【事件の表示】
　特許第３０３０５４５号「接合ウエーハの製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０３０５４５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３０３０５４５号の請求項１に係る発明についての特許は、平成２年２月２８日に特許出願された特願平２−４５７７８号の一部を、平成９年７月１９日に新たな特許出願としたものであって、平成１２年２月１０日にその特許権の設定登録がなされ、その後、譲原陽一より特許異議の申立てがなされたものである。
（２）本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】フッ酸水溶液に浸漬する工程を有するデバイス作製工程に用いられる接合ウエーハの作製方法であって、いずれも単結晶シリコンからなる第１鏡面ウエーハと第２鏡面ウエーハとを用意し、第２鏡面ウエーハの少なくとも片面鏡面側に酸化膜を形成し、第２鏡面ウエーハを、前記酸化膜が中間層になるように第１鏡面ウエーハの鏡面に重ね合わせた後、これら第１、第２鏡面ウエーハを酸化性雰囲気中で１１００℃〜１２００℃に加熱して両者を接着した後、第２鏡面ウエーハにおける第１鏡面ウエーハとの接着面と反対側の面を研磨して第２鏡面ウエーハを薄膜化することを特徴とする接合ウエーハの製造方法。（以下「本件発明」という）」
（３）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１乃至第５号証を提出し、本件発明は、甲第１乃至第５号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許を受けることができないものであると主張している。
（４）甲各号証記載の発明
　甲第１号証として提出された、特公昭５０−１３１５５号公報には、半導体集積回路の製造方法が第１乃至４図とともに開示されている。そして同公報１頁左欄２８行〜３７行には、「第１図Ａに示す如く、半導体基体１１の上に厚さ１５０μ以下の他の半導体基体１２を重ね合わせ、その接触面１３は少なくとも１２００番以上の粒径の小さい研磨粉で研磨して置く。特に鏡面仕上げが好適である。
　この状態で酸化性雰囲気で加熱して酸化させると、第１図Ｂの如く基体１１，１２の外面に半導体酸化膜１４−１が成長し、また両基体の接触面にも同様な酸化膜１４−２が成長して両基体を結合する。」と記載され、１頁右欄１８行〜２２行には、「Ｉ．シリコン接着面に予めＳｉＯ２膜被着の可否表Ｉに示す如く双方の面にＳｉＯ２が予め被着されていると接着させることは不可と考えられ、少なくとも一方の面はＳｉＯ２の厚さ５００Å程度以下であることが望ましい。」と記載され、２頁右欄３行〜５行には、「また以下の試料についても同様であるが、これらの試料は全て１２０℃において酸化されその酸化速度は約１７５Å／分であった。」と記載され、３頁右欄１７行〜２４行には、「なお、これらの方法で上側の半導体基体は、集積回路として使用されるのは５０μ以下であり、実際３０μ程度までは処理可能であるが必要に応じて厚い基体を用い結合後不要部を無水塩酸、六弗化硫黄等のガスでエッチングするとか、また硝酸と弗化水素酸系のエッチング液でエッチング除去することも有効であるし、さらに弗化水素酸等を用いた電解エッチング法もまた有効である。」と記載されている。
　甲第２号証として提出された、特開昭４８−４０３７２号公報の２頁左上欄１１行〜１３行には、「例えば２枚のシリコンのような半導体薄板（６）（６′）を例えば酸化膜のような絶縁被膜（７）を介して重ねて乗せ、」と記載され、２頁右上欄２０行〜左下欄３行には、「第３図の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は夫々加熱温度「次に筒体（１２）外周に設けられた高周波加熱コイル（１５）からの誘導によって加熱体（４）（４′）（９）及び枠（８）を加熱せしめ半導体薄板（６）（６′）を約１１００℃以上温度に加熱せしめる。」と記載され、２頁左下欄９行〜右下欄２行には、「第３図の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は夫々加熱温度、加圧、過熱時間と半導体薄板−絶縁被膜間の接着度との関係を示す図で、・・・。第８図（ａ）に示すように接着度は約１０５０℃の加熱温度で急激な変化を示し、約１１００℃では若干のばらつきはあるにしても約９０％以上になり、更に約１１５０℃以上では殆んどばらつきもなくなると共に約１００％に到達する。」と記載され、２頁右下欄１３行〜１６行には、「この場合半導体基板（６）（６’）の相対向する接着面は例えば♯１０００ラップ程度の研磨面でも一応は接着するが、接着強度及び薄板の機械的破損という点からは、鏡面研磨しておくことが最も望ましい。」と記載されている。
　甲第３号証として提出された、特開昭５７−１０９８０号公報の２頁右下欄５行〜１１行には、「（１７）は、Ｓｉ平板からなり感圧素子（１６）を支持する支持体、（１８ａ）は、支持体（１７）の一方の主面上に形成され、温度１２５０℃程度の不活性ガスの雰囲気中において数十気圧の圧力で、感圧素子（１６）の第２のＳｉＯ２膜（１４ｂ）と一体化された第３のＳｉＯ２膜、（１８ｂ）は支持体（１７）の他方の主面上に形成された第４のＳｉＯ２膜、」と記載され、同３頁左上欄８行〜１４行には、「また、支持体（１７）および第３のＳｉＯ２膜（１８ａ）のそれぞれの熱膨張係数の差による第３のバイメタル作用と、支持体（１７）および第４のＳｉＯ２膜（１８ｂ）のそれぞれの熱膨張係数の差による第４のバイメタル作用とが互いに打ち消し合うので、これらのバイメタル作用によって、支持体（１７）が変形するのを小さくすることができる。」と記載されている。
　甲第４号証として提出された、特開昭６１−５５４４号公報の２頁左下欄１９行〜右下欄１５行には、「以下本発明の実施例を第１図を参照して説明する。第１図（ａ）に示すように、第１のシリコン単結晶基板１１と第２のシリコン単結晶基板１２を用意する。この例では、第２のシリコン基板１２の表面に酸化膜等の絶縁膜１３が形成されている。これらの基板の相対向する面は鏡面研磨されている。これらの基板１１，１２を第１図（ｂ）に示すように密着させ２００℃以上の温度で熱処理して接合させる。室温で密着させるだけでもかなりの接合強度が得られるが、２００℃以上で熱処理することにより、接合強度が著しく改善される。但し熱処理温度の上限は、クリープなどを生じないように１３００℃とすることが必要である。このように形成された基板接合体のうち、本実施例では基板１２に素子を形成する。そのために第１図（ｃ）に示すように、基板１２を必要な厚さになるまで研磨、エッチング等により削り取る。」と記載され、３頁右上欄６行〜１２行には、「そして、図の矢印で示す方向に油圧Ｐを加えて素子を破壊させ、素子の接合時の熱処理温度と破壊強度の関係を調べた。・・・。２００℃以下では破壊圧は５ｋｇ／ｃｍ２未満で接合部が剥がれるのに対し、２００℃以上では強度が急激に増大し、しかもその破壊は結晶自体の破壊であった。」と記載されている。
　甲第５号証として提出された、電子デバイス・半導体デバイス合同研究会資料（資料番号EDD-89-42,SPC-89-51）第２７頁〜第３４頁、「ウェハ接着技術とその適用の現状」１９８９年１０月２５日社団法人電気学会発行には、２枚のシリコンウエハ同士を貼りあわせるウェハ接着技術についての現状が記載されている。
（５）対比・判断
　本件発明と甲第１乃至５号証記載の発明とを対比すると、甲第１乃至５号証には、本件発明の技術課題とする、フッ酸水溶液に浸漬する工程において耐浸食性が高い接合ウエーハの作製について記載も示唆もされていない。（甲第１号証は、接合ウエーハの処理工程において、フッ酸水溶液に浸漬する場合があることを単に記載したにすぎず、フッ酸水溶液に浸漬する工程において耐浸食性が高い接合ウエーハの作製を示唆するものではない。）
　そして本件発明では、請求項１記載の工程を採用することにより、「結合強度、及び接合界面のエッチング液に対する耐浸食性が高く、集積回路素子用の基板として優れた接合ウエーハを得ることができる」という、明細書記載（段落００２８参照）の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明が甲第１乃至第５号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１２日（２００１．１．１２）