【事件の表示】
　特許第２８５２８０９号「積層セラミックコンデンサの製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８５２８０９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本件特許第２８５２８０９号は、平成２年１１月３０日に特許出願され、平成１０年１１月２０日に特許の設定登録がなされ、その後、平成１１年７月２６日にティーディーケイ株式会社、同年７月２８日に遠藤　昭子よりそれぞれ特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月２２日に訂正請求がなされたものである。
【２】 訂正の適否についての判断
　１．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下（１）、（２）、（３）、（４）のとおりのものである。
（１）明細書第１頁第５行〜第２頁第９行の特許請求の範囲の請求項１〜６の記載を下記の通り訂正する。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
【請求項１】卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミック材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理した後に、大気中で更に熱処理を行うことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
（２）明細書第５頁第６行〜第６頁第５行の（課題を解決するための手段）の記載を下記の通り訂正する。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
（課題を解決するための手段）
　本発明による積層セラミックコンデンサの製造方法は、卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミック材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理した後に、大気中で更に熱処理を行うことを特徴とするものである。
（３）明細書第６頁第１４行〜第９頁第４行及び同第１１頁第１行〜第１２頁第５行の（実施例）の記載を下記の通り訂正する。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
（実施例）
　以下、本発明の好ましい実施例による積層セラミックコンデンサの製造方法について詳細に説明する。
　積層セラミックコンデンサの製造方法の具体例を説明する前に、先ず、本発明方法に用いることのできるコンデンサの内部並びに外部の卑金属の材料、および耐還元性誘電体セラミック材料について説明すると、上記卑金属電極の材料としては、特開昭５９ー１１４７０３号公報等に開示された材料を用いることができ、また、上記耐還元性誘電体セラミック材料としては、特公昭６０ー２０８５０号公報等に開示された材料を用いることができる。本発明は、材料自体の発明では無いので、材料のこれ以上の説明は省略する。
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の具体例について説明する。
実施例
　上記耐還元性誘電体セラミック材料を用いて、通常の方法でセラミックグリーンシートを作成し、その表面上に、上記卑金属材料を用いて、通常の方法により、所定のパターンで内部電極を付与し、これを所定枚数積層して、熱圧着した後に、複数の積層チップに分割し、さらに、前記積層チップの両端面に、それぞれ卑金属の外部電極材料を通常の方法により付与し、続いて、空気雰囲気中での９００℃の熱処理でバインダを飛ばし、その後、９８．５容量％のＮ2 と１．５容量％のＨ2の雰囲気中で、１２００℃で２時間焼成を行い、試料コンデンサを作成した。
　ついで、上記試料コンデンサを、第１表に示す酸素濃度の弱酸化性雰囲気中において、第１表に示す処理温度、処理時間で、熱処理を行った。上記雰囲気は、露点１０〜３０℃のＨ2ＯをＮ2 とした。このように熱処理を行って得た試料コンデンサについて、測定周波数１kHz、測定電圧１Ｖでの静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）、および 上記試料コンデンサ１０ロットについて、直流電圧を順次昇圧しながら印加し、試料の電極間の漏れ電流が１ｍＡに達したときの印加電圧の値、即ち昇圧破壊性能（Ｂ．Ｖ．Ｄ．）の最低平均値（Ｖ）を測定した。その結果を第１表に示す。また、上記と同様の試料コンデンサを、大気中で、２次焼成温度６００℃、焼成時間０．５時間で焼成し、それを比較例として、上記と同様にして、静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）、昇圧破壊性能（Ｂ．Ｖ．Ｄ．）の最低平均値（Ｖ）を測定した。その結果を第１表に示した。
　この第１表から分かるように、本実施例のコンデンサは、比較例のコンデンサと比べて、静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）は同等であったが、昇圧破壊性能（Ｂ．Ｖ．Ｄ．）の最低平均値（Ｖ）は６０Ｖ以上高かった。
（４）明細書第１０頁の「第１表」を削除する。
（５）明細書第１３頁の「第２表」を「第１表」に訂正する。
　２．訂正の目的の適否、新規事項及び拡張・変更の存否
　上記（１）については、訂正前の請求項５を繰り上げて請求項１とし、残りの請求項は全て削除するものである。
　上記（２）〜（５）の訂正は、特許請求の範囲の記載の訂正に伴って、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の欄の記載との整合を取るために訂正したものである。
　そうすると、上記（１）の訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また上記（２）〜（５）の訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記いずれの訂正も新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　３．独立特許要件の判断
（１）訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミック材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理した後に、大気中で更に熱処理を行うことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。」
（２）引用例の記載事項
　刊行物１ 特開昭５８−９３１０４号公報
　刊行物２「Journal of the American Ceramic Society Volume 64, 1981」の第590~594頁に掲載された論文「Reversible Weight Change of Acceptor-Doped BaTiO3 」（1981年発行）
　刊行物３「Berichite der Deutchen Keramischen Gesellschaft Band55(1978)」の第353~355頁に掲載された論文「Electrical Properties of acceptor-doped BaTiO3 Ceramic 」（1978年発行）
　刊行物４ 「JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE volume10 Number4 April 1975」の第633~640頁に掲載された論文「High resistivity BaTiO3 ceramics sintered in CO-CO2 atmospheres」（1975年発行）
　刊行物５　特開平　２−２５１１２２号公報
　刊行物６　特開昭５５−１０５３１８号公報
　刊行物７　特開平　３−１３３１１４号公報
　本件特許発明に対して、当審が通知した取消理由で引用した上記刊行物１（以下、「引用例１」という。）には、「基本式ＡＢＯ3に従うペロブスカイト構造を有する強誘電性セラミック材料から誘電体を製造する方法」（第２頁右上欄第１２〜１４行目）に関し、セラミック材料を、ニッケルなどの卑金属または卑金属の合金でなる金属電極と一緒に密に焼結して多層セラミックコンデンサを製造するに際し（第２頁右上欄第１７行目〜右下欄第６行目）、「製造されたコンデンサの電気的特性を改善し、かつ、寿命試験中に特に安定に保つような誘電体を製造する」ことを目的（第２頁右下欄第１１〜１４行目）とするものであり、この目的を達成するために、「基本式ＡＢＯ3に従うペロブスカイト構造を有する強誘電性セラミック材料から誘電体を製造する方法であって、１３２０℃〜１４５０℃の温度の還元雰囲気中で誘電体を密に焼結する製造方法において、焼結体を、１０-5〜０．２バールのＯ２分圧ＰＯ２に相当する量のＯ２　を含むＮ２−Ｏ２雰囲気中で、０．５〜８時間、５００〜９００℃の温度で、後処理すること」（第１頁左下欄第４〜１２行目）が記載されている。
　同刊行物２（以下、「引用例２」という。）〜同刊行物４（以下、「引用例４」という。）は、参考までに挙証したものであるが、これら刊行物には、いずれも還元雰囲気中でセラミック誘電体を焼成すると誘電体が還元され易く、その結果、誘電体中に酸素欠陥が発生し絶縁抵抗が劣化するという問題を改善するために、アクセプタとしてＭｎ、Ｆｅ、Ｎｉ等をBaTiO3からなるセラミックに添加するとともに、焼成後のアニール処理（熱処理）における雰囲気および温度条件から、積層セラミックコンデンサの信頼性改善を行うことが記載されている。
　同刊行物５（以下、「引用例５」という。）には、「積層磁器コンデンサの内部電極を形成するのに好適な導電性ペースト」（第１頁右下欄第１５〜１６行目）に関し、切断工程後の積層チップに内部電極用導電性ペーストと外部電極用導電性ペーストとを取り付け、還元性（非酸化性）雰囲気中で焼成した後、大気雰囲気（酸化性雰囲気）で熱処理を行い、積層磁器コンデンサを製造する方法が記載されている。
　同刊行物６（以下、「引用例６」という。）については、対応する訂正前の請求項４が削除されたために説明省略。
　同刊行物７（以下、「引用例７」という。）には、ニッケルやニッケル合金を内部電極に使用する積層型セラミックコンデンサに関し、絶縁抵抗の寿命が長く、信頼性の高いコンデンサを提供するための製造方法として、還元性雰囲気中で誘電体を焼成し、その後さらに弱酸化性雰囲気で熱処理することが記載されている。
（３）対比・判断
　本件発明（以下、「前者」という。）と上記引用例１〜７に記載の事項（以下、「後者」という。）とを対比すると、後者のいずれも、少なくとも前者の構成要件である「弱酸化性雰囲気中で熱処理した後に、大気中で更に熱処理を行う」構成を具備していない。
　そして、前者は上記構成要件を具備することにより、前者の前提構成である「中性または還元性雰囲気中で焼成する」際の欠点を解決するものであって、後者のいずれからも予測できない明細書記載のとおりの「電極を酸化させることなく、還元性の低酸素分圧下で焼成して作製したコンデンサの誘電体の酸素欠陥を有効に補い、昇圧破壊性能（Ｂ．Ｄ．Ｖ）の高いコンデンサを得ることができる。」という格別の作用効果を奏するものである。
　したがって、前者が後者のいずれかと同一であるとも、前者が後者に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　よって、本件発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
【３】特許異議の申立てについての判断
  １．申立ての理由の概要
　特許異議申立人遠藤　昭子は、甲第１号証（引用例１）〜甲第７号証（引用例７）を提出し、特許請求の範囲の請求項１〜６に係る発明は、甲第１号証と同一もしく同号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第１項もしくは第２項の規定により、また同請求項１〜３に係る発明は甲第７号証と同一であり、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、その特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　特許異議申立人ティーディーケイ株式会社は、甲第１号証（引用例１）、甲第２号証（引用例７）を提出し、特許請求の範囲の請求項１〜６に係る発明は甲第１号証と同一もしくは同号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第１項もしくは第２項の規定により、同請求項１〜４に係る発明は甲第２号証と同一であり、特許法第２９条の２の規定により、また本件明細書の記載に不備があり、本件特許は特許法第３６条第３項及び第４項の規定に違反してなされたものであるから、その特許は取り消されるべきものである旨主張している。
 ２．判断
２−１．特許法第２９条第１項/第２項、第２９条の２違反について
　本件発明は、上記【２】３．独立特許要件の判断で示したように、上記題意の取消理由はいずれも存在しないものである。
２−２．特許法第３６条各項違反について
　本件明細書の記載に不備がある旨の主張については、主として、「誘電体として使用するセラミックスの材料が全く明らかにされていない。これらの誘電体のうち耐還元性のもの全てを本件発明の対象とするのであれば、材料の相違により製造条件を異にすることは常識であるのに、この材料の組成の開示を欠いている。」旨述べている。
　そこで本件明細書の記載を検討すると、上記誘電体として使用するセラミックスの材料として、従来、BaTiO3系誘電体材料が多く用いられてきたが、その焼成温度、雰囲気等に問題があることが記載されており、さらに（実施例）の説明の記載において、本件積層セラミックコンデンサの製造方法の具体例を説明する前に、先ず、「本発明方法に用いることのできるコンデンサの内部並びに外部の卑金属電極の材料、および耐還元性誘電体セラミック材料ついて説明すると、上記卑金属電極の材料としては、特開昭５９ー１１４７０３号公報等に開示された材料等を用いることができ、また、上記耐還元性誘電体セラミック材料としては、特公昭６０ー２０８５０号公報等に開示された材料を用いることができる。本発明は、材料自体の発明では無いので、材料のこれ以上の説明は省略する。」（明細書第６頁末行〜第７頁第９行）と記載されている。
　してみると、本件発明は、材料自体の発明では無いことは明らかであり、本件発明に係る耐還元性誘電体セラミック材料ついて一応の開示がなされているのであるから、対象とする全ての材料の組成の開示を欠いていることをもって、本件明細書の記載に不備があるものとすることはできず、上記特許異議申立人の主張は採用することができない。
【４】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月２９日（２０００．１１．２９）
【訂正の要旨】
（１）明細書第１頁第５行〜第２頁第９行の特許請求の範囲の請求項１〜６の記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として下記の通り訂正する。
　　　　　　　　　　記
【請求項１】卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミック材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理した後に、大気中で更に熱処理を行うことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
（２）明細書第５頁第６行〜第６頁第５行の（課題を解決するための手段）の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として上記（１）の訂正と併せて下記のように訂正する。
　　　　　　　　　　記
（課題を解決するための手段）
　本発明による積層セラミックコンデンサの製造方法は、卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミック材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理した後に、大気中で更に熱処理を行うことを特徴とするものである。
（３）明細書第６頁第１４行〜第９頁第４行及び同第１１頁第１行〜第１２頁第５行の（実施例）の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として上記（１）の訂正と併せて下記のように訂正する。
　　　　　　　　　　記
（実施例）
　以下、本発明の好ましい実施例による積層セラミックコンデンサの製造方法について詳細に説明する。
　積層セラミックコンデンサの製造方法の具体例を説明する前に、先ず、本発明方法に用いることのできるコンデンサの内部並びに外部の卑金属の材料、および耐還元性誘電体セラミック材料について説明すると、上記卑金属電極の材料としては、特開昭５９ー１１４７０３号公報等に開示された材料を用いることができ、また、上記耐還元性誘電体セラミック材料としては、特公昭６０ー２０８５０号公報等に開示された材料を用いることができる。本発明は、材料自体の発明では無いので、材料のこれ以上の説明は省略する。次に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の具体例について説明する。
実施例
　上記耐還元性誘電体セラミック材料を用いて、通常の方法でセラミックグリーンシートを作成し、その表面上に、上記卑金属材料を用いて、通常の方法により、所定のパターンで内部電極を付与し、これを所定枚数積層して、熱圧着した後に、複数の積層チップに分割し、さらに、前記積層チップの両端面に、それぞれ卑金属の外部電極材料を通常の方法により付与し、続いて、空気雰囲気中での９００℃の熱処理でバインダを飛ばし、その後、９８．５容量％のＮ２と１．５容量％のＨ２の雰囲気中で、１２００℃で２時間焼成を行い、試料コンデンサを作成した。
　ついで、上記試料コンデンサを、第１表に示す酸素濃度の弱酸化性雰囲気中において、第１表に示す処理温度、処理時間で、熱処理を行った。上記雰囲気は、露点１０〜３０℃のＨ２ＯをＮ２とした。このように熱処理を行って得た試料コンデンサについて、測定周波数１ｋＨｚ、測定電圧１Ｖでの静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）、および上記試料コンデンサ１０ロットについて、直流電圧を順次昇圧しながら印加し、試料の電極間の漏れ電流が１ｍＡに達したときの印加電圧の値、即ち昇圧破壊性能（Ｂ．Ｖ．Ｄ．）の最低平均値（Ｖ）を測定した。その結果を第１表に示す。また、上記と同様の試料コンデンサを、大気中で、２次焼成温度６００℃、焼成時間０．５時間で焼成し、それを比較例として、上記と同様にして、静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）、昇圧破壊性能（Ｂ．Ｖ．Ｄ．）の最低平均値（Ｖ）を測定した。その結果を第１表に示した。
　この第１表から分かるように、本実施例のコンデンサは、比較例のコンデンサと比べて、静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）は同等であったが、昇圧破壊性能（Ｂ．Ｖ．Ｄ．）の最低平均値（Ｖ）は６０Ｖ以上高かった。
（４）明細書第１０頁の「第１表」を、明りょうでない記載の釈明を目的として削除する。
（５）明細書第１３頁の「第２表」を、明りょうでない記載の釈明を目的として「第１表」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
積層セラミックコンデンサの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミック材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理
した後に、大気中で更に熱処理を行う
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関するものである。
（従来の技術）
　一般に、積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミックグリーンシートに電極ペーストを印刷し、積層する積層工程と、所望の形状に切断する切断工程と、電極およびセラミックスを焼成させる焼成工程とからなる。
ところで、誘電体セラミック材料としては、従来、ＢａＴｉＯ３系誘電体材料が多く用いられてきたが、この誘電体材料は、１２００℃〜１３５０℃の高温で焼成する必要がある。従って、電極およびセラミックスを焼成して一体化するためには、内部電極を、上記の高温で溶融・酸化することのない貴金属、例えばパラジウムまたはその合金等で形成しなければならなかった。しかしながら、これらの貴金属は、極めて高価であり、従って、これを用いた積層セラミックコンデンサも高価なものとなってしまうという問題があった。この問題は、静電容量の大きなコンデンサにあっては、それに伴って内部電極量が大きくなるため、特に顕著である。
そこで、近年、この問題を解決するため、安価な卑金属、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ等を内部電極として用いる研究が盛んになされている。
しかしながら、卑金属は酸化し易いので、内部電極として卑金属を用いた場合には、焼成を、中性あるいは還元性雰囲気中で行わなければならない。ところが、上記従来用いられていたＢａＴｉＯ３系誘電体材料は、還元性の低酸素分圧下で焼成すると、容易に還元されてしまい、絶縁抵抗が低下し、所望の誘電体特性が得られなくなるという問題を有していた。
そこで、卑金属を内部電極として用いるために、種々の耐還元性誘電体セラミック材料が開発された。
これらの材料を用い、還元性の低酸素分圧下で焼成してコンデンサを製造する場合には、誘電体にどうしても酸素欠陥が生じるので、この酸素欠陥を補うため、２次焼成を行わなければならない。この２次焼成は、従来、大気中で行われていた。
（発明が解決しようとする課題）
　しかしながら、このように、誘電体の酸素欠陥の補填のための２次焼成を大気中で行うと、焼成温度が高いときには、酸素欠陥の補填は有効に行われが、内部電極が酸化してしまうという問題があり、一方に、焼成温度が低い場合には、酸素欠陥が十分に補填できないという問題がある。
　そこで、本発明は、卑金属で形成した内部電極を酸化させることなく、中性または還元性雰囲気中の焼成による酸素欠陥を十分に補填することのできる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
　本発明による積層セラミックコンデンサの製造方法は、卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミック材料を層状に構成し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理
した後に、大気中で更に熱処理を行う
（作用）
　本発明においては、誘電体の酸素欠陥補填のための熱処理を弱酸化性雰囲気中で行うようにしたので、処理温度を高くすることができ、その結果、内部電極の酸化を防止しつつ、上記酸素欠陥の補填を十分かつ効率良くよく行うことができ、従って、得られたコンデンサの信頼性が高いものとなる。
（実施例）
　以下、本発明の好ましい実施例による積層セラミックコンデンサの製造方法について詳細に説明する。
　積層セラミックコンデンサの製造方法の具体例を説明する前に、先ず、本発明方法に用いることのできるコンデンサの内部並びに外部の卑金属電極の材料、および耐還元性誘電体セラミック材料について説明すると、上記卑金属電極の材料としては、特開昭５９−１１４７０３号公報等に開示された材料等を用いることができ、また、上記耐還元性誘電体セラミック材料としては、特公昭６０−２０８５０号公報等に開示された材料を用いることができる。本発明は、材料自体の発明では無いので、材料のこれ以上の説明は省略する。
　次に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の具体例について説明する。
実施例
　上記耐還元性誘電体セラミック材料を用いて、通常の方法でセラミックグリーンシートを作成し、その表面上に、上記卑金属材料を用いて、通常の方法により、所定のパターンで内部電極材料を付与し、これを所定枚数積層して、熱圧着した後に、複数の積層チップに分割し、さらに、前記積層チップの両端面に、それぞれ卑金属の外部電極材料を通常の方法により付与し、続いて、空気雰囲気中での９００℃の熱処理でバインダを飛ばし、その後、９８．５容量％のＮ２と１．５容量％のＨ２の雰囲気中で、１２００℃で２時間焼成を行い、試料コンデンサを作成した。
　ついで、上記試料コンデンサを、第１表に示す酸素濃度の弱酸化性雰囲気中において、第１表に示す処理温度、処理時間で、熱処理を行った。上記雰囲気は、露点１０〜３０℃のＨ２Ｏを含んだＮ２とした。このように熱処理を行って得た試料コンデンサについて、測定周波数１ｋＨｚ、測定電圧１Ｖでの静電容量Ｃａｐ（ｎＦ），誘電損失ｔａｎＤ（％），および上記試料コンデンサ１０ロットについて、直流電圧を順次昇圧しながら印加し、試料の電極間の漏れ電流が１ｍＡに達したときの印加電圧の値、即ち昇圧破壊性能（Ｂ．Ｄ．Ｖ）の最低平均値（Ｖ）を測定した。その結果を、第１表に示す。また、上記と同様の試料コンデンサを、大気中で、２次焼成温度６００℃、焼成時間０．５時間で焼成し、それを比較例として、上記と同様にして、静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）、昇圧破壊性能（Ｂ．Ｄ．Ｖ）の最低平均値（Ｖ）を測定した。その結果を第１表に示した。
　この第１表から分かるように、本実施例のコンデンサは、比較例のコンデンサと比べて、静電容量ＣａＰ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）は同等であったが、昇圧破壊性能（Ｂ．Ｄ．Ｖ）の最低平均値（Ｖ）は
６０Ｖ
（発明の効果）
　以上説明したように、本発明によれば、電極を酸化させることなく、還元性の低酸素分圧下で焼成して作製したコンデンサの誘電体の酸素欠陥を有効に補い、昇圧破壊性能（Ｂ．Ｄ．Ｖ）の高いコンデンサを得ることができる。