【事件の表示】
　特許第２８０９５６７号「強誘電性液晶表示装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８０９５６７号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８０９５６７号の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、平成４年１１月１９日に特許出願され、平成１０年７月３１日に設定登録され、その後、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月３日に訂正請求がなさたものである。
２．訂正の適否についての判断
　ア．訂正の内容
　ａ．訂正事項
　特許請求の範囲の【請求項１】中の「印加電圧に応答して光学特性が変調される」を、「印加電圧に応答してチルト角の大きさが変調される」と訂正する。
　ｂ．訂正事項
　明細書【００１０】欄における「印加電圧に応答して光学特性が変調される」を、「印加電圧に応答してチルト角の大きさが変調される」と訂正する。
　ｃ．訂正事項
　特許明細書の【００２９】欄における「各強誘電性液晶セルの誘電率Ｃと各強誘電性液晶材料の自発分極Ｐｓを表１に示した通りとすると、…」を、「…各強誘電性液晶セルの誘電率と各強誘電性液晶材料の自発分極Ｐｓを表１に示した通りとすると、各セルのＣ（電気容量）＊Ｖｍａｘと３＊Ｐｓ＊Ｓは表２のようになる。…」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ウ．独立特許要件の判断
　（訂正発明）
　訂正後の本件特許第２８０９５６７号の請求項１〜３に係る発明（以下、訂正発明１〜３という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「（請求項１）
　少なくとも一方が透光性を有する一対の基板のうち片方の基板上に、複数の走査電極と複数の信号電極がマトリクス上に形成され、電極の各交点にスイッチング素子が設けられ、一対の基板の双方に電界印加用の電極膜と配向膜を有する液晶セルに、印加電圧に応答して光学特性が変調される強誘電性液晶が充填された液晶セルの前後に、無印加時における強誘電性液晶の一つの消光位にあわせて、一対の偏光板を設置した強誘電性液晶表示装置において、
　該装置が、強誘電性液晶の電気容量Ｃ（Ｃ／Ｖ；クーロン／ボルト）と自発分極Ｐｓ（Ｃ／ｃｍ２）およびスイッチング素子の印加最大電圧Ｖｍａｘ（Ｖ；ボルト）と印加画素面積Ｓ（ｃｍ２）とで、次式；
　Ｃ＊Ｖｍａｘ＞３＊Ｐｓ＊Ｓ
なる関係を満足するよう構成されてなる強誘電性液晶表示装置。
（請求項２）
　強誘電性液晶が５ｎＣ／ｃｍ２以下の自発分極Ｐｓを有するものである請求項１に記載の強誘電性液晶表示装置。
（請求項３）
　スイッチング素子が、アモルファスシリコンまたはポリシリコンを半導体膜に用いた薄膜トランジスタである請求項１に記載の強誘電性液晶表示装置。」
（なお、上記請求項１において「マトリクス上に」は「マトリクス状に」の誤記と認められる）
　（引用刊行物）
　当審が取消理由通知に引用した刊行物１（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６６（３），１，ｐ１１３２−１１３６）には、
　その１１３２頁右欄第３行目〜第６行目には、
”２枚のガラス基板（Ａ）上に電界印加用のＩＴＯ電極膜（Ｄ）を形成し、その上に配向膜（Ｄ）のナイロン層を設ける”ことが記載されている。
　また第１１３６頁右欄第２４行目〜第２６行目には、
”装置をアクティブマトリクスアレイとし、スイッチング素子としてトランジスターを設ける”ことが記載されている。アクティブマトリクスアレイにおいて複数の走査電極と複数の信号電極を設ける”ことは当業者の常識であり、”これらの電極の交点にスイッチング素子を設ける”こともまた当業者の常識である。
　更に、液晶セルを用いていることは第１１３３頁のＦＩＧ．１より明白であり、ＦＩＧ．１から強誘電性液晶の一つの消光位にあわせて一対の偏光板を配置していることも明らかである。このような液晶セルに、印加電圧に応答して光学特性が変調される強誘電性液晶を充填していることは、第１１３２頁右欄第２行目〜１０行目に記載されている。
　同じく刊行物２（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　Ｒｅｃｏｒｄ　ｏｆ　Ｔｈｅ　１９９１　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，ｐ１７９−１８２）には、その第１７９頁Ｔａｂｌｅ．１に自発分極Ｐｓが２．５ｎＣ／ｃｍ２、すなわちＰｓが５ｎＣ／ｃｍ２以下の液晶が記載されている。
　同じく刊行物３（ＭＥＲＣＫ社カタログ「Ｍｅｒｃｋ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａ１」Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　１９９２：平成４年９月）には、その表における商品名：ＺＬＩ−５０１４−０００が−２．８ｎＣ／ｃｍ２のＰｓを示すことが明記されている。ＺＬＩ−５０１４−０００は訂正された明細書の実施例１でＣ＊Ｖｍａｘ＞３＊Ｐｓ＊Ｓを満たす液晶として示されている。
　同じく刊行物４（第１６回液晶討論会講演予稿集、第２７０−２７１頁豊田吉彦他４名「強誘電性液晶の階調性（２）」：平成２年１０月）には、その第２７０頁第１５行目〜第１６行目にスイッチング素子として薄膜トランジスタを用い、薄膜トランジスタの半導体膜がアモルファスシリコンである旨が明記されている。
　（対比・判断）
　訂正発明１〜３の「印加電圧に応答してチルト角の大きさが変調される強誘電性液晶」は、上記刊行物１〜４のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明１〜３は、「印加電圧に応答してチルト角の大きさが変調される強誘電性液晶」を備えることにより、連続階調表示を行う表示品位において、電圧低下を実用上問題のない範囲に押さえることができるという作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明１〜３は、上記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　エ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立についての判断
　ア．異議申立の理由の概要
　異議申立人　株式会社東芝は、証拠として甲第１〜４号証（上記「２．ウ．（引用刊行物）」を参照）を提出し、訂正発明１〜３は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、その特許を取り消すべき旨主張している。
　イ．異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明
　甲第１〜４号証について
　上記「２．ウ．（引用刊行物）」の記載を参照。
　ウ．訂正発明１〜３と異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明との対比・判断
　上記「２．ウ．（対比・判断）」の記載を参照。
　したがって、訂正発明１〜３は、甲各号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものともすることができないから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　エ．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立の理由及び証拠によっては、訂正発明１〜３についての特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正発明１〜３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月７日（１９９９．１０．７）
【訂正の要旨】
訂正事項
　ａ．特許請求の範囲の【請求項１】中の「印加電圧に応答して光学特性が変調される」との記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「印加電圧に応答して
チルト角の大きさ
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を取るため、明細書【００１０】欄における「印加電圧に応答して光学特性が変調される」との記載を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「印加電圧に応答して
チルト角の大きさ
　ｂ．特許明細書の【００２９】欄における「各強誘電性液晶セルの誘電率Ｃと各強誘電性液晶材料の自発分極Ｐｓを表１に示した通りとすると、…」との記載を、誤記の訂正及び明瞭でない記載の釈明を目的として「…各強誘電性液晶セルの誘電
率と
（電気容量）
（５４）【発明の名称】
強誘電性液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　少なくとも一方が透光性を有する一対の基板のうち片方の基板上に、複数の走査電極と複数の信号電極がマトリクス上に形成され、電極の各交点にスイッチング素子が設けられ、一対の基板の双方に電界印加用の電極膜と配向膜を有する液晶セルに、印加電圧に応答して
チルト角の大きさ
該装置が、強誘電性液晶の電気容量Ｃ（Ｃ／Ｖ；クーロン／ボルト）と自発分極Ｐｓ（Ｃ／ｃｍ２）およびスイッチング素子の印加最大電圧Ｖｍａｘ（Ｖ；ボルト）と印加画素面積Ｓ（ｃｍ２）とで、次式；
Ｃ＊Ｖｍａｘ＞３＊Ｐｓ＊Ｓ
なる関係を満足するよう構成されてなる強誘電性液晶表示装置。
　　【請求項２】強誘電性液晶が５ｎＣ／ｃｍ２以下の自発分極Ｐｓを有するものである請求項１に記載の強誘電性液晶表示装置。
　　【請求項３】スイッチング素子が、アモルファスシリコンまたはポリシリコンを半導体膜に用いた薄膜トランジスタである請求項１に記載の強誘電性液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は強誘電性液晶表示装置に関する。さらに詳しくは、階調表示の可能な強誘電性液晶表示装置および、これを薄膜トランジスタを用いて駆動する強誘電性液晶表示装置に関する。
　　【０００２】
　　【従来の技術】
　現在、液晶表示素子は時計、電卓はもとより、ワープロ、パソコンなどのＯＡ機器、ポケットテレビなど幅広い分野において用いられているが、一般に広く用いられている液晶表示素子はネマチック相を利用したものである。ネマティック液晶を用いた液晶表示装置としては、ツイストネマティック型（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　ＴＮ型）液晶表示装置、スーパーツイステッド型（ＳｕｐｅｒｔｗｉｓｔｅｄＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ　Ｅｆｆｅｃｔ、ＳＢＥ型）液晶表示装置などがある。
　　【０００３】
　しかしながらツイステッドネマティック（ＴＮ）型液晶表示素子では、走査線数の増加とともに駆動マージンが狭くなり、十分なコントラストが得られなくなるという欠点が存在するため、大容量の表示素子を作ることは困難である。このＴＮ型液晶表示素子を改良するためスーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）型液晶表示素子、ダブルレイヤースーパーツイステッドネマチック（ＤＳＴＮ）型液晶表示素子が開発されているが、ライン数の増加と共にコントラスト、応答速度が低下するので、現状では８００×１０２４ライン程度の表示容量が限界である。加えて、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＤＳＴＮ型などのネマチック相を利用した表示素子は視野角が狭いという大きな欠点を有している。また、コントラスト、応答速度とも十分に良い値は得られない。
　　【０００４】
　一方、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を配列したアクティブマトリックス方式の液晶表示素子も開発され、１０００×１０００ライン等の大容量表示が可能となり、高いコントラストが得られるようになったが、通常はＴＮ液晶を組み合わせるため、視野角、応答速度の点で問題が残っていた。
　　【０００５】
　一方、従来のネマチック液晶に代わり、キラルスメクチックＣ相などの強誘電性液晶を利用する強誘電性液晶表示素子（Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋ　ａｎｄ　Ｓ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３６，８９９（１９８０）；特開昭５６−１０７２１６；米国特許第４３６７９２４号）が盛んに開発されている。この液晶表示素子は、液晶分子の誘電異方性を利用する電界効果型の前記ネマチック液晶表示装置と異なり、強誘電性液晶の自発分極の極性と電界の極性とが整合するように分子がスイッチングする液晶表示装置である。
　　【０００６】
　これらの強誘電性液晶素子は高速応答、広視野角といった優れた特徴を有しているが、反面階調表示が困難であった。強誘電性液晶の階調表示には種々の方法が提案されているが、有望な方法の一つとして、特開平３−２４２６２４、特開平３−２４３９１５（森、他、第１６回液晶討論会，３Ｋ１１１（１９９０），豊田，他，第１６回液晶討論会，３Ｋ１１２（１９９０），松居，他，第１６回液晶討論会，３Ｆ３０１（１９９１），Ｋ．Ｎｉｔｏ　ｅｔ　ａｌ．，Ｐｒｏｃ．ｉｄｒｃ，１７９（１９９１））などで開示されている手法がある。
　　【０００７】
　これらは片安定の強誘電性液晶セルに交流電圧を印加し、その電圧の大きさに応じて液晶分子の分子軸方向を一義的に変化させることによって中間調表示を行う方法である。図４にこのモードの原理を示す。電圧を印加しないときに分子は１０１の位置に存在し、これに電圧をかけるとその極性に応じて分子は右又は左に動く。十分に高い電圧を印加すると分子は１０２または１０３の位置まで動くがそれ以下の電圧の場合には中間的な位置で分子がとどまる。そこで、例えば、１０１の位置に片方の偏光板の偏光軸を合わせ、もう一方の偏光板の偏光軸をこれと直交に合わせれば中間調表示が得られる。なお、ここで断っておかなくてはならないが、図４はこのモードを理解するために簡略化した図であり、実際の強誘電性液晶セルにおいては液晶分子の分子軸方向は基板の上面から下面まで一様ではなく、捩れていることを述べておかなくてはならない。図５は電圧とチルト角の関係、図６は電圧と透過光量の関係であり、中間調表示が行えることが分かる。なお、これまで開示されている技術によれば、片安定の強誘電性液晶を用いることが述べられているが、本発明者らの検討によれば、片安定でも双安定でもいずれの場合も中間調表示が可能である。
　　【０００８】
　　【発明が解決しようとする課題】
　さて、この中間調表示モードの場合、強誘電性液晶のメモリー性は利用しない。そのため、このモードを用いてマトリクス型表示を行うには、ＴＦＴなどのアクティブ素子を用いることが必要である。アクティブ素子を用いた駆動例としては、特開平３−２４２６２４、特開平３−２４３９１５（豊田，他，第１６回液晶討論会，３Ｋ１１２（１９９０））に技術が開示されている。しかし、豊田らの報告ではゲートパルス幅は１５０μｓｅｃであり、フリッカーのない表示を得るためには１画面を１６．７ｍｓｅｃ（６０Ｈｚ）で書き換える必要性がある点からいうと、ゲート電極数１１１本（１６．７ｍｓｅｃ÷１５０μｓｅｃ＝１１１）以上の液晶表示装置を作製することは出来ない。これでは現在及び将来のＯＡ用ディスプレイの仕様としてはあまりにも不十分である。特開平３−２４２６２４号公報、特開平３−２４３９１５号公報にもＴＦＴ駆動の実施例が開示されているが、図３に示すようにゲート電極をオフにした瞬間に液晶にかかる電圧が低下するという問題が生じている。この低下によって、画素の液晶に十分な電圧が印加できないことになるし、さらにこの低下が大きいときには良好な表示そのものが得られなくなる。
　　【０００９】
　本発明はこのような問題点を解決する手段を提供するものであり、ゲート電極のオン時間が短く、かつゲート電極をオフにした瞬間の液晶にかかる電極の低下を小さくするための手段を提供するものである。
　　【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　この発明によれば、少なくとも一方が透光性を有する一対の基板のうち片方の基板上に、複数の走査電極と複数の信号電極がマトリクス上に形成され、電極の各交点にスイッチング素子が設けられ、一対の基板の双方に電界印加用の電極膜と配向膜を有する液晶セルに、印加電圧に応答して
チルト角の大きさ
Ｃ＊Ｖｍａｘ＞３＊Ｐｓ＊Ｓ
なる関係を満足するよう構成されてなる強誘電性液晶表示装置を提供する。
　　【００１１】
　この発明の基板としては透光性の絶縁性基板が用いられ、通常ガラス基板が使れる。この絶縁性基板にはそれぞれＩｎＯ３，ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）などの導電性薄膜からなる所定のパターンの透明電極が形成される。この透明電極からなる複数の走査電極と複数の信号電極が、片方の基板上にマトリクス状に形成され、電極の各交点にスイッチング素子が設けられる。スイッチング素子は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が好ましく、特にアモルファスシリコンまたはポリシリコンを半導体膜に用いたＴＦＴが好ましい。
　　【００１２】
　本発明の特性を生かした駆動法としては、アクティブマトリクス駆動が挙げられる。特に、ＴＦＴを用いた駆動は好ましい。図７にＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示素子の等価回路を示す。液晶を駆動する場合、走査線より信号を送ってゲート電極Ｇに電界を印加し、ＴＦＴをオンにする。これに同期させて信号線よりソース電極Ｓに信号を送ると、ドレイン電極Ｄを通して液晶ＬＣに電荷が蓄積され、これによって生じる電界によって液晶が応答する。
　　【００１３】
　本発明の具体例を、１本の走査電極Ｇ１，Ｇ２，．．．，Ｇｎ−１，Ｇｎ，Ｇｎ＋１，Ｇｎ＋２，．．．，Ｇｌ−１，Ｇｌとｋ本の信号電極Ｓ１，Ｓ２，．．．，Ｓｍ，Ｓｍ＋１，．．．，Ｓｋ−１，Ｓｋがマトリクス状に形成され、その各交点にＴＦＴを配列したアクティブマトリクス基板に強誘電性液晶を組み合わせた図８に示すような液晶表示素子を用いて説明する。各交点のＴＦＴのゲート電極は走査電極に接続され、ソース電極は信号電極に接続される。Ｐ１／１，Ｐ１／２，．．．Ｐ１／ｍ，Ｐ１／ｍ＋１，．．．Ｐｎ／１，Ｐｎ／２，．．．Ｐｎ／ｍ，Ｐｎ／ｍ＋１，．．．などは各交点に形成されたＴＦＴのドレイン電極に接続された画素を示す。この液晶表示素子を駆動するための駆動波形を図９に示す。
　　【００１４】
　まず、ｔ１の時間、走査電極Ｇ１より信号を送ってＴＦＴをオンにする。これに同期して、Ｇ１に接続された画素（Ｐ１／１，Ｐ１／２，Ｐ１／ｍ，Ｐ１／ｍ＋１，Ｐ１／ｋ−１，Ｐ１／ｋ、など）に求められる表示に対応するゼロまたは正の電圧を信号電極から印加する。次のｔｌの時間にはＧ２より信号を送ってＴＦＴをオンにし、これに同期させて信号電極から信号を送る。以下同様にして順次各走査電極に接続したＴＦＴをオンにしてゆく。
　　【００１５】
　さて、総ての走査電極より信号を送った後、再びｔ１の時間走査電極Ｇ１より信号を送ってＴＦＴをオンにする。これに同期して、Ｇ１に接続された画素（Ｐ１／１，Ｐ１／２，Ｐ１／ｍ，Ｐ１／ｍ＋１，Ｐ１／ｋ−１，Ｐ１／ｋ、など）に求められる表示に対応するゼロまたは負の電圧を信号電極からは印加する。次のｔ１の時間にはＧ２より信号を送ってＴＦＴをオンにし、これに同期させて信号電極からゼロまたは負の信号を送る。以下同様にして順次各走査電極に接続したＴＦＴをオンにしてゆく。このとき画素に印加される電圧波形とそのときの透過光量変化の一例を図９に示す。画素Ｐ１／１には大きな値の正負の電界が１フレームごとに交互に印加され、この画素は白表示となる。画素Ｐ１／２に印加される電圧は最初の４フレームでは画素Ｐ１／１に印加される電圧よりも小さく、このためＰ１／２はＰ１／１よりも暗い表示となり、中間調表示が得られる。５番目と６番目のフレームでは印加される電圧はゼロとなり、この画素は黒表示に変化する。ここで、一つ大切なことは、偏光板の合わせ方と、電界印加の符号の関係である。図９の場合には、負の電界を印加たときに生じるメモリ状態の消光位に偏光板の偏光方向を合わせなければならない。別の言い方をすれば、正の電圧を印加した後に、画素にかかる電圧がゼロとなるようにすると、黒表示が欲しいのに白表示となってしまう。それゆえ、図９では２フレームで１セットとなり、電圧値を変化させるのは２フレームで形成される１対のフレームのうち、最初のフレームでのみ行わなければならない。なお、カラーフィルタを組み合わせればカラー表示を得ることができる。
　　【００１６】
　以上説明したような本発明の強誘電性液晶素子を用いると、以下の利点がある。まず、黒状態が求められるときには液晶に電界がかからないため高コントラストが得られる。第２に、各画素に印加する電圧を変えることで透過光量を変えることができ、容易に階調表示を行うことができる。第３に、１フレーム毎に印加電圧の極性を切り替えるため電荷の偏りのない信頼性の高い液晶素子が得られる。また、ネマチック液晶をＴＦＴと組み合わせた素子に比べて応答速度が早く、視野角が広いという長所がある。
　　【００１７】
　電極の上に、任意に絶縁性膜が形成される。この絶縁性膜は例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，Ａｌ２Ｏ３などの無機系薄膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶などの有機系薄膜などを用いることができる。絶縁性膜が無機系薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、あるいは溶液塗布法などによって形成出来る。また、絶縁性膜が有機系薄膜の場合には有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、浸せき塗布法、スクリーン印刷法、ロール塗布法、などで塗布し、所定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形成する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで形成したり、ＬＢ（Ｌａｎｇｕｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法などで形成することもできる。
　　【００１８】
　任意に形成された絶縁性膜の上には配向膜が形成される。本発明の配向膜には無機系の層を用いる場合と有機系の層を用いる場合とがある。無機系の配向膜を用いる場合、よく用いられる方法としては酸化ケイ素の斜め蒸着がある。また、回転蒸着などの方法を用いることもできる。有機系の配向膜を用いる場合、ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリイミド等を用いることができ、通常この上をラビングする。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用いて配向させたり、磁場による配向、スペーサエッジ法による配向なども可能である。また、ＳｉＯ２，ＳｉＮｘなどを蒸着法、その上をラビングする方法も可能である。
　　【００１９】
　本発明の一軸配向処理法としては、ラビング法、斜方蒸着法などがあるが、大画面の液晶表示装置の量産化の場合にはラビング法が有利である。ラビング法の場合、配向膜を形成した後、ラビング処理を施すわけであるが、パラレルラビング法（一対の基板の両方にラビング処理を施しラビング方向が同一になるように貼り合わせる方法）、アンチパラレルラビング法（一対の基板の両方にラビング処理を施しラビング方向が逆になるように貼り合わせる方法）、片ラビング法（一対の基板の片方にのみラビング処理を施す方法）がある。本発明の強誘電性液晶素子の場合、いずれの配向法も用いることができるが、ＴＦＴを形成しないほうの基板にのみラビング処理を施す片ラビング法が特に好ましい。その理由としては以下の２つを挙げることができる。まず第１に、ＴＦＴを形成しない基板の方が平坦であり、均一なラビング処理が容易にできるからである。第２に、ＴＦＴを形成した基板にラビング処理を施すと、その処理によって生じる静電気によって、ＴＦＴの特性が変化したり、配線間の絶縁破壊が生じたりし易いためである。
　　【００２０】
　本発明の印加電圧に応答して光学特性が変調される強誘電性液晶としては、例えば市販のＺＬＩ−５０１４−０００（電気容量２．８８ｎＦ、自発分極−２．８Ｃ／ｃｍ２、メルク社製）、ＺＬＩ−５０１４−１００（電気容量３．１９ｎＦ、自発分極−２０．０Ｃ／ｃｍ２、メルク社製）、ＦＥＬＩＸ−００８（電気容量２．２６ｎＦ、自発分極−９．６Ｃ／ｃｍ２、ヘキスト社製）などが挙げられる。
　　【００２１】
　さらに、これら液晶を混合してもよく、つぎの化合物を適宜混合して用いてもよい。この化合物は必ずしも液晶相を示す必要はなく、（ａ）作製する組成物の液晶相の温度範囲を調整するための化合物、（ｂ）強誘電性液晶相において大きな自発分極を示すか、または誘起する光学活性化合物、（ｃ）作製する組成物の液晶相のらせんピッチを調整するための光学活性化合物などが挙げられる。注入後、アクリル系等のＵＶ硬化型の樹脂で注入口を封止して液晶セルとする。
　　【００２２】
　さらに、この液晶セルの上下に偏光軸をほぼ直交させた偏光板を配置させ、偏光板の一方の偏光軸を無印加時における強誘電性液晶の一つの消光位にほぼ一致させて液晶表示装置とした。
　　【００２３】
　本発明者らは種々の強誘電性液晶材料を用いたセルをＴＦＴ回路で駆動した結果、ゲート電極をオフにした瞬間の液晶にかかる電圧の低下（△Ｖｏｆｆ）に関して以下の知見を得た。
▲１▼ゲート電極のパルス幅が長いほど、△Ｖｏｆｆが小さい。
▲２▼自発分極が小さく、誘電率の周波数分散の小さな強誘電性液晶材料を用いた場合、△Ｖｏｆｆが小さい。
　　【００２４】
　これは次のようなモデルで説明できる。ゲートパルスが十分に長ければ、液晶分子はゲートがオンになっている間に安定な位置まで動いており、ゲートをオフした後それ以上動く必要はない。しかし、ゲートパルスが短いと、ゲートのオン時間内に液晶分子はその安定位置まで動ききっておらず、そのため、ゲートをオフ化後も安定な位置まで動こうとする。しかし、強誘電性液晶分子は自発分極をもっているため、液晶分子が動くと必然的に電極間に保持されていた電荷が消費され、電圧低下を招くことになる。このように考えると上の現象を良く理解できる。すなわち、自発分極が小さければゲートをオフした後に分子が動いても消費される電荷量が小さいため、△Ｖｏｆｆが小さいと理解出来る。このように考えると、ゲートパルスが短いときには、△Ｖｏｆｆは画素に保持される電荷量とゲートオフ後の液晶分子の動きによる電荷消費との差となる。そして、ゲートオフ後の液晶分子の動きによる電荷消費は自発分極と画素の面積と相関することになる。それゆえ、△Ｖｏｆｆを実質上問題ない範囲まで押えるためには、
Ｃ＊Ｖｍａｘ＞３＊Ｐｓ＊Ｓ
（ここで、Ｃは各画素における強誘電性液晶の容量、Ｖｍａｘはスイッチング素子より印加される最大電圧、Ｓは画素の面積、Ｐｓは強誘電性液晶の自発分極である。）という関係を満たすように素子，材料を設計することが必要である。
　　【００２５】
　また、本発明者は種々の強誘電性液晶材料を用いたセルにつき各周波数の交流電圧印加における誘電率を測定した結果、自発分極の大きい強誘電性液晶材料においては、誘電率が周波数に依存して変化し、１０ｋＨｚ以上の高周波数領域では誘電率が低くなっていることを確認した。これは、強誘電性液晶分子はその自発分極の方向を印加電圧の方向に追従する様に動くことにより高い誘電率を得ているが、高周波数領域においてはその動きが追従出来なくなり誘電率の低下が生じており、この誘電率の変化は自発分極が大きいほど大きく、ある程度自発分極が小さくなると目立たなくなると考えると理解出来る。ここで、自発分極の大きい強誘電性液晶材料のように高周波数領域で誘電率が低く、低周波数領域で誘電率が高い、ＴＦＴ駆動の際にゲートのオンによる書き込み時間の周波数が高いため強誘電性液晶材料の誘電率は低く、ゲートオフ後の電圧保持時間の周波数が低いため誘電率は高くなる。このため、ゲートオンにより強誘電性液晶材料に書き込まれた電圧が、ゲートオフ後の誘電率の変化により低下する。それゆえ、この現象に電圧の低下を防ぐため、誘電率の高周波数領域での低下が影響しなくなる自発分極が５ｎＣ／ｃｍ２以下の強誘電性液晶材料を用いる必要がある。
　　【００２６】
　　【実施例】
実施例１
パターニングしたＩＴＯ膜を形成した一対のガラス基板上にそれぞれ絶縁膜を形成し、ポリイミドＰＳＩ−Ａ−２００１（チッソ社製）をスピンコートし、ラビングした。この一対のガラス基板をラビング方向が平行となるように、セル厚２μｍで貼り合わせ、表１に示す各強誘電性液晶材料を真空注入し、それぞれの強誘電性液晶セルを作製した。
　　【００２７】
　作製した強誘電性液晶セルの前後に消光位の一つに偏光方向を合わせた一対の偏光板を設け、各強誘電性液晶セルをＭＯＳトランジスタに接続し、図３に示すゲート信号とソース信号を与えることにより、駆動特性を評価した。ここで、ゲートパルス幅は４０μｓ、ソース信号の周期を３０Ｈｚである。結果を表１に示した。
　　【００２８】
　【表１】
　　【００２９】
　ソースドライバーにより印加出来る最大電圧Ｖｍａｘを１０Ｖとし、強誘電性液晶セルの画素面積Ｓが１ｃｍ２、各強誘電性液晶セルの誘電
率と
（電気容量）
　　【００３０】
　【表２】
　　【００３１】
　実施例２
図１は、本発明の実施例のひとつであるアクティブマトリクス型強誘電性液晶表示装置に用いられている液晶セルの断面図である。本実施例の液晶セルは、一対の絶縁性基板１及び２から構成されており、一方の絶縁性基板１上には、ゲート電極２５、ゲート絶縁膜１１、チャネル層１２、エッチングストッパ層１３、コンタクト層１４、ソース電極３２、ドレイン電極３３から成り、スイッチング素子として機能するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３１と、ドレイン電極３３に電気的に接続された絵素電極４１が形成されている。さらに、絵素電極４１を形成した基板上の全面に保護膜１７を形成し、保護膜１７上には配向膜１９が形成されている。他方の絶縁性基板２上には透明性導電膜３、及び配向膜９が形成されている。配向膜９，１９には、焼成後、常法にてラビング処理を施してある。該一対の基板１及び２の間には、自発分極の小さい強誘電性液晶（例えば、メルク社製ＺＬＩ−５０１４−０００等）を真空注入した液晶層１８が封止されている。
　　【００３２】
　図２は、本実施例の液晶表示装置の平面図である。走査線として機能する多数の平行するゲートバス配線２１と、該配線２１に直交し信号線として機能するソースバス配線２３との交差位置近傍に、該ＴＦＴ３１が配置されている。各ＴＦＴ３１には該絵素電極４１が接続されており、各ゲートバス配線２１は走査線駆動回路５０に接続され、各ソースバス配線２３は信号線駆動回路５１に接続されている。
　　【００３３】
　図３は、この装置における駆動波形の一例である。この例ではゲートパルスＶＧがオンしている間に、情報信号ＶＯＰがＴＦＴ３１を通して絵素電極４１に印加され液晶層１８に電化が蓄積される。これによって生じる電界ＶＬＣに応じて液晶分子軸が動いて光を透過し、与えられた情報信号に対応する中間調表示が得られる。
　　【００３４】
　このとき、自発分極の小さい強誘電性液晶を用いているので、液晶層１８に生じる電界ＶＬＣの低下△Ｖｏｆｆが小さい。よって、与えられた情報信号に見合った表示が得られ、良好なＴＦＴ駆動が行える。
　　【００３５】
　【発明の効果】
　本発明の強誘電性液晶とＴＦＴなどのスイッチング素子を用いることにより、連続階調の液晶表示装置が実現できた。この表示装置をアクティブマトリクス駆動することにより、大容量、広視野角、高コントラスト、無限階調表示（フルカラー表示）の可能な液晶表示装置を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の実施例のひとつであるアクティブマトリクス型強誘電性液晶表示装置に用いられている液晶セルの断面図である。
　　【図２】
　本実施例の液晶表示装置の摸式平面図である。
　　【図３】
　図２の装置における駆動波形の一例を示した図である。
　　【図４】
　強誘電性液晶により中間調表示が得られるモードを示した原理図である。
　　【図５】
　強誘電性液晶の電圧とチルト角の関係を示した図である。
　　【図６】
　強誘電性液晶素子の電圧と透過光量（透過率）の関係を示した図である。
　　【図７】
　アクティブマトリックス型液晶表示の説明の等価回路図である。
　　【図８】
　本発明の強誘電性液晶とアクティブマトリックスを組合せた図である。
　　【図９】
　本発明の駆動方についての説明の図である。
　　【符号の説明】
１，２　ガラス基板
３　対向電極
９，１９　配向膜
１１　ゲート絶縁膜
１２　チャネル層
１３　エッチングストッパ層
１４　コンタクト層
１７　保護膜
１８　液晶層
２１　ゲートバス配線
２３　ソースバス配線
２５　ゲート電極
３１　ＴＦＴ
３２　ソース電極
３３　ドレイン電極
４１　絵素電極
５０　走査線駆動回路
５１　信号線駆動回路
　【表１】
　【表２】