(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、
電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、
前記キャビティの壁面には、前記キャビティの底面に連続して形成されるとともに前記キャビティの幅方向外方に膨らむ曲面が含まれ、
前記曲面の前記キャビティの幅方向外方に最も膨らんでいる部分は、前記曲面の端縁および前記曲面の前記キャビティの底面との接続端よりも、前記キャビティの幅方向外方に配置されていることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項２】
複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、
電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、
前記キャビティの壁面には、前記キャビティの底面に連続して形成されるとともに前記キャビティ内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、
前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は１つの面上に配され、
前記曲面の前記キャビティの幅方向外方に最も膨らんでいる部分は、前記曲面の端縁および前記曲面の前記キャビティの底面との接続端よりも、前記キャビティの幅方向外方に配置されていることを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項３】
複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージにおいて、
少なくとも１つの前記封止部材が、請求項１または２に記載の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項４】
複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、
当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材に、電子部品素子を搭載するキャビティを形成する形成工程を有し、
前記形成工程では、ウエットエッチングによって底面を有する凹部を前記基材に形成し、前記凹部の底面をエッチング対象としてウエットエッチングによって前記キャビティの壁面の少なくとも一部を前記キャビティの底面に連続する曲面に形成し、
さらに、前記形成工程では、前記曲面の前記キャビティの幅方向外方に最も膨らんでいる部分が、前記曲面の端縁および前記曲面の前記キャビティの底面との接続端よりも、前記キャビティの幅方向外方に配置されるように形成することを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、
前記形成工程では、電着レジストにより前記基材にレジスト層を形成し、形成した前記レジスト層を用いてエッチングを行うことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の封止部材により電子部品素子の電極が封止された電子部品パッケージ、電子部品パッケージの封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材、および前記電子部品パッケージ用封止部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動デバイス等の電子部品のパッケージ（以下、電子部品パッケージという）の内部空間は、この内部空間に搭載した電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防ぐために気密封止される。
【０００３】
この種の電子部品パッケージとしては、２つの封止部材（ベースや蓋）から構成され、その筐体が直方体のパッケージに構成されたものがある。このような電子部品パッケージの内部空間では、圧電振動片等の電子部品素子がベースに保持接合される。そして、ベースと蓋とが接合されることで、電子部品パッケージの内部空間の電子部品素子の電極が気密封止される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１１４８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示の水晶振動子（本発明でいう電子部品）のベースは、底部と壁部とから箱状体に成形され、底部と壁部とによって囲まれたキャビティが形成されている。このベースのキャビティの壁面（壁部の内側面）はテーパー状に形成されている。そのため、壁面が垂直に成形された形態に比較して、テーパー成形された部分だけ、キャビティにおける電子部品素子の実装領域（実装面積）が減少する。
【０００６】
そこで、上記の課題を解決するために、本発明は、キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことができる電子部品パッケージ用封止部材、電子部品パッケージ、および電子部品パッケージ用封止部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、前記キャビティの壁面には、前記キャビティの底面に連続して形成されるとともに前記キャビティの幅方向外方に膨らむ曲面が含まれ、前記曲面の前記キャビティの幅方向外方に最も膨らんでいる部分は、前記曲面の端縁および前記曲面の前記キャビティの底面との接続端よりも、前記キャビティの幅方向外方に配置されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、前記キャビティの壁面に前記キャビティの幅方向外方に膨らむ曲面が含まれるので、上記の従来技術のような前記キャビティの壁面全てがテーパー形成された形態に対して、前記キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことが可能となる。
【０００９】
また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、前記キャビティの壁面には、前記キャビティの底面に連続して形成されるとともに前記キャビティ内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は１つの面上に配され、前記曲面の前記キャビティの幅方向外方に最も膨らんでいる部分は、前記曲面の端縁および前記曲面の前記キャビティの底面との接続端よりも、前記キャビティの幅方向外方に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、前記キャビティの壁面には、前記キャビティ内の予め設定した基準点から放射状に拡がった点の集合体からなる曲面が含まれ、前記予め設定した基準点は複数有り、前記複数の基準点は１つの面上に配されるので、上記の従来技術のような前記キャビティの壁面全てがテーパー形成された形態に対して、前記キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことが可能となる。
【００１１】
また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージは、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージにおいて、少なくとも１つの前記封止部材が、本発明の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、少なくとも１つの前記封止部材が、本発明の電子部品パッケージ用封止部材であるので、上記の本発明の電子部品パッケージ用封止部材による作用効果を有する。
【００１３】
また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材の製造方法は、複数の封止部材によって電子部品素子の電極を気密封止する電子部品パッケージの前記封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材の製造方法において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材に、電子部品素子を搭載するキャビティを形成する形成工程を有し、前記形成工程では、ウエットエッチングによって底面を有する凹部を前記基材に形成し、前記凹部の底面をエッチング対象としてウエットエッチングによって前記キャビティの壁面の少なくとも一部を前記キャビティの底面に連続する曲面に形成し、さらに、前記形成工程では、前記曲面の前記キャビティの幅方向外方に最も膨らんでいる部分が、前記曲面の端縁および前記曲面の前記キャビティの底面との接続端よりも、前記キャビティの幅方向外方に配置されるように形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、前記キャビティの壁面の少なくとも一部を曲面にする前記形成工程を有するので、上記の従来技術のような前記キャビティの壁面全てがテーパー形成された形態に対して、前記キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことが可能となる。
【００１５】
前記製造方法において、前記形成工程では、電着レジストにより前記基材にレジスト層を形成し、形成した前記レジスト層を用いてエッチングを行ってもよい。
【００１６】
この場合、電着レジストによる前記レジスト層を前記基材に形成するので、前記凹部の内側面および内側の底面にまで、前記レジスト層を形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、キャビティにおける電子部品素子の実装領域を増やすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本実施の形態１に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図３に示すベースのＡ１−Ａ１線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。
【図２】図２は、図３に示すＡ１−Ａ１線断面図である。
【図３】図３は、本実施の形態１に係るベースの概略平面図である。
【図４】図４は、本実施の形態１に係るベースの概略裏面図である。
【図５】図５は、図２に示すベースの貫通孔部分を拡大した概略断面図である。
【図６】図６は、本実施の形態１に係る蓋の概略裏面図である。
【図７】図７は、本実施の形態１に係る水晶振動片の概略平面図である。
【図８】図８は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図９】図９は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１５】図１５は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１７】図１７は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１８】図１８は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１９】図１９は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２０】図２０は、本実施の形態１に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２１】図２１は、本実施の形態２に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図２３に示すベースのＡ２−Ａ２線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。
【図２２】図２２は、図２３に示すＡ２−Ａ２線断面図である。
【図２３】図２３は、本実施の形態２に係るベースの概略平面図である。
【図２４】図２４は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２５】図２５は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２６】図２６は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２７】図２７は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２８】図２８は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２９】図２９は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３０】図３０は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３１】図３１は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３２】図３２は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３３】図３３は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３４】図３４は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３５】図３５は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３６】図３６は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３７】図３７は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３８】図３８は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３９】図３９は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図４０】図４０は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図４１】図４１は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図４２】図４２は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図４３】図４３は、本実施の形態２に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片である音叉型水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。
【００２０】
＜実施の形態１＞
本実施の形態１に係る水晶振動子１には、図１に示すように、音叉型水晶片からなる図７に示す水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）と、ベース４と対向するように配置され、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（図７に示す電極であり、本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋７とが設けられている。
【００２１】
この水晶振動子１では、ベース４と蓋７とが、ＡｕとＳｎの合金からなる接合材１２と、下記の第１接合層４８と、下記の第２接合層７４とにより接合され、これらの接合により、気密封止された内部空間１１を備える本体筐体が構成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ１３を用いたＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、本実施の形態１において、導電性バンプ１３には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００２２】
次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。
【００２３】
ベース４は、等方性材料であるホウケイ酸ガラス等のガラス材料の基材からなり、図１〜４に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。このようなベース４は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして箱状体に成形される。
【００２４】
ベース４の壁部４４の天面は、蓋７との接合面であり、この接合面には、蓋７と接合するための第１接合層４８が設けられている。第１接合層４８は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成された第１スパッタ膜９３と、第１スパッタ膜９３の上にスパッタ形成された第２スパッタ膜９４と、第２スパッタ膜９４の上にメッキ形成された第１メッキ膜９５と、第１メッキ膜９５の上にメッキ形成された第２メッキ膜９６と、第２メッキ膜９６の上にメッキ形成された第３メッキ膜９７と、第３メッキ膜９７の上にメッキ形成された第４メッキ膜９８とからなる。
【００２５】
第１スパッタ膜９３は、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＭｏからなるＭｏ膜であり、５〜１０ｎｍの厚みを有する。第２スパッタ膜９４は、第１スパッタ膜９３上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕからなるＣｕ膜であり、０．３μｍの厚みを有する。第１メッキ膜９５は、第２スパッタ膜９４上にメッキ形成されたＣｕからなるＣｕ膜であり、２〜６μｍの厚みを有する。第２メッキ膜９６は、第１メッキ膜９５上にメッキ形成されたＮｉからなるＮｉ膜であり、１〜３μｍの厚みを有する。第３メッキ膜９７は、第２メッキ膜９６上にメッキ形成されたＡｕからなるＡｕストライクメッキ膜もしくはＰｄからなるＰｄメッキ膜であり、０．１〜０．３μｍの厚みを有する。第４メッキ膜９８は、第３メッキ膜９７上にメッキ形成されたＡｕからなるＡｕメッキ膜であり、０．１〜０．３μｍの厚みを有する。
【００２６】
また、ベース４の一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形されている。キャビティ４５には、その長手方向の一端部４５２の全体に沿って台座部４６がエッチング成形されている。この台座部４６に、水晶振動片２が搭載される。
【００２７】
キャビティ４５の壁面４５１は、壁部４４の内側面であり、キャビティ４５は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、下記の貫通孔４９の成形と同時に形成される。このキャビティ４５の壁面４５１は、図１〜３に示すように、平坦面（壁面４５１の一部）と曲面（壁面４５１の一部）とから構成されている。具体的には、壁面４５１は、台座部４６上に立ち上げ形成された第１壁面４５３と、キャビティ４５の底面４５６（一主面４２）上に立ち上げ形成された、台座部４６の壁面となる第２壁面４５４と、キャビティ４５の底面４５６（一主面４２）上に立ち上げ形成され、第１壁面４５３，第２壁面４５４以外の壁面となる第３壁面４５５とから構成される。
【００２８】
第１壁面４５３は、平坦面であり、図１，２に示すように、壁部４４の天面４４１に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。なお、壁部４４の天面４４１とキャビティ４５の第１壁面４５３とがなす角度は、約４５度である。
【００２９】
第２壁面４５４は、曲面であり、図１，２に示すように、キャビティ４５の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面は、キャビティ４５内の予め設定した基準点４５７（図１２参照）から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、第２壁面４５４は、基準点４５７を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、基準点４５７（図１２参照）を中心とした球面の法線が面Ｂ１（図２，１２に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４５７は複数有り、複数の基準点４５７は、１つの面Ｂ１上に配され、面Ｂ１上において不図示の円形の線（無端状の平面視円形の線）となる。また、面Ｂ１は、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図２に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、第２壁面４５４は、上記の通り、複数の基準点４５７（図１２参照）を中心した曲面となり、基準点４５７を中心とした法線が面Ｂ１上に配されるので、キャビティ４５では、面Ｂ１に沿った径が最大幅寸法となり、台座部４６の主面４６１は、上記の面Ｂ１上にあり、台座部４６の主面４６１と第２壁面４５４との角度が直角となる。
【００３０】
第３壁面４５５は、平坦面４５５１と曲面４５５２とから構成され、キャビティ４５の底面４５６（一主面４２）に連続して曲面４５５２が形成され、曲面４５５２に連続して平坦面４５５１が形成され、平坦面４５５１に連続して壁部４４の天面４４１が形成される。第３壁面４５５の平坦面４５５１は、図１，２に示すように、壁部４４の天面４４１に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。なお、壁部４４の天面４４１と第３壁面４５５の平坦面４５５１とがなす角度は、約４５度である。また、第３壁面４５５の曲面４５５２は、図１，２に示すように、キャビティ４５の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面４５５２は、キャビティ４５内の予め設定した基準点４５７（図１２参照）から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、曲面４５５２は、基準点４５７を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、基準点４５７（図１２参照）を中心とした球面の法線が面Ｂ１（図２，１２に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４５７は複数有り、複数の基準点４５７は、１つの面Ｂ１上に配され、面Ｂ１上において不図示の円形の線（無端状の平面視円形の線）となる。また、面Ｂ１は、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図２に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、曲面４５５２は、上記の通り、複数の基準点４５７（図１２参照）を中心した曲面となり、基準点４５７を中心とした法線が面Ｂ１上に配されるので、キャビティ４５では、面Ｂ１に沿った径が最大幅寸法となる。また、第３壁面４５５には、キャビティ４５内に突出する突起部４５８が形成されている。突起部４５８の突起端縁４５８１は、曲面４５５２の端縁である。
【００３１】
また、ベース４には、図３に示すように、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、電極パッド５１と外部端子電極５４、及び電極パッド５２と外部端子電極５３を電気的に接続させる配線パターン５５とが形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とにより、ベース４の電極５が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４６の表面に形成されている。また、２つの外部端子電極５３，５４は、図４に示すように、ベース４の他主面４３において、長手方向の両端部にそれぞれ形成され、長手方向に沿って離間して並設されている。また、外部端子電極５４の一隅部（外部端子電極５３に対面する側の１つの隅部）には切り欠き部５４１が形成され、この切り欠き部５４１は、当該水晶振動子１の製造工程におけるベースの位置決めや、当該水晶振動子１を外部部品や外部機器へ搭載する際の位置決めを行うサポートの役割を果たす。
【００３２】
電極パッド５１，５２は、第１接合層４８と同様に、複数の層の積層構造からなり、ベース４の基板上に、第１スパッタ膜９３と、第２スパッタ膜９４と、第１メッキ膜９５と、第２メッキ膜９６と、第３メッキ膜９７と、第４メッキ膜９８とが順に積層されてなる。
【００３３】
配線パターン５５は、電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４とを電気的に接続させるように、ベース４の一主面４２から貫通孔４９（下記参照）の内側面４９１を介してベース４の他主面４３に形成されている。
【００３４】
また、配線パターン５５のうち貫通孔４９およびその近傍に形成された部分と、基板の他主面４３に形成された部分では、第１シード膜９１と第２シード膜９２とが、第１スパッタ膜９３下の下層膜として形成されている。第１シード膜９１はベース４上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＭｏからなるＭｏ膜であり、５〜１０ｎｍの厚みを有する。また、第２シード膜９２は、第１シード膜９１上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕからなるＣｕ膜であり、０．３μｍの厚みを有する。
【００３５】
また、ベース４の一主面４２では、配線パターン５５は、第２シード膜９２および基板上に、第１スパッタ膜９３、第２スパッタ膜９４、第１メッキ膜９５、第２メッキ膜９６、第３メッキ膜９７、および第４メッキ膜９８が順に積層されてなる。
【００３６】
一方、ベース４の他主面４３では、感光性を有する樹脂材からなる樹脂パターン６１（下記参照）が、第２シード膜９２、貫通孔４９および基板上に形成されている。すなわち、ベース４の他主面４３の一部（接触領域５８，５９）を除く全面に樹脂パターン６１が形成されている。なお、樹脂パターン６１が形成されていない他主面４３の一部（接触領域５８，５９）には、図１に示すように、配線パターン５５（第２シード膜９２）が形成されている。そして、ベース４の他主面４３の樹脂パターン６１および接触領域５８，５９の第２シード膜９２上に、第１スパッタ膜９３、第２スパッタ膜９４、第１メッキ膜９５、第２メッキ膜９６、第３メッキ膜９７、および第４メッキ膜９８が順に積層されて、外部端子電極５３，５４が構成されている。
【００３７】
また、ベース４には、図１〜４に示すように、水晶振動片２の励振電極３１，３２を電極パッド５１，５２を介して配線パターン５５により、キャビティ４５内からキャビティ４５外に導出させるための貫通孔４９が形成されている。
【００３８】
貫通孔４９は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、キャビティ４５の成形と同時に形成され、図１〜図５に示すように、ベース４に２つの貫通孔４９が両主面（一主面４２、他主面４３）間を貫通して形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、図５に示すように、平坦面４９４（内側面４９１の一部）と曲面４９５（内側面４９１の一部）とから構成され、ベース４（基材）の一主面４２に連続して曲面４９５が形成され、ベース４（基材）の他主面４３に連続して平坦面４９４が形成され、平坦面４９４に連続して曲面４９５が形成されている。本実施の形態１では、貫通孔４９のアスペクト比（長さと幅の比率）は１．３（長さ：１４５μｍ、幅：１１０μｍ）である。
【００３９】
平坦面４９４は、図５に示すように、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。また、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１の平坦面４９４とがなす角度は、約４５度である。なお、本実施の形態１では、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、約４５度であるが、これに限定されない。例えば、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、４５度より大きく、具体例としては、７０度〜９０度であってもよい。
【００４０】
また、曲面４９５は、図５に示すように、貫通孔４９の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面４９５は、貫通孔４９の孔内の予め設定した基準点４９９（図１２参照）から放射状に拡がった点の集合体からなる。曲面４９５は、基準点４９９を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、基準点４９９（図１２参照）を中心とした球面の法線が面Ｂ２（図５に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４９９は複数有り、複数の基準点４９９は、１つの面Ｂ２上に配され、面Ｂ２上において不図示の円形の線（無端状の平面視円形の線）となる。また、面Ｂ２は、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図５に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、面Ｂ２は、ベース４の他主面４３よりも一主面４２に近い側に位置する。
【００４１】
また、曲面４９５は、上記の通り、複数の基準点４９９（図１２参照）を中心した曲面となるので、基準点４９９を中心とした法線が面Ｂ２上に配される。そのため、貫通孔４９では、面Ｂ２に沿った径が最大幅寸法となる。
【００４２】
また、貫通孔４９の内側面４９１には、孔内に突出する２つの突起部４９８が形成されている。突起部４９８の突起端縁４９８１は、曲面４９５の端縁である。なお、本実施の形態１にかかる２つの突起部４９８は、それぞれ環状（図３，４に示す平面視の貫通孔４９参照）に成形されている。また、２つの突起部４９８の間の貫通孔４９の内側面４９１が、曲面４９５で形成されている。なお、本実施の形態１では、２つの突起部４９８を形成しているが、これに限定されるものではなく、複数個であればよい。
【００４３】
貫通孔４９は、図５に示すように、ベース４の他主面４３の側にある貫通孔４９の他端開口端４９３の径と、ベース４の一主面４２の側にある貫通孔４９の一端開口端４９２の径とが同じもしくは略同等となる。本実施の形態１では、貫通孔４９の両開口端（一端開口端４９２と他端開口端４９３）の開口寸法比は０．９（一端開口端４９２：φ１００μｍ、他端開口端４９３：φ１１０μｍ）である。
【００４４】
このような貫通孔４９の内側面４９１には、配線パターン５５の一部である第１シード膜９１および第２シード膜９２が形成されている。さらに、貫通孔４９の内部には、樹脂パターン６１と同材料の樹脂材（便宜上符号６１とする）が充填されている。この樹脂材６１により貫通孔４９が塞がれている。なお、樹脂材６１では、図５に示すように、ベース４の一主面４２の側の一端面が、ベース４の一主面４２の表面と面一で、他主面４３の側の他端面が、一主面４２の側に凹むように形成されている。
【００４５】
また、貫通孔６１の内側面４９１に曲面４９５が含まれているため、貫通孔４９の内部の樹脂材６１が曲面４９５に沿って充填されるので、樹脂材が入り込んでアンカー効果が生じる。このようにアンカー効果を発揮することにより、樹脂材６１及び貫通孔４９の内側面４９１との間の密着性が確保されている。このように、樹脂材６１が貫通孔４９にくい込んでいる構成により、アンカー効果を得て、樹脂パターン６１の貫通孔４９への密着強度が向上する。
【００４６】
上記のように、ベース４を構成する基材の他主面４３には、外部端子電極５３，５４と配線パターン５５と樹脂パターン６１とが形成され、他主面４３の基材および配線パターン５５上に樹脂パターン６１が積層され、配線パターン５５および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層されている。そして、他主面４３には、図４に示すように、外部電子電極５３，５４と配線パターン５５とを接触させる接触領域５８，５９がそれぞれ１つ設けられ、これら接触領域５８，５９にて外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とが接触される（積層される）。つまり、接触領域５８，５９にて外部電子電極５３，５４と配線パターン５５とが電気的に接続される。なお、図４に示すように、本実施の形態１では、樹脂パターン形成領域４７内に接触領域５８，５９がそれぞれ１つ設けられているが、接触領域５８，５９の個数はこれに限定されるものではなく、樹脂パターン形成領域４７内（外部端子電極５３，５４の積層下）に任意の個数の接触領域５８，５９をそれぞれ設けてもよい。
【００４７】
また、樹脂材６１や樹脂パターン６１には、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）が使用されている。なお、樹脂材６１や樹脂パターン６１は、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）に限定されず、ベース４を構成する材料（例えば、ガラス材料）との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができる。よって、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、ポリイミド、又はフッ素系樹脂からなる樹脂材を使用してもよい。また、本実施の形態１で使用した樹脂パターン６１を構成する樹脂材、即ち、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）は、感光性を有する樹脂材であり、フォトリソグラフィ法によるパターン形成が可能な樹脂材である。ここで、本発明でいう感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。
【００４８】
蓋７は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１及び図６に示すように、頂部７１と、蓋７の一主面７２の外周に沿って頂部７１から下方に延出した壁部７３とから構成されている。このような蓋７は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして成形される。
【００４９】
蓋７の壁部７３の両側面（内側面７３１及び外側面７３２）は、テーパー状に成形されている。また、壁部７３には、ベース４と接合するための第２接合層７４が形成されている。
【００５０】
蓋７の第２接合層７４は、図１に示すように、蓋７の壁部７３の天面７３３から外側面７３２にかけて形成されている。この第２接合層７４は、ＴｉからなるＴｉ膜（図示省略）が形成され、Ｔｉ膜の上にＡｕからなるＡｕ膜（図示省略）が形成された複数の積層構造からなり、これらＴｉ膜及びＡｕ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。なお、本実施の形態１では、Ｔｉ膜及びＡｕ膜とから第２接合層７４を構成しているが、Ａｕ膜の代わりにＣｕからなるＣｕ膜を用いてもよい。
【００５１】
上記のベース４と蓋７とを接合させるための接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されている。この接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕとＳｎとの合金からなるＡｕ／Ｓｎ膜（図示省略）がメッキ形成され、このＡｕ／Ｓｎ膜の上にＡｕ膜（図示省略）がメッキ形成された複数の積層構造からなる。なお、Ａｕ膜は、Ａｕストライクメッキ膜がメッキ形成され、Ａｕストライクメッキ膜の上にＡｕメッキ膜がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。このような接合材１２では、Ａｕ／Ｓｎ膜が、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕＳｎ合金膜をメッキ形成することにより構成されたものであってもよい。また、本実施の形態１において、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されているが、ベース４の第１接合層４８に積層されていてもよい。
【００５２】
水晶振動片２は、異方性材料の水晶片である水晶素板（図示省略）から、ウエットエッチング形成された水晶Ｚ板である。
【００５３】
この水晶振動片２は、図７に示すように、振動部である２本の脚部２１，２２と、基部２３と、ベース４の電極パッド５１，５２に接合される接合部２４とから構成されており、基部２３の一端面２３１に２本の脚部２１，２２が突出して設けられ、基部２３の他端面２３２に接合部２４が突出して設けられた圧電振動素板２０からなる。
【００５４】
基部２３は、図７に示すように、平面視左右対称形状とされている。また、基部２３の側面２３３は、一端面２３１の側の部位が一端面２３１と同一幅で、他端面２３２の側の部位が一端面２３１の側から他端面２３２の側にかけて漸次幅狭になるように形成されている。
【００５５】
２本の脚部２１，２２は、図７に示すように、基部２３の一端面２３１から、同一方向に突出して設けられている。これら２本の脚部２１，２２の先端部２１１，２２１は、脚部２１，２２の他の部位と比べて幅広（突出方向に対して直交する方向に幅広）に形成され、さらに、それぞれの先端隅部は曲面形成されている。また、２本の脚部２１，２２の両主面には、ＣＩ値を改善させるために、溝部２５が形成されている。
【００５６】
接合部２４は、図７に示すように、基部２３の他端面２３２の幅方向の中央部から突出して設けられている。この接合部２４は、基部２３の他端面２３２に対して平面視垂直方向に突出した短辺部２４１と、短辺部２４１の先端部と連なり基部２３の幅方向に延出する長辺部２４２とから構成され、長辺部２４２の先端部２４３は、基部２３の幅方向に向いている。すなわち、接合部２４は、平面視直角に折曲された平面視Ｌ字状に成形されている。また、接合部２４には、ベース４の電極パッド５１，５２と導電性バンプ１３を介して接合される２つの接合箇所２７が設けられている。
【００５７】
上記した構成からなる水晶振動片２には、異電位で構成された第１及び第２の励振電極３１，３２と、これら第１及び第２の励振電極３１，３２をベース４の電極パッド５１，５２に電気的に接合させるために第１及び第２励振電極３１，３２から引き出された引出電極３３，３４とが形成されている。
【００５８】
また、第１及び第２の励振電極３１，３２の一部は、脚部２１，２２の溝部２５の内部に形成されている。このため、水晶振動片２を小型化しても脚部２１，２２の振動損失が抑制され、ＣＩ値を低く抑えることができる。
【００５９】
第１の励振電極３１は、一方の脚部２１の両主面と、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面とに形成されている。同様に、第２の励振電極３２は、他方の脚部２２の両主面と、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成されている。
【００６０】
また、引出電極３３，３４は、基部２３及び接合部２４に形成されており、基部２３に形成された引出電極３３により、一方の脚部２１の両主面に形成された第１の励振電極３１が、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面に形成された第１の励振電極３１に繋げられ、基部２３に形成された引出電極３４により、他方の脚部２２の両主面に形成された第２の励振電極３２が、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成された第２の励振電極３２に繋げられている。
【００６１】
なお、基部２３には、圧電振動素板２０の両主面を貫通する２つの貫通孔２６が形成されており、これら貫通孔２６内には、導電性材料が充填されている。これらの貫通孔２６を介して、引出電極３３，３４が基部２３の両主面間に引回されている。
【００６２】
上記構成からなる水晶振動子１では、図１に示すように、ベース４の一主面４２に形成された台座部４６に水晶振動片２の接合部２４が導電性バンプ１３を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片２の励振電極３１，３２が、引出電極３３，３４と、導電性バンプ１３とを介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合され、ベース４に水晶振動片２が搭載される。そして、水晶振動片２が搭載されたベース４に、蓋７がＦＣＢ法により仮接合され、その後、真空雰囲気下で加熱されることにより、接合材１２と第１接合層４８と第２接合層７４とが溶融し、これにより、ベース４の第１接合層４８に蓋７の第２接合層７４が接合材１２を介して接合されて、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。なお、導電性バンプ１３には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００６３】
次に、この水晶振動子１及びベース４の製造方法について図８〜図２０を用いて説明する。
【００６４】
本実施の形態１では、ベース４を多数個形成するガラス材料からなる一枚板のウエハ８を用いる。
【００６５】
まず、ウエハ８の両主面８１，８２に、図８に示すように、ＣｒからなるＭｏ膜９１０（もしくはＣｒ膜）をスパッタ形成し、Ｍｏ膜９１０上にＡｕからなるＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストをディップコート法により塗布して、ポジレジスト層９１２を形成する。
【００６６】
ポジレジスト層９１２を形成した後、キャビティ４５を構成するための凹部４５９（以下、キャビティ４５の凹部４５９という）と、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６（以下、貫通孔９４の凹部４９６という）とを形成するために、ウエハ８の両主面８１，８２のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１とをメタルエッチングして、図９に示すように、所定のパターン（台座部４６を含むキャビティ４５と、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６）を形成する。
【００６７】
図９に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ８をエッチングして、図１０に示すように、ウエハ８に、キャビティ４５の凹部４５９と、貫通孔９４の凹部４９６とを形成したベース４とを多数個成形する。
【００６８】
なお、図１０に示すキャビティ４５の凹部４５９の内側の底面は、面Ｂ１（図２に示す二点鎖線の仮想面）を設定するための基準面となる。また、キャビティ４５の凹部４５９の内側面は平坦面とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ８の一主面８１（ベース４の一主面４２参照）に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。
【００６９】
また、図１０に示す貫通孔４９の凹部４９６の内側の底面は、面Ｂ２（図５に示す二点鎖線の仮想面）を設定するための基準面となる。また、貫通孔４９の凹部４９６の内側面は平坦の面（平坦面４９４）とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ８の他主面８２（ベース４の他主面４３参照）に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。
【００７０】
ウエハ８に、キャビティ４５の凹部４５９と、貫通孔４９の凹部４９６を形成した後に、図１１に示すように、ポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、ウエハ８素板にする。
【００７１】
図１１に示すウエハ８に対して、キャビティ４５と貫通孔４９とベース４の他主面４３の外周縁とを形成するために、ウエハ８の両主面８１，８２に、新たなＭｏ膜９１０をスパッタ形成し、Ｍｏ膜９１０上に新たなＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストを電着コート法（もしくはスプレーコート法）により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。本実施の形態１では、新たなポジレジスト層９１２を形成するために、電着コート法（もしくはスプレーコート法）を用いているため、キャビティ４５の凹部４５９の内面４５９２（内側面および内側の底面）および、貫通孔４９の凹部４９６の内面４９７（内側面および内側の底面）にまで新たなポジレジスト層９１２を形成することができる。
【００７２】
そして、新たなポジレジスト層９１２を形成した後、キャビティ４５と貫通孔４９とベース４の他主面４３の外周縁とを成形するために、ウエハ８の両主面８１，８２のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１とをエッチングして、図１２に示すように、所定のパターン（キャビティ４５と貫通孔４９とベース４の他主面４３の外周縁）を形成する。
【００７３】
この時、キャビティ４５の凹部４５９では、内側の底面の外周縁部を除き、中央部を含む部分のポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去している。なお、ここでいうキャビティ４５の凹部４５９の内側の底面上に形成されたポジレジスト層９１２（Ｍｏ膜９１０とＡｕ膜９１１も含む）から露出した露出端縁（図１２の符号４５７で示すポイント参照）が、上記の複数の基準点４５７で構成される線（無端状の平面視円形の線）となる。複数の基準点４５７は、面Ｂ１（図１２に示す二点鎖線の仮想面）上にある。
【００７４】
また、貫通孔４９の凹部４９６では、内側の底面の中央部のみのポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去している。なお、ここでいう貫通孔４９の凹部４９６の内側の底面上に形成されたポジレジスト層９１２（Ｍｏ膜９１０とＡｕ膜９１１も含む）から露出した中央部の露出端縁（図１２の符号４９９で示すポイント参照）が、上記の複数の基準点４９９で構成される線（無端状の平面視円形の線）となる。複数の基準点４９９は、面Ｂ２（図１２に示す二点鎖線の仮想面）上にある。
【００７５】
図１２に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりエッチングして、図１３に示すように、ウエハ８に、キャビティ４５と貫通孔４９と他主面４３の外周縁とを形成したベース４を多数個成形する。
【００７６】
ウエハ８に、キャビティ４５と貫通孔４９と他主面４３の外周縁とを形成した後に、図１４に示すように、ポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、複数のベース４を成形したウエハ８素板にする。ここまでのウエハ８のエッチング形成工程が本発明でいう形成工程に対応する。なお、出願時において、水晶振動子１（ベース４）が小型化されたベース４における曲面４９５の形成に物理的なエッチング（ドライエッチングなど）を用いることは、面形成の精度や費用の面から考えられていない。
【００７７】
そして、図１４に示すウエハ８に対して、ウエハ８（両主面８１，８２や貫通孔４９の内側面４９１など）に、ＭｏからなるＭｏ層（第１シード膜９１）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第１シード膜９１の形成後に、第１シード膜９１上に、ＣｕからなるＣｕ層（第２シード膜９２）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。
【００７８】
第１シード膜９１及び第２シード膜９２を形成した後、第２シード膜９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。その後、貫通孔４９の内側面４９１およびその近傍と、ベース４の他主面４３の配線パターンとに対応した所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、その後、露光および現像により露出した部分に対して、第１シード膜９１と第２シード膜９２とをメタルエッチングする。第１シード膜９１と第２シード膜９２とのメタルエッチング後に、ポジレジスト層９１２を剥離除去する（図１５参照）。ここで形成した第１シード膜９１および第２シード膜９２により、図１に示すベース４の配線パターン５５の一部を構成する。
【００７９】
図１５に示すウエハ８に対して、レジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する（図示省略）。その後、貫通孔４９の内側面４９１およびその近傍と、ベース４の他主面４３の所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う。その後、Ｃｕからなる樹脂層をウエハ８の両主面８１，８２にメッキ形成する。樹脂層を形成した後に、ポジレジスト層９１２を剥離除去して、図１６に示すように、貫通孔４９およびベース４の他主面４３に樹脂パターン６１を形成する。
【００８０】
樹脂パターン６１を形成した後に、ウエハ８の両主面８１，８２に、ＭｏからなるＭｏ層（第１スパッタ膜９３）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第１スパッタ膜９３の形成後に、第１スパッタ膜９３上に、ＣｕからなるＣｕ層（第２スパッタ膜９４）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する（図１７参照）。
【００８１】
第１スパッタ膜９３及び第２スパッタ膜９４を形成した後、第２シード膜９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。その後、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８を形成するために、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８に対応した所定のパターンのポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う（図１８参照）。
【００８２】
ポジレジスト層９１２の露光及び現像を行った後に、ウエハ８の両主面８１，８２に第１メッキ層９５を形成し、第１メッキ層９５上に第２メッキ層９６を形成し、第２メッキ層９６上に第３メッキ層９７を形成し、第３メッキ層９７上に第４メッキ層９８を形成する（図１９参照）。
【００８３】
図１９に示すように、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８を形成した後に、ポジレジスト層９１２およびポジレジスト層９１２下の第１スパッタ膜９３と第２スパッタ膜９４とを除去して、ベース４をウエハ８に多数個形成する（図２０参照）。ここで形成した第１スパッタ膜９３、第２スパッタ膜９４、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８により、図１に示すベース４の電極パッド５１，５２、配線パターン５５の一部、および第１接合層４８を構成する。
【００８４】
ベース４をウエハ８に多数個形成した後、多数個のべース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し、多数個の図２に示すベース４を製造する。
【００８５】
そして、図２に示すベース４に、切り欠き部５４１の位置に基づいて図７に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、図６に示す蓋７の第２接合層７４上に接合材１２を積層する。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋７を配し、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、図１に示す水晶振動子１を製造する。
【００８６】
本実施の形態１にかかる水晶振動子１、およびベース４、ベース４の製造方法によれば、キャビティ４５の壁面４５１に曲面（第２壁面４５４，第３壁面４５５）が含まれるので、上記の従来技術のようなキャビティの壁面全てがテーパー形成された形態に対して、キャビティ４５における水晶振動片２の実装領域を増やすことができる。ここでいう曲面（第２壁面４５４，第３壁面４５５）は、キャビティ４５の幅方向外方に膨らむ面であり、キャビティ４５内の予め設定した基準点４５７から放射状に拡がった点の集合体からなる。また、基準点４５７は複数有り、複数の基準点は１つの面Ｂ１上に配される。
【００８７】
また、本実施の形態１にかかる水晶振動子１、およびベース４、ベース４の製造方法によれば、貫通孔４９の内側面４９１に曲面４９５が含まれるので、上記の従来技術のような内側面全てがテーパー形成された貫通孔に対して、貫通孔４９の両方の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）の幅を狭くしても貫通孔４９を形成することができる。その結果、貫通孔４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）を小さくして、ベース４の両主面４２，４３において４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）が占める占有面積を小さくすることができる。また、本実施の形態１によれば、貫通孔４９に充填する部材に対してアンカー効果を生じさせることができる。特に、曲面によるアンカー効果は、平坦面によるアンカー効果よりも有効である。
【００８８】
また、貫通孔４９の内側面４９１に２つの突起部４９８が形成され、突起部４９８の突起端縁４９８１は、曲面４９５の端縁であるので、突起端縁４９８１および曲面４９５により貫通孔４９に充填する部材に対して効率よくアンカー効果を生じさせることができる。
【００８９】
また、２つの突起部４９８の間に曲面４９５が形成されるので、ベース４（基材）の両主面４２，４３に直交する直交方向（両方向）に対して２つの突起部４９８および曲面４９５によりアンカー効果を生じさせることができる。
【００９０】
また、ベース４（基材）の一主面４２に連続して貫通孔４９の曲面４９５が形成され、ベース４（基材）の他主面４３に連続して貫通孔４９のテーパー状の平坦面４９４が形成され、平坦面４９４に連続して曲面４９５が形成されるので、ベース４の両主面４２，４３において４９の開口端（一端開口端４９２，他端開口端４９３）が占める占有面積を小さくすることができるだけでなく、曲面４９５により貫通孔４９に充填する部材がベース４（基材）の一主面４２から出るのを抑えることができる。また、ベース４（基材）の他主面４３に連続して平坦面４９４が形成されるので、平坦面４９４から貫通孔４９に充填物（本実施の形態１では、樹脂材６１）を充填することで、貫通孔４９への充填物の充填を容易にすることができる。
【００９１】
なお、本実施の形態１に係る水晶振動子１において、樹脂材６１は、貫通孔４９の内側面の第１シード膜９１および第２シード膜９２にメッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されているが、樹脂材６１は、貫通孔４９に導電性材料を充填して構成されるものであれば、これに限定されるものではない。つまり、樹脂材６１は、貫通孔４９に金属ペースト（導電性フィラーの添加されたペースト状樹脂材）を充填することにより構成されてもよい。
【００９２】
また、本実施の形態１に係る水晶振動子１のベース４では、第１シード膜９１をＭｏ膜で構成しているが、これに限定されるものではなく、Ｍｏ膜の代わりにＴｉからなるＴｉ膜を用いてもよい。
【００９３】
また、本実施の形態１では、ベース４及び蓋７の材料としてガラスを用いているが、ベース４及び蓋７は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、等方性材料であればよい。
【００９４】
また、本実施の形態１では、接合材１２として、主にＡｕＳｎを用いているが、接合材１２は、ベース４と蓋７とを接合させることができるものであれば特に限定されず、例えば、ＣｕＳｎ等のＳｎ合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。
【００９５】
また、上記した実施の形態１に係る水晶振動子１では、水晶振動片として、図７に示す音叉型水晶振動片２を使用したが、ＡＴカット水晶振動片を使用してもよい。
【００９６】
また、本実施の形態１に係るベース４に、水晶振動片２に加えて、ＩＣチップを搭載し、発振器を構成してもよい。ベース４にＩＣチップを搭載する場合には、ＩＣチップの電極構成に合わせた電極がベース４に形成される。
【００９７】
また、本実施の形態１では、２端子の水晶振動子１を用いているが、これに限定されるものではなく、４端子の水晶振動子１にも適用できる。
【００９８】
また、本実施の形態１では、壁部４４の天面４４１と第１壁面４５３や第３壁面４５５とがなす角度θは、約４５度であるが、これに限定されない。例えば、壁部４４の天面４４１と第１壁面４５３や第３壁面４５５とがなす角度θは、４５度より大きく、具体例としては、７０度〜９０度であってもよい。
【００９９】
また、本実施の形態１では、台座部４６上に立ち上げ形成された第１壁面４５３が、テーパー状に形成された平坦面とされているが、これに限定されるものではなく、曲面を有してもよい。そこで、第１壁面４５３に曲面を含めた形態を実施の形態２として、以下に図面を用いて説明する。
【０１００】
＜実施の形態２＞
次に、本実施の形態２にかかる水晶振動子１を図面を用いて説明する。なお、本実施の形態２にかかる水晶振動子１は、上記の実施の形態１に対して、ベース４のキャビティ４５の形状が異なる。そのため、同一構成による作用効果及び変形例は、上記の実施の形態１と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態２では、上記の実施の形態１と異なる構成（ベース４のキャビティ４５）について説明し、同一の構成についての説明を省略する。
【０１０１】
本実施の形態２に係る水晶振動子１には、図２１に示すように、図７に示す水晶振動片２と、図２２に示すベース４と、図６に示す蓋７とが設けられている。
【０１０２】
以下、上記の実施の形態１と異なる構成であるベース４のキャビティ４５について、図２１〜２３を用いて説明する。
【０１０３】
ベース４の一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形されている。キャビティ４５には、その長手方向の一端部４５２の全体に沿って台座部４６がエッチング成形されている。
【０１０４】
キャビティ４５の壁面４５１は、壁部４４の内側面であり、キャビティ４５は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、下記の貫通孔４９の成形と同時に形成される。このキャビティ４５の壁面４５１は、図２１〜２３に示すように、平坦面（壁面４５１の一部）と曲面（壁面４５１の一部）とから構成されている。具体的には、壁面４５１は、台座部４６上に立ち上げ形成された第１壁面４５３と、キャビティ４５の底面４５６（一主面４２）上に立ち上げ形成された、台座部４６の壁面となる第２壁面４５４と、キャビティ４５の底面４５６（一主面４２）上に立ち上げ形成され、第１壁面４５３，第２壁面４５４以外の壁面となる第３壁面４５５とから構成される。
【０１０５】
第１壁面４５３は、平坦面４５３１と曲面４５３２とから構成され、台座部４６の主面４６１に連続して曲面４５３２が形成され、曲面４５３２に連続して平坦面４５３１が形成され、平坦面４５３１に連続して壁部４４の天面４４１が形成される。第１壁面４５３の平坦面４５３１は、図２１〜２３に示すように、壁部４４の天面４４１に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。なお、壁部４４の天面４４１と第１壁面４５３の平坦面４５３１とがなす角度は、約４５度である。また、第１壁面４５３の曲面４５３２は、図２１，２２に示すように、キャビティ４５の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面４５３２は、キャビティ４５内の予め設定した基準点４５７１（図２９参照）から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、曲面４５３２は、基準点４５７１を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、基準点４５７１（図２９参照）を中心とした球面の法線が面Ｂ３（図２２，２９に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４５７１は複数有り、複数の基準点４５７１は、１つの面Ｂ３上に配され、面Ｂ３上において不図示の円形の線（無端状の平面視円形の線）となる。また、面Ｂ３は、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図２２に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、曲面４５３２は、上記の通り、複数の基準点４５７１（図２９参照）を中心した曲面となり、基準点４５７１を中心とした法線が面Ｂ３上に配されるので、キャビティ４５では、面Ｂ３に沿った径が最大幅寸法となる。また、第１壁面４５３には、キャビティ４５内に突出する突起部４５８が形成されている。突起部４５８の突起端縁４５８１は、曲面４５３２の端縁である。
【０１０６】
第２壁面４５４は、曲面であり、図２１，２２に示すように、キャビティ４５の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この曲面は、キャビティ４５内の予め設定した基準点４５７２（図３５参照）から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、第２壁面４５４は、基準点４５７２を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、基準点４５７２（図３５参照）を中心とした球面の法線が面Ｂ４（図２２，３５に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４５７２は複数有り、複数の基準点４５７２は、１つの面Ｂ４上に配され、面Ｂ４上において不図示の円形の線（無端状の平面視円形の線）となる。また、面Ｂ４は、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図２２に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、第２壁面４５４は、上記の通り、複数の基準点４５７２（図３５参照）を中心した曲面となり、基準点４５７２を中心とした法線が面Ｂ４上に配されるので、キャビティ４５では、面Ｂ４に沿った径が最大幅寸法となり、台座部４６の主面４６１は、上記の面Ｂ４上にあり、台座部４６の主面４６１と第２壁面４５４との角度が直角となる。
【０１０７】
第３壁面４５５は、平坦面４５５１と曲面４５５２とから構成されている。曲面４５５２は、第１曲面４５５３と第２曲面４５５４とからなる。第３壁面４５５に関して、キャビティ４５の底面４５６（一主面４２）に連続して第２曲面４５５４が形成され、第２曲面４５５４に連続して第１曲面４５５３が形成され、第１曲面４５５３に連続して平坦面４５５１が形成され、平坦面４５５１に連続して壁部４４の天面４４１が形成される。
【０１０８】
第３壁面４５５の平坦面４５５１は、図１，２に示すように、壁部４４の天面４４１に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。なお、壁部４４の天面４４１と第３壁面４５５の平坦面４５５１とがなす角度は、約４５度である。
【０１０９】
第３壁面４５５の第１曲面４５５３は、図２１，２２に示すように、キャビティ４５の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この第１曲面４５５３は、キャビティ４５内の予め設定した基準点４５７１（図２９参照）から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、第１曲面４５５３は、基準点４５７１を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、基準点４５７１（図２９参照）を中心とした球面の法線が面Ｂ３（図２２，２９に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４５７１は複数有り、複数の基準点４５７１は、１つの面Ｂ３上に配され、面Ｂ３上において不図示の円形の線（無端状の平面視円形の線）となる。また、面Ｂ３は、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図２２に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、第１曲面４５５３は、上記の通り、複数の基準点４５７１（図２９参照）を中心した曲面となり、基準点４５７１を中心とした法線が面Ｂ３上に配されるので、キャビティ４５では、面Ｂ３に沿った径が最大幅寸法となる。
【０１１０】
第３壁面４５５の第２曲面４５５４は、図２１，２２に示すように、キャビティ４５の幅方向の外方に膨らみ凸状に成形された曲形状とされている。この第２曲面４５５４は、キャビティ４５内の予め設定した基準点４５７２（図３５参照）から放射状に拡がった点の集合体からなる。このように、第２曲面４５５４は、基準点４５７２を中心（中心点）とした球体の曲面（球面）であり、また、基準点４５７２（図３５参照）を中心とした球面の法線が面Ｂ４（図２２，３５に示す二点鎖線の仮想面）上に配される。ここでいう予め設定した基準点４５７２は複数有り、複数の基準点４５７２は、１つの面Ｂ４上に配され、面Ｂ４上において不図示の円形の線（無端状の平面視円形の線）となる。また、面Ｂ４は、ベース４の両主面４２，４３と同じ面方向とされ、図２２に示すベース４の断面視を参照して、ベース４の両主面４２，４３と平行な面となる。また、第２曲面４５５４は、上記の通り、複数の基準点４５７２（図３５参照）を中心した曲面となり、基準点４５７２を中心とした法線が面Ｂ４上に配されるので、キャビティ４５では、面Ｂ４に沿った径が最大幅寸法となる。
【０１１１】
また、第３壁面４５５には、キャビティ４５内に突出する突起部４５８が２つ形成されている。２つの突起部４５８の突起端縁４５８１は、第１曲面４５５３と第２曲面４５５４との端縁である。
【０１１２】
次に、ベース４の製造方法について図２４〜図４３を用いて説明する。
【０１１３】
本実施の形態２では、ベース４を多数個形成するガラス材料からなる一枚板のウエハ８を用いる。
【０１１４】
まず、ウエハ８の両主面８１，８２に、図２４に示すように、ＣｒからなるＭｏ膜９１０（もしくはＣｒ膜）をスパッタ形成し、Ｍｏ膜９１０上にＡｕからなるＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストをディップコート法により塗布して、ポジレジスト層９１２を形成する。
【０１１５】
ポジレジスト層９１２を形成した後、キャビティ４５を構成するための凹部４５９（以下、キャビティ４５の凹部４５９という）を形成するために、ウエハ８の一主面８１のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１とをメタルエッチングして、図２５に示すように、所定のパターン（キャビティ４５の凹部４５９）を形成する。
【０１１６】
図２５に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ８をエッチングして、図２６に示すように、ウエハ８に、キャビティ４５の凹部４５９を形成したベース４とを多数個成形する。
【０１１７】
なお、図２６に示すキャビティ４５の凹部４５９の内側の底面は、面Ｂ３（図２２に示す二点鎖線の仮想面）を設定するための基準面となる。また、キャビティ４５の凹部４５９の内側面は平坦面とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ８の一主面８１（ベース４の一主面４２参照）に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。
【０１１８】
ウエハ８に、キャビティ４５の凹部４５９を形成した後に、図２７に示すように、ポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、ウエハ８素板にする。
【０１１９】
図２７に示すウエハ８に対して、ウエハ８の両主面８１，８２に、図２８に示すように、ＣｒからなるＭｏ膜９１０をスパッタ形成し、Ｍｏ膜９１０上にＡｕからなるＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストを電着コート法（もしくはスプレーコート法）により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。本実施の形態２では、新たなポジレジスト層９１２を形成するために、電着コート法（もしくはスプレーコート法）を用いているため、キャビティ４５の凹部４５９の内面４５９２（内側面および内側の底面）にまで新たなポジレジスト層９１２を形成することができる。
【０１２０】
ポジレジスト層９１２を形成した後、キャビティ４５（台座部４６）を形成するために、ウエハ８の一主面８１のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１とをメタルエッチングして、図２９に示すように、所定のパターン（台座部４６を含むキャビティ４５）を形成する。
【０１２１】
ここでいうキャビティ４５の凹部４５９の内側の底面上に形成されたポジレジスト層９１２（Ｍｏ膜９１０とＡｕ膜９１１も含む）から露出した露出端縁（図２９の符号４５７１で示すポイント参照）が、上記の複数の基準点４５７１で構成される線（無端状の平面視円形の線）となる。なお、複数の基準点４５７１は、面Ｂ３（図２２に示す二点鎖線の仮想面）上にある。
【０１２２】
図２９に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ８をエッチングして、図３０に示すように、ウエハ８に、台座部４６（主面４６１）と第１壁面４５３（平坦面４５３１，曲面４５３２）と第３壁面４５５の平坦面４５５１，第１曲面４５５３とを形成したベース４とを多数個成形する。
【０１２３】
ウエハ８に、台座部４６（主面４６１）と第１壁面４５３と第３壁面４５５の平坦面４５５１，第１曲面４５５３とを形成した後に、図３１に示すように、ポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、ウエハ８素板にする。
【０１２４】
図３１に示すウエハ８に対して、ウエハ８の両主面８１，８２に、図３２に示すように、ＣｒからなるＭｏ膜９１０をスパッタ形成し、Ｍｏ膜９１０上にＡｕからなるＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストを電着コート法（もしくはスプレーコート法）により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。本実施の形態２では、新たなポジレジスト層９１２を形成するために、電着コート法（もしくはスプレーコート法）を用いているため、キャビティ４５の凹部４５９にまで新たなポジレジスト層９１２を形成することができる。
【０１２５】
ポジレジスト層９１２を形成した後、キャビティ４５と、貫通孔４９の平坦面４９４を構成するための凹部４９６（以下、貫通孔９４の凹部４９６という）とを形成するために、ウエハ８の両主面８１，８２のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１とをメタルエッチングして、図３３に示すように、所定のパターン（キャビティ４５の凹部４５９と、貫通孔４９の凹部４９６）を形成する。
【０１２６】
図３３に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりウエハ８をエッチングして、ウエハ８に、キャビティ４５の凹部４５９と、貫通孔９４の凹部４９６とを形成したベース４（図３４参照）を多数個成形する。
【０１２７】
なお、キャビティ４５の凹部４５９の内側の底面（図３４参照）は、面Ｂ４（図２２に示す二点鎖線の仮想面）を設定するための基準面となる。また、キャビティ４５の凹部４５９の内側面は平坦面とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ８の一主面８１（ベース４の一主面４２参照）に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。
【０１２８】
また、貫通孔４９の凹部４９６の内側の底面（図３４参照）は、面Ｂ２（図２２に示す二点鎖線の仮想面）を設定するための基準面となる。また、貫通孔４９の凹部４９６の内側面は平坦の面（平坦面４９４）とされているが、これに限定されるものではなく、ウエハ８の他主面８２（ベース４の他主面４３参照）に対してテーパー状に形成されたテーパー面であればよい。そのため、テーパー面には、ウエットエッチングのエッチング方向に膨らむ曲面が少なくとも一部に含まれてもよい。
【０１２９】
ウエハ８に、キャビティ４５の凹部４５９と、貫通孔４９の凹部４９６とを形成した後に、図３４に示すように、ポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、ウエハ８素板にする。
【０１３０】
図３４に示すウエハ８に対して、キャビティ４５と貫通孔４９とベース４の他主面４３の外周縁とを形成するために、ウエハ８の両主面８１，８２に、新たなＭｏ膜９１０をスパッタ形成し、Ｍｏ膜９１０上に新たなＡｕ膜９１１をスパッタ形成し、Ａｕ膜９１１上にレジストを電着コート法（もしくはスプレーコート法）により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。本実施の形態２では、新たなポジレジスト層９１２を形成するために、電着コート法（もしくはスプレーコート法）を用いているため、キャビティ４５の凹部４５９の内面４５９２（内側面および内側の底面）および、貫通孔４９の凹部４９６の内面４９７（内側面および内側の底面）にまで新たなポジレジスト層９１２を形成することができる。
【０１３１】
そして、新たなポジレジスト層９１２を形成した後、キャビティ４５と貫通孔４９とベース４の他主面４３の外周縁とを成形するために、ウエハ８の両主面８１，８２のポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、露出したＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１とをエッチングして、図３５に示すように、所定のパターン（キャビティ４５と貫通孔４９とベース４の他主面４３の外周縁）を形成する。この時、キャビティ４５の凹部４５９では、内側の底面の外周縁部を除き、中央部を含む部分のポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去している。また、貫通孔４９の凹部４９６では、内側の底面の中央部のみのポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去している。
【０１３２】
ここでいうキャビティ４５の凹部４５９の内側の底面上に形成されたポジレジスト層９１２（Ｍｏ膜９１０とＡｕ膜９１１も含む）から露出した露出端縁（図３５の符号４５７２で示すポイント参照）が、上記の複数の基準点４５７２で構成される線（無端状の平面視円形の線）となる。なお、複数の基準点４５７２は、面Ｂ４（図２２に示す二点鎖線の仮想面）上にある。
【０１３３】
また、貫通孔４９の凹部４９６の内側の底面上に形成されたポジレジスト層９１２（Ｍｏ膜９１０とＡｕ膜９１１も含む）から露出した中央部の露出端縁（図３５の符号４９９で示すポイント参照）が、上記の複数の基準点４９９で構成される線（無端状の平面視円形の線）となる。なお、複数の基準点４９９は、面Ｂ２（図２２に示す二点鎖線の仮想面）上にある。
【０１３４】
図３５に示す所定のパターンを形成した後に、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりエッチングして、図３６に示すように、ウエハ８に、キャビティ４５と貫通孔４９と他主面４３の外周縁とを形成したベース４を多数個成形する。
【０１３５】
ウエハ８に、キャビティ４５と貫通孔４９と他主面４３の外周縁とを形成した後に、図３７に示すように、ポジレジスト層９１２とＭｏ膜９１０とＡｕ膜９１１を剥離除去して、複数のベース４を成形したウエハ８素板にする。ここまでのウエハ８のエッチング形成工程が本発明でいう形成工程に対応する。なお、出願時において、水晶振動子１（ベース４）が小型化されたベース４における曲面（キャビティ４５や貫通孔４９の曲面）の形成に物理的なエッチング（ドライエッチングなど）を用いることは、面形成の精度や費用の面から考えられていない。
【０１３６】
そして、図３７に示すウエハ８に対して、ウエハ８（両主面８１，８２や貫通孔４９の内側面４９１など）に、ＭｏからなるＭｏ層（第１シード膜９１）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第１シード膜９１の形成後に、第１シード膜９１上に、ＣｕからなるＣｕ層（第２シード膜９２）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。
【０１３７】
第１シード膜９１及び第２シード膜９２を形成した後、第２シード膜９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。その後、貫通孔４９の内側面４９１およびその近傍と、ベース４の他主面４３の配線パターンとに対応した所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、その後、露光および現像により露出した部分に対して、第１シード膜９１と第２シード膜９２とをメタルエッチングする。第１シード膜９１と第２シード膜９２とのメタルエッチング後に、ポジレジスト層９１２を剥離除去する（図３８参照）。ここで形成した第１シード膜９１および第２シード膜９２により、図２１に示すベース４の配線パターン５５の一部を構成する。
【０１３８】
図３８に示すウエハ８に対して、レジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。その後、貫通孔４９の内側面４９１およびその近傍と、ベース４の他主面４３の所定のパターンを形成するために、ポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う。その後、Ｃｕからなる樹脂層６１をウエハ８の両主面８１，８２にメッキ形成する。樹脂層６１を形成した後に、ポジレジスト層９１２を剥離除去して、図３９に示すように、貫通孔４９およびベース４の他主面４３に樹脂パターン６１を形成する。
【０１３９】
樹脂パターン６１を形成した後に、ウエハ８の両主面８１，８２に、ＭｏからなるＭｏ層（第１スパッタ膜９３）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。第１スパッタ膜９３の形成後に、第１スパッタ膜９３上に、ＣｕからなるＣｕ層（第２スパッタ膜９４）をスパッタリング法によりスパッタリング形成する（図４０参照）。
【０１４０】
第１スパッタ膜９３及び第２スパッタ膜９４を形成した後、第２シード膜９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９１２を形成する。その後、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８（下記の図４２参照）を形成するために、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８に対応した所定のパターンのポジレジスト層９１２に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行う（図４１参照）。
【０１４１】
ポジレジスト層９１２の露光及び現像を行った後に、ウエハ８の両主面８１，８２に第１メッキ層９５を形成し、第１メッキ層９５上に第２メッキ層９６を形成し、第２メッキ層９６上に第３メッキ層９７を形成し、第３メッキ層９７上に第４メッキ層９８を形成する（図４２参照）。
【０１４２】
図４２に示すように、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８を形成した後に、ポジレジスト層９１２およびポジレジスト層９１２下の第１スパッタ膜９３と第２スパッタ膜９４とを除去して、ベース４をウエハ８に多数個形成する（図４３参照）。ここで形成した第１スパッタ膜９３、第２スパッタ膜９４、第１メッキ層９５〜第４メッキ層９８により、図２１に示すベース４の電極パッド５１，５２、配線パターン５５の一部、および第１接合層４８を構成する。
【０１４３】
ベース４をウエハ８に多数個形成した後、多数個のべース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し、多数個の図２２に示すベース４を製造する。
【０１４４】
そして、図２２に示すベース４に、切り欠き部５４１の位置に基づいて図７に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、図６に示す蓋７の第２接合層７４上に接合材１２を積層する。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋７を配し、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、図２１に示す水晶振動子１を製造する。
【０１４５】
本実施の形態２にかかる水晶振動子１、およびベース４、ベース４の製造方法によれば、上記の実施の形態１にかかる水晶振動子１、およびベース４、ベース４の製造方法による作用効果と同様の作用効果を有する。
【０１４６】
なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明は、電子部品素子を搭載する電子部品パッケージに適用できる。
【符号の説明】
【０１４８】
１  水晶振動子
１１  内部空間
１２  接合材
１３  導電性バンプ
２  水晶振動片（電子部品素子）
２０  圧電振動素板
２１，２２  脚部
２１１，２２１  先端部
２３  基部
２３１  一端面
２３２  他端面
２３３  側面
２４  接合部
２４１  短辺部
２４２  長辺部
２４３  先端部
２５  溝部
２６  貫通孔
２７  接合箇所
３１，３２  励振電極
３３，３４  引出電極
４  ベース（封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）
４１  底部
４２  一主面
４３  他主面
４４  壁部
４４１  天面
４５  キャビティ
４５１  壁面
４５２  一端部
４５３  第１壁面
４５３１  平坦面
４５３２  曲面
４５４  第２壁面
４５５  第３壁面
４５５１  平坦面
４５５２  曲面
４５５３  第１曲面
４５５４  第２曲面
４５６  キャビティの底面
４５７，４５７１，４５７２  基準点
４５８  突起部
４５８１  突起端縁
４５９  凹部
４５９１  平坦面
４５９２  内面
４６  台座部
４６１  主面
４８  第１接合層
４９  貫通孔
４９１  内側面
４９２  一端開口端
４９３  他端開口端
４９４  平坦面
４９４１  第１平坦面
４９４２  第２平坦面
４９５  曲面
４９６  凹部
４９７  内面
４９８  突起部
４９８１  突起端縁
４９９  基準点
５１，５２  電極パッド
５３，５４  外部端子電極
５４１  切り欠き部
５５  配線パターン
５８，５９  接触領域
６１  樹脂パターン，樹脂材，樹脂層
７  蓋
７１  頂部
７２  一主面
７３  壁部
７３１  内側面
７３２  外側面
７３３  天面
７４  第２接合層
８  ウエハ
８１，８２  主面
９１  第１シード膜（第１メタル層）
９２  第２シード膜（第２メタル層）
９３  第１スパッタ膜（第１スパッタ層）
９４  第２スパッタ膜（第２スパッタ層）
９５  第１メッキ膜（第１メッキ層）
９６  第２メッキ膜（第２メッキ層）
９７  第３メッキ膜（第３メッキ層）
９８  第４メッキ膜（第４メッキ層）
９１０  Ｍｏ膜（もしくはＣｒ膜）
９１１  Ａｕ膜
９１２  ポジレジスト層
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４  面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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