【事件の表示】
　特許第２８６２０９２号「厚膜パターン形成方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８６２０９２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続きの経緯
　本件特許第２８６２０９２号に係る手続きの経緯の概要は、以下のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　記
平成２年１月２５日　　　　　　　　特許出願
平成１０年１２月１１日　　　　　　特許権の設定の登録
平成１１年２月２４日　　　　　　　特許掲載公報の発行
平成１１年８月２４日　　　　　　　特許異議の申立て
平成１１年１１月２５日付　　　　　取消理由通知
平成１２年２月１４日　　　　　　　意見書及び訂正請求書の提出
平成１２年３月９日付　　　　　　　訂正拒絶理由通知
平成１２年５月２３日　　　　　　　意見書の提出
平成１２年１２月１１日付　　　　　訂正拒絶理由通知を兼ねた取消理由通　　　　　　　　　　　　　　　　　知（手交）
平成１２年１２月１８日　　　　　　平成１２年２月１４日付訂正請求書の　　　　　　　　　　　　　　　　　取下げ
平成１２年１２月１８日　　　　　　訂正請求書の提出
　
II．訂正の適否についての判断
１．訂正事項
ａ．特許請求の範囲の請求項１に「厚膜パターンを形成する方法であって
　、」とあるのを、「プラズマディスプレイパネル用の厚膜パターンを形成　する方法であって、」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の請求項１に「複数層積層する」とあるのを、「加熱ラ　ミネート法で複数層積層する」と訂正する。
ｃ．特許請求の範囲の請求項１に「空間にセラミック材料を充填する」とあ　るのを、「空間に平板ゴムを雌型に接しさせながらパターンを斜めに横切　るように移動させてペースト状のセラミック材料を充填するとともに雌型　からはみ出した余分なものを掻き取る」と訂正する。
ｄ．特許請求の範囲の請求項１に「雌型を消失せしめる」とあるのを、「乾　燥した後に焼成により雌型を消失せしめる」と訂正する。
ｅ．明細書（平成１０年７月２３日付で補正された全文明細書をいう。以下　、同じ）の第２頁第２０行（特許公報第３欄第３２行）に「厚膜パターン　を形成する方法であって、」とあるのを、「プラズマディスプレイパネル　用の厚膜パターンを形成する方法であって、」と訂正する。
ｆ．明細書第２頁第２２行（同公報第３欄第３３行）に「複数層積層する」　とあるのを、「加熱ラミネート法で複数層積層する」と訂正する。
ｇ．明細書第２頁第２５行（同公報第３欄第３７〜３８行）に「空間にセラ　ミック材料を充填する」とあるのを、「空間に平板ゴムを雌型に接しさせ　ながらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト状のセラミック　材料を充填するとともに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る」と訂　正する。
ｈ．明細書第２頁第２６行（同公報第３８〜３９行）に「雌型を消失せしめ　る」とあるのを、「乾燥した後に焼成により雌型を消失せしめる」と訂正　する。
ｉ．明細書第６頁第７行の「２６…平板」を削除する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ乃至ｄは、請求項１に記載された「厚膜パターン」、「複数層積層する」、「空間にセラミック材料を充填する」及び「雌型を消失せしめる」を、それぞれその下位概念である「プラズマディスプレイパネル用の厚膜パターン」、「加熱ラミネート法で複数層積層する」、「空間に平板ゴムを雌型に接しさせながら　パターンを斜めに横切るように移動させてペースト状のセラミック材料を充填するとともに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る」及び「乾燥した後に焼成により雌型を消失せしめる」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　そして、訂正事項ａについては、願書に添付された明細書の第１頁下から第５〜３行（特許公報第２欄下から第４行〜末行）に「本発明は、液晶表示装置、蛍光表示管ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル、混成集積回路等の製造工程における厚膜パターン形成方法に関するものである。」という記載があり、また、訂正事項ｂないしｄについては、同明細書の第３頁第１８行〜第４頁第１５行の〈実施例１〉中に「加熱ラミネート法で」、「平板ゴム１６を雌型１２に接しさせながらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト状のセラミック材料１３を充填するとともに、雌型からはみ出した余分なものを掻き取るようにした。」、「乾燥を行って次の焼成工程へ供した。」及び「焼成を行い、ドライフィルムで形成された雌型を消失せしめるとともに、」という記載があることから、いずれもの訂正も、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　また、上記訂正事項ｅないしｈは、上記訂正に伴なって、発明の詳細な説明の記載部分に生じた不整合な記載を訂正して、特許請求の範囲の記載との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　さらに、訂正事項いｉは、図面の簡単な説明の項にある、明らかに不必要
な記号の説明を削除するものであるから、誤記の訂正を目的とした訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲の拡張又は変更するものではない。
　
３．独立要件についての判断
(１)当審が通知した平成１１年１１月２５日付け取消理由の概要
　上記取消理由の概要は以下のとおりである。
　本件の請求項１に係る発明は、その出願前に国内において頒布された下記の刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件の請求項１に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：米国特許第４，４１３，０５１号明細書（特許異議申立人が提出　　　　　した甲第１号証）
刊行物２：特開平１−２３６５３９号公報（同甲第２号証）
刊行物３：特開昭６４−２１８４６号公報（同甲第３号証）
　
(２)当審が通知した訂正拒絶理由の概要
　当審が通知した訂正拒絶理由の概要は以下のとおりである。
　本件の訂正後の請求項１に係る発明（以下、「訂正後の発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認める。
　訂正後の発明は、本件出願前に頒布された下記の１乃至６の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本件訂正後の発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるため、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第４項の規定に適合しないから、認めることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：米国特許第４，４１３，０５１号明細書（特許異議申立人が提出　　　　　した甲第１号証）
刊行物２：特開平１−２３６５３９号公報（同甲第２号証）
刊行物３：特開昭６４−２１８４６号公報（同甲第３号証）
刊行物４：特開平１−２５１５３４号公報
刊行物５：特開昭６１−９５３４４号公報
刊行物６：特開昭５８−１３４６３２号公報
　
(３)当審が通知した平成１２年１２月１１日付け取消理由の概要
　上記取消理由の概要は以下のとおりである。
　本件明細書の記載は、下記の点で不備であるから、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　図面の簡単な説明の項には、「２６…平板」の記載があるが、発明の詳細な説明及び図面には、これに該当する記載がない。
　
(４)訂正後の発明
　平成１２年１２月１８日付訂正請求書に添付した訂正明細書の請求項１及び請求項２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された以下のとおりのものである。
「（１）ガラス等の基板上にセラミック材料でプラズマディスプレイパネル用の厚膜パターンを形成する方法であって、少なくとも、所望の厚さになるまでドライフィルムを加熱ラミネート法で複数層積層する工程と、所望のパターンが形成されているマスクを介して前記積層したドライフィルムを一括してパターン露光する工程と、未硬化のドライフィルムを現像除去して雌型を作製する工程と、該雌型により得られた空間に平板ゴムを雌型に接しさせながらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト状のセラミック材料を充填するとともに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る工程と、乾燥した後に焼成により雌型を消失せしめると共にセラミック材料を基板の上に残す工程とを行うことにより前記セラミック材料による目的パターンを得ることを特徴とする厚膜パターン形成方法。
（２）ガラス等の基板上にセラミック材料で厚膜パターンを形成する方法であって、少なくとも、所望パターンの溝が形成された原版における当該溝の中に紫外線硬化性樹脂を充填した状態で原版と基板とを密着させる工程、紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化せしめる工程と、原版を紫外線硬化性樹脂との界面より剥離して基板上に紫外線硬化性樹脂からなる雌型を作製する工程と、この雌型内の空間にセラミック材料を充填する工程と、雌型を消失せしめると共にセラミック材料を基板の上に残す工程とを行うことにより前記セラミック材料による目的パターンを得ることを特徴とする厚膜パターン形成方法。」
　
(５)当審の判断
(ア)記載不備について
　上記訂正ｉにより、明細書の不明瞭な記載が削除されたので、記載不備の理由は解消したものと認める。
(イ)２９条違反について
(ｉ)各刊行物に記載された発明
刊行物１（米国特許第４，４１３，０５１号明細書）：
(１−１)「薄膜技術によって得られるものに匹敵する解像度と線の均一性を　もつ厚膜の導電性を有する、導電膜をパターン化する方法であって、
　　基板に、焼き付け工程なしに、複数のドライフィルムフォトレジストを　積層する工程；
　　積層したフォトレジストを、単一の露光で選択的に露光する工程；
　　露光したフォトレジストの表面に加圧ミストを適用して、１段階で現像　を行い、基板の選択された部位を露出させる工程；および
　　基板の露出した部位に、積層された層によって確定された高さまで物質　を沈着させる工程
　の諸工程を含む方法。」（特許請求の範囲第１項）
(１−２)図３を参照して、不透明なマスクの位置２６の下の空隙を、物質３　０で満たす。それは、一つの実施態様では、残存しているレジストの部位　３２の間で、メタライズ層２２の上に直接形成された銅のような、電着さ　れた導電性物質である。」（第６欄第２４〜２９行）
と記載されている。
刊行物２（特開平１−２３６５３９号公報）：
(２−１)「蛍光体支持用基板となる他方の基板上に感光性樹脂からなる島状　の凸部を、前記複数の表示セルに対応した位置に形成し、該凸部の周囲に　凹部に結合剤を混合した低融点ガラスを充填し焼成すると共に、前記低融　点ガラスからなる島状の凸部を消失せしめて前記低融点ガラスの焼成パタ　ーンで囲まれた蛍光体層保持用の窪み部を形成することを特徴とするガス　放電パネルの製造方法。」（特許請求の範囲参照、符号の記載を省略）
(２−２)「次に細かく粉砕した低融点ガラスの粉末にシリカを含有した結合　剤を数％程度混合し、すでに作成されている島状の凸部の頂点すれすれに　前記作成した低融点ガラス材料を隙間にすり込む。・・・この状態で乾燥　し固化させた後、低融点ガラスの溶融温度〜５００〜６００度で焼成し、　冷却すると、低融点ガラスはほぼそのままの形状で溶融し緻密化すると共　に、島状の凸部は酸化または蒸発して消失してしまう。」（第３頁第２〜　１１行）
と記載されている。
刊行物３（特開昭６４−２１８４６号公報）：
(３−１)「透明板上に透明導電層を形成し、
　　該透明導電層上に不透明導電層を形成し、
　　該不透明導電層を所定のパターンに形成し、
　　上記透明導電層を所定のパターンに形成して透明電極を得、
　　上記透明板、上記透明電極及び上記所定のパターンに形成された不透明　導電層上に亘ってフォトレジスト層を形成し、
　　該フォトレジスト層の上記所定のパターンに形成された不透明導電層に　対応する部分、上記所定パターンに形成された不透明導電層をフォトマス　クとして上記透明板側から光を照射するフォトエッチングにより透孔を形　成し、
　　上記フォトレジスト層の透孔を絶縁材料で充填し、
　　上記フォトレジスト層の透孔の充填絶縁材料にて隔壁を形成すると共に　、上記フォトレジスト層を除去することを特徴とする放電表示装置の電極　形成部の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項２）
(３−２)「次に、このフォトレジスト層の透孔に、ガラスペーストを充填す　る。」（第３頁右下欄第１〜２行、符号の記載を省略）
(３−３)「次に、ガラスペーストを焼成して、隔壁と成すと共に、フォトレ　ジスト層を除去する。（ガラスペーストの焼成時に同時に除去する。）」　（第３頁右下欄第４〜７行、符号の記載を省略）
と記載されている。
刊行物４（特開平１−２５１５３４号公報）：
(４−１)「基板上に導電層を形成し、
　　該導電層上にフォトレジスト層を被着形成し、
　　該フォトレジスト層に所定のパターンの光学マスクを通じて光を照射し　、該光の照射されたフォトレジスト層を除去及びエッチング処理すること　により、該フォトレジスト層の一部及びその下の上記導電層の一部を除去　して、所定のパターンの凹部を形成し、
　　該所定パターンの凹部に絶縁材料を充填し、
　　上記導電層上の上記フォトレジスト層を除去することにより、
　　上記基板上に所定パターンの電極及びその間の所定パターンの隔壁を形　成することを特徴とする放電表示装置の電極形成部材の製造方法。」（特　許請求の範囲）
(４−２)「本発明は、プラズマディスプレイ等の放電表示装置の電極形成部　材の製造方法。」（第１頁右下欄第１〜２行）
(４−３)「次に、この凹部(６)内に、黒ガラスペースト等の絶縁材料(A5)を　ベタ印刷等の塗布により充填する。」（第３頁右下欄第５〜７行）
と記載されている。
刊行物５（特開昭６１−９５３４４号公報）：
(５−１)「このドライフィルムは専用のラミネータで回路を形成しようとす　る基盤の表面に前記ポリエチレンフィルムをはがしながら一定の熱および　圧力を加えて、ラミネートされる。」（第１頁右下欄第２〜５行）
と記載されている。
刊行物６（特開昭５８−１３４６３２号公報）：
(６−１)「本発明は、プリント配線板等の製造に使用可能なフィルム状感光　性積層物に関する。」（第１頁右下欄第７〜８行）
(６−２)「本発明の感光性積層物をプリント基板にラミネートする場合には　第３図に示すように保護皮膜３を支持体のポリエチレンテレフタレートフ　ィルム１面から剥離し、ラミネーター７の加熱ローラー間でプリント基板　１０上に熱圧着される。（第４頁右下欄第１０〜１５行）
と記載されている。
　
(ii)対比・判断
訂正後の請求項１にかかる発明について 
 プラズマディスプレイ等の放電表示装置において、フォトレジストを用いて形成された凹部（訂正後の請求項１に係る発明における雌型に相当）にガラスペースト等の絶縁材料を充填し、その後焼成することによりフォトレジストを除去して、該絶縁材料からなるパターンを形成することは、刊行物２ないし４に記載されているように、本件出願前にすでに公知である。
　してみると、訂正後の請求項１にかかる発明と、これらの刊行物に記載された公知技術とを比較すると、
「ガラス等の基板上にセラミック材料でプラズマディスプレイパネル用の厚膜パターンを形成する方法であって、（フォトレジスト層を形成する工程と、）所望のパターンが形成されているマスクを介して（前記フォトレジスト層を）一括してパターン露光する工程と、未硬化（のフォトレジスト層）を現像除去して雌型を作製する工程と、該雌型により得られた空間にペースト状のセラミック材料を充填する工程と、乾燥した後に焼成により雌型を消失せしめると共にセラミック材料を基板の上に残す工程とを行うことにより前記セラミック材料による目的パターンを得ることを特徴とする厚膜パターン形成方法。」で一致しるが、
以下の点で相違している。
(ア)訂正後の請求項１にかかる発明では、フォトレジスト層が「ドライフィ　ルムを加熱ラミネート法で複数層積層する」ことによって形成されている　点。
(イ)訂正後の請求項１にかかる発明では、セラミック材料の充填が「平板ゴ　ムを雌型に接しさせながらパターンを斜めに横切るように移動させるとと　もに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る」方法である点。
(ウ)訂正後の請求項１にかかる発明では、焼成前に「乾燥」を行う点。
　そこでこれらの相違点について検討する。
　刊行物１には、所望の厚さになるまでドライフィルムを複数層積層し、該ドライフィルムを一括露光し、未硬化のドライフィルム層を現像除去して基板の選択された部分を露出させ、該露出した部分に物質を沈着されることが記載されており、該「基板の露出した部分」は、刊行物２ないし４に記載された凹部に相当するものである。刊行物１には、ドライフィルムの具体的な積層方法については記載はないが、刊行物５、６に記載されているように、ドライフィルムを積層する際には、加熱ラミネート法が用いられることは周知である。
　してみれば、相違点(ア)、すなわち、刊行物２ないし４に記載されたフォトレジスト層として、刊行物１に記載された「ドライフィルムを加熱ラミネート法で複数層積層」したものを用いることは、容易になし得ることと認められる。
　また、相違点(ウ)について検討するに、焼成する前に、ある程度まで乾燥することは常套手段であるうえ、ドライフィルムは通常のフォトレジストと同様に感光性の有機高分子からなるものであるから、ドライフィルムを用いた場合にも、同様に焼成により除去しうることは、当然予期しうることにすぎない。
　しかしながら、相違点(イ)については、上記刊行物の何れにも記載されておらず、示唆する記載もない。
　すなわち、刊行物１記載の発明では、上記（１−２）に摘記したように、凹部に埋め込まれる物質は、「電着」により形成されるものであって、「平板ゴムをという方法とは、全く異なるものである。
　また、刊行物２には、上記（２−２）に摘記したように、「すでに作成されている島状の凸部の頂点すれすれに・・・すり込む。」と記載されており、「すり込む」方法と、「接しさせながら移動させるとともに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る」方法とは異なるものである。
　また、刊行物３には、上記（３−２）に摘記したように、「ガラスペーストを充填する。」というだけで、具体的な記載はない。
  また、刊行物４には、上記（４−３）に摘記したように、「ベタ印刷等の塗布により充填する。」というだけで、どのような方法であるのか具体的な記載はない。
　さらに、刊行物５、６には、ドライフィルムで形成したパターンの凹部に、絶縁材料等の物質を充填する記載はない。
　よって、訂正後の請求項１に係る発明が、刊行物１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
訂正後の請求項２に係る発明について
　刊行物１ないし６のいずれにも、訂正後の請求項２に係る発明の「少なくとも、所望パターンの溝が形成された原版における当該溝の中に紫外線硬化性樹脂を充填した状態で原版と基板とを密着させる工程、紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化せしめる工程と、原版を紫外線硬化性樹脂との界面より剥離して基板上に紫外線硬化性樹脂からなる雌型を作製する工程」については何等示唆する記載もない。
　よって、訂正後の請求項２に係る発明が、刊行物１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
(６)まとめ
　以上のとおりであるから、訂正後の請求項１及び２に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
４．むすび
　よって、上記訂正は、特許法１２０条の４第２項の規定及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立てについて
１．本件発明
　前項II．に記載したとおり、平成１２年１２月１８日付け訂正請求書による訂正請求は認められるところとなったので、本件の請求項１に係る発明は、同訂正請求書に添付した訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（前項「II．３．(１)訂正後の発明」の項を参照）
　
２．申立理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１号証乃至甲第３号証を提出して、本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１に係る特許は取り消されるべきものである旨主張してる。
　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：米国特許第４，４１３，０５１号明細書
甲第２号証：特開平１−２３６５３９号公報
甲第３号証：特開昭６４−２１８４６号公報
　
３．当審の判断
  甲第１号証ないし甲第３号証は、それぞれ前記刊行物１ないし刊行物３と同一であり、各刊行物に記載された発明については、前述のとおりである。
　本件の請求項１に係る発明は、前項「II．３．(５)(イ)２９条違反について」の項で詳述したと同様の理由により、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月２２日（２０００．１２．２２）
【訂正の要旨】
ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１に「厚膜パターンを形成する方法であって、」とあるのを、「プラズマディスプレイパネル用の厚膜パターンを形成する方法であって、」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１に「複数層積層する」とあるのを、「加熱ラ　ミネート法で複数層積層する」と訂正する。
ｃ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１に「空間にセラミック材料を充填する」とあるのを、「空間に平板ゴムを雌型に接しさせながらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト状のセラミック材料を充填するとともに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る」と訂正する。
ｄ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１に「雌型を消失せしめる」とあるのを、「乾燥した後に焼成により雌型を消失せしめる」と訂正する。
ｅ．明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書（以下、平成１０年７月２３日付で補正された全文明細書をいう。）の第２頁第２０行（特許公報第３欄第３２行）に「厚膜パターンを形成する方法であって、」とあるのを、「プラズマディスプレイパネル用の厚膜パターンを形成する方法であって、」と訂正する。
ｆ．明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第２頁第２２行（同公報第３欄第３３行）に「複数層積層する」とあるのを、「加熱ラミネート法で複数層積層する」と訂正する。
ｇ．明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第２頁第２５行（同公報第３欄第３７〜３８行）に「空間にセラミック材料を充填する」とあるのを、「空間に平板ゴムを雌型に接しさせながらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト状のセラミック材料を充填するとともに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る」と訂正する。
ｈ．明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第２頁第２６行（同公報第３８〜３９行）に「雌型を消失せしめ　る」とあるのを、「乾燥した後に焼成により雌型を消失せしめる」と訂正する。
ｉ．誤記の訂正を目的として、明細書第６頁第７行の「２６…平板」を削除する。
（５４）【発明の名称】
厚膜パターン形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）ガラス等の基板の上にセラミック材料で
プラズマディスプレイパネル用の
加熱ラミネート法で
平板ゴムを雌型に接しさせながらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト状の
とともに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る
乾燥した後に焼成により
（２）ガラス等の基板の上にセラミック材料で厚膜パターンを形成する方法であって、少なくとも、所望パターンの溝が形成された原版における当該溝の中に紫外線硬化性樹脂を充填した状態で原版と基板とを密着させる工程と、紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化せしめる工程と、原版を紫外線硬化性樹脂との界面より剥離して基板上に紫外線硬化性樹脂からなる雌型を作製する工程と、この雌型内の空間にセラミック材料を充填する工程と、雌型を消失させると共にセラミック材料を基板の上に残す工程とを行うことにより前記セラミック材料による目的パターンを得ることを特徴とする厚膜パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明は、液晶表示装置、蛍光表示管ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル、混成集積回路等の製造工程における厚膜パターン形成方法に関するものである。
［従来の技術］
　従来、この種の厚膜パターン形成方法としては、ガラスやセラミックス基板上に導体或いは絶縁体用のペーストをスクリーン印刷によりパターン状に印刷を行った後にこのペーストを乾燥、焼成する工程を繰り返して厚膜パターンを形成する方法が知られている。また、最近ガラス等の基板の上にセラミック材料で厚膜パターンを形成することが種々の分野で行われてきているが、この場合にも、セラミック材料をバインダー中に分散させてペースト状としたものを用い、前記したのと同様にして、スクリーン印刷により重ね印刷を行った後に乾燥、焼成する工程を繰り返すことにより厚膜パターンを形成するようにしている。
［発明が解決しようとする課題］
　従来のスクリーン印刷によりガラス基板上にセラミック材料による厚膜パターンを形成する方法においては、上述のように複数回のスクリーン印刷により重ね刷りをして所定の厚さにする必要があるが、この方法では例えば５０〜１００μｍの厚膜を得るために５〜１０回の重ね刷りを必要とし、そのたびごとに乾燥工程が入ることとなり、その結果として極めて生産性が悪く歩留りを低下させるという問題点があった。さらに、ペーストの粘度、チクソトロピー等によりパターンの線幅精度が損なわれるという問題点もあった。
　本発明は、このような従来技術の問題点を解消するために創案されたものであり、生産性を改善し歩留りを向上させ、かつ良好な線幅精度を得ることのできる厚膜パターン形成方法を提供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
　上記目的を達成するために、本発明に係る第１の厚膜パターン形成方法は、ガラス等の基板の上にセラミック材料で
プラズマディスプレイパネル用の
加熱ラミネート法で
平板ゴムを雌型に接しさせながらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト状の
とともに雌型からはみ出した余分なものを掻き取る
乾燥した後に焼成により
　また、同様の目的を達成するために、本発明に係る第２の厚膜パターン形成方法は、ガラス等の基板の上にセラミック材料で厚膜パターンを形成する方法であって、少なくとも、所望パターンの溝が形成された原版における当該溝の中に紫外線硬化性樹脂を充填した状態で原版と基板とを密着させる工程と、紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化せしめる工程と、原版を紫外線硬化性樹脂との界面より剥離して基板上に紫外線硬化性樹脂からなる雌型を作製する工程と、この雌型内の空間にセラミック材料を充填する工程と、雌型を消失させると共にセラミック材料を基板の上に残す工程とを行うことにより前記セラミック材料による目的パターンを得ることを特徴とするものである。
［作用］
　図面を用いて本発明の作用を説明する。
　第１図（ａ）に示すように、ガラス等の基板１の上に複数層のドライフィルムを用いてフォトリソグラフィーにより雌型２を形成する。或いは、紫外線硬化性樹脂を用いて２Ｐ法により目的パターンの雌型２を形成する。しかる後、第１図（ｂ）に示すように、雌型２により得られた空間にセラミック材料３を充填し、続いて第１図（ｃ）に示すように、薬品処理或いは焼成等の手段により雌型２を消失せしめてセラミック材料３で構成された所望のパターンを得る。
［実施例］
　以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
＜実施例１＞
　第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る第１の厚膜パターン形成方法の工程図であり、それぞれ第２図（ａ）は基板上にドライフィルムをラミネートする工程、第２図（ｂ）はパターン露光工程、第２図（ｃ）は現像工程、第２図（ｄ）はセラミック材料を充填する工程、第２図（ｅ）は焼成工程を示している。
　以下に順を追って各工程を説明する。まず、第２図（ａ）に示すように、ガラス基板１１の上にドライフィルム１４（東京応化工業（株）「ＡＥ−２５０」）を加熱ラミネート法で４層積層し厚みを２００μｍとした。その後、第２図（ｂ）に示すように、超高圧水銀灯を光源とする平行光プリンターを用い、線幅１００μｍ、ピッチ３００μｍのラインパターンマスク１５を介してパターン露光を行った。露光条件は波長３６５ｎｍで測定した時に、強度２００μｗ／ｃｍ２、照射量７２ｍＪ／ｃｍ２である。続いて、第２図（ｃ）に示す現像工程では、無水炭酸ナトリウム１ｗｔ％水溶液により液温３０〜５０℃でスプレー現像を行い、現像終了点は目視にて確認した。以上の工程により線幅２００μｍ、ピッチ３００μｍ、高さ１５０μｍの雌型１２を得た。そして、続いて行った第２図（ｄ）のセラミック材料の充填工程では、セラミック材料１３として、低融点ガラスフリット、耐熱顔料、充填剤を有機バインダー中に分散させたペースト状のものを用い、平板ゴム１６を雌型１２に接しさせながらパターンを斜めに横切るように移動させてペースト状のセラミック材料１３を充填するとともに、雌型１２からはみ出した余分なものを掻き取るようにした。このようにして得られた基板１１はペースト中の有機バインダーに含まれる溶剤を除去するため８０〜１２０℃で乾燥を行って次の焼成工程へ供した。なお、このペースト充填工程は、必要ならば複数回繰り返してもよいものである。第２図（ｅ）に示す焼成工程では、ピーク温度５８５℃、保存時間１０〜２０分の条件で焼成を行い、ドライフィルムで形成された雌型１２を消失せしめるとともに、前記セラミック材料１３をガラス基板１１上で結着させた。以上の工程により、線幅１００〜２００μｍ、ピッチ３００μｍ、高さ１５０μｍのセラミック材料１３からなる厚膜パターンを得た。
＜実施例２＞
　第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る第２の厚膜パターン形成方法の工程図であり、それぞれ第３図（ａ）は２Ｐ（Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法による型取り工程、第３図（ｂ）はセラミック材料を充填する工程、第３図（ｃ）は焼成工程をそれぞれ示している。
　また、第４図（ａ）〜（ｃ）は上記の２Ｐ法を説明するための工程図であり、それぞれ第４図（ａ）は紫外線硬化性樹脂を介しての原版と基板との密着工程、第４図（ｂ）は紫外線照射工程、第４図（ｃ）は剥離工程を示すものである。
　第４図（ａ）〜（ｃ）の工程において、本実施例では、原版２７として市販の真鍮板に線幅２００μｍ、ピッチ３００μｍ、深さ１５０μｍの溝を切削加工したものを用い、基板２１としてガラス板を用いた。これらの原版２７と基板２１は第４図（ｂ）に示す紫外線照射工程のため、少なくとも一方が透明でなければならないものである。次に、紫外線硬化性樹脂２８としては、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート等のアクリル系モノマー、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート等のアクリル系オリゴマー或いは前記モノマーとオリゴマーの混合物等が考えられるが、本実施例ではヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレートを用いた。また、光開始剤としては、市販試薬の範囲内で広く考えられるが、本実施例では１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを用いた。紫外線硬化性樹脂２８として前記のモノマー、オリゴマーのどれを選択するかは本発明を限定するものではないが、第３図（ｃ）に示した焼成工程にて消失しやすいものが好ましい。また、前記紫外線硬化性樹脂２８が単独で基板２１上に密着しない場合には適宜プライマーを用いるようにしてもよいものである。
　以下、第４図（ａ）〜（ｃ）の各工程を順に説明する。まず、第４図（ａ）に示すように、紫外線硬化性樹脂２８を介してガラス基板２１と原版２７とを平板プレス或いはラミネートロールで密着させ、次いで、第４図（ｂ）に示すように、ガラス基板２１側から紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂２８を硬化せしめた。なお、紫外線源としては、高圧水銀灯（４０ｗ／ｃｍ）を用い、約１０００ｍＪ／ｃｍ２照射した。しかる後、第４図（ｃ）に示すように、原版２７を紫外線硬化性樹脂２８との界面より剥離することにより、ガラス基板２１上に線幅２００μｍ、ピッチ３００μｍ、高さ１５０μｍの紫外線硬化性樹脂２８からなる雌型２２を作成した。
　以上のようにして第３図（ａ）に示す雌型２２の形成された基板２１が得られた。続いて、実施例１と同様に、第３図（ｂ）に示すセラミック材料２３を充填する工程、第３図（ｃ）に示す焼成工程を経て、線幅１００μｍ、ピッチ３００μｍ、高さ１５０μｍのセラミック材料２３による厚膜パターンを得た。
［発明の効果］
　本発明は、上述のとおり構成されているので次に記載する効果を奏する。
　一回の操作で高さ１００μｍ以上のパターンが得られるため、これまでのスクリーン印刷による積層等に比べ、処理時間が短縮されるとともに、位置合わせ等の操作も一回でよいため、工程の簡略化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の厚膜パターン形成方法を説明するための工程図、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る第１の厚膜パターン形成方法の工程図、第３図（ａ）〜（ｃ）は本発明に係る第２の厚膜パターン形成方法の工程図、第４図（ａ）〜（ｃ）は２Ｐ法を説明するための工程図である。
　１…基板、２…雌型、３…セラミック材料、１１…基板、１２…雌型、１３…セラミック材料、１４…フォトレジスト、１５…ラインパターンマスク、１６…平板ゴム、２１…基板、２２…雌型、２３…セラミック材料、２７…原版、２８…紫外線硬化性樹脂