(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子に応力が印加されにくいリードフレーム構造を提案する。【解決手段】リードフレームは第１の方向に延伸する帯状の第１の部分と、第１の方向とは異なる第２の方向に延伸して第１の部分と交差する第２の部分とを備えている。さらに半導体素子の第１の帯状部分と第２の帯状部分の外側に形成された半田層はリードフレームに覆われておらず露出している。そのため半導体素子とリードフレームとの間に形成された半田層に含まれる空気が外部に抜け易く、ボイドの発生による半導体装置の歩留まりの低下を防止する事が出来る。 【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームの主面に半導体素子が半田付けされた半導体装置において、
前記リードフレームは、第１の方向に延伸する帯状の第１の部分と、前記第１の方向とは異なる第２の方向に延伸して前記第１の部分と交差する第２の部分とを備え、
前記半導体素子の中央領域は、前記第１の部分と第２の部分とが交差する領域に半田を介して固着されており、前記半導体素子の前記中央領域から前記第１の方向に延伸する 
第１の帯状部分は前記リードフレームの第１の部分に半田を介して固着されており、前記半導体素子の前記中央領域から前記第２の方向に延伸する第２の帯状部分は前記リー 
ドフレームの第２の部分に半田を介して固着されており、前記半導体素子の第１の帯状部分と第２の帯状部分の外側に形成された半田層は前記リードフレームに覆われていな 
いことを特徴とする半導体装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は半導体装置のリードフレーム構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１に開示されているように、２つのリードフレームの間に半導体素子が挟まれて固着（半田付け）された半導体装置は公知である。このような半導体装置は、 
第１のリードフレーム、第２のリードフレーム、半導体素子及び樹脂封止体を有している。第１のリードフレームと第２のリードフレームはそれぞれ支持板(半導体素子搭載部 
)とリード端子とを有しており、半導体素子はこれら２つのリードフレームの支持板の主面に固着されている。リード端子端部は樹脂封止体の側面から外部に導出されている。 
【特許文献１】特開平9-219479号
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
上記の半導体装置では半導体素子が２つのリードフレームの支持板主面に半田付けされているが、支持板の平面サイズが半導体素子の平面サイズよりも大きく形成されてい 
る。このため、半導体素子と支持板との間に形成された半田層に含まれる空気が外部に抜け難く、この半田層内にボイド（気泡）が発生し易かった。このボイドは半田層の熱 
伝導率等を低下させ、半導体装置の電気的特性上望ましくない。
【０００４】
この問題点を解決する手段として支持板の主面に突起を設け、この突起に半導体素子を半田付けする構造が考えられた。この構造によれば、突起の平面サイズを半導体素子の 
平面サイズよりも小さくすることによって、半田層内に含まれる空気を外部に良好に放出することができ、半田層内にボイドが発生することが抑制される。
しかし、この構造では突起の押圧によって半導体素子に応力が集中し、半導体素子の電気的特性が劣化する虞があった。そこで本考案は、半導体素子とリードフレームとを 
固着する半田層内にボイドが発生し難く、且つ半導体素子に強い応力が発生することも良好に防止された信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本考案におけるリードフレームは、図１に示すように半導体素子（３）はその中央側が交差領域（２ａ３）に半田（５）を介して固着されており、この中央側から第１の方向に延伸する第１の帯状領域と、この中央側から第２の方向（第１の方向に直交する方向）に延伸する第２の帯状領域は、それぞれリードフレームの第１の部分（２ａ１）と第２の部分（２ａ２）に半田（５）を介して固着されている。第２のリードフレーム（２）の第１の部分（２ａ１）と第２の部分（２ａ２）の幅は半導体素子（３）の一辺の長さよりも小さくな 
っているので、半導体素子（３）の第１の領域と第２の領域の外側に形成された４つの四角形領域（角部領域）は支持板（２ａ）に対向していない。このため、半導体素子（ 
３）の他方の主面の電極にはその全面に半田（５）が形成されるが、４つの四角形領域に固着された半田（５）は第２のリードフレーム（２）の支持板（２ａ）には覆われておらずに露出している
【考案の効果】
【０００６】
上記実施形態の半導体素子によれば、半導体素子の少なくとも４隅がリードフレームに対向しておらず、リードフレームと半導体素子とを固着する半田層の一部がリードフレ 
ームから露出しているため、半田層内に含まれる空気が外部に放出され易く、半田層にボイドが形成されることが抑制される。また半導体素子がリードフレームに交差状に支 
持されるため、半導体素子に応力が発生し難い。
【考案を実施するための最良の形態】
【０００７】
本考案の一実施形態に係る半導体装置を図１乃至図３に示す。本実施形態の半導体装置は、第１のリードフレーム（１）、第２のリードフレーム（２）、半導体素子（３）及 
び樹脂封止体（４）を有している。
第１のリードフレーム（１）は、図２に示すように支持板（１ａ）と支持板（１ａ）の一方の端部に連結されたリード端子（１ｂ）を有している。第１のリードフレーム（１ 
）の支持板（１ａ）は、従来の半導体装置のリードフレームと同様に、半導体素子（３）の平面サイズよりも大きな平面サイズを有している。半導体素子（３）は、第１のリ 
ードフレーム（１）の支持板（１ａ）の点線部で示す領域に半田（５）を介して固着される。
【０００８】
第２のリードフレーム（２）は、図１に示すように支持板（２ａ）と支持板（２ａ）の一方の端部に連結されたリード端子（２ｂ）を有している。この第２のリードフレーム 
（２）の支持板（２ａ）は、本考案に基づいて十字状の平面形状を有している。
即ち、本考案における第２のリードフレーム（２）は、帯状の平面形状を有する第１の部分（２ａ１）と、この第１の部分（２ａ１）に垂直に交差して連結された帯状の第２ 
の部分（２ａ２）とを有している。第１の部分（２ａ１）と第２の部分（２ａ２）とが交差した領域には、平面四角形状の交差領域（２ａ３）が設けられている。この交差領 
域（２ａ２）は半導体素子（３）の平面サイズよりも小さく形成されている。支持板（２ａ）に連結されたリード端子（２ｂ）は、第１の部分（２ａ１）の延長部分として形 
成されている。
【０００９】
本考案における半導体素子（３）は、その一方の主面に形成された電極が第１のリードフレーム（１）の支持板（１ａ）の主面に固着されている。また、半導体素子（３）は 
、その他方の主面に形成された電極が第２のリードフレーム（２）の支持板（２ａ）の主面に固着されている。ここで、半導体素子（３）の一方の主面に形成された電極の平 
面サイズは第１のリードフレーム（１）の支持板（１ａ）の平面サイズよりも大きく、平面的に見て半導体素子（３）は第１のリードフレーム（１）の支持板（１ａ）の内側 
に半田（５）を介して固着される。このため、一方の主面に形成された電極は、その全面が半田（５）を介してリードフレームの主面に固着されている。
【００１０】
これに対し、半導体素子（３）の他方の主面に形成された電極の平面サイズは、第２のリードフレーム（２）の上記交差領域（２ａ３）の平面サイズよりも小さく形成されて 
いる。このため、図１に示すように半導体素子（３）はその中央側が交差領域（２ａ３）に半田（５）を介して固着されており、この中央側から第１の方向に延伸する第１の 
帯状領域と、この中央側から第２の方向（第１の方向に直交する方向）に延伸する第２の帯状領域は、それぞれリードフレームの第１の部分（２ａ１）と第２の部分（２ａ２ 
）に半田（５）を介して固着されている。第２のリードフレーム（２）の第１の部分（２ａ１）と第２の部分（２ａ２）の幅は半導体素子（３）の一辺の長さよりも小さくな 
っているので、半導体素子（３）の第１の領域と第２の領域の外側に形成された４つの四角形領域（角部領域）は支持板（２ａ）に対向していない。このため、半導体素子（ 
３）の他方の主面の電極にはその全面に半田（５）が形成されるが、４つの四角形領域に固着された半田（５）は第２のリードフレーム（２）の支持板（２ａ）には覆われてお らずに露出している。この結果、半導体素子（３）の他方の主面に形成された半田（５）に含まれた空気はこの露出部分を通じて外部に良好に放出される為、半田（５）層 
にボイドが発生し難い。
【００１１】
また、第２のリードフレーム（２）の第１の部分（２ａ１）と第２の部分（２ａ２）の長さは半導体素子（３）の一辺の長さよりも大きく形成されており、半導体素子（３）はその一辺の長さ方向 
全体にわたって支持板（２）にクロス状・交差状に支持されるため、半導体素子（３）に点状あるいはスポット状に押圧力が印加されることが防止される。この結果、半導 
体素子（３）に電気的特性を劣化させるような応力が発生することが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】は第２のリードフレームに半導体素子を搭載した状態を示す図である。
【図２】は第１のリードフレームに半導体素子を搭載した状態を示す図である。
【図３】は半導体素子を第１及び第２のリードフレームに搭載しモールド封止を行った状態を示す図である。
【符号の説明】
【００１３】
１、第１のリードフレーム
２、第２のリードフレーム
３、半導体素子
４、樹脂封止体
５、半田
【図１】
0003143175.tif 000003
【図２】
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【図３】
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