【事件の表示】
　特許第２９９３６６５号「配線形成方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９９３６６５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２９９３６６５号の請求項１に係る発明についての特許は、昭和６３年２月２９日に特許出願がなされ、平成１１年１０月２２日にその特許権の設定登録がなされ、その後、渡辺紀子より特許異議の申立てがなされたものである。
（２）本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「不純物としてリンを0.4〜2.0wt%含有するシリコン層を580℃以下の温度で、かつ微細結晶状のポリシリコンが生成するように形成して、微細結晶状のポリシリコンを含む不純物含有シリコン層を形成する工程と、該シリコン層上に高融点金属シリコン化合物層を形成する工程と、上記シリコン層と高融点金属シリコン化合物層をパターニングする工程とを具備し、少なくとも上記高融点金属シリコン化合物層形成後に熱処理を行うことを特徴とする配線形成方法。（以下「本件発明」という）」
（３）申立ての理由の概要
　申立人渡辺紀子は、証拠として甲第１及び第２号証を提出し、甲第２号証を参酌すれば本件発明は、甲第１号証に実質的に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり（理由１）、また本件明細書に記載不備があるから、本件特許は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである（理由２）と主張している。
（４）理由２についての検討
＜申立の詳細＞
　「微細結晶状のポリシリコン」は、本件請求項１の特徴の一つと解されるが、本件特許発明の特許公報には、「微細結晶状のポリシリコン」の定義がなく、例えばどのくらいの結晶粒径か不明確である。よって、本件特許権者が問題としている、600〜650℃で形成された、リンドープのポリシリコン層との区別ができない。以上より、本件請求項１の「微細結晶状のポリシリコン」の意味が不明確であるので、本件請求項１は記載不備である。
＜当審の判断＞
「微細結晶状のポリシリコン」に関連して、本件特許公報３頁５欄３７行〜４３行には、「本発明において、580℃以下の温度で形成される不純物含有シリコンは、この580℃という温度が、ほぼポリシリコン（多結晶シリコン）とアモルファスシリコンとの境界温度に該当するので、580℃以下での不純物含有シリコンの形成であれば、該シリコンは、アモルファスシリコンに近い微細結晶状の不純物含有ポリシリコンとなる。」と記載され、また本件特許公報４頁７欄２行〜４行には、「上記温度条件であると、アモルファスに近い、リンがドープされた微細結晶状のポリシリコン（適宜本明細書においてＰ−ＤＡＳと略記する）が得られる。」と記載されている。
　よって上記各記載を参酌すれば、本件請求項１の「微細結晶状のポリシリコン」は、「アモルファスシリコンに近い微細結晶状の不純物含有ポリシリコン」を意味し、その意味は明確であるので、本件請求項１には記載不備はない。
　なお「微細結晶状のポリシリコン」の定義に当たって、微細結晶の結晶粒径が明記されていなくても、直ちにこれが不明確であるとはいえない。
（５）理由１についての検討
＜甲各号証記載の発明＞
　甲第１号証（特開昭６０−２１３０４６号公報）は、基板上にポリサイド構造を形成する方法に関し、特許請求の範囲には「（１)ドープされた多結晶シリコンの層とこの層の上の珪化タンタルの層とからなるポリサイド構造を基板上に形成するための方法であつて、適当な反応器中で低圧化学蒸着法により、上記基板上に、シリコンを含む蒸気と適当なド-パントとから、アモルフアス状態でかつ同時ドープ処理されたシリコンの層を被着する工程と、上記シリコンを含む蒸気の反応器への流入は継続させつつ、上記ドーパントの流入を停止させて、五塩化タンタル蒸気を反応器に導入して、タンタル分の多い珪化タンタルの層を上記シリコン層上に被着する工程と、温度を上昇させて上記構造をアニールし、それによつて上記ドープされたシリコン層を多結晶状態に変換しかつ上記珪化タンタル層をTaSｉ2に変換する工程と、を含んでなる基板上にポリサイド構造を形成する方法。」と記載されている。また同公報４頁左下欄５行〜右下欄１７行には、「次にこの発明の一例を示すが、この発明はこれに限定されるものではない。この実施例において、特別の表示がない限り、部及び%は全て重量部を重量%であり、温度は全てセ氏(℃)目盛で表わしてある。
例
　直経が約7.62（3インチ）の（100）単結晶シリコンウエハ30個を基板として用いた。これらのウエハを水蒸気中で50分間900℃に加熱して、その表面に約200nmの厚さの二酸化シリコン層を形成した。　ウエハを575℃に加熱した石英管中のＬＰＣＶＤ反応器に入れた。反応器を150ミリトルまで排気し、乾燥窒素を10分間反応器を通して流し、その後、8分間水素を流した。
　ドープ済アモルフアスシリコンの被着は、350ミリトルの圧力下で、シランを3OOcm3/分の速度で、また、窒素で１容積％に希釈したホスフインも24cm3／分の速度で流して行った。被着用気体中におけるシランに対するホスフィンの割合は8×lO−４であつた。被着は145分間続け、その間に、厚さ350nmのアモルフアスシリコン層が被着された。この被着されたシリコン層は約0.4%の燐を含んでいた。完成したポリサイド構造をアニールした後のシリコン層の導電度を求めたところ、約6×lO2（Ω−cm）−1であった。ドープ済アモルフアスシリコンの成長速度は約2.5nm/分であつた。
　シリコンの被着が完了すると、ホスフィンと窒素の混合気流をとめ、シランの流量を40cm3/分にした。窒素を20cm3/分の速度で反応管へ導入した。152℃に加熱した五塩化タンタル源から五塩化タンタルを15cm3/分の速度で反応室へ流し入れた。」と記載されている。
　甲第２号証（電子材料シリーズ「ＶＬＳＩの薄膜技術」丸善株式会社　昭和６１年９月３０日発行、７７頁〜８４頁）は、シリコン膜のＣＶＤに関するもので、その３・２・５には、多結晶シリコン膜の性質について記載されている。また図３・１９には、リンドープ多結晶シリコン膜の粒径の熱処理温度依存性について図示されている（800℃以下の低温度では粒径が小さくなっていることが認められる）。更に同図中に「リン濃度：7.5×lO20cm−3」と記載されている。
＜対比・判断＞
　本件発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、本件発明と甲第１号証の発明とはドープされた多結晶シリコン層とその上の珪化タンタルとからなるポリサイド構造を形成する方法の点で共通しているが、ドープされた多結晶シリコン層となる多結晶シリコン層が、甲第１号証の発明ではアモルファス状態で成長されるのに対し、本件発明では微細結晶状のポリシリコンの状態で成長される点で相違するものである。
　したがって本件発明が甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　なお甲第２号証を参酌しても上記の結論は変わらない。即ち甲第２号証おいて例示されたリン濃度：7.5×lO20cm−3のポリシリコンには、リンが本件発明におけるリン濃度の範囲（0.4〜2.0wt%）内である1.6wt%含まれていることから、本件発明と同様の微細結晶状のポリシリコンに近いものであったとしても、甲第１号証の「アモルフアス状態でかつ同時ドープ処理されたシリコンの層」のリン濃度が本件発明におけるリン濃度の範囲（0.4〜2.0wt%）の下限値前後の約0.4wt%であり、しかも「アモルフアス状態で」と明記されているのであるから、甲第１号証の「アモルフアス状態でかつ同時ドープ処理されたシリコンの層」が本件発明と同様の微細結晶状のポリシリコンであるとすることはできない。　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する
【異議決定日】
平成１２年９月１８日（２０００．９．１８）