【事件の表示】
　特許第３１１６７５１号「感放射線性樹脂組成物」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１１６７５１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１１６７５１号は、平成６年１０月７日（国内優先権主張　平成５年１２月３日）に出願され、平成１２年１０月６日にその発明について特許の設定登録がなされた。
　本件特許公報は、平成１２年１２月１１日に発行され、その請求項１ないし３に係る特許に対して、平成１３年６月１１日付で青沼潔より特許異議の申立がなされた。
　
II．特許異議申立について
１．本件特許
　本件請求項１ないし３に係る特許は、本件特許明細書の特許請求の範囲請求項１ないし３に記載されたとおりの、下記のとおりのものである。
「【請求項１】酸の存在下にアルカリ可溶性となる重合体（イ）および放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤（ロ）を含有してなる感放射線性樹脂組成物において、重合体（イ）がそれぞれ下記一般式（１）および一般式（２）で表される２種の繰り返し単位ＡおよびＢと放射線照射後のアルカリ現像液に対する重合体の溶解性を低減させる繰り返し単位Ｃを含有し、繰り返し単位Ｃがスチレン、α−メチルスチレン、メチルビニルケトンおよび（メタ）アクリロニトリルの群から選ばれる少なくとも１種の単量体に対応する単位であることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化１】
  
　〔一般式（１）において、Ｒ１ は水素原子またはメチル基であり、一般式（２）において、Ｒ２　は水素原子またはメチル基である。〕
【請求項２】繰り返し単位Ｃがスチレンに対応する単位である請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】重合体（イ）のポリスチレン換算重量平均分子量が３，００
０〜１００，０００である請求項１または請求項２に記載の感放射線性樹脂組成物。」
　
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、下記の甲第１ないし３号証を提出して、本件の請求項１ないし３に係る発明は、その出願前に頒布された甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、取り消されるべきものである旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平５−１１３６６７６号公報
甲第２号証：特開昭６０−２０５４４４号公報
甲第３号証：特開平２−１８７７６４号公報
　
３．甲号各証に記載された発明
甲第１号証：
(１−１)「化１で示される高分子化合物(ａ)と、
【化】
  
（式中、Ｒ１はメチル基、Ｒ２及びＲ３は水素またはメチル基、Ｒ４は３級アルコ−ル残基またはアリル基を示し、ｍは０，１，２のいずれかであり、ｘは０．６〜０．９の正数、ｙは０．４〜０．１の正数でＸ＋ｙ＝１の関係を満たす。）
放射線の照射を受けて酸または塩基を発生する化合物(ｂ)と、からなるパターン形成用材料。」（特許請求の範囲第１項）
(１−２)「上記合成高分子の平均分子量は、実用的見地から約２０００〜５００００が望ましい。」（【００１１】参照）
(１−３)「次に本発明で用いる放射線の照射を受けて酸を発生する化合物(ｂ)としては、例えば・・・などのオニウム塩や、・・・などのハロゲン含有化合物や、・・・などのスルホン酸エステルなどを挙げることができる。」（【００１２】〜【００１７】参照）
(１−４)「【作用】第１の発明においては、放射線の照射時、その露光部で酸または塩基が発生し、発生した酸または塩基により高分子化合物(ａ)のアルキルエステル基が分解してカルボン酸を生成することになり、組成物の露光部の溶解性が大幅に向上する。」（【００２９】参照）
と記載され、
(１−５)実施例１〜７として、Ｐ−ビニルフエノールと、ｔ−ブチルメタクリレートとを共重合させた高分子化合物（ＰＶＭＢ−１０、ＰＶＭＢ−２５、ＰＶＭＢ−３０、ＰＶＭＢ−３５）とジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレ−トとを含有するレジスト溶液を用いてパターンを形成させたことが記載されている。（【００３１】〜【００３４】及び【表１】参照）
　
甲第２号証：
(２−１)「ａ)水に不溶でアルカリ性水溶液に可溶である高分子量結合剤、ｂ）化学線の作用下で強酸を形成する化合物、及びｃ）少なくとも１個の酸分解可能なＣ−Ｏ−Ｃ結合を有しかつ現像液中での可溶性が酸の作用によって増大される化合物よりなる感放射組成物において、この結合剤がアルケニルフェノール単位よりなる重合体であることを特徴とする、感放射組成物。」
(２−２)「重合体が一般式(Ｉ)；
   
　［式中、Ｒは水素原子、シアニド基、アルキル基又はフェニル基を表わし、Ｒ１は水素原子又はハロゲン原子、シアニド基又はアルキル基であり、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基、であり、ｘは１〜３の数を表わす］に相当する単位よりなる、特許請求の範囲第１項記載の感放射組成物。」
(２−３)「重合体が式(Ｉ)に相当する単位及び他のビニル化合物の単位よりなる共重合体である、特許請求の範囲第２項記載の感放射組成物。」
(２−４)「他のビニル化合物の単位が一般式(II)；
   
　［式中、Ｒ５は水素原子又はハロゲン原子であるか又はアルキル基であり、Ｒ６はアルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、ホルミル基、シアニド基、力ルボキシル基、ヒドロキシル基又はアミノカルボニル基であり、Ｒ７は、Ｒ６がカルボキシル基である場合、Ｒ６と結合して酸無水物を形成することができる水素原子又はカルボキシル基である］に相当する、特許請求の範囲第３項記載の感放射組成物。」
と記載され、
(２−５)一般式(II)で表わされる化合物の例として、「スチレン、α−クロルスチレン、α−メチルスチレン、・・・アクリルニトリル、・・・」（第５頁左上欄第１１〜１７行）が例示され、
(２−６)共重合体の例として、「ビニルフェノール／スチレン共重合体」（第５頁右上欄第７〜８行）が記載され、
(２−７)実施例の例５として、４−ヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体を用いた例（第９頁右下欄下から第３行〜第１０頁右上欄第４行）が記載されている。
　
甲第３号証：
(３−１)「ヒドロキシスチレン類(Ａ)とヒドロキシスチレン類以外のスチレン類(Ｂ)の共重合体からなるアルカリ可溶性樹脂を含有することを特徴とする感遠紫外線樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項）
(３−２)「本発明は、感遠紫外線樹脂組成物に関し、さらに詳しくはＫｒＦエキシマレーザ一などに対して感度が良く、特に高密度化集積回路作製のためのレジストとして使用した場合に、現像による膜減りが小さく、ドライエッチング耐性が良く、解像度およびパターンプロファイルが優れたレジストパターンを得ることができる」（第１頁右下欄下から第１０〜４行）
(３−３)「ノボラック樹脂はドライエッチング耐性は良いが、遠紫外線、例えばＫｒＦエキシマレーザーの発振波長（２４８ｎｍ）における吸光度が大きく、レジストの深部まで遠紫外線が十分到達せず、その結果アルカリ性水溶液からなる現像液によって現像する際に得られるレジストパターンのプロファイルが悪いという欠点を有している。また、ポリヒドロキシスチレンは、ドライエッチング耐性が良く、２４８ｎｍにおける吸光度がノボラック樹脂よりも小さいが、アルカリ性水溶液に対する溶解性が大きいため現像によるレジストパターンの膜減りが大きすぎて基板をエッチングする際にレジストとしての機能を十分果せないという欠点がある。本発明の目的は、上記課題を解決し、エキシマレーザ−などの遠紫外線を照射源として用いても、現像による膜減りが小さく、ドライエッチング耐性が良く、良好なプロファイルを有するレジストパターンを高解像度にて得ることのできる感遠紫外線樹脂組成物を提供することにある。」（第２頁左下欄下から第５行〜右上欄第１４行）
(３−４)「ヒドロキシスチレン類(Ａ)としては、例えばｐ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｍ−ヒドロキシスチレン・・・などが挙げられるが、好ましくはｐ−ヒドロキシスチレンおよびα−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレンである。」（第２頁右下欄第１〜１０行）
(３−５)「上記ヒドロキシスチレン類以外のスチレン類(Ｂ)としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、・・・などが挙げられるが、好ましくはスチレンおよびα−メチルスチレンである。」（第２頁右下欄第１１〜１７行）
(３−６)「ヒドロキシスチレン類(Ａ)とスチレン類(Ｂ)の共重合割合は、・・・(Ａ)／(Ｂ)が５５／４５未満では、得られる共重合体がアルカリ可溶性水溶液からなる現像液に溶けにくくなりレジストパターンが形成しにくくなる。また(Ａ)／(Ｂ)が９５／５を超えると、得られる共重合体のアルカリ可溶性水溶液からなる現像液に対する溶解性が高くなりすぎるため形成されるレジストパターンの膜減りが著しくなる。」（第２頁右下欄下から第３行〜第３頁左上欄第６行）
(３−７)「本発明の組成物を用いると、通常のアルカリ水溶液、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液による現像ではネガ型パターンが得られる。」（第３頁右下欄第１０〜１２行）
　
４．対比・判断
４．１　請求項１に係る発明について
  本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）は、「アクリル酸エステル構造とフェノール骨格の両者を有する樹脂が注目を集めている（特開平４−２５１２５９号公報、同５−１８１２７９号公報、同５−１１３６６７号公報）。これらの樹脂を用いたレジストは、アクリル酸系の繰り返し単位のみを有する樹脂と比較してドライエッチング耐性が改善される利点がある。しかし、露光部でカルボン酸が生成するため現像液に対する溶解速度が高くなりすぎ、実際に基板上にレジストパターンを形成するとパターン上部が細くなり、理想とされる矩形のパターンが形成されないという欠点があった。」という従来技術における課題を解決することを目的とするものであって、該課題を、酸の存在下にアルカリ可溶性となる重合体の構成単位として、一般式(１)及び一般式(２)で表される繰り返し単位Ａ及びＢに加えて、放射線照射後のアルカリ現像液に対する重合体の溶解性を低減させる繰り返し単位(ｃ)である、スチレン、α−メチルスチレン、メチルビニルケトン又は（メタ）アクリロニトリルの群から選ばれる少なくとも１種の単量体を含有せしめることによって、解決するものである。
　これに対し、甲第１号証（特開昭５−１１３６６７号公報）は、上記従来技術の１例として記載された公報であって、該号証には、特定の高分子化合物(ａ)と、放射線の照射を受けて酸または塩基を発生する化合物(ｂ)と、からなるパターン形成材料であって、該パターン形成材料は、放射線に対する高い感度と露光された部分だけが忠実に現像液に溶解し、しかも、未露光部の現像液への溶解が起こらないポジ型パターン形成材料であることが記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、摘記事項(１−１)、(１−５)から明らかなように、甲第１号証において実施例として用いられた共重合体の繰り返し単位である「ｐ−ビニルフェノール」と「ｔ−ブチルメタクリレート」は、それぞれ本件発明１における一般式(１)及び一般式(２)で表される繰り返し単位Ａ及びＢに相当するものである。また、摘記事項(１−４)から明らかなように、該号証記載の高分子化合物(ａ)も、酸の存在下にアルカリ可溶性となる重合体である。さらに、該号証記載の化合物(ｂ)は、本件発明１における「放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤（ロ）」に相当する。
　してみると、両者の相違点は以下の点にある。
相違点：
　酸の存在下にアルカリ可溶性となる重合体が、本件発明１においては、一般式(１)及び一般式(２)で表される繰り返し単位Ａ及びＢに加えて、放射線照射後のアルカリ現像液に対する重合体の溶解性を低減させる繰り返し単位(ｃ)として、スチレン、α−メチルスチレン、メチルビニルケトン又は（メタ）アクリロニトリルの群から選ばれる少なくとも１種の単量体を含有するものであるのに対し、甲第１号証記載の重合体は、一般式(１)及び一般式(２)で表される繰り返し単位Ａ及びＢだけで、このような繰り返し単位(ｃ)を含有していない点。
　以下、該相違点について検討する。
　甲第２号証には、摘記事項(２−１)から明らかなように、（ａ）水に不溶でアルカリ性水溶液に可溶な高分子結合剤と（ｂ）化学線の作用下で強酸を形成する化合物と（ｃ）少なくとも１個の酸分解可能なＣ−Ｏ−Ｃ結合を有し、かつ現像液中での可溶性が酸の作用によって増大される化合物とからなる感放射性組成物が記載され、結合剤として、前記一般式(１)で示されるアルケニルフェノ−ル単位と前記一般に式(II)で示されるビニル化合物単位からなる共重合体を用いたものが記載され（摘記事項(２−２)、(２−３)参照）、該一般式(II)で示されるビニル化合物の例として、スチレン、α−メチルスチレン、アクリルニトリルが記載されており（摘記事項(２−５)参照）、該一般式(II)で示されるビニル化合物は、本件発明１における繰り返し単位(ｃ)に相当するものである。
　しかしながら、甲第２号証に記載されている「（ａ）水に不溶でアルカリ性水溶液に可溶な高分子結合剤」は、甲第１号証記載の高分子化合物のように、酸の存在下にアルカリ可溶性となるものではなく、甲第２号証記載の発明の組成物中で、酸の存在下でアルカリ可溶となる化合物は、「（ｃ）少なくとも１個の酸分解可能なＣ−Ｏ−Ｃ結合を有し、かつ現像液中での可溶性が酸の作用によって増大される化合物」である。すなわち、甲第１号証に記載された高分子化合物と、甲第２号証に記載された高分子結合剤とでは、パターン形成用組成物中での作用が異なるものである。　　
　しかも、甲第２号証に記載された発明では、一般式(II)で示されるビニル化合物は必須の繰り返し単位ではなく、アルカリ性現像液に対する溶解性との関係について何等示唆する記載もない。
　よって、甲第２号証に記載された高分子化合物を構成する繰り返し単位として、本件発明１における繰り返し単位(ｃ)に相当する一般式(II)で示されるビニル化合物が記載されていても、該一般式(II)で示されるビニル化合物を、甲第１号証に記載された高分子化合物を構成する繰り返し単位として用いる必要性が見いだせないばかりでなく、該ビニル化合物を、甲第１号証記載の高分子化合物の繰り返し単位として含有させることにより、放射線照射後のアルカリ現像液に対する重合体の溶解性を低減させることができるという作用効果については、当業者といえども予期し得ないものである。
　また、甲第３号証には、ＫｒＦエキシマレーザ−のような遠紫外線に感応する樹脂組成物におけるアルカリ可溶性樹脂として、ヒドロキシスチレン類(Ａ)とヒドロキシスチレン類以外のスチレン類(Ｂ)との共重合体を用いること（摘記事項(３−１)、(３−２)参照）、及び該ヒドロキシスチレン類以外のスチレン類(Ｂ)としては、例えばスチレン、α−メチルスチレンが好ましいことが記載されており、該ヒドロキシスチレン類以外のスチレン類(Ｂ)は、本件発明１における繰り返し単位(ｃ)に相当するものである。
　そして、摘記事項(３−３)、(３−６)から明らかなように、ポリヒドロキシスチレンに代えて、ヒドロキシスチレン類(Ａ)とヒドロキシスチレン類以外のスチレン類(Ｂ)との共重合体を用いることにより、ポリヒドロキシスチレンが有している、アルカリ性水溶液に対する溶解性が大きいため現像によるレジストパターンの膜減りが大きすぎて基板をエッチングする際にレジストとしての機能を十分果たせないという欠点を解決し、現像による膜減りが小さく、ドライエッチング耐性が良く、良好なプロファイルを有するレジストパターンを高解像度にて得ることができるという作用効果を有すること、すなわち、「ヒドロキシスチレン類以外のスチレン類(Ｂ)」は、溶解性を低下させるという作用効果を有する繰り返し単位であることも記載されている。
　しかしながら、甲第３号証に記載されている「ヒドロキシスチレン類(Ａ)とヒドロキシスチレン類以外のスチレン類(Ｂ)との共重合体」は、甲第１号証記載の発明のような、酸の存在下にアルカリ可溶性となる重合体ではなく、露光を受けない限りアルカリ可溶性のものである。すなわち、甲第１号証に記載された高分子化合物と、甲第３号証に記載された高分子化合物（共重合体）とでは、パターン形成用組成物中での作用効果が全く異なるものである。
　しかも、甲第１号証には、該号証記載の高分子化合物の露光部の現像液に対する溶解速度が高くなりすぎるという技術課題の認識がないのであるから、甲第３号証に記載された共重合体を構成するスチレン類(Ｂ)が、請求項１に係る発明における繰り返し単位(ｃ)に相当するものであって、かつ、それが溶解性を低下させる繰り返し単位であることが記載されていても、甲第３号証記載のスチレン類(Ｂ)を、甲第１号証に記載された高分子化合物を構成する繰り返し単位として用いる動機が見いだせない。
　さらに、前述のとおり、甲第２号証記載の高分子結合剤及び甲第３号証載の共重合体はいずれも、甲第１号証に記載されたような、酸の存在下にアルカリ可溶性となる高分子化合物ではないうえに、甲第２号証に記載された感放射組成物は、露光された部分がアルカリ性水溶液に可溶性となる、いわゆるポジ型レジストであるのに対し、甲第３号証記載の感遠紫外線樹脂組成物は、露光された部分がアルカリ性水溶液に不溶性となる、いわゆるネガ型レジストであるから、甲第３号証に記載された技術事項を参酌したうえで、甲第２号証記載の発明を甲第１号証に記載された発明に適当することが容易であるとすることはできない。
　以上のとおり、甲第２号証及び甲第３号証の記載をもってしては、相違点に係る構成を容易に導き出すことができない以上、請求項１に係る発明が、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
４．２　請求項２及び３に係る発明について
　請求項２、３に係る発明は、請求項１を引用する形式で記載されており、請求項１に記載された要件に加えて、「繰り返し単位Ｃがポリスチレンに対応する単位である」及び／又は「重合体(イ)のポリスチレン換算重量平均分子量が３，０００〜１００，０００である」という要件を付加するものであるから、前項に述べたように、請求項１に係る発明が、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることができない以上、請求項２、３に係る発明も、同じ理由により、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
III．むすび
  以上のとおりであるから、本件の請求項１ないし３に係る特許は、特許異議申立の主張および提出された証拠方法によっては、取消すことはできない。
　また、他に本件特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月２０日（２００１．９．２０）