【事件の表示】
　特許第２９６７５８１号「リソグラフィ工程のシミュレーション方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９６７５８１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第２９６７５８１号は、平成９年１２月２６日（優先権主張１９９６年１２月２７日、韓国）に特許出願され、平成１１年８月２０日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人依田昌三から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年２月２６日に意見書が提出されたものである。
１．１　異議申立ての概要
(1988)）及び甲第３号証（Focus:the critical parameter for submicron optical lithography:part2,William　H.Arnold Advanced Micro Devices,Harry J.Levinson,Sierra　Semiconductor　SPIE Vol.772 0ptical Microlithography VI(1987)）を提出し、本件請求項１〜４に係る発明は、それぞれ、甲第１〜３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人依田昌三が提出した甲第１〜３号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の第１７１頁２．１ ”Ｍｏｄｅｌ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ”の第１行目には、「まず我々は、シミュレーションにより振る舞いを予測しようと努力する」と記載されている。
　同頁の２．Ｔｈｅ　Ｐｒｏｂｌｅｍ（ｓ）の第３行目に、「第１図ａ、ｂは、標準的なｉラインリソグラフィで明らかにされた３５０ｎｍデザインルールのゲートでの問題を予測する」と記載され、第１図ａにはマスクパターンが示されており、第１図ｂには、それぞれのマスクイメージに対して形状が細められたレジストイメージが示されている。
　また、同号証の第１７１頁２．１ ”Ｍｏｄｅｌ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ”の第３行目には、「それは、単純な空間イメージとスレッシヨルドモデルの式ではあまり正確に計算できていないことを示している。」と記載されている。
　また、第１７１頁２．１ ”Ｍｏｄｅｌ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ”の第８行目〜第９行目には「レジストシステムはより高いコントラストを示し、かつ、ブリーチングが低減するように開発されるので、レジストシステムでは、空間イメージで示されるエネルギーとレジストに入射されるエネルギーとが一致しているだろう。」と記載されている。
　また、「最終的なエネルギー分布はガウシアンカーネルと潜在イメージとの畳み込み積分から導かれる。」（第１７２頁第２１行目）と記載され、その積分方程式が（８）式に示されている。
　第１７２頁第３１行目に、「我々のフォーミュレーションでは下地構造を無視した。」と記載されている。
　また、同号証の第２図には拡張された空間イメージが示されており、また、その説明部分である第１７２頁第２９行目から第３０行目には、「単純なレジストスレッシヨルドモデルを上式（８）に基づいて計算された光強度に採用した結果を第２図に示す。」と記載されている。
　なお、甲第１号証の（８）式では、ガウスカーネルを表わす部分ｅｘｐ（２π２）において、ｅｘｐと（２π２）との間にマイナス符号の記載がなく、ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌの累乗の係数が正であるように記載されているが、これは明らかに−２π２の誤りである。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証は、サブミクロン光リソグラフィに関する論文であり、その第１４５頁の第２行目〜第７行目には、「以前のモデルでは空間イメージがレジストの厚さ方向に対して一定であると仮定されていた。このことは、イメージがレジスト中を伝播する際にもイメージはデフォーカスしないと仮定しているため、レジストの厚さがプロセスの焦点深度より小さいといっていることと等価である。しかし、サブミクロン世代のイメージングにおいては、この近似はもはや有効でない。そのためサブミクロン光リソグラフィでのフォーカス効果を正確に記述するためには、レジスト内部でのデフォーカシングを考慮しなければならない。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証は、サブミクロン光リソグラフィに関する論文であり、その第３０頁第５行目〜第８行目には、「焦点深度は以下のように考えられる。あらゆる厚さのレジストに対して焦点の長さはレジストが稼動し、適当な大きさの形状を維持することのできる距離として定義される。薄いレジストに対しては、その距離は空間イメージと直接結びついている。」と記載されている。
２．異議申立てに係る本件請求項１〜４記載の発明
請求項１
　リソグラフィ工程のシミュレーション方法において、
Ｉライン用レジスト工程で露光装備条件、及びマスク・レイアウトを入力させ空間イメージ（Ｉ０）を求める段階と、
露光工程でレジストから発生するＡｃｉｄの分布と、前記空間イメージを等しく取り扱い、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｅ　Ｂａｋｅ）工程で前記Ａｃｉｄが拡散されるのを考慮して拡散した空間イメージを求める段階と、
前記拡散された空間イメージのスレッシヨルド・モデルを適用してパターンの大きさを予測する段階と、でなることを特徴とするリソグラフィ工程のシミュレーション方法。
請求項２
　前記拡散された空間イメージ（Ｉ）は、次の数式を介して得ることを特徴とする請求項１記載のリソグラフィ工程のシミュレーション方法。
【数１】　
　（省略）　　　　　　　　　・・・（１）　　ここで、ｌ０は空間イメージＦとＦ−１はそれぞれｘ０、ｙ０平面でξη平面へのＦｏｕｒｉｅｒ　Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎと、ξη平面でそれぞれｘ、ｙ平面へのＩｎｖｅｒｓｅ　Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎを表し、ｘ０、ｙ０は初期空間（ｉｎｉｔｉａｌ ｓｐａｃｅ）であり、ｘ、ｙは最終空間で、σＢはＦｉｔｔｉｎｇ ｐａｒａｍｅｔｅｒである。
請求項３
　前記レジストから発生するＡｃｉｄの分布と、前記空間イメージを同一に扱うためにはＡｃｉｄの分布を３次元から２次元に扱うことを特徴とする請求項１記載のリソグラフィ工程のシミュレーション方法。
請求項４
　前記レジストから発生するＡｃｉｄの分布と、前記空間イメージを同一に扱うためには前記レジスト厚さを１５０００Å以下にすることを特徴とする請求項１記載のリソグラフィ工程のシミュレーション方法。
３．特許異議申立てについての判断
３．１　本件請求項１〜４に係る発明
　上記２．に記載のとおり。
３．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
３．２．１　本件請求項１〜４に係る発明と甲各号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明及び請求項１を引用する請求項２〜４に係る発明（以下、「本件発明」という。）が、「露光工程でレジストから発生するＡｃｉｄの分布と、前記空間イメージを等しく取り扱い、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｅ　Ｂａｋｅ）工程で前記Ａｃｉｄが拡散されるのを考慮して拡散した空間イメージを求める段階と、
前記拡散された空間イメージのスレッシヨルド・モデルを適用してパターンの大きさを予測する段階と、でなることを特徴とするリソグラフィ工程のシミュレーション方法」（以下、「本件発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、甲第１〜甲第３号証記載の発明にはいずれも「ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｅ　Ｂａｋｅ）工程で前記Ａｃｉｄが拡散されるのを考慮して拡散した空間イメージを求める」上記構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、当審の審尋に対して、異議申立人依田昌三が提出した、回答書に記載された文献を参照しても、甲第１号証記載の式（８）が本件請求項２に記載された【数１】と数学的に等しい内容のものであると認められるが、甲第１号証の文献は、「ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｅ　Ｂａｋｅ）工程で前記Ａｃｉｄが拡散されるのを考慮して拡散した空間イメージを求める」ものであるとは認められない。
　さらに、本件発明は、上記本件発明の特徴的構成を有することにより、特許明細書【００７１】段落に記載された上記甲第１号証〜甲第３号証記載の発明にはない効果を有する。
　従って、本件発明は、甲第１号証〜甲第３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものともいえない。
４．むすび
 上記のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月３０日（２００１．８．３０）