【事件の表示】
　特許第２９４９２９０号「アモルファスシリコン系半導体膜の製法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４９２９０号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件の経緯
　本件特許第２９４９２９０号は、平成１年７月２６日に出願し、平成１１年７月９日に設定登録され、同年９月１３日に特許公報に掲載されたところ、平成１２年３月１３日に山口雅行から特許異議の申立を受けたものであって、その後、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月９日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
ａ、特許請求の範囲の請求項１の「光導電層」を、「電子写真感光体用の光導電層」と訂正する。
ｂ、特許請求の範囲の請求項２の「光導電層」を、「電子写真感光体用の光導電層」と訂正する。
ｃ、特許請求の範囲の請求項１の「気相成長させるべく気相成長ガス」を、「気相成長させるべくシリコン元素含有ガスを含む気相成長ガス」と訂正する。
ｄ、特許請求の範囲の請求項１の「反応室内への流入ガス量」を、「反応室内へ流入するシリコン元素含有ガス量」と訂正する。
ｅ，平成１０年７月１６日付手続補正書第２頁５行（本件特許公報第３欄１３〜１４行）の「ａ−Ｓｉ系半導体膜気相成長用ガス」を、「シリコン元素含有ガスを含むａ−Ｓｉ系半導体膜気相成長用ガス」と訂正する。
ｆ、平成１０年７月１６日付手続補正書第２頁７行（本件特許公報第３欄１６行）の「反応室内流入ガス量」を、「反応室内へ流入するシリコン元素含有ガス量」と訂正する。
ｇ、平成１０年７月１６日付手続補正書第２頁１４行（本件特許公報第３欄２６行）の「流入ガス量」を、「シリコン元素含有ガス量」と訂正する。
ｈ、平成１０年７月１６日付手続補正書第２頁８行（本件特許公報第３欄１７行）の「光導電層」を、「電子写真感光体用の光導電層」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記ａおよびｂの訂正は、光導電層を電子写真感光体用に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、上記ｈの訂正は、発明の詳細な説明中の特許請求の範囲に対応する記載を上記ａおよびｂの訂正に整合させるものであるから、特許請求の範囲の減縮に伴って生じた明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。また、上記ｃ〜ｇの訂正は、気相成長ガスがシリコン元素含有ガスを含むものであること、反応室内への流入ガス量はシリコン元素含有ガス量を指すものであること、を明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、本件明細書の例４（本件特許公報第６欄２３行から第７欄４４行）には、第１表に示す条件により形成されたａ−Ｓｉ光導電層は電子写真感光体として好適であること、本件明細書第４頁１６行から第６頁３行（本件特許公報第３欄４０行から第４欄１６行）には、気相成長ガスはシリコン元素含有ガスを含むものであることが記載されており、また、本件明細書の例４の第１表ではＳｉＨ４ガス量（ｓｃｃｍ）と高周波電力（ＫＷ）との関係から電力／ガス量の比率（Ｗ／ｓｃｃｍ）が算出されており、上記ガス量は、シリコン元素含有ガス量として記載されているといえるから、上記ａ〜ｈの訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　さらに、上記ａ〜ｈの訂正は、その内容からみて、実質上特許請求の範囲を拡張したり、変更したりするものではないことは明らかである。
　してみると、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項第１号もしくは第３号に掲げる事項を目的とするものであり、同条第３項で準用する同法第１２６条の第２項および第３項の規定に適合するものであるから、上記訂正は認める。
３．特許異議の申立てについての判断
（１）訂正後の本件発明
　訂正後の本件発明は、訂正請求書に添付した全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１および２に記載された次のとおりのものである。
［請求項１］光導電性をもったアモルファスシリコン系半導体膜を基板表面に気相成長させるべくシリコン元素含有ガスを含む気相成長ガスを反応室内に０．０１〜０．１Ｔｏｒｒのガス圧力で充填し、上記気相成長ガスに印加する高周波電力と、反応室内へ流入するシリコン元素含有ガス量に対する比率を、１〜６Ｗ／ｓｃｃｍにした状態下でグロー放電させて電子写真感光体用の光導電層を成膜するアモルファスシリコン系半導体膜の製法。
［請求項２］カーボン元素含有ガス、ゲルマニウム元素含有ガス、スズ元素含有ガス、酸素元素含有ガス、窒素元素含有ガスの少なくとも一種を含む前記気相成長ガスをグロー放電させて、カーボン、ゲルマニウム、スズ、酸素、窒素の少なくとも一種から成る添加元素Ａとシリコン元素Ｓｉとの組成比率をＳｉ１−ｘＡｘで表して０＜ｘ＜０．５とした電子写真感光体用の光導電層を成膜する請求項（１）記載のアモルファスシリコン系半導体膜の製法。
（２）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人山口雅行は、甲第１〜５号証および参考資料１〜４を提出して次のｉ）〜iii）の主張をしている。
ｉ）本件請求項１に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１〜５号証に記載された発明であり、また、本件請求項２に係る発明は、甲第１号証および甲第３号証に記載された発明であるから、本件請求項１および２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
ii）本件請求項１および２に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
iii）本件明細書の記載が不備であるから、本件特許は、その明細書が特許法第３６条第３項および第４項の規定を満たしていない出願に対してなされたものである。
（３）検討・判断
ｉ）特許法第２９条第１項第３号違反について
　甲第１号証（特開昭６３−３０４６７３号公報）には、「水素化アモルファス半導体を主たる光電変換動作する光活性層とした光起電力装置において、上記光活性層における光入射側領域での１個のシリコン原子と２個の水素原子とが結合したＳｉ−Ｈ２結合の量を他方側領域でのそれより多くしたことを特徴とする光起電力装置。」（特許請求の範囲）が記載されており、その第１表の形成条件のＰ型層（３Ｐ）の欄には、ＲＦ（ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ＝高周波）パワー（Ｗ）３０、反応ガスおよび流量（ｓｃｃｍ）ＳｉＨ４：５、Ｂ２Ｈ６：０．５、ＣＨ４：０．５、反応圧力（Ｔｏｒｒ）０．１であることが示されており、高周波電力（Ｗ）／シリコン元素含有ガス（ｓｃｃｍ）は６Ｗ／ｓｃｃｍになるが、甲第１号証の第１頁左下欄１２〜１３行等に記載されているように、それは、太陽光発電等に利用される光起電力装置に関するもので、甲第１号証には、電子写真感光体用の光導電層を成膜することは示されていない。
　甲第２号証（特開平１−９９２１３号公報）には、「高周波印加電極と接地電極の間に発生するグロー放電中に、基板を設置・もしくは進行せしめて該基板上に薄膜を形成するインライン成膜装置において、該高周波印加電極表面が凹凸状に形成されていることを特徴とする成膜装置。」（特許請求の範囲）が記載されており、その［実施例］の欄には、成膜条件として、ジシラン１０ｃｃ／ｍｉｎ、高周波電力５０Ｗ、反応圧力０．１Ｔｏｒｒであることが示されており、高周波電力（Ｗ）／シリコン元素含有ガス（ｓｃｃｍ）は５Ｗ／ｓｃｃｍになるが、甲第２号証の従来技術の欄に記載されているように、それは、電卓等の民生機器や電力用太陽電池に用いられる非晶質シリコン系の半導体薄膜を成膜するもので、甲第２号証には、電子写真感光体用の光導電層を成膜することは示されていない。
　甲第３号証（特開昭６３−１１３４６９号公報）には、「支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体とし、水素原子およびハロゲン原子の中の少なくともいずれか一方を含有する非単結晶材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部材において、前記光受容層が前記支持体側より順に電荷注入阻止層と電荷発生層と電荷輸送層とが積層された層構成とされ、且つ前記電荷輸送層が、炭素原子、窒素原子および酸素原子の中の少なくとも一種を含有すると共に、伝導性を制御する物質を、層厚方向に不均一な分布状態で含有する部分を少なくとも有することを特徴とする電子写真用光受容部材。」（特許請求の範囲第１項）等が記載されており、その第２１表や第２２表には、内圧および電力（Ｗ）／シリコン元素含有ガス（ｓｃｃｍ）比率が、訂正後の本件請求項１に係る発明でいう０．０１〜０．１Ｔｏｒｒおよび１〜６Ｗ／ｓｃｃｍの範囲内である例が挙げられているが、そこで使用されている電力はマイクロ波のものであって、本件請求項１でいう高周波電力は使用されていない。
　甲第４号証（特開昭６１−８５８５９号公報）には、「基体上に非晶質シリコンを主成分とする光導電層が形成されており、該光導電層の同一表面に受光部の少なくとも一部を構成する間隔を設けて一対の電極が配設されているフォトセンサの製造法において、光導電層をグロー放電によるプラズマ中で堆積せしめるに際し、先ず比較的大きな放電電力にて堆積を行ない、次に放電電力を徐々に減少させながら堆積を継続し、膜厚方向に関し少なくともその一部において屈折率が膜厚方向に連続的に変化した光導電層を形成することを特徴とする、フォトセンサの製造法。」（特許請求の範囲第３項）等が記載されており、その実施例２における放電電力（Ｗ）５０および３０の場合は、実施例１におけるＳｉＨ４ガス流量１０ｓｃｃｍ、ガス圧０．０７Ｔｏｒｒ、高周波電源１３．５６ＭＨｚと同じ条件で行われているから、高周波電力（Ｗ）／シリコン元素含有ガス（ｓｃｃｍ）は５Ｗ／ｓｃｃｍおよび３Ｗ／ｓｃｃｍになるが、そのフォトセンサは、フアクシミリやデジタル複写機や文字読取装置等の画像情報処理装置の光入力部として用いられるもので、甲第４号証にも、電子写真感光体用の光導電層を成膜することは示されていない。
　甲第５号証（特開昭６２−１３２３７４号公報）には、「基板上に非晶質シリコンを主成分とする光導電層が形成されており、該光導電層の同一表面に受光部の少なくとも一部を構成する間隔を設けて一対の電極が配設されているフォトセンサにおいて、光導電層が水素含有率の異なる２層以上の積層膜からなり、該積層膜の最下層の水素含有率が２０原子％以上であることを特徴とする、フォトセンサ。」（特許請求の範囲）等が記載されており、その実施例２における放電電力（Ｗ）５０および３０の場合は、実施例１におけるＳｉＨ４ガス流量１０ｓｃｃｍ、ガス圧０．０７Ｔｏｒｒ、高周波電源１３．５６ＭＨｚと同じ条件で行われているから、高周波電力（Ｗ）／シリコン元素含有ガス（ｓｃｃｍ）は５Ｗ／ｓｃｃｍおよび３Ｗ／ｓｃｃｍになるが、そのフォトセンサは、フアクシミリやデジタル複写機や文字読取装置等の画像情報処理装置の光入力部として用いられるもので、甲第５号証にも、電子写真感光体用の光導電層を成膜することは示されていない。
　結局、甲第１〜２号証および甲第４〜５号証には、電子写真感光体用の光導電層を成膜することは示されていないし、甲第３号証には、訂正後の本件請求項１に係る発明でいう０．０１〜０．１Ｔｏｒｒおよび１〜６Ｗ／ｓｃｃｍの範囲内である例が挙げられているが、そこで使用されている電力はマイクロ波であり、訂正後の本件請求項１に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明ではない。また、請求項１を引用している訂正後の本件請求項２に係る発明も、甲第１号証および甲第３号証に記載された発明ではない。
　したがって、上記ｉ）の主張は理由がない。
ii）特許法第２９条第２項違反について
　上記ｉ）で検討したように、甲第１号証に記載された光起電力装置や甲第２号証に記載された成膜装置は、太陽光発電等に利用される光起電力装置に関するものであり、また、甲第４号証に記載され製造法で得られるフォトセンサや、甲第５号証に記載されたフォトセンサは、ファクシミリやデジタル複写機や文字読取装置等の画像情報処理装置の光入力部として用いられるものであって、これらの、膜硬度、耐刷性、一定の膜厚等の要求される性能が電子写真感光体の皮膜の場合と同等のものであるとはいえず、その成膜条件として甲第１，２，４，５号証に記載の条件を転用すれば電子写真感光体用にも良好な結果が得られるといえる事実は何ら示されていない。
　また、甲第３号証には、電子写真用光受容部材の成膜条件の例として訂正後の本件請求項１に係る発明でいう０．０１〜０．１Ｔｏｒｒおよび１〜６Ｗ／ｓｃｃｍの範囲内であるものが挙げられているが、そこで使用されている電力はマイクロ波であり、また、甲第３号証には、高周波電力を使用した例も表２〜４、７，１０，１３、２６〜２８，３０，３３，３８，３９に示されているが、その内圧（Ｗ）はいずれも０．３５以上であって、本件請求項１に係る発明で特定する０．０１〜０．１Ｔｏｒｒの範囲を超えるものであり、上記マイクロ波を、その周波数の著しく異なる高周波電力に替える場合に、その室内圧、放電電力、ガス流量等を同様の条件下で成膜すれば同様に良好な結果が得られるとされる事実は示されていない。
　してみると、電子写真感光体の光導電層を成膜するに際して、シリコン元素含有ガスを含む気相成長ガスを反応室内に０．０１〜０．１Ｔｏｒｒのガス圧力で充填し、上記気相成長ガスに印加する高周波電力と、反応室内へ流入するシリコン元素含有ガス量に対する比率を、１〜６Ｗ／ｓｃｃｍにした状態下でグロー放電させるという条件は、甲第１〜５号証の記載をみても、当業者にとって容易に想到し得るものではない。
　そして、本件請求項１に係る発明が、シリコン元素含有ガスを含む気相成長ガスを反応室内に０．０１〜０．１Ｔｏｒｒのガス圧力で充填し、気相成長ガスに印加する高周波電力と、反応室内へ流入するシリコン元素含有ガス量に対する比率を、１〜６Ｗ／ｓｃｃｍにした状態下でグロー放電させるという構成によって、その条件外の場合と比較して、高い成膜速度が得られ、また、電子写真感光体として好適な光導電層を成膜することができるという優れた効果を奏することは、本件明細書の例１〜８により示されているところである。
　なお、特許異議申立人山口雅行は、参考資料１（田中一宜（編著）、「アモルファス半導体の基礎」、（株）オーム社、昭和５８年５月１０日第１版第３刷発行、ｐ．１６２−１６３）、参考資料２（「最新アモルファスＳｉハンドブック」、（株）サイエンスフォーラム、昭和５８年３月３１日発行、ｐ．２７−３２）、参考資料３（特開昭６０−２４３６６３号公報）および参考資料４（特開昭６２−５２５５８号公報）を提出して、スピン密度、ダングリングボンドの数及び成膜速度について一般的に論じているが（特許異議申立書第１４頁１８行から第１６頁２行）、本件請求項１および２に係る発明の上記条件の選択について具体的に言及するものではなく、上記判断に影響を及ぼすものではない。
　したがって、訂正後の本件請求項１に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないし、また、請求項１を引用している訂正後の本件請求項２に係る発明も、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、上記ii）の主張も理由がない。
iii）特許法第３６条違反について
　申立人は、本件請求項１には「光導電性をもったアモルファスシリコン系半導体膜」と記載されているが、この「光導電性」とはどの程度の特性をもつものかが明確でないし、また、本件明細書の発明の詳細な説明中にもその定義はなされていないから、本件請求項１には、発明の構成が明確に記載されていない、と主張する。
　しかし、「光導電性」は周知の性質であり、その程度を一定範囲に特定しないと明細書の記載が明確でないとされるものではないし、また、本件請求項１の「光導電性をもったアモルファスシリコン系半導体膜」は、上記訂正により、「電子写真感光体用」のものに限定されており、上記主張で指摘する点は解消している。
　また、申立人は、本件請求項１における「反応室内への流入ガス量」は、シラン含有ガスのみを意味するのか、その他のＨ２等のガスをも含むのか不明であるから、本件請求項１には、発明の構成が明確に記載されていない、と主張する。
　しかし、本件請求項１における「反応室内への流入ガス量」は、上記訂正により、「反応室内へ流入するシリコン元素含有ガス量」と訂正され、上記主張で指摘する不備は解消している。
　したがって、上記iii）の主張も理由がない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は認める。
　そして、訂正後の本件請求項１および２に係る特許は、特許異議の申立の理由ならびに証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件請求項１および２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２２日（２００１．１．２２）
【訂正の要旨】
　特許第２９４９２９０号の明細書中、特許請求の範囲の減縮を目的として、
ａ、特許請求の範囲の請求項１の「光導電層」を、「電子写真感光体用の光導電層」と訂正し、
ｂ、特許請求の範囲の請求項２の「光導電層」を、「電子写真感光体用の光導電層」と訂正し、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
ｃ、特許請求の範囲の請求項１の「気相成長させるべく気相成長ガス」を、「気相成長させるべくシリコン元素含有ガスを含む気相成長ガス」と訂正し、
ｄ、特許請求の範囲の請求項１の「反応室内への流入ガス量」を、「反応室内へ流入するシリコン元素含有ガス量」と訂正し、
ｅ，平成１０年７月１６日付手続補正書第２頁５行（本件特許公報第３欄１３〜１４行）の「ａ−Ｓｉ系半導体膜気相成長用ガス」を、「シリコン元素含有ガスを含むａ−Ｓｉ系半導体膜気相成長用ガス」と訂正し、
ｆ、平成１０年７月１６日付手続補正書第２頁７行（本件特許公報第３欄１６行）の「反応室内流入ガス量」を、仮応室内へ流入するシリコン元素含有ガス量」と訂正し、
ｇ、平成１０年７月１６日付手続補正書第２頁１４行（本件特許公報第３欄２６行）の「流入ガス量」を、「シリコン元素含有ガス量」と訂正し、
ｈ、平成１０年７月１６日付手続補正書第２頁８行（本件特許公報第３欄１７行）の「光導電層」を、「電子写真感光体用の光導電層」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
アモルファスシリコン系半導体膜の製法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】光導電性をもったアモルファスシリコン系半導体膜を基板表面に気相成長させるべく
シリコン元素含有ガスを含む
流入するシリコン元素含有
電子写真感光体用の
　【請求項２】カーボン元素含有ガス、ゲルマニウム元素含有ガス、スズ元素含有ガス、酸素元素含有ガス、窒素元素含有ガスの少なくとも一種を含む前記気相成長ガスをグロー放電させて、カーボン、ゲルマニウム、スズ、酸素、窒素の少なくとも一種から成る添加元素Ａとシリコン元素Ｓｉとの組成比率をＳｉｌ−ｘＡｘで表して０＜ｘ＜０．５とした
電子写真感光体用の
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明はグロー放電分解法において高い成膜速度により気相成長させることができたアモルファスシリコン系半導体膜の製法に関するものである。
〔従来技術及びその問題点〕
　近時、グロー放電分解法により成膜形成したアモルファスシリコン系半導体膜（以下、アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略す）を用いた電子部品デバイスが実用化されている。例えば太陽電池、光センサ、電子写真感光体、密着型イメージセンサなどが挙げられる。
　しかしながら、ａ−Ｓｉ膜をグロー放電分解法により形成した場合、その成膜速度が低いという問題点がある。
　ａ−Ｓｉ感光体ドラムの場合、ａ−Ｓｉ摸の厚みは一般的に約２０〜４０μｍであり、その大きな厚みにより製造所要時間が約５〜１０時間に至っている。
〔発明の目的〕
　本発明者等は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結果、グロー放電分解法のなかで反応室内部のガス圧力及び高周波電力並びに反応室に流入するガス量をそれぞれ所定の範囲内に設定した場合、成膜速度が著しく大きくなることを見い出した。
　従って本発明は上記知見に基づいて完成されたものであり、その目的は高い成膜速度が得られたａ−Ｓｉ系半導体膜の製法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明に係るａ−Ｓｉ系半導体膜の製法は、
シリコン元素含有ガスを含む
へ流入するシリコン元素含有
電子写真感光体用の
　以下、本発明を詳細に説明する。
　ａ−Ｓｉ膜の高速成膜化には反応室流入ガス量を大きくするか、或いは印加する高周波電力を大きくすることが考えられ、そのために５０〜３００ｓｃｃｍのガス流量並びに５０〜３００Ｗの高周波電力が製造条件として採用されている。
　これに対して、本発明においては反応室内部のガス圧力を０．０１〜０．１Ｔｏｒｒの範囲内に設定し、しかも、高周波電力の
シリコン元素含有
　このように数値限定した理由は、ガス圧力が０．０１Ｔｏｒｒ未満の場合には高周波電力が流入ガスに十分伝搬されないためであり、０．１Ｔｏｒｒを越えた場合には気相中での反応速度が大きくなり、粉体生成量が増大し、これに伴って基板上の成膜速度が小さくなるためである。
　また、電力／ガス量の比率が１Ｗ／ｓｃｃｍ未満の場合には流入ガスの分解に要する電力が不足し、そのために未分解ガスが排出し、ガスの利用効率が低下する。一方、６Ｗ／ｓｃｃｍを越えた場合には流入ガスの分解に要する電力に比べて過剰な電力が印加され、これにより、電力効率が低下する。
　本発明においては、上記ａ−Ｓｉ膜にカーボン、ゲルマニウム、スズ、酸素、窒素のいずれか少なくとも一種の元素を添加しても本発明の目的が達成できる。その添加元素ＡとシリコンＳｉとの組成比率をＳｉｌ−ｘＡｘと表した場合、ｘ値が０＜ｘ＜０．５の範囲内であればよい。
　かかるａ−Ｓｉ系半導体膜を製作するに当たって用いられる気相成長用ガスには下記の通りの種々のガスが挙げられる。
　シリコン元素含有ガスとしてＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，ＳｉＦ４，ＳｉＨＦ３，ＳｉＨ２Ｆ２，ＳｉＨ３Ｆなどがある。
　ゲルマニウム元素含有ガスとしてＧｅＦ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ８，ＧｅＦ４などがある。
　カーボン元素含有ガスとしてＣＨ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ６，ＣＦ４，Ｃ６Ｈ６−ｎＦｎなどがある。
　スズ元素含有ガスとしてＳｎＨ４，Ｓｎ（ＣＨ３）４などがある。
　酸素又は窒素元素の含有ガスとしてＯ２，Ｎ２，ＮＯ，Ｎ２Ｏ，ＮＨ３などがある。
　更にまた、上記気相成長用ガス以外に周期律表第ＩＩＩａ族元素や第Ｖａ族元素を含むドーピングガス並びにキャリアガスを必要に応じて混合する。
　ドーピングガスにはＢ２Ｈ６，ＰＨ３，ＢＦ３，ＡｓＨ３などがあり、これらのガスにより成膜したａ−Ｓｉ系半導体膜の価電子制御を行うことができる。
　キャリアガスは上述したすべてのガスを輸送するためのガスであり、例えばＨ２ガスもしくはＨｅ，Ｎｅ，Ａｒなどの不活性ガスがある。
　かくして本発明の製法によれば、上記の通りに成膜条件を設定したことにより１０μｍ／時以上、更には７０μｍ／時以上という高い成膜速度が得られた。しかも、このようにして得た膜の質を電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）を用いて欠陥密度に対応するスピン密度を測定して求めたところ、２×１０１６／ｃｍ３以下となり、良質な膜であることを確認した。
〔実施例〕
　次に本発明を実施例により詳述する。
（グロー放電分解装置の概要）
　本例に用いたグロー放電分解装置は第１図に示す通りである。
　図中、１は金属から成る円筒形状反応容器であり、この反応容器１の内部に円筒形状のグロー放電用電極板２が設置され、更に電極板２の内部には円筒形状の基板指示体３、該基板指示体３に装着した円筒形状の基板４が設置されている。また、基板支持体３は基板蔵置体５の上に配置され、この基板載置体５には細管状のヒーター部６が接続され、ヒーター部６により基板支持体３が加熱され、同時に基板４も加熱される。しかも、反応容器１の上部にはモーター部７が設置され、このモーター部７は基板支持体３に接続されている。そして、モーター部７により基板支持体３と共に基板４が回転する。
　８はガス導入部、９は電極板２に多数個形成されたガス噴出部であり、ａ−Ｓｉ系半導体膜気相成長用ガスはガス導入部８より導入され、ガス噴出部９を介して基板４の面上に吹き付けられ、グロー放電に供される。そして、その放電の残余ガスはガス排出部１０より排出される。尚、図中の矢印はガス流の方向を示す。
　また、１１は高周波電源であり、その一方の出力端子はアース側に接地され、他方の出力端子は反応容器１の周壁に接続され、そして、この周壁と電気的に導通された電極板２にグロー放電用電力が印加される。
　以上のような構成のグロー放電分解装置によれば、基板４が所要な温度に設定され、そして、回転しながら基板４と電極板２の間でグロー放電が発生し、これにより、気相成長用ガスが分解するのに伴って基板４上にａ−Ｓｉ系半導体膜が気相成長する。
（例１）
　上記グロー放電分解装置にＳｉＨ４ガスを６００ｓｃｃｍで導入し、基板温度を２６０℃、ガス圧力を０．０５〜０．５Ｔｏｒｒ、電力／ガス量の比率を０．３〜３．３Ｗ／ｓｃｃｍに設定し、成膜速度を測定したところ、第２図に示す通りの結果が得られた。
　同図中○印、●印及び△印は測定プロットであり、ａ，ｂ，ｃはそれぞれ電力／ガス量の比率が０．３，１．３，３．３Ｗ／ｓｃｃｍである場合の成膜速度特性曲線を表す。
　第２図に示す結果より明らかな通り、電力／ガス量の比率が小さい場合、即ち低電力パワーの領域においてはガス圧力を上げるに伴って成膜速度が上昇するが、約０．３Ｔｏｒｒ付近で飽和に至る。一方、電力／ガス量の比率が大きい場合、即ち高電力パワーの領域においてはガス圧力が低下するに伴って成昇速度が上昇する傾向にあることが判る。
（例２）
　次にガス圧力が低い領域における電力／ガス量の比率に対する成膜速度を測定したところ、第３図に示す通りの結果が得られた。
　同図中○印、●印及び△印はそれぞれガス圧力を０．５Ｔｏｒｒ，０．３Ｔｏｒｒ，０．０５Ｔｏｒｒに設定した場合の測定プロットであり、ｄ，ｅ，ｆはその成膜速度特性曲線を表す。
　第３図より明らかな通り、曲線ｆ、即ちガス圧力が０．０５Ｔｏｒｒの場合には電力／ガス量の比率を大きくするに伴って成膜速度が大きくなることが判る。
　然るに、曲線ｄ、即ちガス圧力が０．５Ｔｏｒｒの場合には電力／ガス量の比率を大きくしても成膜速度が飽和する傾向にあることが判る。
　本発明者等は上記実施例並びに種々の繰り返し実験によりガス圧力を０．０１〜０．１Ｔｏｒｒの範囲内に、しかも、電力／ガス量の比率を１〜６Ｗ／ｓｃｃｍの範囲内に設定すれば高い成膜速度が得られることを確認した。
（例３）
　本例においては、ガス圧力を０．０５Ｔｏｒｒに、高周波電力を２ｋｗに、基板温度を２６０℃に設定し、そして、気相成長用ガスとしてＳｉＨ４ガスを６００ｓｃｃｍでＨ２ガスで希釈されたＢ２Ｈ６ガスを１５〜２００ｓｃｃｍで導入し、これにより、ＳｉＨ４量に対するＢ２Ｈ６量（Ｈ２ガスを除いたＢ２Ｈ６ガスの絶対量）の比率Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４を０〜１０００ＰＰｍの範囲内で変え、それに応じた各種感光層を形成し、その光導電率及び暗導電率を測定したところ、第４図に示す通りの結果が得られた。尚、光導電率は波星６００ｎｍの単色光を５０μＷ／ｃｍ２の光量で照射して求めた。
　同図中、○印及び●印はそれぞれ光導電率及び暗導電率の測定プロットであり、ｇ及びｈはそれぞれの導電率特性曲線である。
　第４図より明らかな通り、高い成膜速度が得られる条件下において良好な光導電特性が得られ、また、ドーピングによる価電子制御も可能であることが確認できた。
（例４）
　本例においては、第１表に示す条件により基板４上にａ−Ｓｉブロッキング層及びａ−Ｓｉ光導電層を順次形成し、このａ−Ｓｉ感光体の分光感度を測定したところ、第５図に示す通りの結果が得られた。
　この測定結果において、分光感度の値を感光体の表面に４００Ｖの電位で帯電させ、次いで５０μＷ／ｃｍ２の各種波長の単色光を照射した場合の半減露光量の逆数として示されている。
　第５図中○印は分光感度測定プロットであり、ｉはその特性曲線である。
　同図より明らかな通り、５００〜７００ｎｍの範囲の波長の光に対して良好な光感度を示し、電子写真感光体として好適となる。
（例５）
　本例においては、気相成長用ガスとしてＳｉ２Ｈ６ガスを用いて、電力／ガス量に対する成膜速度を測定したところ、第６図に示す通りの結果が得られた。
　同図中、○印及び△印はガス圧力がそれぞれ０．０５Ｔｏｒｒ及び０．５ｔｏｒｒに設定した場合の測定プロットであり、ｊ，ｋはそれぞれの成膜速度特性曲線を表す。
　第６図に示す結果より明らかな通り、曲線ｊにおいては電力／ガス量の比率を大きくするに伴って成膜速度が大きくなることが判る。然るに曲線ｋにおいては電力／ガス量の比率を大きくした場合、成膜速度が飽和する傾向にあることが判る。
　また、第６図に示す結果を第３図の結果と比較した場合、Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いるとＳｉ２Ｈ４ガスに比べて著しく成膜速度が高められることが判る。
　即ち、同一のガス流量で比較した場合、Ｓｉ２Ｈ６ガスはＳｉＨ４ガスに比べて高周波電力が約２倍必要とし、これにより、成膜速度が約２倍高くなった。
　上記の結果から低ガス圧の条件下においては電力／ガス量の比率が大きくなるに伴って更に一層ガス分解効率が高くなったと考えられる。そして、本発明者等は粉体の発生量が更に少なくなったことを確認した。
（例５）
　次に気相成長用ガスとしてＳｉＨ４ガスとＧｅＨ４ガスの混合ガスを用いて、下記の通りの成膜条件（ｉ）により気相成長を行ったところ、約５μｍ／時の成膜速度が得られ、そして、そのＳｉ元素とＧｅ元素の組成比率を測定したところ、Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２であった。
成膜条件（ｉ）
　ＳｉＨ４ガス量・・・６００ｓｃｃｍ
　ＧｅＨ４ガス量・・・１００ｓｃｃｍ
　ガス圧力・・・０．５ｏｒｒ
　電力／ガス量の比率・・・１Ｗ／ｓｃｃｍ
　然るに下記成膜条件（ｉｉ）により気相成長を行ったところ、約２５μｍ／時の成膜速度であり、その組成比率はＳｉ０．６Ｇｅ０．４であった。
成膜条件（ｉｉ）
　ＳｉＨ４ガス量・・・６００ｓｃｃｍ
　ＧｅＨ４ガス量・・・４００ｓｃｃｍ
　ガス圧力　　　・・・０．０５ｏｒｒ
　電力／ガス量の比率・・・３Ｗ／ｓｃｃｍ
（例６）
　気相成長用ガスとしてＳｉＨ４ガスとＣ２Ｈ２ガスの混合ガスを用いて、下記成膜条件（ｉｉｉ）により気相成長を行ったところ、約８μｍ／時の成膜速度が得られ、そして、Ｓｉ元素とＣ元素の組成比率を測定したところ、Ｓｉ０．６Ｃ０．４であった。
成膜条件（ｉｉｉ）
　ＳｉＨ４ガス量・・・６００ｓｃｃｍ
　Ｃ２Ｈ４ガス量・・・３００ｓｃｃｍ
　ガス圧力　　　・・・０．５Ｔｏｒｒ
　電力／ガス量の比率・・・１Ｗ／ｓｃｃｍ
　然るに下記成膜条件（ｉｖ）により気相成長を行ったところ、約２８μｍ／時の成膜速度であり、その組成比率はＳｉ０．７Ｃ０．３であった。
成膜条件（ｉｖ）
　ＳｉＨ４ガス量・・・６００ｓｃｃｍ
　Ｃ２Ｈ４ガス量・・・３００ｓｃｃｍ
　ガス圧力　　　・・・０．０５Ｔｏｒｒ
　電力／ガス量の比率・・・３Ｗ／ｓｃｃｍ
（例７）
　気相成長用ガスとしてＳｉＨ４ガスとＳｎＨ４ガスの混合ガスを用いて、下記成膜条件（Ｖ）により気相成長を行ったところ、約５μｍ／時の成膜速度が得られ、そして、Ｓｉ元素とＣ元素の組成比率を測定したところ、Ｓｉ０．８Ｃ０．２であった。
成膜条件（Ｖ）
　ＳｉＨ４ガス量・・・６００ｓｃｃｍ
　ＳｎＨ４ガス量・・・１００ｓｃｃｍ
　ガス圧力　　　・・・０．５Ｔｏｒｒ
　電力／ガス量の比率・・・１Ｗ／ｓｃｃｍ
　然るに下記成膜条件（ｖｉ）により気相成長を行ったところ、約１９μｍ／時の成膜速度であり、その組成比率はＳｉ０．９Ｃ０．１であった。
成膜条件（ｖｉ）
　ＳｉＨ４ガス量・・・６００ｓｃｃｍ
　ＳｎＨ４ガス量・・・１００ｓｃｃｍ
　ガス圧力　　　・・・０．０５Ｔｏｒｒ
　電力／ガス量の比率・・・３Ｗ／ｓｃｃｍ
（例８）
　気相成長用ガスとして酸素（Ｏ２）ガス、窒素（Ｎ２）ガス、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、アンモニア（ＮＨ３）ガスのいずれかのガスとＳｉＨ４ガスを用いて、第２表に示す成膜条件により気相成長を行い、その成膜速度並びに膜の組成比率を測定した。
　第２表に示す結果より明らかな通り、試料Ｎｏ．（１−Ａ）、（２−Ａ）、（３−Ａ）、（４−Ａ）はそれぞれ試料Ｎｏ．（１−Ｂ）、（２−Ｂ）、（３−Ｂ）、（４−Ｂ）に比べて高い成膜速度が得られたことが判る。
〔発明の効果〕
　以上の通り、本発明に係るａ−Ｓｉ系半導体模の製法によれば、成膜速度が顕著に大きくなり、これにより、製造効率及び製造コストが改善された。
　また、従来のａ−Ｓｉ系半導体膜の製法においては成膜に伴ってグロー放電用反応室の内部に粉体が付着するというという問題点があったが、これに対して、本発明の製法によれば、高い成膜速度が得られたことにより上記粉体の発生量が著しく小さくなり、これにより、粉体がａ−Ｓｉ膜を汚染しなくなった。しかも、得られたａ−Ｓｉ系半導体膜は光導電性に優れており、その結果、高品質且っ高信頼性ａ−Ｓｉ系半導体膜が提供できた。
　また、上述した実施例においてはａ−Ｓｉ感光体ドラムを製作する場合を例に挙げたが、それ以外に太陽電池、光センサ、密着型イメージセンサ、ＴＦＴなどの各種電子部品デバイスにも適用でき、いずれについても低コスト且つ高品質なデバイスとして提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図はグロー放電分解装置の概略図、第２図及び第３図は成膜速度を表す線図、第４図は導電率を表す線図、第５図は分光感度を表す線図、第６図は成膜速度を表す線図である。
２・・・・・・グロー放電用電極板
４・・・・・・基板
８・・・・・・ガス導入部