【事件の表示】
　特許第２９４３３３１号「露光方法」の請求項１、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４３３３１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９４３３３１号は、平成２年１２月２５日に特許出願され、平成１１年６月２５日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人佐藤勝明から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月１日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月２７日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人佐藤勝明は、甲第１号証（特開昭６０−１１２０８９号公報）を提出し、本件請求項１及び３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、本件請求項１及び３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人佐藤勝明が提出した甲第１号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の第３頁右下欄第１６行〜第４頁右上欄第１行には、「走査線や信号線には抵抗値を下げるために金属薄膜が用いられる。これらの材料は通常用いられる厚み（０．１〜１μｍ）では紫外線に対してほほ不透明である。そこで、第６図に示したように走査線３，信号線４，および非線形素子であるトランジスタを例えればガラス板９の一主面上に形成した後に、全面に例えばＩＴＯよりなる透明導電層１６を形成し、引き続きネガ型の感光性樹脂１７を塗布する。そして、ガラス板９の他の主面上より紫外線１９を照射する。…このままでは非線形素子であるトランジスタとの接続電極６上の感光性樹脂が感光しないので、ガラスマスク１８と紫外線１９’によってガラス板９上から通常の露光を行い、透明導電層１６の一部と接続電極６との一部がつながるようにする。」との記載されている。
　また、第４頁右上欄第１２行〜左下欄第１行には、「第８図は本発明の他の実施例を示す断面図、…しかる後、上述したようにネガ型感光性樹脂を用い、ガラス板の両端からの露光で絵素電極２０を自己整合的に形成する。」との記載されている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第２９４３３３１号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ１
　特許明細書の請求項１の「第１のマスクパターン」を、「薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターン」と訂正する。
訂正事項ａ２
　特許明細書の請求項１の「該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露光するとともに」を、「該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項３を削除する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の第２頁第３欄の【０００７】段落の「【課題を解決するための手段】図１〜図６…露光方法によって解決される。」を、「【課題を解決するための手段】図１〜図６は実施例を説明するための図である。上記課題は，被露光層の下部に薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターンを配置し，該被露光層の上部に第２のマスクパターンを配置し，該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに，該被露光層の上部から該第２のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露光する露光方法によって解決される。」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の第２頁第３欄の【０００９】段落の「また、被露光層６の…露光装置によって解決される。」を削除する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の発明の名称を「露光方法」と訂正する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
請求項１
「被露光層の下部に薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターンを配置し、該被露光層の上部に第２のマスクパターンを配置し、該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに、該被露光層の上部から該第２のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露光することを特徴とする露光方法。」
請求項２
「被露光層の片側に複数のマスクパターンを重ねて配置し、該複数のマスクパターンをマスクにして該被露光層の片側から該被露光層を露光することを特徴とする露光方法。」
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａ１については、特許明細書の請求項１の「第１のマスクパターン」を、下位概念である「薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターン」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターン」は、特許明細書の【００１１】、【００１８】及び【００１９】段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるから、上記訂正事項a１は、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正事項ａ２
　上記訂正事項ａ２については、特許明細書の請求項１の「該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露光するとともに」を、下位概念である「該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに」は、特許明細書の【００１１】、【００１８】及び【００１９】段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるから、上記訂正事項a２は、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．３　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂについては、特許明細書の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、上記訂正事項ｂは、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．４　訂正事項ｃ及びｄ
　上記訂正事項ｃ及びｄは、上記訂正事項ａ１及びａ２の特許請求の範囲の訂正による明細書の発明の詳細な説明の記載と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。
　従って、訂正事項ｃ及びｄについては、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｃ及びｄは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．５　訂正事項ｅ
　上記訂正事項ｅは、上記訂正事項ａ１及びａ２の特許請求の範囲の訂正による明細書の発明の名称と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。
　従って、訂正事項ｅについては、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｅは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．６　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ１〜ｅは、上記３．１〜３．５のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１及び２に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１に係る発明と甲１号証との対比、判断
　なお、本件請求項２は、異議の申し立てがなされていないものである。
　本件請求項１に係る発明が、「被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに、該被露光層の上部から該第２のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露光する」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の構成」という。）を有するのに対し、甲第１号証記載の発明には上記本件請求項１に係る発明の構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の構成を有することにより、「位置合わせ精度の厳しいパターンと、それと異なる精度を要しないパターンを同時に形成することができ、マスクアライメントが容易になり、工程が簡略化される」（特許明細書【発明の効果】）という上記甲第１号証記載の発明にはない効果を有する。
　従って、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証記載の発明と同一ではなく、また当該発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月１１日（２０００．１２．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ１、ａ２及びｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｃ、ｄ及びｅは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ１
　特許明細書の請求項１の「第１のマスクパターン」を、「薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターン」と訂正する。
訂正事項ａ２
　特許明細書の請求項１の「該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露出するとともに」を、「該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露出により該被露光層を露出するとともに」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項３を削除する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の第２頁第３欄の【０００７】段落の「【課題を解決するための手段】図１〜図６・・・露光方法によって解決される。」を、「【課題を解決するための手段】図１〜図６は実施例を説明するための図である。上記課題は，被露光層の下部に薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターンを配置し，該被露光層の上部に第２のマスクパターンを配置し，該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに，該被露光層の上部から該第２のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露光する露光方法によって解決される。」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の第２頁第３欄の【０００９】段落の「また、被露光層６の・・・露光装置によって解決される。」を削除する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の発明の名称を「露光方法」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
露光方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　被露光層の下部に薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターンを配置し，該被露光層の上部に第２のマスクパターンを配置し，該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに，該被露光層の上部から該第２のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露光することを特徴とする露光方法。
　【請求項２】　被露光層の片側に複数のマスクパターンを重ねて配置し，該複数のマスクパターンをマスクにして該被露光層の片側から該被露光層を露光することを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は露光方法及び露光装置に係り，特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造プロセスで使用する露光方法及び露光装置に関する。
　近年，液晶ディスプレイ，エレクトロルミネッセンス等の駆動素子として，ＴＦＴマトリックスが使用されるようになった。このようなＴＦＴマトリックスでは，数十万箇のＴＦＴが配置されているが，非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）を活性層とする逆スタガード型ＴＦＴでは，ゲート電極に接近するチャネル部を位置合わせ精度よく形成するため，ゲート電極を遮光膜とするセルフアライン露光が行われている。
　【従来の技術】
　従来，逆スタガード型ＴＦＴでは，ａ−Ｓｉ活性層上に絶縁層のチャネル保護膜を形成するのに，透明基板上に形成されたゲート電極を遮光膜としてレジスト層にセルフアライン露光を行い，現像後絶縁層をエッチングすることによりチャネル幅を精度よく抑えたチャネル保護膜を形成している。
　ゲート電極を遮光膜とするセルフアライン露光は，マスク形成の必要がなく，アライメントを必要とせず，位置合わせ精度のよいパターンを形成できる利点を有するが，一方，遮光膜のパターンと同じパターンしか形成することができないといった欠点がある。
　そのパターンをさらに加工する場合は，再びレジスト層を形成し，レチクルあるいはマスク上のパターンをレジスト層に転写露光する。この場合，アライメント精度が問題となる。即ち，基板自体の歪みや装置の能力によってアライメント精度が左右され，工程管理が難しくなる。
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は上記の問題に鑑み，位置合わせ精度の厳しいパターンは遮光膜パターンによるセルフアライン露光で形成し，それと同時に，遮光膜パターンと異なるパターンも形成する露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　図１〜図６は実施例を説明するための図である。上記課題は，被露光層の下部に薄膜トランジスタのゲート電極を含む第１のマスクパターンを配置し，該被露光層の上部に第２のマスクパターンを配置し，該被露光層の下部から該第１のマスクパターンをマスクにしてセルフアライン露光により該被露光層を露光するとともに，該被露光層の上部から該第２のマスクパターンをマスクにして該被露光層を露光する露光方法によって解決される。
　また，被露光層１２の片側に複数のマスクパターン２，１４を重ねて配置し，該複数のマスクパターン２，１４をマスクにして該被露光層１２の片側から該被露光層１２を露光する露光方法によって解決される。
　【作用】
　露光層６の下部に第１のマスクパターン２を配置し，被露光層６の上部に第２のマスクパターン８を配置し，被露光層６を上下から露光するようにすれば，第１のマスクパターン２と第２のマスクパターン８のアライメントを一回できめることができるから，２回に分けて行う場合よりもアライメント精度がよくなる。さらに，工程も簡略になる。
　特に，第１のマスクパターン２をセルフアライン露光し，第１のマスクパターンで形成されるパターンを加工するために第２のマスクパターン８を用いる時，本発明の露光方法のメリットは大きい。
　また，露光層６の両側に配置されたマスクパターン２，８をマスクにして，両側から被露光層６を露光する，被露光層６に対し両側に配置された光学系を備えた露光装置によって上記の露光を効果的に行うことができる。
　また，露光層１２の片側に複数のマスクパターン２，１４を重ねて配置し，被露光層１２の片側から露光する露光方法も，上記と同様のメリットがある。
　【実施例】
　図１〜図６は本発明によりスタガード型ＴＦＴを製造するプロセスの実施例を説明するための図であり，図１は第１の露光を説明するための断面図，図２は第１，第２のマスクパターンの像，図３は第１の露光・現像，エッチング後のＴＦＴの断面図，図４は第２の露光を説明するための断面図，図５は第１，第３のマスクパターンの像，図６は第２の露光・現像，エッチング後のＴＦＴの断面図を示す。
　以下，これらの図を参照しながら実施例について説明する。
　図１参照
　ガラス基板１上に幅が例えば２０μｍ，厚さが例えば１０００ÅのＡｌのゲートバス２Ａと，それに接続する幅が例えば５μｍ，厚さが例えば８００ÅのＴｉのゲート電極２を形成する。
　次に，厚さが例えば３０００Åのゲート絶縁膜３を形成し，その上に活性層として厚さが例えば１５０Åのａ−Ｓｉ層４，その上に厚さが例えば１４００ÅのＳｉＯ２の絶縁膜５を形成する。次いで，絶縁膜５上にポジ型レジスト層６を形成する。
　この状態のガラス基板を支持台９に載置する。一方，ゲート電極２に対して所定の位置関係を有する第２のマスクパターン８の形成されたマスク基板７をポジ型レジスト層６の上部に配置し，第２のマスクパターン８をゲート電極２の位置にフォーカスするようにする。この第２のマスクパターン８はポジ型レジスト層６上に密着させて形成してもよい。
　第１の露光：ゲート電極２を第１のマスクパターンとし，その第１のマスクパターンをマスクにして，セルフアラインでもって下部からポジ型レジスト層６を露光し，同時に第２のマスクパターン８をマスクにして，上部からポジ型レジスト層６を露光する。
　図２参照、
　この図は第１，第２のマスクパターンの像で，ゲート電極位置での像であり，第１のマスクパターン（ゲート電極２，ゲートバス２Ａ）と第２のマスクパターン８の重なった状態を示している。露光後ポジ型レジスト層６を現像すると，全く露光されない部分，即ち，第１，第２のマスクパターンの重なった部分（長さｌ１，幅ｄ１）のポジ型レジスト層６のみが残る。
　長さｌ１はチャネル長さを決定するから高い精度を要するが，幅ｄ１は高い精度は要しない。残ったポジ型レジスト層６をマスクにして絶縁膜５をエッチングし，チャネル保護膜５Ａを形成する。
　なおこの露光法は，下から見た時支持台９の陰になるポジ型レジスト層６の部分は，下からの露光は受けないが，上からの露光をうけるので，レジスト残りが生じないという利点がある。
　図３参照、
　この図は第１の露光・現像，エッチング後のＦＥＴの断面図を示す。
　図４参照、
　その後，チャネル保護膜５Ａおよびその両側のａ−Ｓｉ層４上に，厚さが例えば５００Åのｎ＋−ａ−Ｓｉ層の接合層１０，厚さが例えば１０００ÅのＩＴＯ層１１を形成する。次いで，ＩＴＯ層１１上にネガ型レジスト層１２を形成する。
　一方，ゲート電極２に対して所定の位置関係を有する第３のマスクパターン１４の形成されたマスク基板１３をガラス基板１の下に配置し，ゲート電極２と第３のマスクパターン１４の位置合わせを行い，第３のマスクパターン１４をゲート電極２の位置にフォーカスするようにする。
　第２の露光：ゲート電極２（第１のマスクパターン）と第３のマスクパターン１４を同時にマスクにして，下部からネガ型レジスト層１２を露光する。
　図５参照
　この図は第１，第３のマスクパターンの像で，ゲート電極位置での像であり，第１のマスクパターン（ゲート電極２）と第３のマスクパターン１４の重なった状態を示している。第３のマスクパターン１４は光の通る部分が矩形のパターンである。
　露光後ネガ型レジスト層１２を現像すると，露光された部分，即ち，第１，第２のマスクパターンのいずれにも属さない部分（幅ｄ１，ｄ２の二つの矩形）のネガ型レジスト層１２のみが残る。幅ｄ１，ｄ２は精度を要しないが，二つの矩形の間隔ｌ１は精度を要する。この部分はゲート電極２をマスクとするセルフアライン露光であるから精度が保たれる。
　残ったネガ型レジスト層１２をマスクにして接合層１０およびＩＴＯ層１１エッチングし，接合層１０同志およびＩＴＯ層１１同志を間隔ｌ１で隔てて，ソース電極１５，ドレイン電極１６を形成する。
　図６参照
　この図は第２の露光・現像，エッチング後のＦＥＴの断面図を示す。このようにして，位置合わせ精度の厳しいパターンはセルフアライン露光すると同時に，それと異なる精度を要しないパターンも露光することによりＦＥＴ素子を形成することができた。
　なお，図１に示した第１の露光を行うために，光学系（レンズ系）を被露光層（ポジ型レジスト層６）に対して上下に配置した露光装置を用いる。光源は上下に別々に持ってもよいし，また一つの光源を用いて光を二つに分岐し，上下の光学系に導くようにしてもよい。
　【発明の効果】
　以上説明したように，本発明によれば，位置合わせ精度の厳しいパターンと，それと異なる精度を要しないパターンを同時に形成することができ，マスクアライメントが容易になり，工程が簡略化される。その結果，スループットの向上，歩留りの向上，コストダウンという効果を奏し，露光装置数の節約，省スペース，メンテナンスの省力化といった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】第１の露光を説明するための断面図である。
　【図２】第１，第２のマスクパターンの像である。
　【図３】第１の露光・現像，エッチング後のＦＥＴの断面図である。
　【図４】第２の露光を説明するための断面図である。
　【図５】第１，第３のマスクパターンの像である。
　【図６】第２の露光・現像，エッチング後のＦＥＴの断面図である。
　【符号の説明】
１はガラス基板
２はゲート電極であって第１のマスクパターン
２Ａはゲートバスであって第１のマスクパターン
３はゲート絶縁膜
４はａ−Ｓｉ層
５は絶縁膜
５Ａはチャネル保護膜
６は被露光層であってポジ型レジスト層
７はマスク基板
８は第２のマスクパターン
９は支持台
１０は接合層
１１はＩＴＯ層
１２は被露光層であってネガ型レジスト層
１３はマスク基板
１４は第３のマスクパターン
１５はソース電極
１６はドレイン電極