(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された発光素子と、
前記発光素子を封止する封止部材と
を備え、
前記封止部材は、前記発光素子を介在して前記基板に接合したアミドイミド樹脂からなるドライフィルムレジストに対して、フォトリソグラフィ法によってパターン形成することによって形成することを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記発光素子を格子状に複数配列したことを特徴とする請求項１記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記封止部材は、前記発光素子を１つ毎に複数箇所で封止し、互いに分離していることを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記封止部材は、前記発光素子を複数毎に複数箇所で封止し、互いに分離していることを特徴とする請求項１又は２記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記封止部材間の隙間をブラックレジストで埋めたことを特徴とする請求項３又は４記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記封止部材間の隙間を白色レジストで埋めたことを特徴とする請求項３又は４記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記封止部材の上面が所定の曲率を持つ曲面であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記発光素子の周囲に、前記発光素子から出た光を上側に反射する反射膜を形成したことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記反射膜の形成領域は、前記発光素子、パッドを除く発光デバイスの上面であることを特徴とする請求項８記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記反射膜は、発光デバイスの上面において、前記封止部材より広い領域に設けられることを特徴とする請求項８又は９記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記発光素子の表面にパッシベーション膜を成膜することを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の発光デバイス。
【請求項１２】
基板上に封止層で封止された発光素子を有する発光デバイスの製造方法であって、
前記発光素子が形成された前記基板に、前記発光素子を介在してアミドイミド樹脂からなるドライフィルムレジストを貼り付ける工程と、
前記ドライフィルムレジストの被膜上にフォトマスクをあてる工程と、
前記フォトマスク以外の領域に光を照射する工程と、
前記フォトマスクで覆われた被露光部を溶出して前記封止層のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止された発光素子を備える発光デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の発光デバイスとして、チップを透明な樹脂、或いは蛍光剤を混入させた樹脂で覆う場合、整形金型等を使用して樹脂からなる封止体を形成する方法（例えば、特許文献１参照）、或いは発光ダイオード（以下、ＬＥＤと称す）の周辺に封止樹脂の堰き止め部を形成し、ディスペンサを使用したポッティングにより封止材を流し込み、封止体を形成する方法などが一般的に知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１５３６９号公報（第３頁、図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらの従来技術では、金型の準備に初期費用と時間が必要となり、或いは樹脂の流出を止めるための樹脂止めの構造を別途形成しなければならないなど、コストや製造時間の点で問題があった。更にこれらの方法では、気泡が入り易く、発光素子と封止体の合わせ精度も出しにくく、同一基板上の複数の微小エリアを封止したい場合などには、微細な金型の作製や、封止材のディスペンス回数・ディスペンス量のコントロールが必要であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による発光デバイスは、
基板と、前記基板上に形成された発光素子と、前記発光素子を封止する封止部材とを備え、
前記封止部材は、前記発光素子を介在して前記基板に接合したアミドイミド樹脂からなるドライフィルムレジストに対して、フォトリソグラフィ法によってパターン形成することによって形成することを特徴とする。
【０００６】
本発明による発光デバイスの製造方法は、基板上に封止層で封止された発光素子を有する発光デバイスの製造方法であって、
前記発光素子が形成された前記基板に、前記発光素子を介在してアミドイミド樹脂からなるドライフィルムレジストを貼り付ける工程と、前記ドライフィルムレジストの被膜上にフォトマスクをあてる工程と、前記フォトマスク以外の領域に光を照射する工程と、前記フォトマスクで覆われた被露光部を溶出して前記封止層のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、位置精度が出しやすく、微細な形状も形成しやすく、気泡が入りにくく、製造が容易で、製造コストを抑えることが可能な封止部材を備えた発光デバイスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明による実施の形態１の発光デバイスの要部構成を示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】フォトリソグラフィ法によって封止層を形成する過程の一例を示すフローチャートである。
【図４】試験サンプルの透過率の時間変化を観測する試験において、１１０℃、空気雰囲気下での波長４５０ｎｍの光の透過率の観測結果のグラフである。
【図５】試験サンプルの透過率の時間変化を観測する試験において、１３０℃、空気雰囲気下での波長４５０ｎｍの光の透過率の観測結果のグラフである。
【図６】本発明による実施の形態２の発光デバイスの要部構成を示す平面図である。
【図７】図６における矢印Ｂ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【図８】本発明による実施の形態３の発光デバイスの要部構成を示す平面図である。
【図９】図８における矢印Ｃ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【図１０】本発明による実施の形態４の発光デバイスの要部構成を示す平面図である。
【図１１】図１０における矢印Ｄ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【図１２】本発明による実施の形態５の発光デバイスの要部構成を概略的に示す側面図である。
【図１３】本発明による実施の形態６の発光デバイスの要部構成を示す平面図である。
【図１４】図１３における矢印Ｅ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【図１５】本発明による実施の形態７の発光デバイスの要部構成を示す平面図である。
【図１６】図１５における矢印Ｆ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、本発明による実施の形態１の発光デバイスの要部構成を示す平面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【００１０】
図１に示すように、発光デバイス１００は、最下層に基板１０１を有し、この基板１０１上に複数の発光素子としてのＬＥＤ１０２が、ｍ行、ｋ列の格子状に配設されている。ここでは、基板１００を、例えばＳｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＺｎＯなどの半導体基板、ＡｌＮ、Ａｌ２０３などのセラミック基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、Ｃｕ、Ａｌなどの金属基板、プラスチック基板などで構成する。またここでは、配設されたＬＥＤ１０２の数（ｍ×ｋ）として、ｍ＝４、ｋ＝４の例が示されている。
【００１１】
発光デバイス１００の各行のＬＥＤ１０２には、それぞれ対応して配設されたｍ（ここではｍ＝４）本のアノード配線１０５が互いに平行に配設され、発光デバイス１００の各列のＬＥＤ１０２には、それぞれ対応して配設されたｋ（ここではｋ＝４）本のカソード配線１０６が互いに平行に配設されている。アノード配線１０５の下層であって、カソード配線１０６が形成された層との間には例えばポリイミドなどの層間絶縁膜１０７が形成され、アノード配線１０５とカソード配線１０６とが交差する領域で、これらが電気的に接触するのを防止している。
【００１２】
各アノード配線１０５の一端側にはアノードパッド１０３が配置され、各カソード配線１０６の一端側にはカソードパッド１０４が配置されている。これらのアノード配線１０５、カソード配線１０６、アノードパッド１０３、及びカソードパッド１０４などの配線材料としては、例えばＡｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、などのＡｕ系メタル、或いはＡｌ、Ｎｉ／Ａｌ、Ｎｉ／ＡｌＮｄ、Ｎｉ／ＡｌＳｉＣｕ、Ｔｉ／ＡｌなどのＡｌ系メタルを使用できる。更に酸化物系の透明電極を用いることもできる。
【００１３】
ＬＥＤ１０２上には封止部材としての封止層１０８が形成されている。封止層１０８は、ここでは発光デバイス１００に存在する全てのＬＥＤ１０２を一括して覆う広さを持ち、アノードパッド１０３、カソードパッド１０４を除く殆どの表面を覆っている。
【００１４】
図２は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。同図に示すように、基板１０１上には、平坦化絶縁膜９０１を介してＬＥＤ１０２が分子間力によって接合されている。ＬＥＤ１０２は、例えば平坦化絶縁膜９０１に接合されたＮ型半導体層９０４と、Ｎ型半導体層９０４上に形成された活性層９０５と、活性層９０５上に形成されたＰ型半導体層９０６とを有する。Ｎ型半導体層９０４には、対応するカソード配線１０６から延在する接点端子１０６ａが電気的に接続し、Ｐ型半導体層９０６には、対応するアノード配線１０５から延在する接点端子１０５ａが電気的に接続している。ここでは更に、素子表面に、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などによるパッシベーション膜９０７を成膜している。
【００１５】
このパッシベーション膜９０７は、例えば、発光デバイス１００に存在する全てのＬＥＤ１０２を一括して覆う広さを持ち、アノードパッド１０３、カソードパッド１０４を除く領域に形成される。無機絶縁膜９０２は、例えばカソード配線１０６を形成する過程でその接続端子１０６ａが接触するＮ型半導体層９０４の所定箇所以外を保護する目的で形成される。
【００１６】
以上の断面構成は、すべてのＬＥＤ１０２で共通であり、これらのＬＥＤ１０２は、上記したように封止層１０８で覆われている。封止層１０８は、透明で感光性を有するドライフィルムレジストを用いて形成される。このドライフィルムレジストは、例えばエポキシ、アクリル、シリコーン、ポリイミド、アミドイミドなどを主な材料として利用可能であるが、光源のＬＥＤ波長に対する透過率の高いもので、且つ経時及び環境変化に対して前記波長に対する透過率の低下が少ないものが好ましい。
尚、ここでは、エポキシ樹脂ドライフィルムレジストを使用するものとして説明する。
【００１７】
封止層１０８は、フォトリソグラフィ法によって形成することにより精度良い封止層１０８を得ることがきる。図３は、フォトリソグラフィ法によって封止層１０８を形成する過程の一例を示すフローチャードである。このフローチャートを参照しながら、その形成方法について説明する。
【００１８】
封止層１０８以外の、ＬＥＤ１０２、アノード配線１０５、カソード配線１０６等の発光デバイスに必要な構成要素が形成された基板１０１に対し、ラミネータ（貼り合わせ装置）によってドライフィルムレジストを貼り付け（ステップＳ１０１）、ドライフィルムレジストに含まれる溶剤を乾燥（プリベーク）する（ステップＳ１０２）。こうして得られたドライフィルムレジストの被膜上に露光領域を特定するためのフォトマスクをあて（ステップＳ１０３）、フォトマスクがあてられた以外の領域に紫外線を照射して露光部を硬化させ（ステップＳ１０４）、アルカリ水溶液或いは溶剤を用いて未露光部を溶出させる現像を行い、封止層１０８のパターンを形成する（ステップＳ１０５）。
【００１９】
ここでは、封止層１０８のパターンが、図１に示す、発光デバイス１００に存在する全てのＬＥＤ１０２を一括して覆う広さを持ち、且つアノードパッド１０３、カソードパッド１０４を除く領域となるように、ステップＳ１０３でのフォトマスクを形成する。更に必要に応じ、後乾燥としてポストベーク（熱焼成）を行って（ステップＳ１０６）、硬化を促進させても良い。
【００２０】
ここでの露光は、例えば紫外線露光装置によって行ない、パターンに対応した部分のドライフィルムレジストのみを感光して光硬化している。露光装置及び露光照射条件は、適宜選択するもので、超高圧水銀灯、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、遠紫外線灯等の光源を用いることが出来る。必要に応じて露光後にベークを行い、光硬化させた部分の反応を促進させて現像時の溶化をより確実に防止する過程を追加しても良い。
【００２１】
以上のように構成された発光デバイス１００において、アノードパッド１０３に所定の電圧を印加し、カソードパッド１０４を接地することにより、電圧印加されたアノードパッド１０３にそのＰ型半導体層９０６が電気的に接続し、且つ接地されたカソードパッド１０４にそのＮ型半導体層９０４が電気的に接続するＬＥＤ１０２に電流が流れてそのＬＥＤ１０２が発光する。従って、選択したアノードパッド１０３への電圧印加と選択したカソードパッド１０４の接地を同時に行って所望のＬＥＤ１０２を発光し、更に順次所望のＬＥＤ１０２の発光を繰り返すことにより、発光デバイス１００のドットマトリックス駆動が可能となる。
【００２２】
封止材料の評価として、アミドイミド樹脂ドライフィルムレジスト（ＫＩ−１０００：日立化成工業株式会社）とエポキシ樹脂ドライフィルムレジスト（ＳＵ−８：日本化薬株式会社）をガラスウエハに貼り付け、各樹脂が十分に不溶化するだけの露光を行い、１８０℃でのポストベーク（熱焼成）を１Ｈ（時間）行ってサンプルとし、後述する所定の環境下で、光の透過率の時間的変化をみる試験を行った。
【００２３】
両サンプルの初期透過率を基準として、１１０℃、空気雰囲気下での波長４５０ｎｍの光の透過率の時間変化を観測する試験を行なった結果を図４に示し、同じく１３０℃、空気雰囲気下での波長４５０ｎｍの光の透過率の時間変化を観測する試験を行った結果を図５に示す。図４、図５の各グラフから明らかなように、アミドイミド樹脂は、エポキシ樹脂よりも経時による透過率の減衰が少ない。
【００２４】
また、上記した試験結果をアレニウスの式
Ｉｎ（Ｌ）＝Ａ×（１／Ｔ）＋ｌｎ（Ｂ）
（Ｌ：寿命、Ａ，Ｂ：定数、Ｔ：温度）
に当てはめると、１１０℃、１３０℃の計測結果から寿命Ｌと温度Ｔが決定されるため、定数Ａ，Ｂが求められる。例えば、寿命は初期透過率７０％に到達した時点とする。
【００２５】
これにより、任意の温度Ｔ１における寿命Ｌ１、或いは任意の寿命Ｌ２における温度Ｔ２が求められる。前記試験結果と前記アレニウスの式から、波長４５０ｎｍでの試験に用いたアミドイミド樹脂の温度による寿命は、７０℃で４５０００時間となり、同温度でのエポキシ樹脂の寿命である１３０００時間の３倍以上となる。従って、封止層の材料としては、エポキシ樹脂よりもアミドイミド樹脂のドライフィルムレジストの方がより好ましいといえる。
【００２６】
以上のように、本実施の形態の発光デバイスによれば、
（１）封止層に膜厚が均一なドライフィルムレジストを用いることにより、発光デバイス１００面内の各ＬＥＤ１０２上方の封止層の厚さを均一とすることが容易である、
（２）封止層にドライフィルムレジストを用いることにより、貼り付け時に気泡の侵入を防ぐことが容易である、
（３）ドライフィルムレジストにより封止するため、工程を簡略化することが可能である、
（４）フォトリソ工程によるパターンニングにより封止層を形成するため、封止形状の位置精度を高めることが容易である、
（５）フォトリソ工程によるパターンニングにより封止層を形成するため、ミクロンオーダーでの微細な形状の要求にも対応可能である、
といった効果を得ることができる。
【００２７】
実施の形態２．
図６は、本発明による実施の形態２の発光デバイスの要部構成を示す平面図であり、図７は、図６における矢印Ｂ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【００２８】
この発光デバイス２００が、前記した図１に示す実施の形態１の発光デバイス１００と主に異なる点は、封止層２０８のパターン形状である。従って、この発光デバイス２００が、前記した実施の形態１の発光デバイス１００（図１）と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。
【００２９】
本実施の形態２の発光デバイス２００は、封止層２０８以外の、ＬＥＤ１０２、アノード配線１０５、カソード配線１０６等の発光デバイスに必要な構成要素が形成された基板１０１は、前記した実施の形態１で説明した構成と全く同じであるが、各ＬＥＤ１０２を覆う封止層２０８が、ＬＥＤ１０２毎にそれぞれ分離して形成されている点が、前記した実施の形態１の封止層１０８(図１)と異なる点である。
【００３０】
即ち、ここでは、封止層２０８を形成する際に、図３に示す封止層の形成過程のステップＳ１０３において、封止層２０８のパターンが、図６に示すように、発光デバイス２００に存在する個々のＬＥＤ１０２を、それぞれ独立して覆う領域となるように、フォトマスクを設定する。その他の形成過程は、実施の形態１で、図３に示すフローチャートを参照して説明した通りであるので、ここでの説明は省略する。
【００３１】
このように、ドライフィルムレジストをフォトリソグラフィ法によって加工して封止層２０８を形成するため、チップ内のＬＥＤ１０２が一つでも複数でも、同一のドライフィルムレジストから一括して形成することが可能である。また、封止層２０８をチップ内で複数形成する場合においても、封止層２０８のパターン形状を任意に設定した上で一括形成することも可能である。
【００３２】
ここで、前記した実施の形態１の発光デバイス１００との比較において、本実施の形態２の発光デバイス２００の優位性について説明する。
【００３３】
図１に示す発光デバイス１００のように、基板１０１上に、広範囲にわたって一体的に形成した封止層１０８を熱処理により硬化すると、封止層１０８の中心に向かって強い引っ張り応力が生じる。この応力は、封止層１０８と接触している基板１０１、ＬＥＤ１０２に影響し、基板１０１に強い反りを発生させ、これが、後工程の製造装置への吸着不良、発光デバイス１００上の膜はがれ、配線はがれ、ＬＥＤ１０２上の配線はがれ、更には空隙の発生の原因ともなる。
【００３４】
一方、本実施の形態の発光デバイス２００では、図６に示すように封止層２０８がＬＥＤ１０２ごとに分割して形成されているため、発光デバイス２００全体にかかる応力が分散されて発光デバイス２００にかかる応力が小さくなり、上記した反りや動作不良の発生を軽減できる。
【００３５】
また、ＬＥＤ１０２より発生した光は全方位に放射され、封止層２０８と空気中の界面から空気中へと放射される。従って、ここでの封止層２０８（図６）は、実施の形態１の封止層１０８（図１）に比べ、ＬＥＤ１０２の周辺での空気との界面の面積が増加しているため、その分ＬＥＤ１０２の周辺から空気中に放射される光量が増加する。
【００３６】
以上のように、本実施の形態の発光デバイス２００によれば、実施の形態１の効果（１）〜（５）と同様の効果が得られるほか、
（６）発光デバイス２００及びＬＥＤ１０２への応力を緩和し、基板１０１の反りや配線はがれ、膜はがれ、封止２０８とＬＥＤ１０２との空隙の発生等を軽減できる、
（７）発光デバイス２００内の複数に分割した封止層２０８を一括して形成可能である、
（８）発光デバイス２００内の複数に分割した封止層２０８の形状をそれぞれ任意に設定したとしても、一括して形成が可能である、
（９）ＬＥＤ１０２周辺から空気中に放射される光量を増加できる、
といった効果を得ることができる。
【００３７】
実施の形態３．  
図８は、本発明による実施の形態３の発光デバイスの要部構成を示す平面図であり、図９は、図８における矢印Ｃ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【００３８】
この発光デバイス３００が、前記した図６に示す実施の形態２の発光デバイス２００と主に異なる点は、隣接する封止層２０８の隙間にブラックレジスト３０１を施した点である。従って、この発光デバイス３００が、前記した実施の形態２の発光デバイス２００（図６）と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。
【００３９】
本実施の形態では、図８、図９に示すように、互いに離間して形成された封止層２０８の間隙、及びその周囲にブラックレジスト３０１を形成する。このブラックレジスト３０１は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの中に黒色着色剤としてカーボンブラックやチタンブラックを分散させた樹脂をスピンコート法、スクリーン印刷法、ディスペンスなどにより充填し、フォトリソ工程によりパターンニングし、図８、図９に示すように封止層２０８の間を充填した形状を形成する。次に封止された発光デバイス３００を熱処理により硬化する。
【００４０】
以上の構成の発光デバイス３００によれば、ＬＥＤ１０２より発生し、封止層２０８の側面から放射される光が、ブラックレジスト３０１に吸収されるため、発光デバイス３００の横方向を照らす光が軽減する。
【００４１】
以上のように、本実施の形態の発光デバイス３００によれば、実施の形態２の効果（１）〜（９）と同様の効果が得られるほか、
（１０）ブラックレジスト３０１により封止層の側面から放射される光を吸収することにより、隣接ドットなどへの、横方向の放射光の影響を抑制することができる、
といった効果を得ることができる。
【００４２】
実施の形態４．  
図１０は、本発明による実施の形態４の発光デバイスの要部構成を示す平面図であり、図１１は、図１０における矢印Ｄ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【００４３】
この発光デバイス４００が、前記した図６に示す実施の形態２の発光デバイス２００と主に異なる点は、隣接する封止層２０８の隙間に白色レジスト４０１を施した点である。従って、この発光デバイス４００が、前記した実施の形態２の発光デバイス２００（図６）と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。
【００４４】
本実施の形態では、図１０、図１１に示すように、互いに離間して形成された封止層２０８の間隙、及びその周囲に白色レジスト４０１を形成する。この白色レジスト４０１は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂などの中にルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、アスベスト、酸化亜鉛などを分散させた樹脂をスピンコート法、スクリーン印刷法、ディスペンスなどにより充填し、フォトリソ工程によりパターンニングし、図１０、図１１に示すように封止層２０８の間を充填した形状を形成する。次に封止された発光デバイス４００を熱処理により硬化する。
【００４５】
以上の構成の発光デバイス４００によれば、ＬＥＤ１０２より発生し、封止層２０８の側面から放射される光が、白色レジスト４０１により封止層２０８に反射される。このため横方向などに放射される光が、反射されて封止層２０８上面へと導かれ、この封止層２０８上面から放射される。
【００４６】
以上のように、本実施の形態の発光デバイス４００によれば、実施の形態２の効果（１）〜（９）と同様の効果が得られるほか、
（１１）封止層２０８の側面から放射される光が、封止層の内部へ反射してその上面から放射されるため、光を効率的に放射することができる、
といった効果を得ることができる。
【００４７】
実施の形態５．  
図１２は、本発明による実施の形態５の発光デバイスの要部構成を概略的に示す側面図である。
【００４８】
この発光デバイス５００が、前記した図６、図７に示す実施の形態２の発光デバイス２００と主に異なる点は、個々の封止層５０８の形状である。従って、この発光デバイス５００が、前記した実施の形態２の発光デバイス２００（図６）と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。
【００４９】
本実施の形態では、封止層５０８がＬＥＤ１０２ごとに分割して形成され、更に図１２に示すように各封止層５０８の上面が、レンズ効果が生ずるように、所定の曲率を持つ曲面に仕上げられている。これにより、ＬＥＤ１０２より発生した光は封止層５０８により収束され、空気中へと放射される。
【００５０】
以上のように、本実施の形態の発光デバイス５００によれば、実施の形態２の効果（１）〜（９）と同様の効果が得られるほか、
（１２）封止層５０８により、ＬＥＤ１０２から発生した光を収束することが可能である、
といった効果を得ることができる。
【００５１】
実施の形態６．  
図１３は、本発明による実施の形態６の発光デバイスの要部構成を示す平面図であり、図１４は、図１３における矢印Ｅ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【００５２】
この発光デバイス６００が、前記した図１に示す実施の形態１の発光デバイス１００と主に異なる点は、反射膜６０９が追加された点である。従って、この発光デバイス６００が、前記した実施の形態１の発光デバイス１００（図１）と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。
【００５３】
反射膜６０９は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｔｉなどのメタル、或いは例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂などの中にルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、アスベスト、酸化亜鉛などを分散させた樹脂などの白色レジストを使用して形成することができる。この反射膜６０９は、パッシベーション膜９０７（図２参照）の上に形成しても良いし、下に形成してもよい。また反射膜６０９の形成領域は、アノードパッド１０３、カソードパッド１０４、及びＬＥＤ１０２の上部を除く発光デバイス６００の上面全てでも良いし、ＬＥＤ１０２の周辺だけでも良い。
【００５４】
ここでの封止層１０８の形成過程は、実施の形態１で、図３に示すフローチャートを参照して説明した通りであるので、ここでの説明は省略する。
【００５５】
ＬＥＤ１０２の側面より放射される光は、全方位に放射されるため、基板１０１の側に向かう光も発生する。上記した構成の発光デバイス６００によれば、基板１０１の側に向かう光がＬＥＤ１０２の周囲に形成された反射膜６０９で反射されて封止層１０８上面へと導かれ、この封止層１０８上面から放射される。
【００５６】
尚、図２の断面図では、パッシベーション膜９０７が、基板１０１からの高さにおいて、ＬＥＤ１０２の発光部である活性層９０５に近い高さに、或いは活性層９０５より高く形成されているが、ここに示す断面は、接続端子１０５ａ，１０６ａに対応する断面であるためであり、他の位置においては、パッシベーション膜９０７は、活性層９０５より低い位置に形成されるため、反射膜６０９も、同様にＬＥＤ１０２の周囲の一部以外において活性層９０５より低い位置に形成される。このため、上記した反射作用が可能となる。
【００５７】
尚、ここでは、反射膜６０９を、パッシベーション膜９０７の上か下の層で、且つＬＥＤ１０２上を除く領域に形成したが、これに限定されるものではなく、例えば図２に示す平坦化絶縁膜９０１の上層で、ＬＥＤ１０２を載置するように形成することも可能である。
【００５８】
以上のように、本実施の形態の発光デバイス６００によれば、実施の形態１の効果（１）〜（５）と同様の効果が得られるほか、
（１３）ＬＥＤ１０２から基板１０１側に放射される光が、反射膜６０９で反射して封止層１０８の上面から放射されるため、光を効率的に放射することができる、
といった効果を得ることができる。
【００５９】
実施の形態７．  
図１５は、本発明による実施の形態７の発光デバイスの要部構成を示す平面図であり、図１６は、図１５における矢印Ｆ方向からみた要部を概略的に示す側面図である。
【００６０】
この発光デバイス７００が、前記した図６に示す実施の形態２の発光デバイス２００と主に異なる点は、反射膜６０９が追加された点である。従って、この発光デバイス７００が、前記した実施の形態２の発光デバイス２００（図６）と共通する部分には同符号を付して、或いは図面を省いて説明を省略し、異なる点を重点的に説明する。
【００６１】
反射膜６０９は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｔｉなどのメタル、或いは例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂などの中にルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、アスベスト、酸化亜鉛などを分散させた樹脂などの白色レジストを使用して形成することができる。この反射膜６０９は、パッシベーション膜９０７（図２参照）の上に形成しても良いし、下に形成してもよい。また反射膜６０９の形成領域は、アノードパッド１０３、カソードパッド１０４、ＬＥＤ１０２上を除く発光デバイス７００の上面全てでも良いし、ＬＥＤ１０２の周辺だけでも良い。
【００６２】
ここでの封止層２０８の形成過程は、実施の形態２で説明した通りであるので、ここでの説明は省略する。
【００６３】
ＬＥＤ１０２の側面より放射される光は、全方位に放射されるため、基板１０１の側に向かう光も発生する。上記した構成の発光デバイス７００によれば、基板１０１の側に向かう光がＬＥＤ１０２の周囲に形成された反射膜６０９で反射されて封止層２０８上面へと導かれ、この封止層２０８上面から放射される。
【００６４】
尚、図２の断面図では、パッシベーション膜９０７が、基板１０１からの高さにおいて、ＬＥＤ１０２の発光部である活性層９０５に近い高さに、或いは活性層９０５より高く形成されているが、ここに示す断面は、接続端子１０５ａ，１０６ａに対応する断面であるためであり、他の位置においては、パッシベーション膜９０７は、活性層９０５より低い位置に形成されため、反射膜６０９も、同様にＬＥＤ１０２の周囲の一部以外において活性層９０５より低い位置に形成される。このため、上記した反射作用が可能となる。
【００６５】
尚、ここでは、反射膜６０９をパッシベーション膜９０７の上か下の層で、且つＬＥＤ１０２上を除く領域に形成したが、これに限定されるものではなく、例えば図２に示す平坦化絶縁膜９０１の上層で、ＬＥＤ１０２を載置するように形成することも可能である。
【００６６】
以上のように、本実施の形態の発光デバイス７００によれば、実施の形態２の効果（１）〜（９）と同様の効果が得られるほか、
（１４）ＬＥＤ１０２から基板１０１側に放射される光が、反射膜６０９で反射して封止層２０８の上面から放射されるため、光を効率的に放射することができる、
といった効果を得ることができる。
【００６７】
尚、上記した各実施の形態では、発光素子としてＬＥＤを採用した例を示したが、これに限定されるものではなく、例えば有機材料で形成されたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、無機材料で形成されたＥＬ素子などを用いてもよい。またフリップチップ方式で実装しても良い。
【００６８】
また、上記した各実施の形態では、１つの発光素子として、一組のアノード配線とカソード配線にＬＥＤ１個のみが接続される構成をとっているが、これに限定されるものではなく、ＬＥＤが複数個直列に接続される構成をとっても良い。
【００６９】
また、上記した実施の形態２〜５，７では、封止層を１つのＬＥＤに対応して形成したが、これに限定されるものではなく、複数のＬＥＤをまとめて１つの封止層で覆うように形成してもよい。
【００７０】
また、上記した実施の形態２〜５，７では、封止層を、上からみて方形に形成したが、これに限定されるものではなく、例えば円形に形成してもよい。
【００７１】
また、上記した各実施の形態では、封止層をエポキシ樹脂のドライフィルムレジストを用いて形成したが、これに限定されるものではなく、例えばエポキシ樹脂にかえてアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などを用いても良い。
【００７２】
また、実施の形態６，７では、反射膜を、全ての発光素子を囲むように一体的に形成したが、これに限定されるものではなく、個々の発光素子毎に分離して形成しても良い。
【００７３】
更に、実施の形態６では、各封止層の間やその周囲を空白としたが、実施の形態３，４のように、この空白部をブラックレジスト又は白色レジストで埋めても良いなど、種々の態様を取り得るものである。
【００７４】
また、前記した特許請求の範囲、及び実施の形態の説明において、「上」、「下」といった言葉を使用したが、これらは便宜上であって、発光デバイスを配置する状態における絶対的な位置関係を限定するものではない。
【符号の説明】
【００７５】
１００  発光デバイス、  １０１  基板、  １０２  ＬＥＤ、  １０３  アノードパッド、  １０４  カソードパッド、  １０５  アノード配線、  １０５ａ  接続端子、  １０６  カソード配線、  １０６ａ  接続端子、  １０７  層間絶縁膜、  １０８  封止層、  ２００  発光デバイス、  ２０８  封止層、  ３００  発光デバイス、  ３０１  ブラックレジスト、  ４００  発光デバイス、  ４０１  白色レジスト、  ５００  発光デバイス、  ５０８  封止層、  ６００  発光デバイス、  ６０９  反射膜、  ７００  発光デバイス、  ９０１  平坦化絶縁膜、  ９０２  無機絶縁膜、  ９０４  Ｎ型半導体層、  ９０５  活性層、  ９０６  Ｐ型半導体層、  ９０７  パッシベーション膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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