(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換するセンサ部および検知部を各々が含む複数のセンサブロックと、前記検知部のそれぞれに電力を供給する電力供給部と、を含み、
前記複数のセンサブロックのうちの第１のセンサブロックの前記検知部は、前記第１のセンサブロックの前記センサ部の出力が所定値に達したことを検知し、
前記複数のセンサブロックのうちの前記第１のセンサブロックとは別の第２のセンサブロックの前記センサ部は、光電変換により発生した電荷を蓄積し、前記検知にしたがって該電荷の蓄積を終了し、
前記電力供給部は、前記第２のセンサブロックの前記検知部への電力の供給を、前記第１のセンサブロックの前記センサ部が電荷の蓄積を開始してから前記第１のセンサブロックの前記検知部が前記第１のセンサブロックの前記センサ部の出力が前記所定値に達したことを検知するまでの期間の少なくとも一部の期間において遮断する
ことを特徴とする焦点検出装置。
【請求項２】
前記センサ部は、ライン状またはアレイ状に配置された複数の光電変換部を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項３】
前記第２のセンサブロックの前記センサ部に蓄積された電荷量に応じた信号を増幅して出力する増幅部をさらに含み、
前記電力供給部は、前記第２のセンサブロックの前記センサ部が電荷の蓄積を終了した後、前記第２のセンサブロックの前記検知部に電力を供給し、
前記増幅部の増幅率は、当該検知部が検知した前記信号に応じて決定される
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の焦点検出装置。
【請求項４】
前記電力供給部は、前記第２のセンサブロックの前記センサ部が電荷の蓄積を終了した後、前記第２のセンサブロックの前記検知部に電力を供給する期間に、前記第１のセンサブロックの前記検知部への電力の供給を遮断する、
ことを特徴とする請求項３に記載の焦点検出装置。
【請求項５】
前記センサ部は第１センサ領域および第２センサ領域を含み、
前記複数のセンサブロックのそれぞれはセレクタをさらに含み、
前記検知部は、それが属する前記センサブロックの前記第１センサ領域もしくは前記第２センサ領域の出力のうち前記セレクタによって選択されたいずれか一方を検知する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の焦点検出装置。
【請求項６】
前記第１センサ領域からの信号と前記第２センサ領域からの信号とに基づいて位相差検出を行う演算部をさらに含む
ことを特徴とする請求項５に記載の焦点検出装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の焦点検出装置と、
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焦点検出装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラの焦点検出の従来方法の一つとして、ラインセンサを使って焦点検出を行う技術がある。また、特許文献１にはエリアセンサを使用することにより焦点検出領域を拡張する技術が開示されている。いずれのセンサを用いる焦点検出装置においても、これらの出力電位が所定値に達したことを検知するために、センサの数、例えば測距点の数に応じた個数の検知部が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１０４５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらの検知部は、焦点検出をするにあたって、例えば検知信号を受けるまでの間の待機状態における貫通電流による消費電力が大きい。特に、例えば、測距点の数が増える場合には、多くの検知部を設けることを要するため、焦点検出時における消費電力が大きかった。
【０００５】
本発明の目的は、焦点検出装置の焦点検出時における消費電力を低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの側面は焦点検出装置にかかり、前記焦点検出装置は、入射光を光電変換するセンサ部および検知部を各々が含む複数のセンサブロックと、前記検知部のそれぞれに電力を供給する電力供給部と、を含み、前記複数のセンサブロックのうちの第１のセンサブロックの前記検知部は、前記第１のセンサブロックの前記センサ部の出力が所定値に達したことを検知し、前記複数のセンサブロックのうちの前記第１のセンサブロックとは別の第２のセンサブロックの前記センサ部は、光電変換により発生した電荷を蓄積し、前記検知にしたがって前記電荷の蓄積を終了し、前記電力供給部は、前記第２のセンサブロックの前記検知部への電力の供給を、前記第１のセンサブロックの前記センサ部が前記電荷の蓄積を開始してから前記第１のセンサブロックの前記検知部が前記第１のセンサブロックの前記センサ部の出力が前記所定値に達したことを検知するまでの期間の少なくとも一部の期間において遮断することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、焦点検出装置の焦点検出時における消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態の構成の一例を説明する図
【図２】センサ部の構成の一例を説明する図
【図３】本発明の第１実施形態における動作の一例を説明する図
【図４】本発明の第２実施形態の構成の一例を説明する図
【図５】本発明の第２実施形態における動作の一例を説明する図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
図１を参照しながら、本発明の第１実施形態の焦点検出装置１を説明する。焦点検出装置１は、一対のセンサブロック１００と、検知部１２０のそれぞれに電力を供給する電力供給部２１０と、を含む。一対のセンサブロック１００のそれぞれは、入射光を光電変換するセンサ部１１０および検知部１２０を含む。一対のセンサブロック１００のそれぞれは、さらにセンサ部１１０に蓄積された電荷量に応じた信号を読み出す読出部１３０を含んでもよい。電力供給部２１０は、例えば、制御系２００に含まれうる。また、焦点検出装置１は、一対のセンサブロック１００に含まれる読出部１３０のそれぞれが読み出した信号を増幅して出力する増幅部４００を含みうる。一対のセンサブロック１００のそれぞれは、互いに隣接して配置されうる。一対のセンサブロック１００のうち一方は第１モードとして動作し、他方は第２モードとして動作するように、制御系２００によって制御されうる。この制御は、例えば、制御系２００に含まれるモード切替部２３０によってされうる。制御系２００は、さらに、前述の機能ブロックのそれぞれと通信して動作の指示を出しうるコントローラ２４０を含みうる。
【００１０】
制御系２００は、互いに隣接する２つのセンサ部１１０の一方において発生した電荷量を検知することにより、他方のセンサ部１１０における焦点検出のための電荷の蓄積動作を制御する。具体的には、第１モードとして動作する一方のセンサブロック１００においては、検知部１２０はセンサ部１１０の出力が所定値に達したことを検知する。この検知部１２０は、例えば、このセンサ部１１０の出力を予め設定された基準電位と比較することにより検知しうる。第２モードとして動作する他方のセンサブロック１００のセンサ部１１０は、光電変換により発生した電荷を蓄積する。この電荷の蓄積動作は、第１モードとして動作するセンサブロック１００の検知部１２０による検知にしたがって、終了する。この電荷の蓄積動作の終了は、例えば、この検知の通知を受けたコントローラ２４０からの指示によってなされてもよい。
【００１１】
すなわち、第１モードとして動作するセンサブロック１００においては、センサ部１１０の出力を検知部１２０によって監視し、所定値に達したことを検知する。これにより、第２モードとして動作するセンサブロック１００における電荷の蓄積動作を制御するための制御情報が決定される。一方で、第２モードとして動作するセンサブロック１００においては、焦点検出用の電荷蓄積を行い、この第１モードとして動作するセンサブロック１００における検知結果にしたがって電荷蓄積を終了させる。この蓄積された電荷に応じた信号にしたがって、焦点検出が行われる。
【００１２】
このとき、電力供給部２１０は、第２モードとして動作するセンサブロック１００の検知部１２０への電力の供給を、このセンサブロック１００が第２モードとして動作する期間の少なくとも一部の期間において遮断する。特に、検知部１２０が検知を行わない期間においては電力の供給が不要であり、電力を遮断することが可能である。これにより、一対のセンサブロック１００に含まれる検知部１２０のそれぞれは、一方は電源の供給をうけてアクティブ状態となり、他方は電源の供給が遮断されてノンアクティブ状態となりうる。従って、センサブロック１００における消費電力が抑制されうる。ここで、増幅部４００の増幅率は、例えば、制御系２００に含まれうる増幅率決定部２２０によって、第２モードとして動作するセンサブロック１００の検知部１２０が検知した読出部１３０からの信号に応じて決定されうる。このときは、センサブロック１００が第２モードとして動作する期間において、電力供給部２１０からこの検知部１２０への電力の供給がなされうる。また、検知部１２０への電力の供給または遮断については、例えば、直流電源と直列に接続されたスイッチにより切り替えられてもよい。本実施形態においては、ｐｖｃ信号により切り替えられる場合を考える。
【００１３】
図２に、センサ部１１０の構成の例を示す。センサ部１１０は、例えば、フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＸ、増幅トランジスタＳＦ、容量Ｃｍ、ノイズクランプ回路ＮＣ、増幅器ＡＭＰ、スイッチＳＷ＿Ｍ、およびスイッチＳＷ＿Ｒを含みうる。図２には、一画素を含むセンサ部の場合の構成を示すが、センサ部１１０はライン状またはアレイ状に配置された複数の画素を含みうる。実際には、例えば、約３０〜８０画素で２つの像を形成して、位相差検出法による焦点検出において用いられうる。
【００１４】
フォトダイオードＰＤにおいて受光した光のエネルギーにより発生した電荷が、転送トランジスタＴＸを介して、増幅トランジスタＳＦのゲートに転送される。転送トランジスタＴＸは、例えば、制御信号ｃｎｔ＿ｔｘがＨｉ状態になることによって導通しうる。そして、増幅トランジスタＳＦにより増幅された信号は容量Ｃｍを充電し、同時に、ノイズクランプ回路ＮＣに入力される。ノイズクランプ回路ＮＣにおいては、増幅トランジスタＳＦのゲートがリセット（後述）されたときの増幅トランジスタＳＦの出力がノイズレベルとして予めクランプされている。その後、ノイズクランプ回路ＮＣにおいては、増幅トランジスタＳＦにより増幅された信号とこのノイズレベルとの差分が読み出されることによりノイズが除去されうる。ノイズクランプ回路ＮＣからの出力信号は増幅器ＡＭＰにより増幅される。この増幅器ＡＭＰは、複数の画素を含むセンサ部１１０の場合は、それに対応する容量Ｃｍのそれぞれに充電された信号のうち、例えば最大値や最小値を検出して出力しうる。図２においては、最大値を検出して出力しうる増幅器ＡＭＰを図示している。増幅器ＡＭＰの出力信号は、スイッチＳＷ＿Ｍを介して検知部１２０へと接続された端子ｍｏｎ＿ｏｕｔに、また、スイッチＳＷ＿Ｒを介して読出部１３０へと接続された出力端子ｒｅａｄ＿ｏｕｔに、それぞれ出力されうる。スイッチＳＷ＿ＭとスイッチＳＷ＿Ｒはそれぞれ、例えば、制御信号ｃｎｔ＿ｍｏｎとｃｎｔ＿ｒｅａｄがＨｉ状態となることによって、導通しうる。また、画素のそれぞれは、増幅トランジスタＳＦのゲートの電位を所定の電圧にリセットするリセットトランジスタＲＥＳを含みうる。リセットトランジスタＲＥＳは、例えば、制御信号ｃｎｔ＿ｒｅｓがＨｉ状態となることによって導通しうる。ここで、制御信号ｃｎｔ＿ｒｅｓ、ｃｎｔ＿ｔｘ、ｃｎｔ＿ｍｏｎ、およびｃｎｔ＿ｒｅａｄは、図１においては不図示であるが、これらは例えば、コントローラ２４０により出力されてもよい。
【００１５】
図３は、本実施形態における動作時の、制御信号（ｃｎｔ＿ｒｅｓ、ｃｎｔ＿ｔｘ、ｃｎｔ＿ｍｏｎ）のそれぞれの状態、センサ部１１０の容量Ｃｍの電位ｖ＿ｃｍ、および電力供給部２１０からの電源の供給状態ｐｖｃのタイミングチャートを表す。図３の上段には第１モードとして動作するセンサブロック１００についての、下段には第２モードとして動作するセンサブロック１００についての、それぞれの状態を示す。図３の中の記号の括弧内の数字（１）は第１モードとして動作するセンサブロック１００についてのそれぞれの状態を示し、（２）は第２モードとして動作するセンサブロック１００についてのそれぞれの状態を示す。以下、この図３を参照しながら、本実施形態における動作の一例を述べる。
【００１６】
時刻ｔ１において、リセット処理が開始される。時刻ｔ１において、ｃｎｔ＿ｒｅｓ（１）、ｃｎｔ＿ｔｘ（１）、ｃｎｔ＿ｒｅｓ（２）、およびｃｎｔ＿ｔｘ（２）を、それぞれＨｉ状態とし、第１モードと第２モードのいずれのセンサブロック１００のセンサ部１１０についてもリセットされる。この工程において、このセンサ部１１０のそれぞれに含まれる容量Ｃｍの初期化も行われる。
【００１７】
時刻ｔ２において、ｃｎｔ＿ｒｅｓ（１）およびｃｎｔ＿ｒｅｓ（２）はＬｏｗ状態となり、第１モードと第２モードのセンサブロック１００のそれぞれについてのセンサ部のリセット状態が解除される。同時に、ｃｎｔ＿ｍｏｎ（１）はＨｉ状態となり、第１モードとして動作するセンサブロック１００についてのセンサ部１１０のスイッチＳＷ＿Ｍは導通状態となる。ｃｎｔ＿ｔｘ（１）はＨｉ状態のままであるので、第１モードのセンサブロック１００のセンサ部１１０において光電変換により発生した電荷が、転送トランジスタＴＸを介して増幅トランジスタＳＦのゲートに転送される。これにより、増幅された信号がこのセンサ部１１０の容量Ｃｍを充電し、電位ｖ＿ｃｍ（１）は上昇し、その後、ノイズクランプ回路ＮＣ、増幅器ＡＭＰ、およびスイッチＳＷ＿Ｍを介して、対応する検知部１２０へ出力される。この工程においては、第１モードのセンサブロック１００において、検知部１２０は、ｐｖｃ（１）がＨｉ状態とされて電源が給電されることにより、センサ部１１０の出力が所定値に達したことを検知することが可能な状態となっている。また、この時刻ｔ２において、ｃｎｔ＿ｔｘ（２）はＬｏｗ状態となり、第２モードのセンサブロック１００のセンサ部１１０において光電変換により発生した電荷の蓄積が開始される。
【００１８】
ある時刻において、第１モードとして動作するセンサブロック１００において、検知部１２０はセンサ部１１０の出力が所定値に達したことを検知し、この時刻を時刻ｔ３とする。この検知は、例えば、検知部１２０が、センサ部１１０の出力と予め設定された基準電位（不図示）とを比較することにより、されることが可能である。
【００１９】
時刻ｔ４において、時刻ｔ３でなされた検知に応じて、ｃｎｔ＿ｔｘ（１）はＬｏｗ状態となり、ｃｎｔ＿ｍｏｎ（１）はＬｏｗ状態となる。これにより、第１モードのセンサブロック１００において、センサ部１１０において光電変換により発生した電荷の増幅トランジスタＳＦのゲートへの転送は終了し、検知部１２０による検知を終了する。このとき、ｐｖｃ（１）はＬｏｗ状態となり、この検知部１２０への電源の供給は遮断されうる。一方で、この時刻ｔ４において、ｃｎｔ＿ｔｘ（２）はＨｉ状態となる。これにより、第２モードのセンサブロック１００においては、センサ部１１０において光電変換により発生した電荷の蓄積動作は終了し、蓄積された電荷は転送トランジスタＴＸを介して増幅トランジスタＳＦのゲートへ転送が開始される。従って、電位ｖ＿ｃｍ（２）が上昇する。
【００２０】
時刻ｔ５において、ｃｎｔ＿ｔｘ（２）はＬｏｗ状態となる。これにより、第２モードのセンサブロック１００においては、センサ部１１０において光電変換により発生し蓄積された電荷を、増幅トランジスタＳＦのゲートへ転送する動作は終了する。そして、この蓄積された電荷量に応じた信号を増幅して読み出すための増幅部４００の増幅率を決定する工程が開始されうる。ここで前述のとおり、この増幅率は、第２モードとして動作するセンサブロック１００の検知部１２０が検知した読出部１３０からの信号に応じて決定されてもよい。この場合は、ｐｖｃ（２）をＨｉ状態として、電力供給部２１０からこの検知部１２０への電力の供給がなされることを要する。
【００２１】
時刻ｔ６において、ｃｎｔ＿ｍｏｎ（２）はＬｏｗ状態となり、ｐｖｃ（２）はＬｏｗ状態となり、この増幅率を決定する工程を終了する。その後、例えばコントローラ２４０の指示にしたがって、第２モードのセンサブロック１００のセンサ部１１０において蓄積された電荷量に応じた信号の読出し工程が開始されうる。
【００２２】
以上に述べた手順によって、第２モードとして動作するセンサブロック１００の検知部１２０への電力の供給を、このセンサブロック１００が第２モードとして動作する期間の少なくとも一部の期間において遮断する。これによって、焦点検出装置１の消費電力が抑制されうる。
【００２３】
＜第２実施形態＞
図４を参照しながら、本発明の第２実施形態の焦点検出装置２を説明する。本実施形態は、センサ部１１０が第１センサ領域１１１および第２センサ領域１１２を含み、一対のセンサブロック１００のそれぞれがセレクタ１４０をさらに含むセンサブロック１００’である点で、第１実施形態と異なる。セレクタ１４０のそれぞれは、制御信号ｒｅｇｉｏｎ＿ｓｅｌによって、第１センサ領域１１１もしくは第２センサ領域１１２の出力のうちいずれか一方を選択して出力しうる。検知部１２０は、それが属するセンサブロック１００’の第１センサ領域１１１もしくは第２センサ領域１１２の出力のうちセレクタ１４０によって選択されたいずれか一方を検知しうる。制御信号ｒｅｇｉｏｎ＿ｓｅｌは、例えばコントローラ２４０により出力されうる。
【００２４】
この構成を採用することにより、第１センサ領域１１１と第２センサ領域１１２は、それが属するセンサブロック１００’の検知部１２０を共有することが可能となる。これによって、例えば、第１センサ領域１１１によって位相差検出法による焦点検出のための第１像を、第２センサ領域１１２によって位相差検出法による焦点検出のための第２像を、選択的に形成することも可能である。また、本実施形態においては、センサ部１１０が含む領域を２つとしているがそれ以上の数を含んでもよく、これによって、例えば、行方向の位相差検出と列方向の位相差検出を選択的に行うことも可能である。
【００２５】
図５は、本実施形態における動作時の、制御信号のそれぞれの状態、第１センサ領域１１１および第２センサ領域１１２の容量Ｃｍの電位ｖ＿ｃｍ、並びに電力供給部２１０からの電源の供給状態ｐｖｃのタイミングチャートを表す。図３の上段には第１モードとして動作するセンサブロック１００’についての、下段には第２モードとして動作するセンサブロック１００’についての、それぞれの状態を示す。図中の記号の括弧内の数字（１１）は第１モードとして動作するセンサブロック１００’の第１センサ領域１１１についてのそれぞれの状態を示す。また、（２１）は第２モードとして動作するセンサブロック１００’の第１センサ領域１１１についてのそれぞれの状態を示す。同様にして、（１２）は第１モードとして動作するセンサブロック１００’の第２センサ領域１１２についてのそれぞれの状態を示す。また、（２２）は第２モードとして動作するセンサブロック１００’の第２センサ領域１１２についてのそれぞれの状態を示す。
【００２６】
本実施形態においては、時刻ｔ１〜ｔ６において、第１センサ領域１１１のそれぞれについての処理がなされ、時刻ｔ６〜ｔ９において、第２センサ領域１１２のそれぞれについての処理がなされる場合を考える。この場合、制御信号ｒｅｇｉｏｎ＿ｓｅｌは、時刻ｔ６において、Ｌｏｗ状態からＨｉ状態へと切り替えられうる。以下、この図５を参照しながら、本実施形態における動作の一例を述べる。時刻ｔ１〜ｔ６において、第１モードと第２モードのセンサブロック１００’における第１センサ領域１１１のそれぞれの動作は、前述の第１実施形態（図３の時刻ｔ１〜ｔ６）と同じであるため説明を省略する。
【００２７】
時刻ｔ１において、第１モードと第２モードのいずれのセンサブロック１００’の第２センサ領域１１２についてもリセットされる。この工程において、この第２センサ領域１１２のそれぞれに含まれる容量Ｃｍの初期化も行われる。時刻ｔ２において、ｃｎｔ＿ｒｅｓ（１２）およびｃｎｔ＿ｒｅｓ（２２）はＬｏｗ状態となり、第１モードと第２モードのセンサブロック１００’のそれぞれについての第２センサ領域１１２のリセット状態が解除される。ｃｎｔ＿ｔｘ（１２）はＨｉ状態のままであるため、第１モードのセンサブロック１００’の第２センサ領域１１２において光電変換により発生した電荷が、転送トランジスタＴＸを介して増幅トランジスタＳＦのゲートに転送されうる。これにより、その後、電位ｖ＿ｃｍ（１２）は上昇していく。
【００２８】
時刻ｔ６において、制御信号ｒｅｇｉｏｎ＿ｓｅｌがＨｉ状態へと切り替えられ、ｃｎｔ＿ｍｏｎ（１２）はＨｉ状態となり、ｐｖｃ（１）はＨｉ状態となる。従って、第１モードのセンサブロック１００’においては、セレクタ１４０により選択された第２センサ領域１１２の出力が、電源が供給された検知部１２０に入力される。これにより、第２センサ領域１１２のそれぞれについての処理が開始されうる。一方で、電位ｖ＿ｃｍ（１２）は時刻ｔ２から既に上昇しているため、この検知部１２０は第２センサ領域１１２の出力が所定値に達していることを検知しうる。
【００２９】
時刻ｔ７において、時刻ｔ６でなされた検知に応じて、ｃｎｔ＿ｔｘ（１２）はＬｏｗ状態となり、ｃｎｔ＿ｍｏｎ（１２）はＬｏｗ状態となる。これにより、第１モードのセンサブロック１００’において、第２センサ領域１１２において光電変換により発生した電荷の増幅トランジスタＳＦのゲートへの転送は終了し、検知部１２０による検知を終了する。このとき、ｐｖｃ（１）はＬｏｗ状態となり、この検知部１２０への電源の供給は遮断されうる。一方で、この時刻ｔ７において、ｃｎｔ＿ｔｘ（２２）はＨｉ状態となる。これにより、第２モードのセンサブロック１００’においては、第２センサ領域１１２において光電変換により発生した電荷の蓄積動作は終了し、蓄積された電荷は転送トランジスタＴＸを介して増幅トランジスタＳＦのゲートへ転送が開始される。従って、電位ｖ＿ｃｍ（２２）が上昇する。
【００３０】
時刻ｔ８において、ｃｎｔ＿ｔｘ（２２）はＬｏｗ状態となる。これにより、第２モードのセンサブロック１００’においては、第２センサ領域１１２において光電変換により発生し蓄積された電荷を、増幅トランジスタＳＦのゲートへ転送する動作は終了する。そして、この蓄積された電荷量に応じた信号を増幅して読み出すための増幅部４００の増幅率を決定する工程が開始されうる。前述のとおり、この増幅率は、第２モードとして動作するセンサブロック１００’の検知部１２０が検知した読出部１３０からの信号に応じて決定されてもよい。この場合は、ｐｖｃ（２）をＨｉ状態として、電力供給部２１０からこの検知部１２０への電力の供給がなされることを要する。
【００３１】
時刻ｔ９において、ｃｎｔ＿ｍｏｎ（２２）はＬｏｗ状態となり、ｐｖｃ（２）はＬｏｗ状態となり、この増幅率を決定する工程を終了する。その後、例えばコントローラ２４０の指示にしたがって、第２モードのセンサブロック１００’の第２センサ領域１１２において蓄積された電荷量に応じた信号の読出し工程が開始されうる。
【００３２】
以上、本実施形態によれば、焦点検出装置２は複数のセンサ領域について焦点検出を行いつつ、第１実施形態と同様にして消費電力を抑制することも可能である。
【００３３】
以上の２つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途、機能、およびその他の仕様の変更が適宜可能であり、他の実施形態によっても実施されうることは言うまでもない。センサ部は、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサとして構成され、その他の如何なるセンサでもよい。また、上記の各機能ブロックの動作制御は、コントローラと共に、または、コントローラに代わってコンピュータ上で稼動しているＯＳ等が、その一部または全部を行ってもよい。
【００３４】
また、以上の実施形態は、カメラに含まれる焦点検出装置について述べたが、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る焦点検出装置と、固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。この処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換器、および、このＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。焦点検出処理はこの処理部によってなされてもよいし、焦点検出処理を実行する演算部が焦点検出装置に含まれてもよく、適宜変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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