(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置され、少なくとも一方が極薄ガラスよりなる一対の基板と、前記一対の基板間に配置される液晶材料と、前記一対の基板間に配置され、前記一対の基板を貼り合わせるとともに前記液晶材料を囲み封止するメインシールパターンと、
表示領域に配置され前記一対の基板間の距離を一定範囲に保持する柱状スペーサと、
前記極薄ガラスよりなる一方の基板の切断により形成された基板端近傍において、少なくとも該基板端までかかり配置され、前記一対の基板間の距離を一定範囲に保持するギャップ保持材とを備え、前記ギャップ保持材は、前記極薄ガラスよりなる一方の基板表面上に、前記柱状スペーサと同じ材料により、同じ高さに形成され、前記メインシールパターンと空間を空けて分離しながら前記基板端に沿って延在して形成され、該ギャップ保持材とメインシールパターン間に形成される前記空間が該ギャップ保持材により囲まれる領域より外部に対して開放される開口部を一部において有して形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ギャップ保持材が、前記極薄ガラスよりなる一方の基板の辺の全体に渡って形成されて、当該一方の基板の四隅において、前記開口部が配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記極薄ガラスよりなる一方の基板が、一方の面にカラーフィルタ及びブラックマトリクスを備え、他方の面に視野方向を二方向に分離する遮光層である視差バリアを備えたカラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項１或いは請求項２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極薄ガラスが使われる液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、湾曲用途の液晶表示装置（湾曲ディスプレイ）や、液晶パネルの表示面に視差バリアを配置することで、２画面表示可能な液晶表示装置（２画面ディスプレイ）が提案されている。これらの液晶表示装置に共通する構成として、極薄ガラスが用いられている。例えば、特許文献１では、湾曲ディスプレイにも転用が可能となる柔軟に折り曲げが可能な液晶パネルを実現するため、極薄ガラスとして、約０．０１〜０．１５ｍｍの極薄の基板厚さを有するガラス基板を用いた液晶パネルに関する記載がある。また、特許文献２には、反射型液晶表示装置の用途として、同様に、一方の基板側のみに極薄ガラスとして０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの極薄の基板厚さを有するガラス基板を用いた液晶パネルとその切断方法などの技術に関する記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３３７５５０号公報
【特許文献２】特開平５−２４９４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
２画面ディスプレイや湾曲ディスプレイ、或いは反射型ディスプレイの様な基板厚さ０．１ｍｍ程度の極薄ガラスが使われる液晶表示装置では、特許文献２にも記載される様に、マザー基板サイズのセル基板の状態で、少なくとも一方のガラス基板を薄型化して、極薄ガラスとした後に、個々の液晶パネルのサイズに分断される。この分断のためのガラスの切断時には、ガラス表面に切断の起点となる切断傷であるスクライブラインを形成する。具体的には、隣接するパネルのシールパターン間の極薄ガラス表面にスクライブカッター（或いはスクライブホイール）にてスクライブラインを形成する。このスクライブカッター（或いはスクライブホイール）が極薄ガラス表面に当接され荷重が加えられた際、極薄ガラスには大きなたわみが発生する。たわみ量はスクライブラインとシールとの間隔の違いで変化することから、反発応力が安定せず、良好にスクライブラインを形成することが困難である。又、同一スクライブライン上においても、シール位置・幅・スクライブライン精度のバラツキの影響で、均一な間隔を保てず、スクライブ条件も変動する。結果として切断面の微小クラックなどの切断ダメージの残存及び切断時の割れなどの不良を発生し、歩留りが低くなる。また、これら極薄ガラスが使われる液晶表示装置では、構造上、総じて外的な応力の印加に対して弱く、極薄ガラスの損傷による液晶漏れなどが発生するなど、液晶表示装置自体の耐久性の面で問題が残存していた。
【０００５】
この発明は、上述の様な問題を解決するために為されたもので、極薄ガラスを用いた液晶表示装置において、耐久性及び信頼性の向上と高歩留りにより低コストで製造することを可能とする液晶表示装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶表示装置においては、対向配置され、少なくとも一方が極薄ガラスよりなる一対の基板と、これら一対の基板間に配置される液晶材料と、これら一対の基板を貼り合わせるとともに液晶材料を囲み封止するメインシールパターンと、表示領域に配置され前記一対の基板間の距離を一定範囲に保持する柱状スペーサと、極薄ガラスよりなる一方の基板の切断により形成された基板端近傍において、少なくとも基板端までかかり配置され、一対の基板間の距離を一定範囲に保持するギャップ保持材とを備え、前記ギャップ保持材は、前記極薄ガラスよりなる一方の基板表面上に、前記柱状スペーサと同じ材料により、同じ高さに形成され、前記メインシールパターンと空間を空けて分離しながら前記基板端に沿って延在して形成され、該ギャップ保持材とメインシールパターン間に形成される前記空間が該ギャップ保持材により囲まれる領域より外部に対して開放される開口部を一部において有して形成されたものである。
【発明の効果】
【０００７】
極薄ガラスを用いた液晶パネル及び液晶表示装置において、製造時にシールパンクなどを発生することなく、更に、安定したスクライブラインの形成が可能となるとともに、液晶パネルの極薄ガラス端面近傍を補強できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１の液晶表示装置における液晶パネルの平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１の液晶表示装置における液晶パネルの断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における液晶パネルの製造方法における組み立て工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態１の液晶パネル製造工程におけるマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の液晶パネル製造工程におけるマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の液晶パネル製造工程におけるスクライブ工程でのマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した平面図及び断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１の液晶パネル製造工程におけるスクライブ工程及びセル分断工程での信号端子近傍を示した断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１変形例の液晶パネル製造工程におけるマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１変形例の液晶パネル製造工程におけるスクライブ工程でのマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１変形例の液晶パネル製造工程におけるマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した平面図及び断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１変形例の液晶パネル製造工程におけるスクライブ工程でのマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した平面図及び断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２の液晶表示装置における液晶パネルの平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２の液晶表示装置における液晶パネルの断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２の液晶パネル製造工程におけるマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２変形例の液晶パネル製造工程におけるスクライブ工程でのマザーＴＦＴ基板及びマザーＣＦ基板を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
本実施形態１の液晶表示装置に用いられる液晶パネル１００の構成について図１及び図２の模式図を用いて説明する。図１は、液晶パネル全体の構成の平面図を示しており、図２は、図１におけるＡ−Ｂ断面線における断面図を其々示したものである。尚、ここでは、一例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）方式の二画面ディスプレイ液晶パネルについて説明を行うことにする。この液晶パネル１００は、図に示される様に、スイッチング素子としてＴＦＴがアレイ状に配置されるスイッチング素子基板（以下、ＴＦＴ基板１１０）と、カラーフィルタなどの形成されるカラーフィルタ基板（以下、ＣＦ基板１２０）と、液晶パネル１００が動作した際に画像を表示する表示面に対応する領域である表示領域２００に対して、ＴＦＴ基板１１０とＣＦ基板１２０との間における、少なくとも表示領域２００を囲うように配置されたＣＦ基板１２０とＴＦＴ基板１１０との間の間隙を密封するメインシールパターン１３０を備えている。更にＴＦＴ基板１１０とＣＦ基板１２０間には、基板間に所定の一定範囲の間隙を形成し保持する柱状スペーサ１３３、言い換えると、基板間の距離を一定範囲に保持する柱状スペーサ１３３が表示領域２００内に多数配置される。このメインシールパターン１３０により密封され、柱状スペーサにより保持されたＣＦ基板１２０とＴＦＴ基板１１０との間の間隙の少なくとも表示領域２００に対応する領域に液晶材料が狭持されることにより、液晶層１４０が配置されている。言い換えると、液晶材料は、メインシールパターン１３０により囲まれて封止されている。ここでは、液晶材料として一般的なＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）タイプの液晶材料を用いている。なお、ここで使用した表示領域２００については、液晶パネル１００のＴＦＴ基板１１０上、ＣＦ基板１２０上、或いは両基板間に挟まれる領域の全てにおいて使用することとし、本明細書中においては全て同様の意味にて使用する。
【００１０】
上述のＴＦＴ基板１１０は、透明基板である厚み０．７ｍｍ程度の一般的なガラスよりなるガラス基板１１１の一方の面に液晶を配向させる配向膜１１２、配向膜１１２の下部に設けられ液晶を駆動する電圧を印加する画素電極１１３、画素電極１１３に電圧を供給するスイッチング素子であるＴＦＴ１１４、ＴＦＴ１１４を覆う絶縁膜１１５、ＴＦＴ１１４に信号を供給する配線である複数のゲート配線１１６及びソース配線１１７、ＴＦＴ１１４に供給される信号を外部から受け入れる信号端子１１８、信号端子１１８から入力された信号を対向電極１２３へ伝達する為のトランスファ電極（図示省略）などを有している。また、ガラス基板１１１の他方の面には偏光板１３４を有している。
【００１１】
一方、上述のＣＦ基板１２０は、透明基板である厚み０．１ｍｍ程度の極薄ガラスよりなるガラス基板１２１の一方の面に液晶を配向させる配向膜１２２、配向膜１２２の下部に配置され、ＴＦＴ基板１１０上の画素電極１１３との間に電界を生じ液晶を駆動する共通電極１２３、共通電極１２３下部に設けられるカラーフィルタ１２４及びカラーフィルタ１２４間を遮光するため、或いは表示領域２００に対応する領域外側に配置される額縁領域を遮光するために設けられる遮光層であるブラックマトリクス（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ：ＢＭ）１２５などを有している。また、ガラス基板１２１の他方の面には、２画面ディスプレイとして、視野方向を二方向に分離する遮光層である視差バリア１２６が画素内に配置されるＢＭ１２５とずれた位置に形成されている。更に、視差バリア１２６よりも外側には、偏光板１３５を有している。カラーフィルタ１２４としては、樹脂中に顔料などを分散させた色材層が選択でき、赤、緑、青などの特定の波長範囲の光を選択的に透過するフィルタとして機能し、これら異なる色の色材層が規則的に配列して構成される。ＢＭ１２５は、カラーフィルタ１２４間以外に表示領域２００外側の額縁領域にも配置され、ＣＦ基板１２０における額縁領域のほぼ全域に渡り形成されており、表示に不要な額縁領域におけるＣＦ基板１２０中の光の透過を遮光している。ＢＭ１２５及び視差バリア１２６を構成する遮光層としては、クロムと酸化クロムの積層膜などを用いた金属系の材料や樹脂中に黒色粒子を分散させた樹脂系の材料などを選択することができる。なお、配向膜より下層に、カラーフィルタ１２４とＢＭ１２５を覆うように透明樹脂膜よりなるオーバーコート層を設ける構成としても構わない。
【００１２】
また、ＴＦＴ１１０基板とＣＦ基板１２０はメインシールパターン１３０を介して貼り合わされており、表示領域２００に配置される柱状スペーサ１３３により所定の基板間隔に保持されている。更にトランスファ電極と共通電極１２３は、トランスファ材により電気的に接続されており、信号端子１１８から入力された信号が共通電極１２３に伝達される。トランスファ材については、メインシールパターン１３０中に導電性の粒子などを混合することにより代用でき省略することも可能であり、本実施の形態では、導電性の粒子などを混合したメインシールパターン１３０を用い、図１からも解かるとおりメインシールパターン１３０と共通電極１２３は接触することから、トランスファ電極をメインシールパターン１３０に平面的に重なる様に配置し、メインシールパターン１３０と接触して設けることにより、トランスファ電極と共通電極１２３についてメインシールパターン１３０を介して電気的に接続した。この他に、液晶パネル１００は駆動信号を発生する制御基板１３６、制御基板１３６を信号端子１１８に電気的に接続するＦＦＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｆｌａｔ  Ｃａｂｌｅ）１３７、光源となるバックライトユニット（通常は、表示面となるＣＦ基板１２０側とは反対側であるＴＦＴ基板１１０の外側に対向して配置されるが、ここでは図示せず）などを備えており、これら部材と共に表示面となる表示領域２００におけるＣＦ基板１２０の外側の部分が開放された筐体（図示せず）の中に収納され、本実施の形態１の液晶表示装置を構成する。
【００１３】
続いて、本実施の形態１の液晶パネル１００の特徴部分であるパネル周辺部となる額縁領域の構成について、補足説明を行う。本実施の形態１の液晶パネル１００では、図１に示すように、額縁領域のメインシールパターン１３０の外側において、基板切断時の基板間距離（基板間ギャップ）を保持するギャップ保持材１３１が設けられている。本実施の形態１では、図１及び図２に示す様に、パネル間を全て埋める様にギャップ保持材１３１が設けられており、メインシールパターン１３０と同じ樹脂材料により一体に形成されている。図１に示すように、完成した液晶パネル１００では、ＣＦ基板１２０の基板端までギャップ保持材１３１が設けられることになる。
【００１４】
以上のとおり構成について説明を行った本実施の形態１の液晶表示装置及び液晶パネル１００は次の様に動作する。例えば、制御基板１３６から電気信号が入力されると、画素電極１１３及び共通電極１２３に駆動電圧が加わり、駆動電圧に合わせて液晶層１４０における液晶分子の方向が変わる。そして、バックライトユニットの発する光がＴＦＴ基板１１０、液晶層１４０及びＣＦ基板１２０を介して観察者側に透過或いは遮断されることにより、液晶パネル１００の表示領域２００に映像などが表示される。なお、本実施の形態１の液晶表示装置は二画面ディスプレイ液晶パネルであることから、視差バリア１２６により、ＣＦ基板１２０を介して透過される光が二方向の所定の角度方向の視角範囲に制限される。具体的には表示面に対して、図中の＋Ｘ方向と−Ｘ方向の二方向に視角範囲を有して映像などが表示される。また、二方向の視角範囲に対応した表示画素が設定されて、それぞれ異なる映像表示を行うことにより、二方向の視角範囲に対して、其々、異なる映像を表示し、二画面ディスプレイ液晶パネルとして機能する。また、本実施の形態１の液晶表示装置は、上述のとおり額縁領域において特徴的構成を有していることから、外的応力の印加に対して耐久性面で問題のある極薄ガラスを用いた二画面ディスプレイ液晶パネルであるにも関わらず、高い耐久性を有する二画面ディスプレイ液晶パネルを得ることができた。
【００１５】
次に、本実施の形態１の液晶表示装置及び液晶パネル１００の製造方法について説明を行う。通常、液晶パネルは最終形状よりも大きなマザー基板より液晶パネルを１枚或いは複数枚取り出して製造（多面取り）が行われる。ここでは、本発明において特徴的な組み立て工程を中心に説明を行い、一例としてマザー基板より６枚の液晶パネルを取り出す場合について説明する。以下、本実施の形態１の液晶パネル１００の組み立て工程について、図３に示すフローチャートに従い、特徴的な工程については、適宜、図４〜図７の詳細説明図面を用いながら説明を行うことにする。
【００１６】
先ず、基板準備工程において、互いに貼り合わされる前のＴＦＴ基板１１０を取り出すマザーＴＦＴ基板１０とＣＦ基板１２０を取り出すマザーＣＦ基板２０を準備する（Ｓ１）。マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０については、ＣＦ基板１２０は最終的にガラスを薄型化加工して極薄ガラスに形成されるが、以降の工程の実施が容易となるように、途中までは、厚み０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスにより構成されるマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０により製造される。ここでは、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の両者ともに厚み０．７ｍｍのガラスにより構成される基板として準備される。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、後に説明するマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０を貼り合わせる工程である貼り合わせ工程（Ｓ７）の直前の段階におけるマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０を其々示したものである。
【００１７】
先ず、図４（ａ）に示す様に、マザーＴＦＴ基板１０には、６枚のＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆが作りこまれており、以降に行われる工程で、ＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆがマザーＴＦＴ基板１０より取り出される。更に、例えばＴＦＴ基板１１０ａには、構成の説明において説明した通り、外部から信号を受け入れる信号端子１１８や、液晶パネルが完成した場合の表示面に対応した領域である表示領域２００ａに、液晶を駆動する画素電極１１３、ＴＦＴ１１４、ゲート配線１１６及びソース配線１１７など（何れも図４（ａ）中では図示省略）が作りこまれている。また、特徴的な構成としては、表示領域２００ａと信号端子１１８間の領域におけるＴＦＴ基板１１０ａ表面にはシール剥離補助層１５４が配置される。このシール剥離補助層１５４は、図４（ｂ）におけるＣＦ基板１２０ａの切断端部に沿う位置に対応するＴＦＴ基板１１０ａ表面に設けられ、ＣＦ基板１２０ａの切断時に効果を発揮するものであるが、シール剥離補助層１５４の役割については、以後の製造方法の説明において詳細に説明を行うことから、ここでは説明を省略する。また、ＴＦＴ基板１１０ｂ〜１１０ｆについても図示及び説明は省略するが、スイッチング素子基板１１０ａと同様の構成が作りこまれている。なお、これら信号端子１１８及びＴＦＴ１１４などの作りこみは一般的な液晶パネルにおけるＴＦＴ基板の製造方法と同様で良いことから詳細な製造方法に関する説明は省略する。
【００１８】
一方、図４（ｂ）に示す様に、マザーＣＦ基板２０には、６枚のＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆが作りこまれており、以降に行われる工程で、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆがマザーＣＦ基板２０より取り出される。更に、例えばＣＦ基板１２０ａには、構成の説明において説明した通り、液晶パネル１００が完成した場合の表示面に対応した領域である表示領域２００に、液晶を駆動する共通電極１２３、カラーフィルタ１２４、ＢＭ１２５、柱状スペーサ１３３（いずれも図示省略）などが作りこまれている。なお、これら共通電極１２３、カラーフィルタ１２４、ＢＭ１２５及び柱状スペーサ１３３などの作りこみは一般的な液晶パネルにおけるカラーフィルタ基板の製造方法と同様で良いことから詳細な製造方法に関する説明は省略する。
【００１９】
続いて、基板洗浄工程において、以上説明のとおり準備されたＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆの形成されたマザーＴＦＴ基板１０を洗浄する（Ｓ２）。次に、配向膜材料塗布工程において、マザーＴＦＴ基板１０の一方の面に、配向膜材料を塗布形成する（Ｓ３）。この工程は、例えば、印刷法により有機膜からなる配向膜材料を塗布し、ホットプレートなどにより焼成処理し乾燥させる。その後、ラビング工程において配向膜材料にラビングを行い、配向膜材料表面を配向処理し配向膜１１２とする（Ｓ４）。
【００２０】
また、Ｓ２〜Ｓ４と同様に、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆが形成されているマザーＣＦ基板２０についても、洗浄、配向膜材料の塗布、ラビングを行うことにより配向膜１２２を形成する。続いて、シール剤塗布工程において、スクリーン印刷装置により、シール剤を印刷ペーストとして、マザーＴＦＴ基板１０或いはマザーＣＦ基板２０の一方の面にシール剤の塗布を行い、最終的に表示領域２００を囲う形状のメインシールパターン１３０ａ〜１３０ｆとメインシールパターン１３０ａ〜１３０ｆの外側に配置されるギャップ保持材１３１となるシール剤を形成する（Ｓ５）。
【００２１】
具体的には、例えば、図４（ｂ）に示す様にマザーＣＦ基板２０に形成されるＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆに対して、表示領域２００ａ〜２００ｆの其々を囲う形状に形成され、後に液晶材料を囲み封止することになる複数の封止領域を備えたメインシール剤１５０ａ〜１５０ｆと、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆの外側の各辺に沿って配置されるダミーシール剤１５１が形成される。また、ダミーシール剤１５１については、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの外形に一致して、即ち、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆをマザーＣＦ基板２０より切り出す際の切断線上に一致して配置される。また、これらメインシールパターン１３０ａ〜１３０ｆとギャップ保持材１３１については、同じシール剤により形成し、スクリーン印刷装置により、この共通のシール剤を印刷ペーストとして同時に塗布形成する。なお、メインシールパターン１３０ａ〜１３０ｆとギャップ保持材１３１を構成するシール剤を共通化し、スクリーン印刷装置により同時形成することで、製造工程を特に増やすことなくギャップ保持材１３１を配置できることから、本実施の形態１ではスクリーン印刷を用いた。然しながら、ノズルによる塗布（ディスペンサ法）を用いた場合にも、ギャップ保持材１３１を塗布形成するためのノズルの移動時間が掛かる点で若干の処理時間の増加は発生するが、シール剤を共通化することでシール剤交換時間などの大きな処理時間の増加を招くことなくギャップ保持材１３１を配置できる。
【００２２】
続いて、液晶滴下工程において、マザーＴＦＴ基板１０或いはマザーＣＦ基板２０の一方の面に、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆで囲まれる領域内に多数の液滴状の液晶材料１４０ｄｐを滴下する（Ｓ６）。具体的には、例えば、図４（ｂ）に示す様にマザーＣＦ基板２０のＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの其々に対して、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆで囲まれ、液晶材料を封止する封止領域内に多数の液滴状の液晶材料１４０ｄｐを全体で所定量の液晶層１４０が形成されるように滴下する。また、ここでは、所謂、滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）法を用いて液晶を充填し液晶層１４０を形成する方法を一例としたので、この様に形成したが、所謂、真空注入法を用いる場合には、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆは完全に閉じた形状ではなく一部開口させた液晶注入口が形成される。更に、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆの外側の各辺に沿って配置されるダミーシール剤１５１については、液晶注入口を除く、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆの外側に沿って形成する。なお、真空注入法を用いる場合には、当然のことながら、液晶材料は貼り合わせた後に前記液晶注入口より注入されることから、上記説明した液滴状の液晶材料１４０ｄｐの形成処理は省略される。
【００２３】
続いて、貼り合わせ工程において、マザーＴＦＴ基板１０及びマザーＣＦ基板２０を貼り合わせてセル基板を形成する（Ｓ７）。具体的には、図４（ａ）及び図４（ｂ）の様に準備されたマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０を、ＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆとＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの其々が対応するように対向して配置し、真空中において両者を接近して貼り合わせる。図５はＳ７以降の製造工程を示した断面図であり、図４（ｂ）のマザーＣＦ基板２０における断面線Ｙ１−Ｙ２における断面を示しており、Ｓ７以降の製造工程におけるＣＦ基板１２０ａとＴＦＴ基板１１０ａの額縁領域での状況が示される。図５（ａ）の様にマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の貼り合わせ前の状態において、隣接して配置されるＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃの間（ＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃが分離切断される際の切断線上に該当）においては、メインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃ間にダミーシール剤１５１が形成されており、ＣＦ基板１２０ａにおけるＣＦ基板１２０ｃが隣接する側と反対側の端部においては、メインシール剤１５０ａの外側には、ダミーシール剤１５１のみが配置される（ＣＦ基板１２０ａとマザーＣＦ基板２０の周辺不要部ガラスが分離切断される際の切断線上に該当）。
【００２４】
この様に対向配置されたマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０は、図５（ａ）中の矢印の方向に近接され、図５（ｂ）の様に貼り合わされる。その結果、メインシール剤１５０ａ、１５０ｃと、ダミーシール剤１５１はマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０により挟まれて押しつぶされることにより拡がり、メインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃの隣接部分では、メインシール剤１５０ａ、メインシール剤１５０ｃ、及びダミーシール剤１５１が一体化され、メインシールパターン１３０ａ、メインシールパターン１３０ｃ、及びギャップ保持材１３１が形成される。また、隣接する側と反対側の端部においては、メインシール剤１５０ａとダミーシール剤１５１が一体化され、メインシールパターン１３０ａとギャップ保持材１３１が形成される。また、ダミーシール剤１５１中に混在されるスペーサ１５２は、例えばガラスの円柱状のもの（マイクロロッドなどと呼ばれる）が良く用いられるが、ダミーシール剤１５１が押しつぶされた際には、このスペーサ１５２によりマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０間の基板間隔が保持され、ダミーシール剤１５１が押しつぶされ形成されるギャップ保持材１３１がマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０間の基板間隔を保持する役割に寄与する。なお、ダミーシール剤１５１中に混在されるスペーサ１５２については、基板間の距離（基板間ギャップ）を一定範囲に保持するスペーサであれば、同様の効果が得ることができ、円柱状ガラスに限られず、球状のスペーサでも良い。材質についても、ガラスの様な変形の少ない硬質なものに限られず、比較的硬い弾性体（例えばアクリル樹脂）など、所定の圧力範囲において、一定範囲での変形を伴うものであっても、基板間隔（基板間距離）を一定範囲に保持する機能を有することができることから置き換えが可能である。
【００２５】
続いて、シール剤硬化工程において、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０を貼り合わせた状態で、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆ、或いはダミーシール剤１５１などのマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０間に形成されているシール剤を完全に硬化させる（Ｓ８）。この工程は、例えば、シール剤の材質に合わせて熱を加えることや紫外線を照射することにより行われる。本実施の形態１では、滴下注入法と相性の良い、紫外線を照射する方法により硬化を行った。この工程によりマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０は位置合わせされた位置関係のまま固定される。
【００２６】
また、液晶パネル１００を軽量化するためや本実施の形態の様に二画面ディスプレイ液晶パネルを形成するために、少なくとも一方のＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０を構成するガラス基板を極薄ガラスに薄型化加工する場合には、この貼り合わされた状態で実施すれば良く、本実施の形態１では薄型化研磨工程を実施する（Ｓ９）。具体的には、薬液や機械的研磨による薄型化処理が選択できるが、例えば、基板厚さ制御性の上で極薄ガラス加工に適した薬液による薄型化処理を用いる場合、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０の両者を薄型化する際には、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の周辺部を薬液が基板間に入ることを防止する周辺封止を実施したうえで、貼り合わされたマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０全体を薬液中に浸漬して、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の表面を削り薄型化する。また、ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０の一方のみ、例えば、本実施の形態１の様にＣＦ基板２０のみを薄型化するのであれば、周辺封止に加えてマザーＴＦＴ基板１０表面にレジストなどで保護層を形成した状態で、マザーＣＦ基板２０の表面のみを削り薄型化すると良い。その結果、図５（ｃ）の様に、マザーＣＦ基板２０のみ０．１ｍｍ程度の極薄ガラスに薄型化加工されたセル基板を得ることができる。
【００２７】
更に、この薄型化されたマザーＣＦ基板２０側の表面に二画面ディスプレイ液晶パネルとして機能させる構成である遮光層からなる視差バリア１２６を形成する視差バリア形成工程を行う（Ｓ１０）。具体的には、視差バリア１２６を構成する材料に応じて、クロムと酸化クロムの積層膜などを用いた金属系の材料や樹脂中に黒色粒子を分散させた樹脂系の材料を成膜し、視差バリア１２６として機能させるための所定の位置に開口部を有した形状に、其々の視差バリア１２６を構成する材料に応じたパターニング加工を実施する。以上の様にして、マザーセル基板３０が形成される。
【００２８】
続いて、スクライブ工程において、以上の様に形成されたマザーセル基板３０に対し、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の其々の表面に切断の起点となるライン形状の切断傷（スクライブラインと呼ぶ）を形成する（Ｓ１１）。通常、ガラス基板の切断は、ガラス基板の表面に切断の起点となるスクライブラインを形成した後、スクライブラインの近傍に応力を印加することにより分断が行われる。
【００２９】
本実施の形態１における特徴的な効果が得られるスクライブ工程について図６を用いて詳細に説明する。図６（ａ）はマザーセル基板３０の平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）における断面線Ｙ１−Ｙ２（図４（ｂ）の断面線Ｙ１−Ｙ２位置に一致）における断面を示したものである。スクライブラインは、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の其々の切断線に対応して形成され、図６（ａ）では、本実施の形態１において問題となる極薄ガラスより構成されるマザーＣＦ基板２０に形成するスクライブラインＳＬの位置を図示している。なお、図６（ａ）及び図６（ｂ）においては、既にマザーＣＦ基板２０表面に形成されている視差バリア２６について、極薄ガラスよりなるマザーＣＦ基板２０の厚みに対しても、無視できる程度の厚さであり、基板強度に対する寄与についても、殆ど無視できる構成であることから、図示を及び視差バリア２６の切断に対する寄与などの説明は省略する。
【００３０】
図６（ｂ）で示すとおり、スクライブラインＳＬをスクライブカッターのホイールＷＨにより形成するが、特に問題となる極薄ガラスより構成されるマザーＣＦ基板２０におけるスクライブラインＳＬ形成部分においては、スクライブラインＳＬ上において、マザーＣＦ基板２０下層において、マザーＣＦ基板２０とマザーＴＦＴ基板１０の基板間距離を一定範囲に保持するギャップ保持材１３１が配置される。従って、切断傷を形成する為に、ホイールＷＨがマザーＣＦ基板２０表面に押圧された際にも、０．１ｍｍ程度の極薄ガラスからなるマザーＣＦ基板２０がギャップ保持材１３１により保持され、たわむことがなく、ホイールＷＨの押圧に対する反発力も安定する。その結果、マザーＣＦ基板２０表面におけるホイールＷＨの回転と、回転により推進されるホイールＷＨ走査が安定し、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となる。更に、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となることから、以後に説明するセル分断工程による切断により得られた極薄ガラス端面での微小クラックなどの切断ダメージの残存及び切断時の割れなどの不良発生を抑制できる。また、本実施の形態１においては、ホイールＷＨが押圧されるスクライブラインＳＬ近傍において、スクライブラインＳＬ直下に配置されるギャップ保持材１３１が、スクライブラインＳＬの両側に配置されるメインシールパターン１３０ａ或いはメインシールパターン１３０ｃの形成される領域までを埋めて形成されており、言い換えると、ギャップ保持材１３１とスクライブラインＳＬの両側に配置されるメインシールパターン１３０ａ或いはメインシールパターン１３０ｃが一体に形成される構成を取っていることから、スクライブラインＳＬ近傍において、これら一体化した構成全体によりマザーＣＦ基板２０が保持されることとなり、マザーＣＦ基板２０を保持する作用が最大に発揮することができ、上記説明のマザーＣＦ基板２０を保持することが作用して得られる幾つかの効果についても、最大限得ることができる。また、隣接するパネルの無い基板端における、例えば、図６（ｂ）の左側のスクライブラインＳＬの下部においても、ギャップ保持材１３１とメインシールパターン１３０ａが一体化して配置され、当然、ギャップ保持材１３１によるマザーＣＦ基板２０を保持する作用が得られるとともに、ギャップ保持材１３１とメインシールパターン１３０ａが一体化した構成により得られる作用及び付加効果についても得ることができる。
【００３１】
次に、セル分断工程において、セル基板を多数の個別セル基板に分断する（Ｓ１２）。この工程において、先に説明したスクライブ工程Ｓ１１において形成したスクライブラインＳＬ近傍に応力を印加することにより個々の個別セル基板のＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆとＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの形状に分断が行われ、マザーセル基板３０より、個別セル基板に分断される。先に説明したとおり、スクライブ工程Ｓ１１において形成したスクライブラインＳＬでは、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となったことにより、スクライブラインＳＬ近傍では、微小クラックの発生が少なく、スクライブラインＳＬの直線性も良いことから、このセル分断工程による切断により得られたＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの極薄ガラス端面での微小クラックなどの切断ダメージの残存及び切断時の割れなどの不良発生が抑制される。
【００３２】
ここで、先に図４（ａ）を用いて説明したマザーＴＦＴ基板１０表面に形成されるシール剥離補助層１５４の役割について、適宜、図７を用いながら詳細に説明する。シール剥離補助層１５４は、このセル分断工程Ｓ１２において、重要な役割をする。ＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆにおける信号端子１１８は露出される必要があることから、信号端子１１８と対向する部分におけるマザーＣＦ基板２０はこの分断工程において、不要部として除去される。然しながら、本実施の形態１においては、図６で説明したとおり、其々のＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの基板端に対応して形成されるスクライブラインＳＬの下部には、ギャップ保持材１３１が配置されている。
【００３３】
図７は、一例としてＴＦＴ基板１１０ａの信号端子１１８近傍を示すものであり、図６（ａ）における断面線Ｘ１−Ｘ２における断面に該当する。図７（ａ）に示すとおり、特に信号端子１１８の配置される側の基板端に形成されるスクライブラインＳＬの下部にも、スクライブラインＳＬの両側にまたがってギャップ保持材１３１が配置されている。ギャップ保持材１３１は、本実施の形態１においては、シール剤により形成され、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の両者の表面に接着されて形成されている。従って、信号端子１１８に対向するマザーＣＦ基板２０の不要部（図７（ａ）では、不要部切断片１５５として示している。）についても、ギャップ保持材１３１を介してマザーＴＦＴ基板１０に固着されている。この為、この不要部切断片１５５がＣＦ基板１２０ａより分断されても、マザーＴＦＴ基板１０（或いは個々のＴＦＴ基板１１０ａなど）とは固着されたままとなり、分離して除去することができない。仮に外力などにより強制的に分離した場合には、ＴＦＴ基板１１０ａ表面における膜が不要部切断片１５５に固着されたまま剥がれてしまう。例えば、信号端子１１８への引き出し配線などが不要部切断片１５５とともに一緒に剥がれることとなる。然しながら、本実施の形態１においては、このマザーＣＦ基板２０の不要部切断片１５５がギャップ保持材１３１を介して固着されるＴＦＴ基板１１０ａなどの表面においてシール剥離補助層１５４が配置されている。このシール剥離補助層１５４については、ギャップ保持材１３１を構成するシール剤がＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆより剥がれることを助ける役割をするものであり、例えば互いに密着力の低い二層膜或いは当該二層膜を含む多層膜などより構成する。より具体的には、ａ−Ｓｉ膜上にシリコン窒化膜を形成した二層膜などを用いることができる。この様な層構成の場合には、シール剥離補助層１５４の形成領域の様な１辺がミリ単位の比較的大きな連続パターンよりなる場合、互いの層間の密着力は低くなり、容易に層間で剥離することができる。従って、セル分断工程Ｓ１２においてシール剥離補助層１５４として機能する場合、図７（ｂ）に示すとおり、シール剥離補助層１５４の上層膜（シール剥離補助層１５４として示している。）は、ギャップ保持材１３１と固着したままＴＦＴ基板１１０ａより分離され、シール剥離補助層１５４の下層膜（シール剥離補助層１５６として示している。）は、ＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆ上に残存され、その他の構成が剥がれるなどのＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆへのダメージ発生を防止することができる。
【００３４】
なお、シール剥離補助層１５４の別の形態としては、シール剥離補助層１５４が接して形成されるＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆの表面（例えば絶縁膜１１５）との密着力の低い材料により構成しても構わない。その場合には、セル分断工程Ｓ１２において、シール剥離補助層１５４は全てギャップ保持材１３１と固着したままＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆより分離され、ＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆ上には残存されることが無い。図７（ｂ）で説明すれば、ＴＦＴ基板１１０ａ上に残存するシール剥離補助層１５６が省略されることとなる。この場合においても、シール剥離補助層１５４のみがギャップ保持材１３１と固着してＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆより分離され、ＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆのその他の構成がギャップ保持材１３１と固着したまま剥がれることが無い。従って、二層膜を用いた場合と同様にＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆへのダメージ発生を防止することができる。
【００３５】
なお、所謂、真空注入法を用いる場合には、先に説明をしたとおりシール材１３０に一部開口させた液晶注入口を形成しておき、上記のセル分断工程後に行う液晶注入工程において、個々の個別セル基板に対して液晶注入口から液晶材料を注入し、液晶層１４０を形成する。この工程は、例えば、液晶材料を液晶注入口から真空注入により充填することにより行われる。更に、封止工程において、液晶注入口を封止する。この工程は、例えば、光硬化型樹脂で封じ、光を照射することにより行われる。
【００３６】
この様に個々の液晶パネルの形状に分断された後、偏光板貼り付け工程において、セル基板の外側のＴＦＴ基板１１０およびＣＦ基板１２０の其々の表面に偏光板１３４および偏光板１３５を貼り付け（Ｓ１３）、制御基板実装工程において、制御基板１３６を実装する（Ｓ１４）ことによって、液晶パネル１００が完成する。更に、液晶パネル１００の反視認側となるＴＦＴ基板１１０の裏面側に位相差板などの光学フィルムを介して、バックライトユニットを配設し、樹脂や金属などよりなるフレーム内に、液晶パネル１００及びこれら周辺部材を適宜収納し、本実施の形態１の液晶表示装置が完成する。
【００３７】
以上説明した実施の形態１の液晶表示装置を構成する液晶パネル１００においては、上述の通り、極薄ガラスよりなるＣＦ基板１２０の切断位置に該当する基板端近傍において、対向して配置されるＴＦＴ基板１１０との基板間の距離を一定範囲に保持するギャップ保持材１３１を備えており、このギャップ保持材１３１は切断位置下部に該当する少なくともＣＦ基板１２０の基板端までかかり配置されていることから、以下の効果を得ることができる。具体的には、ＣＦ基板１２０を取り出すマザーＣＦ基板２０の表面に切断傷を形成する為に、スクライブ用のホイールＷＨが極薄ガラスよりなるマザーＣＦ基板２０表面に押圧された際にも、マザーＣＦ基板２０がギャップ保持材１３１により下部より保持され、たわむことがないこと、ホイールＷＨの押圧に対する反発力が安定すること、或いはマザーＣＦ基板２０表面におけるホイールＷＨの回転と、回転により推進されるホイールＷＨ走査が安定すること、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となること、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となったことにより、スクライブラインＳＬ近傍では、微小クラックの発生が少なくなること、スクライブラインＳＬの直線性が良くなること、更に、この様に形成されたスクライブラインＳＬを元にしたセル分断工程を実施することにより、切断により得られたＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの極薄ガラス端面での微小クラックなどの切断ダメージの残存が抑制されること、切断時の割れなどの不良発生が抑制されること、などの効果を得ることができる。更に、このギャップ保持材１３１は極薄ガラス基板よりなるＣＦ基板１２０の基板端までかかり配置されていることから、液晶パネル１００の極薄ガラス端面近傍を補強できることにより、液晶表示装置の耐久性及び信頼性を向上することができる。
【００３８】
更に、以上説明した実施の形態１の液晶表示装置を構成する液晶パネル１００においては、ギャップ保持材１３１が、基板端となるスクライブラインＳＬより、スクライブラインＳＬの両側或いは片側に配置されるメインシールパターンの形成される領域までを埋めて形成されており、ギャップ保持材１３１とメインシールパターンが一体に形成される構成を取っていることから、スクライブラインＳＬ近傍において、これら一体化した構成全体によりマザーＣＦ基板２０が保持されることとなり、マザーＣＦ基板２０を保持する作用を最大限に発揮することができ、上記説明のマザーＣＦ基板２０を保持することが作用して得られる幾つかの効果についても、最大限得ることができる。また、この様に極薄ガラスよりなるＣＦ基板１２０の下部において、ギャップ保持材１３１がＣＦ基板１２０の基板端よりメインシールパターンの形成される領域までを埋めて一体化された構成となることにより、極薄ガラス端面近傍を補強でき、液晶パネル１００の耐久性及び信頼性を向上する効果が最大限得ることができる。更に、この様に一体化した構成を用いたことにより、ギャップ保持材１３１の形成精度（形成幅精度、形成位置精度）或いはＣＦ基板１２０へのスクライブラインＳＬの形成精度（位置精度）を特に考慮することなく、スクライブラインＳＬ下部に必ずギャップ保持材１３１の少なくとも一部を配置することができ、上記説明した効果を比較的容易に得ることができる。また、ギャップ保持材１３１は、メインシールパターンと同じ材料により形成されており、メインシールパターン及びギャップ保持材１３１を構成する材料は基板間の距離を一定範囲に保持するスペーサ１５２が混入されたシール剤によりなることから、シール剤塗布工程において、メインシールパターンと同時形成すること、或いは連続的に形成することができることから製造工程を特に増やすことなく、シール剤に混入されたスペーサ１５２により基板間の距離を一定範囲に保持することのできるギャップ保持材１３１を配置することができる。また、本実施の形態１においては、信号端子１１８に対向するマザーＣＦ基板２０の不要部切断片１５５が固着されるギャップ保持材１３１部分においては、ギャップ保持材１３１がマザーＴＦＴ基板１０に対して、ギャップ保持材１３１を構成するシール剤がマザーＴＦＴ基板１０表面より剥がれることを助ける役割をするシール剥離補助層１５４を介して固着されて製造されることから、ギャップ保持材１３１を不要部切断片１５５にかかり配置する場合においても、ＴＦＴ基板１１０へのダメージ発生を防止して製造することができる。
【００３９】
なお、上述の実施の形態１においては、メインシールパターン１３０ａ〜１３０ｆとギャップ保持材１３１を、液晶材料を囲み封止する複数の封止領域を備えたメインシール剤１５０ａ〜１５０ｆとメインシール剤１５０ａ〜１５０ｆの外側の各辺に沿って配置されるダミーシール剤１５１を其々形成したのちに、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０を貼り合わせ、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０により挟み押しつぶすことにより一体化して形成した。メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆとダミーシール剤１５１は共通材料により構成され、一体化して形成されることから、メインシールパターン１３０ａ〜１３０ｆとギャップ保持材１３１は明確に区別されることなく一体化して形成される。従って、実施の形態１の様に、必ずしも、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆとダミーシール剤１５１を其々別に形成する必要は無い。つまり、ダミーシール剤１５１の塗布形成を省略することが可能である。以下において、このダミーシール剤１５１の塗布形成を省略した実施の形態１の変形例について、図８及び図９を適宜用いて説明を行う。
【００４０】
先ず、図８（ａ）は、この変形例におけるシール剤塗布工程Ｓ５を説明するものであり、液晶滴下工程Ｓ６が完了し、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０が貼り合わされる前、即ち、実施の形態１における図５（ａ）の状態に対応する。ここでは、実施の形態１からの変更部分を主として説明するものとして、重複する部分については適宜説明を省略する。図８（ａ）に示すとおり、本変形例では、隣接して配置されるＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃの間においては、メインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃのみがＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃが分離切断される際のスクライブラインＳＬの形成される位置（図では、後にスクライブラインＳＬの形成される位置を説明の便宜上示している。）に隣接して配置され、実施の形態１において形成したダミーシール剤１５１は省略されている。このメインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃは、実施の形態１の場合と比較して、スクライブラインＳＬに近接して配置されており、更に塗布されるシール剤の塗布量を多く形成されている。塗布量を多くするには、具体的には、スクリーン印刷装置により塗布形成する場合には、印刷スクリーンの開口パターンのパターン幅を太くし、線幅の大きいシールパーンを形成することでシール剤の塗布量を多くすることができる。ディスペンサ法により塗布形成する場合には、吐出圧を大きく設定することで塗布量を多くすることができる。また、ＣＦ基板１２０ａにおけるＣＦ基板１２０ｃが隣接する側と反対側の端部においては、メインシール剤１５０ａの外側には、スクライブラインＳＬに対し、ほぼ対称な位置にメインシール剤１５０ａと同じシール剤より構成されるダミーシール剤１５３が配置される。このダミーシール剤１５３とメインシール剤１５０ａのスクライブラインＳＬに対する位置関係と塗布量については、メインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃが隣接する部分におけるメインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃとスクライブラインＳＬの位置関係、メインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃの塗布量と同等にすれば良い。
【００４１】
この様に対向配置されたマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０は、実施の形態１と同様に図８（ａ）中の矢印の方向に近接され、図８（ｂ）の様に貼り合わされる。その結果、液晶材料を囲み封止する封止領域を其々備えて形成されるメインシール剤１５０ａ、１５０ｃはマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０により挟まれて押しつぶされることにより拡がり、メインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃの隣接部分では、メインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃが一体化される。また、隣接する側と反対側の端部においても、メインシール剤１５０ａとダミーシール剤１５３が一体化される。また、メインシール剤１５０ａ、メインシール剤１５０ｃ、及びダミーシール剤１５１は共通のシール剤により構成され、実施の形態１と同様にシール剤中にスペーサ１５２が混在される。メインシール剤１５０ａ、メインシール剤１５０ｃ、及びダミーシール剤１５１が押しつぶされた際には、このスペーサ１５２によりマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０間の基板間隔が保持される。その後、実施の形態１と同様にシール剤硬化工程Ｓ８、図８（ｃ）の様に薄型化研磨工程Ｓ９、更に視差バリア形成工程Ｓ１０が順次行われマザーセル基板３０が形成されるが、これらの工程においては、特に実施の形態１と異なる点は無いことから詳細説明は省略する。
【００４２】
続いて、本変形例において要点となるスクライブ工程Ｓ１１について説明を行う。図９は、本変形例におけるスクライブ工程Ｓ１１の際のＣＦ基板１２０ａとＴＦＴ基板１１０ａの額縁領域での状況を示したものであり、実施の形態１のスクライブ工程Ｓ１１について説明した際の図６（ｂ）に対応する。視差バリア形成工程Ｓ１０までにおいて形成されたマザーセル基板３０に対し、図９に示すとおり、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の其々の表面にスクライブラインＳＬを形成する。実施の形態１と比較して、シール剤塗布工程Ｓ５においてスクライブラインＳＬ近傍下部に配置されるシール剤の形成する方法は異なるが、結果的には、スクライブラインＳＬ下部において、マザーＣＦ基板２０とマザーＴＦＴ基板１０の基板間距離を一定範囲に保持する機能を有するシール剤と、表示領域２００を囲うように配置されたＣＦ基板１２０とＴＦＴ基板１１０との間の間隙に液晶層１４０を密封するメインシールパターンの機能を有するシール剤が一体化して形成される点は同じ構成となる。具体的には、図９に示すとおり、スクライブラインＳＬ近傍下部に配置されるシール剤のうち、液晶層１４０の周囲に配置されるシール剤がメインシールパターン１３０ａ及びメインシールパターン１３０ｃとなり、スクライブラインＳＬの直下に配置され、基板間距離を一定範囲に保持するスペーサ１５２が混在されることで、基板間距離を一定範囲に保持する機能を有するシール剤がギャップ保持材１３１となる。従って、結果として、実施の形態１と同様に極薄ガラスよりなるＣＦ基板１２０の切断位置に該当する基板端近傍において、対向して配置されるＴＦＴ基板１１０との基板間の距離を一定範囲に保持するギャップ保持材１３１を備えており、このギャップ保持材１３１は切断位置下部に該当する少なくともＣＦ基板１２０の基板端までかかり配置されていることから、実施の形態１と同様の効果が得られる。また、本変形例では、隣接して配置されるＣＦ基板間にダミーシール剤１５１を塗布形成する工程は省略することが可能である。従って、シール剤塗布工程をスクリーン印刷装置により実施する場合には、印刷スクリーンの開口パターン設計を変更するだけであることから、工程の増減効果は得られないが、ディスペンサ法を用いた場合には、ノズルの動作する距離が短くなることから、若干ではあるが処理時間の削減につながり製造時の低コスト化に寄与する。
【００４３】
また、以上の変形例の説明よりわかるとおり、最終的にスクライブラインＳＬ下部において、マザーＣＦ基板２０とマザーＴＦＴ基板１０の基板間距離を一定範囲に保持する機能を有するシール剤と、表示領域２００を囲うように配置されたＣＦ基板１２０とＴＦＴ基板１１０との間の間隙に液晶層１４０を密封するメインシールパターンの機能を有するシール剤が一体化して形成されれば、実施の形態１と同様の効果が得られる。従って、スクライブラインＳＬの両側に形成した二本のメインシール剤１５０ａ、メインシール剤１５０ｃのパターンを一体化して形成する方法に限られず、初めからメインシール剤１５０ａ、メインシール剤１５０ｃのパターンが一体化された場合のシール剤の塗布量に相当する一本のシール剤をスクライブラインＳＬ上に塗布形成して、スクライブラインＳＬ近傍において拡げて形成しても構わない。以下において、このスクライブラインＳＬ近傍において、一本のシール剤のみを形成する方法を用いた実施の形態１の第二の変形例について、図１０、図１１を適宜用いて説明を行う。
【００４４】
先ず、図１０（ａ）は、この第二の変形例におけるシール剤塗布工程Ｓ５及び液晶滴下工程Ｓ６後のマザーＣＦ基板２０の状態を説明するものであり、実施の形態１における図４（ｂ）の状態に対応する。また、図１０（ｂ）は、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０が貼り合わされる前の対向配置された状態、即ち、実施の形態１における図５（ａ）の状態に対応する。ここでは、実施の形態１からの変更部分を主として説明するものとして、重複する部分については適宜説明を省略する。図１０（ｂ）の断面図に示すとおり、本第二の変形例では、隣接して配置されるＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃの間においては、ＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃが分離切断される際のスクライブラインＳＬの形成される位置（図では、後にスクライブラインＳＬの形成される位置を説明の便宜上示している。）上に沿って形成される一本のシール剤よりなるメインシール剤１５７が形成される。また、図１０（ａ）の平面図に示すとおり、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆ全ての外形端部となる位置のスクライブラインＳＬの形成される位置においても、スクライブラインＳＬ上に沿って一本のシール剤よりなるメインシール剤１５７がＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃ間と同様に形成される。また、この様にメインシール剤１５７の形成が効率的となる様に、本第二の変形例においては、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆ全てが、密着して隙間無くマザーＣＦ基板２０上に配列しており、このメインシール剤１５７は、図１０（ａ）に示すとおり、其々の液晶パネルの表示領域２００ａ〜２００ｆの其々を囲う形状に形成され、後に液晶材料を囲み封止することになる複数の封止領域を備えて形成されており、其々の封止領域に対して、液滴状の液晶材料１４０ｄｐを滴下する滴下注入法を用いて液晶層１４０を形成する。
【００４５】
この様に、本第二の変形例では、各ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆ間、或いは後に液晶材料を囲み封止することになる複数の封止領域間においては、一体化した一本のシール剤よりなるメインシール剤１５７を形成することから、実施の形態１及び変形例のように、各ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆにおける表示領域２００ａ〜２００ｆを囲むように、メインシール剤１５０ａ〜１５０ｆを其々形成する必要は無く、図１０（ａ）の平面図に示すとおり、マザーＣＦ基板２０に対して、縦方向と横方向に平行に、即ち、図中Ｘ方向、Ｙ方向に、スクライブラインＳＬ本数に応じて、平行なメインシール剤１５７を形成すれば良い。実施の形態１と同様に信号端子１１８が液晶パネル１００の一辺にのみ形成される場合を例にしていることから、隣接パネル間に信号端子１１８の形成領域が配置されることになる信号端子１１８の形成領域と平行方向（図中Ｙ方向）に対しては、隣接パネル間に二本のメインシール剤１５７を形成し、隣接パネル間に信号端子１１８の形成領域が配置されない信号端子１１８の形成領域と垂直な方向（図中Ｘ方向）では、一本のメインシール剤１５７を形成する。なお、先に説明のとおり、この一本のメインシール剤１５７により、実施の形態１におけるスクライブラインＳＬ両側のメインシールパターン１３０とギャップ保持材１３１を形成することとなることから、実施の形態１において塗布するメインシール剤１５０と比較して太い幅、より具体的には、２倍から３倍程度で形成すると良い。また、本第二の変形例では、シール剤をディスペンサ方式により塗布形成する際には、実施の形態１と比較して、ノズルの動作する距離が大幅に短くなる（少なくとも隣接するＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆ間においては、二本か三本のシール剤形成が、一本のシール剤形成で済むこととなり、単純にノズルの動作は１／２から１／３程度となる。）ことから、処理時間の削減につながり製造時の低コスト化に寄与する。
【００４６】
図１０（ｂ）の様に対向配置されたマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０は、実施の形態１の変形例と同様に貼り合わせ工程Ｓ７において、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０は、近接され貼り合わされる。その結果、スクライブラインＳＬの形成される位置上に沿って形成されるメインシール剤１５７はマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０により挟まれて押しつぶされることにより拡がり、スクライブラインＳＬの形成される位置の両側にまたがって拡がる。また、本第二の変形例におけるメインシール剤１５７にも、実施の形態１のメインシール剤１５０などと同様にシール剤中にスペーサ１５２が混在される。メインシール剤１５７が押しつぶされた際には、このスペーサ１５２によりマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０間の基板間隔が保持される。その後、実施の形態１と同様にシール剤硬化工程Ｓ８、薄型化研磨工程Ｓ９、更に視差バリア形成工程Ｓ１０が順次行われマザーセル基板３０が形成されるが、これらの工程においては、特に実施の形態１と異なる点は無いことから詳細説明は省略する。
【００４７】
続いて、この第二の変形例におけるスクライブ工程Ｓ１１について図１１を用いて説明する。図１１（ａ）は、この第二の変形例におけるマザーセル基板３０の平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）における断面線Ｙ１−Ｙ２における断面を示したものであり、其々、実施の形態１における図６（ａ）及び図６（ｂ）の状態に対応する。図１１（ａ）に示すとおり、図１０（ａ）において、スクライブラインＳＬの形成される位置上に沿って形成されたメインシール剤１５７は、スクライブラインＳＬの形成される位置の両側にまたがって拡がっており、この拡がったメインシール剤１５７上に配置されるマザーＣＦ基板２０に対し、スクライブラインＳＬの形成が行われる。図１１（ｂ）に示すとおり、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の其々の表面にスクライブラインＳＬを形成する。実施の形態１或いは先に説明した実施の形態１の変形例と比較して、シール剤塗布工程Ｓ５においてスクライブラインＳＬ近傍下部に配置されるシール剤の形成する方法は異なるが、結果的には、スクライブラインＳＬ下部において、マザーＣＦ基板２０とマザーＴＦＴ基板１０の基板間距離を一定範囲に保持する機能を有するシール剤と、表示領域２００を囲うように配置されたＣＦ基板１２０とＴＦＴ基板１１０との間の間隙に液晶層１４０を密封するメインシールパターンの機能を有するシール剤が一体化して形成される点は同じ構成となる。具体的には、図１１（ｂ）に示すとおり、スクライブラインＳＬ近傍下部に配置されるシール剤のうち、液晶層１４０の周囲に配置されるシール剤がメインシールパターン１３０ａ及びメインシールパターン１３０ｃとなり、スクライブラインＳＬの直下に配置され、基板間距離を一定範囲に保持するスペーサ１５２が混在されることで、基板間距離を一定範囲に保持する機能を有するシール剤がギャップ保持材１３１となる。従って、結果として、実施の形態１或いは先に説明した実施の形態１の変形例と同様に極薄ガラスよりなるＣＦ基板１２０の切断位置に該当する基板端近傍において、対向して配置されるＴＦＴ基板１１０との基板間の距離を一定範囲に保持するギャップ保持材１３１を備えており、このギャップ保持材１３１は切断位置下部に該当する少なくともＣＦ基板１２０の基板端までかかり配置されていることから、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００４８】
また、本第二の変形例においては、マザーＴＦＴ基板１０における信号端子１１８周辺における基板端全てにおいて、ギャップ保持材１３１が配置される。また、実施の形態１においては、マザーＣＦ基板２０或いはマザーＴＦＴ基板１０より除去する必要がある不要部切断片１５５の除去の際に、ギャップ保持材１３１を構成するシール剤がマザーＴＦＴ基板１０表面より剥がれることを助ける役割をするシール剥離補助層１５４を配置していた。従って、本第二の変形例においては、このシール剥離補助層１５４について、不要部切断片１５５にかかる全てのギャップ保持材１３１とマザーＴＦＴ基板１０の当接部分、即ち、不要部切断片１５５の外端部全周に渡るギャップ保持材１３１とマザーＴＦＴ基板１０の当接部分に配置すると良い。
【００４９】
以上説明した実施の形態１の第二の変形例においては、実施の形態１と同様の効果が得られるとともに、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆ全てについて密着して隙間無くマザーＣＦ基板２０上に配列し、滴下注入法により液晶層１４０を形成する方法を採用することにより、液晶を注入する液晶注入口を形成する必要も無くなることから、各ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆ間においては、メインシール剤１５７を、単純な直線形状のシール剤とすることができる。結果として、メインシール剤１５７を効率良く形成することができ、処理時間の削減につながることから、製造時における低コスト化の効果を得ることができる。
【００５０】
実施の形態２．
実施の形態１では、本発明の特徴的構成となるギャップ保持材１３１をメインシールパターン１３０と共通部材となるシール剤により形成する例について説明を行った。本実施の形態２では、このギャップ保持材１３１を、表示領域２００に配置される柱状スペーサ１３３と共通部材により形成するギャップ保持材１３２ｐｓに変形を行った。本実施形態２の液晶表示装置に用いられる液晶パネル１０１の構成について図１２及び図１３の模式図を用いて説明する。図１２は、液晶パネル全体の構成の平面図を示しており、図１３は、図１２におけるＣ−Ｄ断面線における断面図を其々示したものである。実施の形態１の液晶パネル１００の構成と共通する構成については、適宜説明を省略する。
【００５１】
本実施の形態２の液晶パネルでは、図１２及び図１３に示すように、実施の形態１と同様にＣＦ基板１２０は、透明基板である０．１ｍｍ程度の極薄ガラスよりなるガラス基板１２１により構成されている。この極薄ガラスよりなるＣＦ基板１２０の下部には、額縁領域のメインシールパターン１３０の外側において、基板切断時の基板間ギャップを保持するギャップ保持材１３２ｐｓが設けられている。このギャップ保持材１３２ｐｓは実施の形態１と同様にＣＦ基板１２０の基板端に対応して形成されるスクライブラインＳＬの下部に配置されることとなることから、完成した液晶パネル１０１においても、ＣＦ基板１２０の基板端までギャップ保持材１３２ｐｓが設けられることになる。
【００５２】
本実施の形態２のギャップ保持材１３２ｐｓの実施の形態１のギャップ保持材１３１との相違点としては、ギャップ保持材１３２ｐｓは、表示領域２００内に配置される柱状スペーサ１３３と共通部材により構成される。また、ギャップ保持材１３２ｐｓはメインシールパターン１３０とは分離して配置され、更に所定の幅に形成される。所定の幅としては、メインシールパターン１３０及びギャップ保持材１３２ｐｓの形成精度（形成幅精度、形成位置精度）とＣＦ基板１２０へのスクライブラインＳＬの形成精度（位置精度）を考慮して、スクライブラインＳＬ下部に必ずギャップ保持材１３２ｐｓの少なくとも一部が配置され、更に、メインシールパターン１３０と必ず分離される所定の幅に設計されている。なお、後に説明するが、本実施の形態２では、ギャップ保持材１３２ｐｓは、柱状スペーサ１３３と同時形成され、写真製版により形成することから、ギャップ保持材１３２ｐｓの形成精度自体のバラツキはスクライブラインＳＬの形成精度に対して無視できる程度に形成できる。従って、所定の幅としては、スクライブラインＳＬの形成精度のみを考慮した幅に設定すると良い。具体的には、ここでは、一例として、ギャップ保持材１３２ｐｓの幅については、０．７ｍｍ程度に形成し、メインシールパターン１３０との間の距離としては平均値として０．５ｍｍ程度となる様に設計し管理するようにした。以上の値は一例であり、使用するスクライブ形成装置、メインシールパターン１３０を構成するシール剤の塗布装置の精度に応じて、メインシールパターン１３０及びギャップ保持材１３２ｐｓの形成精度（形成幅精度、形成位置精度）とＣＦ基板１２０へのスクライブラインＳＬの形成精度（位置精度）を考慮して、適宜、調整して所定の値を決定すれば良い。また、平面図の図１２よりわかるとおり、ギャップ保持材１３２ｐｓはＣＦ基板１２０の四隅において開口部１３２ｏを有して分割され、ＣＦ基板１２０の四辺の長さにほぼ対応した長さに構成されている。
【００５３】
また、柱状スペーサ１３３とギャップ保持材１３２ｐｓは、同じ高さに形成されており、更に、柱状スペーサ１３３の形成される表示領域２００内とギャップ保持材１３２ｐｓの形成される額縁領域において、其々の位置での基板間ギャップを併せるために、ギャップ保持材１３２ｐｓの配置される部分では、表示領域２００内の柱状スペーサ１３３の配置される部分における絶縁膜１１５が同様に形成され、更に、柱状スペーサ１３３と重なるＢＭ１２５や共通電極１２３、或いはＴＦＴ基板１１０上に配置されるゲート配線１１６またはソース配線１１７などと同じ厚みで同層に形成されるパターンなど（図示は省略）が適宜配置される。
【００５４】
続いて、本実施の形態２の液晶パネル１０１の製造方法について説明する。本実施の形態２の液晶パネル１０１の製造方法について、特に、実施の形態１の液晶パネル１００の製造方法と比較して相違点を生ずる工程となるＣＦ基板１２０に配置されるギャップ保持材１３２ｐｓを形成するマザーＣＦ基板２０を準備する基板準備工程Ｓ１、マザーＣＦ基板２０の一方の面にシール剤の塗布を行うシール剤塗布工程Ｓ５、マザーセル基板３０に対し、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の其々の表面にスクライブラインＳＬを形成するスクライブ工程Ｓ１１、及びマザーセル基板３０より個別セル基板に分断するセル分断工程Ｓ１２について、実施の形態１との違いを中心に説明を行うこととする。
【００５５】
先ず、基板準備工程Ｓ１において、マザーＣＦ基板２０を準備する。基本的には、実施の形態１のマザーＣＦ基板２０と同様に６枚のＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆが作りこまれたものを準備すれば良く、柱状スペーサ１３３についても、一般的な柱状スペーサの形成方法である感光性樹脂膜の塗布とパターニングにより柱状スペーサ１３３を形成すれば良い。本実施の形態２においては、このマザーＣＦ基板２０における柱状スペーサ１３３を形成する感光性樹脂膜のパターニングの際に、同時にギャップ保持材１３２ｐｓをパターンニングし、この同じ感光性樹脂膜により形成する。従って、柱状スペーサ１３３とギャップ保持材１３２ｐｓは、同じ感光性樹脂膜材料により、同じ高さに形成され、同時に（共通のパターンニング工程により）形成されることとなる。また、ギャップ保持材１３２ｐｓを形成する位置は、以後に実施されるスクライブ工程Ｓ１１でスクライブラインＳＬが形成される位置において、図１２の構成において説明したギャップ保持材１３２ｐｓのパターン形状に形成する。但し、マザーＣＦ基板２０上においては、ギャップ保持材１３２ｐｓは、このスクライブラインＳＬの両側に跨って、スクライブラインＳＬの両側に隣接して配置されるＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆに対し、其々形成される。平面的な配置としても、ギャップ保持材１３２ｐｓは、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの其々における基板端位置に形成されるスクライブラインＳＬに沿って、このスクライブラインＳＬの両側に跨って配置される。なお、スクライブラインＳＬの両側に跨って配置されるギャップ保持材１３２ｐｓは、柱状スペーサ１３３と共通部材によりなる完全に一体化したパターンにより構成される必要は無く、例えば、表示領域２００に配置される柱状スペーサ１３３と同様の形状の柱状スペーサ１３３と共通部材よりなるパターンが密集して配置されることにより構成されていても良い。なお、ある程度一体化したパターンにより構成される場合にも、スクライブラインＳＬを境界にして分離したパターンにより構成されるのが望ましい。
【００５６】
続いて、図１４（ａ）は、本実施の形態２におけるシール剤塗布工程Ｓ５を説明するものであり、液晶滴下工程Ｓ６が完了し、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０が貼り合わされる前、即ち、実施の形態１における図５（ａ）の状態に対応する。ここでは、実施の形態１からの変更部分を主として説明するものとして、重複する部分については適宜説明を省略する。図１４（ａ）に示すとおり、本実施の形態２では、隣接して配置されるＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃの間（ＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃが分離切断される際の切断線上に該当）においては、メインシール剤１５０ａとメインシール剤１５０ｃ間にギャップ保持材１３２ｐｓが形成されており、ＣＦ基板１２０ａにおけるＣＦ基板１２０ｃが隣接する側と反対側の端部においては、メインシール剤１５０ａの外側には、ギャップ保持材１３２ｐｓのみが配置される（ＣＦ基板１２０ａとマザーＣＦ基板２０の周辺不要部ガラスが分離切断される際の切断線上に該当）。
【００５７】
この様に対向配置されたマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０は、実施の形態１と同様に貼り合わせ工程Ｓ７において、図１４（ａ）中の矢印の方向に近接され、貼り合わされる。その結果、メインシール剤１５０ａ及び１５０ｃはマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０により挟まれて押しつぶされることにより拡がり、メインシールパターン１３０ａ及びメインシールパターン１３０ｃが形成される。また、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０が貼り合わされた際には、隣接して配置されるＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃ間におけるスクライブラインＳＬの形成される位置の近傍において、ギャップ保持材１３２ｐｓによりマザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０間の基板間隔が保持される。更に、ギャップ保持材１３２ｐｓは、其々のＣＦ基板の四隅において開口部１３２ｏを有して分割された構成を有している。従って、外部に対して開放されており、メインシールパターン１３０ａ〜１３０ｆとギャップ保持材１３２ｐｓ間に完全に閉じた空間が形成されることがない。従って、この貼り合わせ工程Ｓ７における貼り合わせ後の真空からの大気開放時において、閉じた空間と外部との間の圧力差によるシールパンク（シール剤のパターンの破れ或いは破壊）などを発生しない。貼り合わせ工程Ｓ７の以降については、実施の形態１と同様にシール剤硬化工程Ｓ８、薄型化研磨工程Ｓ９、更に視差バリア形成工程Ｓ１０が順次行われマザーセル基板３０が形成されるが、これらの工程においては、特に実施の形態１と異なる点は無いことから詳細説明は省略する。
【００５８】
続いて、本実施の形態２において要点となるスクライブ工程Ｓ１１について説明を行う。図１４（ｂ）は、本実施の形態２におけるスクライブ工程Ｓ１１の際のＣＦ基板１２０ａとＴＦＴ基板１１０ａの額縁領域での状況を示したものであり、実施の形態１のスクライブ工程Ｓ１１について説明した際の図６（ｂ）に対応する。視差バリア形成工程Ｓ１０までにおいて形成されたマザーセル基板３０に対し、図１４（ｂ）に示すとおり、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の其々の表面にスクライブラインＳＬをホイールＷＨにより形成するが、特に問題となる極薄ガラスより構成されるマザーＣＦ基板２０におけるスクライブラインＳＬ形成部分においては、スクライブラインＳＬ上において、マザーＣＦ基板２０下層において、表示領域２００内に配置される柱状スペーサ１３３と共通部材により構成されたギャップ保持材１３２ｐｓが配置され、このギャップ保持材１３２ｐｓにより、マザーＣＦ基板２０とマザーＴＦＴ基板１０の基板間距離を一定範囲に保持することができる。従って、切断傷を形成する為に、ホイールＷＨが、スクライブラインＳＬ形成部分におけるマザーＣＦ基板２０表面に押圧された際にも、０．１ｍｍ程度の極薄ガラスからなるマザーＣＦ基板２０がギャップ保持材１３２ｐｓにより保持され、たわむことがなく、ホイールＷＨの押圧に対する反発力も安定することから、マザーＣＦ基板２０表面におけるホイールＷＨの回転と、回転により推進されるホイールＷＨ走査が安定する。結果として、実施の形態１或いは実施の形態１の変形例と同様に、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となり、以後に説明するセル分断工程による切断により得られた極薄ガラス端面での微小クラックなどの切断ダメージの残存及び切断時の割れなどの不良発生を抑制できる。
【００５９】
また、構成の説明において、説明したとおり、ギャップ保持材１３２ｐｓは、ＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの其々における基板端位置に形成されるスクライブラインＳＬに沿って、このスクライブラインＳＬの両側に跨って配置され、更に、ギャップ保持材１３２ｐｓの幅としては、メインシールパターン１３０及びギャップ保持材１３２ｐｓの形成精度（形成幅精度、形成位置精度）とＣＦ基板１２０へのスクライブラインＳＬの形成精度（位置精度）を考慮して、スクライブラインＳＬ下部に必ずギャップ保持材１３２ｐｓの少なくとも一部が配置され、更に、メインシールパターン１３０と必ず分離される所定の幅に設計されている。従って、スクライブラインＳＬの形成時において、シール位置精度・スクライブ位置精度の範囲でスクライブラインＳＬを形成するホイールＷＨの当接する部分の極薄ガラスよりなるマザーＣＦ基板２０の下部に必ずギャップ保持材１３２ｐｓの少なくとも一部が配置されることとなる。その結果、スクライブラインＳＬの形成中の全ての間において、スクライブ用のホイールＷＨが当接されるマザーＣＦ基板２０がギャップ保持材１３２ｐｓにより下部より保持され、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となる。
【００６０】
続いて行われるマザーセル基板３０より個別セル基板に分断するセル分断工程Ｓ１２においては、実施の形態１と同様に、先に説明したスクライブ工程Ｓ１１において形成したスクライブラインＳＬ近傍に応力を印加することにより個々の個別セル基板のＴＦＴ基板１１０ａ〜１１０ｆとＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの形状に分断が行われ、マザーセル基板３０より、個別セル基板に分断される。本実施の形態２においても、先に説明したとおり、スクライブ工程Ｓ１１において形成したスクライブラインＳＬでは、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となったことにより、スクライブラインＳＬ近傍では、微小クラックの発生が少なく、スクライブラインＳＬの直線性も良いことから、このセル分断工程による切断により得られたＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの極薄ガラス端面での微小クラックなどの切断ダメージの残存及び切断時の割れなどの不良発生が抑制される。
【００６１】
また、このセル分断工程Ｓ１２において実施されるマザーＣＦ基板２０或いはマザーＴＦＴ基板１０より除去する必要がある不要部切断片１５５の除去の際に、実施の形態１においては、ギャップ保持材１３１を構成するシール剤がマザーＴＦＴ基板１０表面より剥がれることを助ける役割をするシール剥離補助層１５４を配置することにより、不要部切断片１５５の除去を容易とし、ＴＦＴ基板１１０へのダメージ発生を防止した。本実施の形態２におけるギャップ保持材１３２ｐｓはメインシールパターン１３０とは分離して配置されること、更に、ギャップ保持材１３２ｐｓは柱状スペーサ１３３と共通部材により構成されることから、マザーＣＦ基板２０及びマザーＴＦＴ基板１０と完全に接着一体化されていない（柱状スペーサ１３３及びギャップ保持材１３２ｐｓはマザーＣＦ基板２０及びマザーＴＦＴ基板１０の何れか一方に対してのみ固着され、本実施の形態２或いは実施の形態１においては、マザーＣＦ基板２０に対してのみ固着形成され、マザーＴＦＴ基板１０とは当接しているのみである）ことから、不要部切断片１５５が、マザーＴＦＴ基板１０に固着されておらず、不要部切断片１５５の除去が容易となる。即ち、シール剥離補助層１５４の配置を省略することが可能であり、実施の形態１と同様にギャップ保持材１３２ｐｓを不要部切断片１５５にかかり配置する場合においても、ＴＦＴ基板１１０へのダメージ発生を防止して製造することができる。また、ギャップ保持材１３２ｐｓが、スクライブラインＳＬを境界にして分離したパターンにより構成されていれば、不要部切断片１５５の除去が更に容易となる。なお、上記説明の作用は、ギャップ保持材１３２ｐｓが柱状スペーサ１３３と共通部材により構成される場合に限られず、ギャップ保持材１３２ｐｓがシールパターン１３０とは分離して配置されることのみでも、不要部切断片１５５のマザーＴＦＴ基板１０への固着の程度が弱くなることから得ることができ、ＴＦＴ基板１１０へのダメージ発生を防止する一定の効果を得ることができる。
【００６２】
セル分断工程Ｓ１２の以降については、実施の形態１と同様であることから詳細説明は省略し、ここで、本実施の形態２の液晶パネル１０１の製造方法に関する説明を終える。以上、構成及び製造方法について順次説明した実施の形態２の液晶表示装置を構成する液晶パネル１０１においては、実施の形態１或いは実施の形態１の変形例と比較して、スクライブラインＳＬ近傍下部に配置されるマザーＣＦ基板２０とマザーＴＦＴ基板１０の基板間距離を一定範囲に保持する機能を有するシール剤が、表示領域２００内に配置される柱状スペーサ１３３と共通部材により構成されたギャップ保持材１３２ｐｓに変更された点は異なるが、極薄ガラスよりなるＣＦ基板１２０の切断位置に該当する基板端近傍において、対向して配置されるＴＦＴ基板１１０との基板間の距離を一定範囲に保持するギャップ保持材１３２ｐｓを備えており、更にこのギャップ保持材１３２ｐｓが切断位置下部に該当する少なくともＣＦ基板１２０の基板端までかかり配置される点においては実施の形態１或いは実施の形態１の変形例と同様の構成を備える。従って、実施の形態１或いは実施の形態１の変形例と同様に、ＣＦ基板１２０を取り出すマザーＣＦ基板２０の表面に切断傷を形成する為に、スクライブ用のホイールＷＨが極薄ガラスよりなるマザーＣＦ基板２０表面に押圧された際にも、マザーＣＦ基板２０がギャップ保持材１３２ｐｓにより保持され、たわむことがないこと、ホイールＷＨの押圧に対する反発力が安定すること、或いはマザーＣＦ基板２０表面におけるホイールＷＨの回転と、回転により推進されるホイールＷＨ走査が安定すること、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となること、安定したスクライブラインＳＬの形成が可能となったことにより、スクライブラインＳＬ近傍では、微小クラックの発生が少なくなること、スクライブラインＳＬの直線性が良くなること、更に、この様に形成されたスクライブラインＳＬを元にしたセル分断工程を実施することにより、切断により得られたＣＦ基板１２０ａ〜１２０ｆの極薄ガラス端面での微小クラックなどの切断ダメージの残存が抑制されること、切断時の割れなどの不良発生が抑制されること、などの効果を得ることができる。更に、このギャップ保持材１３２ｐｓも極薄ガラス基板よりなるＣＦ基板１２０の基板端までかかり配置されていることから、液晶パネル１００の極薄ガラス端面近傍を補強できることにより、液晶表示装置の耐久性及び信頼性を向上することができる。
【００６３】
更に、本実施の形態２の液晶パネルでは、ギャップ保持材１３２ｐｓは、柱状スペーサ１３３と同じ材料により形成されており、柱状スペーサ１３３の形成時において、柱状スペーサ１３３と同時形成することができる。従って、製造工程を特に増やすことなく、柱状スペーサ１３３と共通材料よりなる基板間の距離を一定範囲に保持することのできるギャップ保持材１３２ｐｓを配置することができる。また、スクライブラインＳＬ近傍において、ギャップ保持材１３２ｐｓが、メインシールパターン１３０とは分離して配置されること、更に、柱状スペーサ１３３と共通部材により構成されることから、セル分断工程において、信号端子１１８と対向するマザーＣＦ基板２０部分よりなる不要部切断片１５５の除去が容易となり、ＴＦＴ基板１１０への割れなどのダメージ発生を防止しし、歩留り良く製造することができる。また、ギャップ保持材１３２ｐｓは、メインシールパターン１３０の形成精度と極薄ガラスよりなる一方の基板への切断傷の形成精度を考慮した所定の幅に形成されることにより、スクライブラインＳＬの形成時において、スクライブラインＳＬを形成するホイールＷＨの当接する部分の極薄ガラスよりなるマザーＣＦ基板２０の下部に必ずギャップ保持材１３２ｐｓの少なくとも一部が配置されることとなり、先に説明した安定してスクライブラインＳＬを形成できることによる効果を確実に得ることができる。更に、ギャップ保持材１３２ｐｓは、メインシールパターン１３０と必ず分離される所定の幅に設計されていることにより、不要部切断片１５５の除去が容易となる効果についても確実に得ることができる。更に、ギャップ保持材１３２ｐｓは、其々のＣＦ基板の四隅において開口部１３２ｏを有して分割された構成を有していることにより、貼り合わせ工程Ｓ７において、閉じた空間と外部との間の圧力差によるシールパンク（シール剤のパターンの破れ或いは破壊）などを発生せず、歩留り良く製造することができる。
【００６４】
以上説明した実施の形態２の液晶表示装置を構成する液晶パネル１０１においては、表示領域２００内に配置される柱状スペーサ１３３と共通部材により構成されたギャップ保持材１３２ｐｓをメインシールパターン１３０とは分離して配置した構成について説明を行った。この柱状スペーサ１３３と共通部材により構成されたギャップ保持材１３２ｐｓは、図１５（ａ）或いは図１５（ｂ）に示す様に、構成を一部変形しても良い。なお、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、要点となるスクライブ工程Ｓ１１における隣接するＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃ間のスクライブラインＳＬとギャップ保持材の構成を示した断面図であり、実施の形態２の図１４（ｂ）のＣＦ基板１２０ａとＣＦ基板１２０ｃ間の部分に相当する。例えば、一方の変形例としては、図１５（ａ）に示す様に、実施の形態１におけるギャップ保持材１３１と同様に基板端となるスクライブラインＳＬより、スクライブラインＳＬの両側或いは片側に配置されるメインシールパターン１３０の形成される領域までを埋めてギャップ保持材１３２ｐｓを形成するように変更しても良い。なお、実施の形態２と同様にギャップ保持材１３２ｐｓの形成部分においては、柱状スペーサ１３３と共通部材によりなる完全に一体化したパターンにより構成される必要は無く、例えば、表示領域２００に配置される柱状スペーサ１３３と同様の形状の柱状スペーサ１３３と共通部材よりなるパターンが密集して配置されることにより構成されていても良い。この様にメインシールパターン１３０の形成される領域までを埋めてギャップ保持材１３２ｐｓを形成する構成の場合には、スクライブラインＳＬの形成精度を特に考慮することなく、スクライブラインＳＬ下部に必ずギャップ保持材１３２ｐｓの少なくとも一部を配置することができ、安定してスクライブラインＳＬを形成できることによる効果を比較的容易に得ることができる。更に、ギャップ保持材１３２ｐｓが、実施の形態２と同様に柱状スペーサ１３３と共通部材により構成されることから、セル分断工程において、信号端子１１８と対向するマザーＣＦ基板２０部分よりなる不要部切断片１５５の除去が容易となり、ＴＦＴ基板１１０への割れなどのダメージ発生を防止し、歩留り良く製造することができる。
【００６５】
また、もう一方の変形例としては、実施の形態２におけるギャップ保持材１３２ｐｓに対し、部材について変更し、図１５（ｂ）に示す様に、実施の形態１におけるギャップ保持材１３１と同様にメインシールパターン１３０と共通部材となる基板間の距離を一定範囲に保持するスペーサ１５２が混入されたシール剤により、メインシールパターン１３０とは分離して配置した構成を有するギャップ保持材１３２に変更しても良い。この場合には、ギャップ保持材１３２は、メインシールパターン１３０と同じ材料により形成されており、メインシールパターン１３０の形成時において、メインシールパターン１３０と同時形成することができる。従って、製造工程を特に増やすことなく、基板間の距離を一定範囲に保持することのできるギャップ保持材１３２を配置することができる。また、実施の形態２の構成と同様にスクライブラインＳＬ近傍において、ギャップ保持材１３２が、メインシールパターン１３０とは分離して配置されることから、セル分断工程において、信号端子１１８と対向するマザーＣＦ基板２０部分よりなる不要部切断片１５５の除去が容易となり、ＴＦＴ基板１１０への割れなどのダメージ発生を防止し、歩留り良く製造することができる。なお、この変形例のギャップ保持材１３２の構成は、実施の形態１と比べると実施の形態２と同様にメインシールパターン１３０とは分離して配置され、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の両者に固着される領域が少ないことから、実施の形態１で設けた様なシール剥離補助材を配置しなくとも、不要部切断片１５５の除去の際のダメージは発生し難い。但し、実施の形態２の構成と比べると、ギャップ保持材１３２は、マザーＴＦＴ基板１０とマザーＣＦ基板２０の両者に固着される構成であることから、実施の形態１と同様に、適宜、シール剥離補助材を配置しても良く、更に歩留り良く製造することができる。また、実施の形態２と同様にギャップ保持材１３２とメインシールパターン１３０の間に隙間が形成されることから、実施の形態２のギャップ保持材１３２ｐｓと同様に其々のＣＦ基板の四隅において開口部１３２ｏを有して分割された構成をとることが望ましく、貼り合わせ工程Ｓ７において、閉じた空間と外部との間の圧力差によるシールパンク（シール剤のパターンの破れ或いは破壊）などを発生せず、歩留り良く製造することができる。
【００６６】
また、ギャップ保持材１３２は、実施の形態２のギャップ保持材１３２ｐｓと同様に、メインシールパターン１３０の形成精度と極薄ガラスよりなる一方の基板への切断傷の形成精度を考慮した所定の幅に形成すると良いが、ギャップ保持材１３２を構成するシール剤もマザーＣＦ基板２０上に塗布された際より、貼り合わせ工程後のおける幅などが変化することから、貼り合わせ工程後のおける幅について、ギャップ保持材１３２ｐｓと同様の所定の幅となるよう設定する必要がある。具体的には、ギャップ保持材１３２ｐｓと同様の所定の幅として、例えば、実施の形態２と同様にギャップ保持材１３２が０．７ｍｍ程度に形成するとすれば、０．７ｍｍに対して基板間距離を乗算し、形成するシール剤の高さで割った値を形成するシール剤の幅の凡その目安とすれば良い。また、ギャップ保持材１３２とメインシールパターン１３０間の距離については、ギャップ保持材１３２の形成位置精度はギャップ保持材１３２ｐｓの形成位置精度よりは劣ることから、ここでは、０．７ｍｍ程度の若干量の余裕を持った設計とすると良い。なお、実施の形態２と同様に、以上の値は一例であり、使用するスクライブ形成装置、ギャップ保持材１３２及びメインシールパターン１３０を構成するシール剤の塗布装置の精度に応じて、メインシールパターン１３０及びギャップ保持材１３２の形成精度（形成幅精度、形成位置精度）とＣＦ基板１２０へのスクライブラインＳＬの形成精度（位置精度）を考慮して、適宜、調整して所定の値を決定すれば良い。以上の様にスクライブ工程Ｓ１１において、ギャップ保持材１３２が所定の幅に形成されていることにより、スクライブラインＳＬの形成時において、スクライブラインＳＬを形成するホイールＷＨの当接する部分の極薄ガラスよりなるマザーＣＦ基板２０の下部に必ずギャップ保持材１３２の少なくとも一部が配置されることとなり、実施の形態２と同様の、安定してスクライブラインＳＬを形成できることによる効果を確実に得ることができる。更に、ギャップ保持材１３２は、メインシールパターン１３０と必ず分離される所定の幅に設計されていることにより、不要部切断片１５５の除去が容易となる効果についても確実に得ることができる。
【００６７】
なお、実施の形態１、２及び変形例では、一方の基板のみが極薄ガラスとなる二画面ディスプレイ液晶パネルへの本発明の適用例について説明を行った。本発明は、少なくとも一方の基板が極薄ガラスにより構成される場合に共通の効果が得られることから、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の双方に極薄ガラスが使用される湾曲ディスプレイや、一方の基板に極薄ガラスが用いられる反射型ディスプレイなどへの適用が可能である。また、極薄ガラスとみなす基板厚さの範囲としては、実施の形態１、２及び変形例では、０．１ｍｍ程度を代表的な厚さとして説明を行ったが、０．２ｍｍ未満程度において、実施の形態１、２及び変形例において説明を行った効果について、一般的な液晶表示装置で用いられる程度の薄板ガラスである基板厚さ０．３ｍｍ程度のガラス基板を用いた液晶表示装置に比べて有意の効果が得られる。また、下限については、先行文献にも記載のある液晶表示装置で用いられるガラス基板の下限の基板厚さである０．０１ｍｍ以上の範囲と解釈する。従って、本明細書で用いる極薄ガラスは、０．０１ｍｍ以上、０．２ｍｍ未満の範囲の基板厚さを有するガラスであると定義し、この意味にて記載するものとする。以上のことから、本発明の効果としては、実施の形態１、２及び変形例において例示した０．１ｍｍ程度の極薄ガラスに限られず、０．０１ｍｍ以上、０．２ｍｍ未満の範囲の基板厚さを有する極薄ガラスを用いた場合にも実施の形態１、２及び変形例と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１００，１０１  液晶パネル、１１０，１１０ａ〜１１０ｆ  ＴＦＴ基板、
１２０，１２０ａ〜１２０ｆ  ＣＦ基板、
１０  マザーＴＦＴ基板、２０  マザーＣＦ基板、３０  マザーセル基板、
１１１，１２１  ガラス基板、１１２，１２２  配向膜、１１３  画素電極、
１１４  ＴＦＴ、１１５  絶縁膜、１１６  ゲート配線、１１７  ソース配線、
１１８  信号端子、
１２３  共通電極、１２４  カラーフィルタ、１２５  ＢＭ、１２６  視差バリア、
１３０，１３０ａ〜１３０ｆ  メインシールパターン、
１３１，１３１ｐｓ，１３２，１３２ｐｓ  ギャップ保持材、１３２ｏ  開口部、
１３３  柱状スペーサ、１３４，１３５  偏光板、１３６  制御基板、１３７  ＦＦＣ、
１４０  液晶層、１４０ｄｐ  液晶材料、
１５０ａ〜１５０ｆ，１５７  メインシール剤、１５１，1５３  ダミーシール剤、
１５２  スペーサ、１５４，１５６  シール剥離補助層、１５５  不要部切断片
２００，２００ａ〜２００ｆ  表示領域
ＳＬ  スクライブライン、ＷＨ  ホイール。
【図１】
0005757146.tif 000002
【図２】
0005757146.tif 000003
【図３】
0005757146.tif 000004
【図４】
0005757146.tif 000005
【図５】
0005757146.tif 000006
【図６】
0005757146.tif 000007
【図７】
0005757146.tif 000008
【図８】
0005757146.tif 000009
【図９】
0005757146.tif 000010
【図１０】
0005757146.tif 000011
【図１１】
0005757146.tif 000012
【図１２】
0005757146.tif 000013
【図１３】
0005757146.tif 000014
【図１４】
0005757146.tif 000015
【図１５】
0005757146.tif 000016