(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の温度を示す温度検出信号を生成する温度検出回路であって、
互いに独立したＰＮ接合面を有する第１及び第２ダイオードと、
前記第１ダイオードに直列に接続されており、基準電圧を調整する第１オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が調整自在な第１可変分圧抵抗を含む第１電流路と、
前記第２ダイオードに直列に接続されており、前記温度検出信号の温度検出感度を調整する第２オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が調整自在な第２可変分圧抵抗を含む第２電流路と、
前記第１可変分圧抵抗によって分圧された第１分圧電圧と前記第２電流路上の電位との差分電圧を前記基準電圧として前記第１及び第２電流路各々に帰還供給する基準電圧生成部と、
前記第２可変分圧抵抗によって分圧された第２分圧電圧に対応した信号を前記温度検出信号として生成する温度検出信号生成部と、を有することを特徴とする温度検出回路。
【請求項２】
前記第１及び第２ダイオードは互いに異なるＰＮ接合面積を有することを特徴とする請求項１記載の温度検出回路。
【請求項３】
前記温度検出信号生成部は、前記第２分圧電圧を増幅して増幅電圧を得る増幅部と、
第３オフセット調整信号に応じて前記増幅部の利得を調整する第３可変分圧抵抗と、を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の温度検出回路。
【請求項４】
調整箇所選択信号に応じて、前記基準電圧、前記増幅電圧、及び前記第２分圧電圧の内の１つを選択し、これを前記温度検出信号の出力端子を介して出力するスイッチ部を更に含むことを特徴とする請求項３記載の温度検出回路。
【請求項５】
前記増幅部は、前記第３オフセット調整信号に応じた利得で前記第２分圧電圧を増幅する第１アンプと、前記第１アンプから出力された電圧を前記増幅電圧として前記スイッチ部に供給する第２アンプと、を含むことを特徴とする請求項４記載の温度検出回路。
【請求項６】
温度勾配調整信号に応じて前記第２アンプから出力された前記増幅電圧のレベルを調整する第４可変分圧抵抗を更に含むことを特徴とする請求項５記載の温度検出回路。
【請求項７】
請求項１記載の温度検出回路の調整方法であって、
前記第１オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記基準電圧を所定の第１電圧と一致させる第１ステップと、
前記第２オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記第２分圧電圧を所定の第２電圧と一致させる第２ステップと、
前記第３オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記温度検出信号のレベルを所定の第３電圧と一致させる第３ステップと、を有することを特徴とする温度検出回路の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度検出回路、特に半導体集積装置の温度を検出する温度検出回路及びその調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積装置を含む電子機器では、その動作に伴う発熱によって生じる誤動作又は損傷を防止する為に、機器内部の温度が所定温度を超えたときに保護回路を動作させるようにしている。この際、機器内部の温度を検出すべく、例えばサーミスタが用いられることがあるが、一般的なサーミスタはその製造バラツキが大きいので、精度よく温度を検出するためには製造バラツキが小さい高価なサーミスタを用いる必要があった。
【０００３】
そこで、サーミスタ等の温度センサを用いずに電子機器の内部温度を検出すべく、バンドギャップリファレンス回路によって温度依存しない基準電圧を生成するようにした技術が提案された（例えば、特許文献１の図１参照）。かかるバンドギャップリファレンス回路では、オペアンプ（６１）により、互いに異なるエミッタ面積を有する第１トランジスタ（６５〜６７）及び第２トランジスタ（６８〜７０）各々のベースエミッタ間電圧を等しくさせるべき負帰還の電圧を生成しつつ、この電圧を基準電圧（Ｖｂｇｒ）として出力するようにしている。この際、ベースエミッタ間電圧電圧は、半導体の温度が上昇するほど低下する。ところで、上述したように第１トランジスタ及び第２トランジスタは互いにエミッタ面積が異なる為、第１トランジスタにおける温度上昇に伴うベースエミッタ間電圧電圧の低下度合いと、第２トランジスタにおける温度上昇に伴うベースエミッタ間電圧電圧の低下度合と、は互いに異なるものとなる。ただし、絶対零度の際にはエミッタ面積に拘わらず、ベースエミッタ間電圧は半導体のバンドギャップエネルギーに伴うバンドギャップ電圧に収束する。つまり、第１及び第２トランジスタ各々のベースエミッタ間電圧電圧同士の差分が、温度変化に伴う電圧変化分となる。そこで、上記したオペアンプの動作によって、上記した温度上昇に伴うベースエミッタ間電圧の低下分をキャンセルすることにより、温度変化に依存しないバンドギャップ電圧を有する基準電圧が生成されるのである。
【０００４】
しかしながら、このバンドギャップリファレンス回路で用いられる抵抗（Ｒ１〜Ｒ５）、トランジスタ（５〜７、７４〜７６）及びオペアンプ（６１）に関しても、製造上のバラツキにより特性が変動する為、精度の高い温度検出を行うことが困難であるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−９９６７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、かかる問題を解決すべく為されたものであり、製造上のバラツキに拘わらず高い精度で温度検出を行うことが可能な温度検出回路及びその調整方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る温度検出回路は、半導体の温度を示す温度検出信号を生成する温度検出回路であって、互いに独立したＰＮ接合面を有する第１及び第２ダイオードと、前記第１ダイオードに直列に接続されており、基準電圧を調整する第１オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が調整自在な第１可変分圧抵抗を含む第１電流路と、前記第２ダイオードに直列に接続されており、前記温度検出信号の温度検出感度を調整する第２オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が調整自在な第２可変分圧抵抗を含む第２電流路と、前記第１可変分圧抵抗によって分圧された第１分圧電圧と前記第２電流路上の電位との差分電圧を基準電圧として前記第１及び第２電流路各々に帰還供給する基準電圧生成部と、前記第２可変分圧抵抗によって分圧された第２分圧電圧に対応した信号を前記温度検出信号として生成する温度検出信号生成部と、を有する。
【０００８】
また、本発明に係る温度検出回路の調整方法は、請求項１記載の温度検出回路の調整方法であって、前記第１オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記基準電圧を所定の第１電圧と一致させる第１ステップと、前記第２オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記第２分圧電圧を所定の第２電圧と一致させる第２ステップと、前記第３オフセット調整信号のレベルを変化させることにより前記温度検出信号のレベルを所定の第３電圧と一致させる第３ステップと、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る温度検出回路では、互いに独立したＰＮ接合面を有する第１及び第２ダイオード各々の順方向電圧に基づいて温度依存しない基準電圧を生成するにあたり、第１ダイオードの順方向電圧を第１可変分圧抵抗によって調整したものでこの基準電圧を生成するようにしている。よって、生成された基準電圧がバンドギャップ電圧と等しくなるように第１可変分圧抵抗を調整することにより、製造上のバラツキに伴う精度の低下を抑えた、高精度な温度検出を行うことが可能となる。
【００１０】
また、かかる温度検出回路では、半導体の温度上昇に伴いその電圧が低下するという第２ダイオードの順方向電圧に基づいて半導体の温度を示す温度検出信号を生成するにあたり、第２ダイオードの順方向電圧を第２可変分圧抵抗によって調整したものでこの温度検出信号を生成するようにしている。かかる第２可変分圧抵抗による調整によれば、温度検出信号における温度勾配（温度変化に伴う電圧変化の度合い）を変更することができるので、温度検出の感度を任意の感度に設定することが可能となる。
【００１１】
また、かかる温度検出回路では、第２ダイオードの順方向電圧を、その利得が調整可能な増幅部で増幅することにより温度検出信号を得るようにしている。よって、この温度検出信号が所定の温度条件下で所定の電圧となるように増幅部の増幅利得を調整することにより、製造上のバラツキに伴う精度低下を抑えた高精度な温度検出を行うことが可能となる。
【００１２】
更に、本発明に係る温度検出回路によれば、上記した各種調整を同一の温度条件下で行うことができるので、調整時間の短縮を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る温度検出回路１を示す回路図である。
【図２】基準電圧ＶＲＥＦと温度勾配特性の一例を示す図である。
【図３】温度検出回路１の調整を行う際のシステム構成を示す図である。
【図４】調整装置２によって実行される第１調整のフローを示すフローチャートである。
【図５】調整装置２によって実行される第２調整のフローを示すフローチャートである。
【図６】本発明に係る温度検出回路１Ａを示す回路図である。
【図７】基準電圧ＶＲＥＦと温度勾配特性の一例を示す図である。
【図８】温度検出回路１Ａの調整を行う際のシステム構成を示す図である。
【図９】調整装置２Ａによって実行される調整のフローを示すフローチャートである。
【図１０】図６に示す温度検出回路１Ａの変形例を示す回路図である。
【図１１】図６に示す温度検出回路１Ａの他の変形例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明による請求項１記載の温度検出回路は、互いに独立したＰＮ接合面を有する第１及び第２ダイオード（１１、１２）と、第１ダイオードに直列に接続されており、基準電圧を調整する第１オフセット調整信号（ＶＲＥＦOFS）に応じて分圧抵抗比が調整自在な第１可変分圧抵抗（１３）を含む第１電流路と、第２ダイオードに直列に接続されており、温度検出信号の温度検出感度を調整する第２オフセット調整信号（ＤＩＯＤOFS）に応じて分圧抵抗比が調整自在な第２可変分圧抵抗（２５）を含む第２電流路と、第１可変分圧抵抗によって分圧された第１分圧電圧（Ｖ１）と第２電流路上の電位との差分電圧を基準電圧（ＶＲＥＦ）として第１及び第２電流路各々に帰還供給する基準電圧生成部（２０）と、第２可変分圧抵抗によって分圧された第２分圧電圧（Ｖ２）に基づいて温度検出信号（ＳＥＮＳ）を生成する温度検出信号生成部と、を有する。
【００１５】
また、かかる温度検出回路の調整方法は、第１オフセット調整信号のレベルを変化させることにより基準電圧を所定の第１電圧と一致させる第１ステップ（Ｓ２３、Ｓ２４）と、第２オフセット調整信号のレベルを変化させることにより第２分圧電圧を所定の第２電圧と一致させる第２ステップ（Ｓ２７、Ｓ２８）と、第３オフセット調整信号のレベルを変化させることにより温度検出信号のレベルを所定の第３電圧と一致させる第３ステップ（Ｓ３１、Ｓ３２）と、を有する。
【実施例１】
【００１６】
以下、本発明に係る温度検出回路を図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係る温度検出回路の第１の実施例を示す回路図である。
【００１８】
図１において、温度検出回路１は、シリコン半導体のバンドギャップエネルギーを利用した、いわゆるバンドギャップリファレンス回路であり、温度検出の対象となる半導体集積チップに構築されている。温度検出回路１は、ダイオード１１及び１２と、可変分圧抵抗１３〜１５と、抵抗１６〜１９と、オペアンプ２０〜２２と、スイッチ素子２３及び２４と、を有する。
【００１９】
第１のダイオードとしてのダイオード１１のカソード端子には接地電位ＧＮＤが印加されており、そのアノード端子は可変分圧抵抗１３の端子Ａに接続されている。可変分圧抵抗１３の端子Ａはダイオード１１のアノード端子に接続されており、端子ＢはラインＬ１を介してオペアンプ２０の反転入力端子に接続されており、端子Ｃは抵抗１６の一端に接続されている。可変分圧抵抗１３は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳによって示される基準オフセット値に基づいて、その端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。
【００２０】
第２のダイオードとしてのダイオード１２のカソード端子には接地電位ＧＮＤが印加されておりそのアノード端子はラインＬ２を介して抵抗１７の一端、及びオペアンプ２０、２１各々の非反転入力端子に接続されている。尚、半導体チップ上に構築されるダイオード１１及び１２は互いに独立したＰＮ接合面を有し、ダイオード１２のＰＮ接合面積は、ダイオード１１のＰＮ接合面積の１／Ｎ（Ｎは１より大なる実数）である。つまり、ダイオード１２のＰＮ接合面積はダイオード１１のＰＮ接合面積よりも小である。
【００２１】
オペアンプ２０は、ラインＬ１上の電圧と、ラインＬ２上の電圧との差分に対応した差分電圧を生成し、これをラインＬ３を介して抵抗１６、１７、１９、及びスイッチ素子２３に供給すると共に、かかる差分電圧を基準電圧ＶＲＥＦとして半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して出力する。尚、かかる基準電圧ＶＲＥＦは、半導体のバンドギャップエネルギーに基づく固定電圧であり、例えば１．２５±αボルトである。
【００２２】
オペアンプ２１の反転入力端子はラインＬ４を介して可変分圧抵抗１４の端子Ｂに接続されており、その出力端子はラインＬ５及び抵抗１８の一端に接続されている。可変分圧抵抗１４の端子Ａには接地電位ＧＮＤが印加されており、端子Ｃは抵抗１８の他端に接続されている。可変分圧抵抗１４は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された、第３のオフセット調整信号としての温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳにて示されるセンサオフセット値に基づいて、その端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。よって、オペアンプ２１は、ダイオード１２のアノード端子の電圧を、可変分圧抵抗１４の抵抗値の設定状態に応じた利得で増幅し、この際、得られた増幅電圧をラインＬ５を介して抵抗１８の一端及び可変分圧抵抗１５の端子Ａに供給する。要するに、オペアンプ２１は、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳによって示されるセンサオフセット値に基づく利得でダイオード１２のアノード端子上の電圧を増幅するのである。尚、上記したオペアンプ２０及び２１は、互いに同一材料及び同一製造プロセスで構築されたものである。
【００２３】
可変分圧抵抗１５の端子Ａには上記した如くラインＬ５を介してオペアンプ２１の出力電圧が印加されており、端子ＣにはラインＬ６を介して抵抗１９が接続されており、端子ＢにはラインＬ７を介してスイッチ素子２４の一端が接続されている。尚、スイッチ素子２４の他端はラインＬ８を介してオペアンプ２２の非反転入力端子及びスイッチ素子２３に接続されている。可変分圧抵抗１５は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された温度勾配調整信号ＳＶＤＧＡによって示される温度勾配調整値に基づいて、その端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。
【００２４】
スイッチ素子２３は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された調整箇所選択信号ＴＥＳ００に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子２３は、オン状態に設定されている間だけ、上記ラインＬ３上の電圧をラインＬ８を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子２３は、温度検出回路１の通常動作時にはオフ状態固定となる。
【００２５】
スイッチ素子２４は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された調整箇所選択信号ＴＥＳ０１に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子２４は、オン状態に設定されている間だけ、上記した可変分圧抵抗１５の端子Ｂ上の電圧をラインＬ８を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子２４は、温度検出回路１の通常動作時にはオン状態固定となる。
【００２６】
オペアンプ２２は、その反転入力端子及び出力端子同士が接続されている、いわゆるボルテージフォロワ回路であり、上記ラインＬ８上の電圧を温度検出信号ＳＥＮＳとして、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して出力する。
【００２７】
以下に、上記した温度検出回路１の動作について説明する。
【００２８】
図１に示すダイオード１１及び１２各々のアノード端子の電圧は、例えば図２の破線に示すように、半導体集積チップ自体の温度が絶対零度、つまり０Ｋ（ケルビン）の時には１．２ボルトであり、その温度が高くなるほど低下する。よって、ダイオードのアノード端子の電圧に基づいて、半導体集積チップの温度を検出することが可能となる。そこで、オペアンプ２１、可変分圧抵抗１５、スイッチ素子２４及びオペアンプ２２を含む温度検出信号生成部により、ダイオード１２のアノード端子上の電圧に基づき、半導体集積チップの温度を示す温度検出信号ＳＥＮＳを生成しこれを外部出力するのである。
【００２９】
一方、基準電圧生成部としてのオペアンプ２０は、ダイオード１１のアノード端子が接続されている可変分圧抵抗１３の端子Ｂ上の電圧と、ダイオード１２のアノード端子上の電圧との差分電圧を基準電圧ＶＲＥＦとして送出する。かかる差分電圧は、抵抗１６及び可変分圧抵抗１３を介してオペアンプ２０の反転入力端子に帰還供給されると共に、抵抗１７を介してオペアンプ２０の非反転入力端子に帰還供給される。かかる構成により、オペアンプ２０は、ダイオード１２の順方向電圧（アノード端子の電圧）と、ダイオード１１の順方向電圧（アノード端子の電圧）に基づく可変分圧抵抗１３の端子Ｂ上の電圧と、が互いに等しくなるような帰還電圧を基準電圧ＶＲＥＦとして生成するように動作する。この際、ダイオード１１及び１２は互いに異なるＰＮ接合面積を有する為、ダイオード１１及び１２各々に流れ込む電流は異なるものとなる。これにより、ダイオード１２における温度上昇に伴う順方向電圧の低下度合いは、ダイオード１１における温度上昇に伴う順方向電圧の低下度合いとは異なるものとなる。ただし、絶対零度の際にはダイオード１１及び１２各々の順方向電圧は共に１．２ボルトとなる。よって、ダイオード１２の順方向電圧と、ダイオード１１の順方向電圧との差分が、温度変更に伴う電圧変化分となるので、この電圧変化分によって、上記した温度上昇に伴う順方向電圧の低下分をキャンセルすることにより、温度変化に依存しない一定の基準電圧ＶＲＥＦを生成することができる。そこで、オペアンプ２０にて、ダイオード１２の順方向電圧（アノード端子の電圧）と、ダイオード１１の順方向電圧（アノード端子の電圧）を可変分圧抵抗１３によって分圧した分圧電圧と、を互いに等しくさせるような電圧値を基準電圧ＶＲＥＦとして生成させるのである。尚、基準電圧ＶＲＥＦの値は、絶対零度での半導体のバンドギャップ電圧（以下、ＢＧＲ電圧と称する）である１．２ボルトである。よって、基準電圧ＶＲＥＦは、図２に示す如く、半導体集積チップの温度変化に依存しない一定の１．２ボルトとなる。
【００３０】
従って、温度検出回路１によって生成された基準電圧ＶＲＥＦ及び温度検出信号ＳＥＮＳを用いることにより、半導体集積チップの発熱温度の異常を検出することが可能となる。例えば、基準電圧ＶＲＥＦ（１．２ボルト）に基づき半導体集積チップの発熱温度として許容し得る温度の上限を示す閾値電圧を生成し、上記温度検出信号ＳＥＮＳがこの閾値電圧より高い場合には半導体集積チップの温度が正常温度範囲内にあると判定する一方、低い場合には異常な高温度の状態にあると判定するのである。
【００３１】
以下に、上記した如き温度検出回路１を含む半導体集積チップに対して、工場出荷時に実施される調整動作について説明する。
【００３２】
図３は、温度検出回路１を調整する際のシステム構成を示すブロック図である。
【００３３】
図３に示すシステム構成では、調整装置２が、温度検出回路１を含む半導体集積チップの外部端子ＰＡに接続される。
【００３４】
調整装置２は、先ず、半導体集積チップ自体の温度が所定の第１温度となる状態において、図４に示す如き第１調整フローに従った手順で温度検出回路１に対する調整を行う。
【００３５】
図４において、調整装置２は、先ず、スイッチ素子２３をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ００、及びスイッチ素子２４をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ０１を温度検出回路１に供給する（ステップＳ１）。かかるステップＳ１の実行により、温度検出回路１のオペアンプ２０から送出された電圧がスイッチ素子２３を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給される。
【００３６】
次に、調整装置２は、基準オフセット値として初期値を示す基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳを温度検出回路１に供給する（ステップＳ２）。この初期値を示す基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳに応じて、温度検出回路１の可変分圧抵抗１３は、例えば、端子Ａ及びＢ間の抵抗値、又は端子Ｂ及びＣ間の抵抗値を０に設定する。ステップＳ１及びＳ２の実行により、オペアンプ２０から送出された電圧が温度検出信号ＳＥＮＳとして、スイッチ素子２３及びオペアンプ２２を介して調整装置２に供給される。
【００３７】
次に、調整装置２は、温度検出回路１から供給された温度検出信号ＳＥＮＳが、ＢＧＲ電圧である１．２ボルトと等しいか否かの判定を行う（ステップＳ３）。かかるステップＳ３において温度検出信号ＳＥＮＳが１．２ボルトでは無いと判定された場合、調整装置２は、基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳにて示される基準オフセット値に所定の固定値ｍを加算したものを新たな基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳとして温度検出回路１に供給する（ステップＳ４）。ステップＳ４の実行により、温度検出回路１の可変分圧抵抗１３は、固定値ｍの分だけ、端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。
【００３８】
ステップＳ４の実行後、調整装置２は、上記ステップＳ３の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップＳ３及びＳ４の繰り返し実行により、可変分圧抵抗１３の端子Ａ及びＢ間の抵抗値と端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との比が徐々に変化する。これにより、オペアンプ２０、スイッチ素子２３及びオペアンプ２２を介して送出された温度検出信号ＳＥＮＳの電圧値が徐々に増加又は減少して行く。
【００３９】
この間、ステップＳ３において温度検出信号ＳＥＮＳが１．２ボルトと等しいと判定された場合、調整装置２は、スイッチ素子２３をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ００、及びスイッチ素子２４をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ０１を夫々温度検出回路１に供給する（ステップＳ５）。かかるステップＳ５の実行により、可変分圧抵抗１５の端子Ｂ上の電圧がスイッチ素子２４を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給される。
【００４０】
次に、調整装置２は、温度勾配調整値として、可変分圧抵抗１５の端子Ａ及びＢ間の抵抗値を０に設定すべき値を示す温度勾配調整信号ＳＶＤＧＡを温度検出回路１に供給する（ステップＳ６）。ステップＳ６の実行により、オペアンプ２１から送出された電圧はそのままスイッチ素子２４を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給される。
【００４１】
次に、調整装置２は、センサオフセット値として初期値を示す温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳを温度検出回路１に供給する（ステップＳ７）。この初期値を示す温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳに応じて、温度検出回路１の可変分圧抵抗１４は、例えば、端子Ａ及びＢ間の抵抗値、或いは端子Ｂ及びＣ間の抵抗値を０に設定する。ステップＳ５〜Ｓ７の実行により、ダイオード１２のアノード端子上の電圧がオペアンプ２１によって増幅され、これがスイッチ素子２３及びオペアンプ２２を介して温度検出信号ＳＥＮＳとして調整装置２に供給される。この際、オペアンプ２１は、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳによって設定された可変分圧抵抗１４の抵抗値及び抵抗１８に基づく利得にて、ダイオード１２のアノード端子上の電圧を増幅する。
【００４２】
次に、調整装置２は、温度検出回路１から供給された温度検出信号ＳＥＮＳがＢＧＲ電圧としての１．２ボルトと等しいか否かの判定を行う（ステップＳ８）。かかるステップＳ８において温度検出信号ＳＥＮＳが１．２ボルトでは無いと判定された場合、調整装置２は、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳにて示される値に所定の固定値ｋを加算したものを新たな温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳとして温度検出回路１に供給する（ステップＳ９）。ステップＳ９の実行により、温度検出回路１の可変分圧抵抗１４は、固定値ｋの分だけ、端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。これにより、オペアンプ２１による利得が増加又は減少し、その分だけ温度検出信号ＳＥＮＳの値が増加又は減少する。
【００４３】
ステップＳ９の実行後、調整装置２は、上記ステップＳ８の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップＳ８及びＳ９の繰り返し実行により、オペアンプ２１の利得が徐々に増加又は減少するので、それに伴い温度検出信号ＳＥＮＳの値が徐々に増加又は減少する。
【００４４】
この間、ステップＳ８において温度検出信号ＳＥＮＳが１．２ボルトと等しいと判定された場合、調整装置２は図４に示す第１調整を終了し、引き続き半導体集積チップ自体の温度を第１温度とは異なる第２温度に変更した状態において、図５に示す如き第２調整フローに従った手順で温度検出回路１に対する調整を行う。
【００４５】
図５において、先ず、調整装置２は、スイッチ素子２３をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ００、及びスイッチ素子２４をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ０１を夫々温度検出回路１に供給する（ステップＳ１０）。かかるステップＳ１０の実行により、可変分圧抵抗１５の端子Ｂ上の電圧がスイッチ素子２４を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給される。よって、ダイオード１２のアノード端子の電圧が、オペアンプ２１、可変分圧抵抗１５、スイッチ素子２４、及びオペアンプ２２を介して、温度検出信号ＳＥＮＳとして調整装置２に供給される。
【００４６】
次に、調整装置２は、かかる温度検出信号ＳＥＮＳにて示される電圧値が、所望の温度勾配特性に沿った勾配設定電圧Ｑと等しいか否かを判定する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１において、温度検出信号ＳＥＮＳで示される電圧と上記勾配設定電圧Ｑとが不一致であると判定された場合、調整装置２は、温度勾配調整信号ＳＶＤＧＡにて示される値に所定の固定値ｓを加算したものを新たな温度勾配調整信号ＳＶＤＧＡとして温度検出回路１に供給する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２の実行により、温度検出回路１の可変分圧抵抗１５は、固定値ｓの分だけ、端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。これにより、温度検出信号ＳＥＮＳの値が増加又は減少する。ステップＳ１２の実行後、調整装置２は、上記ステップＳ１１の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップＳ１１及びＳ１２の繰り返し実行により、可変分圧抵抗１５の端子Ａ及びＢ間の電圧値と、端子Ｂ及びＣ間の電圧値との抵抗比が徐々に変更されるので、それに伴い温度検出信号ＳＥＮＳの値が徐々に増加又は減少する。
【００４７】
この間、ステップＳ１１において温度検出信号ＳＥＮＳが所望の温度勾配特性に沿った勾配設定電圧Ｑと等しいと判定された場合、調整装置２は図５に示す第２調整を終了する。図５に示す第２調整により、半導体集積チップの発熱温度の推移に追従する、温度検出信号ＳＥＮＳの電圧推移の勾配が設定される。この際、温度検出信号ＳＥＮＳの対温度電圧推移が急勾配であるほど、半導体集積チップの温度変化に対する検出感度が高まる。
【００４８】
以上のように、図１に示す温度検出回路１には、オペアンプ２０で生成された基準電圧ＶＲＥＦの値を所定のＢＧＲ電圧（１．２ボルト）とすべく、基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳに応じてダイオード１１の順方向電圧を調整してオペアンプ２０に供給する可変分圧抵抗１３が設けられている。これにより、製造上のバラツキに起因して各モジュールの特性が変動してしまっても、高い精度で１．２ボルト固定の基準電圧ＶＲＥＦを生成することが可能となる。
【００４９】
また、図１に示す温度検出回路１では、オペアンプ２１によって、ＢＧＲ電圧の発生源となるダイオード１２の順方向電圧を増幅することにより、半導体集積チップの温度に対応した電圧を有する温度検出信号ＳＥＮＳを生成するようにしている。この際、温度検出回路１には、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳに応じてオペアンプ２１の利得を変更することにより温度検出信号ＳＥＮＳのレベルを調整する可変分圧抵抗１４が設けられている。よって、製造上のバラツキに起因して各モジュールの特性が変動していても、かかる可変分圧抵抗１４の調整により、半導体集積チップの温度に追従した精度の高い温度検出信号ＳＥＮＳを生成することが可能となる。
【００５０】
更に、図１に示す温度検出回路１には、オペアンプ２１から送出された増幅電圧を温度勾配調整信号ＳＶＤＧＡに応じて調整することにより、温度検出信号ＳＥＮＳにおける温度勾配、つまり温度上昇（下降）に追従した電圧変化の度合いを任意の度合いに調整する可変分圧抵抗１５が設けられている。これにより、半導体集積チップの温度変化に対する検出感度を任意の感度に設定することが可能となる。
【００５１】
尚、図１に示される温度検出回路１では、ＢＧＲ電圧を生成する源となる素子としてＰＮ接合型のダイオード１１及び１２を用いているが、ＰＮ接合型のトランジスタを用いるようにしても良い。要するに、ＢＧＲ電圧を生成する源となる素子として、バンドギャップエネルギーの影響を受けるＰＮ接合型の半導体素子を用いれば良いのである。
【実施例２】
【００５２】
図６は、本発明に係る温度検出回路の第２の実施例を示す回路図である。
【００５３】
図６において、温度検出回路１は、半導体のバンドギャップエネルギーを利用した、いわゆるバンドギャップリファレンス回路であり、温度検出の対象となる半導体集積チップに構築されている。温度検出回路１は、ダイオード１１、１２と、可変分圧抵抗１３、１４、２５と、抵抗１６、１８、２６と、オペアンプ２０〜２２と、スイッチ素子２３、２４及び２７と、を有する。
【００５４】
第１のダイオードとしてのダイオード１１のカソード端子には接地電位ＧＮＤが印加されており、そのアノード端子は可変分圧抵抗１３の端子Ａに接続されている。
【００５５】
第１の可変分圧抵抗としての可変分圧抵抗１３の端子Ａはダイオード１１のアノード端子に接続されており、端子ＢはラインＬ１を介してオペアンプ２０の反転入力端子に接続されており、端子Ｃは抵抗１６の一端に接続されている。可変分圧抵抗１３は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された、第１のオフセット調整信号としての基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳにて示される基準オフセット値に基づき、その端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との分圧抵抗比を変更する。すなわち、可変分圧抵抗１３は、基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳに応じた分圧抵抗比にて、ダイオード１１の順方向電圧（アノード端子の電圧）を分圧して得られた第１分圧電圧Ｖ１をその端子Ｂを介してオペアンプ２０に供給する。
【００５６】
第２のダイオードとしてのダイオード１２のカソード端子には接地電位ＧＮＤが印加されており、そのアノード端子はラインＬ２を介して可変分圧抵抗２５の端子Ａ及びオペアンプ２０の非反転入力端子に接続されている。尚、半導体チップ上に構築されるダイオード１１及び１２は互いに独立したＰＮ接合面を有し、ダイオード１２のＰＮ接合面積は、ダイオード１１のＰＮ接合面積の１／Ｎ（Ｎは１より大なる実数）である。つまり、ダイオード１２のＰＮ接合面積はダイオード１１のＰＮ接合面積よりも小である。
【００５７】
基準電圧生成部としてのオペアンプ２０は、ラインＬ１上の第１分圧電圧Ｖ１と、ラインＬ２上のダイオード１２の順方向電圧との差分に対応した差分電圧を生成し、これをラインＬ３を介して抵抗１６、２６、可変分圧抵抗２５の端子Ｃ、及びスイッチ素子２３に供給すると共に、かかる差分電圧を基準電圧ＶＲＥＦとして半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して出力する。尚、かかる基準電圧ＶＲＥＦは、半導体のバンドギャップエネルギーに基づく固定電圧であり、例えば１．２５±αボルトである。
【００５８】
第２の可変分圧抵抗としての可変分圧抵抗２５の端子ＡにはラインＬ２を介してダイオード１２のアノード端子及びオペアンプ２０の非反転入力端子が接続されており、端子ＢはラインＬ０を介してオペアンプ２１の非反転入力端子及びスイッチ素子２７に接続されている。可変分圧抵抗２５は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された、第２のオフセット調整信号としてのダイオードオフセット調整信号ＤＩＯＤＯＦＳにて示されるダイオードオフセット値に基づいて、その端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との抵抗比を変更する。すなわち、可変分圧抵抗２５は、ダイオードオフセット調整信号ＤＩＯＤＯＦＳに応じた分圧抵抗比にてダイオード１２の順方向電圧（アノード端子の電圧）を分圧して得られた第２分圧電圧Ｖ２をその端子Ｂを介してオペアンプ２１に供給する。
【００５９】
オペアンプ２１の反転入力端子はラインＬ４を介して可変分圧抵抗１４の端子Ｂに接続されており、その出力端子はラインＬ５を介して、抵抗１８及び２６、及びスイッチ素子２４に接続されている。可変分圧抵抗１４の端子Ａには接地電位ＧＮＤが印加されており、端子Ｃは抵抗１８の他端に接続されている。
【００６０】
第３の可変分圧抵抗としての可変分圧抵抗１４は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳによって示されるセンサオフセット値に基づいて、その端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との抵抗比を変更する。すなわち、可変分圧抵抗１４は、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳに応じてオペアンプ２１の増幅利得を調整する。これにより、オペアンプ２１は、可変分圧抵抗２５を介して供給されたダイオード１２のアノード端子上の電圧を、可変分圧抵抗１４及び抵抗１８による抵抗値に応じた利得で増幅し、この際、得られた増幅電圧をラインＬ５を介して抵抗２６及びスイッチ素子２４の一端に供給する。要するに、オペアンプ２１は、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳにて示されるセンサオフセット値に基づく利得で、可変分圧抵抗２５を介して供給されたダイオード１２のアノード端子上の電圧を増幅するのである。尚、上記したオペアンプ２０及び２１は、互いに同一材料及び同一製造プロセスで構築されたものである。スイッチ素子２４の他端はラインＬ８を介してオペアンプ２２の非反転入力端子、スイッチ素子２３及び２７に接続されている。
【００６１】
スイッチ素子２３は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された調整箇所選択信号ＴＥＳ００に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子２３は、オン状態に設定されている間だけ、上記ラインＬ３上の電圧をラインＬ８を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子２３は、温度検出回路１の通常動作時にはオフ状態固定となる。スイッチ素子２４は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された調整箇所選択信号ＴＥＳ０１に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子２４は、オン状態に設定されている間だけ、オペアンプ２１から送出された増幅電圧をオペアンプ２２の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子２４は、温度検出回路１の通常動作時にはオン状態固定となる。スイッチ素子２７は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された調整箇所選択信号ＴＥＳ１０に応じてオン状態又はオフ状態に設定される。スイッチ素子２７は、オン状態に設定されている間だけ、上記した可変分圧抵抗２５の端子Ｂ上の第２分圧電圧Ｖ２をラインＬ８を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給する。尚、スイッチ素子２７は、温度検出回路１の通常動作時にはオフ状態固定となる。
【００６２】
要するに、これらスイッチ素子２３、２４及び２７からなるスイッチ部は、調整箇所選択信号（ＴＥＳ００、０１、１０）に応じて、上記ラインＬ３上の差分電圧（オペアンプ２０の出力）、ラインＬ５上の電圧（オペアンプ２１の出力）、及び可変分圧抵抗２５の端子Ｂ上の第２分圧電圧Ｖ２の内の１つを選択し、これをラインＬ８を介してオペアンプ２２に供給する。
【００６３】
オペアンプ２２は、その反転入力端子及び出力端子同士が接続されている、いわゆるボルテージフォロワ回路であり、上記ラインＬ８上の電圧を温度検出信号ＳＥＮＳとして、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して出力する。
【００６４】
以下に、上記した温度検出回路１Ａの動作について説明する。
【００６５】
図６に示すダイオード１１及び１２各々のアノード端子の電圧は、例えば図７の破線又は一点鎖線に示すように、半導体集積チップ自体の温度が絶対零度の時には１．２ボルトであり、その温度が高くなるほど低下する。よって、ダイオード１１又は１２のアノード端子の電圧に基づいて、半導体集積チップの温度を検出することが可能となる。そこで、温度検出回路１Ａでは、オペアンプ２１、スイッチ素子２４及びオペアンプ２２を含む温度検出信号生成部によって、ダイオード１２のアノード端子上の電圧を可変分圧抵抗２５で分圧した第２分圧電圧Ｖ２に基づき、半導体集積チップの温度を示す温度検出信号ＳＥＮＳを生成し、これを外部出力させるのである。
【００６６】
この際、基準電圧生成部としてのオペアンプ２０は、ダイオード１１のアノード端子上の電圧を可変分圧抵抗１３によって分圧して得られた第１分圧電圧Ｖ１と、ダイオード１２のアノード端子上の電圧との差分電圧を基準電圧ＶＲＥＦとして送出する。かかる差分電圧は、抵抗１６及び可変分圧抵抗１３を介してオペアンプ２０の反転入力端子に帰還供給されると共に、可変分圧抵抗２５を介してオペアンプ２０の非反転入力端子に帰還供給される。かかる構成により、オペアンプ２０は、ダイオード１２の順方向電圧（アノード端子の電圧）と、ダイオード１１の順方向電圧（アノード端子の電圧）を分圧した第１分圧電圧Ｖ１と、を等しくさせるような帰還電圧を、基準電圧ＶＲＥＦとして生成するように動作する。この際、第１及び第２のダイオードであるダイオード１１及び１２は互いに異なるＰＮ接合面積を有する為、ダイオード１１及び１２各々に流れ込む電流は異なるものとなる。これにより、ダイオード１２における温度上昇に伴う順方向電圧の低下度合いは、ダイオード１１における温度上昇に伴う順方向電圧の低下度合いとは異なるものとなる。ただし、絶対零度の際にはダイオード１１及び１２各々の順方向電圧は共に１．２ボルトとなる。よって、ダイオード１２の順方向電圧と、ダイオード１１の順方向電圧との差分が、温度変更に伴う電圧変化分となるので、この電圧変化分によって、上記した温度上昇に伴う順方向電圧の低下分をオペアンプ２０でキャンセルすることにより、温度変化に依存しない一定の基準電圧ＶＲＥＦを生成することができる。尚、基準電圧ＶＲＥＦの値は、絶対零度での半導体のバンドギャップ電圧（以下、ＢＧＲ電圧と称する）である１．２ボルトである。よって、基準電圧ＶＲＥＦは、図７に示す如く半導体集積チップの温度変化に依存しない一定の１．２ボルトとなる。
【００６７】
従って、温度検出回路１Ａによって生成された基準電圧ＶＲＥＦ及び温度検出信号ＳＥＮＳを用いることにより、半導体集積チップの発熱温度の異常を検出することが可能となる。例えば、基準電圧ＶＲＥＦ（１．２ボルト）に基づき、半導体集積チップの発熱温度として許容し得る温度の上限を示す閾値電圧を生成し、上記温度検出信号ＳＥＮＳがこの閾値電圧より高い場合には半導体集積チップの温度が正常温度範囲内にあると判定する一方、低い場合には異常な高温度の状態にあると判定するのである。
【００６８】
以下に、上記した如き温度検出回路１Ａを含む半導体集積チップに対して、工場出荷時に実施される調整動作について説明する。
【００６９】
図８は、温度検出回路１を調整する際のシステム構成を示すブロック図である。
【００７０】
図８に示すシステム構成では、調整装置２Ａが、温度検出回路１Ａを含む半導体集積チップの外部端子ＰＡに接続される。
【００７１】
調整装置２Ａは、半導体集積チップ自体の温度が所定の第１温度となる状態において、図９に示す如き調整フローに従った手順で温度検出回路１Ａに対する調整を行う。
【００７２】
図９において、先ず、調整装置２Ａは、スイッチ素子２３をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ００、及びスイッチ素子２４及び２７を共にオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ０１、ＴＥＳ１０を温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ２１）。かかるステップＳ２１の実行により、温度検出回路１Ａのオペアンプ２０から送出された電圧がスイッチ素子２３を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給される。
【００７３】
次に、調整装置２Ａは、基準オフセット値として初期値を示す基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳを温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ２２）。この初期値を示す基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳに応じて、温度検出回路１Ａの可変分圧抵抗１３は、例えば、端子Ａ及びＢ間の抵抗値、又は端子Ｂ及びＣ間の抵抗値を０に設定する。ステップＳ２１及びＳ２２の実行により、オペアンプ２０から送出された差分電圧がスイッチ素子２３及びオペアンプ２２を介して温度検出信号ＳＥＮＳとして調整装置２Ａに供給される。
【００７４】
次に、調整装置２Ａは、温度検出回路１Ａから供給された温度検出信号ＳＥＮＳが、絶対零度でのＢＧＲ電圧である１．２ボルトと等しいか否かの判定を行う（ステップＳ２３）。かかるステップＳ２３において温度検出信号ＳＥＮＳが１．２ボルトでは無いと判定された場合、調整装置２Ａは、基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳにて示される基準オフセット値に所定の固定値ｍを加算したものを新たな基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳとして温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ２４）。ステップＳ２４の実行により、温度検出回路１Ａの可変分圧抵抗１３は、固定値ｍの分だけ、端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との抵抗比を変更する。
【００７５】
ステップＳ２４の実行後、調整装置２Ａは、上記ステップＳ２３の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップＳ２３及びＳ２４の繰り返し実行により、可変分圧抵抗１３の端子Ａ及びＢ間の抵抗値と端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との比が徐々に変化する。これにより、オペアンプ２０、スイッチ素子２３及びオペアンプ２２を介して送出された温度検出信号ＳＥＮＳの電圧値が徐々に増加又は減少して行く。
【００７６】
この間、ステップＳ２３において温度検出信号ＳＥＮＳが１．２ボルトと等しいと判定された場合、調整装置２Ａは、スイッチ素子２３及び２４をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ００及びＴＥＳ０１、並びにスイッチ素子２７をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ０１を夫々温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ２５）。かかるステップＳ２５の実行により、可変分圧抵抗２５の端子Ｂ上の第２分圧電圧Ｖ２がスイッチ素子２７を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給される。
【００７７】
次に、調整装置２Ａは、ダイオードオフセット値の初期値を示すダイオードオフセット調整信号ＤＩＯＤＯＦＳを温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ２６）。この初期値を示すダイオードオフセット調整信号ＤＩＯＤＯＦＳに応じて、温度検出回路１Ａの可変分圧抵抗２５は、例えば、端子Ａ及びＢ間の抵抗値、又は端子Ｂ及びＣ間の抵抗値を０に設定する。ステップＳ２５びＳ６６の実行により、ダイオード１２のアノード端子上の電圧を可変分圧抵抗２５で調整して得られたラインＬ０上の第２分圧電圧Ｖ２が、スイッチ素子２７及びオペアンプ２２を介して、温度検出信号ＳＥＮＳとして調整装置２Ａに供給される。
【００７８】
次に、調整装置２Ａは、かかるラインＬ０上の第２分圧電圧Ｖ２を示す温度検出信号ＳＥＮＳが、所望の温度勾配電圧、例えば０．９３ボルトであるか否かを判定する（ステップＳ２７）。尚、温度勾配電圧とは、ラインＬ０上の第２分圧電圧Ｖ２における温度推移に伴う電圧変化の度合いを表す温度勾配特性を示す電圧である。ここで、温度Ｔｃで設定する温度勾配電圧をＶｎとするとその温度勾配は、
（１．２−Ｖｎ）／（Ｔｃ  −（−２７３））［Ｖ／℃］
となる。
【００７９】
上記ステップＳ２７において温度検出信号ＳＥＮＳが所望の温度勾配特性を示す０．９３ボルトでは無いと判定された場合、調整装置２Ａは、ダイオードオフセット調整信号ＤＩＯＤＯＦＳにて示されるダイオードオフセット値に所定の固定値ｐを加算したものを新たなダイオードオフセット調整信号ＤＩＯＤＯＦＳとして温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ２８）。ステップＳ２８の実行により、温度検出回路１Ａの可変分圧抵抗２５は、固定値ｐの分だけ、端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との抵抗比を変更する。この際、可変分圧抵抗２５の端子Ａ及びＢ間の抵抗値が端子Ｂ及びＣ間の抵抗値に比して小なるほど、図７の一点鎖線に示す如く、温度勾配が緩やかになる。一方、可変分圧抵抗２５の端子Ａ及びＢ間の抵抗値が端子Ｂ及びＣ間の抵抗値に比して大なるほど、図７の破線に示す如く温度勾配が急峻になる。要するに、ダイオードオフセット調整信号ＤＩＯＤＯＦＳに基づき、可変分圧抵抗２５によってダイオード１２のアノード端子の電圧を調整することにより、ラインＬ０上の第２分圧電圧Ｖ２における温度勾配特性を変更することができるのである。
【００８０】
ステップＳ２８の実行後、調整装置２Ａは、上記ステップＳ２７の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップＳ２７及びＳ２８の繰り返し実行により、可変分圧抵抗２５の端子Ａ及びＢ間の抵抗値と端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との比が徐々に変化する。これにより、ラインＬ０上の第２分圧電圧Ｖ２に対応した温度検出信号ＳＥＮＳの電圧値が徐々に増加又は減少して行く。
【００８１】
この間、上記ステップＳ２７において温度検出信号ＳＥＮＳが０．９３ボルトと等しいと判定された場合、調整装置２Ａは、スイッチ素子２３及び２７をオフ状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ００及びＴＥＳ１０、並びにスイッチ素子２４をオン状態に設定させるべき調整箇所選択信号ＴＥＳ０１を夫々温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ２９）。かかるステップＳ２９の実行により、オペアンプ２１から送出された増幅電圧がスイッチ素子２４を介してオペアンプ２２の非反転入力端子に供給される。
【００８２】
次に、調整装置２Ａは、センサオフセット値として初期値を示す温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳを温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ３０）。この初期値を示す温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳに応じて、温度検出回路１Ａの可変分圧抵抗１４は、例えば、端子Ａ及びＢ間の抵抗値、或いは端子Ｂ及びＣ間の抵抗値を０に設定する。ステップＳ２９及びＳ３０の実行により、オペアンプ２１から送出された増幅電圧がスイッチ素子２４及びオペアンプ２２を介して、温度検出信号ＳＥＮＳとして調整装置２Ａに供給される。この際、オペアンプ２１は、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳによって設定された、可変分圧抵抗１４の抵抗値及び抵抗１８に基づく利得でラインＬ０上の第２分圧電圧Ｖ２を増幅する。
【００８３】
次に、調整装置２Ａは、温度検出回路１Ａから供給された温度検出信号ＳＥＮＳがＢＧＲ電圧としての１．２ボルトと等しいか否かの判定を行う（ステップＳ３１）。かかるステップＳ３１において温度検出信号ＳＥＮＳが１．２ボルトでは無いと判定された場合、調整装置２Ａは、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳにて示される値に所定の固定値ｋを加算したものを新たな温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳとして温度検出回路１Ａに供給する（ステップＳ３２）。ステップＳ３２の実行により、温度検出回路１Ａの可変分圧抵抗１４は、固定値ｋの分だけ、端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との抵抗比を変更する。これにより、オペアンプ２１の利得が増加又は減少し、その分だけ温度検出信号ＳＥＮＳの値が増加又は減少する。この際、温度検出信号ＳＥＮＳにおける温度勾配は、
［（１．２−Ｖ２）／（Ｔｃ  −（−２７３））］×［（Ｒ２＋ＶＲ３）／ＶＲ３］
Ｖ２：第２調整電圧
Ｒ２：抵抗１８の抵抗値  
ＶＲ３：可変分圧抵抗１４の端子Ｂ及びＣ間の抵抗値
Ｔｃ：温度
となる。
【００８４】
上記ステップＳ３２の実行後、調整装置２Ａは、上記ステップＳ３１の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これらステップＳ３１及びＳ３２の繰り返し実行により、オペアンプ２１の利得が徐々に増加又は減少するので、それに伴い温度検出信号ＳＥＮＳの値が徐々に増加又は減少する。
【００８５】
ここで、製造上のバラツキに起因する基準電圧ＶＲＥＦの変動分をΔＶＲＥＦとした場合、ラインＬ０の第２分圧電圧Ｖ２の変動分ΔＶ２は、
ΔＶ２＝［（Ｖ２−ＶＡ）／（ＶＲＥＦ−ＶＡ）］＊ΔＶＲＥＦ
ＶＡ：ラインＬ２の電圧
で表される。
【００８６】
この際、オペアンプ２１からラインＬ５上に送出される増幅電圧を電圧Ｖ５とした場合、この電圧Ｖ５は、変動前の基準電圧ＶＲＥＦに正規化されるので、電圧変動もＶＲＥＦ／Ｖ２倍される。
【００８７】
すなわち、ラインＬ０の電圧Ｖ５の変動分ΔＶ５は、
ΔＶ５＝[（（Ｖ２−ＶＡ）／（ＶＲＥＦ−ＶＡ））＊                                                          （ＶＲＥＦ／Ｖ２）］＊ΔＶＲＥＦ
となる。
【００８８】
尚、例えばＶＲＥＦ＝１．２、Ｖ２＝０．９、ＶＡ＝０．６である場合、
ΔＶ５＝（２／３）＊ΔＶＲＥＦ
となる。
【００８９】
上記ステップＳ３１において温度検出信号ＳＥＮＳが１．２ボルトと等しいと判定された場合、調整装置２Ａは、図９に示す如き調整処理を終了する。
【００９０】
以上の如く、図６に示す温度検出回路１Ａには、オペアンプ２０で生成された基準電圧ＶＲＥＦの値をＢＧＲ電圧（１．２ボルト）とする為に、ダイオード１１の順方向電圧（アノード端子の電圧）を基準電圧オフセット調整信号ＶＲＥＦＯＦＳに応じて分圧した第１分圧電圧Ｖ１をオペアンプ２０に供給する第１の可変分圧抵抗１３が設けられている。これにより、製造上のバラツキに起因して各モジュールの特性が変動してしまっても、高い精度で１．２ボルト固定の基準電圧ＶＲＥＦを生成させることが可能となる。
【００９１】
また、図６に示す温度検出回路１Ａには、ダイオードオフセット調整信号ＤＩＯＤＯＦＳに応じた分圧抵抗比でダイオード１２の順方向電圧（アノード端子の電圧）を調整することにより、温度検出信号ＳＥＮＳにおける温度勾配、つまり温度上昇（下降）に追従した電圧変化の度合いを、任意の度合いに設定する第２の可変分圧抵抗２５が設けられている。これにより、半導体集積チップの温度変化に対する検出感度を任意の感度に設定することが可能となる。
【００９２】
また、図１に示す温度検出回路１では、オペアンプ２１によって、ＢＧＲ電圧の発生源となるダイオード１２の順方向電圧を増幅することにより、半導体集積チップの温度に追従した電圧を有する温度検出信号ＳＥＮＳを生成するようにしている。この際、温度検出回路１には、温度検出オフセット調整信号ＳＶＤＯＦＳに応じてオペアンプ２１の利得を変更することにより温度検出信号ＳＥＮＳのレベルを調整する第３の可変分圧抵抗１４が設けられている。よって、かかる可変分圧抵抗１４の調整により、製造上のバラツキに起因して各モジュールの特性が変動していても、半導体集積チップの温度に追従した精度の高い温度検出信号ＳＥＮＳを生成することが可能となる。
【００９３】
この際、図６に示す温度検出回路１Ａでは、チップサイズの縮小化等の製造プロセスの変更に伴い、ダイオード１１及び１２の端子電圧が変動してしまっても、可変分圧抵抗１３及び２５の分圧抵抗比を調整するだけで、所望の特性を有する基準電圧ＶＲＥＦ及び温度検出信号ＳＥＮＳを生成することが可能となる。よって、図６に示す温度検出回路１Ａによれば、図１に示す温度検出回路１の如き可変分圧抵抗１３及び１４の抵抗値の調整のみならず、抵抗１７の抵抗値の変更が必要となるものに比してその調整が容易に為されるようになる。
【００９４】
また、図６に示す温度検出回路１Ａでは、可変分圧抵抗２５によってダイオード１２の順方向電圧を調整することにより、温度検出感度に関与する温度勾配特性を変更するようにしている。一方、図１に示す温度検出回路１では、ラインＬ３及びＬ５間の電圧の分圧比を可変分圧抵抗１５によって調整することにより、温度検出感度に関与する温度勾配特性を変更している。ところで、図１に示す温度検出回路１では、ラインＬ３及びＬ５各々の電圧は共に１．２ボルトとなっている為、このままの状態では図５に示すステップＳ１１において温度検出信号ＳＥＮＳは０固定となってしまい、その調整を行うことができない。そこで、かかる調整を行うにあたり、図１に示す温度検出回路１では、半導体集積チップの温度を第１温度から第２温度に変更するようにしている。これに対して、図６に示す温度検出回路１Ａでは、半導体集積チップの温度を変更することなく全ての調整を行うことができるので、図１に示す温度検出回路１に比して調整時間の短縮を図ることが可能となる。
【００９５】
尚、温度検出回路１Ａにおけるオペアンプ２１と、スイッチ素子２４との間に、図１０に示すように、抵抗２８、２９及びオペアンプ３０を設けるようにしても良い。要するに、第２分圧電圧Ｖ２を増幅する増幅部を、第１アンプとしてのオフセット調整用のオペアンプ２１と、第２アンプとしての温度勾配増加用のオペアンプ３０と、により形成するのである。
【００９６】
図１０に示される構成では、オペアンプ２１は、ラインＬ５を介してその増幅電圧をオペアンプ３０の非反転入力端子に供給する。オペアンプ３０の反転入力端子はラインＬ９を介して抵抗２８及び２９各々の一端に接続されており、その出力端子はラインＬ１０を介して抵抗２９の他端及びスイッチ素子２４に接続されている。抵抗２８の他端はラインＬ３に接続されている。オペアンプ３０は、抵抗２８及び２９の抵抗比に応じた利得で、オペアンプ２１からラインＬ５を介して送出された電圧を増幅し、これをラインＬ１０を介してスイッチ素子２４に供給する。この際、抵抗２８及び２９の抵抗値の比に基づくオペアンプ３０の利得により、上記した如く可変分圧抵抗２５で設定された温度勾配を変更することが可能となる。尚、オペアンプ３０からラインＬ１０上に送出された電圧における温度勾配は、
［（（１．２−Ｖ２）／（Ｔｃ  −（−２７３））］
＊［（（Ｒ２＋ＶＲ３）／ＶＲ３）］＊［（Ｒ３＋Ｒ４）／Ｒ３］
Ｒ３：抵抗２８の抵抗値
Ｒ４：抵抗２９の抵抗値
となる。
【００９７】
すなわち、上記Ｒ３及びＲ４を１：２以上に設定して、オペアンプ３０の利得を高めるほど温度勾配が急峻になり、温度検出感度を高めることが可能となるのである。尚、Ｒ３及びＲ４を１：２に設定すると、オペアンプ３０から送出された電圧の変動分は０になる。
【００９８】
ここで、回路の小型化を図るべくＢＧＲ電圧の発生源となるダイオード（１１、１２）のＰＮ接合面積を小さくすると、そのアノード端子の電圧が高くなる為、図１に示す如きラインＬ３及びＬ５間に設けた可変分圧抵抗１５では、急峻な温度勾配を得ることが出来ない。しかしながら、図１０に示す如く、オペアンプ２１と、スイッチ素子２４との間に、抵抗２８、２９及びオペアンプ３０からなる増幅段を設けることにより、急峻な温度勾配が得られるようになる。
【００９９】
尚、かかる増幅段とスイッチ素子２４との間に、図１１に示す如く、前述した可変分圧抵抗１５を設けることにより温度勾配の微調整を行えるようにしても良い。
【０１００】
図１１に示す構成では、オペアンプ３０から送出された増幅電圧がラインＬ１０を介して可変分圧抵抗１５の端子Ａに供給されている。可変分圧抵抗１５の端子ＣはラインＬ３に接続されており、その端子ＢにはラインＬ７を介してスイッチ素子２４の一端が接続されている。可変分圧抵抗１５は、半導体集積チップの外部端子ＰＡを介して供給された温度勾配調整信号ＳＶＤＧＡによって示される温度勾配調整値に基づいて、その端子Ａ及びＢ間の抵抗値と、端子Ｂ及びＣ間の抵抗値との抵抗比を変更する。これにより、可変分圧抵抗１５は、オペアンプ３０から送出された増幅電圧の値を温度勾配調整信号ＳＶＤＧＡに応じて調整したものを、ラインＬ７を介してスイッチ素子２４に供給する。尚、スイッチ素子２４の他端はラインＬ８を介してオペアンプ２２の非反転入力端子、スイッチ素子２３及び２７に接続されている。
【０１０１】
この際、かかる可変分圧抵抗１５による温度勾配の微調整は、図９に示す調整が終了した後、半導体集積チップの温度を変更してから実行する。すなわち、温度のを変更後に、図５に示す第２調整を行うのである。ただし、図５に示すステップＳ１０では、スイッチ素子２７をオフ状態に設定させるべきＴＥＳ１０を温度検出回路１Ａに供給する。
【０１０２】
尚、図６、図１０及び図１１に示される温度検出回路１Ａでは、ＢＧＲ電圧を生成する源となる素子としてＰＮ接合型のダイオード１１及び１２を用いているが、ＰＮ接合型のトランジスタを用いるようにしても良い。要するに、ＢＧＲ電圧を生成する源となる素子として、バンドギャップエネルギーの影響を受けるＰＮ接合型の半導体素子を用いれば良いのである。
【０１０３】
また、上記実施例では、温度検出信号ＳＥＮＳの調整を行うにあたり、図９のステップＳ３１において温度検出信号ＳＥＮＳの値を１．２ボルトに一致されるべき調整を行うようにしているが、１．１５〜１．２５ボルトの範囲内に収まるように調整するようにしても良い。
【符号の説明】
【０１０４】
１、１Ａ          温度検出回路
２、２Ａ          調整装置
１１、１２        ダイオード
１３、１４，２５  可変分圧抵抗
２０〜２２        オペアンプ
２３、２４、２７  スイッチ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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