【事件の表示】
　特許第２８５８０７３号「多層セラミック部品」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８５８０７３号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．手続の経緯
　本件特許第２８５８０７３号の請求項１〜１０に係る発明についての出願は、平成５年９月３０日に特許出願され、平成１０年１２月４日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人京セラ株式会社より特許異議申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年４月２８日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のア．〜チ．のとおりである。
　ア．訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る記載
「【請求項１】　内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　【請求項２】　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である請求項１の多層セラミック部品。
　【請求項３】　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である請求項１または２の多層セラミック部品。
　【請求項４】　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ-ＳｉＯ2 系、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-ＭｇＯ-　　ＣｏＯ-Ｎｂ2 Ｏ5 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2 Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、
ＰｂＯ-ＣａＯ-ＺｒＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2系、ＰｂＯ-　ＢａＯ-Ｎｄ2Ｏ3 -ＴｉＯ2系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系のいずれかである請求項１〜３のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項５】　前記内部導体を構成する金属は、銀または銅の含有量が９０wt％以上のものである請求項１〜４のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項６】　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項１〜５のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項７】　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μm 以下である請求項６の多層セラミック部品。
　【請求項８】　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2 Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、ＰｂＯ-ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、のいずれかであり、１×１０-4atm を超え、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項６または７の多層セラミック部品。
　【請求項９】　前記内部導体を構成する金属が銅であり、１×１０-6atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項１〜５のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項１０】　誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ-ＳｉＯ2 系、ＢａＯ-ＭｇＯ-ＣｏＯ-Ｎｂ2 Ｏ5 系およびＰｂＯ-ＣａＯ-ＺｒＯ2 系のいずれかである請求項９の多層セラミック部品。」
　を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】　内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　前記内部導体を構成する金属は、銀の含有量が９０ｗｔ％以上のものであり、
昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　【請求項２】　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である請求項１の多層セラミック部品。
　【請求項３】　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である請求項１または２の多層セラミック部品。
　【請求項４】　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ-ＳｉＯ2 系、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-ＭｇＯ-　　ＣｏＯ-Ｎｂ2 Ｏ5 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2 Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、
ＰｂＯ-ＣａＯ-ＺｒＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2系、ＰｂＯ-　ＢａＯ-Ｎｄ2Ｏ3 -ＴｉＯ2系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系のいずれかである請求項１〜３のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項５】　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項１〜４のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項６】　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μm 以下である請求項５の多層セラミック部品。
　【請求項７】　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2 Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、ＰｂＯ-ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、のいずれかであり、１×１０-4atm を超え、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項５または６の多層セラミック部品。」
と訂正する。
イ. 訂正事項ｂ
　　（ｉ）明細書の段落番号００１１の第２行〜最下行の記載
　「　このような目的は、下記（１）〜（１０）の本発明により達成される。
　（１） 内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた隣結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　（２）前記焼成温度が、前記境結終了温度以上の温度である上記（１）の多層セラミック部品。
　（３） 前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である上記（１）または（２）の多層セラミック部品。
　（４）前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ-ＳｉＯ2 系、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-ＭｇＯ-ＣｏＯ-Ｎｂ2 Ｏ5 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2 Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＰｂＯ-ＣａＯ-ＺｒＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2系、ＰｂＯ-　ＢａＯ-Ｎｄ2Ｏ3 -ＴｉＯ2系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系のいずれかである上記（１）〜（３）のいずれかの多層セラミック部品。
　（５） 前記内部導体を構成する金属は、銀または銅の含有量が９０ｗｔ％以上のものである上記（１）〜（４）のいずれかの多層セラミック部品。
　（６）前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（１）〜（５）のいずれかの多層セラミック部品。
　（７）最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μm以下である上記（６）の多層セラミック部品。
　（８）前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2 Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、ＰｂＯ-ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、のいずれかであり、１×　　　１０-4atm を超え、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（６）または（７）の多層セラミック部品。
　（９）前記内部導体を構成する金属が銅であり、１×１０-6atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（１）〜（５）のいずれかの多層セラミック部品。
　（１０）誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ-ＳｉＯ2 系、ＢａＯ-ＭｇＯ-ＣｏＯ-Ｎｂ2 Ｏ5 系およびＰｂＯ-ＣａＯ-ＺｒＯ2 系のいずれかである上記
　（９）の多層セラミック部品。」
を、特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として
　「　このような目的は、下記（１）〜（７）の本発明により達成される。
　　（１）内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　前記内部導性を構成する金属は、銀の含有量が９０ｗｔ％以上のものであり、
　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた隣結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラ　ミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを、前記誘電体セラミック材料層と積層し、
前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　（２）前記焼成温度が、前記暁結終了温度以上の温度である上記（１）の多セラミック部品。
　（３） 前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である上記（１）または（２）の多層セラミック部品。
　（４）前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ-ＳｉＯ2 系、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-ＭｇＯ-ＣｏＯ-Ｎｂ2 Ｏ5 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2 Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＰｂＯ-ＣａＯ-ＺｒＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2系、ＰｂＯ-　ＢａＯ-Ｎｄ2Ｏ3 -ＴｉＯ2系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系のいずれかである上記（１）〜（３）のいずれかの多層セラミック部品。
　
　（５）前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（１）〜（４）のいずれかの多層セラミック部品。
　（６）最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μm以下である上記（５）の多層セラミック部品。
　（７）前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2 Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、ＰｂＯ-ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、のいずれかであり、１×　　　１０-4atm を超え、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（５）または（６）の多層セラミック部品。」と訂正する。
　ウ.訂正事項ｃ
　明細書の段落番号００１３の第１行の「セラミック部品は、誘電体セラミック材料」を、特許請求の範囲の滅縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として「セラミック部品は、内部導体として銀を用いるものであり、誘電体セラミック材料」と訂正する。
　エ. 訂正事項ｄ
　明細書の段落番号００３０の第１行の「特に制限はないが」を、特許請求の範囲の滅縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
　オ. 訂正事項ｅ
　明細書の段落番号０ ０ ３１を、特許請求の範囲の減縮・に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として以下のとおり訂正する。
「具体的には、銀（６．１７×１０５Ω−１ｃｍ １）を用いる。より好ましい態様では、融点が９６０℃付近の銀を用いる。この際、銀の含有量が９０ｗｔ％以上のもの、特に純度９９ｗｔ％以上、さらには９９．９ｗｔ％以上の純銀を用いることが好ましい。このように、特に純銀を用いることにより導電率の逆数である比抵抗と損失とをきわめて小さくすることができ、共振器のＱ値を向上させることができる。」
カ.　訂正事項ｆ
　明細書の段落番号００３２の第３行〜最下行の「また、…好ましい。」を特許請求の範囲の滅縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
キ.訂正事項ｇ
　明細書の段落番号００３３の第５行〜第６行の「また、銅の…行なう。」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
ク.訂正事項ｈ
　明細書の段落番号００３５の第１行の「、銅粉等」を特許請求の範囲の減縮にう不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
ケ.訂正事項ｉ
明細書の段落番号００４０の第１行の「等」を特許請求の範囲の減縞に伴う不瞭な記載の釈明を目的として削除する。
コ. 訂正事項ｊ
　明細書の段落番号００４３の第１行の「、銅」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
サ. 訂正事項ｋ
　明細書の段落番号００４８の第２行の「例えば」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
シ.訂正事項１
　明細書の段落番号００４９の第１行の「特に」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
ス.訂正事項ｍ
　明細書の段落番号００５４を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
セ.訂正事項ｎ
　明細書の段落番号００５５を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
ソ.訂正事項ｏ
　明細書の段落番号００８５の表４中のすべての「（比較）」を誤記の訂正を目的として削除する。
装。
タ.訂正事項 ｐ
明細書の段落番号００８６の第１行の「範囲」を誤記の訂正を目的として「好適範囲」と訂正する。
チ.訂正事項ｑ
明細書の段落番号００９４〜００９７を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な釈明を目的として削除する。
次に前記訂正事項について検討すると、
　ア. 上記訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲に記載された多層セラミをク部品の内部導体の構成金属を「内部導体を構成する金属は、銀の含有量が９０ ｗｔ％以上のものであり、」に限定するものであり、特許明細書の請求項５、および段落番号００３１に記載されている。そうすると、この訂正は、特許請求の範囲の滅縮を目的としてなされたものであり、また、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
　イ. 上記訂正事項ｂ〜ｎ、およびｑは、特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的とするものであり、また、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
　ウ.上記訂正事項ｏおよびｐは、誤記の訂正を目的とするものであり、また、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
　　
（２）訂正明細書の請求項１〜７に係る発明
　訂正明細書の請求項１〜７に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】　内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　前記内部導体を構成する金属は、銀の含有量が９０ｗｔ％以上のものであり、
昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　【請求項２】　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である請求項１の多層セラミック部品。
　【請求項３】　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である請求項１または２の多層セラミック部品。
　【請求項４】　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ-ＳｉＯ2 系、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-ＭｇＯ-　　ＣｏＯ-Ｎｂ2 Ｏ5 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2 Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、
ＰｂＯ-ＣａＯ-ＺｒＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2系、ＰｂＯ-　ＢａＯ-Ｎｄ2Ｏ3 -ＴｉＯ2系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系のいずれかである請求項１〜３のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項５】　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項１〜４のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項６】　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μm 以下である請求項５の多層セラミック部品。
　【請求項７】　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ-ＭｇＯ-ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-ＴｉＯ2 -ＳｎＯ2 系、ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 -Ｂｉ2 Ｏ3 -Ａｌ2Ｏ3 -ＭｎＯ系、ＢａＯ-ＭｇＯ-Ｔａ2 Ｏ5 系、ＺｒＯ2 -ＳｎＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＳｒＯ-ＺｒＯ2 -ＴｉＯ2 系、ＢａＯ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、ＰｂＯ-ＢａＯ-Ｎｄ2 Ｏ3 -ＴｉＯ2 系およびＬｉ2 Ｏ-Ｎａ2 Ｏ-Ｓｍ2 Ｏ5 -ＴｉＯ2 系、のいずれかであり、１×１０-4atm を超え、１×１０-1atm 以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項５または６の多層セラミック部品。」
（３）独立特許要件
　ア．引用刊行物
　訂正明細書の請求項１に係る発明の特許に対して、当審が平成１２年２月１日付けで通知した取消理由で引用した甲第１号証である刊行物１（特公昭６３-２３６４８号公報）には、
　
　（ａ）「誘電体セラミック材料と内部電極材料とを積層し焼成してなる積層セラミックコンデンサにおいて、該コンデンサの内部電極材料としてアルミニウム金属を用いたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ」（特許請求の範囲第１項）、
　（ｂ）「実施例１
　　　　　　チタン酸バリウム　　　９０モル％
　　　　　　ジルコン酸カルシウム　　２モル％
　　　　　　酸化ジルコニウム　　　　３モル％
　　　　　　酸化ビスマス　　　　　　２モル％
　　　　　　酸化チタン　　　　　　　３モル％
の組成物に低融点ガラスフリット２．０重量％添加し、３０μｍも誘電体シート（以下グリーンシートという）を形成した。
　このグリーンシートに、
　　　　　　アルミニウム金属粉末　　１００部
　　　　　　エチルセルロース　　　　８．６部
　　　　　　カルビトールアセテート　　６０部
の組成物のペーストを内部電極として印刷し、シートを交互に積層した後所定寸法にカットし、９００℃で３０分焼成した後電気的特性を測定した。
　　　　　　容量　　　　　１２５００ＰＦ
　　　　　　見掛誘電率　　　　８５０
　　　　　　誘電損失　　　　　５．６％」　（２頁３欄１〜１９行）
　（ｃ）「１、内部電極材料としては誘電体の焼成温度以上の融点を持つことが必ずしも必要ではないこと、２、通常金属は融点以上では分子凝集力により金属膜は形成されず玉状となってしまうが、アルミニウム金属を用いると融点６７０℃以上の温度においてもアルミニウム表面に薄い酸化被膜が形成されて凝集作用は生じないこと、３、低温焼成セラミックの焼結温度領域においてもアルミニウム金属の融点よりも３００〜４００℃程高温であるのにも拘わらず、アルミニウム金属表面の酸化被膜存在のためか、誘電体セラミックとの相互作用、相互拡散は生じないことを見出した。」（１頁２欄１１〜２３行参照）　　　　　　　　
、なる記載がある。また、アルミニウム金属の融点が６９０℃であることは常識である。これら事項を勘案すると、
　刊行物１には、アルミニウム金属からなる内部電極材料層と誘電体セラミック材料層を交互に積層した積層セラミックコンデンサであって、チタン酸バリウム酸化物を主成分とする誘電体セラミック材料の誘電体シートを用意し、この誘電体シート上にアルミニウム金属を含む組成物のペーストを印刷し、さらにこれを前記誘電体シートと積層し、さらにこれをアルミニウム金属からなる内部電極材料の融点（６９０℃）より上の温度（９００℃）で焼成した積層セラミックコンデンサ、が記載されている。
　イ．対比・判断
　訂正明細書の請求項１に係る発明と刊行物１記載の発明を対比すると、刊行物１記載の積層セラミックコンデンサにおいて「誘電体セラミック材料層」が複数あること、及び「アルミニウム金属を含む組成物のペーストを印刷」は、内部導体のパターンを形成することを意味する事は自明のことであり、刊行物１記載の発明の「アルミニウム金属からなる内部電極材料層」、「積層セラミックコンデンサ」、「チタン酸バリウム酸化物を主成分とする誘電体セラミック材料の誘電体シート」は各々請求項１に係る発明の「内部導体層」、「多層セラミック部品」、「酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層」に包含されるので、両者は、
（ａ）内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、（ｂ’）酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、（ｃ）この誘電体セラミック材料層の上に、内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、（ｄ）前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品、である点で差異はないが、刊行物１記載の発明には、請求項１に係る発明において、前記内部導体を構成する金属が、「銀の含有量が９０ｗｔ％以上のもの」であり、かつ、この金属の場合において、用意する酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層が、「昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が、内部導体の融点以上沸点以下のもの」である点については記載されていない。よって、本件請求項１に係る発明は、刊行物１記載の発明と同一ということはできない。
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、上記訂正請求を認める。
３．特許異議申立について
　異議申立人京セラ株式会社は、甲第１号証として刊行物１（特公昭６３−２３６４８号公報）、甲第２号証として刊行物２（特公平４−６４４５０号公報）を提出し、本件請求項１、２、５、７に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。また、本件請求項１〜１０項に係る発明は甲第１、２号証に記載された発明から当業者が容易に成し得たものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１〜１０に係る発明の特許を取り消すべきものである、と主張している。
（１）本件特許発明
　上記「２．」で述べたように、上記訂正請求が認められるので、本件特許の請求項１〜７に係る発明は、訂正後の特許明細書及び図面の記載からみて、上記「２．（２）訂正明細書の請求項１〜７に係る発明」に記載されたとおりのものである。
（２）各甲号証記載の発明
　ア.甲第１号証
　上記「２．（３）独立特許要件　ア．引用刊行物」に記載されたとおりのものである。
　イ.甲第２号証
甲第２号証には、「銅からなる内部電極材料層と誘電体セラミック材料層を交互に積層した積層セラミックコンデンサであって、チタン酸バリウム酸化物を主成分とする誘電体セラミック材料の誘電体シートを用意し、この誘電体シート上に銅を含む組成物のペーストで内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体シートと積層し、これを銅からなる内部電極材料の融点（１０８３℃）より上の温度（１１８０℃）で焼成した積層セラミックコンデンサ。」が記載されている。
（３）対比・判断
　訂正後の請求項１に係る発明と甲各号証を対比すると、上記「２．（３）イ.対比・判断」で記載した、多層セラミック部品において、前記内部導体を構成する金属が、「銀の含有量が９０ｗｔ％以上のもの」であり、かつ、この金属の場合において、用意する酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層が、「昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が、内部導体の融点以上沸点以下のもの」である点については、記載されていない。よって、訂正後の請求項１に係る発明が、当該証拠のいずれかに記載されているとも、また、これらの証拠に記載された発明から容易に発明をすることができたものとも認められない。また、訂正後の請求項２〜７に係る発明は、該請求項１に係る発明を引用するものであるから、該請求項１に係る発明と同様の理由により、当該証拠のいずれかに記載されているとも、また、これらの証拠に記載された発明から容易に発明をすることができたものとも認められない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜７に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認めない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、前記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月１３日（２０００．７．１３）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る記載
「１（イ）内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
（ロ）　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
（ハ）　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
（ニ）　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
２（ホ）　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である請求項１の多層セラミック部品。
３（へ）　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である請求項１または２の多層セラミック部品。
４（ト）　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２
系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系のいずれかである請求項１〜３のいずれかの多層セラミック部品。
５　前記内部導体を構成する金属は、銀または銅の含有量が９０ｗｔ％以上のものである請求項１〜４のいずれかの多層セラミック部品。
６（チ）　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項１〜５のいずれかの多層セラミック部品。
７（リ）　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μｍ以下である請求項６の多層セラミック部品。
８（ヌ）　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、のいずれかであり、１×１０４ａｔｍを超え、１×１０１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項６または７の多層セラミック部品。
９　前記内部導体を構成する金属が銅であり、１×１０６ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項１〜５のいずれかの多層セラミック部品。
１０　誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系およびＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系のいずれかである請求項９の多層セラミック部品。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として
「１（イ）　内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
（イ’）　
前記内部導体を構成する金属は、銀の含有量が９０ｗｔ％以上のものであり、
（ロ）　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
（ハ）　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
（ニ）　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
２（ホ）　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である請求項１の多層セラミック部品。
３（へ）　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である請求項１または２の多層セラミック部品。
４（ト）　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系のいずれかである請求項１〜３のいずれかの多層セラミック部品。
５（チ）　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項１〜４のいずれかの多層セラミック部品。
６（リ）　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μｍ以下である請求項５の多層セラミック部品。
７（ヌ）　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、のいずれかであり、１×１０４ａｔｍを超え、１×１０−１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項５または６の多層セラミック部品。」
と訂正する。
▲２▼　訂正事項ｂ
　（ｉ）明細書の段落番号００１１の第２行〜最下行の記載
「　このような目的は、下記（１）〜（１０）の本発明により達成される。
　（１）　内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　（２）　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である上記（１）の多層セラミック部品。
　（３）　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である上記（１）または（２）の多層セラミック部品。
　（４）　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系のいずれかである上記（１）〜（３）のいずれかの多層セラミック部品。
　（５）　前記内部導体を構成する金属は、銀または銅の含有量が９０ｗｔ％以上のものである上記（１）〜（４）のいずれかの多層セラミック部品。
　（６）　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（１）〜（５）のいずれかの多層セラミック部品。
　（７）　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μｍ以下である上記（６）の多層セラミック部品。
　（８）　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、のいずれかであり、１×１０４ａｔｍを超え、１×１０１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（６）または（７）の多層セラミック部品。
　（９）　前記内部導体を構成する金属が銅であり、１×１０６ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（１）〜（５）のいずれかの多層セラミック部品。
　（１０）　誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系およびＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系のいずれかである上記（９）の多層セラミック部品。」
を、特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として
「このような目的は、下記（１）〜
（７）
　（１）　内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　
前記内部導体を構成する金属は、銀の含有量が９０ｗｔ％以上のものであり、
　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　（２）　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である上記（１）の多層セラミック部品。
　（３）　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である上記（１）または（２）の多層セラミック部品。
　（４）　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系のいずれかである上記（１）〜（３）のいずれかの多層セラミック部品。
　（５）　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（１）〜（４）のいずれかの多層セラミック部品。
　（６）　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μｍ以下である上記（５）の多層セラミック部品。
　（７）　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、のいずれかであり、１×１０４ａｔｍを超え、１×１０１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（５）または（６）の多層セラミック部品。」
と訂正する。
▲３▼　訂正事項ｃ
　明細書の段落番号００１３の第１行の「セラミック部品は、誘電体セラミック材料」を、特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として「セラミック部品は、
内部導体として銀を用いるものであり、
▲４▼　訂正事項ｄ
　明細書の段落番号００３０の第１行の「特に制限はないが」を、特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲５▼　訂正事項ｅ
　明細書の段落番号００３１を、特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として以下のとおり訂正する。
　「　具体的には、銀（６．１７×１０５Ω１ｃｍ１）
を用いる
銀を
銀の
銀を
銀を
▲６▼　訂正事項ｆ
　明細書の段落番号００３２の第３行〜最下行の「また、…好ましい。」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲７▼　訂正事項ｇ
　明細書の段落番号００３３の第５行〜第６行の「また、銅の…行なう。」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲８▼　訂正事項ｈ
　明細書の段落番号００３５の第１行の「、銅粉等」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲９▼　訂正事項ｉ
　明細書の段落番号００４０の第１行の「等」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲１０▼　訂正事項ｊ
　明細書の段落番号００４３の第１行の「、銅」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲１１▼　訂正事項ｋ
　明細書の段落番号００４８の第２行の「例えば」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲１２▼　訂正事項ｌ
　明細書の段落番号００４９の第１行の）「特に」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲１３▼　訂正事項ｍ
　明細書の段落番号００５４を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲１４▼　訂正事項ｎ
　明細書の段落番号００５５を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
▲１５▼　訂正事項ｏ
　明細書の段落番号００８５の表４中のすべての「（比較）」を誤記の訂正を目的として削除する。
▲１６▼　訂正事項ｐ
　明細書の段落番号００８６の第１行の「範囲」を誤記の訂正を目的として「
好適
▲１７▼　訂正事項ｑ
　明細書の段落番号００９４〜００９７を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
（５４）【発明の名称】
多層セラミック部
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　
前記内部導体を構成する金属は、銀の含有量が９０ｗｔ％以上のものであり、
　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　【請求項２】　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である請求項１の多層セラミック部品。
　【請求項３】　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である請求項１または２の多層セラミック部品。
　【請求項４】　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系のいずれかである請求項１〜３のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項５】　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０−１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項１〜４のいずれかの多層セラミック部品。
　【請求項６】　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μｍ以下である請求項５の多層セラミック部品。
　【請求項７】　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、のいずれかであり、１×１０−４ａｔｍを超え、１×１０−１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた請求項５または６の多層セラミック部品。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、主にマイクロ波領域で使用される誘電体共振器やフィルターなどの多層セラミック部品に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　多層セラミック部品、例えば誘電体共振器の使用周波数領域が拡大するにつれて、特にマイクロ波領域において使用される誘電体共振器等の小型化が望まれている。このような要請からマイクロ波用誘電体セラミック材料が種々開発されており、特に小型化を実現するものとして高誘電率を示すことが要求される。
　【０００３】
　また、共振特性をさらに高いものとするために、マイクロ波に適したＡｇ、Ｃｕ等の導体材料を内部電極として用い、セラミック材料を積層する方法が採用されている。共振器等の多層セラミック部品を作製する場合、グリーンシート法や積層印刷法が用いられており、導体材料とセラミック材料とを同時焼成する方法が採用されている。
　【０００４】
　従来、このような方法により十分な特性を得るためには、内部導体材料の溶融を防止する必要があると考えられており、内部導体材料の融点以下の温度で焼成する必要があるとされていた。このため、高温で焼成する必要のあるセラミック材料は、高誘電特性を示すものであっても使用できないとされていた。この結果、低温焼成可能な誘電体セラミック材料については種々の提案がなされている（特開平３−２９５８５４号、特開平３−２９５８５５号、特開平３−２９５８５６号、特開平３−２９５８５８号、特開平３−２９５８５９号公報等）。
　【０００５】
　しかし、上記の従来法に対し、種々検討を加えたところ、本発明者らは、内部導体材料の融点以上の温度で同時焼成することにより、内部導体が溶融して緻密化し、導体粉によって生じる内部導体内の粒界を実質的に消滅させることができ、共振器としてのＱ値を向上するなど、特性の向上を図ることができることを見い出しており、種々の提案を行なっている（特願平３−３０６７６０号、同４−１３４１９９号、同４−１４６４７８号、同３−３６０３２３号、同４−３１３９９７号）。
　【０００６】
　ただし、これらに用いられているのは低温焼成用のセラミック材料であり、このようなセラミック材料を用いて上記の内部導体を溶融して焼成する場合、内部導体の表面性が良好でないためか、種々の要因に起因して特に共振器としてのＱ値が低下しやすいという問題があり、この点の改善が望まれている。
　【０００７】
　なお、特開平２−１９７１８９号公報では、金、銀、銅のうちの１種以上を用いて内部導体を形成した窒化アルミニウム回路基板を焼成することが提案されている。窒化アルミニウム回路基板の最適な焼成温度は、上記内部導体の溶融温度以上であり、これらの内部導体は焼成時に実質的に溶融する。この提案では、窒化アルミニウムのもつ濡れ性の悪さ、緻密化速度の早さ等を利用して、金、銀、銅のような比較的溶融温度の低い内部導体材料を用いても、窒化アルミニウム回路基板に内部配線材料として導体回路を形成することができたとしている。そして、この際、本発明におけると同様の溶融による内部導体の緻密化が生じていると考えられる。
　【０００８】
　しかし、例えば共振器等の高周波（例えば２００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ程度の周波数）用の多層セラミック部品をこのような窒化アルミニウムを用いて製造した例はない。小型化が望まれている高周波用の部品において、一般に窒化アルミニウムのような比較的誘電率の低い材料は使用しにくく、使用しても大型化してしまう。さらに、窒化アルレミニウムは溶融金属に対しての濡れ性が悪い。このため、内部導体の緻密化は生じるが、その界面等には欠陥が生じやすく、はなはだしいときには導体パターンの狭窄や断線が生じる。小型化が求められている高周波用等の部品では、誘電体層の薄層化とともに、内部導体層の厚さや幅も、薄層化、狭小細線化が求められており、特に薄層化、狭小細線化をしょうとする場合には内部導体層の断線等の欠陥の発生が顕在化する。
　【０００９】
　また、内部導体として特に銀を用い、誘電体セラミック材料として酸化物を用い、さらに内部導体と部品表層面との間の誘電体セラミック材料層の厚さが薄い積層複合部品等の焼成に際して、内部導体と誘電体セラミック材料層とが剥離する不良品が多数発生する。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、誘電率および誘電損失（Ｑ・ｆ）に優れた誘電体セラミック材料を用い、かつ内部導体を緻密化し、しかも表面性を良好にすることができる結果、Ｑ値等の特性の向上を図ることができ、さらに、焼成時に内部導体層と誘電体セラミック材料層との剥離による不良品や、内部導体層の断線等の発生が少ない多層セラミック部品を提供することにある。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　このような目的は、下記（１）〜
（７）
　（１）　内部導体層と複数の誘電体セラミック層とを有する多層セラミック部品であって、
　
前記内部導体を構成する金属は、銀の含有量が９０ｗｔ％以上のものであり、
　昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である酸化物の誘電体セラミック材料の誘電体セラミック材料層を用意し、
　この誘電体セラミック材料層上に内部導体のパターンを形成し、さらにこれを前記誘電体セラミック材料層と積層し、
　前記内部導体の融点以上の温度で焼成して得られた多層セラミック部品。
　（２）　前記焼成温度が、前記焼結終了温度以上の温度である上記（１）の多層セラミック部品。
　（３）　前記誘電体セラミック材料の温度２０℃における比誘電率εが、６．５〜１２０である上記（１）または（２）の多層セラミック部品。
　（４）　前記誘電体セラミック材料が、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系のいずれかである上記（１）〜（３）のいずれかの多層セラミック部品。
　（５）　前記内部導体を構成する金属が銀であり、１×１０−１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（１）〜（４）のいずれかの多層セラミック部品。
　（６）　最外層に誘電体セラミック層を有し、前記内部導体層の前記最外層側表面から前記最外層表面までの距離が５００μｍ以下である上記（５）の多層セラミック部品。
　（７）　前記誘電体セラミック材料が、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、のいずれかであり、１×１０−４ａｔｍを超え、１×１０−１ａｔｍ以下の酸素分圧下で焼成して得られた上記（５）または（６）の多層セラミック部品。
　【００１２】
　【具体的構成】
　以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
　【００１３】
　本発明の多層セラミック部品は、
内部導体として銀を用いるものであり、
　【００１４】
　この場合、本発明では、昇温速度２００℃／時間における熱収縮曲線から求めた焼結終了温度が内部導体の融点以上沸点以下の温度である誘電体セラミック材料を用い、内部導体の融点以上の温度で焼成している。すなわち、本発明に用いる誘電体セラミック材料は、いわゆる高温焼成用のものであり、焼成に伴ない内部導体が溶融するとともに、セラミック材料が焼結体を形成するところに本発明の特徴がある。従って、本発明では、内部導体の融点以上の温度であって、かつセラミック材料の焼結終了温度以上の温度で焼成する。
　【００１５】
　本発明にいう「焼結終了温度」とは、理論的にセラミック材料が焼結体を形成する温度を指し、後述のように熱収縮曲線から求められるものである（後記図１参照）。
　【００１６】
　本発明における焼結終了温度は、上記のように、内部導体の融点以上の温度であり、好ましくは内部導体の融点＋５０℃以上、さらに好ましくは内部導体の融点＋１００℃以上、特に好ましくは内部導体の融点＋１５０℃以上の温度である。また、後述の熱収縮曲線から求められる焼結開始温度（図１：点Ｃ）と焼結終了温度Ｔ２０（図１：点Ｆ）間において点Ｃから８０％のところに相当する温度Ｔ２０′（図１：点Ｇ）が、内部導体の融点以上の温度が好ましく、さらには内部導体の融点＋２０℃以上の温度が好ましく、特に内部導体の融点＋５０℃以上の温度であることが好ましい。また、あまりに蒸気圧が高くなるほどの高温となると内部導体が蒸発してしまうので、焼結終了温度の上限は、上記のように内部導体の沸点以下とする。通常、焼結終了温度は９６０〜１９００℃、好ましくは１１００〜１７００℃程度である。なお、上記における内部導体の融点、沸点は、内部導体金属（合金も含む。）の融点、沸点であり、通常バルク状態で求められたものである。
　【００１７】
　また、実際の焼結温度は焼結終了温度以上の温度とする。ただし、この関係は、実際の焼成温度に到達するまでの昇温速度と同条件とした熱収縮曲線から求めた焼結終了温度との間で成立するものである。また、上記の２００℃／時間の昇温速度は、通常の焼成時に適用されるものである。同じ昇温速度とした場合において、実際の焼成温度Ｔ２は、焼結終了温度Ｔ２０と同じか、これより７０℃程度高い温度までの範囲の温度となる。従ってＴ２、Ｔ２０および内部導体の融点ｍｐは、ｍｐ≦Ｔ２０≦Ｔ２の関係にあることが好ましい。
　【００１８】
　このように、本発明の多層セラミック部品は、誘電体セラミック材料として内部導体の融点以上の温度で焼結するものを用い、誘電体セラミック材料の焼結終了温度以上の温度で焼成しているので、内部導体から焼成時に発生するガスを誘電体セラミック材料層外に排出することができる。従って、表面に凹凸がなく、表面状態が良好な内部導体を形成することができる。このため、共振器としてのＱ値等の特性が高くなる。なお、このとき発生するガスは焼成時に発生するもので、例えばバインダや溶剤等のビヒクルに由来して発生する炭酸ガスや水分等のガスである。
　【００１９】
　また、従来、誘電体セラミック材料層と内部導体を積層して同時焼成する方法を採用する場合、内部導体の溶融を防止するため、内部導体の融点より高い温度で焼結するセラミック材料は用いることができないとされており、誘電率およびＱ・ｆ値に優れた材料であっても焼成温度が高いため用いることができないとされていた（特開平３−２９０３５８号等）。しかしながら、本発明では、内部導体を溶融状態とすることによって、内部導体の構造を緻密化し、導体の接触状態を改善し、線路の損失を低減させ、共振器としてのＱ値を向上させる効果を得ている。このため、焼結温度が高く、かつ誘電率およびＱ・ｆ値に優れたセラミック材料を用いることができ、セラミック材料自体の高特性を生かすことができ、共振器としてのＱ値を高くすることができる。
　【００２０】
　なお、前記焼結終了温度が内部導体の融点未満の温度となると内部導体の表面性が良化する効果が得られなくなり、一方内部導体の沸点をこえる温度となると内部導体が消失してしまう。また、焼成温度が内部導体の融点未満の温度となると、セラミック材料が未焼結のままであり、かつ内部導体溶融による効果が得られない。
　【００２１】
　前記の「焼結終了温度」は、図１に示すような熱収縮曲線から求められるものである。図１に示すように、温度の上昇に伴い、セラミック材料は、ある傾向をもって熱膨張するが、ある温度になるとその傾向からずれはじめる。熱収縮曲線におけるその点をＡとする。Ａ点をすぎてセラミック材料は収縮しはじめ、一定の割合で収縮しはじめる。一定割合で収縮する領域の最低温側の点をＢとする。また、一定割合で収縮する領域の最高温側の点をＤとする。さらに、収縮が終了し、体積変化がほとんどないと考えられる領域のうち最低温側の点をＥとする。
　【００２２】
　そして、点Ａにおける接線Ｉと点Ｂにおける接線ＩＩとの交点Ｃを焼結開始温度、点Ｄにおける接線ＩＩＩと点Ｅにおける接線ＩＶとの交点Ｆを焼結終了温度Ｔ２０と定義する。
　【００２３】
　本発明の多層セラミック部品に用いる誘電体セラミック材料としては、焼結終了温度が前記した条件を満たすものであれば、本来どのようなものであってもよく、特に限定しない。しかし、例えば２００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ程度の周波数を扱う高周波用共振器等の誘電体層として用いる場合、焼成して得られる誘電体セラミック材料に窒化物や炭化ケイ素系のセラミック等を用いた例は無い。また、窒化物や炭化ケイ素系のセラミックでは、それらの材料と内部導体として用いる銀や銅あるいはそれらを含む合金等の溶融金属との濡れ性が悪い。小型化、薄層化する傾向にある多層セラミック部品ではその内部導体層も厚さを薄く、さらに幅も狭くする必要性が高くなっている。このような多層セラミック部品の焼成に際し、濡れ性の悪いセラミック材料を用いた誘電体セラミック層では内部導体層の断線等の欠陥の発生率が高くなりやすい。そのため、誘電体セラミック材料としては、濡れ性がより高く、内部導体層の断線等の欠陥の発生率が低い、焼成により酸化物または酸化物の混合物となるものが好ましい。例えば後述する材料系を用いて焼成して得られた複合酸化物や、一部にルチル構造等を有する酸化物の混合物等である。本発明は、このような誘電体セラミック材料を焼成して得られた、酸化物や酸化物の混合物の誘電体セラミック層をもつ多層セラミック部品である。
　【００２４】
　本発明に用いる誘電体セラミック材料の具体例としては、ＭｇＯ−ＳｉＯ２系、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ５系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系などが挙げられる。ＭｇＯ−ＳｉＯ２系としては、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２３０〜９５モル％、ＣａＴｉＯ３５０モル％以下、ＳｒＴｉＯ３６０モル％以下で、これら各酸化物の合計１００モル％に対し、ＭｇＯを０．１〜１０ｗｔ％、Ｌａ２Ｏ３を０．１〜１０ｗｔ％添加したもの（特開昭４７−２１６９８号参照）；ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系としては、ＭｇＴｉＯ３７０〜１００モル％、ＴｉＯ２０〜３０モル％で、これら各酸化物の合計１００モル％に対し、ＣａＴｉＯ３を１〜９ｗｔ％添加したもの（特開昭５２−１１８５９９号）；ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系としては、ＢａＯ・ｘ｛（１−ｙ）ＴｉＯ２・ｙＳｎＯ２｝〔ｘ＝４〜４．５、ｙ＝０〜０．１０〕の組成を有するもの（特公平４−３２４８３号参照）；ＢａＯ−ＭｇＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ３系としては、ＢａＯ５６．０〜６３．０ｗｔ％、ＣｏＯ０．１〜１１．７ｗｔ％、ＭｇＯ０．１〜６．５ｗｔ％、Ｎｂ２Ｏ５３１．０〜３４．７ｗｔ％のもの（特開昭６１−７２６７６号参照）；ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系としてはＢａＯ９〜１８モル％、ＴｉＯ２６５〜７３モル％、Ｎｄ２Ｏ３１４〜１９モル％で、これら各酸化物の合計１００モル％に対し、Ｂｉ２Ｏ３を３．０〜１１．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜２．０ｗｔ％、ＭｎＯを０．１〜１．０ｗｔ％添加したもの（本出願人による特願平３−３２７３５２号）である。このほか、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、およびＬｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系等も用いることができる。
　【００２５】
　ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ２Ｏ５系としては、例えばＢａｙ（Ｍｇ１−ｘＴａｘ）Ｏ３、ただし０．２８≦ｘ≦０．３９、０．９８≦ｙ≦１．００の組成式で示されるものである。ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系としては、例えば（Ｚｒ１−ｘＳｎｘ）ＴｉＯ４、ただし０．１≦ｘ≦０．３の組成式で示されるものである。ＰｂＯ−ＣａＯ−ＺｒＯ２系としては、例えば（Ｐｂ１−ｘＣａｘ）ＺｒＯ３、ただし０．３５≦ｘ≦０．５の組成式で示されるものである。ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系としては、例えばＳｒｙ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３、ただし０≦ｘ≦０．１、０．９８≦ｙ≦１．０１の組成式で示されるものである。ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系としては、ｘＢａＯ−ｙＳｍ２Ｏ５−ｚＴｉＯ２として、０．１≦ｘ≦０．２、０．１≦ｙ≦０．２、０．６≦ｚ≦０．７５のものである。ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系としては、ｘＢａＯ−ｙＮｄ２Ｏ３−ｚＴｉＯ２として、０．０２≦ｘ≦０．２５、０．０５≦ｙ≦０．４１、０．５０≦ｚ≦０．８２で、これら各成分の合計に対し、さらにＰｂＯを１７ｗｔ％以下含有するものである。Ｌｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系としては、例えば（ＬｉｘＮａｙＳｍｚ）ＴｉＯ３、ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１として、０．２５≦ｘ≦０．３５、０．１５≦ｙ≦０．２５、０．４≦ｚ≦０．６の組成式で示されるものである。
　【００２６】
　また、上記の基本組成に加えて、さらに、必要に応じ、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＰｂＯ、ＮｉＯ、ＷＯ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ５およびＮｂ２Ｏ５等が添加されていてもよい。
　【００２７】
　また、上記の誘電体セラミック材料は、２０℃における比誘電率（ε）が６．５〜１２０、特に２０〜１２０、誘電損失（Ｑ・ｆ値）が３５００〜２２５０００、共振周波数温度係数（τｆ）が−４．５〜＋８．５ｐｐｍ／℃のマイクロ波誘電特性を有する。なお、τｆは−４０℃の共振周波数と８０℃の共振周波数を結んだ直線の傾きとして求めたものである。
　【００２８】
　本発明において、内部導体ペーストのパターンを形成する絶縁性の誘電体セラミック材料層には、前記の酸化物骨材を主成分とするセラミック材料を用いるが、このほか適宜ガラスを添加したものであってもよい。添加ガラスは、酸化物骨材の構成によって異なるが、例えば、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系のものでは、ＰｂＯを２０〜８６．５ｗｔ％、好ましくは３０〜８４ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３を８．５〜２１ｗｔ％、好ましくは９〜１９ｗｔ％、ＺｎＯを５〜５０ｗｔ％、好ましくは７〜４３ｗｔ％含有するガラスを用いることが好ましい。このようなガラスにおいて、さらに、Ａｌ２Ｏ３および／またはＳｉＯ２を含有してもよく、これらのものを含有するときの含有量は、Ａｌ２Ｏ３が２０ｗｔ％以下、好ましくは０．１〜５ｗｔ％、ＳｉＯ２が９ｗｔ％以下、好ましくは２〜７ｗｔ％とするのがよい。
　【００２９】
　このような誘電体のセラミック材料は、焼結前にビヒクルを加えてスラリーとされる。ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アセテート、トルエン、アルコール、キシレン等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げられ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜選択される。ビヒクルの添加量は、酸化物骨材とガラスの合計量１００重量部に対し、６５〜８５ｗｔ％程度とすることが好ましい。
　【００３０】
　内部導体としては、内部導体層の直流での導電率が１×１０５Ω−１ｃｍ−１以上の導体材料を用いることが好ましい。また導電率の上限には特に制限はないが、通常６．２×１０５Ω−１ｃｍ−１程度である。
　【００３１】
　具体的には、銀（６．１７×１０５Ω−１ｃｍ−１）
を用いる
銀を
銀の
銀を
銀を
　【００３２】
　従って、銀の場合は、その融点である９６０℃以上の温度であって、かつセラミック材料の焼結終了温度以上の温度で焼成することが好ましく、通常１１５０〜１７５０℃、さらには１２００〜１７００℃の温度とすることが好ましい。
　【００３３】
　このような焼成温度でグリーンシート等のセラミック材料層と同時焼成することにより、本発明の実効が顕れる。これは焼成温度が融点未満となって低くなりすぎると、本発明の実効が顕れないが、あまりに高すぎると内部導体が蒸発により消失する。焼成は、銀の場合には通常、空気中にて上記の温度で１分〜１時間程度、より好ましくは、５〜２０分程度行なうことが好ましい。なお、焼成は複数回行なってもよく、そのとき少なくとも１回は上記条件を満足する融点以上の焼成とする。
　【００３４】
　内部導体パターンの形成方法としては、所定形状の銀箔等を誘電体グリーンシートにはさむ、あるいは導体ペーストの印刷または転写を行なう等の方法が挙げられるが、特に印刷法が好ましい。
　【００３５】
　導体ペーストにてパターンを形成する場合、用いる銀粉の導体粉の平均粒径（異方性のある時には長車由径）は、０．５〜２０μｍ程度、より好ましくは１〜５μｍとするのが好ましい。粒径が小さすぎると、分散性が悪くなり、導体ぺースト中の導体粉の含有量を多くすることができず、また含有量を多くすると粘度が高くなってしまい、緻密なパターンを形成できなくなってくる。一方、粒径が大きすぎると、スクリーン印刷、転写法等によるパターンの形成が困難となってくる。また、銀粉の形状等には特に制約はないが、一般に球状とし、その一部または全部を鱗片状のものとしてもよい。
　【００３６】
　内部導体ペースト中の導体粉の含有量は、６０〜９５ｗｔ％、特に７０〜９０ｗｔ％とするのが好ましい。含有量が少ないと、比抵抗が減少し、Ｑ値が低下し、焼成後のパターンの一部が断線したり、比抵抗やＱ値がばらついたりしてくる。また大きすぎると、ペーストの粘度が増大し、パターン形成が困難となってくる。
　【００３７】
　また、内部導体のペーストにはガラスフリットを添加してもよく、特に導体粉融点付近に軟化点をもっかラスフリットを添加することが好ましい。このようなガラスフリットを添加することにより、溶融後の網目構造の発生が減少し、Ｑ値のバラツキを抑えることができる。
　【００３８】
　特に、ガラスフリットの添加は平均粒径の小さい微粉末の導体材料を用いたときに内部導体材料の拡散を防止する上で、有効であり、比較的大径の導体材料では拡散はそれほど問題とはならず、この場合はガラスフリットの添加はしない方が好ましい。ガラスフリットを添加しない方が伝送線路の損失をさらに低減することができる。
　【００３９】
　内部導体ペースト中のガラスフリットを添加する場合、その含有量は、１０ｗｔ％以下、特に１〜１０ｗｔ％、さらには３〜８ｗｔ％が好ましい。また、ガラスフリットは、導体粉に対して１０ｗｔ％以下、特に２〜１０ｗｔ％、特に４〜６ｗｔ％、体積比では３０体積％以下、特に２〜３０体積％、さらには５〜１０体積％含まれることが好ましい。
　【００４０】
　内部導体ペーストには、銀粉の導体粉とガラスフリットの他、ビヒクルが含まれる。ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、トルエン、アルコール、キシレン等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げられ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜選択される。ビヒクルの添加量は、ペースト中、１０〜２０ｗｔ％程度とすることが好ましい。
　【００４１】
　内部導体ペーストの成膜方法は公知のスクリーン印刷法、転写法などによればよい。
　【００４２】
　また、本発明は、内部導体を融点の異なる少なくとも２種の材料から形成し、内部導体のうち低融点内部導体の融点以上で、しかも高融点内部導体の融点未満の温度であって、かつセラミック材料の焼結終了温度以上の温度で焼成してもよい。
　【００４３】
　この場合の低融点内部導体としては、上記の銀を用いることが好ましく、上記と同様の効果が得られる。
　【００４４】
　一方、高融点内部導体に用いる導体としては、低融点内部導体に用いる導体よりも融点が高い導体を用いればよい。ただし、低融点および高融点のそれぞれの内部導体の融点の中間の温度で焼成を行なうので、両者の焼成を良好に行なうためには、高融点内部導体に用いる導体の融点は、低融点内部導体の融点に対し、３０℃以上、特に５０〜２００℃、さらには５０〜１００℃高いものであることが好ましい。なお、高融点内部導体としては、後述のように２種の金属粉、例えばＡｇ粉とＰｄ粉を用い、これを焼成に際しＡｇの溶融を行なうことなく合金化させることもできるので、このときには、その融点とは合金の融点である。
　【００４５】
　このような高融点内部導体に用いる導体としては、低融点内部導体の導体に銀を用いる場合、３０ｗｔ％以下、特に５〜１０ｗｔ％のＰｄを含むＡｇ−Ｐｄ合金が好適である。この場合、合金を用いるかわりに、Ａｇ粉とＰｄ粉を混合して用いてもよい。これらを均一に分散させれば、焼成に際して先ずＡｇとＰｄとの合金化が進み、Ａｇは溶融しない。この他、銀に対しては、１００ｗｔ％以下、特に５０〜６０ｗｔ％のＡｕを含むＡｇ−Ａｕ合金；２０ｗｔ％以下、特に５〜１０ｗｔ％のＰｔを含むＡｇ−Ｐｔ合金；２０ｗｔ％以下、特に５〜２０ｗｔ％のＰｄを含むＡｕ−Ｐｄ合金；１０ｗｔ％以下、特に５〜１０ｗｔ％のＰｔを含むＡｕ−Ｐｔ合金；金；銅；２５ｗｔ％以下のＡｕを含むＡｕ−Ｃｕ合金；２０ｗｔ％以下のＣｕを含むＡｕ−Ｃｕ合金；１０ｗｔ％以下、特に５ｗｔ％以下のＰｔを含むＣｕ−Ｐｔ合金；２５ｗｔ％以下、特に１０ｗｔ％以下のＮｉを含むＣｕ−Ｎｉ合金等も使用可能である。さらに低融点内部導体に銅を用いるときには７〜３０ｗｔ％、特に１０〜２０ｗｔ％のＰｔを含むＡｇ−Ｐｔ合金；２〜２０ｗｔ％、特に２〜１０ｗｔ％のＰｄを含むＡｕ−Ｐｄ合金、２〜２０ｗｔ％、特に２〜１０ｗｔ％のＰｔを含むＡｕ−Ｐｔ合金；３０ｗｔ％以下、特に１５〜２０ｗｔ％のＰｔを含むＣｕ−Ｐｔ合金；４０ｗｔ％以下、特に２０〜３０ｗｔ％のＮｉを含むＣｕ−Ｎｉ合金等が使用可能である。
　【００４６】
　なお、高融点内部導体としては２種以上を用いてもよく、場合によっては低融点内部導体を２種以上用いてもよい。また、高融点内部導体は、その成分の一部を溶融してもよい。ただし、低融点内部導体は実質的にその全部を溶融する。
　【００４７】
　以上のような内部導体材料の融点以上の温度で同時焼成する際の内部導体材料の詳細については、本出願人による特願平４−１３４１９９号、特願平４−１４６４７８号に記載されている。
　【００４８】
　また、本発明では、用いるセラミック材料あるいは導体材料によっては、焼成雰囲気の酸素分圧を大気中の酸素分圧より低くして行なうこともある。導体材料として銀を用い、前記のようなガラスを添加したセラミック材料を用いる場合、酸素分圧を５×１０−２ａｔｍ以下とすることが好ましい。これにより銀の薄層化、ひいては消失を防止することができ、共振器としてのＱ値を高くすることができる。ただし、セラミック材料のガラス成分の焼結を可能とするため、酸素分圧の下限値は５×１０−５ａｔｍとする。
　【００４９】
　さらに、内部導体材料として銀を用いる際、焼成時の酸素分圧を１×１０−１ａｔｍ以下、より好ましくは５×１０−２ａｔｍ以下、特に１×１０−２ａｔｍ以下とすることが好ましい場合がある。銀を内部導体材料として用い、誘電体セラミック材料層と積層して焼成する際、銀は、溶融時に雰囲気中の酸素を固溶することが知られている。このとき銀に固溶した酸素は、溶融銀の冷却固化時に酸素ガスとして放出される。この放出酸素ガスは、内部導体層と隣接する誘電体セラミック層との間の内圧を上昇させる原因となる。
　【００５０】
　このとき、隣接する前記誘電体セラミック層の厚さが厚い場合には誘電体セラミック層のもつ機械的強度も比較的高いため、実質的には問題が生じることは少ないが、放出酸素ガスの発生による内圧の上昇が原因となり、内部導体と誘電体セラミック材料層との間に空隙が生じたりして共振器のＱ値の低下の原因となることがある。
　【００５１】
　一方、焼成時に積層方向の最外層に誘電体セラミック層を有し、内部導体層の前記最外層側の表面から前記最外層表面までの距離（図４に例示するｔおよび／またはｔ’）が、焼成後５００μｍ以下、さらに３００μｍ以下、特に２００μｍ以下である場合、前記放出された酸素ガスによる内部導体層と隣接する誘電体セラミック層との間の内圧の上昇が原因で、隣接する誘電体セラミック層と内部導体層とが剥離する事故が発生しやすい。この場合、剥離事故が発生しやすい部分である積層方向の最外層の誘電体セラミック層は、積層方向上下２ヶ所ある。このうち少なくとも一方の内部導体層の最外層側の表面から最外層表面までの距離が前記以下の場合、剥離による事故が発生しやすい。なお、前記誘電体セラミック層の厚さは、通常４０μｍ以上で用いられる。
　【００５２】
　このような場合、焼成時の酸素分圧を、前記１×１０−１ａｔｍ以下、より好ましくは５×１０−２ａｔｍ以下、特に１×１０−２ａｔｍ以下とすることが好ましい。すなわち、焼成時に積層方向の最外層にある前記誘電体セラミック材料層の厚さが薄いほど、銀導体の冷却固化時に放出される酸素ガスによる、導体と誘電体セラミック層の間の内圧上昇の影響を受けて剥離が発生しやすいため、誘電体セラミック材料層の厚さが薄いほど焼成時の酸素分圧を低くすることが好ましい。
　【００５３】
　ただし、焼成時の酸素分圧を低くする場合、前記した誘電体セラミック材料のうち、ＣａＯ−ＭｇＯ−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ系、ＺｒＯ２−ＳｎＯ２−ＴｉＯ２系、ＳｒＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２系、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系、Ｌｉ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｓｍ２Ｏ５−ＴｉＯ２系、等は、焼成時の酸素分圧が、１×１０−４ａｔｍ以下では還元されやすくなる。誘電体セラミック材料が還元されると例えば共振器等の部品を構成した場合、そのＱ値が著しく低下することになる。このため、これらの組成の誘電体セラミック材料を用い、さらに焼成時に積層方向の最外層表面と内部導体層の最外層側の表面との距離が前記５００μｍ以下の構成をもつ多層セラミック部品は、１×１０−４ａｔｍを超え、１×１０−１ａｔｍ以下、より好ましくは５×１０−２〜１×１０−３ａｔｍ、特に１×１０−２〜１×１０−３ａｔｍの酸素分圧下で焼成することが好ましい。
　【００５６】
　本発明の多層セラミック部品は共振器としてのＱ値が高いものであり、誘電体の厚さ３ｍｍの条件で２８０〜４３０程度のＱ値が得られる。
　【００５７】
　本発明の多層セラミック部品として、例えば積層型フィルレターは、図２に示す構成のものであってよい。
　【００５８】
　図２に示すフィルター１は２段フィルターであり、誘電体セラミック材料の素体１１に、内部導体２１、２２および２３が図示のように間挿されたものである。
　【００５９】
　また、図３に示す構成のものであってもよく、フィルター２は誘電体セラミック材料の素体１１に、内部導体２５および２６が図示のように並列に間挿されたものである。
　【００６０】
　なお、図２、図３のいずれのフィルターにおいても、外表面は金属や絶縁材で被覆されている。
　【００６１】
　またさらに、図４に示す構成のものであってもよい。図４では、積層方向の最外層に誘電体セラミック層を有し、内部導体層２７および２９が前記積層方向の最外層表面から５００μｍ以下の距離に配置されている。このように、最外層の誘電体セラミック層の厚さｔやｔ’の少なくとも一方が、焼成後５００μｍ以下で、さらに内部導体層２７や２９に銀を用いる場合、前記のように、最外層の誘電体セラミック層が内部導体層２７や２９と剥離しやすくなる。なお、図４に示すフィルターでは、内部導体層２７、２９がシールド層として機能するので通常外表面に、外部電極は設けない。
　【００６２】
　このような積層型フィルターは、誘電体セラミック材料の仮焼粉を用いてドクターブレード法などによりグリーンシートを成型し、それに所定のパターンで内部導体材料のペーストをスクリーン印刷法などにより印刷し、印刷したシートを積層して熱プレスにより熱圧着し、脱バインダー後、内部導体の融点以上の温度であって、かつセラミック材料の焼結終了温度以上の温度で焼成して得ることができる。その後、必要に応じて外部電極用ペーストを印刷し、外部電極を焼き付けするなどすればよい。このほか、印刷積層法によってもよい。
　【００６３】
　このようにして得られる積層型フィルターは誘電体の全体の厚さが０．５〜４ｍｍ程度である。また内部導体の厚さは２０〜１００μｍ程度、幅は０．５〜２ｍｍ程度である。この際、厚さ５０μｍ以下、さらに４０μｍ以下のときに本発明の効果は倍加する。また、誘電体セラミック層の厚さは、４０〜１５０μｍ程度である。なお、本発明の多層セラミック部品は、通常２００ＭＨｚ以上、特に８００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ程度の周波数帯域で用いられる。
　【００６４】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
　【００６５】
実施例１
　表１に示す各々の組成で、仮焼、粉砕、スラリー調製後、ドクターブレード法により１５０〜２００μｍのグリーンシートを成型し、それにＡｇ導体ペーストをスクリーン印刷し、印刷したシートを積層熱圧着し、脱バインダー後、表１に示す条件で焼成し、この焼成物に外部電極用ペーストを印刷後、外部電極を銀焼き付し、図２において、共振器を１段とした１／４λ共振器（サンプルＡ〜Ｉ）を各々作製した（表１）。このときの積層数は２０層とした。
　【００６６】
　１／４λ共振器においては、内部導体の厚さが６０μｍ、幅が２ｍｍであった。
　【００６７】
　また、誘電体の厚さは表１に示すように３．０ｍｍとした。
　【００６８】
　全体の寸法は１／４λ（誘電体中における波長λの１／４）×５ｍｍ×３．０ｍｍとした。
　【００６９】
　なお、上記において用いたＡｇ導体ペーストは、以下に示す組成のものを三本ロールにより混合分散して得たものである。なお、表１にはＡｇの融点および導電率を示す。
　【００７０】
　銀粉（平均粒径３μｍ：純度９９．９％以上）　９０ｗｔ％
　アクリル樹脂（バインダー）　　　　　　　　　　２．５ｗｔ％
　ターピネオール（溶剤）　　　　　　　　　　　　７．５ｗｔ％
　【００７１】
　さらに、上記のように作製した１／４λ共振器のフィルター特性はＹＨＰ８５１０ネットワークアナライザーで評価し、共振器としてのＱ値を求めた。結果を表１に示す。
　【００７２】
　なお、上記における誘電体セラミック材料のグリーンシートの作製は、特開昭４７−２１６９８号、特開昭５２−１１８５９９号、特開昭６１−７２６７６号、特公平４−３２４８３号、本出願人による特願平３−３２７３５２号の方法などに準じて行なった。その際の仮焼条件は表２に示すとおりとした。
　【００７３】
　また、上記において、グリーンシートを作製するかわりに、円柱状に成型し、表２に示す焼成条件として焼成し、サンプルを得た（サンプルＮｏ．１〜８）。これらのサンプルを１０ｍｍφ×５ｍｍに加工したのち誘電体共振法にて誘電率（ε）、Ｑ・ｆ値を求めた。また−４０℃の共振周波数と８０℃の共振周波数を結んだ直線の傾きを求め、共振周波数温度係数（τｆ）を算出した。結果を表２に示した。
　【００７４】
　さらに、各材料にっき、２００℃／時間の昇温速度における熱収縮曲線から焼結終了温度（℃）および焼結開始温度（℃）を求め、表３に示した。
　【００７５】
　【表１】
　【００７６】
　【表２】
　【００７７】
　【表３】
　【００７８】
　表１の結果から明らかなように、本発明の１／４λ共振器は高いＱ値を示している。従来、誘電体セラミック材料と導体材料とを同時焼成して積層フィルターを作製する場合、内部導体材料を溶融しない温度で焼成する必要があり、上記で用いているような高温焼成用のものは用いることができないとされていた（特開平３−２９０３５８号等）が、これを覆す事実が明らかになった。
　【００７９】
　実際、例えば、特開平３−２９５８５６号実施例６に開示された低温焼成用のセラミック材料（２００℃／時間の昇温速度における焼結終了温度は９２５℃以下と推定される。）を用いるほかは同様にして、上記と同様に１／４λ共振器を作製し、Ｑ値を求めたところ、本発明のものより明らかに低いＱ値を示すことがわかった。
　【００８０】
実施例２
　表１に示すサンプルＥ、ＨおよびＩの組成を用い、図４の構成をもつ共振器を、実施例１と同様にして焼成した。ただし焼成雰囲気は、酸素分圧を表４に示すそれぞれの条件とし、図４に示す表層の誘電体セラミック材料層の厚さｔ，ｔ’は焼成後２００μｍとなるようにして、サンプルＮｏ．２１〜２４、３１〜３４および４１〜４６を作製した。
　【００８１】
　さらに、サンプルＥの組成を用い、焼成雰囲気は酸素分圧を表４に示す条件とし、図４に示す積層方向表層の誘電体セラミック材料層の厚さｔ，ｔ’を、焼成後４００μｍとなるようにして、サンプルＮｏ．２５および２６を作製した。
　【００８２】
　得られたそれぞれの焼成物の積層方向表層の誘電体セラミック材料層の剥離状況を評価し、結果を表４に示した。
　【００８３】
　次いで、剥離の認められなかったサンプルについて、１／４λ共振器を作製した。このときの積層数は、内部導体２７と２９との間で２０層とした。１／４λ共振器においては、内部導体２８の厚さが６０μｍ、幅が２ｍｍであった。また、共振器部分の誘電体の厚さは表１に示すように３．０ｍｍとした。共振器部分の全体の寸法は１／４λ（誘電体中における波長λの１／４）×５ｍｍ×３．０ｍｍとした。
　【００８４】
　得られたそれぞれの共振器のフィルター特性を実施例１と同様にして測定し、結果を表４に示した。また、剥離が認められた大気中焼成サンプル（Ｎｏ．２１、２５、３１および４１）の共振器のＱ値のデータは、表１の同一誘電体セラミック材料のものを表４に記した。
　【００８５】
　【表４】
　【００８６】
　表４の結果から明らかなように、焼成雰囲気の酸素分圧が本発明の
好適
　【００８７】
　なお、上記の本発明における誘電体セラミック材料の焼結終了温度Ｔ２０は、いずれも、Ａｇの融点＋１５０℃以上の温度であり、また熱収縮曲線から求めた焼結開始温度（図１：点Ｃ）と焼結終了温度Ｔ２０（図１：点Ｆ）との距離において点Ｃから８０％のところに相当する温度Ｔ２０′（図１：点Ｇ）はＡｇの融点＋５０℃以上の温度であることが確認された。
　【００８８】
実施例３
　誘電体セラミック材料として、表１に示すサンプルＡ、ＤおよびＥを用い、それぞれの組成で実施例１と同様にしてグリーンシートを成型し、それに実施例１と同じＡｇ導体ペーストを用いてスクリーン印刷法により直線パターンを印刷した。印刷したシート上に、さらに、それぞれ同じ誘電体セラミック材料のグリーンシートを積層熱圧着して脱バインダー後、焼成雰囲気中の酸素分圧を１×１０−２とし、他は表１に示すそれぞれの誘電体セラミック材料の焼成条件により焼成し、焼成体を得た。
　【００８９】
　焼成体のサイズは、縦５６ｍｍ、横６５ｍｍ、厚さ４００μｍとした。また、Ａｇ導体は、焼成体縦方向に１焼成体あたり２４本をほぼ等間隔で配置し、導体の各直線パターンは、焼成後のサイズで長さ約４６ｍｍ、幅約１ｍｍ、厚さ約４０μｍとなるように印刷した。なお、導体の印刷場所は、積層後外部に露出しない位置とした。
　【００９０】
　得られたそれぞれの焼成体（誘電体セラミック材料１組成あたり１０個作製した）を透明ガラス板上に置き、ガラス板下部から可視光源を照射して透過光を目視による観察と常法による透過Ｘ線像の観察とを行い、Ａｇ導体の断線部分の有無を調べた。その結果、断線部分はそれぞれの誘電体セラミック材料の試料について１焼成体あたり５〜１０ヶ所であった。
　【００９１】
比較例１
　誘電体セラミック材料として、平均粒径約１μｍの窒化アルミニウム粉末用い、さらに焼結助剤としてＣａＯ換算で０．５ｗｔ％となる量の炭酸カルシウムを加え、バインダー等とともにスラリーとしてグリーンシートを作成した。Ａｇ導体ペーストを用い、実施例３と同様のパターンを同様に印刷し、さらに同じグリーンシートを積層熱圧着して脱バインダー後、窒素ガス雰囲気中で温度１６００℃、１０分焼成して焼成体を得た。なお、焼成体や導体のサイズ、導体のパターンや印刷位置等は実施例３と同じとした。
　【００９２】
　得られた１０個の焼成体について、実施例３と同様にしてＡｇ導体の断線部分の有無を調べた。その結果、断線部分は１焼成体あたり４０〜５０ヶ所であり、さらに断線まで至らないが、導体の幅が狭窄した部分が多数認められた。
　【００９３】
　実施例３および比較例１より明らかなように、酸化物または酸化物の混合物を誘電体セラミック材料として用いた場合、溶融金属との濡れ性の悪い窒化アルミニウムを用いた場合と比較して、導体の断線事故発生率が大きく低下する。
　【００９８】
　【発明の効果】
　本発明によれば、内部導体を緻密化し、しかも表面性を良好にすることができ、かつ誘電率および誘電損失（Ｑ・ｆ）等に優れた誘電体セラミック材料を用いることができ、この結果Ｑ値等の特性の向上を図ることができる。さらに、焼成時に内部導体層と誘電体セラミック層との剥離による不良品の発生や、内部導体層の断線等の発生を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　焼結終了温度の求め方を説明するための熱収縮曲線を示すグラフである。
　【図２】
　本発明における積層型フィルターを模式的に示す概略構成図である。
　【図３】
　本発明における積層型フィルターを模式的に示す概略構成図である。
　【図４】
　本発明における積層型フィルターを模式的に示す概略構成図である。
　【符号の説明】
　１、２、３　積層型フィルター
　１１　誘電体セラミック材料の素体
　２１〜２３、２５〜２９　内部導体