(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の支持体に支持された多層構造体を製造する製造方法において、
ヤング率Ev及び厚さevを有する第１の材料から形成された前記第１の支持体、及び、前記多層構造体を支持してヤング率Evとは異なるヤング率Es及び厚さesを有する第２の材料から形成された第２の支持体を準備する工程、
前記第１の支持体と、前記第２の支持体に支持された前記多層構造体とを分子結合によって結合する結合工程、及び
前記第２の支持体を除去する工程
を順次的に有し、
厚さes及び厚さevは、es＝Ev／Es・evの関係式を１０％の範囲内で満たすことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記第２の支持体は、厚さesより大きな厚さを最初に有しており、
前記製造方法は、前記結合工程の前に、前記第２の支持体を厚さesまで薄くする工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
厚さes及び厚さevは50μｍより大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第２の材料は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１の材料は絶縁性を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
前記第１の材料は透明であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
前記第１の材料はガラスであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の製造方法に用いられる第２の支持体であって、
ヤング率Ev及び厚さevを有する第１の材料から形成された第１の支持体のヤング率Evとは異なるヤング率Esと、es＝Ev／Es・evの関係式を１０％の範囲内で満たす厚さesとを有する第２の材料から形成されていることを特徴とする第２の支持体。
【請求項９】
前記第２の材料は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項８に記載の第２の支持体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば集積回路ウエハに相当する多層構造体を、最後の支持体に分子結合により製造する方法に関する。本発明は更に、このような多層構造体のための最初の支持体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ある適用では、集積回路ウエハを支持体に形成することが望ましい。特に、光学に関する適用では、支持体は絶縁性を有して透明である必要がある。このような支持体は、例えばガラスである。適用の一例が、透過型表示画面の製造に関する。
【０００３】
図1A乃至1Cは、集積回路ウエハを支持体に分子結合により製造する方法の順次的な工程で得られた構造体の簡略化された断面図を示している。
【０００４】
図1Aは、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）構造体を有する要素10を概略的に示している。
【０００５】
要素10は、例えば単結晶シリコン基板である最初の支持体12を備えている。最初の支持体12の厚さe1は、例えば数百マイクロメートルであり、例えば約700 μｍである。最初の支持体12は、直径が数百ミリメートルより大きく、例えば約200 ｍｍ又は300 ｍｍである円筒に相当してもよい。最初の支持体12は、例えば二酸化ケイ素から形成された絶縁層14で覆われた平面13を有している。絶縁層14の厚さe2は、例えば約１μｍである。絶縁層14は集積回路ウエハ16で覆われている。集積回路ウエハ16は、能動電子部品及び／又は受動電子部品並びにこれらの電子部品を接続する導電性トラックを有する積層体を備えている。一例として、集積回路ウエハ16は、半導体材料、例えば単結晶シリコンから形成されたシリコン層18を備えており、シリコン層18は、絶縁層14を覆っており、シリコン層18の内部及び上部に形成された能動電子部品及び／又は受動電子部品、例えばトランジスタ20を有している。集積回路ウエハ16は、例えば二酸化ケイ素から形成された絶縁層の積層体22を更に備えており、積層体22は、シリコン層18を覆っており、積層体22に形成された電子部品と接することが可能な導電性材料から形成されたトラック24及びバイア26を有している。一例として、集積回路ウエハ16の厚さe3は数マイクロメートル程度である。絶縁層の積層体22の内の最後の絶縁層は、最初の支持体12の反対側にある平坦な上側の表面28を形成している。
【０００６】
図1Bは、要素10の表面28及び最後の支持体30を分子結合により結合した後に得られた構造体を示している。最後の支持体30は、シリコンとは異なる材料、例えばガラスから形成されている。最後の支持体30の厚さevは、数百マイクロメートルより大きく、例えば約700 μｍである。最後の支持体30は、表面28に当接した表面32を有している。分子結合により、（接着剤又は接着性材料のような）外部の材料を追加することなく表面28及び表面32間に結合が生じる。このために、適切に清浄された表面28及び表面32を、周囲温度で互いに接するように置く。圧力が、結合を開始するために最後の支持体30に局部的に加えられてもよい。その後、結合領域の伝播先端が開始領域から対向する表面全体に拡がる。
【０００７】
図1Cは、最初の支持体12を除去した後に得られた構造体を示している。最初の支持体12の除去は、最初の支持体12の大部分を除去するための化学機械的な調整工程と、該調整工程の後の、最初の支持体12の残りを除去するための選択的な化学エッチング工程とを有する。絶縁層14は、最初の支持体12を除去する際に停止層として使用されてもよい。
【０００８】
その後、本方法では一般に、絶縁層14及びシリコン層18を介して集積回路ウエハ16の金属トラック24に接続される導電性バイアの形成を続行する。このような導電性バイアを形成するためにフォトリソグラフィ工程があり、フォトリソグラフィ工程は、絶縁層14を覆う樹脂層をマスクを介して露光し樹脂層上にマスクパターンを形成する工程を有する。このために、特には樹脂層にパターンを形成するための光学デバイスを備えた露光装置を集積回路ウエハ16に対して正確に置く必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第2008／082723号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
工業規模の製造過程では、フォトリソグラフィ工程は、可能な限り速く実行されるべきである。このために、集積回路ウエハが予定の大きさを有すべく、転写されるパターンが樹脂層での更なる調整無しに適切に形成されるように、露光装置は予め調整される。
【００１１】
しかしながら、結合工程の後に集積回路ウエハ16に変形が観察され得る。特に、集積回路ウエハ16の狭小化が観察され、すなわち、結合工程の前に結合される表面28に形成された２つのマークが、結合工程の後に互いに接近してしまう。相対的な狭小化は20ppm 程度になる場合がある。
【００１２】
このような変形は一般に、露光装置によって少なくとも補われてもよい。しかしながら、このために、工業規模での製造過程に適合しない更なる調整工程が必要になる。更にある場合には、このような変形は、露光装置によって補われるには大き過ぎる場合がある。
【００１３】
従って、結合処理に起因する集積回路ウエハの変形が減少するか、又は更に抑制される分子結合により、例えば集積回路ウエハに相当する多層構造体を最後の支持体に製造する方法が必要とされる。
【００１４】
本発明は、公知の方法の欠点を克服する、多層構造体を支持体に分子結合により製造する方法を提供することを目的とする。
【００１５】
本発明の別の目的によれば、結合処理に起因する多層構造体の相対的な変形が５ppm 未満である。
【００１６】
本発明の別の目的によれば、分子結合を使用した製造方法は、分子結合を使用した公知の製造方法と比較して、追加の工程数を減少させる。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
従って、本発明は、第１の支持体に支持された多層構造体を製造する製造方法を提供する。該製造方法は、ヤング率Ev及び厚さevを有する第１の材料から形成された前記第１の支持体、及び、前記多層構造体を支持してヤング率Evとは異なるヤング率Es及び厚さesを有する第２の材料から形成された第２の支持体を準備する工程、前記第１の支持体と、前記第２の支持体に支持された前記多層構造体とを分子結合によって結合する結合工程、及び前記第２の支持体を除去する工程を順次的に有し、厚さes及び厚さevは、es＝Ev／Es・evの関係式を１０％の範囲内で満たす。
【００１８】
本発明の実施形態によれば、前記第２の支持体は、厚さesより大きな厚さを最初に有しており、前記製造方法は、前記結合工程の前に、前記第２の支持体を厚さesまで薄くする工程を更に有する。
【００１９】
本発明の実施形態によれば、厚さes及び厚さevは50μｍより大きい。
【００２０】
本発明の実施形態によれば、前記第２の材料は単結晶シリコンである。
【００２１】
本発明の実施形態によれば、前記第１の材料は絶縁性を有する。
【００２２】
本発明の実施形態によれば、前記第１の材料は透明である。
【００２３】
本発明の実施形態によれば、前記第１の材料はガラスである。
【００２４】
本発明は更に、上記の製造方法に用いられる第２の支持体であって、ヤング率Ev及び厚さevを有する第１の材料から形成された第１の支持体のヤング率Evとは異なるヤング率Esと、es＝Ev／Es・evの関係式を１０％の範囲内で満たす厚さesとを有する第２の材料から形成されていることを特徴とする第２の支持体を提供する。
【００２５】
本発明の実施形態によれば、前記第２の材料は単結晶シリコンである。
【００２６】
本発明の前述及び他の対象、特徴及び利点を、添付図面を参照して本発明を限定するものではない特定の実施形態について以下に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１Ａ】集積回路ウエハを絶縁性支持体に製造する公知の方法の順次的な工程で得られた構造体を示す図である。
【図１Ｂ】集積回路ウエハを絶縁性支持体に製造する公知の方法の順次的な工程で得られた構造体を示す図である。
【図１Ｃ】集積回路ウエハを絶縁性支持体に製造する公知の方法の順次的な工程で得られた構造体を示す図である。
【図２Ａ】本発明に係る、集積回路ウエハを絶縁性支持体に製造する方法の実施形態の順次的な工程で得られた構造体を示す図である。
【図２Ｂ】本発明に係る、集積回路ウエハを絶縁性支持体に製造する方法の実施形態の順次的な工程で得られた構造体を示す図である。
【図２Ｃ】本発明に係る、集積回路ウエハを絶縁性支持体に製造する方法の実施形態の順次的な工程で得られた構造体を示す図である。
【図２Ｄ】本発明に係る、集積回路ウエハを絶縁性支持体に製造する方法の実施形態の順次的な工程で得られた構造体を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
明瞭化のために、同一の要素は様々な図面で同一の参照番号で示されており、更に、集積回路の表示ではよくあるように、様々な図面は正しい縮尺で示されていない。
【００２９】
本発明の原理は、異なる性質の材料を有する２つの支持体の分子結合処理中に生じる物理的現象の分析に基づいている。結合領域の伝播先端で、支持体の局部伸張が観察され得る。支持体の材料のヤング率が異なるとき、生じる局部変形は同一ではない。最も低いヤング率を有する支持体の結合面は、最も高いヤング率を有する支持体の結合面より大きく伸びる。その後、支持体が変形している間に結合が生じる。２つの支持体を結合し、支持体の内の一方を除去して他方の支持体に結合した薄い層のみを残した後、薄い層に変形が観察され得る。
【００３０】
一般に、集積回路ウエハをガラス製の最後の支持体に結合する際に、集積回路ウエハは最初の支持体上に位置し、最初の支持体は単結晶シリコン基板であり、その後除去される。本発明者は、集積回路ウエハを最後の支持体に分子結合により結合している間に、集積回路ウエハに観察される変形が本質的には、集積回路ウエハを最後の支持体に当接させるために使用される最初の支持体の材料の性質によるものであることを証明した。確かに、集積回路ウエハの厚さは、最初の支持体の厚さと比較して小さく、無視される場合がある。ガラスのヤング率はシリコンのヤング率より小さく、そのため、結合後に結合面と平行な集積回路ウエハの面に好ましくない拡大が観察され得る。
【００３１】
最後の支持体と最初の支持体との結合段階中に、各支持体に蓄えられる弾性エネルギーは等しく、以下の関係式（１）として置き換えられる。
１／２VvEvεv   ＝  １／２VsEsεs       （１）
ここで、Vvが最後の支持体の体積であり、Vsが最初の支持体の体積であり、Evが最後の支持体のヤング率であり、Esが最初の支持体のヤング率であり、εv が最後の支持体の変形量であり、εs が最初の支持体の変形量である。ヤング率Ev及びヤング率Esは、結合面と平行な面で測定されたヤング率である。支持体の内の一方のヤング率が、結合面と平行な面で一定ではないことがある。この場合、関係式（１）のヤング率Es又はヤング率Evは平均値に相当する。
【００３２】
最後の支持体の変形量εv 及び最初の支持体の変形量εs が等しい場合、これは、結合後に最初の支持体及び最後の支持体が変形なしの平衡状態になることを意味すると、本発明者は証明した。最後の支持体の体積Vv及び最初の支持体の体積Vsが以下の関係式（２）を満たす場合、最後の支持体の変形量εv を最初の支持体の変形量εs と等しくさせることが可能である。
VvEv  ＝  VsEs      （２）
【００３３】
最初の支持体及び最後の支持体が同一の対向する表面積を有する場合、関係式（２）が以下の関係式（３）になる。
es  ＝  Ev／Es・ev      （３）
ここで、esが最初の支持体の厚さであり、evが最後の支持体の厚さである。一般に、集積回路ウエハをガラス製の支持体に形成するために、ガラス製の支持体のヤング率は約70GPa である一方、単結晶シリコン製の最初の支持体のヤング率は約140GPaである。その結果、最初の支持体の厚さesは、以下の関係式（４）によって得られる。
【００３４】
【数１】
0005770949.tif 000002
【００３５】
実施形態によれば、厚さes及び厚さevが上記の関係式（３）を１０％の範囲内で満たすように、最初の支持体の厚さes及び最後の支持体の厚さevを決定する工程が提供される。この工程はコンピュータによって実行されてもよい。
【００３６】
図2A乃至2Dは、本発明に係る、集積回路ウエハを絶縁支持体に製造する方法の実施形態の順次的な工程で得られた構造体を示す図である。
【００３７】
図2Aは、図1Aに示された構造体と同一の構造体10を示す。最初の支持体12の厚さe1は、例えば約700 マイクロメートルである。この厚さは、集積回路の製造方法で従来使用されているシリコン基板の標準的な厚さに相当する。
【００３８】
図2Bは、最初の支持体12を薄くする工程の後に得られた構造体を示す。この工程は化学機械的な調整によって行われてもよい。中間の支持体12の厚さは関係式（４）によって与えられる厚さesまで減少する。十分な結果が与えられている限り、関係式（４）を１０％の範囲内で満たしてもよい。一例として、ガラス製の最後の支持体30の厚さevが約700 μｍである場合、厚さesは約350 μｍに減少する。
【００３９】
図2Cは、表面28及び表面32を分子結合により結合した後に得られた構造体を示す。最後の支持体30は絶縁性を有する透明材料から形成されている。最後の支持体30は、例えばガラスである。最後の支持体30は、例えばイーグル2000（Eagle 2000）という商標名でコーニング社（Corning）によって製品化されているホウケイ酸ガラスである。
【００４０】
分子結合の方法は、公知のように、結合されるべき表面28及び表面32を準備する準備工程を有してもよい。必要であれば、表面28及び表面32の粗さが分子結合の処理に適するように加工が行われてもよい。表面28及び表面32に存在し直径が例えば0.2 μｍより大きい粒子の大部分を除去するために、準備工程は表面28及び表面32の清浄を更に有してもよい。準備工程は、親水性又は疎水性の分子結合を促進すべく表面28及び表面32の化学処理を更に有してもよい。
【００４１】
結合は、周囲温度で行なわれてもよい。結合は、表面28及び表面32を互いに当接させて載置し、支持体の内の一方に局所圧力を加えることにより開始されてもよい。その後、結合は開始領域で開始し、結合する伝播先端が開始領域から、表面28が表面32に全体的に結合されるまで拡がる。支持体30及び支持体12が円筒状であるとき、開始領域は、表面28及び表面32の中央領域に設けられてもよい。変形例として、開始領域は表面28及び表面32の一側に設けられてもよい。その後、アニール工程が、使用される材料に許容されている最高温度より低い温度で行なわれてもよい。最後の支持体30がガラスから形成されているとき、アニールは、結合エネルギーを増大させるために、400 ℃から500 ℃の温度まで少なくとも１時間、一般には複数時間に亘って行われてもよい。
【００４２】
図2Dは、最初の支持体12を除去した後に得られた構造体を示す。最初の支持体12の除去は、最初の支持体12の大部分を除去するための化学機械的な調整工程と、該調整工程の後の、最初の支持体12の残りを除去するための選択的な化学エッチング工程とを有してもよい。絶縁層14は、最初の支持体12を除去する際に停止層として使用されてもよい。結合処理に起因する集積回路ウエハ16の相対的な変形は、５ppm 未満である。
【００４３】
本方法では一般に、絶縁層14及びシリコン層18を介した導電性バイアの形成を続行する。
【００４４】
本発明の特定の実施形態を説明した。様々な変更及び調整が当業者に想起される。特に、上述した実施形態では、最後の支持体がガラスから形成されており、最初の支持体がシリコンから形成されているが、本発明は、様々なヤング率を有するあらゆる種類の材料の分子結合に適用され得ることは明らかである。例として、最初の支持体及び／又は最後の支持体が、半導体材料、例えばシリコン、ゲルマニウム又は砒化ガリウムから形成されてもよく、絶縁材料、例えば石英又はサファイアから形成されてもよく、或いは、ハンドル基板を形成するために使用され得るあらゆる他の安価な材料、例えばポリマーから形成されてもよい。更に、上述した実施形態では、最初の支持体の厚さが厚さesまで減少しているが、最後の支持体のみ、又は最初の支持体及び最後の支持体の両方に厚さ調整工程が行なわれてもよいことは明らかである。
【図１Ａ】
0005770949.tif 000003
【図１Ｂ】
0005770949.tif 000004
【図１Ｃ】
0005770949.tif 000005
【図２Ａ】
0005770949.tif 000006
【図２Ｂ】
0005770949.tif 000007
【図２Ｃ】
0005770949.tif 000008
【図２Ｄ】
0005770949.tif 000009