(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、
前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、
前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、
前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部と、
を備え、
前記回収部は、ポーラス材料を含み、
前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成される、
チャンバ装置。
【請求項２】
レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、
前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、
前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、
前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部と、
を備え、
前記回収部は、ポーラス材料を含み、
前記回収部の前記帯電粒子の入射側に凹部が形成され、
前記凹部の底部に前記スパッタ防止部が配置され、
前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成される、
チャンバ装置。
【請求項３】
前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するための温度調節部をさらに備える、請求項１または２に記載のチャンバ装置。
【請求項４】
前記温度調節部は、
前記回収部を加熱する加熱部と、
前記加熱部に電力を供給する電源と、
前記回収部の温度を検出する温度センサと、
前記温度センサで検出された温度に基づいて前記電源を制御して、前記回収部の少なくとも一部の温度を前記所定の温度範囲内に維持する温度制御部と、
を含む、請求項３記載のチャンバ装置。
【請求項５】
前記所定の温度範囲は、前記ターゲット物質の融点以上の温度であり、かつ前記ターゲット物質と前記ポーラス材料とが反応する温度未満の範囲である、請求項４記載のチャンバ装置。
【請求項６】
前記回収部の重力方向下部に配置され、前記回収部で回収されたターゲット物質を貯蔵するための回収容器をさらに備える、請求項３記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記回収部の重力方向下方に離間して配置され、前記回収部で回収されたターゲット物質を貯蔵するための回収容器と、
前記回収部と前記回収容器との間に配置され、前記回収部から流出するターゲット物質を前記回収容器まで導くためのドレイン管と、
前記ドレイン管を前記ターゲット物質の融点以上の温度に維持するためのドレイン管加熱部と、
をさらに備える、請求項３記載のチャンバ装置。
【請求項８】
前記回収部には、該回収部に入射した前記帯電粒子によって発生したスパッタ物がチャンバ内に飛散するのを防止するための飛散防止部が形成される、請求項１または２に記載のチャンバ装置。
【請求項９】
前記回収部における前記帯電粒子の入射面は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルおよび炭素のうち少なくともいずれか１つを含む材料で形成される、請求項１または２に記載のチャンバ装置。
【請求項１０】
前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するための温度調節部をさらに備える、請求項１または２に記載のチャンバ装置。
【請求項１１】
前記温度調節部は、
前記回収部を冷却する冷却器と、
前記回収部の温度を検出する温度センサと、
を備える、請求項１０に記載のチャンバ装置。
【請求項１２】
前記温度調節部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器を制御する、請求項１１に記載のチャンバ装置。
【請求項１３】
前記回収部における前記帯電粒子の入射面は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルおよび炭素のうち少なくともいずれか１つを含む材料で形成される、請求項１０に記載のチャンバ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、チャンバ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ターゲットにレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ方式による極端紫外（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）光生成装置では、チャンバ内のターゲット物質にレーザ光を照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化し、このプラズマ化したターゲット物質から放射される光のうち所望の波長、たとえば１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ光を選択的に集光し反射する。ＥＵＶ光の反射には、ある一点で放射された光を集光する凹面状の反射面を備えた集光ミラーが用いられる。集光ミラーにより集光されたＥＵＶ光は、露光機に導波され、フォトリソグラフィやレーザ加工等に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６２３４号公報
【概要】
【０００４】
本開示の一態様によるチャンバ装置は、レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部と、を備え、前記回収部は、ポーラス材料を含み、前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成されてもよい。
また、本開示の他の態様によるチャンバ装置は、レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、前記回収部の前記帯電粒子の入射側に配置されるスパッタ防止部と、を備え、前記回収部は、ポーラス材料を含み、前記回収部の前記帯電粒子の入射側に凹部が形成され、前記凹部の底部に前記スパッタ防止部が配置され、前記スパッタ防止部は、前記回収部よりも、溶融状態の前記ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図２】図２は、図１に示すＥＵＶ光生成装置をＥＵＶ光の中心軸を含む他の面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本開示の実施の形態１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。
【図４】図４は、本開示の実施の形態２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図５】図５は、本開示の実施の形態２の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図６】図６は、本開示の実施の形態３によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図７】図７は、本開示の実施の形態３の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図８】図８は、本開示の実施の形態４によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図９】図９は、本開示の実施の形態４の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１０】図１０は、本開示の実施の形態４の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１１】図１１は、本開示の実施の形態５によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１２】図１２は、本開示の実施の形態５の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１３】図１３は、本開示の実施の形態５の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本開示の実施の形態６によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。
【図１５】図１５は、本開示の実施の形態６の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１６】図１６は、本開示の実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１７】図１７は、本開示の実施の形態６の変形例３によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本開示の実施の形態７によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本開示の実施の形態８によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。
【実施の形態】
【０００６】
以下、本開示を実施するための形態を図面を参照に詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図は本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示する数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。
【０００７】
（実施の形態１）
まず、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。図１では、ＥＵＶ集光ミラー１２で反射されるＥＵＶ光Ｌ２の中心軸ＡＸを含む面でＥＵＶ光生成装置１を切断した際の断面構成を示す。
【０００８】
図１に示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、内部にＥＵＶ光の生成空間を画定するチャンバ１０を備える。このチャンバ１０には、ＥＵＶ光Ｌ２の発生源となるターゲット物質である錫（Ｓｎ）を溶融した状態で蓄えるドロップレットジェネレータ１３が設けられる。ドロップレットジェネレータ１３は、先端の開口がチャンバ１０内の所定の位置（プラズマ生成サイトＰ１）に向けられたノズル１３ａを備え、このノズル１３ａの先端からプラズマ生成サイトＰ１へ向けてＳｎのドロップレットＤを出力する。このドロップレットジェネレータ１３は、たとえば内部圧力を利用して溶融Ｓｎを液滴状のドロップレットＤとしてノズル１３ａ先端から出力する。ただし、これに限定されず、たとえばノズル１３ａ先端に対向するように溶融Ｓｎを引き出すための引出し電極が配置された、いわゆる静電引出し型のドロップレットジェネレータや、引出し電極に加えて引き出したドロップレットＤを加速させる加速電極が配置された、いわゆる静電引出し加速型のドロップレットジェネレータなど、種々変形可能である。
【０００９】
チャンバ１０内に供給されたドロップレットＤには、プラズマ生成サイトＰ１に到着するタイミングに合わせて、外部のドライバレーザから出力されたプラズマ化用のレーザ光Ｌ１がチャンバ１０に設けられたウィンドウ１１を介して集光される。これにより、ドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１付近でプラズマ化する。プラズマ化したドロップレットＤからは、プラズマが脱励起する際に所定の波長の光を含む光が放射される。また、チャンバ１０内には、プラズマ生成サイトＰ１付近で放射された光のうち所定の波長の光であるＥＵＶ光Ｌ２を選択的に反射するＥＵＶ集光ミラー１２が配置される。ＥＵＶ集光ミラー１２で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光生成装置１と露光機（不図示）との接続部分である露光機接続部１９内の所定の点（中間集光点ＩＦ）に集光され、その後、露光機へ導波される。なお、プラズマ生成サイトＰ１のドロップレットＤには、ＥＵＶ集光ミラー１２の中央に設けられた貫通孔１２ａを介してレーザ光Ｌ１が集光される。
【００１０】
また、チャンバ１０には、プラズマ生成サイトＰ１を通過したドロップレットＤや、ドロップレットＤに対するレーザ光Ｌ１の照射によってもプラズマ化しなかったドロップレットＤの一部を回収するターゲット回収部１４が設けられる。このターゲット回収部１４は、たとえばドロップレットジェネレータ１３のノズル１３ａ先端とプラズマ生成サイトＰ１とを結ぶ直線の延長線上、または、ドロップレットＤの軌跡がカーブしているのであればその軌跡上に配置される。
【００１１】
つづいて、図１に示すＥＵＶ光生成装置１の他の断面による概略構成を図２に示す。図２は、図１に示すＥＵＶ光生成装置をＥＵＶ光の中心軸を含む他の面で切断した際の概略構成を示す模式断面図である。
【００１２】
図２に示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１０外に配置された磁場生成部１５と、チャンバ１０内に配置されたデブリ回収部１６と、を備える。磁場生成部１５は、チャンバ１０を挟み込むように配置された一対の電磁石コイル１５ａよりなる。各電磁石コイル１５ａのボア中心を結ぶ線は、チャンバ１０内のプラズマ生成サイトＰ１を通る。したがって、磁場生成部１５は、中心の磁力線がプラズマ生成サイトＰ１を通る磁場Ｂを生成する。この磁場Ｂは、ＥＵＶ光生成の際にプラズマ生成サイトＰ１付近で発生したターゲット物質（Ｓｎ）のデブリのうち帯電しているデブリをトラップする。磁場Ｂにトラップされたデブリは、磁力線に巻きつくように移動することで、イオン流ＦＬを形成する。イオン流ＦＬの流れる先には、デブリ回収部１６がそれぞれ配置される。したがって、イオン流ＦＬが磁場Ｂに沿って流れることで、プラズマ生成サイトＰ１付近で発生したデブリがデブリ回収部１６に回収される。
【００１３】
ここで、本実施の形態１によるデブリ回収部１６を、図面を参照して詳細に説明する。図３Ａは、本実施の形態１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図３Ａは、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図３Ｂは、図３Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。
【００１４】
図３Ａおよび図３Ｂに示すように、デブリ回収部１６は、イオン流ＦＬとして入射したＳｎのデブリを捕捉する部材として、たとえば円柱状の多孔質部材１０２を備える。多孔質部材１０２は、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、多孔質部材１０２にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、表面の開口から内部の空隙まで毛細管現象により染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され、貯蔵される。
【００１５】
また、デブリ回収部１６は、多孔質部材１０２を温めるヒータ１０１を備える。ヒータ１０１は、たとえばチャンバ１０の外部に配置された電源１０８から電流が供給されることで、多孔質部材１０２をデブリＤ１であるＳｎが溶融する温度（たとえば２３２℃）以上に温める。これにより、多孔質部材１０２が常に入射したデブリを捕捉できる状態に保たれる。ただし、多孔質部材１０２は、多孔質部材１０２自身の材料とターゲット物質（Ｓｎ）とが反応する温度未満に保たれる。たとえばターゲット物質をＳｎとし、多孔質部材１０２の材料にＣｕを用いた場合、ＳｎとＣｕとは２８０℃以上で反応するため、多孔質部材１０２は、２８０℃未満に保たれる。多孔質部材１０２の温度制御は、電源１０８がヒータ１０１に流す電流を電源１０８に接続された温度コントローラ１０９が制御することで行われる。
【００１６】
また、多孔質部材１０２は、デブリである溶融したＳｎに対してぬれ性が高い材料で形成されていることが好ましい。この材料には、たとえば以下の表１に示すように、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）、ニッケル（Ｎｉ）およびチタン（Ｔｉ）などがある。このようにぬれ性の高い材料を用いることで、入射したデブリを効率よく多孔質部材１０２内部へ染み込ませることができる。この結果、多孔質部材１０２の入射面付近に存在するＳｎ（デブリＤ１）を少なくすることが可能となるため、捕捉されたＳｎ（デブリＤ１）のイオン流ＦＬによる再スパッタが低減される。
【００１７】
【表１】
0005726546.tif 000002
【００１８】
以上のような構成を備えることで、本実施の形態１によれば、ＥＵＶ光Ｌ２の生成によって発生したデブリをデブリ回収部１６で回収することが可能となるため、デブリがチャンバ１０内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制することができる。
【００１９】
なお、以上の説明では、デブリ回収部１６について説明したが、たとえば同様の構成をターゲット回収部１４に対しても適用することが可能である。これにより、プラズマ生成サイトＰ１を通過したターゲット物質をターゲット回収部１４で回収することが可能となるため、ターゲット物質がチャンバ１０内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制することができる。
【００２０】
（実施の形態２）
つぎに、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部２１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００２１】
図４は、本実施の形態２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図４では、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図４に示すように、デブリ回収部２１６は、図３に示すデブリ回収部１６と同様の構成に加え、多孔質部材１０２の温度を検出する温度センサ２１１をさらに備える。温度センサ２１１で検出された温度は、温度コントローラ１０９に入力される。温度コントローラ１０９は、入力された温度に基づいて電源１０８がヒータ１０１に流す電流をフィードバック制御する。これにより、多孔質部材１０２の温度が的確に目的の温度範囲（たとえば２３２℃以上２８０℃未満）内に制御される。
【００２２】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態１と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００２３】
・変形例
また、図５は、本実施の形態２の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態２で例示した多孔質部材１０２は、図５のデブリ回収部２１６Ａに示すような、たとえばワイヤやリボン等が３次元的に交差する３次元メッシュ構造を備えたメッシュ部材２０２に置き換えることも可能である。このメッシュ部材はスパッタ防止部であり、メッシュ部材２０２は、多孔質部材１０２と同様に、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、メッシュ部材２０２にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、表面の開口から内部の空隙まで染み込む。これにより、デブリＤ１がメッシュ部材２０２の内部に捕捉され、貯蔵される。
【００２４】
なお、多孔質部材１０２は、３次元メッシュ構造のメッシュ部材２０２の他に、たとえば数μｍの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材など、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なるものに置き換えてもよい。また、多孔質部材をメッシュ部材等に置き換えることは、他の実施の形態およびその変形例についても同様に適用することが可能である。
【００２５】
（実施の形態３）
つぎに、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部３１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００２６】
図６は、本実施の形態３によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図６は、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図６に示すように、デブリ回収部３１６は、図４に示すデブリ回収部２１６と同様の構成において、多孔質部材１０２のイオン流ＦＬの入射面にメッシュ部材３０３が設けられている。このメッシュ部材３０３には、たとえば図５に示すメッシュ部材２０２と同様の構造の部材を用いることができる。メッシュ部材３０３にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材３０３の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材１０２に染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され、貯蔵される。なお、メッシュ部材３０３は、多孔質部材１０２よりもぬれ性が低いことが好ましい。
【００２７】
メッシュ部材３０３は、たとえば上述の表１に示した、イオン流ＦＬの入射によってスパッタリングされ難い材料を用いて形成されることが好ましい。この材料には、たとえば炭素（Ｃ）、タングステン（Ｗ）、シリコン（Ｓｉ）、タングステンカーバイト（ＷＣ）、チタニウム（Ｔｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびアルミニウム（Ａｌ）などがある。
【００２８】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００２９】
・変形例
また、図７は、本実施の形態３の変形例によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態３で例示したメッシュ部材３０３は、図７のデブリ回収部３１６Ａに示すような多孔質部材３０４に置き換えることも可能である。多孔質部材３０４は、多孔質部材１０２と同様に、表面に内部の空隙まで連通する無数の開口を備える。したがって、多孔質部材３０４にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、多孔質部材３０４の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材１０２に染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉される。また、多孔質部材３０４は、イオン流ＦＬの入射によってスパッタリングされ難い材料を用いて形成される。なお、多孔質部材３０４は、多孔質部材１０２よりもぬれ性が低いことが好ましい。
【００３０】
なお、メッシュ部材３０３および多孔質部材３０４は、たとえば数μｍの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材など、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なるものに置き換えてもよい。また、メッシュ部材３０３および多孔質部材３０４のイオン流ＦＬの入射方向の厚さは数十μｍでもよい。イオン流ＦＬの入射面にメッシュ部材３０３または多孔質部材３０４を設けることは、他の実施の形態およびその変形例についても同様に適用することが可能である。
【００３１】
（実施の形態４）
つぎに、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部４１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３２】
図８は、本実施の形態４によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図８では、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図８に示すように、デブリ回収部４１６は、図４に示すデブリ回収部２１６と同様の構成において、多孔質部材１０２が多孔質部材４０２に置き換えられている。多孔質部材４０２は、たとえば図４に示す多孔質部材１０２と同様の部材を用いることができる。ただし、多孔質部材４０２は、イオン流ＦＬの入射面に、たとえばイオン流ＦＬの入射断面よりも広く開口されたカップ状のポケット４１１を備える。このように、イオン流ＦＬの入射面にイオン流ＦＬを受けるカップ状のポケット４１１が設けられることで、イオン流ＦＬの入射によって発生したスパッタ物が、ポケット４１１の側面で捕捉される。これにより、スパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することを防止できる。
【００３３】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３４】
・変形例１
また、図９は、本実施の形態４の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の実施の形態４で例示した多孔質部材４０２は、図９に示すデブリ回収部４１６Ａのように、多孔質部材４０２ａに置き換えることも可能である。多孔質部材４０２ａでは、多孔質部材４０２におけるカップ状のポケット４１１が、円錐台形状のポケット４１２に置き換えられている。このように、側面がイオン流ＦＬの入射に対して斜めに傾斜していることで、個々のデブリによって側面が受ける単位面積当たりのＳｎの衝突密度を低減することが可能となる。この結果、イオン流ＦＬの入射による再スパッタを低減することが可能となる。
【００３５】
・変形例２
また、図１０は、本実施の形態４の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。上述の多孔質部材４０２または４０２ａは、図１０に示すデブリ回収部４１６Ｂのように、多孔質部材４０２ｂに置き換えることも可能である。多孔質部材４０２ｂでは、たとえば多孔質部材４０２におけるカップ状のポケット４１１が、イオン流ＦＬの入射面に位置し、たとえばイオン流ＦＬの入射断面よりも幅広の開口部４１３と、イオン流ＦＬの入射面よりも多孔質部材４０２ｂの内部に位置し、開口部４１３と連続し且つ開口部４１３よりも幅広の空洞部４１４と、に置き換えられている。このように、多孔質部材４０２ｂの内部に開口部４１３よりも幅広い空間（空洞部４１４）を設けることで、イオン流ＦＬの入射により発生したスパッタ物がチャンバ１０内に飛散することをより確実に防止することが可能となる。
【００３６】
（実施の形態５）
つぎに、本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部５１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３７】
図１１は、本実施の形態５によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図１１では、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図１１に示すように、デブリ回収部５１６は、図８に示すデブリ回収部４１６と同様の構成において、カップ状のポケット４１１の底部、すなわちイオン流ＦＬの入射面に、メッシュ部材５１１が設けられている。このメッシュ部材５１１には、たとえば図６に示すメッシュ部材３０３と同様の構造の部材を用いることができる。したがって、メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材４０２に染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２の内部に捕捉され、貯蔵される。なお、メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２よりもぬれ性が低いことが好ましい。
【００３８】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３９】
・変形例１
また、図１２は、本実施の形態５の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例１によるデブリ回収部５１６Ａは、図９に示すデブリ回収部４１６Ａと同様の構成に加え、図１１に示すデブリ回収部５１６と同様に、円錐台形状のポケット４１２の底部、すなわちイオン流ＦＬの入射面に、メッシュ部材５１１が設けられている。したがって、メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材４０２ａに染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２ａの内部に捕捉される。なお、メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ａよりもぬれ性が低いことが好ましい。
【００４０】
・変形例２
また、図１３は、本実施の形態５の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例２によるデブリ回収部５１６Ｂは、図１０に示すデブリ回収部４１６Ｂと同様の構成に加え、図１１に示すデブリ回収部５１６および図１２に示すデブリ回収部５１６Ａと同様に、多孔質部材４０２ｂ内の空洞部４１４におけるイオン流ＦＬの入射面に、メッシュ部材５１１が設けられている。したがって、メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材４０２ｂに染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２ｂの内部に捕捉される。なお、メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ｂよりもぬれ性が低いことが好ましい。
【００４１】
（実施の形態６）
つぎに、本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部６１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００４２】
図１４Ａは、本実施の形態６によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図１４Ａでは、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図１４Ｂは、図１４Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す模式図である。図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、デブリ回収部６１６は、円板状の多孔質部材６０２と、多孔質部材６０２に対してイオン流ＦＬが入射する面に設けられた円板状のメッシュ部材６０３と、を備える。多孔質部材６０２には、たとえば図４に示す多孔質部材１０２と同様の部材を用いることができる。また、メッシュ部材６０３には、たとえば図６に示すメッシュ部材３０３と同様の構造の部材を用いることができる。したがって、メッシュ部材６０３にイオン流ＦＬとして入射したデブリは、メッシュ部材６０３の表面の開口から内部に染み込んだ後、入射面に対して反対側に接触配置された多孔質部材６０２に染み込む。これにより、デブリＤ１が多孔質部材６０２の内部に捕捉される。なお、メッシュ部材６０３は、多孔質部材６０２よりもぬれ性が低いことが好ましい。また、多孔質部材６０２の代わりに、板材を用いてもよい。この板材は、溶融したデブリに対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００４３】
また、デブリ回収部６１６は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３を、デブリであるＳｎが溶融する温度以上に温めるヒータ６０１を備える。したがって、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３は、温度コントローラ１０９が、温度センサ２１１で検出された温度に基づいて電源１０８からヒータ６０１に流れる電流を制御することで、的確に目的の温度範囲（たとえばＳｎの融点（２３２℃）以上）内に制御される。
【００４４】
多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３がＳｎの融点以上に温度調節されると、主に多孔質部材６０２内部に捕捉されたＳｎ（デブリＤ１）は、溶融の状態を保つため、重力方向（図面中下方向）に向かって流れる。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方には、少なくともメッシュ部材６０３との接続部分が開口した回収容器６１０が設けられる。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３から下方へ流れる溶融Ｓｎは、回収容器６１０に流れ込む。これにより、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３に捕捉されたデブリＤ１が、デブリＤ２として回収容器６１０内に貯蔵される。
【００４５】
このように、デブリＤ１を捕捉するユニットとは別にデブリＤ２を蓄えるユニットを設けることで、たとえば多孔質部材またはメッシュ部材の内部にＳｎ（デブリＤ１）を貯蔵する場合と比較して、より多くのＳｎを貯蔵しておくことが可能となる。この結果、メンテナンスの回数を低減することができる。また、メッシュ部材６０３のぬれ性をたとえば多孔質部材６０２のぬれ性よりも低くすることで、回収容器６１０への溶融Ｓｎの流込みをスムーズにすることができる。なお、回収容器６１０には、内部のＳｎが溶融する温度に保つヒータ６１１が設けられてもよい。回収容器６１０をＳｎの溶融温度に保つことで、回収容器６１０内でのＳｎを液体に保ち容積効率を向上できる。
【００４６】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００４７】
・変形例１
また、図１５は、本実施の形態６の変形例１によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例１によるデブリ回収部６１６Ａは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すデブリ回収部６１６と同様の構成に加え、メッシュ部材６０３の入射面に、たとえばイオン流ＦＬの入射断面よりも幅広の開口６１３が開口された円筒状の多孔質部材６１２を備える。このように、イオン流ＦＬの入射面にイオン流ＦＬを受ける円筒状の多孔質部材６１２を設けることで、イオン流ＦＬの入射によって発生したスパッタ物が、多孔質部材６１２の開口内部の側面で捕捉される。これにより、スパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することを防止できる。図１４Ａおよび図１４Ｂのデブリ回収部６１６におけるヒータ６０１は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３に加えて多孔質部材６１２を温めることが可能なヒータ６０１ａに置き換えられてもよい。
【００４８】
・変形例２
また、図１６は、本実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例２によるデブリ回収部６１６Ｂは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すデブリ回収部６１６と同様の構成において、回収容器６１０がチャンバ１０外に配置される。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３と回収容器６１０との間には、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方から流れ出した溶融Ｓｎを回収容器６１０に導くためのドレイン管６２０が設けられる。このドレイン管６２０は、たとえばヒータ６２１によってＳｎの融点（２３２℃）以上に温められる。このような構成によれば、他の構成要素による占積制約の多いチャンバ１０内に回収容器６１０を配置する必要がなくなる。したがって、大容量の回収容器６１０をチャンバ１０外に設けることが可能となる。結果として、メンテナンスの回数を低減できる。
【００４９】
・変形例３
また、図１７は、本実施の形態６の変形例３によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。本変形例３によるデブリ回収部６１６Ｃは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示すデブリ回収部６１６と同様の構成において、回収容器６１０が、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３から分離した回収容器６３０に置き換えられている。回収容器６３０は、チャンバ１０の内壁面において多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方に取り付けられる。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３で捕捉されたデブリＤ１（溶融Ｓｎ）は、主にメッシュ部材６０３から流れ出し、下方にある回収容器６３０にデブリＤ２として回収される。このような構成によれば、チャンバ１０内から回収容器６３０のみを取り出せばよいため、メンテナンスの手間を低減することが可能となる。
【００５０】
（実施の形態７）
つぎに、本開示の実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成において、デブリ回収部１６がデブリ回収部７１６に置き換えられる。その他の構成は、図１および図２に示す構成と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５１】
図１８Ａは、本実施の形態７によるデブリ回収部の概略構成を示す模式断面図である。図１８Ａでは、磁場Ｂの磁力線の中心を含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図１８Ｂは、図１８Ａに示すデブリ回収部をイオン流ＦＬの入射面側から見た概略構成を示す模式図である。図１８Ａおよび図１８Ｂに示すように、デブリ回収部７１６は、縦長な板状の多孔質部材７０２を備える。多孔質部材７０２には、たとえば図４に示す多孔質部材１０２と同様の部材を用いることができる。
【００５２】
多孔質部材７０２の長手方向における一方の端は、半円形状をしており、重力方向における上方に配置される。多孔質部材７０２における半円形状の部分を含む一部は、温度コントローラ１０９に接続された温度センサ２１１および電源１０８に接続されたヒータ７０１が設けられ、温度センサ２１１で検出された温度に基づいて目的の温度範囲（たとえば２３２℃以上２８０℃未満）内の温度となるようにフィードバック制御される。したがって、多孔質部材７０２に捕捉されたＳｎのデブリＤ１は、溶融した状態を維持しつつ、重力方向の下方へ流れる。
【００５３】
多孔質部材７０２における重力方向下方に配置される他方の端は、ヒータ７０１から下方へ突出する。この突出した部分は、多孔質部材７０２の上方で捕捉されたＳｎを貯蔵する貯蔵部７０２ａとして機能する。この貯蔵部７０２ａは、ヒータ７０１によって直接温められないため、Ｓｎの融点より低い温度となる。したがって、多孔質部材７０２の上方から流れ落ちてきた溶融Ｓｎは、貯蔵部７０２ａに流れ込んだ後に冷やされて固化する。これにより、Ｓｎが貯蔵部７０２ａにデブリＤ３として貯蔵される。
【００５４】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５５】
（実施の形態８）
また、上述の実施の形態では、デブリ回収部におけるイオン流ＦＬの入射部分を、多孔質部材やメッシュ部材などのデブリを液体として浸透させる部材で構成した。しかし、本開示は、これに限定されるものではない。たとえば、イオン流ＦＬの入射部分にデブリを浸透させない部材を配置してもよい。この部材は、溶融したデブリに対して濡れ性の低い材料で形成されていることが好ましい。以下、この場合を実施の形態８として、図面を参照して詳細に説明する。ただし、以下の説明では、上述した実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部をベースとする。また、上述した実施の形態およびその変形例のいずれに対しても本実施の形態８を適用することは可能である。
【００５６】
図１９Ａは、磁場Ｂの磁力線の中心と重力方向とを含む面でデブリ回収部を切断した際の断面構成を示す。図１９Ｂは、図１９Ａに示すデブリ回収部をイオン流の入射面側から見た概略構成を示す。
【００５７】
図１９Ａおよび図１９Ｂに示すように、本実施の形態８によるデブリ回収部８１６は、図１６に示すデブリ回収部６１６Ｂと同様の構成を備える。ただし、デブリ回収部８１６は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３（図１６参照）の代わりに、板材８０２を備える。板材８０２は、たとえばホルダ８０１に保持されている。また、板材８０２の表面には、被膜８０３が形成されている。
【００５８】
板材８０２には、熱伝導率が高い、たとえば銅などの金属材料、または、ＳｉＣ等のセラミック材料を用いるのが好ましい。被膜８０３には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、対スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。また、被膜８０３の材料はデブリ（本実施の形態ではＳｎ）との反応性が低いことが好ましい。さらに、デブリをクリーニングするために水素等の反応性ガスをチャンバ１０内に導入する場合は、被膜８０３の材料と反応性ガスとの反応性が低いことが好ましい。このような材料には、ＳｉＣやカーボン（Ｃ）などが挙げられる。材料にＳｉＣを用いた場合には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて被膜８０３を形成することができる。また、被膜８０３の表面は、成膜したのみで研磨されていないか、ある程度荒いことが好ましい。
【００５９】
また、デブリ回収部８１６の温度は、イオン流ＦＬの衝突によって上昇する。被膜８０３の表面は、デブリであるＳｎが溶融する温度以上であることが好ましい。しかしながら、必要以上に温度が高すぎると、表面に付着したＳｎがスパッタリングされ易くなる場合がある。このため、被膜８０３の表面温度は、所定の範囲内に収まるように調節されることが好ましい。そこで本実施の形態８では、図１９Ａおよび図１９Ｂに示すように、デブリ回収部８１６に冷却器８０８を設ける。冷却器８０８には、冷却されたシリコン油や有機化合物液体などの冷却媒体が流れる管８０９が連結されている。管８０９の一部は、板材８０２の内部または裏面を通るように配管されている。この管８０９に冷却器８０８で冷却された冷却媒体を流すことで、被膜８０３表面の温度が高くなりすぎないように、板材８０２を冷却することができる。なお、この冷却器８０８および管８０９は、上述したいずれの実施の形態に対しても適用することができる。
【００６０】
温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１で検出された温度がたとえば予め設定しておいた第１の閾値温度を超えると、冷却器８０８を駆動することで、管８０９内に冷却された冷却媒体を送り出す。これにより、板材８０２が冷却される。結果として、板材８０２表面に形成された被膜８０３が冷却される。管８０９内への冷却媒体の送出は、たとえば温度センサ２１１で検出された温度が予め設定しておいた第２の閾値温度を下回るまで継続される。なお、第２の閾値温度（＜第１の閾値温度）は、たとえばターゲット物質（Ｓｎ）の溶融温度とすることができる。なお、冷却器８０８に代えて、加熱冷却が可能な恒温サーキュレータ等を用いてもよい。
【００６１】
以上のような構成および動作を備えることで、本実施の形態８では、イオン流ＦＬが衝突する被膜８０３の表面温度がデブリ（Ｓｎ）の溶融温度以上に保たれる。また、被膜８０３の表面は、溶融したデブリに対するぬれ性が低い。このため、被膜８０３表面に付着したデブリは、溶融した状態で自重により重力方向下方へ流れる。デブリの流れた先には、図１６に示す構成と同様に、ドレイン管６２０が設けられている。ドレイン管６２０の先には、回収容器６１０が設けられている。したがって、重力方向下方へ流れるデブリは、ドレイン管６２０を通って回収容器６１０に回収される。
【００６２】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００６３】
（実施の形態９）
つづいて、実施の形態８で例示した被膜８０３の材料について、以下により具体的に説明する。なお、実施の形態８における板材８０２を、以下に例示するような濡れ性の低い材料で形成してもよい。この場合、板材８０２の表面には、被膜８０３を形成しなくともよい。すなわち、デブリの入射面に、以下に例示するような濡れ性の低い材料が配置されていればよい。
【００６４】
上述の実施の形態８において触れたように、被膜８０３には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、耐スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。一般に、接触角度θが０°＜θ≦９０°の材料は、浸漬濡れの特性を備える。そのため、そのような材料で被膜８０３を形成した場合、被膜８０３の表面に付着したデブリは、被膜８０３内に浸漬して沈み込む。一方、接触角度θがθ＞９０°の材料は、付着濡れの特性を備える。そのため、そのような材料で被膜８０３を形成した場合、被膜８０３の表面に付着したデブリは、濡れが進行しないまま、被膜８０３の表面に留まる。濡れが進行しないので、付着したデブリはやがて自重により重力方向下方へ移動する。
【００６５】
以下の表２に、上述の実施の形態において例示したデブリである溶融Ｓｎに対する接触角度と材料との関係を示す。
【００６６】
【表２】
0005726546.tif 000003
【００６７】
表２を参照すると明らかなように、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ３）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）および酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）は、接触角度がθ＞９０°であり、溶融Ｓｎに対する濡れ性が低い。そのため、これらの材料は、被膜８０３および板材８０２の材料として好適であろう。
【００６８】
また、上記表２に例示する材料以外にも、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およびタンタル（Ｔａ）は、酸化処理することによって溶融Ｓｎに対する濡れ性が低くなる。そのため、これらの材料も、被膜８０３および板材８０２の材料として好適であろう。
【００６９】
次に、溶融Ｓｎと各種材料との反応性について、以下に述べる。一般に、高融点材料であるタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）などは、Ｓｎに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、Ｓｎとの反応性が低い。
【００７０】
また、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯタングステン）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）および酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）は、溶融Ｓｎに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、溶融Ｓｎとの反応性が低い。
【００７１】
さらに、酸化タングステン（ＷＯ３）および酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）に関しても、溶融Ｓｎに対して安定した特性を備える。すなわち、これらの材料は、溶融Ｓｎとの反応性が低い。
【００７２】
以上のことから、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ３）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化タングステン（ＷＯ３）または酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を、被膜８０３および板材８０２の材料とするとよい。あるいは、これらの材料のうち１つ以上を含む材料を、被膜８０３および板材８０２の材料とするとよい。
【００７３】
また、デブリに対するスパッタ率が低いという観点からは、炭素（Ｃ）を被膜８０３および板材８０２の材料とすることも考え得る。
【００７４】
なお、上述において例示したような濡れ性の低い材料は、上述の実施の形態１〜７で例示した各デブリ回収部（１６、２１６、２１６Ａ、３１６、３１６Ａ、４１６、４１６Ａ、４１６Ｂ、５１６、５１６Ａ、５１６Ｂ、６１６、６１６Ａ、６１６Ｂ、６１６Ｃ、７１６、８１６）におけるデブリが入射する部分に対しても適用することが可能である。なお、デブリが入射する部分とは、たとえば、デブリの回収部である、多孔質部材１０２、メッシュ部材２０２、多孔質部材４０２、多孔質部材４０２ａ、多孔質部材４０２ｂ、多孔質部材６０２および多孔質部材７０２、または、これらの回収部のスパッタを防止するためのスパッタ防止部である、メッシュ部材３０３、多孔質部材３０４、メッシュ部材５１１、メッシュ部材６０３および多孔質部材６１２である。
【００７５】
上記実施の形態およびその変形例は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内であり、更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示した変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００７６】
１  ＥＵＶ光生成装置
１０  チャンバ
１１  ウィンドウ
１２  ＥＵＶ集光ミラー
１２ａ  貫通孔
１３  ドロップレットジェネレータ
１３ａ  ノズル
１４  ターゲット回収部
１５  磁場生成部
１５ａ  電磁石コイル
１６、２１６、２１６Ａ、３１６、４１６、４１６Ａ、４１６Ｂ、５１６、５１６Ａ、５１６Ｂ、６１６、６１６Ａ、６１６Ｂ、６１６Ｃ、７１６、８１６  デブリ回収部
１９  露光機接続部
１０１、６０１、６０１ａ、６１１、６２１、７０１  ヒータ
１０２、３０４、４０２、４０２ａ、４０２ｂ、６０２、６１２、７０２  多孔質部材
１０８  電源
１０９  温度コントローラ
２０２、３０３、５１１、６０３  メッシュ部材
２１１  温度センサ
４１１、４１２  ポケット
４１３  開口部
４１４  空洞部
６１０、６３０  回収容器
６１３  開口
６２０  ドレイン管
７０２ａ  貯蔵部
８０１  ホルダ
８０２  板材
８０３  被膜
８０８  冷却器
８０９  管
ＡＸ  中心軸
Ｂ  磁場
Ｄ  ドロップレット
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３  デブリ
ＦＬ  イオン流
ＩＦ  中間集光点
Ｌ１  レーザ光
Ｌ２  ＥＵＶ光
Ｐ１  プラズマ生成サイト
【図１】
0005726546.tif 000004
【図２】
0005726546.tif 000005
【図３Ａ】
0005726546.tif 000006
【図３Ｂ】
0005726546.tif 000007
【図４】
0005726546.tif 000008
【図５】
0005726546.tif 000009
【図６】
0005726546.tif 000010
【図７】
0005726546.tif 000011
【図８】
0005726546.tif 000012
【図９】
0005726546.tif 000013
【図１０】
0005726546.tif 000014
【図１１】
0005726546.tif 000015
【図１２】
0005726546.tif 000016
【図１３】
0005726546.tif 000017
【図１４Ａ】
0005726546.tif 000018
【図１４Ｂ】
0005726546.tif 000019
【図１５】
0005726546.tif 000020
【図１６】
0005726546.tif 000021
【図１７】
0005726546.tif 000022
【図１８Ａ】
0005726546.tif 000023
【図１８Ｂ】
0005726546.tif 000024
【図１９Ａ】
0005726546.tif 000025
【図１９Ｂ】
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