【事件の表示】
　特許第２９９１７１６号「エッチトミラー型化合物半導体レーザー装置及び集積素子」の請求項１、２に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９９１７１６号の請求項１、２に係る発明の特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９９１７１６号の出願は昭和６３年８月１６日に出願され、平成１１年１０月１５日にその設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月６日に特許異議意見書が提出されたものである。
２．特許異議の申立てについて
（請求項に係る発明）
　本件特許第２９９１７１６号の請求項１及び請求項２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載されたとおりの、
「【請求項１】化合物半導体レーザー装置において、該レーザー装置の共振器の端面の一方、あるいは両方をエッチングにより反射面に形成し、該反射面へレーザー装置を構成する物質の屈折率より小さい屈折率を有する少なくとも２種類以上の物質を交互もしくは順次積層して多層絶縁層を形成し、該反射面の反射率よりも高反射率にしたことを特徴とするエッチトミラー型化合物半導体レーザー装置。
【請求項２】化合物半導体レーザー装置と該装置の発するレーザー光を検出する光検出素子を一体に形成したエッチトミラー型化合物半導体レーザー集積素子において、該レーザー装置の共振器の端面の一方、あるいは両方をエッチングにより反射面に形成し、該反射面へレーザー装置を構成する物質の屈折率より小さい屈折率を有する少なくとも２種類以上の物質を交互もしくは順次積層して多層絶縁層を形成し、該反射面の反射率よりも高反射率にしたことを特徴とするエッチトミラー型化合物半導体レーザー集積素子。」
と認める。
　
（引用例）
　これに対して、取消理由通知に引用した本件出願前公知である特開昭６１−９９３９５号公報（以下、引用例１という。）には、
「（１）半導体基板上にクラッド層、活性層、クラッド層を積層してなる半導体ウェハーを用意する工程と、前記半導体ウェハーにマスクを形成する工程と、前記半導体ウェハーを前記マスクを介してドライエッチングすることにより前記活性層よりも深い垂直側壁を有する溝を形成する工程と、前記垂直側壁をスパッタ・ターゲットに対して垂直に位置させて前記半導体ウェハー内の垂直側壁に高反射膜を形成する工程と、前記マスク上面に形成された高反射膜を前記マスクのリフトオフにより取除く工程と、前記半導体ウェハーを前記溝に沿って分割し半導体レーザ・チップを得る工程とを有する半導体レーザの製造方法。
（２）前記高反射膜を形成する工程は、前記活性層よりも低屈折率の薄膜を形成する工程と、前記低屈折率の薄膜よりも高屈折率の薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザの製造方法。」（特許請求の範囲第１項及び第２項）、
「第２図に示す面方位（１００）のＰ−ＧａＡｓ基板（３８）上にＮ−ＧａＡｓ電流阻止層（３６）、Ｐ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド層（３４）、Ｐ−Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ａｓ活性層（３２）、Ｎ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓクラッド（３０）、Ｎ−ＧａＡｓコンタクト層（２８）、ストライプ状の電流通路溝（４２）及び電極金属（２６）、（４０）を設けた半導体ウエハー（５２）を用意する。」（公報第２頁左下欄第１７行〜右上欄第２行）、
「アルミナ膜（５８）とシリコン膜（６０）の２層膜の垂直側壁（５６）における反射率は７０％であった。」（公報第３頁左下欄第２行〜第４行）、
「溝の垂直側壁に形成する高反射膜はＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの無機化合物とＡｌなどの金属との多層膜でもよい。多層膜は２層に限らず目的とする反射率に応じてより多層としてもよい。」（公報第３頁右下欄第６行〜第９行）と記載されている。
　よって、引用例１には、
「半導体基板上にクラッド層、活性層、クラッド層を積層し、ドライエッチングにより形成した前記活性層よりも深い垂直側壁に、アルミナ膜とシリコン膜等の活性層よりも低屈折率の薄膜及び低屈折率の薄膜よりも高屈折率の薄膜からなる多層高反射膜を形成したＧａＡｓ系化合物半導体レーザ」の発明（以下、引用発明という。）が記載されている。
　同じくAppl．Phys．Lett．32（11）、1 June 1978 pp．724−725（以下、引用例２という。）には、
「このレター論文は、注入型の半導体レーザ用に設計された新しい誘電体反射膜に関して記述している。その反射膜は、交互に積層した４分の１波長の厚さのＡｌ２Ｏ３とＳｉで構成されている。６層積層した場合の反射率は、〜０．７μｍから２μｍより長い波長帯域にわたって０．９８より大きくすることができる。・・・」（アブストラクト部分）、
「Ｓｉは３．５の屈折率・・・を有しているが、」（第７２４頁右欄第３行〜第４行）、
「ＧａＡｓ基板上に形成されたＡｌ２Ｏ３／Ｓｉ反射膜の反射率を、入射光の波長と光の入射角の関数とし、層の厚さ及びＳｉとＧａＡｓの複素屈折率をパラメータとして計算した。Ａｌ２Ｏ３の屈折率は実数で、１．７０とした。・・・ＧａＡｓの複素屈折率はＳｅｌｌらの論文とＫｕｄｍａｎとＳｅｉｄｅｌの論文のものを用いた。」（第７２４頁右欄第１６行〜第２６行）、
「ＦＩＧ．１に示された実験データは、研磨されたアンドープＧａＡｓ基板（η≒５×１０１６ｃｍ−３）上に油拡散ポンプで排気された電子ビームガンで蒸着された膜から得られたものである。・・・興味の有る波長領域（０．７５〜０．９μｍ）全体にわたって、積層構造の反射率はＡｌの反射率より１５％も良好であった。」（第７２５頁左欄第１０行〜第１９行）と記載されている。
　
（１）本件の請求項１に係る発明について
（対比）
　本件の請求項１に係る発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「化合物半導体レーザー装置において、該レーザー装置の共振器の端面の一方、あるいは両方をエッチングにより反射面に形成し、該反射面へ２種類以上の物質を積層した層を形成し、該反射面の反射率よりも高反射率にしたことを特徴とするエッチトミラー型化合物半導体レーザー装置」
である点で一致しており、
　反射面に形成した２種類以上の物質を積層した層が、本件の請求項１に係る発明では、レーザー装置を構成する物質の屈折率より小さい屈折率を有する少なくとも２種類以上の物質を交互もしくは順次積層した多層絶縁層であるのに対し、引用発明では、活性層よりも低屈折率の薄膜及び前記低屈折率の薄膜よりも高屈折率の薄膜からなる多層高反射膜である点、
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
　引用例２において、ＧａＡｓ（η≒５×１０１６ｃｍ−３）の屈折率は、異議申立人の提示した参考資料３（Heterostructure Lasers PART A 1978）の第４４頁のＦＩＧ．２．５．３によれば、フォトンエネルギーが１．３８ｅＶ（波長に換算すると約０．９μｍ）において約３．６であるから、引用例２には、レーザ装置を構成する物質ＧａＡｓの屈折率より小さい屈折率を有する、４分の１波長の厚さのＡｌ２Ｏ３とＳｉとを交互に６層積層し、反射率が０．９８より大きい、半導体レーザ用に設計された誘電体反射膜が記載されていることになる。
　そして、引用例１には、多層膜は２層に限らず目的とする反射率に応じてより多層としてもよい、と記載されているので、引用発明の多層高反射膜として、引用例２に記載された誘電体反射膜を採用し、本件の請求項１に係る発明の如く構成することに何ら困難性は認められない。
　
　この点について、特許権者は特許異議意見書において、引用例２には具体的な数値の組み合わせは明記されておらず、Ｓｉ、ＧａＡｓといった物質の屈折率は、対象とする光の波長を特定しなければ意味のない数値であるから、引用例２において使用された数値は、たまたま、その波長における屈折率の大小関係が、本件特許で述べている「レーザ装置を構成する物質の屈折率より小さい屈折率を有する少なくとも２種類以上の物質」で表される構成の１例である可能性があったにすぎない旨主張している。
　しかしながら、引用例２には、ＧａＡｓの発振波長を含む、興味の有る波長領域として０．７５〜０．９μｍが摘示されており、これに対して、参考資料３には、上記のとおり、引用例２におけるＧａＡｓの屈折率は波長約０．９μｍの光に対して約３．６であることが示されているから、０．９μｍより短い波長の光に対しては、屈折率はより大きな値をとり、ＧａＡｓの発振波長である０．８７μｍを含む０．７５〜０．９μｍの波長領域の光に対しては、引用例２におけるＧａＡｓの屈折率が約３．６より大きい値をとることは自明である。
　このことは、参考資料３の第４３頁のＦＩＧ．２．５．１、ＦＩＧ．２．５．２及び第４４頁のＦＩＧ．２．５．４に示されており、また、引用例２において引用されているＳｅｌｌらの論文「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５、２６５０〜２６５７」の第２６５３頁のＦＩＧ．４にも示されている。
　そして、引用例２においては、Ａｌ２Ｏ３の屈折率を１．７０、Ｓｉの屈折率を３．５と単一の数値により特定しており、少なくともＧａＡｓの発振波長を含む０．７５〜０．９μｍの波長領域においては、これらの屈折率はほぼ一定の値をとるか、あるいは分散が小さいとみなしていると考えるのが相当であり、一方、同波長領域において、ＧａＡｓは約３．６以上の屈折率を有することは上記のとおりである。
　してみれば、引用例２には、ＧａＡｓの発振波長である０．８７μｍを含む０．７５〜０．９μｍの波長領域の光に対して、レーザ装置を構成する物質ＧａＡｓの屈折率より小さい屈折率を有する、Ａｌ２Ｏ３とＳｉとを交互に積層して、反射率が０．９８より大きい、半導体レーザ用に設計された誘電体反射膜が記載されているものと認められるから、特許権者の主張は採用できない。
　
（結論）
  以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、引用発明及び公知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本件の請求項２に係る発明について
　本件の請求項２に係る発明は、本件の請求項１に係る発明である、「化合物半導体レーザー装置」と該装置の発するレーザー光を検出する光検出素子を一体に形成したエッチトミラー型化合物半導体レーザー集積素子に関する発明であるが、化合物半導体レーザとモニタ受光素子を同一基板上に一体に形成した集積素子は周知であり（必要なら、特表昭６１−５０１７３９号公報、化合物半導体デバイス［II］株式会社工業調査会　１９８６年５月２５日２版発行、第２３０頁、図８．３８光集積化デバイスの構造図（その１）（ａ）半導体レーザ（利得導波型）とモニタ受光素子の集積化参照）、引用発明にモニタ受光素子を一体形成して集積素子とすることに困難性は認められないから、本件の請求項２に係る発明は、本件の請求項１に係る発明と同様に、引用発明、公知技術及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび
  以上のとおり、本件の請求項１及び請求項２に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月１日（２０００．１２．１）