(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．５×１０−３を超えるひずみを受ける使用下で、通り抜けるように非貫通データ転送を送るための固体剛性基板の面を利用する非貫通データ転送実装装置であって、
前記固体剛性基板に取り付けられるための第１の面と、音響トランスデューサの取付け界面に取り付けられるための第２の面とを有し、
前記固体剛性基板が使用中に高圧縮ひずみを受けるときに、前記第２の面におけるひずみが前記第１の面におけるひずみよりも低くなるひずみ絶縁素子及び前記音響トランスデューサを備え、
前記ひずみ絶縁素子は、前記固体剛性基板に取付けられる前記第１の面を含む相対的に細いステム部分と、前記音響トランスデューサが取り付けられる前記第２の面が張り出すように広げられるヘッド部分とを有する実装装置。
【請求項２】
前記固体剛性基板における、前記実装装置が実装された面とは反対側の面に、さらなる実装装置が取り付けられる請求項１に記載の実装装置。
【請求項３】
前記第１の面は、前記第１の面のほぼ全体にわたって前記固体剛性基板と密接に接触する請求項１または請求項２に記載の実装装置。
【請求項４】
前記広がったヘッドの周縁部と前記固体剛性基板との間に前記ヘッドの前記周縁部の屈曲運動を低減させるために配置される屈曲マウントを含む請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記載の実装装置。
【請求項５】
前記ひずみ絶縁素子は、固体剛性基板に、溶接、ろう付け、はんだ付け、固相接着および摩擦撹拌溶接のうちの１つによって取り付けられる請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の実装装置。
【請求項６】
前記ひずみ絶縁素子は単一の材料で形成されている請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の実装装置。
【請求項７】
前記ひずみ絶縁素子は異なる材料の２つの素子で形成されている請求項１乃至６のうちのいずれか１項に記載の実装装置。
【請求項８】
前記界面に対して垂直な方向の前記ひずみ絶縁素子の厚さが５ｍｍと３０ｍｍとの間である請求項１乃至７のうちのいずれか１項に記載の実装装置。
【請求項９】
前記ひずみ絶縁素子の厚さは１０ｍｍと２０ｍｍとの間である請求項７に記載の実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、使用中に高ひずみを受ける剛性基板上に素子を実装するための実装装置および実装方法に関する。
【０００２】
特に限定されないが、本発明は、使用中に高ひずみを受ける障壁を横切る非貫通データ転送（NPDT：Non Penetrating Data Transfer）を成し遂げるために障壁上に音響トランスデューサ部品を実装することに関する。本明細書では、「高ひずみ」という用語は、０．５×１０−３を超えるひずみを表すのに使用する。しかし本発明は、素子（センサなど）が高ひずみを受ける基板上に実装され、素子自体への、または素子と基板との間の接着層といった固定接合部への損傷を防止するために、素子を高ひずみから保護する必要がある他の状況においても適用可能である。かかる素子には、例えば、熱電対といったセンサが含まれる。
【背景技術】
【０００３】
ＮＰＤＴは、超音波を使用して固体障壁を通したデータおよび電力の伝送を可能にする技術である。ＮＰＤＴは、保護障壁を介した配線接続に必要とされる従来の貫通を低減させ、またはなくすことができる。このことは、障壁の構造的完全性、すなわち、これの完全気密性が最も重要であるときに、例えば、潜水艦、原子力産業、および化学産業においては、非常に関心を引くものである。このような障壁への貫通の総数を低減すれば、安全性が高まると同時に、設置コスト、および耐用期間中のコストも削減されうる。またこの技術は、障壁の性能を損なわずに、新たに持ち上がる要件を満たすために既存のプラットフォームへ新しいセンサ能力を後付けすることも可能にしうる。このような方法の例については、発明者らによる先行特許文献である、欧州特許第２１２２８６８号、ならびに同時係属出願である、国際出願ＰＣＴ／ＧＢ２０１０／０５１４６９号および国際出願ＰＣＴ／ＧＢ２０１０／０５１４７０号を参照されたく、これらの内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００４】
特定の用途では、データは、典型的には限定されないが、周波数範囲約３ＭＨｚから約５５ＭＨｚ内の高周波数音響信号を使用し、固体障壁を通してデータが伝送される。非常に薄い接着層によって固体障壁の裏面上に接合された圧電トランスデューサがこれらの超音波信号を発し、または受け取る。各トランスデューサによって発せられる超音波ビームは指向性が高く、実際に遭遇される可能性の高い典型的な障壁の厚さにわたって平行を保ったままになる。
【０００５】
１５０ＭＢ／秒を上回るディジタルデータ伝送速度が単一の音響チャネルリンクによって実行可能であり、別に、最大約１００ワットまでの電力伝送が成功裏に実証されている。発明者らは、（前述の）発明者らの目下の研究では、トランスデューサを基板に、またはキャリア板に接合するのに接着剤を使用しているが、例えば、低温はんだや他の接合材料を使用することにより、接合工程において熱衝撃によるトランスデューサの割れを生じない他の材料も使用することができるはずである。
【０００６】
既存の設計では、ＮＰＤＴリンクの圧電トランスデューサは、障壁上に直接接合され、あるいは、薄いキャリア板上に接合され、このキャリア板がさらに障壁上に接合され、または実装される必要がある。軍事用艦艇の用途では、障壁は、例えば高張力船舶用鋼で作られる。基板上でのトランスデューサ素子の直接実装も可能であるが、広い周波数帯域幅のデータトランスデューサでは、トランスデューサを中間板上に、特殊な事例では、くさび形断面の板上に実装することによって著しい利益が得られる。このような板の能動圧電トランスデューサ素子直下の平均厚さは、典型的には、３ｍｍ程度である。よくあるように、不適合な接合／結合層が使用される場合、この板は、板の機械的剛性に起因する収縮に応じた障壁への接合層にかかるせん断力を最小限に抑えるために可能な限り薄くすべきことが理解される。
【０００７】
ＮＰＤＴでは、良好なデータ伝送または電力伝送は、トランスデューサと基板と他方のトランスデューサとの間の良好な音響結合を使用して成し遂げられうる。基板の内外で音響エネルギーを効率よく結合するために、各トランスデューサと基板との間の界面における音響反射を低減させることにより、高周波数音響トランスデューサを基板に音響的に整合させることができる。
【０００８】
音響的整合は、一部は、相互に接合される個々の材料の音響インピーダンスの比率によって決定される。材料の音響インピーダンスＺａは、材料の密度ρと音速ｖａとの積に等しい。音響インピーダンスＺ１およびＺ２の２つの材料間の界面の音響反射率Ｒｉｎｔｅｒｆａｃｅは次式で与えられる。
【数１】
0005788530.tif 000002
【０００９】
音響インピーダンス３４．３ＭＲａｙｌｓ（１ＭＲａｙｌｓ＝１×１０６ｋｇｍ−２ｓ−１）の３６°Ｙカットニオブ酸リチウムトランスデューサと、音響インピーダンス４６．３ＭＲａｙｌｓの船舶用鋼基板との間の仮想界面の音響反射率は約２．２％になるはずであり、これは非常に低く、従って、これらの材料は音響的に十分に整合するとみなされるはずである。
【００１０】
一方、２つの材料間の音響接合層によって形成される１対の界面の音響反射率Ｒｂｏｎｄは次式で与えられる。
【数２】
0005788530.tif 000003
【００１１】
式中、接合層内の低レベルの音響減衰に有効な、接合層の有限厚さＬから生じる音響インピーダンスＺｂｏｎｄは次式で与えられる。
【数３】
0005788530.tif 000004
【００１２】
ここで、Ｚ１およびＺ３は接合線の両側の層１および層３についての音響インピーダンスであり、Ｚ２は、厚さＬの接合層の音響インピーダンスであり、ｋ２は、接合材料の内部の波長Λの音について２π／Λで与えられる音響ｋベクトルである。
【００１３】
鋼基板に接合された３６°Ｙカットニオブ酸リチウムトランスデューサの具体的事例では、トランスデューサの周波数帯域幅応答は、トランスデューサ・基板接合界面の反射率が約２５％から約３０％を超えると、著しく損なわれることがわかる。
【００１４】
接着接合は、鋼やガラスといった材料によく使用される。しかし、接着材料は、一般には、トランスデューサまたは基板材料に十分に整合せず、例えば、マスターボンド社（ＭａｓｔｅｒＢｏｎｄ）が供給する接着剤ＥＰ３０は、わずか１．９７ＭＲａｙｌｓの音響インピーダンスしか有さず、これは、船舶用鋼の音響インピーダンスの２３分の１である。これは非常に狭い比帯域幅Δｆ／ｆｃ性能をもたらす可能性があり、式中、Δｆは効率のよい音響変換（ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｔｒａｎｓｄｕｃｔｉｏｎ）についての周波数帯域幅であり、ｆｃは、トランスデューサについての中心動作周波数である。これは、通常は、波長の１／１００未満程度の厚さの非常に薄い接合層を使用することによって克服され、例えば、４０ＭＨｚの中心周波数のトランスデューサでは、これは約０．５μｍになるはずである。この厚さ基準が満たされる場合には、特定のトランスデューサと基板設計との組み合わせに応じて、約３０％から約５０％より大きい比帯域幅が可能になる。しかし、例えば、潜水艦船体が深く潜水したときに水中の潜水艦船体に取り付けられた部品上の、または高圧油管内のトランスデューサが、非常に高い圧縮ひずみを受ける用途では、圧縮ひずみ（または高圧油管内の引張ひずみ）は、トランスデューサに層間はく離または損傷または接合層破損をもたらし、これによってデータ転送を損ない、または妨げる可能性がある。
【００１５】
従って、現在受け入れられている設計考慮事項が示唆するところでは、いかなるキャリア板の厚さも、障壁への接着層にかかるせん断応力を低減させるために可能な限り薄くすべきであり、同様に、こうしたいかなる接着層も、障壁に対する界面における音響パワーの反射が最小化されるように可能な限り薄くすべきである。しかし、発明者らの研究の示すところによれば、層間はく離の問題は、トランスデューサと障壁との間に相対的に厚い素子を、例えば溶接により取り付けることによって大幅に低減させることができる。これは、この厚い素子へのトランスデューサの臨界接合界面（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｂｏｎｄ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）における、あるいは、キャリア板上に実装されたトランスデューサの場合には、トランスデューサとキャリア板との間およびキャリア板と厚い素子との間の臨界接合界面におけるひずみを低減させる。
【発明の概要】
【００１６】
従って、発明者らは、前述の問題の少なくとも一部に対処するように、素子と基板との間の固定接合部におけるひずみを低減させる、基板に素子を固定するための実装装置を設計した。
【００１７】
従って、一態様では、使用中に０．５×１０−３を超えるひずみを受ける固体剛性基板の表面に音響トランスデューサを実装するための実装装置が提供され、装置は、上記基板に取り付けられる第１の面と上記能動素子の取付け界面に取り付けられる第２の面とを有し、これによって、上記基板が使用中に高圧縮ひずみを受けるときに、上記第２の面におけるひずみが上記第１の面におけるひずみよりも低くなるひずみ絶縁素子を備え、上記ひずみ絶縁素子は、固体剛性基板への上記第１の面における取付けのための相対的に細いステム部分を備え、上記トランスデューサへ上記第２の面において取り付けられる広がったヘッド部分を有する。
【００１８】
音響トランスデューサは、一般に、電力および／またはデータの伝送、モニタリング、制御、変調などのうちの少なくとも１つの目的で基板に取り付けられる。
【００１９】
「トランスデューサ部品」という用語は、本明細書では、例えば接着剤によって船体または障壁に取り付けられている機能トランスデューサ部品をいうのに使用する。これは、グランドプレーンに接合された単なるトランスデューサ素子を含んでいてよく、このグランドプレーンは、欧州特許第２１２２８６８号に記載されているように例えば接着層によってトランスデューサ部品を障壁または船体に（取り付ける）ための取付け界面を構成する。あるいは、前述のように、これの上にトランスデューサを実装した後で、この実装によって形成されたトランスデューサ部品を障壁または船体に取り付けるためのキャリア板または中間素子も含んでいてもよい。第１の例では、本明細書でいう音響トランスデューサ部品の「取付け界面」は、トランスデューサ素子から遠い側のグランドプレーンの表面である。第２の例では、トランスデューサ部品取付け界面は、トランスデューサ素子から遠い側であるキャリア板または中間素子の表面である。
【００２０】
特に、上記基板が１×１０−３のひずみを受けるときに、上記ひずみ絶縁素子は上記ひずみを、３分の１以下に、または２０分の１以下に、かつ／または４０分の１以下に低減させうる。
【００２１】
上記ひずみ絶縁素子は、上記式１で定義される基板とひずみ絶縁素子との間の界面における反射が、くさび形キャリアのトランスデューサ実装形状が使用されるときに、データ伝送要件では５０％未満に、電力伝送要件では約１０％未満になるように、基板に対して音響的に整合させることができる。
【００２２】
好都合には、広がったヘッドの周縁部と上記基板との間に、上記基板へ向かう方向および／または上記基板から離れる方向への上記ヘッドの周縁部の屈曲運動を低減させるために、１つまたは複数の屈曲マウントが配置されうる。
【００２３】
上記ひずみ絶縁素子は、高レベルのひずみサイクルに耐えることのできる任意の適切な手段（によって）、例えば、溶接、摩擦撹拌溶接、ろう付け、はんだ付け、および固相接着のうちの１つによって上記剛性固体基板に取り付けられてよく、上記ひずみ絶縁素子には、おおむねボイドも欠陥もなく、接合領域の少なくとも９０％に欠陥もボイドもないことが好ましい。
【００２４】
好都合には、上記ひずみ絶縁素子は、金属といった単一の材料で形成されていてよく、この材料は、例えば基板と同じ材料とすることができる。別の用途では、上記ひずみ絶縁素子は、異なる材料の２つの素子で形成されていてよい。
【００２５】
ある実施形態では、上記ひずみ絶縁素子は、直径約５０ｍｍの素子では厚さが１０ｍｍと２０ｍｍの間である。
【００２６】
別の態様では、本発明は、使用中に０．５×１０−３を超える圧縮ひずみを受ける固体剛性基板上に能動素子を実装する方法を提供し、この方法は、上記能動素子の取付け界面と上記固体剛性基板との間にひずみ絶縁素子を差し挟むステップであり、ひずみ絶縁素子がおおむね全接触領域にわたって上記剛性基板に接合され、これによって、音響トランスデューサとの取付け界面におけるひずみを、圧縮ひずみを受けるときに固体剛性基板が受けるひずみより少なくする上記ステップを備える。
【００２７】
以上で本発明を説明したが、本発明は、本明細書で、または以下の説明もしくは図面で開示する新規な特徴の任意の進歩性を有する組み合わせまたは部分的組み合わせに及ぶものである。  
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、以前に提案された、介在する障壁を通して音響エネルギーを伝達するためのトランスデューサの装置を示す図である。
【図２】図２は、トランスデューサ実装装置を示す概略図である。
【図３】図３は、本発明によるトランスデューサ実装装置の実施形態の図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明によるトランスデューサ実装装置の第２の実施形態の、それぞれ、側断面図および平面図、図４（ｂ）は、本発明によるトランスデューサ実装装置の第２の実施形態の、それぞれ、側断面図および平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
次に、本発明の様々な実施形態を、単なる例示として、添付の図面を参照して説明する。  
図１を参照すると、１対のトランスデューサ１０および２０を、それぞれ、エポキシ接着層１５および２５によって障壁の対向する面に実装することが知られている。この装置は、音響エネルギーが図示のようにパスＡに沿って伝搬することができるように、接合材料１５、２５および障壁を通る一方のトランスデューサから他方のトランスデューサまでの音響パスを提供する。多くの用途では、前述のように障壁内で誘発されたひずみが、接合層１５、２５においてかなりのせん断応力を生じさせる可能性がある。これは、障壁３０の表面での層間はく離につながりうる。前述のように、層１５、２５は、良好な音響伝送を保証するために可能な限り薄くする必要がある。
【００３０】
図２に、トランスデューサ１０および２０を障壁の両側に良好な音響接触状態で実装するための実施形態であって、しかも、トランスデューサ接合層で受けるひずみを低減させ、これによって、層間はく離の可能性を低減させ、または回避するように実装された実施形態を示す。この実施形態では、各トランスデューサが、例えば、約４０ＭＨｚの中心動作周波数を有するトランスデューサのための、それぞれ厚さ約０．５μｍの薄い接着層１５、２５によって、ひずみ絶縁素子１２、２２上に実装されている。ひずみ絶縁素子１２および２２は、良好な音響結合を提供するように、障壁の材料とおおむね同じ音響インピーダンスの材料の円板で形成されている。この実施形態では、円板１２および２２は、重大な欠陥もボイドもない界面のほぼ全体にわたって延在する密接した均質な表面対表面の接合層によって障壁材料３０に取り付けられている。
【００３１】
この実施形態では、これは、障壁に円板を溶接することによってなされているが、ひずみ絶縁素子を障壁にしっかりと取り付けることができると同時に、動作ひずみに耐え、良好な音響伝送を可能にする他の適切な取付け方法も使用されてよい。ある用途では、障壁材料は、例えば、高張力船舶用鋼とすることができ、同じ、または類似の材料を使用して円盤１２および２２を形成することができるはずである。必要な密接接合層を提供する他の形の取付けには、摩擦撹拌溶接、ろう付け、固相接着またははんだ付けが含まれる。
【００３２】
ある特定の例では、ひずみ絶縁素子１２および２２は、厚さ約１０ｍｍ、直径約５０ｍｍである。その場合トランスデューサは、障壁から遠い側のひずみ絶縁体の表面に取り付けられる。別の例では、ひずみ絶縁素子は厚さ２０ｍｍ、直径５０ｍｍである。
【００３３】
発明者らは、２つの実施例、すなわち、溶接によって障壁に取り付けられた、直径５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板と、同じ直径の、厚さが２倍（２０ｍｍ）の円板とに関してひずみ分析を行った。障壁における１×１０−３の等方性圧縮ひずみが、障壁から遠い側のひずみ絶縁素子の実装面上で機械的ひずみを生じ、円板の露出面の中心において、１０ｍｍの円板では３×１０−４の、２０ｍｍの円板では４．６×１０−５のひずみを生じる。これらのひずみ値は、１次的に、障壁３０の厚さから独立したものである。これは、１０ｍｍおよび２０ｍｍの厚さの円板がひずみを、それぞれ、約３分の１と、２１分の１とに低減させることを表している。
【００３４】
図３では、トランスデューサ１０および２０は、障壁３０に固定され、それぞれ円板１４、２４が上に形成された円柱状の軸１８、２８でできた、きのこ形のひずみ絶縁体素子上に実装されている。上記実施形態の場合と同様に、各軸は、重大なボイドも欠陥もない基板の界面全体にわたって延在する密接した均質な接合層を使用して障壁材料に固定されている。２つのサンプルが分析され、第１の例は、厚さ５ｍｍ、直径５０ｍｍの円板が上に形成された厚さ５ｍｍ、直径１０ｍｍの軸を有するものであり、第２の例は、厚さ１０ｍｍ、直径５０ｍｍの円板が上に形成された厚さ１０ｍｍ、直径１０ｍｍの軸でできたものであった。ひずみ取り特性が、障壁に対する１×１０−３の等方性ひずみの印加に基づいて分析されたものであり、結果として得られるひずみ低減および比率を以下の表に示す。この場合もやはり、これらのひずみ値は、１次的に、障壁の厚さから独立したものである。表に示すひずみ値は、構造の「軸」の真上のひずみ値に対応する。
【表１】
0005788530.tif 000005
【００３５】
表１に示すように、図３に示す形状と前述の寸法とを用いて、それぞれ、約４７と約１５００とのひずみ低減改善比率が可能である。図３に示す形状を用いたひずみの低減が生じるのは、円板１４および円板２４の周縁部が、円板の外周部により円板の中心で誘発される張力が原因で、円板の障壁から遠い側の面上での圧縮ひずみの伝送に抵抗しようとする傾向があるからである。
【００３６】
図３に示す装置は、高レベルの衝撃を受けるときにある特定の用途では不安定になりうる。このような用途では、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すような変更された装置が使用されてよい。図４（ａ）の装置は、通常は支持されない円板縁部の構造的支持を改善するための運動学的ヒンジの機構を含むが、同時に、支点において圧縮ひずみから円板を切り離す。この装置では、ひずみ絶縁体１６および２６は、前述のような全体として「きのこ形」のものであるが、円板と、障壁に溶接された周囲のアニューラリング４０との間のギャップを橋渡しする円板の周縁部に沿って間隔をおいて配置された、いくつかの運動学的ヒンジ１９および２９を含む。アニューラリング４０は、溶接といった任意の適切な接合技法によって障壁に取り付けることができるはずである。同様の効果を達成する他のやり方、例えば、細いロッドの適切な配列が使用されてもよい。
【００３７】
各実施形態では、障壁の両側で同じ種類の実装法が使用されているが、実装法は、各側で一般的な条件に従って適切に変更されてよいことが理解されるであろう。本明細書では、「トランスデューサ」という用語は、キャリア板に実装されたトランスデューサ、ならびに前述の表面に直接取り付けられたトランスデューサを包含することが意図されるものである。前述の寸法は例示にすぎず、多くの用途で使用される典型的なトランスデューササイズ（約７ｍｍ×７ｍｍ）に関連したものである。ひずみ絶縁素子の寸法、形状、および実装法は、個々の用途の必要に応じて変更されてよいことが当然ながら理解されるであろう。
【００３８】
図３および図４の「きのこ」形装置では、軸は、異なる材料で、例えば、より弱い材料、すなわち、例えば大幅に小さいヤング率を有する材料で形成することもできるはずであり、中心軸は、音響的に鋼にほぼ完全に整合し、高張力船舶用鋼の約半分のヤング率を有する銅で作ることもできるはずである。その場合銅は、固相接着によって鋼円板に取り付けることができるはずである。
【００３９】
図３および図４の「きのこ」形装置の代替として、テーパまたは段付け絶縁素子の他の形も本発明によって企図されている。例えば、ひずみ絶縁素子は、（軸を形成すべき）一端部が（ヘッドを形成すべき）他端部よりも小さい幅を有するという条件で、錐台（ｆｒｕｓｔｒｕｍ）またはキュポラの形を有していてもよい。
【００４０】
特に素子は、素子の小さい直径の方の端部（すなわちステム）のところの円形面が基板に接合するためのものであり、反対の端部（すなわちヘッド）のところの大きい方の面が取付け界面に接合するためのものである円錐台の形を有していてよい。
【００４１】
「きのこ」形装置が段付け形状を構成する場合、内角は面取りされ、または丸みが付けられてよい。  
本明細書に記載される実施形態は以下の発明の要素を含んでいる。 
（１）使用中に０．５×１０−３を超えるひずみを受ける固体剛性基板の表面に能動素子を実装するための実装装置であって、 
前記基板に取り付けられる第１の面と前記能動素子の取付け界面に取り付けられる第２の面とを有し、これによって、前記基板が使用中に高圧縮ひずみを受けるときに、前記第２の面におけるひずみが前記第１の面におけるひずみよりも低くなるひずみ絶縁素子を備え、 
前記ひずみ絶縁素子は、前記固体剛性基板への前記第１の面における取付けのための相対的に細いステム部分を備え、前記トランスデューサへ前記第２の面において取り付けられる広がったヘッド部分を有する実装装置。 
（２）前記能動素子は音響トランスデューサである項（１）に記載の実装装置。  
（３）前記第１の面は、前記第１の面のほぼ全体にわたって前記基板と密接に接触する項（１）または項（２）に記載の実装装置。  
（４）前記ひずみ絶縁素子は前記ひずみを３分の１以下に低減させる前記項のいずれか１項に記載の実装装置。  
（５）前記ひずみ絶縁素子は前記ひずみを２０分の１以下に低減させる前記項のいずれか１項に記載の実装装置。  
（６）前記ひずみ絶縁素子は前記ひずみを４０分の１以下に低減させる前記項のいずれか１項に記載の実装装置。  
（７）前記広がったヘッドの周縁部と前記基板との間に前記ヘッドの前記周縁部の屈曲運動を低減させるために配置される屈曲マウントを含む前記項のいずれか１項に記載の実装装置。  
（８）前記ひずみ絶縁素子は、前記剛性固体基板に、溶接、ろう付け、はんだ付け、固相接着および摩擦撹拌溶接のうちの１つによって取り付けられる前記項のいずれか１項に記載の実装装置。  
（９）前記ひずみ絶縁素子は単一の材料で形成されている前記項のいずれか１項に記載のトランスデューサ実装装置。  
（１０）前記ひずみ絶縁素子は異なる材料の２つの素子で形成されている項（１）から（８）のいずれか１項に記載のトランスデューサ実装装置。  
（１１）前記界面に対して垂直な方向の前記ひずみ絶縁素子の厚さが５ｍｍと３０ｍｍとの間である前記項のいずれか１項に記載のトランスデューサ実装装置。  
（１２）前記厚さは１０ｍｍと２０ｍｍとの間である項（１０）に記載のトランスデューサ実装装置。  
（１３）使用中に０．５×１０−３を超えるひずみを受ける固体剛性基板上に能動素子を実装する方法であって、前記能動素子の取付け界面と前記固体剛性基板との間にひずみ絶縁素子を差し挟むステップであり、前記ひずみ絶縁素子はおおむね全接触領域にわたって前記固体剛性基板に接合され、これによって、前記能動素子との界面におけるひずみを、圧縮ひずみを受けるときに前記固体剛性基板が受けるひずみよりも少なくする前記ステップを備える方法。
【図１】
0005788530.tif 000006
【図２】
0005788530.tif 000007
【図３】
0005788530.tif 000008
【図４】
0005788530.tif 000009