【事件の表示】
　特許第２９５０２８０号「電子線の描画方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５０２８０号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第２９５０８０号は、平成９年３月３１日に特許出願され、平成１１年７月９日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人野本進から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月１日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月７日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人野本進は、甲第１号証（特開平７−７８７３７号公報）及び甲第２号証（特開平４−２１２４０７号公報）を提出し、本件請求項１〜７に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、本件請求項１〜７に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件請求項１〜７に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　また、異議申立人野本進は、本件請求項１、２４及び７に記載された発明は、特許法第３６条第４項及び６項の規定に違反しているから、本件特許は、特許法第３６条の規定に違反してなされたものであり、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人野本進が提出した甲第１号証及び甲第２号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証には、【産業上の利用分野】の項に、「本発明は、・・・荷電粒子ビーム露光における近接効果補正技術に適用することができ、特に、後方散乱強度に影響を及ぼす複数の下地パターン層が形成されていても近接効果補正を正確に、かつ高速に行うことができるという荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置に関する。」と記載されている。
　甲第１号証には、【従来の技術】の項に、「近接効果補正法には、図形削除法や、露光量補正法、・・・ＧＨＯＳＴ露光法等が検討されている」と記載されている。
　甲第１号証には、【発明が解決しようとする課題】の項に、「特に、図９〜図１１に示す如く、下部にタングステン配線等の重金属がパターニングされている場合等は、配線上部では、後方散乱強度がその他の部分よりも異常に大きくなるため、近接効果補正がこの部分だけ良好に行えず、解像不良が生じ易いという問題があった。」と記載されている。
　この下地の影響を無くすために、甲第１号証には、請求項１に、「荷電粒子ビームを用いてパターン形成を行う荷電粒子ビーム露光方法において、所望のパターンを形成しようとする基板表面層に露光すべきパターンデータを所定の大きさの小領域に分割した後、該分割した小領域内のパターン存在密度を計算するともに、該表面層下に既に下層パターンが形成されている場合、該下層パターンのパターンデータを所定の大さの小領域に分割した後、該分割した小領域内のパターン存在密度を計算する工程と、
次いで、該表面層に露光するパターンの各小領域毎の主露光量を、該表面層のパターン存在密度と該下層パターンのパターン存在密度に依存する全散乱強度に基づいて算出する工程と、
次いで、該表面層の各小領域を該算出した主露光量に基づいて描画する工程とを含むことを特徴とする荷電粒子ビ一ム露光方法。」と記載され、請求項２には、「前記表面層と前記下層パターンを同じ分割メッシュを用いて小領域に分割することを特徴とする求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。」と記載されている。
　パターン存在密度は図２〜４に、マップ化されていることが示されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証の【従来の技術】の項に、ゴースト露光法は主露光に対して、主露光に用いるパターンの反転パターンを副露光として露光することにより近接効果の補正を行うものである旨記載されている。
　甲第２号証の【００３６】段落には、「代表単位図形を元のパターンの総面積と重心が一致するように設定した場合の蓄積エネルギーの分布を数値計算により見積もる」と記載されている。
　甲第２号証の第１７欄１６〜１８行目には、「代表単位図形は正方形で、一辺の長さは（ｙ／Ｎ）１２とする。代表単位図形の中心は小領域の中心に一致させる。」と記載されている。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書中の特許請求の範囲の請求項１の「（２）該領域毎に、前記下地パターンに対する面積密度を求める工程」を、「（２）該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書中の特許請求の範囲の請求項２の「前記（２）の「下地パターンに対する面積密度を求める工程」において、下地を形成する工程に用いられた下地層のパターン毎に面積密度を求め、面積密度マップを作成することを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。」を、「前記（２）の「下地パターンの面積密度を求める工程」において、求めた領域毎の下地パターンの面積密度を用いて、面積密度マップを作成することを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書中の請求項４〜６を削除し、以下項数を繰り上げる。
　クレーム対応表
　特許時のクレーム　　　　訂正後のクレーム
　　　　１　　　　　　　　　　　１
　　　　２　　　　　　　　　　　２
　　　　３　　　　　　　　　　　３
　　　　４　　　　　　　　　　削除
　　　　５　　　　　　　　　　削除
　　　　６　　　　　　　　　　削除
　　　　７　　　　　　　　　　　４
訂正事項ｄ
　特許明細書中の特許請求の範囲の請求項７を、「【請求項４】事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う電子線の描画方法において、前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、該面積密度に依存した最適露光量を求める工程と、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該領域の中心部に配置した副露光用パターン群を前記最適露光量を用いて露光する副露光工程と、所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書中の
「【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達成する手段として、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度から求めた副露光用矩形パターンを発生させ、このパターンを用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することを特徴とし、これにより前記目的を達成したものである。」を、「【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達成する手段として、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度に応じた副露光用矩形パターンを発生させるか、若しくは、パターン面積密度に応じた最適露光量を求め、このパターン若しくは、この最適露光量を用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することを特徴とし、これにより前記目的を達成したものである。」と訂正する。
訂正事項ｆ
　特許明細書中の「【００１９】即ち、本発明に係る電子線描画方法は、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う際、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターンに対する面積密度を求める工程と、（３）該面積密度に従ったパターンを発生させる工程と、（４）該パターンを用いて露光する副露光工程と、（５）所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」（請求項１）を要旨とする。」を、「【００１９】即ち、本発明に係る電子線描画方法は、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う際、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、（３）該面積密度に従ったパターンを発生させる工程と、（４）該パターンを用いて露光する副露光工程と、（５）所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」（請求項１）を要旨とする。また、本発明に係る電子線描画方法は、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う際、前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、該面積密度に依存した最適露光量を求める工程と、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該領域の中心部に配置した副露光用パターン群を前記最適露光量を用いて露光する副露光工程と、所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」（請求項４）を要旨とする。」と訂正する。
訂正事項ｇ
　特許明細書中の
「【００２０】
【発明の実施の形態】本発明に係る電子線描画方法の特に好ましい実施態様としては、
・前記（２）の「下地パターンに対する面積密度を求める工程」において、下地を形成する工程に用いられた下地層のパターン毎に面積密度を求め“面積密度マップ”を作成すること（請求項２）、・前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に、面積密度に従った矩形パターンを該領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成すること（請求項３）、
・前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成すること（請求項４）、
・前記（５）の「所望パターンを露光する主露光工程」において、下地に形成された構造、および、副露光時の露光量に依存した一定の露光量を差し引いて露光すること（請求項５）、を特徴とする。」を、
「【００２０】
【発明の実施の形態】本発明に係る電子線描画方法の特に好ましい実施態様としては、
・前記（２）の「下地パターンの面積密度を求める工程」において、求めた領域毎の下地パターンの面積密度を用いて“面積密度マップ”を作成すること（請求項２）、
・前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に、面積密度に従った矩形パターンを該領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成すること（請求項３）、を特徴とする。」と訂正する。
訂正事項ｈ
　特許明細書中の
「【００２１】また、本発明に係る前記電子線描画方法は、
・下地を形成する工程（プロセス）に用いられたパターン毎に面積密度を求め、面積密度マップを作成し、これを元に分割された領域毎に、面積密度に従った矩形パターンをこの領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を発生させ、下地を形成する膜質に依存した同一露光量で副露光するか（請求項６）、もしくは、
・分割された領域毎に、任意の同一サイズを有した矩形パターンをこの領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成し、各領域の面積密度に依存した最適露光量を用いて副露光を実施する（請求項７）。そして、所望パターンを露光する主露光工程において、下地に形成された構造、及び、副露光時の露光量に依存した一定の露光量を差し引いて露光する電子線描画方法である。」を、
「【００２１】」と訂正する。
訂正事項ｉ
　特許明細書中の
「【００２２】次に、本発明に係る前記電子線描画方法の作用について説明する。本発明は、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度から求めた副露光用矩形パターンを発生させ、このパターンを用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することが出来るため、従来の所望露光パターンに対する近接効果補正処理により近接効果を精度良く補正可能にし、結果的に寸法精度の良いレジストパターンを得られることになる。」
を、
「【００２２】次に、本発明に係る前記電子線描画方法の作用について説明する。
本発明は、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度に応じた副露光用矩形パターンを発生させるか、若しくは、パターン面積密度に応じた最適露光量を求め、このパターン若しくは、この最適露光量を用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することが出来るため、従来の所望露光パターンに対する近接効果補正処理により近接効果を精度良く補正可能にし、結果的に寸法精度の良いレジストパターンを得られることになる。」と訂正する。
２．２　訂正後の請求項
２．２．１　訂正後の請求項１
「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う電子線の描画方法において、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、（３）該面積密度に従ったパターンを発生させる工程と、（４）該パターンを用いて露光する副露光工程と、（５）所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」
２．２．２　訂正後の請求項２
「前記（２）の「下地パターンの面積密度を求める工程」において、求めた領域毎の下地パターンの面積密度を用いて、面積密度マップを作成することを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。」
２．２．３　訂正後の請求項３
「前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に　“面積密度に従った矩形パターンを該領域の中心部に配置した”副露光用パターン群を作成することを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。」
２．２．４　訂正後の請求項４
「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う電子線の描画方法において、前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、該面積密度に依存した最適露光量を求める工程と、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該該領域の中心部に配置した副露光用パターン群を前記最適露光量を用いて露光する副露光工程と、所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
３．１．１　訂正事項ａ及びｂ
　上記訂正事項ａ及びｂについては、特許明細書の請求項１及び２における「下地パターン面積密度」を、特許明細書の発明の詳細な説明に従って、「下地パターンの面積密度」と訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、当該「下地パターンの面積密度」という事項は，特許明細書の【００２８】段落〜【００２９】段落及び添付図面の図２（Ｂ）及び（Ｃ）の記載から、分割された領域の全面積に対する下地パターンの面積の割合の意味であることは明らかであり、特に【００２８】段落の「次に、この分割領域７毎に下地パターン５の占有する面積密度８を求め、」の記載から直接的かつ一義的に導き出せる事項であり、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．２　訂正事項ｃ
　上記訂正事項ｃについては，特許明細書の請求項４の削除に伴い、請求項を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　当該訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．３　訂正事項ｄ
　上記訂正事項ｄについては、特許明細書中の特許請求の範囲の請求項７は請求項４に従属し、該請求項４は請求項１に従属するものであるが、請求項１が面積密度に従ったパターンを発生させるのに対し、請求項７は、発生させるパターンは変えずに、面積密度に依存した最適露光量を用いて露光するものであり、特許明細書中の特許請求の範囲の請求項７は、発明の構成が明確でない。従って、請求項７を請求項１に従属させることは不明瞭であるので、独立請求項４に訂正するものである。当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。３．１．４　訂正事項ｅ〜ｉ
　上記訂正事項ｅ〜ｉについては，前記訂正事項ａ、ｂ、ｃ及びｄの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、訂正事項ｅ〜ｈは、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ〜ｉは、上記３．１．１〜３．１．４のとおりであるから、
上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定にに適合する。
　また、特許請求の範囲の記載と、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を整合させる訂正がなされたので、特許法第３６条第４及び６項の規定違反については、解消した。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜４に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１〜請求項４に係る発明と甲第１号証及び甲第２号証との対比、判断
　本件請求項１〜３に係る発明が、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う電子線の描画方法において、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、（３）該面積密度に従ったパターンを発生させる工程と、（４）該パターンを用いて露光する副露光工程と、（５）所望パターンを露光する主露光工程」（以下、「本件請求項１〜３に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明は、本件請求項１〜３に係る発明の特徴的構成について記載又は当該記載を示唆をするものではない。
　また、本件請求項１〜３に係る発明が、上記本件請求項１〜３に係る発明の特徴的構成を有することにより、特許明細書の【発明の効果】に記載された効果を有する。
　従って、本件請求項１〜に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたとすることができない。
　また、本件請求項４に係る発明が、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う電子線の描画方法において、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、（３）該面積密度に依存した最適露光量を求める工程と、（４）任意の同一サイズを有した矩形パターンを該該領域の中心部に配置した副露光用パターン群を前記最適露光量を用いて露光する副露光工程と、（５）所望パターンを露光する主露光工程」（以下、「本件請求項４に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明は、本件請求項２に係る発明の特徴的構成について記載又は当該記載を示唆をするものではない。
　また、本件請求項４に係る発明が、上記本件請求項４に係る発明の特徴的構成を有することにより、特許明細書の【発明の効果】に記載された効果を有する。
　従って、本件請求項４に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１.
〜４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月１３日（２０００．１１．１３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ、ｂ、ｄ〜ｉは、明りょうでない記載の釈明を目的とし、訂正事項ｃは、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とする。
訂正事項ａ
　特許明細書中の特許請求の範囲の請求項１の「（２）該領域毎に、前記下地パターンに対する面積密度を求める工程」を、「（２）該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書中の特許請求の範囲の請求項２の「前記（２）の「下地パターンに対する面積密度を求める工程」において、下地を形成する工程に用いられた下地層のパターン毎に面積密度を求め、面積密度マップを作成することを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。」を、「前記（２）の「下地パターンの面積密度を求める工程」において、求めた領域毎の下地パターンの面積密度を用いて、面積密度マップを作成することを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書中の請求項４〜６を削除し、以下項数を繰り上げる。
　クレーム対応表
　特許時のクレーム　　　　訂正後のクレーム
　　　　１　　　　　　　　　　　　１
　　　　２　　　　　　　　　　　　２
　　　　３　　　　　　　　　　　　３
　　　　４　　　　　　　　　　　削除
　　　　５　　　　　　　　　　　削除
　　　　６　　　　　　　　　　　削除
　　　　７　　　　　　　　　　　　４
訂正事項ｄ
　特許明細書中の特許請求の範囲の請求項７を、「【請求項４】事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う電子線の描画方法において、前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、該面積密度に依存した最適露光量を求める工程と、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該領域の中心部に配置した副露光用パターン群を前記最適露光量を用いて露光する副露光工程と、所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書中の
「【００１８】
　【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達成する手段として、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度から求めた副露光用矩形パターンを発生させ、このパターンを用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することを特徴とし、これにより前記目的を達成したものである。」を、
「【００１８】
　【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達成する手段として、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度に応じた副露光用矩形パターンを発生させるか、若しくは、パターン面積密度に応じた最適露光量を求め、このパターン若しくは、この最適露光量を用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することを特徴とし、これにより前記目的を達成したものである。」と訂正する。
訂正事項ｆ
　特許明細書中の「【００１９】即ち、本発明に係る電子線描画方法は、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う際、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターンに対する面積密度を求める工程と、（３）該面積密度に従ったパターンを発生させる工程と、（４）該パターンを用いて露光する副露光工程と、（５）所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」（請求項１）を要旨とする。」を、「【００１９】即ち、本発明に係る電子線描画方法は、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う際、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、（３）該面積密度に従ったパターンを発生させる工程と、（４）該パターンを用いて露光する副露光工程と、（５）所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」（請求項１）を要旨とする。また、本発明に係る電子線描画方法は、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う際、前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、該面積密度に依存した最適露光量を求める工程と、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該領域の中心部に配置した副露光用パターン群を前記最適露光量を用いて露光する副露光工程と、所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」（請求項４）を要旨とする。」と訂正する。
訂正事項ｇ
　特許明細書中の
「【００２０】
　【発明の実施の形態】本発明に係る電子線描画方法の特に好ましい実施態様としては、
・前記（２）の「下地パターンに対する面積密度を求める工程」において、下地を形成する工程に用いられた下地層のパターン毎に面積密度を求め“面積密度マップ”を作成すること（請求項２）、
・前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に、面積密度に従った矩形パターンを該領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成すること（請求項３）、
・前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成すること（請求項４）、
・前記（５）の「所望パターンを露光する主露光工程」において、下地に形成された構造、および、副露光時の露光量に依存した一定の露光量を差し引いて露光すること（請求項５）、を特徴とする。」を、
「【００２０】
　【発明の実施の形態】本発明に係る電子線描画方法の特に好ましい実施態様としては、
・前記（２）の「下地パターンの面積密度を求める工程」において、求めた領域毎の下地パターンの面積密度を用いて“面積密度マップ”を作成すること（請求項２）、
・前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に、面積密度に従った矩形パターンを該領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成すること（請求項３）、を特徴とする。」と訂正する。
訂正事項ｈ
　特許明細書中の
「【００２１】また、本発明に係る前記電子線描画方法は、
・下地を形成する工程（プロセス）に用いられたパターン毎に面積密度を求め、面積密度マップを作成し、これを元に分割された領域毎に、面積密度に従った矩形パターンをこの領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を発生させ、下地を形成する膜質に依存した同一露光量で副露光するか（請求項６）、もしくは、
・分割された領域毎に、任意の同一サイズを有した矩形パターンをこの領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成し、各領域の面積密度に依存した最適露光量を用いて副露光を実施する（請求項７）。そして、所望パターンを露光する主露光工程において、下地に形成された構造、及び、副露光時の露光量に依存した一定の露光量を差し引いて露光する電子線描画方法である。」
を、
「【００２１】」と訂正する。
訂正事項ｉ
　特許明細書中の
「【００２２】次に、本発明に係る前記電子線描画方法の作用について説明する。本発明は、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響　（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度から求めた副露光用矩形パターンを発生させ、このパターンを用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することが出来るため、従来の所望露光パターンに対する近接効果補正処理により近接効果を精度良く補正可能にし、結果的に寸法精度の良いレジストパターンを得られることになる。」
を、
「【００２２】次に、本発明に係る前記電子線描画方法の作用について説明する。
本発明は、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度に応じた副露光用矩形パターンを発生させるか、若しくは、パターン面積密度に応じた最適露光量を求め、このパターン若しくは、この最適露光量を用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することが出来るため、従来の所望露光パターンに対する近接効果補正処理により近接効果を精度良く補正可能にし、結果的に寸法精度の良いレジストパターンを得られることになる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電子線の描画方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う電子線の描画方法において、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターン
の
　【請求項２】　前記（２）の「下地パターン
の
求めた領域毎の下地パターンの面積密度を用いて
　【請求項３】　前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に“面積密度に従った矩形パターンを該領域の中心部に配置した”副露光用パターン群を作成することを特徴とする請求項１に記載の電子線描画方法。
　【請求項４】　
事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う電子線の描画方法において、前記下地に形成されたパターン郡を任意の領域に分割する工程と、該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、該面積密度に依存した最適露光量を求める工程と、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該領域の中心部に配置した副露光用パターン群を前記最適露光量を用いて露光する副露光工程と、所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、電子線の描画方法に関し、詳細には、電子線を用いてレジストに所望パターンを直接露光する電子線の露光方法に係る電子線の描画方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】図５は、従来の電子線描画方法を説明する図であって、入射した電子が、レジスト中で散乱し、さらに、下地基板によって跳ね返って散乱することを示す概念図である。なお、図中の２はレジスト，２０は入射電子，２２は下地基板であり、破線矢印２１は、前方散乱の方向を示し、実線矢印２３は、後方散乱の方向を示す。
　【０００３】従来の電子線描画方法では、電子線を用いて所望パターンを露光する場合、予め露光パターン間の近接効果（相互近接効果）、及び、パターン内の近接効果（自己近接効果）の補正処理が施される。
　【０００４】そして、一般に、ゴースト法［Ｇ．Ｏｗｅｎ　ｅｔ　ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ３，１５３（１９８５）参照］や逐次計算法［Ｍ．Ｐａｒｉｋｈ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５０，４３７１（１９７９）参照］を基にした補正方法が用いられている。この際、近接効果を定量する方法は、次の式（１）に示す２個のガウス分布の和で表せられる描画強度（ＥＩＤ）関数［Ｔ．Ｈ．Ｐ．Ｃｈａｎｇ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１２，１２７１（１９７５）参照］が用いられる。
式（１）：ｆ（ｒ）＝１／（１＋η）π・［１／βｆ２・ｅｘｐ（−ｒ２／βｆ２）＋η／βｂ２・ｅｘｐ（−ｒ２／βｂ２）］
　【０００５】上記描画強度（ＥＩＤ）関数について、前掲の図５を参照して説明すると、描画強度（ＥＩＤ）関数の第１項は、レジスト２に入射した電子（入射電子２０）が前方散乱しつつ（破線矢印２１参照）、進入していく際に蓄積されたエネルギの分布であり、第２項は、入射電子２１がレジスト２中および下地基板２２中の原子核によって後方散乱し（実線矢印２３参照）、入射方向と逆方向に散乱して行く際に蓄積されるエネルギ分布である。
　【０００６】なお、前記式（１）で、“βｆ”は、「前方散乱径（第１項のガウス分布の標準偏差）」、“βｂ”は、「後方散乱径（第２項のガウス分布の標準偏差）」、“η”は、「後方散乱係数（前方散乱によって蓄積されるエネルギと後方散乱によって蓄積されるエネルギとの比）」、とそれぞれ呼ばれている。そして、定数である“βｆ”“βｂ”“η”は、通常、シミュレーションによって求められ、この際、遮蔽ラザフォード散乱公式、及び、べーテのエネルギ損失の式が用いられる
［Ｍ．Ｐａｒｉｋｈ　ａｎｄ　Ｄ．Ｆ．Ｋｙｓｅｒ，Ｊ．Ａｐｐｌ．５０，１１０４（１９７９）参照］。
　【０００７】上記定数の中で、特に後方散乱係数“η”は、下地基板２２に依存する定数であり、通常、露光後にエッチングされる下地材料のみの原子量，密度，膜厚によって決定されている。
　【０００８】ここで、図６に、下地基板構造にＳｉ基板２４のみ，Ｗ（０．２μｍ）／Ｓｉ基板２５，Ｗ（０．４μｍ）／Ｓｉ基板２６を用いた場合の「基板種類依存性」を示す。下地基板の原子量や密度が高い場合、基板から跳ね返ってくる電子の量が増大するため、図６に示すように、後方散乱係数“η”が大きくなり、結果的に「下地からの後方散乱による蓄積エネルギの増大」を生じさせることになる。
　【０００９】通常用いられている近接効果補正方法は、前記の近接効果補正方法を基本にしているため、近年のＵＬＳＩの微細化，高集積化に伴い、描画スループットの低下や補正計算時間の長時間化を招いている。また、要求寸法精度も、設計寸法の１０％以下が求められており、通常の補正方法では、寸法精度不足が生じ始めている。
　【００１０】描画スループットの低下や補正計算時間の長時間化に関しては、簡略化された補正方法が提案されている。例えば、特開平５−１６００１０号公報および特開平８−３７１４６号公報に記載の方法が提案されている。
　【００１１】上記公報に記載の方法は、予め所望パターン群に対して任意の大きさを持った領域毎に描画面積を求め、この面積に依存した露光量を用いて補助露光を行い、所望露光パターン間の近接効果を一定にし、その分の露光量を差し引いて所望パターンを露光する方法である。しかし、上記方法では、露光パターン間の近接効果およびパターン内の近接効果の補正処理が基本となっているため、この方法においても、補正（寸法）精度不足の対策には至ってない。
　【００１２】
　【発明が解決しようとする課題】従来、電子線を用いた露光を行う際に施している近接効果補正は、前記したとおり、所望露光パターン間およびパターン内の補正処理であるため、既に形成されている複雑な配置や形状を持った下地基板構造からの影響（後方散乱によるエネルギ蓄積）を十分考慮されていない。そのため、配線工程等の複雑な下地構造を持った工程に電子線を用いて重ね合わせ露光を行う場合、下地基板の影響を十分考慮できず、結果的に露光後のレジスト寸法精度が劣化することになる。
　【００１３】上記劣化の原因は、以下に示すことに起因している。即ち、近接効果補正処理の計算時に用いられる前記式（１）の描画強度（ＥＩＤ）関数において、下地からの影響（後方散乱によるエネルギ蓄積）は、第２項によって見積もられる。この第２項内の「後方散乱径“βｂ”」およびｒ後方散乱係数“η”」が、後方散乱によるエネルギ蓄積量を決定する定数であるが、これらの定数は、あくまで下地からの影響が均一であることを前提としているため、既に形成されている複雑な下地構造，パターンの形状，配置，膜質等を考慮することが不可能になっている。
　【００１４】つまり、図７の（Ａ）に示すように、第Ｎ層３にＷ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｔａ等の材料を用いた下地パターン（配線，容量電極等）が、局所的に配置して形成され、そして、電子線露光後にエッチングが行われる第Ｎ＋１層２７に、酸化膜や窒化膜等の絶縁膜が用いられている場合、通常、第Ｎ＋１層２７に対して描画強度（ＥＩＤ）関数第２項の定数を決めて補正処理が行われるが、第Ｎ＋１層２７の下地である第Ｎ層３からの局所的な影響は考慮されていない。
　【００１５】そのため、図７の（Ｂ）に示すように、第Ｎ層３で形成された下地パターン５からの後方散乱による蓄積エネルギによって、所望パターン２８に対する近接効果補正処理の補正精度が局所的に劣化し、図７の（Ｃ）に示すように、得られるレジストパターン２９の寸法精度の劣化を招くことになる。特に、幾層にも重ねられたメタル配線が、既に形成された下地に対して上層に重ね合わせ露光を実施する場合、従来の近接効果補正処理だけで得られるレジストパターンの寸法劣化が顕著になる。
　【００１６】近年、デバイスの高集積化，微細化に伴い、０．２０μｍ以下の設計寸法を持ったパターンが要求され、設計に対して±１０％である０．２０μｍ以下の寸法精度が必要になっている。そのため、この寸法精度を劣化させる原因となる「近接効果補正処理の下地層に対する補正不足」を回避することが不可欠になっている。
　【００１７】本発明は、前記要望に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、下地層からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化し、一定にすることができるようにし、従来の下地構造を考慮を考慮しない所望露光パターンに対する近接効果補正処理により、良好なレジストパターンが得られる電子線描画方法を提供することにある。
　【００１８】
　【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達成する手段として、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度
に応じた
るか、若しくは、パターン面積密度に応じた最適露光量を求め
若しくは、この最適露光量
　【００１９】即ち、本発明に係る電子線描画方法は、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う際、（１）前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、（２）該領域毎に、前記下地パターン
の
また、本発明に係る電子線描画方法は、「事前に形成された下地パターンに対し、電子線を用いて重ね合わせ露光を行う際、前記下地に形成されたパターン群を任意の領域に分割する工程と、該領域毎に、前記下地パターンの面積密度を求める工程と、該面積密度に依存した最適露光量を求める工程と、任意の同一サイズを有した矩形パターンを該領域の中心部に配置した副露光用パターン群を前記最適露光量を用いて露光する副露光工程と、所望パターンを露光する主露光工程と、を含むことを特徴とする電子線描画方法。」（請求項４）を要旨とする。
　【００２０】
　【発明の実施の形態】本発明に係る電子線描画方法の特に好ましい実施態様としては、
・前記（２）の「下地パターン
の
求めた領域毎の下地パターンの面積密度を用いて
・前記（３）の「面積密度に従ったパターンを発生させる工程」において、分割された領域毎に、面積密度に従った矩形パターンを該領域の中心部に配置した“副露光用パターン群”を作成すること
（請求項３）、を特徴とする。
　【００２１】
　【００２２】次に、本発明に係る前記電子線描画方法の作用について説明する。本発明は、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度
に応じた
るか、若しくは、パターン面積密度に応じた最適露光量を求め
若しくは、この最適露光量
　【００２３】
　【実施例】以下、本発明に係る前記電子線描画方法の実施例を挙げ、本発明を具体的に説明する。
　【００２４】（実施例１）図１は、本発明の一実施例（実施例１）を説明する図であって、下地からの後方散乱の影響を考慮した近接効果補正方法のフローチャートを示す。
　【００２５】本実施例１では、「ステップ１」として、下地である第Ｎ層に形成されたパターンを、任意の大きさを持った領域（後方散乱径程度の大きさ）に分割する。次の「ステップ２」において、分割された領域毎の形成されたパターン面積密度を求め、第Ｎ層の面積密度マップを作成する。そして、「ステップ３」において、領域毎に副露光用の矩形パターンを発生させ、任意の露光量を設定する。
　【００２６】上記「ステップ１」から「ステップ３」までの処理フローを、所望パターンを露光する際の後方散乱に影響を及ぼす下地の層分繰り返し、各層に対する副露光用パターンを発生させる。そして、「ステップ４」において、求めた副露光パターンの重ね合わせ露光を実施し、最後の「ステップ５」において、所望パターンを用いた主露光を行う。この際、副露光時の後方散乱によって蓄積されたエネルギ強度分の露光量を、通常の近接効果補正処理を施された所望パターンの最適露光量から差し引いて露光する。
　【００２７】図１で示した「ステップ２」における“面積密度マップ”の作成処理について、図２を用いて説明する。図２の（Ａ）は、下地構造１（Ｎ個の層からなる下地）を有する基板に、所望パターンをレジスト２に露光する場合であり、第Ｎ層３および第Ｎ−１層４に対する面積密度マップ作成方法を説明する図である。
　【００２８】まず、図２の（Ｂ）に示すように、第Ｎ層３で形成された下地パターン５に対して、後方散乱径程度の大きさを持った任意の領域分割サイズ６で下地パターン５を分割する。次に、この分割領域７毎に下地パターン５の占有する面積密度８を求め、第Ｎ層で形成されたパターン面積密度マップ９を作成する。
　【００２９】また、上記と同様に、図２の（Ｃ）に示すように、第Ｎ−１層４で形成された下地パターン１０に対する面積密度マップ１１を作成する。
　【００３０】これら作成した面積密度マップ９，１１を用いて、「ステップ３」で処理する副露光用パターンを発生させ、露光量を設定する。
　【００３１】図３は、「ステップ３」の処理方法を説明する図であって、副露光パターン露光時の露光量を一定にした場合の一例を示している。前記「ステップ２」で求めた第Ｎ層の面積密度マップ９に対し、分割領域７毎に面積密度に依存した大きさを持った矩形パターン１２を、図３の（Ａ）に示すように、分割領域７の中心位置に発生、配置する。
　【００３２】また、副露光時の各パターンの露光量をすべて同一にし、且つ、各分割領域７での後方散乱による蓄積エネルギがすべて同一（均一）であることが必要であるため、矩形パターン１２の大きさをパターン面積密度８毎に設定する必要がある。図３の（Ａ）の例においては、この矩形パターン１２の大きさ１３を、任意の設定サイズ“Ｓ”に対して面積密度で割って求めた方法である。（他の方法として、１次，２次等の予め設定した関数を用いて矩形サイズを求めても良い。）この処理により、第Ｎ層３用の副露光パターン１４が作成される。
　【００３３】一方、図３の（Ｂ）に示すように、前記と同様に、第Ｎ−１層４用に作成された面積密度マップ１１を用いて矩形サイズ１３を求め、第Ｎ−１層用の副露光パターン１５を作成する。
　【００３４】本実施例１では、以上の方法により、電子線露光後にエッチングされる層の下地層からの影響（後方散乱による蓄積エネルギ）を効果的に所望パターンを露光する領域全面で均一にすることができ、従来の所望パターン間および所望パターン内の近接効果補正処理のみで、良好なレジストパターンが得られることになる。結果的に、補正精度の向上となり、レジストパターンの寸法精度向上に寄与する利点を有する。
　【００３５】（実施例２）実施例２では、前記実施例１において説明した図１の処理フローチャートにおける「ステップ１，２，４，５」の処理は同一であるため、その説明を省略し、「ステップ３」の処理方法について、図４に基づいて説明する。なお、図４は、実施例２における「ステップ３」の処理方法を説明する図であって、副露光パターンの大きさ１６を一定にした場合の一例を示している。
　【００３６】本実施例２では、「ステップ２」で求めた第Ｎ層の面積密度マップ９に対し、分割領域７毎に予め設定された大きさ１６を持った矩形パターン１２を、図４の（Ａ）に示すように、分割領域７の中心位置に発生、配置する。この際、各領域の矩形パターンの大きさ１６をすべて同一にもかかわらず、各分割領域７での後方散乱による蓄積エネルギがすべて同一（均一）であることが必要であるため、矩形パターン１２の設定露光量をパターン面積密度８毎に設定する必要がある。
　【００３７】図４の（Ａ）の例においては、この矩形パターン１２の設定露光量１７を、任意の設定露光量“Ｄ０”に対して面積密度で割って求めた方法である。（他の方法として、１次，２次等の予め設定した関数を用いて設定露光量を求めても良い。）この処理により、第Ｎ層３用の副露光パターン１８が作成される。
　【００３８】また、図４の（Ｂ）に示すように、前記と同様に、第Ｎ−１層４用に作成された面積密度マップ１１を用いて設定露光量１７を求め、第Ｎ−１層用の副露光パターン１９を作成する。
　【００３９】本実施例２では、以上の方法により、電子線露光後にエッチングされる層の下地層からの影響（後方散乱による蓄積エネルギ）を効果的に所望パターンを露光する領域全面で均一にすることができ、従来の所望パターン間および所望パターン内の近接効果補正処理のみで良好なレジストパターンが得られることになる。結果的に、補正精度の向上となり、レジストパターンの寸法精度向上に寄与する利点を有する。
　【００４０】
　【発明の効果】以上説明したように、本発明は、従来考慮されていなかった幾層にも重ねられた下地構造に依存した電子の後方散乱による影響（近接効果）を、下地層毎にパターン面積密度から求めた副露光用矩形パターンを発生させ、このパターンを用いた副露光工程により、下地からの後方散乱によるエネルギ蓄積量を平均化（一定に）することができるため、従来の下地構造を考慮を考慮しない所望露光パターンに対する近接効果補正処理で、良好なレジストパターンが得られる。その結果、０．０４μｍレベルの寸法精度を０．０２μｍ以下に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例（実施例１）を説明する図であって、下地からの後方散乱の影響を考慮した近接効果補正方法のフローチャートを示す図である。
　【図２】実施例１における「ステップ２」の“面積密度マップ作成処理”について説明する図である。
　【図３】実施例１における「ステップ３」の処理方法を説明する図であって、副露光パターン露光時の露光量を一定にした場合を示す図である。
　【図４】実施例２における「ステップ３」の処理方法を説明する図であって、副露光パターンの大きさを一定にした場合を示す図である。
　【図５】従来の電子線露光方法を説明する図である。
　【図６】従来の電子線露光方法による「下地基板の各構造に対する後方散乱係数“η”の関係（基板種類依存性）」を示す図である。
　【図７】従来の電子線露光方法による「露光後のレジスト寸法精度の劣化」を説明する図である。
　【符号の説明】
１　　既に形成された下地構造
２　　レジスト
３　　第Ｎ層
４　　第Ｎ−１層
５　　第Ｎ層で形成された下地パターン
６　　任意の領域分割サイズ
７　　分割領域
８　　パターン面積密度
９　　第Ｎ層のパターン面積密度マップ
１０　　第Ｎ−１層で形成された下地パターン
１１　　第Ｎ−１層用のパターン面積密度マップ
１２　　矩形パターン
１３　　矩形パターンのサイズ（大きさ）
１４　　第Ｎ層用の副露光パターン（すべて同一露光量設定）
１５　　第Ｎ−１層用の副露光パターン（すべて同一露光量設定）
１６　　予め設定された矩形パターンのサイズ（大きさ）
１７　　設定露光量
１８　　第Ｎ層用の副露光パターン（すべて同一矩形サイズ）
１９　　第Ｎ−１層用の副露光パターン（すべて同一矩形サイズ）
２０　　入射電子
２１　　前方散乱
２２　　下地基板
２３　　後方散乱
２４　　Ｓｉ基板
２５　　Ｗ（０．２μｍ）／Ｓｉ基板
２５　　Ｗ（０．４μｍ）／Ｓｉ基板
２７　　第Ｎ＋１層
２８　　所望パターン
２９　　レジストパターン