【事件の表示】
　特許第２９７７５１９号「マイクロ波パッケ−ジ」の請求項２ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７７５１９号の請求項２ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
　（１）．手続の経緯
　本件特許第２９７７５１９号の請求項１〜６に係る発明は、平成９年１２月１７日に特許出願され、平成１１年９月１０日に設定登録がなされた後、本件請求項２〜６に係る発明の特許について、特許異議申立人雨山範子（以下、「申立人」という。）により平成１２年５月１５日に特許異議の申し立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１０月１６日に訂正請求がなされたものである。
　（２）．訂正請求の適否
（２）−１：訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書という」。）を平成１２年１０月１６日付の訂正請求書に添付された明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次の通りである。
（２）−１−１：訂正事項１
 特許請求の範囲の請求項２に記載された「【請求項２】少なくとも底板が誘電体で形成されたパッケ−ジ本体を備えたマイクロ波パッケ−ジにおいて、前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、少なくとも一つが、他の誘電体層のスル−ホ−ルと同一位置に配置されるように形成したことを特徴とするマイクロ波パッケ−ジ」を「【請求項２】前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、少なくとも一つか、他の誘電体層のスル−ホ−ルと同一位置に配置されるように形成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波パッケ−ジ」と訂正する。
（２）−１−２：訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項６に記載された「【請求項６】前記パッケ−ジ本体の底板には、マイクロ波回路が形成されることを載されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケ−ジ」を「【請求項６】前記パッケ−ジ本体の底板には、マイクロ波回路が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケ−ジ」と訂正する。
（２）−１−３：訂正事項３
　明細書中【００１３】に記載された「【００１３】即ち、底板を含むパッケ−ジ強度と量産性を向上させには、スル−ホ−ル１ｂのピッチｄを１ｍｍ、板厚を０．５ｍｍ程度に設定して、堅牢に構成することで実現されるが、これによると、チップマウント面のアイソレ−ション特性が低下して、所望の特性を確保するのが困難となるという問題を有する」を「【００１３】即ち、底板を含むパッケ−ジ強度と量産性を向上させるには、スル−ホ−ル１ｂのピッチｄを１ｍｍ、板厚を０．５ｍｍ程度に設定して、堅牢に構成することで実現されるが、これによると、チップマウント面のアイソレ−ション特性が低下して、所望の特性を確保するのが困難となるという問題を有する」と訂正する。
（２）−１−４：訂正事項４
　明細書中【００１４】に記載された「【００１４】他方、アイソレ−ション特性の共振を抑制する手段としては、スル−ホ−ル１ｂのピッチｄを狭くしたり、板厚を薄くする方法が採られるしかし、ピッチｄを狭くすると、底板の誘電体をグリ−ンシ−トから焼結する際に、強度低下によるクラックや割れ等が発生し易く、製造上の歩留まりが低下するとい問題が生じる。そして、底板の板厚を薄くすると、パッケ−ジ機械的強度が低下され、同様に製造上の歩留まりが低下するという問題が生じる」を「【００１４】他方、アイソレ−ション特性の共振を抑制する手段としては、スル−ホ−ル１ｂのピッチｄを狭くしたり、板厚を薄くする方法が採られるしかし、ピッチｄを狭くすると、底板の誘電体をグリ−ンシ−トから焼結する際に、強度低下によるクラックや割れ等が発生し易く、製造上の歩留まりが低下するという問題が生じる。そして、底板の板厚を薄くすると、パッケ−ジ機械的強度が低下され、同様に製造上の歩留まりが低下するという問題が生じる」と訂正する。
（２）−１−５：訂正事項５
　明細書中【００１８】に記載された「【００１８】また、この発明は、少なくとも底板が誘電体で形成されたパッケ−ジ本体を備えたマイクロ波パッケ−ジにおいて、前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、少なくとも一つが、他の層のスル−ホ−ルと同一位置に配置されるように構成した」を「【００１８】また、この発明は、更に前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、少なくとも一つが、他の層のスル−ホ−ルと同一位置に配置されるように構成した」と訂正する。
（２）−２：訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否の各要件についての判断
（２）−２−１：訂正事項１について
　訂正事項１は接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを少なくとも一つが、他の誘電体層のスル−ホ−ルと同一位置に配置されるように形成した構成を【請求項１】に従属させることによって技術的に限定するものであるから特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、本件特許発明が、そもそも底板の両面に接地導体が形成された複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、他の層のスル−ホ−ルと異なる位置に配置されるように構成したことは【００１６】および【００１９】ならびに第２、５図の記載から読みとれる。
　したがって、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
（２）−２−２：訂正事項２乃至４について
　訂正事項２乃至４については、単なる誤記の訂正である。
　したがって、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
（２）−２−３：訂正事項５について
　訂正事項５については　（２）−２−１の特許請求の範囲の訂正に合わせて、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の欄を整合するようにしたものであるから明りょうでない記載の釈明にあたる。
　そして、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　（３）．訂正の認否
　したがって、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書および同第３項で準用する同法第１２６条第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　（４）．特許異議の申立てについて
（４）−１：本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜６に係る発明は、訂正明細書に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される次のとおりのもの（以下、「本件発明１」〜「本件発明６」という。）である。
「【請求項１】少なくとも底板が誘電体で形成されたパッケ−ジ本体を備えたマイクロ波パッケ−ジにおいて、前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、他の誘電体層のスル−ホ−ルと異なる位置に配置されるように形成したことを特徴とするマイクロ波パッケ−ジ。
【請求項２】前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、少なくとも一つが、他の誘電体層のスル−ホ−ルと同一位置に配置されるように形成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波パッケ−ジ。
【請求項３】前記複数のスル−ホ−ルは、底板の各誘電体層に所定の間隔に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロ波パッケ−ジ。
【請求項４】前記パッケ−ジ本体の底板上には、半導体チップが搭載されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケ−ジ。
【請求項５】前記パッケ−ジ本体の底板上には、マイクロ波回路基板が搭載されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケ−ジ。
【請求項６】前記パッケ−ジ本体の底板には、マイクロ波回路が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケ−ジ。」
（４）−２：申立人の主張する特許異議申立ての理由
　請求項２〜６に係る発明は、下記甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２〜６に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（４）−３：証拠方法
　甲第１号証：特開平　９−２８３７００号公報
　甲第２号証：特開昭６３−２８８０９４号公報
（４）−３−１：甲第１号証の記載事項
a：第４頁【００３０】〜【００３１】および第１図
「【００３０】図１は本発明の高周波用電力増幅器の一実施例を示す断面図である。同図に示した高周波用電力増幅器１において、２はガラスを主成分とする多層基板であり、３ａ・３ｂは基板２内に形成されたストリップ線路、４はストリップ線路３ａ・３ｂから基板２上面にかけて導出される接続導体、５は基板２上に実装された電力用トランジスタ、６は基板２上に実装されたチップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ部品、７は基板２の側面に形成された端子電極、８は電力用トランジ スタ４下部の基板２内に形成された放熱用ビアホ−ルである。また、９はストリップ線路３ａ・３ｂの上下に形成されたグランド層である。なお、本例において３ｂはドレインバイアス線として形成されている。
【００３１】１０はボンディングワイヤであり、電力用トランジスタ５の各電極（ソ−ス・ゲ−ト・ドレイン）とストリップ線路３ａ・３ｂとをグランド層９や接続導体４を介して（例えば接続導体４に接続され基板２上面に少なくともその一部が露出している導体層等にボンディングされて）電気的に接続している。電力用トランジスタ５は基板２上の搭載用キャビティ１１に樹脂や半田系の接続ペ−スト１２により固定され、樹脂１３により封止されている。一方、チップ部品６は、基板２上面に導出された接続導体４、またはそれら接続導体４に接続され基板２上面に少なくともその一部が露出している導体線や導体層・マイクロストリップ線路等に、表面実装により電気的に接続されている。」
（４）−３−２：甲第２号証の記載事項
ａ：特許請求の範囲（１）、（２）および第１、２図
「特許請求の範囲
（１）絶縁体と導体とが厚み方向で交互に形成されているセラミック多層基板において、各層間の電気導通を目的とするヴィアホ−ルで、対向するセラミックグリ−ンシ−トの該ヴィアホ−ルと合致する位置に該ヴィアホ−ルよりも大きな形状の内部導体によるヴィアホ−ル用受けランドが形成されているセラミック多層基板。
（２）複数枚のセラミックグリ−ンシ−トを積層してなるセラミック多層基板の製造方法において、各セラミックグリ−ンシ−トに内部導体を形成する際に、一方のセラミックグリ−ンシ−トのヴィアホ−ルに対して互いに密着する他方のセラミックグリ−ンシ−ト表面に該ヴィアホ−ル位置と合致する位置に該ヴィアホ−ルよりも大きな形状の内部導体によるヴィアホ−ル用受けランドを形成し、このセラミックグリ−ンシ−トを積層することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。」
（４）−４：対比・判断
（４）−４−１：本件発明２について
　甲第１、２号証には「少なくとも底板が誘電体で形成されたパッケ−ジ本体を備えたマイクロ波パッケ−ジにおいて、前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、少なくとも一つが、他の誘電体層のスル−ホ−ルと同一位置に配置されるように形成したことを特徴とするマイクロ波パッケ−ジ」が開示されていることは認められるにしても、本件発明２は、本件発明１を引用しており、そして、本件発明２で引用された、本件発明１を特定する事項である「マイクロ波パッケ−ジにおいて、底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスル−ホ−ルを、他の誘電体層のスル−ホ−ルと異なる位置に配置する」（以下、「要件Ａ」という。）については、甲第１、２号証のいずれにも開示されておらず、また、示唆もされていない。そして、本件発明２は、上記「要件Ａ」を備えることにより、「アイソレ−ション特性の共振特性が最適であるピッチでかく層のスル−ホ−ルを形成することが可能となると共に、所望の板厚が確保されて機械的強度の促進が図れる。従って、マイクロ波帯における高精度な特性を得、且つ、製造の簡略化が図れる。」（本件明細書【００１７】、【００１９】等参照。）という明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　よって、本件発明２は、甲第１、２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。　
（４）−４−２：本件発明３〜６について
　本件発明３〜６は、実質的に本件発明１あるいは本件発明２を引用して記載したものであるから、前記「要件Ａ」を発明を特定する事項として備えるものであるところ、前記「要件Ａ」については、甲第１、２号証の記載から容易になしえたものと認められない以上、本件発明３〜６は、甲第１、２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（４）−４−３：まとめ　
　以上のとおりであるから、本件発明２〜６は甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　（５）．むすび
　上記のとおりであるから、本件発明２〜６の特許は、特許異議申立ての理由および証拠方法によっては取消すことはできない。
　また、他に本件発明２〜６の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。 　
【異議決定日】
平成１２年１１月１０日（２０００．１１．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）：訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項２に記載された「【請求項２】少なくとも底板が誘電体で形成されたパッケージ本体を備えたマイクロ波パッケージにおいて、前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスルーホールを、少なくとも一つが、他の誘電体層のスルーホールと同一位置に配置されるように形成したことを特徴とするマイクロ波パッケージ」を特許請求の範囲の減縮を目的として「【請求項２】前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスルーホールを、少なくとも一つか、他の誘電体層のスルーホールと同一位置に配置されるように形成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波パッケージ」と訂正する。
（２）：訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項６に記載された「【請求項６】前記パッケージ本体の底板には、マイクロ波回路が形成されることを載されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケージ」を誤記の訂正を目的として「【請求項６】前記パッケージ本体の底板には、マイクロ波回路が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケージ」と訂正する。
（３）：訂正事項３
　明細書中【００１３】に記載された「【００１３】即ち、底板を含むパッケージ強度と量産性を向上させには、スルーホール１ｂのピッチｄを１ｍｍ、板厚を０．５ｍｍ程度に設定して、堅牢に構成することで実現されるが、これによると、チップマウント面のアイソレーション特性が低下して、所望の特性を確保するのが困難となるという問題を有する」を誤記の訂正を目的として「【００１３】即ち、底板を含むパッケージ強度と量産性を向上させるには、スルーホール１ｂのピッチｄを１ｍｍ、板厚を０．５ｍｍ程度に設定して、堅牢に構成することで実現されるが、これによると、チップマウント面のアイソレーション特性が低下して、所望の特性を確保するのが困難となるという問題を有する」と訂正する。
（４）：訂正事項４
　明細書中【００１４】に記載された「【００１４】他方、アイソレーション特性の共振を抑制する手段としては、スルーホール１ｂのピッチｄを狭くしたり、板厚を薄くする方法が採られるしかし、ピッチｄを狭くすると、底板の誘電体をグリーンシートから焼結する際に、強度低下によるクラックや割れ等が発生し易く、製造上の歩留まりが低下するとい問題が生じる。そして、底板の板厚を薄くすると、パッケージ機械的強度が低下され、同様に製造上の歩留まりが低下するという問題が生じる」を誤記の訂正を目的として「【００１４】他方、アイソレーション特性の共振を抑制する手段としては、スルーホール１ｂのピッチｄを狭くしたり、板厚を薄くする方法が採られるしかし、ピッチｄを狭くすると、底板の誘電体をグリーンシートから焼結する際に、強度低下によるクラックや割れ等が発生し易く、製造上の歩留まりが低下するという問題が生じる。そして、底板の板厚を薄くすると、パッケージ機械的強度が低下され、同様に製造上の歩留まりが低下するという問題が生じる」と訂正する。
（５）：訂正事項５
　明細書中【００１８】に記載された「【００１８】また、この発明は、少なくとも底板が誘電体で形成されたパッケージ本体を備えたマイクロ波パッケージにおいて、前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスルーホールを、少なくとも一つが、他の層のスルーホールと同一位置に配置されるように構成した」を不明瞭な記載の釈明を目的として「【００１８】また、この発明は、更に前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスルーホールを、少なくとも一つが、他の層のスルーホールと同一位置に配置されるように構成した」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
マイクロ波パッケージ
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　少なくとも底板が誘電体で形成されたパッケージ本体を備えたマイクロ波パッケージにおいて、
　前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスルーホールを、他の誘電体層のスルーホールと異たる位置に配置されるように形成したことを特徴とするマイクロ波パッケージ
　　【請求項２】　前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスルーホールを、少なくとも一つが、他の誘電体層のスルーホールと同一位置に配置されるように形成したことを特徴とする
請求項１記載の
　　【請求項３】　前記複数のスルーホールは、底板の各誘電体層に所定の間隔に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載のマイクロ波パッケージ。
　　【請求項４】　前記パッケージ本体の底板上には、半導体チップが搭載されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケージ。
　　【請求項５】　前記パッケージ本体の底板上には、マイクロ波回路基板が搭載されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケージ。
　　【請求項６】　前記パッケージ本体の底板には、マイクロ波回路が形成されることを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロ波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、例えばモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）等のマイクロ波集積回路（ＭＩＣ）や電界効果トランジスタ等の半導体チップやマイクロ波面路基板を収納するのに用いられるマイクロ波パッケージに関する。
　　　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より、この種のマイクロ波パッケージには、量産性と共に、低価格化の要請から、パッケージ本体の底板をアルミナや窒化アルミ等の誘電体で形成し、この底板の両面に金属膜を被着した接地導体が形成されるそして、この底板の両面の接地導体は、スルーホールを介して電気的に接続される。このようなマイクロ波パッケージは、底板をグリーンシート状の誘電体から多面取りでパッケージ形状に製造可能であるという特徴を有する。
　　　【０００３】
　図４は、このような従来のマイクロ波パッケージを示すもので、底板１をアルミナ等の誘電体で形成して、例えば同種の誘電体で形成したパッケージ本体２の底板にロー付け等により取付けられる。このパッケージ本体２には、接続パッド２ａが形成され、この接続パッド２ａには、底板１に搭載された半導体チップ３がボンディングワイヤ４を介して配線接続される。
　　　【０００４】
　上記パッケージ本体２上には、フレーム部材５が取付けられ、このフレーム部材５上には、図示しないカバー部材が取付けられる。また、パッケージ本体２と底板１の側壁には、半円スルーホールと称する複数の外部接続部６が形成される。この外部接続部６は、上記接続パッド２ａにそれぞれ接続される。そして、パッケージ本体２は、その底板１が図示しない外部基板上の所定の位置に搭載されて、該外部基板（図示せず）の高周波回路に外部接続部６を介してリフロー等により半田接続される。
　　　【０００５】
　ところで、上記マイクロ波パッケージにあっては、底板１の両面に図５に示すように金属膜を形成した接地導体１ａ、１ａを形成して、この接地導体１ａ、１ａ間を複数のスルーホール１ｂを介して電気的に接続することにより、底板１の半導体チップ３を搭載するマウント面を接地面として、不要共振を抑制する方法が採られている。
　　　【０００６】
　この底板１のマウント面は、マイクロ波帯での不要共振を押さえることで、半導体チップ３の発振現象などのパッケージ内での不安定動作を押さえることが可能となる。具体的には、チップマウント面の不要共振が底板１のスルーホールｌｂのピッチｄと密接な関係があり、スルーホール１ｂのピッチｄを、使用するマイクロ波の波長に対して
　　　　ｄ≦λ／８　　　　　　　　　　　…（１）
の関係が成立するように設定される（図５参照）。
　　　【０００７】
　また、スルーホール１ｂのピッチｄは、底板１の板厚をＨとすると、
　　　　ｄ＝ｎ×Ｈ（ｎは整数、ｎ＞１）　…（２）
の関係が成立すると、マイクロ波の波長と無関係に不要共振が発生するという特徴を有する。
　　　【０００８】
　ここで、図６に示すように底板１の板厚Ｈとスルーホール１ｂのピッチｄの関係を計算機シミュレーションする。このシミュレーションでは、その誘電体として、アルミナを用いた底板１の板厚Ｈを０．５ｍｍ、スルーホール１ｂのピッチｄを１ｍｍとして、パッケージの対向する入出力端子をマウント面で短絡して入出力端子間のアイソレーション特性を測定する。この測定結果によれば、上記（２）式の関係を満足した状態でもアイソレーション特性が悪化されることが確認される。
　　　【０００９】
　なお、図６においては、スルーホール１ｂの直径φを０．３ｍｍ、入出力端間距離を１０ｍｍ、周波数ｆを１０ＧＨｚとする。
　この原因は、底板１のマウント面の電位が、接地面よりわずかに電位を持つためである。即ち、底板１のスルーホール１ｂのある部分のマウント面の電位は低く、他の部分は厚板Ｈに応じて高くなり、これが周期的となった状態で、共振を起こしアイソレーションを悪化させることとなる。
　　　【００１０】
　このため、マイクロ波パッケージにあっては、底板を含むパッケージ強度と量　産性を考慮して、スルーホール１ｂのピッチｄを１ｍｍ、厚板を０．５ｍｍ程度に設定すると、式（２）の関係により十分なアイソレーション特性をえることが困難であるという問題を有する。
　　　【００１１】
　そこで、アイソレーション特性の共振を抑制するために、スルーホール１ｂのピッチｄを極力狭い間隔に設定すると共に、底板の板厚を薄く形成する方法が採られている。
　　　【００１２】
　しかしながら、上記マイクロ波パッケージでは、底板の板厚の制約と、スルーホール１ｂのピッチｄの制約により、底板のチップマウント面がマイクロ波帯で最適な接地面に形成するのが困難であり、その製作が非常に面倒であるという問題を有する。
　　　【００１３】
　即ち、底板を含むパッケージ強度と量産性を向上させ
る
　　　【００１４】
　他方、アイソレーション特性の共振を抑制する手段としては、スルーホール１ｂのピッチｄを狭くしたり、板厚を薄くする方法が採られる。しかし、ピッチｄを狭くすると、底板の誘電体をグリーンシートから焼結する際に、強度低下によるクラックや割れ等が発生し易く、製造上の歩留まりが低下するとい
う
　そして、底板の板厚を薄くすると、パッケージ機械的強度が低下され、同様に製造上の歩留まりが低下するという問題が生じる。
　　　【００１５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　以上述べたように、従来のマイクロ波パッケージでは、製造が非常に面倒で歩留まりが低いという問題を有する。
　この発明は上記の事情を鑑みてたされたもので、構成簡易にして、マイクロ波帯における高精度な特性を実現し得、且つ、簡便にして容易な製造を実現し得るようにしたマイクロ波パッケージを提供することを目的とする。
　　　【００１６】
　【課題を解決するための手段】
　この発明は、少なくとも底板が誘電体で形成されたパッケージ本体を備えたマイクロ波パッケージにおいて、前記底板を両面に接地導体が形成された複数の誘電体層を積層して形成し、前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスルーホールを、他の層のスルーホールと異なる位置に配置されるように構成した。
　　　【００１７】
　上記構成によれば、底板は、各誘電体層のスルーホールが他の誘電体層のスルーホールと異なる位置に配置していることにより、マウント面のアイソレーション特性の共振特性が最適となるピッチで各層のスルーホールを形成することが可能となると共に、所望の板厚が確保されて、機械的強度の促進が図れる。従って、マイクロ波帯における高精度な特性を得、且つ、製造上の簡略化が図れる。
　　　【００１８】
　また、この発明は、
更に前記複数の誘電体層にそれぞれ両面の接地導体を電気的に接続する複数のスルーホールを、少なくとも一つが、他の層のスルーホールと同一位置に配置されるように構成した。
　　　【００１９】
　上記構成によれば、底板は、各誘電体層の少なくとも一つのスルーホールが、他の誘電体層のスルーホールと同一位置に配置されることにより、所望のマウント面のみのアイソレーション特性の共振特性が最適となるピッチで各層のスルーホールを形成することが可能となると共に、所望の板厚が確保されて、機械的強度の促進が図れる。従って、マイクロ波帯における高精度な特性を得、且つ、製造上の簡略化が図れる。
　　　【００２０】
　　【発明の実施の形態】
　以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
　図１はこの発明の一実施の形態に係るマイクロ波パッケージを示すもので、パッケージ本体１０は、例えばアルミナ等の誘電体で枠状に形成され、その底面には、この発明の特徴とする例えばアルミナで形成される底板１１がロー付け等により取付けられる。このパッケージ本体１０には、複数の接続パッド１０ａが形成され、この接続パッド１０ａには、底板１１に搭載された、例えばトランジスタたどの能動素子やＭＭＩＣなどの半導体チップ１２がボンディングワイヤ１３を介して配線接続される。
　　　【００２１】
　上記パッケージ本体１０上には、フレーム部材１４が取付けられ、このフレーム部材１４上には、例えば図示しないカバー部材が取付けられる。また、パッケージ本体１０と底板１１の側壁には、半円スルーホールと称する複数の外部接続部１５が形成され、この外部接続部１５は、上記接続パッド１０ａに接続される。これにより、パッケージ本体１０は、その底板１１が図示しない外部基板上の所定の位置に搭載されて、該外部基板（図示せず）の高周波回路に上記外部接続部１５を介してリフロー等で半田接続される。
　　　【００２２】
　ここで、上記底板１１の詳細を説明する。即ち、底板１１は、アルミナ等の誘電体で形成される複数層、例えば第１及び第２の誘電体層２０、２１が積層されて形成される。そして、この第１及び第２の誘電体層２０、２１には、その両面に金属膜の接地導体２０ａ、２０ａ及び２１ａ、２１ａがそれぞれ被着され、この接地導体２０ａ、２０ａ及び２１ａ、２１ａがそれぞれ複数のスルーホール２２、２３を介して電気的に接続される。このスルーホール２２、２３は、例えばタングステンで形成される。
　　　【００２３】
　この第１及び第２の誘電体層２０、２１の複数のスルーホール２２、２３は、例え図２に示すようにピッチｄを有して所定の間隔に配置され、互いの位置が異たるように配置される。そして、これらスルーホール２２、２３のピッチｄは、底板１１の厚さ寸法をＨ（第１及び第２の誘電体層２０、２１の層厚ｈ、ｈ）として、上記式（２）が成立しないように設定される。
　　　【００２４】
　このように、上記マイクロ波パッケージは、底板１１を両面に接地導体２０ａ、２０ａ及び２１ａ、２１ａが形成された第１及び第２の誘電体層２０、２１を積層して形成し、これら第１及び第２の誘電体層２１、２２にそれぞれ両面の接地導体２０ａ、２０ａ及び２１ａ、２１ａを電気的に接続する複数のスルーホール２２、２３を、互いの位置が一致しないように設けて構成した。
　　　【００２５】
　これによれば、底板１１は、第１及び第２の誘電体層２０、２１のスルーホール２２、２３が他の誘電体層２１、２０のスルーホール２３、２２と異なる位置に配置していることにより、マウント面のアイソレーション特性の共振特性が最適となるピッチｄで各層のスルーホール２２、２３を形成することが可能となると共に、底板１１の板厚Ｈを所望の厚さに保つことが可能となり、機械的強度の促進が図れる。この結果、マイクロ波帯における高精度なアイソレーション特性の取得が可能となり、しかも、簡便にして、容易な製造が可能となり、製造上の歩留まりの向上が図れる。
　　　【００２６】
　即ち、上記構成において、パッケージの対向する入出力端子をマウント面で短絡した場合の入出力端子間のアイソレーション特性をスルーホール２２、２３ピッチｄ、及び底板１１の板厚Ｈを変えて計算機シミュレーションすると、図３に示すように底板１１の板厚Ｈ及びスルーホール２２、２３のピッチｄが上記式（２）を満足した状態で、共振が小さくなることが確認される。
　　　【００２７】
　これは、底板１１のマウント面における接地面からの電位が、第１及び第２の誘電体層２０、２１の相対電位の和となる。
　言い換えると、底板１１は、共振により、相対電位（共振電位）が高くなる第１の誘電体層２０の部分が、積層した第２の誘電体層２１のスルーホール２３とたり、結果として相対電位が低い値となる。この結果、底板１１の最大電位は、第１及び第２の誘電体層２０、２１の各共振電位の最大値で略決定され、且つ、第１及び第２の誘電体層２０、２１の厚さ寸法が、従来の如く単板の場合に比して積層数に応じて薄くなることにより、共振電位も低く、合成される最大電位が単板に比べて低くなる。
　　　【００２８】
　具体的には、厚さ寸法ｈが０．２５ｍｍの第１及び第２の誘電体層２０、２１で形成して、底板１１の板厚Ｈを０．５ｍｍとし、スルーホール２２、２３のピッチｄを１ｍｍとした場合、図３中破線で示す従来のアイソレーション特性と比較すると、その共振特性が小さいことで、アイソレーション特性で１０ｄＢ程度、改善される。このように底板１１は、アイソレーション特性の改善を図ったうえで、その板厚Ｈを、０．５ｍｍの厚さに保つことが可能となり、容易に所望の機械的強度が確保され、しかも、スルーホール２２、２３のピッチｄを１ｍｍに設定することが可能となることにより、スルーホール製造上における歩留まりの向上が図れる。
　　　【００２９】
　なお、図３中においては、上記第１及び第２の誘電体層２０、２１を、アルミナで各厚さ寸法ｈ及びピッチｄを同一に形成して、前述した図６において示した従来の底板１を板厚Ｈ＝０．５で形成した場合のシミュレート結果を破線で示して併記する。
　　　【００３０】
　上記実施の形態では、底板１１を第１及び第２の誘電体層２０、２１を積層して形成し、この第１及び第２の誘電体層２０、２１のスルーホール２２、２３を所定のピッチｄで所定の間隔に形成するように構成した場合で説明したが、これに限ることなく、半導体チップ１２の搭載位置等に応じて、これら第１及び第２の誘電体層２０、２１に対して複数のスルーホール２２、２３を不規則なピッチｄで形成するように構成してもよい。
　　　【００３１】
　また、上記実施の形態では、第１及び第２の誘電体層２０、２１のスルーホール２２、２３を互いに一致しないように配置したが、これに限ることなく、第１の誘電体層２０のスルーホール２２と第２の誘電体層２１のスルーホール２３とを少なくとも１つが一致するように配置構成してもよい。
　　　【００３２】
　さらに、上記実施の形態では、底板１１を構成する第１及び第２の誘電体層２０、２１を同じ厚さ寸法ｈで形成するように構成した場合で説明したが、これに限ることなく、第１及び第２の誘電体層２０、２１の厚さ寸法を異なるように形成してもよい。
　　　【００３３】
　また、さらに、上記実施の形態では、底板１１を第１及び第２の誘電体層２０、２１の２層を積層して形成した場合で説明したが、これに限ることなく、底板１１を３層以上の複数の誘電体層を積層して、各誘電体層にそれぞれスルーホールを形成するように構成することも可能である。
　　　【００３４】
　この場合、３層以上の誘電体層に形成するスルーホールとしては、使用目的に応じて、上記第１及び第２の誘電体層２０、２１の２層と略同様に、例えば各誘電体層の位置がすべて一致しないように配置したり、少なくとも一つが一致するように配置構成される。
　　　【００３５】
　また、３層以上の誘電体層にそれぞれ形成するスルーホールとしては、そのうちの複数層のスルーホールの位置を一致させ、他の誘電体層のスルーホールのみの位置をずらせたり、中間に位置する誘電体層のスルーホールの位置を他の誘電体層のスルーホールと位置をずらせて形成したり、その使用形態に応じて各種配置構成される。
　　　【００３６】
　さらに、上記実施の形態では、底板１１に半導体チップ１２を搭載するように構成した場合で説明したが、これに限ることなく、マイクロ波回路基板を搭載したり、あるいは底板１１に直接的にマイクロ波回路を形成するように構成することも可能である。
　　　【００３７】
　また、さらに、上記実施の形態では、フレーム部材１４上にカバー部材を用いて封止するように構成した場合で説明したが、これに限ることなく、カバー部材に変えてフレーム部材１４上に周知のホッティング処理を施すように構成してもよい。
　　　【００３８】
　さらに、上記実施の形態では、底板１１をアルミナを用いて構成した場合で説明したが、誘電体としては、これに限ることなく、窒化アルミ等の各種材料を用いて構成することが可能である。
　よって、この発明は上記実施の形態に限ることなく、その他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることは勿論である。
　　　【００３９】
　　【発明の効果】
　以上詳述したように、この発明によれば、構成簡易にして、マイクロ波帯における高精度な特性を実現し得、且つ、簡便にして容易な製造を実現し得るようにしたマイクロ波パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
この発明の一実施の形態に係るマイクロ波パッケージを示した図。
　【図２】
図１の底板を取り出して示した図。
　【図３】
図１の計算機シミュレーションによるアイソレーション特性を示した図。
　【図４】
従来のマイクロ波パッケージを示した図。
　【図５】
図４の従来のマイクロ波パッケージの底板を取り出して示した図。
　【図６】
図４の従来のマイクロ波パッケージの計算機シミュレーションによるアイソレーション特性を示した図。
　【符号の説明】
１０…パッケージ本体。
１０ａ…接続パッド。
１１…底板
１２…半導体チップ
１３…ボンディングワイヤ。
１４…フレーム部材。
１５…外部接続部。
２０…第１の誘電体層。
２１…第２の誘電体層。
２０ａ、２１ａ…接地導体。
２２、２３…スルーホール。