(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電材料から成る端子台と、
該端子台の平らな上面における端部に形成された平らな複数の上面信号導体層と、前記端子台の前記上面における前記端部に形成されており、前記複数の上面信号導体層のそれぞれを挟むように配置された平らな複数の上面接地導体層と、
前記端子台の下面に形成された下面接地導体層と、
前記端子台の側面に沿って形成されており、前記端子台の前記側面の上端から下端にかけて形成されて前記複数の上面接地導体層および前記下面接地導体層に電気的に接続されている複数の側面接地導体層と、
前記端子台の前記側面に沿って形成されており、前記端子台の前記側面の前記上端から形成されて前記複数の上面信号導体層に電気的に接続されており、前記複数の側面接地導体層よりも短い複数の側面信号導体層とを備えており、
前記下面接地導体層は、前記複数の側面信号導体層に対応して複数の非形成領域を有しているとともに、前記端子台の下面に誘電体層をさらに備え、該誘電体層は、前記下面接地導体層の前記複数の非形成領域に対応して複数の非形成部を有していることを特徴とする端子構造体。
【請求項２】
前記複数の上面信号導体層に接合された複数の信号リード端子をさらに備えており、
前記複数の側面信号導体層の幅が、前記複数の信号リード端子の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の端子構造体。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載された端子構造体と、
該端子構造体を支持する容器体とを備えている電子部品収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項３に記載された電子部品収納用パッケージと、
該電子部品収納用パッケージに搭載された電子部品とを備えている電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば通信分野において用いられる端子構造体、電子部品収納用パッケージおよび電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば通信分野において用いられる電子装置の端子構造体は、誘電材料から成る端子台の上面に設けられた複数の上面信号導体層および複数の上面接地導体層を有している。端子構造体は、端子台の下面に設けられた下面接地導体層と、複数の上面信号導体層に接合された複数の信号リード端子と、複数の上面接地導体層に接合された複数の接地リード端子とをさらに含んでいる。複数の信号リード端子に付着しているろう材が端子台の側面に形成された複数の側面信号導体層にも付着していることによって、複数の信号リード端子の接合強度が向上されている。同様に、複数の接地リード端子に付着しているろう材が端子台の側面に形成された複数の側面接地導体層にも付着していることによって、複数の接地リード端子の接合強度が向上されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2010−199277号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の端子構造体において、側面信号導体層は、例えば下面接地導体層による寄生容量または例えば隣に設けられている側面接地導体層による寄生容量が付加されており、上面信号導体層における信号の伝送特性が低減される可能性があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、端子構造体は、誘電材料から成る端子台と、端子台の平らな上面における端部に形成された平らな複数の上面信号導体層および平らな複数の上面接地導体層と、端子台の下面に形成された下面接地導体層と、端子台の側面に沿って形成された複数の側面接地導体層および複数の側面信号導体層とを含んでいる。複数の上面接地導体層は、複数の上面信号導体層のそれぞれを挟むように配置されている。複数の側面接地導体層は、端子台の側面の上端から下端にかけて形成されており、複数の上面接地導体層および下面接地導体層に電気的に接続されている。複数の信号導体層は、端子台の側面の上端から形成されており、複数の上面信号導体層に電気的に接続されており、複数の側面接地導体層よりも短い。そして、下面接地導体層は、複数の側面信号導体層に対応して複数の非形成領域を有している。また、端子台の下面に誘電体層をさらに備え、この誘電体層は、下面接地導体層の複数の非形成領域に対応して複数の非形成部を有している。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、電子部品収納用パッケージは、上記の端子構造体と、端子構造体を支持する容器体とを含んでいる。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記の電子部品収納用パッケージと、電子部品収納用パッケージに搭載された電子部品とを含んでいる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一つの態様によれば、端子構造体が複数の側面接地導体層および複数の側面信号導体層を含んでおり、複数の側面接地導体層が端子台の側面の上端から下端にかけて形成されており、複数の側面信号導体層が端子台の側面の上端から形成されており複数の側面接地導体層よりも短いことによって、端子構造体は、複数の側面信号導体層における寄
生容量に関して低減されており、複数の上面信号導体層における信号の伝送特性に関して向上されている。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、電子部品収納用パッケージは、上述の端子構造体を含んでいることによって、収容される電子部品および外部の間における信号の伝送特性に関して向上されている。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、電子装置は、上述の電子部品収納用パッケージを含んでいることによって、信号の伝送特性に関して向上されている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態における電子装置の斜視図を示している。
【図２】（ａ）は図１に示された端子構造体の上面斜視図を示しており、（ｂ）は（ａ）に示された端子構造体の下面斜視図を示している。
【図３】（ａ）は図２（ａ）に示された端子構造体の平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）に示された端子構造体の側面図を示しており、（ｃ）は（ａ）に示された端子構造体の下面図を示している。
【図４】図２（ｂ）に示された端子構造体の側面信号導体層における寄生容量を模式的に示している。
【図５】図２（ｂ）に示された側面信号導体層の他の形状例を示す側面図である。
【図６】（ａ）は本発明の第２の実施形態における電子装置の端子構造体の下面斜視図を示しており、（ｂ）は（ａ）に示された端子構造体の下面図を示している。
【図７】（ａ）は図６（ａ）に示された端子構造体の信号リード端子における寄生容量を模式的に示しており、（ｂ）は比較例の端子構造体の信号リード端子における寄生容量を模式的に示している。
【図８】本発明の第３の実施形態における電子装置の端子構造体の下面斜視図を示している。
【図９】（ａ）は図８に示された端子構造体の信号リード端子における寄生容量を模式的に示しており、（ｂ）は比較例の端子構造体の信号リード端子における寄生容量を模式的に示している。
【図１０】（ａ）は本発明の第４の実施形態における電子装置の端子構造体の平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）に示された端子構造体の側面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１に示されているように、本発明の第１の実施形態における電子装置は、電子部品収納用パッケージ100と、電子部品収納用パッケージ100に搭載された電子部品200とを含ん
でいる。電子部品収納用パッケージ100は、端子構造体110と、端子構造体110を支持する
容器体120とを含んでいる。
【００１４】
図２および図３に示されているように、端子構造体110は、端子台１と、端子台１の上
面に形成された複数の上面信号導体層２と、端子台１の上面に形成された複数の上面接地導体層３と、端子台１の下面に形成された下面接地導体層４と、端子台１の側面に形成された複数の側面接地導体層５と、端子台１の側面に形成された複数の側面信号導体層６と、端子台１の上端に形成された上端接地導体層７を含んでいる。端子構造体110は、複数
の上面信号導体層２に接合された複数の信号リード端子８と、複数の上面接地導体層３に接合された複数の接地リード端子９とをさらに含んでいる。
【００１５】
図２（ａ）において、端子台１は、仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に設けられている。端子台１は、誘電材料から成り、基体誘電体層11および上側誘電体層12を有している。誘電材料は、例えばセラミックスである。上側誘電体層12は、基体誘電体層11の上に設けられており、図２（ａ）および（ｂ）において、基体誘電体層11および上側誘電体層12の境が、仮想の二点鎖線によって示されている。図３（ａ）に示されているように、上側誘電体層12は、仮想ｘｙ平面のｙ軸方向において基体誘電体層11の中央部分に設けられている。
【００１６】
複数の上面信号導体層２は、端子台１の上面の仮想のｙ軸における端部11ａに形成されている。図２（ａ）および図３（ａ）において、複数の上面信号導体層２は、ドット模様によって示されている。複数の上面信号導体層２は、基体誘電体層11の上面の仮想のｙ軸方向における第１の端部11ａから第２の端部11ｂにかけて形成されており、部分的に基体誘電体層11および上側誘電体層12によって挟まれている。図３（ａ）において、複数の上面信号導体層２のうち上側誘電体層12によって覆われた部分が、上側誘電体層12を透視した状態で破線によって示されている。
【００１７】
複数の上面接地導体層３は、端子台１の上面における端部11ａに形成されており、複数の上面信号導体層２のそれぞれを挟むように配置されている。図２（ａ）および図３（ａ）において、複数の上面接地導体層３は、ドット模様によって示されている。複数の上面接地導体層３は、基体誘電体層11の上面の仮想のｙ軸方向における第１の端部11ａから第２の端部11ｂにかけて形成されており、部分的に基体誘電体層11および上側誘電体層12によって挟まれている。図３（ａ）において、複数の上面接地導体層３のうち上側誘電体層12によって覆われた部分が、上側誘電体層12を透視した状態で破線によって示されている。
【００１８】
下面接地導体層４は、端子台１の下面に形成されており、図２（ｂ）および図３（ｃ）においてドット模様によって示されている。下面接地導体層４は、図３（ｃ）に示されているように、下面透視において複数の上面信号導体層２および複数の上面接地導体層３の形成領域に対応して設けられている。
【００１９】
複数の側面接地導体層５は、端子台１の側面に形成されており、複数の上面接地導体層３および下面接地導体層４に電気的に接続されている。図２（ａ）、（ｂ）および図３（ｂ）において、複数の側面接地導体層５は、ドット模様によって示されている。複数の側面接地導体層５は、端子台１の側面の上端から下端にかけて形成されている。複数の側面接地導体層５は、端子台１の側面に形成された複数のキャスタレーション内に形成されている。
【００２０】
複数の側面信号導体層６は、端子台１の側面に形成されており、複数の上面信号導体層２に電気的に接続されている。複数の側面信号導体層６は、図２（ａ）、（ｂ）および図３（ｂ）においてドット模様によって示されている。複数の側面信号導体層６のそれぞれは、複数の側面接地導体層５によって挟まれるように配置されている。複数の側面信号導体層６は、端子台１の側面の上端から形成されており、端子台１の側面に形成された複数のキャスタレーション内に形成されている。図３（ｂ）に示されているように、複数の側面信号導体層６は、複数の側面接地導体層５の長さＬ５よりも短い長さＬ５を有している。
【００２１】
上端接地導体層７は、上側誘電体層12の上面に形成されており、上面誘電体層12の側面に形成された複数の導体層によって複数の上面接地導体層３に電気的に接続されている。図２（ａ）および図３（ａ）において、上端接地導体層７は、ドット模様によって示されている。上面誘電体層12の側面に形成された複数の導体層は、上面誘電体層12の側面に形
成された複数のキャスタレーション内に形成されている。
【００２２】
複数の信号リード端子８は、端子台１の端部11ａにおいてろう材86によって複数の上面信号導体層２に接合されている。図２（ｂ）に示されているように、ろう材86の一部分は、複数の側面信号導体層６にも付着している。複数の接地リード端子９は、端子台１の端部11ａにおいてろう材95によって複数の上面接地導体層３に接合されている。図２（ｂ）に示されているように、ろう材95の一部分は、複数の側面接地導体層５にも付着している。高周波信号の伝送構造における接地電位の安定化および信号リード端子８に付加される寄生容量の低減という観点において、複数の信号リード端子８が複数の接地リード端子９よりも細い方が好ましい。
【００２３】
図２（ｂ）に示されているように、信号リード端子８の接合強度の観点において、側面信号導体層６の長さＬ６は、信号リード端子８の厚みＴ８以上であることが好ましい。信号リード端子８に負荷がかかった場合でも、側面信号導体層６との接続部において応力を分散させることができる。例えば信号リード端子８が0.1ｍｍの厚みＴ８を有する場合、
側面信号導体層６は例えば0.15ｍｍの長さＬ６を有するとよい。なお、上面信号導体層２における信号の伝送特性の観点において、側面信号導体層６の長さＬ６は、上面信号導体層２を伝送される信号の波長の１／４以下であることが好ましい。側面信号導体層６の長さＬ６が上面信号導体層２を伝送される信号の波長の１／４以下であることによって、上面信号導体層２を伝送される信号の反射が低減される。
【００２４】
本実施形態の端子構造体110において、複数の側面信号導体層６が端子台１の側面の上
端から形成されており複数の側面接地導体層５よりも短いことによって、複数の側面接地導体層５における寄生容量が低減されており、複数の上面信号導体層２における信号の伝送特性が向上されている。なお、複数の側面接地導体層５は、例えば端子台１の下面に下面接地導体層４が設けられた構造においては、端子台１の側面の下端まで設けられていることによって、下面接地導体層４との電気的接続を有することができ、接地電位の供給の安定化が図られる。
【００２５】
図４に示されているように、側面信号導体層６は、下面接地導体層４との間に形成された寄生容量Ｃ４６と、側面接地導体層５との間に形成された寄生容量Ｃ５６とを有している。側面信号導体層６が短いことによって、側面信号導体層６および下面接地導体層４の距離が大きくなり、寄生容量Ｃ４６が低減されている。さらに、側面信号導体層６が短いことによって、側面信号導体層６および側面接地導体層５の対向部分が小さくなり、寄生容量Ｃ５６が低減されている。図４において、寄生容量Ｃ４６およびＣ５６が模式的に示されている。
【００２６】
本実施形態における電子部品収納用パッケージ100は、上述の端子構造体110と、端子構造体110を支持する容器体120とを含んでいることによって、収容される電子部品200およ
び外部の間における信号の伝送特性に関して向上されている。
【００２７】
本実施形態における電子装置は、上述の電子部品収納用パッケージ100と、電子部品収
納用パッケージ100に搭載された電子部品200とを含んでいることによって、信号の伝送特性に関して向上されている。
【００２８】
なお、図５に示されているように、側面信号導体８が下方向に向かうに伴って小さくなるパターン幅を有していると、側面信号導体層８における寄生容量がさらに低減される。
【００２９】
（第２の実施形態）
図６（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の第２の実施形態における電子装置につい
て説明する。本実施形態の電子装置において、第１の実施形態における電子装置と異なる構成は、下面接地導体層４の形状である。その他の構成は、第１の実施形態における電子装置と同様である。
【００３０】
下面接地導体層４は、複数の側面信号導体層６に対応して複数の非形成領域４ａを有している。図６（ｂ）に示されているように、下面接地導体層４は、基体誘電体層11の下面における端部11ｃに形成された複数の非形成領域４ａを有しており、複数の非形成領域４ａは、複数の信号リード端子８に対応して設けられている。
【００３１】
本実施形態の端子構造体110において、下面接地導体層４が複数の側面信号導体層６に
対応して複数の非形成領域４ａを有していることによって、側面信号導体層６における下面接地導体層４による寄生容量が低減されており、複数の上面信号導体層２における信号の伝送特性が向上されている。図７（ａ）に示されているように、本実施形態の端子構造体110において、下面接地導体層４が非形成領域４ａを有していることによって、図７（
ｂ）に比較例として示されているように、下面接地導体層40が非形成領域を有さない端子構造体に比べて、本実施形態における端子構造体110は、側面信号導体層６および下面接
地導体層４の距離が大きくなっており、複数の信号リード端子８における下面接地導体層４による寄生容量Ｃ６４に関して低減されている。図７（ａ）および（ｂ）において、複数の信号リード端子８における寄生容量Ｃ６４およびＣ６４０が模式的に示されている。
【００３２】
本実施形態における電子部品収納用パッケージ100は、上述の端子構造体110と、端子構造体110を支持する容器体120とを含んでいることによって、収容される電子部品200およ
び外部の間における信号の伝送特性に関して向上されている。
【００３３】
本実施形態における電子装置は、上述の電子部品収納用パッケージ100と、電子部品収
納用パッケージ100に搭載された電子部品200とを含んでいることによって、信号の伝送特性に関して向上されている。
【００３４】
（第３の実施形態）
図８を参照して、本発明の第３の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置において、第２の実施形態における電子装置と異なる構成は、端子台１の下面に設けられた下側誘電体層13をさらに含んでいることである。その他の構成は、第２の実施形態における電子装置と同様である。
【００３５】
本実施形態における電子装置は、下側誘電体層13をさらに含んでいることによって、例えば下層誘電体層13の下面に接地導体層をさらに設けることが可能となり、接地電位の安定化が図られる。下側誘電体層13は、基体誘電体層11の下面に設けられており、下面接地導体層４の複数の非形成領域４ａに対応して複数の非形成部13ａを有している。
【００３６】
本実施形態の端子構造体110において、下側誘電体層13が下面接地導体層４の複数の非
形成領域４ａに対応して複数の非形成部13ａを有していることによって、側面信号導体層６における寄生容量が低減されており、上面信号導体層２における信号の伝送特性が向上されている。図９（ａ）に示されているように、本実施形態の端子構造体110において、
下側誘電体層13が非形成部13ａを有していることによって、図９（ｂ）に比較例として示されているように下側誘電体層130が非形成領域を有さない端子構造体に比べて、本実施
形態における端子構造体110は、例えば下側誘電体層13の下面に設けられた接地導体層と
側面信号導体層６との間における誘電率が低減されており、側面信号導体層６における寄生容量に関して低減されている。図９（ａ）および（ｂ）において、側面信号導体層６における寄生容量が模式的に示されている。
【００３７】
（第４の実施形態）
図10（ａ）および（ｂ）を参照して、本発明の第４の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置において、第１の実施形態における電子装置と異なる構成は、複数の側面信号導体層６の幅が複数の信号リード端子８の幅よりも大きいことである。その他の構成は、第１の実施形態における電子装置と同様である。
【００３８】
本実施形態の端子構造体110において、複数の側面信号導体層６の幅６ｗが複数の信号
リード端子８の幅８ｗよりも大きいことによって、側面信号導体層６において信号リード端子８よりも広い部分がインダクタンス成分となって、このインダクタンス成分が信号リード端子８における側面信号導体層６による寄生容量と整合されて、端子構造体110の高
周波特性が向上される。
【００３９】
本実施形態における構成は、上述の第２および第３の実施形態における電子装置においても適用され得る。
【符号の説明】
【００４０】
110  端子構造体
１  端子台
11  基体誘電体層
12  上側誘電体層
２  上面信号導体層
３  上面接地導体層
４  下面接地導体層
５  側面接地導体層
６  側面信号導体層
７  上端接地導体層
８  信号リード端子
９  接地リード端子
【図１】
0005769474.tif 000002
【図２】
0005769474.tif 000003
【図３】
0005769474.tif 000004
【図４】
0005769474.tif 000005
【図５】
0005769474.tif 000006
【図６】
0005769474.tif 000007
【図７】
0005769474.tif 000008
【図８】
0005769474.tif 000009
【図９】
0005769474.tif 000010
【図１０】
0005769474.tif 000011