(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）を用意する工程と、
前記基板（１）の上に、有機ＥＬ素子（４）を形成する工程と、
前記基板（１）のうち前記有機ＥＬ素子（４）が形成された領域を封止膜（３）によって被覆する工程と、を有し、
前記封止膜（３）を形成する工程の前に、前記有機ＥＬ素子（４）が形成され、前記封止膜（３）を成膜する領域である成膜エリア（Ｒ１）と、前記有機ＥＬ素子（４）に接続される回路部が形成され、前記封止膜（３）が形成されないようにする非成膜エリア（Ｒ２）とをそれぞれ別々に凸状の隔離壁（２）によって囲み、該隔離壁（２）によって前記成膜エリア（Ｒ１）と前記非成膜エリア（Ｒ２）とを区画すると共に前記成膜エリア（Ｒ１）と前記非成膜エリア（Ｒ２）との間に中間エリア（Ｒ３）を形成する工程を有し、
前記封止膜（３）によって被覆する工程では、前記隔離壁（２）を形成した前記基板（１）の上に前記成膜エリア（Ｒ１）と対応する場所に開口部（１０ａ）が形成されたマスク（１０）を配置し、前記マスク（１０）を前記隔離壁（２）の上面に接触させた状態で前記封止膜（３）の少なくとも一部（３ｂ）の形成用ガスを前記開口部（１０ａ）を通じて供給することで、前記封止膜（３）を前記成膜エリア（Ｒ１）に成膜する工程を行うことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記成膜エリア（Ｒ１）の周囲を複数段の前記隔離壁（２）によって囲むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記成膜エリア（Ｒ１）の周囲を囲む前記隔離壁（２）の段数を前記封止膜（３）の成膜時の温度に応じて設定することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
基板（１）と、
前記基板（１）のうち、有機ＥＬ素子（４）が形成されると共に、該有機ＥＬ素子（４）を被覆する封止膜（３）が形成され、該封止膜（３）が成膜される領域である成膜エリア（Ｒ１）と、
前記基板（１）のうち、前記有機ＥＬ素子（４）に接続される回路部が形成され、前記封止膜（３）が形成されないようにされた非成膜エリア（Ｒ２）と、
前記基板（１）のうち、前記成膜エリア（Ｒ１）と前記非成膜エリア（Ｒ２）の間に配置された中間エリア（Ｒ３）と、
前記成膜エリア（Ｒ１）と前記非成膜エリア（Ｒ２）とをそれぞれ別々に囲むと共に、前記基板（１）の外縁を囲む凸状の隔離壁（２）と、を有し、
前記隔離壁（２）のうち前記基板（１）の外縁を囲む部分には、前記封止膜（３）の形成の際に前記中間エリア（Ｒ３）に流動した形成用ガスが排出される切り欠きが形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下部電極と有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層および上部電極を有する有機ＥＬ素子を、ガスを用いて形成される封止膜によって保護した有機ＥＬ装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、下部電極と有機ＥＬ層および上部電極を有する有機ＥＬ素子を封止膜によって保護した構造とされる。有機ＥＬ装置における封止膜については、所望パターンのマスクを用いて形成しており、有機ＥＬ素子を形成した基板表面にマスクを配置した後、マスクで基板表面を覆った状態で封止膜の形成用ガスを導入することで形成している。このような封止膜を形成するにあたり、封止膜が成膜したいエリア（以下、成膜エリアという）に正確に形成されるように、且つ基板へのキズ等の防止のため、マスクの裏面側、つまり基板表面側にポリイミドなどの樹脂膜をコーティングし、樹脂膜を基板表面に押し付けて接触させるようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１２０４０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、単にマスクの裏面側に樹脂膜をコーティングしたものを基板表面に接触させだけではマスクと基板表面との間の隙間を通じて封止膜の形成用ガスが浸入し、成膜したくないエリア（以下、非成膜エリア）にも封止膜が形成されてしまう。例えば、マスクもしくは有機ＥＬ素子が形成された基板の反りやうねりによって封止膜の形成用ガスが非成膜エリアにも入り込んでしまう。そして、このように非成膜エリアに封止膜が形成されてしまうと、パターン設計に影響を与えることになり、好ましくない。
【０００５】
本発明は上記点に鑑みて、成膜エリアに封止膜が的確に形成され、かつ、非成膜エリアには封止膜が形成されることを抑制した有機ＥＬ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、封止膜（３）を形成する工程の前に、有機ＥＬ素子（４）が形成され、封止膜（３）を成膜する領域である成膜エリア（Ｒ１）と、有機ＥＬ素子（４）に接続される回路部が形成され、封止膜（３）が形成されないようにする非成膜エリア（Ｒ２）とをそれぞれ別々に凸状の隔離壁（２）によって囲み、該隔離壁（２）によって成膜エリア（Ｒ１）と非成膜エリア（Ｒ２）とを区画すると共に成膜エリア（Ｒ１）と非成膜エリア（Ｒ２）との間に中間エリア（Ｒ３）を形成する工程を行う。そして、封止膜（３）によって被覆する工程では、隔離壁（２）を形成した基板（１）の上に成膜エリア（Ｒ１）と対応する場所に開口部（１０ａ）が形成されたマスク（１０）を配置し、マスク（１０）を隔離壁（２）の上面に接触させた状態で封止膜（３）の形成用ガスを開口部（１０ａ）を通じて供給することで、封止膜（３）を成膜エリア（Ｒ１）に成膜する工程を行うことを特徴としている。
【０００７】
このように、成膜エリア（Ｒ１）と非成膜エリア（Ｒ２）とをそれぞれ別々に隔離壁（２）によって囲み、これらの間に中間エリア（Ｒ３）を配置した構造とし、マスク（１０）を隔離壁（２）の上面に接触させて成膜エリア（Ｒ１）以外の領域を覆った状態でガスを用いた手法によって封止膜（３）を形成している。これにより、成膜エリア（Ｒ１）のみに良好に封止膜（３）を形成しつつ、成膜エリア（Ｒ１）以外の領域にはガスが流動しないようにできることから、成膜エリア（Ｒ１）に封止膜（３）が的確に形成され、かつ、非成膜エリア（Ｒ２）には封止膜（３）が形成されることを抑制できる。
【０００８】
請求項２に記載の発明では、成膜エリア（Ｒ１）の周囲を複数段の隔離壁（２）によって囲むことを特徴としている。
【０００９】
このように、成膜エリア（Ｒ１）の周囲を複数段の隔離壁（２）によって囲むようにすれば、より封止膜（３）の形成用ガスが非成膜エリア（Ｒ２）側に流動することを抑制することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明では、成膜エリア（Ｒ１）の周囲を囲む隔離壁（２）の段数を封止膜（３）の成膜時の温度に応じて設定することを特徴としている。
【００１１】
このように成膜エリア（Ｒ１）の周囲を囲む隔離壁（２）の段数を封止膜（３）の成膜時の温度に応じて設定することができる。これにより、より封止膜（３）のエッジを制御できる。
【００１２】
請求項４に記載の発明では、基板（１）と、基板（１）のうち、有機ＥＬ素子（４）が形成されると共に、該有機ＥＬ素子（４）を被覆する封止膜（３）が形成され、該封止膜（３）が成膜される領域である成膜エリア（Ｒ１）と、基板（１）のうち、有機ＥＬ素子（４）に接続される回路部が形成され、封止膜（３）が形成されないようにされた非成膜エリア（Ｒ２）と、基板（１）のうち、成膜エリア（Ｒ１）と非成膜エリア（Ｒ２）の間に配置された中間エリア（Ｒ３）と、成膜エリア（Ｒ１）と非成膜エリア（Ｒ２）とをそれぞれ別々に囲むと共に、基板（１）の外縁を囲む凸状の隔離壁（２）と、を有し、隔離壁（２）のうち基板（１）の外縁を囲む部分には、封止膜（３）の形成の際に中間エリア（Ｒ３）に流動した形成用ガスが排出される切り欠きが形成されていることを特徴としている。
【００１３】
これにより、成膜エリア（Ｒ１）のみに良好に封止膜（３）を形成しつつ、成膜エリア（Ｒ１）以外の領域には封止膜（３）が形成されないようにできることから、成膜エリア（Ｒ１）に封止膜（３）が的確に形成され、かつ、非成膜エリア（Ｒ２）には封止膜（３）が形成されることを抑制した有機ＥＬ装置にできる。また、隔離壁（２）に切り欠きを設けているため、仮に中間エリア（Ｒ３）まで封止膜（３）の形成用ガスが流動したとしても、それが中間エリア（Ｒ３）から隔離壁（２）のうち一部切り欠かれた部分を通じて隔離壁（２）よりも外部に排出されるようにできる。
【００１６】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる有機ＥＬ装置の上面レイアウトを示した図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の領域Ｒの拡大図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、図１（ｂ）のＡ−Ａ’断面図とＢ−Ｂ’断面図である。
【図３】封止膜３の成膜の様子を示した断面図である。
【図４】封止膜３の成膜前の基板１の様子や、封止膜３の成膜に用いるマスク１０の形状、マスク１０を基板１の上に配置したときの様子を示した図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、封止膜３の成膜時の様子を示した上面模式図および斜視図である。
【図６】成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２を多段にする場合における有機ＥＬ装置の製造工程中の断面図である。
【図７】封止膜３の成膜時の温度と段数との関係の一例を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の上面レイアウトを示した図であり、図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）は図１（ａ）の領域Ｒの拡大図である。また、図２（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、図１（ｂ）のＡ−Ａ’断面図とＢ−Ｂ’断面図である。以下、これらの図を参照して本実施形態にかかる有機ＥＬ装置について説明する。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置は、ガラス基板などによって構成された基板１を用いて形成されており、この基板１上において凸状に形成された絶縁性の隔離壁２にり複数の領域Ｒ１〜Ｒ２に区画されている。隔離壁２は、領域Ｒ１、Ｒ２をそれぞれ別々に囲む枠形状とされ、この隔離壁２によって囲まれた領域Ｒ１、Ｒ２の間に領域Ｒ３が配置されている。また、隔離壁２は、基板１の外縁部にも形成されており、そのうちの少なくとも一部が切り欠かれることで、隔離壁２の一部が開口した状態となっている。
【００２１】
領域Ｒ１は、後述する封止膜３（図２参照）が成膜される成膜エリアであり、領域Ｒ２は封止膜３を成膜したくない非成膜エリアであり、領域Ｒ３は封止膜３が成膜されても良いが基本的には封止膜３が成膜されないようにしている成膜可エリア（中間エリア）である。以下、成膜エリアを符号Ｒ１、非成膜エリアを符号Ｒ２、成膜可エリアを符号Ｒ３で表して説明する。
【００２２】
成膜エリアＲ１は、有機ＥＬ素子を保護するために封止膜３が成膜されることになるが、非成膜エリアＲ２は、有機ＥＬ素子と回路部とを接続するために封止膜３から露出している必要がある。このため、非成膜エリアＲ２には封止膜３が成膜されないようにしている。また、成膜可エリアＲ３は、成膜エリアＲ１のように封止膜３によって覆われている必要はないが、非成膜エリアＲ２のように確実に露出している必要もない領域であり、例えば電極などの露出箇所（パッド部）以外の部分、例えば引き出し部などが配置される領域が該当する。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、成膜エリアＲ１には有機ＥＬ素子４が形成されている。有機ＥＬ素子４は、マトリクス状に配置された複数の素子によって構成され、素子１つ１つを１画素として、所望の画素数形成されることで構成されている。各素子からは引き出し電極４ａ、４ｂが引き出されており、一方の引き出し部４ａが後述する上部電極６（図２参照）に接続されており、他方の引き出し電極４ｂが後述する下部電極５（図２参照）に接続されている。そして、有機ＥＬ素子４の周囲を囲むように隔離壁２が形成されており、引き出し電極４ａ、４ｂの一端、つまりパッド部が隔離壁２の外側まで引き出され、非成膜エリアＲ２まで延設されている。
【００２４】
有機ＥＬ素子４は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ITO膜などからなる下部電極５とLiF/Alにて構成される上部電極６との間に正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transfer Layer）や発光層を含む有機層によって構成された有機ＥＬ層７を挟んだ構造によって構成されている。成膜エリアＲ１では、このように構成された有機ＥＬ素子４が封止膜３によって被覆されている。封止膜３は、原子層蒸着（ALD）法などのガスを用いた手法によって形成されたバリア層によって構成されるが、バリア層の下層に樹脂等によって構成された応力緩和層となる下地層が配置された構造であっても良い。
【００２５】
なお、図１中では図示していないが、成膜エリアＲ１内にも隔離壁２が形成されており、画素毎に素子が区画されている。この成膜エリアＲ１内に形成された隔離壁２は、画素毎に区画された各素子の間に形成された絶縁膜８の上に形成されている。この成膜エリアＲ１内に形成された隔離壁２の上にも、下部電極５と上部電極６およびこれらの間に位置する有機ＥＬ層７が形成されているが、これらについては素子として機能するものではない。
【００２６】
このように構成された有機ＥＬ装置は、成膜エリアＲ１内には封止膜３が形成されておらず、非成膜エリアＲ２内には封止膜３が形成されていない構造となっている。
【００２７】
次に、上記のように構成された本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。まず、ガラス基板などによって構成される基板１を用意し、この基板１の表面上に、所望のマスクを用いてITO膜等からなる下部電極５を形成する。続いて、所望のマスクを用いて画素毎に各下部電極５を分離するように樹脂にて構成される絶縁膜８および隔離壁２を形成する。そして、所望のマスクを用いて絶縁膜８および隔離壁２によって区画された画素毎に例えばα−NPD等で構成される正孔輸送層およびAlq3等で構成される発光層を含む有機ＥＬ層７およびLiF/Al等で構成される上部電極６を蒸着などにより成膜することで有機ＥＬ素子を構成すると共に、必要に応じて例えば樹脂等で構成される下地層を蒸着もしくは塗布などにより成膜する。
【００２８】
その後、原子層蒸着（ALD）法などのガスを用いた手法によって封止膜３を成膜する。図３は、封止膜３の成膜の様子を示した断面図であり、図４は、封止膜３の成膜前の基板１の様子や、封止膜３の成膜に用いるマスク１０の形状、マスク１０を基板１の上に配置したときの様子を示した図であり、（ａ）〜（ｃ）の各図の下図が正面レイアウトを示しており、上図が下図のＣ−Ｃ’、Ｄ−Ｄ’、Ｅ−Ｅ’断面を示している。ただし、図４（ａ）、（ｂ）中には、上記のように形成した各要素のうち隔離壁２のみしか図示していないが、実際には有機ＥＬ素子４なども形成されている。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、上記各要素を形成したことにより、基板１の表面には成膜エリアＲ１や非成膜エリアＲ２をそれぞれ別々に区画するように、成膜エリアＲ１や非成膜エリアＲ２の周囲が隔離壁２によって囲まれた状態になっている。また、基板１の外縁部にも隔離壁２が形成されており、そのうちの少なくとも一部が切り欠かれることで、隔離壁２の一部が開口した状態となっている。
【００３０】
このため、続いて図４（ｂ）に示すマスク１０を用意する。マスク１０は、成膜エリアＲ１と対応するそれぞれの場所に開口部１０ａが形成されており、その開口部１０ａのサイズは成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２の外周よりも小さなサイズとされている。
【００３１】
このように構成されたマスク１０を図４（ｃ）に示すように基板１の表面、つまり隔離壁２側の表面に対して配置し、マスク１０を隔離壁２の上面に接触させる。これにより、マスク１０によって成膜エリアＲ１以外の領域（つまり非成膜エリアＲ２および成膜可エリアＲ３）が覆われる。このとき、マスク１０の開口部のサイズを上記寸法にしていることから、開口部１０ａの開口端は、少なくとも成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２の外周よりも内側、好ましくは隔離壁２の内周よりも内側に位置した状態となる。
【００３２】
そして、このようにマスク１０によって基板１の成膜エリアＲ１以外の領域を覆ったものを、例えば原子層蒸着装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を減圧雰囲気にすると共に、所定温度下において封止膜３の形成用ガス、例えばTMAとH2Oを導入する。これにより、封止膜３の形成用ガスが反応して酸化アルミが形成されることで封止膜３が形成される。具体的には、図３に示すように、マスク１０によって成膜エリアＲ１以外の領域を覆った状態としており、かつ、マスク１０が隔離壁２の上面に接触するようにしているため、成膜エリアＲ１のみに良好に封止膜３を形成しつつ、成膜エリアＲ１以外の領域には封止膜３が形成されないようにできる。
【００３３】
このとき、基本的には、マスク１０を隔離壁２に接触させていることから、封止膜３の形成用ガスがマスク１０と隔離壁２との間を通り抜けて成膜エリアＲ１以外の領域に流動することが防止されるが、マスク１０もしくは基板１の反りやうねりなどによってマスク１０と隔離壁２との間を通じて形成用ガスが流動する可能性もある。しかしながら、成膜エリアＲ１と非成膜エリアＲ２をそれぞれ別々の隔離壁２によって囲みつつ、これらの間に成膜可エリアＲ３を配置していることから、仮にマスク１０と隔離壁２との間を通じて形成用ガスが流動したとしても、成膜可エリアＲ３に流動するだけであり、成膜エリアＲ１から非成膜エリアＲ３に直接流動することはない。
【００３４】
特に、隔離壁２のうち基板１の外縁を囲んでいる部分について少なくとも一部を切り欠いた状態にしていることから、各成膜可エリアＲ３は、この隔離壁２が一部切り欠かれた部分を通じて隔離壁２よりも外側に通じた構造になっている。このため、図５（ａ）、（ｂ）に示す封止膜３の成膜時の様子を示した上面模式図および斜視図に示されるように、仮に成膜可エリアＲ３まで封止膜３の形成用ガスが流動したとしても、それが成膜可エリアＲ３から隔離壁２のうち一部切り欠かれた部分を通じて隔離壁２よりも外部に排出される。さらに、チャンバー内が減圧雰囲気にされていることから、封止膜３の形成用ガスがあまり留まらない、すなわち、基板表面に化学吸着するために必要な量に対して十分少ない量になるように排出されるようにできる。
【００３５】
したがって、成膜エリアＲ１のみに良好に封止膜３を形成しつつ、成膜エリアＲ１以外の領域には封止膜３が形成されないようにできる。この後、封止膜３によって成膜エリアＲ１を被覆した基板１をチャンバーから取り出す。これにより、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置が完成する。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置では、成膜エリアＲ１と非成膜エリアＲ２とをそれぞれ別々に隔離壁２によって囲み、これらの間に成膜可エリアＲ３を配置した構造とし、マスク１０を隔離壁２の上面に接触させて成膜エリアＲ１以外の領域を覆った状態でガスを用いた手法によって封止膜３を形成している。これにより、成膜エリアＲ１のみに良好に封止膜３を形成しつつ、成膜エリアＲ１以外の領域には封止膜３が形成されないようにできることから、成膜エリアＲ１に封止膜３が的確に形成され、かつ、非成膜エリアＲ２には封止膜３が形成されることを抑制した有機ＥＬ装置にできる。
【００３７】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３８】
上記第１実施形態では、成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２の段数を１段にしたが、本実施形態では成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２を多段にしている。図６は、このように成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２を多段にする場合における有機ＥＬ装置の製造工程中の断面図である。この図に示すように、成膜エリアＲ１を複数段の隔離壁２によって囲み、マスク１０が各隔離壁２の上面と接触した状態で封止膜３の形成用ガスを供給している。このように、成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２を複数段にすることにより、より封止膜３の形成用ガスが非成膜エリアＲ２側に流動することを抑制することができる。
【００３９】
また、成膜エリアＲ１を囲む隔離壁２の段数を調整することにより、成膜エリアＲ１からマスク１０と隔離壁２との間を封止膜３の形成用ガスが通過したとしても、次の段の隔離壁２によって堰き止められるというように、封止膜３のはみ出して形成される部分、つまり成膜された封止膜３のエッジ（以下、成膜エッジという）の位置を隔離壁２の段数によって制御できる。
【００４０】
このような隔離壁２の段数に基づく成膜エッジの制御では、成膜する封止膜３の成膜時の温度などによって隔離壁２の段数を決定することがことができる。
【００４１】
図７は、封止膜３の成膜時の温度と段数との関係の一例を示したグラフである。この図に示すように、成膜時の温度が１００℃以下のときには隔離壁２の段数は１段でほぼ完全に成膜エリアＲ１からマスク１０と隔離壁２との間を封止膜３の形成用ガスが通り抜けず、成膜エッジが成膜エリアＲ１内で終端していた。また、成膜時の温度が２００℃以下のときには隔離壁２の段数は２段で、３００℃以下のときには隔離壁２の段数が５段でほぼ完全に成膜エリアＲ１からマスク１０と隔離壁２との間を封止膜３の形成用ガスが通り抜けず、成膜エッジが成膜エリアＲ１内で終端していた。このように、封止膜３の成膜時の温度に応じて隔離壁２の段数を決定するとより適切に封止膜３の成膜エッジを制御できる。
【００４２】
参考として、従来のように、マスクの裏面側にポリイミドなどの樹脂膜をコーティングし、樹脂膜を基板表面に押し付けて接触させるようにして封止膜を成膜する場合についても実験した。その結果、成膜時の温度を１００℃とした場合でもマスクと基板表面との間からのガスの通過によって封止膜が非成膜エリアにも成膜され、成膜エッジの直線性が保てず、うねった形状になった。また、成膜時の温度を３００℃とした場合には、マスクと基板表面との間からのガスの通過が全く防止できず、非成膜エリアの広範囲に成膜されていた。このことからも、本実施形態のように、成膜エリアＲ１の周囲を複数段の隔離壁２によって囲むようにすることで、より成膜エリアＲ１に封止膜３が的確に形成され、かつ、非成膜エリアＲ２には封止膜Ｒ２が形成されることを防止することが可能となる。
【００４３】
（他の実施形態）
上記実施形態では、有機ＥＬ素子４が備えられた有機ＥＬ装置の一例について説明したが、上記実施形態とは異なる構造や材料によって構成される有機ＥＬ素子４を有する有機ＥＬ装置に対しても、本発明を適用することができる。すなわち、下部電極５と発光層を含む有機ＥＬ層７と上部電極６とを有する有機ＥＬ素子４を備え、この有機ＥＬ素子４を封止膜３によって封止した有機ＥＬ装置であれば、どのような構造のものであっても構わない。
【符号の説明】
【００４４】
１      基板
２      隔離壁
３      封止膜
４      有機ＥＬ素子
５      下部電極
６      上部電極
７      有機ＥＬ層
８      絶縁膜
１０    マスク
１０ａ  開口部
【図１】
0005708442.tif 000002
【図２】
0005708442.tif 000003
【図３】
0005708442.tif 000004
【図４】
0005708442.tif 000005
【図５】
0005708442.tif 000006
【図６】
0005708442.tif 000007
【図７】
0005708442.tif 000008