【事件の表示】
　特許第２７９６６６６号「ＣＯＰを低減した張り合わせ半導体基板およびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７９６６６６号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第２７９６６６６号は、平成６年８月９日に特許出願され、平成１０年７月３日にその特許の設定登録がなされ、その後、吉葉　芳彦、西塚　保遠　より請求項１、請求項２，請求項３に係る発明に対して特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１０日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１１月２９日に手続補正書が提出されたものである。
　
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、平成１１年１１月２９日付け手続き補正書により補正された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「２枚の鏡面研磨したシリコンウェーハの主面同士を重ね合わせた後、１２００℃以上の温度で熱処理を行った張り合わせ半導体基板であって、その表面に存在する０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下としたＣＯＰを低減した張り合わせ半導体基板。」
　
イ．訂正の目的
　上記訂正は、【請求項１】の「２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせた張り合わせ半導体基板において」を、「２枚の鏡面研磨したシリコンウェーハの主面同士を重ね合わせた後、１２００℃以上の熱処理を行った張り合わせ半導体基板であって」に、特許請求の範囲の減縮を目的として訂正し、請求項２，３を削除するものである。
　また、発明の名称及び発明の詳細な説明の欄の記載の訂正は、上記請求項の訂正に伴う明瞭でない記載の釈明にあたる。
　
ウ．独立特許要件の判断
（刊行物に記載された発明）
　訂正拒絶理由通知書において引用した　「アドバンスト　エレクトロニクス　シリーズＩ−４　バルク結晶成長技術」培風館、１９９４年５月２０日、第６０〜７０頁（以下、「刊行物」という。）には、
「次に熱処理の影響を示す。８００〜１１５０℃で熱処理し、表面を１０μｍ研磨してからＳＣｌ洗浄してパーティクルを測定した。図２．２４は、ｄｒｙＯ２雰囲気で種々の温度・時間で熱処理し研磨したウェーハ（５インチ）について、１０回洗浄後に０．２０〜０．２５μｍのパーティクルを測定した結果である。調べた温度範囲ではどの場合にもパーティクル数の減少が認められる。そして、この変化は、おおむね高温での熱処理ほど短時間でおきている。このことは高温でＣＯＰ欠陥が分解していることを示唆するが、その機構はＣＯＰ欠陥の形成機構解明にともなって明らかになるであろう。なお、熱処理によるＣＯＰ欠陥の減少は、Ｎ２雰囲気中でもおこっている。雰囲気によらず収縮するということは、たとえば酸化性雰囲気中の熱処理で表面から供給される格子間Ｓｉ原子が、消滅過程に支配的影響を与えないことを意味する。このことは、ａｓ−ｇｒｏｗｎ結晶中のＣＯＰ欠陥は、もはや格子間型や空孔型といった歪場を持っていないことを示唆している。」（第Ｉ編シリコン結晶成長技術、２．ＣＺ法シリコン結晶中の欠陥核形成、２．５ＣＯＰ欠陥、２．５．２結晶引き上げ条件、結晶品質、熱処理の影響の欄、第６７頁第１６行〜第６８頁第７行）、
「図２．２３に示したように、引上げ速度を速くするとＣＯＰ欠陥が増加するが、酸化膜耐圧は引上げ速度を速くすると低下することがあることが知られている２８）。このことは、酸化膜耐圧がＣＯＰ欠陥密度と何らかの関連を持つことを示唆している。ただし、酸化膜耐圧には多くの因子が影響するので、ＣＯＰ欠陥密度の影響のみを取り出して議論することは難しく、今後さらに詳しい検討が必要である。ＣＯＰ欠陥密度が酸化膜耐圧に直接影響するとしても、前述の熱処理の影響から明らかにわかるように、高温のデバイスプロセスでＣＯＰ欠陥は消滅していく。熱処理してＣＯＰ欠陥を減少させると、酸化膜耐圧が向上するという例も報告されている。２８）」（第Ｉ編シリコン結晶成長技術、２．ＣＺ法シリコン結晶中の欠陥核形成、２．５ＣＯＰ欠陥、２．５．３酸化膜耐圧への影響の欄、第６８頁１５行〜第６９頁第１行）が、「図２．２２のウェーハの一回洗浄後のＣＯＰサイズ分布」を示す図２．２３、及び、「熱処理によるＣＯＰの減少」を示す図２．２４と共に記載されている。
　そして、図２．２４からは、８００℃で約１６時間、１０５０℃で約８時間、１１５０℃で約２時間の熱処理により、５インチウェーハの１０回洗浄後の０．２０〜０．２５μｍのパーティクル数をほぼ０とすることができることがわかる。
　従って、上記刊行物には、「ＣＺ法シリコン結晶中にはＣＯＰ欠陥が存在するが、高温のデバイスプロセスでＣＯＰ欠陥は消滅していく。熱処理してＣＯＰ欠陥を減少させると酸化膜耐圧が向上する。１１５０℃で約２時間の熱処理により、５インチウェーハの１０回洗浄後の０．２０〜０．２５μｍのパーティクル数をほぼ０とすることができる。」ことが記載されていると認められる。
（対比・判断）
　本願発明と上記刊行物に記載された発明とを対比すると、両者は、「熱処理を行った半導体基板であって、その表面に存在するＣＯＰを低減した半導体基板。」である点で一致し、
　本願発明は、２枚の鏡面研磨したシリコンウェーハの主面同士を重ね合わせた後、１２００℃以上の温度で熱処理を行った張り合わせ半導体基板のＣＯＰ密度を低減した発明であるのに対して、上記刊行物には、張り合わせ基板について記載されていない点（相違点１）、
　本願発明では、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下としているのに対して、上記刊行物では、熱処理によって５インチウェーハの１０回洗浄後の０．２０〜０．２５μｍのパーティクル数をほぼ０とすることができることが記載されているのみである点（相違点２）で相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　半導体基板として、２枚の鏡面研磨したシリコンウェーハの主面同士を重ね合わせた後、１２００℃以上の温度で熱処理を行った張り合わせ半導体基板は周知（要すれば、半導体シリコン結晶工学、平成５年９月３０日発行、丸善株式会社、第２３２頁第１４〜１８行、及び図５．１７、特開平２−４６７２２号公報等を参照されたい。）である。
　そして、半導体基板において、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは、半導体基板の種類に関わらない一般的な課題である。
　してみれば、半導体基板の一種である、上記周知の張り合わせ半導体基板においても、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは当然である。　そして、上記刊行物に記載されているように熱処理すればＣＯＰが減少し、熱処理温度を１２００℃以上とすることによりＣＯＰをなくすことは周知であるから、上記周知技術においてシリコンウエハの張り合わせ温度を１２００℃以上にすれば上記の知見によりＣＯＰがなくなることは明らかである。
　よって、上記周知の張り合わせ半導体基板に上記刊行物に記載された発明を適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる。
（相違点２について）
　上記刊行物には、熱処理してＣＯＰ欠陥を減少させると酸化膜耐圧が向上することが示されている。してみれば、表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度は、必要とされる酸化膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項であり、また、０．１μｍ以上及び０．３個／ｃｍ２以下という値に臨界的な意義も認められない。よって、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下とするように規定することに格別の困難は認められない。　
　したがって、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　また、訂正明細書の請求項１に係る発明が、上記刊行物に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
　なお、特許権者は平成１１年１１月２９日付け特許異議意見書において、０．１μｍ以上のサイズのＣＯＰが存在しない場合、０．１μｍ未満のサイズのＣＯＰが存在しないことが確認できたので、０．１μｍという値はＣＯＰが本質的に存在するか否かを判断する基準となるものであると主張するが、０．１μｍ以上のサイズのＣＯＰが存在しない場合、０．１μｍ未満のサイズのＣＯＰが存在しないことを示す証拠は示されていない。また、出願当初の明細書には、０．１μｍ以上のサイズのＣＯＰが存在しない場合、０．１μｍ未満のサイズのＣＯＰが存在しないことが確認できたという知見は開示されていないから、このような明細書に開示のない事項に基づく主張は採用できない。
　さらに、本願発明は、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下とすることを要件としており、「０．１μｍ以上のサイズのＣＯＰが存在しない場合」を前提とした発明でもない。即ち、仮に、上記「０．１μｍ以上のサイズのＣＯＰが存在しない場合、０．１μｍ未満のサイズのＣＯＰが存在しない」ことが正しいとしても、本願発明は、０．１μｍ以上のサイズのＣＯＰが０．３個／ｃｍ２以下
存在する
　また、熱処理温度が高いほど張り合わせ半導体基板の接合強度が大きくなることも周知の事項であり、１２００℃以上としたことに臨界的な意義は認められない。
　
（まとめ）
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、上記刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
エ．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２６条第４項に規定する要件を満たしていないので認めることはできない。
（３）特許異議申立てについての判断
（本件発明）
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願第１発明」という。）、請求項２に係る発明（以下、「本願第２発明」という。）、請求項３に係る発明（以下、「本願第３発明」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１乃至請求項３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせた張り合わせ半導体基板において、その表面に存在する０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下としたＣＯＰを低減した張り合わせ半導体基板。
【請求項２】２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記張り合わせ後の熱処理を、その表面に存在する０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰが０．３個／ｃｍ２以下とする条件で行った張り合わせ半導体基板の製造方法。
【請求項３】上記熱処理は１２００℃以上で行った請求項２に記載した張り合わせ半導体基板の製造方法。」
　
（刊行物に記載された発明）
　当審が通知した取消理由に引用した刊行物１０（特開平５−３４５６９９号公報（申立人　吉葉　芳彦　の提出した甲第５号証））には、
「【請求項１】ＣＺ法により引き上げられたシリコン単結晶から作製されたシリコンウェーハを１２５０℃以上で３０分間以上熱処理する工程と、この後、このシリコンウェーハを４℃／分以上の速度で冷却する工程と、を有することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。」（特許請求の範囲）、
「本発明は、酸化膜の絶縁破壊等の電気的特性を向上させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供することを、その目的とする。」（【０００５】）、
「【作用】請求項１に記載の発明に係るシリコンウェーハの製造方法にあっては、まず、ＣＺ法により引き上げたシリコン単結晶から通常の工程を経てシリコンウェーハを作製する。そして、このシリコンウェーハを１２５０℃以上で３０分間以上熱処理する。これによりＣＯＰ（Crystal　Originated　Particle）核を消滅させるものである。この後、このシリコンウェーハを当該温度から４℃／分以上の速度で冷却する。この結果、シリコンウェーハにおいてＣＯＰ核の再発生を防止することができる。・・・測定の結果、酸化膜の絶縁破壊耐圧が向上している。」（【０００７】）、
「【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。・・・１３００℃の温度にて３０分間加熱する。・・・冷却後、このシリコンウェーハにＳＣｌ洗浄を行う。この場合、ＳＣｌ洗浄液として、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）液を用いる。また、エッチング作用を強くするために通常よりも高温である８５℃で、２０分間程度洗浄する。そして、この洗浄を１０回繰り返す。この結果、を表１に示す。」（【０００８】〜【０００９】）
「この表より判断すると、冷却速度が４℃／分以上のとき、シリコンウェーハの表面においては、直径０．２μｍ程度の大きさのエッチピットが形成されることはない。したがって、シリコンウェーハに顕在化したＣＯＰ核を消滅することができ、かつ、シリコンウェーハのＣＯＰ核の再発生を防止できるものである。」（【００１２】）が、表１と共に記載されている。
　従って、上記刊行物１０には、「熱処理をすることにより表面に存在するＣＯＰを消滅させ、それにより酸化膜の絶縁破壊耐圧を向上した半導体基板、及び、その製造方法。」が記載されており、そのＣＯＰの消滅の程度は、「洗浄液として、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）液を用い、エッチング作用を強くするために通常よりも高温である８５℃で、２０分間程度洗浄する工程を１０回繰り返したとき、シリコンウェーハの表面に、直径０．２μｍ程度のエッチピットが形成されることはない。」程度であること。
及び、「１３００℃で熱処理することにより、半導体基板の表面に存在するＣＯＰを低減する半導体基板の製造方法。」が記載されているものと認められる。
　
（対比・判断）
（本願第１発明について）
　本願第１発明と上記刊行物１０に記載された発明とを対比すると、両者は、「表面に存在するＣＯＰと酸化膜耐圧との関係を示した半導体基板。」である点で一致し、
　本願第１発明は、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせた張り合わせ半導体基板のＣＯＰ密度を低減したものであるのに対して、上記刊行物１０にはそのような構成について記載されていない点（相違点１）、
　本願第１発明は、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下としているのに対して、上記刊行物１０に記載された発明におけるＣＯＰの低減の程度は、「洗浄液として、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）液を用い、エッチング作用を強くするために通常よりも高温である８５℃で、２０分間程度洗浄する工程を１０回繰り返したとき、シリコンウェーハの表面に、直径０．２μｍ程度のエッチピットが形成されることはない。」程度である点（相違点２）で相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　半導体基板として、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせた張り合わせ半導体基板は周知（要すれば、半導体シリコン結晶工学、平成５年９月３０日発行、丸善株式会社、第２３２頁第１４〜１８行、及び図５．１７、特開平２−４６７２２号公報等を参照されたい。）である。
　そして、半導体基板において、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは、半導体基板の種類に関わらない一般的な課題である。
　してみれば、半導体基板の一種である、上記周知の張り合わせ半導体基板においても、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは当然である。　また「加熱することによりＣＯＰが低減し、それに伴って酸化膜耐圧が向上すること」は周知であるから、上記周知の２枚の半導体基板の張り合わせ技術においても、張り合わせのための熱処理によりＣＯＰが減少し、ひいては酸化膜耐圧が向上することは明らかである。
　よって、上記周知の張り合わせ半導体基板に上記刊行物１０に記載された発明を適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる。
（相違点２について）
　上記刊行物１０には、ＣＯＰ欠陥を消滅させると酸化膜耐圧が向上することが示されている。また、「ＣＯＰが低減すると酸化膜耐圧が向上すること」は周知である。してみれば、表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度は、必要とされる酸化膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項であり、また、０．１μｍ以上及び０．３個／ｃｍ２以下という値に臨界的な意義も認められない。よって、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下とするように規定することに格別の困難は認められない。　
　したがって、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　また、請求項１に係る発明が、上記刊行物１０に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
（本願第２発明について）
　本願第２発明と上記刊行物１０に記載された発明とを対比すると、両者は、「表面に存在するＣＯＰと酸化膜耐圧との関係を示した半導体基板の製造方法。」である点で一致し、
　本願第２発明は、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記張り合わせ後の熱処理を、ＣＯＰが低減する条件で行ったものであるのに対して、上記刊行物１０には、そのような構成について記載されていない点（相違点１）、
　本願第２発明は、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下としているのに対して、上記刊行物１０に記載された発明におけるＣＯＰの低減の程度は、「洗浄液として、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）液を用い、エッチング作用を強くするために通常よりも高温である８５℃で、２０分間程度洗浄する工程を１０回繰り返したとき、シリコンウェーハの表面に、直径０．２μｍ程度のエッチピットが形成されることはない。」程度である点（相違点２）で相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記張り合わせ後に熱処理を行うことは周知（要すれば、半導体シリコン結晶工学、平成５年９月３０日発行、丸善株式会社、第２３２頁第１４〜１８行、及び図５．１７、特開平２−４６７２２号公報等を参照されたい。）である。
　そして、半導体基板において、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは、半導体基板の種類に関わらない一般的な課題である。
　してみれば、半導体基板の一種である、上記周知の張り合わせ半導体基板においても、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは当然である。
　また「加熱することによりＣＯＰが低減し、それに伴って酸化膜耐圧が向上すること」は周知であるから、上記周知の２枚の半導体基板の張り合わせ技術においても、張り合わせのための熱処理によりＣＯＰが減少し、ひいては酸化膜耐圧が向上することは明らかである。
　よって、上記周知の張り合わせ半導体基板の熱処理に上記刊行物１０に記載された発明を適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる。
（相違点２について）
　上記刊行物１０には、熱処理してＣＯＰ欠陥を消滅させると酸化膜耐圧が向上することが示されている。また、「ＣＯＰが低減すると酸化膜耐圧が向上すること」は周知である。してみれば、表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度は、必要とされる酸化膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項であり、また、０．１μｍ以上及び０．３個／ｃｍ２以下という値に臨界的な意義も認められない。
　よって、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下とするように規定することに格別の困難は認められない。
　したがって、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　また、請求項２に係る発明が、上記刊行物１０に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
（本願第３発明について）
　本願第３発明と上記刊行物１０に記載された発明とを対比すると、両者は、「表面に存在するＣＯＰと酸化膜耐圧との関係を示した半導体基板の製造方法。」である点で一致し、
　本願第３発明は、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記張り合わせ後の熱処理を、１２００℃以上で、ＣＯＰが低減する条件で行ったものであるのに対して、上記刊行物１０には、そのような構成について記載されていない点（相違点１）、
　本願第３発明は、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下としているのに対して、上記刊行物１０に記載された発明におけるＣＯＰの低減の程度は、「洗浄液として、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（１：１：５）液を用い、エッチング作用を強くするために通常よりも高温である８５℃で、２０分間程度洗浄する工程を１０回繰り返したとき、シリコンウェーハの表面に、直径０．２μｍ程度のエッチピットが形成されることはない。」程度である点（相違点２）で相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて張り合わせた後、１２００℃以上の温度で熱処理を行って１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法は周知（要すれば、半導体シリコン結晶工学、平成５年９月３０日発行、丸善株式会社、第２３２頁第１４〜１８行、及び図５．１７、特開平２−４６７２２号公報等を参照されたい。）である。
　そして、半導体基板において、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは、半導体基板の種類に関わらない一般的な課題である。
　してみれば、半導体基板の一種である、上記周知の張り合わせ半導体基板においても、酸化膜耐圧が優れていることが望ましいことは当然である。　また「加熱することによりＣＯＰが低減し、それに伴って酸化膜耐圧が向上すること」は周知であるから、上記周知の２枚の半導体基板の張り合わせ技術においても、張り合わせのための１２００℃以上の熱処理によりＣＯＰが減少し、ひいては酸化膜耐圧が向上することは明らかである。
　よって、上記周知の張り合わせ半導体基板の熱処理に上記刊行物１０に記載された発明を適用して、ＣＯＰ密度を低減することは当業者が容易になし得たことであると認められる。
（相違点２について）
　上記刊行物１０には、熱処理してＣＯＰ欠陥を消滅させると酸化膜耐圧が向上することが示されている。また、「ＣＯＰが低減すると酸化膜耐圧が向上すること」は周知である。してみれば、表面に許容されるＣＯＰ欠陥の密度は、必要とされる酸化膜耐圧に応じて当業者が適宜決定し得る設計事項であり、また、０．１μｍ以上及び０．３個／ｃｍ２以下という値に臨界的な意義も認められない。
　よって、０．１μｍ以上の大きさのＣＯＰを０．３個／ｃｍ２以下とするように規定することに格別の困難は認められない。
　したがって、上記各相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　また、請求項３に係る発明が、上記刊行物１０に記載されたものから予測し得ない効果を奏するということもできない。
　
（まとめ）
　本願第１〜３発明は、上記刊行物１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件各発明についての特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　従って、本願第１〜３発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるから、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１４日（２０００．３．１４）