(57)【要約】  熱界面材料（１３０）は、集積回路装置（１２０）と熱伝導装置（１４０）との間の熱伝達を促進する。実施形態によれば、熱界面材料（１３０）は、その熱伝導率を高めるカーボンナノチューブ材料を有する。前記界面材料（１３０）は、集積回路装置（１２０）と熱伝導装置（１４０）との間で流れる。カーボンナノチューブ材料は、集積回路装置（１２０）から熱伝導装置（１４０）へ熱を伝導する。
2008519455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路チップと、
該集積回路チップに隣接する熱伝導装置と、
前記集積回路チップに直接隣接する界面領域と
を具える集積回路チップ装置であって、
前記界面領域が、流体混合物中のカーボンナノチューブ材料を含み、カーボンナノチューブ材料が、流体混合物とともに、前記集積回路チップと前記熱伝導装置との間の熱を熱的に結合するよう構成されかつ配置される集積回路チップ装置。
【請求項２】
前記カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブダスト、単層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブの少なくとも１つを含む請求項１に記載の集積回路チップ装置。
【請求項３】
前記流体混合物は、エポキシ、低粘性バインダ、グリース、アルコールおよび油の少なくとも１つを含む請求項１に記載の集積回路チップ装置。
【請求項４】
前記流体混合物は、前記カーボンナノチューブ材料の流れを作るのに十分な流体で混合されるカーボンナノチューブ材料である請求項３に記載の集積回路チップ装置。
【請求項５】
前記集積回路チップは、表面粗さを呈する上面を有し、前記カーボンナノチューブ材料を十分に小さくして、前記上面のくぼんだ領域に流れ込むようにする請求項１に記載の集積回路チップ装置。
【請求項６】
前記カーボンナノチューブ材料は、前記集積回路チップと前記熱伝導装置との間の所望の熱伝達経路とほぼ平行な方向に配向させたカーボンナノチューブを含む請求項１に記載の集積回路チップ装置。
【請求項７】
前記カーボンナノチューブは、前記集積回路チップと前記熱伝導装置との間で流体混合物の流れの向きに配向される請求項６に記載の集積回路チップ装置。
【請求項８】
前記カーボンナノチューブは、磁気を帯びている請求項６に記載の集積回路チップ装置。
【請求項９】
前記カーボンナノチューブは、磁場の向きに配向させる請求項８に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１０】
カーボンナノチューブ材料は、異なるサイズのカーボンナノチューブ材料を含む請求項１に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１１】
前記カーボンナノチューブ材料は、表面のボイドに流れ込むようなサイズにしたカーボンナノチューブダストおよびカーボンナノチューブを含む請求項１０に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１２】
前記カーボンナノチューブ材料は、カーボンナノチューブチェーンを含む請求項１１に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１３】
前記流体混合物中のカーボンナノチューブ材料の濃度は、流体混合物の所望な熱伝導率を達成するよう選択される請求項１に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１４】
前記流体混合物は、その中のカーボンナノチューブ材料の濃度の関数である導電率を有する請求項１に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１５】
前記流体混合物は、前記集積回路チップと前記熱伝導装置との間で電気を伝導するのに十分に大きな導電率を有する請求項１４に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１６】
前記流体混合物は、前記集積回路チップと前記熱伝導装置との間で電気伝導を抑制するのに十分に小さな導電率を有する請求項１４に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１７】
熱伝導材料と結合するための集積回路チップ装置であって、
該装置は、凹凸のある上面を有する集積回路チップと、前記上面の上の界面材料と
を具え、
前記界面材料は、
流体ベースと、
前記流体ベース内で混合され、前記凹凸のある上面の領域であって、他の部分と比較してくぼんでいる領域に流れ込むように適合させたカーボンナノチューブ材料と
を有する集積回路チップ装置。
【請求項１８】
前記界面材料は、さらに、その界面材料上に位置する熱伝導装置のくぼんだ領域に流れ込むように適合させる請求項１７に記載の集積回路チップ装置。
【請求項１９】
前記界面材料は、その中のカーボンナノチューブ材料の量の関数に従って変化する熱伝導特性を有する請求項１７に記載の集積回路チップ装置。
【請求項２０】
前記界面材料は、集積回路の前記凹凸のある上面の上方に頂面を有し、該頂面は、前記凹凸のある上面と比較して平滑であり、且つ熱伝導装置と結合するように適合させる請求項１７に記載の集積回路チップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路チップ装置に関するものであり、特に、流体界面材料を含む集積回路用途に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路産業は技術的に進歩しており、これにより、回路密度および複雑性を飛躍的に増大させることが可能となった。同様に、回路部品および回路装置の大きさを飛躍的に減少させることも可能となった。これら技術的進歩は、同様に、産業を飛躍的に成長させ、これに対応して、高密度、複雑で、且つ小型の集積回路装置を使用する製品の需要を拡大した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
回路密度および回路設計を特徴付ける機能性が増加するにつれて、小さな面積内に多くの相互接続（ならびに多くの相互接続およびバイアス）が要求される場合が多い。加えて、回路に電力を供給するため、より大きくの電力消費が必要な場合も多い。増加する回路密度および／または電力消費は、一般に、発熱の増加を引き起こし、これは、回路部品に関し潜在的な問題をもたらす。加えて、回路装置（および、これに対応して、回路装置に関連する部品）の大きさが減少するにつれて、これら回路装置は、多くの場合、熱に関連して発生する増大した応力の下に置かれる。
【０００４】
いくつかの例では、熱の不十分な除去は、寿命および性能の問題が生じる結果となるに至る。高密度の集積回路装置を製造するとき、この問題は深刻化する。さらに、集積回路からのより高い性能が必要とされるとき、熱の問題に関連して性能の変動は、性能の問題をもたらす。
【０００５】
集積回路中の熱関連の問題に対処するための一のアプローチは、熱を伝導するヒートシンクまたは他の部品の使用を必要としてきた。熱伝導材料は、多くの場合、集積回路とともに配置されて、回路からの熱伝達を促進し、最終的には、熱伝導材料からも熱を取り除く。多くの用途は、空冷材料、例えば、熱交換用の所望の表面積を付与するフィン装置を有する金属ヒートシンクなどの使用を含む。集積回路からの熱は、ヒートシンクへ伝達し、したがって、周囲の空気へ伝達する。
【０００６】
ヒートシンクおよび他の熱伝導部品が、比較的良い結果で用いられてはいるものの、発熱が問題として残り続けていると、これらのおよび他の関連した用途へのチャレンジは存在し続け、かつチャレンジすることがより一般的になった。集積回路装置から離れる熱を伝導するための能力は、装置と、装置の熱を取り除くことを目的とする熱伝導部品との間の界面特性によって妨げられてきた。これらの表面同士が接触していないところでは、熱伝達は、一般に阻害される。粗さのような表面特性は、部品間の直接接触をチャレンジしやすく、多くの場合、表面間にギャップまたはボイドが生じる原因となりうる。これらギャップまたはボイドは、断熱効果を有する。
【０００７】
これらのおよび他の困難性は、様々な用途のための回路基板の実現へのチャレンジを示している。
【０００８】
本発明の様々な態様は、集積回路および他の装置で実施される界面アプローチを含む。本発明は、多くの実施態様および用途で実証され、それらのいくつかを以下で説明する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態によると、ナノチューブベースの伝導材料は、集積回路装置と、基板のような他の部品との間の伝導率（例えば、熱および／または電気的な伝導率）を促進させる。
【００１０】
本発明の他の実施形態では、集積回路チップ装置は、カーボンナノチューブベースの流体界面材料を、熱および／または電気の伝導を促進するために使用する。集積回路チップ装置は、集積回路チップと、この集積回路チップに隣接する伝導（すなわち、熱および／または電気的な伝導）装置を含む。界面領域は、集積回路チップと熱伝導装置に直接隣接し、流体混合物中にカーボンナノチューブ材料を含む。カーボンナノチューブ材料は、流体混合物とともに配置され、集積回路チップと熱伝導装置との間の熱を熱結合する。
【００１１】
本発明の他の実施形態によると、集積回路チップ装置は、熱伝導材料と結合する。集積回路チップは、比較的凹凸のある上面（例えば、顕微鏡レベルにおける山部と谷部）を有し、その粗さ特性内に充填する界面材料とともに配置され、上面のくぼんだ領域および他の凹凸のある領域と、直接熱および／または電気的な結合を容易にする。この界面材料は、流体ベースと、この流体ベース内で混合されたカーボンナノチューブ材料を有する。カーボンナノチューブ材料の前記混合物は、上面の谷部へ流れ込むように適合される。一の実施態様では、界面材料は、集積回路の凹凸のある上面の上方の頂面をさらに有し、この頂面は、凹凸のある上面と比較して平滑であり、ヒートシンクのような熱伝導装置と結合するように適合させる。
【００１２】
本発明の上記説明は、本発明の各例証した実施形態またはあらゆる実施を記載することを意図したものではない。後述する図面および詳細な説明は、これら実施形態をより詳細に例示する。
【００１３】
本発明は、添付図面と関連させながら、以下に示す本発明の様々な実施形態の詳細な説明を考慮することでより完全に理解することができる。
【００１４】
本発明が様々な修正および代案的な形態に従うもののそれらの詳細は一例として図面に示されており、詳細に説明されるであろう。しかしながら、その意図が、本発明を、説明した特定の実施形態に限定しないことであることは理解されるべきである。反対に、その意図は、特許請求の範囲によって定義されたような本発明の範囲内にある全ての修正、均等物および代案をカバーすることである。
【００１５】
本発明は、界面材料を含むおよび／または界面材料からの利益を得る様々な回路およびアプローチに適用できるものと確信される。界面材料は、特に、熱グリースのような流体界面材料である。本発明は必ずしもこのような用途に限定されないものの、このような環境における実施例の議論を通して、本発明の様々な態様に関する正しい評価が最もよく得られる。
【００１６】
本発明の実施形態によると、ナノチューブ増強流体界面型材料は、回路部品からの熱伝達を促進する。前記界面型材料は、回路装置の表面と、ヒートシンクのような熱伝導部品の表面との間を流れるよう構成する。前記界面型材料中のナノチューブ材料は、界面型材料の熱伝導性を向上させ、これに対応して、回路と熱伝導部品との間の熱結合を促進する。
【００１７】
本発明の他の実施形態では、カーボンナノチューブ増強熱界面材料は、集積回路チップの表面と、そのチップに対向して配置されたヒートシンクの表面との間のボイドまたは開口への流入を促進する粘性特性を有する。熱界面材料は、ベース成分と、ナノチューブおよび／またはナノチューブダストのようなカーボンナノチューブ材料とを有し、前記ベース成分は、カーボンナノチューブ材料を混合するための媒体を設ける。集積回路チップおよびヒートシンクの両方と接触して実装される場合、熱界面材料は、集積回路チップおよびヒートシンクと熱的に結合する（すなわち、それらの間に熱伝導媒体を設ける）。この熱結合によって、例えば、空気のようなボイド内の材料を横断する伝熱率または従来材料に対し、集積回路チップとヒートシンクとの間の伝熱率が一般に高められる。
【００１８】
用途および利用可能な材料に応じて、様々な異なるベース成分は、カーボンナノチューブ材料とともにで実装される。例えば、適当な粘性特性を有するエポキシ内で混合されたカーボンナノチューブ材料は、集積回路チップとヒートシンクとの間で流動することができる。同様に、低粘性バインダ材料は、このような用途に関し、カーボンナノチューブ材料混合を保つために用いることができる。グリース、油、アルコール等の他の材料は、特定の実施形態に従って、カーボンナノチューブ材料とともにベース成分として用いられる。これらのまたは他の材料の混合物は、これらのおよび他の用途でさらに用いることができる。
【００１９】
種々のタイプのカーボンナノチューブ材料は、ここで説明された種々の用途に用いることができ、そして、選択された要求に適合させるため、特別な用途では、他の材料と混合してもよい。例えば、カーボンナノチューブダスト、多層および単層カーボンナノチューブ、および他のカーボンナノチューブをベースとする材料は、異なる用途に使用される。これらカーボンナノチューブ材料は、一般的に小さく、換言すれば、シリカまたは他の充填材料よりも小さい。
【００２０】
いくつかの実施態様では、カーボンナノチューブ材料は、所望の流動特性を得るための大きさおよび配置に調整される。例えば、界面材料を流入させるべき非常に小さい領域を含む用途では、カーボンナノチューブダストまたは単層カーボンナノチューブのような、相対的に小さなサイズのカーボンナノチューブ材料を用いる。高い流動特性を必ずしも望まない用途では、カーボンナノチューブのチェーンまたはマトリックスのような、相対的大きなサイズのカーボンナノチューブ材料を用いる。さらに、いくつかの用途では、カーボンナノチューブ材料の異なる大きさを組合せた使用を含む。
【００２１】
一の実施態様では、ベース材料と共に実装されたカーボンナノチューブ材料は、集積回路装置の表面に接触するように配置する。前記表面と前記界面（ベース）材料との間の熱抵抗は、前記表面と直接接触するカーボンナノチューブ材料の結果として形成された熱結合を介して実質的に減少する。
【００２２】
カーボンナノチューブ材料は、１以上の様々なアプローチを用いて、集積回路装置の表面と接触するよう配置する。一の実施態様では、ベース材料は、十分な量のカーボンナノチューブ充填材を取り込んで、前記充填材と、集積回路装置の片面または両面との間の直接接触を容易にする。カーボンナノチューブダスト（例えば、粉末）を用いると、ベース材料の前記ダストの十分な取り込みは、多数のカーボンナノチューブ粒子が前記表面と接触するようになる。
【００２３】
他の実施態様では、カーボンナノチューブ充填材の濃度を最大にすると同時に、所望の流動特性を達成するため、ダストのようなカーボンナノチューブ充填材の濃度は、ベース材料に対して選択される。この充填材濃度を最大にすることは、前記充填材と前記表面との間の熱相互作用を可能にする流動特性を得ると同時に、熱の伝達を促進する。このような１つの実施態様は、油とカーボンナノチューブパウダーとの混合物を含む。このような別の実施態様は、アルコールとカーボンナノチューブパウダーとの混合物を含む。
【００２４】
他の実施態様では、カーボンナノチューブ充填材の濃度は、所望の電気伝導特性を達成するように選択される。例えば、集積回路チップとヒートシンクのような熱伝導装置との間の導電率が好ましい（または、例えば、悪くない）場合、ベース材料中のカーボンナノチューブ充填材の濃度は高い。集積回路チップと（熱伝導装置を含む）他の部品との間の導電率が好ましくない場合、ベース材料中のカーボンナノチューブ材料の濃度は相対的に低い。これらの例では、使用するカーボンナノチューブ材料の濃度を選択する場合、ベース材料の特性を考慮に入れる。ベース材料が絶縁性である場合、カーボンナノチューブ材料に関連する導電率は、ベース材料の絶縁特性によって、一般に抑制され、したがって、カーボンナノチューブ材料の濃度は、これらの絶縁特性と関連して選択される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
ここで、図を参照すると、図１は、本発明の他の実施形態に従う半導体装置１００を示し、この半導体装置は、熱放散装置により熱伝達を促進するため、カーボンナノチューブ材料を使用する。半導体装置１００は、集積回路チップ１２０を有し、この集積回路チップ１２０は、支持基板１１０上に配置し、例えば支持基板および集積回路チップの対向面に面して接触する接着材料を用いて支持基板１１０に結合する。さらに、パッケージ部品（例えば、電気接続、モールド化合物）は、用途に応じて、集積回路チップ１２０と基板１１０とのパッケージとともに実装することができるが、簡潔のためにここでは省略する。
【００２６】
ヒートシンク１４０は、集積回路チップ１２０の上方に配置され、熱界面ヒートシンクと集積回路チップとを分離する熱界面材料１３０を有する。ヒートシンク１４０は、一例として半導体装置内に示されており、ヒートシンク（または、他の熱伝導材料）の多くの種類が、この実施例および他の実施例に関連して適用することが可能である。図１Ａでは、複数のヒートフィンを有するヒートシンク１４０が示されており、これらのヒートシンクのうちの１つに、参照符号１４２を付しているが、前記ヒートシンクは、一般に、集積回路チップ１２０から上方へ延び、冷却を促進するために配置する。
【００２７】
熱界面材料１３０は、熱界面材料の熱伝導率に寄与するカーボンナノチューブ充填材をもつベース材料を有する。カーボンナノチューブ充填材は、集積回路チップ１２０内（または、基板１１０から通過した）熱を、集積回路チップから離れかつヒートシンク１４０に向かって伝導する。前記半導体装置１００を横断する熱勾配は、熱伝達を促進し、集積回路中の熱を、（例えば、空気または液体などの周囲媒体により冷却される）比較的冷たいヒートシンクに移動させる。一般に、熱界面材料１３０内のカーボンナノチューブ充填材の存在は、前記熱界面材料の全体の熱伝導率は増大させ、それゆえに、集積回路チップ１２０とヒートシンク１４０との間の前記熱界面材料を横断する概して急速熱伝達を促進する。
【００２８】
図１Ａと同じである、（以下で説明する）図１Ｂおよび図１Ｃに示される半導体装置の種々の部分には、共通の参照符号を付している。先に述べたところのこれらの要素の特定な説明については、簡潔のために省略する。
【００２９】
図１Ｂは、図１Ａに示されるように、集積回路チップ１２０とヒートシンク１４０との間の界面の拡大図１０５を示し、前記面は、本発明の他の実施形態に従って配置されるカーボンナノチューブ材料を有する。集積回路装置１２０の表面１２１およびヒートシンク１４０の表面１４１は、それらの各表面と接触する熱界面材料１３０とともに、図１Ｂに示すような表面粗さを呈する。熱界面材料１３０中のカーボンナノチューブ粒子（代表として１つのカーボンナノチューブ粒子に参照符号１３２を付す。）は、前記表面１２１と前記表面１４１との間の前記熱界面材料を横断する熱伝達を促進する。
【００３０】
粒子１３２のようなカーボンナノチューブ粒子は、単層および／または多層カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブダスト（例えば、粉末状のカーボンナノチューブ）の部分、またはカーボンナノチューブの配列のような、１以上の種々のタイプのカーボンナノチューブ材料を有する。カーボンナノチューブ粒子の形状の性質は、熱伝達のために各表面の近くに位置する（または接触する）カーボンナノチューブ材料で、各表面１２１、１４１の粗い領域を充填するのを促進する。
【００３１】
図１Ｃは、図１Ａに示されるように、集積回路チップ１２０とヒートシンク１４０との間の界面の他の拡大図１０７を示し、前記熱界面材料は、本発明の他の実施形態に従って配置されるカーボンナノチューブ材料を有する。前記表面１２１および１４１は、これらの各表面と再度接触する熱界面材料１３０とともに、図１Ｂを用いて上記で説明したように、表面粗さを呈している。図１Ｃでは、参照符号１３４を付したカーボンナノチューブをベースに混合して、熱界面材料１３０を形成する。これらカーボンナノチューブは、前記表面１２１および表面１４１間の熱伝達を促進する。
【００３２】
熱界面材料１３０中のカーボンナノチューブ（例えば、カーボンナノチューブ１３４）は、実施態様によって、単層および／または多層カーボンナノチューブを含む。さらに、カーボンナノチューブの配向は、特定用途に適合するよう選択する。図１Ｃに示される配向は、概して複数の方向および／またはランダムである。しかしながら、特定の実施態様は、熱伝達および／または他の望ましい特性を促進するため、カーボンナノチューブの規則正しい配列を含む。例えば、いくつかの実施態様は、前記表面１２１および１４１に対して、概して垂直に配向したカーボンナノチューブの配列を含む。このような垂直配向は、前記表面１２１、１４１間の方向に、カーボンナノチューブに沿う熱伝達を促進する。
【００３３】
熱界面材料１３０内のカーボンナノチューブの配向は、種々の方法で達成することができる。例えば、カーボンナノチューブが磁化されている場合には、磁場を用いて整列させることができる。一旦整列すると、カーボンナノチューブを混合したベース材料は、磁場を取り除いた後のカーボンナノチューブの位置を維持する傾向がある。配向に関する他のアプローチとしては、好ましい配向を作り出す前記熱界面材料１３０を流すことによるアプローチを含む（例えば、カーボンナノチューブは、流れのパターンとともに整列する傾向がある）。
【００３４】
図２は、本発明の他の実施形態に従う、カーボンナノチューブで増強される界面材料を有する顕微鏡レベルの集積回路装置２００の断面図である。集積回路チップ２２０は、種々の幾何学配列ばかりでなく様々な高低領域（例えば、山部と谷部）を有する粗さを呈する表面２２１を有する。種々の異なるタイプの集積回路装置に典型的には関連する、このような粗さは、集積回路チップ２２０とともに界面熱伝導装置をチャレンジ（challenging）する傾向がある。すなわち、表面２２１が高い位置および低い位置を有する場所では、界面装置が表面に接触しないところがボイドになる傾向がある。
【００３５】
流体熱界面材料２３０は、表面２２１からの熱を伝達するため、表面２２１上に配置される。流体熱界面材料２３０は、グリースのようなベース材料中にカーボンナノチューブ材料（例えば、粒子、ダストおよび／またはナノチューブ）を含む。参照符号２３２が付されたカーボンナノチューブ材料は、熱を伝導し、それに対応して、流体熱界面材料２３０の好適な熱伝導特性を向上させる。表面２２１と接触している特定のカーボンナノチューブ材料は、集積回路２２０との直接的な熱接触を容易にする。さらに、比較的小さいサイズのカーボンナノチューブ材料（例えば、ダスト）に加えて流体熱界面材料２３０の流体の性質により、熱伝導材料が表面２２１の低い領域に充填させるようになる。例えば、図２で参照符号２３２で示す粒子近くの低い領域は充填され、したがって、表面２２１近くからの熱伝導は、カーボンナノチューブ材料が比較的近接することによって促進される。この点に関しては、集積回路チップ２２０の回路で発生する熱は、流体熱界面材料２３０によって、チップ２２０から離れて伝達される。
【００３６】
前記装置２００は、流体熱界面材料２３０の上側領域で熱伝導装置と接触させるのに適合し、流体界面材料２３０は、多くの異なる形状に適合するように一般的に受け入れる。この点に関して、流体熱界面材料２３０は、熱伝導経路に集積回路チップ２２０を設けた流体熱界面材料とともに、多くの装置に種々の熱伝導装置の使用を可能にする。例えば、図１Ａ〜図１Ｃに示されるようなヒートシンクは、種々の用途に対し、図２に示されるアプローチを用いて実装される。
【００３７】
上述し、図で示した様々な実施形態は、実例としてのみ示したものであって、本発明を限定して解すべきでない。上記説明および図解に基づいて、当業者は、種々の修正および変更が、ここで図示しかつ説明した典型的な実施形態および応用例に厳格に従うことなく、本発明を行なうことができることを容易に認識するであろう。例えば、カーボンナノチューブは、カーボンとは異なる材料またはカーボンにホウ素（Ｂ）を加えた材料で実施することができる。更に、一例として説明した前記熱界面タイプの材料は、単独でおよび／または複合して用いられる複数の異なるタイプの材料、または上述した材料を用いてによって実装しうる。このような修正及び変更は、本発明の真の趣旨および範囲から逸脱しない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１Ａ】本発明の実施形態に従う流体界面材料を有する集積回路パッケージ装置の断面図である。
【図１Ｂ】本発明の他の実施形態に従う図１Ａの集積回路パッケージ装置の断面拡大図である。
【図１Ｃ】本発明の他の実施形態に従う図１Ａの集積回路パッケージ装置の断面拡大図である。
【図２】本発明の他の実施形態に従う、流体界面材料に隣接し、表面粗さを示す集積回路パッケージ装置の断面図である。
【図１Ａ】
2008519455.tif 000003
【図１Ｂ】
2008519455.tif 000004
【図１Ｃ】
2008519455.tif 000005
【図２】
2008519455.tif 000006
【国際調査報告】
2008519455.tif 000007
2008519455.tif 000008
2008519455.tif 000009
2008519455.tif 000010