【事件の表示】
　特許第２７９４６７９号「高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７９４６７９号の特許を維持する。
【理　由】
〔一〕（１）　手続の経緯
　本件特許は、平成４年（１９９２）２月１７日に出願され（特願平４−６１１９０号）、平成１０年６月２６日に特許権の設定の登録がされ（特許第２７９４６７９号。請求項数、１）、平成１０年９月１０日に特許掲載公報が発行されたものである。
　本件特許異議の申立人は、平成１１年３月９日付けの特許異議申立書で、本件特許は、特許法第３６条に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものであり、また、同第２９条第１項第３号及び同第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、特許を取り消すべきものであると主張している。
　当審は、平成１１年７月２６日付けで、本件特許は、特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしていない出願に対して特許されたものであり、さらに、本件特許発明は、特許法第２９条第１項（同条第１項第３号に規定する発明に該当）及び同条第２項に違反して、特許されたものであるから取り消すべきであるとの理由を通知した。
　これに対して、本件特許権者は、平成１１年１０月１８日付けで特許異議意見書とともに本件特許の願書に添付した明細書（以下では、本件特許明細書という。）の訂正請求書を提出した。
　当審は、平成１２年３月１０日付けで訂正拒絶理由を通知したところ、本件特許権者は、上記訂正請求書を補正した。
　
（２）　本件特許明細書の特許請求の範囲の記載
　「１．　酸化インジウム粉と酸化スズ粉との混合物を成形して焼成することによってＩＴＯ焼結体を製造する方法において、圧粉成形により相対密度が４５％以上の成形体を製造した後、該成形体を常圧下、昇温速度１００℃／ｈｒ以上で高温保持温度まで昇温し、次いで１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって相対密度が８５％以上である焼結体と成すことを特徴とする高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法。」
　以下では、上記の構成の発明を本件特許発明という。
　
〔二〕　本件特許明細書の記載
（イ）　【0002】【従来の技術】の一部
　「常圧焼結では相対密度６０〜７５％のものしか得られないという問題があった。」
（ロ）　【0003】の一部
　「一方、焼結体の相対密度を上げると焼結体の利用効率を高め得ることも知られており、特にスパッタ法では低抵抗膜が得られ、ターゲットの黒化までの時間が延びることから高密度化の検討がされている。」
（ハ）　【0006】【発明が解決しようとする課題】
　「上述のように従来法においては、ホットプレスなど高価な装置を必要としたり、成形後に成形体密度を高める為に、更に諸工程を要したり、焼結工程の高圧化を図るためにコスト高となる等の問題もあって新規な手段により、これらの問題を解決することが望まれていた。」
（ニ）　【0009】【作用】の一部
　「本発明法においては、焼結性に優れたＩＴＯ微粉末を用いるが、主成分の酸化インジウム粉末としては比表面積２０ｍ２／ｇ以上のものを８５〜１００ｗｔ％の割合で使用し、残りの１５〜０ｗｔ％を酸化スズ粉末が占めるように配合して、両者を均一に混合したものを用い、次いで該混合物を金型プレスあるいはＣＩＰ等を用いて成形体密度が相対密度で４５％以上となるように圧粉成形する。」
（ホ）　【0010】の一部
　「所望の焼結体密度を得るために４５％以上の相対密度となるようにすることが必要であり、これ以下の相対密度を持つ成形体を使用したのでは焼結体密度８５％以上が得られないことを確認した。」
（ヘ）　【0011】
　「　次いで得られた成形体を大気中で焼成して焼結体を製造するが、焼成パターンとして昇温は１００℃／ｈｒ以上で行い、１５００〜１７００℃の温度に所定時間保持することを特徴とするものである。・・・。尚、大型の成形体を焼成する場合には、低温域での強度が弱いために急速昇温では割れやクラックが発生することもあるため、低温域では昇温速度を抑えても構わない。」
　（ただし、上記中、「・・・」の部分は、転記を省略した部分である。）
（ト）　【0012】
　「　先ず、昇温によって強度が割れ等に耐えるようにした後、１０００℃以上の温度域では、１００℃／ｈｒ以上の昇温速度、望ましくは１２０℃／ｈｒ以上の昇温速度で１５００℃以上の温度に迄昇温し、所定の温度に保持した後冷却して焼結体を得るが、成形時に有機バインダー等を添加した場合は、脱バインダー等の処理を１０００℃以下で行うことは構わない。」
（チ）　【0013】の一部
　「上述のような製造方法で、所望の高密度ＩＴＯ焼結体得られる理由としては、以下のような反応機構が考えられる。すなわちＩＴＯの焼結においては、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎO２は共に焼成温度域での蒸気圧が高く、気相拡散により焼結が進行していると考えられるが、反面、ＩＴＯの解離や異常粒成長により焼結が阻害される。１０００℃以上では、ＩＴＯの気相での拡散が大きく、この温度域で温度分布にむらが生じると異常粒成長が起き、焼結体密度は上がらない。従って１０００℃以上の温度域では焼結温度まで比較的速い速度で昇温することにより異常粒の成長を抑えることができる。」
（リ）　【0014】
　「またＩＴＯの解離により焼結が阻害されるが、これは成形体密度が低く、焼結によって成形体のもつ空げきが十分に塞がれない場合、気相となったＩＴＯは焼成物の系外に蒸気として抜けた空孔が残ることによる。従って成形体密度を相対密度で４５％以上としたものを用いて、焼成時に表面が焼結し、ＩＴＯの蒸発が少なくなるようにすることで焼結体密度が上がるように対処している。」
（ヌ）　【0016】【実施例１】の一部
　「得られたペレットを乾燥後、昇温速度１２０℃／ｈｒで昇温させて、大気圧下、１５００℃の温度で２時間焼成を行い、所望の焼結体を得た。」
（ル）　【0018】【実施例２】の一部
　「次いでこの成形体を電気炉中で、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、更に１８０℃／ｈｒの昇温速度で１５５０℃まで昇温して５時間保持して焼成を行った。」
（ヲ）　【表１】
　　　　　　成形体　　昇温速度　　焼結体　　　焼成重
　　　　　　密度(%)　　 ℃/hr 　 　密度(%)　　量減(%)
　実施例１　　５３　　　１２０　　８８　　　　３．０
  実施例２　　５３　　　１８０　　９３　　　　２．９
　実施例３　　４８　　　１８０　　８６　　　　３．５
　比較例１　　５３　　　　６０　　８２　　　　４．７
　比較例２　　４３　　　１２０　　８０　　　　５．０
（ワ）　【0024】【発明の効果】
　「　上述のように従来、高密度なＩＴＯ焼結体を得るには高価な装置や割高な焼成条件が必要であると考えられていたが、本発明法によれば、成形体の相対密度が４５％以上となるように予め制御し、昇温速度１００℃／ｈｒ以上で高温保持温度まで昇温し、次いで１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって一般的な常圧焼結を行うことにより高密度ＩＴＯが得られるので、通常の大気炉を用いて、安価な焼結体を製造できるという効果がある。」
　
〔三〕　訂正請求についての判断
Ａ．　訂正事項
（１）　訂正事項ａ
　本件特許明細書の特許請求の範囲を減縮することを目的として、特許請求の範囲の記載を下記のとおり訂正する。
　「【請求項１】　酸化インジウム粉と酸化スズ粉との混合物を成形して焼成することによってＩＴＯ焼結体を製造する方法において、比表面積が２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉を用いた混合物の圧粉成形により相対密度が４５％以上の成形体を製造した後、該成形体を常圧下、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／hr以上で１５００℃以上の高温度まで昇温し、引き続き１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって相対密度が８５％以上である焼結体となすことを特徴とする高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法。」
　以下では、上記構成の発明を本件訂正請求発明という。
　ただし、上記訂正事項ａの記載は、平成１１年１０月１８日付けの下記訂正請求を平成１２年３月２８日付けの手続き補正によって補正したものである。
　
（２）　訂正事項ｂ
　本件特許明細書の段落【0008】の記載を下記のとおり訂正する。
　「【0008】　すなわち本発明は、酸化インジウム粉と酸化スズ粉との混合物を成形して焼成することによってＩＴＯ焼結体を製造する方法において、比表面積が２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉を用いた混合物の圧粉成形により相対密度が45%以上の成形体を製造した後、該成形体を常圧下、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／hr以上で１５００℃以上の高温度まで昇温し、引き続き1500〜1700℃の高温に所定時間保持することによって相対密度が85%以上である焼結体となすことを特徴とする高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法を提供するものである。」
　
（３）　訂正事項ｃ
　本件特許明細書の段落【0024】【発明の効果】の記載を下記のとおり訂正する。
　「　上述のように従来、高密度なＩＴＯ焼結体を得るには高価な装置や割高な焼成条件が必要であると考えられていたが、本発明法によれば、酸化インジウム粉として比表面積２０m２/g以上のものを用い成形体の相対密度が４５％以上となるように予め制御し、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温し、次いで昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温に昇温させ、引き続き、１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって一般的な常圧焼結を行うことにより高密度ＩＴＯが得られるので、通常の大気炉を用いて、安価な焼結体を製造できるという効果がある。」
　
Ｂ．　訂正の適法性
Ｂ．１　独立特許要件以外の要件
（１）　訂正事項ａについて
（イ）　特許請求の範囲の減縮
本件訂正は、その訂正事項ａにおいて、
（ｉ）　本件特許発明の圧粉成形の原料粉が
　「比表面積が２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉を用いた混合物」であると訂正し（以下では、この訂正部分を訂正事項ａ´という。）、また、
（ｉｉ）　本件特許発明の
　「昇温速度１００℃／ｈｒ以上で高温保持温度まで昇温し、次いで１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持する」を
　「脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温度まで昇温し、引き続き１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持する」
　と訂正する（以下では、訂正事項ａのこの訂正部分を訂正事項ａ´´という。）ものである。
（ｉｉｉ）　上記訂正事項ａ´は、比表面積が限定されていなかった圧粉成形の原料粉として、比表面積が比表面積が２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉を用いた混合物であるとするのであるから、本件訂正請求は、その訂正事項ａ´において、特許請求の範囲を減縮することを目的とする訂正であると認められる。
（ｉｖ）　また、上記訂正事項ａ´´は、本件特許明細書では、単に昇温速度１００℃／ｈｒ以上で昇温するとされていた圧粉成形体を昇温する過程を、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後と限定し、さらに、その後、昇温速度１２０℃／hr以上で１５００℃以上の高温度まで昇温すると限定するものであり、圧粉成形体の昇温過程をより具体的にする訂正である認められるから、本件訂正請求は、その訂正事項ａ´´において、特許請求の範囲を減縮することを目的とする訂正であると認められる。
　
（ロ）　明細書の記載事項の範囲内であること
（ｉ）　上記〔二〕（ニ）によれば、本件特許発明では、「酸化インジウム粉末としては比表面積２０m２/g以上のものを８５〜１００ｗｔ％の割合で使用し、残りの１５〜０ｗｔ％を酸化スズ粉末が占めるように配合して、両者を均一に混合したものを用い」、「相対密度で４５％以上となるように圧粉成形する」とされているから、本件訂正請求は、その訂正事項ａ´において、本件特許明細書の記載事項の範囲内で訂正することを請求していると認められる。
（ｉｉ）　上記〔二〕（ト）によれば、本件特許明細書の段落【0012】には、「昇温によって強度が割れ等に耐えるようにした後、１０００℃以上の温度域では、１００℃／ｈｒ以上の昇温速度、望ましくは１２０℃／ｈｒ以上の昇温速度で１５００℃以上の温度に迄昇温し、所定の温度に保持した」と記載され、上記〔二〕（ヌ）（本件特許発明の実施例１）によれば、ペレット（当審注。　このペレットは、圧粉成形体に相当すると認められ、ＰＶＡを含有する。）を乾燥後、昇温速度１２０℃／ｈｒで昇温させて、大気圧下、１５００℃の温度で２時間焼成を行い、所望の焼結体を得たされ、また、上記〔二〕（ル）（本件特許発明の実施例２）によれば、成形体（当審注。　このペレットは、圧粉成形体に相当すると認められ、ＰＶＡを含有する。）を電気炉中で、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、更に１８０℃／ｈｒの昇温速度で１５５０℃まで昇温して５時間保持して焼成を行ったとされているから、「脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温度まで昇温」することは、本件特許明細書に記載されていた事項である認められる。
　したがって、本件訂正請求は、その訂正事項ａ´´において、本件特許明細書の記載事項の範囲内で訂正を請求するものであると認められる。
　
（ハ）　特許請求の範囲の実質拡張、変更
　本件訂正請求は、訂正事項ａにおいて、本件特許発明の構成を変更し、特許請求の範囲を減縮するものとはいえ、それによって、本件特許発明の目的を変更し、また、異質の効果を得ようとするものとは認められないから、本件訂正請求は、特許請求の範囲を実質上拡張するものとも、変更するものとも認められない。
　
（ニ）　ところで、本件訂正請求の訂正事項ａ´´の「脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温度まで昇温し、引き続き１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持する」は、平成１１年１０月１８日付けの訂正請求（以下では、補正前の訂正請求という。）の訂正事項の「１００℃／ｈｒ以下の昇温速度で１０００℃／ｈｒまで昇温させ、次いで昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃／ｈｒ以上の高温度まで昇温し、１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持する」を補正したものである。
　しかるに、上記補正前の訂正請求の「１００℃／ｈｒ以下の昇温速度で１０００℃／ｈｒまで昇温させ」るという事項は、本件特許明細書で「次いで得られた成形体を大気中で焼成して製造するが、焼成パターンとして昇温は１００℃／ｈｒ以上で行」う｛上記〔二〕（ヘ）参照｝とされていること、及びＩＴＯ焼結体製造の予備処理に関する技術常識｛例えば、上記〔二〕（ト）参照｝によれば、ＩＴＯ圧粉体の焼結前の昇温速度は、１００℃／ｈｒ以下であるとされていたことは自明であり、かつ、「１０００℃以上の温度域では焼結温度まで比較的速い速度で昇温することにより異常粒の成長を抑えることができる」｛上記〔二〕（チ）参照｝とされていたこと及び本件特許発明の実施例の圧粉成形体がいずれもＰＶＡを含有していたことからみて、「脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温」させることを意味していたと解することができるから、上記補正は、訂正請求書の要旨を変更する補正であるとまでは認められない。
　
（２）　訂正事項ｂについて
（イ）　本件特許明細書の段落【0008】の記載は、【課題を解決するための手段】の一部であって、本件特許明細書の特許請求の範囲の記載が実質的に繰り返されていたものであるところ、本件訂正請求は、上記訂正事項ｂにおいて、上記段落【0008】の記載を訂正事項ａと同一記載に改めるものであるから、明りょうでない記載を釈明することを目的とする訂正を請求するものと認められる。
（ロ）　そして、上記（１）で訂正事項ａについて判断したと同一の理由によって、本件訂正請求は、上記訂正事項ｂにおいて、本件特許明細書の記載の範囲内で訂正するものであり、かつ、同明細書の特許請求の範囲を実質上拡張するものとも、変更するものとも認められない。
　
（３）　訂正事項ｃについて
（イ）　本件訂正請求は、訂正事項ｃにおいて、本件特許明細書の段落【0024】の記載に（α）「酸化インジウム粉として比表面積２０m２／ｇ以上のものを用い」、及び（β）「脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温し、次いで昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温に昇温させ、引き続き、」を付加するものである。
　上記の付加された記載は、いずれも訂正事項ａの記載に対応するものであるから、本件訂正は、上記訂正事項ｃにおいて、明りょうでない記載を釈明することを目的として訂正することを請求するものであると認められる。
（ロ）　そして、本件訂正請求は、訂正事項ｃにおいて、本件訂正請求の訂正事項ａについて判断したと同一の理由によって、本件特許明細書の記載の範囲内で訂正を請求するものであり、かつ、同明細書の特許請求の範囲を実質上拡張するものとも、変更するものとも認められない。
　
Ｂ．２　独立特許要件
（１）　明細書の記載要件
　「相対密度」の用語は、ＪＩＳ　Ｚ　２５００（１９６０年制定）に定義され、普通に使用されている用語であると認められる。本件特許明細書には、その「相対密度」の用語について格別の説明がないから、本件特許明細書においても、同用語の解釈は、普通一般の解釈に従うと解される。
　そうすると、本件特許明細書に「相対密度」の用語の説明がないというだけで、特許法第３６条第４項に規定する要件を備えていないことにはならない。
　なお、本件特許異議の申立人は、「本件特許発明の「相対密度」の値について、その測定条件等が明細書中に明記されていないことから、これを当業者が厳密に特定することができない」と主張しているが、本件特許明細書全体の記載からみて、本件特許明細書の「相対密度」が本件特許明細書に独特の用語と認めるべき理由もないから、この主張は採用できない。
　
（２）　特許の要件
（２−１）　引例の記載
（ａ）　特開平３−２０７８５３号公報（甲第１号証）（以下では、引例１という。）
（イ）　特許請求の範囲
「　酸化インジウムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼結してＩＴＯスパッタリングターゲットを製造するに際し、前記焼結を１気圧以上の加圧酸素雰囲気中で行うことを特徴とする、高密度ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。」
（ロ）　２頁左上欄５行〜同右上欄２行
「　しかし、酸化インジウム粉末や酸化錫粉末は焼結性が悪く、そのため上記方法（コールドプレス大気圧焼結法）で製造されたＩＴＯターゲットは密度が4.2〜5.0g/cm２と理論密度の精々60〜70%程度にしかならない上、「大型ターゲットを工業的に安定して製造するためには到達密度を5.0g/cm２程度に抑える必要がある」と言った密度の再現性に起因する高密度化への制約もあった。しかるに、このような密度に低いＩＴＯターゲットには
　ａ）　スパッタレート（成膜速度）が小さい、
　ｂ）　ターゲット寿命が短い、
　ｃ）　ＩＴＯ特有の表面の黒色化が顕著となる、
　ｄ）　基板上のゴミ（パーティクル）が増加する、
等の不都合が指摘されており、スパッタリング作業性の向上や形成されるＩＴＯ膜の品質向上の観点から、より密度の高いＩＴＯターゲットが強く要求されていたのである。」
（ハ）　２頁左下欄３〜６行
「　このようなことから、本発明が目的としたのは、格別に高価な新規設備を必要とすることなく、高密度のＩＴＯターゲットを高い生産性の下で安定生産し得る手段を確立することである。」
（ニ）　２頁右下欄１４行〜３頁左上欄６行（＜作用及び効果＞の項の一部）
「　さて、ＩＴＯターゲットを製造する際の焼結工程を加圧酸素雰囲気とすることで性能の良好な高密度製品が得られる理由は、現在のところ未だ明確ではない。しかし、焼結をN２やArの如き不活性なガスの雰囲気中で実施した場合にはＩＴＯの分解が生じて焼結体の密度低下を来たすとの事実が確認されたことからして、ＩＴＯは高温に加熱されると酸素を解離し易い性質を有するものと考えられる。従って、これらの事実を踏まえれば、焼結時に酸素加圧することで高温加熱によるＩＴＯの解離が効果的に防止されると共に、酸素が焼結助剤的な働きをして密度向上に寄与しているのではないかと推測される。」　　　
（ホ）　３頁右上欄８〜１１行
「　なお、加圧酸素雰囲気中での焼結温度は従来の場合と同様に１６００〜１７００℃程度が適当であり、また焼結時間は3時間以上とするのが望ましい（焼結時間は長いほど好結果が得られる）。」
（ヘ）　３頁右上欄１２〜２０行
「　上述のように、本発明に係るＩＴＯターゲットの製造法では、従来の“コールドプレス・大気焼結法”に比較して一段と高密度（理論密度の９７〜９９％）の製品を密度の再現性良く製造できるとの優れた効果が確保でき、また従来の“ホットプレス法”と比較した場合には、設備のイニシャルコストが安い上にランニングコストもかからず、しかも量産性が遙かに優れるとの顕著な効果を享受することができる。なお、これらの効果はＳｎO２の割合が５〜１０ｗｔ％のＩＴＯターゲットを対象とした場合に特に顕著である。」
（ト）　実施例及び比較例、ことに実施例１の概要｛ただし、下記で、〔〕の内の数字は、その記載順序で、実施例２及び実施例３の場合の数値である。｝
　まず平均粒径が２〔０．４、２〕μｍの酸化インジウム粉と同じ粒度の酸化錫を重量比で９５：５〔９０：１０、９５：５〕となるように均一に混合し、これに成型用のバインダーを加えてから金型に均一に充填し、油圧プレスにて７５０〔１０００、７５０〕ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧成形した。なお、この時の成形体の密度は４．０６〔３．９８、４．０９〕ｇ／ｃｍ３であった。
　続いて、上記成形体を８０℃に加熱し、水分を蒸発させて乾燥した。
　次いで、加圧焼成炉を用い、上記乾燥成形体を３．５〔８．９、１．０〕気圧（ゲージ圧：真圧力は４．５〔９．９、２〕気圧）の純酸素ガス雰囲気中にて１６５０℃で9時間焼結した後、得られた焼結体の表面を平面研削盤で削り、更に側辺をダイヤモンドカッターで切断してターゲット製品とした。
　このようにして製造されたＩＴＯターゲット製品の密度を体積と重量から算出したところ、６．９５〔７．０６、６．７５〕ｇ／ｃｍ３と極めて高い値となっていることを確認した。
  また、乾燥工程までは上記本発明と全く同じ条件で乾燥成形体を得たが、その後の焼結雰囲気を従来の“大気雰囲気”とし、この大気中において１６５０℃で９時間の焼結を行ってから機械加工してＩＴＯターゲットを製造した。そして、この比較例によって得られたＩＴＯターゲットの密度を測定したところ、５．５６〔６．２０、５．６０〕ｇ／ｃｍ３と言う値を示した。
　
（ｂ）　特開平２−２２５３６６号公報（甲第２号証）（以下では、引例２という。）
（イ）　特許請求の範囲
　「１）酸化インジウム・酸化スズ粉末を１４００℃を越える温度で焼結し焼結粒子表面の少なくとも一部が平面となるまで結晶成長させ、可視波長領域光の反射が２０％以下で、暗緑色を呈する高結晶性酸化インジウム・酸化スズ焼結体の製造方法。
２）酸化インジウム・酸化スズ粉末が共沈法により得たものを用いる特許請求の範囲第１項記載の方法。」
（ロ）　１頁左下欄、〔産業上の利用分野〕
　「本発明は酸化インジウム・酸化スズ（以下ＩＴＯと記載）焼結体に関する。」
（ハ）　１頁右下欄１１〜１７行
「　従来ＩＴＯ焼結体は酸化インジウムと酸化スズの粉末を混合したものを加圧成型後、焼結させることによって製造されている。しかしＩＴＯ粉末は難焼結性のため、これまでＩＴＯ焼結体を用いた際のスパッタリングによる成膜操作性及び得られる透明導電膜が品質に優れたものであるＩＴＯ焼結体を製造することは非常に困難であった。」
（ニ）　２頁右下欄１６〜１９行
「ＩＴＯの焼結は約１０５０℃から開始するが、１４００℃以下では本発明に特徴的な焼結粒子の成長が進行せず、１８００℃以上では焼結粒子は成長するがスズが揮散する。そのため本発明の焼結温度は１４００℃を越える温度から１８００℃、特に好ましくは１４５０℃〜１７００℃以下である。
本発明の焼結温度での保持時間は数時間から数十時間、特に5時間から２０時間で十分である。さらに焼結時における昇温速度及び降温速度、特に降温速度が焼結粒子の形成に大きく影響する。昇温速度及び降温速度は２００℃／時間以下、特に１００℃／時間以下が望ましい。」
（ホ）　３頁左上欄１６行〜同右上欄１行
「ＩＴＯ焼結体の焼結密度は、スズの含有量によって多少異なるが、理論密度１００％の焼結体の焼結密度は、約７．１ｇ／ｃｍ３である。本発明で得られる焼結体の焼結密度は４．５ｇ／ｃｍ３から７．０ｇ／ｃｍ３、特に本発明で得る特徴的な焼結粒子を形成した場合、多くは５．５ｇ／ｃｍ３以上の高密度の焼結体となる。」
（ヘ）　３頁左下欄、〔効果〕の冒頭３行
「　本発明による高結晶性ＩＴＯ焼結体は透明導電膜を作成するスパッタリングターゲットとして極めて優れた性能を有している。」
（ト）　実施例１及び実施例３
　インジウム／スズ比が９０／１０の混合酢酸塩を熱分解して得たＩＴＯ共沈粉末から３．７ｇ／ｃｍ３の加圧成型体を製造した（ただし、実施例３の場合では、酢酸インジウムと酢酸スズとを別個に熱分解した）。
　その後、常圧、大気中で１５００℃で加熱焼結した。焼結における昇温速度は１００℃／時間、１５００℃では１０時間保持、降温速度は１００℃／時間とした。
　このような焼結条件で、焼結密度６．３ｇ／ｃｍ３、比抵抗３×１０−４Ω・cmの焼結体が得られた（ただし、実施例３の場合では、６．１ｇ／ｃｍ３、比抵抗４×１０−４Ω・cm）。
　
（ｃ）　特開平３−２１５３１８号公報（参考資料１）〔以下では、引例３という。〕
（イ）　特許請求の範囲
　「１）一次粒子が1μｍ以下、ＢＥＴ表面積が１５ｍ２／ｇ以上、粒度分布から求めた比表面積が２ｍ２／ｇ以上の条件を全て満足することを特徴とする酸化インジウム及び/又は酸化インジウム・酸化錫粉末。
２）酸化インジウム・酸化錫粉末が共沈法によって調製されたものである特許請求の範囲第一項記載の粉末。
３）一次粒子が１μｍ以下の酸化インジウム・酸化錫又は酸化インジウム粉末を粉砕容器径が振動振幅の１０倍未満の振動型粉砕機を用いて機械的に粉砕することを特徴とする酸化インジウム又は酸化インジウム・酸化錫粉末の粉砕方法。」
（ロ）　２頁左上欄１５〜２０行
　「従来の粉末を用いたＩＴＯ焼結体の多くは焼結密度が理論密度の６５％程度（〜４．６ｇ／ｃｍ３）の低密度の焼結体でしかなく、又電気抵抗も高い。
　尚、ＩＴＯ焼結体の焼結密度は理論密度１００％で約７．１ｇ／ｃｍ３である。」
（ハ）　２頁左下欄１３〜１８行、〔発明が解決しようとする課題〕
　「本発明の目的は、理論密度の７５％以上すなわち、５．３ｇ／ｃｍ３以上のもの、さらに好ましくは理論密度が８５％以上すなわち、６ｇ／ｃｍ３以上もの高密度ＩＴＯ焼結体が製造可能な酸化インジウム粉末あるいはＩＴＯ粉末及びそれらの製造方法を提供することにある。」
（ニ）　４頁右上欄８行〜同左下欄６行、〔発明の効果〕の項
　「　このようなＩＴＯ粉末を焼結体原料として用いると、焼結時に焼結体内部の気孔が低減し、焼結収縮の大きい焼結体、即ち理論密度の７５％以上（焼結密度５．３ｇ／ｃｍ３以上）、多くは理論密度の８５％以上（焼結密度６ｇ／ｃｍ３）の焼結体形成が可能となる。従来のＩＴＯ粉末から得た焼結体はＩＴＯ粉末の二次粒子内で凝集している部分としていない部分で焼結の進行が不均一であるため、焼結粒子は不定形であり、焼結粒子間に多くの空孔を有しているが、本発明のＩＴＯ粉末による焼結体は、均一に焼結が進行するため、緻密に充填した焼結粒子が形成され高密度となると考えられる。
　このような高密度ＩＴＯ焼結体をターゲットして用いると、得られる透明導電膜も極めて高品質となるため、スパッタリングターゲット用焼結体原料粉末として極めて優れた性能が期待できる。
　また特に共沈ＩＴＯでは焼結体中の錫の分布が均一であるため、広い範囲で均一な透明導電膜が得られる。」
（ホ）　実施例１の概略
　一次粒径が約０．３μｍ、ＢＥＴ表面積が１７ｍ２／ｇで、比表面積が３．５m２／ｇであるＩＴＯ粉末を加圧成型し、３．７ｇ／ｃｍ３の成形体を製造し、これを常圧大気中で１４００℃で焼結した。
　焼結における昇温速度は１００℃/時間、１４００℃で１０時間保持、降温速度は１００℃/時間とした。
　このような焼結条件で、焼結密度５．７ｇ／ｃｍ３、比抵抗３×１０−４Ω・cmの焼結体を製造した。　
　
（２−２）　特許の要件についての判断
（ｉ）　引例１の特許請求の範囲の構成の発明は、加圧酸素雰囲気中で焼結することを、一つの基本的な要件（焼結条件）としているから、本件訂正請求発明は、引例１の上記発明と異なる発明であり、また、この発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも認められない。
（ｉｉ）　引例２の特許請求の範囲の構成の発明は、共沈法で製造したＩＴＯ粉末を用いて、「焼結し焼結粒子表面の少なくとも一部が平面となるまで結晶成長させ、可視波長領域光の反射が２０％以下で、暗緑色を呈する高結晶性」のＩＴＯ焼結体を得ることを基本的な一つの要件としており、この要件は、本件訂正請求発明の技術思想と異なる発明であることを示しており、また、この発明の技術思想自体に基づいて、本件訂正請求発明は、当業者が容易に発明できた発明であるとは認められない。
（ｉｉｉ）　引例３の特許請求の範囲の構成の発明は、共沈法に製造した「一次粒子が１μｍ以下、ＢＥＴ表面積が１５ｍ２／ｇ以上、粒度分布から求めた比表面積が２ｍ２／ｇ以上の条件を全て満足することを特徴とする酸化インジウム及び／又は酸化インジウム・酸化錫粉末」を用いることを基本的要件としているから、本件訂正請求発明は、この発明とは異なる発明であり、また、この発明自体の技術思想に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明であるとは認められない。
（ｉｖ）　以下では、引例１から引例３までの各引例に記載されたＩＴＯ焼結体の製造条件について検討する。
（ａ）　引例１から引例３までの各引例のいずれも、ＩＴＯ粉末の焼結過程の昇温速度に言及するだけであり、１０００℃まで昇温する過程の昇温速度を示唆する記載はみあたらない｛当審注。　この過程では、ＩＴＯは焼結しないと認められる。引例２には、ＩＴＯの焼結は約１０５０℃から開始するとされている。上記（２−１）（ｂ）（ニ）参照｝。
　なお、引例１には、共沈法で製造したＩＴＯ粉末について、「上記成形体を80℃に加熱し、水分を蒸発させて乾燥した」｛上記（２−１）（ａ）（ト）参照｝とされているが、これは、本件訂正請求発明の「脱脂パターンを含む脱脂パターンで１０００℃まで昇温」することに言及しているとは認められない。
（ｂ）　本件特許発明の焼結過程の昇温速度は、１２０℃／ｈｒ以上とされているのに対して、引例２には、「昇温速度及び降温速度は200℃/時間以下、特に１００℃／時間以下が望ましい」｛上記（２−１）（ｂ）（ニ）参照｝とされている。ただし、引例２の実施例で、上記昇温速度は、１００℃／ｈｒである｛上記（２−１）（ｂ）（ト）参照｝。
　上記引例２の記載は、引例２の発明の条件下で、１２０℃／ｈｒ以上、２００℃／ｈｒ以下の焼結時昇温速度を示唆していないことにはならないと認められるが、本件訂正請求発明の条件下で、焼結時の昇温速度を具体的に１２０℃／ｈｒ以上とすることを示唆しているとは認められない。
（ｃ）　引例３には、この発明の粉末を用いて焼結体を製造する際の条件については、一次粒径が約０．３μｍ、ＢＥＴ表面積が１７ｍ２／ｇで、比表面積が３．５ｍ２／ｇであるＩＴＯ粉末を昇温速度１００℃／ｈｒで１４００℃まで加熱し、その温度に１０時間保持することが具体的に示されているにすぎず、得られた焼結体の焼結密度は、５．７ｇ／ｃｍ３（当審注。　相対密度は、約８０％）にすぎない｛上記（２−１）（ｃ）（ホ）参照｝。
（ｄ）　以上（ａ）〜（ｃ）によれば、本件訂正請求発明の製造条件は、全体として、引例１から引例３までの各引例を総合しても、これらの引例に示唆されているとは認められない。
（ｖ）　そして、本件訂正請求発明は、相対密度が８５％以上である高密度ＩＴＯ焼結体を安定して、安価に製造できるようにしたことが認められる。
（ｖｉ）　以上（ｉ）〜（ｖ）の認定、判断によれば、本件訂正請求発明は、引例１から引例３までの各引例に記載された発明であるとも、これらの引例に記載された発明に基づいて、当業者が容易には発明をすることができたものとは認められない。
　
（３）　また、他に、本件訂正請求発明が独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　なお、本件特許異議の申立人は、特開平３−２１５３１８号公報（参考資料１）及び特開平３−２１８９２４号公報（参考資料２）には、焼結過程における昇温を１００℃／ｈｒで行うことが記載され、また、特開平２−２９７８１号公報に、２００℃以下の速度で昇温させることが好ましいと記載されているから、昇温速度１００℃／ｈｒ以上で行うことは従来から広く行われていたことであると主張しているが、これらの刊行物に記載されている、本件特許異議の申立人の指摘した事実は、本件訂正請求発明の「脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温度まで昇温」することをまで示唆しているとは認められない。
　      　
Ｂ．３　本件訂正請求は、上記Ｂ．１（独立特許要件以外の要件）に述べた理由によって、特許法第１２０条の４第２項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮又は特許法第１２０条の４第２項第３号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正請求であり、また、特許法第１２０条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び同第３項に規定する要件を満たし、さらに、上記Ｂ．２（独立特許要件）に述べた理由によって、特許法第１２６条第４項に規定する要件をも満たしていると認められるから、本件訂正請求は、適法な訂正請求であって、認めるべきものである。
　
Ｃ．　以下では、本件訂正請求発明を本件特許発明という｛上記Ａ．（１）、訂正事項ａ参照｝。
　
〔四〕　本件特許異議の申立人は、本件特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たさない出願に対してされたものであり、また、本件特許発明は特許法第２９条第２項の規定に違反して特許された発明であるから、本件特許は取り消すべきものであると主張している。
　しかしながら、本件特許異議の申立人の上記主張に対する判断は、本件訂正請求発明の独立特許要件について、上記〔三〕Ｂ．２でした判断と実質的に同一の判断となるところ、上記〔三〕Ｂ．２でした判断によれば、本件特許の異議申立人が提示した証拠方法及び理由によっては、本件特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものとも、本件特許発明は特許法第２９条第２項の違反して特許されたものとも認められない。
　また、他に本件特許発明を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月６日（２０００．７．６）
【訂正の要旨】
（訂正の要旨）
（１）　訂正事項ａ
　本件特許明細書の特許請求の範囲を減縮することを目的として、特許請求の範囲の記載を
「　酸化インジウム粉と酸化スズ粉との混合物を成形して焼成することによってＩＴＯ焼結体を製造する方法において、比表面積が２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉を用いた混合物の圧粉成形により相対密度が４５％以上の成形体を製造した後、該成形体を常圧下、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温度まで昇温し、引き続き１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって相対密度が８５％以上である焼結体となすことを特徴とする高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法。」
（２）　訂正事項ｂ
　本件特許明細書の段落【０００８】の記載を、明りょうでない記載を釈明することを目的として、下記のとおり訂正する。
「　すなわち本発明は、酸化インジウム粉と酸化スズ粉との混合物を成形して焼成することによってＩＴＯ焼結体を製造する方法において、比表面積が２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉を用いた混合物の圧粉成形により相対密度が４５％以上の成形体を製造した後、該成形体を常圧下、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温度まで昇温し、引き続き１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって相対密度が８５％以上である焼結体となすことを特徴とする高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法。」
（３）　訂正事項ｃ
　本件特許明細書の段落【００２４】【発明の効果】の記載を、明りょうでない記載を釈明することを目的として、下記のとおり訂正する。
「　上述のように従来、高密度なＩＴＯ焼結体を得るには高価な装置や割高な焼成条件が必要であると考えられていたが、本発明法によれば、酸化インジウム粉として比表面積２０ｍ２／ｇ以上のものを用い成形体の相対密度が４５％以上となるように予め制御し、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温し、次いで昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温に昇温させ、引き続き、１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって一般的な常圧焼結を行うことにより高密度ＩＴＯが得られるので、通常の大気炉を用いて、安価な焼結体を製造できるという効果がある。」
（５４）【発明の名称】
高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　酸化インジウム粉と酸化スズ粉との混合物を成形して焼成することによってＩＴＯ焼結体を製造する方法において、比表面積が２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉を用いた混合物の圧粉成形により相対密度が４５％以上の成形体を製造した後、該成形体を常圧下、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温度まで昇温し、引き続き１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって相対密度が８５％以上である焼結体となすことを特徴とする高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ＩＴＯ焼結体の製造方法に関し、さらに詳しくは、焼結性の良い粉末成形体をつくり、これを焼成することによって、常圧下で高密度なＩＴＯ焼結体を製造する製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、ＩＴＯ焼結体は、透明導電膜を形成するスパッタリングターゲット材や真空蒸着用のペレットとして利用されている。この焼結体は、ＩＴＯが難焼結性で高温域では解離を生ずる性質を有しているため、常圧焼結では相対密度６０〜７５％のものしか得られないという問題があった。
　【０００３】
　一方、焼結体の相対密度を上げると焼結体の利用効率を高め得ることも知られており、特にスパッタ法では低抵抗膜が得られ、ターゲットの黒化までの時間が延びることから高密度化の検討がなされている。これらは特開平１−２９０５５１号公報に開示されているように成形体を仮焼後高圧でＣＩＰ処理をして成形体密度を上げて焼成する方法や、特開平３−２０７８５８号公報に開示されているように、焼成時に酸化雰囲気で加圧して解離を抑える方法が知られているが、酸化雰囲気で加圧しながら焼成する方法は、装置上の配慮が必要である他、酸素を供給しなければならない等コスト上の問題があった。
　【０００４】
　また、一般に高密度焼結体はホットプレス法により製造されているが、この方法は、還元雰囲気下で焼成を行うため得られた焼結体の一部が還元されるという欠点を有する他、大型の焼結品を製造するには装置自体も大型化しなければならず実用的でない上、高価な装置を用いなければならないという問題もあった。
　【０００５】
　本発明者等は、先に特願平３−８３３０９号「高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法」において、焼結性のよい微粉原料を用いた高密度の造粒粉を用いることにより相対密度７５％以上の焼結体が得られる方法を提案している。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述のように従来法においては、ホットプレスなど高価な装置を必要としたり、成形後に成形体密度を高める為に、更に諸工程を要したり、焼結工程の高圧化を図るためにコスト高となる等の問題もあって新規な手段により、これらの問題を解決することが望まれていた。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者等は斯かる課題を解決するために鋭意研究したところ、焼結体密度８５％以上のＩＴＯ焼結体を常圧焼結で得るには、焼結性に優れたＩＴＯ粉末を用いて特定条件で焼結を行うことによって目的を達し得ることを見出し、本発明法を提出することができたものである。
　【０００８】
　すなわち本発明は、酸化インジウム粉と酸化スズ粉との混合物を成形して焼成することによってＩＴＯ焼結体を製造する方法において、比表面積が２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉を用いた混合物の圧粉成形により相対密度が４５％以上の成形体を製造した後、該成形体を常圧下、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温度まで昇温し、引き続き１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって相対密度が８５％以上である焼結体となすことを特徴とする高密度ＩＴＯ焼結体の製造方法を提供するものである。
　【０００９】
　【作用】
　本発明法においては、焼結性に優れたＩＴＯ微粉末を用いるが、主成分の酸化インジウム粉末としては比表面積２０ｍ２／ｇ以上のものを８５〜１００ｗｔ％の割合で使用し、残りの１５〜０ｗｔ％を酸化スズ粉末が占めるように配合して、両者を均一に混合したものを用い、次いで該混合粉を金型プレスあるいはＣＩＰ等を用いて成形体密度が相対密度で４５％以上となるように圧粉成形する。
　【００１０】
　混合粉の成形に際しては成形し易いように有機バインダー等を添加したり、造粒等の操作を施しても構わないが、成形体の密度については、所望の焼結体密度を得るために４５％以上の相対密度となるようにすることが必要であり、これ以下の相対密度を持つ成形体を使用したのでは焼結体密度８５％以上が得られないことを確認した。
　【００１１】
　次いで得られた成形体を大気中で焼成して焼結体を製造するが、焼成パターンとして昇温は１００℃／ｈｒ以上で行い、１５００〜１７００℃の温度に所定時間保持することを特徴とするものである。この場合の高温保持時間は焼結体の相対密度が８５％以上となることが保証される限り特に制限はないが、通常１〜２０ｈｒ好ましくは２〜１０ｈｒである。尚、大型の成形体を焼成する場合には、低温域での強度が弱いために急速昇温では割れやクラックが発生することもあるため、低温域では昇温速度を抑えても構わない。
　【００１２】
　先ず、昇温によって強度が割れ等に耐えるようにした後、１０００℃以上の温度域では、１００℃／ｈｒ以上の昇温速度、望ましくは１２０℃／ｈｒ以上の昇温速度で１５００℃以上の温度に迄昇温し、所定の温度に保持した後冷却して焼結体を得るが、成形時に有機バインダー等を添加した場合は、脱バインダー等の処理を１０００℃以下で行うことは構わない。
　【００１３】
　上述のような製造方法で、所望の高密度ＩＴＯ焼結体が得られる理由としては、以下のような反応機構が考えられる。すなわちＩＴＯの焼結においては、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２は共に焼成温度域での蒸気圧が高く、気相拡散により焼結が進行していると考えられるが、反面、ＩＴＯの解離や異常粒成長により焼結が阻害される。１０００℃以上では、ＩＴＯの気相での拡散が大きく、この温度域で温度分布にむらが生じると異常粒成長が起き、焼結体密度は上がらない。従って１０００℃以上の温度域では焼結温度まで比較的速い速度で昇温することにより異常粒の成長を抑えることができる。
　【００１４】
　またＩＴＯの解離により焼結が阻害されるが、これは成形体密度が低く、焼結によって成形体のもつ空げきが充分に塞がれない場合、気相となったＩＴＯは焼成物の系外に蒸気として抜けた空孔が残ることによる。従って成形体密度を相対密度で４５％以上としたものを用いて、焼成時に表面が焼結し、ＩＴＯの蒸発が少なくなるようにすることで焼結体密度が上がるように対処している。
　【００１５】
　以下、実施例により詳細に説明する。
　【００１６】
　【実施例１】
　比表面積３０ｍ２／ｇの酸化インジウム粉９０ｗｔ％と、比表面積４ｍ２／ｇの酸化スズ粉１０ｗｔ％との混合粉にＰＶＡ５ｗｔ％水溶液を混合粉の全量基準で１０ｗｔ％を添加した粉体を金型プレスを用いてφ１”×５ｍｍのペレットを作成した。得られたペレットを乾燥後、昇温速度１２０℃／ｈｒで昇温させて、大気圧下、１５００℃の温度で２時間焼成を行い、所望の焼結体を得た。得られた焼結体の焼結体密度および焼成重量減を表１に示した。
　【００１７】
　尚、焼成重量減は成形体（乾燥後）と焼結体との重量より算出した。
　【００１８】
　【実施例２】
　比表面積３０ｍ２／ｇの酸化インジウム粉９５ｗｔ％と、比表面積４ｍ２／ｇの酸化スズ粉５ｗｔ％との混合粉にＰＶＡ５ｗｔ％水溶液を混合粉の全量基準で１０ｗｔ％添加した粉末を金型プレスにより４８０×１７０×１０ｍｍの成形体に成形したところ、この成形体の相対密度は５３％であった。次いでこの成形体を電気炉中で、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、更に１８０℃／ｈｒの昇温速度で１５５０℃まで昇温して５時間保持して焼成を行った。得られた焼結体の相対密度９３％で、焼成重量減は２．９％であった。
　【００１９】
　【実施例３】
　実施例２に示す造粒粉を用いて作製した成形体を用い、成形圧力を制御して成形体の相対密度を４８％とした。この成形体を実施例２と同様な工程で焼成体としたものは、焼結体の相対密度８６％で、焼成重量減は３．５％であった。
　【００２０】
　【比較例１】
　実施例１に示す造粒粉を用いて作製したペレット体を用い、電気炉中での昇温速度を６０℃／ｈｒとした以外は、実施例１に示す工程と同様の条件で焼成した。得られた焼結体の相対密度は８２％で、焼成重量減は４．７％であった。
　【００２１】
　【比較例２】
　実施例２に示す造粒粉を用いて、作製した成形体を、成形圧力を制御して成形体の相対密度を４３％とし、次いでこの成形体を電気炉中で焼成した。この場合、昇温は１０００℃迄脱脂パターンを含む昇温速度で比較的ゆるやかに昇温した後、１０００℃以上からは昇温速度１２０℃／ｈｒで１５５０℃まで昇温して５時間保持した後冷却した。得られた焼結体の相対密度は８０％であり、焼成重量減は４．２％であった。
　【００２２】
　表１の結果から成形体の相対密度が４５％以下のものを用いる場合と、昇温速度が１００℃／ｈｒ以下の場合には、焼結体の相対密度が８５％以下となり高密度化が図れないことが確認できた。
　【００２３】
　【表１】
　【００２４】
　【発明の効果】
　上述のように従来、高密度なＩＴＯ焼結体を得るには高価な装置や割高な焼成条件が必要であると考えられていたが、本発明法によれば、酸化インジウム粉として比表面積が２０ｍ２／ｇ以上のものを用い成形体の相対密度が４５％以上となるように予め制御し、脱脂パターンを含む昇温パターンで１０００℃まで昇温せしめた後、昇温速度１２０℃／ｈｒ以上で１５００℃以上の高温に昇温させ、引き続き、１５００〜１７００℃の高温に所定時間保持することによって一般的な常圧焼結を行うことにより高密度ＩＴＯが得られるので、通常の大気炉を用いて、安価な焼結体を製造できるという効果がある。