【事件の表示】
　特許第２９９２８２０号「透明電磁波シールドフィルム」の請求項１〜４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９９２８２０号の請求項１〜４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９９２８２０号の請求項１〜４に係る特許は、平成１０年９月１６日に出願され、平成１１年１０月２２日にその特許の設定登録がなされ、その後、尾池工業株式会社より特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．本件請求項１〜４に係る発明
　本件請求項１〜４に係る各発明は、その特許明細書の特許請求の範囲請求項１〜４に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　
【請求項１】
　「透明プラスチックフイルムの上に透明高屈折率薄膜Ａを形成し、該透明高屈折率薄膜Ａの上に金属薄膜を形成し、該金属薄膜の上に透明高屈折率薄膜Ｂを形成してなる透明電磁波シールドフイルムにおいて、透明高屈折率薄膜Ａ及びＢとして酸化セリウム（ＩＶ）薄膜Ａ及びＢを使用し、金属薄膜として銀薄膜を使用したことを特徴とする透明電磁波シールドフイルム。」
【請求項２】
　「透明プラスチックフイルムと酸化セリウム（ＩＶ）薄膜Ａとの間にアンカーコート層を形成し、酸化セリウム（ＩＶ）薄膜Ｂの上にトップコート層を形成してなる、請求項１記載の透明電磁波シールドフイルム。」
【請求項３】
　「酸化セリウム（ＩＶ）薄膜ＡおよびＢの厚さがいずれも、５０〜４００Åである請求項１又は２記載の透明電磁波シールドフイルム。」
【請求項４】
　「酸化セリウム（ＩＶ）薄膜Ｂの上に更に銀薄膜と酸化セリウム（ＩＶ）薄膜Ｂとを順次形成してなる、請求項１〜３のいずれか１項記載の透明電磁波シールドフイルム。」
（なお、以下、上記本件請求項１〜４に係る発明を、順に、「本件発明１」、「本件発明２」等という。）
　
３．特許異議申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　申立人は、本件発明１〜４は、甲第１号証（「薄膜ハンドブック」（昭和５８年１２月１０日、（株）オーム社発行）第８１８〜８２０頁）、甲第２号証（特公昭６２−５０２９４号公報）及び甲第３号証（特開平１０−２１７３８０号公報）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨、主張している。
　
（２）甲各号証記載の発明について
　甲第１号証第８１８〜８２０頁には、「〔２〕反射防止膜」に関し記載され、また、「表２・６　反射防止膜に用いられる薄膜物質の屈折率と透明波長域」（第８２０頁）には、「ｃｅｒｉｕｍ　ｄｉｏｘｉｄｅ（ＣｅＯ２）」の特性について記載されている。
　
　甲第２号証には、次のとおり記載されている。
ア．「構成が（１）透明なシート状基材（Ａ）；（２）シート基材（Ａ）上に、銀から主として構成される厚さ５０〜３００Åの熱線反射層（Ｄ）；（３）シート基材（Ａ）と熱線反射層（Ｄ）の間に設けられた高屈折率透明薄膜層（Ｂ１）、あるいは熱線反射層（Ｄ）上に設けられた高屈折率透明薄膜層（Ｂ２）、あるいは該高屈折率透明薄膜層（Ｂ１）及び（Ｂ２）両層；（４）必要に応じて最上面に設けられた透明な保護層（Ｅ）；から基本的になる積層体において；Ｔｉ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｃ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群より選ばれた物質を積層して得られた厚さ３〜１００Åの薄膜層（Ｃ）が、熱線反射防止層（Ｄ）上に、しかも接して設けられている選択光透過性積層体。」（特許請求の範囲、第１項。なお、前記（１）等は、実際上は丸数字である。また、「熱線反射防止層（Ｄ）」との記載は、「熱線反射層（Ｄ）」の誤記と認められる。）
イ．「該高屈折率透明薄膜層（Ｂ１）及び（Ｂ２）が・・セリウム・・から選ばれた一種以上の金属の酸化物・・である特許請求の範囲第１項記載の選択光透過性積層体。」（同、第４項）
ウ．「該高屈折率透明薄膜層（Ｂ１）及び（Ｂ２）が５０〜５００Åの膜厚である特許請求の範囲第１項記載の選択光透過性積層体。」（同、第６項）
エ．「可視光透過率が５０％以上、平均赤外反射率が７０％以上である特許請求の範囲第１項記載の選択光透過性積層体。」（同、第９項）
オ．「上記シート状基材（Ａ）の有機合成物としては、合成樹脂が好ましい。例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂・・」（第３頁第６欄２７〜４１行）
カ．比較例１等には、上記ア．記載の「薄膜層（Ｃ）」を有しない積層体が記載され、例えば、比較例１のものは、金属チタン層（薄膜層（Ｃ））を有するものに比較して、劣化時間が約１／１０である旨が記載されている。
　
　甲第３号証には、次のとおり記載されている。
キ．「透明基体（Ａ）の一方の主面上に、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）と、銀又は銀を含む合金からなる金属薄膜層（Ｃ）とが、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）と金属薄膜層（Ｃ）との組み合わせ（Ｂ）／（Ｃ）を繰り返し単位として３回以上繰り返して積層され、さらにその上に、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）が少なくとも積層されてなり、金属薄膜層と高屈折率透明薄膜層との積層構造によって導電面が構成され、該導電面における面抵抗が３Ω／□以下であり、可視光線透過率が５０％以上であり、かつ、８２０ｎｍより長波長の領域の光線透過率が２０％以下であることを特徴とする透明積層体。」（特許請求の範囲、【請求項１】）
ク．「ディスプレイ用フィルターにおいて、請求項１〜６のいずれかに記載の透明積層体と、該透明積層体の導電面上に形成された透明保護層（Ｄ）とを有することを特徴とするディスプレイ用フィルター。」（同、【請求項９】）
ケ．「本発明は、透明積層体及びそれを用いたディスプレイ用フィルターに関する。さらに詳しくはプラズマディスプレイから発生する、健康に害をなすといわれている電磁波を遮蔽する電磁波シールド性、及び、周辺電子機器の誤動作をまねく近赤外線を遮断する赤外線カット性、透明性に優れる透明積層体、及び、それを用いた・・ディスプレイ用フィルターに関する。」（第２頁第２欄〜第３頁第３欄、段落【０００１】）
コ．「本発明において、透明基体（Ａ）としては・・ポリエチレンテレフタレート・・」（第５頁第８欄、段落【００２０】）
サ．「これらの基体は、その表面に・・下塗り処理を施して・・」（第６頁第９欄、段落【００２２】）
シ．「本発明において高屈折率透明薄膜層（Ｂ）とは・・好ましくは１．７以上の屈折率の高い材料が用いられる。このような透明薄膜を形成する具体的材料としては・・セリウム・・の酸化物・・などが挙げられる。・・」（第７頁第１２欄〜第８頁第１３欄、段落【００３７】）
ス．「各高屈折率透明薄膜層の厚さは・・５ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であることが好ましく・・」（第８頁第１３欄、段落【００３８】）
セ．「・・導電面の最表面に・・任意の保護層を設けてもよい。・・」（第８頁第１３欄〜第１４欄、段落【００４０】）
ソ．「［比較例１］実施例１と同様にして、２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム・・の一方の主面に、ＩＴＯ薄膜・・、銀薄膜・・、ＩＴＯ薄膜・・、銀薄膜・・、ＩＴＯ薄膜の順に積層し、透明積層体を作成した。」（第１８頁第３４欄、段落【０１２３】）
タ．「・・面抵抗が４．９Ω／□である比較例１の透明積層体を用いた場合には、周波数帯域によって電磁波シールド効果が実用的レベルではない。・・」（第２４頁第４５欄、段落【０１６０】）
チ．「・・比較例１の透明積層体を用いたディスプレイ用フィルターは、可視光線透過率は大きいものの、近赤外線の透過率も大きいため誤動作限界拒理が大きく実用的でない。」（第２４頁第４５欄、段落【０１６１】）
　
（３）対比・判断
　甲第１号証には、「反射防止膜」との一例として「ＣｅＯ２」が開示されているにすぎないから、甲第１号証の記載から、本件発明１に係る「透明電磁波シールドフイルム」が示唆されるものとは認められない。
　本件発明１（前者）と甲第２号証記載の発明（後者）とを対比するに、（ａ）前者が「電磁波シールド」フィルムであるのに対して、後者は「選択光透過性」積層体である点、及び、（ｂ）前者は、後者に係る上記ア．記載の「薄膜層（Ｃ）」を有しないものである点において異なる。また、前者は、「透明高屈折率薄膜Ａ及びＢ」として「酸化セリウム（ＩＶ）」を用いることを要件としているのに対して、後者においては、上記イ．のとおり記載されているにすぎず、他に具体的記載はない。更に、上記カ．のとおり、甲第２号証には、「薄膜層（Ｃ）」を有しない場合も記載されているが、それは比較例にすぎず、特性において劣るとされた当該比較例における高屈折率透明薄膜層（Ｂ１）及び（Ｂ２）として甲第１号証記載の「ＣｅＯ２」乃至上記一般的例示の「セリウムの酸化物」を用いることが当業者に示唆されるものとは認められない。
　また、甲第３号証記載の発明は、上記キ．記載のとおりの繰り返し多層積層構造体であるから、本件発明１を示唆するものではない。
　そして、本件発明１は本件特許明細書記載のとおりの作用・効果を奏するものであると認められる。
　したがって、本件発明１が甲第１〜３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明し得たものであるとすることはできない。
　また、本件発明２及び３は、本件発明１を引用しているものであるから、本件発明１と同様に甲第１〜３証記載の発明に基いて当業者が容易に発明し得たものであるとすることはできない。
　次に、本件発明４において、本件発明１を引用している場合の透明電磁波シールドフィルムは、［透明プラスチックフィルム／透明高屈折率薄膜層Ａ（酸化セリウム（ＩＶ））／銀薄膜／透明高屈折率薄膜層Ｂ（酸化セリウム（ＩＶ））／銀薄膜／透明高屈折率薄膜層Ｂ（酸化セリウム（ＩＶ））］の積層構造体であると認められる。このもの（前者）と甲第３号証記載の発明（後者）とを対比するに、上記ケ．記載のとおり、両者は、電磁波シールド及び赤外線カット特性を備えた透明積層体である点で一致しているが、一方、後者は、上記キ．のとおり、「高屈折率透明薄膜層（Ｂ）と金属薄膜層（Ｃ）との組み合わせ（Ｂ）／（Ｃ）を繰り返し単位として３回以上繰り返して積層され、さらにその上に、高屈折率透明薄膜層（Ｂ）が少なくとも積層されて」なる積層構造を有するものである点で、前者とは異なる。また、前者は、「透明高屈折率薄膜Ａ及びＢ」として「酸化セリウム（ＩＶ）」を用いることを要件としているのに対して、後者においては、上記シ．のとおり記載されているにすぎず、他に具体的記載はない。更に、上記ソ．のとおり、甲第３号証には、［ポリエチレンテレフタレート／ＩＴＯ薄膜／銀薄膜／ＩＴＯ薄膜／銀薄膜／ＩＴＯ薄膜］の積層体も記載されているが、それは比較例にすぎず、特性において劣るとされた当該比較例における高屈折率透明薄膜層であるＩＴＯに代えて、甲第１号証記載の「ＣｅＯ２」乃至上記一般的例示の「セリウムの酸化物」を用いることが当業者に示唆されるものとは認められない。
　また、本件発明４が、本件発明２又は３を引用する場合においても同様である。
　そして、本件発明４は本件特許明細書記載のとおりの作用・効果を奏するものであると認められる。
　したがって、本件発明４が甲第１〜３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明し得たものであるとすることはできない。
  
４．以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２５日（２００１．１．２５）