【事件の表示】
　特許第３０３３１２８号「ドライエッチング方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０３３１２８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］本件発明
　本件特許第３０３３１２８号（平成２年５月２５日出願、平成１２年２月１８日設定登録。）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
　「シリコン系材料層上の面積の異なる被エッチング領域をエッチングすることにより該シリコン系材料層に所定のパターンを形成するドライエッチング方法において、
少なくとＨＢｒとフッ素系ガスとＮ２ガスを含むエッチングガスにより、相対的に広い面積を有する被エッチング領域において相対的に狭い面積を有する被エッチング領域におけるよりも多い量のエッチング反応生成物及び／又は副反応生成物を堆積させながら異方性エッチングを行うことで、上記相対的に広い面積を有する被エッチング領域のエッチング速度を低下させ、上記相対的に狭い面積を有する被エッチング領域のエッチング速度に近づけることを特徴とするドライエッチング方法。」
　
［２］特許異議の申立ての理由の概要
　特許異議申立人　高柳　馨は、次の甲第１、２号証及び参考資料１、２を提出して、本件発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張する。
　
　甲第１号証：特開昭５８−２０４５３７号公報
　甲第２号証：特開平２−８６１２６号公報
　参考資料１：米国特許第４８４２６７６号明細書
　参考資料２：特開昭５３−１４０２４０号公報
　
［３］提出された証拠の記載事項
（３−１）甲第１号証
　上記甲第１号証の特開昭５８−２０４５３７号公報には、逆テーパーエッチングを防止して試料の微細加工を可能とするプラズマエッチング方法に関する発明が、第１〜６図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「１．エッチングガスを導入してプラズマを形成し、上記プラズマ中の活性粒子を試料に入射させて上記試料の表面をエッチングするプラズマエッチング方法において、上記エッチングガスとして窒素ガスに換算して５〜１３％の窒素を含んだガスが添加されたフッ素系ガスを使用することを特徴とするプラズマエッチング方法。
　・・・
４．上記窒素含有ガスが窒素ガス、・・・からなる群から選ばれた少なくとも１つのガスからなることを特徴とする第１項記載のプラズマエッチング方法。
５．上記試料がシリコンからなる半導体基板であることを特徴とする第１項のプラズマエッチング方法
６．上記フッ素系ガスがＳＦ６ガスからなることを特徴とする第１項記載のプラズマエッチング方法。」（特許請求の範囲）、
　「ところで、第６図に示すようにＮ２をふやすとシリコン基板２の実効エッチ速度が減少することは避けられない。」（３頁左下欄１９行〜右下欄１行）、　「従って、エッチング速度の減少はフッ素ラジカル量を減少させたためではなく、例えば、窒素ラジカルがシリコン基板２と反応してエッチングを妨げるとか、シリコン表面でフッ素ラジカルが横方向に動くのを妨げることなどが考えられる。」（４頁左上欄９〜１４行）
　
　以上、まとめると、甲第１号証には、フッ素系ガス（ＳＦ６ガス）を使用するシリコン基板のエッチングにおいて、Ｎ２を添加すると窒素ラジカルとシリコン基板との反応によってエッチングが妨げられ、エッチング速度が減少することにより、逆テーパーエッチングを防止することが開示されている。
　
（３−２）甲第２号証
　上記甲第２号証の特開平２−８６１２６号公報には、臭化水素によるシリコンの高選択性プラズマエッチングに関する発明が、第２ａ、ｂ図とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　「１．シリコンを持つ材料の層を選択的にエッチングすることにより半導体を製造するに当り、（ａ）シリコンを持つ材料の層の上にエッチングする領域のみを露出させるようにパターン化したマスクを設け、（ｂ）酸化物エッチングプラズマにより前記のシリコンを持つ層からすべての表面酸化物を除去し、（ｃ）次いで前記のシリコンを持つ層を臭化水素プラズマにさらしてフォトレジスト及び酸化ケイ素に比べて前記のシリコンを持つ層を選択的にエッチングする段階をそなえるシリコンを持つ材料の層を選択的にエッチングすることによる半導体の製造方法。
　・・・
３．前記臭化水素プラズマが不活性ガスと混合したＨＢｒガスである請求項１記載の製造方法。
４．前記不活性ガスがＨｅ、Ａｒ又はＮ２である請求項３記載の製造方法。」
　
　以上まとめると、甲第２号証には、ＨＢｒガスによりシリコンを持つ材料の層を高選択性エッチングする場合に，不活性ガスであるＮ２ガスを混合することが開示されている。
　
（３−３）参考資料１
　上記参考資料１の米国特許第４８４２６７６号明細書には、タングステンをプラズマエッチングするための混合ガスとして、ＳＦ６、ＨＢｒ、そして炭化水素源を含むことが開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「タングステンフィルムをエッチするプロセスで次のステップを含む、
（ａ）前記フィルムを低圧のプロセスチャンバに配置する；
（ｂ）ＳＦ６、ＨＢｒ、そして炭化水素源の混合物を含むガスからリモートプラズマを生起する；
　・・・」（クレーム１）
　
（３−４）参考資料２
　上記参考資料２の特開昭５３−１４０２４０号公報には、グロー放電プラズマ中でアルミニウムまたはアルミニウム基合金を選択的にエッチングする場合に、アルミニウム基合金としてアルミニウム−シリコン、すなわちアルミニウムシリサイドを用いることが記載されている。
　
［４］対比・判断
　本件発明と甲第１号証に記載された発明（以下、「甲第１発明」という。）とを対比すると、両者は、シリコン系材料層上の被エッチング領域をエッチングすることにより該シリコン系材料層に所定のパターンを形成するドライエッチング方法の点で一致する。
　しかしながら、甲第１発明は、フッ素系ガス（ＳＦ６）に窒素ガスを添加したガスを使用することにより、シリコン半導体基板のエッチング速度を減少させて逆テーパーエッチングを防止するものであるのに対し、本件発明は、ＨＢｒとフッ素系ガスとを含む混合ガスをエッチングの基本ガスとして、これにＮ２ガスを添加することにより、相対的に広い面積を有する被エッチング領域において相対的に狭い面積を有する被エッチング領域におけるよりも多い量のエッチング反応生成物及び／又は副反応生成物を堆積させながら異方性エッチングを行うことで、上記相対的に広い面積を有する被エッチング領域のエッチング速度を低下させ、上記相対的に狭い面積を有する被エッチング領域のエッチング速度に近づけるようにした点で相違する。
　
　そこで、上記相違点について、以下検討する。
　甲第１発明では、フッ素系ガスに窒素ガスを添加することによりシリコン半導体基板のエッチング速度を減少させており、この作用は、本件発明の、Ｎ２ガスの添加による被エッチング領域のエッチング速度の低下という作用と同様のものである。
　しかしながら、甲第１発明によるエッチング速度の低下の結果として、相対的に広い面積を有する被エッチング領域において相対的に狭い面積を有する被エッチング領域におけるよりも多い量のエッチング反応生成物及び／又は副反応生成物を堆積させながら異方性エッチングを行うことで、相対的に広い面積を有する被エッチング領域のエッチング速度を低下させ、相対的に狭い面積を有する被エッチング領域のエッチング速度に近づけることまでは明らかではない。
　しかも、本件発明は、ＨＢｒとフッ素系ガスとを含む混合ガスをエッチングの基本ガスとしたものであるが、甲第１発明は、逆テーパーエッチングを防止するために、フッ素系ガスをエッチングの基本ガスとしたものであって、ＨＢｒを混合させるようなことは何も示唆されていない。
　してみると、甲第２号証に記載された発明（以下、「甲第２発明」という。）において、フォトレジスト及び酸化ケイ素に比べてシリコンを持つ材料の層を選択的にエッチングするために，Ｎ２を混合したＨＢｒガスを用いているからといって、甲第１発明のエッチングの基本ガスであるフッ素系ガスに解決課題の異なる甲第２発明のＨＢｒガスを混合すべき理由は何もないから、本件発明を容易に想到することはできない。
　
　これに対して、申立人は、申立人の提出した参考資料１には、タングステンをプラズマエッチングするために，ＳＦ６（フッ素系ガス）、ＨＢｒ、そして炭化水素源の混合物を含むガスを用いることが開示されているから、甲第１、２発明を組み合わせて、シリコン系材料層のエッチングガスとして、ＨＢｒとフッ素系ガスとＮ２ガスを含むエッチングガスを用いることは容易に想到できる事項である旨主張している。
　しかしながら、参考資料１に記載されたエッチングの対象物は、高融点金属であるタングステンであって、甲第１、２発明のように半導体であるシリコンではないから、参考資料１に、ＳＦ６（フッ素系ガス）とＨＢｒの混合ガスを用いることが記載されているからといって、シリコンのエッチングの基本ガスとして、ＨＢｒとフッ素系ガスとを含む混合ガスを用いることは容易に想到できるということはできない。
　また、申立人が提出した参考資料２には、グロー放電プラズマエッチングにおいて、アルミニウムのエッチングガスをアルミニウム−シリコン、すなわちアルミニウムシリサイドのエッチングガスとして使用できることが記載されているから、参考資料１に記載されたタングステンのエッチングに使用するエッチングガスをタングステンシリサイドのエッチングに使用できる旨主張している。
　しかしながら、参考資料２に記載されたエッチングは、あくまでアルミニウム及びアルミニウムシリサイドのエッチングであって、参考資料１に記載されているようなタングステンのエッチングではないし、ましてや、タングステンのエッチングに使用したエッチングガスをタングステンシリサイドのエッチングにも使用することができることまで示唆しているということはできない。
　よって、申立人の主張は採用できない。
　
　そして、本件発明は、明細書に記載されているように、微細なパターンをエッチングする場合にもマイクロローデイング効果の影響を抑制しながら高異方性加工を行うことができ、過度のオーバーエッチングが不要となり、下地の損傷も防止できるとの顕著な作用効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　さらに、本件発明は、甲第１、２号証及び参考資料１、２を如何に組み合わせてみても容易に発明をすることができたものではない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願についてなされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月２９日（２００１．６．２９）