(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周部に存在しワークを透過する波長の加工用レーザービームを照射した際第１の反射率を示す第１の反射領域と、該第１の反射領域の内側に存在し該第１の反射領域と該加工用レーザービームに対する反射率が異なる第２の反射領域と、に跨って分割予定ラインが設定されたワークに該加工用レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射してワーク内部に分割の起点となる改質層を形成し、外力を加えて該分割予定ラインに沿ってワークを分割する分割方法であって、
前記分割予定ラインに沿って反射強度検出用の光を照射することによって、該分割予定ライン上の前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との境界部を検出して、該境界部を前記加工用レーザービームの出力条件を切り替える切り替え座標値として記憶する反射強度検出工程と、
該反射強度検出工程の後に、記憶した前記切り替え座標値に基づいて前記加工用レーザービームの出力条件を切り替えて、前記第２の反射領域に第１の出力でレーザービームを照射して該第２の反射領域のワーク内部に改質層を形成し、前記第１の反射領域に該第１の出力よりも高い出力である第２の出力でレーザービームを照射して該第１の反射領域のワーク内部に改質層を形成することによって、該第２の反射領域のワーク内部と該第１の反射領域のワーク内部とに跨って分割の起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層に外力を加えることによってワークを前記分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、
を有し、
前記改質層形成工程における前記加工用レーザービームの出力条件の切り替えは、
発振する前記加工用レーザービームにおける１パルスのＯＮ／ＯＦＦ比を調節して出力を変化させる方式、
ワークに対する前記加工用レーザービームの走査速度を変化させる方式、
ＡＯ偏向器もしくはＡＯ変調器を用いる方式、
のいずれかの方式を用いて、ワークに対する単位時間当たりの照射エネルギーを異ならせることによって行うこと
を特徴とする分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等のワークを分割して複数のチップを得る分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハ等のワークの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理を施してから、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、多数の半導体チップを得ている。
【０００３】
ワークのダイシングは、通常、高速回転させた切削ブレードをワークに切り込ませて切断するダイサーと称される切削装置によって行われているが、レーザービームをワークの内部に照射することにより分割起点となる改質層を形成し、テープエキスパンド等を用いて外力を分割起点に加えることによって切断する割断式の分割方法も行われている（特許文献１等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−０２８４２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかして、ワークの中にはデバイスを形成する工程において分割予定ラインの一部にのみ加工用のレーザービームの透過を抑制する膜が残される場合がある。そのような膜としては、例えばエッチング工程で形成されたレジスト膜が製品デバイス領域以外の部分で除去されずに残ったものなどが挙げられる。このようなワークに上記改質層を形成して分割を行おうとすると、膜が残されている箇所では改質層が形成されにくいため分割が困難になる場合があるという問題があった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、その主な技術的課題は、膜が残されている箇所があるワークであっても、分割予定ラインに沿って均一な改質層を形成することができる分割方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の分割方法は、外周部に存在しワークを透過する波長の加工用レーザービームを照射した際第１の反射率を示す第１の反射領域と、該第１の反射領域の内側に存在し該第１の反射領域と該加工用レーザービームに対する反射率が異なる第２の反射領域と、に跨って分割予定ラインが設定されたワークに該加工用レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射してワーク内部に分割の起点となる改質層を形成し、外力を加えて該分割予定ラインに沿ってワークを分割する分割方法であって、前記分割予定ラインに沿って反射強度検出用の光を照射することによって、該分割予定ライン上の前記第１の反射領域と前記第２の反射領域との境界部を検出して、該境界部を前記加工用レーザービームの出力条件を切り替える切り替え座標値として記憶する反射強度検出工程と、該反射強度検出工程の後に、記憶した前記切り替え座標値に基づいて前記加工用レーザービームの出力条件を切り替えて、前記第２の反射領域に第１の出力でレーザービームを照射して該第２の反射領域のワーク内部に改質層を形成し、前記第１の反射領域に該第１の出力よりも高い出力である第２の出力でレーザービームを照射して該第１の反射領域のワーク内部に改質層を形成することによって、該第２の反射領域のワーク内部と該第１の反射領域のワーク内部とに跨って分割の起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層に外力を加えることによってワークを前記分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を有し、前記改質層形成工程における前記加工用レーザービームの出力条件の切り替えは、発振する前記加工用レーザービームにおける１パルスのＯＮ／ＯＦＦ比を調節して出力を変化させる方式、ワークに対する前記加工用レーザービームの走査速度を変化させる方式、ＡＯ偏向器もしくはＡＯ変調器を用いる方式、のいずれかの方式を用いて、ワークに対する単位時間当たりの照射エネルギーを異ならせることによって行うことを特徴とする分割方法。
【０００８】
本発明によれば、ワーク外周部の第１の反射領域と、該第１の反射領域の内側の第２反射領域とに照射するレーザービームの出力条件を、それぞれの反射領域に応じたものに切り替えることにより、双方の反射領域に均一な改質層を形成することができる。ワークに膜が残されている場合、反射率の違いによって膜が残っている箇所と膜がない箇所に反射領域が分けられるため、膜が残されている箇所があるワークであっても、分割予定ラインに沿って均一な改質層を形成することができる。
【０００９】
なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等からなる半導体ウェーハや、セラミック、ガラス、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）系の無機材料基板等が挙げられる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、膜が残されている箇所があるワークであっても、分割予定ラインに沿って均一な改質層を形成することができる分割方法が提供されるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る分割方法で多数のチップ（デバイス）に分割されるワークの平面図である。
【図２】粘着シートを介してワークを環状フレームに支持した状態を示す斜視図である。
【図３】一実施形態の分割方法を好適に実施するレーザー加工装置の斜視図である。
【図４】レーザー加工装置が備えるレーザー照射手段の光学系を示す図である。
【図５】レーザー加工装置で第１の反射領域と第２の反射領域の境界部を検出するとともに、第２の反射領域の表面高さ位置を検出する反射強度検出工程を行っている状態を示す側面図である。
【図６】反射強度検出工程の細部を示す断面図である。
【図７】反射強度検出工程でワークの表面に検出用レーザービームを走査する状態を示す平面図である。
【図８】レーザー加工装置でワークの内部に改質層を形成する改質層形成工程を行っている状態を示す側面図である。
【図９】改質層形成工程の細部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
（１）ワーク
図１は、一実施形態の分割方法で分割される半導体ウェーハ等の円板状のワーク１を示している。ワーク１の表面１ａには分割予定ライン２が格子状に形成されており、これによって該表面１ａには多数の矩形状のデバイス領域３が区画されている。各デバイス領域３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等による図示せぬ電子回路が形成されている。
【００１３】
ワーク１の表面１ａにおける外周部（図１において二点鎖線で示す境界部４の外側の環状部）５には、例えば電子回路の形成工程でエッチングに用いたレジスト膜等の膜が残されている。そのような膜は、外周部５の内側の円形状の内周部６からは除去されている。ワーク１の表面１ａに対し光を照射した場合、膜の有無によって反射強度（反射率）は異なる。ここでは、外周部５を第１の反射率を示す第１の反射領域５、内周部６を第１の反射領域５と反射率が異なる第２の反射領域６と称する。分割予定ライン２は、第１の反射領域５と第２の反射領域６との境界部４を通過しており、すなわち第１の反射領域５と第２の反射領域６とに跨って設定されている。
【００１４】
本実施形態は、加工用レーザービームを分割予定ライン２に沿って照射してワーク１の内部に分割の起点となる改質層を形成し、この改質層に外力を加えることにより分割予定ライン２に沿ってワーク１を切断、分割して各デバイス領域３を多数のチップとして得る方法である。なお、ここで言う改質層とは、密度、屈折率、機械的強度、あるいはその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった層のことであり、例えば、溶融処理層、クラック層、絶縁破壊層、屈折率変化層等が挙げられ、さらにこれらの単独状態、または混在状態を含むものとされる。
【００１５】
本実施形態では、ワーク１は図２に示すように環状フレーム１１に支持された状態で図３に示すレーザー加工装置２０に供給され、該装置２０でレーザー加工が施される。環状フレーム１１はステンレス等の剛性を有する金属板からなるものであり、この環状フレーム１１の片面に、環状フレーム１１の開口部１１ａを覆って粘着シート１２が貼られている。そしてワーク１は、表面１ａを露出した状態で粘着シート１２に開口部１１ａと同心状に位置付けられて裏面が粘着シート１２に貼着される。すなわちワーク１は、粘着シート１２を介して環状フレーム１１の開口部１１ａに支持される。これによりワーク１は、環状フレーム１１を取り扱うことにより搬送される。
【００１６】
（２）レーザー加工装置の構成
以下、図３のレーザー加工装置２０を説明する。
レーザー加工装置２０は基台２１を有しており、この基台２１上には、ＸＹ移動テーブル２２が、水平なＸ軸方向およびＹ軸方向に移動自在に設けられている。このＸＹ移動テーブル２２には、ワーク１を保持するチャックテーブル５１が設置されている。チャックテーブル５１の上方には、チャックテーブル５１に保持されたワーク１に向けて加工用レーザービームと検出用レーザービーム（反射強度検出用の光）とを照射するレーザー照射手段６０の照射部６２が、チャックテーブル５１に対向する状態に配設されている。
【００１７】
ＸＹ移動テーブル２２は、基台２１上にＸ軸方向に移動自在に設けられたＸ軸ベース３０と、このＸ軸ベース３０上にＹ軸方向に移動自在に設けられたＹ軸ベース４０との組み合わせで構成されている。Ｘ軸ベース３０は、基台２１上に固定されたＸ軸方向に延びる一対の平行なガイドレール３１に摺動自在に取り付けられており、モータ３２でボールねじ３３を作動させるＸ軸駆動機構３４によってＸ軸方向に移動させられる。一方、Ｙ軸ベース４０は、Ｘ軸ベース３０上に固定されたＹ軸方向に延びる一対の平行なガイドレール４１に摺動自在に取り付けられており、モータ４２でボールねじ４３を作動させるＹ軸駆動機構４４によってＹ軸方向に移動させられる。
【００１８】
Ｙ軸ベース４０の上面には、円筒状のチャックベース５０がＺ軸方向（上下方向）を回転軸として回転自在に支持されており、このチャックベース５０上に、チャックテーブル５１が同心状に固定されている。チャックテーブル５１は、真空吸引作用によりワーク１を吸着して保持する一般周知の真空チャック式のものである。チャックテーブル５１は、図示せぬ回転駆動手段によってチャックベース５０と一体に回転駆動される。チャックテーブル５１の周囲には、上記環状フレーム１１を着脱自在に保持する一対のクランプ５２が、互いに１８０°離れた位置に配設されている。これらクランプ５２は、ステー（図５参照）５３を介してチャックベース５０に取り付けられている。
【００１９】
ＸＹ移動テーブル２２においては、Ｘ軸ベース３０がＸ軸方向に移動する時が、レーザービームを分割予定ライン２に沿って照射する加工送りとされる。そして、Ｙ軸ベース４０がＹ軸方向に移動することにより、レーザービームを照射する対象の分割予定ライン２を切り替える割り出しがなされる。なお、加工送り方向と割り出し方向は、この逆、つまり、Ｙ軸方向が加工送り方向、Ｘ軸方向が割り出し方向に設定されてもよく、限定はされない。
【００２０】
レーザー照射手段６０は、チャックテーブル５１の上方に向かってＹ軸方向に延びる直方体状のケーシング６１を有しており、このケーシング６１の先端に、上記照射部６２が設けられている。ケーシング６１は、基台２１に立設されたコラム２３に、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って上下動可能に設けられており、コラム２３内に収容された図示せぬ上下駆動手段によって上下動させられる。
【００２１】
ケーシング６１の先端であって照射部６２の近傍には、分割予定ライン２を検出するための撮像手段７０が配設されている。この撮像手段７０は、チャックテーブル５１に保持されたワーク１を照明する照明手段や光学系、および光学系で捕らえられた像を撮像するＣＣＤ等からなる撮像素子等を備えている。
【００２２】
以下、レーザー照射手段６０について説明する。
ケーシング６１内には、図４に示すように、加工用レーザービームＬＢ１を発振する加工用レーザー発振器１００と、検出用レーザービームＬＢ２を発振する検出用レーザー発振器１１０とが収容されている。
【００２３】
図４によりレーザー照射手段６０の光学系を説明する。加工用レーザー発振器１００としては、例えばＹＡＧやＹＶＯ等のワーク１を透過する波長（例えば１０６４ｎｍ程度）のパルスレーザーを発振可能なものが用いられる。加工用レーザー発振器１００から発振された加工用レーザービームＬＢ１はミラー１２０で反射されてダイクロイックミラー１２１を透過する。ダイクロイックミラー１２１を透過した加工用レーザービームＬＢ１は、集光レンズ（対物レンズ）１２２に垂直に入射して透過することにより、チャックテーブル５１に保持されたワーク１の内部に集光点を合わせて照射され、これによりワーク１の内部には改質層が形成される。ミラー１２０、ダイクロイックミラー１２１および集光レンズ１２２は、照射部６２内に収容されている。
【００２４】
一方、検出用レーザー発振器１１０としては、例えば波長が８１０〜８３０ｎｍ程度のレーザー（Ｈｅ−Ｎｅレーザー等）を発振可能なものが用いられる。検出用レーザー発振器１１０から発振された検出用レーザービームＬＢ２は、その一部がハーフミラー１３１を透過し、ダイクロイックミラー１２１で反射されて集光レンズ１２２に垂直に入射して透過することにより、チャックテーブル５１に保持されたワーク１の表面１ａに照射される。
【００２５】
ワーク１の表面１ａに照射された検出用レーザービームＬＢ２は該表面１ａで反射し、反射した検出用レーザービームＬＢ２は、集光レンズ１２２を透過してダイクロイックミラー１２１で反射され、その一部がハーフミラー１３１で反射され、さらにミラー１３２で反射されて高さ位置検出部１４０に入射する。これらミラー１３１，１３２、高さ位置検出部１４０は、加工用レーザー発振器１００および検出用レーザー発振器１１０とともにケーシング６１内に収容されている。
【００２６】
高さ位置検出部１４０では、ミラー１３２で反射された検出用レーザービームＬＢ２がビームスプリッタ１４２に入射し、ビームスプリッタ１４２により第１の光路１４３ａと第２の光路１４３ｂに分割される。第１の光路１４３ａに分割された検出用レーザービームＬＢ２は集光レンズ１４４によって１００％集光され、第１の受光素子１４５に受光される。第１の受光素子１４５からは、受光した光量に対応した電圧信号が図示せぬ制御手段に出力される。
【００２７】
また、第２の光路１４３ｂに分割された検出用レーザービームＬＢ２は、受光領域規制手段１４７のシリンドリカルレンズ１４８によって一次元に集光され、一次元マスク１４９によって所定の単位長さに規制されて第２の受光素子１４６に受光される。第２の受光素子１４６からは、受光した光量に対応した電圧信号が図示せぬ制御手段に出力される。
【００２８】
第１の受光素子１４５で受光される検出用レーザービームＬＢ２は、集光レンズ１４４によって１００％集光されるので、反射面、すなわちワーク１の表面１ａの反射強度が一定であれば受光量は一定であり、第１の受光素子１４５から出力される電圧信号は一定となる。換言するとワーク１の表面１ａの反射強度が変化した場合には、第１の受光素子１４５での受光量はそれに応じて変化することになり、これによって反射強度の変化を検出することができる。
【００２９】
一方、第２の受光素子１４６によって受光される検出用レーザービームＬＢ２は、シリンドリカルレンズ１４８によって一次元に集光された後、一次元マスク１４９によって所定の単位長さに規制されたものである。したがって、検出用レーザービームＬＢ２がワーク１の表面１ａに照射される際に、集光レンズ１２２からワーク１の表面１ａまでの距離、すなわちワーク１の表面１ａの高さ位置に応じて第２の受光素子１４６の受光量は変化し、したがって第２の受光素子１４６から出力される電圧信号は、検出用レーザービームＬＢ２が照射されるワーク１の表面１ａの高さ位置によって変化する。ここでは、変化する第２の受光素子１４６での受光量と、第１の受光素子１４５での一定である受光量との差に基づいて、ワーク１の表面１ａの高さ位置が検出される。
【００３０】
（３）ワークの分割
以上がレーザー加工装置２０の構成であり、次に、このレーザー加工装置２０を用いてワーク１にレーザー加工を施す手順を説明する。
【００３１】
はじめに、図５に示すように、上記レーザー加工装置２０のチャックテーブル５１上に粘着シート１２を介してワーク１を載置するとともに、環状フレーム１１をクランプ５２で保持し、チャックテーブル５１の真空運転を行って、表面１ａを上方に露出させてワーク１をチャックテーブル５１に吸着して保持する。
【００３２】
次に、撮像手段７０によりワーク１の表面１ａを撮像して分割予定ライン２を検出する。そして検出した分割予定ライン２の位置に基づき、レーザー照射手段６０の検出用レーザー発振器１１０を発振させて検出用レーザービームＬＢ２を分割予定ライン２に沿って該分割予定ライン２の一端から他端にわたり照射し、分割予定ライン２上の第１の反射領域５と第２の反射領域６との境界部４の検出と、第２の反射領域６における表面１ａの高さ位置の検出とを同時に行う。図６の矢印は、検出用レーザービームＬＢ２の走査方向を示している。
【００３３】
なお、レーザー加工装置２０での分割予定ライン２に沿ったレーザービーム（加工用レーザービームＬＢ１、検出用レーザービームＬＢ２）の走査は、チャックテーブル５１を回転させることで分割予定ライン２を加工送りと平行に設定し、Ｘ軸ベース３０をＸ軸方向に移動させる加工送りによってなされる。また、レーザービームを照射する分割予定ライン２の切り替えは、Ｙ軸ベース４０をＹ軸方向に移動させる割り出しによってなされる。
【００３４】
検出用レーザービームＬＢ２は、第１の反射領域５に残されている膜（図６のＭで示す）に影響を受けるため、分割予定ライン２に沿って照射した際の表面１ａでの反射強度は、膜Ｍが残されている第１の反射領域５と、膜Ｍが除去されている第２の反射領域６とでは異なり、例えば本実施形態では第２の反射領域６の方が強いとする。反射強度の強弱の差は、走査する検出用レーザービームＬＢ２が境界部（図６の矢印４で示す）を通過する時に起こる。ここでは、検出用レーザービームＬＢ２の走査により、分割予定ライン２上での２つの境界部４が、レーザー照射手段６０における高さ位置検出部１４０の第１の受光素子１４５で受光される検出用レーザービームＬＢ２（ワークの表面での反射光）の受光量で検出される。そしてそれら境界部４を、改質層を形成する際の加工用レーザービームＬＢ１の出力条件を切り替える切り替え座標値として図示せぬ記憶手段に記憶する（反射強度検出工程）。
【００３５】
図７に示すように、検出用レーザービームＬＢ２を矢印のように分割予定ライン２の一端から他端にわたって走査していくと、はじめに、図６で示したような膜Ｍがあるため反射強度が小さい第１の反射領域５を通り、１回目の境界部４Ａを通過して第２の反射領域６に入ると膜Ｍが無くなるため反射強度が大きくなる。１回目の境界部４Ａの切り替え座標値は、反射強度が大きくなった時の座標値である。引き続き第２の反射領域６を検出用レーザービームＬＢ２が走査していくと２回目の境界部４Ｂを通過して再び第１の反射領域５に入り、この第１の反射領域５では膜Ｍがあるため反射強度が小さくなる。２回目の境界部４Ｂの切り替え座標値は、反射強度が小さくなった時の座標値である。
【００３６】
また、ワーク１の高さ位置は、第２の反射領域６の表面１ａに検出用レーザービームＬＢ２を走査する過程において、上述のようにレーザー照射手段６０における高さ位置検出部１４０の第１の受光素子１４５と第２の受光素子１４６とで受光される受光量の差に基づいて検出される。第２の反射領域６の表面１ａの高さ位置を検出する目的は、該表面１ａはミクロ的には凹凸面となっており、上記改質層を表面から一定深さの箇所に形成するために、表面１ａの凹凸状態、すなわち高さ位置を把握しておく必要があるからである。
【００３７】
次に、撮像手段７０により検出した分割予定ライン２の位置に基づき、レーザー照射手段６０の照射部６２から、図８および図９に示すようにワーク１に対して透過性を有する加工用レーザービームＬＢ１をワーク１の内部に集光点を合わせた状態として分割予定ライン２に沿って走査し、ワーク１の内部に分割予定ライン２に沿った改質層Ｐを形成する（改質層形成工程）。図９の矢印は、レーザービームＬＢ１の走査方向を示している。
【００３８】
改質層形成工程では、上記記憶手段が記憶した上記切り替え座標値に基づいて、ワーク１の第１の反射領域５に照射する加工用レーザービームＬＢ１と、第２の反射領域６に照射する加工用レーザービームＬＢ１の出力条件を切り替える。この場合、第２の反射領域６には第１の出力で加工用レーザービームＬＢ１を照射し、第２の反射領域６の両側の第１の反射領域５には、第１の出力よりも高い出力である第２の出力で加工用レーザービームＬＢ１を照射する。
【００３９】
加工用レーザービームＬＢ１の出力条件の切り替えは、ワーク１に対する単位時間当たりの照射エネルギーを異ならせればよく、例えば、発振するレーザーにおける１パルスのＯＮ／ＯＦＦ比を調節して出力を変化させる方式が挙げられる。またこの他には、ＡＯ偏向器やＡＯ変調器等を用いたり、ワーク１に対する加工用レーザービームＬＢ１の走査速度を変化させるなどの他の方式を用いてもよい。
【００４０】
すなわち、１本の分割予定ライン２に対して、はじめは一端から第１の反射領域５を走査する時には、第２の反射領域６に照射する第１の出力よりも高い出力の第２の出力を照射し、境界部４に至ったら、第２の出力よりも出力が低い第１の出力で第２の反射領域６を照射していく。そして２回目の境界部４を通過して再び第１の反射領域５に入ったら、第２の出力に戻して他端まで走査する。このように加工用レーザービームＬＢ１を走査して、ワーク１の内部の第１の反射領域５と第２の反射領域６とに跨って、分割の起点となる改質層Ｐを形成する。
【００４１】
また、特に第２の反射領域６においては、上記反射強度検出工程で検出したワーク１の表面１ａの高さ位置に対応させて加工用レーザービームＬＢ１の集光点を上下動させ、形成する改質層Ｐの表面１ａからの深さを一定とする。集光点の高さ調整は、レーザー照射手段６０のケーシング６１を上下動させることによってなされる。なお、第１の反射領域５の集光点の高さは、第２の反射領域６での高さのうち境界部４に至る直前の高さに設定され、その高さを維持する。
【００４２】
上記のように、照射する加工用レーザービームＬＢ１を、第１の反射領域５には第２の出力で照射し、第２の反射領域６には第１の出力で照射するプロセスを、全ての分割予定ライン２に沿って行う。この後、チャックテーブル５１へのワーク１の保持、ならびにクランプ５２による環状フレーム１１の保持を解除する。そして環状フレーム１１を扱うことでワーク１を搬出し、次の分割工程に移す。
【００４３】
分割工程では、分割予定ライン２に沿ってワーク１の内部に形成した分割起点（改質層Ｐ）に外力を加える。分割起点に外力が加えられると、分割起点を起点としてワーク１が分割予定ライン２に沿って割断、分割される。これにより、各デバイス領域３が個片化して多数のチップが得られる。
【００４４】
分割起点である改質層Ｐに外力を加える方法としては、例えば粘着シート１２を拡張してワーク１全体に放射方向への引っ張り応力を加えるなどの方法が好適である。このようにして粘着シート１２上でワーク１が分割されると、各チップ（デバイス）は粘着シート１２上に粘着して残り、この後、ピックアップ工程で各チップがピックアップされる。
【００４５】
（４）実施形態の効果
上記実施形態の分割方法によれば、ワーク１の内部に照射して改質層Ｐを形成する加工用レーザービームＬＢ１の出力を、表面１ａに膜Ｍがない第２の反射領域６よりも表面１ａに膜Ｍが残されている第１の反射領域５の方を大きくするといったように、反射強度に応じて切り替えている。膜Ｍの存在により第１の反射領域５の内部には第２の反射領域６と同等の改質層を形成し難いといった課題があったが、本実施形態では上記方法を採ることにより、反射領域５，６双方に対して均一な改質層Ｐの形成が可能となる。
【符号の説明】
【００４６】
１…ワーク
１ａ…ワークの表面
２…分割予定ライン
３…デバイス領域
４…境界部
５…第１の反射領域（外周部）
６…第２の反射領域（内周部）
ＬＢ１…加工用レーザービーム
ＬＢ２…検出用レーザービーム（反射強度検出用の光）
Ｐ…改質層
【図１】
0005721377.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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