(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱を電気に変換する熱電変換装置であって、
柔軟性の基板と、
前記基板の内部に設けられた熱電変換部材と、
前記基板の主面に設けられた、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなる突起部と
を含み、
前記突起部は、前記基板内に一部埋設されると共に前記主面から一部突出しており、前記熱電変換部材の一部と離間して対向し、
隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙が形成されることを特徴とする熱電変換装置。
【請求項２】
前記基板の前記主面に設けられた、前記突起部の突出部位と熱的に接触する接触板を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の熱電変換装置。
【請求項３】
熱を電気に変換する熱電変換装置であって、
柔軟性の基板と、
前記基板の主面に設けられており、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなり、表面に突起部が形成された接触板と
を含み、
前記接触板は、前記突起部が一部残るように前記基板内に埋没させて接合されており、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙が形成されていることを特徴とする熱電変換装置。
【請求項４】
前記突起部は、前記主面からの突出量ｖが、
ｖ≧ｄ＝ＰＬ1Ｌ23／（２Ｅｈ3）
により規定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱電変換装置。
但し、隣り合う前記突起部間における前記基板の撓み量をｄ、前記突起部の幅をＬ1、平面視において隣り合う前記突起部間の隙間をＬ2、前記基板の厚みをｈ、当該熱電変換装置の等価縦弾性率をＥ、前記突起部の上面に加わる圧力をＰとする。
【請求項５】
熱を電気に変換する熱電変換装置の製造方法であって、
柔軟性の基板の主面に、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなる突起部を設けるに際して、前記突起部を前記基板内に一部埋設させると共に前記主面から一部突出させ、前記基板の内部に配置される熱電変換部材の一部と離間して対向するように配置し、
隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙を形成することを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
【請求項６】
熱を電気に変換する熱電変換装置の製造方法であって、
柔軟性の基板の主面に、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなり、表面に突起部が形成された接触板を、前記突起部が一部残るように埋没させて接合し、
隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙を形成することを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度差を利用して熱を電気に変換する熱電変換装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、熱電変換装置として、ＢｉＴｅ等の半導体材料を利用した、いわゆるペルチェ素子が利用されている。通常、ペルチェ素子は、２枚のセラミック板にＢｉＴｅ等のＰ型及びＮ型半導体が挟持され、各半導体が電気的に直列接続されている。ペルチェ素子に電流を流すと、電流の向きに応じて、Ｐ型及びＮ型半導体の端部にそれぞれ温度差が発生する。これら２種類の半導体では、それぞれ電流の流れる方向と発生する温度差の方向とが逆転している。一定方向に電流を流した際に、高温になるＰＮ接続部と低温になるＰＮ接合部が、ペルチェ素子の表面と裏面に対応するように配置されている。そのため、ペルチェ素子に電流を流すと、表面及び裏面のうち一方の面では高温になり、他方の面では低温となる。
【０００３】
ペルチェ素子では、表面と裏面との間に温度差を付与すると、逆に熱から直接的に発電できる熱電デバイスとして動作することが知られている。これは、半導体材料中に温度差を付与すると、当該温度差に比例した電圧が発生するゼーベック効果によるものであり、このゼーベック効果を利用して熱から電気に直接的に変換する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１８６２５５号公報
【特許文献２】特開２００１−３３２７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のように、硬質のセラミック板を用いた熱電変換装置では、例えば人体等のカーブした形状の場所に装着するには実装上の工夫が必要であり、またサイズが大きく扱い難いという問題がある。そこで近時では、柔軟性に富んだ基材に熱伝導の工夫をし、上下面に付与された温度差を面内の温度差に変換する熱電変換装置が案出されている（特許文献１を参照）。
【０００６】
ところが上記の技術では、熱電変換装置の表面における断熱を要する部位の断熱が不十分であり、熱変換効率の低下及び発電量の低下を招来するという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、薄型・軽量で柔軟なデバイス構造を得るも、簡素な構成で熱電変換装置の表面における断熱を要する部位の可及的な断熱を達成して、熱電変換効率を向上して発電量の大幅な増加を実現する信頼性の高い熱電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
熱電変換装置の一態様は、熱を電気に変換する熱電変換装置であって、柔軟性の基板と、前記基板の内部に設けられた熱電変換部材と、前記基板の主面に設けられた、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなる突起部とを含み、前記突起部は、前記基板内に一部埋設されると共に前記主面から一部突出しており、前記熱電変換部材の一部と離間して対向し、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙が形成される。
熱電変換装置の一態様は、熱を電気に変換する熱電変換装置であって、柔軟性の基板と、前記基板の主面に設けられており、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなり、表面に突起部が形成された接触板とを含み、前記接触板は、前記突起部が一部残るように前記基板内に埋没させて接合されており、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙が形成されている。
【０００９】
熱電変換装置の製造方法の一態様は、熱を電気に変換する熱電変換装置の製造方法であって、柔軟性の基板の主面に、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなる突起部を設けるに際して、前記突起部を前記基板内に一部埋設させると共に前記主面から一部突出させ、前記基板の内部に配置される熱電変換部材の一部と離間して対向するように配置し、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙を形成する。
熱電変換装置の製造方法の一態様は、熱を電気に変換する熱電変換装置の製造方法であって、柔軟性の基板の主面に、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなり、表面に突起部が形成された接触板を、前記突起部が一部残るように埋没させて接合し、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙を形成する。
【発明の効果】
【００１０】
上記の諸態様によれば、薄型・軽量で柔軟なデバイス構造を得るも、簡素な構成で熱電変換装置の表面における断熱を要する部位の可及的な断熱を達成して、熱電変換効率を向上して発電量を大幅に増加させる信頼性の高い熱電変換装置が実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態による熱電変換装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】第１の実施形態による熱電変換装置の使用状態を説明するための概略断面図である。
【図３】発電量を調べた際に用いた熱電変換装置を示す概略断面図である。
【図４】熱電変換装置の発電量を調べた結果を示す特性図である。
【図５】第１の実施形態による熱電変換装置において、実験に用いた計算モデルを示す概略断面図である。
【図６】応力シミュレーションの結果と撓み量とを比較した特性図である。
【図７】グリースの塗布量を変えた様子を示す概略断面図である。
【図８】熱電変換装置の出力電圧を示す特性図である。
【図９】第１の実施形態による熱電変換装置の製造方法を工程順に説明する模式図である。
【図１０】図９に引き続き、第１の実施形態による熱電変換装置の製造方法を工程順に説明する模式図である。
【図１１】図１０に引き続き、第１の実施形態による熱電変換装置の製造方法を工程順に説明する模式図である。
【図１２】図１１に引き続き、第１の実施形態による熱電変換装置の製造方法を工程順に説明する模式図である。
【図１３】第１の実施形態の変形例による熱電変換装置を示す模式図である。
【図１４】第２の実施形態による熱電変換装置の製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図１５】図１４に引き続き、第２の実施形態による熱電変換装置の製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、熱電変換装置及びその製造方法の具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】
−第１の実施形態−
図１は、第１の実施形態による熱電変換装置の概略構成を示す模式図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）の破線Ｉ−Ｉ'に沿った断面図である。なお、図１（ａ）では、図面の見易さを考慮して、第２の基板を除いた状態を示している。
【００１４】
（熱電変換装置の構成）
この熱電変換装置は、フィルム状基板１と、フィルム状基板１の内部に設けられた熱電変換部材２と、フィルム状基板１の第１の主面１ａ及び第２の主面１ｂに設けられた複数の突起部３ａ，３ｂとを備えて構成されている。
【００１５】
フィルム状基板１は、第１の基板１Ａと第２の基板１Ｂとを有して構成されており、柔軟性（フレキシブル性）に富んだ可撓性及び絶縁性の材料からなるものである。当該材料としては、例えば、ポリイミド、カプトン、ポリカーボネート、ポリエチレン、ＰＥＴ（ポリエチレンテフタレート）、ＰＥＳ（ポリサルフォン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエチルケトン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）等から選択される。本実施形態では、ポリイミドを用いる場合を例示する。当該材料については、熱電変換部材の成膜条件（温度、脱ガス等）に合致するか否か、熱電変換装置の使用条件に合致するか否か、所期のコスト条件に見合うか否か等を基準として選択する。フィルム状基板１では、第１の基板１Ａと第２の基板１Ｂとで異なる材料を用いることもできる。
【００１６】
熱電変換部材２は、第１の基板１Ａの裏面上に、導電型の相異なる帯状のＰ型部材２ａ及びＮ型部材２ｂが複数交互に直列接続されて構成される。Ｐ型部材２ａとＮ型部材２ｂとの間は、接続部２ｃと接続部２ｄとで交互に接続されており、Ｐ型部材２ａ及びＮ型部材２ｂが第１の基板１Ａの裏面上で蛇行配置され、一方の端部に端子２ｅが、他方の端部に端子２ｆが設けられている。
【００１７】
Ｐ型部材２ａは、Ｐ型半導体の熱電材料、ここではクロメルからなる。Ｎ型部材２ｂは、Ｎ型半導体の熱電材料、ここではコンスタンタンからなる。Ｐ型及びＮ型部材２ａ，２ｂの材料としては、クロメル及びコンスタンタン以外に、例えば以下のものが適用可能である。ＢｉＴｅ系としては、ＢｉＴｅ，ＳｂＴｅ，ＢｉＳｅ及びこれらの化合物等が挙げられる。ＰｂＴｅ系としては、ＰｂＴｅ，ＳｎＴｅ，ＡｇＳｂＴｅ，ＧｅＴｅ及びこれらの化合物等が挙げられる。Ｓｉ−Ｇｅ系としては、Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ等が挙げられる。シリサイド系としては、ＦｅＳｉ，ＭｎＳｉ，ＣｒＳｉ等が挙げられる。スクッテルダイト系としては、ＭＸ３，ＲＭ４Ｘ１２と記載される化合物等が挙げられる。ここで、ＭはＣｏ，Ｒｈ，Ｉｒを表し、ＸはＡｓ，Ｐ，Ｓｂを表し、ＲはＬａ，Ｙｂ，Ｃｅを表す。遷移金属酸化物系としては、ＮａＣｏＯ，ＣａＣｏＯ，ＺｎＩｎＯ，ＳｒＴｉＯ，ＢｉＳｒＣｏＯ，ＰｂＳｒＣｏＯ，ＣａＢｉＣｏＯ，ＢａＢｉＣｏＯ等が挙げられる。亜鉛アンチモン系としては、ＺｎＳｂ等が挙げられる。ホウ素化合物としては、ＣｅＢ，ＢａＢ，ＳｒＢ，ＣａＢ，ＭｇＢ，ＶＢ，ＮｉＢ，ＣｕＢ，ＬｉＢ等が挙げられる。クラスタ固体としては、Ｂクラスタ，Ｓｉクラスタ、Ｃクラスタ，ＡｌＲｅ，ＡｌＲｅＳｉ等が挙げられる。酸化亜鉛系としては、ＺｎＯ等が挙げられる。また、カーボンナノチューブ等も適用できる。
【００１８】
接続部２ｃ，２ｄ及び端子２ｅ，２ｆは、熱伝導性の高い導電材料、例えば銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）又はこれらの合金等、ここではＣｕからなる。
【００１９】
第１の基板１Ａの裏面上に、熱電変換部材２を挟持するように第２の基板１Ｂの裏面が接合される。これにより、内部に熱電変換部材２を有する構成にフィルム状基板１が形成される。
【００２０】
突起部３ａは、接続部２ｃの下方に位置整合する箇所に、一部が第１の主面１ａから外方に突出するように設けられている。左端部位の突起部３ａは、形状の異なる接続部２ｃ及び端子２ｅの下方に位置整合する箇所に、一部が第１の主面１ａから突出するように設けられている。右端部位の突起部３ａは、形状の異なる接続部２ｃ及び端子２ｆの下方に位置整合する箇所に、一部が第１の主面１ａから突出するように設けられている。突起部３ａの当該突出部分を３ａ１とする。突出部分３ａ１により、隣り合う突起部３ａ間の第１の主面１ａの領域には空隙１０ａが形成される。突起部３ａは、平面視では、一列の接続部２ｃ上でこれらを包含するように、例えば図１（ａ）の破線枠で示す矩形状に形成される。
【００２１】
突起部３ｂは、接続部２ｄの上方に位置整合する箇所に、一部が第２の主面１ｂから外方に突出するように設けられている。突起部３ｂの当該突出部分を３ｂ１とする。突出部分３ｂ１により、隣り合う突起部３ｂ間の第２の主面１ｂの領域には空隙１０ｂが形成される。突起部３ｂは、平面視では、一列の接続部２ｄ上でこれらを包含するように、例えば図１（ａ）の破線枠で示す矩形状に形成される。
【００２２】
突起部３ａ，３ｂは、フィルム状基板１の材料よりも熱伝導性の高い材料、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの合金等、ここではＣｕからなる。これらの金属又は合金以外にも、例えば高熱伝導性の樹脂材料を用いることもできる。また、銀ペースト及び銅ペースト等は接着剤として用いられる材料であるが、熱伝導率が高く扱いが容易であるため、突起部３ａ，３ｂの材料として用いることが可能である。
【００２３】
本実施形態による熱電変換装置では、図２のように、フィルム状基板１の第１の主面１ａ側における突起部３ａの先端面が高温源１１と接触し、第２の主面１ｂ側における突起部３ｂの先端面が高温源１１よりも低温の低温源１２と接触する。勿論、突起部３ａの先端面に低温源が、突起部３ｂの先端面に高温源がそれぞれ接触するようにしても良い。
【００２４】
フィルム状基板１の材料、ここではポリイミドの熱伝導率は極めて低いのに対して、突起部３ａ，３ｂの材料、ここではＣｕの熱伝導率は極めて高い。熱電変換装置の第１の主面１ａと第２の主面１ｂとの間に高温源１１と低温源１２とにより温度差が与えられた場合を考察する。
【００２５】
突起部３ａは接続部２ｃ及び端子２ｅ，２ｆと位置整合して、突起部３ｂは接続部２ｄと位置整合して、それぞれ配されている。隣り合う突起部３ａ間の第１の主面１ａの領域には空隙１０ａが、隣り合う突起部３ｂ間の第２の主面１ｂの領域には空隙１０ｂがそれぞれ形成されている。フィルム状基板１の第１の主面１ａ側では、突起部３ａの先端面に高温源１１が接触し、隣り合う突起部３ａ間では高温源１１はフィルム状基板１と非接触で空隙１０ａが維持される。空隙１０ａでは略完全な断熱状態とされているため、高温源１１の熱は、空隙１０ａにおけるフィルム状基板１には伝達することなく、突起部３ａのみから接続部２ｃに伝達される。同様に、フィルム状基板１の第２の主面１ｂ側では、突起部３ｂの先端面に低温源１２が接触し、隣り合う突起部３ｂ間では低温源１２はフィルム状基板１と非接触で空隙１０ｂが維持される。空隙１０ｂでは略完全な断熱状態とされているため、低温源１２の熱は、空隙１０ｂにおけるフィルム状基板１には伝達することなく、突起部３ｂのみから接続部２ｄに伝達される。
【００２６】
熱電変換部材２では、Ｐ型及びＮ型部材２ａ，２ｂの一端には極めて高い効率で高温源１１の熱が伝達され、他端には極めて高い効率で低温源１２の熱が伝達される。これにより、Ｐ型及びＮ型部材２ａ，２ｂが交互に直列接続されてなる熱電変換部材２では、例えば図１（ａ）のように温度差が生じ、ゼーベック効果により発電する。その電流は、直列接続されたＰ型及びＮ型部材２ａ，２ｂを通じて端子２ｅ，２ｆから取り出される。このように、本実施形態による熱電変換装置では、極めて高い熱伝導効率を実現して発電量を大幅に増加させることができる。
【００２７】
（熱電変換装置に関する実験）
以下、上記のように構成された本実施形態による熱電変換装置に関して行った各種の実験結果について説明する。
【００２８】
［実験１］
本実施形態による熱電変換装置の発電量について、比較例との比較に基づいて調べた実験結果について説明する。
図３は、発電量を調べた際に用いた熱電変換装置を示す概略断面図であり、比較例を（ａ）に、第１の実施形態で適正圧力による場合を（ｂ）に、第１の実施形態で過大な圧力による場合を（ｃ）に、それぞれ示す。各図において、一例として、高温源１１は１００℃、低温源１２は０℃とされている。
図４は、熱電変換装置の発電量を調べた結果を示す特性図であり、比較例の結果を（ａ）に、第１の実施形態で適正な圧力による結果を（ｂ）に、第１の実施形態で過大な圧力による結果を（ｃ）に、それぞれ示す。
【００２９】
図３（ａ）では、比較例の熱電変換装置を示している。突起部３ａ，３ｂがフィルム状基板１内に埋設されており、突起部３ａ，３ｂの先端面と第１及び第２の主面１ａ，１ｂとが同一面とされている。そのため、高温源１１は突起部３ａを含む第１の主面１ａと、低温源１２は突起部３ｂを含む第２の主面１ｂと、それぞれ接触する。その他の構成については、図１に示した本実施形態による熱電変換装置と同様である。
【００３０】
図３（ｂ）では、本実施形態による熱電変換装置の適正な使用状況を示している。高温源１１又は低温源１２から通常想定される適正な圧力が印加された場合には、高温源１１は突起部３ａのみと、低温源１２は突起部３ｂのみと接触し、空隙１０ａ，１０ｂが維持される。
【００３１】
図３（ｃ）では、本実施形態による熱電変換装置の不適正な使用状況を示している。高温源１１又は低温源１２から通常想定外の過大な圧力、例えば１ＭＰa程度以上の圧力が印加された場合には、フィルム状基板１が変形して空隙１０ａ，１０ｂが維持できなくなり、第１、第２の主面１ａ，１ｂで高温源１１、低温源１２と接触する箇所が生じる。なお、このように変形する圧力は後述するように、フィルムの形状等によって変化する。
【００３２】
図４に示すように、図３（ａ）の比較例では、高温源１１は突起部３ａ及びフィルム状基板１と、低温源１２は突起部３ｂ及びフィルム状基板１と、それぞれ接触する。この場合、突起部３ａ，３ｂのみならずフィルム状基板１も、高温源１１及び低温源１２からの熱伝導に寄与する。そのため、熱電変換部材２に生じる温度差は約５８℃となり、得られる電力は少ない。
【００３３】
これに対して、図３（ｂ）の本実施形態では、高温源１１は突起部３ａのみと、低温源１２は突起部３ｂのみとそれぞれ接触し、空隙１０ａ，１０ｂは維持されて断熱状態に保たれている。そのため、熱電変換部材２には低温源１２と高温源１１との温度差がほぼそのまま伝達し、熱電変換部材２に生じる温度差は略１００℃となり、理想的な熱伝導効率が実現する。これにより、得られる電力は多く、比較例の２倍に近い高値となる。
【００３４】
一方、図３（ｃ）の本実施形態では、例えば高温源１１からの過大な圧力により、第１及び第２の主面１ａ，１ｂで高温源１１及び低温源１２と接触する箇所が生じる。この場合には、熱伝導効率が低下して得られる電力は少ない。しかしながら、本実施形態による熱電変換装置の通常想定される圧力範囲内であれば、空隙１０ａ，１０ｂは十分維持されることから、図３（ｂ）のように良好な結果が得られるものと考えられる。
【００３５】
［実験２］
本実施形態による熱電変換装置において、図３（ｂ）のような良好な状態を保持するための、突起部３ａ，３ｂの突出量について、比較例との比較に基づいて調べた実験結果について説明する。この実験は、数値計算を用いた応力シミュレーションによるものである。
【００３６】
実験に用いた計算モデルを図５に示す。図５では、熱電変換部材の図示は省略する。熱電変換装置の幅及び長さは、その膜厚（例えば１００μｍ程度）に比べて大きい。そこで、２次元モデルを用いた。熱電変換部材、突起部等としては、同じサイズのパターンが並列するため、パターンの１周期のみを抽出した周期境界条件を用いて数値計算した。
【００３７】
応力シミュレーションの計算モデルでは、突起部３ａ，３ｂの突出量をｖとする。隣り合う突起部間におけるフィルム状基板１の撓み量をｄ、突起部の幅（縦幅）をＬ1、平面視において隣り合う突起部３ａと突起部３ｂとの間の隙間をＬ2、フィルム状基板の厚みをｈ、熱電変換装置の等価縦弾性率をＥ、突起部の先端面に加わる圧力をＰとする。
【００３８】
フィルム状基板１の中には、熱電変換部材２、第１の基板１Ａと第２の基板１Ｂとを接着させる接着部材等が含まれている。そのため、熱電変換装置の等価縦弾性率については、これらの様々な材料を組み合わせた等価的な縦弾性率を用いることを意味している。現実的には熱電変換部材の厚みは数μｍであり、フィルム状基板で占める体積比率は極小さい。また、接着部材の厚みは高々数１０μｍ以下であって、しかも通常は先に挙げたような低熱伝導性でフレキシブルなフィルム状基板は、接着部材と類似する有機材料が用いられる場合が多い。そのため、等価縦弾性率が正確に把握できないような場合には、フィルム状基板として用いている材料の弾性率を近似的に用いても殆ど問題とならない。
【００３９】
数値計算においては、突起部３ａ，３ｂの材料には銅を、フィルム状基板１の材料にはポリイミドをそれぞれ仮定し、等価的な縦弾性率Ｅは３．５ＧＰａの値を用いた。このような条件で圧力Ｐを印加すると、先ず外側に突出した突起部が内側に押される。突起部は、Ｃｕ，Ａｌを主成分とする金属等の高熱伝導性の材料を用いて形成される。このような材料は、フィルム状基板の低熱伝導性の材料と比べて弾性率が大きい。そのため、内側に押された突起部は殆ど変形せず、弾性率が小さなフィルム状基板が変形して圧力に対応することになる。この場合、先端面から押圧された突起部及びその下にあるフィルム状基板が下方に移動して撓む。圧力が徐々に大きくなるにつれて撓み量が増加し、フィルム状基板の一部が熱源に接触することになる。
【００４０】
従って、所定の圧力が印加された時に生じる撓み量を把握することができれば、突出量が当該撓み量よりも大きくなるように、予め突起部を設計・形成しておけば良いことになる。撓み量の算出としては、ここで用いるような応力シミュレーションを利用して厳密に算出しても良いが、時間・工数を要するために必ずしも実用的とは言えない。そこで、撓み量を必要な精度で簡便に算出できる手法があれば非常に便宜に資する。本実施形態では、この撓み量ｄを、以下の近似式で表すことができることを見出した。
ｄ＝ＰＬ1Ｌ23／（２Ｅｈ3）  （１）
【００４１】
この（１）式は、例えば両端が固定保持された梁の中央部に荷重が加わった場合のたわみ量の公式（文献：機械工学便覧  基礎編  A4  材料力学  日本機械学会編）に基づいて導出される近似式である。
【００４２】
図６は、応力シミュレーションの結果と（１）式による撓み量とを比較した特性図である。突起部の幅Ｌ1を（ａ）１０００μｍ、（ｂ）５００μｍ、（ｃ）２５０μｍとした各場合において、フィルム状基板の厚みｈを４０μｍ〜２４０μｍとしたときに、隙間Ｌ2を２００μｍ〜１２００μｍとしたときの撓み量ｄの変化を示している。図６の各プロットは数値シミュレーションによる撓み量を表しており、曲線は（１）式による近似値である。図３（ａ）〜（ｃ）によれば、撓み量が概ね５μｍ以下のごく小さい範囲では応力シミュレーションの結果と近似式とで誤差があるものの、 撓み量が２０μｍ以上の実用的な範囲では、数多くのパラメータに対して近似式は応力シミュレーションの傾向を良く再現していることが判る。数式（１）では、撓み量ｄを熱電変換装置の各種寸法、材料定数から容易に算出することができるため、多くの工数を要する応力シミュレーションよりも実用的で利用価値が高い。従って、現実的な設計において数式（１）を利用することにより、工数を大きく削減することができ、製造コストの低減にもつながる。
【００４３】
以上により、図３（ｂ）のような良好な状態を保持するためには、第１及び第２の主面１ａ，１ｂからの突出量ｖが、以下の（２）式のように、撓み量ｄ以上となるように、突起部３ａ，３ｂを形成すれば良いことが判る。
ｖ≧ｄ＝ＰＬ1Ｌ23／（２Ｅｈ3）  （２）
上記のように突出量ｖを規定した突起部３ａ，３ｂを設けることにより、極めて高い熱伝導効率を実現して発電量を大幅に増加させる熱電変換装置を確実に得ることができる。
【００４４】
［実験３］
本実施形態による特定の構成とされた熱電変換装置において、熱電変換装置と熱源との間に付与するグリースの量を変え、実質的に撓み量に見立てて出力電圧を調べた実験結果について説明する。
【００４５】
実験２の応力シミュレーションにおける図５と同様の熱電変換装置を用い、突起部の幅Ｌ1＝１ｍｍ、隙間Ｌ2＝１ｍｍ、フィルム状基板の厚みｈ＝９６μｍ、等価縦弾性率Ｅ＝３．５ＧＰａである。熱源の温度としては、低温源が０℃、高温源が１００℃とされている。突起部の突出量ｖを３０μｍとし、圧力Ｐ＝３０ｋｇ重を加えた。
この場合、数式（１）から算出される撓み量ｄは１９μｍである。突出量ｖは当該撓み量ｄよりも大きいため、フィルム状基板は変形するものの、空隙の底面が熱源と接触することはなく、熱電変換装置の良好な状態が保持される。
【００４６】
熱電変換装置では、熱源と熱的に密接な接触を保つため、突起部の先端面に薄くグリースを塗布する。図７は、実験３においてグリースの塗布量を変えた様子を示す概略断面図である。図７では、熱電変換部材の図示は省略する。（ａ）が突起部の先端面のみにグリースを塗布した場合を、（ｂ）が突起部の先端面からグリースが若干はみ出して空隙の底面と接触が見られる場合を、（ｃ）が空隙をグリースで埋め込むように全面塗布した場合を、それぞれ示す。
【００４７】
図７（ａ）の場合では、グリースが少量であることから、圧力が印加されてもグリースが突起部からはみ出ることはない。そのため、好適な条件が成り立ち、フィルム状基板は熱源に接触することなく、空隙が保持される。このときの出力電圧は、図８に示すように９ｍＶ程度と認められる。
【００４８】
図７（ｂ）の場合では、グリースが若干多く一部で空隙の底面と接触することから、（ａ）の場合と比較して熱伝導効率が低下する。このときの出力電圧は７．８ｍＶ程度となり、（ａ）の場合よりも低い。
図７（ｃ）の場合では、空隙がグリースで充填されてフィルム状基板と完全に接触し、ィルム状基板がグリースを介して熱源と熱的に接触した状態となっている。このときの出力電圧は６ｍＶ程度まで低下している。
【００４９】
グリースの量が少ない図７（ａ）の状態で、撓み量ｄが式（１）で算出される値と大きく異なってフィルム状基板が熱源と接触している場合には、図８のような傾向は見られない。以上より、式（１），（２）が高い熱伝導効率を得るための目安として成立していることが判る。
【００５０】
（熱電変換装置の製造方法）
以下、本実施形態による熱電変換装置の製造方法について説明する。
図９〜図１３は、第１の実施形態による熱電変換装置の製造方法を工程順に説明する模式図である。図９の各図は断面図であり、図１０〜図１３において、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）の破線Ｉ−Ｉ'に沿った断面図である。
【００５１】
先ず、図９（ａ）に示すように、ポリイミド基材２１を用意する。ポリイミド基材２１の表面（第１の主面）には６０μｍ程度の厚みに銅箔２２が設けられている。
【００５２】
続いて、図９（ｂ）に示すように、突起部３ａを形成する。
詳細には、銅箔２２をリソグラフィー及びドライエッチングにより加工し、複数の突起部３ａを形成する。突起部３ａは、横幅１ｍｍ程度、縦幅１μｍ程度の大きさに形成される。
【００５３】
続いて、図９（ｃ）に示すように、ポリイミド膜２３を形成する。
詳細には、突起部３ａを一部埋め込むように、ポリイミド基材２１上の突起部３ａ間の部位に熱硬化性の液状のポリイミドを滴下し、熱処理してポリイミド膜２３を形成する。ポリイミド膜２３は、その表面から突起部３ａの一部が所期量だけ突出するように、例えば２５μｍ程度の厚みに形成する。これにより、ポリイミド基材２１及びポリイミド膜２３から第１の基板１Ａが構成される。突起部３ａは、２５μｍ程度が第１の基板１Ａ内に埋め込まれ、第１の基板１Ａの表面から３５μｍ程度だけ突出する状態となる。突起部３ａの突出部分３ａ１により、隣り合う突起部３ａの第１の主面１ａの領域には空隙１０ａが形成される。
【００５４】
フィルム状基板の第２の基板１Ｂについても同様に、図９（ａ）〜図９（ｃ）の諸工程により形成される。突起部３ｂは、２５μｍ程度が第２の基板１Ｂ内に埋め込まれ、３５μｍ程度第２の基板１Ｂの表面から突出する状態となる。突起部３ｂの突出部分３ｂ１により、隣り合う突起部３ｂの第２の主面１ｂの領域には空隙１０ｂが形成される。
【００５５】
続いて、図１０に示すように、第１の基板１Ａの裏面上に複数のＰ型部材２ａを形成する。
詳細には、開口２４ａを有するメタルマスク２４を、第１の基板１Ａの裏面の上方に配置する。スパッタ法により、メタルマスク２４の上方からＰ型半導体材料であるクロメルを堆積する。第１の基板１Ａの裏面上で、メタルマスク２４の開口２４ａに位置整合する部位にクロメルが堆積し、熱電変換部材のＰ型部材２ａが形成される。
【００５６】
続いて、図１１に示すように、第１の基板１Ａの裏面上に複数のＮ型部材２ｂを形成する。
詳細には、開口２５ａを有するメタルマスク２５を、第１の基板１Ａの裏面の上方に配置する。スパッタ法により、メタルマスク２４の上方からＮ型半導体材料であるコンスタンタンを堆積する。第１の基板１Ａの裏面上で、メタルマスク２５の開口２５ａに位置整合する部位にコンスタンタンが堆積し、熱電変換部材のＮ型部材２ｂが形成される。
【００５７】
続いて、図１２に示すように、接続部２ｃ，２ｄ、端子２ｅ，２ｆを形成する。
詳細には、第１の基板１Ａの裏面の上方で、隣接するＰ型部材２ａとＮ型部材２ｂの間の部位に位置整合した開口２６ａを有するメタルマスク２６を、第１の基板１Ａの裏面の上方に配置する。スパッタ法により、メタルマスク２６の上方からＣｕを０．３μｍ程度の厚みに堆積する。隣接するＰ型部材２ａとＮ型部材２ｂの間にＣｕが堆積し、両者を電気的に接続する接続部２ｃ，２ｄが形成される。Ｐ型部材２ａとＮ型部材２ｂとの間は、接続部２ｃと接続部２ｄとで交互に接続される。Ｐ型部材２ａ及びＮ型部材２ｂは、接続部２ｃ，２ｄで接続されて第１の基板１Ａの裏面上で蛇行配置され、各端部には端子２ｅ，２ｆが設けられて、熱電変換部材２が形成される。ここで、接続部２ｃ、端子２ｅ，２ｆの下方に突起部３ａが位置する。
【００５８】
続いて、図１と同様に、第１の基板１Ａの裏面上に第２の基板１Ｂを接合する。
詳細には、第１の基板１Ａの裏面上に、熱電変換部材２を挟持するように第２の基板１Ｂの裏面を、粘着性接着剤又は両面テープを用いて接合する。これにより、内部に熱電変換部材２を有する構成にフィルム状基板１が形成される。ここで、接続部２ｄの上方に突起部３ｂが位置する。
以上により、本実施形態による熱電変換装置が形成される。
【００５９】
この熱電変換装置では、図１（ｂ）のように、隣り合う突起部３ａ間の領域における中央部位の上方に、接続部２ｄが位置する。そのため、平面視において、突起部３ｂの一端と左側で隣接する突起部３ａの一端との間と、突起部３ｂの他端と右側で隣接する突起部３ａの一端との間との間には、同じ距離の隙間が形成される。隙間の距離は、突起部の幅と熱電変換部材２のパターンとで決定される値であり、例えば０．４ｍｍ〜１．２ｍｍ程度が考えられる。ここでは、隙間の距離は１．２ｍｍとされる。
【００６０】
以上説明したように、本実施形態によれば、薄型・軽量で柔軟なデバイス構造を得るも、簡素な構成で熱電変換装置の表面における断熱を要する部位の可及的な断熱を達成して、熱電変換効率を向上して発電量を大幅に増加させる信頼性の高い熱電変換装置が実現する。
【００６１】
−変形例−
以下、第１の実施形態の変形例について説明する。本例では、第１の実施形態と同様に熱電変換装置を開示するが、熱源が直接的に接触する接触板が付加されている点で相違する。
図１３は、第１の実施形態の変形例による熱電変換装置を示す概略断面図であり、第１の実施形態の図１に対応している。
【００６２】
この熱電変換装置では、図１の構成に加えて、突起部３ａの先端面と熱的に接触する接触板４ａと、突起部３ｂの先端面と熱的に接触する接触板４ｂとを備える。低温源が接触板４ａと、高温源が接触板４ｂとそれぞれ直接的に接触することになる。なお本例では、フィルム状基板１の第１の主面１ａ側及び第２の主面１ｂ側の双方に接触板を設ける場合を例示するが、いずれか一方の主面側のみに接触板を設けることも考えられる。
【００６３】
接触板４ａ，４ｂは、フィルム状基板１の材料よりも熱伝導性の高い材料、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの合金等、ここでは例えば厚み５０μｍのＡｌからなるものである。Ａｌ板は柔軟性があるが、接触板としては必ずしも柔軟性を有しなくても良い。接触板４ａ，４ｂの突起部３ａ，３ｂとの接着には、両面テープ、エポキシ系の接着剤、又は銀ペースト等を薄く塗布した接着層が用いられる。
【００６４】
フィルム状基板１の熱伝導率は極めて低いのに対して、突起部３ａ，３ｂの熱伝導率、接触板４ａ，４ｂの熱伝導率は極めて高い。図１３（ａ）に示すように、熱電変換装置の接触板４ａと接触板４ｂとの間に高温源１１と低温源１２とにより温度差が与えられた場合を考察する。
【００６５】
突起部３ａは接続部２ｃと位置整合して、突起部３ｂは接続部２ｄと位置整合して、それぞれ配されている。接触板４ａ，４ｂにより、隣り合う突起部３ａ間の第１の主面１ａの領域の空隙１０ａと、隣り合う突起部３ｂ間の第２の主面１ｂの領域の空隙１０ｂとは、共に閉鎖空間となる。接触板４ａに高温源が接触した場合、接触板４ａの存在により高温源はフィルム状基板１に接触することなく空隙１０ａは維持される。空隙１０ａでは略完全な断熱状態とされているため、高温源の熱は、空隙１０ａにおけるフィルム状基板１には伝達することなく、突起部３ａのみから接続部２ｃに伝達される。同様に、接触板４ｂに低温源が接触した場合、接触板４ｂの存在により低温源はフィルム状基板１と接触することなく空隙１０ｂは維持される。空隙１０ｂでは略完全な断熱状態とされているため、低温源の熱は、空隙１０ｂにおけるフィルム状基板１には伝達することなく、突起部３ｂのみから接続部２ｄに伝達される。
【００６６】
ここで、本例の熱電変換装置は、第１の実施形態と同様に、（２）式で規定される通常の範囲内の使用態様であれば、図１３（ｂ）のようにフィルム状基板１が接触板４ａ，４ｂに接触することなく、図１３（ａ）の良好な状態が保たれる。
【００６７】
熱電変換部材２では、Ｐ型及びＮ型部材２ａ，２ｂの一端には極めて高い効率で高温源１１の熱が伝達され、他端には極めて高い効率で低温源１２の熱が伝達される。これにより、Ｐ型及びＮ型部材２ａ，２ｂが交互に直列接続されてなる熱電変換部材２では、例えば図１（ａ）のように温度差が生じ、ゼーベック効果により発電する。その電流は、直列接続されたＰ型及びＮ型部材２ａ，２ｂを通じて端子２ｅ，２ｆから取り出される。このように、本例の熱電変換装置では、極めて高い熱伝導効率を実現して発電量を大幅に増加させることができる。
【００６８】
本例では、接触板４ａ，４ｂが、その凹凸のない平坦面で熱源と接触する構成を採る。空隙１０ａ，１０ｂは接触板４ａ，４ｂにより熱源と隔てられるため、空隙１０ａ，１０ｂ内に熱源の一部が入り込んでフィルム状基板１と接触する懸念はない。また、熱源との熱接触を保つグリースの量に砕心する必要がなく、空隙１０ａ，１０ｂはグリースの量によらず保たれるため、取り扱いが容易である。
【００６９】
熱源は、熱伝導性に優れた接触板４ａ，４ｂと一様に面接触する。そのため、例えば熱源に温度分布による温度ムラが存在する場合でも、接触板４ａ，４ｂが温度むらを吸収し、熱電変換部材２に対して全体的に均一な温度伝達がなされる。これにより、熱電変換部材２の面内で発電ムラのない均一な発電電力を得ることができる。接触板４ａ，４ｂでは、熱源との接触面積が大きいため、より多くの熱流を取り込むことができるという利点があり、更に効率の良い熱電変換が実現する。
【００７０】
以上説明したように、本例によれば、薄型・軽量で柔軟なデバイス構造を得るも、簡素な構成で熱電変換装置の表面における断熱を要する部位の可及的な断熱を達成して、熱電変換効率を向上して発電量を大幅に増加させる信頼性の高い熱電変換装置が実現する。
【００７１】
−第２の実施形態−
本実施形態では、第１の実施形態と同様に熱電変換装置を開示するが、突起部が接触板と一体形成されている点で、第１の実施形態の変形例と相違する。本実施形態では、熱電変換装置の構成をその製造方法と共に説明する。
図１４及び図１５は、第２の実施形態による熱電変換装置の製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【００７２】
先ず、図１４（ａ）に示すように、第１の基板１Ａの裏面上に熱電変換部材２を形成する。
詳細には、第１の実施形態の図１０〜図１２と同様の諸工程を、突起部を形成しない第１の基板１Ａに対して実行する。これにより、第１の基板１Ａの裏面上に熱電変換部材２が形成される。
【００７３】
続いて、図１４（ｂ）に示すように、第１の基板１Ａの裏面上に第２の基板１Ｂを接合する。
詳細には、第１の基板１Ａの裏面上に、熱電変換部材２を挟持するように、突起部を形成しない第２の基板１Ｂの裏面を、粘着性接着剤又は両面テープを用いて接合する。これにより、内部に熱電変換部材２を有する構成にフィルム状基板１が形成される。
【００７４】
続いて、図１５（ａ）に示すように、突起部が一体形成された接触板５Ａ，５Ｂをフィルム状基板１に対して配置する。
詳細には、片面に突起部５ａが一体形成された接触板５Ａと、片面に突起部５ｂが一体形成された接触板５Ｂとを用意する。接触板５Ａ，５Ｂは、フィルム状基板１の材料よりも熱伝導性の高い材料、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの合金等、ここではＣｕからなるものである。突起部５ａ，５ｂは、先端面に複数の針状突起６が櫛歯状に形成されている。針状突起６は、例えば２５μｍ程度の高さに形成される。なお、突起部を接触板と異なる高熱伝導性材料で形成して接触板と接合し、一体形成するようにしても良い。
【００７５】
接触板５Ａを突起部５ａがフィルム状基板１と対向するように第１の主面１ａ側に、接触板５Ｂを突起部５ｂがフィルム状基板１と対向するように第２の主面１ｂ側に、それぞれ配置する。ここで、突起部５ａを接続部２ｃ、端子２ｅ，２ｆの下方に、突起部５ｂを接続部２ｄの上方に、それぞれ位置整合させる。
【００７６】
続いて、図１５（ｂ）に示すように、フィルム状基板１に接触板５Ａ，５Ｂを接合する。
詳細には、フィルム状基板１の第１の主面１ａに接触板５Ａを、第２の主面１ｂに接触板５Ｂを、突起部５ａ，５ｂが一部残るように、それぞれ突起部５ａ，５ｂの針状突起６をフィルム状基板１に突き刺して埋没させる。これにより、フィルム状基板１に接触板５Ａ，５Ｂが接合される。接触板５Ａ，５Ｂの接合を強固に保つべく、針状突起６に予め接着剤等を塗布してフィルム状基板１に突き刺すようにしても良い。
【００７７】
第１の主面１ａ側では、フィルム状基板１内に突起部５ａの針状突起６の部分のみが埋没しており、隣り合う突起部５ａ間では接触板５Ａにより閉鎖された空隙１０ａが形成される。第２の主面１ｂ側では、フィルム状基板１内に突起部５ｂの針状突起６の部分のみが埋没しており、隣り合う突起部５ｂ間では接触板５Ｂにより閉鎖された空隙１０ｂが形成される。空隙１０ａ，１０ｂのサイズは、接触板５Ａ，５Ｂを接合する際に、空隙１０ａ，１０ｂにおける第１及び第２の主面１ａ，２ｂと突起部５ａ，５ｂとの離間距離を規定することにより、容易に調節することができる。
【００７８】
フィルム状基板１の熱伝導率は極めて低いのに対して、接触板５Ａ，５Ｂの熱伝導率は極めて高い。熱電変換装置の第１の主面１ａと第２の主面１ｂとの間に温度差が与えられた場合を考察する。
【００７９】
接触板５Ａの突起部５ａは接続部２ｃと位置整合して、接触板５Ｂの突起部５ｂは接続部２ｄと位置整合して、それぞれ配されている。接触板５Ａ，５Ｂにより、隣り合う突起部５ａ間の第１の主面１ａの領域の空隙１０ａと、隣り合う突起部５ｂ間の第２の主面１ｂの領域の空隙１０ｂとは、共に閉鎖空間となる。接触板５Ａに高温源が接触した場合、接触板５Ａの存在により高温源はフィルム状基板１に接触することなく空隙１０ａは維持される。空隙１０ａでは略完全な断熱状態とされているため、高温源の熱は、空隙１０ａにおけるフィルム状基板１には伝達することなく、突起部５ａのみから接続部２ｃに伝達される。同様に、接触板５Ｂに低温源が接触した場合、接触板５Ｂの存在により低温源はフィルム状基板１と接触することなく空隙１０ｂは維持される。空隙１０ｂでは略完全な断熱状態とされているため、低温源の熱は、空隙１０ｂにおけるフィルム状基板１には伝達することなく、突起部５ｂのみから接続部２ｄに伝達される。
【００８０】
ここで、本実施形態による熱電変換装置は、第１の実施形態と同様に、（２）式で規定される通常の範囲内の使用態様であれば、フィルム状基板１が接触板５Ａ，５Ｂに接触することなく良好な状態が保たれる。
【００８１】
熱電変換部材２では、Ｐ型及びＮ型部材２ａ，２ｂの一端には極めて高い効率で高温源１１の熱が伝達され、他端には極めて高い効率で低温源１２の熱が伝達される。これにより、Ｐ型及びＮ型部材２ａ，２ｂが交互に直列接続されてなる熱電変換部材２では、例えば図１（ａ）のように温度差が生じ、ゼーベック効果により発電する。その電流は、直列接続されたＰ型及びＮ型部材２ａ，２ｂを通じて端子２ｅ，２ｆから取り出される。このように、本実施形態による熱電変換装置では、極めて高い熱伝導効率を実現して発電量を大幅に増加させることができる。
【００８２】
本実施形態では、接触板５Ａ，５Ｂが、その凹凸のない平坦面で熱源と接触する構成を採る。空隙１０ａ，１０ｂは接触板５Ａ，５Ｂにより熱源と隔てられるため、空隙１０ａ，１０ｂ内に熱源の一部が入り込んでフィルム状基板１と接触する懸念はない。また、熱源との熱接触を保つグリースの量に砕心する必要がなく、空隙１０ａ，１０ｂはグリースの量によらず保たれるため、取り扱いが容易である。
【００８３】
熱源は、熱伝導性に優れた接触板５Ａ，５Ｂと一様に面接触する。そのため、例えば熱源に温度分布による温度ムラが存在する場合でも、接触板５Ａ，５Ｂが温度むらを吸収し、熱電変換部材２に対して全体的に均一な温度伝達がなされる。これにより、熱電変換部材２の面内で発電ムラのない均一な発電電力を得ることができる。接触板５Ａ，５Ｂでは、熱源との接触面積が大きいため、より多くの熱流を取り込むことができるという利点があり、更に効率の良い熱電変換が実現する。
【００８４】
更に本実施形態では、突起部５ａ，５ｂが一体形成された接触板５Ａ，５Ｂをフィルム状基板１に接合する構成を採る。そのため、製造が容易であり、フィルム状基板に予め突起部を形成しておく工程が不用となって製造工程が削減されて製造コストが低減する。
【００８５】
以上説明したように、本実施形態によれば、薄型・軽量で柔軟なデバイス構造を得るも、簡素な構成で熱電変換装置の表面における断熱を要する部位の可及的な断熱を達成して、熱電変換効率を向上して発電量を大幅に増加させる信頼性の高い熱電変換装置が実現する。
【００８６】
なお、第１の実施形態の変形例と第２の実施形態とを併用するようにしても良い。即ちこの場合、フィルム状基板の一方の主面には、第１の実施形態の変形例の手法により突起部を一部埋め込み形成し、他方の一方の主面には、第２の実施形態の手法により突起部が一体形成された接触板を接合する。
【００８７】
第１及び第２の実施形態、変形例では、突起部の一部をフィルム状基板の主面から一部突出するように配置し、隣り合う突起部間に断熱状態を実現する空隙を形成する場合を説明したが、他の構成も考えられる。例えば、隣り合う突起部間の空隙に、フィルム状基板よりも熱伝導率が低く断熱状態を実現できる材料を充填するようにしても良い。当該材料としては、例えば発泡スチロール等の適用が考えられる。
【００８８】
以下、熱電変換装置及びその製造方法の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００８９】
（付記１）熱を電気に変換する熱電変換装置であって、
柔軟性の基板と、
前記基板の主面に設けられた、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなる突起部と
を含み、
前記突起部は、前記主面から一部突出しており、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙が形成されることを特徴とする熱電変換装置。
【００９０】
（付記２）前記基板の前記主面に設けられた、前記突起部の突出部位と熱的に接触する接触板を更に含むことを特徴とする付記１に記載の熱電変換装置。
【００９１】
（付記３）前記基板の前記主面に設けられた、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなり表面に前記突起部が形成された接触板を更に含み、
前記接触板は、前記突起部が一部残るように前記基板内に埋没させて接合されており、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に前記空隙が形成されていることを特徴とする付記１に記載の熱電変換装置。
【００９２】
（付記４）前記突起部の先端面に複数の針状突起が櫛歯状に形成されていることを特徴とする付記３に記載の熱電変換装置。
【００９３】
（付記５）前記突起部は、前記主面からの突出量ｖが、
ｖ≧ｄ＝ＰＬ1Ｌ23／（２Ｅｈ3）
により規定されていることを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の熱電変換装置。
但し、隣り合う前記突起部間における前記基板の撓み量をｄ、前記突起部の幅をＬ1、平面視において隣り合う前記突起部間の隙間をＬ2、前記基板の厚みをｈ、当該熱電変換装置の等価縦弾性率をＥ、前記突起部の上面に加わる圧力をＰとする。
【００９４】
（付記６）前記基板は、内部に熱電変換部材を有することを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の熱電変換装置。
【００９５】
（付記７）前記熱電変換部材は、導電型の相異なる第１の部材及び第２の部材が交互に直列接続されてなることを特徴とする付記６に記載の熱電変換装置。
【００９６】
（付記８）前記突起部は、前記基板の第１の主面及び第２の主面の双方に設けられており、
前記熱電変換部材は、前記第１の部材と前記第２の部材との間が、第１の接続部と第２の接続部とで交互に接続されており、
前記第１の接続部に位置整合して前記第１の主面側の前記突起部が、前記第２の接続部に位置整合して前記第２の主面側の前記突起部がそれぞれ配置されることを特徴とする付記７に記載の熱電変換装置。
【００９７】
（付記９）熱を電気に変換する熱電変換装置の製造方法であって、
柔軟性の基板の主面に、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなる突起部を設けるに際して、前記突起部を前記主面から一部突出させ、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に空隙を形成することを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
【００９８】
（付記１０）前記基板の前記主面に、前記突起部の突出部位と熱的に接触する接触板を設けることを特徴とする付記９に記載の熱電変換装置の製造方法。
【００９９】
（付記１１）前記基板の前記主面に、前記基板よりも熱伝導性の高い材料からなり表面に前記突起部が形成された接触板を、前記突起部が一部残るように埋没させて接合し、隣り合う前記突起部間における前記主面の領域に前記空隙を形成することを特徴とする付記９に記載の熱電変換装置の製造方法。
【０１００】
（付記１２）前記突起部の先端面に複数の針状突起が櫛歯状に形成されていることを特徴とする付記１１に記載の熱電変換装置の製造方法。
【０１０１】
（付記１３）前記突起部は、前記主面からの突出量ｖが、
ｖ≧ｄ＝ＰＬ1Ｌ23／（２Ｅｈ3）
により規定されていることを特徴とする付記９又は１０に記載の熱電変換装置の製造方法。
但し、隣り合う前記突起部間における前記基板の撓み量をｄ、前記突起部の幅をＬ1、平面視において隣り合う前記突起部間の隙間をＬ2、前記基板の厚みをｈ、当該熱電変換装置の等価縦弾性率をＥ、前記突起部の上面に加わる圧力をＰとする。
【０１０２】
（付記１４）前記基板は、内部に熱電変換部材を有することを特徴とする付記９〜１３のいずれか１項に記載の熱電変換装置の製造方法。
【０１０３】
（付記１５）前記熱電変換部材は、導電型の相異なる第１の部材及び第２の部材が交互に直列接続されてなることを特徴とする付記１４に記載の熱電変換装置の製造方法。
【０１０４】
（付記１６）前記突起部は、前記基板の第１の主面及び第２の主面の双方に設けられており、
前記熱電変換部材は、前記第１の部材と前記第２の部材との間が、第１の接続部と第２の接続部とで交互に接続されており、
前記第１の接続部に位置整合するように前記第１の主面側の前記突起部を、前記第２の接続部に位置整合するように前記第２の主面側の前記突起部をそれぞれ配置することを特徴とする付記１５に記載の熱電変換装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１０５】
１  フィルム状基板
１ａ  第１の主面
１ｂ  第２の主面
１Ａ  第１の基板
１Ｂ  第２の基板
２  熱電変換部材
２ａ  Ｐ型部材
２ｂ  Ｎ型部材
２ｃ，２ｄ  接続部
２ｅ，２ｆ  端子
３ａ，３ｂ，５ａ，５ｂ  突起部
３ａ１，３ｂ１  突出部分
４ａ，４ｂ，５Ａ，５Ｂ  接触板
６  針状突起
１０ａ，１０ｂ  空隙
１１  高温源
１２  低温源
２１  ポリイミド基材
２２  銅箔
２３  ポリイミド膜
２４，２５，２６  メタルマスク
２４ａ，２５ａ，２６ａ  開口
【図１】
0005708174.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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