【事件の表示】
　特許第２９３３６３５号「積層セラミックコンデンサ」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９３３６３５号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）本件発明
　本件特許第２９３３６３５号に係る発明｛平成１年３月１５日出願（請求項の数２）、平成１１年５月２８日設定登録｝は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　Ａ．誘電体層と内部電極とを交互に積層した積層体と、この積層体の内部電極の露出した端面に設けた外部電極とを備え、
　Ｂ．前記誘電体層は、一般式ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅ２Ｏ３（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００、Ｒｅ２Ｏ３は、Ｌａ２Ｏ３，Ｐｒ２Ｏ１１／３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３から選ばれる少なくとも一種類以上の希土類元素の酸化物。）と表した時、ｘ，ｙ，ｚが以下の表に示す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部に対し、副成分としてＮｂ２Ｏ５を０．３〜８．０重量部含有したものであり、
　Ｃ．前記内部電極は、パラジウムを含有することを特徴とする積層セラミックコンデンサ。　
                                           
 　【請求項２】
  Ｄ．誘電体層の主成分と副成分を合わせたもの１００重量部に対して、さらにマンガン、亜鉛、鉄、及びケイ素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種類以上をそれぞれＭｎＯ２，ＺｎＯ２，Ｆｅ２Ｏ３及びＳｉＯ２に換算して０．０５〜１．００重量部含有させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の積層セラミックコンデンサ。      
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」　
　（なお、上記の符号Ａ〜Ｄは便宜上付与したものである。）
（２）特許異議申し立ての理由の概要
　特許異議申立人遠藤昭子は、甲第１号証：特開昭５０−５３８９８号公報（以下、「甲１」という）を挙示して、請求項１及び２に係る発明は、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、特許を取り消すべきであると主張している。　
（３）甲各号証に記載された発明
　甲１には、セラミック誘電体組成物に関する発明が記載されており、
ａ．「（１）約１２〜約２０モル％の酸化ネオジムと、約１２〜約２０モル％の酸化バリウムと、約６０〜約７０モル％の酸化チタンと、約１．５〜約５モル％の酸化ビスマスと、０〜約５モル％の酸化ジルコニウムと、０〜約５モル％の酸化第２錫と、０〜約１０モル％の酸化カルシウムまたは酸化ストロンチウムまたはその混合物とから本質的に成り、……微細に分割粉砕されたセラミック誘電体組成。」（特許請求の範囲）、
ｂ．「特に本発明は電子工業協会セラミック誘電体コンデンサ基準Ｒ８１９８（１９５７）の第１類コンデンサを対象とするものである。更に詳細には、本発明は比較的高いＫ値を有すると同時に比較的低い誘電率の温度係数を有すると共にキャパシタンス変化に対する安定性と高い絶縁抵抗値をも有する改良されたセラミック誘電体組成に関する。」（第２頁左上欄第１０〜１７行）、
ｃ．「特に、白金−金−パラジウム族の貴金属電極により分離された多数の薄層セラミック材料を用いた多層単体誘電体コンデンサの場合にそうである。」（第２頁右上欄第１８〜同頁左下欄第１行）、
ｄ．「本発明の組成を形成するに当たって、種々の成分の濃度は最終的な誘電材料のＴＣ値を変化せしめるように調節してもよい。酸化ネオジムおよび酸化ビスマスは積極的なＴＣ移行成分であり、……積極的なＴＣ移行成分を増すと誘電体のより積極的なＴＣ値が得られる。」（第２頁右上欄第９〜同頁左下欄第１行）、
ｅ．「本発明の組成中には鉱化剤または電気的変性剤等種々の材料が約０．１ないし約１０重量％という少量で存在してもよい。かかる材料の典型的なものは二酸化シリコン、酸化コバルト、二酸化マンガン、酸化亜鉛、チタン酸亜鉛、酸化ニオブ、および酸化タンタルである。」（第８頁左下欄第２〜７行）という記載がある、
（４）対比・判断
  本件請求項１の発明と甲１に記載の発明とを対比すると、上記ａ〜ｃの記載内容から明らかなように、甲１のセラミック誘電体組成物は、パラジウム等の貴金属内部電極を備えた積層セラミックコンデンサに使用されているので、本件請求項１の発明における構成Ａ及びＣについては、甲１に記載されていると認められる。
　しかしながら、本件請求項１の発明における構成要件Ｂについては、上記ａ及びｄ〜ｅの記載内容から、甲１のセラミック誘電体の成分組成は、約１２〜約２０モル％の酸化ネオジムと、約１２〜約２０モル％の酸化バリウムと、約６０〜約７０モル％の酸化チタンと、約１．５〜約５モル％の酸化ビスマスを必須成分とした、酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジム−酸化ビスマス系となっているので、酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジム系に係わる本件請求項１の発明とは、
　（１）必須成分が、本件請求項１の発明では、酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジム系であるのに対して、甲１の発明では、これにさらに酸化ビスマスを加えた酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジム−酸化ビスマス系になっている点で相違しており、さらに、
　（２）酸化ニオブが、本件請求項１の発明では、副成分として含有されているのに対して、甲１の発明では、任意添加成分の一つとして存在してもよいとされている点で相違している。
　次に上記相違点につき検討する。
　上記相違点（１）については、甲１では、上記ｄの記載中に、種々の成分の濃度はＴＣ値を変化せしめるように調節してよい旨の記載があるとしても、酸化ビスマスは元々必須成分の一つとして、酸化ネオジムと同様に積極的なＴＣ移行成分として約１．５〜約５モル％の範囲内で含有されている必要があるところから、あくまでもこの範囲内で含有量を調節することを意図しているものと解釈するのが当然であり、このことは表ｌ及び表ｌｌの実施例１〜１３において、酸化ビスマスが１．８〜４．７モル％の範囲内において含有されているところからも窺知できることであり、０〜５モル％未満の範囲内でもよいとするものではなく、まして必須成分から排除する技術的な意図や目的に至っては甲１に記載も示唆もするところがない以上、酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジム−酸化ビスマス系から酸化ビスマスを削除したものである酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジム系が容易であるとすることはできない。
　上記相違点（２）については、甲１では、上記ｅの記載から明らかなように、酸化ニオブについては、任意添加成分の一つとして羅列記載があるにすぎず、その添加目的についても概略記載があるだけで、何ら具体的に記載されていない。
　これに対して、酸化ニオブを副成分として含有させる本件請求項１の発明にあっては、従来のＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３（Ｂａ／Ｔｉ比の小さいもの）系誘電体材料の焼成により誘電体層を形成する際に還元されたＴｉＯ２により生じた酸素欠陥によるｅ−を、４価のＴｉの一部を５価のＮｂで置換することにより生じた陽イオン空孔で補償することによって、ＴｉＯ２が還元されるのを抑制し、ＴｉとＰｄの化合物の生成を防止し、その結果、誘電体層と内部電極の界面の密着性を向上させるという作用を果たすものであるから、酸化ニオブのこのような添加目的ないしは作用について、甲１には記載も示唆もするところがない。
　そして、本件請求項１の発明にあっては、上記相違点（１）及び（２）を特徴とすることにより、明細書記載のとおり、従来のＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３（Ｂａ／Ｔｉ比の小さいもの）系誘電体材料を使用して得られた積層セラミックコンデンサよりも絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上しえたという顕著な効果を奏するものであり｛従来のＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３（Ｂａ／Ｔｉ比の小さいもの）系誘電体材料を使用して得られた積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗、絶縁破壊強度について、必要あらば特開昭６２−５６３６１号公報等を参照されたい。｝、甲１には誘電率、Ｑ、ＴＣの各特性が開示されているにとどまり、絶縁抵抗、絶縁破壊強度といった特性については、言及するところはないから、効果の点においても、格段の相違が認められる。
　また、本件請求項２の発明は、請求項１の発明を引用し、さらにマンガン、亜鉛、鉄、及びケイ素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種類以上をそれぞれ酸化物に換算して特定量含有させた構成Ｄを付加したものとなっているので、本件請求項１の発明と同様、上記相違点（１）及び（２）を特徴として有している以上、甲１に記載も示唆もないため、甲１に記載の発明から当業者が容易に想到しえたものではない。
　そして、上記構成Ｄを付加したことにより、本件請求項１の発明と同様、従来よりも絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上しえたという顕著な効果を奏しえたものである。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件異議の申立を理由があるものとすることはできない。
　また、他に本件請求項１及び２の発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月１９日（２０００．５．１９）