(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁により区画されてなり、それぞれが液滴吐出孔を有する複数の個別液室と、前記複数の個別液室の前記液滴吐出孔が設けられる板面とは別の面に設けられる振動板と、前記振動板上の前記複数の個別液室それぞれに対応する位置に設けられ、該振動板側から共通電極となる下部電極、圧電体、個別電極となる上部電極の順に積層されてなる複数の圧電素子と、前記下部電極と接続される共通電極配線と、前記複数の圧電素子それぞれの上部電極と個別に導通し駆動信号が入力される個別電極配線と、を備えるインクジェットヘッドにおいて、
前記圧電素子ごとに設けられる圧電素子保護空間を有する保持基板と、前記個別液室を有する液室基板と、少なくとも前記共通電極配線及び前記個別電極配線の表面を被覆する上層絶縁膜と、前記上層絶縁膜よりも下層であって少なくとも前記個別電極配線と前記下部電極が重なり合う領域で該個別電極配線と前記下部電極の間に設けられる中間絶縁膜と、前記中間絶縁膜よりも下層であって少なくとも前記圧電素子の表面を被覆する下層絶縁膜と、を備え、
前記隔壁には、前記上層絶縁膜が前記保持基板側に位置するように、前記中間絶縁膜及び上層絶縁膜が積層され、前記圧電素子保護空間を構成する前記保持基板の壁部は、前記隔壁との間に前記中間絶縁膜及び前記上層絶縁膜を挟んだ状態で、前記隔壁に対応する領域で前記液室基板に接合しており、前記上層絶縁膜は前記中間絶縁膜よりも剛性が高く、前記中間絶縁膜及び前記上層絶縁膜は、前記圧電素子を露出させる開口部を有することを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項２】
前記上層絶縁膜は、
前記中間絶縁膜よりも膜厚が厚いことを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド。
【請求項３】
前記下層絶縁膜は、当該インクジェットヘッドの製造過程におけるプラズマや当該インクジェットヘッドの使用環境における水分から前記圧電素子を保護する保護膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のインクジェットヘッド。
【請求項４】
前記下層絶縁膜は、Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ３，ＴｉＯ２のうち少なくともいずれかを含む無機材料からなる薄膜であることを特徴とする請求項３に記載のインクジェットヘッド。
【請求項５】
前記下層絶縁膜の膜厚は、２０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項６】
前記中間絶縁膜は、前記個別電極配線と前記下部電極の間の層間絶縁膜であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項７】
前記中間絶縁膜は、ＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項６に記載のインクジェットヘッド。
【請求項８】
前記中間絶縁膜は、少なくとも２００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項６または７に記載のインクジェットヘッド。
【請求項９】
前記上層絶縁膜は、当該インクジェットヘッドの使用環境から前記共通電極配線及び前記個別電極配線を保護するパシベーション膜であることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１０】
前記上層絶縁膜は、Ｓｉ３Ｎ４からなることを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１１】
前記上層絶縁膜は、少なくとも２００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項９または１０に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１２】
前記開口部は、その開口幅が前記圧電素子の幅よりも広く、前記個別液室の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１から請求項１１までのいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載のインクジェットヘッドを備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子を用いたインクジェットヘッド及び該インクジェットヘッドを用いた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子を用いたインクジェットヘッドを高密度化する技術として、特許文献１等に示されるように、ＭＥＭＳ（マイクロ  エレクトロ  メカニカル  システム）を応用した技術が開示されている。すなわち、半導体デバイス製造技術を応用し、アクチュエータ，液体流路を微細に形成することにより、ノズル密度を高密度にすることができるため、ヘッドの小型化，高集積化が可能になる。
【０００３】
このようなＭＥＭＳ技術を採用したインクジェットヘッドでは、薄膜技術で形成された振動板上に、薄膜形成技術で形成した電極，圧電体をフォトリソグラフィでパターニングし、圧電素子を形成することでアクチュエータとすることができる。この場合、半導体プロセスで圧電素子をパターニングするため、圧電体厚は最大でも数μｍ程度に限定される。また、圧電素子を形成する電極や、デバイスに必要な配線電極，絶縁膜の成膜やエッチングにはプラズマを用いたプロセス、たとえばプラズマＣＶＤやドライエッチング等が用いられるのが一般的である。上記のようなプラズマプロセスに圧電素子が晒されると、プロセス中に発生する水素等の還元作用により、圧電体が還元されてしまうため、特性が著しく劣化する傾向がある。
また、上記のプラズマプロセス以外にも、大気中の水分により圧電体の特性が劣化することが一般的に知られている。
【０００４】
これらの対策として、特許文献２，３に記載されるように、圧電素子の端部または全面を保護膜で被覆する技術が開示されている。
特許文献２では、無機アモルファス材料で圧電素子を被覆することにより、水分の圧電体への浸入を防止でき、圧電体の信頼性を高められるとしている。さらに上部電極からコンタクトホールを介して無機アモルファス材料上に形成されたリード電極を引き出し駆動回路へ接続する場合に、前述の無機アモルファス材料とは異なる絶縁膜でリード電極上を被覆することで、Ａｌ等の腐食しやすい電極材料を安価な配線材料として使用できるとしている。また、リード電極を前述の無機アモルファス材料上に引き回す場合、下部電極（共通電極）と重ねるレイアウトを取ることができる。しかし、無機アモルファス材料は圧電素子を含むパターン領域全面を被覆しているため、厚い膜とすると圧電素子の変位を著しく阻害してしまい、吐出特性が大幅に低下してしまう。一方、圧電素子の変位量を高くとるために、無機アモルファス材料を薄膜化すると、リード電極と下部電極との耐圧が確保できなくなる。そのため、リード電極と下部電極の重ねあわせが生じないように電極レイアウトをする必要があり、ヘッドの小型化や高密度化が困難になるという課題があった。
半導体プロセスで製造されるデバイスでは、素子の高密度化、すなわち１ウェハあたりから切り出せるチップ数が製造コストに影響するため重要な課題である。
【０００５】
また、特許文献３では、圧電素子上に形成する絶縁膜を無機材料と有機材料を積層する技術が開示されている。すなわち、水分の浸入しやすい圧電体端部を無機材料で被覆すると同時に上部電極上を開口することで、硬い無機材料による振動変位の低下を最小限に抑えると同時に透湿性を防ぐことを実現している。さらに圧電素子全面には柔らかい有機材料を被覆することで、デバイスの信頼性を確保できるとしている。これらの構成においても、圧電体上に２層の絶縁膜が形成されており、振動阻害が発生しやすい。また、有機材料の絶縁膜で耐圧を確保するためには、一般的な無機材料より厚膜化する必要があると同時に電極材料との密着性が悪いため、リード電極を有機材料上に形成することは困難である。したがって、リード電極は無機材料（絶縁膜）と有機材料（絶縁膜）の間に形成されることになるが、この構成では、前述のとおり、下部電極とリード電極の重ね合わせができなくなる（もしくは、圧電素子の変位量が著しく低下するほどの無機材料膜厚が必要になる）ため、ヘッドの高密度化が困難になった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上の従来技術における課題に鑑みてなされたものであり、高い信頼性(耐湿性)と高い吐出特性を維持しつつ、小型化を図ることが可能なインクジェットヘッド及び該インクジェットヘッドを用いた画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために提供する本発明は、以下の通りである。なお、カッコ内に本発明を実施するための形態において対応する部位及び符号等を示す。
〔１〕 隔壁（隔壁部３０ａ）により区画されてなり、それぞれが液滴吐出孔（ノズル孔２１）を有する複数の個別液室（個別液室３１）と、前記複数の個別液室の前記液滴吐出孔が設けられる板面とは別の面に設けられる振動板（振動板４０）と、前記振動板上の前記複数の個別液室それぞれに対応する位置に設けられ、該振動板側から共通電極となる下部電極（下部電極５０）、圧電体（圧電体６０）、個別電極となる上部電極（上部電極７０）の順に積層されてなる複数の圧電素子（圧電素子２）と、前記下部電極と接続される共通電極配線（共通電極配線５０ａ）と、前記複数の圧電素子それぞれの上部電極と個別に導通し駆動信号が入力される個別電極配線（個別電極配線７０ａ）と、を備えるインクジェットヘッドにおいて、前記圧電素子（圧電素子２）ごとに設けられる圧電素子保護空間（圧電素子保護空間７４）を有する保持基板（保持基板７２）と、前記個別液室（個別液室３１）を有する液室基板（液室基板３０）と、少なくとも前記共通電極配線及び前記個別電極配線の表面を被覆する上層絶縁膜（上層絶縁膜１３）と、前記上層絶縁膜よりも下層であって少なくとも前記個別電極配線と前記下部電極が重なり合う領域で該個別電極配線と前記下部電極の間に設けられる中間絶縁膜（中間絶縁膜１２）と、前記中間絶縁膜よりも下層であって少なくとも前記圧電素子の表面を被覆する下層絶縁膜（下層絶縁膜１１）と、を備え、前記隔壁（隔壁部３０ａ）には、前記上層絶縁膜（上層絶縁膜１３）が前記保持基板（保持基板７２）側に位置するように、前記中間絶縁膜（中間絶縁膜１２）及び上層絶縁膜（上層絶縁膜１３）が積層され、前記圧電素子保護空間（圧電素子保護空間７４）を構成する前記保持基板（保持基板７２）の壁部は、前記隔壁（隔壁部３０ａ）との間に前記中間絶縁膜（中間絶縁膜１２）及び前記上層絶縁膜（上層絶縁膜１３）を挟んだ状態で、前記隔壁（隔壁部３０ａ）に対応する領域で前記液室基板（液室基板３０）に接合しており、前記上層絶縁膜（上層絶縁膜１３）は前記中間絶縁膜（中間絶縁膜１２）よりも剛性が高く、前記中間絶縁膜（中間絶縁膜１２）及び前記上層絶縁膜（上層絶縁膜１３）は、前記圧電素子（圧電素子２）を露出させる開口部を有することを特徴とするインクジェットヘッド（インクジェットヘッド１、図１〜図５）。
〔２〕前記上層絶縁膜は、前記中間絶縁膜よりも膜厚が厚いことを特徴とする〔１〕に記載のインクジェットヘッド。
〔３〕前記下層絶縁膜は、当該インクジェットヘッドの製造過程におけるプラズマや当該インクジェットヘッドの使用環境における水分から前記圧電素子を保護する保護膜であることを特徴とする前記〔１〕又は前記〔２〕に記載のインクジェットヘッド。
〔４〕前記下層絶縁膜は、Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ３，ＴｉＯ２のうち少なくともいずれかを含む無機材料からなる薄膜であることを特徴とする前記〔３〕に記載のインクジェットヘッド。
〔５〕前記下層絶縁膜の膜厚は、２０〜１００ｎｍであることを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のインクジェットヘッド。
〔６〕前記中間絶縁膜は、前記個別電極配線と前記下部電極の間の層間絶縁膜であることを特徴とする前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のインクジェットヘッド。
〔７〕前記中間絶縁膜は、ＳｉＯ2からなることを特徴とする前記〔６〕に記載のインクジェットヘッド。
〔８〕前記中間絶縁膜は、少なくとも２００ｎｍの厚さを有することを特徴とする前記〔６〕または〔７〕に記載のインクジェットヘッド。
〔９〕前記上層絶縁膜は、当該インクジェットヘッドの使用環境から前記共通電極配線及び前記個別電極配線を保護するパシベーション膜であることを特徴とする前記〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載のインクジェットヘッド。
〔１０〕前記上層絶縁膜は、Ｓｉ３Ｎ４からなることを特徴とする前記〔９〕に記載のインクジェットヘッド。
〔１１〕前記上層絶縁膜は、少なくとも２００ｎｍの厚さを有することを特徴とする前記〔９〕または〔１０〕に記載のインクジェットヘッド。
〔１２〕前記開口部は、その開口幅が前記圧電素子の幅よりも広く、前記個別液室の幅よりも狭いことを特徴とする前記〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載のインクジェットヘッド（図５）。
〔１３〕前記〔１〕〜〔１２〕のいずれかに記載のインクジェットヘッド（インクジェットヘッド１）を備えることを特徴とする画像形成装置（インクジェット記録装置９０、図７，図８）。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のインクジェットヘッドによれば、少なくとも個別電極配線表面を被覆する上層絶縁膜と、上層絶縁膜よりも下層であって少なくとも個別電極配線と下部電極が重なり合う領域で該個別電極配線と下部電極の間に設けられる中間絶縁膜と、中間絶縁膜よりも下層であって少なくとも圧電素子表面を被覆する下層絶縁膜と、を備え、中間絶縁膜及び上層絶縁膜は、圧電素子を露出させる開口部を有するので、インクジェットヘッド製造工程のうち半導体プロセス中のプラズマや使用環境下の大気中の水分による圧電体の劣化を防止し、圧電素子の変位量を確保すると同時に、個別電極等の配線の制約を無くすことで高密度化が可能となる。
本発明の画像形成装置によれば、本発明のインクジェットヘッドを有し、該インクジェットヘッドの液滴吐出孔からインク滴を安定して吐出するので、良質な画像を安定して形成することが可能となるとともに製造不良が減少して低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係るインクジェットヘッドの構成を示す斜視図である。
【図２】本発明に係るインクジェットヘッドの幅方向の構成（１）を示す断面図である。
【図３】図２のインクジェットヘッドの長手方向の構成（１）を示す断面図である。
【図４】図２のインクジェットヘッドの長手方向の構成（２）を示す断面図である。
【図５】本発明に係るインクジェットヘッドの幅方向の構成（２）を示す断面図である。
【図６】本発明のインクジェットヘッドを用いた液体カートリッジの外観図である。
【図７】本発明に係る画像形成装置であるインクジェット記録装置の外観図である。
【図８】図７のインクジェット記録装置の機構部の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明に係るインクジェットヘッドの構成について説明する。
図１に、本発明に係るインクジェットヘッドの一部を断面にて示した分解斜視図を示す。
図１に示すように、インクジェットヘッド１は、インクを吐出するノズル孔２１を有するノズル板２０と、複数の個別液室３１、振動板４０、圧電素子２が形成され、圧電体６０の駆動のための駆動回路が搭載されたフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）７３を有する液室基板３０と、圧電素子保護空間７４を配した保持基板７２との３枚の基板を重ねた積層構造となっている。
【００１１】
液室基板３０は、Ｓｉ基板上に積層膜により振動板４０が形成されている。本実施形態における振動板４０はＳＯＩ基板を用いてＳｉ基板の片側面にシリコン酸化膜、シリコン活性膜、シリコン酸化膜を堆積させたものである。また、その上に複数の圧電素子２を設けており、更に該複数の圧電素子２それぞれに対応する個別液室３１、該個別液室３１に液体を供給する為の流体抵抗部（供給路）３２、共通液室３３を形成している。
【００１２】
ノズル板２０は、例えばニッケル高速電鋳法を用いて厚さ２０μｍに形成したニッケル基板であり、液室基板３０の面部に個別液室３１それぞれに対応して連通するように設けられたノズル孔２１を有する。
【００１３】
保持基板７２は、圧電素子２の保護及び変位を妨げないための圧電素子保護空間７４と液滴であるインクが外部から共通液室３３へ供給するためのインク供給部３３ａを形成した基板である。
【００１４】
なお、個別液室３１は、振動板４０と、液室基板３０の壁面と、ノズル孔２１が設けられるノズル板２０と、で囲まれた空間である。
【００１５】
また、振動板４０の個別液室３１とは反対面側に、下部電極５０，圧電体６０，上部電極７０が積層されてなる圧電素子２が形成されている。また、個別液室３１の振動板４０に対向する板面がノズル板２０となっている。
【００１６】
このように構成されたインクジェットヘッド１において、各個別液室３１内に液体、例えば記録液（インク）が満たされた状態で、図示しない制御部から画像データに基づいて、発振回路により、記録液の吐出を行いたいノズル孔２１に対応する上部電極７０に対して、２０Ｖのパルス電圧を印加する。この電圧パルスを印加することにより、圧電体６０は、電歪効果により圧電体６０そのものが振動板４０と平行方向に縮むことにより、振動板４０が個別液室３１側に凸となるように撓むことになる。これにより、個別液室３１内の圧力が急激に上昇して、個別液室３１に連通するノズル孔２１から記録液が吐出されるようになる。次に、パルス電圧印加後は、縮んだ圧電体６０が元に戻ることから撓んだ振動板４０は、元の位置に戻るため、個別液室３１内が共通液室３３内に比べて負圧となり、共通液室３３から流体抵抗部３２を通って記録液が個別液室３１に供給される。
以上の動作制御を繰り返すことにより、インクジェットヘッド１は液滴を連続的に吐出でき、インクジェットヘッド１に対向して配置された被記録媒体（用紙）に画像を形成することが可能となる。
【００１７】
図２〜図４を用いて、本発明のインクジェットヘッドの要部構成を説明する。
図２は、本発明に係るインクジェットヘッドの幅方向の構成を示す断面図であり、図３，図４は、本発明に係るインクジェットヘッドの長手方向の構成を示す断面図である。また、図３は、保持基板７２を配置する前の構成を示しており、図４は、保持基板７２を配置した後の構成を示している。なお、図２〜図４では単一の個別液室３１を示しているが、インクジェットヘッドは図１に示すとおり液室基板３０の隔壁部３０ａで区画されることにより、図２中では左右方向、図３中に紙面垂直方向に個別液室３１が配列する構造をとる。
【００１８】
図２〜図４に示すように、インクジェットヘッド１は、Ｓｉ基板上に形成された振動板４０と、該振動板４０上に、下部電極５０，圧電体６０，上部電極７０がこの順番で積層されてなる圧電素子２と、を備え、圧電素子２及び振動板４０からなる圧電アクチュエータを用いてノズル板２０の基板面部に設けた液滴吐出孔であるノズル孔２１から液滴を吐出させるサイドシュータータイプのものである。
【００１９】
ここで、ノズル板２０は、ＳＵＳ、Ｎｉ、Ｓｉなどの金属または無機材料、ＰＩ（ポリイミド）などの樹脂材料にノズル孔２１を形成して構成され、図示していない接着剤または陽極接合等の他の接合手段によって液室基板３０に接合されるものである。
【００２０】
液室基板３０は、必要とされる機械的強度および化学的耐性を備えた加工しやすい材料であるＳｉ基板で作られる。Ｓｉ基板を用いる場合、フォトリソグラフィとエッチング法による加工に、いわゆる半導体プロセスを用いることができるため、液室配列の高集積化が可能となる。
【００２１】
振動板４０は、圧電素子２による変位の範囲内で弾性変形する材質とすることが必要である。材質としては、無機材料、有機材料の薄膜が用いられるが、電極との密着性を考慮すると無機材料を用いることが好ましい。無機材料としては、金属、合金、半導体、誘電体等の任意の材料を用いることができる。材料は加工方法から最適のものを選定することができ、液室基板３０にＳｉを用いた場合は、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，他結晶Ｓｉを用いることが好ましい。一般にはＳｉの熱酸化膜とするケースが多い。また、これらの積層膜とすることで、残留応力を相殺する構造をとることができる。また、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４等の誘電体材料は化学的に安定であり、吐出するインクに接触しても、インクによる腐食による振動板４０の破壊を防止することができる。さらに、これらの薄膜の成膜技術は半導体プロセスで確立された技術であるため、安定した振動板４０を得ることができる。
【００２２】
振動板４０の厚さは、材料の剛性や形成方法から最適化することが好ましいが、前述の無機材料（ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４）を用いた場合、１〜５μｍの範囲とすることが好ましい。例えばまず、Ｓｉ基板上に振動板４０となる絶縁物を形成し、その後個別液室３１などの液室となる空洞をエッチングにより形成後、必要な厚みに研磨される。エッチングの際は絶縁物層がストップ層となる。
【００２３】
下部電極５０は、複数の圧電素子２における共通電極であり、共通電極コンタクトホール５０via通じて共通電極配線５０ａと接続している。
【００２４】
また、下部電極５０は、例えば圧電体６０の配向性を制御するために（１１１）結晶配向した薄膜であり、下部電極５０を構成する材料としては、任意の導電性材料を用いることができる。導電材料としては、金属、合金、導電性化合物等を用いることができるが、圧電体６０の成膜方法により耐熱性の高い電極材料を用いることが好ましい。通常圧電体６０は成膜後に結晶化させるプロセスが必要であり、一般的な圧電材料であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を用いた場合、結晶化プロセス温度は５００℃〜８００℃となることが一般的である。そのため、圧電素子に用いられる材料は高融点であると同時に高温で隣接する振動板４０や圧電材料と化合物を形成しない安定性の高い材料であることが必要である。これらの材料としてはＰｔ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ａｕ等の反応性が低く高融点である金属やその合金を用いることが好ましい。このうち、一般的に圧電体６０を構成する代表的材料であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）と格子定数が近く酸化しにくい貴金属であるＰｔが最も多く使用されている。また、高温安定性の高い化合物導電材料を用いても良い。これらの化合物導電材料としては、任意の複合酸化物を用いることができる。例えば、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＳｒＯ、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＢａＲｕＯ３、（ＳｒｘＣａ１−ｘ）ＲｕＯ３等の白金族金属含有導電性酸化物やＬａＮｉＯ３などが挙げられる。
【００２５】
下部電極５０の膜厚は電極に必要とされる電気抵抗により任意に設定することができるが、１００ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。また、振動板４０との密着性を高めるために密着層を設けたり、圧電体６０との界面を別の材料としたりするなど積層構造としても良い。
【００２６】
圧電体６０を構成する材料としては、ペロブスカイト型結晶構造を有し化学式ＡＢＯ３で示すことのできる複合酸化物を用いることができる。ここで、Ａサイトの元素としてはＰｂ、Ｂａ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｓｒ、Ｂｉ、ＮａおよびＫなどである。また、Ｂサイトの元素としてはＣｄ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｚｎ、ＷおよびＹｂなどである。この中でも、Ａには鉛（Ｐｂ）、Ｂにジルコニウム（Ｚｒ）とチタン（Ｔｉ）の混合を適用したチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が多く用いられている。この材料は、温度特性，圧電特性に優れているため、高信頼性、高安定性の圧電素子２を得ることができる。ＰＺＴの他には、鉛を使用しないという環境的な利点があり変位量が大きく原料が安価であり使用実績が多いものとしては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を用いることができる。
【００２７】
圧電体６０の形成方法としては、既存の任意の手法を用いることができる。既存の手法としては、真空成膜法であるスパッタリング法や、液相成膜法であるスピンコーティング法、印刷法などが例として挙げられる。液相成膜法を用いる場合は、構成材料の有機金属化合物を溶解した液を乾燥した後、熱プロセスで有機物を分解・除去することで圧電体６０を得ることができる、ゾルーゲル法を用いるのが一般的である。特に液相成膜法を用いた場合、成膜設備，成膜プロセスが簡便になるため、容易に良質の圧電体を得ることが可能になる。これらの手法で成膜された圧電体６０は、通常アモルファス構造をとるため圧電性を示さないが、高温プロセス（５００℃〜７５０℃）を経ることにより、結晶化、分極することで圧電性をもつことができる。圧電体の膜厚は所望の特性により最適値を設定することができるが、０．１μｍから５μｍの範囲とすることが好ましい。
【００２８】
さらに圧電体６０は個別液室３１ごとに個別に形成される必要があり、個別液室幅よりも圧電体幅を狭くする必要がある。それにより、剛性の高い圧電体６０の膜が形成されない部分が個別液室３１上に形成され、振動変位する領域を確保することができる。圧電体６０を全面に形成した場合は振動変位が低下するため、所望の性能を得るためには高い駆動電圧が必要となる。
【００２９】
圧電体６０のパターニング(個別液室３１ごとの分離)は、既存の加工方法を用いることができる。既存の加工方法としては、半導体の加工プロセスで一般的であるフォトリソグラフィ法を用いることで高精度のパターニングが可能となる。また、液相法を用いる場合は印刷法を用いたダイレクトパターニングすることも可能である。印刷法としては、版を用いたグラビア印刷法，フレキソ印刷法，スクリーン印刷法や、版を用いないインクジェット法が例として挙げられる。
【００３０】
上部電極７０は、個別液室３１ごとに形成される圧電体６０の上方に形成される。また上部電極７０は、複数の圧電素子２ごとに設けられる個別電極であり、個別電極コンタクトホール７０viaを通して個別電極配線７０ａと接続している。個別電極配線７０ａは複数の圧電素子２それぞれの上部電極７０と個別に導通しており、駆動信号入力部（不図示）から個別電極配線７０ａを通じてそれぞれの圧電素子２に駆動信号が入力される。
【００３１】
上部電極７０を構成する材料としては、下部電極５０の場合と同じ材料群のいずれかを用いることができる。すなわち、上部電極７０の材料は任意の導電性材料を用いることが可能である。導電材料としては、金属、合金、導電性化合物等が挙げられるが、金属または合金を用いることが好ましい。その際、圧電体６０との密着性を考慮した材料を選定する必要がある。また、圧電材料に含まれるＰｂ等の材料と反応・相互拡散し合金を形成する材料は好ましくない。さらに、圧電材料に含まれる酸素等と反応する材料も好ましくない。従って、反応性の低い安定した材料を用いるのが好ましい。これらの材料としては、Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｐｄまたはこれらの合金，固溶体を例として挙げられる。
【００３２】
また、上部電極７０の幅は圧電体６０の幅より狭くすることが好ましい。圧電体６０端部まで上部電極７０を形成した場合、圧電体６０端部の電界集中により、下部電極５０−上部電極７０間の放電現象に繋がる可能性があり、圧電素子２の信頼性を著しく損なう可能性がある。
【００３３】
ここで、本発明のインクジェットヘッド１は、少なくとも共通電極配線５０ａ及び個別電極配線７０ａ表面を被覆する上層絶縁膜１３と、上層絶縁膜１３よりも下層であって少なくとも個別電極配線７０ａと下部電極５０が重なり合う領域で該個別電極配線７０ａと下部電極５０の間に設けられる中間絶縁膜１２と、中間絶縁膜１２よりも下層であって少なくとも圧電素子２表面を被覆する下層絶縁膜１１と、を備え、中間絶縁膜１２及び上層絶縁膜１３は、圧電素子２を露出させる開口部を有することを特徴とするものである。
以下、下層絶縁膜１１、中間絶縁膜１２、上層絶縁膜１３について説明する。
【００３４】
（下層絶縁膜１１）
下層絶縁膜１１は、図２〜図４に示すとおり、圧電素子２を含むその板面（振動板４０）全面を被覆する絶縁膜であり、製造工程上、下層絶縁膜１１、中間絶縁膜１２、上層絶縁膜１３の中で最初に形成されるものである。また、下層絶縁膜１１は下部電極５０から共通電極を取り出す共通電極コンタクトホール５０viaと上部電極７０から個別電極を取り出す個別電極コンタクトホール７０ｖｉａのみ開口しており、他の振動板形成部分を被覆する構造となっている。
【００３５】
下部電極５０，圧電体６０，上部電極７０からなる圧電素子２は、製造工程上の要因とデバイスの使用環境の要因の２種類の要因から損傷を受けうるが、この下層絶縁膜１１は、これらの損傷から圧電素子２を保護する機能を有する。
【００３６】
まず製造工程上の要因としては、成膜・エッチングの工程による圧電素子２へのダメージがある。すなわち、インクジェットヘッドの構成とする上で、圧電素子２を形成した後に個別電極配線７０ａと下部電極５０を絶縁する層間絶縁膜である中間絶縁膜１２や、共通電極配線５０ａや個別電極配線７０ａを保護する配線保護層である上層絶縁膜１３を成膜およびパターニングする工程があるが、これらの材料の成膜には、スパッタリング法，プラズマＣＶＤ法等を用いる必要があり、このときに発生するプラズマにより圧電素子２が損傷を受けてしまう。具体的には、プラズマに含まれる水素イオン等の還元作用により、圧電体６０が還元され圧電性や耐圧性が損なわれてしまう。また、成膜した前述の配線の膜をパターニングするには、フォトリソグラフィ法を用いるのが一般的であり、特にプラズマを用いたドライエッチング法でパターニングする場合は、前述の成膜時と同様にプラズマ化したエッチングガスにより、そのままでは圧電体６０が損傷してしまう不具合があった。
【００３７】
また、デバイスの使用環境の要因としては、空気中の水分(湿度)が挙げられる。特に水性のインクを用いるインクジェットデバイスでは高湿度環境にさらされる傾向があるため、デバイス雰囲気中の水分が圧電体６０中に取り込まれ損傷してしまう不具合が発生する。その結果、圧電素子２の耐圧劣化により放電不良などが発生し、駆動耐久性の低いインクジェットヘッドとなっていた。
【００３８】
そこで、本発明では、これらの製造工程、デバイス使用環境要因の圧電素子２の損傷を防止するために、圧電体保護層として下層絶縁膜１１を設けている。
【００３９】
このとき、下層絶縁膜１１は前述のプラズマや大気中の水分が透過しづらい材料を選定する必要があるため、緻密な無機材料とする必要がある。なお、有機材料では十分な保護性能を得るためには膜厚を厚くする必要があり、その場合には振動板４０の振動変位を著しく阻害し、吐出性能の低いインクジェットヘッドなってしまうため不適である。
【００４０】
また、下層絶縁膜１１として薄膜で高い保護性能を得るためには、酸化物，窒化物，炭化膜を用いるのが好ましいが、下層絶縁膜１１の下地となる、下部電極５０及び上部電極７０の電極材料、圧電体６０の材料、振動板４０の材料に対して密着性が高い材料を選定する必要がある。また、下層絶縁膜１１の成膜法も圧電素子２を損傷しない成膜方法を選定する必要がある。すなわち、反応性ガスをプラズマ化して基板上に堆積するプラズマＣＶＤ法やプラズマをターゲット材に衝突させて飛ばすことで成膜するスパッタリング法は好ましくない。下層絶縁膜１１の好ましい成膜方法としては、蒸着法、ＡＬＤ（アトミックレイヤーデポジション）法などが例示できるが、使用できる材料の選択肢が広いＡＬＤ法が好ましい。好ましい材料としては、Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ３，ＴｉＯ２のうち少なくともいずれかを含む無機材料（セラミックス材料）からなる薄膜が例として挙げられる。
【００４１】
また下層絶縁膜１１は、圧電素子２の保護性能を確保できる十分な厚さの膜とする必要があると同時に、振動板４０の変位を阻害しないように可能な限り薄くする必要がある。下層絶縁膜１１の好ましい膜厚範囲は２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。膜厚が１００ｎｍより厚い場合は、振動板４０の変位が低下するため、吐出効率の低いインクジェットヘッドとなる。一方、膜厚が２０ｎｍより薄い場合は圧電素子２の保護層としての機能が不足してしまうため、圧電素子２の性能が前述の通り低下してしまう。
【００４２】
（中間絶縁膜１２）
本発明のインクジェットヘッド１において、図３に示すように、上部電極７０が個別電極コンタクトホール７０viaを介して個別電極として引き出され個別電極配線７０ａと接続されており、さらにそこから引き回される個別電極配線７０ａが下部電極５０と重なる領域が存在する。このとき、下部電極５０は下層絶縁膜１１で被覆されているが、下層絶縁膜１１は前述の通り膜厚が薄いため、このままでは個別電極配線７０ａと下部電極５０の重なり合う領域で十分な耐圧を確保できない。そこで、本発明では、その領域において個別電極配線７０ａと下部電極５０との間に両者を絶縁し耐圧を確保するための層間絶縁膜としての中間絶縁膜１２を設けている。例えば、個別電極配線７０ａが形成される領域に、該個別電極配線７０ａの下層として中間絶縁膜１２を形成するとよい。
なお、個別電極配線７０ａは、中間絶縁膜１２と上層絶縁膜１３の間に形成された構成となっている。
【００４３】
中間絶縁膜１２の材料としては、任意の絶縁体材料を用いることが可能であるが、中間絶縁膜１２の上に形成される個別電極配線７０ａとの密着性を考慮すると無機材料を用いることが好ましい。この無機材料としては、任意の酸化物，窒化物，炭化物またはこれらの複合化合物を用いることができるが、半導体デバイスで一般的に用いられるＳｉＯ２を用いるとよい。また中間絶縁膜１２の成膜は任意の手法を用いることができ、ＣＶＤ法，スパッタリング法が例示でき、電極形成部等のパターン形成部の段差被覆を考慮すると等方的に成膜できるＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【００４４】
中間絶縁膜１２の膜厚は、下部電極５０と個別電極配線７０ａの間に印加される電圧で絶縁破壊されない膜厚とする必要がある。すなわち中間絶縁膜１２に印加される電界強度を、絶縁破壊しない範囲に設定する必要がある。さらに、中間絶縁膜１２の下地の表面性やピンホール等を考慮すると、その膜厚は２００ｎｍ以上必要であり、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。また、中間絶縁膜１２の膜厚は、成膜時間および加工時間を考慮すると２０００ｎｍ以下であることが好ましい。中間絶縁膜１２の膜厚が２０００ｎｍよりも厚い場合、成膜時間および加工時間が長くなり生産性が低下すると同時に製造途中の圧電素子がプラズマに暴露される時間が長くなるため、下層絶縁膜１１が損傷されることで圧電素子２の性能が低下する。
【００４５】
さらに、図２に示す通り、中間絶縁膜１２は圧電素子２を露出させるように開口部を有する。これにより、絶縁耐圧を確保できる膜厚を積層した場合でも、振動板４０の変位量を制限する領域の中間絶縁膜１２を除去しているため、振動板４０の変位への影響を低減でき、吐出効率と信頼性を両立することができる。なお、中間絶縁膜１２の前記開口部の形成には、下層絶縁膜１１で圧電素子２が保護されているため、フォトリソグラフィ法とドライエッチングを用いることが可能である。
【００４６】
このように、下部電極５０と個別電極配線７０ａを中間絶縁膜１２を介して重ね合わせた構造をとることができることにより、電極配置と配線の引き回しの自由度が高くなり、効率的なパターン配置が可能となる。すなわち、インクジェットヘッド１の小型化、高密度化が可能となる。
【００４７】
（上層絶縁膜１３）
上層絶縁膜１３は、共通電極配線５０ａや個別電極配線７０ａの保護層の機能を有するパシベーション層であり、図３に示すように、共通電極配線引き出し部（不図示）を除く共通電極配線５０ａ、個別電極配線引き出し部１３ｈを除く個別電極配線７０ａを被覆し、さらに中間絶縁膜１２の上に設けられている。これにより、共通電極配線５０ａ及び個別電極配線７０ａがインクジェットヘッド１の使用環境において腐食等から保護されることから、共通電極配線５０ａ及び個別電極配線７０ａの電極材料に安価なＡｌもしくはＡｌを主成分とする合金材料を用いることができるようになり、その結果、低コストかつ信頼性の高いインクジェットヘッドとすることができる。
【００４８】
上層絶縁膜１３の材料としては、任意の無機材料、有機材料を使用することができるが、透湿性の低い材料とする必要がある。その無機材料としては、酸化物、窒化物、炭化物等が例示でき、有機材料としてはポリイミド、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等が例示できる。ただし有機材料の場合には厚膜とすることが必要となるため、後述のパターニングに適さない。そのため、薄膜で配線保護機能を発揮できる無機材料とすることが好ましい。特に、Ａｌ配線上にＳｉ３Ｎ４を用いることが、半導体デバイスで実績のある技術であるため好適である。
【００４９】
また、上層絶縁膜１３の膜厚は２００ｎｍ以上とすることが好ましく、さらに５００ｎｍ以上がより好ましい。膜厚が薄い場合は十分なパシベーション機能を発揮できないため、共通電極配線５０ａや個別電極配線７０ａの配線材料の腐食による断線が発生し、インクジェットヘッド１の信頼性を低下させてしまう。なお、上層絶縁膜１３の膜厚は、成膜時間および加工時間を考慮すると２０００ｎｍ以下であることが好ましい。上層絶縁膜１３の膜厚が２０００ｎｍよりも厚い場合、成膜時間および加工時間が長くなり生産性が低下すると同時に製造途中の圧電素子がプラズマに暴露される時間が長くなるため、下層絶縁膜１１が損傷されることで圧電素子２の性能が低下する。
【００５０】
また、上層絶縁膜１３は、図２に示す通り、圧電素子２を露出させるように振動板４０上に開口部をもつ構造としている。これは、前述の中間絶縁膜１２の開口部と同様に、振動板４０の変位量を制限する領域の上層絶縁膜１３を除去しているため、振動板４０の変位への影響を低減でき、吐出効率と信頼性を両立することができる。これにより、高効率かつ高信頼性のインクジェットヘッド１とすることが可能になる。
【００５１】
さらに、図２及び図４に示す通り、上層絶縁膜１３上に保持基板７２が配置され、保持基板７２に形成されたインク供給部３３ａから、共通液室３３，流体抵抗部３２を介して個別液室３１にインクが供給される構造となる。
【００５２】
このとき、圧電素子２周辺部では図２に示す通り、保持基板７２と液室基板３０は該液室基板３０の隔壁部３０ａで接合されるのが好ましい。これにより、振動板４０を駆動したときに隣接する個別液室３１の振動板４０を変形させてしまう、いわゆるクロストークを低減させることができる。
【００５３】
保持基板７２の材料は、任意の材料を用いることができるが、液室基板３０と同種材料のＳｉ基板を用いることで接合の温度プロセスでの熱膨張率差を低減し、保持基板７２、液室基板３０の反り等を低減することができる。
【００５４】
以上の構成の上層絶縁膜１３、中間絶縁膜１２、下層絶縁膜１１を配することにより、インクジェットヘッド製造工程のうち半導体プロセス中のプラズマや使用環境下の大気中の水分による圧電素子２（圧電体６０）の劣化を防止して信頼性を高め、圧電素子２の変位量を確保して吐出孔率を高めると同時に、下部電極５０と個別電極配線７０ａ（場合によっては共通電極配線５０ａも）との配置の制約がなくなるため、小型化、高集積化が可能となる。
【００５５】
ところで、図２に示したインクジェットヘッド１の構成では、個別液室３１における振動板４０の変位端部は個別液室３１の幅で規定されている。ここで、液室基板３０において、ＭＥＭＳプロセスにより個別液室３１を形成する場合は、図２の下面側からエッチング法を用いて液室基板３０が掘り込まれていくが、その際には異方性エッチングにて加工される。すなわち、図２の液室基板３０の下方から上方に向かって選択的にエッチングされる手法が用いられる。しかしながら、このときに液室基板３０は水平方向にもエッチングされるため、個別液室３１の断面形状は理想的な長方形ではなく、テーパーをもつ傾向にあるため、振動板４０の可動領域を規定する端部の幅がばらつきやすく、その結果、吐出性能がばらつくことになった。
【００５６】
そこで、中間絶縁膜１２及び上層絶縁膜１３の開口部は、図５に示すように、その開口幅が圧電素子２の幅よりも広く、個別液室３１の幅よりも狭いことが好ましい。すなわち、個別液室３１を区画する隔壁部３０ａ上に形成される中間絶縁膜１２及び上層絶縁膜１３を該隔壁部３０ａの幅よりも広い領域に形成し、個別液室３１側に延伸させた構造とする。
【００５７】
このとき、中間絶縁膜１２及び上層絶縁膜１３の開口部を精度よくパターニング形成することが可能であることから、個別液室３１における振動板４０の可動端を中間絶縁膜１２及び上層絶縁膜１３の端部で精度よく規定できるようになり、個別液室３１ごとの特性ばらつき（吐出性能のばらつき）を低減することが可能となる。
【００５８】
なおこの場合、中間絶縁膜１２、上層絶縁膜１３のいずれかを剛性の高い膜とする必要があり、特に配線５０ａ，７０ａの保護層の機能を有する上層絶縁膜１３は緻密かつ剛性の高い膜とすることが好ましく、また同時にその膜厚も中間絶縁膜１２より厚膜とすることが好ましい。これにより、上層絶縁膜１３を保持基板７２との接合部分の補強層とすることができる。
【００５９】
ところで、前述した本発明のインクジェットヘッドに対してインクなどの液体を供給する液体タンクを一体化して液体カートリッジとしてもよい。
図６に、その液体カートリッジであるインクカートリッジの外観図を示す。このインクカートリッジ８０は、ノズル孔２１等を有する前述した本発明に係るインクジェットヘッド１と、このインクジェットヘッド１に対してインクを供給する液体タンクであるインクタンク８２とを一体化したものである。このようにインクタンク８２が一体型のインクジェットヘッド１の場合、アクチュエータ部を高精度化、高密度化、および高信頼化することで、インクカートリッジ８０の歩留まりや信頼性を向上することができ、インクカートリッジ８０の低コスト化を図ることができる。
【００６０】
つぎに、本発明に係る画像形成装置について説明する。
本発明に係る画像形成装置は、液滴を吐出させて画像を形成する画像形成装置であって、前述した本発明のインクジェットヘッド又は図６の一体型インクジェットヘッドユニットである液体カートリッジを備えていることを特徴とする。
ここでは、図７及び図８を用いて、本発明のインクジェットヘッド１を搭載した画像形成装置であるインクジェット記録装置を実施例として説明する。なお、図７は同記録装置の斜視説明図、図８は同記録装置の機構部の側面説明図である。
【００６１】
このインクジェット記録装置は、記録装置本体の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ９８、キャリッジ９８に搭載した本発明のインクジェットヘッド（記録ヘッド）１、インクジェットヘッド１へインクを供給するインクカートリッジ９９等で構成される印字機構部９１等を収納し、装置本体の下方部には前方側から多数枚の用紙９２を積載可能な給紙カセット（或いは給紙トレイでもよい。）９３を抜き差し自在に装着することができる。また、用紙９２を手差しで給紙するために開かれる手差しトレイ９４を有し、給紙カセット９３あるいは手差しトレイ９４から給送される用紙９２を取り込み、印字機構部９１によって所要の画像を記録した後、後面側の装着された排紙トレイ９５に排紙する。
【００６２】
印字機構部９１は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド９６と従ガイドロッド９７とキャリッジ９８を主走査方向に摺動自在に保持し、このキャリッジ９８には、イエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ(Ｍ）、ブラック(Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出するインクジェットヘッド１を複数のインク吐出口（ノズル）を主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。また、キャリッジ９８にはインクジェットヘッド１に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ９９を交換可能に装着している。
【００６３】
インクカートリッジ９９は、上方に大気と連通する大気口、下方にはインクジェットヘッド１へインクを供給する供給口が設けられ、内部にはインクが充填された多孔質体を有しており、多孔質体の毛管力によりインクジェットヘッド１へ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。また、インクジェットヘッド１としては各色のインクジェットヘッド１を用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個の液出ヘッドでもよい。
【００６４】
ここで、キャリッジ９８は後方側（用紙搬送下流側)を主ガイドロッド９６に摺動自在に嵌装し、前方側（用紙搬送上流側)を従ガイドロッド９７に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ９８を主走査方向に移動走査するため、主走査モーター１０１で回転駆動される駆動プーリ１０２と従動プーリ１０３との間にタイミングベルト１０４を張装し、このタイミングベルト１０４をキャリッジ９８に固定しており、主走査モーター１０１の正逆回転によりキャリッジ９８が往復駆動される。
【００６５】
一方、給紙カセット９３にセットした用紙９２をインクジェットヘッド１に下方側に搬送するために、給紙カセット９３から用紙９２を分離給装する給紙ローラー１０５及びフリクションパッド１０６と、用紙９２を案内するガイド部材１０７と、給紙された用紙９２を反転させて搬送する搬送ローラー１０８と、この搬送ローラー１０８の周面に押し付けられる搬送コロ１０９及び搬送ローラー１０８からの用紙９２の送り出し角度を規定する先端コロ１１０とを有する。搬送ローラー１０８は副走査モーターによってギア列を介して回転駆動される。
【００６６】
そして、キャリッジ９８の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラー１０８から送り出された用紙９２をインクジェットヘッド１の下方側で案内するため用紙ガイド部材である印写受け部材１１１を設けている。この印写受け部材１１１の用紙搬送方向下流側には、用紙９２を排紙方向へ送り出すための回転駆動される搬送コロ１１２と拍車１１３を設け、さらに用紙９２を排紙トレイ９５に送り出す排紙ローラー１１４と拍車１１５と排紙経路を形成するガイド部材１１６，１１７とを配設している。
【００６７】
このインクジェット記録装置９０で記録時には、キャリッジ９８を移動させながら画像信号に応じてインクジェットヘッド１を駆動することにより、停止している用紙９２にインクを吐出して１行分を記録し、その後、用紙９２を所定量搬送後、次の行の記録を行う。記録終了信号または用紙９２の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙９２を排紙する。
【００６８】
また、キャリッジ９８の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、インクジェットヘッド１の吐出不良を回復するための回復装置１１８を配置している。回復装置１１８はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有している。キャリッジ９８は印字待機中にはこの回復装置１１８側に移動されてキャップ手段でインクジェットヘッド１をキャッピングして吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。また、記録途中などに記録と関係ないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出状態を維持する。
【００６９】
また、吐出不良が発生した場合等には、キャップ手段でインクジェットヘッド１の吐出出口(ノズル)を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともの気泡等を吸出し、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。また、吸引されたインクは、本体下部に設置された廃インク溜（不図示）に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。
【００７０】
このように、このインクジェット記録装置９０においては本発明のインクジェットヘッド１を搭載しているので、安定したインク吐出特性が得られ、画像品質が向上する。なお、ここではインクジェット記録装置９０にインクジェットヘッド１を使用した場合について説明したが、インク以外の液滴、例えば、パターニング用の液体レジストを吐出する装置にインクジェットヘッド１を適用してもよい。
【００７１】
なお、これまで本発明を図面に示した実施形態をもって説明してきたが、本発明は図面に示した実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明の活用例として、圧電素子を用いた、マイクロアクチュエータを搭載するＭＥＭＳデバイス、例えばマイクロミラーを搭載したプロジェクタ等の光学デバイス，微小流路に流体を供給するマイクロポンプ等を挙げることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１    インクジェットヘッド
２    圧電素子
１１    下層絶縁膜
１２    中間絶縁膜
１３    上層絶縁膜
１３ｈ    個別電極配線引き出し部
２０    ノズル板（ヘッド基板面）
２０ａ    接着層
２１    ノズル孔
３０    液室基板
３０ａ    隔壁部
３１    個別液室
３２    流体抵抗部
３３    共通液室
３３ａ    インク供給部
４０    振動板
５０    下部電極
５０ａ    共通電極配線
５０via    共通電極コンタクトホール
６０    圧電体
７０    上部電極
７０ａ    個別電極配線
７０via    個別電極コンタクトホール
７２    保持基板
７３    フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）
７４    圧電素子保護空間
８０，９９    インクカートリッジ
８２    インクタンク
９０    インクジェット記録装置
９１    印字機構部
９２    用紙
９３    給紙カセット
９４    手差しトレイ
９５    排紙トレイ
９６    主ガイドロッド
９７    従ガイドロッド
９８    キャリッジ
１０１    主走査モーター
１０２    駆動プーリ
１０３    従動プーリ
１０４    タイミングベルト
１０５    給紙ローラー
１０６    フリクションパッド
１０７，１１６，１１７    ガイド部材
１０８    搬送ローラー
１０９，１１２    搬送コロ
１１０    先端コロ
１１１    印写受け部材
１１３，１１５    拍車
１１４    排紙ローラー
１１８    回復装置
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７４】
【特許文献１】特開２０１１−０００７１４号公報
【特許文献２】特開２０１０−０４２６８３号公報
【特許文献３】特許第４３７１２０９号公報
【図１】
0005768393.tif 000002
【図６】
0005768393.tif 000003
【図７】
0005768393.tif 000004
【図８】
0005768393.tif 000005
【図２】
0005768393.tif 000006
【図３】
0005768393.tif 000007
【図４】
0005768393.tif 000008
【図５】
0005768393.tif 000009