【事件の表示】
　特許第３０７８６９７号「クリーンルーム，クリーンルームの空気浄化方法および基板搬送システム」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０７８６９７号の請求項１、８に係る特許を維持する。
【理　由】
〔１〕本件特許第３０７８６９７号（以下「本件発明」という。）は、平成６年２月７日出願の特願平６−３５２８５を先の出願として、平成６年２月１６日に特許法第４１条第１項の規定に基づき特許出願されたものであって、平成１２年６月１６日に設定登録がされ、同年８月２１日に特許公報に掲載されたものであり、これに対して、特許異議申立人竹野哲雄より平成１３年２月２１日付けで特許異議の申立てがされたものである。
　
〔２〕そして、本件発明は、明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項８に記載された以下のものにある。
「【請求項１】
　ガラス基板または半導体基板の製造工程で使用され，外気と隔離された空間内に清浄空気を供給し循環させるクリーンルームにおいて：
　前記クリーンルームの空気循環系に，ゼオライトにより炭化水素を除去するガス状不純物除去装置を介挿し；
　前記ガス状不純物除去装置を経た前記清浄空気を前記クリーンルーム内に供給し；
　前記清浄空気に含有される炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑えたこと；
　を特徴とする，クリーンルーム。
　【請求項２】
　ガラス基板または半導体基板の製造工程で使用され，外気と隔離された空間内に清浄空気を供給し循環させるクリーンルームにおいて：
　前記クリーンルームの空気循環系および／または外気取入系に，吸着剤により炭化水素を除去するガス状不純物除去装置を介挿し；
　前記ガス状不純物除去装置の下流側に，少なくとも調温機能と除塵機能とを有するユニット形空調機を設け；
　前記ガス状不純物除去装置と前記ユニット形空調機とを経た前記清浄空気を前記クリーンルーム内に供給し；
　前記清浄空気に含有される炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑えたこと；
　を特徴とする，クリーンルーム。
　【請求項３】
　前記ガス状不純物除去装置の上流側には，前記ガス状不純物除去装置に導かれる空気を冷却除湿するプレクーラが設けられることを特徴とする，請求項２に記載のクリーンルーム。
　【請求項４】
　ガラス基板または半導体基板の製造工程で使用され，外気と隔離された空間内に清浄空気を供給し循環させるクリーンルームの空気浄化方法であって：
　前記クリーンルーム内の循環空気を空気循環系に介挿されたガス状不純物除去装置に送り，前記ガス状不純物除去装置の吸着剤の吸着作用により前記循環空気に含有される炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑える工程と；
　前記炭化水素が除去された前記循環空気を前記ガス状不純物除去装置の下流側で調温および調湿する工程と；
　前記調湿および調湿された前記循環空気を前記ユニット形空調機の下流側に設けられたフィルタに送り，前記循環空気に含まれる微粒子を捕捉する工程と；
　前記微粒子が捕捉された前記循環空気を前記クリーンルーム内に供給する工程と；
　を含むことを特徴とする，クリーンルームの空気の浄化方法。
　【請求項５】
　ガラス基板または半導体基板の製造工程で使用され，外気と隔離された空間内に清浄空気を供給し循環させるクリーンルームの空気浄化方法であって：
　前記クリーンルーム内の循環空気を空気循環系に介挿されたガス状不純物除去装置に送り，前記ガス状不純物除去装置の吸着剤の吸着作用により前記循環空気に含有される炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑える工程と；
　前記炭化水素が除去された前記循環空気を前記ガス状不純物除去装置の下流側で調温および除塵する工程と；
　前記調温および除塵された前記循環空気を前記ユニット形空調機の下流側に設けられたフィルタに送り，前記循環空気に含まれる微粒子を捕捉する工程と；
　前記微粒子が捕捉された前記循環空気を前記クリーンルーム内に供給する工程と；
　を含むことを特徴とする，クリーンルームの空気の浄化方法。
　【請求項６】
　少なくとも除電対象基板との接触面が接地された基板支持部を備えた搬送機構と，少なくとも前記基板支持部から前記基板が離れる直前に前記基板と前記基板支持部の接触面の両方に対して搬送空間よりも相対湿度の高いエアを吹きかけるための送気手段を備えた基板搬送システムにおいて，
　前記搬送空間内の清浄空気に含有される炭化水素の濃度を，０．１ｐｐｍ以下に抑えたことを特徴とする，基板搬送システム。
　【請求項７】
　少なくともガラス基板との接触面が接地されたステージを備えた搬送機構と，前記ステージから前記ガラス基板を離す真空チャックと，少なくとも前記ステージから前記ガラス基板が離れる直前に前記ガラス基板に対して搬送空間よりも相対湿度の高いエアを吹きかけるための送気手段を備えた基板搬送システムにおいて，
　前記搬送空間内の清浄空気に含有される炭化水素系ガスの濃度を，０．１ｐｐｍ以下に抑えたことを特徴とする，基板搬送システム。
　【請求項８】
　少なくともガラス基板との接触面が接地され，搭載された前記ガラス基板をカセットケースに収容するロボットアームを備えた搬送機構と，少なくとも前記ロボットアームから前記ガラス基板が離れて前記カセットケースに収納される直前に前記カセットケースの内部に対して搬送空間よりも相対湿度の高いエアを吹きかけるための送気手段を備えた基板搬送システムにおいて，
　前記搬送空間内の清浄空気に含有される炭化水素系ガスの濃度を，０．１ｐｐｍ以下に抑えたことを特徴とする，基板搬送システム。」
　
〔３〕これに対して、異議申立人の申立ての理由は、「本件請求項１乃至８記載の発明は、甲第１号証乃至甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得た発明である。したがって、本件請求項１乃至８記載の発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。」というにある。
（証拠方法）
甲第１号証：特開平５−１５７２８４号公報
甲第２号証：特願平６−５１２９６１号国際公開公報（平成７年１月５日発行）
甲第３号証：「第９回エアロゾル研究討論会・国際シンポジウム’９２　第１分冊ＰＡＲＴ１」（１９９２年８月）、第１０〜１２頁「クリーンルームでの化学物質汚染制御」
甲第４号証：クリーンテクノロジー第２巻第５号（平成４年５月１日発行）第１１〜１６頁「ハーフミクロンプロセス対応ＬＳＩクリーンルーム技術」
甲第５号証：第２７回空気調和・冷凍連合講演会講演論文集（平成５年４月１９日発行）第６５〜６８頁「塵埃付着特性（その２）静電気放電に関する環境の影響」
　
〔４〕そこで、異議申立人の提出した甲号各証について検討する。
１．甲第１号証には、「基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法及び装置」について図１〜３とともに示されており、異議申立人の指摘する以下の記載がある。
(ア)「【産業上の利用分野】本発明は、基材又は基盤表面の接触角の増加を防止する方法及び装置に係り、特に半導体や液晶などの先端産業における原材料、半製品、製品の基材や基盤表面の接触角の増加防止に関する。
本発明の適用分野の例を以下に示す。
 (1)半導体工場におけるウエハの接触角増加防止。
 (2)液晶工場におけるガラス基盤の接触角増加防止。
 (3)精密機械工場における基盤の接触角増加防止。」（「発明の詳細な説明」の段落【０００１】）
(イ)「【従来の技術】従来の技術に関して、半導体工業におけるクリーンルームの空気清浄を例に説明する。
従来のクリーンルームの空気清浄方法あるいはその装置を大別すると、
 (1)機械的ろ過方法（例えばＨＥＰＡフィルター）
 (2)静電的に微粒子の捕集を行う高電圧による荷電及び導電性フィルターによるろ過方式（例えばＨＥＳＡフィルター）
があるが、これらの方式は、いずれも微粒子（粒子状物質）除去を目的としており、炭化水素（Ｈ．Ｃ．）のような接触角を増加させるようなガス状の汚染物の除去には効果がない欠点があった。ガス状の汚染物（有害成分）であるＨ．Ｃ．の除去法としては、燃焼分解法、触媒分解法、Ｏ３分解法などが知られている。しかし、これらの方法はクリーンルームへの導入空気に含有する極低濃度Ｈ．Ｃ．除去には効果がない。」（同段落【０００２】）
(ウ)「・・・ガス状の有害物質の除去には、接触角を増加させるガス状有害成分を吸着及び／又は吸収できる吸着材又は吸収材を備えたガス除去装置が使用できる。特に、Ｈ．Ｃ．を吸着、吸収するものが良い。このうち、吸着材としては、活性炭、シリカゲル、合成ゼオライト、モレキュラシーブ、高分子化合物（例、スチレン系重合体、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体）がある。このうち、シリカゲル、合成ゼオライト、高分子化合物が性能の面から好ましい。これらの吸着材の使用においては、被処理空気を脱水して使用すると、吸着性能が向上し、また寿命が延長できるので好ましい。」（同段落【０００６】）
(エ)「・・・本発明の基材又は基盤表面の接触角の増加防止方法を、半導体工場におけるエアーナイフ用の供給空気に適用した例を図１に示す。図１において、１はクラス１，０００のクリーンルームであり、クリーンルーム１ではクリーンルーム内空気２が主に除塵フィルタ３及び接触角を増加させるガス状有害成分を吸着する吸着材４より成る接触角の増加を防止する装置５にて処理される。該装置後の空気６は、除塵され、かつ接触角を増加させるガス状有害成分が除去された清浄化空気となり、ウエハ洗浄におけるエアーナイフ装置７へ供給される。次に、本例の詳細を説明する。本例における接触角を増加させる主たるガス状有害成分はＨ．Ｃ．である。
　クリーンルーム１内の空気２は、外気８を先ず粗フィルタ９や空気調和器１０で処理を行い、次いで、ＨＥＰＡフィルタ１１により除塵され、クラス１，０００が保持されているが、外気８中の極低濃度炭化水素（主に自動車により発生）は、上記粗フィルタ９、空気調和器１０、ＨＥＰＡフィルタ１１では除去できないため、クリーンルーム１内に導入されてしまう。１２は極低濃度Ｈ．Ｃ．が共存する導入空気である。次に接触角の増加を防止する装置５について詳しく述べる。微粒子と極低濃度のＨ．Ｃ．を含むクリーンルーム１内の空気２は、先ず、除塵フィルタ３にて微粒子が除去される。除塵フィルタ３はクラス１，０００のクリーンルームにおける微粒子を効率良く捕集できるものであれば何れでも良い。本例ではＵＬＰＡフィルタを使用している。
　除塵後の空気は、次いでＨ．Ｃ．吸着材４にて極低濃度Ｈ．Ｃ．が除去される。 Ｈ．Ｃ．吸着材４は、大気中極低濃度（ｐｐｂオーダ）のＨ．Ｃ．が吸着できるものであれば何れでも使用できる。本例では、シリカゲルを使用している。１３は、脱水剤である。すなわち、シリカゲルは導入空気中の水分（ＲＨ：４０％）の吸着により性能低下をきたすので、導入空気中の水分除去を予め行う。脱水剤は、クリーンルーム中の水分（ＲＨ：４０％）が効率良く捕集できるものであれば何れでも良く、一般に、脱水用ゼオライト、過塩素酸マグネシウムが好適に使用できる。又、装置によっては、冷却による脱水を行っても良い。吸着材の使用における脱水は、水分除去により吸着性が向上し、脱水により吸着材が長時間にわたり、性能が持続できることから好ましい。脱水は、本例のように吸着材の直前で行う他に、除塵フィルタ３の前方又は、吸着材の適宜の複数の位置で行うことができる。」（同段落【００１０】〜【００１２】）
(オ)「【発明の効果】本発明によれば以下のような効果を奏する。
 (1)接触角の増加を防止するにあたり、気体を除塵及び接触角を増加させるガス状有害成分を吸着及び／又は吸収したことによって、
 1) 気体中微粒子（粒子状物質）及びガス状有害成分が除去される効果が生じ、微粒子及びガス状有害成分が除去された清浄気体が得られた。
 2) 1)の清浄化気体を、半導体や液晶などの先端産業における基材や基盤上に暴露しておくと該基材や基盤の表面汚染が防止でき、その結果該基材や基盤の接触角が増加しない効果が生じた。」（同段落【００１９】）
　　
２．これらの記載を本件各発明と対比すると、甲第１号証に記載された発明は、ゼオライト（吸着剤）により炭化水素を除去するようにしたクリーンルームである点において、本件各発明と軌を一にするものであると認められる。
  一方、甲第１号証には、クリーンルームの清浄空気（循環空気）に含有される炭化水素の濃度をどの範囲に抑えるようにしたかに関しては何ら記載がない。とくに、それを０．１ｐｐｍ以下とした点に関しての記載はない。なお、甲第１号証中には、「除塵後の空気は、次いでＨ．Ｃ．吸着材４にて極低濃度Ｈ．Ｃ．が除去される。 Ｈ．Ｃ．吸着材４は、大気中極低濃度（ｐｐｂオーダ）のＨ．Ｃ．が吸着できるものであれば何れでも使用できる。」（第３頁第４欄第２７〜３０行）という記載があるが、この記載を考慮しても、クリーンルームの清浄空気（循環空気）に含有される炭化水素の濃度がどの範囲であるかは明らかでない。
  申立人は、炭化水素の濃度に関して、甲第２号証には、「半導体製造や液晶製造などの先端産業における基材や基板表面の汚染防止に関するもので、基材または基板と接触する空気を、除塵手段とガス吸着または吸収手段とにより浄化し、非メタン炭化水素濃度を０．２ｐｐｍ以下となした後に、その気体を基材または基板表面に暴露するという発明が開示されている。」というが、甲第２号証は本件特許の出願の後である平成７年１月５日発行に頒布された刊行物であるので、そこに記載された事項が本件特許の出願前公知であったとすることはできない。なお、甲第２号証には、「０．２ｐｐｍ以下」とは記載されているが、「０．１ｐｐｍ以下」とした記載はない。
  甲第３号証には、申立人が主張する「ケミカルフィルタからの発生じん挨は後段のＨＥＰＡフィルタで十分に除去されていることを確認している。」という記載はあるが、クリーンルームの清浄空気（循環空気）に含有される炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑えたことまでは記載されていない。
　甲第４号証には、申立人が主張するように、「ハーフミクロンプロセス対応ＬＳＩクリーンルーム技術」に関して、その第８図に、ケミカルフィルタの設置例として、一般的なクリーンルームの構成例およびケミカルフィルタの配置例が説明されていることが認められる。しかしながら、この配置例によって、クリーンルームの清浄空気（循環空気）に含有される炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑えることができることは何ら記載されておらず、また、これによってクリーン空間内に炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑えることができることが明らかともいえない。
  さらに、甲第５号証には、半導体製造用クリーンルームにおける帯電と塵埃付着性に関して記載されているが、クリーン空間内に炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑えることに関しては何ら記載がない。
  本件各発明は、クリーン空間内に炭化水素の濃度を０．１ｐｐｍ以下に抑えるようにした点により明細書に記載された効果を奏するものと認められる。
　
３．そうすると、その余について検討するまでもなく、本件請求項１乃至請求項８に係る発明が、特許異議申立人の提出した甲号各証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
〔５〕以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する申立ての理由及び提出した証拠方法によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月２０日（２００１．４．２０）