【事件の表示】
　特許第２９７９１９５号「真空吸着装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７９１９５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第2979195号については、平成2年6月27日に出願され、平成11年9月17日にその設定の登録（請求項の数1）がなされ、その後、横田貞則（「異議申立人」という。）より請求項1 に係る特許について特許異議の申立てがなされ、その後、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成12年12月18日に訂正請求がなされたものである。
第２　訂正の適否について
１．訂正の内容
(1)訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項1の
「【請求項１】吸着面を、0.2μｍ以上のボイド占有率が0.08％以下で、かつビッカース硬度が1200kg/mm2以上であるセラミックスにより形成したことを特徴とする真空吸着装置」なる記載を、
「【請求項１】吸着面を、0.2μｍ以上のボイド占有率が0.08％以下で、かつビッカース硬度が1200kg/mm2以上である多結晶焼結体からなるセラミックスにより形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ(Ra)を0.05μｍ以下としたことを特徴とする真空吸着装置」と訂正する。
(2)訂正事項ｂ
　特許明細書の【課題を解決するための手段】の項中の、
「1200kg/mm2以上のセラミックスで形成したものである。」なる記載（特許掲載公報第3欄第16行）を、
「1200kg/mm2以上の多結晶焼結体からなるセラミックスで形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ(Ra)を0.05μｍ以下としたものである。」と訂正する。
(3)訂正事項ｃ
　特許明細書の【発明の効果】の項中の、
「1200kg/mm2以上であるセラミックスにより形成したことによって」なる記載（特許掲載公報第5欄第30行〜第31行）を、
「1200kg/mm2以上である多結晶焼結体からなるセラミックスにより形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ(Ra)を0.05μｍ以下としたことによって、」と訂正する。
(4)訂正事項ｄ
　特許明細書の【課題を解決するための手段】の項中の、
「また、本発明におけるセラミックスとは、アルミナ、ジルコニアなどの多結晶焼結体だけでなく、サファイアなどの単結晶焼結体も含むものである。」なる記載（特許掲載公報第3欄第21行〜第23行）を、
「また、本発明におけるセラミックスとは、アルミナ、ジルコニアなどの多結晶焼結体のことである。」と訂正する。
(5)訂正事項ｅ
　特許明細書の【実施例】の項中の、
「さらに、NO.7に示すように、EFG法などによって製造したアルミナの単結晶体であるサファイアは、ボイド占有率０％であった。」なる記載（特許掲載公報第4欄第30行〜第32行）を削除するとともに第１表（特許掲載公報第5〜第6欄参照）中のNO.7の行を削除する。
(6)訂正事項ｆ
　特許明細書の【実施例】の項中の、
「これに対し、NO.3〜7の本発明実施例によれば、」なる記載（特許掲載公報第4欄第45行）を、
「これに対し、NO.3〜6の本発明実施例によれば、」と訂正する。
２．訂正の目的の適否、新規事項の存否および拡張変更の有無
(1)訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、請求項１の「セラミックスにより形成」という構成を「多結晶焼結体からなるセラミックスにより形成」に限定し、吸着面を「吸着面の中心線平均粗さ(Ra)を0.05μｍ以下とした」構成に限定するものである。
　そして、吸着装置のセラミックスとして、多結晶焼結体からなるセラミックスを含むことは、特許明細書の第3欄第21〜23行に記載されており、吸着面を「吸着面の中心線平均粗さ(Ra)を0.05μｍ以下とした」ことは、特許明細書の実施例の項（特許掲載公報第４欄第２〜５行参照）に記載されている。
　したがって、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、新規事項を追加するものでもなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
(2)訂正事項ｂについて
　訂正事項ａの訂正に伴い、【課題を解決するための手段】の項の記載における請求項１の発明の構成に対応する記載を訂正事項ａにより訂正された請求項１の記載に整合させるものである。
　したがって、訂正事項ｂは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、新規事項を追加するものでもなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
(3)訂正事項ｃについて
　訂正事項ａの訂正に伴い、【発明の効果】の項の記載における請求項１の発明の構成に対応する記載を訂正事項ａにより訂正された請求項１の記載に整合させるものである。
　したがって、訂正事項ｃは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、新規事項を追加するものでもなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
(4)訂正事項ｄについて
　訂正事項ａの訂正に伴い、【課題を解決するための手段】の項の記載における請求項１の発明の構成に対応する記載を訂正事項ａにより訂正された請求項１の記載に整合させるため「サファイアなどの単結晶体を含むものである。」なる記載を削除するものである。
　したがって、訂正事項ｄは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、新規事項を追加するものでもなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
(5)訂正事項ｅについて
　訂正事項ａの訂正において、「セラミックスにより形成」という構成を「多結晶焼結体からなるセラミックスにより形成」に限定したことに伴い、【実施例】の項の記載における請求項１の発明の構成に対応する記載を訂正事項ａにより訂正された請求項１の記載に整合させるためアルミナ単結晶のサファイアを用いた本発明の実施例NO.7を削除するものである。
　したがって、訂正事項ｅは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、新規事項を追加するものでもなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
(6)訂正事項ｆについて
　訂正事項ｅの訂正に伴い、本発明の実施例番号NO.3〜7をNO.3〜6と訂正するものである。
　したがって、訂正事項ｆは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、新規事項を追加するものでもなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについての判断
１．特許異議申立ての理由
(1)申立理由
　異議申立人は、下記甲第１号証乃至甲第７号証を提出し、
　請求項１に係る発明は、甲第１号証乃至甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり（この理由を「申立理由(1)」という。）、
　請求項１に係る発明は、他の出願人の出願であって本件出願後に出願公開された甲第７号証に記載された先願発明と同一であるから、同請求項に係る特許は特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである（この理由を「申立理由(2)」という。）と主張している。
甲第１号証：特開昭62-286247号公報
甲第２号証：「最新技術機能性セラミックス」第350〜352頁（1989年3月20日社団法人日本ファインセラミックス協会発行）
甲第３号証：特開昭61-159397号公報
甲第４号証：特開昭61-199067号公報
甲第５号証：特開平2-30159号公報
甲第６号証：特開昭59-129633号公報
甲第７号証：特願平1-342276号の願書に最初に添付された明細書又は図面（特開平3-202246号公報）
(2)本件発明
　本件特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、訂正された明細書及び登録時の図面の記載からみて、上記「第２　１．訂正の内容(1)訂正事項ａ」に示す訂正された請求項１に記載されたとおりの「真空吸着装置」であると認める。（以下「本件発明」という。）
(3)甲号証記載事項
　上記甲各号証には、それぞれ次のものが記載されている。
(a)甲第１号証：
【第2頁下右欄第18行〜第20行】
　「前記誘電層(6)はセラミックからなる基材(1)表面にセラミックス材料をプラズマ溶射等することで形成される。」
【第3頁上右欄第7行〜第11行】
　「ここで溶射材料としての焼結アルミナの結晶構造はα型でありその体積抵抗率（ρv）は1014〜16Ω−cmであるのに対し、溶射後にあっては結晶構造がγ、η型に近いものとなり、体積抵抗率（ρv）は1010Ω-cm程度まで低下する。」
【第4頁上左欄第6行〜第15行】
　「CVD（Chemical Vapour Deposition)又はPVD(Physical Vapour Deposition)等の薄膜形成法により、内部電極(2)及び誘電層(8)を形成してもよい。
　具体的には上記CVD又はPVDによって基材(1)上にTiC,TiN等を0.5μ以下形成し、これを内部電極(2)とし、この内部電極(2)の上にAl2O3、Si3N4等の緻密な絶縁性薄膜を10〜20μ形成し、これを誘電層(6)とすれば、静電力を大巾に高めることが可能となる。」
　以上の記載から甲第１号証には、つぎのことが記載されていると言える。
　吸着面を、プラズマ溶射され結晶構造がγ又はη型に近いセラミックスにより形成した誘電層またはCVD又はPVD等により形成された誘電層を有する静電吸着チャック。
(b)甲第２号証：
【第351頁右欄第3行〜第7行】
　「CVDやPVDでコーティングしたセラミックをバルクと比較すると以下のように表される。
(1)バインダー層の全くない純粋なセラミックが得られる．
(2)ポアーが存在しない．」
【第351頁右欄表１】
「耐摩耗性を求められるセラミックコーティング材料としてTiC、TiN、Al2O3、Si3O4」
　以上の記載から、甲第２号証には次のことが記載されていると言える。
　ポアーが存在しないセラミックスにより形成されたCVD,PVD被覆材料。
(c)甲第３号証：
【第2頁下左欄第7行〜第20行】
「「発明の効果」
　本発明はSiCあるいはSi3N4焼結体を母材として、刃先部に化学気相成長法(CVD法)によりそれぞれSiC、Si3N4の薄膜コーティングしたことを特徴とするスリッターナイフであり、表面層のボイドが少なく、粒子間の結合が上記焼結体より強いため耐摩耗性に優れ、耐久性が向上する。また、超硬合金製薄刃を使用するスリッターナイフに比較して、セラミック製のスリッターナイフは、低コストである。さらに、切れ味に優れているため、テープあるいはフィルムの切断がシャープにできる。また、セラミック製スリッターナイフは、テープの磁気特性を損わないという特徴を有する。」
【第2頁上左欄表１】
　明暗しきい値40％なる測定条件による円換算法による画像解析結果において、CVD-SiCスリッターナイフのボイド専有面積比が0.007％であること。
　以上の記載から甲第３号証には、つぎのことが記載されていると言える。
　円換算法によるボイド占有面積比が0.007％であるCVD-SiCセラミックス薄膜をコーティングしたスリッターナイフ。
(d)甲第4号証：
【第3頁上左欄第2行〜第16行及び第4頁上欄第１表】
　「α−SiC焼結体から成る平板又は凹凸を有するマス型の基体上に熱CVD法（1400℃）により、β-SiCを480〜530μの膜厚で形成した。その被覆物をHIP法により所定の加熱、加圧下で処理を行った。諸条件は第一表に示す。
　所定の処理を行った被覆部材に対し、下記の強度試験を行った。
　硬度測定
　ビッカース硬度計により測定した。」
　「ビッカース硬度が3100〜4700kg/mm2のセラミック（第１表参照）。」
　以上の記載から甲第４号証には、つぎのことが記載されていると言える。
　α−SiC焼結体から成る平板又は凹凸を有するマス型の基体上に熱CVD法（1400℃）により、β-SiCを480〜530μの膜厚で形成し,その被覆物をHIP法により所定の加熱、加圧下で処理を行った。第一表に示す諸条件にて所定の処理を行った被覆部材は、ビッカース硬度が3100〜4700kg/mm2であること。
(e)甲第5号証：
【第2頁上左欄第5行〜第16行】
　「しかしながら、上記のようなウエハ・ホルダはウエハ吸着面の全面に多数存在する気孔、またはウエハ吸着面における滑らかな接触部と粗い非接触部との境界の凸凹等に異物が引っかかり、ウエハ吸着面に異物が付着し易いため、ウエハ上面の平面度が異物の大きさに応じて局所的に悪化し、さらに付着した異物の除去が困難であるという問題点があった。
　本発明は以上の点を考慮してなされたもので、異物が付着し難くウエハ上面の平面度の悪化等を防止することができる基板吸着装置を得ることを目的としている。」
【第2頁下左欄第1行〜第19行】
　「第１図、第２図において、ウエハ・ホルダWHのウエハ吸着面の形状はウエハＷの直径よりもわずかに小さい径の円形であり、ウエハ吸着面にはウエハ・ホルダWHの中心から放射方向に同心円状（若しくは、螺旋状）の複数の環状凸部（ウエハ支持部）１と環状凹部（真空吸着溝）２とが一定ピッチでリム状に形成されている。このウエハ・ホルダWHは緻密で均質なファインセラミックスにより作られており、第３図に示すように少なくともウエハ吸着面の全面、即ち環状凸部１の上端面1a、側面1b及び環状凹部２の底面で、その表面に存在する最大寸法10μｍ以上の気孔、つまり表面に存在する気孔のうち、その気孔の長さや深さ等の各種方向に関する寸法のうちの最大値が10μｍ以上となる気孔が、1mm2当たり300個以下となるように形成されている。さらに、いずれの面も表面粗さ５μｍRmax以下の滑らかな表面に仕上げられていると共に、各々の境界部も滑らかに面取りされている。」
　以上の記載から甲第５号証には、つぎのことが記載されていると言える。
　吸着面を、10μｍ以上の気孔が1mm2以当たり300個以下で、以上であるセラミックスにより形成するとともに吸着面の粗さを５μｍRmax以下した真空吸着装置。
(f)甲第6号証：
【第2頁上左欄第5行〜第7行】
　「第１図中１はアルミナ・セラミックス製のチャックで、シリコンウエハあるいは試料を載せて真空吸着するために使用する。」
　以上の記載から甲第６号証には、つぎのことが記載されていると言える。
　吸着面を、アルミナ・セラミックスにより形成したチャック（即ち真空吸着装置）。
(g)甲第7号証：
【第2頁上左欄第6行〜第9行】
　「セラミック原料を成形した後焼成してチャック本体とし、このチャック本体の表面に研削加工を施した後に化学気相析出法(CVD)等によってセラミック薄膜をコーティングする。」
【第2頁上右欄第3行〜第10行】
　「また、真空チャック１はチャック本体４と前記被加工物Ｗを載置する表面に形成されたセラミック薄膜５とからなり、チャック本体４内には微小なポア６・・・が粒界などに存在しているが、セラミック薄膜５はポアが存在しない緻密な組織となっている。ここで、チャック本体４及びセラミック薄膜５の構成材料としてはTiC、TiN、Al2O3、Si3O4、SiC等とする。」
【第2頁下右欄第8行〜第16行】
　「尚、実施例においては各種セラミック材料と多種製法によってチャック本体４及びセラミック薄膜５を形成したが、セラミック薄膜としてTiC、TiN、SiCのように導電性或いは半導電性の材料を使用すれば、静電気を容易に逃すことができる。また、材料及び製法の組合せで最も良い結果となったのは、チャック本体４をAl2O3とし、セラミック薄膜５をプラズマCVD法によるTiCとした場合であった。」
　以上の記載から甲第７号証には、つぎのことが記載されていると言える。
　セラミック原料を焼成したチャック本体に、アルミナ或いは炭化チタン等のポアのないセラミック薄膜を化学気相析出法(CVD)等によって形成して成る真空チャックすなわち真空吸着装置。
(4)対比・判断
(a)申立理由(1)について
　申立理由(1)の証拠として提出された甲第１号証〜甲第６号証のうち、先ず甲第５号証の記載事項につき検討する。
　同号証に記載された気孔部分の面積が全吸着面に対して占める面積の割合を％で表したものを気孔率と呼ぶと、「10μｍ以上の気孔が1mm2以当たり300個以下」と表現されている気孔部分の面積の割合即ち気孔率は、ほぼ２％以下である。
　一方、本件発明のボイド占有率とは、特許明細書記載の定義（【課題を解決するための手段】の項参照）によれば、画像処理装置を用いて吸着面を1000倍に拡大して分析して得られる、0.2μｍ以上のボイドの占める面積比のことである。
　すなわち、気孔率を測定する際の気孔又はボイドの直径は、甲第５号証においては、10μｍ以上であり、本件発明においては、0.2μｍ以上であって同号証の50分の1程度の微細なボイドを問題としており、本件発明のボイドを甲第５号証の気孔と同一視することはできない。
　したがって、甲第５号証における気孔率と、本件発明におけるボイド占有率との間に数値上共通する範囲があるとしても、甲第５号証の気孔率（２％以下）が、本件発明の必須の構成である「0.2μｍ以上のボイド占有率が0.08％以下」なる構成を開示していると云うことはできない。
　次に、その他の証拠の記載事項につき検討する。　甲第１号証の静電吸着チャックの吸着面は、プラズマ溶射されたセラミック層であるが、ボイド占有率につき記載がない。
　甲第２号証乃至甲第４号証記載のセラミックスにより形成された被覆材料は、ポアーが存在しない、即ちボイド占有率が０％の被覆材料若しくはボイド占有率が0.007％以下の被覆材料を開示している。しかし同号証記載の被覆材料を真空吸着装置のための被覆材料として使用する示唆もないし、甲第５号証には、その真空吸着装置の吸着面にセラミックス被覆材料を適用する示唆もないから、甲第２号証乃至甲第４号証の被覆材料を甲第５号証記載の真空吸着装置に適用してすることが当業者に容易に推察できたとは言えない。
　また、甲第６号証には、吸着面を、アルミナ・セラミックスにより形成したチャック即ち真空吸着装置が記載されているのみであり、本件発明の必須構成である「0.2μｍ以上のボイド占有率が0.08％以下」なる構成を開示してない。
　したがって、甲第１号証乃至甲第６号証記載のものを寄せ集めて本件発明の必須構成である「0.2μｍ以上のボイド占有率が0.08％以下」なる構成とすることが当業者が容易にできたということができない。
　一方、本件発明は、上記の構成を具備することにより、「半導体ウェハの吸着時に不純物の付着を防止でき、また、吸着面の摩耗も少ないことから、特に４Ｍ以上の超高密度LSIの製造工程において、歩留まりを向上させることができる。」という顕著な効果を奏すると認められる。
　以上のとおりであるから、本件発明の他の必須の構成につき検討するまでもなく、本件発明は、甲第１号証ないし甲第６号証記載のものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたといえない。
　したがって、異議申立人の申立理由(1)は理由がない。
(b)申立理由(2)について
　同申立理由の証拠として提出された特願平1-342276号の願書に最初に添付された明細書又は図面には、セラミック製チャック本体に、アルミナ或いは炭化チタン等のポアのない（即ちボイド占有率０％）セラミック薄膜を化学気相析出法(CVD)等によって形成して成る真空吸着装置が記載されているが、吸着面を、「ビッカース硬度が1200kg/mm2以上である多結晶焼結体からなるセラミックスにより形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ(Ra)を0.05μｍ以下とした」構成を具備していないから同先願明細書記載の真空吸着装置が本件発明の真空吸着装置と同一であると云うことはできない。
　したがって、異議申立人の申立理由(2)も理由があるとは言えない。
第４　結び
　以上の通りであるから、本件特許異議の申立ては理由があるとは言えない。
　また、他に本件発明に対してなされた特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１０日（２００１．１．１０）
【訂正の要旨】
　　訂正の内容
　（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の
「【請求項１】吸着面を、０．２μｍ以上のボイド占有率が０．０８％以下で、かつビッカース硬度が１２００ｋｇ／ｍｍ２以上であるセラミックスにより形成したことを特徴とする真空吸着装置」なる記載を、
「【請求項１】吸着面を、０．２μｍ以上のボイド占有率が０．０８％以下で、かつビッカース硬度が１２００ｋｇ／ｍｍ２以上である多結晶焼結体からなるセラミックスにより形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．０５μｍ以下としたことを特徴とする真空吸着装置」と訂正する。（以下訂正された請求項１の記載事項により特定される発明を「本件発明」という。）
　（２）訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【課題を解決するための手段】の項中の、
「１２００ｋｇ／ｍｍ２以上のセラミックスで形成したものである。」なる記載（特許掲載公報第３欄第１６行）を、
「１２００ｋｇ／ｍｍ２以上の多結晶焼結体からなるセラミックスで形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．０５μｍ以下としたものである。」と訂正する。
　（３）訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【発明の効果】の項中の、
「１２００ｋｇ／ｍｍ２以上であるセラミックスにより形成したことによって」なる記載（特許掲載公報第５欄第３０行〜第３１行）を、
「１２００ｋｇ／ｍｍ２以上である多結晶焼結体からなるセラミックスにより形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．０５μｍ以下としたことによって、」と訂正する。
　（４）訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【課題を解決するための手段】の項中の、
「また、本発明におけるセラミックスとは、アルミナ、ジルコニアなどの多結晶焼結体だけでなく、サファイアなどの単結晶焼結体も含むものである。」なる記載（特許掲載公報第３欄第２１行〜第２３行）を、
「また、本発明におけるセラミックスとは、アルミナ、ジルコニアなどの多結晶焼結体のことである。」と訂正する。
　（５）訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【実施例】の項中の、
「さらに、ＮＯ．７に示すように、ＥＦＧ法などによって製造したアルミナの単結晶体であるサファイアは、ボイド占有率０％であった。」なる記載（特許掲載公報第４欄第３０行〜第３２行）を削除するとともに第１表（特許掲載公報第５〜第６欄参照）中のＮＯ．７の行を削除する。
　（６）訂正事項ｆ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【実施例】の項中の、「これに対し、ＮＯ．３〜７の本発明実施例によれば、」なる記載（特許掲載公報第４欄第４５行）を、
「これに対し、ＮＯ．３〜６の本発明実施例によれば、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
真空吸着装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項】吸着面を、０．２μｍ以上のボイド占有率が０．０８％以下で、かつビッカース硬度が１２００ｋｇ／ｍｍ２以上である
多結晶焼結体からなる
するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．０５μｍ以下とした
【発明の詳細な説明】
〔産業場の利用分野〕
　本発明は、特に半導体ウェハを吸着し、搬送あるいは固定するための真空吸着装置に関する。
〔従来の技術〕
　従来より、半導体ウェハを真空吸着して搬送するための真空ピンセットや、真空吸着により固定してウェハを加工するための真空チャックは広く用いられており、これらの真空吸着装置を形成する材料として、セラミックスが用いられている。（特開昭５９−１２４５３６号、６２−５３７７４号、６３−１６９２４３号公報参照）
　たとえば、第３図に示す真空ピンセット３０は、セラミック板３１の内部に連通孔３３を備え先端側にて開口部３２とし、後端側にて吸引孔３１としている。そして、吸引孔３４より真空吸引することによって、開口部３２へ半導体ウェハＷを吸引し、搬送するようになっていた。
　また、第４図に示す真空チャック４０は、セラミックスからなる吸着板４１に複数の貫通孔４１ａを形成し、この吸着坂４１を基体４２の上面に取付けてなるものである。この真空チャック４０は、吸引孔４３より真空吸引することによって、吸着板４１上に半導体ウェハＷを吸着固定するようになっていた。
〔従来技術の課題〕
　上記真空吸着装置に用いるセラミックスは通常アルミナセラミックスが用いられ、Ａ１２０３含有量９９．５重量％以上の高純度で緻密なものが用いられていた。
　ところが、近年の半導体装置の高密化に伴い、真空吸音装置の吸着面を形成するセラミックスの微小なボイド中にたまったゴミが、不純物として半導体ウェハに付着し、悪影響をおよぼすといり問題が生じてきた。上記のアルミナセラミックスでは、ボイド占有率が０．３％程度であるが、これでも、４Ｍ以上の高密度ＬＳＩにおいては、ボイド中のゴミが問題となり、製品歩留りを悪くしていた。
　また、たとえば石英ガラスを用いれば、ボイド占有率を０％とできるが、硬度が低いことから、摩耗しやすいものであった。
〔課題を解決するための手段〕
　上記に鑑みて本発明は、真空吸着装置の吸着面を、ボイド占有率が０．０８％以下であり、かつビッカース硬度が１２００ｋｇ／ｍｍ２以上の多結晶焼結体からなるセラミックスで形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．０５μｍ以下としたものである。
　なお、本発明におけるボイド占有率とは、画像処理装置を用いて吸着面を１００００倍に拡大して分析したときのもので、０．２μｍ以上のボイドの占める面積比のことである。
　また、本発明におけるセラミックスとは、アルミナ、ジルコニアなどの多結晶焼結体のことである。
〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を説明する。
　第１図に示す真空ピンセット１０は、セラミックス板１１の内部に連通孔１３を形成し、この連通孔１３は先端側にて開口部１２を、後端側にて吸引孔１４をなしている。また、開口部１２のまわりには、ボイド占有率０．０８％以下、ビッカース硬度１２００ｋｇ／ｍｍ２以上のセラミックスからなるリング５を固着して、吸着面１５ａとしている。この真空ビンセット１０は、吸引孔１４より真空吸引することによって、吸着面１５ａに半導体ウェハ（不図示）を吸着できる。
　また、その際に、半導体ウェハの接触する吸着面１５ａが、ボイドの極めて少ないセラミックスからなるため、半導体ウェハに対して悪影響を与えにくい。
　さらに、この実施例では低コストとするために吸着面１５ａを形成するリング１５のみをボイドの少ないセラミックスとしたが、真空吸着装置１０の全体をボイドの少ないセラミックスで形成してもよい。
　また、他の実施例として、第２図に示す真空チャック２０は、ボイド占有率０．０８％以下、ビッカース硬度１２００ｋｇ／ｍｍ２以上のセラミックスからなる吸着板２１に複数の貫通孔２１ａを形成し、この吸着板２１を基体２２の上面に固着したものである。この真空吸着装置２０は、吸引孔２３より真空吸引することによって、吸着板２１の吸着面２１ｂに、半導体ウェハ（不図示）を吸着できるが、このとき、半導体ウェハの吸着面２１ｂがボイドの極めて少ないセラミックスからなるため、半導体ウェハに対して悪影響を与えにくい。
　さらに、上記吸着面１５ａ、２１ｂはボイドが極めて少ないことから、鏡面加工を施すことによって、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．０５μｍ以下好ましくは、０．０１μｍ以下に加工することができる。
　次に、本発明の真空吸着装置において、吸着面を形成する、ボイドの極めて少ないセラミックスについて具体的に説明する。
　まず第１表中ＮＯ．３に示すものはＡｌ２Ｏ３含有量９９．９重量％以上で、焼結助剤として微量のＳｉＯ２、ＭｇＯを含む原料を成形、焼成した後、ＨＩＰ（熱間静水圧加圧）処理を施すことによって得たボイドの極めて少ないアルミナセラミックスである。通常のアルミナセラミックスはボイド占有率０．３％程度が限界であるが、ＨＩＰ処理を施すことによって、第１表中Ｎｏ．３に示すようにボイド占有率０．０８％とできる。
　また、第１表中Ｎｏ．４に示すものは、ＺｒＯ２を主成分とし、安定化剤として３ｍｏｌ％のＹ２Ｏ３、および焼結助剤としてＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などを含有する共沈原料を成形、焼成してなる部分安定化ジルコニアセラミックスである。共沈原料を用いているため非常に微粉であり、通常の焼結を行なったものでもボイド占有率０．０４％とできる。さらに、このジルコニアセラミックスにＨＩＰ処理を施すことによって、ＮＯ．５に示すように、ボイド占有率０．０２％と、より低くすることもできる。
　また、ＮＯ．６に示すものは、９８重量％程度のＳｉ３Ｎ４に焼結助剤としてＡｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３を含有した原料を成形、焼成した後、ＨＩＰ処理を施した窒化珪素質セラミックスであり、ボイド占有率０．０４％であった。
　これらに対し、比較例として、第１表中ＮＯ．１に示す石英ガラス、およびＮＯ．２に示すＨＩＰ処理を行なわない高純度アルミナセラミックスを用意した。
　これらの材料を用いて、第１図に示す真空ピンセット１０を試作し、それぞれ４Ｍの超高密度ＬＳＩの製造工程中で半導体ウェハの搬送に用い、製品歩留り率によって評価を行なった。
　その結果は第１表に示すように、ＮＯ．１の石英ガラスはボイドはないが、硬度が低いためキズがついたり、磨耗しやすく、かえって歩留りが悪かった。また、ＮＯ．２は、ボイド占有率が０．３８％と大きいため、半導体ウェハに不純物を付着させやすく、歩留りが悪かった。
　これに対し、ＮＯ．３〜６の本発明実施例によれば、ボイド占有率０．０８％以下、ビッカース硬度１２００ｋｇ／ｍｍ２以上であるため、半導体ウェハへの不純物の付着や、吸着面の摩耗が少なく、歩留りが優れていた。
　また、通常のセラミックス体表面のボイドのみをガラスなどで埋めることによって、高硬度で、ボイドの極めて少ない吸着面を形成することもできる。
〔発明の効果〕
　このように、本発明によれば真空吸着装置の吸着面を、０．２μｍ以上のボイド占有率が０．０８％以下で、かつビッカース硬度が１２００ｋｇ／ｍｍ２以上である多結晶焼結体からなるセラミックスにより形成するとともに、上記吸着面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．０５μｍ以下としたことによって、半導体ウェハの吸着時に不純物の付着を防止でき、また吸着面の摩耗も少ないことから、特に４Ｍ以上の超高密度ＬＳＩの製造工程において、歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例である真空ピンセットの斜視図、第２図は他の実施例である真空チャックの断面図である。
第３図は従来の真空ピンセットを示す斜視図、第４図は従来の真空チャックを示す断面図である。
１０：真空ピンセット、１１：セラミック板
１２：開口部、１３：連通孔
１４：吸引孔、１５：リング
２０：真空チャック、２１：吸着板
２２：基体、２３：吸引孔