(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
画素電極と、
前記画素電極と前記基板との間に配置される蓄積容量と、
を含み、
前記蓄積容量は、第１電極と、前記画素電極の電位が印加される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される誘電体層と、を含み、
前記蓄積容量に接して層間絶縁膜を設け、前記層間絶縁膜に接して、前記蓄積容量とは逆側に前記画素電極を設け、
前記画素電極、前記第１電極、前記第２電極、及び前記誘電体層は光を透過させ、
前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、前記第１電極が前記第２電極及び前記画素電極と重なる部分における前記層間絶縁膜の厚さより、前記第１電極が前記第２電極及び前記画素電極と重ならない部分における前記層間絶縁膜の厚さが、前記第２電極の厚さ分、厚いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、前記第１電極は、前記画素電極と前記画素電極に隣り合う画素電極と、の間に開口を有し、前記画素電極及び前記第２電極を電気的に接続する第１中継電極が前記開口に重なる領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、
前記第１中継電極は、前記画素電極と前記隣り合う画素電極との間の領域で第１方向に延びる第１部分と、前記第１部分から前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２部分と、を有し、
前記第１中継電極と前記第２電極とを電気的に接続するための第１コンタクトホールが前記第１部分と重なる領域に配置され、
前記第１中継電極と前記画素電極とを電気的に接続するための第２コンタクトホールが、前記第２部分と重なる領域に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素電極に電気的に接続されたトランジスターと、
前記トランジスターと前記第１中継電極とを電気的に接続する第２中継電極と、
をさらに含み、
前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、
前記第２中継電極は、前記トランジスターと重なるように配置されるとともに、前記画素電極と前記隣り合う画素電極との間の領域で第１方向に延びるように配置され、
前記第１中継電極は、前記画素電極と前記隣り合う画素電極との間の領域で前記第１方向に延び前記第２中継電極と重なる第３部分と、前記画素電極と前記隣り合う画素電極との間の領域で前記第２中継電極の端部から前記第１方向に突出する第４部分と、を有し、
前記第２電極は、前記第３部分と第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、
前記画素電極は、前記第４部分と第２コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１電極は、前記誘電体層に対して前記基板の側に配置され、
前記第２電極は、前記誘電体層に対して前記画素電極の側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１電極は、前記誘電体層に対して前記画素電極の側に設けられ、
前記第２電極は、前記誘電体層に対して前記基板の側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記層間絶縁膜の表面は、平坦面になっていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１電極は、前記画素電極が複数配列された画素配列領域の全面に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、
前記画素電極と前記画素電極に隣り合う画素電極との間の領域に遮光層が配置され、
前記蓄積容量は前記遮光層で囲まれた領域にも配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記基板、前記画素電極、前記蓄積容量及び前記層間絶縁膜を備えた素子基板と、前記素子基板に対向配置された光を透過させる対向基板との間に液晶層が配置されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置に照射される照明光を出射する光源部と、前記電気光学装置により変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板に蓄積容量が設けられた電気光学装置、該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等のアクティブマトリクス型の電気光学装置では、画素トランジスターおよび透光性の画素電極を備えた画素がマトリクス状に配置されており、走査線を介して供給された走査信号によって画素トランジスターをオンさせた期間を利用して画素トランジスターに画像信号を供給する。また、電気光学装置では、各画素に蓄積容量を設けることにより、表示画像の高コントラスト化等が図られている。その際、蓄積容量を構成する電極は金属膜等の遮光性材料からなるため、画素からの表示光の出射を妨げないように、隣り合う画素電極により挟まれた画素間領域に平面視で重なる領域に設けられる（特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、電気光学装置において、より高精細な画像を形成すること等を目的に画素ピッチの縮小や画素サイズの小型化を図った場合、特許文献１に記載の構成のままでは、蓄積容量の形成に十分な面積を確保できず、十分な容量値をもった蓄積容量を構成できないという問題点がある。特に、液晶装置のうち、透過型の液晶装置や、基板本体側から表示光を出射するボトムエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンス装置では、表示光の出射を妨げない位置に蓄積容量を設けなければならないという制約があるため、上記の問題点が顕著である。
【０００４】
そこで、図９に模式的に示すように、透光性の画素電極９ａに対して平面視で重なる領域に透光性の誘電体層４０および透光性の電極７ｗを設け、電極７ｗおよび対向基板２０側の共通電極２１に共通電位を印加する液晶装置が提案されている（特許文献２参照）。かかる構成の液晶装置では、透光性の画素電極９ａ、透光性の誘電体層４０、および透光性の電極７ｗによって蓄積容量５５ｗが構成されるため、蓄積容量５５ｗの形成領域を広げても、表示光の出射を妨げないという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−９６９６６号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７６１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に記載の構成では、画素電極９ａの端部付近で液晶層５０の配向を好適に制御できず、画像の精細度が低下する等の問題点がある。より具体的には、液晶装置では、素子基板１０側の画素電極９ａと、対向基板２０側において共通電位が印加された共通電極２１との間に発生させた縦方向の電界（矢印Ｖ１で示す電界）によって液晶分子の配向を制御する。しかしながら、特許文献２に記載の構成において、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆと重なる領域では、共通電位が印加された電極７ｗの上層に誘電体層４０しか存在しない。このため、画素電極９ａと電極７ｗとの間に液晶層５０を通る余計な電界（矢印Ｖ２で示す電界）が発生する。このため、液晶層５０において、画素電極９ａの端部付近に電位分布の乱れが発生し、液晶分子の配向が乱れてしまう。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、蓄積容量の形成領域を広げても、表示光の出射光量の低下や画素電極の端部付近での電位分布の乱れが発生しにくい電気光学装置、該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の電気光学装置は、基板と、第１画素電極と、前記第１画素電極と前記基板との間に配置される蓄積容量と、を含み、前記蓄積容量は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される誘電体層と、を含み、前記第１画素電極、前記第１電極、前記第２電極、及び前記誘電体層は光を透過させ、前記第１画素電極の側から前記基板の側を見たとき、前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１画素電極と重なることを特徴とする。
上記の本発明に係る電気光学装置は、基板と、該基板の一方面側に設けられた透光性の画素電極と、該画素電極と前記基板との間に設けられ、複数の前記画素電極と各々平面視で重なる透光性の第１電極層、前記画素電極に電気的に接続された透光性の第２電極層、および前記第１電極層と前記第２電極層との間に介在する透光性の誘電体層が積層された蓄積容量と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、透光性の第１電極層、透光性の誘電体層、および透光性の第２電極層によって蓄積容量が構成されるため、蓄積容量の形成領域を広げて蓄積容量の容量値の増大を図っても表示光の出射光量を妨げない。また、本発明では、画素電極とは別の２つの透光性電極（第１電極層および第２電極層）を用いたため、蓄積容量と画素電極との間に透光性の層間絶縁膜を設けることができる。従って、隣り合う画素電極の間（画素間領域）の平面視で重なる領域に第１電極層が存在する場合でも、第１電極層と画素電極との層間に少なくとも層間絶縁膜が介在するので、画素電極との端部と第１電極層との間に余計な電界が発生しにくいという利点がある。
【００１０】
本発明において、前記第１電極層は、互いに隣り合う前記画素電極の間と重なる領域に開口部を有し、平面視で前記開口部と重なる領域には、前記画素電極および前記第２電極層を互いに電気的に接続する第１中継電極が設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、第１電極層を広い範囲にわたって形成した場合でも、画素電極に対する電気的な接続が可能である。また、互いに隣り合う画素電極の間と重なる領域に形成した開口部を利用するため、表示光を出射可能な領域を大幅に狭めることなく、画素電極に対する電気的な接続が可能である。
【００１１】
本発明において、前記第１中継電極は、前記互いに隣り合う画素電極の間に平面視で重なる領域で第１方向に延在する延在部と、該延在部から前記第１方向と交差する第２方向に屈曲した屈曲部と、を有し、前記第１中継電極と前記第２電極層とを電気的に接続するための第１コンタクトホールが前記延在部と重なる領域に設けられ、前記第１中継電極と前記画素電極とを電気的に接続するための第２コンタクトホールが、前記屈曲部と重なる領域に設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、互いに隣り合う画素電極の間と重なる領域に形成した第１中継電極を利用するため、表示光を出射可能な領域を大幅に狭めることなく、画素電極に対する電気的な接続が可能である。
【００１２】
本発明において、前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、前記トランジスターと前記第１中継電極とを電気的に接続する第２中継電極と、を備え、前記第２中継電極は、平面視で、前記トランジスターと重なるように配置されるとともに、前記互いに隣り合う画素電極の間と重なる領域で第１方向に延在するように配置され、前記第１中継電極は、平面視で、前記互いに隣り合う画素電極の間と重なる領域で前記第１方向に延在して前記第２中継電極と平面視で重なる重なり部と、前記互いに隣り合う画素電極の間と平面視で重なる領域で前記第２中継電極の端部から前記第１方向に突出する突出部と、を有し、前記第２電極層は、前記重なり部と第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記画素電極は、前記突出部と第２コンタクトホールを介して電気的に接続されている構成を採用することができる。かかる構成によれば、互いに隣り合う画素電極の間と重なる領域に形成した第１中継電極および第２中継電極を利用するため、表示光を出射可能な領域を大幅に狭めることなく、画素電極に対する電気的な接続が可能である。
【００１３】
本発明において、前記第１電極層は、前記誘電体層に対して前記基板側に設けられ、前記第２電極層は、前記誘電体層に対して前記画素電極側に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、第１電極層と画素電極との層間に層間絶縁膜とともに誘電体層も介在することになる。それ故、画素電極との端部と第１電極層との間に余計な電界が発生することを防止することができる。また、第１電極層に対しては、画素電位が印加される画素電極および第２電極層が一方側のみに存在し、第１電極層に対して基板側には、画素電極および第２電極層が存在しない。それ故、画素電極および第２電極層と、データ線等の間に余計な容量が寄生しないため、駆動ロスが発生しない。それ故、低消費電力化を図ることができる。
【００１４】
本発明において、前記第１電極層は、前記誘電体層に対して前記画素電極側に設けられ、前記第２電極層は、前記誘電体層に対して前記基板側に設けられている構成を採用してもよい。かかる構成の場合でも、第１電極層と画素電極との層間に層間絶縁膜を介在させることができるので、画素電極との端部と第１電極層との間に余計な電界が発生することを防止することができる。
【００１５】
本発明において、前記蓄積容量と前記画素電極との間に設けられた層間絶縁膜の表面は、平坦面になっていることが好ましい。かかる構成によれば、隣り合う第２電極層の間に重なる領域では、第２電極層と重なる領域に比して層間絶縁膜の厚さが第２電極層の厚さ分、厚くなる。それ故、第１電極層と画素電極との間に余計な電界が発生しにくいという利点がある。
【００１６】
本発明において、前記第１電極層は、前記画素電極が複数配列された画素配列領域の全面に設けられている場合に適用すると効果的である。本発明では、第１電極層と画素電極との間に余計な電界が発生しにくいので、第１電極層が広い範囲にわたって形成された結果、隣り合う画素電極の間（画素間領域）において第１電極層が位置する面積が広くなった場合でも、余計な電界の影響が発生しにくい。
【００１７】
本発明において、隣り合う前記画素電極の間に対して平面視で重なる領域に遮光層が設けられ、前記蓄積容量は、少なくとも、前記遮光層で囲まれた透光性領域に対して平面視で重なる領域内に設けられていることが好ましい。画素間領域に対して平面視で重なる領域に遮光層が設けられている場合、透光性領域が狭くなりやすいので、本発明を適用した場合の効果が大きい。
【００１８】
本発明に係る電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記基板は、該基板の一方面側に対向配置された透光性の対向基板との間に液晶層を保持する構成となる。
【００１９】
本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器において直視型表示装置等の各種の表示装置に用いることができる。また、本発明を適用した電気光学装置が液晶装置である場合、電気光学装置（液晶装置）は、投射型表示装置に用いることができる。かかる投射型表示装置は、本発明を適用した電気光学装置（液晶装置）に照射される照明光を出射する光源部と、前記液晶装置により変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置に用いた液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素トランジスター周辺を拡大して示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置において蓄積容量を構成する電極層の形成領域を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の蓄積容量等に用いた各電極の断面的な位置関係を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の画素の説明図である。
【図８】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【図９】従来の問題点を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、各種の電気光学装置のうち、液晶装置に本発明を適用した場合を中心に説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、本説明では、画素電極が接続されている側（画素側ソースドレイン領域）をドレインとし、データ線が接続されている側（データ線側ソースドレイン領域）をソースとする。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、以下の説明では、図８を参照して説明した構成との対応が分かりやすいように、共通する部分については同一の符号を付して説明する。
【００２２】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であり、配線や電極の形状や延在方向、レイアウト等を示しているものではない。
【００２３】
図１において、本形態の液晶装置１００（電気光学装置）は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２４】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２５】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨る第１電極層７が容量電極層として形成されている。本形態において、第１電極層７には共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２６】
（液晶パネル１００ｐの構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２７】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用素子基板／液晶装置用素子基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２８】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａ（画素配列領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０において、画像表示領域１０ａの外側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２９】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、一方面１０ｓ側では、画像表示領域１０ａに、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００３０】
また、素子基板１０の一方面１０ｓ側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００３１】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されており、本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることもある。
【００３２】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３３】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。本形態において、液晶装置１００は透過型であり、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３６】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の画素トランジスター３０周辺を拡大して示す説明図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００において蓄積容量５５を構成する電極層の形成領域を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、第１電極層７の形成領域をグレー領域として示す説明図、および第２電極層８ａの形成領域をグレー領域として示す説明図である。
【００３７】
なお、図３（ａ）、図４および図５では、各領域を以下の線
走査線３ａ＝太い実線
半導体層１ａ＝細い実線
ゲート電極３ｃ＝点線
ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂ（第２中継電極）＝細い一点鎖線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ（第１中継電極）＝太い一点鎖線
第２電極層８ａ＝二点鎖線
画素電極９ａ＝太くて長い破線
第１電極層７の開口部７ａおよびコンタクトホール４２ａ等＝細い実線
で表してある。なお、誘電体層４０は第１電極層７と略同様な領域に形成されているので、図３（ａ）、図４および図５では図示を省略してある。また、図３（ａ）、図４および図５において、各構成要素の端部が平面視で重なっている場合でも、視認しやすいように互いの位置をずらしてある。
【００３８】
図３（ａ）、図４および図５に示すように、素子基板１０には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた縦横の画素間領域１０ｆ（隣り合う画素電極９ａの間）と重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。より具体的には、画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って走査線３ａが延在し、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿ってデータ線６ａが延在している。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されている。
【００３９】
ここで、データ線６ａおよび走査線３ａは、遮光性の導電膜から形成されており、遮光層として機能する。また、データ線６ａおよび走査線３ａからなる遮光層は、画素電極９ａの外周端部に重なっている。従って、本形態では、画素電極９ａが形成されている領域のうち、データ線６ａおよび走査線３ａからなる遮光層で囲まれた領域が、表示光が出射される透光性領域１０ｐである。
【００４０】
（画素の断面構成等）
図３（ａ）、（ｂ）、図４および図５に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗ、基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面１０ｓ側）に形成された透光性の画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および透光性の配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面側）に形成された透光性の共通電極２１、および透光性の配向膜２６を主体として構成されている。
【００４１】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線３ａが形成されており、かかる走査線３ａは、画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って延在している。また、走査線３ａは、Ｙ方向（第２方向）に向けて突き出た突出部分３ａ0を有している。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉx）等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター３０に対する遮光膜としても機能している。本形態において、走査線３ａは、厚さが２００ｎｍ程度のタングステンシリサイドからなる。なお、基板本体１０ｗと走査線３ａとの間には、シリコン酸化膜等の絶縁膜が設けられることもある。
【００４２】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、走査線３ａの上層側には、シリコン酸化膜等の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、例えば、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）を用いた減圧ＣＶＤ法やテトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜と、高温ＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（ＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜）との２層構造を有している。
【００４３】
画素トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域においてデータ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の略中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えている。また、画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ1、１ｃ1を備え、低濃度領域１ｂ1、１ｃ1に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ2、１ｃ2を備えている。
【００４４】
半導体層１ａは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層１ａの両側において、ゲート絶縁層２および絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａ、１２ｂを介して走査線３ａに導通している。本形態において、ゲート電極３ｃは、膜厚が１００ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜と、膜厚が１００ｎｍ程度のタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４５】
なお、本形態では、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線３ａを遮光膜により形成してある。但し、走査線をゲート絶縁層２の上層に形成し、その一部をゲート電極３ｃとしてもよい。この場合、図３に示す走査線３ａは、遮光のみを目的として形成されることになる。
【００４６】
ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂ（第２中継電極）が同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４１は、例えば、シランガス（ＳＨ4）と亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）とを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００４７】
ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂは、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜、膜厚が３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜をこの順に積層してなる４層構造を有している。ソース電極５ａは、第２画素間領域１０ｈと重なる領域（データ線６ａと重なる領域）に矩形形状に形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。
【００４８】
ドレイン電極５ｂは、画素トランジスター３０と平面視で重なる矩形部５ｂ1と、矩形部５ｂ1から第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿って延在する帯状部分５ｂ2とを備えている。かかるドレイン電極５ｂにおいて矩形部５ｂ1は、第２画素間領域１０ｈと重なる領域（データ線６ａと重なる領域）で、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と平面視で一部が重なっており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４９】
ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されている。層間絶縁膜４２は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。本形態において、層間絶縁膜４２の表面は、化学機械研磨等の方法で平坦化されている。
【００５０】
層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａおよび中継電極６ｂ（第１中継電極）が同一の導電膜によって形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜、膜厚が３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜をこの順に積層してなる４層構造を有している。
【００５１】
データ線６ａは、画素間領域１０ｆのうち、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って延在しており、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース電極５ａに導通している。
【００５２】
中継電極６ｂは、第１画素間領域１０ｇと平面視で重なる領域において、Ｘ方向に延在する延在部６ｂ1と、延在部６ｂ1からＹ方向に屈曲した屈曲部６ｂ2とを有している。また、中継電極６ｂは、第１画素間領域１０ｇと平面視で重なる領域において、Ｘ方向に延在してドレイン電極５ｂと平面視で重なる重なり部６ｂ3と、ドレイン電極５ｂの端部からＸ方向に突出する突出部６ｂ4とを有しており、重なり部６ｂ3と突出部６ｂ4の一部とによって延在部６ｂ1が構成されている。また、突出部６ｂ4の一部がＹ方向に屈曲して屈曲部６ｂ2が構成されている。ここで、層間絶縁膜４２には、重なり部６ｂ3と重なる位置にコンタクトホール４２ｂが形成されており、中継電極６ｂは、コンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極５ｂに導通している。
【００５３】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されている。層間絶縁膜４３は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。本形態において、層間絶縁膜４３の表面は、化学機械研磨等の方法で平坦化されている。
【００５４】
（蓄積容量５５の構成）
層間絶縁膜４２の上層側には、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜からなる第１電極層７が形成されており、本形態において、第１電極層７はＩＴＯ膜からなる。第１電極層７は、蓄積容量５５を構成するための容量電極である。より具体的には、第１電極層７は、蓄積容量５５を構成する一対の容量電極のうち、共通電位Ｖcomが印加される容量電極であり、複数の画素電極９ａに対して重なるように形成されている。本形態において、第１電極層７は、複数の画素１００ａが配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域）の全体にわたって一体に形成されている（図５（ａ）のグレー領域）。このため、第１電極層７は、画素間領域１０ｆにも形成されている。かかる第１電極層７には、第１画素間領域１０ｇと重なる領域に開口部７ａ（第１電極層７の非形成領域／図５（ａ）の白抜き領域）が設けられており、かかる開口部７ａは、第２電極層８ａや画素電極９ａを下層側の中継電極６ｂに導通させるのに利用されている。
【００５５】
第１電極層７の上層には透光性の誘電体層４０が積層されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。誘電体層４０は、第１電極層７と同等、略全面に形成されているが、第１電極層７の開口部７ａと同様、第２電極層８ａや画素電極９ａを下層側の中継電極６ｂに導通させる部分に開口部４０ａが設けられている。
【００５６】
誘電体層４０の上層には、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜からなる第２電極層８ａが積層されており、本形態において、第２電極層８ａはＩＴＯ膜からなる。第２電極層８ａは、誘電体層４０を介して第１電極層７に重なっており、第１電極層７および誘電体層４０とともに蓄積容量５５を構成している。かかる第２電極層８ａは、第１画素間領域１０ｇにおいて中継電極６ｂの延在部６ｂ1と重なっており、第１電極層７の開口部７ａおよび誘電体層４０の開口部４０ａの内側において、層間絶縁膜４３に形成されたコンタクトホール４３ａ（第１コンタクトホール）を介して中継電極６ｂの延在部６ｂ1に導通している。また、第２電極層８ａは、コンタクトホール４３ａ（第１コンタクトホール）を介して中継電極６ｂの延在部６ｂ1のうち、重なり部６ｂ3に導通している。
【００５７】
本形態において、第２電極層８ａは、画素電極９ａと略重なる領域に形成されており、中継電極６ｂを介して画素電極９ａに対して１対１の関係をもって電気的に接続されている（図５（ｂ）のグレー領域）。従って、第２電極層８ａは、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆと重なる領域が非形成領域（図５（ｂ）の白抜き領域）になっており、かかる非形成領域と重なる領域では誘電体層４０の下層側に第１導電層７が位置している。
【００５８】
（層間絶縁膜４４および画素電極９ａ等の構成）
第２電極層８ａの上層側には透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、層間絶縁膜４４の上層側には、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが略四角形の平面形状をもって形成されている。画素電極９ａは、第１画素間領域１０ｇ付近で中継電極６ｂの屈曲部６ｂ2と重なっており、画素電極９ａは、第１電極層７の開口部７ａおよび誘電体層４０の開口部４０ａの内側において、層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール４４ａ（第２コンタクトホール）を介して中継電極６ｂの突出部６ｂ4に導通している。また、画素電極９ａは、コンタクトホール４４ａ（第２コンタクトホール）を介して中継電極６ｂの突出部６ｂ4のうち、屈曲部６ｂ2に導通している。このようにして、第２電極層８ａおよび画素電極９ａは、中継電極６ｂを介して電気的に接続され、中継電極６ｂおよびドレイン電極５ｂを介して画素トランジスター３０のドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００５９】
本形態において、層間絶縁膜４４は、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜４４１と、シリコン酸化膜４４１の上層側に常圧ＣＶＤ法等により形成されたドープトシリケートガラス膜４４２との２層構造になっており、ドープトシリケートガラス膜４４２は、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたシリケートガラスである。かかるドープトシリケートガラス膜４４２のうち、リンドープトシリケートガラス（ＰＳＧ膜）を形成する場合の使用ガスは、ＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｏ3等である。ボロンドープトシリケートガラス（ＢＳＧ膜）を形成する場合の使用ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、Ｏ3等であり、ボロン・リンドープトシリケートガラス膜（ＢＰＳＧ膜）を形成する場合の使用ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｏ3等である。従って、画素電極９ａは、ドープトシリケートガラス膜４４２の表面上に形成されている。また、ドープトシリケートガラス膜４４２は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆでは、画素電極９ａから露出し、配向膜１６に接している。また、ドープトシリケートガラス膜４４２の表面は、研磨により平坦面になっており、かかる平坦面に画素電極９ａが形成されている。かかる研磨には、化学機械研磨を利用することができ、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子やコロイダルシリカ、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。
【００６０】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。
【００６１】
（対向基板２０側等の構成等）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００６２】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００６３】
（本形態の主な効果）
図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の蓄積容量５５等に用いた各電極の断面的な位置関係を模式的に示す説明図である。
【００６４】
本形態の液晶装置１００おいては、図６に模式的に示すように、透光性の第１電極層７、透光性の誘電体層４０、および透光性の第２電極層８ａによって蓄積容量５５が構成されている。このため、蓄積容量５５の形成領域を広げて蓄積容量５５の容量値の増大を図っても表示光の出射光量を妨げない。特に、本形態では、基板本体１０ｗには、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに対して平面視で重なる領域に、データ線６ａおよび走査線３ａが遮光層として設けられているため、かかる遮光層で囲まれた透光性領域１０ｐのみの表示光が透過可能な領域である。しかるに本形態では、透光性の第１電極層７、透光性の誘電体層４０、および透光性の第２電極層８ａによって蓄積容量５５が構成されるため、透光性領域まで蓄積容量５５の形成領域を広げて蓄積容量５５の容量値の増大を図っても表示光の出射光量を妨げない。
【００６５】
また、本形態では、３つの透光性電極（画素電極９ａ、第１電極層７および第２電極層８ａ）を用いたため、蓄積容量５５と画素電極９ａとの間に透光性の層間絶縁膜４４を設けることができる。従って、以下に説明するように、隣り合う画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）に平面視で重なる領域に第１電極層７が存在する場合でも、第１電極層７と画素電極９ａとの層間に、少なくとも層間絶縁膜４４が介在するので、画素電極９ａとの端部付近で電位分布の乱れが発生しないので、画素電極９ａの端部においても液晶分子の配向を好適に制御することができる。
【００６６】
より具体的には、本形態において、蓄積容量５５を構成する第１電極層７は、複数の画素電極９ａに対して平面視で重なるように設けられているため、画素電極９ａと重なる領域、および隣り合う画素電極９ａで挟まれた画素間領域１０ｆと重なる領域に形成されている。これに対して、第２電極層８ａは、画素電極９ａに１対１の関係で電気的に接続されているため、画素間領域１０ｆと重なる領域では非形成領域になっている。このため、隣り合う第２電極層８ａで挟まれた領域（隣り合う画素電極９ａで挟まれた画素間領域１０ｆ）と重なる領域では誘電体層４０の下層側に第１導電層７が位置している。また、第１電極層７は、対向基板２０側の共通電極２１と同様、共通電位Ｖcomが印加されている。
【００６７】
ここで、液晶装置１００では、素子基板１０側の画素電極９ａと、対向基板２０において共通電位Ｖcomが印加された共通電極２１との間に形成した縦方向の電界（矢印Ｖ１で示す電界）によって液晶層５０の液晶分子の配向を制御し、画素毎に光変調する。その際、第１電極層７には共通電位Ｖcomが印加されているため、画素電極９ａの端部と第１電極層７との間に余計な電界（矢印Ｖ２で示す電界）が発生しようとするが、本形態では、第１電極層７と画素電極９ａとの層間には、層間絶縁膜４４が介在する。それ故、本形態によれば、矢印Ｖ２で示すような余計な電界が発生しないので、画素電極９ａとの端部付近に電位分布の乱れが発生せず、画素電極９ａの端部においても液晶分子の配向を好適に制御することができる。
【００６８】
また、本形態においては、第２電極層８ａは、誘電体層４０に対して画素電極９ａが位置する側に設けられ、第１電極層７は、誘電体層４０に対して基板本体１０ｗが位置する側に設けられている。このため、画素電極９ａと第１電極層７との間には、層間絶縁膜４４に加えて、誘電体層４０も位置する。それ故、本形態によれば、矢印Ｖ１で示すような余計な電界の発生を確実に防止することができる。
【００６９】
また、本形態において、第２電極層８ａは、誘電体層４０に対して画素電極９ａが位置する側に設けられ、第１電極層７は、誘電体層４０に対して基板本体１０ｗが位置する側に設けられている。このため、第１電極層７に対しては、画素電位が印加される画素電極９ａおよび第２電極層８ａが一方側（上方）のみに存在し、第１電極層７に対して基板本体１０ｗ側（下方）には、画素電位が印加される画素電極９ａおよび第２電極層８ａが存在しない。それ故、データ線６ａは、隣接する画素１００ａの画素電極９ａおよび第２電極層８ａとの間に余計な容量が寄生しない。また、データ線６ａは、自身が対応する画素１００ａのうち、オフ状態にある画素電極９ａおよび第２電極層８ａから電位的な影響を受けない。それ故、駆動ロスが発生しないので、低消費電力化を図ることができる。特に本形態では、蓄積容量５５とデータ線６ａとの間には層間絶縁膜４３しか介在しないが、データ線６ａと、画素電極９ａおよび第２電極層８ａとの間に第１電極層７が介在するので、データ線６ａに対する電気的な影響が少ない。
【００７０】
また、本形態の液晶装置１００において、第２電極層８ａと画素電極９ａとの間に層間絶縁膜４４が介在するので、画素電極９ａが形成される下地（層間絶縁膜４４の表面）を研磨により平坦面とすることができる。このため、画素電極９ａを平坦面に形成することができる。また、層間絶縁膜４４の表面は、研磨により平坦化されているので、隣り合う第２電極層８ａの間に重なる領域での層間絶縁膜４４の厚さｄ1は、第２電極層８ａと重なる領域での層間絶縁膜４４の厚さｄ2に比して、第２電極層８ａの厚さ分、厚い。従って、隣り合う第２電極層８ａの間に位置する部分では、第１電極層７の上層側に厚い層間絶縁膜４４が存在することになるので、矢印Ｖ１で示すような余計な電界の発生を確実に防止することができるので、画素電極９ａの端部においても液晶分子の配向を好適に制御することができる。
【００７１】
また、第１電極層７は、第１画素間領域１０ｇと重なる領域に開口部７ａが形成され、かかる開口部７ａと重なる領域には、画素電極９ａおよび第２電極層８ａを互いに電気的に接続する中継電極６ｂ（第１中継電極）が設けられている。このため、第１電極層７を広い範囲にわたって形成した場合でも、画素電極９ａに対する電気的な接続が可能である。また、第１画素間領域１０ｇと重なる領域に形成した開口部７ａを利用するため、表示光を出射可能な領域を大幅に狭めることなく、画素電極９ａに対する電気的な接続が可能である。
【００７２】
また、中継電極６ｂと第２電極層８ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール４３ａ（第１コンタクトホール）が中継電極６ｂの延在部６ｂ1と重なる領域に設けられ、中継電極６ｂと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール４４ａ（第２コンタクトホール）が中継電極６ｂの屈曲部６ｂ2と重なる領域に設けられている。このように本形態では、第１画素間領域１０ｇと重なる領域に形成した中継電極６ｂを利用するため、表示光を出射可能な領域を大幅に狭めることなく、画素電極９ａに対する電気的な接続が可能である。また、ドレイン電極５ｂと中継電極６ｂとの電気的な接続も、第１画素間領域１０ｇと重なる領域を利用して行われるため、表示光を出射可能な領域を大幅に狭めることなく、ドレイン電極５ｂと中継電極６ｂとの電気的な接続が可能である。
【００７３】
また、本形態において、層間絶縁膜４４の上層側は、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方がドープされたドープトシリケートガラス膜４４２であり、かかるシリケートガラスは、多孔性であり、吸湿性を備えている。また、ドープトシリケートガラス膜４４２のうち、画素間領域１０ｆと重なる領域に形成されている部分は、画素電極９ａから露出し、配向膜１６と接している。このため、画素電極９ａの上層側に設けられる液晶層５０に水分が混入している場合、ドープトシリケートガラス膜４４２は、配向膜１６を介して液晶層５０から水分を除去する。それ故、液晶装置１００の特性や信頼性等を向上することができる。また、ドープトシリケートガラス膜４４２は、研磨速度が高いので、層間絶縁膜４４の表面（ドープトシリケートガラス膜４４２）に対する研磨工程を効率よく行うことができる。
【００７４】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の画素の説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図、および蓄積容量５５等に用いた各電極の断面的な位置関係を模式的に示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７５】
図７に示すように、本形態の液晶装置１００おいても、実施の形態１と同様、透光性の第１電極層７、透光性の誘電体層４０、および透光性の第２電極層８ａによって蓄積容量５５が構成されている。このため、蓄積容量５５の形成領域を広げて蓄積容量５５の容量値の増大を図っても表示光の出射光量を妨げない等の効果を奏する。
【００７６】
ここで、蓄積容量５５は、実施の形態１とは上下反対に、第２電極層８ａが誘電体層４０に対して基板本体１０ｗが位置する側に設けられ、第１電極層７は、誘電体層４０に対して画素電極９ａが位置する側に設けられている。
【００７７】
このように構成した場合も、第１電極層７と画素電極９ａとの層間に層間絶縁膜４４が介在する。従って、隣り合う画素電極９ａの間（画素間領域１０ｆ）の平面視で重なる領域に第１電極層７が存在する場合でも、画素電極９ａの端部と第１電極層７との間に余計な電界（矢印Ｖ２で示す電界）が発生しにくい。それ故、画素電極９ａとの端部付近に電位分布の乱れが発生せず、画素電極９ａの端部においても液晶分子の配向を好適に制御することができる等の効果を奏する。また、第１電極層７と画素電極９ａとの間に介在する層間絶縁膜４４の表面は、平坦化されて平坦面になっている。このため、画素電極９ａを平坦面に形成することができる。また、層間絶縁膜４４の表面は、研磨により平坦化されているので、隣り合う第２電極層８ａの間に重なる領域での層間絶縁膜４４の厚さｄ1は、第２電極層８ａと重なる領域での層間絶縁膜４４の厚さｄ2に比して、第２電極層８ａの厚さ分、厚い。従って、隣り合う第２電極層８ａの間に位置する部分では、第１電極層７の上層側に厚い層間絶縁膜４４が存在することになるので、矢印Ｖ１で示すような余計な電界の発生を確実に防止することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７８】
［他の実施の形態］
また、上記実施の形態では、液晶装置１００に本発明を適用した例を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置等、液晶装置１００以外の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００７９】
［電子機器の構成例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を備えた電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図８に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８０】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８１】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８２】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８３】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８４】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８６】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８７】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８８】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００８９】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００９０】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９１】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９２】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９３】
３ａ・・走査線（遮光層）、５ｂ・・ドレイン電極（第２中継電極）、６ａ・・データ線（遮光層）、７・・第１電極層、６ｂ・・中継電極（第１中継電極）、６ｂ1・・延在部、６ｂ2・・屈曲部、６ｂ3・・重なり部、６ｂ4・・突出部、８ａ・・第２電極層、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域（画素配列領域）、１０ｆ・・画素間領域、１０ｐ・・透光性領域、１０ｗ・・基板本体、３０・・画素トランジスター、４３・・層間絶縁膜、４３ａ・・コンタクトホール（第１コンタクトホール）、４４・・層間絶縁膜、４４ａ・・コンタクトホール（第２コンタクトホール）、５５・・蓄積容量、１００・・液晶装置（電気光学装置）、１１０・・投射型表示装置
【図１】
0005810589.tif 000002
【図２】
0005810589.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0005810589.tif 000008
【図５】
0005810589.tif 000009
【図６】
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