【事件の表示】
　特許第２９６３２２７号「プラズマ処理装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６３２２７号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（Ｉ）手続きの経緯
　本件特許第２９６３２２７号の請求項１に係る発明は、平成３年４月２２日に特許出願され、平成１１年８月６日に設定登録され、平成１１年１０月１８日に特許公報に掲載されたところ、平成１２年４月１８日に松下電器産業株式会社（以下、申立人という。）から特許異議の申立がなされ、その後の取消理由通知に対し、その指定期間内である平成１２年１０月２４日付けで訂正請求がなされたものである。
（ＩＩ）訂正請求について
ＩＩ−１．訂正事項
（１）特許請求の範囲の請求項１の記載を、「被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられプラズマを生成するための少なくとも一対の円板状の上部電極及び下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、前記上部電極の外周縁部を、前記チャンバに対して電気的に絶縁された状態で、当該チャンバの天井部から支持する円筒状の絶縁性部材とを具備したプラズマ処理装置において、前記絶縁性部材の前記チャンバ内側に露出する外周面を、導電性材料からなり接地されたカバーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。」と訂正する。
（２）特許明細書の段落番号【０００８】の記載を、
「【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、被処理物を収容するチャンバと、
　このチャンバ内に設けられプラズマを生成するための少なくとも一対の円板状の上部電極及び下部電極と、
　前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、
　前記上部電極の外周縁部を、前記チャンバに対して電気的に絶縁された状態で、当該チャンバの天井部から支持する円筒状の絶縁性部材とを具備したプラズマ処理装置において、
　前記絶縁性部材の前記チャンバ内側に露出する外周面を、導電性材料からなり接地されたカバーによって覆ったことを特徴とする。」と訂正する。
ＩＩ−２．訂正の適否            
　訂正事項（１）は、請求項１の「このチャンバ内に設けられプラズマを生成するための少なくとも一対の電極と、前記電極を支持する絶縁性部材とを具備したプラズマ処理装置において、前記絶縁性部材の前記チャンバ内側の露出部分の少なくとも一部を、導電性材料からなるカバーによって覆った」なる記載を、特許明細書の段落番号【００１２】、【００１４】、【００１５】、【００１６】及び図１の記載に基づいて訂正したものであり、請求項１に係る発明を下位概念の発明に限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものに該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。　訂正事項（２）は、前記訂正事項（１）の訂正に整合させるべく発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するものであり、訂正事項（１）と同様に、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　したがって、本件の訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するものであるから、適法なものと認める。
（ＩＩＩ）特許異議申立について
ＩＩＩ−１．特許異議申立の理由
　申立人は、甲第１号証（特開平１−１４０７２４号公報）、甲第２号証（特開昭６０−２６２４２４号公報）、甲第３号証（特開昭６２−７３７２０号公報）及び甲第４号証（特開昭６０−１９３３４０号公報）を提示し、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明であるか、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号の発明、または同条第２項の規定により特許を受けることができない発明に該当し、訂正前の請求項１に係る発明の特許は特許法第１１４条第２項の規定により取り消されるべきものである旨を主張する。
ＩＩＩ−２．本件発明
　本件発明は、上記訂正請求により訂正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「被処理物を収容するチャンバと、
　このチャンバ内に設けられプラズマを生成するための少なくとも一対の円板状の上部電極及び下部電極と、
　前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、
　前記上部電極の外周縁部を、前記チャンバに対して電気的に絶縁された状態で、当該チャンバの天井部から支持する円筒状の絶縁性部材とを具備したプラズマ処理装置において、
　前記絶縁性部材の前記チャンバ内側に露出する外周面を、導電性材料からなり接地されたカバーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。」
ＩＩＩ−３．甲各号証の記載事項
　甲第１号証には、
　（い）その特許請求の範囲の欄に、「処理室内へガスを導入し、高周波電力を供給してプラズマを発生させ、このプラズマにより試料を処理するものにおいて、高周波電源を接続する電極の背面及び側面を取囲んでなるアースシールド体を、大地及び接地した処理室と電気的に絶縁し、このアースシールド体を切換スイッチを介して高周波電源および大地の一方に選択的に接続できる構成としたことを特徴とするプラズマ処理装置。」と記載され、
　（ろ）第１頁左下欄１６〜２０行に、「本発明は・・・特に処理室内面に付着した物質をプラズマにより洗浄除去する上で好適なプラズマ処理方法及び装置に関する。」と記載され、
　（は）その第２図に、その発明の実施例として、被処理物を収容する処理室と、この処理室内に設けられプラズマを生成するための一対の上部電極及び下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、前記上部電極の背面及び側面を取囲む絶縁性部材及びアースシールド体とを具備したプラズマ処理装置において、アースシールド体が、導電性材料からなり、高周波電源および大地に選択的に接続され、前記絶縁性部材の前記処理室外側に露出する外周面と前記処理室内側に露出する外周面の一部を処理室を貫通する形で取囲んだプラズマ処理装置（以下、引用発明という。）が記載され、
　（に）第２頁左下欄４行〜同頁右下欄１１行に、高周波電源からアースシールド体へ高周波電力が印可されると、接地された処理室の内壁との空隙部に発生したプラズマにより、アースシールド体と処理室に挟まれた部位の壁面に付着堆積した物質が容易に洗浄除去できる旨、が記載されている。
　甲第２号証には、反応性イオンエッチング装置として、電極の側面、背面及びチャンバへの挿入部を覆う絶縁性部材の外周面を覆う形状のシールド板と、その外側に、前記絶縁性部材とは異なり、処理室内側の面がシールド板で覆われていない絶縁性部材を用いた装置（第１図及び関連部分参照）が記載され、甲第３号証には、プラズマ処理装置において、下部電極の側面及び背面に沿う形状の絶縁性部材及びアースシールドを用いること（第１〜５図及び関連部分参照）が記載され、甲第４号証には、プラズマエッチング装置として、電極を絶縁性材料を介してステンレススチールで形成された真空容器に取り付けたもの（第４図及び関連部分参照）が記載されている。
ＩＩＩ−４．比較・検討
　本件発明と引用発明とを比較すると、後者の「処理室」、「上部電極を取囲む絶縁性部材」、「絶縁性部材の外周面を、導電性材料からなるアースシールド体によって取囲んだ」はそれぞれ、前者の「チャンバ」、「上部電極の外周縁部の絶縁性部材」、「絶縁性部材の外周面を、導電性材料からなるカバーによって覆った」に相当し、後者における上部電極は、それを取り囲むアースシールド体が処理室に対して電気的に絶縁され、そのアースシールド体の内側に位置する絶縁性材料で覆われているのであるから、上部電極が処理室に対して電気的に絶縁された状態であることは明らかである。
　したがって、両者は、「被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられフラズマを生成するための一対の上部電極及び下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、前記上部電極の外周縁部を前記チャンバに対して電気的に絶縁された状態とする絶縁性部材とを具備したプラズマ処理装置において、前記絶縁性部材の外周面を、導電性材料からなるカバーによって覆ったプラズマ処理装置。」である点で共通し、以下の点で相違する。
（１）本件発明は、絶縁性部材が円筒状であり、カバーが絶縁材料のチャンバ内側に露出する外周面を覆うものであるのに対し、引用発明は、絶縁材料が上部電極の背面及び側面を取り囲む形状であり、カバーが絶縁材料のチャンバ内側に露出する外周面の一部を覆うものである点、
（２）本件発明は、一対の上部電極及び下部電極が、「円板状」であるのに対し、引用発明はその点が不明である点、
（３）本件発明は、絶縁材料が上部電極の外周縁部をチャンバの天井部から支持するものであるのに対し、引用発明は、絶縁性材料が上部電極の外周縁部をチャンバの天井部から支持するか否かについて不明である点、
（４）前記カバーが、本件発明は、接地されているのに対して、引用発明は、高周波電源および大地に選択的に接続されるものである点。
　そこで、（１）の相違点についての検討するに、
　絶縁材料の形状について：甲第１号証には、上部電極の背面及び側面を取り囲む形状であると記載され、断面が下向きＴ字状である上部電極を覆った絶縁性部材が記載されているだけであるから、甲第１号証に、円筒状の絶縁性部材が記載または示唆されているとすることはできず、
　絶縁材料のカバーによる被覆について：請求項１における「絶縁性部材のチャンバ内側に露出する外周面をカバーによって覆った」なる表現は、一般に、絶縁性部材のチャンバ内側に露出する外周面にカバーに覆われていない部分が存在しないことを示すものと解されるところ、明細書中の本件発明の目的及び効果の記載、訂正の経緯、特許異議意見書の記載からみても、「絶縁性部材のチャンバ内側に露出する外周面の全面をカバーで覆った」ことを示すものと解されるから、前記請求項１における表現が、甲第１号証の、カバーが絶縁材料のチャンバ内側に露出する外周面の一部を覆う、すなわち、絶縁性部材のチャンバ内側に露出する外周面にカバーに覆われていない部分が存在するという表現と同一内容を示すとすることはできず、また、甲第１号証の前記（ろ）および（に）の記載からみて、引用発明でカバーを接地する場合には、前記付着物の生成を完全に抑えることや絶縁性部材のチャンバ内側に露出する外周面を完全に覆うことを必ずしも必要とするものでないと解されるから、甲第１号証の、カバーが絶縁材料のチャンバ内側に露出する外周面の一部を覆うという表現が、本件発明のように、カバーが絶縁材料のチャンバ内側に露出する外周面を覆うという構成を示唆しているとすることもできない。
　また、甲第２〜４号証には、前記したとおりの記載があるにすぎず、いずれも、外周面が導電性のカバーで覆われ、かつ、円筒状である絶縁性材料を用いるという本件発明の構成を示唆するものではない。
　してみると、甲１〜４号証を総合しても、本件発明における上記（１）の相違点が当業者に容易に想到できたものであるとすることはできない。
　そして、本件発明は、前記構成を採用することにより、明細書に記載されたとおりの、不所望なデポジションや金属汚染の発生を防止し、製品性能や生産性の向上を図ることができるという効果を奏するものである。
　してみれば、本件発明は、前記（１）以外の相違点について検討するまでもなく、甲第１〜４号証に記載された発明であるとすることはできず、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　したがって、本件発明に係る特許は、特許法第２９条第１項及び第２項の規定により取り消されるべきものでない。
（ＩＶ）むすび
　以上のとおりであるから、申立人の主張する理由および証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１９日（２００１．１．１９）
【訂正の要旨】
訂正事項
（１）特許請求の範囲の請求項１の記載を、「被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられプラズマを生成するための少なくとも一対の円板状の上部電極及び下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、前記上部電極の外周縁部を、前記チャンバに対して電気的に絶縁された状態で、当該チャンバの天井部から支持する円筒状の絶縁性部材とを具備したプラズマ処理装置において、前記絶縁性部材の前記チャンバ内側に露出する外周面を、導電性材料からなり接地されたカバーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。」と訂正する。
（２）特許明細書の段落番号【０００８】の記載を、
「【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、被処理物を収容するチャンバと、
　このチャンバ内に設けられフラズマを生成するための少なくとも一対の円板状の上部電極及び下部電極と、
　前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、
　前記上部電極の外周縁部を、前記チャンバに対して電気的に絶縁された状態で、当該チャンバの天井部から支持する円筒状の絶縁性部材とを具備したプラズマ処理装置において、
　前記絶縁性部材の前記チャンバ内側に露出する外周面を、導電性材料からなり接地されたカバーによって覆ったことを特徴とする。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】被処理物を収容するチャンバと、
　このチャンバ内に設けられプラズマを生成するための少なくとも一対の
円板状の上部電極及び下部
　
前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、
　前記
上部
外周縁部を、前記チャンバに対して電気的に絶縁された状態で、当該チャンバの天井部から
円筒状の
　前記絶縁性部材の前記チャンバ内側
に
する外周面
り接地された
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
［発明の目的］
　【０００２】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、プラズマ処理装置に関する。
　【０００３】
　【従来の技術】
　従来から、電極間に印加した高周波電力によりプラズマを生成し、このプラズマを利用して被処理物に処理を施すプラズマ処理装置が使用されている。例えば半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハの表面等に形成された薄膜を、プラズマを用いてエッチングするドライエッチング装置、あるいはプラズマを用いて薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等が用いられている。
　【０００４】
　このような従来のプラズマ処理装置、例えばドライエッチング装置では、チャンバ内に、平行平板電極、例えば上部電極と下部電極が設けられており、例えばこの下部電極上に半導体ウエハを載置し、チャンバ内を所定の処理ガス雰囲気とするとともに、上部電極と下部電極との間に所定の高周波電力を供給し、プラズマを発生させて半導体ウエハの表面に形成された薄膜をドライエッチングにより除去する。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、近年半導体デバイスは急速に高集積化されつつあり、その回路パターンは益々微細化される傾向にある。このため、上述した従来のプラズマ処理装置においても、さらに良好な処理を効率良く実施できるようにし、製品性能の向上や生産性の向上を図ることが要求されている。
　【０００６】
　本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、従来に較べて良好な処理を効率良く実施することができ、製品性能の向上および生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
　【０００７】
　［発明の構成］
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、被処理物を収容するチャンバと、
　このチャンバ内に設けられプラズマを生成するための少なくとも一対の
円板状の上部電極及び下部
　
前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電力を供給する電力供給機構と、
　前記
上部
、前記チャンバに対して電気的に絶縁された状態で、当該チャンバの天井部から
円筒状の
　前記絶縁性部材の前記チャンバ内側
に
する外周面
り接地された
　【０００９】
　【作用】
　本発明者等が詳査したところ、従来のプラズマ処理装置、例えばドライエッチング装置では、電極を支持するための絶縁性部材等、チャンバ内側の絶縁性部材の露出部分近傍で弱い放電が生じ、不所望なデポジションが起き、この堆積物が塵埃となって半導体ウエハに付着し不良発生の原因となったり、この放電が金属汚染の一因となっていることが判明した。このような放電は、絶縁性部材表面に電荷が蓄積することによって生じるものと思われる。
　【００１０】
　そこで本発明のプラズマ処理装置では、絶縁性部材の前記チャンバ内側の露出部分の少なくとも一部を、導電性材料からなるカバーによって覆うことによって絶縁性部材近傍の放電の発生を防止し、不所望なデポジションや金属汚染の発生を防止する。これにより、従来に較べて良好な処理を効率良く実施することができ、製品性能の向上および生産性の向上を図ることができる。
　【００１１】
　【実施例】
　以下、本発明を半導体ウエハのドライエッチングを行うドライエッチング装置に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
　【００１２】
　図１に示すように、本実施例のドライエッチング装置は、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒状のチャンバ１を備えている。このチャンバ１は、導電性材料、例えばアルミニウム（表面にアルマイト処理を施してある）等からその主要部が構成されており、チャンバ１内には、円板状に形成された上部電極２と、下部電極３が対向する如くほぼ平行に設けられている。
　【００１３】
　この下部電極３の下部には、伸縮自在に構成された気密封止機構として例えば蛇腹機構４が設けられており、図示しない上下動機構により昇降自在とされ、上部電極２との間隔を変更可能に構成されている。この下部電極３の上面には、被処理物である半導体ウエハ５が載置される。なお、この下部電極３には、図示しない冷却機構、例えば、冷却媒体を循環するための冷媒循環機構が設けられており、処理中の半導体ウエハ５が加熱することのないように冷却することができるよう構成されている。
　【００１４】
　一方、上部電極２は、絶縁性材料、例えばアルミナ等から円筒状に形成された絶縁性部材６によって、チャンバ１の構成部材と電気的に絶縁された状態で支持されている。また、この上部電極２には複数の処理ガス流出孔７が形成されており、処理ガス供給配管８から供給された処理ガス（エッチングガス）を、これらの処理ガス流出孔７から、下部電極３上に載置された半導体ウエハ５に向けて流出させ、チャンバ１の下部に接続された排気配管９から排出するよう構成されている。
　【００１５】
　また、上記上部電極２および下部電極３には、電力供給機構１０が接続されており、上部電極２と下部電極３との間に所定周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給可能に構成されている。
　【００１６】
　さらに、本実施例のドライエッチング装置では、上述した上部電極２を電気的絶縁状態に保持しつつ支持する絶縁性部材６のチャンバ１内への露出部を覆う如く、円筒状のカバー１１が設けられている。このカバー１１は、導電性材料例えぱアルミニウム（表面にアルマイト処理を施してある）等から構成されており、接地（アース）されている。
　【００１７】
　上記構成のこの実施例のドライエッチング装置では、図示しない上下動機構により、下部電極３を下降させた状態で図示しない搬入口から半導体ウエハ５をチャンバ１内に搬入し、下部電極３上に載置する。
　【００１８】
　この後、下部電極３を上昇させ、上部電極２と下部電極３との間隔を所定間隔に設定する。
　【００１９】
　しかる後、処理ガス供給配管８から所定の処理ガス（エッチングガス）を供給し、処理ガス流出孔７から半導体ウエハ５に向けて流出させるとともに、排気配管９から排気を実施してチャンバ１内を所定圧力の処理ガス雰囲気とし、これとともに、電力供給機構１０から上部電極２と下部電極３との間に所定周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する。
　【００２０】
　すると、上部電極２と下部電極３との間に放電が生じ、処理ガスがプラズマ化されて半導体ウエハ５の表面に形成された薄膜のドライエッチングが行われる。この時、本実施例では、絶縁性部材６のチャンバ１内への露出部が、導電性材料からなり接地された円筒状のカバー１１によって覆われているので、この部位で弱い放電等が生じることを防止することができる。なお、この円筒状のカバー１１が無い場合は、絶縁性部材６の表面（チャンバ１内への露出部）に電荷が蓄積され、この近傍で弱い放電が生じる。このため、放電により不所望なデポジションや金属汚染が発生することを防止することができる。
　【００２１】
　したがって、従来に較べて良好な処理を効率良く実施することができ、製品性能の向上および生産性の向上を図ることができる。
　【００２２】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれば、従来に較べて良好な処理を効率良く実施することができ、製品性能の向上および生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例のドライエッチング装置の構成を示す図である。
　【符号の説明】
１　チャンバ
２　上部電極
３　下部電極
４　蛇腹機構
５　半導体ウエハ
６　絶縁性部材
７　処理ガス流出孔
８　処理ガス供給配管
９　排気配管
１０　電力供給機構
１１　カバー（アルミニウム製）