【事件の表示】
　特許第２８８９５１９号「セラミックパッケージの封止構造」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８９５１９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８８９５１９号は、平成７年１１月１３日の出願であって、平成１１年２月１９日に特許の設定登録がなされ、その後、菊野宏一および京セラ株式会社（以下、それぞれ「申立人１」、「申立人２」という。）より特許異議の申立てがなされ、その後、当審において取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年９月７日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正請求について
２−１．訂正の内容
　特許権者は、訂正請求書において、特許明細書を下記のとおりに訂正しようとするものである。
２−１−１．訂正事項Ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載の
「【請求項１】・・・前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を厚膜法で形成することで、前記ろう付け用メタライズパターンと前記シールリングとを接合するろう材のろう材溜まりを拡大したことを特徴とするセラミックパッケージの封止構造。」を、
「【請求項１】・・・前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を形成するためのろう材溜まり用厚膜パターンと前記ろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して形成することで、前記ろう付け用メタライズパターンと前記シールリングとを接合するろう材のろう材溜まりを拡大したことを特徴とするセラミックパッケージの封止構造。」に訂正する。
２−１−２．訂正事項Ｂ
　特許明細書の段落【０００７】に記載の
「・・・前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を厚膜法で形成し、・・・」を、
「・・・前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を形成するためのろう材溜まり用厚膜パターンと前記ろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して形成し、・・・」に訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否について
２−２−１．訂正事項Ａについて
　訂正事項Ａは、請求項１に記載の「凸部を厚膜法で形成する」をより下位概念である「凸部を形成するためのろう材溜まり用厚膜パターンと前記ろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して形成する」に訂正するものである。
　そして、前記訂正は、特許明細書の段落【００１２】に記載の、
「次の工程では、図３（ｂ）に示すように、ろう付け用メタライズパターン１４上に、ろう材溜まり用厚膜パターン１６を高融点金属又は絶縁体のペーストによってスクリーン印刷して乾燥する。」および、段落【００１３】に記載の、
「この後、これらメタライズパターン１４、１７とろう材溜まり用厚膜パターン１６とを同時焼成して、メタライズパターン１４の形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部１５を形成する。」に基づくものである。
　したがって、この訂正は特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
２−２−２．訂正事項Ｂについて
　訂正事項Ｂは、請求項１の訂正に伴い、発明の詳細な説明の【課題を解決するための手段】の記載を整合させるための訂正である。
　したがって、この訂正は明りょうな記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
２−３．独立特許要件の判断
　全文訂正明細書（以下、「訂正明細書」という。）の請求項１に係る発明（以下、「訂正発明」という。）の独立特許要件について以下に検討する。
２−３−１．訂正発明について
　訂正発明は、その訂正明細書の請求項１に記載された以下の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】セラミックパッケージのキャビティの外周囲にろう付け用メタライズパターンを形成し、このろう付け用メタライズパターンにろう材で接合されたシールリングに金属製のキャップを溶着することで、前記セラミックパッケージのキャビティを前記キャップで気密に封止するセラミックパッケージの封止構造において、
　前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を形成するためのろう材溜まり用厚膜パターンと前記ろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して形成することで、前記ろう付け用メタライズパターンと前記シールリングとを接合するろう材のろう材溜まりを拡大したことを特徴とするセラミックパッケージの封止構造。」
２−３−２．取消理由の概要
　本件訂正前の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された下記の引用文献１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、容易に発明をすることができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献
１；特開平６−２０４３５２号公報
２；特開平６−３４９９６８号公報
３；特開平３−１０８３６１号公報
４；特開平５−１６６９５８号公報
２−３−３．引用文献の記載事項
　引用文献１〜４には、半導体のセラミックパッケージの封止構造について以下の事項が開示されている。
２−３−３−１．［引用文献１］
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を収容し気密封止するためのセラミックパッケージ基体、蓋体及び封止したセラミックパッケージに関する。」
「【請求項１】　上面に環状のメタライズ層を設け、当該メタライズ層の上面に、当該メタライズ層の幅よりも小さい幅を持つ、環状の金属突起を設けたことを特徴とする半導体セラミックパッケージ基体。」
「【０００２】【従来の技術】従来、セラミックパッケージ用材料として広く用いられているアルミナを用いたパッケージでは、コバール等のシールリングを銀ろう付けし、そのシールリングと蓋体とを、低温ろう付けやシーム溶接により接合し気密封止していた。このアルミナとコバール等とは熱膨張率が整合するため、銀ろう付けやシーム溶接等の熱処理をしても熱応力の発生は少なく、問題は生じなかった。しかし、集積回路の大型化やフリップチップ実装化に伴い、集積回路素子のシリコンと熱膨張率を整合させるため、低熱膨張セラミックが用いられるようになってくると、今度はシールリングや蓋体との熱膨張率の差が大きくなり、銀ろう付けやシーム溶接では、熱応力により、セラミックにクラックが入るようになってきた。かかる欠点に対して、蓋体を樹脂とする樹脂封止やハンダによる封止による解決が図られた。・・・（中略）・・・一方、ハンダ量が少ないと、ハンダが封着層に十分に回らず、メニスカスの形成が不十分となり、気密性が十分でない他、外観からも気密不良が疑われ好ましくないため、ハンダ量をコントロールする必要があるのである。」
「【０００５】セラミックパッケージ用基体及び蓋体の材質は、アルミナに比べシリコンの熱膨張率に近い、低熱膨張セラミックが好適であり、例えば、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミック、窒化珪素などのセラミックが使用される。但し、アルミナセラミックでも、熱膨張率の相違する材料を相手方の基体あるいは蓋体に使用する場合には、本発明が利用可能である。更に、本発明にかかるセラミック基体には、コバール、４２合金等の金属蓋体を組み合わせて使用することも出来る。金属突起の材料は、ニッケル等の材質でも良いが、金属突起自身が変形して基体と蓋体間の熱応力を吸収する作用をも奏させるために、一般に柔らかいといわれる金属、例えば、銅、金、銀、ニオブ等が好適に使用される。中でも、銅が特に好適であり、また、金属突起は通常メッキで形成される。尚、上述の銅等の金属は必ずしも純粋金属である必要はなく、他の物を含む例えば銅合金であってもよい。メッキは電気メッキ、無電界メッキのいずれでも良い。また、通常は、当該金属突起の保護用として、Ｎｉメッキ、Ｎｉ−Ａｕメッキ、Ｎｉ−Ｓｎメッキ等を施し、酸化防止やハンダによるいわゆる銅くわれ等を防止する。環状の金属突起は、一周にわたってつながっているのが通常であるが、一または数カ所で途切れた、いわば点線状になっていてもよい。また、金属突起の幅は、通常角部等を除き、一周にわたり同一の幅を有するが、熱応力の発生が均一でない場合には、金属突起の幅を変化せしめて、メニスカスや当該金属突起による熱応力の吸収の程度を変化することもある。金属突起の下地となるメタライズ層は、セラミックとの同時焼成によってタングステン層等を形成したり、金属ペースト（銅、銀パラジウムあるいはモリブデン等）を塗布し焼き付けても良く、スパッタリング等による薄膜メタライズによりＴｉ−Ｃｕ、Ｔｉ−Ｐｄ、Ｔｉ−Ｍｏ−Ｃｕ、等の層を形成してもよい。薄膜スパッタリングは寸法精度の点で他の方法よりも優れている。尚、これらのメタライズ層は、このまま使用される場合もあるが、銅その他のメッキにより厚みを増して、ハンダ封着しやすくしたり、金属突起を形成し易くする場合が多い。」
「【０００６】本発明にかかる基体を使用する場合に、蓋体がコバール等のハンダ付け出来る金属以外の材質の場合には、基体の金属突起に対応した環状部分に、メタライズ層等を設けハンダ付けできるようにしておくことは、言うまでもない。逆に、本発明にかかる蓋体を使用する場合には、蓋体の金属突起に対応した基体の上面に環状にメタライズ等によりハンダ付け可能な層を設けることも言うまでもない。・・・（中略）・・・また、その他の低温ろう材、例えばＡｕ−Ｓｎ系、Ａｕ−Ｇｅ系ろう材が使用される場合もある。・・・」
 「【０００７】【作用】本発明は、パッケージ基体上面に環状のメタライズ層を設け、当該メタライズ層の上面に、当該メタライズ層の幅よりも小さい幅を持つ、環状の金属突起を設けたので、蓋体とハンダ封止を行ったとき、ハンダ層がメニスカスを形成し、従って、発生する熱応力に応じて当該メニスカスが変形して熱応力を吸収する作用を有する。金属突起に、銅などの柔らかい金属を用いれば、更に、当該金属突起も変形して熱応力を吸収する作用を持つ。また、金属突起が蓋体を支えるため、多少ハンダ量が変動してもハンダ封着部分は、金属突起の高さ以下にはつぶれないので、良好なメニスカスを形成出来る作用を有する。図５の如く、基体にハンダ付け等された半導体素子によって蓋体が支えられ、基体と蓋体間に間隔が生じている場合でも、金属突起により間隔が狭くなるので、良好なメニスカスが形成され易くなることは同じであり、熱応力の緩和もまた同様である。このことは、金属突起が蓋体に設けられる場合でも同様である。上記説明から判るように、本発明は、低熱膨張セラミック製の基体あるいは蓋体を、熱膨張率の異なる相手方とハンダ封止するときに有効であるが、アルミナ製の基体又は蓋体であっても、相手方との熱膨張率が異なる場合には、有効であることは明かである。また、同様な熱膨張率を持つ基体と蓋体を使用しても、消費電力の大きい半導体パッケージの場合、基体あるいは蓋体の一方が、他方に比し高温になる場合があり、この様な場合でも本発明は有効である。尚、図９の如く、基体と蓋体との組合せでなく、基体と半導体素子をハンダ付けする場合も同様に有効である。」
「【０００８】【実施例】本発明の第１の実施例を図面と共に説明する。図１は、本発明の第１の実施例の断面図である。半導体素子を収容するセラミックパッケージ基体１は、ムライト質セラミックよりなる多層配線基板であり、中央部には半導体素子を収容設置するための凹部１０が設けられている。パッケージ基体上面２にはＴｉ−Ｃｕスパッタリング及びＣｕメッキによるメタライズ層３が設けられている。メタライズ層は、幅０.５ｍｍ、厚み１０μｍである。当該メタライズ層の上面４には、その幅０.３ｍｍ、厚み１５０μｍの銅製の金属突起５が形成されている。本金属突起５は、以下の如く形成される。
（１）ドライフィルムをパッケージ基体上面２及びメタライズ上面４に貼り、突起を形成したい環状部分のみ露光現像して、開口させる。
（２）Ｃｕメッキにて、突起部（幅；３００μｍ、高さ；１５０μｍ）を形成する。
（３）続いて、保護用にニッケルメッキ（２μｍ程度）を施す。
（４）ドライフィルムを取り除き、突起部以外のスパッタ膜をエッチングにて除去する。
（５）仕上げメッキとしてニッケル及びハンダメッキ（３０μｍ）を施す。」
（なお、前記「（１）」〜「（５）」は、原文では丸付き数字にて記載されている。）
「【０００９】図２に、第１の実施例にかかるパッケージ基体に、コバール製の蓋体をハンダ封止した場合を示す。図１と同じ番号は同じ部分を示す。コバール製蓋体６は、自重によって金属突起５に当接する。但し、ハンダ層が間にあるため、完全に密着している訳ではない。金属突起５にメッキされたハンダは、加熱により融解し、蓋体の封止部７をも濡らして滑らかに流れ、ハンダ層８となってメニスカス９を形成する。更に、冷却されると共に、基体１と蓋体６の熱膨張率違いにより発生する熱応力を、メニスカス９と金属突起５が変形して吸収する。従って、良好な気密封止が出来る。・・・」
「【００１７】【発明の効果】以上で詳述したように、本発明により形成されるメニスカスの熱応力吸収作用により、セラミックパッケージ基体やセラミック蓋体のクラックを防止し、確実な気密封止が出来る。更に、多少ハンダ量が変動してもハンダ封着部分は、良好なメスニカスを形成出来るので、この点でも良好な気密封止が出来、外観上も良好となる。このことは、金属突起が基体、蓋体のいずれに設けられる場合でも同様である。」
２−３−３−２．［引用文献２］
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は半導体パッケージの気密封止に関し、特に金属ロー材を用いた半導体パッケージの気密封止に関する。」
「【請求項１】　中央部表面に半導体素子を搭載し、その外周部に第１の封止メタライズ層を多角形状で環状に有する容器基体と、該容器基体の前記第１の封止メタライズ層に対応して第２の封止メタライズ層を有するキャップと、前記第１および第２の封止メタライズ層の一方の封止メタライズ層に接着された該一方の封止メタライズ層の幅よりも狭い幅の封止バンプと、前記第１および第２の封止メタライズ層の他方の封止メタライズ層と前記封止バンプとを封着する金属ロー材とを含むことを特徴とする半導体パッケージ。」
「【０００８】図１０は、特開昭６２−１７９７４で提案された技術である。構成は、図９の半円型封止部を凸型突起１２に置き換えたものである。従って、加熱時の荷重過多については十分に効果は認められるが、荷重不足及びパッケージ１とキャップ５との間の反り（特に５０ミクロン以上の反り）は吸収することが難しいと考えられる。」
「【００１５】【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明する。図１（Ａ）は、本発明による第１の実施例の斜視図である。セラミックパッケージ１の中央部にはＬＳＩ２を搭載する空間（キャビティ３）があり、このキャビティ３の外周部にリング状の封止メタライズ１３が接続されている。封止メタライズ１３上には封止バンプ１４があり、この封止バンプ１４の幅は、封止メタライズ１３の幅よりも細い構造をとる。図１（Ｂ）は、封止メタライズ１３上に封止バンプ１４を取り付けた部位の拡大図であり、封止メタライズ１３の外縁部と封止バンプ１４の外縁部とを一致させて接続してある。これによって封止メタライズ１３の内縁部は封止メタライズ１３のみとされている。また図示していないが、キャップ５にもパッケージ１上の封止メタライズ１３に対応する部位にメタライズが施してある（図２参照）。パッケージ１の封止バンプ１４とキャップ５の封止メタライズ部とは金属プリフォームを介して対向せしめられる。この金属プリフォーム１５は中央部の幅（１５−１）は、四隅部の幅（１５−２）よりも太くされている。封止後のパッケージに気密性を付与するには、図１（Ａ）の様にパッケージ１とキャップ５との封止部を互いに向け、その間に金属プリフォーム１５を挟んだ状態で、キャップ５とパッケージ１との間をクリップ等圧力を付加できるもので固定し、そのまま非酸化性雰囲気中で加熱・溶融することにより実現する。」
「【００１６】図２は、パッケージ上の封止メタライズ１３、封止バンプ１４、金属プリフォーム１５の各構成要素を重ねた場合の位置関係を示す。図中のＸ断面は封止部の四隅部に、またＹ断面では封止部の辺中央部に対応している。Ｘ・Ｙ各断面図に示してある様に、反りが大きいと思われる辺中央部は、四隅に比べて金属プリフォーム１５の幅が太いので、加熱・溶融時の金属ロー材供給量が増える。」
「【００１８】また、荷重が強すぎる場合でも、封止メタライズ１３の内側の封止バンプ１４が存在しない領域（１３−１）がロー溜まりの役目をし、内部へのロー材流れを防止できる。」
「【００２３】・・・セラミックパッケージ１上には印刷によりＷメタライズ１６が施される。・・・」
２−３−３−３．［引用文献３］
「本発明は、半導体集積回路装置の気密封止（ハーメチック・シール）技術に関するものである。」（第１頁左下欄末行〜右下欄第１行）
「１．半導体チップを実装した基板の主面にキャップを半田付けして前記半導体チップを気密封止した半導体集積回路装置であって、前記基板とキャップとの接合部における基板またはキャップの少なくとも一方の断面形状を凸状にしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
２．前記接合面における基板またはキャップの少なくとも一方の表面に半田メタライズ層を形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。」（特許請求の範囲）
「その目的は、基板にキャップを半田付けして気密封止を行う半導体集積回路装置の気密信頼性を向上させることができる技術を提供することにある。」（第２頁右上欄第１７〜末行）
「また、前記実施例では、キャップ６側の断面形状を凸状にした場合について説明したが、パッケージ基板３側の断面形状を凸状にしてもよく、さらにキャップ６側とパッケージ基板３側の両方の断面形状を凸状にしてもよい。」（第４頁左上欄第４〜８行）
　また、第４図には、キャップ６に形成された凸部の端部とパッケージ基板３との間において、封止用半田７の溜まり部が拡大して形成されているものが記載されている。
２−３−３−４．［引用文献４］
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージの改良に関するものである。」
「【請求項１】絶縁基体の表面に設けたメタライズ金属層に金属枠体をロウ付けするとともに該金属枠体に金属製蓋体を取着し、内部に半導体素子を気密に収容するようになした半導体素子収納用パッケージであって、前記メタライズ金属層の厚みを25μm 以上としたことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。」
「【０００８】【実施例】・・・図1及び図2は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施例を示し、1は絶縁基体、2は金属製蓋体である。この絶縁基体1 と金属製蓋体2とで半導体集積回路素子を収容するための容器3が構成される。」
「【００１０】前記絶縁基体1 は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り・・・（中略）・・・セラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温（約１６００℃）の温度で焼成することによって製作される。」
「【００１２】前記メタライズ配線層5はタングステン(W) 、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等の高融点金属粉末から成り、該タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体1となるセラミックグリーンシートに予め被着させておくことによって絶縁基体1の凹部1a周辺から容器3の外部にかけて被着形成される。」
「【００１６】前記絶縁基体1はまたその上面にメタライズ金属層8が被着形成されており、該メタライズ金属層8には金属枠体9が銀ロウ等のロウ材10を介しロウ付けされている。」
「【００１７】前記絶縁基体1上面のメタライズ金属層8はタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、その厚みＨが25μm以上となっている。」
「【００２１】  更に前記メタライズ金属層8はその表面にニッケル(Ni)、金(Au)等のロウ材10と濡れ性が良く、且つ耐蝕性に優れた金属をメッキ法等により1.0 乃至20.0μmの厚みに層着させておくとメタライズ金属層8の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ金属層8と金属枠体9とのロウ付け取着を極めて強固なものとなすことができる。・・・」
「【００２２】前記メタライズ金属層8はタングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法で複数層に印刷塗布し、厚みを25μm以上とするとともにこれを高温で焼き付けることによって絶縁基体1の上面に被着形成される。」
「【００２３】また前記メタライズ金属層8にロウ材10を介してロウ付けされる金属枠体9は金属製蓋体2を絶縁基体1に取着する際の下地金属部材として作用し、金属枠体9に金属製蓋体2をシームウエルド法等により溶接することによって金属製蓋体2は絶縁基体1上に取着される。前記金属枠体9はコバール金属や42アロイ等の金属材料から成り、該コバール金属等のインゴット(塊) を圧延加工法、打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによって所定の枠状に形成される。」
「【００２４】また前記金属枠体9は絶縁基体1の上面に被着させたメタライズ金属層8上に銀ロウ等のロウ材10を枠状に成形したプリフォームと金属枠体9とを順次載置させ、しかる後、前記ロウ材10から成るプリフォームを加熱溶融させることによって絶縁基体1の上面にロウ付けされる。」
　また、図２には、絶縁基体１上に、金属枠体９より幅広で上部が平坦なメタライズ金属層８を設けたものが記載されている。
　
２−３−４．対比・判断
　引用文献１の図２には、パッケージ基体上面に環状のメタライズ層を設け、当該メタライズ層の上面に、当該メタライズ層の幅よりも小さい幅を持つ、環状の金属突起を設けたので、蓋体とハンダ封止を行ったとき、ハンダ層がメニスカスを形成することが記載され、また、ハンダに代えてろう材を用いることも記載されている。（段落【０００６】、【０００７】、図２参照）
　引用文献２の図２（Ｃ）には、封止メタライズ１３の内側の封止バンプ１４が存在しない領域（１３−１）がロー溜まりの役目をし、内部へのロー材流れを防止できることが記載されている。（段落【００１８】、図２（Ｃ）参照）
　また、第１０図（Ａ）（Ｂ）には、セラミックパッケージのキャップとの接合部に凸型突起を設けた従来技術が記載されている。
　引用文献３には、パッケージ基板３側の断面形状を凸状にすることによりパッケージ基板とキャップとの気密封止を行うことが記載され、その第４図には、凸部により、封止用半田７の溜まり部が拡大して形成されている点が記載されている。
　そこで、訂正発明と引用文献１〜３に記載のものとを対比すると、引用文献１に記載の「メタライズ層３」、「金属突起５」、引用文献２に記載の「封止メタライズ１３」、「封止バンプ１４」、引用文献３に記載の「半田メタライズ層１１」、「パッケージ基板３側の断面形状を凸状」は、それぞれ訂正発明の「メタライズパターン」、「凸部」に相当することから、両者は、セラミックパッケージのキャビティの外周囲にろう付け用メタライズパターンを形成し、このろう付け用メタライズパターンに金属製の蓋体をろう材で接合することで、前記セラミックパッケージのキャビティを前記蓋体で気密に封止するセラミックパッケージの封止構造において、前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を形成することで、前記ろう付け用メタライズパターンと前記蓋体とを接合するろう材のろう材溜まりを拡大したセラミックパッケージの封止構造の点で一致し、次の点Ａ、Ｂで相違する。
Ａ．訂正発明は、ろう材溜まり用厚膜パターンとろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して凸部を形成するものであるのに対して、引用文献１、２に記載のものでは凸部をメッキ法で形成するものであり、引用文献３に記載のものでは特に形成方法について記載されていない点。
Ｂ．訂正発明は前記蓋体がキャップとシールリングからなり、前記メタライズパターンにろう材で接合されたシールリングにキャップを溶着するのに対して、引用文献１〜３に記載のものは前記蓋体がキャップとシールリングからなる構成のものか否か明確に記載されていない点。
　前記相違点Ａについて検討すると、引用文献４には、セラミックパッケージの封止構造において、セラミックパッケージのキャビティの外周囲に厚膜法であるスクリーン印刷を複数層に印刷塗布して焼成することにより、所定厚みのメタライズ金属層８を形成することが記載されているが、これはメタライズ金属層８の厚みを熱応力吸収機能が高くなるように厚くして、金属製蓋体２を金属枠体９に溶接する際に、メタライズ金属層８が絶縁基体１から剥離するのを防止するためであり、メタライズ金属層８の形状は、図２に示されるように上部は平坦で金属枠体９より幅広なものである。
　ゆえに、引用文献４には、厚膜法にてろう材溜まりのための凸部を形成することについては何ら記載も示唆もされていないから、引用発明１〜３に記載のものにおいて、メッキ法等により凸部を形成するものに代えて、ろう材溜まり用厚膜パターンとろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して凸部を形成することは、当業者が容易になし得たものではない。
　そして、訂正発明は、前記相違点Ａにより、セラミックパッケージの小型化に対して厚膜法という安価な方法でろう材溜まりを十分に確保することができ、ろう付け強度向上とコスト削減とを両立させることができるという訂正明細書に記載の格別な作用効果を奏するものである。
　したがって、相違点Ｂについて検討するまでもなく、訂正発明は、引用文献１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
　
２−４．訂正の認否
　以上のことから、本件訂正請求は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
３−１．本件訂正発明について
　前述のように、本件訂正請求は適法なものであるので、本件訂正発明は、前記「２−３−１．訂正発明について」において摘記したとおりのものである。
　
３−２．申立人１の異議申立理由の概要
３−２−１．２９条１項３号違反
　本件訂正前の請求項１に係る発明は、下記の甲第１号証に記載された発明であるから、訂正前の請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。
３−２−２．２９条２項違反
　本件訂正前の請求項１に係る発明は、下記の甲第１〜４号証に記載のものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　したがって、訂正前の請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。
　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平６−２０４３５２号公報
甲第２号証：特開平６−３４９９６８号公報
甲第３号証：特開平３−１０８３６１号公報
甲第４号証：特開平５−１６６９５８号公報
　
３−３．申立人１の甲各号証の記載事項
　申立人１の甲第１〜４号証は、当審の取消理由通知書において引用した引用文献１〜４であり、その記載事項は「２−３−３．引用文献の記載事項」に記載のとおりである。
　
３−４．対比・判断
３−４−１．２９条１項３号違反
　訂正発明と申立人１の甲第１号証に記載されている発明を対比すると、「２−３−４．対比・判断」において記載した相違点Ａ、Ｂにおいて、両者は相違する。
　したがって、訂正発明は甲第１号証に記載された発明ではないから、訂正発明の特許が特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものとすることはできない。
３−４−２．２９条２項違反
　訂正発明と申立人１の甲第１〜４号証に記載されている発明を対比すると、「２−３−４．対比・判断」において記載した理由と同じ理由により、訂正発明は甲第１〜４号証に記載された発明から当業者が容易に発明することができたものではないから、訂正発明の特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
　
３−５．申立人２の異議申立理由の概要
　本件訂正前の請求項１に係る発明は、下記の甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　したがって、訂正前の請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。
　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平５−１６０２８３号公報
甲第２号証：特開平３−４９２１１号公報
甲第３号証：実願昭６３−９１９４７号（実開平２−１３７７１号）のマイクロフィルム
　
３−３．申立人２の甲各号証の記載事項
３−３−１．甲第１号証
　甲第１号証には、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージについて以下のものが開示されている。
　半導体素子収納用パッケージのセラミックからなる絶縁基体１の外周囲にろう付け用メタライズ金属層８をスクリーン印刷後焼成することにより形成し、このメタライズ金属層８にろう材で接合された金属枠体９に金属製蓋体２を溶着することで、絶縁基体１を金属製蓋体２で気密に封止するパッケージの封止構造において、金属枠体９のろう付け用メタライズ金属層８に対向する面を部分的に盛り上がらせる凸部を形成することで、ろう付け用メタライズ金属層８と金属枠体９とを接合するろう材のろう材溜まりを拡大した半導体素子収納用パッケージの封止構造が記載されている。（図１、図３参照）
３−３−２．甲第２号証
　甲第２号証には、例えばフラットパッケージＩＣのような電子部品について、その金属部材であるリード端子を印刷配線基板のパッド部にはんだ付け接続するに際し、リード端子２のパッド部５に対向する面を部分的に盛り上がらせる凸部を形成することで、パッド部５とリード端子２によりはんだを充填できる容積が増加した接合構造が記載されている。（第１、２、５図参照）
３−３−３．甲第３号証
　甲第３号証には、フラットパッケージ等の電子部品のリードが半田付けされるプリント配線板のパッドの形状に関し、パッドのリードと対向する面を部分的に盛り上がらせる凸部を形成することで、半田フィレット５を形成した接合構造が記載されている。（第１、２図参照）
　
３−４．対比・判断
　訂正発明と申立人２の甲第１〜３号証に記載されている発明を対比する。
　訂正発明と甲第１号証に記載のものを対比すると、甲第１号証に記載されている「絶縁基体１」「メタライズ金属層８」「金属枠体９」「金属製蓋体２」は、それぞれ本件発明の「キャビティ」「ろう付け用メタライズパターン」「シールリング」「金属製のキャップ」に相当するから、両者は、
「セラミックパッケージのキャビティの外周囲にろう付け用メタライズパターンを形成し、このろう付け用メタライズパターンにろう材で接合されたシールリングに金属製のキャップを溶着することで、前記セラミックパッケージのキャビティを前記キャップで気密に封止するセラミックパッケージの封止構造」を有する点において一致するが、
　訂正発明は、メタライズパターンにろう材溜まり用厚膜パターンとろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して凸部を形成するものであるのに対して、甲第１号証に記載のものは、メタライズ金属層８には凸部は形成されていない点において相違する。
　また、甲第２号証および甲第３号証には、電子部品のリードと基板のパッドとの接合構造について、リードもしくはパッド側に凸部を形成することにより、パッド部とり一ド端子とを接合するはんだ溜まりを拡大したものが記載されているが、前記相違点について何ら記載も示唆もない。
　ゆえに、甲第１号証に記載されたものにおいて、金属枠体９（シールリング）に凸部を形成するものに代えて、甲第２、３号証に記載のものを適用して、メタライズ金属層８にろう材溜まり用厚膜パターンとメタライズ金属層８とを厚膜法で同時焼成して凸部を形成することは、当業者が容易になし得たものではない。
　そして、訂正発明は、前記相違点により、セラミックパッケージの小型化に対して厚膜法という安価な方法でろう材溜まりを十分に確保することができ、ろう付け強度向上とコスト削減とを両立させることができるという訂正明細書に記載の格別な作用効果を奏するものである。
　したがって、訂正発明は甲第１〜３号証に記載された発明から当業者が容易に発明することができたものではないから、訂正発明の特許が特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
４．むすび
　以上のとおり、申立人１および申立人２の特許異議申立ての理由及び証拠によっては、訂正発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月８日（２０００．１１．８）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２８８９５１８号の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正する。
　その訂正の内容は次のとおりである。
１，特許請求の範囲の減縮を目的として次の訂正を行う。
１−１．訂正事項Ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載の
「【請求項１】・・・前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を厚膜法で形成することで、前記ろう付け用メタライズパターンと前記シールリングとを接合するろう材のろう材溜まりを拡大したことを特徴とするセラミックパッケージの封止構造。」を、
「【請求項１】・・・前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を形成するためのろう材溜まり用厚膜パターンと前記ろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して形成することで、前記ろう付け用メタライズパターンと前記シールリングとを接合するろう材のろう材溜まりを拡大したことを特徴とするセラミックパッケージの封止構造。」に訂正する。
２．明りょうでない記載の釈明を目的として次の訂正を行う。
２−１．訂正事項Ｂ
　特許明細書の段落【０００７】に記載の
「・・・前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を厚膜法で形成し、・・・」を、
「・・・前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を形成するためのろう材溜まり用厚膜パターンと前記ろう付け用メタライズパターンとを厚膜法で同時焼成して形成し、・・・」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
セラミックパッケージの封止構造
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　セラミックパッケージのキャビティの外周囲にろう付け用メタライズパターンを形成し、このろう付け用メタライズパターンにろう材で接合されたシールリングに金属製のキャップを溶着することで、前記セラミックパッケージのキャビティを前記キャップで気密に封止するセラミックパッケージの封止構造において、
　前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を
形成するためのろう材溜まり用厚膜パターンと前記ろう付け用メタライズパターンとを
同時焼成して
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、小型化されたセラミックパッケージに対して金属製のキャップを接合してセラミックパッケージのキャビティを封止するセラミックパッケージの封止構造に関するものである。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　従来より、例えば水晶振動子等の小型素子を収納する小型のセラミックパッケージの封止構造は、図７に示すように、セラミックパッケージ１のキャビティ２の外周囲に、タングステン、モリブデン等の高融点金属ペーストでシール用メタライズパターン３を印刷し焼成した後、このシール用メタライズパターン３にシームウエルド用のシールリング４をろう材５で接合し、このシールリング４に金属製のキャップ６をシームウエルド法等で溶着した構成となっている。
　　　【０００３】
　この封止構造のシール性を高めるには、シール用メタライズパターン３とシールリング４とのろう付け強度を高める必要があり、そのろう付け強度は、ろう材５のメニスカス５ａ（ろう材５の表面が作る湾曲した面）が大きくなるほど強くなる特徴がある。このため、図７に示すように、シール用メタライズパターン３をシールリング４の外側にはみ出させてろう材５のメニスカス５ａを大きく取るようにしていた。
　　　【０００４】
　しかし、近年来の高密度実装の要求からセラミックパッケージ１の小型化が進み、図８に示すように、シール用メタライズパターン３の幅がシールリング４の幅と同程度までしか取れなくなってきている。このものでは、ろう材５のメニスカス５ａが非常に小さくなり、ろう付け強度が弱くなってしまう欠点がある。
　この欠点を解決するため、図９に示すように、シールリング４の下面側に切欠溝７を加工することで、ろう材５のろう材溜まり５ｂを拡大することが考えられている。
　　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、小さなシールリング４に切欠溝７を切削やエッチング等での加工は手間がかかり、加工費が高くつき、低コスト化の要求に反する。
　　　【０００６】
　本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、従ってその目的は、セラミックパッケージの小型化に対して安価な方法でろう材のメニスカスにかわる、ろう材溜まりを十分に確保することができ、ろう付け強度向上とコスト削減とを両立させることができるセラミックパッケージの封止構造を提供することにある。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明のセラミックパッケージの封止構造は、セラミックパッケージのキャビティの外周囲にろう付け用メタライズパターンを形成し、このろう付け用メタライズパターンにろう材で接合されたシールリングに金属製のキャップを溶着することで、前記セラミックパッケージのキャビティを前記キャップで気密に封止するものにおいて、前記ろう付け用メタライズパターンの形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部を
形成するためのろう材溜まり用厚膜パターンと前記ろう付け用メタライズパターンとを
同時焼成して
　　　【０００８】
　　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の一実施形態を図１乃至図４に基づいて説明する。まず、図１に基づいてセラミックパッケージ全体の構造を説明する。セラミックパッケージ１１は、例えばアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミック材料を用いてグリーンシート積層法により形成され、その上面側には、半導体素子や水晶発振子等の小型の素子１２を搭載するキャビティ１３が形成されている。このセラミックパッケージ１１の上面には、キャビティ１３の外周囲を取り囲むようにろう付け用メタライズパターン１４が形成されている。このろう付け用メタライズパターン１４は、タングステン、モリブデン等の高融点金属ペーストをスクリーン印刷して形成したものである。
　　　【０００９】
　このろう付け用メタライズパターン１４の形成領域には、その形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部１５が印刷法で形成されている。この凸部１５のパターンは、図２（ａ）に示すように、ろう付け用メタライズパターン１４の中央に沿って全周に形成したり、或は、同図（ｂ）に示すように蛇行状に形成したり、或は、同図（ｃ）に示すように断続的に形成しても良い。凸部１５を断続的に形成する場合には、ろう付け用メタライズパターン１４の全周に凸部１５がほぼ均等に分散した構成とすることが好ましい。この実施形態の凸部１５の構造は、ろう付け用メタライズパターン１４上にろう材溜まり用厚膜パターン１６を高融点金属又は絶縁体のペーストによって印刷し、更にその上からろう材溜まり用厚膜パターン１６を覆うように高融点金属ペーストでメタライズパターン１７を印刷して、凸部１５を形成したものである。
　　　【００１０】
　そして、メタライズパターン１４，１７上には、コバール金属や４２アロイ等の金属で形成された溶接用のシールリング１８がＡｇ−Ｃｕ等のろう材１９でろう付けされている。このシールリング１８に対して、コバール金属や４２アロイ等の金属で形成されたキャップ２０がシームウエルド法等により溶着され、これによってセラミックパッケージ１１のキャビティ１３がキャップ２０で気密に封止されている。
　　　【００１１】
　次に、図３に基づいてセラミックパッケージ１１のキャビティ１３をキャップ２０で封止する製造工程を説明する。図３（ａ）に示すように、グリーンシートにタングステン、モリブデン等の高融点金属ペーストを使用してろう付け用メタライズパターン１４をスクリーン印刷、乾燥し、スルホールや配線等が高融点金属ペーストで印刷、乾燥された他のグリーンシートと積層して、キャビティ１３を持ったセラミックパッケージ１１を形成する。
　　　【００１２】
　次の工程では、図３（ｂ）に示すように、ろう付け用メタライズパターン１４上に、ろう材溜まり用厚膜パターン１６を高融点金属又は絶縁体のペーストによってスクリーン印刷して乾燥する。この際、ろう材溜まり用厚膜パターン１６の厚みを確保するために乾燥後のペースト上に重ね印刷するようにしても良い。この後、図３（ｃ）に示すように、ろう材溜まり用厚膜パターン１６上に、下層のメタライズパターン１４と同じ高融点金属ペーストを使用して上層のメタライズパターン１７をスクリーン印刷して乾燥する。
　　　【００１３】
　この後、これらメタライズパターン１４，１７とろう材溜まり用厚膜パターン１６とを同時焼成して、メタライズパターン１４の形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部１５を形成する。尚、これら各パターン１４，１６，１７の焼成をセラミックパッケージ１１の焼成と同時に行っても良いし、セラミックパッケージ１１の焼成後に各パターン１４，１６，１７の印刷・乾燥を繰り返して各パターン１４，１６，１７のみを同時焼成するようにしても良い。焼成後、図３（ｄ）に示すようにメタライズパターン１７上にＮｉメッキを行った後、溶接用のシールリング１８を乗せ、ろう付け用メタライズパターン１４とシールリング１８とをＡｇ−Ｃｕ等のろう材１９でろう付けする。
　　　【００１４】
　この後、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ等を行った後、キャビティ１３に素子１２を搭載し、ワイヤボンディングした後、キャップ２０をシールリング１８上に乗せ、両者をシームウエルド法等により溶着すれば、セラミックパッケージ１１のキャビティ１３がキャップ２０で気密に封止された状態となる。
　　　【００１５】
　以上説明した実施形態によれば、ろう付け用メタライズパターン１４の形成領域を部分的に盛り上がらせる凸部１５を形成したので、この凸部１５によってシールリング１８をメタライズパターン１４から浮き上がらせることができて、シールリング１８とメタライズパターン１４との間に十分な間隔を形成することができ、その隙間によってろう材１９のろう材溜まり１９ａを拡大することができて、十分なろう付け強度を確保することができる。
　　　【００１６】
　図４は、従来例▲１▼〜▲３▼（図７、図８、図９）のろう付け強度と本実施形態▲４▼のろう付け強度とを比較するためにメニスカス部またはろう材溜まり部（矢印部）に作用する応力の測定結果を示している。従来例▲２▼（図８）のメニスカス部は非常に小さいため、メニスカス部に応力が集中して応力が大きくなり、ろう付け強度が弱くなってしまう。一方、従来例▲１▼，▲３▼（図７、図９）はメニスカス部あるいはろう材溜まり部を十分に確保できるため、メニスカス部あるいはろう材溜まり部に作用する応力が分散し、十分なろう付け強度を確保することができる。
（但し、従来例▲１▼の形態は、小型化されたセラミックパッケージでは採用することができず、▲２▼のような形態となる。また、従来例▲３▼は、シールリングに切欠溝を切削加工等する加工費が高くつく欠点がある）。
　　　【００１７】
　これに対し、本実施形態▲４▼では、凸部によりろう材溜まり部を十分に確保できるため、ろう材溜まり部に作用する応力が分散し、十分なろう付け強度を確保することができる。しかも、本案施形態では、ろう材溜まりを拡大するための凸部を、生産性・コスト性に優れた印刷法で形成するため、従来例▲３▼（図９）のようにシールリングに切欠溝を切削加工等する場合と比較して、生産性・コスト性を向上でき、ろう付け強度向上とコスト削減とを両立させることができる。
　　　【００１８】
　尚、ろう材溜まりを拡大するための凸部の形成方法は、上記実施形態以外にも種々の方法が考えられ、例えば図５又は図６のいずれかを採用しても良い。図５の実施形態では、セラミックパッケージ１１の上面にろう材溜まり用厚膜パターン２２を高融点金属又は絶縁体のペーストによってスクリーン印刷し、その上から、ろう付け用メタライズパターン２３を高融点金属ペーストによってスクリーン印刷して焼成し、凸部２４を形成する。この後、メタライズパターン２３上に溶接用のシールリング１８を乗せ、両者をＡｇ−Ｃｕ等のろう材１９でろう付けする。
　　　【００１９】
　また、図６の実施形態では、セラミックパッケージ１１の上面に形成されたろう付け用メタライズパターン１４上に、ろう材溜まり用厚膜パターン２５を高融点金属ペーストによってスクリーン印刷（１４，２５の順序は逆でも可）して焼成し、この厚膜パターン２５のみで凸部２６を構成する。そして、この厚膜パターン２５上に溶接用のシールリング１８を乗せ、ろう付け用メタライズパターン１４とシールリング１８とをＡｇ−Ｃｕ等のろう材１９でろう付けする。
　　　【００２０】
　尚、本発明の凸部の高さ、幅はろう材溜まりが確保できれば、特に限定するものではなく、セラミックパッケージの形状、大きさ、材質によって適宜決定すれば良い。
　また、上記各実施形態では、凸部１５，２４，２６を印刷法で形成したが、ディスペンサー法等、他の厚膜法で形成するようにしても良い。
　　　【００２１】
　　【発明の効果】
　以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ろう付け用メタライズパターンの形成領域に凸部を厚膜法で形成したので、ろう付け用メタライズパターンとシールリングとの間の間隔を拡大することができて、セラミックパッケージの小型化に対して厚膜法という安価な方法でろう材溜まりを十分に確保することができ、ろう付け強度向上とコスト削減とを両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の一実施形態を示すセラミックパッケージ全体の縦断面図
　　【図２】
　（ａ）〜（ｃ）はそれぞれメタライズパターン上の凸部の形成パターンについて異なる実施形態を示す平面図
　　【図３】
　製造工程を示す工程図
　　【図４】
　本発明の実施形態と従来例のろう付け強度とを比較するためのメニスカス部あるいはろう材溜まり部の応力測定結果を示す図
　　【図５】
　本発明の他の実施形態を示す封止構造部分の縦断面図
　　【図６】
　本発明の更に異なる実施形態を示す封止構造部分の縦断面図
　　【図７】
　従来例を示すセラミックパッケージ全体の縦断面図
　　【図８】
　他の従来例を示すセラミックパッケージ全体の縦断面図
　　【図９】
　従来の改良された封止構造を示すセラミックパッケージ全体の縦断面図
　　【符号の説明】
　１１…セラミックパッケージ、１２…素子、１３…キャビティ、１４…ろう付け用メタライズパターン、１５…凸部、１６…ろう材溜まり用厚膜パターン、１７…メタライズパターン、１８…シールリング、１９…ろう材、１９ａ…ろう材溜まり、２０…キャップ、２２…ろう材溜まり用厚膜パターン、２３…ろう付け用メタライズパターン、２４…凸部、２５…ろう材溜まり用厚膜パターン、２６…凸部。