【事件の表示】
　特許第３１１２３３９号「太陽電池モジュール」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１１２３３９号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本件は、平成４年３月３１日に出願され、平成１２年９月２２日に特許第３１１２３３９号として特許権の設定登録がなされたが、株式会社ディスクより特許異議の申立てがなされたものである。
　そして、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書の特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるものである。
「導電性基体上に、裏面電極層、光電変換部材としての半導体層、透明導電層及び集電電極を少なくとも形成してなる光起電力素子の光照射側表面に、接着層を介してフッ素樹脂フィルムを接着して成る太陽電池モジュールを作製する方法において、前記フッ素樹脂フィルムの光照射側と反対側の表面に、窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム及び酸化ジルコニアから選択される少なくとも一種類の透明な無機化合物を、水素を含んだガスを導入しながら、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法によりコーティングすることを特徴とする太陽電池モジュールの作製方法。」
２．申立ての理由の概要
　申立人は、次の２点を主張して、本件特許を取り消すべきという。
（１）本件発明は、申立人の提出する甲第１号証〜甲第３号証の記載から当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（２）本件特許明細書の記載が特許法（平成６年改正前特許法）第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
３．甲号証に記載の発明
ａ．甲第１号証：特開昭６３−９９５８１号公報には、特許請求の範囲において、
「（１）受光面が高分子樹脂フィルムより成る太陽電池モジュールにおいて、高分子樹脂フィルムが、可視部光線透過率８０％以上で、かつ、充填材と易接着化のための表面処理を施した事を特徴とする太陽電池モジュール。
　（２）高分子樹脂フィルムに、金属または金属酸化物、または無機酸化物の被膜を形成させることにより表面処理を施した事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の太陽電池モジュール。・・。」と記載されると共に、明細書には、第１図の説明として、
「第１図の太陽電池モジュールは、その上部より、耐候性かつ高光線透過率を有する高分子樹脂フィルム（１）、充填材（２）、それぞれの素子がリード線及びハンダ付けにより配線された太陽電池素子（３）、充填材（２）、金属板（４）で構成されている。」（２頁右上欄２行〜同６行）
「本発明は、上部の耐候性かつ高光線透過率を有するプラスチックフィルム（１）に特徴を有するものであり、このフィルム（１）につき以下詳細に説明する。」（２頁右上欄下から３行〜同末行）と記載され、フィルム（１）に関しては、
「例えば、パ−フルオロアルコキシ樹脂…、塩化−３フッ化エチレン樹脂、・・から選ばれるフッ素樹脂フィルム・・がある。」（２頁左下欄７行〜同１９行）と記載され、また、充填材に関してはエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）が通常使用されること（２頁右下欄２行〜同４行）が記載されている。
　また、同明細書には、
「そのため、上記透明かつ耐候性フイルムと充填材を、そのままの状態で熱接着させることは難かしい。本発明においては、充填材と易接着性を得るため、透明かつ耐候性フイルムに下記の表面処理をすることが特徴である。」（２頁右下欄５行〜同９行）と記載されると共に、また、透明かつ耐候性フィルムへの表面処理に関して、
「また、金属酸化物、あるいは、無機酸化物の表面処理としては、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）の蒸着処理方法を用いた。」（３頁左上欄６行〜同９行）と記載され、また、効果としては、
「従来の上部透明ガラスに代替した耐候性かつ透明フィルムを用いることにより、このフィルムが充填材と強固に接着し、これにより、軽量簡易で従来と同等の発電効果を持つ太陽電池を作成する事が可能であった。」（３頁左下欄１行〜同５行）と記載されている。
ｂ．甲第２号証：特開昭５９−４７７７７号公報には、その特許請求の範囲第１項において、
「太陽熱の集熱板の外側に太陽電池を設け、太陽エネルギーを前記集熱板で熱エネルギーに、前記太陽電池で電気エネルギーにそれぞれ変換する太陽エネルギー変換装置において、前記太陽電池の表面をＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ等の透明無機質の保護膜で被覆したことを特徴とする太陽エネルギー変換装置。」と記載されると共に、明細書には透明無機質の保護膜に関して
「（２７）は集熱板（１９）上の太陽電池（２６）を被覆したＳｉＯ、Ｓｉ０２、ＳｉＣ等の透明無機質の保護膜であり、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、グロー放電法、溶射法、粉末ガラス塗布等により形成される。
　つぎに、保護膜（２７）の形成方法について説明する。
　たとえば、第６図に示すように、真空容器（２８）内に上下の一対の電極（２９）を備えるとともに、両電極をリード線（３０）により電源に接続し、上方の電極（２９）にＳｉ０２を主成分とする酸化物ターゲット（たとえばＳｉ０２−６３％、ＰｂＯ−２１％、Ｎａ２Ｏ−８％、その他Ｋ２０）（３１）を設ける。
　そして、上面に太陽電池（２６）を設けた集熱板（１９）を真空容器（２８）内に入れ、内部をいったん１０−５Ｔｏｒｒまで真空排気したのち、アルゴンＡｒまたはヘリウムＨｅの不活性ガスを流入して真空容器内を１０‐２Ｔｏｒｒに保持し、両電極（２９）間で異常グロー放電を発生させてターゲット（３１）をスパッタさせ、集熱板（１９）を移動させながら、複数個の太陽電池（２６）の全面に前記ターゲット（３１）成分からなる酸化物の保護膜（２７）を被覆する。この保護膜（２７）の厚みは２〜３μｍ、堆積スピードは５００Å／ｍｉｎである。なお、Ｓｉ０２　を主成分とする以外に、Ａｌ２０３、Ｔａ２Ｏ５も有効な保護膜（２７）となるものである。
　また、他の形成方法としては、第７図に示すように、反応容器（３２）に反応ガス流入管（３３）および流出管（３４）を連通するとともに、流出管（３４）に流量調整バルブ（３５）を介設し、反応容器（３２）内の上下に１対の電極（３６）を備え、かつ下方の電極（３６）の下面にヒーター（３７）を設ける。
　そして、反応容器（３２）内に、上面に太陽電池（２６）を設けた集熱板（１９）を入れ、ヒータ（３７）により反応容器（３２）内を３００℃以下の温度に保持するとともに、反応ガス流入管（３３）よりＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ反応ガスを流入し、内部が１０−１〜１Ｔｏｒｒに維持されるよう流量調整バルブ（３５）で反応ガスの流量調整を行なう。さらに、両電極（３６）間でグロー放電を発生させ、両電極（３６）間を移動する集熱板（１９）の上面に、ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ反応ガスによるＳｉ０２の保護膜（２７）を２０００〜４０００Å／ｍｉｎの堆積スピードで堆積させ、複数個の太陽電池（２６）の全面を保護膜（２７）で被覆する。
　ここで、反応ガスにＡｌＣｌ３＋Ｏ２を用いればＡｌ２Ｏ３の保護膜（２７）が得られ、反応ガスにＳｉＨ４＋Ｎ２を用いればＳｉ３Ｎ４　の保護膜（２７）が得られる。」（３頁右上欄下から８行〜同右下欄下から５行）と記載され、また、
「前述のようにして得られた保護膜（２７）は、・・外気に触れる状態で使用する場合は水分等を十分に遮断することができ、したがって、太陽電池（２６）の空気による劣化を防止でき、・・」（３頁右下欄下から４行〜４頁左上欄１行）と記載され、
　また、その第４図、第５図には、裏面電極（２１）上に非晶質シリコン層のアモルファス膜（２３）、透明電極（２４）、集電極（２５）を順次積層した太陽電池（２６）が図示されている。（３頁左上欄下１行〜同右上欄１０行参照）
ｃ．甲第３号証：小沼光晴著「プラズマと成膜の基礎」１５９〜１６１頁、１９９０年１月３０日、日刊工業新聞社発行には、
「このようなａ−Ｓｉは、Ｈ２雰囲気でのスパッタデポジションや蒸着によっても堆積することができるが、最も欠陥密度の低い薄膜が得られるプラズマＣＶＤ法が成膜法の主流であり、生産性の観点から高周波放電を用いた平行平板のプラズマＣＶＤ装置が広く使われている。」（１５９頁下から７行〜末行）と記載され、また、
「ＳｉＨ４に関する高周波放電の開始電圧及び維持電圧を図７・９に示す。電極間隔は４ｃｍである。純ＳｉＨ４の場合、これらの電圧は０．２Ｔｏｒｒで極小となり、２０％ＳｉＨ４−Ａｒの場合０．４〜０．５Ｔｏｒｒにおいて極小値を示す。すなわち、維持電圧の極小を与えるｐｄは、純ＳｉＨ４の場合０．８Ｔｏｒｒ・ｃｍで極小となり、ＳｉＨ４−Ａｒの場合１．６〜２．０Ｔｏｒｒ・ｃｍである。また、ＳｉＨ４−Ｈ２においては、２．０Ｔｏｒｒ・ｃｍである」（１６０頁１〜６行）と記載され、また、
「ａ−Ｓｉ薄膜の堆積速度は、反応ガスの種類とその流量、高周波電力基板温度などでも変化する。図７・１１にＳｉＨ４とＨ２との流量比を１：５とし、総流量を変化した際の高周波電力と堆積速度との関係を示す。」（１６０頁１２〜１４行）と記載され、また、
「ＳｉＨ４あるいはＨ２希釈のプラズマＣＶＤによって得られるａ−Ｓｉ薄膜の代表的な物性を表７・２に示す」（第１６１頁下から１１行〜８行）と記載されている。
４．申立人の主張（１）についての判断
（１）甲第１号証に記載された発明との対比
　本件発明と甲第１号証に記載された発明を比較する。
　甲第１号証には、太陽電池素子（３）の光照射側表面に充填剤（２）を介してパ−フルオロアルコキシ樹脂等から選ばれるフッ素樹脂フィルムの高分子樹脂フィルム（１）を接着してなる太陽電池モジュールを作成するに際し、充填剤（２）との易接着化のために、前記高分子樹脂フィルム（１）の光照射側と反対の面に金属酸化物、または無機酸化物の被膜を形成させる表面処理を施すことが記載されているものと認められる。
　ここで、甲第１号証における「太陽電池素子（３）」、「充填剤（２）」、「高分子樹脂フィルム（１）」及び「金属酸化物、または無機酸化物」が、それぞれ、本件発明の「光起電力素子」、「接着層」、「フッ素樹脂フィルム」及び「無機化合物」に対応することは明らかであるから、両者は、ともに
「光起電力素子の光照射側表面に、接着層を介してフッ素樹脂フィルムを接着して成る太陽電池モジュールを作製する方法において、前記フッ素樹脂フィルムの光照射側と反対側の表面に、透明な無機化合物をコーティングする太陽電池モジュールの作製方法。」の発明である点で一致する。
　一方、次の点で相違する。
ａ．光起電力素子が、本件発明では「導電性基体上に、裏面電極層、光電変換部材としての半導体層、透明導電層及び集電電極を少なくとも形成してなる」ものであるのに対し、甲第１号証には、「太陽電池素子（２）」の具体的な構造について記載されていない点。
ｂ．無機化合物のコーティングについて、本件発明は「窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム及び酸化ジルコニアから選択される少なくとも一種類の透明な無機化合物を、水素を含んだガスを導入しながら、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法によりコーティングする」ものであるのに対し、甲第１号証には、金属酸化物、または無機酸化物の被膜を形成させると記載されているものの、具体的には二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）を蒸着処理することしか記載されていない点。
（２）相違点についての検討
ａ．上記相違点ａについて検討するに、甲第２号証の第４図、第５図に図示されているように、光起電力素子として、導電性基体上に、裏面電極層、光電変換部材としての半導体層、透明導電層及び集電電極を形成したものは、本件出願前に周知であるから、甲第１号証の太陽電池素子（２）としてこのようなものを採用することに困難は認められず、この点は、格別の相違とはいえない。
ｂ．上記相違点ｂについて検討する。
　この点について、申立人は、「甲第１号証に記載されるフッ素樹脂フイルム上への金属酸化物、あるいは無機酸化物の蒸着法として、甲第２号証に記載される炭化珪素、アルミナ、窒化珪素をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法により形成する方法に特定することは、当業者が容易に想到しうる程度である。」（申立書第６頁下から２行〜第７頁２行）と主張するが、炭化珪素及び窒化珪素は、金属酸化物でも無機酸化物でもなく、また、甲第１号証には、表面処理について「まず、金属をスパッタリングや蒸着等の手法を用いて、被膜形成する方法である。」（２頁右下欄１０行〜同１１行）、「また、金属酸化物、あるいは、無機酸化物の表面処理としては、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）の蒸着処理方法を用いた。」（３頁左上欄６行〜同９行）と記載されているように、甲第１号証においては、スパッタリングと蒸着処理は別の被膜形成手段として記載されているのであるから、甲第１号証における金属酸化物あるいは無機酸化物の蒸着処理をいくら特定しても、炭化珪素や窒化珪素を形成すること、また、金属酸化物あるいは無機酸化物をスパッタリング法で形成することにはならない。
　甲第１号証において、二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）の膜を蒸着処理により形成していることに代えて、甲第２号証に記載される炭化珪素、アルミナ、窒化珪素の膜をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法で形成する技術を採用することについても検討するに、甲２号証のものは、太陽電池表面の透明電極や集電極上に炭化珪素、アルミナ、窒化珪素の膜をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法により形成するものであって、フッ素樹脂フイルム上にこれらの膜をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法によって形成することを示唆するものではなく、また、甲第２号証には、炭化珪素、アルミナ、窒化珪素をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法により形成する際に水素を含んだガスを導入しながら行うことについて記載されていないのであるから、本件発明のごとく、フッ素樹脂フィルムの表面に、炭化珪素、アルミナ、窒化珪素を、水素を含んだガスを導入しながら、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法によりコーティングすることを当業者が容易に想到し得たということはできない。
　なお、申立人は、前記のスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法により被膜を形成する際に水素を含んだガスを導入しながら行うことについて、甲第３号証を引用して常套手段にすぎない旨の主張をするが、甲第３号証にはａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）薄膜の堆積を行う際に水素ガスを用いることがある旨の記載がなされているだけであって、あくまでも記載されているのは、アモルファスシリコン薄膜の形成に関する技術であって、到底、窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム及び酸化ジルコニアから選択される少なくとも一種類の透明な無機化合物をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法によりフッ素樹脂フイルム上にコーテイングする際に、「フッ素樹脂とコーテイング膜の密着性を高めるために」（本件明細書第１７段落）水素ガスを導入することを示唆するものではない。
　以上のとおりであるから、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基いて、本件発明を当業者が容易に発明できたということはできない。
５．申立人の主張（２）についての判断
　申立人は、本件明細書の第４９段落〜第５３段落に（実施例２）として記載されている太陽電池モジュールの作成方法は、コーティングに際して導入されるガスとして水素を含んだガスを使用するものではなく、請求項１に記載の特許発明とは相違するものであり、当業者が容易に実施しうる程度に記載されておらず、本件明細書の記載が特許法３６条第４項に規定する要件を満たしていない旨の主張をしている。
　本件明細書の第４９段落〜第５３段落に記載されている太陽電池モジュールの作成方法は、コーティングに際して導入されるガスとして水素を含んだガスを使用するものではないので、これが、水素を含んだガスを導入しながらコーティングするものである本件請求項１に係る発明の実施例でないことは明らかであるが、請求項に係る発明の実施例でないものが明細書の発明の詳細な説明に記載されているからといって、請求項に係る発明が当業者に容易に実施できないというものではない。
　そこで、本件明細書において、本件の請求項１に係る発明が当業者に容易に実施しうる程度に記載されているかどうかについて検討する。
　本件明細書の第３６段落〜第４４段落には、ＥＴＦＥフッ素樹脂フィルムに窒化珪素膜を、水素を含んだガスを導入しながらプラズマＣＶＤ法により形成することについて具体的に記載されているから、本件請求項１に係る発明の
「導電性基体上に、裏面電極層、光電変換部材としての半導体層、透明導電層及び集電電極を少なくとも形成してなる光起電力素子の光照射側表面に、接着層を介してフッ素樹脂フィルムを接着して成る太陽電池モジュールを作製する方法において、前記フッ素樹脂フィルムの光照射側と反対側の表面に、窒化珪素を、水素を含んだガスを導入しながら、プラズマＣＶＤ法によりコーティングすることを特徴とする太陽電池モジュールの作製方法。」について、本件明細書に当業者が容易に実施しうる程度に記載されているものと認められる。
　また、窒化珪素以外の炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム及び酸化ジルコニアをプラズマＣＶＤで形成することについては、第１８段落及び第１９段落にその原料ガスについて記載されており、これらの原料ガスを用いることにより、これらをプラズマＣＶＤで形成することは、当業者が容易に成し得るものと認められる。
　一方、本件請求項１に係る発明のうち、「窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム及び酸化ジルコニアから選択される少なくとも一種類の透明な無機化合物を、水素を含んだガスを導入しながら、スパッタ法によりコーティングすること」については、直接の実施例が記載されていないが、第４５段落には、酸化珪素を、水素を含んだガスを導入しながら、スパッタ法によりコーティングすることについて具体的に記載されており、また、第１７段落には、酸化珪素に限らず一般的な無機化合物のスパッタリングによる形成方法について説明されているのだから、これらの記載を参考にすれば、「窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム及び酸化ジルコニアから選択される少なくとも一種類の透明な無機化合物を、水素を含んだガスを導入しながら、スパッタ法によりコーティングすること」も当業者が容易に成し得るものと認められる。
　よって、申立人の主張するように本件明細書の記載が特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないとはいえない。
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月９日（２００１．８．９）