(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、
レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに絶縁体を介して設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、
を備え、
前記チャンバは接地されており、
前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第１電極を含み、
前記電位制御部は、前記出力口および前記第１電極の電位を制御し、
前記電位制御部は、前記出力口の電位が前記第１電極の電位より高くなるように制御する、
チャンバ装置。
【請求項２】
レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、
レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに絶縁体を介して設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、
を備え、
前記チャンバは接地されており、
前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第１電極を含み、
前記電位制御部は、前記出力口および前記第１電極の電位を制御し、
前記ターゲット供給部は、前記第１電極から離間して設けられる第２電極をさらに含み、
前記電位制御部は、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位以下になるように制御する、
チャンバ装置。
【請求項３】
前記チャンバは、前記ターゲット物質を回収するための回収部を含み、
前記前記電位制御部は、前記回収部の電位が前記第１電極の電位より低くなるように制御する、
請求項１に記載のチャンバ装置。
【請求項４】
前記チャンバは、内部に配置されるコレクタミラーを含み、
前記電位制御部は、前記コレクタミラーの電位を前記出力口の電位より低く、かつ前記第１電極の電位より高くなるように制御する、
請求項１に記載のチャンバ装置。
【請求項５】
前記チャンバは、前記ターゲット物質の移動経路上に配置される少なくとも１つの電位維持部を含む、請求項１または２に記載のチャンバ装置。
【請求項６】
前記電位維持部は中空である請求項５に記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記電位維持部は導電性を有する請求項５に記載のチャンバ装置。
【請求項８】
レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、
レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、
を備え、
前記チャンバおよび前記ターゲット供給部は接地されており、
前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第１電極を含み、
前記電位制御部は、前記第１電極の電位を制御し、
前記電位制御部は、前記第１電極の電位が前記出力口の電位より高くなるように制御する、
チャンバ装置。
【請求項９】
レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、
レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、
を備え、
前記チャンバおよび前記ターゲット供給部は接地されており、
前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第１電極を含み、
前記電位制御部は、前記第１電極の電位を制御し、
前記ターゲット供給部は、前記第１電極から離間して設けられる第２電極をさらに含み、
前記電位制御部は、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位以上になるように制御する、
チャンバ装置。
【請求項１０】
前記チャンバは、前記ターゲット物質を回収するための回収部を含み、
前記前記電位制御部は、前記回収部の電位が前記第２電極の電位より高くなるように制御する、
請求項８に記載のチャンバ装置。
【請求項１１】
前記チャンバは、前記ターゲット物質の移動経路上に配置される少なくとも１つの電位維持部を含む、請求項８または９に記載のチャンバ装置。
【請求項１２】
前記電位維持部は中空である請求項１１に記載のチャンバ装置。
【請求項１３】
前記電位維持部は導電性を有する請求項１１に記載のチャンバ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、チャンバ装置及びチャンバ装置におけるドロップレットの移動制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、１３．５ｎｍという極端に波長の短い光と縮小光学系とを使用する、半導体露光技術が研究されている。この技術は、ＥＵＶＬ（Extreme
Ultraviolet Lithography：極端紫外線（ＥＵＶ）露光）と呼ばれる。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、例えば、ＬＰＰ（Laser
Produced Plasma）式の装置が知られている。ＬＰＰ式装置では、ターゲット物質のドロップレットにレーザ光を照射してプラズマを生成し、そのプラズマから放射されるＥＵＶ光を利用する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−８０２５５号公報
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるチャンバ装置は、レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに絶縁体を介して設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、を備え、前記チャンバは接地されており、前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第１電極を含み、前記電位制御部は、前記出力口および前記第１電極の電位を制御し、前記電位制御部は、前記出力口の電位が前記第１電極の電位より高くなるように制御してもよい。
また、本開示の他の態様によるチャンバ装置は、レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに絶縁体を介して設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、を備え、前記チャンバは接地されており、前記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第１電極を含み、前記電位制御部は、前記出力口および前記第１電極の電位を制御し、前記ターゲット供給部は、前記第１電極から離間して設けられる第２電極をさらに含み、前記電位制御部は、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位以下になるように制御してもよい。
【０００６】
本開示の他の態様によるチャンバ装置は、レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、を備え、前記チャンバおよび前記ターゲット供給部は接地されており、記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第１電極を含み、前記電位制御部は、前記第１電極の電位を制御し、前記電位制御部は、前記第１電極の電位が前記出力口の電位より高くなるように制御してもよい。
また、本開示の他の態様によるチャンバ装置は、レーザ装置と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、前記チャンバ装置に接続される電位制御部と、を備え、前記チャンバおよび前記ターゲット供給部は接地されており、記ターゲット供給部は、前記ターゲット物質を出力するための出力口および該出力口から離間して設けられる第１電極を含み、前記電位制御部は、前記第１電極の電位を制御し、前記ターゲット供給部は、前記第１電極から離間して設けられる第２電極をさらに含み、前記電位制御部は、前記第２電極の電位が前記第１電極の電位以上になるように制御してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係るチャンバ装置の構成を概略的に示す。
【図２Ａ】図２Ａは、ドロップレットの移動経路（軌道）における電位変化を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、ドロップレットの移動経路（軌道）における印加電位の変化を示す。
【図３】図３は、第２実施形態に係るチャンバ装置の構成を概略的に示す。
【図４Ａ】図４Ａは、第３実施形態に係るチャンバ装置において、ドロップレットの移動経路における電位変化を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第３実施形態に係るチャンバ装置において、ドロップレットの移動経路における印加電位の変化を示す。
【図５】図５は、第４実施形態に係るチャンバ装置の構成を概略的に示す。
【図６】図６は、ドロップレットの移動経路における電位変化を示す。
【図７】図７は、第５実施形態に係るチャンバ装置の構成を概略的に示す。
【図８Ａ】図８Ａは、ドロップレットの移動経路における電位変化を示す。
【図８Ｂ】図８Ｂは、ドロップレットの移動経路における印加電位の変化を示す。
【図９Ａ】図９Ａは、第６実施形態に係るチャンバ装置において、ドロップレットの移動経路における電位変化を示す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、第６実施形態に係るチャンバ装置において、ドロップレットの移動経路における印加電位の変化を示す。
【図１０Ａ】図１０Ａは、第７実施形態に係るチャンバ装置において、ドロップレットの移動経路における電位変化を示す。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、第７実施形態に係るチャンバ装置において、ドロップレットの移動経路における印加電位の変化を示す。
【図１１】図１１は、第８実施形態に係るチャンバ装置において、ドロップレットの移動経路における電位変化を示す。
【図１２】図１２は、第９実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【図１３】図１３は、第１０実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【図１４】図１４は、第１１実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【図１５Ａ】図１５Ａは、第１２実施形態に係るチャンバ装置における導体管の例を示す。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、第１２実施形態に係るチャンバ装置における導体管の変形例を示す。
【図１５Ｃ】図１５Ｃは、第１２実施形態に係るチャンバ装置における導体管の他の変形例を示す。
【図１６】図１６は、第１３実施形態に係るチャンバ装置において、ドロップレットの移動経路における電位変化を示す。
【図１７】図１７は、第１４実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【図１８】図１８は、第１５実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【図１９】図１９は、第１６実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【図２０】図２０は、第１７実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【図２１】図２１は、第１８実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【図２２】図２２は、第１９実施形態に係るチャンバ装置において、電極等を支持する構成を概略的に示す。
【図２３】図２３は、第２０実施形態に係るチャンバ装置において、電極等を支持する他の構成を概略的に示す。
【図２４】図２４は、第２１実施形態に係るチャンバ装置の構成を概略的に示す。
【図２５】図２５は、第２２実施形態に係るチャンバ装置における電極等の配置を概略的に示す。
【実施形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
第１実施形態
図１、図２Ａ及び図２Ｂを参照に、第１実施形態を説明する。図１は、本開示の一実施形態に係るチャンバ装置２が適用されるＥＵＶ露光システム１の全体を示す。ＥＵＶ露光システム１は、例えば、チャンバ装置２と、ドライバレーザ装置３と、ＥＵＶ露光装置４とを含むことができる。
【００１０】
チャンバ装置２は、例えば、チャンバ１０と、「ターゲット供給部」としてのドロップレットジェネレータ２０、コレクタミラー３０、回収部５０、ダンパ７０等を含んでもよい。また、チャンバ装置２は、「電位制御部」としての電位制御機構１００に接続されていてもよい。チャンバ装置２は、ドライバレーザ装置３と共に、ＥＵＶ光生成システムを構成してもよい。
【００１１】
まず、ＥＵＶ光生成システムの全体動作を説明し、次に、チャンバ装置におけるドロップレットの移動を制御する方法について説明する。
【００１２】
チャンバ１０は、高真空状態に保持されるのが好ましい。チャンバ１０は接地されているため、チャンバ１０の電位はグランド電位である。チャンバ１０の内部で生成されるＥＵＶ光は、接続部６とＥＵＶ露光装置４との境界付近に設定される中間集光点（ＩＦ）に集光されて、ＥＵＶ露光装置４に出力されてもよい。
【００１３】
ドロップレットジェネレータ２０は、絶縁体８０を介してチャンバ１０に取り付けられてもよい。ドロップレットジェネレータ２０のノズル部２２には、プラス電位が印加されるため、チャンバ１０と絶縁されている必要がある。絶縁体８０は、例えば、電気的絶縁性能、耐熱性能、気密性を保持するためのシール性能等を有するように構成されることが好ましい。
【００１４】
ドロップレットジェネレータ２０は、例えば、本体部２１と、本体部２１の先端側に設けられるノズル部２２と、ノズル部２２の先端側に図示しない絶縁部材を介してノズル部２２から所定ギャップ離間して設けられる第１電極２３と、絶縁部材を介して第１電極２３から所定ギャップ離間して設けられる第２電極４０とを含んでもよい。
【００１５】
本体部２１内には、ドロップレットの材料となる物質（ターゲット物質）２００が収容されてもよい。ターゲット物質２００には、例えば、錫（Ｓｎ）等が用いられ得るが、これに限定されない。本体部２１内のターゲット物質２００は、ヒータ等の加熱装置によって加熱されており、溶融状態になっていてもよい。なお、本体部２１内の全てのターゲット物質２００が常時溶融状態である必要はなく、少なくとも、ノズル部２２から出力される時点で溶融状態になっていればよい。
【００１６】
第１電極２３は、先端に出力口が形成されるノズル部２２に対向して設けられてもよい。第１電極２３に電位が印加されると、静電気力により、ノズル部２２から溶融状態のターゲット物質２００が僅かに突出し得る。そして、その突出したターゲット物質２００には電界が集中し、静電気力によりノズル部２２の外部に出力され得る。なお、このターゲット物質２００がノズル部２２から突出している状態は、ターゲット物質２００に物理的圧力を加えることで作られてもよい。例えば、ノズル部２２の側壁に圧電素子を設け、その圧電素子を所定タイミングで機械的に変形させることにより、ノズル部２２からターゲット物質２００を僅かに突出させてもよい。ターゲット物質２００がノズル部２２から突出している状態となった後、第１電極２３に電位が印加されると、上記同様にターゲット物質２００をノズル部２２から出力させることができる。
【００１７】
ノズル部２２から静電気力により出力されたターゲット物質２００は、ドロップレット２０１となり得る。静電気力で引き出されたドロップレット２０１は帯電しているため、第２電極４０に電位が印加されることによって加速されて、プラズマ生成領域（図２ＡのＰ４）に向けて移動し得る。本実施形態では、後述のように、ノズル部２２からプラズマ生成領域に向けて、電位勾配が発生しているので、帯電したドロップレット２０１は、その電位勾配による力を受けながらプラズマ生成領域に向けて移動し得る。
【００１８】
ドロップレット２０１がプラズマ生成領域に到達するタイミングで、ドライバレーザ装置３から出力されたドライバレーザ光ＬＢがドロップレット２０１に照射されてもよい。ドライバレーザ装置３は、例えば、ＣＯ２パルスレーザ装置として構成されてもよい。
【００１９】
ドライバレーザ装置３から出力されるドライバレーザ光ＬＢは、ドライバレーザ装置３とチャンバ１０とを接続するレーザ光路管５内を通過して、チャンバ１０内に入射してもよい。ドライバレーザ光ＬＢは、集光光学系６０及びコレクタミラー３０に設けられる貫通孔３１を介して、ドロップレット２０１に照射されてもよい。
【００２０】
ドロップレット２０１は、ドライバレーザ光ＬＢが照射されるとプラズマ２０２に変化し、プラズマ２０２からＥＵＶ光が放射され得る。ＥＵＶ光は、コレクタミラー３０の反射面３２で反射され、中間集光点ＩＦに集光され得る。
【００２１】
ダンパ７０は、貫通孔３１を通過するドライバレーザ光ＬＢの進行方向に設けられてもよく、ドライバレーザ光ＬＢのエネルギーを吸収して熱エネルギーに変換してもよい。ダンパ７０には冷却機構が設けられてもよい。ダンパ７０以外の他の要素も、冷却が必要、または、冷却が好ましい場合は、冷却機構が設けられてもよい。
【００２２】
ドロップレット２０１にドライバレーザ光ＬＢが照射されると、プラズマ２０２のほかに、デブリが発生する場合がある。デブリは、ドロップレットジェネレータ２０の先端に対向してチャンバ１０内に設けられる回収部５０に回収されてもよい。さらに、ドロップレットジェネレータ２０から出力されたドロップレット２０１のうち、ドライバレーザ光ＬＢが照射されなかったドロップレット２０１も、回収部５０に回収されてもよい。
【００２３】
電位制御機構１００は、電位制御領域１１０内にある要素（例えば、第１電極２３、第２電極４０、回収部５０等）の電位を、電位制御装置１２０により制御してもよい。これにより、ドロップレット２０１が所定速度（図２のＶｔ）でプラズマ生成領域に到達するための電位勾配がチャンバ１０内に形成され得る。他の実施形態で後述するように、電位制御領域１１０内には、第１電極２３、第２電極４０、コレクタミラー３０、回収部５０、チャンバ１０、ノズル部２２の全部またはそれらの一部を含めることができる。
【００２４】
図２Ａ及び図２Ｂは、ドロップレット２０１の移動経路２０３上の電位の分布を示す。図２Ａには、ノズル部２２、第１電極２３及び第２電極４０の配置と電位変化の関係とが示されている。図２Ｂには、ノズル部２２に印加される電位Ｖｎｚと、第１電極２３に印加される電位Ｖｐｌと、第２電極４０に印加される電位Ｖａｌとの関係が示されている。
【００２５】
本実施形態では、ノズル部２２にプラスの定電位Ｖｎｚが印加されてもよい。ノズル部２２からドロップレット２０１を引き出すために電位が印加される第１電極２３には、ノズル部２２のプラス電位Ｖｎｚよりも低い電位Ｖｐｌがパルス状に印加されてもよい（Ｖｎｚ＞Ｖｐｌ）。このパルスの周期に応じて、ドロップレット２０１の生成周期が定まり得る。なお、図２Ｂでは、第１電極２３への印加電位Ｖｐｌを矩形波パルスとして印加する場合を示すが、波形は特に問わない。
【００２６】
第１電極２３に電位が印加されることより引き出されたドロップレット２０１を加速するために電位が印加される第２電極４０には、第１電極２３の電位Ｖｐｌよりも低い電位Ｖａｌが印加されてもよい（Ｖｐｌ＞Ｖａｌ）。一例として、第２電極４０の電位Ｖａｌは、グランド電位に設定されてもよい。
【００２７】
図２Ａには、ドロップレット２０１の移動経路２０３における速度が二点鎖線で示されている。以下の実施形態でも同様であるが、図中における速度及び電位分布は、本開示の理解を容易にするための概略を示している。
【００２８】
ノズル部２２先端が位置する位置Ｐ１では、ドロップレット２０１の速度は０である。ドロップレット２０１は、第１電極２３に電位が印加されてノズル部２２から引き出され、加速され得る。第１電極２３が位置する位置Ｐ２において、ドロップレット２０１が通過する移動経路２０３における電位は低下する一方、ドロップレット２０１の速度は増加し得る。さらに、ドロップレット２０１は、第２電極４０に電位が印加されて、さらに加速される。第２電極４０が位置する位置Ｐ３における速度が、ドロップレット２０１の最高速度となってもよい。その後、ドロップレット２０１は、次第に減速しながらプラズマ生成領域Ｐ４に向けて、移動経路２０３上を移動してもよい。プラズマ生成領域Ｐ４におけるドロップレット２０１の速度は、所定速度Ｖｔ以上となっているのが好ましい。
【００２９】
換言すれば、プラズマ生成領域Ｐ４において、ドロップレット２０１の速度が所定速度Ｖｔ以上となるように、ノズル部２２の電位Ｖｎｚ、第１電極２３の電位Ｖｐｌ、及び第２電極４０の電位Ｖａｌを設定してもよい。
【００３０】
本実施形態では、チャンバ１０は接地されているため、加速されたドロップレット２０１がチャンバ１０の電位、及び、チャンバ１０の構造物の電位に影響を受けにくいと考えられる。つまり、ドロップレット２０１がチャンバ１０及びその構造物の電位により減速される可能性を低減できる。従って、小径のドロップレット２０１を所定の速度Ｖｔ以上の速度で、安定して、プラズマ生成領域に到達させることが可能となるであろう。
【００３１】
本実施形態では、小径のドロップレット２０１を安定して速度Ｖｔ以上の速度とすることができるので、ドロップレット２０１がレーザ光に照射されてプラズマが生成される際の飛散物等により、後続のドロップレットの軌道が乱される可能性が少ない。この結果、各ドロップレットにほぼ同一条件でレーザ光を照射することが可能となるであろう。つまり、本実施形態では、ＥＵＶ光を安定して生成することが可能となるであろう。さらに、本実施形態では、所望のＥＵＶ光の出力を得るための最小体積を持つ、比較的小さなドロップレットでも、安定したＥＵＶ光生成が行えると想定される。つまり、本実施形態では、ドロップレットの軌道がばらついて、ドロップレットに安定してレーザ光を照射できなくなる事態を回避するために、ドロップレットの体積を必要以上に大きくする必要がないと想定される。本実施形態では、必要最小限の体積をもつドロップレットを安定してプラズマ化できるので、デブリの発生を低減できるだろう。デブリが発生した場合は、そのデブリを回収部５０に回収してもよい。
【００３２】
さらに、ノズル部２２がプラス電位に設定されるため、第１電極２３に電位Ｖｐｌを印加した場合に、ノズル部２２をマイナス電位に設定した場合に比べて、ノズル部２２の先端からの電子の電界放出を抑制できる。従って、チャンバ１０内に低圧のガスが残留していたとしても、第１電極２３からノズル部２２への絶縁破壊が生じる可能性を低減できる。
【００３３】
第２実施形態
図３を参照して第２実施形態を説明する。本実施形態を含めて以下に述べる実施形態は、第１実施形態の変形例に相当し得る。従って、第１実施形態との相違点を中心に説明する。図３は、チャンバ装置２の一部を拡大して示す説明図である。
【００３４】
本実施形態では、コレクタミラー３０の所定領域内に、回収部５０を設けるための開口部３３が形成されてもよい。所定領域とは、例えば、コレクタミラー３０により集光することが可能なＥＵＶ光のうち、ＥＵＶ露光装置４で使用されないＥＵＶ光の光路である領域（オブスキュレーション領域）として、定義されてもよい。
【００３５】
回収部５０は、例えば、筒状の回収部本体５１及び回収部本体５１の略中心に配置される第３電極５２を備えてもよい。本実施形態では、第２電極４０、コレクタミラー３０、チャンバ１０及び回収部５０が接地されてもよい。従って、第２電極４０の電位Ｖａｌと、コレクタミラー３０の電位と、チャンバ１０の電位と、回収部５０の電位は、それぞれグランド電位に設定されてもよい。
【００３６】
本実施形態では、チャンバ１０のみならず、コレクタミラー３０等も接地されているため、ドロップレット２０１の移動経路２０３に与える影響を低減できる。これにより、ドロップレット２０１を安定して移動させることが可能となると想定される。
【００３７】
さらに、接地された回収部５０がオブスキュレーション領域に配置されるため、ＥＵＶ光の利用に影響を与えずにデブリ等を回収することが可能となる。
【００３８】
第３実施形態  
図４Ａ及び図４Ｂを参照して第３実施形態を説明する。本実施形態では、第２電極４０の電位Ｖａｌは、グランド電位よりも低いマイナスの電位に設定されてもよい。
【００３９】
ノズル部２２の電位Ｖｎｚと第２電極４０の電位Ｖａｌとの間の電位差は、図２に示す例と同一に設定されてもよいし、図２に示す例とは異なるように設定されてもよい。つまり、ノズル部２２から第２電極４０までの電位勾配は、第１実施形態における電位勾配と同一に設定されてもよいし、第１実施形態における電位勾配よりも大きく又は小さくなるように設定されてもよい。
【００４０】
第４実施形態
図５及び図６を参照して第４実施形態を説明する。本実施形態の電位制御装置１２０は、ノズル部２２の電位Ｖｎｚ、第１電極２３の電位Ｖｐｌ、第２電極４０の電位Ｖａｌ、チャンバ１０の電位Ｖｃｈ、回収部本体５１の電位Ｖｃｄ、第３電極５２の電位Ｖｅｌ、及びコレクタミラー３０の電位Ｖｍｒをそれぞれ個別に制御してもよい。図５に示す構成の場合、電位制御領域１１０内には、電位Ｖｎｚ、Ｖｐｌ、Ｖａｌ、Ｖｃｈ、Ｖｃｄ、Ｖｅｌ、Ｖｍｒが含まれてもよい。
【００４１】
図６は、電位制御の一例を示す。図６中の太い実線は、電位変化の１つの例を示す。チャンバ１０の電位Ｖｃｈは、グランド電位に設定されてもよい。ノズル部２２の電位Ｖｎｚは、最も高いプラス電位に設定されてもよい。ここで、最も高いプラス電位とは、図６に示す他の各要素の電位との比較において、相対的に最も高い値であることを意味する。
【００４２】
第１電極２３の電位Ｖｐｌは、ノズル部２２の電位Ｖｎｚよりも低いプラス電位に設定されてもよい。第２電極４０の電位Ｖａｌは、グランド電位に設定されてもよい。第３電極５２の電位Ｖｅｌは、最も低いマイナス電位に設定されてもよい。最も低いマイナス電位とは、図６に示す各要素の電位との比較において、相対的に最も低い値であることを意味する。回収部本体（図中、回収筒と表示）５１の電位Ｖｃｄは、第３電極５２の電位Ｖｅｌよりも高い電位に設定されてもよい。コレクタミラー３０の電位Ｖｍｒは、第１電極２３の電位Ｖｐｌよりも高く、かつ、ノズル部２２の電位Ｖｎｚよりも低い電位に設定されてもよい。
【００４３】
第１電極２３及び第２電極４０にそれぞれ電位が印加されることによって加速されたドロップレット２０１は、プラズマ生成領域（図６中、プラズマと表示）に向けて移動し得る。なお、図６では、本開示の理解を容易にするために、プラズマ生成領域の位置を示しているだけで、プラズマ２０２の電位を示すものではない。
【００４４】
ドライバレーザ光ＬＢに照射されなかったドロップレット２０１やデブリ等は、第３電極５２に向かって移動し、回収部本体５１に回収され得る。回収部本体５１は、回収部本体５１の略中央に位置する第３電極５２よりも若干高い電位Ｖｃｄに設定されてもよい。これにより、ドライバレーザ光ＬＢに照射されなかったドロップレット２０１やデブリ等は、回収部本体５１の略中央部に集められ得る。
【００４５】
コレクタミラー３０には、プラスの電位Ｖｍｒが印加されてもよい。帯電したデブリやドライバレーザ光ＬＢが照射されなかったドロップレット２０１等は、コレクタミラー３０と同極性の電位を有してもよい。これにより、電気的反発力（斥力）を用いて、コレクタミラー３０にデブリ等が付着するのを抑制できる。
【００４６】
図６中の点線は、第２電極４０が図５に示す構成から取り除かれた場合における電位変化を示す。第３電極５２（及び回収部本体５１）に、ドロップレット２０１を引き寄せるための電位が印加される場合、第２電極４０は設けられなくてもよい。第３電極５２（及び回収部本体５１）が第２電極４０の代わりを務めることができるためである。
【００４７】
図６中に示すように、第１電極２３の電位Ｖｐｌは、電位Ｖｎｚと電位Ｖａｌとの間の値で任意に設定されてもよい（Ｖｎｚ＞Ｖｐｌ＞Ｖａｌ）。第１電極２３の電位Ｖｐｌは、パルス状に印加される場合、電位Ｖｎｚと電位Ｖａｌとの間で変動するのが好ましい。
【００４８】
第５実施形態
図７、図８Ａ及び図８Ｂを参照して第５実施形態を説明する。本実施形態を含む以下の幾つかの実施形態では、ノズル部２２の電位Ｖｎｚをグランド電位に設定してもよい。図７は、本実施形態によるチャンバ装置２の構成の一例を示す。
【００４９】
本実施形態のチャンバ装置２では、ドロップレットジェネレータ２０は接地されていてもよい。従って、ドロップレットジェネレータ２０とチャンバ１０との間に絶縁体８０は設けられなくてもよい。回収部５０には、プラス電位が印加されてもよい。従って、回収部５０とチャンバ１０との間には絶縁体８１が設けられてもよい。
【００５０】
図７では、ドロップレット２０１の移動経路２０３上の電位分布がチャンバ１０内の構造物によって影響されるのを抑制するための導体管３１０，３２０が設けられてもよい。導体管３１０，３２０については、他の実施形態の説明で詳述する。導体管３１０，３２０の電位Ｖｆｈ，Ｖｌｈも、他の電位Ｖｎｚ、Ｖｐｌ、Ｖａｌ、Ｖｃｈ、Ｖｃｄ、Ｖｅｌと同様に、電位制御装置１２０により制御されてもよい。
【００５１】
図８Ａ及び図８Ｂは、ノズル部２２の電位Ｖｎｚがグランド電位に設定された場合の、電位設定等を示す。なお、図８Ａ及び図８Ｂでは、導体管３１０，３２０の電位及び回収部５０の電位は示されていない。図８Ａには、ドロップレット２０１の移動経路２０３における電位及び速度が示されており、図８Ｂには、第１電極２３にパルス状に印加される電位Ｖｐｌの例と、第２電極４０に印加される定電位Ｖａｌの例が示されている。
【００５２】
ノズル部２２の電位Ｖｎｚはグランド電位に設定されるため、第１電極２３の電位Ｖｐｌは、グランド電位よりも高いプラス電位に設定されるのが好ましい。第２電極４０の電位Ｖａｌは、第１電極２３の電位Ｖｐｌよりも高いプラス電位に設定されるのが好ましい。
【００５３】
このような構成において、マイナスに帯電したドロップレット２０１は、第２電極４０に所定の電位が印加されることによって、所定の速度Ｖｔ以上の速度で、プラズマ生成領域Ｐ４に到達し得る。換言すれば、ドロップレット２０１がプラズマ生成領域Ｐ４に到達したときの速度が、所定速度Ｖｔ以上となるように、第２電極４０の電位Ｖａｌが設定されるのが好ましい。
【００５４】
なお、第２電極４０の位置Ｐ３をプラズマ生成領域Ｐ４に近づければ、所定速度Ｖｔ以上の速度を得るために必要な第２電極４０の電位Ｖａｌを小さくできる可能性がある。
【００５５】
第６実施形態
図９Ａ及び図９Ｂを参照して第６実施形態を説明する。本実施形態では、第２電極４０に印加される電位を経時的に変化させてもよい。図９Ａには、ノズル部２２並びに第１及び第２電極２３，４０の配置が示されている。図９Ｂには、一つのドロップレット２０１をノズル部２２から引き出して加速させる場合における、第１電極２３の電位Ｖｐｌと第２電極４０の電位Ｖａｌの経時変化が示されている。
【００５６】
本実施形態では、ノズル部２２から引き出されたドロップレット２０１が第２電極４０を通過する前の期間、第２電極４０の電位をプラス電位に設定してもよい。ノズル部２２はグランド電位に設定されているため、ドロップレット２０１と第２電極４０との間には、静電気力が作用する。これにより、ドロップレット２０１は、第２電極４０に引き寄せられて加速され得る。
【００５７】
ドロップレット２０１が第２電極４０を通過する直前に、第２電極４０の電位Ｖａｌは、グランド電位に変更されてもよい。ドロップレット２０１が第２電極４０を通過する時、または、ドロップレット２０１が第２電極４０を通過した直後、のいずれかのタイミングで、第２電極４０の電位Ｖａｌをグランド電位に変更してもよい。あるいは、第２電極４０の電位Ｖａｌをグランド電位よりも低いマイナス電位に設定する構成でもよい。
【００５８】
ドロップレット２０１が第２電極４０に到達した後では、第２電極４０とドロップレット２０１との間の静電気力を停止させてもよい。これにより、第２電極４０を通過したドロップレット２０１が、第２電極４０に引き寄せられて減速するのを抑制できる。
【００５９】
さらに、第２電極４０の電位Ｖａｌをグランド電位よりも低いマイナス電位に設定する構成とすることで、ドロップレット２０１が第２電極４０に到達した後で、第２電極４０とドロップレット２０１との間に電気的反発力を作用させることができ、ドロップレット２０１をさらに加速することもできる。
【００６０】
第７実施形態
図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して第７実施形態を説明する。本実施形態では、第２電極を２つの電極４０１，４０２から構成してもよい。図１０Ａは電極等の配置関係を示し、図１０Ｂは各電極に印加される電位の経時変化を示す。
【００６１】
図１０Ａに示すように、第１電極２３の下流側には、上流側電極４０１及び下流側電極４０２が設けられてもよい。ここでは、ドロップレット２０１の進行方向を基準として、上流及び下流を定義する。
【００６２】
図１０Ｂには、上流側電極４０１の電位Ｖａｌ１、及び下流側電極４０２の電位Ｖａｌ２が示されている。上流側電極４０１には、所定の定電位Ｖａｌ１が印加されてもよい。下流側電極４０２には、パルス状に電位Ｖａｌ２が印加されてもよい。
【００６３】
電位Ｖａｌ２について詳細に説明する。電位Ｖａｌ２は、第１電極２３を通過したドロップレット２０１が電極４０２に到達する直前に、短時間だけプラス電位に変化させてもよい。これにより、電極４０１と電極４０２とが共同して、ドロップレット２０１を電気的に引き寄せ、ドロップレット２０１を加速させ得る。
【００６４】
ドロップレット２０１が電極４０２を通過した直後に、電極４０２の電位Ｖａｌ２は、マイナス電位に変化させてもよい。これにより、ドロップレット２０１と電極４０２との間に電気的反発力を作用させて、ドロップレット２０１をさらに加速することができる。
【００６５】
第８実施形態
図１１を参照して第８実施形態を説明する。本実施形態では、加速されたドロップレット２０１の速度が低下するのを抑制するための導体管３１０が設けられてもよい。導体管３１０は、ドライバレーザ光ＬＢの光路を遮らないよう構成され位置決めされてもよい。
【００６６】
ドロップレット２０１の移動経路２０３のうち、第２電極４０とプラズマ生成領域Ｐ４との間には、導電性を有する材料で構成される導体管３１０が設けられてもよい。導体管３１０の構成及び配置方法については、後述する。
【００６７】
図１１の下側には、ドロップレット２０１の移動経路２０３における電位分布が示されている。ノズル部２２は接地されていてもよい。第１電極２３の電位Ｖｐｌは、グランド電位よりも高いプラス電位に設定されてもよい。第２電極４０の電位Ｖａｌは、電位Ｖｐｌよりも高いプラス電位に設定されてもよい。導体管３１０の電位Ｖｆｈは、第２電極４０の電位Ｖａｌと略等しい電位に設定されてもよい（Ｖｐｌ＜Ｖｆｈ、Ｖｆｈ≒Ｖａｌ）。
【００６８】
導電性を有する導体管３１０の内部の電位は、その全長にわたって略等しいと考えられる。従って、導体管３１０の内部を移動するドロップレット２０１の速度は、比較的低下しにくいと考えられる。これにより、プラズマ生成領域Ｐ４におけるドロップレット２０１の速度Ｖｔをより高くすることができる。換言すれば、第２電極４０の電位Ｖａｌを低くした場合でも、プラズマ生成領域Ｐ４においてドロップレット２０１の速度が所定速度Ｖｔとなるように構成することができる。
【００６９】
導体管３１０は、導電性及びスパッタに耐える性質を有しているのが好ましい。そのような材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、タンタル、カーボン等が挙げられる。なお、導体管３１０の外表面をスパッタに強い素材でコーティングする構成でもよい。そのようなコーティング材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、タンタル、シリコン、カーボン、酸化アルミニウム、ジルコニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。
【００７０】
第９実施形態
図１２を参照して第９実施形態を説明する。本実施形態では、導体管３１０の電位を一定値に保持するために、フィードバック制御を行ってもよい。
【００７１】
本実施形態では、電位計４００を電位制御装置１２０に接続してもよい。電位計４００は、導体管３１０の電位を測定して、検出信号を電位制御装置１２０に出力してもよい。電位制御装置１２０は、入力された検出信号に基づいて、導体管３１０の電位が目標電位Ｖｆｈと一致するように、導体管３１０に印加される電位を制御してもよい。
【００７２】
これにより、導体管３１０の内部を帯電したドロップレット２０１が通過しても、導体管３１０の内部の電位をほぼ一定値に保持することができる。従って、ドロップレット２１０の速度低下をより一層抑制できる。
【００７３】
第１０実施形態
図１３を参照して第１０実施形態を説明する。本実施形態では、導体管３１０を、高抵抗４１０を介して、グランドまたは電源に接続してもよい。導体管３１０の内部を、荷電粒子（ドロップレット２０１）が通過すると、導体管３１０の電位が変化し得る。そこで、本実施形態では、導体管３１０を高抵抗４１０を介して、グランド等に接続することにより、導体管３１０の電位が変動するのを抑制してもよい。なお、導体管３１０の表面に高抵抗の皮膜を形成することにより、高抵抗４１０を実現してもよい。
【００７４】
第１１実施形態
図１４を参照して第１１実施形態を説明する。本実施形態では、導体管３１０の外側を絶縁部材３３０で覆ってもよい。絶縁部材３３０は、高抵抗４１０を介して、グランドまたは電源に接続されてもよい。荷電粒子であるドロップレット２０１の通過により絶縁部材３３０が帯電しても、絶縁部材３３０に蓄積された電荷は、高抵抗４１０を介してグランドに逃がされ得る。所定の時間で電荷をグランドに逃がすことのできる特性を有する電子部品を、高抵抗４１０として用いてもよい。または、導体管３１０を覆う絶縁部材３３０に、高抵抗の皮膜が形成される構成でもよい。
【００７５】
第１２実施形態
図１５を参照して第１２実施形態を説明する。本実施形態では、導体管３１０の形状等を説明する。図１５Ａは、導体管３１０の軸に垂直な断面を示す。導体管３１０は、例えば、円、または、多角形のように閉じた形状に形成されてもよい。
【００７６】
図１５Ｂに示すように、導体管３１０には、隙間３０１を設けてもよい。例えば、導体管３１０は、略Ｃ字形の断面形状を有してもよい。
【００７７】
図１５Ｃに示すように、導体管３１０は、例えば、多くのリングを繋げた形状、コイル形状、メッシュ形状のように形成されてもよい。それらの場合、導体管３１０には、多数の隙間が形成される。その隙間のサイズは、ドロップレット２０１の移動経路２０３上の電位分布がドロップレット２０１の軌道を変動させても、その変動を許容できるような値に設定されてもよい。
【００７８】
第１３実施形態
図１６を参照して第１３実施形態を説明する。本実施形態では、ドロップレット２０１の移動経路２０３のうち、プラズマ生成領域までの上流側経路には、導体管（上流側導体管）３１０を設け、プラズマ生成領域を通過した後の下流側経路には、他の導体管（下流側導体管）３２０を設けてもよい。
【００７９】
図１６の下側に示すように、上流側導体管３１０の電位Ｖｆｈは、第２電極４０の電位Ｖａｌとほぼ等しい値に設定されてもよい。下流側導体管３２０の電位Ｖｌｈは、電位Ｖｆｈよりも高いプラス電位に設定されてもよい（Ｖｌｈ＞Ｖｆｈ、Ｖｆｈ≒Ｖａｌ）。
【００８０】
上流側導体管３１０の電位Ｖｆｈは、第２電極４０の電位Ｖａｌとほぼ等しい値に設定されるため、上流側導体管３１０内を通過するドロップレット２０１の速度低下を抑制して、プラズマ生成領域に送り込むことができる。
【００８１】
プラズマ生成領域を通過した、デブリまたはドライバレーザ光ＬＢの照射されなかったドロップレット２０１は、下流側導体管３２０を通過することにより加速され得る。これにより、デブリ等は、チャンバ１０内で拡散することなく、速やかに回収部５０に回収され得る。
【００８２】
第１４実施形態
図１７を参照して第１４実施形態を説明する。本実施形態では、導体管３１０，３２０の出入口をできるだけ小さくしてもよい。上流側導体管３１０の入口３１１及び出口３１２、並びに下流側導体管３２０の入口３２１及び出口３２２とは、ドロップレット２０１の移動に干渉しない程度に、できるだけ小さく設定されてもよい。
【００８３】
これにより、導体管３１０，３２０の外部の電界が導体管３１０，３２０の内部に干渉して、ドロップレット２０１の移動に影響を与えるのを抑制できる。
【００８４】
第１５実施形態
図１８を参照して第１５実施形態を説明する。本実施形態では、下流側導体管３２０と回収部５０とが一体化されてもよい。回収部５０の筒状の回収部本体５１は、導体管３２０として構成されてもよい。これにより、部品点数を低減できる。
【００８５】
第１６実施形態
図１９を参照して第１６実施形態を説明する。本実施形態では、上流側導体管３１０と第２電極４０とが一体化されてもよい。第２電極４０の下流側の面には、導体管３１０が一体的に設けられてもよい。さらに、第１５実施形態で述べたように、下流側導体管３２０と回収部５０とが一体化されてもよい。これにより、部品点数をさらに低減できる。
【００８６】
第１７実施形態
図２０を参照して第１７実施形態を説明する。本実施形態では、第１６実施形態において、導体管３１０，３２０の内径をできるだけ小さくしてもよい。ここで、できるだけ小さくするとは、ドロップレット２０１の移動に干渉しない程度にできるだけ小さくすることを意味する。
【００８７】
第１８実施形態
図２１を参照して第１８実施形態を説明する。本実施形態では、導体管３１０，３２０の取付方法の一例を説明する。導体管３１０，３２０は、例えば、ステー３４０及び絶縁部材８２を介して、チャンバ１０の壁部１１に取り付けられてもよい。チャンバ１０の壁部１１に代えて、ドロップレットジェネレータ２０にステー３４０が取り付けられてもよい。
【００８８】
第１９実施形態
図２２を参照して第１９実施形態を説明する。本実施形態では、長い支持部材３４１内に、ノズル部２２の少なくとも一部、第１電極２３、第２電極４０、及び導体管３１０，３２０を配置してもよい。筒状の支持部材３４１は、ステー３４２及び絶縁部材８２を介して、チャンバ１０の壁部１１またはドロップレットジェネレータ２０に取り付けられてもよい。
【００８９】
支持部材３４１には、紙面に垂直な方向からドライバレーザ光ＬＢが入射してもよい。支持部材３４１は、ドライバレーザ光ＬＢが入射及び出射するための開口部を有する、長い筒状に形成されてもよい。
【００９０】
一つの支持部材３４１内に、ノズル部２２、第１及び第２電極２３，４０、並びに導体管３１０，３２０を収容することにより、上記構成要素を正確に位置決めできる。さらに、取付けの手間を少なくし、部品点数も低減できる。支持部材３４１において上記構成要素に接触する部分は絶縁体で構成されていることが好ましい。
【００９１】
第２０実施形態
図２３を参照して第２０実施形態を説明する。本実施形態では、回収部５０の電位を、移動経路２０３上に存在する電位のうち、最も高い値に設定する。第３電極５２の電位Ｖｅｌと回収部本体５１の電位Ｖｃｄとは同一に設定されてもよい（Ｖｐｌ＜Ｖａｌ＜Ｖｃｄ、Ｖｃｄ＝Ｖｅｌ）。
【００９２】
回収部５０に最も高いプラス電位を与えることにより、デブリまたはドライバレーザ光ＬＢが照射されなかったドロップレット２０１を、加速させながら回収部５０に引き寄せることができる。それにより、デブリ等の回収効率を高めることができる。なお、図２３では、デブリ及びレーザ光が照射しなかったドロップレットを、デブリ等２０４として示している。
【００９３】
さらに、第３電極５２を回収部本体５１の中央に設けるため、第３電極５２に電界を集中させることができる。従って、より多くのデブリ等２０４を、回収部５０に集めることができる。
【００９４】
第２１実施形態
図２４を参照して第２１実施形態を説明する。本実施形態では、ドロップレットジェネレータ２０を絶縁体８０を介してチャンバ１０に取り付ける場合において、導体管３１０，３２０及び回収部５０の電位を制御する例を示す。
【００９５】
上述した導体管３１０，３２０及び回収部５０に関する技術的特徴は、ノズル部２２をプラス電位に設定する構成にも適用できる。
【００９６】
第２２実施形態
図２５を参照して第２２実施形態を説明する。本実施形態では、調整用電極５０１，５０２を用いて電気力線を発生させることで電位分布を変更し、ドロップレット２０１の移動経路２０３をコレクタミラー３０周辺において非直線状の移動経路５０３としてもよい。
【００９７】
ドロップレット２０１は、変更された移動経路５０３に沿って移動し、回収部５０に回収され得る。これにより、デブリ等がコレクタミラー３０及びチャンバ内の他の構造物に付着するのを抑制できる。
【００９８】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００９９】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１００】
１：ＥＵＶ露光システム１、２：チャンバ装置２、３：ドライバレーザ装置、４：ＥＵＶ露光装置、１０：チャンバ、２０：ドロップレットジェネレータ、２３：引き出し電極、３０：コレクタミラー、４０：加速電極、５０：回収部、１００：電位制御機構、１２０：電位制御装置、２０１：ドロップレット、２０２：プラズマ、２０３：移動経路
【図１】
0005726587.tif 000002
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
0005726587.tif 000011
【図８Ｂ】
0005726587.tif 000012
【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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