(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を清浄化するよう構成されたレーザクリーニングデバイスであって、
放射を生成するよう構成されたレーザ源と、
表面上のバックグラウンドガスにクリーニングプラズマを生成するために、焦点に放射をフォーカスするよう構成された光学要素と、
プラズマの近くの位置に保護ガスのジェットを生成するよう構成されたガスサプライと、を備え、
前記保護ガスは、前記バックグラウンドガスとは別に供給され、前記放射が生成される方向と異なる方向に前記ジェットを生成する、レーザクリーニングデバイス。
【請求項２】
前記レーザ源は、パルス当たりのエネルギとして０．００１ジュールから２ジュールを有するパルスを焦点に生成するよう構成される、請求項１に記載のレーザクリーニングデバイス。
【請求項３】
前記レーザ源は、少なくとも基板表面に実質的に平行となる方向に放射を生成する、請求項１または２に記載のレーザクリーニングデバイス。
【請求項４】
前記ガスサプライは、表面の法線に対して３０°から６０°の角度に、保護ガスを向けるよう構成される、請求項１から３のいずれかに記載のレーザクリーニングデバイス。
【請求項５】
前記ガスサプライは、表面の法線を含み前記レーザ源によって生成される放射に平行な平面と実質的に平行な方向に保護ガスのジェットを向ける、請求項１から４のいずれかに記載のレーザクリーニングデバイス。
【請求項６】
保護ガスのジェットの向きは、放射の向きとは反対の向きの大きな成分を有する、請求項５に記載のレーザクリーニングデバイス。
【請求項７】
ガスを生成するよう構成されたガスサプライをさらに備え、そのガスのなかでプラズマが生成される、請求項１から６のいずれかに記載のレーザクリーニングデバイス。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載のレーザクリーニングデバイスを備えるリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
パターニングデバイスを保持するよう構成されたサポート構造をさらに備え、前記パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成することができるよう構成されており、前記レーザクリーニングデバイスは前記パターニングデバイスを清浄化するよう構成される、請求項８に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
基板を保持するよう構成された基板テーブルをさらに備え、前記レーザクリーニングデバイスはパターニングデバイスを清浄化するよう構成される、請求項８または９に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
表面を清浄化する方法であって、
放射を生成することと、
バックグラウンドガスにクリーニングプラズマを生成するために、焦点に放射をフォーカスさせることと、
プラズマの近くの位置に保護ガスのジェットを導くことと、を含み、
前記保護ガスは、前記バックグラウンドガスとは別に供給され、前記放射が生成される方向と異なる方向に前記ジェットを生成する、方法。
【請求項１２】
放射はパルス化されている、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
パルス化された放射は、パルス当たりのエネルギとして０．００１ジュールから２ジュールを有するパルスを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ガスサプライは、表面の法線に対して３０°から６０°の角度に、保護ガスを向けるよう構成される、請求項１１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
保護ガスはアルゴンである、請求項１から７のいずれかに記載のレーザクリーニングデバイス。
【請求項１６】
保護ガスはアルゴンである、または請求項８から１０のいずれかに記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１７】
保護ガスはアルゴンである、請求項１１から１４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願へのクロスリファレンス
本出願は、２００９年７月２３日に出願された米国仮出願（６１／２１９６１８）の優先権の利益を享受する。その仮出願は参照によりその全体が本明細書に組み入れられる。
【０００２】
本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲット部分、に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを作成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウエハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は典型的には、基板に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層へのイメージングを介して行われる。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群のターゲット部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。
【０００４】
リソグラフィはＩＣや他のデバイスおよび／または構成の製造における重要なステップのひとつとして広く認知されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作成されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型のＩＣや他のデバイスおよび／または構成を製造可能とするためのよりクリティカルな要素となってきている。
【０００５】
パターン印刷の限界の理論的な見積もりは、解像度に関するレイリー基準によって式（１）に示されるように与えられる。
0005658245.tif 000002
λは使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳはパターンを印刷するのに使用される投影システムの開口数であり、ｋ１はプロセス依存の調整要素でありレイリー定数とも呼ばれ、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から以下のことが言える。３つの方法、すなわち露光波長λを短くすることによって、または、開口数ＮＡＰＳを増やすことによって、または、ｋ１の値を減らすことによって、印刷可能なフィーチャサイズの最小値を低減できる。
【０００６】
露光波長を短くしそれによって印刷可能な最小サイズを低減するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射源は約１３ｎｍの放射波長を出力するよう構成される。したがって、ＥＵＶ放射源は小さなフィーチャの印刷を達成するための重要なステップを構成しうる。そのような放射は極端紫外または軟Ｘ線と称され、可能なソースは例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射を含む。
【０００７】
既知の全ての物質はＥＵＶ放射に対して高度に不透明であるというのがＥＵＶ放射の性質である。その結果、いかなるリソグラフィ投影装置の光学システムにおいても、レンズの代わりに反射要素が使用される。このため、パターニングデバイスもまた典型的には透過性ではなく反射性である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＥＵＶ放射を使用する際に、反射要素によって簡単には置換できない透過性光学要素はペリクルである。ペリクルは周知であり、例えば米国特許出願公開第２００５／０２８０７８９に記載されている。放射がペリクルを透過する間、汚染がペリクル上に堆積する。ペリクルはパターニングデバイスから所定の距離のところに配置されているので、汚染は焦点はずれの状態となるであろう。したがって、汚染は基板のターゲット部分上に投影されないであろう。パターン形成されるべき放射に対するペリクルの透過性はペリクルが適切に機能することに影響を与えるので、ＥＵＶが使用される場合はペリクルを使用することができない。したがって、ペリクルは、パターニングデバイスへの汚染の堆積に対する許容可能な解を提供しない。
【０００９】
ＥＵＶがパターン形成されるべき放射として使用される場合の使用にも適している、ペリクルの使用に代わるものを提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のある態様によると、表面を清浄化するよう構成されたレーザクリーニングデバイスを含むリソグラフィ投影装置が提供される。レーザクリーニングデバイスは、放射を生成するよう構成されたレーザ源と、表面上のバックグラウンドガスにクリーニングプラズマを生成するために、焦点に放射をフォーカスするよう構成された光学要素と、を含む。レーザクリーニングデバイスはさらに、プラズマの近くの位置に保護ガスのジェットを生成するよう構成されたガスサプライを備える。
【００１１】
本発明のある態様によると、表面を清浄化するよう構成されたレーザクリーニングデバイスが提供される。レーザクリーニングデバイスは、放射を生成するよう構成されたレーザ源と、表面上のバックグラウンドガスにプラズマを生成するために、焦点に放射をフォーカスするよう構成された光学要素と、を含む。レーザクリーニングデバイスはさらに、プラズマの近くの位置に保護ガスのジェットを生成するよう構成されたガスサプライを備える。
【００１２】
本発明のある態様によると、表面を清浄化する方法が提供される。この方法は、放射を生成することと、バックグラウンドガスにクリーニングプラズマを生成するために、焦点に放射をフォーカスさせることと、プラズマの近くの位置に保護ガスのジェットを導くことと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本発明の実施の形態は、例示のみを目的として添付の模式的な図面を参照して説明される。図面では、対応する参照符号は、対応する部分を示す。
【００１４】
【図１】レーザクリーニングデバイスを備えるリソグラフィ装置を示す図である。
【００１５】
【図２】ＥＵＶリソグラフィ投影装置を示す模式図である。
【００１６】
【図３】レーザクリーニングデバイスの実施の形態の模式図である。
【００１７】
【図４Ａ】レーザクリーニングデバイスの実施の形態の模式的な側面図および上面図である。
【００１８】
【図４Ｂ】図４Ａに示されるレーザクリーニングデバイスの上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節する照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持し、パターニングデバイスを正確に位置決めする第１ポジショナＰＭに接続されているサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストでコーティングされたウエハ）Ｗを保持し、基板を正確に位置決めする第２ポジショナＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影する投影システム（例えば反射投影レンズ系）ＰＳと、を備える。
【００２０】
照明システムは、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み得るものであり、放射を方向付けるかまたは成形するかまたは制御するためのものである。
【００２１】
サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置のデザイン、及びパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いてもよい。サポート構造は、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。サポート構造は、例えば投影システムに対して所望の位置にパターニングデバイスを位置決めすることを保証してもよい。
【００２２】
「パターニングデバイス」なる用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを生成するために放射ビームの断面にパターンを付与するのに使用される何らかのデバイスであると広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、ターゲット部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。
【００２３】
パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えばマスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射ビームにパターンを付与する。
【００２４】
「投影システム」なる用語は、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気的光学システム、電磁気的光学システム、静電的光学システム、またはこれらの組合せを含む何らかの投影システムを指し示しうる。投影システムは、使用される露光放射に応じて、あるいは真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされるいかなる投影システムであってもよい。他の気体は放射や電子を吸収しすぎるかもしれないので、ＥＵＶまたは電子ビーム放射については真空を使用することが望ましい。したがって、真空壁および真空ポンプによってビーム経路の全体に真空環境が提供されてもよい。
【００２５】
図示されるように、装置は（例えば反射型マスクを使用する）反射型である。あるいはまた、装置は（例えば透過型マスクを使用する）透過型であってもよい。
【００２６】
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては、追加的なテーブルが並行して使用されてもよく、あるいは１以上のテーブルが露光に使用されている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されてもよい。
【００２７】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯからビーム搬送系を介してイルミネータＩＬへと到達する。このビーム搬送系は例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含む。他の場合、例えば光源が水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置と一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系が必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと称されることがある。
【００２８】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常それぞれσアウタ、σインナと呼ばれる）が調整されうる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの種々の他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられてもよい。
【００２９】
放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２ポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）とにより基板テーブルＷＴは正確に移動される。例えば基板テーブルＷＴは放射ビームＢの経路に異なる複数のターゲット部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。同様に、第１ポジショナＰＭと別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して揃えられてもよい。
【００３０】
図示の装置は以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。
【００３１】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で１つのターゲット部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なるターゲット部分Ｃが露光される。
【００３２】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められてもよい。
【００３３】
３．別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続する放射パルスと放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
【００３４】
上記の使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、使用モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別の使用モードを用いてもよい。
【００３５】
図２は、実際的なＥＵＶリソグラフィ投影装置の模式的な側面図である。物理的な構成は図１に示される装置のそれとは異なるが、動作原理は同様であることは理解される。装置は、ソース−コレクタ−モジュールすなわち放射ユニット４２と、照明システムＩＬと、投影システムＰＳと、を含む。放射ユニット４２は、例えばＸｅガスやＬｉ、Ｇｄ、Ｓｎ蒸気などのガスまたは蒸気を使用してもよい放射源ＳＯを備える。電磁放射スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を射出するために非常に熱い放電プラズマが放射源ＳＯ内に生成される。部分的にイオン化された電気放電のプラズマを光軸Ｏ上に潰す（collapse）ことによって放電プラズマが生成される。放射を効率的に生成するためには、例えばＸｅ、Ｌｉ、Ｇｄ、Ｓｎ蒸気または他の任意の適切なガスまたは蒸気の例えば約１０Ｐａの分圧が必要とされるであろう。実施の形態では、Ｓｎ源がＥＵＶ源として使用される。
【００３６】
このタイプのソースについて、一例はＬＰＰ源であり、このＬＰＰ源ではＣＯ２レーザまたは他のレーザが燃料点火領域に向けられてフォーカスされる。このタイプのソースの詳細は図の左下の部分に模式的に示される。点火領域４７aには燃料搬送システム４７ｂから溶けたＳｎの液滴などのプラズマ燃料が供給される。レーザビーム生成器４７ｃは９．４μｍや１０．６μｍなどの赤外波長を有するＣＯ２レーザであってもよい。あるいはまた、例えば１−１１μｍの範囲の波長を有する他の適切なレーザを使用してもよい。燃料液滴はレーザビームと相互作用するとプラズマ状態に遷移し、例えば６．７ｎｍの放射または５−２０ｎｍの範囲から選択された他のＥＵＶ放射を放出してもよい。プラズマ内に生成された放射は楕円コレクタまたは他の適切なコレクタ７ｄによって集められ、ソース放射７ｅが生成される。
【００３７】
放射源ＳＯによって放出された放射はソースチャンバ４７から汚染物質トラップ４９を通過してコレクタチャンバ４８へと入る。汚染物質トラップ４９の形態はガスバリアまたは「ホイル・トラップ」である。これは以下にさらに説明される。コレクタチャンバ４８は、例えば斜入射型コレクタである放射コレクタ５０を含んでもよい。放射コレクタ５０はいわゆる斜入射型リフレクタ１４２、１４３および１４６のネスト化されたアレイを含んでもよい。これらの斜入射型リフレクタの間に所定のスペース１８０が設けられ、放射はそのスペース１８０を通過する。この目的に適した放射コレクタは周知である。あるいはまた、装置は放射を集めるための法線入射コレクタを含んでもよい。そのような法線入射コレクタの一例は、図２の左下の部分に示されるコレクタ７ｄである。コレクタ５０から発せられるＥＵＶ放射ビームは、光軸Ｏの両側におそらくは１０度程度の所定の角度広がりを有するであろう。
【００３８】
放射は、コレクタチャンバ４８の開口から、仮想的点源５２（すなわち、中間焦点）に集束する。チャンバ４８からの放射ビーム５６は、照明システムＩＬにおいて法線入射リフレクタ５３、５４で反射され、レチクルテーブルまたはマスクテーブルＭＴ上で位置決めされたレチクルまたはマスクに入射する。パターンが付与されたビーム５７が形成され、投影システムＰＳにおいて反射要素５８、５９を介してウエハステージまたは基板テーブルＷＴに結像される。照明システムＩＬおよび投影システムＰＳには、示されているよりも多くの要素が一般には存在しうる。
【００３９】
導入部において既に説明されたように、マスクなどのパターニングデバイスＭＡをペリクルなしで動作させることができれば便利である。したがって、パターニングデバイスは有機および無機のパーティクル汚染にさらされる可能性がある。これらのパーティクルはウエハテーブルＷＴ上のウエハに投影されるイメージに重大な欠陥を生じさせる可能性があるので、これらのパーティクルをパターニングデバイスから除去することが好ましい。そのようなパーティクルは２０ｎｍ程度の小さな直径を有してもよい。
【００４０】
図３は、レーザクリーニングデバイス１０の模式図である。レーザクリーニングデバイス１０は放射１４を生成するよう構成されたレーザ源１２を含む。放射１４は、図３に示されている通り、基板表面に実質的に平行な方向を有してもよい。レーザクリーニングデバイス１０は、パターニングデバイスＭＡの表面２２上の窒素や空気などのバックグラウンドガスにクリーニングプラズマ２０を生成するために、焦点１８に放射１４をフォーカスするよう構成された光学要素（図３ではレンズ１６）を含む。プラズマ２０が生成されるガスを生成するガスサプライ２３が設けられる。プラズマ２０の近くの位置にアルゴンなどの保護ガスのジェットを生成する別のガスサプライ２４が設けられる。
【００４１】
典型的には、レーザ源１２は、パルス当たりのエネルギとして約０．１ジュールから約２ジュールを有するパルスを焦点に生成するよう構成される。このパルス当たりのエネルギの範囲は一般に、レーザ源がネオジウムがドープされたイットリウムアルミニウムガーネット（ネオジウムヤグ（Nd:YAG））レーザである場合に適切と考えられる範囲である。レーザ源１２として代わりにフェムト秒レーザが使用される場合は、パルス当たりのエネルギとして０．００１ジュールより高いものが一般には適切と考えられる。しかしながら、上述の例以外のレーザ源が使用されてもよいことは理解されるであろう。
【００４２】
放射１４のパルスが焦点１８にフォーカスされるとプラズマ２０が生成される。そのプラズマ２０の広がりはレーザ源１２に向けてバイアスされる。パターニングデバイスＭＡの表面２２の損傷を避けるために、表面２２とプラズマ２０が生成される焦点１８との距離を十分に維持する必要がある。
【００４３】
そのような損傷を避けるための別の手法は、プラズマ２０の近くの位置にアルゴンなどの保護ガスのジェットを提供することである。図３の実施の形態では、ガスサプライ２４によってジェットが提供される。
【００４４】
アルゴンは容易にイオン化される一方化学的には不活性であり、アルゴンはヘリウムよりも重く、アルゴンは単原子ガスなので衝撃波を妨害しないので、アルゴンは適切な保護ガスであると考えられる。しかしながら、アルゴンの代わりにまたはアルゴンに加えて、窒素または空気もしくはそれらの混合物などの他のガスを使用してもよい。
【００４５】
図４Ａおよび図４Ｂは、レーザクリーニングデバイスのさらなる実施の形態の模式的な側面図および上面図である。図４Ａおよび図４Ｂの実施の形態は、図３を参照して開示された実施の形態とかなり似ている。図４Ａおよび図４Ｂには、本実施の形態では保護ガスのジェットの向きは放射の向きとは反対の向きの大きな成分を有することが示される。
【００４６】
図４Ａには、ガスサプライ２４は表面２２の法線に対して約４５°の角度に保護ガスを向けるよう構成されることが示される。一般に、保護ガスのジェットは他の角度からでも有効であることが証明されうるが、保護ガスのジェットが表面２２の法線に対して約３０°から約６０°の範囲内の角度に向けられる場合に保護ガスが最も有効となることが見出された。
【００４７】
図４Ｂには、図４Ａのレーザクリーニングデバイスの上面図が示される。図４Ｂには、ガスサプライが、表面２２の法線を含みレーザ源によって生成される放射に平行な平面Ｖと実質的に平行な方向に保護ガスを向けるよう構成されることが示される。
【００４８】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。
【００４９】
上では特に光リソグラフィの文脈における本発明の実施の形態の使用を説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光リソグラフィに限られるものではないことは理解される。
【００５０】
本明細書において使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５ｎｍ−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射、およびイオンビームや電子ビームなどの粒子線を示す。
【００５１】
本発明の具体的な実施の形態が上述のように説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば、レーザクリーニングデバイスによって清浄化される表面はウエハ表面や法線入射ミラーの表面やかすめ入射ミラーの表面であってもよい。
【００５２】
ガスサプライはプラズマが生成されるバックグラウンドガスを生成するよう構成されるが、そのようなガスサプライは存在しなくてもよい。他の要因に起因してプラズマの位置に十分な量の空気圧が存在してもよい。この場合、特別に指定されたガスサプライは不要となる。
【００５３】
本発明はコンピュータプログラムの形式を取ってもよい。このコンピュータプログラムは機械に読み取り可能な命令の１つもしくは複数のシーケンスを含む。命令は、上述の方法を記述する。あるいはまた、本発明は、そのようなコンピュータプログラムを記憶保持するデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気もしくは光学ディスク）の形式を取ってもよい。
【００５４】
上述の記載は例示を目的としており、それに限定されるものではない。したがって下記の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された発明に上で指摘されていない変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことであろう。
【図１】
0005658245.tif 000003
【図２】
0005658245.tif 000004
【図３】
0005658245.tif 000005
【図４Ａ】
0005658245.tif 000006
【図４Ｂ】
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