(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ、集光ミラーおよびプラズマ生成物質の供給源を含む放射源であって、前記放射源は、前記チャンバに導入される前記プラズマ生成物質がレーザビームと相互作用し、それによって放射放出プラズマを生成する相互作用点を有しており、
前記放射源は、バッファガスを前記チャンバに送出し、かつ前記相互作用点に隣接する出口を有する導管をさらに含み、
前記導管の少なくとも一部は、前記放射源の前記集光ミラー内のアパーチャを通り抜けており、かつ、前記導管の少なくとも一部は、一方が他方の内側にある２つのチューブを含み、内側チューブは、前記レーザビームが前記内側チューブに沿って通ることができるように構成されており、前記２つのチューブの間のチャネルは、前記バッファガスが前記チャネルに沿って通ることが可能であるように構成されている、
放射源。
【請求項２】
前記出口は、新たなバッファガスが前記導管を通って供給されない場合に既に存在するバッファガスが加熱されて前記放射源の動作中に継続的に存在するであろう領域の外側境界内に配置されている、請求項１に記載の放射源。
【請求項３】
前記導管の前記出口は、前記相互作用点から１５ｃｍ以内である、請求項１または２に記載の放射源。
【請求項４】
前記導管の前記出口は、前記相互作用点から１０ｃｍ以内である、請求項３に記載の放射源。
【請求項５】
前記導管の前記出口は、前記相互作用点から３ｃｍ以上である、請求項１〜４のいずれかに記載の放射源。
【請求項６】
放射放出プラズマを生成するためにプラズマ生成物質をチャンバに導入することと前記プラズマ生成物質にレーザビームを向けることとを含む放射を生成する方法であって、前記レーザビームと前記プラズマ生成物質が相互作用する点に隣接する場所においてバッファガスを前記チャンバに導入することをさらに含み、前記バッファガスは、前記相互作用点に隣接した導管の出口から供給され、前記導管の少なくとも一部は、前記放射源の前記集光ミラー内のアパーチャを通り抜けており、かつ、前記導管の少なくとも一部は、一方が他方の内側にある２つのチューブを含み、内側チューブは、前記レーザビームが前記内側チューブに沿って通ることができるように構成されており、前記２つのチューブの間のチャネルは、前記バッファガスが前記チャネルに沿って通ることが可能であるように構成されている、
方法。
【請求項７】
前記バッファガスが導入される前記場所は、新たなバッファガスが前記導管を通って供給されない場合に既に存在するバッファガスが加熱されて放射源の動作中に継続的に存在するであろう領域の外側境界内である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記バッファガスは、１００ｍ／ｓ以上の速度で導入される、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記バッファガスは、２０００ｍ／ｓ以下の速度で導入される、請求項６〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記バッファガスが導入される速度は、前記レーザビームと前記プラズマ生成物質との間の次の相互作用の前に、加熱されたバッファガスを前記相互作用点の周りの領域から実質的に除去するために十分である、請求項６〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
放射源と、
放射を調整するための照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与するように働くパターニングデバイスを支持するためのサポート構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するための投影システムとを含む、リソグラフィ装置であって、
前記放射源は、チャンバ、集光ミラーおよびプラズマ生成物質の供給源を含み、前記放射源は、前記チャンバに導入される前記プラズマ生成物質がレーザビームと相互作用し、それによって放射放出プラズマを生成する相互作用点を有しており、前記放射源は、バッファガスを前記チャンバに送出し、かつ前記相互作用点に隣接する出口を有する導管をさらに含み、前記導管の少なくとも一部は、前記放射源の前記集光ミラー内のアパーチャを通り抜けており、かつ、前記導管の少なくとも一部は、一方が他方の内側にある２つのチューブを含み、内側チューブは、前記レーザビームが前記内側チューブに沿って通ることができるように構成されており、前記２つのチューブの間のチャネルは、前記バッファガスが前記チャネルに沿って通ることが可能であるように構成されている、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射源、放射を生成する方法および放射源を含むリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性金属化合物（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
基板上に今まで以上に小さい構造を投影することを可能にするために、１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する極端紫外線を使用することが提案された。さらに、１０ｎｍより小さい、例えば、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍの波長を有する放射を使用してもよいことも提案された。リソグラフィの文脈においては、時々、１０ｎｍより小さい波長を「超ＥＵＶ(beyond EUV)」と呼ぶ。
【０００４】
極端紫外線および超ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。プラズマは、例えば、適切な材料（例えば、スズ）の粒子にレーザを向けることによって、あるいは、適切なガス（例えば、Ｓｎ蒸気、ＳｎＨ４、またはＳｎ蒸気と小さな核電荷を有するあらゆるガス（例えば、Ｈ２からＡｒまで）との混合物）の流れにレーザを向けることによって生成することができる。結果として生じるプラズマは、極端紫外線（または超ＥＵＶ放射）を放出し、これは、集光ミラーを用いて集められて焦点に合焦され得る。
【０００５】
極端紫外線（または超ＥＵＶ放射）に加えて、プラズマは、熱化された(thermalized)原子、イオン、ナノクラスターおよび／またはマイクロ粒子などといった粒子の形態を有するデブリを生成する。デブリは集光ミラー（または他の構成要素）にダメージを与え得える。バッファガスがプラズマ付近に提供されてもよい。プラズマによって生成される粒子はバッファガスの分子と衝突し、それによってエネルギーを失う。このようにして、少なくとも一部の粒子は、集光ミラーに到達しないように十分に減速することができる。よって、集光ミラーに与えられるダメージを減少することができる。しかしながら、バッファガスが使用された場合であっても、一部の粒子はそれでも集光ミラーに到達し、集光ミラーにダメージを与え得る。
【０００６】
バッファガスの有効性を改善することが望ましい。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の第１の態様によると、チャンバおよびプラズマ生成物質の供給を含む放射源であって、放射源は、チャンバに導入されるプラズマ生成物質がレーザビームと相互作用し、それによって放射放出プラズマを生成する相互作用点を有しており、放射源は、バッファガスをチャンバに送出するように構成され、かつ相互作用点に隣接する出口を有する導管をさらに含む、放射源が提供される。
【０００８】
本発明の第２の態様によると、放射放出プラズマを生成するためにプラズマ生成物質をチャンバに導入することとプラズマ生成物質にレーザビームを向けることとを含む放射を生成する方法であって、レーザビームとプラズマ生成物質が相互作用する点に隣接する場所においてバッファガスをチャンバに導入することをさらに含む、方法が提供される。
【０００９】
本発明の第３の態様によると、放射源と、放射を調整するための照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与するように働くパターニングデバイスを支持するためのサポート構造と、基板を保持するための基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するための投影システムとを含む、リソグラフィ装置であって、放射源は、チャンバおよびプラズマ生成物質の供給を含み、放射源は、チャンバに導入されるプラズマ生成物質がレーザビームと相互作用し、それによって放射放出プラズマを生成する相互作用点を有しており、放射源は、バッファガスをチャンバに送出するように構成され、かつ相互作用点に隣接する出口を有する導管をさらに含む、リソグラフィ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２ａ】図２ａは、本発明の一実施形態による放射源を示す。
【図２ｂ】図２ｂは、本発明の一実施形態による放射源を示す。
【図３】図３は、本発明の別の実施形態による放射源を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、
-  放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射または超ＥＵＶ放射を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
-  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
-  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
-  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１２】
照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１３】
サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１４】
本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１５】
パターニングデバイスの例としては、マスクおよびプログラマブルミラーアレイが含まれる。マスクはリソグラフィでは周知であり、一般的にＥＵＶまたは超ＥＵＶでは、リソグラフィ装置は反射型である。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１６】
本明細書において使用される「投影システム」という用語は、あらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。通常、ＥＵＶまたは超ＥＵＶリソグラフィ装置では、光エレメントは反射型である。しかしながら、他の種類の光エレメントを使用してもよい。光エレメントは、真空中にあってもよい。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１７】
本明細書に示されているとおり、装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００１８】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００１９】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２０】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２１】
放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡによって反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間のスペース内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２２】
例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．  ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．  スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．  別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２３】
上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２４】
図２は、本発明の一実施形態による放射源ＳＯを概略的に示している。図２ａは、片側から見た放射源ＳＯの断面を示し、図２ｂは、上から見た放射源の断面を示している。
【００２５】
放射源ＳＯはチャンバ１を含む。チャンバ１は、壁２および集光ミラー３によって画定される。集光ミラー３は、極端紫外線波長を反射する反射面を有する。
【００２６】
供給源４は、材料（例えば、スズ）の小滴をチャンバ１に供給するように構成される。コレクタ５は、供給４の下でチャンバ１の底に配置され、チャンバ１を通り抜けた材料を集めるように構成される。
【００２７】
集光ミラー３は、放射を焦点ＦＰに合焦させるように構成されており、焦点ＦＰでは、そこから放射がリソグラフィ装置のイルミネータＩＬへと進むことができる（図１参照）。レーザ６は、アパーチャ８を通ってチャンバ１へと誘導される放射ビーム７を生成するために使用される。アパーチャ８は、例えば、レーザビーム７の波長を透過させる窓を含む。ビームダンプ９は、チャンバ１内に配置され、かつ材料供給源４によって提供される材料と相互作用しないレーザビーム７のあらゆる部分がビームダンプに入射する（およびビームダンプによって吸収される）ように位置決めされる。ガスクーラー１０は、チャンバの側壁からチャンバ１へと延在する。
【００２８】
バッファガス供給源は、チャンバの側壁からチャンバ１へと延在し、かつ材料供給源４から供給される材料にレーザビーム７が入射する相互作用点１３の近傍にバッファガスを送出する出口１２を有する導管１１を含む。
【００２９】
使用中、チャンバ１は適切なバッファガス（例えば、水素）で満たされる。レーザ６は、集光ミラー３内のアパーチャ８を通り抜けてチャンバ１へと入るレーザビーム７を生成する。材料供給源４は、チャンバ１を通ってコレクタ５へと下方に落ちる材料の小滴を生成する。材料の小滴が相互作用点１３を通り抜けたとき、レーザビーム７と材料の小滴との相互作用は、少なくとも一部の材料をプラズマに変換させる。プラズマは極端紫外線を放出し、これは集光ミラー３によって集められて焦点ＦＰに合焦される。極端紫外線は、焦点ＦＰからリソグラフィ装置のイルミネータＩＬ（図１参照）へと進む。
【００３０】
レーザビーム７と相互作用しない材料の小滴の部分は、チャンバ１を通って落ち続けてコレクタ５によって集められる。
【００３１】
レーザビーム７と材料の小滴との相互作用によって生成されるプラズマは、集光ミラー３にダメージを与える粒子を含み得る。チャンバ１内にあるバッファガスは、粒子が集光ミラー３に到達しないように粒子を減速させることを意図する。しかしながら、相互作用点１３におけるレーザビーム７とスズ粒子との相互作用の激しさは、レーザビームが材料の小滴と相互作用したとき、バッファガスが加熱されて相互作用点から離れるように押されるほどである。これは、相互作用点の周りの領域内のバッファガスがより高い温度およびより低い密度を有することをもたらす。
【００３２】
従来の極端紫外線放射源（バッファガスがチャンバの側壁から導入される）では、加熱されたバッファガスが相互作用点１３の周りの領域から離れるように移動する前に（加熱されたバッファガスは、例えば、ガスクーラー１０に向かって移動する）いくらかの時間が過ぎる。加熱されたバッファガスが相互作用点１３の周りの領域から離れるように移動するためにかかる時間は、例えば、数十ミリ秒程度である。連続する材料の小滴の相互作用点１３への送出時間は、これよりかなり短く、例えば、１０〜２０マイクロ秒である。これは、加熱されたバッファガスが、ＥＵＶ放射の連続的パルスの生成中に相互作用点１３の周りの領域に存在し続き得ることを意味する。
【００３３】
加熱されたバッファガスによって占有される相互作用点１３の周りの領域は、相互作用点１３と集光ミラー３との間の容積のかなりの割合を含み得る。この領域内の加熱されたバッファガスは、加熱されていないガスよりも低い密度を有しており、その結果、プラズマの粒子とバッファガスとの間の相互作用は少ない。結果的に、粒子が集光ミラー３に到達する可能性が高い。これが生じた場合、集光ミラー３にダメージが与えられる場合がある。
【００３４】
上述した問題に与え得る更なる影響がある。相互作用点１３で生成される速いイオンの多くは、集光ミラー３の方向に移動する。これらの速いイオンがバッファガスによって止められた場合、当該イオンはその運動量をバッファガスへと移し、それによってバッファガスを集光ミラー３の方向に流させる。これは、相互作用点１３の周りの領域内のバッファガスの密度をさらに減少させる。
【００３５】
上記の問題は、図２に示される導管１１によって解決されるか、またはその重大さが縮小される。導管１１は、相互作用点１３に隣接して配置される出口１２を有しており、それによって加熱されていないバッファガスを相互作用点１３へと送出する。したがって、加熱されたバッファガスが相互作用点１３の周りの領域から離れるように移動した後でのみ加熱されていないバッファガスがその領域へと流れる代わりに、導管１１の出口１２は、加熱されていないバッファガスを相互作用点１３の周りの領域に直接およびすぐに運ぶ。結果的に、材料の次の小滴が相互作用点１３に到達するまでに、新しく送出されるバッファガスが相互作用点１３の周りの領域に存在する。
【００３６】
この新しく送出されるバッファガスは加熱されておらず、したがって、加熱されたバッファガスより高密度である。したがって、バッファガスはより効果的である。したがって、本発明の実施形態は、プラズマ形成中に生成される粒子に対する集光ミラー３の改善された保護を提供する。したがって、これは、集光ミラー３が他の場合と比較して、洗浄および／または取り替えの前により長い寿命を有することを可能にする。
【００３７】
バッファガスは、高速度（例えば、１００〜２０００ｍ／ｓ）で送出されてもよい。これは、加熱されたバッファガスを相互作用点１３の周りの領域から速く離れるように押すという利点を提供する。バッファガスは、相互作用点１３に向けられるかまたはその近傍に向けられる超音速ガスジェットで送出されてもよい。超音速ガスジェットは、ジェット内のバッファガスの密度がチャンバ内のバッファガスの平均密度より実質的に大きくてもよいという利点を有しており、それによって相互作用点１３に隣接するバッファガスと速いイオンとの増大した相互作用を提供する。
【００３８】
導管１１はバッファガスをチャンバ１内へと導入するため、バッファガスをチャンバ１から送出するために１つ以上の孔（図示せず）を使用してもよく、それによってチャンバ内のバッファガスの圧力を調節する。ガスクーラー１０は、バッファガスの温度を調節する。
【００３９】
導管１１は、導管１１によって覆い隠される極端紫外線が、導管１１が存在しなかった場合に装置の他の要素によって覆い隠されるように選択された配置に設けられる。したがって、導管１１はガスクーラー１０の前に配置されており、これは、導管１１が存在するか否かに関わらずＥＵＶ放射を覆い隠す。導管１１は、レーザビーム７に対して垂直にずらされ、それによってレーザビームは導管１１内に入らず、代わりにその隣を通ってビームダンプ９に入射する。
【００４０】
上述したように、導管１１の出口は相互作用点１３に隣接している。導管１１の出口は、バッファガスが導管１１を通って供給されない場合に加熱されたバッファガスがＥＵＶ源の動作中に継続的に存在する領域の外側境界内にあってもよい。
【００４１】
導管１１の出口１２と相互作用点１３との間の距離は、以下のものを考慮することにより選択されてもよい。すなわち、出口１２が相互作用点１３に近いほど、相互作用点１３の周りの領域への加熱されたバッファガスの送出はより効果的である。しかしながら、出口１２が相互作用点１３に近いほど、導管１１が導管に対するイオンのスパッタリングを受ける可能性は高い。一例では、出口１２は相互作用点から１５ｃｍ以内であり、また、相互作用点から１０ｃｍ以内である。出口は、相互作用点から３ｃｍ以上であってもよい。相互作用点１３と集光ミラー３との距離は２０ｃｍであってもよい。
【００４２】
バッファガスが出口１２を通って提供される速度は、相互作用点１３の周りの領域から加熱されたバッファガスを実質的に除去するために十分であり得る。速度は、次のレーザと材料小滴との相互作用の前にこれを達成するのに十分であり得る。これを達成するためにバッファガスが出口１２を通って提供されるべき速度は、レーザと材料小滴との相互作用によって加熱されるバッファガスの容積、およびレーザと材料小滴との相互作用が起きる周波数（すなわち、ＥＵＶ源の周波数）に基づいて計算することができる。
【００４３】
本発明の別の実施形態は、図３に概略的に示されている。図３は、片側から見た放射源ＳＯを示している。図３に示される放射源ＳＯの要素のほとんどは、図２に示されるものと対応しており、ここでは再度説明しない。しかしながら、図２の導管１１は図３に存在しない。代わりに、導管２１が集光ミラー３内のアパーチャ８を通り抜けてレーザビーム７と平行して進む。導管２１には、相互作用点１３に隣接する出口２２が設けられる。導管２１は、図２に対して上述された方法と同等の方法でバッファガスを相互作用点１３の近傍に導入するために使用される。導管２１は、導管２１がチャンバ１内のプラズマによって生成される一部のＥＵＶ放射を覆い隠し得る一方、覆い隠されるＥＵＶ放射の量は比較的小さい（例えば、導管の長さよりむしろその断面のみがＥＵＶ放射を覆い隠す）ように位置決めされる。出口２２と相互作用点１３との距離は、図２に対して更に上述された基準を用いて選択されてもよい。
【００４４】
図３に示される実施形態の利点は、導管によって提供されるバッファガスの流れが集光ミラー３に向かうというよりむしろ集光ミラー３から離れる（それによって、加熱されたバッファガスが集光ミラー３から離れるように押すことを助ける）ということである。
【００４５】
図３に示される実施形態の修正されたバージョンでは、一方が他方の内側にある２つのチューブを含んでもよい。レーザビームは、２つのチューブのうちの内側のチューブに沿って通るように構成されてもよく、バッファガスは、２つのチューブの間に形成されたチャネルに沿って通るように構成されてもよい。この場合、レーザビームがレーザから相互作用点まで邪魔されずに進むことを可能にするために、図３に示される角は２つのチューブのうちの内側のチューブに存在しなくてもよい。
【００４６】
異なる位置および構成を有する導管１１および導管２１が図２および図３に示されたが、他の導管位置および構成が用いられてもよい。導管位置および構成は、あらゆるＥＵＶ放射を覆い隠さないことが好ましく、当該放射は、導管が覆い隠さない場合に放射源ＳＯの何らかの他の構成要素によっても覆い隠されない。一部の場合、これを達成することができないか、または、導管が一部のＥＵＶ放射を実際に覆い隠すある場所に導管を設けることを好ましい場合がある。この場合、可能な限り、導管によって覆い隠されるＥＵＶ放射の量を最小限にすることが望ましい。導管のための適切な配置および構成は、導管が設けられる放射源の特定の構成に従属する。１つより多い導管が設けられてもよい（例えば、図２および図３に示される導管の両方ともが単一のＥＵＶ源に設けられてもよい）。
【００４７】
上述した説明では水素をバッファガスとして用いることについて言及したが、他の適切なガスを用いてもよい。
【００４８】
上述した説明では材料の小滴をスズとして言及したが、他の適切な材料を用いてもよい。
【００４９】
本発明は、材料の小滴を用いる放射源に限定されない。本発明の一実施形態は、例えば、材料の小滴からよりむしろガスからプラズマを生成する。適切なガスとしては、Ｓｎ蒸気、ＳｎＨ４、またはＳｎ蒸気と小さな核電荷を有するあらゆるガス（例えば、Ｈ２からＡｒまで）との混合物が挙げられる。材料の小滴またはガスは、プラズマ生成物質の例として考えられてもよい。
【００５０】
上記の説明で言及されるＥＵＶ放射の波長は、例えば、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３〜１４ｎｍの範囲内である。
【００５１】
上記の本発明の実施形態の説明はＥＵＶ放射を生成する放射源に関するが、本発明は「超ＥＵＶ」放射、つまり、１０ｎｍ未満の波長を有する放射を生成する放射源に組み入れられてもよい。超ＥＵＶ放射は、例えば、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍの波長を有する。超ＥＵＶ放射を生成する放射源は、上述した放射源と同じ方法で動作してもよい。
【００５２】
上記の説明では、「加熱されていないバッファガス」という用語は、レーザビームとプラズマ生成物質との相互作用の後（およびレーザビームとプラズマ生成物質との次の相互作用の前）に出口１２および出口２２から送出されるバッファガスを意図している。
【００５３】
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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