(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
閃光放電ランプ点灯装置であって、
入力電圧を昇圧する昇圧回路、
前記昇圧回路の出力を充電する蓄電素子及び該蓄電素子の充電電圧を検出する電圧検出回路を有する蓄電回路、
閃光放電ランプを絶縁破壊させて前記蓄電素子からのエネルギーを該閃光放電ランプに投入させるためのイグナイタ回路、
前記充電電圧が昇圧設定値に達するまで前記昇圧回路を動作させ、その後前記イグナイタ回路を起動させる制御部であって、前記蓄電素子の容量低下量を検出する容量低下検出手段、及び該容量低下量に基づいて前記昇圧設定値を段階的に上昇させる昇圧設定手段を備えた制御部、及び
前記蓄電素子の交換時期がどの程度近くに迫っているかをユーザが把握できるように、前記昇圧設定手段が前記昇圧設定値を少なくとも１段階上昇させたことを報知するように構成された報知手段
を備えた閃光放電ランプ点灯装置。
【請求項２】
閃光放電ランプ点灯装置であって、
入力電圧を昇圧する昇圧回路、
前記昇圧回路の出力を充電する蓄電素子及び該蓄電素子の充電電圧を検出する電圧検出回路を有する蓄電回路、
閃光放電ランプを絶縁破壊させて前記蓄電素子からのエネルギーを該閃光放電ランプに投入させるためのイグナイタ回路、
前記充電電圧が昇圧設定値に達するまで前記昇圧回路を動作させ、その後前記イグナイタ回路を起動させる制御部であって、前記蓄電素子の容量低下量を検出する容量低下検出手段、及び該容量低下量に基づいて前記昇圧設定値を上昇させる昇圧設定手段を備えた制御部、及び
前記蓄電素子の交換時期がどの程度近くに迫っているかをユーザが把握できるように、前記昇圧設定値の上昇幅に応じて報知態様を変化させるように構成された報知手段
を備えた閃光放電ランプ点灯装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の閃光放電ランプ点灯装置において、前記制御部が前記容量低下量に基づいて暫定的な点灯可能回数を算出し、前記報知手段が前記暫定的な点灯可能回数を表示するように構成された、閃光放電ランプ点灯装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の閃光放電ランプ点灯装置において、前記容量低下検出手段が、充電開始から充電完了までにかかる充電時間と閾値とを比較して、該充電時間が該閾値以下となった場合に容量低下信号を出力し、前記昇圧設定手段が該容量低下信号を受けて前記昇圧設定値を上昇させるように構成された閃光放電ランプ点灯装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の閃光放電ランプ点灯装置において、前記容量低下検出手段は前記蓄電素子の充電速度を演算するように構成され、前記昇圧設定手段が該充電速度の上昇幅に基づいて前記昇圧設定値を上昇させるように構成された閃光放電ランプ点灯装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の閃光放電ランプ点灯装置、該閃光放電ランプ点灯装置に接続される前記閃光放電ランプ、及び該閃光放電ランプが設置される照射器本体を備えた光照射器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は閃光放電ランプ点灯装置及びそれを用いた光照射器に関し、例えば、半導体製造工程における半導体ウェハー基板の光照射工程に用いられる閃光放電ランプ点灯装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程において、ダイシングと呼ばれる半導体ウェハー基板を個々の半導体チップに分離する工程では、分離前に半導体ウェハー基板に貼付する紫外線硬化性テープ（以下、「テープ」という）又は半導体ウェハー基板に塗布する紫外線硬化性の塗料（以下、「塗料」という）を硬化させるための紫外線照射用の光源として紫外線ランプが用いられてきた。
【０００３】
しかしながら、ＵＶランプからの放射熱による半導体ウェハー基板の変形や、照射時間などを考慮して、近年では紫外線ランプに代わり、閃光放電光を照射させることのできるキセノンランプに代表される閃光放電ランプが採用されるようになってきた。これは、紫外線ランプと比較して、閃光放電ランプは点灯時に放射する熱が少ないこと、及び短時間に高照度の放射光を照射できることから、テープ又は塗料を効率よく硬化させることができるためである。閃光放電ランプは、円形の半導体ウェハーに対応するような環状ランプである場合が多く、半導体ウェハーは閃光放電ランプによってほぼ一様に照射される。
【０００４】
特許文献１はこの閃光放電ランプを点灯させるための点灯装置を開示する。点灯装置は蓄電コンデンサを高電圧で充電し、この充電された高電圧を閃光放電ランプに印加した状態で、放電ランプの外部に近接させたトリガワイヤに数１０ｋＶの高電圧パルスを印加することにより、ランプを絶縁破壊させて蓄電コンデンサの電荷をランプ電流として一気に放電させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許４１４０２７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような点灯装置においては、使用回数（即ち、使用時間）に応じて蓄電コンデンサの容量が低下する。言い換えると、いずれは蓄電コンデンサの容量は低下してしまう。蓄電コンデンサの容量が低下した場合、一回の点灯で放出できるエネルギーが減り、一回の点灯による照射エネルギーが規定値よりも低下してしまう場合がある。これにより、半導体ウェハー上のテープ又は塗料の硬化が充分にされず、歩留まりが低下するという問題がある。
【０００７】
従って、蓄電コンデンサの容量が低下した場合には、その容量低下をユーザに報知して蓄電コンデンサの交換を促すことが望ましい。特に、高耐圧、高電流容量のオイルコンデンサの場合、容量低下が始まるとその進行が速いため、正確に容量低下を検出して早めにコンデンサを交換することが望ましい。
【０００８】
ここで、例えば、照度計をランプ近傍に設置して測定照度の低下に応じてコンデンサの交換時期を報知する構成が検討される。しかし、閃光点灯における短時間発光照度の測定は連続発光照度の測定と比較して精度が低く、また、照度の低下が蓄電コンデンサの容量低下に起因する場合だけでなくランプの劣化に起因する場合もあり、正確に蓄電コンデンサの容量低下を検出できないという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、閃光放電ランプ点灯装置において、蓄電コンデンサの容量低下を正確に検出し、容量低下に応じて適切な充電制御を行うことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の閃光放電ランプ点灯装置は、入力電圧を昇圧する昇圧回路、昇圧回路の出力を充電する蓄電素子及び蓄電素子の充電電圧を検出する電圧検出回路を有する蓄電回路、閃光放電ランプを絶縁破壊させて蓄電素子からのエネルギーを閃光放電ランプに投入させるためのイグナイタ回路、及び充電電圧が昇圧設定値に達するまで昇圧回路を動作させ、その後イグナイタ回路を起動させる制御部を備え、制御部が、蓄電素子の容量低下量を検出する容量低下検出手段、及び容量低下量に基づいて昇圧設定値を上昇させる昇圧設定手段を備える。
【００１１】
ここで、容量低下検出手段が、充電開始から充電完了までにかかる充電時間と閾値とを比較して、充電時間が閾値以下となった場合に容量低下信号を出力し、昇圧設定手段が容量低下信号を受けて昇圧設定値を上昇させるように構成することができる。
【００１２】
また、容量低下検出手段は蓄電素子の充電速度を演算するように構成され、昇圧設定手段が充電速度の上昇幅に基づいて昇圧設定値を上昇させるように構成するようにしてもよい。
【００１３】
さらに、容量低下量が所定値以上であることに基づく情報を報知する報知手段を備える構成としてもよい。ここで、昇圧設定手段が昇圧設定値を段階的に上昇させるように構成され、昇圧設定手段が昇圧設定値を少なくとも１段階上昇させたことを報知手段が報知する構成とすることができる。
【００１４】
本発明の光照射器は、上記の閃光放電ランプ点灯装置、閃光放電ランプ点灯装置に接続される閃光放電ランプ、及び閃光放電ランプが設置される照射器本体を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施例による閃光放電ランプ点灯装置の回路構成図である。
【図２】閃光放電ランプを説明する図である。
【図３】本発明による光照射器の図である。
【図４】本発明の閃光放電ランプの点灯態様を説明する図である。
【図５】本発明の実施例による閃光放電ランプの動作を説明する図である。
【図６】本発明の実施例の変形例を説明する図である。
【図７】本発明の実施例の動作を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施例．
図１は本発明の実施例による閃光放電ランプ点灯装置（以下、「点灯装置」という）の回路構成図である。点灯装置は、交流電源１を整流平滑化する整流平滑回路１０、整流部の出力を昇圧する昇圧回路２０、昇圧回路２０の出力を充電する蓄電回路３０、閃光放電ランプ１００（以下、「ランプ１００」という）を絶縁破壊させて蓄電回路３０からのエネルギーをランプ１００に投入するためのイグナイタ回路４０、ランプ１００に複数回にわたる一連の点灯を行わせるために昇圧回路２０及びイグナイタ回路４０を制御する制御部６０、並びに蓄電回路３０の蓄電容量の低下量が所定値以上となった場合にその情報を報知する報知手段７０を備える。なお、各回路素子が上記のどの回路に属するかは便宜的なものであり、本発明を拘束するものではない。
【００１７】
図１において、入力電源として単相電源を図示しているが三相電源であってもよい。また、整流平滑回路１０は整流回路１１及び平滑コンデンサ１２で構成したものを図示しているが、昇圧チョッパ回路等で構成してもよい。なお、入力電源として直流電源が接続される場合には整流平滑回路１０はなくてもよい。整流平滑回路１０が昇圧チョッパ回路で構成される場合は、昇圧回路２０の昇圧機能を昇圧チョッパ回路に持たせてもよい。
【００１８】
昇圧回路２０は、整流平滑回路１０の出力を交流変換するフルブリッジ回路（２１−２４）を備える昇圧インバータ回路からなる。フルブリッジ回路では、制御部６０（ドライバ６１）によってトランジスタ２１及び２４とトランジスタ２２及び２３が５０ｋＨｚ程度の高周波で交互にオン／オフされる。このスイッチング動作によって整流平滑回路１０からの直流入力が交流変換される。フルブリッジ回路の交流出力はインダクタ２５によって電流制限されて昇圧トランス２６の１次巻線に入力され、昇圧トランス２６の巻数比に従って昇圧された電圧が２次巻線に発生する。
【００１９】
充電回路３０では、昇圧トランス２６の２次巻線に発生した電圧がダイオードブリッジ３１−３３によって整流され、整流出力が蓄電コンデンサ（蓄電素子）３４に充電される。本実施例は、蓄電コンデンサ３４としてフィルムコンデンサを用いるものとする。充電速度は、昇圧回路２０の入力電圧値、すなわち整流平滑回路１０の出力電圧値と、インダクタ２５及び昇圧トランス２６の１次巻線側のインダクタンスと、フルブリッジ回路のスイッチングパルス幅又はスイッチング周波数と充電電圧値によって決まる。充電電圧値は例えば、２０００〜３０００Ｖｄｃ程度であればよく、電圧検出回路３５は、蓄電コンデンサ３４の充電電圧を検出して検出電圧を制御部６０の電圧入力手段６２に入力し充電動作により蓄電コンデンサ３４の充電電圧値が充電電圧設定値に到達すると、制御部６０は昇圧回路２０の動作を停止する。
【００２０】
イグナイタ回路４０は、制御部６０からの点灯指令を受けて外部トリガ４５に１０ｋ〜２０ｋＶの高圧パルス電圧を発生させる。外部トリガ４５からの高圧パルスによってランプ１００が絶縁破壊されると、蓄電コンデンサ３４に充電されていたエネルギーが放電電流ピーク制御インダクタ５０によって限流されつつランプ１００に投入される。これにより、ランプ１００の一回の閃光点灯が行われる。この充電から点灯までの動作が、設定されたタイミングで繰り返されて複数回にわたる一連の点灯が行われる。
【００２１】
図２は図１のランプ１００の具体的構成を示す。ランプ１００は、石英発光管１０１、石英発光管１０１の一端内部に配置された陽極１０２、石英発光管１０１の他端内部に配置された陰極１０３、石英発光管１０１の両端部を封止するシール部１０４、石英発光管に近接配置されたトリガワイヤ１０５（外部トリガ４５に対応するもの）、並びに陽極１０２及び陰極１０３にそれぞれ接続された電極芯棒１０６からなる。陽極１０２はタングステン製であり、陰極１０３はタングステン製電極の先端に焼結電極を溶接したものである。なお、焼結電極とはタングステンに酸化バリウムＢａＯや酸化アルミニウムＡＬ２０３をドープし、焼き固めたものである。
【００２２】
図１に戻り、制御部６０はマイコン、パソコン等のコンピュータからなる。制御部６０はドライバ６１、電圧入力手段６２、ＣＰＵ６３、メモリ６４、入出力インターフェイス（Ｉ／Ｆ）６５、充電完了検出手段６６、容量低下検出手段６７、及び昇圧設定手段６８を備え、各々はコントロールバス６００によって相互接続される。
【００２３】
ＣＰＵ６３は制御部６０内の信号のやりとりを制御し、メモリ６４はプログラム及びデータを記憶する。制御部６０は、上述したように所定のタイミング（点灯サイクル、点灯回数等）及びエネルギーでランプ１００を点灯させるように構成される。従って、この所定のタイミング及びエネルギーは、メモリ６４にプログラムしておいてもよいし、挿抜可能な記憶媒体から読み込まれるようにしてもよいし、通信機器から伝送媒体を介して読み込まれるようにしてもよい。また、制御部６０がパソコンからなる場合には、製造工程に応じてユーザが入出力インターフェイス６５を介して所望のタイミング及びエネルギーを入力できるようにしてもよい。
【００２４】
上述したように、ドライバ６１はＣＰＵ６３から充電開始信号を受けてから充電完了信号を受けるまで、ＣＰＵ６３に指定されたＰＷＭ幅及びスイッチング周波数でフルブリッジ回路（２１−２４）をスイッチングする。
【００２５】
充電完了検出手段６６は、電圧入力手段６２によって入力される検出電圧が昇圧設定値に達したことを検出して充電完了信号を出力する。充電完了検出手段６６が充電完了を検出してから所定時間経過後に点灯指令をイグナイタ回路４０に出力する。あるいは、ＣＰＵ６３が、充電完了信号を受けて点灯指令を充電完了検出手段６６からイグナイタ回路４０に出力させるようにしてもよい。充電完了信号は、後述の容量低下検出手段６７によってコンデンサ容量低下を判断する際にも使用される。
【００２６】
容量低下検出手段６７は、電圧入力手段６２によって入力される検出電圧の上昇速度、即ち、充電速度を特定し、充電速度が上昇したことに応じて容量低下信号を出力する。この充電速度は、充電開始から充電完了までの時間を計測することによって特定してもよいし、所定時間あたりの電圧上昇速度を演算することによって特定してもよい。本実施例では、充電時間を計測する構成を示す。充電時間を計測する場合、ＣＰＵ６３から充電開始信号が出力されてから充電完了検出手段６６から充電完了信号が出力されるまでの時間を計測し、容量低下検出手段６７は、充電時間が閾値以下となった時に容量低下量を表す容量低下信号を出力する。
【００２７】
昇圧設定手段６８は、容量低下信号によって示される容量低下量に基づいて昇圧設定値を上昇させる。本実施例では、充電時間が所与の昇圧設定値において閾値以下となる毎に昇圧設定値を１ステップずつ上昇させる。また、電圧上昇速度によって容量低下を検出する場合には、電圧上昇速度が第１の閾値以上となると昇圧設定手段６８が昇圧設定値を１ステップ上昇させ、さらに電圧上昇速度が第２の閾値以上となると昇圧設定手段６８が昇圧設定値をさらに１ステップを上昇させるようにすればよい。なお、この閾値及び昇圧設定値の段数は２段のものに限られず、１段であってもよいし、３段以上であってもよいが、最終ステップ上昇時の最大昇圧設定値が昇圧回路２０及び充電回路３０の最大定格電圧値以下となるようにする。
【００２８】
以上の充電制御により、蓄電コンデンサの容量が低下した場合にも、一回の点灯で要求されるエネルギーを確保することができる。これにより、コンデンサ容量低下状態においても半導体ウェハー上のテープ又は塗料の硬化を充分に行うことができ、歩留まりを向上することができる。
【００２９】
報知手段７０は、容量低下量が所定値以上である場合に蓄電コンデンサ３４の交換を促すための情報をユーザに報知する。本実施例では、昇圧設定値が少なくとも１ステップ上昇された場合に、ＣＰＵ６３は報知手段７０に報知動作を行うように指示する。報知手段７０は、ランプ、液晶表示等の視覚的表示であってもよいし、ブザー、音声案内等の音声出力であってもよいし、それらの組合せであってもよい。なお、図面においては制御部６０から報知手段７０への信号は有線で示してあるが、無線通信によって行うようにしてもよい。
【００３０】
報知手段７０が昇圧設定値の上昇幅に応じて報知態様を変化させるようにしてもよい。例えば、報知手段７０がランプからなる場合、昇圧設定値の上昇幅（又は上昇段数）に応じてランプの発光色を変えるようにしてもよい。これにより、ユーザは蓄電コンデンサ３４の交換時期がどの程度近くに迫っているかを具体的に把握することができる。
【００３１】
また、ユーザが入出力インターフェイス６５から諸設定を入力する構成の場合、上記報知動作と併せて、又は上記報知動作とは別に、入出力インターフェイス６５からユーザが点灯タイミング等の設定値を入力する際に、コンデンサ容量が低下したことを示す警告を入出力インターフェイス６５に出力するようにしてもよい。あるいは、コンデンサ容量が所定値以下となった場合には入出力インターフェイス６５がユーザ入力を受け付けないようにしてもよい。
【００３２】
また、ＣＰＵ６３が容量低下量（本実施例では昇圧設定値）に基づいて暫定的な点灯可能回数を算出し、報知手段７０がその暫定的な点灯可能回数を表示するようにしてもよい。またさらに、ＣＰＵ６３が昇圧設定値の上昇後の点灯回数をカウントし、暫定的な点灯回数から上昇後の点灯回数を減算して残存点灯可能回数を決定し、報知手段７０がその残存点灯可能回数を報知するようにしてもよい。これにより、ユーザは蓄電コンデンサ３４を最大限長く使用することができる。また、ユーザは製造計画に合わせて、蓄電コンデンサ３４を最大限長く使用しつつも区切りの良いところで蓄電コンデンサ３４を交換することができる。また逆に、ユーザは残存点灯可能回数に合わせて製造工程を決定することができる。
【００３３】
図３は本発明の光照射器を示すものであり、上段が上面図、下段が側面図である。光照射器は、ランプを内包する照射器３０１、ランプ３００（ランプ１００に対応するものとする）、反射板３０２、及びダクト３０３を備える。照射対象となる半導体ウェハー等の基板３０４がランプ３２４及び反射鏡３０２に対して対向配置される。また、上述のイグナイタ回路４０からの高圧パルスが減衰しないように、ランプ３００に付されるトリガワイヤとイグナイタ回路４０との間の配線は短い方が好ましい。従って、照射器３０１にイグナイタ回路４０が設けられるものとする。反射板３０２はランプからの放電光を被照射物に対して効率よく反射させるためのものであり、ダクト３０３はランプを冷却（空冷）するための吸気用又は排気用のダクトである。
【００３４】
上述した充電制御を行う点灯装置を光照射器に導入することにより、一回の点灯で放出される照射エネルギーを安定的に確保することができる。これにより、蓄電容量低下にかかわらず、光照射器内の半導体ウェハーの処理を安定的に行うことができ、製造の歩留まりを向上することができる。
【００３５】
＜設計例＞
以下に、具体的な設計例を示す。各設計例における前提は以下の通りである。
蓄電コンデンサ３４の容量を５０μＦとする。充電電圧として３２００Ｖ〜３６００Ｖが設定可能であるものとする。タクトタイム（ライン搬送）との関係により、照射可能な時間は２秒である。昇圧回路２０の能力から、ランプ１００の点灯可能レートは５ｐｐｓ（１回の照射について、１０回点灯／２秒）であるものとする。充電開始から充電完了までの充電時間の変化率と蓄電コンデンサ容量の変化率はほぼ等しい（例えば、コンデンサ容量が５％低下すれば、充電時間は５％短くなる）ものとする。
【００３６】
＜設計例１＞
本設計例では、テープ又は塗料の硬化に要する積算エネルギーは２４０Ｊ×１０回＝２４００Ｊである。初期昇圧設定値は３２００Ｖであり、１回の放電エネルギーはＥ＝１／２×５０μＦ×（３２００Ｖ）２＝２５６Ｊである（２４０Ｊに対してマージンをもたせている）。なお、コンデンサ容量の低下量ΔＣが５％の場合でも１回の放電エネルギーＥ＝２５６Ｊ×０．９５＝２４３．２Ｊであるので、ΔＣが５％となるまでは必要積算エネルギー２４００Ｊを確保できることになる。
【００３７】
図４は本設計例における充電サイクルを説明する図である。ここで、容量低下量ΔＣが０％であれば、３２００Ｖを充電するのに要する充電時間は１８０ｍｓとなる。従って、蓄電コンデンサ３４が新品の場合、制御部６０では、ｔ０においてＣＰＵ６３から充電開始信号が出力されると、ｔ１＝１８０ｍｓにおいて充電完了検出手段６６から充電完了信号が出力される。そして、その２０ｍｓ後に点灯指令がイグナイタ回路４０に出力されてランプ１００が閃光点灯される。図５に示すように、△Ｃが５％の場合には、充電時間は１７１ｍｓ（ｔ１´）となる。
【００３８】
制御部６０の容量低下検出手段６７は、充電時間が１７１ｍｓ以下になったこと、即ち、ΔＣが５％以上となったことを検出すると容量低下信号を出力する。昇圧設定手段６８は容量低下信号を受けて昇圧設定値を３２００Ｖから３３００Ｖに上昇させ、補償モードに入る。補償モード（ΔＣ＝５％、昇圧設定値３３００Ｖ）の場合、１回の放電エネルギーＥ＝１／２×（５０μＦ×０．９５）×（３３００Ｖ）２＝２５８．６Ｊとなり、これは初期状態（ΔＣ＝０％、昇圧設定値３２００Ｖ）の２５６Ｊとほぼ同じ値であるので、問題なく照射工程を実行することができる。
【００３９】
報知手段７０は、容量低下量が所定値以上となったこと、即ち、昇圧設定値が１段階上昇されて３３００Ｖになったことを受けて、動作が補償モードに入ったことをユーザに報知する。この報知は、単に動作が補償モードに入ったことのみを、例えば、ランプの点灯又は点滅によって報知してもよいし、昇圧設定値が３３００Ｖであることを数値表示するようにしてもよい。これにより、ユーザに対して早期に蓄電コンデンサ３４を新しいものと交換するように促すことができる。
【００４０】
＜設計例２＞
本設計例では、テープ又は塗料の硬化に要する積算エネルギーは２７０Ｊ×１０回＝２７００Ｊである。初期昇圧設定値は３４００Ｖであり、１回の放電エネルギーはＥ＝１／２×５０μＦ×（３４００Ｖ）２＝２８９Ｊである（２７０Ｊに対してマージンをもたせている）。なお、コンデンサ容量の低下量ΔＣが５％の場合でも１回の放電エネルギーＥ＝２８９Ｊ×０．９５＝２７４．６Ｊであるので、ΔＣが５％となるまでは必要積算エネルギー２７００Ｊを確保できることになる。
【００４１】
ここで、容量低下量ΔＣが０％の場合には３４００Ｖを充電するのに要する充電時間は１９１ｍｓであるのに対し、△Ｃが５％の場合には１８２ｍｓとなる。制御部６０の容量低下検出手段６７は、充電時間が１８２ｍｓ以下になったこと、即ち、ΔＣが５％以上となったことを検出すると容量低下信号を出力する。昇圧設定手段６８は容量低下信号を受けて昇圧設定値を３４００Ｖから３５００Ｖに上昇させ、補償モードに入る。補償モード（ΔＣ＝５％、昇圧設定値３５００Ｖ）の場合、１回の放電エネルギーＥ＝１／２×（５０μＦ×０．９５）×（３５００Ｖ）２＝２９０．９Ｊとなり、これは初期状態（ΔＣ＝０％、昇圧設定値３４００Ｖ）の２８９Ｊとほぼ同じ値であるので、問題なく照射工程を実行することができる。
【００４２】
設計例１と同様に、報知手段７０は、昇圧設定値が１段階上昇されて３５００Ｖになったことを受けて、動作が補償モードに入ったことをユーザに報知する。この報知は、単に動作が補償モードに入ったことのみを報知してもよいし、昇圧設定値が３５００Ｖであることを数値表示するようにしてもよい。これにより、ユーザに対して早期に蓄電コンデンサ３４を新しいものと交換するように促すことができる。
【００４３】
＜設計例３＞
本設計例では、テープ又は塗料の硬化に要する積算エネルギーは２９０Ｊ×１０回＝２９００Ｊである。初期昇圧設定値は３５００Ｖであり、１回の放電エネルギーはＥ＝１／２×５０μＦ×（３５００Ｖ）２＝３０６．３Ｊである（２９０Ｊに対してマージンをもたせている）。なお、コンデンサ容量の低下量ΔＣが５％の場合でも１回の放電エネルギーＥ＝３０６．３Ｊ×０．９５＝２９１．０Ｊであるので、ΔＣが５％となるまでは必要積算エネルギー２９００Ｊを確保できることになる。
【００４４】
ここで、容量低下量ΔＣが０％の場合には３５００Ｖを充電するのに要する充電時間は１９７ｍｓであるのに対し、△Ｃが５％の場合には１８７ｍｓとなる。制御部６０の容量低下検出手段６７は、充電時間が１８７ｍｓ以下になったこと、即ち、ΔＣが５％以上となったことを検出すると容量低下信号を出力する。昇圧設定手段６８は容量低下信号を受けて昇圧設定値を３５００Ｖから３６００Ｖに上昇させ、補償モードに入る。補償モード（ΔＣ＝５％、昇圧設定値３６００Ｖ）の場合、１回の放電エネルギーＥ＝１／２×（５０μＦ×０．９５）×（３６００Ｖ）２＝３０７．８Ｊとなり、これは初期状態（ΔＣ＝０％、昇圧設定値３５００Ｖ）の３０６．３Ｊとほぼ同じ値であるので、問題なく照射工程を実行することができる。
【００４５】
設計例１又は２と同様に、報知手段７０は、昇圧設定値が３６００Ｖになったことを受けて、動作が補償モードに入ったこと、又はこれと併せてこの昇圧設定値が上限であることをユーザに報知する。この報知は、単に動作が補償モードに入ったことのみを報知してもよいし、昇圧設定値が上限値であることを表示するようにしてもよいし、コンデンサ交換を促すメッセージを表示するようにしてもよい。これにより、ユーザに対して早期に蓄電コンデンサ３４を新しいものと交換するように促すことができる。
【００４６】
なお、上記設計例１乃至３においては、容量低下の検出閾値及び昇圧設定値の上昇ステップを１段としたが、複数段としてもよい。例えば、ｍ段の昇圧設定値がある場合、充電時間がｋ段目（１≦ｋ≦ｍ−１）の昇圧設定値における初期充電時間の所定割合（例えば９５％）となった場合に昇圧設定値をｋ＋１段目に上昇させる構成としてもよい。そして、充電時間がｍ段目の昇圧設定値における初期充電時間の所定割合（例えば９５％）となった場合に、点灯装置の動作を停止させる構成としてもよい。
【００４７】
具体的には、設計例１において、図６に示すように３２００Ｖ〜３６００Ｖの５段の昇圧設定値が設けられる場合に、充電時間が１段目の昇圧設定値（３２００Ｖ）における初期充電時間の９５％（ΔＣ＝５％）となった時点（Ｔ１）に昇圧設定値を２段目（３３００Ｖ）に上昇させ、充電時間が２段目の昇圧設定値（３３００Ｖ）における初期充電時間の９５％（ΔＣ＝５％）となった時点（Ｔ２）に昇圧設定値を３段目（３４００Ｖ）に上昇させ、これを繰り返して充電時間が５段目の昇圧設定値（３６００Ｖ）における初期充電時間の９５％（ΔＣ＝５％）となった時点（Ｔ５）に、ＣＰＵ６３がドライバ６１を停止させる構成としてもよい。また、報知手段７０が昇圧設定値に応じて報知態様を変化させる構成としてもよい。なお、昇圧設定値を変更するための閾値となるΔＣの設定は常に５％でなくてもよく、昇圧設定値が上昇する毎に増加させるようにしてもよいし、減少させるようにしてもよい。
【００４８】
図７に上述の動作をまとめたフローチャートを示す。なお、ステップＳ０５より前に、メモリ６４には点灯サイクル、必要点灯回数（Ｎ）、初期昇圧設定値（Ｖ１）等の情報が入力されているものとする。
ステップＳ０５において、ＣＰＵ６３がメモリ６４から、昇圧設定値Ｖ＝Ｖ１、必要点灯回数（カウンタ）ｎ＝Ｎを読み出す。
【００４９】
ステップＳ１０において、ＣＰＵ６３が充電開始信号を出力する。
ステップＳ１１において、ドライバ６１が昇圧回路２０を動作させ、昇圧動作を行う。
ステップＳ１２において、充電電圧検出手段６６が、電圧入力手段６２からの検出電圧が昇圧設定値Ｖに到達したか否かを検出し、処理は、Ｙｅｓの場合にはステップＳ１５に進み、Ｎｏの場合にはステップＳ１１に戻る。
ステップＳ１５において、充電電圧検出手段６６が充電完了信号を出力する。
【００５０】
ステップＳ２０において、容量低下検出手段６７が、充電開始信号が出力されてから充電完了信号が出力されるまでの時間を算出し、この充電時間と閾値とを比較する。充電時間が閾値以下となった場合（Ｙｅｓの場合）には、処理はステップＳ２５に進み、それ以外の場合（Ｎｏの場合）には、処理はステップＳ４０に進む。なお、上記閾値は昇圧設定値毎に異なる値あってもよいし、昇圧設定値にかかわらず同じものであってもよい。
ステップＳ２５において、容量低下検出手段６７が容量低下信号を出力する。
【００５１】
ステップＳ３０において、ＣＰＵ６３は昇圧設定値Ｖが上限値（例えば、３６００Ｖ）に達しているか否かを判断する。処理は、昇圧設定値が上限値である場合（Ｙｅｓの場合）にはステップＳ３１に進み、上限値でない場合（Ｎｏの場合）にはステップＳ３２に進む。
ステップＳ３１では、ＣＰＵ６３は停止信号を出力してドライバ６１の動作を停止させ、カウンタをｎ＝１とし（即ち、充電済みのエネルギーを放電することにより１回だけ点灯させて終了するための設定を行い）、処理はステップＳ４０に進む。
ステップＳ３２では、昇圧設定手段６８が昇圧設定値Ｖを上昇させる。例えば上記設計例１においては、Ｖ＝Ｖ１＝３２００Ｖである場合、昇圧設定値はＶ１＝３２００ＶからＶ２＝３３００Ｖに上昇される。
【００５２】
ステップＳ３５において、ＣＰＵ６３は蓄電容量が低下したことに基づく情報（例えば、昇圧設定値が少なくとも１段上昇されたこと、補償モードに入ったこと等）を報知手段７０に報知させる。この報知は一度開始されるとその状態がその後継続するようにしてもよい。
【００５３】
ステップＳ４０において、充電電圧検出手段６６がイグナイタ回路４０に点灯指令を出力し、ランプ１００を点灯させる。
ステップＳ４５において、ＣＰＵ６３はカウンタ値をｎ＝ｎ−１として、ステップＳ４６においてカウンタ値ｎ＝０であれば処理は終了し、それ以外の場合には処理はステップＳ１０に戻る。
【００５４】
以上に説明した実施例によると、蓄電コンデンサの容量低下を正確に検出し、容量低下に応じて適切な充電制御を行うことができる閃光放電ランプ点灯装置及び光照射器を提供することができる。
【００５５】
なお、上記実施例は本発明の最も好適な例として示したものであるが、以下を注記しておく。
例えば、上記実施例では昇圧回路２０にフルブリッジ回路及び昇圧トランスからなる構成を用いたが、必要な充電電圧まで昇圧することができれば昇圧チョッパ回路等の他の構成を適用してもよい。
また、上記実施例では、蓄電素子としてフィルムコンデンサからなる蓄電コンデンサ３４を用いたが、バッテリー、電気二重層コンデンサ等、他の蓄電素子を用いることもできる。
また、本発明の点灯装置及び照射装置は半導体チップの製造工程におけるテープ又は塗料の硬化の用途だけでなく、ＤＶＤの貼り合せ工程における接着剤工程等にも適用できる。
【符号の説明】
【００５６】
１０．整流平滑回路
２０．昇圧回路
３０．充電回路
３４．蓄電コンデンサ（蓄電素子）
３５．電圧検出回路
４０．イグナイタ回路
４５．外部トリガ
５０．放電電流ピーク制御インダクタ
６０．制御部
６１．ドライバ
６２．電圧入力手段
６３．ＣＰＵ
６４．メモリ
６５．入出力インターフェイス（Ｉ／Ｆ）
６６．充電完了検出手段
６７．容量低下検出手段
６８．昇圧設定手段
７０．報知手段
１００．閃光放電ランプ（ランプ）
１０１．石英発光管
１０２．陽極
１０３．陰極
１０４．封止部
１０５．トリガワイヤ
１０６．電極芯棒
３００．閃光放電ランプ（ランプ）
３０１．照射器
３０２．反射板
３０３．ダクト
３０４．半導体ウェハー（基板）
６００．コントロールバス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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