(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒系に分散または溶解し、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド‐シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される化合物を含む接合用組成物層を介して第１の基板と第２の基板とを接合してなる積層体を提供し、
前記積層体を、前記接合用組成物層を軟化させるのに十分な温度に曝露し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを分離させることができるウエハの接合方法であって、
前記化合物は、
下記式（Ｉ）および下記式（II）の繰り返し単位を有するポリマーおよびオリゴマーから成る群の中から選択され、
さらに、前記化合物は、芳香族モノアミン、脂肪族モノアミン、脂環式モノアミンおよび無水フタル酸からなる群の中から選択される化合物に由来する末端封止基を有するウエハの接合方法。
式（Ｉ）：
【化１】
0005788173.tif 000036
［式中、Ｒは、
【化２】
0005788173.tif 000037
（式中、Ｒ１は、アルキル置換フェニル、
【化３】
0005788173.tif 000038
からなる群の中から選択される）からなる群の中から選択され、さらに、
Ｘは、フェニルスルホン、エーテル橋かけを有していてもよい芳香族化合物、脂肪族化合物、および、脂環式化合物からなる群の中から選択される。］
式（II）：
【化４】
0005788173.tif 000039
（式中、Ｚは、
【化５】
0005788173.tif 000040
からなる群の中から選択されるエーテル橋かけを有する部分である。）
【請求項２】
前記温度が少なくとも２００℃である請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項３】
前記分離が、前記第１の基板および前記第２の基板の一方に力を加え、前記第１の基板および第２の基板の他方は前記力に抗するようにさせることからなり、前記力を、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離するのに十分な量加える請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項４】
前記積層体は、前記第１の基板および前記第２の基板の両方を通りかつ前記第１の基板および前記第２の基板の接合面に対して垂直な軸方向を横断する方向において、前記第１の基板および前記第２の基板に前記力が加えられ、前記第１の基板および第２の基板がスライドして分離する請求項３に記載のウエハの接合方法。
【請求項５】
前記力を加えることが、前記第１の基板および前記第２の基板の一方を、前記第１の基板および前記第２の基板の他方から離れる方向に持ち上げることからなる請求項３に記載のウエハの接合方法。
【請求項６】
前記曝露の前に前記第１の基板および前記第２の基板のいずれか一方を薄くすることをさらに含む請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項７】
前記温度で曝露する前に、前記積層体に、裏面研削、金属被覆、パターニングおよびこれらの組み合わせからなる群の中から選択されるプロセスをおこなうことをさらに含む請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項８】
前記積層体を提供することが、
前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に接合用組成物を塗布し、
前記第１の基板および前記第２の基板を互いに接触させて前記第１の基板および前記第２の基板を接合することからなる請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項９】
前記塗布が、前記第１の基板および前記第２の基板の一方に前記接合用組成物をスピンコートすることからなる請求項８に記載のウエハの接合方法。
【請求項１０】
前記接触が、前記第１の基板および前記第２の基板を加圧することからなる請求項８に記載のウエハの接合方法。
【請求項１１】
前記第１の基板が、第１の面と、前記第１の面から離間しかつ少なくとも１つの活性領域および複数の凹凸を有する第２の面とを有し、前記接合用組成物層を前記第２の面に接合し、
前記第２の基板が、前記接合用組成物層に接合する接合面を有する請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項１２】
前記凹凸がそれぞれ、前記第１の基板の第１の面から離間した端部面を有し、前記端部面の少なくとも１つは、他の端部面よりも前記第１の基板の第１の面から離間しており、このより離間した端部面が、前記第１の面と実質的に平行な平面を規定し、
前記平面から前記第２の基板の接合面までの距離の変動が、前記平面および前記第２の基板の接合面の全域で１０％未満である請求項１１に記載のウエハの接合方法。
【請求項１３】
前記第１の基板が；
第１の面と、前記第１の面から離間した第２の面とを有し；
前記第２の面上に少なくとも１つの活性領域と複数の凹凸を有し；さらに
微小電気機械システム装置、表示装置、フレキシブル基板、化合物半導体、低ｋ誘電体層、誘電体層、イオン注入層、ならびにケイ素、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、ＳｉＧｅおよびこれらの混合物を含む基板（群）からなる群の中から選択される請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項１４】
前記第２の基板が、サファイア、セラミック、ガラス、石英、アルミニウム、およびケイ素からなる群の中から選択される材料からなる請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項１５】
前記式（Ｉ）中の前記Ｘが、アルキル置換フェニル、イソプロピリデンジフェニルおよびヘキサフルオロイソプロピリデンからなる群の中から選択される請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項１６】
前記末端封止基が、アルキル、
【化６】
0005788173.tif 000041
（式中、Ｒ４はアルキルであり、Ｒ５は脂環式基であり、ｋは０〜２０である）
からなる群の中から選択される請求項１に記載のウエハの接合方法。
【請求項１７】
背面および活性面を有し、前記活性面が少なくとも１つの活性領域と複数の凹凸を有する第１の基板と、
接合面を有する第２の基板と、
前記活性面および接合面に接合される接合用組成物層とを含み、
前記接合用組成物層は、溶媒系に分散または溶解し、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される化合物を含み、
前記化合物は、
下記式（Ｉ）および下記式（II）の繰り返し単位を有するポリマーおよびオリゴマーから成る群の中から選択され、
さらに、前記化合物は、芳香族モノアミン、脂肪族モノアミン、脂環式モノアミンおよび無水フタル酸からなる群の中から選択される化合物に由来する末端封止基を有する物品。
式（Ｉ）
【化７】
0005788173.tif 000042
［式中、Ｒは、
【化８】
0005788173.tif 000043
（式中、Ｒ１は、アルキル置換フェニル、
【化９】
0005788173.tif 000044
からなる群の中から選択される）からなる群の中から選択され、さらに、
Ｘは、フェニルスルホン、エーテル橋かけを有していてもよい芳香族化合物、脂肪族化合物、および、脂環式化合物からなる群の中から選択される。］
式（II）：
【化１０】
0005788173.tif 000045
（式中、Ｚは、
【化１１】
0005788173.tif 000046
からなる群の中から選択されるエーテル橋かけを有する部分である。）
【請求項１８】
前記凹凸がそれぞれ、前記第１の基板の背面から離間した端部面を有し、前記端部面の少なくとも１つは、他の端部面よりも前記第１の基板の背面から離間しており、このより離間した端部面が、前記第１の面と実質的に平行な平面を規定し、
前記平面から前記第２の基板の接合面までの距離の変動が、前記平面および前記第２の基板の接合面の全域で５％未満である請求項１７に記載の物品。
【請求項１９】
前記第１の基板が、微小電気機械システム装置、表示装置、フレキシブル基板、化合物半導体、低ｋ誘電体層、誘電体層、イオン注入層、ならびにケイ素、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、ＳｉＧｅおよびこれらの混合物を含む基板（群）からなる群の中から選択される請求項１７に記載の物品。
【請求項２０】
前記第２の基板が、サファイア、セラミック、ガラス、石英、アルミニウム、銀およびケイ素からなる群の中から選択される材料を含む請求項１７に記載の物品。
【請求項２１】
前記式（Ｉ）のＸが、アルキル置換フェニル、イソプロピリデンジフェニルおよびヘキサフルオロイソプロピリデンからなる群の中から選択される請求項１７に記載の物品。
【請求項２２】
前記末端封止基が、アルキル、
【化１２】
0005788173.tif 000047
（式中、Ｒ４はアルキルであり、Ｒ５は脂環式基であり、ｋは０〜２０である）
からなる群の中から選択される請求項１７に記載の物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（政府の資金提供）
本発明は、米国陸軍研究開発技術コマンドから受注した契約番号Ｗ９１１ＳＲ−０５−Ｃ−００１９に基づき政府の援助を受けてなされたものである。米国政府は本発明においてある程度の権利を有する。
【０００２】
（関連出願）
本出願は、「スライド法を用いたウエハの仮接合のための高温スピンオン（ｓｐｉｎ−ｏｎ）接合用組成物」と題する２００７年６月２５日出願の米国仮特許出願第６０／９４６，０７７号の優先権を主張するものであり、この仮特許出願は引用によって本明細書の一部を構成するものとする。
【０００３】
本発明は一般に、新規組成物、およびこの組成物を用いて、ウエハの薄型化やその他の処理中にキャリアウエハまたは基板にアクティブウエハを担持させることができる接合用組成物を生成する方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
熱を分散し、集積回路（ＩＣ）の電気的動作を助けるためにウエハ（基板）の薄型化が利用されている。厚みのある基板ではキャパシタンスが増加し、より太い伝送路が必要となるため、ＩＣの実装面積がより大きくなる。基板の薄型化はインピーダンスを増加させるが、キャパシタンスがインピーダンスを減少させるため、伝送路の太さが小さくなり、ＩＣ寸法も小さくなる。従って、基板の薄型化はＩＣの小型化を容易にする。
【０００５】
寸法形状の制限がさらに、基板の薄型化に拍車をかけている。正面側の接触を容易にするために、基板の裏面側でビアホールがエッチングされる。通常のドライエッチング技法を用いてビアホールを形成するために、寸法形状の制限が適用される。厚さ１００μｍ未満の基板では、許容時間内に、エッチング後に生じる残留物が最小限ですむドライエッチング法を用いて、直径３０〜７０μｍのビアホールが形成される。厚みのある基板では、より直径の大きいビアホールが必要となる。これにより、ドライエッチング時間が長くなり、エッチング後により多量の残留物が生じて、スループットが大幅に低下する。また、ビアホールが大きくなるとより多量の金属被覆が必要となり、コストが増大する。従って、裏面加工では、より迅速かつより低コストで薄型基板を加工することができる。
【０００６】
薄型基板はまた、より簡単にカット、スクライビングによりＩＣ化される。基板が薄くなると、貫通、切断される材料の量が少なくなるため、労力も減る。（鋸引き、スクライビングによる切断、レーザー切断の）いずれの方法を用いても、薄い基板の方がＩＣの切断が容易である。大半の半導体ウエハは、正面側の作業の後に薄型化される。取り扱いを容易にするために、ウエハ（即ち正面側のデバイス）は、通常のフルサイズの厚み、例えば６００〜７００μｍで処理される。処理が終了すれば、１００〜１５０μｍの厚さまで薄くされる。場合によっては、（例えば高出力装置用にヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）のようなハイブリッド基板を使用すると）、厚さを２５μｍまで小さくすることができる。
【０００７】
基板の機械的薄型化は、液体スラリーを含む、硬質で平坦な回転式水平プラッターとウエハ表面を接触させて行われる。スラリーは、アンモニア、フッ化物またはそれらの組み合わせといった化学エッチング液と共に、研磨媒体を含んでいてもよい。研磨剤は、基板を「粗く」除去し、即ち薄くし、エッチング液化学はサブミクロンレベルでの「研磨」を容易にする。ある量の基板を除去して目標の厚さに達するまで、ウエハを媒体と接触したままにする。
【０００８】
ウエハ厚さが３００μｍ以上の場合、真空チャックまたは機械取付手段を用いる工具で、ウエハを所定位置に保持する。ウエハ厚さが減少して３００μｍ未満になると、さらなる薄型化や処理中のウエハの取付や取り扱いに関して制御を維持するのが困難または不可能になる。場合によっては、薄型化したウエハに機械装置を取り付けてその状態を保持してもよいが、特にプロセスが変わるとウエハは多くの問題を生じる。このため、ウエハ（「アクティブ」ウエハ）は別個の硬質（キャリア）基板またはウエハに装着される。この基板は、さらなる薄型化や薄型化後の処理のための保持台になる。キャリア基板は、サファイア、石英、ある種のガラス、ケイ素等の材料からなり、通常１０００μｍの厚さを有する。基板の選択は、各材料間で熱膨張率（ＣＴＥ）がどれほど一致するかによって決まる。
【０００９】
アクティブウエハをキャリア基板に装着するために使用されている方法は、硬化した接合用組成物を使用することからなる。この方法の重大な欠点は、通常溶媒に溶解することで組成物を化学的に除去しなければならないことである。これは非常に時間がかかるため、スループットが低下する。さらには、溶媒を使用することで、コストが増大し、プロセスが複雑になる。接合用組成物を溶解するために必要な溶媒によっては、危険なこともある。
【００１０】
アクティブウエハをキャリア基板に装着する他の方法は、熱剥離（ｔｈｅｒｍａｌ  ｒｅｌｅａｓｅ）接着テープを介在させることである。この方法には２つの重大な欠点がある。第一に、テープは、アクティブウエハとキャリア基板との界面全域で厚さの均一性に欠け、このように均一性が不十分であると、超薄型ウエハを取り扱うには適さないことがある。第二に、熱剥離接着剤は非常に低温で軟化するため、ウエハとキャリア基板との接合体は、さらに高温で行われる多くの通常のウエハ処理工程に耐えることができない。
【００１１】
高い処理温度に耐えることができ、かつプロセスの適切な段階でウエハと基板とを素早く分離させることができる、新規組成物およびアクティブウエハのキャリア基板への接着方法が必要である。
【発明の開示】
【００１２】
本発明は一般に、第１の基板および第２の基板を接合用組成物層を介して接合してなる積層体を提供することからなるウエハの接合方法を提供することで、従来技術の問題を克服する。上記層は、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される、オリゴマーまたはポリマー化合物からなる。上記積層体は、接合層を軟化させるのに十分高い温度にさらされて、第１の基板と第２の基板は分離する。
【００１３】
本発明はさらに、第１の基板および第２の基板を有する物品を提供する。上記第１の基板は、背面および活性面を有し、該活性面は少なくとも１つの活性部位と複数の凹凸（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｉｃａｌ  ｆｅａｔｕｒｅｓ）を有する。上記第２の基板は接合面を有し、接合層は活性面および接合面に接合される。接合層は、イミド、アミドイミド、およびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択されるオリゴマーおよびポリマーからなる。
【００１４】
別の実施形態では、本発明は、（Ｉ）：
【化１】
0005788173.tif 000002
［式中、
Ｒは、
【化２】
0005788173.tif 000003
（式中、Ｒ１は、アルキル置換フェニル、
【化３】
0005788173.tif 000004
からなる群の中から選択される）からなる群の中から選択され、
Ｘは、フェニルスルホン、芳香族化合物、脂肪族化合物、脂環式化合物、および
【化４】
0005788173.tif 000005
（式中、Ｚはシロキサンおよびエーテル橋かけを有する部分からなる群の中から選択される）からなる群の中から選択される］からなる群の中から選択される式で表されるポリマーもしくはオリゴマー（または上記ポリマーもしくはオリゴマーを溶媒系に溶解または分散した組成物）に関する。上記化合物はさらに、芳香族モノアミン、脂肪族モノアミン、脂環式モノアミンおよび無水フタル酸からなる群の中から選択される化合物に由来する末端封止基（ｅｎｄｃａｐ  ｇｒｏｕｐ）を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明に基づいて２枚のウエハを薄くして剥離する方法を示す。
【図２】図２は、実施例で従う通常のプロセス工程を示すフローチャートである。
【図３】図３は、本発明における接合用組成物のレオロジー解析結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
さらに詳細に言えば、本発明の組成物は、化合物を溶媒系に分散または溶解したものである。この化合物はポリマーであってもオリゴマーであってもよく、組成物中の固形分総重量を１００重量％として、好ましくは約１重量％〜約７０重量％、より好ましくは約５重量％〜約５０重量％、さらに好ましくは約１５重量％〜約４０重量％のレベルで組成物中に存在する。
【００１７】
上記の好ましいポリマーまたはオリゴマー化合物は熱可塑性であり、好ましくは約３０００ダルトン〜約３０００００ダルトン、より好ましくは約６０００ダルトン〜約５００００ダルトンの重量平均分子量を有する。好ましい化合物は、（溶融粘度３０００Ｐａ・ｓで）好ましくは少なくとも約１５０℃、より好ましくは少なくとも約２００℃、さらに好ましくは約２００℃〜約２５０℃の軟化温度を有する。
【００１８】
好ましい化合物は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、キシレン、ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、およびこれらの混合物のような溶媒中、室温で約１〜２４時間放置すると、少なくとも約９５重量％、好ましくは少なくとも約９８重量％、さらに好ましくは約１００重量％が溶解する。
【００１９】
本発明で有用な好ましい化合物としては、イミド、アミドイミド、アミドイミド−シロキサンのオリゴマーおよびポリマー、ならびにこれらの混合物からなる群の中から選択されるものが含まれる。
【００２０】
一実施形態において、このような好ましい化合物は、式（Ｉ）：
【化５】
0005788173.tif 000006
［式中、Ｒは、
【化６】
0005788173.tif 000007
（式中、Ｒ１は、アルキル置換フェニル、
【化７】
0005788173.tif 000008
からなる群の中から選択される）からなる群の中から選択される］で表される。
【００２１】
本発明で使用する好ましいアルキル置換フェニルは、Ｃ１−Ｃ６アルキル置換フェニルである。アルキル置換フェニルの特に好ましい例としては、
【化８】
0005788173.tif 000009
からなる群の中から選択されるものが挙げられる。
【００２２】
上記式（Ｉ）中、Ｘは、フェニルスルホン、（好ましくはＣ６−Ｃ６０、より好ましくはＣ６−Ｃ３０、さらに好ましくはＣ６−Ｃ２４の）芳香族化合物、（好ましくはＣ２−Ｃ１５、より好ましくはＣ２−Ｃ１０、さらに好ましくはＣ２−Ｃ６の）脂肪族化合物、および（好ましくはＣ４−Ｃ６０、より好ましくはＣ４−Ｃ２０、さらに好ましくはＣ４−Ｃ１２の）脂環式化合物からなる群の中から選択される。
【００２３】
一実施形態において、Ｘは上述の芳香族基であっても、脂肪族基であっても、脂環式基であってもよい。他の実施形態では、Ｘは（以下Ｚに関して論じるような）エーテル橋かけを有する芳香族基、またはメタ位に連結基および／もしくは−ＮＨ２基を有する芳香族基を含み得る。
【００２４】
特に好ましいＸ基は、（上述したような）アルキル置換フェニル、イソプロピリデンジフェニル、およびヘキサフルオロイソプロピリデンからなる群の中から選択される。
【００２５】
他の実施形態では、このような好ましい化合物は、式（ＩＩ）：
【化９】
0005788173.tif 000010
（式中、Ｚは、シロキサン、およびエーテル橋かけを有する部分からなる群の中から選択される）で表される。Ｚがシロキサンの実施形態では、好ましいシロキサンは、式：
【化１０】
0005788173.tif 000011
［式中、
各Ｒ３は個々に、水素、（好ましくはＣ１−Ｃ１０、より好ましくはＣ１−Ｃ２の）アルキル、およびフェニルからなる群の中から選択され、
ｍは１〜６であり、
ｐは１〜５０、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０である］で表される。
【００２６】
エーテル橋かけを有する好ましい部分は、
【化１１】
0005788173.tif 000012
からなる群の中から選択される。
【００２７】
式（Ｉ）の実施形態または式（ＩＩ）の実施形態において、ポリマーまたはオリゴマーがさらに末端封止基を有することが好ましい。好ましい末端封止基は、芳香族モノアミン、脂肪族モノアミン、脂環式モノアミンおよび無水フタル酸からなる群の中から選択される化合物に由来する。特に好ましい末端封止基は、（好ましくはＣ１−Ｃ１５、より好ましくはＣ１−Ｃ１０、さらに好ましくはＣ１−Ｃ６の）アルキル、
【化１２】
0005788173.tif 000013
［式中、
Ｒ４は、（好ましくはＣ１−Ｃ１５、より好ましくはＣ１−Ｃ１０、さらに好ましくはＣ１−Ｃ６の）アルキルであり、
Ｒ５は、（好ましくはＣ３−Ｃ１２、より好ましくはＣ５−Ｃ６の）脂環式基であり、
ｋは０〜２０、好ましくは０〜１０、より好ましくは０〜５である］からなる群の中から選択される式を有する。
【００２８】
上記組成物は、組成物の総重量を１００重量％として、少なくとも約３０重量％の溶媒系、好ましくは約５０重量％〜約９０重量％の溶媒系、より好ましくは約６０重量％〜約９０重量％の溶媒系、さらに好ましくは約７０重量％〜約９０重量％の溶媒系を有する。溶媒系は、約１００〜２５０℃、好ましくは１２０〜２２０℃の沸点を有するべきである。
【００２９】
好適な溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、キシレン、ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、およびこれらの混合物からなる群の中から選択されるものが挙げられる。
【００３０】
組成物中の総固形分量は、組成物の総重量を１００重量％として、少なくとも約１０重量％、好ましくは約１０重量％〜約４０重量％、より好ましくは約１０重量％〜約３０重量％とすべきである。
【００３１】
他の実施形態において、上記組成物は、界面活性剤、接着促進剤、可塑剤および／または酸化防止剤を含む幾つかの任意成分を含んでいてもよい。
【００３２】
界面活性剤を使用する場合、界面活性剤は、組成物中の固形分総重量を１００重量％として、好ましくは約０．１重量％〜約３重量％、より好ましくは約０．１重量％〜約１重量％のレベルで組成物中に存在する。好適な界面活性剤の例としては、アルコールエトキシレート、例えば（Ｔｒｉｔｏｎ（登録商標）Ｘ−１００の商品名で市販されている）オクチルフェノールエトキシレートが挙げられる。
【００３３】
接着促進剤を使用する場合、接着促進剤は、組成物中の固形分総重量を１００重量％として、約０．１重量％〜約３重量％、好ましくは約０．１重量％〜約１重量％のレベルで組成物中に存在することが好ましい。好適な接着促進剤の例としては、ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、アミノプロピルトリ（アルコキシシラン）（例えばアミノプロピルトリ（メトキシシラン）、アミノプロピルトリ（エトキシシラン）、−フェニルアミノプロピルトリ（エトキシシラン））、およびその他のシランカップリング剤からなる群の中から選択されるものが挙げられる。
【００３４】
酸化防止剤を使用する場合、酸化防止剤は、組成物中の固形分総重量を１００重量％として、好ましくは約０．０１重量％〜約３重量％、より好ましくは約０．０１重量％〜約１．５重量％、さらに好ましくは約０．０１重量％〜約０．１重量％のレベルで組成物中に存在する。好適な酸化防止剤の例としては、フェノール系酸化防止剤（例えばＣｉｂａ社からＩｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０の商品名で市販されているペンタエリスリトールテトラキス（３−（３，５−ジ−タート−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、およびホスファイト系酸化防止剤（例えばＣｉｂａ社からＩｒｇａｆｏｓ（登録商標）１６８の商品名で市販されているトリス（２，４−ジタート−ブチルフェニル）ホスファイト）からなる群の中から選択されるものが挙げられる。
【００３５】
上記成分は、溶媒系で化合物と簡単に混合することができる。最終組成物は熱可塑性（即ち非架橋性）であるべきである。従って、組成物は、架橋剤を実質的に含まない（即ち含有量は約０．１重量％未満、好ましくは約０重量％である）。
【００３６】
最終組成物の溶融粘度は、好ましくは約２００Ｐａ・Ｓ未満、より好ましくは約１００Ｐａ・Ｓ未満、さらに好ましくは約１０Ｐａ・Ｓ〜約５０Ｐａ・Ｓである。上記測定のために、動的レオロジー解析（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ−２０００、直径２５ｍｍの平行板が２枚配置されている）で溶融粘度を調べる。さらに、この溶融粘度は３００〜３５０℃で計測し、組成物の損失は好ましくは約３重量％未満、より好ましくは約２重量％未満である。換言すれば、熱重量分析（ＴＧＡ）から分かるように、この温度の組成物では、熱分解はほとんどまたは全く起きない。
【００３７】
組成物は、最初にキャリア基板およびアクティブウエハのいずれに塗布してもよいが、最初にアクティブウエハに塗布することが好ましい。好ましい塗布方法は、約３００〜３５００ｒｐｍ（より好ましくは約５００〜１５００ｒｐｍ）の回転速度、約５００〜１５０００ｒｐｍ／秒の加速度で約３０〜３００秒の回転時間、組成物をスピンコートすることからなる。塗布工程は当然、特定の厚さを得るために変更することができる。
【００３８】
塗布後、基板を（例えばホットプレートで）焼成して、溶媒を蒸発させることができる。通常の焼成は、約８０〜２７５℃、好ましくは約１５０〜２２５℃の温度で約２〜１５分間、より好ましくは約３〜１０分間行う。焼成後の（凹凸（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）上の）膜厚は通常、少なくとも約５μｍであり、より好ましくは約５〜５０μｍである。
【００３９】
焼成後、所望のキャリアウエハを本発明の組成物の層に接触させ、押圧する。約１５０〜３００℃、好ましくは約１８０〜３００℃の温度で加熱して、キャリアウエハを本発明の組成物に接着させる。上記加熱は、真空下で約１〜１０分間、約１〜約１５ｋＮの結合力を加えて行うのが好ましい。
【００４０】
図１（ａ）は、アクティブウエハ１２とキャリアウエハまたは基板１４とを有する積層体１０の一例を示す。アクティブウエハ１２は、背面１６および活性面１８を有する。活性面１８は、１つ以上の活性部位（図示せず）および例えば参照符号２０ａ〜２０ｄに示すような複数の凹凸（突き出た部分または線状部、および穴、溝もしくは空隙）を有し得る。凸部２０ｄは、活性面１８上で「最も高い」凸部を示す。即ち、端部または面２１は、ウエハ１２の他の凹凸のそれぞれの端部よりもウエハ１２の背面１６から離れている。
【００４１】
通常のアクティブウエハ１２はマイクロエレクトロニクス基板を含み得る。可能なアクティブウエハ１２の例としては、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置、表示装置、フレキシブル基板（例えば硬化エポキシ基板、地図作成に使用できるロールアップ（ｒｏｌｌ−ｕｐ）基板）、化合物半導体、低ｋ誘電体層、誘電体層（例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素）、イオン注入層、ならびにケイ素、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、ＳｉＧｅおよびこれらの混合物からなる基板からなる群の中から選択されるものが含まれる。
【００４２】
キャリア基板１４は接合面２２を有する。通常のキャリア基板１４は、サファイア、セラミック、ガラス、石英、アルミニウム、銀、およびケイ素からなる群の中から選択される材料を含んでいる。
【００４３】
接合用組成物層２４を介してウエハ１２とキャリア基板１４とを接合する。接合層２４は上述したポリマー組成物からなり、同じく上述したように塗布乾燥させる。図１（ａ）に示すように、接合層２４は、ウエハ１２の活性面１８および基板１４の接合面２２に接合させる。従来技術のテープとは異なり、接合層２４は、その厚み全域で材料が均一（化学的に同じ）である。換言すれば、接合層２４全体が同一の組成物からなる。
【００４４】
接合層２４はスピンコーティングにより活性面１８に塗布することができるので、接合用組成物は当然、様々な凹凸を被覆する。さらに、接合層２４は、活性面１８の凹凸上に均一な層を形成する。この点を説明するために、図１は、端部２１を通り、背面１６と実質的に平行な面を破線２６で示している。この面から接合面２２までの距離を厚さ「Ｔ」で表す。面２６および基板１４の長さ全域での厚さ「Ｔ」の変動率は、約８％未満、好ましくは約５％未満、より好ましくは約２％未満、さらに好ましくは約１％未満である。
【００４５】
次いで、ウエハパッケージで、図１（ｂ）に示すような基板のその後の薄型化（またはその他の処理）を行うことができる。図１（ｂ）では、薄くしたウエハ１２を１２’で示す。当然ながら、基板を約１００μｍ未満、好ましくは約５０μｍ未満、より好ましくは約２５μｍ未満の厚さまで薄くすることができる。薄くした後に、エッチングを介したフォトリソグラフィー、および金属被覆を含む通常の背面処理を行ってもよい。
【００４６】
好適には、本発明の組成物の乾燥した層は、幾つかの非常に望ましい特性を有する。例えば、真空エッチングプロセスで低い脱ガス性を示す。即ち、本組成物の１５μｍ厚さの膜を２００℃で２分間焼成すると溶媒が組成物から放出され、その後２００℃で６０分間焼成すると膜厚変化が約５％未満、好ましくは約２％未満、より好ましくは約１％未満、さらには０％になる（「膜収縮試験」と称する）。従って、層に物理的変化が起きることも、化学反応が起きることもなく、乾燥した層を、約１９０℃以下、好ましくは約２００℃以下、より好ましくは約２２０℃以下、さらに好ましくは約２４０℃以下の温度に加熱することができる。例えば、層は、上記温度より低温では軟化しない。ある実施形態では、層を反応させずに極性溶媒（例えばＰＧＭＥ）に８５℃の温度で９０分間さらすこともできる。
【００４７】
酸にさらしても塩基にさらしても、乾燥した層の接合完全性を維持することができる。即ち、接合完全性を維持しつつ、厚さ約１５μｍの組成物の乾燥した層を酸性媒体（例えば濃硫酸）または塩基（例えば約３０重量％のＫＯＨ）に８５℃で約４５分間浸漬することができる。接合完全性は、ガラス製キャリア基板を使用し、ガラス製キャリア基板を通して接合用組成物層を肉眼で観察して気泡、空隙等をチェックすることで評価することができる。また、アクティブウエハとキャリア基板とを手で分離できなければ、接合完全性は維持される。
【００４８】
所望する処理を行った後に、少なくとも約２００℃、好ましくは少なくとも約２２５℃、より好ましくは約２５０℃〜約３５０℃の温度に加熱して、アクティブウエハまたは基板をキャリア基板から分離することができる。これらの温度範囲は、接合用組成物層の好ましい軟化点を示す。この加熱により、接合用組成物層は軟化し、図１（ｃ）に示すような軟化した接合用組成物層２４’が形成される。図１（ｃ）の時点で２つの基板をスライドさせて分離することができる。図１（ｃ）はさらに軸２８を示す。この軸はウエハ１２および基板１４の両方を通り、軸２８に対し略横断方向に滑動力が加えられる。あるいは、スライドさせる必要はなく、代わりにウエハ１２または基板１４を上方に（即ち、ウエハ１２または基板１４の動かさない方からほぼ離れる方向に）持ち上げて、ウエハ１２を基板１４と分離することができる。
【００４９】
勿論、単にウエハ１２または基板１４の一方をスライドさせかつ／または持ち上げ、他方は滑動力または持ち上げ力に抗するように実質的に動かない位置で維持することで、（例えばウエハ１２と基板１４に相反する滑動力を同時に加えることで）分離作業を行うことができる。上記全て通常の装置を用いて行うことができる。
【００５０】
装置の領域に残っている接合用組成物は、乾燥前は組成物の一部であった元の溶媒を用いて、またキシレン、ＮＭＰおよびジメチルスルホキシドのような溶媒を用いて簡単に除去することができる。後に残った組成物は、溶媒に５〜１５分間さらすと完全に（少なくとも約９８％、好ましくは少なくとも約９９％、より好ましくは約１００％）溶解する。プラズマエッチングを単独でまたは溶媒除去プロセスと組み合わせて用いて、残った接合用組成物を除去することも許容できる。この工程の後に、接合用組成物のないきれいなウエハ１２’およびキャリア基板１４（きれいな状態は図示せず）が残る。
【実施例】
【００５１】
以下の実施例で本発明の好ましい方法を説明する。しかしながら、これらの実施例は例示するためのものであり、本発明の全範囲において限定するものではない。
【００５２】
（実施例１）
２，６−ジメチルアニリンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−１，３−フェニレンジアミンオリゴマー
この手順では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（ＢＰＡＤＡ、５７．２５ｇ、０．０１１ｍｏｌ）、ｍ−フェニレンジアミン（１０．８１ｇ、０．０１ｍｏｌ）および２，６−ジメチルアニリン（２．４２ｇ、０．０２ｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、ＢＰＡＤＡの最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られたアミド酸溶液にキシレン（３８．１７ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたイミド溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００５３】
【化１３】
0005788173.tif 000014
【００５４】
（実施例２）
ｎ−ブチルアミンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−１，３−フェニレンジアミンオリゴマー
この実施例では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（５７．２５ｇ、０．０１１ｍｏｌ）、ｍ−フェニレンジアミン（１０．８１ｇ、０．０１ｍｏｌ）およびｎ−ブチルアミン（１．４６ｇ、０．０２ｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、ＢＰＡＤＡの最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。この段階の後、得られたポリアミド酸溶液にキシレン（３８．１７ｇ）を添加し、窒素パージしつつ１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化した。
【００５５】
【化１４】
0005788173.tif 000015
【００５６】
（実施例３）
２，６−ジメチルアニリンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−Ｏ−トリジンオリゴマー
この手順では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（５７．２５ｇ、０．０１１ｍｏｌ）、Ｏ−トリジン（２１．２２９ｇ、０．０１ｍｏｌ）および２，６−ジメチルアニリン（２．４２ｇ、０．０２ｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、ＢＰＡＤＡの最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られたアミド酸溶液にキシレン（３８．１７ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたイミド溶液を適当な速度でスピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００５７】
【化１５】
0005788173.tif 000016
【００５８】
（実施例４）
２，６−ジメチルアニリンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−１，３−フェニレンジアミン−ｃｏ−２−メチル−１，５−ペンタンジアミンオリゴマー
この実施例では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（５７．２５ｇ、０．０１１ｍｏｌ）、ｍ−フェニレンジアミン（７．５７ｇ、０．００７ｍｏｌ）、２−メチル−１，５−ペンタンジアミン（０．３４８ｇ、０．００３ｍｏｌ、Ｉｎｖｉｓｔａ社からＤＹＴＥＫ−Ａの商品名で市販されている）および２，６−ジメチルアニリン（２．４２ｇ、０．０２ｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、ＢＰＡＤＡの最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られたアミド酸溶液にキシレン（３８．１７ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたイミド溶液を適当な速度でスピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００５９】
【化１６】
0005788173.tif 000017
【００６０】
（実施例５）
無水フタル酸を末端に有する無水トリメリット酸クロリド−ｃｏ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン−ｃｏ−ビスフェノールＡ二無水物オリゴマー
この手順では、無水トリメリット酸クロリド（０．４４７ｇ、２．１２ｍｍｏｌ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（２．０ｇ、４．８７ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（０．２５７ｇ、２．５４ｍｍｏｌ）を０〜５℃のＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、全モノマーの総量に対して１５重量％の濃度にした。この溶液を不活性雰囲気下、０〜５℃で２時間攪拌した。次いで、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（１．１０５ｇ、２．１２ｍｍｏｌ）、無水フタル酸（０．１９９ｇ、１．３４ｍｍｏｌ）およびさらにＮ−メチル−２−ピロリドンを添加して、最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で２０時間攪拌した。得られた沈殿物（塩化トリエチルアミン）を濾去し、アミド酸溶液にキシレン（２．５ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。ポリマーの構造を以下に示す。得られたアミド−イミド溶液を適当な速度でスピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００６１】
【化１７】
0005788173.tif 000018
【００６２】
（実施例６）
無水フタル酸を末端に有する無水トリメリット酸クロリド−ｃｏ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンオリゴマー
この実施例では、無水トリメリット酸クロリド（１．０ｇ、４．７ｍｍｏｌ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（２．４６４ｇ、６．０ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（０．５７１ｇ、５．６４ｍｍｏｌ）を０〜５℃のＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、０〜５℃で１時間攪拌した。無水フタル酸（０．４３９ｇ、２．９６ｍｍｏｌ）およびさらにＮ−メチル−２−ピロリドンを添加して、最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で２０時間攪拌した。得られた沈殿物（塩化トリエチルアミン）を濾去し、アミド酸溶液にキシレン（２．６ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたアミド−イミド溶液を適当な速度でスピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００６３】
【化１８】
0005788173.tif 000019
【００６４】
（実施例７）
無水フタル酸を末端に有する無水トリメリット酸クロリド−ｃｏ−１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンオリゴマー
この手順では、無水トリメリット酸クロリド（０．６９ｇ、３．２８ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＣＨＲＩＳＫＥＶ社からＡＰＢ−１３３の商品名で市販されている、１．０ｇ、３．４２ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（０．３９８ｇ、３．９３ｍｍｏｌ）を０〜５℃のＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、０〜５℃で１時間攪拌した。無水フタル酸（０．０４２７ｇ、０．２９ｍｍｏｌ）およびさらにＮ−メチル−２−ピロリドンを添加して、最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で２０時間攪拌した。得られた沈殿物（塩化トリエチルアミン）を濾去し、アミド酸溶液にキシレン（１．２９ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたアミド−イミド溶液を適当な速度でスピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００６５】
【化１９】
0005788173.tif 000020
【００６６】
（実施例８）
無水フタル酸を末端に有する、アミドで封止された（Ａｍｉｄｅ  Ｃａｐｐｅｄ）ジシロキサン−ｃｏ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン−ｃｏ−無水トリメリット酸クロリドオリゴマー
この手順では、無水トリメリット酸クロリド（１．１４９ｇ、５．４６ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（０．２２６ｇ、０．９１ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（０．６６３ｇ、６．５５ｍｍｏｌ）を０〜５℃のＮ−メチル−２−ピロリドン／ＴＨＦ共溶媒（７０／３０容量％）に溶解して、濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、０〜５℃で１２時間攪拌した。次いで、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（２．０ｇ、４．８７ｍｍｏｌ）、無水フタル酸（０．１０８ｇ、０．７２９ｍｍｏｌ）、およびさらにＮ−メチル−２−ピロリドンを添加して、最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られた沈殿物（塩化トリエチルアミン）を濾去し、アミド酸溶液にキシレン（２．３ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたアミド−イミド−シロキサン溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００６７】
【化２０】
0005788173.tif 000021
【００６８】
（実施例９）
無水フタル酸を末端に有する、アミドで封止されたジシロキサン−ｃｏ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン−ｃｏ−ビスフェノールＡ二無水物オリゴマー
この手順では、無水トリメリット酸クロリド（０．３７２ｇ、１．７７ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（０．２２０ｇ、０．８９ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（０．２１５ｇ、２．１２ｍｍｏｌ）を０〜５℃のＮ−メチル−２−ピロリドン／ＴＨＦ共溶媒（７０／３０容量％）に溶解して、濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、０〜５℃で１２時間攪拌した。次いで、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（２．０ｇ、４．８７ｍｍｏｌ）、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（１．８４０ｇ、３．５４ｍｍｏｌ）、無水フタル酸（０．１４１ｇ、０．９５ｍｍｏｌ）およびさらにＮ−メチル−２−ピロリドンを添加して、最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られた沈殿物（塩化トリエチルアミン）を濾去し、アミド酸溶液にキシレン（３．０ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたアミド−イミド−シロキサン溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００６９】
【化２１】
0005788173.tif 000022
【００７０】
（実施例１０）
無水フタル酸を末端に有する、アミドで封止されたポリジシロキサン−ｃｏ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン−ｃｏ−無水トリメリット酸クロリドオリゴマー
この実施例では、無水トリメリット酸クロリド（１．０８０ｇ、５．１３ｍｍｏｌ）、アミノプロピル末端ポリジメチルシロキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社からの市販品、０．４２０ｇ、０．４７ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（０．６２３ｇ、６．１５ｍｍｏｌ）を０〜５℃のＮ−メチル−２−ピロリドン／ＴＨＦ共溶媒（７０／３０容量％）に溶解して、濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、０〜５℃で１２時間攪拌した。次いで、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（２．０ｇ、４．８７ｍｍｏｌ）、無水フタル酸（０．０６３ｇ、０．４２５ｍｍｏｌ）およびさらにＮ−メチル−２−ピロリドンを添加して、最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られた沈殿物（塩化トリエチルアミン）を濾去し、アミド酸溶液にキシレン（２．４ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたアミド−イミド−シロキサン溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００７１】
【化２２】
0005788173.tif 000023
【００７２】
（実施例１１）
塗布、接合、および剥離
実施例１〜１０の配合物を様々な基板ウエハにスピンコートした。焼成して溶媒を蒸発させた後、配合物を塗布した各ウエハに第２のウエハを加圧下で接合した。これらの接着剤を用いたウエハの仮接合の通常の手順を図２に示す。接合したウエハで、機械的強度、熱安定性、および耐薬品性をテストした。これらのウエハを許容可能な温度にて手でスライドさせて剥離性をテストした。
【００７３】
（実施例１２）
ポリイミド接着剤の分析
実施例１および３の組成物の粘度、軟化点およびＴｇを表１に示す。これら全ての材料は剥離試験に成功した。これら４つの組成物でさらに熱安定性および耐薬品性を調べた。これらの組成物は全て、少なくとも３５０℃以下という必要な熱安定性を有し、最小限のガス放出を示した（＜０．５重量％）。
【００７４】
【表１】
0005788173.tif 000024
【００７５】
（実施例１３）
ポリアミドイミド接着剤の分析
実施例５〜７のアミドイミドポリマー組成物は、エーテル結合またはアルカン結合を有する芳香族アミンを有する。結果として、上記材料は軟化点、ガラス転移温度、溶融粘度が低い。上記実施例の材料のレオロジーデータを図３に示す。上記実施例の粘度、軟化点、およびＴｇを表２に示す。これら全ての材料は、剥離試験に成功した。これらの組成物でさらに熱安定性および耐薬品性を調べた。これらの組成物は全て、少なくとも３５０℃以下という必要な熱安定性を有し、最小限のガス放出を示した（＜０．５重量％）。
【００７６】
【表２】
0005788173.tif 000025
【００７７】
（実施例１４）
ポリ（アミドイミド−シロキサン）接着剤の分析
実施例８〜１０のアミドイミド−シロキサンポリマー組成物は、分子間または分子内で水素結合を形成するアミド基で封止されたシロキサン単位を含む。結果として、シロキサン単位は相転移から隔離され、相分離を導入することはできない。この効果を以下に示す。上記実施例の粘度、軟化点、およびＴｇを表３に示す。これらの材料は全て、剥離試験に成功した。これらの組成物でさらに熱安定性および耐薬品性を調べた。これらの組成物は全て、少なくとも３５０℃以下という必要な熱安定性を有し、最小限のガス放出を示した（＜０．５重量％）。
【００７８】
【化２３】
0005788173.tif 000026
【００７９】
【表３】
0005788173.tif 000027
【００８０】
（実施例１５）
無水フタル酸を末端に有する無水トリメリット酸クロリド−ｃｏ−２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン−ｃｏ−ビスフェノールＡ二無水物オリゴマー
無水トリメリット酸クロリド（２．２４５ｇ、１０．６６ｍｍｏｌ）、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（１０．０ｇ、２３．１２ｍｍｏｌ）、およびトリエチルアミン（１．２９４ｇ、１２．７９ｍｍｏｌ）を０〜５℃のＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、０〜５℃で１時間攪拌した。ビスフェノールＡ二無水物（５．５５０ｇ、１０．６６ｍｍｏｌ）、無水フタル酸（０．５５５ｇ、３．７４ｍｍｏｌ）およびさらにＮ−メチル−２−ピロリドンを添加して、最終濃度を１５重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で２０時間攪拌した。得られた沈殿物（塩化トリエチルアミン）を濾去し、アミド酸溶液にキシレン（６．２ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたアミド−イミド溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００８１】
【化２４】
0005788173.tif 000028
【００８２】
（実施例１６）
シクロヘキシルアミンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホンオリゴマー
この手順では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（１０．６２４ｇ、２０．４０ｍｍｏｌ）、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（８．０ｇ、１８．５ｍｍｏｌ）、およびシクロヘキシルアミン（０．３９９ｇ、４．０ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、最終濃度を１０重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られたアミド酸溶液にキシレン（１２．０ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたイミド溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００８３】
【化２５】
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【００８４】
（実施例１７）
２，６−ジメチルアニリンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−２，４，６−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン−ｃｏ−２−メチル−１，５−ペンタンジアミンオリゴマー
この実施例では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（２０．０ｇ、３８．４３ｍｍｏｌ）、２，４，６−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン（０．８１１ｇ、５．４０ｍｍｏｌ）、２−メチル−１，５−ペンタンジアミン（Ｉｎｖｉｓｔａ社からＤｙｔｅｋ−Ａの商品名で市販されている、３．５５６ｇ、３０．６０ｍｍｏｌ）、および２，６−ジメチルアニリン（０．６０９ｇ、５．０３ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、最終濃度を１０重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られたアミド酸溶液にキシレン（１６．６ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたイミド溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００８５】
【化２６】
0005788173.tif 000030
【００８６】
（実施例１８）
シクロヘキシルアミンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−３，３’−ジアミノジフェニルスルホン−ｃｏ−２−メチル−１，５−ペンタンジアミンオリゴマー
この手順では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（１０．０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン（２．２２０ｇ、８．９ｍｍｏｌ）、２−メチル−１，５−ペンタンジアミン（Ｉｎｖｉｓｔａ社からＤｙｔｅｋ−Ａの商品名で市販されている、１．０３９ｇ、８．９ｍｍｏｌ）、およびシクロヘキシルアミン（０．２７３ｇ、２．８ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、最終濃度を１０重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られたアミド酸溶液にキシレン（９．０ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたイミド溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００８７】
【化２７】
0005788173.tif 000031
【００８８】
（実施例１９）
シクロヘキシルアミンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−２，４，６−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン−ｃｏ−１，２−ジアミノシクロヘキサンオリゴマー
この実施例では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（１０．０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、２，４，６−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン（０．６６３ｇ、４．４２ｍｍｏｌ）、１，２−ジアミノシクロヘキサン（１．５１４ｇ、１３．２６ｍｍｏｌ）、およびシクロヘキシルアミン（０．３１７ｇ、３．２ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、最終濃度を１０重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られたアミド酸溶液にキシレン（８．３ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたイミド溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００８９】
【化２８】
0005788173.tif 000032
【００９０】
（実施例２０）
シクロヘキシルアミンを末端に有するビスフェノールＡ二無水物−ｃｏ−２，４，６−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン−ｃｏ−４，４’−メチレン−ビス−シクロヘキシルアミンオリゴマー
この手順では、４，４’−ビスフェノールＡ二無水物（１０．０ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、２，４，６−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン（０．６５７ｇ、４．３８ｍｍｏｌ）、４，４’−メチレン−ビス−シクロヘキシルアミン（２．７６２ｇ、１３．１３ｍｍｏｌ）、およびシクロヘキシルアミン（０．３５５ｇ、３．５８ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して、最終濃度を１０重量％にした。この溶液を不活性雰囲気下、室温で１２時間攪拌した。得られたアミド酸溶液にキシレン（９．２ｇ）を添加して共沸溶液を生成し、この溶液を１８０℃でさらに１２時間加熱してイミド化する間に水を除去した。得られたイミド溶液を１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして、空隙のない均質な膜を形成した。
【００９１】
【化２９】
0005788173.tif 000033
【００９２】
（実施例２１）
実施例１５、１６、１９および２０の組成物の粘度、軟化点およびＴｇを表４に示し、実施例１７〜１８の組成物の値は表５に示す。これらの組成物でさらに熱安定性および耐薬品性を調べた。これらの組成物は全て、少なくとも３５０℃以下という必要な熱安定性を有し、最小限のガス放出を示した（＜０．５重量％）。
【００９３】
【表４】
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【００９４】
【表５】
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【図１】
0005788173.tif 000048
【図２】
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【図３】
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