【事件の表示】
　特許第３０１０３３６号「同軸ケーブルおよびその製造方法」の請求項１ないし１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０１０３３６号の請求項１ないし１１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第３０１０３３６号の請求項１乃至１１に係る発明（平成５年９月１６日出願、平成１１年１２月１０日設定登録。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１乃至１１に記載された次のとおりのものと認める。
【請求項１】中心導体の外周に低誘電率絶縁体および外部導体を順に設けてなる同軸ケーブルにおいて、前記外部導体は、無電解めっきアンカー金属層と、このアンカー金属層の外周に設けた電気めっき良導電性金属層からなると共に、前記電気めっき良導電性金属層が、銅めっき層と、光沢銅めっき層と、ストライクニッケルめっき層とからなることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項２】請求項１に記載の同軸ケーブルにおいて、外部導体の外周に保護被覆層を設けたことを特徴する同軸ケーブル。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の同軸ケーブルにおいて、前記電気めっき良導電性金属層の厚さが、３０μｍ以上、１０７μｍ以下であることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項４】請求項１から請求項３のいずれかに記載の同軸ケーブルにおいて、前記低誘電率絶縁体が、フッ素樹脂系またはポリオレフイン樹脂系の低誘電体樹脂からなることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項５】請求項１から請求項４のいずれかに記載の同軸ケーブルにおいて、前記中心導体の外形が０．０５ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下であり、同軸ケーブルの仕上外径が０．９ｍｍ以下の細径であることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項６】中心導体の外周に低誘電率絶縁体を被覆する絶縁体被覆工程と、被覆された低誘電率絶縁体の表面を活性化処理する活性化処理工程と、活性化処理された低誘電率絶縁体の表面にアンカー金属層を形成する無電解めっき工程と、形成されたアンカー金属層の外周に良導電性金属層を形成する電気めっき工程とを有すると共に、前記電気めっき工程は、銅めっき層を形成する銅めっき工程と、光沢銅めっき層を形成する光沢銅めっき工程と、ストライクニッケルめっき層を形成するストライクニッケルめっき工程とを有することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
【請求項７】請求項６に記載の同軸ケーブルの製造方法において、前記良導電性金属層の外周に保護被覆層を設ける外被形成工程をさらに有することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
【請求項８】請求項６または請求項７に記載の同軸ケーブルの製造方法において、前記電気めっき工程で形成する前記電気めっき良導電性金属層の厚さが、３０μｍ以上、１０７μｍ以下であることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
【請求項９】請求項６から請求項８のいずれかに記載の同軸ケーブルの製造方法において、前記低誘電率絶縁体がフッ素樹脂系の低誘電体樹脂である場合に、前記活性化処理が、スパッタエッチング処理、エキシマレーザー照射処理、金属ナトリウム一ナフタレン錯体溶液浸漬処理またはこれらの組合せであることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
【請求項１０】請求項６から請求項９のいずれかに記載の同軸ケープルの製造方法において、前記低誘電率絶縁体が、ポリオレフィン樹脂系の低誘電体樹脂である場合に、前記活性化処理が、プラズマ処理、火炎処理、クロム酸系または硫酸系の強酸処理またはこれらの組合せであることを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
【請求項１１】請求項６から請求項１０のいずれかに記載の同軸ケーブルの製造方法において、前記電気めっき工程の後に、熱処理工程を有することを特徴とする同軸ケーブルの製造方法。
２．特許異議申立の理由
　異議申立人は、本件請求項１乃至１１に係る発明は、本件特許出願前に頒布された刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきものである、と主張する。
３．異議申立人が提示した刊行物及び記載事項
◎甲第１号証：特開平５−３４２９３０号公報（平成５年１２月２４日公開）
　「従来技術」の欄には、「従来、同軸ワイヤは金属導線に高周波特性に優れるフッ素樹脂の被膜を形成し、フッ素樹脂被膜表面を粗化・活性化し、めっき触媒を付与し、無電解銅めっきにより下地銅めっきを行い、電気銅めっきの厚付けめっきを行い金属被膜を形成して製造している。」と記載されている。
◎甲第２号証：「めっき技術マニュアル」１９８７年９月３０日発行
　第３３２頁のプラスチックめっきのプロセスの項にＡＢＳ樹脂へのめっきプロセスが記載され、第３３３頁の「図８．８．１　ＡＢＳへのプラスチックめっき工程」に示されるフローチャートには、前処理工程としての化学銅めっきの後の電気めっき工程８〜１０には、ストライク銅めっき、硫酸鋼めっき（脚注より：光沢銅）、ニッケルめっきの工程が記載されている。
◎甲第３号証：「プラスチックめっき実務読本」オーム社、昭和４４年２月２０日発行
　第１２３頁第１５行〜第１６行には、「ストライクめっき…適正電流密度以上の電流密度で、短時間めっきすることをいう。薄いけれどもつきまわりのよいめっきが得られる。」と記載されている。
◎甲第４号証：「めっき実務読本」日刊工業新聞社、昭和６１年９月３０日発行
　第３８頁第１５行〜第１７行には、「ストライクめっきは、特別な作業条件または浴組成を用いて、短時間めっきを施すこと、密着性を良くしたり、被覆力を向上させる目的で行なう。」と記載されている。
◎甲第５号証：「ふっ素樹脂ハンドブック」日刊工業新聞社、１９９０年１１月３０日発行
　第８０頁第８行〜第１１行および第８０頁第１８行〜第８１頁第４行には、「ＰＴＦＥ成形品の表面を濡れやすくしたり、他の材料と接着させる場合、表面処理が行われる。化学的な表面処理方法としては、アルカリ金属の溶液またはアマルガムによる処理がある。金属ナトリウムをナフタレンのテトラヒドロフラン溶液に加えてできる錯体溶液が最もよく用いられる。」および「物理的な表面処理法としては、低気圧グロー放電で生じたプラスイオンを電界で加速し、陰極側物質に衝突させて処理するスパッタエッチングが工業的に実用化されている。スパッタエッチング処理したＰＴＦＥ表面には微細な円錐状の突起が形成されるが、ナトリウム処理の場合のような着色はなく化学的な変化もほとんど認められない。アンカー効果によって接着性が向上する」と記載されている。
（以下、甲第１号証〜甲第５号証を甲１〜甲５という。）
４．対比ならびに判断
（イ）請求項１に係る発明（以下本件発明という。）について、
　本件発明は同軸ケーブルにして、請求項１記載の構成を採用することにより、外部導体をめっきで薄く形成するので、外部導体に隙間がなく、シールド特性が良好となり、また、曲げやすく、巻取りも容易になり、長尺品を製造でき、保護被覆層を効率良く形成できたため、広い用途に使用でき、さらに、仕上り外径０．９ｍｍ以下の細径化も可能となる効果と、さらに、外部導体を、無電解めっきアンカー金属層と、このアンカー金属層の外周に設けた電気めっき良導電性金属層とから構成し、その良導電性金属層を、銅めっき層と、光沢銅めっき層と、ストライクニッケルめっき層とから構成しているから、密着性、導電性、耐食性、はんだ付け性をも向上する（本件特許公報段落００３１、００３２参照。）という効果を奏するのである。
　他方、異議申立人が提示した甲１の公開日は、平成５年１２月２４日であり、本件特許出願前に公開されたものではないから、これは本件特許出願前に頒布された刊行物とはなりえない。なお、甲１は、本件特許出願前の特許出願であり、甲１の出願当初の明細書には上記摘示の記載は認められるが、本件発明の「電気めっき良導電性金属層が、銅めっき層と、光沢銅めっき層と、ストライクニッケルめっき層とからなる」構成は記載されていないから、甲１に本件発明が記載されているということもできない。
　次に、本件発明と本件特許出願前に頒布された刊行物である甲２〜甲５に記載の事項を比較する。
　甲２には、ＡＢＳ樹脂上へのめっきに関して記載され、無電解化学めっきに続いてストライク銅めっき、硫酸銅めっき、ニッケルめっきが順次施されることは知られており、この工程によって得られる金属層が、無電解めっきアンカー金属層上の電気めっき層構造として、本件の銅めっき層、光沢銅めっき層、ストライクニッケルめっき層と各対応するものであるとしても、甲２の記載はあくまでＡＢＳ樹脂に対するメッキ処理技術の開示にとどまり、本件同軸ケーブルの中心導体の外周に被覆されるフッ素樹脂系やポリオレフィン樹脂系のような低誘電率絶縁体に対する処理を示唆するものではない。
　そして、本件規定の特定処理による金属層の積層構造物が本件明細書に記載の同軸ケーブルにおける密着性、導電性、半田付け性等の向上に有効であるとの効果を予測することは当業者といえども困難なことと認められる。
  また、甲３，甲４各号証には一般的なストライクめっきの意味と作用が記載されるのみであり、甲５はフッ素樹脂の表面処理によりアンカー効果をもたらす手法が記載されるが、本件の同軸ケーブルの低誘電率絶縁体上に本件規定の各種めっき層を積層することの示唆は何ら記されていない。
　したがって、甲２に記載される事項と甲３，甲４，甲５に記載される事項とを併せ考えてみても、当業者が上記構成を有する本件同軸ケーブルを容易に想到しえたものであるということはできない。
　（ロ）請求項２〜１１に係る発明について、
　請求項２の発明は、請求項１に記載の発明に保護被覆層を設けたもの、請求項３の発明は、上記請求項１の電気めっき良導電性金属層の厚さを規定したもの、請求項４の発明は、請求項１の低誘電率絶縁体を特定したもの、請求項５の発明は、請求項１の同軸ケーブル及びその中心導体の径の大きさを規定したものであるから、請求項１に記載の発明が、甲２〜５に記載の事項から容易に推考することができない以上、請求項２〜５に記載の発明も同様に甲２〜５の記載から容易に推考しえたものであるということはできない。
　また、請求項６〜１１の発明は、請求項１〜５に記載の同軸ケーブルを製造する方法の発明を規定するもので、上記請求項１〜５の特定の構造から成る同軸ケーブルの各製造方法が工程順に規定されているから、同様に甲２〜５の記載から容易に推考しえたものであるということはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠方法によっては、本件請求項１乃至１１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月１９日（２０００．１２．１９）