【事件の表示】
　特許第２７６０８２９号「電子基板」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７６０８２９号発明は、平成１年１月１３日に特許出願され、平成１０年３月２０日に設定登録がなされ、その後、京セラ株式会社により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年５月７日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否
１．訂正の内容
　１）訂正事項ａ
　発明の名称である「電子基板」を「実装電子基板、実装電子基板装置、電子基板装置及び電子基板の実装方法」に訂正する。
　２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
　３）訂正事項ｃ
　特許公報第２頁左欄第４６行目乃至同欄第５０行目の「本発明の電子基板は、・・・構成されている。」の記載を削除する。
　４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項５の「多くした電子基板を」を「多くした電子基板に」に訂正する。
　５）訂正事項ｅ
　特許公報第２頁左欄第４０行目の「電子基板、実装電子基板」を「実装電子基板、実装電子基板装置」に訂正する。
　６）訂正事項ｆ
　特許公報第５頁右欄第３０行目及び３１行目の「グランドピル」を「グランドピン」に訂正する。
　７）訂正事項ｇ
　特許公報第５頁右欄第４３行目の「前周」を「全周」に訂正する。
　８）訂正事項ｈ
　特許公報第９頁左欄第１行目の「高発熱地」を「高発熱チップ」に訂正する。
　９）訂正事項ｉ
　特許公報第９頁左欄第２０行目及び第１０頁右欄第８行目の「はた」を「また」に訂正する。
　１０）訂正事項ｊ
　特許公報第１０頁右欄第９行目の「半用面」を「半田面」に訂正する。
　１１）訂正事項ｋ
　特許第公報第１１頁左欄第３行目の「熱抵」を「熱抵抗」に訂正する。
　１２）訂正事項ｌ
　特許公報第１２頁左欄第１１行目乃至同欄第１２行目の「電子基板、実装電子基板または実装電子基板装置」を「実装電子基板、実装電子基板装置または電子基板装置」に訂正する。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否及び独立特許要件の判断
　訂正事項ｂは特許請求の範囲の減縮に該当し、訂正事項ａ、ｃ、ｅ及びｌは、訂正事項ｂに伴い、記載内容の整合性をはかるためのものであって、明りょうでない記載の釈明に該当し、訂正事項ｄ、ｆ乃至ｋは誤記の訂正に該当するものであり、これらの訂正は新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。また、前記訂正された発明は、出願の際独立して特許を受けることができるものである。
３．むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第２項乃至第４項の規定について、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、なお従前の例によるとされることから適用される平成５年特許法第１２６条第１項ただし書き及び同条第２及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断
　請求項１に係る発明は、訂正の結果削除され、特許異議申立の対象が存在しないので、本件特許異議の申立は、不適法なものとなり、しかも、本件特許異議の申立について、補正をすることもできない。
　したがって、特許法第１２０条の６の規定により準用する同法第１３５条の規定により、本件特許異議の申立は却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月１６日（１９９９．７．１６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２７６０８２９号発明の明細書を、訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正する。
　すなわち、
１．特許請求の範囲の減縮を目的として
　特許請求の範囲に記載の請求項１を削除する。
２．明りょうでない記載の釈明として
　▲１▼発明の名称である「電子基板」を「実装電子基板、実装電子基板装置、電子基板装置及び電子基板の実装方法」に訂正する。
　▲２▼特許公報第２頁左欄第４６行目乃至同欄第５０行目の「本発明の電子基板は、・・・構成されている。」の記載を削除する。
　▲３▼特許公報第２頁左欄第４０行目の「電子基板、実装電子基板」を「実装電子基板、実装電子基板装置」に訂正する。
　▲４▼特許公報第１２頁左欄第１１行目乃至同欄第１２行目の「電子基板、実装電子基板または実装電子基板装置」を「実装電子基板、実装電子基板装置または電子基板装置」に訂正する。
３．誤記の訂正として
　▲１▼特許請求の範囲の請求項５の「多くした電子基板を」を「多くした電子基板に」に訂正する。
　▲２▼特許公報第５頁右欄第３０行目及び３１行目の「グランドピル」を「グランドピン」に訂正する。
　▲３▼特許公報第５頁右欄第４３行目の「前周」を「全周」に訂正する。
　▲４▼特許公報第９頁左欄第１行目の「高発熱地」を「高発熱チップ」に訂正する。
　▲５▼特許公報第９頁左欄第２０行目及び第１０頁右欄第８行目の「はた」を「また」に訂正する。
　▲６▼特許公報第１０頁右欄第９行目の「半用面」を「半田面」に訂正する。
　▲７▼特許第公報第１１頁左欄第３行目の「熱抵」を「熱抵抗」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
実装
、実装電子基板装置、電子基板装置及び電子基板の実装方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【
請求項１
　【
請求項２
　【
請求項３
　【
請求項４
に
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は放熱性にすぐれたコンパクトな構造をもつ電子基板、その実装基板および電子基板の実装方法に関する。
〔従来の技術〕
　作動中の電子回路チップは熱を発生するが、これを冷却しないままにしておくと、電子回路の温度が上昇して、ついには正常動作しなくなる。そこで、電子回路が正常に動作するよう、チップを冷却する必要があるが、電子回路チップは電子基板上に実装されて用いられるのが一般的である。従来電子基板に実装された電子回路チップを冷却する方法として、電子回路パッケージにフインを取り付け、このフインを空冷または水冷する方法の他、特開昭６０−３５５９８号公報、特開昭６１−２４８５００号公報に記載のように、電子基板の外側に冷却板を取りつけることによって、電子回路パッケージを冷却したり、特開昭６２−１９８２００号公報に記載のように、電子基板の裏面又は内部に冷却液を封入した箱形形状のヒートパネルを密着または挿入して冷却していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
　上記従来技術は冷却設備に要するスペースとコストについての配慮がされておらず、電子回路チップを実装した電子基板を高密度実装することが困難な上、一電子基板当りのコストが高いという問題があった。
　本発明の目的は、その上に実装している電子回路が正常動作できるように、冷却のための構造をコンパクトに備えた
実装
装置
　また本発明の他の目的は、冷却のための構造を備えた電子基板に部品をハンダ付けするのに際して、良好なハンダ付けを可能にする実装方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　
本発明
　また本発明の実装電子基板装置は、配線層，グランド層，電源層がそれぞれの層の間に絶縁層を介して多層に配置されている電子基板上に冷却用流体を流通させて電子基板上の電子回路チップから発生する熱を冷却する実装電子基板装置において、前記冷却用流体が流通する上流側端部に複数のコネクターを間隔をもって配置し、前記コネクターによって冷却用流体の流速が大きくなった部分または乱れが生じる部分に高発熱のチップを配慮している。
　また本発明の電子基板装置は、配線層，グランド層，電源層がそれぞれの層の間に絶縁層を介して多層に配置されている電子基板の電子基板装置において、前記電子基板のグランド線、電源線、信号線をそれぞれマザーボードの対応するグランド線、電源線、信号線と接続し、前記マザーボードの電源層と電源板とを伝導板で接続し、前記マザーボードのグランド層とグランド板とを伝導板で接続し、前記グランド板または前記電源板の表面に凹凸またはフィンを設けている。
　また本発明の電子基板の実装方法は、配線層、グランド層、電源層がそれぞれの層の間に絶縁層を介して多層に配置され、前記配線層を複数有するとともに、前記電源層と前記グランド層の数の和を前記配線層の数よりも多くした電子基板に部品をハンダ付けする電子基板の実装方法であって、前記電子基板を予め加熱し、前記グランド層及び前記電源層の温度を上げた状態で部品を前記電子基板にハンダ付けする。
〔作用〕
　本発明の電子基板において、電源層とグランド層の数の和を配線層の数の和よりも多くしたことにより、基板の熱伝導性が良くなり、基板表面からの放熱が良好になる。
　このとき、電子回路チップのピンをグランド層または電源層に接続することによって、このピンを介して電子回路チップで発生した熱がグランド層または電源層に伝達されるので、チップの冷却が良好になる。
　また、高発熱チップは冷却用流体の流速を速めた場所または乱れを発生させた場所に配したことにより、他の低発熱チップに比べてより効果的に冷却でき、基板の温度を均一化することができる。
　また、グランド板または電源板の表面に凹凸またはフィンを設けたことにより、両板表面での冷却をより効果的に行うことができる。
　本発明の電子基板の実装方法によれば、電子基板を予め加熱しておき、グランド層，電源層の熱伝導性の良い層の温度を高めて、ハンダ融点との温度差を小さくした状態でハンダ付けを行うと、電源層，グランド層すなわち熱伝導性の良い層へ熱が逃げにくくなり良好にハンダ付けを行うことができる。
　また、絶縁層を熱の良導体で構成すれば、発熱チップから本発明の電子基板，実装電子基板表面に伝わる熱量は増し、伝導板を通じてグランド板，電源板に伝わる熱量も増すので、発熱チップの冷却により効果的である。
〔実施例〕
　以下、本発明の第１の実施例を第１図により説明する。
　第１実施例の電子基板は配線層１，４、グランド層２、電源層３、絶縁層５から成っており、スルーホール６はグランド層２に、スルーホール７は配線層１，４に、スルーホール８は電源層３にそれぞれ接続されている。グランド層２および電源層３は電気抵抗が小さくかつ熱伝導率のよい物質、例えば銅で構成されており、電子基板一面に広がっている。また、スルーホールによる切欠穴、スルーホールからの逃げ穴等の切欠部はコストとのかね合いを図りながらなるべく小さくし、導体面積を大きくしている。また、電子回路チップ１２からグランドピン９、信号ピン１０、電源ピン１１が出ており、グランドピン９はスルーホール６に、信号ピン１０はスルーホール７に、電源ピン１１はスルーホール８に熱抵抗が小さくなる方法で接続されている。
　以上のような電子基板において、電子回路チップ１２から発する熱は次のようにして運ばれ、電子回路チップ１２は冷却される。電子回路チップ１２で発生した熱は一方でグランドピン９を伝わってグランド層２に運ばれ、他方で電源ピン１１を伝わって電源層３に運ばれる。グランド層２および電源層３は電気抵抗が小さくかつ熱伝導率の良い物質で構成されているので、これらの層に伝わった熱は内層であるこれらの層を伝わって、主に次の３つの方法で冷却される。
　１つは、グランド層２および電源層３の先に設けられた冷却部で冷却され、２つめは電子基板の表面へと伝わって表面でそこを流れる流体によって冷却される。
　３つめは、この内層グランド層、電源層よりも温度の低い低発熱チップのグランドピン、電源ピンを伝わって低発熱チップ表面へと伝わり、ピンおよびチップ表面でそこを流れる流体によって冷却される。
　このとき、チップ実装時のピンおよびチップの表面積は、非実装時の基板表面積より大きくなるので伝熱面積が広がり冷却に有利である。
　この他、内層を経由せずに発熱チップから該チップ表面へと伝わり、チップ表面で冷却される熱、および該チップのピン表面に伝わりそこで冷却される熱がある。
　さらに、各表面からの輻射，対流によって冷却される効果もある。このような方法によって電子回路チップ１２を冷却することができる。
　以上のようにすれば、グランド電位を電子回路チップ１２に供給する機能をもつグランド層２に電子回路チップ１２から発生する熱を伝導するという機能を付加することができ、電源電位を電子回路チップ１２に供給する機能をもつ電源層３に電子回路チップ１２から発生する熱を伝導するという機能を付加することができる。つまり、本提案の電子基板においてはグランド層２、電源層３に各電位供給と熱の伝導という２つの機能をもたせている上、これら各層は基板内にあり基板の外側に附属設備をつけないため、従来技術より低コストで、よりコンパクトなチップ中の電子回路を正常動作させるに十分な冷却機能をもった電子基板を得ることができる。また、第１図では、グランド層を２、電源層を３としたが、電源層２、グランド層を３としても、所定のピンを所定の層につなぎかえれば同等の効果が得られる。
　また、本実施例では、グランド層、電源層を一層ずつとしたが、これら各層の層数を増せば、これら各層を伝わることのできる熱量は、各層一層ずつの場合に比べ増し、冷却により効果的である。また、電源層，グランド層数を各一層ずつの場合より増すことにより、電源層，グランド層そのもののインピーダンスを小さくすることができ、高周波成分を多く含む動作に対する電源電位、グランド電位の変動を基板内で小さく抑えることができる。
　また、グランド層，電源層を通ることのできる熱量を増やすためには、これら各層の厚みを増やすことも効果的である。例えば、グランド層，電源層の厚みを５０〜７０μｍ程度にすることは通常の工程に特別な工程を加えることなく行うことができて、これにより冷却効果を得ることができる。
　第２図は本発明の第２の実施例を示している。第２実施例の電子基板は本発明の電子基板を８層で構成した例であり、配線層１３，１５，１８，２０、グランド層１４，１９、電源層１６，１７、絶縁層５００から成っている。また、配線２１，２２は配線層１３上の配線である。配線層１３側が部品面側であり、配線層２０側が半田面側であって電子回路チップおよびこのチップから出ているグランドピン，電源ピン，信号ピンは第２図には示していないが、第１図同様、各ピンとも該当層に熱抵抗が小さくなる方法で接続されている。
　以上のような電子基板においては、第１実施例と同様にして、電子回路チップを冷却できる上、次のような動作が可能である。
　一般に、配線層上である区間を平行に走る配線はその間で静電結合を結成し、クロストークによるノイズを生じる心配があるが、第２図に示す如く、配線層の絶縁層を介した隣りにグランド層または電源層を配し、電線層と絶縁物を介して隣接するグランド層または電源層との距離を小さくすれば、配線層における配線のインピーダンスを小さくできるので、平行な配線間の静電結合によるクロストークによるノイズを低減することができる。この効果は、配線層の絶縁層を介した隣りにグランド層を配した時の方が、電源層を配した時より効果的で、クロストークによるノイズをより低減することができる。また、配線層１３上を平行に走る配線間の距離のうち最小のものをｌ１、配線層１３とグランド層１４の表面間距離をｄ１とし、配線層２０上を平行に走る配線間の距離のうち最小のものをｌ２、配線層２０とグランド層１９の表面間距離をｄ２とした時、ｌ１＞ｄ１，ｌ２＞ｄ２とすればより効果的に配線層１３，２０上の配線に生じるクロストークによるノイズを低減できる。
　また、本実施例の電子基板においては、電源層，グランド層を多層に設けたことにより、電源層，グランド層そのもののインピーダンスを小さくできるので、高周波成分を多く含む動作に対する電源電位，グランド電位の変動を基板内で小さく抑えることができる。
　さらに、本実施例の電子基板においては、電子回路チップからの熱が内層のグランド層，電源層を伝わって基板全体に広がるため、基板の温度を均一化することができる。
　本実施例の基板においては、上記２つの効果を同時に実現できるため、基板内でグランド電位，電源電位の変動を小さく抑えつつ、電源電位，グランド電位、温度を基板内で均一化できるので、遅延管理等が行いやすくなり、キメ細かなタイミング設計が可能になる。
　以上のように、第２実施例においては、第１実施例同様、従来技術による方法より低コストでかつ冷却設備に要するスペースをより小さくして電子基板上の電子回路チップを冷却できる上、配線に生じるクロストークによるノイズを低減でき、高周波成分を多く含む動作に対する電源電位、グランド電位の変動を基板内で小さく抑えることができ、基板の温度を均一化できる８層基板を得ることができる。
　第２実施例で述べたクロストークによるノイズを低減する効果は第１実施例においても設められ、第１図において特に配線層１と、グランド層２の距離，配線層４と電源層３の距離を小さくすると効果的で、さらに配線層１とグランド層２との表面間距離を配線層１上を平行に走る配線間の距離のうち最短なものより小さくし、配線層４と電源層３との表面間距離を配線層４上を平行に走る配線間の距離のうち最短なものより小さくすると、さらに効果的にクロストークによるノイズを低減できる。
　また、基板の温度を均一化する効果は第１実施例においても認められる。
　また、第２図に示したのは、本発明の電子基板を８層で構成する場合の一例であって、配線層の絶縁層を介した隣りには電源層またはグランド層を設けた構造になっていれば、第２図とは層構成の順序が異なっていても、本発明の電子基板を構成したことになる。この時、第２図に示した実施例同様、ある配線層に絶縁層を介して隣接するグランド層または電源層と該配線層の距離を小さくすれば効果的にクロストークによるノイズを低減できる。この効果は、隣接層がグランド層である時の方が、電源層である時よりも大きい。また、ある配線層の平行配線間の距離のうち最小なものをｌ、該配線層に絶縁層を介して隣接するグランド層又は電源層のうち、該配線層との距離が小さい方の層と該配線層との距離をｄとした時、ｌ＞ｄとすれば、クロストークによるノイズの低減にさらに効果的である。
　本実施例では、配線層に絶縁層を介して隣接する層には電源層またはグランド層を配することをすべての配線層について行っているが、これは、本発明の効果を最大限に利用する場合であって、クロストークのおそれのある配線を有する配線層だけについて、それに絶縁層を介して隣接する層にグランド層または電源層を配し、その他の配線層の配置は制限しないようにすることもできる。例えば、第２図において電源層１７の代りに配線層を配してもよい。この配線層と配線層１８上の配線の耐クロストーク性は第２図の場合より下がるが、クロストークのおそれのある信号ラインを両側をグランド層と電源層でガードされている配線層１５に配すればよいのであって、このような層構成においても本発明の効果を得ることができる。この手法を用いれば、配線層に絶縁層を介して隣接する層には電源層またはグランド層を配することをすべての配線層について行う場合に比べて、同数の配線層を有する基板を、より少ない層数の基板で実現できるためより低コストに製造できる。
　第３図は本発明の第３の実施例を示している。第３図に示す電子基板は、本発明の電子基板を６層で構成した例であり、配線層２３，２６，２８、グランド層２４，２７、電源層２５、絶縁層５０１から構成されている。また配線層２３側が部品面側であり、配線層２８側が半田面側であって、電子回路チップおよびチップから出ているグランドピン、電源ピンおよび信号ピンは第３図には示していないが、第１図同様、各ピンとも該当層に伝熱抵抗が小さくなる方法で接続されている。
　以上のように構成すれば、第２実施例同様、従来技術による方法より低コストでかつ冷却設備に要するスペースをより小さくして電子基板上のチップを冷却できる上、配線のクロストークによるノイズを低減でき高周波成分を多く含む動作に対する電源電位、グランド電位の変動を基板内で小さく抑えることができ、基板の温度を均一化できる６層電子基板を得ることができる。
　但し、第３図に示した例は、本発明の電子基板を６層で構成する場合の一実施例であって、線層の絶縁層を介した両隣りにグランド層または電源層を設けた配線層を少なくとも１層有する構造になっていれば、第３図に示した層構成とは異なっていても本発明の電子基板を構成したことになる。
　また、第２実施例の場合同様、ある配線層に絶縁層を介して隣接するグランド層または電源層と該配線層の距離を小さくすれば効果的にクロストークによるノイズを低減できる。この効果は、隣接層がグランド層である時の方が、電源層である時よりも大きい。また、ある配線層の平行配線間の距離のうち最小なものをｌ、該配線層に絶縁層を介して隣接するグランド層又は電源層のうち、該配線層との距離が小さい方の層と該配線層との距離をｄとした時、ｌ＞ｄとすれば、クロストークによるノイズの低減にさらに効果的である。
　第４図は、本発明の第４の実施例を示している。第４図に示す電子基板は、本発明の電子基板を１２層で構成した例であり、配線層２９，３３，３８，４０、グランド層３０，３２，３４，３７，３９、電源層３１，３５，３６、絶縁層５０２から構成されている。また、配線層２９側が部品面側であり、配線層４０側が半田面側であって、電子回路チップおよびチップから出ているグランドピン，電源ピン，信号ピンは第４図には示していないが、第１図同様、各ピンが該当層に熱抵抗が小さくなる方法で接続されている。
　以上のように構成すれば、第２実施例同様、従来技術による方法より低コストでかつ冷却設備に要するスペースをより小さくして電子基板上のチップが冷却できる上、配線のクロストークによるノイズを低減でき、高周波動作に対する電源電位，グランド電位の変動を基板内で小さく抑えることができ、基板の温度を均一化できる１２層基板を得ることができる。
　但し、第４図に示した例は、本発明の電子基板を１２層で構成する場合の一実施例であって、配線層の両隣りに絶縁層を介してグランド層または電源層を設けた配線層を少なくとも１層有する構成になっていれば、本発明の電子基板を構成したことになる。また、第２実施例の場合同様、ある配線層に絶縁層を介して隣接するグランド層または電源層と該配線層の距離を小さくすれば効果的にクロストークによるノイズを低減できる。この効果は、隣接層がグランド層である時の方が、電源層である時よりも大きい。また、ある配線層の平行配線間の距離のうち最小なものをｌ、該配線層に絶縁層を介して隣接するグランド層または電源層のうち、該配線層との距離が小さい方の層と該配線層との距離をｄとした時、ｌ＞ｄとすれば、クロストークによるノイズの低減にさらに効果的である。
　以上、第１〜第４の実施例によって、本発明による電子基板を４層，６層，８層，１２層で構成する例を示した。第１〜第４の実施例で示した各電子基板のもつ配線層数，電源層数，グランド層数をまとめたものが、次の第１表である。
　従って、ユーザーは必要配線層数，電源総数，グランド総数，ノイズマージン等を考慮して、最適な層数の電子基板を選べばよい。また、本発明の電子基板を第１表以外の層数で構成する場合には、配線層の両隣りに絶縁層を介してグランド層または電源層を有する配線層を少なくとも１層有するというルールを守って構成すれば本発明を実現できる。このとき、ある配線層に絶縁層を介して隣接するグランド層または電源層と該配線層の距離を小さくすれば効果的にクロストークによるノイズを低減できる。この効果は、隣接層がグランド層である時の方が、電源層である時よりも大きい。また、ある配線層の平行配線間の距離のうち最小なものをｌ、該配線層に絶縁層を介して隣接するグランド層又は電源層のうち、該配線層との距離が小さい方の層と該配線層との距離をｄとした時、ｌ＞ｄとすれば、クロストークによるノイズの低減にさらに効果的である。また、上記ルールを守る限り、第１表に示した層数をもつ電子基板における配線層，電源層，グランド層数は第１表の値と異なっていてもよい。
　第６図は本発明の第５の実施例を示している。従来スルーホールとグランド層を接続するに際しては、第５図に示すようにサーマルランドを設けていた。すなわち、チップのグランドピ
ン
ン
　また、従来スルーホールと電源層を接続する場合もグランド層の場合同様、第５図に示すようなサーマルランドを用いていたので、高発熱チップから電源ピンを伝わってきた熱も、なかなか電源層に伝わらなかった。
　そこで本例では第６図に示すように、サーマルランドを廃止し、スルーホール４６とグランド層４７をスルーホール４６の
全
　これにより、スルーホールとグランド層との接続部における熱抵抗が従来に比べ大幅に減少し、グランドピンを伝わってきた熱をすみやかにグランド層に伝えることができる。また、逆にグランド層より位置のチップのグランドピンにグランド層を伝わってきた熱を伝え、該チップおよびピン表面で冷却することができる。その上スルーホールとグランド層との接続部のインピーダンスもサーマルランドを設ける方法よりも小さくなるので、スルーホールとグランド層との電位等をより小さくできグランドピンへのグランド電位の供給もより良好に行うことができる。
　電源層においても同様で、本例では第６図に示すグランド層の場合同様、スルーホール全周にわたって電源層と接続する。これによりスルーホールと電源層との接続部における熱抵抗が従来に比べ大幅に減少し、高発熱チップから電源ピンを伝わってきた熱をすみやかに電源層に伝えることができる。また、逆に電源層より低温のチップの電源ピンに、電源層を伝わってきた熱を伝え、該チップおよびピン表面で冷却することができる。その上、スルーホールと電源層との接続部のインピーダンスもサーマルランドを設ける方法よりも小さくなるので、スルーホールと電源層との電位層をより小さくでき電源ピンへの電源電位の供給もより良好に行うことができる。
　以上により高発熱チップからグランドピン，電源ピンを伝わってきた熱はすみやかにグランド層，電源層に伝わりまた、グランド層，電源層を通ってきた熱の一部は各層より低温の電子回路チップのグランドピン，電源ピンを伝わって、該チップおよびピン表面で冷却されるので発熱チップを効果的に冷却できる上、電気的にも良好な接続が得られる。
　この効果は電源層に接続されているスルーホールのうち、任意のスルーホールＡの半径をｒ、このスルーホールの中心とこれに最近接するスルーホールＢの中心との距離を２Ｒ、とした時、スルーホールＡの中心を中心とした半径ｒの円と半径Ｒの円によって囲まれる電源層の部分をすべて電源層を構成する物質によって構成することによっても得られる。
　また、上記効果はグランド層に接続されているスルーホールのうち任意のスルーホールＡの半径をｒ、このスルーホールの中心と、これに最も近接するスルーホールＢの中心との距離を２Ｒとした時、スルーホールＡの中心を中心とした半径ｒの円と半径Ｒの円によって囲まれるグランド層の部分が、すべてグランド層を構成する物質によって構成することによっても得られる。
　第１３図は本発明の第６の実施例を示している。第５実施例の所で述べたように、スルーホールとグランド層または電源層との接続方法において、従来のサーマルランドを用いる方法だと、スルーホールランド部とグランド層または電源層の間の熱の伝導が妨げられる。そこで第５実施例の如くサーマルランドレスで行うと、今度はスルーホール部からグランドまたは電源層に熱が逃げすぎて、部品のハンダ付けが困難になる場合がある。そこで、熱抵抗を小さくしつつ、ハンダ付けを容易にするため、第１３図に示すようにスルーホール１５３を従来例よりも小さな切欠き１５４でグランド層１５６から切り離す。これにより、高発熱チップからグランドピンを伝ってきた熱を従来よりもすみやかにグランド内層に伝えることができる上、ハンダ付けを第５実施例よりも容易に行うことができる。その上、接続部の電気抵抗は従来例よりも小さいので、従来よりも良好にグランド電位をグランドピンに供給することができる。
　電源層とスルーホールの接続も第１３図に示すグランド層の場合と全く同様に行う。効果も同様である。
　切欠き部の面積は必ずしも第１３図に示す如くでなくてもよく、接続部の熱抵抗が第５図に示す従来例よりも小さく、第６図に示す第５実施例よりも大きければよい。すなわち、任意のスルーホールＡの半径をｒ、スルーホールＡの中心とこれに最も近接するスルーホールＢの中心との距離を２Ｒとしたとき、スルーホールＡの中心を中心とした半径ｒの円と、半径Ｒの円によって囲まれる電源層の領域の面積をＳ０、この領域内で電源層を構成する物質が占める面積をＳ１とした時、
とすればよく、グランド層に接続されているスルーホールのうち、任意のスルーホールＣの半径をｒ’、スルーホールＣの中心と、これに最も近接するスルーホールＤの中心との距離を２Ｒ’としたとき、スルーホールＣの中心を中心とした半径ｒ’の円と半径Ｒ’の円によって囲まれるグランド層の領域の面積をＳｏ’この領域内でグランド層を構成する物質が占める面積をＳ１’とした時、
とすればよい。
　以上により、高発熱チップからグランドピン，電源ピンを伝ってきた熱は従来例よりすみやかにグランド層，電源層に伝わり、またグランド層または電源層に伝わった熱の一部は両層よりも低温のチップのグランドピン，電源ピンを伝わって、該低温チップおよびピン表面で冷却されるので発熱チップを効果的に冷却できる上、電気的にも良好な接続が得られる。加えて、ハンダ付けも第５実施例よりも容易にできる。
　第１〜第６実施例では、グランドピン，電源ピンを通して冷却を行ってきたが、本発明の第７の実施例においてはグランドピンはグランド層に、電源ピンは電源層に接続した上、電子回路チップの内部回路と電気的に絶縁されているピンまたは使用していない入力ピンまたは高インピーダンスになっている出力ピンをグランド層または電源層のうち適切な方に熱抵抗が小さくなる方法で接続する。この時の接続方法は実施例５または６の方法によってもよい。
　第７の実施例においては、高発熱チップから出た熱の一部は、グランドピン、電源ピンおよび電子回路チップの内部回路と電気的に絶縁されているピンまたは使用していない入力ピンまたは高インピーダンスになっている出力ピンを伝ってグランド層または電源層に伝導され、チップは冷却される。本例は、グランドピン，電源ピンのみを各グランド層，電源層に接続した場合に比べ、チップとグランド層，電源層を結ぶ伝熱径路が多いので、より効果的に冷却を行うことができる。
　また、ピンに限らず熱伝導性の良い材料の一部を高発熱電子回路チップに内部回路から電気的に絶縁して取り付け、該材料の他の一部をスルーホール等に通してグランド層または電源層に接続することによっても同様の冷却効果が得られる。
　第７図は本発明の第８実施例を示している。電子回路チップ５７の信号ピン５６はスルーホール５２に通されていて、ハンダ５３によって配線層４８，５１に接続されている。グランド層４９、電源層５０は絶縁層５１８によって、互いにそして配線層４８，５１と絶縁されている。また、グランド層４９は電気的には絶縁性であるが、熱伝導性は良い材料５４によってスルーホール５２に接続されている。さらに、電源層５０は電気的には絶縁性であるが、熱伝導性は良い材料５５によってスルーホール５２に接続されている。また、図示していないが、電源ピン，グランドピンは伝熱抵抗が低い方法で各電源層，グランド層に接続されており、さらに必要に応じて第７実施例のように内部電子回路と電気的に絶縁しているピン、使用していない入力ピン、高インピーダンス状態の出力ピンをグランド層または電源層のうち適切な方に熱抵抗が小さくなる方法で接続してもよい。
　以上のような電子基板においては、所定の信号は信号ピン５６と配線層４８，５１の間を伝わるが、グランド層４９、電源層５０とは電気的に絶縁されているため、これらの層には伝わらず、逆に、これらの層からも伝わらない。しかし、ピン５６とグランド層４９、電源層５０の間の熱抵抗は小さいため、電子回路チップ５７が高発熱チップであった場合、チップ５７から出た熱の一部はピン５６を伝わって電気絶縁性がありかつ熱の良導体５４，５５を伝わってグランド層４９、電源層５０に伝わり、チップは冷却される。また、電子回路チップ５７が低発熱チップであった場合には、高発熱チップから出てグランド層，電源層を通ってきた熱が、電気絶縁かつ熱良導体５４，５５を通ってピン５６に伝わり、チップ５７および信号ピン５６の表面から放出される。いずれの場合も、電子基板全体をみた時チップの冷却に寄与している。第８実施例においては、グランドピン，電源ピンさらに必要によっては内部電子回路と電気的に絶縁しているピン、使用していない入力ピン、高インピーダンス状態の出力ピンが伝熱径路となるのはもとより信号ピンまでも熱の径路として用いているため、これを実施しない他の場合に比べて、チップと電子基板のグランド層，電源層との熱抵抗を小さくすることができ、チップ冷却に有効である。電源層が４９、グランド層が５０になった時も全く同様に本方法を用いればチップ冷却に有効である。
　信号ピンとグランド層，電源層間を電気的に絶縁しつつ、熱伝導が良好に行なわれるように接続する方法としては、第８実施例に示した方法の他に、第８図に示す第９実施例の方法がある。第８図において、グランド層５９、電源層６０は絶縁層５１９によって互いに、そして配線層５８，６１と絶縁されており、また電気的には絶縁性であるが熱伝導性は良い材料５０５，６４，６８によって各信号ピン５０７，６６，７１と電気的には絶縁されているが、熱は互いによく伝導する。配線５８，６１上にランド部５１６，６２，６７，５１７，６５，７０があり、ランド部５１６，５１７はハンダ５０４，５０６によって信号ピン５０７に接続されている。ランド部６２はハンダ６３によって信号ピン６６に接続されている。ランド部７０はハンダ６９によって信号ピン７１に接続されている。また、図示していないが、グランドピン，電源ピンは各該当層に熱抵抗が小さくなる方法で接続されており、さらに必要に応じて第７実施例のように内部電子回路と電気的に絶縁しているピン、使用していない入力ピン、高インピーダンス状態の出力ピンをグランド層または電源層のうち適切な方に熱抵抗が小さくなる方法で接続してもよい。
　以上のように構成した電子基板において、グランドピン，電源ピンさらに、必要によっては内部電子回路と電気的に絶縁しているピン、使用していない入力ピン，高インピーダンス状態の出力ピンが伝熱径路となるのはもとより、信号ピンまでもが伝熱径路となるため、電子回路チップ７２とグランド層５９、電源層６０の間の熱伝導が第８実施例と同様に、良好に行われる。従って、本電子基板は電子回路チップを冷却するのに効果的である。
　なお、信号ピンとグランド層，電源層を接続する方法としては、第８図に示す信号ピン５０７，６６，７１の場合のいずれの方法を採用してもよいし、それらを組み合わせて用いてもよい。また、電源層が５９，グランド層が６０になった場合でも、全く同様に本方法を用いれば、チップの冷却に有効である。
　第１２図は本発明の第１０実施例を示している。第１２図において、グランド層１３７，１４０、電源層１３８は絶縁層１５２によって互いに、そして配線層１３６，１３９，１４１から絶縁されている。また、グランド層１３７，１４０，電源層１３８はスルーホール１４３と、電気的に絶縁性でかつ熱伝導性の良い材料１４６，１４７，１４８によって電気的には絶縁されているが、熱は互いに良く伝導するようになっている。また、信号ピン１５０はスルーホール１４３を通っており、ハンダ１４９によって、ランド部１４２，１４４，１４５と接続されている。また、図示していないが、グランドピン，電源ピンは各該当層に熱抵抗が小さくなる方法で接続されており、必要に応じて第７実施例のように内部電子回路と電気的に絶縁しているピン、使用していない入力ピン、高インピーダンス状態の出力ピンをグランド層または電源層のうち適切な方に熱抵抗が小さくなる方法で接続してもよい。
　以上のような配線板においては、グランドピン、電源ピンさらに、必要によっては、内部電子回路と電気的に絶縁しているピン、使用していない入力ピン，高インピーダンス状態の出力ピンが伝熱径路となるのはもとより、信号ピンまでもが伝熱径路となるため、電子回路チップ１５１とグランド層１３７，１４０、電源層１３８の間の熱伝導が第８実施例と同様に、良好に行われる。従って、本電子基板は電子回路チップを冷却するのに効果的である。
　また、第８実施例では内層に配線層のある場合の例を示していなかったが、本実施例においては内層に配線層がある場合に信号ピンとグランド層，電源層との間を電気的には絶縁したまま熱伝導が良好に行われるように接続する方法を示した。これと同様の手法を用いることによって、第１２図よりも配線層，グランド層，電源層が増えても、また層構成の順序が変わっても、信号ピンと電源層，グランド層を電気的に絶縁しながら、互いに良好に熱伝導できるように接続することができ、電子回路チップの冷却に有効な電子基板を得ることができる。
　第１６図は本発明の第１１実施例を示している。第１６図において、グランド層１８４，１８７、電源層１８５、および配線層１８３，１８６，１８８は絶縁層１９９によって互いに絶縁されている。また、電子回路チップ１９７の信号ピン１９８はハンダ１９４，１９５，１９６により各配線層１８３，１８６，１８８上のランド１８９〜１９１に接続されており、また、電子基板のグランド層１８４，１８７、電源層１８５は信号ピン１９８と、電気絶縁性にすぐれかつ熱伝導性の良い材料１９２，１９３によって、電気的には絶縁されているが、熱はお互いよく伝わるようになっている。また、図示していないが、グランドピン，電源ピンは各該当層に熱抵抗が小さくなる方法で接続されており、必要に応じて第７実施例のように内部電子回路と電気的に絶縁しているピン、使用していない入カピン、高インピーダンス状態の出力ピンをグランド層または電源層のうち適切な方に、熱抵抗が小さくなる方法で接続してもよい。
　以上のような電子基板においては、グランドピン，電源ピン、さらに必要によっては内部電子回路と電気的に絶縁しているピン，使用していない入力ピン、高インピーダンス状態の出力ピンが伝熱径路となるのはもとより、信号ピンまでもが伝熱径路となるため、電子回路チップ１９７とグランド層１８４，１８７、電源層１８５の間の熱伝導が第９実施例と同様に良好に行われる。従って、本電子基板は電子回路チップを冷却するのに効果的である。
　また、第９実施例では内層に配線層のある場合の例を示していなかったが、本実施例においては、内層に配線層がある場合に信号ピンとグランド層，電源層の間を電気的に絶縁したまま、熱伝導が良好に行われるように接続する方法を示した。
　これと同様の手法を用いることによって、第１６図よりも配線層，グランド層，電源層が増えても、また層構成の順序が変っても、信号ピンと電源層，グランド層を電気的には絶縁しながら、互いに良好に熱伝導できるように接続することができ、電子回路チップの冷却に有効な電子基板を得ることができる。
　第９図は本発明の第１２の実施例を示している。第１２実施例は第９図に示す如くコネクター７３〜８２、ＺＩＰ型メモリ８３〜８６、高発熱電子回路チップ８７〜１０５，５０３、および図示していない低発熱電子回路チップを電子基板１０６上に配することにより構成される。
　このような電子基板を冷却するため、ファン等で冷却用流体、例えば空気を第９図の右方向（コネクター７６〜７８側）から左方向（コネクター８２側）へ流す。一般に電子基板を複数組込むシステムにおいては信号の遅延、ノイズの混入を防ぐため、信号線を短くしたい上、システムをコンパクトにしたいため等の理由によってできるだけ基板の実装密度を上げる。第９図に示すような電子基板を高密度実装した場合、第１４図に示すような状態となり、矢印方向に流体を流した場合、コネクター１５７，１５８，１５９と隣接する電子基板とのすき間は、隣接する電子基板間の距離に比べ小さいので、流体のこの部分における通過抵抗は大きくなる。従って流体は第１４図中のＢ，Ｄ，Ｆ部に絞られ、Ｂ，Ｄ，Ｆ部を通過する流体の速さは、絞られる前に比べ速くなる。第１４図に示す電子基板１０６における流体の流れの概略を示したものが第１０図である。第１０図において、コネクター７３〜８２、ＺＩＰ型メモリ８３〜８６は電子基板１０６の部品面表面からの高さが高く隣接する電子基板との間隔が小さくなっている。従って、コネクター７３〜８２，ＺＩＰ型メモリ８３〜８６は流体の流れの障害物として作用する。その結果、電子基板１０６の部品面上では第１０図に矢印で示すような流体の流れとなっている。そこで、このような電子基板上に高発熱電子回路チップ８７〜１０５，５０３を配置する際には、第９図に示す如く配する。また、図示していないが、低発熱チップは、第９図において、高発熱チップを配した残りのスペースに配する。
　以上のように実装を行った電子基板においては、チップ９３〜９６はコネクター７６と７７間の領域Ｄに絞られ流速の増した流体にあたり、チップ９９〜１０２はコネクター７７と７８の間の領域Ｂに絞られ流速の増した流体にあたる。一般に発熱体を流体により冷却する場合、流体の流速が大きいほど熱伝達率が向上し、冷却の効果が増すため、これらのチップは、コネクター７６〜７８によって流体を絞らない場合に比べて、より効果的に冷却される。
　また、高発熱チップ８９〜９１，５０３の配置されている位置においては、領域Ｄ、領域Ｆを通過した流体がぶつかり、乱れが生じている。従って、この位置においてはチップ表面と流体との間の熱伝達は乱流熱伝達の状態となり、乱れが生じない場合に比べて、熱伝達率は著しく向上するためチップはより効果的に冷却される。
　また、高発熱チップ８７，８８はＺＩＰ型メモリ８３と８４間に絞られ、流速の増した流体にあたり、高発熱チップ９２はＺＩＰ型メモリ８４と８５間に絞られ、流速の増した流体にあたる。高発熱チップ９７，９８はＺＩＰ型メモリ８５と８６の間に絞られ、流速の増した流体にあたり、高発熱
チップ
　以上、第９図に示す本発明の第１２実施例においては、電子基板上に必ず配置しなければならないコネクターやＺＩＰ型メモリ等の流体の流れの障害物をむしろ積極的に利用して、これらによる絞りによって流速の増した冷却用流体や、これらによって生じた冷却用流体の乱れによって効果的にチップを冷却することができる。また、チップを実装した基板はチップを実装していない基板に比べ表面積が増していること、またチップ自体によって流体の流れに乱れが生じていることも効果的冷却に寄与している。
　尚、流体の流れを制御する障害物としてはコネクター，ＺＩＰ型メモリに限らず、この他、本来基板上に配さねばならない部品やその他何を利用してもよい。
　
ま
　第１１図は本発明の第１３実施例を示している。第１１図において、電子基板１０７〜１０９は各、コネクター１１８，１１９，１２０によってマザーボード１２１に接続されている。また、電子基板１０７のグランド層は伝導板１１０，１１４によって伝導板１１３，１１７に接続されており、電子基板１０７の電源層は伝導板５１１によって伝導板５１０にまた別の伝導板により伝導板５１５に接続されている。電子基板１０８のグランド層は伝導板１１１，１１５によって伝導板１１３，１１７に接続されており、電子基板１０８の電源層は伝導板５１２によって伝導板５１０にまた別の伝導板により伝導板５１５に接続されている。電子基板１０９のグランド層は伝導板１１２，１１６によって伝導板１１３，１１７に接続されており、電子基板１０９の電源層は伝導板５１３，５１４によって伝導板５１０，５１５に接続されている。ここで、全ての伝導板は電気および熱の良導体で構成されており、伝導板との接続は電気抵抗および熱抵抗が小さくなるように行う。マザーボード１２１のグランド層は伝導板１２７，１２８，１２９、その他の伝導板によってグランド板１２２に接続され、マザーボード１２１の電源層は伝導板１３０，１３１，１３２、その他の伝導板によって、電源板１２３に接続されている。ここで、グランド板１２２、および電源板１２３は電気および熱の良導体で構成されている。伝導板１１３，１１７は伝導板１２４，１２５によってグランド板１２２に接続されており、伝導板５１０，５１５は伝導板５０８，５０９によって電源板１２３に接続されている。また、冷却のための流体は第１１図中に矢印で示してある如く、紙面手前から奥へと流す。また、各電子基板の上には高発熱チップ１２６がいくつか実装されている。
　各電子基板は第１〜第１２実施例に示した構造のうちのいずれかまたはその組合せを採用している。
　以上のような構造をもつシステムにおいて、電子基板１０９上に実装された電子回路チップから発生した熱は、以下の径路をたどって冷却される。
（ａ）該発熱チップ表面に伝導し、チップ表面に流れる流体によって冷却される。
（ｂ）該発熱チップから出ているピンに伝わりピン表面で冷却される。
（ｃ）発熱チップから該チップのピンのうちグランド層または電源層に熱抵抗が小さい方法で接続されているピンを通じて内層グランド層，電源層に伝わり、これを通してこの両層よりも低温の低発熱チップの表面に伝わり、チップ表面およびこの低発熱チップのピン表面で冷却される。
（ｄ）発熱チップから該チップのピンのうちグランド層または電源層に熱抵抗が小さい方法で接続されているピンを通じて内層グランド層，電源層に伝わってさらにここを通じて、電子基板全体に伝わり、次第に電子基板表面に伝わって、表面冷却される。
（ｅ）発熱チップから内層グランド層に伝わり、伝導板１１２，１１６を伝わって伝導板１１３，１１７に伝わり、さらに伝導板１２４，１２５を伝わって、グランド板１２２に伝わる。この経路を伝わる熱は各導板の表面およびグランド板１２２の表面で冷却される。
　また、内層グランド層に伝わった熱の一部は、コネクター１２０を通じてマザーボード１２１に伝わり、さらに伝導板１２７〜１２９、その他の伝導板を通じて、グランド板１２２に伝わる。この経路を伝わる熱は、各伝導板の表面，マザーボード表面およびグランド板表面において冷却される。また、マザーボードよりも低温の電子基板（ドーターボード）があれば、そこにもマザーボードから熱が伝わりここに伝わった熱はドーターボード内で冷却される。
（ｆ）発熱チップから内層電源層に伝わり、伝導板５１３，５１４を伝わって伝導板５１０，５１５に伝わり、さらに伝導板５０８，５０９をを伝わって電源板１２３に伝わる。この径路を伝わる熱は各伝導板の表面および電源板１２３の表面で冷却される。
　また、内層電源層に伝わった熱の一部は、コネクター１２０を通じてマザーボード１２１に伝わり、さらに伝導板１３０〜１３２、その他の伝導板を通じて、電源板１２３に伝わる。この経路を伝わる熱は各伝導板の表面，マザーボード表面、および電源板表面において冷却される。また、マザーボードより低温のドーターボードがあれば、そこにもマザーボードから熱が伝わりここに伝わった熱はドーターボード内で冷却される。
（ｇ）この他、各チップ，ピン伝導板，電子基板，マザーボード，電源板，グランド板からの輻射，対流による冷却効果もある。
　以上により、電子基板１０９上に電子回路チップを冷却することができる。また、電子基板１０７，１０８上の電子回路チップについても同様の方法にて冷却できる。
　また、第１１図に示すシステムにおいては、マザーボード１２１に電源を供給するに際し、電源ユニットから電源板１２３、グランド板１２２を介して、マザーボードの電源層，グランド層に供給されている。ここで、電源板１２３，グランド板１２２上で各、システム全体の基準となる電源電位、グランド層に供給されている。ここで、電源板１２３，グランド板１２２上で各、システム全体の基準となる電源電位、グランド電位を安定化させることができるので、マザーボード１２１，ドーターボードたる基板１０７〜１０９上に電源電位，グランド電位を安定させることができる。
　また、マザーボード１２１にも第１〜第４の実施例に示した構造を採用している。従って、マザーボード１２１においてもドーターボードたる基板１０７〜１０９同様，電源層，グランド層を多層に設けたことにより、電源層，グランド層そのもののインピーダンスを小さくでき、高周波成分を多く含む動作に対する電源電位，グランド電位の変動を基板内で小さく抑えることができる。
　また、マザーボード１２１においてもドーターボードたる基板１０７〜１０９同様、発熱チップ，高温のコネクターピンからの熱が、主に内層のグランド層，電源層を伝わって基板全体に広がるため、基板の温度を均一化することができる。
　第１１図ではマザーボード１２１に接続されているドーターボードは基板１０７〜１０９の３枚であるが、ドーターボード数がこれより増えても、上記と全く同様の効果がある。
　また、マザーボード１２１とグランド板１２２を結小径路、およびマザーボード１２１と電源板１２３を結ぶ径路をできるだけ短くした方が、チップの冷却および電子基板上にグランド電位，電源電位，信号の安定化に効果的である。
　また、グランド板１２２、電源板１２３は本例ではマザーボード１２１の下側に配置しているが、上記条件を満たす限り、どこに何枚配してもよい。
　さらに、グランド板１２２，電源板１２３の表面に凹凸あるいはフィン等を設けてもよく、この時、チップの冷却がより効果的に行われる。
　また、第１１図においては、各電子基板のグランド層とグランド板１２２を伝導板１１０〜１１７，１２４，１２５によって接続し、各電子基板の電源層と電源板１２３を伝導板５１０〜５１５，５０８，５０９、その他の伝導板によって接続しているが、必ずしもグランド層，電源層ともに各，グランド板１２２，電源板１２３に接続する必要はなく、グランド層とグランド板１２２のみを接続してもよく、また電源層と電源板１２３のみを接続してもよい。
　また、伝導板の位置は必ずしも第１１図と同じである必要はなく、必要に応じて適切な位置に適当な数を配置してよい。また、本電子基板装置のマザーボード，ドーターボードを本発明の電子基板，実装電子基板を用いて構成すれば、ここで述べた効果はより効果的になる。
　第３図を用いて、本発明の第１４実施例について説明する。本実施例の電子基板は配線層２３，２６，２８グランド層２４，２７、電源層２５および絶縁層５０１から成っている。ここで、絶縁層５０１は電気絶縁性にすぐれかつエポキシ樹脂より熱伝導性が良好な材料（例えばセラミックス）または構造から成っている。
ま
田
　第１５図において、電子回路チップ１７５の信号ピン１７０の通るスルーホール５２０は各配線層、２３，２６，２８にあるランド部１６７〜１６９につながっている。また、絶縁層５０１とスルーホール５２０は隣接しており、両者間の熱伝導は良好に行われる。また、グランド層２４，２７、電源層２５と絶縁層５０１も隣接しており、両者間の熱伝導は良好に行われる。また、グランド層２４，２７とスルーホール５２０は空間１７２，１７４によって絶縁されており、電源層２５とスルーホール５２０は空間１７３によって絶縁されている。
　グランドピン１６１の通るスルーホール１６３は各配線層２３，２８上にあるランド部１７７，１７８に電気的に接続されている。絶縁層５０１とスルーホール１６３は隣接しており、両者間の熱伝導は良好に行われる。また、グランド層２４，２７スルーホール１６３は電気的に続されいる。また、電源層２５とスルーホール１６３は空間１６４によって絶縁されている。
　電源ピン１６２の通るスルーホール１６５は各、配線層２３，２８上にあるランド部１８０，１８１に電気的に接続されている。また、電源層２５は電気的にスルーホール１６５に接続されている。絶縁層５０１はスルーホール１６５に隣接しており、両者間の熱伝導は良好に行われる。グランド層２４，２７とスルーホール１６５は空間１６６，１７６によって絶縁されている。
　以上のように構成した電子基板において、基板に実装された電子回路チップ１７５から発生した熱は次のようにして冷却される。まず、発生した熱の一部は該チップ１７５表面へと伝わり、そこで冷却される。残りの熱は、信号ピン１７０，グランドピン１６１，電源ピン１６２を伝わる。ここで、一部の熱はピン表面で冷却される。ピン１７０を伝わった熱はハンダ１７１，スルーホール５２０を伝わって、絶縁層５０１に伝わる。ここで、絶縁層５０１は電気の絶縁体であるが、熱の良導体であるので、スルーホール５２０と絶縁層５０１の間の熱抵抗は絶縁層５０１が熱の不良導体である場合に比べて小さく、両者間の熱伝導は良好に行われる。
　ピン１６１を伝わった熱はハンダ１７９，スルーホール１６３を伝わって電気的に接続されているグランド層２４，２７に伝わり、また隣接している絶縁層５０１にも伝わる。ここで、絶縁層５０１は電気の絶縁体であるが、熱の良導体であるので、スルーホール１６３と絶縁層５０１の間の熱抵
抗
　ピン１６２を伝わった熱は、ハンダ１８２，スルーホール１６５を伝わって、接続されている電源層２５に伝わり、また隣接している絶縁層５０１にも伝わる。
　ここで絶縁層５０１は電気の絶縁体であるが、熱の良導体であるので、スルーホール１６５と絶縁層５０１の間の熱抵抗は、絶縁層５０１が熱の不良導体である場合に比べて小さく、両者間の熱伝導は良好に行われる。
　以上のようにして、グランド層２４，２７、電源層２５、絶縁層５０１に伝わった熱は、次の径路のいずれかによって冷却される。
　まず、第１にグランド層２４，２７、電源層２５、絶縁層５０１から電子基板の厚み方向に熱が伝わり、電子基板表面に達して、そこで冷却される。ここで絶縁層５０１はの熱の良導体であるので、絶縁層に熱の不良導体を用いた場合に比べてすみやかに熱が基板表面に伝わるため、より良好に冷却される。
　第２に、グランド層２４，２７、電源層２５，絶縁層５０１よりも低い温度のグランドピン，電源ピン，信号ピンを伝わって、該ピンの表面および該ピンをもつチップの表面にて冷却される。ここで、絶縁層５０１が熱の不良導体である場合は、熱のグランド層，電源層を伝わりグランドピン，電源ピンを伝わってチップ表面に至る径路が主であるが、本実施例では絶縁層５０１の熱の良導体を用いているので、上記径路のほか絶縁層を伝わってグランドピン，電源ピンを伝わってチップ表面に至る径路，絶縁層を伝わって信号ピンを伝わりチップ表面に至る径路があり、径路が増した分だけ熱伝導が促進されより良好に冷却される。
　第３に、グランド層，電源層，絶縁層を伝わって、これらの層の先に設けられた冷却設備において冷却される。ここで、絶縁層５０１が熱の不良導体である場合に比べて、本実施例の方が絶縁層５０１を通って先の冷却設備に達する熱量が多く、発熱チップの冷却により有効である。
　また、グランド層，電源層を第１５図に示す如く多層に配してあるため、クロストークによるノイズを低減する効果は第３実施例と同様であり、その効果をより顕著にする方法も同様である。
　また、グランド層，電源層を第１５図に示す如く多層に配すると、多層にわたるグランド層，電源層全体と同じ厚みのグランド層，電源層を一層ずつにした場合に比べて、基板表面から近い場所に熱の良導体であるグランド層，電源層を多く配することができるので、基板表面での冷却に有利である。これは絶縁層５０１が熱の不良導体である場合についても同様である。
　また、電源層，グランド層を多層に設けたことにより、電源層，グランド層のインピーダンスを小さくでき、高周波動作に対する電源電位，グランド電位の変動を基板内で小さく抑えることができる。
　また、本実施例においては、発熱する電子回路チップ１７５からの熱が内層のグランド層２４，２７、電源層２５はもちろん、熱伝導性のよい絶縁層５０１をも伝わって基板全体に広がるため、絶縁層５０１が熱の不良導体である場合に比べて、より効果的に基板の温度の均一化を図ることができる。
　また、ここでは、領域１７２〜１７４，１６４，１６６，１７６は空間であったが、この部分も、電気的絶縁性にすぐれかつ熱の良導体である材料または構造で構成してもよい。このような構造においてはこの部分も熱の伝導に寄与できるようになるので、上記効果がより効果的にあらわれる。
　また、第３図の例は本発明を６層板で構成する場合の一実施例であって、配線層の絶縁層を介した隣りにグランド層または電源層を設けており、しかも絶縁層が電気的な絶縁性をもちかつ熱の良導性をもつ材料または構造から成っているならば、第３図に示した層構成とは順序が異っていてもまた層数が第３図と異なっていても、本発明の電子基板を構成したことになる。
　例えば、第１図において絶縁層５が電気的な絶縁性をもちかつ熱の良導性をもつ材料または構造から成っているならば、本発明を４層板で構成した一実施例となり、第２図において絶縁層５００が電気的な絶縁性をもちかつ熱の良導性をもつ材料または構造から成っているならば、本発明を８層板で構成した一実施例となる。また、第４図において、絶縁層５０２が電気的な絶縁性をもちかつ熱の良導性をもつ材料または構造から成っているならば、本発明を１２層板で構成した一実施例となる。これらの効果は第１４実施例と同様である。
　実施例１〜１４のいずれかまたはそのうちいくつかを組合わせた電子基板を予め加熱しておいて、その後、部品のハンダ付けを行う実装方法が本発明の第１５実施例である。
　このような電子基板を本方式を用いずに、予熱しないまま部品のハンダ付けを行おうとすると、グランド層，電源層等の熱伝導性の良い層に熱抵抗が低くなるような方法で接続されたスルーホールに加わった熱はすぐにグランド層，電源層等の熱伝導性のよい層に逃げてしまってハンダ付けが良好に行われないが、本方式を用いると、予めグランド層，電源層等の熱伝導性の良い層は加熱されて温度が高くなっているから、該スルーホールに加わった熱はグランド層，電源層等の熱伝導性の良い層に逃げにくくなって、ハンダ付けを良好に行うことができる。
　実施例１〜１４のいずれかまたはそのうちのいくつかを組合わせた電子基板に部品を実装するに際し、予めＩＣ，ＬＳＩ等用のソケツトを該電子基板に組込み、第１５実施例の如くこの電子基板を予め加熱した後にハンダ付けを行ない、十分冷却した後にＩＣ，ＬＳＩ等をソケットにはめ込む実装方法が、本発明の第１６の実施例である。
　このような電子基板において第１５実施例のような方法で部品の実装を行った場合、予熱時間が長いかまたは予熱温度が高いと組込んだＩＣまたはＬＳＩ等が故障し、正常動作しなくなる可能性がある。
　そこで、本方法を用いれば、ＩＣまたはＬＳＩを高温にさらすことなく部品の実装を行うことができる。
〔発明の効果〕
　本発明の
実装
装置
は電
　また、本発明の電子基板の実装方法によれば、グランド層，電源層等の熱伝導性の良い層を予め加熱しておくので、これらの層とハンダの融点との温度差が小さくなって、ハンダ付けの際に熱を逃げにくくすることができ、良好にハンダ付けを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の第１実施例を示す断面図、第２図は本発明の第２実施例を示す断面図、第３図は本発明の第３実施例を示す断面図、第４図は本発明は本発明の第４実施例を示す断面図である。第５図は従来技術によるサーマルランドを示す図、第６図は本発明の第５実施例を示す図、第７図は本発明の第８実施例を示す断面図、第８図は本発明の第９実施例を示す断面図、第９図，第１０図および第１４図は本発明の第１２実施例を示す図、第１１図は本発明の第１３実施例を示す図、第１２図は本発明の第１０実施例を示す断面図、第１３図は本発明の第６実施例を示す図、第１５図は本発明の第１４実施例を示す断面図、第１６図は本発明の第１１実施例を示す断面図である。
〔符号の説明〕
　１，４…配線層，２…グランド層，３…電源層、５…絶縁層、９…グランドピン、１０…信号ピン、１１…電源ピン、１３，１５，１８，２０…配線層、１４，１９…グランド層、１６，１７…電源層、２１，２２…配線、２３，２６，２８…配線層、２４，２７…グランド層、２５…電源層、２９，３３，３８，４０…配線層、３０，３２，３４，３７，３９…グランド層、３１，３５，３６…電源層、４１，４６…スルーホール、４２…切欠部、４３…チャネル部、４４…ランド部、４５，４７…グランド層、４８，５１…配線層、４９…グランド層、５０…電源層、５６…信号ピン、５８，６１…配線層、５９…グランド層、６０…電源層、６６，７１，５０７…信号ピン、７３〜８２…コネクター、８３〜８６…ＺＩＰ…メモリ、８７〜１０５…高発熱電子回路チップ、１０７〜１０９…電子基板、１１０〜１１７…伝導板、１２１…マザーボード、１２２…グランド板、１２３…電源板、１２４，１２５，１２７〜１３２…伝導板、１３６，１３９，１４１…配線層、１３７，１４０…グランド層、１３８…電源層、１５０…信号ピン、１５２…絶縁層、１５３…スルーホール、１５６…グランド層、１５７〜１５９…クネクター、１６１…グランドピン、１６２…電源ピン、１７０…信号ピン、１８３，１８６，１８８…配線層、１８４，１８７…グランド層、１８５…電源層、５００〜５０２…絶縁層、５０３…高発熱電子回路チップ、５０８〜５１５…伝導板。