(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミックグリーンシートを含み、表面にカットマークを有するセラミックグリーンブロックを準備する工程と、
前記セラミックグリーンブロックをテーブル上に載置する工程と、
前記カットマークを基準にして、前記セラミックグリーンブロックに切削水をかけながら、ダイサーにより前記セラミックグリーンブロックを所定の寸法に切断する工程とを備えた積層セラミック電子部品の製造方法において、
前記セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度と切断時の前記セラミックグリーンブロックの表面の温度とを近づけることを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
切断前の前記セラミックグリーンブロックに前記切削水をかけて前記セラミックグリーンブロックを冷却しまたは温めることにより、前記セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度を、切断時の前記セラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
切断前の前記セラミックグリーンブロックおよび前記テーブルに前記切削水をかけて前記セラミックグリーンブロックおよび前記テーブルを冷却しまたは温めることにより、前記セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度を、切断時の前記セラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記切削水の温度を前記セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度に近づけることにより、切断時の前記セラミックグリーンブロックの表面の温度を、前の前記セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度に近づけることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関し、特に内部電極を有する例えば積層セラミックコンデンサ、積層ＬＣ複合部品、積層圧電アクチュエータおよび多層基板などの積層セラミック電子部品を製造する積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品を製造する際には、通常、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを複数枚積層、圧着してセラミックグリーンブロックを作製し、セラミックグリーンブロックを所定のサイズに切断して多数のセラミックグリーンチップを作製する工程を経る。ここで、セラミックグリーンブロックを切断する際には、内部電極パターン間のマージン部を精度よく切断する必要があるが、内部電極パターンは外からは見えないため、切断の基準となるカットマークがセラミックグリーンブロックの表面に設けられることが多い。
このような積層セラミック電子部品の製造方法が、例えば特開平０７−３３５４７９号公報に記載されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−３３５４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のような積層セラミック電子部品の製造方法おいて、セラミックグリーンブロックを切断する手段としてはダイサーが存在する。
しかしながら、ダイサーによる切断を行う場合、カットマークを基準として位置合わせを行っているにも関わらず、セラミックグリーンブロックを狙い通りに切断することができないことがあった。
【０００５】
それゆえに、この発明の主たる目的は、セラミックグリーンブロックをダイサーで切断する際に位置ずれが生じにくい積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法は、積層された複数のセラミックグリーンシートを含み、表面にカットマークを有するセラミックグリーンブロックを準備する工程と、セラミックグリーンブロックをテーブル上に載置する工程と、カットマークを基準にして、セラミックグリーンブロックに切削水をかけながら、ダイサーによりセラミックグリーンブロックを所定の寸法に切断する工程とを備えた積層セラミック電子部品の製造方法において、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度と切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度とを近づけることを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法である。
この発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法では、例えば、切断前のセラミックグリーンブロックに切削水をかけてセラミックグリーンブロックを冷却しまたは温めることにより、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度を、切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけることを特徴とする。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法では、例えば、切断前のセラミックグリーンブロックおよびテーブルに切削水をかけてセラミックグリーンブロックおよびテーブルを冷却しまたは温めることにより、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度を、切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけることを特徴とする。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品では、例えば、切削水の温度をセラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度に近づけることにより、切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度を、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度に近づけることを特徴とする。
【０００７】
この発明を完成するにあたり、本発明者が鋭意研究したところ、ダイサー使用時の切断精度の低下は、切削水にあることがわかった。切削水とは、切断時の熱を抑えたり、切りくずを除去したりする目的で、ダイサー使用時にセラミックグリーンブロックにかけられる水である。すなわち、この切削水により、セラミックグリーンブロックが例えば冷却されて収縮し、位置合わせ時に比べてカットマークの位置がずれてしまうのである。
そこで、この発明では、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度と切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度とを近づける。より具体的には、あらかじめセラミックグリーンブロックに例えば切削水などの水をかけてセラミックグリーンブロックを冷却しまたは温めるか、あらかじめセラミックグリーンブロックおよびテーブルに例えば切削水などの水をかけてセラミックグリーンブロックおよびテーブルを冷却しまたは温めるか、または、切削水の温度をセラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度に近づける。
なお、この発明において、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度とは、セラミックグリーンブロックが切断される前に、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークを基準として位置合わせを行う時のセラミックグリーンブロックの表面の温度である。
また、この発明において、切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度とは、セラミックグリーンブロックに切削水をかけながらセラミックグリーンブロックをダイサーで切断する時のセラミックグリーンブロックの表面の温度である。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、積層セラミック電子部品の製造方法において、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度と切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度とを近づけるので、例えば、セラミックグリーンブロックが切断時のセラミックグリーンブロックの大きさに対応してすでに収縮しまたは膨張した状態で位置合わせされることになり、または、セラミックグリーンブロックが切断前のセラミックグリーンブロックの大きさに対応した状態で切断されることになる。そのため、この発明によれば、セラミックグリーンブロックの切断時に切削水による影響を受けにくくなり、セラミックグリーンブロックをダイサーで切断する際に位置ずれが生じにくくなる。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法において、切断前のセラミックグリーンブロックを切削水で冷却しまたは温めると、切削水以外の水を切断前のセラミックグリーンブロックにかけるための設備がいらない。
さらに、この発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法において、切断前のセラミックグリーンブロックおよびテーブルに切削水をかけると、セラミックグリーンブロック以外にセラミックグリーンブロックが載置されたテーブルにも切削水がかけられるので、セラミックグリーンブロックの表面の温度が早く安定になる。
また、この発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法において、切削水の温度をセラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度に近づけると、セラミックグリーンブロックの表面にカットマーク用パターンで形成されたカットマークの位置を決定する際の温度を調整する必要がなくなる。そのため、切断前のセラミックグリーンブロックに切削水などの水をかける必要がなくなる。
【０００９】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明が適用される積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図解図である。
【図３】図１に示す積層セラミックコンデンサを製造するためのこの発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法の一例においてダイサーによりセラミックグリーンブロックを切断する工程を示す要部図解図である。
【図４】実験例においてブロックを２１℃から１３℃に冷却した際のカットマークの座標変化量を示すグラフであり、（Ａ）は、Ｘ方向（ブロックの長手方向と同じ方向）におけるカットマークの座標変化量（収縮量）を示し、（Ｂ）は、Ｙ方向（平面的に見てＸ方向に直交する方向）におけるカットマークの座標変化量（収縮量）を示し、横軸は、測定座標（ｍｍ）を示し、縦軸は、座標変化量（μｍ）（移動前後のカットマークの座標の差（μｍ））を示す。
【図５】実験例における対策の後にブロックに対して切削水をかけた際のカットマークの座標変化量を示すグラフであり、（Ａ）は、Ｘ方向（ブロックの長手方向と同じ方向）におけるカットマークの座標変化量（収縮量）を示し、（Ｂ）は、Ｙ方向（平面的に見てＸ方向に直交する方向）におけるカットマークの座標変化量（収縮量）を示し、横軸は、測定座標（ｍｍ）を示し、縦軸は、座標変化量（μｍ）（移動前後のカットマークの座標の差（μｍ））を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、この発明が適用される積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図であり、図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図解図である。図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、例えば直方体状のセラミック素体１２を含む。
【００１２】
セラミック素体１２は、積層された複数のセラミック層１４からなり、互いに対向する第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂと、互いに対向する第１の側面１８ａおよび第２の側面１８ｂと、互いに対向する第１の端面２０ａおよび第２の端面２０ｂとを有する。なお、セラミック素体１２は、角部２２および稜部２４にそれぞれ丸みがつけられていることが好ましい。
【００１３】
セラミック素体１２を形成するためのセラミック層１４のセラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックを用いることができる。また、セラミック層１４のセラミック材料としては、それらの主成分にＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を添加したものが用いられてもよい。セラミック素体１２の各セラミック層１４の厚みは、０．５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００１４】
セラミック素体１２の内部には、セラミック層１４間に、複数の第１の内部電極２６ａおよび複数の第２の内部電極２６ｂが交互に配置される。第１の内部電極２６ａおよび第２の内部電極２６ｂの材料としては、それぞれ、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。各第１の内部電極２６ａの厚みまたは各第２の内部電極２６ｂの厚みは、それぞれ、０.３μｍ〜２.０μｍであることが好ましい。
【００１５】
第１の内部電極２６ａは、第１の対向部２８ａと、第１の引出し部３０ａと、第１の露出部３２ａとを有する。第１の対向部２８ａは、第２の内部電極２６ｂと対向する。第１の引出し部３０ａは、第１の対向部２８ａからセラミック素体１２の第１の端面２０ａに引出される。第１の露出部３２ａは、セラミック素体１２の第１の端面２０ａに露出する。
【００１６】
第２の内部電極２６ｂは、第１の内部電極２６ａと同様に、第１の内部電極２６ａと対向する第２の対向部２８ｂと、第２の対向部２８ｂからセラミック素体１２の第２の端面２０ｂに引出された第２の引出し部３０ｂと、セラミック素体１２の第２の端面２０ｂに露出する第２の露出面３２ｂとを有する。
【００１７】
セラミック素体１２の外表面には、第１の外部電極３４ａおよび第２の外部電極３４ｂが第１の内部電極２６ａおよび第２の内部電極２６ｂにそれぞれ電気的に接続されるように形成される。第１の外部電極３４ａおよび第２の外部電極３４ｂの材料としては、それぞれ、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｕおよびＳｎからなる群から選ばれる１種の金属、または、当該金属を含む合金を用いることができる。第１の外部電極３４ａの厚みおよび第２の外部電極３４ｂの厚みは、それぞれ、５μｍ〜２００μｍであることが好ましい。
【００１８】
第１の外部電極３４ａは、第１の内部電極２６ａの第１の露出部３２ａを被覆するようにして、セラミック素体１２の外表面上である第１の端面２０ａ上と第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１８ａおよび第２の側面１８ｂのそれぞれの一端部分上とに形成される。
【００１９】
同様に、第２の外部電極３４ｂは、第２の内部電極２６ｂの第２の露出部３２ｂを被覆するようにして、セラミック素体１２の外表面上である第２の端面２０ｂ上と第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１８ａおよび第２の側面１８ｂのそれぞれの他端部分上とに形成される。
【００２０】
なお、第１の外部電極３４ａの表面および第２の外部電極３４ｂの表面には、それぞれ、１層または複数層のめっき膜が形成されてもよい。このようなめっき膜の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｌ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属、または、当該金属を含む合金を用いることができる。
【００２１】
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造するための積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について説明する。
【００２２】
まず、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストを準備する。セラミックグリーンシートや各種導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００２３】
次に、セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷などにより所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。このとき、内部電極用導電性ペーストと同じ導電性ペーストを用いて、内部電極パターンの周囲にカットマーク用パターンを印刷して形成する。
【００２４】
そして、内部電極パターンおよびカットマーク用パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンおよびカットマーク用パターンが印刷されたセラミックグリーンシートを順次積層し、その上に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層することによって、セラミックグリーンブロックを作製する。
【００２５】
それから、セラミックグリーンブロックを静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスする。
【００２６】
そして、プレスしたセラミックグリーンブロックをテーブル上に載置し、セラミックグリーンブロックおよびテーブルに水をかけて、セラミックグリーンブロックおよびテーブルをたとえば冷却する。このときの水の温度は、ダイサーによる切断時に用いる切削水の温度と同じ温度であることが好ましい。より具体的には、セラミックグリーンブロックおよびテーブルに、ダイサーによる切断時に用いる切削水をかけてやればよい。
【００２７】
また、テーブルの冷却は、必ずしも必須ではない。しかしながら、周囲の温度状況によっては、テーブルの温度の影響により切削水などの水だけではセラミックグリーンブロックの表面が十分に冷却されない場合がある。（例えば、ダイサー設備が長時間停止していた後に稼働したとき、テーブル温度は常温に近づいている。）このような場合には、テーブルも冷却することが好ましい。このとき、テーブルの温度は、ダイサーによる切断時に用いる切削水の温度と同じ程度に調節することが好ましい。
【００２８】
なお、ダイサーによる切断を行う場所は、室温調節されていることが多く、通常、年間を通じて２０℃程度に維持されている。一方、切削水として用いられる工業用水の温度は、年間を通じて１３℃〜２５℃程度の範囲で変化し得る。つまり、切削水などの水によって必ずしも切断前のセラミックグリーンブロックおよびテーブルを冷却するとは限らず、夏場などにおいては、切削水の温度がダイサーによる切断を行う場所の室温より高くなることがあるので、切断前のセラミックグリーンブロックおよびテーブルを若干温めることもあり得る。
【００２９】
そして、セラミックグリーンブロックの外周縁を切り落とし、セラミックグリーンブロックの側面（表面）にカットマーク用パターンで形成されたカットマークを露出させる。
【００３０】
それから、カットマークを基準にして位置合わせを行う。この場合、ＣＣＤカメラなどの撮像機構によりセラミックグリーンブロックの側面から露出したカットマークを撮影し、演算機構によりカットマークなどの画像データを解析し、カット位置を決定する。
【００３１】
そして、図３に示すように、セラミックグリーンブロックに切削水をかけながら、ダイサーによりセラミックグリーンブロックを所定の寸法に切断し、多数のセラミックグリーンチップを得る。その後、バレル研磨などによりセラミックグリーンチップの角部や稜部に丸みをつけてもよい。
【００３２】
それから、セラミックグリーンチップをセラミックチップに焼成する。焼成温度は、セラミック素体や内部電極の材料にもよるが、９００℃〜１３００℃であることが好ましい。焼成後のセラミックチップは、積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１２、第１の内部電極２６ａおよび第２の内部電極２６ｂとなる。
【００３３】
そして、焼成後のセラミックチップの両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼き付け、第１の外部電極３４ａおよび第２の外部電極３４ｂを形成する。なお、第１の外部電極３４ａの表面および第２の外部電極３４ｂの表面には、それぞれ、必要に応じてめっきを施すことによって１層または複数層のめっき膜を形成してもよい。
【００３４】
上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００３５】
上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、切断前のセラミックグリーンブロックの表面の温度を切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけるので、セラミックグリーンブロックが切断時のセラミックグリーンブロックの大きさに対応してすでに収縮しまたは膨張した状態で位置合わせされることになる。そのため、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、セラミックグリーンブロックの切断時に切削水による影響を受けにくくなり、セラミックグリーンブロックをダイサーで切断する際に位置ずれが生じにくくなる。このようにセラミックグリーンブロックをダイサーで切断する際に位置ずれが生じにくくなると、製造される積層セラミックコンデンサにおいて、不良発生率が低減し、歩留まりがよくなる。
【００３６】
また、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、切断前のセラミックグリーンブロックを切削水で冷却しまたは温めるので、切削水以外の水を切断前のセラミックグリーンブロックにかけるための設備がいらない。
【００３７】
さらに、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、切断前のセラミックグリーンブロックおよびテーブルに切削水をかけるので、すなわち、セラミックグリーンブロック以外にセラミックグリーンブロックが載置されたテーブルにも切削水がかけられるので、セラミックグリーンブロックの表面の温度が早く安定になる。
【００３８】
（実験例）
この実験例は、切削水の温度の作用によるセラミックグリーンブロック表面のカットマークの位置ずれについて、本発明を適用することによる効果を検証するものである。
【００３９】
＜位置ずれの現象について＞
既述に基づいて所定の仕様で作製されたセラミックグリーンブロック（以下、ブロックと省略する）を準備し、ダイサーのテーブル上にセットした。この直後のブロックの温度は、室温と同等の２１℃であった。
しかしながら、位置合わせを行った後、カット動作においてブロックに切削水がかけられると、ブロックは１３℃まで冷却された。この温度低下によりブロックが収縮し、位置合わせの際に認識したカットマークの位置と切断時のカットマークの位置とにずれが生じた。
【００４０】
＜ずれ量について＞
２１℃のブロックに対して、切削水をかけてブロックを１３℃に冷却させた際のカットマークの座標の変化量を図４に示す。図４は、ブロックを２１℃から１３℃に冷却した際のカットマークの座標変化量を示すグラフであり、（Ａ）は、Ｘ方向（ブロックの長手方向と同じ方向）におけるカットマークの座標変化量（収縮量）を示し、（Ｂ）は、Ｙ方向（平面的に見てＸ方向に直交する方向）におけるカットマークの座標変化量（収縮量）を示し、横軸は、測定座標（ｍｍ）を示し、縦軸は、座標変化量（μｍ）（移動前後のカットマークの座標の差（μｍ））を示す。図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すグラフより、ブロックを２１℃から１３℃に冷却すると、ブロックの外周部が中心に向けて収縮し、カットマークの位置ずれが発生していることがわかる。
【００４１】
＜位置ずれの対策について＞
上記と同じ仕様のブロックを準備し、以下の２つの対策（１）および（２）を行った。
【００４２】
（１）位置合わせ前のブロックの冷却
位置合わせ前にブロックに１３℃の冷却水（切削水）を当てて冷却する動作を追加した。このとき、ブロックの冷却時間を６０秒間とした。
【００４３】
（２）位置合わせ前のテーブルの冷却
位置合わせ前にテーブルに１３℃の冷却水（切削水）を当てて冷却する動作を追加した。このとき、テーブルの冷却時間を１５分間とした。
【００４４】
上述の対策の後にブロックに対して切削水をかけた際のカットマークの座標の変化量を図５に示す。図５は、上述の対策の後にブロックに対して切削水をかけた際のカットマークの座標変化量を示すグラフであり、（Ａ）は、Ｘ方向（ブロックの長手方向と同じ方向）におけるカットマークの座標変化量（収縮量）を示し、（Ｂ）は、Ｙ方向（平面的に見てＸ方向に直交する方向）におけるカットマークの座標変化量（収縮量）を示し、横軸は、測定座標（ｍｍ）を示し、縦軸は、座標変化量（μｍ）（移動前後のカットマークの座標の差（μｍ））を示す。図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すグラフより、上述の対策の後にブロックに対して切削水をかけても、位置ずれがほとんど発生していないことがわかる。
【００４５】
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造するための積層セラミックコンデンサの製造方法の他の例について説明する。
上述の積層セラミックコンデンサの製造方法では、切断時に用いる切削水の温度を基準として、切断前のセラミックグリーンブロックの表面の温度を近づけるというアプローチをとったが、次の積層セラミックコンデンサの製造方法では、逆に、切断前のセラミックグリーンブロックの表面の温度を基準として、切削水の温度を調整している。
すなわち、この積層セラミックコンデンサの製造方法では、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法と比べて、切断前のセラミックグリーンブロックやテーブルに切削水などの水をかけない。その代わりに、この積層セラミックコンデンサの製造方法では、切断時のセラミックグリーンブロックにかける切削水の温度を切断前のセラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけることにより、切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度を、切断前のセラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけている。
【００４６】
この積層セラミックコンデンサの製造方法では、切断時のセラミックグリーンブロックの表面の温度を切断前のセラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけるので、セラミックグリーンブロックが切断前のセラミックグリーンブロックの大きさに対応した状態で切断されることになる。そのため、この積層セラミックコンデンサの製造方法によっても、セラミックグリーンブロックの切断時に切削水による影響を受けにくくなり、セラミックグリーンブロックをダイサーで切断する際に位置ずれが生じにくくなる。
【００４７】
また、この積層セラミックコンデンサの製造方法では、切削水の温度を切断前のセラミックグリーンブロックの表面の温度に近づけるので、切断前のセラミックグリーンブロックの表面の温度を調整する必要がなくなる。そのため、切断前のセラミックグリーンブロックに切削水などの水をかける必要がなくなる。
【００４８】
上述の実施の形態では、積層セラミックコンデンサの製造方法を例にして説明したが、この発明は、積層セラミックコンデンサ以外に、特に内部電極を有する例えば積層ＬＣ複合部品、積層圧電アクチュエータおよび多層基板などの他の積層セラミック電子部品を製造する積層セラミック電子部品の製造方法にも適用され得る。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
この発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法は、特に内部電極を有する例えば積層セラミックコンデンサ、積層ＬＣ複合部品、積層圧電アクチュエータおよび多層基板などの積層セラミック電子部品を製造するために好適に用いられる。
【符号の説明】
【００５０】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  セラミック素体
１４  セラミック層
１６ａ  第１の主面
１６ｂ  第２の主面
１８ａ  第１の側面
１８ｂ  第２の側面
２０ａ  第１の端面
２０ｂ  第２の端面
２２  隅部
２４  稜部
２６ａ  第１の内部電極
２６ｂ  第２の内部電極
２８ａ  第１の対向部
２８ｂ  第２の対向部
３０ａ  第１の引出し部
３０ｂ  第２の引出し部
３２ａ  第１の露出部
３２ｂ  第２の露出部
３４ａ  第１の外部電極
３４ｂ  第２の外部電極
【図１】
0005810501.tif 000002
【図２】
0005810501.tif 000003
【図３】
0005810501.tif 000004
【図４】
0005810501.tif 000005
【図５】
0005810501.tif 000006