(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための加熱ヘッドを有する半導体製造装置において、
該加熱ヘッドには、吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている半導体製造装置。
【請求項２】
更に、加熱ヘッドの周囲に、熱圧着の際に半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤を硬化させるためのエネルギーを当該接着剤に供給するためのエネルギー外部供給機構が設けられている請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
エネルギー外部供給機構が、加熱気体又はＵＶをはみ出た接着剤に供給するものである請求項２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体製造装置を用いて、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法において：
配線基板の端子に接着剤を適用する工程；
吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている加熱ヘッドに、半導体チップをバキュームチャックし、バキュームチャックしたまま、接着剤を介して配線基板に仮設置する工程；
バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップを、半導体製造装置の加熱ヘッドで熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤に対し、この接着剤を硬化させる紫外線を、エネルギー供給路としての紫外線導波路から照射してはみ出た接着剤を硬化させる工程；  及び
熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップから加熱ヘッドを離隔させる工程
を有する製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の製造方法で製造された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための加熱ヘッドを有する半導体製造装置、それを用いる半導体装置の製造方法、その製造方法により製造された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを配線基板に接着剤を介してフリップチップ実装する際に用いられる半導体製造装置の加熱ヘッドには、配線基板に対する半導体チップの位置ズレを防止するために、半導体チップをバキュームチャックするための吸引口、それに続くバキューム引き用通路を含むバキュームチャック機構が設けられている。このような加熱ヘッドを備えた半導体製造装置で半導体装置を製造する場合、半導体チップは、バキュームチャック機構で加熱ヘッドにバキュームチャックされたまま、接着剤を介して配線基板に仮設置され、続いて熱圧着される。
【０００３】
しかし、このように半導体チップを加熱ヘッドにバキュームチャックしたまま熱圧着すると、熱圧着の際に流動した接着剤が希にバキュームチャック機構（特に、バキューム引き用通路）に進入する場合があり、その結果、半導体製造装置が意図した性能を発揮できず、製造した半導体装置の接続信頼性が低下するという問題や、半導体製造装置の加熱ヘッドの交換を余儀なくされるという問題が生ずる。
【０００４】
このため、熱圧着の際に流動した接着剤が希にバキュームチャック機構に進入しないように、加熱ヘッドの周囲に穿孔を設け、熱圧着の際にそこから空気を噴出させ、半導体チップの周囲にはみ出した接着剤を空気圧で押し拡げることが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１９８９４０号公報、段落００１５、図２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された技術の場合、半導体チップの周囲に押し拡げられた接着剤は、加熱ヘッドからの熱が供給され難くなるため十分に硬化せず、べたつきや汚れの付着などが生じるという問題があった。しかも、半導体チップの側面が、十分に硬化した接着剤で覆われないため、半導体チップの接着強度や接続信頼性の向上が望めないという問題もあった。更に、加熱ヘッドにおいて、空気を噴出する穿孔の位置が固定されているため、異なるサイズの半導体チップを使用すると、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で空気を噴出させることができないという問題もあった。
【０００７】
従って、本発明が解決すべき課題は、（１）半導体チップを配線基板に接着剤を介してフリップチップ実装する際の熱圧着時に、流動した接着剤が加熱ヘッドのバキュームチャック機構に進入しないようにすると共に、半導体チップの周囲に硬化が不十分な接着剤が過度に拡がらず、且つ半導体チップの側面が十分に硬化した接着剤で覆われるようにすること、（２）異なるサイズの半導体チップを使用しても、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で空気を噴出させること、である。
【０００８】
よって、第１の本発明の目的は、上記（１）の課題を解決する半導体製造装置を提供することであり、第２の本発明の目的は、上記（１）及び（２）の課題を同時に解決する半導体製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、フリップチップ実装の際の熱圧着時に、配線基板と半導体チップとの間からはみ出した接着剤に対し、半導体チップの周囲に過度に拡がりすぎず且つ半導体チップの側面を十分に被覆している間に硬化させるための紫外線を、バキュームチャック口が設けられた加熱ヘッドの熱圧着面の周縁部から照射することにより、上記（１）の課題を解決できること、即ち、流動した接着剤を加熱ヘッドのバキュームチャック機構に進入させることなく、半導体チップの周囲に硬化が不十分な接着剤を過度に拡がらないようにでき、しかも、半導体チップの側面を十分に硬化した接着剤で覆うことができること、を見出した。
【００１０】
また、本発明者は、加熱ヘッドの先端に、半導体チップの大きさに応じて取り替え可能なセラミックスアタッチメントであって、その押圧面にバキュームチャック口とエネルギー供給口を設けたセラミックアタッチメントを設けることにより、上記（２）の課題を解決できること、即ち、異なるサイズの半導体チップを使用しても、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で硬化のためのエネルギーを供給できること、を見出した。
【００１１】
以上の知見に基づき、第１の本発明は、上記（１）の課題を解決する以下の半導体製造装置を提供し、また、第２の本発明は、上記（１）及び（２）の課題を同時に解決する以下の半導体製造装置を提供する。
【００１２】
（第１の本発明）
半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための加熱ヘッドを有する半導体製造装置において
該加熱ヘッドには、吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている半導体製造装置。
【００１３】
また、第１の本発明は、上述の半導体製造装置を用いて、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法において：
配線基板の端子に接着剤を適用する工程；
吸引口とそれに連通したバキューム引き用通路と、吸引口の周囲に形成されたエネルギー供給路としての紫外線導波路とが形成されている加熱ヘッドに、半導体チップをバキュームチャックし、バキュームチャックしたまま、接着剤を介して配線基板に仮設置する工程；
バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップを、半導体製造装置の加熱ヘッドで熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤に対し、この接着剤を硬化させる紫外線を、エネルギー供給路としての紫外線導波路から照射してはみ出た接着剤を硬化させる工程；  及び
熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップから加熱ヘッドを離隔させる工程
を有する製造方法、並びにこの製造方法で製造された半導体装置を提供する。
【００１４】
（第２の本発明）
半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着するための加熱ヘッドを有する半導体製造装置において
該加熱ヘッドには、脱着可能な半導体チップ押圧部材が装着されており、
半導体チップ押圧部材の半導体チップ接触面の中央部には、半導体チップをバキュームチャックするためのバキュームチャック口が形成され、そのバキュームチャック口の周囲には、熱圧着の際に半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤を硬化させるためのエネルギーを当該接着剤に供給するためのエネルギー供給口が形成されており、
加熱ヘッドには、半導体チップ押圧部材に形成されたバキュームチャック口に連通したバキューム引き用通路と、エネルギー供給口に連通したエネルギー供給路とが形成されている半導体製造装置。
【００１５】
また、第２の本発明は、上述の半導体製造装置を用いて、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法において：
配線基板の端子に接着剤を適用する工程；
半導体チップを、半導体チップ押圧部材が脱着可能に装着された加熱ヘッドにバキュームチャックし、バキュームチャックしたまま、接着剤を介して配線基板に仮設置する工程；
バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップを、半導体製造装置の加熱ヘッドで熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤に対し、この接着剤を硬化させるエネルギーを、半導体チップ押圧部材のエネルギー供給口から供給してはみ出た接着剤を硬化させる工程；  及び
熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップから加熱ヘッドを離隔させる工程
を有する製造方法、並びにこの製造方法で製造された半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
第１の本発明の半導体製造装置は、配線基板と半導体チップとの間からはみ出した接着剤に対し、半導体チップの周囲に過度に拡がりすぎず且つ半導体チップの側面を十分に被覆している間に硬化させるための紫外線を照射することができる。従って、流動した接着剤を加熱ヘッドのバキュームチャック機構に進入させることなく、半導体チップの周囲に硬化が不十分な接着剤を過度に拡がらないようにでき、且つ半導体チップの側面を十分に硬化した接着剤で覆うことができる。
【００１７】
また、第２の本発明の半導体チップは、第１の本発明の効果に加えて、加熱ヘッドの先端の押圧面にバキュームチャック口とエネルギー供給口を設けた着脱可能なセラミックアタッチメントを設けるので、異なるサイズの半導体チップを使用しても、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で硬化のためのエネルギーを供給できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の本発明の半導体製造装置の加熱ヘッドの部分拡大断面図である。
【図２】第１の本発明の半導体製造装置の加熱ヘッドの部分拡大断面図である。
【図３Ａ】第１の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図３Ｂ】第１の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図３Ｃ】第１の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図３Ｄ】第１の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図３Ｅ】第１の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図４】第２の本発明の半導体製造装置の加熱ヘッドの部分拡大断面図である。
【図５】第２の本発明の半導体製造装置の加熱ヘッドの部分拡大断面図である。
【図６Ａ】第２の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図６Ｂ】第２の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図６Ｃ】第２の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図６Ｄ】第２の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図６Ｅ】第２の本発明の半導体製造方法の製造工程説明図である。
【図７】第２の本発明の半導体製造装置の加熱ヘッドの部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
第１及び第２の本発明の半導体製造装置は、それぞれ図１及び図４に示すように、半導体チップ１を、ステージ３０上に載置された配線基板２に接着剤３を介して熱圧着するためのものであって、以下に説明するように、特殊な加熱ヘッド１０、４０を有することを特徴とするものである。まず、第１の本発明について説明する。
【００２１】
＜第１の本発明＞
図１に示すように、第１の本発明の半導体製造装置においては、加熱ヘッド１０の半導体チップを加熱・押圧する面に、吸引口１０ａと、その吸引口１０ａに連通したバキューム引き用通路１０ｂと、吸引口１０ａの周囲に形成されたエネルギー供給路１０ｃとしての紫外線導波路とが形成されている。従って、熱圧着により半導体チップ１と配線基板２との間からはみ出した接着剤３に対し、エネルギー供給路１０ｃとしての紫外線導波路から紫外線を照射して硬化させることができ、流動した接着剤３を加熱ヘッド１０のバキュームチャック機構に進入させることなく、半導体チップ１の周囲に硬化が不十分な接着剤を過度に拡がらないようにでき、且つ半導体チップ１の側面を十分に硬化した接着剤で覆うことができる。
【００２２】
加熱ヘッド１０としては、ステンレススチール等の金属やアルミナなどのセラミックスから形成したものを使用することができる。
【００２３】
また、図２に示すように、加熱ヘッド１０の周囲に、熱圧着の際に半導体チップ１と配線基板２との間からはみ出た接着剤３を硬化させるためのエネルギー（紫外線、加熱気体等）を当該接着剤３に供給するためのエネルギー外部供給機構１５を設けることができる。このようなエネルギー外部供給機構１５としては、加熱気体又は電磁波をはみ出た接着剤に供給するものを挙げることができる。具体的には、熱気体ブロワー装置、ＵＶ照射装置等を挙げることができる。前記熱気体ブロワー装置における加熱気体の温度としては、具体的には５０〜１５０℃の範囲である。
【００２４】
第１の本発明の半導体製造装置は、以上説明した加熱ヘッド１０を有することを特徴とし、他の構成は従来の半導体製造装置と同様の構成とすることができる。
【００２５】
第１の本発明の半導体製造装置は、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法に好ましく適用することができる。このような半導体装置の製造方法は、以下の工程１〜工程４を有する。工程毎に図面を参照しながら説明する。
【００２６】
（工程１）
先ず、図３Ａに示すように、半導体製造装置のステージ３０上に載置された、リジッド又はフレキシブルな配線基板２００の端子に接着剤２１０を適用する。
【００２７】
配線基板２００を構成する基板材料としては、ガラス、セラミックス、ガラスエポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン等を挙げることができる。また、配線基板２００の配線材料としては、銅、アルミニウム、ニッケル、ＩＴＯ、金、銀などを挙げることができる。配線の形成は、公知の手法により形成することができ、例えば、スクリーン印刷法、フォトリソグラフ法などにより形成することができる。
【００２８】
接着剤２１０としては、半導体装置を製造する際に使用されている公知の熱硬化性あるいは光硬化性の絶縁性接着剤や導電性粒子を含有する異方性導電接着剤を使用することができる。これらは、液状、ペースト状、フィルム状の形態で使用することができる。特に、従来は使用できなかった低粘度（例えば、レオメーター（１０ｒｐｍ、２５℃の条件）で測定したときに３０〜５０Ｐａ・ｓｅｃ程度の粘度）の絶縁性ペースト状の接着剤も適用できる。
【００２９】
接着剤２１０の適用方法としては、接着剤の形態に応じて公知の手法の中から適した方法を採用することができる。
【００３０】
（工程２）
次に、図３Ｂに示すように、半導体チップ２２０を、加熱ヘッド１０にバキュームチャックし、続いて、図３Ｃに示すように、バキュームチャックしたまま、接着剤２１０を介して配線基板２００に仮設置する。
【００３１】
バキュームチャックの具体的な手順の例としては、まず、加熱ヘッド１０を、半導体チップ２２０に対し初期の位置関係を維持しつつ、当該半導体チップ２２０に接触させ、続いて加熱ヘッド１０のバキューム引き用通路１０ｂを負圧とする。その結果、吸引口１０ａで半導体チップ２２０がバキュームチャックされる（図３Ｂ）。
【００３２】
また、半導体チップ２２０の仮設置は、接着剤２１０が粘着性を有するものであれば、加熱することなく加熱ヘッド１０で押圧すればよく、また、粘着性が弱い場合や常温で粘着性を示さない場合には、本硬化する温度より、通常５０〜１００℃程低い温度に加熱しながら押圧すればよい。
【００３３】
（工程３）
次に、図３Ｄに示すように、バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップ２２０を、半導体製造装置の加熱ヘッド１０で熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップ２２０と配線基板２００との間からはみ出した接着剤２１０ａに対し、この接着剤２１０を硬化させる紫外線を、エネルギー供給路１０ｃとしての紫外線導波路から照射し、それによりはみ出した接着剤２１０ａを硬化させる。
【００３４】
なお、エネルギー供給路１０ｃとしての紫外線導波路から紫外線を照射し始めるタイミングは、熱圧着前でもなく、熱圧着開始直後でもなく、加熱ヘッド１０が最大押し込み量０．５ｍｍの９０％を超えて押し込んだ時が好ましい。それ以前から紫外線を照射すると、十分な押圧が困難になる。
【００３５】
なお、紫外線の照射条件は、接着剤２１０の種類等に対応して適宜選択すればよい。
【００３６】
（工程４）
熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップ２２０から加熱ヘッド１０を離隔させる。これにより図３Ｅに示す半導体装置３００が得られる。この半導体装置も本発明の一つの態様である。
【００３７】
次に第２の本発明について説明する。
【００３８】
＜第２の本発明＞
図４に示すように、第２の本発明の半導体製造装置において、加熱ヘッド４０には、脱着可能な半導体チップ押圧部材２０が装着されている。このような脱着可能な半導体チップ押圧部材２０を採用することにより、異なるサイズの半導体チップを使用しても、加熱ヘッド４０を交換せずに半導体チップ押圧部材２０を交換することにより、熱圧着により半導体チップと配線基板との間からはみ出した接着剤に対し、適正な位置関係で硬化のためのエネルギーを供給することが可能となる。従って、半導体チップ押圧部材２０を用いることにより、幅が異なる半導体チップ、種々の形状の電子部品の熱圧着に対応することができる。
【００３９】
加熱ヘッド４０としては、ステンレススチール等の金属やアルミナなどのセラミックスから形成したものを使用することができる。
【００４０】
また、半導体チップ押圧部材２０としては、ステンレススチール等の金属やアルミナなどのセラミックスから形成したものを使用することができる。また、半導体チップ押圧部材２０の半導体チップ接触面を耐熱性エラスマーから構成してもよい。
【００４１】
半導体チップ押圧部材２０の加熱ヘッド４０への着脱様式には、特に制限はなく、ねじ止め、スクリューキャップ式等を適宜採用することができる。
【００４２】
このような半導体チップ押圧部材２０は、１〜２０ｍｍ厚の円盤状あるいは矩形状の部材であり、その半導体チップ接触面２０ａの中央部に半導体チップをバキュームチャックするためのバキュームチャック口２０ｂを有し、そのバキュームチャック口２０ｂの周囲に、熱圧着の際に半導体チップと配線基板との間からはみ出た接着剤を硬化させるためのエネルギーを当該接着剤に供給するためのエネルギー供給口２０ｃを有している。
【００４３】
半導体チップ押圧部材２０の半導体チップ接触面２０ａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１による表面粗さ（Ｒａ）が０．４以下の平坦に加工されていることが好ましい。
【００４４】
バキュームチャック口２０ｂの大きさと形状としては、バキュームチャックすべき半導体チップの大きさやバキューム度等により異なるが、通常、直径０．１〜１．０ｍｍの円形状や、一辺０．２〜１．０ｍｍの正方形状を挙げることができる。
【００４５】
また、エネルギー供給口２０ｃは、硬化させる接着剤により使用すべきエネルギーの形態、予定される接着はみ出し量等により、口の形状、大きさ、個数を適宜決定する。ここで、接着剤が熱硬化性樹脂組成物であれば、エネルギーの形態として加熱気体（例えば、熱空気流）あるいは熱線を採用する。紫外線硬化型樹脂組成物であれば、エネルギーの形態として紫外線を採用する。電子線硬化型樹脂組成物であれば、エネルギーの形態として電子線を採用する。それらを組み合わせてもよい。
【００４６】
例えば、エネルギー供給口２０ｃの大きさと形状としては、直径０．１〜１．０ｍｍの円形状を挙げることができる。また、このような円形状の供給口の複数をリング状、矩形輪郭形状に配置することができ、複数の半導体チップを一括で押圧することができる。
【００４７】
他方、加熱ヘッド４０には、半導体チップ押圧部材２０のバキュームチャック口２０ｂに連通した吸引口４０ａ及びバキューム引き用通路４０ｂと、エネルギー供給口２０ｃに連通したエネルギー供給路４０ｃとが形成されている。通常、エネルギー供給路４０ｃは、エネルギー供給口２０ｃに１：１で連通しているが、一つのエネルギー供給路４０ｃは、複数のエネルギー供給口２０ｃと連通していてもよい。
【００４８】
なお、接着剤を硬化させるためのエネルギーが加熱気体である場合、加熱ヘッド４０のエネルギー供給路４０ｃは加熱気体通路となる。この場合の加熱気体の温度は８０〜２００℃が好ましい。また、接着剤を硬化させるためのエネルギーがＵＶ等の電磁波である場合、加熱ヘッド４０のエネルギー供給路４０ｃは、電磁波導波路となる。
【００４９】
また、図５に示すように、加熱ヘッド４０の周囲に、熱圧着の際に半導体チップ１と配線基板２との間からはみ出た接着剤３を硬化させるためのエネルギー（紫外線、加熱気体等）を当該接着剤３に供給するためのエネルギー外部供給機構４５を設けることができる。このようなエネルギー外部供給機構４５としては、加熱気体又は電磁波をはみ出た接着剤に供給するものを挙げることができる。具体的には、熱気体ブロワー装置、ＵＶ照射装置等を挙げることができる。前記熱気体ブロワー装置における加熱気体の温度としては、エネルギー供給路４０ｃを通過する加熱気体の温度以下であることが好ましく、具体的には５０〜１５０℃の範囲である。
【００５０】
なお、図４及び図５で示した半導体チップ押圧部材２０は、一つの半導体チップを熱圧着する例であるが、図７に示すように、一つの半導体チップ押圧部材２０が、同時に複数の半導体チップを押圧できるように、複数のバキュームチャック口２０ｂと複数のエネルギー供給口２０ｃとを有していてもよい。
【００５１】
第２の本発明の半導体製造装置は、以上説明した半導体チップ押圧部材２０が装着された加熱ヘッド４０を有することを特徴とし、他の構成は従来の半導体製造装置と同様の構成とすることができる。
【００５２】
第２の本発明の半導体製造装置は、半導体チップを配線基板に接着剤を介して熱圧着することにより半導体装置を製造する方法に好ましく適用することができる。このような半導体装置の製造方法は、以下の工程を有する。工程毎に図面を参照しながら説明する。
【００５３】
（工程Ｉ）
先ず、図６Ａに示すように、半導体製造装置のステージ３０上に載置された、リジッド又はフレキシブルな配線基板６００の端子（図示せず）に接着剤６１０を適用する。ここで、配線基板６００並びに接着剤６１０としては、図３Ａで説明した配線基板２００並びに接着剤２１０と同様の構成を採用することができ、また、同様に形成することができる。この場合も、従来は使用できなかった低粘度（例えば、レオメーター（１０ｒｐｍ、２５℃の条件）で測定したときに３０〜５０Ｐａ・ｓｅｃ程度の粘度）の絶縁性ペースト状の接着剤も適用できる。
【００５４】
（工程ＩＩ）
次に、図６Ｂに示すように、半導体チップ６２０を、加熱ヘッド４０と半導体チップ押圧部材２０とを有する加熱ヘッド４０にバキュームチャックし、続いて、図６Ｃに示すように、バキュームチャックしたまま、接着剤６１０を介して配線基板６００に仮設置する。
【００５５】
バキュームチャックの具体的な手順の例としては、まず、加熱ヘッド４０を、半導体チップ６２０に対し初期の位置関係を維持しつつ、当該半導体チップ６２０に接触させ、続いて加熱ヘッド４０のバキューム引き用通路４０ｂを負圧とする。その結果、半導体チップ押圧部材２０のバキュームチャック口２０ｂで半導体チップ６２０がバキュームチャックされる（図６Ｂ）。
【００５６】
また、半導体チップ６２０の仮設置は、接着剤６１０が粘着性を有するものであれば、加熱することなく加熱ヘッド４０で押圧すればよく、また、粘着性が弱い場合や常温で粘着性を示さない場合には、本硬化する温度より、通常５０〜１００℃程低い温度に加熱しながら押圧すればよい。
【００５７】
（工程ＩＩＩ）
次に、図６Ｄに示すように、バキュームチャックされたまま仮設置された半導体チップ６２０を、半導体製造装置の加熱ヘッド４０で熱圧着すると共に、この熱圧着の際、半導体チップ６２０と配線基板６００との間からはみ出した接着剤６１０ａに対し、この接着剤６１０を硬化させるエネルギーを、半導体チップ押圧部材２０のエネルギー供給口２０ｃから供給し、それによりはみ出した接着剤６１０ａを硬化させる。
【００５８】
はみ出した接着剤６１０ａの硬化の具体的な手順の例としては、熱圧着によりはみ出した接着剤６１０ａに対し、加熱ヘッド１０のエネルギー供給路１０ｃにエネルギーを供給し、それに連通する半導体チップ押圧部材２０のエネルギー供給口２０ｃからエネルギーを放出する。これにより、はみ出した接着剤６１０ａを硬化させることができる。
【００５９】
なお、エネルギー供給口２０ｃからエネルギーを供給し始めるタイミングは、熱圧着前でもなく、熱圧着開始直後でもなく、加熱ヘッドが最大押し込み量（ｍｍ）の９０％を超えて押し込んだ時が好ましい。それ以前からエネルギーを供給すると、十分な押圧が困難になる。
【００６０】
なお、エネルギーの供給条件は、供給するエネルギーの種類に対応して適宜選択すればよい。
【００６１】
（工程ＩＶ）
熱圧着後、バキュームチャックを解除し、半導体チップ６２０から加熱ヘッド４０を離隔させる。これにより図６Ｅに示す半導体装置７００が得られる。この半導体装置も本発明の一つの態様である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
第１の本発明の半導体製造装置は、半導体チップを配線基板に接着剤を介してフリップチップ実装する際の熱圧着時に、流動した接着剤が加熱ヘッドのバキュームチャック機構に進入しないようにでき、しかも、半導体チップの周囲に硬化が不十分な接着剤が過度に拡がらず、また、半導体チップの側面が十分に硬化した接着剤で覆われるようにすることができる。
【００６３】
また、第２の本発明の半導体製造装置は、第１の発明の効果に加えて、更に、異なるサイズの半導体チップを使用しても、はみ出した接着剤に対して最適な位置関係で硬化エネルギーを供給させることができる。
【００６４】
従って、第１及び第２の本発明の半導体製造装置は、半導体装置の製造に極めて有用である。
【００６５】
なお、半導体チップ押圧部材２０として、同時に複数の半導体チップ１を押圧できるように、複数のバキュームチャック口２０ｂと複数のエネルギー供給口２０ｃとを有するものを使用した場合、図６Ａ〜６Ｅと同様の操作を繰り返すことにより、図７に示すように、複数の半導体チップ１を一括して同時に熱圧着することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１、２２０、６２０  半導体チップ
２、２００、６００  配線基板
３、２１０、６１０  接着剤
１０、４０  加熱ヘッド
１０ａ、４０ａ  吸引口
１０ｂ、４０ｂ  バキューム引き用通路
１０ｃ、４０ｃ  エネルギー供給路
２０  半導体チップ押圧部材
２０ａ  半導体チップ接触面
２０ｂ  バキュームチャック口
２０ｃ  エネルギー供給口
３０  ステージ
１５、４５  エネルギー外部供給機構
２１０ａ、６１０ａ  はみ出した接着剤
３００、７００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７】
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