【事件の表示】
　特許第２９９４８３７号「半導体基板の平坦化方法、半導体基板の作製方法、及び半導体基板」の請求項１ないし８、３７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９９４８３７号の請求項１ないし８、３７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第２９９４８３７号の請求項１ないし３８に係る発明についての出願は、平成４年１月３１日に特許出願され、平成１１年１０月２２日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許の請求項１ないし８、および、３７に係る発明について、異議申立人松井茂より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年４月９日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項ａ：特許請求の範囲の請求項１の「絶縁層又は光透過性の基体上に単結晶シリコン層を備え」との記載を「絶縁層又は光透過性の基体上に単結晶シリコン層を備えた半導体基板の平坦化方法において」と訂正する。
訂正事項ｂ：特許請求の範囲の請求項１の「前記単結晶シリコン層の表面に」を「第１の基板から第２の基板に移設されて表出する前記単結晶シリコン層の表面に」と訂正する。
訂正事項ｃ：特許請求の範囲の請求項１の「凹凸を有する基板」を「凹凸を有する半導体基板」と訂正する。
訂正事項ｄ：特許請求の範囲の請求項１の「前記単結晶シリコン層の表面の凹凸を高低差２ｎｍ以下に平坦化すること」を「研磨することなく前記単結晶シリコン層の表面の凹凸を高低差２ｎｍ以下に平坦化すること」と訂正する。
訂正事項ｅ：明細書の発明の詳細な説明の欄の第２０段落、「絶縁層又は光透過性の基体上に単結晶シリコン層を備え」との記載を「絶縁層又は光透過性の基体上に単結晶シリコン層を備えた半導体基板の平坦化方法において」と訂正する。
訂正事項ｆ：明細書の発明の詳細な説明の欄の第２０段落、「前記単結晶シリコン層の表面に」を「第１の基板から第２の基板に移設されて表出する前記単結晶シリコン層の表面に」と訂正する。
訂正事項ｇ：明細書の発明の詳細な説明の欄の第２０段落、「凹凸を有する基板」を「凹凸を有する半導体基板」と訂正する。
訂正事項ｈ：明細書の発明の詳細な説明の欄の第２０段落、「前記単結晶シリコン層の表面の凹凸を高低差２ｎｍ以下に平坦化すること」を「研磨することなく前記単結晶シリコン層の表面の凹凸を高低差２ｎｍ以下に平坦化すること」と訂正する。
 （２）訂正の適否
  訂正事項ａは、発明の名称から明らかであり、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に相当し、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂは、明細書第１２７段落の記載から明らかであり、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に相当し、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｃに記載の、基板を半導体基板と訂正することは、基板が単結晶シリコンであるから、半導体基板であることは明らかであり、かつ、特許請求の範囲の減縮に相当し、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｄは、明細書第１２４段落の記載から明らかであり、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に相当し、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｅ、ｆ、ｇ、ｈは、訂正事項ａ、ｂ、ｃ、ｄの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正であり、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
 　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
  本件の請求項１乃至８および３７に係る発明は以下のとおりのものである。
【請求項１】 絶縁層又は光透過性の基体上に単結晶シリコン層を備えた半導体基板の平坦化方法において、第１の基板から第２の基板に移設されて表出する前記単結晶シリコン層の表面に数nmから数十nmの高さ、及び数nmから数百nmの周期の凹凸を有する半導体基板を、水素を含む還元性雰囲気中で、且つ前記単結晶シリコン層の融点以下の温度で熱処理することによって、研磨することなく前記単結晶シリコン層の表面の凹凸を高低差2nm以下に平坦化することを特徴とする半導体基板の平坦化方法。
【請求項２】 前記絶縁層は、酸化シリコン層である請求項１に記載の半導体基板の平坦化方法。
【請求項３】 前記熱処理が、大気圧以下の圧力の下で行われる請求項１〜２のいずれかに記載の半導体基板の平坦化方法。
【請求項４】 前記熱処理が、２００Ｔｏｒｒ以下の圧力の下で行われる請求項３に記載の半導体基板の平坦化方法。
【請求項５】 前記熱処理が、３００℃以上前記単結晶シリコン層の融点以下の温度で行われる請求項１〜４のいずれかに記載の半導体基板の平坦化方法。
【請求項６】 前記熱処理が、５００℃以上前記単結晶シリコン層の融点以下の温度で行われる請求項５に記載の半導体基板の平坦化方法。
【請求項７】 前記熱処理が、１２００℃以下の温度で行われる請求項１〜６のいずれかに記載の半導体基板の平坦化方法。
【請求項８】 前記単結晶シリコン層は、エピタキシャル成長によって形成された請求項１〜７のいずれかに記載の半導体基板の平坦化方法。
　
【請求項３７】 前記請求項１〜８のいずれかに記載の半導体基板の平坦化方法により作製された半導体基板。
　
（２）申し立ての理由の概要
　申立人松井茂は、請求項１乃至８、３７に係る発明は、甲第１号証（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ、５８（１９８２）７３−７８）、および、甲第２号証（特開平１−１１５１４３号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない旨主張している。また、請求項１に記載の発明の凹凸の数値範囲について甲第３号証（シリコンの科学）、甲第４号証（日本工業規格Ｂ０６０１）を示して、定義及び測定条件が発明の詳細な説明に記載されておらず不明確であるから、特許を取り消すべきと主張している。
　
（３）特許法第２９条第２項の異議申立について
（ａ）甲号各証に記載の発明
　甲第１号証には、「３．３表面モルフォロジー
　ＳＯＳ薄膜の表面モルフォロジーをａｓ−ｇｒｏｗｎ試料及び熱処理済み試料の双方について、ＳＥＭにより観察した。図３は、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態、及び水素雰囲気中にて１０００〜１２００℃で５時間熱処理後の状態での、表面モルフォロジーを示している。図３から明らかなとおり、膜厚０．４μｍの試料の表面は、高温での熱処理により多少荒れていることがわかる。これは、ＳＯＳ薄膜の表面に形成されていた多数の欠陥に起因するものと考えられる。また、図３によると、膜厚２．０μｍのＳＯＳ薄膜の、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態の表面は、先の薄膜よりもさらに荒れているが、５時間の熱処理を施すと水素エッチング効果により平滑化していることも明らかである。これは、粗さの大きい表面のほうが水素吸着面積が高いためであると説明できる。この現象は、膜厚の大きいＳＯＳ薄膜は膜厚の小さいＳＯＳ薄膜よりも欠陥密度がはるかに小さく、欠陥サイトが水素によりエッチングされやすいという事実とも関連付けることができる。」（第７５頁右欄第１行〜第２１行）ことが、開示されている。
甲第２号証には
「最後に、ケミカルメカニカル研磨法によりなる仕上げ研磨を極めて僅かになして、シリコン単結晶層５上に不可避的に僅かに形成されている凹凸を除去する。」（第４頁右上欄第７行〜第１０行）が、開示されている。
　
（ｂ）対比・判断
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証および甲第２号証記載の発明とを対比する。
　甲第１号証には、本件発明の数ｎｍ〜数十ｎｍの高さ、および、数ｎｍ〜数百ｎｍの周期の凹凸に関する点の記載が無く、また、単結晶シリコン層が第１の基板から第２の基板に移設される点の記載もない。
　甲第２号証は、本件発明の数ｎｍ〜数十ｎｍの高さ、および、数ｎｍ〜数百ｎｍの周期の凹凸に関する点の記載が無く、また、仕上げ研磨工程としてケミカルメカニカル研磨工程が発明の必須の構成要件である。
　そして、甲第２号証に記載のケミカルメカニカル研磨工程を、甲第１号証に記載の、水素雰囲気中での熱処理に置き換える動機付けが無く、さらに、数nmから数十nmの高さ、及び数nmから数百nmの周期の凹凸を有する半導体基板を熱処理する点の記載がないので、たとえ、甲第１号証に記載の条件で熱処理を行ったとしても、本件発明の、単結晶シリコン層の表面の凹凸を高低差2nm以下に平坦化する効果が得られるか否かが不明である。
  そして、本件発明は、上記の点により、単結晶シリコン層の表面の凹凸を高低差2nm以下に平坦化するという明細書記載の作用効果を奏するものである。
　また、本件請求項２乃至８、３７は請求項１を引用しているので、請求項１の発明が容易に成し得たと認められない以上、請求項２乃至８、３７の発明も容易に成し得たとは認められない。
　
（４）３６条の理由について
　特許請求の範囲に記載の凹凸の高さ及び周期は、数nmから数十nmの高さ、及び、数nmから数百nmの周期の凹凸と１０倍、及び、１００倍の値の範囲で記載されており、具体的数値を示すというより数値のオーダーを示しているものと認められる。そして、測定値について、甲第３号証及び甲第４号証に記載されているような詳細な測定の定義はないが、実測値としてほぼこのオーダー範囲に含まれていると認められる。よって、甲第３号証（マイクロラフネスの測定）及び甲第４号証（表面粗さの定義及び表示に関する日本工業規格）の記載に関わらず、当業者が実施できる程度には記載されているものである。
　
　（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由および証拠によっては、本件請求項１乃至８、３７に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１乃至８、３７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月１４日（２００１．６．１４）