(57)【要約】固浸レンズを使用したリソグラフィが開示される。一態様では、第１面および反対の第２面を有するレジスト膜（４０）を有する装置が提供される。１つ以上の固浸レンズ（５６）が、前記レジスト膜（４０）の前記第１面の上に配置される。別の態様では、露光マスク（４９）と、前記露光マスク（４９）を照射する放射源（４４）と、前記露光マスク（４９）を透過した放射をフォーカスさせるために前記露光マスクの下に配置された１つ以上の固浸レンズ（５６）と、前記１つ以上の固浸レンズ（５６）を保持するための部材（５０）と、を有する装置が提供される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および反対の第２面を有するレジスト膜（４０）と、
前記レジスト膜（４０）の前記第１面の上に配置された１つ以上の固浸レンズ（５６）と、を有する装置。
【請求項２】
前記１つ以上の固浸レンズ（５６）の上に配置された露光マスク（４９）を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記露光マスク（４９）は位相シフトマスクを含む請求項２に記載の装置。
【請求項４】
露光マスク（４９）と、
前記露光マスク（４９）を照射する放射源（４４）と、
前記露光マスク（４９）を透過した放射をフォーカスさせるために前記露光マスクの下に配置された１つ以上の固浸レンズ（５６）と、
前記１つ以上の固浸レンズ（５６）を保持するための部材（５０）と、を有する装置。
【請求項５】
前記露光マスク（４９）は位相シフトマスクを有する請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記１つ以上の固浸レンズ（５６）はアレイを有する請求項１または４に記載の装置。
【請求項７】
前記１つ以上の前記固浸レンズ（５６）上に配置された反射防止コーティング（６６）を有する請求項１または４に記載の装置。
【請求項８】
電磁放射源（４４）と、
前記電磁放射の選択された一部を通過させるためのマスク（７２）と、を有し、前記マスク（７２）は電磁放射を透過させることが可能なプレート（７８）を有し、前記プレート（７８）は、１つ以上の固浸レンズ（７４，７５，７６）および前記プレート（７８）上の不透過膜（８０）を有し、前記不透過膜（８０）は、前記電磁放射を、前記１つ以上の固浸レンズ（７４，７５，７６）を透過させるが、前記電磁放射が前記プレート（８０）の少なくとも一部を透過しないように阻止するように動作可能である装置。
【請求項９】
前記１つ以上の固浸レンズ（７４）は長尺状の構造を有する請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記１つ以上の固浸レンズ（７６）は球形の構造を有する請求項８に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、半導体処理に関し、より詳細には、リソグラフィによる構造のパターニングのための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最新の集積回路を製造するには、半導体のウェハ上に、何百万個もの異なる種類の領域をパターニングすることが必要であり、このような領域のほんの一部を挙げると、局所的な相互接続トレンチ、大域的なメタライゼーション層、トランジスタのゲートなどがある。このような多数の微小構造の製造は、リソグラフィ処理を使用することにより可能となっている。フォトリソグラフィ処理では、多くの場合はスピンコーティングによってフォトレジスト材料の層がウェハに塗布される。次に、フォトレジスト層が、遠紫外線（deep ultraviolet：ＤＵＶ）などの光線的（actinic）放射源に露光される。ＤＵＶ放射は、まず、フォトレジストの予め選択された部分のみが放射に露光されるように、ＤＵＶ放射の一部を選択的に透過させるが、それ以外の部分はブロックするマスクまたはレチクルを通される。次に、レチクルを透過した放射が、１つ以上の縮小レンズを通ったのち、レジスト層に入射する。放射は、フォトレジストの化学的特性を変化させ、レジストがネガティブトーンフォトレジストであるか、ポジティブトーンフォトレジストであるかに応じて、その後行われる溶媒工程において可溶または不溶にされる。次に、レジストが、現像溶媒に曝されて現像される。現像工程の後に残ったフォトレジストの領域は、それが覆っている基板の領域をマスクして保護する。
【０００３】
現像された像の品質のほか、最小のフィーチャのサイズは、なかでも、露光放射の波長、縮小レンズの集束能力、およびレジストとレジストの下にある膜の光学的性質によって決まる。露光放射の波長は、従来から、照明源が、比較的狭い帯域幅で、比較的高い強度の放射を発生させなければならないという要件によっていくぶん制約されてきた。より高性能の縮小レンズにより、回折限界を超えた結像が可能となった。しかし、縮小レンズの改良にはいまだに物理的限界が存在する。多くの著者が、微小回路構造を結像するための固浸レンズの使用について記載してきた。そのような概念の１つの変形例では、比較的屈折率の高い１つの固浸レンズが、対物レンズと、結像される構造との間に配置される。固浸レンズを適所に配置すると、対物レンズから送られた光が、空気またはその他の媒体ではなく、固浸レンズ中でフォーカスされる。このため、実効波長が短くなったことにより、結像系の実効開口数が付随して大きくなるが、これは、屈折率の比較的高い固浸レンズ中で光がフォーカスされるからである。別の従来の結像系では、検査対象のデバイスからのラマン散乱を結像するために、固浸レンズのアレイを使用している。公知の従来の固浸レンズは、単独で用いられる場合でも、アレイの場合でも、リソグラフィでなく結像の問題として説明されてきた。
【０００４】
本発明は、上記の問題の１つ以上の影響を解決するか軽減することを対象としている。
【発明の開示】
【０００５】
本発明の一態様によれば、第１面および反対の第２面を有するレジスト膜を有する装置が提供される。１つ以上の固浸レンズが、前記レジスト膜の前記第１面の上に配置されている。
【０００６】
本発明の別の態様によれば、露光マスクと、前記露光マスクを照射する放射源と、前記露光マスクを透過した放射をフォーカスさせるために前記露光マスクの下に配置された１つ以上の固浸レンズと、前記１つ以上の固浸レンズを保持するための部材と、を有する装置が提供される。
【０００７】
本発明の別の態様によれば、電磁放射源と、前記電磁放射の選択された一部を通過させるためのマスクとを有する装置が提供される。前記マスクは電磁放射を透過させることが可能なプレートを有する。前記プレートは、少なくとも１つの固浸レンズおよび前記プレート上の不透過膜を有する。前記不透過膜は、前記電磁放射を、前記少なくとも１つの固浸レンズを透過させるが、前記電磁放射が前記プレートの少なくとも一部を透過しないように阻止するように動作可能である。
【０００８】
以下の詳細な説明を読み、添付図面を参照することにより、本発明の前述の利点と他の利点が明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下で説明する図面において、同じ要素が複数の図面で使用される場合、通常は、同じ参照番号が繰り返し用いられる。ここで図面、より詳細には図１に戻ると、集積回路１２の結像に使用する例示的な従来の固浸レンズ（solid immersion lens：ＳＩＬ）顕微鏡１０の模式側面図が示される。集積回路１２は、パッケージ１４と集積回路チップ１６からなる。顕微鏡１０は、反射鏡またはビームスプリッタ２２に、入射した放射２０を供給するように動作可能な照明源１８を有する。入射光線２０は、対物レンズ２４、およびその下にある固浸レンズ２６を通る。固浸レンズ２６は、入射放射２０を、チップ１６上の特定の位置または視野にフォーカスさせる。反射された放射２８は、固浸レンズ２６、対物レンズ２４、およびビームスプリッタ２２に戻り、ビームスプリッタ２２で接眼鏡３０またはカメラ３２に伝えられる。この従来のシステムでは、固浸レンズ２６は、通常、結像中は集積回路チップ１６の上面に直接保持される。チップ１６全体をスキャンするために、ＳＩＬ２６とその下のチップ１６との間で相対移動が行われる。
【００１０】
チップ１６とパッケージ１４からなる集積回路１２を結像するように動作可能な別の従来のＳＩＬ顕微鏡システム１０’が図２に示される。図１に示したシステムと同様に、従来のＳＩＬ顕微鏡１０’は、入射放射を伝えるための照明源１８、鏡２２、対物レンズ２４、および反射された放射２８を受けるための接眼鏡３０またはカメラ３２を有する。しかし、固浸レンズ２６’は、それ自体が、集積回路チップ１６上に直接配置される。レンズ２６’は、通常は、集積回路チップ１６を結像した後に除去される。
【００１１】
図３は、レジスト膜４０の選択された部分に入射放射３８をフォーカスさせるために固浸レンズアレイ３６を利用する、本発明によるリソグラフィシステム３４の例示的な一実施形態の模式側面図である。レジスト膜４０が、回路素子４２上に形成される。回路素子４２は、製造の任意の工程における集積回路または他の種類の回路素子でありうる。例えば、回路素子４２は、シリコンなどのバルク半導体または半導体オンインシュレータ基板に実装される集積回路でありうる。システム３４は、コヒーレントまたはインコヒーレントな放射を発生することができる照明源４４を有する。照明源４４の光出力に、コリメーティングレンズ４５が配置されうる。入射放射３８の経路を制御するために、鏡４６が設けられうる。ＳＩＬアレイ３６の上に、対物レンズ４８が配置されている。コリメーティングレンズ４５の出力側の、放射３８の経路中に、露光マスクまたはレチクル４９が配置されている。ＳＩＬアレイ３６は、ＳＩＬアレイ３６とその下のレジスト膜４０との間で横方向の相対移動ができるように動作可能な可動ステージ５０によって保持されている。任意選択で、上にあるＳＩＬアレイ３６を移動させる代わりに、あるいはこれに加えて、集積回路４２を移動させることによって相対移動が行われていてもよい。ステージ５０の移動のほか照明源４４は、コントローラ５２によって制御され、これはコンピュータ、マイクロプロセッサまたは他の制御システムでありうる。
【００１２】
ＳＩＬアレイ３６に関する更に詳しい詳細は、次に図４を参照すれば理解できるであろう。この図は、ＳＩＬアレイ３６、レジスト膜４０、および集積回路４２の分解模式図である。ＳＩＬアレイ３６は、複数のＳＩＬ５６が形成されているベース基板５４からなる。好ましくは、基板５４とレンズ５６が作製される材料は、界面間での反射に関連する不利な問題を低減させるか、あるいは解決することができるように、その下にあるレジスト膜４０と実質的に同じ屈折率ｎを有する。基板５４の寸法は、ほぼ設計の自由裁量の事項である。例示的な一実施形態では、基板５４は、長さと幅がそれぞれ１８ｍｍ×１８ｍｍ、厚さが５×１０５〜６×１０５ｎｍでありうる。
【００１３】
レンズ５６は、球面であるか、または真球面構成よりもいくぶん小さいか、いくぶん大きい構成を有しうる。実際、個々のレンズ５６の正確な形状は、レジスト膜４６の光学的要件によって、大きく変わりうる。例示的な一実施形態では、レンズは、半径約２×１０５〜３×１０５ｎｍの半球面を有する。レンズ５６はアレイに形成され、その形状は、ほぼ設計の自由裁量の事項である。この点に関して、レンズ５６は、「Ｙ」方向にピッチＰｙ、「Ｘ」方向にピッチＰｘを空けて離間されうる。ピッチＰｙ、Ｐｘのそれぞれは、等しくても、異なっていてもよい。複数のレンズ５６が図示されているが、レンズ５６は１つ以上使用することができることが予期されよう。
【００１４】
各レンズ５６は、その下にあるレジスト膜４０上に視野６０を有する。視野６０の寸法は、レンズ５６の形状およびその組成のほか、他の要因によって決まり、このような要因には、アレイ３６とレジスト膜４０の間隔、入射放射３８の波長などがある。
【００１５】
上記したように、ＳＩＬアレイ３６は、さまざまな形状を有していてもよい。図５，６は、２つの可能なアレイ構造の平面図を示す。図５は、レンズ５６が、矩形のアレイとして基板５４上に配置されているアレイ３６を開示している。図６は、アレイ３６’が、六角形のパターンとして基板５４上に配置されたレンズ５６を有する別例を示している。これらの２つの実施形態は、基板５４上にレンズ５６を配置する数多くの可能な構成のうちの２つに過ぎない。実際、レンズ素子またはアレイ３６が、アレイ状のレンズ５６である必要はまったくないことが想定される。この点に関し、複数のレンズ５６を、基板５４上の特定の位置に配置することができるが、その構成は、必ずしもある種の幾何学的アレイでなくてもよい。
【００１６】
次に、図７を参照すると、この図は、図４の断面７−７における断面図であるが、アレイ３６が、レジスト膜４０またはその下の集積回路４２から分解されていない状態を示している。図を簡単にするために、照明源４４が図示されているものの、コントローラ５２、鏡４６および対物レンズ４８は図示されていない。図３の説明で上記したように、レンズ素子３６は、好ましくは、レジスト膜４０の上面のできるだけ近くに配置される。この両者の正確な間隔は、ほぼ設計の自由裁量の事項である。間隔が、大体λ／１０のオーダー（λは露光放射３８の波長）である場合に良好な結果が得られることが予期される。レチクル４９が適切に配置されていると、照明源４４から出射された入射放射３８が、レチクル４９の１つ以上の開口部６２を通る。次に、入射放射３８は、レンズ素子３６のレンズ５６の１つ以上によってフォーカスされ、レジスト膜４０に複数の露光領域６４を形成し、そのうちの１つのみが図示されている。必要に応じて、レンズ素子３６のレンズ５６の上面に、トップ反射防止コーティング６６を形成してもよい。最初の露光後に、レジスト膜の全ての対象領域を適切に露光させるために、レンズ素子３６が、その下のレジスト膜４０に対して「Ｘ」方向または「Ｙ」方向（図４を参照）に移動されて、第２の露光、更には必要に応じて第３または第４の露光が実行されうる。
【００１７】
上記したように、レンズ素子３６は、好ましくは、その下のレジスト膜４０と実質的に同じ屈折率を有して作製される。材料の例としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シアノアクリル膜、ポリカーボネート膜、ポリメチルアクリレート、各種のガラス、シリコンの各種酸化物、窒化シリコンなどが挙げられる。基板５４は、約０〜１５０℃の温度範囲で熱安定性を示すことが望ましい。レンズ５６は、基板５４に対して、公知のボッシュエッチング法、イオンビームミリングまたはその他のリソグラフィ法を行うことによって作製することができる。レンズ５６を製造するための技術として、エンボス加工も想定される。
【００１８】
トップ反射防止コーティング４９は、この種の膜に適したさまざまな材料から作製することができ、これにはフッ化マグネシウム、フッ化鉛、一酸化シリコンなどが挙げられる。トップ反射防止コーティング４９の厚さは、λ／４のオーダーでありうる。レチクル４９は、従来型のレチクルであってもよいし、別法では、必要に応じて位相シフトマスクであってもよい。
【００１９】
本発明の代替の例示的な実施形態では、レンズ素子３６が、その下のレジスト膜に直接形成されてもよい。次に、図８を参照すると、この図は、下地の集積回路４２に配置されたレジスト膜４０の断面図である。レジスト膜４０は、レジスト被覆のための公知の材料および技術とベークを使用して作製することができる。さまざまな露光波長に対する光線的感受性を示すポジティブトーンレジストまたはネガティブトーンレジストを使用することができる。スピンコーティングまたは他の公知の塗布技術を使用することができる。必要に応じて、活性化された（primed）膜４０の表面エネルギーに打ち勝つために、レジスト膜４０を塗布する直前に、溶媒のプレウェットプロセスが実施されうる。さまざまな公知の溶媒のプレウェットプロセスを使用することができる。例えば、乳酸エチルと４−メチル−２−ペンタノンの混合物を、活性化された膜４０に供給して、約５，０００〜１０，０００回転数／分の高速回転数でスピンオフすることができる。
【００２０】
プレウェット溶媒が膜回路素子４２から蒸発し、上述した技術を使用してレジスト膜４０が塗布される。レジストの塗布後に、１つ以上のベークプロセスが実行される。例示的な一実施形態では、レジスト４０は、大気圧下で約４５〜３００秒間、約９０〜１１０℃に加熱される。
【００２１】
次に図９を参照すると、レジスト膜４０上に膜６８が形成される。膜６８は、下記に更に詳しく述べるとおり、その後行われる処理によってレンズ素子に変換される。開示のほかの実施形態と同様に、レンズ素子が最終的に作製される元になる膜６８は、その下のレジスト膜４０の屈折率に非常に近い屈折率を有するさまざまな材料から形成することができる。例えば、膜６８は、その下のレジスト膜４０と同じタイプのレジスト材料から作製することができるが、その中には光活性化合物が含まれていない。
【００２２】
次に図１０を参照すると、膜６８が処理されて、レンズ５６’が形成される。レンズ５６’は、膜６８をエンボス加工するか、あるいはイオンビームミリング、レーザアブレーション、エッチングなどの他の公知のリソグラフィ技術によって形成することができる。レンズ５６’が形成されたら、必要に応じて図７に示すトップ反射防止コーティング６６が適用され、次に、図７に図示され、本明細書のほかの箇所で記載した露光プロセスが実行されうる。露光後に、レンズ素子３６’とその下のレジスト膜４０の両者が、公知のアッシング、溶媒による剥離、またはこの２つを組合せて除去されうる。当然、レンズ素子３６’の除去プロセスは、その製造に選択した特定の材料によって決まる。
【００２３】
次に、図１１，１２を参照することで、本発明による別の例示的な実施形態が理解されよう。この例示的な実施形態は、１つ以上の固浸レンズを、リソグラフィマスクに取り込んだものである。図１１は、プレートまたは基板７８に配置されている１つ以上の固浸レンズ７４，７５，７６を取り込んだリソグラフィマスク７２の平面図を示す。プレート７８は、本明細書のほかの箇所に記載した種類の材料から作製されうる。ほかの可能な材料には、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英などがある。入射した電磁放射が１つ以上のレンズ７４，７５，７６を通るが、不透過膜８０は通らないように、プレート７８の少なくとも一部が不透過膜８０によって覆われている。不透過膜８０は、エマルジョン、クロム、酸化鉄などの数多くの材料から作製されうる。
【００２４】
固浸レンズ７４，７５，７６は、数多くの形状を有することができるが、好ましくは、回路素子にプリントしようとしているパターンに応じて成形される。ほとんどの場合、レンズ７４，７５，７６の形状は、集積回路内にパターニングするトランジスタ構造、相互接続線およびほかの構造の所望の形状に対応している。このため、レンズ７４は、例えば、集積ＡＮＤ回路（integrated and）の導体線に適した長尺状の構造として図示されているが、レンズ７５は、エルボ形状として図示され、レンズ７６は球形として図示されており、ほとんどどのような形状でも使用することができる。
【００２５】
次に、図１２を参照すると、この図は、図１１の断面１２−１２における断面図である。図１２には、マスク７２が図示されているほか、本明細書のほかの箇所で記載したように、電磁放射源４４、回路素子４２、およびレジスト膜４０を示している。図３に図示したような、鏡やコリメーティングレンズなどのほかの光学素子は、図を簡単にするために、図１２からは省略されている。マスク７２が、放射源４４とレジスト膜４０の間に配置されている。固浸レンズ７４，７６は、レジスト膜４０内の選択されたパターンとして、放射源４４からの放射３８を透過させてフォーカスし、その際、露光の形状は、レンズ７４，７６の形状と、不透過膜８０の範囲によって決まる。レジスト４０中の露出領域間の間隔を所望の値とするために、必要に応じて、複数回の露光が、連続する露光の間に、マスク７２をレジスト膜４０に対して移動させて実行されうる。任意選択で、固浸レンズを取り込むかあるいは取り込まない後続の露光のために、別のマスク（図示せず）を使用してもよい。露光後に、レジスト４０が、レジストの現像のための公知の技術を使用して現像されうる。
【００２６】
次に図１３，１４，１５を参照することにより、本発明による、マスク７２を製造するための例示的な方法を理解することができる。図１３は、プレート７８上に１つ以上の固浸レンズ７４を画成した後のマスク７２を示す断面図である。レンズ７４の製造は、イオンビームミリング、指向性または無指向性のエッチング、エンボス加工などのさまざまな公知のパターニング技術を使用して行うことができる。例示的な一実施形態では、プレート７８が、適切にマスクされてエッチングされ、固浸レンズ７４が画成されうる。次に、図１４に示すように、必要に応じて、上記したような不透過膜８０が、レンズ７４と、プレート７８のそれ以外の部分の上に形成されうる。不透過膜８０の堆積または形成は、スパッタリング堆積、化学気相成長法またはほかの公知の成膜技術によるものでありうる。不透過膜８０の形成後に、図１５に示すように、固浸レンズ７４の上の不透過膜８０の所定の領域が露出されるように、不透過膜８０に別のマスク８２がパターニングされる。次に、不透過膜８０のマスクされていない部分が、ウェットエッチング、ドライエッチング、電子ビームエッチングなどによって除去されて、固浸レンズ７４が露出され、このため、図１１，１２に概略的に示したマスク７２が得られる。例示的な一実施形態では、クロムの不透過膜８０は、飽和Ｃｅ（ＳＯ４）２と濃硝酸（ＨＮＯ３）を約９:１の割合で混合した溶液を使用したウェットエッチングによってパターニングされうる。
【００２７】
図１３，１４，１５に図示し、上に記載した作製方法は、これらの図に示した固浸レンズ７４が、その下の基板またはプレート７８から材料を除去することによって作製されるという点で減法的である。代替の例示的な実施形態では、１つ以上の固浸レンズを取り込んだマスクを作製するために、加法（アディティブ）プロセスを使用することができる。次に、図１６，１７，１８，１９を参照する。図１６に示すように、本明細書のほかの箇所で概略的に記載したように、基板またはプレート８４が、不透過膜８０で被覆される。プレート８４は、ほかの図に図示され、本明細書のほかの箇所で記載した、プレート７８を作製するために使用される同じ材料から作製されうる。この時点で、後から形成する固浸レンズのレイアウトにほぼ対応しているパターンを有する適切なマスク８２が、不透過膜８０上にパターニングされる。マスク８２は、（１）不透過膜８０のさまざまな部分をエッチングにより除去するため、および（２）その後行われる、材料堆積工程のため、のエッチマスクを提供する２つの機能を果たす。図１７に示すように、不透過膜８０のマスクされていない部分が、エッチング、レーザアブレーション、イオンビームミリングなどによって除去される。
【００２８】
次に図１８を参照すると、膜８６が、下地のプレート８４の露出された領域８７の上に堆積される。その後行われる処理によって、膜８６が、その下のプレート８４に配置される１つ以上の固浸レンズにパターニングされる。したがって、膜８６は、その下のプレート８４を作製するために使用した材料と同じ種類の材料から有利に作製される。当然、膜８６に選択した材料の屈折率が、その下のプレート８４の屈折率のみならず、マスク７２を用いてパターニングされる任意のレジスト層の屈折率に近いことが望ましい。例示的な材料には、例えば、スピンオンガラス、各種のポリマー材料、プラズマ促進化学気相成長法で形成した酸化物などがある。堆積の後に、図１９に示すように、膜８６上の材料の除去プロセスを実行することによって、１つ以上の固浸レンズ８８が形成される。これは、エッチング、レーザアブレーション、イオンビームミリング等によって行うことができる。この工程の前は不透過膜８０のエッチングのためのエッチマスクとして機能したマスク８２が、固浸レンズ８８のパターニングのための適切なマスクとしても機能する。固浸レンズ８８のパターニング後に、マスク８２が、公知のアッシング、溶媒による剥離、またはこの両者を組み合わせて除去される。
【００２９】
本発明は、種々の変形および代替形態を取りうるが、その特定の実施形態が、図面に例として図示され、ここに詳細に記載されているに過ぎない。しかし、本発明が、開示された特定の形態に限定されることを意図するものではないことを理解すべきである。そうではなく、本発明は、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の趣旨ならびに範囲に含まれる全ての変形例、均等物および代替例を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】例示的な従来の固浸レンズ（solid immersion lens：ＳＩＬ）顕微鏡の模式側面図である。
【図２】別の例示的な従来のＳＩＬ顕微鏡の模式側面図である。
【図３】本発明による固浸レンズアレイを利用するリソグラフィシステムの例示的な一実施形態の模式側面図である。
【図４】本発明による図３の一部の分解模式図である。
【図５】本発明による例示的な固浸レンズアレイの平面図である。
【図６】本発明による別の例示的な固浸レンズアレイの平面図である。
【図７】本発明による、図３の一部の断面７−７における断面図である。
【図８】本発明による、下地の集積回路に配置された例示的なレジスト膜の断面図である。
【図９】本発明による、レジスト膜上への膜の形成を示す図８と同様の断面図である。
【図１０】本発明による、膜上の固浸レンズのアレイのパターニングを示す図９と同様の断面図である。
【図１１】本発明による、１つ以上の固浸レンズを取り込んだリソグラフィマスクの例示的な一実施形態の平面図である。
【図１２】本発明による、図１１の断面１２−１２における断面図である。
【図１３】本発明による、プレート上の１つ以上の固浸レンズの最初の形成を示す断面図である。
【図１４】本発明による、固浸レンズ上の不透過膜の形成を示す図１３と同様の断面図である。
【図１５】本発明による、不透過膜上の材料除去マスクの形成を示す図１４と同様の断面図である。
【図１６】本発明による、リソグラフィマスクが形成された構造の別の実施形態のマスク形成を示す断面図である。
【図１７】本発明による、不透過膜からの材料の除去を示す図１６と同様の断面図である。
【図１８】本発明による、プレート上のバルク膜の形成を示す図１７と同様の断面図である。
【図１９】本発明による、バルク膜からの１つ以上の固浸レンズの形成を示す図１８と同様の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年12月29日(2006.12.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および反対の第２面を有するレジスト膜（４０）と、
前記レジスト膜（４０）の前記第１面の上に配置された１つ以上の固浸レンズ（５６）と、を有し、前記１つ以上の固浸レンズ（５６）はアレイを有し、前記固浸レンズは、非片持ち梁式にベース基板（５４）に結合されている装置。
【請求項２】
前記１つ以上の固浸レンズ（５６）の上に配置された露光マスク（４９）を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記露光マスク（４９）は位相シフトマスクを含む請求項２に記載の装置。
【請求項４】
露光マスク（４９）と、
前記露光マスク（４９）を照射する放射源（４４）と、
前記露光マスク（４９）を透過した放射をフォーカスさせるために前記露光マスクの下に配置された１つ以上の固浸レンズ（５６）と、
前記１つ以上の固浸レンズ（５６）を保持するための部材（５０）と、を有し、前記１つ以上の固浸レンズ（５６）はアレイを有する装置。
【請求項５】
前記露光マスク（４９）は位相シフトマスクを有する請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記１つ以上の前記固浸レンズ（５６）上に配置された反射防止コーティング（６６）を有する請求項１または４に記載の装置。
【請求項７】
電磁放射源（４４）と、
前記電磁放射の選択された一部を通過させるためのマスク（７２）と、を有し、前記マスク（７２）は電磁放射を透過させることが可能なプレート（７８）を有し、前記プレート（７８）は、１つ以上の固浸レンズ（７４，７５，７６）および前記プレート（７８）上の不透過膜（８０）を有し、前記１つ以上の固浸レンズ（７４，７５，７６）は、集積回路内にパターニングされる構造の少なくとも１つの形状を有し、前記不透過膜（８０）は、前記電磁放射を、前記１つ以上の固浸レンズ（７４，７５，７６）を透過させるが、前記電磁放射が前記プレート（８０）の少なくとも一部を透過しないように阻止するように動作可能である装置。
【請求項８】
前記１つ以上の固浸レンズ（７４）は長尺状の構造を有する請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記１つ以上の固浸レンズ（７６）は球状の構造を有する請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
第１面および反対の第２面を有するレジスト膜（４０）と、
前記レジスト膜（４０）の前記第１面の上に配置された１つ以上の固浸レンズ（５６）と、を有し、前記１つ以上の固浸レンズ（５６）はアレイを有し、前記アレイは下地の前記レジスト膜（４０）上に直接形成されている装置。
【国際調査報告】
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