【事件の表示】
　特許第２８２８９８７号「透明導電性積層体の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８２８９８７号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件特許第２８２８９８７号の請求項１〜３に係る発明は、昭和６３年３月２９日（優先権主張昭和６２年１０月２３日）に特許出願され、平成１０年９月１８日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について帝人株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月１０日に訂正請求（この訂正請求は、その後、取り下げられた。）がなされた後、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１０月２４日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容 
（ａ）特許請求の範囲の請求項１の
「・・・金属酸化物薄膜をスパツタリング法により形成したのち、・・・」を、
「・・・金属酸化物薄膜をマグネトロンスパツタリング法により製膜速度３００〜６００Å／分で形成したのち、・・・」と訂正する。（以下、「訂正事項ａ」という。） 
（ｂ）特許明細書第４頁第１８行〜第１９行（特許公報第３欄第４０行〜第４１行）の
「・・・金属酸化物薄膜をスパツタリング法により形成したのち、・・・」を、
「・・・金属酸化物薄膜をマグネトロンスパツタリング法により製膜速度３００〜６００Å／分で形成したのち、・・・」と訂正する。（以下、「訂正事項ｂ」という。）
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否 
　上記訂正事項ａは、請求項１において、金属酸化物薄膜を形成するための「スパツタリング法」をその下位概念である「マグネトロンスパツタリング法」と限定するとともに、その製膜速度を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、金属酸化物薄膜を形成するための「マグネトロンスパツタリング法」、及び、３００〜６００Å／分の製膜速度については、特許明細書第７頁第１４行〜第１７行（特許公報第４欄第３８行〜第４１行）に記載されているから、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｂは、発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
２−３．独立特許要件
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明は、平成１２年１０月２４日付け訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものである。
　これに対し、取消理由は、請求項１の記載の意味が明りょうでないから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものである、というものである。 
　しかし、前記訂正請求により請求項１の記載が訂正された訂正明細書には、そのような記載不備はもはや存在しない。
　したがって、訂正明細書の請求項１〜３に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
２−４．訂正の適否についての結論
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断 
３−１．申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証（特願昭６２−２５７３０６号（特開平１−１００２６０号公報参照）の願書に最初に添附した明細書及び図面）、甲第２号証（特開昭５２−３４３９１号公報）、及び、甲第３号証（特開昭６１−７９６４７号公報）を提示し、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に記載に記載された発明と同一であるから、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり（取消理由１）、また、本件請求項１に係る発明は、甲第３号証に記載された発明であるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものであり（取消理由２）、更に、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第２，３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである（取消理由３）との理由で、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、取り消されるべきものであると主張している。
３−２．本件請求項１〜３に係る発明 
　本件請求項１〜３に係る発明は、平成１２年１０月２４日付け訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである（以下、それぞれ、「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」という）。 
「【請求項１】プラスチック基材上にインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により製膜速度３００〜６００Å／分で形成したのち、非酸化性ガス雰囲気下または真空雰囲気下１５０〜１８０℃で加熱処理することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
【請求項２】加熱処理の時間を２〜８時間とした請求項（１）に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項３】真空雰囲気下での加熱処理における真空度が１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の高真空度である請求項（１）に記載の透明導電性積層体の製造方法。」 
３−３．甲各号証記載の発明 
　甲第１号証（特願昭６２−２５７３０６号（特開平１−１００２６０号公報参照）の願書に最初に添附した明細書及び図面）には、透明導電性フィルム積層体の製造方法に関し、次の記載が存在する。
摘示１−Ａ　「（１）有機高分子フィルム基板上に酸化インジウムを主成分として、酸化スズを不純物とする透明導電層をスパッタリング法により形成する透明導電性フィルム積層体の製造方法であって、基板上に、波長５５０ｎｍの光吸収率が２％未満、かつ、比抵抗が１．０×１０−３Ωｃｍ以下の透明導電層を形成し、つぎに、熱処理により結晶質の透明導電層に転化させることを特徴とする透明導電性フィルム積層体の製造方法。
（２）熱処理温度が１００℃〜２３０℃であることを特徴とする特許請求範囲第１項記載の製造方法。」（特許請求の範囲）
摘示１−Ｂ　「本発明における熱処理としては、ＩＴＯ膜の透明性向上のための効果的な酸化処理は必要としないが、不活性ガス、窒素ガス、酸素ガス、または混合ガスの常圧または減圧雰囲気による熱処理が効果的であり、・・・又、熱処理温度としては、基板の有機高分子フィルムの温度範囲が１００℃〜２３０℃が好ましく、有機高分子フィルムの変化変形を極力低減するためには１３０℃〜１８０℃がさらに好ましい。」（第３頁右下欄第７行〜第１８行）
摘示１−Ｃ　「２軸延伸ポリエステルフィルム・・・を連続巻取り式の反応ＤＣ高速スパッタリング装置に装着した後、・・・１．０×１０−５Ｔｏｒｒまで減圧を行った。」（第４頁右上欄第１２行〜第１８行）
摘示１−Ｄ　「ターゲットとしてＩｎ／Ｓｎ＝９８／２の合金板を用い、上記雰囲気中において第１図に示すように堆積速度を変化させ、実施例１，２、比較例１〜４の光吸収率、比抵抗を有するサンプルを得た。」（第４頁左下欄第２行〜第５行）
　甲第２号証（特開昭５２−３４３９１号公報）には、透明電極膜の製造法に関し、次の記載が存在する。
摘示２−Ａ　「酸化インジウムと酸化第２錫の固溶体にて形成された透明電極膜を真空中で熱処理する透明電極膜の製造法。」（特許請求の範囲）
摘示２−Ｂ　「本発明は電気光学セラミックス基板上に作成した任意形状の高精度パターン透明電極の抵抗値を改善する透明電極製造法に関するものである。・・・本発明は・・・透明電極を施した電気光学セラミックス基板を真空中で熱処理することにより、熱処理前の抵抗値より小さくすることを目的とする。」（第１頁左下欄第８行〜第１７行）
摘示２−Ｃ　「高周波スパッタ装置によりＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の固溶体１２をターゲットにして・・・スパッタリングした・・・」（第１頁右下欄第８行〜第１２行）
摘示２−Ｄ　「最適条件は真空度１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒ、熱処理温度４００〜６００℃、熱処理時間３０〜３００分間がよい。」（第２頁右上欄第５行〜第７行）
　甲第３号証（特開昭６１−７９６４７号公報）には、透明導電性積層体の製造方法に関し、次の記載が存在する。
摘示３−Ａ　「１．有機高分子成型物上に主としてインジウム酸化物からなる透明導電層をスパッタリング法により形成する導電性積層体の製造方法において、先ず有機高分子成型物上に主としてインジウム酸化物を含む波長５５０ｎｍの光吸収率が２〜３０％で比抵抗が１．５×１０−３Ω・ｃｍ以上の層を形成し、次いで該層を酸素雰囲気下の加熱処理により主として結晶質のインジウム酸化物からなる透明導電層に転化せしめることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
２．加熱処理温度が１００〜２５０℃である特許請求の範囲第１項記載の透明導電性積層体の製造方法。」（特許請求の範囲）
摘示３−Ｂ　　「スパッタリングの方式は直流又は高周波二極スパッタ、直流又は高周波マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタ等公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン方式は基板へのプラズマ衝撃が少く、高速製膜が可能で好ましい。」（第３頁左下欄第４行〜第９行）
摘示３−Ｃ　「酸素雰囲気下とは少なくとも前記をスパッタリング法で形成したインジウム酸化物層結晶質へ転化せしめるに必要な酸素が存在するものであれば良く、必要に応じて不活性ガスを導入しても良く、酸素ガス及び／又はオゾンを含む常圧雰囲気、酸素ガス及び／又は酸素プラズマを含む低圧雰囲気、或いは酸素ガス及び／又はオゾンを含む高圧雰囲気等種々の雰囲気があり全て適用できるが、酸素ガス及び／又はオゾンを含む常圧雰囲気が好ましく用いられる。」（第４頁左上欄第４行〜第１４行）
摘示３−Ｄ　「加熱温度は、１００〜２５０℃が好ましく、特に１３０〜２００℃が好ましい。」（第４頁左上欄第１４行〜第１５行）
摘示３−Ｅ　「本発明における有機高分子成型物を構成する有機高分子化合物としては、耐熱性を有する透明な有機高分子化合物であれば特に限定しないが、通常耐熱性としては、１００℃以上、好ましくは１３０℃以上のものであって、例えば、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、・・・等が挙げられる。」（第４頁右上欄第１行〜第１２行）
摘示３−Ｆ　「フィルムを直流マグネトロンスパッタ装置内の基板保持台に固定し、・・・Ｉｎ／Ｓｎ合金（Ｓｎ５重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリング法により堆積速度を変えて実施例１〜４及び比較例１のサンプルの光吸収率及び比抵抗有するインジウム・スズ酸化物膜を形成した。これらのサンプルを１５０℃に保った熱風乾燥器により加熱処理を行なった・・・」（第５頁右上欄第第１７行〜左下欄第８行）
　
３−４．対比・判断 
３−４−１．取消理由１について
（本件発明１について）
　本件発明１と甲第１号証記載の発明とを対比すると、甲第１号証記載の発明における「有機高分子フィルム基板」は、本件発明１における「プラスチック基材」に、甲第１号証記載の発明における「酸化インジウムを主成分として、酸化スズを不純物とする透明導電層」は、本件発明１における「インジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜」に、甲第１号証記載の発明における「熱処理」は、本件発明１における「加熱処理」に、甲第１号証記載の発明における「透明導電性フィルム積層体」は、本件発明１における「透明導電性積層体」に、甲第１号証記載の発明における「堆積速度」は、本件発明１における「製膜速度」に、それぞれ相当するから、両者は、「プラスチック基材上にインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をスパッタリング法により所定製膜速度で形成したのち、所定雰囲気下、所定温度で加熱処理する透明導電性積層体の製造方法。」である点で一致し、加熱処理の温度も重複するが、甲第１号証には、スパッタリング法としてはＤＣ高速スパッタリングが記載されているだけで、本件発明１の構成要件である「マグネトロンスパッタリング法により製膜速度３００〜６００Å／分で形成した」ことについては記載されていない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
（本件発明２，３について）
　本件発明２は、本件発明１を引用し、加熱処理の時間の限定を更に付加した改良発明であり、また、本件発明３は、本件発明１を引用し、加熱処理における真空度の限定を更に付加した改良発明であるから、本件発明２，３は、本件発明１と同様に、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
３−４−２．取消理由２について
　本件発明１と甲第３号証記載の発明とを対比すると、甲第３号証記載の発明における「有機高分子成型物」は、本件発明１における「プラスチック基材」に、甲第３号証記載の発明における「主としてインジウム酸化物からなる透明導電層」は、本件発明１における「インジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜」に、甲第３号証記載の発明における「堆積速度」は、本件発明１における「製膜速度」に、それぞれ相当するので、両者は、「プラスチック基材上にインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により所定製膜速度で形成したのち、所定雰囲気下、所定温度で加熱処理する透明導電性積層体の製造方法。」である点で一致し、両者の加熱処理の温度も重複するが、加熱処理の雰囲気が、本件発明１は、非酸化性ガス雰囲気または真空雰囲気であるのに対し、甲第３号証記載の発明は、酸素雰囲気である点で相違する。
　そこで、この相違点について検討する。
　まず、本件発明１についてみると、本件特許明細書の「この発明では、上記薄膜形成後に、非酸化性ガス雰囲気下または真空雰囲気下で加熱処理して、透明性および導電性の大幅な向上を図る。ところで、従来においても、薄膜形成後に加熱処理を施して膜性状を変える試みはなされていたが、この加熱処理は酸化性ガス雰囲気下で行われ、主に膜の酸化度を高めることによって透明性などを高めようとしたものである。しかるに、この発明のように、非酸化性ガス雰囲気下または真空雰囲気下で加熱処理したときに、膜の透明性および導電性が大きく向上することについては全く知られていなかったことであり、この発明者らが初めて見い出したことである。」（本件特許公報第５欄第１行〜第１２行）という記載からみて、本件発明１における「非酸化性ガス雰囲気または真空雰囲気」は、酸化性ガス雰囲気とは異なるものであると認められる。
　これに対し、甲第３号証には、酸素雰囲気として、「酸素ガス及び／又は酸素プラズマを含む低圧雰囲気」が記載されているが（摘示３−Ｃ参照）、その「低圧雰囲気」は、あくまで「スパッタリング法で形成したインジウム酸化物層結晶質へ転化せしめるに必要な酸素が存在する」酸素雰囲気を前提とするものであるから（摘示３−Ｃ参照）、本件発明１の「非酸化性ガス雰囲気または真空雰囲気」における「真空雰囲気」とは異なるものである。
　したがって、本件発明１は、甲第３号証に記載された発明とすることはできない。
３−４−３．取消理由３について
（本件発明１について）
　本件発明１と甲第２号証記載の発明とを対比すると、甲第２号証記載の発明における「基板」は、本件発明１における「基材」に、甲第２号証記載の発明における「酸化インジウムと酸化第２錫の固溶体にて形成された透明電極膜」は、本件発明１における「インジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜」に、甲第２号証記載の発明における「真空中」は、本件発明１における「真空雰囲気下」に、甲第２号証記載の発明における「熱処理」は、本件発明１における「加熱処理」に、甲第２号証記載の発明における「電気光学セラミックス基板とその上に形成された透明電極膜」は、本件発明１における「導電性積層体」に、それぞれ相当するから、両者は、「基材上にインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をスパッタリング法により所定製膜速度で形成したのち、真空雰囲気下、所定温度で加熱処理する透明導電性積層体の製造方法。」である点で一致するが、本件発明１は、基材がプラスチックで、加熱処理の温度が１５０〜１８０℃であるのに対し、甲第２号証記載の発明は、基材がセラミックスで、加熱処理の温度が４００〜６００℃である点で相違する。
　また、本件発明１と甲第３号証記載の発明とを対比すると、上記３−４−２．で述べたように、両者は、「プラスチック基材上にインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により所定製膜速度で形成したのち、所定雰囲気下、所定温度で加熱処理する透明導電性積層体の製造方法。」である点で一致し、両者の加熱処理の温度も重複するが、加熱処理の雰囲気が、本件発明１は、非酸化性ガス雰囲気または真空雰囲気であるのに対し、甲第３号証記載の発明は、酸素雰囲気である点で相違する。
　そこで、本件発明１と甲第２ないし３号証記載の発明との前記相違点について検討する。
　甲第２号証記載の発明における加熱処理の対象は、セラミックス基材上の金属酸化物薄膜であって、甲第３号証記載の発明のように、プラスチック基材上の金属酸化物薄膜ではないし、また、甲第２号証記載の発明における加熱処理の温度は、４００〜６００℃で、甲第３号証記載の発明とは大きく異なっているし、更に、甲第２号証記載の発明における加熱処理の雰囲気の真空度は１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒで（摘示２−Ｄ参照）、甲第３号証記載の発明における酸素雰囲気とは相容れないものであるから、甲第２号証記載のセラミック基材上の金属酸化物薄膜の製造に関する発明において、甲第３号証記載のプラスチック基材や加熱処理の温度を適用することが容易であるとはいえないし、また、甲第３号証記載の発明において、その加熱処理おける酸素雰囲気の代わりに甲第２号証記載の発明における真空雰囲気を適用することが容易であるともいえない。
　したがって、本件発明１は、甲第２，３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（本件発明２，３について）
　本件発明２は、本件発明１を引用し、加熱処理の時間の限定を更に付加した改良発明であり、また、本件発明３は、本件発明１を引用し、加熱処理における真空度の限定を更に付加した改良発明であるから、本件発明２，３は、本件発明１と同様に、甲第２，３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
 ４．むすび 
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。 
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月２７日（２０００．１１．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（Ａ）特許請求の範囲の請求項１の「・・・金属酸化物薄膜をスパツタリング法により形成したのち、・・・」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「・・・金属酸化物薄膜をマグネトロンスパツタリング法により製膜速度３００〜６００Å／分で形成したのち、・・・」と訂正する。
（Ｂ）特許明細書第４頁第１８行〜第１９行（特許公報第３欄第４０行〜第４１行）の「・・・金属酸化物薄膜をスパツタリング法により形成したのち、・・・」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「・・・金属酸化物薄膜をマグネトロンスパツタリング法により製膜速度３００〜６００Å／分で形成したのち、・・・」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
透明導電性積層体の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　プラスチック基材上にインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をマグネトロンスパツタリング法により製膜速度３００〜６００Å／分で形成したのち、非酸化性ガス雰囲気下または真空雰囲気下１５０〜１８０℃で加熱処理することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
　　【請求項２】　加熱処理の時間を２〜８時間とした請求項（１）に記載の透明導電性積層体の製造方法。
　　【請求項３】　真空雰囲気下での加熱処理における真空度が１×１０−５Ｔｏｒｒ以下の高真空度である請求項（１）に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　〔産業上の利用分野〕
　この発明はプラスチツク基材と金属酸化物薄膜とからなる透明導電性積層体の製造方法に関する。
　〔従来の技術〕
　透明導電性積層体としては、基材としてガラスまたはプラスチツクを用いたもの、またこの上に設ける透明導電性層を金，パラジウムなどの金属薄膜タイプとしたもの、インジウム酸化物、スズ酸化物、チタン酸化物などの金属酸化物薄膜タイプとしたもの、チタン酸化物／銀／チタン酸化物の如き多層薄膜タイプとしたものなどが数多く知られている。
　これらの積層体の中でも、プラスチツク基材上に金属酸化物薄膜を設けてなるものは、軽量性，加工性，耐衝撃性，可撓性などにすぐれるうえに、透明性および導電性にもすぐれているため、各種の産業分野で広く利用されている。また、このような金属酸化物薄膜タイプのうち、上記薄膜をインジウム酸化物を主として含むもの、たとえばインジウム酸化物単独またはこれに少量のスズを加えた混合酸化物（以下、ＩＴＯという）などで構成した積層体は、透明性および導電性が特に良好で、しかもエツチング特性にすぐれて電極のパターン化が容易であるといつ
た特徴を有していることから、実用性の最も高いものとして近年特に注目を浴びている。
　従来、このようなプラスチツク基材とＩＴＯなどのインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜とからなる積層体は、上記基材上に上記薄膜をスパツタリング法により形成するという方法で製造されている。これは、スパツタリング法によると、長時間にわたる製膜が可能で、かつ膜組成のずれが少なく、しかも広幅化が容易であるなどの利点が得られるためである。
　〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、上記方法で製造される積層体は、ガラス基板上に上記と同様の金属酸化物薄膜を上記と同様の手段で設けたものに較べて、透明性および導電性に劣るという問題を有していた。この理由は、ガラス基板においては、スパツタリングに際し基板温度を３００℃程度の高温に加熱でき、この加熱によつて形成される酸化物薄膜の性状を透明性および導電性を高めうるに適したものとすることができるのに対し、プラスチック基材ではその耐熱性の点から、上記の如き高温に加熱することができないためである。
　この発明は、上記の事情に鑑み、スパツタリング後に特定の加熱処理を施すことにより、プラスチツク基材上にＩＴＯなどのインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をスパツタリング法で形成する方法における前記透明性および導電性の低下の問題を克服し、従来技術では達成できなかつた低抵抗で高透明性の積層体を製造しうる方法を提供することを目的としている。
　〔課題を解決するための手段〕
　この発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、スパツタリング法によりインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜を形成したのちに、非酸化性ガス雰囲気下または真空雰囲気下で加熱処理すると、プラスチツク基材を用いた積層体の透明性および導電性を大きく向上できるものであることを知り、この発明を完成するに至つた。
　すなわち、この発明は、プラスチツク基材上にインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をマグネトロンスパツタリング法により製膜速度３００〜６００Å／分で形成したのち、非酸化性ガス雰囲気下または真空雰囲気下１５０〜１８０℃で加熱処理することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法に係るものである。
　　〔発明の構成・作用〕
　この発明におけるプラスチツク基材としては、透明性および耐熱性の良好なものであれば特に限定されず、ポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリパラバン酸、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、トリアセテート、ポリアクリル、セルロース樹脂、フツ素樹脂などの各種プラスチツクを広く使用できる。基材の形態は、通常はシート状やフイルム状とされるが、その他の成型品とされたものであってもよい。シート状やフイルム状物である場合の基材厚みは、一般に２５〜２００μｍ程度である。
　このようなプラスチツク基材に金属酸化物薄膜を設けるに先立って、溶剤洗浄、超音波洗浄などにより除塵，清浄化し、必要ならば薄膜と基材との接着性や耐摩耗性を向上させるための下塗り層の形成や表面処理を施すようにしてもよい。このような下塗り層の形成や表面処理を施すには、特公昭５７−３９００４号公報などに開示されているような公知の方法を採用して行うことができる。
　この発明においては、まず上記のプラスチツク基材上にＩＴＯなどのインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜をスパツタリング法にて形成する。スパツタリング法自体は公知の方法に準じて行うことができ、たとえば直流または高周波二極スパツタリング、直流または高周波マグネトロンスパツタリング、イオンビームスパツタリングなどの方式を採用できる。これらの中でも、マグネトロンスパツタリング方式は、プラスチツク基材へのプラズマ衝撃が少なく、高速製膜が可能なため、好ましい。
　ターゲツトとしては、金属インジウムまたはこれを主成分としてこれにスズなどの他の金属を通常１０重量％以下含む合金を用いるか、あるいは酸化インジウムまたはこれを主成分としてこれに酸化スズなどの他の金属酸化物を金属換算で上記と同様の割合で含む複合酸化物からなる焼結体が用いられる。前者においては、アルゴンガスなどの不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスを真空槽内に導入して、反応性スパツタリングを行い、また後者においては、アルゴンガスなどの不活性ガス単独かまたはこれに微量の酸素ガスを混合したものを真空槽内に導入してスパツタリングを行えばよい。
　スパツタリング時のプラスチツク基材の温度は、基材の耐熱度に応じて決められるが、一般には２００℃以下、好ましくは２５〜１００℃の範囲とするのがよい。製膜条件は、スパツタリング方式、ターゲツトの材料および導入ガス雰囲気などによつて大きく異なるため、一概には決められない。マグネトロンスパツタリング方式では、たとえば真空度を１×１０−３〜１×１０−２Ｔｏｒｒ、放電電流を１．５〜３Ａとして、製膜速度を３００〜６００Å／分とするのがよい。
　このようにして形成されるインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜の厚みは、通常４０〜３，０００Ａの範囲とするのが適当である。この薄膜は、スパツタリング方式、ターゲツトの材料および導入ガス雰囲気などによって、酸化度その他の膜性状が大きく異なったものとなり、それに伴って透明性や導電性も相違してくるが、上記膜性状をいかに好適なものとしても、ガラス基板を用いたものと比較すれば、透明性および導電性の低下は避けられない。
　そこで、この発明では、上記薄膜形成後に、非酸化性ガス雰囲気下または真空雰囲気下で加熱処理して、透明性および導電性の大幅な向上を図る。ところで、従来においても、薄膜形成後に加熱処理を施して膜性状を変える試みはなされていたが、この加熱処理は酸化性ガス雰囲気下で行われ、主に膜の酸化度を高めることによって透明性などを高めようとしたものである。しかるに、この発明のように、非酸化性ガス雰囲気下または真空雰囲気下で加熱処理したときに、膜の透明性および導電性が大きく向上することについては全く知られていなかったことであり、この発明者らが初めて見い出したことである。このように透明性および導電性が向上する理由は、今のところ明らかではないが、膜の緻密化、結晶質化など酸化度以外の膜性状の変化がおこるためではないかと推定される。
　非酸化性ガス雰囲気としては、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気とすればよい。また、真空雰囲気の真空度は特に限定されないが、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下の高真空度とするのが好ましい。高真空度とした方が好ましい理由は、以下のとおりである。
　すなわち、既述の通り、この発明の上記の加熱処理により透明性および導電性を改善しうるが、その程度は加熱処理を行う前のスパツタリング時の条件、特に酸素ガス導入量によつてかなり相違し、この導入量を適正範囲に設定したときに、最も高い透明性および導電性が得られる。ここで、上記の加熱処理を真空雰囲気下で行う場合、低真空度とするよりも高真空度とした方が、上記スパツタリング時の酸素ガス導入量の適正範囲をより広くとることができる。
　たとえば、後記の実施例１におけるような１×１０−１Ｔｏｒｒ程度の低真空度での加熱処理では、第１図の曲線−１ａにて示されるように、１００〜１５０Ω／□となる最も高い導電性を得るには、スパツタリング時の酸素ガス導入量を３４〜３５．５ＳＣＣＭの範囲に設定しておくことが望まれる。これに対し、後記の実施例２におけるような１×１０−５Ｔｏｒｒ程度の高真空度での加熱処理によれば、同図の曲線−１ｃにて示されるように、上記と同じ導電性を得るのに、上記酸素ガス導入量を３４〜３６．５ＳＣＣＭの広い範囲に設定することができる。
　このように、１×１０−５Ｔｏｒｒ以上の高真空雰囲気下で加熱処理を行うようにすれば、スパツタリング時の酸素ガス導入量を微妙に調節しなくても、高い透明性および導電性が安定して得られ、この点で非常に有利となるのである。
　なお、この発明の上記加熱処理時の温度は、非酸化性ガス雰囲気下であつても真空雰囲気下であつても、一般に１５０〜１８０℃、好ましくは１６０〜１８０℃とするのがよい。かかる温度下で通常２〜８時間の加熱処理を施すことにより、目的とする低抵抗でかつ高透明性の積層体を得ることができる。
　〔発明の効果〕
　以上のように、この発明の方法によれば、プラスチツク基材とインジウム酸化物を主として含む金属酸化物薄膜とからなる透明性および導電性にすぐれる積層体を製造できるから、液晶デイスプレイ、エレクトロルミネツセンスデイスプレイなどの新しいデイスプレイ方式における透明電極のほか、透明物品の帯電防止や電磁波遮断などの種々の用途に適した透明導電性積層体を提供することができる。
　〔実施例〕
　以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明する。
　実施例１
　真空槽内に、厚さ７５μｍのポリエステルフイルムと、ターゲツトとして金属インジウムを主成分としスズを１０重量％含む合金とを、セツトし、真空度４×１０−３Ｔｏｒｒ、アルゴンガス導入量１３０ＳＣＣＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ　ｃｕｂｉｃ　ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｓ／ｍｉｎｕｔｅ）、酸素ガス導入量３４．４ＳＣＣＭ、放電電流１．５Ａ、製膜速度４５０Ａ／分の条件でマグネトロンスパツタリングを行い、上記のポリエステルフイルム上に膜厚１８０ÅのＩＴＯ薄膜を形成した。その後、１×１０−１Ｔｏｒｒの真空雰囲気下で１８０℃で６時間の加熱処理を施して、透明導電性積層体を作製した。
　この積層体は、そのシート抵抗が１１０Ω／□、波長５５０ｎｍの光透過率が８７％であつて、低抵抗でかつ高透明性を有するものであつた。
　つぎに、酸素ガス導入量を変更した以外は、上記と全く同じ条件で膜厚１８０Åのマグネトロンスパツタリングを行い、その後上記と全く同じ加熱処理を施して得た各種の透明導電性積層体Ａと、加熱処理を省いた以外は上記同様にして得た各種の透明導電性積層体Ｂとにつき、上記酸素ガス導入量とシート抵抗および波長５５０ｎｍの光透過率との関係を調べた。その結果は、第１図および第２図に示されるとおりであつた。
　第１図は酸素ガス導入量とシート抵抗との関係を、第２図は酸素ガス導入量と波長５５０ｎｍの光透過率との関係をそれぞれ示し、両図中、曲線−１ａ，２ａは透明導電性積層体Ａの結果、曲線−１ｂ，２ｂは透明導電性積層体Ｂの結果、である。
　上記両図から明らかなように、この発明の特定の加熱処理を施した透明導電性積層体Ａおよび上記加熱処理を施さない透明導電性積層体Ｂ共にマグネトロンスパツタリング時の酸素ガス導入量によつてシート抵抗と光透過率とが大きく変化するが、一定の酸素ガス導入量のもとではこの発明の透明導電性積層体Ａの方が透明導電性積層体Ｂに較べてより低いシート抵抗およびより高い光透過率を有しているものであることが判る。
　また、透明導電性積層体Ｂではマグネトロンスパツタリング時の酸素ガス導入量を３６．４ＳＣＣＭとしたとき最も低いシート抵抗（３３０Ω／□）が得られ、また光透過率は８５％とかなり高い値が得られているが、これらの値はこの発明の透明導電性積層体Ａの最高値（酸素ガス導入量を実施例１の３４．４ＳＣＣＭとしたときのシート抵抗１１０Ω／□および光透過率８７％）に較べれば劣つており、この発明の方法により従来では達成できなかつた低抵抗でかつ高透明性の積層体の製造が可能となることも明らかである。
　実施例２
　加熱処理の条件を１×１０−５Ｔｏｒｒの真空雰囲気下１８０℃で６時間とした以外は、実施例１の透明導電性積層体Ａの場合と同様にして透明導電性積層体Ｃを作製した。この積層体Ｃにつき、マグネトロンスパツタリング時の酸素ガス導入量とシート抵抗との関係を調べた結果は、第１図の曲線−１ｃにて示されるとおりであつた。
　この曲線から明らかなように、酸素ガス導入量が３４〜３６．５ＳＣＣＭとなる広い範囲において、１００〜１５０Ω／□の低いシート抵抗が得られており、このような低抵抗値を示す積層体は透明性も８５％以上と大変良好であつた。
　実施例３
　実施例１と同様の方法で酸素ガス導入量を３４．４ＳＣＣＭとして膜厚１８０Åのマグネトロンスパツタリングを行ったのち、１気圧のアルゴンガス雰囲気下１８０℃で６時間の加熱処理を施して、透明導電性積層体を作製した。この積層体のシート抵抗は１３０Ω／□、光透過率は８７％であつた。
　実施例４
　アルゴンガス雰囲気下の加熱処理に代えて、１気圧の窒素ガス雰囲気下１８０℃で６時間の加熱処理を施した以外は、実施例３と同様にして透明導電性積層体を作製した。この積層体のシート抵抗は１３５Ω／□、光透過率は８６．５％であつた。
【図面の簡単な説明】
　第１図はこの発明の方法およびこの発明とは異なる方法で製造した透明導電性積層体に関しスパツタリング時の酸素ガス導入量とシート抵抗との関係を示す特性図、第２図は上記同様の透明導電性積層体に関しスパツタリング時の酸素ガス導入量と光透過率との関係を示す特性図である。