【事件の表示】
　特許第２９６７７６９号「プラズマ処理装置」の請求項１乃至７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９６７７６９号の請求項１乃至７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．経緯
　本件特許第２９６７７６９号は次の経緯を有する。
　平成　９年１０月１７日　出願
　平成１１年　８月２０日　特許権の設定登録
　平成１２年　４月２５日　特許異議申立人上杉則亮より特許異議の申立
　
２．本件発明
　本件特許第２９６７７６９号の請求項１乃至７に係る発明は、明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された次の事項により特定されるものである。
　
【請求項１】　マイクロ波透過性を有しプラズマ室の上側室外に配置され且つ導波管を介して伝送されるマイクロ波が入射する誘電体板と、プラズマ室内下方に設けられ且つ被処理物を載置する下部電極とを備えたプラズマ装置において、前記誘電体板より放出される表面波から被処理物を遮蔽するように該誘電体板に平行に配置され且つマイクロ波の入射方向に沿って開口率が指数関数的に変化するように調整した複数の表面波放出開口を有するマイクロ波分散板を設けることで、入射マイクロ波の強度によらずプラズマ密度を均一化することを特徴とするプラズマ処理装置。
　
【請求項２】　前記マイクロ波分散板を前記プラズマ室内に配置してなる請求１記載のプラズマ処理装置。
　
【請求項３】　前記マイクロ波分散板を前記プラズマ室外に配置してなる請求項１記載のプラズマ処理装置。
　
【請求項４】　前記複数の表面波放出開口は開口幅が一定である請求項１、２または３記載のプラズマ処理装置。
　
【請求項５】　前記複数の表面波放出開口は開口相互の間隔が一定である請求項１、２または３記載のプラズマ処理装置。
　
【請求項６】　前記複数の表面波放出開口は複数列に配置された複数のサイズからなる円形または正多角形である請求項１、２、３、４または５記載のプラズマ処理装置。
　
【請求項７】　前記複数の表面波放出開口は等しいサイズの幾何学的図形である請求項１、２、３、４または５記載のプラズマ処理装置。
　
３．特許異議申立ての概要
　特許異議申立人上杉則亮は、申立ての証拠として、下記の甲第１乃至３号証を提出し、請求項１乃至７に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１乃至７に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　
　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平６−３４２７７１号公報
甲第２号証：特開平７−１６９７４０号公報
甲第３号証：実願平３−２８６３４号（実開平４−１１７４３７号）のマイクロフィルム
　
４．特許異議申立人の提出した証拠の開示
　
甲第１号証：特開平６−３４２７７１号公報
　甲第１号証には、
　「・・・この上部電極２ａに対向して設けられエッチングすべき半導体基板９を載置する試料台８としての下部電極と、上部電極２ａに取付けられるとともにマイクロ波発振器４より発生するマイクロ波を導波管５を経由して導入する平板状の誘電体線路部材であるテフロン板３と、試料台８に接続される高周波電源１０とを備えている。」（第【００１１】段落）、
　「図２（ａ）および（ｂ）は本発明の第２の実施例を示すドライエッチング装置の断面図および上部電極側を示すＢ−Ｂ矢視図である。前述の実施例におけるエッチングの不均一の原因を調査した結果、テフロン板面からのマイクロ波が均一に放射されるものの、発生するプラズマの分布の均一性が十分でないことが判明した。そこで、この実施例におけるドライエッチング装置は、誘電体線路部材であるテフロン板３の下側にマイクロ波遮蔽と電極とを兼ねる上部電極２ａを取付け、均一にプラズマが発生するようにマイクロ波の放出を制限するために、任意の位置に複数のマイクロ波放出口１３を設けたことである。」（第【００１８】段落）、
　「・・・例えば、図３（ａ）に示す誘電体線路部材にマイクロ波を導入すると、ＸーＸ方向に関しては図３（ｂ）に示す定在波を生ずる。また、ＹーＹ方向に関しては、その電界強度は中心部は大きく端部では小さくなる。このように誘電体線路部材を伝播するマイクロ波は、この電界強度分布に基ずきチャンバ内に放出される。従って、マイクロ波とプラズマの相互作用が大きい場合は、誘電体線路部材内の電界分布に従い、高い均一性が得られない。」（第【００２１】段落）、
　「図５および図６は本発明の第３の実施例におけるドライエッチング装置を説明するための上部電極の実施例を示す平面図である。このドライエッチング装置は、上述した誘電体線路部材内におけるマイクロ波の電界強度によりプラズマの発生が依存する事象を利用したもので、電界強度の強い中心付近のマイクロ波放出口の開口密度は小さく、端部に向って開口率を大きくすることにより、均一性の高いプラズマを得ることである。」（第【００２３】段落）、及び
　「この上部電極の具体的の構造としては、例えば、図５に示すように、マイクロ波導入方向に平行に上部電極２ａの中心付近に幅の狭いスリット状のマイクロ波放出口１３を、端部側により幅の広いスリット状のマイクロ波放出口１３を形成する。また、図６に示すように、同心の円弧形であつてスリット状の複数のマイクロ波放出口１３を設け、中央付近のスリット幅は狭く、端部側は広く形成している。いずれの実施例も、開口部の密度を電極の中心から遠ざかるにつれて徐々に大きくすることにより均一性の高いプラズマを得ている。半導体基板の処理に本エッチング装置を適用する場合は、図６に示した上部電極が有効である。」（第【００２４】段落）、
が図面とともに記載されている。
　
　これらの記載からみて甲第１号証には、以下の発明が記載されている。
　「マイクロ波透過性を有しチャンバ１の上側に配置され且つ導波管５を介して伝送されるマイクロ波が入射するテフロン板３と、チャンバ１内下方に設けられ且つ半導体基板９を載置する下部電極８とを備えたプラズマ装置において、前記テフロン板３より放出される表面波から半導体基板９を遮蔽するように該テフロン板３に平行に配置され且つ、開口部の密度を電極の中心から遠ざかるにつれ徐々に大きくした複数のマイクロ波放出口１３を有する上部電極２ａを設けたことによりプラズマ密度を均一化するプラズマ処理装置。」
　
甲第２号証：特開平７−１６９７４０号公報
　甲第２号証には、
　「図３に示すマイクロ波処理装置は、チャンバ１とエッチング室内に配置された試料台８である下部電極と対面した上部電極２Ａとテフロンにより形成された誘電体線路３を備えている平行平板型のプラズマ処理装置である。すなわち、２枚の平行平板電極のうち上部電極２Ａにその上面にテフロンを用い誘電体線路３を形成し、この一部を導波管５と接続することによりマイクロ波発振器４からのマイクロ波を導入している。」（第【０００４】段落）、
　「上記２つの従来のマイクロ波プラズマ処理装置は、導波路もしくは導波管中で形成されるマイクロ波分布に従い、プラズマ処理室にマイクロ波が放出される。この導波路もしくは導波管中でのマイクロ波分布は、容易に計算により予想できる。プラズマ密度の分布は、理想的には処理室中に放出されたマイクロ波の分布に従うであろう。」（第【００００８】段落）、
　「【発明が解決しようとする課題】
　上述したマイクロ波プラズマ処理装置では、導波管中のマイクロ波分布を変更することにより処理室でのプラズマを制御するという特徴を有している。しかしながら、導波管中マイクロ波の分布を制御することによりプラズマ分布を制御することは間接的な制御であり任意に制御することは困難である。すなわち、処理室でのプラズマの分布は、マイクロ波の放射量の分布により決定され、この放射量は、処理室中のガスもしくはガスプラズマとの相互作用により決定される。云い換えれば、プラズマ分布は、使用ガスに依存し導波管中のマイクロ波分布を制御するだけでプラズマ分布を制御することはきわめて困難である。」（第【００１１】段落）、
　「【課題を解決するための手段】
　本発明の特徴は、処理室内の被処理基板を載置する第１の平板状電極に対し平行に配設されるとともにマイクロ波を導出する複数のマイクロ波放射口を有する第２の平板状電極を備えるマイクロ波プラズマ処理装置において、複数の前記マイクロ波放射口のそれぞれの開口面積を独立に変える開口度可変機構を備えるマイクロ波プラズマ処理装置である。」（第【００１３】段落）、
　「図１（ａ）及び（ｂ）は本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の一実施例の概要を説明するための装置断面図と放射口上面図である。この実施例では、図３に示した従来のマイクロ波プラズマ処理装置に適応した例である。すなわち、この装置の構成は、基本的に平行平板型であり、チャンバ１とエッチング室内に配置された試料台８に対面した上部電極２Ａと、この上部電極２Ａの背面側にテフロンにより形成された誘電体線路３を有している。また、テフロンを用い誘電体線路３に導入されたマイクロ波は、進行方向に対し横方向に広がり伝播する。この時、横方向の電界強度は一様にであり、進行方向には定在波が生じる。このマイクロ波は、誘電体下方のアルマイト１２が施された上部電極２Ａの放射口１３より放射されプラズマを発生させる。」（第【００１５】段落）、
　「本発明のマイクロ波プラズマ処理装置は、図１に示すように、例えば、４個のマイクロ波放射口１３を有しているが、それぞれのマイクロ波放射口１３にシャッタ１４を設けている。このシャッタ１４には、それぞれ操作部１５が接続されチャンバ外部からの操作により個別に制御される。これにより４個のマイクロ波放射口１３は、独立し開口面積を制御することが可能となる。」（第【００１６】段落）、
　「従って、処理すべき基板９の中央部を処理度合を外周部に比べて大きくしたいときは、中央部のマイクロ波放射口１３の開口面積を広くし、周辺部のマイクロ波放射口１３の開口面積を狭くしてやれば良い。」（第【００１７】段落）、及び
　「図２は本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の他の実施例の概要を説明するための電極上面図である。このマイクロ波プラズマ処理装置は、図２に示すように、マイクロ波放射口１３Ａ，１３Ｂの配置を中央を中心にし点対称したものである。図面では二列のマイクロ波放射口１３Ａ，１３Ｂで示しているが、多くのマイクロ波放射口を円周方向に均一な分布に配置させるために、直径方向に配列させたものである。そして、この上部電極２Ｂのマイクロ波放出面を被せるように切欠き１６をもつシャッタ１４Ａと切欠き１７をもつシャッタ１４Ｂを設けている。また、この２つのマイクロ波放射口１３Ａ，１３Ｂに対する２個のシャッタ１４Ａ，１４Ｂは中心軸に回転し得る構造であり、これらを独立に回転させることにより放射口の大きさを独自に制御するものである。」（第【００１８】段落）
　が図面とともに記載されている。
　
　これらの記載からみて甲第２号証には、以下の発明が記載されている。
「マイクロ波透過性を有しチャンバ１の上側に配置され且つ導波管５を介して伝送されるマイクロ波が入射する誘電体線路３と、チャンバ１内下方に設けられ且つ基板９を載置する下部電極８とを備えたプラズマ装置において、前記誘電体線路３より放出される表面波から基板９を遮蔽するように該誘電体線路３に平行に配置され且つ、各々独立して開口面積を制御できる複数のマイクロ波放射口１３を有する上部電極２Ａを設けたプラズマ処理装置。」
　
甲第３号証：実願平３−２８６３４号（実開平４−１１７４３７号）のマイクロフィルム
　甲第３号証には、
　「・・・更にこの耐熱性誘電体板１２の上方に誘電体被覆線路２が設置されている。誘電体被覆線路２は前記耐熱性誘電体板１２の上方に、マイクロ波の拡大のためのマイクロ波導延室２ｃを隔てて設けられ、前記耐熱性誘電体板１２と対向する誘電体層２ｂ及び誘電体層２ｂの外囲を覆うアルミニウム板２ａ等にて構成されており、誘電体被覆線路２の側部には導波管３を介してマイクロ波発振器４が連結され、マイクロ波発振器４から発振されたマイクロ波は導波管３、誘電体被覆線路２を経て反応器１内のプラズマ室５内に導入し、反応器１の内部に電界を形成するようにしてある。耐熱性誘電体板１２はマイクロ波の透過が可能な誘電損失の小い材料、例えば石英ガラス又はパイレックスガラスあるいはアルミナ等にて形成され、また誘電体層２ｂは、例えばフッ素樹脂，ポリスチレン，ポリエチレン等にて形成されている。」（第【０００８】段落）、
　「・・・更に試料処理室６内の下部には排気管６ａが連結されると共に試料処理室６内の仕切壁１３寄りの中央部には図示しない支持台上に試料Ｓが載置されるようにしてある。」（第【０００９】段落）、
　「そして本考案装置にあっては前記耐熱性誘電体板１２の上面（下面であってもよい）に平行に金属板１４を配設してある。金属板１４は前記耐熱性誘電体板１２に密接して設けることは望ましいが、必ずしも密接する必要はない。図２は金属板１４の平面図であり、該金属板は短形状の金属板の長手方向の中央部から両側に左、右対称的に夫々複数のスリット状をなすマイクロ波透過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃが設けられている。マイクロ波透過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃはこの順序でそのスリット幅を広くして面積を大きくしてある。このマイクロ波透過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃの面積比は、誘導体被覆線路２を構成する誘電体層２ｂからマイクロ波導延室２ｃを経て耐熱性誘電体層１２の表面に達するマイクロ波の強度分布に応じて実験的に設定される。」（第【００１０】段落）、及び
　「なお、誘電体被覆線路２の誘電体層２ｂからマイクロ波導延室２ｃに進入したマイクロ波は拡大されて金属板１４に達するが、面積を限定されたマイクロ波透過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃを経て均一な強度分布でプラズマ室５に導入される結果、プラズマ室５内でのプラズマ密度が均一化され、試料Ｓに対する処理も均一化される。」（第【００１２】段落）
　が図面とともに記載されている。
　
　これらの記載から見て甲第３号証には、以下の発明が記載されている。
　「マイクロ波透過性を有しプラズマ室５の上側に配置され且つ導波管３を介して伝送されるマイクロ波が入射する誘電体被覆線路２と、プラズマ室５内下方に設けられ且つ資料Ｓを載置する支持台とを備えたプラズマ装置において、前記誘電体被覆線路２より放出される表面波から資料Ｓを遮蔽するように該誘電体被覆線路２に平行に配置され且つ、開口率が実験的に設定された複数のマイクロ波透過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃを有する金属板１４を設けることによりプラズマ密度を均一化するプラズマ処理装置。」
　
５．当審の判断
５−１．請求項１に係る発明に対して
　本件請求項１に係る発明においては、従来技術として甲第１号証を引用し、従来技術の技術的課題について、「誘電体板を伝播するマイクロ波はプラズマとの相互作用により電界強度分布を生じ、マイクロ波はこの電界強度分布に基づき表面波としてプラズマ室内に放出される。この電界強度分布は、導波管からマイクロ波が入射する入射軸を想定すると、この入射軸に沿って入口部分から奥へ向かう方向（Ｘ−Ｘ方向とする。）において定在波を生じると考えられていた。そこで、理論上はＸ−Ｘ方向の電界強度に対応してマイクロ波分散板の表面波放出開口を配置すれば、均一なプラズマが得られると考えられていた。
　しかしながら、このような従来のプラズマ装置では、実際にＸ−Ｘ方向の均一性が高いプラズマは得られないという事実が判った。即ち、プラズマが発生しない状態ではこの理論は確かに当てはまるが、プラズマを発生させた状態ではマイクロ波分散板から放出される表面波エネルギーはプラズマに吸収されるため、マイクロ波が入射する入口近傍から奥へ向かって急速に電界強度が減少する形の分布を生じ、従来の考え方に基づく表面波放出開口の配置ではプラズマ室に入射される表面波はもはや均一でないということが明らかになった。つまり、従来技術では、上記のようにプラズマ室に入射される表面波が不均一であるため、発生するプラズマは高い均一性が得られない。」（第【０００５】〜【０００８】段落）
と指摘している。
　従来技術における上記の技術的課題を解決するため、本件請求項１に係る発明は、「プラズマ発生時に前記マイクロ波の入射方向に沿って前記誘電体板から指数関数的強度で発生する表面波を均一な表面波に調整してプラズマ室に導入する手段を設けて均一なプラズマ分布を確保する。」（第【０００９】段落）との技術的思想に基づいて、「前記表面波を均一に調整する手段として、・・・マイクロ波の入射方向に沿って開口率が指数関数的に変化するように調整した複数の表面波放出開口を前記マイクロ波分散板に配置してプラズマ室に入射する表面波を均一に調整」（第【０００９】段落）、すなわち、請求項１に記載の「マイクロ波の入射方向に沿って開口率が指数関数的に変化するように調整した複数の表面波放出開口を有するマイクロ波分散板を設けることで、入射マイクロ波の強度によらずプラズマ密度を均一化」することを解決手段としたものである。
　
　そこで、本件請求項１に係る発明と、甲各号証に記載された発明とを比較すると、本件請求項１に係る発明は、「マイクロ波の入射方向に沿って開口率が指数関数的に変化するように調整した複数の表面波放出開口を有するマイクロ波分散板を設けることで、入射マイクロ波の強度によらずプラズマ密度を均一化」しているのに対して、甲各号証の刊行物には表面波放出開口を有するマイクロ波分散板に相当するものが記載されているものの、上記本件請求項１に係る発明の技術的思想に基づき、上記解決手段としての表面波放出開口を有するマイクロ波分散板についての記載はなく、また、それを示唆する記載もない。
　そして、本件請求項１に係る発明は請求項１で特定された事項により明細書記載の効果を奏するものである。したがって、本件請求項１に係る発明は、特許異議申立人の提出した甲各号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
　この点に関して、特許異議申立人の主張を検討する。
　（ｉ）まず、特許異議申立人は、
　「甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証中には具体的に開口率を指数関数的に変化するよう調整する、という記載はないが、甲第１号証の図５、甲第３号証の図２においても開□率は指数関数的に変化しており、これは本件特許の図２における開□率の変化と実質的に同一である。」（特許異議申立書第１６頁）と主張している。
　しかしながら、甲第１号証及び甲第３号証の図面に開口率を変化させたものが図示されていることを持って、「マイクロ波の入射方向に沿って開口率が指数関数的に変化するように調整した複数の表面波放出開口を有するマイクロ波分散板を設けることで、入射マイクロ波の強度によらずプラズマ密度を均一化」した本件請求項１に係る発明が記載されているとすることはできない。
　（ｉｉ）次に、特許異議申立人は以下の主張を行っている。
　「さらに、甲第１号証には「電界強度の強い中心付近のマイクロ波放出口の開□密度は小さく、端部に向かって開□率を大きくすることにより、均一性の高いプラズマを得る」との記載（第４頁第５欄４３行〜４５行）があり、電界強度の強弱に応じて開ロ率を変化させることが記載されている。このような、電界強度の分布は当業者であれば容易に計算できる。
　すなわち、一定の割合で放出（本件の場合はマイクロ波が誘電体からプラズマ中へ一定の割合で放出する）するときの減衰は指数関数的に減衰することは極めて一般的な設計上の常識である。」（特許異議申立書第１６頁）
　この主張において、「電界強度の強弱に応じて開口率を変化」させれば均一性の高いプラズマが得られることが甲第１号証に記載されているとしても、「プラズマが発生している状態」、すなわち、特許異議申立人の上記主張によれば、「マイクロ波が誘電体からプラズマ中へ一定の割合で放出する状態」で、「マイクロ波の電界強度が指数関数的に減衰する」ことについては「一般的な設計上の常識である」とするだけでその根拠は示されていない。
　加えて、甲第１号証及び特許異議申立人の主張には本件請求項１に係る発明の「マイクロ波の入射方向に沿って開口率が指数関数的に変化するように調整した複数の表面波放出開口を有するマイクロ波分散板を設けることで、入射マイクロ波の強度によらずプラズマ密度を均一化」した点について記載していないのは上述のとおりである。
　
　（ｉｉｉ）続いて特許異議申立人は、
　「事実、甲第２号証には「導波路もしくは導波管中で形成されるマイクロ波分布に従い、プラズマ処理室にマイクロ波が放出される。この導波路もしくは導波管中でのマイクロ波分布は、容易に計算により予想できる。プラズマ密度の分布は、理想的には処理室中に放出されたマイクロ波の分布に従う」と記載（第２頁第２欄５行〜１０行）されており、実際、本件特許では第３頁第５欄１３行〜４０行においてプラズマ密度に反映する（マイクロ波）表面波エネルギー（電界強度）の分布を容易に算出している。」（特許異議申立書第１６、１７頁）との主張をしている。
　上記主張において、甲第２号証の記載を引用して「マイクロ波分布は、容易に計算により予想できる。」としているが、甲第２号証においては更に、「しかしながら、導波管中マイクロ波の分布を制御することによりプラズマ分布を制御することは間接的な制御であり任意に制御することは困難である。すなわち、処理室でのプラズマの分布は、マイクロ波の放射量の分布により決定され、この放射量は、処理室中のガスもしくはガスプラズマとの相互作用により決定される。云い換えれば、プラズマ分布は、使用ガスに依存し導波管中のマイクロ波分布を制御するだけでプラズマ分布を制御することはきわめて困難である。」（甲第２号証第【００１１】段落）としており、結局、甲第２号証に記載された発明は、マイクロ波の分布を計算したものではないし、ましてやマイクロ波分布の計算に基づいてプラズマを均一化するようにしたものではない。
　
　これらのことから、上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の特許異議申立人の主張は採用することができない。
　
５−２．請求項２乃至７に係る発明に対して
　本件請求項２乃至７に係る発明は、請求項１に係る発明の構成を引用して更に限定した構成を含むものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由で、特許異議申立人の提出した甲各号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張及び証拠によっては、本件請求項１乃至７に係る特許を取り消すことができない。
　
　また、他に本件請求項１乃至７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月１４日（２０００．１１．１４）