(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を保持するベース基板と、
前記電子部品を覆うように、前記ベース基板に重ねられたカバー基板と、を備えた試験用キャリアであって、
前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在すると共に前記電子部品を取り囲むシール部材を備えており、
前記シール部材は、導電性を有する環状の弾性材から構成されていることを特徴とする試験用キャリア。
【請求項２】
請求項１に記載の試験用キャリアであって、
前記ベース基板又は前記カバー基板は、前記シール部材に粘着する粘着材を有することを特徴とする試験用キャリア。
【請求項３】
電子部品を保持するベース基板と、
前記電子部品を覆うように、前記ベース基板に重ねられたカバー基板と、を備えた試験用キャリアであって、
前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在すると共に前記電子部品を取り囲むシール部材を備えており、
前記シール部材は、前記カバー基板又は前記ベース基板の一部が挿入された溝を有することを特徴とする試験用キャリア。
【請求項４】
請求項３に記載の試験用キャリアであって、
前記シール部材は、導電性を有する環状の弾性材から構成されていることを特徴とする試験用キャリア。
【請求項５】
請求項４に記載の試験用キャリアであって、
前記ベース基板又は前記カバー基板は、前記シール部材と接触する平滑部を有することを特徴とする試験用キャリア。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載の試験用キャリアであって、
前記電子部品は、半導体ウェハをダイシングすることで形成されたダイであることを特徴とする試験用キャリア。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかに記載の試験用キャリアであって、
前記ベース基板と前記カバー基板との間に形成され、前記電子部品を収容する収容空間は、外気に比して減圧されていることを特徴とする試験用キャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイチップに形成された集積回路等の電子回路を試験するために、当該ダイチップが一時的に実装される試験用キャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハから切り出されたチップ状のデバイスを一時的にパッケージする試験用パッケージとして、第１基板と第２基板との間にデバイスを挟み込んで、当該第１基板と第２基板との間の気体を吸引して、デバイスを試験用パッケージ内に封止するものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１０９７３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の試験用パッケージでは、外界の大気圧を利用してデバイス端子と基板側端子とをコンタクトさせるため、第１基板と第２基板との間に形成された空間に高い気密性が要求される。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、高い気密性を確保することが可能な試験用キャリアを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る試験用キャリアは、電子部品を保持するベース基板と、前記電子部品を覆うように、前記ベース基板に重ねられたカバー基板と、を備えた試験用キャリアであって、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在すると共に前記電子部品を取り囲むシール部材を備えており、前記シール部材は、導電性を有する環状の弾性材から構成されていることを特徴とする。
【０００８】
［２］上記発明において、前記ベース基板又は前記カバー基板は、前記シール部材に粘着する粘着材を有してもよい。
【０００９】
［３］本発明に係る試験用キャリアは、電子部品を保持するベース基板と、前記電子部品を覆うように、前記ベース基板に重ねられたカバー基板と、を備えた試験用キャリアであって、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在すると共に前記電子部品を取り囲むシール部材を備えており、前記シール部材は、前記カバー基板又は前記ベース基板の一部が挿入された溝を有することを特徴とする。
［４］上記発明において、前記シール部材は、導電性を有する環状の弾性材から構成されていてもよい。
【００１０】
［５］上記発明において、前記ベース基板又は前記カバー基板は、前記シール部材と接触する平滑部を有してもよい。
【００１２】
［６］上記発明において、前記電子部品は、半導体ウェハをダイシングすることで形成されたダイであってもよい。
【００１３】
［７］上記発明において、前記ベース基板と前記カバー基板との間に形成され、前記電子部品を収容する収容空間は、外気に比して減圧されていてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、ベース基板とカバー基板との間にシール部材が介在しているので、高い気密性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の実施形態におけるデバイス製造工程の一部を示すフローチャートである。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの分解斜視図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの分解断面図である。
【図５】図５は、図４のV部の拡大図である。
【図６】図６は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアのベース基板組立体を示す平面図である。
【図７】図７は、本発明の第１実施形態における配線パターンの変形例を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの第１変形例を示す分解断面図である。
【図９】図９は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの第２変形例を示す分解断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの第３変形例を示す分解断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの第４変形例を示す分解断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの第５変形例を示す分解断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１実施形態における試験用キャリアの第６変形例を示す分解断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２実施形態における試験用キャリアの断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第２実施形態における試験用キャリアの分解断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第２実施形態における試験用キャリアの変形例を示す分解断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の第３実施形態における試験用キャリアを示す分解断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第４実施形態における試験用キャリアを示す断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の第５実施形態における試験用キャリアを示す断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の第６実施形態における試験用キャリアを示す断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の第７実施形態における試験用キャリアを示す断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の第８実施形態における試験用キャリアを示す断面図である。
【図２３】図２３は、本発明の第９実施形態における試験用キャリアを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
＜＜第１実施形態＞＞
図１は本発明の第１実施形態におけるデバイス製造工程の一部を示すフローチャートである。
【００２２】
本実施形態では、半導体ウェハのダイシングの後（図１のステップＳ１０の後）であって最終パッケージングの前（ステップＳ５０の前）に、ダイ９０に作り込まれた集積回路等の電子回路の試験を行う（ステップＳ２０〜ステップＳ４０）。
【００２３】
本実施形態では、先ず、ダイ９０を試験用キャリア１０Ａに一時的に実装する（ステップＳ２０）。次いで、この試験用キャリア１０Ａを介してダイ９０を試験装置（不図示）と電気的に接続することで、ダイ９０に形成された電子回路の試験を実行する（ステップＳ３０）。そして、この試験が終了したら、試験用キャリア１０Ａを分解して当該キャリア１０Ａからダイ９０を取り出し（ステップＳ４０）、このダイ９０を本パッケージングすることで、デバイスが最終製品として完成する。
【００２４】
以下に、本発明の第１実施形態においてダイ９０が一時的に実装（仮パッケージ）される試験用キャリア１０Ａについて説明する。
【００２５】
図２〜図５は本実施形態における試験用キャリアを示す図であり、図６はその試験用キャリアのベース基板組立体を示す図、図７は配線パターンの変形例を示す図、図８〜図１３は本実施形態における試験用キャリアの変形例を示す断面図である。
【００２６】
本実施形態における試験用キャリア１０Ａは、図２〜図４に示すように、ダイ９０が載置されたベース基板組立体２０と、ダイ９０を覆うようにベース基板組立体２０に重ねられたカバー基板３１Ａと、を備えている。この試験用キャリア１０Ａは、大気圧よりも減圧した状態でベース基板組立体２０とカバー基板３１Ａとの間にダイ９０を挟み込むことで、ダイ９０を保持する。
【００２７】
ベース基板組立体２０は、ベース基板２１Ａと、シール部材２４と、を備えており、ベース基板２１Ａは、ベースフレーム２２と、ベースフィルム２３と、を有している。
【００２８】
ベースフレーム２２は、高い剛性（少なくともベースフィルム２３やカバーフィルム３３よりも高い剛性）を有し、中央に矩形状の開口２２１が形成されたリジッド基板である。このベースフレーム２２は、例えば、ポリアミドイミド樹脂やセラミックス、ガラス等から構成されている。
【００２９】
ベースフィルム２３は、可撓性を有するフィルムであり、中央開口２２１を含めたベースフレーム２２の全面に接着剤（不図示）によって貼り付けられている。このように本実施形態では、可撓性を有するベースフィルム２３に、剛性の高いベースフレーム２２が貼り付けられているので、ベース基板２１Ａのハンドリング性の向上が図られている。
【００３０】
図５に示すように、このベースフィルム２３は、配線パターン２３１が形成されたベース層２３２と、このベース層２３２を被覆するカバー層２３３と、を有している。ベースフィルム２３のベース層２３２及びカバー層２３３は何れも、ポリイミドフィルムから構成されている。配線パターン２３１は、例えば、ベース層２３２上に積層された銅箔をエッチングすることで形成されている。
【００３１】
図５及び図６に示すように、配線パターン２３１の一端は、カバー層２３３のスルーホール２３４を介してパッド２３６に接続されている。このパッド２３６には、ダイ９０の電極９１が接続される。一方、配線パターン２３１の他端は、カバー層２３３のスルーホール２３５を介して外部端子２３７に接続されている。この外部端子２３７には、ダイ９０の電子回路の試験の際に、試験装置のコンタクトピンが接触することとなる。
【００３２】
ベース基板組立体２０のシール部材２４は、図２〜図４に示すように、上述したベース基板２１Ａ上に設けられた導電性を有する環状の弾性材である。このシール部材２４は、例えば、ゴム原料にカーボンブラックや金属粉末等の導電体を添加した導電性ゴムから構成されており、具体的には、導電性シリコーンゴム等を例示することができる。
【００３３】
このシール部材２４は、ベースフレーム２２の中央開口２２１に対応した形状の内孔２４１を有している。そして、図５に示すように、このシール部材２４は、平面視において中央開口２２１と内孔２４１とが実質的に一致するように、粘着材２５を介して、ベースフィルム２３上に貼り付けられている。この粘着材２５は、電気絶縁性を有しており、具体的には、例えば、基材の両面に粘着層を有する両面テープや接着剤などを例示することができる。なお、粘着材２５を用いずに、シール部材２４をベースフィルム２３上に直接貼り付けてもよい。
【００３４】
シール部材２４として、ペースト状或いはシート状のゲル材を用いてもよい。こうしたゲル材の具体例としては、例えば、シリコーンを主原料としたゲル材（例えば、株式会社タイカ製のαＧＥＬ（登録商標））を例示することができる。
【００３５】
シール部材２４としてペースト状のゲル材を用いる場合には、当該ゲル材をベースフィルム２３上に直接塗布すればよい。一方、シール部材２４としてシート状のゲル材を用いる場合には、粘着材２５を介して当該ゲル材をベースフィルム２３に貼り付けたり、或いは、粘着材２５を介さずに当該ゲル材をベースフィルム２３に直接貼り付けてもよい。
【００３６】
一方、試験用キャリア１０Ａのカバー基板３１Ａも、カバーフレーム３２と、カバーフィルム３３と、を備えている。
【００３７】
カバーフレーム３２は、高い剛性（少なくともベースフィルム２３やカバーフィルム３３よりも高い剛性）を有し、中央に矩形状の開口３２１が形成されたリジッド基板である。このカバーフレーム３２は、ベースフレーム２２と同様に、例えば、ポリアミドイミド樹脂やセラミックス、ガラス等から構成されている。
【００３８】
カバーフィルム３３は、例えばポリイミドフィルム等の可撓性を有するフィルムであり、中央開口３２１を含めたカバーフレーム３２の全面に接着剤（不図示）によって貼り付けられている。このように本実施形態では、可撓性を有するカバーフィルム３３に、剛性の高いカバーフレーム３２が貼り付けられているので、カバー基板３１Ａのハンドリング性の向上が図られている。因みに、このカバーフィルム３３には、上述のベースフィルム２３と異なり、配線パターンが形成されていない。
【００３９】
なお、上述したシール部材２４を、ベースフィルム２３に代えて、カバーフィルム３３に粘着材２５を介して貼り付けてもよい。
【００４０】
以上に説明した試験用キャリア１０Ａは、以下のように組み立てられる。
【００４１】
すなわち、先ず、電極９１をパッド２３６に位置合わせした状態で、ダイ９０をベース基板２１Ａのベースフィルム２３上に載置する。ベースフィルム２３上に載置されたダイ９０は、シール部材２４の内孔２４１内に位置しており、環状のシール部材２４によって囲まれている。なお、ベース基板２１Ａにシール部材２４を貼り付けてベース基板組立体２０を予め形成しておく。
【００４２】
次いで、大気圧に比して減圧した環境下で、シール部材２４を介してベース基板２１Ａの上にカバー基板３１Ａを重ねて、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ａとの間にダイ９０を挟み込む。この際、ベースフィルム２３とカバーフィルム３３とが直接接触するように、ベース基板２１Ａ上にカバー基板３１Ａを重ねる。
【００４３】
次いで、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ａとの間にダイ９０を挟み込んだ状態のまま、試験用キャリア１０Ａを大気圧環境に戻すことで、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ａとの間に形成された収容空間１１（図３参照）内にダイ９０が保持される。
【００４４】
なお、ダイ９０の電極９１とベースフィルム２３のパッド２３６とは、半田等で固定されていない。本実施形態では、収容空間１１が外気に比して減圧されているので、ベースフィルム２３とカバーフィルム３３によってダイ９０が押圧されて、ダイ９０の電極９１とベースフィルム２３のパッド２３６とが相互に接触している。
【００４５】
また、本実施形態では、シール材２４がベース基板２１Ａとカバー基板３１Ａとの間に介在しているので、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ａとの間に形成される収容空間１１の気密性を向上させることができる。
【００４６】
また、本実施形態では、シール部材２４に導電性を付与することで、上述の分解工程（図１のステップＳ４０）におけるベース基板２１Ａとカバー基板３１との剥離時の静電気の発生を抑制することができ、静電気放電（ＥＳＤ：Electro Static Discharge）によるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、配線パターン２３１の存在によってベースフィルム２３の表面に凹凸が形成されていても、粘着材２５が当該凹凸を埋めるので、シール部材２４による気密性を維持することができる。
【００４８】
さらに、本実施形態では、ベース基板２１Ａにシール部材２４を貼り付けてベース基板組立体２０を予め形成しておき、試験キャリア１０Ａの組立時に当該組立体２０をハンドリングすることで作業性が向上する。
【００４９】
なお、配線パターン２３１は、上記の構成に特に限定されない。例えば、図７に示すように、配線パターン２３１の一部を、ベースフィルム２３の表面にインクジェット印刷によってリアルタイムに形成してもよい。或いは、配線パターン２３１の全てをインクジェット印刷によって形成してもよい。
【００５０】
本実施形態では、導電性を有するシール部材２４が、ベースフィルム２３上に露出した配線パターン２３１の上に位置しても、電気絶縁性を有する粘着材２５が、シール部材２４と配線パターン２３１との間に介在するので、これらの間の電気絶縁性が確保される。
【００５１】
なお、パッド２３６の位置や外部端子２３７の位置は特に限定されず、以下に説明する図８〜図１３に示すような構成であってもよいし、これらを組み合わせた構成であってもよい。
【００５２】
例えば、図８に示す第１変形例のように、パッド２３６をベースフィルム２３の上面に形成し、外部端子２３７をベースフレーム２２の下面に形成してもよい。この場合には、パッド２３６と外部端子２３７とを接続する導電路２３８は、ベースフィルム２３とベースフレーム２２に形成される。
【００５３】
また、図９に示す第２変形例のように、パッド２３６をベースフィルム２３の上面に形成し、外部端子２３７をベースフィルム２３の下面に形成してもよい。この場合には、導電路２３８はベースフィルム２３に形成される。
【００５４】
また、図１０に示す第３変形例のように、パッド２３６をカバーフィルム３３の下面に形成し、外部端子２３７をカバーフレーム３２の上面に形成してもよい。この場合には、導電路２３８は、カバーフィルム３３とカバーフレーム３２に形成される。なお、特に図示しないが、図９に示す例と同様の要領で、外部端子２３７をカバーフィルム３３の上面に形成してもよい。
【００５５】
また、図１１に示す第４変形例のように、パッド２３６をカバーフィルム２３の下面に形成し、外部端子２３７をベースフレーム２２の下面に形成してもよい。この場合には、導電路２３８は、カバーフィルム３３、ベースフィルム２３、及びベースフレーム２２に形成される。
【００５６】
さらに、ダイ９０が上面及び下面の両面に電極９１を有する場合には、図１２に示す第５変形例のように、パッド２３６をベースフィルム２３及びカバーフィルム３３の両方に形成すると共に、外部端子２３７をベースフレーム２２及びカバーフレーム３２の両方に形成する。
【００５７】
また、ダイ９０が比較的厚い場合には、図１３に示す第６変形例のように、ベースフレーム２２とカバーフレーム３２とがシール部材２４を介して対向するように、ベース基板２１Ａ上にカバー基板３１Ａを重ねてもよい。
【００５８】
＜＜第２実施形態＞＞
図１４及び図１５は本発明の第２実施形態における試験用キャリアを示す図である。
【００５９】
図１４に示すように、本実施形態における試験用キャリア１０Ｂは、ベース基板２１Ａと、カバー基板組立体３０と、を備えており、カバー基板組立体３０は、カバー基板３１Ａと、シール部材３４と、を有している。
【００６０】
なお、本実施形態におけるベース基板２１Ａ及びカバー基板３１Ａは、第１実施形態と同様であるので、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００６１】
カバー基板組立体３０のシール部材３４は、図１４及び図１５に示すように、カバー基板３１Ａに取り付けられた導電性を有する環状の弾性材である。このシール部材３４は、第１実施形態で説明したシール部材２４と同様に、例えば、ゴム原料にカーボンブラックや金属粉末等の導電体を添加した導電性ゴムから構成されており、具体的には、導電性シリコーンゴム等を例示することができる。
【００６２】
このシール部材３４は、カバーフレーム３２の中央開口３２１に対応した形状の内孔３４１を有している。また、このシール部材３４は、カバー基板３１Ａの外周部分が全周に亘って挿入された内周溝３４２を有している。
【００６３】
なお、図１４及び図１５に示す例では、カバー基板３１Ａにおいてカバーフレーム３２全体がシール部材３４の内周溝３４２に挿入されているが、特にこれに限定されず、カバーフレーム３２の外周部分のみを内周溝３４２に挿入してもよい。
【００６４】
本実施形態における試験用キャリア１０Ｂは、上述の第１実施形態における試験用キャリア１０Ａと同様に組み立てられるが、事前にカバー基板３１Ａにシール部材３４が取り付けられて、カバー基板組立体３０を予め形成しておく点で、第１実施形態と相違する。
【００６５】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール材３４がベース基板２１Ａとカバー基板３１Ａとの間に介在しているので、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ａとの間に形成される収容空間１１の気密性を向上させることができる。
【００６６】
また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材３４に導電性を付与することで、上述の分解工程（図１のステップＳ４０）において、ＥＳＤによるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。
【００６７】
さらに、本実施形態では、カバー基板３１Ａにシール部材３４を貼り付けてカバー基板組立体３０を予め形成しておき、試験キャリア１０Ｂの組立時に当該組立体３０をハンドリングすることで作業性が向上する。
【００６８】
とりわけ本実施形態では、シール部材３４の内周溝３４２にカバー基板３１Ａの外周部分を挿入するので、シール部材３４をカバー基板３１Ａに取り付けるための粘着材が不要となる。
【００６９】
なお、ダイ９０が比較的厚い場合には、ベースフレーム２２とカバーフレーム３２とがシール部材３４を介して対向するように、ベース基板２１Ａにカバー基板３１Ａを重ねてもよい。
【００７０】
図１６は本実施形態における試験用キャリアの変形例を示す図である。
【００７１】
なお、図１６に示すように、ベースフィルム２３とシール部材３４との間に、電気絶縁性を有する絶縁フィルム２６を介在させてもよい。この絶縁フィルム２６は、粘着材を介してベースフィルム２３に貼り付けられている。
【００７２】
これにより、配線パターン２３１の存在によってベースフィルム２３の表面が凹凸となっていても、絶縁フィルム２６によって平滑な面が確保されるので、シール部材３４による気密性を維持することができる。
【００７３】
また、ベースフィルム２３上に配線パターン２３１が露出しても、電気絶縁性を有する絶縁フィルム２６が配線パターン２３１とシール部材３４との間に介在するので、シール部材３４と配線パターン２３１との間の電気絶縁性が確保される。
【００７４】
なお、絶縁フィルム２６に代えて、ベースフィルム２３においてシール部材３４に対向する位置に、基材の片面のみに粘着層を有する片面テープを貼り付けたり、ソルダレジスト等を印刷することで平滑な面を確保してもよい。本実施形態における絶縁フィルム２６、片面テープ、或いはソルダレジストが本発明における平滑部の一例に相当する。
【００７５】
また、上述のシール部材３４を、カバー基板３１Ａに代えて、ベース基板２１Ａに取り付けてもよい。この場合に、シール部材３４の密着性を向上させるために、カバーフィルム３３とシール部材３４との間に絶縁フィルム２６を介在させてもよい。
【００７６】
＜＜第３実施形態＞＞
図１７は本発明の第３実施形態における試験用キャリアを示す図である。
【００７７】
本実施形態では、ベース基板の構成が第１実施形態と相違するが、それ以外の構成は第１実施形態と同様である。
【００７８】
図１７に示すように、本実施形態におけるベース基板２１Ｂは、高い剛性（少なくともカバーフィルム３３よりも高い剛性）を有するが、中央開口を有しない平板状のリジッド基板のみから構成されている。このベース基板２１Ｂは、例えば、ポリアミドイミド樹脂、セラミックス、ガラス等から構成されている。なお、特に図示しないが、ベース基板２１Ｂを、例えば単層又は多層のプリント配線板で構成することで、ベース基板２１Ｂに配線パターン２３１を形成することができる。
【００７９】
本実施形態でも、シール部材２４が、ベース基板２１Ｂとカバー基板３１Ａとの間に介在しており、ベース基板２１Ｂとカバー基板３１Ａの間に保持されたダイ９０は、環状のシール部材２４に囲まれている。なお、第１実施形態で説明したように、粘着材でシール部材２４をベース基板２１Ｂ又はカバー基板３１Ａに予め貼り付けてもよい。
【００８０】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール材２４がベース基板２１Ｂとカバー基板３１Ａとの間に介在しているので、ベース基板２１Ｂとカバー基板３１Ａとの間に形成される収容空間１１の気密性を向上させることができる。
【００８１】
また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４に導電性が付与されているので、図１のステップＳ４０（分解工程）において、ＥＳＤによるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制止することができる。
【００８２】
なお、ダイ９０が比較的厚い場合には、ベース基板２１Ｂとカバーフレーム３２とがシール部材２４を介して対向するように、ベース基板２１Ｂにカバー基板３１Ａを重ねてもよい。
【００８３】
＜＜第４実施形態＞＞
図１８は本発明の第４実施形態における試験用キャリアを示す図である。
【００８４】
本実施形態では、カバー基板の構成が第１実施形態と相違するが、それ以外の構成は第１実施形態と同様である。
【００８５】
図１８に示すように、本実施形態におけるカバー基板３１Ｂは、高い剛性（少なくともベースフィルム２３よりも高い剛性）を有するが、中央開口を有しない平板状のリジッド基板のみから構成されている。このカバー基板３１Ｂは、例えば、ポリアミドイミド樹脂、セラミックス、ガラス等から構成されている。
【００８６】
本実施形態でも、シール部材２４が、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ｂとの間に介在しており、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ｂとの間に保持されたダイ９０は、環状のシール部材２４に囲まれている。なお、第１実施形態と同様に、粘着材でシール部材２４をベース基板２１Ａ又はカバー基板３１Ｂに予め貼り付けてもよい。
【００８７】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４がベース基板２１Ａとカバー基板３１Ｂとの間に介在しているので、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ｂとの間に形成される収容空間１１の気密性を向上させることができる。
【００８８】
また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４に導電性が付与されているので、図１のステップＳ４０（分解工程）において、ＥＳＤによるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。
【００８９】
なお、ダイ９０が比較的厚い場合には、ベースフレーム２２とカバー基板３１Ｂとがシール部材２４を介して対向するように、ベース基板２１Ａにカバー基板３１Ｂを重ねてもよい。
【００９０】
＜＜第５実施形態＞＞
図１９は本発明の第５実施形態における試験用キャリアを示す図である。
【００９１】
本実施形態では、カバー基板の構成が第１実施形態と相違するが、それ以外の構成は第１実施形態と同様である。
【００９２】
図１９に示すように、本実施形態におけるカバー基板３１Ｃは、上述のカバーフィルム３３のみから構成されている。
【００９３】
本実施形態でも、シール部材２４が、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ｃとの間に介在しており、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ｃとの間に保持されたダイ９０は、環状のシール部材２４に囲まれている。なお、第１実施形態で説明したように、粘着材でシール部材２４をベース基板２１Ａ又はカバー基板３１Ｃに予め貼り付けてもよい。
【００９４】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４がベース基板２１Ａとカバー基板３１Ｃとの間に介在しているので、ベース基板２１Ａとカバー基板３１Ｃとの間に形成される収容空間１１の気密性の向上を図ることができる。
【００９５】
また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４に導電性が付与されているので、図１のステップＳ４０（分解工程）において、ＥＳＤによるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。
【００９６】
なお、ダイ９０が比較的厚い場合には、ベースフレーム２２がシール部材２４を介してカバー基板３１Ｃに対向するように、ベース基板２１Ａにカバー基板３１Ｃを重ねてもよい。
【００９７】
＜＜第６実施形態＞＞
図２０は本発明の第６実施形態における試験用キャリアを示す図である。
【００９８】
本実施形態では、ベース基板の構成が第１実施形態と相違するが、それ以外の構成は第１実施形態と同様である。
【００９９】
図２０に示すように、本実施形態におけるベース基板２１Ｃは、上述のベースフィルム２３のみから構成されている。
【０１００】
本実施形態でも、シール部材２４が、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ａとの間に介在しており、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ａとの間に保持されたダイ９０は、環状のシール部材２４に囲まれている。なお、第１実施形態で説明したように、粘着材でシール部材２４をベース基板２１Ｃ又はカバー基板３１Ａに予め貼り付けてもよい。
【０１０１】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４がベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ａとの間に介在しているので、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ａとの間に形成される収容空間１１の気密性を向上させることができる。
【０１０２】
また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４に導電性が付与されているので、図１のステップＳ４０（分解工程）において、ＥＳＤによるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。
【０１０３】
なお、ダイ９０が比較的厚い場合には、カバーフレーム３２がシール部材２４を介してベース基板２１Ｃに対向するように、ベース基板２１Ｃにカバー基板３１Ａを重ねてもよい。
【０１０４】
＜＜第７実施形態＞＞
図２１は本発明の第７実施形態における試験用キャリアを示す図である。
【０１０５】
本実施形態の試験用キャリアは、第３実施形態で説明したベース基板２１Ｂ（図１７参照）と、第５実施形態で説明したカバー基板３１Ｃ（図１９参照）と、から構成されている。
【０１０６】
本実施形態でも、シール部材２４が、ベース基板２１Ｂとカバー基板３１Ｃとの間に介在しており、ベース基板２１Ｂとカバー基板３１Ｃとの間に保持されたダイ９０は、環状のシール部材２４に囲まれている。なお、第１実施形態で説明したように、粘着材でシール部材２４をベース基板２１Ｂ又はカバー基板３１Ｃに予め貼り付けてもよい。
【０１０７】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４がベース基板２１Ｂとカバー基板３１Ｃとの間に介在しているので、ベース基板２１Ｂとカバー基板３１Ｃとの間に形成される収容空間１１の気密性の向上を図ることができる。
【０１０８】
また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４に導電性が付与されているので、図１のステップＳ４０（分解工程）において、ＥＳＤによるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。
【０１０９】
＜＜第８実施形態＞＞
図２２は本発明の第８実施形態における試験用キャリアを示す図である。
【０１１０】
本実施形態の試験用キャリアは、第６実施形態で説明したベース基板２１Ｃ（図２０参照）と、第４実施形態で説明したカバー部材３１Ｂ（図１８参照）と、から構成されている。
【０１１１】
本実施形態でも、シール部材２４が、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ｂとの間に介在しており、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ｂとの間に保持されたダイ９０は、環状のシール部材２４に囲まれている。なお、第１実施形態で説明したように、粘着材でシール部材２４をベース基板２１Ｃ又はカバー基板３１Ｂに予め貼り付けてもよい。
【０１１２】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４がベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ｂとの間に介在しているので、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ｂとの間に形成される収容空間１１の気密性の向上を図ることができる。
【０１１３】
また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４に導電性が付与されているので、図１のステップＳ４０（分解工程）において、ＥＳＤによるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。
【０１１４】
＜＜第９実施形態＞＞
図２３は本発明の第９実施形態における試験用キャリアを示す図である。
【０１１５】
本実施形態の試験用キャリアは、第６実施形態で説明したベース基板２１Ｃ（図２０参照）と、第５実施形態で説明したカバー基板３１Ｃ（図１９参照）と、から構成されている。
【０１１６】
本実施形態でも、シール部材２４が、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ｃとの間に介在しており、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ｃとの間に保持されたダイ９０は、環状のシール部材２４に囲まれている。なお、第１実施形態で説明したように、粘着材でシール部材２４をベース基板２１Ｃ又はカバー基板３１Ｃに予め貼り付けてもよい。
【０１１７】
本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４がベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ｃとの間に介在しているので、ベース基板２１Ｃとカバー基板３１Ｃとの間に形成される収容空間１１の気密性の向上を図ることができる。
【０１１８】
また、本実施形態では、第１実施形態と同様に、シール部材２４に導電性が付与されているので、図１のステップＳ４０（分解工程）において、ＥＳＤによるダイ９０の電子回路の劣化や損傷を抑制することができる。
【０１１９】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【０１２０】
例えば、図１４〜図２３に示す第２〜第９実施形態において、図８〜図１２に示すような導電路を採用してもよい。また、図１７〜図２３に示す第３〜第９実施形態において、シール部材２４に代えて、第２実施形態で説明したシール部材３４を採用してもよい。
【０１２１】
また、第１〜第９実施形態におけるベース基板とカバー基板の大きさの関係は特に限定されない。ベース基板をカバー基板よりも大きくしてもよいし、ベース基板をカバー基板よりも小さくしてもよいし、或いは、ベース基板とカバー基板とを同じ大きさとしてもよい。
【符号の説明】
【０１２２】
１０Ａ，１０Ｂ…試験用キャリア
１１…収容空間
２０…ベース基板組立体
２１Ａ〜２１Ｃ…ベース基板
２２…ベースフレーム
２３…ベースフィルム
２４…シール部材
２４１…内孔
２５…粘着材
３０…カバー基板組立体
３１Ａ〜３１Ｃ…カバー基板
３２…カバーフレーム
３３…カバーフィルム
３４…シール部材
３４１…内孔
３４２…内周溝
９０…ダイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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