(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換された電荷により信号を生成する画素が配列されている第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有するセンサチップと、第３面と前記第３面の反対側の第４面とを有し、前記画素で生成された前記信号を信号処理する信号処理チップと、前記センサチップの前記第１面と前記信号処理チップの前記第３面とに対向して配置され、前記センサチップ及び前記信号処理チップを接続する配線が設けられた基板と、を含む撮像部と、
前記撮像部を収容する筐体と、
前記筐体に支持され、前記第２面から前記第１面に向かって前記センサチップを弾性的に押圧するとともに、前記センサチップで生じた熱を前記筐体に伝える第１押圧部材と、
前記筐体に支持され、前記第４面から前記第３面に向かって前記信号処理チップを弾性的に押圧するとともに、前記信号処理チップで生じた熱を前記筐体に伝える第２押圧部材と、
を備える撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記第１押圧部材は、前記第２面に接触する第１押圧面を有し、
前記第２押圧部材は、前記第４面に接触する第２押圧面を有する撮像装置。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像装置において、
前記第２面及び前記第１押圧面の間に第１熱伝導性グリース層を備え、
前記第４面及び前記第２押圧面の間に第２熱伝導性グリース層を備える撮像装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の撮像装置において、
前記第１押圧部材及び前記第２押圧部材は、閉断面構造である撮像装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の撮像装置において、
前記第１押圧部材及び前記第２押圧部材は、熱伝導性樹脂により形成される撮像装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の撮像装置において、
前記信号処理チップは、前記信号をデジタル信号に変換する変換器を有する撮像装置。
【請求項７】
光電変換された電荷により信号を生成する画素が配列されている第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有するセンサチップと、
第３面と前記第３面とは反対側の第４面とを有し、前記画素で生成された前記信号を信号処理する信号処理チップと、
前記第２面に対向する第５面を有し、前記センサチップで生じた熱を放熱する第１放熱部と、
前記第４面に対向する第６面を有し、前記信号処理チップで生じた熱を放熱する第２放熱部と、
を備え、
前記第１放熱部は、前記第２面から前記第１面に向かう方向に前記センサチップを押圧する弾性を有し、
前記第２放熱部は、前記第４面から前記第３面に向かう方向に前記信号処理チップを押圧する弾性を有する撮像装置。
【請求項８】
請求項７に記載の撮像装置において、
前記センサチップ及び前記信号処理チップは、バンプを介して接続される撮像装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の撮像装置において、
前記センサチップの前記第１面と前記信号処理チップの第３面とに対向して配置され、前記センサチップ及び前記信号処理チップを接続する配線が設けられた基板を備える撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被写体像を撮像する撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、入射光を電気信号に変換する光電変換素子を有するチップがガラス基板上に直接的にマウントされて、このチップが、ガラス基板上に形成された配線パターンを介してガラス基板外部に接続される撮像装置が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−６２２８３号公報
【特許文献２】特開２００２−２７０８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述した従来の撮像装置にあっては、同一のチップ上に設けられた画素アレイのカラム毎にＡ／Ｄ変換器を設けて並列に信号処理を行うことで、Ａ／Ｄ変換器の処理速度を比較的低く抑えて低消費電力化および処理の高速化を図ることが行われている。また、撮像装置の高性能化、小型化および軽量化を図るべく、固体撮像素子のベアチップをカバーガラス上やフィルム基板上に直接的に実装するＣＯＧ（チップオングラス）やＣＯＦ（チップオンフィルム）といったパッケージレス構造が採用されている。
デジタルビデオカメラやいわゆるデジタル一眼レフカメラにおいては、より高画質の動画撮影が要望されているため、この要望に答えるべくＣＭＯＳ等のイメージセンサを高速動作させた場合に、消費電力が急増して、特にＡ／Ｄ変換器の発熱などにより熱ノイズが急増して、画質が劣化してしまう虞があるという課題がある。
【０００５】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、パッケージレス構造の固体撮像素子を高速動作させる際に生じる熱ノイズを低減して画質劣化を防止することが可能な撮像装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明は、光電変換された電荷により信号を生成する画素が配列されている第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有するセンサチップと、第３面と前記第３面の反対側の第４面とを有し、前記画素で生成された前記信号を信号処理する信号処理チップと、前記センサチップの前記第１面と前記信号処理チップの前記第３面とに対向して配置され、前記センサチップ及び前記信号処理チップを接続する配線が設けられた基板と、を含む撮像部と、前記撮像部を収容する筐体と、前記筐体に支持され、前記第２面から前記第１面に向かって前記センサチップを弾性的に押圧するとともに、前記センサチップで生じた熱を前記筐体に伝える第１押圧部材と、前記筐体に支持され、前記第４面から前記第３面に向かって前記信号処理チップを弾性的に押圧するとともに、前記信号処理チップで生じた熱を前記筐体に伝える第２押圧部材と、を備える。
また、この発明は、光電変換された電荷により信号を生成する画素が配列されている第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有するセンサチップと、第３面と前記第３面とは反対側の第４面とを有し、前記画素で生成された前記信号を信号処理する信号処理チップと、前記第２面に対向する第５面を有し、前記センサチップで生じた熱を放熱する第１放熱部と、前記第４面に対向する第６面を有し、前記信号処理チップで生じた熱を放熱する第２放熱部と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、固体撮像素子が装置筐体に支持された押圧部材により弾性的に押圧されることで、固体撮像素子の熱が押圧部材を介して装置筐体へ伝わり、効率よく放熱させることができるため、固体撮像素子を高速動作させた場合の熱ノイズを低減して画質劣化を防止することができる効果がある。
また、押圧部材が弾性的に固体撮像素子を押圧することで、固体撮像素子と装置筐体との間隙の公差を吸収して、確実に押圧部材を固体撮像素子に密着させて、固体撮像素子の放熱を行うことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態における撮像装置の斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態における撮像装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態におけるマルチチップモジュールの概略構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第２実施形態におけるマルチチップモジュールを示す図であり（ａ）は正面図、（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線に沿う部分断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態における図２に相当する断面図である。
【図６】第１変形例における図２に相当する断面図である。
【図７】第２変形例における図２に相当する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に、この発明の実施形態の撮像装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、この実施形態の撮像装置１を示している。この撮像装置１は、いわゆるデジタル一眼レフカメラであり、この撮像装置１は、カメラボディ（カメラ筐体）２のレンズマウント（不図示）にレンズ鏡筒３が着脱自在に取り付けられ、このレンズ鏡筒３のレンズ４を通した光がカメラボディ２の背面側に配置されたセンサチップ（固体撮像素子）５上に結像される。
【００１０】
センサチップ５は、いわゆるＣＭＯＳイメージセンサ等を備える正面視略矩形のベアチップであり、入射光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有した複数の画素が２次元的に列方向および行方向に沿って格子状に配列してなる画素アレイ（不図示）を有している。センサチップ５は、さらに画素アレイの画素出力を信号処理して出力する信号処理部（不図示）を有している。この信号処理部は、画素アレイのカラム毎にアナログ電気信号を並列にデジタル変換する複数のアナログデジタル変換器（不図示）を備える。
【００１１】
図２に示すように、センサチップ５は、透明なガラス基板（基板）６にベアチップ実装されてセンサモジュール（撮像部）７を構成している。より具体的には、センサチップ５の受光面８の周囲にパッド（不図示）が形成され、ガラス基板６上のパターン配線（不図示）がバンプ９を介してパッドに接続され、さらに、上記バンプ９の周囲に封止樹脂１０が充填されてセンサモジュール７が構成される。ガラス基板６上のパターン配線には、センサモジュール７の外部に接続されるフレキシブルプリント基板（不図示）等が接続される。センサモジュール７は、上述したようにバンプ９の周囲に封止樹脂１０が充填されることで、ガラス基板６へのセンサチップ５の取り付け剛性およびセンサチップ５の受光面８の気密性が確保される。
【００１２】
カメラボディ２は、レンズ４からの光束が貫通する開口部１１が形成されたセンサ取り付け部１２を有する。このセンサ取り付け部１２の開口部１１の裏面１２ａには、センサモジュール７を位置決めする取り付け基準面１３が有段形成されている。この取り付け基準面１３に、センサモジュール７のガラス基板６の表面６ａの周縁が接着等により固定される。さらに、取り付け基準面１３には、ガラス基板６のカメラボディ２に対するシフト、チルト方向の位置決めを行う位置決め部も形成されている。取り付け基準面１３や位置決め部を設けることで、センサモジュール７を無調整で取り付け部１２に取り付けることができる。カメラボディ２は、マグネシウム合金等の熱伝導性材料をダイキャスト等で成形したものであり、上述したセンサチップ５と略平行に配置される支持部１４を備える。つまり、センサチップ５の背面と支持部１４のレンズ４側の表面１４ａとは、略一定の間隙をもって対向配置される。
【００１３】
カメラボディ２の支持部１４には、熱伝導性を有した押圧部材１５が支持される。この押圧部材１５は、支持部１４に当接するフランジ部１６と、センサチップ５の受光面８とは反対側の裏面５ａの全面に当接して面接触する押圧面１７ａを有する密着部１７と、これらフランジ部１６と密着部１７との間に配置され弾性を有する弾性部１８とを備えて構成される。フランジ部１６と密着部１７とは略平行に形成され、弾性部１８は、高さ方向の略中央で内側に向かって屈曲形成された板状の圧縮バネとして機能する。
【００１４】
弾性部１８は、圧縮状態で押圧部材１５がセンサモジュール７と支持部１４との間に取り付けられると、常に密着部１７を取り付け基準面１３側（図２中、矢印で示す）に向かって付勢する。なお、センサチップ５の裏面５ａと押圧部材１５の密着部１７の押圧面１７ａとの間にサーマルグリース等を塗布してグリース層を設けてもよい。このグリース層を設けることで、センサチップ５と密着部１７の密着性を向上できると共に伝熱性を向上することができ、さらに取り付け時のセンサチップ５への横方向ストレス、例えば、摩擦の軽減を図ることができる。
【００１５】
したがって、上述した実施形態の撮像装置１によれば、センサチップ５がカメラボディ２の支持部１４に支持された押圧部材１５により弾性的に押圧されることで、センサチップ５の熱が押圧部材１５を介して支持部１４へ伝わり、効率よく放熱させることができるため、センサチップ５を高速動作させる際の熱ノイズを低減して画質劣化を防止することができる。
【００１６】
また、押圧部材１５が弾性的にセンサチップ５を押圧することで、センサチップ５と支持部１４との間隙の公差を吸収して、確実に押圧部材１５をセンサチップ５に密着させて、センサチップ５を放熱させることができる。
さらに、密着部１７がセンサチップ５の裏面５ａの全面に当接して密着することで、センサチップ５の熱を効率よく放熱させることができる。
【００１７】
次に、この発明の第２実施形態における撮像装置１０１について図３〜図５を参照しながら説明する。なお、この第２実施形態の撮像装置１０１は、上述した第１実施形態の撮像装置１のセンサチップ５からデジタル処理回路を分離して個別のチップで構成した点が異なるだけである。よって、第１実施形態と同一部分に同一符号を付して説明する。
【００１８】
図３は、この第２実施形態のセンサモジュールであるマルチチップモジュール１０７を示している。このマルチチップモジュール１０７は、センサチップ１０５、上側信号処理チップ５０ａ、および、下側信号処理チップ５０ｂを備えて構成される。
センサチップ１０５は、入射光に応じた信号（以下、単に画素信号と称す）を出力する複数の画素が２次元的に列方向および行方向に沿って格子状に配列してなる画素アレイ２０と、この画素アレイ２０を駆動する画素駆動ドライバ２１と、画素アレイ２０の出力を増幅する２つのカラムプリアンプ２２ａ，２２ｂと、外部からの制御信号（Vref-pix）に基づきセンサチップ１０５の主にカラムプリアンプ２２ａ，２２ｂへバイアス用の基準電圧および電流を供給するセンサ用バイアス回路２３とを備えて構成される。センサチップ１０５は、さらに画素駆動ドライバ２１用の駆動制御バス２４を備え、この駆動制御バス２４が上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂにも接続される。
【００１９】
上述したカラムプリアンプ２２ａ，２２ｂのうち、一方のカラムプリアンプ２２ａは、画素アレイ２０の奇数列の画素信号を列毎に並列に増幅して、この増幅した画素信号を上側信号処理チップ５０ａに向けて出力し、他方のカラムプリアンプ２２ｂは、画素アレイ２０の偶数列の画素信号を列毎に並列に増幅して、この増幅した画素信号を下側信号処理チップ５０ｂに向けて出力する。
【００２０】
上側信号処理チップ５０ａは、入力された信号を信号処理する信号処理回路として、センサチップ１０５のカラムプリアンプ２２ａから出力されるカラム毎のアナログ電気信号を並列にデジタル変換する複数のアナログデジタル変換器（以下、単にカラムＡＤＣと称す）２５ａと、カラムＡＤＣ２５ａから出力されるデジタル信号用のデジタル出力バス２６ａと、このデジタル出力バス２６ａの信号を小振幅化してチップ外部に差動伝送（data-out-A）するデジタル小振幅差動出力回路２７ａと、カラムＡＤＣ２５ａのバイアス回路２８ａと、これらカラムＡＤＣ２５ａ、デジタル出力バス２６ａ、デジタル小振幅差動出力回路２７ａおよびバイアス回路２８ａを制御する制御回路（CONT.-N）２９ａを備えて構成される。
【００２１】
同様に下側信号処理チップ５０ｂは、入力された信号を信号処理する信号処理回路として、センサチップ１０５のカラムプリアンプ２２ｂから出力されるカラム毎のアナログ電気信号を並列にデジタル変換する複数のカラムＡＤＣ２５ｂと、カラムＡＤＣ２５ｂから出力されるデジタル信号用のデジタル出力バス２６ｂと、このデジタル出力バス２６ｂの信号を小振幅化してチップ外部に差動伝送（data-out-B）するデジタル小振幅差動出力回路２７ｂと、カラムＡＤＣ２５ｂのバイアス回路２８ｂと、これらカラムＡＤＣ２５ｂ、デジタル出力バス２６ｂ、デジタル小振幅差動出力回路２７ｂおよびバイアス回路２８ｂを制御する制御回路（CONT.-S）２９ｂを備えて構成される。
【００２２】
なお、上述した制御回路２９ａ，２９ｂ、画素駆動ドライバ２１、カラムプリアンプ２２ａ，２２ｂには、外部からマルチチップモジュール１０７の動作テスト用の制御信号（Pix-test i/o）が入力可能となっている。
【００２３】
次に、上述したチップ構成を備えるマルチチップモジュール１０７の動作について説明する。なお、上記動作テストの動作の説明は省略する。
まず、マルチチップモジュール１０７の外部から２つの制御線（図３中、「cont.-A-i/o」,「cont.-B-i/o」で示す）を介して制御信号が入力されると、上側信号処理チップ５０ａの制御回路２９ａと、下側信号処理チップ５０ｂの制御回路２９ｂとの少なくとも何れか一方により制御信号が駆動制御バス１４を介して画素駆動ドライバ２１に入力される。すると、画素駆動ドライバ２１により画素アレイ２０が駆動されて、１行ずつ選択された画素信号が、カラム毎のカラムプリアンプ２２ａ，２２ｂに並列に入力される。カラムプリアンプ２２ａ，２２ｂに入力された画素信号は、必要なゲインを施された後にセンサチップ１０５から出力される。このセンサチップ１０５から出力された画素信号は、カラム毎に並列に形成された配線パターン３２（図３中に１点鎖線で囲む配線）を介して上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂへそれぞれ入力される。なお、上側信号処理チップ５０ａと下側信号処理チップ５０ｂとは入力される画素アレイ２０の出力信号が偶数列か奇数列かの違いだけ同様な構成であり同様な動作を行うため、以下、上側信号処理チップ５０ａについてのみ説明し、下側信号処理チップ５０ｂについての説明を省略する。
【００２４】
上側信号処理チップ５０ａに入力された画素信号は、カラム毎のカラムＡＤＣ２５ａに並列に入力されて、制御回路２９ａの制御信号に基づいて、アナログデジタル変換される。このアナログデジタル変換されたデジタル画素信号は、制御回路２９ａの制御信号に基づき、デジタル出力バス２６ａを通じてデジタル小振幅差動出力回路２７ａへ入力され、小振幅化されて差動出力（図２中、「DATA-OUT-A」で示す）される。ここで、上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂからの出力（「DATA-OUT-A」および「DATA-OUT-B」）は、予め設定された所定の順番で出力され、これら上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂより出力されたデジタル画素信号は、後述する第１配線パターン（不図示）および接続基板であるフレキシブルプリント基板Ｆを介してマルチチップモジュール１０７の外部へと伝送される。
【００２５】
なお、上述した説明ではデジタル小振幅差動出力回路２７ａ，２７ｂが上側信号処理チップ５０ａと下側信号処理チップ５０ｂとに各々設けられる場合について説明したが、必要な画素出力速度に応じて複数個（複数レーン）のデジタル小振幅差動出力回路２７ａ〜２７ｎを設けて、制御回路２９ａ又は制御回路２９ｂにより出力順を切換えてデジタル画素信号を伝送するようにしてもよい。また、上述したカラムＡＤＣ２５ａ，２５ｂでは、アナログデジタル変換のみを行う場合について説明したが、必要に応じてより高度なデジタル演算を行う信号処理回路を内蔵させて、データのオフセット値の付加、フィキストパターンノイズ（ＦＰＮ）の減算補正、カラムＡＤＣ２５ａ，２５ｂ毎の誤差ばらつきを補正する演算を行わせるようにしてもよい。
【００２６】
ところで、図４（ａ），（ｂ）に示すように、上述したマルチチップモジュール１０７は、センサチップ１０５が、このセンサチップ１０５の受光面８側に配置される透明なガラス基板６上にバンプ９を介して直接的に実装される、いわゆるベアチップ実装されて構成される。ガラス基板６は、例えば、画素アレイ２０のカラムの方向が長手方向となる略長方形の板状に形成され、このガラス基板６の長手方向の略中央にセンサチップ１０５が実装される。
【００２７】
センサチップ１０５は、いわゆる３５ｍｍフルサイズ等の比較的大型なセンサチップであって、このセンサチップ１０５が実装される同一のガラス基板６上には、上側信号処理チップ５０ａ、および、下側信号処理チップ５０ｂが実装される。ここで、バンプ９を介してセンサチップ１０５がガラス基板６に実装されることで、センサチップ１０５の受光面８は、上述したバンプ９の高さ分だけガラス基板６からやや離間して配置される。そして、センサチップ１０５とガラス基板６との間のバンプ９の周囲には、封止樹脂１０（図５参照）が充填されており、ガラス基板６へのセンサチップ１０５の取り付け剛性およびセンサチップ１０５の受光面８の気密性が確保されている。
【００２８】
上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂは、それぞれガラス基板６の幅方向に沿う上面視略長方形に形成され、センサチップ１０５を中心としたガラス基板６の長手方向両外側にそれぞれ配置される。
【００２９】
図５に示すように、センサモジュール１０７は、センサチップ１０５と、このセンサチップ１０５の両側に配置された２つの信号処理チップ（回路チップ）である上側信処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂとがそれぞれガラス基板６上に実装される。
センサチップ１０５は、バンプ９およびガラス基板６上のパターン配線（不図示）を介して信号処理チップ５０に接続される。また信号処理チップ５０に接続されるバンプ９の周囲からセンサチップ１０５に接続されるバンプ９に亘って上述した封止樹脂１０が充填される。
【００３０】
上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂは、上面視における長手方向が図５の紙面表裏方向に沿う略長方形に形成され、センサチップ１０５の画素アレイの出力信号を処理する。上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂのうち一方は、センサチップ５の画素アレイの奇数列の画素信号を並列に信号処理し、他方は、センサチップ１０５の画素アレイの偶数列の画素信号を並列に信号処理する。ここでいう信号処理とは、Ａ／Ｄ変換器（図示略）により画素アレイのアナログ出力信号をデジタル信号に変換する処理等である。なお、図示都合上、ガラス基板６上のパターン配線を省略しているが、センサチップ１０５から上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂに接続されるパターン配線は、それぞれ数千本となっている。
【００３１】
センサモジュール１０７とカメラボディ２の支持部１４との間には、押圧部材１５が介在される。この押圧部材１５は、センサチップ１０５と支持部１４との間に介在されるセンサチップ押圧部材５１と、上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂと支持部１４との間に介在される信号処理チップ押圧部材５２，５２とを個別に備えて構成される。センサチップ押圧部材５１と信号処理チップ押圧部材５２とは、それぞれ第１実施形態の押圧部材１５と同様に、カメラボディ２の支持部１４により支持されるフランジ部１６、センサチップ１０５および信号処理チップ５０の裏面に密着する密着部１７、および、圧縮バネの機能を有して密着部１７を弾性的に取り付け基準面１３側に付勢する弾性部１８とを備えている。ここで、第２実施形態のセンサチップ押圧部材５１と信号処理チップ押圧部材５２とは、サイズ等の違いはあるものの基本的な形状は第１実施形態の押圧部材１５と同じであり、図５に示すセンサチップ押圧部材５１と信号処理チップ押圧部材５２とは、図２の押圧部材１５をＡ方向から見た形状である。なお、密着部１７とセンサチップ１０５および密着部１７と上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂとの間に上述したグリース層を設けても良い。
【００３２】
したがって、上述した第２実施形態の撮像装置１０１によれば、発熱量の多い信号処理チップ５０と、センサチップ１０５とを個別に設けて、信号処理チップ５０の熱を放熱する信号処理チップ押圧部材５２と、センサチップ１０５の熱を放熱するセンサチップ押圧部材５１とを個別に設けることで、上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂの熱がセンサチップ１０５へ伝達するのを防止することができ、センサチップ１０５が過熱されることによる熱ノイズを更に低減することができる。
【００３３】
なお、この発明は上述した各実施形態の構成に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。
例えば、上述した第１実施形態および第２実施形態では、押圧部材１５の弾性部１８が屈曲形成される場合について説明したが、弾性を有し圧縮変形可能で熱伝導性を有した部材であればよく、例えば第１変形例として図６に示すように、外側に向かって凸となる曲面１１８を有した閉断面構造のバネ材からなる押圧部材１１５や、第２変形例として図７に示すように、弾性を有した熱伝導性樹脂（例えば、高熱伝導性ナイロン樹脂など）からなる押圧部材２１５を用いても良い。なお、図６、図７では、第１実施形態のセンサモジュール７に適用した場合を示しているが、マルチチップ実装された第２実施形態のセンサモジュール１０７に対しても同様に適用可能である。
【００３４】
さらに、上述した第２実施形態では、センサチップ１０５の両側に信号処理チップ５０を配置して、これらセンサチップ１０５、上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂをセンサチップ押圧部材５１および信号処理チップ押圧部材５２，５２で押圧する場合について説明したが、このチップ構成に限られず、例えば、センサチップ１０５の片側に信号処理チップ５０を一つだけ配置する場合にも適用できる。
そして、第２実施形態では、センサチップ１０５、上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂを複数の押圧部材すなわちセンサチップ押圧部材５１および信号処理チップ押圧部材５２，５２で個別に押圧する場合について説明したが、一つの押圧部材１５でセンサチップ１０５、上側信号処理チップ５０ａおよび下側信号処理チップ５０ｂを押圧するようにしても良い。
【００３５】
さらに、上述した第１実施形態および第２実施形態では、押圧部材１５がセンサチップ５，１０５の裏面全体を押圧する場合について説明したが、この構成に限られず、裏面の少なくとも一部を押圧していればよい。
また、上述した各実施形態では撮像装置がデジタル一眼レフカメラの場合について説明したが、撮像装置は、デジタル一眼レフカメラに限られず、例えばビデオカメラやデジタルコンパクトカメラ等の撮像装置にも適用可能である。
【符号の説明】
【００３６】
２  カメラボディ
５，１０５  センサチップ（固体撮像素子）
６  ガラス基板（基板）
７，１０７  センサモジュール（撮像部）
８  受光面
１４  支持部（筐体）
１５，１１５，２１５  押圧部材
５０ａ  上側信号処理チップ（信号処理チップ）
５０ｂ  下側信号処理チップ（信号処理チップ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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