【事件の表示】
　特許第２５９４７０２号「シリコン酸化膜及びそれを備えた半導体装置」の請求項に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２５９４７０２号の特許請求の範囲請求項１、請求項３ないし請求項８に記載された発明についての特許を取り消す。
　同特許請求の範囲請求項２に記載された発明についての特許を維持する。
【理由】
一．手続の経緯
　本件特許第２５９４７０２号の発明は、平成２年５月７日（優先権主張１９８９年５月７日　日本）に出願され、平成８年１２月１９日に設定登録され、その後、平成９年９月２６日に三浦俊郎より特許異議申立がなされ、平成１０年２月５日付で取消理由通知をし、その指定期間内である平成１０年４月２７日に訂正請求がなされ、更に平成１０年７月１４日付で取消理由通知をし、その指定期間内である平成１０年９月２９日に訂正請求がなされたが、その訂正請求に対して平成１１年８月１１日付で訂正拒絶理由が通知され、その指定期間内に特許権者から何らの応答もない。
二．訂正の適否の判断
（ロ）訂正の適否
　当審が通知した訂正拒絶理由は
「１．訂正明細書の請求項１〜６の係る発明
　訂正明細書の請求項１〜６の係る発明は、その特許請求の範囲請求項１〜６に記載されたとおりである。
２．刊行物　　「ＨＡＮＤＢＯＯＫ　ＯＦ　Ｘ−ＲＡＹ　ＰＨＯＴＯＥＬＥＣＴＲ　ＯＮ　ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ」，Ｐｅｒｋ　ｉｎ−Ｅｌｍｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ，１９７９　ｐｐ２９−３１，５２−５３，１７４−１７８
３．第２９条第２項違反について
　上記刊行物にはＸ線光電子分光スペクトルにおいて酸素と結合するシリコンのＳｉ２ｐピークの結合エネルギーがシリコンと結合するシリコンのＳｉ２Ｐ３／２ピークの結合エネルギーより４．２５ｅＶ大きいシリコン酸化膜が記載されている。
　（１）請求項１に係る発明との相違点は、請求項１に係る発明が上記のようなシリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のシリコン酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
　（２）請求項２に係る発明との相違点は、請求項２に係る発明が上記のようなシリコン酸化膜をゲート酸化膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜をゲート酸化膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のシリコン酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
　（３）請求項３に係る発明との相違点は、請求項３に係る発明が上記のようなシリコン酸化膜をトンネル絶縁膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜をトンネル絶縁膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のシリコン酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
　（４）請求項４に係る発明との相違点は、請求項４に係る発明が上記のようなシリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置または上記のようなシリコン酸化膜をゲート酸化膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置において当該シリコン酸化膜の厚さを０．５〜１０ｎｍとしたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置またはシリコン酸化膜をゲート酸化膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のシリコン酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。また、当該シリコン酸化膜の厚さをどの程度とするかは単なる設計的事項にすぎず、その厚さを０．５〜１０ｎｍすることは当業者が任意になし得たことである。
　（５）請求項５に係る発明との相違点は、請求項５に係る発明が上記のようなシリコン酸化膜を半導体装置のエッチング用マスクとしたのに対して、上記刊行物記載の発明が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜を半導体装置のエッチング用マスクとすることは周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のシリコン酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
　（６）請求項６に係る発明との相違点は、請求項６に係る発明が上記のようなシリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置において絶縁分離膜の少なくとも一部に金属フッ化膜を備えた半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置において絶縁分離膜の少なくとも一部に金属フッ化膜を備えた半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のシリコン酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
４．したがって、請求項１〜６に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、当該訂正は認められない。」というものであり、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは何らの応答もない。そして、上記訂正拒絶理由は妥当なものと認められるので、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第第３項で準用する同第１２６条第４項の規定に違反し、当該訂正は認められない。
三．特許異議申立についての判断
（イ）本件特許明細書の特許請求の範囲請求項１〜８に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】Ｘ線光電子分光スペクトルにおいて、酸素と結合するシリコンのＳｉ２Ｐピークの結合エネルギーが・シリコンと結合するシリコンのＳｉ２Ｐ３／２のピークの結合エネルギーより４．１ｅＶ以上大きいシリコン酸化膜。
　【請求項２】酸素と結合するシリコンのＳｉ２Ｐピークの結合エネルギーが、シリコンと結合するシリコンのＳｉ２Ｐ３／２のピークの結合エネルギ１より４．７ｅＶ以上大きいことを特徴とする請求項１記載のシリコン酸化膜。
　【請求項３】請求項１または２の酸化膜を絶縁膜として備えたＭＯＳトランジスタを含んでいることを特徴とする半導体装置。
　【請求項４】前記絶縁膜はゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
　【請求項５】前記絶縁膜はトンネル絶縁膜であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
　【請求項６】酸化膜の厚さは０．５〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項３または４のいずれか１項記載の半導体装置。
　【請求項７】前記酸化膜はエッチングのマスク用酸化膜である請求項１記載のシリコン酸化膜。
　【請求項８】ゲート電極とソースおよびドレイン電極の間を絶縁分離する絶縁膜の少なくとも一部に金属フッ化膜を備えたことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。」
（ロ）異議申立人三浦俊郎の申立の概要は「請求項１に係る発明は甲第１号証（ＨＡＮＤＢＯＯＫ　ＯＦ　Ｘ−ＲＡＹ　ＰＨＯＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ」，Ｐｅｒｋ　ｉｎ−Ｅｌｍｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｅｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ，１９７９）記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、請求項２〜８に係る発明は甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、同法第２９条第２項の規定に基づき特許を受けることができないものであり、また請求項２に係る発明は発明の詳細な説明に記載されたものでないから、同法第３６条第４項の規定により特許を受けることができないものである。従って、請求項１〜８に係る発明は取り消されるべきである。」というものである。
（ハ）平成１０年２月５日付の取消理由は、
「１．特許法第２９条第１項第３号違反について（請求項１に係る発明について）
　本件特許第２５９４７０２号の請求項１に係る発明（以下「本件第１発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりのものと認める。
　一方、下記刊行物には、特許異議申立人三浦俊郎による特許異議申立書第４頁第１８行〜第５頁１８行における「（４）イ、証拠の説明」に掲げられた内容に関する記載がなされている。
　そして、本件第１発明は、上記異議申立書第５頁第２０行〜第６頁第１４行に記載された理由により、下記刊行物記載の発明であると認められる。
　よって、本件第１発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
２．特許法第２９条第２項違反について（請求項３〜８に係る発明について）
　本件特許第２５９４７０２号の請求項３〜８に係る発明（以下「本件第３発明」〜「本件第８発明」という。）は、下記刊行物記載の発明に基き、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　よって、本件第３〜８発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
・・・・
記
「ＨＡＮＤＢＯＯＫ　ＯＦ　Ｘ−ＲＡＹ　ＰＨＯＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＹ」，Ｐｅｒｋ　ｉｎ−Ｅｌｍｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ，１９７９」
　というものである。
　そこで、上記の点について詳細に検討すると、上記刊行物にはＸ線光電子分光スペクトルにおいて酸素と結合するシリコンのＳｉ２Ｐピークの結合エネルギーがシリコンと結合するシリコンのＳｉ２Ｐ３／２ピークの結合エネルギーより４．２５ｅＶ大きいシリコン酸化膜が記載されている。
　（１）本件第１発明における「４．１ｅＶ以上」は上記刊行物記載の発明における「４．２５ｅＶ」を含むから、本件第１発明と上記刊行物記載の発明との相違点はない。
　（２）本件第３発明と上記刊行物記載の発明との相違点は、本件第３発明のシリコン酸化膜が半導体装置内のＭＯＳトランジスタの絶縁膜であるのに対して、上記刊行物記載の発明のシリコン酸化膜が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のＭＯＳトランジスタの絶縁膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
　（２）本件第４発明と上記刊行物記載の発明との相違点は、本件第４発明がシリコン酸化膜をゲート酸化膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明のシリコン酸化膜が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜をゲート酸化膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
　（３）本件第５発明と上記刊行物記載の発明との相違点は、本件第５発明がシリコン酸化膜をトンネル絶縁膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明のシリコン酸化膜が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜をトンネル絶縁膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のＭＯＳトランジスタのトンネル絶縁膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
　（４）本件第６発明と上記刊行物記載の発明との相違点は、本件第６発明がシリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置または上記のようなシリコン酸化膜をゲート酸化膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置において当該シリコン酸化膜の厚さを０．５〜１０ｎｍとしたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置またはシリコン酸化膜をゲート酸化膜としたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のシリコン酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。また、当該シリコン酸化膜の厚さをどの程度とするかは単なる設計的事項にすぎず、その厚さを０．５〜１０ｎｍにすることは当業者が任意になし得たことである。
　（５）本件第７発明と上記刊行物記載の発明との相違点は、本件第７発明がシリコン酸化膜を半導体装置のエッチング用マスクとしたのに対して、上記刊行物記載の発明のシリコン酸化膜が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜を半導体装置のエッチング用マスクとすることは周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のエッチング用マスクとして用いることに格別の創意工夫を必要としない。
　（６）本件第８発明と上記刊行物記載の発明との相違点は、本件第８発明がシリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置において絶縁分離膜の少なくとも一部に金属フッ化膜を備えた半導体装置であるのに対して、上記刊行物記載の発明のシリコン酸化膜が単なるシリコン酸化膜である点であるが、シリコン酸化膜を備えたＭＯＳトランジスタを含む半導体装置において絶縁分離膜の少なくとも一部に金属フッ化膜を備えた半導体装置は周知であり、上記刊行物記載のシリコン酸化膜を当該周知の半導体装置のシリコン酸化膜として用いることに格別の創意工夫を必要としない。
（ニ）請求項２に係る発明のシリコン酸化膜と上記刊行物記載の発明のシリコン酸化膜とは、前者のシリコン酸化膜が酸素と結合するシリコンのＳｉ２Ｐピークの結合エネルギーが、シリコンと結合するシリコンのＳｉ２Ｐ３／２のピークの結合エネルギーより４．７ｅＶ以上大きいのに対して、後者のシリコン酸化膜が酸素と結合するシリコンのＳｉ２Ｐピークの結合エネルギーが、シリコンと結合するシリコンのＳｉ２Ｐ３／２のピークの結合エネルギーより４．２５ｅＶ大きい点で相違する。そして、請求項２に係る発明は上記構成を採用することにより、絶縁膜特性の優れたシリコン酸化膜を得ることができるという顕著な効果を奏する。よって、請求項２に係る発明は上記刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　また、本件特許明細書の第５欄の第１表にシリコン酸化膜が酸素と結合するシリコンのＳｉ２Ｐピークの結合エネルギーとシリコンと結合するシリコンのＳｉ２Ｐ３／２のピークの結合エネルギーとの差が４．７２ｅＶ、４．８７ｅＶと、４．７ｅＶ以上の例が記載されており、請求項２に係る発明が発明の詳細な説明に記載されていないとすることはできない。
（ホ）むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１、３〜８に係る発明は、上記刊行物記載の発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明することができたものであるから、請求項１、３〜８に係る発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　したがって、本件請求項１、３〜８に係る発明は、特許法第１１３条第１項第２号に該当するので、取り消されるべきものである。
　また、請求項２に係る発明の特許については、他に取消理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月３日（２０００．２．３）