【事件の表示】
特許第２８２６０７８号「圧電／電歪膜型アクチュエータ」の請求項１、３〜６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
訂正を認める。
特許第２８２６０７８号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
特許第２８２６０７８号に係る発明についての出願は、平成２年５月１日に特許出願した特願平２−１１５６６５号の一部を平成７年４月７日に新たな特許出願としたものであって、その発明（請求項１〜６）は、平成１０年９月１１日に設定登録がなされ、その後、その請求項１、３〜６に係る発明の特許について、特許異議申立人進藤敬司により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１０月１２日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由が通知され、これに対して手続補正書が提出されたものである。
２．訂正の適否について
ア．訂正請求書に対する手続補正の可否について
特許権者は、手続補正書により下記の（１）〜（４）のとおり補正するものである。
（１）
　マル１訂正請求書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「圧電／電歪膜」について、「ガラスフリットを含有しない圧電／電歪膜」とし、「圧電／電歪駆動部を、所定のセラミック基板上に形成してなる」を「圧電／電歪駆動部を、所定のセラミック基板上に焼成してなる」とする。
マル２訂正請求書中の訂正事項ａについて、「特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的として、かかる請求項１の第1行目及び第3行目の「圧電/電歪膜」を、それぞれ、「ガラスフリットを含有しない圧電/電歪膜」と訂正し」、及び「誤記の訂正を目的として、請求項１の第4行目の「形成してなる」を「焼成してなる」と訂正して」を、追加する。
（２）
マル１訂正請求書の特許請求の範囲の請求項５〜９を削除する。
マル２訂正請求書中のマル３訂正事項ｃ〜マル５訂正事項ｅを、削除する。
マル３訂正請求書中の請求の原因マル３〜マル５を削除する。
（３）
マル１　全文訂正明細書中の請求項１０について、項番号を訂正し、請求項５とする。
マル２　訂正請求書中のマル６訂正事項ｆについて、「新請求項１０」を「新請求項５」とする。
マル３　訂正請求書中の請求の原因マル６について、「新請求項１０」を「新請求項５」とする。
（４）
マル１全文訂正明細書中の請求項１１〜請求項１３を、項番号を訂正し、それぞれ、請求項６〜請求項８とする。
マル２訂正請求書中の訂正事項ｇについて、「新請求項１０」、「新請求項１０、１１」、「新請求項１１、１２、及び１３」を、それぞれ、「新請求項５」、「新請求項５、６」、「新請求項６、７、及び８」とする。
　上記（１）〜（４）の補正は、訂正事項に対する減縮、削除（請求項の削除）、及び釈明であって、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するから、これを認める。
イ．訂正の要旨
マル１　訂正事項ａ　　
特許請求の範囲の請求項５を独立形式の請求項に書き換えるために、請求項1の第6行目の「酸化アルミニウム」の前に、「１００μm以下の板厚を有して、」なる語句を挿入すると共に、何れも、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的として、かかる請求項１の第1行目及び第3行目の「圧電/電歪膜」を、それぞれ、「ガラスフリットを含有しない圧電/電歪膜」と訂正し、また請求項1の第9行目の「存在せしめられている」を、「存在せしめられていると共に、かかる鉛元素が、少なくとも圧電/電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめられている」と訂正し、更に誤記の訂正を目的として、請求項1の第4行目の「形成してなる」を「焼成してなる」と訂正して、新請求項1とする。
マル２　訂正事項b　　
特許請求の範囲の請求項5が引用し或いはそれを引用する請求項3、4及び6を、それぞれ、新請求項2、3及び4として、新請求項1に従属する引用形式の請求項に訂正する。
（マル３〜マル５の訂正事項ｃ〜ｅは、削除された。）
マル６　訂正事項f
　特許請求の範囲の請求項2を独立形式の請求項とするために、請求項1の第9行目の「存在せしめられている」を、「、4 0重量%以上の割合において存在せしめられている」と訂正して、新請求項5とする。
マル７ 訂正事項g　
　特許請求の範囲の請求項2に従属する請求項3、5及び6を、それぞれ、新請求項5または新請求項5、6に従属する引用形式の請求項に訂正して、新請求項6、7及び8とする。
　したがって、訂正された特許請求の範囲は、次のとおりのものである。
「【請求項１】第一の電極膜とガラスフリットを含有しない圧電/電歪膜と,第二の電極膜とを順次層状に積層せしめてなる構造の圧電/電歪駆動部、若し〈は所定の間隔を隔てて位置する複数の帯状電極膜間にそれら電極膜と接するようにガラスフリットを含有しない圧電/電歪膜を設けてなる構造の圧電/電歪駆動部を、所定のセラミック基板上に焼成してなる圧電/電歪膜型アクチュエー夕において、前記セラミック基板が、１００μｍ以下の板厚を有して、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素のうちの何れか1種以上を主成分とするセラミック材料の多結晶体よりなり、且つ該多結晶体の少なくとも前記圧電/電歪駆動部の形成部位における少なくとも結晶粒界に、鉛元素が存在せしめられていると共に、かかる鉛元素が少なくとも圧電/電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめられていることを特徴とする圧電/電歪膜型アクチュエー夕。
【請求項２】前記セラミック基板が、０．５重量％以上、５重量％以下の範囲の酸化珪素を含んでいる請求項１記載の圧電／電歪膜型アクチュエータ。
【請求項３】前記セラミック基板上に、二つ以上の圧電／電歪駆動部が、積層形態において若しくは並設形態において、設けられている請求項１記載の圧電／電歪膜型アクチュエータ。
【請求項４】少なくとも前記第一の電極膜或いは少なくとも前記帯状電極膜が、白金、パラジウム、ロジウムからなる高融点貴金属及び銀−パラジウム、銀−白金、白金−パラジウムからなる合金のうちの少なくとも１種以上を主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項１記載の圧電／電歪膜型アクチュエータ。
【請求項５】第一の電極膜と圧電/電歪膜と第二の電極膜とを順次層状に積層せしめてなる構造の圧電/電歪駆動部、若しくは所定の間隔を隔てて位置する複数の帯状電極膜間にそれら電極膜と接するように圧電/電歪膜を設けてなる構造の圧電/電歪駆動部を、所定のセラミック基板上に形成してなる圧電/電歪膜型アクチュエータにおいて、前記セラミック基板が、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素のうちの何れか1種以上を主成分とするセラミック材料の多結晶体よりなり、且つ該多結晶体の少なくとも前記圧電/電歪駆動部の形成部位における少なくとも結晶粒界に、鉛元素が、4 0重量%以上の割合において存在せしめられていることを特徴とする圧電/電歪膜型アクチュエータ。
【請求項６】前記セラミック基板が、０．５重量％以上、５重量％以下の範囲の酸化珪素を含んでいる請求項５記載の圧電／電歪膜型アクチュエータ。
【請求項７】前記セラミック基板上に、二つ以上の圧電／電歪駆動部が、積層形態において若しくは並設形態において、設けられている請求項５記載の圧電／電歪膜型アクチュエータ。
【請求項８】少なくとも前記第一の電極膜或いは少なくとも前記帯状電極膜が、白金、パラジウム、ロジウムからなる高融点貴金属及び銀−パラジウム、銀−白金、白金−パラジウムからなる合金のうちの少なくとも１種以上を主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項５記載の圧電／電歪膜型アクチュエータ。」
ウ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否についての判断
マル１　訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
マル２　訂正事項ｂ、ｆ、ｇについて
　　訂正事項ｂ、ｆ、ｇは、請求項の削除に伴う、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
エ．独立特許要件についての判断
（１）本件発明
　訂正明細書の請求項１〜８に係る発明は、上述した特許請求の範囲に記載されたとおりのものである。
（２）引用刊行物記載の発明
当審における取消理由通知及び訂正拒絶理由通知において、下記の刊行物１〜７を示した。
　刊行物１：特開昭６２−２１３３９９号公報
　刊行物２：特開平２−２５０１２号公報
　刊行物３：特開平１−２６６７７４号公報
　刊行物４：奥田博外２名共編「ファインセラミクステクノロジーシリーズ６　構造材料セラミクス」（昭和６２年４月２０日発行）オーム社　９〜１５頁
　刊行物５：実公平１−３２７５３号公報
　刊行物６：特開昭５８−２５９６７号公報
　刊行物７：特開昭６３−２６００８６号公報
　刊行物１には、「超音波発振体として用いられる圧電磁器に関する」（１１２）発明が記載されており、「この発明は接着剤を用いない特異構造の圧電磁器とすることにより、厚さが比較的薄く、しかも面積が比較的大きい圧電セラミックを得ることができると共に、温度サイクル等のストレスに対しても強く信頼性が良好で、その上、製造作業も容易に行うことができる圧電磁器の提供を目的とする。」（２頁左上欄７〜１３行）、「圧電セラミックをペースト化することで、この圧電セラミックペーストを厚膜印刷手段により振動板上に直接形成することができる。この結果、従来例の如き接着剤を用いる必要がなくなるので、厚さが比較的薄く、面積の大きい圧電セラミックを容易に得ることができる効果がある。また、温度サイクル等のストレスに対しても強く、振動子として使用する際の信頼性の向上を図ることができると共に、製造作業も従来構造の圧電磁器と比較して容易となる効果がある。」（２頁右上欄３〜１０行）、「まず、第２図に示す如く、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）製の振動板１上にＡｇ（原子番号４７の銀）もしくはＡｇとＰｄ（原子番号４６のパラジウム）とを含む導電ペーストを厚膜印刷手段により焼成して下部電極となる導電ペースト膜２を形成する。次に所定の原料を混合および仮焼し、ジルコン酸チタン酸鉛系の圧電セラミックの粉末を形成し、このセラミック粉末に、ガラスフリット・・・および有機ビヒクルいわゆる有機塗料を所定の割合で混合して圧電セラミックペーストをえる。そして、圧電セラミックペーストを、前述の導電ペースト膜２上に、厚膜印刷手段に基づいて印刷および乾燥処理して第３図に示す圧電セラミックペースト膜３を形成する。」（２頁左下欄１２行〜右下欄６行）、「次に、第４図に示す如く、上述の圧電セラミックペースト膜３上に、ＡｇもしくはＡｇとＰｄとを含む導電ペーストを厚膜印刷手段により焼成して上部電極となる導電ペースト膜４を形成した後に、同図に示すものを８００〜１０００℃で焼成して圧電磁器５を形成する。」（２頁右下欄１３〜１８行）
　また、刊行物２には、「積層セラミック電子部品の製造方法に係わり、特に、酸化鉛を含むベロブスカイト構造を有するセラミック層を備えた積層セラミック部品の製造方法に関する」（１頁右下欄３〜６行）発明が記載され、「従来は、セラミック層に含まれていた酸化鉛が焼成中にＡｌ２Ｏ３やＺｒＯ２を主成分とするセッター中に吸収されてしまう」（３頁左下欄３〜５行）ことが記載されている。      
　また、刊行物３には、「圧電セラミック材料としては、ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺｒＯ３系セラミックス、ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺｒＯ３−Ｐｂ（Ｎｉ，Ｎｂ）Ｏ３系セラミックス、ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺｒＯ３−Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｉ）Ｏ３系セラミックス等が用いられる。」（２頁左上欄１５〜１８行）、「圧電セラミックスグリーンシートより鉛がセパレータ用グリーンシートへと移行し、相互の接着がおこる。」（２頁右上欄７〜９行）
　また、刊行物４には、「無加圧焼結では、アルミナ微粉末と焼結助剤（１〜５％）を混合した後、冷間で加圧成型し、その後１６００〜１７００℃の温度で焼結して焼結体を得る。焼結助剤として、・・・、ＳｉＯ２・・・などが知られている。」（１１頁９〜１１行）
　また、刊行物５には、「第１の圧電素子と第２の圧電素子との間に、リード電極を形成した薄いセラミック絶縁体を挟着したことを特徴とする圧電バイモルフ素子」が記載されている。（１頁左欄２〜４行）
　また、刊行物６の第１図（ａ）には、複数の圧電素子５が上蓋１上に並設した形態で設けられた状態が図示されている。
　また、刊行物７「大きな変位量と発生力を得るための圧電アクチュエータ」（１頁左下欄下から３〜２行）が記載され、「圧電体の厚さ２１０μｍ、支持部材の厚みは６０μｍ」（３頁左下欄１１〜１２行）と記載されている。
　（３）訂正明細書の請求項１に係る発明についての対比・判断
　本件訂正明細書の請求項１に係る発明と刊行物１に記載されたものとを比較すると、刊行物１に記載された「アルミナ製振動板」、「下部電極となる導電ペースト膜」、「圧電セラミックペースト膜」、「上部電極となる導電ペースト膜」、「圧電磁器」は、本件訂正明細書の請求項１に係る発明の「セラミック基板」、「第一の電極膜」、「圧電／電歪膜」、「第二の電極膜」、「圧電／電歪膜型アクチュエータ」に、それぞれ相当する。
　したがって、本件訂正明細書の請求項１の発明と刊行物１に記載されたものとは、「第一の電極膜と圧電／電歪膜と第二の電極膜とを順次層状に積層せしめてなる構造の圧電／電歪駆動部、若しくは所定の間隔を隔てて位置する複数の帯状電極膜間にそれら電極膜と接するように圧電／電歪膜を設けてなる構造の圧電／電歪駆動部を、所定のセラミック基板上に焼成してなる圧電／電歪膜型アクチュエータにおいて、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素のうちの何れか１種以上を主成分とするセラミック材料の多結晶体よりなることを特徴とする圧電／電歪膜型アクチュエータ」である点で一致し、
　本件訂正明細書の請求項１に係る発明では、「圧電／電歪膜がガラスフリットを含有しない」のに対し、刊行物１の圧電／電歪膜は、ガラスフリットを含有している点、
　本件訂正明細書の請求項１に係る発明が、刊行物１には明示されない「セラミック基板が、１００μｍ以下の板厚を有して」いる点、及び、
　本件訂正明細書の請求項１に係る発明は、「多結晶体の少なくとも前記圧電／電歪駆動部の形成部位における少なくとも結晶粒界に、鉛元素が存在せしめられていると共に、かかる鉛元素が、少なくとも圧電／電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめられている」点で相違が認められる。
　
　以下、相違点について検討する。
　刊行物１に記載された圧電／電歪膜型アクチュエータである圧電磁器では、セラミック基板上の、酸化鉛を含む圧電体セラミック材料を焼成して圧電／電歪膜型アクチュエータが製造されており、この酸化鉛を含む圧電体セラミック材料の焼成の際に、酸化鉛の拡散や蒸発が生じ、酸化鉛がセラミック基板に移行、吸収され得ることがあることは、本件出願前において技術常識である（刊行物２、３の上記記載を参照）としても、鉛元素が少なくとも圧電/電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめることとなる点については、刊行物１には、何ら開示されていない。
　また、結晶体の少なくとも前記圧電／電歪駆動部の形成部位における少なくとも結晶粒界に、鉛元素が存在せしめられていること、及び、かかる鉛元素が、少なくとも圧電／電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめられていることが、刊行物１に明記ないし示唆されていないことは前記したとおりであり、この点について、特許権者の提出した平成１２年1月１８日付意見書の参考資料１、６を参酌すると、酸化鉛を含む圧電体セラミック材料の焼成の際に、酸化鉛の拡散や蒸発が生じ、酸化鉛がセラミック基板に移行、吸収される際に、鉛元素がセラミック基板部位の板厚方向全域に含有されずに、セラミック基板部位の板厚方向に偏在して含有されることもあることから、鉛元素が少なくとも圧電/電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめるようにすることを、当業者が容易に想到し得たとすることできない。
　そして、刊行物２〜７のいずれにも、鉛元素が少なくとも圧電/電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめる点については、示唆も記載もない。
　さらに、本件訂正明細書の請求項１に係る発明では、セラミック基板が、１００μｍ以下の板厚を有するようにして、鉛元素が少なくとも圧電/電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめるようにしたものであって、本件訂正明細書の段落【００１５】記載の、「鉛元素は、多結晶であるセラミック基板の結晶粒界中においても酸化物の如き化合物等の形態で存在しており、それによってセラミック基板は適度に撓みやすくなり、以て大きな変位を示すアクチュエータが効果的に得られる」という、刊行物１ないし７からは当業者が予測し得ない、顕著な作用効果を奏するものであるから、本件訂正明細書の請求項１に係る発明が、刊行物１〜７に記載された発明と同一であるとも、また、刊行物１〜７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　したがって、本件訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（４）訂正明細書の請求項２〜４に係る発明についての対比・判断
訂正明細書の請求項２〜４に係る発明は、いずれも訂正明細書の請求項１に係る発明を引用するものであって、さらに構成を限定したものであるから、訂正明細書の請求項１に係る発明についての上記判断と同様な理由により、本件訂正明細書の請求項２〜４に係る発明が、刊行物１〜７に記載のものから容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本件訂正明細書請求項２〜４に係る発明は、いずれも特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについての判断
ア．異議申立の概要
　異議申立人進藤敬司は、証拠として、甲第１号証（特開昭６２−２１３３９９号公報）、甲第２号証（特開平２−２５０１２号公報）、甲第３号証（特開平１−２６６７７４号公報）、甲第４号証（奥田博外２名共編「ファインセラミクステクノロジーシリーズ６　構造材料セラミクス」（昭和６２年４月２０日発行）オーム社　９〜１５頁）、甲第５号証（実公平１−３２７５３号公報）、甲第６号証（特開昭５８−２５９６７号公報）、甲第７号証（特開昭６３−２６００８６号公報）をもとに、請求項１及び３〜５（訂正後の請求項１〜４）に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、又は、甲第１〜７号証から容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきと主張している。
イ．本件発明
　本件発明は、上述した特許請求の範囲に記載されたとおりのものである。
ウ．引用例
　上記甲第１〜７号証は、上記アに記載のとおりのものである。
（なお、甲第１〜７号証は、先の取消理由通知及び訂正拒絶理由通知に引用されたものであって、各号証に記載発明は、上記２．エ（２）に記載したとおりのものである。）
ウ．判断
　本件請求項１〜４に係る発明は、上記２．エで示した判断と同旨の理由により、甲第１〜７号証に記載された発明と同一であるとも、また甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月２日（２０００．３．２）
【訂正の要旨】
（３）訂正の要旨
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項５を独立形式の請求項に書き換えるために、請求項１の第６行目の「酸化アルミニウム」の前に、「１００μｍ以下の板厚を有して、」なる語句を挿入すると共に、何れも、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的として、かかる請求項１の第１行目及び第３行目の「圧電／電歪膜」を、それぞれ、「ガラスフリットを含有しない圧電／電歪膜」と訂正し、また請求項１の第９行目の「存在せしめられている」を、存在せしめられていると共に、かかる鉛元素が、少なくとも圧電／電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめられている」と訂正し、更に誤記の訂正を目的として、請求項１の第４行目の「形成してなる」を「焼成してなる」と訂正して、新請求項１とする。
▲２▼　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項５が引用し或いはそれを引用する請求項３、４及び６を、それぞれ、新請求項２、３及び４として、新請求項１に従属する引用形式の請求項に訂正する。
▲６▼　訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項２を独立形式の請求項とするために、請求項１の第９行目の「存在せしめられている」を、「、４０重量％以上の割合において存在せしめられている」と訂正して、新請求項５とする。
▲７▼　訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項２に従属する請求項３、５及び６を、それぞれ、新請求項５または新請求項５、６に従属する引用形式の請求項に訂正して、新請求項６、７及び８とする。
（５４）【発明の名称】
圧電／電歪膜型アクチュエータ
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　第一の電極膜と
ガラスフリットを含有しない
ガラスフリットを含有しない
焼成
　前記セラミック基板が、
１００μｍ以下の板厚を有して
と共に、かかる鉛元素が、少なくとも圧電／電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含有せしめられている
　　【請求項
２
１記載
　　【請求項
３
　　【請求項
４
１記載
　　【請求項
５
　前記セラミック基板が、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素のうちの何れか１種以上を主成分とするセラミック材料の多結晶体よりなり、且つ該多結晶体の少なくとも前記圧電／電歪駆動部の形成部位における少なくとも結晶粒界に、鉛元素が
、４０重量％以上の割合において
　　【請求項
６
５記載
　　【請求項
７
５または請求項６
　　【請求項
８
５記載
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【技術分野】
　本発明は、変位制御素子、個体素子モーター、リレー、スイッチ、シャッター、プリンタヘッド、ポンプ、ファン、マイクロホン、発音体（スピーカー等）、インクジェットプリンタ、各種振動子等に好適に用いられるユニモルフ型、バイモルフ型等の屈曲変位を発生させるタイプの圧電／電歪型アクチュエータに関するものである。なお、ここで言うアクチュエータとは、電気エネルギーを機械エネルギーに変換、即ち機械的な変位または応力に変換する素子を意味するものである。
　　　【０００２】
　　【背景技術】
　近年、光学や精密加工等の分野において、サブミクロンのオーダーで光路長や位置を調整する変位制御素子が所望されるようになってきており、これに応えるものとして、強誘電体等の圧電／電歪材料に電界を加えたときに起こる逆圧電効果や電歪効果に基づくところの変位を利用した素子である圧電／電歪アクチュエータの開発が進められている。
　　　【０００３】
　ところで、かかる圧電／電歪アクチュエータの構造としては、従来から、モノモルフ型、ユニモルフ型、バイモルフ型、及び積層型が知られているが、その中でも、モノモルフ型、ユニモルフ型、バイモルフ型は、電界誘起歪の横効果を利用して屈曲変位を得るために、比較的大きな変位が得られるものの、発生力が小さく、また応答速度が遅く、電気機械変換効率が悪いという問題を内在するものであった。一方、積層型は、電界誘起歪の縦効果を利用しているために、それら発生力や応答速度において優れ、また電気機械変換効率も高いものであるが、発生変位が小さいという問題を内在していた。
　　　【０００４】
　しかも、それら従来のユニモルフ型やバイモルフ型のアクチュエータにおいては、何れも、圧電／電歪板等の板状の構成部材を、接着剤等を用いて張り付けてなる構造を採用するものであるために、アクチュエータとしての作動の信頼性にも問題があるものであった。
　　　【０００５】
　このように、従来の圧電／電歪アクチュエータには、それぞれ、一長一短があり、また解決されるべき幾つかの問題を内在するものであったのである。
　　　【０００６】
　　【解決課題】
　ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為されたものであって、その課題とするところは、接着剤等で張り付けた構造ではなく、相対的に低駆動電圧で大変位が得られ、応答速度が速く、且つ発生力が大きく、また高集積化が可能である圧電／電歪膜型アクチュエータを提供することにある。
　　　【０００７】
　　【解決手段】
　そして、本発明にあっては、上述の如き課題を解決するために、第一の電極膜と圧電／電歪膜と第二の電極膜とを順次層状に積層せしめてなる構造の圧電／電歪駆動部、若しくは所定の間隔を隔てて位置する複数の帯状電極膜間にそれら電極膜と接するように圧電／電歪膜を設けてなる構造の圧電／電歪駆動部を、所定のセラミック基板上に形成してなる圧電／電歪膜型アクチュエータにおいて、前記セラミック基板が、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素のうちの何れか１種以上を主成分とするセラミック材料の多結晶体よりなり、且つ該多結晶体の少なくとも前記圧電／電歪駆動部の形成部位における少なくとも結晶粒界に、鉛元素が存在せしめられていることを特徴とする圧電／電歪膜型アクチュエータを、その要旨とするものである。
　　　【０００８】
　なお、このような本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの好ましい態様によれば、前記鉛元素は、セラミック基板を構成する多結晶体の結晶粒界中に、４０重量％以上の割合において含有せしめられることとなる。
　　　【０００９】
　また、本発明の他の好ましい態様によれば、前記圧電／電歪膜型アクチュエータにおけるセラミック基板は、０．５重量％以上、５重量％以下の範囲の酸化珪素を含んでいるのである。
　　　【００１０】
　さらに、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの好ましい態様の一つによれば、前記セラミック基板上には、二つ以上の圧電／電歪駆動部が、積層形態において若しくは並設形態において設けられ、また該セラミック基板の板厚は、有利には１００μｍ以下とされることとなる。
　　　【００１１】
　更にまた、本発明の好ましい態様の他の一つによれば、少なくとも前記第一の電極膜或いは少なくとも前記帯状電極膜は、白金、パラジウム、ロジウムからなる高融点貴金属及び銀−パラジウム、銀−白金、白金−パラジウムからなる合金のうちの少なくとも１種以上を主成分とする材料から構成されている。
　　　【００１２】
　　【作用・効果】
　このような本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータ構造によれば、膜状の圧電／電歪体となるものであるところから、相対的に低駆動電圧にて大変位が得られ、また応答速度が速く、且つ発生力も大きく、更には高集積化が可能となる特徴を発揮するのである。
　　　【００１３】
　また、本発明は、基板と電極膜、基板と圧電／電歪膜、または電極膜と圧電／電歪膜を接合する構成を採用するものであるために、薄板を接合するような従来のユニモルフ型、バイモルフ型等のアクチュエータで採用されている如き接着剤等を何等用いることなく、一体化して、目的とする圧電／電歪膜型アクチュエータを構成することが出来るところから、長期使用に対する信頼性も高く、また変位量ドリフトも小さい特徴を発揮するのである。
　　　【００１４】
　特に、鉛元素を含む結晶粒界の位置するセラミック基板部位上に、少なくとも圧電／電歪駆動部を形成することにより、かかる粒界に生成した鉛元素を含む低融点材料の効果で、基板と膜とは強固に接着せしめられ、また基板と圧電／電歪膜を熱処理すれば、基板と膜のストレスが緩和され、以て繊密な圧電／電歪膜を得ることが出来、その結果、振動板となるセラミック基板への力の伝達が効率よく行なわれるという特徴を発揮するのである。
　　　【００１５】
　また、このような本発明の圧電／電歪膜型アクチュエータにおいては、鉛元素は、多結晶体であるセラミック基板の結晶粒界中において、酸化物の如き化合物等の形態で存在しており、それによってセラミック基板は適度に撓み易くなり、以て大きな変位を示すアクチュエータが効果的に得られるのである。なお、かかる効果を有利に達成する上において、そのような鉛元素は、その粒界中に、一般に粒界物質の全重量に対して４０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは６０重量％以上において含まれており、そのようなセラミック基板上に、目的とする圧電／電歪駆動部が構成されていることが望ましい。
　　　【００１６】
　さらに、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータは、圧電／電歪駆動部が膜状に形成されるために、同一基板面上に多数個の素子を形成することが容易に出来、かかる圧電／電歪駆動部の高集積化が可能となる特徴も有している。
　　　【００１７】
　なお、本発明に係る圧電／電歪膜型アクチュエータは、低電圧駆動が可能で、しかも大きい屈曲変位・発生力を得るために、有利には、その厚さは、３００μｍ以下、好ましくは１５０μｍ以下とされることが望ましく、またセラミック基板の板厚としては、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下とされることとなる。
　　　【００１８】
　　【具体的構成・実施例】
　以下に、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの具体的構造を示す図面を参照しつつ、本発明を、更に具体的に明らかにすることとする。なお、理解を容易にするために、各図面を通して、同様の構造を有するものは、同一の符号を付すものとする。
　　　【００１９】
　先ず、図１は、本発明におけるセラミック基板の断面形態を概略的に示すものである。従来のセラミック基板においては、多結晶体であるセラミック基板を構成する主成分のセラミック粒子（結晶粒）の粒界（結晶粒界）には、石英ガラス等の介在物が存在するのみであるが、本発明に従うセラミック基板は、その粒界に、鉛元素を酸化物等の化合物形態において拡散させること等によって形成される低融点材料を含有するものである。なお、図面中、２４は、セラミック粒子（結晶粒）であり、２６は粒界を示している。
　　　【００２０】
　そして、圧電／電歪膜型アクチュエータを構成する基板を、本発明に係る、鉛元素が酸化物等の化合物形態において、有利には４０重量％以上の割合において粒界に含有されているセラミック基板とすることにより、緻密な膜で且つ基板との接合性が良好な圧電／電歪膜駆動部が得られ、これにより、優れたアクチュエータ特性を示す圧電／電歪膜型アクチュエータが実現されるのである。
　　　【００２１】
　また、鉛元素は、酸化物の如き化合物等の形態において、少なくとも圧電／電歪駆動部が形成されているセラミック基板部位の板厚方向全域の結晶粒界に含まれていることが好ましく、より望ましくは、セラミック基板全体の結晶粒界に均一に含有されていることが好ましい。
　　　【００２２】
　以下に、本発明に従って、上記の如き構造を有するセラミック基板を用いて作製された圧電／電歪膜型アクチュエータの幾つかの具体例について、説明することとする。
　　　【００２３】
　先ず、図２に示される圧電／電歪膜型アクチュエータは、セラミック基板２の面上に、第一の電極膜４、圧電／電歪膜６及び第二の電極膜８が順次積層されて、多層に形成された一体構造とされている。なお、第一及び第二の電極膜４、８は、それぞれ、圧電／電歪膜６の端部より延び出させられて、リード部４ａ、８ａを形成しており、それらリード部４ａ、８ａを通じて、それぞれの電極膜４、８に電圧印加が行なわれるようになっている。かかる構造の圧電／電歪膜型アクチュエータにおいては、その圧電／電歪膜６に電界が作用せしめられると、電界誘起歪の横効果により、セラミック基板２の板面に垂直な方向の屈曲変位乃至は発生力が発現せしめられるのである。
　　　【００２４】
　また、図３は、セラミック基板２の面上に、複数の帯状電極１６とそれらを接続する電極接続部１０とからなる櫛形の電極膜１８ａ及びそれと同形状の電極膜１８ｂが図示の如き配置形態においてそれぞれ設けられると共に、更にそれらの電極膜１８ａ、１８ｂ間に、それら電極膜１８ａ、１８ｂと接するように、圧電／電歪膜６が形成され、一体構造とされている例を示している。かかる構造の圧電／電歪膜型アクチュエータにおいては、その圧電／電歪膜６に電界が作用せしめられると、電界誘起歪の縦効果により、セラミック基板２の板面に垂直な方向の屈曲変位乃至は発生力が発現せしめられるのである。
　　　【００２５】
　さらに、図４は、第一の電極膜４と圧電／電歪膜６と第二の電極膜８とからなる圧電／電歪駆動部の複数が、別個に、セラミック基板２上に設けられてなる例を示すものであり、膜状のアクチュエータが好適に用いられる高集積化構造を実現したものである。
　　　【００２６】
　更にまた、図５は、セラミック基板２の一方の面上に複数の帯状電極膜１６が配列され、圧電／電歪膜６にて埋め込まれた状態で、圧電／電歪駆動部が形成された例であり、該圧電／電歪駆動部上には、電極層２２、圧電／電歪層２８及び電極層２２が順次積層一体化せしめられた構造とされている。
　　　【００２７】
　また、図６に示される圧電／電歪膜型アクチュエータは、セラミック基板２の形状が円形形状とされた例であり、該セラミック基板２の形状に対応して、その一方の面上に形成される圧電／電歪膜６及び帯状電極１６からなる圧電／電歪駆動部も、円形形状において設けられているのである。
　　　【００２８】
　さらに、図７〜図９に示されるアクチュエータは、それぞれ、複数の圧電／電歪駆動部（４、６、８）が、セラミック基板２上に並設形態において設けられた例であり、特に図７及び図８に示されるアクチュエータにおいては、それら複数の圧電／電歪駆動部（４、６、８）の間に位置するセラミック基板２にスリット２０が入れられて、それぞれの圧電／電歪駆動部が互いに独立した形態とされている。なお、図７において、１４は、圧電／電歪膜６の背部で、第一、第二の電極膜４、８を電気的に絶縁する絶縁膜である。また、図９のアクチュエータにおいては、セラミック基板２は、長手の矩形孔１２が設けられて梯子状とされており、そして該矩形孔１２、１２に挟まれた接続部２ａ上に、圧電／電歪駆動部（４、６、８）がそれぞれ形成された構造とされている。
　　　【００２９】
　ところで、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータは、上記のように、圧電／電歪駆動部を構成する電極、圧電／電歪体が膜形成により作製されており、そして熱処理によってセラミック基板と圧電／電歪駆動部とが一体構造とされ、接着剤は何等用いられていない特徴を有するものであるが、そのような圧電／電歪膜型アクチュエータは、例えば、次のようにして作製されることとなる。
　　　【００３０】
　先ず、圧電／電歪駆動部を形成するセラミック基板（２）に関して、基板材料としては、機械的強度が大きく、後述するように、８００〜１５００℃程度の熱処理が可能な絶縁体若しくは誘電体であれば、酸化物系であっても、非酸化物系であっても良いが、本発明にあっては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素のうちの何れかの１種以上を主成分とした材料が採用される。なお、ここで、主成分とは、全体の５０重量％以上の割合において含有されているものとする。本発明では、それら材料を用いて形成した基板（多結晶体）の粒界に、鉛元素を、酸化物の如き化合物等の形態において、含有することとなるので、特に、酸化アルミニウムまたは酸化ジルコニウムを主成分とした基板が、板厚が薄くても優れたアクチュエータ用基板特性が得られるところから、有利に用いられることとなり、更に、酸化アルミニウムを主成分とした基板が好ましく用いられる。
　　　【００３１】
　なお、そのようなセラミック基板材料中には、酸化珪素（ＳｉＯ、ＳｉＯ２）が有利に含有せしめられる。この酸化珪素の含有量は、０．５重量％以上、５重量％以下が好ましく、特に１重量％以上、３重量％以下とすることが望ましい。このような割合の酸化珪素の含有は、後述する圧電／電歪材料との熱処理中の過剰な反応を避け、良好なアクチュエータ特性を得る上において重要なことである一方、鉛元素を酸化物等の形態において粒界に均一に含有せしめて、適度な低融点材料を形成するためにも重要なこととなるのである。
　　　【００３２】
　ところで、セラミック基板の粒界に鉛元素を酸化物等の形態において含有せしめる方法としては、例えば、鉛元素を単体形態或いは化合物形態で含有する雰囲気中で、セラミック粒子の粒界に鉛元素が酸化物等の形態において均一に拡散出来る７００℃以上の温度条件において、セラミック基板を熱処理する方法が好ましい。また、鉛単体や、酸化物、酸素酸塩の如き鉛元素を含む化合物を、セラミック基板のグリーンシート中に混入して、或いはグリーンシートの表面に塗布した後、焼成することにより、鉛元素を粒界中に導入することも可能である。更に、セラミック基板の鉛元素を含有せしめるべき所定の部位に、鉛単体や鉛元素を含む化合物を載置したり、それらを含むペーストを塗布したりして、前記の熱処理を施すことによっても、セラミック基板の目的とする部位の粒界中に鉛元素を導入することが可能である。
　　　【００３３】
　なお、上記の熱処理による鉛元素の導入は、後述する圧電／電歪駆動部の形成に先立って行なわれるものの他、かかる圧電／電歪駆動部の形成時における熱処理、即ち電極膜や圧電／電歪膜の焼成と同時に実施することも出来、その場合には、その焼成雰囲気中に鉛元素が単体状態若しくは化合物形態で存在せしめられることとなる。
　　　【００３４】
　また、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータにおいて、その高速応答性と大きな屈曲変位を得る為には、本発明のセラミック基板の厚さは、一般に１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは３０μｍ以下とすることが望ましい。また、その曲げ強度としては、５００ｋｇｆ／ｃｍ２以上が好ましく、特に１０００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることが望ましい。
　　　【００３５】
　なお、かかるセラミック基板としては、予め焼結した基板を用いてもよく、また基板材料のグリーンシートを用い、後記の膜形成を行なった後に焼結させてもよいが、中でも、予め焼結した基板が、素子の反りを小さくすることが出来ると共に、パターン寸法精度が得られることから、有利に用いられることとなる。
　　　【００３６】
　また、このようなセラミック基板の形状としては、何等限定されるものではなく、用途に応じて如何なる形状であっても採用可能であり、例えば三角形、四角形等の多角形、円、楕円、円環等の円形、櫛状、格子状またはこれらを組み合わせた特殊形状であっても、何等差支えない。
　　　【００３７】
　そして、これら基板上への圧電／電歪駆動部の形成は、以下のようにして、行なわれることとなる。先ず、各材料からなる電極膜（４、８）及び圧電／電歪膜（６）をセラミック基板（２）上に形成するには、公知の各種の膜形成法、例えばスクリーン印刷の如き厚膜法やディッピング等の塗布法、スパッタリング、真空蒸着、メッキ等の薄膜法等が適宜採用され得るが、それらに何等限定されるものではない。なお、圧電／電歪膜（６）を形成するには、好ましくはスクリーン印刷、ディッピング、塗布等による手法が好適に採用される。これらの手法は、平均粒径０．１〜５μｍ、好ましくは０．１〜２μｍの圧電／電歪セラミック粒子を主成分とするペーストやスラリーを用いて、基板上に膜形成することが出来、良好なアクチュエータ特性が得られるからである。また、そのような膜の形状としては、スクリーン印刷法、フォトリソグラフィ法等を用いてパターン形成する他、レーザー加工法やスライシング、超音波加工等の機械加工法を用い、不必要な部分を除去して形成しても良く、特に、レーザー加工法や機械加工法を用いて基板と膜を同時に加工し、圧電／電歪駆動部の集積度を向上させることが好ましい。
　　　【００３８】
　また、作製されるアクチュエータの構造や電極膜の形状は、何等限定されるものではなく、用途に応じて如何なる形状でも採用可能であり、例えば三角形、四角形等の多角形、円、楕円、円環等の円形、櫛状、格子状またはこれらを組み合わせた特殊形状であっても、何等差支えない。
　　　【００３９】
　そして、かくしてセラミック基板（２）上に形成されたそれぞれの電極膜（４或いは１６）及び圧電／電歪膜（６）は、それらの膜の形成の都度、熱処理されて、基板と一体構造となるようにされても良く、また、例えば電極膜（４或いは１６）及び圧電／電歪膜（６）を形成した後、同時に熱処理して、各膜が同時に基板に一体的に結合せしめられるようにしても良い。なお、かかる形成された膜と基板とを一体化するための熱処理温度としては、８００℃〜１５００℃程度の温度が採用され、好ましくは１０００℃〜１４００℃の範囲の温度が有利に選択される。また、圧電／電歪膜（６）を熱処理する場合には、高温時に圧電／電歪膜の組成が不安定とならないように、そのような圧電／電歪材料の蒸発源の配置と共に、雰囲気制御を行ないながら、熱処理することが好ましい。
　　　【００４０】
　なお、上記の方法にて作製される圧電／電歪駆動部を構成する電極膜（４或いは１６）の材料としては、前記熱処理温度程度の高温酸化雰囲気に耐えられる導体であれば特に規定されるものではなく、例えば金属単体であっても、合金であっても採用可能であり、また絶縁性セラミックス等の添加物が配合された金属や合金と絶縁セラミックスとの混合物であっても、更には導電性セラミックスであっても、何等差支えない。より好ましくは、白金、パラジウム、ロジウム等の高融点貴金属類、銀−パラジウム、銀−白金、白金−パラジウム等の合金の少なくとも１種以上を主成分とする電極材料が好適に用いられることとなる。特に、白金或いは白金を含む合金を主成分とする電極材料が好ましく用いられる。なお、この場合の主成分とは、５０体積％以上の割合において含まれていることを意味するものである。
　　　【００４１】
　また、上記混合物において、金属や合金に添加せしめられるセラミックスとしては、前記基板材料或いは後述する圧電／電歪材料と同様な材料の中から選択して用いることが望ましく、その添加量としては、セラミック基板と同じ材料の使用の場合においては５〜３０体積％、また圧電／電歪材料と同じ材料においては５〜２０体積％程度が好ましい。特に、それら基板材料と圧電／電歪材料を共に上記金属や合金に混在せしめてなる混合物が、目的とする電極膜の形成に有利に用いられる。
　　　【００４２】
　そして、このような材料を用いて形成される電極膜は、用途に応じて適宜の厚さとされることとなるが、例えば図２に示される電界誘起歪の横効果を用いるタイプの第一の電極（４）においては、１５μｍ以下、好ましくは５μｍ以下の厚さにおいて形成されることとなる。一方、第３図に示される電界誘起歪の縦効果を用いるタイプの電極（１６）においては、３μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、更に好ましくは２０μｍ以上の厚さにおいて形成されることとなる。
　　　【００４３】
　また、圧電／電歪駆動部を構成する圧電／電歪膜（６）は、アクチュエータとして好適な材料、即ち圧電或いは電歪効果等の大きな電界誘起歪を示す材料であれば、何れの材料を用いても形成され得るものであり、例えば半導体材料であっても、誘電体セラミックス材料や強誘電体セラミックス材料であっても、何等差支えなく、更には分極処理が必要な材料であっても、またそれが不必要な材料であっても良いのである。
　　　【００４４】
　尤も、本発明において用いられる圧電／電歪膜材料としては、鉛元素を含む酸化物が好ましく、特にジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ系）を主成分とする材料、マグネシウムニオブ酸鉛（ＰＭＮ系）を主成分とする材料、ニッケルニオブ酸鉛（ＰＮＮ系）を主成分とする材料、亜鉛ニオブ酸鉛を主成分とする材料、マンガンニオブ酸鉛を主成分とする材料、アンチモンスズ酸鉛を主成分とする材料、チタン酸鉛を主成分とする材料、更にはこれらの複合材料等が用いられる。なお、ＰＺＴ系を主成分とする材料に、ランタン、バリウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン等の酸化物やそれらの他の化合物を添加物として含んだ材料、例えばＰＬＺＴ系となるように、前記材料に所定の添加物を適宜に加えても何等差支えない。
　　　【００４５】
　そして、この本発明に従う構造のアクチュエータにあっては、圧電／電歪膜（６）は、アクチュエータ特性の点から、圧電定数で｜ｄ３１｜が５０×１０−１２〔Ｃ／Ｎ〕以上、若しくは｜ｄ３３｜が１００×１０−１２である膜が、特に｜ｄ３１｜が１００×１０−１２〔Ｃ／Ｎ〕以上、若しくは｜ｄ３３｜が２００×１０−１２〔Ｃ／Ｎ〕以上である膜が、より好ましい。
　　　【００４６】
　以下に、本発明に従い、図２に示される如き電界誘起歪の横効果を用いるタイプの圧電／電歪膜型アクチュエータを種々作製して、セラミック基板中の粒界に含有される鉛元素の量と圧電定数との関係を調べた結果を示す。
　　　【００４７】
　ここで、アクチュエータは、次のようにして作製した。即ち、酸化アルミニウムを主成分とする材料を用いて作製された多結晶体からなるセラミック基板２（板厚：５０μｍ）上に、スクリーン印刷法により膜形成された、白金を主成分とする材料（白金８５体積％、圧電／電歪材料１０体積％、酸化ジルコニウム５体積％）を用いた第一の電極膜４と、マグネシウムニオブ酸鉛を主成分とする材料（チタン酸鉛３７モル％、ジルコン酸鉛２４モル％、マグネシウムニオブ酸鉛３９モル％）を用いた圧電／電歪膜６とを順次積層、焼成して、一体的に形成した後、更に該圧電／電歪膜６上に、金を用いてスパッタリング法により、第二の電極膜８を形成することにより、図２に示される如きアクチュエータとした。かかる第一の電極４及び圧電／電歪膜６の膜厚は、それぞれ、５μｍ及び３０μｍに調整し、また第二の電極膜８の膜厚は０．３μｍとした。
　　　【００４８】
　なお、第一の電極膜４は１２００℃の温度で焼成し、また圧電／電歪膜６は１２５０℃の温度で焼成すると共に、セラミック基板２の粒界中に含有される鉛元素の量が下記表１に示される各値となるように、それぞれの焼成雰囲気中の酸化鉛含有量や焼成時間を適宜調整して、各種のセラミック基板２からなる各種アクチュエータとした。
　　　【００４９】
　かくして得られた各種のアクチュエータにおいて、それぞれのセラミック基板の粒界中の酸化鉛として存在する鉛元素の含有量を測定すると共に、それぞれの圧電定数（｜ｄ３１｜）の値を測定し、それらの結果を、下記表１に示した。
　　　【００５０】
　なお、表１の中で、鉛元素の含有量が０ｗｔ％のアクチュエータの一部では、膜の剥離が発生した。
　　　【００５１】
【表１】
　　　【００５２】
　かかる表１の結果から明らかなように、セラミック基板２を構成する多結晶体の結晶粒界中に鉛元素が酸化物形態において４０重量％以上含有されているアクチュエータでは、その圧電定数が大きくなり、更に５０重量％以上含有すると、急激に大きくなっていることが認められる。そして、このような大きな圧電定数が実現される結果、一般に知られているように（例えば、日本音響学会誌第２３巻第５号（１９６７）第３０３頁参照）、大きな変位のアクチュエータが得られることとなるのである。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明に従うセラミック基板の部分断面拡大説明図である。
　　【図２】
　本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの一実施例を示す斜視部分説明図である。
　　【図３】
　本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの他の一例を示す斜視部分説明図である。
　　【図４】
　本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの異なる実施例を示す斜視部分説明図である。
　　【図５】
　本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの更に異なる一例を示す斜視部分説明図である。
　　【図６】
　本発明に係る圧電／電歪膜型アクチュエータの異なる他の一例を示す斜視部分説明図である。
　　【図７】
　本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの他の異なる実施例を示す斜視部分説明図である。
　　【図８】
　本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの更に異なる他の実施例を示す斜視部分説明図である。
　　【図９】
　本発明に係る圧電／電歪膜型アクチュエータの更にまた異なる他の一例を示す斜視部分説明図である。
　【符号の説明】
　　２　　セラミック基板
　　４　　第一の電極膜
　　６　　圧電／電歪膜
　　８　　第二の電極膜
　１６　　帯状電極膜
　２４　　セラミック粒子
　２６　　粒界