【事件の表示】
　特許第２９５３４０１号「磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９５３４０１号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．　手続の経緯・本件発明　
　本件特許第２９５３４０１号の請求項１〜９に係る発明（以下、本件発明１〜９という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された次の通りのものであり、平成８年１０月４日に特許出願され、平成１１年７月１６日に設定登録がなされ、その後異議申立人ティーディーケイ株式会社から異議の申し立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１０月２７日に異議意見書が提出されたものである。　
　
「【請求項１】　磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギャップ膜及び第二の磁極がこの順に凸状に積層されてインダクティブヘッドが形成された、磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、　
　第一の磁性層に非磁性層を積層し、　
　この非磁性層に所定幅の第二の磁性層を形成し、　
　この第二の磁性層をマスクとして反応性イオンエッチングを用いて前記非磁性層を前記所定幅とすることにより前記磁気ギャップ膜を形成し、　
　イオンビームミリングを用いて前記第一の磁性層から前記第一及び第三の磁極を形成するとともに前記第二の磁性層から前記第二の磁極を形成する、ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
　【請求項２】　前記非磁性層がＳｉＯ2 である、請求項１記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
　【請求項３】　前記反応性イオンエッチングの反応ガスにＣＦ4 を用いる、請求項２記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
　【請求項４】　磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギャップ膜、第四の磁極及び第二の磁極がこの順に凸状に積層されてインダクティブヘッドが形成され、前記第四の磁極が前記第二の磁極よりも大きな飽和磁化を有する、磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、
　第一の磁性層に非磁性層及び第二の磁性層をこの順に積層し、この第二の磁性層上に所定幅の第三の磁性層を形成し、　
　この第三の磁性層をマスクとしてイオンビームミリングを用いて前記第二の磁性層を前記所定幅とすることにより前記第四の磁極を形成し、　
　前記第三の磁性層をマスクとして反応性イオンエッチングを用いて前記非磁性層を前記所定幅とすることにより前記磁気ギャップ膜を形成し、　
　イオンビームミリングを用いて前記第一の磁性層から前記第一及び第三の磁極を形成するとともに前記第三の磁性層から前記第二の磁極を形成する、ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。　
　【請求項５】　前記非磁性層がＳｉＯ2 である、請求項４記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。　
　【請求項６】　前記反応性イオンエッチングの反応ガスにＣＦ4 を用いる、請求項５記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。　
　【請求項７】　磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギャップ膜、第四の磁極及び第二の磁極がこの順に凸状に積層されてインダクティブヘッドが形成され、前記第三の磁極が前記第一の磁極よりも大きな飽和磁化を有し、前記第四の磁極が前記第二の磁極よりも大きな飽和磁化を有する、磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、　
　第一の磁性層に第二の磁性層、非磁性層及び第三の磁性層をこの順に積層し、この第三の磁性層上に所定幅の第四の磁性層を形成し、　
　この第四の磁性層をマスクとしてイオンビームミリングを用いて前記第三の磁性層を前記所定幅とすることにより前記第四の磁極を形成し、　
　前記第四の磁性層をマスクとして反応性イオンエッチングを用いて前記非磁性層を前記所定幅とすることにより前記磁気ギャップ膜を形成し、　
　イオンビームミリングを用いて前記第一の磁性層及び第二の磁性層から前記第一及び第三の磁極を形成するとともに前記第四の磁性層から前記第二の磁極を形成する、ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。　
　【請求項８】　前記非磁性層がＳｉＯ2 である、請求項７記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。　
　【請求項９】　前記反応性イオンエッチングの反応ガスにＣＦ4 を用いる、請求項８記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。」　
　
　
２．　異議申立の理由の概要　
 異議申立人ティーディーケイ株式会社は、証拠として、以下の甲第１〜６号証を提出し、本件発明１〜９は、特許法第２９条第２項の規定に違反されたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。　
　
　甲第１号証：特開平　７−２６２５１９号公報（刊行物１）　
　甲第２号証：特開平　６−　４４５２８号公報（刊行物２）　
　甲第３号証：特開昭６２−　４６４１５号公報（刊行物３）　
　甲第４号証：特開平　８−　９６３２４号公報（刊行物４）　
　甲第５号証：特開平　６−　９６４２３号公報（刊行物５）　
　甲第６号証：「半導体リソグラフィ技術」　産業図書株式会社　昭和５９年７月３０日発行　第９，１０頁（１．３　エッチング）（刊行物６）　
　
　
３．　刊行物の記載　
　当審が通知した取消の理由に引用された刊行物１〜６（甲第１〜６号証）には、以下の事項が記載されている。　
　
（１）　刊行物１　
「【請求項４６】　
・・・・・・・・・・・・・・・・　
　（１）前記ＭＲ読取りヘッドの前記第２シールド層Ｓ２と、　
　（２）前記ＡＢＳと０スロート・レベルとの間の未画定の磁極端部分と、前記０スロート・レベルとバック・ギャップとの間のバック部分とを有する前記底極片Ｐ１とを形成するために、　
　前記バック・ギャップを含み前記ＡＢＳから前記バック・ギャップまで、第１磁性層を堆積するステップと、前記ＡＢＳから前記０スロート・レベルまで、前記第１磁性層の上にギャップ層Ｇを堆積するステップと、　
　前記第１および第２の垂直側壁を有する画定された前記磁極端要素ＰＴ２を有する前記頂極片Ｐ２を形成するため、前記第１磁性層の上で前記ギャップ層Ｇの上に第２磁性層を堆積するステップと、　
　前記磁極端要素ＰＴ２の各側面上で前記第１磁性層に切欠を設けるためのマスクとして前記磁極端要素ＰＴ２を使用して、前記底極片Ｐ１の未画定の磁極端部分のある区域内の前記第１磁性層で、前記ＡＢＳに実質的に平行で前記磁極端要素ＰＴ２の第１および第２の側壁に対して角度θの方向に、少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップとを含み、前記切欠によって、垂直のペデスタルを有する前記第１磁性層が残され、前記垂直ペデスタルが、前記磁極端要素ＰＴ１ｂであり、前記磁極端要素ＰＴ１ｂに第１および第２の垂直側壁をもたらし、　
　前記ＡＢＳと前記０スロート・レベルとの間の、前記ペデスタルを除く磁性層が、前記磁極端要素ＰＴ１ａを含み、前記磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２の第１垂直側壁が、第１垂直面内で位置合せされ、前記磁極端ＰＴ１ｂおよびＰＴ２の第２側壁が、第２垂直面内で位置合せされ、前記第１および第２の垂直面が、前記ＡＢＳに対して垂直であり、ＭＲ複合ヘッドのトラック幅ｗを画定するため前記ＡＢＳで互いに離隔されることを特徴とする前記方法。　
　【請求項４７】　
　前記少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップが、未画定の磁極端部分にイオン・ビームを向ける前に前記ギャップ層Ｇにイオン・ビームを向けるステップを含み、　
　前記少なくとも１つのイオン・ビームを向けるステップが、前記磁極端要素ＰＴ１ｂおよびＰＴ２の第１および第２の垂直側壁にそれぞれ位置合せされる第１および第２の側壁を前記ギャップ層Ｇにもたらすことを特徴とする、請求項４６に記載の方法。」（請求項４６，４７）と、　
　
「ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂをギャップ層の下に画定する前に、ギャップ層を、イオン・ビームによってミリングするか、化学エッチングによって画定することができる。重要なことに、この２つの発見を用いて、２μｍ未満のトラック幅を達成できる。」（第１５欄第２４行〜第２８行）と、　
　
「誘導ヘッドは、底磁極端層ＰＴ１、ギャップ層Ｇおよび頂磁極端層ＰＴ２を使用して、読取り機能と書込み機能の両方を実行する。書込み機能の間には、図示されないコイルが、底磁極端層ＰＴ１と頂磁極端層ＰＴ２に磁束を誘導して、書込み動作を実行する。読取り動作の間には、底磁極端層ＰＴ１および頂磁極端層ＰＴ２とそれらの対応する極片が、同一のコイルに磁束を誘導して、読取り動作を実行する。」（第２０欄第１６行〜第１８行）と、　
　
「磁極端要素ＰＴ２ａおよび磁極端要素ＰＴ２ｂは、磁極端要素ＰＴ２ｂが磁極端要素ＰＴ２ａと異なる材料であることが所望される時に、２つの別々の層で構成することができる。たとえば、磁極端要素ＰＴ２ｂを、窒化第２鉄などの高飽和モーメントの材料から構成し、磁極端要素ＰＴ２ａを、パーマロイなどの低飽和モーメントの材料から構成することができる。」（第２１欄第１６行〜第２４行）と、　
　
「【００３７】　
　本発明の図５および図６の実施例を構成するためにイオン・ビームを向けるためのさまざまな実施例を、図１７ないし図２３に示す。この実施例では、頂磁極端要素ＰＴ２が、底磁極端構造を構成するためのマスクとして使用される。本発明の図７および図８の実施例の構成に、同一の方法が使用されるはずである。この実施例では、磁極端要素ＰＴ２ｂだけまたは磁極端要素ＰＴ２ｂおよび磁極端要素ＰＴ２ａを、底磁極端構造を形成するためのマスクとして使用することができる。」（第２２欄第４７行〜第２３欄第５行）と、　
　
「カット動作中に、頂磁極端要素ＰＴ２の厚さが、２μｍなど、追加された追加厚さ（図１７参照）だけ減らされていることに留意されたい。驚くべき結果は、このミリングの後に、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂの側壁が、頂磁極端要素ＰＴ２の側壁と位置合せされていることである。ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂは、第２シールド層Ｓ２に符号７８および７９で切欠を設けることによって形成された。ギャップ層Ｇは、３０°および７５°のビームによってイオン・ミリングするか、その代わりに、イオン・ビーム・ミリングの前にその幅まで化学エッチングすることができる。」（第２３欄第４１行〜第２４欄第２行）と、　
　
「【００４１】　
　図２４ないし図２８は、本発明の図５および図６の実施例の磁極端要素を構成する際の追加の詳細を示す図である。図２４では、フォトレジスト・フレームを利用して、頂極片Ｐ２とその頂磁極端要素ＰＴ２をめっきしている。このめっき動作によって、フレームの外側もめっきされ、これをＰ２フィールドと称する。図２５では、フォトレジスト・フレームが取り除かれており、両側にＰ２フィールドを有する頂磁極端要素ＰＴ２が残されている。図２５では、ギャップ層ＧがＰ１／Ｓ２層の上に堆積され、頂磁極端要素ＰＴ２がギャップ層Ｇの上に堆積されたことがわかる。フレームめっき処理の場合、頂磁極端要素ＰＴ２は、本来備わったものとして垂直方向の第１側壁８８および第２側壁９０を有する状態で構成される。図２６では、Ｐ２フィールドが取り除かれ、頂磁極端要素ＰＴ２を露出する開口または窓１４０を有するフォトレジスト・マスクが、頂極片Ｐ２の上に置かれている。このレジスト窓は、図２７により明瞭に示されている。その後、上で述べたように、このレジスト窓を介して１つまたは複数のイオン・ビームを向け、図２８に示されるように、Ｐ１／Ｓ２層に切欠を設けてペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂをもたらす。　
　【００４２】　
　図２９ないし図３３は、本発明の図７および図８の実施例の磁極端構造を作るための処理ステップを示す図である。これらのステップは、図３０に示されるように２つの磁極端要素ＰＴ２ａおよびＰＴ２ｂをもたらすために頂極片Ｐ２が２層を用いて構成される点を除いて、図２４ないし図２８に関して説明したステップと同一である。イオン・ビーム・ミリングの後に、図３３に示されるように、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂが形成され、頂磁極端構造に、磁極端要素ＰＴ２ａおよびＰＴ２ｂが含まれる。上で述べたように、磁極端要素ＰＴ２ｂは、磁極端要素ＰＴ２ａと異なる材料とすることができる。図３４は、イオン・ビーム・ミリングの前に第２シールド層Ｓ２の上に磁性層が置かれる場合の追加の実施例を示す図である。この場合、底磁極端構造に、２つのペデスタル磁極端要素すなわち、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂおよびＰＴ１ｃが含まれるはずである。やはり、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｃは、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂと異なる材料とすることができる。磁極端要素ＰＴ２ｂおよびペデスタル磁極端層ＰＴ１ｃは、窒化第２鉄などの高飽和モーメントの材料（４πｍs）から構成でき、ペデスタル磁極端層ＰＴ１ｂおよび磁極端要素ＰＴ２ａの材料は、パーマロイなどの低飽和モーメントの材料とすることができる。」（第２４欄第１７行〜第２５欄第１２行）とが記載されている。　
　
　
　（２）　刊行物２　
「【請求項１】　磁性層より成る磁気回路と、前記磁気回路中に形成された非磁性材料より成る磁気間隙層と、及び前記磁気回路に叉交するように形成された導体薄膜より成るコイルと、を有する誘導型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気間隙層がカーボン膜から成ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。　
　【請求項２】　薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁極加工工程が、塩素系ガス中での反応性イオンエッチング法を用いて磁性体層を加工する工程と、酸素を主成分とするガス中での反応性イオンエッチング法で磁気間隙層を加工する工程とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」（特許請求の範囲）と、　
　
「【００１０】　
　　【作用】　
　磁気間隙材料として一般的なアルミナは、既に文献１でも指摘されているように、塩素系ガスというきわめて活性な物質に対しても、極めて僅かしかエッチングされず非常に安定である。種々検討したが、本発明者の検討した範囲では、アルミナを高速に加工することはきわめて困難であり、磁気間隙を成す材料をアルミナとする限り、スループットのこれ以上の改善は望めないと判断された。そこで、本発明者は高速加工可能な磁気間隙層の材料、及び加工法について再度検討した。その結果、磁気間隙層をなす材料をカーボン膜とし、しかもこのカーボン膜の加工を酸素ガスを主成分とするガス中での反応性イオンエッチング法を用いて行うことで、磁極加工工程に要する時間を大幅に短縮でき、スループットの良い薄膜磁気ヘッドの製造方法が実現できることを見いだした。以下、幾つかの加工法でエッチングした時のカーボン膜の加工速度について説明を加える。」（第２欄第４８行〜第３欄第１４行）が記載されている。　
　
　
（３）　刊行物３　
「続いて第２図に示すように、上記Ｃｒ膜（４）にＳｉＯ２等よりなる第１絶縁層（６）を被着形成した後、・・・・・・・・第２絶縁層（８）被着形成し、・・・・更に、・・・・・・・第３絶縁層（１１）を形成する。」（第３頁左下欄第１３行〜右下欄第１０行）と、　
　
「続いて、第４図に示すように、フロントギャップＦＧ及びバックギャップＢＧ上の第１絶縁層（６）、第２絶縁層（８）および第３絶縁層（１１）をＣＦ４等の反応ガス雰囲気中でＲＩＥにて除去する。　
　ここで、ＲＩＥによるＣｒ膜（４）の・・・・・・・、例えば絶縁材料としてＳｉＯ２を使用した場合、・・・・・・・殆どエッチングされずに残存する。」（第３頁右下欄第１９行〜第４頁左上欄第１０行）が記載されている。　
　
　
（４）　刊行物４　
「【００１４】　
　請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、基板上の絶縁膜は、例えばイオンエッチング、反応性イオンエッチング、ウエットエッチング等の従来技術を用いることによって、凹所を所望の形状・寸法に正確に制御して加工することができるから、これに傾斜部分を設けかつそれを充填するように、例えば金属磁性膜をめっき等すれば、その先端部分に所望の傾斜部分を有する下部磁性膜を、その膜厚及び形状・寸法を制御しつつ比較的簡単に形成することができる。」（段落１５）と、　
　
「【００２２】　
　通常、反応性エッチングガスとしてＣＦ4を使用する。Ｃ3Ｆ8、ＣＣｌ4等を用いることもできる。これらの反応性ガスに代えて、Ａｒガス等の不活性ガスを用いたスパッタエッチングにより加工することもできるが、エッチング速度が遅くなって処理時間が長くなる。反応性ガスを用いた場合にアルミナ膜のエッチング速度が約６００Å／分であるのに対して、Ａｒガスの場合には約１００Å／分である。また、別の実施例では、ＨＦ等をエッチング液に用いたウェットエッチングによって、凹所１４を形成することも可能である。」（段落２２）が記載されている。　
　
　
（５）　刊行物５　
「【００１６】　
　以下に上記した方法の基本的な工程を図３を用いて説明する。なお図３は、簡単のため、基板１１上にＳｉＯ2 からなる絶縁膜３４を形成してその端部にテーパエッチングを行ない、かつテーパ部３４ａの上端角部３４ｂをなだらかに加工する場合を示しており、下ポール磁性膜１２、ギャップ部絶縁膜１３、導電コイル１５及び上ポール磁性膜１６は省略してある。　
　また図３（ａ）〜（ｃ）は、絶縁膜３４のマスクとしてのフォトレジスト２９端部にテーパを付与し、リアクティブ・イオン・エッチングによって絶縁膜３４端部にテーパエッチング加工を施す第１の工程を示しており、図３（ｄ）は、テーパエッチングを終えた絶縁膜３４をさらに粘性の低いフォトレジストからなる被膜３９で覆ってテーパ部上端角部３４ｂ近傍の被膜３９の外形をなだらかにする第２の工程を示している。さらに図３（ｅ）は、テーパ部３４ａにさらにリアクティブ・イオン・エッチングを施すことにより絶縁膜テーパ部３４ａのテーパ角θ3 を小さくし、かつテーパ部上端角部３４ｂを被膜３９と共になだらかな外形に添って除去する第３の工程を示している。」（段落１６）と、　
　
「エッチングガスとしてＣＦ４、ＣＦ４＋Ｏ２（Ｏ２　５％含有）あるいはＣＨＦ３をもちい、」（第７欄第３７行〜第３８行）が記載されている。　
　
　
（６）　刊行物６　
「１．３　エッチング　
　このような液体によるエッチングは、ウェット・エッチングともよばれ、・・・・・・・・。　
　ドライ・エッチングの機構は・・・・・・・・・・・・。　
　図１．７にはこれらのドライ・エッチングの原理図が描かれている。・・・・・・・・・・・・・純物理方式である。」（第９頁〜第１１頁　１．３エッチングの項）が記載されている。
　
　
４．　対比・判断　
（１）　本件発明１について　
　刊行物１には、上記「３．刊行物の記載　（１）刊行物１」で摘記した事項から、　
　ＭＲ複合ヘッドの製造方法に関して、　
「ＭＲ読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２を兼ねる磁極端要素ＰＴ１ａ上に、ペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂ、磁気ギャップ層Ｇ及び磁極端要素ＰＴ２がこの順に凸状に積層されて誘導ヘッドが形成された、ＭＲ複合ヘッドにおいて、　
　第１磁性層の上にギャップ層Ｇを堆積し、　
　このギャップ層Ｇの上に画定された第２磁性層を堆積し、　
　この第２磁性層をマスクとして、イオン・ビーム・ミリングを用いて前記ギャップ層を所定幅とすることにより前記磁気ギャップ層Ｇを形成するか、その代わりに、イオン・ビーム・ミリングの前にその幅まで化学エッチングすることによって前記磁気ギャップ層Ｇを形成し、　
　イオン・ビーム・ミリングを用いて前記第１の磁性層から前記磁極端要素ＰＴ１ａおよびペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂを形成するとともに前記第２の磁性層から前記磁極端要素ＰＴ２から追加厚さを減らす、ことを特徴とするＭＲ複合ヘッドの製造方法。」の発明（以下、刊行物１の発明という。）が記載されていると認められる。　
　
　そこで本件発明１と刊行物１の発明を対比すると、　
　後者の「ＭＲ読取りヘッド」「第２シールド層Ｓ２」「磁極端要素ＰＴ１ａ」「ペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂ」「磁気ギャップ層Ｇ」「誘導ヘッド」「第１磁性層」「磁気ギャップ層Ｇ」「第２磁性層」は、　
　前者の「磁気抵抗効果型ヘッド」「磁気シールド膜」「平面状の第一の磁極」「第三の磁極」「磁気ギャップ膜」「インダクティブヘッド」「第一の磁性層」「非磁性層」「第二の磁性層」に相当し、　
　後者の「磁極端要素ＰＴ１ａ」は平面の形状であるから、両者は、　
「磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギャップ膜及び第二の磁極がこの順に凸状に積層されてインダクティブヘッドが形成された、磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、　
　第一の磁性層に非磁性層を積層し、　
　この非磁性層に所定幅の第二の磁性層を形成し、　
　この第二の磁性層をマスクとして前記非磁性層を前記所定幅とすることにより前記磁気ギャップ膜を形成し、　
　イオンビームミリングを用いて前記第一の磁性層から前記第一及び第三の磁極を形成するとともに前記第二の磁性層から前記第二の磁極を形成する、ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。」で一致し、　
　次の点で相違する。　
　磁気ギャップ膜を所定幅とするためのエッチングが、本件発明１では反応性イオンエッチングを用いているのに対して、刊行物１の発明ではイオン・ビーム・ミリングまたは化学エッチングを用いている点。　
　
　次に、相違点について検討する。　
　異議申立人は、「磁気ギャップ膜をＲＩＥによってエッチングすること、、及び、金属膜と非磁性膜の積層構造において、非磁性膜を選択的にエッチングする手段としてＲＩＥを用いることは、本件特許の出願前に既に知られていた。」（特許異議申立書　第１５頁第２２行〜２４行　（四）相違点について検討（１））と刊行物２を示しているが、刊行物２の発明は、磁性体層と非磁性の磁気間隔層を反応性イオンエッチングで加工する薄膜磁気ヘッドの製造方法について、非磁性の磁気間隔層と磁性体層がともに反応性イオンエッチングで加工されており、イオンミリング等の他の加工方法と併用されている中において、選択的に反応性イオンエッチングが非磁性の磁気間隔層に用いられているものではない。刊行物３の発明も、Ｃｒ膜（４）、各絶縁層（６），（８），（１０）がＲＩＥでエッチングされており、選択的に絶縁層のみをＲＩＥでエッチングするものではなく、刊行物１の発明において、非磁性膜に選択的に反応性イオンエッチングを用いることは導き出せず、刊行物１〜３に記載された発明から本件発明１は容易に発明できたものとすることはできない。　
　また、異議申立人は、刊行物１に記載されている化学エッチングはドライエッチングのみに解釈でき、その結果ＲＩＥが示唆されている旨の主張をしているが、化学エッチングはウエットエッチングを含み、薄膜磁気ヘッドのおいてもウエットエッチングは用いられており（特許異議意見書と同時に提出の特開平３−２５２９０７号公報参照）、ドライエッチングのみに解釈することはできず、刊行物１の発明における化学エッチングが、反応性化学エッチングを示唆していると限定的に解釈することはできない。　
　なお、反応性イオンエッチングが矩形断面形状の形成に優れていることやエッチング速度が早いことは周知であり、刊行物４〜６にも反応性イオンエッチング記載されているが、磁性体層と非磁性体層の積層構造において、非磁性層を反応性イオンエッチングで加工する点については記載されておらず、示唆もされていないのであり、刊行物１の発明の磁気ギャップを形成するイオン・ビーム・ミリングまたは化学エッチングに変えて反応性イオンエッチングを採用することは容易であるとは認められない。　
　そして、かかる相違点により、本件発明１は、第三の磁極を形成するイオンビームミリング工程において、多大な時間を要していた磁気ギャップ膜のミリング時間が無くなったことから、第二の磁極を形成するための磁性層の膜厚を薄くすることが可能となり、第二の磁極を形成するためのフレーム高さを低くするという作用効果を生じるものと認められる。　
　したがって、本件発明１は刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。　
　
　
（２）　本件発明２，３について　
　「請求項１」を引用する本件発明２と、「請求項２」を引用する本件発明３を刊行物１の発明とを対比すると、両者は、上記「（１）本件発明について」における場合と同じ一致点及び相違点を有する他、さらに「請求項２」及び「請求項３」に記載された相違点を有するものであるが、「請求項２」及び「請求項３」に記載された相違点を検討するまでもなく、上記「（１）本件発明について」と同一の理由により、本件発明２，３は刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　
（３）　本件発明４について　
　刊行物１には、上記「３．刊行物の記載　（１）刊行物１」で摘記した事項から、　
　「ＭＲ読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２を兼ねる磁極端要素ＰＴ１ａ上に、ペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂ、磁気ギャップ層Ｇ、磁極端要素ＰＴ２ｂ及び磁極端要素ＰＴ２ａがこの順に凸状に積層されて誘導ヘッドが形成され、前記磁極端要素ＰＴ２ｂが前記磁極端要素ＰＴ２ａよりも大きな飽和磁化を有する、ＭＲ複合ヘッドにおいて、　
　第１磁性層の上にギャップ層Ｇ、ギャップ層Ｇの上にフォトレジストフォームを利用して窒化第２鉄層、第２磁性層をこの順に堆積し、　
　前記磁極端要素ＰＴ２ｂおよびＰＴ２ａをマスクとして、イオン・ビーム・ミリングを用いて前記ギャップ層を所定幅とすることにより前記磁気ギャップ層Ｇを形成するか、その代わりに、イオン・ビーム・ミリングの前にその幅まで化学エッチングすることによって前記磁気ギャップ層Ｇを形成し、　
　イオン・ビーム・ミリングを用いて、前記第１磁性層から前記磁極端要素ＰＴ１ａおよびペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂを形成するするとともに、前記第２磁性層の極端要素ＰＴ２ａから追加厚さを減らす、ことを特徴とするＭＲ複合ヘッドの製造方法。」の発明（以下、刊行物１の発明という。）が記載されているものと認められる。　
　
　本件発明４と刊行物１の発明を対比すると、　
　後者の「ＭＲ読取りヘッド」「第２シールド層Ｓ２」「磁極端要素ＰＴ１ａ」「ペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂ」「磁気ギャップ層Ｇ」「誘導ヘッド」「磁極端要素ＰＴ２ｂ」「磁極端要素ＰＴ２ａ」「第１磁性層」「磁気ギャップ層Ｇ」「窒化第２鉄層」「第２磁性層」は、　
　前者の「磁気抵抗効果型ヘッド」「磁気シールド膜」「平面状の第一の磁極」「第三の磁極」「磁気ギャップ膜」「インダクティブヘッド」「第四の磁極」「第二の磁極」「第一の磁性層」「非磁性層」「第二の磁性層」「第三の磁性層」に相当し、　
　両者は、磁気ギャップ上の磁極が２層から形成されている点で共通し、　
「磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギャップ膜、第四の磁極及び第二の磁極がこの順に凸状に積層されてインダクティブヘッドが形成され、前記第四の磁極が前記第二の磁極よりも大きな飽和磁化を有する、磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、　
　第一の磁性層に非磁性層及び第二の磁性層をこの順に積層し、この第二の磁性層上に第三の磁性層を形成し、　
　前記非磁性層上の磁性層をマスクとしてを用いて前記非磁性層を前記所定幅とすることにより前記磁気ギャップ膜を形成し、　
　イオンビームミリングを用いて前記第一の磁性層から前記第一及び第三の磁極を形成するとともに前記第三の磁性層から前記第二の磁極を形成する、ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。」の発明で一致し、以下の点で相違する。　
　
　イ．　本件発明４では、各層の積層時に第三の磁性層が所定幅に形成され、第三の磁性層をマスクとしてイオンビームミリングを用いて第二の磁性層を所定幅とすることにより第四の磁極が形成されるのに対して、刊行物１の発明では、フォトレジストフォームを利用して窒化第２鉄層、第２磁性層をこの順に堆積することにより、磁極端要素ＰＴ２ｂおよびＰＴ２ａが所定幅に形成される点。　
　ロ．　マスクとして用いられる磁性層が、本件発明４では第三の磁性層であるのに対して、刊行物１の発明では、窒化第２鉄層、第２磁性層が所定幅に形成された磁極端要素ＰＴ２ｂだけまたは磁極端要素ＰＴ２ｂおよびＰＴ２ａである点。　
　ハ．　非磁性層を所定幅にするため、本件発明４では反応性イオンエッチングを用いてるのに対して、刊行物１の発明では、イオン・ビーム・ミリング又は化学エッチングを用いている点。　
　
　
　次に相違点について検討するが、相違点ハは上記「（１）本件発明１について」検討した相違点と同一の相違点であり、相違点イ、ロを検討するまでもなく、本件発明４は、上記「（１）本件発明について」と同一の理由により、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。　
　
　
（４）　本件発明５，６について　
　「請求項４」を引用する本件発明５と、「請求項５」を引用する本件発明６を刊行物１の発明とを対比すると、両者は、上記「（３）本件発明４につてい」同じ一致点及び相違点を有する他、さらに「請求項５」及び「請求項６」に記載された相違点を有するものであるが、「請求項５」及び「請求項６」に記載された相違点を検討するまでもなく、上記「（３）本件発明４につて」の判断と同一の理由により、本件発明５，６は刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　
（５）　本件発明７について　
　刊行物１には、上記「３．刊行物の記載　（１）刊行物１」で摘記した事項から、　
「　ＭＲ読取りヘッドの第２シールド層Ｓ２を兼ねる磁極端要素ＰＴ１ａ上に、ペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂ、ペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｃ、磁気ギャップ層Ｇ、磁極端要素ＰＴ２ｂ及び磁極端要素ＰＴ２ａがこの順に凸状に積層されて誘導ヘッドが形成され、ペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｃが磁極端要素ＰＴ１ａ及びペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂよりも大きな飽和磁化を有し、前記磁極端要素ＰＴ２ｂが前記磁極端要素ＰＴ２ａよりも大きな飽和磁化を有する、ＭＲ複合ヘッドにおいて、　
　第１磁性層の上に窒化第２鉄層、ギャップ層Ｇ、ギャップ層Ｇの上にフォトレジストフォームを利用して窒化第２鉄層、第２磁性層をこの順に堆積し、　
　前記磁極端要素ＰＴ２ｂおよびＰＴ２ａをマスクとして、イオン・ビーム・ミリングを用いて前記ギャップ層を所定幅とすることにより前記磁気ギャップ層Ｇを形成するか、その代わりに、イオン・ビーム・ミリングの前にその幅まで化学エッチングすることによって前記磁気ギャップ層Ｇを形成し、　
　イオン・ビーム・ミリングを用いて前記第１磁性層から磁極端要素ＰＴ１ａおよびペデスタル磁極層ＰＴ１ｂ、窒化第２鉄層から磁極端要素ＰＴ１ｃを形成するとともに、前記第２磁性層の極端要素ＰＴ２ａから追加厚さを減らす、ことを特徴とするＭＲ複合ヘッドの製造方法。」（以下、刊行物１の発明という。）が記載されているものと認められる。　
　
　本件発明７と刊行物１の発明を対比すると、　
　後者の「ＭＲ読取りヘッド」「第２シールド層Ｓ２」「磁極端要素ＰＴ１ａ」「ペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｃ」「磁気ギャップ層Ｇ」「誘導ヘッド」「磁極端要素ＰＴ２ｂ」「磁極端要素ＰＴ２ａ」「第１磁性層」「第１磁性層上の窒化第２鉄層」「磁気ギャップ層Ｇ」「窒化第２鉄層」「第２磁性層」は、　
　前者の「磁気抵抗効果型ヘッド」「磁気シールド膜」「平面状の第一の磁極」「第三の磁極」「磁気ギャップ膜」「インダクティブヘッド」「第四の磁極」「第二の磁極」「第一の磁性層」「第二の磁性層」「非磁性層」「第三の磁性層」「第四の磁性層」に相当し、　
　両者は、磁気ギャップを挟んだ上下の磁極が２層から形成されてる点で共通し、　
「磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜を兼ねる平面状の第一の磁極上に、第三の磁極、磁気ギャップ膜、第四の磁極及び第二の磁極がこの順に凸状に積層されてインダクティブヘッドが形成され、前記第三の磁極が前記第一の磁極よりも大きな飽和磁化を有し、前記第四の磁極が前記第二の磁極よりも大きな飽和磁化を有する、磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、　
　第一の磁性層に第二の磁性層、非磁性層及び第三の磁性層をこの順に積層し、この第三の磁性層上に第四の磁性層を形成し、　
　前記非磁性層上の磁性層をマスクとして用いて前記非磁性層を前記所定幅とすることにより前記磁気ギャップ膜を形成し、　
　イオンビームミリングを用いて前記第一の磁性層及び第二の磁性層から前記第一及び第三の磁極を形成するとともに前記第四の磁性層から前記第二の磁極を形成する、ことを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。」の発明で一致し、以下の点で相違する。　
　
　イ．　本件発明７では、各層の積層時に第四の磁性層が所定幅に形成され、第四の磁性層をマスクとしてイオンビームミリングを用いて第三の磁性層を所定幅とすることにより第四の磁極を形成するのに対して、刊行物１の発明では、フォトレジストフォームを利用して窒化第２鉄層と第２磁性層を堆積し所定幅に磁極端要素ＰＴ２ｂおよびＰＴ２ａを形成する点。　
　ロ．　マスクとして用いられる磁性層が、本件発明７では第四の磁性層であるのに対して、刊行物１の発明では、窒化第２鉄層、第２磁性層が所定幅に形成された磁極端要素ＰＴ２ｂだけまたは磁極端要素ＰＴ２ｂおよびＰＴ２ａである点。　
　ハ．　非磁性層を所定幅にするため、本件発明７では反応性イオンエッチングを用いてるのに対して、刊行物１の発明では、イオン・ビーム・ミリング又は化学エッチングを用いている点。　
　ニ．　第一の磁性層から形成される磁極が、本件発明７では平面状の第一の磁極であるのに対して、刊行物１の発明では、磁極端要素ＰＴ１ａとペデスタル磁極端要素ＰＴ１ｂである点。　
　
　
　次に相違点について検討するが、相違点ハは上記「（１）本件発明１について」検討した相違点と同一であり、相違点イ、ロ、ニを検討するまでもなく、本件発明７は、上記「（１）本件発明について」と同一の理由により、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。　
　
　
（６）　本件発明８，９について　
　「請求項７」を引用する本件発明８と、「請求項７」を引用する本件発明９を刊行物１の発明とを対比すると、両者は、上記「（５）本件発明７ついて」と同じ一致点及び相違点を有する他、さらに「請求項８」及び「請求項９」に記載された相違点を有するものであるが、「請求項８」及び「請求項９」に記載された相違点を検討するまでもなく、上記「（５）請求項７について」と同一の理由により、本件発明８，９は刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　
５．　むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜９についての特許を取り消すことはできない。　
　また、他に本件発明１〜９についての特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月２３日（２００１．２．２３）