(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の四隅に形成される４つのアライメントマークの位置によって定まる第１四辺形と、設計データにおける前記アライメントマークの位置によって定まる第２四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める第１工程と、
前記第１四辺形の各辺と前記第２四辺形の各辺との角度差が小さくなるように、前記第１四辺形又は前記第２四辺形を前記平均角度差だけ回転させる第２工程と、
前記第１四辺形と前記第２四辺形との対応する頂点同士の平均距離差を求める第３工程と、
前記第１四辺形と前記第２四辺形とが近づくように、前記第１四辺形又は前記第２四辺形を前記平均距離差だけ移動させる第４工程と、
前記第１四辺形の各頂点を中心として前記配線基板に形成されるビアの公差を半径とする４つの円の内部を通り、前記第２四辺形の各辺と平行で、前記第２四辺形の各辺に最も近い４本の直線を求める第５工程と、
前記４本の直線の４つの交点が前記ビアの公差を半径とする４つの円の内部にあるか否かを判定する第６工程と、
前記第６工程で前記ビアの公差を半径とする４つの円の内部にあると判定された前記４つの交点で定まる第３四辺形の大きさ及び前記第３四辺形の基準位置に対する形状と、前記第２四辺形の大きさ及び前記第２四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに基づく前記配線基板へのビアの加工位置を補正する第７工程と
を含む、配線基板の加工位置の補正方法。
【請求項２】
前記第６工程で前記ビアの公差を半径とする４つの円の内部にあると判定されなかった交点を前記４つの円のうち当該交点に最も近い円の内部に移動させる移動工程をさらに含み、
前記移動工程では、前記第６工程で前記ビアの公差を半径とする円の内部にあると判定された交点と、前記移動工程で移動された交点とを合わせた４つの交点で定まる第３四辺形の大きさ及び前記第３四辺形の基準位置に対する形状と、前記第２四辺形の大きさ及び前記第２四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに基づく前記配線基板へのビアの加工位置を補正する、請求項１記載の配線基板の加工位置の補正方法。
【請求項３】
前記基準位置は、重心である、請求項１又は２記載の配線基板の加工位置の補正方法。
【請求項４】
前記基準位置は、４つの頂点の座標の平均座標である、請求項１又は２記載の配線基板の加工位置の補正方法。
【請求項５】
前記第１工程において求められる前記辺同士の角度差の平均角度差は、前記第１四辺形の四辺と、前記第２四辺形の対応する四辺とのそれぞれの角度差のうち、最大の角度差と、最小の角度差との平均角度差である、請求項１乃至４のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。
【請求項６】
前記第３工程において求められる前記平均距離差は、前記第１四辺形の４つの頂点と、前記第２四辺形の対応する４つの頂点とのそれぞれの距離差のうち、最大距離差と最小距離差との平均距離差である、請求項１乃至５のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。
【請求項７】
前記第１工程では、前記設計データにおける前記アライメントマークの位置に、前記第７工程で加工位置を補正するビアの上側に接続される配線層の倍率を乗じた位置によって定まる第２四辺形と、前記配線基板の四隅に形成される４つのアライメントマークの位置によって定まる第１四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める、請求項１乃至６のいずれか一項記載の配線基板の加工位置の補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の加工位置の補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アライメントマークのアライメントホールに対する位置ズレ量を測定し、位置ズレ量の半分の値で基板の伸縮と歪みを補正した位置座標データを用いてビアホール穴を形成する配線基板の製造方法があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−０７８４６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の配線基板の製造方法は、アライメントマークのアライメントホールに対する位置ズレ量の半分の値で基板の伸縮と歪みを補正するため、位置ズレ量の半分の値がビアの位置ずれの許容値を超えると配線不良が生じるという問題があった。
【０００５】
具体的には、例えば、位置ズレ量の半分の値がビアとパッドの位置ずれの許容値を超えると、パッドとビアが接続されなくなる虞があった。パッドとビアが接続されない場合は、配線基板の不良に繋がるという問題があった。
【０００６】
そこで、配線不良を抑制した配線基板の加工位置の補正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法は、絶縁層を積層して形成される配線基板の表面の四隅に形成される４つのアライメントマークの位置によって定まる第１四辺形と、設計データにおける前記アライメントマークの位置によって定まる第２四辺形との対応する辺同士の角度差の平均角度差を求める第１工程と、前記第１四辺形の各辺と前記第２四辺形の各辺との角度差が小さくなるように、前記第１四辺形又は前記第２四辺形を前記平均角度差だけ回転させる第２工程と、前記第１四辺形と前記第２四辺形との対応する頂点同士の平均距離差を求める第３工程と、前記第１四辺形と前記第２四辺形とが近づくように、前記第１四辺形又は前記第２四辺形を前記平均距離差だけ移動させる第４工程と、前記第１四辺形の各頂点を中心として前記配線基板に形成されるビアの公差を半径とする４つの円の内部を通り、前記第２四辺形の各辺と平行で、前記第２四辺形の各辺に最も近い４本の直線を求める第５工程と、前記４本の直線の４つの交点が前記ビアの公差を半径とする４つの円の内部にあるか否かを判定する第６工程と、前記第６工程で前記ビアの公差を半径とする４つの円の内部にあると判定された前記４つの交点で定まる第３四辺形の大きさ及び前記第３四辺形の基準位置に対する形状と、前記第２四辺形の大きさ及び前記第２四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、前記設計データに含まれる回路パターンの前記配線基板への加工位置を補正する第７工程とを含む。
【発明の効果】
【０００８】
低コストで配線基板を製造できる配線基板の製造方法、及び、配線基板用の構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図である。
【図２】実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図である。
【図３】実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法の工程を示す工程図である。
【図４】実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法のステップＳ１において、第１四辺形と第２四辺形の各辺同士の角度差を求める工程を示す図である。
【図５】実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法において、第２四辺形を平均距離差だけ移動させる処理の一例を示す図である。
【図６】実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法におけるステップＳ２の処理を示す図である。
【図７】実施の形態１の配線基板の加工位置の補正方法のステップＳ２において４本の直線を求める方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の配線基板の加工位置の補正方法を適用した実施の形態について説明する。
【００１１】
図１は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面透視図である。図１（Ａ）は、図１（Ｂ）におけるＡ−Ａ矢視断面を示す。
【００１２】
図１（Ａ）に示すように、ビルドアップ基板１００は、コア基板１１０、ビア１１１Ａ、１１１Ｂ、配線層１２０Ａ、１２０Ｂ、絶縁層１２１、ビア１２２Ａ、１２２Ｂ、配線層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄ、アライメントマーク１３１Ａ、１３１Ｂ、及び絶縁層１３２を含む。
【００１３】
また、ビルドアップ基板１００は、さらに、コア基板１１０の下側に、配線層１４０Ａ、１４０Ｂ、絶縁層１４１、ビア１４２Ａ、１４２Ｂ、配線層１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄ、及び絶縁層１５１を含む。
【００１４】
ビルドアップ基板１００は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板の一例である。なお、ここでは、上下という文言は、図１（Ａ）に示す断面構造における上下を表し、普遍的な上下の位置関係を表すものではない。
【００１５】
コア基板１１０は、例えば、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させたものを用いることができる。
【００１６】
ビア１１１Ａ、１１１Ｂは、コア基板１１０を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成されている。ビアホールは、例えば、レーザ加工又はドリル加工によって形成すればよい。
【００１７】
ビア１１１Ａ、１１１Ｂは、コア基板１１０を厚さ方向に貫通するビアホールの内壁に形成されていても、ビアホールの内部を充填するように形成されていてもどちらでもよい。
【００１８】
例えば、セミアディティブ法によるビア１１１Ａ、１１１Ｂの形成は、例えば次の通りである。コア基板１１０のビアホールの内壁に、銅の無電解めっきやスパッタによりシード層を形成し、シード層上に配線パターンの形状の開口部を有するめっきレジストパターンを形成する。次いで、シード層を給電層とする、銅の電解めっきにより、ビアホール内にビア１１１Ａ、１１１Ｂとなる銅めっきを析出させる。次いで、めっきレジストを除去し、シード層を除去することにより、ビア１１１Ａ、１１１Ｂを形成する。
【００１９】
配線層１２０Ａ、１２０Ｂは、コア基板１１０の上面に形成され、下面側がビア１１１Ａ、１１１Ｂに接続されている。また、配線層１２０Ａ、１２０Ｂは、上面側が絶縁層１２１によって覆われるとともに、絶縁層１２１を貫通するビア１２２Ａ、１２２Ｂに接続されている。
【００２０】
配線層１２０Ａ、１２０Ｂは、コア基板１１０の上側における第１層である。配線層１２０Ａ、１２０Ｂは、例えば、銅箔であり、レジストを用いためっき処理によって形成すればよい。
【００２１】
絶縁層１２１は、コア基板１１０の上面と、配線層１２０Ａ、１２０Ｂの上面とを覆うように形成されるとともに、配線層１２０Ａ、１２０Ｂの上面の一部に形成されるビアホールの内部にビア１２２Ａ、１２２Ｂが形成されている。
【００２２】
絶縁層１２１は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を半硬化状態の樹脂フィルムにし、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱・加圧して積層させるとともに硬化することによって作製される。また、その後に配線層１２０Ａ、１２０Ｂの上面まで貫通するビアホールが形成され、ビアホールの内部にビア１２２Ａ、１２２Ｂが形成されている。
【００２３】
ビア１２２Ａ、１２２Ｂは、絶縁層１２１を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成され、下面がそれぞれ配線層１２０Ａ、１２０Ｂの上面に接続されている。ビア１２２Ａ、１２２Ｂの上面は、それぞれ、配線層１３０Ａ、１３０Ｄに接続されている。
【００２４】
ビア１２２Ａ、１２２Ｂは、例えば、銅めっきによって形成される。ビア１２２Ａ、１２２Ｂは、例えば、後述する配線層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄを形成するためのめっき処理によって形成すればよい。
【００２５】
配線層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄは、それぞれ、絶縁層１２１の上面に形成されている。このうち、配線層１３０Ａ、１３０Ｄは、それぞれ、ビア１２２Ａ、１２２Ｂに接続されている。配線層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄの上面は、絶縁層１３２によって覆われている。
【００２６】
配線層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄは、コア基板１１０の上側における第２層である。
【００２７】
配線層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄは、例えば、銅箔で形成すればよい。配線層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄは、例えば、ビア１２２Ａ、１２２Ｂめっき処理によって形成すればよい。
【００２８】
アライメントマーク１３１Ａ、１３１Ｂは、絶縁層１２１の上面の端部に形成されており、絶縁層１３２によって覆われている。アライメントマーク１３１Ａ、１３１Ｂは、絶縁層１３２にビアホールを形成する際の加工位置の位置決め用に用いられる。
【００２９】
図１（Ａ）には配線層１３０Ａ〜１３０Ｄと同様にコア基板１１０の上側における第２層に含まれるアライメントマーク１３１Ａ、１３１Ｂのみを示すが、実際には、ビア１２２Ａ、１２２Ｂを形成するビアホールの加工位置を位置決めするために用いるアライメントマークが配線層１２０Ａ、１２０Ｂと同様にコア基板１１０の上側における第１層によって形成される。
【００３０】
アライメントマーク１３１Ａ、１３１Ｂは、後述するアライメントマーク１３１Ｃ、１３１Ｄ（図１（Ｂ）参照）とともに、平面視においてビルドアップ基板１００の四隅に位置するように形成されている。
【００３１】
アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄは、配線層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄとともに、コア基板１１０の上側における第２層の銅箔をパターニングすることによって形成される。
【００３２】
絶縁層１３２は、絶縁層１２１、配線層１３０Ａ〜１３０Ｄ、アライメントマーク１３１Ａ、１３１Ｂの上面を覆うように形成されている。
【００３３】
配線層１４０Ａ、１４０Ｂは、コア基板１１０の下面に形成され、上面側がビア１１１Ａ、１１１Ｂに接続されている。また、配線層１４０Ａ、１４０Ｂは、下面側が絶縁層１４１によって覆われるとともに、絶縁層１４１を貫通するビア１４２Ａ、１４２Ｂに接続されている。
【００３４】
配線層１４０Ａ、１４０Ｂは、コア基板１１０の下側における第１層である。
【００３５】
配線層１４０Ａ、１４０Ｂは、例えば、銅箔であり、レジストを用いためっき処理によって形成すればよい。
【００３６】
絶縁層１４１は、コア基板１１０の下面と、配線層１４０Ａ、１４０Ｂの下面とを覆うように形成されるとともに、配線層１４０Ａ、１４０Ｂの下面の一部に形成されるビアホールの内部にビア１４２Ａ、１４２Ｂが形成されている。
【００３７】
絶縁層１４１は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を半硬化状態の樹脂フィルムにし、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱・加圧して積層させるとともに硬化することによって作製される。また、その後に配線層１４０Ａ、１４０Ｂの下面まで貫通するビアホールが形成され、ビアホールの内部にビア１４２Ａ、１４２Ｂが形成されている。
【００３８】
ビア１４２Ａ、１４２Ｂは、絶縁層１４１を厚さ方向に貫通するビアホールの内部に形成され、上面がそれぞれ配線層１４０Ａ、１４０Ｂの下面に接続されている。ビア１４２Ａ、１４２Ｂの下面は、それぞれ、配線層１５０Ｂ、１５０Ｃに接続されている。
【００３９】
ビア１４２Ａ、１４２Ｂは、例えば、銅めっきによって形成される。ビア１４２Ａ、１４２Ｂは、例えば、後述する配線層１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄを形成するためのめっき処理によって形成すればよい。
【００４０】
配線層１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄは、それぞれ、絶縁層１４１の下面に形成されている。このうち、配線層１５０Ｂ、１５０Ｃは、それぞれ、ビア１４２Ａ、１４２Ｂに接続されている。配線層１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄの下面は、絶縁層１５１によって覆われている。
【００４１】
配線層１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄは、コア基板１１０の下側における第２層である。
【００４２】
配線層１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄは、例えば、ビア１４２Ａ、１４２Ｂとともに、めっき処理によって形成すればよい。
【００４３】
絶縁層１５１は、絶縁層１４１、配線層１５０Ａ〜１５０Ｄ、アライメントマーク１３１Ａ、１３１Ｂの下面を覆うように形成されている。
【００４４】
図１（Ｂ）は、実施の形態のビルドアップ基板１００のコア基板１１０よりも上側に形成される、配線層１２０Ａ〜１２０Ｆ、配線層１３０Ａ〜１３０Ｌ、アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄを透視的に示す図である。
【００４５】
図１（Ｂ）では、コア基板１００より上側に形成される構成要素のうち、ビア１１１Ａ、１１１Ｂの図示を省略し、配線層１２０Ａ〜１２０Ｆ、配線層１３０Ａ〜１３０Ｌ、アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの平面的なパターンを破線で示す。
【００４６】
配線層１２０Ａ〜１２０Ｆ、配線層１３０Ａ〜１３０Ｌ、アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄは、平面視では、図１（Ｂ）に示すようにパターニングされている。
【００４７】
ここで、配線層１３０Ａは、ビア１２２Ａ（図１（Ａ）参照）によって配線層１２０Ａに接続されているが、平面視でビア１２２Ａは配線層１３０Ａより小さいため、図１（Ｂ）ではビア１２２Ａは見えない。同様に、配線層１３０Ｄは、ビア１２２Ｂ（図１（Ａ）参照）によって配線層１２０Ｂに接続されているが、平面視でビア１２２Ｂは配線層１３０Ｂより小さいため、図１（Ｂ）ではビア１２２Ｂは見えない。なお、配線層１３０Ａと１３０Ｂは接続されておらず（図１（Ａ）参照）、配線層１３０Ｃと１３０Ｄは接続されていない（図１（Ａ）参照）。
【００４８】
また、配線層１２０Ｃ〜１２０Ｆ及び配線層１３０Ｅ〜１３０Ｌは、それぞれ、配線層１２０Ａ、１２０Ｂ及び配線層１３０Ａ〜１３０Ｄと同様に、平面視で重なるいずれかの点において、図示しないビアによって接続されていてもよい。
【００４９】
次に、図２を用いて、ビルドアップ基板１００の絶縁層１３２に、ビアを形成するためのビアホールを形成する工程について説明する。
【００５０】
図２は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法が適用される配線基板を示す図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面透視図である。図２（Ａ）は、図２（Ｂ）におけるＡ−Ａ矢視断面を示す。
【００５１】
図２に示すビルドアップ基板１００には、ビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆが形成されている。
【００５２】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ビアホール１３３Ａは、絶縁層１３２を厚さ方向に貫通し、配線１３０Ｂの上面に到達している。ビアホール１３３Ａは、配線層１３０Ｂに接続されるビアを形成するために形成されている。
【００５３】
また、ビアホール１３３Ｂは、絶縁層１３２を厚さ方向に貫通し、配線１３０Ｃの上面に到達している。ビアホール１３３Ｂは、配線層１３０Ｂに接続されるビアを形成するために形成されている。
【００５４】
ビアホール１３３Ａ、１３３Ｂの形成は、例えば、ビア加工機によるレーザ加工によって行えばよい。ビアホール１３３Ａ、１３３Ｂは、それぞれ、配線層１３０Ｂ、１３０Ｃを底面とし、絶縁層１３２の表面に開口部を有する形状であって、例えば、底面側の開口部より開口部側の径が大きい、円錐台形状の断面を有する。
【００５５】
同様に、ビアホール１３３Ｃ〜１３３Ｆは、それぞれ、絶縁層１３２を厚さ方向に貫通し、配線１３０Ｅ、１３０Ｇ、１３０Ｉ、１３０Ｋの上面に到達している。ビアホール１３３Ｃ〜１３３Ｆは、配線層１３０Ｅ、１３０Ｇ、１３０Ｉ、１３０Ｋに接続されるビアを形成するために形成されている。
【００５６】
ビアホール１３３Ｃ〜１３３Ｆの形成は、例えば、ビア加工機によるレーザ加工によって行えばよい。ビアホール１３３Ｃ〜１３３Ｆは、それぞれ、配線層１３０Ｅ、１３０Ｇ、１３０Ｉ、１３０Ｋを底面とし、絶縁層１３２の表面に開口部を有する形状であって、例えば、底面側の開口部より開口部側の径が大きい、円錐台形状の断面を有する。
【００５７】
このようなビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆをビア加工機で形成する際には、ビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆを、それぞれ、配線層１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｅ、１３０Ｇ、１３０Ｉ、１３０Ｋの上面に形成するために、アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄを用いて、位置合わせを行う。
【００５８】
このため、設計データにおけるビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆの位置は、設計データにおけるアライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置との関係で定められている。
【００５９】
アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置は、例えば、赤外線カメラを含む検出装置でビルドアップ基板１００を上面側から撮影し、パターン認識等の画像処理を施すことにより、所定の原点に対する座標値として検出される。所定の原点は、例えば、後にビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆを加工するビア加工機の加工ステージと同一の座標系における原点であればよい。
【００６０】
しかしながら、ビルドアップ基板１００を作製する工程では、コア基板１１０の上に、配線層１２０Ａ〜１２０Ｆを形成した後に、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱・加圧して積層させるとともに硬化することによって絶縁層１２１を形成する。
【００６１】
同様に、絶縁層１２１の上に配線層１３０Ａ〜１３０Ｌ及びアライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄを形成した後に、半硬化状態の樹脂フィルムを真空ラミネータで加熱・加圧して積層させるとともに硬化することによって絶縁層１３２を形成する。
【００６２】
これらはコア基板１１０の下側に形成される配線層１４０Ａ、１４０Ｂ、絶縁層１４１、配線層１５０Ａ〜１５０Ｄ、絶縁層１５１等についても同様である。
【００６３】
このように、ビルドアップ基板１００を作製する工程で加熱及び加圧を行うことにより、ビルドアップ基板１００は膨張や伸縮を繰り返して変形するため、アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置は設計値で定められる位置からずれる場合がある。
【００６４】
そして、アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置が大きくずれると、ビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆと、配線層１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｅ、１３０Ｇ、１３０Ｉ、１３０Ｋとのそれぞれのコンタクトが取れなくなる場合がある。
【００６５】
このため、本実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法では、以下のようにしてビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆを加工する位置を補正する。
【００６６】
図３は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法の工程を示す工程図である。
【００６７】
本実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法は、大きく分けて、以下の５つの工程を含む。
【００６８】
まず、アライメントマークを赤外線カメラを含む検出装置で検出し、４つのアライメントマークがなす第１四辺形と、設計データに含まれる対応する４つのアライメントマークがなす第２四辺形との位置及び大きさを比較し、第２四辺形を第１四辺形に近づけるように移動させる（ステップＳ１）。
【００６９】
設計データにおけるビアホールの位置（加工する位置）は、設計データにおけるアライメントマークの位置と同一座標上で定義されているため、このステップＳ１により、ビアホールを加工する位置は、赤外線カメラを含む検出装置で検出された４つのアライメントマークの位置ずれに合わせて移動されることになる。
【００７０】
次に、第１四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする４つの円の内部を通り、第２四辺形の各辺と平行で、第２四辺形の各辺に最も近い４本の直線を求める（ステップＳ２）。
【００７１】
そして、４本の直線の４つの交点が第１四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする４つの円の内部にあるか否かを判定する（ステップＳ３）。
【００７２】
ステップＳ３で４本の直線の４つの交点が第１四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする４つの円の内部にある場合は、４つの交点で定まる第３四辺形の大きさ及び第３四辺形の基準位置に対する形状と、第２四辺形の大きさ及び第２四辺形の基準位置に対する形状との差に基づき、設計データに基づくビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆの加工位置を補正する（ステップＳ４）。
【００７３】
なお、ステップＳ３において、４つの交点のうちのいずれかが第１四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする４つの円の内部にない場合は、円内にない交点を円内に移動させる（ステップＳ５）。
【００７４】
ステップＳ５では、ステップＳ２における直線が平行である条件が外され、第１四辺形の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする４つの円の内部を通り、第２四辺形の各辺に最も近い４本の直線が求められる。ステップＳ５で４つの交点を求めた後は、ステップＳ４の処理を行う。
【００７５】
以下、図４乃至図７を用いて、ステップＳ１〜Ｓ４の詳細について説明する。
【００７６】
図４は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法のステップＳ１において、第１四辺形と第２四辺形の各辺同士の角度差を求める工程を示す図である。
【００７７】
ここで、図２（Ｂ）に示すアライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄを赤外線カメラを含む検出装置で検出することによって得る４点をＱ１〜Ｑ４で表す。点Ｑ１〜Ｑ４を結ぶ四辺形は、第１四辺形の一例である。
【００７８】
図４に示す４つの点Ｑ１〜Ｑ４の位置は、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系における座標で表される。なお、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系は、ビア加工機の加工ステージにおける座標系と同一である。
【００７９】
また、点Ｐ１〜Ｐ４は、設計データに含まれるアライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置を表す。点Ｐ１〜Ｐ４を結ぶ四辺形は、第２四辺形の一例である。
【００８０】
ここで、赤外線カメラを含む検出装置が用いる座標系と、設計データが用いる座標系が異なる場合には、点Ｑ１〜Ｑ４又は点Ｐ１〜Ｐ４の位置座標をいずれかの座標系における位置座標に変換すればよい。
【００８１】
図４では、説明の便宜上、設計データが用いる座標系を赤外線カメラを含む検出装置及びビア加工機の加工ステージにおける座標系に変換することとする。また、この座標系を図４に示すＸＹ座標系として示し、原点をＯと表す。また、第１四辺形及び第２四辺形のそれぞれの４つの頂点については、原点に最も近い点の添え数字を１とし、反時計回りに２〜４の添え数字を付す。
【００８２】
ステップＳ１では、まず、点Ｑ１〜Ｑ４を結ぶ第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と、点Ｐ１〜Ｐ４を結ぶ第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４との各辺同士の角度差を求める。
【００８３】
ここで、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４との各辺同士の角度差を求めるために、各辺に方向を定義することによって各辺をベクトルとして取り扱う。
【００８４】
各辺に反時計回りの方向を付与することにより、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４の各辺のベクトルＶＱ１、ＶＱ２、ＶＱ３、ＶＱ４を生成する。ベクトルＶＱ１〜ＶＱ４の添え数字は、各ベクトルの基点となる頂点の添え数字を用いる。
【００８５】
例えば、辺Ｑ１Ｑ２については、反時計回りの方向（Ｑ１からＱ２に向かう方向）を付与することにより、ベクトルＶＱ１を得る。同様に、辺Ｑ２Ｑ３については、反時計回りの方向（Ｑ２からＱ３に向かう方向）を付与することにより、ベクトルＶＱ２を得る。辺Ｑ３Ｑ４については、反時計回りの方向（Ｑ３からＱ４に向かう方向）を付与することにより、ベクトルＶＱ３を得る。辺Ｑ４Ｑ１については、反時計回りの方向（Ｑ４からＱ１に向かう方向）を付与することにより、ベクトルＶＱ４を得る。
【００８６】
また、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４についても同様に、辺Ｐ１Ｐ２については、反時計回りの方向（Ｐ１からＰ２に向かう方向）を付与することにより、ベクトルＶＰ１を得る。同様に、辺Ｐ２Ｐ３については、反時計回りの方向（Ｐ２からＰ３に向かう方向）を付与することにより、ベクトルＶＰ２を得る。辺Ｐ３Ｐ４については、反時計回りの方向（Ｐ３からＰ４に向かう方向）を付与することにより、ベクトルＶＰ３を得る。辺Ｐ４Ｐ１については、反時計回りの方向（Ｐ４からＰ１に向かう方向）を付与することにより、ベクトルＶＰ４を得る。
【００８７】
以上のようにして第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４についてそれぞれ得られる４つのベクトルにつき、添え数字が同じベクトル同士のなす角を求める。
【００８８】
すなわち、ベクトルＶＱ１とＶＰ１のなす角θ１、ベクトルＶＱ２とＶＰ２のなす角θ２、ベクトルＶＱ３とＶＰ３のなす角θ３、ベクトルＶＱ４とＶＰ４のなす角θ４を求める。
【００８９】
各ベクトルは、基点と終点の座標が分かっているため、ベクトル同士のなす角を求めることにより、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４に含まれる各辺同士の角度差を求めることができる。
【００９０】
なお、説明の便宜上、図４には、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４を重ねて示すが、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４とが重なっていない場合でも、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４に含まれる各辺同士の角度差を求めることができる。
【００９１】
次に、ベクトルＶＱ１とＶＰ１のなす角θ１、ベクトルＶＱ２とＶＰ２のなす角θ２、ベクトルＶＱ３とＶＰ３のなす角θ３、ベクトルＶＱ４とＶＰ４のなす角θ４のうちの最大値と最小値の平均値（平均角度差）を求める。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第１工程の一例である。
【００９２】
例えば、θ１〜θ４のうちでθ１が最大であり、θ３が最小である場合は、ベクトルＶＱ１とＶＰ１のなす角θ１と、ベクトルＶＱ３とＶＰ３のなす角θ３との平均値（θ１＋θ３）／２を求める。
【００９３】
なお、ここでは、θ１〜θ４のうちの最大値と最小値の平均値（平均角度差）を求める形態について説明するが、平均角度差は、このような求め方で求めた値に限らず、例えば、θ１〜θ４の平均値を平均角度差として求めてもよい。
【００９４】
次に、平均角度差によって表される角度だけ第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４を回転移動する。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第２工程の一例である。この回転移動に伴い、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４の各頂点の座標も同様に回転移動しておけばよい。
【００９５】
次に、回転移動した第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４の各頂点と、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４の各頂点との距離差を求める。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第３工程の一例である。
【００９６】
頂点同士の距離差は、添え数字が等しい頂点同士について行う。このため、頂点Ｑ１とＰ１、頂点Ｑ２とＰ２、頂点Ｑ３とＰ３、頂点Ｑ４とＰ４の各々の距離差Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４を求める。
【００９７】
距離差Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の位置座標の差（Ｄｘ、Ｄｙ）を求めることによって行えばよい。このため、距離差Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、それぞれ、Ｄ１（Ｄｘ１、Ｄｙ１）、Ｄ２（Ｄｘ２、Ｄｙ２）、Ｄ３（Ｄｘ３、Ｄｙ３）、Ｄ４（Ｄｘ４、Ｄｙ４）と表される。各距離は、ｘ方向及びｙ方向の位置座標の差を用いて、Ｄ＝√（Ｄｘ２＋Ｄｙ２）で得られる。
【００９８】
そして、本実施の形態では、各頂点同士の距離差Ｄ１〜Ｄ４のうちの最大値と最小値の平均値を平均距離差として求める。
【００９９】
ここで、距離差Ｄ１〜Ｄ４のうち、距離差Ｄ１が最大で、距離差Ｄ４が最小である場合には、距離差Ｄ１とＤ４の平均値（（Ｄ１＋Ｄ４）／２）を平均距離差Ｄｍ（Ｄｍｘ、Ｄｍｙ）として求める。
【０１００】
次に、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４とが近づくように、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４を平均距離差だけ移動させる。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第４工程の一例である。
【０１０１】
具体的には、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４の４つの頂点Ｐ１〜Ｐ４の座標に、それぞれ、距離差Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、それぞれ、Ｄ１（Ｄｘ１、Ｄｙ１）、Ｄ２（Ｄｘ２、Ｄｙ２）、Ｄ３（Ｄｘ３、Ｄｙ３）、Ｄ４（Ｄｘ４、Ｄｙ４）のｘ座標成分（Ｄｘ）及びｙ座標成分（Ｄｙ）を加算すればよい。
【０１０２】
これにより、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４は、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４とが近づくように、平均距離差Ｄｍ（Ｄｍｘ、Ｄｍｙ）だけ移動される。
【０１０３】
図５は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法において、第２四辺形を平均距離差だけ移動させる処理の一例を示す図である。
【０１０４】
例えば、図５に示すように、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４を平均距離差Ｄｍ（Ｄｍｘ、Ｄｍｙ）だけ移動させると、移動後の第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の各頂点Ｐ１’、Ｐ２’、Ｐ３’、Ｐ４’は、移動前の第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４の頂点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４をＸ軸方向にＤｍ、Ｙ軸方向にＤｙだけ平行移動したものとなる。
【０１０５】
これにより、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４と第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’は、角度が略一致して重なった状態となる。
【０１０６】
以上の第１工程から第４工程により、ステップＳ１の処理が終了する。
【０１０７】
次に、図６を用いて、ステップＳ２の処理について説明する。
【０１０８】
図６は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法におけるステップＳ２の処理を示す図である。図６（Ａ）は、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４の各頂点を中心としてビアの公差を半径とする４つの円の内部を通り、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４の各辺と平行で、第２四辺形Ｐ１Ｐ２Ｐ３Ｐ４の各辺に最も近い４本の直線を示す図である。
【０１０９】
ここで、ビアホール１３３Ａ、１３３Ｂ（図２（Ａ）、（Ｂ）参照）に形成するビアの公差をｒとする。ビアの公差とは、ビアホール１３３Ａ、１３３Ｂに形成されるビアと、配線層１３０Ｂ、１３０Ｃの位置ずれの許容最大誤差を意味する。
【０１１０】
許容最大誤差は、ビアホール１３３Ａ、１３３Ｂに形成されるビアの位置がずれた場合でも、ビアホール１３３Ａ、１３３Ｂに形成されるビアが、それぞれ、配線層１３０Ｂ、１３０Ｃに接続される場合の位置ずれの最大値である。
【０１１１】
このようなビアの公差を用いると、図６（Ａ）に示すように、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４の各頂点を中心としてビアの公差ｒを半径とする４つの円Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４が求まる。
【０１１２】
そして、４つの円Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の内部を通り、第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の各辺と平行で、第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の各辺に最も近い４本の直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４を求める。この工程は、上述したステップＳ２の処理であり、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第５工程の一例である。
【０１１３】
直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の具体的な求め方については後述する。
【０１１４】
次に、直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の４つの交点Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４を求める。交点Ｎ１〜Ｎ４の座標は、各直線同士の交点の座標を求めることによって与えられる。なお、図６（Ａ）には交点Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４を白丸で示す。
【０１１５】
そして、次に、４本の直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４の４つの交点Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４が４つの円Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の内部にあるか否かを判定する。この処理は、交点Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４の座標が、それぞれ、４つの円Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４のうちの添え数字が同一の円の内部にあるか否かに基づいて行えばよい。この工程は、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における第６工程の一例である。
【０１１６】
図６（Ａ）に示す交点Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４は、交点Ｎ２のみが円Ｃ２の内部にある場合を示している。
【０１１７】
このような場合には、添え数字の等しい円の内部に位置しない交点Ｎ１、Ｎ３、Ｎ４を移動させる。
【０１１８】
交点Ｎ１、Ｎ３、Ｎ４の移動は、図６（Ｂ）に示すように、各交点Ｎ１、Ｎ３、Ｎ４と添え数字が同一の頂点Ｑ１、Ｑ３、Ｑ４とをそれぞれ結ぶ線と、各円Ｃ１、Ｃ３、Ｎ４の円周との交点Ｎ１’、Ｎ３’、Ｎ４’に移動させることによって行われる。図６（Ｂ）には、移動後の交点Ｎ１’、Ｎ３’、Ｎ４’を黒丸で示す。この工程は、ステップＳ５の工程であり、実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法における移動工程の一例である。
【０１１９】
このステップＳ５で交点Ｎ１、Ｎ３、Ｎ４が交点Ｎ１’、Ｎ３’、Ｎ４’に移動されるため、直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４は、第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の各辺とは平行ではない直線Ｌ１’、Ｌ２’、Ｌ３’、Ｌ４’に矯正される。
【０１２０】
このように、ステップＳ５では、ステップＳ２における直線が平行である条件が外され、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４の各頂点Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を中心としてビアの公差を半径とする４つの円Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の内部を通り、第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の各辺に最も近い４本の直線Ｌ１’、Ｌ２’、Ｌ３’、Ｌ４’が求められる。
【０１２１】
以上により、４つの交点Ｎ１’、Ｎ２、Ｎ３’、Ｎ４’が求まる。
【０１２２】
最後に、４つの交点Ｎ１’、Ｎ２、Ｎ３’、Ｎ４’で定まる第３四辺形Ｎ１’Ｎ２Ｎ３’Ｎ４’の大きさ及び第３四辺形Ｎ１’Ｎ２Ｎ３’Ｎ４’の基準位置に対する形状と、第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の大きさ及び第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の基準位置に対する形状との差に基づき、設計データに基づくビアホールの加工位置を補正する（ステップＳ４）。このステップＳ４は、第７工程の一例である。
【０１２３】
基準位置としては、例えば、ＸＹ座標の原点を用いればよい。
【０１２４】
以上のように、第１四辺形Ｑ１Ｑ２Ｑ３Ｑ４の各頂点Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４を中心としてビアの公差を半径とする４つの円Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の内部に位置し、第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の各辺に最も近い４本の直線Ｌ１’、Ｌ２’、Ｌ３’、Ｌ４’の４つの交点Ｎ１’、Ｎ２、Ｎ３’、Ｎ４’を求める。
【０１２５】
そして、この４つの交点Ｎ１’、Ｎ２、Ｎ３’、Ｎ４’によって定義される第３四辺形Ｎ１’Ｎ２Ｎ３、Ｎ４’の大きさ及び形状と、設計データに含まれる対応する４つのアライメントマークがなす第２四辺形Ｐ１’Ｐ２’Ｐ３’Ｐ４’の大きさ及び形状との差に基づいて、設計データに基づくビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆの加工位置を補正する。
【０１２６】
従って、補正後のビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆの加工位置は、ビルドアップ基板１００の形状の歪みに応じて補正された位置となる。
【０１２７】
このため、補正後のビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆの加工位置にビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆをレーザ加工等によって形成し、ビアホール１３３Ａ〜１３３Ｆの内部にビアを形成すれば、ビアと配線層１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｅ、１３０Ｇ、１３０Ｉ、１３０Ｋとの配線不良を抑制することができる。
【０１２８】
なお、ビルドアップ基板１００は、絶縁層を積層する度に、加熱及び加圧によって伸縮と歪みが生じるが、この伸縮及び歪みにはある程度の傾向があり、設計データに含まれる配線層等の位置に、加熱及び加圧によって伸縮と歪みによって与えられる倍率を乗じてもよい。
【０１２９】
このような倍率が予め分かっている場合には、例えば、コア基板１１０の上側における第２層に含まれるアライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄ（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）を形成する際に、設計データに含まれるアライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置に、コア基板１１０の上側における第３層に含まれる倍率を乗じてもよい。
【０１３０】
すなわち、ステップＳ１において、設計データにおけるアライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置に、ステップＳ４で加工位置が補正されるビアの上側に接続される配線層（コア基板１１０の上側の第３層）の倍率を乗じた位置によって定まる第２四辺形を求めてもよい。そして、このような倍率を乗じた位置によって定まる第２四辺形と、ビルドアップ基板１００の四隅に形成される４つのアライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置によって定まる第１四辺形との対応する辺同士の角度差を求めてもよい。
【０１３１】
このような場合は、アライメントマーク１３１Ａ〜１３１Ｄの位置が、一層上層の配線基板の倍率によって矯正されるため、配線層１３０Ｂ、１３０Ｃと、ビアホール１３３Ａ、１３３Ｂとのそれぞれの位置ずれをさらに抑制することができる。
【０１３２】
また、ステップＳ２において４本の直線が求まらない場合は、次のような工程を行えばよい。
【０１３３】
図７は、実施の形態１の配線基板の加工位置の補正方法のステップＳ２において４本の直線を求める方法を示す図である。ここでは、説明の便宜上、設計データに含まれる２つのアライメントマークの位置をＰａ、Ｐｂ（ａ、ｂは添え数字を表す）で表す。また、ビルドアップ基板１００内の位置Ｐａ、Ｐｂにあるアライメントマークを赤外線カメラで検出した位置をＱａ、Ｑｂで示す。
【０１３４】
Ｑａ、Ｑｂは、第１四辺形の４つの頂点のうちの隣り合う２つの頂点であり、Ｐａ、Ｐｂは、第２四辺形の４つの頂点のうちの隣り合う二つの頂点であり、それぞれ、頂点Ｑａ、Ｑｂと添え数字が同一の頂点である。
【０１３５】
また、頂点Ｑａ、Ｑｂを中心として、ビアの公差ｒを半径とする円をそれぞれＣａ、Ｃｂで表す。
【０１３６】
図７（Ａ）は、円Ｃａ、Ｃｂの内部を通り、辺ＰａＰｂと平行で、辺ＰａＰｂに最も近い直線が引ける場合の頂点Ｐａ、Ｐｂ、Ｑａ、Ｑｂと、円Ｃａ、Ｃｂとの関係を示す。
【０１３７】
図７（Ｂ）は、円Ｃａ、Ｃｂの内部を通り、辺ＰａＰｂと平行で、辺ＰａＰｂに最も近い直線が引けない場合の頂点Ｐａ、Ｐｂ、Ｑａ、Ｑｂと、円Ｃａ、Ｃｂとの関係を示す。
【０１３８】
図７（Ａ）に示すように、辺ＰａＰｂから頂点Ｑａ、Ｑｂに垂線を引き、辺ＰａＰｂと頂点Ｑａ、Ｑｂとのそれぞれの距離をｓｄ１、ｅｄ１とする。
【０１３９】
このような場合に、辺ＰａＰｂと平行な直線を引ける範囲は、辺ＰａＰｂに垂直な方向において、円ＣａとＣｂが重複する区間Ｔとなる。区間Ｔの範囲は、辺ＰａＰｂに垂直な方向において、（ｓｄ１−ｒ）から（ｅｄ１＋ｒ）の間である。
【０１４０】
この区間Ｔにおいて、辺ＰａＰｂに最も近いのは、辺ＰａＰｂからの距離が（ｓｄ１−ｒ）の位置である。
【０１４１】
ここで、距離ｓｄ１は、辺ＰａＰｂから頂点Ｑａに垂線を引いた場合の辺ＰａＰｂと頂点Ｑａとの距離であり、ｒはビアの公差である。
【０１４２】
従って、第１四辺形及び第２四辺形の各頂点の位置座標を定義する座標系において、距離（ｓｄ１−ｒ）を表せば、直線Ｌａを座標系で表す式を求めることができる。
【０１４３】
また、図７（Ｂ）に示すように、円Ｃａ、Ｃｂの内部を通り、辺ＰａＰｂと平行で、辺ＰａＰｂに最も近い直線が引けない場合とは、円ＣａとＣｂが辺ＰａＰｂに垂直な方向において重複する区間Ｔ（図７（Ａ）参照）を有しない場合である。
【０１４４】
ここで、辺ＰａＰｂから頂点Ｑａ、Ｑｂに垂線を引き、辺ＰａＰｂと頂点Ｑａ、Ｑｂとのそれぞれの距離をｓｄ２、ｅｄ２とする。
【０１４５】
このような場合は、図７（Ｂ）に示すように、辺ＰａＰｂから頂点Ｑａに引いた垂線上において、辺ＰａＰｂからの距離が（ｓｄ２＋ｒ）となる点αと、辺ＰａＰｂから頂点Ｑｂに引いた垂線上において、辺ＰａＰｂからの距離が（ｅｄ２−ｒ）となる点βとを通る直線を図７（Ａ）に示す直線Ｌａの代替直線として用いればよい。
【０１４６】
以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板の加工位置の補正方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【０１４７】
１００  ビルドアップ基板
１１０  コア基板
１１１Ａ、１１１Ｂ  ビア
１２０Ａ、１２０Ｂ  配線層
１２１、ビア１２２Ａ、１２２Ｂ  絶縁層
１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ、１３０Ｄ  配線層
１２０Ａ〜１２０Ｆ  配線層
１３０Ａ〜１３０Ｌ  配線層
１３１Ａ〜１３１Ｄ  アライメントマーク
１３２  絶縁層
１３３Ａ〜１３３Ｆ  ビアホール
１４０Ａ、１４０Ｂ  配線層
１４１、ビア１４２Ａ、１４２Ｂ  絶縁層
１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄ  配線層
１５１  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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