【事件の表示】
　特許第２８９３９４５号「液晶表示装置」の請求項１に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８９３９４５号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２８９３９４５号に係る出願は、平成２年６月１５日に出願された実願平２−６３４７５号を特許法第４６条第１項の規定により平成２年１１月２８日に特許出願に変更されたものであり、平成１１年３月５日にその設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年５月９日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月２８日に特許異議意見書が提出されたものである。
２．訂正請求の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の請求項１、
「一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板上には、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差するように配置された信号線と、前記走査線と信号線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、保持容量とが形成されてなり、前記一対の基板の他方の基板の表面には対向電極が配置されてなる液晶表示装置において、前記対向電極は、その平均電位Ｖｐが前記信号線の平均電位Ｖｓと前記液晶のしきい値電圧Ｖthとの間に｜Ｖｓ−Ｖｐ｜≦Ｖthの関係が成立するように設定されてなり、且つ
　△ＶG・Ｃgd／（Ｃgd＋Ｃｌmax＋Ｃstg）≦｜Ｖｓ−Ｖｐ｜≦
　△ＶG・Ｃgd／（Ｃgd＋Ｃｌmin＋Ｃstg）
が成立するように設定されてなることを特徴とする液晶表示装置。
ただし、
Ｃstg　　：保持容量
Ｃgd　　 ：前記薄膜トランジスタのゲートとドレイン間に存在する容量
△ＶG　　：前記走査線の選択パルスの電圧振幅
Ｃｌmax　：前記液晶の一画素分の最大容量
Ｃｌmin　：前記液晶の一画素分の最小容量」
を、
「一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板上には、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差するように配置された信号線と、前記走査線と信号線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、保持容量とが形成されてなり、前記一対の基板の他方の基板の表面には対向電極が配置されてなる液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタのドレイン領域を延長して形成した不純物半導体薄膜と、ゲート絶縁膜を延長して形成した絶縁膜を介して前記不純物半導体薄膜と対向する共通電極とを含んで前記保持容量が形成され、前記対向電極は、その平均電位Ｖｐが前記信号線の平均電位Ｖｓと前記液晶のしきい値電圧Ｖthとの間に｜Ｖｓ−Ｖｐ｜≦Ｖthの関係が成立するように設定されてなり、且つ
　△ＶG・Ｃgd／（Ｃgd＋Ｃｌmax＋Ｃstg）≦｜Ｖｓ−Ｖｐ｜≦
　△ＶG・Ｃgd／（Ｃgd＋Ｃｌmin＋Ｃstg）
が成立するように設定されてなることを特徴とする液晶表示装置。
ただし、
Ｃstg　　：保持容量
Ｃgd　　 ：前記薄膜トランジスタのゲートとドレイン間に存在する容量
△ＶG　　：前記走査線の選択パルスの電圧振幅
Ｃｌmax　：前記液晶の一画素分の最大容量
Ｃｌmin　：前記液晶の一画素分の最小容量」
と訂正し、明細書を、請求項の訂正に整合するように訂正するものである。
　
（２）独立特許要件の検討
　上記特許請求の範囲の訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるから、以下、訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、訂正発明という。）の独立特許要件について検討する。
　
（引用例）
  取消理由通知に引用した、本件出願前公知である特開昭６３−２１６０３０号公報（以下、引用例１という。）には、
「絶縁性基板上に行列状に電極を配線し、前記電極の交点部分近傍に前記行電極に接続されたゲート電極を有するトランジスタを１画素当たり２個並列に配置した画素電極を設けたアクティブマトリックス基板と、対向電極を設けた対向基板との間に液晶を挟持してなるアクティブマトリックス液晶表示装置において、トランジスタの寄生容量の大きさをＣＰ、基板間の液晶の容量をＣＬ、画素のキャパシタの蓄積容量をＣＳ、ゲート電極の選択信号電圧をＶＧ、液晶の点灯しきい値電圧をＶＬとした場合に、
となるようにしたことを特徴とするアクティブマトリックス液晶表示装置。」（特許請求の範囲第１項）、
「第１図において、トランジスタの１個当たりのゲート電極と画素電極との間の寄生容量の大きさをＣＰ、電場がかかっていない時の基板間の液晶の容量をＣＬ、画素のキャパシタの蓄積容量をＣＳ、ゲート電極の選択信号電圧をＶＧとした時に、画素電極の電位は、選択線の信号電位の降下時に、以下の（１）式に示されるように△Ｖだけシフトする。
　このため、２個のトランジスタで駆動する場合には、この大きさだけで対向電極の電位をずらせて駆動すれば良い。・・・液晶の点灯しきい値電圧をＶＬとした場合に、この電位のシフトの差ΔＶＣが点灯しきい値電圧ＶＬを越えてしまうと、誤表示が生じることとなる。・・・このため、下記の（３）式の条件を満たすようにトランジスタの寄生容量を設計してやることにより、このような誤表示を生じ無くすることができる。」（公報第４頁右上欄第８行〜右下欄第５行）、
「この実施例では、行選択線、列信号線の間隔をともに、４００μｍとし、セル間隔を９．５μｍ、開口率を７０％とした。・・・この液晶表示装置の電場がかかっていない時の基板間の液晶の容量はＣＬはＣＬ＝０．５２ｐＦであり、キャパシタは設けられていないので画素のキャパシタの蓄積容量ＣＳはＣＳ＝０であった。また、ゲート電極の選択信号電圧ＶＧはＶＧ＝２５Ｖとした。・・・この場合、チャンネル容量のドレイン側半分と、ゲート電極５１とドレイン電極５５Ａとの重なり部分の寄与から、寄生容量ＣＰはＣＰ＝０．０１２ｐＦとなった。これにより、電位のシフトはΔＶＣ＝０．５４Ｖであった。これは、液晶の点灯しきい値電圧ＶＬの２．１Ｖよりも充分に低いものであり、・・・
実施例２
　行選択線の間隔を２２０μｍ、列信号線の間隔を１９０μｍとし、開口率を６０％とし、蓄積容量を設けた外は実施例１と同様のツイストネマチック（ＴＮ）型の液晶表示装置を製造した。この液晶表示装置の電場がかかっていない時の基板間の液晶の容量はＣＬはＣＬ＝０．１９ｐＦであり、画素のキャパシタの蓄積容量ＣＳはＣＳ＝０．３５ｐＦあった。また、ゲート電極の選択信号電圧ＶＧはＶＧ＝２５Ｖとした。この液晶表示装置の電位のシフトはΔＶＣ＝０．５２Ｖであった。これは、液晶の点灯しきい値電圧ＶＬの２．１Ｖよりも充分に低いものであり、誤表示を生じなかった。
実施例３
　開口率を６０％とし、蓄積容量を設けた外は実施例１と同様のツイストネマチック（ＴＮ）型の液晶表示装置を製造した。この液晶表示装置の電場がかかっていない時の基板間の液晶の容量はＣＬはＣＬ＝０．４５ｐＦであり、画素のキャパシタの蓄積容量ＣＳはＣＳ＝０．４５ｐＦあった。また、ゲート電極の選択信号電圧ＶＧはＶＧ＝２５Ｖとした。・・・電位のシフトはΔＶＣはほぼ０であり、当然に液晶の点灯しきい値電圧ＶＬの２．１Ｖよりも充分に低いものとなり、・・・誤表示を生じなかった。」（公報第５頁左下欄第２行〜第６頁右上欄第８行）と記載されている。
　したがって、引用例１には、
「絶縁基板上に行列状に電極を配線し、前記電極の交点部分近傍に前記行電極に接続されたゲート電極を有するトランジスタを配置した画素電極を設けたアクティブマトリックス基板と、対向電極を設けた対向基板との間に液晶を挟持してなるアクティブマトリックス液晶表示装置において、対向電極の電位を、選択線の信号電位の降下時にシフトする画素電極の電位の大きさだけずらせ、トランジスタの寄生容量、基板間の液晶の容量、画素のキャパシタの蓄積容量、各々の大きさを、液晶の誤表示が生じないように設定したことを特徴とするアクティブマトリックス液晶表示装置。」
の発明（以下、引用発明という。）が記載されている。
　同じく特開昭５９−７３４４号公報（以下、引用例２という。）には、
「複数本のゲート線及び該ゲート線と直交する複数本のデータ線を備え、その各交点に薄膜トランジスタを形成すると共に、前記各々の薄膜トランジスタに透明な液晶駆動電極を接続して成る第一の基板と、該第一の基板に対向する第二の基板と、の間に液晶を介設して成るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記液晶駆動電極に振幅零のデータ信号を読み込んだ時に液晶に印加される電圧の実効値が該液晶のしきい値電圧未満となるように、薄膜トランジスタの寄生容量、電荷保持用容量及び液晶容量の容量値に制限を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」（特許請求の範囲）、
「薄膜トランジスタを用いたマトリクス型液晶表示装置の画素の構成図を第２図（ｂ）に示す。・・・第２図（ｂ）において、液晶１１６の容量値をＣＬＣ、電荷保持用キャパシタ２１２の容量値をＣＨ２、寄生容量２１５の容量値をＣＳ２、ゲート線駆動信号の振幅をＶＧとすると、ゲート線駆動信号立ち下がり時における、第２図（ｂ）の液晶駆動電極２１６の電位低下は、
ΔＶ２＝ＣＳ２／（ＣＬＣ＋ＣＨ２＋ＣＳ２）×ＶＧ　　・・・（２）
となる。」（公報第２頁左下欄第７行〜右下欄第４行）、
「第３図（ｂ）において、３０５はデータ線１１４に印加されるデータ信号であり、共通電極電位３０６に関して上下対称な交流信号である。３０７はゲート線駆動信号であり、その周期はＴ、振幅はＶＧである。３０８は液晶駆動電極電位の変化を示しており、３０９は共通電極電位である。ゲート線駆動信号３０７がハイとなった時点でその時のデータ信号が液晶駆動電極２１６に書き込まれる。その後、ゲート線駆動信号３０７が立ち下がると同時に液晶駆動電極２１６の電位はΔＶ２だけ低下し、再びゲート線駆動信号がハイとなってデータの書き込みが行われるまでその電位を保持する。・・・第３図（ｂ）において、３０８の波形は、共通電極電位３０９に関してその上下で面積は等しくなく、共通電極電位よりＶ０だけ電圧の低い電位３１０に関してその上下で面積が等しい。即ち、３０８は完全な交流波形でなく、−Ｖ０だけ直流分が重畳された波形となっている。このため、第２図（ｂ）の液晶１１６に直流電圧Ｖ０が印加され続けることとなり、液晶の寿命は著しく劣化させられる。」（公報第３頁左上欄第１２行〜右上欄第１５行）、
「第３図（ａ）において液晶に印加される電圧波形３０３の実効値ＶＲとΔＶ２との関係は次式で与えられる。
　　ＶＲ＝Ｋ・ΔＶ２　　　・・・（３）
ただし、０＜Ｋ＜１、データ信号がゼロであるときに液晶が点灯しない条件は、液晶のしきい値電圧をＶＴＨとすると、次式で与えられる。
　　ＶＲ＜ＶＴＨ　　　　　・・・（４）
式（２）、（３）、（４）より、データ信号がゼロのときに液晶が点灯しない条件は次のとうりである。
ただし、ＣＳ２、ＣＬＣ、ＣＨ２はそれぞれ第２図（ｂ）における寄生容量２１５、液晶１１６、電荷保持用キャパシタ２１２の容量値である。」（公報第３頁右下欄第７行〜第４頁左上欄第１行）、
「薄膜トランジスタによるアクティブマトリクス型液晶表示装置を製造する際、用いる液晶のしきい値電圧ＶＴＨ、ゲート線駆動信号の振幅ＶＣが与えられたとき、式（９）の条件を満たすようにＣＯＸ、ＣＬＣ、ＣＨ２を設定することにより表示性能が優れたアクティブマトリクス型液晶表示装置が得られる。また、このようにして製造されたアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、動作中液晶を劣化させるような直流電圧が液晶に加えられることはない。」（公報第４頁右上欄第１９行〜左下欄第８行）と記載されている。
　
（対比）
　訂正発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板上には、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差するように配置された信号線と、前記走査線と信号線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、保持容量とが形成されてなり、前記一対の基板の他方の基板の表面には対向電極が配置されてなる液晶表示装置」
である点において一致しており、
ア）訂正発明では、「前記薄膜トランジスタのドレイン領域を延長して形成した不純物半導体薄膜と、ゲート絶縁膜を延長して形成した絶縁膜を介して前記不純物半導体薄膜と対向する共通電極とを含んで前記保持容量が形成され」ているのに対し、引用発明では、そのようになっていない点、
イ）訂正発明では、「前記対向電極は、その平均電位Ｖｐが前記信号線の平均電位Ｖｓと前記液晶のしきい値電圧Ｖthとの間に｜Ｖｓ−Ｖｐ｜≦Ｖthの関係が成立するように設定されてなり、且つ
　△ＶG・Ｃgd／（Ｃgd＋Ｃｌmax＋Ｃstg）≦｜Ｖｓ−Ｖｐ｜≦
　△ＶG・Ｃgd／（Ｃgd＋Ｃｌmin＋Ｃstg）
が成立するように設定されてなる、ただし、
Ｃstg　　：保持容量
Ｃgd　　 ：前記薄膜トランジスタのゲートとドレイン間に存在する容量
△ＶG　　：前記走査線の選択パルスの電圧振幅
Ｃｌmax　：前記液晶の一画素分の最大容量
Ｃｌmin　：前記液晶の一画素分の最小容量」のに対し、引用発明ではこのような条件は明示されていない点、
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記各相違点について検討する。
　相違点ア）について
　相違点ア）に係る構成要件は、特開昭６３−１２１８８６号公報の第１図及びこれに関する明細書の説明に示されているように、本件出願前公知の構成である。
　そして、該公知技術を引用発明に適用することを妨げる要因はない。
　
相違点イ）について
　引用発明は、「対向電極の電位を、選択線の信号電位の降下時にシフトする画素電極の電位の大きさだけずらせ」るものであるが、信号電位降下時における画素電極電位シフトの大きさは、引用例１中の（１）式で表され、液晶の容量ＣＬがＣｌmin≦ＣＬ≦Ｃｌmaxであることは自明であるから、対向電極の電位のずらせ量は、相違点イ）の二番目の条件式を満足することは明らかであり、また、実施例２及び実施例３の数値を（１）式に代入すると、電位のシフト即ち電位のずらせ量は、各々１．０６Ｖ、０．６５Ｖとなり、液晶の点灯のしきい値電圧２．１Ｖより小さくなっている。
　一方、引用例２には、トランジスタが１個の場合に、電位のシフトが、
ΔＶ２＝ＣＳ２／（ＣＬＣ＋ＣＨ２＋ＣＳ２）×ＶＧとなり、対向電極電位を信号電極の平均電位とすれば、液晶に直流電圧Ｖ０が印加され続け、液晶の寿命は著しく劣化すること、振幅零のデータ信号時に液晶が点灯しないように、薄膜トランジスタの寄生容量、電荷保持用容量及び液晶容量の容量値に制限を設け、電位のシフトに比例する液晶に印加される電圧の実効値が、しきい値電圧を超えないようにすることが記載されている。
　そして、液晶の劣化を防止すること、データ信号がないときの誤表示を防止することは、それぞれ液晶表示装置に必要な課題であるから、このような課題を解決すべく、引用発明に相違点イ）の構成要件を具備させることは、引用例１及び引用例２の記載から、容易に想到し得たことである。
　
（結論）
　以上のとおりであるから、訂正発明は、引用発明及び公知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（３）訂正請求の適否についてのむすび
  上記のとおり、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
　
３．特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許第２８９３９４５号の請求項１に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された、
「一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板上には、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差するように配置された信号線と、前記走査線と信号線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、保持容量とが形成されてなり、前記一対の基板の他方の基板の表面には対向電極が配置されてなる液晶表示装置において、前記対向電極は、その平均電位Ｖｐが前記信号線の平均電位Ｖｓと前記液晶のしきい値電圧Ｖthとの間に｜Ｖｓ−Ｖｐ｜≦Ｖthの関係が成立するように設定されてなり、且つ
　△ＶG・Ｃgd／（Ｃgd＋Ｃｌmax＋Ｃstg）≦｜Ｖｓ−Ｖｐ｜≦
　△ＶG・Ｃgd／（Ｃgd＋Ｃｌmin＋Ｃstg）
が成立するように設定されてなることを特徴とする液晶表示装置。
ただし、
Ｃstg　　：保持容量
Ｃgd　　 ：前記薄膜トランジスタのゲートとドレイン間に存在する容量
△ＶG　　：前記走査線の選択パルスの電圧振幅
Ｃｌmax　：前記液晶の一画素分の最大容量
Ｃｌmin　：前記液晶の一画素分の最小容量」
である。
　
（当審の判断）
　本件請求項１に係る発明は、上記訂正発明の構成要件「前記薄膜トランジスタのドレイン領域を延長して形成した不純物半導体薄膜と、ゲート絶縁膜を延長して形成した絶縁膜を介して前記不純物半導体薄膜と対向する共通電極とを含んで前記保持容量が形成され」を削除した発明であるから、訂正発明と同様に、引用発明及び公知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　なお、特許権者は、平成１２年８月２８日付けの特許異議意見書において、全文訂正明細書（案）を提示し、係る内容の訂正請求書提出の機会を求めているが、その内容は、当初明細書に従来技術として示されていた図面を補正するとともに、補正図面を基に構成要件を追加して請求項１に記載するものであり、公知技術と対比して新規性・進歩性ありとは判断しがたいものであって、かつ、新規事項の追加を含むものであるから、その内容面のみを考慮しても、採用できるものではない。
　
（むすび）
　以上のとおり、本件の請求項１に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月２２日（２０００．９．２２）