【事件の表示】
　特許第３０２９７８７号「レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法」の請求項１ないし７、１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０２９７８７号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
　同請求項４ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第３０２９７８７号の請求項１ないし７、１０に係る発明についての出願は、平成７年８月２１日に特許出願され、平成１２年２月４日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について日本電気株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年２月１５日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者は、以下の訂正を求めるものである。
　特許請求の範囲の請求項４および請求項１０を削除し、請求項５以下の項数を繰り上げ、請求項４〜８と訂正する。これに伴い、明細書中の段落番号（００１０）から段落番号（００１４）、および段落番号（００３０）を、請求書に添付された全文訂正明細書のとおり訂正する。
　すなわち１．特許明細書段落番号（００１０）中の、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることを特徴とする。」を、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることを特徴とする。」と、訂正する。
２．段落番号（００１１）中の、「請求項５記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項４記載の液晶表示装置の製造方法であって、パルスレーザビームの走査ピッチを、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることを特徴とする。」を削除し、また、「請求項６記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項４または５記載の液晶表示装置の製造方法において、」を、「請求項５記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項４記載の液晶表示装置の製造方法において、」と訂正し、さらに、「請求項７記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項６記載の液晶表示装置の製造方法において、」を、「請求項６記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項５記載の液晶表示装置の製造方法において、」と訂正する。
３．段落番号（００１２）中の、「請求項８記載の液晶表示装置の製造方法は、」を、「請求項７記載の液晶表示装置の製造方法は、」と、訂正し、また、「請求項９記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項８記載の液晶表示装置の製造方法であって、」を、「請求項８記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項７記載の液晶表示装置の製造方法であって、」と訂正する。
４．段落番号（００１３）中の、「請求項１０記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項４、５、６、７、８または９記載の液晶表示装置の製造方法において、パルスレーザビームの走査方向を、画素用薄膜トランジスタに接続したゲート配線またはソース配線と直交させてアニール処理を行う。」を削除する。
５．段落番号（００１４）中の、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、」を、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向の工ネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、」と、訂正する。
６．段落番号（００３０）中の、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、」を、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向の工ネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項は、請求項を削除し、それに伴い特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであり、特許請求の範囲の減縮および明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項および同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについての判断
ア．本件発明　
　訂正明細書の請求項１ないし８に係る発明（以下、「本件発明１ないし８」）は、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】被アニール膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射するレーザアニール方法であって、前記パルスレーザビームの走査ピッチを、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項２】請求項１記載のレーザアニール方法であって、前記レーザービームの短軸側は、そのエネルギー密度の分布が台形状に整形されていることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項３】前記短軸側のレーザービームは、設定エネルギー密度が９０％以上の領域ＬＩを台形の上辺として、前記領域ＬＩの両端部に前記エネルギーの立ち上がり領域と前記エネルギーの立ち下がり領域を有することで台形の下辺領域Ｌ２を構成し、ＬＩ／Ｌ２＜０．８を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザアニール方法。
【請求項４】マトリクス状に画素電極とゲート配線およびソース配線とを配置し、前記各画素電極，ゲート配線およびソース配線に画素用薄膜トランジスタを接続した第１の基板と、この第１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、前記半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さを前記パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、前記パルスレーザビームの走査ピッチを前記パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつ前記パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】パルスレーザビームの走査方向を、画素用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と異なる方向としてアニール処理を行う請求項４記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】パルスレーザビームの走査方向は、画素用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と１０度以上９０度以下の交差角度を有してアニール処理を行う請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】マトリクス状に画素電極とゲート配線およびソース配線とを配置し、前記各画素電極，ゲート配線およびソース配線に画素用薄膜トランジスタを接続した表示領域と、この表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタを有する駆動回路領域とを設けた第１の基板と、この第１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記駆動用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、前記半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザビームの走査ピッチを前記パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、前記パルスレーザビームの走査方向を前記駆動用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】請求項７記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記パルスレーザビームの走査ピッチを、このパルスレーザビームの短尺方向の工ネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつ前記パルスレーザビームの走査方向を前記駆動用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
イ．申立の理由の概要
　申立人日本電気株式会社は、甲第１号証（特開昭６４−７６７１５号公報）、甲第２号証（「信学技報」Vol.92,No.368,pp53-58）、甲第３号証（特開平４−１３９７２７号公報）を提出して、訂正前の本件請求項１ないし７および１０に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、取り消すべき旨主張している。
ウ．判断
　本件発明１について
（引用刊行物）
　当審が通知した取消理由に引用した刊行物１（特開昭６４−７６７１５号公報（上記甲第１号証）））には以下の事項が記載されている。
「ガラス基板上に設けられた少なくともシリコンを含有する水素化非晶質半導体薄膜にその上部より紫外レーザ光を照射し多結晶化し製造する多結晶半導体薄膜の製造方法において、レーザビーム内の強度分布を縦方向に均一に、かつ横方向に台形状もしくはこれと類似の形状とし、該レーザビームを用いて前記半導体薄膜上を走査しながらレーザ照射することを特徴とする多結晶半導体薄膜製造方法。」（特許請求の範囲）
「第１図（ａ）に示すように、ガラス基板１上に形成された水素化非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ膜）２をエキシマレーザビーム（紫外パルスレーザ光）４を照射し多結晶化させる。このとき、レーザ装置７からのレーザビーム４は第１図（ｂ）に示すように縦方向に均一で横方向に台形状の強度プロファイルを持たせ、この方向にビームを走査してレーザアニールをおこなった。この結果、同一地点では徐々に強い強度でアニールされる結果となり、表面荒れのない均一な多結晶膜３が得られた。またレーザビーム４の境界付近がなめらかであるため、パルスの境界がなく、またどの点もトータルで同じエネルギでアニールをされていることになり、均一な多結晶膜３が得られる。レーザビーム４の強度分布である台形の形状は上底が下底の３分の１である対称な形状である。この強度分布の形状はビームホモジナイザ、かまぼこ型レンズ、ミラー等を用いたプロファイラ６をもちいて合成できた。レーザビーム４を走査する速度は１パルスあたり台形の斜辺の長さの少なくとも２０分の１以下の間隔でビーム４を移動させて行くことが必要である。」（第３頁右上欄第６行〜左下欄第８行）
　以上の記載事項から、引用刊行物には以下の発明（以下「引用刊行物記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ガラス基板上に設けられた少なくともシリコンを含有する水素化非晶質半導体薄膜にその上部より紫外レーザ光を照射し多結晶化し製造する多結晶半導体薄膜の製造方法において、均一な多結晶半導体薄膜を得るために、レーザビーム内の強度分布を縦方向に均一に、かつ横方向に台形状もしくはこれと類似の形状とし、この方向にビームを走査して、レーザビームの強度分布である台形状の形状は上底が下底の３分の１である対称な形状とし、レーザビームを走査する速度は１パルスあたり台形の斜辺の長さの少なくとも２０分の１以下の間隔でビームを移動させた多結晶半導体薄膜の製造方法」
（対比・判断）
　本件発明１と引用刊行物記載の発明を対比すると、引用刊行物記載の発明の「少なくともシリコンを含有する水素化非晶質半導体薄膜」、「紫外レーザ光」、「横方向」はそれぞれ、本件発明１の「被アニール膜」、「工ネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビーム」、「短尺方向」に相当する。　したがって、両者は、被アニール膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射するレーザアニール方法の発明において一致しており、以下の点で相違する。
i.パルスレーザビームの走査ピッチが、本件発明１では、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくしているのに対して、引用刊行物記載の発明は、１パルスあたり台形の斜辺の長さの少なくとも２０分の１以下の間隔でビームを移動させるものである点。
ii.本件発明１は、パルスレーザビームの走査ピッチが被アニール膜の結晶性を均一化するように設定されているのに対して、引用刊行物記載の発明は均一な多結晶半導体薄膜を得るものである点。
　上記相違点i.について検討すると、引用刊行物記載の発明において、台形の斜辺の長さの２０分の１以下の間隔とはレーザビームの強度分布の形状である台形の斜辺の長さの２０分の１以下に相当する長さの意味と認められ、当該台形の上底の端部に相当する位置から測れば、レーザビームのエネルギーが２０分の１減少したところまでの距離以下に相当する長さであり、その範囲のエネルギが被アニール膜を結晶化させないものとは認められない。
　したがって、引用刊行物記載の発明の台形の斜辺の長さの少なくとも２０分の１以下の間隔には、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さいものが含まれているものと認められ、上記相違点i.は何ら格別のこととは認められない。
　次に、上記相違点ii.について検討すると、本件発明１において、パルスレーザビームの走査ピッチが被アニール膜の結晶性を均一化するように設定されているという構成要件は、パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくするという、上記相違点i.に関する構成要件により達成しているものと認められる。
　したがって、相違点ii.も相違点i.と同様に何ら格別のこととは認められない。
　以上のとおりであるから、本件発明１は引用刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本件発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　なお、特許権者は、特許異議意見書において、引用刊行物記載のレーザアニール法が多量の水素を含有した水素化非晶質シリコン膜を被アニール膜としていることにより出願時の当業者にとってその技術的意義が欠如していると主張しているが、本件発明１は、単に被アニール膜とあるだけで、また明細書全体から見ても、多量の水素を含有した水素化非晶質シリコン膜を被アニール膜として排除するものとは認められないので、当該主張は、本件発明１の構成に基づかない主張であり、採用できない。
本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１において、レーザービームの短軸側のエネルギー密度の分布が台形状に整形されているものである。
　本件発明２と引用刊行物記載の発明を対比すると、引用刊行物記載の発明も本件発明２と同様にレーザビーム内の強度分布を横方向（短軸側）に台形状もしくはこれと類似の形状としているので、本件発明２も、本件発明１と同様に、引用刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明２は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１または本件発明２において、短軸側のレーザービームが、設定エネルギー密度が９０％以上の領域ＬＩを台形の上辺として、前記領域ＬＩの両端部に前記エネルギーの立ち上がり領域と前記エネルギーの立ち下がり領域を有することで台形の下辺領域Ｌ２を構成し、ＬＩ／Ｌ２＜０．８を満たすものである。
　本件発明３と引用刊行物記載の発明を対比すると、引用刊行物記載の発明は、レーザビームの横方向（短軸側）の強度分布である台形状の形状が上底が下底の３分の１である対称な形状であり、本件発明３のＬＩ／Ｌ２＜０．８を満たすものであるので、本件発明３も、本件発明１または本件発明２と同様に、引用刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　したがって、本件発明３は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
本件発明４について
　本件発明４と引用刊行物記載の発明を対比すると、引用刊行物記載の発明の「少なくともシリコンを含有する水素化非晶質半導体薄膜」、「紫外レーザ光」、「横方向」はそれぞれ、本件発明１の「被アニール膜」、「工ネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビーム」、「短尺方向」に相当する。　したがって、両者は、被アニール膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射する半導体薄膜の製造方法の発明において一致しており、以下の点で相違する。
i.パルスレーザビームの走査ピッチが、本件発明４では、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくしているのに対して、引用刊行物記載の発明は、１パルスあたり台形の斜辺の長さの少なくとも２０分の１以下の間隔でビームを移動させるものである点。
ii.本件発明４は、パルスレーザビームの走査ピッチが被アニール膜の結晶性を均一化するように設定されているのに対して、引用刊行物記載の発明は均一な多結晶半導体薄膜を得るものである点。
iii.本件発明４は、マトリクス状に画素電極とゲート配線およびソース配線とを配置し、前記各画素電極，ゲート配線およびソース配線に画素用薄膜トランジスタを接続した第１の基板と、この第１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、その画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜の製造方法に関するものであるのに対して、引用刊行物記載の発明は半導体薄膜の用途について、格別限定のない点。
iv.本件発明４は、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さを前記パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレーザビームの走査ピッチを走査方向の画素ピッチの約数にしているものであるのに対して、引用刊行物記載の発明はそのようなものでない点。
　上記相違点i.およびii.については、上記「本件発明１について」で検討した様に何ら格別のことではない。
　次に相違点iii.について検討すると、引用刊行物記載の発明が、マトリクス状に画素電極とゲート配線およびソース配線とを配置し、前記各画素電極，ゲート配線およびソース配線に画素用薄膜トランジスタを接続した第１の基板と、この第１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを備えた液晶表示装置の前記画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜の製造方法に用いることができることは、引用刊行物の従来技術の記載（第１頁左下欄下から２行〜第２頁左上欄最終行）からみて、明らかであり、相違点iii.は何ら格別のことではない。
　次に、相違点iv.について検討すると、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さを前記パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレーザビームの走査ピッチを走査方向の画素ピッチの約数にすることは、申立人が提出した上記甲第１〜３号証のいずれにも記載されていないし、その他にこのことを開示する証拠はない。
　そして、本件発明４は、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さを前記パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレーザビームの走査ピッチを走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、ビーム重なり領域の特性変動が周期的に画像に現れることを防止し、表示品位を向上するという格別な効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明４は、上記甲第１〜３号証記載の発明から、当業者が容易に発明することができたものではない。
　以上のとおり、本件発明４についての特許は特許異議申立の理由及び証拠によっては、取り消すことはできない。
　また、他に本件発明４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
本件発明５および６について
　本件発明５および６は、本件発明４の構成をすべて有し、さらに構成を付加したものであるので、本件発明４と同様に上記甲第１〜３号証記載の発明から、当業者が容易に発明することができたものではない。
　よって、本件発明５および６についての特許は特許異議申立の理由及び証拠によっては、取り消すことはできない。
　また、他に本件発明５および６についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
本件発明７および８について
　本件発明７および８は、訂正前の請求項８および９に係る発明で、異議の申立てがされていない請求項に係る発明であるので、審理しない。
エ．むすび
　以上のとおり、本件発明１〜３についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　また、本件発明４〜６についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものではない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月２８日（２００１．３．２８）
【訂正の要旨】
　特許請求の範囲の請求項４および請求項１０を削除し、請求項５以下の項数を繰り上げ、請求項４〜８と訂正する。これに伴い、明細書中の段落番号（００１０）から段落番号（００１４）、および段落番号（００３０）を、請求書に添付された全文訂正明細書のとおり訂正する。
　すなわち１．特許明細書段落番号（００１０）中の、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることを特徴とする。」を、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることを特徴とする。」と、訂正する。
２．段落番号（００１１）中の、「請求項５記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項４記載の液晶表示装置の製造方法であって、パルスレーザビームの走査ピッチを、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることを特徴とする。」を削除し、また、「請求項６記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項４または５記載の液晶表示装置において、」を、「請求項５記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項４記載の液晶表示装置の製造方法において、」と訂正し、さらに、「請求項７記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項６記載の液晶表示装置の製造方法において、」を、「請求項６記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項５記載の液晶表示装置の製造方法において、」と訂正する。
３．段落番号（００１２）中の、「請求項８記載の液晶表示装置の製造方法は、」を、「請求項７記載の液晶表示装置の製造方法は、」と、訂正し、また、「請求項９記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項８記載の液晶表示装置の製造方法であって、」を、「請求項８記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項７記載の液晶表示装置の製造方法であって、」と訂正する。
４．段落番号（００１３）中の、「請求項１０記載の液晶表示装置の製造方法は、請求項４、５、６、７、８または９記載の液晶表示装置の製造方法において、パルスレーザビームの走査方向を、画素用薄膜トランジスタに接続したゲート配線またはソース配線と直交させてアニール処理を行う。」を削除する。
５．段落番号（００１４）中の、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、」を、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、」と、訂正する。
６．段落番号（００３０）中の、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、」を、「パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にすることにより、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
レーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】被アニール膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射するレーザアニール方法であって、前記パルスレーザビームの走査ピッチを、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定することを特徴とするレーザアニール方法。
　【請求項２】請求項１記載のレーザアニール方法であって、前記レーザービームの短軸側は、そのエネルギー密度の分布が台形状に整形されていることを特徴とするレーザアニール方法。
　【請求項３】前記短軸側のレーザービームは、設定エネルギー密度が９０％以上の領域Ｌ１を台形の上辺として、前記領域Ｌ１の両端部に前記エネルギーの立ち上がり領域と前記エネルギーの立ち下がり領域を有することで台形の下辺領域Ｌ２を構成し、Ｌ１／Ｌ２＜０．８を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザアニール方法。
　【請求項４】マトリクス状に画素電極とゲート配線およびソース配線とを配置し、前記各画素電極，ゲート配線およびソース配線に画素用薄膜トランジスタを接続した第１の基板と、この第１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
　前記画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、前記半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さを前記パルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、前記パルスレーザビームの走査ピッチを前記パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、
かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、
　【請求項
５
４記
　【請求項
６
５
　【請求項
７
　前記駆動用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、前記半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザビームの走査ピッチを前記パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、前記パルスレーザビームの走査方向を前記駆動用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項
８
７
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、薄膜トランジスタ等の形成に用いるレーザアニール方法および液晶表示装置の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置は、高精細，低コスト化の要望が強い。多結晶シリコンを活性層に用いた薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＴＦＴ」と略す）は、従来の非晶質シリコンを活性層に用いたＴＦＴに比べ移動度が２桁以上大きいため、デバイスサイズを小型化でき、高精細化が可能である。また、液晶表示装置の駆動回路を同一基板上に形成できるため、低コスト化も実現できる技術として注目されている。なかでも、大型化が容易で安価である無アルカリガラス基板が使用可能な低温度域（＜５００℃）で、多結晶シリコンＴＦＴを実現する技術開発が活発化している。
　【０００３】
　ガラス基板が使用可能な低温度域で良質な多結晶シリコン薄膜を実現する手法の一つとしてレーザアニール法が注目されている。レーザアニール法は、Ａｒレーザ等の連続発振（ＣＷ）レーザを用いる場合と、エキシマレーザ等のパルスレーザを用いる場合とに分類できるが、基板への熱ダメージやスループットの観点からエキシマレーザ等のパルスレーザを用いる場合が多い。
　【０００４】
　図５は従来のレーザアニール方法を説明するための図であり、図５（ａ）はエネルギ分布を一辺Ｗ＝８ｍｍ角の正方形に整形したパルスレーザビームを示し、図５（ｂ）はレーザアニールを行った場合のエネルギ分布を示す。エキシマレーザから放出されたレーザビームは、ビームホモジナイザー等の光学系により、図５（ａ）に示すように、８ｍｍ角のエネルギ分布をもつレーザビームに整形される。このパルスレーザビームをＸおよびＹ方向に走査して被アニール薄膜を結晶化する。ビーム走査時の走査ピッチは平均照射数により設定される。非晶質シリコン薄膜を多結晶化しＴＦＴを作製する場合、平均照射数が１０ｓｈｏｔｓ／ｐｏｉｎｔ以上であれば特性がショット数によらず安定する。
　【０００５】
　図５（ｂ）はＸおよびＹ方向送り量（走査ピッチ）をそれぞれ２ｍｍとし、平均照射数１６ｓｈｏｔｓ／ｐｏｉｍｔの場合のレーザアニールのエネルギ分布を示す図である。図５（ｂ）に示すように、エネルギ分布は模式的には台形状になっており、設定エネルギ密度Ｅｍ（ｍＪ／ｃｍ２）の領域とエネルギ立ち下がり領域との二つの領域を有している。エネルギ立ち下がり領域は、ビーム整形時の光学系の収差やレーザ光の位置揺らぎ等により発生するものであり、除去することは原理的に困難である。図５（ｂ）には多結晶シリコン薄膜を上記形状のエネルギ分布を有するレーザビームを用いてアニールを行った場合の結晶化状態も合わせて示している。設定エネルギ密度Ｅｍにてアニールされた領域Ａとエネルギ立ち下がり領域により結晶化された領域Ｂが周期的に形成される。領域Ｂは、領域Ａとは結晶状態が異なっており、次に設定エネルギ密度Ｅｍでアニールされても領域Ａの結晶状態には回復しない。したがって、このような従来のレーザアニールを行った場合、特性の異なる領域Ｂが周期的に存在し、この被アニール膜を用いたＴＦＴにより液晶表示装置を作製した場合、周期的な特性変動が画像むらとなって現れる。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記のように、エネルギ分布が矩形に整形されたパルスビームにおいては、エネルギ分布が一定な領域とエネルギ分布の立ち上がりあるいは立ち下がり領域が必ず存在する。このようなエネルギ分布を持つパルスレーザビームを走査してレーザアニールを行った場合には、被アニール膜に到達するエネルギが一定な領域とエネルギ分布の立ち下がり（実効的な到達エネルギが減少する）領域とが存在することが避けられず、被アニール膜の特性がレーザビームの走査ピッチを周期として変動する。このような被アニール膜を用いて液晶表示装置に用いるＴＦＴアレイを作製すると、ＴＦＴ特性（電子移動度等）がレーザビームの走査ピッチに応じて変動する。さらにこのようなＴＦＴアレイを用いて駆動回路内蔵型液晶表示装置を作製すると、表示領域内は特性変動が画像むらとなり、駆動回路部は駆動能力が変動し周期むらとなって画像に現れ表示品位が大きく低下する。
　【０００７】
　この発明の第１の目的は、被アニール膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制することのできるレーザアニール方法を提供することである。また、この発明の第２の目的は、画素用薄膜トランジスタの活性層に用いる半導体薄膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制し、均一な特性のＴＦＴアレイを実現し、表示品位を向上できる液晶表示装置の製造方法を提供することである。
　【０００８】
　また、この発明の第３の目的は、表示領域の周辺に形成する駆動用薄膜トランジスタの活性層に用いる半導体薄膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制し、駆動回路部の特性を均一化し、表示品位を向上できる液晶表示装置の製造方法を提供することである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１記載のレーザアニール方法は、被アニール膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射するレーザアニール方法であって、パルスレーザビームの走査ピッチを、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ被アニール膜の結晶性を均一化するように設定することを特徴とする。請求項２記載のレーザアニール方法は、請求項１記載のレーザアニール方法であって、レーザービームの短軸側は、そのエネルギー密度の分布が台形状に整形されていることを特徴とする。
　【００１０】
　請求項３記載のレーザアニール方法は、請求項１または２に記載のレーザアニール方法において、短軸側のレーザービームは、設定エネルギー密度が９０％以上の領域Ｌ１を台形の上辺として、領域Ｌ１の両端部にエネルギーの立ち上がり領域とエネルギーの立ち下がり領域を有することで台形の下辺領域Ｌ２を構成し、Ｌ１／Ｌ２＜０．８を満たすことを特徴とする。請求項４記載の液晶表示装置の製造方法は、マトリクス状に画素電極とゲート配線およびソース配線とを配置し、各画素電極，ゲート配線およびソース配線に画素用薄膜トランジスタを接続した第１の基板と、この第１の基板と液晶層を挟んで対向配置した第２の基板とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、半導体薄膜にエネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを照射し、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、
かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、
　【００１１】
　請
５
４記
６
５
　【００１２】
　請求項
７
８
７
　【００１３】
　こ
　【００１４】
　また、この発明の液晶表示装置の製造方法は、画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、エネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、
かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、
　【００１５】
　また、この発明の液晶表示装置の製造方法は、表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、エネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、パルスレーザビームの走査方向を駆動用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることにより、駆動用薄膜トランジスタにおける半導体薄膜の少なくとも一部にビーム重なり領域が発生し、駆動用薄膜トランジスタの特性のばらつきを大幅に低減し、駆動回路部の出力むらを低減し、表示品位を向上できる。
　【００１６】
　【発明の実施の形態】
　以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
　〔第１の実施の形態〕
　図１はこの発明の第１の実施の形態のレーザアニール方法を説明するための図であり、図１（ａ）はエネルギ分布を線状に整形したレーザビーム形状を示し、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面でのエネルギ分布を示す。
　【００１７】
　パルスレーザ光源として波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザを用い、発振周波数が２００Ｈｚ以上である。このパルスレーザ光の最終ビームの形状は、図１（ａ）に示すように、長尺方向寸法Ｓ＝１８０ｍｍ，短尺方向寸法Ｔ＝０．５ｍｍである。Ａ−Ａ’断面でのビーム形状は、図１（ｂ）に示すように、台形状であり、設定エネルギ密度の９０％以上の領域Ｌ１（台形の略上辺に対応）の両端部分に、エネルギ立ち上がりおよびエネルギ立ち下がり領域を有し、台形の下辺領域Ｌ２が形成されている。エネルギ密度の立ち上がりおよび立ち下がり領域は光学系の収差やレーザの位置揺らぎに起因するもので、比率Ｌ１／Ｌ２を０．８以上にすることは困難であり、比率Ｌ１／Ｌ２＜０．８となる。このようなエネルギ分布を持つレーザビームを、図１（ｂ）に示すように、ピッチＰにて走査してレーザアニールを行う。この際、被アニール膜の結晶性は、設定エネルギ密度Ｅｍの１／２前後を境にして、図５に示した結晶性の異なる領域ＡあるいはＢに変化するため、走査ピッチＰをエネルギ立ち下がり領域の長さの１／２以下にすることにより、結晶性を均一化できた。なお、ここでは、エネルギ立ち下がり領域の長さは０．０８ｍｍであり、走査ピッチＰを０．０３ｍｍとした。
　【００１８】
　すなわち、このレーザアニール方法を用いることにより、照射エネルギ履歴の差に起因する被アニール膜の結晶性のばらつきを大幅に低減可能となった。
　〔第２の実施の形態〕
　図２はこの発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するための図であり、液晶表示装置のＴＦＴアレイの一画素部分を示す平面配置図である。図２において、２１，２２はソース配線、２３，２４はゲート配線、２５は画素電極、２６はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）である。
　【００１９】
　図２に示す液晶表示装置では、画素電極２５がマトリクス状に配置され、一画素のサイズをＵ（＝１０５μｍ）×Ｖ（＝２１０μｍ）として破線で示している。各画素中には液晶に電圧を印加する画素電極２５があり、例えばＴＦＴ２６に接続されたゲート配線２３およびソース配線２１により、外部から画素電極２５をスイッチングする。
　【００２０】
　この第２の実施の形態は、液晶表示装置のＴＦＴアレイのＴＦＴ２６の多結晶シリコン薄膜の形成に、第１の実施の形態のように、エネルギ分布を線状に整形したパルスレーザ（ＸｅＣｌエキシマレーザ）ビームを用い、アニールを行うようにしている。パルスレーザビームはその短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さより小さくし、かつパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチの約数にしている。そして、レーザビームをゲート配線２３，２４と平行な方向に走査することにより、半導体薄膜を結晶化し多結晶シリコン薄膜を形成している。
　【００２１】
　このレーザビーム走査方向での画素ピッチは１０５μｍであり、レーザビームの走査ピッチを画素ピッチの約数にしている。ここで、レーザビームの走査ピッチを画素ピッチの約数ではない例えば２３μｍに設定した場合には、特性変動領域が２３μｍピッチで形成される。この場合、画素ピッチと走査ピッチの最小公倍数である２４１５μｍピッチ、すなわち２３画素ごとにビーム重なり部の特性変動領域がＴＦＴ２６に一致して周期的な特性変動が発生し、画像の周期変動となり表示品位が劣化する。これに対してこの実施の形態では、レーザビームの走査ピッチを画素ピッチの約数である例えば２１μｍとすることにより、レーザビームの走査ピッチに起因する特性変動は画素ピッチに一致し、全てのＴＦＴ２６にレーザ照射の重なり領域が形成されるため、特性変動の周期性が低減し、ＴＦＴアレイの均一性が向上した。このＴＦＴアレイを用いて液晶表示装置を作製すると、レーザビームの走査ピッチに関わる周期的な画像不均一性が解消され、表示品位が大幅に向上した。
　【００２２】
　〔第３の実施の形態〕
　図３はこの発明の第３の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するための図であり、液晶表示装置のＴＦＴアレイの一画素部分を示す平面配置図である。図３において、２１はソース配線、２３はゲート配線、２５は画素電極、２６はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、２７は多結晶シリコン薄膜である。
　【００２３】
　この第３の実施の形態は、液晶表示装置のＴＦＴアレイのＴＦＴ２６の多結晶シリコン薄膜２７の形成に、第１の実施の形態のように、エネルギ分布を線状に整形したパルスレーザ（ＸｅＣｌエキシマレーザ）ビームを用い、このパルスレーザビームを走査することにより、半導体薄膜を結晶化し多結晶シリコン薄膜２７を形成している。
　【００２４】
　パルスレーザビームサイズは、図１（ａ）と同様、長尺方向が１８０ｍｍ，短尺方向が０．５ｍｍであり，短尺方向をソース配線２１と平行にし、２１μｍピッチにて走査しており、平均照射数２３．８ｓｈｏｔｓ／ｐｏｉｎｔである。画素ピッチは図２のものと同じである。画素照射面でのエネルギ密度は３５０ｍＪ／ｃｍ２である。
　【００２５】
　この第３の実施の形態では、パルスレーザビームをソース配線２１と平行に走査しており、走査方向の画素ピッチは２１０μｍであり、レーザビームの走査ピッチ（２１μｍ）は走査方向の画素ピッチの約数となっており、第２の実施の形態と同様、ＴＦＴ２６の全てにレーザ照射の重なり領域が形成される。このＴＦＴ２６のチャネル幅は６μｍである。このチャネル幅はレーザビームの走査ピッチより小さいため、ＴＦＴのチャネル幅方向がレーザビームの走査方向と一致している場合には、レーザビームのアライメントの精度によりレーザビームのビーム立ち下がり領域のどの位置で半導体薄膜にレーザビームが照射されるかが、基板によって異なってくる可能性が大きい。この照射位置の変動は実効的な照射エネルギ履歴を変化させ、ＴＦＴ特性の再現性を悪化させる。そこで、この実施の形態では、多結晶シリコン薄膜２７をソース配線２１に対して４５度傾けて配置し、ＴＦＴ２６のチャネル幅方向がレーザビームの走査方向に対して４５度の角度を有するようにしている。これによりレーザビームに対するチャネル領域の交差領域が広がり、レーザビームのアライメントずれ等によるレーザビームの重なり領域が常に多結晶シリコン薄膜２７中に存在するようになり、ＴＦＴ特性のばらつきを緩和することが可能となった。このＴＦＴアレイを用いて液晶表示装置を作製すると、個々のＴＦＴ２６の特性ばらつきを大幅に低減でき、表示品位が大きく向上した。なお、パルスレーザビームの走査方向とＴＦＴ２６のチャネル幅方向とは、１０度以上９０度以下の交差角度を有してあればその効果は得られる。
　【００２６】
　〔第４の実施の形態〕
　図４はこの発明の第４の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するための図であり、液晶表示装置の平面配置図である。図４において、２１，２２はソース配線、２３，２４はゲート配線、３１は走査側駆動回路、３２はデータ側駆動回路、３３は表示領域である。
　【００２７】
　この第４の実施の形態は、表示領域３３の各画素は図２または図３の構成と同様であり、走査側駆動回路３１とデータ側駆動回路３２が内蔵された液晶表示装置である。ゲート配線２３，２４とソース配線２１，２２とが直交し、それぞれが走査側駆動回路３１とデータ側駆動回路３２により駆動されている。そして、データ側駆動回路３２を形成するデータ側駆動用ＴＦＴのゲート配線の方向が、表示領域３３のソース配線２１，２２の方向と平行にならず、かつ走査側駆動回路３１を形成する走査側駆動用ＴＦＴのゲート配線の方向が、表示領域３３のゲート配線２３，２４の方向と平行にならないように形成されている。具体的には、走査側，データ側駆動回路３１，３２を形成するＴＦＴのチャネル長方向あるいはチャネル幅方向が、表示領域３３のゲート配線２３，２４およびソース配線２１，２２の方向と直交しないように配置されている。そして、レーザビームを、表示領域３３のゲート配線２３，２４と直交する方向に走査している。
　【００２８】
　このようにして、走査側，データ側駆動回路３１，３２の駆動用ＴＦＴを形成することにより、レーザビームの走査方向に対する駆動用ＴＦＴのチャネル領域の交差領域が広がり、レーザビームのアライメントずれ等によるレーザビームの重なり領域が常に駆動用ＴＦＴの多結晶シリコン薄膜中に存在するようになり、ＴＦＴ特性のばらつきを大幅に低減し、走査側，データ側駆動回路３１，３２の出力むらを低減でき、表示品位が大きく向上した。
　【００２９】
　【発明の効果】
　この発明のレーザアニール方法は、エネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの走査ピッチを、パルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、かつ被アニール膜の結晶性を均一化するように設定することにより、被アニール膜全体に照射される実効エネルギがエネルギ立ち下がり領域で規定されるエネルギ密度で均一化でき、被アニール膜のレーザビームの走査ピッチによる特性変動を抑制できる。
　【００３０】
　また、この発明の液晶表示装置の製造方法は、画素用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、エネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の長さをパルスレーザビームの走査方向の画素ピッチより小さくし、パルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、
かつ前記被アニール膜の結晶性を均一化するように設定し、
　【００３１】
　また、この発明の液晶表示装置の製造方法は、表示領域の周辺に形成した駆動用薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜をアニール処理する際に、エネルギ分布を線状に整形したパルスレーザビームを用い、このパルスレーザビームの走査ピッチをパルスレーザビームの短尺方向のエネルギ立ち下がり領域の実効的な到達エネルギーが減少したエネルギ密度で結晶化される領域の長さより小さくし、パルスレーザビームの走査方向を駆動用薄膜トランジスタのチャネル幅方向と異なる方向とすることにより、駆動用薄膜トランジスタにおける半導体薄膜の少なくとも一部にビーム重なり領域が発生し、駆動用薄膜トランジスタの特性のばらつきを大幅に低減し、駆動回路部の出力むらを低減し、表示品位を向上できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の第１の実施の形態のレーザアニール方法を説明するための図。
　【図２】
　この発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
　【図３】
　この発明の第３の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
　【図４】
　この発明の第４の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明するための図。
　【図５】
　従来のレーザアニール方法を説明するための図。
　【符号の説明】
　２１，２２　ソース配線
　２３，２４　ゲート配線
　２５　画素電極
　２６　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
　３１　走査側駆動回路
　３２　データ側駆動回路