(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の基板電極と、対電極及び少なくとも１つの有機エレクトロルミネセント層を有するエレクトロルミネセント積層を含む後続層の少なくとも１つの堆積と、を有する層システムを含み、
前記エレクトロルミネセント積層は前記基板電極と対電極との間に配置され、
少なくとも１つ電気的シャント手段が、基板電極に亘る電流分布を改善するために、前記基板電極の上に適用され、
前記電気的シャント手段は、少なくとも１つの電気的接続手段を介して前記基板電極に適用され、
前記電気的接続手段及び前記シャント手段は、前記後続層の前記堆積の外側に配置され、
前記電気的接続手段は、前記基板電極に適用された非導電性保護手段に組み込まれ、
前記非導電性保護手段は、前記有機エレクトロルミネセント層により発生した光を少なくとも散乱するために、少なくとも1つの散乱手段を含む、
エレクトロルミネセント素子。
【請求項２】
前記後続層の前記堆積は、前記電気的接続手段が前記後続層の前記堆積により包囲される方法で前記シャント手段をフィードスルーするために、オープンエリアを有する、請求項１に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項３】
前記電気的接続手段は、前記シャント手段を前記基板電極に電気的に接触させるための、導電性接着剤を含む、請求項１又は２に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項４】
少なくとも前記電気的接続手段を形成する前記導電性接着剤はマトリックスとフィラーを含み、当該導電性接着剤は、前記マトリックスとして有機材料と前記フィラーとして無機材料とを含む、請求項３に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項５】
前記保護手段は、非導電性接着剤を含む、
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項６】
前記電気的シャント手段は、次の手段：ワイヤ、金属箔、堆積された導電性材料又はプリント基板：の少なくとも１つを含む、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項７】
前記基板電極は接触領域を含み、
さらに、前記電気的接続手段は、当該接触領域内で前記基板電極に適用される、
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項８】
前記接触領域は、前記接触領域内において、前記基板電極の導電性を増加するよう実行される、更なる導電性材料を含む、請求項７に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項９】
前記エレクトロルミネセント素子は、前記対電極を電力源に電気的に接触させるための、
少なくとも１つの接触手段を含み、
前記接触手段は、前記対電極に適用される、導電性接着剤として好ましく実行され、
保護手段が前記基板電極に配置され、該保護手段は非導電性接着剤であり、前記接触手段より下の領域を少なくとも完全に覆う、
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項１０】
カプセル化手段が、少なくとも前記エレクトロルミネセント積層をカプセル化するために配置され、
前記接触手段は、前記対電極を前記カプセル化手段に電気的接触させるために好ましく配置される、
請求項９に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項１１】
前記カプセル化手段は、カプセル化手段の頂部と、前記接触手段を前記基板電極から電気的に隔離するカプセル化手段の側部と、を含み、
好ましくは、前記対電極の前記接触手段による前記カプセル化手段への電気的接触は、少なくとも一部が導電性である、前記カプセル化手段の頂部に供される、
請求項１０に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項１２】
カプセル化手段が、少なくとも前記エレクトロルミネセント積層をカプセル化するために配置され、
少なくとも１つの前記電気的シャント手段は前記電気的接続手段と前記カプセル化手段との間に配置され、少なくとも一部が導電性である前記カプセル化手段の内表面を介して前記基板電極に電気的に接触するために、前記カプセル化手段の内表面に伸び、
好ましくは、前記シャント手段は、スパイク形状を有し、
より好ましくは、前記シャント手段は、前記カプセル化手段に取り付けられる、
請求項９に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項１３】
前記電気的接続手段を形成する前記導電性接着剤、及び／又は、前記保護手段は、前記有機エレクトロルミネセント層より発生する、光を少なくとも散乱するための、少なくとも１つの散乱手段を含む、
請求項９乃至１２のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項１４】
基板の上の基板電極と、対電極及び少なくとも１つの有機エレクトロルミネセント層を有するエレクトロルミネセント積層を含む後続層の少なくとも１つの堆積と、を有する層システムを含み、前記エレクトロルミネセント積層は前記基板電極と対電極との間に配置される、エレクトロルミネセント素子の基板電極を電気的にシャントする方法であって、
当該方法は、
前記基板電極の上に、前記後続層の堆積を堆積する工程と、
前記後続層の堆積の外側に、少なくとも１つの電気的接続手段を介して前記基板電極に少なくとも１つの電気的シャント手段を適用する工程と、
前記シャント手段を前記後続層の堆積の外側に配置する工程と、
前記電気的接続手段を前記基板電極に適用された非導電性保護手段に組み込む工程であって、前記非導電性保護手段は、前記有機エレクトロルミネセント層により発生した光を少なくとも散乱するための少なくとも1つの散乱手段を含む、工程と、
を少なくとも含む、エレクトロルミネセント素子の基板電極を電気的にシャントする方法。
【請求項１５】
導電性接着剤を特徴付ける、少なくとも１つの更なる電気的接続手段を、前記基板電極に適用する工程と、
前記シャント手段を、前記の電気的接続手段と電気的接続手段との間に配置する、
請求項１４に記載のエレクトロルミネセント素子の基板電極を電気的にシャントする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の上の基板電極と、対電極と少なくとも１つの有機エレクトロルミネセント層とを有するエレクトロルミネセント積層を含む後続層の少なくとも１つの堆積と、を有する層システムを含むエレクトロルミネセント素子であって、前記エレクトロルミネセント積層は、前記基板電極と前記対電極との間に配置される、エレクトロルミネセント素子に関する。前記基板電極上の電流分布を改善するために、少なくとも１つの電気的シャント手段（ｓｈｕｎｔ  ｍｅａｎｓ）が、前記基板電極の上に適用される。さらに、本発明は、電気的シャント手段により、エレクトロルミネセント素子の基板電極をシャントするための手段に方向づけられる。
【背景技術】
【０００２】
ＷＯ２００７／０１３００１Ａ２において、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が述べられている。有機発光ダイオードは、２つの電極に挟まれた、およそ１００ｎｍの有機物質の薄層から成る。電極層は、通常、有機物質の厚さと概ね等しい厚さを有する。通常２Ｖと１０Ｖとの間にある、電圧が、２つの電極の間に印加されるとき、有機物質は光を発する。残念ながら、その小さい厚さにより、そのような電極の抵抗は高く、電極の領域に亘って電圧の均一な分布を達成することは困難である。このような不都合を取り除くために、伝導性柱（ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｐｏｓｔｓ）がＯＬＥＤの対電極に適用される。しかしながら、対電極は、低抵抗であり、それ故、対電極領域に亘ってわずか（ｏｎｌｙ）小さい電圧降下を引き起こす、反射性の金属から作られている。そのようなＯＬＥＤの電流分布は、主に、透明基板電極の特性により決定され、柱により改良されない。これらの伝導性柱は、電極及びエレクトロルミネセント層により形成される層の堆積をカプセル化する、カプセル化手段に接続される。残念ながら、有機層は及び対電極は、非常に傷つきやすい。それ故、伝導性柱を対電極に接続することが、しばしば電気的シャントにつながる。これらのシャントは、例えば、対電極及び基板電極と直接的接触する、柔らかい有機層の局所破壊により現れうる。
【発明の概要】
【０００３】
したがって、本発明は、上述された不都合を取り除くことを目的にしている。具体的には、より信頼性があり、より安価なエレクトロルミネセント素子につながる、基板電極に電気的に接続される電気的シャント手段の改良された適用を開示するエレクトロルミネセント素子を供することが、本発明の目的である。
【０００４】
この目的は、基板の上の基板電極と、対電極と少なくとも１つの有機エレクトロルミネセント層とを有するエレクトロルミネセント積層を含む後続層の少なくとも１つの堆積と、を有する層システムを含むエレクトロルミネセント素子であって、前記エレクトロルミネセント積層は、前記基板電極と前記対電極との間に配置され、少なくとも１つの電気的シャント手段が、前記基板電極上の電流分布を改善するために、前記基板電極の上に適用され、前記電気的シャント手段は、少なくとも１つの電気的接続手段を介して前記基板電極に適用され、前記電気的接続手段及び前記電気的シャント手段は、前記後続層層の前記堆積の外に配置され、前記電気的接続手段は、前記基板電極に適用された非導電性保護手段に組み込まれ、前記非導電性保護手段は、前記有機エレクトロルミネセント層により発生した光を少なくとも散乱するためにの、少なくとも1つの散乱手段を含む、エレクトロルミネセント素子によって達成される。
【０００５】
エレクトロルミネセント素子の有意な実施様態は、下位クレームにより定義される。
【０００６】
本発明は、少なくとも１つの前記電気的接続手段を介して前記基板電極に適用される、少なくとも１つの前記電気的シャント手段を開示し、前記電気的接続手段及び前記電気的シャント手段は、前記後続層層の外に配置される。
【０００７】
本発明の主要な着想は、電気的接続手段及び電気的シャント手段を、基板電極に続く層の堆積、即ち有機エレクトロルミネセント層及び対電極、の外に適用し、これらの層の平坦トポロジーを維持することである。本発明により、電気的接続手段及び電気的シャント手段は、基板電極に適用され、基板電極に続く層の堆積の外側に配置され、単一の導体素子として実行される。基本的には、電気的シャント手段は、電気的動力源と基板電極の上の接続点との間で電気的接続を形成し得る。具体的には、電気的シャント手段は、好ましくは、エレクトロルミネセント素子の放出場（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｆｉｅｌｄ）及び境界領域の中に配置された、２つの電気的接続手段の間に配置され、基板電極の境界領域の電圧は均一である。結果として、基板電極の境界領域を、素子内の放出領域内の電気的接続手段に接続するための、単一の導体素子の使用は、基板電極に亘るより均一な電圧分布につながる。したがって、放出光の強度もまた、シャント手段無しよりも、より均一である。電気的接続手段は、基板電極に適用された非導電性保護手段に組み込まれ、保護手段は好ましくは非導電性接着剤を含む。電気的接続手段が非導電性保護手段内に組み込まれるとき、電気的ショートの発生が避けられる。電気的接続手段が導電性接着剤を含み、保護手段が非導電性接着剤を含むとき、接着剤の異なる層が各々に適用される。保護手段は、有機エレクトロルミネセント層により発生する光を少なくとも散乱するための、少なくとも1つの散乱手段を含む。保護手段のために使用される材料に依存して、実験により、保護手段が適用される領域は、対電極及び基板電極からの直接の電流注入が阻害されるので、エレクトロルミネセント素子の通常操作において暗くなり得るということが示された。したがって、保護手段は有機エレクトロルミネセント層により発生する光を散乱するための、少なくとも1つの散乱手段を含み、好ましくは、散乱手段は保護手段に組み込まれる、という他の好ましい実施様態が特徴付けられる。この散乱手段は、基板により導かれる人工光の一部を散乱及び／又は反射する。これにより、他の非放射領域が明るくされる。基板はしばしば、一種の導光として機能するので、保護手段の散乱手段により、この光は、エレクトロルミネセント素子から外に散乱及び反射することができる。散乱手段は、保護手段内に組み込まれた複数の色素剤（ｐｉｇｍｅｎｔｓ）及び／又はフレークにより形成しても良い。この色素剤及び／又はフレークは、例えば、アルミニウム、マイカエフェクト顔料、二酸化チタン粒子、又は有機エレクトロルミネセント素子の人工光を散乱及び／又は反射するものとして当業者に知られる他のフレーク又は粒子：を含んでも良い。
【０００８】
本発明のコンテクスト（ｃｏｎｔｅｘｔ）において、エレクトロルミネセント（ＥＬ）積層という概念（ｎｏｔｉｏｎ）は、基板電極及び対電極との間に準備される全ての層を意味する。ＥＬ積層の一実施様態において、それは、基板電極と対電極との間に準備された少なくとも１つの発光有機エレクトロルミネセント層を含む。ＥＬ積層の他の実施様態は、基板電極と対電極との間に準備された、いくつかの層を含んでも良い。該いくつかの層は、正孔輸送層、電子ブロッキング層、電子輸送層、正孔ブロッキング層、エミッタ層の１つ以上といった有機層又は有機層及び非有機層の組み合わせであっても良い。非有機層は、積層及び／又は電荷注入層内に２つ以上の発光層がある場合に、付加電極であっても良い。好ましい実施様態において、基板電極及び／又は対電極は、次の材料；ＩＴＯ、アルミニウム、銀、ドープ酸化亜鉛、酸化物層：の少なくとも１つを含む。
【０００９】
本発明のコンテクストにおいて、基板材料という概念は、エレクトロルミネセント素子の種々の層が堆積している基材を意味する。通常、基板は透明であり、ガラスでできている。さらに、基板が透明であることが好ましく、次の材料：銀、金、ガラス又はセラミック：少なくとも１つを含むことが好ましい。エレクトロルミネセント素子積層に入る水分及び／又は酸素を本質的に防ぐために、基板は、適切な水分及び酸素バリアを有する、透明な高分子シート又は箔でできていても良い。例えば、光出力結合の増強のような工学的な目的又は他の目的のために、基板として金属ホイルのような不透明な材料を使用することも可能である。基板は通常平坦であるが、望まれる如何なる３次元形状に形作られても良い。
【００１０】
本発明のコンテクストにおいて、基板電極という概念は、基板の上に堆積した電極を意味する。通常、基板電極は、ガラスから電極への可動電子又はイオンの拡散を抑えるために、ＳｉＯ２又はＳｉＯの下塗りを随意に有する、透明ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）から成る。ＩＴＯ電極を有するガラス基板に関して、ＩＴＯは通常アノードであるが、特別な場合において、カソードとして使用することもできる。場合によっては、薄い銀又は金層（厚さ８−１５ｎｍ）が、基板電極として単一又はＩＴＯと組み合わせて、使用される。もし金属ホイルが基板として使用されるなら、アノード又はカソードのいずれかの基板電極としての役割も果たす。「上の」（ｏｎ−ｔｏｐ−ｏｆ）の概念は、リストアップされた層の順番を意味する。この概念は、互いの上に示された層間にあるさらなる層の可能性を明確に含む。例えば、基板電極と基板との間に配置された光出力結合を増強するために、追加的な光学層があっても良い。
【００１１】
本発明のコンテクストにおいて、対電極という概念は、基板から離れた電極を意味する。対電極は通常不透明であり、電極が反射するに十分な厚さを有するアルミニウム又は銀でできている（通常、アルミニウムに関して１００ｎｍであり、銀に関して１００−２００ｎｍである）。対電極は通常カソードであるが、アノードとしてもバイアスをかけることができる。トップエミッション型（ｔｏｐ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ）又は透明エレクトロルミネセント素子に関して、対電極は透明でなければならない。透明な対電極は、予め堆積された他の層の上に堆積された、薄い銀又はアルミニウム層（５−１５ｎｍ）又はＩＴＯ層でできている。
【００１２】
本発明のコンテクストにおいて、透明基板、透明基板電極及び不透明対電極（通常反射性の）を併用したエレクトロルミネセント素子は、基板を通じて光を発し、「ボトムエミッション型」（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ）と呼ばれる。さらなる電極を含むエレクトロルミネセント素子の場合、いくつかの実施様態において、内部電極がカソード又はアノードとして駆動され、基板電極及び対電極の両方が、両方のアノード又は両方のカソードのいずれかになることができる。さらに、本発明のコンテクストにおいて、不透明基板電極及び透明対電極を併用したエレクトロルミネセント素子は、対電極を通じて光を発し、「トップエミッション型」と呼ばれる。
【００１３】
本発明のコンテクストにおいて、透明エレクトロルミネセント素子という概念は、基板、基板電極、対電極及びカプセル化手段が透明である、エレクトロルミネセント素子を意味する。ここで、エレクトロルミネセント素子は、ボトムエミッション型及びトップエミッション型の両方である。本発明のコンテクストにおいて、もし可視領域にある光の透過率が５０％より多い；残りは吸収される又は反射される；なら、層、基板又は電極は透明であると呼ばれる。さらに、本発明のコンテクストにおいて、もし可視領域にある光の透過率が１０％と５０％との間である；残りは吸収される又は反射される；なら、層、基板又は電極は半透明であると呼ばれる。さらに、本発明のコンテクストにおいて、光が４５０ｎｍと６５０ｎｍとの間の波長を有するときに、可視光と呼ばれる。本発明のコンテクストにおいて、光がエレクトロルミネセント素子の有機エレクトロルミネセント層により放出されるときに、光は人工光と呼ばれる。
【００１４】
さらに、本発明のコンテクストにおいて、層、基板、電極又はエレクトロルミネセント素子の構成要素は、もし電気抵抗が１０００００オームより小さいなら、導電性と呼ばれる。本発明のコンテクストにおいて、受動（ｐａｓｓｉｖｅ）電子要素は、レジスタ、キャパシタ及びインダクティビティ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｉｅｓ）を含む。さらに、本発明のコンテクストにおいて、能動（ａｃｔｉｖｅ）電子要素は、ダイオード、トランジスタ及びあらゆるタイプの集積回路を含む。
【００１５】
本発明のコンテクストにおいて、層、基板、電極又はエレクトロルミネセント素子の構成要素は、もしその界面への入射光が、反射の法則により戻される：入射の巨視的な角度が、反射の巨視的な角度と等しい：なら、反射性と呼ばれる。この場合において、鏡面反射なる専門用語もまた、使用される。さらに、本発明のコンテクストにおいて、層、基板、電極又はエレクトロルミネセント素子の構成要素は、もしそれへの入射光が、反射の法則により戻されない：入射の巨視的な角度が、反射の巨視的な角度と等しくない：なら、散乱性と呼ばれる。戻された光に関する角度について、分布もある。散乱性の代わりに、乱反射なる専門用語も使用される。
【００１６】
有意には、後続層の堆積は、電気的接続手段が後続層の堆積により取り囲まれて、シャント手段を通るように、オープンエリアを含む。基板電極と対電極との間のショートを避けるために、基板電極の上の電気的接続手段と対電極及び有機エレクトロルミネセント層との間の距離は、必要である。前記オープンエリアは、電気的接続手段を取り囲む後続層の堆積内に円として形成することができる。さらに、金属線、金属ストライプ又は箔の形状の電気的シャント手段は、有機エレクトロルミネセント層及び対電極を通過することができる。接続手段は同時に、シャント手段と対電極との間のショートを防ぐために、適用されたシャント手段の望まない動きに対する機械的な安定性として機能する。後続層の堆積の外での電気的接続手段及びシャント手段の配置は、その配置が後続層の堆積に関して基板電極の向こう側、即ちＯＬＥＤの背面側で層の中ではなく、実行され、しかしそれにも関らず、シャントは、基板電極に対して電気的接続を形成する、ということを意味する。
【００１７】
本発明のなお一層有意な実施様態によると、電気的接続手段は、シャント手段を基板電極に電気的に接触させるために、電気的導電性接着剤（ｇｌｕｅ）を含む。電気的接続手段を形成する前記導電性接着剤は、マトリックス及びフィラーを含み、その導電性接着剤は、マトリックスとして有機材料と、フィラーとして無機材料を含む。一実施様態において、導電性接着剤は、次の材料：エポキシ、ポリウレタン又はシリコーン：の少なくとも１つを含んでも良い。フィラー及び／又はマトリックスは、電源から対電極への電流を導くよう、導電性でなければならない。
【００１８】
したがって、導電性接着剤及び／又はフィラーは、導電性フレーク（ｆｌａｋｅｓ）又は導電性粒子を含むことが、好ましい。フィラー粒子は、低抵抗、安定性及び耐久性を有さなければならない。したがって、フィラーは、銀、金、ニッケル、プラチナ、銅、パラジウム又は他の金属若しくはカーボン、ガラス状炭素、グラファイト、カーボンナノチューブ、ドープ化酸化亜鉛、酸化スズ、導電性窒化物、導電性ホウ化物、ガラス又はプラスチックビーズで覆われた金属、ガラス又はプラスチック中空ビーズで覆われた金属若しくは銅、金又は銀で覆われた金属又はグラファイト粒子のような他の非金属：の少なくとも１つのフレーク又は粒子を含むことが、好ましい。
【００１９】
より好ましい実施様態において、導電性接着剤は、非水及び／又は無水である。本発明のコンテクストにおいて、無水及び／又は非水という概念は、肉眼により観察できる、エレクトロルミネセント素子の平均耐用年限の間の、含水量による劣化がないという事実を述べる。水が積層内に拡散することによる、有機エレクトロルミネセント層の可視的な劣化は、ブラックスポット（ｂｌａｃｋ  ｓｐｏｔｓ）の成長又は端部から放射領域の縮小の形を成す。無水及び／又は非水という概念は、導電性接着剤そのものに依存するだけでなく、水の量にも依存し、水は有機エレクトロルミネセント層にダメージを与えることなく、それにより吸収され得る。
【００２０】
さらに好ましい実施様態において、エレクトロルミネセント素子は、防湿層及び／防酸素層を含んでも良い。本発明のコンテクストにおいて、湿気及び／又は酸素の積層への有害な拡散を防ぐ層が、防湿層又は防酸素層と呼ばれる。発光についての大幅な耐用年限の減少が観察され得るなら、拡散が有害として意味される。最高水準に準じて標準的なＯＬＥＤ素子は、１００，０００時間以上のオーダーでの棚（ｓｈｅｌｆ）耐用年限を達成する。大幅な減少は、およそ２以上の倍数の減少した耐用年限を意味する。
【００２１】
基板電極は、エレクトロルミネセント素子の境界領域に配置される、接触領域を特徴付けても良い。したがって、電気的接続手段は、接触領域内で基板電極に適用することができる。接触領域は、該接触領域内の基板電極の導電性を高めるために、追加的に適用された導電性材料を含んでも良い。さらに、基板電極の外部電源に対する電気的接続は、前記接触領域を介して実行され得る。接触領域がエレクトロルミネセント素子の発光領域を取り囲んで配置されるとき、基板電極周辺における電圧は、均一である。電気的シャント手段が、発光領域内のいくつかの接触柱（ｐｏｓｔ）と接触領域との間の電気的相互接続を含むとき、即ち、接続手段が追加的に適用された導電性材料上に適用されるとき、発光領域全体にわたる電圧分布は、さらにずっと均一である。
【００２２】
好ましい実施様態において、電気的シャント手段は、金属線、金属ストライプ又は金属箔を含み、好ましくは銅、金及び／又は銀、堆積した導電性材料又はプリント基板で作られている。電気的シャント手段を形成する銅は、当業者に知られるような、導電体に使用される通常の銅基合金の中で選択することができる。前述の導電性要素（ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）が打抜（ｄｉｅ−ｃｕｔｔｉｎｇ）により製造されるとき、安価な大量生産技術がシャント手段を形成するために使用することができ、特に、シャント手段が格子状に並べられるとき、全格子はたった数回の打抜又はとりわけ１回だけの打抜により仕上げられる。
【００２３】
好ましい実施様態において、エレクトロルミネセント素子は、対電極を電力源に電気的に接触させるために、少なくとも１つの接触手段を含んでも良い。前記接触手段は、好ましくは、導電性接着剤として、対電極に適用されて実行され、保護手段は、好ましくは、基板電極に配置され、保護手段は非導電性接着剤であり、接触手段より下の領域を少なくとも完全に覆っている。
【００２４】
導電性接着剤は、初期状態で柔らかく、対電極への局所的な高圧を与えることなく、対電極に適用することができる。したがって、接着剤の適用の間に起こる、対電極と基板電極との間のショートのリスクがない。これは、ショートの最小限のリスクで、３次元接触スキーマ（ｓｃｈｅｍａ）が供されるという利点につながる。
【００２５】
通常、導電性接着剤は、導電性フレーク又は導電性粒子の形で導電性フィラーを有する有機接着剤で構成される。接着剤の設定の間、接着剤はわずかな収縮を見せ、一部のフィラー粒子を下部の層へ押し込むこと、基板電極と対電極との間のショートを引き起こすことにつながる。これを防ぐために、シリコーンのようなより低収縮でかつより高弾力を有する接着剤を使用すること及び／又は対電極をより厚くすることは、有意である。
【００２６】
導電性接着剤を接触手段として使用することにより達成される更なる利点は、たった１つの接触（ｃｏｎｔｉｇｕｏｕｓ）電極を有する基板が使用できることであり、エレクトロルミネセント素子に関する基板電極として役に立つ。従来のＯＬＥＤにおいて、基板上の電極は、２つの電気的に分離した領域内にまたがって少なくとも構造化される：基板電極として役目を果たす一方と、対電極と接続される他方とである。したがって、基板と対電極は、基板の縁に対して１つの平面でつながれ、それらは標準的な手段により接触され得る。この２次元接触スキーマの課題は、対電極と同様基板電極は、接触のためにＯＬＥＤの周囲を共有しなければならず、基板上の電極は、素子がショートすることを避けるために、少なくとも２つの非結合（ｄｉｓｊｏｉｏｎｔ）領域（基板電極と対電極に接触される第二電極と）に分けられる必要がある。開示された３次元接触は、２次元接触のこの重大な課題を除外する。
【００２７】
接触手段より下の領域を完全に覆う非導電性保護手段は、基板電極と対電極との間のショートが、接着剤の硬化の間、避けられるという利点につながる。
【００２８】
もし接着剤の種類上の制限が望ましくないなら、かつ、もし対電極をより厚くできないなら、前期非導電性保護手段は、導電性接着剤による起こりうるショートを防ぐように、基板電極に適用される。少なくとも１つの保護手段の使用は、エレクトロルミネセント素子を完全に導電性接着剤の特性に対して完全に無反応にする。したがって、あらゆる従来の導電性接着剤は、電源に対して対電極を接触させて使用され得る。保護手段は、接触手段が対電極に適用される全ての領域を覆わなければならない。このことは、ショートのもとになるかもしれないため。しかし、それは、接触手段の領域より広くもなり得る。対電極と基板電極との間の直接的接触を防ぐために、保護手段は厚いこと及び／又は堅いことが好ましい。これにより、接触手段は基板電極への電気的接触に関われないということが保証される。この目的を達成するために、保護手段は、非導電性接着剤及び／又はフォトレジスト及び／又はラッカー（ｌａｃｑｕｅｒ）及び／又は塗料及び／又は再溶解したガラス原料でできたガラスの層を含んでも良い。保護手段は、陽極酸化されたアルミニウムのような、酸化金属層を含んでも良い。当業者は、本発明の範囲内で、他の非導電性材料を選択することができる。
【００２９】
保護手段は、一方では非導電性であるということを保証する特性を有さなければならない。さらに、接触手段から基板電極を保護できるように、十分な厚さ及び／又は堅さでなければならない。正確な厚さ及び／又は堅さは、接触手段により与えられる実際の圧力に依存するが、通常、１−１００ミクロンの厚さが、十分な量である。望ましい保護は、１０−２００ミクロンの厚さの非導電性接着剤層と同様、１．５ミクロンの厚さのフォトレジスト層で達成されるが、より厚い層も使用することができる。さらに、保護手段が、基板電極、有機エレクトロルミネセント層、対電極のいずれにもダメージを与えないということが、保証されなければならない。好ましい実施様態において、保護手段は、非導電性接着剤を含む。さらに、保護手段の非導電性接着剤は、非水及び／又は無水であるということが好ましい。さらに、保護手段の非導電性接着剤は、非水及び／又は無水であるといくことが好ましい。
【００３０】
有意には、エレクトロルミネセント素子は、少なくとも前記エレクトロルミネセント積層をカプセル化するために配置される、カプセル化手段を含み、好ましくは、電気的接触手段が、対電極をカプセル化手段に電気的に接触させるために、前記カプセル化手段と対電極との間で配置される。カプセル化手段は、エレクトロルミネセント素子の層の全ての堆積又は前記層の全ての堆積の一部を形成する、単に複数の層をカプセル化しても良い。好ましくは、カプセル化手段は、少なくとも有機エレクトロルミネセント層及び対電極を覆う、気密性要素として供される。気密性カプセル化手段を使用することにより、水又は酸素のような環境要因がカプセル化された層にダメージを与えるということが、防がれる。カプセル化手段は、気密性の蓋を形成しても良い。この蓋は、ガラス又は金属で形成することができる。エレクトロルミネセント素子又は単にその一部に供給された１つ又は複数の層によりカプセル化手段を形成することも可能である。層は、シリコーン、シリコーン酸化物、シリコーン窒化物、アルミニウム酸化物、シリコーン酸窒化物を含んでも良い。カプセル化手段と名付けられた如何なるものにより、力学的因子及び／又は環境因子が、エレクトロルミネセント素子の積層に不利に影響を与えることから防がれる。例として、カプセル化手段は、金属、ガラス、セラミック又はこれらの組み合わせで作ることができる。カプセル化手段は、導電性又は非導電性接着剤、溶融ガラス原料又は金属はんだにより基板に取り付けられる。したがって、カプセル化手段は、エレクトロルミネセント素子に関して力学的安定性も供し、層とカプセル化手段との間に適用された接着剤の少なくとも一部は、対電極に接触するために、電気的に伝導している。
【００３１】
好ましい他の実施様態によると、カプセル化手段は、基板電極から接触手段を電気的に絶縁するカプセル化手段の頂部及びカプセル化手段の側部を有し、好ましくは、前記接触手段による対電極のカプセル化手段への電気的接触は、少なくとも一部が導電性の、カプセル化手段の頂部に供される。カプセル化手段の頂部は蓋を形成し、カプセル化手段の側部はエレクトロルミネセント素子の層システムを取り囲む。カプセル化手段の側部は、基板電極に電気的に接続することができ、カプセル化手段の頂部は、前記電気的接続手段によって電気的相互接続を含む。したがって、絶縁手段は、カプセル化手段の頂部とカプセル化手段の側部との間の電気的絶縁を形成する。エレクトロルミネセント素子を電源に接続するために、電流は、エレクトロルミネセント素子を作動するために、カプセル化手段の頂部及び側部に印加されなければならない。
【００３２】
エレクトロルミネセント素子の正確な作動を保証するために、電極は互いに絶縁されなければならない。少なくとも１つの電極がカプセル化手段の少なくとも一部を介して電力供給されるとき、例えば、カプセル化手段の頂部と対電極との間の接触手段により、カプセル化手段の残りの部分は、他の電極に対して絶縁されなければならない。カプセル化手段の頂部が対電極に電気的に接触されるとき、カプセル化手段の側部は、例えば絶縁性縁（ｒｉｍ）により、基板電極に対して絶縁されなければならない。カプセル化手段の側部が導電性であるとき、カプセル化手段の頂部は、絶縁材料又は対電極に接触される、カプセル化手段の頂部を通じた導電性要素を通るために、少なくとも局部的に配置されたフィードスルー（ａ  ｌｏｃａｌｌｙ  ａｒｒａｎｇｅｄ  ｆｅｅｄ  ｔｈｒｏｕｇｈ）を特徴付けることができる。カプセル化手段の側部の基板電極への電気的相互接続及び対電極のカプセル化手段の頂部への追加的な電気的接触の場合、カプセル化手段は、カプセル化手段の頂部とカプセル化手段の側部との間での絶縁手段を含んでも良い。
【００３３】
一実施様態において、カプセル化手段の側部は、結合手段により基板電極上に配置され、前記結合手段は導電性接着剤を含む。したがって、カプセル化手段の側部は、高導電性の導電性材料を含んでも良く、基板電極は、結合手段により形成される基盤電極の接触領域に沿って均一な電圧を有する。
【００３４】
基板電極の表面の上にカプセル化手段を配置することにより、シャント手段の別の接触可能性が与えられる。単なる例として、シャント手段は、エレクトロルミネセント素子の発光領域内の電気的接続手段と、カプセル化手段を基板電極へと結合する、結合手段との間に配置することができる。この場合、結合手段は、エレクトロルミネセント素子の境界領域内の電気的接続手段の機能を果たす。
【００３５】
さらに別の実施様態によると、少なくとも１つの電気的シャント手段は、電気的接続手段とカプセル化手段との間に配置され、カプセル化手段の内表面を介して基板電極に電気的に接触するために、カプセル化手段の少なくとも一部の導電性内表面に伸びており、好ましくは、シャント手段はスパイク形状（ｓｐｉｋｅ  ｆｏｒｍ）であり、より好ましくは、シャント手段はカプセル化手段に取り付けられる。このシャント手段は、スパイク形状又は針形状を特徴付けても良く、好ましくは、基板電極に電気的に接触するために、電気的接続手段に向かうカプセル化手段の頂部の内表面に対して、実質的に直角に伸びる。シャント手段がスパイク形状又は針形状を有するとき、前記シャント手段は、導電性接着剤から成り得る、電気的接続手段に入り込むことができる。この配置で、基板電極の表面上の導電性接着剤の液滴形状の、１つ又は好ましくは複数の接続手段の容易な接触方法が、実現され得る。シャント手段がカプセル化手段内に配置されるとき、複数のシャント手段の、打ち込まれた複数の滴の導電性接着剤への入り込みは、打ち込まれた柱（ｄｅｄｉｃａｔｅｄ  ｐｏｓｔｓ）で実行され得る。カプセル化手段がエレクトロルミネセント素子の背面部（ｂａｃｋｓｉｄｅ）で適用されるときに。
【００３６】
カプセル化手段の頂部、以後、蓋と呼ぶ、が、導電性である又は内表面で導電性を特徴付ける（例えば内表面、例えばアルミニウム配線、内の適用された導電手段により、）とき、電気的シャントは、蓋全体に亘って又は好ましくは、対電極に接触するために通るフィードスルーを除く、少なくとも蓋の主要部分に亘って実行され得る。蓋は、基板電極の外周で、例えば、その外周に適用された導電性接着剤により、基板電極に電気的に接続することができる。導電手段は、別々の滴で基板電極に接続することができる。例えば、導電手段と基板電極との間に配置される、導電性接着剤の滴により。接着剤の滴は、その後、後続層の堆積のオープンエリアに配置することができる。
【００３７】
本発明に関わる保護の範囲内で、シャント手段は、カプセル化手段により形成された、カプセル化キャビティ内に配置することができ、カプセル化手段及びエレクトロルミネセント素子の層システムの内側の領域により、特徴付けられる。そのことは、シャント手段の他に接続手段もまた、カプセル化手段により形成されるキャビティ内に完全に配置される、ということを意味する。具体的には、シャント手段の他に接続手段もまた、シャント手段と後続層の堆積との間に配置される。対電極とカプセル化手段の頂部との間の空間は、ある程度必要な大きさにされなければならず、ワイヤ、金属箔、金属ストライプ又は堆積された導電性材料又はプリント基板の形式の電気的シャント手段は、前述の間隙内に配置することができる。
【００３８】
有意には、導電性手段及び／又は前記保護手段を形成する導電性接着剤は、有機エレクトロルミネセント層により発生した光を少なくとも散乱させるための、少なくとも１つの散乱手段を含む。保護手段に関して使用される材料に依存して、結果は、保護手段が適用される領域は、対電極及び基板電極からの直接的な電流注入が遮られるので、エレクトロルミネセント素子の通常の作動において、暗く見えるかもしれないということを示している。したがって、他の好ましい実施様態は、保護手段が有機エレクトッルミネセント層により発生する光を散乱するための、少なくとも１つの散乱手段を含み、好ましくは、散乱手段が保護手段内に組み込まれるということを特徴付ける。この散乱手段は、基板により導かれた人工光の一部を散乱又は反射する。これにより、他の非放射領域が明るくされる。基板はしばしば、一種の導光として機能するので、保護手段の散乱手段により、この光は、エレクトロルミネセント素子から外に散乱及び反射することができる。散乱手段は、保護手段内に組み込まれた複数の色素剤（ｐｉｇｍｅｎｔｓ）及び／又はフレークにより形成しても良い。この色素剤及び／又はフレークは、例えば、アルミニウム、マイカエフェクト顔料、二酸化チタン粒子、又は有機エレクトロルミネセント素子の人工光を散乱及び／又は反射するものとして当業者に知られる他のフレーク又は粒子：を含んでも良い。
【００３９】
他の好ましい実施様態において、保護手段は染められる。これは、保護手段自身を着色する又は保護手段に着色顔料を適用することにより、為され得る。
【００４０】
本発明はまた、基板の上の基板電極と、対電極と少なくとも１つの有機エレクトロルミネセント層とを有するエレクトロルミネセント積層を含む後続層の少なくとも１つの堆積と、を有する層システムを含むエレクトロルミネセント素子であって、前記エレクトロルミネセント積層は、前記基板電極と前記対電極との間に配置される、エレクトロルミネセント素子の基板電極を電気的にシャントするための方法に関する。方法は少なくとも、基板電極の上に後続層の堆積を堆積する工程、少なくとも１つの電気的シャント手段を、前記後続層の堆積の外側の少なくとも１つの接続手段を介して基板電極に適用する工程、前記後続層の堆積の外側に前記シャント手段を配置する工程及び前記電気的接続手段を前記基板電極に適用された非導電性保護手段に組み込む工程であって、前記非導電性保護手段は、前記有機エレクトロルミネセント層により発生した光を少なくとも散乱するための少なくとも1つの散乱手段を含む、工程を含む。一実施様態において、方法は、導電性接着剤を特徴付ける、少なくとも１つの更なる電気的接続手段を基板電極へと適用する工程及び続いて、少なくとも２つの前記電気的接続手段の間に前記シャント手段を配置する工程をさらに含む。方法の利点は、基板電極上に配置された、（複数の）層の改良された適用に及ぶ。層の堆積は、基板電極上に直接配置され、起伏を有する地形につながるであろう、シャント手段により妨害されない。したがって、シャント手段の他に電気的接続手段も、層が適用される表面内でのエッジ効果及び陰影効果につながらない。シャントが実行される前に、エレクトロルミネセント素子の製造に関する層形成を終えることができる。シャント手段を後続層の堆積の外側に適用することは、シャント手段が、後続層の堆積を基板に関して後方に配置されるといことを意味する。
【００４１】
エレクトロルミネセント素子に関して述べられた特徴及び詳細はまた、方法に適用し、その逆もしかりである。前述されたエレクトロルミネセント素子及び／又は方法の他に、特許請求の範囲の構成要素、述べられた実施様態における発明に関して使用される構成要素は、サイズ、形状又は材料選択に関して如何なる特別な例外なく対象となる。選択基準は関連分野で知られるといったような、技術概念は、制限無く適用することができる。本発明の目的についての追加的な詳細、特徴及び利点は、従属項及び各図面の下記の説明で開示されるが、これらは本発明に係るエレクトロルミネセント素子の複数の好ましい実施様態を示す、単に例示的な型である。
【００４２】
本発明の更なる実施様態は、下記の図面に関して述べられるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】２つの電気的接続手段の間の示されたシャント手段を有する、本発明に係るエレクトロルミネセント素子の実施様態である。
【図２】２つのシャント手段を含む、エレクトロルミネセント素子である。
【図３ａ】カプセル化手段とカプセル化手段の頂部に電気的に接触された接触手段とを含む、エレクトロルミネセント素子である。
【図３ｂ】接触手段が、カプセル化手段の頂部に対して区分けされた、気密性フィードスルーに適用される、エレクトロルミネセント素子である。
【図４】異なる接着剤適用（ｇｌｕｅ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ）され、接着剤適用は散乱手段を含む、エレクトロルミネセント素子である。
【図５ａ】スパイク形状のシャント手段で実行された、シャント手段を有するエレクトロルミネセント素子である。
【図５ｂ】カプセル化手段の内表面に適用された、シャント手段を有するエレクトロルミネセント素子である。
【図６】カプセル化手段及び基板電極を用いて接触した状態のエレクトロルミネセント素子である。
【図７】いくつかの保護手段を含む、エレクトロルミネセント素子である。
【図８】発光領域内の電気的接続手段と素子の境界領域との間にシャント手段を含む、エレクトロルミネセント素子の平面図である。
【図９】発光領域内にいくつかの電気的接続手段を有するエレクトロルミネセント素子の平面図である。
【図１０】いくつかの対電極断片を含む、エレクトロルミネセント素子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
図１において、本発明の実施形態に関するエレクトロルミネセント素子１０が示される。エレクトロルミネセント素子１０は、基板電極２０、対電極３０及び、この例と以下の例でエレクトロルミネセント積層と示している有機エレクトロルミネセント層５０を含む。有機エレクトロルミネセント層５０は、基板電極２０と対電極との間に配置され、積層を形成する。この積層は、基板４０の上に配置され、エレクトロルミネセント素子１０のキャリア材料を形成する。示された実施形態において、基板電極２０は、透明かつ導電性材料である、おおよそ１００ｎｍの層厚のＩＴＯにより形成される。この基板電極２０の上に、有機エレクトロルミネセント層５０が堆積される。もし基板電極２０と対電極３０との間に電圧が印加されるなら、有機エレクトロルミネセント層５０内の有機分子のいくらかは、励起され、エレクトロルミネセント層５０により放出される人工光の放出をもたらす。対電極３０はアルミニウムの層により形成され、鏡として機能し、基板電極２０及び基板４０を通る人工光を反射する。周囲に光を放出するために、この実施形態での基板４０はガラスでできている。したがって、エレクトロルミネセント素子１０はボトムエミッション型ＯＬＥＤである。以下の図で示されるエレクトロルミネセント素子１０の他に、その構成要素と、本発明に関して使用される構成要素は、そのスケールについて正確に示されていない。特に、電極２０及び３０、有機エレクトロルミネセント層５０並びに基板４０の厚さは、スケールについて正確でない。全ての図はただ、本発明を明確にするために役に立つ。
【００４５】
図１に示されるように、接続手段９３と９３’との間に電圧を印加することにより、エレクトロルミネセント素子１０に電力を供給するため、対電極３０は接続手段９３により接触され、基板電極２０は接続手段９３’により接触される。エレクトロルミネセント素子１０の全体の発光領域に亘る電圧を均一にするために、電気的シャント手段１２２が基板電極２０の上に配置される。電気的シャント手段１２２は、少なくとも電気的接続手段１２０の間に配置される。電気的接続手段１２０の少なくとも１つは、基板電極２０の境界領域に配置され、少なくとも隣の電気的接続手段１２０は、エレクトロルミネセント素子１０の放射領域内、例えば、エレクトロルミネセント素子の中央、に配置される。基板電極２０のこのシャントは、たとえ基板電極２０が高い固有抵抗を有するとしても、基板電極２０に亘る電圧の均一化につながる。
【００４６】
少なくとも１つの電気的接続手段１２０を基板電極２０に配置するために、少なくとも有機エレクトロルミネセント層５０及び対電極を少なくとも有する層システムは、オープンエリア１４０を特徴付ける。このオープンエリア１４０により、電気的シャント手段１２２は、後続層の堆積としてここで示されてもいる有機エレクトロルミネセント層５０及び対電極３０を迂回（ｂｙｐａｓｓ）できる。さらに、電気的接続手段１２０は、ショートの発生を防ぐために、対電極に対して横方向に間隔が空けられている。基本的には、電気的接続手段１２０は、導電性接着剤を特徴付けても良く、接着剤は、例えば接着剤の液滴の形状で基板電極２０上に適用される。有機エレクトロルミネセント層５０及び対電極３０内のオープンエリア１４０が実行されるとき、接着剤の液滴は、電気的シャント手段１２２と電気的に接触するために、前記オープンエリア１４０内にだけ配置されなければならない。
【００４７】
図２は、２つの電気的シャント手段１２２を含むエレクトロルミネセント素子１０の他の実施形態を示す。両方のシャント手段１２２は、エレクトロルミネセント素子１０の境界領域から伸び、エレクトロルミネセント素子１０の内側の領域に対して、放射領域の外側の領域又は少なくとも放射領域の傍らの領域を形成する。境界領域内の他にも基板電極２０内の発光領域の内側の領域内の各々の電気的接触は、電気的接続手段１２０を含む。エレクトロルミネセント素子１０の発光領域内の各々の電気的接続手段１２０は、専用のオープンエリア１４０内に配置される。図のように、電気的シャント手段１２２は、対電極３０及び有機エレクトロルミネセント層５０を少なくとも含む、後続層の堆積の外側に導かれる。したがって、電気的シャント手段１２２は、一種の電気的ジャンパー（ｊｕｍｐｅｒ）として実行される、単一の導電性要素を含み、基板電極２０の上の少なくとも２つの電気的ポストを接続する。
【００４８】
電気的シャント手段１２２を配置に関して、前記オープンエリア１４０を含む層システムは、基板４０の上で仕上げることができる。基板電極２０を電気的にシャントするための方法の次の工程において、電気的シャント手段１２２は、導電性接着剤を含む接着剤液滴により形成することができる、接続手段１２０を介して基板電極２０に適用される。その結果において、電気的シャント手段１２２は、少なくとも有機エレクトロルミネセント層５０の層システム及び層形成の外側の、シンプルな（ｓｉｍｐｌｅ）導電性要素として実行することができ、対電極３０は、先行技術によれば基板電極２０の表面に直接適用される、電気的シャント手段１２２により阻害されない。
【００４９】
図３ａに示されるように、有機エレクトロルミネセント層５０及び対電極３０は、カプセル化手段９０によりカプセル化される。カプセル化手段９０は、層システムの背面部を覆う蓋状形状を含む。カプセル化手段９０は、周囲雰囲気が、カプセル化手段９０内にカプセル化された有機エレクトロルミネセント層又は２つの電極２０と３０のいずれかにダメージを与えることから防ぐために、気密性でなければならない。示されたエレクトロルミネセント素子１０はさらに、カプセル化手段９０内に配置されたゲッター１７０（ｇｅｔｔｅｒ）を含んでも良い。このゲッター１７０は、カプセル化手段９０内、即ちカプセル化キャビティ９９内、の保護領域に拡散する傾向にある、湿度又は他の有害ガスを吸収するために使用される。したがって、シャント手段１２２の他に接続手段１２０は、伽美ディ９９内に完全に配置される。ゲッター１７０は、ＣａＯ又はゼオライトを含んでも良い。ゲッター１７０を形成するための他の材料は、当業者に知られている。
【００５０】
基板電極２０の上に示されるように、高い導電性材料を特徴付ける、接触領域２１が適用される。この追加的に適用された導電性材料２２により、エレクトロルミネセント素子１０の発光領域を取り囲む、導電性フレーム（ｆｒａｍｅ）となる。したがって、接触領域２１により、エレクトロルミネセント素子１０の境界縁に亘って、均一化された電圧となる。図のように、外側の電気的接続手段１２０は、カプセル化キャビティ９９内の接触領域２１の上に配置される。電気的シャント手段１２２は、エレクトロルミネセント素子１０の発光領域の中央の電気的接続手段１２０と接触領域２１の上の前述の電気的接続手段１２０との間に配置される。結果として、電気的接続手段１２０は、エレクトロルミネセント素子１０の境界縁内の接触領域２１の電位（ｖｏｌｔａｇｅ）と比して、エレクトロルミネセント素子の中央に、同じ電位を誘導する。さらに、接触領域２１は、前述の電気的接続手段１２０により電気的シャント手段１２２を接触させることに関して、カプセル化手段９０の外側からカプセル化キャビティ９９への改善された電流路を形成するよう適合される。
【００５１】
さらに、接触手段６０は、対電極３０を電力源へと電気的に接触させるために配置される。接触手段６０はそれゆえ、対電極３０から電源への続く電流路の一部である。知られる従来技術において、接触ポストは、対電極３０に適用される接触手段６０として使用される。そのような接触ポストは、しばしば、対電極３０と基板電極２０との間のショートにつながるという課題を有している。この課題を克服するために、接触手段６０は、対電極３０に適用される、導電性接着剤を含む。導電性接着剤は、優しく（ｉｎ  ａ  ｇｅｎｔｌｅ  ｍａｎｎｅｒ）対電極３０に適用することができ、電極２０及び３０で言及される２つの間のショートに通常つながる、対電極３０及び有機エレクトロルミネセント層５０及び／又はエレクトロルミネセント積層へのダメージがない。
【００５２】
接触手段６０は、対電極３０及びカプセル化手段９０の内表面の内側に、直接接触して配置される導電性接着剤として実行することができる。それゆえ、前記カプセル化手段９０を介して対電極３０を電力源に電気的に接続することは容易である。使用者は、接続手段９３として示されるように、導電性手段をカプセル化手段９０に適用するだけで良い。カプセル化手段９０と対電極３０との間の導電性接着剤はその後、対電極３０に電流を伝える。示される実施形態において、カプセル化手段９０は、基板電極２０に電源供給するために配置される、追加的に適用される導電性材料２２の上に配置される。したがって、絶縁性縁９１は、カプセル化手段を、前記追加的に適用される導電性材料２２の上に電気的切り離して配置するために、使用される。
【００５３】
導電性接着剤が、対電極３０と電気的に接触するための電気的接触手段６０を形成するために使用されるとき、開示されるエレクトロルミネセント素子１０の好ましい実施形態は、非導電性保護手段７０を含む。非導電性保護手段７０は、接触手段６０の下の領域を少なくとも完全に覆って配置される。保護手段７０は基板電極２０上に配置され、接触手段６０より下の領域を保護することができる。描かれたエレクトロルミネセント素子１０において、３つの異なる種類の接着剤が適用される。電気的接続手段１２０は導電性接着剤を含み、前記保護手段７０は、導電性接着剤の第三の適用を形成する、接触手段６０より下の領域を区分けするために、非導電性接着剤から成る。電気的シャント手段１２２による基板電極２０のシャントと接触手段６０の両方は、カプセル化手段９０により形成される、カプセル化キャビティ９９内に適用される。
【００５４】
図３ｂは、対電極３０を電力源に接触させる他の実施形態を示す。この実施形態において、カプセル化手段は、導電性気密性フィードスルー９２を含む。このフィードスルー９２は、接触手段６０に接続される。これは、「図のように」、一方はフィードスルー９２と、他方は接触手段６０と接続する、接続手段９３によりなすことができる。接続手段９３は、ワイヤ、箔、又は当業者に知られる他の導電性要素であっても良い。ま、フィードスルー９２は、接触手段６０と直接接触する、ということであっても良い。そのため、積層上へのカプセル化手段９０の据え付けの間、気密性フィードスリー９２は、接触手段６０の乾燥していない導電性接着剤に、圧入されても良い。硬化後、気密性フィードスルー９２と接触手段６０との間に、電気的接触がある。カプセル化手段９０の外側で、気密性フィードスルー９２は、電源に接触することができる。示される実施形態において、全体としてカプセル化手段９０は導電性であるということが仮定される。したがって、気密性フィードスルー９２は絶縁手段９７を含むということが適切である。この絶縁手段９７は、「対電極３０に接続される」フィードスルー９２と、「基板電極２０に接続される」カプセル化手段９０との間の如何なるショートを防ぐ。この絶縁手段９７は、セラミック、ガラスで形成することができ、又は再溶解したガラス原料で作ることができる。もし、気密性フィードスルー９２のための絶縁手段９７がないなら、カプセル化手段９０の頂部９５が絶縁であっても良い。したがって、２つの電極２０、３０の間のショートもまた防がれる。
【００５５】
図４は、本発明に係るエレクトロルミネセント素子１０のさらに他の実施形態を示す。オープンエリア１４０内に保護手段７１が適用され、電気的接続手段１２０が、非導電性接着剤を含む、保護手段７１内に組み込まれる。したがって、接着剤イン接着剤（ｇｌｕｅ−ｉｎ  ｇｌｕｅ）配置が供され、電気的シャント手段１２２は保護手段７１に入れられる。
【００５６】
示される実施形態によると、接触手段６０より下の保護手段７０とオープンエリア１４０内の保護手段７１は、有機エレクトロルミネセント層５０により発生する散乱光のための少なくとも１つの散乱手段１８０を特徴付け、好ましくは、散乱手段１８０は、保護手段７０及び７１の各々の中に組み込まれる。散乱手段１８０は、基板４０により導かれる人工光の一部を散乱及び／又は反射する。これにより、保護手段７０、７１により形成される、他の非放射領域が明るくなる。基板４０は、しばしば、一種の導光（ｌｉｇｈｔ  ｇｕｉｄｅ）として機能するので、保護手段７０及び７１の散乱手段１８０により、この光は、エレクトロルミネセント素子１０から外に散乱及び反射することができる。散乱手段１８０は、保護手段７０及び７１内に組み込まれる、複数の顔料及び／又はフレークにより形成することができる。この顔料及び／又はフレークは、例えば：アルミニウム、マイカエフェクト顔料、二酸化チタン粒子、有機エレクトロルミネセント素子１０の人工光を散乱及び／又は反射するものとして当業者に知られる、他のフレーク及び粒子：を含んでも良い。結果として、エレクトロルミネセント素子１０の全ての発光領域に亘って放射する光は均一化され、オープンエリア１４０（自己放射しない）は不可視になる。保護手段７０及び７１各々を形成する非導電性接着剤と、電気的接続手段１２０を形成する導電性接着剤との両方は、前記散乱手段１８０を含んでも良い。
【００５７】
図５は、エレクトロルミネセント素子１０のさらに他の実施形態を示す。示されるように、シャント手段１２２’は、オープンエリア１４０内で、基板電極２０の周囲の、基板電極２０の上の接着剤の液滴により形成することができる、電気的接続手段１２０により基板電極２０に適用される。シャント手段１２２’は、電気的接続手段１２０と、カプセル化手段９０の内表面に適用される、少なくとも１つのシャント手段１２２”との間に配置される。これらのシャント手段１２２”は、カプセル化手段９０の内表面内に導電性ストライプとして実行することができる。シャント手段１２２’は、電気的接続手段１２０に向かってカプセル化手段９０の内表面に好ましくは直角に伸びる、スパイク形状を特徴付けても良く、シャント手段１２２’はシャント手段１２２”に電気的に接続される。カプセル化手段９０がエレクトロルミネセント素子１０に適用されるとき、スパイク形状の電気的シャント手段１２２’は、弾性導電性接着剤の液滴を特徴付ける、電気的接続手段１２０に貫通し、シャントが完成する。
【００５８】
具体的には、カプセル化手段９０の内表面のシャント手段１２２”は、スパイク形状又は針形状で示されるシャント手段１２２’により基板電極２０にシャントされる、プリント基板を形成しても良い。
【００５９】
図５ｂにおいて、シャント手段１２２”の適用は、カプセル化手段９０の内表面での少なくとも１つのシャント手段１２２”に制限される。この実施形態において、電気的接続手段１２０’は、導電性接着剤、好ましくは接着剤の液滴で、作られる。接着剤の液滴は、基板電極２０と、シャント手段１２２”が示される、カプセル化手段９０の内側との間で伸びる。少なくとも１つの電気的接続手段１２０’が、エレクトロルミネセント素子１０の放射領域内に適用され、少なくとも他の電気的接続手段１２０が基板電極２０の外周（ｃｉｒｃｕｍｆｅｒｅｎｃｅ）に適用される場合、各々の電気的接続手段１２０’が、カプセル化手段９０の内表面内のシャント手段１２２”に電気的に接触されるとき、シャントは確実に実行される。
【００６０】
具体的に、この実施形態においても、カプセル化手段９０の内表面内のシャント手段１２２”は、示される電気的接続手段１２０’により基板電極２０に電気的に接続される、プリント基板を形成しても良い。
【００６１】
図６で示されるエレクトロルミネセント素子１０の実施形態によると、電気的シャント手段１２２は、基板電極２０の中心から遠くにある領域（ｏｕｔｅｒ  ａｒｅａ）に代替的方法で接触される。カプセル化手段９０は、エレクトロルミネセント素子１０の上面の蓋を形成するカプセル化手段の頂部９５と、カプセル化手段の側部９６とを含む。カプセル化手段の頂部９５とカプセル化手段の側部９６との間の電気的遮断を形成するために、頂部９５及び側部９６は、絶縁手段９８を包囲する。したがって、エレクトロルミネセント素子１０を操作するための電流は、示される接続手段９３及び９３’により、カプセル化手段９０の頂部９５及び側部９６に適用することができる。その結果として、接続手段９３’は、例えば導電性接着剤で作られる、導電性媒介を含む示される接合手段９４により、基板電極２０に電気的に接続される。カプセル化手段の頂部９５は、示される接触手段６０により対電極３０に電気的に接続される。基板電極２０をシャントするために、シャント手段１２２は、エレクトロルミネセント素子１０の放射領域の中央にある電気的接続手段１２０と接合手段９４との間に配置される。電気的シャント手段１２２は、接合手段９４の内側で終わり、電気的シャント手段１２２の端部は、接着手段９４内に接着することができる。このようにして、エレクトロルミネセント素子１０の中心から遠くにある領域内のシャント手段１２２の簡単な電気的接続が達成される。
【００６２】
図７は、対電極の端に好ましく配置された、複数の保護手段７０を有するエレクトロルミネセント素子１０を示す。これらの保護手段７０は、対電極３０と基板電極２０との間のショートを防ぐ、非導電性接着剤を含んでも良い。具体的には、オープンエリア１４０の境界線は、保護手段７０で保護することができ、追加的な保護手段７１は、電気的接続手段１２０をオープンエリア１４０内に組み込んで適用することができる。
【００６３】
図８は、エレクトロルミネセント素子１０の背面図を示す。基板電極２０のシャントは、エレクトロルミネセント素子１０の発光領域の中央にある、第１の電気的接続手段１２０を含む。伝記的接続手段１２０は、エレクトロルミネセント素子１０の端にある４つの異なる電気的接続手段１２０に接続される。したがって、４つの異なる電気的シャント手段１２２は、外側の電気的接続手段１２０と、エレクトロルミネセント素子１０の中央にある、具体的にはオープンエリア１４０内にある、電気的接続手段１２０との間に配置される。
【００６４】
図９は、基板電極２０の発光領域内に４つの電気的接続手段１２０を含む、エレクトロルミネセント素子１０の他の実施形態を示す。基板電極２０の発光領域内の電気的接続手段１２０の各々は、電気的接続手段１２０を、エレクトロルミネセント素子１０の中心から遠くにある領域にある電気的接続手段１２０に接続するための、電気的シャント手段１２２を含む。
【００６５】
図１０は、４つの異なる対電極断片３１を有する対電極を含む、エレクトロルミネセント素子１０の実施形態を示す。対電極断片３１は、四角の配置（ｓｑｕａｒｅ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）で示され、有機エレクトロルミネセント層５０は、エレクトロルミネセント素子１０の全体に亘っては、対電極断片３１により覆われない。エレクトロルミネセント素子１０の中央において、対電極断片３１は、対電極断片３１を覆わない有機エレクトロルミネセント層５０の領域を形成する。有機エレクトロルミネセント層５０のこの領域内において、オープンエリア１４０は配置され、オープンエリア１４０内において、電気的接続手段１２０が堆積される。この電気的接続手段１２０は、エレクトロルミネセント素子１０の外側にある電気的接続手段１２０に接触され、電気的シャント手段１２２により内側の電気的接続手段１２０に接続される。対電極断片３１は、各々の対電極断片３１に適用される接触手段６０により電源に個別に接続されても良い。
【００６６】
述べられた実施形態は、一例として、積層内の有機エレクトロルミネセント層５０を含む。本発明の目的の範囲内の別の実施形態において、エレクトロルミネセント積層は、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子ブロッキング層、電荷注入層、更なる導電層等のような、有機エレクトロルミネセント層５０への追加的な層を含んでも良い。
【符号の説明】
【００６７】
１０          エレクトロルミネセント素子
２０          基板電極
２１          接触領域
２２          追加適用された導電体
３０          対電極
３１          対電極断片
４０          基板
５０          有機エレクトロルミネセント層
６０          接触手段
７０          保護手段
７１          保護手段
７２          接触ギャップ
９０          カプセル化手段
９１          絶縁性縁
９２          気密性フィードスルー
９３、９３’  接続手段
９４          接合手段
９５          カプセル化手段の頂部
９６          カプセル化手段の側部
９７          絶縁手段
９８          絶縁手段
９９          カプセル化キャビティ
１２０        接続手段
１２０’      接続手段
１２２        シャント手段
１２２’      シャント手段
１２２’’      シャント手段
１４０        オープンエリア
１７０        ゲッター
１８０        散乱手段
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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