(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に銅ペーストを塗布する塗布工程と、
前記塗布工程の後、体積比で５００ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍ以下の酸化性ガスを含有する窒素ガス雰囲気において前記基板を加熱し、前記銅ペースト中の銅粒子を酸化焼結する第一の加熱工程と、
前記第一の加熱工程の後、体積比で１％以上の還元性ガスを含有する窒素ガス雰囲気において前記基板を加熱し、前記酸化焼結された銅酸化物を還元する第二の加熱工程と、を含むことを特徴とする銅ペーストの焼成方法。
【請求項２】
前記第一の加熱工程は、３５０℃以上、５００℃以下で行う、請求項１に記載の焼成方法。
【請求項３】
前記第二の加熱工程は、４００℃以上、５５０℃以下で行う、請求項１または２に記載の焼成方法。
【請求項４】
前記第一および第二の加熱工程は、焼成炉内でガスを連続的に流すことにより、前記ガス雰囲気を維持する、請求項１〜３のいずれかに記載の焼成方法。
【請求項５】
前記連続的に流すガスの流量は、焼成炉の容積１×１０−６ｍ３に対して、毎分０．０５リットル以上、０．５リットル以下である、請求項４に記載の焼成方法。
【請求項６】
前記第一の加熱工程で形成される銅粒子の酸化物は、酸化第一銅および酸化第二銅を含み、前記酸化第一銅が前記酸化第二銅より多く含まれるよう加熱される、請求項１〜５のいずれかに記載の焼成方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の焼成方法により形成される焼結構造体であって、
前記第一の加熱工程の後には、酸化時の体積膨張によって隣接する粒子間が接続した組織を備えている焼結構造体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の焼成方法により形成される焼結構造体であって、
前記第二の加熱工程において酸化第一銅および酸化第二銅が還元されて銅粒子が連結した組織を備えている焼結構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に塗布された銅ペーストを焼成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性ペーストは、チップ抵抗器、チップコンデンサ、太陽電池などの電子部品、ならびにプリント配線基板、スルーホールが形成された基板などの電子実装品に配線を形成するために用いられる。また、ディスプレイの画素スイッチングを制御するためのトランジスタに接続する電極や配線に用いることができる。現状の導電性ペーストの多くは、耐酸化性に優れた銀ペーストが用いられているが、銀は高価であるとともにファインピッチ配線においてマイグレーション不良が発生しやすいという課題があるため、銀を銅で代替した銅ペーストを作製し、銅ペーストを焼成して低抵抗で信頼性に優れた配線構造を得るための検討がなされている。
【０００３】
銀ペーストを大気焼成する場合には、バインダー樹脂が大気と反応することにより、焼成後の配線中に残留する樹脂量を極力低減し、樹脂の残留による配線抵抗の上昇を抑制することができる。これに対して、銅は、酸素を含む雰囲気において容易に酸化するため、導電性銅ペーストは、不活性ガス中あるいは真空中で焼成する必要がある。その場合、酸素不足のためバインダー樹脂成分が配線中に残留して焼結性が悪化し、配線抵抗が上昇してしまうという問題点を有していた。また、不活性ガス中あるいは真空中で焼成していても、銅粒子の酸化を適正に抑制することは困難であり、焼成時に銅粒子が酸化され、配線抵抗が増加する傾向にあった。
【０００４】
高価な銀粒子を銅粒子に替えて安価な導電性ペーストによる方法としては、例えば、特許文献１では、大気中で樹脂が分解、消失する温度以上で加熱し、その際に形成される酸化銅粉末を銅に還元しながら焼結させる方法を開示している。特許文献２では、非酸化性雰囲気で脱バインダー工程を実施し、酸化雰囲気で降温しながら銅を酸化し、さらに還元して焼結体を作る方法を開示している。特許文献３では、酸化開始温度を超える温度で酸化処理を行い、還元開始温度以上の温度で還元処理を行う方法を開示している。特許文献４では、１５０℃未満の温度で乾燥し、その後加圧、加熱、還元処理工程を行う方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−４５９３１号公報
【特許文献２】特開２００２−４３７４７号公報
【特許文献３】特開２００９−２３１７５５号公報
【特許文献４】特開２０１２−２０４４６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記した従来の方法では、銅ペーストの焼成により銅粒子が焼結されて緻密化する程度が十分でなく、低い電気抵抗率の銅配線が得られなかった。そのため、銅粒子の焼結性をさらに向上させる焼成方法が求められていた。
【０００７】
本発明は、このような状況に鑑みて、電気抵抗率を低減した銅配線を形成するために、銅粒子の焼結性を向上させる銅ペーストの焼成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、銅ペーストを塗布した基板に対して、特定の酸化性ガス雰囲気で加熱する第一の加熱工程、特定の還元性ガス雰囲気で加熱する第二の加熱工程を適用することにより、銅酸化物からなる緻密な酸化焼結体を形成した後、還元して緻密な銅焼結体を形成し、電気抵抗率が低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【０００９】
（１）  基板上に銅ペーストを塗布する塗布工程と、前記塗布工程の後、体積比で５００ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍ以下の酸化性ガスを含有する窒素ガス雰囲気において前記基板を加熱し、前記銅ペースト中の銅粒子を酸化焼結する第一の加熱工程と、前記第一の加熱工程の後、体積比で１％以上の還元性ガスを含有する窒素ガス雰囲気において前記基板を加熱し、前記酸化焼結された銅酸化物を還元する第二の加熱工程と、を含むことを特徴とする銅ペーストの焼成方法。
【００１０】
（２）  前記第一の加熱工程は、３５０℃以上、５００℃以下で行う、上記（１）に記載の焼成方法。
【００１１】
（３）  前記第二の加熱工程は、４００℃以上、５５０℃以下で行う、上記）（１）または（２）記載の焼成方法。
【００１２】
（４）  前記第一および第二の加熱工程は、焼成炉内でガスを連続的に流すことにより、前記ガス雰囲気を維持する、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の焼成方法。
【００１３】
（５）  前記連続的に流すガスの流量は、焼成炉の容積１×１０−６ｍ３に対して、毎分０．０５リットル以上、０．５リットル以下である、上記（４）に記載の焼成方法。
【００１４】
（６）  前記第一の加熱工程で形成される銅粒子の酸化物は、酸化第一銅および酸化第二銅を含み、前記酸化第一銅が前記酸化第二銅より多く含まれるよう加熱される、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の焼成方法。
【００１５】
（７）  上記（１）〜（６）のいずれかに記載の焼成方法により形成される焼結構造体であって、前記第一の加熱工程の後には、酸化時の体積膨張によって隣接する粒子間が接続した組織を備えている焼結構造体。
【００１６】
（８）  上記（１）〜（７）のいずれかに記載の焼成方法により形成される焼結構造体であって、前記第二の加熱工程において酸化第一銅および酸化第二銅が還元されて銅粒子が連結した組織を備えている焼結構造体。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板上に塗布された銅ペーストの銅粒子を緻密に焼結する焼成方法が提供されるので、基板上の銅配線として電気抵抗率を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例１に関して第一の加熱工程後の試験体の断面組織を示す図である。
【図２】実施例１に関して第二の加熱工程後の試験体の断面組織を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明は、これらの記載により限定されるものではない。
本発明は、基板上に銅ペーストを塗布する工程と、体積比で５００ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍ以下の酸化性ガスを含有する窒素ガスまたは不活性ガス雰囲気において前記塗布された基板を加熱し、前記銅ペースト中の銅粒子を酸化焼結する第一の加熱工程と、前記第一の加熱工程の後、体積比で１％以上の還元ガスを含有する窒素ガスまたは不活性ガス雰囲気において前記基板を加熱し、前記酸化焼結された銅酸化物を還元する第二の加熱工程と、を含む銅ペーストの焼成方法である。
【００２０】
（基板）
本発明の焼成方法は、銅配線を形成するための基板に適用される。当該基板としては、電子実装品を搭載する基板、プリント配線基板、スルーホールを有する基板などが挙げられる。基板材料としては、シリコン基板、珪酸ガラス、アルミナ、クォーツなどの酸化物基板、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物などの窒化物基板、シリコン炭化物、チタン炭化物などの炭化物基板、樹脂基板などを使用できる。
【００２１】
（銅粒子）
銅ペーストは、銅粒子、バインダー樹脂、溶剤等を混合して調製されている。
銅ペーストに含まれる銅粒子は、粒子中の酸素濃度を０．０５質量％以上、２．０質量％以下とする。より好ましくは、上限濃度が１．０質量％以下であれば良い。酸素濃度が２．０質量％を超えると金属粒子の酸化の程度が顕著となり、銅ペースト中において凝集する傾向が強くなり、印刷性が悪化する。また、その後の焼成によっても酸化金属が十分に還元されずに焼成後の配線抵抗が増加する。一方、酸素濃度は可能な限り低いことが望ましいが、アトマイズ法などで作製された金属粒子中の酸素濃度を０．０５質量％未満とするためには、還元ガス中での処理が必要となるため、コスト高となり好ましくない。
粒子中に含有される銅以外の金属元素の総量濃度は、１．０質量％以下、より好ましく
は０．８質量％以下に抑制する。
銅粒子は、ガスアトマイズ法、または水アトマイズ法などの方法で製造された粒子が好ましい。粒子の最大直径（ｄｍａｘ）と最少直径（ｄｍｉｎ）の比で定義されるアスペクト比（ｄｍａｘ／ｄｍｉｎ）の平均値が１．０以上、２．２より小さければよく、１．０以上２．０以下であることが好ましい。銅粒子の平均アスペクト比が２．２を超える場合は、粒子形状が扁平なフレーク状や針状粒子となり、スクリーン印刷の際に目詰まりが発生する。また、印刷後の配線における銅粒子の充填率が悪化して配線形状の垂れを誘発するとともに、空隙率が増加することによって焼結性が悪化して焼成後の配線抵抗を上昇させる原因となる。
【００２２】
（バインダー樹脂）
導電性ペーストに含有される有機ビヒクル中のバインダー樹脂の質量％は、０．０５％より大きく、１７．０％より小さいことが好ましい。バインダー樹脂は、焼成によって分解される樹脂であれば良い。例えば、メチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロース樹脂、アクリル樹脂、ブチラール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などがある。これらの中で、焼成雰囲気に含まれる微量酸素あるいは微量一酸化炭素と反応してペースト中から容易に消失する傾向があるセルロース系樹脂を用いると良い。さらに好ましくは、セルロース系樹脂の中で、エチルセルロースを用いると良い。
【００２３】
（溶剤）
導電性ペーストに含有される溶剤は、適正な沸点、蒸気圧、粘性を有するものであれば、特に制限はない。例えば、炭化水素系溶剤、塩素化炭化水素系溶剤、環状エーテル系溶剤、アミド系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系化合物、多価アルコールのエステル系溶剤、多価アルコールのエーテル系溶剤、テルペン系溶剤、およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中で、沸点が２００℃近傍にあるテキサノール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、テルピネオールを用いることが好ましい。
【００２４】
（塗布方法）
バインダー樹脂と溶媒を混合し、さらに銅粒子を添加して、遊星ミキサーなどの装置を用いて混練する。また、銅粒子の質量に対して１０％以下の質量比のガラスフリットを添加しても良い。さらに、必要に応じて三本ロールミルを用いて粒子の分散性を高める方法をとっても良い。
この導電性ペーストを、スクリーン印刷法などの方法を用いて基板上に印刷して配線形状を作製する。その後、ガス雰囲気中で焼成して、銅粒子を焼結させて配線とする。
【００２５】
（第一の加熱工程）
第一の加熱工程では、銅ペーストを塗布した前記基板に対して酸化性ガスを含有する窒素ガス雰囲気中で加熱する。この加熱により、溶媒の蒸発、樹脂の燃焼消滅、銅粒子の酸化焼結を行うプロセスである。上記の酸化性ガスとしては、酸素を用いることができ、その濃度は、体積比で５００ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍ以下が好ましい。酸化性ガスの濃度が５００ｐｐｍ未満であると樹脂の燃焼が充分に行われず、樹脂成分が残存して焼結性を悪化する。２０００ｐｐｍを超えると銅ペーストの表面近傍でのみ急速に反応が生じて緻密な焼結被膜層を形成し、内部の反応を阻害する。ペースト全体で樹脂の燃焼消滅と銅粒子の酸化焼結をバランス良く進行させるためには、５００ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍ以下の酸素濃度が好ましい。
加熱温度は、３５０℃以上、５００℃以下が好ましい。３５０℃未満では樹脂が残存し、５００℃を超えると被覆層が形成され、内部の反応を阻害する。
【００２６】
（第二の加熱工程）
第二の加熱工程では、第一の加熱工程で形成された銅酸化物からなる焼結体に対して、還元性ガスを含有する窒素ガス雰囲気中で加熱して還元処理を行い、銅からなる焼結体とするプロセスである。上記の還元性ガスとしては、水素、一酸化炭素、ギ酸、アンモニアなどを使用できる。還元性ガス濃度が体積比で１％未満であると、焼結体における銅酸化物の還元が充分に行われず、銅酸化物が残存するため、焼成後の銅配線は、高い電気抵抗率を呈する。そのため、還元性ガス濃度は、体積比で１％以上が好ましい。
加熱温度は、４００℃以上、５５０℃以下が好ましい。４００℃未満であると銅酸化物が残存し、５５０℃を超えると焼結体と基板との反応が生じるため、焼成後の銅配線は、高い電気抵抗率を呈する。
【００２７】
（ガス雰囲気）
第一および第二の各加熱工程は、銅ペーストを塗布した基板を所定のガス雰囲気に保持して加熱する。例えば、焼成炉内に基板を配置して加熱することができる。焼成炉内のガス雰囲気は、所定の組成からなるガスを導入した後、封止した状態で加熱してもよく、あるいは、焼成炉内にガスを連続的に導入して流しながら加熱してもよい。導入するガスは、酸素ガスまたは還元性ガスを窒素ガスに所定濃度となるよう混合して調製したものを使用できる。
第一の加熱工程では、銅ペーストに含有される樹脂が燃焼して消失する。その際に発生する燃焼ガスが基板周辺に滞留すると、燃焼反応が妨げられて樹脂の残存を招く。また、第二の加熱工程では、滞留した燃焼ガスにより、銅酸化物の還元が焼結体の表面部に止まる可能性がある。このような発生する燃焼ガスを排除するために、連続的に雰囲気用ガスを通流してガス雰囲気を維持することが好ましい。そのガス流量は、焼成炉の容積１×１０−６ｍ３に対して、毎分０．０５リットル以上、０．５リットル以下が好ましい。毎分０．０５リットル未満であると燃焼反応が十分に進行しない。毎分０．５リットルを超えると基板温度を変化させるので加熱温度の制御が困難となる。
【００２８】
（焼結構造体）
第一の加熱工程の酸化により、銅ペースト中の銅粒子が酸化されて酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）が銅粒子表面を覆うように連続体状の形態で形成される。銅粒子が酸化第一銅に変化すると、約６０％の体積膨張を伴うので、隣接する粒子が密着して焼結することができる。そのため、高温で加圧をしなくても、隣接する粒子間が接続した焼結構造体が得られ、良好な焼結性が実現される。その後、前記焼結構造体は、第二の加熱工程で還元することにより、銅粒子が連結した緻密な焼結構造体となる。そのことにより、低い電気抵抗率の銅配線が得られる。酸化物の割合としては、銅粒子の体積の７０％以上が酸化すれば緻密な焼結構造が形成されるので、その程度まで酸化させることが好ましい。
他方、酸化がさらに進行して酸化第二銅（ＣｕＯ）が形成されると、当該酸化第二銅が針状形態を呈することから緻密な焼結体の形成を阻害する傾向を生じる。そのため、過度の酸化により酸化第二銅が増加することは好ましくない。第一の加熱工程後の焼結構造体において粒子に含まれる酸化第一銅は、酸化第二銅より多いことが好ましく、銅酸化物のうち６５％以上を占めることが好ましい。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例により制限されるものではない。
【００３０】
＜実施例１＞
長さ２０ｍｍ×２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのガラス基板を用いて、その表面に銅ペーストをスクリーン印刷法で配線形状に印刷し、当該基板上に厚さ約２０μｍの銅ペーストが塗布された試験体を得た。この試験体を焼成炉内に配置した後、第一の加熱工程として、４００℃で５分間の加熱処理を行った。この加熱処理では、焼成炉内のガス雰囲気として、酸素含有割合を種々に変えた窒素ガス雰囲気と、大気雰囲気を用いた。その後、第二の加熱工程として、５００℃、５分間の加熱処理を行った。この加熱処理では、焼成炉内のガス雰囲気に体積比で５％の水素ガスを含有する窒素ガス雰囲気を用いた。第一および第二の加熱工程は、いずれも焼成炉の容積１×１０−６ｍ３に対して毎分０．１リットルの流量で所定のガスを流しながら加熱処理を行った。加熱処理した後、室温に冷却し、焼成炉から取り出して、電気抵抗率の測定、断面組織の観察を行った。
【００３１】
（電気抵抗率）
試験体の銅配線の電気抵抗率を直流四探針法で求めた。銅配線表面の長手方向に距離１ｍｍの間隔で配置した４本の針状電極（探針）を加圧接触させ、外側の２探針間に電流（Ｉ）を流し、内側の２探針間の電位差（Ｖ）を測定し、ρ＝（Ｖ／Ｉ）×Ｓ×Ｃにより、電気抵抗率（ρ）を算出した。ここでＣは銅配線の形状に関する補正係数であり、Ｃ＝４．５３２とした。配線の断面高さ（Ｓ）は、配線断面を走査型電子顕微鏡により観察して求めた。電気抵抗率が６μΩｍ以下を合格と判定した。表１に電気抵抗率の測定結果を示す。
【００３２】
【表１】
0005766336.tif 000002
【００３３】
表１に示すように、第一の加熱工程におけるガス雰囲気は、酸素濃度が体積比で５００ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍ以下において、６μΩｃｍ以下の低い電気抵抗率を有する銅配線が得られた。それに対し、５００ｐｐｍ未満または２０００ｐｐｍ超の酸素濃度では、６μΩｃｍを超える電気抵抗率を示した。酸素濃度が過小であると樹脂の燃焼が十分に行われず樹脂成分が残存し、また、酸素濃度が過大であると急速な反応が進行して被覆層が形成され、焼結性が低下したため、いずれも緻密な焼結体の形成が困難であり、電気抵抗率が増大した。特に、１００ｐｐｍ以下のような酸素濃度が低い場合や大気のように酸素濃度が高い場合は、１０μΩｃｍを超える高い電気抵抗率を示した。
【００３４】
（断面組織）
表１の酸素濃度１０００ｐｐｍのガス雰囲気で加熱した試験体を用いて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により試験体の断面組織を観察した。図１は、第一の加熱工程による加熱後の試験体の断面組織写真を示す。図１に示すように、上記のガス雰囲気での酸化処理によって銅酸化物を含む粒子同志が密着した緻密な焼結組織が形成されていた。銅粒子表面に酸化第一銅を含む銅酸化物が形成されていた。
図２は、第二の加熱工程による加熱後の試験体の断面組織写真を示す。図２に示すように、図１の焼結組織が還元されて銅粒子が連結した緻密な焼結組織が形成されていた。このような焼結組織の形成により低い電気抵抗率が得られたと推測される。
ここで、焼結組織が銅酸化物を含むことは、ＳＥＭによる組織観察およびＳＥＭに付属して装着されたＸ線エネルギー分散分光器を用いて組成分析をすることによって確認できた。また、銅と銅酸化物を含む割合、銅酸化物における酸化第一銅と酸化第二銅の割合はＸ線回折法による構造解析することによっても確認できた。銅酸化物の割合は、体積比で８７％であった。銅酸化物のうち酸化第一銅の割合は、９１％であった。
【００３５】
＜実施例２＞
第一の加熱工程における加熱温度（Ｔ１）を種々変化させた点を除いて、実施例１と同様の手順により、第一および第二の加熱工程の加熱処理を行って試験体を作製し、電気抵抗率を測定した。表２に測定結果を示す。
【００３６】
【表２】
0005766336.tif 000003
【００３７】
表２に示すように、第一の加熱工程における加熱温度は、３５０℃〜５００℃であると、６μΩｃｍ以下の低い電気抵抗率を有する銅配線が得られた。それに対し、３５０℃未満または５００℃超では、６μΩｃｍを超える高い電気抵抗率を示した。加熱温度が過小であると樹脂が残存し、また、加熱温度が過大であると被覆層が形成されて内部の反応を阻害し、焼結性が低下したため、いずれも緻密な焼結体の形成が困難であり、銅配線の電気抵抗率が増加した。
【００３８】
＜実施例３＞
第二の加熱工程における加熱温度（Ｔ２）を種々変化させた点を除いて、実施例１と同様の手順により、第一および第二の加熱工程の加熱処理を行って試験体を作製し、電気抵抗率を測定した。表３に測定結果を示す。
【００３９】
【表３】
0005766336.tif 000004
【００４０】
表３に示すように、第二の加熱工程における加熱温度は、４００℃〜５５０℃であると、６μΩｃｍ以下の低い電気抵抗率を有する銅配線が得られた。それに対し、４００℃未満または５５０℃超では６μΩｃｍを超える高い電気抵抗率を示した。加熱温度が過小であると銅酸化物が残存し、また、加熱温度が過大になると、結体と基板との反応が生じたため、銅配線の電気抵抗率が増加した。
【００４１】
＜実施例４＞
第一および二の加熱工程におけるガス流量を種々変化させた点を除いて、実施例１と同様の手順により、第一および第二の加熱工程の加熱処理を行って試験体を作製し、電気抵抗率を測定した。表４に測定結果を示す。
【００４２】
【表４】
0005766336.tif 000005
【００４３】
表４に示すように、ガス流量は、焼成炉の容積１×１０−６ｍ３に対して毎分０．０５リットル〜０．５リットルであると、６μΩｃｍ以下の低い電気抵抗率を有する銅配線が得られた。毎分０．０５リットル未満または０．５リットル超では、６μΩｃｍを超える高い電気抵抗率を示した。ガス流量が過小であると燃焼反応の進行が十分でなく、また、ガス流量が過大であると温度変動が大きくなったため、緻密な焼結組織の形成が困難となり、銅配線の電気抵抗率が増加した。
【要約】
【課題】電気伝導率を低減した銅配線を形成するために、銅粒子の焼結性を向上させる銅ペーストの焼成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に銅ペーストを塗布する塗布工程と、前記塗布工程の後、体積比で５００ｐｐｍ以上、２０００ｐｐｍ以下の酸化性ガスを含有する窒素ガス雰囲気において前記基板を加熱し、前記銅ペースト中の銅粒子を酸化焼結する第一の加熱工程と、前記第一の加熱工程の後、体積比で１％以上の還元性ガスを含有する窒素ガス雰囲気において前記基板を加熱し、前記酸化焼結された銅酸化物を還元する第二の加熱工程と、を含む銅ペーストの焼成方法。
【選択図】なし【図１】
0005766336.tif 000006
【図２】
0005766336.tif 000007