(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明支持基板上に形成された不活性金属を用いた、厚さが５〜２０ｎｍである第一ゲート電極と、前記第一ゲート電極上に形成された活性金属を用いた、厚さが１〜１０ｎｍである第二ゲート電極と、前記第二ゲート電極上に形成されたフッ素系ポリマーを用いた高分子ゲート絶縁層と、前記高分子ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機半導体層とを備えたことを特徴とする透明有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
透明支持基板上に形成された不活性金属を用いた、厚さが５〜２０ｎｍである第一ゲート電極と、前記第一ゲート電極上に形成された活性金属を用いた、厚さが１〜１０ｎｍである第二ゲート電極と、前記第二ゲート電極上に形成されたフッ素系ポリマーを用いた高分子ゲート絶縁層と、前記高分子ゲート絶縁層上に形成された有機半導体層と、前記有機半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えたことを特徴とする透明有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第一ゲート電極は、Ａｕ、Ｐｔ、及びＡｇからなる群から選ばれた１種の材質で構成されたものであり、前記第二ゲート電極は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ合金からなる群から選ばれた１種の材質で構成されたものである、請求項１又は２記載の透明有機薄膜トランジスタ。
【請求項４】
透明支持基板上に不活性金属を用いて、厚さが５〜２０ｎｍである第一ゲート電極を形成する工程と、前記第一ゲート電極上に活性金属を用いて、厚さが１〜１０ｎｍである第二ゲート電極を形成する工程と、前記第二ゲート電極上にフッ素系ポリマーを用いて高分子ゲート絶縁層を形成する工程と、前記高分子ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する工程を備えたことを特徴とする透明有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
透明支持基板上に不活性金属を用いて、厚さが５〜２０ｎｍである第一ゲート電極を形成する工程と、前記第一ゲート電極上に活性金属を用いて、厚さが１〜１０ｎｍである第二ゲート電極を形成する工程と、前記第二ゲート電極上にフッ素系ポリマーを用いて高分子ゲート絶縁層を形成する工程と、前記高分子ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を備えたことを特徴とする透明有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記第一ゲート電極は、Ａｕ、Ｐｔ、及びＡｇからなる群から選ばれた１種の材質で構成されたものであり、前記第二ゲート電極は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ合金からなる群から選ばれた１種の材質で構成されたものである、請求項４又は５記載の透明有機薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体を用いた透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体を用いる有機エレクトロニクスは、薄型、軽量で、且つフレキシブルなデバイスへの可能性を有した次世代技術として大きく注目されている。例えばすでに製品化された有機電界発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に加えて、アクティブマトリクス用スイッチング素子を用途とする有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）の研究開発が、近年大きく進展している。【０００３】
これらの有機電界効果トランジスタの性能は、現在ディスプレイに多く使用されているアモルファスシリコン薄膜電界効果トランジスタの特性を凌駕しており、実用化に向けデバイス特性と長期安定性をさらに向上させるため技術開発が行われている。【０００４】
従来、フレキシブルな有機電界効果トランジスタを可能にする有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層としては、例えば、下記特許文献１に、ゲート電極ＡｌをＯ２プラズマ処理で酸化して形成したＡｌ２Ｏ３からなるゲート絶縁層が報告されている。また、下記非特許文献１には、高分子材料であるポリビニルフェノール（ＰＶＰ）を有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層に用いることが報告されている。【０００５】
一方、有機薄膜トランジスタにおいてデバイス駆動の要となる電荷輸送は、有機半導体層とゲート絶縁層との境界に沿った界面で生じる。特に、ゲート絶縁層上の水分子やヒドロキシル基などは電荷輸送のトラップになることが知られている。そのため、ゲート絶縁層上を高撥水性にする必要があり、例えば、下記特許文献２には、無機酸化物からなるゲート絶縁層を自己組織化膜によって高撥水性処理することが報告されている。また、下記非特許文献２には、水に対する接触角が大きいフッ素系ポリマーを有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層に用いることが報告されている。【０００６】
更に、下記特許文献３には、透明性の高い有機薄膜トランジスタを形成するために、可視領域光の吸光度が小さい有機半導体を用いることが報告されている。透明性の高い有機薄膜トランジスタを提供することによりＯＬＥＤなどの発光素子との積層が可能となり、例えば窓ガラス、車のフロントガラスなどに文字や映像など表示できる画像表示素子への応用が期待できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２１４５２５号公報
【特許文献２】特開２００４−３２７８５７号公報
【特許文献３】特開２００９−２１２３８９号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Alejandro L. Briseno, Ricky J. Tseng, Mang-Mang Ling, Eduardo H. L. Falcao, Yang Yang, Fred Wudl, and Zhenan Bao 「High-Performance Organic Single-Crystal Transistors on Flexible Substrates」Adv. Mater., 18, p2320-2324 (2006)
【非特許文献２】W. L. Kalb, T. Mathis, S. Haas, A. F. Stassen, and B. Batlogg「Organic small molecule field-effect transistors with CytopTM gate dielectric: Eliminating gate bias stress effects」APPLIED PHYSICS LETTERS 90, 092104(2007)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１のように、ゲート絶縁層がＡｌ２Ｏ３からなる有機薄膜トランジスタでは、Ａｌ２Ｏ３が可視領域光に対する透過性に乏しく、透明性の高い有機薄膜トランジスタを得ることができないという問題があった。また、上記非特許文献１のように、ゲート絶縁層にポリビニルフェノール（ＰＶＰ）を用いた有機薄膜トランジスタでは、ＰＶＰの膜厚が１５００ｎｍ程度と厚く、キャパシタンスが低いといった問題があった。【００１０】
更に、上記特許文献２のように、ゲート絶縁層が無機酸化物からなる有機薄膜トランジスタでは、一般に加熱酸化による無機酸化物の形成温度が５００℃以上と高く、また膜厚も２００ｎｍ程度と厚く、フレキシブルデバイスに適さないという問題があった。【００１１】
一方、上記非特許文献２のように、ゲート絶縁層にフッ素系ポリマーを用いた有機薄膜トランジスタでは、水に対する接触角が高く界面キャリア輸送の妨げとなる水分子などを排除できるため、デバイス特性が良いという利点はあるが、フッ素系ポリマーとゲート電極上のヒドロキシル基とが反応し密着する機構のため、金など導電性の良い電極材料であっても、不活性金属のために、そのゲート電極として用いることができないという問題があった。他方、ゲート電極にＡｌなどの活性金属を用いると、そのゲート電極の膜厚を１０ｎｍ程度に薄く形成しても自然酸化により導電性が得られないため、２０ｎｍ程度の膜厚が必要になってしまい、透明性の高い有機薄膜トランジスタが作製できないという問題があった。【００１２】
このように、透明性の高い有機薄膜トランジスタの開発への要請は高いが、そのために必要なゲート電極やゲート絶縁層に関する技術には乏しいのが現状であった。【００１３】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れたトランジスタ性能を有し、フレキシブルデバイスへの応用が可能であって、透明性の高い有機薄膜トランジスタを提供することにある。また、その製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の透明有機薄膜トランジスタの１つは、透明支持基板上に形成された不活性金属を用いた第一ゲート電極と、前記第一ゲート電極上に形成された活性金属を用いた第二ゲート電極と、前記第二ゲート電極上に形成されたフッ素系ポリマーを用いた高分子ゲート絶縁層と、前記高分子ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成された有機半導体層とを備えたことを特徴とする。【００１５】
また、本発明の透明有機薄膜トランジスタのもう１つは、透明支持基板上に形成された不活性金属を用いた第一ゲート電極と、前記第一ゲート電極上に形成された活性金属を用いた第二ゲート電極と、前記第二ゲート電極上に形成されたフッ素系ポリマーを用いた高分子ゲート絶縁層と、前記高分子ゲート絶縁層上に形成された有機半導体層と、前記有機半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えたことを特徴とする。【００１６】
本発明の透明有機薄膜トランジスタにおいては、前記第一ゲート電極は、Ａｕ、Ｐｔ、及びＡｇからなる群から選ばれた１種の材質で構成されたものであり、前記第二ゲート電極は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ合金からなる群から選ばれた１種の材質で構成されたものであることが好ましい。【００１７】
一方、本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の１つは、透明支持基板上に不活性金属を用いて第一ゲート電極を形成する工程と、前記第一ゲート電極上に活性金属を用いて第二ゲート電極を形成する工程と、前記第二ゲート電極上にフッ素系ポリマーを用いて高分子ゲート絶縁層を形成する工程と、前記高分子ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体層を形成する工程を備えたことを特徴とする。【００１８】
また、本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法のもう１つは、透明支持基板上に不活性金属を用いて第一ゲート電極を形成する工程と、前記第一ゲート電極上に活性金属を用いて第二ゲート電極を形成する工程と、前記第二ゲート電極上にフッ素系ポリマーを用いて高分子ゲート絶縁層を形成する工程と、前記高分子ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を備えたことを特徴とする。【００１９】
本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法においては、前記第一ゲート電極は、Ａｕ、Ｐｔ、及びＡｇからなる群から選ばれた１種の材質で構成されたものであり、前記第二ゲート電極は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びＭｇＡｇ合金からなる群から選ばれた１種の材質で構成されたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、有機薄膜トランジスタのゲート電極として、透明支持基板上に不活性金属を用いた第一ゲート電極を形成し、これに活性金属を用いた第二ゲート電極を積層するという構成を採用したので、ゲート電極の透明性を確保しつつ、そのゲート電極上にフッ素系ポリマーからなるゲート絶縁層を形成することができる。これにより、優れたトランジスタ性能を有し、フレキシブルデバイスへの応用が可能であって、透明性の高い有機薄膜トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の透明有機薄膜トランジスタの一実施形態の概略図である。
【図２】本発明の透明有機薄膜トランジスタの別の実施形態の概略図である。
【図３】本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の一実施形態における、第一ゲート電極形成工程を示す概略図である。
【図４】本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の一実施形態における、第二ゲート電極形成工程を示す概略図である。
【図５】本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の一実施形態における、ゲート絶縁層形成工程を示す概略図である。
【図６】本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の一実施形態における、ソース・ドレイン電極形成工程を示す概略図である。
【図７】本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の一実施形態における、有機半導体層形成工程を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図１〜７を参照しつつ、本発明の透明有機薄膜トランジスタ及びその製造方法の実施形態について説明する。
【００２３】
図１に示すように、この実施形態の透明有機薄膜トランジスタは、ボトムコンタクト型のデバイス構造をなしている。すなわち、透明支持基板１上に第一ゲート電極２が形成され、その第一ゲート電極２上に第二ゲート電極３が形成され、それら第一ゲート電極２及び第二ゲート電極３を覆うように高分子ゲート絶縁層４が形成されている。そして、高分子ゲート絶縁層４上にはソース電極５及びドレイン電極６が形成され、それら電極同士は所定距離のチャネル長を構成するように所定間隔を隔てて形成されている。更に、それらソース電極５及びドレイン電極６を覆うように有機半導体層７が形成されている。
【００２４】
透明支持基板１としては、透明性を有し、後述するような製膜プロセスに対する耐久性を有するものであればよく、例えば、ガラス基板、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＰＣ（ポリカーボネート）フィルム、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）フィルムなどの各種フィルム基板などが挙げられる。
【００２５】
第一ゲート電極２の材料としては、不活性金属を使用する。すなわち、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）などの導電性に優れた電極材料を使用することができる。なお、本明細書において不活性金属とは標準電極電位Ｅ゜が０．６Ｖ以上の金属をいう。ここで標準電極電位とは、電池の片方が下記式（１）の半電池反応で表される水素電極であり、もう片方が測定対象の電極であり、その電池の構成成分すべてが標準状態にあるとき、その水素電極に対してはかった電池の起電力が、測定対象の電極の半電池反応の標準電極電位と定義される。
H＋＋e-＝1/2H2      …(1)
例えば、化学便覧（改訂５版、平成16年発行、発行所；丸善株式会社）によれば、Ａｕは１．８３Ｖ、Ｐｔは１．１８８Ｖ、Ａｇは０．７９９１ＶのＥ゜値をとる。
【００２６】
第一ゲート電極２の厚さは、透明性を有するために薄いことが好ましい。例えば、５〜２０ｎｍが好ましく、５〜１０ｎｍがより好ましい。２０ｎｍを超えると、透明性が低くなる傾向にある。５ｎｍ未満であると、電極として十分な導電性が得られない傾向にある。
【００２７】
第二ゲート電極３の材料としては、活性金属を使用する。すなわち、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ＭｇＡｇ合金などの導電性の良好な電極材料を使用することができる。なお、本明細書において活性金属とは標準電極電位Ｅ゜が０．６Ｖ未満の金属をいう。例えば、化学便覧（改訂５版、平成16年発行、発行所；丸善株式会社）によれば、Ａｌは−１．６７６Ｖ、Ｔｉは−１．６３Ｖ、Ｃｕは０．５２Ｖ、Ｃｒは−０．９ＶのＥ゜値をとる。
【００２８】
第二ゲート電極３の厚さは透明性を有するために薄いことが好ましい。たとえば、１〜１０ｎｍが好ましく、１〜５ｎｍがより好ましい。1０ｎｍを超えると、透明性が低くなる傾向にある。１ｎｍ未満であると、電極として十分な導電性が得られない傾向にある。
【００２９】
第二ゲート電極３に活性金属を用いる理由としては、自然酸化膜を形成することにある。すなわち、後述するように高分子ゲート絶縁層４の材料であるフッ素系ポリマーがゲート電極上のヒドロキシル基と反応して密着する機構のため、下地には金属の自然酸化膜が必要となる。この場合、積極的に活性金属を酸素プラズマなどの処理によって酸化させる方法もあるが、その分工程が増えてしまうため、好ましくない。
【００３０】
高分子ゲート絶縁層４の材料としては、十分な絶縁性を有し、ポリマー主鎖もしくは側鎖にフッ素を含有してなるフッ素系ポリマーを使用する。フッ素系ポリマーは水に対する接触角が大きいので（高撥水性であるので）、ゲート絶縁層上の水分子やヒドロキシル基などが電荷輸送のトラップになることを防ぎ、それによりトランジスタ性能が向上する。その接触角としては、８０°以上であることが好ましく、１００°以上であることがより好ましい。
【００３１】
なお、水に対する接触角とは、水平な材料表面に水滴を静的に置いたとき、水滴が材料表面と接している部分で水滴表面による接線がなす角度を意味し、材料の撥水性をあらわすひとつの指標となる。その測定は、従来公知のθ／２法、接線法、カーブフィッティング法などの測定手法に基づき、市販の接触角計などを用いて行なうことができる。
【００３２】
フッ素系ポリマーとしては、例えばアモルファスフッ素樹脂を使用することができる。アモルファスフッ素樹脂は一般に透明性に優れているので、本発明に好適に用いられる。例えば、旭硝子株式会社から市販されている「Ｃｙｔｏｐ」（商品名、水に対する接触角：１１５°）、デュポン株式会社から市販されている「テフロン（登録商標）AF」（商品名、水に対する接触角：１０５°）などを用いることができる。
【００３３】
高分子ゲート絶縁層４の膜厚は、１０〜２００ｎｍが好ましく、２０〜１００ｎｍがより好ましい。膜厚が薄いと平坦な膜形成が難しくなる傾向にあり、膜厚が厚すぎると静電容量が小さくなり、後述する有機半導体層７に注入されるキャリア量が少なくなる傾向にある。
【００３４】
ソース電極５及びドレイン電極６の電極材料としては、電極として十分な導電性を有するものであればよく、特に制限はない。金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などの各種金属材料を使用できる。
【００３５】
ソース電極５及びドレイン電極６の厚さは、用途により適宜調整できる。例えば、２０〜１００ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍがより好ましい。１００ｎｍを超えると、製膜に時間を要し、プロセス時間が嵩む傾向にある。２０ｎｍ未満であると、配線抵抗が大きくなる傾向にある。
【００３６】
ソース電極５とドレイン電極６との間の距離（チャネル長）Ｌは、例えば、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。チャネル長を短くすることで、高速応答性や、素子の高集積化などが可能となる。ただし、一般的にチャネル長を短くする作製プロセスは困難となる傾向にある。
【００３７】
有機半導体層７の有機半導体材料としては、従来公知のものを用いることができる。例えば、ペンタセン、ルブレンなどのＰ型低分子有機半導体材料、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）などのＰ型高分子有機半導体材料などを用いることができる。
【００３８】
有機半導体層７の膜厚は、例えば１０〜１００ｎｍが好ましく、１０〜６０ｎｍがより好ましく、２０〜４０ｎｍが最も好ましい。１００ｎｍを超えると、製膜に時間を要し、プロセス時間が嵩む傾向にあり、透明性も低くなる傾向にある。１０ｎｍ未満であると、有機半導体材料がアイランド状となり膜形成ができない場合があり、また、特性が悪くなる可能性がある。
【００３９】
図２には、本発明の透明有機薄膜トランジスタの別の実施形態を示す。この実施形態では、図１に示した実施形態の透明有機薄膜トランジスタの構造において、その高分子ゲート絶縁層４上にソース電極やドレイン電極を介さずに直接有機半導体層７が形成され、更にその有機半導体層７上にソース電極５及びドレイン電極６が形成されている。本発明はこのようなトップコンタクト構造のデバイスにも適用される。
【００４０】
次に、本発明の透明有機薄膜トランジスタの製造方法の一実施形態について、図３〜７を参照しつつ説明する。
【００４１】
まず、図３に示すように、透明支持基板１上に第一ゲート電極２を形成する（第一ゲート電極形成工程）。第一ゲート電極２の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述した電極材料を用いて、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などの方法により行なうことができる。
【００４２】
次に、図４に示すように、透明支持基板１上に形成された第一ゲート電極２上に第二ゲート電極３を積層して形成する（第二ゲート電極形成工程）。第二ゲート電極３の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述した電極材料を用いて、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などの方法により行なうことができる。
【００４３】
次に、図５に示すように、透明支持基板１上の第一ゲート電極２及び第二ゲート電極３が形成された側の面に、第一ゲート電極２及び第二ゲート電極３を覆うように高分子ゲート絶縁層４を形成する（ゲート絶縁層形成工程）。高分子ゲート絶縁層４の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述したフッ素系ポリマーを用いて、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法などの各種塗布方法により行なうことができる。第二ゲート電極上は自然酸化膜により親水状態となっているため、フッ素系ポリマー（ポリマー末端がシラノール基やカルボキシル基）と第二ゲート電極３表面（ヒドロキシル基が表面にある状態）とが反応することができ、水素結合や共有結合により膜形成が可能となる。一方、不活性金属を用いたゲート電極表面では親水状態ではないため、フッ素系ポリマーがゲート電極上ではじかれてしまい膜形成が難しい。
【００４４】
次に、図６に示すように、高分子ゲート絶縁層４上にソース電極５及びドレイン電極６を形成する（ソース・ドレイン電極形成工程）。ソース電極５及びドレイン電極６の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述した電極材料を用いて、マスク蒸着法（抵抗加熱蒸着法）、スパッタ法、電子ビーム蒸着法、インクジェット法、スクリーン印刷、スピンコート法などにより行なうことができる。インクジェット法、スクリーン印刷、スピンコート法などの塗布法の場合には、銀インクなどの金属ナノ粒子インクを用いることができる。また、フォトリソ法で形成してもよい。
【００４５】
次に、図７に示すように、高分子ゲート絶縁層４上のソース電極５及びドレイン電極６が形成された側の面に、ソース電極５及びドレイン電極６を覆うように有機半導体層７を形成する（有機半導体層形成工程）。有機半導体層７の形成は、従来公知の方法に準じて行えばよく、例えば、上述した有機半導体材料を用いて、抵抗加熱蒸着法、インクジェット法などにより行うことができる。あるいは、ＰＶＴ法（フィジカル・ベーパー・トランスポート法）で単結晶薄膜を形成し、それを高分子ゲート絶縁層４のソース電極５及びドレイン電極６が形成された側の面に配設して、有機半導体層７としてもよい。
【００４６】
このようにして、本発明の透明有機薄膜トランジスタを製造できる。なお、以上には、ボトムコンタクト構造のデバイス（図１参照）を例に説明したが、ソース・ドレイン電極形成工程と、有機半導体層形成工程との工程順を入れかえることにより、トップコンタクト構造のデバイス（図２参照）とすることができる。
【実施例】
【００４７】
以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、これらの実施例は本発明の範囲を限定するものではない。【００４８】
＜実施例１＞
以下の工程により、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを製造した。【００４９】
透明支持基板としては、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．７ｍｍ厚の石英ガラスを用いた。この石英ガラスを抵抗加熱蒸着装置に装着し、Ａｕをマスク蒸着して膜厚１０ｎｍの第一ゲート電極を形成した。
次に、上記第一ゲート電極上に、同じく抵抗加熱蒸着装置により、Ａｌを３ｎｍ蒸着して第二ゲート電極を形成した。
次に、透明支持基板上の、上記第一及び第二ゲート電極を形成した側の面に、高分子絶縁材料としてフッ素系ポリマー（商品名「Ｃｙｔｏｐ」、旭硝子株式会社製）を用い、スピンコート法により膜厚５０ｎｍのゲート絶縁層を形成した。なお、この時プロセス温度は１２０℃で行った。
次に、上記ゲート絶縁層を形成した透明支持基板を抵抗加熱蒸着装置に装着し、ゲート絶縁層の上面に膜厚２０ｎｍ、チャネル長５０μｍのＡｕをマスク蒸着して、ソース電極及びドレイン電極を形成した。
次に、別途ＰＶＴ法で形成した、ペンタセン（シグマ アルドリッチ ジャパン株式会社製：昇華精製を二回実施）の単結晶（膜厚：６０ｎｍ）を、ゲート絶縁層上に形成したソース電極及びドレイン電極の上から配設し、有機半導体層を形成した。【００５０】
＜実施例２＞
実施例１において、ＡｕをＡｇに変更した以外は実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。【００５１】
＜実施例３＞
実施例１において、ＡｌをＣｒに変更した以外は実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。【００５２】
＜実施例４＞
実施例１において、ＡｌをＣｕに変更した以外は実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。【００５３】
＜実施例５＞
実施例１において、ＡｕをＡｇに変更し、ＡｌをＣｒに変更した以外は実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。【００５４】
＜実施例６＞
実施例１において、ＡｕをＡｇに変更し、ＡｌをＣｕに変更した以外は実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。【００５５】
＜実施例７＞
実施例１において、透明支持基板をＰＥＮフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、耐熱性１５０℃）で行った以外は実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。【００５６】
＜実施例８＞
以下の工程により、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタを製造した。【００５７】
透明支持基板としては、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．７ｍｍ厚の石英ガラスを用いた。この石英ガラスを抵抗加熱蒸着装置に装着し、Ａｕをマスク蒸着して膜厚１０ｎｍの第一ゲート電極を形成した。
次に、上記第一ゲート電極上に、同じく抵抗加熱蒸着装置により、Ａｌを３ｎｍ蒸着して第二ゲート電極を形成した。
次に、透明支持基板上の、上記第一及び第二ゲート電極を形成した側の面に、高分子絶縁材料としてフッ素系ポリマー（商品名「Ｃｙｔｏｐ」、旭硝子株式会社製）を用い、スピンコート法により膜厚５０ｎｍのゲート絶縁層を形成した。なお、この時プロセス温度は１２０℃で行った。
次に、別途ＰＶＴ法で形成した、ペンタセン（シグマ アルドリッチ ジャパン株式会社製：昇華精製を二回実施）の単結晶（膜厚：６０ｎｍ）を、ゲート絶縁層上に配設して、有機半導体層を形成した。
次に、上記有機半導体を形成した透明支持基板を抵抗加熱蒸着装置に装着し、有機半導体層の上面に膜厚２０ｎｍ、チャネル長５０μｍのＡｕをマスク蒸着して、ソース電極及びドレイン電極を形成した。【００５８】
＜比較例１＞
実施例１において、ゲート電極としてＡｌを２０ｎｍ蒸着したこと以外は実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。【００５９】
＜比較例２＞
実施例１において、ゲート電極としてＡｕを２０ｎｍ蒸着したこと以外は実施例１と同様にして、有機薄膜トランジスタを製造した。【００６０】
実施例１〜８、比較例１，２の有機薄膜トランジスタについて、移動度を測定した。なお、移動度は半導体パラメータ測定装置（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）で測定されたゲート電圧−ドレイン電流特性より求めた。【００６１】
結果を表１にまとめて記す。【００６２】
【表１】
0005787038.tif 000002
【００６３】
その結果、実施例１〜８の有機薄膜トランジスタは、フレキシブルな透明デバイスであって、そのトランジスタ性能も非常に良好であった。【００６４】
一方、ゲート電極として活性金属であるＡｌのみを用いた場合、可視光透過率が２０％以下と低く、透明な有機薄膜トランジスタを製造することができなかった（比較例１）。【００６５】
また、ゲート電極として不活性金属であるＡｕのみを用いた場合、ゲート電極とゲート絶縁層であるフッ素系ポリマーとが反応できず膜形成ができなかった（比較例２）。
【符号の説明】
【００６６】
１：透明支持基板
２：第一ゲート電極
３：第二ゲート電極
４：高分子ゲート絶縁層
５：ソース電極
６：ドレイン電極
７：有機半導体層
【図１】
0005787038.tif 000003
【図２】
0005787038.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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