【事件の表示】
　特許第２８４５４３２号「四ホウ酸リチウム単結晶基板の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８４５４３２号の特許を維持する。
【理　由】
［１］本件発明
　本件特許第２８４５４３２号（昭和６２年９月４日出願、平成１０年１０月３０日設定登録）の発明（以下、「本件発明」という。）は、明細書及び図面の記載からみて特許請求の範囲の第１項に記載された次のとおりのものである。
「四ホウ酸リチウム単結晶基板にＲａが０．１μｍ以上の粗い面と鏡面を加工する四ホウ酸リチウム単結晶基板の製造方法において、
　上記加工工程は、２０〜８０℃の温水または室温の酸性水溶液により上記基板の反りを２０μｍ以下にエッチングする工程を備えてなることを特徴とする四ホウ酸リチウム単結晶基板の製造方法。」
　
［２］特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人  北垣　敏は、甲第１〜４号証を提示して、次の理由１、２により本件特許を取り消すべき旨主張する。
（理由１）
　本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（理由２）
　本件特許明細書は、当業者が容易に実施をすることができる程度に発明を記載していないから、本件特許に係る出願は特許法第３６条の要件を満たしていない。
　
［３］甲各号証の記載事項
　特許異議申立人が提示した甲各号証には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　
（１）甲第１号証（特開昭５３一５３２８８号公報）
　表面波用圧電基板について、
　「表面波用圧電基板として、超音波送受のためのくし型電極を設ける面すなわち超音波が伝搬する面は、極めて平滑であることが要求される。これは超音波の波長程度以上の凹凸があると、超音波の散乱を大きくしその損失を増大させるからである。
　一方、基板の裏面が平滑であるとバルク波がこの裏面で反射するいわゆるスプリアス応答をひきおこし、特性を劣化させる。すなわち、裏面ではバルク波の方向性のある反射をなくし、極力散乱させて表面波を乱さないようにする必要があるので、超音波の波長以上の凹凸が必要である。つまり、圧電基板としては伝搬面は極力平滑であることを要求されるが、逆に裏面はむしろ粗面であることが要求される。」（第１頁左欄下から第１０行〜右欄第５行）
　表面波用圧電基板の従来の問題点と発明の目的について、
　「表面波用圧電基板では、前述の理由で表面は鏡面研磨が施こされる一方、裏面は粗研磨となるので圧縮応力は表面で小さく裏面で大きい。したがって、その差が歪となって現われ、鏡面研磨面から見て凹面のそりを生ずる。この基板のそりは表面波素子として好ましくないことはいうまでもないが、特に電極形成のためのホトリソグラフイーでは露光の際にマスクと基板とが十分密着できず、得られるレジストバターンの精度は著しく低下する。
　従来、このような基板のそりを簡単に矯正する手段はないので、レジストパターンの精度が低くしたがって超音波伝搬の特性が低下する欠点があった。
　この発明は上記の欠点を除去するため粗研磨面を適当量化学腐食させることにより、容易に研磨加工によるそりを少なくできしたがって圧電素子としての特性を向上し得る圧電基板を提供しようとするものである。」（第１頁右欄下から第４行〜第２頁左上欄第１５行）
　実施例として、
　「次にこの発明の一実施例を図面を参照して説明する。この実施例はＰＬＺＴ系圧電セラミックスを用いこれに矯正を施した例である。
・・・中略・・・
　第８図は基板のそりを矯正するための装置を示すもので、腐蝕液６を満した容量７およびこれを加熱するためのヒータ８を備えたものである。腐蝕液６としては例えば
　Ｈ３Ｐ０４：ＣＨ３ＣＯＯＨ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝７６：１５：３：５　（体積比）
からなるものを用い、この腐蝕液６をヒータ８により８０℃に保つ。
　この腐蝕液６中に第２図の状態の基板１を浸漬して、粗研磨面３のみを腐蝕させた。このようにすると、粗研磨面３側の加工層が取り除かれ応力が減少するのでこれにつれてそりも次第に減少して行く。
　この腐蝕を８分間続けた結果、第４図に示すように最初１９０μｍあったそりが１．５μｍまで減少した。」（第２頁左上欄末行〜同左下欄第４行）
　発明の適用について、
　「上記実施例においては基板の材料としてＰＬＺＴ系圧電セラミックスを用いた場合を述べたが、この発明はかかる材料に限定されるものではなく、圧電素子として用い得る他の材料を適宜選択することができる。」（第２頁右下欄第１５〜１９行）
　
（２）甲第２号証（特開昭５８一１７６８０２号公報）
　弾性表面波素子用基板について、
　「そして、この電気機器用基板、例えば弾性表面波素子用基板としてのこの種の強誘電体単結晶の加工方法についてはこの単結晶棒をダイヤモンドカッターなどでスライスしたのち、その片面を鏡面仕上げすると共にバルク波を除去する目的でこの裏面を適度の粗さをもつ凹凸面とするのである」（第１頁右欄第６〜１１行）
　従来の表面弾性波素子用基板の製造方法と問題点として、
　「他方、この表面弾性波素子用基板の製造方法としては、従来から先ずＬｉＴａＯ３などの強誘電体単結晶からウエーハを切り出したのち、その片面を鏡面研磨し、ついでその裏面を粗研磨するという方法がとられてきていたが、この場合には１）ウエーハの反りが８０〜１２０μｍになる」（第１頁右欄下から第３行〜第２頁左上欄第３行）
　表面弾性波素子用基板としての強誘電体基板の製造方法として、
　「これは単結晶インゴットから切り出した強誘電体ウエーハの両面を粗研磨したのち、この両面の加工歪みをエッチングによって除去し、ついでその片面を鏡面研磨して基板とすることを特徴とするものである。
　これを説明すると、本発明者らはＬｉＴａＯ３などのような強誘電体単結晶ウエーハの加工方法について種々検討の結果、まずこのウエーハの両面を同時に粗研磨してからこの両面をエッチングすると、単結晶の切断とこれにつづく粗研磨による加工歪みが均等に除去されると共に、このものはその平行度が極めて小さくなるので、これによれば前記した４つの欠点が同時に解決されること、すなわち、これによれば
１） ウエーハの反りが８μｍ以下、厚さムラ（平行度）も５μｍ以下と著しく改善される、」（第２頁左下欄第４行〜同右下欄第２行）
　反り減少化のためのエッチング態様として、
　「例えばフツ酸−硝酸混液（混合比２：１）のエッチング液中にこのウエーハを浸し、これをその混液の沸点近くで１５〜６０分間エッチング加熱処理を行えばよく、この際に除去する表面層の厚さは主に粗研磨に使用する砥粒の種類、粒度に応じて約１〜５μｍの間に選択するようにすればよい。」（第３頁左上欄第８〜１４行）
　
（３）甲第３号証（特開昭６２一６４１１０号公報）
　発明の概要として、
　「圧電振動子（体積振動子）、表面弾性波（ＳＡＷ）デバイス（フィル夕、表面振動子）等の圧電結晶デバイスとして用いられるリチウムテトラボレート（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）結晶の加熱水エッチングに対する分極軸の（＋）面のエッチングレートは、（−）面のそれより１桁以上大きいことを発見し、
（１）加熱水エッチングを圧電振動子の精密な厚さ制御に用いる。
（２）分極軸の（−）面のみに電極を形成して耐水性の大きいＳＡＷデバイスを形成する。」（第１頁左欄下から第３行〜右欄第７行）
　Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７結晶を用いた圧電振動子の従来の製造方法として、
　「（１）　Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７結晶を用いた圧電振動子の従来例による薄片化技術は下記のとおりである。
・・・中略・・・
（ｂ）ドライエッチング法　
　エッチングレートが１μｍ当たり数時間と極めて遅い。
（ｃ）酸を用いた化学エッチング法
　硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、塩酸（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮＯ３）等をエッチャントとする場合はエッチング後の表面粗さが大きく、うねりが多い。
（２）従来のＬｉ２Ｂ４Ｏ７結晶を用いたＳＡＷデバイスは特に面指定を行わないで形成していた。」（第２頁左上欄第１１行〜右上欄第５行）
　さらに、第１図（２）及びその説明には、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７単結晶基板を、温度約２５℃〜１００℃の加熱純水を用いてエッチング時間６０分でエッチングすることにより、（＋）面に対するエッチングレートが約０〜約８μｍ／Ｈに成ることが示されている。（第３頁左上欄第８〜１２行及び第１図（２））
　
（４）甲第４号証（「信学技報」Ｖｏｌ．８４　ＮＯ．５８（１９８４年６月２１日発行）ｐ５７〜ｐ６４）
　ＳＡＷ用Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７単結晶基板作成とその特性ついての序として、
　「現在の所、圧電単結晶基板であるＬｉＴａＯ３Ｘ−１１２°Ｙ基板、ＬｉＮｂＯ３１２８°Ｙ−Ｘ基板、水晶ＳＴカット基板、ＺｎＯ圧電薄膜、ＰＺＴ等の圧電セラミックス等が量産化され、用途に応じて用いられている。
・・・中略・・・
　Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７単結晶はＲ．Ｗ．Ｗｈａｔｍｏｒｅ等により、ｋ２が大きくかつ良好な温度特性をもつ新ＳＡＷ基板材料として報告された点群４ｍｍに属する常誘電性圧電結晶である。
・・・中略・・・
しかし気泡やコアの生成、クラックの発生等の問題があり、実用化できるような良質な結晶が得られていない。またＳＡＷ基本特性についても不明な点が多く、ＳＡＷ基板材料としての位置付けが不明確である。我々は、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７単結晶をＳＡＷデバイス用基板材料として実用化するという観点から、単結晶作成、物理的化学的特性評価、ＳＡＷ基本特性の基板方位依存性等の検討を行ってきたので、その結果について報告する。」（第５７頁左欄下から第２５行〜右欄第１行）
　Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７結晶の物理的・化学的特性について、
　「Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７結晶の物理的・化学的特性を、ＬｉＴａＯ３結晶のそれと比較して表１にまとめて示す。ＬｉＴａＯ３結晶と比較してＬｉ２Ｂ４Ｏ７結晶は、（１）融点が低い、（２）密度が小さい、（３）誘電率が小さい、（４）結晶が硬い、（５）酸に弱く、純水にも若干エッチングされるといった特徴を有している。」（第５９頁左欄下から第６行〜末行）
　Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７結晶の加熱純水によるエッチングについて、
　「図５は、純水で約１時間加熱エッチングしたＣ板（Ｚ板）のエッチングパターンを示す。Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７結晶はＣ軸が極性軸であり、図５に示すように−Ｃ面にのみエッチビット像が観察され＋Ｃ面はほとんど選択エッチされない。」（第６０頁第１１〜１５行）
　
［４］当審の判断
（理由１について）
　本件発明と甲第１号証に記載のものとを対比すると、本件発明の「四ホウ酸リチウム単結晶基板」は表面波用圧電基板に含まれるから、両者は、表面波用圧電基板加工工程で生じる反りの減少化を課題とする点で共通であり、しかも、両者の構成は、表面波用圧電基板に粗い面と鏡面を加工する表面波用圧電基板の製造方法において、加工工程は、酸性水溶液により上記基板の反りを２０μｍ以下にエッチングする工程を備えてなる表面波用圧電基板の製造方法の点で一致するものの、次の点（１）、（２）で両者は相違する。
　
（１）粗い面と鏡面の双方の加工について、本件発明は、四ホウ酸リチウム単結晶基板の製造方法において該基板にＲａが０．１μｍ以上の粗い面と鏡面を加工するのに対して、甲第１号証に記載のものは、ＰＬＺＴ系圧電セラミックス基板の製造方法において該基板に粗い面と鏡面を加工する点
（２）反りのエッチングについて、本件発明は、２０〜８０℃の温水または室温の酸性水溶液により四ホウ酸リチウム単結晶基板の反りをエッチングするのに対して、甲第１号証に記載のものは、ＰＬＺＴ系圧電セラミックス圧電基板の反りを８０℃の酸性水溶液によりエッチングする点。
　
　そこで、前記相違点（１）について検討すると、表面波用圧電基板として四ホウ酸リチウム単結晶基板は甲第３、４号証に記載され、また、表面波用圧電基板の製造方法において、電極を形成する表面を鏡面に、裏面をバルク波散乱のため粗い面に、それぞれ表面研磨することは甲第１、２号証に示されている。また、表面研磨は甲第１号証に示すように基板材質に直接関係しない表面波用圧電基板としての機能上の要件に基づくものであり、さらに、粗い面の具体的内容としてのＲａが０．１μｍ以上とすることは適宜になし得る設計的事項であるから、相違点（１）における本件発明の構成は甲各号証に記載のものから当業者が容易に想到することができたものである。
　次に、前記相違点（２）について検討すると、基板の反りは表面研磨などに基づく加工歪みにより生じることは甲第１、２号証に示されているから、甲第３号証に係るリチウムテトラボレート（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）結晶基板すなわち四ホウ酸リチウム単結晶基板の製造においても前記の表面研磨の適用により加工歪みに基づく反りが生じる可能性は予測し得る。
　しかしながら、甲第１、２号証に記載の圧電基板は、圧電セラミックスや強誘電体単結晶であって、常誘電体結晶である本件発明に係る四ホウ酸リチウム単結晶とは材質が異なり、また、甲第１、２号証に記載の反り減少のためのエッチング条件は、本件発明の、２０〜８０℃の温水または室温の酸性水溶液によるエッチングとは異なり、８０℃の加熱温度又は沸点近く温度の酸性水溶液によるエッチングであるから、甲第１、２号証に記載のエッチング条件を、２０〜８０℃の温水または室温の酸性水溶液に替えて甲第３号証に記載の四ホウ酸リチウム単結晶基板のエッチングに適用することは容易なことではない。
　また、甲第３号証には、四ホウ酸リチウム単結晶基板の厚さ制御のために加熱水エッチングすることや、温度約２５℃〜１００℃の加熱純水で、エッチング時間６０分でエッチングした場合のエッチングレートが示され、甲第４号証には、酸に弱く、純水にも若干エッチングされるとの四ホウ酸リチウム結晶の特性上の記載や該結晶を純水で約１時間加熱エッチングしたエッチング面の記載はあるものの、これら甲第３、４号証には基板の反りの減少化やそのための手段について示すところはない。
　さらに、四ホウ酸リチウム単結晶基板の表面研磨を伴う製造方法において、生じる反りを許容程度である２０μｍ以下に減少させるためのエッチング条件は、その生じる反りの程度と材質に大きく依存するところ、前記したように、甲各号証のいずれにも四ホウ酸リチウム単結晶基板の表面研磨を伴う製造方法において、生じる反りの程度についても、また、四ホウ酸リチウム単結晶基板の反りをエッチングにより減少させることについても示すところがない。
　そうしてみると、甲各号証の記載に基づいて、相違点（１）における本件発明の構成は前記したように当業者が容易に想到することができたとしても、さらに加えて、相違点（２）における本件発明の構成を当業者が容易に想到することはできないとするのが相当である。
　そして、本件発明は相違点（２）の構成を具備することにより、反りの少ない３”大口径で薄形の四ホウ酸リチウム単結晶基板を得ることができ、高周波化対応も可能となり、デバイス歩留まりを大幅に向上させることができるという明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできないから、特許異議申立人の理由１に基づく主張は採用できない。
　
（理由２について）　
　特許異議申立人が理由２の根拠として挙げるのは次のとおりである。
　本件発明の構成要件である、「四ホウ酸リチウム単結晶基板にＲａが０．１μｍ以上の粗い面と鏡面を加工する四ホウ酸リチウム単結晶基板の製造方法において、」にある、「Ｒａが０．１μｍ以上の粗い面」なる点については、明細書中に一切の説明、データ等は示されておらず、技術的に意味不明であり、本件明細書又は図面は、このような意味不明の構成を有する本件発明ついて、当業者が容易に実施できる程度に発明を記載しているとは云えない。
　そこで、前記理由２について検討するに、本件明細書第３頁末行〜第４頁第１行（公報第３欄第２２〜２３行）に「他面を粗面研磨加工するのは、バルク波の反射を防止するためである。」と記載され、本件発明において四ホウ酸リチウム単結晶基板を粗面研磨すなわち「粗い面」とする技術的意味は明確に記載されている。そして、「Ｒａが０．１μｍ以上の粗い面」の点は文字通り「粗い面」の具体的程度・内容を示したものであるから、この点が技術的に意味不明である理由は存在しないし、また、Ｒａが０．１μｍ以上である面が粗い面であることは周知の事項にすぎない（「表面技術便覧」日刊工業新聞社（１９９８．２．２７）参照）から、本件発明を当業者が容易に実施し得ないとする根拠もない。
　したがって、理由２に基づく特許異議申立人の主張は採用できない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認めない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月３１日（２０００．５．３１）