【事件の表示】
　特許第３０１４９７０号「半導体封止用エポキシ樹脂組成物」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１４９７０号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯　
　特許第３０１４９７０号に係る発明についての出願は、昭和６３年２月１５日に特許出願した特願昭６３−３３２１２号の一部を平成８年７月２２日に新たな特許出願としたものであり、平成１１年１２月１７日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、後藤昭雄及び加藤巨奈江より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年２月６日付けで訂正請求がなされるとともに特許異議意見書が提出されたものである。　
　
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のａ〜ｆのとおりである。
ａ．願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１の
「下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍ以下の酸化アンチモン粉末。
（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末。
（Ｆ）ハイドロタルサイト類化合物。」を
「下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍ以下の酸化アンチモン粉末。
（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末。
（Ｆ）ハイドロタルサイト類化合物。」と訂正する。
ｂ．特許明細書の特許請求の範囲の請求項５及び請求項６を削除する。
ｃ．特許明細書【０００６】の
「（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末」（特許公報第４欄第２２〜２３行）を
「（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末」と訂正する。
ｄ．特許明細書【０００９】の
「Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末（Ｅ成分）」（特許公報第４欄第４３〜４４行）を
「Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末（Ｅ成分）」と訂正する。
ｅ．特許明細書【００１８】の
「設定することが好ましい。なお上記球状シリカについては、アスペクト比（長径／短径）が１〜１．３のものが好ましい。」（特許公報第６欄第４５〜４７行）を
「設定する必要がある。なお上記球状シリカについては、アスペクト比（長径／短径）が１〜１．３のものである。」と訂正する。
ｆ．特許明細書【００２９】の
「Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末（Ｅ成分）」（特許公報第８欄第２６〜２７行）を
「Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末（Ｅ成分）」と訂正し、また、
「平均粒径および最大粒径が特定の範囲に設定されているため、」（特許公報第８欄第３５〜３６行）を
「平均粒径，最大粒径ならびに球状シリカのアスペクト比，平均粒径，最大粒径が特定の範囲に設定されているため、」と訂正する。　
　
イ．訂正の目的の適否、訂正範囲の適否及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａに関連して、訂正前の明細書の【００１８】には「球状シリカが５〜１００％含有されるようにし、かつ溶融シリカの平均粒径を１〜３０μｍで、最大粒径を９６μｍ以下に設定することが好ましい。なお上記球状シリカについては、アスペクト比（長径／短径）が１〜１．３のものが好ましい。」（特許公報第６欄第４２〜４７行）との記載が認められる。そうすると、上記訂正事項ａは、訂正前の特許明細書に記載された事項の範囲内において、溶融シリカ粉末について限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　上記訂正事項ｂは請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　上記訂正事項ｃ〜ｆは、請求項１についての訂正との整合を図るための、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、これらの訂正事項ａ〜ｆのいずれも、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内をこえるものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
ウ．むすび
  以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．取消理由についての判断
（１）訂正後の本件発明
　訂正請求された請求項１〜４に係る本件特許発明（以下、「本件発明１」、・・及び「本件発明４」という。）は、訂正明細書の請求項１〜４に記載された下記の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍ以下の酸化アンチモン粉末。
（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末。
（Ｆ）ハイドロタルサイト類化合物。
【請求項２】（Ｆ）成分のハイドロタルサイト類化合物が、下記の一般式（１）で表されるものである請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
ＭｇｘＡｌｙ（ＯＨ）２ｘ＋３ｙ−２ｚ（ＣＯ３）ｚ・ｍＨ２Ｏ・・・（１）
〔式（１）中、ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ０＜ｙ／ｘ≦１，０≦ｚ／ｙ＜１．５なる関係を有し、ｍは整数を示す。〕
【請求項３】（Ｃ）成分の臭素化エポキシ樹脂の当量が４２０以上である請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】（Ｃ）成分の臭素化エポキシ樹脂の含有量が、エポキシ樹脂組成物の樹脂成分（Ａ＋Ｂ＋Ｃ成分）中、１〜１０重量％に設定されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」
　
（２）取消理由
　当審において通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
「請求項１、２及び４に係る発明は刊行物１〜３に、請求項３に係る発明は刊行物１〜４に、請求項５に係る発明は刊行物１〜３及び５〜７に、そして請求項６に係る発明は刊行物１〜３及び６〜８に、それぞれ記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。」
　
（３）刊行物
　上記取消理由に引用した刊行物は以下のとおりである。
刊行物１：特開昭60−65057号公報（特許異議申立人加藤巨奈江が提出した甲第１号証）
刊行物２：特開昭61−19625号公報（同甲第２号証）
刊行物３：特開昭60−147141号公報（同甲第３号証）
刊行物４：「ＥＰＯＴＯＨＴＯ」カタログ，東都化成（株），1985．2（裏表紙右下に表示），ｐ．1〜16（同甲第４号証）
刊行物５：特開昭61−221222号公報（同甲第５号証）
刊行物６：特開昭61−113642号公報（同甲第６号証）
刊行物７：特開昭62−74924号公報（同甲第７号証）
刊行物８：特開昭62−81446号公報（同甲第８号証）
　刊行物１〜８には、以下の点が記載されている。
刊行物１
（１−１）「１．エポキシ樹脂に放射性物質含有量を１０ｐｐｂ以下としたシリカ微粉末と酸化アンチモン微粉末を添加してなることを特徴とする難燃性エポキシ樹脂組成物
２．シリカ微粉末が粒径０．５〜１００μｍのものである特許請求の範囲第１項記載の難燃性エポキシ樹脂組成物
３．酸化アンチモン微粉末が粒径０．１〜１０μｍのものである特許請求の範囲第１項記載の難燃性エポキシ樹脂組成物−略−
６．半導体装置を、エポキシ樹脂に放射性物質含有量を１０ｐｐｂ以下としたシリカ微粉末と酸化アンチモン微粉末を添加してなるエポキシ樹脂組成物で樹脂封止してなることを特徴とする樹脂封止半導体装置−略−」（特許請求の範囲）
（１−２）「このエポキシ樹脂は公知のものでよく、・・・。また、難燃化ということから、これはハロゲン化エポキシ樹脂を適当量配合することも可能である・・・。また、このエポキシ樹脂の硬化剤としては、・・・フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどのような分子中に少なくとも２個の水酸基をもつフェノールノボラック型硬化剤・・・などが例示され、これらはその１種または２種以上の組合せで使用すればよい。」（第２頁右下欄第２行〜第３頁左上欄第８行）
（１−３）「シリカ微粉末は放射性物質としてのウラン、トリウムなどの含有量が１０ｐｐｂ以下のものとする必要があるが、・・・０．５〜１００μｍの範囲、好ましくは３〜１０μｍの粒径をもつものとすることがよい。」（第３頁左上欄第１０行〜同頁右上欄第７行）
（１−４）「・・この微粉末状シリカと併用される難燃化剤としての酸化アンチモンも放射性物質としてのウラン、トリウムなどの含有量が１０ｐｐｂ以下のものとされ・・。また、この酸化アンチモンの粒径はそれが細かいものほど分散性がよく、したがって少量の添加で効果をあげることができ、粒径の粗いものは多量に添加する必要があるので、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．２〜１μｍの粒径をもつものとすることがよい。」（第３頁左下欄第１〜１３行）
（１−５）「つぎに本発明の実施例をあげるが、例中における部は重量部を示したものである。」（第４頁左上欄第１３〜１４行）
（１−６）「・・・平均粒子径が５０μｍの微粉末状シリカ（シリカＢ）が得られ、このもののウラン、トリウム含有量をしらべたところ、これは１．０ｐｐｂ以下であった。」（第４頁左下欄第５〜８行）
（１−７）「・・・三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３・・・Ａ）１８９部が得られた。つぎにこの三酸化アンチモンを乾燥後、ボールミルで粉砕したところ、平均粒径が０．５μｍの粉末が得られ、このものについて中性子放射化分析を行なったところ、このもののウラン、トリウム含量は１ｐｐｂ以下であった。」（第４頁右下欄第１３〜１７行）
（１−８）「実施例１〜４、比較例１〜２、オルソクレゾールエポキシノボラック樹脂（樹脂Ａ）、硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂（樹脂Ｂ）、テトラヒドロ無水フタル酸またはジアミノジフェニルメタンおよびブロム化エポキシノボラック樹脂（樹脂Ｃ）を第１表に掲記した量で配合したエポキシ樹脂組成物に上記した参考例で得たシリカＡ、Ｂ、ＣおよびＳｂ２Ｏ３・・・Ａを第１表に示した量で添加し、・・・半導体素子封止用樹脂組成物を作った・・・」（第５頁左上欄第１〜１３行）
（１−９）「・・・実施例２　樹脂Ａ：63，樹脂Ｂ：32，樹脂Ｃ：5，シリカＢ：250，Ｓｂ２Ｏ３・・・Ａ：10，・・・」（第５頁第１表）
刊行物２
（２−１）「半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂及び該樹脂の硬化剤の総量に対し、次式：
ＭｇｘＡｌｙ（ＯＨ）２ｘ＋３ｙ−２ｚ（ＣＯ３）ｚ・ｍＨ２Ｏ
（式中、ｘ，ｙ及びｚはそれぞれ、０＜ｙ／ｘ≦１，０≦ｚ／ｙ＜１．５なる関係を有し、ｍは整数を表わす）
で示されるハイドロタルサイト系化合物を０．０５〜２０重量％添加してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
（２−２）「本発明において用いられるハイドロタルサイト系化合物は、アルミニウム腐食に最も悪影響を与えるハロゲン及び有機酸の陰イオン性不純物を自己のＣＯ３２−イオンと置換するか、あるいはそのまま配位結合せしめる作用を有する。このため、該化合物を添加してなる本発明組成物によれば、樹脂中の上記陰イオン濃度を低下させることができるため、半導体素子に用いられるアルミニウム配線を腐食させるおそれはない。したがって、該エポキシ樹脂組成物を用いて半導体を封止することにより、高温高湿度中において信頼性が大幅に向上した素子が得られることになるため、その工業的価値は極めて大であると言える。」（第３頁左下欄第１３行〜同頁右下欄第５行）
（２−３）「実施例１〜５　エポキシ当量２２０のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の臭素化エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子量８００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、ハイドロタルサイトＤＨＴ−４Ａ（協和化学工業、商品名）、トリフェニルホスフィン、溶融性シリカ粉末、モンタンワックス、カーボンブラック、シランカップリング剤を第１表に示す組成比（重量部）に配合した。」（第３頁右下欄第７〜１６行）
刊行物３
（３−１）「１．少なくとも、一般式〔Ｉ〕   
〔Ｍ２＋１−ＸＭ３＋Ｘ（ＯＨ）ｍ〕＋Ｘ・ＸＲ−・ｎＨ２Ｏ　〔Ｉ〕
〔式中、Ｍ２＋はＭｇ２＋，Ｚｎ２＋，Ｎｉ２＋、Ｍ３＋はＡｌ３＋，Ｆｅ３＋，Ｃｒ３＋、Ｒ−はＣｌ−，ＮＯ３−，ＣｌＯ４−，ＣＯ３２−，ＳＯ４２−，Ｆｅ（ＣＮ）６４−、Ｘは１／６≦Ｘ＜１／３、ｍ，ｎは正の整数で表わされる〕で表わされるハイドロタルサイド類化合物を含む樹脂組成物により、少なくとも半導体素子及びリードフレームの一部を封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲）
（３−２）「上記、ハイドロタルサイド類化合物は、層状化合物であり、ＣＯ３２−はＣｌ−をはじめＦ−，ＮＯ３−，ＳＯ４２−あるいはギ酸、酢酸などのカルボキシルなどのアニオンによってイオン交換する作用を有する。このため、エポキシ樹脂、あるいはフェノール樹脂中の加水分解性Ｃｌを始め、シラン系カップリング剤などより生成する有機酸の捕捉に極めて有効であり、１８０℃以下では捕捉イオンを解離しない。このため、Ａｌの腐食に大きな影響を及ぼす封止樹脂組成物中のイオン性不純物の挙動を大幅に規制することが可能となり、高温高湿下に於ける樹脂封止型半導体装置の信頼性向上に大きな効果を発揮する。」（第２頁右上欄第７〜１９行）
（３−３）「実施例１〜４　多官能エポキシ化合物として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＣＮ１２７３（チバ社製：エポキシ当量：２２５）１００部、ノボラック型フェノール樹脂ＨＰ６０７Ｎ（日立化成社製）５５部に、ハイドロタルサイド類化合物として、Ｍｇ４．５Ａｌ２（ＯＨ）１３ＣＯ３・３．５Ｈ２Ｏ（協和化学工業社製：商品名：ＤＨＴ−４Ａ）を、第１表に示した所定量をそれぞれ別個に配合した４種類の配合組成物を作った。これらに・・・フィラとして溶融石英ガラス粉４８０部・・・を添加した。」（第３頁右下欄第１３行〜第４頁左上欄第１０行）   
刊行物４
（４−１）「８．難燃性エポキシ樹脂
８−１．臭素化エポキシ樹脂
エポトート・エポキシ当量（g/eq）・・特　　長
ＹＤＢ−500・450〜550・・積層板、難燃性付与
ＹＤＢ−600・460〜480・・積層板、難燃性付与
ＹＤＢ−700・680〜730・・積層板、難燃性付与
ＹＤＢ−715・450〜500・・積層板、難燃性付与
」（第９頁上段）
刊行物５
（５−１）「１．エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤、硬化促進剤、無機質充填剤及び界面処理剤からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、該無機質充填剤が全組成物に対して５５〜８０容量％の球状シリカ粉からなり、該界面処理剤が上記球状シリカ粉に対し０．１〜１．５重量％の、エポキシシランと純水の重量比で９：１〜９．９５：０．０５の混合物からなることを特徴とする組成物。
２．球状シリカ粉のウラン及びトリウム含量が０．５ｐｐｂ以下である特許請求の範囲第１項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
（５−２）「なお、表１中の各樹脂はオクトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９６、軟化点７６℃）、難燃性エポキシ樹脂（エポキシ当量２７０、軟化点８０℃）、フェノールノボラック樹脂（フェノール当量１０５、軟化点９７℃）を使用した。又、球状シリカ粉は平均粒径２２μｍであり、破砕状シリカ粉は平均粒径２０μｍである。」（第３頁左下欄第５〜１２行）
（５−３）第１表（第４頁）には、組成物中に「溶融シリカ粉（球状）」を配合する実施例が記載されている。
刊行物６
（６−１）「表面をアルコシキシラン類又は及びチタネート類で疎水化処理を施した重量平均粒径が１５ミクロン以下で最大粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしくは球状のシリカを充填材として用いることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
（６−２）「又、シリカ粒径も細かくする必要性が生じてきた。シリカの粒径が１００ミクロン以上だと大き過ぎ即ちミクロ的に不均一となり、半導体素子とリードとの結線を変形（ワイヤー変形）させたり樹脂クラックを発生させたりする原因となることが判ってきたためである。」（第１頁右欄第１４〜１９行）
（６−３）「不良が発生している箇所には必ず大きなシリカが存在しており囲りに細かいシリカが少ないこと（充填材が偏在していること）が判った。即ち、現在のシリカ粒径のバラツキが大きく応力が局部的に不均一になっていることが判った。」（第２頁右下欄第６〜１０行）
（６−４）「実施例３　シリカ形状：球状，最大粒径（ミクロン）：100，平均粒径（ミクロン）：10，・・硬化性：６７＜二重丸＞，バリ：Ａ＜二重丸＞，耐クラック性：ＴＣＴ：0／20＜二重丸＞,耐クラック性ＴＳＴ：0／20＜二重丸＞，耐湿性：0／20＜二重丸＞，総合判定：＜二重丸＞」（第４頁表）
刊行物７
（７−１）「１．（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤
（Ｃ）硬化促進剤
（Ｄ）平均粒子径３〜１００μｍを有する破砕状シリカ粉
（Ｅ）平均粒子径１〜５０μｍを有する球状シリカ粉から成り、（Ｅ）成分の配合量が（Ｄ）及び（Ｅ）成分の総配合量に対して５〜９０容量％であり、かつ（Ｄ）及び（Ｅ）成分の総配合量が（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）及び（Ｅ）の総配合量に対して５０〜７５容量％であることを特徴とする半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。
−第２項略−
３．（Ｄ）成分の最大粒径が５０μｍ以下であり、（Ｅ）成分の平均粒子径が５〜５０μｍであり、かつ（Ｄ）成分が（Ｄ）及び（Ｅ）成分の総配合量に対し１０〜９０容量％で配合される特許請求の範囲第１項記載の組成物。」（特許請求の範囲）
（７−２）「本発明の（Ｅ）成分である球状シリカ粉は、平均粒子径が１〜５０μｍの範囲内のものであって、粒子が球状のものであればいかなるものであってもよく、例えば、結晶性シリカ粉、溶融シリカ粉、あるいはこれらの混合物が挙げられる。平均粒子径が上記範囲外である場合、成形時における流動性の改善効果が少ない。」（第３頁右上欄第１５行〜同頁左下欄第１行）　
（７−３）「前記した（Ｅ）成分の配合量は（Ｄ）及び（Ｅ）成分の総配合量に対して、５〜９０容量％である。この配合量が上記した範囲を外れる場合には流動性の十分な改善効果が得られない。」（第３頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第１行）
（７−４）「以下本発明の実施例を掲げ本発明を更に詳述する。なお、表の値は特にことわらない限りは、すべて重量％を表わす。」（第４頁左上欄第１９行〜同頁右上欄第１行）
（７−５）「・・・実施例７　オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：17.0，難燃性エポキシ樹脂：1.6，フェノールノボラック樹脂：9.6，三酸化アンチモン：2.0，破砕状溶融シリカ粉（平均粒径３μｍ）Ｂ：30，球状溶融シリカ粉（平均粒径12μｍ）Ｄ：38，全シリカに対する球状シリカの配合割合（％）：55.9」（第５頁第１表）
（７−６）「・・・比較例９　オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：17.0，難燃性エポキシ樹脂：1.6，フェノールノボラック樹脂：9.6，三酸化アンチモン：2.0，破砕状溶融シリカ粉（平均粒径３μｍ）Ｂ：68，球状溶融シリカ粉（平均粒径12μｍ）Ｄ：−，全シリカに対する球状シリカの配合割合（％）：0」（第５頁第２表）
（７−７）「・・・実施例７　粘度（ポイズ）：300，バリ長さ（ｍｍ）：2.0」（第６頁第３表）
（７−８）「・・・実施例９（「比較例９」の誤記と認められる。）　粘度（ポイズ）：1500，バリ長さ（ｍｍ）：6.5」（第６頁第４表）
（７−９）「Ｂ・・・破砕状溶融シリカ粉、平均粒径３μｍ（325ｍｅｓｈパス、最大粒径44μｍ）」（第７頁右上欄第１０〜１１行）、
第１図（第７頁）には、「Ｄ・・・球状溶融シリカ粉、平均粒径１２μｍ」の粒度が約３〜約５０μｍの範囲に分布していることが示されている。
刊行物８
（８−１）「重量平均粒径が１５ミクロン以下で最大粒径が１００ミクロン以下のシリカを充填材として用い、分子内にエポキシ基を２つ以上含有する合成ゴムを０．１〜２０重量％含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
（８−２）「実施例１〜４　本実施例で使用したシリカは次の通りである。　溶融シリカＡ（電気化学工業）重量平均粒径１０ミクロン最大粒径７０ミクロン・・・実施例１〜９　シリカＡ〜Ｃ70部、表面処理剤（日本ユニカーＡ−186）０．４部、合成ゴムａ〜ｅＸ部、エポキシレジン（住友化学ＥＳＣＮ−102ｓ）２０−Ｘ部、フェノールノボラック（住友ベークライト）１０部、硬化促進剤（ケーアイ化成ＰＰ−360／四国化成2ＭＺ＝9／1）０．２部、顔料（三菱化成）０．５部、離型剤（ヘキストジャパンヘキストＯＰ／ヘキストＳ＝1／1）０．４部を加え混合した後コニーダーで混練し９種のエポキシ樹脂組成物を得た。」（第２頁左下欄第１７行〜第３頁左上欄第１１行）
（８−３）「実施例１　７０部−シリカ：Ａ，Ｘ部−合成ゴムａ：２，成形性−硬化性：７０＜二重丸＞，成形性−バリ：Ａ＜二重丸＞、熱ストレス後耐湿性：0／20＜二重丸＞，総合判定：＜二重丸＞」（第３頁下段表）
　
（４）対比、判断
　本件発明１と刊行物１の記載事項とを以下に対比、検討する。
　上記のように刊行物１には、（１−１）に、
「エポキシ樹脂に放射性物質含有量を１０ｐｐｂ以下としたシリカ微粉末と酸化アンチモン微粉末を添加してなることを特徴とする難燃性エポキシ樹脂組成物」が記載されており、この酸化アンチモン微粉末が粒径０．１〜１０μｍのものであること、及び、該エポキシ樹脂組成物で半導体を封止することも記載されている。また、シリカ微粉末としては３〜１０μｍの粒径をもつものが好ましいこと（１−３）及びシリカ微粉末と酸化アンチモン微粉末の放射性物質としてのウラン、トリウム含有量をいずれも１０ｐｐｂ以下とすること（（１−３），（１−４））が記載されており、更に、オルソクレゾールエポキシノボラック樹脂、フェノールノボラック樹脂及びブロム化エポキシノボラック樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物に、ウラン、トリウム含有量がいずれも１．０ｐｐｂ以下であるシリカ微粉末と酸化アンチモン微粉末を添加して半導体素子封止用樹脂組成物を作る実施例（（１−５）〜（１−８））が示されている。
　刊行物１の実施例（１−８）に記載された「オルソクレゾールエポキシノボラック樹脂」、「フェノールノボラック樹脂」及び「ブロム化エポキシノボラック樹脂」は、それぞれ本件発明１における「（Ａ）エポキシ樹脂」、「（Ｂ）フェノール樹脂」及び「（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂」に相当するものであり、刊行物１の（１−２）の記載からみても、その特許請求の範囲（１−１）に記載された「エポキシ樹脂」としてこれらを含有する樹脂を用い得るものであるから、本件発明１と刊行物１に記載された発明とは、ともに、
「（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂、
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂、
（Ｄ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の酸化アンチモン粉末、
（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下のシリカ粉末
の各成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物」である点で一致し、酸化アンチモン粉末及びシリカ粉末の平均粒径の範囲においても重複しているが、本件発明１における以下の点について刊行物１には記載されていない点で、これらの間には一応の相違が認められる。
（ｉ）酸化アンチモン粉末の「最大粒径が４４μｍ以下」である点、
（ｉｉ）シリカ粉末が「アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末」である点及び
（ｉｉｉ）樹脂組成物が「（Ｆ）ハイドロタルサイト類化合物」を含む点
　そこでこれらの点について検討する。
（ｉ）刊行物１には、酸化アンチモンの粒径は細かいものほど分散性がよく、０．２〜１μｍが好ましいこと（１−４）が記載されており、実施例においても０．５μｍのものが用いられている（１−７）。そうすると、「好ましい」とされる範囲の上限（１μｍ）を大きく超えるような粗大粒子を含まないようにすることは、同刊行物に記載された発明において、当然考慮されることというべきである。
　また、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に配合するシリカ充填材について、粒径が大き過ぎる粒子が含まれると応力が不均一となり半導体に不良を発生させることは刊行物６（（６−１）〜（６−３））に記載されているように広く知られており、シリカ粒子と同様に充填材としての機能も備えているものと解される刊行物１に記載された酸化アンチモン粉末においても、この観点からその最大粒径に上限を設けることは当業者が普通に想起する程度のことにすぎない。
　そして、刊行物１に記載された発明において、これらの点から酸化アンチモン粉末の最大粒径範囲を本件発明１における（ｉ）のように設定することは、当業者が実験的に容易になし得たものというほかはない。
（ｉｉ）刊行物６には、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に配合するシリカ粒子の粒径について、上記（ｉ）で指摘した不良発生との関連において、「粒径が１００ミクロン以上だと大き過ぎ」ること（６−２）が具体的に記載されている。また、刊行物７には、半導体封止用エポキシ樹脂組成物（７−１）について記載されており、その実施例７（７−５）で用いられている２種類のシリカ粉「Ｂ」及び「Ｄ」の内、「Ｂ」の最大粒径は４４μｍであること（７−９）が明記され、「Ｄ」の最大粒径は約５０μｍであることが第１図から読み取れる（７−９）。更に、刊行物８には、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に配合するシリカ粒子の最大粒径を１００μｍ以下とすること（８−１）が記載されており、実施例には、最大粒径７０μｍのシリカ粒子を用いること（８−２）が記載されている。これらの記載からみて、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に配合するシリカ粒子の最大粒径を１００μｍ以下に設定することは本件の出願前普通に行われていたものというべきであり、上記刊行物１に記載された発明において本件発明１のように、シリカ粒子の最大粒径の上限をこの近傍値である「９６μｍ」とする点に格別のものは見いだせない。
　また、刊行物５には、半導体封止用エポキシ樹脂組成物中にウラン、トリウム含量が０．５ｐｐｂ以下である球状シリカ粉を配合すること（（５−１）、（５−２））及び該球状シリカ粉として溶融シリカ粉を用いること（５−３）が記載されており、刊行物７には、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に破砕状シリカ粉と球状シリカ粉の２種類のシリカ粒子を配合すること（７−１）、及び球状シリカ粉として溶融シリカ粉を用いること（７−２）が開示されている。更に刊行物７には、球状シリカ粉の配合量が、破砕状シリカ粉と球状シリカ粉の合計量に対して５〜９０容量％の範囲をはずれると、流動性の十分な改善効果が得られない（７−３）ことが記載され、破砕状溶融シリカ粉（平均粒径３μｍ）Ｂを３０重量％、球状溶融シリカ粉（平均粒径１２μｍ）Ｄを３８重量％（Ｄ／（Ｂ＋Ｄ）×１００＝５５．９％）含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物（実施例７）では粘度３００ポイズ、バリ長さ２．０ｍｍであるのに対して、この組成物と比して他の配合成分、配合量が一致しており、破砕状溶融シリカ粉Ｂを６８重量％含み球状溶融シリカ粉Ｄを含まない点のみが異なる組成物（比較例９）では、粘度１５００ポイズ、バリ長さ６．５ｍｍであるとの実施例及び比較例（（７−４）〜（７−８））が示されている。そうすると、球状溶融シリカ粉（５５．９重量％）の存在が粘度及びバリ長さを低く押さえる作用に寄与していることは、該刊行物の記載から明らかに理解されるところというべきである。そして、刊行物１に記載された発明においてこのような作用効果を得るべく、本件発明１のように、５〜１００重量％の範囲で刊行物５及び７に記載された球状溶融シリカ粉末を含ませることは、当業者が容易になし得たものというほかはない。
　もっとも、刊行物５及び７には、球状溶融シリカ粉のアスペクト比について言及されていないが、通常、粒子形状についてことさら「球状」と表現する場合には、そのアスペクト比が可及的に１に近いものを意味するものと解するのが自然である。一方、本件発明１における「１〜１．３」というアスペクト比範囲には、もはや球とは言い難い形状のものまでも含まれ得るのである。しかも、本件訂正明細書の記載をみても、「１〜１．３」というアスペクト比範囲の限定に、格別の臨界的意義は見いだせない。
　ゆえに、上記のように、刊行物１に記載された発明において刊行物５及び７に記載された球状溶融シリカ粉を適用するにあたり、その球状粒子として本件発明１におけるようなアスペクト比で規定されたものを用いる点に困難性は見いだせない。
（ｉｉｉ）刊行物２には、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化エポキシノボラック樹脂及びフェノールノボラック樹脂硬化剤にハイドロタルサイト系化合物を添加せしめてなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物（（２−１）、（２−３））が記載されており、このハイドロタルサイト系化合物が、アルミニウム腐食に最も悪影響を与えるハロゲン及び有機酸の陰イオン性不純物を自己のＣＯ３２−イオンと置換するか、あるいはそのまま配位結合せしめる作用を有すること（２−２）が記載されている。また、刊行物３には、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂及びノボラック型フェノール樹脂とハイドロタルサイド類化合物を含み半導体素子封止に用いられる樹脂組成物（（３−１）、（３−３））が記載されており、ＣＯ３２−がＣｌ−などのアニオンによってイオン交換する作用によりＡｌの腐食に大きな影響を及ぼす封止樹脂組成物中のイオン性不純物の挙動を大幅に規制すること（３−２）が記載されている。
　そして、これらの刊行物に記載された技術を、同じく半導体封止用エポキシ樹脂組成物に係る上記刊行物１に記載された発明に適用して、本件発明１のように、ハイドロタルサイド類化合物の添加によりＡｌの腐食防止を図る点に、特に困難性は見いだせない。
　そして、本件訂正明細書の記載からは、これらの構成（ｉ）〜（ｉｉｉ）を組み合わせたことにより、本件発明１が、それぞれの構成から予測される以上の特段の作用効果を奏し得たものと認めることはできない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜３及び５〜８に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　次に、本件発明２についてみると、この発明は、本件発明１において、（Ｆ）成分のハイドロタルサイト類化合物を「一般式（１）で表されるもの」に限定したものであるが、刊行物２には当該式（１）で示されるものと同一のハイドロタルサイト類化合物を添加してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物（２−１）が記載されている。
　そして、上記のように、本件発明１は刊行物１〜３及び５〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２も、これらの刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
  次に、本件発明３についてみると、この発明は、本件発明１において、（Ｃ）成分の臭素化エポキシ樹脂の当量を「４２０以上」に限定したものであるが、刊行物４に記載されているように、難燃性エポキシ樹脂としてエポキシ当量が４２０以上の臭素化エポキシ樹脂を用いること（４−１）は、当業界で普通に行われていることにすぎない。
　そして、上記のように、本件発明１は刊行物１〜３及び５〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明３は、刊行物４の記載事項を参酌して、これら刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
  次に、本件発明４についてみると、この発明は、本件発明１において、（Ｃ）成分の臭素化エポキシ樹脂の含有量が、「エポキシ樹脂組成物の樹脂成分（Ａ＋Ｂ＋Ｃ成分）中、１〜１０重量％に設定」されているものであるが、刊行物１の実施例２には、「オルソクレゾールエポキシノボラック樹脂（本件発明１の「エポキシ樹脂」に相当。）６３部、「硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂（同、「フェノール樹脂」に相当。）３２部及び「ブロム化エポキシノボラック樹脂（同「臭素化エポキシ樹脂」に相当。）５部を配合したエポキシ樹脂組成物（（１−８）、（１−９）：なお、「部」は「重量部」を意味する（１−５）。）が記載されており、ブロム化エポキシノボラック樹脂は樹脂成分全体の５重量％（５／（６３+３２+５）×１００＝５）となるので、本件発明４の範囲に包含される。
　そして、上記のように、本件発明１は刊行物１〜３及び５〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明４も、これらの刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜４に係る特許は、いずれも、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１〜４についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月２７日（２００１．３．２７）
【訂正の要旨】
　　訂正の要旨
　特許第３０１４９７０号発明の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち、
ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１の
「下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍ以下の酸化アンチモン粉末。
（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末。
（Ｆ）ハイドロタルサイト類化合物。」を
「下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍ以下の酸化アンチモン粉末。
（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末。
（Ｆ）ハイドロタルサイト類化合物。」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項５及び請求項６を削除する。
ｃ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【０００６】の
「（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末」（特許公報第４欄第２２〜２３行）を
「（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末」と訂正する。
ｄ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【０００９】の
「Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末（Ｅ成分）」（特許公報第４欄第４３〜４４行）を
「Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末（Ｅ成分）」と訂正する。
ｅ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００１８】の
「設定することが好ましい。なお上記球状シリカについては、アスペクト比（長径／短径）が１〜１．３のものが好ましい。」（特許公報第６欄第４５〜４７行）を
「設定する必要がある。なお上記球状シリカについては、アスペクト比（長径／短径）が１〜１．３のものである。」と訂正する。
ｆ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００２９】の
「Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末（Ｅ成分）」（特許公報第８欄第２６〜２７行）を
「Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末（Ｅ成分）」と訂正し、また、
「平均粒径および最大粒径が特定の範囲に設定されているため、」（特許公報第８欄第３５〜３６行）を
「平均粒径，最大粒径ならびに球状シリカのアスペクト比，平均粒径，最大粒径が特定の範囲に設定されているため、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体封止用エポキシ樹脂組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍ以下の酸化アンチモン粉末。
（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末
であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末
（Ｆ）ハイドロタルサイト類化合物。
　【請求項２】　（Ｆ）成分のハイドロタルサイト類化合物が、下記の一般式（１）で表されるものである請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
　【化１】
　【請求項３】　（Ｃ）成分の臭素化エポキシ樹脂の当量が４２０以上である請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
　【請求項
４
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、高温雰囲気中においても優れた信頼性を保持するとともに放射性物質によるメモリーの誤動作を生起しない半導体装置を製造することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は、一般にエポキシ樹脂組成物を用いて封止され半導体装置化されている。上記エポキシ樹脂は、その電気特性，耐湿性，接着性等が良好であることから、半導体装置の封止に用いられており良好な成績を収めている。しかしながら、近年、自動車等の、多くの屋外使用機器においても半導体装置が大量に使用されるようになり、かつ半導体素子の大形化，高集積化に伴う高出力化とに伴い、今まで以上の耐熱性、特に従来では問題にならなかった高温での保存信頼性が多くの半導体装置に要求されるようになると同時に、放射性物質に起因するメモリーの誤動作の防止が要求されるようになってきている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　このような耐熱性の向上は、従来から、封止に用いるエポキシ樹脂の難燃性を高めることによって行っている。すなわち、臭素化エポキシ樹脂と酸化アンチモンとを組み合わせてエポキシ樹脂組成物中に配合することにより、エポキシ樹脂組成物硬化体の難燃性を高め、それによって封止樹脂の耐熱性の向上を図っている。上記臭素化エポキシ樹脂と酸化アンチモンとの組み合わせは、難燃性の点では良好な結果を示す。ところが、高温における保存安定性の点では問題が生じる。すなわち、高温状態においては、臭素化エポキシ樹脂の熱分解により臭化水素が発生し、この臭化水素が半導体素子の金線とアルミパッドの接合部とに反応して合金の生成を促し、これによって電気抵抗値の増加を招き、導通不良をもたらす。また最近の半導体メモリーの大容量化，高密度化に伴ってその封止樹脂中に含有されているＵ，Ｔｈなどの放射性物質から放射されるα線によりメモリーが誤動作を起こすという不都合が生じている。
　【０００４】
　このように従来の半導体装置では、難燃性の点においては問題ないが、高温状態における放置、特に長期間の放置では信頼性の点で問題がある。また、封止樹脂中に存在する放射性物質に起因するメモリーの誤動作という問題も生じている。
　【０００５】
　本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、高温雰囲気中に長期間放置しても優れた信頼性を保持し、かつ放射性物質によるメモリーの誤動作を生起しない半導体装置を製造することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物の提供をその目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成するため、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有するという構成をとる。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍ以下の酸化アンチモン粉末。
（Ｅ）Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末
であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末
（Ｆ）ハイドロタルサイト類化合物。
　【０００７】
　すなわち、本発明者らは、上記の目的を達成するため、一連の研究を重ねた結果、難燃剤としての臭素化エポキシ樹脂の熱分解の際に発生するハロゲンイオンを、ハイドロタルサイト類化合物が効果的に捕捉するため、高雰囲気下における信頼性が確保されることを突き止めた。また、メモリーの誤動作の原因が酸化アンチモンや溶融シリカ中の放射性物質に起因するものであり、その含有量を１０ｐｐｂ以下に抑制すると、メモリーの誤動作がなくなるということも見いだし本発明に到達した。
　【０００８】
　【発明の実施の形態】
　つぎに、本発明を詳しく説明する。
　【０００９】
　本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、臭素化エポキシ樹脂（Ｃ成分）と、Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍの酸化アンチモン粉末（Ｄ成分）と、Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末
であって、アスペクト比が、１〜１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ以下）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末
　【００１０】
　上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物のＡ成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するものではなく、フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等、従来より用いられている各種のエポキシ樹脂があげられる。これらのエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし併用してもよい。
　【００１１】
　上記エポキシ樹脂の中でも好適なエポキシ樹脂としては、エポキシ当量１７０〜３００のノボラック型エポキシ樹脂であり、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等があげられる。
　【００１２】
　上記Ｂ成分のフェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、フェノールノボラック樹脂，クレゾールノボラック樹脂等が好適に用いられる。これらのフェノール樹脂は、軟化点が５０〜１１０℃，水酸基当量が７０〜１５０であることが好ましい。
　【００１３】
　上記のようなエポキシ樹脂またはフェノール樹脂は片方または双方を、下記の一般式（２）で表されるオルガノポリシロキサンと反応させると、耐クラック性，耐温度サイクル性の向上効果が得られるようになる。そして、上記Ｆ成分を用いることにより、優れた耐熱性が得られるようになる。
　【００１４】
　【化２】
　【００１５】
　上記Ｃ成分の臭素化エポキシ樹脂としては、エポキシ当量が４２０以上のもの、好適には４２０〜５５０のものを使用することが望ましい。特に上記臭素化エポキシ樹脂としては臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂を使用することが好結果をもたらす。エポキシ当量が４２０未満の場合は、樹脂の耐熱性に劣る傾向がみられるばかりでなく、ハロゲン化水素ガスも発生しやすくなるためである。このような臭素化エポキシ樹脂の使用量は、エポキシ樹脂組成物の樹脂成分（Ａ＋Ｂ＋Ｃ成分）中、１〜１０重量％（以下「％」と略す）の範囲内に設定することが好ましい。すなわち、臭素化エポキシ樹脂の使用量が１％未満では難燃性の向上効果が不充分となり、逆に１０％を超えるとハロゲン化水素ガスの発生が多くなり半導体素子に悪影響を及ぼす傾向がみられるからである。
　【００１６】
　上記フェノール樹脂とエポキシ樹脂（臭素化エポキシ樹脂を含む）との相互の使用割合は、エポキシ樹脂のエポキシ当量との関係から適宜に選択されるが、エポキシ基に対するフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５の範囲内になるよう設定することが好ましい。当量比が上記の範囲を外れると、得られるエポキシ樹脂組成物硬化体の耐熱性が低下する傾向がみられるからである。
　【００１７】
　上記Ｄ成分となる酸化アンチモン粉末は、Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下のものである必要がある。すなわち、１０ｐｐｂを上回るとメモリーの誤動作の原因を作るようになるからである。また、このような酸化アンチモン粉末は、エポキシ樹脂組成物の流動性を高くし、成形時におけるバリを短くするという観点から、平均粒径が、０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍ以下のものを用いる必要がある。
　【００１８】
　上記Ｅ成分である溶融シリカ粉末も、Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下のものである必要がある。このようなものは、乾式シリカの製法として知られている各種の方法、例えば四塩化ケイ素，トリクロロシラン，メチルクロロシラン，メチルメトキシシラン等のケイ素化合物の熱分解ないしは加水分解によって製造することができる。この場合、原料としての上記化合物を予め精製しておけば放射性物質を１０ｐｐｂ以下に下げた溶融シリカ粉末を容易に製造することができる。このような溶融シリカ粉末において、エポキシ樹脂組成物の流動性を高め成形時におけるバリを短くするためには、球状シリカが５〜１００％含有されるようにし、かつ溶融シリカの平均粒径を１〜３０μｍで、最大粒径を９６μｍ以下に設定する
必要がある
である
　【００１９】
　上記Ｆ成分としては、下記の一般式（１）で表されるハイドロタルサイト類化合物があげられる。この化合物は、エポキシ樹脂組成物中のハロゲンイオンおよび有機酸イオンを自己のＣＯ３−−イオンと置換するか配位結合することによって上記不純イオンを捕捉し、臭素化エポキシ樹脂の熱分解に起因する臭化水素の発生を防止する作用を奏するものと考えられる。上記ハイドロタルサイト化合物の種類は、下記の一般式（１）におけるｘ，ｙ，ｚの数の比による区別等によって、多くの種類に分けられる。このようなハイドロタルサイト類化合物は、単独でもしくは二種以上を混合して使用される。
　【００２０】
　【化３】
　【００２１】
　このような化合物は、エポキシ樹脂組成物中における分散性の観点から平均粒径が５μｍ以下で、最大粒径が３０μｍ以下であることが好適である。そして、このようなＦ成分の含有量は、エポキシ樹脂組成物の樹脂成分（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）に対して０．１〜５％になるように設定することが好ましい。すなわち、配合量が０．１％を下回ると高温放置特性の改善効果が充分現れず、逆に５％を上回ると耐湿性の低下現象が見られるようになるからである。
　【００２２】
　本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｆ成分以外にも、必要に応じて従来より用いられているその他の添加剤が含有される。
　【００２３】
　上記その他の添加剤としては、例えば硬化促進剤，離型剤，着色剤，シランカップリング剤等があげられる。
　【００２４】
　上記硬化促進剤としては、三級アミン，四級アンモニウム塩，イミダゾール類，有機リン系化合物およびホウ素化合物等があげられる。これらの化合物は単独でもしくは併せて使用される。
　【００２５】
　上記離型剤としては、従来公知のステアリン酸，パルミチン酸等の長鎖のカルボン酸，ステアリン酸亜鉛，ステアリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩，カルナバワックス，モンタンワックス等のワックス類を用いることができる。
　【００２６】
　本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えばつぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ〜Ｆ成分ならびに上記その他の添加剤を適宜配合し、この混合物をミキシングロール機等の混練機に掛け加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却したのち公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により、目的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
　【００２７】
　このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができる。
　【００２８】
　このようにして得られる半導体装置は、高温放置時の信頼性を保持していると同時にメモリーの誤動作をも防止しうるという優れた性能を備えている。
　【００２９】
　【発明の効果】
　以上のように、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、臭素化エポキシ樹脂（Ｃ成分）と、Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下で、平均粒径が０．１〜３０μｍで、最大粒径が４４μｍの酸化アンチモン粉末（Ｄ成分）と、Ｕ，Ｔｈ含有量が１０ｐｐｂ以下の溶融シリカ粉末
であって、アスペクト比が、１．３の球状シリカ（平均粒径１〜３０μｍで最大粒径９６μｍ）を５〜１００重量％含有している溶融シリカ粉末
，
ならびに球状シリカのアスペクト比，平均粒径，最大粒径
　【００３０】
　つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
　【００３１】
　【実施例１〜１０、比較例１〜４】
　まず、後記の表１に示すような原料を準備した。
　【００３２】
　【表１】
　【００３３】
　次に上記原料を後記の表２〜表４で示す割合で配合し、ミキシングロール機で混練して冷却後粉砕し目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。
　【００３４】
　【表２】
　【００３５】
　【表３】
　【００３６】
　【表４】
　【００３７】
　上記のようにして得られた粉末状エポキシ樹脂組成物の硬化物特性を調べ後記の表５〜表９に示した。
　【００３８】
　【表５】
　【００３９】
　【表６】
　【００４０】
　【表７】
　【００４１】
　【表８】
　【００４２】
　【表９】
　【００４３】
　なお、上記表５〜表９において、スパイラルフローはＥＭＭＩ−６６、ゲルタイムはＪＩＳ−Ｋ−５９６６に準拠して測定した。線膨張係数，ガラス転移温度はＴＭＡ（理学電機社製）にて測定した。曲げ弾性率，曲げ強度はテンシロン万能試験機（東洋ボールドウイン社製）で測定した。体積抵抗率はＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準拠して測定した。また、高温状態における素子不良の測定は、半導体素子を樹脂封止して半導体装置を組み立て、全量２０個を高温にさらし、導通不良になる個数を求めて評価した。ＴＣＴ試験は、半導体素子を樹脂封止して、半導体装置を組み立て、−５０℃／５分〜１５０℃／５分の２０００回の温度サイクルテストを行い、クラックの発生数を測定した。また、α線量はα線カウンター（住友ケミカル社製）を用いて測定した。
　【００４４】
　表５〜表９の結果から、実施例品は比較例品に比べて高温状態に放置したときの素子の信頼性が高く、しかもメモリー誤動作を起こすα線量も少ないことがわかる。