【事件の表示】
　特許第２９１９８４２号「リードフレーム材」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１９８４２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２９１９８４２号の請求項１乃至４に係る発明についての出願は、昭和６３年１２月２日（優先権主張、昭和６３年４月１５日、日本）に特許出願がなされ、平成１１年４月２３日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、日立金属株式会社より特許異議の申立てがなされたものである。
［２］本件発明
　本件特許第２９１９８４２号の請求項１乃至４に係る発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】重量％でＣ:0.005％以下、Si:0.001〜0.15％、Mn:0.1〜1.0％、Ｐ:0.01％以下、Ｓ:0.005％以下、Ｏ:0.005％以下、Ｎ:0.005％以下、Ni:40〜45％、残部Feおよび不可避的不純物からなるエッチング加工性に優れたリードフレーム材（以下、「本件第１発明」という。）。
【請求項２】重量％でＣ:0.015％以下、Si:0.001〜0.02％、Mn:0.1〜1.0％、Ｐ:0.01％以下、Ｓ:0.005％以下、Ｏ:0.005％以下、Ｎ:0.005％以下、Ni:40〜45％、残部Feおよび不可避的不純物からなるエッチング加工性に優れたリードフレーム材（以下、「本件第２発明」という。）。
【請求項３】重量％でＣ:0.005％以下、Si:0.001〜0.02％（特許公報に「0.2」とあるのは、「0.02」の誤植である。）、Mn:0.1〜1.0％、Ｐ:0.01％以下、Ｓ:0.005％以下、Ｏ:0.005％以下、Ｎ:0.005％以下、Ni:40〜45％、残部Feおよび不可避的不純物からなるエッチング加工性に優れたリードフレーム材（以下、「本件第３発明」という。）。
【請求項４】Ｐの含有量が重量％で0.003％以下である特許請求の範囲第１項又は２項又は３項のそれぞれに記載のリードフレーム材（以下、「本件第４発明」という。）。」
［３］申立ての理由の概要
　申立人日立金属株式会社は、証拠として甲第１号証を提出し、本件第１乃至第４発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、本件第１乃至第４発明に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであって取り消されるべきである旨、主張している。
［４］甲第１号証の記載された発明
　甲第１号証（特開昭６２−４０３４３号公報）には、Fe-Ni合金に関し、
　「Ni:30.0〜52.0wt％、Si:0.40wt％以下、Mn:0.10〜0.80wt％、Ｃ:0.05wt％以下、Al:0.006〜0.02wt％、Ｐ:0.010wt％以下、Ｓ:0.002wt％以下、Ｏ:0.005wt％以下を含有し、且つＳ+Ｐ/10≦0.0020wt％の条件を満たし、残部Feからなることを特徴とするFe-Ni合金。」（特許請求の範囲第１項）
が記載され、
　該合金の用途について、「たとえばインバー材である36Ni合金、リードフレーム用42Ni合金及びパーマロイ50Ni合金等のFe-Ni合金」（2頁左上欄20行〜2頁右上欄3行）と記載され、
　また、該合金における「Ｃ」、「Ｏ」及び「Al」の添加理由について、
　「Ｃは・・・溶製上の経済性から0.003wt％以上が好ましい。
　Ｏは、0.005wt％を越えると酸化物系介在物が多くなり磁気的性質や加工性、打抜性に有害なので0.005wt％を上限とした。
　Alは0.006wt％未満では製鋼時にＯ２が増加し、上述した本発明のＯ量0.005wt％を越え、同様に介在物が形成されて問題となるので、0.006wt％を下限とした。一方0.020wt％を越えると物理的性質に有害なばかりでなく、冷圧−焼鈍時に酸化膜を形成する傾向が強まり、最終製品のメッキ性等に有害なので0.020wt％を上限とした。」（3頁左下欄5〜20行）と記載され、
　第１表には、発明材４として、Ｃ:0.0110％、Si:0.15％、Mn:0.45％、Ｓ:0.0006％、Ｐ:0.006％、Al:0.012％、Ni:41.4％、Ｏ:0.0033％のFe-42wt％Ni合金が示されている。
ている。
［５］対比・判断
＜本件第１発明について＞
　本件第１発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された発明における「残部Feからなることを特徴とするFe-Ni合金」は、その用途について、「リードフレーム用」と記載されており、また該Fe-Ni合金は、一般に、本件第１発明におけるような「不可避的不純物」を含有すると解されるから、これは、本件第１発明における「残部Feおよび不可避的不純物からなるリードフレーム材」に相当し、また、甲第１号証に記載された発明におけるＣ、Si、Mn、Ｐ、Ｓ、Ｏ及びNiの含有量は、それぞれ、0.005％以下（特許請求の範囲第１項に記載されたＣの含有量は、0.05wt％以下であるが、0.003wt％以上が好ましいという記載もあり、0.005％以下も示唆されている。）、0.15％以下（特許請求の範囲第１項に記載されたSiの含有量は、0.40wt％以下であるが、実施例には、0.15％以下がある。）、0.1〜0.8％、0.01％以下、0.002％以下、0.005％以下及び40〜45％の範囲で、本件第１発明におけるＣ、Si、Mn、Ｐ、Ｓ、Ｏ及びNiの含有量と重複しているから、両者は、「重量％でＣ:0.005％以下、Si:0.15％以下、Mn:0.1〜0.8％、Ｐ:0.01％以下、Ｓ:0.002％以下、Ｏ:0.005％以下、Ni:40〜45％、残部Feおよび不可避的不純物からなるリードフレーム材」である点で一致し、本件第１発明においては、リードフレーム材の成分組成として、Ｎを0.005％以下含有させることによって、エッチング加工性を優れたものとしているのに対し、甲第１号証に記載された発明においては、成分組成として、Alを0.006〜0.02％含有させることが記載され、本件第１発明におけるようなＮを0.005％以下含有させることによって、エッチング加工性を優れたものとすることについては記載されていない点で相違している。
  上記相違点について検討する。
　甲第１号証に記載されたFe-Ni合金（リードフレーム材）に含有される「Ｏ」及び「Al」の添加理由によれば、甲第１号証に記載された発明においては、打抜性を有効とするために、「Ｏ」の含有量を0.005wt％以下としており、そのための脱酸剤としてAlを0.006〜0.02wt％使用したものと認められるから、甲第１号証に記載された発明においては、「Al」は、打抜性を有効とするために必要な成分である。これに対して、本件特許明細書の記載によれば、本件第１発明においては、エッチング加工時の穿孔欠陥を抑制するために、「Ｏ」の含有量を0.005％以下としており（本件特許公報４欄35〜37行）、そのための脱酸剤としてSi:0.001〜0.15％及びMn:0.1〜1.0％使用したものであるから（本件特許公報4欄13〜26行）、本件第１発明においては、「Al」は、必要としない成分である。したがって、両者は、Al及びＮの有無並びにエッチング加工性の有無において全く異なったものであるから、本件第１発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　なお、特許異議申立人は、参考文献（特開昭６１−８４３５６号公報）を提出しているが、該参考文献には、微細エッチング加工用素材（本件第１発明における「エッチング加工性に優れたリードフレーム材」に相当する。）に関する技術が記載されており、そのうち、成分とエッチング速度（本件第１発明における「エッチング加工性」に相当する。）との関係については、「第１図は42％ニッケル−鉄合金についてもとめた炭素含有量によるエッチング速度の変化を示す。この図からあきらかなように炭素含有量が0.02％のときのエッチング速度を1とすると0.01％以下の炭素含有量のときには1.25〜1.30と炭素含有量が0.02％の場合に比して25％〜30％早くなる。」（2頁左下欄2〜9行）と記載されているにすぎず、本件第１発明におけるようなＣと共にSi、Ｐ、Ｓ、Ｏ及びＮを特定量含有させることによってエッチング加工性を改善し、多ピンのリードフレームの製造に対応することについては全く開示がないから、該参考文献が存在しても、上記判断に何ら影響を与えるものではない。
　また、甲第１号証中の「特許法第１７条の２の規定による補正の掲載」は、本件出願後の平成１年１０月３日に発行されたものであるから、特許異議申立ての証拠として採用することはできない。
＜本件第２発明について＞
　本件第２発明は、本件第１発明において、Ｃの含有量を0.015％以下と多くし、更にSiの含有量を0.001〜0.02％と少なくしたものであって、本件第１発明と重複するものであるから、上記本件第１発明について示した理由と同様の理由により、本件第２発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
＜本件第３乃至第４発明について＞
  本件第３乃至第４発明は、本件第１発明を更に限定したものであるから、上記本件第１発明について示した理由と同様の理由により、本件第３乃至第４発明は、申立人が提出した甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
［６］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件第１乃至第４発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１乃至第４発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月２６日（２０００．１２．２６）