(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールであって、
前記光通信モジュールを監視し、前記ホスト基板から前記ホスト基板の状態に関するログ情報を繰り返し受ける制御部と、
不揮発性メモリとを備え、
前記ホスト基板の異常を示すハザード信号を検出した場合、前記制御部は、前記光通信モジュールの監視結果と前記ホスト基板からの前記ログ情報とを前記不揮発性メモリに書き込む、光通信モジュール。
【請求項２】
電源監視部をさらに備え、
前記電源監視部は、前記ホスト基板から前記光通信モジュールへの電源供給に関する異常を検知したときに前記ハザード信号を出力し、
前記電源供給に関する前記異常は、前記光通信モジュールの稼動時において前記ホスト基板から供給される電源電圧が所定の範囲を外れる場合を含む、請求項１に記載の光通信モジュール。
【請求項３】
前記光通信モジュールは、
揮発性メモリをさらに備え、
前記制御部は、前記ハザード信号が検出されない場合には、前記光通信モジュールの前記監視結果と前記ホスト基板からの前記ログ情報とを前記揮発性メモリに書き込んでおいて、前記ハザード信号が検出されると、前記揮発性メモリから前記不揮発性メモリに、前記光通信モジュールの前記監視結果と前記ホスト基板からの前記ログ情報とを転送する、請求項１または２に記載の光通信モジュール。
【請求項４】
前記制御部は、前記ホスト基板から前記ログ情報を受け取った場合に、当該受け取ったログ情報とともに、前記光通信モジュールの前記監視結果を前記揮発性メモリに書き込む、請求項３に記載の光通信モジュール。
【請求項５】
ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールが自己監視を実行するステップと、
前記光通信モジュールが、前記ホスト基板から、前記ホスト基板の状態に関するログ情報を受け取るステップと、
前記ホスト基板から前記光通信モジュールへの電源供給の異常を検知した場合に、前記光通信モジュールに実装された不揮発性メモリに、前記光通信モジュールの前記自己監視の結果と前記光通信モジュールが受け取った前記ログ情報とを書き込むステップとを備える、光通信モジュールのログ記録方法。
【請求項６】
ホスト基板と、
各々が前記ホスト基板に挿抜可能であり、不揮発性メモリを含む複数の光通信モジュールとを備え、
前記複数の光通信モジュールの各々は、自己監視を実行し、前記ホスト基板から前記ホスト基板の状態に関するログ情報を繰り返し受け、
前記ホスト基板から前記光通信モジュールへの電源供給に関する異常が生じた場合に、前記複数の光通信モジュールの各々は、前記自己監視の結果と前記ホスト基板からの前記ログ情報とを前記不揮発性メモリに書き込み、
前記ホスト基板は、前記複数の光通信モジュールに対して互いに異なるタイミングでログ情報を送信する、光通信装置。
【請求項７】
前記光通信装置は、前記光通信装置内のいずれかに電源切換部をさらに含み、
前記電源切換部は、前記ホスト基板の前記電源供給に関する異常を検知した場合には、少なくとも前記不揮発性メモリへの書込みが終わるまで、前記ホスト基板に代わり前記光通信モジュールへの電源供給を実行する、請求項６に記載の光通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信モジュール、光通信モジュールのログ記録方法および光通信装置に関する。より特定的には、本発明は、ログ情報を記憶するように構成された光通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光トランシーバは、光通信モジュールの一種である。光トランシーバは、一般に、電気信号と光信号とを相互に変換する機能、光通信ケーブルから光信号を受信する機能、および光通信ケーブルに光信号を送信する機能を備える。光トランシーバが故障した場合に、メーカーの技術者は、その光トランシーバを解析することがある。特開２００４−２２２９２７号公報（特許文献１）あるいは国際公開公報ＷＯ２００５／１０７１０５（特許文献２）は、光トランシーバに関する情報を、光トランシーバの内部に保持するという方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２２９２７号公報
【特許文献２】国際公開公報ＷＯ２００５／１０７１０５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光通信に異常が生じた場合に、光通信システムの運用者にとって重要なことは光通信を速やかに正常な状態へと復帰させることである。多くの場合、１つのホスト基板には複数の光通信モジュール（多くの場合には光トランシーバ）が実装される。あるホスト基板が光通信の異常の原因であった場合、通常、運用者はホスト基板を交換することを検討する。したがって、ホスト基板に実装された複数の光通信モジュールに異常の原因があると推定される場合であっても、ホスト基板が交換されることがある。
【０００５】
このような運用を考慮して、ホスト基板には、そのホスト基板の全体の状態に関するログ情報を記憶するためのメモリ（たとえば不揮発性メモリ）が実装されていることがある。光通信モジュールのメーカーの技術者は、光通信モジュール自体を試験することで、その光通信モジュールが故障しているかどうかを判断することが可能である。しかし、その光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を把握するためには、ホスト基板のメモリに保持されているログ情報を解析しなければならない。したがって、故障した光通信モジュールのみがメーカーの技術者に返却された場合には、メーカーの技術者は、その光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を知ることができない。
【０００６】
このような課題を解決するために、上記の特開２００４−２２２９２７号公報（特許文献１）あるいは国際公開公報ＷＯ２００５／１０７１０５（特許文献２）に開示されたような、光トランシーバの内部に情報を保持するという方法を採用して光通信モジュールを構成することが考えられる。しかしながら、光通信モジュールの故障の原因の解析には、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する情報が重要であると考えられる。上記の特許文献１、２のいずれも、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する情報を光通信モジュールの内部に残すための方法を記載していない。
【０００７】
さらに、光通信モジュールの故障がホスト基板の異常に起因する可能性があるため、光通信モジュールの故障直前におけるホスト基板の状態に関する情報も、光通信モジュールの故障原因の解析にとって重要であると考えられる。しかし特許文献１、２は、光通信モジュールが実装されるホスト基板を詳細に説明していない。このため、特許文献１、２のいずれも、ホスト基板の状態に関する情報を光通信モジュールに残すための技術を記載していない。
【０００８】
ここで、特開２００４−２２２９２７号公報（特許文献１）は、故障に関する情報を記憶するためのメモリとして、揮発性記憶装置あるいは不揮発性記憶装置のいずれを用いてもよいと記載している。しかしながら、揮発性記憶装置を用いた場合、光通信モジュールへの電源電圧の供給が停止されると、揮発性記憶装置に記憶された情報が消失する。したがって、たとえばホスト基板自体に異常が生じたことにより光通信モジュールへの電源電圧への供給が不能になった場合、あるいは、ホスト基板を光通信装置から取り外した場合に、光通信モジュールに記憶された情報が消失する可能性がある。すなわち特許文献１の技術は、光通信モジュールの故障の状況、あるいは、故障した光通信モジュールのみが返却されるという状況を十分に考慮したものではない。
【０００９】
このような理由により、従来の技術によれば、故障した光通信モジュールのみがメーカーの技術者に返却された場合に、メーカーの技術者は、その光通信モジュールが故障する直前における光通信モジュールの状態およびホスト基板の状態を知ることができなかった。
【００１０】
本発明の目的は、ホスト基板に異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報も残すことを可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のある局面に係る光通信モジュールは、ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールであって、制御部と、不揮発性メモリとを備える。制御部は、光通信モジュールを監視し、ホスト基板からホスト基板の状態に関するログ情報を繰り返し受ける。ホスト基板の異常を示すハザード信号を検出した場合、制御部は、光通信モジュールの監視結果とホスト基板からのログ情報とを不揮発性メモリに書き込む。
【００１２】
この構成によれば、ホスト基板に異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報を残すことができる。これらの情報は、不揮発性メモリに記憶されている。したがって、たとえばホスト基板に生じた異常により、光通信モジュールへの電源供給が異常となる場合でも、その異常の発生する直前のホスト基板の状態および光通信モジュールの状態に関する情報を光通信モジュールの内部に残すことができる。なお、ハザード信号によって示されるホスト基板の異常は、たとえばホスト基板から光通信モジュールへの電源供給に関する異常が挙げられるが、これに限定されるものではない。「光通信モジュール」は、光トランシーバのように送信および受信の両方の機能を有するものでもよく、あるいは、送信機能および受信機能のいずれか一方のみを有するもの（例としては光レシーバあるいは光トランスミッタ）であってもよい。
【００１３】
好ましくは、光通信モジュールは、電源監視部をさらに備える。電源監視部は、ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給に関する異常を検知したときにハザード信号を出力する。電源供給に関する異常は、光通信モジュールの稼動時においてホスト基板から供給される電源電圧が所定の範囲を外れる場合を含む。
【００１４】
この構成によれば、電源供給に関する異常の検知に応じてハザード信号が出力される。これにより、光通信モジュールが自己監視結果およびホスト基板のログ情報の不揮発性メモリへの書き込みを行なう。したがって、電源供給に関する異常によって光通信モジュールが最終的に停止する前に、ホスト基板の状態および光通信モジュールの状態に関する情報が不揮発性メモリに記憶される可能性を高めることができる。電源供給に関する異常は、光通信モジュールの稼動時においてホスト基板から供給される電源電圧が所定の範囲を外れる場合を含むが、これに限定されるものではない。
【００１５】
好ましくは、光通信モジュールは、揮発性メモリをさらに備える。制御部は、ハザード信号が検出されない場合には、光通信モジュールの監視結果とホスト基板からのログ情報とを揮発性メモリに書き込んでおいて、ハザード信号が検出されると、揮発性メモリから不揮発性メモリに、光通信モジュールの監視結果とホスト基板からのログ情報とを転送する。
【００１６】
この構成によれば、ハザード信号が検出されない場合、すなわちホスト基板が正常である場合には、揮発性メモリに情報が書き込まれる。したがって、揮発性メモリに情報を残すことができる。ハザード信号が検出された場合に初めて不揮発性メモリに、光通信モジュールの監視結果とホスト基板からのログ情報とが書き込まれる。これにより、不揮発性メモリへの頻繁な書き込みを防ぐことができる。したがって、不揮発性メモリの書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。不揮発性メモリの寿命が大幅に短縮されるのを防ぐことによって、光通信モジュールの寿命が不揮発性メモリの寿命に依存して短縮されることを防ぐことができる。
【００１７】
好ましくは、制御部は、ホスト基板からログ情報を受け取った場合に、当該受け取ったログ情報とともに、光通信モジュールの監視結果を揮発性メモリに書き込む。
【００１８】
この構成によれば、ホスト基板のログ情報と、光通信モジュールの監視結果との間のタイムラグを小さくすることができる。したがって、たとえば故障した光通信モジュールがメーカーの技術者に返却された場合、ホスト基板のログ情報により示されるホスト基板の状態と、光通信モジュールの監視結果により示される光通信モジュールの状態とを照合することによって、技術者は、光通信モジュールの故障の原因を詳細に解析することができる。
【００１９】
本発明の別の局面に係る光通信モジュールのログ記録方法は、ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールが自己監視を実行するステップと、光通信モジュールが、ホスト基板から、ホスト基板の状態に関するログ情報を受け取るステップと、ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給の異常を検知した場合に、光通信モジュールに実装された不揮発性メモリに、光通信モジュールの自己監視の結果と光通信モジュールが受け取ったログ情報とを書き込むステップとを備える。
【００２０】
この構成によれば、ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給の異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報を残すことができる。電源供給の異常は、たとえばホスト基板から光通信モジュールに供給される電源電圧が所定範囲外であることを含む。たとえば光通信モジュールの稼働時において電源電圧が所定範囲外である場合には、ホスト基板の電源供給の異常として検知される。電源電圧が所定範囲外であるとは、たとえば電源電圧が正の場合に、その電源電圧が判定レベルを下回る場合を含む。
【００２１】
本発明のさらに別の局面に係る光通信装置は、ホスト基板と、複数の光通信モジュールとを備える。複数の光通信モジュールの各々は、ホスト基板に挿抜可能であり、不揮発性メモリを含む。複数の光通信モジュールの各々は、自己監視を実行し、ホスト基板からホスト基板の状態に関するログ情報を繰り返し受ける。ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給に関する異常が生じた場合に、複数の光通信モジュールの各々は、自己監視の結果とホスト基板からのログ情報とを不揮発性メモリに書き込む。ホスト基板は、前記複数の光通信モジュールに対して互いに異なるタイミングでログ情報を送信する。
【００２２】
この構成によれば、ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給に関する異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報を残すことができる。さらに、複数の光通信モジュールの各々に、異なるタイミングでログ情報が送られる。したがって複数の光通信モジュールの間では、互いに異なる時刻に生成されたログ情報が保持される。故障した光通信モジュールの台数が複数である場合には、それら故障した光通信モジュールに記憶されるログ情報を解析することによって、ホスト基板の状態の時間変化（逆に、ホスト基板の状態が変化していないことでもよい）を知ることができる。したがって、光通信モジュールの故障の原因をより詳細に解析することができる。なお、「電源供給の異常」とは、上記の定義と同様である。
【００２３】
好ましくは、光通信装置は、光通信装置内のいずれかに電源切換部をさらに含む。電源切換部は、ホスト基板の電源供給に関する異常を検知した場合には、少なくとも不揮発性メモリへの書き込みが終わるまで、ホスト基板に代わり光通信モジュールへの電源供給を実行する。
【００２４】
この構成によれば、電源切換部により、複数の光通信モジュールの各々が、自己監視の結果およびホスト基板のログ情報を不揮発性メモリに書き込む動作を保証することができる。したがって、光通信モジュールの自己監視の結果およびホスト基板のログ情報を、より確実に光通信モジュールの内部に残すことができる。電源切換部は、不揮発性メモリの書き込み動作に必要な電源電圧を光通信モジュールに供給すればよい。したがって、電源切換部が光通信モジュールに供給する電源電圧は、ホスト基板が異常になる前にホスト基板から供給される電源電圧と同じであるように限定されない。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ホスト基板に異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報も残すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態に係る光通信装置の概略的構成図である。
【図２】図１に示した光トランシーバ１の構成例を示したブロック図である。
【図３】図１および図２に示した電源切換回路６の機能ブロック図である。
【図４】図３に示した電源切換回路６の１つの具体的な構成例を示した図である。
【図５】図２に示したコントローラ２０の構成を示したブロック図である。
【図６】図５に示された不揮発性メモリ２２に記憶されるログ情報の構成例を説明した図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る光トランシーバの通常動作時の１つの処理を示したフローチャートである。
【図８】ホスト基板の電源が落ちたときの光トランシーバの処理を示したフローチャートである。
【図９】光トランシーバのモニタ値の候補の例と、モニタ値から分かることが可能な異常の種類とを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２８】
図１は、本発明の実施の形態に係る光通信装置の概略的構成図である。図１を参照して、光通信装置１０１は、複数の光トランシーバ１と、ホスト基板２と、筐体５と、ファン１０とを備える。光トランシーバ１は、本発明に係る光通信モジュールの１つの具体的な形態として図１に示されている。
【００２９】
複数の光トランシーバ１は、ホスト基板２に実装される。複数の光トランシーバ１の各々は、プラガブル光トランシーバである。すなわち、光トランシーバ１は、ホスト基板２に対して挿抜可能に構成される。
【００３０】
光トランシーバ１は、ホスト基板２から送られた電気信号を光信号に変換して、その光信号を光ネットワークに出力する。また、光トランシーバ１は、光ネットワークを通じて送られた光信号を電気信号に変換して、その電気信号をホスト基板２に送る。図１では詳細に示されていないが、光通信ケーブルの端部に設けられたコネクタ（図示せず）が光トランシーバ１の前面１ａに着脱可能なように、光トランシーバ１の前面１ａが構成される。
【００３１】
ホスト基板２は、筐体５に設置される。筐体５は、たとえばラックでもよい。また、ホスト基板２の向きは特に限定されるものではない。複数の光トランシーバ１およびホスト基板２を分かりやすく示すために、図１は、ホスト基板２の表面を水平方向に平行にした配置を示す。図１に示すようにホスト基板２が配置されてもよく、ホスト基板２が縦置き（ホスト基板２が垂直方向に立てられる）であってもよい。また、光通信装置１０１に実装されるホスト基板２の枚数は１枚でもよく、複数枚であってもよい。
【００３２】
ホスト基板２には、ホストＣＰＵ（Central Processing Unit）３と、不揮発性メモリ４とが実装される。ホストＣＰＵ３と不揮発性メモリ４とは、ホスト基板２に実装される素子として代表的に示されたものである。
【００３３】
ホストＣＰＵ３は、複数の光トランシーバ１の各々と通信する。ホストＣＰＵ３は、さらに、ホストＣＰＵ３によるホスト基板２の状況の監視に関するログ情報を生成する。そのログ情報は不揮発性メモリ４に記憶される。不揮発性メモリ４に記憶されるログ情報は、たとえばホスト基板２の状況をホストＣＰＵ３が監視したときの時刻、その時刻におけるホスト基板２の状況に関する情報を含む。
【００３４】
不揮発性メモリ４は、情報の書き込みが可能であるとともに、その情報を不揮発的に保存可能なメモリである。不揮発性メモリ４は、たとえばＥＥＰＲＯＭによって実現される。ホストＣＰＵ３と不揮発性メモリ４とが集積化されていてもよい。
【００３５】
電源切換回路６は、複数の光トランシーバ１の各々に、ホスト基板２から供給される電源電圧を供給する。ホスト基板２には、ホスト基板２の外部から電源電圧が供給される。電源切換回路６の構成例については後述する。
【００３６】
ホスト基板２の電源が落ちた場合に、電源切換回路６は、予め蓄積していた電力を複数の光トランシーバ１の各々に供給する。すなわち電源切換回路６は、複数の光トランシーバ１のバックアップ電源としての機能を有する。電源切換回路６は、ホスト基板２の電源供給の異常を示すハザード信号を出力する。
【００３７】
この実施の形態では、ホスト基板２の電源供給の異常の一例として、光トランシーバ１の稼働中にホスト基板２から光トランシーバ１に供給される電源電圧が低下するという異常を示す。「電源電圧が低下するという異常」は、具体的には、ホスト基板２から光トランシーバ１の各々に供給される電源電圧が判定レベルを下回ることである。判定レベルは、ホスト基板２および光トランシーバ１の仕様に応じて適切に定められうる。たとえば光トランシーバ１の通常の電源電圧が３．３Ｖ±５％の範囲に定められた場合、判定レベルは、たとえば３Ｖ（この値は本実施の形態の理解のために提示した例であって、判定レベルはこの値に限定されるものではない）に設定される。なお、以下では、「電源電圧が低下するという異常」を「ホスト基板２の電源が落ちる」と表現することもある。
【００３８】
また、ホスト基板２に異常が生じた場合、ホスト基板２から複数の光トランシーバ１の各々に供給される電源電圧は、正常の電圧（たとえば上記の３．３Ｖ）から０Ｖへと瞬間的に低下することが多いと考えられる。しかしながら、上記の「ホスト基板２の電源が落ちる」という異常は、電源電圧が判定レベルを下回るという状況を含むものであり、電源電圧の低下速度を限定するものではない。また、電源電圧が判定レベルを下回った場合の最終的な電源電圧の値も０Ｖに限定されるものではない。
【００３９】
「ホスト基板２の電源が落ちる」という異常が生じる事態の具体例としては、光通信装置１０１全体の故障により、ホスト基板２への電源電圧の供給が不能となる場合を含む。また、たとえばホスト基板２の温度が異常に高くなることにより、ホスト基板２への電源電圧の供給が遮断される場合を含む。ただし、これらの例に限定されず、他の例も想定することができる。
【００４０】
ホスト基板２の電源が落ちた場合、各々の光トランシーバ１は、その異常を示すハザード信号を受ける。これにより、各々の光トランシーバ１は、自己の状態に関するログ情報、およびホスト基板２のログ情報を、当該光トランシーバ１の内部に不揮発的に記録する。この処理については、後に詳細に説明する。
【００４１】
ファン１０は、ホスト基板２で発生する熱を光通信装置１０１の外部に放出する。図１に示された構成ではファン１０が筐体５の背面に設けられている。ファン１０が動作することによって、光通信装置１０１の前面から光通信装置１０１の内部に外気が導入されるとともに、ホスト基板２で発生する熱が光通信装置１０１の背面から外部に放出される。ファン１０は、筐体５の背面に設けられるものと限定されず、筐体５の任意の面（上面、下面、前面、側面など）に設けられていてもよく、ホスト基板２に設けられていてもよい。
【００４２】
図２は、図１に示した光トランシーバ１の構成例を示したブロック図である。図２を参照して、光トランシーバ１は、光デバイス１１と、送信回路１４と、受信回路１７と、コントローラ２０とを備える。
【００４３】
光デバイス１１は、レーザダイオード（ＬＤ）１２と、フォトダイオード（ＰＤ）１３とを含む。レーザダイオード１２は、送信回路１４から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。レーザダイオード１２は、送信回路１４から送られた電気信号（送信信号）を光信号に変換して、その光信号を、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークに出力する。
【００４４】
フォトダイオード１３は、受信回路１７から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。フォトダイオード１３は、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークから光信号を受信して、その光信号を電気信号に変換する。フォトダイオード１３は、その電気信号を受信信号として受信回路１７に出力する。
【００４５】
送信回路１４は、レーザダイオード１２に電源電圧および制御電圧を供給するためのドライバ１５を含む。さらに、送信回路１４は、Ｄ／Ａコンバータ（ＤＡＣ）１６を含む。Ｄ／Ａコンバータ１６は、ホストＣＰＵ３から送られたデジタルの送信信号を、アナログ信号に変換する。ドライバ１５は、そのアナログ信号をレーザダイオード１２に供給する。さらに送信回路１４は、送信回路１４あるいはレーザダイオード１２の状態を表わすモニタ電圧を、コントローラ２０に出力する。このモニタ電圧は、たとえばレーザダイオード１２の出力光強度を示す電圧である。
【００４６】
受信回路１７は、フォトダイオード１３に電源電圧および制御電圧を供給する。受信回路１７は、アンプ１８およびＡ／Ｄコンバータ（ＡＤＣ）１９を含む。アンプ１８は、フォトダイオード１３から送られた受信信号（アナログ信号）を増幅する。Ａ／Ｄコンバータ１９は、その増幅されたアナログ信号をデジタル信号に変換する。受信回路１７は、そのデジタル信号をホストＣＰＵ３に出力する。さらに受信回路１７は、受信回路１７あるいはフォトダイオード１３の状態を表わすモニタ電圧をコントローラ２０に出力する。このモニタ電圧は、たとえばフォトダイオード１３の受信光強度を示す電圧である。
【００４７】
コントローラ２０は、光トランシーバ１を統括的に制御する。このために、コントローラ２０は、送信回路１４および受信回路１７の各々に制御信号および制御電圧を供給する。さらにコントローラ２０は、送信回路１４および受信回路１７の各々からのモニタ電圧に基づいて、光トランシーバ１の状態を監視する。さらにコントローラ２０は、ホストＣＰＵ３からの要求に応じて、光トランシーバ１の状態に関する情報をホストＣＰＵ３に送信する。
【００４８】
さらにコントローラ２０は、ホストＣＰＵ３から送られるログ情報を繰り返し受信する。コントローラ２０は、そのログ情報を一時的に保持する。コントローラ２０はログ情報を定期的に（たとえば１秒間隔で）受信してもよく、不定期に受信してもよい。
【００４９】
コントローラ２０は、電源切換回路６から電源電圧を受ける。さらに、ホスト基板２の電源が落ちた場合には、コントローラ２０は、ハザード信号を受ける。ハザード信号に応答して、コントローラ２０は、ホスト基板２のログ情報および光トランシーバ１の状態に関するログ情報を不揮発的に記憶する。
【００５０】
図３は、図１および図２に示した電源切換回路６の機能ブロック図である。図３を参照して、電源切換回路６は、蓄電装置７と、比較部８と、切換回路９とを備える。
【００５１】
この実施の形態では、蓄電装置７は、充電および放電を行なうように構成された装置、たとえば二次電池、コンデンサなどにより実現される。蓄電装置７は、ホスト基板２から供給される電源電圧により充電される。ホスト基板２の電源が落ちた場合には、蓄電装置７は、蓄えられた電力を放出する。蓄電装置７の容量は、少なくとも、複数の光トランシーバ１の各々が自己監視の結果とホスト基板からのログ情報とを、当該光トランシーバ１の内部の不揮発性メモリに書き込む動作が終わるまで、複数の光トランシーバ１に電源供給を行なうことができるように定められる。
【００５２】
比較部８は、ホスト基板２の電源電圧の低下を検知するための回路である。ホスト基板２の電源電圧が判定レベルを下回った場合、比較部８はハザード信号を出力する。ハザード信号は切換回路９および光トランシーバ１のコントローラ２０に送られる。すなわち比較部８は、ホスト基板２の電源電圧を監視する電源監視部として機能する。
【００５３】
切換回路９はハザード信号を受けた場合には、光トランシーバ１に蓄電装置７の電圧を供給する。切換回路９はハザード信号を受けていない場合には、光トランシーバ１にホスト基板２の電源電圧を供給する。
【００５４】
図４は、図３に示した電源切換回路６の１つの具体的な構成例を示した図である。図４を参照して、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２は、蓄電装置７の電圧を分割して、判定レベルに相当する基準電圧を生成する。
【００５５】
比較部８は、上記のように生成された基準電圧とホスト基板からの電源電圧とを比較する。通常の場合、すなわちホスト基板の電源が落ちていない場合には、蓄電装置７の電圧はホスト基板２の電源電圧に等しい。このため、ホスト基板２の電源電圧は基準電圧よりも高くなる。この場合には、比較部８は、ハザード信号を出力しない。一方、ホスト基板からの電源電圧が基準電圧を下回る場合には、比較部８はハザード信号を出力する。ハザード信号は、コントローラ２０の入力ポートに入力される。
【００５６】
比較部８を動作させるための電源電圧は、たとえばホスト基板から供給される。たとえば「ハザード信号を出力する」とは、ハザード信号のレベルがＬ（ロー）レベルである状態であり、「ハザード信号を出力しない」とは、ハザード信号のレベルがＨ（ハイ）レベルである状態である。この構成によれば、通常では、ホスト基板からの電源電圧が基準電圧を上回るため、ハザード信号はＨレベルとなる。すなわち、ハザード信号は比較部８から出力されない。一方、ホスト基板の電源電圧が正常レベルを下回った場合、ハザード信号はＬレベルとなる。すなわちハザード信号が比較部８から出力される。ホスト基板２の電源が落ちた場合には、ホスト基板２から比較部８へ電源電圧を供給することはできないと考えられる。この場合にもハザード信号はＬレベルになる。すなわち比較部８からハザード信号が出力される。上記の構成によって、ホスト基板２の電源が落ちた場合に比較部８からハザード信号を出力することが可能となる。
【００５７】
切換回路９は、ダイオードＤ１〜Ｄ３によって構成される。ダイオードＤ１は、蓄電装置７からコントローラ２０の電源入力端子へと電流が流れるように配置される。ダイオードＤ２は、ホスト基板２から蓄電装置７へと電流が流れるように配置される。ダイオードＤ３は、ホスト基板２からコントローラ２０の電源入力端子へと電流が流れるように配置される。
【００５８】
通常では、ダイオードＤ３によって、ホスト基板２からコントローラ２０の電源入力端子へと電流が流れる。さらに、ダイオードＤ２によって、ホスト基板２からコントローラ２０の電源入力端子へと電流が流れ、蓄電装置７が充電される。一方、ホスト基板２の電源電圧が低下すると、ダイオードＤ３によって、ホスト基板２からコントローラ２０への電源電圧の供給が遮断される。さらに、ダイオードＤ１によって、蓄電装置７からコントローラ２０へ電源電圧が供給される。
【００５９】
図４に示された構成によれば、蓄電装置７から供給される電源電圧は、ホスト基板２の電源が落ちる前にホスト基板２から光トランシーバ１に供給される電源電圧にほぼ等しい。しかしながら蓄電装置７から供給される電源電圧と、ホスト基板２から光トランシーバ１に供給される電源電圧とが同じであるように限定される必要はない。蓄電装置７から供給される電源電圧は、光トランシーバ１の電源電圧として予め定められた範囲内に収まっていればよい。
【００６０】
また、蓄電装置７は、ホスト基板２の電源供給の異常時（特に、光トランシーバ１の稼動時にホスト基板２の電源電圧が判定レベルを下回った場合）に、光トランシーバ１への電源供給を実行できるものであればよい。したがって、蓄電装置７は、二次電池などのように充電および放電の両方が可能なものに限定されず、一次電池を用いてもよい。一次電池の電圧は、光トランシーバ１の電源電圧として予め定められた範囲内に収まっていればよく、ホスト基板２から光トランシーバ１に供給される電源電圧と同じであると限定される必要はない。
【００６１】
また、図３および図４に示された形態では、電源切換回路６は、光トランシーバ１とは別個にホスト基板２に実装されている。しかしながら電源切換回路６の一部またはすべての構成要素が光トランシーバ１に内蔵されていてもよい。１つの実施形態によれば、電源監視部である比較部８が光トランシーバ１に内蔵される。この構成によれば光トランシーバ１が電源電圧の監視機能を有するので、光トランシーバ１の高機能化を図ることができる。なお、電源切換回路６は、光トランシーバ１の内部あるいはホスト基板２に設けるように限定されず、光通信装置１０１のいずれかに設けられていればよい。
【００６２】
図５は、図２に示したコントローラ２０の構成を示したブロック図である。図５に示された構成は複数の半導体集積回路、または単一の半導体集積回路のいずれでも実現可能である。
【００６３】
図５を参照して、コントローラ２０は、制御部２１と、不揮発性メモリ２２と、揮発性メモリ２３と、バス２４と、Ａ／Ｄコンバータ２５と、Ｄ／Ａコンバータ２６と、データバスインタフェース２７と、ロジックポート２８と、データバスインタフェース２９と、温度センサ３０とを備える。
【００６４】
制御部２１は、コントローラ２０の全体の動作を制御する。不揮発性メモリ２２は、情報の書き込みおよび情報の読出しが可能なだけでなく、書き込まれた情報を不揮発的に記憶することが可能なメモリである。「不揮発的に記憶する」とは、不揮発性メモリ２２への電源電圧の供給がない場合にも、情報を保持することができることを意味する。不揮発性メモリ２２は、たとえばＥＥＰＲＯＭによって実現される。
【００６５】
揮発性メモリ２３は、情報の書き込みおよび読出しが可能である。揮発性メモリ２３への電源電圧の供給が停止した場合、揮発性メモリ２３に記憶された情報が消失する。揮発性メモリ２３は、たとえばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）あるいはＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などによって実現される。
【００６６】
バス２４は、たとえば制御部２１と不揮発性メモリ２２との間、あるいは制御部２１と揮発性メモリ２３との間で情報を伝送するためのものである。
【００６７】
Ａ／Ｄコンバータ２５は、たとえば図２に示された送信回路１４あるいは受信回路１７から送られたモニタ電圧をデジタル信号に変換する。Ａ／Ｄコンバータ２５は、そのデジタル信号を制御部２１へ出力する。Ｄ／Ａコンバータ２６は、たとえば制御部２１から送られるデジタルの制御信号をアナログの制御信号に変換する。Ｄ／Ａコンバータ２６は、そのアナログの制御信号を、図２に示された送信回路１４あるいは受信回路１７へと出力する。
【００６８】
データバスインタフェース２７は、たとえば図２に示された送信回路１４あるいは受信回路１７と制御部２１との間でデータを授受するための回路である。ロジックポート２８は、たとえば制御部２１が送信回路１４あるいは受信回路１７に対してデジタルの制御信号を送信するための回路である。データバスインタフェース２７は、たとえば図２に示された送信回路１４あるいは受信回路１７と制御部２１との間でデータを授受するための回路である。データバスインタフェース２９は、たとえば制御部２１がホストＣＰＵ３あるいはホスト基板２に実装された他の素子（たとえば、別の光トランシーバ）との間でデータを授受するための回路である。
【００６９】
制御部２１はデータバスインタフェース２９を介してホスト基板からログ情報を受ける。あるいは、制御部２１はホスト基板２（ホストＣＰＵ３）からの要求に応じて、揮発性メモリ２３に記憶するログ情報をデータバスインタフェース２９に出力する。
【００７０】
温度センサ３０は、光トランシーバ１の温度を検出して、その温度を示す信号を制御部２１へと出力する。温度センサ３０は光トランシーバ１の内部に配置されていればよいので、温度センサ３０はコントローラ２０とは別に設けられていてもよい。
【００７１】
制御部２１は、光トランシーバ１の状態を繰り返し監視する。すなわち制御部２１は、光トランシーバ１の自己監視機能を実現する。さらに、ホスト基板２から光トランシーバ１へとログ情報が送られた場合に、制御部２１は、光トランシーバ１の状態の監視に関する情報を、ホスト基板２からのログ情報に追加して、それらのログ情報を揮発性メモリ２３へと書き込む。
【００７２】
ハザード信号は、たとえばロジックポート２８を介して制御部２１に入力される。制御部２１がハザード信号を受けた場合には、制御部２１は、通常のルーチン処理を停止して、揮発性メモリ２３に記憶されたログ情報を不揮発性メモリ２２に転送する。すなわち制御部２１は揮発性メモリ２３からログ情報を読み出して、不揮発性メモリ２２にそのログ情報を書き込む。上述のように、このときの制御部２１、揮発性メモリ２３および不揮発性メモリ２２の動作のための電源電圧は、電源切換回路６に含まれる蓄電装置７（図３、図４を参照）により供給される。
【００７３】
上記の動作によって、不揮発性メモリ２２は、ホスト基板２の電源が落ちる直前の光トランシーバ１の状態およびホスト基板２の状態に関するログ情報を不揮発的に記憶する。図５に示されたログ情報４２は、不揮発性メモリ２２に記憶されるログ情報を示している。
【００７４】
図６は、図５に示された不揮発性メモリ２２に記憶されるログ情報の構成例を説明した図である。図５および図６を参照して、ログ情報４２は、光トランシーバ  ステータス４２ａ（以下、単に「ステータス４２ａ」と呼ぶ）と、アラーム情報４２ｂと、温度モニタ情報４２ｃと、時刻情報４２ｄと、ホスト基板ログ４２ｅとを含む。
【００７５】
ステータス４２ａにはアドレスＡ１が割り当てられる。アラーム情報４２ｂにはアドレスＡ２が割り当てられる。温度モニタ情報４２ｃにはアドレスＡ３が割り当てられる。時刻情報４２ｄにはアドレスＡ４が割り当てられる。ホスト基板ログ４２ｅにはアドレスＡ５が割り当てられる。アドレスＡ１〜Ａ５はログ情報４２の各項目のサイズに応じて決定される。
【００７６】
ステータス４２ａは、制御部２１が光トランシーバを監視したときの光トランシーバ１の状態を示すコードである。アラーム情報４２ｂは、光トランシーバ１の異常が生じたことを示す情報である。たとえば光トランシーバ１の温度が基準値を超えた場合に、そのことを示すフラグ（たとえば「１」）がアラーム情報４２ｂとして生成される。温度モニタ情報４２ｃは、光トランシーバ１の温度が基準値を超えたときのその温度を示す情報である。制御部２１は温度センサ３０の出力に基づいて温度測定値を生成し、その温度測定値を温度モニタ情報４２ｃとしてログ情報に含める。
【００７７】
時刻情報４２ｄは、ホスト基板から提供された時刻情報である。この時刻は、たとえばホスト基板２（ホストＣＰＵ３）がログ情報を生成したときの時刻でもよく、ホストＣＰＵ３がホスト基板２を監視したときの時刻でもよい。
【００７８】
ホスト基板ログ４２ｅは、ホスト基板２から送られたログ情報である。ホスト基板ログ４２ｅは、たとえばホスト基板２の温度に関する情報を含む。ホスト基板２の温度に関する情報に加えて、あるいはホスト基板２の温度に関する情報に代えて別の情報がホスト基板ログ４２ｅに含まれていてもよい。このような「別の情報」として、たとえばファン１０（図１を参照）が正常かどうかを示す情報を含む。また、ホスト基板ログ４２ｅに含まれる情報は、これらに限定されるものではなく、ホスト基板２に関する他の情報を含んでいてもよい。
【００７９】
図６に示されたログ情報４２は、揮発性メモリ２３に一旦記憶される。制御部２１は、ホスト基板２から送られた時刻情報４２ｄおよびホスト基板ログ４２ｅを揮発性メモリ２３に一時的に格納し、その時刻情報４２ｄおよびホスト基板ログ４２ｅを不揮発性メモリ２２に書き込む際に、ステータス４２ａと、アラーム情報４２ｂと、温度モニタ情報４２ｃとを生成して不揮発性メモリ２２に書き込んでもよい。
【００８０】
さらに、揮発性メモリ２３には、複数のログ情報４２が記憶されていてもよい。各ログ情報４２は、図６に示される構成を有する。制御部２１は、ハザード信号の受信に応じて、複数のログ情報４２を、不揮発性メモリ２２に一括して転送する。
【００８１】
図７は、本発明の実施の形態に係る光トランシーバの通常動作時の１つの処理を示したフローチャートである。図７を参照して、メインルーチンの処理が開始される。ステップＳ１において、制御部２１は、温度センサ３０の測定値を受けることにより、光トランシーバ１の温度を監視する。さらにステップＳ１において、制御部２１は、ステータス（ステータス４２ａに相当）を更新する。たとえば制御部２１は、ステータスを制御部２１の内部に保持し、そのステータスを更新する。ステップＳ１は、光トランシーバ１が自己監視を実行するステップに相当する。
【００８２】
ステップＳ２において、制御部２１は、ホスト基板２より通信があるかどうかを判断する。たとえばホスト基板２から制御部２１に送信要求あるいは受信要求が送られた場合に、制御部２１はホスト基板からの通信ありと判断する。ホスト基板２より通信がある場合（ステップＳ２においてＹＥＳ）、処理はステップＳ３に進む。ホスト基板２より通信がない場合（ステップＳ２においてＮＯ）、処理はステップＳ１に戻される。つまり、ホスト基板２より通信がない場合には、ステップＳ１およびＳ２の処理が繰り返される。
【００８３】
ステップＳ３において、制御部２１は、ホスト基板２からのログ情報があるかどうかを判断する。ホスト基板２がログ情報を制御部２１に送りこんだ場合、制御部２１は、ホスト基板２からのログ情報があると判断する。この場合（ステップＳ３においてＹＥＳ）、処理はステップＳ４に進む。一方、制御部２１とホスト基板２との間で通信が行なわれたものの、ホスト基板２から制御部２１にログ情報が送られていない場合（ステップＳ３においてＮＯ）、処理はステップＳ１に戻される。
【００８４】
ステップＳ４において、制御部２１は、ホスト基板２からログ情報を取得する。ステップＳ５において、制御部２１は、揮発性メモリ２３上で、ログ情報（ホスト基板ログ）を更新する。具体的には、制御部２１は、光トランシーバ１の状態の監視に関する情報を、ホスト基板２からのログ情報に追加して、そのログ情報を揮発性メモリ２３へと書き込む。ログ情報の構成は、図６に示した構成である。ステップＳ５の処理が終了すると、処理はステップＳ１に戻される。
【００８５】
図８は、ホスト基板の電源が落ちたときの光トランシーバの処理を示したフローチャートである。図８を参照して、ステップＳ１１において、制御部２１はホスト基板２の電源断を検知したかどうかを判断する。具体的には、制御部２１は、ハザード信号を検知することによってホスト基板２の電源断（すなわちホスト基板２の電源が落ちたこと）を検知する。ホスト基板２の電源断の検知は割り込み処理で実行されてもよい。あるいは、ポーリングによる状態の変化を検知することによりホスト基板２の電源断が検知されてもよい。ステップＳ１１の処理によって、ホスト基板２から光トランシーバ１への電源供給の異常が検知される。
【００８６】
ステップＳ１２において、制御部２１は、ホスト基板２からシャットダウン指示を受けたかどうかを判断する。たとえば光通信装置１０１の省電力を図るために、光トランシーバ１の電源電圧の供給を間欠的に停止する場合がある。このような場合には、たとえば光トランシーバ１はホスト基板２からのシャットダウン指示に応じて、その動作を停止させる。
【００８７】
ホスト基板２からシャットダウン指示があった場合（ステップＳ１２においてＹＥＳ）、図８に示した処理は終了する。一方、ホスト基板２からシャットダウン指示がない場合（ステップＳ１２においてＮＯ）、処理はステップＳ１３に進む。
【００８８】
シャットダウン指示がないにもかかわらずホスト基板２の電源断が検知されたということは、ホスト基板２に異常が生じた可能性が高い。したがってステップＳ１３において、制御部２１はログ情報の記録条件が発生したと判断する。ステップＳ１４において、制御部２１は、揮発性メモリ２３に記憶されたログ情報を不揮発性メモリ２２に転送して、ログ情報を不揮発性メモリ２２に書き込む。これにより不揮発性メモリ２２にログ情報４２（図６を参照）が記憶される。ステップＳ１４の処理が終了すると全体の処理が終了する。
【００８９】
ホスト基板２は、図１に示された複数の光トランシーバ１の各々に、同じログ情報を転送してもよい。複数の光トランシーバ１のどれが故障するかは、通常では予測できない。同じログ情報を複数の光トランシーバ１に記憶させることにより、故障した光トランシーバ１の中にホスト基板２のログ情報を残すことができる確率を高めることができる。
【００９０】
別の方法として、ホスト基板２は、複数の光トランシーバ１へのログ情報の転送を、時間をずらして行なってもよい。たとえばホスト基板２は、複数の光トランシーバ１の間でサイクリックにログ情報の転送を行なってもよい。すなわち光トランシーバ１の台数がＮ（Ｎは２以上の整数）である場合に、ホスト基板２は、１番目の光トランシーバ、２番目の光トランシーバ、・・・、Ｎ番目の光トランシーバ、１番目の光トランシーバ、２番目の光トランシーバ、・・・の順にログ情報を転送する。この場合、Ｎ台の光トランシーバ１の間では、互いに異なる時刻に生成されたログ情報が保持される。故障した光トランシーバ１の台数が複数である場合には、それら故障した光トランシーバ１に記憶されるログ情報を解析することによって、ホスト基板２の状態の時間変化（逆に、ホスト基板２の状態が変化していないことでもよい）を知ることができる。したがって、光トランシーバの故障の原因をより詳細に解析することができる。
【００９１】
この実施の形態によれば、ホスト基板２に挿抜可能な光トランシーバ１に、ホスト基板のログ情報が繰り返し送られる。さらに、光トランシーバ１は、自己監視を実行する。光トランシーバ１（コントローラ２０の制御部２１）は、ホスト基板のログ情報と、光トランシーバ１の自己監視の結果とを揮発性メモリに格納する。ホスト基板２の電源供給の異常（光トランシーバ１の稼動時に光トランシーバ１に供給される電源電圧が正常レベルよりも低下したこと）を示すハザード信号の検出により、揮発性メモリに記憶されたログ情報と光トランシーバの自己監視の結果とが不揮発性メモリ２２に書き込まれる。
【００９２】
図１に示されるように、ホスト基板２に複数の光トランシーバ１が接続され、その複数の光トランシーバ１のうちの１つが故障した場合、光通信装置１０１からホスト基板２ごと取り外して返却しなくてもよく、故障した光トランシーバ１のみを返却すればよい。したがって、光通信システムの運用者にとって、故障した光トランシーバ１の返却に要する手間を小さくすることができる。
【００９３】
さらに、光通信に異常が生じた場合、その原因が光トランシーバにあるのか、上位装置（ホスト基板）にあるのかを容易に判別できる。たとえば、光通信の運用者は、故障した光トランシーバを新しい（正常な）光トランシーバに交換する。これにより光通信が復旧すれば、異常の原因が光トランシーバにあることを容易に判断できる。
【００９４】
さらに、光トランシーバ１の内部に、光トランシーバの情報だけでなく、ホスト基板の情報も不揮発的に記憶される。ログ情報が揮発性メモリ２３に記憶されたままの場合、ホスト基板２の電源が落ちることによって、揮発性メモリ２３に記憶されたログ情報が消失する。この実施の形態では、制御部２１はハザード信号を検出すると、揮発性メモリ２３に記憶されたログ情報を不揮発性メモリ２２に転送する。したがって、ホスト基板２の電源が落ちるような異常によって光トランシーバが故障した場合、故障した光トランシーバ１から、故障直前の光トランシーバ１の状態に関する情報だけでなく、異常の直前のホスト基板の状態に関するログ情報を取り出すことができる。この結果、光トランシーバ１の故障の原因を詳細に解析することが可能となる。
【００９５】
たとえばホスト基板２の温度が高くなりすぎたために、ホスト基板２の電源が落ちるだけでなく、光トランシーバも故障したとする。ログ情報に含まれる温度モニタ情報では、通常よりも高い温度値が示されている。たとえばログ情報（ホスト情報ログ）に、ホスト基板の温度の情報に加え、ファン１０の異常を示す情報が含まれていた場合には、ホスト基板２の放熱が悪くなったことが光トランシーバ１の故障の原因であると推定することができる。
【００９６】
さらにこの実施の形態では、ホスト基板２の電源電圧が落ちた場合に備えて、電源切換回路６が設けられる。電源切換回路６は、光トランシーバ１内の不揮発性メモリ２２へのログ情報の書き込みが完了するまで、光トランシーバ１に電源電圧を供給することができる。したがって光トランシーバ１の内部に、光トランシーバの状態およびホスト基板の状態に関するログ情報を不揮発的に記憶させることができる。
【００９７】
また、ＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモリには、一般に書き込み回数に限界がある。不揮発性メモリ２２に頻繁にログ情報が書き込まれると不揮発性メモリ２２の寿命が縮まる可能性がある。この実施の形態によれば、揮発性メモリ２３にログ情報が一時的に格納される。不揮発性メモリ２２へのログ情報の書き込みは、ホスト基板の電源が落ちたときにのみ実行される。これにより不揮発性メモリ２２の書込回数を少なくすることができる。したがって、不揮発性メモリ２２の寿命に起因して光トランシーバ１の寿命が短くなることを防ぐことができる。
【００９８】
なお、上記の実施の形態では、光トランシーバでは、光トランシーバの温度が監視される。しかしながら、光トランシーバ１が異常となる原因には様々なものが考えられる。したがって、光トランシーバ１は、温度モニタ値に加えて、あるいは温度モニタ値に代えて、他のモニタ値を監視してもよい。この場合、制御部２１は、その監視したモニタ値を揮発性メモリ２３に格納し、ホスト基板２の電源が落ちたときに不揮発性メモリ２２へと転送する。
【００９９】
図９は、光トランシーバのモニタ値の候補の例と、モニタ値から分かることが可能な異常の種類とを示した図である。図９を参照して、光トランシーバ１の温度、レーザダイオード１２の出力光強度、フォトダイオード１３の受信光強度、および光トランシーバ１に供給される電源電圧がモニタ値として考えられる。光トランシーバ１の温度を監視する方法は、上述の通りであるので、詳細な説明は以後繰り返さない。
【０１００】
レーザダイオード１２の出力光強度およびフォトダイオード１３の受信光強度の監視は、たとえば以下のように実行される。送信回路１４は、レーザダイオード１２の出力光強度を示すモニタ電圧をコントローラ２０に出力する。受信回路１７は、フォトダイオード１３の受信光強度を示すモニタ電圧をコントローラ２０に出力する。コントローラ２０は、送信回路１４から出力されたモニタ電圧および受信回路１７から出力されたモニタ電圧を、Ａ／Ｄコンバータ２５によってＡＤ変換する。Ａ／Ｄコンバータ２５から出力されたデジタル信号は、出力光強度を示すモニタ値、あるいは受信光強度を示すモニタ値である。制御部２１は、これらのモニタ値を受信する。これにより、制御部２１は、レーザダイオード１２の出力光強度およびフォトダイオード１３の受信光強度を監視する。
【０１０１】
温度が高い場合、光トランシーバの構成部品（たとえばレーザダイオード１２）が損傷する可能性がある。また、通常では、出力光強度が一定になるように、たとえばペルチェ素子などによってレーザダイオード１２の温度が管理されている。しかし、レーザダイオード１２の温度と、その周囲の温度との間の差が大きくなりすぎると、レーザダイオード１２の温度を一定に管理することが困難になる。このためレーザダイオード１２の出力光強度を一定に保つことが難しくなる。したがって上記の通り、温度を監視してもよい。
【０１０２】
また、出力光強度が高すぎることは、たとえば安全性（たとえば人間の目に対する安全性）の観点から好ましくない。逆に、出力光強度が下限値よりも低い場合には、レーザダイオード１２が寿命に達した可能性がある。したがって出力光強度を監視してもよい。
【０１０３】
また、光通信には高感度を有するフォトダイオードが用いられる。光通信用のフォトダイオードに入力される光信号の強度が大きすぎると、フォトダイオードが損傷する可能性がある。したがって受信光強度を監視してもよい。
【０１０４】
なお、図９に示された例に限定されず、光トランシーバは、当該光トランシーバに関する他の項目を監視してもよい。
【０１０５】
また、この実施の形態では、ホスト基板２の異常として、ホスト基板２の電源供給の異常を示した。しかしながら、検出されるホスト基板の異常の種類は、特に限定されるものではない。その異常を示すハザード信号が制御部２１に送出されるように構成されていればよい。
【０１０６】
また、この実施の形態では、ホスト基板２の電源供給の異常の一例として、光トランシーバの稼働時において、ホスト基板２から光トランシーバ１に供給される電源電圧が判定レベルを下回る場合を示した。しかしながら、異常の検出の対象となる電源電圧は、光トランシーバの稼働時の電源電圧に限定されるものではない。
【０１０７】
また、ホスト基板２から光トランシーバ１に供給される電源電圧が判定レベルを下回る場合だけでなく、その電源電圧が予め定められた範囲の上限値を上回る場合を、ホスト基板２の電源供給の異常として検出してもよい。すなわち、ホスト基板２の電源供給の異常として検出される異常は、光トランシーバ１に供給される電源電圧が予め定められた範囲を外れるという異常であってもよい。
【０１０８】
さらに、この実施の形態では、光トランシーバ１の電源電圧が正電圧である場合を示した。しかし光トランシーバ１に供給される電源電圧が予め定められた範囲を外れるという異常を検出すればよいので、光トランシーバ１の電源電圧が負電圧であってもよい。
【０１０９】
さらに、上記の実施の形態では、図１に示された複数の光トランシーバのすべてがログ情報を不揮発的に記憶する機能を有するものであるとした。しかしながら複数の光トランシーバの一部が、この実施の形態で説明したログ情報記憶機能を備え、残りの光トランシーバはログ情報記憶機能を備えていなくてもよい。
【０１１０】
また、本明細書では、本発明に係る光通信モジュールの１つの具体的な形態として光トランシーバを示した。しかしながら、本発明に係る光通信モジュールは、光トランシーバのように送信機能および受信機能の両方を備えるものと限定されるものではない。本発明に係る光通信モジュールは、送信機能および受信機能のうちのいずれか一方のみを有するものでもよい。したがって、本発明に係る光通信モジュールは、光レシーバあるいは光トランスミッタであってもよい。
【０１１１】
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内で全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１２】
１  光トランシーバ、１ａ  前面（光トランシーバ）、２  ホスト基板、３  ホストＣＰＵ、４，２２  不揮発性メモリ、５  筐体、６  電源切換回路、７  蓄電装置、８  比較部、９  切換回路、１１  光デバイス、１２  レーザダイオード、１３  フォトダイオード、１４  送信回路、１５  ドライバ、１６，２６  Ｄ／Ａコンバータ、１７  受信回路、１８  アンプ、１９，２５  Ａ／Ｄコンバータ、２０  コントローラ、２１  制御部、２３  揮発性メモリ、２４  バス、２７，２９  データバスインタフェース、２８  ロジックポート、３０  温度センサ、４２  ログ情報、１０１  光通信装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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