【事件の表示】
　特許第２８４８４２５号「光露光方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８４８４２５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第２８４８４２５号は、平成４年６月２日に特許出願され、平成１０年１１月６日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人キャノン株式会社から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１２月２１日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人キャノン株式会社は、甲第１号証（特開平５−３６５８５号公報）、甲第２号証（特開平５−６７５５３号公報）、甲第３号証（「JJAP　Series5　MicroProcess91」33頁〜41頁）及び甲第４号証（特開昭６１−４１１５０号公報）を提出し、本件請求項１〜６に係る発明は、甲第１号証または甲第２号証に記載された各発明とそれぞれ同一であるから、特許法第２９条の２規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項１〜６に係る発明は、甲第３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明であり特許を受けることができず、さらに、本件請求項１〜６に係る発明は、甲第３、４号証に記載された各発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人キャノン株式会社が提出した甲第１〜４号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の第3頁左欄6行〜20行には、「レチクルに対する照明法を代えることにより装置の解像力を上げる方法がある。この方法は、投影光学系の瞳に円環状の有効光源…回折光(0次光と1次光)を投影光学系の瞳に入射させることが可能である。…しかしながら、この照明法では投影光学系の焦点深度が余り改善されないので、この照明法を投影露光装置に適用してもコントラストの良い像を得ることは難しい。」と記載されている。
　甲第１号証の第6頁左欄25行〜31行には、「以上、本発明では、縦横パターンを備える微細パターン像を投影する際、投影光学系の瞳に縦横パターンの各方向に延びる辺を備えた環状の有効光源を形成する光で微細パターンを照明して微細パターンの像を投影するので、投影光学系の焦点深度を向上させることが可能になる。従って、この方法を露光装置に適用すれば、装置の限界解像力を上げることも可能である。」と記載されている。
　甲第１号証の第3頁右欄20行〜45行には、「本発明では…回路パターンを構成する縦横パターンで生じる0次及び1次回折光が前記瞳の中心を中心としたほぼ矩形の輪郭に沿って分布するように、所定形状の2次光源からの光で前記回路パターンを照射する…【0015】図1において、Mはレチクルであり、レチクルMには回路パターンが形成されている。Wはウエハーであり、ウエハーWにはレジストが塗布してある。…20は光源(1次光源)、30は光源20からの光をレチクルMに向ける照明光学系、30Aは照明光学系30の開口絞りであり、…50は照明光学系30の…縮小像を投影する投影レンズ系…であり…」と記載され、図1に上記構成が図示されている。
　甲第1号証第4頁右欄50行〜5頁左欄1行には、「…図4(A)に示すような縦パターンM１、横パターンM2を結像する…」と記載されており、図4にフォトマスクのパターンがラインアンドスベースのパターン乃至はラインアンドスベースの第1パターン部分と、同じようなラインアンドスベースの第2パターン部分とが直交しているパターンが図示されている。
　甲第1号証第3頁左欄22行〜28行には、「本発明は、縦横パターンを備える微細パターンを照明し、該微細パターンで生じる回折光を投影光学系の瞳に入射させて該微細パターンの像を投影する方法において、前記瞳に前記縦横パターンの各方向に延びる辺を備えた環状の有効光源を形成する光で前記微細パターンを照明することにより、投影光学系の焦点深度を向上させる。」と記載されている。
　甲第1号証第3頁左欄38行〜42行には、「【00081前記有効光源の辺とは、有効光源の基本的な輸郭を定める辺のことであり、微視的に見て直線の繋がりより成るものは勿論のこと、後で実施例に示す通り、微視的に見て曲線の繋がりより成るが、巨視的に見ると繋がりが予め決めた直線に沿ったものも含む。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第2号証第2頁左欄35行〜43行には、「微細パタン投影露光装置においてレチクルに入射する光を投影光学系の開口数に対応した角度だけ光軸から傾けて照射することにより、…パタンの種類によらず…利点を有している。」と記載されている。
　甲第2号証第2頁右欄16行〜42行には、「この斜入射照明方式は照射光を光軸に対してNAに対応した角度だけ傾けることによって、より大きな回折角の光を通過させ解像性を上げることができるものである。
【0010】この斜入射照明の具体的な実現方法…を説明する前に、従来の代表的な微細パタン投影露光装置…を図7を用いて説明する。
【0011】図7において…光源ランプ1を置き、…光は、アウトプットレンズ7…コンデンサレンズ群8によって、レチクル9を均一に照明する。オプチカルインテグレ一タ6の射出側には開口絞り11が置かれ、射出寸法を決めている。レチクル9を照射した光は投影光学系14を通り、レチクル9上の微細パターンの像がウエハ上のレジストに投影露光される。」と記載されており、図7に上記構成が図示されている。
　甲第2号証第2頁右欄6行〜10行には、「図6(a)に示す斜入射投影法においては、照明光Ｉ(波数ko)の直進により得られる0次光が投影系開口絞り32の最外周を通るような傾きを持つ時、図に示すごとく回折角2αをもつ回折光と0次光とか最も高い解像度を与える。」と記載されており、それらの詳細が図6(a)に図示されている。ここでのαは、照明光の光軸となす角度である。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第3号証における34頁の図2には、HgLAMPと、APERTUREと、コンデンサレンズとからなる変形照明系、MASKおよびPROJECTION　LENSからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジスト(WAFER)に投影露光する方法についての構成が図示されている。
　甲第3号証第40頁右欄下から19行〜16行には、「ラインアンドスペースのパターンに平行な、図II（b)に示される矩形の遮光部を有する絞りを用いれば、さらに改善することができる。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第4号証第4頁左上欄第15行〜18行には、「レチクル上の回折格子のピッチP１１と回折光の回折角2θ１１はP１１sin2θ１１=λであり…」と記載されており、ここでのθ１１は、照明光の光軸となす角度である。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第２８４８４２５号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
２．１．１　訂正事項ａ
　請求項1の「光軸から離れた位置での前記パターン」を、「光軸から離れた位置で、前記パターン」に訂正する。
２．１．２　訂正事項ｂ
　請求項4、5、6を削除し、請求項7〜10の請求項番号および請求項9、10で引用する請求項番号7、8を４，５と訂正する。
２．１．３　訂正事項ｃ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄において、段落【0006】の「光軸からはなれた位置での前記パターン」を、「光軸から離れた位置で、前記パターン」に訂正する。
２．１．４　訂正事項ｄ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄において、段落【0014】および段落【0018】の記載「(それとも、透光でしょうか)」を削除する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
２．２．１　請求項１
「光源と、絞りと、コンデンサレンズとからなる変形照明系、フォトマスクおよび投影レンズからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジストに投影露光する方法において、前記フォトマスクのパターンがラインアンドスペースのパターンであるときに、前記露光装置の光軸から離れた位置で、前記パターンに平行な1本の線状光照明を用いることを特徴とする光露光方法。」
２．２．２　請求項２
「光源と、絞りと、コンデンサレンズとからなる変形照明系、フォトマスクおよび投影レンズからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジストに投影露光する方法において、前記フォトマスクのパターンがラインアンドスペースのパターンであるときに、前記露光装置の光軸から離れた位置で中心対称の前記パターンに平行な2本の線状光照明を用いることを特徴とする光露光方法。」
２．２．３　請求項３
「前記光が前記フォトマスクでの光軸に対して角度φとなる斜入射照明となり、2psinφ=λ(式中、pは投影面でのラインアンドスペースのパターンの設定ピッチであり、λは光の波長である)の関係にあることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の方法。」
２．２．４　請求項４
「光源と、絞りと、コンデンサレンズとからなる変形照明系、フォトマスクおよび投影レンズからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジストに投影露光する方法において、前記フォトマスクのパターンが底角θの三角波状のラインアンドスペースのパターンであるときに、前記露光装置の光軸から離れた位置で、前記三角波での底面と平行な位置関係の第1ブロック光照明および前記三角波での底面と直角な位置関係の第2ブロック光照明を用いることを特徴とする光露光方法。」
２．２．５　請求項５
「光源と、絞りと、コンデンサレンズとからなる変形照明系、フォトマスクおよび投影レンズからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジストに投影露光する方法において、前記フォトマスクのパターンが底角θの三角波状のラインアンドスペースのパターンであるときに、前記露光装置の光軸から離れた位置で中心対称の、前記三角波での底面と平行な位置関係の2つの第1ブロック光照明および前記光軸について中心対称で、前記三角波での底面と直角な位置関係の2つの第2ブロック光照明を用いることを特徴とする光露光方法。」
２．２．６　請求項６
「前記変形照明系が光源と、絞りと、コンデンサレンズとかなるなることを特徴とする請求項4又は請求項5記載の方法。」
２．２．７　請求項７
「前記第1ブロック光が前記フォトマスクでの光軸に対して角度φxとなる斜入射照明となり、2psinφx =λsinθ(式中、pはレジストでのラインアンドスペースのパターンの設定ピッチであり、λは光の波長である)の関係にあり、および前記第2ブロック光が前記フォトマスクでの光軸に対して角度φYとなる斜入射照明となり、2psinφY =λcosθの関係にあり、さらに、前記第1ブロック光と前記第2ブロック光との照明面積の割合がsinθ:cosθであることを特徴とする請求項4又は請求項5記載の方法。」
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
３．１．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａについては、平成11年10月6日付け取消理由通知にて発明の詳細な説明の記載と整合しないと指摘した請求項１の記載「光軸から離れた位置での前記パターン」を、「光軸から離れた位置で、前記パターン」に訂正するものであり、この訂正は、出願当初明細書の発明の詳細な説明における段落【0017】実施例2の記載に整合させたものである。
　したがって、訂正事項ａは、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項aは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．２　訂正事項ｂ
　訂正事項bについては、特許請求の範囲において独立形式で記載された請求項4および5と、請求項5に従属する請求項6とを削除する訂正であり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、上記訂正事項ｂは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．２　訂正事項ｃ
　訂正事項cについては、発明の詳細な説明において特許請求の範囲における訂正事項aと対応する訂正をするものであり、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｃは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．４　訂正事項ｄ
　訂正事項dについては、上記取消理由通知において発明の実施例の構成の記載として不明確であると指摘した記載を削除する訂正であり、明らかに明りょうでない記載の釈明に相当する。
３．２　独立特許要件について
　異議申立人キャノン株式会社が提出した甲第１〜４号証いずれも、訂正後の本件請求項１、３に係る発明の特徴である、「露光装置の光軸から離れた位置で」、「パターンに平行な１本の線状光照明を用いる」構成（以下、「本件請求項１、３に係る発明の特徴的構成」という。）又は訂正後の本件請求項２、３に係る発明の特徴である、「露光装置の光軸から離れた位置で」、「中心対象の前記パターンに平行な２本の線状光照明を用いる」構成（以下、「本件請求項２、３に係る発明の特徴的構成」という。）を有しておらずまた上記特徴的構成の示唆もなく、そして、訂正後の本件請求項１〜３に係る発明は、上記特徴的構成により、個々のフォトマスクパターンに応じた照明光形状及び斜め入射角を最適なものに設定できるという甲第１〜４号証いずれにもない効果を有するので、訂正後の本件請求項１〜３に係る発明が、上記甲第１又は２号証に記載された発明のいずれかと同一であるとも、また、訂正後の本件請求項１〜３に係る発明が、上記甲第３号証に記載された発明であるとも、さらに、上記甲第３及び４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものとすることができない。
　また、取消理由通知で指摘した特許法第３６条違反については訂正により解消した。
　そうすると、訂正後の本件請求項１〜３に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることができない。
３．３　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ、ｂ、ｃ、ｄは、上記３．１及び３．２のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項及び同条第３項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜３に係る発明
　上記２．２．１〜２．２．３に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１〜３に係る発明と甲各号証との対比、判断
　独立特許要件を判断した上記３．２のとおりであるから、本件請求項１〜３に係る発明は、上記甲第１又は２号証に記載された発明のいずれかと同一であるとも、また、本件請求項１〜３に係る発明が、上記甲第３号証に記載された発明であるとも、さらに、上記甲第３及び４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月２０日（２０００．４．２０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ、ｃ及びｄは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項ａ
　請求項１の「光軸から離れた位置での前記パターン」を、「光軸から離れた位置で、前記パターン」に訂正する。
訂正事項ｂ
　請求項４、５、６を削除し、請求項７〜１０の請求項番号および請求項９、１０で引用する請求項番号７、８を４，５と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄において、段落【０００６】の「光軸からはなれた位置での前記パターン」を、「光軸から離れた位置で、前記パターン」に訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄において、段落【００１４】および段落【００１８】の記載「（それとも、透光でしょうか）」を削除する。
（５４）【発明の名称】
光露光方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　光源と、絞りと、コンデンサレンズとからなる変形照明系、フォトマスクおよび投影レンズからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジストに投影露光する方法において、前記フォトマスクのパターンがラインアンドスペースのパターンであるときに、前記露光装置の光軸から離れた位置で
、
　　【請求項２】　光源と、絞りと、コンデンサレンズとからなる変形照明系、フォトマスクおよび投影レンズからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジストに投影露光する方法において、前記フォトマスクのパターンがラインアンドスペースのパターンであるときに、前記露光装置の光軸から離れた位置で中心対称の前記パターンに平行な２本の線状光照明を用いることを特徴とする光露光方法。
　　【請求項３】　前記光が前記フォトマスクでの光軸に対して角度φとなる斜入射照明となり、２ｐｓｉｎφ：λ（式中、ｐは投影面でのラインアンドスペースのパターンの設定ピッチであり、λは光の波長である）の関係にあることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の方法。
　　【請求項
４
　　【請求項
５
　　【請求項
６
４
５
　　【請求項
７
４
５
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体装置の製造などでの微細加工におけるフォトリソグラフィに関し、より詳しくは、光リソグラフィーでの光露光方法に関する。
　超ＬＳＩなどの半導体装置での高集積化・微細加工の進展はリソグラフィー技術改良に大きく依存しており、その中でも光を用いた光リソグラフィーは量産に適し、経済性の理由からも採用されており、さらに改良のための研究開発が行われている。
　【０００２】
　　【従来の技術】
　光露光技術での解像度を高めるために、レンズの開口度（ＮＡ）を高くすることや光源の波長を短くすることが重要である。一方、焦点深度はＮＡの増大とともに減少することになる。そこで、限界解像度および焦点深度を向上させる変形照明法（斜め入射の照明法）が最近注目されている（例えば、日経マイクロデバイス、Ｎｏ．８２、１９９２年４月号、ｐｐ．２８−３７参照）。
　【０００３】
　変形照明法での絞り（アパーチャー）における穴形状として、輪帯穴としたものや点対称の４つ穴としたものが知られている。従来照明法では露光装置の光軸と一致した円形穴からフォトマスク（レチクル）への照明光は垂直入射であり、基本的にはフォトマスクから出た０次光、＋１次光および一次光の３光束で結像させているが、変形照明法では絞りの穴の位置が光軸からずらされており、穴からの照明光はフォトマスクに対して斜めに入射し、フォトマスクから出た０次光および＋１次光の２光束で結像させている。焦点位置では従来照明法の方がコントラストが高いが、デフォーカス位置では変形照明法の方がコントラストが高くなり、総合的に焦点深度および解像度が向上する。
　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　これまでの変形照明法では、単純なラインアンド（＆）スペースのパターンのみに対して、上述したオールマイティタイプの絞り穴形状で、フォトマスクのパターンをレジストに投影露光している。
　従って、個々のパターン形状に合わせた照明システムとはなってなおらず、変形照明法での斜め入射の効果を最大限に発揮させてはいない。
　【０００５】
　本発明の目的は、デバイスパターン（フォトマスクパターン）に最適な変形照明系で投影露光する方法を提供することである。
　【０００６】
　　【課題を解決するための手段】
　上述の目的が、光源と、絞りと、コンデンサレンズとかなる変形照明系、フォトマスクおよび投影レンズからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジストに投影露光する方法において、該フォトマスクのパターンがラインアンドスペースのパターンであるときに、露光装置の光軸から離れた位置で
、
　【０００７】
　フォトマスクのパターンが、ラインアンドスペースの第１パターン部分と、同じようなラインアンドスペースの第２パターン部分とが直交しているパターンであるときに、露光装置の光軸から離れた位置で第１パターン部分に平行な１本の第１線状光照明（或いは、光軸について中心対称の第１パターン部分に平行な２本の第１線状光照明）および露光装置の光軸から離れた位置で第２パターン部分に平行な１本の第２線状光照明（或いは、光軸こついて中心対称の第２パターン部分に平行な２本の第２線状光照明）を用いることを特徴とする光露光方法によって達成される。
　【０００８】
　さらに、第１線状光および第２線状光がフォトマスクでの光軸に対して角度φとなる斜入射照明となり、２ｐｓｉｎφ＝λ（式中、ｐは投影面でのラインアンドスペースのパターンの設定ピッチであり、λは光の波長である）の関係にあることは望ましい。
　本発明の目的は、光源と、絞りと、コンデンサレンズとかなる変形照明系、フォトマスクおよび投影レンズからなる露光装置を用いて、該フォトマスクのパターンを基板上のレジストに投影露光する方法において、該フォトマスクのパターンが底角θの三角波状のラインアンドスペースのパターンであるときに、露光装置の光軸から離れた位置で、三角波での底面と平行な位置関係の第１ブロック光照明（或いは、光軸について中心対称で、三角波での底面と平行な位置関係の２つの第１ブロック光照明）および三角波での底面と直角な位置関係の第２ブロック光照明（或いは、光軸について中心対称で、三角波での底面と直角な位置関係の２つの第２ブロック光照明）を用いることを特徴とする光露光方法によって達成される。
　【０００９】
　そして、第１ブロック光がフォトマスクでの光軸に対して角度φＸとなる斜入射照明となり、２ｐｓｉｎφＸ＝λｓｉｎθ（式中、ｐは投影面でのラインアンドスペースのパターンの設定ピッチであり、λは光の波長である）の関係にあり、および第２ブロック光がフォトマスクでの光軸に対して角度φＹとなる斜入射照明となり、２ｐｓｉｎφＹ＝λｃｏｓθの関係にあり、さらに、第１ブロック光と第２ブロック光との照明面積の割合がｓｉｎθ：ｃｏｓθであることは望ましい。
　【００１０】
　　【作用】
　本発明の光露光方法では、個々のフォトマスクパターンに応じた照明光形状および斜め入射角φを最適なものに設定するので、それぞれのパターンで解像度および焦点深度が共に向上する。本発明では、フォトマスクパターンのライン＆スペースのピッチが１：１に近い場合に、特に、有効である。なお、ライン＆スペースのパターンとは、フォトマスクで複数の直線状の遮光（または透過）ストライプが、現像したレジストパターンで複数の直線状のレジストストライプが平行にかつ一定間隔で配列されているものに相当する。
　【００１１】
　上述した式：２ｐｓｉｎφ＝λにおいて、光の波長λはｇ線（４３４ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）あるいはエキシマレーザ（ＫｒＦエキシマレーザの２５４ｎｍ）で一定となり、パターンピッチ幅ｐに応じて入射角φが決まる。
　【００１２】
　　【実施例】
　以下、添付図面を参照して、本発明の実施態様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。
　図１は光露光装置（ステッパ）の概略図であり、水銀灯（エキシマレーザ）の光源１と、透穴を備えた絞り２と、コンデンサレンズ３とからなる変形照明系４、所定パターンを有するフォトマスク（レチクル）５、投影レンズ６および基板上に塗布されたレジスト膜（投影面）７で構成されている。この構成は従来の光露光装置と同じであり、本発明では絞り２での透穴形状が従来と異なるのが、構造上の相違点である。なお、従来の光露光装置と同様に、光源と絞りとの間に複眼集光レンズ（ハエの目レンズ）を配置してもよい。
　【００１３】
　この場合には、光源形状を絞りの透穴形状によって規定しているが、ハエの目レンズを用いて、その一つ一つの単眼を目的の光源形状（透穴形状）に配列してもよい。使用用途に応じて光源形状を変える時には、絞りを使用する場合には、透穴形状の異なる絞りと交換すればよい。あるいは、ハエの目レンズ５１（図２２）の一つ一つの単眼５１ａ〜５１ｆに開閉機能を付加してもよい。例えば、ハエの目レンズの単眼の出口あるいは入口に液晶板５２を配置して、単眼に相当する場所の電極５３に電圧を印加し、光を透過あるいは遮断する。
　【００１４】
　実施例１
　フォトマスク５に、図２に示すような遮光ストライプ１１と透光ストライプ１２とからなるライン＆スペースのパターン１３を公知の方法で形成する。石英ガラス上にこのパターンのクロム遮光膜を形成することで、フォトマスク５とする。ライン＆スペースのピッチＡは、得ようとするレジストパターンのライン＆スペースの設定ピッチｐに対応した値である。本発明に係る光照明とするために、図３に示すように、絞り１５に二本の線状透
穴１
　【００１５】
　下記の条件にて光露光を行い、レジスト膜の投影面を投影レンズの焦点位置およびそこからずらした（焦点ずれ）位置として、ライン＆スペースパターンに直角な方向での光強度を図４（ａ）〜（ｄ）に示す。
　光源の波長（λ）　　　　　　　　……ｉ線（０．３６５μｍ）
　レンズの開口度（ＮＡ）　　　　　……０．５
コヒーレンス・ファクタ（σ）　　　……０．５
ライン＆スペースの設定ピッチ（ｐ）……０．３５μｍ
入射角（φ）　　　　　　　　　　　……３１．４度
（２×０．３５×ｓｉｎφ：０．３６５より算出）
　図４（ａ）では、焦点位置（焦点ずれ無し）での光強度を示し、図４（ｂ）では、焦点ずれが０．５μｍでの光強度を示し、図４（ｃ）では、焦点ずれが１．０μｍでの光強度を示し、および図４（ｄ）では、焦点ずれが１．５μｍでの光強度を示す。これら図４（ａ）〜（ｄ）から分かるように、光強度のプロフィルはほぼ同じであり、焦点深度が大きい。
　【００１６】
　比較例として、同じ光露光装置で従来の丸穴絞り（σ＝０．５）を用いて、光露光を行うと、レジスト膜の投影面での光強度は焦点位置および焦点ずれ位置にて図５（ａ）〜（ｄ）に示すようになる。
　図５（ａ）では、焦点位置（焦点ずれ無し）での光強度を示し、図５（ｂ）では、焦点ずれが０．５μｍでの光強度を示し、図５（ｃ）では、焦点ずれが１．０μｍでの光強度を示し、および図５（ｄ）では、焦点ずれが１．５μｍでの光強度を示す。これら図５（ａ）〜（ｄ）から分かるように、光強度のプロフィルは焦点ずれが大きくなるほど、光強度の高低（コントラスト）が小さくなり、解像度が低下する。当然に焦点深度は、本発明の場合よりも小さい。
　【００１７】
　実施例２
　実施例１での光露光装置とフォトマスク５とを用い、絞りを図６に示す線状透穴１６が一本の絞り１７に代える。線状透穴１６がフォトマスクのライン＆スペースのパターン１３と平行になるように絞り１７を配置する。この場合には、光源１からの光が線状透穴１６を通り抜け、コンデンサレンズ３に入射し、入射角φでフォトマスク５へ光照明が行われる。そして、フォトマスク５からの０次および＋１次の回析光が投影レンズ６に当たり、これらの回析光がレンズで集光されて、投影面のレジスト膜７にてパターンの結像となり、レジスト膜７にフォトマスク５のパターン１３が投影露光され、現像してレジストパターンを得ることができる。実施例１の場合には、光軸に対して左右両方からフォトマスク５を照明しているのに対して、実施例２では一方からの照明となっている。そのために、実施例１の結果と比較して、焦点ずれによるパターン形状の劣化が大きくなる。それでも、上述した比較例と比べると、焦点深度が大きくかっ解像度も大きくできる。
　【００１８】
　実施例３
　フォトマスク５に、図７に示すような等間隔で周期的に配列された正方形遮光域２１とこれらを取り囲む透穴域２２とからなるパターン２３を公知の方法で形成する。このパターン２３は、図２のライン＆スペースパターンとこれと直角方向の同じライン＆スペースパターンとを組み合わせたパターンである。ライン＆スペースのピッチ（遮光域２１の幅と相互の間隔）Ａは、得ようとするレジストパターンのライン＆スペースの設定ピッチｐに対応した値である。本発明に係る光照明とするために、図８に示すように、絞り２４に実施例１と同じに二本の線状透
穴２
穴２
　【００１９】
　実施例１での光露光装置にて、下記の条件にて光露光シュミレーションを行い、レジスト膜の投影面を投影レンズの焦点位置およびそこからずらした（焦点ずれ）位置として、等強度線で３次元的な光強度分布を図９（ａ）〜（Ｆ）に示す。
　光源の波長（λ）　　　　　　　　　……ｉ線（０．３６５μｍ）
　レンズの開口度（ＮＡ）　　　　　　……０．５
　コヒーレンス・ファクタ（σ）　　　……０．５
　ライン＆スペースの設定ピッチ（ｐ）……０．３５μｍ
　入射角（φ）　　　　　　　　　　　……３１．４度
（２×０．３５×ｓｉｎφ＝０．３６５より算出）
　図９（ａ）では、焦点位置（焦点ずれ無し）での光強度分布を示し、図９（ｂ）では、焦点ずれが０．２μｍでの光強度分布を示し、図９（ｃ）では、焦点ずれが０．４μｍでの光強度分布を示し、図９（ｄ）では、焦点ずれが０．６μｍでの光強度分布を示し、図９（ｅ）では、焦点ずれが０．８μｍでの光強度分布を示し、および図９（ｆ）では、焦点ずれが１．０μｍでの光強度分布を示す。これら図９（ａ）〜（ｆ）から分かるように、光強度分布の形はほぼ同じであり、焦点深度が大きい。
　【００２０】
　比較例として、同じ光露光装置で従来の丸穴絞り（σ：０．５）を用いて、光露光を行うと、レジスト膜の投影面での光強度分布は焦点位置および焦点ずれ位置にて図１０（ａ）〜（ｆ）に示すようになる。
　図１０（ａ）では、焦点位置（焦点ずれ無し）での光強度分布を示し、図１０（ｂ）では、焦点ずれが０．２μｍでの光強度分布を示し、図１０（ｃ）では、焦点ずれが０．４μｍでの光強度分布を示し、図１０（ｄ）では、焦点ずれが０．６μｍでの光強度分布を示し、図１０（ｅ）では、焦点ずれが０．８μｍでの光強度分布を示し、および図１０（ｆ）では、焦点ずれが１．０μｍでの光強度分布を示す。これら図１０（ａ）〜（ｆ）から分かるように、光強度分布は焦点ずれが大きくなるほど、その強度差がなだらかになりかっ非露光部へ広がり、光強度分布の高低（コントラスト）が小さくなり、解像度が低下する。当然に焦点深度は、本発明の場合よりも小さい。
　【００２１】
　実施例４
　実施例３での光露光装置とフォトマスク５とを用い、絞りを図１１に示す線状透穴２５および２６がそれぞれ一本で二本の絞り２７に代える。直交する線状透穴２５、２６がフォトマスクでの等間隔で周期的に配列された正方形遮光域２１（２組のライン＆スペース）のパターン２３と平行な位置関係になるように絞り２７を配置する。この場合には、光源１からの光が線状透穴２５、２６を通り抜け、コンデンサレンズ３に入射し、入射角φでフォトマスク５へ光照明が行われる。そして、フォトマスク５からの０次および＋１次の回析光が投影レンズ６に当たり、これらの回析光がレンズで集光されて、投影面のレジスト膜７にてパターンの結像となり、レジスト膜７にフォトマスク５のパターン１３が投影露光され、現像してレジストパターンを得ることができる。実施例３の場合には、光軸に対して左右両方からフォトマスク５を照明しているのに対して、実施例４では一方からの照明となっている。そのために、実施例３の結果と比較して、焦点ずれによるパターン形状の劣化が大きくなる。それでも、上述した比較例と比べると、焦点深度が大きくかっ解像度も大きくできる。
　【００２２】
　実施例１〜４での線状光は、その絞りでの透穴（スリット）の幅が範囲５〜１０ｍｍから選定された線状透穴を通過した光であり、あまり細いと光量（すなわち、σ）が小さくなり、露光時間が長くなってしまうし、太すぎるとノイズとなる成分も通過してくるので効果が薄れる。好ましくは５〜１０ｍｍである。
　実施例５
　フォトマスク５に、図１２に示すような底角θの三角波状の遮光ストライプ３１と透穴ストライプ３２とからなるライン＆スペースのパターン３３を公知の方法で形成する。ライン＆スペースのピッチＡは、得ようとするレジストパターンのライン＆スペースの設定ピッチｐに対応した値である。本発明に係る光照明とするために、図１３に示すように、絞り３４に同形状の第１ブロック透穴３５を光露光装置の光軸から離れた位置で、光軸について点対称にかつストライプの長手方向と平行に２個設け、さらに同形状の第２ブロック透穴３６を光露光装置の光軸から離れた位置で、光軸について点対称にかつストライプの長手方向と垂直に２個設ける（合計で４個の透穴を設ける）。２個のブロック透穴３５が第１ブロック光を構成し、もう一組のブロック透穴３６が第２ブロック光を構成し、これらの透穴面積は、第１ブロック光と前記第２ブロック光との照明面積の割合がｓｉｎθ：ｃｏｓθとなるように設定されている。なお、個々のブロック透穴の形状は長方形、丸、楕円、菱形、三角形などのいずれかであり、透穴面積を確保したブロック形状という訳である。従って、遮光絞りに４個の透穴が形成されて、光源１からの光がこれらの透穴を通り抜け、コンデンサレンズ３に入射する。そして、このコンデンサレンズ３からフォトマスク５へ光照明が、ブロック透穴３５の光が入射角φＸでそしてブロック透穴３６の光が入射角φＹで行われ、これら入射角はフォトマスクにおける光露光装置の光軸との角度である。入射角φＸについては２ｐｓｉｎφＸ＝λｓｉｎθ（式中、ｐはラインアンドスペースのパターンの設定ピッチであり、λは光の波長である）の関係にあり、および入射角度φＹについては２ｐｓｉｎφＹ＝λｃｏｓθの関係に設定する。次に、フォトマスク５からの０次および＋１次の回析光が投影レンズ６に当たり、これらの回析光がレンズで集光されて、投影面のレジスト膜７にてパターンの結像となる。半導体ウエハー等の基板上のレジスト膜７にフォトマスク５のパターン３３が投影露光され、現像してレジストパターンを得ることができる。
　【００２３】
　そこで、図１４に示すようなＤＲＡＭの活性領域に用いられる三角波ストライプ状のパターン３８の場合で、図１５に示すようなフォトマスクのブロック透穴３９、４０として、下記の条件にて光露光シュミレーションを行い、投影面を投影レンズの焦点位置およびそこからずらした（焦点ずれ）位置として、等強度線で３次元的な光強度分布を図１６（ａ）〜（ｃ）および図１７（ａ）〜（ｄ）が得られる。
　【００２４】
　三角波ストライプ状のパターン３８のライン＆スペースの設定ピッチ（ｐ）……０．３５μｍ
三角波ストライプの底角（θ）　　　……３０度
光源の波長（λ）　　　　　　　　　……ｉ線（０．３６５μｍ）
レンズの開口度（ＮＡ）　　　　　　……０．５
コヒーレンス・ファクタ（σ）　　　……０．５
ブロック透穴３９の入射角（φＸ）　……７４．８度
ブロック透穴４０の入射角（φＹ）　……２６．８度
ブロック透穴３９とブロック透穴３９の面積割合……０．５：０．８６６
　図１６（ａ）では、焦点位置（焦点ずれ無し）での光強度分布を示し、図１６（ｂ）では、焦点ずれが０．２μｍでの光強度分布を示し、図１６（ｃ）では、焦点ずれが０．４μｍでの光強度分布を示し、図１７（ａ）では、焦点ずれが０．６μｍでの光強度分布を示し、図１７（ｂ）では、焦点ずれが０．８μｍでの光強度分布を示し、図１７（ｃ）では、焦点ずれが１．０μｍでの光強度分布を示し、および図１７（ｄ）では、焦点ずれが１．２μｍでの光強度分布を示す。これら図１６および図１７から分かるように、焦点ずれが１．０μｍまでは光強度分布の形はほぼ同じであり、焦点深度が大きい。
　【００２５】
　比較例として、同じ光露光装置条件で、図１８に示す従来の丸穴４１を有する絞り（σ＝０．５）を用いて、光露光を行うと、投影面での光強度分布は焦点位置および焦点ずれ位置にて図１９（ａ）〜（ｃ）および図２０（ａ）〜（ｄ）に示すようになる。
　図１９（ａ）では、焦点位置（焦点ずれ無し）での光強度分布を示し、図１９（ｂ）では、焦点ずれが０．２μｍでの光強度分布を示し、図１９（ｃ）では、焦点ずれが０．４μｍでの光強度分布を示し、図２０（ａ）では、焦点ずれが０．６μｍでの光強度分布を示し、図２０（ｂ）では、焦点ずれが０．８μｍでの光強度分布を示し、図２０（ｃ）では、焦点ずれが１．０μｍでの光強度分布を示し、および図２０（ｄ）では、焦点ずれが１．２μｍでの光強度分布を示す。これら図１９および図２０から分かるように、光強度分布は焦点ずれが大きくなるほど、その強度差がなだらかになりかつ非露光部へ広がり、光強度分布の高低（コントラスト）が小さくなり、解像度が低下する。当然に焦点深度は、本発明の場合よりも小さい。
　【００２６】
　実施例６
　実施例５での光露光装置とフォトマスク５とを用い、絞りを図２１に示すブロック透穴３５および３６がそれぞれ一個での絞り４５に代える。ブロック透穴３５が三角波ストライプの三角波での底面と平行な位置関係にそしてブロック透穴３６が該底面と直角な位置関係になるように絞り４５を配置する。この場合には、光源１からの光がブロック透穴３５、３６を通り抜け、コンデンサレンズ３に入射し、入射角φＸでそして入射角φＹでフォトマスク５へ光照明が行われる。そして、フォトマスク５からの０次および＋１次の回析光が投影レンズ６に当たり、これらの回析光がレンズで集光されて、投影面のレジスト膜７にてパターンの結像となり、レジスト膜７にフォトマスク５のパターン３３が投影露光され、現像してレジストパターンを得ることができる。実施例５の場合には、光軸に対して左右両方からフォトマスク５を照明しているのに対して、実施例６では一方からの照明となっている。そのために、実施例５の結果と比較して、焦点ずれによるパターン形状の劣化が大きくなる。それでも、上述した比較例と比べると、焦点深度が大きくかっ解像度も大きくできる。
　【００２７】
　　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る光露光方法によれば、得ようとするパターンに応じた最適な変形照明系（光源形状）を採用して、斜め入射の利点（焦点深度および解像度の向上）を効果的に活用できるようになり、リソグラフィー技術のより一層の微細化に寄与する。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　変形照明（斜め入射照明）の光露光装置の概略図である。
　　【図２】
　ライン＆スペースのパターンの部分平面図である。
　　【図３】
　二本の線状透穴を備えた絞りの平面図である。
　　【図４】
　図３の絞りを用いた時の投影面における図２のパターンに応じた直角方向での光強度を示すグラフであり、（ａ）は焦点ずれなしの場合の光強度を示すグラフであり、（ｂ）は焦点ずれ０．５μｍの場合の光強度を示すグラフであり、（ｃ）は焦点ずれ１．０μｍの場合の光強度を示すグラフであり、および（ｄ）は焦点ずれ１．５μｍの場合の光強度を示すグラフである。
　　【図５】
　従来の丸穴絞りを用いた時の投影面における図２のパターンに応じた直角方向での光強度を示すグラフであり、（ａ）は焦点ずれなしの場合の光強度を示すグラフであり、（ｂ）は焦点ずれ０．５μｍの場合の光強度を示すグラフであり、（ｃ）は焦点ずれ１．０μｍの場合の光強度を示すグラフであり、および（ｄ）は焦点ずれ１．５μｍの場合の光強度を示すグラフである。
　　【図６】
　一本の線状透穴を備えた絞りの平面図である。
　　【図７】
　直交関係にある一組のライン＆スペースパターンの組合せパターンの部分平面図である。
　　【図８】
　平行な線状透穴を二組直交に配列して備えた絞りの平面図である。
　　【図９】
　図８の絞りを用いた時の投影面における図７のパターンに応じた三次元的な光強度分布を示すグラフであり、（ａ）は焦点位置の場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｂ）は焦点ずれ０．２μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｃ）は焦点ずれ０．４μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｄ）は焦点ずれ０．６μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｅ）は焦点ずれ０．８μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、および（ｆ）は焦点ずれ１．０μｍの場合の光強度分布を示すグラフである。
　　【図１０】
　従来の丸穴絞りを用いた時の投影面における図７のパターンに応じた三次元的な光強度分布を示すグラフであり、（ａ）は焦点位置の場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｂ）は焦点ずれ０．２μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｃ）は焦点ずれ０．４μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｄ）は焦点ずれ０．６μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｅ）は焦点ずれ０．８μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、および（ｆ）は焦点ずれ１．０μｍの場合の光強度分布を示すグラフである。
　　【図１１】
　直交する線状透穴を備えた絞りの平面図である。
　　【図１２】
　三角波形状のライン＆スペースパターンの部分平面図である。
　　【図１３】
　光軸から離れた二つ一組のブロック透穴を二組備えた絞りの平面図である。
　　【図１４】
　ＤＲＡＭの活性領域に用いられる三角波形状のライン＆スペースパターンの部分平面図である。
　　【図１５】
　光軸から離れた二つ一組の長方形透穴を二組備えた絞りの平面図である。
　　【図１６】
　図１５の絞りを用いた時の投影面における図１４のパターンに応じた三次元的な光強度分布を示すグラフであり、（ａ）は焦点位置の場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｂ）は焦点ずれ０．２μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、および（ｃ）は焦点ずれ０．４μｍの場合の光強度分布を示すグラフである。
　　【図１７】
　図１５の絞りを用いた時の投影面における図１４のパターンに応じた三次元的な光強度分布を示すグラフであり、（ａ）は焦点ずれ０．６μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｂ）は焦点ずれ０．８μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｃ）は焦点ずれ１．０μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、および（ｄ）は焦点ずれ１．２μｍの場合の光強度分布を示すグラフである。
　　【図１８】
　従来の丸穴に相当する透穴を備えた絞りの平面図である。
　　【図１９】
　図１９の従来の絞りを用いた時の投影面における図１４のパターンに応じた三次元的な光強度分布を示すグラフであり、（ａ）は焦点位置の場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｂ）は焦点ずれ０．２μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、および（ｃ）は焦点ずれ０．４μｍの場合の光強度分布を示すグラフである。
　　【図２０】
　図１９の従来の絞りを用いた時の投影面における図１４のパターンに応じた三次元的な光強度分布を示すグラフであり、（ａ）は焦点ずれ０．６μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｂ）は焦点ずれ０．８μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、（ｃ）は焦点ずれ１．０μｍの場合の光強度分布を示すグラフであり、および（ｄ）は焦点ずれ１．２μｍの場合の光強度分布を示すグラフである。
　　【図２１】
　光軸から離れた一つのブロック透穴を二組備えた絞りの平面図である。
　　【図２２】
　ハエの目レンズおよび液晶板絞りの概略断面図である。
　　【符号の説明】
１…光源
２…絞り
３…コンデンサレンズ
４…変形照明系４
５…フォトマスク（レチクル）５
６…投影レンズ６
７…レジスト膜（投影面）
φ…入射角
１１…遮光ストライプ
１２…透穴ストライプ
１３…ライン＆スペースのパターン
１５、１７…絞り
１６…線状透穴
２１…遮光域
２２…透穴域
２３…パターン
２４、２７…絞り
２５、２６…線状透穴
３２…三角波遮光ストライプ
３２…三角波透穴ストライプ
３３…ライン＆スペースのパターン
３４、４５…絞り
３５、３６…ブロック透穴
３８…ＤＲＡＭでの三角波ストライプ状のパターン
５１…ハエの目レンズ
５２…液晶板