【事件の表示】
　特許第２８４３２４９号「デバイスを製造する方法および装置」の請求項１ないし４、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８４３２４９号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２８４３２４９号は、平成５年１２月１５日に特許出願され、平成１０年１０月２３日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人株式会社ニコンより特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年３月２４日に訂正請求（後日取下げ）がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月２９日に意見書が提出され、その後、再度取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年６月１５日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人株式会社ニコンは、甲第１号証（森田他　「昭和６１年度精密工学会秋季大会学術講演会論文集５６５頁−５６６頁）、甲第２号証（特開平２−２１９２１２号公報）、甲第３号証（M．A．Sturans,　H．C．Pfeiffer,Microcircuit　Engineering　83　１０７頁−１１６頁）、甲第４号証（特開平３−１０１２１４号公報）及び甲第５号証（特開昭６４−３３９２７号公報）を提示し、本件請求項１、４及び６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、同条第１項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件請求項１、４及び６に係る発明の特許を取消すべき旨主張し、本件請求項１〜４及び６に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件請求項１〜４及び６に係る発明の特許を取消すべき旨主張している。
　また、本件特許第２８４３２４９号は、その明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載が不備のため、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものであるから、特許を受けることができないものであるから、本件請求項１〜４及び６に係る発明の特許を取消すべき旨主張している。
　なお、甲第５号証について、異議申立人株式会社ニコンは、提示した理由を述べていない。
１．２　異議申立人株式会社ニコンが提示した甲第１号証〜甲第５号証の内容
１．２．１　異議申立人株式会社ニコンが提示した甲第１号証の内容
　甲１号証は、可変成形ビーム方式の電子線露光装置に関するものであり、図１に示されるように２枚の成形アパーチャを用い、成形偏向器を用いることにより１枚目の成形アパーチャの像を２枚目の成形アパーチャ（以下、「第２成形アパーチャ」と呼ぶ）上で走査することにより、第２成形アパーチャ上に所望のパターンを形成し、このパターンを縮小レンズで縮小し、対物レンズでウエハ上に投影すると投影タイプの露光装置が示されている。
　図１には、第２成形アパーチャとウエハとの間に配置された対物レンズを用いて第２成形アパーチャの像を基板上に投影するタイプの電子線露光装置が示されている。
　また、甲１号証には以下の記載がある。
１．はじめに
２．電子光学系の概要
３．クーロン効果低減による大電流化
　クーロン効果はビームの横方向の広がりとエネルギー分散の増加を引き起こす。ビーム横方向広がりは直接的に、・・・ビームぼけを増大させる。これら２つの効果はともに、ビーム光路長を短縮し、・・・低減される。しかし、光路長を短くするとレンズ設計が困難になるので、むやみに短く出来ない。・・・
７．実験結果
８．まとめ
１．２．２　異議申立人株式会社ニコンが提示した甲第２号証の内容
　甲第２号証第２頁左上欄第６行〜同頁左下欄第５行には、「【産業上の利用分野】・・・荷電粒子ビ−ムの経路上に、四角形形状の開口を有するいわゆる可変矩形透過孔を設け、この可変矩形透過孔を通過した粒子ビ−ムによって所望のパターンをウェハ上に“一筆書き”するものである。・・・前記可変矩形透過孔に加えて、繰返パターン用の透過孔を形成したいわゆるステンシルマスクをを設け、マスク上の透過孔を選択的に使用することにより、スループットの向上を意図したものが知られている。　　　　　　　　　
【従来の技術】
　第４図は従来の荷電粒子ビ−ム露光装置を示す図で、荷電粒子ビーム発生源からの荷電粒子ビームは、矩形成形用アパーチャ１によって矩形状に成形されたあと、第１のレンズ２で収束され、アパーチャ選択用デフレクタ３によってステンシルマスク４上の所望位置に偏向される。ここで、ステンシルマスク４は、可変矩形透過孔４ａ、複数の繰返しパターン用透過孔４ｂおよび基準位置用透過孔ｃなどの多数開口を有するもので、その断面図は第５図に、また、平面図は第６図に示される。」と記載されている。
１．２．３　異議申立人株式会社ニコンが提示した甲第３号証の内容
　甲第３号証には、可変軸レンズ（ＶＡＬ）について第１０９頁のＦｉｇ．１にその概略図が示されている。また、可変軸液浸レンズ（ＶＡＩＬ）について第１１３頁のＦｉｇ．７に示されている。　どちらも物面（ｏｂｊｅｃｔｉｖｅ Ｐｌａｎｅ）の像をテレセントリックレンズシステムを用いてウエハ等のターゲット（Ｔａｒｇｅｔ）上に投影するものである。
　甲第３号証の１．ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮの章の最初に「Ｔｈｅ ＶＡＬ（Ｖａｒｉａｂｌｅ Ａｘｉｓ　Ｌｅｎｓ）ｗａｓ ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｄ ｔｏ ｈａｖｅ ｖｅｒｙ ｄｅｓｉｒａｂｌｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｆｏｒ ｓｕｂ‐ｍｉｃｒｏｎ ｌａｒｇｅ ｆｉｅｌｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｓｙｓｔｅｍｓ．・・・Ａｌｌ ｔｈｅｓｅ ｐｒｏｂｌｅｍｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ａｌｌｅｖｉａｔｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ＶＡＩＬ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ．（ＶＡＬは電子線露光装置の大きなフィールドにおいてサブミクロンに要求される特性を持つことが証明された。…これらの全ての問題はＶＡＩＬによって緩和される。）」と記載されている。
１．２．４　異議申立人株式会社ニコンが提示した甲第４号証の内容
　甲第４号証第９頁左下欄第７行〜同欄第１５行には、「デバイスの製作及び得られるデバイスは、最小寸法１μｍ及びそれ以下の最小寸法形状を規定できる１ないし複数のリソグラフィ投影プロセスに依存する。本発明の方向は０．５μｍかそれ以下のサブミクロン最小形状寸法を必要とする。本件で述べられるデバイスの例では、たとえば０．３５μｍ、０．２５μｍ、０．２μｍ及びそれ以下といった各種の最小形状寸法を必要とする。本発明はそのようなデバイスの製作に応用するのが適当である。」と記載されている。
　甲第４号証第１１頁右下欄第８行〜同欄第２０行には、「
第１図
１．２．５　異議申立人株式会社ニコンが提示した甲第５号証の内容
　甲第５号証には、マスクホルダ並びにそれを用いたマスクの搬送方法が記載されている。
１．３　異議申立人株式会社ニコンが主張する特許法第３６条違反の指摘内容の要旨
１．３．１
『プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用して粒子のビームを走査することによりマスクを照射して（構成要件Ａ）』とあるが、
　１）マスクの照明にプロジェクションレンズを含むレンズ系を用いるという事項及びレンズ系で粒子のビームを走査するという事項は【発明の詳細な説明】の項に記載も示唆もない。
　２）【発明の詳細な説明】を見るかぎり「マスクと基板との間に配置されたプロジェクションレンズを用いて投影」されないと発明の奏する効果が生じ得ないものであり、発明の構成に欠くことができない事項（マスクと基板との間に配置されたプロジェクションレンズを用いて投影する事）が記載されていない。
１．３．２
『前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下（構成要件Ｂ及びＪ）』とあるが、【発明の詳細な説明】を見るかぎり「この距離の下限が限定」されないと発明の奏する効果が生じ得ないものである。従って、発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されていない（不明瞭）。
１．３．３
『０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する（構成要件Ｄ、Ｈ‐６及びＫ）』とあるが、【発明の詳細な説明】を見るかぎり０．５μｍ以下の解像のためにはマスクと基板との距離の上限と下限が必要であるが、下限については開示も示唆も無い。従って、本件発明を達成するための技術的手段が不明瞭であり、容易に実施をすることができない発明である。
１．３．４
『前記レンズが可変軸レンズまたは可変軸液浸レンズからなる（構成要件Ｅ）』とあるが、 可変軸レンズ及び可変軸液浸レンスとは【発明の詳細な説明】を参酌してもその構成、効果共に不明瞭である。また、可変軸レンズと可変軸液浸レンズとの差異についても不明である。更に、前記レンズとはどのレンズを意味するのか不明である。
１．３．５
『前記マスクが前記粒子を透過する領域と前記粒子を散乱する領域とからなる（構成要件Ｆ）』とあるが、マスクをこのようなマスクにした場合にどのような作用効果があるのか不明瞭である。
１．３．６
『マスクを保持するマスクホルダ』とあるが、マスクホルダについては【発明の詳細な説明】を参酌しても一切開示が無く不明瞭である。
１．３．７
『基板を保持する基板ホルダ』とあるが、基板ホルダについては【発明の詳細な説明】を参酌しても一切開示が無く不明瞭である。
２．訂正の適否について
２．１　訂正請求の内容
　本件訂正請求は、本件特許第２８４３２４９号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、平成１３年６月１５日付訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１．１　訂正事項
訂正事項a
　特許明細書の請求項１「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用して粒子のビームを走査することにより該マスクを照射してデバイス基板上に投影されたイメージを作り出すステップからなる少なくとも１つのリソグラフィ描画ステップからなり、
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であることを特徴とする、０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する方法。」を、「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用してデバイス基板上の露光パターンのイメージを規定するマスクパターンを有するマスクの該マスクパターンにわたって粒子のビームを走査することにより該マスクを照射してデバイス基板上に該露光パターンの投影されたイメージを作り出すステップからなる少なくとも１つのリソグラフィ描画ステップからなり、
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であることを特徴とする、０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する方法。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書請求項６を削除する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
請求項1
「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用してデバイス基板上の露光パターンのイメージを規定するマスクパターンを有するマスクの該マスクパターンにわたって粒子のビームを走査することにより該マスクを照射してデバイス基板上に該露光パターンの投影されたイメージを作り出すステップからなる少なくとも１つのリソグラフイ描画ステップからなり、
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であることを特徴とする、０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する方法。」
請求項２
「前記レンズが可変軸レンズまたは可変軸液浸しンズからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。」
請求項３
「前記マスクが前記粒子を透過する領域と前記粒子を散乱する領域とからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。」
請求項４
「前記粒子が電子からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。」
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
３．１．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、訂正前の請求項1「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用して粒子のビームを走査することにより該マスクを照射してデバイス基板上に投影されたイメージを作り出すステップからなる少なくとも１つのリソグラフィ描画ステップからなり、
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であることを特徴とする、０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する方法。」を、下位概念である「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用してデバイス基板上の露光パターンのイメージを規定するマスクパターンを有するマスクの該マスクパターンにわたって粒子のビームを走査することにより該マスクを照射してデバイス基板上に該露光パターンの投影されたイメージを作り出すステップからなる少なくとも１つのリソグラフィ描画ステップからなり、
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であることを特徴とする、０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する方法。」と訂正し、上記訂正事項ａにより、（イ）マスクが、デバイス基板上の露光パターンのイメージを規定するパターンを有するものであること、（ロ）該マスクパターンにわたって粒子のビームを走査することにより該マスクを照射すること、及び（ハ）投影されたイメージが露光パターンそのものであることを明らかにするものであり、マスクと投影されたイメージとの関係をより明確に限定し、本件請求項１に係る発明がプロジェクション方式であることをより明らかにするものであるから、特許請求の範囲を減縮にあたる。
　そして、上記訂正事項ａは、特許明細書の【０００５】、【０００９】〜【００１３】段落及び図１〜３に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
３．１．２　訂正事項ｂ　
　上記訂正事項ｂについては、特許明細書の請求項６を削除するものであるあるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　そして、上記訂正事項ｂは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
３．２．独立特許要件について
３．２．１　特許法第２９条第１項第３号該当性及び特許法第２９条第２項違反について
　本件請求項1に係る発明が、「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用してデバイス基板上の露光パターンのイメージを規定するマスクパターンを有するマスクの該マスクパターンにわたって粒子のビームを走査することにより該マスクを照射してデバイス基板上に該露光パターンの投影されたイメージを作り出すステップからなる少なくとも１つのリソグラフイ描画ステップからなり、
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であること」（以下、「本件請求項1に係る発明の特徴的構成」という。）を有し、本件請求項1に係る発明の特徴的構成により、「プロジェクション方式は、例えば、乙第１号証（Ｍ．Ｂ．Ｈｅｒｉｔａｇｅ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１２（６），１１３５（１９７５）参照）に示されている。この方式では、ステンシルマスクを使用する。このマスクは、例えばシリコンに開けた開口のパターンを有し、このパターンそのものが、基板にプリントされる。電子源からの電子はマスクに入射する。マスクは、幅広の電子ビームをパターン形成し（マスクパターンに従ったビームを形成し）、パターン形成されたビームは、マスクを通った後、プロジェクション電子レンズ系を通って、基板に露光パターンとして投影される。このようなプロジェクション方式では、フィールド（像面）全体が一度にプリントされる。すなわち、マスクのパターンは、製造するデバイス（例えばＩＣ）のパターン全体に対応する。フィールド全体が一度にプリントされるため、この方式は後述するプローブ成形方式よりもずっと高速である。
　一方、プローブ成形方式は刊行物１の図１に示されているものである。その図１において、ビームの断面サイズが第１と第２の成形アパーチャによって形成され、その形成されたビーム断面サイズを有するビームの筆でウェハ上に一筆書きで露光パターンを描いている。これはマスクパターンそのものを露光パターンとしてウェハ上に投影（プロジェクション）しているのではない。
　このようなプローブ成形方式では、ビームが収束するクロスオーバが４個あり、そのクロスオーバ点で空間電荷効果は非常に大きくなり（クローン効果）、その結果ビームぼけ（ｂｌｕｒ）が生ずると考えられ、焦点ぼけを補正しない場合にはクローン効果を低減するためカラム長は比較的短くしなければならない。刊行物１はカラム長＝４２０ｍｍを教示するが、それはプローブ成形方式についての教示であり、本発明のプロジェクション方式についてのものではない。
　一方、本発明のプロジェクション方式では、クロスオーバの個数が比較的少数であり、これらのクロスオーバの断面積は比較的大きいので空間電荷効果からの寄与はなく、それによるビームぼけはわずかであって、ビームぼけはマスクと基板の間で生ずる収差が主な原因であると考えられていた。その結果研究者は、プロジェクション光学系の解像度限界は、回折および像面湾曲によって決定されるとし（例えば乙第１号証、第１１３６頁）、そのような光学系の限界を考慮して比較的長い例えば２メートル程の力ラム長を採用しており、短いカラム長を採用する方向にはなかったのである。そのような技術常識であったにもかかわらず、本発明者は、プロジェクション方式においても、電子の統計的相互作用（引例１で言及されていない相互作用）により、解像度はカラム長の平方にほぼ比例し、１０ｍＡ／ｃｍ２、０．５マイクロメートルの条件下ではカラム長は０．７５ｍ以下にすべきことを見出したのである。以上の点は、本特許明細書の段落【０００７】〜【００１１】に良く述べられている。」（平成１３年６月１５日付訂正請求書（３）請求の理由）とういう、作用、効果を有するのに対し、異議申立人株式会社ニコンが提出した甲第１号証には、カラム長が４２０ｍｍである記載がされているが、プローブ成形方式であって、それとはシステム構成の異なる本件特許発明のようなプロジェクション方式においてカラム長が０．７５ｍ以下を示唆するものではない。
　また、甲第２号証は、マスク上の幾つかの異なる所定のパターン（第４図４ｂ、４ｃ）の各々をワンショットでウェハ上に露光することを示しているが、それら幾つかの異なる所定パターンを適宜に組合せて露光パターンを形成しているのであって、マスクパターンそのものを投影して露光パターンにしているプロジェクション方式ではない。　さらに、甲第２号証にはカラム長について何も示唆していない。
　甲第３号証及び甲第４号証は、請求項２及び請求項３に係るものであり、請求項１そのものの特許性に関するものではない。
　従って、、本件請求項１に係る発明が、上記甲第１号証に記載された発明であるとも、また、上記甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて容易に発明できたとすることもできない。
　本件請求項１に係る発明を引用する本件請求項４に係る発明も、本件請求項１に係る発明と同様に、上記甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることができない。
　本件請求項１に係る発明を引用する本件請求項２〜請求項４に係る発明も、本件請求項１に係る発明と同様に、上記甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものとすることができない。
３．２．２　特許法第３６条違反について
３．２．２．１　異議申立人株式会社ニコンが主張する上記１．３の１．３．１に記載された事項について
　本件特許明細書に添付された図１〜図３に示されるように、プロジェクションレンズはマスクと基板の間に配置され、マスクパターンを基板上に投影（プロジェクション）するものであることは明らかであり、この点について、請求項１には「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用して」、「デバイス基板上に投影されたイメージを作り出す」として記載されている。
　したがって、プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用してマスクを粒子のビームで走査・照明すると解釈する余地はなく、上記事項について、本件特許が特許法第３６条に規定に違反してされたとする根拠がない。
３．２．２．２　異議申立人株式会社ニコンが主張する上記１．３の１．３．２に記載された事項について
　下限については、本件特許発明の目的が達成できる程度のものであって、下限の記載がないことによって発明の構成は不明確であるとはいえない。
　従って、上記事項について、本件特許が特許法第３６条に規定に違反してされたとする根拠がない。
３．２．２．３　異議申立人株式会社ニコンが主張する上記１．３の１．３．３に記載された事項について
　下限については、本件特許発明の目的が達成できる程度のものであって、下限の記載がないことによって発明の構成は不明確であるとはいえない。
　従って、上記事項について、本件特許が特許法第３６条に規定に違反してされたとする根拠がない。
３．２．２．４　異議申立人株式会社ニコンが主張する上記１．３の１．３．４に記載された事項について
　可変軸レンズまたは可変軸液浸レンズ自体は公知技術であり、本件特許明細書の段落【０００８】に当該レンズに記述する公知文献を引用しており、それをもって開示されている。
　従って、上記事項について、本件特許が特許法第３６条に規定に違反してされたとする根拠がない。
３．２．２．５　異議申立人株式会社ニコンが主張する上記１．３の１．３．５に記載された事項について
　散乱マスク自体は公知であり、本件特許明細書の段落【０００６】においてその内容を示す１９９２年１月７日発行米国特許第５，０７９，１１２号を引用しており、それをもって開示されている。
　従って、上記事項について、本件特許が特許法第３６条に規定に違反してされたとする根拠がない。
３．２．２．６　異議申立人株式会社ニコンが主張する上記１．３の１．３．６及び１．３．７に記載された事項について
　マスク、基板ホルダに係る請求項６は、訂正により削除されたから、上記事項について、本件特許が特許法第３６条に規定に違反してされたとする根拠がない。
３．２．２．７　
　平成１３年５月１７日付け取消理由通知で指摘した、特許法第３６条違反については、訂正により解消した。
３．２．３　独立特許要件の判断
　以上のとおりであるから、訂正後の本件請求項1〜4に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることができない。
３．３　訂正の適否の判断
　上記訂正事項は、上記３．１、３．２のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、訂正についてなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項及び同条第３項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
　本件特許請求項１及び４に係る発明は、独立特許要件を判断した上記３．２と同様に、甲第１号証に記載された発明と同一ではなく、また、本件特許請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものでもなく、さらに、本件特許は、独立特許要件を判断した上記３．２と同様に、特許法第３６条に違反してなされたものではない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
【異議決定日】
平成１３年６月２９日（２００１．６．２９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ、ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用して粒子のビームを走査することにより該マスクを照射してデバイス基板上に投影されたイメージを作り出すステップからなる少なくとも１つのリソグラフィ描画ステップからなり、
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であることを特徴とする、０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する方法。」を、「プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用してデバイス基板上の露光パターンのイメージを規定するマスクパターンを有するマスクの該マスクパターンにわたって粒子のビームを走査することにより該マスクを照射してデバイス基板上に該露光パターンの投影されたイメージを作り出すステップからなる少なくとも１つのリソグラフィ描画ステップからなり、
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であることを特徴とする、０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する方法。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書請求項６を削除する。
（５４）【発明の名称】
デバイスを製造する方法および装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　プロジェクションレンズを含むレンズ系を使用して
デバイス基板上の露光パターンのイメージを規定するマスクパターンを有するマスクの該マスクパターンにわたって
該
該露光パターンの
　前記マスクと前記基板の間の距離が０．７５メートル以下であり、前記ビームの前記基板における電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２以上であることを特徴とする、０．５マイクロメートル以下のデザインルールのデバイスを製造する方法。
　【請求項２】　前記レンズが可変軸レンズまたは可変軸液浸レンズからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
　【請求項３】　前記マスクが前記粒子を透過する領域と前記粒子を散乱する領域とからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
　【請求項４】　前記粒子が電子からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
　【請求項５】　前記粒子がイオンからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明はプロジェクションリソグラフィプロセス、特にエレクトロンプロジェクションリソグラフィプロセスに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　デバイス加工においては、レジストと呼ばれているエネルギー感応性材料が半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）、強誘電性ウェハ、絶縁性ウェハ（例えばサファイヤウェハ）などの基板、基板に支持されているクロム層、あるいはこのような材料をいくつか組み合わせてなる基板上に被覆される。このレジストは放射線照射により所望のイメージに露光される。このイメージはついで、通常レジストを適当な溶媒に浸漬する、あるいはプラズマを照射することによって、露出部分か非露出部分のいずれかを選択的に除去することにより、現像され、パターン化されたレジストが製造される。現像されたパターンはその下の層を加工すなわちエッチングするためのマスクとして使用される。その後このレジストは除去され（多くの装置の場合）、引続き層が形成され、さらにこのレジストプロセスが繰り返されて装置上部のパターンが形成される。このようなレジストプロセスの繰り返しにおいて、レジスト中のパターンは通常基準マークを用いて下部のパターンに対し整列（記録）されている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　サブミクロンデバイスの製造においてエレクトロンビームなどの荷電粒子ビームを用いたレジストの照射用にはさまざまなアプローチが提案されている。（本発明において、サブミクロンデバイスとは１ミクロン以下のラインや間隔をもつパターンを持つものである）。電子線照射はレジストがクロム層の上にあり、クロム層が石英基板の上にあるようなリソグラフ用マスクを形成するのに幅広く用いられている。レジスト材料に単一サイクルで電子をラスタ走査し、このビームを適当な位置で遮断することにより所望の露出イメージを形成する。この単一サイクル、ラスタプロセスはきわめて繊細な機構を作ることができるが通常マスク以外のデバイスの作成に用いるには速度が遅すぎる。
　【０００４】
　これに代わるもう一つのアプローチはマスク以外のデバイスに適当な回数照射を行うというものである。（一般にリソグラフィプロセスは少なくとも１時間に３０−６０枚のウェハを処理するのが望ましいと考えられているが、ここでウェハとは直径５−２５センチの基板であり、製造後は複数のデバイスへ最終的に分割されるものである。）これらの照射アプローチは通常近接手順と投影手順に分けられる。前者においては、照射エネルギーに対する、吸収／反射領域および透過領域によってイメージを規定するマスクがレジストに近接して配置される。電子ビームがマスク上を走査し、あるいはマスク上に光が投光され、その下におかれたレジストのマスクの透過領域に相当する部分を露光する。
　【０００５】
　投影アプローチにおいて、前記のマスクと前記レジストの間にはレンズが設けられる。このマスクは既に述べた吸収／透過型のものか、あるいはもう一つのタイプとしては、一組の領域において第二の領域よりもより広範囲な散乱を生じ、所望のイメージを作るようなものである。このマスクを横切るフルエンスはこのレンズによって前記のレジスト上に集束され前記のマスクパターンに相当するイメージを作る。
　【０００６】
　プロジェクションリソグラフィヘの一つの特別なアプローチ（１９９２年１月７日付の米国特許第５，０７９，１１２号に記載）においては、第一の組の領域では電子を散乱または反射し、第二の組の領域では電子の散乱が少ない、即ち電子を透過するマスクが使用されている。このマスクを横切る電子は図３に示すように一つあるいはそれ以上の収束点において電子光学プロジェクションレンズ、５、によって収束され、周囲の領域よりも透過的な領域、即ち開口部、がこのような収束点に位置づけられている。散乱した電子１ｂおよび１ｃはこの点で収束せずブロックされているが、非散乱電子は収束し、前記の開口部を通って前記のレジストを露光する。
　【０００７】
　エレクトロンプロジェクションリソグラフィシステムにおけるマスクと基板間の距離は、開発が進むにつれて以前よりずっと大きくなってきている。より長いカラム、すなわちマスクと基板間の距離が長くなる傾向は様々な光学的考察によってもたらされてきたものである。通常、より大きな鏡像力場はより長い焦点距離を持つレンズによって提供される。さらに、このように長い焦点距離は像面湾曲に関連する誤差を減少させる傾向がある。しかし、より長い焦点距離は、用いられたデマグニフィケーションの程度により、より長いカラムを必要とする。（デマグニフィケーションとは機構のマスク寸法の同機構の対応する基板寸法に対する縮小の度合である。）図１および図２に示すように、従来のプロジェクションレンズのデマグニフィケーションが増大すると、前記の基板と前記のマスク間の距離が増加する。従って、図１に示すようなシステムにおいて、１：１のデマグニフィケーションに対しては前記のマスク１０１、とプロジェクションレンズ１０３（図式的に単レンズで表わす）間の距離１０５は前記のプロジェクションレンズと基板１０９間の距離１０７と大体同じ大きさとなる。同様に、類似の４：１プロジェクションシステムにおいて、これら二つの距離の比はこれに応じて４対１となる。その結果、より長い焦点距離への要求と増加したデマグニフィケーションがカラムサイズの増加をもたらす。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　思いがけないことに、０．５マイクロメーターあるいはより繊細なデザインルールを持つパターンの基板でのビーム電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２以上を用いたリソグラフィプロジェクションイメージングにおいて、０．７５メートル以上のカラム長は得られる解像度を大きく悪化させること、従って実際の電流に対しては、その使用を避けるべきであることが見いだされた。（このデザインルールはデバイスを作動させるために必要不可欠な最少のパターン機構に相当するものである。）意外な事であるが、０．７５メートル以上のカラム長は不利であるばかりでなく避けられなければならないものである。というのもこのような条件の下では基板に向かってマスクを透過する（あるいはマスクから反射される）電子束は大きく発散し、それに付随して解像度に損失が生じる。比較的短いカラム長を維持することにより、このような解像度の損失は避けられる。前述の通り、プロジェクションレンズの選択は通常このカラム長に大きく影響を及ぼす。可変軸レンズ、または可変軸液浸レンズ、あるいはこの両者を組み合わせて使用し、プロジェクションシステムを適正に利用することにより、解像度のためになるようにこのような基準を満たすことができる。可変軸レンズ（ＶＡＬ）（可動対物レンズと呼ばれることもある）あるいは可変軸液浸連図（ＶＡＩＬ）は二次磁場をレンズのメインフィールドと重ねることにより、前記の電子線によって同時にその光軸が走査されるようなものである。このアプローチは詳しくＨ．オヒワにより
ジャーナル
オブ
ヴァキューム
サイエンス
アンド
テクノロジー
１５巻
マイクロサーキット
エンジニアリング
８３巻
　【０００９】
　【実施例】
　本発明は特にＳＣＡＬＰＥＬシステムに対して有効性を発揮するが、すべての荷電粒子プロジェクションリソグラフィプロセスに対しても応用することができる。従って、本発明はイオンプロジェクションシステムにも応用できるものである。実際、イオンリソグラフィに対してはより短いカラムを使用する必要性はより一層重要なのである。エルスヴィア　サイエンス　パブリシャーズ（１９９２年）の
マイクロエレクトロニック
エンジニアリング
第１７巻
　【００１０】
　すでに述べたように、荷電粒子ビームプロジェクションプロセスに対して得られる解像度は比較的短いカラムを使用することによって大幅に強化できる。イメージプロジェクションシステムに対しては、また最も重要なことに、基板において１０ｍＡ／ｃｍ２以上のビーム電流密度を使用するようなものに対しては、達成できる解像度はカラム長の平方にほぼ比例して減少し、レンズ系の開口数、電流および電圧などのファクターによっても、その程度ははるかに少ないものの、影響を受けることが見いだされた。これら他のファクターの厳密なベキ関係は正確には求められていないが、解像度はこれらのファクターのおよそ１乗あるいは分数乗に依存しているようである。従って、カラム長の重要性はきわめて高い。
　【００１１】
　一般的に、ＳＣＡＬＰＥＬのようなエレクトロンリソグラフィプロセスに対しては、カラム長は０．７５メートルかそれ以下でなければならない。０．７５メートルを越えるカラム長では、達成できる解像度は大きく制限を受ける。この事が持つ意味は大きい。というのもＳＣＡＬＰＥＬは０．５マイクロメートル以下のデザインルールを持つデバイスを有利に製造すると考えられているからである。０．７５メートルを越えるカラムでこのようなデザインルールを達成することははるかにより困難となる。イオンビームリソグラフィに対しても関与しているファクターは同一であり、ここでもまた、０．７５メートル以上の長さを持つカラムが使用されると、可能性のある商業的な重要性という観点から、望ましい解像度に悪影響が出て好ましくない。
　【００１２】
　ＳＣＡＬＰＥＬ技術に対しては、ＶＡＬあるいはＶＡＩＬを用いたプロジェクションシステムを使用することにより一つの実施例において、０．７５メートル以下のカラム長が達成された。このようなシステムについては
ジャーナル
オブ
ヴァキューム
サイエンス
アンド
テクノロジー
第１５巻
マイクロサーキット
エンジニアリング
第８３巻
　【００１３】
　特定の解像度を達成するために用いられた精密なカラム長はリソグラフィシステムで用いられる、さまざまなパラメータの影響を受ける数多くのファクターに依存している。このような効果については１９９２年１２月１６日付の米国特許出願第０７／９９１８３２号に記載されている。特定の照射パラメータを選択した時に、所望の解像度を得るために必要とされる厳密なカラム長を決定するために、対照試料が便利に使用された。
　【００１４】
　【発明の効果】
　本発明においては、０．５マイクロメートルあるいはより繊細なデザインルールを持つパターンの基板でのビーム電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２以上を用いたリソグラフィプロジェクションイメージングにおいて、０．７５メートル以上のカラム長は得られる解像度を大きく悪化させること、従って実際の電流に対しては、その使用を避けるべきであることが見いだされた。解像度に悪影響が出ないようにカラム長を選択するには、プロジェクションレンズとして可変軸レンブ、可変軸液浸レンズあるいはこの両者を組み合わせて使用することが提案されている。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　カラム長に対しデマグニフィケーションの及ぼす効果を示す図である。
　【図２】
　カラム長に対しデマグニフィケーションの及ぼす効果を示す図である。
　【図３】
　本発明に関与するシステムを示す図である。
　【符号の説明】
１　マスク
３　プロジェクションレンズ
５　マスクとプロジェクションレンズ間の距離
７　プロジェクションレンズと基板間の距離
９　基板
１ａ　電子
１ｂ　電子
１ｃ　電子
５　プロジェクションレンズ