【事件の表示】
　特許第２８８８２２８号「荷電粒子線用部分一括マスクの構造」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８８２２８号の請求項１ないし２、４ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２８８８２２８号発明は、平成９年４月２５日に特許出願され、平成１１年２月１９日にその発明の特許がなされ、その後、野本　進より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年４月２４日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
（ｉ）特許請求の範囲の訂正
ア.訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に特定された次のとおりのものである。
　「【請求項１】電子銃から放出された電子ビーム、もしくは、イオン源から放出されたイオンビームを、所望の形状に成形するための、荷電粒子ビーム描画装置用一括マスクにおいて、所望のパターン開口と共に、マスク再加工用の補助パターン開口を有する、ことを特徴とする荷電粒子線用部分一括マスクの構造。」
イ.訂正明細書の請求項２に係る発明
　訂正明細書の請求項２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項２に特定された次のとおりのものである。
　「【請求項２】前記マスク再加工用の補助パターン開口が、前記所望パターン開口の端部、もしくはコーナー部に備えられたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線用部分一括マスクの構造。」
ウ.訂正明細書の請求項３に係る発明
　訂正明細書の請求項３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項３に特定された次のとおりのものである。
　「【請求項３】前記マスク再加工用の補助パターン開口が、前記所望パターン開口のコーナー部もしくは端部との距離が、集束イオンビーム（ＦＩＢ）もしくはレーザー等を用いて、加工削除することが可能な位置に配置されている、ことを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子線用部分一括マスクの構造。」
エ.訂正明細書の請求項４に係る発明
　訂正明細書の請求項４に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項４に特定された次のとおりのものである。
　「【請求項４】前記マスク再加工用の補助パターン開口の大きさを、電子ビームあるいはイオンビームの照射により解像しない大きさとした、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載の荷電粒子線用部分一括マスクの構造。 」
（ｉｉ）発明の詳細な説明の訂正
ア.明細書中の段落【００１２】(特許掲載公報第４欄第３０−３１行)及び段落【００１３】(特許掲載公報第４欄第３２−３３行)の「補助パターン開口」を「マスク再加工用の補助パターン」と訂正する。
（ｉｉｉ）訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否等
　上記訂正（ｉ）は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではなく、新規事項の追加もない。また、上記訂正（ｉｉ）は、特許請求の範囲の訂正に付随する訂正であるから、発明の詳細な説明の欄中の明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、新規事項の追加もない。
（ｉｖ）独立特許要件の判断
（引用刊行物に記載された発明）
訂正前明細書の請求項１、２、４、５に係る発明に対して、
当審が通知した取消理由で引用した（特開平８−４５８０８号公報）（以下「第１引用例」という。）には、電子銃１から放出された電子ビーム８を、所望の形状に成形するための、荷電粒子ビーム描画装置用第２アパーチャー４において、描画用開口パターン１１〜１５と共に、電子量制御用開口１６、１７を有する構造、電子量制御用開口１６、１７が描画用開口パターン１１〜１５の端部に備えられた構造、電子量制御用開口１６、１７は解像限界以下の電子量を通過させる幅である構造、及び第２アパーチャー４をもちいて、パターンの描画を行う構造が記載されている。
（請求項１、２、４、５に係る発明についての対比・判断）
〈第２９条第１項第３号〉
　本件請求項１、２、４、５に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項１、２、４、５に係る発明の「一括マスク」、「パターン開口」、「補助パターン開口」は、夫々第１引用例に記載の発明の「第２アパーチャー４」、「描画用開口パターン１１〜１５」、「電子制御用開口１６、１７」に相当するから、前者がマスク再加工用の補助パターン開口であるのに対して、後者は、電子制御用開口１６、１７である点で相違し、その余の点で一致している。
　そして、上記相違点は、自明の事項であるとも、技術常識であるとも認められないから、前者が、後者に記載された発明であるとはいえない。
　したがって、本件請求項１、２、４、５に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（ｖ）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア.申立ての理由の概要
　申立人野本　進は、証拠として甲第１号証（特開平８−４５８０８号公報）を提出し、訂正前の請求項１、２、４、５に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張し、また、請求項１、２、４、５に係る発明は、特許法第３６条第４、６項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
イ.判断
〔本件請求項１、２、４、５に係る発明〕
　　本件請求項１、２、４、５に係る発明は、上記（２）（ｉｖ）で示したように、取消理由通知で示した引用例に記載された発明と同一であるものとすることができない。
〔記載不備〕
上記訂正により、異議申立人の主張する記載不備はなくなった。
ウ.むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１、２、４、５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、２、４、５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月２１日（２０００．６．２１）
【訂正の要旨】
　　　訂正の要旨
特許請求の範囲の減縮を目的として、下記（１）〜（４）のように特許請求の範囲を訂正する。また、特許請求の範囲の訂正に応じて、発明の詳細な説明についても、適合性を持たせるために下記（５）のように訂正する。
（１）特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
　「【請求項１】電子銃から放出された電子ビーム、もしくは、イオン源から放出されたイオンビームを、所望の形状に成形するための、荷電粒子ビーム描画装置用一括マスクにおいて、所望のパターン開口と共に、マスク再加工用の補助パターン開口を有する、ことを特徴とする荷電粒子線用部分一括マスクの構造。」
（２）特許請求の範囲の請求項２を次のとおり訂正する。
　「【請求項２】前記マスク再加工用の補助パターン開口が、前記所望パターン開口の端部、もしくはコーナー部に備えられたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線用部分一括マスクの構造。」
（３）特許請求の範囲の請求項３を次のとおり訂正する。
　「【請求項３】前記マスク再加工用の補助パターン開口が、前記所望パターン開口のコーナー部もしくは端部との距離が、集束イオンビーム（ＦＩＢ）もしくはレーザー等を用いて、加工削除することが可能な位置に配置されている、ことを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子線用部分一括マスクの構造。」
（４）特許請求の範囲の請求項４を次のとおり訂正する。
　「【請求項４】前記マスク再加工用の補助パターン開口の大きさを、電子ビームあるいはイオンビームの照射により解像しない大きさとした、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載の荷電粒子線用部分一括マスクの構造。」
（５）明細書中の段落【００１２】（特許掲載公報第４欄第３０−３１行）及び段落【００１３】（特許掲載公報第４欄第３２−３３行）の「補助パターン開口」を「マスク再加工用の補助パターン」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
荷電粒子線用部分一括マスクの構造
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】電子銃から放出された電子ビーム、もしくは、イオン源から放出されたイオンビームを、所望の形状に成形するための、荷電粒子ビーム描画装置用一括マスクにおいて、所望のパターン開口と共に、
マスク再加工用の
　【請求項２】前記
マスク再加工用の
　【請求項３】前記
マスク再加工用の
　【請求項４】前記
マスク再加工用の
　【請求項５】請求項１記載の荷電粒子線用部分一括マスクを用いて、パターンの描画を行うことを特徴とする荷電粒子線露光方法。
　【請求項６】複数の所望パターンを一括して転写する荷電粒子ビーム露光に使用するマスクに、所望のメインパターン開口に加えて、再加工用の補助パターン開口を配置しておき、前記メインパターン開口が設計値に満たない場合には、前記補助パターン開口を再加工して前記メインパターン開口につなげ開口サイズの修正を行い、前記メインパターン開口が設計値に満たないことによる断線等の接続不良の発生を回避可能としたことを特徴とする荷電粒子線用部分一括マスクの構造。
　【請求項７】複数の所望パターンを一括して転写する電子線ビーム露光に使用する電子ビーム描画装置用部分一括マスクにおいて、所望のメインパターン開口に対して、電子ビームの照射により解像しないサイズの補助パターン開口が、前記メインパターン開口の端部もしくはコーナー部において、前記補助パターン開口を再加工して削除し前記メインパターン開口に繋がるような位置に、配置されている、ことを特徴とする電子ビーム描画用部分一括マスクの構造。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は複数の所望パターンを一括して転写する荷電粒子ビーム露光に用いる荷電粒子線用部分一括マスクの構造に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】近年、半導体装置の製造には、高いスループットが要求されており、これは、微細パターンを半導体ウェハ上に形成するリソグラフィーにおいても、例外ではない。このため、紫外光を用いる光りソグラフィーや、Ｘ線を用いるＸ線リソグラフィーばかりでなく、電子線を用いる電子線リソグラフィーにおいても、予め所望パターンが形成された光やＸ線用マスク、レチクルと同等である荷電粒子ビームマスクを使用する転写法が提案されている。
　【０００３】この転写法で使用する荷電粒子線用部分一括マスクには、通常、可変成型用の開口とデバイス設計データから抽出されたコンタクトパターンやラインアンドスペース（Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ）パターン等の繰り返しパターンの開口が複数個形成されている。図４は、従来のマスクの製造工程を順に模式的に示した断面図である。
　【０００４】ここで、従来の荷電粒子線用部分一括マスクの製作に当たって、マスク上の上記パターンの開口は、２０μｍもの厚さのＳｉ基板をトレンチエッチングした後（図４（Ｂ）参照）、ＫＯＨなどを用いて裏面からバックエッチングすることにより、形成されている（図４（Ｃ）参照）。
　【０００５】また、これらの荷電粒子線用部分一括マスクは、通常、Ｓｉウェハ上に複数個形成した後に、ダイシングされる。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】従来の荷電粒子線用部分一括マスクのデバイスパターン開口は、２０μｍもの厚さのＳｉ基板をトレンチエッチングすることにより形成されている（図４（Ｂ）参照）。しかし、このマスク上に搭載されている種々のパターンそれぞれの開口面積に応じて、トレンチエッチングの最適なエッチング時間は異なっている。
　【０００７】従来、エッチング条件（ガスの組成、流量、エッチング時間、等）を最適化することにより、加工精度の向上を図ってきているが、デバイスパターン（図４（Ｂ）の２）によっては、その開口面積率は、７０％以上も異なる場合がある。また、ウェハ面内でのエッチング条件の差も無視することはできない。
　【０００８】このため、パターン開口のでき上がり寸法にばらつきが生じていた。
　【０００９】これらのマスクを用いて描画した場合、パターン開口が設計値より小さいときには、コンタクトの抜け不良、部分一括間での接続不良が生じ、最悪の場合は、断線等の致命的な欠陥となっていた。
　【００１０】そして、また断線等の致命的な欠陥が生じた場合にも、マスクの修正加工は困難であった。
　【００１１】したがって、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、複数の所望パターンを一括して転写する電荷粒子ビーム露光において、マスクの開口の加工精度不足による描画精度の劣化を防ぎ、精度良く描画を行うことを可能とする荷電粒子線用部分一括マスクの構造を提供することにある。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、本発明は、前記電子銃から放出された電子ビームもしくはイオン源から放出されたイオンビームを、所望の形状に成形するための、荷電粒子ビーム描画装置用一括マスクにおいて、所望のパターン開口と共に、
マスク再加工用の
　【００１３】また、本発明においては、前記
マスク再加工用の
　【００１４】本発明においては、前記補助パターン開口部が、電子ビームあるいはイオンビームの照射により解像しない大きさである。
　【００１５】
　【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下に説明する。本発明は、その好ましい実施の形態において、マスクの加工精度不足により開口寸法が設計値と異なることを考慮して、マスク上に、予め、マスク再加工用の補助パターン（図１、図３の５参照）を作り込むようにしたものである。
　【００１６】本発明の実施の形態において、補助パターンとして用いるパターンは、各装置の限界解像度にも左右されるが、電子ビーム（ＥＢ）直描の際にも、パターンとして解像しない、好ましくは０．２μｍ以下の小さなパターンからなる。
　【００１７】そして、本発明の実施の形態においては、マスクのでき上がり寸法が設計値より小さく、断線等の致命的な接続不良が生じる場合には、例えばＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ；集束イオンビーム）もしくはレーザ等を用いて補助パターンとメインパターンをつなげることにより、開口サイズの修正を行う。なおＦＩＢリペア（集束イオンビーム修正）装置は、電子に較べ質量の重いイオンを加速、集束してマスクを修正するものである。
　【００１８】このように、補助パターンを用いることにより、比較的容易にマスク開口の再加工が可能であり、部分一括ショット接続部での断線及びコンタクト抜け不良等の欠陥を低減できる。
　【００１９】
　【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
　【００２０】図１は、本発明の荷電粒子線用部分一括マスクの構造の一実施例を示した図であり、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｙ線の断面を示す図である。なお、図２はゲートパターンを例に示したものである。
　【００２１】図１を参照すると、本実施例において、デバイスパターン（メインパターン）４である開口Ａの端部近傍に、マスク再加工用の補助パターン５（開口Ｂ）が配置されている。
　【００２２】これらの補助パターン４は、０．１μｍ程度の大きさのパターンであり、通常の電子ビーム（ＥＢ）直描では、解像することはない。
　【００２３】メインパターン４である開口Ａのでき上がり寸法が、設計値よりも小さく、断線等の致命的な欠陥が生じる場合には、図２（Ｂ）に示すように、メインパターン開口Ａと補助パターン開口Ｂをつなげることにより、断線等の欠陥の発生を回避する。
　【００２４】図２は、本発明の荷電粒子線用部分一括マスクの構造の一実施例を示した図であり、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＸ−Ｙ線の断面を示す図である。図２（Ｂ）に示すように補助パターンＢは、再加工されて除去されメインパターン開口Ａとつなげられている。
　【００２５】次に本発明の第２の実施例について図面を参照して説明する。図３は、本発明の荷電粒子線用部分一括マスクの構造を第２の実施例を示した図であり、図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＸ−Ｙ線の断面を示す図である。
　【００２６】図３を参照すると、本実施例において、デバイスパターン（メインパターン）である開口Ａのコーナー部近傍に、マスク再加工用の補助パターンＢが配置されている。
　【００２７】これらの補助パターンは、０．１μｍ程度の大きさのパターンであり、通常のＥＢ直描では解像することはない。
　【００２８】メインパターン開口Ａのでき上がり寸法が設計値より小さく、スカムが発生する場合には、図３を参照して説明したように、メインパターン開口Ａと補助パターン開口Ｂをつなげることにより、コンタクト抜け不良の発生を回避する。なお、図４はコンタクトパターンを例に示したものである。
　【００２９】
　【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、マスク開口の再加工を容易に行うことを可能とし、断線、コンタクト抜け不良等の致命的な欠陥を低減することができるという効果を奏する。
　【００３０】その理由は、本発明においては、荷電粒子線用部分一括マスクに、デバイスパターン開口と共に、補助パターン開口を有し、断線等の致命的な欠陥が生じる場合には、補助パターン開口を再加工してメインパターン開口と補助パターン開口をつなげることにより開口サイズを修正し、断線等の欠陥の発生を回避可能としたことによる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例の構成を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｙ線の断面図である。
　【図２】本発明の一実施例の構成を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｙ線の断面図である。
　【図３】本発明の第２の実施例の構成を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｙ線の断面図である。
　【図４】従来技術を説明する図である。
　【符号の説明】
１　荷電粒子ビーム用マスク基板
２　デバイスパターン
３　裏面開口
４　メインパターン（開口Ａ）
５　補助パターン（開口Ｂ）
６　再加工（除去）部分