(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持するベースと、
前記ベースに結合可能な内部カバーであって、前記内部カバーに外力が加わると前記パターニングデバイスの移動を抑制するために前記パターニングデバイスのパターニング表面に実質的に平行な面内力を前記パターニングデバイスに提供する抑制機構を有する、内部カバーと、を備え、
前記抑制機構は、前記外力を前記面内力に変換する板ばね機構を備え、
前記板ばね機構は、第１のブロックに結合した第１の板ばねと、第２のブロックに結合し前記第１の板ばねに結合した第２の板ばねと、を有し、前記第１のブロックは前記外力を受け、
前記外力が印加されると、前記第１のブロックが前記パターニング表面に実質的に垂直な平面内を前記ベースへ向かって移動し、前記第２のブロックを前記パターニング表面に実質的に平行な平面内を移動させる、装置。
【請求項２】
前記内部カバーに結合可能で前記内部カバーの少なくとも１つのポイントに前記内部カバーに対する前記外力を印加する外部カバーをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２のブロックの移動は、前記抑制機構の第３のブロックを前記パターニングデバイスへ向かって押して前記面内力を提供し、前記第３のブロックは前記パターニングデバイスに接触する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第２のブロック及び前記第３のブロックは、ばねによって結合し、前記第３のブロックが前記パターニングデバイスに接触しているときに前記ばねが圧縮状態で前記パターニングデバイスの移動に対抗する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のブロックは、前記第３のブロックの表面に結合する表面を有し、前記パターニングデバイスの移動を抑制するために前記パターニングデバイスからの力によって引き起こされる前記第３のブロックの移動が前記第１のブロックの表面によって抑制される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持するベースと、
前記ベースに結合可能な内部カバーであって、前記内部カバーに外力が加わると前記パターニングデバイスの移動を抑制するために前記パターニングデバイスのパターニング表面に実質的に平行な面内力を前記パターニングデバイスに提供する抑制機構を有する、内部カバーと、を備え、
前記抑制機構は、前記外力を前記面内力に変換する板ばね機構を備え、
前記板ばね機構は、第１のブロックに結合した第１の板ばねと、第２のブロックに結合し前記第１の板ばねに結合した第２の板ばねと、を有し、前記第１のブロックは前記外力を受け、
前記第１のブロックの移動によって前記第１の板ばねが第１の位置から第２の位置へ移動し、さらに前記第２の板ばねが第３の位置から第４の位置へ移動し、前記第２のブロックの移動が前記第２の板ばねの移動によって作動し、前記第１の板ばねの移動が前記第２の板ばねの移動に対して実質的に垂直である、装置。
【請求項７】
前記ベースは、前記ベースの第２の周辺表面に対して高い位置の第１の表面を含み、使用時に、前記パターニングデバイスが前記第１の表面上に支持されるか又は前記第１の表面によって画定された壁内に位置する、請求項１から６の何れか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記抑制機構は、一端で前記内部カバーに取り付けられ別の端部で前記内部カバーへの外力を受けるカンチレバー板ばねをさらに有し、前記外力によって、使用時に、前記カンチレバー板ばねのピンが前記パターニングデバイスに接触する、請求項１から７の何れか一項に記載の装置。
【請求項９】
放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持するベースと、
前記ベースに結合可能な内部カバーであって、前記内部カバーに外力が加わると前記パターニングデバイスの移動を抑制するために前記パターニングデバイスのパターニング表面に実質的に平行な面内力を前記パターニングデバイスに提供する抑制機構を有する、内部カバーと、を備え、
前記ベースは、前記内部カバーと前記ベースが接触しているときに前記内部カバーの対応するピンを収容するＶ字形の溝を有する、装置。
【請求項１０】
前記Ｖ字形の溝は、前記ベースから取り外し可能である、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記内部カバーと前記ベースの間の唯一の接触を提供して前記パターニングデバイスを前記内部カバーの外側の微粒子又は汚染物質から保護する封止を含む、請求項１から１０の何れか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記内部カバーは、フィルタを有し、
前記フィルタは、前記パターニングデバイスの上方にある前記フィルタの少なくとも一部分が構造によって前記パターニングデバイスから分離されて前記フィルタでの汚染微粒子が前記パターニングデバイス上に直接落下するか又は入射することを防止するように構成される、請求項１から１１の何れか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記フィルタは、前記内部カバーの別のフィルタから機械的に隔離される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを処理する方法であって、
前記パターニングデバイスをベース上に配置するステップと、
抑制機構を備える内部カバーを前記ベースに結合するステップと、
前記抑制機構が、前記パターニングデバイスの移動を抑制するために、前記パターニングデバイスのパターニング表面に実質的に平行な面内力を前記パターニングデバイスに提供するように、前記内部カバーへの外力を前記抑制機構へ印加するステップと、
を含み、
前記抑制機構は、前記外力を前記面内力に変換する板ばね機構を備え、
前記板ばね機構は、第１のブロックに結合した第１の板ばねと、第２のブロックに結合し前記第１の板ばねに結合した第２の板ばねと、を有し、前記第１のブロックは前記外力を受け、
前記印加ステップは、前記外力が印加されると、前記第１のブロックが前記パターニング表面に実質的に垂直な平面内を前記ベースへ向かって移動し、前記第２のブロックを前記パターニング表面に実質的に平行な平面内を移動させることを含む、方法。
【請求項１５】
前記内部カバーへの前記外力の印加は、前記内部カバー上の少なくとも１つのポイントで外部カバーを前記内部カバーに接触させることで実行される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ベースは、前記ベースの第２の周辺表面に対して高い位置の第１の表面を含み、
前記配置ステップは、前記パターニングデバイスを前記第１の表面上又は前記第１の表面によって画定された壁内に位置する領域上に配置するステップを含む、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
フィルタを用いて前記パターニングデバイスの上方の、又はそれに隣接する汚染物質をフィルタリングするステップをさらに含み、
前記フィルタは、前記パターニングデバイスの真上にはなく、構造によってそこから分離されている、請求項１４から１６の何れか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0002]  本発明は、パターニングデバイスコンテナ、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【関連出願の相互参照】
【０００２】
[0001]  本出願は、全体が参照により本明細書に組み込まれている２０１１年７月２２日出願の米国仮特許出願第６１／５１０，９１３号の利益を主張する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながらパターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナと、を含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  ますます微細化する構造を基板上に投影できるように、一般に１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用することが提案されている。さらに、１０ｎｍ未満、例えば、５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内、例として６．７ｎｍ又は６．８ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射を使用することが提案されている。
【０００５】
[0005]  ＥＵＶパターニングデバイスは、パターニングデバイスコンテナによってリソグラフィツール内に収容、移送及び積載できる。コンテナの一例は、パターニングデバイスを汚染物質から有意に保護できるデュアルポットである。デュアルポットは、ＥＵＶ内部ポッド（ＥＩＰ）を入れる外部ポッドを有する。ＥＩＰはパターニングデバイスを直接保持する。
【発明の概要】
【０００６】
[0007]  ＥＩＰ（又はその他のパターニングデバイスコンテナ）は、パターニングデバイスの前面又は品質表面の４つのポイントや、使用領域外又は品質領域外でパターニングデバイスを支持できる。さらに、パターニングデバイスをパターニングデバイスの背面の別の４つのポイントで上記のポイントに搭載することができ、パターニングデバイスを効果的にクランプすることができる。この構成は、４つの前面搭載ポイントを介して直接にパターニングデバイスを（パターニングデバイスのパターニング表面に平行でない面外の）３自由度（ＤＯＦ）に拘束する。パターニングデバイスは、パターニングデバイスと搭載ポイントとの間の摩擦によって残りの（パターニングデバイスのパターニング表面に平行な面内の）３ＤＯＦにさらに拘束される。
【０００７】
[0008]  この設計は、パターニングデバイスが取扱い及び出荷中にマウントに対して摺動するのを防止するはずである。しかしながら、パターニングデバイスのわずかな摺動であってもパターニングデバイスの過剰な汚染を招くことがある。パターニングデバイスは摩擦によってのみ３ＤＯＦ（面内）に拘束されるため、摺動を防止するこの拘束の能力はクランプ力と摩擦係数とによって決定される。クランプ力は、ポッドの設計の実際の考慮事項のために制限される。さらに、過度な力によるクランプから汚染が発生することがある。
【０００８】
[0009]  摩擦を用いて面内ＤＯＦを拘束するＥＩＰ設計によって、パターニングデバイスは外部ポッドへの約４ｇの側面荷重（ｇ＝約９．８ｍ／ｓ２）による摺動が可能になる。このことは、ポッドの取扱いから発生する汚染のリスクとポッドを出荷する複雑さとを意味する。
【０００９】
[0010]  例えば、パターニングデバイスの前面及び／又は背面上の摩擦及び／又はクランプを介してだけでなく、パターニングデバイスの直接の接触によってパターニングデバイスを３ＤＯＦ（面内）に拘束するためにパターニングデバイスの側縁が接触しているパターニングデバイスコンテナを提供することが有利であろう。さらに、例えば、１つ以上の拘束を動かしてパターニングデバイスを大幅に摺動させない程度の軽い力でパターニングデバイスに接触することでパターニングデバイスのそのような抑制を達成することが有利であろう。一実施形態では、パターニングデバイスとの接触後、出荷及び／又は取扱い中のパターニングデバイスの摺動を防止又は低減するために３０ｇ程度の力に抵抗するのに十分な力で拘束をロックすることができる。
【００１０】
[0011]  一態様によれば、
放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたベースと、
ベースに結合可能な内部カバーであって、内部カバーに外力が加わると、パターニングデバイスの移動を抑制するために、パターニングデバイスのパターニング表面に実質的に平行な面内力をパターニングデバイスに提供するように構成された抑制機構を有する内部カバーと、
を備える装置が提供される。
【００１１】
[0012]  別の態様によれば、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを処理する方法であって、
パターニングデバイスをベース上に配置するステップと、
抑制機構を備える内部カバーをベースに結合するステップと、
抑制機構が、パターニングデバイスの移動を抑制するために、パターニングデバイスのパターニング表面に実質的に平行な面内力をパターニングデバイスに提供するように、内部カバーへの外力を抑制機構へ印加するステップと、
を含む方法が提供される。
【００１２】
[0013]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】[0014]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0015]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の詳細図を示す。
【図３】[0016]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスのコンテナを含む支持構造を示す。
【図４Ａ】[0017]本発明の一実施形態によるＥＵＶ内部ポッドの上面図を示す。
【図４Ｂ】[0017]本発明の一実施形態によるＥＵＶ内部ポッドの底面図を示す。
【図４Ｃ】[0018]本発明の一実施形態によるＥＵＶ内部ポッド内面カバーの内面を示す。
【図４Ｄ】[0019]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスの抑制機構の図を示す。
【図５Ａ】[0020]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスの面内移動を抑制する板ばね機構の図を示す。
【図５Ｂ】[0020]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスの面内移動を抑制する板ばね機構の図を示す。
【図５Ｃ】[0020]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスの面内移動を抑制する板ばね機構の図を示す。
【図６】[0021]本発明の一実施形態による板ばね機構の断面図を示す。
【図７Ａ】[0022]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスをクランプする板ばね機構を示す。
【図７Ｂ】[0022]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスをクランプする板ばね機構を示す。
【図８Ａ】[0023]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスに印加される力の分布を示す。
【図８Ｂ】[0023]本発明の一実施形態によるパターニングデバイスに印加される力の分布を示す。
【図９Ａ】[0024]本発明の一実施形態によるそれぞれ図５Ａ〜図５Ｃの板ばね機構の力の分布及び部品の移動の結合を示す。
【図９Ｂ】[0024]本発明の一実施形態によるそれぞれ図５Ａ〜図５Ｃの板ばね機構の力の分布及び部品の移動の結合を示す。
【図１０】[0025]本発明の一実施形態によるＥＵＶ内部ポッドからの又はそれへの汚染微粒子の移動を阻止又は防止するフィルタ構成の概略図を示す。
【図１１】[0026]本発明の一実施形態によるフィルタ構成の断面図を示す。
【図１２Ａ】[0027]本発明の一実施形態による内部ポッドのベース上のＶ字形の溝の構成を示す。
【図１２Ｂ】[0027]本発明の一実施形態による内部ポッドのベース上のＶ字形の溝の構成を示す。
【図１２Ｃ】[0027]本発明の一実施形態による内部ポッドのベース上のＶ字形の溝の構成を示す。
【図１３】[0028]微粒子が本発明の一実施形態によるパターニングデバイス上の容積に侵入することを阻止又は防止するメサの構成を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[0029]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示したものである。この装置は、
[0030]  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0031]  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0032]  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0033]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１５】
[0034]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１６】
[0035]  支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ又は抑制技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１７】
[0036]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。パターニングデバイスは、パターンが存在するパターニング表面を有し、パターンを放射ビームに与えるために使用される。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１８】
[0037]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１９】
[0038]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電型光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２０】
[0039]  本明細書で示すように、本装置は、（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、又は反射マスクを使用する）反射タイプである。あるいは、装置は、（例えば透過マスクを使用する）透過タイプでもよい。
【００２１】
[0040]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上の支持構造）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル／支持構造を並行して使用するか、１つ以上の他のテーブル／支持構造を露光に使用している間に１つ以上のテーブル／支持構造で予備工程を実行することができる。
【００２２】
[0041]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２３】
[0042]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２４】
[0043]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２５】
[0044]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0045]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0046]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
[0047]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００２６】
[0048]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも使用できる。
【００２７】
[0049]  図２は、放射源ＳＯと、照明光学ユニットＩＬと、投影システムＰＳとを含む装置１の詳細図を示す。放射源ＳＯは、放電プラズマを含んでいてもよい放射エミッタ２を含む。ＥＵＶ放射は、超高温のプラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ放射範囲内に放射線を発するＸｅガス又はＬｉ蒸気などのガス又は蒸気によって生成できる。超高温のプラズマは、電気放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸Ｏ上に崩壊させることで生成される。Ｘｅ又はＬｉ蒸気あるいはその他の好適なガス又は蒸気の例えば１０Ｐａの部分圧力が放射の効率的な生成には望ましい。幾つかの実施形態では、スズを使用してもよい。放射エミッタ２から発せられた放射は、放射源チャンバ３からコレクタチャンバ４へ移動する。一実施形態では、放射源ＳＯは、放射源チャンバ３及びコレクタチャンバ４を含む。
【００２８】
[0050]  コレクタチャンバ４は、汚染物質トラップ５とかすめ入射コレクタ６（矩形で概略を示す）とを含む。コレクタ６を通過できる放射は、格子スペクトルフィルタ７に反射してコレクタチャンバ４のアパーチャの仮想放射源ポイント８に合焦する。コレクタチャンバ４から、放射ビーム９が照明光学ユニットＩＬ内で第１及び第２の垂直入射反射板１０、１１を介して支持構造ＭＴ上に位置するパターニングデバイス（例えば、マスク）上に反射する。パターン付ビーム１２が形成され、第１及び第２の反射素子１３、１４を介して投影システムＰＬ内で基板テーブルＷＴ上に保持された基板（図示せず）上に結像する。一般的には、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＬ内には、図示するよりも多くの素子が存在する。
【００２９】
[0051]  図３は、ＥＵＶ放射反射パターニングデバイスＭＡが移送、収容及び／又は取扱いのために内部に収容されたコンテナ３００を示す。コンテナ３００は、外部カバー３０２と、外部ベース３１０と、内部ポッド３０４と、を備える。内部ポッド３０４は、内部カバー３０６（「カバー３０６」と同義である）及び内部ベース３０８（「ベース３０８」と同義である）を含み、それらすべてをまとめてデュアルポッドと呼ぶことができる。パターニングデバイスＭＡはベース３０８上の内部ポッド３０４内に保持されているが、一実施形態では、パターニングデバイスＭＡはカバー３０６によって保持できる。この例では、パターニングデバイスＭＡは、１つ以上の抑制機構によって保持されている。コンテナ３００内に、保護（不活性）ガスを、例えば、周囲圧力を超えた圧力で保持できる。しかしながら、コンテナ３００内に真空を保持してもよい。後者の場合、外部カバー３０２と外部ベース３１０との間、及び／又は、カバー３０６とベース３０８との間に十分な封止を提供してコンテナ３００の内部とコンテナ３００の内部環境を汚染する可能性がある周囲環境との間のガスフローを防止又は阻止することができる。生産後すぐに、又はスキャン手順後にパターニングデバイスＭＡを内部ポッド３０４内に配置してパターニングデバイスＭＡが内部ポッド３０４内に配置されたときに実質的に汚染されないようにすることができる。内部ポッド３０４内に配置されたときに、パターニングデバイスＭＡは汚染物質から実質的に遮蔽される。
【００３０】
[0052]  本明細書で詳細に開示するように、内部ポッド３０４は、微粒子を生成し、フォトリソグラフィ動作に対してパターニングデバイスＭＡの有効性を低下させ、潜在的に無用にする可能性があるパターニングデバイスＭＡの摺動又は移動を低減又は防止するのに役立つ１つ以上の抑制機構を含む。例えば、そのような抑制機構は、クランプ、溝、ピン、固定ブロック、ばね等から選択した１つ又は複数を含んでいてもよい。
【００３１】
[0053]  一実施形態では、下記のように、内部カバー３０６と内部ベース３０８との間に金属接触はない。内部カバー３０６がパターニングデバイスＭＡを保持する閉鎖位置で内部ベース３０８に結合した状態で、内部ポッド３０４は、外部カバー３０２が外部ベース３１０で閉鎖されて外部ベース３１０上に確実に載る。一実施形態では、そのような構成を反対にして内部ポッド３０４を外部カバー３０２の内部領域に密着させ（図３には示さず）、外部ベース３１０で確実に閉鎖してもよい。一実施形態では、図３に示す内部カバー３０６と内部ベース３０８の向きを入れ替えてもよい。例えば、ベース３０８を内部カバー３０６で閉鎖してベース３０８が内部カバー３０６の上面に載り、パターニングデバイスＭＡがベース３０８に対して図３に示す上方向（＋Ｚ軸）ではなく下方向（−Ｚ軸）に向くようにしてもよい。同様に、外部カバー３０２及び外部ベース３１０についてその他の構成も考えられる。
【００３２】
[0054]  一実施形態では、外部カバー３０２及び／又は外部ベース３１０の表面は、放射ビームを透過してもよい。一実施形態では、外部カバー３０２及び／又は外部ベース３１０は半透明であってもよい。同様に、一実施形態では、内部カバー３０６及び／又は内部ベース３０８の表面は放射ビームを透過してもよい。一実施形態では、内部カバー３０６及び／又は内部ベース３０８は半透明であってもよい。透明の表面が提供される場合、パターニングデバイスＭＡは例えば微粒子についてスキャンでき、及び／又はそのような透明な表面を通して整列できる。透明な表面はガラス又はプレキシグラスであってもよい。
【００３３】
[0055]  図４Ａは、内部ベース３０８に取り付けられた内部カバー３０６の上面の様々な構造的特徴を示す内部ポッド３０４の一実施形態の上面図を示す。この上面図で、内部ポッド３０４内のパターニングデバイスＭＡの移動を抑制する機構の一例は、３つの相互に垂直な方向（例えば、それぞれの自由度に対応するＸ、Ｙ、及びＺ軸）に固定する様々なピンを含む。例えば、ピン４０２ａ及び４０２ｂは、対応するピン／ボール機構（図示せず）によって外部カバー３０２の内部表面の下方向（内部ベース３０８へ向かう−Ｚ軸）に押されて内部ポッド３０４内のパターニングデバイスＭＡのＸ方向（及び少なくとも部分的にθζ方向）の動作を抑制できる。同様に、ピン４０４ａ及び４０４ｂは、対応するピン／ボール機構（図示せず）によって外部カバー３０２の内部表面の下方向（−Ｚ軸）に押されて内部ポッド３０４内のパターニングデバイスＭＡのＹ方向（及び少なくとも部分的にθζの方向）の動作を抑制できる。さらに、４つのピン４０６ａ〜４０６ｄは、対応するピン／ボール機構（図示せず）によって外部カバー３０２の内部表面のＺ方向のパターニングデバイスＭＡの固定又はクランプを提供する。外部カバー３０２の内部表面が内部ポッド３０４の外部表面に接触すると、様々なピン４０２〜４０６が対応する機構又は構造によって外部カバー３０２の内部表面に係止される。
【００３４】
[0056]  さらに、内部カバー３０６の上面は、図１０及び図１１に関連して以下に記載するように、ガスを内部ポッド３０４内に形成されたチャンバ内に注入し、及び／又はガスをチャンバから排気するフィルタ機構の一部としての１つ以上のフィルタカバー４２０ａ〜４２０ｄを有する。フィルタカバー４２０ａ〜４２０ｄは例えば１つ以上のねじによってカバー３０６に取り付けられているが、フィルタカバー４２０ａ〜４２０ｄを取り付けるその他の機構も使用できる。カバー３０６は、外部カバー３０２が内部ポッド３０４に接触するときにそれぞれのカットアウト部分４２４ａ及び４２４ｂで外部カバー３０２への取付を提供する１つ以上の側方突起部４２２ａ〜４２２ｂを有する。追加的に又は代替的に、側方突起部４２２ａ〜４２２ｂを用いて内部カバー３０６を保持して内部ベース３０８と内部カバー３０６とを互いに切り離し、例えば、ベース３０８の側方突起部４２２ａ〜４２２ｂを用いてベース３０８をカバー３０６より下げ、及び／又はカバー３０６を持ち上げることができる。図４Ａに示すピン、フィルタカバー、突起部等の数は例示に過ぎず、そのような要素の別の数も使用できることに留意されたい。同様に、要素の向き及び位置決めは例示に過ぎず、限定的ではない。例えば、要素４０２ａ〜４０２ｂ、４０４ａ〜４０４ｂ、４０６ａ〜４０６ｄ、側方突起部４２２ａ〜４２２ｂ、カットアウト部分４２４ａ〜４２４ｂ、及びフィルタカバー４２０ａ〜４２０ｄはカバー３０６のその他の領域に位置していてもよく、及び／又はベース３０８上に位置していてもよい。
【００３５】
[0057]  図４Ｂは、内部ベース３０８の底面を示す内部ポッド３０４の一実施形態の底面図を示す。ベース３０８の底面は、３つのＶ字形の溝Ｖ１〜Ｖ３を有する。一実施形態では、Ｖ字形の溝Ｖ１〜Ｖ３はベース３０８から分離可能なコンポーネントであり、１つ以上のねじでベース３０８に取り付けられているが、別のタイプの取付を用いてもよい。さらに、溝のその他の数及び／又はその他の形状を用いてもよい。Ｖ字形の溝Ｖ１〜Ｖ３は、Ｖ字形の溝Ｖ１〜Ｖ３との接触時に収容、取扱い及び／又は移送中の内部ポッド３０４の移動を抑制するように動作する外部ベース３１０（図示せず）上のピンを収容するか又は受けるように構成されている。一実施形態では、Ｖ字形の溝は、ダイヤモンド様の炭素（ＤＬＣ）材料を含む。追加的に又は代替的に、ベース３０８の底面は、内部ポッド３０４が外部ベース３１０上に配置されたときに外部ベース３１０上の対応するピンを受けるソケットＲ１〜Ｒ４を含む。内部ベース３０８の底面は、具体的な用途に応じて追加の溝及びソケットを収容するように設計してもよいことに留意されたい。
【００３６】
[0058]  図４Ｃは、内部ポッド３０４の内部カバー３０６の内面図を示す。内部表面は、第１の表面４７０と、第１の表面４７０を含む平面とは異なりカバー３０６の周縁の平面にある第２の表面４７２と、を含む。第２の表面４７２は、内部カバー３０６とベース３０８との直接の金属接触を防止するＯリングシール（図示せず）を保持するか又は収容できる空洞４３０を含む。第２の表面４７２は図１２Ａ〜図１２Ｃに示すように、ベース３０８上の対応するＶ字形の溝内に配置するボールＢ１〜Ｂ３として示された１つ以上のピンを有するが、ボールの代わりに別の形状（例えば、尖った／テーパしたピン）も使用できる。第１の表面４７０は、パターニングデバイスＭＡを内部ベース３０８へ向かう方向にクランプする１つ以上の接触ピン７０４を含む。また、第１の表面４７０は、パターニングデバイスＭＡを内部ベース３０８のパターニングデバイス保持表面に実質的に平行な平面内に、すなわち、パターニングデバイスＭＡの前面に実質的に平行な平面内に係止し抑制する１つ以上の接触ピン５０４を含む。さらに、第１の表面４７０は、例えば、パターニングデバイス整列ビームがパターニングデバイスＭＡに届くことを可能にするカバー付きの穴Ｈ１〜Ｈ４（Ｈ１〜Ｈ３のみ図示）を含む。さらに、１つ以上のカットアウトＣ１〜Ｃ８を第２の表面４７２上に提供して図４Ｄの支持ピン４０８ａ〜４０８ｈを収容できる。
【００３７】
[0059]  内部カバー３０６は、一実施形態では、例えば、見やすくするために図４Ｄに表面４７０及び４７２を省いて示す１つ以上の板ばね構成を有する１つ以上の抑制機構（図示せず）を含む。板ばね構成は、内部ポッド３０４への外力が印加されると、パターニングデバイスＭＡと相互作用してパターニングデバイスＭＡの移動を抑制し、その結果、内部ポッド３０４内の微粒子の生成を最小限にする。特に、板ばね取付は、１つ以上の接触ピン７０４及び／又は１つ以上の接触ピン５０４に接続できる。さらに板ばね取付は、ピン４０２、ピン４０４及び／又はピン４０６に接続できる。一実施形態では、内部カバー３０６は、パターニングデバイスＭＡを抑制する面外力を提供する追加の抑制機構を有する。例えば、そのような面外力は面内力に垂直であってもよく、パターニングデバイスＭＡのクランプに使用できる。
【００３８】
[0060]  図４Ｄは、ベース３０８上に配置され、下記のように抑制機構の様々なコンポーネントによって抑制される内部ベース３０８を示す。図４Ｄに示す抑制機構は、この抑制機構が実際に内部に存在する内部カバー３０６の表面４７０及び４７２を有する外殻を含まない。ベース３０８は、例外的な状況で、パターニングデバイスＭＡの様々な側でパターニングデバイスＭＡに接触してその面内（Ｘ、Ｙ及びθζ）移動を制限できる１つ以上の制限ピン４０８ａ〜４０８ｈ（４０８ａ、４０８ｂ、及び４０８ｃのみ図４Ｄに図示）を含む。ピン４０２ａ〜４０２ｂ、４０４ａ〜４０４ｂ、及び４０６ａ〜４０６ｄは、例えば、外部カバー３０２が内部カバー３０６に接触するときにパターニングデバイスＭＡの移動を制限する板ばね抑制機構の部品である。特に、外部カバー３０２が内部カバー３０６に接触してピン４０２ａ〜４０２ｂ、４０４ａ〜４０４ｂ、及び４０６ａ〜４０６ｄを押すと、ピン４０２ａ〜４０２ｂ、４０４ａ〜４０４ｂ、及び４０６ａ〜４０６ｄに関連付けられたそれぞれの板ばね機構が作動してパターニングデバイスＭＡを所定位置に抑制又は固定する。一実施形態では、板ばね機構は、内部カバー３０６がベース３０８に接触する、すなわち、ベース３０８がカバー３０６上にあり、カバー３０６上に静止するときに活性化する。一般に、板ばね機構は、内部カバー３０６の任意の外力がピン４０２ａ〜４０２ｂ、４０４ａ〜４０４ｂ、及び４０６ａ〜４０６ｄの１つ又は複数に印加されることで活性化する。板ばね機構は内部ポッド３０４内の様々な要素の接触に起因する汚染微粒子を最小限にする助けとなるために図示しているが、別の実施形態では、板ばね機構の代わりに、又はそれに加えて通常のばねを使用してパターニングデバイスＭＡを抑制できることに留意されたい。さらに、板ばね機構は内部カバー３０６の一部として一体成形できるか、あるいはねじ又はラッチを用いて取り付けることができる。板ばね機構の動作を図５Ａ〜図５Ｃ、図６、及び図７Ａ〜図７Ｂに関連して詳述する。
【００３９】
[0061]  図５Ａ〜図５Ｃは、パターニングデバイスＭＡのパターニング表面に平行な平面に沿ってＸ、Ｙ及びθζ方向のパターニングデバイスＭＡの移動を抑制するように構成された例示的抑制機構を示す。図５Ａは、板ばねＬ１及びＬ２の各々の一端で固定ブロック５０２ａによって接合した板ばねＬ１及び板ばねＬ２を含む第１の板ばねペアを有する内部カバー３０６（図示せず）内に形成された板ばね機構５００を示す。板ばねＬ１及びＬ２は各々、それぞれの他端でそれぞれブロック５１０ａ及び５１０ｂに接合されている。１つ以上のファスナ５０８を用いて板ばねＬ１及びＬ２をブロック５１０ａ及び５１０ｂに締結し、及び／又はブロック５１０ａ及び５１０ｂ（及び板ばねＬ１及びＬ２）を別の構造に締結できる。固定ブロック５０２ａは、板ばね機構５００によって提供される抑制方向に応じて、ピン、例えば、４０２ａ、４０２ｂ、４０４ａ、又は４０４ｂの１つを含み、例えば、外部カバー３０２からの外力を受ける。一実施形態では、ピンは固定ブロック５０２ａ自体の一体化部分であってもよく、形状が異なっていてもよい（例えば、テーパ形状又は矩形ブロック）。さらに、固定ブロック５０２ａの延長部がピン４０２ａ、４０２ｂ、４０４ａ、又は４０４ｂと同じ機能を実行して固定ブロック５０２ａが外力を受けて板ばね機構５００を作動させることができる。
【００４０】
[0062]  例えば、ピン４０２ａでベース３０８の方へ押されると、固定ブロック５０２ａはベース３０８へ向かって下方に動く。固定ブロック５０２ａのそのような下方への動作によって、板ばねペアＬ１、Ｌ２は第１の位置から伸展した第２の位置へ移動し、さらにブロック５０２ｂはパターニングデバイスＭＡのパターニング表面に実質的に平行な平面に沿ってパターニングデバイスＭＡの方へ移動する。ブロック５０２ｂのそのような動作をもっぱら例示によって図５Ｂのブロック５０２ｂに隣接する矢印を用いて示す。さらに、下方への移動によって、固定ブロック５０２ａは図５Ｂ及び図５Ｃに示す板ばねペアＬ５に接続された固定ブロック５０２ｃに接触するか又はほぼ接触する。
【００４１】
[0063]  板ばね機構５００は、板ばねペアＬ１、Ｌ２の移動平面に垂直な平面内を移動するように構成された第２の板ばねペアＬ３及びＬ４を含む。板ばねＬ３及びＬ４は一端でブロック５０２ｂにより接合されている。板ばねＬ３及びＬ４は、それぞれの他端でそれぞれブロック５１０ａ及び５１０ｂに接合されている。固定ブロック５０２ａが下降すると、ブロック５１０ａ及び５１０ｂに隣接する方向性矢印によって示すように、第１の板ばねペアＬ１、Ｌ２は伸展し、ブロック５１０ａ及び５１０ｂを互いに引き離す。図５Ｂに関連して説明するように、板ばねＬ３及びＬ４を介した機械的結合によって移送され、ブロック５０２ｂを動かし、それによってピン５０４を動かして過度の摺動又は接触による汚染微粒子をほとんど又は全く生成することなくパターニングデバイスＭＡの移動を抑制する面内力を提供する。
【００４２】
[0064]  図５Ｂは、もっぱら図を見やすくするために板ばねペアＬ１、Ｌ２を取り外した板ばね機構５００の部分上面図を示す。各々が１つ以上の個別の板ばねを含む一組の板ばねＬ７及びＬ８を用いてブロック５１０ａ及び５１０ｂが板ばね機構５００のグラウンド部５０６に結合される。ブロック５１０ａ及び５１０ｂが板ばねＬ１、Ｌ２の伸展作用によって互いに引き離されると、板ばねＬ７及びＬ８は屈曲してそれぞれ５１０ａ及び５１０ｂの動作に追随する。その結果、ブロック５１０ａ及び５１０ｂに取り付けられた板ばねＬ３、Ｌ４の端部も互いに引き離され、板ばねペアＬ３、Ｌ４は伸展する。板ばねＬ３、Ｌ４の動作によって、ブロック５０２ｂはパターニングデバイスＭＡの方へ移動する。パターニングデバイスＭＡの方へ移動する際に、ブロック５０２ｂは固定ブロック５０２ｃを押し、固定ブロック５０２ｃは固定ブロック５０２ａの真下に整列する。ブロック５０２ｂのそのような移動によってばね６０６は縮み、固定ブロック５０２ｃに結合して固定ブロック５０２ｃに圧縮力を提供し、ピン５０４はパターニングデバイスＭＡに接触する。ピン５０４との接触によって、図８Ａ及び図８Ｂの力の図に示すように、パターニングデバイスＭＡを抑制する面内力が提供される。この構成には、例えば図９Ａ及び図９Ｂに示すように、パターニングデバイスＭＡのパターニング表面に実質的に平行な平面内に予付勢力が存在する。一実施形態では、固定ブロック５０２ｃ、又はその延長部をパターニングデバイスＭＡに接触させてパターニングデバイスＭＡに抑制面内力を提供できる。
【００４３】
[0065]  外部カバー３０２が内部ポッド３０４の内部カバー３０６に接触するときに、固定ブロック５０２ａが例えばピン４０２ａを用いて下方に移動すると、固定ブロック５０２ａが固定ブロック５０２ｃに接触するか又はほぼ接触する。ピン４０２ａ、４０２ｂ、４０４ａ、又は４０４ｂでの下方への力の結果としての固定ブロック５０２ａの固定ブロック５０２ｃとのそのような接触によってパターニングデバイスＭＡの面内移動にロックする対抗力が提供される。固定ブロック５０２ａが固定ブロック５０２ｃにほぼ接触していたとすると、パターニングデバイスＭＡのわずかな移動によって固定ブロック５０２ａと固定ブロック５０２ｃとが接触し、そのときに、パターニングデバイスＭＡの面内移動をロックする対抗力が提供されるであろう。
【００４４】
[0066]  板ばね機構はまた、ブロック５０２ｃをグラウンド部５０６に接続する板ばねＬ５であって、ピン５０４の移動に伴ってＸ方向に（又は、板ばね機構５００の場所によっては、Ｙ方向に）移動するように構成された板ばねＬ５と、固定ブロック５０２ｃに結合し、ブロック５０２ａ及び／又は５０２ｂによって押されるか又は接触されるとそれに伴い固定ブロック５０２ｃを動かして固定ブロック５０２ｃの表面を固定ブロック５０２ａの表面に整列させる板ばねＬ６とを含む。図５Ｃは板ばね機構５００の別の図を示す。
【００４５】
[0067]  図６は、カバー３０６と動作構成にあるブロック５０２ａ〜５０２ｃが空洞４３０でベース３０８に接触している内部ポッド３０４の断面図を示す。固定ブロック５０２ａ上のピン（例えば、ピン４０２ａ、４０２ｂ、４０４ａ、又は４０４ｂの１つ）は、ピンを収容するカバー３０６の上面上の突起物６０２を介して容積６０８を閉鎖するように構成されている（同様の構成で、ピン５０４は容積６０８を閉鎖できる）。この構成で、ピン４０２ａ、４０２ｂ、４０４ａ、又は４０４ｂを介した内部ポッド３０４への外力の印加時のベース３０８へ向かう固定ブロック５０２ａの移動によって、固定ブロック５０２ｃはブロック５０２ａ及び５０２ｂの１回の動作でブロック５０２ｂ及び板ばねによってパターニングデバイスＭＡへ向かって押される。さらに、外部カバー３０２がピン４０２ａ、４０２ｂ、４０４ａ、又は４０４ｂに接触すると、又はより一般的には、外力（例えば、カバー３０６上に静止するベース３０８による力に対抗する反力）の結果として、ピンが固定ブロック５０２ｃの方へさらに押されると、固定ブロック５０２ｃの傾斜した表面６１２との固定ブロック５０２ａの傾斜した表面６１０の接触又は略接触を介して固定ブロック５０２ａは固定ブロック５０２ｃと接触するか又はほぼ接触する。上記のように、傾斜した表面６１０、６１２のこの接触又はニアコンタクト構成によって、パターニングデバイスＭＡの面内移動をロックする対抗力を提供できる。
【００４６】
[0068]  ブロック５０２ｂ及び５０２ｃはコイルばね６０６によって結合し、固定ブロック５０２ｃのピン５０４をパターニングデバイスＭＡに近づけ、又はこれから遠ざけるが、別のタイプのばね及び／又は結合機構を使用してもよい。コイルばね６０６は、パターニングデバイスＭＡとのピン５０４の接触及び／又は第２の表面４７２との固定ブロック５０２ｃの接触による摩擦力に対抗する際に助けになる。図６に示すように、パターニングデバイスＭＡは、ベース３０８の周辺表面６１６から壁６０４で切り離された高い位置の表面６１４上に配置されている。そのような分離は、周辺表面６１６の上方の領域内に存在する可能性がある汚染微粒子が高い位置の表面６１４の上方の領域に侵入してパターニングデバイスＭＡを汚染することの防止を助けるのに有利である。
【００４７】
[0069]  図７Ａは、接触ピン７０４とパターニングデバイスＭＡをＺ方向に抑制するピン４０６ａ〜４０６ｄの１つを有する板ばね機構７００の図を示す。接触ピン７０４とピン４０６ａ〜４０６ｄの１つは、二重板ばねＬ７によって形成される板ばね機構７００の部分によって結合される。二重板ばねＬ７の一端７０８は、内部カバー３０６（図示せず）に接続されている。二重板ばねＬ７の他端は、ピン４０６ａ〜４０６ｄの１つに結合されている。ピン４０６ａ〜４０６ｄが外力（例えば、カバー３０２からの）を受けると、ピン４０６ａ〜４０６ｄはベース３０８の方へ下降し、内部カバー３０６（図示せず）によって囲まれた容積内の固定ブロック７０２に接触するか又はほぼ接触する。この構成では、Ｌ７は、カンチレバー板ばねに結合してピン７０４を用いてパターニングデバイスＭＡをクランプするピン４０６ａ〜４０６ｄで外力（例えば、外部カバー３０２からの）を受けるように構成されたカンチレバー板ばね構成を形成する。固定ブロック７０２は、パターニングデバイスＭＡの面内移動をロックする対抗力を提供できるように構成されている。ピン４０６ａ〜４０６ｄによるそのような移動は、ベース３０８がカバー３０６に接触することに起因する。ピン４０６ａ〜４０６ｄを周辺表面６１６へ向かって押す力の具体的な構成にかかわらず、ピンのそのような動作によって接触ピン７０４によるパターニングデバイスＭＡのクランプが実行される。図７Ｂは、板ばね機構７００の側面図又は立面図を示す。図７Ｂにはもっぱら図を見やすくするために板ばね機構５００は示していない。しかしながら、図７Ｂは、パターニングデバイスＭＡのパターニング表面に実質的に平行なＸ−Ｙ平面内の移動を制限するベース３０８の周辺表面６１６上の３つのピン４０８ａ〜４０８ｃを示す。
【００４８】
[0070]  図８Ａ及び図８Ｂは、パターニングデバイスＭＡをＺ方向に抑制するピン７０４と、パターニングデバイスＭＡをＸ、Ｙ、及びθζ方向に抑制するピン５０４からの接触を考慮したパターニングデバイスＭＡの例示的な力の分布を示す。この例では、（例えば、外部カバー３０２が内部カバー３０６に接触するときに）ピン７０４の外力が印加されると、ピン７０４はベース３０８へ向かって下方に押され、ピン７０４との各接触ポイントで２０Ｎの例示的な力でパターニングデバイスＭＡをクランプする。同様に、板ばね機構５００によって面内力が提供され、固定ブロック５０２ｃ（又はその一部、例えば、その上のピン５０４）を押し、パターニングデバイスＭＡに接触させる。パターニングデバイスＭＡのパターニング表面に実質的に平行な平面内に面内抑制力が提供される。この例では２０Ｎの力という例示的な値が記載されている。しかし、パターニングデバイスＭＡを固定位置に抑制するのに十分であるが、パターニングデバイスＭＡ、内部カバー３０６、内部ベース３０８、外部カバー３０２、及び／又は外部ベース３１０の接触及び／又は摺動による微粒子の生成を低減するか又は最小限にする別のより大きい又は小さい力の値があってもよい。図８Ｂは、パターニングデバイスＭＡ上のＸ、Ｙ、及びＺ方向の力の分布の上面／平面図を示す。
【００４９】
[0071]  図９Ａは、ブロック５０２ａ〜５０２ｃに存在する力の分布の詳細図を示す。例えば、内部ポッド３０４が、外部カバー３０２が内部ポッド３０４及び外部ベース３１０に接触する閉鎖構成内にある場合、ブロック５０２ａ〜ｃは協働してパターニングデバイスＭＡをＸ−Ｙ平面内に留置する力をパターニングデバイスＭＡに提供する。特に、内部カバー３０６の内部表面のブロック５０２ｂは、図６のブロック５０２ａ〜５０２ｃの構成から分かるように、ばね６０６を介して、固定ブロック５０２ｃ、したがって、パターニングデバイスＭＡに予張力８１０を提供する。パターニングデバイスＭＡがＸ−Ｙ平面内を移動する（例えば、大きい外力のために制御不能に摺動する）場合、パターニングデバイスＭＡはブロック５０２ｃを介して機構５００に力８２０を作用させることができる。力８２０が予張力８１０を超える場合、ブロック５０２ｃを介してブロック５０２ａに余分な力８３０を作用させることができる。外部カバー３０２によって提供される保持力８００（ピン４０６ａ〜４０６ｄ）はそのような余分な力８３０の反対方向に作用し、余分な力８３０より大きい場合、パターニングデバイスＭＡを所定位置に保持する。したがって、保持力８００は、余分な力８３０が存在する場合、それぞれ、固定ブロック５０２ａ及び５０２ｃの傾斜した表面６１０及び６１２を互いに摺動接触させておくように特に設計されている。したがって、保持力８００は、パターニングデバイスＭＡが作用させる可能な予測される力に対抗できるだけの大きさであるように設計される（例えば、保持力８００は、パターニングデバイスＭＡによって印加される３０ｇ以上の力を想定して設計できる）。固定ブロック５０２ｃの表面６１２と固定ブロック５０２ａの表面６１０との間に形成される角度Ａは面内力の方向に対して鋭角であってもよい。一実施形態では、角度Ａは鈍角であってもよい。
【００５０】
[0072]  図９Ｂは、パターニングデバイスＭＡを実質的に固定された構成に抑制する板ばね機構５００のブロック５０２ａ〜５０２ｃの移動の結合例を示す。例えば、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、外部カバー３０２がベース３０８へ向かってＺ方向にピン４０６ａ〜４０６ｄに接触すると、固定ブロック５０２ａはベース３０８へ向かって移動し、ブロック５０２ｂとピン５０４が板ばね機構５００によってパターニングデバイスＭＡへ向かって同時に移動する。ブロック５０２ｂのそのような動作によって、固定ブロック５０２ｃはパターニングデバイスＭＡへ向かって移動する。上述したように、追加的に又はオプションとして、コイルばね６０６を用いてブロック５０２ｂとブロック５０２ｃのそのような移動を容易にすることができる。
【００５１】
[0073]  図１０は、本発明の一実施形態によるフィルタリング機構の場所を示す。フィルタ構成は下記の、又は各フィルタカバー４２０ａ〜４２０ｄの一部としてのフィルタ１０００を含む。フィルタカバー４２０ａ〜４２０ｄの一部である各フィルタ１０００は、残りのフィルタから隔離することができる。例えば、各フィルタカバー４２０及び関連するフィルタ１０００を特定の板ばね機構５００及び７００に関連付けられた特定の実質的に閉鎖された容積に割り当てることができる。図１１に詳細に示すように、フィルタ１０００はガスを内部ポッド３０４（例えば、容積６０８）内に注入するガスと、ガスを内部ポッド３０４（例えば、容積６０８）から排気するガスの両方に使用できる双方向又は二方向フィルタであってもよい。図１０に示す構成例では、フィルタ１０００は板ばね機構５００及び７００付近にあるが、図１０に示すフィルタリング機構はカバー３０６の面上のどこにあってもよい。フィルタ１０００は、別のタイプのフィルタ（双方向又は片方向）を含んでいてもよい。一実施形態では、フィルタは全部とは言わないが大半の微粒子を内部ポッド３０４から内部ポッド３０４外の空間へ通過させるが、内部ポッド３０４へは微粒子を全く若しくはごくわずかしか通過させないように構成されている。一実施形態では、フィルタはガスが内部ポッド３０４内に供給されているか、又はガスが内部ポッド３０４から排気されているかを問わず、微粒子を収集するように構成されている。フィルタリング機構によって、パターニングデバイスＭＡのための実質的に微粒子がない環境を維持することが容易にできる。例えば、容積６０８内にガスを注入することで、そのようなガスがフィルタリングの後の段階で排気されるときに容積６０８内に存在する微粒子を排出し除去することができる。一実施形態では、フィルタ１０００は微粒子を捕捉し、内部カバー３０６からフィルタ１０００を取り外すと、そのような微粒子はフィルタ１０００の廃棄又は洗浄によって（手動又は例えばロボットアームを用いて自動的に）永久に廃棄される。
【００５２】
[0074]  図１１は、フィルタリング機構の一実施形態によって注入されるガスのフローを示す。容積６０８内のガスフローの方向は、ブロック矢印によって示されている。ガスは、フィルタカバー４２０ａ〜４２０ｄを介して容積６０８に注入される。ガスは、フィルタ１０００によってフィルタリングされパターニングデバイスＭＡの上方の板１１００によって形成される表面によって容積６０８内に誘導される。排気の間、ガスは内部ポッド３０４から流出し、矢印の向きを逆にして示すことができる。容積６０８内に存在する微粒子は、容積６０８からのガスの排気中にフィルタ１０００の内部表面１１０２へ向かって排気力によって排出される。有利には、注入及び／又は排気中に、フィルタはパターニングデバイスＭＡから少なくとも一部分だけ離れているため、フィルタ１０００の微粒子（例えば、フィルタ１０００を通過して容積６０８内にあるか、又は内部表面１１０２で捕捉された微粒子）はパターニングデバイスＭＡ上に入射しない。その代わりに、そのような微粒子は落下するか又は板１１００上に吹き付けられ、パターニングデバイスＭＡの汚染を低減又は防止できる。容積６０８は、空洞４３０の封止１１０６によって内部カバー３０６と内部ベース３０８との間の接触ポイントで封止される。内部ベース３０８及び内部カバー３０６の平坦度は高い必要がないので、封止１１０６は内部ポッド３０４の設計の融通性を可能にする。封止１１０６は、例えば小さい圧縮力及び０．３ｍｍのストロークを有する材料で製造してもよい。
【００５３】
[0075]  図１２Ａ〜図１２Ｃは、内部ベース３０８に接触しているときに内部カバー３０６の移動を抑制する溝構成を示す。この実施形態では、溝機構はベース３０８の周辺表面６１６に取り付けられた３つのＶ字形の溝Ｖ４〜Ｖ６を含むが、溝のその他の数と形状とを使用してもよい。図１２Ａは、もっぱら図を見やすくするためにパターニングデバイスＭＡを取り外した溝構成を示す。Ｖ字形の溝Ｖ４〜Ｖ６は、内部ベース３０８の周辺表面６１６上の別の場所に位置していてもよいことに留意されたい。図１２Ｂは、Ｖ字形の溝Ｖ４又はＶ５の一方の拡大図を示す。例えば、Ｖ字形の溝Ｖ４又はＶ５は、図４Ｃに示すように、内部カバー３０６の第２の表面４７０上の接触ピン／ボールの一方を受けるように構成されている。一実施形態では、Ｖ字形の溝Ｖ４〜Ｖ６はベース３０８から分離可能で、１つ以上のねじ１２００でベース３０８の周辺表面６１６に取り付けられているが、Ｖ字形の溝Ｖ４〜Ｖ６をベース３０８に取り付ける別の機構を使用してもよい。図１２Ｃは、ボールＢ３がＶ字形の溝Ｖ６上に静止した内部カバー３０６を示す断面図を含む、Ｖ字形の溝Ｖ６が内部カバー３０６のボールＢ３を収容する溝構成の追加の図を示す。
【００５４】
[0076]  図１３は、内部ポッド３０４の様々なコンポーネント間の接触及び／又は摺動の結果として生成される微粒子ＰからのパターニングデバイスＭＡの保護／隔離を示す。この例では、微粒子Ｐは、内部ベース３０８の周辺表面６１６上にある。しかしながら、壁６０４がパターニングデバイスＭＡ上又はその上方の領域内の微粒子Ｐが侵入することを阻止する。さらに、パターニングデバイスＭＡは、ベース３０８の周辺表面６１６から壁６０４で切り離された高い位置の表面６１４上に配置されている。壁６０４及び／又は表面６１４を上昇させた結果、微粒子ＰがパターニングデバイスＭＡ、特にベース３０８に対向するパターニングデバイスＭＡの表面に接触する見込みは低減する。
【００５５】
[0077]  本発明の一実施形態によれば、コンテナ３００を用いてパターニングデバイスＭＡを処理する方法が提供される。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されている。この方法は、パターニングデバイスＭＡをベース３０８上に配置するステップと、内部カバー３０６をベース３０８に結合するステップとを含む。内部カバー３０６は、内部カバー３０６に外力が加わると、パターニングデバイスＭＡの移動を抑制する面内力をパターニングデバイスＭＡに提供するように構成されている抑制機構を有する。面内力は、パターニングデバイスＭＡのパターニング表面に実質的に平行な平面である。この方法は、放射ビームを調節するように構成されたイルミネータＩＬと、基板Ｗを保持するように構成された基板テーブルＷＴと、パターン付ビームをパターニングデバイスＭＡから基板Ｗのターゲット部分上に投影するように構成された投影システムＰＳと、を含むリソグラフィ装置１の支持構造ＭＴにパターニングデバイスＭＡを結合するステップをさらに含む。さらに、この方法は、フィルタ１０００を用いてパターニングデバイスＭＡ上方の、又はそれに隣接する容積から汚染物質をフィルタリングするステップを含む。例えば、図１１に示すように、フィルタ１０００はパターニングデバイスＭＡの真上にはなく、板１１００によってそこから分離されている。
【００５６】
[0078]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００５７】
[0079]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【００５８】
[0080]  また、リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体内に基板の表面が浸漬されるタイプであってもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイスと投影システムの最初の要素との間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。
【００５９】
[0081]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００６０】
[0082]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電型光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００６１】
[0083]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００６２】
[0084]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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