(57)【要約】  本発明は１つの実施例で、エレクトロルミネッセント装置に、装置からの周辺光の反射を減らす複合光学破壊層３５を導入する。複合光学破壊層３５は、エレクトロルミネッセント装置７０の製作過程で既に用いられている材料で、そして装置の製造に固有の製造過程によって作るのが好都合である。具体的には、複合光学破壊層３５は、エレクトロルミネッセント装置の電極１２のうちの１つの形成に使用される母体材料の変異体で作られる。変異材料は、変異材料が酸素欠乏である点で母体材料と異なる。変異材料の酸素欠乏により、変異材料は母体材料のそれから変化した屈折率を持つ。そして、変異材料で作られる複合光学破壊層３５は、エレクトロルミネッセント装置７０から反射される周辺光だけでなく入射周辺光も吸収することができる。
2008500695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に形成され、少なくとも１個の発光層を備えるエレクトロルミネセンスのスタックと、
周辺光の反射を減らすために前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一方の上に形成された複合光学破壊層とを備え、
前記複合光学破壊層は、前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一方を形成する母体材料の少なくとも１つの変異体で形成されるエレクトロルミネッセント装置。
【請求項２】
前記複合光学破壊層が、前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一方を形成する前記母体材料の少なくとも１つの酸欠乏の変異体で形成される請求項１のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項３】
前記母体材料の前記酸素欠乏の変異体が酸素欠乏の環境で形成される請求項２のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項４】
複合光学破壊層が、前記母体材料の前記酸素欠乏の変異体を形成することが可能な混合ガス中でのＲＦマグネトロンスパッタリング又はＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成される請求項３のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項５】
前記混合ガスが水素ガスを含有する請求項４のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項６】
前記混合ガスが、前記母体材料の前記酸素欠乏の変異体を形成するのに適した還元ガスからなる請求項４のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項７】
前記混合ガス中の水素の分圧が、前記母体材料の前記酸素欠乏の変異体を形成するために変えられる請求項５のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項８】
前記母体材料が透明な導電性酸化物である請求項１のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項９】
前記複合光学破壊層が、異なる材料の組合せで形成することができる請求項８のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１０】
前記複合光学破壊層が、アルミニウムをドープしたＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＧＩＴＯ）、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＺＩＴＯ）、Ｇａ−Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏの１つ以上で形成することができる請求項８のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１１】
周辺光の反射を減らすことができる第１複合光学破壊電極と、
第２電極と、
前記第１複合光学破壊電極と前記第２電極の間に形成され、少なくとも１個の発光層を備えるエレクトロルミネセンスのスタックとを備え、
前記第１複合光学破壊電極が段階的に変化する屈折率の値を有するエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１２】
前記屈折率の値の変化が、前記第１複合光学破壊電極を形成する少なくとも１つの材料の酸素欠乏の程度を変えることにより形成される請求項１１のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１３】
前記第１複合光学破壊電極が、酸素欠乏材料の前記程度変化を形成することが可能な混合ガス中でのＲＦマグネトロンスパッタリング又はＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成される請求項１１のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１４】
前記混合ガスが水素ガスを含有する請求項１１のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１５】
前記混合ガス中の水素の分圧が、酸素欠乏材料の前記程度変化を形成するために変えられる請求項１４のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１６】
前記材料が透明な導電性酸化物である請求項１２のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１７】
前記第１複合光学破壊電極が、異なる材料の組合せで形成することができる請求項１６のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１８】
前記第１複合光学破壊電極が、アルミニウムをドープしたＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＧＩＴＯ）、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＺＩＴＯ）、Ｇａ−Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏ、の１つ以上の組合せで形成することができる請求項１６のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項１９】
実質的に透明な第１電極と、
第２電極と、
前記実質的に透明な第１電極と前記第２電極の間に形成され、少なくとも１個の発光層を備えるエレクトロルミネセンスのスタックと、
実質的に透明な前記第１電極の上に形成された、周辺光の反射を減らす複合光学破壊層とを備え、
前記複合光学破壊層は、前記実質的に透明な第１電極を形成する母体材料の少なくとも１つの変異体で形成される下端照射型有機発光素子。
【請求項２０】
第１電極と、
実質的に透明な第２電極と、
前記第１電極と前記第２の実質的に透明な電極の間に形成され、少なくとも１個の発光層を備えるエレクトロルミネセンスのスタックと、
前記実質的に透明な第２電極の上に形成された、周辺光の反射を減らす複合光学破壊層とを備え、
前記複合光学破壊層は、前記実質的に透明な第２電極を形成する母体材料の少なくとも１つの変異体で形成される上端照射型有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は総じて、有機／重合発光素子（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ）等のエレクトロルミネッセント装置に関する。特に、発明は、複合光学破壊層を備えることにより、反射率を下げ、ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤのコントラストを高めることに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤは、フラットパネル表示装置（ＦＰＤ）技術において近年盛んに用いられるようになった。有機および重合発光素子の両方を以下でＯＬＥＤと呼ぶことにする。
【０００３】
ＯＬＥＤは２つの電極の間にはさまれたエレクトロルミネセント・スタックと少なくとも２つの電極（陰極と陽極）から構成される。エレクトロルミネセント・スタックは、さらにいくつかの層から構成されてもよく、それらの例として発光層、ホール伝達層および電子伝達層がある。ＯＬＥＤ動作原理は周知であり、ここで説明する必要はない。
【０００４】
ＯＬＥＤの電極は、しばしば金属で作られているか、あるいは高反射の剛性基板またはフレキシブル基材上に形成される。ＦＰＤにおいてそのようなＯＬＥＤを使用する場合、これは真の関心事になる。ＦＰＤを構成するＯＬＥＤの金属電極は共同してミラーのように作用し、周辺光をＦＰＤから遠ざけるように不都合に反射する。これはＦＰＤの視覚コントラストを低下させ、判読しにくくする。同様に、電極が高反射のガラス状の基材上に形成される場合、ガラス状基材から離れるような周辺光の反射は、視覚コントラストを低下させ、判読しにくくする。
【０００５】
ＯＬＥＤにおけるこの周辺光の反射を減少させる現在の試みは費用がかかるという難点がある。
【０００６】
液晶ディスプレイの画質を高めるために偏光膜が有効に使用されており、ＦＰＤにも同様に適用することができる。しかし、偏光膜を加えることは、ＦＰＤの生産への付加的なボンディング工程となる。これとは別に、偏光膜は湿度および温度環境に影響されやすく、そのため、ＦＰＤの動作条件は偏光膜の湿度および温度の制限された範囲に抑えられる。このことも、ＦＰＤの製造過程の本来一部でない材料を含めるという不都合を招く。これは、結局より高いコストとなる。
【０００７】
アジズ（Aziz）他は、アメリカ特許出願公報Ｎｏ．２００３／００３８５９３Ａ１で、下端照射型ＯＬＥＤの陰極における導電性光吸収層を教示している。この導電性光吸収層は、陰極から反射された周辺光を吸収する役目をし、全体的なコントラストと判読性を向上させる。この光吸収層は、典型的には有機物と金属との混合物で作られており、陰極と有機物層の間に配置される。
【０００８】
【特許文献１】アメリカ特許出願公報Ｎｏ．２００３／００３８５９３Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
種々の異なる材料の付加的な光吸収層を用いた他の方法もある。しかし、それらは本質的に、装置最適化のための付加的な工程を必要とする低反射率の複合陰極を組込むことにより、反射された周辺光の削減に向けたものである。
【００１０】
したがって、ＯＬＥＤの周辺光反射を減らすための簡単で有効な方法の必要性があることが理解されよう。
【００１１】
本発明は、反射率を下げ、ＯＬＥＤの視覚コントラストを高めるために複合光学破壊層および複合光学破壊電極を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
したがって、１つの観点で本発明はエレクトロルミネッセント装置を提供し、それは第１電極、第２電極、第１電極と第２電極の間に形成されたエレクトロルミネセンスのスタック、エレクトロルミネセンスのスタックは少なくとも１個の発光層を備える、そして周辺光の反射を減らすために第１電極と第２電極の少なくとも一方の上に形成された複合光学破壊層を備え、複合光学破壊層は、第１電極と第２電極の少なくとも一方を形成する母体材料の少なくとも１つの変異体で形成される。
【００１３】
したがって、他の観点で本発明はエレクトロルミネッセント装置を提供し、それは周辺光の反射を減らすことができる第１複合光学破壊電極、第２電極、そして第１複合光学破壊電極と第２電極の間に形成されたエレクトロルミネセンスのスタックを備え、エレクトロルミネセンスのスタックは少なくとも１個の発光層を備え、第１複合光学破壊電極は屈折率の程度変化の勾配を示す。
【００１４】
さらに別の観点で本発明はエレクトロルミネッセント装置を提供し、それは実質的に透明な第１電極、第２電極、実質的に透明な第１電極と第２電極の間に形成されたエレクトロルミネセンスのスタックを備え、エレクトロルミネセンスのスタックは少なくとも１個の発光層を備え、装置はさらに実質的に透明な第１電極の上に形成された、周辺光の反射を減らす複合光学破壊層を備え、複合光学破壊層は、実質的に透明な第１電極を形成する母体材料の少なくとも１つの変異体で形成される。
【００１５】
さらに別の観点で本発明はエレクトロルミネッセント装置を提供し、それは第１電極、実質的に透明な第２電極、第１電極と第２の実質的に透明な電極の間に形成されたエレクトロルミネセンスのスタックを備え、エレクトロルミネセンスのスタックは少なくとも１個の発光層を備え、装置はさらに実質的に透明な第２電極の上に形成された、周辺光の反射を減らす複合光学破壊層を備え、複合光学破壊層は、実質的に透明な第２電極を形成する母体材料の少なくとも１つの変異体で形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の好適実施例をより詳細に説明する。図１Ａは、従来の下端照射型ＯＬＥＤを示し、図１Ｂは、従来の上端照射型ＯＬＥＤを示す。図２Ａは、本発明による下端照射型ＯＬＥＤを示し、図２Ｂは、本発明による上端照射型ＯＬＥＤを示す。図３Ａは、本発明の他の実施例による端照射型ＯＬＥＤを示し、図３Ｂは、本発明の他の実施例による上端照射型ＯＬＥＤを示す。図４は、本発明による下端照射型ＯＬＥＤ構造の一例を示す。図５は、図４の下端照射型ＯＬＥＤの反射率のグラフを示す。
【００１７】
好適実施例および別実施例のＯＬＥＤ用の光吸収電極を説明する。以下の説明では、好適および別実施例を説明するために細部について述べる。しかし、発明がそのような細部なしで実施しえることが当業者には明らかになろう。細部のいくつかは、発明を不明瞭にしないように詳細に述べない場合もある。
【００１８】
ＯＬＥＤは、下端照型射および上端照射型ＯＬＥＤにさらに分類することができる。図１Ａで、典型的な下端照射型ＯＬＥＤ１０は、剛性またはフレキシブルな透明基材１３上に形成された実質的に透明な第１電極１２と、実質的に透明な第１電極１２と第２電極１４の間で形成されたエレクトロルミネセンスのスタック１５を備える。エレクトロルミネセンスのスタック１５はさらに、実質的に透明な第１電極１２と透明基材１３を通して見えるイルミネーション１７を生成する少なくとも１個の発光層を備える。
【００１９】
図１Ｂで、上端照射型ＯＬＥＤ２０は、基板２３上に形成された第１電極２２と実質的に透明な第２電極２４を備える。エレクトロルミネセンスのスタック２５が、第１電極２２と実質的に透明な第２電極２４の間に形成される。同様に、エレクトロルミネセンスのスタック２５はさらに、実質的に透明な陰極２４を通して見えるイルミネーション１７を生成する少なくとも１個の発光層を備える。
【００２０】
下端照射型ＯＬＥＤ１０の第２電極１４と上端照射型ＯＬＥＤ２０の第１電極２２は、しばしば金属で作られるか、あるいは高反射面を有する。この金属電極または高反射面は、周辺光を反射し、これらのＯＬＥＤで作られたＦＰＤの低コントラストおよび不十分な判読性の原因となる。
【００２１】
本発明の一実施例では、ＯＬＥＤからの周辺光の反射を減らす複合光学破壊層をＯＬＥＤに導入する。複合光学破壊層は、ＯＬＥＤの製造過程で既に用いられている材料で、そしてＯＬＥＤの製造に固有の製造過程によって作るのが好都合である。具体的には、複合光学破壊層は、ＯＬＥＤの電極のうちの１つの形成に使用される母体材料の変異体で作られる。変異材料は、変異材料が酸素欠乏である点で母体材料と異なる。
【００２２】
変異材料の酸素欠乏により、変異材料は母体材料の屈折率から変化した屈折率を有する。そして、変異材料で作られる複合光学破壊層は、エレクトロルミネッセント装置から反射される周辺光だけでなく入射周辺光も吸収することができる。
【００２３】
別の実施例で、複合光学破壊層は、ＯＬＥＤの電極のうちの１つにさらに組込まれて、複合光学破壊電極とすることができる。複合光学破壊電極は、電極の形成に使用された材料中の酸素不足の程度変化の勾配を備える。複合光学破壊電極は、変化する酸素不足による屈折率の程度変化の勾配をさらに示す。したがって、複合光学破壊電極は、エレクトロルミネッセント装置から反射された周辺光だけでなく、入射周辺光も吸収することができる。
【００２４】
図２Ａを参照して、本発明の下端照射型ＯＬＥＤ３０は、透明基材１３と実質的に透明な第１電極１２の間に複合光学破壊層３５を形成する。複合光学破壊層３５は、実質的に透明な第１電極１２の高度に酸素欠乏の変異体で作られる。
【００２５】
下端照射型ＯＬＥＤ３０の実質的に透明な陽極１２は、典型的には透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）で作られる。下端照射型ＯＬＥＤ３０の複合光学破壊層３５は、実質的に同じＴＣＯで有利に作られるが、高度な酸素欠乏を示す。ＴＣＯの酸素欠乏はＴＣＯの光学的性質を変え、複合光学破壊層３５の酸素欠乏ＴＣＯに、入射周辺光とＯＬＥＤ３０の第２電極から反射された周辺光を吸収させる。
【００２６】
本発明の複合光学破壊層３５は、下端照射型ＯＬＥＤ３０の実質的に透明な第１電極１２と同じ材料で作ることも有利であろう。また、複合光学破壊層３５を異なる材料の組合せで作ってもよい。さらに、複合光学破壊層３５を形成する過程は、実質的に透明な第１電極１２の形成のそれと同様であってもよい。しかし、複合光学破壊層３５を得るために実質的に透明な第１電極１２の形成材料であるＴＣＯを改質することは、これらの過程のある程度の変更が要求される。
【００２７】
ＴＣＯ層（実質的に透明な第１電極１２と比較的透明な複合光学破壊層３５）の形成は、薄膜蒸着によって行なうことができ、その例として、蒸着膜の光学的性質の変更を可能にする混合ガス中の水素または他の還元種やイオンの存在下でのＲＦおよびＤＣマグネトロンスパッタリングがある。ＴＣＯのＲＦまたはＤＣマグネトロンスパッタリングは水素イオンを発生させるようにアルゴン／水素の混合ガス中で行なわれる。混合ガス中の水素ガスの分圧を変えることによって、ＴＣＯの酸素不足のレベルも変えることができる。このように、複合光学破壊層３５は、実質的に透明な第１電極１２の形成に使用されるＴＣＯの高度に酸素不足の変異体で形成される。
【００２８】
ＤＣマグネトロンスパッタリング、反応性熱蒸着、ｅビーム（電子ビーム）およびＣＶＤ等の他の薄膜形成方法を用いる場合、薄膜蒸着時に酸素欠乏の環境を提供することで、酸素欠乏ＴＣＯを形成し、これによって複合光学破壊層３５を形成できるようになる。
【００２９】
複合光学破壊層はＯＬＥＤの電極に組込んで、複合光学破壊電極とすることができる。複合光学破壊電極は、その材料中の変化する酸素欠乏による屈折率の程度変化の勾配を示す。
【００３０】
図３Ａを参照して、本発明による下端照射型ＯＬＥＤ５０の複合光学破壊第１電極４２は、材料中の酸素欠乏の程度変化の勾配を備え、それは電極の形成に使用される。
【００３１】
さらに、複合光学破壊電極４２は、酸素欠乏の度合いが変化する単一の材料または異なる材料の組合せで作ることができる。また、複合光学破壊電極４２も半透明なスタックであると説明できる。その相対的な透明度は、エレクトロルミネセンスのスタックの発光層から照射された光の通路を許すが、入射周辺光とＯＬＥＤから反射される周辺光を吸収する。これは結局、ＯＬＥＤのコントラストを高める。
【００３２】
アルゴン／水素混合ガス中でＲＦまたはＤＣマグネトロンスパッタリングを使用して複合光学破壊第１電極４２を形成する場合、水素ガスの分圧を変えることは、蒸着されるＴＣＯの酸素欠乏のレベルを変えることになる。複合光学破壊第１電極４２を形成する過程は、電極中の酸素欠乏の程度変化の勾配を得るために酸素欠乏の程度を変えながら、ＴＣＯの単一の連続的な蒸着で行なうことができる。複合光学破壊第１電極の形成に使用される材料と工程が本質的に同じであるから、これは有利な単一工程である。
【００３３】
図２Ｂを参照して、本発明の上端照射型ＯＬＥＤ４０は、実質的に透明な第２電極２４上に複合光学破壊層４５を形成する。この上端照射型ＯＬＥＤ４０の他の構造は、図１Ｂの従来の上端照射型ＯＬＥＤ２０と同様である。
【００３４】
上端照射型ＯＬＥＤ４０の複合光学破壊層４５も、実質的に透明な第２電極２４と実質的に同じ材料で作られる。それらは、透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）で本質的に作られる。複合光学破壊層４５は、上端照射型ＯＬＥＤ４０の実質的に透明な第２電極２４の形成に使用されＴＣＯの高度に酸素欠乏変異体で作られる。
【００３５】
上端照射型ＯＬＥＤ４０の複合光学破壊層４５を形成する方法は、下端照射型ＯＬＥＤ３０の複合光学破壊層３５の形成と典型的には同様である。
【００３６】
同様に、上端照射型ＯＬＥＤ４０の複合光学破壊層４５を実質的に透明な第２電極２４に組込んで、図３Ｂに示すような単一の複合光学破壊第２電極５４を形成することができる。
【００３７】
上端照射型ＯＬＥＤ６０の複合光学破壊第２電極５４は、下端照射型ＯＬＥＤ５０の複合光学破壊第１電極４２と非常に似ている。複合光学破壊第２電極５４も電極の形成に使用されたＴＣＯ中の酸素欠乏の程度変化の勾配を備える。そして、複合光学破壊第２電極５４は、ＯＬＥＤから反射された周辺光だけでなく、入射周辺光も吸収することができる。
【００３８】
本発明による下端照射型ＯＬＥＤの構造の一例が図４に示されている。下端照射型ＯＬＥＤ７０は、高度に酸素欠乏のインジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）で作られた複合光学破壊層３５上に形成された透明基材１３を備える。実質的に透明な第１電極１２が続き、それは厚さが約ｌ３０ｎｍの透明なＩＴＯで作られる。次の層は、ＮＰＢで作られたホール伝達層１６と、厚さ７５ｎｍのＡ１ｑ３で形成された発光層１８である。これらの２層、ホール伝達層１６と発光層１８は、エレクトロルミネセンスのスタック１５を形成する。最後の層は、１０ｎｍのカルシウムと２００ｎｍの銀で作られた第２電極１４である。
【００３９】
図５を参照すると、複合光学破壊層３５の厚さを異ならせた上記例をある波長範囲の周辺光にさらしたときの下端照射型ＯＬＥＤの反射率測定の実験結果を示している。線１００は、複合光学破壊層３５が存在しない場合（つまり０ｎｍ）の下端照射型ＯＬＥＤ７０の高反射率の数値を示す。
【００４０】
線１１０は厚さ１１０ｎｍ、線１２０は厚さ４００ｎｍの複合光学破壊層３５を持つ下端照射型ＯＬＥＤ７０の反射率である。反射率の数値は、複合光学破壊層３５として高度に酸素不足のＩＴＯを組込むと、下端照射型ＯＬＥＤ７０から反射される周辺光が６０％も減少することをはっきり示している。
【００４１】
上記例は電極および複合光学破壊層においてＴＣＯとしてＩＴＯを使用しているが、さらに他の材料を考慮することができる。ＴＣＯのいくつかの非制限的な例として、アルミニウムをドープしたＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＧＩＴＯ）、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＺＩＴＯ）、Ｇａ−Ｉｎ−ＯおよびＺｎ−Ｉｎ−Ｏがある。これらの材料は、個々にあるいは異なる材料の組合せで使用することができる。
【００４２】
複合光極の概念は他のタイプの発光素子に使用することができる。透明な剛性またはフレキシブル基材をエレクトロルミネッセント装置に使用する場合、ハイコントラストＦＰＤは、基材の反対側に適切な反射防止層をも含んでもよい。本発明の範囲から外れずに、当業者が種々の変更および改良を行うことができることが認識されよう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】従来の下端照射型ＯＬＥＤを示す図
【図１Ｂ】従来の上端照射型ＯＬＥＤを示す図
【図２Ａ】本発明による下端照射型ＯＬＥＤを示す図
【図２Ｂ】本発明による上端照射型ＯＬＥＤを示す図
【図３Ａ】本発明の他の実施例による下端照射型ＯＬＥＤを示す図
【図３Ｂ】本発明の他の実施例による上端照射型ＯＬＥＤを示す図
【図４】本発明による下端照射型ＯＬＥＤ構造の一例を示す図
【図５】図４の下端照射型ＯＬＥＤの反射率のグラフ
【図１Ａ】
2008500695.tif 000003
【図１Ｂ】
2008500695.tif 000004
【図２Ａ】
2008500695.tif 000005
【図２Ｂ】
2008500695.tif 000006
【図３Ａ】
2008500695.tif 000007
【図３Ｂ】
2008500695.tif 000008
【図４】
2008500695.tif 000009
【図５】
2008500695.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺光の反射を減らすことができる第１複合光学破壊電極と、
第２電極と、
前記第１複合光学破壊電極と前記第２電極の間に形成され、少なくとも１個の発光層を備えるエレクトロルミネセンスのスタックとを備え、
前記第１複合光学破壊電極が段階的に変化する屈折率の値を有するエレクトロルミネッセント装置。
【請求項２】
前記屈折率の値の変化が、前記第１複合光学破壊電極を形成する少なくとも１つの材料の酸素欠乏の程度を変えることにより形成される請求項１のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項３】
前記第１複合光学破壊電極が、酸素欠乏材料の酸素欠乏の程度変化を形成することが可能な混合ガス中でのＲＦマグネトロンスパッタリング又はＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成される請求項１のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項４】
前記混合ガスが水素ガスを含有する請求項３のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項５】
前記混合ガス中の水素の分圧が、酸素欠乏材料の酸素欠乏の程度変化を形成するために変えられる請求項４のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項６】
前記材料が透明な導電性酸化物である請求項２のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項７】
前記第１複合光学破壊電極が、異なる材料の組合せで形成することができる請求項６のエレクトロルミネッセント装置。
【請求項８】
前記第１複合光学破壊電極が、アルミニウムをドープしたＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｇａ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＧＩＴＯ）、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＺＩＴＯ）、Ｇａ−Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏ、の１つ以上で形成することができる請求項６のエレクトロルミネッセント装置。
【国際調査報告】
2008500695.tif 000011
2008500695.tif 000012
2008500695.tif 000013