【事件の表示】
　特許第３０６９５３３号「化合物半導体発光素子」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０６９５３３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本件は、昭和６３年７月２１日に出願した特願昭６３−１８２６６４号（以下、「原出願」という。）の一部を特許法第４４条第１項の規定により平成９年６月１６日に新たな出願としたものであり、平成１２年５月１９日に特許第３０６９５３３号として特許権の設定登録がなされたが、その後、宮城理佐より特許異議の申立てがなされたものである。
　そして、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書の特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるものである。
「絶縁基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設された第１導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、
　前記第１導電型の一部領域に立設され、少なくとも前記発光層を含む発光素子本体と、
　前記発光素子本体の側面を直接包囲する絶縁層と、
　前記発光素子本体から舌状に接続した前記第１導電型の導電層上の露出部分に設けられた第１の電極と、
　前記発光素子本体の上方に、第２の電極を備えていることを特徴とする化合物半導体発光素子。」
２．申立ての理由の概要
　申立人は、概略、次のように主張している。
（１）本件は分割出願の要件を満たしておらず、出願日の遡及が認められないので、本件の出願日である平成９年６月１６日より前に頒布された刊行物である特開平２−３２５７０号公報（甲第１号証の１）や特開平７−９４７８３号公報（甲第１号証の２）に記載された発明である本件発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
（２）仮に、本件が分割出願の要件を満たしているにしても、
ａ．本件発明は、特開昭６２−２６２４３５号公報（甲第２号証の１）や特開昭４９−１９７８２号公報（甲第２号証の２）に記載された発明に、特開昭６０−２０１３８２号公報（甲第３号証の１）や特開昭５１−１３４５７６号公報（甲第３号証の２）に記載された発明や特開昭５６−７９４８２号公報（甲第４号証）に記載された発明を組み合わせることにより、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　また、
ｂ．本件発明は、特開昭６２−１０１０８９号公報（甲第５号証）に記載されているから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
（３）本件は、特許法第３６条第５項第１号の規定に違反している。
３．当審の判断
（１）申立て理由（１）について
ａ．原出願の明細書及び図面の記載
　原出願の明細書には、第１６図に示される化合物半導体発光素子について次のように記載されている。
「次に、本発明の請求項３による第４の実施例の概略図を第１６図に示す。
　図中、２１はハロゲン化学輸送法により成長させたＺｎＳｅバルク単結晶を低抵抗化せずに用いた絶縁性のＺｎＳｅ基板である。この絶縁性ＺｎＳｅ基板２１上に上記第２の実施例と同様の方法でｎ型ＺｎＳｅ導電層５３、ｎ型ＺｎＳｅ発光層２４ならびにｐ型ＺｎＳｅ発光層２５を順次エピタキシャル成長した後、成長層をｎ型ＺｎＳｅ導電層が露出するまで柱状にエッチングする。
　次にｎ型ＺｎＳｅ導電層の一部を残してさらに成長層を基板の一部とともに柱状にエッチングし、柱状の主要部と、主要部から舌状に接続したｎ型ＺｎＳｅ導電層５３の負電極形成部５３ａを作成する。
　さらに、この上にＳ組成（ｘ）が０．３〜０．７程度の値をもつ、絶縁性のＺｎＳxＳｅ１−ｘを成長させてこれを絶縁層１２５とし、ｐ型ＺｎＳｅ発光層２５ならびにｎ型ＺｎＳｅ導電層５３の舌状部に堆積した絶縁性ＺｎＳxＳｅ１−ｘをエッチングにより除去し、露出したｐ型ＺｎＳｅ発光層２５上ならびにｎ型ＺｎＳｅ導電層５３上に、それぞれ、Ａｕを用いた正電極７、Ｉｎを用いた負電極８を形成し、プレーナ型のｐｎ接合型発光素子とする。
　本実施例により、プレーナ型の高輝度で高い取り出し効率を有するＺｎＳｅ　ｐｎ接合型発光素子を実現することができた。」（原出願の公開公報：特開平２−３２５７０号公報第１１頁右下欄第１４行〜第１２頁右上欄第１行参照。）
　なお、第１６図において基板に１ａとの符号が付されているが、上記記載からすれば、第３図、４図、９図のように２１との符号を付すべきところ、誤って１ａとしたものと認められる。
　また、第１６図に示される化合物半導体発光素子及び第１３図〜１５図に示される化合物半導体発光素子についての請求項である請求項３には、その「柱状」部分について「柱状で、実質的に基板の一部領域上に立設され、少なくとも発光部および導電部からなる発光素子本体」（公開公報第１頁右下欄第８〜１０行参照。）と記載されている。
　さらに、第１６図に示される化合物半導体発光素子及び第１３図〜１５図に示される請求項３に係る化合物半導体発光素子の発明の効果について「発光層を含む発光素子本体を柱状構造とし、その周囲を絶縁層で囲むことにより電流はこの柱状構造内に挟窄され、発光層に高密度の電流を注入することが可能になり、高輝度の発光を得ることができる。」（公開公報第１２頁右下欄第１１〜１５行）と記載されている。
　なお、この記載の前に「請求項２の化合物半導体発光素子においては、」と記載されているが、「請求項３の化合物半導体発光素子においては、」の誤記であると認められる。
　これらの記載によれば、原出願の明細書又は図面には、
「絶縁性ＺｎＳｅ基板２１上に、ｎ型ＺｎＳｅ発光層２４ならびにｐ型ＺｎＳｅ発光層２５とそのｎ型ＺｎＳｅ発光層２４の下端面に接合して配設されたｎ型ＺｎＳｅ導電層５３とを有する化合物半導体発光素子であって、
　前記絶縁性ＺｎＳｅ基板２１の一部領域上であって、さらに、前記ｎ型ＺｎＳｅ導電層５３の一部領域に柱状に立設された発光素子本体と、
　前記発光素子本体の側面を直接包囲する絶縁性のＺｎＳxＳｅ１−ｘからなる絶縁層１２５と、
　前記発光素子本体から舌状に接続したｎ型ＺｎＳｅ導電層５３の負電極形成部５３ａに形成されたＩｎを用いた負電極８と、
　前記発光素子本体の上方に、Ａｕを用いた正電極７を備えている化合物半導体発光素子。」の発明が記載されているものと認められる。
ｂ．分割要件の検討
　ここで、上記発明の「絶縁性ＺｎＳｅ基板２１」が「絶縁基板」であり、「ｎ型ＺｎＳｅ発光層２４ならびにｐ型ＺｎＳｅ発光層２５」が「発光層」であり、「ｎ型ＺｎＳｅ導電層５３」が「第１導電型の導電層」であり、「絶縁性のＺｎＳxＳｅ１−ｘからなる絶縁層１２５」が「絶縁層」であり、「絶縁性ＺｎＳｅ基板２１の一部領域上であって、さらに、ｎ型ＺｎＳｅ導電層５３の一部領域に柱状に立設された発光素子本体」が「第１導電型の導電層の一部領域に立設され、少なくとも発光層を含む発光素子本体」であり、「発光素子本体から舌状に接続したｎ型ＺｎＳｅ導電層５３の負電極形成部５３ａに形成されたＩｎを用いた負電極８」が「発光素子本体から舌状に接続した前記第１導電型の導電層上の露出部分に設けられた第１の電極」であり、「Ａｕを用いた正電極７」が「第２の電極」であることは明らかであるから、原出願の明細書又は図面には
「絶縁基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設された第１導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、
　前記第１導電型の導電層の一部領域に立設され、少なくとも前記発光層を含む発光素子本体と、
　前記発光素子本体の側面を直接包囲する絶縁層と、
　前記発光素子本体から舌状に接続した前記第１導電型の導電層上の露出部分に設けられた第１の電極と、
　前記発光素子本体の上方に、第２の電極を備えていることを特徴とする化合物半導体発光素子。」の発明、すなわち、本件発明が記載されているものと認められる。
ｃ．むすび
　したがって、本件は、適法な分割出願であり、昭和６３年７月２１日に出願したものとみなされるものである。
　なお、この分割要件について、申立人は、原出願にはII−VI族化合物半導体についてしか記載されていないのに、本件発明においてはその旨の限定がないから、原出願に記載のないIII−V族化合物半導体の発光素子まで含まれることと解釈される惧れがあるので、本件出願は適法な分割出願とはいえない旨の主張をしているが、原出願に記載の発明は、第１６図に示される構造により前記の作用効果を奏するものであり、この作用効果は、II−VI族化合物半導体でなければ奏されることがないというものではないから、申立人の主張は採用できない。
　以上のとおりであるから、本件出願の出願日とされる昭和６３年７月２１日より後に頒布された刊行物である特開平２−３２５７０号公報（甲第１号証の１）や特開平７−９４７８３号公報（甲第１号証の２）に基づく申立人の主張には、理由がない。
（２）申立て理由（２）について
　本件発明は、「前記第１導電型の一部領域に立設され、少なくとも前記発光層を含む発光素子本体」を備えているから、発光素子本体が第１導電型の導電層の一部領域に立設されるという構成を有するものである。
　なお、本件請求項１の「前記第１導電型の一部領域」とは、正確には、「前記第１導電型の導電層の一部領域」ということであると思われる。
　そして、「一部領域」上に「立設」という用語は、原出願の請求項３の「実質的に基板の一部領域上に立設され」という記載に基づくものであり、また、本件特許明細書において、第１８段落、第１９段落には、「次に、本願の請求項にかかる発明において、発光素子本体が実質的に基板の一部領域上に立設されるとは、基板が、発光素子本体を配設しうる第１領域と少なくとも発光素子本体の側面を包囲する絶縁部を配設しうる第２領域とを有することを意味するものであり、発光素子本体が基板の上面全体に渡って配設されていないことを意味する。すなわち、発光素子本体は、例えば、３００μｍ×３００μｍの素子（チップ）寸法に対して、図１３、図１４に示すように、直径Ｄ1が３０〜１００μｍ程度（より好ましくは５０μｍ）の円柱構造を有するものが好ましいものとして挙げられる。」と記載されており、さらに、本件特許明細書の第８５段落には、本件発明の効果として「発光素子本体が、基板上あるいは第１の導電型の導電層上の一部領域に立設されているので、ウェハーから素子に分離するダイシングの工程などで発光素子本体にダメージを及ぼさないようにすることができる。」と記載されているところであるから、本件発明の発光素子本体が第１導電型の導電層の一部領域に立設されるという構成は、本件の図１３ないし図１６に示される「基板が発光素子本体の側面を包囲する絶縁部を配設しうる第２領域を有する」という構成を前提にして、さらに、本件の図１６に示されるように第１導電型の導電層５３の領域が発光素子本体が配設される領域からはみ出しているということを意味するものと認められる。
　さらに、本件発明は、「前記発光素子本体から舌状に接続した前記第１導電型の導電層上の露出部分に設けられた第１の電極」を備えているから、前記の発光素子本体が配設される領域からはみ出している第１導電型の導電層の領域が舌状であり、その上に電極を設けるという構成をさらに有しているものと認められるが、申立人が提出する特開昭６２−２６２４３５号公報（甲第２号証の１）、特開昭４９−１９７８２号公報（甲第２号証の２）、特開昭６０−２０１３８２号公報（甲第３号証の１）、特開昭５１−１３４５７６号公報（甲第３号証の２）、特開昭５６−７９４８２号公報（甲第４号証）、特開昭６２−１０１０８９号公報（甲第５号証）のいずれにも、本件発明の上記の構成、すなわち、「第１導電型（の導電層）の一部領域に立設され、少なくとも前記発光層を含む発光素子本体」と「前記発光素子本体から舌状に接続した前記第１導電型の導電層上の露出部分に設けられた第１の電極」を備えているという構成は記載されていないから、これらの証拠に基づく申立人の主張は、採用できない。
（３）申立て理由（３）について
　申立人は、分割出願明細書の特許請求の範囲の記載と原出願明細書の発明の詳細な説明の記載との関連において、本件が特許法第３６条第５項第１号の「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること。」との規定に違反している旨の主張をしているが、特許法第３６条が分割出願明細書の特許請求の範囲の記載と原出願明細書の発明の詳細な説明の記載との関係について規定しているとはいえない。
　そして、本件の分割要件については、３．（１）において検討したように適正なものと認められるから、本件出願は、昭和６３年７月２１日にされたものとみなされる。
　したがって、本件特許明細書の記載が、平成２年改正前特許法第３６条第４項第１号の「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること。」との規定を満たしているかどうかについて検討する。
　本件特許の請求項１に係る発明が本件特許図面の図１６に示されるものとして本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されていることは明らかであるから、本件が特許法第３６条の「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること。」という規定に違反しているとはいえない。
　したがって、この点についての申立人の主張も採用できない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月１８日（２００１．４．１８）