【事件の表示】
　特許第３０２２１７８号「パワーデバイスチップの実装構造」の請求項１〜７についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０２２１７８号の請求項１〜７についての特許を維持する。
【理　由】
［１］　本件発明　
　本件特許第３０２２１７８号の請求項１〜７に係る発明（以下、「本件発明１〜７」という。）は、平成６年６月２１日に特許出願され、平成１２年１月１４日に特許権の設定登録がなされたものであって、特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】　金属板の一主面上に比較的熱抵抗が低く、かつ電気抵抗の高い絶縁板を有し、前記絶縁板の上に前記金属板とは絶縁された金属膜を１つあるいは複数有し、前記金属膜の上に絶縁膜を有し、前記それぞれの金属膜につき前記絶縁膜の所定の領域に、前記金属膜が露出する２種類のコンタクト窓を有し、前記コンタクト窓のうち、第１のコンタクト窓では前記金属膜とパワーデバイスチップの電極が接続され、第２のコンタクト窓では前記金属膜と金属端子が接続され、前記パワーデバイスチップは、少なくとも一主面の大半の部分を活性領域とし、前記活性領域のある主面に、機能の異なる複数の電極を有し、前記活性領域上のそれぞれの電極は、前記第１のコンタクト窓にて対応する前記金属膜と接続されたことを特徴とするパワーデバイスチップの実装構造。
　【請求項２】　前記パワーデバイスチップの有する電極のうち、前記金属膜と対面しない主面にある電極、すなわち裏面電極に対応する金属端子が前記絶縁板に固定され、前記裏面電極と金属端子とはリードフレームにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載のパワーデバイスチップの実装構造。
　【請求項３】　前記パワーデバイスチップの裏面電極に、対応する金属端子を直接溶接したことを特徴とする請求項１記載のパワーデバイスチップの実装構造。
　【請求項４】　前記パワーデバイスチップの裏面電極と対応する金属端子が前記絶縁板上に固定され、前記裏面電極と前記金属端子との間をワイヤボンディングにより接続したことを特徴とする請求項１記載のパワーデバイスチップの実装構造。
　【請求項５】　金属板の一主面に比較的熱抵抗が低く、かつ電気抵抗の高い絶縁板を有し、前記絶縁板の上に前記金属板とは絶縁された金属膜を１つあるいは複数有し、前記金属膜の上に絶縁膜を有し、前記それぞれの金属膜につき前記絶縁膜の所定の領域に、前記金属膜が露出する２種類のコンタクト窓を有し、前記コンタクト窓のうち、第１のコンタクト窓では前記金属膜とパワーデバイスチップの電極が接続され、第２のコンタクト窓では前記金属膜と金属端子が接続された構造体が２つあり、前記パワーデバイスチップは、少なくとも一主面の大半の部分を活性領域とし、前記活性領域のある主面に、機能の異なる複数の電極を有し、前記活性領域上の各々の電極は、前記第１のコンタクト窓にて、前記第１の構造体上の対応する前記金属膜と接続され、前記パワーデバイスチップの他の主面に存在する電極は、前記第２の構造体上の対応する前記金属膜と接続され、前記パワーデバイスチップを挟み込む前記第１と第２の構造体の間の距離は、一定の厚さを有する緩衝体によって保持されていることを特徴とするパワーデバイスチップの実装構造。
　【請求項６】　前記構造体の、前記絶縁板と接していない他の主面に放熱フィンを有することを特徴とする請求項５記載のパワーデバイスチップの実装構造。
　【請求項７】　前記パワーデバイスチップの電極と前記金属膜を、半田溶接により接続することを特徴とする請求項１または５記載のパワーデバイスチップの実装構造。」
[２]　特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人  吉田春男は、次の甲第１〜１１号証を提示して、本件発明１〜７は甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜７についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取消すべき旨主張する。
　
甲第１号証：特開昭５９−１４１２４９号公報
甲第２号証：特開昭６０−１０３６４９号公報
甲第３号証：特開平１−２０５５５８号公報
甲第４号証：実願平４−１８４２号（実開平５−５９８６９号）のＣＤ−ＲＯＭ
甲第５号証：特開昭５８−９３３６１号公報
甲第６号証：特開平４−３１６３５４号公報
甲第７号証：特開昭６４−４２８４３号公報
甲第８号証：特開平５−３３５４７９号公報
甲第９号証：特開昭６０−９４７４２号公報
甲第１０号証：特開平６−２１２５５号公報
甲第１１号証：特開平５−７４９９２号公報
　
［３］　甲各号証の記載事項
（３−１）甲第１号証（特開昭５９−１４１２４９号公報）
　技術分野として、第３頁左上欄第１６行〜第１９行には、以下の事項が記載されている。
　「この発明は・・・電力半導体チップから熱を運び去る為に熱伝導度の大きい要素を用いたパッケージに関する。」
　
　実施例として、第４頁左下欄第７行〜第５頁右下欄第６行には、以下の事項が記載されている。
　「第１図は、部品部分１０と、１例としてダーリントン形電力トランジスタの様な電力チップ１４とから成る電力チップ・パッケージを分解図で示している。電力チップ１４は、ウエーハ形のシリコンの様な半導体材料で構成され、厚さを誇張して示す様に、上側にコレクタ端子１６、そして下側にエミッタ端子１８、第１のベース端子２０及び第２のベース端子２２を有する。これと比較して、電力ダイオードは片側に１つの端子しか持たない。
　電力チップ・パッケージの部分１０は誘電体基板２６と、この基板の上面に取付けられた複数個の板金導線２８，３０，３２とで構成されている。
　　　　・・・中略・・・
この発明では誘電体基板２６の下側にはんだ付け可能な金属層４０を設けることが好ましい。
　　　　・・・中略・・・
　電力チップ・パッケージ１０，１２内に電力チップ１４を取付ける時、電力チップ１４の下側端子１８，２０，２２にはんだの盛上げをし（即ち、はんだの「隆起部」を設け）、単に、電力チップ１４を板金導線２８，３０，３２の上にのせ、端子と導線の間にはんだの結合部を完成するのに十分な温度まで、チップ１４及びパッケージの部分１０を加熱することによって、これらの端子が夫々の板金導電２８，３０，３２にはんだ付けされる様にすることが好ましい。コレクタ端子１６ははんだを被覆することが好ましく、今述べたはんだ付け作業が完了する前、或いはその間或いは好ましくはその後に、支持部分１２の導線４４にはんだ付けすることが出来る。」
　
　電力チップからの熱の放散について、第４頁左上欄第１１行〜第１７行には、以下の事項が記載されている。
「板金導線は電力チップ、例えばダーリントン形電力トランジスタの片側にある複数個の端子に対して鏡像関係のパターンを持つ。電力チップを板金導線にはんだ付け等によって取付けた後、電力チップ内で発生される熱は板金導線を介して誘電体基板に通し、基板を放熱部の上に取付けることにより、この放熱部へ伝達することが出来る。」
　
（３−２）甲第２号証（特開昭６０−１０３６４９号公報）
　パワーモジュールなどの半導体装置として、特許請求の範囲には、以下の事項が記載されている。
　「金属製放熱板上にケースが固着され、そのケース内の放熱板上に絶縁基板を介して回路素子が固定され、ケースから回路素子へのリードが導出され、ケース内に樹脂が封止される半導体装置において、樹脂は、絶縁基板とほぼ同じ厚さで絶縁基板とケースの間の放熱板上に封止された第一の硬質樹脂層と、回路素子を覆う厚さでケース内全面に封止されたゲル状樹脂層および、ゲル状樹脂層上にケースの上端部までケース内全面に封止された第二の硬質樹脂層からなることを特徴とする半導体装置。」
　
　実施例である第３、４図及びその説明には、金属板２の上に絶縁基板３、その上に金属板４が設けられ、金属板４の上にダイオード５ａ、ゲートターンオフサイリスタ５ｂが固定され、また、金属板４にはアノードリード６ａが固定されており、ゲートリード６ｂ，カソードリード６ｃは金属板４の上に形成された絶縁基板７に固定されているパワーモジュールが記載されている。
　
（３−３）甲第３号証（特開平１−２０５５５８号公報）
　半導体集積回路素子をバンプ電極を介して搭載した混成集積回路の実施例として、第２頁左下欄第１１行〜右下欄第５行には、以下の事項が記載されている。
　「第１図（ｂ）はこのセラミック基板１上に公知の薄膜パターン形成工程によりＴｉ−Ｐｂ−Ａｕ積層膜からなる導体配線層２をパターン形成し、更に、ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４積層膜からなる保護絶縁層３をパターン形成して構成された配線基板４を示す。保護絶縁層３は配線層２間の領域を埋めると共に、配線層２上の所定の領域に開口部を有するように配線層２上に形成される。
　そして、第１図（ｃ）に示すように、配線基板４のセラミック基板１上に形成された配線層２の保護絶縁層３に覆われていない前記所定の領域にバンプ電極５を配設し、このバンプ電極５を介して半導体集積回路素子６を搭載すると共に、半導体集積回路素子６の各電極と配線層２とを電気的に接続する。」
　
（３−４）甲第４号証（実願平４−１８４２号（実開平５−５９８６９号）のＣＤ−ＲＯＭ）
　従来技術として、段落【０００２】には、以下の事項が記載されている。
　「一般に、パワーモジュール等には、高耐圧性および高放熱性が要求されている。このため、図８（Ａ）に示すように、主にアルミニウム等からなる金属ベース基板８０上全面に無機フィラーを高い割合で充頃した接着性を有する絶縁層８１を介して主に銅等からなる回路パターン８２を形成してなる金属ベース配線板が使用されている。」
　
　実施例として、段落【００１４】〜【００１７】には、以下の事項が記載されている。
　「まず、図１（Ａ）に示すように、・・・高熱伝導性絶縁層１２が接触するようにして両銅箔を貼り合わせて両面基板を作製した。
・・・中略・・・
　次に、図１（Ｂ）に示すように、・・・ガラスエポキシ両面銅張積層板にスルーホール用の穴開け加工を施し、これにスルホールメッキ処理を施し、一方の表面を通常の方法によりパータニングして、図１（Ｃ）に示すような片面回路基板を作製した。
　・・・
　次いで、図２に示すように、両面基板および片面回路基板を所定の大きさに切断し、両面基板は導電性接着剤２０を介して回路用電解銅箔１１が上面となるように、片面回路基板は絶縁性のガラスエポキシプリプレグシート２１を介してパターニング形成されていない表面が上面となるようにしてそれぞれ厚さ２mmのアルミニウム板２２上に配置した。
　・・・
　その後、図３に示すように、両面基板および片面回路基板の上面の銅箔１１，３０を通常の方法によりパターニングし、その上にソルダーレジストインク等を用いて絶縁処理を施して本考案の金属ベース配線板を作製した。」
　
（３−５）甲第５号証（特開昭５８−９３３６１号公報）
　半導体装置の従来技術として、第１頁右欄第３行〜第１９行には、以下の事項が記載されている。
　「従来の半導体装置は第１図に斜視図で示すようになっていた。図はトライアックの場合を示し、（１）はアルミナなどからなる絶縁基板で、鉄材又は鋼材からなる放熱板（２）にはんだなどで接着されている。放熱板（２）には取付け穴（２ａ）があけられてある。絶縁基板（１）上面には各電極に対す個所にメタライズ層（３）が施されてある。（４）はＴ２外部電極で、メタライズ層（３）上に共にはんだ付けされたＴ２内部電極（５）にはんだ接合されてある。（６）はＴ２外部電極で（７）はＧ外部電極であり、それぞれ各メタライズ層（３）上はんだ付けされ引出されてある。これら各外部電極（４），（６），（７）は黄銅材又は鋼材など導電金属からなり、外部端子を形成する。（８）はＴ２内部電極（５）上にはんだ接合された半導体ペレット、（９）は鋼材などからなり半導体ペレット（８）とＴ１外部電極（６）とをはんだ付け接続するＴ１内部電極、（１０）は鋼材などからなり半導体ぺレット（８）とＧ外部電極（７）とをはんだ付け接続するＧ内部電極である。」
　
（３−６）甲第６号証（特開平４−３１６３５４号公報）
　半導体装置の従来例として、段落【０００６】には、以下の事項が記載されている。
　「図２は上記のようなスペースの余裕のない従来例としてのパワーモジュールの概略断面図を示したものである。銅ベース板２１上に、下から順に絶縁基板２２、アノード端子２３、アノードモリブデン２４、ダイオードチップ２５、カソードモリブデン板２６、及びカソード端子２７が半田により固着されている。」
　
（３−７）甲第７号証（特開昭６４−４２８４３号公報）
　半導体装置の実施例として、第１図及びその説明には、金属底板１上にセラミックからなる絶縁基板２がろう付けされ、さらに、その上に金属ブロック３、半導体チップ４、及び外部接続リード５からなる電気回路がろう付けされた半導体装置が記載されている。
　
（３−８）甲第８号証（特開平５−３３５４７９号公報）
　半導体装置の実施例として、図１及びその説明には、金属板１の上に絶縁板２その上にドレインパターン３、およびゲートパターン４、駆動ソースパターン５が形成され、ドレインパターン３上にＭＯＳＦＥＴチップ６が接着され、電極端子１３がドレーンパターン３、ゲートパターン４、及び駆動ソースパターン５に固定され、ＭＯＳＦＥＴチップ６のゲートパッド７とゲートパターン４が，またソースパッド１０とソースパターン５が、それぞれボンディングワイヤで接続されているパワーモジュール構造が記載されている。
　
（３−９）甲第９号証（特開昭６０−９４７４２号公報）
　密封式電力チップ用パッケージの実施例として、第１図、第５図〜第７図、及びその説明には、誘電体プレート１８、１８’の上面にエミッタ・リード導体２４’と第１および第２のベース・リード導体２０’が形成され、これらが誘電体プレート１８、１８’の孔２８に充填された半田３０を介して、誘電体プレート１８、１８’の下面に形成されたエミッタ電極２４、２４’と第１および第２のベース電極２０、２２に接続し、さらに、これらエミッタ電極２４、２４’と第１および第２のベース電極２０、２２に電力チップ１６、１６’のエミッタ端子３４、３４’および第１および第２のベース端子３６、３６’が接続し、電力チップ１６、１６’のコレクタ端子３８、３８’は誘電体プレート４４、６８に形成されたコレクタ電極１７、６６と接続されており、このコレクタ電極１７、６６は２つの誘電体プレートの間に設けられている電力チップ・パッケージが記載されている。
　
（３−１０）甲第１０号証（特開平６−２１２５５号公報）
　半導体装置の実施例として、図１及びその説明には、絶縁性の基板１の一方には半導体部品５が固定され、他方には放熱フィン６ａ、６ｂを有する放熱部品６が接着されパッケージ化された半導体装置が記載されている。
　
（３−１１）甲第１１号証（特開平５−７４９９２号公報）
　ヒートシンクのハイブリッド型半導体素子への装着例として、図７及びその説明には、セラミック基板１５の一方に配線１６が形成され、他方に放熱フィン４を有するヒートシンク１が形成された半導体装置が記載されている。
　
［４］　対比・判断
（４−１）本件発明１について
　本件発明１と甲第３号証に記載されたものとを対比すると、甲第３号証に記載された混成集積回路は、セラミック基板１上に形成された導体配線層２の、保護絶縁層３に覆われていない所定の領域にバンプ電極５を配設し、このバンプ電極５を介して半導体集積回路素子６を搭載したものであって、このバンプ電極５が配設された保護絶縁層３に覆われていない所定の領域が、本件発明１におけるコンタクト窓に相当するものである。
　そして、本件発明１において、「前記金属膜の上に絶縁膜を有し、前記それぞれの金属膜につき前記絶縁膜の所定の領域に、前記金属膜が露出する２種類のコンタクト窓を有し、前記コンタクト窓のうち、第１のコンタクト窓では前記金属膜とパワーデバイスチップの電極が接続され、第２のコンタクト窓では前記金属膜と金属端子が接続され」た点（Ａ）については、甲第３号証に記載された混成集積回路においては、保護絶縁層３に覆われていない複数の所定の領域では導体配線層２と半導体集積回路素子６のバンプ電極５が接続している。
　しかしながら、甲第３号証に記載された混成集積回路は、本件発明１のように、パワーデバイスチップの実装に係るものでも、また熱抵抗の低減を課題としたものでもないから、甲第３号証に記載された半導体集積回路素子６をパワーデバイスチップに限定して、本件発明１の上記の点（Ａ）のように、複数の所定の領域のうち、一方の領域では、導体配線層をパワーデバイスチップのバンプ電極に接続し、他方の領域では、導体配線層を金属端子に接続することは、甲第３号証に記載された混成集積回路から容易に想到することはできない。
　
　また、本件発明１と甲第９号証に記載されたものとを対比すると、甲第９号証には、本件発明１の２種類のコンタクト窓に相当する孔２８を、パッケージ１０のうちの上部パッケージ部１２の誘電体プレート１８に設けたものが記載され、この孔２８の一方では、ベースリード導体２０’、２２’が電力チップ１６の第１、２のベース電極２０、２２を介して第１、２のベース端子３６に接続し、他方では、エミッタリード導体２４’がエミッタ電極２４を介してエミッタ端子３４に接続しているものの、本件発明１の複数の金属膜に相当するベースリード導体２２’とエミッタリード導体２４’は、本件発明１の複数の金属膜のように、「金属板の一主面上に比較的熱抵抗が低く、かつ電気抵抗の高い絶縁板を有し、前記絶縁板の上に前記金属板とは絶縁された」点（Ｂ）については何も示されていない。
　しかも、甲第２、５〜８号証に記載されているように、上記の点（Ｂ）がパワーデバイスにおいて普通に知られているにしても、甲第９号証には上記周知の点（Ｂ）を適用するための動機付けとなるものは何も記載されていないし、甲第９号証に記載された電力チップ・パッケージは、パッケージ１０内に金属基板がないことを特徴としていることからみて、甲第９号証に記載された電力チップ・パッケージから本件発明１を容易に想到することはできない。
　
　さらに、本件発明１は、甲第１〜１１号証に記載されたものを如何に組み合わせてみても、当業者が容易に想到することができたものではない。
　
　そして、本件発明１は上記の構成要件を具備することにより、熱抵抗および実装コストが低減され、信頼性が向上するという明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は、甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　ところで、申立人は、甲第３、４号証に記載された、配線上の絶縁膜にコンタクト窓を形成したものを甲第２、８号証に記載されたパワーデバイスの実装構造に適用し、さらに放熱効果を向上させるために甲第１号証に記載されたものを組み合わせることにより、本件発明１を容易に推考することができる旨主張している。
　しかしながら、甲第２，８号証に記載されたものはボンデイングワイヤを用いるものであって、本件発明１のようなコンタクト窓を設ける必要性はないから、申立人の主張は採用できない。
　
（４−２）本件発明５について
　本件発明５は、本件発明１の構成にさらに他の構成を付加限定したものである。
　したがって、本件発明５は、上記（４−１）と同じ理由により、甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４−３）本件発明２〜４，６，７について
　本件発明２〜４は請求項１を引用し、また本件発明６，７は請求項５を引用し、それぞれさらに他の構成を付加限定したものである。
　したがって、本件発明２〜４，６，７は、上記（４−１）と同じ理由により、甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［５］　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜７についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜７についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜７についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月２２日（２００１．５．２２）