(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、バインダーと導電性繊維とを含み、第１方向に延びる複数の第１透明導電パターンと、
前記透明基板上に形成され、バインダーと導電性繊維とを含み、前記第１方向と直交する第２方向に延びる複数の第２透明導電パターンと、
前記透明基板上に形成され、前記各第１透明導電パターンの端部と電気的に接続する複数の第１周辺配線と、
前記透明基板上に形成され、前記各第２透明導電パターンの端部と電気的に接続する複数の第２周辺配線と、を備え、
前記各第１透明導電パターンと前記各第１周辺配線との第１接続構造は、前記第１周辺配線と、前記第１周辺配線上に形成され前記第１周辺配線の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の第１絶縁膜と、露出された前記第１周辺配線を覆う前記第１透明導電パターンとで構成され、
及び／又は、前記各第２透明導電パターンと前記各第２周辺配線との第２接続構造は、前記第２周辺配線と、前記第２周辺配線上に形成され前記第２周辺配線の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の第２絶縁膜と、露出された前記第２周辺配線を覆う前記第２透明導電パターンとで構成されるタッチパネルにおいて、
前記第１絶縁膜の膜厚と前記第１絶縁膜の開口長との比（第１絶縁膜の開口長／第１絶縁膜の膜厚）は２５以上であり、及び／又は、前記第２絶縁膜の膜厚と前記第２絶縁膜の開口長との比（第２絶縁膜の開口長／第２絶縁膜の膜厚）は２５以上であるタッチパネル。
【請求項２】
前記第１透明導電パターンの膜厚と前記第１絶縁膜の膜厚との比(第１絶縁層の膜厚/第１透明導電パターンの膜厚)は５以上２０以下であり、及び／又は前記第２透明導電パターンの膜厚と前記第２絶縁膜の膜厚との比(第２絶縁層の膜厚/第２透明導電パターンの膜厚)は５以上２０以下である請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記導電性繊維は銀ナノワイヤーである請求項１又は２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記第１周辺配線、及び前記第２周辺配線は金属膜で構成される請求項１から３のいずれか記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記導電性繊維は５０ｎｍ以下の短軸を有する請求項１から４のいずれか記載のタッチパネル。
【請求項６】
複数の第１周辺配線と複数の第２周辺配線とを透明基板上に形成する工程と、
前記各第１周辺配線上に前記第１周辺配線の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の第１絶縁膜、及び／又は前記各第２周辺配線上に前記第２周辺配線の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の第２絶縁膜とを形成する工程と、
バインダーと導電性繊維とを含む導電層を転写基材上に形成する工程と、
前記転写基材上の前記導電層を前記透明基板上に転写し、前記第１周辺配線、及び／又は前記第２周辺配線の露出部を覆い、前記各第１周辺配線と前記第２周辺配線とを前記導電層と電気的に接続する工程と、
前記導電層をパターニングし、第１方向に延びる複数の第１透明導電パターンと、前記第１方向と直交する第２方向に延びる複数の第２透明導電パターンとを形成する工程と、を備えるタッチパネルの製造方法。
【請求項７】
前記転写基材上の前記導電層を前記透明基板上に転写するとき、前記透明基板が９０℃以上1２０℃以下の温度範囲である請求項６記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項８】
前記転写基材上の前記導電層を前記透明基板上に転写するとき、転写圧力が０．４ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下の範囲である請求項６又は７記載のタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はタッチパネル、及びタッチパネルの製造方法、特に、バインダーと導電性繊維とを含む透明導電パターンを適用したタッチパネルの技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネルが注目されている。タッチパネルは、ＰＤＡ（携帯情報端末）や携帯電話等の小サイズへの適用が主となっているが、パソコン用ディスプレイ等への適用による大サイズ化が進むと考えられる。
【０００３】
タッチパネルの透明電極として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）が用いられている。しかし、ＩＴＯの原料であるインジウムは高価であり安定供給に限界があること、薄膜作製に真空過程を必要とするために製造コストが高くなること、また、ＩＴＯ膜は脆く、曲げ耐性に劣るといった課題がある。
【０００４】
そこで、タッチパネルの透明電極として、金属細線（導電性繊維）を含む透明導電膜を使用することが検討されている。特許文献１は、透明導電繊維層を透明フィルム基材上に転写することにより製造された高い導電性と良好な透明性とを併せ持つ透明導電フィルムをタッチパネル等に好適に用いることを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２３１０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
タッチパネル等の電子機器では、絶縁膜に形成されたスルーホールを介して、電極配線同士が電気的に接続される。しかしながら、特許文献１に記載された方法の場合、コンタクト領域において電極配線同士の接触が不十分で、コンタクトが取れなくなり導通不良を生じる問題が発生する。
【０００７】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、転写により透明導電膜を形成する場合においても、絶縁膜に形成されたスルーホールを介したコンタクト領域においても周辺配線と十分な接触ができ、周辺配線と良好なコンタクト（導通）が達成でき、さらに周辺配線の腐食を防止できるタッチパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によると、タッチパネルは、透明基板と、前記透明基板上に形成され、バインダーと導電性繊維とを含み、第１方向に延びる複数の第１透明導電パターンと、前記透明基板上に形成され、バインダーと導電性繊維とを含み、前記第１方向と直交する第２方向に延びる複数の第２透明導電パターンと、前記透明基板上に形成され、前記各第１透明導電パターンの端部と電気的に接続する複数の第１周辺配線と、前記透明基板上に形成され、前記各第２透明導電パターンの端部と電気的に接続する複数の第２周辺配線と、を備え、前記各第１透明導電パターンと前記各第１周辺配線との第１接続構造は、前記第１周辺配線と、前記第１周辺配線上に形成され前記第１周辺配線の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の第１絶縁膜と、露出された前記第１周辺配線を覆う前記第１透明導電パターンとで構成され、及び／又は、前記各第２透明導電パターンと前記各第２周辺配線との第２接続構造は、前記第２周辺配線と、前記第２周辺配線上に形成され前記第２周辺配線の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の第２絶縁膜と、露出された前記第２周辺配線を覆う前記第２透明導電パターンとで構成されるタッチパネルにおいて、前記第１絶縁膜の膜厚と前記第１絶縁膜の開口長との比（第１絶縁膜の開口長／第１絶縁膜の膜厚）は２５以上であり、及び／又は、前記第２絶縁膜の膜厚と前記第２絶縁膜の開口長との比（第２絶縁膜の開口長／第２絶縁膜の膜厚）は２５以上である。
【０００９】
好ましくは、前記第１透明導電パターンの膜厚と前記第１絶縁膜の膜厚との比(第１絶縁層の膜厚/第１透明導電パターンの膜厚)は５以上２０以下であり、及び／又は前記第２透明導電パターンの膜厚と前記第２絶縁膜の膜厚との比(第２絶縁層の膜厚/第２透明導電パターンの膜厚)は５以上２０以下である。
【００１０】
好ましくは、前記導電性繊維は銀ナノワイヤーである。
【００１１】
好ましくは、前記第１周辺配線、及び前記第２周辺配線は金属膜で構成される。
【００１２】
好ましくは、前記導電性繊維は５０ｎｍ以下の短軸を有する。
【００１３】
本発明の別の態様によると、タッチパネルの製造方法は、複数の第１周辺配線と複数の第２周辺配線とを透明基板上に形成する工程と、前記各第１周辺配線上に前記第１周辺配線の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の第１絶縁膜、及び／又は前記各第２周辺配線上に前記第２周辺配線の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の第２絶縁膜とを形成する工程と、バインダーと導電性繊維とを含む導電層を転写基材上に形成する工程と、前記転写基材上の前記導電層を前記透明基板上に転写し、前記第１周辺配線、及び／又は前記第２周辺配線の露出部を覆い、前記各第１周辺配線と前記第２周辺配線とを前記導電層と電気的に接続する工程と、前記導電層をパターニングし、第１方向に延びる複数の第１透明導電パターンと、前記第１方向と直交する第２方向に延びる複数の第２透明導電パターンとを形成する工程と、を備える。
【００１４】
好ましくは、前記転写基材上の前記導電層を前記透明基板上に転写するとき、前記透明基板が９０℃以上1２０℃以下の温度範囲である。
【００１５】
好ましくは、前記転写基材上の前記導電層を前記透明基板上に転写するとき、転写圧力が０．４ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下の範囲である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、転写により透明導電膜を形成する場合においても、コンタクト領域において周辺配線と十分な接触が達成でき、周辺配線と透明導電膜との良好なコンタクト（導通）が形成でき、さらに周辺配線の腐食を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態によるタッチパネルを模式的に示す平面図。
【図２】図２Ａは周辺配線と絶縁膜とを含むコンタクト領域の平面図。図２ＢはＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図３】図３Ａは周辺配線、絶縁膜、透明導電パターンと、を含むコンタクト領域の平面図。図３ＢはＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図４】導電層転写材料の一例を示す概略図である。
【図５】導電層転写材料の他の一例を示す概略図である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｃ）は、導電層転写材料を用いた転写方法を説明する説明図。
【図７】図７（Ａ）〜（Ｃ）は複数の接続構造を示す概略図。
【図８】図８（Ａ）（Ｂ）は、別の複数の接続構造を示す概略図。
【図９】製造条件と評価結果を示す表図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。本発明は以下の好ましい実施の形態により説明されるが、本発明の範囲を逸脱することなく、多くの手法により変更を行うことができ、本実施の形態以外の他の実施の形態を利用することができる。したがって、本発明の範囲内における全ての変更が特許請求の範囲に含まれる。
【００１９】
以下、本実施形態による配線構造体、及びタッチパネルを図１〜３を参照しながら説明する。
【００２０】
タッチパネル１０は、透明基板２０と、透明基板２０上に形成された複数の第１透明導電パターン３０、及び複数の第２透明導電パターン４０とを備える。各第１透明導電パターン３０は第１方向に沿って延び、各第２透明導電パターン４０は第１方向と直交する第２方向に沿って延びる。
【００２１】
第１透明導電パターン３０は、複数の第１感知部３２と、複数の第１感知部３２の間を電気的に接続する第１接続部３４とから構成される。第１感知部３２は幅広の菱形形状を有しており、第１接続部３４は幅の狭い短冊形状を有している。第１透明導電パターン３０について、第１感知部３２と第１接続部３４とは一体として形成される。
【００２２】
第２透明導電パターン４０は、複数の第２感知部４２の間を電気的に接続する第２接続部４４とから構成される。第２感知部４２は幅広の菱形形状を有しており、第２接続部４４は幅の狭い短冊形状を有している。第２接続部４４は、第１接続部３４上に形成された絶縁膜５０上に形成される。第２透明導電パターン４０について、第２感知部４２と第２接続部４４とは別体として形成される。なお、絶縁膜５０は透明性が要求される。そのため、絶縁膜５０の材料として、無機材料としては、SiO2,SiOx,ＳiNx,SiOxNy、有機材料としては、アクリル樹脂等が使用される。
【００２３】
第１透明導電パターン３０と第２透明導電パターン４０とは、平面視で、第１感知部３２と第２感知部４２とが重なり合わないよう配置される。一方、第１接続部３４と第２接続部４４とは、平面視で、交差する。ただし、第１接続部３４と第２接続部４４とは絶縁膜５０により電気的に分離されている。
【００２４】
上述のように第１透明導電パターン３０と第２透明導電パターン４０とを配置することにより、いわゆる、規則的に配置されたダイヤモンドパターンが構成される。第１透明導電パターン３０と第２透明導電パターン４０とは、いずれも、導電性繊維とバインダーとを含む透明導電膜で構成される。
【００２５】
導電性繊維の構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、中実構造及び中空構造のいずれかであることが好ましい。ここで、中実構造の繊維をワイヤーと呼ぶことがあり、中空構造の繊維をチューブと呼ぶことがある。
【００２６】
平均短軸長さが５ｎｍ〜１，０００ｎｍであって、平均長軸長さが１μｍ〜１００μｍの導電性繊維を「ナノワイヤー」と呼ぶことがある。
【００２７】
また、平均短軸長さが１ｎｍ〜１，０００ｎｍ、平均長軸長さが０．１μｍ〜１，０００μｍであって、中空構造を持つ導電性繊維を「ナノチューブ」と呼ぶことがある。
【００２８】
前記導電性繊維の材料としては、導電性を有していれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、金属及びカーボンの少なくともいずれかであることが好ましく、これらの中でも、前記導電性繊維は、金属ナノワイヤー、金属ナノチューブ、及びカーボンナノチューブの少なくともいずれかであることが好ましい。
【００２９】
透明性、ヘイズの観点から、平均短軸長さは５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
バインダーとしては、有機高分子重合体であって、分子（好ましくは、アクリル系共重合体を主鎖とする分子）中に少なくとも１つのアルカリ可溶性を促進する基（例えばカルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基など）を有するアルカリ可溶性樹脂の中から適宜選択することができる。
【００３１】
透明基板２０の材料として、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス等の透明ガラス基板、またはＰＥＴ，ＰＥＮ，ＰＥＳ等の透明合成樹脂基板等を使用することができる。透明度及び寸法安定性の観点から、無アルカリガラス、ＰＥＴを使用することが好ましい。
【００３２】
複数の第１透明導電パターン３０と複数の第２透明導電パターン４０とにより、透明基板２０上にセンサエリアＳが形成される。透明基板２０上のセンサエリアＳの外周領域に、複数の第１周辺配線６０と複数の第２周辺配線７０とが形成される。第１周辺配線６０は、その一端において、第１透明導電パターン３０の一端と電気的に接続される。第１周辺配線６０は、その他端において、外部接続端子(不図示)と電気的に接続される。第１周辺配線６０は、細幅のライン部６０ａと、一端においてライン部６０ａに対して幅広のパッド部６０ｂ、他端においてライン部６０ａに対して幅広のパッド６０ｃを含んでいる。
【００３３】
第２周辺配線７０は、その一端において、第２透明導電パターン４０の一端と電気的に接続される。第２周辺配線７０は、その他端において、外部接続端子(不図示)と電気的に接続される。第２周辺配線７０は、細幅のライン部７０ａと、一端においてライン部７０ａに対して幅広のパッド部７０ｂ、他端においてライン部７０ａに対して幅広のパッド７０ｃを含んでいる。
【００３４】
第１周辺配線６０と第２周辺配線７０とは、金属膜で構成される。金属膜は、例えば、Ａｌ,Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｃｒ等の材料又は、それらの合金で構成される。金属膜は、複数の材料の積層膜で構成されていても良い。例えば、Ｍｏ（又はＭｏ合金）／Ａｌ（又はＡｌ合金)/Ｍｏ(又はＭｏ合金)からなる積層膜でも良い。
【００３５】
第１透明導電パターン３０は、その一端において、パッド部６０ｂと電気的に接続する幅広の接続部３６を含んでいる。接続部３６は、Ｕ字形状の絶縁膜３８を介してパッド部６０ｂと電気的に接続される。
【００３６】
第２透明導電パターン４０は、その一端において、パッド部７０ｂと電気的に接続する幅広の接続部４６を含んでいる。接続部４６は、Ｕ字形状の絶縁膜４８を介してパッド部７０ｂと電気的に接続される。
【００３７】
図２（Ａ）は、コンタクト領域における、パッド部６０ｂ（７０ｂ）と絶縁膜３８（４８）とを示す拡大平面図である。図２（Ｂ）は、Ａ−Ａ線に沿った断面図である。透明基板（不図示）上に細幅のライン部６０ａ（７０ａ）と、ライン部６０ａ（７０ａ）の一端においてライン部６０ａ（７０ａ）に対して幅広のパッド部６０ｂ（７０ｂ）とが形成される。パッド部６０ｂ（７０ｂ）上に、パッド部６０ｂ（７０ｂ）の一部を露出するための開口を有するＵ字形状の絶縁膜３８（４８）が形成される。本実施の形態では、上下の配線を接続するためのコンタクトホールは、平面視において一方が開放したＵ字形状の絶縁膜３８（４８）で形成される。一方、通常のコンタクトホールは、平面視において周囲をすべて囲む絶縁膜で形成される。本実施の形態では、絶縁膜の形状が、従来と異なる。
【００３８】
Ｕ字形状の絶縁膜３８（４８）は、所定の開口長Ｌ（対向する絶縁膜３８間の距離）を有する。Ｕ字形状の絶縁膜３８（４８）は、所定の膜厚ｔ１を有する。
【００３９】
図３（Ａ）は、コンタクト領域における、パッド部６０ｂ（７０ｂ）、絶縁膜３８（４８）と接続部３６（４６）を示す拡大平面図である。図３（Ｂ）は、Ｂ−Ｂ線に沿った断面図である。Ｕ字形状の絶縁膜３８（４８）の開口から露出したパッド部６０ｂ（７０ｂ）のをすべて覆うように接続部３６（４８）が形成される。
【００４０】
図３（Ｂ）に示すように、Ｕ字形状の絶縁膜３８（４８）は一方が開放しているので、接続部３６（４６）とパッド部６０ｂ（７０ｂ）とは確実に電気的に接続される（コンタクトされる）ことになる。
【００４１】
本実施形態の接続構造によれば、転写により透明導電膜（接続部３６，４６）を形成する場合においても、絶縁膜３６（４６）が一方を開放するＵ字型形状を有しているので、透明導電膜（接続部３６，４６）と周辺配線（パッド部６０ｂ，７０ｂ）とを確実に電気的に接続（コンタクト）することができる。
【００４２】
また、透明導電膜（接続部３６，４６）は周辺配線（パッド部６０ｂ，７０ｂ）の露出部をすべて覆うように形成される。その結果、周辺配線の腐食を防止できる。
【００４３】
さらに、絶縁膜３８（４８）の膜厚ｔ１と絶縁膜３８（４８）の開口長Ｌとの比（絶縁膜の開口長Ｌ／絶縁膜膜の厚ｔ１）は２５以上であることが必要である。この範囲とすることにより、導電性繊維とバインダーとを含む透明導電膜が断線することになり、周辺配線とを確実に電気的に接続（コンタクト）することができる。
【００４４】
好ましい絶縁膜膜厚ｔ１は0.2μm以上3.0μｍ以下であり、開口長Ｌは50μｍ以上が好ましい。
【００４５】
また、接続部３６（４６）の膜厚ｔ２としたとき、接続部３６（４６）の膜厚ｔ２と絶縁膜３８（４８）の厚ｔ１との比（絶縁膜の膜厚ｔ１／接続部の膜厚ｔ２）は５以上２０以下であることが好ましい。この範囲とすることにより、接続部以外の絶縁性が良好でかつ、導電性繊維とバインダーとを含む透明導電膜が断線することになり、周辺配線とを確実に電気的に接続（コンタクト）することができる。
【００４６】
＜透明導電膜＞
透明導電膜は、少なくともバインダーと導電性繊維を含有している。バインダーは特に限定はないが、感光性化合物、更に必要に応じてその他の成分を含有してなることが好ましい。
【００４７】
〔導電性繊維〕
前記導電性繊維の材料としては、導電性を有していれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。金属及びカーボンの少なくともいずれかであることが好ましく、これらの中でも、前記導電性繊維は、金属ナノワイヤー、金属ナノチューブ、及びカーボンナノチューブの少なくともいずれかであることが好ましい。
【００４８】
＜＜金属ナノワイヤー＞＞
−材料−
前記金属ナノワイヤーの材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００４９】
−金属−
前記金属としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛、又はこれらの合金などが挙げられる。これらの中でも、導電性に優れる点で、銀、及び銀との合金が好ましい。
【００５０】
前記銀との合金で使用する金属としては、金、白金、オスミウム、パラジウム、イリジウムなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５１】
−形状−
前記金属ナノワイヤーの形状としては、特に制限はない。目的に応じて適宜選択することができ、例えば、円柱状、直方体状、断面が多角形となる柱状など任意の形状をとることができる。高い透明性が必要とされる用途では、円柱状や断面の多角形の角が丸まっている断面形状であることが好ましい。
【００５２】
前記金属ナノワイヤーの断面形状は、基材上に金属ナノワイヤー水分散液を塗布し、断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察することにより調べることができる。
【００５３】
−平均短軸長さ径及び平均長軸長さ−
前記金属ナノワイヤーの平均短軸長さ（「平均短軸径」、「平均直径」と称することがある）としては、１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜４０ｎｍがより好ましく、１５ｎｍ〜３５ｎｍが更に好ましい。
【００５４】
前記平均短軸長さが、１ｎｍ未満であると、耐酸化性が悪化し、耐久性が悪くなることがあり、５０ｎｍを超えると、金属ナノワイヤー起因の散乱が生じ、十分な透明性を得ることができないことがある。
【００５５】
前記金属ナノワイヤーの平均短軸長さは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、３００個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から金属ナノワイヤーの平均短軸長さを求めた。なお、前記金属ナノワイヤーの短軸が円形でない場合の短軸長さは、最も長いものを短軸長さとした。
【００５６】
前記金属ナノワイヤーの平均長軸長さ（「平均長さ」と称することがある）としては、１μｍ〜５０μｍであることが好ましく、５μｍ〜４５μｍがより好ましく、１０μｍ〜４０μｍが更に好ましい。
【００５７】
前記平均長軸長さが、１μｍ未満であると、密なネットワークを形成することが難しく、十分な導電性を得ることができないことがあり、５０μｍを超えると、金属ナノワイヤーが長すぎて製造時に絡まり、製造過程で凝集物が生じてしまうことがある。
【００５８】
前記金属ナノワイヤーの平均長軸長さは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、３００個の金属ナノワイヤーを観察し、その平均値から金属ナノワイヤーの平均長軸長さを求めた。なお、前記金属ナノワイヤーが曲がっている場合、それを弧とする円を考慮し、その半径、及び曲率から算出される値を長軸長さとした。
【００５９】
−製造方法−
前記金属ナノワイヤーの製造方法としては、特に制限はなく、いかなる方法で製造してもよいが、以下のようにハロゲン化合物と分散添加剤とを溶解した溶媒中で加熱しながら金属イオンを還元することによって製造することが好ましい。
【００６０】
また、金属ナノワイヤーの製造方法としては、特開２００９−２１５５９４号公報、特開２００９−２４２８８０号公報、特開２００９−２９９１６２号公報、特開２０１０−８４１７３号公報、特開２０１０−８６７１４号公報などに記載の方法を用いることができる。
【００６１】
＜＜金属ナノチューブ＞＞
−材料−
前記金属ナノチューブの材料としては、特に制限はなく、いかなる金属であってもよく、例えば、前記した金属ナノワイヤーの材料などを使用することができる。
【００６２】
−形状−
前記金属ナノチューブの形状としては、単層であってもよく、多層であってもよいが、導電性及び熱伝導性に優れる点で単層が好ましい。
【００６３】
−平均短軸長さ、平均長軸長さ、厚み−
前記金属ナノチューブの厚み（外径と内径との差）としては、３ｎｍ〜８０ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜３０ｎｍがより好ましい。
【００６４】
前記厚みが、３ｎｍ未満であると、耐酸化性が悪化し、耐久性が悪くなることがあり、８０ｎｍを超えると、金属ナノチューブ起因の散乱が生じることがある。
【００６５】
前記金属ナノチューブの平均長軸長さは、１μｍ〜４０μｍが好ましく、３μｍ〜３５μｍがより好ましく、５μｍ〜３０μｍが更に好ましい。
【００６６】
＜＜カーボンナノチューブ＞＞
前記カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、グラファイト状炭素原子面（グラフェンシート）が、単層あるいは多層の同軸管状になった物質である。前記単層のカーボンナノチューブはシングルウォールナノチューブ（ＳＷＮＴ）、前記多層のカーボンナノチューブはマルチウォールナノチューブ（ＭＷＮＴ）と呼ばれ、特に、２層のカーボンナノチューブはダブルウォールナノチューブ（ＤＷＮＴ）とも呼ばれる。本発明で用いられる導電性繊維において、前記カーボンナノチューブは、単層であってもよく、多層であってもよいが、導電性及び熱伝導性に優れる点で単層が好ましい。
【００６７】
−アスペクト比−
前記導電性繊維のアスペクト比としては、１０以上であることが好ましい。前記アスペクト比とは、一般的には繊維状の物質の長辺と短辺との比（平均長軸長さ／平均短軸長さの比）を意味する。
【００６８】
前記アスペクト比の測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、電子顕微鏡等により測定する方法などが挙げられる。
【００６９】
前記導電性繊維のアスペクト比を電子顕微鏡で測定する場合、前記導電性繊維のアスペクト比が１０以上であるか否かは、電子顕微鏡の１視野で確認できればよい。また、前記導電性繊維の長軸長さと短軸長さとを各々別に測定することによって、前記導電性繊維全体のアスペクト比を見積もることができる。
【００７０】
なお、前記導電性繊維がチューブ状の場合には、前記アスペクト比を算出するための直径としては、該チューブの外径を用いる。
【００７１】
前記導電性繊維のアスペクト比としては、１０以上であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０〜１，０００，０００が好ましく、１００〜１，０００，０００がより好ましい。
【００７２】
前記アスペクト比が、１０未満であると、前記導電性繊維によるネットワーク形成がなされず導電性が十分取れないことがあり、１，０００，０００を超えると、導電性繊維の形成時やその後の取り扱いにおいて、成膜前に導電性繊維が絡まり凝集するため、安定な液が得られないことがある。
【００７３】
−アスペクト比が１０以上の導電性繊維の比率−
前記アスペクト比が１０以上の導電性繊維の比率としては、全導電性組成物中に体積比で、５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、７５％以上が特に好ましい。これらの導電性繊維の割合を、以下、「導電性繊維の比率」と呼ぶことがある。
【００７４】
前記導電性繊維の比率が、５０％未満であると、導電性に寄与する導電性物質が減少し導電性が低下してしまうことがあり、同時に密なネットワークを形成できないために電圧集中が生じ、耐久性が低下してしまうことがある。また、導電性繊維以外の形状の粒子は、導電性に大きく寄与しない上に吸収を持つため好ましくない。特に金属の場合で、球形などのプラズモン吸収が強い場合には透明度が悪化してしまうことがある。
【００７５】
ここで、前記導電性繊維の比率は、例えば、導電性繊維が銀ナノワイヤーである場合には、銀ナノワイヤー水分散液をろ過して、銀ナノワイヤーと、それ以外の粒子とを分離し、ＩＣＰ発光分析装置を用いてろ紙に残っている銀の量と、ろ紙を透過した銀の量とを各々測定することで、導電性繊維の比率を求めることができる。ろ紙に残っている導電性繊維をＴＥＭで観察し、３００個の導電性繊維の短軸長さを観察し、その分布を調べることにより、短軸長さが２００ｎｍ以下であり、かつ長軸長さが１μｍ以上である導電性繊維であることを確認する。なお、ろ紙は、ＴＥＭ像で短軸長さが２００ｎｍ以下であり、かつ長軸長さが１μｍ以上である導電性繊維以外の粒子の最長軸を計測し、その最長軸の２倍以上であり、かつ導電性繊維の長軸の最短長以下の長さのものを用いることが好ましい。
【００７６】
ここで、前記導電性繊維の平均短軸長さ及び平均長軸長さは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）や光学顕微鏡を用い、ＴＥＭ像や光学顕微鏡像を観察することにより求めることができ、本発明においては、導電性繊維の平均短軸長さ及び平均長軸長さは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により３００個の導電性繊維を観察し、その平均値から求めたものである。
【００７７】
以下には、導電性繊維とバインダー（感光性樹脂）を一層に含有した導電層について記載したが、感光性樹脂を含有する感光層（パターニング材料）は導電性繊維を含有する導電層と必ずしも一体化していなくてもよく、導電層と感光層（パターニング層）が積層されていたり、導電層を被転写体に転写した後に感光層（パターニング層）を積層転写したり、レジスト材料を印刷してパターニング用マスクを形成してもよい。
【００７８】
＜＜バインダー＞＞
前記バインダーとしては、有機高分子重合体であって、分子（好ましくは、アクリル系共重合体を主鎖とする分子）中に少なくとも１つのアルカリ可溶性を促進する基（例えば
カルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基など）を有するアルカリ可溶性樹脂の中から適宜選択することができる。
【００７９】
これらの中でも、有機溶剤に可溶で弱アルカリ水溶液により現像可能なものが好ましく、また、酸解離性基を有し、酸の作用により酸解離性基が解離した時にアルカリ可溶となるものが特に好ましい。
【００８０】
ここで、前記酸解離性基とは、酸の存在下で解離することが可能な官能基を表す。
【００８１】
前記バインダーの製造には、例えば公知のラジカル重合法による方法を適用することができる。前記ラジカル重合法でアルカリ可溶性樹脂を製造する際の温度、圧力、ラジカル開始剤の種類及びその量、溶媒の種類等々の重合条件は、当業者において容易に設定可能であり、実験的に条件を定めることができる。
【００８２】
前記有機高分子重合体としては、側鎖にカルボン酸を有するポリマー（酸性基を有する感光性樹脂）が好ましい。
【００８３】
前記側鎖にカルボン酸を有するポリマーとしては、例えば特開昭５９−４４６１５号、特公昭５４−３４３２７号、特公昭５８−１２５７７号、特公昭５４−２５９５７号、特開昭５９−５３８３６号、特開昭５９−７１０４８号の各公報に記載されているような、メタクリル酸共重合体、アクリル酸共重合体、イタコン酸共重合体、クロトン酸共重合体、マレイン酸共重合体、部分エステル化マレイン酸共重合体等、並びに側鎖にカルボン酸を有する酸性セルロース誘導体、水酸基を有するポリマーに酸無水物を付加させたもの等であり、更に側鎖に（メタ）アクリロイル基を有する高分子重合体も好ましいものとして挙げられる。
【００８４】
これらの中でも、ベンジル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ベンジル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸／他のモノマーからなる多元共重合体が特に好ましい。
【００８５】
更に、側鎖に（メタ）アクリロイル基を有する高分子重合体や（メタ）アクリル酸／グリシジル（メタ）アクリレート／他のモノマーからなる多元共重合体も有用なものとして挙げられる。該ポリマーは任意の量で混合して用いることができる。
【００８６】
前記以外にも、特開平７−１４０６５４号公報に記載の、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート／ポリメチルメタクリレートマクロモノマー／ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／メチルメタクリレート／メタクリル酸共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー／ベンジルメタクレート／メタクリル酸共重合体、などが挙げられる。
【００８７】
前記アルカリ可溶性樹脂における具体的な構成単位としては、（メタ）アクリル酸と、該（メタ）アクリル酸と共重合可能な他の単量体とが好適である。
【００８８】
前記（メタ）アクリル酸と共重合可能な他の単量体としては、例えばアルキル（メタ）アクリレート、アリール（メタ）アクリレート、ビニル化合物などが挙げられる。これらは、アルキル基及びアリール基の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。
【００８９】
前記アルキル（メタ）アクリレート又はアリール（メタ）アクリレートとしては、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、トリル（メタ）アクリレート、ナフチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００９０】
前記ビニル化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、グリシジルメタクリレート、アクリロニトリル、ビニルアセテート、Ｎ−ビニルピロリドン、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ポリスチレンマクロモノマー、ポリメチルメタクリレートマクロモノマー、ＣＨ２＝ＣＲ１Ｒ２、ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）（ＣＯＯＲ３）〔ただし、Ｒ１は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ２は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環を表し、Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数６〜１２のアラルキル基を表す。〕、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００９１】
前記バインダーの重量平均分子量は、アルカリ溶解速度、膜物性等の点から、１，０００〜５００，０００が好ましく、３，０００〜３００，０００がより好ましく、５，０００〜２００，０００が更に好ましい。
【００９２】
ここで、前記重量平均分子量は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィ法により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて求めることができる。
【００９３】
前記バインダーの含有量は、前記導電層全体に対し４０質量％〜９５質量％であることが好ましく、５０質量％〜９０質量％がより好ましく、７０質量％〜９０質量％が更に好ましい。前記含有量の範囲にあると、現像性と金属ナノワイヤーの導電性の両立が図れる。
【００９４】
−感光性化合物−
前記感光性化合物とは、露光により画像を形成する機能を導電層に付与するか、又はそのきっかけを与える化合物を意味する。具体的には、（１）露光による酸を発生する化合物（光酸発生剤）、（２）感光性のキノンジアジド化合物、（３）光ラジカル発生剤等を挙げることができる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、感度調整のために、増感剤などを併用して用いることもできる。
【００９５】
−−（１）光酸発生剤−−
前記（１）光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【００９６】
前記（１）光酸発生剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、ｏ−ニトロベンジルスルホネートなどが挙げられる。これらの中でも、スルホン酸を発生する化合物であるイミドスルホネート、オキシムスルホネート、ｏ−ニトロベンジルスルホネートが特に好ましい。
【００９７】
また、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物を樹脂の主鎖又は側鎖に導入した化合物、例えば、米国特許第３，８４９，１３７号明細書、独国特許第３９１４４０７号明細書、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号の各公報等に記載の化合物を用いることができる。
【００９８】
更に、米国特許第３,７７９,７７８号、欧州特許第１２６,７１２号等の各明細書に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【００９９】
−−（２）キノンジアジド化合物−−
前記（２）キノンジアジド化合物としては、例えば、１，２−キノンジアジドスルホニルクロリド類、ヒドロキシ化合物、アミノ化合物などを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られる。
【０１００】
前記（１）光酸発生剤、及び前記（２）キノンジアジド化合物の配合量は、露光部と未露光部の溶解速度差と、感度の許容幅の点から、前記バインダーの総量１００質量部に対して、１質量部〜１００質量部であることが好ましく、３質量部〜８０質量部がより好ましい。
【０１０１】
なお、前記（１）光酸発生剤と、前記（２）キノンジアジド化合物とを併用してもよい。
【０１０２】
本発明においては、前記（１）光酸発生剤の中でもスルホン酸を発生する化合物が好ましく、下記のようなオキシムスルホネート化合物が高感度である観点から特に好ましい。
【０１０３】
【化１】
0005721601.tif 000002
【０１０４】
前記（２）キノンジアジド化合物として、１，２−ナフトキノンジアジド基を有する化合物を用いると高感度で現像性が良好である。
【０１０５】
前記（２）キノンジアジド化合物の中で下記の化合物でＤが独立して水素原子又は１，２−ナフトキノンジアジド基であるものが高感度である観点から好ましい。
【０１０６】
【化２】
0005721601.tif 000003
【０１０７】
−−（３）光ラジカル発生剤−−
前記光ラジカル発生剤は、光を直接吸収し、又は光増感されて分解反応若しくは水素引き抜き反応を起こし、重合活性ラジカルを発生する機能を有する。前記光ラジカル発生剤は波長３００ｎｍ〜５００ｎｍの領域に吸収を有するものであることが好ましい。
【０１０８】
前記光ラジカル発生剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記光ラジカル発生剤の含有量は、透明導電膜用の塗布液全固形量に対して、０．１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜３０質量％がより好ましく、１質量％〜２０質量％が更に好ましい。前記数値範囲において、良好な感度とパターン形成性が得られる。
【０１０９】
前記光ラジカル発生剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば特開２００８−２６８８８４号公報に記載の化合物群が挙げられる。これらの中でも、トリアジン系化合物、アセトフェノン系化合物、アシルホスフィン（オキシド）系化合物、オキシム系化合物、イミダゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物が露光感度の観点から特に好ましい。
【０１１０】
前記光ラジカル発生剤としては、露光感度と透明性の観点から、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノベンゾフェノン、１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（ｏ−ベンゾイルオキシム）］が好適である。
【０１１１】
透明導電膜用の塗布液は、露光感度向上のために、光ラジカル発生剤と連鎖移動剤を併用してもよい。
【０１１２】
前記連鎖移動剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステルなどのＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ安息香酸アルキルエステル、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、Ｎ−フェニルメルカプトベンゾイミダゾール、１，３，５−トリス（３−メルカブトブチルオキシエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオンなどの複素環を有するメルカプト化合物、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）、１，４−ビス（３−メルカプトブチリルオキシ）ブタンなどの脂肪族多官能メルカプト化合物などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１１３】
前記連鎖移動剤の含有量は、前記透明導電膜用の塗布液の全固形分に対し、０．０１質量％〜１５質量％が好ましく、０．１質量％〜１０質量％がより好ましく、０．５質量％〜５質量％が更に好ましい。
【０１１４】
−その他の成分−
前記その他の成分としては、例えば架橋剤、分散剤、溶媒、界面活性剤、酸化防止剤、硫化防止剤、金属腐食防止剤、粘度調整剤、防腐剤等の各種の添加剤などが挙げられる。
【０１１５】
−−架橋剤−−
前記架橋剤は、フリーラジカル又は酸及び熱により化学結合を形成し、導電層を硬化させる化合物であり、例えばメチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも１つの基で置換されたメラミン系化合物、グアナミン系化合物、グリコールウリル系化合物、ウレア系化合物、フェノール系化合物もしくはフェノールのエーテル化合物、エポキシ系化合物、オキセタン系化合物、チオエポキシ系化合物、イソシアネート系化合物、又はアジド系化合物；メタクリロイル基又はアクリロイル基などを含むエチレン性不飽和基を有する化合物、などが挙げられる。これらの中でも、膜物性、耐熱性、溶剤耐性の点でエポキシ系化合物、オキセタン系化合物、エチレン性不飽和基を有する化合物が特に好ましい。
【０１１６】
また、前記オキセタン樹脂は、１種単独で又はエポキシ樹脂と混合して使用することができる。特にエポキシ樹脂との併用で用いた場合には反応性が高く、膜物性を向上させる観点から好ましい。
【０１１７】
前記架橋剤の含有量は、前記バインダー総量１００質量部に対して、１質量部〜２５０質量部が好ましく、３質量部〜２００質量部がより好ましい。
【０１１８】
−−分散剤−−
前記分散剤は、前記導電性繊維の凝集を防ぎ、分散させるために用いる。前記分散剤としては、前記導電性繊維を分散させることができれば特に制限はなく、目的に応じて適否選択することができ、例えば、市販の低分子顔料分散剤、高分子顔料分散剤を利用でき、特に高分子分散剤で導電性繊維に吸着する性質を持つものが好ましく用いられ、例えばポリビニルピロリドン、ＢＹＫシリーズ（ビックケミー社製）、ソルスパースシリーズ（日本ルーブリゾール社製など）、アジスパーシリーズ（味の素株式会社製）などが挙げられる。
【０１１９】
前記分散剤の含有量としては、前記バインダー１００質量部に対し、０．１質量部〜５０質量部が好ましく、０．５質量部〜４０質量部がより好ましく、１質量部〜３０質量部が特に好ましい。
【０１２０】
前記含有量が、０．１質量部未満であると、分散液中で導電性繊維が凝集してしまうことがあり、５０質量部を超えると、塗布工程において安定な液膜が形成できず、塗布ムラが発生することがある。
【０１２１】
−−溶媒−−
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、乳酸エチル、３−メトキシブタノール、水、１−メトキシ−２−プロパノール、イソプロピルアセテート、乳酸メチル、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、プロピレンカーボネート、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１２２】
−−金属腐食防止剤−−
前記金属腐食防止剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばチオール類、アゾール類などが好適である。
【０１２３】
前記金属腐食防止剤を含有することで、一段と優れた防錆効果を発揮することができる。
【０１２４】
前記金属腐食防止剤は透明導電膜用の塗布液に溶解した中に、適した溶媒で溶解した状態、又は粉末で添加するか、後述する透明導電膜用の塗布液による導電膜を作製後に、これを金属腐食防止剤浴に浸すことで付与することができる。
【０１２５】
次に、図４〜図６を参照しながら転写方法を利用したタッチパネルの製造方法について説明する。
【０１２６】
（導電層転写材料）
タッチパネルの製造方法において導電層転写材料が使用される。転写基材と、該転写基材上に、被転写体への転写均一性を向上させるためのクッション層と、バインダーと導電性繊維を含有する導電層とをこの順に有してなる。前記導電層転写材料は、前記導電層の上に、密着層を有していることが好ましく、必要に応じて防汚層、ＵＶカット層、反射防止層等のその他の層を有していてもよい。また、導電層等の機能層の傷付き防止や性能劣化防止のために、易接着性の保護フィルムを積層していてもよい。
【０１２７】
前記導電層転写材料は、上記構成を備えていればその形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられ、前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
【０１２８】
前記導電層転写材料は、可撓性を有し、透明であることが好ましく、前記透明には、無色透明のほか、有色透明、半透明、有色半透明などが含まれる。
【０１２９】
ここで、図４は、導電層転写材料の一例を示す概略図である。この図４の導電層転写材料６は、転写基材１と、該基材の一の面にクッション層２及び導電層３をこの順に有している。
【０１３０】
また、図５は、導電層転写材料の他の一例を示す概略図である。この図５の導電層転写材料７は、図４の導電層転写材料６において、導電層３の上に密着層４を設けたものである。
【０１３１】
なお、図示を省略しているが、前記導電層転写材料における導電層はパターニングされていてもよく、パターニングされてなくてもよい。前記パターニングとしては、既存のＩＴＯ透明導電膜で施されている電極形状が挙げられる。具体的には、ＷＯ２００５／１１４３６９号パンフレット、ＷＯ２００４／０６１８０８号パンフレット、特開２０１０−３３４７８号公報、特開２０１０−４４４５３号公報に開示されているストライプ形状のパターン、ダイヤモンドパターンと呼ばれているものなどが挙げられる。
【０１３２】
前記導電層と前記クッション層の合計平均厚みＡと、前記転写基材の平均厚みＢとが、次式、Ａ／Ｂ＝０．０１〜０．７を満たし、Ａ／Ｂ＝０．０２〜０．６を満たしていることが好ましい。前記Ａ／Ｂが、０．０１未満であると、被転写体への転写均一性が低くなることがあり、０．７を超えると、カールバランスが崩れてしまうことがある。
【０１３３】
前記転写基材の平均厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１μｍ〜５００μｍが好ましく、３μｍ〜４００μｍがより好ましく、５μｍ〜３００μｍが更に好ましい。
【０１３４】
前記平均厚みが、１μｍ未満であると、導電層転写材料のハンドリングが難しくなることがあり、５００μｍを超えると、転写基材の剛性が高くなり、転写均一性が損なわれることがある。
【０１３５】
前記導電層の平均厚みは、０．０１μｍ〜２μｍであることが好ましく、０．０３μｍ〜１μｍであることがより好ましい。前記平均厚みが、０．０１μｍ未満であると、導電性の面内分布が不均一になることがあり、２μｍを超えると、透過率が低くなり、透明性が損なわれてしまうことがある。
【０１３６】
前記クッション層の平均厚みは、１μｍ〜５０μｍであることが好ましく、１μｍ〜３０μｍであることがより好ましく、５μｍ〜２０μｍであることがより好ましい。前記平均厚みが、１μｍ未満であると、転写均一性が損なわれることがあり、５０μｍを超えると、転写材料のカールバランスが低くなることがある。
【０１３７】
ここで、前記転写基材の平均厚み、前記導電層の平均厚み、及び前記クッション層の平均厚みは、例えばミクロトーム切削で材料の断面を出した後ＳＥＭ観察することにより、あるいはエポキシ樹脂で包埋した後ミクロトームで作製した切片をＴＥＭ観察することにより測定することができる。これら各層の平均厚みは、１０箇所測定の平均値である。
【０１３８】
＜転写基材＞
前記転写基材の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられる。前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられる。前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
【０１３９】
前記転写基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、透明ガラス基板、合成樹脂製シート（フィルム）、金属基板、セラミック板、光電変換素子を有する半導体基板などが挙げられる。前記基板には、所望により、シランカップリング剤等の薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、気相反応法、真空蒸着などの前処理を行うことができる。
【０１４０】
前記透明ガラス基板としては、例えば、白板ガラス、青板ガラス、シリカコート青板ガラスなどが挙げられる。また近年開発された厚みが１０μｍ〜数百μｍの薄層ガラス基材でもよい。
【０１４１】
前記合成樹脂製シートとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート、ポリカーボネートシート、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）シート、ポリエーテルスルホンシート、ポリエステルシート、アクリル樹脂シート、塩化ビニル樹脂シート、芳香族ポリアミド樹脂シート、ポリアミドイミドシート、ポリイミドシートなどが挙げられる。
【０１４２】
前記金属基板としては、例えば、アルミニウム板、銅板、ニッケル板、ステンレス板などが挙げられる。
【０１４３】
前記転写基材の全可視光透過率としては、７０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましい。前記全可視光透過率が、７０％未満であると、透過率が低く実用上問題となることがある。
【０１４４】
なお、本発明では、転写基材として本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。
【０１４５】
＜クッション層＞
前記クッション層の形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、膜状、シート状などが挙げられる。前記構造としては、単層構造、積層構造などが挙げられる。前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
【０１４６】
前記クッション層は、被転写体との転写性を向上させる役割を果たす層であり、少なくともポリマーを含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【０１４７】
−ポリマー−
前記ポリマーとしては、加熱時に軟化する熱可塑性樹脂であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアクリル樹脂、スチレン−アクリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリ塩化ビニルゼラチン；セルロースナイトレート、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート等のセルロースエステル；塩化ビニリデン、塩化ビニル、スチレン、アクリロニトリル、酢酸ビニル、アルキル（炭素数１〜４）アクリレート、ビニルピロリドン等を含むホモポリマー又は共重合体、可溶性ポリエステル、ポリカーボネート、可溶性ポリアミドなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１４８】
前記クッション層に用いるポリマーは、加熱により軟化する熱可塑性樹脂が好ましい。クッション層のガラス転移温度は４０℃から１５０℃であることが好ましい。４０℃より低いと室温で軟らかすぎてハンドリング性に劣ることがあり、１５０℃より高いと熱ラミネート方式でクッション層が軟化せず導電層の転写性が劣ることがある。また可塑剤等の添加により、ガラス転移温度を調整してもよい。
【０１４９】
前記その他の成分として、特開平５−７２７２４号公報の段落［０００７］以降に記載されている有機高分子物質、前記転写基材との接着力を調節するための各種可塑剤、過冷却物質、密着改良剤、界面活性剤、離型剤、熱重合禁止剤、溶剤などが挙げられる。
【０１５０】
前記クッション層は、前記ポリマー、及び必要に応じて前記その他の成分を含有するクッション層用途布液を転写基材上に塗布し、乾燥させることにより形成することができる。
【０１５１】
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フィラー、界面活性剤、酸化防止剤、硫化防止剤、金属腐食防止剤、粘度調整剤、防腐剤等の各種添加剤などが挙げられる。
【０１５２】
前記クッション層は、前記ポリマー、及び必要に応じて前記その他の成分を含有するクッション層用途布液を基材上に塗布し、乾燥させることにより形成することができる。
【０１５３】
前記塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばロールコート法、バーコート法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、キャスティング法、ダイコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、などが挙げられる。
【０１５４】
ここで、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明の導電層転写材料６を用いた転写方法の一例を示す図である。
【０１５５】
図６（Ａ）に示す転写基材１と、該転写基材の一の面にクッション層２及び導電層３をこの順に有している導電層転写材料６のクッション層２及び導電層３を被転写体としてのガラス基板８（タッチパネルの透明基板に相当）にラミネーターを用いて加圧、加熱して貼り合わせる（図６（Ｂ）参照）。続いて、転写基材１を剥離することにより、クッション層２及び導電層３がガラス基板８に転写される（図６（Ｃ）参照）。
【０１５６】
転写基材１上の導電層３をガラス基板８上に転写するとき、ガラス基板８が９０℃以上1２０℃以下の温度範囲であることが好ましい。この範囲とすることにより導電層が絶縁化することなく、導電層３をガラス基板８上に転写することができる。基板温度が９０℃未満の場合、導電層３はガラス基板８上に転写できず、１２０℃を超えると導電性繊維が熱により変形を起こし、導電層３が絶縁化する。
【０１５７】
また、転写基材１上の導電層３をガラス基板８上に転写するとき、転写圧力が０．４ＭＰａ以上０．８ＭＰａ以下の範囲であることが好ましい。この範囲とすることにより断線なしに導電層３をガラス基板８上に転写することができる。0.4ＭＰa未満の転写圧力だと転写の際の圧力不足により、ガラス基板に導電層が転写されず、また０．８MPａを超えると転写圧力により、導電性繊維が潰されて導電層が断線する。
【０１５８】
次いで、導電層３をガラス基板８上に転写後、導電層３を露光、現像することにより、複数の第１透明導電パターン、及び複数の第２透明導電パターンが形成される。
【０１５９】
上述の工程を経てタッチパネルを製造することができる。
【実施例】
【０１６０】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【０１６１】
（合成例１）
＜バインダー（Ａ−１）の合成＞
共重合体を構成するモノマー成分としてメタクリル酸（ＭＡＡ）７．７９ｇ、ベンジルメタクリレート（ＢｚＭＡ）３７．２１ｇを使用し、ラジカル重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．５ｇを使用し、これらを溶剤プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）５５．００ｇ中において重合反応させることにより、下記式で表されるバインダー（Ａ−１）のＰＧＭＥＡ溶液（固形分濃度：４５質量％）を得た。なお、重合温度は、温度６０℃乃至１００℃に調整した。
【０１６２】
バインダー（Ａ−１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィ法（ＧＰＣ）を用いて測定した結果、ポリスチレン換算による重量平均分子量（Ｍｗ）が３０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．２１であった。
【０１６３】
【化３】
0005721601.tif 000004
【０１６４】
（調製例１）
−銀ナノワイヤー水分散液の調製−
予め、下記の添加液Ａ、Ｇ、及びＨを調製した。
【０１６５】
〔添加液Ａ〕
硝酸銀粉末０．５１ｇを純水５０ｍＬに溶解した。その後、１Ｎのアンモニア水を透明になるまで添加した。そして、全量が１００ｍＬになるように純水を添加した。
【０１６６】
〔添加液Ｇ〕
グルコース粉末０．５ｇを１４０ｍＬの純水で溶解して、添加液Ｇを調製した。
【０１６７】
〔添加液Ｈ〕
ＨＴＡＢ（ヘキサデシル−トリメチルアンモニウムブロミド）粉末０．５ｇを２７．５ｍＬの純水で溶解して、添加液Ｈを調製した。
【０１６８】
次に、以下のようにして、銀ナノワイヤー水分散液を調製した。
【０１６９】
純水４１０ｍＬを三口フラスコ内に入れ、２０℃にて攪拌しながら、添加液Ｈ  ８２．５ｍＬ、及び添加液Ｇ  ２０６ｍＬをロートにて添加した（一段目）。この液に、添加液Ａ  ２０６ｍＬを流量２．０ｍＬ／ｍｉｎ、攪拌回転数８００ｒｐｍで添加した（二段目）。その１０分間後、添加液Ｈを８２．５ｍＬ添加した（三段目）。その後、３℃／分で内温７５℃まで昇温した。その後、攪拌回転数を２００ｒｐｍに落とし、５時間加熱した。
【０１７０】
得られた水分散液を冷却した後、限外濾過モジュールＳＩＰ１０１３（旭化成株式会社製、分画分子量６，０００）、マグネットポンプ、及びステンレスカップをシリコーン製チューブで接続し、限外濾過装置とした。
【０１７１】
得られた水分散液（水溶液）をステンレスカップに入れ、ポンプを稼動させて限外濾過を行った。モジュールからの濾液が５０ｍＬになった時点で、ステンレスカップに９５０ｍＬの蒸留水を加え、洗浄を行った。前記の洗浄を伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下になるまで繰り返した後、濃縮を行い、調製例１の銀ナノワイヤー水分散液を得た。
【０１７２】
得られた調製例１の銀ナノワイヤー水分散液中の銀ナノワイヤーについて、以下のようにして、平均短軸長さ、平均長軸長さを測定した。結果を表１に示す。
【０１７３】
＜銀ナノワイヤーの平均短軸長さ（平均直径）及び平均長軸長さ＞
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、３００個の銀ナノワイヤーを観察し、銀ナノワイヤーの平均短軸長さ及び平均長軸長さを求めた。
【０１７４】
＜銀ナノワイヤーの短軸長さの変動係数＞
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ；日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２０００ＦＸ）を用い、銀ナノワイヤーの短軸長さを３００個観察し、ろ紙を透過した銀の量を各々測定し、短軸長さが５０ｎｍ以下であり、かつ長軸長さが５μｍ以上である銀ナノワイヤーをアスペクト比が１０以上の銀ナノワイヤーの比率（％）として求めた。
【０１７５】
なお、銀ナノワイヤーの比率を求める際の銀ナノワイヤーの分離は、メンブレンフィルター（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ社製、ＦＡＬＰ  ０２５００、孔径１．０μｍ）を用いて行った。
【０１７６】
【表１】
0005721601.tif 000005
【０１７７】
＜試料Ｎｏ．１０１の導電層転写材料＞
＜＜クッション層の形成＞＞
基材としての平均厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、下記組成のクッション層用塗布液を塗布し、乾燥させて、平均厚み１０μｍのクッション層を形成した。
【０１７８】
−クッション層用塗布液の組成−
・メチルメタクリレート／２−エチルヘキシルアクリレート／ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体（共重合組成比（モル比）＝５５／３０／１０／５、重量平均分子量＝１０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）＝７０℃）・・・６．０質量部
・スチレン／アクリル酸共重合体（共重合組成比（モル比）＝６５／３５、重量平均分子量＝１万、ガラス転移温度（Ｔｇ）＝１００℃）・・・１４．０質量部
・ＢＰＥ−５００（新中村化学株式会社製）・・・９．０質量部
・メガファックＦ−７８０−Ｆ（大日本インキ化学工業株式会社製）・・・０．５質量部
・メタノール・・・１０．０質量部
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート・・・５．０質量部
・メチルエチルケトン・・・５５．５質量部
＜＜導電層の作製＞＞
−銀ナノワイヤーのＭＦＧ分散液（Ａｇ−１）の調製−
調製例１の銀ナノワイヤーの水分散液へ、ポリビニルピロリドン（Ｋ−３０、和光純薬工業株式会社製）と１−メトキシ−２−プロパノール（ＭＦＧ）を添加し、遠心分離の後、デカンテーションにて上澄みの水を除去し、ＭＦＧを添加し、再分散を行い、その操作を３回繰り返し、銀ナノワイヤーのＭＦＧ分散液（Ａｇ−１）を得た。最後のＭＦＧの添加量は銀の含有量が、銀１質量％となるように調節した。
【０１７９】
−ネガ型導電層用組成物の調製−
合成例１のバインダー（Ａ−１）０．２４１質量部、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ（日本化薬株式会社製）０．２５２質量部、ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製）０．０２５２質量部、架橋剤としてのＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学株式会社製）０．０２３７質量部、メガファックＦ７８１Ｆ（ＤＩＣ株式会社製）０．０００３質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）０．９６１１質量部、及び１−メトキシ−２−プロパノール（ＭＦＧ）４４．３質量部、前記銀ナノワイヤーのＭＦＧ分散液（Ａｇ−１）を１８．０質量部加え、攪拌し、ネガ型導電層用組成物を調製した。
【０１８０】
−導電層の形成−
得られたネガ型導電層用組成物を、前記クッション層を形成したフィルム上に塗布し、乾燥させて、平均厚み０．１μｍの導電層を形成した。以上により、試料Ｎｏ．１０１の導電層転写材料を作製した。
【０１８１】
＜透明導電膜の形成＞
以下の方法にて、透明導電膜の形成を行った。
【０１８２】
〔被転写体〕
厚み０．７ｍｍのガラス基板上に、金属層と前記金属層の一部を露出するための開口を有する形状の異なる絶縁膜とを備える複数の被転写体を準備した。
【０１８３】
〔転写〕
被転写体（厚み０．７ｍｍのガラス基板）に、前記導電層転写材料の導電層及びクッション層を転写した。なお、クッション層は、シャワー現像により除去される。
【０１８４】
〔露光〕
マスク上から、高圧水銀灯ｉ線（３６５ｎｍ）を４０ｍＪ／ｃｍ２（照度２０ｍＷ／ｃｍ２）露光を行った。なお、本導電膜はネガ型導電層組成物より構成されている為に、ｉ線が照射された部分に透明導電膜は形成される。
【０１８５】
〔現像〕
露光後の基板を、純水５，０００ｇに炭酸水素ナトリウム５ｇと炭酸ナトリウム２．５ｇを溶解した現像液でシャワー現像３０秒間（シャワー圧０．０４ＭＰａ）を行った。次に、純水のシャワーでリンスした。
【０１８６】
〔接続構造〕
図７（Ａ）〜（Ｃ）は金属層１００（周辺配線に相当）、絶縁膜１０２、銀ナノワイヤーを含む透明導電膜１０４（透明導電パターンに相当）で構成される接続構造１〜３を示す。接続構造１〜３に関して、絶縁膜１０２は一方向法を開放するＵ字形状を有しており、かつ透明導電膜１０４は、金属層１００の露出部をすべて覆う。接続構造１では、絶縁膜１０２の開放方向が透明導電膜１０４の延長する方向と同じ方向である。接続構造２では、絶縁膜１０２の開放方向は透明導電膜１０４の延長する方向と反対の方向である。接続構造３では、絶縁膜１０２の開放方向は透明導電膜１０４の延長する方向と直交する方向である。
【０１８７】
図８（Ａ），（Ｂ）は金属層１００、絶縁膜１０２、透明導電膜１０４で構成される接続構造４，５を示す。接続構造４では、絶縁膜１０２は、金属層１００の露出部を囲む矩形であり、開放部を備えていない。透明導電膜１０４は金属層１００の露出部をすべて覆う。
【０１８８】
接続構造５では、絶縁膜１０２の開放方向は透明導電膜１０４の延長する方向と反対の方向であり、透明導電膜１０４は金属層１００の露出部の一部のみを覆う。
【０１８９】
〔製造条件〕
接続構造１〜５に対して、絶縁膜１０２の厚さ、絶縁膜１０２の開口長、転写時のガラス基板の温度、転写圧力、及び透明導電膜１０４の厚さの異なる複数のサンプル１〜２１を準備した。
【０１９０】
〔評価〕
サンプル１〜２１に関して、金属層１００と透明導電膜１０４とのコンタクト性、及び金属層１００の腐食性について評価した。コンタクト性について、テスタを用いて、金属層１００と透明導電膜１０４と間の抵抗値を測定することにより評価を行った。抵抗値が１ＭΩ以上のものはコンタクト性不良と判断した。腐食性について、サンプルをアルカリ現像液（水酸化カリウム水溶液）に10分間浸漬し、腐食の有無で評価を行った。図９に示す表は、サンプル１〜２１の製造条件と評価結果とを示す。
【０１９１】
サンプル１〜３は、絶縁膜１０２が平面視でＵ字形状を有し、開口長／膜厚が２５以上であるので、コンタクト性、腐食性について良好な結果が得られた。サンプル４は、絶縁膜１０２が露出部を囲む矩形であり、開放部を備えていないので、コンタクト性について良好な結果が得られなかった。サンプル５について、金属層１００の一部が透明導電膜１０４で被覆されていないので、腐食性について良好な結果が得られなかった。
【０１９２】
サンプル６〜２１は、接続構造２を適用した。サンプル８，９について、開口長／膜厚が２５以下であったので、コンタクト性について良好な結果が得られなかった。
【０１９３】
サンプル１６，２０について、透明導電膜１０４が転写されなかったので、コンタクト性について良好な結果が得られなかった。
【符号の説明】
【０１９４】
１０…タッチパネル、２０…透明基板、３０…第１透明導電パターン、３２…第１感知部、３４…第１接続部、３６…接続部、３８…第１絶縁膜、４０…第２透明導電パターン、４２…第２感知部、４４…第２接続部、４６…接続部、４０…第２絶縁膜、５０…絶縁膜、６０…第１周辺配線、７０…第２周辺配線、Ｓ…センサエリア
【図１】
0005721601.tif 000006
【図２】
0005721601.tif 000007
【図３】
0005721601.tif 000008
【図４】
0005721601.tif 000009
【図５】
0005721601.tif 000010
【図６】
0005721601.tif 000011
【図７】
0005721601.tif 000012
【図８】
0005721601.tif 000013
【図９】
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