(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型の第１領域と第２の導電型の第２領域と前記第１の導電型の第３領域と前記第２の導電型の第４領域とが順に接合されるサイリスタ部と、前記第２領域と前記第３領域とが接合されたダイオード部とを有し、当該ダイオード部における前記第２領域に接する部分の第１の半導体基板面と当該ダイオード部における前記第３領域に接する部分の第２の半導体基板面とが対向して配置されている片導通サイリスタである半導体装置であって、
前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との両方に対向して前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との間に形成され、前記サイリスタ部が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との間に流れる電流経路を、前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との最短経路より長くさせる第５領域を備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第５領域は、
前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との間に、前記第２の半導体基板面と平行して前記第３領域に接する２つの接合面を備えて形成され、前記第２の半導体基板面と平行する方向の領域幅が、前記第２の半導体基板面の幅よりも狭い前記第２の導電型の領域であって、前記第４領域の一部として形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３領域は、
前記第２の半導体基板面及び前記第５領域に接する領域であって、前記第３領域より不純物濃度が高い前記第１の導電型の第６領域を含む
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記サイリスタ部は、
前記第２領域と前記第３領域とに接し、前記第２領域と前記第３領域との接合耐圧より耐圧が低い第７領域を備える
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第７領域は、
前記第２の半導体基板面からの距離が最長となる位置に形成される
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
サイリスタにおいて、他の部分と比べて接合耐圧の低い低耐圧領域を接合部に設けることにより、低耐圧サイリスタを得る簡易な手段や技術が開示されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
一方で、サイリスタ素子と、逆電圧の向きを同じにするダイオード素子とを並列に備える片導通サイリスタがある。図７は、特許文献１に示される技術を用いた従来の片導通サイリスタを示す。このような従来の片導通サイリスタ（半導体装置）では、サイリスタ部のアノード部にカソード部より高い電圧が順方向に印加された場合、接合部Ｊ２に逆方向電圧が印加される。これにより、接合部Ｊ２よりも接合耐圧の低い低耐圧領域が、先にブレークダウンする。その結果、アノード部のｎ＋領域からこの低耐圧領域を通過してカソード部のｐ＋＋領域に電流が流れる電流経路ができる。この電流が増大すると、アノード部のｎ＋領域及びｐ−領域の横方向の抵抗成分により、アノード部のｐ＋＋領域直下のｎ＋領域及びカソード部のｎ＋領域直上のｐ−領域に電圧降下が生じる。この電圧降下により、接合部Ｊ１及びＪ３が順バイアスされる。この順バイアスによって、ｐ＋＋領域、ｎ＋領域、及びｐ−領域から構成されるトランジスタ及びｎ＋領域、ｐ−領域、及びカソード部のｎ＋領域から構成されるバイポーラトランジスタが導通状態に移行する。その結果、サイリスタ部が導通する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０３−６２５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図７に示される片導通サイリスタでは、サイリスタ部が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、導通ダイオード部があるために、サイリスタのブレークダウン電流が、カソード部のｎ＋領域を流れずに、カソード部のｐ＋＋領域に流れる場合がある。このような不完全な導通状態は、ブレークダウン電流を更に流すことにより、アノード部（ｐ＋領域）からカソード部（ｎ＋領域）に電流が流れる状態に移行する。そのため、このような従来の片導通サイリスタでは、導通状態に移行する際に流れるブレークダウン電流（ブレークオーバ電流）の大きさを示す点弧動作感度が、双方向（対称特性）サイリスタに比べて低い。
【０００６】
また、この点弧動作感度を高めるために、アノード部のｎ＋領域やｐ−領域の不純物濃度を変更する場合がある。しかし、アノード部のｎ＋領域やｐ−領域の不純物濃度を変更する場合には、サイリスタの特性である保持電流特性とブレークダウン電圧とに影響を与える場合がある。そのため、アノード部のｎ＋領域やｐ−領域の不純物濃度を変更することにより、保持電流特性とブレークダウン電圧を維持して点弧動作感度を高感度化することは、困難である。このように、図７に示される片導通サイリスタでは、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現することが困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、その目的は、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現する片導通サイリスタ（半導体装置）を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記問題を解決するために、本発明は、第１の導電型の第１領域と第２の導電型の第２領域と前記第１の導電型の第３領域と前記第２の導電型の第４領域とが順に接合されるサイリスタ部と、前記第２領域と前記第３領域とが接合されたダイオード部とを有し、当該ダイオード部における前記第２領域に接する部分の第１の半導体基板面と当該ダイオード部における前記第３領域に接する部分の第２の半導体基板面とが対向して配置されている片導通サイリスタである半導体装置であって、前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との両方に対向して前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との間に形成され、前記サイリスタ部が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との間に流れる電流経路を、前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との最短経路より長くさせる第５領域を備えることを特徴とする半導体装置である。
【０００９】
また、本発明は、上記発明において、前記第５領域は、前記第１の半導体基板面と前記第２の半導体基板面との間に、前記第２の半導体基板面と平行して前記第３領域に接する２つの接合面を備えて形成され、前記第２の半導体基板面と平行する方向の領域幅が、前記第２の半導体基板面の幅よりも狭い前記第２の導電型の領域であって、前記第４領域の一部として形成されることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、上記発明において、前記第３領域は、前記第２の半導体基板面及び前記第５領域に接する領域であって、前記第３領域より不純物濃度が高い前記第１の導電型の第６領域を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上記発明において、前記サイリスタ部は、前記第２領域と前記第３領域とに接し、前記第２領域と前記第３領域との接合耐圧より耐圧が低い第７領域を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、上記発明において、前記第７領域は、前記第２の半導体基板面からの距離が最長となる位置に形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、半導体装置は、第１の導電型の第１領域と第２の導電型の第２領域と第１の導電型の第３領域と第２の導電型の第４領域とが順に接合されるサイリスタ部と、第２領域と第３領域とが接合されたダイオード部とを有する。また、半導体装置は、サイリスタ部が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、第１の半導体基板面と、第２の半導体基板面との間に流れる電流経路を、第１の半導体基板面と第２の半導体基板面との最短経路より長くさせる第５領域を備える。第５領域は、ダイオード部における第２領域に接する第１の半導体基板面とダイオード部における第３領域に接する第２の半導体基板面との間に形成される領域である。これにより、本発明の半導体装置では、サイリスタ部が点弧動作をする際に、第１の半導体基板面と第２の半導体基板面との間に流れる電流経路において、第５領域によって、第２の半導体基板面と平行に第３領域を流れる電流経路が生じる。
【００１４】
したがって、本発明の半導体装置では、第４領域と第３領域の接合面に沿って流れる電流経路が図７に示される半導体装置より長くなる。この電流経路が長いと、第３領域の抵抗成分による電圧降下が発生し易くなるため、サイリスタ部は、図７に示される半導体装置より小さいブレークオーバ電流で導通状態に移行する。ここで、点弧動作感度は、第５領域による電流経路によって決まり、保持電流特性とブレークダウン電圧に関係するパラメータに依存しない。これにより、本発明の半導体装置は、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態における半導体装置を示す断面構成図である。
【図２】同実施形態における半導体装置の動作を示す図である。
【図３】同実施形態における半導体装置の動作を示すグラフである。
【図４】本発明の第２の実施形態による半導体装置を示す断面構成図である。
【図５】本発明の第３の実施形態による半導体装置を示す断面構成図である。
【図６】本発明の第４の実施形態による半導体装置を示す断面構成図である。
【図７】従来の半導体装置を示す断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態おける半導体装置（片導通サイリスタ）について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態による片導通サイリスタ１００を示す断面構成図である。
図１において、片導通サイリスタ１００は、ｐ領域（１、３、６）、ｎ領域（２、４、５）、低耐圧領域７、チャネルストッパ（８、９）、及び絶縁層（１０〜１３）を備える。また、片導通サイリスタ１００は、サイリスタ部１１０及びダイオード部１２０を有する。
【００１７】
サイリスタ部１１０は、ｐ領域１（第１領域）とｎ領域２（第２領域）とｐ領域３（第３領域）とｎ領域４（第４領域）とが順に接合され、サイリスタとして機能する部分である。
ダイオード部１２０は、ｎ領域２（第２領域）とｐ領域３（第３領域）とが接合され、ダイオードとして機能する部分である。
【００１８】
なお、図１における半導体基板の上側の面を第１の表面Ｆ１とし、半導体基板の下側の面を第２の表面Ｆ２とする。第１の表面Ｆ１のうち、第１のサイリスタ部表面Ｆ１１は、サイリスタ部１１０のアノード面である。また、第２の表面Ｆ２のうち、第２のサイリスタ部表面Ｆ２１は、サイリスタ部１１０のカソード面である。ここで、サイリスタ部１１０のアノード面とは、サイリスタ部１１０におけるｐ領域１に接する半導体基板面である。また、サイリスタ部１１０のカソード面とは、サイリスタ部１１０におけるｎ領域４に接する半導体基板面である。
【００１９】
また、第１の表面Ｆ１のうち、第１のダイオード部表面Ｆ１２（第１の半導体基板面）は、ダイオード部１２０のカソード面である。また、第２の表面Ｆ２のうち、第２のダイオード部表面Ｆ２２（第２の半導体基板面）は、ダイオード部１２０のアノード面である。ここで、ダイオード部１２０のカソード面とは、ダイオード部１２０におけるｎ領域２に接する半導体基板面である。また、ダイオード部１２０のアノード面とは、ダイオード部１２０におけるｐ領域３に接する半導体基板面である。
【００２０】
ｐ領域３は、第１の導電型としてのｐ型半導体のｐ−領域であり、片導通サイリスタ１００のバルク層となる半導体基板を構成する。ｐ領域３は、一部分が第２の表面Ｆ２に接する。また、ｐ領域３は、第２のダイオード部表面Ｆ２２及びｎ領域５に接する領域であって、ｐ領域３より不純物濃度が高いｐ型半導体のｐ領域６を含む。
【００２１】
ｎ領域２は、第２の導電型としてのｎ型半導体のｎ＋領域である。ｎ領域２は、ｐ領域１とｐ領域３とに接して形成され、その一部分を第１の表面Ｆ１に露呈させて形成される。つまり、サイリスタ部１１０において、ｎ領域２は、ｐ領域１とｐ領域３とに接して形成される。また、ダイオード部１２０において、ｎ領域２は、第１の表面Ｆ１に露呈させて形成される。
【００２２】
ｐ領域１は、ｐ型半導体のｐ＋＋領域である。ｐ領域１は、ｎ領域２と接して形成され、第１の表面Ｆ１に露呈させて形成される。
ｎ領域４は、ｎ型半導体のｎ＋領域である。ｎ領域４は、ｐ領域３に接して形成され、第２の表面Ｆ２に露呈させて形成される。
【００２３】
ｎ領域５（第５領域）は、ｎ型半導体のｎ＋領域である。ｎ領域５は、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に形成される。ｎ領域５は、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行してｐ領域３に接する２つの接合面を備えて形成される。また、ｎ領域５は、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行する方向の領域幅が、第２のダイオード部表面Ｆ２２の幅よりも狭いｎ＋領域である。ここで、ｎ領域５の幅（第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行する方向の領域幅）は、ΔＬである。
また、ｎ領域５は、ｎ領域４の一部として形成される。すなわち、ｎ領域５は、ｎ領域４と連続して形成される。ｎ領域５は、例えば、ｎ領域４をダイオード部に延長した形状となる。なお、ｎ領域５は、ｎ領域４と一緒にイオン注入法などにより形成した後に、ｐ領域６をイオン注入法などにより形成することにより形成される。
【００２４】
ｐ領域６（第６領域）は、ｐ領域３より不純物濃度が高いｐ型半導体のｐ＋領域である。ｐ領域６は、第２のダイオード部表面Ｆ２２及びｎ領域５に接して第１の表面Ｆ１に露呈させて形成される。ｐ領域６は、ｐ領域３に含まれ、第２のダイオード部表面Ｆ２２において、金属による端子とオーミック接触を容易にするために設けられる。
【００２５】
低耐圧領域７は、ｎ領域２とｐ領域３とに接して形成され、ｎ領域２とｐ領域３との接合Ｊ２の接合耐圧より耐圧が低い領域である。また、低耐圧領域７は、サイリスタ部１１０に形成される。低耐圧領域７は、例えば、ｐ領域３より不純物濃度が高いｐ型半導体のｐ＋＋領域である。低耐圧領域７は、例えば、イオン注入法などにより絶縁層１０の下に第１の表面Ｆ１に露呈させて形成される。また、低耐圧領域７は、接合部Ｊ２における接合面のうち、第２のダイオード部表面Ｆ２２からの距離が遠くなるように形成される。望ましい配置位置は、第２のダイオード部表面Ｆ２２からの距離が最長となる位置又はその位置付近である。
【００２６】
チャネルストッパ（８、９）は、第１の表面Ｆ１と片導通サイリスタ１００の側面に接して、もしくは第１の表面Ｆ１に接して、片導通サイリスタ１００とその側面の間に形成され、ｐ領域３よりも不純物濃度が高いｐ型半導体の領域である。チャネルストッパ（８、９）は、片導通サイリスタ１００の機能として望ましくない漏れ電流（チャネル電流）を抑制する。
【００２７】
絶縁層１０は、第１の表面Ｆ１に接して形成される。また、絶縁層１０は、チャネルストッパ８の一部分からｐ領域１の一部分までを覆うように形成される。絶縁層１１は、第１の表面Ｆ１に接して形成される。また、絶縁層１１は、チャネルストッパ９の一部分からｎ領域２の一部分までを覆うように形成される。
また、絶縁層１２は、第２の表面Ｆ２に接して形成される。また、絶縁層１２は、ｎ領域４の一部分を覆うように形成される。絶縁層１３は、第２の表面Ｆ２に接して形成される。また、絶縁層１３は、ｐ領域６の一部分を覆うように形成される。
【００２８】
次に、本実施形態の動作について説明する。
図２は、本実施形態における片導通サイリスタ１００の動作を示す図である。
図２において、第１の表面Ｆ１と第２の表面Ｆ２との間に順方向のバイアスがかけられた場合について説明する。ここで、順方向のバイアスがかけられた場合とは、第２の表面Ｆ２の電位より高い電位が第１の表面Ｆ１に印加された場合である。なお、第１の表面Ｆ１では、サイリスタ部１１０のアノード面（第１のサイリスタ部表面Ｆ１１）とダイオード部１２０のカソード面（第１のダイオード部表面Ｆ１２）とが短絡される。また、第２の表面Ｆ２では、サイリスタ部１１０のカソード面（第２のサイリスタ部表面Ｆ２１）とダイオード部１２０のアノード面（第２のダイオード部表面Ｆ２２）とが短絡される。
【００２９】
図２において、電流経路Ｋ１は、片導通サイリスタ１００のサイリスタ部１１０が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、流れる電流経路を示している。
上述のような順方向のバイアスがかけられた場合、ｎ領域２とｐ領域３との接合部Ｊ２には、逆方向電圧（逆バイアス）がかかる。低耐圧領域７部分の接合耐圧は、接合部Ｊ２の接合耐圧より低くなる。そのため、低耐圧領域７が、接合部Ｊ２より先にブレークダウンする。その結果、低耐圧領域７が接合する部分を経て電流が流れる。なお、片導通サイリスタ１００において、ブレークオーバ電圧は、低耐圧領域７がブレークダウンする電圧に電流経路の抵抗値とブレークオーバ電流値の積を加えた電圧である。
【００３０】
ダイオード部１２０のカソード面（第１のダイオード部表面Ｆ１２）から低耐圧領域７を通過した電流は、ｐ領域３とｎ領域４との接合部Ｊ３の接合面に沿って、ｐ領域３をサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向に流れる。さらに、この電流は、ｐ領域３をｐ領域３とｎ領域５との接合面に沿って流れ、ｐ領域６を経てダイオード部１２０のアノード面（第２のダイオード部表面Ｆ２２）に到達する。この際に、ｎ領域５は、電流経路Ｋ１を長くするように機能する。つまり、ｎ領域５は、サイリスタ部１１０が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に流れる電流経路Ｋ１を、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との最短経路より長くさせる。すなわち、ｎ領域５は、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に、第１のダイオード部表面Ｆ１２又は第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行方向の電流経路を生じさせる領域である。
【００３１】
この電流経路Ｋ１を通過する電流が増大すると、ｎ領域２における横方向の抵抗成分、すなわち、ダイオード部１２０のカソード面からｐ領域１の下方を通って低耐圧領域７に到達する領域の抵抗成分により、ｐ領域１直下のｎ領域２に電圧降下が生じる。この電圧降下により、ｐ領域１とｎ領域２との接合部Ｊ１が順バイアスされる。この順バイアスが、接合部Ｊ１の拡散電位を超えるとｐ領域１からキャリアの注入が起こり、ｐ領域１、ｎ領域２、及びｐ領域３から構成されるバイポーラトランジスタが導通状態に移行する。
【００３２】
また、電流経路Ｋ１を通過する電流が増大すると、ｐ領域３における横方向の抵抗成分、すなわち、ｐ領域３とｎ領域４との接合部Ｊ３の接合面に沿って、ｐ領域３をサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向の抵抗成分により、ｎ領域４直上のｐ領域３に電圧降下が生じる。この電圧降下により、ｐ領域３とｎ領域４との接合部Ｊ３が順バイアスされる。この順バイアスが、接合部Ｊ３の拡散電位を超えるとｎ領域４からキャリアの注入が起こり、ｎ領域２、ｐ領域３、及びｎ領域４から構成されるバイポーラトランジスタが導通状態に移行する。
【００３３】
片導通サイリスタ１００は、以上のように２つのバイポーラトランジスタが動通状態に移行することにより、サイリスタ部１１０が導通状態に移行する。これにより、片導通サイリスタ１００は、サイリスタ部１１０のアノード面（第１のサイリスタ部表面Ｆ１１）とサイリスタ部１１０のカソード面（第２のサイリスタ部表面Ｆ２１）との間で電流が流れる。ここで、片導通サイリスタ１００のブレークオーバ電流ＩＢＯ１は、サイリスタ部１１０が導通状態に到達する電流である。
なお、ｎ領域４直上のｐ領域３における電圧降下の値は、ｐ領域３とｎ領域４との接合部Ｊ３の接合面に沿って、ｐ領域３をサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向の抵抗成分が大きいほど、大きくなる。つまり、上述のサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向にｐ領域３を流れる電流経路が長いほど、電圧降下の値は大きくなる。片導通サイリスタ１００では、ｎ領域５によって上述のサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向にｐ領域３を流れる電流経路が長くなる。このため、片導通サイリスタ１００は、ｎ領域５を備えない場合より少ない電流によって導通状態に移行する。したがって、片導通サイリスタ１００のブレークオーバ電流ＩＢＯ１の値が低減される。
【００３４】
図３は、本実施形態における片導通サイリスタ１００の動作を示すグラフである。
図３において、グラフは、片導通サイリスタ１００の電流−電圧特性を示す。また、このグラフは、従来の片導通サイリスタと片導通サイリスタ１００のブレークオーバ電流の比較を示す。このグラフにおいて、縦軸は、導通電流Ｉを示し、横軸は、印加電圧Ｖを示す。
【００３５】
波形１０１は、片導通サイリスタ１００の電流−電圧特性を示す。波形１０１において、片導通サイリスタ１００に印加した電圧がブレークダウン電圧ＶＢに達すると、低耐圧領域７が、接合部Ｊ２より先にブレークダウンし、電流が流れ始める。この電流が、ブレークオーバ電流ＩＢＯ１に達すると、片導通サイリスタ１００は、導通状態（ターンオン状態）に移行する。
波形１０２は、図７に示される従来の片導通サイリスタの電流−電圧特性を比較のために示す。波形１０２において、ブレークダウン電圧ＶＢに達して流れ始めた電流が、ブレークオーバ電流ＩＢＯ２に達すると、図７に示される従来の片導通サイリスタは、導通状態（ターンオン状態）に移行する。
【００３６】
図３のグラフにおいて、片導通サイリスタ１００におけるブレークオーバ電流ＩＢＯ１は、図７に示される従来の片導通サイリスタにおけるブレークオーバ電流ＩＢＯ２より小さい。これは、片導通サイリスタ１００では、ｎ領域５によって上述のサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向にｐ領域３を流れる電流経路の長さ（図２のＬ１）が、従来の片導通サイリスタの電流経路の長さ（図７のＬ２）よりｎ領域５の幅ΔＬ分長いためである。片導通サイリスタ１００では、電流経路Ｋ１がｎ領域５の幅ΔＬ分長いため、上述の電圧降下の値が大きくなり、ブレークオーバ電流ＩＢＯ１を低減することができる。
【００３７】
以上のように、片導通サイリスタ１００は、点弧動作の際に、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に流れる電流経路Ｋ１を、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との最短経路より長くさせるｎ領域５を備える。ｎ領域５は、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行してｐ領域３に接する２つの接合面を備えて形成される。また、ｎ領域５は、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行する方向の領域幅が、第２のダイオード部表面Ｆ２２の幅よりも狭い領域である。これにより、片導通サイリスタ１００では、電流経路Ｋ１において、ｎ領域５によって、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行にｐ領域３を流れる電流経路が生じる。
【００３８】
したがって、片導通サイリスタ１００では、接合部Ｊ３の接合面に沿って流れる電流経路が図７に示される従来の片導通サイリスタより長くなる。この電流経路が長いと、ｐ領域３の抵抗成分による電圧降下が発生し易くなるため、サイリスタ部１１０は、図７に示される従来の片導通サイリスタより小さいブレークオーバ電流ＩＢＯ１で導通状態に移行する。ここで、点弧動作感度とは、導通状態に移行する際に流れるブレークオーバ電流ＩＢＯ１の大きさを示す。ブレークオーバ電流ＩＢＯ１が小さいほど点弧動作感度は向上する。つまり、片導通サイリスタ１００は、点弧動作感度を向上することができる。
【００３９】
なお、点弧動作感度は、ｎ領域５による電流経路によって決まり、サイリスタの特性を示す保持電流特性とブレークダウン電圧に関係するパラメータに依存しない。これにより、片導通サイリスタ１００は、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現することができる。
また、片導通サイリスタ１００では、ｎ領域５の幅ΔＬを調整することにより、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度を調整することができる。
【００４０】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態おける半導体装置（片導通サイリスタ）について図面を参照して説明する。
図４は、本実施形態による片導通サイリスタ１００ａを示す断面構成図である。
図４において、片導通サイリスタ１００ａは、ｐ領域（１、３、６）、ｎ領域（２、４、５）、低耐圧領域７ａ、チャネルストッパ（８、９）、及び絶縁層（１０〜１３）を備える。この図において、図１と同じ構成には同一の符号を付す。
【００４１】
低耐圧領域７ａは、ｎ領域２とｐ領域３とに接して形成され、ｎ領域２とｐ領域３との接合Ｊ２の接合耐圧より耐圧が低い領域である。低耐圧領域７ａは、例えば、ｐ領域３より不純物濃度が高いｐ型半導体のｐ＋＋領域である。また、低耐圧領域７ａは、サイリスタ部１１０に形成され、接合部Ｊ２における第１の表面Ｆ１又は第２の表面Ｆ２と平行な接合面に形成される。低耐圧領域７ａは、例えば、埋め込み拡散法などにより半導体基板の内部に埋め込まれて形成される。
【００４２】
次に、本実施形態の動作について説明する。
図４に示される片導通サイリスタ１００ａは、片導通サイリスタ１００の低耐圧領域７を低耐圧領域７ａに置き換えている点を除いて同様に動作する。
図４において、第１の表面Ｆ１と第２の表面Ｆ２との間に順方向のバイアスがかけられた場合について説明する。ここで、順方向のバイアスがかけられた場合とは、第２の表面Ｆ２の電位より高い電位が第１の表面Ｆ１に印加された場合である。この図おいて、電流経路Ｋ２は、片導通サイリスタ１００ａのサイリスタ部１１０が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、流れる電流経路を示している。
上述のような順方向のバイアスがかけられた場合、ｎ領域２とｐ領域３との接合部Ｊ２には、逆方向電圧（逆バイアス）がかかる。低耐圧領域７ａ部分の接合耐圧は、接合部Ｊ２の接合耐圧より低くなる。そのため、低耐圧領域７ａが、接合部Ｊ２より先にブレークダウンする。その結果、低耐圧領域７ａが接合する部分を経て電流が流れる。なお、片導通サイリスタ１００ａにおいて、ブレークオーバ電圧は、低耐圧領域７ａがブレークダウンする電圧に電流経路の抵抗値とブレークオーバ電流値の積を加えた電圧である。
【００４３】
ダイオード部１２０のカソード面（第１のダイオード部表面Ｆ１２）から低耐圧領域７ａを通過した電流は、ｐ領域３とｎ領域４との接合部Ｊ３の接合面に沿って、ｐ領域３をサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向に流れる。さらに、この電流は、ｐ領域３をｐ領域３とｎ領域５との接合面に沿って流れ、ｐ領域６を経てダイオード部１２０のアノード面（第２のダイオード部表面Ｆ２２）に到達する。この際に、ｎ領域５は、電流経路Ｋ２を長くするように機能する。つまり、ｎ領域５は、サイリスタ部１１０が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に流れる電流経路を、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との最短経路より長くさせる。
【００４４】
この電流経路Ｋ２を通過する電流が増大すると、第１の実施形態における片導通サイリスタ１００の動作と同様に、導通状態に移行する。つまり、ｐ領域１、ｎ領域２、及びｐ領域３から構成されるバイポーラトランジスタ及びｎ領域２、ｐ領域３、及びｎ領域４から構成されるバイポーラトランジスタが導通状態に移行する。
【００４５】
片導通サイリスタ１００ａは、以上のように２つのバイポーラトランジスタが動通状態に移行することにより、サイリスタ部１１０が導通状態に移行する。これにより、片導通サイリスタ１００ａは、サイリスタ部１１０のアノード面（第１のサイリスタ部表面Ｆ１１）とサイリスタ部１１０のカソード面（第２のサイリスタ部表面Ｆ２１）との間で電流が流れる。ここで、片導通サイリスタ１００ａのブレークオーバ電流ＩＢＯ１は、サイリスタ部１１０が導通状態に到達する電流である。
【００４６】
以上のように、片導通サイリスタ１００ａは、点弧動作の際に、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に流れる電流経路Ｋ２を、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との最短経路より長くさせるｎ領域５を備える。ｎ領域５は、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行してｐ領域３に接する２つの接合面を備えて形成される。また、ｎ領域５は、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行する方向の領域幅が、第２のダイオード部表面Ｆ２２の幅よりも狭い領域である。これにより、片導通サイリスタ１００ａでは、電流経路Ｋ２において、ｎ領域５によって、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行にｐ領域３を流れる電流経路が生じる。
【００４７】
したがって、片導通サイリスタ１００ａでは、接合部Ｊ３の接合面に沿って流れる電流経路が、ｎ領域５を備えない従来の片導通サイリスタより長くなる。そのため、片導通サイリスタ１００ａは、第１の実施形態における片導通サイリスタ１００と同様に、ｎ領域５を備えない従来の片導通サイリスタより低いブレークオーバ電流ＩＢＯ１で導通状態に移行する。つまり、片導通サイリスタ１００ａは、点弧動作感度を向上することができる。これにより、片導通サイリスタ１００ａは、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現することができる。
【００４８】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明の第３の実施形態おける半導体装置（片導通サイリスタ）について図面を参照して説明する。
図５は、本実施形態による片導通サイリスタ１００ｂを示す断面構成図である。
図５において、片導通サイリスタ１００ｂは、ｐ領域（１、３、６）、ｎ領域（２、４、５）、低耐圧領域７ｂ、チャネルストッパ（８、９）、及び絶縁層（１０〜１３）を備える。この図において、図１と同じ構成には同一の符号を付す。
【００４９】
低耐圧領域７ｂは、ｎ領域２とｐ領域３とに接して形成され、ｎ領域２とｐ領域３との接合Ｊ２の接合耐圧より耐圧が低い領域である。低耐圧領域７ｂは、例えば、ｐ領域３より不純物濃度が高いｐ型半導体のｐ＋＋領域である。また、低耐圧領域７ｂは、サイリスタ部１１０に形成され、接合部Ｊ２における第１の表面Ｆ１又は第２の表面Ｆ２と平行な接合面に形成される。低耐圧領域７ｂは、例えば、埋め込み拡散法などにより半導体基板の内部に埋め込まれて形成される。また、低耐圧領域７ｂは、接合部Ｊ２における接合面のうち、第２のダイオード部表面Ｆ２２からの距離が遠くなるように形成される。望ましい配置位置は、第２のダイオード部表面Ｆ２２からの距離が最長となる位置又はその位置付近である。低耐圧領域７ｂは、図４における第２の実施形態の低耐圧領域７ａに比べて、第２のダイオード部表面Ｆ２２からの距離が長い。
【００５０】
次に、本実施形態の動作について説明する。
図５に示される片導通サイリスタ１００ｂは、片導通サイリスタ１００ａの低耐圧領域７を低耐圧領域７ｂに置き換えている点を除いて同様に動作する。
図５において、第１の表面Ｆ１と第２の表面Ｆ２との間に順方向のバイアスがかけられた場合について説明する。ここで、順方向のバイアスがかけられた場合とは、第２の表面Ｆ２の電位より高い電位が第１の表面Ｆ１に印加された場合である。この図おいて、電流経路Ｋ３は、片導通サイリスタ１００ｂのサイリスタ部１１０が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、流れる電流経路を示している。
上述のような順方向のバイアスがかけられた場合、ｎ領域２とｐ領域３との接合部Ｊ２には、逆方向電圧（逆バイアス）がかかる。低耐圧領域７ｂ部分の接合耐圧は、接合部Ｊ２の接合耐圧より低くなる。そのため、低耐圧領域７ｂが、接合部Ｊ２より先にブレークダウンする。その結果、低耐圧領域７ｂが接合する部分を経て電流が流れる。なお、片導通サイリスタ１００ｂにおいて、ブレークオーバ電圧は、低耐圧領域７ｂがブレークダウンする電圧に電流経路の抵抗値とブレークオーバ電流値の積を加えた電圧である。
【００５１】
ダイオード部１２０のカソード面（第１のダイオード部表面Ｆ１２）から低耐圧領域７ａを通過した電流は、ｐ領域３とｎ領域４との接合部Ｊ３の接合面に沿って、ｐ領域３をサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向に流れる。さらに、この電流は、ｐ領域３をｐ領域３とｎ領域５との接合面に沿って流れ、ｐ領域６を経てダイオード部１２０のアノード面（第２のダイオード部表面Ｆ２２）に到達する。この際に、ｎ領域５は、電流経路Ｋ３を長くするように機能する。また、低耐圧領域７ｂが、第２のダイオード部表面Ｆ２２からの距離が最長となる位置に形成されているため、電流経路Ｋ３は、第２の実施形態の片導通サイリスタ１００ａにおける電流経路Ｋ２より長くなる。
【００５２】
この電流経路Ｋ３を通過する電流が増大すると、第１の実施形態における片導通サイリスタ１００の動作と同様に、導通状態に移行する。つまり、ｐ領域１、ｎ領域２、及びｐ領域３から構成されるバイポーラトランジスタ及びｎ領域２、ｐ領域３、及びｎ領域４から構成されるバイポーラトランジスタが導通状態に移行する。
【００５３】
片導通サイリスタ１００ｂは、以上のように２つのバイポーラトランジスタが動通状態に移行することにより、サイリスタ部１１０が導通状態に移行する。これにより、片導通サイリスタ１００ｂは、サイリスタ部１１０が導通状態に移行し、サイリスタ部１１０のアノード面（第１のサイリスタ部表面Ｆ１１）とサイリスタ部１１０のカソード面（第２のサイリスタ部表面Ｆ２１）との間で電流が流れる。ここで、片導通サイリスタ１００ｂのブレークオーバ電流ＩＢＯ１は、サイリスタ部１１０が導通状態に到達する電流である。
【００５４】
以上のように、片導通サイリスタ１００ｂは、点弧動作の際に、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に流れる電流経路Ｋ３を、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との最短経路より長くさせるｎ領域５を備える。ｎ領域５は、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行してｐ領域３に接する２つの接合面を備えて形成される。また、ｎ領域５は、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行する方向の領域幅が、第２のダイオード部表面Ｆ２２の幅よりも狭い領域である。また、低耐圧領域７ｂが、第２のダイオード部表面Ｆ２２からの距離が最長となる位置に形成される。これにより、片導通サイリスタ１００ｂでは、電流経路Ｋ３において、ｎ領域５及び低耐圧領域７ｂの配置によって、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行にｐ領域３を流れる電流経路が、第２の実施形態の片導通サイリスタ１００ａにおける同様の電流経路より長くなる。
【００５５】
したがって、片導通サイリスタ１００ｂでは、接合部Ｊ３の接合面に沿って流れる電流経路が図７に示される従来の片導通サイリスタ及び第２の実施形態の片導通サイリスタ１００ａより長くなる。そのため、片導通サイリスタ１００ｂは、第１の実施形態における片導通サイリスタ１００と同様に、図７に示される従来の片導通サイリスタより低いブレークオーバ電流ＩＢＯ１で導通状態に移行する。さらに、片導通サイリスタ１００ｂは、第２の実施形態の片導通サイリスタ１００ａより低いブレークオーバ電流ＩＢＯ１で導通状態に移行する。つまり、片導通サイリスタ１００ｂは、第２の実施形態の片導通サイリスタ１００ａよりもさらに、点弧動作感度を向上することができる。これにより、片導通サイリスタ１００ｂは、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現することができる。
【００５６】
＜第４の実施形態＞
次に、本発明の第４の実施形態おける半導体装置（片導通サイリスタ）について図面を参照して説明する。
図６は、本実施形態による片導通サイリスタ１００ｃを示す断面構成図である。
図６において、片導通サイリスタ１００ｃは、ｐ領域（１、３）、ｎ領域（２、４、５、６）、チャネルストッパ（８、９）、及び絶縁層（１０〜１３）を備える。この図において、図１と同じ構成には同一の符号を付す。片導通サイリスタ１００ｃは、低耐圧領域を備えない形態である。
【００５７】
次に、本実施形態の動作について説明する。
図６に示される片導通サイリスタ１００ｃは、片導通サイリスタ１００の低耐圧領域７がない点を除いて同様に動作する。
図６において、第１の表面Ｆ１と第２の表面Ｆ２との間に順方向のバイアスがかけられた場合について説明する。ここで、順方向のバイアスがかけられた場合とは、第２の表面Ｆ２の電位より高い電位が第１の表面Ｆ１に印加された場合である。この図おいて、電流経路Ｋ４は、片導通サイリスタ１００ｃのサイリスタ部１１０が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、流れる電流経路の一例を示している。
上述のような順方向のバイアスがかけられた場合、ｎ領域２とｐ領域３との接合部Ｊ２には、逆方向電圧（逆バイアス）がかかる。この逆方向電圧が接合部Ｊ２の接合耐圧に達すると、接合部Ｊ２の接合耐圧が最も低い部分がブレークダウンする。これにより、ブレークダウンした接合部分を経て電流が流れる。
また、片導通サイリスタ１００ｃでは、低耐圧領域がないため、ｎ領域２とｐ領域３との接合部Ｊ２のどの位置でもブレークダウンが発生する可能性がある。本実施形態では、ダイオード部１２０でブレークダウンが発生した例を示す。
【００５８】
ダイオード部１２０のカソード面（第１のダイオード部表面Ｆ１２）からブレークダウンした接合部分を通過した電流は、ｐ領域３とｎ領域４（ｎ領域５）との接合部Ｊ３の接合面に沿って、ｐ領域３をサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向に流れる。さらに、この電流は、ｐ領域６を経てダイオード部１２０のアノード面（第２のダイオード部表面Ｆ２２）に到達する。この際に、ｎ領域５は、電流経路Ｋ４を長くするように機能する。
【００５９】
電流経路Ｋ４を通過する電流が増大すると、ｐ領域３における横方向の抵抗成分、すなわち、ｐ領域３とｎ領域４（ｎ領域５）との接合部Ｊ３の接合面に沿って、ｐ領域３をサイリスタ部１１０からダイオード部１２０に向かう方向の抵抗成分により、ｎ領域４及びｎ領域５の直上のｐ領域３に電圧降下が生じる。この電圧降下により、ｐ領域３とｎ領域４及びｎ領域５との接合部Ｊ３が順バイアスされる。この順バイアスが、接合部Ｊ３の拡散電位を超えるとｎ領域４からキャリアの注入が起こり、ｎ領域２、ｐ領域３、及びｎ領域４から構成されるバイポーラトランジスタが導通状態に移行する。
【００６０】
また、ダイオード部１２０のカソード面からダイオード部１２０のアノード面に流れる電流が増大すると、ダイオード部１２０のカソード面からｐ領域１下方のｎ領域２を通る電流経路が生じる。これにより、ｎ領域２における横方向の抵抗成分、すなわち、ダイオード部１２０のカソード面からｐ領域１の下方のｎ領域２部分の抵抗成分により、ｐ領域１直下のｎ領域２に電圧降下が生じる。この電圧降下により、ｐ領域１とｎ領域２との接合部Ｊ１が順バイアスされる。この順バイアスが、接合部Ｊ１の拡散電位を超えるとｐ領域１からキャリアの注入が起こり、ｐ領域１、ｎ領域２、及びｐ領域３から構成されるバイポーラトランジスタが導通状態に移行する。
【００６１】
片導通サイリスタ１００ｃは、以上のように２つのバイポーラトランジスタが動通状態に移行することにより、サイリスタ部１１０が導通状態に移行する。これにより、片導通サイリスタ１００ａは、サイリスタ部１１０のアノード面（第１のサイリスタ部表面Ｆ１１）とサイリスタ部１１０のカソード面（第２のサイリスタ部表面Ｆ２１）との間で電流が流れる。ここで、片導通サイリスタ１００ｃのブレークオーバ電流ＩＢＯ１は、サイリスタ部１１０が導通状態に到達する電流である。
【００６２】
以上のように、片導通サイリスタ１００ｃは、点弧動作の際に、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に流れる電流経路Ｋ４を、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との最短経路より長くさせるｎ領域５を備える。ｎ領域５は、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行してｐ領域３に接する２つの接合面を備えて形成される。また、ｎ領域５は、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行する方向の領域幅が、第２のダイオード部表面Ｆ２２の幅よりも狭い領域である。これにより、片導通サイリスタ１００ｃでは、電流経路Ｋ４において、ｎ領域５によって、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行にｐ領域３を流れる電流経路が生じる。
【００６３】
したがって、片導通サイリスタ１００ｃでは、ｎ領域５がない従来の片導通サイリスタより接合部Ｊ３の接合面に沿って流れる電流経路が長くなる。そのため、片導通サイリスタ１００ｃは、第１の実施形態における片導通サイリスタ１００と同様に、点弧動作感度を向上することができる。これにより、片導通サイリスタ１００ｃは、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現することができる。
また、片導通サイリスタ１００ｃでは、低耐圧領域を備えない。この場合、片導通サイリスタのブレークダウン電圧は、接合部Ｊ２の接合耐圧により決定される。このため、片導通サイリスタ１００ｃでは、ブレークダウン電圧を高くすることができる。
【００６４】
なお、本発明の実施形態によれば、片導通サイリスタ１００、１００ａ、１００ｂ、又は１００ｃ（半導体装置）は、ｐ型半導体（第１の導電型）のｐ領域１（第１領域）とｎ型半導体（第２の導電型）のｎ領域２（第２領域）とｐ型半導体のｐ領域３（第３領域）とｎ型半導体のｎ領域４（第４領域）とが順に接合されるサイリスタ部１１０と、ｎ領域２とｐ領域３とが接合されたダイオード部１２０とを有する。片導通サイリスタ１００、１００ａ、１００ｂ、又は１００ｃは、ダイオード部１２０におけるｎ領域２に接する第１のダイオード部表面Ｆ１２（第１の半導体基板面）とダイオード部１２０におけるｐ領域３に接する第２のダイオード部表面Ｆ２２（第２の半導体基板面）との間に形成され、サイリスタ部１１０が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に流れる電流経路を、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との最短経路より長くさせるｎ領域５（第５領域）を備える。
これにより、片導通サイリスタ１００、１００ａ、１００ｂ、又は１００ｃは、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現することができる。
【００６５】
また、ｎ領域５は、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行してｐ領域３に接する２つの接合面を備えて形成され、第２のダイオード部表面Ｆ２２と平行する方向の領域幅が、第２のダイオード部表面Ｆ２２の幅よりも狭いｎ型半導体の領域であって、ｎ領域４の一部として形成される。
これにより、接合部Ｊ３の接合面に沿って流れる電流経路を、ｎ領域５を備えない従来の片導通サイリスタより長くすることができる。そのため、片導通サイリスタ１００、１００ａ、１００ｂ、又は１００ｃは、保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現することができる。
【００６６】
また、ｐ領域３は、第２のダイオード部表面Ｆ２２及びｎ領域５に接する領域であって、ｐ領域３より不純物濃度が高いｐ型半導体のｐ領域６（第６領域）を含む。
不純物濃度が高い方がオーミック接触し易いため、これにより、第２のダイオード部表面Ｆ２２に金属端子を形成する場合に、オーミック接触が容易になるという効果が期待できる。また、ｎ領域４をイオン注入法などにより第２の表面Ｆ２に露呈させて形成した後に、ｐ領域６をイオン注入法などにより表面Ｆ２に露呈させて形成するため、ｎ領域５を形成する工程を簡略化することができる。
【００６７】
また、サイリスタ部１１０は、ｎ領域２とｐ領域３とに接し、ｎ領域２とｐ領域３との接合耐圧より耐圧が低い低耐圧領域７、７ａ又は７ｂ（第７領域）を備える。
これにより、片導通サイリスタ１００、１００ａ、又は１００ｂは、ブレークダウン電圧を低減することができる。
【００６８】
低耐圧領域７又は７ｂは、第２のダイオード部表面Ｆ２２からの距離が最長となる位置に形成される。
これにより、接合部Ｊ３の接合面に沿って流れる電流経路を、さらに長くすることができる。そのため、片導通サイリスタ１００、又は１００ｂは、点弧動作感度の高感度をさらに向上することができる。
【００６９】
なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更可能である。上記の各実施形態において、第１の導電型をｐ型半導体、第２の導電型をｎ型半導体として説明したが、第１の導電型をｎ型半導体、第２の導電型をｐ型半導体としてもよい。この場合は、第４領域（ｐ型半導体領域）から第１領域（ｎ型半導体領域）の方向に導通し、導通する方向が上記の各実施形態と逆になる。
【００７０】
また、上記の各実施形態において、チャネルストッパ（８、９）を備える形態を説明したが、本発明は、チャネルストッパ（８、９）を備えない形態に適用してもよい。
また、上記の各実施形態において、第２のダイオード部表面Ｆ２２（第２の半導体基板面）は、ダイオード部１２０におけるｐ領域３（ｐ領域６）に接する半導体基板面を示し、絶縁層１３に覆われる部分を含める形態を説明したが、絶縁層１３に覆われる部分を含めない形態でもよい。
【００７１】
また、上記の各実施形態において、片導通サイリスタ１００、１００ａ、１００ｂ又は１００ｃは、ｐ領域６を備える形態を説明したが、ｐ領域６を備えない形態でもよい。この場合、ｎ領域５は、例えば、埋め込み拡散法などにより半導体基板の内部に埋め込まれて形成され、ｐ領域６を形成する工程を削減することができる。
また、上記第１〜第３の各実施形態において、低耐圧領域７、７ａ又は７ｂは、ｐ領域３より不純物濃度が高いｐ型半導体のｐ＋＋領域である形態を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、低耐圧領域をｎ領域２より不純物濃度が高いｎ型半導体のｎ＋＋領域で形成する形態でもよいし、接合部Ｊ２の接合耐圧より耐圧が低い領域であれば、他の形態でもよい。
【符号の説明】
【００７２】
１、３、６  ｐ領域
２、４、５  ｎ領域
７、７ａ、７ｂ  低耐圧領域
８、９  チャネルストッパ
１０、１１、１２、１３  絶縁層
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ  片導通サイリスタ
１１０  サイリスタ部
１２０  ダイオード部
【図１】
0005658960.tif 000002
【図２】
0005658960.tif 000003
【図３】
0005658960.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005658960.tif 000006
【図６】
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【図７】
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