【事件の表示】
　特許第２８８１１４８号「バンプ付基板の検査装置」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８１１４８号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許２８８１１４８号の出願は、平成１０年３月３１日に出願したものであって、平成１１年１月２９日に設定登録され、その後、その特許について特許異議申立人小塚浩より請求項１ないし１０に係る特許について特許異議の申し立てがなされた。そして平成１２年９月２２日付けで取消理由通知が手交によりなされたところ、平成１２年９月２８日付けで特許異議意見書及び訂正請求書が提出された。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正事項
（１）訂正事項ａ
　請求項１の「１ないし複数の閾値」との記載を「複数の閾値」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明中、「１ないし複数の閾値」との記載を「複数の閾値」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）上記訂正事項ａは、閾値が「１」を含むものであったのを「１」を含まないものとする訂正であり、特許請求の範囲を減縮するものであって、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（２）上記訂正事項ｂは、上記特許請求の範囲の訂正に伴って発明の詳細な説明を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書及び図面の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡大し又は変更するものでもない。
　
２−３．独立特許要件の判断
２−３−１．訂正後の発明
　平成１２年９月２８日付け訂正請求書による訂正後の請求項１ないし１０に係る発明は、請求項１ないし１０に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置であって、
前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に前記検査光を照射する光源と、
前記検査面からの前記検査光に基づく反射光を受光する受光部と、
前記検査光を前記検査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、
前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報（以下、高さ情報という）を生成する高さ情報生成手段と、
を含む測定系と、
前記高さ情報に基づいて、前記検査面上の各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成する検査情報生成手段と、
その生成された検査情報を出力する検査情報出力手段とを備え、
前記検査情報出力手段は、前記高さの範囲を複数の閾値により分割し、その分割された高さの各範囲に対し、表示装置の画素の濃度及び／又は色彩を一対一に対応させ、前記検査面上の各位置に対応する画素の濃度又は色彩を、前記高さ情報が示すそれら各位置の高さに対応するものに設定することにより、前記検査面上の高さ分布を前記表示装置にマッピング出力させる高さ分布表示手段を備えることを特徴とするバンプ付基板の検査装置。
【請求項２】前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位置における前記反射光の輝度情報を生成する反射光輝度情報生成手段を備え、
前記検査情報生成手段は、前記反射光の輝度情報と前記高さ情報とに基づいて、前記検査面上の各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成するものとされている請求項１記載のバンプ付基板の検査装置。
【請求項３】前記検査情報は、各バンプの高さ情報、コプラナリティ情報、基板本体のうねり情報、位置情報、配置間隔情報、前記検査面上におけるバンプ存在領域の面積情報、及び体積情報の少なくともいずれかを含むものである請求項１又は２に記載のバンプ付基板の検査装置。
【請求項４】前記検査情報に反映される各バンプの形成状態が、予め定められた判定条件を満足するか否かに基づいて、それら各バンプの良／不良を判定するバンプ良否判定手段と、
前記表示装置に対し、前記高さ分布のマッピング出力画面上において、前記バンプ良否判定手段が不良と判定したバンプ（以下、不良バンプという）の存在位置を表示させる不良バンプ位置表示制御手段と、
を備える請求項１ないし３のいずれかに記載のバンプ付基板の検査装置。
【請求項５】前記高さ分布のマッピング出力画面上において、前記位置表示された前記不良バンプの存在領域を選択する不良バンプ存在領域選択手段と、
その選択された不良バンプ存在領域の高さ分布のマッピング画像を拡大して表示する不良バンプ存在領域拡大表示手段とを備える請求項４記載のバンプ付基板の検査装置。
【請求項６】前記不良バンプ位置表示制御手段は、前記不良バンプの存在領域を含む所定面積の領域を拡大指定領域として前記高さ分布のマッピング出力画面上に示すものとされ、
前記不良バンプ存在領域選択手段は、その拡大指定領域を単位として前記不良バンプ存在領域を選択するものとされ、
前記不良バンプ存在領域拡大表示手段は、その選択された拡大指定領域内のマッピング画像を拡大表示するものである請求項５記載のバンプ付基板の検査装置。
【請求項７】前記不良バンプ存在領域選択手段は、前記マッピング出力画面上に表示されるポインタを、マウス、トラックボール等のポインティングデバイスの操作により該マッピング出力画面上で移動させて、そのポインタ指示位置を前記拡大指定領域内に位置させるとともに、その状態で領域選択コマンドを実行することにより、該拡大指定領域を選択するものとされている請求項６記載のバンプ付基板の検査装置。
【請求項８】前記不良バンプ位置表示制御手段は、前記拡大指定領域を複数のバンプの存在領域を含む形で設定するようになっており、他方、
その設定された拡大指定領域内にて、個々のバンプ存在領域のうち任意のものを１つのみ含む所定面積の領域を個別バンプ選択領域として設定する個別バンプ選択領域設定手段と、
その設定された個別バンプ選択領域内のマッピング画像をさらに拡大して表示する個別バンプマッピング画像拡大表示手段とを備える請求項６又は７に記載のバンプ付基板の検査装置。
【請求項９】前記個別バンプ選択領域にて選択されたバンプ存在領域に対応するバンプの、前記検査情報の内容を表示する検査情報内容表示手段が設けられている請求項８記載のバンプ付基板の検査装置。
【請求項１０】前記個別バンプ選択領域内のマッピング画像を構成する各画素のうち、任意のものを選択する画素選択手段と、
前記高さ情報と前記反射光の輝度情報との少なくともいずれかについて、前記選択された画素の示す前記検査面上の位置に対応するものの内容を位置別検出情報として表示する位置別検出情報表示手段とを備える請求項８又は９に記載のバンプ付基板の検査装置。」（以下、それぞれ「訂正発明１」ないし「訂正発明１０」という。）
　
２−３−２．取消理由通知
　平成１２年９月２２日付け取消理由通知は以下のとおりである。
　本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　記
　請求項１に係る発明の「検査情報出力手段」は、「高さの範囲を１ないし複数の閾値」に分割するものとして記載されているが、発明の詳細な説明には、複数の閾値に分割するもののみが記載されており、両者の記載は一致していない。また、請求項２ないし１０に係る発明は実質的に請求項１を引用するものであって、同様の不備を有するものである。
　
２−３−３．刊行物
　特許異議申立人小塚浩は、証拠として下記甲第１〜５号証を提出している。
　　　　　　　記
甲第１号証：特開平９−１５９４１５号公報
甲第２号証：特開平６−１６７４６０号公報
甲第３号証：特開平１−３２０４１５号公報
甲第４号証：特開平４−８９５９５号公報
甲第５号証の１：「INSPECTOR Version2.0 User Guide」 Matrox Electronic Systems Ltd.（1996-6-3）
甲第５号証の２：上記アプリケーションソフト「INSPECTOR Version2.0」の画面のコピー
　そして、上記甲第１号証には、以下の事項が記載されている。
「【発明の属する技術分野】
本発明はＬＳＩ等の半導体モジュールやＴＡＢ（Tape Automated Bonding）等に形成されるはんだバンプの測定方法とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は多数のはんだバンプを有する半導体モジュール１の構造を示す説明図である。半導体モジュール１の裏面には、はんだバンプ１０が多数形成され、各バンプは半導体モジュール１が搭載される配線基板との間を接続する。半導体モジュール１は例えば１０ＲＡＭ角の正方形の平面形状を有し、その表面８上に４５０μｍのピッチ間隔で２３×２３のはんだバンプ１０が形成される。各はんだバンプ１０の寸法と形状は拡大図で示すように、ほぼ球状の形状を有する。従来このような球状の多数のバンプの高さ測定を自動で行う装置はなく、焦点深度顕微鏡等による目視測定しか方法がなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
多数のバンプが形成された半導体モジュール等のワーク（被測定物）は、次工程で配線基板上に位置決めされ、加熱炉中ではんだバンプを加熱、溶融して結線を行なう。この結線を確実にするためには、各バンプの頂部の高さ寸法が正確に形成される必要がある。また、各バンプの大きさも、一定の値に制御することによって、隣接するバンプや配線とのショートを防止する必要がある。しかしながら、多数のバンプの高さ寸法を短時間で、しかも正確に測定することは非常に困難なことである。本発明は、本出願人が先に提案した特開平２−８０９０５号公報に示す光ビームを用いてワークの高さ寸法を測定する技術を発展させて、ワーク上のバンプを高速かつ正確に測定する方法とその装置を提供するものである。」（【０００１】〜【０００３】）、
「【発明の実施の形態】図２は、本発明のはんだバンプの測定方法に使用する装置の外観を示す説明図である。全体を符号１００で示す測定装置は、ワークを載置して測定を行なう操作ステージ１１０と制御部１２０と、操作盤１３０と、結果を出力するプリンタ１４０と、操作ステージ１１０の測定部をモニタするモニタＴＶ１５０等を備える。図３は、２の装置１００の制御系の構成を示すブロック図であって、ワーク１を搭載するテーブル側は防振台２１０上に配設されて、ワークの垂直軸線（Ｚ軸）まわりの角度を制御するθステージ２１２と、垂直軸線に直交する平面内の一方の案内軸（Ｘ軸）方向の移動を制御するＸステージと、Ｘ軸に直交する案内軸（Ｙ軸）方向の移動を制御するＹステージと、ワーク位置決め機構の表面の傾斜を制御するβ傾斜ステージ２１８及びα傾斜ステージ２２０と、ワーク１を保持するワーク位置決め機構（ワークテーブル）２３０を備える。
【０００６】各制御軸は、軸の制御駆動装置２４０からの出力によって制御される。光マイクロセンサ２５０は、Ｚ軸駆動機構２７０にとりつけられて、ワークテーブル２３０に対してＺ軸方向に制御される。この光マイクロセンサ２５０は、ワークテーブル２３０に対して、ワーク１の取付けと取出しを容易にするために待避機構２７２により測定位置から待避する構成となっている。Ｚ軸方向の移動量はデジタルマイクロ２７４で管理される。光マイクロセンサ２５０に隣接して光学カメラ２５２が装備されており、測定部の状況をモニタ用のＣＲＴ１５０で視認することができる。
【０００７】光マイクロセンサ２５０は、コントローラ２６０で制御され、測定データはＡ／Ｄ変換されて、デジタル入出力インターフェース２６４を介してパソコン２６６に記録される。測定結果は、マスターパソコン１１０のデジタル入出力インターフェース２８０側へ送られ、パソコン１１０上の画面に表示されるとともに、プリンタ１４０にも出力される。はんだバンプの測定結果の判定には、各バンプの位置の座標データや各制御軸の補正量のデータも利用され操作スイッチ２８４によって操作される。
【０００８】図４は、光マイクロヘッド２５０の構造を示し、半導体レーザー２５２と受光素子２５５を有する。半導体レーザー２５２から出力されたレーザーは、レンズ２５３を通ってビームＬＢとしてバンプ１０上に照射され、バンプ１０の表面で反射したビームはレンズ２５４を通って受光素子２５５に受光される。受光素子２５５は、反射光の受光位置によって、バンプの表面の高さ位置を三角測量の原理により測定する。同時に反射受光量も検出される。テーブルのＸ軸は、このレーザービームＬＢの光軸方向に設定される。
【０００９】図５は、レーザービームＬＢによってバンプ１０を走査するパスを示し、バンプ１０の頂点を含めてその付近を３回のパスによって測定する。
【００１０】図６は、測定結果のデータの一例を示し、横軸にＸ軸座標を、たて軸に検出レベルをとっている。第１のカーブＣ１は反射受光のレベルを示し、第２のカーブＣ２はバンプの高さの変位を示す。反射受光Ｃ１の基準値ＴＬを予め定めておき、受光がこの基準値ＴＬを超えたＸ座標位置と基準値より下がったＸ座標位置を検出し、この中間の座標位置Ｘ１０での変位信号Ｃ２の値をそのバンプの頂点の高さ位置として採用する。
【００１１】図７は、基板２の表面８とバンプ１０の高さ位置の関係を示す。レーザービームＬＢは、基板２の表面８とバンプ１０上を走査し、表面８の高さ位置とバンプ１０の高さ位置を検出する。基板２は、必ずしも絶対平面を形成せず、うねり等を発生させる。そこで図８に示すように、基板２の表面８の回帰平面Ｐ１と各バンプの頂部により形成される回帰平面Ｐ２を算出する。そして、バンプ１０の回帰平面Ｐ１からの絶対高さＨ１と回帰平面Ｐ２からの相対高さＨ２を得る。測定対象のワークの基板の形状、寸法と、基板上に形成されるはんだバンプの位置とは常に一定の関係になるとは限らない。そこで、ワークをテーブル上に取りつけた後に、測定開始前にワークの取付姿勢を調整（アライメント）を行なう。
【００１２】図９は、ワークであるＬＳＩキャリヤ１をＸ、Ｙ方向に移動するワークテーブル２３０上に位置決めする手段を示す。ワーク１は平面形状が正方形であって、このワーク１に対応する直角ブロック２３２がテーブル２３０上にとりつけてある。このブロック２３２は基準となるストッパ２３３が突出し、このストッパ２３３に向かって前進する押し当てピン２３４によってワーク１をストッパ２３３に押し当てて、ワーク１を位置決めする。テーブル２３０には負圧を用いた吸着装置２３５が設けてあり、ワーク１の裏面を吸着保持する。とりつけられたワーク１は、その基板の外形の切断誤差、基板材料の収縮等により、ＬＳＩ基板の外形とバンプ位置の間に誤差が発生する。
【００１３】そこで、図１０に示す、ワーク１の第１のバンプ１０−１の位置を検出する工程を実行する。ワーク１の基板に対する第１のバンプ１０−１の設計上の位置は、コントローラが認識しているので、まず、テーブルのＸ軸の座標を第１のバンプ１０−１の設計座標に位置決めして、テーブルをＹ方向に移動しつつ第１のスキャンＳ−１により測定を行なう。
【００１４】この走査Ｓ−１によって、図６のカーブＣ１に示すような第１のバンプ１０−１の反射受光量の変化のカーブが得られる。そこで、このカーブから得られる光量の中心位置を求めて、第１のバンプ１０−１の中心点（原点）と仮定する。受光量が基準値に達しないときには、Ｘ軸座標を距離Ｄ１だけシフトして第２の走査Ｓ−２を実行し、仮の原点を検出し、Ｙ軸座標を決定する。次にこのＹ軸座標を固定し、Ｘ軸方向の走査Ｓ−３を行ない、受光量中心から第１のバンプ１０−１の位置を検出する。Ｘ軸座標上の受光量が基準値に達しないときには、Ｙ軸を距離Ｄ２だけシフトして走査Ｓ−４を行ない、同様の処理を行なう。
【００１５】以上により求められた座標位置を仮の原点Ｋ１とする。仮の原点Ｋ１を含むバンプの第１行を走査（Ｓ−１０）し、受光量が基準以上のバンプについて頂点位置を求める。この頂点位置のＸ軸座標位置と、設計上のＸ軸座標位置とのズレ量の平均値を算出する（図１１）。次に基板の反対端に最も近いバンプの行に対しても同様の走査（Ｓ−１１）を行ないＸ軸座標のズレ量の平均値を算出する。このズレ量をもって、このワークの基板端面から第１のバンプまでのＸ軸方向の補正値として、原点のＸ軸座標を補正する。同様の走査をＹ軸方向に実行して、Ｙ軸座標のズレ量を算出して、原点のＹ軸座標を補正する。
【００１６】ワークが中心軸まわりに回転してとりつけられていると、設計上の値に走査間隔を移動して走査を行なうと、走査線上に出現する受光量のピーク値が一定方向に変化し、またピーク位置と設計位置にズレが生じる（図１２）。この変化によって、ワークの回転角θの補正量を算出して、θステージを回動して補正する。
【００１７】このθ補正のＸ軸方向の走査時には、図１３に示すように、ワークの基板上の位置８−１、８−２、８−３……の高さ位置も検出される。この高さ位置の変化により、回帰直線Ｌ−１を算出し、Ｘ軸方向の基準線（水平線）からの傾斜角の補正値αを算出し、α傾斜ステージ２１８を補正する。同様にＹ軸方向の傾斜の補正値βを算出し、β傾斜ステージ２１６を補正する。以上のアライメント工程を完了した後に、全てのバンプを走査して頂点高さを測定する。
【００１８】図１４は、測定結果に基づいて、バンプ１０の頂点位置が形成する回帰平面ＰＬ−１を示す。そして、この回帰平面ＰＬ−１からの各バンプの頂点位置の偏位を演算し、判定結果をディスプレイ１１２上に表示する。
【００１９】図１５は、画面上に表示される測定結果のグラフである。横軸に回帰平面からの各バンプ頂点の高さの差を、たて軸にバンプの個数をとったものである。このワークの場合には、バンプ個数が５２００個であって、標準偏差が０．６５μｍであり、３δが±１．９５μｍである。目標仕様を例えば±２μｍに設定するとこのワークの標準偏差での判定は良品となり、次工程へ送付される。
【００２０】図１６は、測定装置の画面１１２上に表示される各種の画面の例を示す。運転画面３００は、現在の運転モード等の表示エリア３０２、相対高さ頻度分布グラフを表示するエリア３０４、判定結果を表示するエリア３０６、ワークであるＬＳＩ１毎の詳細結果を表示するエリア３０８を有する。エリア３０２は、ａ．現在の動作モード（アライメント、頂点計測、ベース計測、判定演算、個別再計測）ｂ．現在の検査位置（行、列）を数値とグラフィックで表示ｃ．１ＬＳＩ検査終了後、不良バンプの座標を数値とグラフィックで表示を表示する。不良バンプの位置の表示は、ワーク１の不良バンプ１０−Ｎの位置をエリア３０２上に画像として表示する。
【００２１】相対高さ頻度分布グラフ３０４は、図１５に示したものである。判定結果はＯＫ又はＮＧとしてエリア３０６に表示される。エリア３０８に表示されるＬＳＩ毎の詳細結果は、アライメントの結果をＸ，Ｙ，Ｚ，θ，α，βの数値で表示するとともに、バンプの平均高さ、相対高さの標準偏差、平均受光量、Ｘ，Ｙ方向のベース収縮率を表示する。
【００２２】位置ずれグラフの画面３１０は、バンプ毎の設計値からの頂点位置のずれ量の分布を示すグラフである。高さ立体分布グラフの画面３２０は、バンプ毎の相対高さの３Ｄグラフおよび色分けによる平面分布グラフを示す。不良ＬＳＩの情報画面３３０は、全自動運転終了後（マガジン単位）の不良ＬＳＩの判定モードを示す。検査条件設定画面３４０は、判定閾値等、検査のパラメータを設定するための画面である。」（【０００５】〜【００２２】）
　
　同甲第２号証には、以下の事項が記載されている。
「【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩのチップを基板へ直接的に接続するための電極としてウエハ上に形成されたバンプについて、その外観などを画像処理技術を用いて自動検査するのに用いられる検査装置に関する。」（【０００１】）、
「【００１３】
【実施例】図１は、この発明の一実施例にかかる検査装置の全体構成を示す。この検査装置は、基準ウエハ１Ｓを撮像して得られた前記基準ウエハ１Ｓ上にある各バンプ２Ｓの検査領域の特徴パラメータと、被検査ウエハ１Ｔを撮像して得られた前記被検査ウエハ１Ｔ上にある各バンプ２Ｔの検査領域の特徴パラメータとを比較して、各バンプ２Ｔの品質を検査するためのもので、Ｘ軸テーブル部３，Ｙ軸テーブル部４，投光部５，撮像部６，制御処理部７などをその構成として含んでいる。
【００１４】前記Ｘ軸テーブル部３およびＹ軸テーブル部４は、それぞれ制御処理部７からの制御信号に基づいて動作するモータ（図示せず）を備えており、これらモータの駆動によりＸ軸テーブル部３が撮像部６をＸ方向へ移動させ、またＹ軸テーブル部４がウエハ１Ｓ，１Ｔを支持するコンベヤ８をＹ方向へ移動させる。
【００１５】前記投光部５は、異なる径を有しかつ制御処理部７からの制御信号に基づき緑色光，赤色光，青色光を同時に照射する３個の円環状光源９，１０，１１により構成されており、各光源９，１０，１１を検査位置の真上位置に中心を合わせかつ検査位置から見て異なる仰角に対応する方向に位置させている。
【００１６】この実施例では、各光源９，１０，１１として白色光源に緑色，赤色，青色の各着色透明板を被せた構造のものが用いてあるが、これに代えて、緑色光，赤色光，青色光をそれぞれ発生する３本の円環状のカラー蛍光灯やネオン管を用いてもよく、また、緑色光，赤色光，青色光をそれぞれ発生する発光ダイオードなどから成る点状光源を複数個、同心円状に配列させたものを用いてもよい。また投光部５は、異なる色彩光を発する２個または４個以上の光源をもって構成してもよい。
【００１７】つぎに撮像部６は、カラーテレビカメラが用いられ、検査位置の真上位置に下方に向けて位置決めしてある。これにより検査対象であるウエハ１Ｓ，１Ｔの表面の反射光が撮像部６により撮像され、三原色のカラー信号Ｒ，Ｇ，Ｂに変換されて制御処理部７へ供給される。
【００１８】制御処理部７は、Ａ／Ｄ変換部１２，メモリ１３，ティーチングテーブル１４，画像処理部１５，判定部１６，ＸＹテーブルコントローラ１７，撮像コントローラ１８，表示部２０，プリンタ２１，キーボード２２，フロッピディスク装置２３，制御部２４などで構成されるもので、ティーチングモードのとき、検査位置に搬入された基準ウエハ１Ｓについてのカラー信号Ｒ，Ｇ，Ｂを処理し、基準ウエハ１Ｓの各バンプの検査領域について赤，緑，青の色相や明度などの特徴パラメータを適用して判定データファイルを作成する。
【００１９】また検査モードのとき、被検査ウエハ１Ｔについてのカラー信号Ｒ，Ｇ，Ｂを処理し、被検査ウエハ１Ｔ上の各バンプ２Ｔの検査領域につき赤，緑，青の各色パターンを検出して特徴パラメータを生成し、被検査データファイルを作成する。そしてこの被検査データファイルと前記判定データファイルとを比較して、この比較結果から被検査ウエハ１Ｔ上の各バンプ２Ｔにつき形状の良否などの品質を自動的に判定する。
【００２０】図２は、バンプの形状が良好であるとき、バンプが欠落しているとき、バンプ形状が不良であるときのバンプ４４〜４６の断面形態と、各場合の撮像部６による撮像パターン，赤色パターン，緑色パターン，青色パターンとの関係を一覧表で例示している。
【００２１】同図の撮像パターンにおいて、３０Ｇ，３０Ｒ，３０Ｂはバンプ表面で緑色光，赤色光，青色光がそれぞれ正反射して撮像部６へ入射することにより生成される緑色領域，赤色領域，青色領域である。３０ＢＬはいずれの光の正反射光も撮像部６に入射しないかまたは入射光量が少ないために生成される黒色領域である。３１Ｇは緑色の散乱反射光が撮像部６へ入射することにより生成される淡い緑色領域である。従って緑色パターンには緑色領域３０Ｇ，３１Ｇが、赤色パターンには赤色領域３０Ｒが、青色パターンには青色領域３０Ｂが、それぞれ抽出されて現れる。
【００２２】同図によれば、バンプの形状が良好であるときの各色パターンと、バンプが欠落しているときおよびバンプの形状が不良であるときのそれぞれの各色パターンとは、明確に相違するため、検査対象にかかる各色パターンを正常な色パターンと比較することによりバンプの有無やバンプの形状の良否を判定することが可能である。
【００２３】またバンプの欠落がなくかつバンプの形状が不良でない場合であっても、黒色領域３０ＢＬの外周縁は上方から見たバンプの外形に対応しているので、例えば黒色パターンを用いてＸ方向またはＹ方向の直径ＤX，ＤYや外側の低緑色領域３１Ｇ内の面積を算出すれば、バンプのサイズを求めることができ、バンプの大きさの度数分析評価やサイズの良否を判定できる。またＸ方向の直径ＤXとＹ方向の直径ＤYとの比率や円形度（４π×面積／周囲長2）を算出すれば、バンプの形状の歪み度合いを判定できる。
【００２４】さらに各光源９，１０，１１の幅、光源間の距離、各光源９，１０，１１の高さが決まっているので、各光源９，１０，１１の幅および光源間の距離を各色パターンより計測することにより、バンプの高さを算出でき、バンプの高さの良否判定を行うことが可能である。
【００２５】図１に戻って、Ａ／Ｄ変換部１２は前記撮像部６からのカラー信号Ｒ，Ｇ，Ｂをディジタル信号に変換して制御部２４へ出力する。メモリ１３はＲＡＭなどを備え、制御部２４の作業エリアとして使用される。画像処理部１５は制御部２４を介して供給された画像データを画像処理して前記被検査データファイルや判定データファイルを作成し、これらを制御部２４や判定部１６へ供給する。
【００２６】ティーチングテーブル１４はティーチング時に制御部２４から判定データファイルが供給されたとき、これを記憶し、また検査時に制御部２４が転送要求を出力したとき、この要求に応じて判定データファイルを読み出してこれを制御部２４や判定部１６などへ供給する。
【００２７】判定部１６は、検査時に制御部２４から供給された判定データファイルと、前記画像処理部１５から転送された被検査データファイルとを比較して、被検査ウエハ１Ｔの各バンプ２Ｔにつきバンプ形状の良否などを判定し、その判定結果を制御部２４へ出力する。
【００２８】撮像コントローラ１８は、制御部２４と投光部５および撮像部６とを接続するインターフェイスなどを備え、制御部２４の出力に基づき投光部５の各光源９〜１１の光量を調整したり、撮像部６の各色相光出力の相互バランスを保つなどの制御を行う。
【００２９】ＸＹテーブルコントローラ１７は制御部２４と前記Ｘ軸テーブル部３およびＹ軸テーブル部４とを接続するインターフェイスなどを備え、制御部２４の出力に基づきＸ軸テーブル部３およびＹ軸テーブル部４を制御する。
【００３０】表示部２０は、制御部２４から画像データ、検査結果、キー入力データなどが供給されたとき、これを表示画面上に表示し、またプリンタ２１は、制御部２４から検査結果などが供給されたとき、これを予め決められた書式（フォーマット）でプリントアウトする。
【００３１】図３（１）（２）は、１枚の被検査ウエハ１Ｔの検査を完了したとき、表示部２０に表示またはプリンタ２１で印字されるフォーマットを示す。図３（１）は、ウエハ全体の外観を表しており、被検査ウエハ１Ｔ上の全てのチップ３３が表示されている。もし不良のバンプが検出されれば、その不良のバンプを含むチップ３３については着色された状態の表示がなされる。
【００３２】図３（２）は、不良のバンプが存在するチップ３３を表しており、チップ３３の各バンプが白丸３４で表示してある。このうち、不良のバンプについては白丸が塗りつぶされた状態（図中、黒丸３５で示す）で表示され、これにより不良のバンプの位置を確認できる。
【００３３】なおウエハ上の各チップには、検査開始前にＩＤ番号が付されており、表示部２０にはＩＤ番号順または指定された順に不良のバンプを含むチップが表示される。
【００３４】図１に戻って、キーボード２２は、操作情報や基準ウエハ１Ｓや被検査ウエハ１Ｔに関するデータなどを入力するのに必要な各種キーを備えており、キー入力データは前記制御部２４へ供給される。制御部２４は、マイクロプロセッサなどを備えており、後述する手順に従って、ティーチングおよび検査における検査装置の動作を制御する。
【００３５】なお上記実施例では、投光部５には異なる色彩光を照射する複数個の円環状光源９，１０，１１を用いているが、これに限らず、単色光または白色光を照射する複数個の円環状光源を用いて投光部５を構成することもできる。
【００３６】この場合、各光源は、前記実施例と同様、検査位置の真上位置であって検査位置から見て異なる仰角の方向に位置させるが、ティーチングおよび検査に際しては、前記撮像コントローラ１８の制御の下に各光源を時系列的に順次点灯させかつ消灯させる。各光源が点灯する毎に、撮像部６は対象物での反射光像を撮像することにより光源数に相当する撮像パターンを得、その複数の撮像パターンから判定データファイルや被検査データファイルを生成する。なおこの実施例の構成は、図１に示した実施例と同様であり、ここでは図示および詳細な説明は省略する。」（【００１３】〜【００３６】）
　同甲第３号証には、以下の事項が記載されている。
「本発明は、実装済プリント基板の検査装置に関するもので、特に細く絞ったビームスポットを用いて実装された部品の位置ずれ、ハンダ不良、ハンダブリッジ等を検査せんとするものである。
　従来の技術
　従来、実装済プリント基板の部品の位置ずれ、欠品、ハンダ不良、ハンダブリッジ等を自動的に検査する装置として、マルチスリット光とカメラを用いる方法がある。
　以下、図面を参照しながら説明する。第４図において、５５、５６はそれぞれスリット光を照射する照射装置であり、５４はカメラ、５７は実装済プリント基板である。２つのスリット光は実装済プリント基板５７に対し上方斜めからそれぞれの光軸が直交するように照射し、上方よりカメラ５４で観察すると三角測量の原理で実装部品の高さを測定出来る。また、この時マルチスリット照射装置５５、５６を交互に照射することにより、ｘ、ｙ方向（第４図参照）の部品位置を知ることが出来る。・・・
　課題を解決するための手段
　本発明の実装済プリント基板の検査装置は、細く絞られたビームスポットを発生する発生器を回転体上に設け、前記ビームスポットを実装済プリント基板に対しほぼ垂直に照射しつつ前記回転体を回転せしめることにより、前記ビームスポットで実装済プリント基板の表面を走査し、前記回転体上に設けられた光電変換素子によりその反射光の反射角度と反射強度の少なくとも一方の変化を順次検出し、実装済プリント基板と前記ビームスポットの交点である光点の高さあるいは前記光点の輝度情報の少なくとも一方を計測することにより、実装済プリント基板の検査を行わんとするものである。・・・検査ソフトウェアの作成が容易になるものである。」（２頁左上欄９行〜同頁右下欄９行）
「以下、本発明の一実施例の実装済プリント基板自動検査装置について、図面を参照しながら説明する。
　第１図は、ビームスポット投光用光学系と受光用光学系群が一体となった単位検査装置の斜視図である。
　１は、たとえばレーザーを使ったビームスポット投光用光学系、２、４、６、８は前記ビームスポットの反射面からの反射光を受け、その反射面の高さ及び輝度情報を得るための半導体位置検出素子（以下ＰＳＤと呼ぶ）のような光電変換素子である。このＰＳＤは、ある所定の長さを有し、ビームスポットの照射位置に応じて複数の出力端子の出力が相対的に変化するもので、これにはＣＣＤラインセンサー等を用いることも可能である。３、５、７、９は、三角測量を行うために実装済プリント基板からの反射ビームスポットを前記光電変換素子２、４、６、８上にそれぞれ結像するためのレンズ若しくはレンズ群である。これらの光電変換素子およびレンズは、ビームスポット１１の光軸周辺に配置され、本実施例では４組をビームスポットを中心とする同一円周上に等間隔に配置している。このビームスポット光軸と光電変換素子の前に配置されたレンズの光軸とのなす角度θは、２０〜３０度が望ましい。理由は、プリント基板上に実装されたチツプ部品に付着されたハンダは略々４５度付近の傾斜を持っており、３０度より角度が大きくなると反射ビームスポット光が強すぎ光電変換素子が飽和するという問題を生じる。また、角度を２０度より小さくしすぎると、三角測量の原理を用いて高さを計測しているため精度が落ちるという問題が生じる。また、ビームスポット光が小さくなればなる程表面の細かい凹凸も精度良く計測できる。従って、プリント基板においては、部品等の測定対象物の大部分が高さ２ＲＡＭ以内であるので、その中間高さであるプリント基板１０の表面よりｌＲＡＭの所にビームスポットの最小ポイントを設定することにより平均的精度が最も上がることになる。１０は実装済プリント基板、１１はビームスポットであり、実装済プリント基板１０に対してほぼ垂直に照射されている。
　第２図は、検査装置全体の斜視図である。１３、１４、１５、１６は第１図で示した光学系群が一体になった一つの単位検査装置である。１２はモーター等の駆動源（図示せず）によりほぼ一定速度で回転駆動される回転円盤である。前記単位検査装置１３、１４、１５、１６は、回転円盤１２の中心に対し同一円周上に等間隔に回転円盤１２の回転に伴って、前記ビームスポットが順次実装済プリント基板１０を走査するよう配置されている。従って、実装済プリント基板１０を第２図に示すｘ、ｙ、ｚ座標系のｙ方向へ順次移動することにより実装済プリント基板１０の全体をビームスポットにより走査することが可能となる。１７は現在単位検査装置１４で走査している軌跡を示しており、１８は直前に単位検査装置１５で走査した軌跡を示している。第２図においては、単位検査装置１４が走査完了すると実装済プリント基板１０がｙ軸方向へ移動して、次の単位検査装置１３の走査開始前に移動が終了するようになっており、無駄な時間がなく最小時間で検査を終了することが出来る。
　第３図は、光電変換素子からの照射位置により相対的に値が変化する２つの電流出力を演算して高さ情報及び輝度情報を得るための本装置の電気回路を示している。１９は光電変換素子２の２つの電流出力から割算器５２を通して高さ情報を得、また、前記２つの電流出力の和よりオペアンプ５３を通して輝度情報を得ている高さ及び輝度情報検出回路である。２０、２１、２２も前記高さ及び輝度情報検出回路１９と同様の検出回路であり、光電変換素子４、６、８に接続されている。この場合、光電変換素子を４個使用しているため高さ及び輝度情報も一つの光点に対して４個出力される。２３は、４個の高さ情報から一つの高さ情報を得る高さ情報選択回路であり、選択方法として例えば４個の内最大レベルと最小レベルを除いた残りの二つの平均を取る方法がある。２４は２３と同様に、４個の輝度情報から一つの輝度情報を得る輝度情報選択回路であり、選択方法として例えば４個の内最大レベルを取る方法がある。このように選択回路２３、２４はＲＡＭ２５の節約及び前処理をつけることによるＣＰＵ２６の負荷軽減の目的で設けられたものである。前記２つの選択回路２３、２４の出力は、ＣＰＵ２６のバスに接続されているＲＡＭ２５へ送られる。前記ＣＰＵ２６では、前記ＲＡＭ２５より読み出された高さ及び輝度情報と、予め基準となる実装済プリント基板から得られて予め記憶されている高さ情報及び輝度情報とを比較し、被検査実装済プリント基板の良否を決定する。
　以上のように、本実施例は検査すべき実装済プリント基板に垂直にビームスポットを照射し、そのビームスポットをその周囲に配置された光電変換素子と共に移動せしめながら実装済プリント基板の各点の高さ及び輝度の変化を計測するものであるため、実装済プリント基板の各点は同一条件で計測され良好な検査が望めるものである。
　また、実装済プリント基板からの反射光は、ビームスポットの周囲に配置された複数の光電変換素子により受光されるよう構成されているため、実装済プリント基板からの反射光が種々の拡散特性になってもそれに伴う検査結果の変動を小さくできるものである。尚、実施例では実装済プリント基板上の高さと輝度の両方を検出するよう構成しているが、検出精度が低くても良いという場合には、その一方のみを検査するような構成にして良いものである。」（２頁右下欄１１行〜４頁左上欄１９行）
　同甲第４号証には、以下の事項が記載されている。
「この発明はＸＹステージのコントロール回路に関し、たとえば、液晶表示パネルの欠陥を画像上で表示するような検査装置におけるＸＹステージをコントロールするようなコントロール回路に関する。」（１頁右下欄３〜７行）
「第１図はこの発明の一実施例の外観斜視図であり、第２図は同じく正面図である。
　第１図および第２図を参照して、筐体１のベース２上には、Ｘ，Ｙ方向に移動可能なＸＹステージ３が配置される。このＸＹステージ３上には、被加工物としての液晶パネルが載置される。ＸＹステージ３上に載置された被加工物を検査するために、Ｚ方向（上下方向）にのみ移動可能なＺ軸テーブル４が設けられる。このＺ軸テーブル４には電動リボルバ５と顕微鏡照明用光源６とＣＣＤカメラ７とが設けられる。電動リボルバ５は倍率の異なるレンズを切換えるものであり、顕微鏡照明用光源６は被加工物を照明する。ＣＣＤカメラ７は電動リボルバ５のレンズを介して被加工物の表面を撮像する。なお、ＸＹステージ３の下部には第２図に示すように、被加工物を透過照明するための光源１０が設けられている。
　第３図はこの発明の一実施例の概略ブロック図である。次に、第３図を参照して、この発明の一実施例の電気的構成について説明する。ＣＰＵ２１は内蔵のメモリに記憶されているプログラムに従って全体の制御を行なう。すなわち、ＣＰＵ２１はＸＹステージ３をＹ方向に移動させるための指令信号を、Ｉ／Ｏ２２を介してＹパルスコントローラ２３に与える。Ｙパルスコントローラ２３は指令信号に応じてＹパルスを発生させる。このＹパルスはＹモータドライバ２４に与えられる。Ｙモータドライバ２４は与えられたパルスの数だけＹモータ２５を回転させる。Ｙモータ２５はＸＹテーブル３をＹ方向に移動させる。Ｙモータ２５の回転数はＹエンコーダ２６によって検出される。Ｙエンコーダ２６はＹモータ２５の回転に応じたパルス信号を発生してＹカウンタ２７に与える。Ｙカウンタ２７はそのパルス信号を計数し、その計数出力を、Ｉ／Ｏ２２を介してＣＰＵ２１に与える。
　同様にして、ＣＰＵ２１はＸＹステージ３をＸ方向に移動させるための指令信号を、Ｉ／Ｏ２９を介してＸモータドライバ３１に与える。Ｘモータドライバ３１は、指令信号に応じてＸモータ３２を回転させる。Ｘモータ３２はＸＹステージ３をＸ方向に移動させるために設けられている。Ｘモータ３２の回転数はＸエンコーダ３３によって検出され、その回転数に応じたパルス信号がＸカウンタ３４に与えられる。Ｘカウンタ３４はパルス信号を計数し、その計数出力を、Ｉ／Ｏ２９を介してＣＰＵ２１に与える。ＣＰＵ２１はＹカウンタ２７およびＸカウンタ３４の計数出力によって、ＸＹステージ３のＸ方向およびＹ方向の位置を判別する。
　ＣＣＤカメラ７はＸＹステージ３上に配置されている被加工物を撮像するものであり、そのビデオ出力は画面切換回路４１に与えられる。画面切換回路４１はＣＣＤカメラ７の出力であるビデオ信号と、ＣＰＵ２１から与えられるコンピュータの画像信号とを切換えてモニターテレビ４０に表示させる。なお、ＣＰＵ２１にはマウスコントロール回路４３を介してマウス４２から指令信号が与えられる。
　第４図はこの発明の一実施例の具体的な動作を説明するためのフロー図であり、第５図はこの発明の一実施例によってモニター画面に表示されるコンピュータ画像の一例を示す図である。
　次に、第１図ないし第５図を参照して、この発明の一実施例の具体的な動作について説明する。第５図に示すように、モニターテレビ４０にはＸＹステージ３の現在位置を表示するための表示領域４０１と、現在の装置の状態の情報を表示する表示領域４０２と、各種実行コマンドのメニューが表示される表示領域４０３とが設けられている。情報表示領域４０２は、ＸＹステージにおけるＸ方向およびＹ方向の位置座標や拡大倍率や現行のモードなどが表示される。コマンド表示領域４０３には、拡大，縮小，ステージ移動，位置記憶などが表示され、それぞれのコマンドはマウス４２によって指定できる。
　表示領域４０１は升目状に区切られていて、ＸＹステージ３上に載置された検査対象のそれぞれの位置における欠陥数が表示される。この表示領域４０１のうちいずれかの升目をマウス４２によって指定し、さらにコマンド表示領域４０３に表示されている拡大コマンドをマウス４２によって指定することによって、その升目の領域が拡大され、その拡大された表示領域４０４もまた升目状区切られていて、いずれの位置に欠陥があるかを示すための欠陥数が表示される。さらに、表示領域４０４のいずれかの升目をマウス４２によって指定し、拡大コマンドを指定することによって、さらにその領域が拡大され、拡大された領域４０５が表示される。
　次に、第４図を参照して動作について説明する。ＣＰＵ１１はマウスコントロール回路４３を介してマウス４２から指定信号が入力されるまで待機している。マウス４２によってモニター４０の表示領域４０１のいずれかの位置が指定されたか否かを判別し、表示領域４０１のいずれかが指定されたことを判別すると、指定された領域のデータ（Ｘ１、Ｙ１）を読む。ＸＹステージ３が移動したときには、Ｙモータ２５およびＸモータ３２の回転数をそれぞれＹエンコーダ２６およびＸエンコーダ３３の出力をＹカウンタ２７、Ｘカウンタ３４が計数し、その計数出力が現在のステージ位置としてＩ／Ｏ２２、２９を介してＣＰＵ２１に与えられる。ＣＰＵ２１はステージの現在位置（Ｘ０，Ｙ０）を読み、指定位置データ（Ｘ１，Ｙ１）と現在位置データ（Ｘ０，Ｙ０）の差および電動リボルバ５の現在の拡大倍率により、ＸＹステージ３のＸ方向およびＹ方向の移動量を計算する。そして、ＣＰＵ２１は計算した量に該当するパルスを発生するための指令信号を、Ｉ／Ｏ２２，２９を介してＹパルスコントローラ２３およびＸパルスコントローラ３０に与える。応じてＹパルスコントローラ２３はＹモータドライバ２４を介してＹモータ２５に駆動パルスを与え、Ｘパルスコントローラ３０はＸモータドライバ３１を介してＸモータ３２に駆動パルスを与える。それによって、ＸＹステージ３は指定された位置に移動する。さらに、ＣＰＵ２１は画面切換回路４１を介してモニター４３画面上ＸＹステージ３の現在位置の表示を更新する。ＣＰＵ２１は処理が終了したか否かを判別し、終了していなければ再びマウス４２によって位置が指定されるまで待機する。なお、マウス４２によってＸＹステージ３の位置セクション以外の指定が行なわれた場合には、その指定された処理を行なう。」（２頁右上欄１４行〜３頁右下欄１９行）
同甲第５号証の１には、概ね以下の事項が記載されている。
「原画像と結果画像の選択
　操作は特定の注目領域（ＲＯＩ）または複数の注目領域について行われる。ＲＯＩの初期値は画像全体である。ユーザーは画像のなかからＲＯＩを自由に指定し、そのＲＯＩに対して操作を進めることができる。」（３１頁１〜４行）、
「拡大・縮小
　Ｉｎｓｐｅｃｔｏｒを使って、ユーザーは６４倍までの拡大縮小ができる。Ｖｉｅｗ Ｚｏｏｍ ｌｎ、ＶｉｅｗＺｏｏｍ ｏｕｔのコマンドが拡大縮小の操作にそれぞれ相当する。別の方法として、Ｚｏｏｍボタンで同様の操作ができる。」（３７頁５行〜１０行）、
「特定の小塊の特徴の計数
　対象となる画像の分割と計算すべき特徴を特定すれば、ユーザーは画像中の小塊の計数と特徴の計算ができる。それを行うためにＢＬＯＢＳＥＴダイアログのＳｅｔｔｉｎｇｓ、Ｆｅａｔｕｒｅｓ、ｓｅｇｍｅｎｔａｔｉｏｎのそれぞれのタブでＣｏｕｎｔボタンをクリックする。それぞれの小塊の計算された特徴はテーブルとなって表示される。」（１５２頁１行〜１１行）、
「一旦ユーザが特徴量の計算を行うと、結果の解析が望まれる。
すべての小塊の解析の結果はＡｌｌ Ｒｅｓｕｌｔｓテーブルで表示される。特定の一つの小塊についての解析結果を得るためには、解析の対象の画像のなかで特定の小塊をダブルクリックすれば良い。１つの小塊についての解析結果はｏｎｅ Ｒｅｓｕｌｔテーブルで表示される。」（１５２頁１９行〜２３行）
　同甲第５号証の２は、Matrox INSPECTOR 2.0の操作画面並びに１９９６．６．１及び１９９７．４．１時点の「INSPECTOR Version2.0」の価格表であり、該価格表からは、「INSPECTOR Version2.0」が本願出願前に販売されていたことがみてとれる。
２−３−４．判断
（１）特許法第３６条について
　上記訂正請求により、請求項１の「１ないし複数の閾値」との記載は、「複数の閾値」と訂正されたので、上記取消理由通知の理由は解消した。
（２）特許法第２９条第２項について
＜訂正発明１について＞
　訂正発明１と甲第１号証とを対比する。
（i）甲第１号証の「基板２」「はんだバンプの測定装置」「半導体レーザー２５２」「レンズ２５４、受光素子２５５」が訂正発明１の「バンプ付基板」「バンプ付基板の検査装置」「光源」「受光部」に相当することは明らかである。
（ii）甲第１号証には、「【００１１】図７は・・・を示す。レーザービームＬＢは、基板２の表面８とバンプ１０上を走査し、表面８の高さ位置とバンプ１０の高さ位置を検出する。」との記載があり、該記載は甲第１号証のものが訂正発明１の「光走査手段」に相当する手段を有することを示すものである。
（iii）甲第１号証には、「【００１０】図６は、測定結果のデータの一例を示し、横軸にＸ軸座標を、たて軸に検出レベルをとっている。第１のカーブＣ１は反射受光のレベルを示し、第２のカーブＣ２はバンプの高さの変位を示す。反射受光Ｃ１の基準値ＴＬを予め定めておき、受光がこの基準値ＴＬを超えたＸ座標位置と基準値より下がったＸ座標位置を検出し、この中間の座標位置Ｘ１０での変位信号Ｃ２の値をそのバンプの頂点の高さ位置として採用する。」との記載があり、該記載は甲第１号証のものが、受光部の検知出力に基づいてバンプの頂点の高さに関する情報を出力することを示すものであるから、甲第１号証のものが訂正発明１の「高さ情報生成手段」に相当する手段を有することは示すものの、該高さ情報（バンプの頂点の高さに関する情報）から各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成するものとはいえないから、甲第１号証のものが、「前記高さ情報に基づいて、前記検査面上の各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成する検査情報生成手段と、その生成された検査情報を出力する検査情報出力手段」を有するとはいえない。
　上記（i）〜（iii）の考察から、両者は、「基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置であって、前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に前記検査光を照射する光源と、前記検査面からの前記検査光に基づく反射光を受光する受光部と、前記検査光を前記検査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報（以下、高さ情報という）を生成する高さ情報生成手段と、を含む測定系と備えるバンプ付基板の検査装置」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　請求項１に係る発明のものは、「前記高さ情報に基づいて、前記検査面上の各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成する検査情報生成手段と、その生成された検査情報を出力する検査情報出力手段とを備え、前記検査情報出力手段は、前記高さの範囲を複数の閾値により分割し、その分割された高さの各範囲に対し、表示装置の画素の濃度及び／又は色彩を一対一に対応させ、前記検査面上の各位置に対応する画素の濃度又は色彩を、前記高さ情報が示すそれら各位置の高さに対応するものに設定することにより、前記検査面上の高さ分布を前記表示装置にマッピング出力させる高さ分布表示手段」を備えているのに対し、甲第１号証のものは、上記記載の各手段を備えていない点。
　上記相違点について検討すると、甲第２号証のものは、各バンプの形成状態を検査するために各色の光源をバンプに照射し、反射した色の違いにより各バンプの形成状態を検査するものであって、光走査して得た高さ情報に基づいて各バンプの形成状態を検査するものではないので、具体的な手段が相違するものである。そして、甲第１号証のものは、光走査して得た情報に基づいてバンプの頂点の高さを求めるものであり、また甲第２号証のものは、各バンプの形成状態を検査するために各色の光源をバンプに照射するものであるから、求める情報及びそれを得るための具体的な手段が相違するものであるから、甲第１号証及び甲第２号証を寄せ集める契機を欠くものである。
　また、甲第３号証には、高さ及び輝度情報と、予め基準となる実装済プリント基板から得られて予め記憶されている高さ情報及び輝度情報とを比較し、被検査実装済プリント基板の良否を決定する実装済プリント基板の検査装置が開示されており、甲第４号証のものは、ＸＹテーブル上に載置した液晶表示パネルの欠陥を画像上で表示するような検査装置におけるＸＹステージをコントロールするようなコントロール回路が開示されており、甲第５号証のものは、対象となる画像の分割と計算すべき特徴を特定すれば、画像中の小塊の計数と特徴の計算ができることは開示されてはいるが、甲第３〜５号証はいずれも上記相違点の技術的事項を開示するものではない。
　そして、請求項１に係る発明のものは、上記技術的事項により明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、訂正発明１は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるともいうことはできない。
　
＜訂正発明２〜１０について＞
　訂正発明２〜１０は、訂正発明１の技術的事項を、さらに技術的に限定するものであるから、訂正発明１と同様の理由で刊行物１〜５に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるともいうことはできない。
　
２−３−５．まとめ
　したがって、訂正発明１ないし１０は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
２−４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第４項の規定で規定する訂正の要件については、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定により「なお従前の例による」とされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書きないし第３項の規定を満たしているので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
３−１．本件発明
　その請求項に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０により特定されるとおりのものである。（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明１０」という。）
　
３−２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人小塚浩は、証拠として上記２−３−３に示した甲第１〜５号証を提出し、請求項１、３、４に係る特許は、甲第１、２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項２に係る特許は、甲第１、３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項５、６、７に係る特許は、甲第１、２、４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項８に係る特許は、甲第１、４、５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項９、１０に係る特許は、甲第１、５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであって、請求項１ないし１０に係る特許は取り消すべきであると主張している。
　
３−３．甲号証に記載された発明
　甲第１〜５号証には、上記２−３−３で示した事項が記載されている。
　
３−４．対比・判断
＜本件発明１について＞
　本件発明１は、上記２−３−４．（２）＜訂正発明１について＞で示したように、甲第１〜５号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
＜本件発明２〜１０について＞
　本件発明２〜１０は、上記２−３−４．（２）＜訂正発明２〜１０について＞で示したように、甲第１〜５号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
４．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月４日（２０００．１０．４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　請求項１の「１ないし複数の閾値」との記載を「複数の閾値」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明中、「１ないし複数の閾値」との記載を「複数の閾値」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
バンプ付基板の検査装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置であって、
　前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に前記検査光を照射する光源と、
　前記検査面からの前記検査光に基づく反射光を受光する受光部と、
　前記検査光を前記検査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、
　前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報（以下、高さ情報という）を生成する高さ情報生成手段と、
　を含む測定系と、
　前記高さ情報に基づいて、前記検査面上の各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成する検査情報生成手段と、
　その生成された検査情報を出力する検査情報出力手段とを備え、
　前記検査情報出力手段は、前記高さの範囲を
複数の
　　【請求項２】　前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位置における前記反射光の輝度情報を生成する反射光輝度情報生成手段を備え、
　前記検査情報生成手段は、前記反射光の輝度情報と前記高さ情報とに基づいて、前記検査面上の各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成するものとされている請求項１記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項３】　前記検査情報は、各バンプの高さ情報、コプラナリティ情報、基板本体のうねり情報、位置情報、配置間隔情報、前記検査面上におけるバンプ存在領域の面積情報、及び体積情報の少なくともいずれかを含むものである請求項１又は２に記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項４】　前記検査情報に反映される各バンプの形成状態が、予め定められた判定条件を満足するか否かに基づいて、それら各バンプの良／不良を判定するバンプ良否判定手段と、
　前記表示装置に対し、前記高さ分布のマッピング出力画面上において、前記バンプ良否判定手段が不良と判定したバンプ（以下、不良バンプという）の存在位置を表示させる不良バンプ位置表示制御手段と、
　を備える請求項１ないし３のいずれかに記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項５】　前記高さ分布のマッピング出力画面上において、前記位置表示された前記不良バンプの存在領域を選択する不良バンプ存在領域選択手段と、
　その選択された不良バンプ存在領域の高さ分布のマッピング画像を拡大して表示する不良バンプ存在領域拡大表示手段とを備える請求項４記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項６】　前記不良バンプ位置表示制御手段は、前記不良バンプの存在領域を含む所定面積の領域を拡大指定領域として前記高さ分布のマッピング出力画面上に示すものとされ、
　前記不良バンプ存在領域選択手段は、その拡大指定領域を単位として前記不良バンプ存在領域を選択するものとされ、
　前記不良バンプ存在領域拡大表示手段は、その選択された拡大指定領域内のマッピング画像を拡大表示するものである請求項５記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項７】　前記不良バンプ存在領域選択手段は、前記マッピング出力画面上に表示されるポインタを、マウス、トラックボール等のポインティングデバイスの操作により該マッピング出力画面上で移動させて、そのポインタ指示位置を前記拡大指定領域内に位置させるとともに、その状態で領域選択コマンドを実行することにより、該拡大指定領域を選択するものとされている請求項６記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項８】　前記不良バンプ位置表示制御手段は、前記拡大指定領域を複数のバンプの存在領域を含む形で設定するようになっており、他方、
　その設定された拡大指定領域内にて、個々のバンプ存在領域のうち任意のものを１つのみ含む所定面積の領域を個別バンプ選択領域として設定する個別バンプ選択領域設定手段と、
　その設定された個別バンプ選択領域内のマッピング画像をさらに拡大して表示する個別バンプマッピング画像拡大表示手段とを備える請求項６又は７に記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項９】　前記個別バンプ選択領域にて選択されたバンプ存在領域に対応するバンプの、前記検査情報の内容を表示する検査情報内容表示手段が設けられている請求項８記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１０】　前記個別バンプ選択領域内のマッピング画像を構成する各画素のうち、任意のものを選択する画素選択手段と、
　前記高さ情報と前記反射光の輝度情報との少なくともいずれかについて、前記選択された画素の示す前記検査面上の位置に対応するものの内容を位置別検出情報として表示する位置別検出情報表示手段とを備える請求項８又は９に記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１１】　検査対象たる前記バンプ付基板をワークとして、該ワークを複数、平面的に配列した状態で着脱可能に保持するワークホルダと、
　前記検査光が照射される検査位置に対し、配列された前記複数のワークが順次送り込まれるように、前記ワークホルダを前記光源に対して相対的に移動させるワークホルダ移動手段とを備え、
　前記測定系は、前記検査位置に送り込まれるワークに対しその検査面内の各位置の高さの検出を逐次的に行うものとされ、
　前記検査情報生成手段は、それら各ワークの検査情報を、各々対応する前記高さ情報に基づいて生成するものである請求項１ないし１０のいずれかに記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１２】　前記ワークホルダ上のワークの配列を表示するワーク配列表示手段と、
　前記検査情報に基づいて、各ワークの良／不良を判定するワーク良否判定手段と、
　前記ワーク良否判定手段により不良バンプを有すると判定されたワーク（以下、不良ワークという）について、前記ワーク配列表示手段に対し、前記ワーク配列上における当該不良ワークの位置を表示させる不良ワーク表示制御手段と、
　を備える請求項１１記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１３】　前記ワーク配列表示手段は、前記ワークホルダ上の各ワークに一対一に対応する個別ワーク表示部を備え、
　前記不良ワーク表示制御手段は、前記不良ワークと正常ワークとで、対応する個別ワーク表示部の表示状態を互いに異ならせることにより、前記ワーク配列表示手段に対し前記不良ワークの位置を表示させるものである請求項１２記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１４】　前記ワークホルダ移動手段と前記測定系とにより、前記複数のワークに対し前記検査面内の各位置の高さの検出を順次行う途上において、前記ワーク良否判定手段により不良と判定されたワークが生じた場合に、それらワークホルダ移動手段と測定系との測定作動を一時中断させる測定系作動制御手段が設けられている請求項１１ないし１３のいずれかに記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１５】　前記ワークホルダ上の各ワークに対する不良ワーク及び正常ワークの判定結果を表示するワーク良／不良判定結果表示手段と、
　前記ワークホルダ上の各ワーク装着位置に対し、ワークが装着されているか否かを個別に検出するワーク検出手段と、
　前記ワーク良／不良判定結果表示手段の表示内容を見ながら、不良ワークと正常ワークとの一方を取り除き、他方は残す形でワーク選別作業がなされた前記ワークホルダに対し、前記ワーク検出手段の検出内容に基づいて、前記ワーク選別作業が正常に行われたか否かを判定する選別結果判定手段と、
　その判定結果を出力する判定結果出力手段とを備える請求項１１ないし１４のいずれかに記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１６】　前記ワーク選別作業が正常に行われなかった場合に、前記判定結果出力手段からの判定結果出力を受けて、音、光ないしそれらの組み合わせによる警告出力を行う警告出力手段を備える請求項１５記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１７】　前記ワーク検出手段は、前記測定系から取り外された状態の前記ワークホルダに対して、前記各ワーク装着位置にワークが装着されているか否かの検出を行うものとされており、他方、
　前記ワーク選別作業が正常に行われなかった場合に、前記判定結果出力手段からの判定結果出力を受けて、前記ワークホルダ移動手段と前記測定系とに対し、次のワークホルダに対する測定作動を禁止させる測定系作動制御手段が設けられている請求項１５又は１６に記載のバンプ付基板の検査装置。
　　【請求項１８】　前記ワークホルダには、前記ワークをそれぞれ装着するための複数の凹所が形成されるとともに、それら各凹所の底部には透光部が形成され、
　前記ワーク検出手段は、前記ワークホルダを下側から照らす選別用光源と、該ワークホルダを挟んで前記選別用光源と反対側に配置され、前記各凹所の透光部からの漏洩光を検出する漏洩光検出手段とを備え、該漏洩光の有無に基づいて各凹所内に前記ワークが装着されているか否かを検出するようになっている請求項１７記載のバンプ付基板の検査装置。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、フリップチップ接合用基板やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）基板など、チップ−基板間あるいは基板−基板間の電気的接続をとるためのバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　近年、マイクロプロセッサチップや計算機チップなどの集積回路チップは、その集積度がますます大きくなる傾向にあり、チップの入出力部の端子数も急増してきている。このようなチップを例えばフリップチップ形式で基板に接続する場合、その基板に形成される接続用のバンプの数は少ないもので数百個、多いものでは数千個にも及んできている。ここで、基板上のバンプは、例えばその形成位置がずれていたり、高さその他の寸法が規定の範囲に入っていなかったりするとチップとの間で接続不良を生じ、集積回路チップの作動に支障を来たす問題があるので、その検査を厳重に行う必要がある。
　　　【０００３】
　従来、このようなバンプ付基板の例えば高さの検査方法として最も一般的なものにレーザーを用いた測定方法があり、具体的にはナイフエッジ法あるいは共焦点法によりバンプ高さを求める方法がある。ところが、この方法では１個のバンプの高さを測定するのに数秒程度を要することから、上記のように多数のバンプが形成された基板の場合は、１つの基板の全てのバンプ高さを測定するのに数１０分から数時間もかかってしまい、大量生産される基板の全数検査を行うことは事実上不可能であった。
　　　【０００４】
　そこで、この問題を解決するために、特開平６−１６７３２２号公報には、スポット光により基板全面を走査することにより、バンプを含む基板全面の高さデータを入力し、バンプ電極頂点の高さと基板の高さとの差よりバンプの高さの検査を高速で行う装置が開示されている。
　　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、上記公報に開示された装置においては、表面光沢の良否を検査するために、基板表面のバンプの画像をラインセンサを用いて撮像している。この場合、画像に表れる情報は、基板上の各位置の反射光強度を反映した情報であって、高さの情報は含まない。そのため、酸化等により表面状態が異なるバンプ同士は識別できるが、高さが正常なバンプと高さ異常を生じたバンプとは、表面状態に差がない限り撮像画像上では判別することができない。そして、上記公報の装置では、撮像画像の情報とは別に、ＰＳＤにより測定したバンプ高さ情報を参照するようにしている。しかしながら、これでは基板上に形成された各バンプの高さの良否を直感的に把握することは困難であり、明らかな高さ不良も、別測定となる高さ情報をその都度参照しなければ発見できない問題がある。
　　　【０００６】
　また、基板の表面高さレベルが反りやうねり等の要因でばらついている場合、個々のバンプの突出高さが揃っていても、バンプの頂点位置の絶対高さレベルは不揃いとなり、接続不良等の原因になる場合がある。しかしながら、上記公報の装置では、バンプ高さは基板表面からの突出高さのみで評価を行っているため、このような高さレベルが不揃いとなる不良（いわゆるコプラナリティ不良）を発見できない欠点がある。そして、上記撮像画像においては、バンプの頂点位置の高さレベルの分布や、基板表面の反り或いはうねり等に関する情報はほとんど反映されないので、上記不良を該画像から発見することはほぼ絶望的である。
　　　【０００７】
　本発明の課題は、基板上に形成された各バンプの高さに関する情報を極めて直感的に把握することが可能であり、バンプ頂点の高さレベル分布や基板表面の反り或いはうねり等の情報も的確に得ることができるバンプ付基板の検査装置を提供することにある。
　　　【０００８】
　　【課題を解決するための手段及び作用・効果】
　本発明は、基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置に係るものであって、上記課題を解決するために、
　バンプ付基板の、少なくとも複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に検査光を照射する光源と、
　該検査光に基づく検査面からの反射光を受光する受光部と、
　検査光を検査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、
　受光部の検知出力に基づいて、検査面内の各位置の高さに関する情報（高さ情報）を生成する高さ情報生成手段と、
　を含む測定系と、
　高さ情報に基づいて、検査面上の各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成する検査情報生成手段と、
　その生成された検査情報を出力する検査情報出力手段とを備え、
　該検査情報出力手段が、高さの範囲を
複数の
　　　【０００９】
　すなわち、検査情報としてのバンプ付基板の検査面上の各位置の高さを、高さ範囲毎に異なる濃度又は色彩にて表示装置にマッピング出力するようにしたから、検査面内の高さ分布が視覚化されてこれを極めて直感的に把握することが可能となり、各バンプの位置及び高さ、バンプ頂面の高さレベル分布、あるいは基板本体表面の反りないしうねり等に関する情報を的確に得ることができるようになる。
　　　【００１０】
　上記装置においては、受光部の検知出力に基づいて、検査面上の各位置における反射光の輝度情報を生成する反射光輝度情報生成手段を設けることができる。この場合、検査情報生成手段は、反射光の輝度情報と高さ情報とに基づいて、検査面上の各バンプの形成状態を反映した検査情報を生成するものとすることができる。輝度情報を組み合わせることにより、バンプ表面の酸化など、高さ以外の因子による不良把握も容易となる。また、後述の通り、検査面内においてバンプ存在領域を、より精度高く把握することも可能にする。
　　　【００１１】
　検査情報としては、各バンプの高さ情報、コプラナリティ情報、基板本体のうねり情報、位置情報、配置間隔情報、検査面上におけるバンプ存在領域の面積情報、及び体積情報の少なくともいずれかを含むものとすることできる。これらの情報の具体的な生成方法については、後に詳しく説明する。
　　　【００１２】
　また、本発明の装置には、検査情報に反映される各バンプの形成状態が、予め定められた判定条件を満足するか否かに基づいて、それら各バンプの良／不良を判定するバンプ良否判定手段と、表示装置に対し、高さ分布のマッピング出力画面（以下、単にマッピング画面ともいう）上において、バンプ良否判定手段が不良と判定したバンプ（不良バンプ）の存在位置を表示させる不良バンプ位置表示制御手段とを設けることができる。すなわち、検査途上においてバンプの不良が検出された場合、高さ分布のマッピング出力画面上にこれが表示されるので、検査面内のどの位置に、どのような不良が生じたかを迅速かつ的確に把握することができる。
　　　【００１３】
　この場合、高さ分布のマッピング出力画面上において、位置表示された不良バンプの存在領域を選択する不良バンプ存在領域選択手段と、その選択された不良バンプ存在領域の高さ分布のマッピング画像を拡大して表示する不良バンプ存在領域拡大表示手段とを設けることができる。これにより、不良を生じたバンプの状態をマッピング画面上で拡大することにより、不良の詳細を視覚的に拡大して把握することができ、不良原因分析等も容易となる。
　　　【００１４】
　次に、不良バンプ位置表示制御手段は、不良バンプの存在領域を含む所定面積の領域を拡大指定領域として高さ分布のマッピング出力画面上に示すものとすることができる。この場合、不良バンプ存在領域選択手段は、その拡大指定領域を単位として不良バンプ存在領域を選択するものとすることができ、不良バンプ存在領域拡大表示手段は、その選択された拡大指定領域内のマッピング画像を拡大表示するものとして構成することができる。これにより、マッピング出力画面上にて示された拡大指定領域を単位として拡大表示処理がなされる形となるので、低倍率表示状態での表示領域と、拡大状態での表示領域との対応が取りやすく、現在拡大表示しているのが検査面全体のどこに位置するのかの把握も容易となる。
　　　【００１５】
　この場合、不良バンプ存在領域選択手段は、マッピング出力画面上に表示されるポインタを、マウス、トラックボール等のポインティングデバイスの操作により該マッピング出力画面上で移動させて、そのポインタ指示位置を拡大指定領域内に位置させるとともに、その状態で領域選択コマンドを実行することにより、該拡大指定領域を選択するものとして構成することができる。これにより、不良バンプ存在領域のマッピング出力画面上での選択操作を極めて直感的に行うことができる。
　　　【００１６】
　不良バンプ位置表示制御手段は、拡大指定領域を複数のバンプの存在領域を含む形で設定するように構成することができる。この場合、その設定された拡大指定領域内にて、個々のバンプ存在領域のうち任意のものを１つのみ含む所定面積の領域を個別バンプ選択領域として設定する個別バンプ選択領域設定手段と、その設定された個別バンプ選択領域内のマッピング画像をさらに拡大して表示する個別バンプマッピング画像拡大表示手段とを設けることができる。これにより、不良バンプの状態を、その周辺のバンプの状態とともにマッピング出力画面上で確認することができる。また、不良バンプを含む任意のバンプのマッピング画像を個別にさらに拡大して表示できるので、個々のバンプ状態に関する情報を一層詳しく得ることができる。
　　　【００１７】
　上記構成では、個別バンプ選択領域にて選択されたバンプ存在領域に対応するバンプの、検査情報の内容を表示する検査情報内容表示手段を設けることができる。これにより、マッピング画像上の個々のバンプの検査情報が数値等により視覚表示されるので、各バンプの形成状態の定量把握も容易となる。さらに、個別バンプ選択領域内のマッピング画像を構成する各画素のうち、任意のものを選択する画素選択手段と、高さ情報と反射光の輝度情報との少なくともいずれかについて、選択された画素の示す検査面上の位置に対応するものの内容（例えば数値）を位置別検出情報として表示する位置別検出情報表示手段とを設けることも可能である。これにより、バンプ存在領域内の各位置の高さあるいは反射光輝度の定量把握も可能となる。
　　　【００１８】
　次に、上記本発明の検査装置には、検査対象たるバンプ付基板をワークとして、該ワークを複数、平面的に配列した状態で着脱可能に保持するワークホルダと、検査光が照射される検査位置に対し、配列された複数のワークが順次送り込まれるように、ワークホルダを光源に対して相対的に移動させるワークホルダ移動手段とを設けることができる。また、測定系は、検査位置に送り込まれるワークに対しその検査面内の各位置の高さの検出を逐次的に行うものとして構成し、検査情報生成手段は、それら各ワークの検査情報を、各々対応する高さ情報に基づいて生成するものとすることができる。この構成により、ワークホルダに装着された複数のワークを次々と効率的に検査することができるようになる。
　　　【００１９】
　この場合、ワークホルダ上のワークの配列を表示するワーク配列表示手段と、検査情報に基づいて、各ワークの良／不良を判定するワーク良否判定手段と、ワーク良否判定手段により不良バンプを有すると判定されたワーク（不良ワーク）について、ワーク配列表示手段に対し、ワーク配列上における当該不良ワークの位置を表示させる不良ワーク表示制御手段とを設けることができる。すなわち、検査進行に伴いワークホルダ上のどのワークに不良を生じたかが視覚的に表示されるので、多数のワークを連続的に検査する場合において、その不良把握が非常に容易になる。
　　　【００２０】
　より具体的には、ワーク配列表示手段は、ワークホルダ上の各ワークに一対一に対応する個別ワーク表示部を備えるものとして構成できる。この場合、不良ワーク表示制御手段は、不良ワークと正常ワークとで、対応する個別ワーク表示部の表示状態を互いに異ならせることにより、ワーク配列表示手段に対し不良ワークの位置を表示させるものとすることができる。これにより、不良ワークの配列上の位置を一層識別しやすくなる。
　　　【００２１】
　また、ワークホルダ移動手段と測定系とにより、複数のワークに対し検査面内の各位置の高さの検出を順次行う途上において、ワーク良否判定手段により不良と判定されたワークが生じた場合に、それらワークホルダ移動手段と測定系との測定作動を一時中断させる測定系作動制御手段を設けることができる。すなわち、検査工程にて不良ワークが発見された場合、その不良発生原因の特定等のために、その場で該不良ワークの状態等を確認したいことも多い。この場合、上記構成によれば、不良検出に伴い検査工程が自動的に一時停止するので、上記確認等のための時間も確保しやすくなる。
　　　【００２２】
　次に、ワークホルダの単位で検査工程を進める場合、不良ワーク検出時は、なるべく確実かつ速やかにワークホルダから該不良ワークを取り除いた方が、製品ロットに不良品が混入することを未然に防ぐ観点からも望ましい（他方、諸般の事情により、正常（良品）ワークをワークホルダから取り除くようにする場合もありうる）。そこで、本発明の検査装置には、ワークホルダ上の各ワークに対する不良ワーク及び正常ワークの判定結果を表示するワーク良／不良判定結果表示手段と、ワークホルダ上の各ワーク装着位置に対し、ワークが装着されているか否かを個別に検出するワーク検出手段と、ワーク良／不良判定結果表示手段の表示内容を見ながら不良ワークと正常ワークとの一方を取り除き、他方は残す形でワーク選別作業がなされたワークホルダに対し、ワーク検出手段の検出内容に基づいて、ワーク選別作業が正常に行われたか否かを判定する選別結果判定手段と、その判定結果を出力する判定結果出力手段とを設けることができる。
　　　【００２３】
　これにより、ワーク良／不良の判定結果表示を見ながら不良ワークと正常ワークの手動選別を容易に行うことができる。そして、その選別状態の良否が選別結果判定手段により自動判定され、選別ミスが生じたときは、後続の処理のためしかるべき判定結果出力がなされるので、製品ロットヘの不良品流出の防止を効果的に図ることができる。
　　　【００２４】
　この場合、ワーク選別作業が正常に行われなかった場合に、判定結果出力手段からの判定結果出力を受けて、音、光ないしそれらの組み合わせによる警告出力を行う警告出力手段を設ければ、選別ミスの見過ごしが起こりにくくなり、不良品流出防止効果が一層高められる。
　　　【００２５】
　具体的には、ワーク検出手段は、測定系から取り外された状態のワークホルダに対し、各ワーク装着位置にワークが装着されているか否かの検出を行うものとして構成することができる。これにより、検査・測定の終了したワークホルダを測定系の外に取り出して不良ワークの選別を行うことができるので、その間に新たなワークの検査を行うことが可能となり、検査能率を高めることができる。この場合、ワーク選別作業が正常に行われなかった場合に、判定結果出力手段からの判定結果出力を受けて、ワークホルダ移動手段と測定系とに対し、次のワークホルダに対する測定作動を禁止させる測定系作動制御手段を設けることができる。すなわち、不良ワークの選別ミスが解消されないまま後続のワークの検査を継続してしまうと、不良ワークが製品ロットへ流出してしまう危険性が高くなる。そこで、上記構成のように、選別ミス状態が解消されない限り、ワークホルダ移動手段と測定系との後続のワークホルダ（ワーク）に対する作動が禁止されるようにしておけば、このような不具合を合理的に解消することが可能となる。
　　　【００２６】
　ワークホルダには、ワークをそれぞれ装着するための複数のワーク装着部を形成することができ、各ワーク装着部に透光部（例えば貫通孔など）を形成しておくことができる。該ワーク装着部を例えば凹所にて形成する場合は、それら各凹所の底部に上記透光部を形成しておくことができる。この場合、ワーク検出手段は、ワークホルダを下側から照らす選別用光源と、該ワークホルダを挟んで選別用光源と反対側に配置され、各ワーク装着部（あるいは凹所）の透光部からの漏洩光を検出する漏洩光検出手段とを備え、該漏洩光の有無に基づいて各ワーク装着部（あるいは凹所）にワークが装着されているか否かを検出するように構成することができる。すなわち、該構成では、透光部がワークにより遮蔽されているか否かにより、ワーク装着部内にワークが存在しているか否かを容易にかつ確実に検出することができる。
　　　【００２７】
　他方、ワーク検出手段は、ワークホルダ上の各ワーク装着部に向けて光を投ずる投光部と、そのワーク装着部に装着されたワークからの反射光を検出する反射光検出部とを備え、該反射光の有無に基づいて各ワーク装着部にワークが装着されているか否かを検出するように構成することもできる。すなわち、該構成では、ワーク装着部内にワークが存在しているか否かを、反射光の有無により容易にかつ確実に検出することができる。
　　　【００２８】
　さて、上記本発明の検査装置には、以下の発明内容を付け加えることができる。
　まず、基板本体上に頂面がほぼ平坦な形状の複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置として構成する場合、下記の要件を含むものとして構成できる：
　バンプ付基板の、少なくとも複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に検査光を照射する光源と、
　該検査光に基づく検査面からの反射光を受光する受光部と、
　検査光を検査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、
　受光部の検知出力に基づいて、検査面内の各位置の高さに関する情報を生成する高さ情報生成手段と、
　受光部の検知出力に基づいて、検査面上の各位置における反射光輝度情報を生成する反射光輝度情報生成手段と、
　その生成された反射光輝度情報に基づき、検査面内における各バンプの頂面の存在領域（バンプ頂面存在領域）を特定するバンプ頂面領域特定手段と、
　そのバンプ頂面存在領域の寸法又は面積に関する情報（バンプ頂面大きさ情報）を生成するバンプ頂面大きさ情報生成手段と、バンプ頂面存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、対応するバンプの高さに関する情報（バンプ高さ情報）を生成するバンプ高さ情報生成手段と、それらバンプ頂面大きさ情報とバンプ高さ情報とに基づいて、対応するバンプの体積に関する情報（バンプ体積情報）を生成するバンプ体積情報生成手段とを有し、少なくともそのバンプ体積情報を含んだ検査情報を生成する検査情報生成手段と、
　その生成した検査情報を出力する検査情報出力手段と、
を備えたことを特徴とする。
　　　【００２９】
　上記検査装置では、頂面がほぼ平坦な形状のバンプ、すなわち平バンプが基板本体状に形成されている場合に、各バンプの体積情報を、反射光輝度情報に基づき特定されるバンプ頂面存在領域の寸法又は面積の情報と、バンプ頂面存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて生成されるバンプ高さの情報とを用いて生成するようにした。すなわち、バンプ頂面存在領域の面積又は寸法を反射光輝度情報に基づいて把握した上で体積算出を行うので、平バンプの場合でもその体積を問題なく算出することができる。また、バンプ頂面の反射光に基づいて形成されるバンプ頂面存在領域は、その周囲に表れる後述のシルエット領域（バンプ側面の乱反射等に基づく）と異なりレーザー光の入射方向に伸びないので、体積算出の精度が高められる。
　　　【００３０】
　バンプ頂面大きさ情報生成手段は、バンプ頂面存在領域をほぼ同面積の円で近似したときの、その直径又は面積を反映した情報をバンプ頂面大きさ情報として生成するものとすることができる。円柱状あるいは円錐台状等の形状のバンプの場合、バンプ頂面の形状を円近似することで、その直径又は面積をより迅速に算出することができる。
　　　【００３１】
　また、上記検査装置には、バンプ頂面存在領域の外周縁に沿ってその外側に形成されるとともに、受光部により検知される反射光の輝度が、バンプの頂面とそのバンプの周囲に露出する基板本体表面とのいずれよりも低く表れるシルエット領域を、反射光輝度情報生成手段が生成する反射輝度情報に基づき特定するシルエット領域特定手段を設けることができる。また、検査情報生成手段は、シルエット領域の寸法又は面積に関する情報（シルエット領域大きさ情報）を生成するシルエット領域大きさ情報生成手段と、そのシルエット領域大きさ情報に基づいて、対応するバンプ底面の寸法又は面積に関する情報（バンプ底面大きさ情報）を生成するバンプ底面大きさ情報生成手段とを備えたものとすることができ、バンプ体積情報生成手段は、バンプ頂面大きさ情報と、バンプ底面大きさ情報と、バンプ高さ情報とに基づいて、バンプ体積情報を生成するものとすることができる。
　　　【００３２】
　上記構成によれば、バンプ頂面とバンプ底面との両方の寸法又は面積の情報を用いることで、バンプ体積をさらに精度高く算出することができる。なお、シルエット領域は、バンプ側面の測定光の乱反射にのみ基づくものであれば、シルエット領域の寸法又は面積から、バンプ底面の寸法又は面積を直接的に求めることが可能となる。また、バンプの底面の周囲に、溝部等、乱反射の要因となる部分が別に存在する場合、その部分の形状及び寸法が既知であれば、シルエット領域から該部分に基づく領域を除外することで、バンプ底面の寸法又は面積を求めることができる。
　　　【００３３】
　この場合、シルエット領域大きさ情報生成手段は、検査面上に投影した検査光の入射方向と直交する向きにおけるシルエット領域の最大寸法を演算するシルエット領域最大寸法演算手段を備え、該シルエット領域をその最大寸法を直径とする円で近似したときの、その直径又は面積を反映した情報をシルエット領域大きさ情報として生成するものとすることができる。前述の通り、このシルエット領域は、検査光の入射方向には長く伸びて形成されるが、これと直交する向きにはほとんど伸びないので、該向きに表れるシルエット領域の寸法は、バンプ底面の寸法を比較的正確に反映したものとなる。そして、円柱状あるいは円錐台状等の形状のバンプの場合、シルエット領域を、該向きの最大寸法を直径とする円で近似してバンプ底面の寸法又は面積を算出することで、バンプ体積をさらに正確に算出することが可能となる。
　　　【００３４】
　また、バンプ体積情報生成手段は、バンプの形状を、バンプ頂面大きさ情報により特定される直径を有した円形頂面と、バンプ底面大きさ情報により特定される直径を有した円形底面と、バンプ高さ情報により特定される高さとを有する円錐台により近似して、バンプの体積値を演算するバンプ体積演算手段を備えるものとして構成できる。バンプ頂面とバンプ底面がいずれも円状であり、かつバンプ頂面がバンプ底面よりも小さく形成されたバンプの場合、このように近似することによりバンプ体積を精度よくしかも迅速に算出することができる。
　　　【００３５】
　本発明の検査装置には、さらに以下の内容の発明を適宜加えた構成とすることができる。
　まず、基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列・形成されるとともに、バンプ間に露出している基板本体の表面（バックグラウンド表面）が、所定の検査光に対しバンプ表面とは異なる反射率を有するバンプ付基板の検査を行う場合、上記検査装置には、その生成された反射光輝度情報に反映されるバックグラウンド表面の反射光輝度とバンプ表面の反射光輝度との差に基づき、検査面におけるバンプの存在領域（例えばバンプ頂面の存在領域）を特定するバンプ存在領域特定手段を設けることができる。この場合、検査情報生成手段は、その特定されたバンプ存在領域内の各位置に対応する高さ情報に基づいて、該バンプ存在領域に対応するバンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を生成するものとして構成することができる。
　　　【００３６】
　この構成では、バックグラウンド表面とバンプ表面との反射光輝度の差に基づき、バンプ付基板の検査面上のバンプ存在領域を特定するようにした。これにより、バンプとバックグラウンド表面を形成する基板本体とが反射率の異なる材質（例えば前者が半田等の金属、後者がプラスチック等の高分子）で構成されている場合に両者を容易に判別することができ、ひいてはこのような材質の組み合わせからなる基板の、バンプ高さ等の検査を高速かつ正確に行うことが可能となる。
　　　【００３７】
　例えば、基板本体が、バンプよりも検査光に対する反射率の低い高分子材料で構成されたものが使用される場合、バンプ存在領域特定手段は、高分子材料表面での反射光輝度レベルよりも高く設定された所定の閾値以上の反射光輝度が検出される領域を、バンプ存在領域として特定するものとして構成することができる。これにより、オーガニックパッケージ基板など、プラスチック等の高分子材料を素材とした基板本体上のバンプを極めて容易に識別することができる。また、その識別されたバンプ存在領域内の各位置の高さ情報を用いることで、対応するバンプの高さを正確に知ることができ、検査精度を高めることができる。
　　　【００３８】
　上記検査装置には、生成された反射光輝度情報に基づき、検査面において上記閾値以上の反射光輝度を示す領域（高輝度領域）を特定する高輝度領域特定手段と、その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以上のものを、各バンプの要部が存在するバンプ要部存在領域として識別するバンプ要部存在領域識別手段を設けることができる。この場合、検査情報生成手段は、その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を生成するものとすることができる。
　　　【００３９】
　この構成によれば、バンプ付基板の検査面から閾値以上の反射光輝度が得られる領域を高輝度領域として特定し、さらにその高輝度領域のうち、基準面積以上の拡がりを持ったもののみを各バンプの要部が存在するバンプ要部存在領域として識別するようにした。すなわち、頂面が平坦な平バンプ等の場合も、その高輝度領域の拡がりを二次元的に捕えて処理がなされるので、１つの高輝度領域から生ずる２以上の高さデータを、異なるバンプに由来するものと誤認する心配がなくなり、ひいてはどのようなバンプが形成された基板であっても、その検査を正確かつ迅速に行うことができるようになる。その結果、例えば頂面に凹みが形成されたバンプの場合でも、高輝度領域の拡がりに基づいて確実に識別できるようになる。また、バンプ表面状態等の影響を受けて、１つのバンプに由来する高輝度領域が２以上のものに分裂することもありうるが、この場合は、基準面積未満の高輝度領域はバンプ要部存在領域とみなされないので、これを２以上のバンプと誤認するトラブルが発生しにくくなり、ひいては基板上に形成された複数のバンプを精度よく識別することが可能となる。その結果、例えば球状バンプと比較して高輝度領域が広く現われ、また領域の分裂も起こりやすい平バンプの検査を問題なく行うことができる。また、該バンプ要部存在領域内の各位置の高さ情報を用いることで、対応するバンプの高さを正確に知ることができ、検査精度を高めることができる。
　　　【００４０】
　具体的には検査情報生成手段は、検査面に対し、各バンプ要部存在領域と所定の位置関係を満足し、かつ該バンプ要部存在領域を個々に包含する所定寸法のバンプ高さ決定領域を設定するバンプ高さ決定領域設定手段と、その設定されたバンプ高さ決定領域内の各位置の高さ情報に基づいてバンプの高さ値を演算するバンプ高さ演算手段とを備えたものとすることができる。平バンプのように頂面が平坦なバンプの場合、該頂面に対応してバンプ要部存在領域がかなり広く現われ、そのバンプ要部存在領域内にてバンプ高さに分布を生じていることも多い。そこで、上記のように、バンプ要部存在領域を含むようにバンプ高さ決定領域を設定し、そのバンプ高さ決定領域内の各位置の高さ情報に基づいてバンプの高さ値を演算するようにすれば、そのようなバンプ高さの分布による高さ測定の誤差を生じにくくなり、より精度の高い高さ情報を得ることが可能となる。
　　　【００４１】
　他方、上記検査装置には、設定されたバンプ高さ決定領域の外側に、対応するバンプ周囲におけるバックグラウンド表面の高さを求めるためのバックグラウンド高さ決定領域設定手段と、バックグラウンド高さ決定領域内の各位置の高さ情報に基づいてバックグラウンド表面の高さを演算するバックグラウンド高さ演算手段とを設けることもできる。これにより、各バンプ毎に、その周囲のバックグラウンド表面の高さを容易に求めることができる。この場合、バンプの高さとバックグラウンド表面の高さとの差に基づいて、該バンプのバックグラウンド表面からの突出高さを演算するバンプ突出高さ演算手段を設けておけば、個々のバンプ毎に、周囲のバックグラウンド表面からの突出高さを精度高く算出することが可能となる。
　　　【００４２】
　例えば、基板本体が高分子材料で構成されていると、内部に形成された金属配線部と高分子材料との熱膨張係数の差により、製造工程での熱履歴等をうけて基板表面に反りやうねりを生じ、バックグラウンド表面の高さレベルが位置的にばらつくことがある。ここで、バンプの突出高さを測定する場合、バックグラウンド表面の高さレベルを一律に同じ値として突出高さの算出を行うと、上記ばらつきの影響を受けて測定誤差が大きくなる場合がある。しかしながら上記方式では、バンプ毎に周囲のバックグラウンド表面の高さレベルを測定して、バンプの高さレベルからの差をとることにより突出高さを求めるようにしたから、そのようなばらつきの影響を受けにくく、測定精度を高めることが可能となる。
　　　【００４３】
　バンプ高さ決定領域は、バンプ要部存在領域と実質同一のものとして設定することもできるし、バンプ要部存在領域よりも広く設定されたものとすることもできる。前者の場合は、バンプ要部存在領域内の高さ情報に基づいてバンプの高さが演算される。
　　　【００４４】
　また、後者の場合は、例えば設定されたバンプ高さ決定領域内に存在する高輝度領域のうち、バンプ要部存在領域を含め、基準面積よりも小さく設定された所定の閾面積以上のものをバンプ高さ決定用高輝度領域として抽出するバンプ高さ決定用高輝度領域抽出手段を設けるようにする。そして、バンプ高さ演算手段を、バンプ高さ決定領域内の各位置のうち、抽出されたバンプ高さ決定用高輝度領域内に属するものの高さ情報に基づいて、対応するバンプの高さを演算するものとして構成するようにする。これにより、バンプ要部存在領域に加え、種々の要因により該バンプ要部存在領域から分裂した高輝度領域からの高さ情報も、バンプ高さの演算に使用されるので、バンプ高さをより精度高く測定することが可能となる。この場合、上記閾面積はゼロであってもよいが、ノイズ等の影響により誤検出される高輝度領域を除去するために、ゼロでない所定の値に設定しておくことが望ましいといえる。
　　　【００４５】
　次に、バックグラウンド高さ決定領域設定手段は、バンプ要部存在領域の外側にこれを取り囲む領域内側限界線を設定し、その領域内側限界線のさらに外側においてこれを取り囲む領域外側限界線を設定し、それら領域内側限界線と領域外側限界線との間に挟まれた領域をバックグラウンド高さ決定領域として設定するものとすることができる。例えばバンプからの反射光に基づき形成されるバンプ要部存在領域の周囲には、バンプ周面等での乱反射等に基づき、反射光のほとんど検出されない領域（シルエット領域）が形成されることが多い。そこで、バンプ要部存在領域の外側において（例えばその外形線から所定距離だけ離れた位置に）、これを取り囲む領域内側限界線を設定し、上記シルエット領域がバックグラウンド高さ決定領域になるべくかからないようにすることで、バックグラウンド高さの算出精度を高めることができる。
　　　【００４６】
　なお、バンプ高さ決定領域設定手段は、バンプ高さ決定領域を、バンプ要部存在領域の幾何学的重心位置を中心とする円状領域、又は該幾何学的重心位置を対角線交点位置とする四辺形状領域、及びバンプ要部存在領域に外接する四辺形状領域のいずれかとして設定するものとして構成できる。このようにバンプ高さ決定領域を設定することで、該バンプ高さ決定領域内におけるバンプが本来存在しない領域の比率を少なくすることができ、ひいてはバンプ高さの測定精度をさらに向上させることができる。他方、バックグラウンド高さ決定領域設定手段は、例えばバンプ高さ決定領域の外側に円状または四辺形状の領域外側限界線を該バンプ高さ決定領域と同心的に設定し、そのバンプ高さ決定領域の外形線を領域内側限界線として、これと領域外側限界線との間に挟まれた領域をバックグラウンド高さ決定領域として設定するものとして構成することができる。
　　　【００４７】
　バンプ高さ演算手段は、バンプ高さ決定用高輝度領域内の各位置の高さを該領域内において平均化することにより得られる平均高さ、各位置の高さの最大値である最大高さ、同じく最小値である最小高さ、及び各位置の高さの最頻値である最頻高さの少なくともいずれかを対応するバンプの高さとして演算するものとして構成することができる。これにより、平バンプのように頂面が平坦で、かつその頂面内でバンプ高さに分布を生じている場合でも、バンプ高さに対する合理的な評価ないし判定を行うことができる。また、必要に応じて、上記平均高さ、最大高さ、最小高さ及び最頻高さの２以上のもの（例えば平均高さと最大高さなど）を演算し、両者を組み合わせて評価を行うようにすることもでき、これにより一層精度の高いバンプ高さ評価を行うことができるようになる。
　　　【００４８】
　他方、バックグラウンド高さ演算手段も、バックグラウンド高さ決定用高輝度領域内の各位置の高さを該領域内において平均化することにより得られる平均高さ、各位置の高さの最大値である最大高さ、同じく最小値である最小高さ、及び各位置の高さの最頻値である最頻高さの少なくともいずれかを、対応するバックグラウンド表面の高さとして演算するものとして構成することができる。
　　　【００４９】
　検査情報生成手段は、検査面上の互いに異なる位置に設定された複数のバックグラウンド高さ決定領域において、それぞれバックグラウンド高さ演算手段が演算した各領域のバックグラウンド表面の高さに基づいて、基板本体表面のうねりを反映した情報を生成する表面うねり情報生成手段を含むものとして構成できる。該構成では、バンプの突出高さを求めるために算出したバックグラウンド表面の高さを、さらに積極的に利用することにより、基板本体の表面うねりの情報も得られるようにしたので、より多面的な検査が可能となる。
　　　【００５０】
　上記本発明の装置には、バンプ付基板の検査面に対し、各バンプの形成位置の許容範囲を規定する位置許容範囲規定ウィンドウを設定する位置許容範囲規定ウィンドウ設定手段と、その設定された位置許容範囲規定ウィンドウ内の高輝度領域の面積、又は該位置許容範囲規定ウィンドウ内に占める高輝度領域の面積率を算出する面積算出手段と、その面積算出手段が算出する高輝度領域の面積又は面積率に基づいて、該位置許容範囲規定ウィンドウに対応するバンプの形成状態の良否を判定する判定手段とを設けることができる。これにより、形成位置ずれや欠損等を生じた不良バンプを、位置許容範囲規定ウィンドウ内に一定以上の面積の高輝度領域を生じているか否かに基づいて容易に判別することができる。
　　　【００５１】
　次に、検査情報生成手段は、バンプ要部存在領域の幾何学的重心位置を、対応するバンプの中心位置として算出するバンプ中心算出手段を備えたものとすることができる。この場合、検査情報としてバンプの中心位置座標を生成するように構成することができる。また、検査情報生成手段は、バンプ要部存在領域の寸法に基づいて、対応するバンプの寸法を演算するバンプ寸法演算手段を備えたものとすることができる。この場合、検査情報としてバンプのバンプ寸法情報を生成するように構成することができる。
　　　【００５２】
　例えば前記公報に記載された従来技術においては、バンプ径やバンプ中心位置をバンプのシルエット像に基づいて求めるようにしていたが、レーザー光が基板表面に斜めに入射する関係上、該シルエット像は、一般には実際のバンプ形状を正確に反映したものにはならない。また、バンプの周囲にパッド部や溝等が形成されていたり、バンプ周囲部分の基板の表面状態が一定しない場合等においては、その影響を受けてシルエット像の形が変化することもある。従って、このようなシルエット像を用いて決定されたバンプ寸法や中心位置には、しかるべき補正を行わないかぎり、少なからぬ誤差を生じてしまう問題がある。しかしながら、反射光により形成されるバンプ要部存在領域は、バンプ形状を直接反映したプロファイルとしての意味を持つので、これを用いることによりバンプ中心位置やバンプ寸法をより正確に求めることができる。
　　　【００５３】
　なお、バンプ中心算出手段は、バンプ要部存在領域に外接する四辺形状領域（例えば長方形状領域）の対角線交点位置を、対応するバンプの中心位置として算出するものとして構成することができる。例えば重心位置をバンプ中心として算出する方法は、中心決定の方法としてより正確ではあるが、算出に際しては高輝度領域を構成する多数の輝度データの位置座標値を使用するため、演算回数は若干多くなる。しかしながら、上記のようにバンプ要部存在領域に外接する四辺形状領域（及び、その対角線交点位置）を求める方法では、その領域決定の演算処理が重心座標演算に比べるとずっと簡単であり、処理速度の向上を図ることができる。
　　　【００５４】
　なお、バンプ付基板は、基板保持体に保持させた状態でその検査面に検査光を照射することができる。この場合、バンプ高さ演算手段は、各バンプの高さを、基板保持体との間で一定の位置関係を満たす基準高さレベルからの高さ（コプラナリティ決定用高さ）として演算するものとすることができる。そして、検査情報生成手段は、その演算された各バンプのコプラナリティ決定用高さのうち、その最大値ｚ’ｍａｘと最小値ｚ’ｍｉｎとに基づいて、バンプ付基板の各バンプの高さの不均一性を反映した情報であるコプラナリティ情報を生成するコプラナリティ情報生成手段を含むものとして構成することができる。
　　　【００５５】
　基板上に設けられた個々のバンプは、接続対象となる集積回路チップ（例えばフリップチップの場合）やプリント基板（例えばＢＧＡ基板の場合）との接続性等を高めるために、その高さができる限り揃っていることが望ましいとされる。この場合、簡易なパラメータとしては上記ｚ’ｍａｘとｚ’ｍｉｎとの差（ｚ’ｍａｘ−ｚ’ｍｉｎ）の値が小さいほどバンプ高さは揃っていることを意味し、バンプ高さの不均一性を表す指標となる。
　　　【００５６】
　本発明においては、上記ｚ’ｍａｘ−ｚ’ｍｉｎを含め、ｚ’ｍａｘとｚ’ｍｉｎとを用いて算出される、バンプ高さの不均一性を表す指標を広義にコプラナリティと称する。例えば、本発明においては、ｚ’ｍａｘ−ｚ’ｍｉｎのほか、各バンプの頂点位置（平バンプの場合はバンプ頂面上の所定位置：例えば、前述のバンプ中心位置に対応する頂面上の位置）に対応する最小二乗平面を頂点基準面Ｐ０とし、その頂点基準面Ｐ０と平行でかつ高さ最大のバンプの頂点を通る平面をＰｍａｘ、同じく高さ最小のバンプの頂点を通る平面をＰｍｉｎとしたときのＰｍａｘとＰｍｉｎとの面間距離として定義される狭義のコプラナリティなど、各種指標を採用することができる。また、基板上に形成された多数のバンプのうち、最も距離が大きくなるもの同士（例えば長方形ないし正方形状の領域にマトリックス状にバンプが配置される場合は、その領域の対角線の両端にそれぞれ位置するバンプ同士）のバンプ間距離ＬＤにて上記指標となる距離を割った、単位長さ辺りのコプラナリティを用いてもよい。いずれにしろ、上記のようなコプラナリティ情報生成手段を設けることで、バンプ付基板のコプラナリティ評価を簡単に行うことができるようになる。
　　　【００５７】
　なお、バンプ高さは、基準レベルから見たバンプ頂点（あるいは頂面）までの高さとして表現できるが、例えば基準レベルをバンプが突出形成されている基板本体の表面に設定した場合、バンプ高さは該表面からの突出高さを意味することとなる。しかしながら、図２０（ａ）に示すように、基板本体表面が反っていたりすると、基板本体表面からのバンプ突出高さが揃っていても、バンプ頂点位置が該反りの影響で不揃いになり、コプラナリティ不良となることもある。従って、上記構成では、コプラナリティに及ぼす上記のような基板保持体側からの影響も考慮できるよう、バンプ高さは、基板保持体との間で一定の位置関係を満たす基準高さレベルからの高さにより表したものを用いるのである。
　　　【００５８】
　　【発明の実施の形態】
　図１は、本発明の検査装置の検査対象となるバンプ付基板１の一例を示している。該バンプ付基板１は、例えば約２５ｍｍ角、板厚約１ｍｍのプラスチック製の基板本体２上の中央部に例えば正方形状に形成されたバンプ配列領域ＢＰに対し、Ｓｎ−Ｐｂ二元合金等からなる半田合金により構成されたバンプ３が多数、例えば格子状あるいは千鳥状に２次元的に配列・固着された構造を有する、フリップチップ基板として構成されている。そして、検査面ＣＰはこのバンプ配列領域ＢＰを包含する形で設定される。
　　　【００５９】
　本実施例では、各バンプ３は、図６に示すように、頂面が平坦に形成された平バンプとして形成されているものとする。基板本体２上には、各バンプ３の配置位置に対応して凹所２ａが形成され、その底面に例えば無電解Ｎｉ−Ｐメッキ層とこれを覆う無電解Ａｕメッキ層とからなる下地導電性パッド（以下、単にパッドと称する）４が形成されるとともに、このパッド４上にバンプ３が固着されている。また、バンプ３と凹所２ａの側面との間は幅Ｗの環状の溝部６となっている。なお、基板本体２のその他の表面部位には、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等により、図示しないソルダーレジスト層が形成されている。
　　　【００６０】
　ここで、バンプ３の表面は金属光沢を呈する一方、基板本体２の表面はプラスチック製であるため、可視光（すなわち、後述する検査光たるレーザ光）に対する反射率は前者において高く、後者において低くなる。
　　　【００６１】
　このようなバンプ付基板は各種公知の方法で得ることができるが、一例として、半田ペーストをスクリーンマスク（あるいはメタルマスク）を介して基板本体２上の所定位置に印刷し、さらにこれを加熱して半田ペーストを溶融させることにより基板状にバンプを形成する半田ペースト印刷法がある。
　　　【００６２】
　図２は、本発明の装置の一実施例における、測定系１０の要部の構成を模式的に示したものである。測定系１０は、半導体レーザ光源１２、ビームエキスパンダ１４、ポリゴンミラー１６、ｆ・θレンズ１８、結像レンズ２０、半導体位置検出器（ＰＳＤ）２２（受光部）を含んで構成される。半導体レーザ光源１２からのレーザー光（入射光）ＬＢが、回転するポリゴンミラー１６で反射され、バンプ付き基板１の検査面ＣＰに対し、その縦横のバンプ配列のいずれか一方に沿う方向（以下、これをｘ方向という）に振られながら照射される。照射された入射光ＬＢは検査面ＣＰで反射されて反射光ＲＢとなり、結像レンズ２０を経てＰＳＤ２２により受光される。
　　　【００６３】
　図３は、測定系１０の具体的な構成例を示している（（ａ）は側面図、（ｂ）は背面図である）。この構成においては、（ｂ）に示すように、縦長のケース３６内においてその上部には半導体レーザ光源１２が配置され、（ａ）に示すように、その下端面に形成されたビーム孔から斜め前方下向きにレーザ光ＬＢを出射するようになっている。レーザ光ＬＢは、コリメータレンズ２４を経て第一の光路変更ミラー２６により後方下向きに反射され、その光路上に配置されたビームエキスパンダ１４を経て、（ｂ）に示すように第二の光路変更ミラー２８により、側方上向きに反射される。
　　　【００６４】
　第二の光路変更ミラー２８で反射されたレーザ光ＬＢは、ケース３６の幅方向において、その側方やや上寄りに配置されたポリゴンミラー１６に入射される。同図（ａ）に示すように、ポリゴンミラー１６は、ケース３６の内部においてその下部後方に形成された傾斜壁３６ａに対し、回転軸ＲＡが前方上向きに傾いた形となるように取り付けられている。そして、このポリゴンミラー１６で反射されたレーザ光ＬＢは、該ポリゴンミラー１６の斜め下方に配置されたｆ・θレンズ１８を通って、ケース３６の底面に形成された開口部６ａから、その下側においてワークホルダ（基板保持体）３８によりほぼ水平に保持されたバンプ付基板（以下、ワークともいう）１の検査面ＣＰに入射される。
　　　【００６５】
　そして、レーザ光ＬＢは、検査面ＣＰで斜め前方上向きに反射されて反射光ＲＢとなり、ｆ・θレンズ１８の前方において、ほぼ直立形態で配置された第三の光路変更ミラー３０により斜め後方上向きに反射される。そして、ｆ・θレンズ１８の斜め前方上側に配置された結像レンズ２０を通り、ポリゴンミラー１６の斜め前方上側に配置された第四の光路変更ミラー３２により前方に反射され、ケース３６の前面内側に配置されたＰＳＤ２２により受光される。
　　　【００６６】
　ここで、ケース３６内において、半導体レーザ光源１２、コリメータレンズ２４及びビームエキスパンダ１４を含む第一の光学系グループ（本実施例では、上側から順に配列された半導体レーザ光源１２、コリメータレンズ２４、第一の光路変更ミラー２６、ビームエキスパンダ１４、第二の光路変更ミラー２８）は、該ケース３６の幅方向において一方の側に寄せた形で配置されている。他方、ポリゴンミラー１６、ｆ・θレンズ１８、結像レンズ２０及びＰＳＤ２２を含む第二の光学系グループ（本実施例では、ポリゴンミラー１６、ｆ・θレンズ１８、第三の光路変更ミラー３０、結像レンズ２０、第四の光路変更ミラー３２及びＰＳＤ２２からなる）が、ケース３６の幅方向において上記第一の光学系グループに隣接する形で配置されている。そして、第一の光学系グループからのレーザ光ＬＢは、光路変更ミラー２８により第二の光学系グループ側に導かれるようになっている。このようなレイアウトを採用することにより、ケース３６内に生ずるデッドスペースを効果的に削減でき、装置全体を極めてコンパクトに構成することが可能となっている。
　　　【００６７】
　次に、検査対象となるワーク１は、凹所等の形でワークホルダ３８（基板保持体）に形成されたワーク装着部３８ａに装着される。本実施例では、１つのワークホルダ３８に対し複数のワーク１を、縦横所定数ずつのマトリックス状に装着するようにしている。図３７は、そのようなワークホルダ３８の具体的な構成例を示している。該ワークホルダ３８は、プラスチックあるいは金属等により全体が板状に構成され、その上面には、ワーク１の外形にほぼ対応した形状の凹所（ワーク装着部）３８ａが、縦横所定数（本実施例では縦６個、横５個の計３０個）マトリックス状に形成されている。なお、各凹所３８ａの四方の側壁部には、それぞれその中間位置に、ワーク取出し時に指等を挿入しやすくするための切欠３８ｂが形成されている。他方１各凹所３８ａの底部には、各々その中央位置にてこれを貫通する透光部としての貫通孔３８ｃが形成されている。このようなワークホルダ３８は、例えばその下面四隅に形成された係合孔３８ｄ（あるいは係合凸部）に対し、ｘ−ｙテーブル４０のテーブル面の四隅から突出して形成された係合凸部４０ａ（あるいは係合凹部）を係合させることにより、該ｘ−ｙテーブル４０に対して位置決め装着されるようになっている。
　　　【００６８】
　そして、図４に示すように、そのワークホルダ３８が、例えばｘ駆動ねじ軸４３及びｘ駆動モータ４２（以下、ｘ駆動系という）と、ｙ駆動ねじ軸４５及びｙ駆動モータ４４（以下、ｙ駆動系という）とによりｘ方向及びｙ方向にそれぞれ独立に駆動されるｘ−ｙテーブル４０に着脱可能に装着される。ここで、そのｙ方向は、ワーク１の検査面ＣＰに沿う平面内において前述のｘ方向、すなわち図２において、ｆ・θレンズ１８を介したポリゴンミラー１６によるレーザ光ＬＢの走査方向と直交する向きに定められている。そして、図４において、ポリゴンミラー１６によりレーザ光をｘ方向に走査しつつ、テーブル４０をｙ方向に所定の間隔で寸動させることにより、該レーザ光ＬＢは、ワーク１の検査面ＣＰにて二次元的に走査されることになる。従って、本実施例では、ポリゴンミラー１６とｘ−ｙテーブル４０のｙ駆動系とが光走査手段を構成する。他方、ｘ駆動系は、例えばワークホルダ３８にワーク１が、ｘ方向に複数列隣接する形で配置されるようになっている場合、次列のワーク１をレーザ光の照射位置まで移動させるために使用される。すなわち、該ｘ−ｙテーブル４０は、そのｘ駆動系及びｙ駆動系とともに、ワークホルダ移動手段を構成している。
　　　【００６９】
　図５に、本発明の検査装置の制御系の構成例を示す。該制御系５０は、大きく分けて測定系制御部５１と、データ解析部８１とからなる。測定系制御部５１の中央制御ユニット５２は、Ｉ／Ｏポート５４と、これに接続されたＣＰＵ５６、ＲＡＭ５８、ＲＯＭ６０及び高さ・輝度検出部７５とを主体に構成される。また、該Ｉ／Ｏポート５４にはこの他に、レーザ発生部６１、ポリゴンミラー作動部６３、ｘ−ｙテーブル作動部６９がそれぞれ接続されている。なお、ＣＰＵ５６は、後述の高さ演算部７６及び輝度演算部７７とともに、高さ情報生成手段、反射光輝度情報生成手段の主体をなすものである。
　　　【００７０】
　レーザ発生部６１は、半導体レーザ光源１２と、中央制御ユニット５２からの指令を受けることにより、該半導体レーザ光源１２にレーザ光ＬＢを発生させるレーザドライバ６２とを備えて構成される。また、ポリゴンミラー作動部６３は、ポリゴンミラー１６（図３）を回転駆動するポリゴンミラー駆動モータ１７と、中央制御ユニット５２からの指令を受けてその作動制御を司るサーボ駆動ユニット６４と、ポリゴンミラー駆動モータ１７すなわちポリゴンミラー１６の回転速度及び回転角度位置を検出するロータリエンコーダ（本実施例ではアブソリュート型のものを使用する：以下、ＡＢＳと略記する）６６とを備える。サーボ駆動ユニット６４は、ＡＢＳ６６からフィードバックされる回転速度情報に基づいて、ポリゴンミラー駆動モータ１７の作動制御を行う。他方、ＡＢＳ６６による回転角度位置は、レーザ光ＬＢによる走査点のｘ座標を特定するｘ座標特定情報、及びポリゴンミラー１６の使用中のミラー面を特定するミラー面特定情報として使用される。
　　　【００７１】
　また、ｘ−ｙテーブル作動部６９は、ｘ駆動モータ４２、ｙ駆動モータ４４、及び中央制御ユニット５２からの指令を受けてそれらの作動制御を司るサーボ駆動ユニット６８及び７２、及び各モータ４２，４４の回転角度位置を検出するロータリーエンコーダ（本実施例ではインクリメント型のものを使用する：以下、ＩＮＣと略記）７０，７４を備える。サーボ駆動ユニット６８，７２は、各々ＩＮＣ７０，７４からフィードバックされる回転速度情報に基づいて、ｘ駆動モータ４２及びｙ駆動モータ４４の作動制御を行う。また、ｙ駆動モータ４４側のＩＮＣ７４による回転角度位置は、レーザ光ＬＢによる走査点のｙ座標を特定するｙ座標特定情報としても使用される。
　　　【００７２】
　次に、高さ・輝度検出部７５は、前述のＰＳＤ２２と、その各電極からの出力をデジタル変換するＡ／Ｄ変換器７８，７９と、それらＡ／Ｄ変換器７８，７９によりデジタル変換されたＰＳＤ２２の出力を用いて高さ及び輝度を演算し、結果を中央制御ユニット５２に出力する高さ演算部７６及び輝度演算部７７等を含んで構成される。以下、レーザ光による高さ検出原理について説明する。
　　　【００７３】
　すなわち、図６に示すように、基板本体２の板面とほぼ平行に高さ基準面ＳＬＰを設定し、この高さ基準面ＳＬＰに対して一定の入射角θでレーザ光ＬＢを入射させるようにする。ここで、この高さ基準面ＳＬＰにて反射が起こった場合には、ＰＳＤ２２は基準受光位置ＤＰ０でその反射光を受けることとなる。しかしながら、バンプ３等の存在により反射面位置が高さｚ’だけ高くなると、受光位置はＤＰ１にずれる。該受光位置ＤＰ１の基準受光位置ＤＰ０からでのずれ量Ｌ、換言すれば反射面の高さ位置ｚ’は、ＰＳＤ２２の２つの出力端子Ａ及びＢの出力電流をＩＡ，ＩＢに基づいて測定できる。なお、以下においては、高さ基準面ＳＬＰを基準とした高さ値ｚ’を高さレベル値（あるいは高さレベル）ｚ’と呼ぶことにする。
　　　【００７４】
　ここで、基準受光位置ＤＰ０で受光したときの出力端子Ａの出力電流をＩＡ０、同じく出力端子Ｂの出力電流をＩＢ０として、ＩＡ０＝ＩＢ０となるようにＰＳＤ２２の受光位置を調整しておけば、上記ずれ量Ｌは、（ＩＡ−ＩＢ）／（ＩＡ＋ＩＢ）に比例して大きくなる。図５に示すように高さ演算部７６は、デジタル変換されたＩＡ，ＩＢの情報から（ＩＡ−ＩＢ）／（ＩＡ＋ＩＢ）に相当する値を演算し、これを高さレベル信号として出力する。他方、ＰＳＤ２２の両端子の出力電流の和ＩＡ＋ＩＢは、受光する光の強さ（輝度）にほぼ比例して大きくなるので、輝度演算部７７は同じく（ＩＡ＋ＩＢ）に相当する値を演算し、これを輝度信号として出力する。
　　　【００７５】
　また、中央制御ユニット５２のＣＰＵ５６は、ＲＯＭ６０に格納された制御プログラム６０ａに基づき、ＲＡＭ５８をワークエリアとして、レーザ発生部６１、ポリゴンミラー作動部６３及びｘ−ｙテーブル作動部６９の作動制御を行う。他方、クロックパルス（図示しないクロック回路が発生する）が与えるタイミングに従い、レーザ光の走査位置のｘ座標を与えるＡＢＳ６６からの出力値ＸＡＢＳと、同じくｙ座標を与えるＩＮＣ７４のパルスカウント値ＹＩＮＣとを取り込んで、位置データ（ＸＡＢＳ，ＹＩＮＣ）を生成するとともに、高さ・輝度検出部７５からのデジタル化された高さレベル信号及び輝度信号を順次取り込むことにより、該位置に対応する高さレベルデータｚ”及び輝度データＩを生成する。そして、各走査位置毎に得られる高さレベルデータｚ”、輝度データＩ及び位置データ（ＸＡＢＳ，ＹＩＮＣ）の組を、Ｉ／Ｏポート５４からデータ解析部８１に転送する。
　　　【００７６】
　なお、図３において、検査面ＣＰに対するｘ方向の走査開始点に対応する位置には、ポリゴンミラー１６からのレーザ光ＬＢの光路中間位置に対応してプリズム２５と光検出器２７とが設けられている。これらプリズム２５と光検出器２７とは、レーザ光ＬＢに基づく高さデータ及び輝度データのｘ方向のデータサンプリング開始タイミングを検出するためのものである。すなわち、ポリゴンミラー１６の回転に伴い、レーザ光ＬＢがワーク１上のデータサンプリング開始位置に到来するとこれがプリズム２５に入射して、その分岐光がビーム検出器２７で検出される。測定系制御部５１はこれを受けてｘ方向のデータサンプリングを開始することとなる。
　　　【００７７】
　図５に戻り、データ解析部８１は、Ｉ／Ｏポート８４とこれに接続されたＣＰＵ８６、ＲＡＭ８８、ＲＯＭ９０等を備える解析用のコンピュータ８２を主体に構成され、そのコンピュータ８２のＩ／Ｏポート８４には、測定系制御部５１から受信する高さレベルデータｚ”、輝度データＩ及び位置データ（ＸＡＢＳ，ＹＩＮＣ）の組を一時格納するための受信データ格納ＲＡＭ９２と、ハードディスク装置等で構成された記憶装置９４、モニタ制御部９６とこれにつながれたモニタ９８、キーボード１００ａやマウス１００ｂ等を含んで構成される入力部１００、プリンタ１０２等が接続される。なお、モニタ９８とプリンタ１０２とは検査結果出力手段として機能する。また、ＣＰＵ８６は、後述のデータ解析／検査プログラムに基づき、バンプ存在領域特定手段（あるいは高輝度領域特定手段）、バンプ要部存在領域認識手段、検査情報生成手段、高さ決定領域設定手段、バンプ高さ演算手段、高さ決定用高輝度領域抽出手段、バックグラウンド高さ決定領域設定手段、バックグラウンド高さ演算手段、位置許容範囲規定ウィンドウ設定手段、面積算出手段、判定手段、バンプ中心決定手段、バンプ配列間隔演算手段、バンプ寸法演算手段、コプラナリティ情報生成手段、表面うねり情報生成手段、バンプ体積情報生成手段、シルエット領域特定手段及びバンプ底面大きさ情報生成手段等の主体として機能する。
　　　【００７８】
　また、記憶装置９４には、データ解析／検査プログラム記憶部９４ａ、補正済データ記憶部９４ｂ、補正用データ群記憶部９４ｃ、検査標準データ記憶部９４ｄ及び検査結果データ記憶部９４ｅが形成され、それぞれ対応するプログラムないしデータが記憶されている。なお、各データの内容とプログラム処理の内容については後述する。
　　　【００７９】
　以下、測定系制御部５１における制御処理の流れについて、図２３のフローチャートを用いて説明する。まず、Ｄ１０において、ワーク１を装着したワークホルダ３８をｘ−ｙテーブル４０にセットする（図４参照）。Ｄ２０では、ｘ−ｙテーブル４０を最初のワークの走査開始位置へ移動させる。なお、測定系の立ち上げ時に、図示しない原点位置センサによりｘ−ｙテーブル４０の原点位置を確認し、以降の各種位置決め処理の基準とする。そして、Ｄ４０にてレーザ光ＬＢをワークの検査面ＣＰに照射し、同時にｘ−ｙテーブル４０のｙ駆動とポリゴンミラー１６の回転を開始する。そして、Ｄ５０では、各走査点毎に前述の高さレベルデータｚ”、輝度データＩ及び位置データ（ＸＡＢＳ，ＹＩＮＣ）の組を生成し、これをデータ解析部８１へ転送する。
　　　【００８０】
　なお、後の解析処理の簡略化を図るため、ｙ方向のデータサンプリング距離をｘ方向のそれよりも大きくして（あるいはその逆も可能）、取り込むデータ組の数を削減することができる。この場合、例えばｙ方向のデータサンプリング距離を大きくするために、ｘ方向及びｙ方向のデータサンプリングの時間間隔はほぼ同じとし、ｙ方向の走査速度をｘ方向の走査速度よりも大きくするようにしてもよいし、逆にｙ方向の走査速度とｘ方向の走査速度とをほぼ同じとし、ｙ方向のデータサンプリングの時間間隔をｘ方向のそれよりも長くするようにしてもよい。また、別の方法として、ｘ方向とｙ方向とをほぼ同じデータサンプリング距離にてデータ取込みを行い、解析時にｘ方向あるいはｙ方向の少なくともいずれかにおいて取り込んだデータ組を間引き、使用するデータ組の数を削減するようにしてもよい。
　　　【００８１】
　そして、そのワークに対するデータの取込み／転送が終了すれば、ｙ方向に並ぶ次のワークの走査開始位置へ移動し（Ｄ６０→Ｄ６１）、Ｄ４０に戻って以下同様の処理を繰り返す。こうして、ｙ方向に並ぶワーク列について、上記データの組が順次取り込まれ、その列のワークが尽きればｘ−ｙテーブル４０のｘ駆動を行って次列先頭のワークの走査開始位置へ移動し、さらに同様の処理を繰り返す（Ｄ６２→Ｄ６３→Ｄ４０の流れ）。そして、全てのワークについてのデータの生成・転送が完了すれば、処理を終了する。
　　　【００８２】
　データ解析部８１側では測定系制御部５１からのデータを受け、図１２（ａ）に示すように、ｚ”、Ｉ及び（ＸＡＢＳ，ＹＩＮＣ）のデータの組ＯＤを、各走査点と対応付けた形で受信データ格納ＲＡＭ９２（図５）に格納する。以下、データ解析部８１側での処理の流れについて、図２４〜図３３のフローチャートを用いて説明する。なお、この処理は、コンピュータ８２（図５）のＣＰＵ８６が、記憶装置９４に記憶されたデータ解析／検査プログラムに基づき、ＲＡＭ８８をワークエリアとして実行するものである。
　　　【００８３】
　まず、図２４のＳ１において、最初のワークのデータの組ＯＤのデータを読み出し、Ｓ２に進んで位置データ解析処理となる。その詳細を図２５に示している。まず、（ＸＡＢＳ，ＹＩＮＣ）は、エンコーダからの出力値あるいはパルスカウント値になっているので、これを各ワーク毎にその検査面ＣＰ毎に設定される位置座標（以下、検査面座標という）上での座標値（Ｘ’，ｙ’）に変換する（なお、測定系制御部５１側で予めこの変換を行い、（ｘ’，ｙ’）のデータの形でこれをデータ解析部８１へ転送するようにしてもよい）。
　　　【００８４】
　次に、図６に示すようにレーザ光ＬＢは、検査面ＣＰに対して入射角θで斜めに入射する関係上、高さ基準面ＳＬＰと、そこから高さｚだけ隔たった面とでは、同じ入射光でもΔｂだけ反射位置が異なることになる。ここで、図からも明らかなように、
　Δｂ＝Ｌ・ｃｏｓθ／ｓｉｎφ……（１）
　φ＝１８０°−２θ……（２）
であるから、θとＬの値からΔｂを求めることができる。このΔｂにより、座標値（ｘ’，ｙ’）を、例えば高さ基準面ＳＬＰに対する入射状態を基準とした座標値に補正する。ここで、図７に示すように、レーザ光源１２からの光は、ポリゴンミラー１６によりｙ方向とのなす角度δが変化しながらｘ方向に走査されるので、Δｂによるｘ方向への補正量はΔｂ・ｓｉｎδ、同じくｙ方向への補正量はΔｂ・ｃｏｓδで求められる。なお、入射角θの値は、例えば図１０に示すように、補正用データ群記憶部９４ｃに格納されたものを適宜読み出して使用する。
　　　【００８５】
　他方、図１１に示すように、ポリゴンミラー１６に面倒れ角の誤差Δλがあると、検査面ＣＰに対するレーザ光ＬＢの照射位置に、ずれΔｄが生ずる。このずれΔｄの大きさは、使用するｆ・θレンズ１８の焦点距離をｆとすると、ｆ・２Δλで求めることができる。他方、この照射位置のずれにより、高さの計測誤差Δｈも生ずる。この計測誤差Δｈは、前述の角度φ（＝１８０°−２θ）を用いて、Δｄ／ｔａｎφで求めることができる。
　　　【００８６】
　そこで、図１０に示すように、補正用データ群記憶部９４ｃに、ポリゴンミラー１６の各面毎の面倒れ角に基づくずれ量Δｄを格納しておき、前述のＸＡＢＳの値から使用中のポリゴンミラー１６の面を特定して、対応するずれ量Δｄを読み出すようにする（図２５：Ｓ２０３）。そして、図２５のＳ２０４において、このずれ量Δｄからｘ及びｙの各方向の補正量と、高さレベルｚ”に対する補正量を求め、これにより補正された座標値と高さレベルとを、検査面座標における補正済座標値（ｘ，ｙ）及び高さレベルｚ’の組ＡＤとして、各走査点と対応付けた形で補正済データ記憶部９４ｂに格納し（図１２（ｂ）は、その格納状態を示している）、位置データ解析処理を終了する。なお、補正済座標値（ｘ，ｙ）は、後述するモニタ９８（表示装置）の、表示画面内の各画素（ピクセル）と一対一に対応付けられており、その画素の配列間隔がほぼ一定であるとの前提のもとで、補正済データ記憶部９４ｂ内の各画素に対応するデータアドレスにて代用することも可能である。
　　　【００８７】
　図２４に戻り、次いで、Ｓ３のバンプデータ解析処理に進む。図２６にその詳細な流れを示している。まず、Ｓ３０１で、各データ組の位置座標（ｘ，ｙ）を、例えばＲＡＭ８８（図５）のアドレス空間内に設定したデータビット平面の各ビットに一対一に対応付け、輝度Ｉが閾値ＩＳＨ以上となっているか否かによりビットマップデータを生成する。
　　　【００８８】
　図８は、バンプ３を横切るようにレーザ光ＬＢを走査することにより得られる、高さレベルｚ’及び輝度Ｉのプロファイルの一例を示している。すなわち、プラスチック製の基板本体２は金属製のバンプ３よりも反射率が低いため、輝度Ｉはバンプ３の頂面に対応する領域ＴＳで高く、基板本体２の露出領域、すなわちバンプ周囲のバックグラウンド領域ＢＳで低くなる。そして、上記閾値ＩＳＨは、基板本体２の表面に対し、所定レベルの強度のレーザ光を入射したときの、平均的な反射光輝度レベルよりも高く設定されている。なお、バンプ頂面の表面状態が同じであれば、図中一点鎖線で表すように、バンプ高さレベルｚ’が低くなっても、輝度Ｉのレベルはほぼ同じとなる。
　　　【００８９】
　上記のように反射光輝度に対し閾値ＩＳＨを定めることにより、検査面上におけるバンプ３の存在領域を、前述のビットマップデータ上で特定することが可能となる。例えば、図１４に示すように、閾値ＩＳＨ以上のビットを「１」（ハッチングを施したビット）、そうでないビットを「０」（ハッチングを施さないビット）で表せば、「１」ビットが集合して現われる領域がバンプの存在領域（請求項でいう高輝度領域に対応）を表すこととなる。以下、本実施例では、バンプ存在領域のビットを「１」、そうでない領域のビットを「０」で表すものとする。
　　　【００９０】
　他方、図８において、バンプ３の側面と溝部６に対応する領域は、斜めに入射するレーザ光ＬＢが乱反射されたり遮られたりするので反射光がほとんど生じず、輝度Ｉが非常に小さいシルエット領域ＳＡとなっている。また、この領域ＳＡでは、反射光がほとんど生じないため、高さデータは欠損した形になっている（実際の処理上では、例えば高さゼロに近い値として扱うことができる）。従って、上記ビットマップデータ上で特定されるバンプ存在領域は、バンプ頂面存在領域を表しているものともいえる。
　　　【００９１】
　次いで、図２６のＳ３０２に進み、ビットマップデータ上において個々のバンプの存在領域に分離する処理を行う。すなわち、図１４に示すように、ビットマップデータを所定の方向（例えばｘ方向）に走査し、「１」ビットの途切れが一定数（例えば３ビット）以上生じたか否かにより、同一のバンプ存在領域であるか別のバンプ存在領域であるかを判別しながら、各ビットにラベリング符号（本実施例では、１、２・・・・等の数字で表している）を施してゆく。なお、走査２列目以降は、「０」ビットの検出状態から「１」ビットの検出に転じた時に、その「１」ビットを取り囲む例えば８つのビットのラベリング状態を判別し、既に認識済のビットのラベリング符号が検出されれば、これと同一のラベリング符号を施し、何も検出されなければ新たなラベリング符号を施すようにする。そして、異なるラベリング符号が付されたビットの集合同士は、異なるバンプ存在領域として認識することとなる。
　　　【００９２】
　例えば、図１３（ａ）のように高さレベルデータｚ’が分布し、輝度データＩが同図（ｂ）のように分布したデータ組の場合、輝度閾値ＩＳＨを７に設定することで、バンプ存在領域は（ｃ）に示すような形でビットマップデータ上に現われる（ただし、この図では、各位置のｚ’の値を対応する各ビットに書き込んだ形で表している）。なお、輝度閾値ＩＳＨの値は、例えば図１０に示すように、補正用データ群記憶部９４ｃに格納されたものを適宜読み出して使用する。
　　　【００９３】
　図２６に戻り、次のＳ３０３では、図１６（ａ）に示すように、互いに分離されたバンプ存在領域のうち、適宜に設定された基準面積Ｓ０以上のものを抽出し、これを、個々のバンプ頂面の主要部が存在している領域、すなわちバンプ要部存在領域（図では、ＢＡ１〜ＢＡ３）として識別する。各領域の面積Ｓは、該領域に属するビットの個数により求めることができる。なお、ビット数が、基準面積Ｓ０に対応するビット数よりも小さいある閾値（例えば３ビット）に満たない領域は、ノイズとして除去するようにする（例えば図１６（ａ）のＢＡ５、ＢＡ６）。
　　　【００９４】
　そして、図２６のＳ３０７〜Ｓ３１１では、抽出された各バンプ要部存在領域の幾何学的な重心位置の座標を算出し、これを各バンプの中心Ｇの座標として決定する処理がなされる。具体的には図１５に示すように、各ビットに対応付けられる検査平面上の座標Ｐのｘ座標値及びｙ座標値を、領域内の全てのビットについて合計し、そのｘ座標値の合計（Ｌｘ）と、ｙ座標値の合計（Ｌｙ）とをそれぞれビット総数ＮＴで割ることにより求めることができる。
　　　【００９５】
　なお、図５３に示すように、バンプ要部存在領域に対し、これに外接する四辺形領域を求め、その四辺形領域の対角線交点位置としてバンプ中心Ｇの座標を算出することもできる。この場合、例えばｘ方向の直線をｙ軸に沿って平行移動させ、バンプ要部存在領域と接点を生ずる２直線Ｌｘ１，Ｌｘ２を決定する。次いで、ｙ方向の直線をｘ軸に沿って平行移動させ、バンプ要部存在領域と接点を生ずる２直線Ｌｙ１，Ｌｙ２を決定する。これにより、上記四辺形領域は長方形領域として設定され、その対角線交点座標は、いずれか一方の対角線の中点座標として演算することができる。このようにすることで、各ビットのｘ座標及びｙ座標の加算処理が不要となり、バンプ中心座標の算出処理を簡略化することができるようになる。
　　　【００９６】
　図２６に戻り、各バンプの中心Ｇの座標が算出されるとＳ３１２に進み、バンプ径Ｄの算出処理となる。すなわち、図１７に示すように、中心Ｇからバンプ要部存在領域の周縁までの距離の平均値（本実施例では、等角度間隔で並ぶ８方向の平均値としている）ｒｍを求め、バンプ径Ｄを２ｒｍにより算出する。この処理は、各バンプ要部存在領域のそれぞれに対する処理の形で反復して行われる（図２６：Ｓ３０４〜Ｓ３０６）。こうして決定されたＧの座標及びバンプ径Ｄの値は、図５の検査結果データ記憶部９４ｅ（図１９にその内容の詳細を示す）に記憶される。なお、バンプ径Ｄは、バンプ要部存在領域内のビット数から該バンプ要部存在領域の面積を求め、これと同一面積の円の直径として算出するようにしてもよい。
　　　【００９７】
　ここで、図１６（ａ）において、おおむね正常なバンプであれば、ＢＡ１あるいはＢＡ２のようにバンプ要部存在領域は、バンプ頂面の形状をほぼ反映したものとなる。一方、表面が荒れていたり、欠損が生じていたりすると、ＢＡ３，ＢＡ４のように、同じバンプに由来する２以上のバンプ存在領域が現われることもある。この場合、同図（ｂ）に示すように、基準面積Ｓ０以上のＢＡ３のみがバンプ要部存在領域として識別され、基準面積Ｓ０を下回るＢＡ４は、バンプ中心の設定対象から除外される。これにより、ＢＡ４を別のバンプと誤認するトラブルが回避される。一方、同一バンプに由来するバンプ存在領域が、いずれも基準面積Ｓ０以下の領域に分裂した場合は、該バンプに対応するバンプ要部存在領域は認識されないことになる。しかしながら、このような結果は、もともとバンプ表面状態等が良好でないために生じたのであり、逆にこれを利用して不良バンプの存在を推定することができる。
　　　【００９８】
　図２１にその方法の一例を示している。すなわち、バンプ付基板１の検査面ＣＰに対し、（ｂ）に示すように各バンプの形成位置の許容範囲を規定する位置許容範囲規定ウィンドウＰＷの組を設定する。そして、その設定された各位置許容範囲規定ウィンドウＰＷ内のバンプ存在領域（高輝度領域）ＢＡの面積を求め、その面積がウィンドウＰＷの面積に対して一定比率以下となっているものは、そのウィンドウＰＷ内に不良バンプが存在していると判定することができる。なお、位置許容範囲規定ウィンドウＰＷの組は、バンプ付基板の品種が同一であれば、検査面に対する設定位置も同じとなる。そこで、（ａ）に示すように、ウィンドウＰＷの組をグループ化したウィンドウグループＰＷＧと検査面ＣＰとの位置関係を規定するターゲットマークを、基板１上に形成しておき、検査時にはこのターゲットマークを目印としてウィンドウグループＰＷＧを位置合わせするようにすればよい。
　　　【００９９】
　なお、ターゲットマークに代えて、基板１上の特定バンプの中心（例えば基板１上の４隅のバンプの中心）を目印にウィンドウグループＰＷＧを位置合わせするようにしてもよい。
　　　【０１００】
　以上でバンプデータ解析処理は終了し、図２４のＳ４に進んで検査データ生成処理となる。図２７に示すように、検査データ生成処理は、本実施例では、バンプ高さ演算処理（Ｓ４１０）、バンプ間隔演算処理（Ｓ４２０）、コプラナリティ演算処理（Ｓ４３０）、バックグラウンドうねり値演算処理（Ｓ４４０）、バンプ体積演算処理（Ｓ４５０）の５つのステップからなる。
　　　【０１０１】
　図２８にバンプ高さ演算処理の流れを示す。処理の要部はＳ４１０３〜Ｓ４１１７であり、Ｓ４１０３で、上記決定されたバンプ要部存在領域に対し、Ｇを中心とするバンプ高さ決定ウィンドウ（バンプ高さ決定領域）を、そのバンプ要部存在領域が包含される大きさで設定する。例えば、図１６（ｃ）に示す例では、バンプ高さ決定ウィンドウＨＷを、バンプ要部存在領域の寸法よりも大きい所定半径ｒｗの円として設定している。そして、以下のＳ４１０２〜Ｓ４１０９においては、上記バンプ高さ決定ウィンドウＨＷ内に存在する全てのバンプ存在領域（図１６（ｃ）ではＢＡとＢＡ’）について、各ビットに対応する高さレベルｚ’を加算し、その加算値Ｌｚをビット総数ＮＴで割ることにより、各バンプのバンプ頂面の平均的な高さレベルｚ’ｍ＝Ｌｚ／ＮＴを求める。
　　　【０１０２】
　ここで、基板本体２の板面が理想的な平面に近ければ、該基板本体を高さ基準面に対して平行に配置することで、基板本体２の表面の高さレベル、すなわちバックグラウンド表面の高さレベルはほぼ一定値ＨＳを示すから、算出されたｚ’ｍからこのＨＳを減ずることにより、基板本体２の表面からのバンプの突出高さ（以下、単に「バンプ高さ」と称する場合は、この突出高さを意味するものとする）ｚを、
　ｚ＝ｚ’ｍ−ＨＳ……（３）
にて算出することができる。しかしながら、基板本体がプラスチックで構成されていると、図３４に示すように、内部に形成された金属配線部（図示せず）と高分子材料との熱膨張係数の差により、製造工程での熱履歴等を受けて基板本体２の表面にうねりや反りを生じ、バックグラウンド表面の高さレベルが位置的にばらつくことがある。
　　　【０１０３】
　そこで、図２８の処理の流れでは、Ｓ４１１０〜Ｓ４１１６で、各バンプ周囲におけるバックグラウンド表面の平均的な高さレベル（以下、うねり高さレベルという）Ｔｍを次のようにして算出している。すなわち、図１８に示すように、各バンプ要部存在領域及びその周囲に生ずるシルエット領域の外側に、これらを取り囲むように領域内側限界線を設定し、そのさらに外側に領域外側限界線を設定して、それら限界線の間に挟まれる領域を、バックグラウンド高さ決定領域として設定する（Ｓ４１１０）。本実施例では、領域内側限界線は、バンプ要部存在領域の中心Ｇに対し、同心的に設定される円とされ、領域外側限界線は、対角線交点位置が上記Ｇと一致するように設定される正方形状とされている（ただし、形状はこれらに限られるものではなく、例えば領域外側限界線も円状とすることができる）。
　　　【０１０４】
　そして、バックグラウンド高さ決定領域内の各ビットに対応する高さレベルＴを加算し、その加算値ＬＴをビット総数ＭＴで割ることにより、うねり高さレベルＴｍを、
　Ｔｍ＝ＬＴ／ＭＴ……（４）
により求める（Ｓ４１１２〜Ｓ４１１６）。そして、バンプ高さｚは、Ｓ４１１６で算出されたｚ’ｍから、このＴｍを減ずることにより、
　ｚ＝ｚ’ｍ−Ｔｍ……（５）
で求めることができる（Ｓ４１１７）。なお、上記処理は、各バンプ要部存在領域のそれぞれに対する処理の形で反復して行われる（Ｓ４１００〜Ｓ４１０２）。こうして求められた各バンプの高さｚは、高さレベルｚ’ｍ及びうねり高さレベルＴｍとともに、図５あるいは図１９に示す検査結果データ記憶部９４ｅに記憶される。ここで、後述するコプラナリティを求める処理のために、各バンプ要部存在領域毎のバンプ頂面の高さレベルの平均値ｚ’ｍの値（コプラナリティ決定用高さ）も合わせて記憶しておくようにする。
　　　【０１０５】
　次に、図２０（ｂ）に示すように、基板１上のバンプ３の配列状態（Ｂ１１、Ｂ１２・・・・等）は、前記特定された各バンプ要部存在領域の中心Ｇによって特定することができる。図２９は、バンプ間隔演算処理の流れを示すものである。該処理の要部はＳ４２０３〜Ｓ４２０５であり、Ｓ４２０３で現在着目しているバンプの中心Ｇの座標を読み込む。次いで、Ｓ４２０４で、図２０（ｂ）に示すように、そのバンプ中心をＧ０として、これに近接する４つのバンプの中心座標Ｇ１〜Ｇ４を読み込む。そして、Ｓ４２０５で、近接する各バンプとの間の間隔を、その中心間距離として算出する（Ｋ１〜Ｋ４）。こうして求められた各バンプ（あるいはバンプ要部存在領域）毎のバンプ間隔Ｋ１〜Ｋ４は、図５あるいは図１９に示す検査結果データ記憶部９４ｅに記憶される。なお、上記処理は、各バンプ要部存在領域のそれぞれに対する処理の形で反復して行われる（Ｓ４２００〜Ｓ４２０２）。
　　　【０１０６】
　図３０は、コプラナリティ演算処理の流れを示している。この処理では、Ｓ４３０１〜Ｓ４３１０において、各バンプ要部存在領域のバンプ高さレベル平均値ｚ’ｍを逐次的に比較することによって、その最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを求め、Ｓ４３１１でコプラナリティＣを両者の差ＭＡＸ−ＭＩＮの値として算出する。この値は、図５あるいは図１９に示す検査結果データ記憶部９４ｅに記憶される。
　　　【０１０７】
　なお、コプラナリティＣとして次のような値を算出するようにしてもよい。例えば、図５４（ａ）に示すように、各バンプ３の頂点位置に対応する最小二乗平面を頂点基準面Ｐ０とし、その頂点基準面Ｐ０と平行でかつ高さ最大のバンプ３の頂点を通る平面をＰｍａｘ、同じく高さ最小のバンプ３の頂点を通る平面をＰｍｉｎとしたときのＰｍａｘとＰｍｉｎとの面間距離をコプラナリティＣとする。なお、頂点位置の座標は、バンプ頂面内にて高さレベルが最高となる位置の３次元座標（ｘ，ｙ，ｚ）を用いてもよいし、例えばバンプ中心Ｇの位置座標を（ｘｐ，ｙｐ）と、前記算出されたバンプ頂面の高さレベルｚ’の平均値ｚ’ｍとを組み合わせて、（ｘｐ，ｙｐ，ｚ’ｍ）を用いるようにしてもよい。
　　　【０１０８】
　他方、図５４（ｂ）に示すように、バンプの高さレベルの順位において、最も高さの大きいものから順に３つのものＭＡＸ１，ＭＡＸ２，ＭＡＸ３を抽出し、その３つのバンプの頂点が定める平面Ｐｍａｘから、最も高さの小さいもの（ＭＩＮ）の頂点までの距離（あるいはその頂点を通ってＰｍａｘと平行な平面をＰｍｉｎとしたときの、ＰｍａｘとＰｍｉｎとの面間距離）をコプラナリティＣとすることもできる。また、この逆に、バンプの高さレベルの順位において、最も高さの小さいものから順に３つのものＭＩＮ１，ＭＩＮ２，ＭＩＮ３を抽出し、その３つのバンプの頂点が定める平面Ｐｍｉｎから、最も高さの大きいもの（ＭＡＸ）の頂点までの距離（あるいはその頂点を通ってＰｍｉｎと平行な平面をＰｍａｘとしたときの、ＰｍａｘとＰｍｉｎとの面間距離）をコプラナリティＣとすることもできる。
　　　【０１０９】
　なお、コプラナリティＣを算出するに当たっては、基板１上の全てのバンプ３の高さを用いて算出してもよいし、演算を簡略化するために、一部のバンプ３の高さのみを用いて演算を行うようにしてもよい。
　　　【０１１０】
　また、図３１は、バックグラウンドうねり値演算処理の流れを示している。この処理では、検査面のバックグラウンド表面に予め定められた複数のうねりサンプリング位置を定めておき、その各サンプリング位置に対応するうねり高さレベルＴｍを読み出すとともに、その読み出されたうねり高さレベルＴｍを用いてうねり値ＴＡ（表面うねり情報）の演算を行う。ここでは、一例として、サンプリング位置の数をＮａとし、サンプリングしたうねり高さレベルを逐次的に比較することによって、その最大値ＬＴＭＡＸと最小値ＬＴＭＩＮを求め、Ｓ４４０８でうねり値ＴＡを両者の差ＬＴＭＡＸ−ＬＴＭＩＮの値として算出する（Ｓ４４００〜Ｓ４４０８）。ＴＡが大きいほど、基板本体２（あるいは検査面ＣＰ）のうねりやそりの度合いが大きいことを意味する。
　　　【０１１１】
　なお、うねり値ＴＡとして次のような値を算出するようにしてもよい。例えば、各サンプリング位置に対応する最小二乗平面を基準面ＬＰ０とし、その基準面ＬＰ０と平行でかつ高さ最大のサンプリング位置を通る平面をＬＰｍａｘ、同じく高さ最小のサンプリング位置を通る平面をＬＰｍｉｎとしたときのＬＰｍａｘとＬＰｍｉｎの面間距離をうねり値ＴＡとする。
　　　【０１１２】
　他方、サンプリング位置のレベルの順位において、最も高さの大きいものから順に３つのものＬＰＭＡＸ１、ＬＰＭＡＸ２、ＬＰＭＡＸ３を抽出し、その３つのサンプリング位置が定める平面ＬＰｍａｘから、最も高さの小さいもの（ＭＩＮ）の頂点までの距離をうねり値ＴＡとすることもできる。
　　　【０１１３】
　さらに、サンプリングしたうねり高さレベルＴｍの和としてうねり値ＴＡを算出してもよい。例えば、図２２に示すように、検査面ＣＰ上の４隅のバンプＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応してサンプリング位置を設定しておき、各周囲領域にて求めたうねり高さレベルＴｍＡ、ＴｍＢ、ＴｍＣ、ＴｍＤを平均した値としてうねり値ＴＡを算出してもよい。
　　　【０１１４】
　また、うねり値は、例えば下記数１で表される中心線平均うねりとして算出してもよい。ただし、サンプリング位置数はＮａであり、そのうちのｉ番目のサンプリング位置に対応するうねり高さレベルをＴｍｉで表している。
　　　【０１１５】
　　【数１】
　　　【０１１６】
　続いて、図３２は、バンプ体積演算処理の流れを示している。まずＳ４５０１で、先に算出したバンプ径Ｄの値を読み出し、これをバンプ頂面径Ｄｕとする。次に、図３５（ａ）に示すように、バンプ存在領域の周囲に形成されるシルエット領域を特定する。図８に示すように、このシルエット領域ＳＡは、バンクグラウンド表面ＳＡの反射光レベルよりも低く設定された所定の閾値ＩＳＨ２よりも反射光輝度が低くなる領域として、各バンプ毎に特定することができる。
　　　【０１１７】
　そして、図３５（ｂ）に示すように、その特定されたシルエット領域ＳＡの外側外形線に対し、検査光の入射方向と直交する向きにおける最大寸法Ｄｋｍａｘを算出する（図３２：Ｓ４５０２）。また、図６に示すように、基板本体２上においてバンプ３の底面３ｂの周囲には円環状の溝６（幅Ｗ）が形成されており、図３５（ｂ）に示すように、シルエット領域はこの溝の部分を取り込んだ形で表れる。そこで、図３２のＳ４５０３では、図３５（ｂ）に示すように、上記最大寸法Ｄｋｍａｘから溝幅Ｗを減じた値Ｄｋｍａｘ−Ｗを、バンプ底面径ＤＢとして求める。そして、Ｓ４５０４に進み、図３６に示すようにバンプ体積Ｖを、頂面の直径がＤｕ、底面の直径がＤＢの円錐台で近似して、次の数２により算出する。
　　　【０１１８】
　　【数２】
　　　【０１１９】
　このＶの値は、図５あるいは図１９に示す検査結果データ記憶部９４ｅに記憶される。
　　　【０１２０】
　図２４に戻り、以上でＳ４の検査データ生成処理は終了する。この状態における検査データ記憶部９４ｅの記憶内容は図１９に示す通りである。まず、品番はワークの種類を特定するためのものであり、検査品Ｎｏは検査された複数のワーク（検査品）を個々に特定するためのものである。いずれも、例えば入力部１００（図５）等から、処理に先立って入力されるものである。そして、各バンプ（あるいはバンプ要部存在領域）毎に、得られた検査データＤＢ１１、ＤＢ１２・・・・等が記憶されている。各検査データは、バンプ中心Ｇの座標、バンプ径Ｄ、バンプ高さｚ、バンプ面積（バンプ要部存在領域の面積である）Ｓ、バンプ間隔Ｋ１〜Ｋ４、バンプ体積Ｖを含んでいる。また、基板１上のバンプ配列に対して算出されたコプラナリティＣの値と、前述のうねり値ＴＡも記憶されている。
　　　【０１２１】
　そして、図２４においてはＳ５の判定／結果出力処理に進む。図３３にその流れを示している。まず、図５及び図９の検査標準データ記憶部９４ｄには、判定対象となる各検査パラメータ（ここでは、Ｄ、Ｚ、Ｓ、Ｋ１〜Ｋ４、Ｖ、Ｃ、ＴＡ）の合格範囲のデータが、基板１の品番毎に記憶されているので、対応する品番のものを読み出す。そして、図３３のＳ５０１〜Ｓ５０９の処理では、ワークの全てのバンプについて、上記得られた検査パラメータのうちＤ、Ｚ、Ｓ、Ｋ１〜Ｋ４、Ｖの各値が、合格範囲に入っていれば良バンプと判定し（Ｓ５０８）、入っていなければ不良バンプとして判定する（Ｓ５０９）。この判定結果は、図１９の検査結果データ記憶部９４ｅに、各バンプのデータと対応付けた形で記憶してゆく（図では、良を○、不良を×で表している）。また、Ｓ５０９では、不良バンプの検出個数を不良バンプカウンタＮＤにより計数し、これも同様に検査データ記憶部９４ｅに記憶する。この不良バンプの個数が所定数（本実施例では、例えば１としている）以上となったものを不可（×）、該所定数未満のものを可（○）と判定する。
　　　【０１２２】
　こうして、全てのバンプについて判定が終了すればＳ５０３からＳ５１０に進んでコプラナリティの判定が行われる。すなわち、そのワークについて測定されたコプラナリティＣの値が、許容値Ｃｍａｘを超えている場合は不可（×）、超えていない場合は可（○）と判定し、結果を検査結果データ記憶部９４ｅに記憶する。また、Ｓ５１２ではうねり値の判定が行われる。すなわち、測定されたうねり値ＴＡが、許容値ＴＡｍａｘを超えている場合は不可（×）、超えていない場合は可（○）と判定し、結果を検査結果データ記憶部９４ｅに記憶する。そして、Ｓ５１４に進み、総合判定となる。ここでは、不良バンプの個数判定、コプラナリティ判定及びうねり値判定が、いずれも可となっているものを総合判定合格（○）、一つでも不可となっているものを不合格と判定している。この結果も検査結果データ記憶部９４ｅに記憶する。以上の結果は、検査結果データ記憶部９４ｅの記憶内容に基づき、例えば図５のモニタ９８あるいはプリンタ１０２から出力することができる（Ｓ５１７）。以上で、判定／結果出力処理が終了する。このような図２４のＳ１〜Ｓ７の各処理が、検査を行った各ワークに順次行われ、全てのワークについての処理が完了すれば、データ解析／検査判定処理は終了となる。
　　　【０１２３】
　さて、以下においては、検査結果の表示出力形態の実施例について、図３８〜図４１の説明図と、図４６〜図５０のフローチャートにより説明する。まず、この表示は、図５のブロック図において、モニタ９８上にてなされる。そして、その表示制御は、記憶装置９４の記憶部９４ｆに記憶された表示制御プログラムに基づき、ＣＰＵ８６がモニタ制御部９６を介して行う。なお、モニタ９８は、請求項でいう高さ値分布表示手段、個別バンプマッピング画像拡大表示手段、検査情報内容表示手段、位置別検出情報表示手段及びワーク配列表示手段として機能する。また、ＣＰＵ８６は、バンプ良否判定手段、不良バンプ位置表示制御手段、不良バンプ存在領域拡大表示手段、ワーク良否判定手段、不良ワーク表示制御手段、測定系作動制御手段として機能する。さらに、マウス１００ｂ（ポインティングデバイス）はＣＰＵ８６とともに、不良バンプ存在領域選択手段及び個別バンプ選択領域設定手段の役割を果たす。
　　　【０１２４】
　図４６は、検査結果表示処理の流れを示すフローチャートである。まず、そのＰ１０にて、図３９に示すようにモニタ９８の画面上に、判定結果表示ウィンドウ３００と高さ分布値表示ウィンドウ３０１とを表示する。前者はワーク配列表示手段の役割を、後者は高さ値分布表示手段の役割をそれぞれ果たす。まず、判定結果表示ウィンドウ３００は、図３７に示すワークホルダ３８上の各凹所３８ａ（すなわちワーク１）に一対一に対応する個別ワーク表示部としての表示セル３００ａが、対応する配列形態にて碁盤目状に形成されたものである。
　　　【０１２５】
　図４７は、判定結果表示処理の詳細を示すフローチャートである。まず、Ｐ１０１において、判定結果表示ウィンドウ３００内の表示セル３００ａのうち、現在処理の対象となっているワーク（以下、カレントワークという）に対応するものを選択する。本実施例では、カレントワークに対する判定結果が判明していない場合には、図３９（ａ）に示すように、その選択した表示セル内にマーカー３００ｂを表示して、カレントワークの位置が識別できるようにしている。
　　　【０１２６】
　そして、図４７のＰ１０２に進み、判定結果が出ていれば、これを図１９の検査結果データ記憶部９４ｅから読み出す。そして、総合判定が可（○）になっていればＰ１０６に進んで、その表示セルの表示状態を「良品」表示状態とする（図３９（ａ）では、Ｇで示した表示状態：例えば明るい緑色で塗りつぶす）。他方、総合判定が不可（×）の場合はＰ１０４に進み、測定系制御部５１（図５）に対し検査中断指令を送信する。
　　　【０１２７】
　これを受けた測定系制御部５１側の処理は、図２３の処理のＤ４０及びＤ５０を、図５２のＤ４０〜Ｄ５４と置き換えた形で実行される。すなわち、Ｄ５１で検査中断指令を受けると、Ｄ４０のポリゴンミラー駆動及び光走査のためのｘ−ｙテーブル４０のｙ駆動と、Ｄ５０のデータ取込み／転送処理とを、現在測定中のワークに対する処理が終了するまでは続行し、Ｄ５３に進んで待機となる。そして、Ｄ５４で検査再開指令を受けるまでは、この中断状態を維持するようにする。なお、Ｄ５１で検査中断指令を受けなかった場合は、Ｄ５２〜５４がスキップされ、図２３のＤ６０以降の処理に進む。
　　　【０１２８】
　図４７に戻り、Ｐ１０５では、総合判定不可の理由が不良バンプ発生によるものであるかどうかを検査結果データ記憶部９４ｅ内の判定結果データにて確認する。そして、不良バンプ発生によるものであれば、Ｐ１０７に進んで、その表示セル３００ａの表示状態を「バンプ不良」表示状態とする（図３９（ａ）では、ＦＢで示した表示状態：例えば赤枠で囲んだ状態とする）。他方、不良バンプ発生ではなく、コプラナリティあるいはバックグラウンド（基板本体表面）のうねり値の不良であれば、Ｐ１０８に進んでその表示セル３００ａの表示状態を「コプラナリティ／うねり不良」表示状態とする（図３９（ａ）では、ＦＣで示した表示状態：例えば青色と赤色の二重枠を表示する）。
　　　【０１２９】
　次いで、図４８の高さ分布表示処理となる。まず、表示対象となるワークの補正済高さレベル値データｚ’（図１２（ｂ））を、データアドレスの形で記述された位置データとのデータ組の形で順次読み出す（Ｐ２０６）。そして、高さ分布値表示ウィンドウ３０１内の画素のうち、読み出したデータ組のデータアドレスに対応する画素を選択し（Ｐ２０７）、例えばモニタ９８がカラーモニタであって、カラー表示モードに設定されている場合は、その画素の色を決定する（Ｐ２０８）。ただし、グレースケールの濃淡表示としてもよく、この場合は画素の濃度を決定することとなる。以下、カラー表示の場合を例にとって説明する。
　　　【０１３０】
　図４９は、画素色決定処理の流れを示すものである。すなわち、高さレベル値の範囲は、図３８に示すように、複数の閾レベル群Ｓｚ１，Ｓｚ２，・・・・Ｓｚｎの設定（Ｐ２００２）により区切られており、各隣接する閾レベル間の高さレベル値範囲に、互いに異なる色彩（濃度）Ｃ１，Ｃ２，・・・・Ｃｎが割り当てられている。そして、Ｐ２００１にて高さレベル値ｚ’の値を読み出すとともに、その値を各閾レベルと順次比較することにより、該当する高さレベル値範囲を見い出し、対応する色を選択する（以上、Ｐ２００３〜Ｐ２００６）。
　　　【０１３１】
　そして、図４８に戻り、その画素を決定された色による表示状態とする（Ｐ２０９）。この処理を、順次読み出されるデータ組に対して繰り返すことにより、図３９（ａ）あるいは図４０（ａ）に示すように、高さ分布値表示ウィンドウ３０１内には、検査面内の各位置の高さレベル分布が、カラーによりマッピング表示されることとなる。なお、図４０（ａ）では、高さ分布値表示ウィンドウ３０１内には、検査面ＣＰのほぼ全体が表示される程度の倍率にてそのマッピング画像が表示される。
　　　【０１３２】
　そして、Ｐ２１０に進み、それが不良ワーク（バンプ不良又はコプラナリティ／うねり値不良）であれば、Ｐ２１１に進んで不良バンプの表示モードとなる。他方、良品ワークであれば、Ｐ２１２に進んでそのマッピング画像の表示状態を所定時間継続する処理となる。この場合、図４７にて、検査中断指令を出すＰ１０４がスキップされているので、そのまま測定処理が続行され、次の対象ワークが存在すれば図４６にてＰ５０からＰ６０を経てＰ７０に進み、高さ分布値表示ウィンドウ３０１内の表示がクリアされてＰ３０に返り、以下の処理が繰り返される。
　　　【０１３３】
　他方、Ｐ２１１の不良表示処理となった場合は、測定系１０に対して測定処理を中断させた状態で、図５０に示す種々の画像操作を行うことが可能となる。まずＰ３００１にて、対応するワークの検査結果データを検査結果データ記憶部９４ｅ（図１９）から読み出し、Ｐ３００２で不良バンプの位置を確認する。そして、Ｐ３００３に進み、図３９（ａ）及び図４０（ａ）に示すように、高さ分布値表示ウィンドウ３０１に表示されているマッピング画像上で、不良バンプ位置を含む一定面積の領域を方形のマーカーＭ１にて囲み、該不良バンプの位置を表示する。この本実施例では、２箇所の不良バンプを生じており、各マーカーＭ１で囲まれた領域は拡大指定領域に相当するものとなる（なお、枠状のマーカーで囲む代わりに（あるいは囲むとともに）、領域内の表示色を反転させるなど、表示状態を変更するようにしてもよい）。他方、マウス１００ｂ（図５）の操作により画面上を移動可能なポインタＰも、該高さ分布値表示ウィンドウ３０１内に表示されている。
　　　【０１３４】
　次いで、ある不良バンプを拡大表示させる場合は、そのバンプの位置を示すマーカーＭ１内にポインタＰの指示位置を合わせ、図示しないマウスボタンのクリック等により選択コマンドを実行する（Ｐ３００４）。すると、Ｐ３００５に進み、図４０（ｂ）に示すように、モニタ９８の画面がクリアされて、図４０（ｂ）の画面に切り替わる。該画面には、第一ウィンドウ３０３、第二ウィンドウ３０４及び第三ウィンドウ３０５の３つのウィンドウが表示されている。
　　　【０１３５】
　このうち、第一ウインドウ３０３内には、先の画面（図４０（ａ））にてマーカーＭ１で囲まれていた領域（拡大指定領域）を、例えば該ウィンドウ３０３の表示領域をほぼ一杯に使う形で拡大表示し、さらに不良バンプの領域をマーカーＭ２で囲って表示する（Ｐ３００５）。該マーカーＭ２で囲まれた領域は個別バンプ選択領域に相当するものとなる。他方、第二ウィンドウ３０４内には、そのマーカーＭ２で囲まれた領域のマッピング画像、ひいては該領域内のバンプのマッピング画像を、該ウィンドウ３０４の表示領域をほぼ一杯に使う形で拡大表示する（Ｐ３００６）。そして、第三ウィンドウ３０５内には、その拡大表示されたマッピング画像が示すバンプの検査結果のデータが、検査結果データ記憶部９４ｅ（図１９）から読み出され、例えば前述のＤ、Ｚ、Ｓ、Ｋ１〜Ｋ４、Ｖ、Ｃ及びＴＡ等の値が個別に数値表示される（Ｐ３００７：なお、判定結果も合わせて表示するようにしてもよい）。
　　　【０１３６】
　例えば第二ウィンドウ３０４を例にとって説明すれば、検査面上の各位置の高さレベルは、ウィンドウ内の各画素の色又は濃度によって知ることができ、例えばバンプ頂面に対応する領域は、正常なバンプであれば領域内の高さレベルの変動もそう大きくはならないので、ほぼ同じ色の表示領域で表れることとなる。また、そのバンプ頂面領域の周囲には、前述の通り高さレベル値のデータが欠損したシルエット領域が形成される（これは、本実施例では高さレベルがほぼゼロの領域として表わされている）。そして、その外側には、バンプ頂面よりも高さレベルの低いバックグラウンド領域が、バンプ頂面とは異なる色彩で表れる。このように、マッピング画面上の色分布から、バンプの存在領域と、バックグラウンド領域とを容易に判別することができる。
　　　【０１３７】
　また、バンプ頂面の高さレベルが高すぎたり低すぎたりする場合は、そのバンプの頂面領域は、他の正常なバンプの頂面領域とは異なる色彩で表れるので、これを容易に判別することができる。他方、バンプ頂面領域（あるいはバンプ要部存在領域）の面積、すなわちバンプ径に異常が生じた場合は、マッピング画面上にて上記バンプ頂面領域が、正常なものとは異なる面積で表れるので、これを容易に判別することができる。さらに、バンプ頂面に傷等による異常が発生した場合、その異常部では検査光の乱反射により高さレベル値のデータが欠損してシルエット領域と同系の色彩で表れるので、これも容易に判別することができる。
　　　【０１３８】
　さらに、高さレベル値は、基板本体表面、すなわちバックグラウンド領域についてもマッピング表示されるので、例えば図４０（ａ）に示す低倍率の高さ分布値表示ウィンドウ３０１による表示状態では、基板本体表面のやや巨視的な反りやうねりも、その色彩の相違から容易に識別可能となる。このように、各位置の高さレベル値がカラーマッピング表示されることで、各バンプの形成状態や基板本体表面の起伏に関する情報を極めて直感的に把握することができるようになるのである。
　　　【０１３９】
　なお、図４０においては、ｙ方向のデータサンプリング距離をｘ方向のそれよりも大きくして、取り込むデータ組の数を削減する一方、画面上の表示はデータサンプリング間隔が密なｘ方向と同じく疎なｙ方向とで、画面上の単位長さ当りの表示画素数を同じに設定しているため、各バンプに対応するシルエット領域及びバンプ頂面の存在領域は、ｙ方向に縮んだ楕円状に表れている。ただし、ｙ方向の表示倍率を拡大することにより、これを本来のバンプ平面形状である円状の表示形態とすることも可能である。
　　　【０１４０】
　なお、本実施例では、図４０（ｂ）に示すように、第一ウィンドウ３０３及び第二ウィンドウ３０４のそれぞれに対し、ウィンドウ内のマッピング画像のスクロールを可能とするために、ポインタＰを媒介としてマウスクリックにより操作するスクロールボタン３０３ａ，３０３ｂ及び３０４ａ，３０４ｂが設けられ、不良バンプ周囲の状態を参照するための便宜が図られている。さらに、マッピング画像上の各領域の表示色と高さレベルとの関係を示す高さスケール３０７も表示されている。
　　　【０１４１】
　また、図４１に示すように、第一ウィンドウ３０３内のマーカーＭ２は、マウス１００ｂ（図５）によるドロー操作により、マッピング画像上の任意のバンプ領域を囲む位置に移動できるようになっている。該ドロー操作は公知のものであるが、例えば次のような処理により行うことができる。まず、ポインタＰの指示位置をマウス操作によりマーカーＭ２内に位置合わせし、その状態で図示しないマウスボタンを押すことによりマーカーＭ２を選択した状態とする。そして、マウスボタンを押圧した状態でマウスを移動させることにより、ポインタＰとともにマーカーＭ２もこれに追従して移動するように画像表示処理を行う。そして、所望のバンプ領域にマーカーＭ２が移動したところで、マウスボタンの押圧を解除することにより、当該位置にマーカーＭ２が位置決め確定されるように処理を行う。
　　　【０１４２】
　そして、マーカーＭ２が移動するに伴い、第二ウィンドウ３０４内には、その移動後のマーカーＭ２が示す領域の拡大マッピング画像が表示されるように処理される。これにより、第一ウィンドウ３０３内の所望の領域（すなわち、所望のバンプ）のマッピング画像を、拡大表示することができるようになる。
　　　【０１４３】
　また、第二ウィンドウ３０４（個別バンプ選択領域）内の拡大画像では、図４１（ｂ）に示すように、各データ組に対応する画素を、ポインタＰにより個別に選択することができるようになっている。この選択は、例えばポインタＰの指示位置を所望の画素位置に合わせ、マウスクリックを行うことにより実行できる。そして、この操作により、第三ウィンドウ３０５内には、その画素に対応する高さ値ｚ’と反射光輝度Ｉの数値が、補正済データ記憶部９４ｂ（図５、あるいは図１２（ｂ））から読み出されて表示される（図５０：Ｐ３００９〜Ｐ３０１１）。
　　　【０１４４】
　なお、図４０（ｂ）に示すモニタ９８の画面上には、マウスクリック等により操作する前画面選択ボタン３０６が形成されている。これを操作すると、前画面コマンドが実行され、いつでも図４０（ａ）に示す画面に戻ることができる（図５０：Ｐ３００８、Ｐ３０１２）。また、各画面には検査再開ボタン３０２が形成されており、これをマウスクリックにより操作すると検査再開コマンドが実行され（図５０：Ｐ３０１３〜Ｐ３０１５）、さらにＰ３０１６で検査再開指令が測定系制御部５１に送信されて図５０の不良表示処理は終了となる。同時に、図４８の高さ分布表示処理も終了となり、図４６のＰ５０に戻る。以降の処理は、正常ワークの場合の処理と同じとなる。なお、測定系制御部５１では、図５２のＤ５４で検査再開指令を受けることによってＤ５３の処理中断／待機状態が解かれ、以降の処理が再開される。
　　　【０１４５】
　そして、ワークホルダ３８上の各ワーク１に対しては、図２４のデータ解析／検査判定処理が終了したものから順に、以上詳述した図４６の判定結果表示処理（Ｐ３０）及び（Ｐ４０）が行われ、そのワークホルダの全てのワーク１について処理が完了すれば終了となる。なお、不良ワーク検出時に測定系１０の作動を中断させずに続行させ、不良発生の警告出力のみを行うようにしてもよい。例えば図３９（ｂ）に示すように、高さ分布値表示ウィンドウ３０１内の表示をクリアして、代わりに不良品発生のメッセージ（ＮＧ）等を表示することができる。また、図示しないスピーカ等から警報音を出力させるようにしてもよい。この場合、図５０の不良表示処理は、検査終了後に、所望のワークの高さレベル値と位置データとの組（図１２（ｂ））、及び検査結果データ（図１９）を読み出す形で実行することができる。
　　　【０１４６】
　さて、検査完了後のワークホルダ３８はｘ−ｙテーブル４０（図４）から取り外され、図４２に示す選別ユニット４００に装着される。この選別ユニット４００は、上面にワークホルダ３８が着脱可能に装着される光源ボックス４０２と、その光源ボックス４０２に対し支柱４０３とアーム４０６とを用いて取り付けられ、ワークホルダ３８を上方から撮影するワーク検出手段としてのＣＣＤカメラ４０１等を備えている。
　　　【０１４７】
　図４３は、光源ボックス４０２の内部構造を示しており、上面側に開口部４０３ｂが形成されたボックス本体４０３と、その内部に配置された蛍光ランプ等の光源４０４が配置されている。ワークホルダ３８はボックス本体４０３の上面に対し、各ワーク１の配置領域が開口部４０３ｂの内側に位置するよう、前述の係合孔３８ｄを該ボックス本体４０３側に形成された係合凸部４０３ａに係合させる形で、これに位置決め装着される。なお、ボックス本体４０３の上面所定位置には、近接スイッチ等で構成されたワークホルダ方向検知センサ４０５が設けられている。他方、例えばプラスチック製のワークホルダ３８の下面側所定位置には、金属製の被検知片３８ｓが取り付けられている。そして、ワークホルダ３８が正しい方向でボックス本体４０３上に取り付けられた場合にのみ、被検知片３８ｓがワークホルダ方向検知センサ４０５により検出され、該ワークホルダ３８の取付方向が正しいか否かが検出されるようになっている。
　　　【０１４８】
　図４４は、選別ユニット４００の電気的構成の一例を示すブロック図である。その制御部４５０は、Ｉ／Ｏポート４４９と、これに接続されたＣＰＵ４５１、ＲＡＭ４５２及びＲＯＭ４５３とを主体に構成されている。そのＩ／Ｏポート４４９には、センサ出力制御部４１１、カメラ出力制御部４１２、モニタ制御部４１３、Ｄ／Ａ変換器４１４、ハードディスク装置等の記憶装置４５４、データ解析部８１のコンピュータ８２及び測定制御部５１の中央制御ユニット５２が接続されている。そして、センサ出力制御部４１１には前述のワークホルダ方向検知センサ４０５が、カメラ出力制御部４１２には前述のＣＣＤカメラ４０１が、モニタ制御部４１３にはワーク良／不良判定結果表示手段としてのモニタ４１０が、Ｄ／Ａ変換器４１４にはアンプ４１５を介して警告出力手段としてのスピーカ４１６がそれぞれつながれる。なお、ＣＰＵ４５１は、記憶装置４５４に記憶された制御プログラム４５４ａに基づき、測定系作動制御手段として機能する。さらに、Ｉ／Ｏポート４４９は判定結果出力手段として機能する。
　　　【０１４９】
　以下、選別ユニット４００の作動について図５１のフローチャートを用いて説明する。まず、Ｑ１０１において、装着しようとするワークホルダ３８の各ワーク１に対応する検査判定結果を、データ解析部８１のコンピュータ８２から受信する。また、Ｑ１０２〜Ｑ１０３では、ワークホルダ３８の装着方向を、ワークホルダ方向検知センサ４０５の検出出力をもとに判別し、方向が誤っている場合には、スピーカ４１６から警報音を出力させる。
　　　【０１５０】
　次いで、Ｑ１０５では、図４５（ａ）に示すように、受信した検査判定結果に基づきモニタ４１０上に判定結果表示ウィンドウ４６０を、図３９等に既に示した判定結果表示ウィンドウ３００とほぼ同様の形態で表示する。これにより、不良ワークのワークホルダ３８上の位置が確認できるようになる。同時に、Ｑ１０６では、仮に測定系１０のｘ−ｙテーブル４０に新たなワークホルダが装着されていても、それに対する測定を行ったところで処理が中断されるよう（あるいはそれに対する測定作動がなされないよう）、測定系制御部５１の中央制御ユニット５２に作動中断指令（あるいは作動禁止指令）を送信しておく。
　　　【０１５１】
　そして、作業者は、モニタ４１０上の判定結果表示ウィンドウ４６０を見ながら、図４５（ｂ）に示すように、手作業により不良ワークをワークホルダ３８から取り外してゆく。すると、図４３に示すように、ワークの取り外された凹所３８ａでは光源４０４からの光が貫通孔３８ａを通って上面側に漏洩し、これがＣＣＤカメラ４０１（図４２）により検出される。ここで、ワークホルダ３８上の各ワーク１のうち、どれが不良であるかは既に判明しているから、全ての不良ワークが誤りなく取り外されたかどうかは、この漏洩光が全ての不良ワークに対応する位置にて検出されているか否かと、同時に全ての正常ワークに対応する位置にて検出されていないか否かとを確認することにより判別できる。
　　　【０１５２】
　図５１の処理では、各ワーク装着位置における漏洩光の検出の有無を順次チェックするとともに、漏洩光の検出状態に矛盾が生じていれば、ＲＡＭ４５２内に形成された選別ミスフラグ４５２ａをオンとする。そして、この処理を、漏洩光検出状態の矛盾が解消されるまで、すなわち全てのワーク装着位置でのチェックが終了した時点で選別ミスフラグ４５２ａがオフとなった状態が得られるまで繰り返す（Ｑ１０８〜Ｑ１１６）。そして、該状態が得られればＱ１１７に進んで選別終了を通知し、測定系制御部５１の中央制御ユニット５２に作動許可指令を送信して、処理を終了する。これにより、測定系１０では次のロットのワーク検査を開始できるようになる。他方、Ｑ１１６で選別ミスフラグ４５２ａがオンになっているにもかかわらず、ワークホルダ方向検知センサ４０５の検出状態がワークホルダ非検知状態となった場合（すなわちワークホルダ３８が選別ユニット４００から取り外された場合）はＱ１１９に進み、スピーカ４１３からの警報音出力等により選別ミスを警告する。
　　　【０１５３】
　なお、以上においては、本発明をフリップチップ基板の検査に適用した例について説明したが、バンプを有する基板であれば、ＢＧＡ基板等、他の種類の基板についても本発明を適用できることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の検査装置の検査対象となるバンプ付基板の一例を示す斜視図。
　　【図２】
　本発明の検査装置における測定系の要部の構成を模式的に示す図。
　　【図３】
　その具体的な構成例を示す側面図及び背面図。
　　【図４】
　ｘ−ｙテーブルの平面模式図。
　　【図５】
　本発明の検査装置の制御系の構成を示すブロック図。
　　【図６】
　レーザー光による高さ検出原理を示す説明図。
　　【図７】
　補正量の説明図。
　　【図８】
　バンプを横切るようにレーザ光を走査することにより得られる高さレベル及び輝度のプロファイル。
　　【図９】
　検査標準データ記憶部のデータ内容を示す説明図。
　　【図１０】
　補正用データ群記憶部のデータ内容を示す説明図。
　　【図１１】
　走査面に対するレーザ光の照射位置のずれ及び計測誤差の説明図。
　　【図１２】
　受信データ格納ＲＡＭの内容を示す説明図、及び補正済データ記憶部の内容を示す説明図。
　　【図１３】
　バンプ存在領域をビットマップデータ上に表した状態の一例を示す説明図。
　　【図１４】
　バンプの存在領域をビットマップデータ上で特定する場合の一例を示す説明図。
　　【図１５】
　各バンプの中心の座標を求める説明図。
　　【図１６】
　バンプ要部存在領域を識別する際の説明図。
　　【図１７】
　バンプ要部存在領域の中心から周縁までの距離の平均値及びバンプ径を求める説明図。
　　【図１８】
　バックグラウンド高さ決定領域の概念図。
　　【図１９】
　検査結果データ記憶部の内容の一例を示す説明図。
　　【図２０】
　コプラナリティの説明図及びバンプの配列状態を特定する処理の説明図。
　　【図２１】
　不良バンプの存在を推定する方法の一例を示す説明図。
　　【図２２】
　うねり値算出の一例を示す説明図。
　　【図２３】
　測定系駆動部における制御処理の流れを示すフローチャート。
　　【図２４】
　データ解析／判定処理の流れを示すフローチャート。
　　【図２５】
　その位置データ解析処理の詳細を示すフローチャート。
　　【図２６】
　図２４のバンプデータ解析処置の詳細を示すフローチャート。
　　【図２７】
　同じく検査データ生成処置の詳細を示すフローチャート。
　　【図２８】
　そのバンプ高さ演算処置の詳細を示すフローチャート。
　　【図２９】
　同じくバンプ間隔演算処理の詳細を示すフローチャート。
　　【図３０】
　同じくコプラナリティ演算処理の詳細を示すフローチャート。
　　【図３１】
　バックグラウンドうねり値演算処理の詳細を示すフローチャート。
　　【図３２】
　バンプ体積演算処理の詳細を示すフローチャート。
　　【図３３】
　図２４の判定／結果出力処理の詳細を示すフローチャート。
　　【図３４】
　基板本体の高さレベルがバンプ高さの測定に及ぼす影響を説明する図。
　　【図３５】
　シルエット領域の説明図。
　　【図３６】
　円錐台近似によりバンプ体積を算出する概念を説明する説明図。
　　【図３７】
　ワークホルダの一実施例を、ワーク装着状態にて示す平面図及び横断面図。
　　【図３８】
　高さ値範囲に設定する閾レベルと、画素の設定色との関係を示す説明図。
　　【図３９】
　判定結果表示ウィンドウと高さ値分布表示ウィンドウとの表示形態の一例を示す説明図。
　　【図４０】
　高さ値分布表示ウィンドウ上での拡大指定操作と、マッピング画像の拡大表示の一例を示す説明図。
　　【図４１】
　拡大表示領域の移動操作と、マッピング画像上での画素クリックによるデータ表示の一例を示す説明図。
　　【図４２】
　選別ユニットの一例を示す側面模式図。
　　【図４３】
　その光源ボックスの内部構造を作用とともに示す断面図。
　　【図４４】
　選別ユニットの電気的構成の一例を示すブロック図。
　　【図４５】
　選別ユニットのモニタヘのワーク良／不良判定結果の表示例と、不良バンプの選別の様子を表す図。
　　【図４６】
　検査結果表示処理の流れを示すフローチャート。
　　【図４７】
　その判定結果表示処理の流れを示すフローチャート。
　　【図４８】
　同じく高さ分布表示処理の流れを示すフローチャート。
　　【図４９】
　画素色（濃度）決定処理の流れを示すフローチャート。
　　【図５０】
　不良表示処理の流れを示すフローチャート。
　　【図５１】
　選別ユニットの作動処理の流れを示すフローチャート。
　　【図５２】
　図２３の測定駆動処理において、不良発生時に作動中断を行う場合の変更部分を抜粋して示すフローチャート。
　　【図５３】
　バンプ中心座標の演算方式の変形例を示す説明図。
　　【図５４】
　コプラナリティＣの別の概念をいくつか例示して説明する図。
　　【符号の説明】
　１　バンプ付基板
　２　基板本体
　３　バンプ
　１２　半導体レーザ光源（光源）
　１６　ポリゴンミラー（光走査手段）
　２２　半導体位置検出器（受光部）
　３８　ワークホルダ（基板保持体）
　５６　ＣＰＵ（高さ値情報生成手段、反射光輝度生成手段）
　７６　高さ値演算部（高さ値情報生成手段）
　７７　輝度演算部（反射光輝度生成手段）
　８６　ＣＰＵ（バンプ存在領域特定手段、高輝度領域特定手段、バンプ要部存在領域認識手段、検査情報生成手段、高さ決定領域設定手段、バンプ高さ演算手段、高さ決定用高輝度領域抽出手段、バックグラウンド高さ決定領域設定手段、バックグラウンド高さ演算手段、位置許容範囲規定ウィンドウ設定手段、面積算出手段、判定手段、バンプ中心決定手段、バンプ配列間隔演算手段、バンプ寸法演算手段、コプラナリティ情報生成手段、表面うねり情報生成手段、バンプ体積情報生成手段、シルエット領域特定手段、バンプ底面大きさ情報生成手段、バンプ良否判定手段、不良バンプ位置表示制御手段、不良バンプ存在領域拡大表示手段、ワーク良否判定手段、不良ワーク表示制御手段、測定系作動制御手段）
　９８　モニタ（検査情報出力手段、高さ値分布表示手段、個別バンプマッピング画像拡大表示手段、検査情報内容表示手段、位置別検出情報表示手段、ワーク配列表示手段）
　１００　入力部
　１００ｂ　マウス（不良バンプ存在領域選択手段、個別バンプ選択領域設定手段）
　１０２　プリンタ（検査情報出力手段）
　３００　判定結果表示ウィンドウ（ワーク配列表示手段）
　３０１　高さ分布値表示ウィンドウ（高さ値分布表示手段）
　３００ａ　表示セル（個別ワーク表示部）
　４０１　ＣＣＤカメラ
　４０４　光源
　４１０　モニタ（ワーク良／不良判定結果表示手段）
　４１６　スピーカ（警告出力手段）
　４５１　ＣＰＵ（測定系作動制御手段）
　４４９　Ｉ／Ｏポート（判定結果出力手段）