【事件の表示】
　特許第２９５３６８８号「試料の温度制御方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５３６８８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９５３６８８号の請求項１に係る発明についての出願は、昭和５８年１１月２８日になした特許出願（特願昭５８−２２２０４６号）の一部を新たな特許出願とした特願平７−５０７７９号の一部を更に新たな特許出願とした特願平８−３２５０７８号の一部を、平成９年６月２日に新たな特許出願としたものであって、平成１１年７月１６日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、畠明より特許異議の申立がなされ、そして、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月３日に訂正請求がなされ、更に、取消理由通知がなされ、先の訂正請求が取り下げられるとともに、その指定期間内である平成１２年９月１２日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１　特許権者の求めている訂正
　平成１２年８月３日付けの訂正請求書による訂正の請求は取り下げられているので、特許権者が求めている訂正は、平成１２年９月１２日付け訂正請求書に記載された、以下のとおりのものである。
　
２−１−１　特許請求の範囲の記載に関して
　訂正事項１　
　請求項１に記載の「・・試料配置面に試料を静電吸着・・伝熱ガス放出路から前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを排出する・・」を「・・試料配置面に試料の少なくとも外周辺を静電吸着・・伝熱ガス放出路から真空処理室を介さずにその外部へ前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを吸引排出する・・」と訂正する。
　
２−１−２　発明の詳細な説明の記載に関して
　訂正事項２
　特許明細書の段落番号【００１７】に記載の「・・試料配置面に試料を静電吸着・・伝熱ガス放出路から前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを排出する・・」を「・・試料配置面に試料の少なくとも外周辺を静電吸着・・伝熱ガス放出路から真空処理室を介さずにその外部へ前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを吸引排出する・・」と訂正する。
　訂正事項３
　特許明細書の段落番号【００１８】に記載の「・・試料配置面に試料を静電吸着・・伝熱ガス放出路から前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを排出し・・」を「・・試料配置面に試料の少なくとも外周辺を静電吸着・・伝熱ガス放出路から真空処理室を介さずにその外部へ前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを吸引排出し・・」と訂正する。
　
２−２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項１は、特許明細書の請求項１に記載された「試料配置面に試料を静電吸着」なる事項の吸着位置を、特許明細書中の段落番号【００３７】に記載された「少なくとも基板の裏面の外周辺を吸着」なる技術的事項事項により限定するとともに、同特許明細書の請求項１に記載された「伝熱ガス放出路から前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを排出する」という事項を特許明細書の段落番号【００２２】に記載の「下部電極２０には、溝２１と連通してガス供給路２３ａとガス排出路２３ｂとが形成されている。」、同段落番号【００２３】に記載の「・・ガス排出路２３ｂには、導管７０ｂの一端が連結されている。・・導管７０ｂの他端は、真空処理室１０と真空ポンプ８０とを連結する排気用の導管１２に合流連結されている。」及び図面の記載から明らかな、伝熱ガスを真空処理室を介さずにその外部へ吸引排出しするという技術的事項により限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであって、新規事項を追加せず、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　訂正事項２，３は、上記の特許請求の範囲の訂正に合わせ、不明瞭となる記載を釈明するものであり、新規事項を追加せず、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２−３　むすび
　上記訂正は、特許異議の申立がなされていない請求項に係るものではなく、以上のとおり、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３　特許異議申立に対する判断
３−１　申立て理由の概要
　特許異議申立人畠明は、甲第１号証として、「特開昭５８一３２４１０号公報」を提出して、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証の刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、同発明に係る特許は、拒絶査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべき旨主張している。
　
３−２　本件の発明
　本件の請求項１に係る発明は、訂正された特許請求の範囲に記載された以下の事項により特定されるものである。
【請求項１】温度制御される試料台の試料配置面に試料の少なくとも外周辺を静電吸着力によって接触させて吸着保持し、前記試料台に設けられた伝熱ガス供給路からの伝熱ガスを前記試料が接触して吸着保持されたときにできる前記試料の裏面と前記試料台との間の微視的にみてわずかな隙間に供給するとともに、前記試料台に設けられた伝熱ガス放出路から真空処理室を介さずにその外部へ前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを吸引排出することを特徴とする試料の温度制御方法。
　
３−３　甲第１号証の刊行物に記載された発明
　甲第１号証の刊行物である「特開昭５８一３２４１０号公報」には、「ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置」に関する発明が開示されており、第３頁右下欄第１７行〜第４頁左上欄第２０行には、「締付装置のこの実施態様は、実際にガス室５６を主真空室１４から封止し、したがってスパッタリングガスとは異なるガスを使用することができ、熱伝達は、ガス層を通じて伝導することによるものである。・・他面で、伝導ガスがスパッタリングガスと同じものである場合には、Ｏリングに対して封止の必要は、重要でなくなる。・・室５６を通じてのガス流は、室１４又は他の装置に逃出することによってそれが何処に存在するかに注目すべきであり、この場合対流は、構造物１６と、ブロック３２との間の熱流に寄与する。
　この実施態様において、このブロツクは、供給装置６０から導入管６２を通じてブロックそれ自体中に形成された円形又は蛇行形のブロツク導管６４に流れかつ次いで導出管６６を通じて適当な水溜め又は供給装置それ自体に戻される水（ガスを使用してもよいのだけれども）により温度制御されている。」と記載され、第４頁左下欄第５行〜右下欄第６行には、「ブロツク３２の中心には、ガス室５６に通じる通路７０が存在する。この通路は、導管７２によって開閉弁７４及びガス溜め７６に接続している。次にガス溜め７６は、可変弁８０を通じてガス源８２に接続している。・・ガスの熱伝導率は、その圧力によって変動するので、室５６を横断する熱伝導性もガス圧によって制御される。従って、構造物の温度も室５６中のガス圧によって制御される。従って、室５６中のガス層により、スパッタリング処理の間にウェファー１６からブロック３２への熱伝達が存在するか又は場合によりブロックからウェファーへの熱伝達が存在する。処理を完結させるには、弁７４を閉じ、このブロックを締付装置４２から取出す。ガス室５６中及び導管７２中に残留するガスは、ポンプ系統２６によって排気管３０から排出することができる。」と記載され、第５頁左上欄第８行〜第５頁右上欄第７行には、「第２図中の多数の部材は、開示の簡易化のために省略した。この実施態様において、４２Ａの締付装置は、静電によるものであり、かつ金属ブロック３２に接続したＤＣ電力供給装置９０を設け、こうしてブロツクと、ウェファーとの間に電位差を生ぜしめることによって達成されている。ウェファー１６とブロツク３２は、前記図面中のＯリングに若干に似せてブロツクの外端に隣接して配置された非伝導性材料の薄い多孔質膜５２Ａによって分離されている。この膜の厚さ及び電位差は、第１図で記載したのと同じ方法でガス室５６中に装入されたガス層の厚さを決定する。・・膜５２Ａは多孔質であるので、室５６から真空室１４へのガス流が存在する。従って、対流ならびに伝導によって熱流を生じる、ウェファーの裏側を横断するガス流が存在する。」と記載されている。
　これら記載と図面の記載とを併せみれば、甲第１号証の刊行物には、
試料であるウエファーの台であり、温度制御されるブロック３２のウエファーを配置する面にウエファーの少なくとも外周の部分を静電吸着力によって接触させて吸着保持し、前記ブロックに設けられた熱を伝達するガスを供給する通路からのガスを前記ウエファーが接触して吸着保持されたときにできる前記ウエファーの裏面と前記ブロックとの間の微視的にみてわずかな隙間である室５６に供給するとともに、前記ブロックに設けられたガス放出する多孔質膜から前記室に供給された前記ガスを真空室に排出するとともに、その排出先を真空室以外の他の個所へ排出することを含むウエファーの温度制御方法
の発明が記載されるものと認める。
　
３−４　対比判断
　訂正された本件請求項１に記載された発明と甲第１号証の刊行物に記載された発明とを比較すると、両発明は、
　温度制御される試料台の試料配置面に試料の少なくとも外周部を静電吸着力によって接触させて吸着保持し、前記試料台に設けられた伝熱ガス供給路からの伝熱ガスを前記試料が接触して吸着保持されたときにできる前記試料の裏面と前記試料台との間の微視的にみてわずかな隙間に供給するとともに、前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを排出する試料の温度制御方法。
の発明である点で一致し、甲第１号証の刊行物の第１図等には、Ｏリングを用て主真空室１４とガス室５６との間を封止することことが記載されるものの、ガスを吸引排出することにより、主真空室にガスを漏れなくすることを開示または示唆するものではないので、本件請求項１に係る発明は、以下の点で、甲第１号証の刊行物のものと相違している。
　本件請求項１に記載の発明では、試料の少なくとも外周辺を静電吸着し、伝熱ガス放出路から真空処理室を介さずにその外部へ前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを吸引排出するものであるのに対して、甲第１号証の刊行物には、ウエハーの少なくとも外周辺を静電吸着するものの、伝熱ガスを吸引排出することの開示はない点。
　そして、同相違点の構成を有することにより、本件請求項１の発明は、吸引排出することにより、確実に真空処理室外に伝熱ガスを排出するとともに、段落番号【００３８】に記載される「・・静電吸着力の大きさは処理ガスの圧力と真空処理室内の圧力との圧力差による基板の浮上りを防止するのに必要な大きさで良く、処理ガスの圧力とプラズマの圧力との差圧を、基板の裏面と下部電極との間の熱抵抗の許す範囲で小さくすることにより静電吸着力を小さくしても基板冷却の効果が十分得られる。」
という効果を奏するものであるから、同構成の採用を設計上の事項に属するものとすることはできない。
　しかも、上記相違点の構成を慣用される技術であるとする客観的証拠は何等ない。
　よって、上記相違点の構成をその構成の一部とする本件請求項１に係る発明を、上記相違点の構成を開示するものではなく、それを示唆するものでもない甲第１号証の刊行物に記載された発明とすることはできないばかりではなく、甲第１号証の刊行物に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　
３−５　各取消理由通知について
　各取消理由は、甲第１号証のそれぞれ異なる部分を引用するものであり、上記検討のとおり、それらをもって、本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　
３−６　むすび
　以上説示の通り、各特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月２日（２０００．１０．２）
【訂正の要旨】
１　特許請求の範囲の記載に関して
　訂正事項１
　請求項１に記載の「・・試料配置面に試料を静電吸着・・伝熱ガス放出路から前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを排出する・・」を「・・試料配置面に試料
の少なくとも外周辺
真空処理室を介さずにその外部へ
吸引
２　発明の詳細な説明の記載に関して
　訂正事項２
　特許明細書の段落番号【００１７】に記載の「・・試料配置面に試料を静電吸着・・伝熱ガス放出路から前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを排出する・・」を「・・試料配置面に試料
の少なくとも外周辺
真空処理室を介さずにその外部へ
吸引
　訂正事項３
　特許明細書の段落番号【００１８】に記載の「・・試料配置面に試料を静電吸着・・伝熱ガス放出路から前記微視的にみてわずかな隙間に供給された前記伝熱ガスを排出し・・」を「・・試料配置面に試料
の少なくとも外周辺
真空処理室を介さずにその外部へ
吸引
（５４）【発明の名称】
試料の温度制御方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】
　温度制御される試料台の試料配置面に試料
の少なくとも外周辺
真空処理室を介さずにその外部へ
吸引
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、試料保持装置を備えた真空処理装置に係り、特に静電吸着力により基板を吸着、保持する試料保持装置を備えた真空処理装置に関するものである。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　試料を真空処理、例えば、プラズマを利用して処理（以下、プラズマ処理と略）する装置、例えば、ドライエッチング装置の重要な用途の一つに半導体集積回路等の微小固体素子の製造における微細パターンの形成がある。この微細パターンの形成は、通常、試料である半導体基板（以下、基板と略）の上に塗布したレジストと呼ばれる高分子材料に紫外線を露光，現像して描いたパターンをマスクとしてドライエッチングにより基板に転写することで行われている。
　　　【０００３】
　このような基板のドライエッチング時には、プラズマとの化学反応熱やプラズマ中のイオンまたは電子などの衝撃入射エネルギによりマスク及び基板が加熱される。従って、十分な放熱が得られない場合、即ち、基板の温度が良好に制御されない場合は、マスクが変形，変質し正しいパターンが形成されなくなったり、ドライエッチング後の基板からのマスクの除去が困難となってしまうといった不都合を生じる。そこで、これら不都合を排除するため、次のような技術が従来より種々慣用・提案されている。以下、これら従来の技術について説明する。
　　　【０００４】
　従来技術の第１例としては、例えば、特公昭５６−５３８５３号公報に示されているように、高周波電源の出力が印加される試料台を水冷し、該試料台上に被加工物質を誘電体膜を介して載置し、試料台に直流電圧を印加することでプラズマを介して誘電体膜に電位差を与え、これにより生じる静電吸着力によって被加工物質を試料台に吸着させ、被加工物質と試料台との間の熱抵抗を減少させて被加工物質を効果的に冷却するものがある。
　　　【０００５】
　従来技術の第２例としては、例えば、特開昭５７−１４５３２１号公報に示されているように、ウェーハの裏面より気体ガスを吹き付けて、ウェーハを気体ガスにより直接冷却するものがある。
　　　【０００６】
　従来技術の第３例としては、例えば、Ｅ．Ｊ．Ｅｇｅｒｔｏｎ他，Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．８，Ｐ８４〜８７（１９８２−８）に示されているように、水冷された試料台である電極と該電極に載置され機械的クランプ手段で外周辺を電極に押圧されて固定された基板との間に、圧力が６Ｔｏｒｒ程度のＧＨｅを流通させて、電極と基板との間の熱抵抗を減少させ、これにより基板を効果的に冷却するものがある。
　　　【０００７】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記これらの従来技術は、試料の効果的な冷却、及び基板裏面に流すガスのプロセスに与える影響等の点において、充分配慮されておらず、以下のような問題があった。
　　　【０００８】
　上記第１の従来技術では、上記のように行っても、まだ、被加工物質と試料台との間の接触部分は少なく、微視的にみればわずかな隙間を有している。また、この隙間には、プロセスガスが入り込み、このガスは、熱抵抗となる。一般のドライエッチング装置では、通常０．１Ｔｏｒｒ程度のプロセスガス圧によって被加工物質をエッチング処理しており、被加工物質と誘電体膜との間の隙間はプロセスガスの平均自由行路長より小さくなるため、静電吸着力による隙間の減少は、熱抵抗の点からはほとんど変わらず、接触面積が増加した分だけ効果が上がることになる。したがって、被加工物質と試料台との間の熱抵抗を減少させ被加工物質をより効果的に冷却するためには、大きな静電吸着力を必要とする。このため、このような技術では、次のような問題があった。
　　　【０００９】
　（１）被加工物質が試料台から離脱しにくくなるため、エッチング処理が終了した被加工物質の搬送に時間を要したり、被加工物質をいためたりする。
　　　【００１０】
　（２）大きな静電吸着力を生じるためには、誘電体膜と被加工物質との間に大きな電位差を与える必要があるが、しかし、この電位差が大きくなれば、被加工物質、すなわち、基板内の素子に対するダメージが大きくなるため、歩留まりが悪くなり、集積回路の集積度が高まるにつれて要求が高まっている薄いゲート膜の微細加工では、更に歩留まりが悪くなる。
　　　【００１１】
　上記第２の従来技術では、ヘリウムガス（以下、ＧＨｅと略）のように熱伝導性の優れた気体ガスを用いることで、ウェーハの冷却効率を向上させることができる。しかしながら、このような技術では、次のような問題があった。
　　　【００１２】
　（１）気体ガスがウェーハの冷却面側にとどまらずエッチング室内に多量に流れ込むため、ＧＨｅのように不活性ガスでもプロセスに与える影響は大きく、したがって、すべてのプロセスに使用することができない。
　　　【００１３】
　上記第３の従来技術では、基板の外周辺をクランプによって固定しても、ＧＨｅの真空処理室内への流出は避けられず、したがって上記した第２の従来技術での問題点と同様の問題を有し、更に次のような問題をも有している。
　　　【００１４】
　（１）機械的クランプ手段により基板の外周辺を押圧して、基板を電極に固定するため、基板は、流通するＧＨｅのガス圧により周辺支持状態で中高で凸状に変形する。このため、基板の裏面と電極との間の隙間量が大きくなり、これに伴って基板と電極との熱伝導特性が悪化する。このため、基板の冷却を充分効果的に行うことができない。
　　　【００１５】
　（２）電極に基板の外周辺を押圧して固定する機械的クランプ手段が設けられているため、基板内の素子製作面積が減少すると共に、プラズマの均一性が阻害され、また、機械的クランプ手段の動作時に、機械的クランプ手段に付着した反応生成物が機械的クランプ手段から脱落して、塵挨の発生する危険性があり、更に、基板搬送が極めて複雑となり、その結果、装置が大型化すると共に信頼性が低下する。
　　　【００１６】
　本発明の目的は、試料台に静電吸着され真空処理される試料の温度制御方法として、静電吸着力を増大させることなく伝熱効果を向上させて試料の温度を効果的に制御することができる試料の温度制御方法を提供することにある。
　　　【００１７】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明は、温度制御される試料台の試料配置面に試料
の少なくとも外周辺
真空処理室を介さずにその外部へ
吸引
　　　【００１８】
　本発明によれば、試料が
その少なくとも外周辺で
真空処理室を介さずにその外部へ
吸引
　　　【００１９】
　　【発明の実施の形態】
　試料を真空処理、例えば、プラズマ処理する装置としては、ドライエッチング装置，プラズマＣＶＤ装置，スパッタ装置等があるが、ここでは、ドライエッチング装置を例にとり本発明の実施例を説明する。
　　　【００２０】
　以下、本発明の一実施例を図１ないし図３により説明する。
　　　【００２１】
　図１にドライエッチング装置の概略構成を示す。真空処理室１０の、この場合、底壁には、絶縁体１１を介して試料台である下部電極２０が電気絶縁されて気密に設けられている。真空処理室１０には、放電空間３０を有し下部電極２０と上下方向に対向して上部電極４０が内設されている。
　　　【００２２】
　試料である基板５０の裏面に対応する下部電極２０の表面には、この場合、基板５０の裏面の周辺側に対応して絶縁物６０が埋設されている。絶縁物６０の内側の下部電極２０には、伝熱ガスの供給路を形成する溝２１が形成されている。溝２１は基板５０が載置されていない場合、放電空間３０と連通する。また、絶縁物６０には、溝２１につながるガス分散用の溝（図示省略）が形成されている。下部電極２０には、溝２１と連通してガス供給路２３ａとガス排出路２３ｂとが形成されている。また、下部電極２０内には、冷媒流路２２が形成されている。下部電極２０には、冷媒流路２２と連通して冷媒供給路２４ａと冷媒排出路２４ｂとが形成されている。
　　　【００２３】
　ガス供給路２３ａには、ガス源（図示省略）に連結された導管７０ａが連結され、ガス排出路２３ｂには、導管７０ｂの一端が連結されている。導管７０ａには、マスフローコントローラ（以下、ＭＦＣと略）７１が設けられ、導管７０ｂには調整バルブ７２が設けられている。導管７０ｂの他端は、真空処理室１０と真空ポンプ８０とを連結する排気用の導管１２に合流連結されている。冷媒供給路２４ａには、冷媒源（図示省略）に連結された導管９０ａが連結され、冷媒排出路２４ｂには、冷媒排出用の導管９０ｂが連結されている。
　　　【００２４】
　下部電極２０には、マッチングボックス１００を介して高周波電源１０１が接続されると共に、高周波遮断回路１０２を介して直流電源１０３が接続されている。なお、真空処理室１０，高周波電源１０１および直流電源１０３はそれぞれ接地されている。
　　　【００２５】
　また、上部電極４０には、放電空間３０に開口する処理ガス放出孔（図示省略）と該処理ガス放出孔に連通する処理ガス流路（図示省略）とが形成されている。処理ガス流路には、処理ガス供給装置（図示省略）に連結された導管（図示省略）が連結されている。
　　　【００２６】
　次に、図１の下部電極２０の詳細構造例を図２，図３により説明する。
　　　【００２７】
　図２，図３で、図１に示したガス供給路２３ａは、この場合、導管２５ａで形成され、導管２５ａは、この場合、下部電極２０の基板載置位置中心を軸心として上下動可能に設けられている。導管２５ａの外側には、図１に示したガス排出路２３ｂを形成して導管２５ｂが配設されている。導管２５ｂの外側には、図１に示した冷媒供給路２４ａを形成して導管２５ｃが配設されている。導管２５ｃの外側には、図１に示した冷媒排出路２４ｂを形成して導管２５ｄが配設されている。導管２５ｂの上端は電極上板２６につながり、導管２５ｄの上端は電極上板２６の下方の電極上板受２７につながっている。導管２５ｂの上端部には、電極上板２６と電極上板受２７と導管２５ｂとで空室２８が形成されている。空室２８には分割板２９が冷媒流路２２を形成して内設され、導管２５ｃの上端は分割板２９につながっている。
　　　【００２８】
　基板（図示省略）が載置される電極上板２６の表面には、この場合、放射状の伝熱ガス分散用の溝２１ａと円周状の伝熱ガス分散用の溝２１ｂとが複数条形成されている。伝熱ガス分散用の溝２１ａ，２１ｂは、導管２５ａ，２５ｂと連結している。また、基板が載置される電極上板２６の表面には、絶縁物６０が設けられている。この場合は、絶縁膜がコーティングされている。
　　　【００２９】
　なお、図２，図３で、１１０は基板が載置されない部分の電極上板２６の表面を保護する電極カバーで、１１１は下部電極２０の電極上板２６の表面以外を保護する絶縁カバー、１１２はシールド板である。また、導管２５ａの上端には、電極上板２６への基板の載置時並びに電極上板２６からの基板の離脱時に基板を裏面側から支持するピン１１３が、この場合、１２０度間隔で３本配設されている。
　　　【００３０】
　また、溝２１ａ，２１ｂの深さは、基板吸着時の基板の裏面と溝２１ａ，２１ｂの底面との間の隙間（以下、溝部隙間と略）が伝熱ガスの平均自由行路長以上になれば、伝熱ガスの伝熱効果が低下するようになるため、該溝部隙間が、好ましくは、伝熱ガスの平均自由行路長以下となるように溝２１ａ，２１ｂの深さを選定するのが良い。
　　　【００３１】
　また、基板の裏面で絶縁膜に静電吸着される部分（以下、吸着部と略）の面積は、伝熱ガスのガス圧と真空処理室１０の圧力との差圧による基板の下部電極２０からの浮上りを防止するために、伝熱ガスのガス圧と真空処理室１０の圧力との差圧により決まる必要静電吸着力により選定する。例えば、伝熱ガスの圧力が１Ｔｏｒｒで真空処理室１０の圧力が０．１Ｔｏｒｒの場合、基板の下部電極２０からの浮上りを防止するための必要静電吸着力は約１．３ｇ／ｃｍ２であり、従って、これより吸着部の面積は、基板の裏面面積の約１／５に選定される。
　　　【００３２】
　上記のように構成された図１乃至図３のドライエッチング装置で、基板５０は、公知の搬送装置（図示省略）により真空処理室１０に搬入された後に、その裏面外周辺部を絶縁物６０と対応させて下部電極２０に載置される。下部電極２０への基板５０の載置完了後、処理ガス供給装置から導管を経てガス流通路に供給された処理ガスは、ガス流通路を流通した後に上部電極４０のガス放出孔より放電空間３０に放出される。真空処理室１０内の圧力調整後、下部電極２０には高周波電源１０１より高周波電力が印加され、下部電極２０と上部電極４０との間にグロー放電が生じる。このグロー放電により放電空間３０にある処理ガスはプラズマ化され、このプラズマにより基板５０のエッチング処理が開始される。
　　　【００３３】
　また、これと共に下部電極２０には、直流電源１０３より直流電圧が印加される。基板５０のプラズマによるエッチング処理の開始により、このプラズマ処理プロセスによって生じるセルフバイアス電圧と直流電源１０３によって下部電極２０に印加される直流電圧とにより、基板５０は下部電極２０に静電吸着されて固定される。その後、溝２１ａ、２１ｂには、ガス源よりＭＦＣ７１及びガス供給路２３ａを順次介して伝熱ガス、例えば、処理ガスが供給される。このとき、処理ガスは、ＭＦＣ７１と調整バルブ７２との操作によりガス量を制御、すなわち、基板裏面のガス量、言い替えれば、ガス圧を制御される。これにより、冷煤流路２２を流通する冷煤、例えば、水や低温液化ガス等で冷却されている下部電極２０と基板５０との熱抵抗は減少させられ、基板５０は効果的に冷却される。
　　　【００３４】
　その後、エッチングの終了に近づくと、溝２１ａ，２１ｂへの処理ガスの供給は停止され、エッチングの終了に伴って、放電空間３０への処理ガスの供給と、下部電極２０への直流電圧および高周波電力の印加が停止される。その後、引続き基板５０に生じている静電吸着力は解除、この場合、電気的に接地されたピン１１３が基板５０に当接することによって静電気の除去が行われ、ピン１１３の作動により基板５０は下部電極２０上より除去される。その後、基板５０は、公知の搬送装置により真空処理室１０外へ搬出される。また、静電気の除去については、直流電圧の印加を停止した後に、高周波電力の印加を停止することによっても行うことができる。
　　　【００３５】
　以上、本実施例によれば、次のような効果が得られる。
　　　【００３６】
　（１）基板の裏面の外周辺だけでなくその裏面の他の部分も使用して基板を下部電極に固定できるため、伝熱ガスである処理ガスのガス圧による基板の変形を防止でき、下部電極に固定された基板の裏面と下部電極との間の隙間量の増大を抑制できる。従って、基板と下部電極との間の熱伝導特性の悪化を防止でき、基板を効率的に冷却できる。
　　　【００３７】
　（２）少なくとも基板の裏面の外周辺を吸着しているので、伝熱ガスである処理ガスは吸着部で真空処理室内への流出を抑制させるため、処理ガスのプロセスに与える影響は少なくなり、全てのプロセスに使用することができる。
　　　【００３８】
　（３）静電吸着によって基板と下部電極との接触面積を増加させて熱抵抗を減少させる従来の技術と比較すると、本実施例では、静電吸着力の大きさは処理ガスの圧力と真空処理室内の圧力との圧力差による基板の浮上りを防止するのに必要な大きさで良く、処理ガスの圧力とプラズマの圧力との差圧を、基板の裏面と下部電極との間の熱抵抗の許す範囲で小さくすることにより静電吸着力を小さくしても基板冷却の効果が十分得られる。
　　　【００３９】
　（４）静電吸着力が小さいため、基板の下部電力からの離脱が容易となり、エッチング処理が終了した基板の搬送時間を短縮できると共に、基板の損傷を防止できる。
　　　【００４０】
　（５）静電吸着力が小さくてよいため、基板に与えられる電位差は小さく基板内の素子に対するダメージを小さくできる。したがって、薄いゲート膜の微細加工でも歩留まりを悪化させる心配がない。
　　　【００４１】
　（６）基板を機械的クランプ手段によらず静電吸着力によって下部電極に固定しているため、基板内の素子製作面積の減少を防止できると共に、プラズマの均一性を良好に保持でき、また、下部電極への基板の載置時並びに下部電極からの基板の除去時に塵埃が発生する危険性がなく、更に、基板搬送を容易化でき、その結果、装置の大型化を抑制できると共に信頼性を向上できる。
　　　【００４２】
　図４は、本発明を実施したドライエッチング装置の他の例を示すもので、真空処理室１０の頂壁と上部電極４０には、真空処理室１０外部と放電空間３０とを連通して光路１２０が形成されている。光路１２０の真空処理室１０外部側には、透光窓１２１が気密に設けられている。透光窓１２１と対応する真空処理室１０外部には、温度計測手段、例えば、赤外線温度計１２２が設けられている。赤外線温度計１２２の出力はアンプ１２３を介してプロセス制御用コンピュータ１２４に入力され、プロセス制御用コンピュータ１２４により演算された指令信号がＭＦＣ７１に入力されるようになっている。なお、その他、図１と同一装置等は、同一符号で示し説明を省略する。
　　　【００４３】
　本実施例によれば、更に次のような効果が得られる。
　　　【００４４】
　（１）基板の温度を計測しながら処理ガスの供給量を調整、すなわち、ＧＨｅを供給するＭＦＣをプロセス制御コンピュータと結合し、あらかじめ求めた基板の温度とＧＨｅの供給量との間の関係からＧＨｅの供給量を制御することにより基板の温度を一定の温度に保持できる。このような制御は、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ材のドライエッチングの際に特に有効であり、ホトレジストがダメージを受けない範囲の高い温度に制御して被エッチング材の残渣を減少させることができる。
　　　【００４５】
　（２）プラズマの圧力が高い場合には、エッチング速度が基板の温度上昇に伴って増加するプロセスもあり、このような場合には、基板の温度があらかじめ設定した一定温度を超えた場合に、ＧＨｅを流して冷却効果を上げホトレジストのダメージを防止しながらエッチング時間の短縮を図ることができる。
　　　【００４６】
　以上説明した実施例では、基板の吸着に静電吸着力を用いているが、プラズマガスの圧力が高いプロセスにおいては真空吸着力を用いることも可能である。また、絶縁物下面に正極と負極とを交互に並べて配置し静電吸着力を基板に付与するようにしても良い。また、下地の材料が露出し始めてから更にオーバーエッチングを行うような場合は、下地の材料が露出し始めた時点でＧＨｅの供給を停止し下部電極に直流電圧を逆印加するようにする。このようにすれば、エッチング終了時点での基板に残留する静電力を更に減少させることができるため、基板搬出時に基板を損傷させることがなく、基板搬出に要する時間を短縮することができる。但し、この場合は、エッチング中の基板の温度をオーバーエッチング時の温度上昇分だけ下げておくよう制御してやる必要がある。また、伝熱ガスとしてＧＨｅの他に水素ガス，ネオンガス等の熱伝導性の良いガスを用いても良い。
　　　【００４７】
　なお、本発明は、その他の冷却される基板台に配置保持されて真空処理される試料の温度を制御するのに同様の効果を有する。
　　　【００４８】
　　【発明の効果】
　本発明によれば、試料台に静電吸着され真空処理される試料の温度制御方法として、静電吸着力を増大させることなく伝熱効果を向上させて試料の温度を効果的に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明を実施したドライエッチング装置の一例を示す構成図。
　　【図２】
　図１の下部電極の詳細平面図。
　　【図３】
　図２のＡ−Ａ視断面図。
　　【図４】
　本発明を実施したドライエッチング装置の他の例を示す構成図。
　　【符号の説明】
　１０…真空処理室、２０…下部電極、２１ａ…放射状分散溝、２１ｂ…円周状分散溝、２２…冷媒流路、２３ａ…ガス供給路、２４ａ…冷媒供給路、５０…基板。