(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトラック群からなるデータ領域をライト単位として、ディスク上にデータを書き込むシングルドライト動作を実行するライト制御手段と、
データ領域の内周側または外周側に隣接するデータ領域にシングルドライト動作を実行する際に、前記内周側及び外周側のそれぞれのライト回数をシングルドライト方向に基づいて設定される重み付け値に応じてカウントし、カウントされた各ライト回数のいずれかが基準値を超えたときにリフレッシュ処理の実行を指示するリフレッシュ制御手段と
を具備するディスク記憶装置。
【請求項２】
前記リフレッシュ制御手段は、
前記シングルドライト方向で分類し、隣接するデータ領域からの磁気的記録の影響の程度に基づいて内周側及び外周側の各ライト回数に対する前記重み付け値を定義したテーブル情報を記憶する手段と、
前記テーブル情報を参照して設定される重み付け値に応じて前記ライト回数をカウントするカウンタ手段と
を含む請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項３】
前記リフレッシュ制御手段は、
前記基準値として磁気記録強度の許容限界値に相当し、内周側及び外周側のそれぞれの共通の閾値と前記各ライト回数とを比較する請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項４】
前記リフレッシュ制御手段は、
リフレッシュ処理の実行を指示するためのフラグをデータ領域毎に設定する手段を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項５】
前記シングルドライト方向に応じてデータ領域に含まれる最終トラックに対するシングルドライト動作におけるライト条件を、他のトラックとは異なる条件に設定する手段を有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項６】
複数のトラック群からなるバンドをライト単位として、ディスク上にデータを書き込むシングルドライト動作を実行するディスク記憶装置であって、
あるバンドの内周側または外周側に隣接するバンドにシングルドライト動作を実行する際に、前記内周側及び外周側のそれぞれのライト回数をシングルドライト方向に基づいて設定される重み付け値に応じてカウントし、カウントされた各ライト回数のいずれかが基準値を超えたときにリフレッシュ処理の実行を指示するコントローラ
を具備するディスク記憶装置。
【請求項７】
前記コントローラは、
前記シングルドライト方向で分類されるバンド群に対して、隣接するバンドからの磁気的記録の影響の程度に基づいて内周側及び外周側の各ライト回数に対する前記重み付け値を定義したテーブル情報をメモリから取得し、
前記テーブル情報を参照して設定される重み付け値に応じて前記各ライト回数をカウントした各カウンタ値を設定したカウンタテーブル情報をメモリに記憶する請求項６に記載のディスク記憶装置。
【請求項８】
前記コントローラは、
前記リフレッシュ処理の実行を指示するためのフラグをバンド毎にメモリに設定し、
前記フラグに基づいて当該バンドに対する前記リフレッシュ処理の実行する請求項６または請求項７のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項９】
複数のトラック群からなるバンドをライト単位として、ディスク上にデータを書き込むシングルドライト動作を実行するディスク記憶装置に適用するリフレッシュ制御方法であって、
データ領域の内周側または外周側に隣接するデータ領域にシングルドライト動作を実行する際に、前記内周側及び外周側のそれぞれのライト回数をシングルドライト方向に基づいて設定される重み付け値に応じてカウントし、
カウントされた前記各ライト回数のいずれかが基準値を超えたときにリフレッシュ処理の実行を指示するリフレッシュ制御方法。
【請求項１０】
前記シングルドライト方向で分類し、隣接するデータ領域からの磁気的記録の影響の程度に基づいて内周側及び外周側の各ライト回数に対する前記重み付け値を定義したテーブル情報を参照し、
前記テーブル情報を参照して設定される重み付け値に応じて前記ライト回数をカウントする請求項９に記載のリフレッシュ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、シングルドライト方法を採用したディスク記憶装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと表記する場合がある）を代表とするディスク記憶装置の分野では、高記録容量化を実現する技術として、いわゆるシングルド（shingled）ライト方法または瓦記録方法と呼ばれるデータ書き込み技術が開発されている。
【０００３】
シングルドライト方法は、ディスク上の半径方向にデータを書き込む際に、トラックを隣接トラックの一部に重ねて書き込む書き込み方法である。シングルドライト方法では、複数のトラックからなるトラック群（バンド:band）がライト単位として定義される。即ち、シングルドライト方法では、バンド単位でデータの書き換え動作が実行される。
【０００４】
ところで、ＨＤＤでは、隣接トラックからの漏れ磁界の影響により、トラックの磁気記録強度が低下する現象がある。このような影響を、ＡＴＩ（Adjacent Track Interference）と呼ばれる場合がある。シングルドライト方法では、あるバンドに隣接するバンドがライトされた際に、当該バンドの内周側または外周側のトラックに対してＡＴＩによる磁気記録強度が低下する。このため、シングルドライト方法を採用するＨＤＤでは、磁気記録強度の低下を回避するために、当該バンドのデータを書き直す（同一のデータで書き換える）リフレッシュ処理が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２４５５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
シングルドライト方法を採用するＨＤＤでは、あるバンドに隣接するバンドのライト回数をカウントし、このカウント値が閾値を超えた場合にリフレッシュ処理が行われている。しかしながら、リフレッシュ処理は、バンド単位のデータを一時的に回避し、このバンド単位のデータを書き戻す処理を実行するため、ＨＤＤの動作効率を低下させる要因になっている。従って、リフレッシュ処理の頻度は最小限に抑制することが望ましい。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、シングルドライト方法でのリフレッシュ処理の頻度を抑制し、動作効率の向上を実現できるディスク記憶装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態によれば、ディスク記憶装置は、ライト制御手段とリフレッシュ制御手段とを備えた構成である。ライト制御手段は、複数のトラック群からなるデータ領域をライト単位として、ディスク上にデータを書き込むシングルドライト動作を実行する。リフレッシュ制御手段は、データ領域の内周側または外周側に隣接するデータ領域にシングルドライト動作を実行する際に、前記内周側及び外周側のそれぞれのライト回数をシングルドライト方向に基づいて設定される重み付け値に応じてカウントし、カウントされた各ライト回数のいずれかが基準値を超えたときにリフレッシュ処理の実行を指示する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に関するディスクドライブの構成を示すブロック図。
【図２】実施形態に関する実施形態に関するバンドの構成を説明するための図。
【図３】実施形態に関するシングルドライト方法を説明するための図。
【図４】実施形態に関する各バンド内の磁気記録強度を説明するための図。
【図５】実施形態に関する各バンド内の磁気記録強度を説明するための図。
【図６】実施形態に関するカウントテーブルの構成を説明するための図。
【図７】実施形態に関するカウント値の重み付け定義テーブルの構成を説明するための図。
【図８】実施形態に関するリフレッシュ処理の重み付け定義の一例を説明するための図。
【図９】実施形態の変形例に関する重み付け定義の一例を説明するための図。
【図１０】実施形態に関するリフレッシュ制御を説明するためのフローチャート。
【図１１】実施形態に関するリフレッシュ処理を説明するためのフローチャート。
【図１２】実施形態の変形例に関するリフレッシュ制御の最適化を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下図面を参照して、実施形態を説明する。
【００１１】
［ディスクドライブの構成］
図１は、本実施形態に関するディスクドライブの要部を示すブロック図である。
【００１２】
図１に示すように、ディスクドライブは大別して、ヘッド・ディスクアセンブリ（head-disk assembly：ＨＤＡ）、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ）１１と、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１５とから構成されている。
【００１３】
ＨＤＡは、記録媒体であるディスク１と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）２と、ヘッド１０を搭載しているアーム３と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）４とを有する。ディスク１は、スピンドルモータ２より回転する。アーム３とＶＣＭ４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ４の駆動により、アーム３に搭載されているヘッド１０をディスク１上の指定の位置まで移動制御する。
【００１４】
ヘッド１０はスライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１０Ｗ及びリードヘッド１０Ｒを有する。リードヘッド１０Ｒは、ディスク１上のデータトラックに記録されているデータを読み出す。ライトヘッド１０Ｒは、ディスク１上にデータを書き込む。
【００１５】
ヘッドアンプＩＣ１１は、リードアンプ及びライトドライバを有する。リードアンプは、リードヘッド１０Ｒにより読み出されたリード信号を増幅して、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル１２に伝送する。一方、ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル１２から出力されるライトデータに応じたライト電流をライトヘッド１０Ｗに伝送する。
【００１６】
ＨＤＣ１５は、Ｒ／Ｗチャネル１２と、インターフェースコントローラ１３と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）１４とを含む１チップの集積回路から構成されている。Ｒ／Ｗチャネル１２は、リードデータの信号処理を実行するリードチャネルと、ライトデータの信号処理を実行するライトチャネルとを含む。
【００１７】
インターフェースコントローラ１３は、ホストデバイス（以下単にホストと表記する場合がある）２０とＲ／Ｗチャネル１２との間のデータ転送を制御する。インターフェースコントローラ１３は、バッファメモリ（ＤＲＡＭ）１６を制御して、リードデータ及びライトデータをバッファメモリ１６に一時的に格納することでデータ転送制御を実行する。また、インターフェースコントローラ１３は、フラッシュメモリ１７を制御して、後述するカウントテーブルのような各種の制御情報をフラッシュメモリ１７に格納し、また読み出す。
【００１８】
ＭＰＵ１４はドライブのメインコントローラであり、ＶＣＭ４を制御してヘッド１０の位置決めを行なうサーボ制御を実行する。さらに、ＭＰＵ１４は、後述するように、ライト回数のカウント処理を含むリフレッシュ制御を実行する。
【００１９】
［リフレッシュ制御］
以下、図２から図１１を参照して、本実施形態のシングルドライト方法を採用したディスクドライブの動作を説明する。
【００２０】
先ず、図２は、シングルドライト方法において、ディスク１上で記録されるバンドの構成を示すものである。ここでは、便宜的に、ディスク１上の記録領域は、半径位置に応じて４つのゾーン（Zone0〜Zone3）１００〜１０３に区切られている。各ゾーン１００〜１０３は、５つのバンド（Band-0〜Band-4）１１０が配置される。各バンド１１０は、図３に示すように、複数のトラック１２０からなるトラック群（便宜的に５トラック０〜４）からなり、シングルドライト動作のライト単位として定義されるものである。
【００２１】
実際には、ディスク１上には、記録領域としてユーザデータのデータ領域だけでなく、システムデータを記憶するシステムデータ領域や、メディアキャッシュ（media cache）領域などが存在する。各ゾーン１００〜１０３では、各バンド１１０をシングルドライトする方向が一律に設定されている。図２に示すように、例えば、ゾーン１００，１０１では、外周側から内周側の方向２００Ａがシングルドライトの方向である。また、ゾーン１０２，１０３では、内周側から外周側の方向２００Ｂがシングルドライトの方向である。このシングルドライトの方向は、ヘッド１０のアジマス角度（azimuth deviation）による隣接トラックへの漏れ磁界の影響を考慮して、それぞれのゾーン毎に最適な方向で設定されるのが望ましい。なお、各ゾーン１００〜１０３が、全て一律のシングルドライトの方向であっても差し支えない。
【００２２】
シングルドライト動作では、図３に示すように、各バンド１１０は、トラック０のトラック１２０からトラック４まで順次、重ね書きされる。ここでは、シングルドライトの方向は、例えば、外周側から内周側の方向２００Ａに重ね書きされる。
【００２３】
図４は、外周側から内周側のシングルドライト方向２００Ａの場合に、各バンド内の磁気記録強度（信号強度）の様子を説明するための図である。各バンド（ここではBand-0〜Band-2）は、外周側からトラック０、トラック１の順に重ね書きされている。バンドとバンドの間には、ガードトラック（guard track）１３０が設けられる。このガードトラック１３０は、データ（磁気的信号）がライトされない領域である。
【００２４】
各バンドにおいて、便宜的に各トラック０〜４の幅が磁気記録強度を表している。この例では、トラック０、トラック１の順番にライトされるため、トラック０の片側がトラック１の磁気的記録の影響を受けて、磁気記録強度が低下することになる。一方、トラック４は、各バンドの最終トラックに位置し、シングルドライト動作で最後にライトされるトラックである。トラック４は、隣接トラックがガードトラック１３０のため、ガードトラック１３０からの磁気的記録の影響はない。このため、トラック４は、他のトラック０〜３と比較すると、隣接トラックからの磁気的記録の影響が少なく、磁気記録強度が強い状態で維持されている。
【００２５】
一方、図５は、内周側から外周側のシングルドライト方向２００Ｂの場合に、各バンド内の磁気記録強度（信号強度）の様子を説明するための図である。各バンド（Band-0〜Band-2）は、内周側からトラック４、トラック３の順に重ね書きされている。この場合には、トラック４、トラック３の順番にライトされるため、トラック４の片側がトラック３の磁気的記録の影響を受けて、磁気記録強度が低下することになる。一方、トラック０は、各バンドの最終トラックに位置し、シングルドライト動作で最後にライトされるトラックである。トラック０は、隣接トラックがガードトラック１３０のため、ガードトラック１３０からの磁気的記録の影響はない。このため、トラック０は、他のトラック１〜４と比較すると、隣接トラックからの磁気的記録の影響が少なく、磁気記録強度が強い状態で維持されている。
【００２６】
次に、図１０、１１のフローチャートを参照して、本実施形態のシングルドライト動作とリフレッシュ処理の制御を説明する。
【００２７】
ディスクドライブでは、コントローラ１５は、バンド単位でシングルドライト動作を実行する（ブロック３００）。即ち、図４に示すように、ディスク１上の外周側から内周側の方向２００Ａに、バンド単位でトラック０、トラック１の順に重ね書きされる。また、図５に示すように、ディスク１上の内周側から外周側の方向２００Ｂに、バンド単位でトラック４、トラック３の順に重ね書きされる。
【００２８】
本実施形態では、コントローラ１５は、バンド単位でシングルドライト動作を実行する度に、ライト回数をカウントするカウント処理を実行する（ブロック３０１）。ここで、フラッシュメモリ１７には、図６に示すようなカウントテーブルが格納される。図６に示すように、カウントテーブルは、バンド（Band-0〜Band-4）毎に、外周側カウンタとして外周側のライト回数及び内周側カウンタとして内周側のライト回数を管理するテーブルである。例えばあるバンド（Band-1）において、外周側カウンタは、外周側の隣接バンド（Band-0）のライト回数をカウントしたカウント値を記録する。また、内周側カウンタは、内周側の隣接バンド（Band-2）のライト回数をカウントしたカウント値を記録する。即ち、カウントテーブルは、バンド（Band-1）に対する隣接バンドからの磁気的記録の影響（ＡＴＩ）を管理するテーブルである。
【００２９】
本実施形態のコントローラ１５では、ＭＰＵ１４はカウントテーブルを参照し、バンド単位でのシングルドライト動作の実行時に、あるバンド（Band-1）において、外周側の隣接バンド（Band-0）のライトの場合には外周側カウンタをカウントアップする。また、内周側の隣接バンド（Band-2）のライトの場合には内周側カウンタをカウントアップする。
【００３０】
さらに、本実施形態では、フラッシュメモリ１７には、図７に示すようなカウント値の重み付け定義テーブルが格納される。図８は、当該重み付け定義テーブルの具体例を示す。
【００３１】
図７に示すように、重み付け定義テーブルは、ゾーン（Zone0〜Zone3）毎に、外周側カウンタ及び内周側カウンタの各カウント値に対する重み付けの値を定義したテーブルである。
【００３２】
ＭＰＵ１４は、シングルドライト動作の実行時に、当該バンド（Band-1）に対する外周側カウンタ及び内周側カウンタをカウントアップするときに、図７に示す重み付け定義テーブルを参照して、当該バンド（Band-1）のゾーン（Zone0）に対応する重み付けの値をカウントアップする。即ち。外周側カウンタ及び内周側カウンタの各カウント値は、同一のカウント（ライト回数）で重み付けの値に応じて異なる値となる。
【００３３】
次に、ＭＰＵ１４はカウントテーブルを参照し、当該バンド（Band-1）の外周側カウンタ及び内周側カウンタの各カウント値のそれぞれと、予め設定された共通の閾値とを比較する（ブロック３０２）。ＭＰＵ１４は、各カウント値のいずれかが基準値を超えている場合に、当該バンド（Band-1）のリフレッシュ処理を指示するためのフラグを、例えばフラッシュメモリ１７にセットする（ブロック３０３のＮＯ，３０４）。ここで、基準値とは、磁気記録強度の許容限界値に相当する外周側及び内周側の各カウント値の共通の閾値である。即ち、各カウント値が共通の閾値を超えている場合には、当該バンド内のトラックの磁気記録強度が許容限界を超えて低下していること示す。
【００３４】
一方、各カウント値のいずれもが共通の閾値を超えていない場合には、当該バンド（Band-1）のリフレッシュ処理は不要と判定される（ブロック３０３のＹＥＳ）。即ち、バンド（Band-1）の各トラック０〜４の磁気記録強度は、許容範囲であると判定される。
【００３５】
ここで、図７に示す重み付け定義テーブルの意義について説明する。
【００３６】
図４を参照して説明したように、外周側から内周側のシングルドライト方向２００Ａの場合には、各バンド（Band-0〜Band-2）において、最終トラック４は、他のトラック０〜３と比較すると、隣接トラックからの磁気的記録の影響が少なく、磁気記録強度が強い状態で維持されている。一方で、隣接バンドからの磁気的記録の影響を最も受けるのは、隣接バンドに最も近い位置に配置されたトラック０である。
【００３７】
また、図５を参照して説明したように、内周側から外周側のシングルドライト（瓦ライト）方向２００Ｂの場合には、各バンド（Band-0〜Band-2）において、最終トラック０は、他のトラック２〜４と比較すると、隣接トラックからの磁気的記録の影響が少なく、磁気記録強度が強い状態で維持されている。一方で、隣接バンドからの磁気的記録の影響を最も受けるのは、隣接バンドに最も近い位置に配置されたトラック４である。
【００３８】
即ち、シングルドライト動作では、各バンドの最終トラックは他のトラックと比較すると、磁気記録強度が強い状態で維持されている。また、隣接バンドに最も近い位置に配置されたトラックは、隣接バンドからの磁気的記録の影響を最も受けることになる。従って、シングルドライトの最終トラック側は、隣接バンドのライトに対して許容されるライト回数（閾値）を、シングルドライトの先頭トラック側と比較して多く設定できる。
【００３９】
本実施形態では、図７に示す重み付け定義テーブルで、シングルドライトの方向に応じて、各バンドの外周側カウント及び内周側カウントの各カウント値に対する重み付けを変更する。これにより、最適なリフレッシュ制御を実現できる。
【００４０】
図８は、重み付け定義テーブルに具体例である。
【００４１】
図２に示すように、本実施形態では、ゾーン０，１の各バンドに対するシングルドライトの方向２００Ａは、外周側から内周側である。各バンドは，外周側に隣接するバンドに対するライト動作の影響を強く受ける。ゾーン０では、内周側の隣接バンドに対するライトが発生した場合は、内周側カウントのカウントアップの重み付け値を１とする。これに対して、外周側の隣接バンド対するライトが発生した場合は、外周側カウントのカウントアップの重み付け値を１００とする。
【００４２】
また、ゾーン１の場合でも、外周側カウントの重み付けを大きく設定している。但し、ゾーン０とゾーン１は、ディスク１上の半径位置が異なるため、外周側カウントの重み付けの値としてそれぞれ別の最適値が設定される。ＭＰＵ１４は、バンド毎に外周側カウント及び内周側カウントの各カウント値と共通の閾値とを比較し、いずれかのカウント値が当該閾値を超えている場合に、リフレッシュ処理を指示するためのフラグをセットする。
【００４３】
一方、ゾーン２，３の各バンドに対するシングルドライトの方向２００Ｂは、内周側から外周側である。従って、ゾーン０，１の場合とは異なり、内周側カウントの重み付けを大きく設定している。また、ゾーン２とゾーン３は、ディスク１上の半径位置が異なるため、内周側カウントの重み付けの値としてそれぞれ別の最適値が設定される。
【００４４】
図１１に示すように、コントローラ１５は、リフレッシュ処理を指示するためのフラグに基づいてリフレッシュ処理を実行する。この場合、コントローラ１５は、通常のリードまたはライト動作の実行していないアイドル時などにリフレッシュ処理を実行する。
【００４５】
コントローラ１５は、リフレッシュ対象のバンド単位のデータを一時的にディスク１上の退避エリアに退避させる（ブロック４００）。次に、コントローラ１５は、退避エリアからバンド単位のデータを、元の記録エリアへ書き戻すための書き直し処理を実行する（ブロック４０１）。コントローラ１５は、書き直し処理が終了後にリフレッシュ対象のバンドに対応するフラグをリセットする（ブロック４０２）。
【００４６】
以上のように本実施形態によれば、バンド単位でシングルドライト動作を実行する度に、バンド毎に隣接バンドのライト回数を管理し、このライト回数が閾値を超えた場合には当該バンドのリフレッシュ処理を指示する制御を実行する。この場合、バンド毎に外周側カウンタで外周側のライト回数を管理し、内周側カウンタで内周側のライト回数を管理する。さらに、シングルドライトの方向に応じて、外周側カウンタ及び内周側カウンタの各カウント値に対する重み付けの値として、それぞれ異なる最適値を設定する。具体的には、ゾーン毎に、外周側カウンタ及び内周側カウンタの各カウント値に対する重み付けの値を定義したテーブルを使用する。
【００４７】
従って、各バンドに対する隣接バンドからの磁気的記録の影響（ＡＴＩ）を、シングルドライトの方向に応じて適切に評価できる。このため、隣接バンドのライト回数が同一の場合でも、シングルドライト方向、具体的にはゾーンに応じて相対的に磁気的記録の影響が少ないバンドのリフレッシュ処理の頻度を少なくできる。従って、結果としてバンド単位のリフレッシュ処理の頻度は最小限に抑制することが可能となるため、ＨＤＤの動作効率の向上を実現できる。
【００４８】
換言すれば、シングルドライト方法において、バンド毎に少なくとも外周側カウンタ及び内周側カウンタの２種類のライト回数カウンタを準備し、あるバンドの隣接バンドにライトされた際に、当該バンドの内周側または外周側への漏れ磁界の影響を個別に評価する。この重み付け値に基づいた評価結果に応じて、リフレッシュ処理の対象バンド候補を決定する。従って、シングルドライト方向に応じて、バンドの外周側と内周側の隣接バンドからの影響を考慮した最適なリフレッシュ制御を実現できる。
【００４９】
［リフレッシュ制御の最適化方法］
図９及び図１２は、本実施形態の変形例を説明するための図である。なお、ＨＤＤの構成は、図１に示す本実施形態の場合と同様である。
【００５０】
本変形例は、リフレッシュ制御を最適化するための方法である。図１２に示すように、例えば外周側から内周側のシングルドライト方向２００Ａの場合には、各バンドの最終トラック４は隣接トラックからの磁気的記録の影響が少ない。また、内周側から外周側のシングルドライト方向２００Ｂの場合には、各バンドの最終トラック０は隣接トラックからの影響が少ない。本変形例は、この最終トラックをライトする条件を他のトラックの場合と変更して、隣接するバンドに対する磁気的記録の影響が少なくなるように最適化する方法である。
【００５１】
具体的には、最終トラック（４または０）の磁気記録強度（信号強度）が弱くなり過ぎない範囲で、ライト電流の条件を調整し、他のトラックよりも弱い磁気記録強度で最終トラックに対するライト動作を実行する。さらに、本変形例は、図９に示すような重み付け定義テーブル及び図６に示すカウントテーブルを併用することにより、各バンドの最適なリフレッシュ制御（換言すればＡＴＩ管理）を実現する。
【００５２】
ここで、シングルドライトの最初のトラック（０または４）が隣接バンドに対するライトから受けるＡＴＩが大き過ぎる場合、バンド単位のリフレッシュ処理を起動するための閾値（外周側と内周側の共通の閾値）を小さい値に設定する必要がある。この場合、相対的にリフレッシュ処理の頻度が大きくなり、ＨＤＤのパフォーマンスが低下する影響がある。
【００５３】
具体例として、閾値を１０００とした場合に、前述した図８に示すような重み付け定義テーブルでは、ゾーン０内のあるバンドにおいて、その外周側の隣接バンドに対するライト回数が１０回で当該バンドに対するリフレッシュ処理の指示が行われる。一方、隣接バンドのライトにおける最終トラックのライト条件を調整した結果、図９に示すような重み付け定義テーブルが設定されるとする。この場合には、ゾーン０内のあるバンドにおいて、その外周側の隣接バンドに対するライト回数を５０回まで許容することができる。
【００５４】
ここで、最終トラックの磁気記録強度（信号強度）は相対的に弱くなるので、内周側の隣接するバンドからの磁気的記録の影響（ＡＴＩ影響）は相対的に大きくなる。従って、両者のバランスをとることにより、リフレッシュ処理の頻度を最小限に少なくするように最適化することが可能となる。
【００５５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１…ディスク、２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、３…アーム、
４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１０…ヘッド、１１…ヘッドアンプ集積回路、
１２…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、１３…インターフェースコントローラ、
１４…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、１５…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、
１６…バッファメモリ（ＤＲＡＭ）、１７…フラッシュメモリ、
２０…ホストデバイス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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