【事件の表示】
　特許第２８８３５２４号「半導体リードフレーム用銅合金」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８３５２４号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第２８８３５２４号の請求項１、２に係る発明は、平成５年９月２９日に特許出願され、平成１１年２月５日にその特許の設定登録がなされ、その後、西田良幸より特許異議の申立てがなされ、平成１２年４月１８日付けで取消理由通知がなされ、さらに平成１２年１１月２７日付け取消理由通知が平成１２年１２月６日に手交され、同日付けで訂正請求がされたものである。
　
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正事項及び訂正明細書の請求項１に係る発明
　本件訂正請求は、特許明細書の請求項１に、
「【請求項１】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。」とあるのを、
「【請求項１】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。」と訂正するとともに（以下、「訂正事項ａ」という。）、
発明の詳細な説明（特許公報第３欄第４６行）に「銅合金において」とあるのを、「銅合金（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）において」と訂正し（以下、「訂正事項ｂ」という。）、
さらに、発明の詳細な説明（特許公報第３欄第４９行〜第４欄第１行）に「このような銅合金では、添加成分として、以下のような組成を有するものを使用することができる。先ず、この第１の銅合金は」とあるのを、
「本発明に係る他の半導体リードフレーム用の合金は、Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制し、添加成分として、以下のような組成を有するものを使用する。先ず、第１の銅合金は」に訂正する（以下、「訂正事項ｃ」という。）ものである。
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。」
　
イ．訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、先行技術との関連において、特許請求の範囲から単に「電気銅地金のみを原料とした場合を除」いたに過ぎず、特許請求の範囲の減縮に相当し、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　次に、訂正事項ｂは、発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させたに過ぎず、明りょうでない記載の釈明に相当し、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　さらに、訂正事項ｃは、前記訂正事項ａにより、請求項１に係る発明から「電気銅地金のみを原料とした場合を除」いたのに対し、他の請求項に係る発明では、そのような限定を付さないことに伴い、銅合金組成につき場合分けが必要となったことによるものであって、明りょうでない記載の釈明に相当し、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
ウ．独立特許要件の判断
（刊行物記載の発明について）
　刊行物１（軽金属、Ｖｏｌ．３７，Ｎｏ．４（１９８７）、ｐｐ．３１３〜３２６）には、「電子材料としての銅および銅合金」と題する論文であって、
「２．３．１　半導体パッケージ用銅・銅合金
　半導体素子，集積回路（ＩＣ）は，そのパッケージ技術の進歩に伴い使用される銅系のリード材料もＣ１０２０（無酸素銅），Ｃ１１００（タフピッチ銅），Ｃ１２０１（りん脱酸銅）などの純銅系からＣｕ−Ａｇ系，Ｃｕ−Ｓｎ系，Ｃｕ−Ｆｅ系の希薄合金，Ｃ１９４００，Ｃ１９５００などのＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系化合物析出分散型合金，さらにＣ５１９１，Ｃ５２１２などのりん青銅系まで広範囲に及んでいる。」（第３１５頁左欄第１６〜２３行（以下、「摘示１」という。））と記載され、
表２の「半導体パッケージに使用される銅・銅合金」には、「高導電型」として「Ｃ１０２０（無酸素銅）」が記載され、その「代表的化学成分」は、Ｃｕ：９９．９６Ｗｔ％，Ｏ２：１０ｐｐｍである旨が記載され、さらに、「高強度高導電型」として「Ｃ１９４００（鉄入銅）」が記載され、その「代表的化学成分」が、Ｆｅ：２．３ｗｔ％，Ｚｎ：０．１２ｗｔ％，Ｐ：０．０３ｗｔ％，Ｃｕ：残である旨が記載され（以下、「摘示２」という。）、
表３の「半導体デバイスの代表的リード材例」には、「トランジスタ」の「ＴＯ９２」や「ＴＯ２２０」として「Ｃ１０２０」が使用されていること、また「トランジスタ」の「ＴＯ２２０」、「ＩＣ（ＤＩＰ）」、「ＩＣ（ＳＯＩＣ）」及び「ＩＣ（ＦＬＡＴＰＡＣＫ）」として「Ｃ１９４００」が使用されていることが記載され（以下、「摘示３」という。）、
表６の「主要既存リードフレーム用銅合金の分類」には、「Ｃｕ−Ｆｅ」系として「Ｃ１９４００」が使用されていることが記載され（以下、「摘示４」という。）、
「３．１　半導体パッケージ用銅・銅合金の技術課題
　現在，使用されているリードフレーム用銅合金は大別してＣｕ−Ｆｅ系，Ｃｕ−Ｓｎ系，Ｃｕ−Ｎｉ系の３系にまとめることができる。・・・（１）Ｃｕ−Ｆｅ系　ＦｅｘＰ化合物（Ｆｅ３Ｐが主）の析出分散強化と耐熱性向上を利用しているが，成形性，めつき性，はんだ付け性，ボンディング性などに欠点がある。」（第３２０頁左欄下から５行〜同頁右欄第５行（以下、「摘示５」という。））と記載され、
図６の説明中に、「既存リードフレーム合金」の一例として「Ｃ１９４００」が記載され（以下、「摘示６」という。）、
表１０の「リードフレーム材料の二次特性と評価方法」には、「Ｅ．めつき性　１．インナーリードめつき」に対し、その「評価方法」の欄に「Ａｇめつき→加熱フクレ試験（ＳＥＭＩ　Ｇ２１−８４など）」と記載されている（以下、「摘示７」という。）。
　したがって、摘示１〜７からみて、刊行物１には、Ｃ１９４００（鉄入銅）等のＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系化合物析出分散型合金からなる半導体素子、集積回路用のリードフレームにおいて、そのインナーリードにＡｇめっきを施す場合にあっては、耐加熱フクレ性が要求されることが記載されているものと認められる。
　また、刊行物２（特開平５−５９４６８号公報）には、
「Ｎｉ：０．５％〜４．０％（重量％、以下同じ）、Ｓｉ：０．１〜１．０％、Ｍｇ：０．０１〜０．１％、Ｓ：０．００１５％以下、Ｏ：０．００１５％以下、残部Ｃｕからなることを特徴とする導電性ばね用銅合金。」（特許請求の範囲請求項１（以下、「摘示８」という。））、
「本発明は端子、コネクター、リレー、スイッチ等に用いられる導電性ばね用合金に関するものである。」（第１欄第２８〜３０行（以下、「摘示９」という。））、
「Ｍｇ含有量を０．０１〜０．１％とする理由は、Ｍｇは応力緩和特性を向上させるが、めっきの耐熱剥離性を劣化させる成分であり、０．０１％未満ではＳ，Ｏを規定しても応力緩和特性を改善する事ができず、０．１％を超えるとめっきの耐熱剥離性が低下するためである。」（第２欄第３６〜４１行（以下、「摘示１０」という。））、
「Ｓ含有量を０．００１５％以下とする理由は、Ｍｇ含有量を低くし、めっきの耐熱剥離性を改善しながら、さらに応力緩和特性も良好にするには、Ｓ含有量が非常に重要な影響を及ぼすことがわかったためであり、Ｓが０．００１５％を超えて存在すると、Ｍｇが多量に硫化物となって材料中に分散され、応力緩和特性が改善されないばかりでなく、Ｍｇ含有量が低くてもめっきの耐熱剥離性が劣化するとともに、めっき品を加熱するとしみ、ふくれといった不良が発生するようになるためである。Ｏ含有量を０．００１５％以下とする理由も、Ｓとまったく同様であり、Ｍｇが酸化物となり、応力緩和特性が改善されないばかりでなく、めっきの耐熱剥離性が劣化するとともに、めっき品を加熱するとしみ、ふくれといった不良が発生するためである。」（第２欄第４２行〜第３欄第５行（以下、「摘示１１」という。））、
「さらには少量のＭｇでもめっきの耐熱剥離性並びにめっきのしみ、ふくれを防止するにはＳ、Ｏの含有量の規定がキーポイントである事が判明した。」（第３欄第１０〜１２行（以下、「摘示１２」という。））が記載されている。
さらに、刊行物３（ＪＩＳ　Ｈ　２１２１、（１９６１）「電気銅地金」）には、
「電気銅地金」の化学成分として、Ｃｕ９９．９６％以上，Ａｓ０．００３％以下，Ｓｂ０．００５％以下，Ｂｉ０．００１％以下，Ｐｂ０．００５％以下，Ｓ０．０１０％以下，Ｆｅ０．０１％以下であり、「ＡｇはＣｕとして取扱う。」旨が記載されている（以下、「摘示１３」という。）。
　
（対比・判断）
　訂正明細書の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比する。
　両者は、「Ａｇめっきを施される半導体リードフレーム用銅合金」である点で一致するが、訂正明細書の請求項１に係る発明では、該銅合金から「電気銅地金のみを原料とした場合を除」いた銅合金であって、かつ「不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制した」合金であるのに対し、刊行物１に記載された発明では、特に原料について限定されていないとともに、不純物量についても明示されていない点で、両者は相違している。
　この相違点について検討する。
　刊行物１には、原料や製法を限定することについては一切言及されておらず、また、Ｍｇ及びＣａの含有量を規制すべきことについても記載も示唆もされていないことからみて、刊行物１に記載された発明においては、Ａｇめっきの突起状析出を防止する観点で、Ｍｇ及びＣａの含有量を規制しようとする意図は皆無であったものと認められる。
　次に、刊行物１に記載された発明において、Ｍｇ及びＣａの含有量を規制できたか否かについて検討する。
　ここで、刊行物２には、端子、コネクター、リレー、スイッチ等に用いられる導電性ばね用銅合金において、めっきに際してのしみ、ふくれを改善するために、Ｍｇ含有量を低くすることが示唆されているものの、刊行物２に記載された発明は、用途が異なることから、刊行物１に記載された発明と組み合わせるべき合理的事由に欠ける。
　しかも、刊行物２に記載されたものでは、そのめっき種が不明であるである上、そのＭｇの規制レベルも訂正明細書の請求項１に係る発明のそれよりも桁違いに高いものであるから、刊行物２に開示された知見に基づいたとしても、刊行物１に記載された発明において、Ａｇめっきの突起状析出を防止する目的でＭｇの含有量を１０重量％以下に規制することは、当業者といえども相当な困難性があったものと認められる。
　なお、刊行物２は、Ｃａ規制について、何らの知見も与えるものではない。
　また、刊行物３には、無酸素銅地金の合金組成が記載されており、摘示１３のとおり、該合金組成には、ＭｇやＣａについては何ら記載されていないことからみて、列挙された成分中で含有量が最少のＢｉ含有量（０．００１以下）よりＭｇ，Ｃａの含有量は少ないものと認められるから、該刊行物３に記載された電気銅地金を原料として、刊行物１に記載された発明の銅合金系（特に、無酸素銅系）リードフレームを製造すれば、結果として、訂正明細書の請求項１に係る発明のＭｇ及びＣａの規制を満たすものとなることも有り得ないことではないが、訂正明細書の請求項１に「（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）」と明記されているとおり、刊行物３に記載される電気銅地金のみから銅系リードフレームを製造する態様は、訂正明細書の請求項１に係る発明から明確に除外されている。
　よって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたとはいえない。
　
（明細書記載不備について）
　ここで、特許明細書には、「これらの不純物元素は銅合金の原料となる各種スクラップ、特に電線屑等から混入する。従って、これらの元素を低減する方法としては、原料を選別してもよいし、原料段階での混入防止が困難である場合は溶解時に酸素を含むガスを溶湯中にバブリングする等の方法でこれらの不純物元素を酸化し、のろとして除去してもよく、処理コスト等を勘案して適宜選択すればよい。」（段落００１４）と記載されていることからみて、訂正明細書の請求項１に係る発明におけるＭｇ、Ｃａの混入源は、原料銅材である考えられていたものと認められ、また、そのＭｇ、Ｃａの規制手法としては、（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）原料選別と酸化精錬のみが想定されていたものと認められる。
　してみると、訂正明細書の請求項１に係る発明における「規制」には、原料選別が含まれることは明らかであるとともに、本件訂正明細書の発明の詳細な説明によれば、原料選別乃至酸化精錬という想定される何れの規制方法によっても、Ｍｇ、Ｃａを規定のレベルまで低減することができ、「Ａｇめっきの突起状析出を防止する」（段落０００６等）という課題を解決できることは明らかであるから、訂正明細書の請求項１において、（「電気銅地金のみを原料とする場合を除く」ことのほか）使用する銅原料について特段の限定を付さなくとも、訂正明細書の請求項１に係る発明の構成に欠くことができない事項が不明りょうになるとまではいえない。
　なお、酸化精錬による場合、銅合金中の酸素濃度が相当程度上昇することが懸念されるが、摘示１１のとおり、酸素はＭｇ等の酸化力の強い成分と結び付き酸化物を形成するものであるが、Ｍｇ等の含有量が厳しく規制されている訂正明細書の請求項１に係る発明にあっては、特段酸化物に起因する問題（応力緩和特性、めっきの耐熱剥離性）は考慮する必要がないものと認められ、一方、「リードフレーム」はその組立工程の一つであるワイヤボンディング工程に際して、還元性雰囲気で局所的に高温加熱されるものであるので、該還元性雰囲気とＣｕ２Ｏが反応してＨ２Ｏとなり粒界を脆化する所謂「水素病」が懸念されるが、訂正明細書の請求項１に係る発明においては、該還元性雰囲気で高温に晒される箇所には予めＡｇメッキが施されており、還元性雰囲気とリードフレーム中の酸素が直接接触することはないので、「水素病」についても特に考慮する必要はないものと認められるから、不純物である銅中酸素の増大は、「半導体リードフレーム」への適用を妨げる要因とはならないものと認められる。
　したがって、訂正明細書の発明の詳細な説明は、当業者であれば、訂正明細書の請求項１に係る発明を容易に実施する程度に記載されているものと認められる。
　
　なお、平成１２年４月１８日付けの取消理由通知の記１及び平成１２年１１月２７日付けの取消理由通知で指摘した、特許請求の範囲請求項１の記載不備については、本訂正請求により解消した。
　また、平成１２年４月１８日付けの取消理由通知の記２のＡｇ突起の生成機構とＭｇ，Ｃａ含有との因果関係については、平成１２年７月１０日付け特許異議意見書において、図１の補足説明がなされており、かかる内容を踏まえれば、当業者であれば、発明の詳細な説明の記載に基づいて、かかるＡｇ突起生成機構並びにＭｇ、Ｃａ含有との因果関係は理解できるものと認められ、しかも、この点は、同時に提出された文献１，２からも確認することができる。
　よって、訂正明細書及び図面の記載は、不備であるとはいえず、特許法第３６条第４項、第５項及び第６項の規定に違反したものとはいえない。
　
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議申立てについて
ア．申立ての理由の概要
　特許異議申立人西田良幸は、証拠として、甲第１〜３号証（それぞれ、前記（２）ウ．の刊行物３〜１に同じ。）を提出し、本件請求項１、２に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、本件請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべき旨を主張しているとともに、本件請求項１，２に係る発明の特許は、同法第３６条第４項及び第５項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべき旨を主張している。
イ．本件発明
　本件請求項１、２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。
【請求項２】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金において、Ｆｅ：１．０乃至３．０重量％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５重量％及びＺｎ：０．０５乃至０．２０重量％を含有し、残部が銅及び不可避的不純物であり、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。」
ウ．判断
　本件請求項１に係る発明については、上記（２）ウ．と同様な理由により、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明することができたものとはいえず、また、本件請求項２に記載された発明は、本件請求項１に係る発明の銅合金組成を限定したものに過ぎないから、（甲第２号証に本件請求項２に係る発明の組成と重複する「Ｃ１９４００」が記載されているとしても）同様な理由により、当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　一方、上記（２）ウ．の（記載不備について）の項で検討したとおり、本件請求項１には、その発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されていると認められ、かつ発明の詳細な説明は、当業者が本件請求項１に係る発明を容易に実施できる程度に記載されているものと認められるから、特許異議申立人の主張する記載不備があるとはいえない。
　また、本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明において、その銅合金の組成を限定したに過ぎないから、本件請求項２に係る発明についても、同様な理由により、特許異議申立人の主張する記載不備があるとはいえない。　
　なお、本件請求項２に係る発明は、脱酸成分であるＰが所定量含有されている（段落００１７参照のこと。）ことから、酸化精錬時に際して上昇する酸素濃度を再び低減することが可能であるので、上記（２）のウ．の（記載不備について）の項で指摘した銅中酸素含有量の上昇に伴う問題についてはそもそも考慮する必要がないから、本件請求項２において、原料及び製法についての限定が付されていなくとも、当業者であれば、発明の詳細な説明に基づいて本件請求項２に係る発明を容易に実施することができたものと認められる。
　
エ．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１、２に係る発明の特許は、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月３１日（２００１．１．３１）
【訂正の要旨】
（ａ）特許第２９０９２９９号の特許明細書中の【特許請求の範囲】の【請求項１】に、
「【請求項１】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、下記のとおり訂正する。
「【請求項１】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。」
（ｂ）特許第２９０９２９９号の特許明細書中の発明の詳細な説明（特許公報第３欄第４６行）に「銅合金において」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、下記のとおり訂正する。
「銅合金（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）において」
（ｃ）特許第２９０９２９９号の特許明細書中の発明の詳細な説明（特許公報第３欄第４９行〜第４欄第１行）に「このような銅合金では、添加成分として、以下のような組成を有するものを使用することができる。先ず、この第１の銅合金は」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、下記のとおり訂正する。
「本発明に係る他の半導体リードフレーム用の合金は、Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制し、添加成分として、以下のような組成を有するものを使用する。先ず、第１の銅合金は」
（５４）【発明の名称】
半導体リードフレーム用銅合金
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金
（電気銅地金のみを原料とした場合を除く）
　　【請求項２】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金において、Ｆｅ：１．０乃至３．０重量％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５重量％及びＺｎ：０．０５乃至０．２０重量％を含有し、残部が銅及び不可避的不純物であり、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。
　　【請求項３】　Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金において、Ｆｅ：１．０乃至３．０重量％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５重量％、Ｚｎ：０．０５乃至０．２０重量％及びＡｌ：０．００１０乃至０．０２０重量％を含有し、残部が銅及び不可避的不純物であり、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明はＡｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金に関し、更に詳述すれば，Ａｇめっきの突起状析出が発生しにくい半導体リードフレーム用銅合金に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　ＩＣ及びトランジスタ等の半導体には、熱放散性が優れていると共に、製造コストも低い銅系材料が多く用いられている。銅合金製半導体用リードフレームは、銅合金素材をスタンピング又はエッチングによりリードフレームに加工した後、めっきが施される。半導体の組立て工程において、リードフレームは、素子をリードフレームに接合するダイボンディング工程及び素子とリードフレームをＡｕ線で接続するワイヤボンディング工程を経た後、樹脂封止され半導体となる。このリードフレームヘのめっきは、通常、素子が搭載されるパッド部及びＡｕ線で接続されるインナーリード先端部になされ、Ａｇめっきが施される。Ａｇめっきは耐酸化性が優れているので、ダイボンディング及びワイヤボンディングにおける加熱を受けた後にも、素子及びＡｕ線とリードフレームとの間に良好な接合を保持する。
　　　【０００３】
　しかし、Ａｇめっきはこのような優れた特性を持つ反面、めっきの中では均一な析出状態を得るのが比較的難しいという難点がある。特に、このＡｇめっきは素材表面の影響を受け、析出状態が不均一になる場合がある。特に、Ａｇ粒子が局所的に析出し、数〜数十μｍ径で高さが数μｍの突起が発生した場合は、素子及びＡｕ線とリードフレームとの接合の信頼性を低下させる要因となり得る。
　　　【０００４】
　このような、Ａｇ粒子の突起状析出を抑制する手段として、０．１〜０．３μｍ程度のＣｕ下地めっき層を、Ａｇめっき層と銅合金からなるリードフレーム本体との間に設けることが有効な場合がある。
　　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、Ｃｕ下地めっき層は、Ｃｕめっき条件及びリードフレームの使用条件によっては、耐酸化性、特に酸化皮膜の密着性等に問題があったり、リードフレームを構成する銅合金素材によっては、このようなＣｕ下地層を設けることが有効でなかったりする場合がある。また、このＣｕ下地めっき層を設けることは製造コストを上昇させる要因になっており、Ｃｕ下地めっき層以外の手段により、低コストでＡｇめっき層におけるＡｇ粒子の突起状析出を防止する技術の開発が要望されている。
　　　【０００６】
　本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、銅合金素材自体の改善によりＡｇめっきの突起状析出を防止することができ、Ａｇめっきの突起状析出が発生しにくい半導体リードフレーム用銅合金を提供することを目的とする。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明に係る半導体リードフレーム用銅合金は、Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金
（電機銅地金のみを原料とした場合を除く）
　　　【０００８】
　
本発明に係る他の半導体リードフレーム用銅合金は、Ａｇめっきが施される半導体リードフレーム用銅合金において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制し、
る。
、第
　　　【０００９】
　　【作用】
　次に、本発明に係る半導体リードフレーム用銅合金の不純物の規制理由並びに成分添加理由及び組成限定理由について説明する。
　　　【００１０】
　先ず、本発明の目的を達成する上で最も重要な要件である不純物元素について説明する。本発明者等はＡｇめっきの突起状析出の原因について詳細に調査した結果、その原因は銅合金中に不純物として存在するＭｇ及びＣａによるものであることを見い出した。
　　　【００１１】
　図１はＣｕ−２．３Ｆｅ−０．０３Ｐ−０．１Ｚｎ合金にＡｇめっきを行ったときに生じた突起を研磨により除去し、Ａｇ突起下部に存在する銅合金中の介在物をエネルギ分散型Ｘ線検出器付き走査電子顕微鏡（ＥＤＸ−ＳＥＭ）で分析した結果を示す。この図１から明らかなように、Ａｇ突起の原因として、ＣａとＰからなる介在物が検出されている。
　　　【００１２】
　このようなＣａ及び／又はＭｇを含有する介在物によりＡｇ突起が発生する原因としては以下のように考えられる。即ち、Ｍｇ及びＣａは標準電極電位の値が夫々Ｍｇ：−２．３７Ｖ、Ｃａ：−２．８４ＶとＡｇの値：０．８０Ｖより低い（卑である）ため、Ａｇめっきの際にこれらの元素がＡｇイオンと置換することにより、介在物の部分に置換したＡｇの析出が生じ、これが原因となって電流集中により突起状の析出を形成する。
　　　【００１３】
　更に、本願発明者らは、これらの元素の含有量とＡｇめっきの突起状析出との関係を詳細に調査した結果、Ａｇめっきの突起状析出が生じないためのこれらの元素の許容量として、Ｍｇ及びＣａの上限値がいずれも１０重量ｐｐｍであることを見い出した。即ち、不純物元素であるＭｇ及びＣａは、いずれも１０重量ｐｐｍを超えると、Ａｇめっきの突起状析出の発生が顕著になるのである。従って、不純物元素Ｍｇ及びＣａの含有量はＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下とする。
　　　【００１４】
　これらの不純物元素は銅合金の原料となる各種スクラップ、特に電線屑等から混入する。従って、これらの元素を低減する方法としては、原料を選別してもよいし、原料段階での混入防止が困難である場合は溶解時に酸素を含むガスを溶湯中にバブリングする等の方法でこれらの不純物元素を酸化し、のろとして除去してもよく、処理コスト等を勘案して適宜選択すればよい。
　　　【００１５】
　次に、リードフレーム本体となる銅合金素材の添加成分について説明する。
　　　【００１６】
　
Ｆｅ（鉄）：
　Ｆｅは銅合金素材の強度を向上させる元素である。Ｆｅの含有量が１．０重量％未満の場合には、この強度向上効果が得られない。このため、Ｆｅ含有量は１．０重量％以上、好ましくは１．６重量％以上とする。一方、Ｆｅを３．０重量％を超えて含有すると、導電率が低下すると共に、Ｆｅの晶出物が巨大化し、これによりＡｇめっき層の密着性が劣化すると共に、金型の磨耗が発生しやすくなる。このため、Ｆｅの含有量は３．０重量％以下、好ましくは２．４重量％以下とする。従って、Ｆｅ含有量は１．０乃至３．０重量％、好ましくは１．６乃至２．４重量％である。
　　　【００１７】
　
Ｐ（リン）：
　Ｐは銅合金の溶湯中に脱酸剤として添加される。Ｐ含有量が０．０１５重量％未満の場合にはその添加効果が少ない。また、Ｐを０．１５重量％を超えて添加すると、熱間加工性が低下すると共に、導電率が低下する。このため、Ｐ含有量は０．０１５乃至０．１５重量％とする。
　　　【００１８】
　
Ｚｎ（亜鉛）：
　Ｚｎははんだの耐剥離性を向上させる。Ｚｎの含有量が０．０５重量％未満では、その添加効果が得られない。また、Ｚｎの含有量が０．２０重量％を超えると、はんだ濡れ性の低下及び導電率の低下が生じる。このため、Ｚｎの含有量は０．０５乃至０．２０重量％とする。
　　　【００１９】
　
Ａｌ（アルミニウム）：
　Ａｌは鋳塊の割れ感受性及び熱間加工時の割れ感受性を改善し、割れにくくする元素である。このため、必要に応じて添加する。Ａｌ含有量が０．００１０重量％未満の場合には、その添加効果は不十分であり、０．０２００重量％を超えてＡｌを添加しても、その効果は飽和し、逆にめっきの密着性及びはんだ濡れ性を阻害する。このため、Ａｌの含有量は０．００１０乃至０．０２００重量％とする。
　　　【００２０】
　なお、本発明のリードフレーム用銅合金は、上述のＣｕ−Ｆｅ−Ｐ−Ｚｎ系銅合金に限らず、種々の銅合金をベースとすることができる。不純物元素であるＭｇ及びＣａの含有量を１０重量ｐｐｍ以下と規制する限り、本発明の目的を達成することができる。
　　　【００２１】
　　【実施例】
　以下、本発明の実施例について、その比較例と比較して説明する。下記表１に示す組成の銅合金を、電気炉を使用して木炭の被覆下で大気中で溶解した。
　　　【００２２】　　　　　　　　　　
　【表１】
　　　【００２３】
　その後、この溶解した銅合金を鋳鉄製のブックモールドに鋳造し、厚さが５０ｍｍ、幅が７０ｍｍ、長さが１８０ｍｍの鋳塊を製作した。これらの鋳塊を表裏面で夫々２．５ｍｍだけ研削した後、９００℃の温度で厚さが１５ｍｍになるまで熱間圧延し、その後７００℃の温度から水中に急冷した。この熱間圧延材の表面のスケールをグラインダにより除去した後、厚さが０．５ｍｍになるまで冷間圧延した。この冷間圧延材を６００℃の温度で１時間加熱した後、冷却途中で４７５℃に到達した時点で更に３時間、４７５℃の温度で加熱した。次いで、酸洗いした後、冷間圧延により厚さが０．２５ｍｍの板を得た。
　　　【００２４】
　これらの板から厚さが０．２５ｍｍ、幅が２５ｍｍ、長さが６０ｍｍの試験片を切り出し、下記条件でＣｕ下地めっき及びＡｇめっきを行った後、４０倍の実体顕微鏡で表面を観察し、Ａｇめっきの突起状析出の発生量を測定した。その結果を下記表２に示す。但し、比較例７は比較例６と同一材料を使用し、これにＣｕ下地めっきを施さずにＡｇめっきのみを施したものである。
　　　【００２５】
　（１）Ｃｕ下地めっき
　　　　浴組成　　：ＣｕＣＮ　４２ｇ／リットル
　　　　　　　　　　ＫＣＮ　　９１ｇ／リットル
　　　　温度　　　：６０℃
　　　　電流密度　：５Ａ／ｄｍ２
　　　　めっき厚さ：０．１μｍ
　（２）Ａｇめっき
　　　　めっき液　：Ｓ−９３０（エヌ・イー・ケムキャット製）
　　　　温度　　　：６０℃
　　　　電流密度　：５０Ａ／ｄｍ２
　　　【００２６】
　【表２】
　　　【００２７】
　本発明の実施例である試験片１〜４はＣａ及びＭｇ含有量が１０重量ｐｐｍ以下であるから、突起状析出の量は０．０８個／ｃｍ２以下と極めて少ない。これに対し、比較例の試験片５、６はＣａ又はＭｇの含有量が多いので、１０重量ｐｐｍを超えているので、突起状析出の量は実施例の場合より１桁又は２桁多い。また、比較例７はＣｕ下地めっき層がないため、突起状析出の量が更に多い。
　　　【００２８】
　　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る半導体リードフレーム用銅合金は、不純物元素のＣａ及びＭｇの含有量を１０重量ｐｐｍ以下に規制したので、その上に形成されるＡｇめっき層におけるＡｇ粒子の突起状析出を防止することができ、低コストで、高品質の半導体用リードフレームを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　Ａｇ突起下部に存在する銅合金中の介在物をＥＤＸ−ＳＥＭで分析した結果を示す図である。