【事件の表示】
　特許第３０９７５８７号「発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０９７５８７号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０９７５８７号の請求項１〜３に係る発明は、平成９年３月１９日に出願されたものであって、平成１２年８月１１日にその特許の設定の登録がなされ、その後、本田敦子より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年８月１６日に特許異議意見書が提出されたものである。
　　
２．特許異議申立について
2．1　本件発明
　本件発明第３０９７５８７号の請求項１〜３に係る発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
　　
「【請求項１】　Ｓｉドープｎ型ＧａＰ単結晶基板上に、少なくともｎ型ＧａＰエピタキシャル層およびｐ型ＧａＰエピタキシャル層を形成してなる発光半導体素子用エピタキシャルウェーハにおいて、該Ｓｉドープｎ型ＧａＰ単結晶基板のＳｉ濃度が１〜２０×１０17ｃｍ-3かつキャリア濃度が１〜１０×１０17ｃｍ-3であり、かつ活性化率が５０％以上であることを特徴とする発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ。
   【請求項２】　前記活性化率が６０％以上であることを特徴とする、請求項１記載の発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ。
   【請求項３】　前記発光半導体素子が、ＧａＰ緑色系発光半導体素子であることを特徴とする、請求項１または２記載の発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ。」
　　
2．2　特許異議申立ての理由の概要
　これに対して、特許異議申立人 本田敦子は、甲第１号証として、特開平８−１６２３７８号公報、甲第２号証として特開平５−３７０１８号公報を提示して、本件の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである旨主張している。
　　
2．3　甲各号証記載の発明
　特許異議申立人の提示した甲第１号証には、
「　【請求項１】　不純物が添加された化合物半導体結晶からなる基板であって、前記化合物半導体結晶は、そのキャリア濃度をｃ．ｃ．、活性化率をηとしたとき、以下の関係を満たすことを特徴とする、化合物半導体結晶基板。
　η≦ｃ．ｃ．／（７．８×１０15）…（１）
　η≦（１０／１９）×（１９７−２．５４×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（２）
　η≧ｃ．ｃ．／（３．６×１０16）…（３）
　　【請求項２】　前記化合物半導体結晶は、さらに以下の関係を満たすことを特徴とする、請求項１記載の化合物半導体結晶基板。
　η≦（１０／１９）×（１９７−３．５×１０-17 ×ｃ．ｃ．）…（４）
　　【請求項３】　前記化合物半導体結晶は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶である、請求項１または請求項２記載の化合物半導体結晶基板。
　　【請求項４】　前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶は、砒化ガリウム半導体結晶である、請求項３記載の化合物半導体結晶基板。
　　【請求項５】　前記添加された不純物は、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｇｅ、ＴｅおよびＳｎからなる群より選ばれる少なくとも１種のｎ型不純物である、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の化合物半導体結晶基板。」（【特許請求の範囲】）、
　　　
「この発明の目的は、転位密度がより低下された化合物半導体結晶基板を提供することにある。」（【０００５】）、
　　
「　【作用】　本願発明者らは、キャリア濃度ｃ．ｃ．（ｃｍ-3）および活性化率η（％）がそれぞれ異なる、不純物としてＳｉが添加されたＧａＡｓ化合物半導体結晶を種々作製し、得られた結晶の転位密度を測定した。その結果、上述の式（１）、式（２）および式（３）を満たす場合に、低転位密度化された結晶が得られることを見い出した。」（【００１３】）、
　　
「　【実施例】　（実験１）　ＶＢ法を用いて、以下に示すように、直径８０〜９０ｍｍφの１９種のＳｉ添加ＧａＡｓ単結晶を育成した。まず、ｐＢＮ（パイロリティック・ボロン・ナイトライド）製るつぼに種結晶を設置し、その上に表１に示す量のＧａＡｓ多結晶原料融液をチャージした。次に、Ｓｉ濃度とＢ濃度を制御するため、必要量のＳｉとＢ2 Ｏ3 封止剤を入れた後、るつぼを炉内の下軸上にセットした。これを、結晶を凝固させるのに必要な温度勾配を有した温度分布内において、るつぼの相対移動速度を４ｍｍ／Ｈとして、冷却により結晶成長させた。」（【００１８】〜【００１９】）、
　　
「  【表１】
　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（【００２０】）、
　　
「　このようにして得られたＧａＡｓ結晶について、製品重量（ｇ）、キャリア濃度（ｃｍ-3）、Ｓｉ濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）、活性化率η（％）、転位密度ＥＰＤ（ｃｍ-2）、Ｂ濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）およびＣ濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 ）を測定した。これらの結果を表１に併わせて示す。　また、図１は、キャリア濃度と活性化率との関係を示す図である。図１において、横軸はキャリア濃度ｃ．ｃ．（×１０17ｃｍ-3）を示し、縦軸は活性化率η（％）を示す。・・・この図１に、上述のようにして得られたＮｏ．１〜Ｎｏ．１９のサンプルの結果をプロットした。　表１および図１より明らかなように、本発明によれば、より低転位密度化された化合物半導体結晶基板が得られることがわかる。」（【００２１】〜【００２４】）、
　　
「（実験２）　実験１で作製したＮｏ．１の結晶から、スライスおよびポリッシュすることにより、３５０μｍの３インチウェハを作製した。ウェハのキャリア濃度は８×１０17ｃｍ-3、ＥＰＤは３００ｃｍ-2であった。このウェハ上に、液相エピタキシャル成長法により、第１エピタキシャル層を形成し、さらにその上に第２エピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェハを作製した。なお、第１エピタキシャル層は、不純物としてＳｉが添加されたｐ−ＧａＡｓからなり、厚さ４０〜８０μｍの層であった。また、第２エピタキシャル層は、不純物としてＳｉが添加されたｎ−ＧａＡｓからなり、厚さ３０〜１２０μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3以上の層であった。」（【００２９】〜【００３０】）、
　　
「なお、上述の実施例においては、砒化ガリウム半導体結晶について説明したが、他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶についても、同様の効果が得られることが予測できる。」（【００３５】）と記載され、
　　
【図１】には、当該発明の化合物半導体結晶に係るキャリア濃度と活性化率との関係が図示され、実験１で作製されたＮｏ１〜Ｎｏ１９のサンプルについての結果がプロットされている。
　　
　以上によれば、甲第１号証には、不純物としてＳｉが添加され、「Ｓｉ濃度」、「キャリア濃度」及び「活性化率」がそれぞれ異なるように、ＶＢ法を用いて作製された、【表１】記載のＮｏ１〜Ｎｏ１９のＧａＡｓ化合物半導体結晶及びそれらを用いてなるエピタキシャルウェハが記載されている。
　　　
　同じく甲第２号証には、
「　【請求項１】　Ｓｉ濃度が１×１０17atoms/cm3 以下及び／又はＯ濃度が７×１０16atoms/cm3 以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶。
  　【請求項２】　上記化合物半導体がＧａＰであることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体単結晶。
　　【請求項３】　緑色発光素子のエピタキシャル用基板として用いられることを特徴とする請求項１又は２記載の化合物半導体単結晶。」（【特許請求の範囲】）、
　　
「実験例１　ＬＥＣ法によって製造された互いにシリコン濃度及び酸素濃度の異なる表１に示す１４種類のＧａＰ単結晶基板を用い、図２に示す液相成長装置２を用いて下記するような手順で液相エピタキシャル層を成長させ、緑色エピタキシャルウェーハを製造した。」（【００１３】）、
　　　
「液相エピタキシャル層成長手順・・・Ｈ2 雰囲気中で１０００℃まで昇温させてＧａメルト中のＧａＰ多結晶をＧａメルト中に溶かしこむ。・・・引っ張り棒２１を操作してＧａメルト１０ａ〜１０ｅと基板Ｗ１〜Ｗ５を接触させる。・・・次に、１０１０℃まで昇温し基板の一部をＧａメルト中に溶融させて、メルトバックを行う。毎分１〜３℃の割合で装置を冷却させながら最初にｎ層を成長させる。・・・続いて、ガス供給管１６からＨ2 ガスとともにアンモニアガスを供給しながら冷却を続けＮの添加されたｎ層を成長させる。・・・最後に、ドーパント蒸発源１４を加熱して、Ｚｎ蒸気をＨ2 ガスとともに供給しながら冷却を続け、ｐ型層を成長させる。・・・次いで、このエピタキシャルウェーハにｐ型電極としてＡｕの合金、ｎ型電極としてＡｕの合金を蒸着し、０．３ｍｍ角のペレットにして緑色発光ダイオードを製作し、その輝度を測定した。」（【００１５】〜【００１９】）と記載されている。
　　　　
　以上によれば、甲第２号証には、ＧａＰ単結晶基板に、少なくともｎ型ＧａＰエピタキシャル層およびｐ型ＧａＰエピタキシャル層を形成してなる緑色発光素子のエピタキシャル用基板が記載されている。
　　
３．対比・判断
　本件の請求項１〜３に係る発明（以下、本件発明１〜３という。）と特許異議申立人の提示した甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証及び甲第２号証には、本件発明１〜３の構成である、「Ｓｉドープｎ型ＧａＰ単結晶基板のＳｉ濃度が１〜２０×１０17ｃｍ-3かつキャリア濃度が１〜１０×１０17ｃｍ-3であり、かつ活性化率が５０％以上であることを特徴とする発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ」について記載されておらず、示唆されていない。
　すなわち、甲第１号証の実施例の欄において、【表１】のＮｏ１，Ｎｏ３Ｎｏ６〜９，Ｎｏ１３，Ｎｏ１４の各ＧａAｓ単結晶の、「Ｓｉ濃度」、「キャリア濃度」及び「活性化率」の数値範囲は、本件発明１〜３のＧａＰ単結晶の「Ｓｉ濃度」、「キャリア濃度」及び「活性化率」の数値範囲に属するものと認められるが、甲第１号証に記載された発明は「Ｓｉドープｎ型ＧａAｓ単結晶基板」に係るものであるのに対して、本件発明１〜３は「Ｓｉドープｎ型ＧａＰ単結晶基板」に係るものである点で、両者は明確に相違するものである。
　また、甲第１号証には、その実施例における、砒化ガリウム半導体結晶についての試験結果は、他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶についても、同様に得られることが予測できる旨記載されているが（甲第１号証【００３５】）、一般に、「不純物ドーピングによる結晶の転移密度の低減化」は、結晶の成長方法、結晶の構成元素、添加する不純物、の何れかが相違すれば、低転移化は起きない場合があることは周知であり（特許異議意見書の参考文献１〜３参照）、加えて、甲第１号証の発明は、「結晶基板の転移密度を低下させ、素子の歩留りと寿命の改善を図ること」を目的・課題とするものであって 、本件発明１〜３の目的・課題である「ウェーハの高輝度化、輝度バラツキの低減化」についての認識を欠くものである。したがって、甲第１号証記載の上記数値範囲を、そのままＳｉドープｎ型ＧａＰ単結晶基板に適用して、本件発明１〜３に想到することは、当業者にとって容易なことではない。
　　
　甲第２号証は、ＧａＰ単結晶基板に係るものであるが、本件発明の構成である、ＧａＰ単結晶基板の「キャリア濃度」及び「活性化率」の各数値範囲について、或いは、当該ＧａＰ単結晶基板が「Ｓｉドープｎ型であること」について、何ら記載されておらず、示唆されていない。
　　
　一方、本件発明１〜３は、上記構成により、「従来よりも高輝度で、かつ輝度バラツキの少ないＧａＰ発光半導体素子用エピタキシャルウェーハを得ることができる」という格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１〜３が、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月１８日（２００１．１０．１８）