(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．少なくとも１つの電子装置、および
Ｂ．前記電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料であって、
（１）エチレンマルチブロックコポリマーであって、（ａ）１．３よりも大きい分子量分布、（ｂ）０．９０ｇ／ｃｃよりも小さい密度、（ｃ）ＡＳＴＭ Ｄ−８８２−０２により測定して１５０ＭＰａよりも小さい２％割線係数、（ｄ）１２５℃未満の融点、（ｅ）前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも１０重量％であり８０重量％未満のα−オレフィン含量、および（ｆ）−３５℃未満のガラス転移点Ｔｇで特徴づけられるエチレンマルチブロックコポリマーと、
（２）前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．１重量％の量のビニルシランと、
（３）前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤
との反応生成物を含むポリマー材料
を含む、電子装置モジュール。
【請求項２】
前記ポリマー材料が、少なくとも１つのエチレン不飽和と少なくとも１つのカルボニル基を含む不飽和有機化合物でグラフトされたポリオレフィンポリマーをさらに含む、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記電子装置がソーラーセルである、請求項１または２のいずれか１項に記載のモジュール。
【請求項４】
前記ポリマー材料が、前記（１）〜（３）の各成分と、
（４）前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも０．０５重量％かつ３重量％未満の量で存在する架橋助剤
との反応生成物を含む、請求項１に記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置モジュールに関する。一態様では、本発明は電子装置、例えばソーラーセルあるいは光起電力（ＰＶ）セル、および保護ポリマー材料を含む電子装置モジュールに関し、一方、別の態様では、本発明は、前記保護ポリマー材料がエチレンマルチブロックコポリマーである電子装置モジュールに関する。さらに別の態様では、本発明は電子装置モジュールを作製する方法に関する。
【０００２】
関連出願の相互参照
本願は、２００６年９月２０日に出願された米国仮特許出願第６０／８２６，３１９号および２００６年１１月１５日に出願された米国仮特許出願第６０／８６５，９５３号の利益を主張する。
【背景技術】
【０００３】
ポリマー材料は、一般に、限定されるものではないが、ソーラーセル（光起電力セルとしても知られている）、液晶パネル、電子発光装置、ならびにプラズマディスプレイユニットを含む１又はそれ以上の電子装置を含むモジュールの製造に用いられる。モジュールは、電子装置を１又はそれ以上の基板、例えば１又はそれ以上のガラスカバーシートと一緒に含む場合が多く、基板の一方または両方がガラス、金属、プラスチック、ゴム、または別の材料を含む２枚の基板の間に位置することが多い。ポリマー材料は、典型的に、モジュール用の封入剤またはシーラントとして、あるいは、モジュールのデザインによっては、モジュールのスキン層構成材料、例えばソーラーセルモジュール中のバックスキンとして用いられる。これらの目的のための典型的なポリマー材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、酢酸セルロース、エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、およびアイオノマーが挙げられる。
【０００４】
米国特許出願公開第２００１／００４５２２９Ａ１号では、電子装置モジュールの構成に用いられる任意のポリマー材料における多くの望ましい特性が確認されている。これらの特性には、（ｉ）特に長時間にわたる、外部環境、例えば湿度と外気への暴露から装置を保護すること、（ｉｉ）機械的衝撃から保護すること、（ｉｉｉ）電子装置および基板への強力な接着性、（ｉｖ）封止を含む易加工性、（ｖ）特に光あるいは他の電磁放射線が重要な用途、例えばソーラーセルモジュールにおける優れた透明性、（ｖｉ）硬化の間のポリマーの収縮に起因する機械的応力から電子装置を保護する短い硬化時間、（ｖｉｉ）あるとしてもごくわずかな電気伝導度しかない高い電気抵抗、ならびに、（ｖｉｉｉ）低コスト、が含まれる。いかなるポリマー材料も、任意の特定の用途において、これらの特性すべてに最大の性能をもたらすとは限らず、通常、特定の用途に対して最も重要な特性（例えば、透明度および環境からの保護）のパフォーマンスを最大限にするために、その用途に対して２番目に重要な特性（例えば、硬化時間およびコスト）を犠牲にしてトレードオフがなされている。ポリマー材料の組み合わせは、ブレンドとして、またはモジュールの別個の構成材料としてのいずれかでも用いられる。
【０００５】
高含量（２８から３５重量％）の酢酸ビニルモノマー由来のユニットを含むＥＶＡコポリマーは、一般に、光起電力（ＰＶ）モジュールに用いるための封入膜を作製するために用いられる。例えば、国際公開公報第９５／２２８４４号、同第９９／０４９７１号、同第９９／０５２０６号および同第２００４／０５５９０８号を参照。ＥＶＡ樹脂は、典型的に紫外（ＵＶ）線添加物により安定し、それらは過酸化物を用いるソーラーセルの積層加工の間に典型的に架橋されて、耐熱性および約８０から９０℃の間の温度に対する耐クリープ性を改善する。しかし、ＥＶＡ樹脂は、いくつかの理由から、決して膜材料を封入する理想的なＰＶセルではない。例えば、ＥＶＡ膜は、ＵＶ光の影響下で化学分解するＥＶＡ樹脂に起因して、強烈な日光の下で次第に黒くなる。この変色は、環境への暴露後わずか４年程度で、３０％を上回るソーラーセルモジュールの出力の損失をもたらし得る。ＥＶＡ樹脂はまた、湿度を吸収し、分解を起こしやすい。
【０００６】
さらに、また上記のとおり、ＥＶＡ樹脂は典型的にＵＶ添加剤により安定し、ソーラーセルの積層加工および／または封入加工の間に過酸化物を用いて架橋され、耐熱性および高温、例えば、８０から９０℃での耐クリープ性を改善する。しかし、ＵＶ放射線を吸収するＥＶＡ分子構造中にＣ＝Ｏ結合があり、かつ硬化後にその系の中に残りの過酸化物架橋剤が存在するため、添加剤パッケージを用いてＵＶに誘導される分解に対してＥＶＡを安定させる。残りの過酸化物は、発色団の生成に関与する主要な酸化剤であると見られている（例えば、米国特許第６，０９３，７５７号）。添加剤、例えば、抗酸化剤、ＵＶ安定剤、ＵＶ吸収剤、およびその他などは、ＥＶＡを安定させることができるが、同時に添加剤パッケージは、３６０ナノメートル（ｎｍ）以下のＵＶ波長も阻止し得る。
【０００７】
光起電力モジュールの効率は、光起電力セルの効率および封入剤を通過する日光の波長に依存する。ソーラーセルの効率への最も基本的な制限の一つは、その半導体材料のバンドギャップ、すなわち、束縛された価電子帯(bound valence band)から可動性の伝導帯へ電子を押し上げるために必要なエネルギーである。バンドギャップよりもエネルギーの少ない光子は、吸収されることなくモジュールを通過する。バンドギャップよりもエネルギーの多い光子は吸収されるが、その過剰なエネルギーは消費される（熱として消散する）。光起電力セル効率を増大させるためには、「タンデム」セル、すなわち多接合セルを用いてエネルギー変換のための波長帯を広げる。その上、薄膜技術、例えばアモルファスシリコン、テルル化カドミウム、またはセレン化銅インジウムガリウムなどの多くにおいて、半導体材料のバンドギャップは、単結晶シリコンのバンドキャップとは異なる。これらの光起電力セルは、３６０ｎｍ以下の波長の光を電気に変換する。これらの光起電力セルにとって、３６０ｎｍ以下の波長を吸収することのできる封入剤は、ＰＶモジュール効率を維持するために必要である。
【０００８】
米国特許第６，３２０，１１６号および同第６，５８６，２７１号は、こうしたポリマー材料、特にソーラーセルモジュールの構成に用いられる材料のもう１つの重要な特性を教示する。この特性は、耐熱クリープ性、すなわち、温度に起因するある期間にわたるポリマーの恒久的な変形に対する耐性である。通常、耐熱クリープ性は、ポリマーの溶融温度に正比例する。建築用途における使用のために設計されたソーラーセルモジュールは、９０℃又はそれ以上の温度にて熱クリープに対する優れた耐性を示す必要のある場合が多い。溶融温度の低い材料、例えばＥＶＡに関して、ポリマー材料を架橋することは、より大きい耐熱クリープ性をそれに与えるために必要である場合が多い。
【０００９】
架橋、特に化学架橋は、一つの問題、例えば熱クリープに取り組んでいる間に、他の問題をもたらし得る。例えば、ＥＶＡは、ソーラーセルモジュールの構成に用いられる一般的なポリマー材料であり、幾分低い融点を有するが、有機過酸化物開始剤を用いて架橋される場合が多い。これが熱クリープ問題に取り組む一方で、腐食問題がもたらされる。すなわち、全体的な架橋が達成されることはめったになく、達成されたとしてもこれによりＥＶＡ中に残余過酸化物が残される。この残った過酸化物は、例えば、電子装置モジュールの寿命の間酢酸の解放によって、ＥＶＡポリマーおよび／または電子装置の酸化と分解を促進することができる。さらに、有機過酸化物をＥＶＡへ添加することは、早期の架橋を避けるために注意深い温度管理を必要とする。
【００１０】
過酸化物により開始される架橋に関するもう一つの起こり得る問題は、加工機器の金属表面上に架橋された材料が蓄積することである。押出稼働中、全ての金属の流れの表面において、長い滞留時間を経験する。より長い押出時間にわたり、架橋された材料は、金属の表面で形成され、機器の洗浄を必要とし得る。ゲル形成を最小化するための現在の習慣、すなわち、加工機器の金属表面でこのポリマーを架橋することは、低い加工温度を用いることであり、これは順に、押出された製品の生産速度を低下させることである。
【００１１】
電子装置モジュールの製造に用いるポリマー材料の選択において重要であり得る他の一つの特性は、熱可塑性、すなわち、軟化、成形、および形成される能力である。例えば、ポリマー材料が、フレームなしのモジュール中でバックスキン層として使用される場合、米国特許第５，７４１，３７０号に記載されるように、その材料は積層の間に熱可塑性を示すべきである。しかし、この熱可塑性は、効率的な熱耐クリープ性を犠牲にして得られるものであってはならない。
【発明の概要】
【００１２】
一実施形態では、本発明は、
Ａ．少なくとも１つの電子装置、および、
Ｂ．前記電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料であって、（ｉ）エチレンマルチブロックコポリマー、（ｉｉ）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤、例えば過酸化物もしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えばベンゾフェノン、および（ｉｉｉ）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量の助剤を含むポリマー材料
を含む電子装置モジュールである。
【００１３】
別の実施形態では、本発明は、
Ａ．少なくとも１つの電子装置、および、
Ｂ．電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料であって、（ｉ）エチレンマルチブロックコポリマー、および（ｉｉ）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．１重量％の量のビニルシラン、例えばビニルトリ−エトキシシランもしくはビニルトリ−メトキシシラン、（ｉｉｉ）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量の、フリーラジカル開始剤、例えば、過酸化物もしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えばベンゾフェノン、および（ｉｖ）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量の助剤を含むポリマー材料
を含む電子装置モジュールである。
【００１４】
「密接に接触している」および同種の用語は、被膜が基板と接触しているのと同様の様式で、ポリマー材料が装置またはその他の物品の少なくとも１つの面に接触していることを意味し、例えば、ポリマー材料と装置の面の間に隙間または空間がたとえあるとしてもわずかしかなく、その材料が装置の面に良好ないし優れた接着を示す。押出、または電子装置の少なくとも１面にポリマー材料を適用するその他の方法の後、材料は典型的に、透明かまたは不透明のいずれかであってよく、かつ軟質または硬質のいずれかであってよい膜を形成し、かつ／または硬化させる。電子装置が、日光へのアクセスを遮断されないかまたは最小限にしか遮断されないことを必要とするか、あるいは、ユーザーがそれから情報を読みとることのできる、ソーラーセルまたはその他の装置である場合（例えば、プラズマディスプレイユニット）、装置の有効な面または「機能」面を覆う材料のその部分は透明性が高い。
【００１５】
モジュールは、１又はそれ以上のその他の構成材料、例えば１又はそれ以上のガラスカバーシートなどをさらに含んでよく、これらの実施形態では、ポリマー材料は通例電子装置とガラスカバーシートとの間にサンドイッチ構造で配置される。ポリマー材料が、電子装置の反対側のガラスカバーシートの面へ膜として適用される場合、ガラスカバーシートの面に接触する膜の面は、滑らかであってもでこぼこしていてもよい（例えば、エンボス加工または表面模様加工）。
【００１６】
典型的に、エチレンマルチブロックコポリマーは、エチレン／α−オレフィンコポリマーであり、（ａ）その画分が少なくとも０．５かつ約１までのブロックインデックスおよび約１．３より大きい分子量分布（ＰＤＩ、Ｍｗ／Ｍｎ、ＭＷＤ）を有することを特徴とする、昇温流出(effluent)分別法（ＴＲＥＦ）を用いて分別した場合約４０℃から約１３０℃の間で溶出する分子画分、または（ｂ）０より大きく約１．０までの平均ブロックインデックス、および約１．３より大きいＭＷＤを有する。その上、エチレンマルチブロックコポリマーは、典型的に、以下の特性の少なくとも１つを有する：（ｉ）約１．３より大きい分子量分布、（ｉｉ）約０．９０ｇ／ｃｃ未満の密度、（ｉｉｉ）ＡＳＴＭ  Ｄ−８８２−０２により測定して約１５０メガパスカル（ｍＰａ）未満の２％割線係数、（ｉｖ）約１２５℃未満の融点、（ｖ）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約１０から約８０重量％のα−オレフィン含量、（ｖｉ）約−３５℃未満のＴｇ、および（ｖｉｉ）１０分あたり約１００グラム未満（ｇ／１０分）のメルトインデックス（ＭＩ）。ポリマー材料は、電子装置を完全に封入することができるか、または、その一部のみに密接に接触していることができる。例えば、部分的に装置を封入するか、または装置の１つのフェイス面へ積層される。その上、少なくとも１枚の追加の膜を、ポリマー材料と電子装置との間に挟むことができる。所望により、ポリマー材料はスコーチ防止剤をさらに含んでよく、モジュールが目的とする用途、コポリマーの化学組成、およびその他の要素によって、コポリマーは、架橋されないままであっても架橋されてもよい。架橋される場合、それはＡＳＴＭ  ２７６５−９５で測定して約７０％未満の抽出可能なキシレン可溶物を含有するように架橋される。
【００１７】
別の実施形態では、本発明は、少なくとも１枚の外側のスキン層が、（ｉ）架橋のための過酸化物を含まず、かつ（ｉｉ）モジュールと密接に接触する状態になる面である電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料が同時に押出された材料であることを除いて、上記の二つの実施形態に記載されるような電子装置モジュールである。典型的に、この外側のスキン層は、ガラスへの良好な接着を示す。同時に押出された材料のこの外側のスキンは、多数の異なるポリマーの内の任意の１種類からなってよいが、一般に、過酸化物含有ポリマーと同じポリマーであるが過酸化物を含まない。本発明のこの実施形態は、より高い加工温度での使用を可能にするものであり、それは次に、加工機器の金属面との長期にわたる接触が原因で、ポリマーの封入の際に不要なゲルが形成されることなく生産速度をより速くすることを可能にするものである。別の実施形態では、押出製品は、少なくとも３層を含み、その電子モジュールに接触しているスキン層は過酸化物を含まず、かつ、その過酸化物含有層はコア層である。
【００１８】
別の実施形態では、本発明は、電子装置モジュールを製造する方法であり、前記方法は：
Ａ．少なくとも１つの電子装置を供給する段階、および、
Ｂ．（ｉ）エチレンマルチブロックコポリマー、（ｉｉ）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤、例えば、過酸化物もしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えば、ベンゾフェノン、および（ｉｉｉ）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量の助剤を含むポリマー材料に電子装置の少なくとも１つの面を接触させる段階を含む。
【００１９】
別の実施形態では、本発明は、電子装置を製造する方法であり、前記方法は：
Ａ．少なくとも１つの電子装置を供給する段階、および、
Ｂ．（ｉ）エチレンマルチブロックコポリマー、（ｉｉ）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．１重量％の量のビニルシラン、例えば、ビニルトリ−エトキシシランもしくはビニルトリ−メトキシシラン、（ｉｉｉ）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤、例えば、過酸化物もしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えば、ベンゾフェノン、および（ｉｖ）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量の助剤を含むポリマー材料に電子装置の少なくとも１つの面を接触させる段階を含む。
【００２０】
これらの二方法の実施形態の両方に対する一変形形態では、モジュールは、装置の１つのフェイス面から離れて配置された少なくとも１枚の半透明のカバー層をさらに含み、ポリマー材料は、電子装置とカバー層との間のシーリング関係で挿入される。カバー層は、硬質であっても（例えば、ガラス）、軟質であっても（例えば、ポリマー膜）であってもよい。「シーリング関係で」および同種の用語は、ポリマー材料がカバー層と電子装置の両方に、典型的に互いの少なくとも１つのフェイス面に十分に接着すること、ならびに、２つのモジュール構成材料間に、（ポリマー材料がエンボス加工または表面模様加工された膜の形態でカバー層へ適用された結果、あるいはカバー層自体がエンボス加工、そうでなければ表面模様加工された結果として、ポリマー材料とカバー層との間に存在し得る任意の隙間または空間以外の）隙間または空間がたとえあるとしてもごくわずかしかない状態で、ポリマー材料が２つを結び付けることを意味する。
【００２１】
さらに、これらの方法の実施形態の両方において、ポリマー材料は、スコーチ防止剤をさらに含むことができ、前記方法は、所望により、例えば架橋条件下で電子装置および／またはガラスカバーシートをポリマー材料と接触させるか、またはモジュールが形成された後に、ＡＳＴＭ  ２７６５−９５で測定してポリオレフィンコポリマーが約７０％未満の抽出可能なキシレン可溶物を含有するように、モジュールを架橋条件に暴露するかのいずれかで、コポリマーが架橋される段階を含んでよい。架橋条件には、熱（例えば、少なくとも約１６０℃の温度）、放射線（例えば、電子ビームで計測した場合少なくとも約１５メガラド、またはＵＶ光で計測した場合少なくとも約０．０５ジュール／ｃｍ2）、湿度（例えば、少なくとも約５０％の相対湿度）、などが含まれる。
【００２２】
これらの方法の実施形態のもう一つの変形形態では、電子装置は、ポリマー材料の内部に封入される、すなわち、完全に包み込まれるか、または取り囲まれる。これらの実施形態のもう一つの変形形態では、カバー層は、シランカップリング剤、例えば、γ−アミノプロピルトリ−エトキシシランで処理される。これらの実施形態のさらにもう一つの変形形態では、ポリマー材料は、電子装置とカバー層のいずれかまたは両方に対してその接着特性を強化するためのグラフトポリマーをさらに含む。典型的に、グラフトポリマーは、エチレンマルチブロックコポリマーをカルボニル基、例えば無水マレイン酸を含む不飽和有機化合物に原位置で単にグラフトすることにより作製される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の電子装置モジュールの一実施形態、すなわち、硬質光起電力（ＰＶ）モジュールを示す図である。
【図２】本発明の電子装置モジュールの別の実施形態、すなわち、軟質ＰＶモジュールを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
用語「ポリマー」は、両方の従来型ホモポリマー、つまり、単一のモノマーから調製された均質なポリマーおよび、少なくとも２種のモノマーの反応により調製されたポリマー、そうでなければ、たとえ単一モノマーから形成されたとしても、化学的に区別されるセグメントまたはブロックを含有するものを意味するコポリマー（互換的にインターポリマーと称される）を含む。より具体的には、用語「ポリエチレン」には、エチレンのホモポリマーと、中にエチレンを少なくとも５０モル％含む、エチレンと１又はそれ以上のＣ3-8α−オレフィンのコポリマーが含まれる。用語「結晶性」は、用いられる場合、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）または同等の手法により測定される、一次転移点または結晶融点（Ｔｍ）を有するポリマーをさす。この用語は、用語「半結晶性」と互換的に使用してよい。用語「非晶質」は、ＤＳＣもしくは同等の手法により測定される、結晶融点のないポリマーをさす。
【００２５】
「マルチブロックコポリマー」、「セグメント化コポリマー」および同種の用語は、好ましくは線状の様式で接合された２又はそれ以上の化学的に異なる領域またはセグメント（「ブロック」と称される）を含むポリマー、すなわちペンダント方式またはグラフト方式ではなく、重合エチレン官能基に関して末端間で接合される化学的に区別される単位を含むポリマーをさす。好ましい実施形態では、ブロックは、組み込まれるコモノマーの量または種類、密度、結晶化度の量、かかる組成のポリマーに起因する晶子サイズ、立体規則性の種類または程度（アイソタクチックまたはシンジオタクチック）、位置規則性もしくは位置不規則性、分岐の量（長鎖分岐または超分岐を含む）、均質性、またはその他のいかなる化学的もしくは物理的特性の点で異なる。順次的なモノマー添加、流動的触媒、またはアニオン重合手法により生成されたコポリマーを含む、先行技術のブロックコポリマーに比べて、本発明の実践に用いられるマルチブロックコポリマーは、好ましい実施形態において、それらの調製に用いられる複数の触媒と組み合わせたシャトリング剤(shuttling agent)の効果により、両方のポリマー多分散性（ＰＤＩまたはＭｗ／ＭｎまたはＭＷＤ）の独自の分布、ブロック長分布、および／またはブロック数分布により特徴づけられる。より具体的には、連続工程で製造される場合、ポリマーは、１．７から３．５の、好ましくは１．８から３の、より好ましくは１．８から２．５の、および最も好ましくは１．８から２．２のＰＤＩを有することが望ましい。バッチ工程またはセミバッチ工程で産生される場合、ポリマーは、１．０から３．５の、好ましくは１．３から３の、より好ましくは１．４から２．５の、および最も好ましくは１．４から２のＰＤＩを有することが望ましい。
【００２６】
用語「エチレンマルチブロックコポリマー」は、エチレンが少なくとも１つのブロックまたはセグメントからなる複数個の重合されたモノマーユニットをポリマー中に、好ましくはブロックの少なくとも９０モル％、より好ましくは少なくとも９５モル％、そして最も好ましくは少なくとも９８モル％含む、エチレンおよび１又はそれ以上の共重合可能なコモノマーを含むマルチブロックコポリマーを意味する。総ポリマー重量に基づいて、本発明の実践に用いられるエチレンマルチブロックコポリマーは、好ましくは２５から９７％、より好ましくは４０から９６％、一層より好ましくは５５から９５％、および最も好ましくは６５から８５％のエチレン含量を有する。
【００２７】
２又はそれ以上のモノマーから形成される、個々の区別可能なセグメントまたはブロックは単一のポリマー鎖に接合されるため、ポリマーは、標準的な選択的抽出手法を用いて完全に分別することができない。例えば、比較的結晶質の領域（高密度セグメント）および比較的非晶質な領域（低密度セグメント）を含むポリマーは、異なる溶媒を用いても選択的に抽出または分別されることができない。好ましい実施形態では、ジアルキルエーテルまたはアルカン溶媒のいずれかを用いて抽出可能なポリマーの量は、ポリマー総重量の１０％未満、好ましくは７％未満、より好ましくは５％未満、および最も好ましくは２％未満である。
【００２８】
その上、本発明の実践に用いられるマルチブロックコポリマーは、ポアソン分布よりむしろシュルツ・フローリー分布にあてはまるＰＤＩを有することが望ましい。国際公開公報第２００５／０９０４２７号および米国特許出願第１１／３７６，８３５号に記載の重合プロセスを使用すると、多分散ブロック分布ならびにブロックサイズの多分散分布の両方を有する生成物がもたらされる。この結果、改良され、区別可能な物理的特性を有するポリマー生成物の形成がもたらされる。多分散ブロック分布の理論的利点は、Potemkin, Physical Review E (1998) 57 (6), pp. 6902-6912およびDobrynin, J. Chem.Phvs. (1997) 107 (21), pp 9234-9238に既にモデル化され考察されている。
【００２９】
さらなる実施形態では、本発明のポリマー、特に連続溶液重合の反応器中で作製されるポリマーは、最も可能性の高いブロック長の分布を有する。本発明の実践に用いられる最も好ましいポリマーは、ターミナルブロックを含む４又はそれ以上のブロックまたはセグメントを含有するマルチブロックコポリマーである。本発明の一実施形態では、エチレンマルチブロックコポリマーは：
（ａ）約１．７から約３．５のＭｗ／Ｍｎ、少なくとも１つの融点Ｔｍ（℃）、および密度ｄ（ｇ／ｃｍ3）を有し、ここで、Ｔｍおよびｄの数値は、次の関係
Ｔｍ＞−２００２．９＋４５３８．５（ｄ）−２４２２．２（ｄ）2
に一致すること、または、
（ｂ）約１．７から約３．５のＭｗ／Ｍｎを有し、融解熱ΔＨ（Ｊ／ｇ）および最高のＤＳＣピークと最高のＣＲＹＳＴＡＦピークとの間の温度差として定義されるデルタ量ΔＴ（℃）により特徴付けられ、ここで、ΔＴおよびΔＨの数値は、次の関係を有すること：
ΔＴ＞−０．１２９９（ΔＨ）＋６２．８１（０＜ΔＨ≦１３０Ｊ／ｇの場合）
ΔＴ≧４８℃（１３０Ｊ／ｇ＜ΔＨの場合）
ここで、ＣＲＹＳＴＡＦピークは、累積ポリマーの少なくとも５％を用いて測定され、ポリマーの５％未満が識別可能なＣＲＹＳＴＡＦピークを有する場合、ＣＲＹＳＴＡＦ温度は３０℃である；または、
（ｃ）エチレン／α−オレフィンインターポリマーの圧縮成形膜を用いて計測された、３００％歪みおよび１サイクルでの弾性回復率Ｒｅ（％）により特徴付けられ、かつ密度ｄ（ｇ／ｃｍ3）を有し、ここでエチレン／α−オレフィンインターポリマーが実質的に架橋相を有さない場合、Ｒｅおよびｄの数値は、次の関係を満たすこと：
Ｒｅ＞１４８１―１６２９（ｄ）を有し；または、
（ｄ）ＴＲＥＦを用いて分別される場合４０℃から１３０℃の間で溶出する分子量画分であって、前記画分が前記同じ温度間で溶出する比較対象となるランダムエチレンインターポリマー画分のコモノマーモル含量よりも少なくとも５％大きいコモノマーモル含量を有することを特徴とする分子量画分を有し、ここで前記比較対象となるランダムエチレンインターポリマーは同じコモノマー（１または複数）を有し、かつ、エチレン／α−オレフィンインターポリマーのそれの１０％以内のメルトインデックス、密度、および（ポリマー全体に基づく）コモノマーモル含量を有すること；または、
（ｅ）２５℃での貯蔵弾性率Ｇ’（２５℃）、および１００℃での貯蔵弾性率Ｇ’（１００℃）を有し、ここで、Ｇ’（２５℃）：Ｇ’（１００℃）の比が約１：１から約９：１の範囲にあること、を有するものと定義される。
【００３０】
また、エチレン／α−オレフィンインターポリマーは、
（ａ）画分が少なくとも０．５かつ約１までのブロックインデックス、および約１．３より大きい分子量分布Ｍｗ／Ｍｎ、を有することを特徴とする、ＴＲＥＦを用いて分別される場合４０℃から１３０℃の間で溶出する分子画分；または、
（ｂ）０より大きくかつ約１．０までの平均ブロックインデックス、および約１．３より大きい分子量分布、Ｍｗ／Ｍｎ、を有し得る。
【００３１】
本発明の実践に用いられるエチレンマルチブロックコポリマーを調製する際に使用するために適したモノマーには、エチレンおよび１又はそれ以上のさらに重合可能なエチレン以外のモノマーが含まれる。適したコモノマーの例としては、３から３０個、好ましくは３から２０個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖α−オレフィン類、例えば、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、および１−エイコセンなど；３から３０個、好ましくは３から２０個の炭素原子を有するシクロオレフィン類、例えば、シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、テトラシクロドデセン、および２−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレンなど；ジオレフィンおよびポリオレフィン類、例えば、ブタジエン、イソプレン、４−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ペンタジエン、１，４−ペンタジエン、１，５−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエン、１，４−オクタジエン、１，５−オクタジエン、１，６−オクタジエン、１，７−オクタジエン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、ジシクロペンタジエン、７−メチル−１，６−オクタジエン、４−エチリデン−８−メチル−１，７−ノナジエン、および５，９−ジメチル−１，４，８−デカトリエンなど；芳香族ビニル化合物類、例えば、モノまたはポリアルキルスチレン、（スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ，ｐ−ジメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、およびｐ−エチルスチレンを含む）、ならびに官能基を含む誘導体類、例えば、メトキシスチレン、エトキシスチレン、ビニル安息香酸、メチルビニル安息香酸、ビニルベンジルアセテート、ヒドロキシスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、３−フェニルプロペン、４−フェニルプロペン、ａ−メチルスチレン、塩化ビニル、１，２−ジフルオロエチレン、１，２−ジクロロエチレン、テトラフルオロエチレン、および３，３，３−トリフルオロ−１−プロペンなどが挙げられる。
【００３２】
本発明の実践に用いることのできるその他のエチレンマルチブロックコポリマーは、エチレン、Ｃ3-20α−オレフィン、特にプロピレン、および所望により１又はそれ以上のジエンモノマーのエラストマーインターポリマーである。本発明のこの実施形態への使用に好ましいα−オレフィンは、化学式ＣＨ2＝ＣＨＲ*で表され、ここでＲ*は、１から１２個の炭素原子の直鎖または分岐アルキル基である。適したα−オレフィンの例としては、限定されるものではないが、プロピレン、イソブチレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、および１−オクテンが挙げられる。特に好ましいα−オレフィンの一つは、プロピレンである。プロピレン系ポリマーは、通常当分野において、ＥＰまたはＥＰＤＭポリマーと称される。かかるポリマー、特にマルチブロックＥＰＤＭ型ポリマーを調製する際に使用するために適したジエンとしては、４から２０個の炭素原子を含む、共役または非共役、直鎖または分岐鎖、環状または多環式ジエンが含まれる。好ましいジエン類としては、１，４−ペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、および５−ブチリデン−２−ノルボルネンが挙げられる。特に好ましいジエンの一つは、５−エチリデン−２−ノルボルネンである。
【００３３】
ジエン含有ポリマーは、より多量もしくはより少量の（無しを含む）ジエンおよび（無しを含む）α−オレフィンを含有する交互のセグメントまたはブロックを含むため、それに続くポリマー特性を失うことなく、ジエンおよびα−オレフィンの総量を減らすことができる。すなわち、ジエンおよびα−オレフィンモノマーは、ポリマー全体にわたって均一にまたは無作為にではなく、むしろポリマーの一種類のブロックに優先的に組み込まれるため、それらはより効果的に利用され、それに続いてポリマーの架橋密度をより良好に制御することができる。かかる架橋可能なエラストマーおよび硬化生成物は、より強い引っ張り強度およびより良い弾性回復率を含む、有利な特性を有する。
【００３４】
望ましくは、エチレンマルチブロックコポリマーは、異なる量のコモノマーを組み込む２種類の触媒を用いて作製され、これらのコポリマーのブロックの重量比は９５：５から５：９５である。弾性ポリマーは、ポリマーの総重量に基づいて２０から９０％のエチレン含量を有することが望ましく、所望により０．１から１０％のジエン含量、および１０から８０％のα−オレフィン含量を有する。さらに、本実施形態のマルチブロック弾性ポリマーは、ポリマーの総重量に基づいて、６０から９０％のエチレン含量、０．１から１０％のジエン含量、および１０から４０％のα−オレフィン含量を有することが好ましい。好ましいポリマーは、重量平均分子量（Ｍｗ）が、１０，０００から約２，５００，０００、好ましくは２０，０００から５００，０００、より好ましくは２０，０００から３５０，０００であり；多分散性が、３．５未満、より好ましくは３．０未満であり；かつムーニー粘度試験（ＭＬ（１＋４）１２５℃）が１から２５０である、高分子量ポリマーである。より好ましくは、かかるポリマーは、６５から７５％のエチレン含量、０から６％のジエン含量、および２０から３５％のα−オレフィン含量を有する。
【００３５】
本発明の実践に有用なエチレンマルチブロックコポリマーは、約０．９０未満、好ましくは約０．８９未満、より好ましくは約０．８８５未満、さらにより好ましくは約０．８８未満、そしてさらにより好ましくは約０．８７５ｇ／ｃｃ未満の密度を有する。エチレンマルチブロックコポリマーは、典型的に約０．８５より大きい、そしてより好ましくは約０．８６ｇ／ｃｃより大きい密度を有する。密度は、ＡＳＴＭ  Ｄ−７９２の手順で測定される。低密度エチレンマルチブロックコポリマーは、通常、非晶質で、軟質であり、かつ良好な光学的特性を有している（例えば、可視光とＵＶ光の透過率が高く、曇りが少ない）として通常特徴づけられる。
【００３６】
本発明の実践に有用なエチレンマルチブロックコポリマーは、ＡＳＴＭ  Ｄ−８８２−０２の手順により測定して、約１５０未満、好ましくは約１４０未満、より好ましくは約１２０未満、およびさらにより好ましくは約１００ｍＰａ未満の２％割線係数を有する。エチレンマルチブロックコポリマーは、典型的に０より大きい２％割線係数を有するが、係数が低くなればなるほど、コポリマーはそれだけより良好に本発明での使用へ適応する。割線係数は、対象となる点で前記曲線と交差している、応力−歪み曲線の原点からの線の勾配であって、図の非弾性領域における材料の固さを記述するために用いられる。係数の低いエチレンマルチブロックコポリマーは、それらは応力下での安定性（例えば、応力または収縮によって亀裂しにくいこと）をもたらすため、本発明での使用に特に良好に適応する。
【００３７】
本発明の実践に有用なエチレンマルチブロックコポリマーは、典型的に約１２５より低い融点を有する。融点は、国際公開公報第２００５／０９０４２７号（米国特許第２００６／０１９９９３０号）に記載の示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法により計測される。低い融点を有するエチレンマルチブロックコポリマーは、本発明のモジュールの二次加工に有用な、望ましい柔軟性および熱可塑性を示す場合が多い。
【００３８】
本発明の実践に用いられるエチレンマルチブロックコポリマーならびにその調製および使用は、国際公開公報第２００５／０９０４２７号、米国特許第２００６／０１９９９３１号、米国特許第２００６／０１９９９３０号、米国特許第２００６／０１９９９１４号、米国特許第２００６／０１９９９１２号、米国特許第２００６／０１９９９１１号、米国特許第２００６／０１９９９１０号、米国特許第２００６／０１９９９０８号、米国特許第２００６／０１９９９０７号、米国特許第２００６／０１９９９０６号、米国特許第２００６／０１９９９０５号、米国特許第２００６／０１９９８９７号、米国特許第２００６／０１９９８９６号、米国特許第２００６／０１９９８８７号、米国特許第２００６／０１９９８８４号、米国特許第２００６／０１９９８７２号、米国特許第２００６／０１９９７４４号、米国特許第２００６／０１９９０３０号、米国特許第２００６／０１９９００６号、および米国特許第２００６／０１９９９８３号により十分に記載されている。
【００３９】
本発明の実践に用いられるエチレンマルチブロックコポリマーがもつ独自の組成構造に起因して、これらの材料は、特に熱クリープおよび弾性率に関して、電子装置モジュール内の保護ポリマー構成材料の望ましい特性を得るために、架橋を必要としない場合が多い。エチレンマルチブロックコポリマーが、特に低密度、例えば約０．８６ｇ／ｃｃ未満、または低融点、例えば約１２０℃未満、を有する状況では、これらのコポリマーは、接触の時点で、もしくはモジュールが構築された後、通例は直後に、典型的に硬化または架橋される。低密度および／または低弾性率ポリマーに関して、架橋は、環境から電子装置を保護するためのそれらの機能の遂行に重要である。具体的には、架橋は、熱、衝撃、および耐溶剤性に関して、かかるポリマーの耐熱クリープ性およびモジュールの耐久性を強化する。架橋が望ましい場合、それは、多数の異なる方法の任意の一法により、例えば、熱により活性化される開始剤、例えば、過酸化物およびアゾ化合物；光開始剤、例えば、ベンゾフェノン；日光およびＵＶ光以外の放射線手法、例えば、電子ビームおよびＸ線；ビニルシラン、例えば、ビニルトリエトキシシランまたはビニルトリメトキシシラン；および湿気硬化の使用により、もたらすことができる。
【００４０】
本発明の実践に用いられるフリーラジカル開始剤には、比較的不安定で少なくとも２つのラジカルに容易に割り込む、任意の熱により活性化される化合物が含まれる。このクラスの化合物の代表は、過酸化物、特に有機過酸化物、およびアゾ開始剤である。架橋剤として用いられるフリーラジカル開始剤の中では、ジアルキルペルオキシド開始剤およびジペルオキシケタール開始剤が好ましい。これらの化合物は、「Encyclopedia of Chemical Technology, 3rd edition, Vol. 17, pp 27-90. (1982)」に記載されている。
【００４１】
ジアルキルペルオキシドの群の中で好ましい開始剤は、ジクミルペルオキシド、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、ｔ−ブチルクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）−ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）ヘキシン−３、α，α−ジ［（ｔ−ブチルペルオキシ）−イソプロピル］−ベンゼン、ジ−ｔ−アミルペルオキシド、１，３，５−トリ−［（ｔ−ブチルペルオキシ）−イソプロピル］ベンゼン、１，３−ジメチル−３−（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタノール、１，３−ジメチル−３−（ｔ−アミルペルオキシ）ブタノール、およびこれら開始剤の２又はそれ以上の混合物である。
【００４２】
ジペルオキシケタール開始剤の群の中で好ましい開始剤は、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサンｎ−ブチル、４，４−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）吉草酸、エチル３，３−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ブチラート、２，２−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）プロパン、３，６，６，９，９−ペンタメチル−３−エトキシカルボニルメチル−１，２，４，５−テトラオキサシクロノナン、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）吉草酸、エチル−３，３−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）−ブチラート、およびこれら開始剤の２又はそれ以上の混合物である。
【００４３】
その他の過酸化物開始剤、例えば、００−ｔ−ブチル−０−水素−モノペルオキシスクシナート；００−ｔ−アミル−０−水素−モノペルオキシスクシナートおよび／またはアゾ開始剤、例えば、２，２’−アゾビス−（２−アセトキシプロパン）も、架橋されたポリマーマトリックスをもたらすために用いることができる。その他の適したアゾ化合物としては、米国特許第３，８６２，１０７号および第４，１２９，５３１号に記載のものが挙げられる。２又はそれ以上のフリーラジカル開始剤の混合物も、本発明の範囲内の開始剤として、共に使用してよい。その上、フリーラジカルは、剪断エネルギー、熱または放射線から形成され得る。
【００４４】
本発明の架橋可能な組成物中に存在する過酸化物またはアゾ開始剤の量は、大きく異なる可能性があるが、その最少量は望まれる架橋の程度をもたらすために十分な量である。開始剤の最少量は、典型的に、架橋される１又は複数のポリマーの重量に基づいて、少なくとも約０．０５重量％、好ましくは少なくとも約０．１重量％、およびより好ましくは少なくとも約０．２５重量％である。これらの組成物中に用いられる開始剤の最大量は、大きく異なる可能性があるが、典型的に、コスト、効率、および所望する架橋の所望の程度などの要因により決定される。その最大量は、典型的に架橋される１又は複数のポリマーの重量に基づいて、約１０重量％未満、好ましくは約５重量％未満、およびより好ましくは約３重量％未満である。
【００４５】
電磁放射線、例えば、日光、紫外（ＵＶ）光、赤外（ＩＲ）線、電子ビーム、β線、γ線、Ｘ線、および中性子線などによるフリーラジカル架橋の開始を用いてもよい。放射線は、合成および架橋してよいポリマーラジカルを発生させることにより、架橋に作用すると考えられている。「The Handbook of Polymer Foams and Technology、前掲、１９８から２０４頁」により、さらなる教示が提供される。硫黄元素は、ジエン含有ポリマー、例えば、ＥＰＤＭおよびポリブタジエンなどの架橋剤として用いられ得る。コポリマーを硬化させるために用いられる放射線の量は、コポリマーの化学組成、もしあれば開始剤の組成および量、放射線の種類などに伴い変化するが、ＵＶ光の典型的な量は少なくとも約０．０５、より典型的には約０．１、およびさらにより典型的には少なくとも約０．５ジュール／ｃｍ2であり、電子ビーム放射線の典型的な量は、少なくとも約０．５、より典型的には少なくとも約１、およびさらにより典型的には少なくとも約１．５メガラドである。
【００４６】
日光またはＵＶ光が、硬化または架橋をもたらすために用いられる場合、典型的に、かつ好ましくは、１又はそれ以上の光開始剤が使用される。かかる光開始剤としては、有機カルボニル化合物、例えば、ベンゾフェノン、ベンズアントロン、ベンゾインとそのアルキルエーテル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ、２  フェニルアセトフェノン、ｐ−フェノキシジクロロアセトフェノン、２−ヒドロキシシクロヘキシルフェノン、２−ヒドロキシイソプロピルフェノン、および１−フェニルプロパンジオン−２−（エトキシカルボキシル）オキシムなどが挙げられる。これらの開始剤は、公知の様式および公知の量、例えば、コポリマーの重量に基づいて、典型的には少なくとも約０．０５重量％、より典型的には少なくとも約０．１重量％、およびさらにより典型的には約０．５重量％で用いられる。
【００４７】
もし水分、すなわち水を用いて硬化または架橋をもたらす場合、典型的に、かつ好ましくは、１又はそれ以上の加水分解／縮合触媒が使用される。かかる触媒としては、ルイス酸、例えばジブチル錫ジラウレート、ジオクチル錫ジラウレート、第一錫オクトノエートなど、およびスルホン酸水素、例えばスルホン酸などが挙げられる。
【００４８】
フリーラジカル架橋助剤、すなわち促進剤または共開始剤としては、多官能性ビニルモノマーおよびポリマー、トリアリルシアヌレートおよびトリメチロールプロパントリメタクリレート、ジビニルベンゼン、ポリオールのアクリレートおよびメタクリレート、アリルアルコール誘導体、および低分子量ポリブタジエンが挙げられる。硫黄架橋促進剤としては、ベンゾチアジルジスルフィド、２−メルカプトベンゾチアゾール、銅ジメチルジチオカーバメート、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィドおよびテトラメチルチウラムモノスルフィドが挙げられる。
【００４９】
これらの助剤は既知量および公知の方法で用いられる。助剤の最小量は、典型的に、架橋される１又は複数のポリマーの重量に基づいて、少なくとも約０．０５重量％、好ましくは少なくとも約０．１重量％、より好ましくは少なくとも約０．５重量％である。これらの組成物中に用いられる助剤の最大量は大きく異なる可能性があり、それは典型的に、コスト、効率および所望する架橋の所望の程度などの要因により決定される。最大量は、典型的に、架橋される１又は複数のポリマーの重量に基づいて、約１０重量％未満、好ましくは約５重量％未満、より好ましくは約３重量％未満である。
【００５０】
架橋、すなわち熱可塑性材料の硬化を促進するために熱により活性化されるフリーラジカル開始剤を用いる際の困難の１つは、硬化が望まれる全体的なプロセス中の実際の相よりも前に配合および／または加工する間に、それらが未熟な架橋、すなわちスコーチを開始させ得ることである。配合、例えば粉砕、バンバリー、または押出などの従来法を用いると、その時間−温度の関係の結果、フリーラジカル開始剤が熱分解を受け、それが順番に配合されたポリマーの塊中にゲル粒子を作り出し得る架橋反応を開始させる条件をもたらす場合に、スコーチが生じる。これらのゲル粒子は、最終生成物の均質性に悪影響を及ぼし得る。さらに、過剰なスコーチは、従ってバッチ全体が失われるという起こり得る可能性で効率的に加工されることのできない材料の可塑性を低下させ得る。
【００５１】
スコーチを最小化させる一方法は、スコーチ防止剤を組成物に組み込むことである。例えば、英国特許第１，５３５，０３９号は、有機ヒドロ過酸化物の過酸化物硬化エチレンポリマー組成物のためのスコーチ防止剤としての使用を開示している。米国特許第３，７５１，３７８号は、様々なエラストマー処方物に長いムーニースコーチ時間をもたらすための、Ｎ−ニトロソジフェニルアミンまたはＮ，Ｎ’−ジニトロソ−パラ−フェニルアミンの、多官能性アクリレート架橋モノマーに組み込まれたスコーチ遅延剤としての使用を開示している。米国特許第３，２０２，６４８号は、亜硝酸塩、例えば亜硝酸イソアミル、亜硝酸ｔｅｒｔ−デシルおよびポリエチレンのスコーチ防止剤としてのその他のものなどの使用を開示している。米国特許第３，９５４，９０７号は、スコーチに対する保護物としての単量体ビニル化合物の使用を開示している。米国特許第３，３３５，１２４号には、芳香族アミン、フェノール化合物、メルカプトチアゾール化合物、ビス（Ｎ，Ｎ−ジ置換チオカルバモイル）スルフィド、ヒドロキノンおよびジアルキルジチオカーバメート化合物の使用が記載されている。米国特許第４，６３２，９５０号は、一方の金属塩が銅に基づく、ジ置換ジチオカルバミン酸の２つの金属塩の混合物の使用を開示している。
【００５２】
フリーラジカル、特に過酸化物、開始剤含有組成物で用いるための１種類の慣用されるスコーチ防止剤は、ニトロキシル２、またはＮＲ１または４−オキシピペリドール、またはタノール(tanol)、またはテンポール(tempol)、またはｔｍｐｎ、または恐らく最も一般的には、４−ヒドロキシ−ＴＥＭＰＯあるいはさらにより簡単に、ｈ−ＴＥＭＰＯとしても公知の、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルである。４−ヒドロキシ−ＴＥＭＰＯを添加することによって、溶融加工温度で架橋可能なポリマーのフリーラジカル架橋を「クエンチする」ことによりスコーチが最低限に抑えられる。
【００５３】
本発明の組成物中に用いられるスコーチ防止剤の好ましい量は、組成物のその他の成分、特にフリーラジカル開始剤の量および性質と共に変動するが、典型的に、１．７重量パーセント（ｗｔ％）の過酸化物を含むポリオレフィンエラストマーの系で用いられるスコーチ防止剤の最小量は、ポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０１重量％、好ましくは少なくとも約０．０５重量％、より好ましくは少なくとも約０．１重量％、最も好ましくは少なくとも約０．１５重量％である。スコーチ防止剤の最大量は大きく異なり得、ほかの何よりもコストと効率の機能による。１．７重量％の過酸化物を含むエチレンマルチブロックコポリマーの系で用いられるスコーチ防止剤の典型的な最大量は、ポリマーの重量に基づいて約２重量％を超えない、好ましくは約１．５重量％を超えない、より好ましくは約１重量％を超えない。
【００５４】
効果的にグラフトされてエチレンマルチブロックコポリマーを架橋する任意のシランを本発明の実践に使用してよい。適したシランとしては、エチレン性不飽和ヒドロカルビル基、例えばビニル、アリル、イソプロペニル、ブテニル、シクロヘキセニルまたはγ−（メタ）アクリロキシアリル基など、および加水分解性基、例えば、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルボニルオキシ、またはヒドロカルビルアミノ基などを含む不飽和シランが挙げられる。加水分解性基の例としては、メトキシ、エトキシ、ホルミルオキシ、アセトキシ、プロプリオニルオキシ、およびアルキルまたはアリールアミノ基が挙げられる。好ましいシランは、ポリマーにグラフトすることのできる不飽和アルコキシシランである。これらのシラン類およびそれらの調製方法は米国特許第５，２６６，６２７号により詳細に記載されている。ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシランおよびこれらのシランの混合物は、本発明における使用のための好ましいシラン架橋剤である。増量剤が存在するならば、架橋剤にはビニルトリエトキシシランが含まれることが好ましい。
【００５５】
本発明の実践に用いられるシラン架橋剤の量は、エチレンマルチブロックコポリマーの性質、シラン、加工条件、グラフト効率、最終的な適用、および同様の因子によって大きく変動し得るが、典型的に、少なくとも０．１重量％、好ましくは少なくとも１重量％が使用される。利便性と経済を検討することは、通常本発明の実践に用いられるシラン架橋剤の最大量の２つの主な制限であり、典型的に、シラン架橋剤の最大量は、エチレンマルチブロックコポリマーの重量に基づいて、５重量％を超えない、好ましくは３重量％を超えない。
【００５６】
シラン架橋剤は、任意の従来法、典型的に、フリーラジカル開始剤、例えば過酸化物およびアゾ化合物の存在下で、または電離放射線などによりエチレンマルチブロックコポリマーにグラフトされる。有機開始剤、例えば上に記載されるものなど、例えば、過酸化物およびアゾ開始剤が好ましい。開始剤の量は変動し得るが、典型的に、上に記載されるエチレンマルチブロックコポリマーの架橋のための量で存在する。
【００５７】
任意の従来法を用いてシラン架橋剤をエチレンマルチブロックコポリマーにグラフトすることができるが、好ましい一方法は、反応押出機、例えばＢｕｓｓニーダーの最初の段階で、２種類を開始剤とともにブレンドすることである。グラフト条件は変動し得るが、溶融温度は、開始剤の滞留時間および半減期にもよるが、典型的に１６０から２６０℃、好ましくは１９０から２３０℃の間である。
【００５８】
本発明のもう１つの実施形態では、ポリマー材料は、１又はそれ以上のガラスカバーシートの接着を、これらのシートが電子装置モジュールの構成材料である程度に促進するためのグラフトポリマーをさらに含む。グラフトポリマーは、ポリマー材料のエチレンマルチブロックコポリマーに適合し、モジュールの構成材料としてのコポリマーの性能を有意に損なわない、任意のグラフトポリマーであってよいが、典型的に、グラフトポリマーは、グラフトポリオレフィンポリマー、より典型的に、ポリマー材料のエチレンマルチブロックコポリマーと同じ組成物のものであるグラフトエチレンマルチブロックコポリマーである。このグラフト添加剤は、典型的に、エチレンマルチブロックコポリマーの少なくとも一部分がグラフト材料でグラフトされるように、エチレンマルチブロックコポリマーをグラフト試薬およびグラフト条件に単に付すことにより、原位置で作製される。
【００５９】
少なくとも１つのエチレン不飽和（例えば、少なくとも１つの二重結合）、少なくとも１つのカルボニル基（−Ｃ＝Ｏ）を含み、ポリマー、特にポリオレフィンポリマー、およびより特にエチレンマルチブロックコポリマーにグラフトされる任意の不飽和有機化合物は、本発明のこの実施形態においてグラフト材料として用いることができる。少なくとも１つのカルボニル基を含む化合物の代表は、カルボン酸、無水物、エステルおよびそれらの塩（金属塩および非金属塩の両方）である。好ましくは、有機化合物は、カルボニル基と共役したエチレン不飽和を含む。代表的な化合物としては、マレイン酸、フマル酸、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、α−メチルクロトン酸、および桂皮酸ならびに存在する場合それらの無水物、エステルおよび塩誘導体が挙げられる。無水マレイン酸は、少なくとも１つのエチレン不飽和と少なくとも１つのカルボニル基を含む好ましい不飽和有機化合物である。
【００６０】
グラフトポリマーの不飽和有機化合物含量は、ポリマーと有機化合物を合わせた重量に基づいて、少なくとも約０．０１重量％、好ましくは、少なくとも約０．０５重量％である。不飽和有機化合物含量の最大量は便宜に変動し得るが、典型的にそれは約１０重量％を超えない、好ましくはそれは約５重量％を超えない、より好ましくはそれは約２重量％を超えない。
【００６１】
不飽和有機化合物は、米国特許第３，２３６，９１７号および同第５，１９４，５０９号に教示されるものなどの任意の公知の技法によりポリマーにグラフトすることができる。例えば、米国特許第３，２３６，９１７号において、ポリマーは２ロールミキサーに導入され、６０℃の温度で混合される。不飽和有機化合物は、次に、フリーラジカル開始剤、例えば、過酸化ベンゾイルなどと共に加えられ、成分はグラフトが完了するまで３０℃にて混合される。米国特許第５，１９４，５０９号において、反応温度が高い、例えば、２１０から３００℃であることと、フリーラジカル開始剤が使用されないかまたは低い濃度で使用されることを除いて手順は類似している。
【００６２】
代わりとなる好ましいグラフトの方法は、米国特許第４，９５０，５４１号に、２軸スクリュー脱蔵押出機を混合装置として用いることにより教示されている。ポリマーおよび不飽和有機化合物を混合し、反応物質が溶融する温度にてフリーラジカル開始剤の存在下で押出機の中で反応させる。好ましくは、不飽和有機化合物は、押出機内部で圧力下で維持される区域に注入される。
【００６３】
本発明のポリマー材料は、その他の添加剤も同様に含むことができる。例えば、かかるその他の添加剤としては、ＵＶ安定剤および加工安定剤、例えば三価のリン化合物などが挙げられる。ＵＶ安定剤は、ＰＶモジュール（例えば、３６０ｎｍ未満まで）により吸収されることのできる電磁放射の波長を低下させる際に有用であり、ヒンダードフェノール類、例えばＣｙａｓｏｒｂ  ＵＶ２９０８など、およびヒンダードアミン類、例えばＣｙａｓｏｒｂ  ＵＶ３５２９など、Ｈｏｓｔａｖｉｎ  Ｎ３０、Ｕｎｉｖｉｌ  ４０５０、Ｕｎｉｖｉｎ  ５０５０、Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ  ＵＶ１１９、Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ  ９４４  ＬＤ、Ｔｉｎｕｖｉｎ  ６２２  ＬＤなどが挙げられる。リン化合物としては、ホスホニット類（ＰＥＰＱ）およびホスフィット類（Ｗｅｓｔｏｎ  ３９９、ＴＮＰＰ、Ｐ−１６８およびＤｏｖｅｒｐｈｏｓ  ９２２８）が挙げられる。ＵＶ安定剤の量は、一般に約０．１から０．８％、好ましくは約０．２から０．５％である。加工安定剤の量は、典型的に約０．０２から０．５％、好ましくは約０．０５から０．１５％である。
【００６４】
さらにその他の添加剤としては、限定されるものではないが、抗酸化剤（例えば、ヒンダードフェノール類（例えば、Ｃｉｂａ  Ｇｅｉｇｙ  Ｃｏｒｐ．製Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）１０１０）、粘着添加剤(cling additives)、例えば、ＰＩＢ、粘着防止剤、抗スリップ剤、色素および増量剤（透明性が適用に重要である場合透明なもの）が挙げられる。工程内の添加剤、例えばステアリン酸カルシウム、水、その他も用いてよい。これらおよびその他の可能性のある添加剤は、当分野で一般に公知の方法および量で用いられる。
【００６５】
本発明のポリマー材料は、当分野で公知の封入剤材料、例えば、米国特許第６，５８６，２７１号、米国特許出願公開ＵＳ２００１／００４５２２９  Ａ１号、国際公開公報第９９／０５２０６号および国際公開公報第９９／０４９７１号に教示されるものなどと同じ方法で、同じ量を使用して電子装置モジュールを構築するために使用される。これらの材料は、電子装置の「スキン」として、すなわち装置の一方または両方のフェイス面に適用されて、あるいは装置が全体的にその材料の中に封入される封入剤として使用してよい。典型的に、ポリマー材料は、ポリマー材料由来のフィルムの層が最初に装置の１つのフェイス面に適用され、次にその装置のもう一方のフェイス面に適用される、１又はそれ以上の積層技法により装置に適用される。代替実施形態では、ポリマー材料を溶融形態で装置の上に押出し、装置の上で凝結させることができる。本発明のポリマー材料は装置のフェイス面に対して良好な接着を示す。
【００６６】
一実施形態では、電子装置モジュールは、（ｉ）少なくとも１つの電子装置、典型的に直線または平面パターンに整列した複数のかかる装置、（ｉｉ）少なくとも１枚のガラスカバーシート、典型的に装置の両フェイス面を覆うガラスカバーシート、および（ｉｉｉ）少なくとも１つのポリマー材料を含む。ポリマー材料は、典型的にガラスカバーシートと装置の間に配置され、ポリマー材料は装置とシートの両方に良好な接着を示す。装置が特定の形態の電磁放射、例えば、日光、赤外線、紫外線などへの接近を必要とする場合、ポリマー材料は、その放射線に対して、良好な、典型的に優れた、透明度、例えば、ＵＶ−ｖｉｓ分光分析法（約２５０から１２００ナノメートルの波長範囲での吸光度を測定する）により測定して９０パーセントを超える、好ましくは９５パーセントを超える、さらにより好ましくは９７パーセントを超える透過率を示す。代わりとなる透明度の尺度は、ＡＳＴＭ  Ｄ１００３−００の内部曇り法である。透明度が電子装置の作動のための要件でない場合、ポリマー材料は不透明な増量剤および／または色素を含んでよい。
【００６７】
図１において、硬質ＰＶモジュール１０は、本発明の実践に用いられるエチレンマルチブロックコポリマーを含む透明な保護層または封入剤１２により包囲されているかまたは封入されている光起電力セル１１を含む。ガラスカバーシート１３は、ＰＶセル１１を覆って配置された透明な保護層の一部分のフロント面を覆う。バックスキンまたはバックシート１４は、例えば、第２のガラスカバーシートまたは任意の種類の別の基材であり、ＰＶセル１１の裏面に配置された透明な保護層１２の一部分の裏面を支持する。バックスキン層１４は、その向かい合っているＰＶセルの面が日光に反応性でない場合、透明である必要はない。この実施形態では、保護層１２はＰＶセル１１を封入する。これらの層の厚さは絶対的状況および相互比較の両方において本発明にとって絶対不可欠ではなく、それ自体はモジュールの全体的な設計および目的に応じて大きく変動し得る。保護層１２に対する典型的な厚さは、約０．１２５から約２ミリメートル（ｍｍ）の範囲内であり、ガラスカバーシートおよびバックスキン層に対しては約０．１２５から約１．２５ｍｍの範囲内である。電子装置の厚さも大きく変動し得る。
【００６８】
図２において、軟質ＰＶモジュール２０は、本発明の実践に用いられるエチレンマルチブロックコポリマーを含む透明な保護層または封入剤２２が上に載っている薄膜光起電力セル２１を含む。光沢／最上層２３は、薄膜ＰＶ２１の上に配置された透明な保護層の一部分の前面を覆う。軟質バックスキンまたはバックシート２４は、例えば、第２の保護層または任意の種類の別の軟質基材であって、薄膜ＰＶ２１の底面を支持する。バックスキン層２４は、その支持している薄膜セルの面が日光に反応性でない場合、透明である必要はない。この実施形態では、保護層２１は薄膜ＰＶ２１を封入しない。典型的な硬質または軟質ＰＶセルモジュールの全体的な厚さは、典型的に、約５から約５０ｍｍの範囲内となる。
【００６９】
図１および２に説明されるモジュールは、多数の異なる方法、典型的にフィルムまたはシートの同時押出法、例えばインフレートフィルム、改質されたインフレートフィルム、カレンダリングおよびキャスティングなどのいずれか１つにより構築することができる。一方法において、かつ図１を参照すると、保護層１２は、最初にエチレンマルチブロックコポリマーをＰＶセルの上面の上一面に押出し、この最初の押出と同時にまたはこの最初の押出に続いて、同じエチレンマルチブロックコポリマーまたは異なるポリマーをＰＶセルの裏面の上一面に押出することにより形成される。保護フィルムがＰＶセルに接着した時点で、ガラスカバーシートおよびバックスキン層を任意の便宜な方法、例えば、押出、積層、などで接着剤を用いてまたは用いずに保護層に接着させてよい。保護層の一方または両方の外面、すなわちＰＶセルと接触している面の反対の面は、エンボス加工または別の方法で処理してガラスおよびバックスキン層との接着性を高めることができる。図２のモジュールは、保護層をＰＶセルに取り付ける前かまたは取り付けた後のいずれかに、接着剤を用いてまたは用いずに、バックスキン層がＰＶセルに直接接着していることを除いて、同様の方法で構築することができる。
【００７０】
以下の机上の実施例によって、本発明をさらに説明する。特に断りのない限り、全ての部およびパーセンテージは重量による。
（具体的な実施形態）
【００７１】
実施例Ａ：
単層１５ミル厚の保護キャストフィルムを、８０重量％のエチレン／１−オクテンマルチブロックコポリマー（ＭＩ５、全密度０．８７ｇ／ｃｃ；ハードセグメント３０％、約０．８５ｇ／ｃｃの密度を有するソフトセグメント７０％）、２０重量％の無水マレイン酸（ＭＡＨ）改質エチレン／１−オクテン（約１重量％ＭＡＨのレベルでグラフトされ、改質後ＭＩが約１．２５ｇ／１０分であり密度が約０．８７ｇ／ｃｃであるＥＮＧＡＧＥ（登録商標）ポリオレフィン）、０．１重量％のＣｈｉｍａｓｓｏｒｂ（登録商標）９４４、０．２重量％のＮａｕｇａｒｄ（登録商標）Ｐ、および０．３重量％のＣｙａｓｏｒｂ（登録商標）ＵＶ５３１を含むブレンドから作製する。保護フィルムを透明なスーパーストレート(superstrate)（通常ガラス）とソーラーセルとの間、およびソーラーセルとバックスキン材料との間に配置して、１５０℃でのソーラーセル積層プロセスを用いてソーラーセルモジュールを調製する。
【００７２】
実施例Ｂ：
単層１５ミル厚の保護キャストフィルムを、９０重量％のエチレン／１−オクテンマルチブロックコポリマー（ＭＩ５、全密度０．８７ｇ／ｃｃ；ハードセグメント３０％、約０．８５ｇ／ｃｃの密度を有するソフトセグメント７０％）、１０重量％の無水マレイン酸（ＭＡＨ）改質エチレン／１−オクテン（約１重量％ＭＡＨのレベルでグラフトされ、改質後ＭＩが約１．２５ｇ／１０分であり密度が約０．８７ｇ／ｃｃであるＥＮＧＡＧＥ（登録商標）ポリオレフィン）、０．１重量％のＣｈｉｍａｓｓｏｒｂ（登録商標）９４４、０．２重量％のＮａｕｇａｒｄ（登録商標）Ｐ、および０．３重量％のＣｙａｓｏｒｂ（登録商標）ＵＶ５３１を含むブレンドから作製する。保護フィルムを透明なスーパーストレート（通常ガラス）とソーラーセルとの間、およびソーラーセルとバックスキン材料との間に配置して、１５０℃でのソーラーセル積層プロセスを用いてソーラーセルモジュールを調製する。
【００７３】
処方および加工手順：
段階１：ＺＳＫ−３０押出機をＡｄｈｅｒｅ  Ｓｃｒｅｗとともに用いて樹脂と、Ａｍｐｌｉｆｙを含む添加剤パッケージを配合する。
段階２：段階２の材料を最大１００°Ｆにて４時間乾燥させる（Ｗ＆Ｃキャニスタードライヤーを使用）。
【表１】
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【００７４】
試験方法および結果：
ガラスへの接着力は、シラン処理ガラスを用いて測定する。ガラス処理の手順は、Ｇｅｌｅｓｔ社「Silanes and Silicones, Catalog 3000 A」中の手順から適合させる。
【００７５】
およそ１０ｍＬの酢酸を、２００ｍＬの９５％エタノールに加えてわずかに酸性の溶液を作製する。次に、４ｍＬの３−アミノプロピルトリメトキシシランを攪拌しながら添加し、シランの約２％溶液を作製する。溶液を５分間置いて加水分解を開始させ、次にそれをガラス皿に移す。緩やかにかき混ぜながら各プレートをこの溶液に２分間浸漬させ、取り出し、９５％エタノールで手短にすすいで過剰なシランを除去し、排水させる。プレートを１１０℃のオーブン中で１５分間硬化させる。次に、それらを重炭酸ナトリウムの５％溶液に２分間浸してアミンの酢酸塩を遊離アミンに変換させる。それらを水ですすぎ、ペーパータオルで拭きとり、室温にて一晩風乾させる。
【００７６】
ポリマーとガラスとの間の接着強さを試験する方法は、１８０剥離試験である。これはＡＳＴＭ標準試験ではないが、ＰＶモジュール用のガラスへの接着力を検査するために用いられる。試験サンプルは、未硬化のフィルムをガラスの上部に置き、次にそのフィルムを圧縮成形機の中で圧力下で硬化させることにより調製される。成形されたサンプルは実験室条件下で試験の前の２日間維持される。接着強さはＩｎｓｔｒｏｎ機で測定される。負荷速度は２インチ／分であり、試験は周囲条件下で行われる。試験は安定な剥離範囲（約２インチ）が観察された後に停止される。剥離負荷のフィルム幅に対する比を接着強さとして報告する。
【００７７】
硬化したフィルムのいくつかの重要な機械的特性は、引張および動的機械的分析（ＤＭＡ）法を用いて評価する。引張試験は周囲条件下で負荷速度２インチ／分で行われる。ＤＭＡ法は−１００℃から１２０℃で実施される。
【００７８】
光学特性は次のように測定される：光線透過率のパーセントをＵＶ−ｖｉｓ分光分析法により測定する。それにより２５０ｎｍから１２００ｎｍの波長の吸光度が測定される。内部曇りは、ＡＳＴＭ  Ｄ１００３−６１を用いて測定される。
【００７９】
結果を表２に報告する。ＥＶＡは、Ｅｔｉｍｅｘより入手可能な完全に処方されたフィルムである。
【表２】
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【００８０】
表２のデータから分かるように、エチレン／１−オクテンマルチブロックコポリマーは、ＥＶＡポリマーと比較して非常に優れた破断点伸び、引張強さおよび８５℃での破断点伸びをもたらし、ガラス強度および光学が少し減少した。
【００８１】
実施例Ｃ：
ブロックコポリマーポリオレフィン系封入剤フィルム
Ｔｈｅ  Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙにより開発されたエチレン／１−オクテンブロックコポリマーを本実施例に使用する。この樹脂の密度は、０．８７７ｇ／ｃｍ3であり、メルトインデックスは５ｇ／１０分である（標準的なＡＳＴＭ  Ｄ１２３８、条件１９０℃／２．１６ｋｇに基づき測定）。この樹脂は１０００ｐｐｍの抗酸化剤Ｉｒｇａｎｏｘ−１６８を含む。官能価を加えるため、または樹脂の長期安定性を改良するために数種類の添加剤を選択する。添加剤はＵＶ吸収剤Ｃｙａｓｏｒｂ  ＵＶ５３１、ＵＶ安定剤Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ  ９４４  ＬＤ、抗酸化剤Ｔｉｎｕｖｉｎ  ６２２  ＬＤ、ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）、および過酸化物Ｌｕｐｅｒｏｘ−１０１である。処方（重量による）は表３に記載される。
【表３】
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【表４】
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【表５】
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【００８２】
サンプルの調製
エチレン／１−オクテンブロックコポリマーペレットを乾燥機中で４０℃にて一晩乾燥させる。ペレットと添加剤を乾燥混合し、ドラムの中に入れて３０分間混転させる。次に、シランと過酸化物をドラムに注入し、さらに１５分間混転させる。十分に混合した材料をフィルムキャスティング用のフィルム押出機に供給する。フィルムをフィルムライン（Ｋｉｌｌｉｏｎ単軸スクリュー押出機、シート押出ダイ２４インチ）に流延する。加工条件を表６に要約する。
【表６】
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【００８３】
１８から１９ミル厚のフィルムを５．９フィート／分にて保存する。フィルムサンプルを、ＵＶ照射および湿度を避けるためにアルミニウムバッグに封入する。
【００８４】
試験方法および結果
次のフィルムの主要特性が試験される。
【００８５】
１．光学特性：
フィルムの光線透過率は、ＵＶ−可視スペクトロメーター（走査型ダブルモノクロメーターおよび積分球(integrating sphere)アクセサリーを備えたＰｅｒｋｉｎ  Ｅｌｍｅｒ  ＵＶ−Ｖｉｓ９５０）により、初期キャストフィルムを約１５０℃の温度にて３０分間圧縮成形し、その後２枚の冷たい（２０℃）定盤の間に置くことにより室温まで急冷した後に調べて、約１５ミルの最終フィルム厚を達成する。この分析で用いたサンプルは１５ミル厚である。フィルムのＵＶ−可視スペクトルは、同じ適用用の市販の現在使われているフィルムと比較する。両方のフィルムが４００ｎｍから１１００ｎｍの波長範囲の間に９０％を上回る透過率を示す。
【００８６】
２．ガラスへの接着：
接着試験を判定するために用いた方法は、１８０℃剥離試験である。これはＡＳＴＭ標準試験ではないが、ＰＶモジュールおよび自動車用ラミネートガラス用のガラスへの接着力を検査するために用いられる。試験サンプルは、圧縮成形機中、圧力下でフィルムをガラスの上部に置くことにより調製される。所望の接着幅は１インチである。テフロンシートを、試験準備の目的でガラスと材料の間に入れてガラスとポリマーを分離する。ガラス／フィルムサンプル調製の条件は下に記載される：
１）２０００ポンドで３分間１６０℃
２）８０００ポンドで３０分間１６０℃
３）８０００ポンドで室温まで冷却
４）サンプルを型枠から取り出し、接着試験の前に材料を４８時間室温で状態調整する。
【００８７】
接着強さは材料試験システムで測定する（Ｉｎｓｔｒｏｎ５５８１）。負荷速度は１分当たり２インチであり、試験は周囲条件で実施される（２４℃およびＲＨ５０％）。ガラスへの接着を評価するために安定な剥離領域が必要である（約２インチ）。安定な剥離領域における剥離負荷のフィルム幅に対する比を接着強さとして報告した。
【００８８】
温度および湿度の接着強さへの効果を、温水（８０℃）中で１週間老化させたサンプルを用いて調べる。これらのサンプルをガラス上で成形し、次に温水に１週間浸漬する。次に、これらのサンプルを、接着試験の前に実験室条件下で２日間乾燥させる。比較として、市販のフィルムの接着強さも同じ条件下で評価する。フィルムおよび市販のサンプルの接着強さを表７に示す。
【表７】
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【００８９】
３．水蒸気透過速度：
水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）は、透過分析機器（Ｍｏｃｏｎ社製Ｐｅｒｍａｔｒａｎ  Ｗ型１０１Ｋ）を用いて測定する。全てのＷＶＴＲ単位は、３８℃および５０℃ならびに相対湿度（ＲＨ）１００％にて測定された１日あたり１００平方インチあたりのグラム（ｇ／（１００ｉｎ2−日）であり、２つの検体の平均である。市販のフィルムも試験して防湿層特性を比較する。実験フィルムおよび市販のフィルムの厚さは１５ミルであり、両方のフィルムが１６０℃にて３０分間硬化される。ＷＶＴＲの結果を表８に示す。
【表８】
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【００９０】
表８中のデータが示すように、本発明のフィルムのＷＶＴＲは、市販のフィルムよりも水蒸気に対する透過性がはるかに低い。
【００９１】
本発明は先行する説明および実施例によってかなり詳細に説明されてきたが、この詳細な記述は説明目的のものであり、添付される特許請求の範囲に記載されているとおりの本発明の範囲の制限と解釈されるべきではない。上に特定される全ての米国特許、公開特許および許可された特許出願は参照により本明細書に援用される。
なお本願は、特許請求の範囲に記載の発明に関するものであるが、他の態様として以下も包含し得る。
（１）Ａ．少なくとも１つの電子装置、および
Ｂ．電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料であって、（１）（ａ）約１．３よりも大きい分子量分布、（ｂ）約０．９０ｇ／ｃｃよりも小さい密度、（ｃ）ＡＳＴＭ Ｄ−８８２−０２により測定して約１５０メガパスカル（ｍＰａ）よりも小さい２％割線係数、（ｄ）約１２５℃未満の融点、（ｅ）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約１０重量パーセントであり約８０重量パーセント（ｗｔ％）未満のα−オレフィン含量、および（ｆ）−３５℃未満のＴｇ、の中の少なくとも１つの特性をもつエチレンマルチブロックコポリマー、（２）所望によりフリーラジカル開始剤、および（３）所望により助剤を含むポリマー材料
を含む、電子装置モジュール。
（２）前記電子装置がソーラーセルである、上記（１）に記載のモジュール。
（３）前記フリーラジカル開始剤が、前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量で存在する、上記（２）に記載のモジュール。
（４）前記助剤が、前記コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量で存在する、上記（３）に記載のモジュール。
（５）前記フリーラジカル開始剤が過酸化物である、上記（４）に記載のモジュール。
（６）前記コポリマーが、ＡＳＴＭ ２７６５−９５により測定して約７０パーセント未満のキシレン可溶性抽出可能物を含むように、ポリオレフィンコポリマーが架橋されている、上記（１）に記載のモジュール。
（７）前記ポリマー材料が、電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触している単層フィルムの形態である、上記（１）に記載のモジュール。
（８）前記ポリマー材料が、約０．０１から約１．７重量％の量のスコーチ防止剤をさらに含む、上記（１）に記載のモジュール。
（９）少なくとも１枚のガラスカバーシートをさらに含む、上記（１）に記載のモジュール。
（１０）前記ポリマー材料が、少なくとも１つのエチレン不飽和と少なくとも１つのカルボニル基を含む不飽和有機化合物でグラフトされたポリオレフィンポリマーをさらに含む、上記（１）に記載のモジュール。
（１１）前記不飽和有機化合物が無水マレイン酸である、上記（１０）に記載のモジュール。
（１２）前記エチレンマルチブロックコポリマーが、（ｉ）ＴＲＥＦを用いて分画された場合に約４０℃から約１３０℃の間で溶出する分子画分が、前記画分のブロックインデックスが少なくとも０．５より大きく約１までであり、ＭＷＤが約１．３より大きいことを特徴とすること、および（ｉｉ）平均ブロックインデックスが０より大きく約１．０までであり、ＭＷＤが約１．３より大きいこと、の少なくとも１つによりさらに特徴付けられる、上記（１）に記載のモジュール。
（１３）Ａ．少なくとも１つの電子装置、および
Ｂ．前記電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料であって、（１）（ａ）約１．３よりも大きい分子量分布、（ｂ）約０．９０ｇ／ｃｃよりも小さい密度、（ｃ）ＡＳＴＭ Ｄ−８８２−０２により測定して約１５０メガパスカル（ｍＰａ）よりも小さい２％割線係数、（ｄ）約１２５℃未満の融点、（ｅ）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約１０であって約８０重量パーセント（ｗｔ％）未満のα−オレフィン含量、および（ｆ）−３５℃未満のＴｇ、の中の少なくとも１つの特性をもつエチレンマルチブロックコポリマー、（２）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．１重量％の量のビニルシラン、（３）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤、および（４）所望により助剤を含むポリマー材料
を含む、電子装置モジュール。
（１４）前記電子装置がソーラーセルである、上記（１３）に記載のモジュール。
（１５）前記助剤が、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量で存在する、上記（１４）に記載のモジュール。
（１６）前記フリーラジカル開始剤が過酸化物である、上記（１５）に記載のモジュール。
（１７）前記ビニルシランが、ビニルトリエトキシシランおよびビニルトリメトキシシランの中の少なくとも１つである、上記（１６）に記載のモジュール。
（１８）前記コポリマーが、ＡＳＴＭ ２７６５−９５により測定して約７０パーセント未満のキシレン可溶性抽出可能物を含むように、ポリオレフィンコポリマーが架橋されている、上記（１３）に記載のモジュール。
（１９）前記ポリマー材料が、電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触している単層フィルムの形態である、上記（１３）に記載のモジュール。
（２０）前記ポリマー材料が、約０．０１から約１．７重量％の量のスコーチ防止剤をさらに含む、上記（１３）に記載のモジュール。
（２１）前記ポリマー材料が、少なくとも１つのエチレン不飽和と少なくとも１つのカルボニル基を含む不飽和有機化合物でグラフトされたポリオレフィンポリマーをさらに含む、上記（１３）に記載のモジュール。
（２２）前記不飽和有機化合物が無水マレイン酸である、上記（２１）に記載のモジュール。
（２３）前記エチレンマルチブロックコポリマーが、（ｉ）ＴＲＥＦを用いて分画された場合に約４０℃から約１３０℃の間で溶出する分子画分が、前記画分のブロックインデックスが少なくとも０．５より大きく約１までであり、ＭＷＤが約１．３より大きいことを特徴とすること、および（ｉｉ）平均ブロックインデックスが０より大きく約１．０までであり、ＭＷＤが約１．３より大きいこと、の少なくとも１つによりさらに特徴付けられる、上記（１３）に記載のモジュール。
（２４）Ａ．少なくとも１つの電子装置、および
Ｂ．前記電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料であって、エチレンマルチブロックコポリマーを含むポリマー材料
を含む、電子装置モジュール。
（２５）エチレン／非極性α−オレフィンポリマーフィルムであって、前記フィルムが、（ｉ）４００から１１００ナノメートルの波長範囲の間、９２％以上の透過率、および（ｉｉ）１日平方メートル当たり約５０グラム未満（ｇ／ｍ2・日）の水蒸気透過速度、を有することを特徴とする、フィルム。
【図１】
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【図２】
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