(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源と、
前記試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する赤色領域の光を多く検出するスペクトル応答特性を有する半導体検出器からなる反射電子検出器と、
前記試料表面上の分析位置を含む領域に前記所定方向から可視光を照射する落射光用光源部と、
前記試料表面上の分析位置を含む領域で前記所定方向と逆方向に反射した可視光が検出面に入射して、前記試料表面上の分析位置を含む領域の光学像を取得する画像取得部と、
前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記反射電子検出器で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部とを備える電子線分析装置であって、
前記落射光用光源部は、ハロゲンランプと青色領域の光のみを透過するブルーフィルタとを備えるもの、又は、青色発光ダイオードであることを特徴とする電子線分析装置。
【請求項２】
試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源と、
前記試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する赤色領域の光を多く検出するスペクトル応答特性を有する半導体検出器からなる反射電子検出器と、
前記試料の分析位置を含む領域に前記所定方向と逆方向から偏光光を照射する透過光用光源部と、
前記試料の分析位置を含む領域を前記所定方向と逆方向に透過した偏光光が検出面に入射して、前記試料の分析位置を含む領域の偏光像を取得する画像取得部と、
前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記反射電子検出器で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部とを備える電子線分析装置であって、
前記透過光用光源部は、ハロゲンランプと青色領域の光のみを透過するブルーフィルタとを備えるもの、又は、青色発光ダイオードであることを特徴とする電子線分析装置。
【請求項３】
前記試料表面上の分析位置から放出された特性Ｘ線による信号を検出するＸ線検出部を備え、
前記制御部は、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記Ｘ線検出部で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲のＸ線画像を取得することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子線分析装置。
【請求項４】
前記Ｘ線検出部は、前記試料表面上の分析位置から放出される特性Ｘ線を分光するＸ線分光器と、当該Ｘ線分光器で波長分散されたＸ線を検出するＸ線検出器とを備える波長分散型のＸ線検出部であることを特徴とする請求項３に記載の電子線分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料表面に電子線を照射し、それによって試料表面で反射した反射電子による信号を検出することが可能な電子線分析装置に関し、特に電子線の照射位置を試料表面上で移動させることで試料表面上の一次元範囲又は二次元範囲における元素分布等を示すＸ線画像を取得する電子線マイクロアナライザ（電子線分析装置）に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線を試料表面に照射し、そこから放出される種々の粒子やＸ線による信号を検出して画像化する電子線分析装置として、様々な種類の装置が実用化されている。例えば、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ：「電子線プローブ微小部分析装置」ともいう）では、微小径に集束させた電子線を試料表面に照射する。電子線が照射された試料表面上の分析位置からは試料表面に含まれる元素に特有のエネルギーを有する特性Ｘ線や反射電子等が発生するため、この特性Ｘ線による信号を検出してそのエネルギー及び強度を分析することにより、試料表面上の分析位置に存在する元素の同定や定量を行ったり、この反射電子による信号を検出してその強度分布を分析することにより、試料表面上の組成像と凹凸形状の観察を行ったりしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、このようなＥＰＭＡは、試料表面の観察を行うための光学顕微鏡を備え、光学顕微鏡を用いて試料表面の光学像が観察されながら試料表面上における分析位置の決定等が行われている。例えば、ハロゲンランプ等の光源から試料表面上の分析位置を含む領域に可視光を照射して、試料表面上の分析位置を含む領域で反射した可視光をＣＣＤカメラで検出することにより、検出された可視光に基づいて光学像が作成され表示されている。これにより、分析者は、光学像を観察しながら試料表面上の電子線の照射位置とＸ線分光器（Ｘ線分光器結晶）の焦点位置とが一致するようにしたり、試料表面上の分析範囲の位置（分析位置情報）を指定したりしている。
【０００４】
図３は、従来のＥＰＭＡの要部の構成を示す構成図である。なお、地面に水平な一方向をＸ方向とし、地面に水平でＸ方向と垂直な方向をＹ方向とし、Ｘ方向とＹ方向とに垂直な方向をＺ方向とする。
ＥＰＭＡ２０１は、試料Ｓが載置される試料ステージ１０と、電子線Ｅを試料Ｓ表面上の分析位置に照射する電子線源２０と、試料Ｓ表面上の分析位置から放出された特性Ｘ線Ｐによる信号を検出するＸ線検出部３０と、試料Ｓ表面上の分析位置で反射した反射電子Ｑによる信号を検出する反射電子検出器４０と、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に可視光Ｌを照射するハロゲンランプ６１と、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域で反射した可視光Ｌを検出する画像取得装置７０と、ＥＰＭＡ２０１全体の制御を行うコンピュータ２５０とを備える。
【０００５】
試料ステージ１０は、移動体である試料台と、パルスモータを含むＸ方向駆動機構（図示せず）と、パルスモータを含むＹ方向駆動機構（図示せず）と、パルスモータを含むＺ方向駆動機構（図示せず）とを備える。
試料台の上面には、試料Ｓを載せたり取り除いたりすることが可能となっている。このような試料台は、コンピュータ２５０の試料ステージ制御部５１ａによって駆動機構のパルスモータへ必要な駆動パルス信号が出力されることにより、所望のＸ方向とＹ方向とＺ方向とに移動できるようになっている。
【０００６】
電子線源２０は、電子銃２１と偏向コイル（図示せず）と対物レンズ２２とを備える。そして、電子銃２１は、出射面が下方（Ｚ方向）を向くように試料ステージ１０の上方（−Ｚ方向）に配置されている。このような電子線源２０によれば、電子銃２１から放出された電子線Ｅは、偏向コイルを経て対物レンズ２２によって集束され、試料ステージ１０に載せられた試料Ｓ表面上の分析位置にＺ方向（所定方向）から照射されるようになっている。
【０００７】
Ｘ線検出部３０は、波長分散型のＸ線検出器であり、試料Ｓ表面上の分析位置（焦点位置）から放出される特性Ｘ線Ｐを分光するＸ線分光器３１と、Ｘ線分光器３１で波長分散されたＸ線による信号を検出するＸ線検出器３２とを備える。そして、Ｘ線分光器３１は、反射面（回折面）が試料Ｓからの特性Ｘ線Ｐを受けるように配置されるとともに、Ｘ線検出器３２は、Ｘ線分光器３１を向くように配置されている。これにより、試料Ｓ表面上の分析位置から放出された特性Ｘ線ＰがＸ線分光器３１の反射面で波長分散され、波長分散されたＸ線による信号を検出している。
【０００８】
反射電子検出器４０は、半導体検出器であり、円形状の開口を中心に有する円環形状となっており、反射電子による受光信号の強度を検出する検出面が扇形状に４等分されている。そして、反射電子検出器４０は、ＥＰＭＡ２０１中において電子線Ｅが円形状の開口を通過するとともに検出面は下方（Ｚ方向）に向くように、試料ステージ１０の上方（−Ｚ方向）に配置されている。これにより、反射電子検出器４０の各検出面は、試料Ｓ表面上の分析位置で略上方（−Ｚ方向）に反射した反射電子Ｑによる受光信号の強度をそれぞれ検出する。
【０００９】
ところで、試料Ｓ表面上の分析位置に同じＺ方向から電子線Ｅや可視光Ｌを照射するために、試料ステージ１０の上方（−Ｚ方向）には、電子線Ｅが通過する孔部を有する有孔平面ミラー９１が配置されている。
これにより、左方（Ｘ方向）に進行する可視光Ｌは有孔平面ミラー９１によって進行方向を変え、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に所定方向（Ｚ方向）から照射され、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域で所定方向と逆方向（−Ｚ方向）に反射した可視光Ｌは有孔平面ミラー９１によって進行方向を右方（−Ｘ方向）に変えるようになっている。一方、所定方向（Ｚ方向）に進行する電子線Ｅは有孔平面ミラー９１の孔部を通過し、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に所定方向（Ｚ方向）から照射されるようになっている。
【００１０】
画像取得装置７０は、ＣＣＤカメラ７１とリレーレンズ７２とを備える。
ＣＣＤカメラ７１は、ハロゲンランプ６１から出射された可視光Ｌと同じ光軸で可視光Ｌを検出するために、ＣＣＤカメラ７１の前方（Ｘ方向）には、平板形状のハーフミラー９２が配置されている。
これにより、所定方向（Ｚ方向）に進行する可視光Ｌの５０％がハーフミラー９２によって進行方向をＸ方向に変えるようになっている。一方、−Ｘ方向に進行する可視光Ｌの５０％がハーフミラー９２を透過し、ＣＣＤカメラ７１の検出面にリレーレンズ７２を介して導かれるようになっている。
【００１１】
コンピュータ２５０は、ＣＰＵ（制御部）２５１を備え、さらにモニタ（表示装置）５３と操作部（入力装置）５４とが連結されている。また、ＣＰＵ２５１が処理する機能をブロック化して説明すると、試料ステージ１０を制御する試料ステージ制御部５１ａと、ＣＣＤカメラ７１から光学像を取得してモニタ５３に表示する画像取得制御部２５１ｂと、Ｘ線検出部３０や反射電子検出器４０から試料Ｓ表面上の分析位置のＸ線画像（元素又は組成に関する情報）や反射電子像（組成や凹凸形状に関する情報）を取得する分析制御部５１ｃとを有する。
【００１２】
次に、ＥＰＭＡ２０１を用いて試料Ｓを分析する分析方法について説明する。
まず、分析者は、試料ステージ１０の上面に試料Ｓを載置する。次に、分析者は、ハロゲンランプ６１の電源を入れることにより、ハロゲンランプ６１からＺ方向に出射された可視光Ｌが、ハーフミラー９２によって進行方向をＸ方向に変える。そして、Ｘ方向に進行する可視光Ｌが、有孔平面ミラー９１によって進行方向を変え、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域にＺ方向から照射される。そして、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域で−Ｚ方向に反射した可視光Ｌが有孔平面ミラー９１によって進行方向を−Ｘ方向に変える。−Ｘ方向に進行する可視光Ｌがハーフミラー９２を透過し、ＣＣＤカメラ７１の検出面にリレーレンズ７２を介して導かれる。
その結果、画像取得制御部２５１ｂは、ＣＣＤカメラ７１で検出された可視光Ｌに基づいて、試料Ｓの分析位置を含む領域の光学像をモニタ５３に表示する。これにより、分析者は、光学像を観察しながら、操作部５４を用いて試料ステージ１０をＸ方向やＹ方向やＺ方向に移動させることにより、最適な焦点が得られるように配置するとともに、試料Ｓ表面上の分析範囲の位置（分析位置情報）を設定する。
【００１３】
その後、分析者は、ハロゲンランプ６１の電源を切ることにより、ハロゲンランプ６１から出射された可視光Ｌが試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に照射されないようにする。次に、分析制御部５１ｃは、電子線源２０の電源を入れることにより、電子線源２０から出射された電子線Ｅを試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に所定方向（Ｚ方向）から照射する。このとき、分析制御部５１ｃは、試料ステージ制御部５１ａによって試料ステージ１０をＸ方向やＹ方向やＺ方向に移動させながら、試料Ｓ表面上の分析範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器４０やＸ線検出器３０で信号を収集する。
その結果、分析制御部５１ｃは、信号の強度に基づいて、試料Ｓ表面上の分析位置のＸ線画像や反射電子像を取得してモニタ５３に表示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００８−０５８１５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、反射電子検出器４０やＸ線検出部３０で信号を収集する際に光学像を取得しようとすると、反射電子Ｑによる信号に基づいて取得された反射電子像のコントラストが劣化する等の影響を受け、反射電子像の画質が下がるという問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本件発明者らは、上記課題を解決するために、反射電子像と光学像とを同時に取得する方法について鋭意検討を行った。そこで、上述したようなＥＰＭＡ２０１では、ハロゲンランプ６１から出射される可視光Ｌは、図４に示すような波長分布となっており、反射電子検出器４０は、図５に示すようなスペクトル応答特性となっており、その結果、反射電子検出器４０が試料Ｓ表面上で−Ｚ方向に反射した赤色領域の光を多く検出していることがわかった。よって、ハロゲンランプ６１等の落射光用光源部６０は、赤色領域の光を出射しないようにすることを見出した。
【００１７】
すなわち、本発明の電子線分析装置は、試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源と、前記試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する赤色領域の光を多く検出するスペクトル応答特性を有する半導体検出器からなる反射電子検出器と、前記試料表面上の分析位置を含む領域に前記所定方向から可視光を照射する落射光用光源部と、前記試料表面上の分析位置を含む領域で前記所定方向と逆方向に反射した可視光が検出面に入射して、前記試料表面上の分析位置を含む領域の光学像を取得する画像取得部と、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記反射電子検出器で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部とを備える電子線分析装置であって、前記落射光用光源部は、ハロゲンランプと青色領域の光のみを透過するブルーフィルタとを備えるもの、又は、青色発光ダイオードであるようにしている。
【００１８】
ここで、「所定方向」とは、設計者等によって予め決められた任意の一方向であり、例えば、下方等となる。
また、「赤色領域」としては、例えば、波長７００ｎｍ以上の領域等が挙げられ、本願において「出射しない」とは、可能な限り出射しないことをいい、赤色領域の光を少しでも減光したものも含むものとする。
本発明の電子線分析装置によれば、落射光用光源部は、赤色領域の光を出射しないので、試料表面上の分析位置に所定方向から電子線と可視光とを同時に照射しても、反射電子検出器は、試料表面上で反射した可視光を検出することがなく、試料表面上の分析位置で反射した反射電子のみを検出することになる。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明の電子線分析装置によれば、反射電子像と光学像とを同時に取得することができる。
【００２０】
（他の課題を解決するための手段及び効果）
また、本発明の電子線分析装置は、試料表面上の分析位置に所定方向から電子線を照射する電子線源と、前記試料表面上の分析位置で反射した反射電子による信号を検出する赤色領域の光を多く検出するスペクトル応答特性を有する半導体検出器からなる反射電子検出器と、前記試料の分析位置を含む領域に前記所定方向と逆方向から偏光光を照射する透過光用光源部と、前記試料の分析位置を含む領域を前記所定方向と逆方向に透過した偏光光が検出面に入射して、前記試料の分析位置を含む領域の偏光像を取得する画像取得部と、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記反射電子検出器で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲の反射電子像を取得する制御部とを備える電子線分析装置であって、前記透過光用光源部は、ハロゲンランプと青色領域の光のみを透過するブルーフィルタとを備えるもの、又は、青色発光ダイオードであるようにしている。
以上のように、本発明の電子線分析装置によれば、反射電子像と偏光像とを同時に取得することができる。
【００２１】
本発明の電子線分析装置において、前記落射光用光源部又は前記透過光用光源部は、ハロゲンランプと、青色領域の光のみを透過するブルーフィルタとを備えるもの、又は、青色発光ダイオードであるようにしている。
ここで、「青色領域」としては、例えば、波長７００ｎｍ以下の領域等が挙げられ、本願において「のみ出射する」もしくは「のみ透過する」とは、可能な限り他の領域の光を出射もしくは透過しないことをいう。
【００２２】
そして、本発明の電子線分析装置において、前記試料表面上の分析位置から放出された特性Ｘ線による信号を検出するＸ線検出部を備え、前記制御部は、前記試料表面上の一次元又は二次元範囲内で分析位置を走査させることにより、前記Ｘ線検出部で信号を収集し、前記信号の強度に基づいて前記試料表面上の一次元又は二次元範囲のＸ線画像を取得するようにしてもよい。
以上のように、本発明の電子線分析装置によれば、Ｘ線画像と反射電子像と光学像もしくは偏光像とを同時に取得することができる。
【００２３】
さらに、本発明の電子線分析装置において、前記Ｘ線検出部は、前記試料表面上の分析位置から放出される特性Ｘ線を分光するＸ線分光器と、当該Ｘ線分光器で波長分散されたＸ線を検出するＸ線検出器とを備える波長分散型のＸ線検出部であるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第一の実施形態に係るＥＰＭＡの要部の構成を示す構成図。
【図２】第二の実施形態に係るＥＰＭＡの要部の構成を示す構成図。
【図３】従来のＥＰＭＡの要部の構成を示す構成図。
【図４】ハロゲンランプから出射される可視光の波長分布。
【図５】反射電子検出器のスペクトル応答特性。
【図６】ブルーフィルタのフィルタ特性。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の態様が含まれる。
【００２６】
＜第一の実施形態＞
図１は、第一の実施形態に係るＥＰＭＡの要部の構成を示す構成図である。なお、上述したＥＰＭＡ２０１と同様のものについては、同じ符号を付している。
ＥＰＭＡ１は、試料Ｓが載置される試料ステージ１０と、電子線Ｅを試料Ｓ表面上の分析位置に照射する電子線源２０と、試料Ｓ表面上の分析位置から放出された特性Ｘ線Ｐによる信号を検出するＸ線検出部３０と、試料Ｓ表面上の分析位置から放出された反射電子Ｑによる信号を検出する反射電子検出器４０と、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に光Ｌ’を照射する落射光用光源部６０と、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域で反射した光Ｌ’を検出する画像取得装置７０と、ＥＰＭＡ１全体の制御を行うコンピュータ５０とを備える。
【００２７】
落射光用光源部６０は、図４に示すような可視光Ｌを出射するハロゲンランプ６１と、ハロゲンランプ６１の前方（Ｚ方向）に配置され青色領域の光のみを透過するブルーフィルタ６２とを備える。図６は、ブルーフィルタのフィルタ特性の一例である。このような落射光用光源部６０によれば、ハロゲンランプ６１から出射された可視光Ｌは、ブルーフィルタ６２によって青色領域の光Ｌ’が透過され、光Ｌ’が試料ステージ１０に載せられた試料Ｓ表面上の分析位置にＺ方向（所定方向）から照射される（図４参照）。
【００２８】
コンピュータ５０においては、ＣＰＵ（制御部）５１を備え、さらにモニタ（表示装置）５３と操作部（入力装置）５４とが連結されている。また、ＣＰＵ５１が処理する機能をブロック化して説明すると、試料ステージ１０を制御する試料ステージ制御部５１ａと、ＣＣＤカメラ７１から光学像を取得してモニタ５３に表示する画像取得制御部５１ｂと、Ｘ線検出部３０や反射電子検出器４０から試料Ｓ表面上の分析位置のＸ線画像（元素又は組成に関する情報）や反射電子像（組成や凹凸形状に関する情報）を取得する分析制御部５１ｃとを有する。
【００２９】
次に、ＥＰＭＡ１を用いて試料Ｓを分析する分析方法について説明する。
まず、分析者は、試料ステージ１０の上面に試料Ｓを載置する。次に、分析者は、落射光用光源部６０の電源を入れることにより、落射光用光源部６０からＺ方向に出射された光Ｌ’が、ハーフミラー９２によって進行方向をＸ方向に変える。そして、Ｘ方向に進行する光Ｌ’が、有孔平面ミラー９１によって進行方向を変え、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域にＺ方向から照射される。そして、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域で−Ｚ方向に反射した光Ｌ’が有孔平面ミラー９１によって進行方向を−Ｘ方向に変える。−Ｘ方向に進行する光Ｌ’がハーフミラー９２を透過し、ＣＣＤカメラ７１の検出面にリレーレンズ７２を介して導かれる。
その結果、画像取得制御部５１ｂは、ＣＣＤカメラ７１で検出された光Ｌ’に基づいて、試料Ｓの分析位置を含む領域の光学像をモニタ５３に表示する。これにより、分析者は、光学像を観察しながら、操作部５４を用いて試料ステージ１０をＸ方向やＹ方向やＺ方向に移動させることにより、最適な焦点が得られるように配置するとともに、試料Ｓ表面上の分析範囲の位置（分析位置情報）を設定する。
【００３０】
次に、分析制御部５１ｃは、電子線源２０の電源を入れることにより、電子線源部２０から出射された電子線Ｅを試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に所定方向（Ｚ方向）から照射する。このとき、分析制御部５１ｃは、試料ステージ制御部５１ａによって試料ステージ１０をＸ方向やＹ方向やＺ方向に移動させながら、試料Ｓ表面上の分析範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器４０やＸ線検出部３０で信号を収集する。また、画像取得制御部５１ｂは、ＣＣＤカメラ７１で光Ｌ’を検出させる。
その結果、分析制御部５１ｃが、信号の強度に基づいて試料Ｓ表面上の分析範囲のＸ線画像や反射電子像を取得すると同時に、画像取得制御部５１ｂは、光Ｌ’に基づいて試料Ｓ表面上の分析範囲の光学像を取得する。
【００３１】
以上のように、本発明のＥＰＭＡ１によれば、落射光用光源部６０は、青色領域の光Ｌ’を出射しているので、試料Ｓ表面上の分析位置に所定方向（Ｚ方向）から電子線Ｅと光Ｌ’とを同時に照射しても、反射電子検出器４０は、試料Ｓ表面上で反射した光Ｌ’を検出することがなく、試料Ｓ表面上の分析位置で反射した反射電子Ｑのみを検出するので、Ｘ線画像と反射電子像と光学像とを同時に取得することができる。
【００３２】
＜第二の実施形態＞
図２は、第二の実施形態に係るＥＰＭＡの要部の構成を示す構成図である。なお、上述したＥＰＭＡ１と同様のものについては、同じ符号を付している。
ＥＰＭＡ１０１は、試料Ｓが載置される試料ステージ１１０と、電子線Ｅを試料Ｓ表面上の分析位置に照射する電子線源２０と、試料Ｓ表面上の分析位置から放出された特性Ｘ線Ｐによる信号を検出するＸ線検出器３０と、試料Ｓ表面上の分析位置から放出された反射電子Ｑによる信号を検出する反射電子検出器４０と、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に光Ｌ’を照射する落射光用光源部８４と、試料Ｓの分析位置を含む領域に偏光光Ｌ’’を照射する透過光用光源部８０と、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域で反射したかもしくは試料Ｓの分析位置を含む領域を透過した光Ｌ’、Ｌ’’を検出する画像取得装置１７０と、ＥＰＭＡ１０１全体の制御を行うコンピュータ１５０とを備える。
【００３３】
試料ステージ１１０は、移動体である試料台と、パルスモータを含むＸ方向駆動機構（図示せず）と、パルスモータを含むＹ方向駆動機構（図示せず）と、パルスモータを含むＺ方向駆動機構（図示せず）とを備える。
試料台の中央部には、開口が形成されており、偏光光Ｌ’’が開口を通過するようになっている。
【００３４】
落射光用光源部８４は、青色領域の光Ｌ’のみを出射する青色発光ダイオードを備える。このような落射光用光源部８４によれば、青色発光ダイオードから出射された青色領域の光Ｌ’が、試料ステージ１１０に載置された試料Ｓ表面上の分析位置にＺ方向（所定方向）から照射される。
【００３５】
透過光用光源部８０は、青色領域の光Ｌ’のみを出射する青色発光ダイオード８１と、青色発光ダイオード８１の前方（Ｘ方向）に配置され所定の偏光光のみを通過させる偏光子８２と、偏光子８２の前方（Ｘ方向）に配置された反射鏡８３とを備える。このような透過光用光源部８０によれば、青色発光ダイオード８１から出射された光Ｌ’は、偏光子８２によって偏光光Ｌ’’のみとされ、偏光光Ｌ’’が反射鏡８３で反射され試料ステージ１１０に載置された試料Ｓの分析位置に所定方向と逆方向（−Ｚ方向）から照射される。
【００３６】
画像取得装置１７０は、光Ｌ’や偏光光Ｌ’’を検出する検出面を有するＣＣＤカメラ７１と、ＣＣＤカメラ７１の検出面の前方に配置されたリレーレンズ７２と、所定の偏光光のみを透過させる検光子７３と、検光子移動機構（図示せず）とを備える。
検光子７３は、コンピュータ１５０の画像取得制御部１５１ｂによって検光子移動機構へ必要な駆動信号が出力されることにより、第一位置か、第一位置より下方に位置する第二位置かのいずれの位置に配置されるようになっている。
具体的には、検光子７３は、透過光用光源部８０から偏光光Ｌ’’が出射された際（落射光用光源部８４から光Ｌ’が出射されない際）には、ＣＣＤカメラ７１の検出面に向かう光が通過する第一位置（光学系への導入位置）に配置され、一方、落射光用光源部８４から光Ｌ’が出射された際（透過光用光源部８０から偏光光Ｌ’’が出射されない際）には、ＣＣＤカメラ７１の検出面に向かう光が通過しない第二位置（退避位置）７３’に配置されるようになっている。
なお、検光子移動機構は、上記のように分析者の操作によって検光子７３を移動させる機構の他、落射光用光源部８４や透過光用光源部８０への電源投入を検知して自動的に検光子７３を移動させる機構であってもよい。
【００３７】
コンピュータ１５０においては、ＣＰＵ（制御部）１５１を備え、さらにモニタ（表示装置）５３と操作部（入力装置）５４とが連結されている。また、ＣＰＵ１５１が処理する機能をブロック化して説明すると、試料ステージ１１０を制御する試料ステージ制御部５１ａと、ＣＣＤカメラ７１から光学像や偏光像を取得してモニタ５３に表示する画像取得制御部１５１ｂと、Ｘ線検出部３０や反射電子検出器４０から試料Ｓ表面上の分析位置のＸ線画像（元素又は組成に関する情報）や反射電子像（組成や凹凸形状に関する情報）を取得する分析制御部５１ｃとを有する。
【００３８】
次に、ＥＰＭＡ１０１を用いて試料Ｓを分析する分析方法について説明する。
まず、分析者は、試料ステージ１１０の上面に試料Ｓを載置する。次に、分析者は、落射光用光源部８４の電源を入れることにより、落射光用光源部８４からＺ方向に出射された光Ｌ’が、ハーフミラー９２によって進行方向をＸ方向に変える。そして、Ｘ方向に進行する光Ｌ’が、有孔平面ミラー９１によって進行方向を変え、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域にＺ方向から照射される。そして、試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域で−Ｚ方向に反射した光Ｌ’が有孔平面ミラー９１によって進行方向を−Ｘ方向に変える。−Ｘ方向に進行する光Ｌ’がハーフミラー９２を透過し、ＣＣＤカメラ７１の検出面にリレーレンズ７２を介して導かれる。
その結果、画像取得制御部１５１ｂは、ＣＣＤカメラ７１で検出された光Ｌ’に基づいて、試料Ｓの分析位置を含む領域の光学像をモニタ５３に表示する。これにより、分析者は、光学像を観察しながら、操作部５４を用いて試料ステージ１１０をＸ方向やＹ方向やＺ方向に移動させることにより、最適な焦点が得られるように配置するとともに、試料Ｓ表面上の分析範囲の位置（分析位置情報）を設定する。
【００３９】
その後、分析者は、落射光用光源部８４の電源を切るとともに、透過光用光源部８０の電源を入れることにより、透過光用光源部８０から出射された偏光光Ｌ’’が試料の分析位置を含む領域に所定方向と逆方向（−Ｚ方向）から照射される。次に、分析制御部５１ｃは、電子線源２０の電源を入れることにより、電子線源２０から出射された電子線Ｅを試料Ｓ表面上の分析位置を含む領域に所定方向（Ｚ方向）から照射する。このとき、分析制御部５１ｃは、試料ステージ制御部５１ａによって試料ステージ１１０をＸ方向やＹ方向やＺ方向に移動させながら、試料Ｓ表面上の分析範囲内で分析位置を走査させることにより、反射電子検出器４０やＸ線検出部３０で信号を収集する。また、画像取得制御部１５１ｂは、ＣＣＤカメラ７１で偏光光Ｌ’’を検出させる。
その結果、分析制御部５１ｃが、信号の強度に基づいて試料Ｓ表面上の分析範囲のＸ線画像や反射電子像を取得すると同時に、画像取得制御部１５１ｂは、偏光光Ｌ’’に基づいて試料Ｓ表面上の分析範囲の偏光像を取得する。
【００４０】
以上のように、本発明のＥＰＭＡ１０１によれば、透過光用光源部８０は、青色領域の偏光光Ｌ’’を出射するので、試料Ｓの分析位置に電子線Ｅと偏光光Ｌ’’とを同時に照射しても、反射電子検出器４０は、試料Ｓを透過した偏光光Ｌ’’を検出することがなく、試料Ｓ表面上の分析位置で反射した反射電子Ｑのみを検出するので、Ｘ線画像と反射電子像と偏光像とを同時に取得することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、試料表面に電子線を照射し、それによって試料表面で反射した反射電子による信号を検出する電子線分析装置等に好適に利用できる。
【符号の説明】
【００４２】
１  電子線マイクロアナライザ（電子線分析装置）
２０  電子線源
４０  反射電子検出器
５１  ＣＰＵ（制御部）
５１ｂ  画像取得制御部（画像取得部）
６０  落射光用光源部
７１  ＣＣＤカメラ（画像取得部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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