(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記偏向器によって荷電粒子線を主走査方向に走査するとともに前記ステージ機構によって前記基板を副走査方向に走査しながら前記基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、
前記ステージ機構によって前記基板が前記副走査方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記副走査方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記再開の後の描画において徐々に前記偏向器による前記副走査方向への偏向量が小さくなるように、前記停止の前における前記ステージ機構による前記基板の走査速度よりも前記再開の後における前記ステージ機構による前記基板の走査速度を低下させることを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項２】
荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記偏向器によって荷電粒子線を主走査方向に走査するとともに前記ステージ機構によって前記基板を副走査方向に走査しながら前記基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、
前記ステージ機構によって前記基板が前記副走査方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記副走査方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記再開の後の描画において徐々に前記偏向器による前記副走査方向への偏向量が小さくなるように、前記停止の前における描画速度よりも前記再開の後における描画速度を増加させることを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項３】
荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記ステージ機構によって前記基板を所定方向に走査しながら前記基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、前記ステージ機構によって前記基板が前記所定方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記所定方向における前記基板の駆動量だけ前記所定方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記再開の後の描画において徐々に前記偏向器による前記所定方向への偏向量が小さくなるように、前記停止の前における前記ステージ機構による前記基板の走査速度よりも前記再開の後における前記ステージ機構による前記基板の走査速度を低下させることを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項４】
荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記ステージ機構によって前記基板を所定方向に走査しながら前記基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、前記ステージ機構によって前記基板が前記所定方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記所定方向における前記基板の駆動量だけ前記所定方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記再開の後の描画において徐々に前記偏向器による前記所定方向への偏向量が小さくなるように、前記停止の前における描画速度よりも前記再開の後における描画速度を増加させることを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項５】
描画データに従って前記ブランカユニットを制御するブランカ制御部と、
前記基板に対する描画がなされている状態において、前記ブランカ制御部に対して正しい描画データが供給されないアンダーランエラーが発生したことを検出する検出部とを更に備え、
前記制御部は、前記検出部によってアンダーランエラーの発生が検出されたことに応じて、描画が停止されるように前記ブランカ制御部を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記停止から前記再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の走査の終了位置を変更する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記停止から前記再開までの期間における前記ステージ機構による前記所定方向における前記基板の駆動量だけ前記ステージ機構による前記所定方向における前記基板の走査の終了位置を変更する、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項８】
感光剤が塗布された基板に請求項１乃至７のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置を用いてパターンを描画する工程と、
該パターンが描画された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線によって基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置、および、それを用いて物品を製造する物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線描画装置は、基板を搭載したステージを副走査方向に走査するとともに電子銃から放射された電子線（電子ビーム）を主走査方向に走査しながら、描画データに従って該電子線をブランキングすることによって基板にパターンを描画する。ブランキングは、基板に対する電子線の照射および非照射を切り替える動作である。この切り替えのタイミングを制御することによって単位領域への電子線の照射時間を制御することもできる。描画データは、回路設計ＣＡＤデータから生成されるデータであり、回路パターンのビットマップデータである。描画データは、回路の解像度に応じた画素を有する。描画データのサイズは、例えば、２２ｎｍや１６ｎｍの線幅では、１チップ当たり約１０ＴＢｙｔｅになりうる。
【０００３】
データのサイズが大きいと、様々な理由で描画データにエラーが発生しうる。エラーの原因としては、例えば、データ伝送中の電気ノイズ、ジッタ、データを記憶するメモリのエラーなどが考えられる。伝送中にエラーが発生した場合には、正しいデータを再送信する必要がある。メモリのエラーの場合には、描画データを再読み出しするか、データを再生成する必要がある。これらのエラー原因によって、正しい描画データを所定のブランキングタイミングまでに用意することができなくなりうる。また、描画データ生成の処理負荷変動のために、所定のブランキングタイミングにデータが用意できないこともありうる。
【０００４】
描画データの遅延による描画の停止を避けるために、ブランカの近傍に設けられたバッファメモリに対して描画データを予め伝送し蓄積しておく方法がある。これにより、描画データに遅延が生じても、バッファメモリに蓄積したデータを用いて描画を継続することができるため、スループットの悪化は生じない。
【０００５】
特許文献１および特許文献２には、描画を再開する際にステージの位置を描画の中断前の状態に戻す電子線描画装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１９６２９７号公報
【特許文献２】特公平７−１１１９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、バッファメモリを設ける方法では、バッファメモリ分のコストと実装規模が増大するという問題があった。特に、今日の電子線描画装置では、スループットを向上させるために、多数本の電子線を用いて同時に描画を行うようになってきている。そのため、電子線ごとにバッファメモリを用意する必要があり、電子線一本あたりのバッファ容量は少量でも、全電子線を合わせると、大量のバッファメモリを用意する必要が出てきていた。バッファメモリはブランカの近傍に設ける必要があるため、実装スペースが確保できず、必要な容量のバッファメモリを実装することができないという問題もある。
【０００８】
特許文献１および特許文献２に記載された電子線描画装置では、描画を再開する際にステージの位置を描画の中断前の状態に戻す。そのため、ステージが描画の中断前の位置に移動し、再加速して所定の走査速度に達するまでに相当な時間を要し、スループットが悪化する。
【０００９】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、バッファメモリの容量の削減および高いスループットの実現に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の１つの側面は、荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記偏向器によって荷電粒子線を主走査方向に走査するとともに前記ステージ機構によって前記基板を副走査方向に走査しながら前記基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、前記ステージ機構によって前記基板が前記副走査方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記副走査方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記再開の後の描画において徐々に前記偏向器による前記副走査方向への偏向量が小さくなるように、前記停止の前における前記ステージ機構による前記基板の走査速度よりも前記再開の後における前記ステージ機構による前記基板の走査速度を低下させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、バッファメモリの容量の削減および高いスループットの実現に有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態の荷電粒子線描画装置の構成を示す図。
【図２】基板に対するパターンの描画手順を例示的に説明する図。
【図３】エラーが発生していない時の偏向器による電子線の副走査方向における偏向量とステージ機構による基板の副偏向方向における駆動位置とを例示する図。
【図４】基板に対する描画の手順を例示する図。
【図５】エラーの発生が検出された場合における荷電粒子線描画装置の動作手順を例示的に説明する。
【図６】第１実施形態においてエラーが発生した時の偏向器による電子線の副走査方向における偏向量とステージ機構による基板の副偏向方向における駆動位置とを例示する図。
【図７】第２実施形態においてエラーが発生した時の偏向器による電子線の副走査方向における偏向量とステージ機構による基板の副偏向方向における駆動位置とを例示する図。
【図８】第３実施形態においてエラーが発生した時の偏向器による電子線の副走査方向における偏向量とステージ機構による基板の副偏向方向における駆動位置とを例示する図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、基板を副走査方向に走査するとともに荷電粒子線を主走査方向に走査しながら該荷電粒子線によって基板にパターンを描画する種々の荷電粒子線描画装置に適用されうる。荷電粒子線は、例えば、電子線またはイオン線でありうる。荷電粒子線描画装置は、複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画するように構成されてもよいし、単数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画するように構成されてもよい。以下では、より具体的な例を提供するために複数の電子線を用いて基板にパターンを描画する例を説明するが、以下で説明する概念は、荷電粒子線のタイプや本数によって制限されるものではない。
【００１４】
図１を参照しながら本発明の荷電粒子線描画装置の１つの構成例としての電子線描画装置１００について説明する。電子線描画装置１００は、基板８を駆動するステージ機構９と、基板８に電子線を照射する電子光学系１０と、ステージ機構９および電子光学系１０を制御する電子ユニット１１０とを備えうる。電子光学系１０は、電子銃（荷電粒子源）１１と、アパーチャアレイ１２と、ブランカユニット１３と、偏向器２０と、結像系（不図示）とを含みうる。電子銃１１から放射された電子線は、アパーチャアレイ１２によって複数の電子線に分割されうる。アパーチャアレイ１２によって形成された複数の電子線は、ブランカユニット１３によって個別に基板８に対する照射（オン）および非照射（オフ）が制御される。ブランカユニット１３は、図１に示す例では複数のブランカを有するが、荷電粒子線描画装置が単数の電子線あるいは荷電粒子線で基板にパターンを描画するように構成される場合には、ブランカユニット１３は、典型的には単数のブランカで構成される。偏向器２０は、複数の荷電粒子線を一括して偏向させる。偏向器２０は、荷電粒子線をＸ軸方向（主走査方向）に偏向させるＸ偏向器１４と、荷電粒子線をＹ軸方向（副走査方向）に偏向させるＹ偏向器１５とを含む。結像系は、複数の電子線を基板８の表面に結像させる。
【００１５】
ステージ機構９は、例えば、基板ステージ機構とも呼ばれうる。ステージ機構９は、例えば、基板８を保持する基板チャック、該基板チャックを保持するステージ、および、該ステージを駆動するアクチュエータを含みうる。ステージ機構９は、基板８を少なくともＹ軸方向（副走査方向）に駆動する機能を有する。ステージ機構９は、典型的には、Ｘ軸方向（主走査方向）、Ｙ軸方向（副走査方向）、Ｚ軸方向（電子光学系１０の軸方向）、ならびに、Ｘ軸周り、Ｙ軸周りおよびＺ軸周りの回転の合計で６軸に関して基板８を駆動する機能を有しうる。
【００１６】
電子ユニット１１０は、ブランカユニット１３を制御するブランカ制御部１３１と、Ｘ偏向器１４を制御するＸ偏向器制御部１４１と、Ｙ偏向器１５を制御するＹ偏向器制御部１５１と、ステージ機構９を制御するステージ機構制御部９１とを含みうる。電子ユニット１１０はまた、基板８の目標位置に電子線が照射されるようにブランカユニット１３、Ｘ偏向器１４、Ｙ偏向器１５、ステージ機構９を同期制御する同期制御部５を含みうる。ここで、同期制御部５は、ブランカ制御部１３１、Ｘ偏向器制御部１４１、Ｙ偏向器制御部１５１およびステージ機構制御部９１を介してブランカユニット１３、Ｘ偏向器１４、Ｙ偏向器１５およびステージ機構９をそれぞれ制御する。
【００１７】
電子ユニット１１０はまた、描画データを伝送するインターフェース２を含む。インターフェース２は、送信部３２と、伝送路３４と、受信部３６とを含みうる。ブランカ制御部１３１は、受信部３６によって受信された描画データに従って基板８に対する複数の電子線の照射および非照射が個別に制御されるように、ブランカユニット１３の複数のブランカを制御する。電子ユニット１１０はまた、検出部３と、リカバリ制御部（制御部）４とを含みうる。検出部３は、基板８に対する描画がなされている状態で、ブランカ制御部１３１に対して正しい描画データが供給されないアンダーランエラーの発生を検出する。リカバリ制御部４は、検出部３によってアンダーランエラーの発生が検出されたことに応じて、描画が停止されるようにブランカ制御部１３１を制御する。リカバリ制御部４は、その後、ブランカ制御部１３１に対して正しい描画データが供給される状態になった後に、描画が再開されるようにブランカ制御部１３１を制御する。リカバリ制御部４は、ステージ機構９によって基板８が副走査方向に駆動されている状態で、基板８に対する描画が停止された後に再開される際に次のような制御を実行する。つまり、リカバリ制御部４は、描画の停止から再開までの期間におけるステージ機構９による副走査方向における基板８の駆動量だけ副走査方向に荷電粒子線を偏向させるようにＹ偏向器１５を制御する。
【００１８】
電子ユニット１１０は、描画データをインターフェース２を介してブランカ制御部１３１に送信する描画データ源１を含みうる。描画データ源１は、例えば、回路設計ＣＡＤのレイアウト設計データに基づいてブランカユニット１３を制御するための描画データを生成しうる。この描画データは、半導体回路のパターンに従うビットマップデータである。
【００１９】
描画データ源１は、描画データが要求される度にレイアウト設計データに基づいて描画データを生成してもよいし、描画データが要求される前にレイアウト設計データに基づいて描画データを生成してメモリに格納しておいてもよい。前者の方式では、描画データの生成のための演算負荷が大きく、また、設計データの複雑な部分と簡単な部分では、演算量が大きく異なる。そのため、レイアウト設計データの複雑な部分では、データの生成がブランカユニット１３によるブランキングに間に合わなくなる可能性がある。一方、描画データをメモリに格納しておく後者の方式では、処理負荷を軽減することができるとともに、設計データによって負荷が変動することがなくなるので、安定した動作が可能になる。しかし、ビットマップの描画データを保持しておくための大容量のメモリが必要となり、メモリの読み出しエラーが発生する頻度が高まりうる。
【００２０】
描画データ源１が描画データを送信してからそれに応じてブランカユニット１３が制御されるまでにおけるエラーの発生確率は最小化されるべきである。そこで、描画データ源１は、可能な限りブランカ制御部１３１の近くに配置されるべきである。しかし、描画データ源１は、大量のデータを扱うための大容量メモリ、高速な演算を行うための並列処理コンピュータなどを含んで構成されうるので、大規模な実装スペースが必要となる。そのため、電子光学系１０の近くに設置することは困難である。したがって、描画データは、実装スペースが確保されるように電子光学系１０から離れた位置に配置された描画データ源１からインターフェース２を介してブランカ制御部１３１に伝送される。ここで、インターフェース２における伝送路３４は、例えば、光ファイバでありうる。
【００２１】
図２を参照しながら基板８に対するパターンの描画手順を例示的に説明する。なお、図２には、複数の電子線のうちの１つの電子線によって描画される領域２００が示されている。領域２００の隣の領域は、隣の電子線によって描画される。以下、１つの電子線に注目して描画の手順を説明する。領域２００は、複数行×複数列の微小領域２１１で構成され、１つの微小領域２１１が１つのドット（描画の最小単位）に相当する。電子線の本数がｎ本であるとすると、ｎ個の領域２００からなる部分領域に対して並行してパターンが描画される。この明細書の以降の部分では、簡単化のために、ｎ個の領域２００からなる部分領域が１つのチップ領域と等しいものとして説明する。
【００２２】
まず、領域２００の左上の微小領域２１１に電子線が照射されるように、Ｘ偏向器１４、Ｙ偏向器１５およびステージ機構９が制御される。描画するパターンの線幅が２２ｎｍであるとすると、微小領域２１１の一辺は、例えば、その半分の１１ｎｍに設定されうる。描画するパターンの線幅が１６ｎｍであるとすると、微小領域２１１の一辺は、例えば、その半分の８ｎｍに設定されうる。微小領域２１１に電子線が照射された状態でブランカユニット１３における対応するブランカが駆動されて、描画データにおいて規定された照射時間だけ微小領域２１１に電子線が照射される。以降、電子線は、Ｘ偏向器１４によって主走査方向（Ｘ軸方向）に沿って右方向に走査されることによって順次に隣の微小領域２１１にシフトされ（実線矢印）、その度に描画がなされる。微小領域２１１における１つの行の描画が終了すると、Ｘ偏向器１４は、次の行の左端の微小領域に電子線が照射されるように制御される（破線矢印）。ステージ機構９は、基板８を副走査方向（Ｙ軸方向）に等速で移動させるので、Ｙ偏向器１５は、基板８の移動に追従して副走査方向の偏向量を線形的に増加させ、１つの行の描画が終了すると次の行の描画のために偏向量を初期偏向量に戻す。これを繰り返すことで、領域２００の全域にパターンが描画される。その後、隣の部分領域（ここではチップ領域）に対して同様の手順によってパターンが描画される。なお、図２では、全ての行を同一方向に電子線を走査しながらパターンが描画されるが、奇数行と偶数行とで走査方向を反転させてもよい。
【００２３】
図３は、受信部３６によって描画データを正常に受信できている場合におけるＹ偏向器（副偏向器）１５による偏向量を例示している。チップ領域に対する描画の開始から終了まで、ステージ機構９は、基板８を等速で副走査方向に駆動する。Ｙ偏向器（副偏向器）１５による偏向量の最大値は、１つの行の主走査の間に基板８が副走査方向に移動する量である。
【００２４】
図４は、基板８内の複数のチップ領域ＣＲに対する描画の手順を例示している。図４（ａ）に示す例では、副走査方向（Ｙ軸方向）に並んだ一列分のチップ領域ＣＲに対してパターンを連続して描画し、その後、隣の列に移って一列分のチップ領域ＣＲにパターンを連続して描画し、これを繰り返して基板の全面にパターンを描画する。図（ｂ）に示す例では、１つのチップ領域ＣＲに対するパターンの描画が終了すると隣の列の１つのチップ領域ＣＲに対するパターンの描画を行うという手順で１つの行のチップ領域ＣＲにパターンを描画する。その後、次の行を同様の手順で描画する。これを繰り返して基板の全面にパターンを描画する。
【００２５】
以下、図５を参照しながら検出部３によってアンダーランエラーの発生が検出された場合における動作手順を例示的に説明する。ステップＳ１では、検出部３によってアンダーランエラーの発生が検出され、それがリカバリ制御部４に通知される。以下、この通知をエラー通知と呼ぶ。ここで、描画データ源１は、描画データにエラー検出符号を付加して受信部３６に送信しうる。検出部３は、例えば、受信した描画データとエラー検出符号とを照合することによって描画データの伝送においてエラーが発生したことを検出することができる。このようなエラーを伝送エラーと呼ぶことにする。伝送エラーが生じると、正しい描画データをインターフェース２を介して描画データ源１からブランカ制御部１３１に再送信する必要があり、アンダーランエラーが起こりうる。そこで、検出部３は、伝送エラーを検出したときに、ブランカ制御部１３１に対して正しい描画データが供給されない状態、即ち、アンダーランエラーが発生したものと判断することができる。エラー検出符号としては、例えば、一般的にはＣＲＣがよく用いられるが、ハミング符号など他の符号を用いてもよい。あるいは、検出部３は、描画データ源１からの描画データの送信が遅れた場合に、アンダーランエラーが発生したものと判断することができる。
【００２６】
検出部３は、アンダーランエラーの発生を検知したことをリカバリ制御部４に通知する際に、一連の描画データにおけるどの部分でアンダーランエラーが発生したのかを識別する情報、および／または、エラー要因を表す情報を通知してもよい。アンダーランエラーの原因が描画データ源１にあると判断される場合、例えば、伝送エラーが発生していないが受信部３６が必要な描画データを受信していない場合、検出部３は、描画データ源１にそのことを通知してもよい。また、描画データ源１から直接検出部３あるいはリカバリ制御部４に通知してもよい。
【００２７】
リカバリ制御部４は、エラー通知を受けると、ステップＳ２において、描画が停止されるようにブランカ制御部１３１を制御する。リカバリ制御部４は、例えば、ブランカユニット１３、Ｘ偏向器１４、Ｙ偏向器１５およびステージ機構９を同期制御する同期制御部５を介して、描画が停止されるようにブランカ制御部１３１を制御しうる。あるいは、同期制御部５までの通知による遅延が問題となる場合には、リカバリ制御部４または検出部３は、直接にブランカ制御部１３１を制御して描画を停止させてもよい。ブランカ制御部１３１は、電子線が非照射状態になるようにブランカユニット１３を制御することによって描画を停止させることができる。これにより、誤った描画がなされることが防止される。
【００２８】
次いで、ステップＳ３では、リカバリ制御部４は、正しい描画データが準備されて描画が再開されるまでに要する待ち時間を現在時刻に加算することによって描画再開時刻を決定する。該待ち時間は、例えば、
（１）アンダーランエラーの発生の検出からエラー通知までの時間、
（２）リカバリ制御部４がエラー通知を受けてから描画データ源１に対して描画データの再送を指示するまでに要する時間、
（３）描画データ源１が描画データを再度準備するまでに要する時間、
（４）描画データ源１が描画データを再送信するために要する時間、および、
（５）マージン
を含みうる。待ち時間は、アンダーランエラーが発生する度に決定されてもよいし、予め決定された値が使用されてもよい。ここで、前述のエラーの原因を表す情報に基づいて待ち時間を決定してもよい。
【００２９】
ステップＳ４では、リカバリ制御部４は、描画データ源１に対して、アンダーランエラーが発生した部分の描画データを再度準備し、描画再開時刻に合わせてその描画データを再送信するように指示する。指示を受けた描画データ源１は、アンダーランエラーが発生した部分およびそれに続く描画データを準備する。ここで、例えば、インターフェース２による描画データの伝送においてエラー（伝送エラー）が発生した場合であって送信部３２の送信バッファに描画データが残っている場合には、その描画データを利用することができる。例えば、描画データ源１がメモリからレイアウト設計データを読み出す際にエラーが発生した場合には、描画データ源１は、メモリからレイアウト設計データを再度読み出して描画データを再度生成する。例えば、描画データ源１による描画データの生成が遅延したことがアンダーランエラーの原因である場合には、描画データ源１は、描画データの生成を継続する。
【００３０】
描画データ源１は、描画データの準備に要する時間、インターフェース２による描画データの伝送に要する時間等に基づいて、描画再開時刻にブランカ制御部１３１が描画データを利用することができるように描画データを再送信する。
【００３１】
ステップＳ５では、リカバリ制御部４は、描画再開時刻までのステージ機構９による基板８の駆動量を計算する。なお、ステージ機構９は、描画の停止中においても、基板８を等速で駆動している。したがって、リカバリ制御部４は、ブランカユニット１３によって描画を停止した時刻から描画再開時刻までの期間と、描画を停止した時刻における基板８の位置とに基づいて描画再開時刻における基板８の位置を決定することができる。
【００３２】
ステップＳ６では、リカバリ制御部４は、描画の停止から再開までの期間におけるステージ機構９による基板８の副走査方向の駆動量だけステージ機構９による基板８の副走査方向における走査の終了位置を変更する。これは、描画の終了前に基板８の走査が終了することを防止するためである。走査の終了位置の変更は、リカバリ制御部４が走査の終了位置をステージ機構制御部９１に指示することによってなされうる。
【００３３】
ステップＳ７では、リカバリ制御部４は、基板８に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間におけるステージ機構９による副走査方向の基板８の駆動量だけ副走査方向に電子線を偏向するようにＹ偏向器制御部１５１に指示する。これにより、描画再開時刻において、ステージ機構９によって駆動されている基板８の副走査方向における位置と電子線の副走査方向における偏向位置とを一致させることができる。よって、描画の再開の際に、基板８の適正な位置から描画を再開することができる。
【００３４】
ステップＳ８では、リカバリ制御部４は、描画再開時刻に描画を再開するようにブランカ制御部１３１、Ｙ偏向器制御部１５１、Ｘ偏向器制御部１４１に指示する。ブランカ制御部１３１は、再送信された描画データに従って描画再開時刻に描画が再開されるようにブランカユニット１３を制御する。Ｙ偏向器制御部１５１は、補正された副走査方向における位置からステージ機構９による基板８の駆動への追従を再開するようにＹ偏向器１５を制御する。Ｘ偏向器制御部１４１は、描画再開時刻に主偏向動作が再開されるようにＸ偏向器１４を制御する。描画の再開の際の主走査方向における位置は、再送信された描画データに対応する位置である。なお、ステージ機構制御部９１は、副走査方向に基板８を等速で移動させ続けているので、動作状態に変更はない。ステップＳ９では、描画再開時刻に描画が再開される。
【００３５】
リカバリ制御部４は、上記のように同期制御部５を介して描画データ源１、ブランカ制御部１３１、Ｘ偏向器制御部１４１、Ｙ偏向器制御部１５１、ステージ機構制御部９１を制御してもよいし、これらを直接に制御してもよい。
【００３６】
図６に、描画が再開される際の副走査方向の位置関係が例示されている。描画開始時点からエラー発生時点（描画停止時点）までは、電子線の副走査方向における偏向量の最大値は、１つの行の主走査の間に基板８が副走査方向に移動する量である。アンダーランエラーが発生して描画を停止した後における描画再開時点では、ステップＳ５において計算された基板８の駆動量だけ副走査方向における電子線の偏向量が補正され、以降は補正された副走査方向における位置において描画が継続される。描画再開後に再びアンダーランエラーが発生した場合には、再度副走査方向における電子線の偏向位置が補正される。したがって、描画終了時には、それまでのエラー発生回数×１回あたりの副走査方向における偏向量に相当する補正量だけ、副走査方向における偏向量の補正量が蓄積されることになる。そのため、Ｙ偏向器１５は、想定されるエラー発生回数に対して副走査方向における偏向量を十分に補正可能な偏向幅を有している必要がある。特に、図４（ａ）に示した一列単位での描画では、一列を連続して描画するため、一列描画中のエラー発生回数に対応して補正可能な偏向幅を有している必要がある。一方、図４（ｂ）では、１チップ毎に描画開始位置をリセットすることが可能であるため、１チップ分の偏向幅を有していればよい。
【００３７】
従来は、基板８をエラー発生時点の位置まで戻して描画を再開していた。基板８の移動や整定には、例えば数百ｍｓから数秒程度の時間を要しうるので、スループットの低下が起こっていた。描画データを再送して描画の再開が可能になるまでの遅延時間は、電気的・ソフトウェア的な処理による遅延であるため、例えば１ｍｓ以下にすることが可能である。これは、ステージ機構９による基板８の駆動による機械的な処理時間よりも圧倒的に短い時間である。この実施形態においては、描画の停止中もステージ機構９が基板８を等速で駆動しているので、ステージ機構９の動作状態は何ら変更されない。そのため、ステージ機構９による基板の移動や整定を待つ必要はなく、ほとんどスループットの低下は起こらない。また、エラーに備えて大量のバッファメモリを用意しておく必要がなくなるため、ブランカ周りの実装が容易になるとともに、低コスト化が可能となる。
【００３８】
図７に、本発明の第２の実施形態における副走査方向における偏向位置と基板の位置との関係が例示されている。第２実施形態は、描画再開後のステージ機構９による基板８の副走査方向における走査速度を描画停止前よりも低下させる点が、第１実施形態と異なる。
【００３９】
図５における動作手順のステップＳ６において、リカバリ制御部４は、描画の再開後の副走査方向におけるステージ機構９による基板の走査速度を描画の停止前よりも低下させる。ここで、走査速度の低下量は、速度低下によるステージ機構９の振動・姿勢の変動が、描画再開時刻までにできる限り描画に影響のない状態まで整定・安定する範囲で決定されうる。描画再開に影響がなければ十分速度を低下させて、図７に例示するように、描画終了までに徐々に副走査方向における電子線の偏向量を初期状態まで戻し、基板８の走査終了位置の変更量を小さく、あるいは、ゼロにすることができる。また、エラー発生回数の少ない間は、基板８の走査速度を低下させず、エラー発生回数が増えて、副走査方向における偏向位置の補正量が規定量を超えた場合に走査速度を低下させてもよい。ステージ機構による基板の走査速度の低下中は、副走査方向における電子線の偏向量が徐々に変化するため、Ｙ偏向器制御部１５１は、走査速度に応じて適切な位置に電子線が描画されるようにＹ偏向器１５の偏向量を制御する。
【００４０】
以上のように、第２実施形態によれば、複数回のエラーが発生した場合においても、副走査方向における電子線の変更量を小さく抑えることができる。特に、図４（ａ）に示す一列単位の描画においては、走査距離が長く、エラー発生回数が多くなるため、副偏向補正量を抑える効果は大きい。
【００４１】
また、副走査方向における電子線の偏向量の補正量を小さくできるため、Ｙ偏向器１５の偏向幅を小さく設計することが可能であり、偏向器の設計自由度を上げることができる。そこで、より小型で高精度な偏向器を用いることもできる。一方で、Ｙ偏向器の偏向幅を大きく維持しておけば、エラーの発生回数が多くても対応可能になるため、描画データの伝送エラーの許容量を高くすることができる。これにより、インターフェース２のノイズ対策を簡略化して、低コスト化することも可能となる。
【００４２】
図８に、本発明の第３の実施形態における副走査方向における偏向位置と基板の位置との関係が例示されている。第３実施形態は、描画再開後の電子線による描画速度を描画停止前よりも増加させる点が、第１および第２実施形態と異なる。
【００４３】
ステップＳ７において、リカバリ制御部４は、Ｙ偏向器制御部１５１に対して描画再開時刻における描画位置まで副走査方向における偏向量を補正するように指示するとともに、ブランカ制御部１３１に対して描画速度を増加させるように指示する。描画速度の増加分は、第２実施形態におけるステージ機構９による基板８の走査速度の低下分に相当する。第３実施形態においても、描画終了までに徐々に副走査方向における電子線の偏向量を初期状態まで戻し、副走査方向における電子線の変更量を小さく、あるいは、ゼロにすることができる。描画速度の増加のために、リカバリ制御部４は、Ｘ偏向器制御部１４１、Ｙ偏向器制御部１５１に対して、偏向速度を増加させるように指示する。また、単位領域あたりの描画時間も短縮されるので、リカバリ制御部４は、電子線の強度を増加するように電子銃１１に指示を送るとともに、描画データの伝送レートを増加するように描画データ源１に指示を送る。第３実施形態は、第２実施形態と併用されてもよい。
【００４４】
本発明の好適な実施形態の物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスや原版（例えば、レチクルまたはマスクとも呼ばれうる）などの物品の製造に好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板に上記の荷電粒子線描画装置を用いてパターンを描画する工程と、前記パターンが描画された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、デバイスを製造する場合において、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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