(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームにおいて、
半導体素子が搭載される搭載領域と、搭載領域を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域とを含む金属製のダイパッドと、
ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え、
半田流出防止領域は、搭載領域に対して粗面化され、
ダイパッドは、半田流出防止領域の外側に位置する外側領域を有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
搭載領域上にＡｇめっき層が設けられていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
ダイパッドは、それぞれ半田流出防止領域によって囲まれた複数の搭載領域を有することを特徴とする請求項１または２記載のリードフレーム。
【請求項４】
ダイパッドは、複数設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のリードフレーム。
【請求項５】
請求項１記載のリードフレームの製造方法において、
ダイパッドおよびリード部の外形形状を有するリードフレーム素材を準備する工程と、  リードフレーム素材の外側全面にめっき層を形成する工程と、
リードフレーム素材の外側全面に形成されためっき層のうち、半田流出防止領域に対応する部分を部分剥離する工程と、
リードフレーム素材表面のうち、めっき層が部分剥離された領域を粗面化し、半田流出防止領域を形成する工程と、
めっき層を全面剥離する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項６】
請求項１記載のリードフレームの製造方法において、
ダイパッドおよびリード部の外形形状を有するリードフレーム素材を準備する工程と、  リードフレーム素材の外側に、半田流出防止領域に対応する開口を有するめっき層を形成する工程と、
リードフレーム素材表面のうち、めっき層の開口領域を粗面化し、半田流出防止領域を形成する工程と、
めっき層を全面剥離する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を載置するために用いられるリードフレームおよびこのようなリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話をはじめとした携帯機器が増加している。このような携帯機器においては、その機能が増加していることにより消費電力が増大しており、バッテリーの持続時間を長くすることが課題となっている。このため、このような携帯機器においては、バッテリーを大容量化するとともに、携帯機器の機能部ごとに電源制御用半導体素子を配置し、携帯機器全体の省電力化を行っている。具体的には、携帯機器の各機能に対して、パワーマネージメントＩＣとともに非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータを用い、機能部のすぐ側から安定した電圧を供給するようなシステムになっている。
【０００３】
ところで一般に、コンバータおよびインバーター用のＩＣはパワーＩＣと呼ばれている。このようなパワーＩＣからなる半導体素子には大電流が流れるため、その裏面が端子（ドレイン）となっており、半導体素子は、リードフレームのダイパッド上に搭載されるようになっている。この場合、放熱性を高め、接続抵抗を低減する目的から、半導体素子を半田によってダイパッドに接続することが行われている。
【０００４】
一方、携帯機器においては、薄くて小さい半導体装置が要求されてきている。このことは、携帯機器に用いられる上記パワーＩＣ用の半導体装置においても例外ではない。このため、半導体装置のパッケージの形態としては、ＱＦＮのように薄くて放熱性の高いパッケージに変わりつつあり、それに伴って半導体素子を搭載するダイパッドも小さくなってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４６２０５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、パワーＩＣ用の半導体装置においては、半導体素子を半田によりダイパッドに接続することが行われているが、ダイパッドが小さくなると、半田流れを防止するために、半田の量や接続条件を厳しく管理することが必要となる。また、仮に半田の量や接続条件の管理を厳しくしたとしても、ダイパッドの側面およびダイパッドの裏面に半田が流れてしまう場合があり（半田流れという）、外観不良が生じるだけでなくパッケージの信頼性を悪化させるという問題がある。
【０００７】
また、半導体装置を小型化するために、ドライバーＩＣとコンバータ用ＩＣとをワンパッケージ化したモジュールパッケージも増加してきているが、このようなモジュールパッケージにおいては、半導体素子とダイパッドとを半田接続した面と同一の面にワイヤーボンディングをしなければならないものもあり、半田流れによりワイヤーボンディングが阻害されるという問題も生じている。
【０００８】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ダイパッドの側面およびダイパッドの裏面に半田が流れてしまう不具合を防止することが可能なリードフレームおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、リードフレームにおいて、半導体素子が搭載される搭載領域と、搭載領域を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域とを含む金属製のダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え、半田流出防止領域は、搭載領域に対して粗面化されていることを特徴とするリードフレームである。
【００１０】
本発明は、搭載領域上にＡｇめっき層が設けられていることを特徴とするリードフレームである。
【００１１】
本発明は、ダイパッドは、半田流出防止領域の外側に位置する外側領域を有することを特徴とするリードフレームである。
【００１２】
本発明は、半田流出防止領域は、ダイパッドの周縁に対応することを特徴とするリードフレームである。
【００１３】
本発明は、ダイパッドは、それぞれ半田流出防止領域によって囲まれた複数の搭載領域を有することを特徴とするリードフレームである。
【００１４】
本発明は、ダイパッドは、複数設けられていることを特徴とするリードフレームである。
【００１５】
本発明は、リードフレームの製造方法において、ダイパッドおよびリード部の外形形状を有するリードフレーム素材を準備する工程と、リードフレーム素材の外側全面にめっき層を形成する工程と、リードフレーム素材の外側全面に形成されためっき層のうち、半田流出防止領域に対応する部分を部分剥離する工程と、リードフレーム素材表面のうち、めっき層が部分剥離された領域を粗面化し、半田流出防止領域を形成する工程と、めっき層を全面剥離する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法である。
【００１６】
本発明は、リードフレームの製造方法において、ダイパッドおよびリード部の外形形状を有するリードフレーム素材を準備する工程と、リードフレーム素材の外側に、半田流出防止領域に対応する開口を有するめっき層を形成する工程と、リードフレーム素材表面のうち、めっき層の開口領域を粗面化し、半田流出防止領域を形成する工程と、めっき層を全面剥離する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ダイパッドに、搭載領域を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域が設けられており、半田流出防止領域は、搭載領域に対して粗面化されている。このことにより、ダイパッドの側面およびダイパッドの裏面に半田が流れてしまう不具合を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のII−II線断面図）。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法の一部を示す図。
【図４】本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法の一部を示す図。
【図５】本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法の一部を示す図。
【図６】リードフレームの製造方法の一部の変形例を示す図。
【図７】本発明の第２の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【図８】本発明の第３の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【図９】本発明の第４の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
第１の実施の形態
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図６を参照して説明する。
【００２０】
リードフレームの構成
まず、図１および図２により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１および図２は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
【００２１】
図１および図２に示すリードフレーム１０は、半導体素子２１（仮想線）を搭載する平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長いリード部１２とを備えている。
【００２２】
このうちリード部１２の周囲には、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する外枠１３が設けられている。さらに、ダイパッド１１の四隅には吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、４本の吊りリード１４を介して外枠１３に連結支持されている。
【００２３】
このようなリードフレーム１０は、全体として銅（Ｃｕ）または銅（Ｃｕ）合金等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。
【００２４】
一方、ダイパッド１１は、半田部２２（図２の仮想線）を介して半導体素子２１が搭載される平面矩形状の搭載領域１５と、搭載領域１５を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域１６とを含んでいる。さらに、半田流出防止領域１６の外側に、外側領域１７が設けられている。これら搭載領域１５、半田流出防止領域１６および外側領域１７は、ダイパッド１１の表面側に形成されている。
【００２５】
半田流出防止領域１６は、その表面を粗面化処理（例えば後述するマイクロエッチング処理）することにより、搭載領域１５および外側領域１７に対して粗面化されている。すなわち、半田流出防止領域１６のあらさは、搭載領域１５および外側領域１７より粗くなっている。この半田流出防止領域１６の平均あらさは、例えばＲａ＝０．３μｍ〜０．６μｍとすることができる。なお、平均あらさＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定される算術平均あらさである。また、図１において、半田流出防止領域１６の一辺の長さ（Ｌ１、Ｌ２）は、半導体素子２１のサイズと半導体素子２１の搭載精度に基づいて定めることができる。また、半田流出防止領域１６の幅（ｗ）は、例えば０．５ｍｍ〜２ｍｍとすることができる。
【００２６】
なお、図１において、半田流出防止領域１６は、平面環状、具体的には平面ロ字形状を有しているが、これに限られるものではなく、例えば平面円形状または平面多角形形状を有していても良い。また、図１において、半田流出防止領域１６の幅は全周に渡って均一であるが、これに限られるものではなく、半田流出防止領域１６の幅が場所によって不均一であっても良い。例えば、半田流出防止領域１６のうち、特に半田の流出を防止したい箇所の幅を太くし、それ以外の箇所の幅を細くしても良い。また、ダイパッド１１のうち搭載領域１５以外の部分を全て半田流出防止領域１６としても良い。
【００２７】
一方、搭載領域１５および外側領域１７は、粗面化処理が施されることなく平滑面を維持している。搭載領域１５の形状は、特に限定されるものではないが、例えば搭載する半導体素子２１の形状に対応させて、半導体素子２１の外形と略同一の形状を有していても良い。また、搭載領域１５上にはＡｇめっき層１８が設けられている。このＡｇめっき層１８の厚みは特に限定されるものではないが、例えば、０．１μｍ〜１０μｍとしても良い。このようにＡｇめっき層１８を設けたことにより、半導体素子２１を搭載する際、搭載領域１５に対する半田部２２の接合性を良好にすることができる。また、各リード部１２の先端（ダイパッド１１側の端部）にも、それぞれワイヤボンディング用のＡｇめっき層１８ａが設けられている。このＡｇめっき層１８ａの厚みについても特に限定されるものではないが、搭載領域１５上のＡｇめっき層１８と同様、例えば、０．１μｍ〜１０μｍとしても良い。
【００２８】
なお、図１において、便宜上１つのダイパッド１１のみを示しているが、実際は、１つのリードフレーム１０に複数のダイパッド１１が面付けされた状態で製造される。また、図１において、領域Ｓ（仮想線）は、リードフレーム１０のうち１つの半導体装置に対応する領域を示している。
【００２９】
リードフレームの製造方法
次に、図１および図２に示すリードフレーム１０の製造方法について、図３（ａ）−（ｄ）、図４（ａ）−（ｆ）および図５（ａ）−（ｃ）を用いて説明する。
【００３０】
まず図３（ａ）に示すように、平板状の基板３１を準備する。この基板３１としては、銅または銅合金等の金属からなる基板を使用することができる。なお基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００３１】
次に、基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図３（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００３２】
続いて、この基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図３（ｃ））。
【００３３】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図３（ｄ））。これにより、ダイパッド１１およびリード部１２の外形が形成される。腐蝕液は、使用する基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
【００３４】
次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、ダイパッド１１およびリード部１２の外形形状を有する（粗面加工されていない）リードフレーム素材３０が得られる（図４（ａ））。なお、これら図３（ａ）−（ｄ）に示す工程に代えて、金型を用いて基板３１をプレスして打ち抜き加工することにより、リードフレーム素材３０を得ても良い。
【００３５】
次に、リードフレーム素材３０の外側全面（表面、裏面および側面）に、電解めっきによりめっき層３４を形成する（図４（ｂ））。なお、めっき層３４は、後述するマイクロエッチングのマスクとなるものであり、例えばＡｇめっき層から構成することができる。さらにこのめっき層３４は、マイクロエッチングに耐える厚さがあれば良く、生産効率の面からは薄いほど良いため、その厚みは０．０５μｍ〜１μｍとすることができる。めっき層３４がＡｇめっき層からなる場合、電解めっき液としてはシアン化銀（ＡｇＣＮ）とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を主成分とするものを用いることができる。
【００３６】
次に、リードフレーム素材３０の外側全面に形成されためっき層３４を部分剥離する。この場合、まず、全面にめっき層３４が形成されたリードフレーム素材３０のうち、半田流出防止領域１６に対応する部分を除く部分を電解剥離液に触れさせないように、治具３７を用いて保持する（図４（ｃ））。治具３７は、リードフレーム素材３０のうち、半田流出防止領域１６に対応する部分に開口３７ａが形成されており、開口３７ａを介して半田流出防止領域１６に対応する部分のみが電解剥離液に触れるようになっている。
【００３７】
その後、治具３７により保持されたリードフレーム素材３０を電解剥離液に浸漬し、通電を行い、リードフレーム素材３０の半田流出防止領域１６に対応するめっき層３４を部分剥離する（図４（ｄ））。このようにめっき層３４を部分剥離した後に、電解剥離のための通電を止めて、リードフレーム素材３０を治具３７から取り外す。なお、電解剥離液はめっき層３４を溶解、剥離し、リードフレーム素材３０は溶解しない電解剥離液であれば良い。例えば、Ａｇめっき層を剥離するには、コハク酸イミドを主成分とする電解剥離液を用いることができる。
【００３８】
次に、リードフレーム素材３０のうちめっき層３４が部分剥離された領域を粗面化し、半田流出防止用の半田流出防止領域１６を形成する（図４（ｅ））。この際、めっき層３４が部分剥離されたリードフレーム素材３０に対してマイクロエッチング液を供給し、リードフレーム素材３０のうち半田流出防止領域１６に対応する部分に粗面を形成する。ここでマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。銅または銅合金からなるリードフレーム素材３０を粗面化する場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液が好適である。
【００３９】
その後、めっき層３４を全面剥離する（図４（ｆ））。この場合、リードフレーム素材３０の全面が電解剥離液に触れるようにし、上述した部分剥離の工程（図４（ｄ））と同様の方法で電解剥離を行なえばよい。
【００４０】
続いて、リードフレーム素材３０の表面および裏面にめっき用レジスト層３８、３９を設ける（図５（ａ））。このうち表面側のめっき用レジスト層３８は、Ａｇめっき層１８、１８ａの形成部位に相当する箇所に開口部３８ａ、３８ｂが形成され、この開口部３８ａ、３８ｂからはリードフレーム素材３０の表面（搭載領域１５）が露出している。他方、裏面側のめっき用レジスト層３９は、リードフレーム素材３０の裏面全体を覆っている。
【００４１】
次に、めっき用レジスト層３８、３９に覆われたリードフレーム素材３０の表面側に電解めっきを施す（図５（ｂ））。これによりリードフレーム素材３０上に金属（銀）を析出させて、ダイパッド１１の搭載領域１５上にＡｇめっき層１８、１８ａを形成する。このＡｇめっき層１８、１８ａを形成するために用いられる電解めっき液としては、シアン化銀（ＡｇＣＮ）とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を主成分とするものを用いることができる。
【００４２】
次いで、めっき用レジスト層３８、３９を剥離することにより、図１および図２に示すリードフレーム１０を得ることができる（図５（ｃ））。
【００４３】
リードフレームの製造方法の変形例
次に、図６（ａ）−（ｆ）を用いて、リードフレーム１０の製造方法の変形例について説明する。
【００４４】
まず、上述した図３（ａ）−（ｄ）に示す工程により、ダイパッド１１およびリード部１２の外形形状を有するリードフレーム素材３０を作製する（図６（ａ））。なお、上述したようにプレス加工によりリードフレーム素材３０を作製しても良い。
【００４５】
次に、リードフレーム素材３０の外側に、半田流出防止領域１６に対応する開口を有するめっき層４４を形成する（図６（ｂ）−（ｄ））。この場合、まずリードフレーム素材３０のうち半田流出防止領域１６に対応する部分を、治具４７により保持する（図６（ｂ））。治具４７は、リードフレーム素材３０のうち、半田流出防止領域１６のみを保持するようになっており、半田流出防止領域１６に対応する部分以外は、外方に露出するようになっている。
【００４６】
次に、治具４７により保持されたリードフレーム素材３０の外側に、電解めっきによりめっき層４４を形成する（図６（ｃ））。この場合、リードフレーム素材３０の外側のうち、治具４７により覆われた部分以外の部分全体にめっき層４４が形成される。なお、めっき層４４の構成およびめっき層４４を形成する方法については、上述しためっき層３４の場合（図４（ｂ）参照）と略同様である。このようにしてめっき層４４を形成した後、リードフレーム素材３０を治具４７から取り外す。この際、めっき層４４のうち半田流出防止領域１６に対応する部分（すなわち治具４７によって覆われた部分）に、半田流出防止領域１６に対応する開口４５が形成される（図６（ｄ））。
【００４７】
続いて、リードフレーム素材３０の表面のうち、めっき層４４の開口４５から露出する部分を粗面化し、半田流出防止領域１６を形成する（図６（ｅ））。この場合、マイクロエッチング液を用いて、リードフレーム素材３０の半田流出防止領域１６に対応する部分に粗面を形成する。なお、リードフレーム素材３０をマイクロエッチング液によって粗面化する方法は、上述した工程（図４（ｅ）参照）と略同様である。
【００４８】
次いで、めっき層４４を全面剥離する（図６（ｆ））。めっき層４４を全面剥離する方法は、上述した工程（図４（ｆ）参照）と略同様である。
【００４９】
その後、上述した図５（ａ）−（ｃ）に示す工程と同様に、ダイパッド１１の搭載領域１５上にＡｇめっき層１８、１８ａを形成することにより、図１および図２に示すリードフレーム１０が得られる。
【００５０】
本実施の形態の作用効果
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００５１】
図２に示すように、本実施の形態によるリードフレーム１０において、ダイパッド１１の搭載領域１５上に、例えば半田ペースト等の半田材料からなる半田部２２を介して、半導体素子２１が搭載されて接合される。このように半導体素子２１が搭載領域１５に接合される際、半田（半田部２２）は加熱されて溶融する。
【００５２】
本実施の形態によれば、搭載領域１５を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域１６が設けられており、この半田流出防止領域１６は、搭載領域１５に対して粗面化されている。ところで一般に、固体表面が粗くなることにより、液体に濡れる表面はより濡れるようになり、液体をはじく表面はよりはじくようになることが知られている（Wenzelのモデル）。したがって、本実施の形態において、溶融した液状の半田は、粗面化された半田流出防止領域１６で弾かれて、搭載領域１５内に留まり、半田流出防止領域１６の外側に流れることがない。これにより、溶融した半田がダイパッド１１の側面およびダイパッド１１の裏面に流れてしまう不具合を防止することができる。
【００５３】
とりわけ、半導体素子２１がパワーＩＣからなる場合、半導体素子２１の裏面が端子（ドレイン）となっており、半田部２２は、半導体素子２１の裏面全体を覆うように搭載領域１５上で拡がる。本実施の形態によれば、半導体素子２１がパワーＩＣからなる場合であっても、半田の流れが半田流出防止領域１６で止められ、ダイパッド１１の側面や裏面に流れ出るおそれがない。これにより、半田流れによる半導体装置の外観不良の発生を防止することができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００５４】
また、本実施の形態によれば、ダイパッド１１の側面および裏面に半田が流れてしまう不具合を防止するための構造を、安価で容易に実現することができる。また、半田流出防止領域１６の形状は、治具３７、４７によって決定することができるので、ダイパッド１１や半導体素子２１の形状に応じて半田流出防止領域１６の形状を自由に設定することができる。
【００５５】
さらに、本実施の形態によれば、搭載領域１５上にＡｇめっき層１８を設けることにより、搭載領域１５に対する半田部２２の接合性を良好に維持することができる。
【００５６】
さらに、本実施の形態によれば、半田流出防止領域１６を設けたことにより、半田がダイパッド１１の側面や裏面に流れるおそれがないので、ダイパッド１１上にもワイヤボンディングを行うことが可能となる。ダイパッド１１にワイヤボンディングした分だけ、リード部１２の本数を削減できるので、半導体装置を小型化することができる。
【００５７】
第２の実施の形態
次に、図７を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図７は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。図７に示す第２の実施の形態は、半田流出防止領域１６がダイパッド１１の周縁に対応している点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図７において、図１乃至図６に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５８】
図７に示すように、本実施の形態によるリードフレーム１０Ａにおいて、ダイパッド１１は、半導体素子２１が搭載される平面矩形状の搭載領域１５と、搭載領域１５を帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域１６とを含んでいる。このうち半田流出防止領域１６は、その表面を粗面化処理することにより、搭載領域１５に対して粗面化されている。この場合、半田流出防止領域１６は、ダイパッド１１の周縁全周に対応しており、半田流出防止領域１６の外側に外側領域１７は設けられていない。
【００５９】
このほか、図７に示すリードフレーム１０Ａの構成は、図１および図２に示すリードフレーム１０と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００６０】
本実施の形態によれば、半田流出防止領域１６を設けたことにより、半田がダイパッド１１の側面や裏面に流れるおそれがないので、ダイパッド１１上にもワイヤボンディングを行うことが可能となる。ダイパッド１１にワイヤボンディングした分だけ、リード部１２の本数を削減できるので、半導体装置を小型化することができる。
【００６１】
第３の実施の形態
次に、図８を参照して本発明の第３の実施の形態について説明する。図８は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。図８に示す第３の実施の形態は、ダイパッド１１が複数の半田流出防止領域１６ａ、１６ｂを有している点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図８において、図１乃至図６に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６２】
図８に示すように、本実施の形態によるリードフレーム１０Ｂにおいて、１つのダイパッド１１に複数（２つ）の半導体素子２１が搭載されるようになっている。この場合、ダイパッド１１は、それぞれ半導体素子２１が搭載される複数の搭載領域１５ａ、１５ｂと、各搭載領域１５ａ、１５ｂを帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域１６ａ、１６ｂとを有している。このうち半田流出防止領域１６ａ、１６ｂは、それぞれその表面を粗面化処理することにより、搭載領域１５ａ、１５ｂに対して粗面化されている。さらに、半田流出防止領域１６ａ、１６ｂの外側には、外側領域１７が設けられている。
【００６３】
このほか、図８に示すリードフレーム１０Ｂの構成は、図１および図２に示すリードフレーム１０と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００６４】
本実施の形態によれば、半田の流れが各半田流出防止領域１６ａ、１６ｂで止められるので、１つのダイパッド１１に複数の半導体素子２１を搭載した場合であっても、各半導体素子２１を接合する半田同士が接触し、相乗効果による半田の濡れ拡がりを防止できる。
【００６５】
第４の実施の形態
次に、図９を参照して本発明の第４の実施の形態について説明する。図９は、本発明の第４の実施の形態を示す図である。図９に示す第４の実施の形態は、ダイパッド１１が複数設けられている点が異なるものである。図９において、図１乃至図６に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６６】
図９に示すように、本実施の形態によるリードフレーム１０Ｃにおいて、複数のダイパッド１１ａ、１１ｂ、１１ｃが設けられている。このうちダイパッド１１ａ、１１ｂは、それぞれ半導体素子２１が搭載される平面矩形状の搭載領域１５ｃ、１５ｄと、各搭載領域１５ｃ、１５ｄを帯状に囲む半田流出防止用の半田流出防止領域１６ｃ、１６ｄとを含んでいる。また、半田流出防止領域１６ｃ、１６ｄは、それぞれその表面を粗面化処理することにより、搭載領域１５ｃ、１５ｄに対して粗面化されている。この場合、半田流出防止領域１６ｃ、１６ｄは、それぞれ１１ａ、１１ｂの周縁全周に対応している。
【００６７】
一方、図９において、ダイパッド１１ｃには、半導体素子２１が搭載されておらず、かつ半田流出防止領域が設けられていない。しかしながら、これに限らず、ダイパッド１１ｃにも搭載領域と半田流出防止領域とを設け、ダイパッド１１ｃの搭載領域上に追加の半導体素子２１を搭載しても良い。
【００６８】
また、図９において、ダイパッド１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、それぞれ吊りリード１４に加え、リード部１２に並んで配置された連結リード１９により外枠１３に連結されている。図９において、ダイパッド１１ａとダイパッド１１ｂとにそれぞれ半田流出防止領域１６ｃ、１６ｄを設けたことにより、吊りリード１４および連結リード１９の方へ半田が流出することがない。
【００６９】
このほか、図９に示すリードフレーム１０Ｃの構成は、図１および図２に示すリードフレーム１０と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００７０】
本実施の形態によれば、半田の流れが各半田流出防止領域１６ｃ、１６ｄで止められるので、リードフレーム１０Ｃが複数のダイパッド１１ａ、１１ｂ、１１ｃを有する場合であっても、各ダイパッド１１ａ、１１ｂ、１１ｃの側面や裏面に半田が流れてしまう不具合を防止することができる。また、半田流出防止領域１６ｃ、１６ｄを設けたことにより、半田がダイパッド１１ａ、１１ｂの側面や裏面、あるいは吊りリード１４および連結リード１９の方へ流れるおそれがないので、ダイパッド１１ａ、１１ｂ上にもワイヤボンディングを行うことが可能となる。ダイパッド１１ａ、１１ｂにワイヤボンディングした分だけ、リード部１２の本数を削減できるので、半導体装置を小型化することができる。
【００７１】
なお、図７乃至図９に示す各実施の形態において、リードフレーム１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、上述した図３乃至図６に示す製造方法と同様にして製造することができる。
【００７２】
上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組み合わせることも可能である。あるいは、上記実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。例えば、図９に示す実施の形態と図８に示す実施の形態とを組合せ、図９に示す各ダイパッド１１ａ、１１ｂが、それぞれ半田流出防止領域によって囲まれた複数の搭載領域を有するようにしても良い。
【符号の説明】
【００７３】
１０、１０Ａ−１０Ｃ  リードフレーム
１１、１１ａ−１１ｃ  ダイパッド
１２        リード部
１３        外枠
１４        吊りリード
１５、１５ａ−１５ｄ  搭載領域
１６、１６ａ−１６ｄ  半田流出防止領域
１７        外側領域
１８、１８ａ  Ａｇめっき層
２１        半導体素子
２２        半田部
３０        リードフレーム素材
３１        基板
３４        めっき層
３７        治具
４４        めっき層
４５        開口
４７        治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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