(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に電極を備えた第一半導体素子（１）と両面に電極を備えた第二半導体素子（２）とが直列に接続されてなる半導体装置であって、
前記第一半導体素子（１）と、
前記第一半導体素子（１）を挟み込みつつ、前記第一半導体素子（１）の各電極に夫々接続され、前記第一半導体素子（１）の放熱部材として機能する金属からなる一対の放熱部（３ａ，５ａ）と、
一対の前記放熱部（３ａ，５ａ）における一つの放熱部（３ａ）から突出して設けられた金属からなる第一接続部（３ｂ）と、を有する第一構造体と、
前記第二半導体素子（２）と、
前記第二半導体素子（２）を挟み込みつつ、前記第二半導体素子（２）の各電極に夫々接続され、前記第二半導体素子（２）の放熱部材として機能する金属からなる一対の放熱部（４ａ，６ａ）と、
一対の前記放熱部（４ａ，６ａ）における一つの放熱部（６ａ）から突出して設けられた金属からなる第二接続部（６ｂ）と、を有する第二構造体と、
前記第一構造体と前記第二構造体とを一体的にモールドしているモールド樹脂（１０）と、を備え、
前記第一構造体と前記第二構造体とは、前記第一半導体素子（１）と一対の前記放熱部（３ａ，５ａ）との積層方向と、前記第二半導体素子（２）と一対の前記放熱部（４ａ，６ａ）との積層方向とが平行に配置されるとともに、一対の前記放熱部（３ａ，５ａ）における一つの側部同士を繋ぎ積層方向に沿う仮想平面と一対の前記放熱部（４ａ，６ａ）における一つの側部同士を繋ぎ積層方向に沿う仮想平面とが対向して配置され、
前記第一接続部（３ｂ）と前記第二接続部（６ｂ）とは、前記第一構造体と前記第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外で電気的に接続され、且つ、前記モールド樹脂（１０）内に埋設されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第一半導体素子（１）の一方の電極と前記放熱部（３ａ）との間に設けられた金属からなる第一ブロック体（７）と、
前記第二半導体素子（２）の一方の電極と前記放熱部（４ａ）との間に設けられた金属からなる第二ブロック体（８）と、を有し、
前記第一ブロック体（７）と前記放熱部（３ａ）、前記第二ブロック体（８）と前記放熱部（４ａ）、及び前記第一接続部（３ｂ）と前記第二接続部（６ｂ）とは、同じ材料からなる導電性接続部材（９１ｅ，９１ｆ，９１ｇ）で接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第一接続部（３３ｂ）と前記第二接続部（６３ｂ）の少なくとも一方の厚みは、前記放熱部（３３ａ，５３ａ，４３ａ，６３ａ）よりも薄いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
金属からなり、一対の前記放熱部（３ａ，５ａ）における一つの放熱部（５ａ）に接続されており、一部が前記モールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第一外部接続端子（５ｂ）と、
金属からなり、一対の前記放熱部（４ａ，６ａ）における一つの放熱部（４ａ）に接続されており、一部が前記モールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第二外部接続端子（４ｃ）と、
金属からなり、一対の前記放熱部（４ａ，６ａ）における一つの放熱部（６ａ）に接続されており、一部が前記モールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第三外部接続端子（６ｃ）と、を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一接続部（３２ｂ）と前記第二接続部（６２ｂ）の厚みは、前記第一外部接続端子（５２ｂ）、前記第二外部接続端子（４２ｃ）、前記第三外部接続端子（６２ｃ）よりも厚いことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第二接続部（６１ｂ）は、前記第三外部接続端子（６１ｃ）の一部に設けられていることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
金属からなり、一対の前記放熱部（３ａ，５ａ）を介することなく前記第一半導体素子（１）に接続されており、一部が前記モールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第四外部接続端子（１１）と、
金属からなり、一対の前記放熱部（４ａ，６ａ）を介することなく前記第二半導体素子（２）に接続されており、一部が前記モールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第五外部接続端子（１２）と、を有し、
前記第四外部接続端子（１１）と前記第五外部接続端子（１２）とは、前記モールド樹脂（１０）から同一方向に露出し、前記第四外部接続端子（１１）における一つの側部を通り積層方向に沿う仮想平面と、前記第五外部接続端子（１２）における一つの側部を通り積層方向に沿う仮想平面とが対向して配置され、
前記第一接続部（３ｂ）と前記第二接続部（６ｂ）とは、前記第四外部接続端子（１１）と前記第五外部接続端子（１２）とにおける互いの仮想平面に挟まれた領域で接続されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項８】
一対の前記放熱部（３ａ，５ａ）における一つの放熱部（３ａ）と、一対の前記放熱部（４ａ，６ａ）における一つの放熱部（４ａ）とは、同じ形状をなすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記放熱部（５ａ）と前記放熱部（６ａ）とを含むリードフレーム（２０）に前記第一半導体素子（１）と前記第二半導体素子（２）とを実装する工程であり、前記放熱部（５ａ）と前記第一半導体素子（１）における一方の電極とが対向し、且つ前記放熱部（６ａ）と前記第二半導体素子（２）における一方の電極とが対向するように実装する実装工程と、
前記第一半導体素子（１）の他方の電極上に前記放熱部（３ａ）を取り付けるとともに、前記第二半導体素子（２）の他方の電極上に前記放熱部（４ａ）を取り付ける取付工程と、
前記第一接続部（３ｂ）と前記第二接続部（６ｂ）とを電気的に接続する接続工程と、
一対の前記放熱部（３ａ，５ａ）で前記第一半導体素子（１）を挟み込むとともに、一対の前記放熱部（４ａ，６ａ）で前記第二半導体素子（２）を挟み込み、且つ、前記第一接続部（３ｂ）と前記第二接続部（６ｂ）とが電気的に接続された状態において、前記放熱部（３ａ，５ａ）及び前記放熱部（４ａ，６ａ）の放熱面を露出させつつ、前記第一接続部（３ｂ）を含む前記第一構造体と前記第二接続部（６ｂ）を含む前記第二構造体とを一括でモールドするモールド工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二つの半導体素子が直列に接続されてなる半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、二つの半導体素子が直列に接続されてなる半導体装置の一例として、特許文献１に開示された半導体装置がある。
【０００３】
この半導体装置は、第１および第２の半導体パッケージが接続されてなるものである。各半導体パッケージは、半導体素子の両面を一対の金属体にて挟んだものをモールド樹脂にてモールドし、各金属体の外面（放熱面）をモールド樹脂から露出させるとともに、一対の金属体の一方にモールド樹脂から露出する接続端子を設けた構成を有している。そして、第１の半導体パッケージの接続端子と、第２の半導体パッケージの接続端子とが直接接触し、溶接などにより、電気的に接続されている。また、これら両接続端子が接続されている接続部は、電気絶縁性を有する絶縁部材によってモールドされている。
【０００４】
また、変形例（特許文献１の図１０）の半導体装置は、各半導体パッケージの接続端子が、相手側の半導体パッケージと対向していない端部から突出して設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３５６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の変形例の半導体装置のようにすることによって、半導体パッケージ同士の間隔を狭くすることができる。よって、半導体装置の小型化が期待できる。
【０００７】
しかしながら、変形例の半導体装置は、モールドされた二つの半導体パッケージを用いている。この各半導体パッケージは、半導体素子と一対の金属体からなる構造体と外部との電気的絶縁性の確保や、半導体素子と金属体との界面での接続信頼性の確保などのために、構造体における放熱面を除く周囲の所定範囲までモールド樹脂が設けられている（例えば特許文献１の図１や図１０など）。当然ながら、各半導体パッケージは、互いに対向する側にもモールド樹脂が設けられている。このように、この半導体装置は、二つの半導体パッケージが共に、互いに対向する側にモールド樹脂を有しているため、体格が大きくなるという問題がある。
【０００８】
また、この半導体装置は、半導体パッケージのモールド工程と接続部のモールド工程の二回のモールド工程が必要であるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、二つの半導体素子が直列に接続されてなるものにおいて、モールド工程の回数を減らしつつ、小型化することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために請求項１に記載の発明は、
両面に電極を備えた第一半導体素子（１）と両面に電極を備えた第二半導体素子（２）とが直列に接続されてなる半導体装置であって、
第一半導体素子（１）と、
第一半導体素子（１）を挟み込みつつ、第一半導体素子（１）の各電極に夫々接続され、第一半導体素子（１）の放熱部材として機能する金属からなる一対の放熱部（３ａ，５ａ）と、
一対の放熱部（３ａ，５ａ）における一つの放熱部（３ａ）から突出して設けられた金属からなる第一接続部（３ｂ）と、を有する第一構造体と、
第二半導体素子（２）と、
第二半導体素子（２）を挟み込みつつ、第二半導体素子（２）の各電極に夫々接続され、第二半導体素子（２）の放熱部材として機能する金属からなる一対の放熱部（４ａ，６ａ）と、
一対の放熱部（４ａ，６ａ）における一つの放熱部（６ａ）から突出して設けられた金属からなる第二接続部（６ｂ）と、を有する第二構造体と、 
第一構造体と第二構造体とを一体的にモールドしているモールド樹脂（１０）と、を備え、
第一構造体と第二構造体とは、第一半導体素子（１）と一対の放熱部（３ａ，５ａ）との積層方向と、第二半導体素子（２）と一対の放熱部（４ａ，６ａ）との積層方向とが平行に配置されるとともに、一対の放熱部（３ａ，５ａ）における一つの側部同士を繋ぎ積層方向に沿う仮想平面と一対の放熱部（４ａ，６ａ）における一つの側部同士を繋ぎ積層方向に沿う仮想平面とが対向して配置され、
第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とは、第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外で電気的に接続され、且つ、モールド樹脂（１０）内に埋設されていることを特徴とする。
【００１１】
このように、モールド樹脂（１０）にて、第一構造体と第二構造体とを一体的にモールドしているため、第一構造体と第二構造体とを個別にモールドする必要がない。つまり、第一構造体と第二構造体における互いに対向する側を、共通のモールド樹脂（１０）で封止する（埋める）ことができる。よって、二つの構造体が個別にモールドされている場合よりも、第一構造体と第二構造体との間隔を狭くすることができる。また、第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とは、第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外で電気的に接続されているため、第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域内で電気的に接続されている場合よりも、第一構造体と第二構造体との間隔を狭くすることができる。従って、半導体装置の体格を小型化することができる。
【００１２】
さらに、第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とは、第一構造体と第二構造体とを一体的にモールドしているモールド樹脂（１０）内に埋設されている。よって、第一構造体と第二構造体とを一括でモールドすることによって、第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）も一緒にモールドすることができる。よって、上述の従来技術のように、予めモールドされた二つの半導体パッケージを用いる場合よりも、モールド工程を減らすことができる。
【００１３】
また、請求項２に示すように、
第一半導体素子（１）の一方の電極と放熱部（３ａ）との間に設けられた金属からなる第一ブロック体（７）と、
第二半導体素子（２）の一方の電極と放熱部（４ａ）との間に設けられた金属からなる第二ブロック体（８）と、を有し、
第一ブロック体（７）と放熱部（３ａ）、第二ブロック体（８）と放熱部（４ａ）、及び第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とは、同じ材料からなる導電性接続部材（９１ｅ，９１ｆ，９１ｇ）で接続されるようにしてもよい。
【００１４】
このようにすることによって、第一ブロック体（７）と放熱部（３ａ）、第二ブロック体（８）と放熱部（４ａ）、及び第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）を同時に接続することができる。このような複数個所を別々に接続すると、先に接続した箇所には、後に別の箇所を接続する際に、応力が印加される可能性があり、接続信頼性が低下することが考えられる。しかしながら、同時に接続することによって、接続箇所に応力が印加される可能性が低く、接続信頼性の低下を抑制することができる。
【００１５】
また、請求項３に示すように、第一接続部（３３ｂ）と第二接続部（６３ｂ）の少なくとも一方の厚みは、放熱部（３３ａ，５３ａ，４３ａ，６３ａ）よりも薄くなるようにしてもよい。
【００１６】
このようにすることによって、第一接続部（３３ｂ）と第二接続部（６３ｂ）とを容易にモールド樹脂（１０）に埋設することができる。
【００１７】
また、半導体装置は、具体的には請求項４に示すように、
金属からなり、一対の放熱部（３ａ，５ａ）における一つの放熱部（５ａ）に接続されており、一部がモールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第一外部接続端子（５ｂ）と、
金属からなり、一対の放熱部（４ａ，６ａ）における一つの放熱部（４ａ）に接続されており、一部がモールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第二外部接続端子（４ｃ）と、
金属からなり、一対の放熱部（４ａ，６ａ）における一つの放熱部（６ａ）に接続されており、一部がモールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第三外部接続端子（６ｃ）と、を備えるようにしてもよい。
【００１８】
また、請求項５に示すように、第一接続部（３２ｂ）と第二接続部（６２ｂ）の厚みは、第一外部接続端子（５２ｂ）、第二外部接続端子（４２ｃ）、第三外部接続端子（６２ｃ）よりも厚くなるようにしてもよい。
【００１９】
このようにすることによって、第一接続部（３２ｂ）と第二接続部（６２ｂ）の厚みが、第一外部接続端子（５２ｂ）などに比べて薄い場合よりも、第一接続部（３２ｂ）の断面積と第二接続部（６２ｂ）の断面積とを大きくすることができる。よって、第一接続部（３２ｂ）と第二接続部（６２ｂ）の厚みが、第一外部接続端子（５２ｂ）などよりも薄い場合よりも、半導体装置のインダクタンスを小さくできるので好ましい。
【００２０】
また、このようにすることで、第一接続部（３２ｂ）と第二接続部（６２ｂ）の厚みが、第一外部接続端子（５２ｂ）などに比べて薄い場合よりも、第一接続部（３２ｂ）と第二接続部（６２ｂ）の反りを抑制でき、第一接続部（３２ｂ）と第二接続部（６２ｂ）の接続時の公差を小さくすることができる。
【００２１】
また、請求項６に示すように、第二接続部（６１ｂ）は、第三外部接続端子（６１ｃ）の一部に設けられるようにしてもよい。
【００２２】
このようにすることによって、第三外部接続端子（６１ｃ）に接続される外部の部材（バスバー）に近い位置で、第一接続部（３１ｂ）と第二接続部（６１ｂ）との接続を行えるため、半導体装置のインダクタンスを小さくすることができる。
【００２３】
また、請求項７に示すように、
金属からなり、一対の放熱部（３ａ，５ａ）を介することなく第一半導体素子（１）に接続されており、一部がモールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第四外部接続端子（１１）と、
金属からなり、一対の放熱部（４ａ，６ａ）を介することなく第二半導体素子（２）に接続されており、一部がモールド樹脂（１０）の外部に露出するように設けられた第五外部接続端子（１２）と、を有し、
第四外部接続端子（１１）と第五外部接続端子（１２）とは、モールド樹脂（１０）から同一方向に露出し、第四外部接続端子（１１）における一つの側部を通り積層方向に沿う仮想平面と、第五外部接続端子（１２）における一つの側部を通り積層方向に沿う仮想平面とが対向して配置され、
第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とは、第四外部接続端子（１１）と第五外部接続端子（１２）とにおける互いの仮想平面に挟まれた領域で接続されるようにしてもよい。
【００２４】
このように、上述の第一外部接続端子（５ｂ）、第二外部接続端子（４ｃ）、第三外部接続端子（６ｃ）に加えて、第四外部接続端子（１１）と第五外部接続端子（１２）とを備えるようにしてもよい。この場合、第四外部接続端子（１１）及び第五外部接続端子（１２）と、第一外部接続端子（５ｂ）、第二外部接続端子（４ｃ）、第三外部接続端子（６ｃ）とは、モールド樹脂（１０）における異なる方向から外部に露出させることが多い。そこで、請求項７に示すようにすることによって、第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とが、第一外部接続端子（５ｂ）、第二外部接続端子（４ｃ）、第三外部接続端子（６ｃ）の邪魔になることを防止することができる。つまり、第一外部接続端子（５ｂ）、第二外部接続端子（４ｃ）、第三外部接続端子（６ｃ）を外部の部材（例えばバスバーなど）と接続する際の邪魔になることを防止することができる。
【００２５】
また、請求項８に示すように、一対の放熱部（３ａ，５ａ）における一つの放熱部（３ａ）と、一対の放熱部（４ａ，６ａ）における一つの放熱部（４ａ）とは、同じ形状をなすようにしてもよい。
【００２６】
このようにすることによって、半導体装置を構成する構成要素の種類を少なくすることができるので好ましい。
【００２７】
上記目的を達成するために請求項９に記載の発明は、
請求項１乃至請求項８に記載された半導体装置の製造方法であって、
放熱部（５ａ）と放熱部（６ａ）とを含むリードフレーム（２０）に第一半導体素子（１）と第二半導体素子（２）とを実装する工程であり、放熱部（５ａ）と第一半導体素子（１）における一方の電極とが対向し、且つ放熱部（６ａ）と第二半導体素子（２）における一方の電極とが対向するように実装する実装工程と、
第一半導体素子（１）の他方の電極上に放熱部（３ａ）を取り付けるとともに、第二半導体素子（２）の他方の電極上に放熱部（４ａ）を取り付ける取付工程と、
第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とを電気的に接続する接続工程と、
一対の放熱部（３ａ，５ａ）で第一半導体素子（１）を挟み込むとともに、一対の放熱部（４ａ，６ａ）で第二半導体素子（２）を挟み込み、且つ、第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とが電気的に接続された状態において、放熱部（３ａ，５ａ）及び放熱部（４ａ，６ａ）の放熱面を露出させつつ、第一接続部（３ｂ）を含む第一構造体と第二接続部（６ｂ）を含む第二構造体とを一括でモールドするモールド工程と、を含むことを特徴とする。
【００２８】
このように、第一接続部（３ｂ）を含む第一構造体と第二接続部（６ｂ）を含む第二構造体とを一括でモールドすることによって、第一半導体素子（１）、一対の放熱部（３ａ，５ａ）、第二半導体素子（２）、一対の放熱部（４ａ，６ａ）とともに、第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）をモールドすることができる。よって、上述の従来技術のように、予めモールドされた二つの半導体パッケージを用いる場合よりも、モールド工程を減らすことができる。
【００２９】
また、このように第一構造体と第二構造体とを個別にモールドする必要がないため、第一構造体と第二構造体における互いに対向する側を、共通のモールド樹脂（１０）で封止する（埋める）ことができる。よって、二つの構造体が個別にモールドされている場合よりも、第一構造体と第二構造体との間隔を狭くすることができる。また、第一接続部（３ｂ）と第二接続部（６ｂ）とを、第一構造体と第二構造体との対向領域外で電気的に接続するため、第一構造体と第二構造体との対向領域内で電気的に接続されている場合よりも、第一構造体と第二構造体との間隔を狭くすることができる。従って、小型化された半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施形態における半導体装置の概略構成を示す平面図（透視図）である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】実施形態における半導体装置の等価回路を示す回路図である。
【図４】実装工程を説明するためのリードフレームの平面図である。
【図５】図４のV−V線断面図である。
【図６】第一金属体，第三金属体の概略構成を示す図面であり（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図６（ａ）のVIｂ方向からの側面図である。
【図７】実施形態におけるリードフレームの平面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線断面図である。
【図９】モールド工程を説明するためのリードフレームの平面図である。
【図１０】変形例１における半導体装置の概略構成を示す平面図（透視図）である。
【図１１】図１０のXI−XI線断面図である。
【図１２】変形例１におけるリードフレームを示す平面図である。
【図１３】第一金属体，第三金属体の概略構成を示す図面であり（ａ）は平面図であり、（ｂ）は図１３（ａ）のXIIIｂ方向からの側面図である。
【図１４】変形例２における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図１５】変形例３における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図１６】変形例４における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図１７】変形例５における半導体装置の概略構成を示す平面図（透視図）である。
【図１８】図１７のXVIII−XVIII線断面図である。
【図１９】変形例６における半導体装置の概略構成を示す平面図（透視図）である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
【００３２】
図１，図２，図３に示す半導体装置１００は、両面に電極を備えた第一半導体素子１と両面に電極を備えた第二半導体素子２とが直列に接続されてなるものである。つまり、半導体装置１００は、図３に示すような等価回路をなすものである。例えば車両のインバータ回路に組み入れられ、負荷（例えばモータ等）をＰＷＭ制御するための装置として適用される。換言すると、半導体装置１００は、所謂パワーカードをなすものである。
【００３３】
この半導体装置１００は、主に、第一構造体（上アーム）と第二構造体（下アーム）とを備え、これらが一体的にモールド樹脂（絶縁性樹脂）１０にてモールド（封止）されたものである。言い換えると、半導体装置１００は、第一構造体と第二構造体とが１つのパッケージに収めた、２ｉｎ１パッケージである。より詳細には、第一構造体と第二構造体は、後ほど説明する放熱部３ａ〜６ａの夫々における放熱面、Ｎ端子４ｃ、Ｐ端子５ｂ、Ｏ端子６ｃの夫々における一部（インナーリード部４ｃ１、インナーリード部５ｂ１、インナーリード部６ｃ１を除く部位）、及び信号用端子１１，１２の夫々における一部（インナーリード部１１ａ、インナーリード部１２ａを除く部位）以外がモールド樹脂１０にて封止されている（覆われている）。
【００３４】
第一構造体は、図１，図２に示すように、主に、第一半導体素子１と、第一金属体３と、第二金属体５とを備えて構成されるものである。そして、第一構造体は、第二金属体５の放熱部５ａ、第一半導体素子１、第一金属体３の放熱部３ａが、この順番で積層されている。なお、放熱部３ａ、放熱部５ａに関しては後ほど詳しく説明する。また、第二金属体５の放熱部５ａ、第一半導体素子１、第一金属体３の放熱部３ａの積層方向を、単に積層方向とも称する。
【００３５】
また、第一構造体は、これらの他に、ブロック体７（第一ブロック体）、信号用端子１１、ボンディングワイヤ１３などを備えていてもよい。この第一構造体は、単独でモールドされているものではなく、第二構造体とともに一体的にモールドされている。よって、半導体装置１００がモールド樹脂１０によってモールドされていない状態では、第一半導体素子１、第一金属体３、第二金属体５などは、モールド樹脂１０以外の樹脂材料などでも封止されていない。
【００３６】
第一半導体素子１は、上述のように、両面に電極（表面電極と裏面電極）を備えるものであり、ＩＧＢＴやＲＣ−ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を採用することができる。ここでは、ＲＣ−ＩＧＢＴを採用する。この第一半導体素子１は、ボンディングワイヤ１３を介して信号用端子１１と電気的に接続されている。
【００３７】
この信号用端子１１は、本発明の特許請求の範囲における第四外部接続端子に相当するものである。信号用端子１１は、金属からなり、一対の放熱部３ａ，５ａを介することなく第一半導体素子１に接続されており、一部がモールド樹脂１０の内部に配置され、残りの部位がモールド樹脂１０の外部に露出するように設けられている。図１に示すように、信号用端子１１と第一半導体素子１とは、ボンディングワイヤ１３を介して電気的に接続されている。
【００３８】
なお、信号用端子１１のうち、モールド樹脂１０の内部に配置されている部位をインナーリード部１１ａと称する。半導体装置１００には、複数の信号用端子１１が設けられている。この複数の信号用端子１１は、積層方向に直交する方向に配列されている。また、複数の信号用端子１１は、後ほど説明する信号用端子１２と同一方向にモールド樹脂１０から露出している。この複数の信号用端子１１と複数の信号用端子１２とは、同一平面上に形成されている。
【００３９】
よって、信号用端子１１における一つの側部を通り積層方向に沿う仮想平面（端子用仮想平面）と、信号用端子１２における一つの側部を通り積層方向に沿う仮想平面（端子用仮想平面）とが対向して配置されている。より詳細には、複数の信号用端子１１における最も信号用端子１２に近い信号用端子１１の側部を通り、積層方向に沿う仮想平面（端子用仮想平面）と、複数の信号用端子１２における最も信号用端子１１に近い信号用端子１２の側部を通り、積層方向に沿う仮想平面（端子用仮想平面）とが対向して配置されている。
【００４０】
この信号用端子１１は、第一半導体素子１の制御用信号が流れる端子であり、後ほど説明する主電流端子（Ｐ端子）５ｂ、主電流端子（Ｎ端子）４ｃ、主電流端子（Ｏ端子）６ｃに比べて、十分小さい電流が流れるものである。よって、信号用端子１１は、小電流端子とも言い換えることができる。一方、主電流端子（Ｎ端子）４ｃ、主電流端子（Ｏ端子）６ｃは、大電流端子とも言い換えることができる。
【００４１】
第一金属体３は、金属からなる放熱部３ａと金属からなる上下アーム接続部（第一接続部）３ｂとを備えて構成されている。放熱部３ａは、第一半導体素子１を挟み込みつつ、この第一半導体素子１の各電極に夫々接続され、第一半導体素子１の放熱部材として機能する金属からなる一対の放熱部の一つである。放熱部３ａは、図６（ａ），図６（ｂ）に示すように、例えば直方体形状を有するものである。
【００４２】
また、図２に示すように、放熱部３ａは、一方の面が第一半導体素子１の一方の電極（ここでは表面電極とする）と対向し、他方の面がモールド樹脂１０から露出して配置されている。この放熱部３ａにおけるモールド樹脂１０から露出した面が放熱面となる。また、放熱部３ａは、金属からなるブロック体７、導電性接続部材９ｃ，９ｅを介して、第一半導体素子１の表面電極に電気的に接続されている。なお、導電性接続部材９ｃ，９ｅ、及び以下で説明する導電性接続部材９ｃ，９ｅ以外の導電性接続部材は、例えば、はんだなどを採用することができる。
【００４３】
よって、第一半導体素子１から発せられた熱は、導電性接続部材９ｃ、ブロック体７、導電性接続部材９ｅを介して放熱部３ａに伝達され、放熱部３ａの放熱面から放熱される。このように、第一金属体３（放熱部３ａ）は、第一半導体素子１における放熱部材として機能する。
【００４４】
また、上下アーム接続部３ｂは、本発明の特許請求の範囲における第一接続部に相当するものであり、放熱部３ａの一つの側面から突出して設けられている。より詳細には、図１に示すように、上下アーム接続部３ｂは、放熱部３ａにおける放熱部４ａと対向する側面以外の側面（ここでは、放熱部４ａと対向する側面に隣接する側面）に設けられている。好ましくは、上下アーム接続部３ｂは、この側面における放熱部４ａに最も近い部位に設けられている。なお、上下アーム接続部３ｂは、例えば、平面形状が略Ｌ字形状をなすものである。つまり、上下アーム接続部３ｂの一例としては、放熱部３ａの側面に対して垂直に延びた部位と、この部位の先端から直角に曲がって延びた部位とを有するものを採用することができる。
【００４５】
また、図２に示すように、上下アーム接続部３ｂは、導電性接続部材９ｇを介して、第二構造体における上下アーム接続部６ｂと電気的に接続されている。なお、後ほど説明するが、上下アーム接続部６ｂは、放熱部６ａを介して、半導体装置１００の主電流端子（Ｏ端子）６ｃと電気的に接続されている。つまり、第一半導体素子１は、導電性接続部材９ｃ、ブロック体７、導電性接続部材９ｅ、放熱部３ａ、上下アーム接続部３ｂなどを介して、Ｏ端子６ｃと電気的に接続されていることになる。よって、第一金属体３（放熱部３ａ及び上下アーム接続部３ｂ）は、半導体装置１００における配線の一部としても機能するものである。なお、ブロック体７は、金属からなるものであり、ボンディングワイヤ１３が放熱部３ａに接触するのを防止するために設けられている。
【００４６】
このように、第一金属体３は、第一半導体素子１の放熱部材として機能するとともに、半導体装置１００における配線の一部としても機能するものである。よって、第一金属体３は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金のいずれかの金属材料からなるものである。ただし、これらの金属材料以外であっても、熱伝導性及び電気伝導性に優れたものであれば採用することができる。
【００４７】
なお、放熱部３ａと上下アーム接続部３ｂとは、電気的及び機械的に接続されている。なお、第一金属体３は、放熱部３ａと上下アーム接続部３ｂとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部３ａと上下アーム接続部３ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。ただし、本実施形態においては、放熱部３ａと上下アーム接続部３ｂとが一体物として形成された第一金属体３を採用する。
【００４８】
第二金属体５は、金属からなる放熱部５ａと金属からなる主電流端子（Ｐ端子）５ｂとを備えて構成されるものである。この第二金属体５は、図４に示すリードフレーム２０から切り取られたものである。放熱部５ａは、第一半導体素子１を挟み込みつつ、この第一半導体素子１の各電極に夫々接続され、第一半導体素子１の放熱部材として機能する金属からなる一対の放熱部の一つである。この放熱部５ａは、放熱部３ａと同様に、例えば直方体形状を有するものである。
【００４９】
また、図２に示すように、放熱部５ａは、一方の面が第一半導体素子１の一方の電極（ここでは裏面電極とする）と対向し、他方の面がモールド樹脂１０から露出して配置されている。この放熱部５ａにおけるモールド樹脂１０から露出した面が放熱面となる。また、放熱部５ａは、導電性接続部材９ａを介して、第一半導体素子１の裏面電極に電気的に接続されている。
【００５０】
よって、第一半導体素子１から発せられた熱は、導電性接続部材９ａを介して放熱部５ａに伝達され、放熱部５ａの放熱面から放熱される。このように、第二金属体５（放熱部５ａ）は、第一半導体素子１における放熱部材として機能する。
【００５１】
また、Ｐ端子５ｂは、本発明の特許請求の範囲における第一外部接続端子に相当するものであり、放熱部５ａの一つの側面から突出して設けられている。より詳細には、図１，４に示すように、Ｐ端子５ｂは、放熱部５ａにおける放熱部６ａと対向する側面以外の側面（ここでは、放熱部６ａと対向する側面に隣接する側面）に設けられている。図３の半導体装置１００の等価回路に示すように、Ｐ端子５ｂは、半導体装置１００における高電位側端子である。つまり、第一半導体素子１は、導電性接続部材９ａ、放熱部５ａなどを介して、このＰ端子５ｂと電気的に接続されていることになる。よって、第二金属体５（放熱部５ａ及びＰ端子５ｂ）は、半導体装置１００における配線の一部としても機能するものである。
【００５２】
このように、第二金属体５は、第一半導体素子１の放熱部材として機能するとともに、半導体装置１００における配線の一部としても機能するものである。よって、第二金属体５は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金のいずれかの金属材料からなるものである。ただし、これらの金属材料以外であっても、熱伝導性及び電気伝導性に優れたものであれば採用することができる。
【００５３】
なお、Ｐ端子５ｂは、一部がモールド樹脂１０の内部に配置され、残りの部位がモールド樹脂１０の外部に露出するように設けられている。なお、Ｐ端子５ｂのうち、モールド樹脂１０の内部に配置されている部位をインナーリード部５ｂ１と称する。
【００５４】
また、図１に示すように、Ｐ端子５ｂは、モールド樹脂１０に対して、信号用端子１１とは反対方向に露出している。つまり、信号用端子１１は、モールド樹脂１０の一つの側面から露出しており、Ｐ端子５ｂは、モールド樹脂１０における信号用端子１１が露出している側面の反対面から露出している。
【００５５】
また、第二金属体５は、放熱部５ａとＰ端子５ｂとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部５ａとＰ端子５ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。ただし、本実施形態においては、放熱部５ａとＰ端子５ｂとが一体物（リードフレームの一部）として形成された第二金属体５を採用する。
【００５６】
一方、第二構造体は、図１，図２に示すように、主に、第二半導体素子２と、第三金属体４と、第四金属体６とを備えて構成されるものである。そして、第二構造体は、第四金属体６の放熱部６ａ、第二半導体素子２、第三金属体４の放熱部４ａが、この順番で積層されている。なお、第四金属体６の放熱部６ａ、第二半導体素子２、第三金属体４の放熱部４ａの積層方向に関しても、単に積層方向とも記載する。この第四金属体６の放熱部６ａ、第二半導体素子２、第三金属体４の放熱部４ａの積層方向と、第二金属体５の放熱部５ａ、第一半導体素子１、第一金属体３の放熱部３ａの積層方向とは同一方向を示すものである。
【００５７】
また、第二構造体は、これらの他に、ブロック体８（第二ブロック体）、信号用端子１２、ボンディングワイヤ１４などを備えていてもよい。この第二構造体は、単独でモールドされているものではなく、第一構造体とともに一体的にモールドされている。よって、半導体装置１００がモールド樹脂１０によってモールドされていない状態では、第二半導体素子２、第三金属体４、第四金属体６などは、モールド樹脂１０以外の樹脂材料などでも封止されていない。
【００５８】
第二半導体素子２は、上述の第一半導体素子１と同様に、ＩＧＢＴやＲＣ−ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を採用することができる。ここでは、第一半導体素子と同種のＲＣ−ＩＧＢＴを採用する。この第二半導体素子２は、ボンディングワイヤ１４を介して信号用端子１２と電気的に接続されている。なお、信号用端子１２は、本発明の特許請求の範囲における第五外部接続端子に相当するものであり、上述の信号用端子１１と同様である。
【００５９】
なお、信号用端子１２のうち、モールド樹脂１０の内部に配置されている部位をインナーリード部１２ａと称する。この信号用端子１２は、第二半導体素子２の制御用信号が流れる端子であり、後ほど説明する主電流端子（Ｐ端子）５ｂ、主電流端子（Ｎ端子）４ｃ、主電流端子（Ｏ端子）６ｃに比べて、十分小さい電流が流れるものである。よって、信号用端子１２は、小電流端子とも言い換えることができる。
【００６０】
第三金属体４は、第一金属体３と同様（同じ形状）の金属体である。第三金属体４は、金属からなる放熱部４ａと金属からなる端子接続部４ｂとを備えて構成されている。放熱部４ａは、第二半導体素子２を挟み込みつつ、この第二半導体素子２の各電極に夫々接続され、第二半導体素子２の放熱部材として機能する金属からなる一対の放熱部の一つである。放熱部４ａは、図６（ａ），図６（ｂ）に示すように、例えば直方体形状を有するものである。つまり、放熱部３ａと放熱部４ａとは、同じ形状をなすものである。
【００６１】
また、図２に示すように、放熱部４ａは、一方の面が第二半導体素子２の一方の電極（ここでは表面電極とする）と対向し、他方の面がモールド樹脂１０から露出して配置されている。この放熱部４ａにおけるモールド樹脂１０から露出した面が放熱面となる。また、放熱部４ａは、金属からなるブロック体８、導電性接続部材９ｄ，９ｆを介して、第二半導体素子２の表面電極に電気的に接続されている。
【００６２】
よって、第二半導体素子２から発せられた熱は、導電性接続部材９ｄ、ブロック体８、導電性接続部材９ｆを介して放熱部４ａに伝達され、放熱部４ａの放熱面から放熱される。このように、第三金属体４（放熱部４ａ）は、第二半導体素子２における放熱部材として機能する。
【００６３】
また、端子接続部４ｂは、放熱部４ａの一つの側面から突出して設けられている。より詳細には、図１に示すように、端子接続部４ｂは、放熱部４ａにおける放熱部３ａと対向する側面以外の側面（ここでは、放熱部３ａと対向する側面に隣接する側面）に設けられている。好ましくは、端子接続部４ｂは、この側面における放熱部３ａに最も近い部位に設けられている。なお、端子接続部４ｂは、上下アーム接続部３ｂと同一形状を有している。
【００６４】
また、図１に示すように、端子接続部４ｂは、導電性接続部材（図示省略）を介して、主電流端子（Ｎ端子）４ｃと電気的に接続されている。Ｎ端子４ｃは、本発明の特許請求の範囲における第二外部接続端子に相当するものである。図３の半導体装置１００の等価回路に示すように、Ｎ端子４ｃは、半導体装置１００における低電位（グランド）側端子である。つまり、第二半導体素子２は、導電性接続部材９ｄ、ブロック体８、導電性接続部材９ｆ、放熱部４ａ、端子接続部４ｂなどを介して、このＮ端子４ｃと電気的に接続されていることになる。よって、第三金属体４（放熱部４ａ及び端子接続部４ｂ）は、半導体装置１００における配線の一部としても機能するものである。なお、ブロック体８は、金属からなるものであり、ボンディングワイヤ１３が放熱部３ａに接触するのを防止するために設けられている。
【００６５】
このように、第三金属体４は、第二半導体素子２の放熱部材として機能するとともに、半導体装置１００における配線の一部としても機能するものである。よって、第三金属体４は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金のいずれかの金属材料からなるものである。ただし、これらの金属材料以外であっても、熱伝導性及び電気伝導性に優れたものであれば採用することができる。
【００６６】
なお、Ｎ端子４ｃは、一部がモールド樹脂１０の内部に配置され、残りの部位がモールド樹脂１０の外部に露出するように設けられている。なお、Ｎ端子４ｃのうち、モールド樹脂１０の内部に配置されている部位をインナーリード部４ｃ１と称する。端子接続部４ｂは、Ｎ端子４ｃのインナーリード部４ｃ１に導電性接続部材を介して電気的に接続されている。
【００６７】
また、図１に示すように、Ｎ端子４ｃは、モールド樹脂１０に対して、信号用端子１１，１２とは反対方向に露出している。つまり、信号用端子１１，１２は、モールド樹脂１０の一つの側面から露出しており、Ｎ端子４ｃは、モールド樹脂１０における信号用端子１１，１２が露出している側面の反対面から露出している。
【００６８】
また、放熱部４ａと端子接続部４ｂとは、電気的及び機械的に接続されている。なお、第三金属体４は、放熱部４ａと端子接続部４ｂとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部４ａと端子接続部４ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。ただし、本実施形態においては、放熱部４ａと端子接続部４ｂとが一体物として形成された第三金属体４を採用する。
【００６９】
第四金属体６は、金属からなる放熱部６ａと金属からなる上下アーム接続部（第二接続部）６ｂと金属からなる主電流端子（Ｏ端子）６ｃを備えて構成されている。この第四金属体６は、図４に示すリードフレーム２０から切り取られたものである。放熱部６ａは、第二半導体素子２を挟み込みつつ、この第二半導体素子２の各電極に夫々接続され、第二半導体素子２の放熱部材として機能する金属からなる一対の放熱部の一つである。この放熱部６ａは、放熱部４ａと同様に、例えば直方体形状を有するものである。
【００７０】
また、図２に示すように、放熱部６ａは、一方の面が第二半導体素子２の一方の電極（ここでは裏面電極とする）と対向し、他方の面がモールド樹脂１０から露出して配置されている。この放熱部６ａにおけるモールド樹脂１０から露出した面が放熱面となる。また、放熱部６ａは、導電性接続部材９ｂを介して、第二半導体素子２の裏面電極に電気的に接続されている。
【００７１】
よって、第二半導体素子２から発せられた熱は、導電性接続部材９ｂを介して放熱部６ａに伝達され、放熱部６ａの放熱面から放熱される。このように、第四金属体６（放熱部６ａ）は、第二半導体素子２における放熱部材として機能する。
【００７２】
また、上下アーム接続部６ｂは、本発明の特許請求の範囲における第二接続部に相当するものであり、放熱部６ａの一つの側面から突出して設けられている。より詳細には、図１に示すように、上下アーム接続部６ｂは、放熱部６ａにおける放熱部５ａと対向する側面以外の側面（ここでは、放熱部５ａと対向する側面に隣接する側面）に設けられている。好ましくは、上下アーム接続部６ｂは、この側面における放熱部５ａに最も近い部位に設けられている。なお、上下アーム接続部６ｂは、例えば、平面形状が略Ｌ字形状をなすものである。つまり、上下アーム接続部６ｂの一例としては、放熱部３ａの側面に対して垂直に延びた部位と、この部位の先端から直角に曲がって延びた部位とを有するものを採用することができる。ただし、図２に示すように、直角に曲がって延びた部位は、放熱部３ａの側面に対して垂直に延びた部位の先端から斜め上方に折れ曲がった形状をなしている。この上下アーム接続部６ｂは、図２に示すように、導電性接続部材９ｇを介して、第一構造体における上下アーム接続部３ｂと電気的に接続されている。
【００７３】
なお、一例として、上下アーム接続部６ｂと、上述の上下アーム接続部３ｂとは、同じ厚み（積層方向における幅）を有するものを採用する。そして、上下アーム接続部６ｂ及び上下アーム接続部３ｂは、放熱部６ａ及び放熱部３ａの厚みよりも薄いものを採用する。
【００７４】
また、Ｏ端子６ｃは、本発明の特許請求の範囲における第三外部接続端子に相当するものであり、放熱部６ａの一つの側面から突出して設けられている。より詳細には、図１，４に示すように、Ｏ端子６ｃは、放熱部６ａにおける放熱部５ａと対向する側面以外の側面（ここでは、放熱部５ａと対向する側面に隣接する側面）に設けられている。図３の半導体装置１００の等価回路に示すように、Ｏ端子６ｃは、半導体装置１００における出力端子である。つまり、第二半導体素子２は、導電性接続部材９ｂ、放熱部６ａなどを介して、このＯ端子６ｃと電気的に接続されていることになる。よって、第四金属体６（放熱部６ａ及びＯ端子６ｃ）は、半導体装置１００における配線の一部としても機能するものである。
【００７５】
このように、第四金属体６は、第二半導体素子２の放熱部材として機能するとともに、半導体装置１００における配線の一部としても機能するものである。よって、第四金属体６は、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、又は、これら金属の少なくとも１種類を含む合金のいずれかの金属材料からなるものである。ただし、これらの金属材料以外であっても、熱伝導性及び電気伝導性に優れたものであれば採用することができる。
【００７６】
なお、このＯ端子６ｃは、一部がモールド樹脂１０の内部に配置され、残りの部位がモールド樹脂１０の外部に露出するように設けられている。なお、Ｏ端子６ｃのうち、モールド樹脂１０の内部に配置されている部位をインナーリード部６ｃ１と称する。
【００７７】
また、図１に示すように、Ｏ端子６ｃは、モールド樹脂１０に対して、信号用端子１２とは反対方向に露出している。つまり、信号用端子１２は、モールド樹脂１０の一つの側面から露出しており、Ｏ端子６ｃは、モールド樹脂１０における信号用端子１２が露出している側面の反対面から露出している。なお、これまで説明したように、信号用端子１１，１２は、モールド樹脂１０に対して同じ方向に露出している。また、Ｐ端子５ｂ、Ｎ端子４ｃ、Ｏ端子６ｃは、モールド樹脂１０に対して同じ方向に露出している。そして、Ｐ端子５ｂ、Ｎ端子４ｃ、Ｏ端子６ｃは、モールド樹脂１０における信号用端子１１，１２が露出している側面の反対面から露出している。
【００７８】
また、放熱部６ａと上下アーム接続部６ｂとＯ端子６ｃとは、電気的及び機械的に接続されている。なお、第四金属体６は、放熱部６ａと上下アーム接続部６ｂとＯ端子６ｃとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部６ａと上下アーム接続部６ｂとＯ端子６ｃとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。また、第四金属体６は、放熱部６ａに対して上下アーム接続部６ｂ又はＯ端子６ｃが別体に形成されており、別体に形成された上下アーム接続部６ｂ又はＯ端子６ｃが放熱部６ａに接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。ただし、本実施形態においては、放熱部６ａと上下アーム接続部６ｂとＯ端子６ｃとが一体物として形成された第四金属体６を採用する。
【００７９】
このように構成された、第一構造体と第二構造体とは、図１などに示すように、互いの積層方向が平行に配置されている。つまり、第一構造体における第二金属体５の放熱部５ａ、第一半導体素子１、第一金属体３の放熱部３ａの積層方向と、第二構造体における第四金属体６の放熱部６ａ、第二半導体素子２、第三金属体４の放熱部４ａの積層方向とが、平行に配置されている。さらに、第一構造体における一対の放熱部３ａ，５ａにおける一つの側部同士を繋ぎ積層方向に沿う仮想平面と、第二構造体における一対の放熱部４ａ，６ａにおける一つの側部同士を繋ぎ積層方向に沿う仮想平面とが対向して配置されている。言い換えると、放熱部３ａの一つの側部（側面）と放熱部４ａの一つの側部（側面）とが対向しており、放熱部５ａの一つの側部（側面）と放熱部６ａの一つの側部（側面）とが対向して配置されている。つまり、図２に示すように、放熱部３ａと放熱部４ａとは同一平面に形成されており、放熱部５ａと放熱部６ａとは同一平面に形成されており、第一半導体素子１と第二半導体素子２とは同一平面に形成されている。
【００８０】
また、第一半導体素子１と第二半導体素子２とは、搭載方向が同一である。つまり、第一半導体素子１のエミッタ電極と第二半導体素子２のエミッタ電極とが同一方向を向くように配置され、第一半導体素子１のコレクタ電極と第二半導体素子２のコレクタ電極とが同一方向を向くように配置されている。
【００８１】
また、図１などに示すように、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとは、第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外に配置され、第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外で電気的に接続されている。さらに、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとは、信号用端子１１と信号用端子１２とにおける互いの仮想平面に挟まれた領域に配置され、信号用端子１１と信号用端子１２とにおける互いの仮想平面に挟まれた領域で接続されている。
【００８２】
そして、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂは、第一構造体と第二構造体とを一体的にモールドしているモールド樹脂１０に埋設されている。つまり、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂは、第一半導体素子１や第二半導体素子２などを封止するためのモールド樹脂１０によって封止されている（すなわち、覆われている）。よって、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとは、インナーリード部１１ａとインナーリード部１２ａとにおける互いの仮想平面に挟まれた領域（以下、単に信号用端子間とも称する）に配置され、インナーリード部１１ａとインナーリード部１２ａとにおける互いの仮想平面に挟まれた領域で接続されている。
【００８３】
また、半導体装置１００は、放熱部３ａに設けられた上下アーム接続部３ｂと放熱部６ａに設けられた上下アーム接続部６ｂとが接続されているため、Ｎ字形状に接続されているとも言い換えることができる。つまり、半導体装置１００は、Ｎ字形状の半導体装置とも言い換えることができる。また、半導体装置１００は、第一半導体素子１及び第二半導体素子２の夫々を両面から放熱することができるため、両面放熱構造の半導体装置とも言い換えることができる。
【００８４】
なお、本実施形態の半導体装置１００においては、放熱部３ａ〜放熱部６ａの夫々の厚みは全て同じである。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放熱部３ａと放熱部４ａの厚みが同じで、放熱部５ａと放熱部６ａの厚みが同じで、放熱部３ａと放熱部５ａの厚みが異なっていても良い。
【００８５】
ここまで説明したように、本実施形態にける半導体装置１００は、モールド樹脂１０にて、第一構造体と第二構造体とが一体的にモールドされているため、第一構造体と第二構造体とを個別にモールドする必要がない。つまり、第一構造体と第二構造体における互いに対向する側（互いの仮想平面に挟まれた領域）を、共通のモールド樹脂１０で封止する（埋める）ことができる。よって、二つの構造体が個別にモールドされている場合よりも、第一構造体と第二構造体との間隔を狭くすることができる。また、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとは、第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外で電気的に接続されているため、第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域内で電気的に接続されている場合よりも、第一構造体と第二構造体との間隔を狭くすることができる。従って、半導体装置１００の体格を小型化することができる。
【００８６】
なお、モールド樹脂１０は、第一半導体素子１や第二半導体素子２などを封止するとともに、放熱部３ａ〜６ａの夫々の周辺の所定範囲まで設けられている。これは、半導体装置１００のモールド樹脂１０から露出した部位のうち、異なる電位となる部位同士の絶縁性を確保するためである。例えば、放熱部３ａの放熱面と信号用端子１１、放熱部４ａの放熱面と信号用端子１２、放熱部３ａの放熱面とＰ端子５ｂ、放熱部４ａの放熱面とＯ端子６ｃなどの絶縁性を確保するためである。
【００８７】
上述の従来技術のように予めモールドされた二つの半導体パッケージを用いる場合、各放熱部（各金属体）の周囲における所定範囲に絶縁性を確保するためのモールド樹脂が必要であるのに加えて、各上下アーム接続部（各接続端子）の周囲における所定範囲にもモールド樹脂が必要になる。
【００８８】
これに対して、本実施形態における半導体装置１００は、上述のように絶縁性を確保するために放熱部３ａ〜６ａの夫々の周辺の所定範囲に設けられたモールド樹脂１０に収まるように、上下アーム接続部３ｂ，６ｂを設けると好ましい。すなわち、上下アーム接続部３ｂ，６ｂの全体が、絶縁性を確保するために設けられたモールド樹脂１０に収まるように設けると好ましい。このようにすることによって、上述の従来技術における半導体装置よりも体格を小さくすることができる。
【００８９】
つまり、本実施形態における半導体装置１００は、放熱部３ａ〜６ａの夫々の周辺の所定範囲に設けられたモールド樹脂１０だけが必要であり、別途上下アーム接続部３ｂ，６ｂの周囲における所定範囲にモールド樹脂を設ける必要がないので、上述の従来技術における半導体装置よりも体格を小さくすることができる。また、このように、上下アーム接続部３ｂ，６ｂを第一半導体素子１，第二半導体素子２を封止するモールド樹脂１０内に埋没させることで、放熱部４ａ，５ａとの沿面距離が問題にならないため半導体装置１００の体格の制約にはならない。
【００９０】
また、両面放熱構造の半導体装置は、両面に設けられた放熱面を冷却器に取り付けることが考えられる。しかしながら、上述の従来技術のように予めモールドされた二つの半導体パッケージを用いる場合、半導体パッケージ間での厚みばらつきが生じ、同一方向に露出している放熱面が同一面上に形成されない可能性がある。この場合、半導体パッケージ（放熱面）と冷却器とが馴染み難く（接触性が悪く）、冷却性の悪化が懸念される。
【００９１】
これに対して、本実施形態における半導体装置１００は、第一構造体と第二構造体とが一つのパッケージになっているため（一体的にモールドされているため）、同一方向に露出している放熱面（放熱部３ａの放熱面と放熱部４ａの放熱面、及び放熱部５ａの放熱面と放熱部６ａの放熱面）を同一面上に形成しやすい。従って、放熱面を冷却器に取り付ける場合に、半導体パッケージ（放熱面）と冷却器とが馴染みやすく（接触性が良く）、冷却性の悪化を抑制することができる。
【００９２】
また、本実施形態の半導体装置１００は、図１などに示すように、Ｎ端子４ｃ、Ｐ端子５ｂ、Ｏ端子６ｃに加えて、信号用端子１１，１２を備えている。信号用端子１１，１２と、Ｎ端子４ｃ、Ｐ端子５ｂ、Ｏ端子６ｃとは、モールド樹脂１０における異なる方向から外部に露出させている。そして、また、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂを信号用端子１１と信号用端子１２とにおける互いの仮想平面に挟まれた領域に配置することによって、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂがＮ端子４ｃ、Ｐ端子５ｂ、Ｏ端子６ｃの邪魔になることを防止することができる。
【００９３】
つまり、Ｎ端子４ｃ、Ｐ端子５ｂ、Ｏ端子６ｃを外部の部材（例えばバスバーなど）と接続する際の邪魔になることを防止することができる。さらに、Ｎ端子４ｃ、Ｐ端子５ｂ、Ｏ端子６ｃの配列が容易に構成できる（配置の自由度が向上する）。例えば、図１に示すように、左からＰ端子５ｂ、Ｎ端子４ｃ、Ｏ端子６ｃの順で配列することができる。これによって、インバータを構成する上で、Ｐ端子５ｂ、Ｎ端子４ｃ、Ｏ端子６ｃと接続されるバスバの配置を簡易化でき、且つ、バスバによるインダクタンスを左からＰ端子５ｂ、Ｏ端子６ｃ、Ｎ端子４ｃの順に配列した場合に比べて小さくすることができる。
【００９４】
また、本実施形態のように、上下アーム接続部３ｂ，６ｂを第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外で電気的に接続するため、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとを接続する上で必要なツール（例えば、はんだなどの導電性接続部材を供給するコレット、溶接の電極など）を容易に供給できる（放熱部が邪魔にならない）ため、組付が容易になる。
【００９５】
また、本実施形態の半導体装置１００は、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとを第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外で接続することで、放熱部３ａ上（第一半導体素子１と対向する面）及び放熱部６ａ上（第二半導体素子２と対向する面）に上下アーム接続用の領域を設ける必要がない。よって、放熱部３ａ〜６ａ（特に、放熱部３ａと放熱部６ａ）の寸法を放熱性や第一半導体素子１及び第二半導体素子２との組み付け性のみを考慮した最小値に設計することができる。このため、半導体装置１００の体格の小型化が期待できる。
【００９６】
また、本実施形態における半導体装置１００は、図６に示すように、第一金属体３と第三金属体４とを全く同じ形状、同じ材料にすることで、半導体装置１００の構成部品の種類を少なくすることができる。つまり、第一金属体３として、放熱部３ａと上下アーム接続部３ｂとが一体の部品で構成されたものを採用し、第三金属体４として、放熱部４ａと端子接続部４ｂとが一体の部品で構成されたものを採用する。そして、放熱部３ａと放熱部４ａとを同じ形状、同じ材料とし、上下アーム接続部３ｂと端子接続部４ｂとを同じ形状、同じ材料とする。これによって、半導体装置１００の構成部品の種類を少なくすることができる。
【００９７】
また、本実施形態における半導体装置１００は、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂの厚みが、放熱部３ａ〜６ａの厚みより薄いため、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとを容易にモールド樹脂１０に埋設することができる。
【００９８】
ここで、図１に示す半導体装置１００の製造方法の一例を説明する。まず、図４に示すような、リードフレーム２０を用意する。なお、図４においては、第一半導体素子１，第二半導体素子２、ブロック体７，８、ボンディングワイヤ１３，１４、も図示している。
【００９９】
このリードフレーム２０は、第二金属体５と第四金属体６とＮ端子４ｃとを含むものである。つまり、リードフレーム２０は、放熱部５ａや放熱部６ａなどを含む。また、図４に示すリードフレーム２０では、半導体装置１００の構成要素となる部位に、半導体装置１００の構成要素と同じ符号を付与している。例えば、図４の符号５ｂは、半導体装置１００におけるＰ端子５ｂとなる部位である。
【０１００】
このリードフレーム２０に対して、図４、図５に示すように、第一半導体素子１及び第二半導体素子２を実装する（実装工程）。このとき、放熱部５ａ（放熱部５ａとなる領域）と第一半導体素子１における一方の電極とが対向し、且つ放熱部６ａ（放熱部６ａとなる領域）と第二半導体素子２における一方の電極とが対向するように実装する。さらに、放熱部５ａと第一半導体素子１とは、導電性接続部材９ａを介して実装される。一方、放熱部６ａと第二半導体素子２とは、導電性接続部材９ｂを介して実装される。
【０１０１】
なお、図４、図５に示すように、第一半導体素子１の他方の電極上には、導電性接続部材９ｃを介してブロック体７を実装する。一方、第二半導体素子２の他方の電極上には、導電性接続部材９ｄを介してブロック体８を実装する。また、後ほど説明する取付工程前に、第一半導体素子１の制御電極（図示省略）と信号用端子１１とをボンディングワイヤ１３で電気的に接続するとともに、第二半導体素子２の制御電極（図示省略）と信号用端子１２とをボンディングワイヤ１４で電気的に接続する。
【０１０２】
そして、図７，図８に示すように、第一半導体素子１の他方の電極上（詳細にはブロック体７上）に導電性接続部材９ｅを介して第一金属体３（放熱部３ａ）を取り付けるとともに、第二半導体素子２の他方の電極上（詳細にはブロック体８上）に導電性接続部材９ｆを介して第三金属体４（放熱部４ａ）を取り付ける（取付工程）。このとき、ブロック体７と第一金属体３の放熱部３ａとが対向し、ブロック体８と第三金属体４の放熱部４ａとが対向するように取り付ける。なお、上述のように、図６に示すように、同一形状をなすものである。
【０１０３】
また、図８に示すように、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとを、導電性接続部材９ｇを介して電気的に接続する（接続工程）。
【０１０４】
この後、図９に示すように、モールドする（モールド工程）。つまり、一対の放熱部３ａ，５ａで第一半導体素子１を挟み込むとともに、一対の放熱部４ａ，６ａで第二半導体素子２を挟み込み、且つ、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとが電気的に接続された状態において、放熱部３ａ，５ａ及び放熱部４ａ，６ａの放熱面を露出させつつ、上下アーム接続部３ｂを含む第一構造体と上下アーム接続部６ｂを含む第二構造体とを一括でモールドする（モールド工程）。さらに、このモールド工程後に、図９の太い点線で示すリードカット部で、リードフレームを切断する。
【０１０５】
なお、一対の放熱部３ａ，５ａで第一半導体素子１を挟み込むとともに、一対の放熱部４ａ，６ａで第二半導体素子２を挟み込み、且つ、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとが電気的に接続された状態の第一構造体と第二構造体とをモールドした後に、各放熱部３ａ〜６ａの一面（放熱面）をモールド樹脂１０の外部に露出するための研削工程（面出し工程）を行うようにしてもよい。つまり、研削によって、放熱面となる放熱部３ａ，５ａ及び放熱部４ａ，６ａの一面をモールド樹脂１０から露出させるようにしてもよい。
【０１０６】
このように、上下アーム接続部３ｂを含む第一構造体と上下アーム接続部６ｂを含む第二構造体とを一括でモールドすることによって、第一半導体素子１、一対の放熱部３ａ，５ａ、第二半導体素子２、一対の放熱部４ａ，６ａとともに、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂをモールドすることができる。よって、上述の従来技術のように、予めモールドされた二つの半導体パッケージを用いる場合よりも、モールド工程を減らすことができる。
【０１０７】
また、このように第一構造体と第二構造体とを個別にモールドする必要がないため、第一構造体と第二構造体における互いに対向する側（互いの仮想平面に挟まれた領域）を、共通のモールド樹脂１０で封止することができる。よって、二つの構造体が個別にモールドされている場合よりも、第一構造体と第二構造体との間隔を狭くすることができる。また、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとを、第一構造体と第二構造体との対向領域外（第一構造体と第二構造体における互いの仮想平面に挟まれた領域外）で電気的に接続するため、第一構造体と第二構造体との対向領域内で電気的に接続されている場合よりも、第一構造体と第二構造体との間隔を狭くすることができる。従って、小型化された半導体装置１００を製造することができる。
【０１０８】
また、本実施形態の半導体装置１００は、図４に示すように、第二金属体５（Ｐ端子５ｂ，放熱部５ａを含む）、第四金属体６（Ｏ端子６ｃ，放熱部６ａを含む）、上下アーム接続部６ｂ、Ｎ端子４ｃ、信号用端子１１，１２を一体のリードフレームで構成しているので、部品点数を少なくすることができる。
【０１０９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
【０１１０】
（変形例１）
ここで、変形例１における半導体装置１１０に関して説明する。上述の実施形態における半導体装置１００は、信号用端子間に上下アーム接続部３ｂ，６ｂを配置する例を採用した。しかしながら、本発明の半導体装置は、これに限定されるものではない。
【０１１１】
図１０，図１１に示す変形例１の半導体装置１１０のように、上下アーム接続部６ｂをＯ端子６１ｃの一部に設けてもよい。この変形例１の半導体装置１１０において、上述の実施形態の半導体装置１００と共通する点は、図面において同じ符号を付与するなどして説明を省略する。
【０１１２】
半導体装置１１０の第一構造体は、主に、第一金属体３１、第一半導体素子１、第二金属体５１を備える。一方、半導体装置１２０の第二構造体は、主に、第三金属体４１、第二半導体素子２、第四金属体６１を備える。
【０１１３】
第一金属体３１は、放熱部３１ａ、上下アーム接続部３１ｂを備える。放熱部３１ａは、上述の放熱部３ａと同様である。一方、上下アーム接続部３１ｂは、上述の上下アーム接続部３ｂと形状が若干異なる。
【０１１４】
上下アーム接続部３１ｂは、放熱部３１ａの一つの側面から突出して設けられている。より詳細には、図１０に示すように、上下アーム接続部３１ｂは、放熱部３ａにおける放熱部４１ａと対向する側面以外の側面（ここでは、放熱部４１ａと対向する側面に隣接する側面）に設けられている。好ましくは、上下アーム接続部３１ｂは、この側面における放熱部４１ａに最も近い部位に設けられている。なお、上下アーム接続部３１ｂは、例えば、平板形状をなすものである。つまり、上下アーム接続部３１ｂの一例としては、放熱部３ａの側面に対して垂直に延びたものを採用することができる。
【０１１５】
また、第一金属体３１は、放熱部３１ａと上下アーム接続部３１ｂとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部３１ａと上下アーム接続部３１ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。
【０１１６】
第二金属体５１は、上述の実施形態における第二金属体５と符号が異なるが、同一のものである。よって、第二金属体５１は、放熱部５１ａ（放熱部５ａと同様）、Ｐ端子５１ｂ（Ｐ端子５ｂと同様）を備える。なお、図１０中の符号部５１ｂ１は、Ｐ端子５１ｃのインナーリード部である。
【０１１７】
第三金属体４１は、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、上述の実施形態における第一金属体３１と同一のものである。よって、第三金属体４１は、放熱部４１ａ（放熱部３１ａと同様）、端子接続部４１ｂ（上下アーム接続部３１ｂと同様）を備える。このようにすることによって、半導体装置１１０を構成する構成要素の種類を少なくすることができるので好ましい。
【０１１８】
なお、端子接続部４１ｂは、Ｎ端子４１（Ｎ端子４ｃと同様）に接続されている。図１０中の符号部４１ｃ１は、Ｎ端子４１ｃのインナーリード部である。また、第三金属体４１は、放熱部４１ａと端子接続部４１ｂとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部４１ａと端子接続部４１ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。
【０１１９】
また、第四金属体６１は、放熱部６１ａ、上下アーム接続部６１ｂが形成されたＯ端子６１ｃを備える。なお、図１０中の符号部６１ｃ１は、Ｏ端子６１ｃのインナーリード部である。
【０１２０】
Ｏ端子６１ｃは、放熱部６１ａの一つの側面から突出して設けられている。より詳細には、図１０に示すように、Ｏ端子６１ｃは、放熱部６１ａにおける放熱部５１ａと対向する側面以外の側面（ここでは、放熱部５１ａと対向する側面に隣接する側面）に設けられている。好ましくは、Ｏ端子６１ｃは、この側面における放熱部５１ａに最も近い部位に設けられている。そして、Ｏ端子６１ｃの一部には、上下アーム接続部６１ｂが形成されている。この第四金属体６１は、放熱部６１ａとＯ端子６１ｃとが一体物として形成されたものである。
【０１２１】
図１２に、変形例１における半導体装置１１０を製造する際に用いられるリードフレーム２１の平面図を示す。この図１２に示すように、リードフレーム２１は、第二金属体５１、第四金属体６１、Ｎ端子４１ｃ、信号用端子１１，１２を含むものである。よって、上述の実施形態と同様に、部品点数を少なくできる。なお、図１２においては、参考までに、第一半導体素子１、第二半導体素子２、ブロック体７，８も図示している。
【０１２２】
また、半導体装置１１０の信号用端子１１，１２は、上述の実施形態における半導体装置１００と同様に、モールド樹脂１０に対して同じ方向に露出している。また、Ｐ端子５１ｂ、Ｎ端子４１ｃ、Ｏ端子６１ｃは、モールド樹脂１０に対して同じ方向に露出している。そして、Ｐ端子５１ｂ、Ｎ端子４１ｃ、Ｏ端子６１ｃは、モールド樹脂１０における信号用端子１１，１２が露出している側面の反対面から露出している。
【０１２３】
しかしながら、上下アーム接続部３１ｂ，６１ｂは、上述の実施形態における半導体装置１００においては信号用端子１１，１２側に設けられていたのに対して、半導体装置１１０ではＰ端子５１ｂ、Ｏ端子６１ｃ、Ｎ端子４１ｃ側に設けられている。
【０１２４】
よって、Ｐ端子５ｂに接続される外部の部材（バスバー）の近くで、上下アーム接続部３１ｂと上下アーム接続部６１ｂとを接続することができる。よって、半導体装置１１０のインダクタンスを小さくすることができる。
【０１２５】
（変形例２）
ここで、変形例２における半導体装置１２０に関して説明する。図１４に示す変形例２の半導体装置１２０のように、上下アーム接続部３２ｂと上下アーム接続部６２ｂの厚みは、Ｐ端子５２ｂ、Ｎ端子４２ｃ、Ｏ端子６２ｃよりも厚いと好ましい。
【０１２６】
なお、変形例２における半導体装置１２０は、上述の実施形態における半導体装置１００と共通する点が多い。この変形例２の半導体装置１２０において、上述の実施形態の半導体装置１００と共通する点は、図面において同じ符号を付与するなどして説明を省略する。なお、図１４は、図２に相当するものである。ただし、変形例２の内容を分かりやすくするために、Ｐ端子５２ｂ（インナーリード部５２ｂ１）、Ｎ端子４２ｃ（インナーリード部４２ｃ１）、Ｏ端子６２ｃ（インナーリード部６２ｃ１）を一点鎖線で示している。
【０１２７】
半導体装置１２０の第一構造体は、主に、第一金属体３２、第一半導体素子１、第二金属体５２を備える。一方、半導体装置１２０の第二構造体は、主に、第三金属体４２、第二半導体素子２、第四金属体６２を備える。
【０１２８】
第一金属体３２は、放熱部３２ａ（放熱部３ａと同様）と、Ｐ端子５２ｂ、Ｎ端子４２ｃ、Ｏ端子６２ｃよりも厚みが厚い上下アーム接続部３２ｂを備える。なお、上下アーム接続部３２ｂは、厚みがＰ端子５２ｂなどより厚いこと以外は、上述の上下アーム接続部３ｂと同様である。また、第一金属体３２は、放熱部３２ａと上下アーム接続部３２ｂとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部３２ａと上下アーム接続部３２ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。
【０１２９】
第四金属体６２は、放熱部６２ａと、Ｐ端子５２ｂ、Ｎ端子４２ｃ、Ｏ端子６２ｃよりも厚みが厚い上下アーム接続部６２ｂを備える。なお、上下アーム接続部６２ｂは、厚みがＰ端子５２ｂなどより厚いこと以外は、上述の上下アーム接続部６ｂと同様である。また、第四金属体６２は、放熱部６２ａと上下アーム接続部６２ｂとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部６２ａと上下アーム接続部６２ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。
【０１３０】
なお、第二金属体５２は、上述の実施形態における第二金属体５と符号が異なるが、同一のものである。よって、第二金属体５２は、放熱部５２ａ（放熱部５ａと同様）、Ｐ端子５２ｂ（Ｐ端子５ｂと同様）を備える。
【０１３１】
また、第三金属体４２は、上述の実施形態における第三金属体４と符号が異なるが、同一のものである。よって、第三金属体４２は、放熱部４２ａ（放熱部４ａと同様）、図示しない端子接続部（端子接続部４ｂと同様）を備える。また、半導体装置１３０は、上述の実施形態における半導体装置１００と同様に、Ｎ端子（Ｎ端子４ｃと同様）を備える。
【０１３２】
このようにすることによって、上下アーム接続部３２ｂと上下アーム接続部６２ｂの厚みが、Ｐ端子５２ｂなどに比べて薄い場合よりも、上下アーム接続部３２ｂの断面積と上下アーム接続部６２ｂの断面積とを広くすることができる。よって、上下アーム接続部３２ｂと上下アーム接続部６２ｂの厚みが、Ｐ端子５２ｂなどよりも薄い場合よりも、半導体装置１２０のインダクタンスを小さくできるので好ましい。
【０１３３】
また、このようにすることで、上下アーム接続部３２ｂと上下アーム接続部６２ｂの厚みが、Ｐ端子５２ｂなどに比べて薄い場合よりも、上下アーム接続部３２ｂと上下アーム接続部６２ｂの反りを抑制でき、上下アーム接続部３２ｂと上下アーム接続部６２ｂの接続時の公差を小さくすることができる。
【０１３４】
（変形例３）
ここで、変形例３における半導体装置１３０に関して説明する。上述の実施形態の半導体装置１００においては、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂとして、厚みが放熱部３ａ〜放熱部６ａの厚みよりも薄いものを採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３５】
図１５に示す変形例３の半導体装置１３０のように、上下アーム接続部３３ｂと上下アーム接続部６３ｂの一方の厚みが放熱部３３ａ，５３ａ，４３ａ，６３ａの厚みと同等で、上下アーム接続部３３ｂと上下アーム接続部６３ｂの他方の厚みが放熱部３３ａ，５３ａ，４３ａ，６３ａの厚みより薄くてもよい。ここでは、上下アーム接続部６３ｂの厚みが放熱部３３ａ，５３ａ，４３ａ，６３ａの厚みと同等で、上下アーム接続部３３ｂの厚みが放熱部３３ａ，５３ａ，４３ａ，６３ａの厚みより薄い例を採用している。
【０１３６】
なお、変形例３における半導体装置１３０は、上述の実施形態における半導体装置１００と共通する点が多い。この変形例３の半導体装置１３０において、上述の実施形態の半導体装置１００と共通する点は、図面において同じ符号を付与するなどして説明を省略する。なお、図１５は、図２に相当するものである。
【０１３７】
半導体装置１３０の第一構造体は、主に、第一金属体３３、第一半導体素子１、第二金属体５３を備える。一方、半導体装置１４０の第二構造体は、主に、第三金属体４３、第二半導体素子２、第四金属体６３を備える。
【０１３８】
第四金属体６３は、放熱部６３ａと、この放熱部６３ａと同等の厚みの上下アーム接続部６３ｂと、図示しないＯ端子（Ｏ端子６ｃと同様）を備える。なお、第四金属体６３は、放熱部３２ａと上下アーム接続部６３ｂとが一体物として形成されたものであってもよいし、別々に形成された放熱部６３ａと上下アーム接続部６３ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。
【０１３９】
なお、第一金属体３３は、上述の実施形態における第一金属体３と符号が異なるが、同一のものである。よって、第一金属体３３は、放熱部３３ａ（放熱部３ａと同様）、上下アーム接続部３３ｂ（上下アーム接続部３ｂと同様）を備える。
【０１４０】
また、第二金属体５３は、上述の実施形態における第二金属体５と符号が異なるが、同一のものである。よって、第二金属体５３は、放熱部５３ａ（放熱部５ａと同様）、図示しないＰ端子（Ｐ端子５ｂと同様）を備える。
【０１４１】
また、第三金属体４３は、上述の実施形態における第三金属体４と符号が異なるが、同一のものである。よって、第三金属体４３は、放熱部４３ａ（放熱部４ａと同様）、図示しない端子接続部（端子接続部４ｂと同様）を備える。また、半導体装置１３０は、上述の実施形態における半導体装置１００と同様に、Ｎ端子（Ｎ端子４ｃと同様）を備える。
【０１４２】
このように、上下アーム接続部３３ｂと上下アーム接続部６３ｂの少なくとも一方の厚みを放熱部３３ａ〜６３ａよりも薄くすると、上下アーム接続部３３ｂと上下アーム接続部６３ｂとを容易にモールド樹脂１０に埋設することができる。
【０１４３】
（変形例４）
ここで、変形例４における半導体装置１４０に関して説明する。上述の実施形態の半導体装置１００においては、第一半導体素子１と放熱部３ａとの間にブロック体７を設け、第二半導体素子２と放熱部４ａとの間にブロック体８を設ける例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４４】
図１６に示す変形例４の半導体装置１４０のように、ブロック体７，８のかわりに、放熱部３４ａ，４４ａに凸部３４ａ１，４４ａ１を設けてもよい。なお、変形例４における半導体装置１４０は、上述の実施形態における半導体装置１００と共通する点が多い。この変形例４の半導体装置１４０において、上述の実施形態の半導体装置１００と共通する点は、図面において同じ符号を付与するなどして説明を省略する。なお、図１６は、図２に相当するものである。
【０１４５】
半導体装置１４０の第一構造体は、主に、第一金属体３４、第一半導体素子１、第二金属体５４を備える。一方、半導体装置１４０の第二構造体は、主に、第三金属体４４、第二半導体素子２、第四金属体６４を備える。
【０１４６】
第一金属体３４は、放熱部３４ａ、凸部３４ａ１、上下アーム接続部３４ｂ（上下アーム接続部３ｂと同様）を備える。つまり、第一金属体３４は、放熱部３４ａ、凸部３４ａ１、上下アーム接続部３４ｂが一体物として形成されている。なお、凸部３４ａ１の大きさ、形状は、ブロック対７と同様である。ただし、第一金属体３４は、放熱部３４ａと凸部３４ａ１とが一体物として形成された部材と、この部材とは別体に設けられた上下アーム接続部３４ｂとが接続（溶接）されて形成されたものであってもよい。
【０１４７】
第三金属体４４は、放熱部４４ａ、凸部４４ａ１を備える。つまり、第三金属体４４は、放熱部４４ａ、凸部４４ａ１が一体物として形成されている。なお、凸部４４ａ１の大きさ、形状は、ブロック対８と同様である。
【０１４８】
なお、第二金属体５４は、上述の実施形態における第二金属体５と符号が異なるが、同一のものである。よって、第二金属体５４は、放熱部５４ａ（放熱部５ａと同様）、図示しないＰ端子（Ｐ端子５ｂと同様）を備える。また、第四金属体６４は、上述の実施形態における第四金属体６と符号が異なるが、同一のものである。よって、第四金属体６４は、放熱部６４ａ（放熱部６ａと同様）、上下アーム接続部６４ｂ（上下アーム接続部６ｂと同様）、図示しないＯ端子（Ｏ端子６ｃと同様）を備える。また、半導体装置１４０は、上述の実施形態における半導体装置１００と同様に、Ｎ端子（Ｎ端子４ｃと同様）を備える。
【０１４９】
このように、凸部３４ａ１を備える第一金属体３４、及び凸部４４ａ１を備える第三金属体４４を採用することによって、ブロック体７，８が別途必要とならないので、半導体装置１４０の構成部品の数を減らすことができるので好ましい。
【０１５０】
（変形例５）
ここで、変形例５における半導体装置１５０に関して説明する。図１７，１８に示す変形例５の半導体装置１５０のように、ブロック体７と放熱部３ａ、ブロック体８と放熱部４ａ、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂ、及びＮ端子４ｃと端子接続部４ｂとは、同じ材料からなる導電性接続部材９１ｅ，９１ｆ，９１ｇ，９１ｈで接続されていてもよい。
【０１５１】
なお、変形例５における半導体装置１５０は、上述の実施形態における半導体装置１００と共通する点が多い。この変形例５の半導体装置１５０において、上述の実施形態の半導体装置１００と共通する点は、図面において同じ符号を付与するなどして説明を省略する。図１７は、図１に相当する図面である。図１７の平面図においては、変形例５の内容を分かりやすくするために、本来はモールド樹脂１０などに隠れている導電性接続部材９１ｅ，９１ｆ，９１ｇ，９１ｈをハッチングで示している。なお、図１８は、図１７のXVIII−XVIII線断面図である。
【０１５２】
このようにすることによって、ブロック体７と放熱部３ａ、ブロック体８と放熱部４ａ、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂ、及びＮ端子４ｃと端子接続部４ｂを同時に接続することができる。このような複数個所を別々に接続すると、先に接続した箇所には、後に別の箇所を接続する際に、応力が印加される可能性があり、接続信頼性が低下することが考えられる。しかしながら、同時に接続することによって、接続箇所に応力が印加される可能性が低く、接続信頼性の低下を抑制することができる。なお、例えば、Ｎ端子４ｃと放熱部４ａとが一体物であるような場合は、少なくともブロック体７と放熱部３ａ、ブロック体８と放熱部４ａ、上下アーム接続部３ｂと上下アーム接続部６ｂが同じ材料からなる導電性接続部材９１ｅ，９１ｆ，９１ｇで接続されているものであればよい。
【０１５３】
（変形例６）
ここで、変形例６における半導体装置１６０に関して説明する。上述の実施形態の半導体装置１００においては、第一半導体素子１及び第二半導体素子２としてＲＣ−ＩＧＢＴを用いる例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。言い換えると、第一構造体に一つの半導体素子を含み、第二構造体に一つの半導体素子を含む例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１５４】
図１９に示す変形例６の半導体装置１６０のように、第一構造体は、第一半導体素子１に加えて第一回路素子１ａを備え、第二構造体は、第二半導体素子２に加えて第二回路素子２ａを備えるようにしてもよい。なお、変形例６における半導体装置１６０は、上述の実施形態における半導体装置１００と共通する点が多い。この変形例６の半導体装置１６０において、上述の実施形態の半導体装置１００と共通する点は、図面において同じ符号を付与するなどして説明を省略する。
【０１５５】
この変形例６における第一半導体素子１及び第二半導体素子２としては、例えばＩＧＢＴを採用する。一方、この変形例６における第一回路素子１ａ及び第二回路素子２ａとしては、例えばダイオードを採用する。つまり、変形例６における第一半導体素子１と第一回路素子１ａとで上述の実施形態にける第一半導体素子１と同等の回路をなすものである。同様に、変形例６における第二半導体素子２と第二回路素子２ａとで上述の実施形態にける第二半導体素子２と同等の回路をなすものである。
【０１５６】
半導体装置１６０の第一構造体は、主に、第一半導体素子１と第一回路素子１ａとに加えて、第一回路素子１ａと放熱部３ａとの間に設けられるブロック体７ａを備える。同様に、半導体装置１６０の第二構造体は、主に、第二半導体素子２と第二回路素子２ａとに加えて、第二回路素子２ａと放熱部４ａとの間に設けられるブロック体８ａを備える。
【０１５７】
このように、本発明の半導体装置は、第一構造体に半導体素子と回路素子を備え、第二構造体に半導体素子と回路素子を備えるものであっても、目的を達成することができる。また、本発明の半導体装置は、第一構造体に複数の半導体素子を備え、第二構造体に複数の半導体素子を備えるものであっても、目的を達成することができる。
【０１５８】
なお、ここまで説明した実施形態、変形例１〜変形例６は、単独でも実施可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。
【符号の説明】
【０１５９】
１  第一半導体素子、２  第二半導体素子、３  第一金属体、３ａ  放熱部、３ｂ  上下アーム接続部（第一接続部）、４  第三金属体、４ａ  放熱部、４ｂ  端子接続部、４ｃ  主電流端子（Ｎ端子）、４ｃ１  インナーリード部、５  第二金属体、５ａ  放熱部、５ｂ  主電流端子（Ｐ端子）、５ｂ１  インナーリード部、６  第四金属体、６ａ  放熱部、６ｂ  上下アーム接続部（第二接続部）、６ｃ  主電流端子（Ｏ端子）、６ｃ１  インナーリード部、７，８  ブロック体、９ａ〜９ｇ  導電性接続部材、１０  モールド樹脂、１１，１２  信号用端子、１１ａ，１２ａ  インナーリード部、１３，１４  ボンディングワイヤ、２０  リードフレーム、１００〜１６０  半導体装置
【図１】
0005729314.tif 000002
【図２】
0005729314.tif 000003
【図３】
0005729314.tif 000004
【図４】
0005729314.tif 000005
【図５】
0005729314.tif 000006
【図６】
0005729314.tif 000007
【図７】
0005729314.tif 000008
【図８】
0005729314.tif 000009
【図９】
0005729314.tif 000010
【図１０】
0005729314.tif 000011
【図１１】
0005729314.tif 000012
【図１２】
0005729314.tif 000013
【図１３】
0005729314.tif 000014
【図１４】
0005729314.tif 000015
【図１５】
0005729314.tif 000016
【図１６】
0005729314.tif 000017
【図１７】
0005729314.tif 000018
【図１８】
0005729314.tif 000019
【図１９】
0005729314.tif 000020