【事件の表示】
　特許第２９１６９９５号「光デバイス用磁性ガーネット体」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１６９９５号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９１６９９５号の請求項１〜５に係る発明についての出願は、平成７年７月１９日に特許出願され、平成１１年４月２３日にその特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、富士電気化学株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１２年５月２９日付けで訂正請求書と特許異議意見書が提出され、その後訂正拒絶理由通知がなされ、平成１３年２月１３日付けで特許異議意見書が提出されたものである。
２．訂正の適否
２−１．独立特許要件
（１）訂正後の請求項１に係る発明
　本件訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「訂正発明１」という）は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】液相エピタキシャル法により非磁性ガーネット基板上に育成される組成式（ＲＢｉ）３（ＦｅＡＢ）５Ｏ１２［但し、ＲはＹを含む希土類元素であり、Ａ，ＢはそれぞれＧａ，Ａｌであって，且つそれらのうちの少なくとも一つが無添加である状態を含むものとする］で表わされる磁性ガーネット結晶膜を該非磁性ガーネット基板上から面内方向で所定の大きさに切断して切り離した切断片から成ると共に、該磁性ガーネット結晶膜の結晶成長方向に平行な面における成長誘導磁化異方性が熱処理により低減化され，且つ該結晶成長方向に平行な光入射面における該結晶成長方向に直交する方向を磁化容易軸に持つことを特徴とする光デバイス用磁性ガーネット体。」
（２）引用刊行物の記載内容
　先の訂正拒絶理由通知で引用された刊行物１〜７の記載内容は、それぞれ次のとおりである。
刊行物１：「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．」５６（５），ｐ４２６〜ｐ４２８（２９Ｊａｎｕａｒｙｌ９９０）（訳文）
（ａ）「エッチング調整されたリッジ導波路型磁気光学式アイソレータ」（第４２６頁表題）
（ｂ）「光通信システムにおいて、既存のバルクガーネット部品よりも導波路型磁気光学部品の方が有利であることは、数年にわたって認識されてきた。これら有利な点は、導波光学との協調性、低磁界、低コストなどである。主な欠点は固有の線形複屈折であり、イットリウム鉄ガーネット（ＹＩＧ）系のエピタキシャル膜においてファラデー回転を妨害するために、効率の高いアイソレーションを達成することを困難にしている。以前の論文において、多層ガーネットエピタキシャル膜の線形複屈折を無くすための「エッチング調整」法について述べ、所望のファラデー回転が達成された。本論文では、この方法を単一モード三層膜に適用し、これらの膜の表面にチャンネルをエッチングする新しい方法について述べ、ある波長範囲にわたるファイバ結合アイソレーション実験の結果を示す。」（第４２６頁左欄第１〜１７行）
（ｃ）「実験で用いた導波路は、ビスマスイットリウム鉄ガーネット（Ｂｉ−ＹＩＧ）系の三層膜であり、単一ＴＥモードと単一ＴＭモードをサポートするように設計されている。これらの膜は、（１１１）に配向したガドリニウムガリウムガーネット基板上に、通常の液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法によって育成された。最下層は高光学損失を有し、モードストリップ層として働くもので、コバルトがドープされ、イットリウムは希土類元素のプラセオジウム、サマリウム、及びエルビウムで置換される。それらは１．５μｍ近傍の選ばれた動作波長近傍で吸収のピークを持つ。この層の組成は、（Ｂｉ０．５Ｅｒ１．４Ｓｍ０．７Ｐｒ０．４）（Ｆｅ４．０Ｃｏ０．２Ａｌ０．８）Ｏ１２である。上方の二層は低損失層で、組成は、（Ｂｉ０．５Ｙ２．５）（Ｆｅ３．７Ｇａ１．３）Ｏ１２である。それらはカルシウムがドープされ、酸素空孔によって部分的に補償され、そのため成長誘導一軸異方性は適当な温度（１０５０℃）でアニールで除去（アニールドアウト）される。中間層と最上層は、最上層のエピタキシャル成長の間の水平基板の回転数が高いことを除けば、ほぼ同一である。このことは、膜中のビスマスの分配係数を増加させる。この結果、約１／２％反射率を増加させる。以下に述べる最適結果は、中間層が、８９０℃の飽和温度の融液から１５ｒｐｍの一方向回転で、８６０℃にて約３．４μｍ厚に成長させ、最上層は、８５６℃の同じ融液から各サイクル後に逆回転する６０ｒｐｍの回転で、約３．４μｍ厚に成長させることで得られた。上層を面内異方性にするために窒素中での高温度アニール（１０５０℃で１６時間）が行われ、次いで最上層での低光学吸収を確実にするための１５％水素、８５％窒素中での低温度アニール（４００℃で１時間）が行われた。膜特性及びアニール手順は、以前述べたのと同様である。」（第４２６頁左欄第２１行〜右欄第１１行）
（ｄ）「リッジは、膜の（１１１）面において磁化容易軸の一つである〈１１２〉方向に沿って整列している。リッジ導波路アイソレータを図１に示す。測定されたファラデー回転は、波長１．５μｍでアクティブ層で１３３°／ｃｍであった。それ故、チップは、４５°回転となるように、リッジに垂直に長さ３．４ｍｍに切断された。・・・赤外光が、偏波保存単一モードファイバを通してリッジ導波路の一端に結合された（ＴＥ０モード）。」（第４２７頁第６〜１７行）
（ｅ）「出力レンズと同心に取り付けられたソレノイドを用い、３０Ｏｅの（アクティブ層の磁化を飽和させるのに十分な）磁界を、光伝搬方向と平行又は反平行に印加した。検光子は、磁化の一方向に対する出力を最小にするために、入力偏光方向からほぼ４５°の角度で設置された。磁界を逆にすると、検光子を通る光は最大値に近づく。これら二つの強度の比が、リッジ導波路型アイソレータのアイソレーションとなる。」（第４２７頁左欄第２２〜３１行）
（ｆ）第４２７頁第１図にはファイバ結合リッジ導波路ファラデー回転アイソレータの略図が示されている。
刊行物２：科学技術庁編「総合レビュー　先端科学技術の現状と展望・第２巻　光と情報」大蔵省印刷局　第６７〜６９頁（昭和６２年１２月２４日）
（ｇ）「（４）磁気光学コンポーネント　ファラデー効果あるいは反射波の偏波回転を印加磁界によって制御するカー効果などの磁気光学効果は，アイソレータなどの非相反素子として利用できる外、印加磁界を高周波によって変化させれば、光変調器として構成できる。その例を図３．２２に示す。また、印加磁界を、測定したい磁界と考えれば、ファラデー素子は、磁界あるいは電流センサとしても利用できる。長さ２ｃｍのセンサでは，１０〜５００エルステッド（Ｏｅ）の磁界がＳＮ比４０ｄＢ以上で測定できる。」（第６８頁第４行〜第６９頁第５行）
刊行物３：「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」５７（４），ｐ１２７７〜ｐ１２８１（１５Ｆｅｂｒｕａｒｙｌ９８５）（訳文）
（ｈ）「液相エピタキシャル成長Ｂｉ置換鉄ガーネット膜における成長誘導光学的複屈折に関するアニール効果」（第１２７７頁表題）
（ｉ）「液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ）Ｂｉ置換鉄ガーネット膜における光学的複屈折をアニーリングとの関連で考察した。光学的複屈折は、ストレス誘導の成分と成長誘導の成分の組み合わせであることが見出された。成長誘導光学的複屈折△ｎｇはλ＝１．１５μｍで約５×１０−４であった。△ｎｇと成長誘導磁気異方性Ｋｇはアニール後に消滅した。アニールによる△ｎｇとＫｇの変化の時定数は殆ど同じであり、１１００−１１５０℃で数時間のオーダーであった。」（第１２７７第１〜６行）
（ｊ）「ＩＩ．実験　（ＢｉＧｄＬｕ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２膜を、標準的なＬＰＥ法によりＢｉ２Ｏ３−ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３フラックスから（１１１）配向のＧｄ３Ｇａ５Ｏ１２（ＧＧＧ）基板上に育成した。」（第１２７７頁左欄第２８〜３１行）
（ｋ）第１２７８頁の第２、３図には１１５０℃のアニール温度においてアニール時間に対する一軸磁気異方性は単調に減少することが示されている。
刊行物４：西原浩他著「光集積回路」株式会社オーム社、第３５０、３５１頁（平成６年１２月２５日）
（ｌ）第３５１頁図１０．３７に非相反モード変換器を用いたアイソレータの構成が示されており、（ａ）にその入力偏光子省略形の構造が示されている。ＹＩＧ導波路にレーザダイオードから入射し、磁化方向Ｍは光の伝搬方向であり、導波路の出射側の端部に金属クラッド偏光子が設けることが示されている。
刊行物５：特開昭５９−７７４０９号公報
（ｍ）「磁性ガーネット単結晶をファラデー回転素子とし、その前後に４５度光学軸が相対した偏光子および検光子を配置して構成した光アイソレータにおいて、上記磁性ガーネット単結晶は成長基板より無歪研削により離脱せしめてなる構造をもつ光アイソレータ。」（特許請求の範囲）
（ｎ）「〔発明の目的〕本発明の目的は、液相成長により制作されたファラデー回転材料用磁性ガーネット結晶中に生じ易い複屈折を除去しアイソレーション特性を改善した光アイソレータを提供することにある。〔発明の概要〕上記目的を達成するための本発明の構成は、磁性ガーネット単結晶を成長基板より無歪研削により離脱せしめることにある。ファラデー回転材料用結晶膜（磁性ガーネット）を基板ガーネット上に形成する場合に、結晶膜と基板結晶の格子定数の差から光学的複屈折を生じる。光学的複屈折は、結晶膜と基板結晶の格子間隔の異なりによる力学的歪みに起因している。このため基板を無歪研削で除去することにより複屈折の要因である力学的歪みが除去され光学的に良質な磁性ガーネット結晶を得ることができる。」（第２頁左上欄第５行〜右上欄第１行）
刊行物６：特開昭６１−１０５５２５号公報
（ｏ）「・・・ＧＧＧ基板の上にＹＩＧを形成した磁気光学素子を２枚作成し、これらを光学接着剤にて接合した後、研磨盤を用いてＧＧＧ基板を除去して実効的に膜厚の大きい磁気光学素子を作製した。さらにこれを３．５ｍｍ角に切断して小型の磁気光学素子を作製した。」（第３頁左下欄第６〜１１行）
刊行物７：特開平３−２４９６０６号公報
（ｐ）「第３図は本発明の工程を示し、・・・（１１１）面非磁性ガーネット基板５（格子定数ａ＝１２．４９５）に・・・ＬＰＥ法により・・・エピタキシャル成長させた。・・・（ｂ）のように４５°磁気光学素子として使用するため・・・次に（ｃ）のようにマルチブレードソーで切断し、さらに（ｄ）で示すように非磁性ガーネット基板を切断し」（第２頁左下欄第１９行〜右下欄第１０行）
（３）対比・判断
　刊行物１には、「液相エピタキシヤル法によりガドリニウムガリウムガーネット基板上に、最下層が組成式（Ｂｉ０．５Ｅｒ１．４Ｓｍ０．７Ｐｒ０．４）（Ｆｅ４．０Ｃｏ０．２Ａｌ０．８）Ｏ１２、上方の中間層、最上層の２層が組成式（Ｂｉ０．５Ｙ２．５）（Ｆｅ３．７Ｇａｌ．３）Ｏ１２で表される磁性ガーネット膜を育成し、該上方の２層にはカルシウムをドープし、該磁性ガーネット膜を１０５０℃でアニール処理した光デバイス用磁性ガーネット結晶膜。」という発明（以下、刊行物１発明という）が記載されていると云える。。
  そこで、訂正発明１と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ガドリニウムガリウムガーネット基板」、「組成式（Ｂｉ０．５Ｙ２．５）（Ｆｅ３．７Ｇａｌ．３）Ｏ１２で表される磁性ガーネット結晶膜」は、訂正発明１の「非磁性ガーネット基板」、「組成式（ＲＢｉ）３（ＦｅＡＢ）５Ｏ１２［但し、ＲはＹを含む希土類元素であり、Ａ，ＢはそれぞれＧａ，Ａｌであって，且つそれらのうちの少なくとも一つが無添加である状態を含むものとする］で表わされる磁性ガーネット結晶膜」にそれぞれ相当する。
　また、アニール処理の効果についても、刊行物１の上記（ｃ）の「成長誘導一軸異方性は適当な温度（１０５０℃）でアニールで除去（アニールドアウト）される。」という記載や刊行物３の上記（ｈ）〜（ｋ）の記載からみて、「ガドリニウムガリウムガーネット基板上に液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ）成長させたＢｉ置換鉄ガーネット膜」において「成長誘導の一軸磁気異方性は、１１００〜１１５０℃のアニール後に減少する。」ことは本件出願前に周知の事項であるから、刊行物１発明においても「１０５０℃でのアニール処理」が磁性ガーネット結晶膜の結晶成長方向に平行な面における「成長誘導磁化異方性の低減化」を意味することは明らかである。
　さらに、刊行物１発明の磁性ガーネット結晶膜も、刊行物１の上記（ｄ）及び図１から明らかな如く、「結晶成長方向に平行な光入射面における結晶成長方向に直交する方向を磁化容易軸」に持っていると云えるから、両者は、「液相エピタキシャル法により非磁性ガーネット基板の上方に育成される組成式（ＹＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２で表わされる磁性ガーネット結晶膜からなり、該膜の結晶成長方向に平行な面における成長誘導磁化異方性は熱処理により低減化され、且つ該結晶成長方向に平行な光入射面における該結晶成長方向に直交する方向を磁化容易軸に持つ光デバイス用磁性ガーネット結晶膜。」で一致し、次の（イ）乃至（ハ）の点で相違していると云える。
（イ）訂正発明１では、基板上に磁性ガーネット結晶膜を育成させるのに対し、刊行物１発明では基板の上方に（基板に直接ではなく最下層を介して）最上層と中間層の２層の磁性ガーネット結晶膜を育成させる点
（ロ）訂正発明１は、「光デバイス用磁性ガーネット体」に係り、その形状が基板上に育成された磁性ガーネット結晶膜を所定の大きさに切断しかつ基板から切り離した「切断片」であるのに対し、刊行物１発明は、切断片ではなく、基板に最下層を介して育成された状態のままの「光デバイス用磁性ガーネット膜」である点
（ハ）訂正発明１では、磁性ガーネット結晶膜へカルシウムがドープされていないのに対し、刊行物１発明では、カルシウムがドープされている点
　次に、これら相違点について検討する。
（ｉ）上記相違点（イ）について
  訂正発明１では、磁性ガーネット結晶膜の層構造については明示的限定はされておらず、「非磁性ガーネット基板上に育成される」とされているだけであるから、このような請求項１の記載の解釈の限りでは、訂正発明１の磁性ガーネット結晶膜は、その組成式の条件を満たすものであれば、その層構造の如何を問わず、刊行物１発明の如き２層構造の磁性ガーネット結晶膜を含むと解することもできるが、特許明細書や図１からみて、訂正発明１の層構造は、バルクすなわち「単層」と解する方が相当であると云える。
　そうすると、上記相違点（イ）は、磁性ガーネット結晶膜の層構造が「単層」か「最下層・中間層・最上層」の三層かの点につきると云えるところ、刊行物１発明の「最下層・中間層・最上層」の層構造は、刊行物１の上記（ｂ）の「光通信システムにおいて、既存のバルクガーネット部品よりも導波路型磁気光学部品の方が有利であることは、数年にわたって認識されてきた。」という記載が示すとおり、従来のバルクガーネット部品に比べ導波路型磁気光学部品の方が有利である点に着目し、「導波路型磁気光学部品」とするために、従来のバルクすなわち「単層」に替えて採用されたものであるから、上記相違点（イ）については、光デバイス用磁性ガーネット体に係る技術開発の流れからみて、従来の「バルクガーネット部品」の技術知識をもってすれば、従来の「単層」構造としただけのことであり、この程度のことは当業者であれば容易に想到することができたと云うべきである。
　
（ｉｉ）上記相違点（ロ）について
　この相違点は、磁性ガーネット結晶体を基板から切り離した「切断片」として光デバイス用に供するか否かの点にあると云えるところ、「切断片」として光デバイスに供することは、本件特許明細書の「従来の技術」や刊行物１の上記（ｄ）、さらには刊行物５、６の上記（ｍ）〜（ｏ）、刊行物７の上記（ｐ）に記載されているとおり、常套手段であるから、この相違点（ロ）も当業者が容易に想到することができたことと云える。
　
（ｉｉｉ）上記相違点（ハ）について
　この相違点は、カルシウムをドープするか否かの点にあると云えるところ、刊行物１発明におけるカルシウムによるドープの技術的な理由は、刊行物１の上記（ｃ）の「それらはカルシウムがドープされ、酸素空孔によって部分的に補償され、そのため成長誘導一軸異方性は適当な温度（１０５０℃）でアニールで除去（アニールドアウト）される。」という記載からみて、アニール処理による成長誘導一軸異方性の除去の容易化のためであり、、一方、訂正発明１も、カルシウムをドープしないものの、アニール処理による成長誘導磁化異方性の低減化という同様の処理を施すものであるならば、その効果を勘案して、ドープ剤としてカルシウムを取捨選択する程度のことは当業者が必要に応じて適宜なし得ることであり、そして本件特許明細書の記載をみても、訂正発明１の磁性ガーネット結晶膜からカルシウムを排除しなければならないとする特段の事情も認められない。
　以上のとおりであるから、上記相違点（イ）乃至（ハ）は、いずれも当業者が容易に想到することができたことであるから、訂正発明１は、上記刊行物１、３、５〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと云える。
　したがって、訂正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
２−２．まとめ
　よって、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
３．特許異議申立てについて
（１）本件発明１乃至５について
   特許権者の上記訂正は、認めることができないから、本件請求項１乃至５に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された次のとおりのものである（以下、それぞれ「本件発明１乃至５」という）。
「【請求項１】液相エピタキシャル法により非磁性ガーネット基板上に育成される組成式（ＲＢｉ）３（ＦｅＡＢ）５Ｏ１２［但し、ＲはＹを含む希土類元素であり、Ａ，ＢはそれぞれＧａ，Ａｌであって，且つそれらのうちの少なくとも一つが無添加である状態を含むものとする］で表わされる磁性ガーネット結晶膜切断片から成ると共に、該磁性ガーネット結晶膜の結晶成長方向に平行な面における成長誘導磁化異方性が熱処理により低減化され，且つ該結晶成長方向に平行な光入射面における該結晶成長方向に直交する方向を磁化容易軸に持つことを特徴とする光デバイス用磁性ガーネット体。
【請求項２】請求項１記載の光デバイス用磁性ガーネット体において、前記熱処理は加熱条件温度１０００℃以上で行われたものであることを特徴とする光デバイス用磁性ガーネット体。
【請求項３】請求項１又は２に記載の光デバイス用磁性ガーネット体を含んで成ることを特徴とする光導波路型光アイソレータ。
【請求項４】請求項１又は２に記載の光デバイス用磁性ガーネット体を含んで成ることを特徴とする光磁界センサ。
【請求項５】請求項１又は２に記載の光デバイス用磁性ガーネット体を含んで成ることを特徴とするファラデー回転子。」
（２）引用刊行物の記載内容
　先の取消理由通知で引用された刊行物１〜４は、それぞれ上記２−１．（２）に示す刊行物１〜４と同一であるから、その記載内容も、上記２−１．（２）に示すとおりのものである。
（３）対比・判断
（３−１）本件発明１について
  本件発明１は、訂正発明１の構成のうちの、切断片に関する「磁性ガーネット結晶膜を非磁性ガーネット基板上から面内方向で所定の大きさに切断して切り離した」という限定がないだけのものであるから、２−１．（３）で述べたと同じ理由により、刊行物１、３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると云える。
（３−２）本件発明２について
  本件発明２は、本件発明１をさらに「加熱処理は加熱条件温度１０００℃以上で行われたものである」と限定するものであるが、この点は、刊行物１の上記（ｃ）に摘示したとおり、刊行物１にも１０００℃以上で加熱処理することが示されている。
　したがって、本件発明２も、刊行物１、３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると云える。
（３−３）本件発明３について
  本件発明３は、本件発明１又は２記載の光デバイス用磁性ガーネット体を含んで成る「光導波路型光アイソレータ」とその用途を特定するものであるが、この点は、刊行物１の上記（ｃ）に摘示したとおり、刊行物１にも「導波路型光アイソレータ」が示されており、また、刊行物４の上記（ｌ）に摘示したとおり、「導波路型光アイソレータ」は本件出願前周知の事項である。
　したがって、本件発明３も、刊行物１、３及び４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると云える。
（３−４）本件発明４について
  本件発明４は、本件発明１又は２記載の光デバイス用磁性ガーネット体を含んで成る「光磁界センサ」とその用途を特定するものであるが、刊行物２の上記（ｇ）に摘示したとおり、この形式の光磁界センサは本件出願前周知の事項である。
　したがって、本件発明４も、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると云える。
（３−５）本件発明５について
  本件発明５は、本件発明１又は２記載の光デバイス用磁性ガーネット体を含んで成る「ファラデー回転子」とその用途を特定するものであるが、刊行物２の上記（ｇ）に摘示したとおり、ファラデー回転子は本件出願前周知の事項である。
　したがって、本件発明５も、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると云える。
４．むすび
　以上のとおり、本件請求項１乃至５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１乃至５に係る発明の特許は、拒絶をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月２９日（２００１．３．２９）