【事件の表示】
　特許第２９９８０９５号「レジスト塗布組成物溶液」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９９８０９５号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９９８０９５号の請求項１に係る発明は、平成４年１２月７日に特許出願され、平成１１年１１月５日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人 荒井純子（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月１９日に意見書が提出されたものである。
　
２．申立ての理由の概要
　申立人は、請求項１に係る発明は、申立人の提出した甲第１，２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、請求項１に係る発明は本件出願の出願の日前になされた他の特許出願であって、その出願後に出願公開された特許出願の願書に最初に添付した明細書（以下、「先願明細書」という。申立人の提出した甲第３号証参照。）に記載された発明と同一のものであり、しかも、請求項１に係る発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、本件出願の時においてその出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるので、本件の請求項１に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　
３．本件の請求項１に係る発明
　特許第２９９８０９５号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】 放射線の照射により酸を発生する成分を含有し、その酸の触媒作用による化学反応により、放射線照射部分における現像液に対する溶解性が変化することによって、レジストパターンを形成するレジスト塗布組成物の溶液において、該レジスト塗布組成物が下記（イ）、（ロ）または（ハ）の組成物からなり、かつ溶液中の金属の合計含有量が単体換算で２００ｐｐｂ以下であることを特徴とするレジスト塗布組成物溶液。
（イ） （１）放射線の照射により酸を発生する成分（但し、ジアゾケトン化合物を除く。）、および（２）酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物、
（ロ） （１）放射線の照射により酸を発生する成分、（２）アルカリ可溶性樹脂、および（３）該アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解性を制御する性質を有し、酸の存在下で分解されて、該アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解性制御効果を低下もしくは消失させるかまたは促進させる作用を有する溶解制御剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物、
（ハ） （１）放射線の照射により酸を発生する成分、（２）アルカリ可溶性樹脂、および（３）酸の存在下で該アルカリ可溶性樹脂を架橋しうる架橋剤を含有するネガ型感放射線性樹脂組成物。」
　
４．特許法第２９条第２項の理由について
(1)引用刊行物に記載された発明
　当審が通知した取消理由通知に引用した刊行物１，２には、以下の事項が記載されている。
［刊行物１：特公平２−２７６６０号公報（申立人が提出した甲第１号証）］
「１　カルボン酸のｔｅｒｔ−ブチル・エステル又はフェノールのｔｅｒｔ−ブチル・カルボナートよりなる、酸に対して不安定な反復的に存在する枝分れした基を有する重合体と、放射に対してさらされたときに酸を生じる光重合開始剤とを含むレジスト組成物。」（特許請求の範囲）
「本発明はレジスト組成物に於て有用な、或る種の重合体と光陽イオン重合開始剤（cationic photoinitiator）との混合物に係り、更に具体的に云えば、現像剤を選択することによってポジ型又はネガ型に働きそして又遠紫外線から可視光線迄の種々の波長に対して感応し得る、有用な混合物に係る。」（１欄10-16行）
「本発明に従って、酸に対して不安定な反復的に存在する枝分れした基(recurrent acid labile pendant groups)を、アリールジアゾニウム、ジアリールヨードニウム、又はトリアリールスルホニウム等の金属ハロゲン化物と組合わせることにより、現像剤を適切に選択することによってポジ型又はネガ型のレジストとして働く、紫外線、電子ビームはＸ線に対して感応するレジスト組成物が得られる。上記開始剤を含む重合体が基板上に薄に被膜として被覆され、制御された条件の下でベークされ、放射に対してパターン状にさらされ、そして制御された条件の下でポーストベークされる。放射に対してさらされた被膜の部分に於て、重合体の酸に対して不安定な反復的に存在する枝分れした基が劈開されて、極性を有する反復的に存在する基が形成され、露光領域がアルカリ現像剤又は極性溶媒で処理されることにより選択的に除去される。上記被膜の未露光領域は、無極性であるために、無極性溶媒で処理されることにより選択的に除去される。従って、露光領域及び未露光領域の溶解度特性に大きな相違が存在するために、現像剤を適切に選択することによって、像の反転が極めて容易に達成される。本発明に於ける溶解特性に相違を生ぜしめる機構は、上記従来技術の機構と全く異っている。上記従来技術は、ネガ型の場合には交叉結合に依存してポジ型の場合には主鎖の劣化に依存しているが、本発明は側鎖の劈開に関連している。」（３欄16-43行）
「実施例　１
　ポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ−α−メチルスチレン）（数平均分子量４６９００）がジクライム中に、固形物が２０重量％になる様に、溶解された。…レジストの被膜が形成された。…塩基の水溶液中で６０秒間現像されることにより、高解像力を有するポジ型の像が得られた。…」（９欄38行-１０欄8行）
［刊行物２：「ＵＬＴＲＡＣＬＥＡＮ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ」第３巻第１号（１９９１）２−８頁、７９−８３頁、９４−９７頁、１０６−１１１頁（申立人が提出した甲第２号証）］
「近年、半導体製造業界において、とくにその重要性が指摘されている問題点のひとつに、使用材料に含有される不純物やパーティクルの問題がある。これは従来からも指摘されているものであるが、より集積度の高い半導体デバイスの工程で、不純物の低減化（高純度化）、低パーティクルレベル化の要望が一段と厳しくなっている。装置や部品の改良によるコンタミネーションフリー化が進む中で、使用される薬品の純度やパーティクルレベルも向上している。」（２頁「レジスト材料の問題点と将来」）
「半導体製造に用いられているポジ型フォトレジストは、感光剤（溶解阻害剤）とアルカリ可溶性樹脂および溶剤との組合せにより構成されている。…
　このポジ型フォトレジストに使われている感光材は、キノンジアジド化合物とＯＨ基を持つモノマーまたはポリマーとの縮合物が用いられ、アルカリ可溶性樹脂としては、主にノボラック樹脂が使用されている（Fig.5）。
　ポジ型フォトレジストの使用方法が確率した現在、同じ系統の材料でより高性能のデバイスを製造すべく、この材料に対する高解像力化の要望は強く、またフォトリソプロセスでの改良も多々発表されている。」（４頁「レジスト材料の問題点と将来」）
「不純物
　超微細加工をする上では、ドライエッチングあるいはアッシングという工程は避けられないものである。そして、この工程にポジ型フォトレジストは不可欠な材料であることも否定はできない。このフォトリソグラフィー工程において、金属不純物の影響が指摘されている。即ち、ドライエッチング処理されたレジストはＯ２プラズマなどによるドライアッシングによって除去されることが多い。この時のプラズマによってレジスト中の金属不純物がウエハ上に付着または拡散し、後工程において様々な弊害をもたらすというものである。金属不純物が原因となって起こる現象とは、たとえばアルカリ金属によるＳｉ熱酸化の増速、フラットバンド電圧の変動あるいはＡｌ配線層の腐食などがあげられ、重金属によるウエハ結晶欠陥やライフタイムの劣化が報告されている、いずれにしても金属不純物はデバイスの信頼性不良につながるものとして、非常に警戒されている。これらの金属不純物の混入する原因は…レジスト材料からの汚染も大きな一因とされている。」（６頁「レジスト材料の問題点と将来」）
「フォトレジストおよびその付属薬品中の金属不純物を低減するには、先ずその原料からの低減が最も重要であり、…。
　フォトレジスト中の不純物の低減対策としては、我々は先ず原材料中に含まれる不純物の低減化を試みた。つまり、原材料自体に含まれている金属不純物を特殊な方法により精製し、不純物を除去する。さらに、中間原料の製造工程においても、製造設備からの汚染がないようグラスライニング、テフロンライニングなどの改善を施し、試作段階での評価を繰り返し、量産対応を図ってきたわけである。とくに酸、アルカリなどを扱う場合、設備からの汚染があり、注意が必要である。」（６〜７頁「レジスト材料の問題点と将来」）
「１９８８年１月に比較して、１９８９年９月現在でポジ型フォトレジストの不純物低減効果はＴａｂｌｅ２に示すように、およそ一桁に近いオーダーでの高純度化が達成された。Ｆｉｇ．９には不純物低減効果の推移を示す。また、付属薬品については、現在ｐｐｂの分析が可能となり、近い将来ｐｐｔオーダーの分析に移行していくであろう。現在の半導体工場で使用されている材料の中で、とくに超純水および酸関係ものについてはすでにｐｐｂ以下のオーダーの超高純度のものが使われている。」（７頁「レジスト材料の問題点と将来」）
「今後さらにフォトレジストおよびその付属薬品類の金属不純物が低減されていくであろう。」（７頁「レジスト材料の問題点と将来」）
「通常のポジ型レジストはナフトキノンジアジドを感光基としたノボラック樹脂ベースが主流であり、用途に応じてレジストの最適化が行われ、仕様となった。しかしここに来て、ＤＵＶ、Ｘ線、Ｅビームに対応すべく、レジストとしてはさらに難易度の高い化学増幅タイプが今後、必要となるであろう。」（７９頁「フォトレジストのウルトラクリーン化対策（ギガチップへ向けての問題点）」）
「レジスト中の金属イオンについてはレジストメーカーが最も注力するところである。粒子サイズの低減が２〜３年内に２倍速で進む状況の中で金属イオンの低減は１０倍速で進むことが要求されている。Ｆｉｇ．２に金属イオン低減のグラフを示した。金属イオンについては主にＮａとＦｅの両元素の低減が急務である。Ｎａは環境汚染、Ｆｅは工程汚染の観点からその低減が求められている。さらに上記両元素以外にも多くの金属についてその管理が要求されて来ている。
　レジスト原材料の多くは石油製品であるため、金属イオンの低減は精製というプロセスによってのみ可能となる。第１のステップは原料の精製である。第２のステップはレジスト製造時での精製であるが、フォトレジストの性格上、熱、光、機械的なエネルギーに対して敏感であるためその精製技術は選択的かつ慎重に行う必要がある。第３のステップは精製されたフォトレジストが、外部原因により再汚染化される事を防ぐことである。…
　新しい等温分離プロセスの開発によりレジスト精製は飛躍的に向上した。多くの等温分離プロセスはメンバランスプロセスである。透析、電気的透析、ドンナン膜分離等の手法が考えられる。」（８０〜８１頁「フォトレジストのウルトラクリーン化対策（ギガチップへ向けての問題点）」）
「今後、集積度が高まる一方のデバイスに対応して、フォトレジストは、その機能的な特性を満足させるだけでなくレジスト設計の段階から、…金属イオン対策を考慮する必要がある。」（８１頁「フォトレジストのウルトラクリーン化対策（ギガチップへ向けての問題点）」）
「半導体・集積回路素子の微細化に伴い、重金属不純物の含量はｐｐｍの水準からｐｐｂの水準が要求されるに至っている。この背景については、例えば、レジストの剥離がウエットに変わりドライ剥離（アッシング）がかなり用いられるようになったことによりレジスト中に重金属不純物が多いと残査が多くなり、下地基板への汚染、悪影響が出てくることや、絶縁膜の薄膜化により、絶縁膜の耐圧不良やリーク電流不良を起こさぬために従来より重金属不純物の低減化が必須である等、プロセス面や素子構造の点で重要なポイントになっている。
　レジスト中の重金属の低減化については、原料、プロセス、装置、包材各面にわたってのトータルなコントロールが重要である。このうち、まず原料面についての低減化が最も重要である。レジストは、樹脂成分、感光剤成分、溶剤の三主成分から成っているが、これらの成分を合成するのに用いる各原料の重金属不純物含量を、最終レジストにしたときの目標水準以下となるように、目標を設定し進めている。…
　現在の重金属不純物の管理目標としては、最先端（高解像度）グレードにおいて、Ｎａ含量、Ｆｅ含量３０ｐｐｍ以下である。」（８２頁レジスト中の重金属不純物および粒子の低減化」）
「こうした流れにあって、我々レジストメーカーも、この高NAＩ線ステッパーに対応する高解像度Ｉ線フォトレジストＳＰＲ５００を開発したので、ここにクリーン度（金属含有量）を含めた基本特性を紹介する。」（９５頁「４ＭＤＲＡＭ・１６ＭＤＲＡＭ対応ポジ型Ｉ線レジスト」）
「金属含有量
　Ｔａｂｌｅ１に、量産レベルにおけるレジスト中の金属含有量の、現在値および目標値を示す。また、Ｔａｂｌｅ２に、試作レベルにおける現在のＳＰＲ５００中の金属含有量の値を示す。このように試作レベルでは、メタルの低減処理を施すことにより、Ｆｅ以外の金属の含有量を１０ｐｐｂ以下に抑えることが可能となっている。」（９５頁，９７頁「４ＭＤＲＡＭ・１６ＭＤＲＡＭ対応ポジ型Ｉ線レジスト」）
「Table 1　Microcontamination Control
　　　　　SPR 500 Photoresist metal ion goals
　　　　　　　　Na,Fe　　　　Other metals
　NOW　　　　　50ppb　　　　　50ppb
　　…
　1992　　　　　5ppb　　　　　2ppb　　」（９６頁「４ＭＤＲＡＭ・１６ＭＤＲＡＭ対応ポジ型Ｉ線レジスト」）
「Table 2　Metal Ion levels of SPR 500
　　　　　using experimental production processes to reduce
　　　　　metal ions
　Element　　　　Contents(ppb))
　　Fe　　　　　　　25
「最近の半導体素子製造に使用されるポジ型フォトレジストは、…金属不純物の低減を備えることが、フォトレジスト設計上不可欠となって来ている。
　弊社は、…不純物の低減対策としては、素原材料からの管理、並びにフォトレジスト設計時より、溶解性の良い材料、溶解力の高い溶剤の選定、並びに製造工程、製造設備からの汚染防止策、フィルター技術、等の検討を加え、高品位フォトレジストの製造を心がけている。
　既に、数年前より、弊社ＦＨ−６０００シリーズ、ＦＨｉ−３０００シリーズの商品化と同じくして、全フォトレジストの異物、金属不純物の低減を実施し上市しているが、不純物除去の要求される目標も集積回路の高密度化に伴い厳しくなって来ており、弊社もそれに対応すべく、より高品位フォトレジストへの挑戦を続けている。」（１０６頁「レジスト関連の最新製品紹介」）
「Table 1　FHi-3700(ｉ線専用)
　　項目　　　　　　　　　性能
　　　…　　
　６．重金属量(ppb/ml)　　50以下
　　　…　　　　　　　　　　　　」（１０６頁「レジスト関連の最新製品紹介」）
「Table 2　FH-6450(Ｇ線専用)
　　　…　　
　６．重金属量(ppb/ml)　　50以下
　　　…　　　　　　　　　　　　」（１１１頁「レジスト関連の最新製品紹介」）
(2)対比・判断
　本件発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１には、
「カルボン酸のｔｅｒｔ−ブチル・エステル又はフェノールのｔｅｒｔ−ブチル・カルボナートよりなる、酸に対して不安定な反復的に存在する枝分れした基を有する重合体と、放射に対してさらされたときに酸を生じる光重合開始剤とを含むレジスト組成物」が記載されるとともに、「本発明はレジスト組成物に於て有用な、或る種の重合体と光陽イオン重合開始剤（cationic photoinitiator）との混合物に係り、更に具体的に云えば、現像剤を選択することによってポジ型又はネガ型に働きそして又遠紫外線から可視光線迄の種々の波長に対して感応し得る、有用な混合物に係る」旨記載され、光重合性開始剤としてジアリールジアゾニウム、ジアリールヨードニウム、又はトリアリールスルホニウムの塩等が例示され、さらにポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ−α−メチルスチレン）等の重合体と光重合開始剤を含有する溶液を用いてポジ型ないしネガ型の像を得る実施例が示されているから、
刊行物１記載のレジスト塗布組成物溶液は、放射線の照射により酸を発生する成分および酸解離性基で保護された樹脂を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物を含有する点で、本件発明の（イ）ポジ型感放射線性樹脂組成物を用いるレジスト塗布組成物溶液と同じであるので、
本件発明と刊行物１に記載された発明とは、
「放射線の照射により酸を発生する成分を含有し、その酸の触媒作用による化学反応により、放射線照射部分における現像液に対する溶解性が変化することによって、レジストパターンを形成するレジスト塗布組成物の溶液において、該レジスト塗布組成物が下記（イ）の組成物からなるレジスト塗布組成物溶液。
（イ） （１）放射線の照射により酸を発生する成分（但し、ジアゾケトン化合物を除く。）、および（２）酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物」である点において一致し、
（相違点）本件発明は、レジスト塗布組成物の溶液中の金属の合計含有量が単体換算で２００ｐｐｂ以下であるのに対し、刊行物１に記載された発明は、その点について記載されていない点
で、相違する。
　ところで、刊行物２の記載によれば、本件発明に係る出願の出願当時、半導体製造業界において、フォトレジストの金属不純物を低減化することが、強く要望されていた。このことは、上記刊行物１記載の（イ）のポジ型感放射線性樹脂組成物を含む化学増幅型のフォトレジストにおいても同様である。そして、その要求の程度は、「金属イオンの低減は２〜３年内に１０倍速で進むことが要求されている」（８０頁、Fig.2も参照）というほどものである。
　一方、刊行物２には、メタルの低減処理をすることにより、フォトレジストにおいて、金属イオンレベル（ｐｐｂ）がＮａ＜２、Ｆｅ２５、Ｃａ＜３、Ｋ＜３、Ｍｇ＜３、Ｍｎ＜３、Ａｌ＜３、Ｃｕ＜３、Ｎｉ＜３、Ｐｂ＜３、Ｚｎ＜３のものがすでに存在していることが示されている（９６頁）。この場合、記載があるのは上記１１元素だけで、本件明細書でさらに挙げられているＬｉ、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏについては記載されていないが、８０頁のFig.2からすると、これらの６元素は上記の１１元素のうちＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｚｎと同程度以下の影響のものであり、したがって、この場合もせいぜい３ｐｐｂ以下程度の存在量と見積もるのが妥当なところである。そうすると、１１元素だけでは５４ｐｐｂ以下、記載のない６元素の影響を見積もっても、せいぜい７２ｐｐｂ以下の金属量であるから、このものは本件発明における「金属の合計含有量が単体換算で２００ｐｐｂ以下」のものと同等程度の金属の合計含有量のものであると認められる。
　このように、半導体製造業界においてフォトレジストの金属不純物を（２〜３年内に１０倍速で）低減化することが強く要望されており、しかもすでに本件発明における「金属の合計含有量が単体換算で２００ｐｐｂ以下」のものと同等程度の金属の合計含有量のフォトレジストが存在していることが示されている段階においては、特に刊行物１記載の化学増幅型のフォトレジスト（イ）において「金属の合計含有量が単体換算で２００ｐｐｂ以下」のものとすることには、格別の意義は認められない。
　特許権者は効果の予測性がないことを主張するが、すでに本件発明における「金属の合計含有量が単体換算で２００ｐｐｂ以下」のものと同等程度の金属の合計含有量のフォトレジストが存在していることが示され、しかも半導体製造業界においてはフォトレジストの金属不純物をそれ以上に低減化しようとしている中で、本件発明の効果は、化学増幅型のフォトレジスト（イ）等においては、安定したレジスト感度を示すには、「金属の合計含有量が単体換算で２００ｐｐｂ以下」であればそれ以上精製しなくてもよいことを見出しただけのことにすぎない。
　したがって、本件発明は、上記刊行物１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(3)むすび
　以上のとおり、本件発明は、上記刊行物１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．特許法第２９条の２の理由について
(1)先願明細書に記載された発明
　先願明細書〔特開平５−１１２６０６号公報（申立人が提出した甲第３号証）参照。〕には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】 半導体素子製造用レジストに用いるアルカリ可溶性を与える官能基の５〜５０％が酸により分解される保護基で保護されているアルカリ可溶性の高分子化合物を、アルカリ可溶性の高分子と、酸により分解される保護基を与える反応試薬との反応で合成するにあたり、前記酸により分解される保護基を与える反応試薬に対して、０．０５〜１０モル％のピリジン化合物が存在する条件下で反応させることを特徴とする酸分解性高分子化合物の合成方法。」（特許請求の範囲）
「【産業上の利用分野】本発明は、高精度の微細パターンを形成するために使用する半導体素子製造用のレジストに用いる酸分解性高分子化合物を合成する方法に関するものである。」（【０００１】）
「【従来の技術】半導体素子等の微細加工のためのパターニングは、広く写真製版法により行われている。この際、放射線等の活性光線に感光するレジストが利用され、従来この様な材料として、放射線の照射を受け分解する材料や、あるいは放射線の照射を受け硬化する化合物がレジストとして使用されてきた。しかしながら、これらの化合物は、逐次型の反応だけが起こり、照射されるエネルギーで反応するため、その効率は極めて低く、その結果、大幅な感度向上は望めないのが実情である。
　近年、この様な問題点を解決するため、化学増幅機構の考えに基づくレジストが検討されている。これは、光の照射を受けて発生する酸を触媒として、反応を光以外に熱的に促進させる手法である。この手法では、光の照射量は触媒量の酸を発生させるだけで済むことになり、極めて高感度化が達成できる。
　これらの手法においては、酸により容易に分解する官能基を有する化合物が使用されており、例えば特公平２−２７６６０にはポリ（Ｐ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）が、短波長フォトレジスト材料（上野巧ら、有機エレクトロニクス材料研究会編、ぶんしん出版、１９８８年、Ｐ．６６〜６８）にはブトキシカルボニルフェノール化合物が有用な化合物として検討されている。」（【０００２】〜【０００４】）
「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これらの化合物は酸により容易に分解するため、アルカリ金属を含んだ塩基性化合物を用いる条件下で合成されることから、合成物中にカリウム、ナトリウムなどのイオン性不純物が残存する欠点がある。レジスト中にこれらの金属が存在する場合には、半導体素子の特性を損なうなどの問題があり、他方これらを取り除くためには複雑なプロセスが必要となり、その結果大幅なコスト上昇となるなどの問題が避けられなかった。本発明は、触媒反応を利用した合成手法を導入することにより、上記問題を解決する合成する手法を提供することにある。」（【０００５】）
「実施例１
　ポリｐ−ビニルフェノール（Ｍｗ＝８０００ 、Ｎａ、Ｋの含有量はそれぞれ２．０ｐｐｍ 、０．３ｐｐｍ)２４ｇ（０．２モル）をテトラヒドロフラン３００ｍＬに溶解し、窒素気流下で３０℃で均一に攪拌した。ついで、０．２４４ｇ（０．００２モル）の４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジンを加え、さらに１３．０ｇ( ０．０６モル）のジｔ−ブチルジカルボネートを温度が上昇しない速度で滴下した。更に３０℃で４時間攪拌した後、蒸留水に反応物を投入しポリマーを再沈澱させ、得られたポリマーを十分水洗をして、室温・減圧条件で２０時間乾燥を行った。
　得られたポリマーの赤外吸収スペクトル測定の結果、１７６０ｃｍ-1にブトキシカルボニル基に基づく吸収が認められ、また、核磁気共鳴装置での測定からほぼ定量的に反応が進行していることが確認された。原子吸光スペクトル法で金属不純物量の測定を行い、Ｎａとして０．７ｐｐｍ、Ｋとして０．１ｐｐｍ の値が得られた。この値は半導体用レジストの材料として使用するのに十分良好な値であった。」（【００１６】〜【００１７】）
「実施例 ２〜１１
　表１に示すピリジン化合物、反応溶媒、及び反応条件により、又同表１の反応試薬とポリビニルフェノール（分子量、金属含有量は実施例１と同じ）から各種の高分子化合物を合成した。得られた高分子化合物に関して実施例１と同様の操作で反応を確認し、さらに、実施例１と同じ手法を用いて純度を測定した結果金属不純物濃度は実施例１とほぼ同等のレベルであることを確認した（Ｎａとして０．３〜０．８ｐｐｍ 、Ｋとして０．０５〜０．２ｐｐｍ ）。」（【００２０】）
「【発明の効果】本発明の酸分解性高分子化合物の合成方法によれば、事実上アルカリ金属を含まないか、又はそれを著しく低い含量に抑えた有機系化合物を反応触媒として用いるため、極めて高い純度の上述した酸分解性高分子化合物を合成し得る。従ってかかる酸分解性高分子化合物を利用することから、上記問題を解決するパターン形成材料の合成を可能とし極めて有用である。」（【００２４】）
(2)対比
　本件発明と先願明細書に記載された発明（以下、「先願発明」という。）とを対比する。
　先願明細書記載のポリｐ−ビニルフェノールにブトキシカルボニル基を導入したポリマー等の、アルカリ可溶性を与える官能基の５〜５０％が酸により分解される保護基で保護されているアルカリ可溶性の高分子化合物は酸解離性基で保護された樹脂であり、該高分子化合物が放射線の照射により酸を発生する成分と共にポジ型感放射線性樹脂組成物として用いられる点で、本件特許発明の（イ）ポジ型感放射線性樹脂組成物に相当しているから、
本件発明と先願発明とは、
「放射線の照射により酸を発生する成分を含有し、その酸の触媒作用による化学反応により、放射線照射部分における現像液に対する溶解性が変化することによって、レジストパターンを形成するレジスト塗布組成物の溶液において、該レジスト塗布組成物が下記（イ）の組成物からなるレジスト塗布組成物溶液。
（イ） （１）放射線の照射により酸を発生する成分（但し、ジアゾケトン化合物を除く。）、および（２）酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物」である点において一致し、
（相違点）本件発明は、レジスト塗布組成物の溶液中の金属の合計含有量が単体換算で２００ｐｐｂ以下であるのに対し、
先願発明は、ＮａとＫについてしか含有量が記載されていない点
で、相違する。
　すなわち、先願明細書には、Ｎａ及びＫ以外の金属の有無及び含有量について記載がない。そして、Ｎａ及びＫ以外の金属が含まれていたとしてもレジスト塗布組成物の溶液中の金属の合計含有量は単体換算で２００ｐｐｂ以下となることを根拠づける記載は先願明細書には存在しない。また、上記相違点は課題解決のための具体化手段における微差であるともいえない。
　したがって、本件発明は先願発明と同一ではない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月２７日（２００１．６．２７）