
なお本実施形態の共通した特徴的部分は、コイル、導通層及び取出電極層を一体化した点である。よって、コイルの巻き方向と取出電極層の延出方向との関係については図３（ｂ）の構成を除外するものでない。ただし、図３（ａ）としたほうが好ましい。
【００９３】
図４は、別の実施形態における薄型インダクタの縦断面図である。図４において図１（ｂ）と同じ層には同じ符号を付した。
【００９４】
図４では、図１（ｂ）と異なって、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６に第２のめっき層２３を形成していない。よって図４では第１の取出電極層１５と第２の取出電極層１６の各上面部１５ｂ，１６ｂ，各下面部１５ｃ，１６ｃが、第１のコイル１２及び第２のコイル１３と同様に、箔体１８，２０と第１のめっき層１９との積層構造であり、略同一の膜厚とされている。したがって図４に示すように、磁性シート１７，３０の表面と各取出電極層１５，１６の各上面部１５ｂ，１６ｂ及び各下面部１５ｃ，１６ｃの表面との間に段差が生じている。よって図３に示すように、各取出電極層１５，１６の各下面部１５ｃ，１６ｃと実装基板２５の接続端子２５ａとの間に隙間βが形成されやすくなる。前記隙間βははんだ層３５により埋められ、各取出電極層１５，１６と接続端子２５ａとの間がはんだ層３５を介して電気的に接続される。
【００９５】
ただし図３の構成の場合、各取出電極層１５，１６の各下面部１５ｃ，１６ｃが実装基板２５に対する実装面とならず浮いた状態になるため、接続端子２５ａとの間の接触抵抗を低減させ、且つ接続端子２５ａとの確実な接続を得るには、図１（ｂ）、図２に示すように、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６に第２のめっき層２３を施して、各取出電極層１５，１６の各上面部１５ｂ，１６ｂ及び各下面部１５ｃ，１６ｃの膜厚を、各コイル１２，１３の膜厚よりも厚く形成し、各磁性シート１７，３０の表面と、各取出電極層１５，１６の各上面部１５ｂ，１６ｂ及び各下面部１５ｃ，１６ｃの表面とを略同一平面とすることが好適である。あるいは、各上面部１５ｂ，１６ｂ及び各下面部１５ｃ，１６ｃの表面を、各磁性シート１７，３０の表面よりも絶縁基材１１から離れる方向に突出させる構造とすることが好適である。
【００９６】
次に本実施形態における薄型インダクタ（磁気素子）の製造方法について説明する。図５の各図は製造段階における薄型インダクタの部分縦断面図である。なお図１等と同じ層については同じ符号を付した。
【００９７】
図５（ａ）では、絶縁基材１１の上面１１ａに第１の箔体１８が形成され、下面５０ｂに第２の箔体２０が形成された絶縁基板５１を用意する。この絶縁基板５１を図５（ｂ）〜図５（ｆ）に示すように加工し、図５（ｆ）工程で切断することで、絶縁基板５１から図１に示す薄型インダクタを複数個得ることが可能である。例えば、絶縁基板５１は上下面に銅箔を備えたガラスエポキシ基板であることが好適である。ここで第１の箔体１８及び第２の箔体２０の膜厚は例えば、３５μｍ程度である。
【００９８】
図５（ｂ）の工程では、絶縁基板５１を複数の薄型インダクタの領域に区分けしたときの各領域間の位置に貫通孔５２を形成する。貫通孔５２を絶縁基板５１の上面５１ａから下面５１ｂにかけて形成する。貫通孔５２のＹ１−Ｙ２方向への長さ寸法を図１に示すＬ１とする。また、貫通孔５２のＸ１−Ｘ２方向への幅寸法Ｔ３は、スルーホール５３の幅寸法Ｔ５以上とされ、絶縁基板５１から多数の薄型インダクタが取れるように、できる限り小さくすることが望ましい。特に幅寸法Ｔ３は、各薄型インダクタの側面１１ｄ，１１ｅに形成された第１のめっき層１９と第２のめっき層２３との膜厚を足した膜厚Ｔ４（図１（ａ）（ｂ）参照）の２倍よりも大きく形成されている。具体的には幅寸法Ｔ３は２００μｍ以上とされる。
【００９９】
また図５（ｂ）に示すように、各薄型インダクタとなる領域の略中央位置に、絶縁基板５１の上面５１ａから下面５１ｂにかけて貫通するスルーホール５３を形成する。スルーホール５３は例えば円柱状や角柱状である。図１（ｂ）に示すように、貫通孔５２の幅寸法Ｔ３は、スルーホール５３の幅寸法Ｔ５よりも大きく形成される。
【０１００】
貫通孔５２及びスルーホール５３の形成はフォトリソグラフィ技術を用いることができる。あるいはフォトリソグラフィ技術のみならず、ドリル等の機械加工で穴を安価に形成することもできる。
【０１０１】
次に図５（ｃ）の工程では、第１の箔体１８及び第２の箔体２０に重ねて無電解めっき法により第１のめっき層１９を形成する。このとき、スルーホール５３内に第１のめっき層１９による導通層１４を形成するとともに、第１の箔体１８の表面から貫通孔５２内の側壁面５２ａ，５２ｂ、及び第２の箔体２０の表面にかけて前記第１のめっき層１９を形成する。第１のめっき層１９を例えばＣｕによる無電解めっきで形成する。第１のめっき層１９の膜厚を、例えば３５μｍ程度とする。
【０１０２】
続いて図５（ｄ）の工程では、フォトリソグラフィ技術を用いて、薄型インダクタとなる各領域の上面側に、第１の箔体１８及び第１のめっき層１９からなる第１のコイル１２を形成し、さらに、薄型インダクタとなる各領域の下面側に、第２の箔体２０及び第１のめっき層１９からある第２のコイル１３を形成する。
【０１０３】
例えば、第１のコイル１２及び第２のコイル１３を、図１（ａ）、図１（ｃ）に示す平面形状で形成する。
【０１０４】
図５（ｄ）に示すように、第１のコイル１２の内側に位置する巻き始端１２ａと導通層１４とを一体化して形成し、また第２のコイル１３の内側に位置する巻き始端１３ａと導通層１４とを一体化して形成する。
【０１０５】
また図５（ｄ）の工程では、第１のコイル１２の外側に位置する巻き終端１２ｂと接続される第１の取出電極層１５及び、第２のコイル１３の外側に位置する巻き終端１３ｂと接続される第２の取出電極層１６を形成する（図１（ａ）（ｃ）も参照）。
【０１０６】
貫通孔５２の第１の側壁面５２ａは、薄型インダクタ１０を構成する絶縁基材１１の第１の側面１１ｄに相当する。また貫通孔５２の第２の側壁面５２ｂは、薄型インダクタ１０を構成する絶縁基材１１の第２の側面１１ｅに相当する。そして第１の取出電極層１５は、第１の側壁面５２ａに直接形成した無電解めっきによる第１のめっき層１９を有する第１の側面部１５ａと、第１の側面部１５ａから絶縁基材１１の上面に延出する第１の上面部１５ｂと、第１の側面部１５ａから絶縁基材１１の下面に延出する第１の下面部１５ｃとを有して構成される。また第２の取出電極層１６は、第２の側壁面５２ｂに直接形成した無電解めっきによる第１のめっき層１９を有する第２の側面部１６ａと、第２の側面部１６ａから絶縁基材１１の上面に延出する第２の上面部１６ｂと、第２の側面部１６ａから絶縁基材１１の下面に延出する第２の下面部１６ｃとを有して構成される。
【０１０７】
図１（ａ）（ｃ）に示すように第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６はＹ１−Ｙ２方向に長さ寸法Ｌ１により形成される。この長さ寸法Ｌ１は、各薄型インダクタ１０を構成する絶縁基材１１の第１の側面１１ｄ及び第２の側面１１ｅのＹ１−Ｙ２方向への長さ寸法に一致する。
【０１０８】
図５（ｄ）及び図１（ａ）に示すように、第１のコイル１２及び第１の取出電極層１５は、同じ第１の箔体１８と第１のめっき層１９との積層構造で形成されており、第１のコイル１２の巻き終端１２ｂから第１の取出電極層１５の第１の上面部１５ｂにかけて一体化して形成されている。また図５（ｄ）及び図１（ｃ）に示すように、第２のコイル１３及び第２の取出電極層１６は、同じ第２の箔体２０と第１のめっき層１９との積層構造で形成されており、第２のコイル１３の巻き終端１３ｂから第２の取出電極層１６の第２の下面部１６ｃにかけて一体化して形成されている。
【０１０９】
次に図５（ｅ）の工程では、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の第１のめっき層１９の表面に電解めっき法により第２のめっき層２３を形成する。第２のめっき層２３を第１のめっき層１９と同じあるいは同質の材質で形成することが好ましい。例えば第２のめっき層２３をＣｕで形成する。また第２のめっき層２３の膜厚を例えば、６５〜７５μｍ程度とする。
【０１１０】
第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６にのみ第２のめっき層２３を形成するには、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６以外の領域にレジスト層を設けて、第２のめっき層２３がめっきされないようにすればよい。
【０１１１】
これにより、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の各上面部１５ｂ，１６ｂ及び各下面部１５ｃ，１６ｃの膜厚を、第１のコイル１２及び第２のコイル１３よりも厚く形成できる。
【０１１２】
このとき、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の各側面部１５ａ，１６ａは第１のめっき層１９と第２のめっき層２３との積層構造で形成される。このとき、図５（ｅ）に示すように、貫通孔５２内で隣り合う第１の取出電極層１５と第２の取出電極層１６とは当接せず、空間が開いている。
【０１１３】
また第１のめっき層１９と第２のめっき層２３とは同じあるいは同質の材質で形成され、第１のめっき層１９と第２のめっき層２３とは一体化している。
【０１１４】
さらに第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の最表面にＮｉ／Ａｕ層（Ｎｉが下地側）、Ｎｉ／Ｓｎ層、Ｎｉ／はんだ層、Ｎｉ／Ａｇ層等からなる、はんだランド３４を形成する（図２参照）。
【０１１５】
次に図５（ｆ）の工程では、第１のコイル１２及び第２のコイル１３の表面に絶縁層３１，３２を形成する。絶縁層３１，３２にはエポキシ系低温硬化剤、アクリル系低温硬化剤を用いることができる。そして絶縁層３１，３２の表面に磁性シート１７，３０を貼着する。このとき、磁性シート１７，３０の表面と第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の各上面部１５ｂ，１６ｂ，各下面部１５ｃ，１６ｃの表面を略同一平面で形成することができる。また、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の各上面部１５ｂ，１６ｂ，各下面部１５ｃ，１６ｃの表面を、磁性シート１７，３０の表面よりも絶縁基材１１から離れる方向に突出させる構造とすることもできる。このように回路基板にはんだにて実装する際に支障が無いよう、少なくとも磁性シート１７，３０が各上面部１５ｂ，１６ｂ，各下面部１５ｃ，１６ｃの表面よりも突出しない構成とすれば良い。
【０１１６】
そして図５（ｆ）の一点鎖線の位置から絶縁基板５１を切断すると、複数の薄型インダクタ１０を得ることができる。
【０１１７】
図５に示す本実施形態の薄型インダクタ１０の製造方法によれば、図５（ｂ）〜図５（ｄ）に示すように、各コイル１２，１３、導通層１４及び各取出電極層１５、１６を同じ工程で形成でき、各コイル１２，１３、導通層１４及び各取出電極層１５、１６を一体化形成できる。よって本実施形態では、従来よりもコイル１２，１３と取出電極層１５，１６間及びコイル１２，１３と導通層１４間の接触抵抗を低減できる薄型インダクタを従来に比べて優れた製造効率にて製造することができる。
【０１１８】
また、図５（ｅ）の工程では、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６における第１のめっき層１９上に第２のめっき層２３を重ねて形成でき、第１の取出電極層１５の第１の上面部１５ｂ及び第１の下面部１５ｃ、第２の取出電極層１６の第２の上面部１６ｂ及び第２の下面部１６ｃを、各コイル１２，１３よりも厚く形成できる。このため、図５（ｆ）の工程で、コイル１２，１３の表面に第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の表面と略同一面となる磁性シート１７，３０を適切且つ簡単に設置することができる。あるいは、に第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の表面を磁性シート１７，３０の表面よりも突出させる構成とすることもできる。
【０１１９】
また図４に示す構造の薄型インダクタを製造するには、図５（ｅ）の工程を除去すればよい。
【０１２０】
また、本実施形態では、第２の取出電極層１６を構成する第２の上面部１６ｂを形成しなくてもよい。第２の上面部１６ｂの位置にレジスト等を設けてめっき層が形成されないようにすることで、第２の上面部１６ｂのない構成の薄型インダクタを形成することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１０  薄型インダクタ
１１  絶縁基材
１１ｃ、５３  スルーホール
１２、４０、４５  第１のコイル
１２ａ、１３ａ、４０ａ、４１ａ、４５ａ、４６ａ  巻き始端
１２ｂ、１３ｂ、４０ｂ、４１ｂ、４５ｂ、４６ｂ  巻き終端
１３、４１、４６  第２のコイル
１４  導通層
１５、４２、４７  第１の取出電極層
１５ａ  第１の側面部
１５ｂ  第１の上面部
１５ｃ  第１の下面部
１６、４３、４８  第２の取出電極層
１６ａ  第２の側面部
１６ｂ  第２の上面部
１６ｃ  第２の下面部
１７、３０  磁性シート
１８  第１の箔体
１９  第１のめっき層
２３  第２のめっき層
２５  実装基板
３１、３２  絶縁層
３４  はんだランド
３５  はんだ層
５１  絶縁基板
５２  貫通孔
【図１】
0005765685.tif 000002
【図２】
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【図３】
0005765685.tif 000004
【図４】
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【図５】
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