【事件の表示】
　特許第２５７４６１８号「結晶成長方法と結晶成長用るつぼ」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２５７４６１８号の請求項１ないし６に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２５７４６１８号の請求項１〜請求項６に係る発明についての出願は、平成４年１２月２８日になされ、平成８年１０月２４日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年６月９日に訂正請求がなされ、さらに、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１１月１６日に意見書が提出されたものである。
２．訂正の適否
２−１．訂正明細書に記載された発明
　訂正明細書の請求項１〜請求項５に係る発明（以下、「本件請求項１〜請求項５に係る発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜請求項５に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　半導体単結晶シード(15)を、その長手方向に中央軸(13)を有するるつぼ(12)の底部に配置するステップと、
　単結晶シードの上に半導体原材料(16)を配置するステップと、
　固定されたるつぼ(12)を、温度勾配を有する固定されたヒータ(17)で加熱し、半導体原材料及び単結晶シードの一部を溶融するステップと、
　半導体材料を凝固させて、るつぼの内面形状に一致するような外面を有するような結晶インゴットを形成するように、るつぼを冷却するステップとを有し、
　前記単結晶シードの中央軸に関する横断面が、るつぼの中央軸に関する横断面とほぼ等しいことを特徴とする半導体材料インゴットの作製方法。
【請求項２】　前記るつぼに囲まれた容積部分が、十分に円柱状で（図２）、前記単結晶シードが、るつぼの内面径とほぼ等しい外径を有する円柱形状を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】　垂直中央軸の横断面において、前記るつぼに囲まれる領域が、楕円形状で（図３）、単結晶シードの外周囲が、るつぼに囲まれる前記領域と十分同じであるような、楕円形状となることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】　冷却ステップにおいて、単結晶シードから上方向に、るつぼの中央軸に一致した中央軸を有するインゴットを形成するために、溶解した材料を連続的に凝固させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】　るつぼの内面が、底部から上部へ向かって、若干外側に反っていることを特徴とする請求項２に記載の方法。」
２−２．刊行物に記載された発明
　取消理由に引用された刊行物１（特開平３−４０９８７号公報）には、
　「所定形状の容器に結晶原料および種子結晶を充填し、所定温度および所定温度分布に調整したホットゾーン内で、結晶原料の一部または全部および種子結晶の一部を融解して原料融液を作成した後、種子結晶から原料融液を徐々に固化して容器の形状に規定される所望形状の単結晶を得る単結晶育成方法において、
　断面形状および寸法が育成しようとする単結晶の断面形状及び寸法とほぼ同一であるような種子結晶を用いることを特徴とする単結晶育成方法。」（特許請求の範囲）
が記載され、また、
　「この発明は金属あるいは半導体などの単結晶育成方法に関わるものであり、具体的には垂直ブリッジマン法（垂直温度勾配凝固法）または水平ブリッジマン法（水平温度勾配凝固法）などで代表される結晶育成方法において、特に種子結晶を用いて単結晶を育成しようとする場合の種子結晶の形状およびこの種子結晶を用いた単結晶育成方法に関するものである。」（第１頁左下欄18行〜右下欄５行）
　「第６図は従来の液体封止垂直ブリッジマン法によるGaAs結晶育成の途中を示す炉内の模式図である。第６図において、・・・５は所定形状の容器（以下るつぼという）である。るつぼ５は一般に円形の断面形状を有している。６はるつぼホルダ、７はるつぼ軸、８ａ〜８ｊは単一または複数個の発熱素子の組み合わせからなる発熱体、９は気密容器である。」（第１頁右下欄10行〜18行）
　「第２図に示すように、下部の内径が76mm、上部の内径が82mm、高さ約180mmのp-BN製るつぼ18の底部に、直径76mm・・・のGaAsの種子結晶15を装着し、次に、・・・原料GaAs結晶10・・・を充填する。以後第６図のような通常の垂直ブリッジマン炉において加熱を行い・・・温度分布の制御により・・・原料GaAs結晶10の上部からの融解、種子つけ工程を経て結晶育成を行った。その結果、第１図においてGaAs融液３の部分が全て固化した状態の単結晶が得られた。・・・るつぼ18から取り出した結晶の外観から、種子つけは種子結晶15の下部から約30mmの位置で行われていた。」（第３頁右上欄３行〜左下欄３行）
　「なお、実施例においてGaAs結晶を液体封止垂直ブリッジマン法で育成する場合を例にとって説明したが、この発明の主旨は他の結晶、育成方法にも適用でき、同様の効果が期待できることは説明するまでもない。」（第３頁右下欄17行〜第４頁左上欄１行）
　「この発明の単結晶育成方法によれば、・・・増径部がなく、育成しようとする結晶とほぼ同じ形状および寸法の種子結晶を用いて結晶育成を行うことにより・・・増径部がないため双晶発生がないので、高歩留り化が実現できる。」（第４頁左上欄第３行〜右上欄９行）
とそれぞれ記載され、
　第１図には、この発明の単結晶育成方法における炉内の模式図、第２図、第３図には、同単結晶育成方法におけるるつぼ内の模式図、第６図には、従来の液体封止垂直ブリッジマン法によるGaAs結晶育成を示す炉内の模式図が、それぞれ示されている。
　以上の記載からみて、刊行物１には、「GaAsの種子結晶を、その長手方向に中央軸を有するるつぼの底部に装着し、次に、原料GaAs結晶を充填し、るつぼを発熱体で加熱し、結晶原料の一部または全部および種子結晶の一部を融解して原料融液を作成した後、種子結晶から原料融液を徐々に固化してるつぼの形状に規定される所望形状の単結晶を得る単結晶育成方法において、断面形状が育成しようとする単結晶の断面形状とほぼ同一である、すなわち、るつぼの断面形状とほぼ同一であるような種子結晶を用いる単結晶育成方法。」が記載されているものと認める。
　同じく引用された刊行物２（半導体研究35巻「化合物半導体の結晶成長と評価、その６」1991年８月５日、(株)工業調査会発行、第１〜19頁）には、「液体封止垂直ブリッジマン法によるGaAs単結晶成長」と題し、
　「ＶＢ法とＶＧＦ法は、類似の技術であり、古くから実験室的な結晶育成方法として、酸化物、化合物半導体、金属などの結晶育成に多くの適用例がある。これら２つの方法の違いは、図1.1に模式的に示すように、ＶＢ法が結晶成長に適した一定の温度分布の炉内で、るつぼを徐々に移動させながら成長させるのに対して、ＶＧＦ法は、るつぼの位置は固定し、発熱体による温度分布を徐々に変化して結晶を成長させることにある。・・・熱環境的には、いずれも容器（るつぼ）下部の種子結晶から、融液を徐々に固化する一方向性凝固である点で大きな相違はない。・・・
　図1.2(a)のＶＧＦ法は、GaAs融液表面を一定のAs蒸気圧に保って、表面からのAsの解離・蒸発を防止するのが特徴である。この場合、融液の組成を一定に保持することができるばかりでなく、固体As部の温度を調整することにより、融液の組成を制御することも可能である。」（第４頁左欄５行〜第５頁左欄２行）
と記載され、
　図1.1には、ＶＢとＶＧＦの比較が示されており、また、
　「種子結晶はLEC法で用いる種子結晶のように細い必要はなく、極端な場合、育成しようとする結晶直径と同程度の直径の種子結晶（定径種子）を用いることも可能である。図1.16は実際に行った定径種子づけ結晶の例を示す。」（第14頁右欄11行〜第15頁左欄３行）
　「双晶境界は直径変化のある場合のみ(LE-VB法の場合増径部のみで）発生することから、すでに述べた増径部をもたない定径部種子づけ法が、双晶境界の完全防止方法として有効と考えられる。筆者らはこの方法（図1.16参照）で、GaAs結晶成長においては、双晶境界が発生しないことを確認した。」（第19頁右欄10〜16行）
と記載され、
　図1.16には、定径種子による種子づけによる外観写真、模式図及びエッチング写真が示されている。
　同じく引用された刊行物３（Journal of Crystal Grouwth,96,(4),(1989）,p.888-898）には、「高品質GaSb単結晶のＶＧＦ成長と特性」と題し、　
　その第889頁にFig.1には、温度勾配炉（Gradient Furnace）内に、成長結晶（Solid）と同径の種子結晶（Seed）をるつぼの底部に装入して単結晶の成長を行う実験装置が示されている。
　同じく引用された刊行物４（米国特許第４，９６６，６４５号明細書）には、「結晶成長方法及びその装置」に関し、　
　「ＶＧＦ法では、種子結晶装着部と増径部と成長するインゴットの形状を画定する円筒状主部とを有するるつぼを使用する。Fig.1,2,3を参照すれば、本発明は、主部13の内周面14が、るつぼ軸に直交する断面においてFig.1に示すように楕円状に形成されたるつぼ12を使用するものである。」（第３欄19〜26行）
と記載され、
　Fig.1には、この発明の半導体単結晶インゴットの作成に使用するるつぼの上面図、Fig.2及びFig.3は、それぞれFig.1の2-2，2-3線の断面図を示すと記載されている。
２−３．対比・判断
(1)本件請求項１に係る発明について、
　本件請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明における「GaAsの種子結晶」、「原料GaAs結晶」、「発熱体」、「単結晶」及び「断面形状」は、それぞれ、本件請求項１に係る発明における「半導体結晶シード」、「半導体原材料」、「ヒータ」、「結晶インゴット」及び「中央軸に関する横断面」に相当するから、両者は、「半導体結晶シードを、その長手方向に中央軸を有するるつぼの底部に配置するステップと、単結晶シードの上に半導体原材料を配置するステップと、るつぼをヒータで加熱し、半導体原材料及び単結晶シードの一部を溶融するステップと、半導体材料を凝固させて、るつぼの内面形状に一致するような外面を有するような結晶インゴットを形成するように、るつぼを冷却するステップとを有し、前記単結晶シードの中央軸に関する横断面が、るつぼの中央軸に関する横断面とほぼ等しいことを特徴とする半導体材料インゴットの作製方法。」である点で一致し、本件請求項１に係る発明が、「固定されたるつぼを、温度勾配を有する固定されたヒータで加熱する」いわゆるＶＧＦ法であるのに対し、刊行物１には、「るつぼをヒータ（発熱体）で加熱する方法」として、具体的に記載されているのは「垂直ブリッジマン法」であって、気密容器９内をるつぼ軸7に沿って垂直方向に移動するるつぼ５を、固定した発熱体８ａ〜８ｊで加熱する方法である点で相違する。
　上記相違点について検討する。
　本件請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明は、いずれも従来のるつぼの主部分との間の円錐状領域（増径部）をなくすことによって、単結晶インゴット成長における双晶形成の要因を減少或いは排除することを課題とするものであり、また、刊行物１には、垂直ブリッジマン法で育成する場合だけでなく、他の結晶育成方法にも適用でき、同様の効果が期待できる旨記載されている。
　刊行物１に記載された「垂直ブリッジマン法」（ＶＢ法）は、刊行物２に記載されるように、「ＶＧＦ法」、すなわち、るつぼの位置は固定し、発熱体による温度分布を徐々に変化して結晶を成長させる方法とは類似の技術であり、熱環境的には、いずれもるつぼ下部の種子結晶から融液を徐々に固化する一方向性凝固である点で大きな相違はないものであって、さらに、刊行物３にも、成長結晶（Solid）と同径の種子結晶（Seed）をるつぼの底部に装入し単結晶の成長を行う半導体単結晶の成長方法としてＶＧＦ法が記載されているから、上記課題を達成するために、刊行物１に記載された「垂直ブリッジマン法」の代わりに、刊行物２及び３に記載されたＶＧＦ法を使用することは当業者が容易に想到し得るものと認める。
　なお、平成１１年１１月１６日付けの意見書において、乙第２号証を引用し、ＶＧＦ法のＶＢ法に対する長所として、「成長の進行とともに任意に温度分布を変化させ得るので、固液界面の形状や固化した部分の熱履歴に対し最適の制御が行えること、移動機構が不要であるためため設備が単純であること、移動に伴う微振動がないため成長界面が安定し、結晶の品質が向上する」ことを挙げているが、該長所は、ＶＧＦ法の構成から当然に予測し得るものであるから、格別なものとはいえない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(2)本件請求項２に係る発明について、
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明において、「るつぼに囲まれた容積部分が、十分に円柱状で（図２）、前記単結晶シードが、るつぼの内面径とほぼ等しい外径を有する円柱形状を有することを特徴とする」発明であるが、刊行物１に記載された発明においても、「るつぼは一般に円形の断面形状を有している」（第１頁右下欄15〜16行）ものであり、また、その第１図〜第５図によれば、断面長方形であり、十分に円柱状であるから、上記特徴とする構成は、実質的に刊行物１に記載されている。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとである。
(3)本件請求項３に係る発明について、
　本件請求項３に係る発明は、本件請求項１に係る発明において、「垂直中央軸の横断面において、前記るつぼに囲まれる領域が、楕円形状で（図３）、単結晶シードの外周囲が、るつぼに囲まれる前記領域と十分同じであるような、楕円形状となることを特徴とする」発明であるが、上記特徴とする構成は刊行物４に記載されているから、垂直中央軸の横断面において、るつぼに囲まれる領域を、刊行物１に記載されている円形の代わりに、刊行物４に記載されている楕円形状とすることは当業者が適宜採用し得るものと認められる。
　したがって、本件請求項３に係る発明は、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(4)本件請求項４に係る発明について、
　本件請求項４に係る発明は、本件請求項１に係る発明において、「冷却ステップにおいて、単結晶シードから上方向に、るつぼの中央軸に一致した中央軸を有するインゴットを形成するために、溶解した材料を連続的に凝固させることを特徴とする」発明であるが、上記特徴とする構成は、刊行物１に、「p-BN製るつぼ18の底部に、・・・のGaAsの種子結晶15を装着し、・・・温度分布の制御により・・・原料GaAs結晶10の上部からの融解、種づけ工程を経て結晶育成を行った」（第３頁右上欄11〜14行）と記載されているように本件出願前に周知である。
　したがって、本件請求項４に係る発明は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
(5)本件請求項５に係る発明について、
　本件請求項５に係る発明は、本件請求項２に係る発明において、「るつぼの内面が、底部から上部へ向かって、若干外側に反っていることを特徴とする」発明であるが、刊行物１に、「下部の内径が76mm、上部の内径が82mm、高さ約180mmのp-BN製るつぼ18」と、上記特徴とする構成が記載されている。
　したがって、本件請求項５に係る発明は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
２−４．むすび
　以上のとおり、本件請求項１〜請求項５に係る発明は、いずれも出願の際独立して特許を受けることができない発明であるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する同第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
３．特許異議の申立てについての判断
３−１．特許明細書に記載された発明
　本件請求項１〜６に係る発明は、特許明細書の請求項１〜６に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　半導体単結晶シード(15)を、その長手方向に中央軸(13)を有するるつぼ(12)の底部に配置するステップと、
　単結晶シードの上に半導体原材料(16)を配置するステップと、
　固定されたるつぼ(12)を、温度勾配を有する固定されたヒータ(17)で加熱し、半導体原材料及び単結晶シードの一部を溶融するステップと、
　半導体材料を凝固させて、るつぼの内面形状に一致するような外面を有するような結晶インゴットを形成するように、るつぼを冷却するステップとを有し、
　前記単結晶シードの中央軸に関する横断面が、るつぼの中央軸に関する横断面とほぼ等しいことを特徴とする半導体材料インゴットの作製方法。
【請求項２】　前記るつぼに囲まれた容積部分が、十分に円柱状で（図２）、前記単結晶シードが、るつぼの内面径とほぼ等しい外径を有する円柱形状を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】　垂直中央軸の横断面において、前記るつぼに囲まれる領域が、楕円形状で（図３）、単結晶シードの外周囲が、るつぼに囲まれる前記領域と十分同じであるような、楕円形状となることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】　冷却ステップにおいて、単結晶シードから上方向に、るつぼの中央軸に一致した中央軸を有するインゴットを形成するために、溶解した材料を連続的に凝固させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】　るつぼの内面が、底部から上部へ向かって、若干外側に反っていることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】円筒状部材と、この円筒状部材の中央軸(13)にほぼ直交する底部を有し、半導体単結晶シード(15)をその内部に収納することを特徴とする結晶成長用るつぼ(12)。」
３−２．取消理由
　取消理由の概要は、
　理由１、本件請求項１、２、４及び５に係る発明は、刊行物１〜３、５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、本件請求項３に係る発明は、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、
　理由２、本件請求項６に係る発明は、刊行物１又は刊行物３に記載された発明であるから、本件請求項６に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである、
というものである。
３−３．対比・判断
(1)本件請求項１〜５に係る発明について、
　本件請求項１〜５に係る発明は、２−３に記載した理由により当業者が容易に発明をすることができたものである（なお、刊行物５は、ブリッジマン法の定義に関係する文献であり、周知事項として取消理由通知において引用したものであるが、この決定においては省略した）から、本件請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
(2)本件請求項６に係る発明について、
　刊行物１には、「第２図に示すように、下部の内径が76mm、上部の内径が82mm、高さ約180mmのp-BN製るつぼ18の底部に、直径76mm・・・のGaAsの種子結晶15を装着し」（第３頁右上欄３〜７行）と記載されており、また、その第２図からみて、GaAsの種子結晶15（本件請求項６に係る発明における「半導体単結晶シード」に相当）を装着したるつぼ18（本件請求項６に係る発明における「結晶成長用るつぼ」に相当）は、円筒状部材と、この円筒状部材の中央軸にほぼ直交する底部を有するものであることは明らかであるから、両者は、「円筒状部材と、この円筒状部材の中央軸にほぼ直交する底部を有し、半導体単結晶シードをその内部に収納することを特徴とする結晶成長用るつぼ」である点で一致し、相違する点はない。
　したがって、本件請求項６に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、本件請求項６に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
３−４．むすび
　したがって、本件請求項１〜６に係る発明の特許は、特許法第１１３条第１項第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月２５日（２０００．４．２５）