(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーメンス法による多結晶シリコンの気相成長に用いられる反応炉の内壁面を洗浄するための反応炉洗浄装置であって、
鉛直方向に移動可能な垂直軸と、
前記垂直軸の先端に取り付けられた自転可能な回転部材と、
前記回転部材に取り付けられ前記垂直軸の周りを公転可能なノズル支持体と、
前記ノズル支持体の動力を前記回転部材に伝える動力伝達手段と、
前記ノズル支持体に取り付けられた少なくとも２本のノズルとを備え、
前記ノズルの先端から前記反応炉の内壁面までの距離（Ｄ）が６００〜８００ｍｍであり、該距離（Ｄ）と前記ノズルの口径（ｒ）は３００≦Ｄ／ｒ≦４００を満足し、
前記ノズル支持体は前記ノズルから高圧噴射される洗浄水の噴射反動力により自転し、
該ノズル支持体の自転は前記動力伝達手段を介して前記回転部材に伝達されて該回転部材を前記垂直軸を軸に自転せしめるとともに前記ノズル支持体を前記垂直軸の周りを公転せしめ、前記ノズルから噴射圧３０〜２００ＭＰａの洗浄水が三次元方向に高圧噴射されることを特徴とする反応炉洗浄装置。
【請求項２】
前記ノズル支持体が前記垂直軸の周りを１回転公転する間に該ノズル支持体が自転する回数が、端数を有する非自然数となるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の反応炉洗浄装置。
【請求項３】
先端が口径ｒの洗浄水の噴射部であるノズルを用い、シーメンス法による多結晶シリコンの気相成長に用いられる反応炉の内壁面を洗浄するための反応炉洗浄方法であって、
前記ノズルの先端から前記反応炉の内壁面までの距離（Ｄ）が６００〜８００ｍｍであり、前記噴射部の口径（ｒ）が反応炉の内壁面までの距離（Ｄ）との関係において３００≦Ｄ／ｒ≦４００を満足する条件で洗浄水を高圧噴射し、
該洗浄水の噴射反動力により前記ノズルの支持体を自転させ、
該ノズルの支持体の自転の動力を、鉛直方向に移動可能な垂直軸の先端に取り付けられた自転可能な回転部材に伝達させ、
該動力伝達により前記回転部材を前記垂直軸を軸に自転せしめるとともに前記ノズルの支持体を前記垂直軸の周りを公転せしめ、前記ノズルから噴射圧３０〜２００ＭＰａの洗浄水を三次元方向に高圧噴射させ、
前記回転部材の高さを維持した状態で前記反応炉の内壁面を所定時間洗浄した後に前記回転部材の高さを変えて前記内壁面の洗浄を少なくとも１回実行することを特徴とする反応炉洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は反応炉の洗浄装置および洗浄方法に関し、より詳しくは、シーメンス法により多結晶シリコンを気相成長する際に用いられる反応炉の内壁面を洗浄するための装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多結晶シリコンは、半導体デバイス製造用の単結晶シリコンや太陽電池製造のための原料とされる。多結晶シリコンの製造方法としては、シーメンス法が知られている。シーメンス法は、クロロシランを含む原料ガスを加熱されたシリコン芯線に接触させることで、該シリコン芯線の表面に多結晶シリコンをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により気相成長させる方法である。
【０００３】
シーメンス法により多結晶シリコンを気相成長する際、気相成長装置の反応炉内に、鉛直方向に２本と水平方向に１本のシリコン芯線を鳥居型に組み立てる。そして、この鳥居型のシリコン芯線の両端を、一対の芯線ホルダを介してベースプレート上に配置して一対の金属電極に固定する。
【０００４】
反応炉内を水素雰囲気とし、上記金属電極から電流を導通させてシリコン芯線を９００℃以上１２００℃以下の温度範囲に加熱しながら原料ガスをガスノズルから反応炉内に供給すると、シリコン芯線上にシリコンが気相成長し、所望の直径の多結晶シリコンが逆Ｕ字状に形成される。そして反応炉内を冷却した後に大気開放し、反応炉から多結晶シリコンを取り出す。なお、上記原料ガスとしては、例えばトリクロロシランと水素の混合ガスが用いられる。
【０００５】
大気開放された反応炉の内壁面には、上述の気相反応で生成したハロゲン化シランの重合物が付着している。この重合物は、大気中の水分に触れると加水分解反応により塩化水素と二酸化珪素を生成するが、塩化水素は反応炉の内壁を腐食して金属塩化物を生成させる。金属塩化物は製品となる多結晶シリコンの金属汚染源となるため、多結晶シリコンの気相成長工程が終了した後に反応炉の内壁からこれらの生成物を除去する必要がある。
【０００６】
また、反応炉の内壁面にハロゲン化シランの重合物や二酸化珪素が付着したままの状態では、内壁面の反射率が低下する。反応炉内壁面の反射率が低下した状態で気相成長反応を行うと、加熱された多結晶シリコンからの輻射熱が内壁面で十分に反射されないので、供給される電力の利用効率が低下する。この意味でも、多結晶シリコンの気相成長工程が終了した後の反応炉内壁からの生成物除去が必要となる。
【０００７】
反応炉の内壁面からハロゲン化シランの重合物や二酸化珪素を除去するために、種々の提案がなされている。
【０００８】
例えば、特開昭５６−１１４８１５号公報（特許文献１）には、反応炉の炉壁を加熱しながら水蒸気を炉内に導入してハロゲン化シランの重合物を加水分解し、次いで不活性ガスの高速ジェット流を炉壁に噴射して固体分を炉内壁より分離粉砕し、炉外に排出する多結晶シリコン用反応炉の予備洗浄方法の発明が開示されている。
【０００９】
また、特開平０６−２１６０３６号公報（特許文献２）には、反応炉の内壁面上のシリコン付着物に二酸化炭素ペレットを衝突させてシリコン付着物を除去する多結晶シリコン製造用ＣＶＤ反応器の清浄化法の発明が開示されている。
【００１０】
さらに、特開２００９−１９６８８２号公報（特許文献３）には、中央部に配置したシャフトを回転させるとともに鉛直方向に移動しながら、該シャフトの上端部のノズルから三次元方向に洗浄水を高圧噴射して反応炉の内壁面を洗浄する構成の反応炉洗浄装置の発明が開示されている。
【００１１】
加えて、実公昭６３−２１４５号公報（特許文献４）には、技術的背景として、高圧水の噴射反力でノズルがアームに対して自転しつつ給水管に対して公転するように構成された回転式ノズル装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開昭５６−１１４８１５号公報
【特許文献２】特開平０６−２１６０３６号公報
【特許文献３】特開２００９−１９６８８２号公報
【特許文献４】実公昭６３−２１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献１に開示の多結晶シリコン用反応炉の予備洗浄方法では、加水分解と粉砕が別々に行われる。このため、反応炉の洗浄には比較的長い時間を要することとなる。
【００１４】
また、特許文献２に開示の多結晶シリコン製造用ＣＶＤ反応器の清浄化法では、加水分解は行われない。このため、洗浄後に反応炉内に残存するハロゲン化シランの重合物から塩化水素の発生するおそれがある。また、この清浄化方法では広範囲の面積を短時間で処理することが難しいため、大容量の反応器内壁の洗浄には不向きである。
【００１５】
さらに、特許文献３に開示されている反応炉洗浄装置は、上端部に三次元方向に洗浄水を高圧噴射するノズル装置を備えたシャフトを、回転させるとともに鉛直方向に移動させる構成としているため、例えば付着量の多い特定領域に停止して重点的に洗浄することができない。
【００１６】
特許文献４に記載されている洗浄装置は、タンク等の容器を洗浄する装置ではあるが、シーメンス法で多結晶シリコンを気相成長する際に用いられる反応炉の内壁面の洗浄に適用することについては、一切の言及はない。
【００１７】
つまり、従来知られている洗浄方法や装置には、反応炉の洗浄に比較的長い時間を要したり、大容量の反応器内壁の洗浄に不向きであったり、洗浄後に反応炉内に重合物が残存したり、特定領域を重点的に洗浄することができない等の難点がある。
【００１８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、反応炉の内壁面に付着したハロゲン化シランの重合物を確実に除去するとともに、反応炉内壁の所望の領域を重点的に洗浄することを可能とする技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述の課題を解決するために、本発明に係る反応炉洗浄装置は、シーメンス法による多結晶シリコンの気相成長に用いられる反応炉の内壁面を洗浄するための反応炉洗浄装置であって、鉛直方向に移動可能な垂直軸と、前記垂直軸の先端に取り付けられた自転可能な回転部材と、前記回転部材に取り付けられ前記垂直軸の周りを公転可能なノズル支持体と、前記ノズル支持体の動力を前記回転部材に伝える動力伝達手段と、前記ノズル支持体に取り付けられた少なくとも２本のノズルとを備え、前記ノズルの先端から前記反応炉の内壁面までの距離（Ｄ）が６００〜８００ｍｍであり、該距離（Ｄ）と前記ノズルの口径（ｒ）は３００≦Ｄ／ｒ≦４００を満足し、前記ノズル支持体は前記ノズルから高圧噴射される洗浄水の噴射反動力により自転し、該ノズル支持体の自転は前記動力伝達手段を介して前記回転部材に伝達されて該回転部材を前記垂直軸を軸に自転せしめるとともに前記ノズル支持体を前記垂直軸の周りを公転せしめ、前記ノズルから噴射圧３０〜２００ＭＰａの洗浄水が三次元方向に高圧噴射されることを特徴とする。
【００２１】
好ましくは、前記ノズル支持体が前記垂直軸の周りを１回転公転する間に該ノズル支持体が自転する回数が、端数を有する非自然数となるように構成される。
【００２２】
本発明に係る反応炉洗浄方法は、先端が口径ｒの洗浄水の噴射部であるノズルを用い、シーメンス法による多結晶シリコンの気相成長に用いられる反応炉の内壁面を洗浄するための反応炉洗浄方法であって、前記ノズルの先端から前記反応炉の内壁面までの距離（Ｄ）が６００〜８００ｍｍであり、前記噴射部の口径（ｒ）が反応炉の内壁面までの距離（Ｄ）との関係において３００≦Ｄ／ｒ≦４００を満足する条件で洗浄水を高圧噴射し、該洗浄水の噴射反動力により前記ノズルの支持体を自転させ、該ノズルの支持体の自転の動力を、鉛直方向に移動可能な垂直軸の先端に取り付けられた自転可能な回転部材に伝達させ、該動力伝達により前記回転部材を前記垂直軸を軸に自転せしめるとともに前記ノズルの支持体を前記垂直軸の周りを公転せしめ、前記ノズルから噴射圧３０〜２００ＭＰａの洗浄水を三次元方向に高圧噴射させ、前記回転部材の高さを維持した状態で前記反応炉の内壁面を所定時間洗浄した後に前記回転部材の高さを変えて前記内壁面の洗浄を少なくとも１回実行することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の反応炉洗浄装置では、ノズルの回転と垂直軸の鉛直方向への移動が別々の駆動機構により行われ、同期させる必要がないので、任意の高さに回転部材を固定して洗浄を行うことができる。また、ノズルの先端から反応炉の内壁面までの距離をノズルの口径で除した値が、３００以上４００以下になるようにノズルの長さを選定すると、確実に反応炉の内壁面に付着したハロゲン化シランの重合物を加水分解して除去することが可能となる。
【００２４】
また、本発明の反応炉洗浄方法では、ノズルの先端から反応炉の内壁面までの距離を、前記ノズルの口径で除した値が、３００以上４００以下となる長さを有するノズルから洗浄水を高圧噴射する上、付着量の多い特定領域を洗浄できる高さに回転部材を維持して重点的に洗浄することができるので、より確実に反応炉の内壁面に付着したハロゲン化シランの重合物を除去することが可能である。
【００２５】
このように、本発明によれば、反応炉の内壁面に付着したハロゲン化シランの重合物を確実に除去するとともに、反応炉内壁の所望の領域を重点的に洗浄することを可能とする技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の反応炉洗浄装置の構成の一例を示す概略説明図である。
【図２Ａ】ノズル支持体及びノズルの概略説明図である。
【図２Ｂ】ノズルの先端部（噴射口）近傍の断面概略図である。
【図３】ノズルの自転と洗浄水の噴射距離の関係を示す概念図である。
【図４】ノズルの公転角度とノズルの先端から噴射された高圧水により洗浄される反応炉の内壁面の位置（洗浄位置）の関係を示すグラフである。
【図５】１公転間の自転回数が端数を有する場合（１公転間の自転回数が９０．６回）におけるノズルの公転角度と洗浄位置の関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２８】
図１は、本発明の反応炉洗浄装置の構成の一例を示す概略説明図である。反応炉洗浄装置１００は、反応炉３０を載置するための洗浄台１０とノズル装置２０により概略構成される。
【００２９】
洗浄台１０は、反応炉３０を配置するベースプレート１１と、ノズル装置２０から噴出される洗浄水を排水する排水管１２と、漏水を防止するゴムパッキン１３とを有する。
【００３０】
反応炉３０は、シーメンス法により多結晶シリコンを気相成長する際に用いられる容器である。反応炉３０の外壁３１にはSUS304等のステンレス鋼が用いられ、内壁３２には例えばInconel（登録商標）600のように耐食性の高い合金が用いられる。外壁３１と内壁３２の間には、反応炉３０の冷却用に、冷却水流路が形成されている。
【００３１】
ノズル装置２０は、ノズル２４の先端から高圧噴射される洗浄水により、反応炉３０の内壁面を洗浄する。このノズル装置２０は、ベースプレート１１を貫通して設けられた垂直軸２１と、該垂直軸２１の先端部に取り付けられた回転部材２２と、該回転部材２２に取り付けられたノズル支持体２３と、該ノズル支持体２３に取り付けられたノズル２４とを有する。
【００３２】
垂直軸２１の内部には洗浄水供給路が形成されており、ノズル２４へと洗浄水を供給する。また、垂直軸２１は図中の上下方向に移動が可能な機構とされている。
【００３３】
垂直軸２１の先端部に取り付けられた回転部材２２は、垂直軸２１の中心軸（軸Ｑ）を中心に自転可能である。また、ノズル支持体２３は、回転部材２２の側面に垂直な軸（軸Ｐ）を中心に自転可能であり、回転部材２２が自転すると軸Ｑを中心に垂直軸２１の周りを公転する仕組みとなっている。ノズル支持体２３に取り付けられるノズル２４は少なくとも２本設けられ、その長さ（Ｒ）は例えば３００ｍｍ程度である。なお、図１には、ノズル２４を２本備えた構成が図示されているが、３本以上のノズルを備える構成としてもよい。
【００３４】
ノズル２４から洗浄水が高圧噴射されると、噴射される洗浄水の噴射反動力によってノズル支持体２３が軸Ｐを中心に自転する。回転部材２２内には軸Ｐと同心的に傘歯車が設けられており、軸Ｑと同心的に設けられた傘歯車に係合している。
【００３５】
ノズル支持体２３が自転すると該自転が回転部材２２に伝達される。従って、ノズル支持体２３が軸Ｐを中心に自転すると、同時に、軸Ｑを中心にして回転部材２２が自転することとなる。その結果、ノズル支持体２３は垂直軸２１の周りを自転しながら公転する。ノズル装置２０のこのような自公転機構により、ノズル２４から高圧噴射される洗浄水が三次元方向に噴射されて反応炉３０の内壁３２の表面が洗浄される。
【００３６】
図２Ａはノズル支持体２３及びノズル２４の概略説明図である。この図では、ノズル支持体２３にはノズル２４が２本設けられている。また、図２Ｂにノズル２４の先端部（噴射口）２５の近傍の断面概略図を示した。
【００３７】
洗浄水としては、高圧ポンプにより圧縮された純水または超純水が用いられる。図２Ｂに示したように、ノズル２４の先端部（噴射口）２５は先細り状の断面形状を有しており、洗浄水はこの口径ｒの噴射口２５から高圧噴射される。このときの噴射圧は、例えば、３０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下である。
【００３８】
高圧の洗浄水が噴射口２５から高速噴射される際、高圧水中にキャビテーションによる気泡が発生し、反応炉３０の内壁面３２に洗浄水が衝突したときに気泡が崩壊する。この気泡が崩壊するときに発生する衝撃力を利用して、内壁面３２に付着したハロゲン化シランの重合物を除去する。
【００３９】
高圧水が噴射口２５から噴射された直後はキャビテーションによる気泡が偏在しているために衝撃力は弱い。しかし、気泡が均一に分散されると衝撃力が強くなる。すなわち、キャビテーションを利用する洗浄の場合、洗浄水の噴射距離として最適な領域が存在する。
【００４０】
図３は、ノズル２４の自転と洗浄水の噴射距離の関係を示す概念図である。図３において、水平軸Ｐに対して垂直に設けられたノズル２４（２４Ａ、２４Ｂ）が自転すると、長さＲのノズル２４の先端は図中の破線で示した軌跡３３を描く。そして、この自転に伴い、ノズル２４から高圧噴射される洗浄水により洗浄される反応炉３０の内壁３２の場所が刻々と変化する。
【００４１】
図３中に、ノズル２４の先端部と反応炉３０の内壁３２の直胴部、天板、下部端との距離を、それぞれ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３で示した。この図から明らかなように、反応炉３０の垂直断面が円形でないために、ノズル２４の先端部から噴射される洗浄水の直胴部、天板、および下部端までの噴射距離はそれぞれ異なる。この図に示した断面形状の反応炉３０の場合、噴射距離が最短となるのは洗浄水が水平方向に噴射されて内壁３２の直胴部に垂直に当る場合（Ｄ１）であり、噴射距離が最長となるのは洗浄水が斜め下方向に噴射されて内壁面３２の下部端に当る場合（Ｄ３）である。
【００４２】
発明者らが鋭意検討した結果、ノズル２４の先端の噴射口２５から反応炉３０の内壁面３２までの噴射距離Ｄを、ノズル２４の口径ｒで除した値Ｄ／ｒが２００以上５００以下、より望ましくは３００以上４００以下とする場合に、内壁面３２に付着したハロゲン化シランの重合物を効果的に除去できることがわかった。Ｄ／ｒが２００未満の場合、および、Ｄ／ｒが５００超の場合は、洗浄残りが発生しやすい。表１に、Ｄ／ｒと洗浄結果との関係を示す。
【００４３】
［表１］
0005726450.tif 000002
【００４４】
図４は、ノズル２４の公転角度とノズル２４の先端から噴射された高圧水により洗浄される反応炉３０の内壁面３２の位置（洗浄位置）の関係を示すグラフである。ここでは、一例として、内径１２８０ｍｍ、直胴長２２００ｍｍの円筒状内壁面３２を有する反応炉３０の中心部１１００ｍｍの高さに回転部材２２を配置し、回転部材２２が１周公転する間にノズル支持体２３が９０回自転する場合の洗浄結果について示している。ノズル支持体２３には２本のノズル２４（Ａ、Ｂ）が付設され、各ノズル２４は、ノズル支持体２３とともに軸Ｐを中心に１回自転する間に４°公転する。
【００４５】
図４に示すように、ノズルＡに着目すると、洗浄水はまず、１１００ｍｍの高さから水平に噴射されて、高さ１１００ｍｍの内壁面３２を洗浄する。それから、ノズル支持体２３が自転するとともに洗浄位置が高くなり、自転角度９０°、公転角度１°の時、真上を洗浄する。さらにノズル支持体２３が自転すると、今度は洗浄位置が次第に低くなり、自転角度１８０°、公転角度２°の時は再び洗浄水が水平に噴射され、自転角度２７０°、公転角度３°の時は真下を洗浄する。そして、自転角度３６０°、公転角度４°で元の水平位置に戻る。
【００４６】
ノズルＢに着目すると、このノズルはノズルＡとは反対方向に洗浄水を噴射するから、ノズルＡが真上を洗浄する時は真下を洗浄し、ノズルＡが真下を洗浄する時は真上を洗浄し、ノズルＡが一方側面を洗浄する時は反対側面を洗浄する。
【００４７】
つまり、ノズルＢはノズルＡから自転角度で１８０°、公転角度で２°位相がずれている。その結果、公転角度が０°、２°、４°、等の偶数角度の場合、ノズルＡとノズルＢによる洗浄位置が高さ１１００ｍｍで交差するため、その領域での洗浄効果は高い。その反面、公転角度が１°、３°、５°、等の奇数角度の場合には、高さ１１００ｍｍの内壁面３２には全く洗浄水が当らないため、当該領域に対しての洗浄効果が殆ど無い。
【００４８】
つまり、ノズル支持体２３が垂直軸２１周りを１回転公転する間に行う自転の回転数が端数を持たない自然数の場合、何回公転してもノズルＡとノズルＢによる洗浄位置が毎回同じであるため、洗浄むらができてしまう。そこで、本発明においては、ノズル支持体２３が垂直軸２１周りを１回転公転する間に行う自転の回転数が、端数を有するように、つまり非自然数となるように構成する。
【００４９】
図５は、１公転間の自転回数が端数を有する場合（１公転間の自転回数が９０．６回）におけるノズルの公転角度と洗浄位置の関係を表すグラフである。図５において、実線はノズルＡによる洗浄位置、破線はノズルＢによる洗浄位置を示す。端数が０．６あると、１回公転する度に０．６°ずつ洗浄位置がずれていく。このため、５回公転することにより、略一様に内壁面３２を洗浄することができる。
【００５０】
ただし、噴射距離Ｄが長いと洗浄能力が低下する。そこで、噴射距離Ｄが長くなる内壁面３２の上下端およびハロゲン化シランの重合物の付着量が多い領域に対しては、垂直軸２１の上下方向の移動を停止し、回転部材２２の高さを維持しつつ、ノズル２４の先端から反応炉３０の内壁面３２までの距離Ｄをノズル２４の口径ｒで除した値Ｄ／ｒが２００以上５００以下の範囲に固定して、念入りに洗浄する。
【００５１】
ハロゲン化シランの重合物の付着量が多い領域を所定時間かけて念入りに洗浄した後、回転部材２２の高さを変えて内壁面３２の別の領域の洗浄を行う。回転部材２２の高さを変えて行う洗浄は少なくとも１回行うが、複数回繰返すことにより反応炉３０の内壁面３２をより清浄なものとすることができる。
【実施例】
【００５２】
シーメンス法による多結晶シリコンの気相成長に用いられた内径１．７ｍ、高さ２．５ｍの略円筒形の反応炉３０を洗浄台１０に載せ、反応炉３０の中心に位置するノズル装置２０を用い、１公転当り略９０回で回転部材２２を自公転させながら、口径ｒ２ｍｍ、回転半径４６０ｍｍのノズル２４から水圧３０ＭＰａで純水を三次元方向に噴射させ、内壁面３２を純水で洗浄した。
【００５３】
まず、反応炉３０の下端から０．５ｍの高さに回転部材２２を固定し、９０秒間純水を噴射させる。次に、噴射を続けながら略０．１ｍ上方に回転部材２２を移動する。その高さで９０秒間噴射した後に、再び略０．１ｍ上方に回転部材２２を移動する。この操作を繰返し、反応炉３０の下端から１．６ｍの高さまで回転部材２２が到達すると、逆に略０．１ｍずつ下方に回転部材２２を降下させ、初期の０．５ｍの高さまで戻した。
【００５４】
この間の最短噴射距離Ｄは４００ｍｍ、最長噴射距離Ｄは７８５ｍｍであった。噴射口２５の口径ｒは２ｍｍなので、ノズル２４の先端から反応炉３０の内壁面３２までの距離をノズルの口径で除した値Ｄ／ｒは、最小値が２００、最大値が３９３である。洗浄終了後、内壁面３２の洗浄残りはなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の反応炉洗浄装置および反応炉洗浄方法によれば、適正な噴射距離の洗浄水でハロゲン化シランの重合物の付着量が多い領域を念入りに洗浄することができるので、多結晶シリコン製造用の反応炉の内壁面を十分に清浄化することが可能となる。
【符号の説明】
【００５６】
１０  洗浄台
１１  ベースプレート
１２  排水管
１３  ゴムパッキン
２０  ノズル装置
２１  垂直軸
２２  回転部材
２３  ノズル支持体
２４、Ａ、Ｂ  ノズル
２５  噴射口
３０  反応炉
３１  外壁
３２  内壁
３３  ノズル先端の軌跡
Ｄ、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３  噴射距離
Ｐ、Ｑ  軸
【図１】
0005726450.tif 000003
【図２Ａ】
0005726450.tif 000004
【図２Ｂ】
0005726450.tif 000005
【図３】
0005726450.tif 000006
【図４】
0005726450.tif 000007
【図５】
0005726450.tif 000008