【事件の表示】
　特許第３０１４８９７号「高分子材料成形体の表面処理方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１４８９７号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
〔1〕手続の経緯
　本件特許第3014897号は、平成5年（1993年）5月27日の特許出願に係り、平成11年12月17日にその特許の設定登録がなされた。
　その後山本富士男より特許異議の申立がなされ、当審より平成12年12月11日付けの取消理由が通知され、その指定期間内である平成13年2月20日付けで訂正請求がなされた。
〔2〕訂正の適否についての判断
1.訂正事項は次のとおりである。
　訂正事項ａ
　請求項1を次のように訂正する。
「【請求項１】
　分光放射強度が最大になる波長が180nm以下である誘電体バリヤ放電ランプから放射される紫外線を、この放電ランプを冷却させながら、1mm乃至50mmに近接する高分子材料成形体に照射して、高分子材料成形体の表面を親水性に変えるかもしくはその親水性を増大せしめることを特徴とする表面処理方法。」
2.訂正の適否の判断
　訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　そして、訂正事項ａは、表面処理方法を「この放電ランプを冷却させながら、1mm乃至50mmに近接する高分子材料成形体に照射する」という特定の条件を限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とし、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
3.むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第120条の4第2項及び同条第3項で準用する第126条第2〜4項の規定に適合するので、当該訂正を適法なものとして認める。
〔3〕特許異議の申立てについての判断
1.本件発明
　異議申立の対象となった本件請求項1〜3に係る発明は、その後上記訂正請求がなされ、本件訂正明細書の特許請求の範囲の請求項1〜3に記載された事項により特定される次のとおりの発明となっている。
「【請求項１】
　分光放射強度が最大になる波長が180nm以下である誘電体バリヤ放電ランプから放射される紫外線を、この放電ランプを冷却させながら、1mm乃至50mmに近接する高分子材料成形体に照射して、高分子材料成形体の表面を親水性に変えるかもしくはその親水性を増大せしめることを特徴とする表面処理方法。
【請求項2】
　高分子材料成形体がポリエチレン樹脂、もしくはポリプロピレン樹脂、もしくはポリアセタール樹脂であり、誘電体バリヤ放電ランプが放電用ガスとして、キセノン、クリプトン、アルゴンあるいはフッ素を含んだガスを含みnm単位で表した放射波長範囲が160−190、140−160、107−165、130−190の少なくとも一つの波長範囲に放射光を有する誘電体バリヤ放電ランプであることを特徴とした請求項1記載の表面処理方法。
【請求項3】
　高分子材料成形体がフッ素樹脂であり、誘電体バリヤ放電ランプが放電用ガスとして、クリプトン、アルゴンあるいはフッ素を含んだガスを含みnm単位で表した放射波長範囲が140−160、107−165、130−190の少なくとも一つの波長範囲に放射光を有する誘電体バリヤ放電ランプであることを特徴とした請求項1記載の表面処理方法。」
2.特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人山本富士男は、証拠として下記刊行物1〜4に対応する甲第1〜4号証を引用し、
(i)本件請求項1〜3に係る発明は、甲第1〜3号証刊行物に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号の規定の違反して特許されたものであること、および
(ii)本件請求項1〜3に係る発明は、甲第1〜4号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することが出来たものであるから、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものであるから、
本件特許を取り消すべき旨主張する。
3.引用刊行物の記載事項
　特許異議申立人が証拠として提示した各刊行物には次の事項が記載されている。
(a)刊行物1（西ドイツ特許公開第4113524A1号公報；甲第1号証）には、
「有機物又は無機物から形成される基体又は構成部材の表面処理方法において、基体又は構成部材の表面が所定の波長を有する紫外光子の作用に部分的に又は全体的にさらされることを特徴とする表面処理方法」（第3欄50〜57行の請求項1）が記載されており、この有機物基体又は構造部材は、「例えば、ポリプロピレン及びポリテトラフロロエチレン(すなわち、フッ素樹脂)である。」（第2欄47〜56行）こと、所定の波長を有する紫外光子は、「高出力紫外線放射器3の充填ガスがキセノンの場合、160nm−190nmの範囲内の波長を有し、最大波長が172nmの紫外線であり、アルゴンの場合、107nm−165nmの範囲内の波長を有する紫外線である。」（第2欄67行〜第3欄22行）旨記載されている。
　また、表面処理の効果は、「濡れ性」（第1欄64〜68行）であり、表面処理時間は、「2〜3秒から数分間であり」（第2欄19〜22行）、
という旨記載されている。
(b)刊行物2（欧州特許公開第0254111A1号公報；甲第2号証）には、
　刊行物1の第2欄67行〜第3欄4行に記載された「高出力紫外線放射器3」が具体的に説明されている。
　誘電体バリヤ放電ランプの充填ガスによる放射紫外線の波長が、「アルゴン(107−165nm)、キセノン(160−190nm)、クリプトン(124nm,140−160nm)」（4頁23〜40行）
である旨記載されている。
(c)刊行物3（特開平3-1436号公報；甲第3号証）には、
「高効率エキシマ放電ランプの充頃ガスとして使用される、アルゴン(中心スペクトル126nm)、クリプトン(中心スペクトル146nm)及びキセノン(中心スペクトル172nm)」（第4頁左上欄13〜18行）が記載されており、
　高効率エキシマ放電ランプで使用するガスとして、「フッ素(中心スペクトル157nm)」（第4頁左下欄6〜10行）
と記載されている。
(d)刊行物4（特開平2-158632号公報；甲第4号証）には、
「合成樹脂表面の濡れ性を改善するために、合成樹脂表面に紫外レーザーを照射する」（第2頁左上欄2〜13行）こと、この合成樹脂として、「ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン/プロピレン共重合体等のポリオレフイン樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの各種の熱可塑性又は熱硬化性樹脂である。」（第2頁左上欄16行〜同頁右上欄2行）
と記載されている。
4.対比および判断
　〔理由１〕〈新規性違反について〉
　本件発明1と刊行物1記載の発明とを対比するに、本件発明1は高分子材料成形体の紫外線による表面処理方法であるのに対して、刊行物1記載の発明もポリプロピレンなどの各種高分子を包含する有機物の基材又は部材を紫外線照射する表面処理方法であって、両者は表面処理方法の技術分野において軌を一にする。
　そこで、両者を子細に対比するに、まず紫外線照射についてみると、本件発明1は「(a)分光放射強度が最大になる波長が180nm以下である誘電体バリヤ放電ランプ」から放射される紫外線を使用するのに対して、刊行物1記載の広域高出力紫外線放射器は、60−100nm又は107−165nm程度、或いは160−190nm程度であり、両者は、いわゆる波長180nm以下の放電ランプを使用するという点では共通するものであって、この点は刊行物1で引用する刊行物2に記載の充填ガスと波長の関係を参酌しても明らかである。
　同様に、本件発明1の表面処理方法は、(b)高分子材料成形体の表面を親水性に変えるかもしくはその親水性を増大させることにあるのに対して、刊行物1記載の紫外線照射によるその効能は、表面の濡れ性を高めることであり、この「濡れ性」とは、通常は疎水性の高分子材料に紫外線照射をすることによって、親水性が付与された結果或いはそれに付随する機能であると解することができるから、表現の違いこそあれ、両者は紫外線処理に付随する同一の作用を表しているといえる。
　してみると、両者は、本件発明1は、表面処理方法において、「誘電体バリヤ放電ランプから放射される紫外線を、この放電ランプを冷却させながら、1mm乃至50mmに近接する高分子材料成形体に照射する」（以下、「冷却近接照射」という。）という手段を必須の技術要件としているのに対して、刊行物1記載の表面処理方法にはその手段を明示していないという点で違いがある。
　この違いを詳細に検討するに、まず、通常放電ランプのような高エネルギー線の発生は、一般には、高エネルギーの発生と同時に高温になることも有り得るだろうから、その対策として、「冷却手段」などは最も適正な対処法であって、それは任意に採用可能な慣用手段であるということが一応いえよう。
　しかし、本件発明1は、「誘電体バリヤランプ」による放射という、いわゆる特殊な技術分野に於けるおいてその冷却手段を採用するものであって、刊行物1記載の表面処理方法において、その冷却手段など全く認識されていないことは明らかであり、勿論、刊行物2〜4に開示の技術事項を援用して、刊行物1記載の技術事項を精査しても、冷却近接照射を採用していると解し得る技術的根拠などは見いだせない。
　しかも、各刊行物の記載からは、誘電体バリヤ放電ランプを用いる表面処理方法という、当該技術分野において、その冷却手段が任意に採用され得る周知慣用手段であると認めるに足る技術的論拠も見いだせない。
　本件発明1は、誘電体バリヤ放電ランプを冷却近接照射によって、その表面温度を低く抑えても放射強度を弱めることなく使用できるので、ランプを十分に冷却して試料を、1mm乃至50mmという近接使用ができるという、いわゆる、冷却近接照射という特有の技術要件は、刊行物1記載の発明とは別異の発明を構成する程度の有意なものとして評価できる。
　ということは、本件発明1は、上記冷却近接照射の有無の違いに起因して、刊行物1に記載された発明とはいえない。
　次に、本件発明2と各刊行物記載の発明とを対比するに、本件発明2の「高分子材料成形体がポリエチレン樹脂、もしくはポリプロピレン樹脂、もしくはポリアセタール樹脂」である点は、刊行物1にも「ポリプロピレン」が例示されており、さらに本件発明2の「誘電体バリヤ放電ランプが放電用ガスとして、キセノン、クリプトン、アルゴンあるいはフッ素を含んだガスを含みnm単位で表した放射波長範囲が160−190、140−160、107−165、130−190の少なくとも一つの波長範囲に放射光を有する誘電体バリヤ放電ランプ」（以下、「特定の誘電体バリヤ放電ランプ」という。）である点も、刊行物1にはアルゴン（107−165nm）、キセノン（172nm）が具体的に記載されており、同刊行物において引用する刊行物2にも、キセノン160−190nm、クリプトン124nm、140−160nmが記載されており、さらに、刊行物3を参酌すれば、高効率エキシマ放電ランプなどは普通「キセノン(中心スペクトル172nm)、クリプトン(中心スペクトル146nm)、アルゴン(中心スペクトル128nm)又はフッ素(157nm)」程度であることが容易に推察できるから、この刊行物2、3の記載事項を参酌しても、本件発明2の紫外線波長の限定事項は刊行物1に記載されていると解釈できるので、これらの点において両者に本質的な違いはない。
　しかし、本件発明2は、冷却近接照射を採用する特定の表面処理方法に係る本件発明1を引用した発明であることからすると、発明1の検討において指摘した、それと同じ理由で刊行物1〜3に記載された発明ではない。
　更に、本件発明3と各刊行物記載の発明とを対比すると、本件発明3の「高分子材料成形体がフッ素樹脂」である点は、刊行物1にも「ポリテトラフロロエチレン」が例示されており、特定の誘電体バリヤ放電ランプを使用する点も、本件発明2の検討において指摘したとおり、刊行物1の記載されており、これらの点では両者に差異はない。
　しかし、本件発明3は、冷却近接照射を採用する特定の表面処理方法に係る本件発明1を引用していることからすると、本件発明1の検討において指摘した、それと同じ理由で刊行物1〜3に記載された発明とはいえない。
　したがって、本件発明1〜3に係る特許は、特許法第29条第1項第3号の規定に違反してなされたものではない。
　〔理由２〕〈進歩性違反について〉
　本件各発明は、高分子材料成形体の表面を親水性に変える又は親水性を増大させる表面処理方法を提供することにある。
　本件発明1〜3と、刊行物1〜3記載の発明とは、上記理由1の項における検討で詳述したとおり、その発明の必須の技術要件が近似したものであることが既に言及済みであり、特に、本件発明1は、冷却近接照射という特有の技術要件の採用の有無が、各刊行物記載の発明との本質的な違いがある。
　この違いを詳細に検討するに、まず、通常放電ランプのような高エネルギー線の発生は、一般には、高エネルギーの発生と同時に高温になることも有り得るだろうから、この対策として冷却手段などは最も適正な対処法として任意に採用するような周知慣用手段であることは、既に言及済みである。
　しかし、本件発明1は、「誘電体バリヤランプ」による放射という、いわゆる特殊な技術分野において冷却手段を採用することであり、刊行物1の表面処理方法においてはその冷却手段などは認識されていないことは明らかであり、勿論、刊行物2〜4に開示の技術事項を子細に吟味しても、その冷却手段を刊行物1記載の特定のランプによる表面処理方法において採用し得ることを示唆する技術的論拠など見出すことができない。
　しかも、本件発明1は、「表面処理方法」という方法に係る発明であるという事情を考慮すれば、いわゆる冷却手段を伴う冷却近接照射というプロセスを主体とする技術要件は、方法の発明の技術要件を表す又は限定するにおいて適正に機能していることも窺える。
　そして、本件発明1は、誘電体バリヤ放電ランプを冷却近接照射によって、その表面温度を低く抑えても放射強度を弱めることなく使用できるので、ランプを十分に冷却して試料を、1mm乃至50mmという近接使用できるという、刊行物1には見られない特有の技術的有意な作用効果を奏している。
　ということは、本件発明1は、特に冷却近接照射という技術要件が示されていない刊行物1〜4に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　次に、本件発明2は、「高分子材料成形体がポリエチレン樹脂、ポリプロピレン、もしくはポリアセタール樹脂」を限定したものであるが、刊行物1に疎水性の「ポリプロピレン」を処理対象用樹脂として例示され、それ以外にも対象樹脂として各種熱可塑性樹脂が例示されていることからすると、疎水性樹脂の典型的なポリエチレン、或いはポリアセタールを選定することなど造作ないことである。
　又、特に「ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアセタール樹脂」を紫外線照射の処理の対象樹脂とすることは刊行物4にも記載のように公知の技術である。
　しかし、本件発明2は、刊行物1や刊行物4記載の高分子材料の紫外線処理として、各刊行物には見られない誘電体バリヤ放電ランプを用いた冷却近接照射を採用する特定の表面処理方法に係る本件発明1を引用していることからすると、本件発明1の検討において指摘した、それと同じ理由で刊行物1〜4に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　さらに、本件発明3は、「フッ素樹脂」なども紫外線処理の対象樹脂として限定したものであるが、これは冷却近接照射という特定の表面処理方法に係る本件発明1を引用していることからすると、本件発明1の検討において指摘した、それと同じ理由で刊行物1〜4に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　以上のとおりであるから、本件発明1〜3は刊行物1〜4に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　したがって、本件発明1〜3に係る特許は、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものではない。
5.むすび
　したがって、特許異議申立人の主張および証拠によっては、訂正後の本件各請求項に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件各請求項に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月１６日（２００１．３．１６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１．訂正事項は次のとおりである。
（１）訂正事項ａ
　請求項１を次のように訂正する。
「【請求項１】
　分光放射強度が最大になる波長が１８０ｎｍ以下である誘電体バリヤ放電ランプから放射される紫外線を、この放電ランプを冷却させながら、１ｍｍ乃至５０ｍｍに近接する高分子材料成形体に照射して、高分子材料成形体の表面を親水性に変えるかもしくはその親水性を増大せしめることを特徴とする表面処理方法。」
２．訂正の目的
　訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　そして、（１）訂正事項ａは、表面処理方法を「この放電ランプを冷却させながら、１ｍｍ乃至５０ｍｍに近接する高分子材料成形体に照射する」という特定の条件を限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とし、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（５４）【発明の名称】
高分子材料成形体の表面処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】分光放射強度が最大になる波長が１８０ｎｍ以下である誘電体バリヤ放電ランプから放射される紫外線を、
　
この放電ランプを冷却させながら、１ｍｍ乃至５０ｍｍに近接する
　高分子材料成形体の表面を親水性に変えるかもしくはその親水性を増大せしめることを特徴とする表面処理方法。
　【請求項２】高分子材料成形体がポリエチレン樹脂、もしくはポリプロピレン樹脂、もしくはポリアセタール樹脂であり、誘電体バリヤ放電ランプが放電用ガスとして、キセノン、クリプトン、アルゴンあるいはフッ素を含んだガスを含みｎｍ単位で表した放射波長範囲が１６０−１９０、１４０−１６０、１０７−１６５、１３０−１９０の少なくとも一つの波長範囲に放射光を有する誘電体バリヤ放電ランプであることを特徴とした請求項１記載の表面処理方法。
　【請求項３】高分子材料成形体がフッ素樹脂であり、誘電体バリヤ放電ランプが放電用ガスとして、クリプトン、アルゴンあるいはフッ素を含んだガスを含みｎｍ単位で表した放射波長範囲が１４０−１６０、１０７−１６５、１３０−１９０の少なくとも一つの波長範囲に放射光を有する誘電体バリヤ放電ランプであることを特徴とした請求項１記載の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、高分子材料成形体の表面を親水性に変えるまたは親水性を増大せしめる表面処理方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】本発明に関連した技術としては、例えば、日本国公開特許公報平２−７３５３号があり、そこには放電容器にエキシマ分子を形成する放電用ガスを充満し、誘電体バリヤ放電（別名オゾナイザ放電あるいは無声放電。電気学会発行改訂新版「放電ハンドブック」平成１年６月再版発行第２６３ページ参照）によってエキシマ分子を形成せしめ、該エキシマ分子から放射される光を取り出す放射器、すなわち誘電体バリヤ放電ランプについて記載されている。一方、高分子材料成形体の表面を親水性に変える方法は種々提案されている。高分子材料成形体は化学構造的に極性が低く、結晶性が高いため、その表面への接着、印刷、塗装、染色が困難な物が多い。これらを行うために高分子材料成形体の表面を親水性に変える必要がある。従来技術の主なものとしては、次のごときものがある。火炎処理法、クロム酸処理法、コロナ放電処理法、プラズマ処理法、水銀ランプなどによる紫外線照射法などである。
　【０００３】火炎処理法はガスの酸化炎で成形品の表面を処理するが、熱による変形、融解が起こることがある。クロム酸処理法は使用する薬品の処理が問題である。コロナ放電処理法は電極と金属ロールの間隙にフィルムを通し、高電圧をかけ処理する方法である。フィルム状以外は処理困難という問題がある。プラズマ処理法は低圧下で低温プラズマを高分子材料成形体表面に作用させて処理する。電子、イオン、紫外線などにより表面に化学変化が起こる。処理設備に要する費用が大きく、また、基本的にバッチ処理であって連続処理ができないことが欠点である。また上記の紫外線処理法は時間を要すること、また、フッ素樹脂など親水化出来ない物が存在する。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、種々の低活性高分子材料成形体の表面にも適用出来、その表面を親水性に変えるもしくは親水性を増大させる方法を提供することである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】本発明の目的は、被照射物を、放射光の波長の最大値が１８０ｎｍ以下の放射帯域にある誘電体バリヤ放電ランプで照射する事により達成出来る。
　【０００６】
　【作用】誘電体バリヤ放電ランプにおいて、放電用ガスとしてキセノンを用いると１７２ｎｍに最大値を有する波長１６０−１９０ｎｍの範囲の波長域に放射光を有する誘電体バリヤ放電ランプが得られる。同様にクリプトン、アルゴン、フッ素、を放電用ガスに用いると放射の最大波長がそれぞれ、１５５、１２６、１５８ｎｍで、波長範囲がそれぞれ１４０−１６０、１０７−１６５、１３０−１９０ｎｍにまたがる波長域の誘電体バリヤ放電ランプが得られる。
　【０００７】これらのランプで大気、酸素、あるいは水蒸気を含む雰囲気、あるいは窒素雰囲気、あるいはアルゴンなどの不活性雰囲気内に配置された高分子材料成形体を照射すると、従来使用されていた低圧水銀ランプの放射波長の１８５ｎｍ、２５４ｎｍより光子エネルギーが高いので、高分子材料成形体表面のＣ−Ｈ結合なとを切断する能力が高く、同時に高分子材料成形体表面および雰囲気中の炭素、酸素、水分などがＯＨ基、ＣＯＯＨ基となり、表面に結合する度合いが高い。この結果、従来の水銀ランプによる紫外線処理より、高速で、従来、困難であった高分子材料成形体の親水性への変換が可能となる。
　【０００８】照射を達成するためには、誘電体バリヤ放電ランプはその放射光が透過する窓部材を具えていた方が取扱いが容易である。窓部材としては、放電用ガスがキセノンガスの場合には合成石英ガラスを用い、放電用ガスがクリプトンやフッ素ガスでは窓部材としてサファイヤを用い、放電用ガスがアルゴンでは窓部材としてフッ化マグネシウムなどが適用できる。また被照射物を放電用ガス雰囲気中にいれ、窓部材なしで、直接、放電からの放射光を照射させることも出来る。後者はプラズマ処理法に似ているが、プラズマ処理の場合、動作圧力が数ｔｏｒｒであるから必ず真空排気装置が必要であるのに対し、本発明の方法の動作は０．２気圧から数気圧であり、必ずしも真空装置が必要でなく、高スループットが実現出来る。
　【０００９】
　【実施例】本発明の第１の実施例を説明する。誘電体バリヤ放電ランプによるポリエチレンテレフタレートの親水化方法の概略図を図１に示す。処理ダクト１内では誘電体バリヤ放電ランプ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅが被照射物であるポリエチレンテレフタレート成形板３に近接して設けられている。誘電体バリヤ放電ランプは冷却手段によって、その表面温度を１００℃以下に抑えても放射強度を弱めることなく使用することができるので、ランプを十分に冷却して試料に近接使用出来る。例えば、１ｍｍ乃至５０ｍｍに近接しても、成形板３があまり昇温しない。
　【００１０】上記の誘電体バリヤ放電ランプの概略図を図２に示す。放電容器４は全長約３００ｍｍの石英ガラス製で内側管５（外径２４ｍｍ）と外側管６（外径３４ｍｍ）を同軸に配置して中空円筒状にし、同軸円筒形とした物である。内側管５、外側管６は誘電体バリヤ放電の誘電体と光取り出し窓部材を兼用しており外側管６の外面に光を透過する金属網からなる電極７が設けられている。内側管５の内径側の表面には紫外線反射板を兼ねた円筒状の金属電極８が設けられている。円筒状の電極８の内側には冷却用流体９が流され、誘電体バリヤ放電ランプ全体の温度を低下させる。放電容器４の一端にゲッター１０が設けられている。放電空間１１には発光ガスとして、約３５０ｔｏｒｒのキセノンガスが封入されており、電源１２で点灯すると１７２ｎｍに最大値を有する１２０−１９０ｎｍの波長範囲の紫外線を放出する。
　【００１１】雰囲気は空気、あるいは窒素に適当な濃度の空気、酸素を混合したガス中で行われる。後者のガス１４の場合、処理用流体供給口１３より供給される。紫外線により、成形物の表面の化学結合が切られ、雰囲気及び被照射物表面に存在する酸素、炭素、水分が、ポリエチレンテレフタレートの表面にＣＯＯＨ基、ＯＨ基として、導入される。図３にポリエチレンテレフタレート表面の水の接触角の紫外線照射時間依存性を示した。図中、実線は誘電体バリヤ放電ランプに対するデータであり、点線は、比較のために従来の低圧水銀ランプに対するデータである。雰囲気は１気圧の空気、ランプと試料間の距離２ｍｍで行った。低圧水銀ランプでは数分要した処理時間が本発明方法では３０秒で可能となった。同時に分析装置ＥＳＣＡで、０１Ｓ／ＣｌＳを測定したが（１点鎖線で示す。）、照射前では０．５であり、３０秒の照射で０．８と増加し、ＣＯＯＨ基、ＯＨ基が表面に導入されることが確認された。
　【００１２】本発明の第２の実施例を説明する。この実施例は、ランプとしては窓部材を有さないものであって、放電から放射される紫外線を直接利用するものである。放電用ガスはクリプトンガスであり、被照射物はポリエチレン成形体の場合であって、その概略図を図４に示す。放電用ガスであるＫｒガス２１は供給口１３より導入される。真空排気口１６を有する反応容器１７内には電極群１５ａ，１５ｂ，１５ｃを設ける。電極群１５ａ，１５ｂ，１５ｃの構造は図５の縦断面図に示したように外径９ｍｍ、全長２００ｍｍの金属製の中空円筒１８より成り、材質はステンレスである。誘電体１９は石英ガラスである。電極の中空部２０に水、空気を流し、冷却する。電源１２と電極とは図示のように結線し、電極１５ａと１５ｂ、１５ｂと１５ｃの間で誘電体バリヤ放電２４を行わせ１５５ｎｍとその付近で最大値を有する１４０−１６０ｎｍの波長範囲の紫外線を放出させる。電力は約３００Ｗである。電極と被照射体３との距離は５０ｍｍである。２分間の照射で、ポリエチレン表面の水の接触角が９３度から４３度に変化した。低圧水銀ランプでは８０度にしか変化しなかった。放電用ガスがクリプトンの場合でも、第１の実施例に使用した構造のランプのように、サファイヤやフッ化マグネシウムのように、放射される紫外線を透過する窓部材を放電容器とする方法もある。ポリプロピレン、ポリアセタールも同様の方法で処理出来る。
　【００１３】本発明の第３の実施例を説明する。放電用ガスはアルゴンガスであり、被照射物はフッ素樹脂であり、その概略図を図６に示す。被処理物であるフッ素樹脂３は、上部からアルゴンガス２２が供給口１３から供給され、アルゴン雰囲気で満たされた処理ダクト１に搬送装置２３で運ばれた後、電極群１５ａ，１５ｂ，１５ｃでの誘電体バリヤ放電２４から波長域１０７ｎｍ−１６５ｎｍの紫外線の照射を受ける。この実施例ではアルゴンガス圧力は大気圧以上であるので、真空容器がいらず、被処理物の移動が簡単であるという利点がある。電力３００Ｗで、２分の照射でポリテトラフルオルエチレン表面の水の接触角が１０３から４２度に変化した。空気雰囲気中の低圧水銀ランプ照射では１０２度にしか変化しなかった。
　【００１４】図７に、被照射物としてポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、フッ素樹脂を選び、アルゴン、クリプトン、フッ素、キセノンガスを放電用ガスとして用いた誘電体バリヤ放電ランプで照射した場合の接触角の変化を示す。図において、□はフッ素樹脂（ＰＴＦＥ）、＋はポリエチレン、◇はポリエチレンテレフタレートに対するデータ値を示す。処理時間はすべて２分とした。横軸に各放電用ガスを用いた場合のバリヤ放電から放射される紫外線の最大強度波長を単位ｎｍで示した。ポリエチレンテレフタレートはアルゴン、クリプトン、フッ素、キセノンガスから放射される紫外線ですべて親水化された。ポリエチレンもすべての放電用ガスから放射される紫外線で親水化された。ポリエチレンもすべての放電用ガスから放射される紫外線で親水化されたが、キセノンガスでは６０度と効果が少なかった。フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）の場合、クリプトンガスで６５度、アルゴンガスで４２度の値を示した。キセノンガスでは親水化しなかった。従来の紫外線処理である低圧水銀ランプの場合も示したがいずれの被照射物の場合も接触角の変化が、誘電体バリヤ放電ランプの場合よりも小さかった。
　【００１５】
　【発明の効果】上記したように本発明によれば、小型の装置で高分子材料成形体の表面を高速で親水化出来る方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】ポリエチレンテレフタレートの親水化方法の説明図である。
　【図２】本発明に使用する誘電体バリヤ放電ランプの一例の説明図である。
　【図３】親水化のデータの説明図である。
　【図４】ポリエチレン成形体の親水化方法の説明図である。
　【図５】本発明に使用する放電用電極の一例の説明図である。
　【図６】フッ素樹脂の親水化方法の説明図である。
　【図７】親水化のデータの説明図である。
　【符号の説明】
　１　　　処理ダクト
　３　　　成形板
　４　　　放電容器
　５　　　内側管
　６　　　外側管
　７，８　電極
　９　　　冷却用流体
　１０　　ゲッター
　１１　　放電空間
　１２　　電源
　２３　　搬送装置
　２４　　誘電体バリヤ放電