(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体キャリアフィルム上に実装された複数の半導体デバイスの良否を識別する半導体デバイスの試験装置であって、
該複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う測定部を含む一または複数のハンドラー装置と、該一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、該データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有し、
該集中パンチ装置は、該テープマップデータ内の空デバイス位置と該不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く半導体デバイスの試験装置。
【請求項２】
前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該不良デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該不良デバイスのアドレス位置を照合する請求項１に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項３】
前記空デバイス位置は、半導体キャリアフィルム不良として「デバイスなし状態」で予め打ち抜かれているアドレスデータである請求項１に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項４】
前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く請求項１に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項５】
前記複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の不良デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の不良デバイス検出率を検出した場合に、当該不良デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理し、
前記データベースのテープマップデータにおける不良品デバイスデータが、再測定試験の結果データとしての良品デバイスデータにテープマップ合成されて変更される請求項１に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項６】
前記ハンドラー装置で測定試験した測定試験結果として、良否識別情報の他に複数のランク情報が付加されて前記データベースに前記テープマップデータとして格納されており、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該複数のランク情報のうちの一のランク情報の半導体デバイスを残して、それ以外のランク情報の半導体デバイスが、前記集中パンチ装置により前記データベースのテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、該打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープ再編成される請求項１に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項７】
前記テープマップデータ内の空デバイス位置と、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く請求項６に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項８】
前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレス位置を照合する請求項７に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項９】
前記ハンドラー装置が、前記半導体キャリアフィルム上に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にＩＣテスタの接触子を接触導通させて該半導体キャリアフィルム内の各半導体デバイスの良否識別を含むランク識別の測定試験を行う請求項６に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項１０】
前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く請求項７に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項１１】
前記複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の所定ランク情報の半導体デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の所定ランク情報半導体デバイスの検出率を検出した場合に、当該所定ランク情報半導体デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理し、
前記データベースのテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータが、再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成されて変更される請求項７に記載の半導体デバイスの試験装置。
【請求項１２】
複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスまたは所定ランクデバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜くものであり、
該テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く集中パンチ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体キャリアフィルム上に実装された半導体デバイスとしての液晶ドライバなどの半導体集積回路が良品であるかまたは不良品であるかを識別する半導体デバイスの試験装置およびこれに用いられる集中パンチ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の従来の半導体デバイスの試験装置では、半導体キャリアフィルムとしてのＴＣＰ（テープキャリヤパッケージ）デバイスの特徴として、複数の半導体デバイスが並べられてテープ状に実装されており個片にできないため、良品と不良品とが同一テープ上に搭載されているという特徴がある。このため、テープに並べられた複数の半導体デバイスが良品であるかまたは不良品であるかを識別する必要がある。このため、複数の半導体デバイスの良否識別手法として、良品にマークパンチする手法（良品マークパンチ）かまたは、不良デバイスを打抜きする手法を各社採用している。
【０００３】
特許文献１には、半導体集積回路の試験装置および試験手法として、試験結果によるエラー閾値を算出して、継続試験を実施するか不良デバイスを打抜くかを決定する試験手法が開示されている。
【０００４】
図７は、特許文献１に開示されている従来の半導体デバイスの試験装置の要部構成例を示す側面図である。
【０００５】
図７に示すように、従来の半導体デバイスの試験装置１００は、ハンドラー装置１１０とテスタ１２０とを有している。
【０００６】
ハンドラー装置１１０は、送り出しリール１１１ａ、巻き取りリール１１１ｂ、テープキャリア１１２、ＴＣＰデバイス（半導体集積回路）１１２ａ、テープキャリア巻き取り手段である巻き取り部１１３、パンチャー１１４およびハンドラー制御装置１１５を備えている。
【０００７】
テスタ１２０は、プローブカード１２１、テストヘッド１２２およびテスタ制御装置１２３を備えている。案内ローラ１１６，１１７間に、プローブカード１２１、巻き取り部１１３およびパンチャー１１４がこの順に配置されている。また、巻き取り部１１３は、３つの案内ローラ１１３ａ、１１３ｂおよび１１３ｃを含んでいる。
【０００８】
ハンドラー制御装置１１５は、ハンドラー１１０全体の制御を行う。テスタ制御装置１２３はテスタ１２０全体の制御を行う。これらハンドラー制御装置１１５とテスタ制御装置１２３とはＧＰＩＢ（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐｕｒｐｏｓｅ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｂｕｓ：バス規格の一つ）などのインタフェースにより接続されており、相互に制御し合うように構成されている。
【０００９】
上記構成により、ハンドラー装置１１０内の送り出しリール１１１ａにセットされ、複数のＴＣＰデバイス１１２ａがテープ上に搭載されたテープキャリア１１２は、１デバイス毎に送り出しリール１１１ａより送り出される。送り出されたテープキャリア１１２上のＴＣＰデバイス１１２ａは、一個づつ、順次に、テスタ１２０のテストヘッド１２２上のプローブカード１２１にセットされる。ハンドラー制御装置１１５は、ＴＣＰデバイス１１２ａがプローブカード１２１にセットされると、テスタ制御装置１２３に対してテストスタート信号を出力し、テスタ１２０はこれを受けて試験を開始し、その試験結果の良否判定結果をハンドラー制御装置１１５に返す。
【００１０】
この場合、ハンドラー制御装置１１５において、エラー率算出手段により算出されたエラー率を、記憶部から読み出されたエラー率しきい値とエラー率比較手段で比較し、エラー率比較手段による比較の結果、エラー率算出手段により算出されたエラー率がエラー率しきい値を超えた場合に、試験装置側の接触不良など試験装置側が不調である場合があるので、打ち抜き停止手段が、パンチャー１１４による半導体集積回路の打ち抜きを停止する信号をパンチャー１１４に出力する。例えば、テスタ側の接触不良で所定数が連続して不良になる場合に、試験装置を止めて試験装置を再起動した場合に不良ではなくなる場合もあり得る。これによって、停止以後のデバイスを打ち抜くことなく、その後に不良デバイスになって打ち抜かれることを救済すると共に、必要に応じて巻き取り部１１３の半導体集積回路の再試験を実施して、巻き取り部１１３内で不良デバイスであったものを救済することもできる。
【００１１】
次に、特許文献２には、試験測定前後のＴＡＢを画像認識するＴＡＢ試験装置が開示されている。
【００１２】
図８は、特許文献２に開示されている従来のＴＡＢ試験装置の要部構成例を示す側面図である。
【００１３】
図８に示すように、従来のＴＡＢ試験装置２００において、供給リール２０１はテープキャリア２０２を装着し、収容リール２０３は電気試験または分類識別されたテープキャリア２０２を巻き取り、プッシャ２０４はテープキャリア２０２を押下することによりＴＡＢをＩＣテスタに接触導通させる。スプロケット２０５ａとスプロケット２０５ｂは同期して回転することによりテープキャリア２０２を移送し、パンチユニット２０６は電気試験の結果によりテープキャリア２０２のＴＡＢに識別穴を開け、またはＩＣチップを打ち抜く。撮像カメラ２０７は光源２０８の出射光によるＴＡＢの画像を撮像し、画像処理ユニット２０９は撮像カメラ２０７による画像データを受信して画像処理し、制御ユニット２１０は画像処理ユニット２０９の撮像データが入力され、測定時のＴＡＢを位置制御する。撮像カメラ２１１をテープキャリア２０２の測定の前段に配置し、撮像カメラ２１１はＴＡＢの画像を撮像し、撮像カメラ２１１による第１の画像データを画像処理ユニット２０９に出力する。また、撮像カメラ２１２をパンチユニット２０６の後段に配置し、撮像カメラ２１２はＴＡＢの画像を撮像し、撮像カメラ２１２による第２の画像データを画像処理ユニット２０９に出力し、第１の画像データをＴＡＢの測定可否のデータとして制御ユニット２１０に格納し、第２の画像データを制御ユニット２１０に送出し、第１の画像データおよびパンチユニット２０６の打ち抜き結果と比較照合する。
【００１４】
撮像カメラ２１１，２１２は、画像認識により、ＴＡＢの有無、ＩＣチップの有無、マーク穴の有無を精度よく検出する。撮像カメラ２１１による撮像データは制御ユニット２１０に格納され、ＴＡＢの測定時に測定の実行または不実行を指令する。撮像カメラ２１２による撮像データは撮像カメラ２１１による撮像データと比較照合またはパンチユニット２０６の打ち抜き指令と比較照合する。
【００１５】
このように、撮像カメラ２１１，２１２にてＴＡＢを測定前後に画像認識することにより、誤検出を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００７−２８５７７０公報
【特許文献２】特開平７−８６３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
いずれにせよ、良品／不良品を識別する場合に、良品にマークパンチする良品マークパンチ方式と、不良デバイスに打抜きする不良デバイス打抜き方式とがあるが、良品マークパンチ方式では、直径２ｍｍ程度のパンチ金型で良品に穴開け加工を実施するため、打ち抜きバリが発生する虞があり、特に、歩留まりがよい場合、このマークパンチの打ち抜き時間とマークパンチ検出時間が必要となる。一方、不良デバイス打抜き方式では、不良デバイスはＩＣチップを含めてデバイスごと打ち抜きを実施するために、デバイスごと打ち抜いた後では、不良デバイスが壊れて再テストができないばかりか、不良デバイスの救済が全くできない。
【００１８】
特許文献１では、エラー率が所定のエラー率しきい値を超えた場合に、試験装置を停止して、試験装置側の接触不良で所定数が連続して不良になっても、試験装置を停止することでそれ以上、不良デバイスを増やさないことから、ある程度の不良デバイスの救済はできるものの、不良デバイスの救済をより効率よく完全に行うことはできない。
【００１９】
特許文献２の試験装置では、撮像カメラ２１１，２１２にてＴＡＢを測定前後に画像認識することにより、誤検出を防止するものの、良品デバイスであるにもかかわらず、データマップ位置ずれによる誤打抜きの可能性もある。
【００２０】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを更に向上させることができる半導体デバイスの試験装置およびこれに用いられる集中パンチ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の半導体デバイスの試験装置は、半導体キャリアフィルム上に実装された複数の半導体デバイスの良否を識別する半導体デバイスの試験装置であって、該複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置と、該一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、該データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２２】
また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における集中パンチ装置は、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における集中パンチ装置は、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、該不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。
【００２３】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該不良デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該不良デバイスのアドレス位置を照合する。
【００２４】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における空デバイス位置は、半導体キャリアフィルム不良として「デバイスなし状態」で予め打ち抜かれているアドレスデータである。
【００２５】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置は、前記半導体キャリアフィルム上に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にＩＣテスタの接触子を接触導通させて該半導体キャリアフィルム内の各半導体デバイスの良否識別の測定試験を行う。
【００２６】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置において、前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く。
【００２７】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の不良デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の不良デバイス検出率を検出した場合に、当該不良デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理する。
【００２８】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるデータベースのテープマップデータにおける不良品デバイスデータを、前記再測定試験の結果データとしての良品デバイスデータにテープマップ合成して変更する。
【００２９】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置で測定試験した測定試験結果として、良否識別情報の他に複数のランク情報が付加されて前記データベースに前記テープマップデータとして格納される。
【００３０】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における不良デバイスの打ち抜きに代えて、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報の半導体デバイスを残して、それ以外のランク情報の半導体デバイスが、前記集中パンチ装置により前記データベースのテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、該打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープ再編成される。
【００３１】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。
【００３２】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と前記一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレス位置を照合する。
【００３３】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置が、前記半導体キャリアフィルム上に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にＩＣテスタの接触子を接触導通させて該半導体キャリアフィルム内の各半導体デバイスの良否識別を含むランク識別の測定試験を行う。
【００３４】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置において、前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く。
【００３５】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の所定ランク情報の半導体デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の所定ランク情報半導体デバイスの検出率を検出した場合に、当該所定ランク情報半導体デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理する。
【００３６】
さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるデータベースのテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータを、前記再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成して変更する。
【００３７】
本発明の集中パンチ装置は、複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスまたは所定ランクデバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜くものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３８】
また、好ましくは、本発明の集中パンチ装置において、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の集中パンチ装置において、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。
【００３９】
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
【００４０】
本発明においては、複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置と、一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有している。
【００４１】
これによって、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを更に向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００４２】
以上により、本発明によれば、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となる。このように、測定試験時のハンドリング時間を短縮することができる上、マップデータにランク分けデータを付加することにより良品のランク分けおよび不良デバイスを救済することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態１における半導体デバイスの試験装置の要部構成例を模式的に示す側面図である。
【図２】図１のＴＣＰの一部分を示す平面図である。
【図３】（ａ）は、従来の場合に、測定とパンチを行う複数のハンドラー装置が個別に配置されている様子を示す図、（ｂ）は、図１の測定を行う複数のハンドラー装置とパンチを行う集中パンチ装置がデータベースを介してネットワークで接続された様子を示す図である。
【図４】図１の集中パンチ装置でまとめてＴＣＰを打ち抜く場合の、データベース内のＴＣＰデバイスデータとテープマップデータの照合処理について説明するためのデータ図である。
【図５】ランク情報を付加した各ランクデータ毎のデバイスが搭載されたテープを作成する場合を説明する図である。
【図６】再測定試験前のテープマップデータ、テープマップデータの不良品のみを再測定試験した結果を示すテープマップデータ、再測定試験前後のテープマップデータを合成した後のテープマップデータを示す図である。
【図７】特許文献１に開示されている従来の半導体デバイスの試験装置の要部構成例を示す側面図である。
【図８】特許文献２に開示されている従来のＴＡＢ試験装置の要部構成例を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下に、本発明の半導体デバイスの試験装置の実施形態１について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。
【００４５】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１における半導体デバイスの試験装置の要部構成例を模式的に示す側面図である。図２は、図１のＴＣＰの一部分を示す平面図である。
【００４６】
図１および図２において、本実施形態１の半導体デバイス４１の試験装置１では、複数の半導体デバイス４１に対して所定の測定試験を行う測定部としてのＩＣテスタ５１を含む一または複数のハンドラー装置５と、一または複数のハンドラー装置５で測定試験した試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベース６と、データベース６のテープマップデータに基づいて不良デバイスを半導体キャリアフィルム（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）などもあるが、ここではＴＣＰ４とする）から打ち抜く一または複数の集中パンチ装置７とを有し、この不良デバイスの打ち抜きによりＴＣＰ４に実装された複数の半導体デバイスの良否を識別することができる。
【００４７】
ＴＣＰ４（テープキャリヤパッケージ）において、液晶ドライバなどの半導体集積回路（ＩＣ）である半導体デバイス４１がテープに複数並べられて実装されており、複数の半導体デバイス４１にはそれぞれ複数の配線を介して複数の端子４２がその周囲にそれぞれ配置されている。測定試験時には、測定部としてのＩＣテスタ５１のプローブカードからの複数のプローブが半導体デバイス４１毎の所定の各端子４２に接触導通されることにより、所定の電圧をＴＣＰ４の各端子４２に印加して所定範囲の期待値出力が得られるかどうかの測定試験結果に応じて、所定範囲の期待値出力が得られない場合に不良品と判定すると共に、データベース６に測定試験アドレス順に測定結果を記録して、データベース６のＴＰＣデバイスデータから、「デバイスなし」のＴＣＰ不良の空デバイス位置との関係を含むテープマップデータを作成する。なお、この場合のＴＣＰ不良の空デバイス位置は、ロット毎にユニークである。ＴＣＰ４は、配線が接続された複数の端子４２に対して半導体デバイス４１の半導体チップがパッド４３にワイヤボンディングなどで接続されて搭載されたものであるが、その半導体チップの搭載前のテープは、パッド４３、配線および端子４２のカケやその他の損傷などの不良部分は、半導体チップが搭載されないように、ＴＣＰ不良の空デバイス位置として予め打ち抜かれている。即ち、空デバイス位置とは、ＴＣＰ不良として「デバイスなし状態」で打ち抜かれているアドレスデータのことである。ＴＣＰ４の複数の半導体デバイス４１の全体の例えば数パーセントほど、ＴＣＰ不良の空デバイス位置が存在するが、これを利用して測定アドレスの位置決めを補強している。
【００４８】
ハンドラー装置５は、供給リール２から供給されたＴＣＰ４の半導体デバイス４１に対して所定の測定試験をした後に回収リール３にＴＣＰ４を巻き取って回収するものであって、ＴＣＰ４に順次搭載された各半導体デバイス４１の複数の端子４２にＩＣテスタ５１のプローブなどの接触子を接触導通させて、所定電圧を端子４２に印加してその出力電流や出力電圧が所定範囲内に収まるかどうかを測定試験することにより、ＴＣＰ４内の各半導体デバイス４１の良否判定試験を順次行っている。
【００４９】
ＩＣテスタ５１は、半導体デバイス４１が液晶ドライバなどのＩＣデバイスの場合に、各半導体デバイス４１の所定の端子４２に接触子を介して所定電圧が所定タイミングに印加できるように構成されていると共に、各半導体デバイス４１の所定の別端子４２に接触子を介して出力電流または電圧が出力されるように構成されている。所定の別端子４２から接触子を介して入力してきた出力電流または電圧が所定の範囲であるかどうかを検出し、これが所定の範囲から外れている場合に不良デバイスであると判定する。
【００５０】
また、ＩＣテスタ５１は、半導体デバイス４１がＬＥＤ素子の場合には、各半導体デバイス４１の所定の端子４２に接触子を介して所定電圧が所定タイミングに印加できるように構成されていると共に、各半導体デバイス４１の発光量を検出する撮像素子を含む発光量測定手段が設けられ、発光量測定手段から得られた発光量が所定の基準発光量に達していなければこれを検出して不良デバイスとして判定する。これらの良否判定結果（測定試験結果）は、ＩＣテスタ５１内の所定の記録制御部によりネットワークを介してデータベース６に記録制御される。なお、この測定試験は、良否判定の他に、複数ランク分けに判定するように構成することもできる。
【００５１】
データベース６は、一または複数のハンドラー装置５で良否判定試験をした測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして記録される。このテープマップデータは、空デバイス位置のアドレスデータとＴＣＰ４内のテープアドレスデータとの関係が対応可能になっている。
【００５２】
集中パンチ装置７は、データベース６内のテープマップデータに基づいて、このテープマップデータ内の「デバイスなし」の空デバイス位置と測定順のテープアドレスデータとの関係を照合した後に、不良デバイスをＴＣＰ４からパンチ金型からなるパンチユニット７１を用いてまとめて集中して打ち抜き処理を行う。このように、テープマップデータに良品、不良品情報の他に空デバイス位置(テープ不良でデバイスなし）の情報も付加し、空デバイス位置は、テープロット毎にユニークであり、空デバイス位置をロットＩＤ情報として常に照合する。
【００５３】
従来は、所定の電圧をＴＣＰ４の複数の端子４２に印加して所定範囲の期待値出力が得られるかどうかの測定試験を行い、その測定試験結果に応じて、所定範囲の期待値出力が得られない場合に不良デバイスと判定してパンチでＴＡＢ４の半導体チップ４１ごと打ち抜いていたが、本実施形態１においては、このハンドラー装置５による測定試験時には、試験装置１側の例えば接触不良に起因して連続して不良デバイスが発生する虞もあることから、測定試験時の不良デバイスの打ち抜きを行わずに、測定試験結果データの位置を用いて測定試験後に集中して不良デバイスの打ち抜きを行う。この場合、ＴＣＰの不良デバイスの位置を間違えることがないように、ＴＣＰ不良の空になった空デバイス位置と測定結果データの良否位置との照合を行って、不良デバイスの打ち抜きを精度よく行う。
【００５４】
要するに、本実施形態１では、ＴＣＰ品で良品識別として使用している良品/不良品パンチ方式の代わりに、ハンドラー装置５とネットワーク接続された別装置の集中パンチ装置７を使用してパンチを実施する。この集中パンチ方式は、テープマップズレの可能性があるので、空デバイス位置（ＴＣＰ不良の空になった位置）を測定アドレスの良否判定結果と照合することにより、テープマップズレを防止することができる。
【００５５】
以下、本実施形態１の半導体集積回路の試験装置１の事例について更に具体的に説明する。
【００５６】
図３（ａ）は、従来の場合に、測定試験とパンチを行う複数のハンドラー装置が個別に配置されている様子を示す図、図３（ｂ）は、本実施形態１の半導体集積回路の試験装置１において、図１の測定試験を行う複数のハンドラー装置５とパンチを行う集中パンチ装置７がデータベース６を介してネットワークで接続された様子を示す図である。
【００５７】
図３（ａ）に示すように、従来の場合には、測定試験とパンチを行う複数のハンドラー装置が個別に複数配置され、測定試験の結果、不良デバイスはＩＣチップを含めてデバイスごと打ち抜きされる。
【００５８】
一方、図３（ｂ）に示すように、本実施形態１の半導体デバイスの試験装置１において、図１の測定試験を行う複数のハンドラー装置５とパンチを行う集中パンチ装置７がデータベース６を介してネットワークで接続されているため、複数のハンドラー装置５で測定試験だけを行って、試験装置１側の接触不良などに起因する不良デバイスが連続して発生しても、これらを自動的に検出してそのハンドラー装置５を停止処理してもよいし、手動でハンドラー装置５を一時停止処理してもよく、その不良デバイスに対して容易に再試験を行って不良デバイスを救済することができる。その後、集中パンチ装置７でまとめて正確に不良デバイスのＩＣチップ４１を含めてＴＣＰデバイスごと打抜くことができる。
【００５９】
要するに、複数のハンドラー装置５は再測定試験可能に構成されており、複数のハンドラー装置５から得られる測定試験結果（テープマップデータ）を監視する監視制御部（図示せず）が設けられ、測定試験で連続して所定基準数の不良デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の不良デバイス検出率を検出した場合に、当該不良デバイスが検出されたハンドラー装置５を自動停止処理して、その不良デバイスに対して再測定試験を容易に行う。
【００６０】
図４は、図１の集中パンチ装置７でまとめてＴＣＰを打ち抜く場合の、データベース内のＴＣＰデバイスデータとテープマップデータの照合処理について説明するためのデータ図である。
【００６１】
図４に示すように、集中パンチ装置７でまとめてＴＣＰを打ち抜く場合のデータ照合処理は、データベース６内に格納されたＴＣＰデバイスデータと、これに良否判定結果が格納されたテープマップデータとにおいて、「デバイスなし」の空デバイス位置（ＴＣＰ不良のデバイスが空になった位置）のテープアドレスと不良デバイスのアドレス位置とを対応付けて常に照合することにより、誤打ち抜きを防止することができる。仮に、誤打ち抜きが発生した場合であっても、空デバイス位置から次の空デバイス位置までの区間のみが対象になり、被害が最小限に抑制される。
【００６２】
この場合のテープマップデータ内の空デバイス位置と不良デバイスのアドレスデータとの照合処理は、その不良デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、その不良デバイスのアドレス位置の当該空デバイス位置からのアドレスを対応付けることにより行う。不良デバイスのアドレス位置の当該空デバイス位置からのアドレスは、不良デバイスのアドレスデータから上流側直近の空デバイス位置の差を求めればよい。
【００６３】
次に、測定試験結果として、良否判定だけではなく、ランク情報を付加して不良デバイスを一部救済することができる。これについて図５を用いて説明する。
【００６４】
図５は、ランク情報を付加した各ランクデータ毎のデバイスが搭載されたテープを作成する場合を説明する図である。
【００６５】
図５において、最も左のＴＣＰデバイスデータには、ハンドラー装置５で測定試験した測定試験結果として、良否判定の他にランク情報として、例えば良品Ａランク、良品Ｂランク、不良品Ａランクおよび不良品Ｂランクが付加されてデータベース６にテープマップデータとして格納されている。
【００６６】
この最も左のＴＣＰデバイスデータにランク情報が付与されたテープマップデータ対して、最も左から次の良品Ａランクロットデータでは、ランク情報として良品Ａランクのみ残してそれ以外のランク情報のＴＣＰデバイス（ＩＣデバイス４１および配線を介して複数の端子４２）は打ち抜かれている。この良品Ａランク品は規格品として打ち抜き部を含むテープの状態で出荷される。
【００６７】
最も左から３番目の良品Ｂランクロットデータおよび最も右の不良品Ａランクロットデータではそれぞれ個別にテープ編成している。良品Ｂランク品および不良品Ａランク品はそれぞれ別規格品としてテープ状態で出荷される。即ち、良品Ｂランク品および不良品Ａランク品はそれぞれ、図５に示すようにテープに再登載（再ＡＳＳＹ）されて別使用の規格品として出荷される。
【００６８】
不良品Ａランクは、ＩＣデバイス４１が例えば液晶ドライバの場合で４倍速において消費電流値に問題があっても、通常速度では全く問題のない範囲内であれば、使用用途に応じて用いることができる。また、ＩＣデバイス４１が例えばＬＥＤ素子の場合には、発光強度によってランク分けがされ、ランク分けされた各発光強度のＬＥＤ素子を組み合わせて用いたりしている。
【００６９】
複数のランク情報のうちの一のランク情報（ここでは良品Ａランク）を残して、それ以外のランク情報（ここでは、良品Ｂランク、不良品Ａランクおよび不良品Ｂランク）の半導体デバイスが、集中パンチ装置７によりデータベース６内のテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、その打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部（ここでは、良品Ｂランクおよび不良品Ａランク）の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープに再登載されてテープ再編成される。
【００７０】
次に、テープマップデータの再測定試験後のデータ重ね合わせについて説明する。
【００７１】
図６は、再測定試験前のテープマップデータ、テープマップデータの不良品のみを再測定試験した結果を示すテープマップデータ、再測定試験前後のテープマップデータを合成した後のテープマップデータを示す図である。
【００７２】
測定試験の時点では、不良デバイスをパンチで打ち抜くことがないので、再試験が容易に可能である。試験装置１側の例えば接触不良に起因して連続して不良デバイスが発生したような場合に、図６に示すように、再測定試験前のテープマップデータにおける不良デバイスの再測定試験を行って良品判定となった場合に、その良品判定となったアドレスデータに、「デバイスなし」のアドレス位置と対応して照合しつつ、その対応する再測定試験前のテープマップデータを再測定試験結果に変更する。
【００７３】
以上により、本実施形態１においては、まず、測定試験の時点で不良デバイスをパンチで打ち抜くことなく、測定試験結果をデータベース６内のテープマップデータとして格納し、テープマップデータ全体または一部を監視して、再測定試験が必要かどうかを自動的に判定してもよいし、または、不良デバイスの数が所定の基準不良率（全体であってもよいし、または、空デバイス位置間であってもよい）を超えた場合や、測定試験で連続して所定数の不良デバイスが検出された場合に、ハンドラー装置５による測定試験を自動停止して、不良デバイスだけを別途、テープマップデータの不良デバイスのアドレス位置に基づいて、「デバイスなし」のアドレス位置と照合しつつ、再測定試験を実施してもよい。
【００７４】
次に、図６に示すように、ここでは良否判定であるが、再測定試験前のテープマップデータにおける不良デバイスに対応するデバイスの再測定試験を行って良品判定となった場合に、その良品判定となったアドレスデータに、「デバイスなし」のアドレス位置と照合しつつ、対応する再測定試験前のテープマップデータを変更する。
【００７５】
その後、変更したテープマップデータに基づいて、「デバイスなし」のアドレス位置と照合した後に、集中パンチ装置７で不良デバイスを打ち抜く。
【００７６】
以上によって、ハンドラー装置５とネットワーク接続された別装置の集中パンチ装置７を使用してパンチを実施するため、ハンドラー装置５による測定試験結果を格納したテープマップデータのみ取得してハンドラー装置５ではパンチをしない。このため、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、マップデータ結果を重ね合わせてデータ更新することが可能なため、再測定試験も容易に行うことができて、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを向上させることができる。この場合、別装置で打抜き処理をするため、測定試験時の穴あけ時間（打抜き時間）とそのチック時間を不要とすることができてＩＣテスタ５１の稼働率を向上させることができる。テープマップデータを活用して、不良デバイスまたは特定項目不良の再測定試験が可能となる。また、別装置での再測定試験も可能となる。この再測定試験の際には、テープマップデータの重合せを実施する。
【００７７】
また、従来の表示方式では、良品/不良品識別のみであったが、テープマップ情報の良品,不良品にランク分け情報を付加することで、打抜き、再ＡＳＳＹ後に別規格の良品として救済が可能となる。要するに、テープマップデータを活用して、良品、不良品処理に加えて、テープマップデータ中に、ランク分け用データを付加することにより、ランク分け、例えば良品デバイスのランク分け、例えば不良デバイスの救済(ランク落ち品）が可能となる。
【００７８】
さらに、空デバイス(テープ不良でデバイス無し）のアドレス情報もテープマップデータ中に付加して、打ち抜くアドレス位置と空デバイスのアドレス情報との関係もアドレス照合することにより不良デバイスの誤打抜きを防止することができる。仮に、誤打抜きが発生した場合でも、空デバイスから次の空デバイスまでの区間が対象となり、最小限のロス発生に抑制できる。また、集中パンチ装置７ではパンチをまとめて実施するため、各ハンドラ装置５で保有している打抜き金型であるパンチユニット７１を不要とすることができて、従来のようにハンドラー装置内のパンチ時に発生するダストを防止することができると共に、打抜き用金型の台数抑制をも図ることができて、管理する打抜き用金型台数を削減することができる。
【００７９】
なお、本実施形態１では、ハンドラー装置５で測定試験した測定試験結果として、良否識別情報の他に複数のランク情報が付加されてデータベース６にテープマップデータとして格納される。この場合に、不良デバイスの打ち抜きに代えて、複数のランク情報のうちの一のランク情報の半導体デバイスを残して、それ以外のランク情報の半導体デバイスが、集中パンチ装置７によりデータベース６のテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープ再編成される場合について説明したが、これに加えて、本実施形態１では特に説明しなかったが、次のように行うことができる。
【００８０】
テープマップデータ内の空デバイス位置と、複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、集中パンチ装置７により、不良デバイスの打ち抜きに代えて、一のランク情報以外の半導体デバイスをＴＣＰから打ち抜くようにすることができる。
【００８１】
テープマップデータ内の空デバイス位置と一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの照合処理は、一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレス位置を照合することおができる。
【００８２】
ハンドラー装置５が、ＴＣＰ４に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にＩＣテスタの接触子を接触導通させてＴＣＰ４内の各半導体デバイスの良否識別を含むランク識別の測定試験を行うようにすることができる。
【００８３】
ハンドラー装置５とネットワーク中のデータベース６を介して接続された集中パンチ装置７により、一のランク情報以外の半導体デバイスをＴＣＰ４から集中して打ち抜くようにすることもできる。
【００８４】
複数のハンドラー装置５は再測定試験可能に構成されており、複数のハンドラー装置５から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、測定試験で連続して所定基準数の所定ランク情報の半導体デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の所定ランク情報半導体デバイスの検出率を検出した場合に、当該所定ランク情報半導体デバイスが検出されたハンドラー装置５を自動停止処理するように構成することもできる。
【００８５】
データベース６のテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータを、再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成して変更することができる。
【００８６】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、ＴＣＰ（テープキャリヤパッケージ）に実装された液晶ドライバなどの半導体集積回路が良品であるかまたは不良品であるかを識別する半導体集積回路の試験装置およびこれに用いられる集中パンチ装置の分野において、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを向上させることができる。
【符号の説明】
【００８８】
１  半導体集積回路の試験装置
２  供給リール
４  ＴＣＰ（テープキャリヤパッケージ）
４１  ＩＣデバイス
４２  端子
４３  パッド
３  回収リール
５  ハンドラー装置
５１  ＩＣテスタ
６  データベース
７  集中パンチ装置
７１  パンチユニット
【図１】
0005788722.tif 000002
【図２】
0005788722.tif 000003
【図３】
0005788722.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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