【事件の表示】
　特許第２９６３２２８号「プラズマ処理装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６３２２８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第２９６３２２８号（平成３年４月２２日出願、平成１１年８月６日設定登録。）は、異議申立人東谷　満により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年５月２４日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項Ａ
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された、「前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって着脱自在とされたカバーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。」を、
「前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって円孔により着脱自在とされたカバーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。」
と訂正する。
　
（１−２）訂正事項Ｂ
　特許明細書の段落【０００９】を、
　「【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給配管系とを具備し、前記チャンバ内でプラズマを発生させて前記被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって円孔により着脱自在とされたカバーによって覆ったことを特徴とする。」
と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項Ａについて
　上記訂正事項Ａについては、特許明細書の請求項１に記載された「非金属製であって着脱自在とされたカバー」を、より下位概念である「非金属製であって円孔により着脱自在とされたカバー」に限定するものである。
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
　
（２−２）訂正事項Ｂについて
　上記訂正事項Ｂについては、上記訂正事項Ａの特許請求の範囲の訂正に伴い、特許明細書の記載を整合させたものである。すなわち、訂正前の記載内容では、訂正事項Ａによる訂正によって減縮された特許請求の範囲の記載との関係において明りょうでない部分が生じることになり、この明りょうでない部分が発生することを回避するために発明の詳細な説明の記載を訂正するものである。
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　
　そして、上記訂正事項Ａ、Ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての概要
　異議申立人東谷　満は、証拠として、
甲第１号証：特開平１−１８９１２４号公報
甲第２号証：特開昭６３−１３８７３７号公報
甲第３号証：特開昭６３−１０７０２４号公報
甲第４号証：特開平１−３１２０８７号公報
甲第５号証：特開平２−１２５４３０号公報
を提出して、次の理由により本件特許を取り消すべき旨主張する。
　
（理由１）本件請求項１に記載された発明（以下、「本件発明」という。）は、甲第１〜３号証にそれぞれ記載された発明であるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
（理由２）本件発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、 本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（理由３）本件請求項１の記載は記載不備であるから、本件発明についての特許は、特許法第３６条第４項の規定に違反してされたものである。
　
（２）本件発明
　本件発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給配管系とを具備し、前記チャンバ内でプラズマを発生させて前記被処理物を処理するプラズマ処理装置において、
　前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって円孔により着脱自在とされたカバーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。」
　
（３）甲各号証の記載事項
（３−１）甲第１号証
　甲第１号証の特開平１−１８９１２４号公報には、エッチング装置に関する発明が記載されている。
　また、「真空容器内に設けられ対向した電極の間に被処理体を保持し、対向した電極に電圧を印加して被処理体をプラズマ化したガスでエッチングするエッチング装置において、対向した電極間にプラズマ化したガスが集中する様に電極周辺の導電性部材を絶縁被覆する手段を具備したことを特徴とするエッチング装置。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　また、第３図には、ねじ（１９）の上面を絶縁部材（２０）によって被覆した構成が記載され、この絶縁部材（２０）は四弗化エチレン製樹脂からなり、導電性部材を絶縁被覆していること（３頁左上欄１〜４行目）、絶縁部材（２０）に用いられる材料は、「導電性部材を絶縁被覆できれば何れでも」（５頁右上欄７〜１２行目）よいことが、それぞれ記載されている。
　そして、このような絶縁部材（２０）を設ける目的は、プラズマ化したガスが導電性部材に回り込んでプラズマが拡散することを防止し、安定したエッチングを行うことにあること（１頁右下欄下から５行目〜２頁左上欄１０行目）が示されている。
　
（３−２）甲第２号証
　甲第２号証の特開昭６３−１３８７３７号公報には、ドライエッチング装置に関する発明が記載されている。
　また、金属製のチャンバ１、上部電極２、ガス供給路１０を備え、チャンバ１の内面を、着脱自在な絶縁材（下部シールド１４、チャンバシールド１５、上部シールド１６）で被覆したドライエッチング装置が記載され、この絶縁材は、セラミック等の絶縁材で形成され、チャンバ１に対する着脱が容易となるように設けられること（第１図及び３頁左上欄３〜１４行目）が記載されている。
　そして、このような絶縁材を設ける目的は、プラズマが拡散するという問題、及びポリマーが金属製チャンバ内に付着するという問題を解決すること（２頁左上欄下から４行目〜同頁右上欄７行目）であり、また、上記絶縁材を着脱自在とする目的は、ポリマが付着した絶縁材を短時間で取り外し、チャンバ外でクリーニングできるようにすること（３頁左下欄１１行目〜同欄下から３行目）であることが、それぞれ示されている。
　
（３−３）甲第３号証
　甲第３号証の特開昭６３一１０７０２４号公報には、ドライエッチング装置に関する発明が記載されている。
　また、第１図ａには、反応容器６、電極２、およびガス導入部１を備えたエッチング装置が記載され、第１図ｂ及び発明の詳細な説明（３頁右上欄下から１０〜４行目）には、固定ボルト７３で電極３に固定されたＳｉＣ本体７０と、固定ボルト７３の上部を覆うＳｉＣ蓋７１とからなるＳｉＣカバー７が記載されている。
　そして、ＳｉＣカバー７として、ステンレス材を用いると鉄等が基板に付着する等の金属汚染の問題が生じること（３頁左下欄下から７行目〜右下欄１行目）、このような金属汚染の発生しない材料として、ＳｉＣを用いて固定ボルト７３の蓋７１を構成することが示されている。
　
（３−４）甲第４号証
　甲第４号証の特開平１−３１２０８７号公報には、非金属製のカバーを、チャンバー内に着脱自在に取り付けた発明が記載されている。
　また、高周波印加電極２表面を覆う誘電体カバー６、７を着脱自在とすること（４頁左下欄下から８行目〜右下欄５行目）、誘電体としてセラミックス等を用いることができること（６頁右上欄下から２行目〜左下欄１行目）が記載されている。
　
（３−５）甲第５号証
　甲第５号証の特開平２−１２５４３０号公報には、非金属製のカバーを、チャンバー内に着脱自在に取り付けた発明が記載されている。
　また、第１図（ａ）および発明の詳細な説明には、絶縁部材３１を反応室側壁１１ａ表面にネジで固定すること（３頁左上欄１１行目〜下から４行目）、ネジで固定することからみて、絶縁部材３１を着脱自在とする構成が示されている。
　そして、この絶縁部材３１は、半導体に対する汚染源となるＦｅ等の金属を含まないことが望ましい（３頁右上欄４〜７行目）と記載されており、金属汚染の課題についての認識も示されている。
　
（４）対比・判断
（４−１）理由１、２に対して
　本件発明と甲第１〜５号証に記載されたものとを対比すると、
　甲第１号証に記載された四弗化エチレン樹脂製の絶縁部材（２０〜２２）は、ねじ（１９）の表面を被覆するものであって、絶縁部材（２０〜２２）に円孔を設けて、この円孔により絶縁部材（２０〜２２）を着脱自在とすることは何も記載されていない。
　甲第２号証には、カバーに相当するものは何も記載されていない。
　甲第３号証に記載されたＳｉＣカバー７のうちのＳｉＣ蓋７１は、固定ボルト７３の上部を覆うものであり、蓋である以上、通常は着脱自在とされているものと認められるが、着脱自在のための円孔は設けられていない。
　甲第４号証に記載された着脱自在の第１、２の誘電体カバー６、７は、高周波印加電極２の表面を覆うものであり、また甲第５号証に記載された絶縁部材３１は反応室側壁１１ａの表面に固定したものであって、それぞれボルト、ナットを覆うものではない。
　しかも、ボルト、ナットを覆うカバーについて、円孔により着脱自在としたものは本件出願前周知のものであるとはいえないし、円孔により着脱自在とすることが単なる設計的事項であるということもできない。
　
　そして、本件発明は、金属汚染の発生を抑制することができるとともに、円孔によりカバーの着脱を容易に行うことができるという顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明は、甲第１〜３号証に記載された発明ではないし、また、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
（４−２）理由３に対して
　申立人は、本件特許の請求項１には、「ボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって円孔により着脱自在とされたカバーによって覆った」構成が記載されているものの、特許明細書の発明の詳細な説明には、ボルトおよびナットの全部をカバーによって覆う構成しか記載されておらず、これらの一部のみを覆う構成は一切記載されていないから、請求項１は、開示範囲を超えた不当に広いクレームである旨主張している。
　しかしながら、本件発明は、プラズマ処理装置におけるプラズマの作用による「金属汚染の発生を抑制」を目的とするものであって、この目的を達成するために、本件発明は、チャンバ内に設けられたボルト等の露出する部分を非金属性のカバーで覆うことにより、この部分において放電が発生し、プラズマが生起して金属汚染が発生することを防止したものである（段落【００２７】、図３参照）。
　してみると、請求項１の「少なくとも一部」との記載は、ボルトおよびナットのチャンバ内に露出する部分（すなわち、ボルトおよびナットの露出した部分であって、一本のボルトおよびナットについてみると、少なくとも一部分。）を意味していることは明らかである。
　したがって、申立人の主張は採用できない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月４日（２００１．７．４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項Ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１を、「前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって円孔により着脱自在とされたカバーによって覆ったことを特徴とするプラズマ処理装置。」と訂正する。
（２）訂正事項Ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００９】を、「【課題を解決するための手段】すなわち、本発明のプラスマ処理装置は、被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給配管系とを具備し、前記チャンバ内でプラズマを発生させて前記被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって円孔により着脱自在とされたカバーによって覆ったことを特徴とする。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給配管系とを具備し、前記チャンバ内でプラズマを発生させて前記被処理物を処理するプラズマ処理装置において、
　前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって
円孔により
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　［発明の目的］
　【０００２】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、プラズマ処理装置に関する。
　【０００３】
　【従来の技術】
　従来から、電極間に印加した高周波電力によりプラズマを生成し、このプラズマを利用して被処理物に処理を施すプラズマ処理装置が使用されている。例えば半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハの表面等に形成された薄膜を、プラズマを用いてエッチングするドライエッチング装置、あるいはプラズマを用いて薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等が用いられている。
　【０００４】
　このような従来のプラズマ処理装置、例えばドライエッチング装置では、チャンバ内に、平行平板電極、例えば上部電極と下部電極が設けられており、例えばこの下部電極上に半導体ウエハを載置するよう構成されている。そして、チャンバ内を所定の処理ガス雰囲気とするとともに、上部電極と下部電極との間に所定の高周波電力を供給し、プラズマを発生させて半導体ウエハの表面に形成された薄膜をドライエッチングにより除去する。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、近年半導体デバイスは急速に高集積化されており、その回路パターンは超微細化されつつある。このため、半導体デバイスの各処理工程においては、無塵化および高純度化が要求されており、上述したプラズマ処理装置、例えばドライエッチング装置等では、プラズマの作用により生じるいわゆる金属汚染の問題が大きな問題となりつつある。
　【０００６】
　本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、金属汚染の発生を抑制することができ、従来に較べて良好な処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
　【０００７】
　［発明の構成］
　【０００８】
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、被処理物を収容するチャンバと、このチャンバ内に設けられ高周波電圧が印加される電極と、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給する処理ガス供給配管系とを具備し、前記チャンバ内でプラズマを発生させて前記被処理物を処理するプラズマ処理装置において、前記チャンバ内に設けられたボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製であって
円孔により
　【００１０】
　【００１１】
　【作用】
　通常、プラズマが生起される処理用のチャンバ内には、各構成部材を固定するための金属製のボルトおよびナットが設けられている。本発明のプラズマ処理装置では、これらのボルトおよびナットの少なくとも一部を、非金属製、例えばセラミックス製であって着脱自在とされたカバーによって覆うことにより、金属汚染の発生を抑制する。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、本発明を半導体ウエハのドライエッチングを行うドライエッチング装置に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
　【００１３】
　図１に示すように、本実施例のドライエッチング装置は、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒状のチャンバ１を備えている。このチャンバ１は、導電性材料、例えばアルミニウム（表面にアルマイト処理を施してある）等からその主要部が構成されており、チャンバ１内には、円板状に形成された上部電極２と、下部電極３が対向する如くほぼ平行に設けられている。
　【００１４】
　この下部電極３の下部には、伸縮自在に構成された気密封止機構として例えば蛇腹機構４が設けられており、図示しない駆動機構、例えばエアシリンダにより図示矢印の如く上下動可能に構成されている。また、下部電極３は、上面に半導体ウエハ５を載置可能に構成されており、図示しない冷却機構例えば冷媒循環機構により、この半導体ウエハ５を所望温度に冷却することができるよう構成されている。
　【００１５】
　一方、上部電極２は、導電性材料例えばカーボン等から構成されており、絶縁性材料、例えばアルミナセラミックス等から円筒状に形成された絶縁性部材６によって、チャンバ１の構成部材と電気的に絶縁された状態で支持されている。この上部電極２には、複数の処理ガス流出孔７が形成されており、上部電極２の上部には、配管接続ブロック８が接続されている。この上部電極２にも、冷媒を循環させて冷却する図示しない冷却機構が設けられている。
　【００１６】
　上記配管接続ブロック８は、図２に示すように、絶縁性部材、本実施例では純度９９．５％のアルミナセラミックス等から矩形のブロック状に形成されており、内部に処理ガス流路９、冷媒入口流路１０、冷媒出口流路１１が設けられている。そして、これらの流路の上部にそれぞれＯリング１２を介して処理ガス供給配管１３、冷媒入口配管１４、冷媒出口配管１５が接続されている。
　【００１７】
　また、配管接続ブロック８の下端部には、側方に突出する如くフランジ部１６が設けられており、このフランジ部１６に嵌合する如く形成された接続部材１７を介して図示しないボルト等によって上部電極２に押圧、係止されるよう構成されている。そして、配管接続ブロック８と上部電極２との間には、Ｏリング１２が介挿されており、配管接続ブロック８の処理ガス流路９、冷媒入口流路１０、冷媒出口流路１１は、それぞれ上部電極２に設けられた処理ガス流路１８、冷媒入口流路１９、冷媒出口流路２０に接続されている。
　【００１８】
　なお、上記処理ガス流路１８は、上部電極２の各処理ガス流出孔７に接続されている。また、冷媒入口流路１０、冷媒出口流路１１は、それぞれ上部電極２に設けられた図示しない冷媒循環流路に接続されている。
　【００１９】
　ここで、上述したように、配管接続ブロック８は、純度９９．５％のアルミナセラミックスから構成されているが、処理ガス流路９の部分には他の部位より高純度例えば純度９９．９％のアルミナセラミックスから構成された円筒状部材２１が設けられており、処理ガス流路９の内壁が純度９９．９％のアルミナセラミックスによって構成されるようになっている。これは、前述したように処理ガス流路９内にプラズマが発生した際に、できるだけ不所望な不純物か発生しないようにし、不純物が半導体ウエハ５へ混入することを防止するためである。
　【００２０】
　このように、処理ガス供給配管１３、冷媒入口配管１４、冷媒出口配管１５を一体に接続した配管接続ブロック８を用いることにより、メンテナンスの際、配管接続ブロック８を上部電極２から着脱することにより、一括した配管類の着脱を行うことができ、メンテナンス時間の短縮を図ることができる。また、上部電極２と配管類との絶縁も確実に行うことができる。
　【００２１】
　また、上記上部電極２および下部電極３には、電力供給機構２２が接続されており、上部電極２と下部電極３との間に所定周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給可能に構成されている。そして、処理ガス供給配管１３から供給した処理ガス（エッチングガス）を、上部電極２に設けられた処理ガス流出孔７から、下部電極３上に載置された半導体ウエハ５に向けて流出させるとともに、チャンバ１の下部に接続された排気配管２３によって排気を実施することにより、チャンバ１内を所定圧力の所定ガス雰囲気に設定することができるよう構成されている。
　【００２２】
　さらに、図３に示すように、チャンバ１内には各種の部材を固定するため、例えば、セラミックスからなる基台３０に板状部材３１を固定するため、金属製のボルト３２（あるいはナット）が設けられているが、このようなボルト３２の上部には、それぞれカバー３３が設けられている。このカバー３３は、図４にも示すように、非金属製材料、例えば高純度のセラミックスから円板状に形成されており、その中央部には、直径１ｍｍ程度の小さな円孔３４が設けられている。この円孔３４は、メンテナンス等のため、ボルト３２を操作する際に、カバー３３を取り外し易くするためのものである。
　【００２３】
　なお、図３に示す例では、セラミックスからなる基台３０にボルト３２を固定するため、内側壁にねじを形成された金属製の円筒状部材３５が、予め基台３０に穿設された孔内に接着固定されている。このようにすれば、ボルト３２をより確実に固定することができる。
　【００２４】
　上記構成のこの実施例のドライエッチング装置では、図示しない駆動機構により、下部電極３を下降させた状態で図示しない搬入口から半導体ウエハ５をチャンバ１内に搬入し、下部電極３上に載置する。
　【００２５】
　この後、下部電極３を上昇させ、上部電極２と下部電極３との間隔を所定間隔に設定する。
　【００２６】
　しかる後、処理ガス供給配管１３から所定の処理ガス（エッチングガス）を供給し、処理ガス流出孔７から半導体ウエハ５に向けて流出させるとともに、排気配管２３から排気を実施してチャンバ１内を所定圧力の処理ガス雰囲気とし、これとともに、電力供給機構２２から上部電極２と下部電極３との間に所定周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する。すると、上部電極２と下部電極３との間に放電が生じ、処理ガスがプラズマ化されて半導体ウエハ５表面に形成された薄膜のドライエッチングが行われる。
　【００２７】
　この時、本実施例では、前述したように上部電極２に、純度９９．９％のアルミナセラミックスから構成された円筒状部材２１によって処理ガス流路９を形成する配管接続ブロック８を介して処理ガス供給配管１３が接続されているので、この内部にプラズマが発生しても、金属が半導体ウエハ５へ混入することを防止することができ、金属汚染の発生を抑制することができる。また、チャンバ１内に設けられたボルト３２等の上部にも、全てカバー３３が設けられているので、この部分で放電が発生し、プラズマが生起されて金属汚染が発生することも防止することができる。したがって、従来に較べて金属汚染の少ない良好な処理を行うことができる。
　【００２８】
　なお、上記エッチング処理実施中は、冷媒入口配管１４、冷媒出口配管１５によって図示しない冷却機構に供給される冷媒により上部電極２が冷却され、同時に図示しない冷却機構により下部電極３が冷却される。
　【００２９】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれば、金属汚染の発生を抑制することができ、従来に較べて良好な処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例のドライエッチング装置の構成を示す図である。
　【図２】
　図１のドライエッチング装置の要部構成を示す図である。
　【図３】
　図１のドライエッチング装置の他の要部構成を示す図である。
　【図４】
　図３のカバーの構成を示す図である。
　【符号の説明】
　１　チャンバ
　２　上部電極
　３　下部電極
　５　半導体ウエハ
　６　絶縁性部材
　７　処理ガス流出孔
　８　配管接続ブロック
　９　処理ガス流路
　１０　冷媒入口流路
　１１　冷媒出口流路
　１３　処理ガス供給配管
　１４　冷媒入口配管
　１５　冷媒出口配管
　２２　電力供給機構
　２３　排気配管