(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、  前記セラミック積層体の内部に形成された空洞部と、  前記複数のセラミック層間に配置され、一方主面および他方主面と、前記一方主面と前記他方主面をつなぐ複数の端面と、前記複数の端面のうちの互いに隣接する端面をつなぐコーナー部とを有する、少なくとも１対の放電電極と、  前記セラミック積層体の表面に形成され、前記放電電極と接続された外部電極とを備え、  前記１対の放電電極のうちの一方の放電電極の１つの端面と、他方の放電電極の１つの端面とが、前記空洞部を介して対向するＥＳＤ保護デバイスであって、  前記空洞部が、前記対向する端面の間の領域、前記対向する端面と前記コーナー部を介してつながれた別の端面に沿う領域、ならびに、前記一方主面上の、前記対向する端面に沿う領域および前記別の端面に沿う領域に一体に形成されていることを特徴とするＥＳＤ保護デバイス。
【請求項２】
前記１対の放電電極の前記他方主面側および、前記空洞部の底面であって、前記１対の放電電極の前記対向する端面の間の領域に、導電性材料と、半導体材料および絶縁性材料のうちの少なくとも一方とを含む放電補助電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載されたＥＳＤ保護デバイス。
【請求項３】
前記１対の放電電極のそれぞれにおいて、前記空洞部に露出した前記一方主面の形状は、Ｌ字状であることを特徴とする請求項１または２に記載されたＥＳＤ保護デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、セラミック積層体内に形成された空洞部を介して対向する少なくとも１対の放電電極を備えたＥＳＤ保護デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】  従来から、電子機器の回路を静電気から保護するために、例えば特許文献１（ＷＯ２００８／１４６５１４）に記載されたＥＳＤ（Electro-Static Discharge；静電気放電）保護デバイスが用いられている。【０００３】  図１０に、特許文献１に記載された従来のＥＳＤ保護デバイス１０００を示す。なお、図１０（Ａ）は、ＥＳＤ保護デバイス１０００の断面図、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）におけるＥＳＤ保護デバイス１０００のＩ−Ｉ線断面図である。【０００４】  ＥＳＤ保護デバイス１０００は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体１０１を備えている。セラミック積層体１０１の内部には、空洞部１０２が形成されている。【０００５】  複数のセラミック層間には、１対の放電電極１０３、１０３が配置されている。１対の放電電極１０３、１０３のそれぞれは、一方主面および他方主面と、一方主面と他方主面をつなぐ４つの端面１０３ａ、１０３ａとを有している。１対の放電電極１０３、１０３のうちの一方の放電電極１０３の１つの端面１０３ａと、他方の放電電極１０３の１つの端面１０３ａは、空洞部１０２を介して対向している。【０００６】  セラミック積層体１０１の表面には、放電電極１０３、１０３と接続された外部電極１０５、１０５が形成されている。【０００７】  １対の放電電極１０３、１０３の他方主面側および、空洞部１０２の底面であって、１対の放電電極１０３、１０３の対向する端面１０３ａ、１０３ａの間の領域１０２ａにわたって一体に、金属からなる導電性材料とセラミックからなる絶縁性材料とを含む放電補助電極１０４が形成されている。放電電極１０３、１０３の空洞部１０２に露出する部分は、他方主面のみで放電補助電極１０４と接合されている。【０００８】  ＥＳＤ保護デバイス１０００は、例えば、回路の信号線路とグランドとの間に配置して使用する。１対の放電電極１０３、１０３間で絶縁破壊を起こす電圧（放電開始電圧以上の電圧）が印加されると、空洞部１０２内において放電電極１０３、１０３間で放電が起こり、その放電により過剰な電圧をグランドへ導き、後段の回路を保護することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】ＷＯ２００８／１４６５１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】  しかしながら、上述した従来のＥＳＤ保護デバイス１０００においては、放電電極１０３、１０３の空洞部１０２に露出した部分が、放電時にかかる衝撃により放電補助電極１０４から剥がれやすいため、放電を繰り返すと放電開始電圧が変化してしまう場合があるという問題点があった。【００１１】  本発明の目的は、従来と同じ程度の低い放電開始電圧で動作しつつ、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化が小さいＥＳＤ保護デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】  上記の目的を達成するために、本発明のＥＳＤ保護デバイスは、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部に形成された空洞部と、前記複数のセラミック層間に配置され、一方主面および他方主面と、前記一方主面と前記他方主面をつなぐ複数の端面と、前記複数の端面のうちの互いに隣接する端面をつなぐコーナー部とを有する、少なくとも１対の放電電極と、前記セラミック積層体の表面に形成され、前記放電電極と接続された外部電極とを備え、前記１対の放電電極のうちの一方の放電電極の１つの端面と、他方の放電電極の１つの端面とが、前記空洞部を介して対向するＥＳＤ保護デバイスであって、前記空洞部が、前記対向する端面の間の領域、前記対向する端面と前記コーナー部を介してつながれた別の端面に沿う領域、ならびに、前記一方主面上の、前記対向する端面に沿う領域および前記別の端面に沿う領域に一体に形成されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】  本発明によれば、従来と同じ程度の低い放電開始電圧で動作しつつ、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化が小さいＥＳＤ保護デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の断面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＥＳＤ保護デバイス１００のＩ−Ｉ線断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の比較例１の断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の比較例２の断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の変形例の断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の比較例３の断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の比較例４の断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の第１の変形例の断面図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の第２の変形例の断面図である。
【図１０】図１０は、従来のＥＳＤ保護デバイス１０００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】（第１の実施形態）  図１に、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００を示す。図１（Ａ）は、ＥＳＤ保護デバイス１００の断面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＥＳＤ保護デバイス１００のＩ−Ｉ線断面図である。
【００１６】  ＥＳＤ保護デバイス１００は、複数のセラミック層が積層されてなる直方体のセラミック積層体１を備えている。セラミック積層体１は、例えばＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系低温焼結セラミック材料（以下、ＢＡＳ材と呼ぶ）からなっている。
【００１７】  複数のセラミック層間には、１対の直方体の放電電極３、３が配置されている。１対の放電電極３、３のそれぞれは、一方主面および他方主面と、一方主面と他方主面をつなぐ４つの端面３ａと、４つの端面３ａのうちの互いに隣接する端面をつなぐ４つのコーナー部３ｂとを有している。放電電極３、３は、例えばＣｕ等の導電性材料からなっている。
【００１８】  １対の放電電極３、３の他方主面側および、空洞部２の底面であって、１対の放電電極３、３の対向する端面３ａ、３ａの間の領域２ａにわたって一体に、放電補助電極４が形成されている。放電補助電極４は、例えば、アルミナ被膜Ｃｕ粒子等の導電性材料および、ＳｉＣ等のセラミックからなる半導体材料を含んでいる。
【００１９】  セラミック積層体１の表面には、放電電極３、３と接続された外部電極５、５が形成されている。外部電極５、５は、例えば、Ａｇからなっている。
【００２０】  セラミック積層体１の内部には、空洞部２が形成されている。１対の放電電極３、３のうちの一方の放電電極３の１つの端面３ａと、他方の放電電極３の１つの端面３ａとが、空洞部２を介して対向している。１対の放電電極３、３を平面視したときには、長方形の放電電極３、３の短辺同士で対向している。空洞部２は、１対の放電電極３、３の対向する端面３ａ、３ａの間の領域２ａ、対向する端面３ａ、３ａとコーナー部３ｂ、３ｂ、３ｂ、３ｂを介してつながれた別の端面３ｃ、３ｃ、３ｃ、３ｃに沿う領域２ｃ、２ｃ、２ｃ、２ｃ、ならびに、放電電極３、３の一方主面上の、対向する端面３ａ、３ａおよび別の端面３ｃ、３ｃ、３ｃ、３ｃに沿うコ字状の領域３ｅ、３ｅに一体に形成されている。
【００２１】  上述したように、放電電極３、３はＣｕ等の導電性材料からなり、放電補助電極４はＣｕ等の導電性材料と、ＳｉＣ等のセラミックからなる半導体材料を混合した材料からなっている。したがって、放電電極３、３と放電補助電極４は異種の材料であることから接合性が悪く、放電時の衝撃により、空洞部２に露出した放電電極３、３は放電補助電極４から剥がれやすい。
【００２２】  しかしながら、上述した構造のＥＳＤ保護デバイス１００によれば、図１０に示すような従来のＥＳＤ保護デバイス１０００に対して、１対の放電電極３、３それぞれの一方主面上の、対向する端面３ａおよび別の端面３ｃ、３ｃに沿うコ字状の領域３ｅを空洞部２として残すように、放電電極３、３上のセラミック積層体１の面積を広げて形成し、放電電極３、３の空洞部２に露出した部分の面積を小さくしている。そのため、放電時の衝撃によって放電電極３、３が放電補助電極４から剥がれることが抑制されており、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化を小さくすることができる。
【００２３】  さらに、ＥＳＤ保護デバイス１００によれば、対向する端面３ａ、３ａとコ字状の領域３ｅ、３ｅをつなぐ辺、別の端面３ｃ、３ｃ、３ｃ、３ｃとコ字状の領域３ｅ、３ｅをつなぐ辺、および、コーナー部３ｂ、３ｂ、３ｂ、３ｂという放電が発生しやすい放電電極３、３の部分の周辺を、空洞部２に露出させた部分として残すように、空洞部２の形状を従来よりも小さくしているため、従来と同じ程度の低い放電開始電圧に維持することができる。
【００２４】  以上に示すように、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００は、従来と同じ程度の低い放電開始電圧を維持しつつ、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化を小さくすることができる。
【００２５】  さらに、ＥＳＤ保護デバイス１００においては、空洞部２に露出した、セラミック積層体１と放電電極３、３の一方主面との境界がコ字状となっている。境界の形状を一直線ではなく、コ字状にしているため、ＥＳＤ保護デバイス１００をリフローにより基板に実装する際に、空洞部２内の気体の熱膨張に伴いセラミック積層体１にかかる力が分散され、セラミック積層体１が放電電極３、３の一方主面側から剥がれにくい。その結果、リフロー後に空洞部２の体積が大きくなりにくいだけでなく、他方主面のみで放電補助電極４と接合したセラミック積層体１の面積の拡大を抑制でき、放電電極３、３の剥がれを抑制することができる。
【００２６】  次に、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法の一例について説明する。
【００２７】  まず、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｉを中心とした各素材を所定の割合で調合、混合し、８００〜１０００℃で仮焼することにより、ＢＡＳ材を形成する。得られたＢＡＳ材をジルコニアボールミルで粉砕し、平均粒径約１〜２μｍ程度のＢＡＳ材からなるセラミック材料を形成する。このセラミック材料に、トルエンやエキネン等の有機溶媒を加え、混合する。その後、バインダー、可塑剤を加え、混合し、スラリーを形成する。
【００２８】  次に、スラリーをドクターブレート#法により成形し、厚み１０〜５０μｍのセラミックグリーンシートを複数枚形成する。
【００２９】  次に、導電性材料および半導体材料を含む放電補助電極形成用ペーストを形成する。具体的には、平均粒径約３〜１０μｍのアルミナ被膜Ｃｕ粒子と、平均粒径約１〜２μｍのＳｉＣ粒子からなるセラミック材料を所定の割合で調合し、バインダー樹脂と溶剤を添加し、３本ロールで撹拌、混合することで放電補助電極形成用ペーストを形成する。
【００３０】  次に、セラミックグリーンシートの一方主面上に、スクリーン印刷により放電補助電極形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の放電補助電極４を形成する。
【００３１】  次に、Ｃｕ粉とエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、３本ロールで撹拌、混合することで放電電極形成用ペーストを形成する。
【００３２】  次に、スクリーン印刷により放電電極形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の１対の放電電極３、３を形成する。
【００３３】  次に、スクリーン印刷により、対向する端面３ａ、３ａの間の領域２ａ、対向する端面３ａ、３ａとコーナー部３ｂ、３ｂ、３ｂ、３ｂを介してつながれた別の端面３ｃ、３ｃ、３ｃ、３ｃに沿う領域２ｃ、２ｃ、２ｃ、２ｃ、ならびに、一方主面上の、対向する端面３ａ、３ａおよび別の端面３ｃ、３ｃ、３ｃ、３ｃに沿うコ字状の領域３ｅ、３ｅに一体に、樹脂ペーストを塗布する。樹脂ペーストには、焼成時に消失する材料として、例えば、ＰＥＴ、ポリプロピレン、エチルセルロース、アクリル樹脂等を用いる。
【００３４】  次に、複数枚のセラミックグリーンシートを所定の順番で積層し、圧着することにより、樹脂ペースト、放電電極３、３および放電補助電極４が内部に積層されたセラミック積層体１を形成する。
【００３５】  次に、マイクロカッタを用いたカットにより、セラミック積層体１を分割する。
【００３６】  次に、分割されたセラミック積層体１をＮ2雰囲気中で焼成する。焼成によって、樹脂ペーストは消失し、空洞部２が形成される。
【００３７】  次に、セラミック積層体１の表面上にＡｇ等を含む導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより、放電電極３、３と電気的に接続された複数の外部電極５、５を形成する。
【００３８】  最後に、必要であれば、外部電極５、５上に、電解めっきにより、ＮｉおよびＳｎからなる膜を形成することにより、図１に示すようなＥＳＤ保護デバイス１００を完成させる。
【００３９】  本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００に対して、初期の放電開始電圧および、繰り返し放電後の放電開始電圧を評価した。
【００４０】  放電開始電圧は、ＩＥＣ６１０００−４−２に定められている、静電気放電イミュニティ試験により測定した。具体的には、接触放電にて８ｋＶをＥＳＤ保護デバイスに印加して、保護回路側で検出されたピーク電圧を放電開始電圧とした。
【００４１】  繰り返し放電後の放電開始電圧は、接触放電にて８ｋＶをＥＳＤ保護デバイスに１００回印加した後に、前記と同様の方法により測定したピーク電圧とした。
【００４２】  評価対象として、上述した製造方法と同一の方法より、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００と同一の構造の実施例１を作製した。また、実施例１との比較対象として、樹脂ペーストの塗布パターンを実施例１に対して変更することにより、実施例１と空洞部の形状、寸法のみが異なる比較例１のＥＳＤ保護デバイス２００、比較例２のＥＳＤ保護デバイス３００を作製した。比較例１では、図２に示すように、図１０に示した従来技術（特許文献１）と同様に、平面視したときに長方形の空洞部２２を形成した。比較例２では、図３に示すように、平面視したときに、比較例１の空洞部２２よりも横幅が小さい長方形の空洞部３２を形成した。
【００４３】  表１に、実施例１、比較例１、比較例２それぞれの放電開始電圧の測定結果を示す。
【００４４】
【表１】
0005757372.tif 000002
【００４５】  表１から分かるように、実施例１における初期の放電開始電圧の繰り返し放電による変化は、従来技術の比較例１に比べて小さくなっている。さらに、実施例１では、初期の放電開始電圧は、比較例１よりも小さい値を維持している。すなわち、実施例１では、初期の放電開始電圧を、従来と同じ程度に低く維持しつつ、従来技術の比較例１と比べて、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化を小さくすることができている。
【００４６】  一方、比較例１よりも長方形の空洞部の横幅を狭めた比較例２では、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化が比較例１に比べて小さくなっているが、初期の放電開始電圧が比較例１に比べて大きくなってしまうという問題点がある。これに対して、実施例１では、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化を比較例１に比べて小さくしつつ、初期の放電開始電圧を比較例１と同じ程度に低く維持できている。
【００４７】  以上、本発明の第１実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の構造、および製造方法の一例について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００４８】  図４に、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の変形例４００の断面図を示す。変形例４００は、上述したＥＳＤ保護デバイス１００とは異なり、１対の放電電極４３、４３のそれぞれにおいて、対向する端面４３ａ、４３ａとコーナー部４３ｂ、４３ｂ、４３ｂ、４３ｂを介してつながる別の端面４３ｃ、４３ｃ、４３ｃ、４３ｃが、平面視したときに対向する端面４３ａ、４３ａから離れるにつれて広がるように形成されている。この場合においても、従来と同じ程度の低い放電開始電圧を維持しつつ、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化を小さくすることができる。
【００４９】  また、前記実施形態では、放電補助電極４が形成されているが、放電補助電極４が形成されていなくても良い。放電補助電極４が形成されていない場合であっても、接合する放電電極３、３とセラミック積層体４は、異なる材料からなるため、放電電極３、３がセラミック積層体４から剥がれやすい。そのため、この場合においても、本発明を適用する意義がある。
【００５０】  放電補助電極４が形成されていないＥＳＤ保護デバイスにおいて、本発明と同様の空洞部２の形状にすることにより、従来と同じ程度の低い放電開始電圧を維持しつつ、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化を小さくすることができる。
【００５１】  また、前記実施形態では、放電補助電極４は、導電性材料と半導体材料とを含んでいるが、半導体材料の代わりに、ＢＡＳ材等の絶縁性材料を含んでいても良い。もしくは、放電補助電極４は、導電性材料と、半導体材料および絶縁性材料の両方とを含んでいても良い。（第２の実施形態）  図５に、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の断面図を示す。
【００５２】  第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００では、平面視したときに、１対の長方形の放電電極３、３の短辺側の端面３ａ、３ａ同士を対向させているが、第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００では、１対の長方形の放電電極５３、５３の長辺側の端面５３ａ、５３ａの一部同士を対向させている。
【００５３】  ＥＳＤ保護デバイス１００では、対向する端面３ａ、３ａのコーナー部３ｂ、３ｂ、３ｂ、３ｂは、１対の放電電極３、３それぞれに２つずつ有しているが、ＥＳＤ保護デバイス５００では、１対の放電電極５３、５３それぞれに１つずつ有している。
【００５４】  また、ＥＳＤ保護デバイス１００では、空洞部２は、放電電極３、３の一方主面上において、コ字状の領域に形成されているが、ＥＳＤ保護デバイス５００では、空洞部５２はＬ字状の領域に形成されている。
【００５５】  また、ＥＳＤ保護デバイス１００では、コーナー部３ｂ、３ｂ同士を直接対向させているが、ＥＳＤ保護デバイス５００では、コーナー部５３ｂ、５３ｂ同士を直接対向させず、コーナー部５３ｂと端面５３ａを対向させている。
【００５６】  この場合においても、従来と同じ程度の低い放電開始電圧を維持しつつ、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化を小さくすることができる。
【００５７】  さらに、第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００によれば、対向する端面５３ａ、５３ａを、図５に示すように、平面視したときに長方形のセラミック積層体５１の長手方向と並行に配置していることから、対向部５３ａ、５３ａの長さをより長く設定することにより、対向する放電電極５３、５３の対向する長さを大きくすることができるため、ＥＳＤ保護デバイス５００の繰り返し使用可能回数を多くすることができる。
【００５８】  また、ＥＳＤ保護デバイス５００によれば、コーナー部５３ｂと端面５３ａを対向させていることから、ＥＳＤ保護デバイス１００のようにコーナー部３ｂ、３ｂ同士を対向させている場合に比べて、印刷ずれ等による放電電極３、３の位置にばらつきに対して放電開始電圧を安定させることができる。
【００５９】  第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の製造方法には、第１の実施形態のＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法と同様の方法を用いることができる。第１の実施形態の製造方法と第２の実施形態の製造方法の相違点は、樹脂ペーストを塗布する形状、放電電極用ペーストを塗布する形状を、空洞部５２および放電電極５３、５３の形状に合わせるように変更していることである。
【００６０】  第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００に対して、第１の実施形態のＥＳＤ保護デバイス１００と同様に、放電開始電圧を評価した。
【００６１】  評価対象として、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００と同一の構造の実施例２を作製した。また、実施例２との比較対象として、樹脂ペーストおよび放電電極用ペーストの塗布パターンを実施例２に対して変更することにより、実施例１と空洞部および放電電極の形状、寸法のみが異なる比較例３のＥＳＤ保護デバイス６００、比較例４のＥＳＤ保護デバイス７００を作製した。比較例３では、図６に示すように、長方形の空洞部６２を形成した。比較例４では、図７に示すように、比較例３の空洞部２２よりも縦幅が小さい長方形の空洞部７２を形成した。
【００６２】  表２に、実施例２、比較例３、比較例４それぞれの放電開始電圧の測定結果を示す。
【００６３】
【表２】
0005757372.tif 000003
【００６４】  表２から分かるように、実施例２では、実施例１と同様に、初期の放電開始電圧を、従来と同じ程度に低く維持しつつ、比較例３と比べて放電開始電圧の変化を小さくすることができている。
【００６５】  以上、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の構造、および製造方法の一例について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００６６】  図８、図９にそれぞれ、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス５００の第１の変形例８００、第２の変形例９００の断面図を示す。
【００６７】  第１の変形例８００は、上述したＥＳＤ保護デバイス５００とは異なり、１対の放電電極８３、８３のそれぞれにおいて、対向する端面８３ａ、８３ａとコーナー部８３ｂ、８３ｂ、８３ｂ、８３ｂを介してつながる別の端面８３ｃ、８３ｃ、８３ｃ、８３ｃが、平面視したときに対向する端面８３ａ、８３ａから離れるにつれて広がるように形成されている。
【００６８】  第２の変形例９００は、放電電極９３、９３の対向する端面９３ａ、９３ａを含む先端の部分は、平面視したときに平行四辺形の形状となっている。
【００６９】  これらの第１の変形例８００、第２の変形例９００の場合においても、従来と同じ程度の低い放電開始電圧を維持しつつ、放電の繰り返しによる放電開始電圧の変化を小さくすることができる。
【符号の説明】
【００７０】１  セラミック積層体２  空洞部２ａ  １対の放電電極の対向する端面の間の領域２ｃ  １対の放電電極の別の端面に沿う領域３  放電電極３ａ  放電電極の対向する端面３ｂ  放電電極のコーナー部３ｃ  放電電極の別の端面３ｅ  放電電極の一方主面上の領域４  放電補助電極５  外部電極１００、４００、５００、８００、９００  ＥＳＤ保護デバイス
【図１】
0005757372.tif 000004
【図２】
0005757372.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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