【事件の表示】
　特許第２７９５２７０号「半導体集積回路装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７９５２７０号の特許を維持する。
【理　由】
 （１）手続の経緯と本件発明
　特許第２７９５２７０号に係る発明の出願は、昭和６２年８月５日に特許出願した特願昭６２−１９５８５６号の一部を平成８年９月３０日に新たな特許出願とし、平成１０年６月２６日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について、異議申立人門田洋次により特許異議の申立がなされたものであり、その発明（以下、「本件発明」という。）は特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「回路要素が形成された半導体チップと、
この半導体チップの導出端子部に対して形成された突出電極とされるバンプと、
上記半導体チップに対面設定され、上記バンプに対応する位置に形成された導体層が形成された基板と、
この基板と上記半導体チップとが対面設定された状態で、上記バンプと導体層との間を接続設定する半田部材（「半導体部材」は「半田部材」の誤記であると認める。）とを具備し、
上記バンプは上記対面される基板の方向に向けて立ち上がる円筒状の周面部と、上記導体層に平行に対面する端面を形成する平面部と、かつ上記円筒状の周面部と上記平面部とを結ぶ角部が曲面である曲面部とから構成され、
上記半田部材が上記バンプにおける周面部の上記半導体チップ表面との境界部が起点となって覆い始め、かつ上記曲面部分を含み上記周面部および平面部を包み込むようにして設定され、さらに上記半田部材は前記曲面部の上記周面部側から上記導体に向かう方向において徐々に径が大きくなるようにして径方向に凸部を有する樽形状とするとともに、
上記対面設定されるバンプの径と、導体層の径との比が「１±０．３」以内の状態に設定されるようにしたことを特徴とする半導体集積回路装置。」
　（２）特許異議の申立てについて
　特許異議申立人門田洋次は、甲第１号証として「半導体・集積回路技術」（第２９回シンポジウム講演論文集）電気化学協会電子材料委員会（昭和６０年１２月５日）第４３−４８頁を、甲第２号証として「半導体高密度実装材料」株式会社テクノマ−ト（昭和５８年１月３１日）第３０−３５頁を提示し、本件発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消すべきものである旨主張している。
　（３）甲第１、２号証に記載の発明
（３−１）甲第１号証；第４４−４５頁の
３．１．ＣＯＧ試験片の作成
「ＣＯＧのモデル試験片として、Ｓｉチップを液晶表示パネルと同じソ−ダガラス基板にＦＣ実装したものを用いた。Ｆｉｇ．１は、ＦＣ実装し、樹脂被覆した試験片の断面及び接合部構成、Ｓｉチップ上の端子配置を示したものである。
（ａ）構成及び寸法
　Ｓｉチップのはんだバンプ配置はＡ、Ｂの２種あり、それぞれ隣接したバンプ間をＡｌ導体で接続し、ガラス基板上の導体配線を介して接続部の断線をチエックできる様になっている。ソ−ダガラス基板は２２×３０×１．１ｔのものを用い、酸化珪素膜を形成した後、金属導体を形成した。はんだはＰｂ−５％Ｓｎを用いた。
（ｂ）ボンディング
  ガラス基板上のペデスタル端子にフラックスを塗布後、Ｓｉチップのバンプを位置決めし仮固定する。次に、Ｆｉｇ．２に示す温度プロファイルでボンディングを行なう。予備加熱はガラス割れを防止するためである。最高到達温度は３５０℃である。」が記載されている。
　また、Ｆｉｇ．１には、Ｓｉチップをソ−ダガラス基板（Ｓｏｄａｌｉｍｅ　ｇｌａｓｓ）上にＦＣ実装した状態を示す断面図（左上）と、その要部拡大図（左下）と、前記Ｓｉチップのバンプ配置を示す平面図（右上）とがそれぞれ示されており、これらの図には、Ｓｉチップ下面の導出端子部にＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層を突設するとともに、このＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層をソ−ダガラス基板上面の金属導体（Ｃｒ−Ｃｕ）にＳｏｌｄｅｒを介して接続設定した半導体集積回路装置が記載されている。
　そして「Ｓｏｌｄｅｒ」が「はんだ」に相当することは明らかである。
　また、Ｆｉｇ．１（左下）の要部拡大図には、Ｓｉチップ下面のＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層をソ−ダガラス基板の方向に向けて立ち下がる円筒状の周面部と上記金属導体に平行に対面する端面を形成する平面部とを含んで形成すること、上記Ｓｏｌｄｅｒ（はんだ）がＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層周面部とＳｉチップ表面とのＡｌ表面境界部を起点として覆い始め、かつＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層を完全に包み込むように形成されること、
　上記Ｓｏｌｄｅｒ（はんだ）をＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層の周面部側から金属導体（Ｃｒ−Ｃｕ）に向かう方向において徐々に径が大きくなるようにして径方向に凸部を有する樽形状となすこと、
　さらに、上記金属導体（Ｃｒ−Ｃｕ）に接合されるＳｏｌｄｅｒ（はんだ）の径をＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層の径（１７０μｍψ）の約１．０６倍に相当する１８０μｍψに設定する点が記載されている。
　また、Ｆｉｇ．１（右上）の平面図には、直線状もしくは千鳥状に配列された円形のバンプが記載されている。
（３−２）甲第２号証；第３１頁図１及び第３２頁図２には、Ｃｕ層を円筒状の周面部と、端面を形成する平面部と、上記周面部−平面部間の角部を曲面状の曲面部とで構成したフリップチップＩＣが記載されいる。
　また、第３２頁１行−４行には、上記バンプの形成法に関して、「図２に示す様に、Ｃｕ層まで形成されたウェ−ハ状のチップの各電極に、あらかじめフラックスを塗布し、直径の揃ったハンダ球（直径２００μｍに対して±１０μｍ程度）をメタルマスクを介して位置合わせを行い、加熱再溶融してバンプを形成する。」点が記載されている。 　　
  （４）対比、判断
　そこで、本件発明と、前記甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載の「Ｔｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層」は、本件発明における「バンプ」に相当し、甲第１号証に記載の「Ｓｏｌｄｅｒ」は、本件発明における「半田部材」に相当する。
 したがって、本件発明と甲第１号証とは、
「半導体チップと、
この半導体チップに形成された突出電極とされるバンプと、
上記半導体チップに対面設定され、上記バンプに対応する位置に形成された導体層が形成された基板と、
この基板と上記半導体チップとが対面設定された状態で、上記バンプと導体層との間を接続設定する半田部材とを具備し、
上記バンプは上記対面する基板の方向に向けて立ち上がる円筒状の周面部と、上記導体層に平行に対面する端面を形成する平面部とから構成され、
上記半田部材が上記バンプにおける周面部の上記半導体チップ表面との境界部が起点となって覆い始め、かつ上記周面部および平面部を包み込むようにようにして設定され、さらに上記半田部材は
上記周面部側から上記導体に向かう方向において
徐々に径が大きくなるようにして径方向に凸部を有する樽形状とするとともに、
上記対面設定されるバンプの径と、導体層の径との比が「１±０．３」以内の状態に設定されるようにした半導体集積回路装置。」の点で一致する。　しかしながら、バンプ形状が、本件発明においては、円筒状の周面部と、平面部とを結ぶ角部が曲面部から構成されるのに対し、甲第１号証に記載のＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層はそのような形状でない点で両者は相違する。
  そこで、上記相違点について検討すると、甲第２号証には、Ｃｕ層バンプ及びハンダ球を加熱再溶融して半球状としたもの並びにバンプ形状が、対面される基板の方向に向けて立ち上がる円筒状の周面部と、上記導体層に平行に対面する端面を形成する平面部とを結ぶ角部が曲面であるものとは、それぞれ第１、２図に開示されているものの、甲第１、２号証のいずれにも、冷熱の温度サイクルの繰り返しによるバンプ（Ｔｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層、Ｃｕ層）の形状と半田部材（Ｓｏｌｄｅｒ、半球状とした半田球）の亀裂の発生との関係の有無について何らの記載も示唆もされていない以上、半田部材内の歪みによる亀裂の発生を抑制する目的のために、甲第１号証に記載されたＴｉ−Ｃｕ−Ｎｉ層（バンプ）の形状を甲第２号証に記載されたＣｕ層の形状に置き換えることが容易であるということはできない。
　そして、本件発明は、バンプが、「対面される基板の方向に向けて立ち上がる円筒状の周面部と、導体層に平行に対面する端面を形成する平面部と、かつ円筒状の周面部と平面部とを結ぶ角部が曲面である曲面部とから構成され半田部材が上記バンプにおける周面部の半導体チップ表面との境界部が起点となって覆い始め、かつ上記曲面部分を含み上記周面部および平面部を包み込むようにして設定され、さらに上記半田部材は前記曲面部の上記周面部側から上記導体に向かう方向において徐々に径が大きくなるようにして径方向に凸部を有する樽形状とするとともに、上記対面設定されるバンプの径と、導体層の径との比が「１±０．３」以内の状態に設定されるようにした」構成を有することにより、明細書に記載された「バンプと半田部材との接触境界面の歪みが大きく軽減される。」という格別の効果を奏するものである。
  （５）したがって、本件発明は、前記甲第１、２号に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　（６）結び
 以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月７日（２０００．３．７）