【事件の表示】
　特許第２８６６５１８号「反強誘電性液晶素子の駆動方法」の請求項１ないし請求項４に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８６６５１８号の請求項１ないし４に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
  本件特許第２８６６５１８号は平成４年１月１７日に出願され、平成１０年１２月１８日にその設定登録がなされ、その後、キャノン株式会社及び株式会社東芝より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年２月４日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月９日に意見書が提出され、その後、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月１８日に先の訂正請求取下と新たな訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成１２年７月１８日付け訂正請求における訂正の内容は、特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４、
「【請求項１】少なくとも電極と配向膜とが設けられた一対の基板を互いに対向させて配置し、前記配向膜の間に実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、前記一対の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方の基板上に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリクス状に形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設けられ、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに同期させて、前記信号電極には求める表示に対応するゼロ又は正の選択電圧波形を印加し、一定時間後、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに同期させて、前記信号電極には求める表示に対応するゼロ又は負の選択電圧波形を印加することからなる反強誘電性液晶素子の駆動方法。
【請求項２】少なくとも電極と配向膜とが設けられた一対の基板を互いに対向させて配置し、前記配向膜の間に実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、前記一対の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方の基板上に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリクス状に形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設けられ、電圧無印加時の状態で暗状態となるように偏光板を配置し、明及び灰明状態を表示するときには、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに同期させて、前記信号電極には求める表示に対応する正の選択電圧を印加し、一定時間後、前記走査電極より信号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させて、前記信号電極には求める表示に対応する負の選択電圧を印加し、暗状態を表示するときには、前記走査電極より信号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させて、前記信号電極にゼロボルトの電圧を印加し、一定時間後、前記走査電極より信号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させて前記信号電極にゼロボルトの選択電圧を印加する反強誘電性液晶素子の駆動方法。
【請求項３】前記実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物が、１種類または複数種の反強誘電性液晶化合物の混合による組成物、作製する組成物の液晶相の温度範囲を調整するために化合物、強誘電性液晶相において大きな自発分極を示すか誘起する光学活性化合物、作製する組成物の液晶相のらせんピッチを調整するための光学活性化合物のうち、少なくとも１種類または複数種の反強誘電性液晶化合物の混合による組成物を有することを特徴とする請求項１又は２記載の反強誘電性液晶素子の駆動方法。
【請求項４】前記配向膜が有機高分子膜であり、かつ薄膜トランジスタが設けられていない側の基板の配向膜にのみラビング処理を施す請求項１〜３のいずれか１つに記載の反強誘電性液晶素子の駆動方法。」
を、
「【請求項１】少なくとも電極と配向膜とが設けられた一対の基板を互いに対向させて配置し、前記配向膜の間に、０Ｖのとき一層ごとダイポールが反対方向を向いてキャンセルしあい、これに伴って分子の傾く方向が一層ごとに逆向きとなるような分子配列であって、０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、前記一対の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方の基板上に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリクス状に形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設けられ、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに同期させて、前記信号電極には電圧の絶対値上昇時の電圧−透過率曲線を用いて求める表示に対応するゼロ又は正の選択電圧波形を印加し、一定時間後、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに同期させて、前記信号電極には電圧の絶対値上昇時の電圧−透過率曲線を用いて求める表示に対応するゼロ又は負の選択電圧波形を印加することからなる反強誘電性液晶素子の駆動方法。
【請求項２】少なくとも電極と配向膜とが設けられた一対の基板を互いに対向させて配置し、前記配向膜の間に、０Ｖのとき一層ごとダイポールが反対方向を向いてキャンセルしあい、これに伴って分子の傾く方向が一層ごとに逆向きとなるような分子配列であって、０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物を挟持して液晶パネルとし、前記一対の基板の双方に電界印加用の電極があり、片方の基板上に複数の走査電極と複数の信号電極とがマトリクス状に形成され、その各交点に薄膜トランジスタが設けられ、電圧無印加時の状態で暗状態となるように偏光板を配置し、明及び灰明状態を表示するときには、前記走査電極より信号を送って前記薄膜トランジスタをオンするのに同期させて、前記信号電極には電圧の絶対値上昇時の電圧−透過率曲線を用いて求める表示に対応する正の選択電圧を印加し、一定時間後、前記走査電極より信号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させて、前記信号電極には電圧の絶対値上昇時の電圧−透過率曲線を用いて求める表示に対応する負の選択電圧を印加し、暗状態を表示するときには、前記走査電極より信号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させて、前記信号電極にゼロボルトの電圧を印加し、一定時間後、前記走査電極より信号を送って薄膜トランジスタをオンするのと同期させて前記信号電極にゼロボルトの選択電圧を印加する反強誘電性液晶素子の駆動方法。
【請求項３】前記０Ｖのとき一層ごとダイポールが反対方向を向いてキャンセルしあい、これに伴って分子の傾く方向が一層ごとに逆向きとなるような分子配列であって、０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物が、１種類または複数種の反強誘電性液晶化合物の混合による組成物、作製する組成物の液晶相の温度範囲を調整するために化合物、強誘電性液晶相において大きな自発分極を示すか誘起する光学活性化合物、作製する組成物の液晶相のらせんピッチを調整するための光学活性化合物のうち、少なくとも１種類または複数種の反強誘電性液晶化合物の混合による組成物を有することを特徴とする請求項１又は２記載の反強誘電性液晶素子の駆動方法。
【請求項４】前記配向膜が有機高分子膜であり、かつ薄膜トランジスタが設けられていない側の基板の配向膜にのみラビング処理を施す請求項１〜３のいずれか１つに記載の反強誘電性液晶素子の駆動方法。」
と訂正し、段落番号【０００８】を、特許請求の範囲の訂正事項に整合するように訂正するものである。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲においては、請求項１ないし請求項３に係る発明の「実質的に閾値をもたない」を「０Ｖのとき一層ごとダイポールが反対方向を向いてキャンセルしあい、これに伴って分子の傾く方向が一層ごとに逆向きとなるような分子配列であって、０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない」と限定し、また、請求項１及び請求項２の「求める表示」を「電圧の絶対値上昇時の電圧−透過率曲線を用いて求める表示」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、特許明細書の段落番号【０００２】、図１（ａ）及び図３（ｂ）の記載に基づく訂正であるから、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものにも該当しない。
　また、段落番号【０００８】の訂正は、特許請求の範囲に整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものにも該当しない。
　
（３）独立特許要件の検討
　
ｉ）特許法第３６条について
　平成１２年６月２９日付けの取消理由通知で指摘した記載不備は、上記訂正により、電界が印加されない状態における液晶組成物の分子配列が特定されたことにより解消した。
　
ii）特許法第２９条第２項について
（引用例）
　平成１１年１１月１７日付け取消理由通知に引用した、本件出願前公知である欧州特許出願公開第０４５５１６０Ａ２号（以下、引用例という。）には、
「本発明の液晶表示素子の基本構成は、図１に示すようなものであり、ラビング処理や斜方蒸着等の一軸配向処理を施した一対の基板１、２を面対向する如く配置して液晶セルとなし、これら基板１、２の間隙にＳｍＣ＊相を有する液晶材料を充填してなる。用いる液晶材料としては、強誘電性液晶であってもよいし、反強誘電性液晶であってもよく、要はＳｍＣ＊相をとりうる液晶材料であれば如何なるものであってもよい。」（第３頁第２１行〜第２７行）、
「上述のようにカイラル液晶と非力イラル液晶の混合物を使用する場合、ホスト液晶である液晶へのカイラル液晶の添加量がコントラスト、応答時間等に影響する。」（第３頁第５３行〜第５５行）、
「本発明の液晶表示素子においては、コーン軸及び液晶ダイレクタの基板への投影成分が一軸配向処理方向に配列し、単安定化されている。そして、電界無印加時にはこの単安定化状態が初期状態として保たれ、黒レベルとなる。これに対して、所定の極性の電界を印加すると、液晶ダイレクタはコーン面に沿って例えば右回りに回転しようとするが、界面近傍では液晶ダイレクタがアンカリングされ、界面から離れた領域でチルトする。一方、逆極性の電界では、左回りに回転し、チルトの向きは逆になる。ここで、チルト角は印加した電界の強度に応じて大きくなり、また透過光量はチルト角に対応して大きくなる。したがって、電界強度を変化させることによって連続的なアナログ階調が実現される。電界印加状態から外部電界を除去すると、界面の安定化効果等により速やかに初期状態に戻る。」（第５頁第５６行〜第６頁第１２行）、
「図９に示すような評価用の駆動波形により作製した液晶セルのアナログ階調性を調べた。この駆動波形は、印加電圧の電位に応じた階調表示が可能であり、電圧の極性を交互に変えているのは、液晶材料に対する電気的中性条件を考慮したためである。（中略）図９（ａ）、（ｂ）は、前記駆動波形及び液晶セルにおける応答波形を示す。図９から明らかなように、作成した液晶セルにおいては電圧変調により階調が出せることが確認された。また、この液晶セルは、電圧ゼロボルト時の立ち下がりが速いのが特徴である。また、印加電圧と液晶セルにおける光透過率の関係を図１０及び表１に示す。（中略）印加電圧に応じて光透過率が変わり、階調表示が達成されたことがわかる。」（第７頁第４５行〜第８頁第３０行）、
「一般的なＴＮ液晶では、応答時間が数十〜数百ミリ秒程度であり、したがって本発明の液晶セル構造を例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）セルに取り入れることで、従来のＴＮ型ディスプレイよりも遙かに高速動作可能なディスプレイが構築されるものと期待される。」（第８頁第３７行〜第４０行）と記載されており、上記記載に対応する図１が第１３頁に、図９及び図１０が第１７頁にそれぞれ記載されている。
　
（対比・判断）
　訂正明細書の請求項１及び請求項２に係る発明（以下、訂正発明１及び訂正発明２という。）と、引用例に記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、訂正発明１及び訂正発明２では、０Ｖのとき一層ごとダイポールが反対方向を向いてキャンセルしあい、これに伴って分子の傾く方向が一層ごとに逆向きとなるような分子配列であって、０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物を使用しているのに対し、引用発明では、コーン軸及び液晶ダイレクタの基板への投影成分が一軸配向処理方向に配列し、単安定化されている強誘電性液晶あるいは反強誘電性液晶を使用している点で相違している。
　つまり、訂正発明１及び訂正発明２では、通常の反強誘電性液晶の分子配列のまま、実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶を使用することにより階調表示を可能としているのに対し、引用発明では、配向処理により、強誘電性液晶や反強誘電性液晶を特殊な分子配列とすることにより階調表示を可能としているものであり、階調表示を課題とする点においては共通するが、課題解決手段が全く異なるものである。
　よって、訂正発明１及び訂正発明２は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、訂正明細書の請求項３及び請求項４に係る発明は、訂正発明１又は訂正発明２を引用した発明であるから、訂正発明１及び訂正発明２と同様に、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
iii）特許法第２９条の２について
（先願明細書）
　平成１１年１１月１７日付け取消理由通知に引用した、本件出願の出願日前の他の出願であって、本件出願の出願後に出願公開された特願平３−２８９５１２号（特開平５−１００２０８号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、先願明細書という。）には、公開公報により示すと、
「【請求項１】対向する電極を有する二枚の基板間に液晶を挟持してなる液晶素子と、この液晶素子に対し連続する第１の位相では一定以上の高電圧を印加し、続く第２の位相では表示情報に応じた階調電圧を印加する液晶素子駆動手段とを具備することを特徴とする液晶ライトバルブ装置。
　・・・
　【請求項５】前記能動型スイッチング素子が薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項４記載の反強誘電性液晶ライトバルブ装置。」（特許請求の範囲）、　
「図４において、１はアンチフェロ（Ａｎｔｉｆｅｒｏ）状態の分子配置、２、２′はフェロ状態の分子配置、ＰとＡはそれぞれ偏光子の配置を示す。ＰまたはＡ軸は、通常、分子配置１の軸に一致させる。・・・ＡＦＬＣＤのＤＣ電圧による透過率変化は、直交配置偏光子間で液晶素子を第３の安定状態で消光するように配置すると明確なＤＣ閾値とヒステリシスを持つことを利用して、ＡＦＬＣＤパネルに適当なＤＣバイアスを印加した上で、パルス電圧印加により時分割駆動を行う方法を提案している。・・・ところで、本発明者はＡＦＬＣとアクティブ素子例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を組合せることによって、前述のメモリ性を利用しないで表示する方法を見出した。これは、図５に示すようにＡＦＬＣＤがＤＣ閾値と少しなだらかなＶーＴ特性を持つことから、ＴＦＴによる画素電極間のチャージアップ電圧により、ＡＦＬＣ分子を電圧規制できることがわかったためである。さらに交流駆動の場合、Ｖ−Ｔカーブが＋、−両方向で対称であるため、駆動電圧の極性による透過率の差はなく、また極性反転時の光量ロスもユニホーム１からユニホーム２への転移速度が高速であるため問題ない。」（公報第３頁左欄第２６行〜右欄第１行）、
「【００２２】液晶セルおよび液晶素子作成
　ストライプ電極を有する基板上に液晶用配向膜としてポリイミド（日産化学製・ＳＥ−１５０）を２００Å塗布し焼成後一方向にナイロン布でラビング処理を行なった。
【００２３】この基板を対向配置し、常法に従ってマトリックス型液晶セルを作成した。これに下式の液晶化号物［Ｉ］を約１５０℃で真空注入し、１２０℃まで温調器の中で徐冷した所、徐々に反強誘電性の相を示す状態に移行した。これにより、マトリックス型液晶表示素子（液晶素子）が得られた。・・・
【００２６】この時の配向状態は両側基板をラビングした液晶素子よりも片側基板のみ処理した液晶素子の方が欠陥が少なくきれいであった。評価の多くは９０℃で行なった。
【００２７】比較例
　この液晶素子の電極に電位ゼロを中心とする矩形波電圧を印加した時の光学応答を図６に示す。ここでは階調電圧として±４．４Ｖから土５．４Ｖに切替えた時の光学応答を示している。一定の透過率を示すまでに約１０秒要していることがわかる。これでは瞬時に情報が切り替わるテレビ表示等には不適である。」（公報第３頁右欄第４３行〜第４頁左欄第１５行）と記載されている。
　
（対比・判断）
　訂正発明１及び訂正発明２と、先願明細書に記載された発明（以下、先願発明という。）とを対比すると、訂正発明１及び訂正発明２では、０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶組成物を使用しているのに対し、先願発明では、ＤＣ閾値と少しなだらかなＶ−Ｔ特性をもつ反強誘電性液晶を使用している点で相違している。
　つまり、訂正発明１及び訂正発明２では、０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない反強誘電性液晶を使用することにより、通常の電圧印加で階調表示を可能としているのに対し、先願発明では、ＤＣ閾値を有しているため、第１の位相で高電圧を印加し、続く第２の位相で階調電圧を印加するという特殊な電圧印加を行うことにより階調表示を可能としているものであり、階調表示を課題とする点においては共通するが、使用する反強誘電性液晶の特性の相違により、課題解決手段が全く異なるものである。
　よって、訂正発明１及び訂正発明２は、先願発明と同一の発明ではない。
　また、訂正明細書の請求項３及び請求項４に係る発明は、訂正発明１又は訂正発明２を引用した発明であるから、訂正発明１及び訂正発明２と同様に、先願発明と同一の発明ではない。
　
iv）結論
　したがって、訂正明細書の請求項１ないし請求項４に係る発明は、独立特許要件を満足するものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項ないし第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許第２８６６５１８号の請求項１ないし請求項４に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載された（以下、本件発明１ないし本件発明２という。）とおりのものである。
　
（特許異議申立人の主張の概要）
  特許異議申立人キャノン株式会社は、甲第１号証として特開平５−１８８３５０号公報（本件特許の出願公開公報）、甲第２号証としてＪａｐａｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ’８９、ｐ．２２−２５（１９８９）、甲第３号証として欧州特許出願公開０４５５１６０Ａ２号、甲第４号証として特開平２−２２２９３０号公報、第５号証として特開昭６２−１８２７１９号公報及び甲第６号証として特開昭６１−２７３５２３号公報を提示して、
（１）本件の請求項１及び請求項２に係る発明の構成要件である「実質的に閾値をもたない」は、平成１０年４月１０日付け手続補正書により付加された事項であるが、出願当初の明細書には、当該記載或いは「閾値」に関する記載はないから、上記補正は明細書の要旨を変更するものであり、本件特許の出願日は補正が行われた日となり、本件の請求項１ないし請求項４に係る発明（以下、本件発明１ないし本件発明４という。）は、本件特許の出願公開公報である甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１号第３号により拒絶されるべきものであり、
（２）本件発明１ないし本件発明３は、甲第３号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１号第３号により拒絶されるべきものであり、
（３）本件発明１ないし本件発明４は、甲第２号証ないし甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、
（４）本件請求項１ないし請求項３には「実質的に閾値をもたない」と記載されているが、「実質的に」の程度が不明、かつその発明の実施が困難であり、また、本件特許に係る反強誘電性液晶組成物のＶ−Ｔ特性は「閾値をもつ」ので、発明の構成に欠くことのできない構成を記載しておらず、さらに、本件請求項３に係る発明の３種の化合物を混合する具体的な説明が、発明の詳細な説明に記載されていないから、その発明の実施が困難であり、本件特許は特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしていないので拒絶されるべきものである、
旨主張している。
　同じく特許異議申立人株式会社東芝は、甲第１号証として特開平５−１００２０８号公報、参考資料１としてＪａｐａｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ’８９、ｐ．２６−２９（１９８９）、参考資料２としてＪ．Ｍａｓｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．、１９９６、６（４）、６７１−６７３を提示して、
（５）本件発明１ないし本件発明４は、甲第１号証に記載された発明であるから特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、
（６）本件請求項１及び請求項２の「実質的に閾値をもたない」は意味不明であり、当業者が容易にその実施をすることができる程度に、その発明の目的、構成及び効果が記載されていないので、特許法第３６条第４項の規定を満たしていない、
旨主張している。
　
（甲各号証の記載内容）
　特許異議申立人キャノン株式会社の提示した甲第１号証は、本件特許の出願公開公報であるから、本件特許明細書と同様の内容が記載されている。
　同じく甲第２号証には、
「（Ｄ−２）閾値
　３安定スイッチング特性の特徴の一つは、図１及び４に示されるように、明確なＤＣ閾値を示すことにある。ここで、例えば、ユニフォーム状態の一方へのスイッチングが起こる前に明らかなチルト角が増加するといった、転移前効果が存在する。図４から明らかなとおり、転移前効果によるチルト角の増加は、閾値電界強度と同様に、用いた材料に依存する。図４に示されるように、温度の上昇に従って閾値が上昇する。閾値には表面状態だけでなく、セル厚も影響を及ぼす。」（第２４頁左欄第１５行〜第２８行）
「適正に配向させたセルはポリイミド層（東レ社製「ＳＰ−５５０」）を形成した一対の基板の一方にラビング処理を施すことにより容易に得られる。（中略）電界を印加する前は、ＳｍＣＡ＊において明らかにシェブロン構造が認められ、１１．７Ｖ・μｍ−１（７０Ｖ／６．０μｍ）の電界印加によってＳｍＣ＊が発現し、完全なブックシェルフ構造が得られた。」（第２３頁左欄下から第１４行〜右欄第２行）と記載されている。
　同じく甲第３号証は、平成１１年１１月１７日付け取消理由通知に引用した引用例であるから、上記２．（３）ii）（引用例）に摘示した発明が記載されている。
　同じく甲第４号証には、
「反強誘電相（ＳｍＣＡ＊）を有する強誘電性液晶又は強誘電性液晶組成物と、電極を有し該強誘電性液晶又は強談電性液晶組成物を狭持した一対の基板とから成り、反強誘電相（ＳｍＣＡ＊）において、該電極に電圧を印加することによって、該強誘電性液晶又は強誘電性液晶組成物の層構造をシェブロン構造からブックシェルフ構造に一旦変化させることを特徴とする強誘電性液晶素子。」（特許請求の範囲、請求項１）、
「相転移温度は、等方相→ＳｍＡ相１４９℃、ＳｍＡ→ＳｍＣ＊１２１℃、ＳｍＣ＊→ＳｍＣＡ＊１１６℃、ＳｍＣＡ＊→結晶７２℃であった。一対の厚さ１５０μｍのＩＴＯ付ガラス基板をポリイミドコーティング後、一対の基板の片方のみをラビング処理し、その一対の基板間に液晶を注入し液晶セルを作った。」（公報第８頁左上欄第３行〜第１０行）と記載されている。
　同じく甲第５号証には、
「本発明は強誘電性液晶を用いた光シャッターに関するものである。」（公報第１頁右下欄第６行〜第７行）、
「配向制御膜の組合せとしては、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ボリアクリロニトリル等の有機高分子膜」（公報第３頁右下欄第１２行〜第１５行）、
「配向制御膜として、ＳｉＺｒ０４膜（株式会社日板研究所製グラスカＧ４０１）を塗布した後に１８０℃で１５分乾燥した後、一方はガーゼでラビング、また一方はラビングせずに実施例１と同様の手法でセルを構成した。」（公報第６頁右上欄第２行〜第６行）と記載されている。
　同じく甲第６号証には、
「基板上に複数のアクティブ素子を有する強誘電性液晶を用いた画素を直列に連結してマトリックス状に配設した固体表示装置において、前記画素で構成する一対の電極の内側に非対称配向処理層膜を有し、前記アクティブ素子側の電極はラビング処理がなされない配向層が設けられ、かつ対抗電極上にはラビング処理がなされた配向層が設けられたことを特徴とする液晶表示装置。」（特許請求の範囲第１項）、
「この一対の電極（２３）、対抗電極（２４）の内側に、非対称配向膜（２５）、（２５’）を設け、これによりＦＬＣ（厚さ２μ）を挟んである。対抗電極（２４）にはＰＡＮ（ポリアクリルニトリル）、ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）を０．１μの厚さにスピン法により設け、公知のラビング処理をした。（中略）即ち一方の電極（２３）上には無機化合物の膜を形成してラビング処理を行わない配向膜とし、他方の電極（２４’）には有機化合物の膜を形成しラビング処理を行った。」（公報第４頁右下欄第６行〜第１８行）、
「本発明は以上に示す如く、非線型素子とＦＬＣとを組合わせたものである。そして非対称配向処理とすることにより、アクティブ素子にラビング処理による損傷を与えることなく、大面積のディスプレイを作ることができた。」（公報第６頁左上欄第３行〜第７行）と記載されている。
　また、特許異議申立人株式会社東芝の提示した甲第１号証は、平成１１年１１月１７日付け取消理由通知に引用した先願明細書に係る公開公報であるから、上記２．（３）iii）（先願明細書）に摘示した発明が記載されている。
　さらに、参考資料１及び参考資料２には翻訳文が添付されていないが、特許異議申立書によれば、参考資料１は、その第２８頁第１６行〜第１８行の記載「しかしながら、数種の化合物を混合することにより、ＳｍＣＡ＊相の温度範囲を広げることが可能である。」から、複数種の反強誘電性液晶化合物を混合する技術は周知の技術であることを示すための証拠であり、参考資料２は、その第６７３頁左欄第１行にＡＦＬＣ８として紹介されている化合物は、本件化合物（Ｂ）そのものであり、ＡＦＬＣ８が閾値を有する化合物である旨紹介されているので、本件の請求項１及び請求項２の「実質的に閾値をもたない」は、意味不明であることを示す証拠であるものと認められる。
　
（当審の判断）
　
（１）要旨変更について
　特許異議申立人キャノン株式会社は、本件発明１及び本件発明２の「実質的に閾値をもたない」という事項は、出願当初の明細書には記載されていなかったので要旨変更である旨主張しているが、前記事項は「０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない」と訂正されており、訂正された事項は、出願当初の図３（ｂ）に示されている事項であるから、出願当初の明細書に記載されていた事項である。
　また、特許異議申立人は、図３（ｂ）のＶ−Ｔ特性は甲第２号証の図４の特性と全く同じであり、甲第２号証の図４では昇電圧過程においてさえ閾値があるとの認識を示している旨主張している。
　しかしながら、図３（ｂ）のＶ−Ｔ特性は、傾きが徐々に大きくなる曲線で示されているのに対し、甲第２号証の図４の特性は、傾きがごく緩やかな直線と、垂直に近い傾斜を有する直線とが、温度によって変化する変曲点において接続されたものであり、両者を全く同じ特性ということはできず、本件の図３（ｂ）のＶ−Ｔ特性を、「０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない」と表現することが、曖昧であるとも、誤りであるともいえない。
　よって、本件に、要旨変更の補正があるとすることはできず、本件特許の出願日は、現実の出願日であるから、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（２）特許法第２９条第１項第３号について
　上記２．（３）ii）（対比・判断）に示したように、特許異議申立人キャノン株式会社の提示した甲第３号証（以下、甲第３号証という。）に記載された発明と本件発明１ないし本件発明４とは相違点を有するから、本件発明１ないし本件発明４は甲第３号証に記載された発明と同一の発明ではない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（３）特許法第２９条第２項について
　本件発明１ないし本件発明４と甲第３号証に記載された発明との対比・判断は、上記２．（３）ii）（対比・判断）に示したとおりである。
　そして、特許異議申立人キャノン株式会社の提示した甲第２号証により反強誘電性液晶のＶ−Ｔ特性が図４に示されるものであることが公知であり、同じく甲第４号証ないし甲第６号証により一方の基板の配向膜にのみラビング処理を施すことが周知であったとしても、配向処理により、強誘電性液晶や反強誘電性液晶を特殊な分子配列とすることにより階調表示を可能としている甲第３号証に記載された発明に、反強誘電性液晶として通常の分子配列を採用する、上記甲第２号証等に記載された公知技術を適用すれば、階調表示の課題を解決することが不可能となるのであるから、このような適用を、当業者は通常想到しないことは明らかである。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（４）特許法第３６条第４項及び第５項について
　（１）に記したように、「実質的に閾値をもたない」は、「０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない」と訂正されており、「実質的に」とは、電圧の絶対値を上げたときに、それに伴って透過率が変化することがわかる程度であろうことは自明であり、その発明の実施が困難とはいえない。
　また、本件特許に係る反強誘電性液晶組成物のＶ−Ｔ特性を前記訂正後の表現とすることが誤りといえないことも、上記（１）に記したとおりである。
　さらに、本件請求項３に係る発明の３種の化合物の混合は、適宜調整すればよいことも自明であるから、その発明の実施が困難であるということはできない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（５）特許法第２９条の２について
　上記２．（３）iii）（対比・判断）に示したように、特許異議申立人株式会社東芝の提示した甲第１号証（以下、甲第１号証という。）に記載された発明と本件発明１ないし本件発明４とは相違点を有し、また、その相違点に基づき、課題解決手段が全く異なるものとなるから、本件発明１ないし本件発明４は甲第１号証に記載された発明と同一の発明ではない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（６）特許法第３６条第４項について
　特許異議申立人は、参考資料２にＡＦＬＣ８として紹介されている化合物は、本件化合物（Ｂ）そのものであり、ＡＦＬＣ８が閾値を有する化合物である旨紹介されているが、本件の請求項１及び請求項２には「実質的に閾値をもたない」と記載されており、意味不明である旨主張している。
　（１）に記したように、「実質的に閾値をもたない」は、「０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない」と訂正されており、本件発明は、「０Ｖから電圧の絶対値を上げるときに実質的に閾値をもたない」反強誘電性液晶を使用することを発明の必須の構成要件とするものであり、そのような特性を有する反強誘電性液晶組成物を選択するか、あるいは適宜混合して上記特性を有するように調整するものであると認められる。
　したがって、仮に本件明細書中に記載されている化合物が単独で閾値をもつとしても、そのことから直ちに記載不備とすることはできない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（むすび）
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１ないし請求項４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし請求項４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月２６日（２０００．７．２６）