(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハの洗浄時に、前記ウェハの少なくとも凹部表面に保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式［３］で表されるケイ素化合物であることを特徴とする、撥水性保護膜形成剤。
0005716527.tif 000009
［式中、Ｒ２は炭素数が４〜１８の無置換、もしくはハロゲン原子が置換した炭化水素基であり、Ｘはケイ素元素と結合する元素が窒素である１価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である１価の官能基、及び、ハロゲン基から選ばれる基である。］
【請求項２】
表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に窒化ケイ素を含むウェハの洗浄時に、前記ウェハの少なくとも凹部表面に保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式［３］で表されるケイ素化合物であることを特徴とする、撥水性保護膜形成剤。
0005716527.tif 000010
［式中、Ｒ２は炭素数が４〜１８の無置換、もしくはハロゲン原子が置換した炭化水素基であり、Ｘはケイ素元素と結合する元素が窒素である１価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である１価の官能基、及び、ハロゲン基から選ばれる基である。］
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の撥水性保護膜形成剤を含有することを特徴とする撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項４】
酸を含有することを特徴とする、請求項３に記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項５】
前記撥水性保護膜形成剤が、該撥水性保護膜形成用薬液の総量１００質量％に対して０．１〜５０質量％となるように混合されてなることを特徴とする、請求項３又は請求項４に記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項６】
表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハの洗浄において、以下に示す工程、
前記ウェハ表面を水系洗浄液で洗浄する、水系洗浄液洗浄工程、
前記ウェハの少なくとも凹部に撥水性保護膜形成用薬液を保持し、該凹部表面に撥水性保護膜を形成する、撥水性保護膜形成工程、
ウェハ表面の液体を除去する、液体除去工程、
前記凹部表面から撥水性保護膜を除去する、撥水性保護膜除去工程、
を含み、撥水性保護膜形成工程において請求項３〜請求項５のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液を用いることを特徴とする、ウェハの洗浄方法。
【請求項７】
前記ウェハが、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に窒化ケイ素を含むウェハであることを特徴とする、請求項６に記載のウェハの洗浄方法。
【請求項８】
撥水性保護膜除去工程が、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、ウェハ表面をプラズマ照射すること、ウェハ表面をオゾン曝露すること、及び、ウェハをコロナ放電することから選ばれる少なくとも１つの処理方法で行われることを特徴とする、請求項６又は請求項７に記載のウェハの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造などにおける基板ウェハの洗浄技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造では、成膜、リソグラフィやエッチングなどを経てシリコンウェハ表面に微細な凹凸パターンが形成され、その後、ウェハ表面を清浄なものとするために、水や有機溶媒を用いて洗浄がなされる。素子は微細化がなされる方向にあり、凹凸パターンの間隔は益々狭くなってきている。このため、水を用いて洗浄し、水をウェハ表面から乾燥させるときに毛細管現象により、凹凸パターンが倒れるという問題が生じやすくなってきている。この問題は、特に凹凸のパターン間隔がより狭くなった２０ｎｍ台、１０ｎｍ台世代の半導体チップにおいてはより顕著になってきている。
【０００３】
パターンの倒れを防止しながらウェハ表面を洗浄する方法として、特許文献１は、ウェハ表面に残っている水をイソプロパノールなどに置換し、その後、乾燥させる方法を開示している。また、特許文献２は、ウェハ表面を水で洗浄した後、シリコンを含む凹凸パターン部に撥水性の保護膜を形成し、次いで水でリンスしてから乾燥を行う方法を開示している。この保護膜は最終的には除去される。水でリンスを行うときにパターン部が保護膜によって撥水化されているので、凹凸パターンの倒れを抑制することに効果を生じている。この方法はアスペクト比が８以上のパターンに対しても効果があるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−４５８４３号公報
【特許文献２】特許第４４０３２０２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
凹凸パターンの表面を撥水化することでパターン倒れを防止しようとする場合において、シリコンを含む凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成するためには、凹凸パターン表面やウェハ表面に存在する水酸基などの反応活性点と、保護膜を形成する化合物とを結合させる必要がある。シリコンを含む凹凸パターンは、その種類に応じて元々の水酸基量が異なることや、水や酸などによる表面処理の条件により水酸基の形成されやすさが異なることから、単位面積あたりの水酸基量に違いが生じることがある。従来の技術では、水酸基の形成が少ない基板に対して充分な撥水効果を付与できず、パターン倒れを有効に防止できない場合があった。本発明は、凹凸パターンの倒れを防止しながらウェハを洗浄する方法に関し、パターン表面に水酸基量の形成が少ない場合であっても効率的に洗浄することが可能な撥水性保護膜形成剤、及び、該剤を含有する撥水性保護膜形成用薬液、及び、該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明では、上記課題を達成するために、凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜（以下、単に「保護膜」と記載する場合がある）を形成するための撥水性保護膜形成用薬液（以下、「保護膜形成用薬液」または単に「薬液」と記載する場合がある）に含まれる撥水性保護膜形成剤（以下、「保護膜形成剤」と記載する場合がある）に着目した。つまり、本発明は、表面にシリコンを含む凹凸パターンを有するウェハが、凹凸パターンやウェハの種類により、水酸基の形成しやすさに違いがあっても、効果的に撥水性を生じせしめるような剤、すなわち前記薬液中に含まれる保護膜形成剤によって保護膜を形成することで、生産ロット毎の洗浄条件の変更幅を低減し工業的に有利にウェハの洗浄を行うものである。
【０００７】
本発明者らは鋭意検討を行い、保護膜形成剤として、特定の疎水基を有するケイ素化合物を含有する薬液を用いることで、当該ウェハの凹凸パターン表面上に存在する水酸基の数量に依存しにくく良好な撥水性を生じせしめる保護膜を形成し、パターン表面に効率的に洗浄が行えることを見出した。
【０００８】
すなわち、以下の［発明１］〜［発明１０］に記載する発明を提供する。
【０００９】
［発明１］
表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハの洗浄時に、前記ウェハの少なくとも凹部表面に保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式［１］で表されるケイ素化合物であることを特徴とする、撥水性保護膜形成剤。
【化１】
0005716527.tif 000002
【００１０】
［式中、Ｒ１は、それぞれ互いに独立して、水素基、又は炭素数が１〜１８の無置換もしくはハロゲン原子が置換した炭化水素基であり、それぞれ互いに独立したＲ１の合計炭素数は、６以上であり、Ｘは、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である１価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である１価の官能基、及び、ハロゲン基から選ばれる少なくとも１つの基であり、ａは１〜３の整数である。］
［発明２］
表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に窒化ケイ素を含むウェハの洗浄時に、前記ウェハの少なくとも凹部表面に保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式［１］で表されるケイ素化合物であることを特徴とする、撥水性保護膜形成剤。
【化２】
0005716527.tif 000003
【００１１】
［式中、Ｒ１は、それぞれ互いに独立して、水素基、又は炭素数が１〜１８の無置換もしくはハロゲン原子が置換した炭化水素基であり、それぞれ互いに独立したＲ１の合計炭素数は、６以上であり、Ｘは、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である１価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である１価の官能基、及び、ハロゲン基から選ばれる少なくとも１つの基であり、ａは１〜３の整数である。］
［発明３］
一般式［１］で表されるケイ素化合物が下記一般式［２］で表されることを特徴とする、発明１又は発明２に記載の撥水性保護膜形成剤。
【化３】
0005716527.tif 000004
【００１２】
［式中、Ｒ１、Ｘはそれぞれ一般式［１］と同様である。］
［発明４］
一般式［１］で表されるケイ素化合物が下記一般式［３］で表されることを特徴とする、発明１又は発明２に記載の撥水性保護膜形成剤。
【化４】
0005716527.tif 000005
【００１３】
［式中、Ｒ２は炭素数が４〜１８の無置換、もしくはハロゲン原子が置換した炭化水素基であり、Ｘは一般式［１］と同様である。］
［発明５］
発明１〜発明４のいずれかに記載の撥水性保護膜形成剤を含有することを特徴とする撥水性保護膜形成用薬液。
【００１４】
［発明６］
酸を含有することを特徴とする、発明５に記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【００１５】
［発明７］
前記撥水性保護膜形成剤が、該撥水性保護膜形成用薬液の総量１００質量％に対して０．１〜５０質量％となるように混合されてなることを特徴とする、発明５又は発明６に記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【００１６】
［発明８］
表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハの洗浄において、以下に示す工程、
前記ウェハ表面を水系洗浄液で洗浄する、水系洗浄液洗浄工程、
前記ウェハの少なくとも凹部に撥水性保護膜形成用薬液を保持し、該凹部表面に撥水性保護膜を形成する、撥水性保護膜形成工程、
ウェハ表面の液体を除去する、液体除去工程、
前記凹部表面から撥水性保護膜を除去する、撥水性保護膜除去工程、
を含み、撥水性保護膜形成工程において発明５〜発明７のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液を用いることを特徴とする、ウェハの洗浄方法。
【００１７】
［発明９］
前記ウェハが、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に窒化ケイ素を含むウェハであることを特徴とする、発明８に記載のウェハの洗浄方法。
【００１８】
［発明１０］
撥水性保護膜除去工程が、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、ウェハ表面をプラズマ照射すること、ウェハ表面をオゾン曝露すること、及び、ウェハをコロナ放電することから選ばれる少なくとも１つの処理方法で行われることを特徴とする、発明８又は発明９に記載のウェハの洗浄方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の撥水性保護膜形成剤を用いることで、凹部表面にシリコンを含むウェハの洗浄過程において、良好な撥水性を示す保護膜が形成され、凹凸パターン表面上に存在する水酸基の数量依存性を低減させることに奏功する。本発明を適用すれば、凹凸パターンの倒れを防止しながらウェハを安定的に洗浄でき、生産ロットに応じた洗浄条件の変更を少なくすることに奏功する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】表面が凹凸パターン２を有する面とされたウェハ１を斜視したときの模式図を示す図である。
【図２】図１中のａ−ａ’断面の一部を示したものである。
【図３】凹部４が撥水性保護膜形成用薬液８を保持した状態の模式図を示している。
【図４】撥水性保護膜１０が形成された凹部４に液体９が保持された状態の模式図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明につきさらに詳しく説明する。まず、本発明で提供する撥水性保護膜形成剤は、表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面にシリコンを含むウェハの洗浄時に、前記ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤は下記一般式［１］で表されるケイ素化合物である。
【化５】
0005716527.tif 000006
【００２２】
［式中、Ｒ１は、それぞれ互いに独立して、水素基、又は炭素数が１〜１８の無置換もしくはハロゲン原子が置換した炭化水素基であり、それぞれ互いに独立したＲ１の合計炭素数は、６以上であり、Ｘは、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である１価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である１価の官能基、及び、ハロゲン基から選ばれる少なくとも１つの基であり、ａは１〜３の整数である。］
Ｒ１で表される炭化水素基は疎水性基であり、疎水性基が大きなもので保護膜を形成すると、処理した後のウェハ表面は良好な撥水性を示す。Ｒ１の合計炭素数が、６以上であれば、ケイ素元素を含む凹凸パターンの単位面積あたりの水酸基数量が少なくても、十分に撥水性能を生ぜせしめる撥水膜を形成することができる。
【００２３】
前記ケイ素化合物は、凹凸パターンやウェハ表面の水酸基と化学的に反応することが可能であり、結果、前記ケイ素化合物のケイ素元素は凹凸パターンやウェハ表面のケイ素元素と化学的に結合し、撥水性保護膜を形成するため、保護膜形成後の水や溶媒による洗浄に対して、該保護膜を前記ウェハ表面上に保持することが可能である。
【００２４】
一般式［１］で示されるケイ素化合物としては、例えば、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、（Ｃ２Ｈ５）３ＳｉＣｌ、Ｃ３Ｈ７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ４Ｈ９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＣｌ、（Ｃ４Ｈ９）３ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、ＣＦ３Ｃ２Ｈ４（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）ＳｉＣｌ２、Ｃ６Ｈ１３ＳｉＣｌ３、Ｃ７Ｈ１５ＳｉＣｌ３、Ｃ８Ｈ１７ＳｉＣｌ３、Ｃ９Ｈ１９ＳｉＣｌ３、Ｃ１０Ｈ２１ＳｉＣｌ３、Ｃ１１Ｈ２３ＳｉＣｌ３、Ｃ１２Ｈ２５ＳｉＣｌ３、Ｃ１３Ｈ２７ＳｉＣｌ３、Ｃ１４Ｈ２９ＳｉＣｌ３、Ｃ１５Ｈ３１ＳｉＣｌ３、Ｃ１６Ｈ３３ＳｉＣｌ３、Ｃ１７Ｈ３５ＳｉＣｌ３、Ｃ１８Ｈ３７ＳｉＣｌ３、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３などのクロロシラン系化合物が挙げられる。
【００２５】
また、例えば、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）ＨＳｉＯＣＨ３、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣＨ３、（Ｃ２Ｈ５）３ＳｉＯＣＨ３、Ｃ３Ｈ７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ４Ｈ９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣＨ３、（Ｃ４Ｈ９）３ＳｉＯＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣＨ３）２、Ｃ６Ｈ１３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ７Ｈ１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ８Ｈ１７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ９Ｈ１９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１０Ｈ２１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１１Ｈ２３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１２Ｈ２５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１３Ｈ２７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１４Ｈ２９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１５Ｈ３１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１６Ｈ３３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１７Ｈ３５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３
）３、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、（Ｃ２Ｈ５）３ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ４Ｈ９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、（Ｃ４Ｈ９）３ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２、Ｃ６Ｈ１３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ７Ｈ１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ８Ｈ１７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ９Ｈ１９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１０Ｈ２１Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１１Ｈ２３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１２Ｈ２５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１３Ｈ２７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１４Ｈ２９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１５Ｈ３１Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１６Ｈ３３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１７Ｈ３５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｃ８Ｆ１７
Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３などのアルコキシシラン系化合物が挙げられる。
【００２６】
また、例えば、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＣＯ、（Ｃ２Ｈ５）３ＳｉＮＣＯ、Ｃ３Ｈ７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ４Ｈ９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮＣＯ、（Ｃ４Ｈ９）３ＳｉＮＣＯ、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮＣＯ、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ（ＮＣＯ）２、Ｃ６Ｈ１３Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ７Ｈ１５Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ８Ｈ１７Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ９Ｈ１９Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１０Ｈ２１Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１１Ｈ２３Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１２Ｈ２５Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１３Ｈ２７Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１４Ｈ２９Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１５Ｈ３１Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１６Ｈ３３Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１７Ｈ３５Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＮＣＯ）３などのイソシアネートシラン系化合物が挙げられる。
【００２７】
また、例えば、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮＨ２、［Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］２ＮＨ、［（Ｃ２Ｈ５）３Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ３Ｈ７（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ４Ｈ９（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ５Ｈ１１（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ６Ｈ１３（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ７Ｈ１５（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ８Ｈ１７（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ９Ｈ１９（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ２Ｈ５）２Ｓｉ］２ＮＨ、［Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、［Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２Ｓｉ］３Ｎ、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）
２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）ＨＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、（Ｃ２Ｈ５）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ３Ｈ７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ４Ｈ９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、（Ｃ４Ｈ９）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］２、Ｃ６Ｈ１３Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ７Ｈ１５Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ８Ｈ１７Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ９Ｈ１９Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１０Ｈ２１Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１１Ｈ２３Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１２Ｈ２５Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１３Ｈ２７Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１４Ｈ２９Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１５Ｈ３１Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１６Ｈ３３Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１７Ｈ３５Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２
Ｈ５）２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、（Ｃ２Ｈ５）３ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ３Ｈ７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ４Ｈ９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、（Ｃ４Ｈ９）３ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ５Ｈ１１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ６Ｈ１３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ７Ｈ１５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ８Ｈ１７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ９Ｈ１９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１０Ｈ２１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１１Ｈ２３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１２Ｈ２５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１３Ｈ２７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１４Ｈ２９（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１５Ｈ３１（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１６Ｈ３３（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１７Ｈ３５（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２、Ｃ１８Ｈ３７（Ｃ４Ｈ９）２ＳｉＮ（Ｃ２Ｈ５）２などのアミノシラン系化合物が挙げられる。
【００２８】
これらのケイ素化合物のうち、炭化水素基の水素原子がハロゲン原子で置換される場合、撥水性能を考慮すると置換するハロゲン原子としてはフッ素原子であることが好ましい。
【００２９】
また、一般式［１］のＸで表される、ケイ素元素と結合する元素が窒素である１価の官能基は、炭素、水素、ホウ素、窒素、リン、酸素、硫黄、ケイ素、ゲルマニウム、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などの元素から、構成される官能基であれば良く、例えば、−ＮＨＳｉ（ＣＨ３）３基、−ＮＨＳｉ（ＣＨ３）２Ｃ４Ｈ９基、−ＮＨＳｉ（ＣＨ３）２Ｃ８Ｈ１７基、−Ｎ（ＣＨ３）２基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）２基、−Ｎ（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）基、−ＮＨ（Ｃ２Ｈ５）基、−ＮＣＯ基、イミダゾール基、アセトアミド基などが挙げられる。
【００３０】
さらに、一般式［１］のＸで表される、ケイ素元素と結合する元素が酸素である１価の官能基は、炭素、水素、ホウ素、窒素、リン、酸素、硫黄、ケイ素、ゲルマニウム、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の元素から構成される官能基であれば良く、例えば、−ＯＣＨ３基、−ＯＣ２Ｈ５基、−ＯＣ３Ｈ７基、−ＯＣＯＣＨ３基、−ＯＣＯＣＦ３基などが挙げられる。
【００３１】
また、一般式［１］のＸで表される、ハロゲン基としては−Ｆ基、−Ｃｌ基、−Ｂｒ基、−Ｉ基などが挙げられる。なかでも−Ｃｌ基がより好ましい。
【００３２】
また、一般式［１］のａは１〜３の整数であればよいが、ａが１又は２である場合、前記撥水性保護膜形成剤、或いは前記薬液を長期保存すると、水分の混入などにより、ケイ素化合物の重合が発生し、保存可能期間が短くなる可能性がある。これを考慮すると、一般式［１］のａが３のものが好ましい。
【００３３】
また、一般式［１］で表されるケイ素化合物のうち、Ｒ１が炭素数が４〜１８の無置換もしくはハロゲン原子が置換した炭化水素基１個とメチル基２個からなるもの（つまり、一般式［３］で表される化合物）は、凹凸パターン表面やウェハ表面の水酸基との反応速度が速くなるので好ましい。これは、凹凸パターン表面やウェハ表面の水酸基と前記ケイ素化合物との反応において、疎水性基による立体障害が反応速度に大きな影響を与えるためであり、ケイ素元素に結合するアルキル鎖は最も長い一つを除く残り二つは短い方が好ましいからである。
【００３４】
これらのことから、前述した一般式［１］で示されるケイ素化合物の中でも特に好ましい化合物としては、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ、Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ５Ｈ１１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ６Ｈ１３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ７Ｈ１５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ９Ｈ１９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１０Ｈ２１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１１Ｈ２３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１２Ｈ２５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１３Ｈ２７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１４Ｈ２９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１５Ｈ３１（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１６Ｈ３３（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１７Ｈ３５（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ１８Ｈ３７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２が挙げられる。
【００３５】
さらには、前記撥水性保護膜形成剤は、前記一般式［１］で表されるケイ素化合物を２種以上含有するものであっても良いし、前記一般式［１］で表されるケイ素化合物と前記一般式［１］で表されるケイ素化合物以外のケイ素化合物を含有するものであっても良い。
【００３６】
次に本発明の撥水性保護膜形成用薬液について説明する。該薬液には、少なくとも前記撥水性保護膜形成剤が含有されていればよく、該薬液には溶媒として有機溶媒を用いることができる。該有機溶媒は、前記保護膜形成剤を溶解するものであれば良く、例えば、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、含窒素化合物溶媒などが好適に使用される。水を溶媒として用いた場合、水により薬液中のケイ素化合物の反応性部位（前記一般式［１］のＸ）が加水分解してシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が生成し、該反応性部位は、このシラノール基とも反応するために、ケイ素化合物同士が結合して２量体が生成する。この２量体は、凹凸パターン表面やウェハ表面の水酸基との反応性が低いため、凹凸パターン表面やウェハ表面を撥水化するのに要する時間が長くなることから、水を溶媒として使用することは好ましくない。
【００３７】
さらに、前記ケイ素化合物は、プロトン性溶媒と反応しやすいため、前記有機溶媒として、非プロトン性溶媒を用いると、短時間で撥水性を発現しやすくなるので特に好ましい。なお、非プロトン性溶媒は、非プロトン性極性溶媒と非プロトン性非極性溶媒の両方のことである。このような非プロトン性溶媒としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、水酸基を持たない多価アルコールの誘導体、Ｎ−Ｈ結合を持たない含窒素化合物溶媒が挙げられる。前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトンなどがあり、前記含ハロゲン溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、１、１、１、３、３−ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、２，３−ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラＨ（日本ゼオン株式会社製）などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンＡＥ−３０００（旭硝子株式会社製）、Ｎｏｖｅｃ  ＨＦＥ−７１００、Ｎｏｖｅｃ  ＨＦＥ−７２００、Ｎｏｖｅｃ７３００、Ｎｏｖｅｃ７６００（いずれもスリーエム社製）などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、前記水酸基を持たない多価アルコール誘導体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコ��ルジメチルエーテル、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテルなどがあり、Ｎ−Ｈ結合を持たない含窒素化合物溶媒の例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。
【００３８】
また、有機溶媒には、微量の水分であれば存在してもよい。ただし、この水分が溶媒に大量に含まれると、ケイ素化合物は該水分によって加水分解して反応性が低下することがある。このため、溶媒中の水分量は低くすることが好ましく、該水分量は、前記ケイ素化合物と混合したときに、該ケイ素化合物に対して、モル比で１モル倍未満とすることが好ましく、０．５モル倍未満にすることが特に好ましい。
【００３９】
また、前記薬液には、保護膜形成剤であるケイ素化合物と、凹凸パターン表面やウェハ表面の水酸基との反応を促進させるために、触媒が添加されても良い。このような触媒として、トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸、無水ペンタフルオロプロピオン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、硫酸、塩化水素などの水を含まない酸、アンモニア、アルキルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ピリジン、ピペラジン、Ｎ−アルキルモルホリンなどの塩基硫化アンモニウム、酢酸カリウム、メチルヒドロキシアミン塩酸塩などの塩、および、スズ、アルミニウム、チタンなどの金属錯体や金属塩が好適に用いられる。特に、触媒効果を考慮すると、トリフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、硫酸、塩化水素などの酸が好ましく、当該の酸は水分を含んでいないことが好ましい。
【００４０】
特に、一般式［１］における疎水性基Ｒ１の炭素数が大きくなると、立体障害のために凹凸パターン表面やウェハ表面の水酸基との反応速度が低下する場合がある。この場合は、水を含まない酸を触媒として添加することで、凹凸パターン表面やウェハ表面の水酸基とケイ素化合物との反応が促進され、疎水性基による立体障害による反応速度の低下を補ってくれる場合がある。
【００４１】
触媒の添加量は、前記ケイ素化合物の総量１００質量％に対して、０．０１〜１００質量％が好ましい。添加量が少なくなると触媒効果が低下するので好ましくない。また、過剰に添加しても触媒効果は向上せず、ケイ素化合物よりも多くすると、逆に触媒効果が低下する場合もある。さらに、不純物として凹凸パターン表面やウェハ表面に残留する懸念もある。このため、前記触媒添加量は、０．０１〜１００質量％が好ましく、より好ましくは０．１〜５０質量％である。
【００４２】
さらに、該ケイ素化合物は、前記薬液の総量１００質量％に対して０．１〜５０質量％となるように混合されていれば好ましく、より好適には前記薬液の総量１００質量％に対して０．３〜２０質量％である。ケイ素化合物が０．１質量％未満では、有機溶媒中に微量に含まれる水分などと反応して失活してしまうため、撥水性保護膜を形成する能力が乏しく、凹凸パターン表面やウェハ表面を充分に撥水化することができない。一方、５０質量％より多い場合、凹凸パターン表面やウェハ表面に不純物として残留する懸念があること、またコスト的な観点から見ても好ましくない。
【００４３】
本発明の薬液は、前記ケイ素化合物と前記触媒が最初から混合されて含まれる１液タイプでもよいし、前記ケイ素化合物を含む液と前記触媒を含む液の２液タイプとして、使用する際に混合するものであってもよい。
【００４４】
続いて、本発明のウェハの洗浄方法について説明する。
【００４５】
本発明の薬液を用いて洗浄するシリコンを含むウェハは、一般的には、ウェハ表面を凹凸パターンを有する面とする前処理工程を経たものを用いることが多い。
【００４６】
前記前処理工程によって、ウェハ表面にパターンを形成できるのであればその方法は限定されない。一般的方法としては、ウェハ表面にレジストを塗布したのち、レジストマスクを介してレジストに露光し、露光されたレジスト、または、露光されなかったレジストをエッチング除去することによって所望の凹凸パターンを有するレジストを作製する。また、レジストにパターンを有するモールドを押し当てることでも、凹凸パターンを有するレジストを得ることができる。次に、ウェハをエッチングする。このとき、レジストパターンの凹の部分に相当するウェハ表面が選択的にエッチングされる。最後に、レジストを剥離すると、凹凸パターンを有するシリコンウェハが得られる。
【００４７】
なお、前記ウェハとしては、シリコンウェハや、シリコンウェハ上に熱酸化法やＣＶＤ法、スパッタ法などにより酸化ケイ素膜が形成されたもの、あるいは、ＣＶＤ法やスパッタ法などにより窒化ケイ素膜やポリシリコン膜が形成されたもの、さらにはこれら窒化ケイ素膜やポリシリコン膜、或いはシリコンウェハ表面が自然酸化したものも含まれる。また、シリコンおよび／または酸化ケイ素を含む複数の成分から構成されたウェハ、シリコンカーバイドウェハ、及びウェハ上にケイ素元素を含む各種膜が形成されたものも、ウェハとして用いることができる。さらには、サファイアウェハ、各種化合物半導体ウェハ、プラスチックウェハなどケイ素元素を含まないウェハ上に、ケイ素元素を含む各種膜が形成されたものであっても良い。なお、前記薬液はケイ素元素を含むウェハ表面、ウェハ上に形成されたケイ素元素を含む膜表面、及び前記ウェハ、或いは前記膜から形成されたケイ素元素を含む凹凸パターンの中のケイ素原子が存在する部分の表面に保護膜を形成し撥水化することができる。
【００４８】
一般的に、表面に酸化ケイ素膜や酸化ケイ素部分を多く有するウェハにおいては該表面に反応活性点である水酸基が多数存在して、撥水性能を付与しやすい。一方、表面に窒化ケイ素膜や窒化ケイ素部分を多く有するウェハやポリシリコン膜やポリシリコン部分を多く有するウェハ、或いはシリコンウェハにおいては、該表面に水酸基が少なく、従来の技術では撥水性能を付与するのが難しかった。しかし、そのようなウェハであっても、本発明の薬液を用いるとウェハ表面に十分な撥水性を付与でき、ひいては洗浄時のパターン倒れを防止する効果を奏する。故に表面に酸化ケイ素膜や酸化ケイ素部分を多く有するウェハはもちろん、窒化ケイ素膜や窒化ケイ素部分を多く有するウェハやポリシリコン膜やポリシリコン部分を多く有するウェハ、或いはシリコンウェハは本発明の薬液を適用するのにふさわしく、好ましい基材であり、中でも窒化ケイ素膜や窒化ケイ素部分を多く有するウェハが特に好ましい。
【００４９】
本発明は、表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハの洗浄方法であって、
前記ウェハ表面を水系洗浄液で洗浄する、水系洗浄液洗浄工程
前記ウェハ表面の少なくとも凹部に撥水性保護膜形成用薬液を保持し、該凹部表面に撥水性保護膜を形成する、撥水性保護膜形成工程
ウェハ表面の液体を除去する、液体除去工程
前記凹部表面から撥水性保護膜を除去する、撥水性保護膜除去工程
を有する。
【００５０】
前記水系洗浄液の例としては、水、あるいは、水に有機溶媒、酸、アルカリ、界面活性剤、過酸化水素、オゾンのうち少なくとも１種以上が混合された水を主成分（例えば、水の含有率が５０質量％以上）とするものが挙げられる。
【００５１】
前記水系洗浄液による洗浄において、レジストを除去し、ウェハ表面のパーティクル等を除去した後に、乾燥等により水系洗浄液を除去する際に、凹部の幅が小さく、凸部のアスペクト比が大きいと、パターン倒れが生じやすくなる。該凹凸パターンは、図１及び図２に記すように定義される。図１は、表面が凹凸パターン２を有する面とされたウェハ１を斜視したときの模式図を示し、図２は図１中のａ−ａ’断面の一部を示したものである。凹部の幅５は、図２に示すように凸部３と凸部３の間隔で示され、凸部のアスペクト比は、凸部の高さ６を凸部の幅７で割ったもので表される。洗浄工程でのパターン倒れは、凹部の幅が７０ｎｍ以下、特には４５ｎｍ以下、アスペクト比が４以上、特には６以上のときに生じやすくなる。
【００５２】
さらに、水系洗浄液洗浄工程において、水系洗浄液が保持されて接触する、窒化ケイ素やポリシリコンを含む部位では、水系洗浄液との接触により、表面の一部が酸化され、水酸基が形成される。本発明で供する撥水性保護膜形成剤は強い疎水基をもつため、酸化されて形成された一部の水酸基と反応する撥水性保護膜形成剤が少量であっても、優れた撥水性保護膜を形成することが可能である。
【００５３】
このウェハ表面の酸化は、水系洗浄液が室温の純水であっても進行するが、水系洗浄液の酸性が強かったり、水系洗浄液の温度が高かったりすると、より進行しやすいため、酸化を促進させる目的で水系洗浄液に酸を添加したり、水系洗浄液の温度を高くしても良い。さらには、酸化を促進させる目的で、過酸化水素やオゾンなどを添加しても良い。
【００５４】
本発明のウェハの洗浄方法において、パターン倒れを発生させずに効率的に洗浄するためには、前記水系洗浄液洗浄工程から撥水性保護膜形成工程を、ウェハの少なくとも凹部に常に液体が保持された状態で行うことが好ましい。また、撥水性保護膜形成工程の後で、ウェハの凹部に保持された撥水性保護膜形成用薬液をその他の液体に置換する場合も、上記と同様にウェハの少なくとも凹部に常に液体が保持された状態で行うことが好ましい。なお、本発明において、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に前記水系洗浄液、前記薬液やその他の液体を保持できるのであれば、該ウェハの洗浄方式は特に限定されない。ウェハの洗浄方式としては、ウェハをほぼ水平に保持して回転させながら回転中心付近に液体を供給してウェハを１枚ずつ洗浄するスピン洗浄に代表される枚葉方式や、洗浄槽内で複数枚のウェハを浸漬し洗浄するバッチ方式が挙げられる。なお、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に前記水系洗浄液、前記薬液やその他の液体を供給するときの前記水系洗浄液、前記薬液やその他の液体の形態としては、該凹部に保持された時に液体になるものであれば特に限定されず、たとえば、液体、蒸気などがある。
【００５５】
次に、撥水性保護膜形成工程について説明する。前記水系洗浄液洗浄工程から撥水性保護膜形成工程への移行は、水系洗浄液洗浄工程においてウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に保持されていた水系洗浄液から、撥水性保護膜形成用薬液に置換されることで行われる。この水系洗浄液から撥水性保護膜形成用薬液への置換においては、直接置換されても良いし、異なる洗浄液Ａ（以降、単に「洗浄液Ａ」と記載する場合がある）に一度以上置換された後に、撥水性保護膜形成用薬液に置換されても良い。前記洗浄液Ａの好ましい例としては、水、有機溶媒、水と有機溶媒の混合物、または、それらに酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも１種以上が混合されたもの等が挙げられる。また、前記洗浄液Ａの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、含窒素化合物溶媒等が挙げられる。
【００５６】
前記撥水性保護膜形成工程における撥水性保護膜の形成は、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に撥水性保護膜形成用薬液を保持することにより行われる。図３は、凹部４が撥水性保護膜形成用薬液８を保持した状態の模式図を示している。図３の模式図のウェハは、図１のａ−ａ’断面の一部を示すものである。この撥水性保護膜形成工程の際に、撥水性保護膜形成用薬液が、凹凸パターン２が形成されたウェハ１に供される。この際、撥水性保護膜形成用薬液は図３に示したように少なくとも凹部４に保持された状態となり、凹部４の表面が撥水化される。なお、本発明の保護膜は、必ずしも連続的に形成されていなくてもよく、また、必ずしも均一に形成されていなくてもよいが、より優れた撥水性を付与できるため、連続的に、また、均一に形成されていることがより好ましい。
【００５７】
また、保護膜形成工程では、薬液の温度を高くすると、より短時間で前記保護膜を形成しやすいが、撥水性保護膜形成用薬液の沸騰や蒸発などにより該薬液の安定性が損なわれる恐れがあるため、前記薬液は１０〜１６０℃で保持されることが好ましく、特には１５〜１２０℃が好ましい。
【００５８】
撥水性保護膜形成用薬液により撥水化された凹部４に液体９が保持された場合の模式図を図４に示す。図４の模式図のウェハは、図１のａ−ａ’断面の一部を示すものである。凹部４の表面には撥水性保護膜１０が形成されている。このとき凹部４に保持されている液体９は、前記薬液、該薬液から異なる洗浄液Ｂ（以降、単に「洗浄液Ｂ」と記載する場合がある）に置換した後の液体（洗浄液Ｂ）でもよいし、置換途中の液体（薬液と洗浄液Ｂの混合液）であってもよい。前記撥水性保護膜１０は、液体９が凹部４から除去されるときもウェハ表面に保持されている。
【００５９】
前記洗浄液Ｂの好ましい例としては、水、有機溶媒、水と有機溶媒の混合物、または、それらに酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも１種以上が混合されたもの等が挙げられる。また、前記洗浄液Ｂの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコール類、多価アルコール類の誘導体、含窒素化合物溶媒等が挙げられる。
【００６０】
前記凹凸パターンを有するウェハの凹部に液体が保持されると、該凹部に毛細管力が働く。この毛細管力の大きさは、以下に示される式で求められるＰの絶対値である。
【００６１】
Ｐ＝２×γ×ｃｏｓθ／Ｓ
（式中、γは凹部に保持されている液体の表面張力、θは凹部表面と凹部に保持されている液体のなす接触角、Ｓは凹部の幅である。）
図４の凹部４のように凹部表面に撥水性保護膜が存在すると、θが増大され、Ｐの絶対値が低減される。パターン倒れの抑制の観点から、Ｐの絶対値は小さいほど好ましく、除去される液体との接触角を９０°付近に調整して毛細管力を限りなく０．０ＭＮ／ｍ２に近づけることが理想的である。
【００６２】
図４のように、凹部表面に保護膜１０が形成されたとき、該表面に水が保持されたと仮定したときの接触角は６５〜１１５°であると、パターン倒れが発生し難いため好ましい。接触角は９０°に近いほど該凹部に働く毛細管力が小さくなり、パターン倒れが更に発生し難くなるため、７０〜１１０°が特に好ましい。
【００６３】
続いて、前記液体除去工程について説明する。なお、凹部に保持されている液体は、前記薬液、洗浄液Ｂ、または、該薬液と洗浄液Ｂの混合液である。前記液体を除去する方法として、自然乾燥、エアー乾燥、Ｎ２ガス乾燥、スピン乾燥法、ＩＰＡ（２−プロパノール）蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、加熱乾燥、温風乾燥、真空乾燥などの周知の乾燥方法によって行うことが好ましい。前記液体を効率よく除去するために、保持された液体を排液して除去した後に、残った液体を乾燥させても良い。
【００６４】
最後に、撥水性保護膜除去工程について説明する。前記撥水性保護膜を除去する場合、該保護膜中のＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｆ結合を切断することが有効である。その方法としては、前記結合を切断できるものであれば特に限定されないが、例えば、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、ウェハをオゾン曝露すること、ウェハ表面にプラズマ照射すること、ウェハ表面にコロナ放電すること等が挙げられる。
【００６５】
光照射で前記保護膜を除去する場合、該保護膜中のＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｆ結合の結合エネルギーである８３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、１１６ｋｃａｌ／ｍｏｌに相当するエネルギーである３４０ｎｍ、２４０ｎｍよりも短い波長を含む紫外線を照射することが好ましい。この光源としては、メタルハライドランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、カーボンアークなどが用いられる。
【００６６】
また、光照射で前記保護膜を除去する場合、紫外線で前記保護膜の構成成分を分解すると同時にオゾンを発生させ、該オゾンによって前記保護膜の構成成分を酸化揮発させると、処理時間が短くなるので特に好ましい。この光源として、低圧水銀ランプやエキシマランプなどを用いてもよい。また、光照射しながらウェハを加熱してもよい。
【００６７】
ウェハを加熱する場合、４００〜７００℃、好ましくは、５００〜７００℃でウェハの加熱を行うのが好ましい。この加熱時間は、１〜６０分間、好ましくは１０〜３０分間の保持で行うことが好ましい。また、当該工程では、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電などを併用してもよい。また、ウェハを加熱しながら光照射を行ってもよい。
【００６８】
加熱により前記保護膜を除去する方法は、ウェハを熱源に接触させる方法、熱処理炉などの加熱された雰囲気にウェハを置く方法などがある。なお、加熱された雰囲気にウェハを置く方法は、複数枚のウェハを処理する場合であっても、ウェハ表面に前記保護膜を除去するためのエネルギーを均質に付与しやすいことから、操作が簡便で処理が短時間で済み処理能力が高いという工業的に有利な方法である。
【００６９】
ウェハをオゾン曝露する場合、低圧水銀灯などによる紫外線照射や高電圧による低温放電等で発生させたオゾンをウェハ表面に供しても良い。ウェハをオゾン曝露しながら光照射してもよいし、加熱してもよい。
【００７０】
前記の光照射、加熱、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電を組み合わせることによって、効率的にウェハ表面の保護膜を除去することができる。
【実施例】
【００７１】
ウェハの表面を凹凸パターンを有する面とすること、凹凸パターンの少なくとも凹部に保持された洗浄液を他の洗浄液で置換することは、他の文献等にて種々の検討がなされ、既に確立された技術であるので、本実施例では、前記保護膜形成用薬液の評価を中心に行った。
【００７２】
凹凸パターンの凹部に働く毛細管力は、以下の式で表される。
【００７３】
Ｐ＝２×γ×ｃｏｓθ／Ｓ
（式中、γは凹部に保持されている液体の表面張力、θは凹部表面と凹部に保持されている液体のなす接触角、Ｓは凹部の幅である。）
この式から明らかなようにパターン倒れを引き起こす毛細管力Ｐは、洗浄液のウェハ表面への接触角、すなわち液滴の接触角と、洗浄液の表面張力に大きく依存する。凹凸パターン２の凹部４に保持された洗浄液の場合、液滴の接触角と、パターン倒れと等価なものとして考えてよい該凹部に働く毛細管力とは相関性があるので、前記式と撥水性保護膜１０の液滴の接触角の評価から毛細管力を導き出すことができる。なお、実施例において、前記洗浄液として、水系洗浄液の代表的なものである水を用いた。上記の式より、接触角が９０°に近いほど該凹部に働く毛細管力が小さくなり、パターン倒れが発生し難くなるため、前記保護膜表面に水が保持されたと仮定したときの接触角は６５〜１１５°が好ましく、７０〜１１０°が特に好ましい。
【００７４】
水滴の接触角の評価は、ＪＩＳ  Ｒ  ３２５７「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」にもあるように、サンプル基材の表面に数μｌの水滴を滴下し、水滴と基材表面のなす角度の測定によりなされる。しかし、パターンを有するウェハの場合、接触角が非常に大きくなる。これは、Ｗｅｎｚｅｌ効果やＣａｓｓｉｅ効果が生じるからで、接触角が基材の表面形状（ラフネス）に影響され、見かけ上の水滴の接触角が増大するためである。そのため、表面に凹凸パターンを有するウェハの場合、該凹凸パターン表面に形成された前記保護膜１０自体の接触角を正確に評価できない。
【００７５】
そこで、本実施例では前記薬液を表面が平滑なウェハに供して、ウェハ表面に保護膜を形成して、該保護膜を表面に凹凸パターン２が形成されたウェハ１の表面に形成された保護膜１０とみなし、種々評価を行った。なお、本実施例では、表面が平滑なウェハとして、表面が平滑なシリコンウェハ上に酸化ケイ素層を有する「ＳｉＯ２膜付きシリコンウェハ」（表中でＳｉＯ２と表記）、及び、表面が平滑なシリコンウェハ上に窒化ケイ素層を有する「ＳｉＮ膜付きシリコンウェハ」（表中でＳｉＮと表記）を用いた。
【００７６】
詳細を下記に述べる。以下では、保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法、該保護膜形成用薬液の調製、そして、ウェハに該保護膜形成用薬液を供した後の評価結果が述べられる。
【００７７】
〔保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法〕
保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法として、以下の（１）〜（３）の評価を行った。
【００７８】
（１）ウェハ表面に形成された保護膜の接触角評価
保護膜が形成されたウェハ表面上に純水約２μｌを置き、水滴とウェハ表面とのなす角を接触角計（協和界面科学製：ＣＡ−Ｘ型）で測定し接触角とした。ここでは保護膜の接触角が６５〜１１５°の範囲であったものを合格とした。
【００７９】
（２）保護膜の除去性
以下の条件で低圧水銀灯のＵＶ光をサンプルに１分間照射し、撥水性保護膜除去工程における保護膜の除去性を評価した。照射後に水滴の接触角が１０°以下となったものを合格（表中で○と表記）とした。
【００８０】
・ランプ：セン特殊光源製ＰＬ２００３Ｎ−１０
・照度：１５ｍＷ／ｃｍ２（光源からサンプルまでの距離は１０ｍｍ）
（３）保護膜除去後のウェハの表面平滑性評価
原子間力電子顕微鏡（セイコ−電子製：ＳＰＩ３７００、２．５μｍ四方スキャン）によって表面観察し、中心線平均面粗さ：Ｒａ（ｎｍ）を求めた。なお、Ｒａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で定義されている中心線平均粗さを測定面に対し適用して三次元に拡張したものであり、「基準面から指定面までの差の絶対値を平均した値」として次式で算出した。保護膜を除去した後のウェハ表面のＲａ値が１ｎｍ以下であれば、洗浄によってウェハ表面が浸食されていない、および、前記保護膜の残渣がウェハ表面にないとし、合格（表中で○と表記）とした。
【式】
【００８１】
0005716527.tif 000007
ここで、ＸＬ、ＸＲ、ＹＢ、ＹＴは、それぞれ、Ｘ座標、Ｙ座標の測定範囲を示す。Ｓ０は、測定面が理想的にフラットであるとした時の面積であり、（ＸＲ−ＸＬ）×（ＹＢ−ＹＴ）の値とした。また、Ｆ（Ｘ，Ｙ）は、測定点（Ｘ，Ｙ）における高さ、Ｚ０は、測定面内の平均高さを表す。
【００８２】
［実施例１］
（１）保護膜形成用薬液の調製
保護膜形成剤としてノナフルオロヘキシルジメチルクロロシラン〔Ｃ４Ｆ９（ＣＨ２）２（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ〕；１ｇ、有機溶媒としてハイドロフルオロエーテル（スリーエム社製ＨＦＥ−７１００）；９６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）；３ｇを混合し（前記有機溶媒を表１中でＨＦＥ７１００／ＰＧＭＥＡと表記する）、約５分間撹拌して、保護膜形成用薬液の総量に対する保護膜形成剤の濃度（以降「保護膜形成剤濃度」と記載する）が１質量％の保護膜形成用薬液を得た。
【００８３】
（２）ウェハの洗浄
平滑な酸化ケイ素膜付きシリコンウェハ（表面に厚さ１μｍの熱酸化膜層を有するシリコンウェハ）を１質量％のフッ酸水溶液に２分間浸漬し、次いで純水に１分間、２−プロパノールに１分間浸漬した。また、ＬＰ−ＣＶＤで作製した窒化ケイ素膜付きシリコンウェハ（表面に厚さ５０ｎｍの窒化ケイ素層を有するシリコンウェハ）を１質量％のフッ酸水溶液に２分間浸漬し、次いで純水に１分間、２８質量％アンモニア水：３０質量％過酸化水素水：水を１：１：５の体積比で混合し、ホットプレートで液温を７０℃とした洗浄液に１分間、純水に１分間、２−プロパノールに１分間浸漬した。
【００８４】
（３）ウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理
前記酸化ケイ素膜付きシリコンウェハ、及び窒化ケイ素膜付きシリコンウェハを、それぞれ、上記「（１）保護膜形成用薬液の調製」で調製した保護膜形成用薬液に２０℃で１分間浸漬させた。その後、ウェハを２−プロパノールに１分間浸漬し、次いで、純水に１分間浸漬した。最後に、ウェハを純水から取出し、エアーを吹き付けて、表面の純水を除去した。
【００８５】
得られた各ウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表１に示すとおり、酸化ケイ素膜付きシリコンウェハでは表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は１０１°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのＲａ値は０．５ｎｍ未満であり、洗浄時にウェハは侵食されず、さらにＵＶ照射後に撥水性保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【００８６】
一方、窒化ケイ素膜付きシリコンウェハでは表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は９４°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのＲａ値は０．５ｎｍ未満であり、洗浄時にウェハは侵食されず、さらにＵＶ照射後に撥水性保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【００８７】
このように保護膜形成剤としてノナフルオロヘキシルジメチルクロロシラン〔Ｃ４Ｆ９（ＣＨ２）２（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ〕を用いると、表面に水酸基の多い酸化ケイ素膜付きシリコンウェハ、水酸基の少ない窒化ケイ素膜付きシリコンウェハのどちらに対しても良好な撥水性付与効果が得られ、効率的に洗浄が行えることを確認した。
【表１】
0005716527.tif 000008
【００８８】
［実施例２〜３］
実施例１で用いた有機溶媒を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表１に示す。なお、表１中で、ＣＴＦＰ／ＰＧＭＥＡは実施例１のＨＦＥ−７１００の代わりに１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン（ＣＴＦＰ）を用いた有機溶媒を意味し、ＤＣＴＦＰ／ＰＧＭＥＡは実施例１のＨＦＥ−７１００の代わりにｃｉｓ−１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン（ＤＣＴＦＰ）を用いた有機溶媒を意味する。
【００８９】
［実施例４］
保護膜形成剤としてブチルジメチルシリルジメチルアミン〔Ｃ４Ｈ９（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２〕；１ｇ、有機溶媒としてＰＧＭＥＡ；９８．９ｇ、さらに触媒としてトリフルオロ酢酸〔ＣＦ３ＣＯＯＨ〕；０．１ｇを用いて保護膜形成用薬液を作製した。前記保護膜形成剤の総量１００質量％に対する前記触媒の添加量（以下、触媒濃度と記載する）は１０質量％である。さらに、各ウェハの保護膜形成用薬液への浸漬時間を１０分間とした。それ以外は、すべて実施例１と同じである。
【００９０】
酸化ケイ素膜付きシリコンウェハの評価結果は表１に示すとおり、表面処理後の接触角は８７°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのＲａ値は０．５ｎｍ未満であり、洗浄時にウェハは侵食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【００９１】
一方、窒化ケイ素膜付きシリコンウェハの評価結果は表１に示すとおり、表面処理後の接触角は７１°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのＲａ値は０．５ｎｍ未満であり、洗浄時にウェハは侵食されず、さらにＵＶ照射後に撥水性保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【００９２】
［実施例５〜２６］
実施例４で用いた保護膜形成剤、保護膜形成剤濃度、触媒、触媒濃度、有機溶媒、各ウェハの保護膜形成用薬液への浸漬時間、及び、各ウェハの保護膜形成用薬液への浸漬温度を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表１に示す。なお、表１中で、Ｃ８Ｈ１７（ＣＨ３）２ＳｉＮ（ＣＨ３）２はオクチルジメチルシリルジメチルアミンを意味し、Ｃ８Ｈ１７Ｓｉ〔Ｎ（ＣＨ３）２〕３はオクチルシリルトリスジメチルアミンを意味し、（ＣＦ３ＣＯ）２Ｏはトリフルオロ酢酸無水物を意味する。
【００９３】
［比較例１］
保護膜形成剤として、トリメチルクロロシラン〔（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ〕；１ｇを用いた以外はすべて実施例１と同じとした。
【００９４】
酸化ケイ素膜付きシリコンウェハの評価結果は表１に示すとおり、表面処理後の接触角は７１°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのＲａ値は０．５ｎｍ未満であり、洗浄時にウェハは侵食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【００９５】
一方、窒化ケイ素膜付きシリコンウェハの評価結果は表１に示すとおり、表面処理後の接触角は４１°となり、撥水性付与効果が充分では無かった。
【００９６】
［比較例２］
保護膜形成剤として、トリメチルシリルジメチルアミン〔（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２〕；１ｇを用いた以外はすべて実施例６と同じとした。
【００９７】
酸化ケイ素膜付きシリコンウェハの評価結果は表１に示すとおり、表面処理後の接触角は９１°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのＲａ値は０．５ｎｍ未満であり、洗浄時にウェハは侵食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【００９８】
一方、窒化ケイ素膜付きシリコンウェハの評価結果は表１に示すとおり、表面処理後の接触角は６０°となり、撥水性付与効果が充分では無かった。
【００９９】
［比較例３］
保護膜形成剤として、１，３−ビス（３，３，３−トリフルオロプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン〔〔ＣＦ３（ＣＨ２）２（ＣＨ３）２Ｓｉ〕２ＮＨ〕；１ｇを用いた以外はすべて実施例６と同じとした。
【０１００】
酸化ケイ素膜付きシリコンウェハの評価結果は表１に示すとおり、表面処理後の接触角は９６°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのＲａ値は０．５ｎｍ未満であり、洗浄時にウェハは侵食されず、さらにＵＶ照射後に撥水性保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【０１０１】
一方、窒化ケイ素膜付きシリコンウェハの評価結果は表１に示すとおり、表面処理後の接触角は６２°となり、撥水性付与効果が充分では無かった。
【０１０２】
このように比較例１〜３の化合物では、表面に水酸基の多い酸化ケイ素膜付きシリコンウェハの場合には良好な撥水性付与効果が得られたが、表面に水酸基の少ない窒化ケイ素膜付きシリコンウェハの場合には十分な撥水性付与効果が得られず、ウェハ種による水酸基の数に撥水性付与効果が大きく依存した。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明の保護膜形成剤、及び、該剤を含む保護膜形成用薬液、及び、該薬液を用いたウェハの洗浄方法は、電子産業の集積回路分野において、ウェハの種類に応じた表面の洗浄条件の変更や工程の追加を低減できるため、製造効率の向上に貢献する。数種のウェハを扱う場合はではとりわけ効率的な製造が可能である。
【符号の説明】
【０１０４】
１    ウェハ
２    ウェハ表面の凹凸パターン
３    パターンの凸部
４    パターンの凹部
５    凹部の幅
６    凸部の高さ
７    凸部の幅
８    凹部４に保持された撥水性保護膜形成用薬液
９    凹部４に保持された液体
１０  撥水性保護膜
【図１】
0005716527.tif 000011
【図２】
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【図３】
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【図４】
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