【事件の表示】
　特許第２９６０６７８号「基板処理方法及びその装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９６０６７８号の特許請求の範囲１、４に記載された発明の特許を維持する。
【理　由】
一．手続の経緯
　特許第２９６０６７８号の発明についての出願は、昭和５８年１２月２６日に特許出願した特願昭５８−２４３８６９号の一部を平成８年４月５日に新たな特許出願としたものであって、平成１１年７月３０日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人関戸美千代より特許異議の申立てがなされたものである。
　　
二．本件発明
　特許第２９６０６７８号の発明は、願書に添付した明細書及び図面（以下、「本件明細書」及び「本件図面」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲１．及び４．に記載された次のとおりのものである。
　「１．処理室内を真空に排気しつつ該処理室の内部に所定の流量の処理気体を導入し、前記処理室内に設けた温度制御された支持台上に処理する基板を載置して前記支持台と前記基板との間隙が１０μｍ以下になるようにして支持し、該載置して支持された基板と前記支持台との間の１０μｍ以下の間隙に流量制御手段を介して気体を前記処理室の内部に導入する前記処理気体よりも少ない流量で前記支持台に設けた複数の小孔から導入し、該導入した気体を前記基板の外周部から前記処理室の内部に流出させ、該流出させた気体を前記処理気体と共に前記処理室から排気して前記処理室内を所定の圧力に維持しながら前記基板を処理することを特徴とする基板処理方法。」（以下、「第１発明」という。）
　「４．処理室手段と、該処理室手段の内部を排気する排気手段と、前記処理室手段の内部に所定の流量の処理用ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室手段の内部で処理する基板を載置し内部に温度制御部を備えて前記基板を載置する載置面には複数の小孔を有する支持台手段と、前記基板を前記載置面上に該載置面との間隙が１０μｍ以下になるようにして支持する支持手段と、気体の流量を制御する流量制御手段と、前記支持手段により密着させて支持された前記基板と前記載置面との間に前記複数の小孔から気体を前記流量制御手段を介して導入するガス導入手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。」（以下、「第２発明」という。）
　　
三．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人関戸美千代（以下、「申立人」という。）は、下記の甲第１及び２号証を提示して、本件の第１及び第２発明は、甲第１〜２号証記載の発明に基づいて当業者が容易になし得た程度の発明であって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明に該当するから、当該各発明の特許は取り消されるべきである旨を主張している。
　甲第１号証：特開昭５８−３２４１０号公報
　甲第２号証：特開昭５７−１４５３２１号公報
　　
四．甲各号証に記載された事項
［甲第１号証］
　「ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置」が、かかる装置の構造を示す第１図〜第３図、及び以下の事項とともに記載されている。
　「この変法で、スパッタリング系統１０は、・・・・真空室１４を形成するハウジング１２よりなる。陰極のターゲット面は、ウエファーにスパッタするべき材料を備え、適当な電力供給装置（図示されてない）からの電位差は、通常ガス状環境としてのアルゴンの存在下でグロー放電を支持する電極間に適用されている。真空は、室内に開く導管３０に結合した・・・・真空ポンプ系統２６によって得られる。・・・・」（第３頁右上欄第２０行〜左下欄第１５行）、
　「締付装置のこの実施態様は、実際にガス室５６を主真空室１４から封止し、したがってスパッタリングガスとは異なるガスを使用することができ、熱伝達は、ガス層を通じて伝導することによるものである。・・・・他面で、伝導ガスがスパッタリングガスと同じものである場合には、Ｏリングに対して封止の必要は、重要でなくなる。・・・・室５６を通じてのガス流は、室１４又は他の装置に逃出することによってそれが何処に存在するかに注目すべきであり、この場合対流は、構造物１６と、ブロック３２との間の熱流に寄与する。
　この実施態様において、このブロックは、供給装置６０から導入管６２を通じてブロックそれ自体中に形成された円形又は蛇行形のブロック導管６４に流れかつ次いで導出管６６を通じて適当な水溜め又は供給装置それ自体に戻される水（ガスを使用してもよいのだけれども）により温度制御されている。」（第３頁右下欄第１７行〜第４頁左上欄第２０行）、
　「ブロック３２の中心には、ガス室５６に通じる通路７０が存在する。この通路は、導管７２によって開閉弁７４及びガス溜め７６に接続している。次に、ガス溜め７６は、可変弁８０を通じてガス源８２に接続している。・・・・ガスの熱伝導率は、その圧力によって変動するので、室５６を横断する熱伝導性もガス圧によって制御される。従って、構造物の温度も室５６中のガス圧によって制御される。従って、室５６中のガス層により、スパッタリング処理の間にウエファー１６からブロック３２への熱伝達が存在するか又は場合によりブロックからウエファーへの熱伝達が存在する。処理を完結させるには、弁７４を閉じ、このブロックを締付装置４２から取出す。ガス室５６中及び導管７２中に残留するガスは、ポンプ系統２６によって排気管３０から排出することができる。」（第４頁左下欄第５行〜右下欄第６行）、　
　「しかし、第３図・・・・第２図中の多数の部材は、開示の簡易化のために省略した。この実施態様において、４２Ａの締付装置は、静電によるものであり、かつ金属ブロック３２に接続したＤＣ電力供給装置９０を設け、こうしてブロックと、ウエファーとの間に電位差を生ぜしめることによって達成されている。ウエファー１６とブロック３２は、前記図面中のＯリングに若干に似せてブロックの外端に隣接して配置された非伝導性材料の薄い多孔質膜５２Ａによって分離されている。この膜の厚さ及び電位差は、第１図で記載したのと同じ方法でガス室５６中に装入されたガス層の厚さを決定する。・・・・膜５２Ａは多孔質であるので、室５６から真空室１４へのガス流が存在する。従って、対流ならびに伝導によって熱流を生じる、ウエファーの裏側を横断するガス流が存在する。
　・・・・更に、ガス室中のガス圧は、ガスの伝導性を制御する目的で制御されており、ガス室中のガス流は、必要に応じてガスを通じて対流伝達を導くために制御されている。
　更に、このことに関連して、ガス熱伝達に伴なう計算の典型的な例は、次のとおりである。
　構造物の裏側と、熱伝達ブロックとの間に必要とされる間隔は、必要な処理の詳細及び構造物の所望の温度に依存する。・・・・
　物体を横断する温度降下は、次の方程式から計算される。
　Ｅ＝λ×ΔＴ／ｄ
　この場合、Ｅは、単位面積当りのエネルギー量であり、λは、熱伝導率であり、ΔＴは、距離ｄでの温度差である。
　・・・・この方程式を再び組立て、適当な値を入れると、次の値が生じる：　
　ｄ＝・・・・＝１．３４×１０−２ｃｍ」（第４頁右下欄第２０行〜第５頁右下欄第１５行）。
　即ち、甲第１号証には、方法に関し、
　「真空室１４内を真空ポンプ系統２６によって排気しつつ真空室１４内に処理気体（アルゴン等）を導入し、真空室１４内に設けた温度制御された金属ブロック３２上にウエファー１６を載置して支持し、ウエファー１６と金属ブロック３２との間に形成されるガス室５６に、金属ブロック３２に設けた通路７０から流量制御しながらヘリウムガスを導入し、ヘリウムガスをウエファー１６の外周部から真空室１４の内部に流出させ、真空室１４内のガスを真空ポンプ系統２６によって排気して真空室１４内を所定の圧力に維持しながら、ウエファー１６の処理を行う処理方法」
が、また、装置に関し、
　「真空室１４と、真空室１４の内部を排気する真空ポンプ系統２６と、真空室１４の内部に処理用ガス（アルゴン等）を供給するガス供給手段と、真空室１４の内部で処理するウエファー１６を載置し内部に温度制御部を備えてウエファー１６を載置する載置面には通路７０を有する金属ブロック３２と、ウエファー１６を支持する締付装置４２と、締付装置４２により密着させて支持されたウエファー１６と載置面との間に通路７０から流量制御しながらヘリウムガスを導入するガス導入手段とを備えた、ウエファー１６の処理を行う処理装置」
が実質的に記載されているものと認められる。　
　　
［甲第２号証］
　「ドライエッチング装置」が、かかる装置の構造を示す第１図〜第２図、及び以下の事項とともに記載されている。
　「ウェーハの保持は各室に設けられている搬送プレートに設けられた小さな穴より気体ガスをウェーハの裏面に吹きつけるとウェーハの表と裏に圧力差が生じ、軽いウェーハはベルヌーイの定理により容易に搬送プレートに保持される。・・・・」（第２頁左下第１６行〜右下欄第３行）、
　「エッチングが進行すると、ウェーハの温度が上昇する。温度上昇がおこると保護膜であるホトレジスト膜が劣化や変形を起し、エッチング特性が悪くなるので冷却の必要性を生ずる。しかしながら冷却はベルヌーイによる保持および搬送に使っているガス導入口７より送りこまれている熱伝導性のよいヘリウムガスが直接ウェーハに接触し暖められたヘリウムガスは真空ポンプにより吸引口４より運び去られるので効率的な冷却が可能である。」（第３頁左上欄第１８行〜右上欄第７行）、
　「すなわち、図において、２１は上部電極、上部電極２１には電源２６が接続され、上部電極２１に対向して下部電極２２が設けられている。・・・・また、冷却用ガスには上記実施例と同じヘリウムを用いバルブ２４により調整し、噴出口２５よりウェーハ２７の裏面に吹きつけてウェーハを冷却する。・・・・真空度はエッチングガス、冷却用ガスの量と排気ポンプの能力の関係から適宜決めることが可能であり・・・・」（第３頁左下欄第３〜１７行）。
　即ち、甲第２号証には、「基板の裏面側にガスを供給して冷却する際に、複数の小孔からガスを供給する」ことが実質的に記載されているものと認められる。
　　
五．対比・検討
１．第１発明について
　イ）第１発明と甲第１号証記載のものとを対比すると、甲第１号証記載のものにおける
「真空室１４」、「金属ブロック３２」、「ウエファー１６」、「ガス室５６」、「ヘリウムガス」、「通路７０」
は、それぞれ、第１発明における
「処理室」、「支持台」、「基板」、「間隙」、「気体」、「小孔」
に相当する。
　　
　ロ）してみると、第１発明と甲第１号証記載の方法とは、
　処理室内を真空に排気しつつ処理室の内部に処理気体を導入し、処理室内に設けた温度制御された支持台上に処理する基板を載置して支持し、載置して支持された基板と支持台との間隙に流量制御手段を介して気体を支持台に設けた小孔から導入し、導入した気体を基板の外周部から処理室の内部に流出させ、流出させた気体を処理気体と共に処理室から排気して処理室内を所定の圧力に維持しながら基板を処理する基板処理方法
である点で一致するものの、少なくとも以下の点で相違する。
　支持台とそこに載置される基板との間隙を、第１発明が「１０μｍ以下になるようにする」のに対し、甲第１号証にはどの程度にするか明記されていない点。（以下、「相違点Ａ」という。）
　　
　ハ）そこで、上記相違点Ａについて検討するに、第１発明では、支持台とそこに載置される基板との間隙、換言すれば、間隙に存在する気体層の厚さ（以下、「気体層厚ｄ」という。）を「１０μｍ以下」とすることにより、「気体層の厚さｄを１０μｍ以下にすると、圧力４００Ｐａ程度まではちっ素および四塩化炭素を気体層に用いても例えば四フッ化炭素、酸素、ヘリウムを用いた場合と同様の熱通過率を得られる。すなわち、気体層の厚さは常時１０μｍ程度以下にしておくと伝熱効果は大きい。」（本件明細書【００３３】参照）という顕著な効果を奏しえたものである。
　また、本件図面の【図２】によれば、「処理気体として例えばＣＣｌ４を用いると、気体層厚ｄが『１５０μｍ』のときは気体圧力（横軸）を高めても熱透過率（縦軸）を上昇させることができないのに対し、気体層厚ｄを『１０μｍ』とすると熱透過率を大きく上昇させ得る」ことを見てとることができる。
　即ち、第１発明における「１０μｍ」という数値は、「４００Ｐａ程度の実用的なガス圧下で、ガスの種類に関係なく同程度の熱透過率（伝熱効果）が得られる」という臨界的意味のある数値であると認められる。
　　
　ニ）一方、甲第１号証には、気体層厚ｄの具体的数値に関する一般的な記載は見あたらない。
　しかし、その実施態様において、ヘリウムガス約１／８気圧下における気体層厚ｄを１．３４×１０−２ｃｍ即ち「１３４μｍ」と算出しているところから、甲第１号証記載のものでは、この程度が好適な気体層厚ｄとして認識されているものと解される。
　この「１３４μｍ」という数値は、第１発明で規定する「１０μｍ以下」よりもはるかに大きく、むしろ、本件図面の【図２】において、１０μｍと比較するための対照としている「１５０μｍ」により近い数値である。
　してみれば、気体層厚ｄの具体的数値として「１３４μｍ」以外に開示のない甲第１号証の記載から、上記顕著な効果を得るために必要とされる「１０μｍ以下」という数値範囲を想起することが、当業者にとって容易であるということはできない。
　　
　ホ）また、甲第２号証にも、気体層厚ｄを「１０μｍ以下になるようにする」点については、記載も示唆もされていない。
　　
　ヘ）したがって、相違点Ａを含む第１発明は、甲第１〜２号証記載のものから当業者が容易になし得た程度の発明であるとは認められない。
　　
２．第２発明について
　イ）第２発明と甲第１号証記載のものとを対比すると、甲第１号証記載のものにおける
「真空室１４」、「真空ポンプ系統２６」、「金属ブロック３２」、「締付装置４２」
は、それぞれ、第２発明における
「処理室手段」、「処理室手段の内部を排気する排気手段」、「支持台手段」、「支持手段」
に相当する。
　　
　ロ）してみると、第２発明と甲第１号証記載の装置とは、
　処理室手段と、処理室手段の内部を排気する排気手段と、処理室手段の内部に処理用ガスを供給するガス供給手段と、処理室手段の内部で処理する基板を載置し内部に温度制御部を備えて基板を載置する載置面には小孔を有する支持台手段と、基板を載置面上に支持する支持手段と、支持手段により密着させて支持された基板と載置面との間に小孔から気体を流量制御手段を介して導入するガス導入手段とを備えた基板処理装置
の点で一致するものの、少なくとも以下の点で相違する。
　載置面とそこに載置される基板との間隙を、第２発明が「１０μｍ以下になるようにする」のに対し、甲第１号証にはどの程度にするか明記されていない点。（以下、「相違点Ｂ」という。）
　　
　ハ）相違点Ｂは「載置面と基板との間隙」に係るものであって、「支持台と基板との間隙」に係る相違点Ａとは一見異なるかのようであるが、本件各発明においては、支持台上をそのまま基板の載置面としているのであるから、相違点Ａと相違点Ｂとの違いは単なる表現上の差異にすぎず、結局、相違点Ｂは相違点Ａと実質的に同一である。
　してみれば、相違点Ａが、甲第１〜２号証の記載から容易に想起できるとはいえない理由と同じ理由で、相違点Ｂも、甲第１〜２号証の記載から容易に想起できるということはできない。
　つまり、相違点Ｂを含む第２発明は、甲第１〜２号証記載のものから当業者が容易になし得た程度の発明であるとは認められない。
　　
六．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件第１及び第２発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１及び第２発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月１１日（２０００．８．１１）