【事件の表示】
　特許第２９３６４８３号「薄膜配線及び半導体装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９３６４８３号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２９３６４８３号（以下「本件特許」という。）は、平成１年１０月１７日に出願したものであって、特許権設定の登録後、特許異議申立人　株式会社村田製作所より、請求項１〜４に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、当合議体より特許取消理由の通知、及び特許権者より訂正請求書の提出の各手続がなされたものである。
　　
II．訂正について
（II-1）訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
(a)請求項４を、以下のとおりに訂正する。
「【請求項４】高融点物質層と良導電性合金層とが直接接触して一体化されている薄膜配線であって、該高融点物質中に０．１％以上含まれる元素のうちで４５０℃での酸化物の標準生成自由エネルギーが最も小さい元素をＭとし、該良導電性合金中の０．１％以上含まれる元素のうちで４５０℃での酸化物の標準生成自由エネルギーが最も小さい金属元素をＮとすると、
nＭＯm＋Ｎ→nＭ＋ＮＯnm（n,mは定数、nmはｎとｍの積、Ｏは酸素原子）
の酸化還元反応における４５０℃での標準自由エネルギー変化が−１００ＫＪ以下であるような元素Ｍ及びＮを各々含むものである薄膜配線。」
　　
（II-2）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　訂正事項（ａ）は、発明の詳細な説明との関係において、高融点物質と良導電性合金との相互関係を明らかにするものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。そして、その訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ、当該訂正が、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとはいえない。
　したがって、本訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　
III．本件発明
　上記訂正後の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明４」という。）は、訂正された明細書（以下、「明細書」という。）の請求項１〜４に記載された以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】Ｔｉを０．１％以上に含んだ融点が１８００Ｋ以上の高融点物質層と、
Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｎａ，Ｋの少なくとも１種類を０．１％以上含んでいるＡｌ合金から成る良導電性合金層とが直接接触して一体化されている薄膜配線。
【請求項２】請求項１において、Ａｌ合金は更に、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒの少なくとも１種類を０．１％以上含んでいる薄膜配線。
【請求項３】請求項１において、高融点物質層はＴｉ，Ｗ−Ｔｉ合金，ＴｉＮ，チタンシリサイドのいずれかからなる薄膜配線。
【請求項４】高融点物質層と良導電性合金層とが直接接触して一体化されている薄膜配線であって、該高融点物質中に０．１％以上含まれる元素のうちで４５０℃での酸化物の標準生成自由エネルギーが最も小さい元素をＭとし、該良導電性合金中の０．１％以上含まれる元素のうちで４５０℃での酸化物の標準生成自由エネルギーが最も小さい金属元素をＮとすると、
nＭＯm＋Ｎ→nＭ＋ＮＯnm（n,mは定数、nmはｎとｍの積、Ｏは酸素原子）
の酸化還元反応における４５０℃での標準自由エネルギー変化が−１００ＫＪ以下であるような元素Ｍ及びＮを各々含むものである薄膜配線。」
　　
IV．特許異議申立について
（IV-1）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　株式会社村田製作所は、本件出願前に頒布された刊行物として、甲第１号証（特開平１−２４３５５１号公報）を提示し、訂正前の請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり（理由Ａ）、また、訂正前の明細書の記載は不備であるので（理由Ｂ）、訂正前の請求項１〜４に係る特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
（IV-2）証拠の記載事実
（１）甲第１号証
(1-1)「多層Ａｌ配線を有する半導体装置において、２層目及びそれより上層のＡｌ配線が、Ａｌ又はＡｌ合金層とその下に高融点金属又は高融点金属の化合物層を有する、少なくとも２重構造の配線であり、・・・・配線構造であることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲(1)）
(1-2)「Ａｌ配線としてＡｌ又はＡｌ合金層／高融点金属又は高融点金属の化合物層の２重構造あるいは、高融点金属又は高融点金属の化合物層／Ａｌ又はＡｌ合金層／高融点金属又は高融点金属の化合物層の３重構造等が挙げられる。また、高融点金属の化合物としては硅化モリブデン、窒化チタン等が挙げられ、Ａｌ又はＡｌ合金としては、純Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金が挙げられる。」（第２頁左下欄第６〜１７行）
(1-3)実施例として、半導体基板(101)上のパターニングされた第１の純Ａｌ層(102)／第１の窒化チタン層(103)の２重構造の第１層目Ａｌ配線(104)上に、絶縁膜(105)を形成し、次に前記絶縁膜(105)上に第２の窒化チタン層(106)を形成し、次いで、前記第２の窒化チタン層(106)上に第１のレジスト層(107)を形成し、パターニングを行い、次いで、前記第１のレジスト層(107)をマスクとして、前記第２の窒化チタン層(106)及び前記絶縁膜(105)のドライエッチングを行った後、前記第１のレジスト層(107)を除去し、接続孔(108)を形成し、次いで、第２の純Ａｌ層(109)の形成を行い、第２のレジスト層(110)を形成し、パターニングを行い、次いで、前記第２のレジスト層(110)をマスクとして、前記第２の純Ａｌ層(109)及び前記第２の窒化チタン層(106)のパターニングを反応性イオンエッチングで行い、前記第２のレジスト層(110)を除去し、第２層目Ａｌ配線(111)の形成を終了したことが記載されている。（第２頁左下欄第１８行〜第３頁左上欄第９行）
　　
(IV-3)対比・判断
（Ａ）理由Ａ（発明の進歩性）について
(A-1)本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証には、Ａｌ合金層とその下に高融点金属又は高融点金属の化合物層を有する、少なくとも２重構造の配線が記載され（摘記1-1）、さらに、上記高融点金属の化合物として窒化チタンが挙げられ（摘記1-2）、上記Ａｌ合金としてＡｌ−Ｍｇ合金及びＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金が挙げられている（摘記1-2）ので、本件発明は、甲第１号証に記載された発明と、「Ｔｉを含んだ高融点物質層と、Ｍｇを含んでいるＡｌ合金から成る良導電性合金層とが一体化されている薄膜配線」の点で一致し、そして、（ａ）本件発明１ではＴｉの含有量が「０．１％以上」に特定されているのに対して、甲第１号証にはその記載がない点、（ｂ）本件発明１では、高融点物質層の融点が「１８００Ｋ以上」に特定されているのに対して、甲第１号証にはその記載がない点、（ｃ）本件発明１では「Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｎａ，Ｋの少なくとも１種類」の含有量が「０．１％以上」に特定されているのに対して、甲第１号証にはその記載がない点、及び（ｄ）本件発明１では高融点物質層と良導電性合金層とが「直接接触して一体化」しているものであるのに対して、甲第１号証の記載では、「Ａｌ又はＡｌ合金層」と「高融点金属又は高融点金属の化合物層」とが重畳関係にあることは認められるが、両者が前記のような「直接接触して一体化」されている旨の記載がない点、で本件発明は甲第１号証に記載された発明と相違している。
　そこで、これらの相違点（ａ）〜（ｄ）について検討する。
（１）相違点（ｄ）について
　本件明細書の記載をみると、高融点金属物質表面には、高融点物質中に含まれる最も酸素と結合しやすい元素Ｍの自然酸化膜が存在し、その様な状態で高融点物質上に良導電性合金を堆積すると、両者の界面にはＭの自然酸化膜が存在し、密着性が良くなく、断線部スリットを拡大し、電気抵抗が上昇するとの認識に基づき（［従来の技術］の欄参照）、本件発明１では高融点物質層と良導電性合金層とが酸化膜を介することなく、「直接接触して一体化」するようにしたものである（［作用］の欄参照）。そして、その具体的な手法としては、実施例において、高融点物質層及び良導電性合金層を堆積した後、４５０℃で３０分間加熱・急冷し、これにより、高融点物質層の表面にできた自然酸化膜を良導電性合金中に添加した添加物によって還元し、両層を酸化膜のない直接接触状態のものとすることが示されている。
　一方、甲第１号証の記載をみると、上記のとおり、「直接接触して一体化」することが記載されていないばかりか、その具体的手法である上記のような酸化膜の還元ないし加熱に係る記載もない。
　そして本件発明１は、当該相違点（ｄ）に係る構成を含む、前記認定のとおりの構成を有することにより、高融点物質層と良導電性合金層との密着性を向上でき、薄膜配線の電気抵抗上昇を抑制することができるとの、明細書（［発明の効果］の欄参照）に記載された効果を奏したものと認められる。
　したがって、上記相違点（ａ）〜（ｃ）について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
(A-2)本件発明２〜４について
　本件発明２〜４は、本件発明１と同じく、いずれも高融点物質層と良導電性合金層とが「直接接触して一体化」されていることを構成要件として有するものであるから、上記の（A-1）項で本件発明１について記載したと同様、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
（Ｂ）理由Ｂ（明細書の記載不備）について
(1)特許異議申立人は、高融点物質層におけるＴｉ、及び良導電性合金層における「Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｎａ，Ｋの少なくとも１種類」の含有量について、夫々「０．１％以上」と限定する根拠・効果については一切説明がないと主張している（特許異議申立書第５頁第９〜１３行）。
　しかし、本件明細書の記載をみると、両者の含有量を夫々０．１％以上とすることが記載され（［課題を解決するための手段］の欄）、なおかつ、実施例の記載においては、その範囲を満足する具体的な事例が示されているので、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
(2)特許異議申立人は、本件発明４における標準自由エネルギー変化について、「−１００ＫＪ以下」とする説明がないと主張している（特許異議申立書第６頁第１６〜２５行）。
　しかし、本件明細書の記載をみると、その［課題を解決するための手段］の欄及び実施例１の記載において、良導電性合金と高融点物質との界面の自然酸化膜の酸化還元反応の点から、上記のとおり標準自由エネルギー変化を−１００ＫＪ以下とすることが説明されており、したがって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人　株式会社村田製作所の主張する理由及び提示した証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月１１日（２０００．１２．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
（ａ）請求項４を、以下のとおりに訂正する。
「【請求項４】高融点物質層と良導電性合金層とが直接接触して一体化されている薄膜配線であって、該高融点物質中に０．１％以上含まれる元素のうちで４５０℃での酸化物の標準生成自由エネルギーが最も小さい元素をＭとし、該良導電性合金中の０．１％以上含まれる元素のうちで４５０℃での酸化物の標準生成自由エネルギーが最も小さい金属元素をＮとすると、
ｎＭＯｍ＋Ｎ→ｎＭ＋ＮＯｎｍ
（ｎ，ｍは定数、ｎｍはｎとｍの積、Ｏは酸素原子）
の酸化還元反応における４５０℃での標準自由エネルギー変化が−１００ＫＪ以下であるような元素Ｍ及びＮを各々含むものである薄膜配線。」
　なお、上記訂正事項（ａ）は、発明の詳細な説明との関係において、高融点物質と良導電性合金との相互関係を明らかにするものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（５４）【発明の名称】
薄膜配線及び半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　Ｔｉを０．１％以上に含んだ融点が１８００Ｋ以上の高融点物質層と、
Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｎａ，Ｋの少なくとも１種類を０．１％以上含んでいるＡｌ合金から成る良導電性合金層とが直接接触して一体化されている薄膜配線。
　【請求項２】
　請求項１において、Ａｌ合金は更に、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒの少なくとも１種類を０．１％以上含んでいる薄膜配線。
　【請求項３】
　請求項１において、高融点物質層はＴｉ，Ｗ−Ｔｉ合金，ＴｉＮ，チタンシリサイドのいずれかからなる薄膜配線。
　【請求項４】
　
高融点物質層と良導電性合金層とが直接接触して一体化されている薄膜配線であって、該
該
ｎＭＯｍ＋Ｎ→ｎＭ＋ＮＯｎｍ
（ｎ，ｍは定数、ｎｍはｎとｍの積、Ｏは酸素原子）
の酸化還元反応における４５０℃での標準自由エネルギー変化が−１００ＫＪ以下であるような元素Ｍ及びＮを各々含むものである薄膜配線。
　【請求項５】
　ベース部材と、ベース部材上に配設されたＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップ上に設けられた薄膜配線と、ベース材より突設され他部材と電気的接続をする接続ピンと、この接続ピンと前記ＬＳＩチップ上の薄膜配線とを接続するリード線と、前記ＬＳＩチップを封止する封止部材とを備えた半導体装置において、前記薄膜配線は請求項１〜４のいずれかのものである半導体装置。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、耐エレクトロマイグレーション性が向上した薄膜配線及び、それを用いた半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
　従来、半導体用薄膜配線は、通常Ａｌ合金単層で用いられてきた。しかしながら、この薄膜配線では、配線の微細化に伴い、絶縁膜等から受ける応力により断線してしまうストレスマイグレーションという現象が発生した。又、高電流密度化に伴う、配線の断線（エレクトロマイグレーション）も発生し、不良の原因となっていた。
　この問題を解決するため、例えば特開昭６２−１９０８５０号公報のように、マイグレーションによる断線のほとんど起らない高融点金属を、Ａｌ合金と積層したり、これを包んだりして一体化し、たとえＡｌ合金が断線したとしても、高融点金属により、電気的接続を取ることにより、配線の断線を防止していた。
　又、Ａｌ合金中に、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｚｒ等の元素を添加することにより、Ａｌ合金自身の耐マイグレーション性を向上することも試みられてきた。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、この方法では、金属上にＡｌ膜を堆積するため、Ａｌの結晶配向性が旧来のＳｉＯ２上に堆積したときに比べ悪くなり、Ａｌ合金自身の耐マイグレーション性は悪くなる。そのため、一端Ａｌに断線が発生すると、断線部のスリットは、Ａｌのエレクトロマイグレーションによる移動により、どんどん広くなる。
　更に説明を加えると、高融点物質と、良導電性合金を積層した場合、たとえ、マイグレーションに弱い良導電合金は断線したとしても、高融点物質は、マイグレーションにたいして、十分強いので、高融点物質が断線することはなく、電気的接続は、取り続けられる。しかしながら、良導電性合金の断線部のスリットが拡大すると、配線の電気抵抗が上昇してしまう。
　高融点物質表面には、高融点物質中に含まれる最も酸素と結合しやすい元素Ｍの自然酸化膜が存在している。その様な状態で、高融点物質上に良導電性合金を堆積すると、良導電性合金と高融点物質界面には、Ｍの自然酸化膜が存在し、良導電性合金と高融点物質の密着性が良くない。そのため、良導電性合金は、エレクトロマイグレーションにより、急速に移動し、断線部スリットを拡大してしまう。
　又、Ａｌ合金中に種々の元素を添加し、Ａｌ合金自身の耐マイグレーション性を向上したとしても、その効果だけでは、スリットの拡大を防止するには不十分である。その結果、高抵抗の高融点金属層のみの部分が拡大し、配線の電気抵抗が高くなる。これが、半導体装置の不良発生の原因となる。
　以上説明したように上記従来技術は、Ａｌ配線断線後の、エレクトロマイグレーションによるスリットの拡大に伴う電気抵抗上昇について考慮されておらず、配線の電気抵抗上昇による半導体装置の不良発生の問題があった。
　本発明の目的は、エレクトロマイグレーションによるスリットの拡大を防止することにあり、高信頼性の薄膜配線を提供することを目的としている。
　又、別の目的は、本発明による薄膜配線を用いることにより、高信頼性の半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜配線は、Ｔｉを０．１％以上に含んだ融点が１８００Ｋ以上の高融点物質層と、Ｍｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｎａ，Ｋの少なくとも１種類を０．１％以上含んでいるＡｌ合金から成る良導電性合金層とが直接接触して一体化されているものである。ここで、Ａｌ合金は更に、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒの少なくとも１種類を０．１％以上含んでいるものがよい。また、良導電性合金としてはＣｕ，Ａｇ，Ａｕの各基合金でもよい。高融点物質はＴｉ，Ｗ−Ｔｉ合金、ＴｉＮ，チタンシリサイドのいずれかであるものが挙げられる。
　前記薄膜配線において、高融点物質中に０．１％以上含まれる元素のうちで４５０℃での酸化物の標準生成自由エネルギーが最も小さい元素をＭとし、良導電性合金中の０．１％以上含まれる元素のうちで４５０℃での酸化物の標準生成自由エネルギーが最も小さい金属元素をＮとすると、
　ｎＭＯｍ＋Ｎ→ｎＭ＋ＮＯｎｍ
（ｎ，ｍは定数、ｎｍはｎとｍの積、Ｏは酸素原子）
の酸化還元反応における４５０℃での標準自由エネルギー変化が−１００ＫＪ以下であるような元素Ｍ及びＮを各々含むものであるのがよい。
　本発明に係る半導体装置は、ベース部材と、ベース部材上に配設されたＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップ上に設けられた薄膜配線と、ベース材より突設され他部材と電気的接続をする接続ピンと、この接続ピンと前記ＬＳＩチップ上の薄膜配線とを接続するリード線と、前記ＬＳＩチップを封止する封止部材とを備えた半導体装置において、その薄膜配線を前記のいずれかのもので形成したものである。
〔作用〕
　高融点物質層と、良導電性合金層とが酸化膜を介することなく、直接接触して一体化されていると、高融点物質と良導電性合金の密着性が向上する。このように、両層間の密着性が向上すると、良導電性合金が、エレクトロマイグレーションにより移動しようとしても、高融点物質からの拘束により移動できなくなる。この結果、断線部スリットが拡大しなくなり、配線の電気抵抗上昇を防止できる。
　又、現在半導体配線用膜として最も多く用いられれている、Ａｌ基の合金を良導電性合金として選んだ場合、Ａｌ配線自身の耐エレクトロマイグレーション性を向上するため、Ｃｕ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔｉ等を添加することがある。本発明は、これらの元素を添加しても達成されるので、Ａｌ配線中にＣｕ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔｉ等を添加し、さらに、十分酸素と結合しやすい金属元素、例えばＭｇ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｎａ，Ｋを添加することも有効である。
　又、本発明の目的は、高融点物質と、良導伝性合金を積層して一体化するだけでなく、良導伝性合金を高融点物質で包んで一体化しても達成される。
〔実施例〕
　以下本発明を実施例によって詳細に説明する。第１図は、本発明における実施例の構造を示した断面図である。第１図において、１はシリコンウエハー、２は拡散層、３は熱酸化ＳｉＯ２膜で、それにドライエッチングによりコンタクトホール６が形成されている。その上に、スパッタ法により高融点物質層４を推積し、その上に良導電性合金層５が推積されている。次に、高融点物質層４と、良導電性合金層５を同時にパターンニングする。なお、この高融点物質層４は、コンタクトホール６で拡散層２と接触している。次に、素子表面を保護するパッシベーション膜７をＣＶＤ法により推積する。この様な状態にしたウエハーを４５０℃で３０分間加熱し急冷した。これにより、高融点物質層４の表面にできた自然酸化膜を良導電性合金中に添加した添加物によって還元し、両層４，５を酸化膜のない直接接触状態のものとした。このようにして作製したウエハーを１チップごと分割する。
　このようにして作製したサンプルに、電流密度５×１０６Ａ／ｃｍ２，温度１５０℃で通電したときの、通電時間による電気抵抗変化を測定した。
（実施例１）
　高融点物質として、Ｗ−１０％Ｔｉ合金を、良導電性合金として、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．３％Ｍｇ合金を用いた場合について、また比較例としては良導電性合金として、Ａｌ−１％Ｓｉを、高融点金属として、Ｗ−１０％Ｔｉ合金を用いた場合を挙げてのべる。
　第２図に、通電時間による電気抵抗の変化を示したグラフを示す。同図により、Ａｌ−１％Ｓｉの良導電性合金の場合は、時間の経過とともに、急速に電気抵抗の上昇があったが、本発明に係るＡｌ−１％Ｓｉ−０．３％Ｍｇの良導電性合金の場合には、電気抵抗の上昇がそれほど急速ではなかった。
　第３図に３００時間通電後の配線を、表面から観察した結果を示す。Ａｌ−１％Ｓｉを用いた比較例の配線では、断線部８が、１０μｍ程度に広がっているが、本発明に係るＡｌ−１％Ｓｉ−０．３％Ｍｇを用いた場合、断線部９は、３μｍ程度広がっているのみである。
　又、本発明に係るＡｌ−１％Ｓｉ−０．３％ＭｇとＷ−１０％Ｔｉ界面を４５０℃３０分アニール前と、アニール後のサンプルでＸＰＳ分析した。その結果、Ｔｉ−Ｏ結合ピークが、アニール前の試料では検出されたが、アニール後の試料では、検出されなかった。又、Ｍｇ−Ｏピークについても測定したところ、アニール前の試料では検出されなかったが、アニール後の試料では検出された。又、比較例のＡｌ−１％ＳｉとＷ−１０％Ｔｉ界面にも測定したが、アニール前、後、両方の試料についてＴｉ−Ｏピークが検出された。これらの結果により、ＭｇをＡｌ合金中に添加すると、Ｗ−１０％Ｔｉ合金上にあるＴｉ酸化物がＭｇにより還元されることがわかる。この時、次の反応
の４５０℃における標準自由エネルギー変化ΔＧは、−１２２ｋＪである。又、次の反応
の４５０℃における標準自由エネルギー変化は、−８３ｋＪである。このように、通常の半導体プロセスで、
　ｎＭＯｍ＋Ｎ→ｎＭ＋ＮＯｎｍ
（ｎ，ｍは定数、ｎｍはｎとｍの積、Ｏは酸素原子）の反応を十分に起こさせるには、この反応の標準自由エネルギー変化は、−１００ｋＪ以下でなくてはならない。
　Ａｌ基合金に添加する元素としては、Ｍｇ以外にもＭｇよりも酸素と結合しやすい、Ｃａ，Ｂｅ，Ｎａ，Ｋを添加しても有効である。
（実施例２）
　次に、薄膜配線の加熱の効果について述べる。第４図に、良導電性合金としてＡｌ−１％Ｓｉ−０．３％Ｍｇを、高融点物質として、Ｗ−１０％Ｔｉを用いた場合の、３００℃で３０分加熱した試料と、４００℃で３０分加熱した試料の通電時間による電気抵抗変化を示す。この図より、３００℃での加熱では、この場合は不十分であり、４００℃で十分な効果が現われたことを示している。したがって、この実施例では少なくとも３５０℃で１０分以上加熱しなくては、本発明の効果が得られないことが分かる。
（実施例３）
　次に、Ａｌ合金中にＭｇ等以外の、従来よりＡｌ配線自身の耐エレクトロマイグレーション性を向上するために添加されていた元素、例えばＣｕ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｈｆ等を添加した場合について述べる。
　第５図に、高融点物質としてＷ−１０％Ｔｉを、良導電性合金としてＡｌ−１％Ｓｉ−０．３％Ｍｇ−０．３％Ｐｄを用いた場合の、電流密度５×１０６Ａ／ｃｍ２で通電したときの通電時間による電気抵抗変化のグラフを、従来より用いられてきたＡｌ−１％Ｓｉ−０．３％Ｐｄと比較して記載する。この図より、Ａｌ−１％Ｓｉ−０．３％Ｐｄでも電気抵抗の上昇は、ある程度抑えられるが、０．３％のＭｇを添加すると、さらに電気抵抗上昇を抑えられる事がわかる。
　このように、Ａｌ合金自身の耐エレクトロマイグレーション性を向上する元素を添加し、さらに本発明の、高融点物質と良導電性合金の密着性を向上させる元素を添加すると、これらの相乗効果により、さらに電気抵抗上昇が抑えられる。
（実施例４）
　以上は、良導電性合金としてＡｌ合金を用いた場合の実施例について述べたが他のＣｕ，Ａｇ，Ａｕ基合金を用いてもよい。次にＡｌ合金以外のＣｕ合金を用いた場合の実施例について述べる。
　高融点物質としてＭｏ，良導電性合金としてＣｕ−１％Ａｌ合金を用いた場合の実施例を、良導電性合金として純Ｃｕを用いた場合と比較して第６図に示す。同図は、１×１０７Ａ／ｃｍ２の電流密度で１５０℃において通電した場合の電気抵抗変化を示している。この図のように、Ｃｕ単体では、電気抵抗が上昇するが、Ｃｕ−１％Ａｌを用いると、ほとんど電気抵抗は上昇しない。このように本発明は、Ａｌ以外のＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等をベースにした配線にも用いることができる。
　第７図は本発明に係る半導体装置の断面図を示す。図において１０はセラミックからなるベース部材、１１はＬＳＩチップ、１２は他部材と電気的接続を図るための接続ピン、１３は薄膜配線、１４はリード線、１５はキャップ状の封止部材、１６はガラス又はゴム封止材、１７はろう材を示す。この半導体装置の薄膜配線１３は前記した高融点物質層と良導電性合金層とが直線接触して一体化されている薄膜配線で形成されている。これにより、半導体装置全体の信頼性が向上する。
〔発明の効果〕
　本発明によれば、高融点物質と良導電性合金の密着性を向上することができるので、エレクトロマイグレーションによる薄膜配線の電気抵抗上昇を抑制することができる。この効果により、微細配線パターンを有する半導体装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図は本発明の一実施例の電気抵抗の通電時間による変化を公知例として比較した図、第３図は第２図の試料を表面から観察した図、第４図は焼鈍の効果について第２図と同様に示した図、第５図は添加元素の効果について示した図、第６図はＣｕ基合金の実施例について示した図、第７図は本発明に係る半導体装置の断面図を示す。
１……シリコンウエハー、２……拡散層、
３……熱酸化ＳｉＯ２膜、４……高融点物質層、
５……良導電性合金層、６……コンタクトホール、
７……パッシベーション膜、１３……薄膜配線。