(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金であって、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの比率がａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８〜２０：０〜５０：０〜６０、Ｆｅ＋Ｃｏ≧１．５であり、かつ、Ｍ元素としてＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂの１種または２種以上を２〜２０ａｔ％含有し、磁性が０．２Ｔ以上、ｆｃｃ相の（１１１）面と（２００）面におけるＸ線回折の強度比Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が０．７以上であることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【請求項２】
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金であって、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの比率がａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８〜２０：２〜５０：０〜６０であり、かつ、Ｍ元素としてＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂの１種または２種以上を２〜２０ａｔ％含有し、磁性が０．２Ｔ以上、ｆｃｃ相の（１１１）面と（２００）面におけるＸ線回折の強度比Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が０．７以上であるすることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＭ元素のうち、Ｗ，Ｍｏの１種または２種を含有することを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＭ元素のうち、Ｃｒを５％超含有することを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＭ元素に加えて、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，Ｃ，Ｒｕの１種または２種以上を０〜１０ａｔ％含有することを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体のシード層用合金を使用してなるスパッタリングターゲット材。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のシード層用合金を使用してなる磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体におけるシード層として用いるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、垂直磁気記録の進歩は著しく、ドライブの大容量化のために、磁気記録媒体の高記録密度化が進められており、従来普及していた面内磁気記録媒体により、さらに高記録密度が実現できる、垂直磁気記録方式が実用化されている。ここで、垂直磁気記録方式とは、垂直磁気記録媒体の磁性膜中の媒体面に対して磁化容易軸が垂直方向に配向するように形成したものであり、高記録密度に適した方法である。
【０００３】
そして、垂直磁気記録方式においては、記録密度を高めた磁気記録膜層と軟磁性膜層とを有する記録媒体が開発されており、このような媒体構造では、軟磁性層と磁気記録層の間にシード層や下地膜層が製膜された記録媒体が開発されている。垂直磁気記録方式用のシード層には、例えば特開２００９−１５５７２２号公報（特許文献１）に開示されているように、Ｎｉ−Ｗ系の合金が提案されている。
【０００４】
この特許文献１に記載のＮｉ−Ｗ系合金は、磁性を有するＶＩＩＩ族を添加せずに、非磁性元素のＩＶａ族（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）、Ｖａ族（Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ），ＶＩａ族（Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ）、ＶＩＩａ族（Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ）、ＩＩＩｂ族（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ）、ＩＶｂ族（Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）を添加しており、結果的に非磁性となっていた。ここでシード層に求められる特性の一つは、その名が示すように、シード層の上に形成される層の配向性を制御し、磁気情報を記録する磁性膜の磁化容易軸が媒体面に対して垂直に配向させる為に、シード層自身は単独のｆｃｃ構造を有すると共に、媒体面と平行な面が（１１１）面に配向する事である。また記録密度を向上させる為に磁性膜の結晶粒度を出来るだけ小さくさせる必要があり、その為にはシード層の結晶粒度よりも小さい方が望ましい。
【特許文献１】特開２００９−１５５７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、近年、ハードディスクドライブの磁気記録特性を改善する一つの手法として、シード層に磁性を持たせる方法が検討されるようになってきた。しかし、上述したように、特許文献１に記載のシード層用合金は非磁性であり、磁性を持たせるシード層用合金として適当とは言えない。そのため上述のようにシード層用合金として求められる特性を備えると共に、磁性を有するシード層用合金の開発が求められていた。なお、軟磁性層とシード層の大きな違いとして、軟磁性層ではノイズ低減のためにアモルファスであることが求められるが、シード層ではシード層の上に形成される層の配向を制御する作用が要求されており、非晶質であるアモルファスとは反対に高い結晶性を有することが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述のような要求を十分達成するために、発明者らは鋭意開発を進めた結果、磁性を有するＶＩＩＩ族の元素であるＦｅ，Ｃｏを添加することで、シード層に磁性を持たせ、かつ（１１１）面方向の保磁力を低下させることで、透磁率が高くなることを見出し、発明を完成させるに至った。
【０００７】
その発明の要旨とするところは、
（１）Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金であって、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの比率がａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８〜２０：０〜５０：０〜６０、Ｆｅ＋Ｃｏ≧１．５であり、かつ、Ｍ元素としてＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂの１種または２種以上を２〜２０ａｔ％含有し、磁性が０．２Ｔ以上、ｆｃｃ相の（１１１）面と（２００）面におけるＸ線回折の強度比Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が０．７以上であることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【０００８】
（２）Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金であって、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの比率がａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８〜２０：２〜５０：０〜６０であり、かつ、Ｍ元素としてＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂの１種または２種以上を２〜２０ａｔ％含有し、磁性が０．２Ｔ以上、ｆｃｃ相の（１１１）面と（２００）面におけるＸ線回折の強度比Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が０．７以上であることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【０００９】
（３）前記（１）または（２）に記載のＭ元素のうち、Ｗ，Ｍｏの１種または２種を含有することを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
（４）前記（１）〜（３）のいずれか１項に記載のＭ元素のうち、Ｃｒを５％超含有することを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
（５）前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載のＭ元素に加えて、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，Ｃ，Ｒｕの１種または２種以上を０〜１０ａｔ％含有することを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【００１０】
（６）前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体のシード層用合金を使用してなるスパッタリングターゲット材。
（７）前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載のシード層用合金を使用してなる磁気記録媒体にある。
【発明の効果】
【００１１】
以上述べたように、Ｎｉ−Ｍ系合金に磁性を有するＶＩＩＩ族の元素であるＦｅ，Ｃｏを添加することで、軟磁性下地膜（ＳＵＬ）の上にあるＮｉ系中間層に磁性を持たせ、かつ（１１１）面方向の保磁力を低下させることで、透磁率が高くすることを可能とした磁気記録媒体のシード層用合金およびそれを使用したスパッタリングターゲット材を提供することにある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る発明の限定理由を説明する。
本発明に係るＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金において、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの比率である、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝α：β：γとすると、α：９８．５〜２０とする。９８．５以下とした理由は、β＋γが１．５未満では保磁力が高くなる。また、２０以上とした理由は、２０未満では、上記同様保磁力が高くなる。したがって、その範囲を９８．５〜２０とした。好ましくは９８．５〜６０とする。
【００１３】
ａｔ比β：０〜５０
Ｆｅは、保磁力を低減する元素であり、かつ、膜の配向性を改善する元素でもある。しかし、５０を超えると保磁力が高くなることから、その範囲を０〜５０とした。好ましくは２〜５０％、より好ましくは１０〜４０とする。
ａｔ比γ：０〜６０
Ｃｏは、（１１１）方向の保磁力を低減する元素である。しかし、６０を超えると保磁力が高くなることら、その上限を６０とした。好ましくは４０以下とする。
【００１４】
また、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金において、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂを以下Ｍ１元素と称とすると、このＭ１元素は、高融点を持つｂｃｃ系金属であり、本発明で規定する成分範囲でｆｃｃであるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系に添加することにより、そのメカニズムは明確ではないが、シード層に求められる（１１１）面への配向性を改善させ、かつ結晶粒をを微細化させる元素である。このＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｂの１種または２種以上をａｔ％量で、２〜２０％とする。しかし、２％未満ではその効果が十分でなく、また、２０％を超えると化合物が析出するか、アモルファス化する。シード層用合金としてはfcc単相である事が求められることから、その範囲を２〜２０％とする。好ましくは５〜１５％とする。
【００１５】
また、（１１１）面の配向に効果が高いのはＷ，Ｍｏで、望ましくはＷ，Ｍｏの１種または２種を必須とし、Ｃｒ，Ｔａ，Ｖ，Ｎｂはこれに添加してもよい。その理由は、Ｎｉと高融点ｂｃｃ金属の組合せで、Ｍｏ，ＷはＣｒに比べ融点が高く有利である。また、Ｔａ，Ｖ，Ｎｂ添加はＷ、Ｍｏに比べ、添加する事でアモルファス性を高めることにも作用し、シード層に求められるｆｃｃ相形成に不利である。Ｃｒは望ましくは５％超え添加した場合に配向性の点で有利となる。
【００１６】
さらに、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，Ｃ，Ｒｕとを以下Ｍ２元素と称すると、このＭ２元素は、（１１１）面を配向させる元素であり、また、結晶粒を微細化する元素である。このＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，Ｃ，Ｒｕの１種または２種以上をａｔ％量で、０〜１０％とする。しかし、１０％を超えると化合物が生じたり、アモルファス化することから、その上限を１０％とする。好ましくは５％とする。また、Ｍ１＋Ｍ２は好ましくは、２５ａｔ％以下、さらに好ましくは２０ａｔ％以下とする。
【実施例】
【００１７】
以下、本発明について実施例によって具体的に説明する。
通常、垂直磁気記録媒体におけるシード層はその成分と同じ成分のスパッタリングターゲット材をスパッタし、ガラス基板などの上に成膜し得られる。ここでスパッタにより成膜された薄膜は急冷されている。本発明での供試材としては、単ロール式の急冷装置にて作製した急冷薄帯を用いる。これは実際にスパッタにより急冷され成膜された薄膜の、成分による諸特性への影響を、簡易的に液体急冷薄帯により評価したものである。
【００１８】
急冷薄帯の作製条件としては、表１の成分に秤量した原料３０ｇを径１０、長さ４０ｍｍ程度の水冷銅鋳型にて減圧して、Ａｒ中でアーク溶解し、急冷薄帯の溶解母材とした。急冷薄帯の作製条件は、単ロール方式で径１５ｍｍの石英缶中にて、この溶解母材をセットし、出湯ノズル径を１ｍｍとし、雰囲気気圧６１ｋＰａ、噴霧差圧６９ｋＰａ、銅ロール（径３００ｍｍ）の回転数３０００ｒｐｍ、銅ロールと出湯ノズルのギャップ０．３ｍｍにて出湯した。出湯温度は各溶解母材の溶け落ち直後とした。このようにして作製した急冷薄帯を供試材とし、以下の項目を評価した。
【００１９】
急冷薄帯の保磁力の評価としては、振動試料型の保磁力メータにて、試料台に両面テープで急冷リボンを張り付け、初期印加磁場１４４ｋＡ／ｍにて測定した。保磁力が３００Ａ／ｍ以下を○、３００Ａ／ｍを超え５００Ａ／ｍ以下を△、５００Ａ／ｍを超えるものを×とした。
【００２０】
急冷薄帯の飽和磁束密度の評価としては、ＶＳＭ装置（振動試料型磁力計）にて、印加磁場１２００ｋＡ／ｍにて測定した。供試材の重量は１５ｍｇ程度で、０．２Ｔ以上を○、０．２Ｔ未満を×として評価した。
【００２１】
急冷薄帯の（１１１）面配向性評価としては、スパッタにより成膜されるシード層はｆｃｃ構造である。シード層は急冷することで（２００）が配向する。通常、ランダム配向すれば（１１１）面と（２００）面のＸ線回折強度がＩ（２００）がＩ（１１１）より高くなる。そこで、下記の方法にて（１１１）面の配向性評価した。
【００２２】
ガラス板に両面テープで供試材を貼り付け、Ｘ線回折装置にて回折パターンを得た。このとき、測定面は急冷薄帯の銅ロール接触面となるように供試材を貼り付けた。Ｘ線源はＣｕ−α線でスキャンスピード４°／ｍｉｎで測定した。この回折パターンの（１１１）面で回折したＸ線の強度Ｉ（１１１）と同じく（２００）面の強度Ｉ（２００）との強度比であるＩ（１１１）／Ｉ（２００）が０．７未満のものを×、０．７以上のものを○とした。また、化合物が生じるもの、アモルファス化したものについては×とした。
【００２３】
急冷薄帯の結晶粒径の評価としては、急冷薄帯の断面ミクロ組織像のロール方向にて、ＪＩＳ  Ｇ０５５１「鋼・結晶粒度の顕微鏡試験方法」に準じて測定した。Ｐ／Ｌｔが１．０以上を○、０．５以上、１．０未満を△、０．５未満を×とした。
【００２４】
【表１】
0005726615.tif 000002
【００２５】
【表２】
0005726615.tif 000003
【００２６】
【表３】
0005726615.tif 000004
【００２７】
【表４】
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【００２８】
【表５】
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【００２９】
【表６】
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【００３０】
【表７】
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【００３１】
【表８】
0005726615.tif 000009
表１〜８に示すように、Ｎｏ．１〜９５、１２５〜１８８は本発明例であり、Ｎｏ．９６〜１２４、１８９〜１９４は比較例である。
【００３２】
なお、表１〜８に示す成分組成に記載する、例えば、Ｎｏ．１は、Ｗが２ａｔ％であるので、（Ｎｉ２Ｆｅ）は１００％−２％で９８ａｔ％であり、この９８％を１としたとき、Ｎｉは（１００−２）、Ｆｅは２の比率である。また、Ｃｏは含んでいないのでその比率は０に相当する。同様に、Ｎｏ．５０であれば、ＷとＩｎで計７ａｔ％なので、（Ｎｉ５０Ｆｅ）は、１００％−７％で９３ａｔ％であり、この９３ａｔ％を１としたとき、Ｎｉは１００−５０、Ｆｅは５０の比、つまりＮｉとＦｅはａｔ比で同じ比率であることから、９３ａｔ％の半分ずつの４６．５ａｔ％ずつであることを意味するものである。
【００３３】
比較例Ｎｏ．９６は、Ｎｉ単独であることから、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．９７は、Ｍ元素がないために、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．９８は、Ｆｅ含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．９９は、Ｗの含有量が低く、かつＡｌ含有量が高いために、保磁力がやや高くなり、かつ配向性が劣る。比較例Ｎｏ．１００は、Ｗ含有量が高いために、保磁力の測定困難であり、また、飽和磁束密度および配向性が劣る。
【００３４】
比較例Ｎｏ．１０１，１０２は、Ｗの含有量が低く、かつＺｒおよびＢの含有量が高いために、配向性が劣る。比較例Ｎｏ．１０３は、Ｎｉの含有量が低く、Ｆｅの含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．１０４は、Ｎｉの含有量が低く、Ｆｅの含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．１０５は、Ｃｒの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１０６は、Ｃｒの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１０７は、Ｍｏの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。
【００３５】
比較例Ｎｏ．１０８は、Ｍｏの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１０９は、Ｔａの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１１０は、Ｔａの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１１１は、Ｖの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１１２は、Ｖの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１１３は、Ｎｂの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。
【００３６】
比較例Ｎｏ．１１４は、Ｎｂの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１１５は、Ｃａの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１１６は、Ｉｎの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１１７は、Ｓｉの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１１８は、Ｇｅの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１１９は、Ｔｉの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。
【００３７】
比較例Ｎｏ．１２０は、Ｈｆの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１２１は、Ｃｕの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１２２は、Ｐの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１２３は、Ｃの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１２４は、Ｒｕの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。
【００３８】
表８の比較例Ｎｏ．１８９は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。比較例Ｎｏ．１９０は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．１９１は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．１９２は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．１９３は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．１９４は、本発明条件内ではあるが、Ｃｒ添加量が４．９と５を超えていないため、特性がやや劣る。そのために比較例とした。
【００３９】
以上のように、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金において、一定の含有量に規制することにより、この領域に規制することで、磁性を有し、かつ、（１１１）方向の透磁率を高くなることを見出し、Ｎｉ系シード層に磁性を付与することにより、磁気ヘッドと軟磁性下地膜との距離を短くすることができるという優れた効果を奏するものである。
【００４０】
次に、スパッタリングターゲット材の製造方法の例を示す。表１の本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５および表２のＮｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．４３、表３のＮｏ．５１、Ｎｏ．７０、表４のＮｏ．７９、Ｎｏ．８５、Ｎｏ．８９、Ｎｏ．９５、表５のＮｏ．１０２、Ｎｏ．１１７、Ｎｏ．１１８、Ｎｏ１２２、表６のＮｏ．１２８、Ｎｏ．１３５、Ｎｏ．１４４、表７のＮｏ．１５９、Ｎｏ．１７０、Ｎｏ１７６、表８のＮｏ．１８８、比較例Ｎｏ．１９０、比較例Ｎｏ．１９３に示す成分組成のものを秤量した溶解原料を、減圧Ａｒガス雰囲気の耐火物坩堝内で誘導加熱溶解した後、坩堝下部の直径８ｍｍのノズルより出湯し、Ａｒガスによりアトマイズした。このガスアトマイズ粉末を原料粉末として、炭素鋼製の直径２５０ｍｍ、長さ１００ｍｍのカプセル内に充填、真空脱気封入した。
【００４１】
上記粉末充填ブレットを、表１のＮｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、表３のＮｏ．５１、Ｎｏ．７０、は成形温度１０００℃、成形圧力１４７ＭＰａ、成形時間１時間、表２のＮｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．４３、表４のＮｏ．７９、Ｎｏ．８５、Ｎｏ．８９、Ｎｏ．９５は成形温度１１００℃、成形圧力１４７ＭＰａ、成形時間３時間、表５のＮｏ．１０２、Ｎｏ．１１７、Ｎｏ．１１８、Ｎｏ．１２２、表６のＮｏ．１２８、Ｎｏ．１３５、Ｎｏ．１４４、表７のＮｏ．１５９、Ｎｏ．１７０、Ｎｏ１７６、表８のＮｏ．１８８、比較例Ｎｏ．１９０、比較例Ｎｏ．１９３は成形温度９５０℃、成形圧力１４７ＭＰａ、成形時間５時間の条件でＨＩＰ成形した。このＨＩＰ体を、ワイヤーカット、旋盤加工、平面研磨により、直径１８０ｍｍ、厚さ７ｍｍの円盤状に加工し、スパッタリングターゲット材とした。
【００４２】
これら２７種類の成分組成についてスパッタリングターゲット材を用い、ガラス基板上にスパッタ膜を成膜した。Ｘ線回折パターンは、本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．４３、Ｎｏ．５１、Ｎｏ．７０、Ｎｏ．７９、Ｎｏ．８５、Ｎｏ．８９、Ｎｏ．９５、Ｎｏ．１２８、Ｎｏ．１３５、Ｎｏ．１４４、Ｎｏ．１５９、Ｎｏ．１７０、Ｎｏ．１７６、Ｎｏ．１８６、はいずれにおいても良好な配向性が見られ、比較例Ｎｏ．１０２、Ｎｏ．１１７、Ｎｏ．１１８、Ｎｏ．１２２、には良好な配向性がみられなかった。
【００４３】
また、急冷薄帯と同様に磁気特性の測定を行ったところ、本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．４３、Ｎｏ．５１、Ｎｏ．７０、Ｎｏ．７９、Ｎｏ．８５、Ｎｏ．８９、Ｎｏ．９５、Ｎｏ．１２８、Ｎｏ．１３５、Ｎｏ．１４４、Ｎｏ．１５９、Ｎｏ．１７０、Ｎｏ．１７６、Ｎｏ．１８６、はいずれも良好な磁気特性が見られ、比較例Ｎｏ．１８９、比較例Ｎｏ．１９０、比較例Ｎｏ．１９３では良好な磁気特性が見られなかった。Ｘ線回折パターンについても、急冷薄帯と同様に測定を行ったところ、急冷薄帯にて評価した結果と同様の○、△、×であった。以上総括すると、急冷薄帯にて評価した結果とスパッタリングターゲット材を用いて成膜したスパッタ膜の評価とが同等の傾向であることを確認した。
特許出願人  山陽特殊製鋼株式会社
代理人  弁理士    椎  名    彊