【事件の表示】
　特許第２６４３８８３号「相変化光ディスクの初期化方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６４３８８３号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２６４３８８３号の請求項１及び請求項２に係る発明についての出願は、平成６年１２月１９日に特許出願され、平成９年５月２日にその発明についての特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人五島香里より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年７月２８日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由通知に対して意見書が提出されたものである。
２．訂正の適否
〔２−１〕訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、次のとおりである。
（訂正事項ａ）
▲１▼特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における「情報の消去を行う際に、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす条件で初期化する」を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する」と訂正する。
▲２▼これに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の第【０００８】段落の「情報の消去を行う際に、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす条件で初期化する」を、「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する」と訂正する。
（訂正事項ｂ）
▲１▼特許明細書の特許請求の範囲の請求項２における「初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」と訂正する。
▲２▼これに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の第【０００９】段落の「初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」を、「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」と訂正する。
〔２−２〕訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（訂正事項ａについて）
　上記訂正事項ａの▲１▼については、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす条件」をより下位概念である「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワ」と限定しようとするものである。当該「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワ」は特許明細書の第【００１３】段落に記載されたものである。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「…の関係を満たす条件で初期化する」を明りょうでない記載の釈明を目的として、「…の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する」と訂正するものである。当該「…の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する」は特許明細書の第【００１３】段落に記載されたものである。
　上記訂正事項ａの▲２▼については、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　さらに、上記訂正事項ａは、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（訂正事項ｂについて）
　上記訂正事項ｂの▲１▼については、特許明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載された「初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」をより下位概念である「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」と限定しようとするものである。当該「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」は特許明細書の第【００１３】段落に記載されたものである。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　上記訂正事項ｂの▲２▼については、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、上記訂正事項ｂは、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
〔２−３〕独立特許要件
（本件発明）
　訂正明細書の請求項１及び請求項２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、それぞれ訂正明細書の請求項１及び請求項２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】記録膜の結晶状態と非晶質状態の間の可逆な相変化を用いて情報の記録・消去・再生を行い、特に記録非晶質マークの両端に情報を記録するマークエッジ記録を用いる相変化光ディスクの初期化方法において、成膜直後の前記相変化光ディスクに光を照射して初期化結晶部を形成する初期化方法であって、前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化することを特徴とする相変化光ディスクの初期化方法。
　【請求項２】前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、繰り返し後の記録非晶質マーク長Ｌａと、初期化後の最初の記録で形成される記録非晶質マーク長Ｌｉとが、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．０５μｍを満たすように、初期化光の強度を設定して初期化することを特徴とする請求項１記載の相変化光ディスクの初期化方法。」
（刊行物に記載された発明）
　これに対して、当審が通知した取消理由に引用した刊行物１〜刊行物４には、それぞれ次の発明が記載されている。
　刊行物１（Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３２（１９９３）Ｎｏ．１１Ｂ　〈Ｐａｒｔ１〉　ｐ．５２２６−５２２９）
　書換え型相変化光ディスクの成膜直後の非晶質状態にある記録膜に光を照射して初期化結晶部を形成すること、記録にＥＦＭ信号を用いること
　刊行物２（Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．４，１９９１，ｐ．６７７−６８１）
　書換え型相変化光ディスクに対して一定の線速度でＰＷＭ記録を行う際、予備結晶化された薄膜をレーザーにより溶融・急冷することにより非晶質状態として信号の記録を行うこと、ＰＷＭ記録法においては、記録マークの前端及び後端を２進法の１とすること、ＭＰ記録法をＥＦＭ信号を用いたＰＷＭ記録に適用したこと
　刊行物３（１９９０年（平成２年）秋期　第５１回応用物理学会学術講演会予稿集２７ｐ−Ｍ−２）
　オーバライト相変化光ディスクの初期化に関し、初記録から繰り返し後にわたってほとんど変化しない特性を得るために、初期化後の記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の反射レベルと、初期化時に形成される初期化結晶部の反射レベルとが同じになるような条件で初期化を行うこと
　刊行物４（「光ディスク技術」（平１−１０−１）株式会社ラジオ技術社　ｐ．２１２−２１３）
　ジッタは、信号の変化点位置の変動を表すものであること
（対比・判断）
　本件発明１と上記刊行物１〜刊行物３に記載された発明とを対比すると、刊行物１〜刊行物３に記載された発明は、いずれも、本件発明１における「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する」という構成を備えていないし、刊行物１〜刊行物３をどのように組み合わせてもこの構成は出てこない。本件発明１は、上記構成により「マークエッジ記録時に、初記録から繰り返し後にわたってマーク長変動の小さい安定した記録を行うことが可能となる」という明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１〜刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本件発明２は本件発明１を前提とするものであるから、本件発明１が上記刊行物１〜刊行物３に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることができない以上、上記刊行物４にジッタについての説明がなされているとしても、本件発明２は、刊行物１〜刊行物４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本件発明１及び本件発明２は、他の独立特許要件を満たさないものでもない。
〔２−４〕訂正の適否に対するむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについて
〔３−１〕申立ての理由の概要
　特許異議申立人五島香里は、特許明細書の請求項１に係る発明は、甲第１号証（取消理由で示した刊行物１）に記載された発明であるか、もしくは甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、又は甲第１号証及び甲第２号証（取消理届で示した刊行物３）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してされたものである旨、また、特許明細書の請求項２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、もしくは甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してされたものである旨を主張している。
〔３−２〕甲第１号証、及び甲第２号証に記載された発明
　甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明は、それぞれ、上記〔２−３〕独立特許要件の（刊行物に記載された発明）において、刊行物１及び刊行物３に記載された発明として示したとおりのものである。
〔３−３〕対比・判断
　刊行物１である甲第１号証に記載された発明は、上記〔２−３〕独立特許要件の（対比・判断）において示したとおり、本件発明１における「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する」という構成を備えていない。したがって、本件発明１は甲第１号証に記載された発明ではない。また、本件発明１が、上記〔２−３〕独立特許要件の（対比・判断）において示したとおり、刊行物１（甲第１号証）、刊行物２（甲第３号証）、及び刊行物３（甲第２号証）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない以上、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできず、また、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　本件発明２は本件発明１を前提としているものであるから、本件発明１が甲第１号証に記載された発明とすることができず、また、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない以上、本件発明２も甲第１号証に記載された発明とすることはできず、また、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
〔３−４〕むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１及び本件発明２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び本件発明２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１７日（１９９９．６．１７）
【訂正の要旨】
　〔訂正の要旨〕
（訂正事項ａ）
▲１▼特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における「情報の消去を行う際に、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす条件で初期化する」を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する」と訂正する。
▲２▼これに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の第【０００８】段落の「情報の消去を行う際に、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす条件で初期化する」を、「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、初期化後に記録された記録非晶質マークを結晶化させて形成される消去結晶部の吸収率Ａｅに対して、初期化時に形成される初期化結晶部の吸収率Ａｉが｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５の関係を満たす初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する」と訂正する。
（訂正事項ｂ）
▲１▼特許明細書の特許請求の範囲の請求項２における「初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」と訂正する。
▲２▼これに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の第【０００９】段落の「初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」を、「前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
相変化光ディスクの初期化方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】記録膜の結晶状態と非晶質状態の間の可逆な相変化を用いて情報の記録・消去・再生を行い、特に記録非晶質マークの両端に情報を記録するマークエッジ記録を用いる相変化光ディスクの初期化方法において、成膜直後の前記相変化光ディスクに光を照射して初期化結晶部を形成する初期化方法であって、
前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、
初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する
　【請求項２】
前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、熱履歴の違いにより誘起される相変化にともなう光学定数の変化を利用して情報の記録・消去を行う光学情報記録媒体すなわち相変化光ディスクに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】レーザ光の照射によって情報の記録・消去・再生を行う光学情報記録媒体としては、光磁気ディスクや相変化光ディスクなどが知られている。このうち、例えば相変化光ディスクでは、図２に示すように、基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、反射層５がこの順に設けられた４層構成が通常用いられる。情報の記録・消去はレーザ光の照射による昇温・冷却の熱履歴の違いによって誘起される記録層の非晶質・結晶間の相変化を利用して行われる。すなわち、記録層を溶融し急冷すると左により非晶質化させ記録を行い、また、結晶化温度以上に一定時間保持することにより結晶化させ、消去を行う。信号の再生は非晶質・結晶間の反射率差を利用して行われる。下部保護層２、記録層３、上部保護層４及び反射率５のそれぞれの膜厚は、感度、Ｃ／Ｎ、消去率、書換可能繰り返し回数などの観点から最適化される。
　【０００３】高密度化には、記録マークの両端に情報を持たせるマークエッジ記録が有効である。しかし、信号の再生に結晶・非晶質問の反射率差を利用している相変化光ディスクでは、結晶部の吸収率と非晶質部の吸収率が異なる場合が多く、一般に、非晶質部の吸収率が結晶部の吸収率より大きくなっている。このような場合、形成されるマークの幅や長さは、新たに記録する以前の状態が結晶であったか、非晶質であったかによって影響され、オーバライトによってジッダが大きく増加してしまう。この問題を解決するための方法として、反射層にＳｉや膜厚２０ｎｍ以下のＡｕを用いて、結晶部の吸収率を非晶質部の吸収率より高くする方法が知られている。また、オーバライト時に結晶部と非晶質部の感度差によって生じるジッタは、ＤＣ消去を行うことによっても低減することができる。ただしこの場合、情報の書換を行う前に記録トラックを一度ＤＣ消去することになるので、オーバライトはできないが、媒体構成を特に工夫しなくてもマークエッジ記録を適用できるという利点がある。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】相変化光ディスクでは、成膜直後の記録膜は非晶質状態にあるため、記録開始に先立ち記録膜を初期化、すなわち初期化を行わなければならない。初期化の方法としてはレーザ光を用いる方法やフラッシュランプを用いる方法が知られている。
　【０００５】これまでに提案されている初期化方法は、レーザビーム径を長くして結晶化温度以上に保持される時間を確保する特開平０３−２７８３３８号公報や、初期化によって記録層の組成分布を不均一にする特開平０４−２０９３１７号公報などのように、消去率やＣ／Ｎの向上あるいは、初期化時間の短縮を目的としているものが多い。
　【０００６】しかしながら、相変化光ディスクでは、初期化直後の初期の記録と情報の書換を繰り返し行った後の記録で、記録特性が変動し、特にマークエッジ記録においてエラーが増加するという問題があった。
　【０００７】そこで本発明の目的は、マークエッジ記録適用時に、初期から繰り返し後にわたり記録特性が変動しない相変化光ディスクの初期化方法を提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記の課題を解決するために本発明は、相変化光ディスクの初期化方法において、成膜直後の前記相変化光ディスクに光を照射して初期化結晶部を形成する初期化方法であって、
前記相変化光ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、
初期化パワを予め決定し、この決定した初期化パワで前記相変化光ディスクを初期化する
　【０００９】
　また、
前記相変化ディスクに異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行い、該初期化後に同一の記録・消去パワで情報の書換を繰り返し行った時に、
　【００１０】
　【作用】マークの長さに情報を持たせるマークエッジ記録では、記録マークの長さを高精度に制御する必要がある。
　【００１１】初期化状態から繰り返しにともなう相変化光ディスクの状態変化は、図３のように表現することができる。初記録の記録感度は、初期化結晶部の吸収率Ａｉによって決まり、繰り返し後の記録感度は記録非晶質マークを消去して形成される消去結晶部の吸収率Ａｅによって決まる。
　【００１２】相変化光ディスクには媒体構成により適した使用線速範囲があるので、Ａｅは媒体構成により一意的な値をとる。一方初期化により成膜直後の記録膜を結晶化させる場合、初期化結晶部の結晶状態は初期化方法や初期化条件によって変化するので、ＡｉとＡｅは異なる場合が多い。例えば直径１．５μｍ程度の集光レーザビームを用いて初期化を行う場合、初期化部の光学的な特性は、初期化パワによって、図１に示すように変化する。従って、Ａｉ＜Ａｅとなる初期化パワＰｉ１で初期化を行った場合、結晶非晶質間の反射率差を大きくすることができるのでＣ／Ｎを高くすることはできるが、初期化部に比べて繰り返し後の消去部の方が記録感度が高くなるため、記録マーク長が繰り返しとともに長くなってしまう。Ａｉ＝Ａｅとなる初期化パワＰｉ０で初期化を行えば、繰り返しによって記録感度が変化しないので、繰り返し記録を行っても記録マーク長は変動しない。Ａｉ＝Ａｅであることが望ましいが、エラーレートに対して記録パワのマージンがあるので｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５であれば問題ない。
　【００１３】マーク長の変動は記録信号の２次高調波歪みの変動に影響を及ぼすので、ＡｉがＡｅと等しくなる条件を満たす初期化光の強度Ｐｉ０は次のように決定することができる。ディスクの非使用領域に異なる強度の光を照射して記録膜を結晶化させて複数の初期化領域を形成し、各初期化領域に対して同一の記録・消去パワで繰り返し記録・消去を行う。初記録から繰り返し後にわたって記録信号の２次高調波歪みが一定となる初期化領域がＡｉとＡｅが等しくなる初期化パワＰｉ０で初期化された領域である。このようにして決定した初期化パワＰｉ０でディスクの使用領域を初期化すれば、初記録から繰り返し後にわたって安定な記録を行うことができる。
　【００１４】
　【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面に基づいて説明する。
　【００１５】図２は本発明に係る光学情報記録媒体の断面を示す図である。基板１上に下部保護層２、記録層３、上部保護層４、反射層５を順次積層した構成である。
　【００１６】（実施例１）基板１としてポリカーボネート（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を２５０ｎｍ、記録層３としてＧｅ２Ｓｂ２−Ｔｅ５を２５ｎｍ、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を２０ｎｍ、反射層５としてＡｌを６０ｎｍを順次スパッタリングにより積層した。
　【００１７】上記ディスクを用いて、初期化パワを変化させて初期化を行い、繰り返しにともなうマーク長の変化及びエラーレートの変化について調べた。初期化は、波長８３０ｎｍ、集光ビーム径１．５μｍの半導体レーザを用い、線速７．５ｍ／ｓにおいて初期化パワを４，５，６，８ｍＷと変化させて行った。
　【００１８】初期化パワに依存して初期化部の反射率と吸収率は図４に示すように変化した。各初期化条件ごとに、初記録において記録信号の２次高調波歪み＜２ｎｄＨ／Ｃ）が最少となる記録パワを求め、線速１１．３ｍ／ｓにおいて各初期化条件ごとに同一の記録・消去パワで１００回繰り返し記録を行い、マーク長変動（初記録のマーク長Ｌｉと繰り返し後のマーク長Ｌａ）、エラーレートの変化を調べた。測定結果を表１に示す。
　【００１９】
　【表１】
　【００２０】表１に示すように、｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５を満たしている初期化パワ５ｍＷや６ｍＷでは、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．０５μｍを満たしており、エラーレートが常に１０−５以下である。
　【００２１】（実施例２）基板１としてポリカーボネート（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を１００ｎｍ、記録層３としてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を１５ｎｍ、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を２０ｎｍ、反射層５としてＡｌを６０ｎｍを順次スパッタリングにより積層した。
　【００２２】初期化は波長８３０ｎｍ、集光ビーム径１００μｍの高出力半導体レーザ（最高出力１Ｗ）を用い、線速２ｍ／ｓにおいて、初期化パワを５３０，５５０，５８０，６００ｍＷと変化させて行った。初期化を行った後、実施例１と同様に線速１１．３ｍ／ｓにおいて記録特性の変化を調べた。
　【００２３】初期化パワに依存して初期化結晶部の吸収率は図５に示すように変化した。各初期化条件ごとに、初記録において記録信号の２次高調波歪み（２ｎｄＨ／Ｃ）が最少となる記録パワを求め、線速１１．３ｍ／ｓにおいて各初期化条件ごとに同一の記録・消去パワで１００回繰り返し記録を行い、マーク長変動（初記録のマーク長Ｌｉと繰り返し後のマーク長Ｌａ）、エラーレートの変化を調べた。測定結果を表２に示す。
　【００２４】
　【表２】
　【００２５】表２に示すように、｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＜０．０５を満たしている初期化パワ５５０ｍＷや５８０ｍＷでは、｜Ｌｉ−Ｌａ｜＜０．０５２ｍを満たしており、エラーレートが常に１０−５以下である。
　【００２６】（実施例３）基板１としてポリカーボネート（ＰＣ）を用い、下部保護層２としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を１００ｎｍ、記録層３としてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を１５ｎｍ、上部保護層４としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を４０ｎｍ、反射層５としてＡｌを６０ｎｍを順次スパッタリングにより積層した。
　【００２７】初期化にはフラッシュランプを用い、照射ランプ強度を変化させて初期化を行い、繰り返しにともなう記録特性の変化を調べた。フラッシュランプにより供給されるエネルギーに依存して初期化部の吸収率は図６に示すように変化した。
　【００２８】各初期化条件ごとに、初記録において記録信号の２次高調波歪み（２ｎｄＨ／Ｃ）が最少となる記録パワを求め、線速１１．３ｍ／ｓにおいて各初期化条件ごとに同一の記録・消去パワで１００回繰り返し記録を行い、マーク長変動（初記録のマーク長Ｌｉと繰り返し後のマーク長Ｌａ）、エラーレートの変化を調べた。測定結果を表２に示す。実施例１と同じ条件で測定を行い、繰り返しにともなう３．３９ＭＨｚの信号のマーク長の変動を調べた。測定結果を表３に示す。
　【００２９】
　【表３】
　【００３０】表３に示すように、｜Ａｉ−Ａｅ｜／Ａｅ＝０となっている初期化パワ２．２ＫＪでは、エラーレートが常に１０−５以下である。
　【００３１】
　【発明の効果】以上説明したように、本発明により、マークエッジ記録適用時に、初記録から繰り返し後にわたってマーク長変動の小さい安定した記録を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明にかかる相変化光ディスクの光学特性を示す図である。
　【図２】本発明にかかる相変化光ディスクの媒体構成の１例の断面を示す図である。
　【図３】初期化状態から繰り返しにともなう相変化光ディスクの状態変化を示す図である。
　【図４】初期化パワと、初期化部の反射率と吸収率の相関関係を示した図である。
　【図５】初期化パワと初期化部の吸収率の相関を示した図である。
　【図６】初期化パワと初期化部の吸収率の相関を示した図である。
　【符号の説明】
　１　基板
　２　下部保護層
　３　記録層
　４　上部保護層
　５　反射層