【事件の表示】
　特許第２９４３９１２号「半導体装置及びその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４３９１２号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
　同請求項３に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．手続の経緯
　特許出願   　　　　 平成　８年１１月１２日
　特許権の設定の登録  平成１１年　６月２５日
　特許異議申立て（申立人セイコーエプソン株式会社、全請求項に係る特許に対して）
                      平成１２年　２月２９日
　取消理由通知        平成１２年　９月　８日
　訂正請求            平成１２年１１月２２日
２．訂正の適否
１）訂正の内容
［訂正事項ａ］
　特許請求の範囲の【請求項１】の全記載を、
「矩形からなる半導体素子であり、配線基板の導体配線と前記半導体素子の突起電柱とを合致させて前記半導体素子と配線基板との間を接着用絶縁性樹脂にて固着する構造を有する半導体装置において、
　前記半導体素子の投影面よりはみ出た前記接着用樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体素子の辺中央部より角部を少なくし、
　前記はみ出し量が前記半導体素子の略中心に対して点対称であることを特徴とする半導体装置。」と訂正する。
［訂正事項ｂ］
　特許請求の範囲の【請求項３】の全記載を、
「半導体素子の裏面に前記半導体装置よりも大きい耐熱性のテープを貼り付けた後に配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させ、その後前記半導体素子と配線基板との間の接着用絶縁性樹脂を加熱し硬化する半導体装置の製造方法であって、
　前記加熱に際しては前記接着用絶縁性樹脂の硬化温度以下で且つ、前記接着用絶縁性樹脂の粘度が下がる温度で加熱することで前記半導体装置からはみ出した前記接着用絶縁性樹脂が前記耐熱性のテープ接触した後に、
　前記接着用絶縁性樹脂の硬化温度以上で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と訂正する。
［訂正事項ｃ］
　特許請求の範囲の【請求項４】の全記載を削除する。
２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
［訂正事項ａ］は、半導体素子の形状及びフィレットの構成を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
［訂正事項ｂ］は、構成をより限定するものであり、そして、半導体素子の裏面に前記半導体よりも大きい耐熱性のテープを張り付けた後に配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させ、その後前記半導体素子と配線基板との間の接着用絶縁性樹脂を加熱し硬化する半導体装置の製造方法であって、前記加熱に際しては接着用絶縁性樹脂の樹脂の硬化温度以下で且つ、前記接着用絶縁性樹脂の粘度が下がる温度で加熱することで前記半導体からはみ出した前記接着用絶縁性樹脂が前記耐熱性のテープ接触した後に、前記接着用絶縁性樹脂の硬化温度以上で加熱することを特徴とするものは、【発明の詳細な説明】に記載されている（【００２０】、【００２１】、【００２２】等参照）から、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
［訂正事項ｃ］は、特許請求の範囲の【請求項４】の全記載を削除するものであるから、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
３）以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同第３項で準用する第１２６条第２及び第３項の規定に適合するので、この訂正を認める。
３．特許異議の申立の概要
　異議申立人セイコーエプソン株式会社は、甲第１号証（特開平５−１５２３７３号公報）、甲第２号証（特開平７−１２２５９２号公報）、甲第３号証（特開平２−２８４４３８号公報）、甲第４号証（特開昭６３−２９９３６６号公報）、甲第５号証〔実願平４−１６７０５号（実開平５−７７９３９号）のＣＤ−ＲＯＭ〕、甲第６号証（特開平６−１７７２１４号公報）、
甲第７号証（特開平４−３０９２６５号公報）、甲第８号証（特開平２−１５５２５７号公報）、甲第９号証（特開昭６２−２８１３６０号公報）、甲第１０号証（特開昭６２−２８１３６１号公報）を提出し、次の理由により本件請求項１乃至４に係る発明の特許は、取り消されるべきである旨主張する。
［理由１］
　本件請求項１に係る発明は、甲第１号証から又は甲第１号証及び甲第２号証から（必要であれば甲第６号証を加えて）当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
［理由２］
　本件請求項２に係る発明は、甲第３号証及び甲第１号証から（必要であれば甲第２号証、甲第６号証を加えて）当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
［理由３］
　本件請求項３に係る発明は、甲第２号証及び甲第３号証から（必要であれば甲第５号証、甲第６号証を加えて）当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
［理由４］
　本件請求項４に係る発明は、甲第４号証及び甲第２号証から（必要であれば甲第３号証、甲第５号証、甲第６号証を加えて）当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
［理由５］
　本件明細書の特許請求の範囲の【請求項３】における記載が不備であるから、本件請求項３に係る発明の特許は、特許法第３６条第５項の規定を満たしていない出願に対してなされたものである。
４．本件発明
　本件特許第２９４３９１２の請求項１乃至３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の【請求項１】、【請求項２】及び【請求項３】にそれぞれ記載された事項により特定される次のとおりのものである。
【請求項１】　
「矩形からなる半導体素子であり、配線基板の導体配線と前記半導体素子の突起電柱とを合致させて前記半導体素子と配線基板との間を接着用絶縁性樹脂にて固着する構造を有する半導体装置において、
　前記半導体素子の投影面よりはみ出た前記接着用樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体素子の辺中央部より角部を少なくし、
　前記はみ出し量が前記半導体素子の略中心に対して点対象であることを特徴とする半導体装置。」
　なお、上記「突起電柱」は「突起電極」の誤記であると認める。
【請求項２】　
「前記接着用絶縁性樹脂の線膨張係数を前記突起電極のそれより大きくしたことを特徴とする半導体装置。」
【請求項３】
「半導体素子の裏面に前記半導体装置よりも大きい耐熱性のテープを貼り付けた後に配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させ、その後前記半導体素子と配線基板との間の接着用絶縁性樹脂を加熱し硬化する半導体装置の製造方法であって、
　前記加熱に際しては前記接着用絶縁性樹脂の硬化温度以下で且つ、前記接着用絶縁性樹脂の粘度が下がる温度で加熱することで前記半導体装置からはみ出した前記接着用絶縁性樹脂が前記耐熱性のテープ接触した後に、
　前記接着用絶縁性樹脂の硬化温度以上で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　なお、上記「前記半導体装置」（２ケ所）は「前記半導体素子」の誤記であると認める。
５．本件請求項１に係る発明の特許について
　当審において通知した取消しの理由で引用した引用例１（特開平５−１５２３７３号公報）には、
　矩形からなる半導体チップであり、回路基板の導体配線と前記半導体チップの導電媒体つまり突起電極とを合致させて前記半導体チップと回路基板との間を樹脂つまり接着用絶縁性樹脂にて固着する構造を有する半導体装置であって、
　前記半導体チップの投影面よりはみ出た前記接着用絶縁性樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体チップの辺中央部より角部を少なくし、
　前記はみ出し量が前記半導体チップの略中心に対して点対象であるものが記載されている。（【図４】及び２頁１欄３６〜４９行、２頁２欄２〜５行等参照。）
　本件請求項１に係る発明を引用例１に記載のものと対比する。
　引用例１に記載のものでいう半導体チップ及び回路基板はそれぞれ、本件請求項１に係る発明でいう半導体素子及び配線基板に相当するから、
両者は、矩形からなる半導体素子であり、配線基板の導体配線と前記半導体素子の突起電極とを合致させて前記半導体素子と配線基板との間を接着用絶縁性樹脂にて固着する構造を有する半導体装置において、
　前記半導体素子の投影面よりはみ出た前記接着用樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体素子の辺中央部より角部を少なくし、
　前記はみ出し量が前記半導体素子の略中心に対して点対称であることで一致しており、構成上相違するところがない。
　従って、本件請求項１に係る発明は、引用例１に記載されたものであるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
６．本件請求項２に係る発明の特許について
　本件請求項２に係る発明を引用例１に記載のものと対比する。
　両者は、矩形からなる半導体素子であり、配線基板の導体配線と前記半導体素子の突起電極とを合致させて前記半導体素子と配線基板との間を接着用絶縁性樹脂にて固着する構造を有する半導体装置において、
　前記半導体素子の投影面よりはみ出た前記接着用樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体素子の辺中央部より角部を少なくし、
　前記はみ出し量が前記半導体素子の略中心に対して点対称であることで一致しており、次の点で一応相違する。
　本件請求項２に係る発明では、「前記接着用絶縁性樹脂の線膨張係数を前記突起電極のそれより大きくしたこと」というのに対して、引用例１には、接着用絶縁性樹脂の線膨張係数が導電媒体のそれより大きい旨の明示の記載がない点。
　前記相違点について検討すると、本件請求項２に係る発明の出願日前の昭和６１年５月２９日当時既に、配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させて半導体素子と導体配線基板との間を樹脂にて固着する構造を有する半導体装置において、エポキシ樹脂等の樹脂つまり膨張係数が突起電極のそれより大きい樹脂が使用されており〔例えば、引用例１０（特開昭６２−２８１３６１号公報）第１頁下右欄第１行〜第２頁上左欄第６行等参照。〕、上記事実によれば、相違点に係る本件請求項２に係る発明の構成は当業者が格別の創意工夫を要することなくなし得たことである。
　そして、本件請求項２に係る発明により奏される効果も格別のものでない。
　従って、本件請求項２に係る発明は、引用例１に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
６．本件請求項３に係る発明の特許について（その１）
（１）甲第２乃至６号証に記載の事項
　甲第２号証には、
　バンプを有する矩形の半導体素子と前記バンプが接続される端子を有する配線基板との間に、加圧状態で前記半導体素子と配線基板との当接面上に伸展する接合樹脂を配置し、前記接合樹脂を介して前記半導体素子を前記配線基板に接合する半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子と前記配線基板との間の前記バンプと前記端子との接続部を除いた位置に、前記半導体素子の相似形状となって前記当接面の全域を覆うように前記接合樹脂を伸展させる伸展補助部を有する接合樹脂を配置する樹脂配置工程（例えば前記半導体素子と前記配線基板との間の前記バンプと前記端子との接続部を除いた位置に、前記伸展補助部を有していない帯状の接合樹脂を配設する第一段階と、前記帯状の接合樹脂に前記伸展補助部を形成する第二段階とを有するもの）と、
前記バンプと前記端子とを対応させて前記半導体素子と前記配線基板とを位置合わせする位置合わせ工程と、
前記接合樹脂を加熱・加圧状態にして前記バンプと前記端子の接続後に前記バンプ周囲に伸展させることにより、前記バンプと前記端子の接続部を除いた前記当接面上に位置する前記接合樹脂が前記半導体素子を前記配線基板に接合する接合工程
（例えば、流動性を確保した第一加熱・加圧状態で前記接合樹脂を伸展させると共に、前記バンプと前記端子とを接続する第一段階と、前記第一段階後、第二加熱・加圧状態で前記接合樹脂を硬化させ、接続した前記バンプと前記端子とを接続状態に保持固定する第二段階とを有するもの）とを有する半導体装置の製造方法が記載されている。（特許請求の範囲の請求項２、３等参照。）
　甲第３号証には、
　絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された配線パターンと、前記配線パターン上に能動素子形成面が相対するように配置された半導体素子と、前記配線パターンと前記半導体素子の間に存在する導電性物質と、前記絶縁基板と前記半導体素子の間に加熱によって接着力を発現する絶縁樹脂とから成る半導体装置が、前記半導体素子と前記絶縁基板上に形成された配線パターンとを位置合わせする位置合わせ工程と、前記絶縁樹脂が接着力を完全に発現するよりも低い温度に加熱される予備加熱工程と、その後、前記絶縁樹脂が接着力を発現する温度まで加熱され、前記半導体素子と前記絶縁基板とが圧接される本圧着工程とによって前記半導体素子と前記絶縁基板上に形成された前記配線パターンとの接続を得ることを特徴とする半導体装置の実装方法が記載されている。（特許請求の範囲等）
　甲第４号証には、
　半導体素子の電極（金属突起）と配線基板の導体配線の接続において、電気的接続を行わせる部分と、半導体素子を配線基板に固定する部分とを分離し、配線基板への固定は、絶縁性の樹脂による粘着剤を有する可とう性テープを、半導体素子の電極を有する側と反対の面及び半導体素子の周囲の配線基板に渡って粘着することにより行い、電気的接続は電極と導体配線の接続により行うものが記載されている。（２頁上右欄７行〜３頁上右欄９行）
　甲第５号証には、
　相対峙して形成された接続用回路の間に絶縁性接着剤あるいは絶縁性接着剤中に導電性微粒子を分散させた接着剤を狭持して接合する回路の接続方法において、接着剤に印加する温度を少なくとも２段階のステップを設けて上昇させることにより、上記相対峙する接続用回路を導通接合せしめて接合固定する回路の接続方法が、記載されている。（実用新案登録請求の範囲等）
　甲第６号証には、
　耐熱性フィルムと耐熱性絶縁基板との一方には圧着端子を、該耐熱性絶縁フィルムと該耐熱性絶縁基板との他方には該圧着端子と接続する相手端子を形成し、接着剤を挟んで該相手端子を形成し、接着剤を挟んで該相手端子と該圧着端子とを重ね、該相手端子に該圧着端子の当接面を当接せしめ、該相手端子と該当接面とが当接した状態で該接着剤を硬化せしめること、を特徴とする圧着端子の接続方法等が記載されている。（請求項１０等）
（２）対比・判断
　甲第２、３、５、６号証に記載のものは、本件請求項３に係る発明と同じく、配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極（甲第２号証ではバンプ、甲第３号証では金属突起、甲第５号証では金バンプ、甲第６号証では圧着端子）とを合致させた後、半導体素子と配線基板との間の接着用絶縁性樹脂（甲第２号証では接合樹脂、甲第３号証では絶縁樹脂、甲第５号証では絶縁性接着剤、甲第６号証では接着剤）を加熱し硬化させる半導体装置の製造方法に関する。
　そして、甲第２、３、５号証に記載のものは、加熱に際しては接着用絶縁性樹脂の反応温度以下にて先ず加熱し、ついで反応温度以上で加熱する点で、本件請求項３に係る発明と共通する。
　また、甲第６号証に記載のものは、加熱に際して異なる温度条件下で２回加熱する点で、本件請求項３に係る発明と共通する。
　しかし、本件請求項３に係る発明では、
半導体素子の裏面に前記半導体素子よりも大きい耐熱性のテープを張り付ける（以下、構成「Ａ」という。）、及び
接着用絶縁性樹脂の硬化温度以下で且つ、接着用絶縁性樹脂の粘度が下がる温度で加熱することで半導体素子からはみ出した接着用絶縁性樹脂が耐熱性のテープ接触した後に、接着用絶縁性樹脂の硬化温度以上で加熱する（以下、構成「Ｂ」という。）ところ、甲第２、３、５、６号証のいずれにも本件請求項３に係る発明における構成「Ａ」及び「Ｂ」を示唆する記載はない。
　その他、甲第４号証に記載のものは、半導体素子と配線基板との間の接着用絶縁性樹脂を加熱し硬化させる半導体装置の製造方法に関するものでなく、甲第４号証には、もちろん、本件請求項３に係る発明における構成「Ｂ」を示唆する記載はない。
　そして、本件請求項３に係る発明は、前記構成によりフィレットにボイドの発生がないものを製造し得るものと認める。
　してみれば、本件請求項３に係る発明は、甲第２乃至６号証に記載されたもの等に基づいて当業者が容易に発明することができたものといえない。
７．本件請求項３に係る発明の特許について（その２）
　異議申立人は、【請求項３】に記載の「接着用絶縁性樹脂の反応温度以下にてまず加熱し」における「反応温度」とは、「接着用絶縁性樹脂の硬化反応の温度を意味するのか、それとも溶融反応の温度を意味するのか不明瞭である。」というが、前記「訂正」により、「反応温度」は「樹脂の硬化反応温度」と訂正され、その結果、本件請求項３に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項の規定を満たしていない出願に対してなされたものといえない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してされたもの、及び本件請求項２に係る発明の特許は同法同条第２項の規定に違反してされたものであるから、それらは同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
　また、本件請求項３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２９日（２００１．１．２９）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　本件特許第２９４３９１２号の請求項１乃至３に係る発明の明細書を次の（１）乃至（３）のとおり訂正する。
（１）特許請求の範囲の【請求項１】の全記載を、「矩形からなる半導体素子であり、配線基板の導体配線と前記半導体素子の突起電柱とを合致させて前記半導体素子と配線基板との間を接着用絶縁性樹脂にて固着する構造を有する半導体装置において、
　前記半導体素子の投影面よりはみ出た前記接着用樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体素子の辺中央部より角部を少なくし、
　前記はみ出し量が前記半導体素子の略中心に対して点対象であることを特徴とする半導体装置。」と訂正する。
（２）特許請求の範囲の【請求項３】の全記載を、「半導体素子の裏面に前記半導体装置よりも大きい耐熱性のテープを貼り付けた後に配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させ、その後前記半導体素子と配線基板との間の接着用絶縁性樹脂を加熱し硬化する半導体装置の製造方法であって、
　前記加熱に際しては前記接着用絶縁性樹脂の硬化温度以下で且つ、前記接着用絶縁性樹脂の粘度が下がる温度で加熱することで前記半導体装置からはみ出した前記接着用絶縁性樹脂が前記耐熱性のテープ接触した後に、
　前記接着用絶縁性樹脂の硬化温度以上で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。」と訂正する。
（３）特許請求の範囲の【請求項４】の全記載を削除する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
矩形からなる半導体素子であり、
前記
　前記半導体素子の投影面よりはみ出た前記接着用樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体素子の辺中央部より角部を少なくし、
　
前記はみ出し量が前記半導体素子の略中心に対し点対称である
　【請求項２】　前記接着用絶縁性樹脂の線膨張係数を前記突起電極のそれより大きくしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項３】　
半導体素子の裏面に前記半導体装置よりも大きい耐熱性のテープを貼り付けた後に
その後前記
であって、
　前記加熱に際しては
前記
樹脂の硬化温度以下で且つ、前記接着用絶縁性樹脂の粘度が下がる温度で加熱することで
耐熱性のテープ接触した後に、
　
前記接着用絶縁性樹脂の硬化
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、特に多端子を有しかつ狭ピッチのＩＣ，ＬＳＩのパッケージング構造の半導体装置とその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】従来、封止後の半導体素子の複数の電極を基板上の配線に接続する一方法として、熱硬化型樹脂の収縮力を利用する技術がある。この方法を説明するに、まず、図４（ａ）のようにセラミック、ガラス、ガラスエポキシ等によりなる配線基板１の基材２の導体配線３を有する面に、接着用絶縁性樹脂４を塗布する。導体配線３はＣｒ−Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，ＩＴＯ等でありスパッタリング法、蒸着法によりこの導体配線用金属を形成した後、フォトレジスト法によりレジストを導体配線を形成する部分に残し導体配線用金属をエッチングするか、又は印刷法を用い形成する。絶縁性樹脂４は熱硬化型のエポキシ、シリコーン、アクリル等の樹脂である。
　【０００３】次に図４（ｂ）のように半導体素子５の突起電極６を導体配線３と位置合せをして一致させ、半導体素子５を加圧し、配線基板１の基材２に押し当てる。このときの突起電極６近傍の状態は図５のように、半導体素子５のアルミ電極７に電気メッキ法等により形成したＡｕ，Ａｇ，Ｃｕよりなる突起電極６が、配線基板１に押し当てられると、突起電極６と導体配線３の間の熱硬化型の接着様絶縁性樹脂４が押し出されてフィレットを形成し、突起電極６と導体配線３とは電気的な接続を得る。
　【０００４】次に、半導体素子５を加圧して突起電極６を導体配線３に押し当てた状態で接着用絶縁性樹脂４に熱を加えて硬化させ、その後加圧を解除し半導体素子５を配線基板１に固着する。この時、図４（ｃ）のように半導体素子５の突起電極６と配線基板１は熱硬化型の接着用絶縁性樹脂４の収縮力により、電気的に接触した状態を保持することができるというものである。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の熱硬化型絶縁性樹脂４により半導体素子５と配線基板１とを接着し、しかもその収縮力により突起電極６を導体配線３に接続する方法にあっては、高温での使用時、または、パワーモジュール等の高温発熱の半導体素子５の使用時では、絶縁性樹脂４が熱的影響を受けて膨張し、使用終了後に絶縁性樹脂４が収縮する。この繰り返しにより絶縁性樹脂の劣化が生じ、収縮力が緩和されて絶縁性樹脂４の膨張量が硬化時の絶縁性樹脂４の収縮量を上回ると突起電極６と導体配線３との間に間隙が生じて電気的な接続不良が生じるという現象が生じている。
　【０００６】他方、従来提案されている技術としては、突起電極と導体配線との間の間隙の発生が絶縁性樹脂と突起電極との熱膨張係数の違いに基づくものであるとして、絶縁性樹脂としてＳｉＯ２を有機溶剤に溶かしたものを用い、熱膨張係数を小さくするという発明（特公平７−５２７４１号）がなされるものの、この従来技術は本来的に熱サイクルにより絶縁性樹脂の劣化に基づく絶縁性樹脂自体の収縮力の緩和を解決するものでなく、更には、有機溶剤の高充填によりヤング率が増大して膨張と収縮の繰り返しによる応力が大きくなって絶縁性樹脂が半導体素子から剥がれてしまうという別の問題点が生ずる。
　【０００７】また、別の従来技術として突起電極と導体配線との接続不良を無くすため、配線基板の基材と導体配線との間に高弾性率絶縁性樹脂層を形成し半導体素子の突起電極により導体配線及び絶縁性樹脂層を弾性変形させた状態で接着用絶縁性樹脂で固着した構成とするもの（特開平４−８２２４１号）がある。これは、導体配線と配線基板の間の絶縁性樹脂層の弾性変形を半導体素子の突起電極と導体配線との接続に利用する方法であるため、半導体素子を加圧したとき、微小な力で配線基板及び絶縁性樹脂層は変形する。また、絶縁性樹脂層は高弾性率を持つ絶縁性樹脂を利用するため、容易に弾性回復する。そして、この弾性回復により常温環境下においては接着用絶縁性樹脂の収縮力と絶縁性樹脂層の弾性回復力により半導体素子の突起電極と導体配線は接触し、電気的接続を得る。また、高温環境下においては接着用絶縁性樹脂が膨張し、膨張量が収縮量を上回る場合でも、導体配線と配線基板の基材との間の絶縁性樹脂層の弾性回復があるため、半導体素子の突起電極と導体配線は接触し電気的接続を得るという方法をとることである。
　【０００８】ところが、高温環境下において接着用絶縁性樹脂が膨張し、膨張量が収縮量を上回ると、導体配線と配線基板の基材との間の絶縁性樹脂層の弾性回復ができないため、半導体素子の突起電極と基板配線は接触できず、電気的接続を得ることはできなくなる。このことは、接着用絶縁性接着剤を加熱により硬化させるためには配線基板の基材の融点以上の熱が必要で（一般的には１７０から２５０度、基材の融点は１２０度前後）あり、微小な加圧でも基板配線と配線基板の基材との間の絶縁層樹脂は弾性変形ではなく塑性変形してしまうことによる。
　【０００９】いずれにしても、上述にて例示した特公平７−５２７４１号公報や特開平４−８２２４１号公報に開示された技術は、絶縁性樹脂の収縮力の緩和による接続不良という本質的な問題を解決するものではない。
　【００１０】本発明は、この本質的な問題の解決を図るものであるが、ここで、絶縁性樹脂が収縮する際の応力分布につき解析する。半導体素子を絶縁性樹脂にて基板に接着するとき、図４，５での説明の如く絶縁性樹脂４を基板１上におき、半導体素子５の電極６と導体配線３とを合致させ、絶縁性樹脂を加熱硬化させるのであるが、この場合半導体素子５の押圧にて半導体素子５の投影面よりはみ出す樹脂フィレットは図６（ａ）のようになる。すなわち、半導体素子５のまわりに一様にフィレットＦが形成され、絶縁性樹脂４の収縮によって図６（ｂ）に示すように収縮力が生ずる。この場合、半導体素子５の四角では、基板に平行な方向の収縮力が密になってぶつかり合い、この四角にて図６（ｃ）の如き残留応力が生じる。
　【００１１】他方、フィレットＦ自体は、図７（ａ）の如き厚肉部を有し、半導体素子５が投影される中央部は肉薄となっているのに対し半導体素子５の縁部分では肉厚となっている。このため、硬化収縮が生じたとき、半導体素子５の辺中央部では図７（ｃ）の如く収縮が生じるが、角では収縮力が密となって残留応力が残ることは図６（ｃ）の状態と一致する。
　【００１２】一方、基板垂直方向の収縮については、突起電極周囲の樹脂は半導体素子５の中心部よりも厚いと同時に、厚み方向の収縮は突起電極６と導体配線３の高さが保存されるため収縮が規制されて大きな残留応力を残す。結果として、角部はこの基板に水平方向と垂直方向の２つの残留応力が溜まることになる。樹脂による接着のみで半導体素子５の突起電極６と配線基板１の導体配線３を接続する場合には、基板に垂直方向の残留応力の緩和時間が接続寿命となる。そして、熱サイクルにより昇温と冷却を繰り返すと、角部に溜まった基板に平行な方向の残留応力は樹脂の劣化を促進させ、本来保つべき垂直方向の残留応力の緩和時間を縮めてしまうことが判明した。
　【００１３】本発明は、かかる問題に鑑み、垂直方向の残留応力の緩和時間を縮めないようにすべく、水平方向の残留応力を生じないようにし、また生じたとしても突起電極からその領域を外すようにした半導体装置の提供を目的とする。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】上述の目的を達成する本発明は、次の発明特定事項を有する。
　【００１５】（１）配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させて前記半導体素子と配線基板との間を接着用絶縁性樹脂にて固着する構造を有する半導体装置において、前記半導体素子の投影面よりはみ出た前記接着用絶縁性樹脂のフィレットのはみ出し量は前記半導体素子の辺中央部より角部を少なくしたことを特徴とする。
　【００１６】（２）前記（１）において、前記接着用絶縁性樹脂の線膨張係数を前記突起電極のそれより大きくしたことを特徴とする。
　【００１７】（３）配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させた後、半導体素子と配線基板との間の接着用絶縁性樹脂を加熱し硬化する半導体装置の製造方法において、前記加熱に際しては接着用絶縁性樹脂の反応温度以下にてまず加熱し、ついで反応温度以上で加熱することを特徴とする。
　【００１８】（４）前記（３）において、前記半導体基板と突起電極とを合致させるに際しては、半導体素子の面積より大きい面積を有する耐熱性テープを前記半導体素子に予め貼り付けたことを特徴とする。
　【００１９】半導体素子の角部の基板に平行な方向の残留応力が残りやすいフィレットの部分を、半導体素子の突起電極がある領域からはずし、また電極よりも線膨張係数の大きい接着用絶縁性樹脂を使用することによって半導体素子と配線基板を引き寄せている垂直方向の残留応力の緩和時間を最大に延すことができる。また、接着用絶縁性樹脂の反応温度以下の加熱とその後の反応温度以上の加熱により、更に耐熱性テープの半導体素子への被着により残留応力の緩和時間を延ばすことにつながる。結果として、半導体素子の突起電極と配線基板の導体配線の接続信頼性を高めることができる。
　【００２０】
　【発明の実施の形態】ここで、図１〜図３を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１において、図１（ａ−１）に示すように導体配線１０を有する配線基板１１に線膨張係数が電極より大きい（α＝：３０ｐｐｍ）一液性熱硬化型エポキシ１２を供給シリンジまたはスパチュラ等で供給する。次に、配線基板１１の導体配線１０と予めカプトンテープ１６（商品名）厚さ７／１００ｍｍを貼り付けた半導体素子１３（１０×１０ｍｍ）の突起電極１４とを一致させて搭載するため、半導体素子１３の接触面が半導体素子１３より大きく電源を兼ねたつかみ治具１５を用いて、半導体素子１３の突起電極１４を導体配線１０に搭載する。なお、カプトンテープ（商品名）１６は、半導体素子１３の面積より大きい面積を有し、耐熱性のあるテープである。
　【００２１】エキポシ樹脂１２は、半導体素子１３と配線基板１１の間で潰され、半導体素子１３の電極の領域内から、外に拡がる。それと同時にエキポシ樹脂１２の反応温度より低い温度でまず加熱し、次に反応温度以上で加熱すると樹脂が急激な反応を起こさず、急速に硬化する。このとき樹脂は、最初の加熱で粘度が下がり半導体素子領域からはみ出した樹脂を吸引もしくは接触の表面張力により半導体素子の辺中央部に偏らせる。次の加熱で偏った樹脂を変化させる。
　【００２２】具体的には、突極電極を導体配線１０に搭載したとき、例えば、突起電極１４と導体配線１０のトータル高さは６５μｍとなり、ソルダレジストが存在する半導体素子中心部の高さは４０μｍとなる。エキポシ樹脂１２の反応温度が１７０から１９０℃であるため、まず、１４０℃で３０ｓｅｃ次に２００℃で６０ｓｅｃという具合に加熱し、樹脂が急激な反応を起こさず、急速に硬化するようにする。このとき樹脂は、最初の加熱で粘度が下がり半導体素子の電極と基板配線が合致するとともに、両者の間隙を埋めるに必要な樹脂量は間隙に留まり、それ以上の樹脂は半導体素子１３の領域からはみ出していく（図１（ｂ−１））。この半導体素子領域からはみ出した分が半導体素子１３に貼り付けたテープ１６に接触し（図１（ｃ−１））、前述の吸引と表面張力により半導体素子１３の辺中央部に樹脂が偏る（図１（ｃ−２））。そして次の加熱で、半導体素子１３の周囲を樹脂１２が回らずに偏った樹脂は一気に硬化する。
　【００２３】かかる工程によりボイドの発生がない図２（ａ−１），（ａ−２），（ｂ）に示すフィレット形状となり、フィレットの長さは例えばａ＝０．５〜１ｍｍ，ｂ＝１．５〜２．５ｍｍ程度となる。
　【００２４】この結果、図３（ａ）に示すように半導体素子の角部の基板に平行なフィレットの長さａは辺中央部のフィレット長さｂより極めて短かく、収縮力は図３（ｂ）の如くなり、図３（ｃ）のように角部での残留応力が少なくなる。実際の形状としては、図３（ｄ），（ｅ）に示すように辺中央部にてフィレットが突出し、角部ではわずかなフィレットＦが残るのみとなる。
　【００２５】
　【発明の効果】以上説明の如く本発明では、水平方向の収縮による残留応力を半導体素子の電極領域からはずすことによって。熱的な要因での樹脂の膨張と収縮による樹脂の劣化を通常のフィレット形状のものより遅滞させ、突起電極と導体配線の接合の寿命が長くなる。
　【００２６】表１〜６は、図６（ａ）に示す一般的フィレット形状と図３（ｅ）に示す本発明に係るフィレット形状との信頼性評価結果（冷熱衝撃試験結果、試験条件　−４０℃〜１２５℃　各３０分）を示している。、各表上横欄は常温，８５℃，１００℃，１２５℃，１２５℃昇温後常温に戻す（Ｒ．Ｔ．）を示し、マウント後、硬化後、リフロー後、６０，３００，４００，５００，６００，７００は熱サイクルを示し、縦欄の２１０，５１０，７１０はそれぞれ電極ピッチの異なる半導体素子の型番を示し、２１０，５１０，７１０の順に電極ピッチが大きくなっていく。この表から判明するように、従来の半導体装置では１００℃、５００サイクルで寿命であったが（「ＮＧ」の表示箇所参照）、本発明の例では１２５℃、７００サイクルまで延びた。
　【００２７】
　【表１】
　【００２８】
　【表２】
　【００２９】
　【表３】
　【００３０】
　【表４】
　【００３１】
　【表５】
　【００３２】
　【表６】
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の実施の形態の一例を示す製造工程図。
　【図２】フィレット形状を示す図。
　【図３】フィレット形状を示し応力分布を説明する図。
　【図４】従来例の工程図。
　【図５】突起電極と基板配線との構造を示す図。
　【図６】従来のフィレット形状と応力の関係を示す図。
　【図７】フィレット形状とその収縮状態を示す図。
　【符号の説明】１　配線基板２　基材３　導体配線４　接着用絶縁性樹脂５　半導体素子６　突起電極７　アルミ電極１０　導体配線１１　配線基板１２　接着用絶縁性樹脂１３　半導体素子１４　突起電極１５　熱源を兼ねたつかみ治具１６　カプトンテープ