【事件の表示】
　特許第２６５９０００号「薄膜トランジスタの製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについてされた平成１２年２月１０日付異議の決定に対し、東京高等裁判所において決定取消の判決（平成１２年（行ケ）第１２５号、平成１３年４月９日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２６５９０００号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許２６５９０００号に係る出願は、昭和６２年２月６日に出願された特願昭６２年２６６７７号の一部を特許法第４４条第１項の規定により、平成７年１２月１８日に特願平７年３２８６１３号として特許出願され、平成９年６月６日に設定登録されたものである。その後、牧田由男、セイコーエプソン株式会社及び富士通株式会社からそれぞれ特許異議の申立があり、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年９月２９日に訂正請求がなされ、この訂正請求に対して訂正拒絶理由通知がなされた。当審では、同特許異議の申立てにつき審理した上、平成１２年２月１０日に「訂正を認めない。特許第２６５９０００号の特許を取り消す。」との決定をした。
　
　これに対し特許権者は、平成１２年４月１７日、本件決定の取消しを求める本件訴えを東京高等裁判所に提起した（平成１２年（行ケ）第１２５号）後、同年１２月２２日、本件明細書の記載を訂正する旨の訂正審判の請求をしたところ、当審で同請求を訂正２０００−３９１６３号事件として審理した上、平成１３年２月１４日、上記訂正を認める旨の審決をした。
　しかして、この訂正審決の確定により特許請求の範囲の請求項１が下記のとおり訂正されたから、本件発明の要旨を本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１記載のとおりである旨認定したことが結果的に誤りであったことに帰し、この要旨認定を前提とした本件決定は瑕疵があるものとして、審決を取消す旨の判決（平成１３年４月９日言渡）があった。
　
２．本件発明の要旨
　本件発明の要旨は、上記訂正審判において請求された訂正明細書の特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりのものである。（以下、「本件発明」という。）
「プラズマを発生させる放電室と、前記放電室で励起したプラズマ中のイオンをガラスからなる絶縁基板上の多結晶あるいは非晶質シリコン膜に照射する処理室と、前記放電室と前記処理室の間に設けられた電極と、前記電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極とを備えたイオンシャワードーピングのための装置を用い、
　前記ガラスからなる絶縁基板上に、チャンネル部とソース、ドレイン部となる多結晶あるいは非晶質シリコン膜を形成した後、前記シリコン膜上に形成したマスクを用いて前記シリコン膜のソース、ドレイン部に、前記ガラスからなる絶縁基板から離れた位置にある前記放電室のプラズマ空間中で形成された周期律表III又はＶ族元素イオンを含む不純物イオン及び水素イオンを前記放電室のプラズマ空間中から前記別の電極の反対側へ引出し加速し前記処理室内のシリコン膜に同時に照射して、不純物イオンの注入によって発生した前記シリコン膜の欠陥を水素イオンで補償しながら、ソース、ドレイン領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
３　特許異議申立の概要（刊行物の項番は、取消理由通知と異なる。）
３．１　特許異議申立人：牧田由男は、甲第１号証（刊行物１：特開昭５８−２１８６４号公報）、甲第２号証（刊行物２：特開昭５６−１３８９２１号公報）、甲第３号証（刊行物３：特開昭５８−２８８６７号公報）及び参考資料１（刊行物４：特開昭６１−２２６６９号公報）を提出し、本件発明は、甲第１〜３号証から当業者が容易になし得た発明であり、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　
３．２　特許異議申立人：セイコーエプソン株式会社は、甲第１号証（刊行物５：特開昭６１−４８９７９号公報）、甲第２号証（刊行物６：特開昭６１−１４７６２号公報）、甲第３号証（刊行物７：特開昭６３−１９４３２６号公報）及び参考資料（刊行物８：特許第２５１６９５１号公報）を提出し、本件発明は、甲第１号証又は甲第２号証と同一、もしく甲第１号証又は甲第２号証から当業者が容易になし得た発明であり、また、本件発明は親出願に係る特許第２５１６９５１号の請求項１に係る発明と同一であって不適法な分割出願なので出願日の遡及が認められず甲第３号証（親出願の公開公報）と同一であり、特許法第２９条第１項第３号もしくは同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　
３．３　特許異議申立人：富士通株式会社は、甲第１号証（刊行物９：第４７回応用物理学会学術講演会講演予稿集２８ｐ−Ｍ−１「低電圧イオンシャワーによる不純物ドーピング」昭和６１年９月２７〜３０日）、甲第２号証（刊行物１０：特開昭５６−８５８７７号公報）、甲第３号証（刊行物１１：特開昭５８−１６８２７８号公報）及び甲第４号証（刊行物１２：特開昭５８−２１６２８５号公報）を提出し、本件発明は、甲第１〜４号証から当業者が容易になし得た発明であり、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　
４　分割出願が適法か否かの検討
　特許異議申立人：セイコーエプソン株式会社は、本件発明は親出願に係る特許第２５１６９５１号の請求項１に係る発明と同一であって不適法な分割出願なので出願日の遡及が認められないと主張しているので、分割出願が適法か否かについて検討する。
　本件発明の親出願に係る特許第２５１６９５１号の請求項１に係る発明（刊行物８参照：以下、「親発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】容器内に周期律表第III族元素又は第Ｖ族元素を含む不純物及び水素イオンを含有するプラズマ空間を形成し、前記プラズマ空間中から不純物イオン及び水素イオンを引き出して、基板上に形成された多結晶あるいは非晶質シリコン薄膜上に照射し、前記多結晶あるいは非晶質シリコン薄膜上に形成したマスクを用いて選択的に前記多結晶あるいは非晶質シリコン薄膜に前記不純物イオン及び水素オンを同時に導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　本件発明と親発明を対比すると、本件発明の構成要素である「放電室と記処理室の間に設けられた電極と、前記電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極とを備えた」点、「ガラスからなる絶縁基板上」である点、及び照射するのが「ソース、ドレイン部」である点が、親発明にはなく、明らかに両者は同一ではない。
　したがって、本件分割出願は適法であり、出願日の遡及は認められる。
　よって、刊行物７：特開昭６３−１９４３２６号公報（親出願の公開公報）は、本件特許出願前に頒布された刊行物とは認められない。
　
５　各刊行物に記載された発明
５．１　刊行物１：特開昭５８−２１８６４号公報
　刊行物１は、「アクテイブ・マトリツクス基板」に関するものであり、以下の点が第５図と共に記載されている。
「ソース・ドレイン３４，３５にはＮ＋拡散（ＰチャネルならＰ＋）がなされ」（第２頁左下欄第１３行〜第１４行）
「透明基板４０上に、・・・ゲート電極４１・・・ゲート絶縁膜４２・・・シリコン層４３を形成する。（第５図（イ））この状態でネガレジストを上面に塗布し、透明基板の下側から全面露光・・・現像するとゲート電極４１のパターン通りにレジスト４５が残る。このレジスト４５をマスクとして不純物イオンを打込むと、ソース・ドレイン部４６にはイオンが打込まれて低抵抗層となり」（第２頁左下欄第１８行〜第３頁左上欄第１行）
　
５．２　刊行物２：特開昭５６−１３８９２１号公報
　刊行物２は、「不純物導入層の形成方法」に関するものであり、以下の点が第２図と共に記載されている。
　「被処理物が配置され、不純物又は不純物を含む物質が導入された容器内に放電を発生せしめ、該放電によって生ずる不純物又は不純物を含む物質のイオンを前記被処理物の表面に導入し、該被処理物表層部に不純物導入層を形成することを特徴とする不純物導入層の形成方法。」（特許請求の範囲）
　「本発明は不純物導入層の形成方法にかかり、特に浅い不純物導入層の形成方法に関する。」（第１頁左下欄第１１行〜第１２行）
　「又本発明の方法をイオン・ビーム・エッチング装置を用いて行う第２の実施例に於ては、第２図に示すように上部にマイクロ（μ）波導入窓８を有し、中間部にイオン加速電極９を有し、下部に絶縁された試料台１０を有する真空容器３の試料台１０上に被処理物例えばＳｉ基板４を載置し、ガス導入管５から真空容器３内へ２０［ｃｃ／分］の量で例えばＰＨ３：Ｈ＝１：９９の組成を有する混合ガスを導入しながら、排気管６から排気を行って真空容器３内の混合ガスの圧力を例えば０．１［Ｔｏｒｒ］とする。
　そして真空容器３の上部に配設された導波管１１を通して、例えば２．４５［ＧＨｚ］のμ波を真空容器３内の混合ガスに照射し放電を起こさせ、この放電によって発生したＰ及びＰとＨの化合物のイオンを例えば６００［Ｖ］の電位差を与えた加速電極９により加速し、イオン電流１［ｍＡ／ｃｍ２］の条件で例えば１［分］間Ｓｉ基板４の表面に注入する。
　そして上記注入条件に於てＳｉ基板４の表層部に形成されるＰの注入層即ちＮ＋−Ｓｉ層は、Ｐの表面濃度１０２０［個／ｃｍ２］程度で、深さ５０［Å］程度の極めて薄い均一な層となり、この極めて薄いＮ＋−Ｓｉ層のＰ濃度や深さの値はＰ或るいはＰの化合物を含むガスの組成，流量及び圧力やイオンの加速電圧，イオン電流等の条件を一定にすれば極めて再現性よく形成することができる。
　なおこの不純物導入層は活性化するために熱処理を施す場合もある。
　又上記イオン・ビーム・エッチング装置を用いる方法に於てはイオン電流の測定が可能であるので不純物導入層の不純物濃度を極めて精度よく制御することができる。
　上記第１，第２の実施例に於ては、何れも本発明を被処理基板の一面全体に薄い不純物導入層を形成する場合について説明したが、本発明の方法はフォト・レジスト等のマスク材を用いて基板面に選択的に不純物導入層を形成する際にも適用することができる。」（第２頁右上欄第２行〜左下欄第１９行）
　「以上説明したように本発明の方法によれば、不純物濃度が充分に制御された浅い不純物導入層を正確な深さに形成することができる。
　又本発明の方法に於ては被処理基板を載置する電極或るいは試料台全面に不純物イオンが同時に照射されるので、多数枚の被処理基板の同時処理が可能なので作業能率が大幅に向上するとともに、比較的安価なドライ・エッチング装置を兼用することができるので設備費を大幅に削減することができる。」（第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄第８行）
　また、第２図の記載から、プラズマ空間は被処理物から離れた位置にあることは明らかである。
　以上の記載から、刊行物２には、「上部にマイクロ（μ）波導入窓を有し、中間部にイオン加速電極を有し、下部に絶縁された試料台を有する真空容器の試料台上に被処理物を載置し、被処理物から離れた位置にあるプラズマ空間中で形成されたイオンをプラズマ空間中から引出して、被処理物に導入する不純物導入層の形成方法」が記載されている。
　
５．３　刊行物３：特開昭５８−２８８６７号公報
　刊行物３は、「アクティブ・マトリックス基板」に関するものであり、以下の点が第６図と共に記載されている。
「透明基板６０上にシリコン薄膜６１を形成後ゲート絶縁膜６２を・・・形成する。その後ゲート電極６６を・・・形成して、このゲート電極をマスクにイオン打込み法、熱拡散法等により不純物濃度の高い低抵抗部ソース・ドレイン６３，６４・・・を形成する。」（第２頁左下欄第１７行〜右下欄第４行）
　
５．４　刊行物４：特開昭６１−２２６６９号公報
　刊行物４は、「薄膜トランジスタ及びその製造方法」に関するものであり、以下の点が記載されている。
「水素イオンをイオン注入によって、多結晶シリコン膜（２）に含有させる。・・・イオン注入によりダングリングボンドが減少する」（第３頁左上欄第２行〜第９行）
　
５．５　刊行物５：特開昭６１−４８９７９号公報
　刊行物５は、「多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法」に関するものであり、以下の点が第２図と共に記載されている。
　「（１）多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、ソース領域及びドレイン領域をＰＨ３（フオスフイン）またはＢ２Ｈ６（ジボラン）を含む反応性気体をプラズマ分解することによりドーピングして形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。
（２）Ｈ２（水素）によって希釈されたＰＨ３又はＢ２Ｈ６を含む反応性気体をプラズマ分解することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。」（特許請求の範囲）
　「（技術分野）本発明は大面積基板に低温プロセス（約６００℃以下）により、ソース領域及びドレイン領域を形成して作製される多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法に関する。」（第１頁左下欄第１６行〜右下欄第２行）
　「［目的］本発明は、耐熱温度の低いガラス基板上に、欠陥密度の少ないＮチヤネル及びＰチヤネル多結晶シリコン薄膜トランジスタを大面積にわたって作製することを可能にさせることが目的である。」（第２頁右上欄第１５行〜第１９行）
　「（実施例）第２図は、本発明の実施例を示す図である。同（ａ）に示すようにガラス基板７上に、多結晶シリコン薄膜８を形成する。その上にゲート絶縁膜９を堆積させ、次いでゲート電極１０を形成する。続いて同図（ｂ）で示すように該ゲート電極１０をマスクとしてゲート絶縁膜９に示すような形にパターニングしソース領域及びドレイン領域となる多結晶シリコン薄膜の表面を露出させる。そして、Ｎチヤネル薄膜トランジスタを作製する場合は、ＰＨ３プラズマ雰囲気中に、Ｐチヤネル薄膜トランジスタを作製する場合はＢ２Ｈ６プラズマ雰囲気中にさらすことにより、ソース領域１１及びドレイン領域１２を形成する。この時、Ｈ＋も同時に膜中に取り込まれる。プラズマ発生装置としては、誘導結合型あるいは容量結合型の通常のプラズマＣＶＤ装置を応用できる。前記ＰＨ３ガスあるいはＢ２Ｈ６ガスはＨ２にて希釈されているのでプラズマ雰囲気の温度は３００℃以下におさえる。
これは、膜中に取り込まれたＨ＋が外へ放出されるのを防ぐためである。その後同図（ｃ）に示すように層間絶縁膜１３を堆積させ、コンタクトホールをあけてソース電極１４及びドレイン電極１５を形成して薄膜トランジスタが完成する。
（効果）本発明により、低温（６００℃以下）で、多結晶シリコン薄膜トランジスタを作製することができる。しかも不純物拡散にイオン打込み装置を使わずプラズマ分解を用いるので、費用を大幅に低減させることができ、さらに、大面積基板に薄膜トランジスタを作製することが可能となる。まず、不純物の拡散にイオン打込み装置を使わなくてすむということで装置にかかる費用は大幅に削減できる。プロセスは低温でよいので安価なガラス基板を用いることができる。」（第２頁左下欄第５行〜右下欄第１９行）
　「従ってプラズマ雰囲気中にはＨ＋も多量に発生しており、多結晶シリコン薄膜を水素プラズマ処理する効果も得られる。多結晶シリコンを水素プラズマ雰囲気にさらすと、結晶粒界付近に存在するダングリングボンドがＨ＋によって終端化されＳｉ−Ｈ結合が生成される。ダングリングボンドはトラップ中心として働くが、そのトラップ中心が減少するため、従って易動度が増大するという効果がある。本発明を実施すれば、ソース領域及びドレイン領域を形成すると同時に多結晶シリコン薄膜を水素プラズマ処理することができるので易動度の向上が計れるという大きな効果が期待できるものである。一方、水素プラズマによりトラップ中心を終端化しながらＰあるいはＢをドーピングするので、不純物原子の活性化率も向上するものである。
　以上述べてきたように、本発明は、信頼性のよい多結晶シリコン薄膜を用い、安価なガラス基板上に大面積にわたって薄膜トランジスタを作り込むことを可能にする。しかも、多結晶シリコンに本質的に多量に含まれるダングリングボンドを低減させながらソース領域及びドレイン領域を形成するという優れた不純物拡散方法を用いているので薄膜トランジスタの易動度を増大させるという効果もあわせて持っている。」（第３頁左上欄第１０行〜右上欄第１４行）
　以上の記載から、刊行物５には、耐熱温度の低いガラス基板上に、欠陥密度の少ないＮチヤネル及びＰチヤネル多結晶シリコン薄膜トランジスタを大面積にわたって作製することを可能にさせることを目的とする「ガラス基板上に、多結晶シリコン薄膜を形成した後、その上に形成したゲート電極をマスクとして用いて前記多結晶シリコン薄膜のソース領域、ドレイン領域を、Ｈ２によって希釈されたＰＨ３又はＢ２Ｈ６を含む反応性気体をプラズマ分解したプラズマ雰囲気中にさらすことによりソース、ドレイン領域を形成することを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。」が記載されている。
　
５．６　刊行物６：特開昭６１−１４７６２号公報
　刊行物６は、「薄膜電界効果トランジスタの製造方法」に関するものであり、以下の点が第１図と共に記載されている。
「本発明の目的は、ゲート電極とソース・ドレインとを自己整合させた薄膜半導体装置の製造を簡便かつ短時間で行なう薄膜電界効果トランジスタの製造方法を提供することにある。」（第２頁右上欄第１８行〜左下欄第１行）
「第１図（ａ）ではガラス基板（１）上に・・・ａ−Ｓｉ膜（２）・・・酸化シリコン膜（３）・・・ゲート電極（４）を形成する。さらに・・・ＰＨ３プラズマ中で処理することによりゲート電極(４)をマスクとしてａ−Ｓｉ膜（２）中に不純物原子となるＰを添加しソース領域（５）とドレイン領域（６）を形成する。・・・ドーピングガスとしては水素希釈による１０００乃至１００００ｐｐｍのＰＨ３・・・ＰＨ３ガス圧は０．１乃至５Ｔｏｒｒ程度が良い。さらに放電は・・・高周波プラズマ（１３．５６ＭＨｚ）であれば良い。・・・水素を含んだプラズマ中でドーピングさせるため、従来技術で示したような水素脱離の問題は生じないことはもちろんであり、更に・・・ドープ領域の膜質の改善が生じ良好なＴＦＴ特性が得られる。」（第２頁左下欄第２０行〜第３頁左上欄第１６行）。
「ａ−Ｓｉ膜（２）の代わりに・・・多結晶半導体膜であっても良い。・・・不純物添加用ガスは、ＰＨ３のみに限らず、Ｂ２Ｈ６，ＡｓＨ６等のドナー又はアクセプター不純物を含むガスであれば良い。」（第３頁右上欄第１９行〜左下欄第７行）。
　
５．７　刊行物９：第４７回応用物理学会学術講演会講演予稿集２８ｐ−Ｍ−１「低電圧イオンシャワーによる不純物ドーピング」昭和６１年９月２７〜３０日
　刊行物９は、「低電圧イオンシャワーによる不純物ドーピング」に関するものであり、以下の点が記載されている。
「前書き：ＭＯＳＦＥＴの高集積化に伴い、短チャンネル効果を低減するための浅い接合を形成する研究、さらに浅い接合を形成するための低エネルギーのイオン注入に関する研究・・・がなされている。我々は簡素な機構のイオンシャワー装置で１〜６ｋＶの電圧で加速したイオンによる不純物のドーピングを行い、不純物の分布や電気的特性等を評価した。
実験内容：実験装置は、高周波（１３．５６ＭＨｚ）と静磁場の印加により、１０−３〜１０−４Ｔｏｒｒの圧力下で放電を行い、発生したプラズマから正イオンを引き出し、質量分離を行わず、１〜６ｋｅＶにイオンを加速して試料への不純物ドーピングを行うものである。ドーピングガスには水素希釈０．５％のＰＨ３及びＢ２Ｈ６を用い、試料として単結晶Ｓi（ｐ型，ｎ型ρ〜１０Ω・ｃｍ）を用いた。・・・加速電圧：３．５ｋＶ」（左欄第１行〜第１１行）
「また同時に打ち込まれている水素は・・・ドーピング後の試料に９５０℃３０分のアニールを行い」（左欄下から２行〜右欄第２行）
　
５．８　刊行物１０：特開昭５６−８５８７７号公報
　刊行物１０は、「アモルファス半導体膜の処理方法」に関するものであり、以下の点が記載されている。
「ａ半導体の薄膜を形成した基板を設置した基板ホルダーと電極とを対向配置したベルジャー内を真空に排気したのち、水素ガスまたはハロゲン族元素を含むガスまたはIII，Ｖ族元素と水素の化合物であるＢ２Ｈ６またはＰＨ３等のガスを導入し、上記基板ホルダーと電極間にグロー放電を生じさせ、上記グロー放電によって前記水素ガス，またはフッ素ガス及び上記Ｂ２Ｈ６ガス，ＰＨ３ガス等を分解励起させる。
　そして該分解励起させて生じた水素イオン又は原子，分子，フッ素イオン又は原子，分子，またはＢ２Ｈ６ガスおよびＰＨ３ガスの分解励起によって生じた水素イオン又は原子，Ｂ，Ｐ又はＦ原子又はイオン等を前記高周波電圧又はＤＣの印加によって生じた電界や拡散によって基板上のａ半導体の膜中に導入し、」（第２頁左下欄第８行〜同頁右下欄第３行）
「水素原子をａＳｉ膜中に導入する場合上記ａＳｉ膜上を所定のパターンを有するレジスト又は金属マスク等で被覆すれば、所定のパターンに応じ光導電性又は比抵抗が制御されたａＳｉ膜が形成され」（第３頁左欄第１５行〜第１９行）
　
５．９　刊行物１１：特開昭５８−１６８２７８号公報
　刊行物１１は、「薄膜トランジスタの製造方法」に関するものであり、以下の点が第４図と共に記載されている。
「まず透明絶縁性基板４１上に不透明金属ゲート電極４２を形成した後、全面にゲート絶縁膜４３を堆積する（ａ）。・・・次に全面に例えば低不純物濃度のｐ型の半導体薄膜４４を堆積する（ｂ）。半導体薄膜４４としては、多結晶シリコン、マイクロクリスタルシリコン、単結晶シリコンを約１μｍ以下の厚さに形成する。・・・こうしてゲート電極４２にセルファラインされたレジストパターンを形成し、イオン注入４８を行ってｎ＋型のソース領域４９、ドレイン領域５０を形成する（ｅ）。」（第２頁右下欄第４行〜第３頁左上欄第１７行）
　
５．１０　刊行物１２：特開昭５８−２１６２８５号公報
　刊行物１２は、「透過型液晶表示パネル用薄膜トランジスタ」に関するものであり、以下の点が第５図と共に記載されている。
「透明絶縁基板５０１に多結晶シリコン５０２を形成・加工し、ゲート酸化膜５０３を熱酸化あるいはＣＶＤ法により形成する。次にゲート電極としてＮ型不純物を含む多結晶シリコン５０４を形成・加工し、前記ゲート電極をマスクとして、Ｎ型不純物をイオン注入することにより、ソース・ドレイン電極５０５を形成したのが同図（ｂ）である。」（第２頁右下欄第４行〜第１０行）
　
６　本件発明と各刊行物に記載の発明との対比・判断
　本件発明と刊行物１〜６及び９〜１２に記載の発明とを対比すると、刊行物１〜６及び９〜１２には、本件発明の必須の構成要件である「放電室と処理室の間に設けられた電極と前記放電室を挟んで反対側に設けられた別の電極を備えたイオンシャワードーピング装置」が記載されておらず、さらにこれらを示唆する記載もない。また、本件発明は、前記構成要件を具備することにより、別の電極（背面電極）は、イオンが背面側に照射されることを防止し、結果として「均一なプラズマと所望のイオンを容易に得る事ができ、従って大面積基板に対し均一に短時間で薄膜トランジスタを製造することができる」（特許公報第５頁第１０欄第１８行〜第２０行）という効果を奏するものである。
　ゆえに、本件訂正発明が、上記刊行物１〜６及び９〜１２に記載された発明と同一であるとも、また刊行物１〜６及び９〜１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
７　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月１０日（２０００．２．１０）