(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドの周囲に配置され、かつ、平面視において前記複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う吊りリード間に配置された複数のリードと、平面視において前記ダイパッドと前記複数のリードとの間に配置され、かつ、平面視において前記複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う２つの吊りリード間に配置され、かつ、断面視において前記複数のリードと前記ダイパッドとの間の高さに配置されたバスバーと、を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、主面、前記主面に形成された複数のボンディングパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記ダイパッド上に搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記ダイパッドの下面および前記複数のリードのそれぞれの下面をステージで支持し、かつ、前記バスバーの下面を前記ステージで支持しない状態で、前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドのうちの複数の第１ボンディングパッドと前記バスバーを複数の第１ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続し、前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドのうちの複数の第２ボンディングパッドと前記複数のリードを複数の第２ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
ここで、
前記バスバーは、互いに隣り合う前記２つの吊りリードのうちの一方と繋がる第１端部と、他方と繋がる第２端部と、前記第１端部と前記第２端部の間に位置する中央部とを有し、
平面視において、前記中央部の幅は、前記第１および第２端部の幅と異なり、
平面視において、前記バスバーの辺は、前記中央部から前記第１および第２端部にかけて弧を描くように形成されている。
【請求項２】
請求項１において、
前記（ｃ）工程では、前記複数の第１ワイヤを、前記バスバーの前記中央部、前記第１端部および前記第２端部にそれぞれ接続し、
平面視において、前記中央部の幅は、前記第１および第２端部の幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記バスバーの前記辺は、前記ダイパッド側に位置する第１辺と、前記リード側に位置する第２辺とを有し、
前記第１および第２端部のそれぞれにおいて、前記第１辺および前記第２辺のそれぞれの一部が相互に接近して成る幅狭部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記バスバーの前記辺は、前記ダイパッド側に位置する第１辺と、前記リード側に位置する第２辺とを有し、
前記第１および第２端部のそれぞれにおいて、前記第１辺および前記第２辺のうちの何れか一方の一部が他方に接近して成る幅狭部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記（ｃ）工程では、前記複数の第１ワイヤを、前記バスバーの前記中央部には接続せず、前記第１端部および前記第２端部にそれぞれ接続し、
平面視において、前記中央部の幅は、前記第１および第２端部の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記バスバーは、前記ダイパッド側に位置する第１辺と、前記リード側に位置する第２辺とを有し、
前記中央部において、前記第１辺および前記第２辺のそれぞれの一部が相互に接近して成る幅狭部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記バスバーは、前記ダイパッド側に位置する第１辺と、前記リード側に位置する第２辺とを有し、
前記中央部において、前記第１辺および前記第２辺のうちの何れか一方の一部が他方に接近して成る幅狭部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上面、および前記上面とは反対側の下面を有するダイパッドと、
前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、
前記ダイパッドの周囲に配置され、かつ、平面視において前記複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う２つの吊りリード間に配置された複数のリードと、
平面視において前記ダイパッドと前記複数のリードとの間に配置され、かつ、平面視において前記複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う２つの吊りリード間に配置され、かつ、断面視において前記複数のリードと前記ダイパッドとの間の高さに配置されたバスバーと、
主面、前記主面に形成された複数のボンディングパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有し、かつ、前記裏面が前記ダイパッドの前記上面と対向するように前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドのうちの複数の第１ボンディングパッドと前記バスバーとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドのうちの複数の第２ボンディングパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２ワイヤと、
前記バスバー、前記半導体チップ、前記複数の第１および第２ワイヤを封止する封止体と、
を含み、
前記バスバーは、互いに隣り合う前記２つの吊りリードのうちの一方と繋がる第１端部と、他方と繋がる第２端部と、前記第１端部と前記第２端部の間に位置する中央部とを有し、
平面視において、前記中央部の幅は、前記第１および第２端部の幅と異なり、
平面視において、前記バスバーの辺は、前記中央部から前記第１および第２端部にかけて弧を描くように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記複数の第１ワイヤのそれぞれは、前記バスバーのワイヤ接続面に接続されている第１部分と、前記第１ボンディングパッドのワイヤ接続面に接続されている第２部分と、を有し、
前記複数の第２ワイヤのそれぞれは、前記リードのワイヤ接続面に接続されている第３部分と、前記第２ボンディングパッドのワイヤ接続面に接続されている第４部分と、を有し、
断面視において、前記第１部分における前記バスバーのワイヤ接続面と前記第１ワイヤの成す外側の角度は、前記第２部分における前記第１ボンディングパッドのワイヤ接続面と前記第１ワイヤの成す角度よりも大きく、
断面視において、前記第３部分における前記リードのワイヤ接続面と前記第２ワイヤの成す外側の角度は、前記第４部分における前記第２ボンディングパッドのワイヤ接続面と前記第２ワイヤの成す角度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記バスバーのそれぞれの前記ワイヤ接続面に、前記ワイヤの圧痕が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、例えばバスバーを有する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
封止体からダイパッドを露出させる半導体装置において、バスバーがインナリードと封止体の実装面との間の高さに配置された構造が、例えば特開２０１０−１６５７７７号公報（特許文献１）に開示されている。
【０００３】
また、樹脂部からダイパッドを露出させる半導体装置において、ダイパッドの周囲に共通配線部（グラウンドリング）が配置された構造が、例えば特開２００７−３２４４０２号公報（特許文献２）に開示されている。
【０００４】
また、封止体からダイパッドを露出させる半導体装置において、ダイパッドの周囲にリング部材が配置された構造が、例えば米国特許出願公開第７０６４４２０号（特許文献３）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１６５７７７号公報
【特許文献２】特開２００７−３２４４０２号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第７０６４４２０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記特許文献１のように、ダイパッドを支持する吊りリードが複数段に亘って折り曲げられ、かつ、断面視（例えば、前記特許文献１の図３を参照）においてインナリードとダイパッドとの間の高さにバスバーが設けられた半導体装置がある。このような半導体装置のワイヤボンディング工程では、比較例の図２８（または、前記特許文献１の図１１を参照）に示すように、バスバー２ｆの下面（ワイヤが接続される面とは反対側の面）２ｆｉをステージ８で支持することが困難である。この理由は、ダイパッド２ｄとインナリード２ｅとバスバー２ｆとで異なった３段の高さを全て支持することは、部材の加工精度・熱膨張の関係などから困難なことにある。
【０００７】
したがって、バスバー２ｆにワイヤ３を接続すると、バスバー２ｆの下面２ｆｉが支持されていないため、バスバー２ｆは撓む。ここで、本願発明者の検討によれば、図２９に示すように、平面視においてバスバー２ｆがストレート形状から成る場合には、図３０に示すように、バスバー２ｆにおける位置（ワイヤ接続箇所）によってバスバー２ｆの剛性は異なる（バスバー２ｆの中央部２ｆｄが最も剛性（線分Ｇの値）が低く撓み易い）ことが分かった。
【０００８】
これにより、図３１に示すように、バスバー２ｆにおける位置（ワイヤ接続箇所）によって、形成されるワイヤ３の圧痕３ｃ（キャピラリの圧痕）の形状は異なるため、形成された圧痕３ｃの形状だけでは、良品か不良品かを判定することが難しく、前記判定の精度を高めるのも困難である。なお、例えば、図３１で言う最も吊りリード側に形成されるワイヤ３の圧痕３ｃのように、圧痕３ｃの大きさが他の圧痕３ｃよりも小さい場合、ワイヤ３の接合強度が低下する原因にもなるため、圧痕３ｃのばらつきを抑制する必要がある。
【０００９】
本願において開示される実施の形態の目的は、ワイヤボンディングにおける外観検査の精度を高めることができる技術を提供することにある。
【００１０】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
代表的な実施の形態の半導体装置の製造方法は、ダイパッドの下面および複数のリードの下面をステージで支持し、かつバスバーの下面を前記ステージで支持しない状態で半導体チップと前記バスバーを複数のワイヤで電気的に接続する工程を有し、前記バスバーの中央部の幅は、この中央部の両側に位置する端部の幅と異なる。さらに、前記バスバーの辺は前記中央部から前記両側の端部にかけて弧を描くように形成されている。
【００１３】
また、代表的な実施の形態の半導体装置は、ダイパッドと、複数の吊りリードと、複数のリードと、前記複数のリードと前記ダイパッドとの間の高さに配置されたバスバーと、前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、を含み、前記バスバーの中央部の幅は両側の端部の幅と異なり、前記バスバーの辺は前記中央部から前記両側の端部にかけて弧を描くように形成されている。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される代表的な実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１５】
半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図５】図１のＹ部の構造の拡大部分平面図とバスバーの各位置における剛性の計算結果の一例を示す評価図である。
【図６】図１の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図８】図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１０】図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１２】図１の半導体装置の組み立てのワイヤボンディング時の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１３】図１２に示すワイヤボンディング時のステージによる支持箇所を示す部分平面図である。
【図１４】図１の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の構造の一例を示す平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１６】図１の半導体装置の組み立てにおける外装めっき後の構造の一例を示す断面図である。
【図１７】図１の半導体装置の組み立てにおけるアウタリード切断・成形後の構造の一例を示す平面図である。
【図１８】図１７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１９】図１の半導体装置の組み立てにおける吊りリード切断後の構造の一例を示す平面図である。
【図２０】図１の半導体装置の組み立てのワイヤボンディング後のバスバーにおけるワイヤ圧痕の形状の一例を示す部分平面図である。
【図２１】実施の形態１の第１変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２２】図２１の半導体装置の吊りリードにおける切断構造を示す断面図である。
【図２３】実施の形態１の第４変形例の半導体装置のバスバーの構造を示す拡大部分平面図とバスバーの各位置における剛性の計算結果の一例を示す評価図である。
【図２４】実施の形態１の第５変形例の半導体装置のバスバーの構造を示す拡大部分平面図とバスバーの各位置における剛性の計算結果の一例を示す評価図である。
【図２５】実施の形態２の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図２６】図２５のＺ部の半導体装置のバスバーの構造を示す拡大部分平面図である。
【図２７】実施の形態２の第１変形例の半導体装置のバスバーの構造を示す拡大部分平面図である。
【図２８】比較例の半導体装置の組み立てのワイヤボンディング時の構造を示す部分断面図である。
【図２９】比較例の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。
【図３０】図２９のＸ部の構造の拡大部分平面図とバスバーの各位置における剛性の計算結果を示す評価図である。
【図３１】図２９の半導体装置の組み立てのワイヤボンディング後のバスバーにおけるワイヤ圧痕の形状の部分平面図とバスバーの各位置における剛性の計算結果を示す評価図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１８】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１９】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２０】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２１】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲等についても同様である。
【００２２】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図４は図１のＣ−Ｃ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図５は図１のＹ部の構造の拡大部分平面図とバスバーの各位置における剛性の計算結果の一例を示す評価図である。
【００２４】
まず、本実施の形態１の半導体装置の構造について説明する。
【００２５】
本実施の形態１の半導体装置は、図１〜図４に示すように、複数のリード２ａのうち、外部端子となる複数のアウタリード２ｂが、封止体４の側面４ａから突出した樹脂封止型のものである。詳細に説明すると、複数のリード２ａは封止体４の４つの側面４ａからそれぞれ露出している。また、それぞれのアウタリード２ｂがガルウィング状に曲げ成形されている。さらに、図２〜図４に示すように、半導体チップ１が搭載されるダイパッド２ｄの一部が封止体４の下面４ｂから露出している。
【００２６】
次に、前記半導体装置の一例であるＱＦＰ（Quad Flat Package)６の各部位の詳細構成について説明する。
【００２７】
図１に示すように、ＱＦＰ６は、平面形状が略四角形のダイパッド（タブ、チップ搭載部）２ｄと、ダイパッド２ｄを支持する（ダイパッド２ｄと連結する）複数の吊りリード２ｃとを有している。さらに、平面視においてダイパッド２ｄの周囲に配置され、かつ複数の吊りリード２ｃのうちの互いに隣り合う吊りリード２ｃ間に配置された複数のインナリード２ｅと、インナリード２ｅと一体で繋がり、かつ外部端子となる複数のアウタリード２ｂとを有している。
【００２８】
なお、図４に示すように、インナリード２ｅは、後述するワイヤ３が接続される上面（ワイヤ接合面）２ｅａを有している。一方、アウタリード２ｂは、下面（実装面）２ｂａを有している。
【００２９】
また、ダイパッド２ｄの外形サイズは、搭載されている半導体チップ１の外形サイズよりも僅かに大きい。言い換えると、平面視では、図１に示すように、ダイパッド２ｄの一部（周縁部）が、半導体チップ１から露出している。断面視においても、図２および図４に示すように、ダイパッド２ｄの一部（周縁部、側面）が、半導体チップ１の周縁部（側面）から迫り出している。ただし、前記平面視におけるダイパッド２ｄの半導体チップ１からの露出量、または前記断面視におけるダイパッド２ｄの半導体チップ１の迫り出し量は、僅かである。
【００３０】
また、ＱＦＰ６では、図２〜図４に示すように、ダイパッド２ｄの上面（チップ搭載面）２ｄａにダイボンド材５を介して半導体チップ１がフェイスアップ状態で搭載されている。すなわち、半導体チップ１は、主面となる表面１ａと、表面１ａとは反対側の裏面１ｂとを有し、その裏面１ｂがダイパッド２ｄの上面２ｄａと対向するようにダイパッド２ｄ上にダイボンド材５を介して搭載されている。
【００３１】
なお、半導体チップ１は、その表面１ａに、図１に示すように複数のボンディングパッド（電極パッド）１ｃと、図示しない半導体素子（回路素子）が形成されている。複数のボンディングパッド１ｃは、前述の半導体素子と電気的に接続されている。
【００３２】
また、ＱＦＰ６では、図２〜図４に示すように、ダイパッド２ｄを共通端子化した外部端子として用いており、ダイパッド２ｄの下面（実装面）２ｄｂを封止体４の下面４ｂから露出させたダイパッド露出型となっている。したがって、封止用樹脂から成る封止体４は、ダイパッド２ｄの上面２ｄａとは反対側の下面２ｄｂが露出するように、ダイパッド２ｄ、半導体チップ１、複数のワイヤ３および後述するバスバー２ｆを封止している。
【００３３】
なお、封止体４の側面４ａから突出する複数のアウタリード２ｂは、図２および図４に示すように、その表面に外装めっき７が施されている。
【００３４】
また、ＱＦＰ６では、図１に示すように、ダイパッド２ｄを支持する吊りリード２ｃが、ダイパッド２ｄ、言い換えると、ＱＦＰ６の中央部から各角部に向かって（ＱＦＰ６の対角線に沿って）４本設けられている。
【００３５】
本実施の形態１のＱＦＰ６は、前述のようにダイパッド２ｄを共通端子化した外部端子として用いているが、ダイパッド２ｄの外形サイズが半導体チップ１の外形サイズよりも小さい、あるいはほぼ同じ（僅かに大きい程度も含む）大きさの場合、ダイパッド２ｄにワイヤ３を接続するための領域（スペース）がない。そこで、本実施の形態１では、ダイパッド２ｄと複数のインナリード（リード２ａ）２ｅとの間に、吊りリード２ｃを介してダイパッド２ｄと繋がるバスバー２ｆ（バーリードとも言う）を設けている。すなわち、４本の吊りリード２ｃのうちの互いに隣り合う吊りリード２ｃ間に配置され、かつ平面視においてダイパッド２ｄと複数のインナリード２ｅとの間に配置されたバスバー２ｆを設けている。
【００３６】
さらに、ＱＦＰ６では、断面視において、図２に示すようにインナリード２ｅとダイパッド２ｄとの間の高さにバスバー２ｆを配置している。すなわち、図３に示すように、吊りリード２ｃの２箇所に折り曲げ（折り曲げ部２ｃａ，２ｃｂ）を設けて２段階の段差（２段オフセット）を形成し、図３の吊りリード２ｃの斜線部Ｆに示すように、その中段の高さにバスバー２ｆを配置している。
【００３７】
したがって、図２に示すように半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃのうちの複数のボンディングパッド１ｃａとバスバー２ｆとが、複数のバスバー用ワイヤ３ｂを介してそれぞれ電気的に接続されている。一方、図４に示すように半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃのうちの複数のボンディングパッド１ｃｂと複数のインナリード２ｅとが、複数のリード用ワイヤ３ａを介してそれぞれ電気的に接続されている。
【００３８】
その結果、インナリード２ｅとバスバー２ｆには高低差が設けられているため、図４に示すインナリード２ｅに接続したワイヤ（リード用ワイヤ３ａ）３が、図２に示すバスバー２ｆあるいはバスバー２ｆに接続されたワイヤ（バスバー用ワイヤ３ｂ）３と接触することを抑制することができる。
【００３９】
なお、ＱＦＰ６では、複数のリード用ワイヤ３ａと複数のバスバー用ワイヤ３ｂのそれぞれを含む複数のワイヤ３が、正ボンディング法により接続されている。すなわち、半導体チップ１と各リード２ａとのワイヤボンディングにおいて、半導体チップ１のボンディングパッド１ｃにワイヤ３の一部を接続（１ｓｔボンド）した後、リード（インナリード２ｅ、バスバー２ｆ、バーリード）２ａにワイヤ３の他部を接続（２ｎｄボンド）している。
【００４０】
これにより、複数のワイヤ３において図２と図４に示すように、複数のインナリード２ｅやバスバー２ｆ上に位置するワイヤ３の各リードの上面２ｅａ，２ｆａ（ワイヤ接続面）に対する傾斜角度θ１，θ２が、半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃ上に位置するワイヤ３の複数のボンディングパッド１ｃの主面（ワイヤ接続面）に対する傾斜角度θ３，θ４よりも大きくなっている。つまり、ワイヤ３のチップ側の傾斜角度とリード側の傾斜角度の関係が、θ１＞θ３、θ２＞θ４となっている。その結果、２ｎｄボンド側がリード側となっていることで、リード用ワイヤ３ａとバスバー用ワイヤ３ｂが接触し易くなるが、本実施の形態１のＱＦＰ６では、インナリード２ｅとバスバー２ｆに高低差を設けることで、リード用ワイヤ３ａとバスバー用ワイヤ３ｂの接触を抑制することができる。
【００４１】
なお、２ｎｄボンド側である複数のインナリード２ｅおよびバスバー２ｆのそれぞれの上面２ｅａ，２ｆａには、後述する図１２のキャピラリ９の押圧によって形成された圧痕３ｃ（図２０参照）が形成されている。
【００４２】
以上のように本実施の形態１のＱＦＰ６は、バスバー２ｆにワイヤ（バスバー用ワイヤ３ｂ）３を接続する構造となっており、このバスバー２ｆが、吊りリード２ｃと一体に形成されているとともに、共通化端子であるダイパッド２ｄとも一体に繋がっているため、ダイパッド２ｄを外部端子の１つとして使用することができる。例えば、ダイパッド２ｄを、電源電位あるいは基準電位等の共通化端子として使用する場合、バスバー２ｆも同じ電源電位あるいは基準電位となる。
【００４３】
なお、半導体チップ１は、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る。また、インナリード２ｅとアウタリード２ｂから成る複数のリード２ａ、ダイパッド２ｄ、複数の吊りリード２ｃおよびバスバー２ｆは、例えば銅（Ｃｕ）等の金属から成る。さらに、ワイヤ３は、例えば金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）から成る。また、封止体４は、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂から成る。
【００４４】
次に、本実施の形態１のＱＦＰ６のバスバー２ｆの形状について説明する。
【００４５】
ＱＦＰ６のバスバー２ｆは、図５に示すように、互いに隣り合う吊り2つのリード２ｃのうちの一方と繋がる端部２ｆｂと、他方と繋がる端部２ｆｃと、端部２ｆｂと端部２ｆｃの間に位置する中央部２ｆｄとを有している。また、平面視において、バスバー２ｆはその中央部２ｆｄの幅が、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃの幅と異なっており、本実施の形態１のＱＦＰ６では、中央部２ｆｄの幅が、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃのそれぞれの幅よりも大きい。
【００４６】
詳細に説明すると、バスバー２ｆは、ダイパッド側に位置する辺２ｆｅと、インナリード側に位置する辺２ｆｆとを有しており、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃのそれぞれにおいて、辺２ｆｅおよび辺２ｆｆのそれぞれの一部が相互に接近して成る幅狭部（括れ、最も幅が細くなる部分）２ｆｇが形成されている。すなわち、各辺２ｆｅ、２ｆｆに括れが形成されている。また、中央部２ｆｄにおいて、辺２ｆｅの一部と辺２ｆｆの一部が最も離れる幅広部（最も幅が太くなる部分）２ｆｊが形成されている。そして、図５に示すように、バスバー２ｆの辺２ｆｅ，２ｆｆは、中央部２ｆｄから端部２ｆｂおよび端部２ｆｃにかけて（亘って）、弧を描くように形成されている（湾曲している）。すなわち、バスバー２ｆの辺２ｆｅ，２ｆｆは、その中央部２ｆｄから両側の端部２ｆｂ，２ｆｃに亘って曲線で繋がった形状となっており、直線ではない。なお、バスバー２ｆの幅狭部２ｆｇおよび幅広部２ｆｊも、その平面視での外形線は、滑らかな曲線で形成されていることが好ましい。言い換えると、バスバー２ｆの中央部２ｆｄから両側の端部２ｆｂ，２ｆｃに亘り、かつ、幅狭部２ｆｇおよび幅広部２ｆｊを含む外形線が、曲線（湾曲した線）で繋がっており、角を有していないことが好ましい。なお、本実施の形態１におけるバスバー２ｆの長さは、例えば５．００ｍｍであり、辺の曲率半径ｒは、例えば１．２５ｍｍである。
【００４７】
したがって、本実施の形態１では、バスバー２ｆは、平面視において、中央部２ｆｄの幅（太さ）が、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃの幅（太さ）よりも大きく（太く）なっている。
【００４８】
これにより、ワイヤボンディング時にキャピラリ９から付与される荷重を、一カ所に集中させることなく分散させることができる。ただし、幅狭部２ｆｇを形成する外形線は、滑らかな曲線に限定されることはなく、例えば細かな階段状の外形線から成る幅狭部２ｆｇであってもよい。
【００４９】
また、バスバー２ｆには、複数のバスバー用ワイヤ３ｂが、その中央部２ｆｄ、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃにそれぞれ接続されている。すなわち、バスバー２ｆの長手方向の略全ての領域（中央部２ｆｄ、端部２ｆｂ，２ｆｃ）にバスバー用ワイヤ３ｂが接続されている。
【００５０】
本実施の形態１のＱＦＰ６のバスバー２ｆは、図５に示すバスバー２ｆの長手方向（中心線Ｅ方向）に対する各位置での剛性の計算結果（線分Ｇ）に対応させて、バスバー２ｆの各位置における剛性が均一になるようにリード幅（バスバー幅）を変えたものである。すなわち、バスバー２ｆの長手方向（中心線Ｅ方向）において、剛性が高い（大きい）箇所のリード幅は狭くし、一方、剛性が低い（小さい）箇所のリード幅は広くする。一般的に、厚さが略均一な板状の部材の場合、幅が広いと剛性は高くなり、幅が狭いと剛性は低くなる。
【００５１】
したがって、バスバー２ｆの長手方向において、剛性が高い（大きい）箇所のリード幅を狭くし、剛性が低い（小さい）箇所のリード幅を広げることで、バスバー２ｆの長手方向の各位置における剛性の均一化を図り、ワイヤボンディング時にキャピラリ９から荷重が付与された際のバスバー２ｆの長手方向の各位置における撓み量の均一化を図ることができる。なお、バスバー２ｆの撓み量は、撓み量＝荷重÷等価バネ剛性で求めることができる。
【００５２】
ここで、図５のバスバー２ｆの剛性の線分Ｇに示すように、バスバー２ｆの中央部付近に対応する点Ｉにおける剛性の値は、最も小さい値であり、一方、バスバー２ｆの両側の端部付近に対応する点Ｈ１と、点Ｈ２における剛性の値が最も大きな値となっている。なお、バスバー２ｆの両側の端部２ｆｂ，２ｆｃにおける吊りリード２ｃとの連結部２ｆｈに対応する線分Ｇの点Ｊ１，Ｊ２では、剛性が、点Ｈ１，Ｈ２における剛性より僅かに小さくなっている。
【００５３】
これは、後述する図１３のワイヤボンディング時のステージによって支持されている領域（斜線部）に示すように、ワイヤボンディング時には、バスバー２ｆと合わせて吊りリード２ｃの折り曲げ部２ｃａと折り曲げ部２ｃｂの間の領域も支持されていないためである。すなわち、吊りリード２ｃの図５に示す連結部２ｆｈ付近も、ワイヤボンディング時にはステージによって支持されていないため、荷重が付与されると連結部２ｆｈ付近ではバネ作用の振動が発生し、その結果、線分Ｇにおいて、バスバー２ｆで剛性が最も高い箇所（位置）は、点Ｊ１，Ｊ２それぞれから僅かに内側に入った点Ｈ１，Ｈ２の位置となっている。
【００５４】
したがって、バスバー２ｆにおいて、連結部２ｆｈ（点Ｊ１，Ｊ２）が、最も剛性が高い箇所（位置）になることはないが、前記最も剛性が高い箇所（位置）は、両側の端部２ｆｂ，２ｆｃにおいて連結部２ｆｈにより近い箇所（位置）である。
【００５５】
以上のことから、図５に示すバスバー２ｆでは、吊りリード２ｃの幅をＷ１とし、バスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅をＷ２とし、バスバー２ｆの端部２ｆｂの幅をＷ３とすると、「Ｗ２＞Ｗ１＞Ｗ３」の関係であり、最も剛性が低く撓み易いバスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅Ｗ２を、最も剛性が高く撓み難いバスバー２ｆの端部２ｆｂ（２ｆｃ）の幅Ｗ３よりも太くしておくことが好ましい。言い換えると、最も撓み難いバスバー２ｆの端部２ｆｂの幅Ｗ３を、最も撓み易いバスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅Ｗ２よりも細くしておくことが好ましい。なお、本実施の形態１では、吊りリード２ｃの幅Ｗ１は０．７０ｍｍ、バスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅Ｗ２は０．９０ｍｍ、バスバー２ｆの端部２ｆｂの幅Ｗ３は、０．４５ｍｍである。
【００５６】
さらに、詳細に説明すると、ワイヤボンディング工程では、前述のように吊りリード２ｃにおけるバスバー２ｆが繋がる部分（連結部２ｆｈ）も、ステージで支持されない。そのため、バスバー２ｆの端部２ｆｂ（２ｆｃ）のうち、吊りリード２ｃとの連結部２ｆｈの撓み量は、前述のバネ作用により、この端部２ｆｂ（２ｆｃ）における他の領域よりも大きく、バスバー２ｆの連結部２ｆｈよりも内側（中央部側）、言い換えると、この連結部２ｆｈを除く端部２ｆｂ（２ｆｃ）の領域内に幅狭部（括れ、最も幅が細くなる部分）２ｆｇを形成することが好ましい。
【００５７】
そこで、本実施の形態１では、バスバー２ｆにおいて、図５に示す線分Ｇの最も剛性が高い点Ｈ１，Ｈ２に対応する箇所（位置）に幅狭部（括れ）２ｆｇを形成している。
【００５８】
また、本実施の形態１では、バスバー２ｆを、その一方の連結部２ｆｈから他方の連結部２ｆｈまでの領域を４等分（より詳細には８等分）して示している。例えば、４等分の場合、中央部２ｆｄは、領域Ｂと領域Ｃの部分であり、端部２ｆｂは領域Ａの部分、端部２ｆｃは領域Ｄの部分であり、この場合、幅狭部２ｆｇは、領域Ａの端部２ｆｂと領域Ｄの端部２ｆｃに設けられていることが好ましい。
【００５９】
さらに、バスバー２ｆをより詳細に８等分した場合、中央部２ｆｄは、領域Ｍと領域Ｎと領域Ｐと領域Ｑの部分であり、端部２ｆｂは領域Ｋと領域Ｌの部分、端部２ｆｃは領域Ｒと領域Ｓの部分であり、この場合、幅狭部２ｆｇは、最外部の領域Ｋの端部２ｆｂと最外部の領域Ｓの端部２ｆｃに設けられていることが好ましい。
【００６０】
言い換えると、幅狭部２ｆｇは、バスバー２ｆにおいて、吊りリード２ｃとの連結部２ｆｈは含まずにこの連結部２ｆｈに近い最も吊りリード側の領域（図５の領域Ｋと領域Ｓ）に形成されていることが好ましい。
【００６１】
このように本実施の形態１のリードフレーム２では、バスバー２ｆの長手方向（中心線Ｅ方向）に対する各位置での剛性の計算結果（線分Ｇ）に対応させて、バスバー２ｆの長手方向における剛性が低い箇所（中央部２ｆｄ）の強度を高めるとともに剛性が高い箇所（端部２ｆｂ，２ｆｃ）の強度を弱めることにより、バスバー２ｆの長手方向の強度の均一化が図られている。言い換えると、バスバー２ｆの長手方向の撓み量の均一化が図られている。
【００６２】
次に、本実施の形態１のＱＦＰ（半導体装置）６の製造方法について説明する。
【００６３】
図６は図１の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームの構造の一例を示す平面図、図７は図６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図８は図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図、図９は図８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。また、図１０は図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング後の構造の一例を示す平面図、図１１は図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１２は図１の半導体装置の組み立てのワイヤボンディング時の構造の一例を示す部分断面図、図１３は図１２に示すワイヤボンディング時のステージによる支持箇所を示す部分平面図である。さらに、図１４は図１の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の構造の一例を示す平面図、図１５は図１４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１６は図１の半導体装置の組み立てにおける外装めっき後の構造の一例を示す断面図である。また、図１７は図１の半導体装置の組み立てのアウタリード切断・成形後の構造の一例を示す平面図、図１８は図１７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１９は図１の半導体装置の組み立ての吊りリード切断後の構造の一例を示す平面図、図２０は図１の半導体装置の組み立てのワイヤボンディング後のバスバーにおけるワイヤ圧痕の形状の一例を示す部分平面図である。
【００６４】
まず、図６に示すようなデバイス領域２ｇが複数連なって形成された薄板状のリードフレーム２を準備する。なお、デバイス領域２ｇは、１つのＱＦＰ６が形成される領域であり、本実施の形態１では、便宜上、２つのデバイス領域２ｇを示す図を用いながらＱＦＰ６の組み立てを説明する。
【００６５】
図６に示すように、デバイス領域２ｇには、１つのダイパッド（チップ搭載部）２ｄと、このダイパッド２ｄを支持する複数の吊りリード２ｃと、ダイパッド２ｄの周囲に配置され、かつ平面視において複数の吊りリード２ｃのうちの互いに隣り合う吊りリード２ｃ間に配置された複数のインナリード２ｅと、インナリード２ｅと一体に形成された複数のアウタリード２ｂとが形成されている。ここで、複数のインナリード２ｅ、アウタリード２ｂ、吊りリード２ｃ、バスバー２ｆおよびダイパッド２ｄを有するリードフレーム２（図６参照）の厚さは、例えば０．１２５ｍｍであり、インナリード２ｅの幅は、例えば０．１５ｍｍであり、吊りリード２ｃの幅は、例えば０．７０ｍｍである。
【００６６】
さらに、リードフレーム２の各デバイス領域２ｇには、平面視においてダイパッド２ｄと複数のインナリード２ｅとの間に配置され、かつ、複数の吊りリード２ｃのうちの互いに隣り合う2つの吊りリード２ｃ間に配置され、さらに、図７の断面視において複数のインナリード２ｅとダイパッド２ｄとの間の高さに配置された複数のバスバー２ｆが設けられている。バスバー２ｆは、その両端が図５に示す連結部２ｆｈを介して吊りリード２ｃと一体で繋がっており、したがって、吊りリード２ｃを介してダイパッド２ｄとも一体で繋がっている。
【００６７】
また、複数の吊りリード２ｃのそれぞれは、２箇所に折り曲げ（折り曲げ部２ｃａ，２ｃｂ）を有しており、２段階の段差（２段オフセット）が形成されている。これにより、図７に示すように、各バスバー２ｆは、インナリード２ｅとダイパッド２ｄとの間の高さに配置されている。
【００６８】
さらに、各バスバー２ｆには、図５に示すように、両側の端部２ｆｂ，２ｆｃに、辺２ｆｅおよび辺２ｆｆのそれぞれの一部が相互に接近して成る幅狭部（括れ、最も幅が細くなる部分）２ｆｇが形成されている。すなわち、撓み易いバスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅が、撓み難いバスバー２ｆの端部２ｆｂ，２ｆｃの幅よりも太く形成されている。言い換えると、撓み難いバスバー２ｆの端部２ｆｂ，２ｆｂの幅が、撓み易いバスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅よりも細く形成されている。
【００６９】
また、バスバー２ｆにおいて、図５に示す線分Ｇの最も剛性が高い点Ｈ１，Ｈ２に対応する箇所（位置）に幅狭部（括れ、最も幅が細くなる部分）２ｆｇが形成されており、バスバー２ｆを、例えば、４等分した場合、幅狭部２ｆｇは、領域Ａの端部２ｆｂと領域Ｄの端部２ｆｃに設けられている。
【００７０】
さらに、バスバー２ｆをより詳細に８等分した場合、幅狭部２ｆｇは、最外部の領域Ｋの端部２ｆｂと最外部の領域Ｓの端部２ｆｃに設けられている。
【００７１】
なお、各デバイス領域２ｇは、図６に示すように枠部２ｈによって囲まれており、複数のアウタリード２ｂや複数の吊りリード２ｃは枠部２ｈによって支持されている。
【００７２】
また、リードフレーム２は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属から成る。
【００７３】
まず、前述のような複数のデバイス領域２ｇを有する薄板状のリードフレーム２を準備する。
【００７４】
その後、ダイボンドを行う。ダイボンド工程では、図８および図９に示すように、半導体チップ１をダイパッド２ｄ上に搭載する。なお、半導体チップ１の表面１ａには、複数のボンディングパッド（電極パッド）１ｃが形成されており、これら複数のボンディングパッド１ｃが形成された表面１ａが上方に向くように半導体チップ１をフェイスアップ状態で搭載する。この時、図９に示すようにダイパッド２ｄの上面２ｄａにダイボンド材５を介してフェイスアップ状態で半導体チップ１を搭載する。すなわち、まず、ダイパッド２ｄの上面２ｄａに、表面１ａを上方に向けて（ダイパッド２ｄの上面２ｄａと半導体チップ１の裏面１ｂとが対向するように）ダイボンド材５を介して半導体チップ１を搭載する。
【００７５】
その後、ワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディング工程では、図１０および図１１に示すように、半導体チップ１のボンディングパッド１ｃｂ（１ｃ）とインナリード２ｅ、および半導体チップ１のボンディングパッド１ｃａ（１ｃ）とバスバー２ｆとを、それぞれワイヤ３を介して電気的に接続する。すなわち、半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃのうちの複数のボンディングパッド１ｃｂと複数のインナリード２ｅを複数のリード用ワイヤ３ａ（３）を介してそれぞれ電気的に接続し、さらに半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃのうちの複数のボンディングパッド１ｃａとバスバー２ｆを複数のバスバー用ワイヤ３ｂ（３）を介してそれぞれ電気的に接続する。
【００７６】
この時、本実施の形態１のワイヤボンディング工程では、図１２に示すように、ダイパッド２ｄの下面２ｄｂおよび複数のインナリード２ｅのそれぞれの下面２ｅｂをワイヤボンディング用のステージ８で支持し、かつバスバー２ｆの下面２ｆｉをステージ８で支持しない状態でワイヤボンディングを行う。これは、ステージ８において異なった３段の高さを設定するのは、各部材の加工精度や熱膨張の関係から非常に困難であり、したがって、バスバー２ｆの下面２ｆｉは支持せずに隙間を設けることで、各部材の加工精度や熱膨張によるばらつきを前記隙間に吸収させているためである。
【００７７】
その結果、バスバー２ｆの下面２ｆｉは、特に支持されない状態でワイヤボンディングが行われる。
【００７８】
なお、図１３は、ワイヤボンディング時にリードフレーム２において下面が支持されている箇所（部分）を斜線部で示したものであり、ダイパッド２ｄの下部に相当する斜線部Ｔ、および４本の吊りリード２ｃのそれぞれの外側の折り曲げ部２ｃｂ（インナリード２ｅと同じ高さを形成する折り曲げ）のさらに外側の領域に相当する斜線部Ｕが、図１２に示すステージ８によって支持されている。したがって、各バスバー２ｆの下面２ｆｉは、ワイヤボンディング時、特に支持されていない状態となっている。
【００７９】
また、図１２に示すように、各インナリード２ｅは、ワイヤボンディング時、その上面２ｅａが押さえブロック８ａによって押さえ付けられた状態でワイヤボンディングされる。これにより、各インナリード２ｅは、上下面が押さえ付けられた状態でワイヤボンディングされるため、ワイヤボンディング時の各インナリード２ｅのばたつきを低減できるとともに、超音波を印加してワイヤボンディングを行う方式においては、超音波をより確実に付与することができる。
【００８０】
また、前記ワイヤボンディングでは、それぞれに形成されるワイヤループの高さが低い順にワイヤボンディングを行うことが好ましい。例えば図１２に示すように、まず、半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃａ（１ｃ）とバスバー２ｆを複数のバスバー用ワイヤ３ｂ（３）によって電気的に接続し、その後、半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃｂ（１ｃ）と複数のインナリード２ｅを複数のリード用ワイヤ３ａ（３）によって電気的に接続する。ただし、キャピラリ９のワイヤボンディング時の動作への影響等により、前述のワイヤボンディング順が変わってもよいことはいうまでもない。
【００８１】
また、ＱＦＰ６のワイヤボンディングでは、半導体チップ１のボンディングパッド１ｃにワイヤ３の一部を接続（１ｓｔボンド）した後、ワイヤ３の他部をバスバー２ｆ、あるいはインナリード２ｅに接続（２ｎｄボンド）する、所謂、正ボンディング方式を採用している。ここで、バスバー２ｆがダイパッド２ｄとインナリード２ｅの間の高さの位置に配置されていることにより、バスバー用ワイヤ３ｂとリード用ワイヤ３ａのクリアランスを広げることができ、バスバー用ワイヤ３ｂとリード用ワイヤ３ａがショートすることを低減できる。
【００８２】
なお、本実施の形態１のＱＦＰ６のワイヤボンディングでは、複数のバスバー用ワイヤ３ｂを、図５に示すように、バスバー２ｆの中央部２ｆｄ、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃにそれぞれ接続する。すなわち、バスバー２ｆの長手方向の全体に亘ってバスバー用ワイヤ３ｂを正ボンディング方式で接続する。
【００８３】
また、ＱＦＰ６のワイヤボンディングでは、４辺のバスバー用ワイヤ３ｂ全てに対して、バスバー２ｆの長手方向の中央部２ｆｄ、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃにそれぞれ接続する。
【００８４】
これにより、４辺のバスバー用ワイヤ３ｂ全てにおいて、それぞれの長手方向の中央部２ｆｄ、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃには、図２０に示すように、後述する同程度の大きさのワイヤ３の圧痕３ｃ（キャピラリ圧痕）が複数個形成される。
【００８５】
各バスバー２ｆおよび各インナリード２ｅへのワイヤボンディング完了後（ワイヤボンディング工程後）、各バスバー２ｆやインナリード２ｅに形成されたワイヤ３の圧痕３ｃおよびボンディング形状の外観検査を行う。本実施の形態１のＱＦＰ６では、バスバー２ｆの端部２ｆｂ，２ｆｃに幅狭部２ｆｇが形成されて、バスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅が、両側の端部２ｆｂ，２ｆｃの幅に比べて太くなっているため、バスバー２ｆの長手方向の剛性の均一化が図られている。したがって、ワイヤボンディング時にバスバー２ｆの長手方向の複数箇所に形成される図２０に示すワイヤ３の圧痕３ｃ（キャピラリ圧痕）の平面視の形状において、ばらつきの低減化が図られている。
【００８６】
なお、本実施の形態１のＱＦＰ６の組み立てでは、ワイヤボンディング工程内で製品着工（製品へのワイヤボンディング）の前に、ワイヤボンディング装置のボンディング条件に問題がないかをダミーの組み立て品（製品と同等品）を用いて確認しているが、その際に、前述のワイヤ３の圧痕３ｃとボンディング形状の外観検査、およびボンディング強度の検査を行う。
【００８７】
その後、前記外観検査により良品と判定されたワイヤボンディング済みのリードフレーム２に対して樹脂モールドを行う。
【００８８】
本実施の形態１の樹脂モールド工程では、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂を用いて、図１４および図１５に示すように、各デバイス領域２ｇごとに封止体４を形成する。その際、ＱＦＰ６はダイパッド露出型であるため、ダイパッド２ｄの下面２ｄｂが露出するように、ダイパッド２ｄ、半導体チップ１、複数のインナリード２ｅ、複数の吊りリード２ｃ、複数のワイヤ３を封止する。封止体４の各側面４ａからは複数のアウタリード２ｂが突出した状態となる。
【００８９】
その後、タイバーカットを行う。タイバーカット工程では、隣り合うアウタリード２ｂを連結する図１４に示すタイバー２ｉを切断し、隣り合うアウタリード２ｂ同士を分離する。
【００９０】
その後、外装めっき形成を行う。外装めっき工程では、図１６に示すように、封止体４から突出した複数のアウタリード２ｂおよびダイパッド２ｄの下面２ｄｂに、例えば錫−ビスマス系等の外装めっき７を施す。
【００９１】
その後、アウタリード成形を行う。アウタリード成形工程では、図１７および図１８に示すように、複数のアウタリード２ｂをリードフレーム２の枠部２ｈから切断分離するとともに、ガルウィング状に曲げ成形する。
【００９２】
その後、マーキングを行う。マーキング工程では、封止体４の表面に、例えばレーザ等を用いて、その製造履歴等をマーキングする。
【００９３】
その後、吊りリード切断を行う。吊りリード切断工程では、図１９に示すように、封止体４の角部から突出する吊りリード２ｃを切断して個片化を完了する。
【００９４】
その後、外観検査を行う。外観検査工程では、ＱＦＰ６の外観部分を検査する。
【００９５】
その後、テスト（選別）を行う。テスト工程では、組み立てられたＱＦＰ６の電気的特性テストを行い、良品と不良品の選別を行ってＱＦＰ６の組み立て完了となる。
【００９６】
本実施の形態１においては、ワイヤボンディング工程で、ダイパッド２ｄの下面２ｄｂおよび複数のインナリード２ｅの下面２ｅｂをステージ８で支持し、かつバスバー２ｆの下面２ｆｉをステージ８で支持しない状態で半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃａ（１ｃ）とバスバー２ｆの複数箇所を複数のバスバー用ワイヤ３ｂとを電気的に接続する。
【００９７】
その時、バスバー２ｆの長手方向の端部２ｆｂ，２ｆｃには、幅狭部２ｆｇが形成されており、バスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅が、両側の端部２ｆｂ，２ｆｃの幅より太く形成されているため、バスバー２ｆは、その長手方向に対して剛性の均一化が図られている。詳細には、図５に示すように、バスバー２ｆの長手方向（中心線Ｅ方向）に対する各位置での剛性の計算結果（線分Ｇ）に対応させて、バスバー２ｆの長手方向における剛性が低い箇所（中央部２ｆｄ）の強度を高めるとともに、剛性が高い箇所（端部２ｆｂ，２ｆｃ）の強度を弱めることにより、バスバー２ｆの長手方向の強度の均一化が図られている。
【００９８】
さらに、バスバー２ｆの平面視の形状として、長手方向の中央部２ｆｄの太い部分から両側の端部２ｆｂ，２ｆｃそれぞれの細い部分にかけて弧を描くように形成されているため、バスバー２ｆに荷重が付与された際に応力が一点に集中することなく分散させることができる。
【００９９】
これにより、ワイヤボンディングの２ｎｄボンドの際に、キャピラリ９によってバスバー２ｆに荷重が印加された際に、バスバー２ｆの中央部２ｆｄと両側の端部２ｆｂ，２ｆｃとでバスバー２ｆの撓み量の均一化を図ることができる。
【０１００】
その結果、図２０に示すように、バスバー２ｆの長手方向の複数箇所に形成されるワイヤ３の圧痕３ｃ（キャピラリ圧痕）の平面視の形状のばらつきの低減化を図ることができる。
【０１０１】
これにより、ワイヤボンディングにおける外観検査の良品・不良品の判定を容易に行うことができ、誤判定を減らして前記外観検査の精度を高めることができる。
【０１０２】
さらに、ワイヤボンディング工程内において、製品着工の前に、ダミーの組み立て品（製品と同等品）を用いてワイヤ３の圧痕３ｃとボンディング形状の外観検査、およびボンディング強度の検査を行うことで、この段階で製品のワイヤ３の接続強度が十分に得られていることを確認できる。
【０１０３】
したがって、ＱＦＰ（半導体装置）６の信頼性の向上を図ることができる。
【０１０４】
さらに、ワイヤボンディング工程後にも前述のワイヤ３の圧痕３ｃとボンディング形状の外観検査、およびボンディング強度の検査を行うことにより、ＱＦＰ６の信頼性の向上をさらに図ることができる。
【０１０５】
また、ワイヤボンディングにおける外観検査の良品・不良品の判定が容易になるため、前記判定の効率化を図ることができ、前記外観検査の効率を向上させることができる。
【０１０６】
次に、本実施の形態１の変形例について説明する。
【０１０７】
図２１は実施の形態１の第１変形例の半導体装置の構造を示す断面図、図２２は図２１の半導体装置の吊りリードにおける切断構造を示す断面図である。また、図２３は実施の形態１の第４変形例の半導体装置のバスバーの構造を示す拡大部分平面図とバスバーの各位置における剛性の計算結果の一例を示す評価図、図２４は実施の形態１の第５変形例の半導体装置のバスバーの構造を示す拡大部分平面図とバスバーの各位置における剛性の計算結果の一例を示す評価図である。
【０１０８】
（第１変形例）
図２１および図２２に示す第１変形例は、ダイパッド２ｄの下面２ｄｂが封止体４の一部で覆われたＱＦＰ６である。すなわち、図１に示す実施の形態１のＱＦＰ６が、ダイパッド露出型の半導体装置であったのに対して、第１変形例のＱＦＰ６は、ダイパッド埋め込み型の半導体装置である。つまり、本実施の形態１の半導体装置は、ダイパッド露出型の半導体装置に限定されるものではなく、バスバー２ｆの形状においてその中央部２ｆｄの幅が端部２ｆｂ，２ｆｃより大きければ、ダイパッド埋め込み型の半導体装置であってもよい。
【０１０９】
この場合、封止体４の下面４ｂにダイパッド２ｄが露出しないため、ＱＦＰ６が搭載される実装基板（図示せず）における配線パターンの引き回しの自由度を増やすことができる。
【０１１０】
（第２変形例）
また、図１に示す実施の形態１のＱＦＰ６では、バスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅Ｗ２、端部２ｆｂ（２ｆｃ）の幅Ｗ３および吊りリード２ｃの幅Ｗ１の関係が、「Ｗ２＞Ｗ１＞Ｗ３」であったのに対して、本第２変形例は、「吊りリード２ｃの幅Ｗ１＞バスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅Ｗ２＞バスバー２ｆの端部２ｆｂ（２ｆｃ）の幅Ｗ３」とするものである。これにより、ダイパッド２ｄとインナリード２ｅの間のスペースを小さくしてインナリード２ｅと接続するワイヤ３の長さを短くすることができる。
【０１１１】
一方、ダイパッド２ｄとインナリード２ｅの間のスペースを大きく確保可能な場合には、「バスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅Ｗ２＞バスバー２ｆの端部２ｆｂ（２ｆｃ）の幅Ｗ３＞吊りリード２ｃの幅Ｗ１」としてもよい。
【０１１２】
（第３変形例）
また、図１に示す実施の形態１のＱＦＰ６では、４つのバスバー２ｆの全てに対して、複数のワイヤ（バスバー用ワイヤ３ｂ）３をそれぞれ接続することについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、４つのうちの１つのバスバー２ｆに対してのみ、このバスバー２ｆの中央部２ｆｄと両側の端部２ｆｂ，２ｆｃにワイヤ３を接続する場合は、この１つのバスバー２ｆに対してのみ、図１（図５）と同様なバスバー形状を採用し、他のバスバー２ｆは幅狭部（括れ）２ｆｇを備えない直線状の辺からなるバスバー２ｆを採用してもよい。
【０１１３】
しかしながら、４つのバスバー２ｆの全てに対してワイヤ３を接続しない場合であっても、樹脂モールド工程時における樹脂の流れを安定（均一化）させるためには、全てのバスバー２ｆに対して図５に示すようなバスバー形状を採用しておくことが好ましい。
【０１１４】
（第４変形例）
また、図１に示す実施の形態１のＱＦＰ６では、バスバー２ｆの両辺に括れを形成することについて説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、図２３に示すように、一方の辺（ここでは、ダイパッド側に位置する辺２ｆｅ）にのみ括れを形成し、他方の辺（ここでは、インナリード側の辺２ｆｆ）には括れを形成しない形状であってもよい。すなわち、バスバー２ｆの端部２ｆｂ，２ｆｃのそれぞれにおいて、辺２ｆｅおよび辺２ｆｆのうちの何れか一方の一部（ここでは、ダイパッド側に位置する辺２ｆｅ）が、他方（ここでは、インナリード側の辺２ｆｆ）に接近して成る幅狭部２ｆｇが形成されているものである。
【０１１５】
しかしながら、バスバー２ｆの強度（剛性）のバランスを考慮すると、図１（図５）に示す実施の形態１のＱＦＰ６のように、バスバー２ｆの両辺（２ｆｅ，２ｆｆ）に括れを形成しておくことが好ましい。
【０１１６】
（第５変形例）
また、バスバー２ｆは、図２４に示すように、最も撓み易い部分（図５に示す実施の形態１では、領域Ｎ，Ｐから成る中央部２ｆｄ）のみの幅を太くし、一方、最も撓み難い部分（図５に示す実施の形態１では、領域Ｋ，Ｓの端部２ｆｂ，２ｆｃ）のみの幅を細くしただけの形状としてもよい。しかしながら、図２４の剛性の評価図に示すように、バスバー２ｆの剛性（撓み方）は、曲線を描くように変化しており、図２４に示すような階段状に細くなる形状の場合、曲線を描くように変化する場合に比較して得られる効果が少ない。したがって、バスバー２ｆの辺２ｆｅ，２ｆｆの形状も曲線を描くように、連続して湾曲させておく方が好ましい。
【０１１７】
（実施の形態２）
図２５は実施の形態２の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図２６は図２５のＺ部の構造を示す拡大部分平面図、図２７は実施の形態２の第１変形例の半導体装置のバスバーの構造を示す拡大部分平面図である。
【０１１８】
本実施の形態２の半導体装置は、実施の形態１のＱＦＰ６と同様に、バスバー２ｆを有したＱＦＰ１０である。ＱＦＰ１０の実施の形態１のＱＦＰ６との相違点は、バスバー２ｆの中央部２ｆｄにはワイヤ３を接続せずにバスバー２ｆの端部２ｆｂ，２ｆｃにのみワイヤ３を接続することと、バスバー２ｆの中央部２ｆｄの幅Ｗ２を端部２ｆｂ，２ｆｃの幅Ｗ３より細くすることであり、それ以外の構造は、実施の形態１のＱＦＰ６と同様である。
【０１１９】
すなわち、本実施の形態２のＱＦＰ１０は、バスバー２ｆの中央部２ｆｄにはワイヤ３を接続せずに端部２ｆｂ，２ｆｃのみにワイヤ３を接続するものであり、この場合に、バスバー２ｆの中央部２ｆｄを端部２ｆｂ，２ｆｃより細くするものである。例えば、ダイパッド２ｄとバスバー２ｆの距離が近く、かつワイヤ（バスバー用ワイヤ３ｂ）３を２本程度しかバスバー２ｆに接続しない構造などにおいて、図２６に示すように、平面視において中央部２ｆｄの幅Ｗ２を、端部２ｆｂおよび端部２ｆｃの幅Ｗ３よりも小さくする（Ｗ２＜Ｗ３）ものである。
【０１２０】
つまり、図２６に示すバスバー２ｆでは、その長手方向の中央部２ｆｄに、辺２ｆｅおよび辺２ｆｆのそれぞれの一部が相互に接近して成る幅狭部２ｆｇが形成されており、その長手方向の端部２ｆｂ、２ｆｃに、辺２ｆｅおよび辺２ｆｆのそれぞれの一部が最も離れる幅広部２ｆｊが形成されている。したがって、バスバー２ｆの強度を弱めて、端部２ｆｂ，２ｆｃにおけるワイヤボンディング時の端部２ｆｂ，２ｆｃの撓みを吊りリード２ｃに追従するようにしている。
【０１２１】
これにより、バスバー２ｆの両側の端部２ｆｂ，２ｆｃへの２ｎｄボンドの際の端部２ｆｂ，２ｆｃでの撓み量の均一化を図ることができ、端部２ｆｂ，２ｆｃにおけるワイヤ３の圧痕３ｃ（キャピラリ圧痕）の平面視の形状のばらつきの低減化を図ることができる。
【０１２２】
その結果、実施の形態１と同様に、ワイヤボンディングの外観検査の精度を高めることができる。
【０１２３】
なお、バスバー２ｆの中央部２ｆｄにおける幅狭部２ｆｇについては、辺２ｆｅおよび辺２ｆｆのうちの何れか一方のみの一部が他方に接近して成る幅狭部２ｆｇであってもよい。
【０１２４】
本実施の形態２のＱＦＰ１０のその他の構造および製造方法については、実施の形態１のＱＦＰ６と同様であるため、その重複説明は省略する。また、本実施の形態２のＱＦＰ１０によって得られるその他の効果についても、実施の形態１のＱＦＰ６のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１２５】
次に、実施の形態２の変形例について説明する。
【０１２６】
図２７に示す実施の形態２の第１変形例は、バスバー２ｆにおいて最も撓み易い部分（本実施の形態２では、領域Ｎ，Ｐの中央部２ｆｄ）を細くし、一方、最も撓み難い部分（本実施の形態２では、領域Ｋ，Ｓの端部２ｆｂ，２ｆｃ）の幅を太くした形状である。
【０１２７】
これにより、端部２ｆｂ，２ｆｃにおけるワイヤボンディング時の端部２ｆｂ，２ｆｃの撓みを吊りリード２ｃに追従するようにできる。
【０１２８】
ただし、バスバー２ｆの長手方向に対する剛性（撓み方）は、曲線を描くように変化しており、図２７の実施の形態２の第１変形例に示すような階段状に細くなる形状の場合、曲線を描くように変化する場合に比較して得られる効果が少ない。したがって、バスバー２ｆの辺２ｆｅ，２ｆｆの形状も曲線を描くように、連続して湾曲させておく方が好ましい。
【０１２９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１３０】
前記実施の形態１，２では、半導体装置がＱＦＰの場合を取り上げて説明したが、前記半導体装置は、バスバーを有する構造の半導体装置であれば、ＱＦＰに限らず、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) などであってもよい。
【０１３１】
また、前記実施の形態１，２では、幅狭部が端部２ｆｂ、２ｆｃの各一箇所、幅広部が中央部２ｆｄに一箇所ずつ形成される構造例について説明したが、この幅狭部および幅広部が複数ずつ形成されていてもよい。言い換えると、中央部２ｆｄと各端部２ｆｂ、２ｆｃの境界部における辺２ｆｅ、２ｆｆの形状が、中央部２ｆｄから各端部２ｆｂ、２ｆｃにかけて弧を描くように形成されていれば、各部２ｆｂ、２ｆｃ、２ｆｄが直線状に形成された辺を有していてもよい。ただし、バスバー２ｆの長さ（辺２ｆｅ、２ｆｆの長さ）が短い場合には、中央部２ｆｄから各端部２ｆｂ、２ｆｃにかけて、低い曲率半径ｒで弧を描くことが困難となることから、このような場合には、前記実施の形態１，２のように、直線状の辺を有さないバスバー２ｆが好ましい。
【０１３２】
さらに、前記実施の形態１，２では、バスバー２ｆの辺において、幅広部から幅狭部に掛けて湾曲する部分の曲率半径ｒが１．２５ｍｍを例に挙げたが、これに限定されるものではない。例えば、上限値としては、直線（＝∞）でなければ良い。また、下限値としては、プレス加工よりもより低曲率を形成し易いエッチング方式により形成可能な０．５０ｍｍ以上であれば良い。しかしながら、曲率半径ｒの設定は、あくまでも使用するバスバー２ｆの長さによってほぼ決まるものであり、前記実施の形態１，２のように、バスバー２ｆの長さの１／４程度が加工上の点でも好ましい。
【符号の説明】
【０１３３】
１  半導体チップ
１ａ  表面（主面）
１ｂ  裏面
１ｃ，１ｃａ，１ｃｂ  ボンディングパッド
２  リードフレーム
２ａ  リード
２ｂ  アウタリード
２ｂａ  下面
２ｃ  吊りリード
２ｃａ，２ｃｂ  折り曲げ部
２ｄ  ダイパッド
２ｄａ  上面
２ｄｂ  下面
２ｅ  インナリード
２ｅａ  上面
２ｅｂ  下面
２ｆ  バスバー
２ｆａ  上面
２ｆｂ，２ｆｃ  端部
２ｆｄ  中央部
２ｆｅ，２ｆｆ  辺
２ｆｇ  幅狭部
２ｆｈ  連結部
２ｆｉ  下面
２ｆｊ  幅広部
２ｇ  デバイス領域
２ｈ  枠部
２ｉ  タイバー
３  ワイヤ
３ａ  リード用ワイヤ
３ｂ  バスバー用ワイヤ
３ｃ  圧痕
４  封止体
４ａ  側面
４ｂ  下面
５  ダイボンド材
６  ＱＦＰ（半導体装置）
７  外装めっき
８  ステージ
８ａ  押さえブロック
９  キャピラリ
１０  ＱＦＰ（半導体装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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