(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノズルが配列されてなるノズル列の各々のノズルが備えるアクチュエーターに対し異なる複数の駆動波形信号のうちの１つを選択して供給し、前記ノズル列と、吐出領域とを相対的に移動させる複数回の走査を行いながら前記ノズル列の各々のノズルから前記吐出領域に対して液滴の吐出を行う際の、前記液滴の重量を補正するノズル吐出量の補正方法であって、
前記ノズル列は、第１のノズル列と、第２のノズル列とを少なくとも含み、
前記複数回の走査は、第１の走査と、第２の走査とを少なくとも含み、
前記ノズル列または前記吐出あるいは前記走査を１つの単位として選択されたノズルから、前記液滴を少なくとも第１の吐出と第２の吐出とを含む複数回に亘って前記吐出領域に吐出する際に、前記第２のノズル列単位または前記第２の吐出単位あるいは前記第２の走査単位の前記液滴の重量の合計値Ａとあらかじめ設定した所定量Ｂとの差分と、前記第１のノズル列単位または前記第１の吐出単位あるいは前記第１の走査単位の前記液滴の重量の合計値Ｃとに基づいて、前記第１のノズル列単位または前記第１の吐出単位あるいは前記第１の走査単位の前記液滴の重量の補正計算をノズルごとに行う第１ステップと、
前記第１ステップにより補正された前記合計値Ｃと前記所定量Ｂとの差分と、前記合計値Ａとに基づいて、前記第２のノズル列単位または前記第２の吐出単位あるいは前記第２の走査単位の前記液滴の重量の補正計算をノズルごとに行う第２ステップと、を含むことを特徴とするノズル吐出量の補正方法。
【請求項２】
前記液滴の重量の補正量計算の順序と前記ノズルから前記吐出領域に向けて前記液滴を吐出させる前記ノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の順序が同一ではないことを特徴とする請求項1に記載のノズル吐出量の補正方法。
【請求項３】
同じ前記吐出領域に前記液滴が吐出されるそれぞれの前記ノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位における選択ノズルが同一でないことを特徴とする請求項１または２に記載のノズル吐出量の補正方法。
【請求項４】
同じ前記吐出領域に前記液滴が吐出されるそれぞれの前記ノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位における前記液滴の吐出回数が均等でないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のノズル吐出量の補正方法。
【請求項５】
時系列に並べられた前記異なる複数の駆動波形信号から1つを選択することにより前記ノズルごとの前記液滴の重量の補正を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のノズル吐出量の補正方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のノズル吐出量の補正方法を用い、
前記第１ステップおよび前記第２ステップの補正計算の結果から前記ノズルごとのアクチュエーターに供給する複数の前記駆動波形信号を生成し、選択された前記ノズルから前記吐出領域に向けて前記液滴を吐出することを特徴とする液滴の吐出方法。
【請求項７】
基板上に区画形成された複数の膜形成領域に発光層を含む機能層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
請求項６に記載の液滴の吐出方法を用い、機能性材料を含む液状体を前記複数の膜形成領域に吐出する吐出工程と、
吐出された前記液状体を固化して、前記機能層を形成する固化工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項８】
前記吐出工程は、異なる発光色が得られる複数種の前記液状体を所望の前記膜形成領域に吐出し、
前記固化工程は、吐出された複数種の前記液状体を固化して、少なくとも赤、緑、青、３色の前記発光層を形成することを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項９】
前記吐出工程は、複数種の前記液状体をそれぞれ異なる吐出ヘッドに充填し、前記液状体ごとに補正量計算と駆動波形信号の生成を行うことを特徴とする請求項７または８に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズル吐出量の補正方法、液滴の吐出方法及び有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、インクジェットヘッドのノズルから機能性材料を含む液状体を液滴として吐出して薄膜を形成する液滴吐出法（インクジェット法）が知られている。液滴吐出法で形成される薄膜の代表的な例は、カラーフィルターや有機ＥＬパネルの発光層である。
【０００３】
インクジェットヘッドは、液状体を貯留する複数のキャビティと、該キャビティに連通して一方向に配列された複数のノズルと、各キャビティ内の液状体を加圧する複数のアクチュエーター（例えば、ピエゾ素子や抵抗加熱素子など）と、を有する。インクジェットヘッドは、描画データに基づいて選択されたアクチュエーターに共通する駆動波形信号を入力し、各アクチュエーターに対応するノズルから液状体の液滴を吐出させる。インクジェット法は、インクジェットヘッドのノズルから液状体を液滴として基板に向けて吐出させ、基板上に着弾した液滴を乾燥させることにより薄膜を形成させる。
【０００４】
インクジェット法は、描画対象の高精細化にともなって、階調表現に優れた描画が望まれており、例えば特許文献１には、階調表現に優れた描画が可能な液滴吐出ヘッドの駆動方法が開示されている。
【０００５】
上記液滴吐出ヘッドの駆動方法によれば、描画データに基づいて選択されるノズルは、アクチュエーターに設定されたランクに対応する複数の異なる駆動波形信号が印加され、吐出される液滴の平均重量を予め規定された所定の重量とすることができる。したがって、ランクごとに生成された駆動波形信号の組合せにより、対象物上に吐出される液状体（液滴）の総重量をノズルごとに較正することができ、液状体を乾燥して得られる薄膜の膜厚均一性を向上させることができる。しかも、単一の駆動波形信号を利用して液滴を吐出させる場合に比べ、異なる駆動波形信号を組合せる分だけ、上記平均重量の調整に際しその精度を向上させることができ、かつ、その自由度を拡張させることができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１３６９２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に記載の複数の液滴の平均重量をランク分けする液滴吐出ヘッドの駆動方法ではランク分けの階調が限られているために、液滴の重量バラツキを十分に補正することは困難である。
【０００８】
液滴の重量バラツキの補正が十分になされていない場合に、重量の大きい液滴、あるいは、重量の小さい液滴が、基板の走査方向に沿って連続する。そのため、重量の大きい液滴と重量の小さい液滴の重量差が微小であっても、カラーフィルターや有機ＥＬパネルの発光層等の薄膜の膜厚差が生じ、電気光学装置の表示においては高い感度で反映されるため、画質を低下させてしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］本適用例に係るノズル吐出量の補正方法は、ノズル列のノズルごとのアクチュエーターに対し異なる複数の駆動波形信号のうちの１つを選択して供給し、前記ノズルから吐出領域に吐出される液滴の重量を補正するノズル吐出量の補正方法であって、前記ノズルごとに前記液滴の重量の補正を行わない場合の前記吐出領域に吐出される全液滴の重量の合計値Ａと、あらかじめ設定した所定量Ｂとの差分から、補正後の第１のノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の前記液滴の重量と、同じ前記吐出領域に吐出される前記第１以外のノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の前記液滴の重量の合計値Ｃが前記所定量Ｂとなるように前記第１のノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の補正計算をノズルごとに行う第１ステップと、前記第１ステップで補正した前記吐出領域に吐出される計算上の全液滴の重量の合計値Ｄと前記所定量Ｂの差分から、補正後の前記第１のノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の前記液滴の重量と、同じ前記吐出領域に吐出される補正後の第２のノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の液滴の重量と、同じ前記吐出領域に吐出される前記第１、前記第２以外のノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の液滴の重量の合計値Ｅが前記所定量Ｂとなるように第２のノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の補正計算をノズルごとに行う第２ステップと、を含み、前記ノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の数の分の補正量計算を段階的に行うことを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、１つのノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位で吐出領域の全液滴の重量の合計値Ａ，Ｃを所定量Ｂとなるように補正を行うため、吐出領域に液滴を吐出するノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の数だけ補正階調を累乗で増やす事ができる。これによってノズルごとに吐出される液滴の重量バラツキの補正を十分に行うことができ、複数のノズルを用いて吐出領域に形成される薄膜の膜厚を均一化することができる。
【００１２】
［適用例２］上記適用例に記載のノズル吐出量の補正方法は、前記液滴の重量の補正量計算の順序と前記ノズルから前記吐出領域に向けて前記液滴を吐出させる前記ノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の順序が同一ではないことを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、実際の液滴の吐出順序に制約がなくなるため、吐出をより柔軟に行うことができ、これにより液滴を吐出する対象物に最適な吐出が可能となる。
【００１４】
［適用例３］上記適用例に記載のノズル吐出量の補正方法は、同じ前記吐出領域に前記液滴が吐出されるそれぞれの前記ノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位における選択ノズルが同一でないことが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、各々のノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位毎に吐出領域に異なるノズルで吐出を行うことになるため、ノズル毎の液滴の吐出重量の測定に誤差が生じていた場合に、その誤差を分散させることができることから、液滴の重量バラツキの補正を十分に行うことができる。
【００１６】
［適用例４］上記適用例に記載のノズル吐出量の補正方法は、同じ前記吐出領域に前記液滴が吐出されるそれぞれの前記ノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位における前記液滴の吐出回数が均等でないことを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、吐出領域に合わせて液滴吐出回数を自由に設定することが可能になるため、最適な液滴の重量を吐出領域に吐出すると同時に、液滴の重量バラツキの補正を十分に行うことができる。
【００１８】
［適用例５］上記適用例に記載のノズル吐出量の補正方法は、時系列に並べられた前記異なる複数の駆動波形信号から１つを選択することにより前記ノズルごとの前記液滴の重量の補正を行うとしてもよい。
【００１９】
本適用例によれば、液滴重量の補正手段はマルチコモンによって異なる複数の駆動波形信号から１つを選択する方法に限定されず、時分割駆動波形信号から１つを選択する方法でも適用可能であり、マルチコモンを備えないインクジェットヘッドであっても、液滴の重量バラツキの補正を十分に行うことができる。
【００２０】
［適用例６］上記適用例に記載の液滴の吐出方法は、上記適用例のノズル吐出量の補正方法を用い、前記第１ステップおよび前記第２ステップの補正計算の結果から前記ノズルごとのアクチュエーターに供給する複数の前記駆動波形信号を生成し、選択された前記ノズルから前記吐出領域に向けて前記液滴を吐出することを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、１つのノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位で吐出領域の全液滴の重量の合計値Ａを所定量Ｂとなるように補正を行うため、吐出領域に液滴を吐出するノズル列単位または吐出単位あるいは走査単位の数だけ補正階調を累乗で増やす事ができる。すなわち、液滴の重量バラツキの補正を十分に行うことが可能な液滴の吐出方法を提供できる。
【００２２】
［適用例７］上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に区画形成された複数の膜形成領域に発光層を含む機能層を有する有機ＥＬ素子の製造方法であって、上記適用例の液滴の吐出方法を用い、機能性材料を含む液状体を前記複数の膜形成領域に吐出する吐出工程と、吐出された前記液状体を固化して、前記機能層を形成する固化工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、塗布領域としての膜形成領域に必要量の液状体が安定的に付与されるので、固化工程で付与された液状体を固化すれば、膜形成領域ごとにほぼ一定の膜厚を有する機能層が形成される。したがって、機能層の膜厚ムラに起因する輝度ムラや発光ムラが低減され、有機ＥＬ素子を歩留りよく製造することができる。
【００２４】
［適用例８］上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記吐出工程は、異なる発光色が得られる複数種の前記液状体を所望の前記膜形成領域に吐出し、前記固化工程は、吐出された複数種の前記液状体を固化して、少なくとも赤、緑、青、３色の前記発光層を形成することを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、フルカラーの発光が得られる有機ＥＬ素子を歩留まりよく製造することができる。
【００２６】
［適用例９］上記適用例に記載の有機ＥＬ素子の製造方法において、前記吐出工程は、複数種の前記液状体をそれぞれ異なる吐出ヘッドに充填し、前記液状体ごとに補正量計算と駆動波形信号の生成を行うことを特徴とする。
【００２７】
本適用例によれば、膜形成領域に付与される液状体ごとに必要量が異なっていても、適正に吐出量の補正がなされ、所望の膜厚を有する発光層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施形態に係る液滴吐出装置の構成を示す概略斜視図。
【図２】（ａ）は吐出ヘッドの構成を示す概略斜視図、（ｂ）はノズルの配置状態を示す平面図。
【図３】吐出ヘッドの構造を示す概略断面図。
【図４】液滴吐出装置の電気的構成を示すブロック回路図。
【図５】（ａ）は補正を行う前の各吐出領域に吐出される吐出重量の分布を示すグラフ、（ｂ）は吐出領域毎のノズル列の補正量の分布を示すグラフ、（ｃ）はノズル列の補正後の吐出領域毎の吐出重量の分布を示すグラフ、（ｄ）は吐出領域毎のノズル列の補正量の分布を示すグラフ、（ｅ）はノズル列の補正後の吐出領域毎の吐出重量の分布を示すグラフ。
【図６】異なる駆動電圧の第１〜第４駆動波形信号を示すグラフ。
【図７】シリアルパターンデータＳＩＡのデータ構成を示す図。
【図８】ステート切り替え信号ＣＨＡのステートの区分を示す真理値表。
【図９】シリアルコモン選択データＳＩＢのデータ構成を示す図。
【図１０】前駆動波形信号ＣＯＭＦと後駆動波形信号ＣＯＭＬとにおける第１〜第４駆動波形信号の選択方法を示す真理値表。
【図１１】ステート切り替え信号ＣＨＢのステートの区分を示す真理値表。
【図１２】ヘッド駆動回路の構成を示すブロック図。
【図１３】出力制御信号回路の構成を示すブロック図。
【図１４】パターンデータ合成回路の構成を示すブロック図。
【図１５】コモン選択制御信号生成回路の構成を示すブロック図。
【図１６】各圧電素子に供給される駆動波形信号を説明するためのタイミングチャート。
【図１７】本実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す概略正面図。
【図１８】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の要部概略断面図。
【図１９】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図２０】（ａ）〜（ｄ）は本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【図２１】（ａ）〜（ｄ）は本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００３０】
＜液滴の吐出装置＞
まず、機能性材料を含む液状体を液滴として被吐出物に吐出可能な液滴吐出装置について、図１〜図１５を参照して説明する。本実施形態の液滴吐出装置は、後述する有機ＥＬ素子の製造方法において好適に用いられるものである。
【００３１】
図１は、本実施形態に係る液滴吐出装置の構成を示す概略斜視図である。
図１において、液滴吐出装置１０は、直方体形状に形成された基台１１を有する。基台１１の上面には、その長手方向（Ｙ方向）に沿って延びる一対の案内溝１２が形成され、一対の案内溝１２には、基板ステージ１３が取着されている。基板ステージ１３は、基台１１に設けられたステージモーターの出力軸に連結されている。基板ステージ１３は、吐出面６ａを上側にした状態でワークとしての基板６（Ｗ）を載置し、該基板６（Ｗ）を位置決め固定する。基板ステージ１３は、ステージモーターが正転又は逆転するとき、案内溝１２に沿って所定の速度で走査され、基板６（Ｗ）をＹ方向に沿って走査させる。
【００３２】
基台１１の上側には、門型に形成されたガイド部材１４がＹ方向と直交するＸ方向に沿って架設されている。ガイド部材１４の上側には、インクタンク１５が配設されている。インクタンク１５は、機能性材料を含む液状体（有機EL用インクＩｋ）を貯留し、有機EL用インクＩｋを所定の圧力で導出する。
【００３３】
ガイド部材１４には、Ｘ方向に延びる上下一対のガイドレール１６が形成され、上下一対のガイドレール１６には、キャリッジ１７が取着されている。キャリッジ１７は、ガイド部材１４に設けられたキャリッジモーターの出力軸に連結されている。キャリッジ１７の下側には、Ｘ方向に配列された複数の液滴吐出ヘッド１８（以下単に、吐出ヘッド１８という。）が搭載されている。キャリッジ１７は、キャリッジモーターが正転又は逆転するとき、ガイドレール１６に沿って走査され、各吐出ヘッド１８をＸ方向に沿って走査させる。
【００３４】
図２（ａ）は吐出ヘッドの構成を示す概略斜視図、同図（ｂ）はノズルの配置状態を示す平面図、図３は吐出ヘッドの構造を示す概略断面図である。
【００３５】
図２（ａ）に示すように、吐出ヘッド１８は、所謂２連のものであり、２連の接続針４２を有するインク（液状体）の導入部２１ａと、導入部２１ａに積層されたヘッド基板２０と、ヘッド基板２０上に配置され内部にインク（液状体）のヘッド内流路（キャビティ）が形成されたヘッド本体２１ｂとを備えている。
接続針４２は、前述したインクタンク１５に配管を経由して接続され、インク（液状体）をヘッド内流路に供給する。
ヘッド基板２０には、フレキシブルフラットケーブル（図示省略）を介してヘッド駆動回路４１（図４参照）に接続される２連のコネクター２０ａが設けられている。
【００３６】
ヘッド本体２１ｂは、圧電素子で構成されたキャビティを有する加圧部２１ｃと、ノズル面１９ａに２つのノズル列２２ａ，２２ｂが相互に平行に形成されたノズルプレート１９とを有している。
【００３７】
図２（ｂ）に示すように、２つのノズル列２２ａ，２２ｂは、それぞれ複数（１８０個）のノズル２２がピッチＰ１で略等間隔に並べられており、互いにピッチＰ１の半分のピッチＰ２ずれた状態でノズル面１９ａに配設されている。この場合、ピッチＰ１は、およそ１４１μｍである。よって、ノズル列２２ｃに直交する方向から見ると３６０個のノズル２２がおよそ７０．５μｍのノズルピッチで配列した状態となっている。また、ノズル２２の径は、およそ２７μｍである。以降、複数のノズル２２を総称してノズルＮと呼ぶこともある。
【００３８】
図３に示すように、加圧部２１ｃには、ノズルＮごとに連通するキャビティ２３が形成されている。各キャビティ２３は、上記インクタンク１５が導出したインク（液状体）を貯留して対応するノズルＮに供給する。各キャビティ２３の上側には、上下方向に振動可能な振動板２４が貼り付けられて、対応するキャビティ２３の容積を拡大及び縮小可能にする。振動板２４の上側には、それぞれアクチュエーターとしての圧電素子ＰＺが配設されている。各圧電素子ＰＺは、駆動信号（駆動波形信号ＣＯＭ）が印加されると、上下方向に収縮及び伸張して対応する振動板２４を振動させる。
【００３９】
各キャビティ２３は、それぞれ対応する振動板２４が振動するとき、対応するノズルＮのメニスカスを上下方向に振動させ、駆動波形信号ＣＯＭ（駆動電圧）に応じた所定の重量のインク（液状体）を対応するノズルＮから液滴Ｄとして吐出させる。吐出された液滴Ｄは、基板６（Ｗ）の略法線に沿って飛行し、ノズルＮと相対向する吐出面６ａ上の位置に着弾する。吐出面６ａには後述する発光画素７６を区画する隔壁部９４が設けられており、隔壁部９４で囲まれた吐出領域（塗布領域あるいは膜形成領域）に液滴Ｄを着弾させる。
【００４０】
図１において、基台１１の左側には、液滴重量計測装置２６が配設されている。液滴重量計測装置２６は、液滴Ｄの重量（実重量Ｉｗ）をノズルＮごとに計測するものであって、公知の重量計測装置を用いることができる。液滴重量計測装置２６には、例えば、吐出された液滴Ｄを受け皿で受けて液滴Ｄを秤量する電子天秤を用いることができる。また、液滴重量計測装置２６には、電極を有した圧電振動子を利用し、該電極に向けて液滴Ｄを吐出させ、液滴Ｄの着弾により変化する圧電振動子の共振周波数に基づいて液滴Ｄの実重量Ｉｗを検出するものを用いることができる。
【００４１】
ここで、列内の全てのノズルＮから吐出した各液滴Ｄの実重量Ｉｗの平均値を、平均実重量Ｉｗｃｅｎという。なお、平均実重量Ｉｗｃｅｎは、吐出した液滴Ｄの中で最大となる実重量ＩｗをＩｗｍａｘとし、最小となる実重量ＩｗをＩｗｍｉｎとするときに、Ｉｗｃｅｎ＝（Ｉｗｍａｘ＋Ｉｗｍｉｎ）／２により規定される。平均実重量Ｉｗｃｅｎは、キャリッジ１７に搭載された複数の吐出ヘッド１８の各々に対して規定される。
【００４２】
次に、上記液滴吐出装置１０の電気的構成を図４〜図１８に従って説明する。
図４は、液滴吐出装置の電気的構成を示すブロック回路図である。
図４において、制御装置３０は、液滴吐出装置１０に各種の処理動作を実行させるものである。制御装置３０は、外部Ｉ／Ｆ３１と、ＣＰＵなどからなる制御部３２と、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭからなり各種のデータを格納する記憶手段としてのＲＡＭ３３と、各種制御プログラムを格納するＲＯＭ３４と、を有する。また、制御装置３０は、クロック信号を生成する発振回路３５と、駆動波形信号ＣＯＭを生成する駆動波形信号生成手段としての駆動波形生成回路３６と、液滴重量計測装置２６を駆動するための重量装置駆動回路３７と、基板ステージ１３やキャリッジ１７を走査するためのモーター駆動回路３８と、各種の信号を送信する内部Ｉ／Ｆ３９と、を有する。制御装置３０は、外部Ｉ／Ｆ３１を介して入出力装置４０に接続されている。また、制御装置３０は、内部Ｉ／Ｆ３９を介して基板ステージ１３、キャリッジ１７、液滴重量計測装置２６、及び吐出ヘッド１８の各々に対応する複数のヘッド駆動回路４１に接続されている。
【００４３】
入出力装置４０は、例えばＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスク、液晶ディスプレイなどを有した外部コンピューターである。入出力装置４０は、ＲＯＭ又はハードディスクに記憶された制御プログラムに従って、液滴吐出装置１０を駆動させるための各種の制御信号を外部Ｉ／Ｆ３１に出力する。外部Ｉ／Ｆ３１は、入出力装置４０から描画データＩｐ、基準駆動電圧データＩｖ及びヘッドデータＩｈなどを受信する。
【００４４】
ここで、描画データＩｐとは、有機ＥＬ素子の位置や膜厚に関する情報、液滴Ｄの吐出位置に関する情報、基板ステージ１３の走査速度に関する情報など、吐出面６ａの各画素９（図３参照）に液滴Ｄを吐出させるための各種のデータである。
【００４５】
基準駆動電圧データＩｖとは、平均実重量Ｉｗｃｅｎを予め規定された所定の重量（基準重量）に較正するための駆動電圧（基準駆動電圧Ｖｈ0）に関するデータである。基準駆動電圧データＩｖは、各吐出ヘッド１８の平均実重量Ｉｗｃｅｎが異なるため、吐出ヘッド１８ごとに規定される。すなわち、基準駆動電圧データＩｖとは、各吐出ヘッド１８の平均実重量Ｉｗｃｅｎを共通する基準重量に較正するためのデータである。
【００４６】
ヘッドデータＩｈとは、ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）の各々を４つのランクに分類したデータであり、ノズルＮごとに吐出される液滴Dの重量に基づきランク分けされる。このデータは、同じ吐出領域（サブピクセル；後述する膜形成領域に相当）に液滴吐出を行うノズル列２２ａのノズルＮａとノズル列２２ｂのノズルＮｂのペア毎に各液滴Dの重量を組み合わせて順次作成される。
【００４７】
図４において、ＲＡＭ３３は、受信バッファー３３ａ、中間バッファー３３ｂ、出力バッファー３３ｃとして利用される。
ＲＯＭ３４は、制御部３２が実行する各種の制御ルーチンと、該制御ルーチンを実行するための各種のデータと、を格納する。ＲＯＭ３４は、例えば、各ドットに階調を対応付けるための階調データと、その時々の各ノズルＮにランクに応じた駆動波形信号ＣＯＭを対応付けるためのランクデータと、を格納する。
【００４８】
階調データとは、１つのドットを複数の液滴Ｄによって形成させ、液滴Ｄを吐出するか否か（すなわち、吐出・非吐出）という２階調により擬似的に多階調を表現させるためのデータである。
【００４９】
ランクデータとは、各ランク（「１」〜「４」）をそれぞれ４種類の異なる駆動波形信号ＣＯＭ（第１駆動波形信号ＣＯＭＡ，第２駆動波形信号ＣＯＭＢ，第３駆動波形信号ＣＯＭＣ，第４駆動波形信号ＣＯＭＤ）からなる４種のいずれか１つに対応付けるためのデータである。すなわち、ランクデータとは、全てのノズルＮの各々に対しランクに応じた駆動波形信号ＣＯＭを対応付けるためのデータである。
【００５０】
図４において、発振回路３５は、各種のデータや各種の駆動信号を同期させるためのクロック信号を生成する。発振回路３５は、例えば、各種のデータのシリアル転送時に利用される転送クロックＳＣＬＫを生成する。発振回路３５は、シリアル転送された各種のデータのパラレル変換時に利用されるラッチ信号（パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡやコモン選択データ用ラッチ信号ＬＡＴＢ）を生成する。また、発振回路３５は、液滴Ｄの吐出タイミングを規定するステート切替え信号ＣＨＡ、駆動波形信号ＣＯＭの切替えタイミングを規定するコモン切替え信号ＣＨＢをそれぞれ生成する。
【００５１】
駆動波形生成回路３６は、波形メモリー３６ａ、ラッチ回路３６ｂ、Ｄ／Ａ変換器３６ｃ、増幅器３６ｄを有する。波形メモリー３６ａは、各駆動波形信号ＣＯＭを生成するための波形データを所定のアドレスに対応させて格納する。ラッチ回路３６ｂは、制御部３２が波形メモリーから読み出した波形データを所定のクロック信号でラッチする。Ｄ／Ａ変換器３６ｃは、ラッチ回路３６ｂがラッチした波形データをアナログ信号に変換し、増幅器３６ｄは、Ｄ／Ａ変換器３６ｃが変換したアナログ信号を増幅して駆動波形信号ＣＯＭを同時に生成する。
【００５２】
制御部３２は、入出力装置４０が基準駆動電圧データＩｖを入力するとき、駆動波形生成回路３６を介し、基準駆動電圧データＩｖを参照して波形メモリー３６ａの波形データを読み出す。そして、制御部３２は、駆動波形生成回路３６を介し、吐出周波数に同期した４種類の駆動波形信号ＣＯＭ（第１駆動波形信号ＣＯＭＡ，第２駆動波形信号ＣＯＭＢ，第３駆動波形信号ＣＯＭＣ，第４駆動波形信号ＣＯＭＤ）を生成させる。
【００５３】
制御部３２は、駆動波形生成回路３６を介し、第１〜第４駆動波形信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤをそれぞれランク「１」〜「４」に応じた異なる駆動電圧からなる信号として生成させる。
図６は異なる駆動電圧の第１〜第４駆動波形信号を示すグラフである。
例えば、制御部３２は、図６に示すように、第１駆動波形信号ＣＯＭＡをランク「１」のノズルＮに応じた駆動電圧（第１駆動電圧Ｖｈａ）からなる信号として生成させる。第１駆動電圧Ｖｈａは、基準駆動電圧Ｖｈ０よりも高いいレベルの電圧である。これにより、ランク「１」のノズルＮは、対応する圧電素子ＰＺに図６のような第１駆動波形信号ＣＯＭＡが入力されるとき、第１駆動電圧Ｖｈａの分だけ、対応する圧電素子ＰＺの駆動量（伸縮量）を大きくさせて液滴Ｄの実重量Ｉｗを較正し、該液滴Ｄの実重量Ｉｗを平均実重量Ｉｗｃｅｎ（基準重量）にする。
【００５４】
同じく、制御部３２は、駆動波形生成回路３６を介し、図６のように第２駆動波形信号ＣＯＭＢ、第３駆動波形信号ＣＯＭＣ、第４駆動波形信号ＣＯＭＤをそれぞれランク「２」、ランク「３」、ランク「４」に応じた駆動電圧（第２駆動電圧Ｖｈｂ、第３駆動電圧Ｖｈｃ、第４駆動電圧Ｖｈｄ）で生成させる。ランク「２」、ランク「３」、ランク「４」のノズルＮは、それぞれ対応する圧電素子ＰＺに第２駆動波形信号ＣＯＭＢ、第３駆動波形信号ＣＯＭＣ、第４駆動波形信号ＣＯＭＤが入力されるとき、ランクに応じた駆動電圧によって液滴Ｄの実重量Ｉｗを較正し、該液滴Ｄの実重量Ｉｗを基準重量にする。
【００５５】
これにより、全てのノズルＮ（圧電素子ＰＺ）は、それぞれランクに対応する駆動波形信号ＣＯＭが入力されるとき、各液滴Ｄの実重量Ｉｗの平均値をそれぞれ共通する基準重量に規格化させることができる。
【００５６】
図４において、制御部３２は、重量装置駆動回路３７に対応する駆動制御信号を出力する。重量装置駆動回路３７は、制御部３２からの駆動制御信号に応答し、内部Ｉ／Ｆ３９を介して液滴重量計測装置２６を駆動させる。
【００５７】
制御部３２は、モーター駆動回路３８に対応する駆動制御信号を出力する。モーター駆動回路３８は、制御部３２からの駆動制御信号に応答し、内部Ｉ／Ｆ３９を介して基板ステージ１３、キャリッジ１７を走査させる。
【００５８】
制御部３２は、外部Ｉ／Ｆ３１が受信した描画データＩｐを受信バッファー３３ａに一時的に格納させる。制御部３２は、描画データＩｐを中間コードに変換し中間コードデータとして中間バッファー３３ｂに格納させる。制御部３２は、中間バッファー３３ｂから中間コードデータを読み出し、ＲＯＭ３４内の階調データを参照してドットパターンデータに展開し、該ドットパターンデータを出力バッファー３３ｃに格納させる。
【００５９】
ドットパターンデータは、ドットパターン格子の各格子点にそれぞれドットの階調（駆動パルスのパターン）を対応付けるためのデータである。ドットパターンデータは、２次元描画平面（吐出面６ａ）の各位置（ドットパターン格子の各格子点）にそれぞれ２ビットの値（”００”、”０１”、”１０”、あるいは、”１１”）を対応させたデータである。なお、ドットパターン格子は、ドットの階調を規定した最小間隔の格子である。
【００６０】
制御部３２は、基板ステージ１３の１スキャン分に相当するドットパターンデータを展開すると、該ドットパターンデータを利用して転送クロックＳＣＬＫに同期したシリアルデータを生成し、内部Ｉ／Ｆ３９を介して、該シリアルデータをヘッド駆動回路４１にシリアル転送させる。制御部３２は、１スキャン分のドットパターンデータをシリアル転送させると、中間バッファー３３ｂの内容を消去し、次の中間コードデータに対して展開処理を実行する。
【００６１】
ここで、ドットパターンデータを利用して生成されるシリアルデータを、シリアルパターンデータＳＩＡという。シリアルパターンデータＳＩＡは、走査方向に沿うドットパターン格子の格子単位で生成される。
【００６２】
図７はシリアルパターンデータＳＩＡのデータ構成を示す図である。
図７に示すように、シリアルパターンデータＳＩＡは、ドットの階調を選択するための２ビットの値をノズルＮの数量（１８０個）分だけ有する。シリアルパターンデータＳＩＡは、ドットの階調を選択するための２ビットの値のうちの上位ビットで構成される１８０ビットの上位選択データＳＩＨと、下位ビットで構成される１８０ビットの下位選択データＳＩＬと、を有する。また、シリアルパターンデータＳＩＡは、上位選択データＳＩＨ及び下位選択データＳＩＬの他に、パターンデータＳＰを有する。
【００６３】
パターンデータＳＰは、上位選択データＳＩＨと、下位選択データＳＩＬと、によって規定される４値の各々に８ビットのデータ（各スイッチデータＰｎｍ（ｎｍ＝００〜０３、１０〜１３、・・・、７０〜７３）を対応させた３２ビットからなるデータである。各スイッチデータＰｎｍ（ｎｍ＝００〜０３、１０〜１３、・・・、７０〜７３）は、それぞれ圧電素子ＰＺのオン・オフを規定するためのデータである。
【００６４】
図８はステート切り替え信号ＣＨＡのステートの区分を示す真理値表である。
図８に示すように、ステート切替え信号ＣＨＡは、液滴Ｄの吐出周波数で生成されるパルス信号である。ここで、ステート切替え信号ＣＨＡのパルスごとに規定される状態を、「ステート」という。ステート切替え信号ＣＨＡは、先行するパターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが生成されて後続するパターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが生成されるまでの間の状態を複数のステート（例えば、「０」〜「７」の各ステート）に区分する。なお、先行するパターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが生成されて後続するパターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが生成されるまでの間の期間は、各ノズルＮがそれぞれドットパターン格子の単位格子と相対向する期間に相当する。
【００６５】
制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、図８に示す真理値表に従って、パターンデータＳＰの各データ（各スイッチデータＰｎｍ）をそれぞれ各ステートに対応付ける。例えば、制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、上位選択データＳＩＨが“０”、下位選択データＳＩＬが“０”のノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に対し、スイッチデータＰ００、Ｐ１０、・・・、Ｐ７０を対応付ける。制御部３２は、スイッチデータＰ００、Ｐ１０、・・・、Ｐ７０をそれぞれ「０」〜「７」の各ステートに対応付ける。そして、制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、“１”に設定されたスイッチデータＰ００〜Ｐ７０のステートで該圧電素子ＰＺに駆動波形信号ＣＯＭを供給する。例えば、Ｐ００〜Ｐ６０が”０“であり、Ｐ７０が”１“であるとき、制御部３２は、ステートが「０」〜「６」の間、圧電素子ＰＺをオフし、ステートが「７」になるタイミングで該圧電素子ＰＺをオンする。
【００６６】
同様に、制御部３２は、上位選択データＳＩＨ及び下位選択データＳＩＬが、“０１”、“１０”、“１１”のノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に対し、図８に示す真理値表に従って、それぞれスイッチデータＰ０１〜Ｐ７１、Ｐ０２〜Ｐ７２、Ｐ０３〜Ｐ７３を対応付ける。制御部３２は、スイッチデータＰ０１〜Ｐ７１、Ｐ０２〜Ｐ７２、Ｐ０３〜Ｐ７３をそれぞれ「０」〜「７」の各ステートに対応付ける。そして、制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、スイッチデータＰ０１〜Ｐ７１、Ｐ０２〜Ｐ７２、Ｐ０３〜Ｐ７３が“１”になるステートで対応する圧電素子ＰＺに駆動波形信号ＣＯＭを供給する。
【００６７】
これにより、全てのノズルＮは、それぞれシリアルパターンデータＳＩＡが生成されるたびに、その時々で、対応する上位選択データＳＩＨ及び下位選択データＳＩＬで選択されるドット階調（すなわち、駆動パルスのパターン）を対応する格子に対し実現する。
【００６８】
図４において、制御部３２は、外部Ｉ／Ｆ３１が受信したヘッドデータＩｈを受信バッファー３３ａに一時的に格納させる。制御部３２は、ヘッドデータＩｈを中間コードに変換し中間コードデータとして中間バッファー３３ｂに格納させる。制御部３２は、中間バッファー３３ｂから中間コードデータを読み出し、ＲＯＭ３４内のランクデータを参照してコモン選択データに展開し、該コモン選択データを出力バッファー３３ｃに格納させる。
【００６９】
コモン選択データは、上記ドットパターン格子の各格子点にそれぞれ２ビットの値（”００”、”０１”、”１０”、”１１”）を対応付けたデータであって、４値の各々に対し第１〜第４駆動波形信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤのいずれか１つを対応付けるためのデータである。
【００７０】
制御部３２は、基板ステージ１３の１スキャン分に相当するコモン選択データが得られると、コモン選択データを利用して転送クロックＳＣＬＫに同期したシリアルデータを生成し、内部Ｉ／Ｆ３９を介して該シリアルデータをヘッド駆動回路４１にシリアル転送させる。制御部３２は、１スキャン分のコモン選択データをシリアル転送させると、中間バッファーの内容を消去し、次の中間コードデータに対して展開処理を実行する。
【００７１】
ここで、コモン選択データを利用して生成されたシリアルデータを、シリアルコモン選択データＳＩＢという。シリアルコモン選択データＳＩＢは、シリアルパターンデータＳＩＡと同じく、走査方向に沿うドットパターン格子の格子単位で生成される。
【００７２】
図９はシリアルコモン選択データＳＩＢのデータ構成を示す図である。図１０は前駆動波形信号ＣＯＭＦと後駆動波形信号ＣＯＭＬとにおける第１〜第４駆動波形信号の選択方法を示す真理値表である。
図９に示すように、シリアルコモン選択データＳＩＢは、前駆動波形信号ＣＯＭＦの種別を規定するための前シリアルコモン選択データＳＦＢと、後駆動波形信号ＣＯＭＬの種別を規定するための後シリアルコモン選択データＳＬＢと、からなる。
【００７３】
前シリアルコモン選択データＳＦＢは、前駆動波形信号ＣＯＭＦの種別を規定する２ビットの値のうちの上位ビットで構成される１８０ビットの前上位選択データＳＦＨと、下位ビットで構成される１８０ビットの前下位選択データＳＦＬと、を有する。また、前上位選択データＳＦＨ及び前下位選択データＳＦＬの他に、３２ビットの制御データＣＲを有する。
【００７４】
前上位選択データＳＦＨ及び前下位選択データＳＦＬは、図１０に示す真理値表に従って、各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）にそれぞれ駆動波形信号ＣＯＭの種別を対応付けるためのデータである。
【００７５】
制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、前上位選択データＳＦＨ及び前下位選択データＳＦＬを用い、図１０に示す真理値表に従って、１８０個の各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）にそれぞれ駆動波形信号ＣＯＭの種別を対応付ける。例えば、制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、前上位選択データＳＦＨが“０”、前下位選択データＳＦＬが“０”のノズルＮ（圧電素子ＰＺ）にそれぞれ第１駆動波形信号ＣＯＭＡを対応付ける。制御部３２は、前上位選択データＳＦＨと前下位選択データＳＦＬが“０１”、“１０”、“１１”のノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に、それぞれ第２駆動波形信号ＣＯＭＢ、第３駆動波形信号ＣＯＭＣ、第４駆動波形信号ＣＯＭＤを対応付ける。
【００７６】
制御データＣＲは、ヘッド駆動回路４１に設けられた温度検出回路を駆動させるためのデータを有する。また、制御データＣＲは、１ビットのラッチ選択データＡＤを有する。ラッチ選択データＡＤは、各ビットの値（“１”あるいは“０”）に応じて、前上位選択データＳＦＨ及び前下位選択データＳＦＬをラッチするか否かを各ラッチに選択させるためのデータである。制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、ラッチ選択データＡＤが“０”のとき、前駆動波形信号ＣＯＭＦ用のラッチに前上位選択データＳＦＨ及び前下位選択データＳＦＬをラッチさせる。
【００７７】
後シリアルコモン選択データＳＬＢは、後駆動波形信号ＣＯＭＬの種別を規定する２ビットの値のうちの上位ビットで構成される１８０ビットの後上位選択データＳＬＨと、下位ビットで構成される１８０ビットの後下位選択データＳＬＬと、を有する。後シリアルコモン選択データＳＬＢは、後上位選択データＳＬＨ及び後下位選択データＳＬＬの他に、３２ビットのダミーデータＤＭを有する。
【００７８】
後上位選択データＳＬＨ及び後下位選択データＳＬＬは、図１０に示す真理値表に従って、各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に駆動波形信号ＣＯＭの種別を対応付けるためのデータである。制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、後上位選択データＳＬＨ及び後下位選択データＳＬＬと、図１０に示す真理値表とに従って、１８０個の各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）にそれぞれ駆動波形信号ＣＯＭの種別を対応付ける。例えば、制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、後上位選択データＳＬＨが“０”、後下位選択データＳＬＬが“０”のノズルＮ（圧電素子ＰＺ）にそれぞれ第１駆動波形信号ＣＯＭＡを対応させる。制御部３２は、後上位選択データＳＬＨと後下位選択データＳＬＬが“０１”、“１０”、“１１”のノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に、それぞれ第２駆動波形信号ＣＯＭＢ、第３駆動波形信号ＣＯＭＣ、第４駆動波形信号ＣＯＭＤを対応付ける。
【００７９】
なお、各圧電素子ＰＺに供給する駆動波形信号ＣＯＭが前上位選択データＳＦＨ及び前下位選択データＳＦＬに基づいて選択される状態を、前選択という。また。各圧電素子ＰＺに供給する駆動波形信号ＣＯＭが後上位選択データＳＬＨ及び後下位選択データＳＬＬに基づいて選択される状態を、前選択という。
【００８０】
ダミーデータＤＭは、対応する後シリアルコモン選択データＳＬＢをシリアルパターンデータＳＩＡと同一の転送クロックＳＣＬＫによって転送させるためのデータである。ダミーデータＤＭは、無効となるデータの他に、前記ラッチ選択データＡＤを有する。
制御部３２は、ヘッド駆動回路４１を介し、ラッチ選択データＡＤのビット値が“１”のとき、後駆動波形信号ＣＯＭＬ用のラッチに後上位選択データＳＬＨ及び後下位選択データＳＬＬをラッチさせる。
【００８１】
図１１はステート切り替え信号ＣＨＢのステートの区分を示す真理値表である。
図１１に示すように、コモン切替え信号ＣＨＢは、各圧電素子ＰＺに供給する駆動波形信号ＣＯＭの選択状態（コモン選択ステート：“Ｆ”あるいは“Ｌ”）を切替える信号である。すなわち、コモン切替え信号ＣＨＢは、前選択（コモン選択ステートが“Ｆ”の状態）と、後選択（コモン選択ステートが“Ｌ”の状態）と、を切替えるための信号である。
【００８２】
コモン選択ステートは、コモン切替え信号ＣＨＢの立ち上がりに同期して“Ｆ”（前選択）、あるいは、“Ｌ”（後選択）に切り替わる。コモン選択ステートは、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが“Ｈ”レベル（高い電位のレベル）であって、かつ、コモン切替え信号ＣＨＢが“Ｌ”レベルのとき、“Ｆ”の状態（前選択）に初期化される。コモン選択ステートは、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが“Ｈ”レベルであって、かつ、コモン切替え信号ＣＨＢが“Ｈ”レベルのとき、“Ｌ”の状態（後選択）にセットされる。
【００８３】
次に、ヘッド駆動回路４１について図１２を参照して説明する。図１２はヘッド駆動回路の構成を示すブロック図である。
図１２に示すように、ヘッド駆動回路４１は、出力制御信号生成手段としての出力制御信号生成回路５０と、コモン選択制御信号生成手段としてのコモン選択制御信号生成回路６０と、を有する。また、ヘッド駆動回路４１は、出力合成回路７０（第１〜第４コモン出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄ）と、ロジック系の信号を昇圧してアナログスイッチの駆動電圧レベルに昇圧するレベルシフター７１（第１〜第４コモン用レベルシフター７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄ）と、を有する。また、ヘッド駆動回路４１は、圧電素子ＰＺに各駆動波形信号ＣＯＭを供給するためのアナログスイッチを備えた４系統のスイッチ回路７２（第１〜第４コモン用スイッチ回路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄ）を有する。上記出力合成回路７０、レベルシフター７１、及びスイッチ回路７２によって、出力手段が構成される。
【００８４】
まず、出力制御信号ＰＩを生成するための出力制御信号生成回路５０について以下に説明する。図１３は出力制御信号回路の構成を示すブロック図である。
図１３に示すように、出力制御信号生成回路５０は、シフトレジスター５１と、ラッチ５２と、ステートカウンター５３と、セレクター５４と、パターンデータ合成回路５５と、を有する。
【００８５】
シフトレジスター５１は、パターンデータレジスター５１Ａと、下位選択データレジスター５１Ｂと、上位選択データレジスター５１Ｃと、を有し、制御装置３０からシリアルパターンデータＳＩＡと転送クロックＳＣＬＫとが入力される。
【００８６】
パターンデータレジスター５１Ａは、シリアルパターンデータＳＩＡのうちのパターンデータＳＰがシリアル転送され、転送クロックＳＣＬＫによって順次シフトして３２ビットのパターンデータＳＰを格納する。下位選択データレジスター５１Ｂは、シリアルパターンデータＳＩＡのうち下位選択データＳＩＬがシリアル転送され、転送クロックＳＣＬＫによって順次シフトして１８０ビットの下位選択データＳＩＬを格納する。上位選択データレジスター５１Ｃは、シリアルパターンデータＳＩＡのうち上位選択データＳＩＨがシリアル転送され、転送クロックＳＣＬＫによって順次シフトして１８０ビットの上位選択データＳＩＨを格納する。
【００８７】
ラッチ５２は、パターンデータラッチ５２Ａと、下位選択データラッチ５２Ｂと、上位選択データラッチ５２Ｃと、を有し、制御装置３０からパターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが入力される。
【００８８】
パターンデータラッチ５２Ａは、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、パターンデータレジスター５１Ａのデータ、すなわちパターンデータＳＰをラッチする。下位選択データラッチ５２Ｂは、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、下位選択データレジスター５１Ｂのデータ、すなわち下位選択データＳＩＬをラッチする。上位選択データラッチ５２Ｃは、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるとき、上位選択データレジスター５１Ｃのデータ、すなわち上位選択データＳＩＨをラッチする。
【００８９】
ステートカウンター５３は、３ビットのカウンター回路であり、ステート切替え信号ＣＨＡの立ち上がりエッジによってカウントし、ステートを変化させる。ステートカウンター５３は、ステートを「０」から「７」までカウントした後、ステート切替え信号ＣＨＡが入力されることによりステートを「０」に戻す。また、ステートカウンター５３は、ＬＡＴＡ信号が“Ｈ”レベル（高い電位のレベル）になるときにリセットされ、ステートを「０」に戻す。ステートカウンター５３は、制御装置３０からステート切替え信号ＣＨＡとパターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡとが入力されるとき、ステートの値をカウントしてセレクター５４に出力する。
【００９０】
セレクター５４は、ステートカウンター５３が出力するステートの値と、パターンデータラッチ５２ＡがラッチしたパターンデータＳＰと、に基づいて、その時々で、ステートの値に対応するスイッチデータＰｎ０〜Ｐｎ３を選択し、選択したスイッチデータＰｎ０〜Ｐｎ３をパターンデータ合成回路５５に出力する。すなわち、セレクター５４は、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡがパターンデータラッチ５２Ａに入力されるとき、パターンデータラッチ５２ＡにラッチされたパターンデータＳＰを読み込み、図８に示す真理値表に従って、ステートの値「ｎ」に応じたスイッチデータＰｎ０〜Ｐｎ３を選択する。例えば、セレクター５４は、ステートカウンター５３のステートが「０」のとき、ステート「０」に応じたパターンデータＳＰ、すなわち、図８に示すスイッチデータＰ００〜Ｐ０３をパターンデータ合成回路５５に出力する。
【００９１】
パターンデータ合成回路５５は、セレクター５４から各スイッチデータＰｎ０〜Ｐｎ３が入力され、下位選択データラッチ５２Ｂがラッチした下位選択データＳＩＬと、上位選択データラッチ５２Ｃがラッチした上位選択データＳＩＨと、を読み込む。パターンデータ合成回路５５は、各スイッチデータＰｎ０〜Ｐｎ３と、下位選択データＳＩＬと、上位選択データＳＩＨとを用い、図８に示す真理値表に従って、１８０個のノズルＮに対し液滴の吐出・非吐出（各ビットの値：“０”あるいは“１”）を規定した１８０ビットのデータ（出力制御信号ＰＩ）をステートごとに生成する。
【００９２】
図１４はパターンデータ合成回路の構成を示すブロック図である。
図１４に示すように、パターンデータ合成回路５５は、例えば、１つのノズルＮに対応する４個のＡＮＤゲート５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄと、これらのＡＮＤゲート５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄの出力が入力されるＯＲゲート５５ｅと、により構成される。ＡＮＤゲート５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄには、それぞれ上位選択データＳＩＨと、下位選択データＳＩＬと、対応するスイッチデータＰｎ０〜Ｐｎ３と、が入力される。上位選択データＳＩＨと下位選択データＳＩＬが“００”である場合、ＡＮＤゲート５５ａのみが有効となり、スイッチデータＰｎ０（“０”あるいは“１”）が、対応するノズルＮの出力制御信号ＰＩとして出力される。また、上位選択データＳＩＨと下位選択データＳＩＬが“０１”、“１０”“００”である場合、それぞれＡＮＤゲート５５ｂ、５５ｃ、５５ｄのみが有効となり、スイッチデータＰｎ１、Ｐｎ２、Ｐｎ３（“０”あるいは“１”）が、対応するノズルＮの出力制御信号ＰＩとして出力される。これにより、図８に示す真理値表に対応するスイッチデータＰｎｍが出力制御信号ＰＩとして出力される。
【００９３】
次いで、各コモン選択制御信号ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤを生成するためのコモン選択制御信号生成回路６０について以下に説明する。
図１５はコモン選択制御信号生成回路の構成を示すブロック図である。
図１５に示すように、コモン選択制御信号生成回路６０は、シフトレジスター６１と、ラッチ６２と、コモン選択ステート生成回路６３と、コモン選択データデコード回路６４と、を有する。
【００９４】
シフトレジスター６１は、制御データレジスター６１Ａと、下位選択データレジスター６１Ｂと、上位選択データレジスター６１Ｃと、を有し、制御装置３０からシリアルコモン選択データＳＩＢと転送クロックＳＣＬＫとが入力される。
【００９５】
制御データレジスター６１Ａは、シリアルコモン選択データＳＩＢのうちの制御データＣＲがシリアル転送され、転送クロックＳＣＬＫによって順次シフトして３２ビットの制御データＣＲを格納する。あるいは、制御データレジスター６１Ａは、シリアルコモン選択データＳＩＢのうちのダミーデータＤＭがシリアル転送され、転送クロックＳＣＬＫによって順次シフトして３２ビットのダミーデータＤＭを格納する。
【００９６】
下位選択データレジスター６１Ｂは、シリアルコモン選択データＳＩＢのうち下位選択データＳＸＬ（前下位選択データＳＦＬ、あるいは後下位選択データＳＬＬ）がシリアル転送され、転送クロックＳＣＬＫによって順次シフトして１８０ビットの下位選択データＳＸＬを格納する。上位選択データレジスター６１Ｃは、シリアルコモン選択データＳＩＢのうち上位選択データＳＸＨ（前上位選択データＳＦＨ、あるいは後上位選択データＳＬＨ）がシリアル転送され、転送クロックＳＣＬＫによって順次シフトして１８０ビットの上位選択データＳＸＨを格納する。
【００９７】
ラッチ６２は、制御データラッチ６２Ａと、前下位選択データラッチ６２Ｂと、前上位選択データラッチ６２Ｃと、後下位選択データラッチ６２Ｄと、後上位選択データラッチ６２Ｅと、を有し、制御装置３０からコモン選択データ用ラッチ信号ＬＡＴＢと、ラッチ選択データＡＤと、が入力される。
【００９８】
制御データラッチ６２Ａは、コモン選択データ用ラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、制御データレジスター６１Ａのデータ、すなわち制御データＣＲ、あるいはダミーデータＤＭをラッチし、ラッチしたデータを所定の制御回路（例えば、温度検出回路など）に出力する。
【００９９】
前下位選択データラッチ６２Ｂは、コモン選択データ用ラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、制御データレジスター６１Ａの格納するラッチ選択データＡＤを読み込み、該ラッチ選択データＡＤが“０”の場合、下位選択データレジスター６１Ｂのデータ、すなわち前下位選択データＳＦＬをラッチする。また、前上位選択データラッチ６２Ｃは、コモン選択データ用ラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、制御データレジスター６１Ａの格納するラッチ選択データＡＤを読み込み、該ラッチ選択データＡＤが“１”の場合、上位選択データレジスター６１Ｃのデータ、すなわち前下位選択データＳＦＬをラッチする。
【０１００】
後下位選択データラッチ６２Ｄは、コモン選択データ用ラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、制御データレジスター６１Ａの格納するラッチ選択データＡＤを読み込み、該ラッチ選択データＡＤが“１”の場合、下位選択データレジスター６１Ｂのデータ、すなわち後下位選択データＳＬＬをラッチする。また、後上位選択データラッチ６２Ｅは、コモン選択データ用ラッチ信号ＬＡＴＢが入力されるとき、制御データレジスター６１Ａの格納するラッチ選択データＡＤを読み込み、該ラッチ選択データＡＤが“０”の場合、上位選択データレジスター６１Ｃのデータ、すなわち後下位選択データＳＬＬをラッチする。
【０１０１】
コモン選択ステート生成回路６３は、１ビットのカウンター回路であり、コモン切替え信号ＣＨＢの立ち上がりエッジによってカウントする。コモン選択ステート生成回路６３は、図１１に示すように、コモン切替え信号ＣＨＢの状態とパターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡの状態に応じ、コモン選択ステートを“Ｆ”（前選択）あるいは“Ｌ”（後選択）に切替え、そのコモン選択ステートに関する信号をコモン選択データデコード回路６４に出力する。
【０１０２】
コモン選択データデコード回路６４は、コモン選択ステートが“Ｆ”のとき、前下位選択データラッチ６２Ｂがラッチした前下位選択データＳＦＬと、前上位選択データラッチ６２Ｃがラッチした前上位選択データＳＦＨと、を読み込む。コモン選択データデコード回路６４は、前下位選択データＳＦＬ及び前上位選択データＳＦＨを用い、図１０に示す真理値表に従って、４つの異なる駆動波形信号ＣＯＭの各々について使用するか否か（選択・非選択）を規定する。コモン選択データデコード回路６４は、１８０個のノズルＮの各々に対し各駆動波形信号ＣＯＭの選択・非選択を規定したデータを生成する。
【０１０３】
また、コモン選択データデコード回路６４は、コモン選択ステートが“Ｌ”のとき、後下位選択データラッチ６２Ｄがラッチした後下位選択データＳＬＬと、後上位選択データラッチ６２Ｅがラッチした後上位選択データＳＬＨと、を読み込む。コモン選択データデコード回路６４は、後下位選択データＳＬＬ及び後上位選択データＳＬＨを用い、図１０に示す真理値表に従って、４つの異なる駆動波形信号ＣＯＭの各々について使用するか否か（選択・非選択）を規定する。コモン選択データデコード回路６４は、１８０個のノズルＮの各々に対し各駆動波形信号ＣＯＭの選択・非選択を規定したデータを生成する。
【０１０４】
すなわち、コモン選択データデコード回路６４は、コモン選択ステートが“Ｆ”の間、１８０個のノズルＮの各々に対し前駆動波形信号ＣＯＭＦのいずれか１つを規定したデータを生成する。コモン選択データデコード回路６４は、コモン選択ステートが“Ｌ”の間、１８０個のノズルＮの各々に対し後駆動波形信号ＣＯＭＬのいずれか１つを規定したデータを生成する。
【０１０５】
ここで、第１駆動波形信号ＣＯＭＡの選択・非選択について規定したデータを、第１コモン選択制御信号ＰＸＡという。また、第２駆動波形信号ＣＯＭＢ、第３駆動波形信号ＣＯＭＣ、第４駆動波形信号ＣＯＭＤの選択・非選択について規定したデータを、それぞれ第２コモン選択制御信号ＰＸＢ、第３コモン選択制御信号ＰＸＣ、第４コモン選択制御信号ＰＸＤという。
【０１０６】
図１２において、出力合成回路７０は、第１コモン出力合成回路７０Ａと、第２コモン出力合成回路７０Ｂと、第３コモン出力合成回路７０Ｃと、第４コモン出力合成回路７０Ｄと、を有する。各出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄには、それぞれ出力制御信号生成回路５０から１８０ビットの出力制御信号ＰＩが共通に入力される。また、各出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄには、それぞれコモン選択制御信号生成回路６０から第１コモン選択制御信号ＰＸＡ、第２コモン選択制御信号ＰＸＢ、第３コモン選択制御信号ＰＸＣ、第４コモン選択制御信号ＰＸＤが入力される。
【０１０７】
第１〜第４コモン出力合成回路７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄは、それぞれ１つのノズルＮに対応するＡＮＤゲートにより構成される。第１コモン出力合成回路７０Ａの各ＡＮＤゲートには、それぞれ対応する出力制御信号ＰＩと、対応する第１コモン選択制御信号ＰＸＡと、が入力される。第１コモン出力合成回路７０Ａの各ＡＮＤゲートは、それぞれ対応する圧電素子ＰＺに第１駆動波形信号ＣＯＭＡを供給するか否か（供給・非供給）を規定した信号（第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡ）を出力する。第２コモン出力合成回路７０Ｂの各ＡＮＤゲートには、それぞれ対応する出力制御信号ＰＩと、対応する第２コモン選択制御信号ＰＸＢと、が入力される。第２コモン出力合成回路７０Ｂの各ＡＮＤゲートは、それぞれ対応する圧電素子ＰＺに対し第２駆動波形信号ＣＯＭＢの供給・非供給を規定した信号（第２選択コモン出力制御信号ＣＰＢ）を出力する。第３コモン出力合成回路７０Ｃの各ＡＮＤゲートには、それぞれ対応する出力制御信号ＰＩと、対応する第３コモン選択制御信号ＰＸＣと、が入力される。第３コモン出力合成回路７０Ｃの各ＡＮＤゲートは、それぞれ対応する圧電素子ＰＺに対し第３駆動波形信号ＣＯＭＣの供給・非供給を規定した信号（第３選択コモン出力制御信号ＣＰＣ）を出力する。また、第４コモン出力合成回路７０Ｄの各ＡＮＤゲートには、それぞれ対応する出力制御信号ＰＩと、対応する第４コモン選択制御信号ＰＸＤと、が入力される。第４コモン出力合成回路７０Ｄの各ＡＮＤゲートは、対応する圧電素子ＰＺに対し第４駆動波形信号ＣＯＭＤの供給・非供給を規定した信号（第４選択コモン出力制御信号ＣＰD）を出力する。
【０１０８】
第１コモン出力合成回路７０Ａは、例えば、出力制御信号ＰＩが“１”であり、かつ、第１コモン選択制御信号ＰＸＡが“１”の場合、対応する圧電素子ＰＺに第１駆動波形信号ＣＯＭＡを供給するための第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡ（ビット値が“１”の信号）を出力する。逆に、第１コモン出力合成回路７０Ａは、出力制御信号ＰＩが“０”、あるいは、第１コモン選択制御信号ＰＸＡが“０”の場合、該圧電素子ＰＺに対し第１駆動波形信号ＣＯＭＡを供給しないための第１選択コモン出力制御信号ＣＰＡ（ビット値が“０”の信号）を出力する。
【０１０９】
これにより、１８０個の各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）は、それぞれ出力制御信号ＰＩによって液滴Ｄの吐出・非吐出が決定され、第１〜第４コモン選択制御信号ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤによって各駆動波形信号ＣＯＭの供給・非供給が決定される。
【０１１０】
レベルシフター７１は、第１〜第４駆動波形信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤ用の４系統のレベルシフター（第１コモン用レベルシフター７１Ａ，第２コモン用レベルシフター７１Ｂ，第３コモン用レベルシフター７１Ｃ，第４コモン用レベルシフター７１Ｄ）を有する。第１〜第４コモン用レベルシフター７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄには、それぞれ対応する出力合成回路７０から第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤが入力される。第１〜第４コモン用レベルシフター７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄは、それぞれ第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤをアナログスイッチの駆動電圧レベルに昇圧し、１８０個の圧電素子ＰＺに対応する開閉信号を出力する。
【０１１１】
スイッチ回路７２は、第１〜第４駆動波形信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤ用の４系統のスイッチ回路（第１コモン用スイッチ回路７２Ａ，第２コモン用スイッチ回路７２Ｂ，第３コモン用スイッチ回路７２Ｃ，第４コモン用スイッチ回路７２Ｄ）を有する。第１〜第４コモン用スイッチ回路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄは、それぞれ圧電素子ＰＺに対応する１８０個のアナログスイッチを有する。第１〜第４コモン用スイッチ回路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄには、それぞれ対応するレベルシフター７１から開閉信号が入力される。４系統の各アナログスイッチの入力端には、それぞれ対応する駆動波形信号ＣＯＭが入力され、４系統の各アナログスイッチの出力端には、それぞれ対応する圧電素子ＰＺが共通接続されている。各アナログスイッチは、それぞれ対応するレベルシフター７１から開閉信号が入力され、該開閉信号が“Ｈ”レベルのとき、対応する圧電素子ＰＺに対応する駆動波形信号ＣＯＭを出力する。
【０１１２】
これにより、１８０個の各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）は、それぞれ出力制御信号ＰＩにより液滴Ｄの吐出動作を選択されるとき、第１〜第４選択コモン出力制御信号ＣＰＡ，ＣＰＢ，ＣＰＣ，ＣＰＤによって第１〜第４駆動波形信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤのいずれか１つを供給される。すなわち、１８０個の各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）は、液滴Ｄの吐出動作を選択されるとき、ランクに応じた駆動波形信号ＣＯＭを供給される。
【０１１３】
次に、液滴吐出装置１０に搭載した液滴吐出ヘッド１８の駆動方法について以下に説明する。図１６は、各圧電素子ＰＺに供給される駆動波形信号ＣＯＭを説明するためのタイミングチャートである。
【０１１４】
まず、図１に示すように、基板６（Ｗ）が、その吐出面６ａを上側にして基板ステージ１３に載置される。このとき、基板ステージ１３は、基板６（Ｗ）をキャリッジ１７の反Ｙ矢印方向に配置する。この状態から、入出力装置４０は、描画データＩｐと、基準駆動電圧データＩｖと、ヘッドデータＩｈと、を制御装置３０に入力する。
基準駆動電圧データＩｖ及びヘッドデータＩｈは、それぞれ液滴重量計測装置２６によって計測された各液滴Ｄの実重量Ｉｗに基づいて生成されたものである。
【０１１５】
このヘッドデータＩｈは、最もＸ矢印方向に位置するノズルＮ（第１圧電素子ＰＺ１）
を「１」のランクに分類し、Ｘ矢印方向から数えて１０番目のノズルＮ（第１０圧電素子
ＰＺ１０）を「２」のランクに分類し、Ｘ矢印方向から数えて２０番目のノズルＮ（第２
０圧電素子ＰＺ２０）を「３」のランクに分類する。
【０１１６】
制御装置３０は、モーター駆動回路３８を介してキャリッジ１７を走査し、基板６（Ｗ）がＹ矢印方向に走査されるときに各吐出ヘッド１８が基板６（Ｗ）上を通過するようにキャリッジ１７を配置する。制御装置３０は、キャリッジ１７を配置するとモーター駆動回路３８を介して基板ステージ１３の走査を開始する。
【０１１７】
制御装置３０は、入出力装置４０から入力されたヘッドデータＩｈをコモン選択データに展開する。制御装置３０は、基板ステージ１３の１スキャン分に相当するコモン選択データを展開すると、図１６に示すように、コモン選択データを用いてシリアルコモン選択データＳＩＢを生成し、該シリアルコモン選択データＳＩＢを転送クロックＳＣＬＫに同期させてヘッド駆動回路４１にシリアル転送する。
【０１１８】
この際、制御装置３０は、前シリアルコモン選択データＳＦＢ（前上位選択データＳＦＨ、前下位選択データＳＦＬ、及び制御データＣＲ）を先行して転送し、続いて、後シリアルコモン選択データＳＬＢ（後上位選択データＳＬＨ、後下位選択データＳＬＬ、及びダミーデータＤＭ）を転送する。なお、制御データＣＲに含まれるラッチ選択データＡＤには“０”が設定され、ダミーデータＤＭに含まれるラッチ選択データＡＤには“１”が設定されている。
【０１１９】
制御装置３０は、コモン選択データ用ラッチ信号ＬＡＴＢをヘッド駆動回路４１に出力し、ヘッド駆動回路４１に前シリアルコモン選択データＳＦＢと後シリアルコモン選択データＳＬＢとを順次ラッチさせる。すなわち、ヘッド駆動回路４１は、前シリアルコモン選択データＳＦＢの制御データＣＲに含まれるラッチ選択データＡＤ（”０”）を読み出し、前上位選択データＳＦＨ及び前下位選択データＳＦＬをそれぞれ前上位選択データラッチ６２Ｃ及び前下位選択データラッチ６２Ｂにラッチさせる。また、ヘッド駆動回路４１は、後シリアルコモン選択データＳＬＢのダミーデータＤＭに含まれるラッチ選択データＡＤ（“１”）を読み出し、後上位選択データＳＬＨ及び後下位選択データＳＬＬをそれぞれ後上位選択データラッチ６２Ｅ及び後下位選択データラッチ６２Ｄにラッチさせる。
【０１２０】
次いで、制御装置３０は、入出力装置４０から入力された描画データＩｐをドットパターンデータに展開する。制御装置３０は、基板ステージ１３の１スキャン分に相当するドットパターンデータを展開すると、図１６に示すように、ドットパターンデータを用いてシリアルパターンデータＳＩＡを生成し、該シリアルパターンデータＳＩＡを転送クロックＳＣＬＫに同期させてヘッド駆動回路４１にシリアル転送する。
【０１２１】
制御装置３０は、基板ステージ１３が所定の描画開始位置に到達するとき、図１６に示すように、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡをヘッド駆動回路４１に出力し、ヘッド駆動回路４１にシリアルパターンデータＳＩＡ（上位選択データＳＩＨ、下位選択データＳＩＬ、及びパターンデータＳＰ）をラッチさせる。
【０１２２】
制御装置３０は、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡを出力してシリアルパターンデータＳＩＡをラッチさせると、ステート切替え信号ＣＨＡをヘッド駆動回路４１に順次出力してステートを「０」から「１」、「２」、「３」、「４」、・・・の順に切替えさせる。また、制御装置３０は、基準駆動電圧データＩｖを参照して駆動波形生成回路３６に４種類の駆動波形信号ＣＯＭ（第１駆動波形信号ＣＯＭＡ，第２駆動波形信号ＣＯＭＢ，第３駆動波形信号ＣＯＭＣ，第４駆動波形信号ＣＯＭＤ）を生成させる。制御装置３０は、第１〜第４駆動波形信号ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ，ＣＯＭＣ，ＣＯＭＤをそれぞれパターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡとステート切替え信号ＣＨＡとに同期させヘッド駆動回路４１に対しステートごとに出力する。
【０１２３】
また、ヘッド駆動回路４１は、シリアルパターンデータＳＩＡをラッチさせると、上位選択データＳＩＨ及び下位選択データＳＩＬと、図８に示す真理値表に従って、パターンデータＳＰの各データをそれぞれ各ステートに対応させ、１８０個の各ノズルＮ（圧電素子ＰＺ）に対し各ステートにおける吐出・非吐出を規定する。例えば、図１６に示すように、第１圧電素子ＰＺ１、第１０圧電素子ＰＺ１０、及び第２０圧電素子ＰＺ２０には、「１」、「３」、「５」、「７」の各ステートで液滴Ｄの吐出動作を選択させる。
【０１２４】
この際、制御装置３０は、ステート切替え信号ＣＨＡのパルス数をカウントし、ステートが「０」から「３」に移行する間、コモン切替え信号ＣＨＢを“Ｌ”の状態にする。ヘッド駆動回路４１は、コモン切替え信号ＣＨＢが“Ｌ”の状態にあるため、パターンデータ用ラッチ信号ＬＡＴＡが入力されるタイミングでコモン選択ステートを“Ｆ”（前選択）に初期化させる。そして、ヘッド駆動回路４１は、前選択に基づいて、前上位選択データラッチ６２Ｃがラッチした前上位選択データＳＦＨと、前下位選択データラッチ６２Ｂがラッチした前下位選択データＳＦＬと、を用い、図１０に示す真理値表に従って、第１〜第４コモン選択制御信号ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤを生成する。
【０１２５】
本実施形態では、第１圧電素子ＰＺ１の場合、前上位選択データＳＦＨのみを使用し、ＳＦＨが“００”に設定されている。ヘッド駆動回路４１は、この前上位選択データＳＦＨ（“００”）を用い、図１０に示す真理値表に従って、第１駆動波形信号ＣＯＭＡを選択、他の駆動波形信号ＣＯＭを非選択、ＣＯＭＦが供給される。
【０１２６】
同じく、第１０圧電素子ＰＺ１０の場合、前上位選択データＳＦＨが“０１”に設定されている。ヘッド駆動回路４１は、この前上位選択データＳＦＨ（“０１”）を用い、第２駆動波形信号ＣＯＭＢを選択、他の駆動波形信号ＣＯＭを非選択、とする第１〜第４コモン選択制御信号ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤを生成する。これにより、第１０圧電素子ＰＺ１０には、その吐出動作が選択される「１」、「３」のステートで第２駆動波形信号ＣＯＭＢが供給される。すなわち、ランク「２」の１０圧電素子ＰＺ１０には、ランク「２」に対応する前駆動波形信号ＣＯＭＦが供給される。
【０１２７】
また、第２０圧電素子ＰＺ２０の場合、前上位選択データＳＦＨが“１０”に設定されている。ヘッド駆動回路４１は、この前上位選択データＳＦＨ及び前下位選択データＳＦＬ（“１０”）を用い、第３駆動波形信号ＣＯＭＣを選択、他の駆動波形信号ＣＯＭを非選択、とする第１〜第４コモン選択制御信号ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤを生成する。これにより、第２０圧電素子ＰＺ２０には、その吐出動作が選択される「１」、「３」のステートで第３駆動波形信号ＣＯＭＣが供給される。すなわち、ランク「３」の第２０圧電素子ＰＺ２０には、ランク「３」に対応する前駆動波形信号ＣＯＭＦが供給される。
【０１２８】
次いで、制御装置３０は、ステートが「４」に移行するタイミングでコモン切替え信号ＣＨＢを出力する。ヘッド駆動回路４１は、コモン切替え信号ＣＨＢの立ち上がりを受けてコモン選択ステートを“Ｆ”（前選択）から“Ｌ”（後選択）に切替える。そして、ヘッド駆動回路４１は、後選択に基づいて、後上位選択データラッチ６２Ｅがラッチした後上位選択データＳＬＨと、後下位選択データラッチ６２Ｄがラッチした後下位選択データＳＬＬと、を用い、図１０に示す真理値表に従って、第１〜第４コモン選択制御信号ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤを生成する。
【０１２９】
これにより、第１圧電素子ＰＺ１には、その吐出動作が選択される「５」、「７」のステートで第１駆動波形信号ＣＯＭＡが供給される。すなわち、ランク「１」の第１圧電素子ＰＺ１には、ランク「１」に対応する後駆動波形信号ＣＯＭＬが供給される。同じく、第１０圧電素子ＰＺ１０には、その吐出動作が選択される「５」、「７」のステートで第２駆動波形信号ＣＯＭＢが供給される。すなわち、ランク「２」の第１０圧電素子ＰＺ１０には、ランク「２」に対応する後駆動波形信号ＣＯＭＬが供給される。また、第２０圧電素子ＰＺ２０には、その吐出動作が選択される「５」、「７」のステートで第３駆動波形信号ＣＯＭＣが供給される。すなわち、ランク「３」の第２０圧電素子ＰＺ２０には、ランク「３」に対応する後駆動波形信号ＣＯＭＬが供給される。
【０１３０】
以後、同じく、制御装置３０は、ステート切替え信号ＣＨＡのパルス数をカウントし、ステートが再び「４」に移行するタイミングで、コモン切替え信号ＣＨＢを出力する。ヘッド駆動回路４１は、コモン切替え信号ＣＨＢの立ち上がりを受けてコモン選択ステートを切替える。これにより、ステートが「４」に移行するたびに、「５」、「７」、「１」、「３」の各ステートにおける前選択の吐出動作と、同「５」、「７」、「１」、「３」の各ステートにおける後選択の吐出動作と、が繰り返される。本実施形態では、１つの圧電素子において１種類の駆動波形信号を供給することとなる。
【０１３１】
＜ノズル吐出量の補正方法＞
次に図５（ａ）〜（ｅ）を参照して、本実施形態のノズル吐出量の補正方法について説明する。図５（ａ）は補正を行う前の各吐出領域に吐出される吐出重量の分布を示すグラフ、図５（ｂ）は吐出領域毎のノズル列の補正量の分布を示すグラフ、図５（ｃ）はノズル列の補正後の吐出領域毎の吐出重量の分布を示すグラフ、図５（ｄ）は吐出領域毎のノズル列の補正量の分布を示すグラフ、図５（ｅ）はノズル列の補正後の吐出領域毎の吐出重量の分布を示すグラフである。
【０１３２】
まず、第１ステップとして、ノズルＮａから吐出されるインク重量の補正のみでノズルＮｂから吐出されるインク重量も含めたサブピクセル（吐出領域）内全てのインク重量を補正するための補正量Ｖｃ１を計算する。
補正量Ｖｃ１は例えば、サブピクセル（吐出領域）にノズルＮａから吐出される液滴Ｄのインク重量をＶａ１、吐出回数をＣａ１、ノズルＮｂから吐出される液滴Ｄのインク重量をＶｂ１、吐出回数をＣｂ１、各サブピクセル（吐出領域）内の狙いとするインク重量（所定量）をＶｄとするとき、以下の数式（１）により求めることができる。
Ｖｃ１＝（Ｖａ１×Ｃａ１＋Ｖｄ−（Ｖａ１×Ｃａ１＋Ｖｂ１×Ｃｂ１））／（Ｖａ１×Ｃａ１）・・・・（１）
この計算をノズル列２２ａの吐出を行う全てのノズルＮａに対して行うことで図５（ａ）に示すサブピクセル毎の吐出重量に対し、図５（ｂ）に示すような補正量を求める。
【０１３３】
求められたノズル列２２ａの各ノズルＮａの補正量Ｖｃ１のうち最大値をＶｃ１ｍａｘ、最小値をＶｃ１ｍｉｎとするとき、補正量Ｖｃ１がＶｃ１ｍｉｎ＋（Ｖｃ１ｍａｘ−Ｖｃ１ｍｉｎ）／４×３＜Ｖｃ１≦Ｖｃ１ｍａｘの範囲にあるノズルＮａに対しランク「１」が設定され、補正量Ｖｃ１がＶｃ１ｍｉｎ＋（Ｖｃ１ｍａｘ−Ｖｃ１ｍｉｎ）／２＜Ｖｃ１≦Ｖｃ１ｍｉｎ＋（Ｖｃ１ｍａｘ−Ｖｃ１ｍｉｎ）／４×３の範囲にあるノズルＮａに対しランク「２」が設定され、補正量Ｖｃ１がＶｃ１ｍｉｎ＋（Ｖｃ１ｍａｘ−Ｖｃ１ｍｉｎ）／４＜Ｖｃ１≦Ｖｃ１ｍｉｎ＋（Ｖｃ１ｍａｘ−Ｖｃ１ｍｉｎ）／２の範囲にあるノズルＮａに対しランク「３」が設定され、補正量Ｖｃ１がＶｃ１ｍｉｎ≦Ｖｃ１≦Ｖｃ１ｍｉｎ＋（Ｖｃ１ｍａｘ−Ｖｃ１ｍｉｎ）／４の範囲にあるノズルＮａに対しランク「４」が設定される。
【０１３４】
次に分類された４つのランクの吐出重量を補正するための駆動電圧補正量Ｖｈｐａｒａをランク毎に求める。駆動電圧補正量Ｖｈｐａｒａは、それぞれのランクのノズル群の各々のノズルNaの吐出重量の平均値、または（最大値＋最小値）／２によって求めた値Ｖｃ１ｃｅｎに液滴重量計測装置２６で計測した基準駆動電圧Ｖｈ0を変化させた時の吐出重量の変化量の係数を反映させて求められる。
【０１３５】
次にノズルＮｂから吐出されるインク重量の補正のみで、ノズルＮａから吐出される補正されたインク重量Ｖａ１’も含め、サブピクセル内全てのインク重量をさらに補正するための補正量Ｖｃ２を計算する。
ノズルＮａから吐出される補正されたインク重量Ｖａ１’は、ノズルＮａのインク重量をＶａ１と分類したランク、そして補正量Ｖｈｐａｒａによって計算され、ノズルＮａの補正完了時点で、図５（ｃ）に示すばらつきまでインク量が補正される。
補正量Ｖｃ２は例えば、以下の数式（２）により求めることができる。
Ｖｃ２＝（Ｖａ１×Ｃａ１＋Ｖｄ−（Ｖａ１’×Ｃａ１＋Ｖｂ１×Ｃｂ１））／（Ｖａ１×Ｃａ１）・・・・（２）
この計算をノズル列２２ｂの吐出を行う全てのノズルＮｂに対して行うことで、図５（ｄ）に示すような補正量を求める。
【０１３６】
求められたノズル列２２ｂの各ノズルＮｂの補正量Ｖｃ２のうち最大値をＶｃ２ｍａｘ、最小値をＶｃ２ｍｉｎとするとき、補正量Ｖｃ２がＶｃ２ｍｉｎ＋（Ｖｃ２ｍａｘ−Ｖｃ２ｍｉｎ）／４×３＜Ｖｃ２≦Ｖｃ２ｍａｘの範囲にあるノズルＮａに対しランク「１」が設定され、補正量Ｖｃ２がＶｃ２ｍｉｎ＋（Ｖｃ２ｍａｘ−Ｖｃ２ｍｉｎ）／２＜Ｖｃ２≦Ｖｃ２ｍｉｎ＋（Ｖｃ２ｍａｘ−Ｖｃ２ｍｉｎ）／４×３の範囲にあるノズルＮａに対しランク「２」が設定され、補正量Ｖｃ２がＶｃ２ｍｉｎ＋（Ｖｃ２ｍａｘ−Ｖｃ２ｍｉｎ）／４＜Ｖｃ２≦Ｖｃ２ｍｉｎ＋（Ｖｃ２ｍａｘ−Ｖｃ２ｍｉｎ）／２の範囲にあるノズルＮａに対しランク「３」が設定され、補正量Ｖｃ２がＶｃ２ｍｉｎ≦Ｖｃ２≦Ｖｃ２ｍｉｎ＋（Ｖｃ２ｍａｘ−Ｖｃ２ｍｉｎ）／４の範囲にあるノズルＮａに対しランク「４」が設定される。
【０１３７】
次に分類された４つのランクの吐出重量を補正するための駆動電圧補正量Ｖｈｐａｒｂをランク毎に求める。駆動電圧補正量Ｖｈｐａｒｂは、それぞれのランクのノズル群の各々のノズルNaの吐出重量の平均値、または（最大値＋最小値）／２によって求めた値Ｖｃ２ｃｅｎに液滴重量計測装置２６で計測した基準駆動電圧Ｖｈ0を変化させた時の吐出重量の変化量の係数を反映させて求められる。
以上により、図５（ｅ）に示すインク重量ばらつきまで補正が可能となる。
【０１３８】
以上、２つのノズル列を用いた補正方法について記載したが、方法はこれに限らず、吐出毎に行うこともできる。同じ吐出領域に同じノズルNから吐出される液滴が複数ある場合には、吐出１回毎に、前述した前駆動波形信号ＣＯＭFと後駆動波形信号ＣＯＭＬを切り換えながら吐出を行うことで補正が可能である。この場合には、補正量Ｖｃ１をＣＯＭＦ、補正量Ｖｃ２をＣＯＭＬに分担させる。
【０１３９】
また、本実施形態は走査毎に行うことも可能である。同じ吐出領域に複数回の副走査により液滴の吐出を行う場合には、補正量Ｖｃ１を副走査の１回目、補正量Ｖｃ２を副走査の２回目に分担させる。
同じ吐出領域に液滴を吐出する副走査の回数が３回以上の場合、Ｖｃ３、Ｖｃ４・・・というように副走査の回数分だけ補正量の計算を行うことで、より高精度な補正が可能となる。
なお、各走査において、同じ吐出領域に液滴を吐出するノズルＮは必ずしも同一のノズルＮである必要はなく、副走査の位置を変更することで走査毎に異なるノズルＮで液滴を吐出する事もできる。
走査毎に異なるノズルＮで液滴を吐出する事により、ノズルＮ毎の液滴重量測定の誤差や、補正量の誤差を分散することが出来るので、高精度な補正が可能となる。
【０１４０】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
上記実施形態では、ノズル列２２a、ノズル列２２ｂの順序で吐出重量の補正を行うための補正量Ｖｃ１及びＶｃ２を求めそのまま吐出データとして展開しているが、計算の順序には制限は無く、ノズル列２２ｂ、ノズル列２２ａの順に補正量Ｖｃ１及びＶｃ２を求めることもできる。
【０１４１】
これによれば、組み合わされるノズル列内での計算順序及び吐出順序に制約がなくなるため、ノズルＮごとの吐出重量ばらつきをノズル列単位で求め、吐出重量ばらつきが小さい方のノズル列に大きな吐出量補正幅（Ｖｃ１）を分担させることで、より高精度な吐出重量の補正を行う事が出来る。
【０１４２】
これに限らず、組み合わされる例えばノズル列のノズル列２２ａ及びノズル列２２ｂの各々のノズル列からあるサブピクセルに吐出される回数は必ずしも同一である必要はない。
【０１４３】
これによれば、液滴の吐出回数を自由に設定できるので、サブピクセルに収めるインクの量を高い自由度で調整可能である。さらには、補正幅が最も大きくなる補正量Ｖｃ１の計算を行うノズル列の吐出回数をもう１方のノズル列の吐出回数よりも大きくすることにより、サブピクセルへのＶｃ１の計算を行うノズル列から吐出される液滴重量のウェイトがもう一方のノズル列から吐出される液滴重量よりも大きくなるために、Ｖｃ１により求められる補正幅を小さくすることが出来、より高精度な吐出重量の補正を行う事が出来る。
【０１４４】
また、同一のサブピクセルに異なる副走査の組み合わせで吐出重量の補正を行う場合には、副走査毎にサブピクセルに異なるノズルを用いて吐出を行うのが望ましい。
【０１４５】
これによれば、副走査毎に異なるノズルNを使用してサブピクセルに液滴の吐出を行うため、より多くのノズルＮを用いてサブピクセルへ液滴を吐出する事となり、それにより液滴重量計測装置２６にて計測された液滴重量の測定誤差を分散することが出来、より高精度な吐出重量の補正を行う事が出来る。
【０１４６】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を適用して製造された有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置について図１７及び図１８を参照して説明する。図１７は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す概略正面図、図１８は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の要部概略断面図である。
【０１４７】
図１７に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置４は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、３色の発光画素７６を備えた素子基板７８と、素子基板７８に所定の間隔を置いて対向配置された封止基板８０とを備えている。封止基板８０は、複数の発光画素７６が設けられた発光領域８２を封着するように、高い気密性を有する封着剤を用いて素子基板７８に接合されている。
【０１４８】
発光画素７６は、後述する発光素子としての有機ＥＬ素子８４（図１８参照）を備えるものであって、同色の発光が得られる発光画素７６が、図面上の縦方向に配列した所謂ストライプ方式となっている。なお、実際には、発光画素７６は微細なものであり、図示の都合上拡大して現している。
【０１４９】
素子基板７８は、封止基板８０よりも一回り大きく、額縁状に張り出した部分には、発光画素７６を駆動する２つの走査線駆動回路部８６と１つのデータ線駆動回路部８８が設けられている。走査線駆動回路部８６、データ線駆動回路部８８は、例えば、電気回路が集積されたＩＣとして素子基板７８に実装してもよいし、当該駆動回路部８６，８８を素子基板７８の表面に直接形成してもよい。
【０１５０】
素子基板７８の端子部７８ａには、これらの駆動回路部８６，８８と外部駆動回路とを接続するための中継基板９０が実装されている。中継基板９０は、例えば、フレキシブル回路基板などを用いることができる。
【０１５１】
図１８に示すように、有機ＥＬ装置４において、有機ＥＬ素子８４は、画素電極としての陽極９２と、陽極９２を区画する隔壁部９４と、陽極９２上に形成された有機膜からなる発光層を含む機能層９６とを有している。また、機能層９６を介して陽極９２と対向するように形成された共通電極としての陰極９８を有している。
【０１５２】
隔壁部９４は、フェノール又はポリイミドなどの絶縁性を有する感光性樹脂からなり、発光画素７６を構成する陽極９２の周囲を一部覆って、複数の陽極９２をそれぞれ区画するように設けられている。
【０１５３】
陽極９２は、素子基板７８上に形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１００の３端子のうちの１つに接続しており、例えば、透明電極材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を厚さ１００ｎｍ程度に成膜した電極である。なお、図示省略したが、陽極９２の下層（平坦化層１０２側）に、絶縁層を介してＡｌからなる反射層が設けられている。当該反射層は、機能層９６における発光を封止基板８０側に反射するものである。また、当該反射層はＡｌに限定されず、発光を反射する機能（反射面）を有していればよい。例えば、絶縁性の有機材料あるいは無機材料を用いて凹凸を有する反射面を形成する方法、陽極９２自体を反射機能を有する導電材料で構成し、表面層にＩＴＯ膜を形成する方法などが挙げられる。
【０１５４】
陰極９８は、同じく、ＩＴＯなどの透明電極材料により形成されている。
【０１５５】
本実施形態の有機ＥＬ装置４は、いわゆるトップエミッション型の構造となっており、陽極９２と陰極９８との間に駆動電流を流して機能層９６で発光した光を上記反射層で反射させて封止基板８０側から取り出す。したがって、封止基板８０は、透明なガラス等からなる基板を用いる。また、素子基板７８は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【０１５６】
素子基板７８には、有機ＥＬ素子８４を駆動する回路部１０４が設けられている。すなわち、素子基板７８の表面には、ＳｉＯ2を主体とする下地保護層１０６が下地として形成され、その上にはシリコン層１０８が形成されている。このシリコン層１０８の表面には、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層１１０が形成されている。
【０１５７】
また、シリコン層１０８のうち、ゲート絶縁層１１０を挟んでゲート電極１１２と重なる領域がチャネル領域１０８ａとされている。なお、このゲート電極１１２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層１０８を覆い、ゲート電極１１２を形成したゲート絶縁層１１０の表面には、ＳｉＯ2を主体とする第１層間絶縁層１１４が形成されている。
【０１５８】
また、シリコン層１０８のうち、チャネル領域１０８ａのソース側には、低濃度ソース領域及び高濃度ソース領域１０８ｃが設けられる一方、チャネル領域１０８ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域及び高濃度ドレイン領域１０８ｂが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域１０８ｃは、ゲート絶縁層１１０と第１層間絶縁層１１４とにわたって開孔するコンタクトホール１１６ａを介して、ソース電極１１６に接続されている。このソース電極１１６は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域１０８ｂは、ゲート絶縁層１１０と第１層間絶縁層１１４とにわたって開孔するコンタクトホール１１８ａを介して、ソース電極１１６と同一層からなるドレイン電極１１８に接続されている。
【０１５９】
ソース電極１１６及びドレイン電極１１８が形成された第１層間絶縁層１１４の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化層１０２が形成されている。この平坦化層１０２は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、ＴＦＴ素子１００やソース電極１１６、ドレイン電極１１８などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【０１６０】
そして、陽極９２が、この平坦化層１０２の表面上に形成されると共に、該平坦化層１０２に設けられたコンタクトホール１０２ａを介してドレイン電極１１８に接続されている。すなわち、陽極９２は、ドレイン電極１１８を介して、シリコン層１０８の高濃度ドレイン領域１０８ｂに接続されている。陰極９８は、ＧＮＤに接続されている。したがって、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子１００により、上記電源線から陽極９２に供給され陰極９８との間で流れる駆動電流を制御する。これにより、回路部１０４は、所望の有機ＥＬ素子８４を発光させカラー表示を可能としている。
【０１６１】
なお、有機ＥＬ素子８４を駆動する回路部１０４の構成は、これに限定されるものではない。
【０１６２】
機能層９６は、有機膜からなる正孔注入層、中間層、発光層を含む複数の薄膜層からなり、陽極９２側からこの順で積層されている。本実施形態において、これらの薄膜層は、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて成膜されている。
【０１６３】
正孔注入層の材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）や、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体を用いてもよい。
【０１６４】
中間層は、正孔注入層と発光層との間に設けられ、発光層に対する正孔の輸送性（注入性）を向上させると共に、発光層から正孔注入層に電子が浸入することを抑制するために設けられている。すなわち、発光層における正孔と電子との結合による発光の効率を改善するものである。中間層の材料としては、例えば、正孔輸送性が良好なトリフェニルアミン系ポリマーを含んだものが挙げられる。
【０１６５】
発光層の材料としては、例えば、赤色、緑色、青色の発光が得られるポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ＰＥＤＯＴ等のポリチオフェニレン誘導体、ポリメチルフェニレンシラン（ＰＭＰＳ）等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクドリン等低分子材料をドープしてもよい。
【０１６６】
このような有機ＥＬ素子８４を有する素子基板７８は、透明な熱硬化型エポキシ樹脂等を封着部材として用いた封着層１２０を介して透明な封止基板８０と隙間なくベタ封止されている。
【０１６７】
本実施形態の有機ＥＬ装置４は、後述する有機ＥＬ素子８４の製造方法を用いて製造されており、発光層が略一定の膜厚を有しているため、異なる発光色が得られる機能層９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂにおいてそれぞれ所望の発光特性が得られる。
【０１６８】
なお、本実施形態の有機ＥＬ装置４は、トップエミッション型に限定されず、共通電極としての陰極９８を反射機能を有する不透明なＡｌ等の導電材料を用いて成膜し、有機ＥＬ素子８４の発光を陰極９８で反射させて、素子基板７８側から取り出すボトムエミッション型の構造としてもよい。
【０１６９】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法について図１９〜図２１を参照して説明する。図１９は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図２０及び図２１は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す概略断面図である。
【０１７０】
本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法は、図１９に示すように、隔壁部形成工程（ステップＳ１０）と、隔壁部が形成された基板に表面処理を施す表面処理工程（ステップＳ１７）と、正孔注入層形成工程（ステップＳ３０）と、中間層形成工程（ステップＳ４０）と、発光層形成工程（ステップＳ５０）と、陰極形成工程（ステップＳ６０）と、有機ＥＬ素子が形成された素子基板７８と封止基板８０とを接合する封止基板接合工程（ステップＳ７０）とを少なくとも備えている。なお、素子基板７８上に回路部１０４（図１８参照）を形成する工程や回路部１０４に電気的に接続した陽極９２を形成する工程は、公知の製造方法を用いればよく、本実施形態では詳細の説明は省略する。したがって、図２０（ａ）〜（ｄ）及び図２１（ａ）〜（ｄ）では、回路部１０４の図示を省略している。
【０１７１】
図１９のステップＳ１０は、隔壁部形成工程である。ステップＳ１０では、図２０（ａ）に示すように、陽極９２の周囲の一部を覆って陽極９２ごとを区画するように隔壁部９４を形成する。形成方法としては、例えば、陽極９２が形成された素子基板７８の表面に、感光性のフェノール樹脂又はポリイミド樹脂をおよそ１〜３μｍ程度の厚みで塗布する。塗布方法としては、転写法、スリットコート法などが挙げられる。そして、発光画素７６の形状に対応したマスクを用いて露光し、現像することにより複数の隔壁部９４を形成することができる。以降、隔壁部９４により区画された発光画素７６の領域を膜形成領域Ａと呼ぶ。そして、ステップＳ２０へ進む。
【０１７２】
図１９のステップＳ２０は、表面処理工程である。ステップＳ２０では、隔壁部９４が形成された素子基板７８の表面に親液処理と撥液処理とを施す。まず、酸素を処理ガスとするプラズマ処理を行い、主に無機材料からなる陽極９２の表面に親液処理を施す。次に、ＣＦ4などのフッ素系ガスを処理ガスとするプラズマ処理を行い、有機材料からなる隔壁部９４の表面にフッ素を導入して撥液処理を施す。そして、ステップＳ３０へ進む。
【０１７３】
図１９のステップＳ３０は、正孔注入層形成工程である。ステップＳ３０では、まず、図２０（Ｂ）に示すように、正孔注入輸送層形成材料を含む液状体１２２を膜形成領域Ａに塗布する。液状体１２２は、例えば、溶媒としてジエチレングリコールと水（純水）とを含んでおり、正孔注入層形成材料としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを重量比で０．５％程度含んだものを用いた。粘度がおよそ２０ｍＰａ・ｓ以下となるように溶媒の割合が調整されている。
【０１７４】
液状体１２２を塗布する方法としては、液状体（インク）を吐出ヘッド１８のノズルＮから吐出可能な吐出装置１０を用いる。吐出ヘッド１８とワークＷである素子基板７８とを対向させ、吐出ヘッド１８から液状体１２２を吐出する。吐出された液状体１２２は、液滴として親液処理された陽極９２に着弾して濡れ拡がる。また、乾燥後の正孔注入層の膜厚がおよそ５０ｎｍ〜７０ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出した。そして乾燥工程へ進む。
【０１７５】
乾燥工程では、素子基板７８を例えばランプアニール等の方法で加熱することにより、液状体１２２の溶媒成分を乾燥させて除去し、図２０（ｃ）に示すように膜形成領域Ａの陽極９２上に正孔注入層９６ａを形成する。なお、本実施形態では、各膜形成領域Ａに同一材料からなる正孔注入層９６ａを形成したが、後に形成される発光層に対応して正孔注入層９６ａの材料を発光色ごとに変えてもよい。そしてステップＳ４０へ進む。
【０１７６】
図１９のステップＳ４０は、中間層形成工程である。ステップＳ４０では、図２０（ｄ）に示すように、中間層形成材料を含む液状体１２４を膜形成領域Ａに付与する。
【０１７７】
液状体１２４は、例えば、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含み、中間層形成材料として、前述したトリフェニルアミン系ポリマーを重量比で０．１％程度含んだものを用いた。粘度はおよそ６ｍＰａ・ｓである。
【０１７８】
液状体１２４を塗布する方法としては、液状体１２２を塗布する場合と同様に、上記吐出装置１０を用いる。乾燥後の中間層の膜厚がおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出した。そして乾燥工程へ進む。
【０１７９】
乾燥工程では、素子基板７８を例えばランプアニール等の方法で加熱することにより、液状体１２４の溶媒成分を乾燥させて除去し、図２１（ａ）に示すように膜形成領域Ａの正孔注入層９６ａ上に中間層９６ｃを形成する。そしてステップＳ５０へ進む。
【０１８０】
図１９のステップＳ５０は、発光層形成工程である。ステップＳ５０では、図２１（ｂ）に示すように、発光層形成材料を含む液状体１２６Ｒ，１２６Ｇ，１２６Ｂをそれぞれ対応する膜形成領域Ａに塗布する。
【０１８１】
液状体１２６Ｒ，１２６Ｇ，１２６Ｂは、例えば、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含んでおり、発光層形成材料としてＰＦを重量比で０．７％含んだものを用いた。粘度はおよそ１４ｍＰａ・ｓである。
【０１８２】
液状体１２６Ｒ，１２６Ｇ，１２６Ｂを塗布する方法は、やはり上記吐出装置１０を用い、それぞれ異なる吐出ヘッド１８に充填されて吐出される。
【０１８３】
発光層の成膜にあたり、液状体１２６Ｒ，１２６Ｇ，１２６Ｂを膜形成領域Ａに吐出むらなく、且つ必要量を安定的に吐出することができる上記液滴の吐出方法を用いた。すなわち、吐出ヘッド１８の２つのノズル列２２ａ，２２ｂのそれぞれの吐出重量ばらつきから、COMA、COMB、COMC、COMDに互いのノズル列の重量ばらつきを補正し合うように４つのランクに分け、それぞれのランクに属するノズルNの吐出重量の中央値または平均値から各ランクにおける電圧を決め、吐出重量が補正された液滴を吐出する。
乾燥後の発光層の膜厚がおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように、膜形成領域Ａの面積に応じた必要量を液滴として吐出した。そして固化工程としての乾燥工程へ進む。
【０１８４】
本実施形態における吐出された液状体１２６Ｒ，１２６Ｇ，１２６Ｂの乾燥工程は、一般的な加熱乾燥に比べて溶媒成分を比較的均一に乾燥可能な減圧乾燥法を用いている。上記液滴の吐出方法を採用することによりにより、膜形成領域Ａに満遍なく必要量の液状体１２６Ｒ，１２６Ｇ，１２６Ｂが塗布されている。したがって、図２１（ｃ）に示すように、乾燥後に形成された発光層９６ｒ，９６ｇ，９６ｂは、膜形成領域Ａごとに略一定の膜厚を有する。そして、ステップＳ６０へ進む。
【０１８５】
図１９のステップＳ６０は、陰極形成工程である。ステップＳ６０では、図２１（ｄ）に示すように、隔壁部９４と各機能層９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂとを覆うように陰極９８を形成する。これにより有機ＥＬ素子８４が構成される。
【０１８６】
陰極９８の材料としては、ＩＴＯとＣａ、Ｂａ、Ａｌ等の金属やＬｉＦ等のフッ化物とを組み合わせて用いるのが好ましい。特に機能層９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂに近い側に仕事関数が小さいＣａ、Ｂａ、ＬｉＦの膜を形成し、遠い側に仕事関数が大きいＩＴＯを形成するのが好ましい。また、陰極９８の上にＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を積層してもよい。このようにすれば、陰極９８の酸化を防止することができる。陰極９８の形成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。特に機能層９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂの熱による損傷を防止できるという点では、蒸着法が好ましい。そして、ステップＳ７０へ進む。
【０１８７】
図１９のステップＳ７０は、封止基板接合工程である。ステップＳ７０では、有機ＥＬ素子８４が形成された素子基板７８に透明な封着層１２０を塗布して、透明な封止基板８０と隙間なくベタ封止する（図１８参照）。さらに封止基板８０の外周領域において水分や酸素等の進入を防ぐ接着層を設けて接合することが望ましい。
【０１８８】
以上のような有機ＥＬ素子８４の製造方法によれば、液滴吐出法により成膜された機能層９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂは、成膜むらが低減され、それぞれ略一定の膜厚の発光層９６ｒ，９６ｇ，９６ｂを有している。したがって、成膜むらに起因する輝度むらが低減された有機ＥＬ素子８４を製造することができる。
【０１８９】
本実施形態によれば、塗布領域としての膜形成領域Ａに必要量の液状体が安定的に付与されるので、固化工程で付与された液状体を固化すれば、膜形成領域ごとにほぼ一定の膜厚を有する発光層が形成される。したがって、発光層の膜厚ムラに起因する輝度ムラや発光ムラが低減され、有機ＥＬ素子を歩留りよく製造することができる。また、フルカラーの発光が得られる有機ＥＬ素子を歩留まりよく製造することができる。更に、膜形成領域に付与される液状体ごとに必要量が異なっていても、適正に吐出量の補正がなされ、所望の膜厚を有する発光層を形成することができる。
【０１９０】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１９１】
（変形例１）上記実施形態における吐出装置１０の構成は、これに限定されない。例えば、キャリッジ１７に搭載される吐出ヘッド１８の配置は、吐出される液状体の種類によってその配置を変えてもよい。
【０１９２】
（変形例２）上記実施形態の液滴の吐出方法において、膜形成領域Ａの形状及び配置は、これに限定されない。例えば、ストライプ方式の配置だけでなく、モザイク方式やデルタ方式の配置においても適用できる。
【０１９３】
（変形例３）上記実施形態の有機ＥＬ素子８４の製造方法において、上記液滴の吐出方法を適用するのは、着色層形成材料を含む液状体１２６Ｒ，１２６Ｇ，１２６Ｂの吐出工程に限定されない。例えば、正孔注入層形成材料を含む液状体１２２や中間層形成材料を含む液状体１２４の吐出工程においても適用可能である。
【０１９４】
（変形例４）上記実施形態の有機ＥＬ装置４において、発光画素７６の構成は、これに限定されない。例えば、発光画素７６に備えた有機ＥＬ素子８４を白色発光可能な構成とする。そして、封止基板８０側に３色のカラーフィルターを備える構成とする。これによれば、同様に輝度むらが低減された見映えのよいカラー表示が可能となる。
【符号の説明】
【０１９５】
ＣＯＭ…駆動波形信号、Ｄ…液滴、Ｎ…ノズル、Ｉｐ…描画データ、ＰＩ…出力制御信号、ＰＸＡ，ＰＸＢ，ＰＸＣ，ＰＸＤ…コモン選択制御信号、ＰＺ…アクチュエーターとしての圧電素子、１０…液滴吐出装置、１８…液滴吐出ヘッド、２２…ノズル、２２ａ，２２ｂ…ノズル列、２６…液滴重量計測装置、３３…記憶手段としてのＲＡＭ、３６…駆動波形生成手段としての駆動波形生成回路、５０…出力制御信号生成手段としての出力制御信号生成回路、６０…コモン選択制御信号生成手段としてのコモン選択制御信号生成回路、７０…出力手段を構成する出力合成回路、７６…発光画素、７８…基板としての素子基板、７８ａ…端子部、８０…封止基板、８２…発光領域、８４…有機ＥＬ素子、８６…走査線駆動回路部、８８…データ線駆動回路部、９０…中継基板、９２…陽極、９４…隔壁部、９６…機能層、９６ａ…正孔注入層、９６ｃ…中間層、９６ｒ，９６ｇ，９６ｂ…発光層、９６Ｒ，９６Ｇ，９６Ｂ…機能層、９８…陰極、１００…ＴＦＴ素子、１０２…平坦化層、１０２ａ…コンタクトホール、１０４…回路部、１０６…下地保護層、１０８…シリコン層、１０８ａ…チャネル領域、１０８ｂ…高濃度ドレイン領域、１０８ｃ…高濃度ソース領域、１１０…ゲート絶縁層、１１２…ゲート電極、１１４…第１層間絶縁層、１１６…ソース電極、１１６ａ…コンタクトホール、１１８…ドレイン電極、１１８ａ…コンタクトホール、１２０…封着層、１２２，１２４…液状体、１２６Ｒ，１２６Ｇ，１２６Ｂ…発光層形成材料を含む液状体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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