(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路の線幅方向の中央部分と対向している第１のグランド導体と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、該信号線路と対向している補助部材と、を備えた高周波信号伝送線路の製造方法において、
前記誘電体素体を積層方向の両側から加圧することによって、前記補助部材によって前記信号線路の線幅方向の中央部分を加圧して、該信号線路を湾曲させること、
を特徴とする高周波信号伝送線路の製造方法。
【請求項２】
前記補助部材は、前記信号線路に沿って延在しており、かつ、該信号線路の線幅よりも細い線幅を有していること、
を特徴とする請求項１に記載の高周波信号伝送線路の製造方法
【請求項３】
前記補助部材は、前記誘電体層よりも硬いこと、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号伝送線路の製造方法。
【請求項４】
前記補助部材は、導電性を有し、前記信号線路と電気的に接続されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号伝送線路の製造方法。
【請求項５】
前記誘電体素体を積層方向の両側から加圧する際に、該誘電体素体を加熱することにより、前記誘電体層を融着させること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号伝送線路の製造方法。
【請求項６】
前記補助部材は、前記誘電体層が融着する温度よりも低い温度で焼結する導電材料により作製されること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号伝送線路の製造方法。
【請求項７】
前記補助部材は、前記誘電体素体が加熱されることによって溶融しない材料により作製されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号伝送線路の製造方法。
【請求項８】
複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路と対向している第１のグランド導体と、を備えた高周波信号伝送線路の製造方法において、
前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に該信号線路と対向する補助部材を設け、
前記誘電体素体を積層方向の両側から加圧すると共に該誘電体素体を加熱することによって、前記補助部材によって前記信号線路の線幅方向の中央部分を加圧して、該信号線路を湾曲させ、
前記補助部材は、前記誘電体素体が加熱された際に消失すること、
を特徴とする高周波信号伝送線路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号伝送線路、電子機器及びその製造方法に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号伝送線路、電子機器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波信号伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波信号線路が知られている。【０００３】
特許文献１に記載の高周波信号線路は、誘電体素体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。誘電体素体は、複数の誘電体シートが積層されて構成されている。信号線は、誘電体素体内に設けられている。グランド導体は、誘電体素体において積層方向から信号線を挟んでいる。これにより、信号線とグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。【０００４】
ところで、特許文献１に記載の高周波信号線路は、挿入損失が大きいという問題を有する。より詳細には、信号線は、長方形状の断面形状を有している。そのため、縁端効果によって、信号線とグランド導体との間に発生する電気力線が信号線の角に集中する。よって、電流は、信号線の全体に流れるのではなく、信号線の角近傍の狭い領域に集中して流れるようになる。その結果、高周波信号線路の挿入損失が大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０７３５９１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、挿入損失の低減を図ることができる高周波信号伝送線路、電子機器及び高周波信号伝送線路の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の形態に係る高周波信号伝送線路の製造方法は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路の線幅方向の中央部分と対向している第１のグランド導体と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、該信号線路と対向している補助部材と、を備えた高周波信号伝送線路の製造方法において、前記誘電体素体を積層方向の両側から加圧することによって、前記補助部材によって前記信号線路の線幅方向の中央部分を加圧して、該信号線路を湾曲させること、を特徴とする。【００１２】
本発明の第２の形態に係る高周波信号伝送線路の製造方法は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路と対向している第１のグランド導体と、を備えた高周波信号伝送線路の製造方法において、前記誘電体素体において前記信号線路よりも積層方向の他方側に該信号線路と対向する補助部材を設け、前記誘電体素体を積層方向の両側から加圧すると共に該誘電体素体を加熱することによって、前記補助部材によって前記信号線路の線幅方向の中央部分を加圧して、該信号線路を湾曲させ、前記補助部材は、前記誘電体素体が加熱された際に消失すること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、挿入損失の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の外観斜視図である。
【図２】図１の高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。
【図３】図２の高周波信号伝送線路のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図４】図２の高周波信号伝送線路のＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【図５】高周波信号伝送線路のコネクタの外観斜視図である。
【図６】高周波信号伝送線路のコネクタの断面構造図である。
【図７】高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。
【図８】高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。
【図９】誘電体素体の積層時の断面構造図である。
【図１０】誘電体素体の積層時の断面構造図である。
【図１１】誘電体素体の圧着時の誘電体素体の温度変化を示したグラフである。
【図１２】第１の変形例に係る高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。
【図１３】図１２の高周波信号伝送線路のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図１４】図１２の高周波信号伝送線路のＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【図１５】誘電体素体の積層時の断面構造図である。
【図１６】誘電体素体の積層時の断面構造図である。
【図１７】第２の変形例に係る高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。
【図１８】図１７の高周波信号伝送線路のＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【図１９】第３の変形例に係る高周波信号伝送線路のＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【図２０】誘電体素体の積層時の断面構造図である。
【図２１】誘電体素体の積層時の断面構造図である。
【図２２】第４の変形例に係る高周波信号伝送線路のＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号伝送線路、電子機器及び高周波信号伝送線路の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１６】
（高周波信号伝送線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号伝送線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図２の高周波信号伝送線路１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。図４は、図２の高周波信号伝送線路１０のＢ−Ｂにおける断面構造図である。以下では、高周波信号伝送線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号伝送線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。
【００１７】
高周波信号伝送線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号伝送線路１０は、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、補助部材５０、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。
【００１８】
誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ〜１８ｃがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００１９】
線路部１２ａは、図２に示すように、ｘ軸方向に延在している帯状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。
【００２０】
誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。
【００２１】
誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図３に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも大きい。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＴ１は、例えば、５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１００μｍである。また、厚さＴ２は、例えば、１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。
【００２２】
また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。
【００２３】
信号線路２０は、図２に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２に設けられている線状の導体である。本実施形態では、信号線路２０は、誘電体シート１８ｂの表面上に形成されている。信号線路２０は、線路部１８ｂ−ａにおいてｘ軸方向に延在している。信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、接続部１８ｂ−ｂの略中央に位置している。信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、接続部１８ｂ−ｃの略中央に位置している。信号線路２０の線幅は、例えば、３００μｍ〜７００μｍである。本実施形態では、信号線路２０の線幅は３００μｍである。信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線路２０が誘電体シート１８ｂの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることを指す。また、信号線路２０の表面には平滑化が施されるので、図３及び図４に示すように、信号線路２０が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは信号線路２０が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２４】
基準グランド導体２２は、信号線路２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、誘電体シート１８ａを介して信号線路２０と対向している。基準グランド導体２２において、信号線路２０と重なる部分には開口が設けられていない。高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスは、主に、信号線路２０と基準グランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線路２０と基準グランド導体２２によって高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線路２０と基準グランド導体２２と補助グランド導体２４によって高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述する補助グランド導体２４の形状を調整する。
【００２５】
なお、本実施形態では基準グランド導体２２に開口が設けられていないが、補助グランド導体２４の開口３０よりも小さい開口が設けられていてもよい。
【００２６】
基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、図３及び図４に示すように、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２７】
また、基準グランド導体２２は、主要導体２２ａ、端子導体２２ｂ，２２ｃにより構成されている。主要導体２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している帯状の導体である。主要導体２２ａはベタ状の導体であり、主要導体２２ａにおいて信号線路２０と重なる部分には開口が設けられていない。端子導体２２ｂは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２２ｂは、主要導体２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子導体２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２２ｃは、主要導体２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００２８】
補助グランド導体２４は、信号線路２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。補助グランド導体２４には、信号線路２０に沿って並ぶ複数の開口３０が設けられている。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面に形成され、誘電体シート１８ｂを介して信号線路２０と対向している。補助グランド導体２４は、シールドとしても機能するグランド導体である。
【００２９】
補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｃの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｃの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、図３及び図４に示すように、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃに接している面の表面粗さは補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００３０】
また、補助グランド導体２４は、主要導体２４ａ、端子導体２４ｂ，２４ｃにより構成されている。主要導体２４ａは、線路部１８ｃ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している帯状の導体である。主要導体２４ａには、図２に示すように、ｘ軸方向に延在する長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。これにより、主要導体２４ａにおける補助グランド導体２４は、梯子状をなしている。また、補助グランド導体２４において、隣り合う開口３０に挟まれた部分をブリッジ部６０と呼ぶ。ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在している。複数の開口３０及び複数のブリッジ部６０とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線路２０は、開口３０及びブリッジ部６０のｙ軸方向の略中央をｘ軸方向に横切っている。
【００３１】
端子導体２４ｂは、接続部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２４ｂは、主要導体２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子導体２４ｃは、接続部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２４ｃは、主要導体２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００３２】
また、補助グランド導体２４は、前記の通り、高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように微調整を行うために設計されている。更に、補助グランド導体２４のブリッジ部６０のｘ軸方向の間隔は、使用帯域内において輻射ノイズが発生しないように設計される。
【００３３】
外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。
【００３４】
外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００３５】
以上のように、信号線路２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向から挟まれている。すなわち、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。ただし、補助グランド導体２４には開口３０が設けられているので、補助グランド導体２４が信号線路２０と対向する面積は、基準グランド導体２２が信号線路２０と対向する面積よりも小さい。
【００３６】
また、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図３及び図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔は、１００μｍである。一方、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図３及び図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、基準グランド導体２２と信号線路２０とのｚ軸方向における距離は、補助グランド導体２４と信号線路２０とのｚ軸方向における距離よりも大きくなるように設計されている。また、後述するように、信号線路２０の線幅方向の両端と基準グランド導体２２との距離は、信号線路２０の線幅方向の中央と基準グランド導体２２との距離よりも僅かに大きい。
【００３７】
ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線路２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、誘電体シート１８ａに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
【００３８】
複数のビアホール導体Ｂ１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ１は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１とビアホール導体Ｂ２とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
【００３９】
複数のビアホール導体Ｂ３は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ３は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ４は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ４は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。ビアホール導体Ｂ３とビアホール導体Ｂ４とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。
【００４０】
保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
【００４１】
また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、主要導体２２ａを覆っている。
【００４２】
接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００４３】
接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００４４】
ところで、高周波信号伝送線路１０は、挿入損失の低減を図るために、複数の補助部材５０を備えている。補助部材５０は、図２及び図４に示すように、誘電体素体１２において信号線路２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、該信号線路２０の線幅方向（ｙ軸方向）の中央と対向している。本実施形態では、補助部材５０は、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、信号線路２０の裏面に接触している。
【００４５】
また、補助部材５０は、信号線路２０に沿ってｘ軸方向に延在している。補助部材５０は、信号線路２０の線幅よりも細い線幅を有している。そのため、図２及び図４に示すように、補助部材５０は、信号線路２０の線幅方向の中央と対向し、信号線路２０の線幅方向の両端とは対向していない。
【００４６】
また、補助部材５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なり、ブリッジ部６０とは重なっていない。よって、補助部材５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４とは重なっていない。これにより、補助部材５０と補助グランド導体２４とが接触することを防止している。以上のような補助部材５０は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも硬い材料により作製されている。具体的には、補助部材５０は、導電性を有する金属材料により作製されており、例えば、Ｓｎ−ＣｕやＳｎ−Ａｇにより作製されている。
【００４７】
以上のような補助部材５０が設けられることにより、図４に示すように、信号線路２０は湾曲している。より詳細には、信号線路２０の線幅方向の中央部分は、補助部材５０と重なっている。補助部材５０は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも硬い材料により作製されている。そのため、誘電体素体１２の圧着時に、補助部材５０は、信号線路２０の線幅方向の中央をｚ軸方向の正方向側に押し上げる。その結果、信号線路２０は、信号線路２０が延在する方向（ｘ軸方向）に直交する断面において、信号線路２０の線幅方向の両端部分が信号線路２０の線幅方向の中央部分よりも基準グランド導体２２から離れるように湾曲している。すなわち、信号線路２０は、線幅方向の中央部分がｚ軸方向の正方向側に突出するように湾曲している。
【００４８】
更に、補助部材５０が導体であり、かつ、信号線路２０と電気的に接続されているので、高周波信号伝送線路１０における直流抵抗値を小さくすることができる。
【００４９】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線路２０において開口３０と重なっている部分は、信号線路２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、信号線路２０において開口３０と重なっている部分の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。
【００５０】
一方、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている部分は、信号線路２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている部分の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、開口３０とブリッジ部６０とはｘ軸方向に交互に並んでいる。そのため、信号線路２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、信号線路２０全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。
【００５１】
コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図５は、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図６は、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。
【００５２】
コネクタ１００ｂは、図１、図５及び図６に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。
【００５３】
外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子導体２２ｃに対応する位置に設けられている。
【００５４】
中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。
【００５５】
以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図５に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子導体２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線路２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。
【００５６】
なお、コネクタ１００ａ，１００ｂは必ずしも設けられなくてもよい。すなわち、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に外部端子１０４，１０６などの外部接続用電極を設け、その外部接続用電極を介して外部と接続するようにしてもよい。
【００５７】
高周波信号伝送線路１０は、以下に説明するように用いられる。図７は、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図８は、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。
【００５８】
電子機器２００は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。
【００５９】
筐体２１０は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
【００６０】
レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号伝送線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。
【００６１】
ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線路２０に関して基準グランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の基準グランド導体２２が位置している。
【００６２】
（高周波信号伝送線路の製造方法）
以下に、高周波信号伝送線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号伝送線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路１０が作製される。図９及び図１０は、誘電体素体１２の積層時の断面構造図である。図１１は、誘電体素体１２の圧着時の誘電体素体１２の温度変化を示したグラフである。縦軸は温度を示し、横軸は時間を示す。
【００６３】
まず、表面上の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの表面に銅箔を張り付ける。また、更に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、液晶ポリマーである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。
【００６４】
次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジスト液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。
【００６５】
次に、図２に示す信号線路２０を誘電体シート１８ｂの表面上に形成する。更に、図２に示す補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、信号線路２０及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。
【００６６】
次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。
【００６７】
次に、補助部材５０が形成される位置にレーザービームを照射することによって、誘電体シート１８ｂに貫通孔を形成する。そして、貫通孔に金属ペーストを充填し、補助部材５０を形成する。補助部材５０の材料である金属ペーストは、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化する温度Ｔａよりも低い温度Ｔｂで焼結する導電性材料である。金属ペーストは、例えば、Ｓｎ−Ｃｕ系ペーストやＳｎ−Ａｇ系ペーストである。なお、補助部材５０が形成される位置へのレーザービームの照射は、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置へのレーザービームの照射と同時に行われてもよい。
【００６８】
次に、図９及び図１０に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体素体１２に対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から加圧すると共に、誘電体素体１２を温度Ｔｃまで加熱する。温度Ｔｃは、図１１に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化する温度Ｔａ及び金属ペーストが焼結する温度Ｔｂよりも高い温度である。よって、誘電体素体１２の温度が温度Ｔｂに到達すると、金属ペーストが焼結し、補助部材５０が形成される。補助部材５０は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも硬い。そのため、誘電体シート１８ａ〜１８ｃは加圧によりｚ軸方向に押しつぶされるように大きく変形するのに対して、補助部材５０は加圧によりｚ軸方向に押しつぶされるように大きく変形しない。よって、補助部材５０は、信号線路２０の線幅方向の中央部分をｚ軸方向の正方向側に加圧して、図４に示すように、信号線路２０を湾曲させる。更に、誘電体素体１２の温度が温度Ｔａに到達すると、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化及び流動する。この後、誘電体素体１２の温度が温度Ｔｃに到達し、所定時間が経過すると、誘電体素体１２の加熱を停止する。これにより、誘電体素体１２が冷却されて、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが固化する。その結果、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが融着されて、誘電体素体１２が得られる。
【００６９】
次に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。
【００７０】
最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子導体２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号伝送線路１０が得られる。
【００７１】
（効果）
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０によれば、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、信号線路２０に電流が流れると、縁端効果により、信号線路２０の線幅方向の両端から基準グランド導体２２へと集中して電気力線が発生する。このように、電気力線が信号線路２０の線幅方向の両端から集中して発生すると、信号線路２０の線幅方向の両端に電流が集中して流れるようになる。よって、信号線路２０において電流が流れる領域が狭くなり、信号線路２０に電流が流れにくくなる。
【００７２】
そこで、高周波信号伝送線路１０では、図４に示す断面において、信号線路２０の線幅方向の両端が信号線路２０の線幅方向の中央部分よりも基準グランド導体２２から離れている。これにより、信号線路２０の線幅方向の両端から電気力線が集中して発生することが抑制される。その結果、信号線路２０において電流が流れる領域が広くなり、信号線路２０に電流が流れやすくなる。以上より、高周波信号伝送線路１０では、挿入損失が低減される。
【００７３】
また、高周波信号伝送線路１０では、以下の理由によっても、挿入損失を低減できる。より詳細には、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なる部分において、信号線路２０の線幅方向の中央部分がｚ軸方向に突出していると、信号線路２０の線幅方向の両端が信号線路２０の線幅方向の中央部分よりも補助グランド導体２４に近づく。そのため、信号線路２０の線幅方向の両端から補助グランド導体２４へと集中して電気力線が発生する。そこで、補助部材５０は、図２及び図３に示すように、ブリッジ部６０とは重なっていない。そのため、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なる部分において、信号線路２０が湾曲していない。これにより、信号線路２０の線幅方向の両端から電気力線が集中して発生することが抑制される。その結果、信号線路２０の全体に電流が流れるようになり、信号線路２０に電流が流れやすくなる。以上より、高周波信号伝送線路１０では、挿入損失が低減される。
【００７４】
また、高周波信号伝送線路１０のうち、補助部材５０が金属ペーストの焼結体であるため、誘電体素体１２において補助部材５０が設けられた領域が折り曲げられにくくなっている。そのため、誘電体素体１２が折れ曲がって、信号線路２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との距離が変動することが抑制される。その結果、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。
【００７５】
また、高周波信号伝送線路１０では、補助部材５０が導体であり、かつ、信号線路２０と電気的に接続されているので、高周波信号伝送線路１０における直流抵抗値が小さくなる。
【００７６】
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１２は、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ａの誘電体素体１２の分解図である。図１３は、図１２の高周波信号伝送線路１０ａのＡ−Ａにおける断面構造図である。図１４は、図１２の高周波信号伝送線路１０ａのＢ−Ｂにおける断面構造図である。なお、高周波信号伝送線路１０ａの外観斜視図については図１を援用する。
【００７７】
高周波信号伝送線路１０ａは、信号線路２０が誘電体シート１８ｂの裏面に設けられている点、補助部材５０が誘電体シート１８ｃに設けられている点及び補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃの裏面上に設けられている点において高周波信号伝送線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ａについて説明する。
【００７８】
高周波信号伝送線路１０ａでは、信号線路２０は、誘電体シート１８ｂの裏面上に設けられている。高周波信号伝送線路１０ａの信号線路２０の構造は、高周波信号伝送線路１０の信号線路２０の構造と同じであるので説明を省略する。
【００７９】
高周波信号伝送線路１０ａでは、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの裏面上に設けられている。高周波信号伝送線路１０ａの補助グランド導体２４の構造は、高周波信号伝送線路１０の補助グランド導体２４の構造と同じであるので説明を省略する。
【００８０】
また、高周波信号伝送線路１０ａは、誘電体シート１８ｃの裏面を覆う保護層１５を備えている。保護層１５は、誘電体素体１２の一部を構成しており、補助グランド導体２４を覆っている。
【００８１】
また、高周波信号伝送線路１０ａは、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を更に備えている。ビアホール導体ｂ３，ｂ４は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１，ｂ３は、図１２に示すように、１本のビアホール導体を構成しており、信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部と外部端子１６ａとを接続している。ビアホール導体ｂ２，ｂ４は、図１２に示すように、１本のビアホール導体を構成しており、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部と外部端子１６ｂとを接続している。
【００８２】
また、高周波信号伝送線路１０ａは、ビアホール導体Ｂ５，Ｂ６を更に備えている。ビアホール導体Ｂ５，Ｂ６は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２，Ｂ５は、図１３に示すように、１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４，Ｂ６は、図１３に示すように、１本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。
【００８３】
また、補助部材５０は、図１２及び図１４に示すように、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通している。これにより、補助部材５０は、信号線路２０に接触している。
【００８４】
以上のような補助部材５０が設けられることにより、図１４に示すように、信号線路２０は湾曲している。より詳細には、信号線路２０の線幅方向の中央部分は、補助部材５０と重なっている。補助部材５０は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも硬い材料により作製されている。そのため、誘電体素体１２の圧着時に、補助部材５０は、信号線路２０の線幅方向の中央をｚ軸方向の正方向側に押し上げる。その結果、信号線路２０は、信号線路２０が延在する方向（ｘ軸方向）に直交する断面において、信号線路２０の線幅方向の両端部分が信号線路２０の線幅方向の中央部分よりも基準グランド導体２２から離れるように湾曲している。すなわち、信号線路２０は、線幅方向の中央部分がｚ軸方向の正方向側に突出するように湾曲している。なお、高周波信号伝送線路１０ａのその他の構成は、高周波信号伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。
【００８５】
次に、高周波信号伝送線路１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。図１５及び図１６は、誘電体素体１２の積層時の断面構造図である。
【００８６】
まず、一方の主面上の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。高周波信号伝送線路１０ａにおける誘電体シート１８ａ〜１８ｃの準備工程は、高周波信号伝送線路１０における誘電体シート１８ａ〜１８ｃの準備工程と同じであるので説明を省略する。
【００８７】
次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図１２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。また、図１２に示す信号線路２０を誘電体シート１８ｂの裏面上に形成する。更に、図１２に示す補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの裏面に形成する。なお、高周波信号伝送線路１０ａにおける外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の形成工程は、高周波信号伝送線路１０における外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の形成工程と同じであるので説明を省略する。
【００８８】
次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂ，１８ｃのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ６が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ６を形成する。
【００８９】
次に、補助部材５０が形成される位置にレーザービームを照射することによって、誘電体シート１８ｃに貫通孔を形成する。そして、貫通孔に金属ペーストを充填し、補助部材５０を形成する。
【００９０】
次に、図１５に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、図１６に示すように、誘電体素体１２に対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から加圧すると共に、誘電体素体１２を加熱する。これにより、誘電体素体１２を得ることができる。
【００９１】
次に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。同様に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ｃの裏面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１５を形成する。
【００９２】
最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子導体２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号伝送線路１０ａが得られる。
【００９３】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ａによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、挿入損失の低減を図ることができる。
【００９４】
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１７は、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。図１８は、図１７の高周波信号伝送線路１０ｂのＢ−Ｂにおける断面構造図である。なお、高周波信号伝送線路１０ｂの外観斜視図については図１を援用する。
【００９５】
高周波信号伝送線路１０ｂは、補助部材５０の材料及び構成において高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、補助部材５０は、図１７及び図１８に示すように、誘電体シート１８ｂと誘電体シート１８ｃとの間に設けられている。すなわち、補助部材５０は、誘電体シート１８ｂ，１８ｃに埋め込まれていない。
【００９６】
また、補助部材５０は、絶縁性を有する樹脂部材により作製されているので、図１７に示すように、ブリッジ部６０上にも設けられてもよい。したがって、補助部材５０は、ｘ軸方向に延在する１本の棒状部材である。補助部材５０は、誘電体素体１２の圧着工程における加熱によっても溶融しない材料により作製されている。補助部材５０は、例えば、エポキシ樹脂等により作製される。なお、高周波信号伝送線路１０ｂのその他の構成は、高周波信号伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。
【００９７】
次に、高周波信号伝送線路１０ｂの製造方法について図面を参照しながら説明する。図１９は、誘電体素体１２の積層時の断面構造図である。
【００９８】
電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。高周波信号伝送線路１０ａにおける誘電体シート１８ａ〜１８ｃの準備工程は、高周波信号伝送線路１０における誘電体シート１８ａ〜１８ｃの準備工程と同じであるので説明を省略する。
【００９９】
次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図１７に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。また、図１７に示す信号線路２０を誘電体シート１８ｂの表面上に形成する。更に、図１７に示す補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、高周波信号伝送線路１０ｂにおける外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の形成工程は、高周波信号伝送線路１０における外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の形成工程と同じであるので説明を省略する。
【０１００】
次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂ，１８ｃのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。
【０１０１】
次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。この際、図１９に示すように、誘電体シート１８ｂの裏面上に補助部材５０を配置する。そして、誘電体素体１２に対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から加圧すると共に、誘電体素体１２を加熱する。これにより、誘電体素体１２を得ることができる。
【０１０２】
次に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。
【０１０３】
最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子導体２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号伝送線路１０ｂが得られる。
【０１０４】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｂによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、挿入損失の低減を図ることができる。
【０１０５】
なお、補助部材５０には、樹脂製の棒状部材からなるものでなく、エポキシ樹脂等の樹脂を含むペーストを誘電体シート１８ｂの裏面上に印刷し硬化させたものが用いられてもよい。
【０１０６】
また、高周波信号伝送線路１０ｂでは、補助部材５０が相対的に硬い材料により作製された場合には、誘電体素体１２が曲がることが抑制されるようになる。一方、補助部材５０が相対的に硬い材料により作製された場合には、誘電体素体１２が曲がりやすくなる。このように、補助部材５０の材質を変更することにより、誘電体素体１２の硬さを変更することができる。
【０１０７】
（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図２０は、第３の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｃのＢ−Ｂにおける断面構造図である。図２１は、誘電体素体１２の積層時の断面構造図である。なお、高周波信号伝送線路１０ｂの外観斜視図については図１を援用する。また、高周波信号伝送線路１０ｂの分解図については図１７を援用する。
【０１０８】
高周波信号伝送線路１０ｃは、信号線路２０の断面形状において高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、信号線路２０は、図２０及び図２１に示すように、ｚ軸方向の正方向側の角が切り落とされた断面形状をなしている。すなわち、これにより、信号線路２０の厚みは、信号線路２０の線幅方向の中央から両端に近づくにしたがって小さくなっている。このような形状は、例えば銅箔（金属膜）のエッチング等の条件を調整することによって実現することができる。
【０１０９】
なお、高周波信号伝送線路１０ｃの製造方法は、高周波信号伝送線路１０ｂの製造方法と同じであるので説明を省略する。
【０１１０】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｃによれば、高周波信号伝送線路１０ｂと同様に、挿入損失の低減を図ることができる。
【０１１１】
また、高周波信号伝送線路１０ｃによれば、信号線路２０の線幅方向の両端部分の厚みが信号線路２０の線幅方向の中央部分の厚みよりも小さい。そのため、誘電体素体１２の圧着工程において、信号線路２０の線幅方向の両端近傍における誘電体シート１８ｂ，１８ｃの変形が抑制される。その結果、誘電体シート１８ｂ，１８ｃの変形に起因する基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の変形が抑制される。
【０１１２】
また、高周波信号伝送線路１０ｃによれば、図２０に示すように、信号線路２０の線幅方向の両端が、基準グランド導体２２からより離れるようになる。これにより、信号線路２０の線幅方向の両端から基準グランド導体２２へと電気力線が集中して発生することがより効果的に抑制される。その結果、高周波信号伝送線路１０ｃでは、挿入損失がより効果的に低減される。
【０１１３】
（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図２２は、第４の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｄのＢ−Ｂにおける断面構造図である。なお、高周波信号伝送線路１０ｄの外観斜視図については図１を援用する。また、高周波信号伝送線路１０ｄの分解図については図１７を援用する。
【０１１４】
高周波信号伝送線路１０ｄは、補助部材５０が設けられていない点において高周波信号伝送線路１０ｂと相違する。高周波信号伝送線路１０ｄでは、高周波信号伝送線路１０ｂにおいて補助部材５０が存在していた位置に空洞Ｐが設けられている。これは、後述するように、誘電体素体１２の圧着工程において補助部材５０が消失したためである。なお、高周波信号伝送線路１０ｄのその他の構成は、高周波信号伝送線路１０ｂと同じであるので説明を省略する。
【０１１５】
次に、高周波信号伝送線路１０ｄの製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、高周波信号伝送線路１０ｄの製造方法は、補助部材５０に用いられる材料において高周波信号伝送線路１０ｂの製造方法と相違する。以下では、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ｄの製造方法について説明する。
【０１１６】
誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。この際、図２２に示すように、誘電体シート１８ｂの裏面上に補助部材５０を配置する。補助部材５０は、誘電体素体１２の圧着工程における加熱によって消失する材料により作製されている。ただし、補助部材５０は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化開始する温度Ｔａでは消失しない。補助部材５０の材料としては、例えば、カーボン系材料が挙げられる。そして、誘電体素体１２に対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から加圧すると共に、誘電体素体１２を加熱する。この際、補助部材５０は、信号線路２０の線幅方向の中央部分をｚ軸方向の正方向側に加圧して、図２２に示すように、信号線路２０を湾曲させる。その後、補助部材５０は消失する。これにより、誘電体素体１２を得ることができる。なお、高周波信号伝送線路１０ｄの製造方法の他の工程は、高周波信号伝送線路１０ｂの製造方法と同じであるので説明を省略する。
【０１１７】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｄによれば、高周波信号伝送線路１０ｂと同様に、挿入損失の低減を図ることができる。
【０１１８】
また、高周波信号伝送線路１０ｄによれば、信号線路２０のｚ軸方向の負方向側に空洞Ｐが設けられている。空洞Ｐの比誘電率は誘電体素体の比誘電率と比較して小さく、また、誘電体損も比較的小さいので、高周波信号伝送線路１０ｄの高周波特性が向上する。
【０１１９】
（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号伝送線路は、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【０１２０】
なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄの構成を組み合わせてもよい。
【０１２１】
保護層１４は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。
【０１２２】
なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄの端部と回路基板とがはんだ等によって接続される。なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。
【０１２３】
なお、ビアホール導体の代わりに、スルーホール導体が用いられてもよい。スルーホール導体とは、誘電体素体１２に設けられた貫通孔の内周面にめっき等の手段により導体を形成した層間接続部である。
【０１２４】
なお、補助グランド導体２４には開口３０が設けられていなくてもよい。また、補助グランド導体２４が設けられていなくてもよい。
【０１２５】
なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
以上のように、本発明は、高周波信号伝送線路、電子機器及び高周波信号伝送線路の製造方法に有用であり、特に、挿入損失を低減できる点において優れている。
【符号の説明】
【０１２７】
Ｐ 空洞
１０，１０ａ〜１０ｄ  高周波信号伝送線路
１２  誘電体素体
１８ａ〜１８ｃ  誘電体シート
２０  信号線路
２２  基準グランド導体
２４  補助グランド導体
３０  開口
５０  補助部材
６０  ブリッジ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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