【事件の表示】
　特許第２８２６９７８号「ｉ線露光用組成物」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８２６９７８号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８２６９７８号の特許請求の範囲に係る発明は、平成５年７月２２日になされた特許出願（特願平５−１８１５２９号（優先権主張、平成４年７月２２日、日本））の一部を分割して平成７年５月２２日に出願されたものであり、平成１０年９月１８日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人井上昭（以下「申立人」という。）より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１０月１８日に意見書が提出されたものであるが、さらに新たな取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年３月２８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　上記訂正請求は、以下の点について訂正を求めるものである。
（ａ）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を下記の通りに訂正する。
「【請求項１】（Ａ）一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位からなる、アミド結合濃度１．５ｍｏｌ／ｋｇ以上である芳香族ポリイミド前駆体、
【化１】
〔式中Ｘは四価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜４個のフッ素原子を含まない芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して結合した化学構造をもつ四価の有機基であって、−ＣＯＲ基及び−ＣＯＲ′基と−ＣＯＮＨ−基とは互にオルト位置にあり、ＲとＲ′は各々独立に−Ｏ−Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６又は−ＯＨ（ただしＲ３はそれぞれ独立にかつ一種類とは限らず、エチレン性不飽和結合を有する有機基、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々水素又は炭素数１〜６の炭化水素基）であり、少なくとも一部の繰り返し単位中のＲ又はＲ′は−ＯＨ以外の残基であり、Ｙはフッ素原子を含まない二価の芳香族基又は２〜６個の芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、２，２−プロピレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ、フッ素原子を含まない二価の有機基である〕
（Ｂ）光重合開始剤、及び
（Ｃ）溶剤
を含むｉ線露光用感光性組成物において、
上記の芳香族ポリイミド前駆体ポリマーにおける（ｉ）アミド結合濃度が２．４２ｍｏｌ／ｋｇ以下であること、及び／又は
（ｉｉ）Ｘが結合基の存在する芳香族基において非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有する四価の基であること、及び／又は
Ｙが（ｉｉｉ−１）一般式（ＩＩ）
【化２】
〔式中Ａは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基または一般式（ＩＩＩ−１）
【化３】
（式中Ｂは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基、ｋは０または１）で示される基、ｍは０または１〕
で示される二価の基であること、又は
（ｉｉｉ−２）一般式（ＩＩＩ）
【化４】
で示される二価の基であること、又は（ｉｉｉ−４）結合基の存在する芳香族基またはこれとエーテル結合を介して隣接する芳香族基において非プロトン性の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学構造を有する二価の基であること、
を特徴とし、かつ上記の感光性組成物を塗布乾燥後に形成されるｉ線露光用感光性組成物のフィルムの波長３６５ｎｍにおける吸光度が、膜厚１０μｍ当り１．５以下であることを特徴とするｉ線露光用感光性組成物。」
（ｂ）訂正事項ｂ
　明細書の【０００８】を次の通りに訂正する。
「【０００８】
　すなわち、本発明は、
（Ａ）一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位からなる、アミド結合濃度１．５ｍｏｌ／ｋｇ以上である芳香族ポリイミド前駆体（以下「ポリイミド前駆体」という。）、」
（ｃ）訂正事項ｃ
　明細書の【００１０】を次の通りに訂正する。
「【００１０】
［式中Ｘは四価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜４個のフッ素原子を含まない芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して結合した化学構造をもつ四価の有機基であって、−ＣＯＲ基及び−ＣＯＲ′基と−ＣＯＮＨ−基とは互にオルト位置にあり、ＲとＲ′は各々独立に−Ｏ−Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６又は−ＯＨ（ただしＲ３はそれぞれ独立にかつ一種類とは限らずエチレン性不飽和結合を一部に有する有機基、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基）であり、少なくとも一部の繰り返し単位中のＲ又Ｒ′は−ＯＨ以外の残基であり、Ｙは二価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜６個の芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、２，２−プロピレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ、フッ素原子を含まない二価の有機基である］」
（ｄ）訂正事項ｄ
　明細書の【００１１】を次の通りに訂正する。
「【００１１】
（Ｂ）光重合開始剤、及び
（Ｃ）溶剤
を含むｉ線露光用感光性組成物において、
上記のポリイミド前駆体における
（ｉ）アミド結合濃度が２．４２ｍｏｌ／ｋｇ以下であること、及び／又は（ｉｉ）Ｘが結合基の存在する芳香族基において非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有する四価の基であること、及び／又はＹが（ｉｉｉ−２）一般式（ＩＩ）」
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１について、化学構造が明りょうでなかったものを単に明りょう化するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　訂正事項ｂないしｄは、請求項１に記載内容を明りょう化したことに伴い、明細書の発明の詳細な説明の欄の記載表現を単に整合させたものに過ぎないものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　そして、上記各訂正事項は本件の訂正前の特許明細書に実質上記載されている事項のみであるから、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号、以下「平成６年法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項ないし第３項の訂正についての規定に適合するものであるから、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
【１】本件発明
　訂正された本件特許の請求項１ないし６に係る発明（以下、請求項１に係る発明を「本件第１発明」、請求項２〜６の各項に係る発明を、その項番に従い「本件第２発明」ないし「本件第６発明」とそれぞれいう。）は、特許明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の各請求項に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】（Ａ）一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位からなる、アミド結合濃度１．５ｍｏｌ／ｋｇ以上である芳香族ポリイミド前駆体、
【化１】
〔式中Ｘは四価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜４個のフッ素原子を含まない芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して結合した化学構造をもつ四価の有機基であって、−ＣＯＲ基及び−ＣＯＲ′基と−ＣＯＮＨ−基とは互にオルト位置にあり、ＲとＲ′は各々独立に−Ｏ−Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６又は−ＯＨ（ただしＲ３それぞれ独立にかつ一種類とは限らず、エチレン性不飽和結合を有する有機基、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々水素又は炭素数１〜６の炭化水素基）であり、少なくとも一部の繰り返し単位中のＲ又はＲ′は−ＯＨ以外の残基であり、Ｙはフッ素原子を含まない二価の芳香族基又は２〜６個の芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、２，２−プロピレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ、フッ素原子を含まない二価の有機基である〕
（Ｂ）光重合開始剤、及び
（Ｃ）溶剤
を含むｉ線露光用感光性組成物において、
上記の芳香族ポリイミド前駆体ポリマーにおける（ｉ）アミド結合濃度が２．４２ｍｏｌ／ｋｇ以下であること、及び／又は
（ｉｉ）Ｘが結合基の存在する芳香族基において非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有する四価の基であること、及び／又は
Ｙが（ｉｉｉ−１）一般式（ＩＩ）
【化２】
〔式中Ａは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基または一般式（ＩＩＩ−１）
【化３】
（式中Ｂは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基、ｋは０または１）で示される基、ｍは０または１〕
で示される二価の基であること、又は
（ｉｉｉ−２）一般式（ＩＩＩ）
【化４】
で示される二価の基であること、又は（ｉｉｉ−４）結合基の存在する芳香族基またはこれとエーテル結合を介して隣接する芳香族基において非プロトン性の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学構造を有する二価の基であること、
を特徴とし、かつ上記の感光性組成物を塗布乾燥後に形成されるｉ線露光用感光性組成物のフィルムの波長３６５ｎｍにおける吸光度が、膜厚１０μｍ当り１．５以下であることを特徴とするｉ線露光用感光性組成物。
【請求項２】　芳香族ポリイミド前駆体が請求項１における条件（ｉ）を満足する請求項１のｉ線露光用感光性組成物。
【請求項３】　芳香族ポリイミド前駆体が請求項１における条件（ｉｉｉ−２）又は（ｉｉｉ−３）を満足する請求項１のｉ線露光用感光性組成物。
【請求項４】　一般式（Ｉ）のＸが２〜４個の芳香族基が単結合、エーテル結合、カルボニル結合、スルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ四価の有機基である請求項１のｉ線露光用感光性組成物。
【請求項５】　一般式（Ｉ）のＹが２〜６個の芳香族基が単結合、エーテル結合、カルボニル結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ二価の有機基である請求項１のｉ線露光用感光性組成物。
【請求項６】　以下の工程：
（Ａ）芳香族ポリイミド前駆体（ａ）と光重合開始剤（ｂ）と溶剤（ｃ）を含むｉ線露光用感光性組成物の基材への塗布工程、
（Ｂ）ｉ線を光源とした塗膜の露光工程、
（Ｃ）現像液による非露光部分の除去工程、および
（Ｄ）得られたパターンの加熱処理工程
からなり、上記ｉ線露光用感光性組成物が請求項１のｉ線露光用感光性組成物であることを特徴とするポリイミドパターンの形成方法。」
　
【２】特許異議申立の理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１号証（特開平４−５２６４７号公報）、甲第２号証（Journal　of　Applied　Polymer　Science，Vol．38，（1989）pp．389−402）、甲第３号証（特開平３−７１６３３号公報）、甲第４号証（ラドテック研究会年報、Ｎｏ．４、（１９９１）、第１８１〜１８６頁）、甲第５号証（「ポリイミド樹脂」平成３年２月２５日、株式会社技術情報協会発行、第１０３〜１１４頁）、甲第６号証（インターネプコン・ジャパン／セミコンダクター展’８５セミナープログラム講演予稿集、「Ｎ２−１　半導体コーティング剤」、第１〜１６頁）および甲第７号証（化学大辞典編集委員会編「化学大辞典９」、昭和４９年３月１０日、共立出版株式会社発行、第５７８〜５７９頁）を提示し、本件の各発明が甲第１号証および甲第２号証に記載の公知事項から、あるいは甲第１号証および甲第２号証と甲第３号証〜甲第７号証に記載の公知（周知）事項のいずれかとの組合せから、当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない旨主張し、特許を取り消すべきものである旨主張している。
　
【３】各甲号証等に記載の発明
（１）甲第１号証
　甲第１号証には、以下の事項が記載されている。
（ａ）「（ａ）一般式
（ただし、式中Ｒ１は少なくとも２個以上の炭素原子を有する３価または４価の有機基、Ｒ２は少なくとも２個以上の炭素原子を有する２価の有機基、Ｒ３は水素またはアルカリ金属対イオンを表わす。ｎは１または２である）で表わされる構造単位［１］を主成分とするポリマと、
（ｂ）化学線により、２量化または重合可能な不飽和結合および、アミノ基または、その４級化塩を含む化合物［２］と、
（Ｒ４、Ｒ５は、少なくとも２個以上の炭素原子を有する１価の有機基、Ｒ６は少なくとも３個以上の炭素原子を有する１価の有機基を表わす。）で表わされるクマリン化合物［３］と、
（ｄ）置換基を有しないか、或いは中性又は酸性の置換基を有する芳香族モノアジド化合物［４］とからなる化学線感応性重合体組成物。」
（特許請求の範囲）
（ｂ）「本発明は、・・（中略）・・からなる化学線感応性の組成物を構成したもので、感光性に優れた効果を発揮し、従来の感光性ポリイミドに見られない高圧水銀灯のｇ線による露光で高感度を示し、さらに解像度の良いパターンが得られる。」
（第７頁右上欄第３行〜第１２行）
（ｃ）「実施例１
　４，４−ジアミノジフェニルエーテル１９２．２ｇ、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン９．９４ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１８９０ｇに溶解し、アミン溶液を調整した。このアミン溶液にベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水物３１５．７ｇを加えて、５０℃で３時間反応させ、２５℃で１５０ポアズのポリマ溶液（Ａ）を得た。このポリマ溶液（Ａ）にジメチルアミノエチルメタクリレート３７０ｇを混合し、次いで３，３’−カルボニル−ビス（７−ジエチルアミノクマリン）１０．３５ｇ、ｐ−アジドベンザルアセトフェノン２０．７１ｇ、ミヒラーケトン１０．３５ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１００ｇに溶解した溶液を混合し、濾過した。
　得られた溶液をスピンナーでシリコンウェハー上に回転塗布し、次いでクリーンオーブン・・（中略）・・を用いて８０℃で４５分乾燥を行った。得られた塗膜の膜厚は１３．０μｍであった。次に、この塗膜を露光機・・（中略）・・を介して２分間露光を行った。この時の紫外線の強度は５ｍＷ／ｃｍ２（４３６ｎｍ）であった。
・・（中略）・・
　この後、２００℃、３５０℃で３０分間ずつ熱処理し、光学顕微鏡を用いてパターンを観察したところ、２０μｍのビアホールが基板全面に解像されていた。」
（第７頁左下欄第８行〜第８頁右上欄第２行）
　ここで、技術的常識および本件明細書の記載（製造例３、段落［００６７］）からみて、甲第１号証の実施例に係る上記（ｃ）において、ポリマ溶液（Ａ）にジメチルアミノエチルメタクリレートを添加溶解することにより、ポリアミド酸の遊離カルボキシル基の少なくとも一部がアンモニウム塩となっているものと解される。
　以上の記載事項からみて、甲第１号証には、「一般式で示されるポリマ（ａ）の化合物（ｂ）との反応生成物であるポリマーアンモニウム塩化合物、光重合開始剤および溶剤を含む感光性組成物」の発明（以下「甲第１号証記載の発明」という。）が記載されている。
（２）甲第２号証
　甲第２号証には、以下の事項が記載されている。
（ａ）溶剤に可溶で透明な含フッ素感光性ポリイミド前駆体の合成と物性
（第３８９頁上段、題名）
（ｂ）表１「合成した感光性ポリイミド前駆体の構造と物性」（第３９１頁）
　上記表１には、本件発明における一般式（Ｉ）に該当するＰＭＤＡ−４，４’ＤＤＥなる重合体が記載され、重量平均分子量が１０６００である点も記載されている。
（ｃ）溶解性と透明性
　感光性ポリイミド前駆体はすべて、まずＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に適当な濃度で溶解し、次いで重合開始剤であるベンゾフェノン（ＢＰ）および増感剤のミヒラーズケトン（ＭＫ）を加えた。この溶液を使用しスピンコート法によりシリコンウェハ上に感光性薄膜を形成させ、９０℃で３０分プリベークした後、各試料の面積の半分を超高圧水銀ランプ（ウシオ電機製）で露光した。試料を一定の条件下で各種の溶剤で現像した後、露光部と非露光部のポリマー層の厚さを測定した。
　透明性については、感光性ポリイミド前駆体で３μｍの薄膜を石英ガラス上に作り、紫外線（ＵＶ）分光光度計（日立製、２００−２０型）で測定した。
（第３９２頁第３行〜第１５行）
（ｄ）結果と考察
　溶剤溶解性および透明性
・・（中略）・・
　図１に厚さ３μｍの感光性ポリイミド前駆体薄膜の紫外−可視スペクトルを示す。吸収帯域が低波長側にシフトしていることから明らかなように、含フッ素ポリマーの方がＰＭＤＡ−４，４’ＤＤＥに比べて透明である。特にＢＰＤＡ−ＡＭＨＦＰポリマーは３６５ｎｍの波長で９０％と最高の透過率を示しており、その際のＰＭＤＡ−４，４’ＤＤＥの透過率はわずか２０％に過ぎない。
・・（後略）
（第３９３頁第１行〜第３４行）
（ｅ）図１（第３９５頁上段）
　図１には、３μｍ厚のＰＭＤＡ−４，４’ＤＤＥポリマー薄膜が、３６５ｎｍの波長で約２０〜２５％の透過率を示す点が記載されている。
（ｆ）図２は、図１における各ポリマーの３６５ｎｍにおけるεｃを式（１）に代入して計算した各感光性ポリイミド前駆体についてのＩα／ＩｏとＬの関係を示す。ＰＭＤＡ−４，４’ＤＤＥは３６５ｎｍに強い吸収をもつため、表面から１０μｍ中では、照射光（Ｉｏ）の１４％しか到達していない。すなわち、３６５ｎｍに強い吸収をもつ感光性ポリイミド前駆体は、特に膜が厚くなると充分な感度やパターン特性を有し得ないということになる。
（第３９５頁中段第２行〜第９行）
（ｇ）図２（第３９５頁下段）
　図２には、吸光比（Ｉα／Ｉｏ）とフィルム厚さとの関係が示され、ＰＭＤＡ−４，４’ＤＤＥは、フィルム厚さ３μｍで約０．４５、１０μｍで約０．９の吸光比を有している点が記載されている。
　以上の記載事項からみて、甲第２号証には、「フッ素を含有せず、遊離カルボキシル基を有しないＰＭＤＡ−４，４’ＤＤＥなる不飽和エステル化感光性ポリイミド前駆体、光重合開始剤および溶剤を含む感光性組成物であり、当該感光性組成物を塗布乾燥後に形成される感光性組成物のフィルムの波長３６５ｎｍにおける吸光比が、膜厚１０μｍ当り０．９である組成物」の発明（以下「甲第２号証記載の発明」という。）が記載されている。
（３）甲第３号証
　以下、甲第３号証〜甲第７号証の各甲号証について、記載事項を摘示するが、要約して摘示していく。
　甲第３号証には、特定の芳香族テトラカルボン酸二無水物、ＯＨ基等を有する芳香族ジアミンおよび特定のポリシロキサンジアミンからなるポリイミド樹脂にアクリロイル基等の不飽和基を有する化合物を反応させた変性ポリイミド樹脂の溶液を半導体素子表面に塗布し、ｉ線等の紫外線または電子線で硬化した後現像してパターンを形成する半導体装置の製造方法が記載されている。
（４）甲第４号証
　甲第４号証には、光硬化性樹脂の吸光度と光の吸収の関係について、吸光度は高い方が光の吸収率が上がるが、表面付近の吸収が大きすぎるため内部での光の吸収が減り、内部硬化不良をもたらす旨記載され、そして、塗膜内部の最深部における光の吸収率が最大となる塗膜の吸光度が、０．４３であることも記載されている。
（５）甲第５号証
　甲第５号証には、酸無水物残基として電子供与基を有する芳香族基からなるポリイミド樹脂が光透過性が高く、ジアミン残基として電子吸引基を有する芳香族基ないし２つの芳香環をそれぞれのメタ位で連結した芳香族基からなるポリイミド樹脂が光透過性が高い点がそれぞれ記載されている。
（６）甲第６号証
　甲第６号証には、感光性ポリイミドの耐（熱）水性および接着性について記載されており、「フォトニース」なる製品が、熱処理の後、ＰＣＴ試験で２００時間行っても基板との接着性に変化がなかった点も記載されている。
（７）甲第７号証
　甲第７号証には、ランベルトの法則について記載されている。
　
【４】当審の判断
（１）本件第１発明に係る対比・判断
　まず、本件第１発明と甲第１号証記載の発明とを比較すると、上記甲第１号証には、本件特許に係る各発明の特徴的な構成に欠くことができない事項である下記（Ａ）の事項に係る記載ないし当該各事項を示唆し得る記載がない。
（Ａ）本件第１発明では、感光性組成物を塗布乾燥後に形成されるｉ線露光用感光性組成物のフィルムの波長３６５ｎｍにおける吸光度が、膜厚１０μｍ当り１．５以下であるのに対して、甲第１号証には、感光性フィルムの吸光度に係る記載がない点。
　次に、本件第１発明と甲第２号証記載の発明とを比較すると、上記甲第２号証には、本件特許に係る各発明の特徴的な構成に欠くことができない事項である下記（Ｂ）ないし（Ｃ）の事項に係る記載ないし当該各事項を示唆し得る記載がない。
（Ｂ）本件第１発明では、不飽和結合を有するアミン化合物でアンモニウム塩を形成してなる芳香族ポリイミド前駆体を使用するのに対して、甲第２号証には、当該アンモニウム塩ポリマーに係る記載がない点。
（Ｃ）本件第１発明では、ＸないしＹの官能基としてフッ素を含まない一般式（Ｉ）のアンモニウム塩を形成した繰り返し単位からなる感光性ポリイミド前駆体を含む感光性フィルムであって、当該フィルムの波長３６５ｎｍにおける吸光度が、膜厚１０μｍ当り１．５以下であるのに対して、甲第２号証には、フッ素を含有する不飽和エステル化した感光性ポリイミド前駆体を使用した場合、吸光度が本件発明で規定の範囲になるが、フッ素を含まないものを使用すると、吸光度が上記範囲外の大きなものになる点が記載され、フッ素を含まないものを使用した場合について、上記範囲内の吸光度を有する感光性ポリイミド前駆体に係る記載がない点。
　してみると、甲第２号証記載の発明における感光性ポリイミド前駆体は、本件第１発明で使用されているものと化学構造が明らかに異なり、さらに、フッ素を含有しない感光性ポリイミド前駆体が、本件第１発明の吸光度に係る規定を満足しない旨記載されているのであるから、甲第１号証記載の発明に甲第２号証記載の発明を組み合わせるべき動機となる事項がなく、さらに、甲第２号証記載の知見は、当該組み合わせを阻害するものと解される。
　また、本件第１発明は、上記相違点に係る構成事項を有することにより、本件特許明細書に記載の所期の優れた効果を奏するものであり、当該相違点は、実質的なものと認められる。
　そして、甲第３号証ないし甲第７号証の各証拠等の記載内容を検討しても、上記見解を覆すべき根拠となる事項はない。
　したがって、本件第１発明は、甲第１号証ないし甲第７号証に記載の事項から当業者が容易に発明し得たものではない。
（２）本件第２発明ないし本件第６発明に係る対比・判断
　次いで、本件第２発明ないし本件第６発明について検討すると、当該各発明は、本件第１発明の感光性組成物について、構成に欠くことができない事項をさらに限定するものか、あるいは本件第１発明の組成物を使用してなるパターンの形成方法に係るものであるから、本件第１発明と同一の上記理由により、甲第１号証ないし甲第７号証に記載の事項から当業者が容易に発明し得たものではない。
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本件特許に係る明細書の特許請求の範囲に記載の各発明は、申立人が提示した特許異議申立の理由および証拠方法によって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものとすることができず、当該発明に係る本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月３１日（２０００．３．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　▲１▼　特許請求の範囲の請求項１を下記の通りに訂正する。
「
　【請求項１】　（Ａ）一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位
からなる
　【化１】
〔式中Ｘは四価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜４個のフッ素原子を含まない芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して結合した化学構造をもつ四価の有機基であって、−ＣＯＲ基及び−ＣＯＲ′基と−ＣＯＮＨ−基とは互にオルト位置にあり、ＲとＲ′は各々独立に−Ｏ−Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６又は−ＯＨ（ただ
しＲ３は
（Ｂ）光重合開始剤、及び
（Ｃ）溶剤
を含むｉ線露光用感光性組成物において、
上記の芳香族ポリイミド前駆体ポリマーにおける（ｉ）アミド結合濃度が２．４２ｍｏｌ／ｋｇ以下であること、及び／又は
（ｉｉ）Ｘが結合基の存在する芳香族基において非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有する四価の基であること、及び／又は
Ｙが（
　【化２】
〔式中Ａは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基または一般式（ＩＩ−１）
　【化３】
（式中Ｂは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基、ｋは０または１）
で示される基、ｍは０または１）
で示される二価の基であること、又は
（ｉｉｉ−３）一般式（ＩＩＩ）
　【化４】
で示される二価の基であること、又は
（ｉｉｉ−４）結合基の存在する芳香族基またはこれとエーテル結合を介して隣接する芳香族基において非プロトン性の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学構造を有する二価の基であること、
を特徴とし、かつ上記のｉ線露光用感光性組成物を塗布乾燥後に形成されるｉ線露光用感光性組成物のフィルムの波長３６５ｎｍにおける吸光度が、膜厚１０μｍ当り１．５以下であることを特徴とするｉ線露光用感光性組成物。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　▲２▼　明細書の【０００８】を次の通りに訂正する。
「　　【０００８】
　すなわち、本発明は、
（Ａ）一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなる、アミド結合濃度１．５ｍｏｌ／ｋｇ以上である芳香族ポリイミド前駆体（以下「ポリイミド前駆体」という）、」
　▲３▼　明細書の【００１０】を次の通りに訂正する。
「　　【００１０】
　〔式中Ｘは四価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜４個のフッ素原子を含まない芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して結合した化学構造をもつ四価の有機基であって、−ＣＯＲ基及び−ＣＯＲ′基と−ＣＯＮＨ−基とは互にオルト位置にあり、ＲとＲ′は各々独立に−Ｏ−Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６又は−ＯＨ（ただしＲ３はそれぞれ独立にかつ一種類とは限らずエチレン性不飽和結合を一部に有する有機基、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基）であり、少なくとも一部の繰り返し単位中のＲ又Ｒ′は−ＯＨ以外の残基であり、Ｙは二価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜６個の芳香族基が単結合、エーテル結合、チオニーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、２，２−プロピレン結合、スルホキシド結合及ぴスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ、フッ素原子を含まない二価の有機基である〕　　　」
　▲４▼　明細書の【００１１】を次の通りに訂正する。
「　　【００１１】
（Ｂ）光重合開始剤、及び
（Ｃ）溶剤
を含むｉ線露光用感光性組成物において、
上記のポリイミド前駆体における
（ｉ）アミド結合濃度が２．４２ｍｏｌ／ｋｇ以下であること、及び／又は（ｉｉ）Ｘが結合基の存在する芳香族基において非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有する四価の基であること、及び／又はＹが（ｉｉｉ−２）一般式（ＩＩ）　　　　　　　　　　　　　　　」
（５４）【発明の名称】
ｉ線露光用組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　（Ａ）一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位
からなる
　【化１】
〔式中Ｘは四価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜４個のフッ素原子を含まない芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して結合した化学構造をもつ四価の有機基であって、−ＣＯＲ基及び−ＣＯＲ′基と−ＣＯＮＨ−基とは互にオルト位置にあり、ＲとＲ′は各々独立に−Ｏ−Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６又は−ＯＨ（ただ
しＲ３は
（Ｂ）光重合開始剤、及び
（Ｃ）溶剤
を含むｉ線露光用感光性組成物において、
上記の芳香族ポリイミド前駆体ポリマーにおける（ｉ）アミド結合濃度が２．４２ｍｏｌ／ｋｇ以下であること、及び／又は
（ｉｉ）Ｘが結合基の存在する芳香族基において非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有する四価の基であること、及び／又は
Ｙが（
　【化２】
〔式中Ａは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基または一般式（ＩＩ−１）
　【化３】
（式中Ｂは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基、ｋは０または１）
で示される基、ｍは０または１〕
で示される二価の基であること、又は
（ｉｉｉ−３）一般式（ＩＩＩ）
　【化４】
で示される二価の基であること、又は
（ｉｉｉ−４）結合基の存在する芳香族基またはこれとエーテル結合を介して隣接する芳香族基において非プロトン性の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学構造を有する二価の基であること、
を特徴とし、かつ上記のｉ線露光用感光性組成物を塗布乾燥後に形成されるｉ線露光用感光性組成物のフィルムの波長３６５ｎｍにおける吸光度が、膜厚１０μｍ当り１．５以下であることを特徴とするｉ線露光用感光性組成物。
　　【請求項２】　芳香族ポリイミド前駆体が請求項１における条件（ｉ）を満足する請求項１のｉ線露光用感光性組成物。
　　【請求項３】　芳香族ポリイミド前駆体が請求項１における条件（ｉｉｉ−２）又は（ｉｉｉ−３）を満足する請求項１のｉ線露光用感光性組成物。
　　【請求項４】　一般式（Ｉ）のＸが２〜４個の芳香族基が単結合、エーテル結合、カルボニル結合、スルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ四価の有機基である請求項１のｉ線露光用感光性組成物。
　　【請求項５】　一般式（Ｉ）のＹが２〜６個の芳香族基が単結合、エーテル結合、カルボニル結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ二価の有機基である請求項１のｉ線露光用感光性組成物。
　　【請求項６】　以下の工程：
（Ａ）芳香族ポリイミド前駆体（ａ）と光重合開始剤（ｂ）と溶剤（ｃ）を含むｉ線露光用感光性組成物の基材への塗布工程、
（Ｂ）ｉ線を光源とした塗膜の露光工程、
（Ｃ）現像液による非露光部分の除去工程、および
（Ｄ）得られたパターンの加熱処理工程
からなり、上記ｉ線露光用感光性組成物が請求項１のｉ線露光用感光性組成物であることを特徴とするポリイミドパターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体デバイス、多層配線基板などの電気・電子材料の製造用として有用な新規感光性組成物に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、今後半導体製造プロセスにおいて主流になる短波長の光源を用いて画像形成し、ポリイミドのパターンを得るのに適した感光性組成物に関するものである。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　ポリイミド樹脂は、その高い熱的及び化学的安定性、低い誘電定数及び優れた平坦化能のために、マイクロエレクトロニクス関係の材料として注目されるようになってきた。これらは、半導体の表面保護膜、層間絶縁膜、あるいはマルチチップモジュールなどの材料として広く使われている。
　ところで、通常のポリイミド樹脂膜からリソグラフィー技術を利用して所望のパターンを形成するには、一担形成したポリイミド膜の上にフォトレジストとフォトマスクを用いて、フォトレジストのパターンを形成した後、エッチング法によりポリイミド樹脂のパターン化を行うという間接的な方法がとられている。
　　　【０００３】
　しかしながら、この方法では、フォトレジストのパターンを形成させ、これをマスクとしてポリイミド樹脂をエッチングし、その後で不要になったフォトレジストパターンの剥離を行わなければならないため工程が複雑になり、その上にヒドラジンのような有毒物質を使用する必要があり、また間接的なパターン形成により解像度の低いパターンしか得られないなどの好ましくない点がある。
　このため、近年ポリイミド前駆体に、光重合性の感応基を導入し、直接パターンを形成させる方法などが研究され、エステル結合、アミド結合、イオン結合などを介して一重結合を有する化合物を結合したポリアミド酸誘導体を、光開始剤等によって不溶化させ、現像処理したのち、加熱して感光基成分を除去して、熱安定性を有するポリイミドに変換する方法などが提案されている〔山岡，表、「ポリファイル」、第２７巻、第２号、第１４〜１８頁（１９９０年）〕。この技術は、一般に感光性ポリイミドと呼ばれている。
　　　【０００４】
　ところで、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体素子の集積度に対する要求は年々高まっており、それとともに、微細加工可能な技術の開発が必要になってきている。そして、その技術の１つとして、フォトレジストのパターン形成時の露光の光線として、通常のＧ線（波長４３６ｎｍ）の代りに、高解像度を望みうる短波長の光線、例えば波長３６５ｎｍのｉ線を用いることが試みられ、通常のフォトレジストに対してはかなりの成果をあげている。このため、今後半導体製造工場の露光装置はすべてｉ線を光源として用いるものになることが予想されている。
　　　【０００５】
　しかしながら、感光性ポリイミド前駆体組成物の場合は、通常のフォトレジストとは異なり、主成分であるポリイミド前駆体のｉ線に対する吸光度が比較的大きく、また、熱処理後のポリイミド塗膜は、物性上６μｍ以上の膜厚が求められるような用途に用いられることが多く、熱処理時の感光基の揮発分による収縮を考慮して露光時には１２μｍ程度又はそれ以上の比較的厚い塗布膜厚さをとっているため、現在用いられているものを用いた場合には、ｉ線が十分に塗膜底部まで到達せず、塗膜下面の硬化が不十分になり、パターンが底部からすくわれて流れるという理由により一定以上の厚さのポリイミドを得るためにはｉ線を光源として用いることが困難なことが知られている〔「ＩＥＥＥ／ＳＥＭＩアドバンスド・セミコンダクター・マニュファクチャーリング・コンフェランス（Ｃ．Ｓｃｈｃｋｅｔ，ｅｔ　ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）」、論文集、第７２〜７４頁（１９９０年）〕。このためｉ線を用いる場合には、十分な膜厚を得るため何度かに分けて薄膜のパターンを積み重ねていくことになり、精度が上がらずかつ工程が複雑になり実用的でない。また、塗膜のｉ線透過率が高いポリイミド前駆体としては、フッ素を有するものがこれまで知られていた〔「ジャーナル・オプ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｔ．Ｏｍｏｔｅ，Ｔ．Ｙａｍａｏｋａ．ａｎｄ　Ｋ．ｋｏｓｅｉ，Ｊ．Ａｐｐｌｄ．Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉ．）、第３８巻、第３８９〜４０２頁（１９８９年）〕。しかしながら、この前駆体を加熱硬化後に得られる主骨格にフッ素を含むポリイミドは、半導体デバイスや多層配線基板を構成する際、他の併用する材料例えばベースの無機材料やコーティング層のエポキシ樹脂、配線用の金属などとの接着力が低く実用性を欠くという欠点がある。このため、これまでｉ線を用いてパターン形成を行いうる感光性ポリイミド前駆体組成物で実用に供しうるものは、まだ得られていないというのが実情であった。
　　　【０００６】
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、このような事情に鑑み一定以上の膜厚でｉ線によるパターン形成が可能で、実用に供しうる感光性ポリイミド前駆体組成物を提供することを目的としてなされたものである。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、ｉ線によるパターン形成が可能な感光性ポリイミド前駆体組成物について、種々研究を重ねた結果、数種類の特定の化学構造を有するか及び／又は特定のアミド結合濃度のポリイミド前駆体を含み、かつ塗布乾燥後に得られるフィルムが特定の吸光度を示すように調製した感光性ポリイミド前駆体組成物を用いると、ｉ線により、良好なパターンが形成され、しかもそのパターンを熱硬化後に得られるポリイミドが優れた塗膜物性を示すとともにエポキシ樹脂、無機材料及び金属との接着力も良好であり、かつ優れた耐水性を示すことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
　　　【０００８】
　すなわち、本発明は、
（Ａ）一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位からなる、アミド結合濃度１．５ｍｏｌ／ｋｇ以上である芳香族ポリイミド前駆体（以下「ポリイミド前駆体」という。）、
　　　【０００９】
　【化５】
　　　【００１０】
〔式中Ｘは四価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜４個のフッ素原子を含まない芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して結合した化学構造をもつ四価の有機基であって、−ＣＯＲ基及び−ＣＯＲ′基と−ＣＯＮＨ−基とは互にオルト位置にあり、ＲとＲ′は各々独立に−Ｏ−Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６又は−ＯＨ（ただしＲ３はそれぞれ独立にかつ一種類とは限らずエチレン性不飽和結合を一部に有する有機基、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は各々水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基）であり、少なくとも一部の繰り返し単位中のＲ又Ｒ′は−ＯＨ以外の残基であり、Ｙは二価のフッ素原子を含まない芳香族基又は２〜６個の芳香族基が単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、メチレン結合、２，２−プロピレン結合、スルホキシド結合及びスルホン結合の中から選ばれた少なくとも１種の結合を介して相互に連結した化学構造をもつ、フッ素原子を含まない二価の有機基である〕
　　　【００１１】
（Ｂ）光重合開始剤、及び
（Ｃ）溶剤
を含むｉ線露光用感光性組成物において、
上記のポリイミド前駆体における
（ｉ）アミド結合濃度が２．４２ｍｏｌ／ｋｇ以下であること、及び／又は
（ｉｉ）Ｘが結合基の存在する芳香族基において非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有する四価の基であること、及び／又はＹが（ｉｉｉ−２）一般式（ＩＩ）
　　　【００１２】
　【化６】
〔式中Ａは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基または一般式（ＩＩ−１）
　　　【００１３】
　【化７】
（式中Ｂは−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｏ−、−Ｓ−、ｍ−ジオキシフェニレン基、ｐ−ジオキシフェニレン基、ｋは０または１）
で示される基、ｍは０または１〕
で示される二価の基であること、又は、
（ｉｉｉ−３）一般式（ＩＩＩ）
　　　【００１４】
　【化８】
　　　【００１５】
で示される二価の基であること、又は、
（ｉｉｉ−４）結合基の存在する芳香族基またはこれとエーテル結合を介して隣接する芳香族基において非プロトン性の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学構造を有する二価の基であること、
を特徴とし、かつ上記のｉ線露光用感光性組成物を塗布乾燥後に形成される感光性組成物のフィルムの波長３６５ｎｍにおける吸光度が、膜厚１０μｍ当り１．５以下であることを特徴とするｉ線露光用感光性組成物、を提供するものである。
　　　【００１６】
　本発明の組成物において、（Ａ）成分として用いるポリイミド前駆体は、上記一般式（Ｉ）で表される。
　一般式（Ｉ）のＸ、Ｙの芳香族基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環を有する基が、本発明の感光性組成物を加熱硬化して得られるポリイミド塗膜の耐熱性が高くなるので好ましい。同様の理由により芳香族の結合基としては、単結合、エーテル結合、カルボニル結合及びスルホン結合の中から選ばれた一種または二種以上が好ましい。
　　　【００１７】
　一般式（Ｉ）の−ＣＯＲ基、又は−ＣＯＲ′基が一般式（Ｖ−２）
　　−ＣＯ−ＮＨＲ２・・・（Ｖ−２）
（式中のＲ２は前記と同じ意味をもつ）
で表わされるアミド基で表される場合、アミド基としては、Ｎ−（２−アクリロイルオキシエチル）−アミノカルボニル基、Ｎ−（２−メタクリロイルオキシエチル）−アミノカルボニル基などのエチレン性不飽和結合をもつ基を含むことが必要であり、これ以外にメチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、Ｎ（２−エトキシエチル）アミノカルボニル基などのエチレン性不飽和結合を含まない基を含んでもかまわない。
　　　【００１８】
　一般式（Ｉ）の−ＣＯＲ基又は−ＣＯＲ′基が一般式（Ｖ−３）
　　−ＣＯ−Ｏ−・Ｎ＋Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｒ６・・・（Ｖ−３）
（式中のＲ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は前記と同じ意味をもつ）
で表わされる置換アンモニウム付加塩型のカルボン酸残基である場合、置換アンモニウム付加塩型のカルボン酸残基としては、メタクロイルオキシエチル・トリメチルアンモニウム付加塩型カルボン酸残基、アクリロイルオキシエチル・ジメチルアンモニウム付加塩型カルボン酸残基、などのエチレン性不飽和結合を含むことが必要であり、これ以外にＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６のすべてが水素原子あるいは炭化水素基であるような基を含んでもかまわない。
　　　【００１９】
　ポリイミド前駆体のすべての繰り返し単位の−ＣＯＲ基又は−ＣＯＲ′基が上記の（Ｖ−２）または（Ｖ−３）で示される基である必要はなく、繰り返し単位中の−ＣＯＲ基又は−ＣＯＲ′基の一部が上記の基であり、他はカルボン酸基であれば足りる。
　　　【００２０】
　本発明の組成物において、（Ａ）成分として用いるポリイミド前駆体は、アミド結合濃度が１．５ｍｏｌ／ｋｇ以上であることが必要である。ここでいうアミド結合濃度とは、ポリイミド前駆体中の繰り返し単位の分子量あるいはポリイミド前駆体が数種類の繰り返し単位を有する場合にはそれぞれの分子量とモル分率から計算される平均分子量で２０００を除した値であり、これは１ｋｇのポリイミド前駆体中に存在するアミド基のモル数を表わすパラメータである。アミド結合濃度が１．５ｍｏｌ／ｋｇ未満の場合、耐熱性が著しく低下する。
　　　【００２１】
　本発明の組成物において、（Ａ）成分として用いる芳香族ポリイミド前駆体ポリマーは、耐熱性高分子化合物の前駆体として既に知られているものであり、公知の方法、例えば、デービス（Ｄａｖｉｓ）らの方法［「ケミカル・アンド・エンジニアリング・ニューズ（Ｃｈｅｍ．＆　Ｅｎｇ．Ｎｅｗｓ）」、１９８３年９月２６日号、第２３頁］などによって製造することができる。その他、特開昭６１−７２０２２号公報、特開平３−２２０５５８号公報、特公昭５９−５２８２２号公報に記載されている方法などによって製造することもできる。
　　　【００２２】
　これらの方法によれば、ポリイミド前駆体は、一般式（ＩＶ）で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物（以下ＡＴＣ二無水物と称する）、下記一般式（Ｖ）で表される芳香族ジアミノ化合物を原料の一部として用いることにより製造される。
　　　【００２３】
　【化９】
　　　【００２４】
　　Ｈ２Ｎ−Ｙ−ＮＨ２・・・（Ｖ）
（式中Ｙは前記と同じ）
　フッ素基及びトリフルオロメチル基のようなフッ素原子を含む基を有する化合物を本発明のポリイミド前駆体の原料として用いた場合には、感光性組成物を加熱硬化した後に得られるフッ素原子を含むポリイミドが他の併用する材料との接着性が低く実用性を欠くため好ましくない。
　　　【００２５】
　本発明の感光性組成物を得るためには、特定の条件のポリイミド前駆体を用いる必要があるが、この条件は単一のものではなく、複数のものから選ばれた条件を１種あるいは２種以上組み合わせて用いてもいずれも、組成物の他の条件を満足する限りにおいて本発明に用いることができる。具体的にはポリイミド前駆体は（ｉ）〜（ｉｉｉ−４）の少なくとも一つを満足することが必要である。
　　　【００２６】
　アミド結合濃度は１．５ｍｏｌ／ｋｇ以上必要であり、かつアミド濃度が２．４２ｍｏｌ／ｋｇ以下であれば構造には無関係に本発明の組成物を得ることができる。
　また、ポリイミド前駆体中のアミド結合の濃度が低いほど、生成したポリマー塗膜のｉ線吸収値が低くかつ熱処理後のポリイミドフィルムの耐水性が高くなる。また、ポリイミド前駆体中のアミド結合濃度が２．０〜２．４５ｍｏｌ／ｋｇのポリイミド前駆体を用いると、得られるポリイミド膜の機械強度及び耐熱性がさらに高いものを得ることができるのでさらに好ましい。
　　　【００２７】
（ｉｉ）の条件のポリイミド前駆体を製造する場合は、ＡＴＣ二無水物のうちで、カルボン酸無水物基が存在する芳香族基が、非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有するＡＴＣ二無水物を用いる。ここで非プロトン性の基とはアルコール、アミン、カルボン酸などの活膨大素を有する基以外の基を表わす。また電子供与基とは、ここではＨａｍｍｅｔｔ関係則におけるσｐまたはσｍの値が負の値をとる置換基を言い、このような関係則及び数値については例えば化学便覧、基礎編ＩＩ、第３６５項（日本化学会編、丸善１９８４年）等によって広く知られている。
　　　【００２８】
　非プロトン性の電子供与基として具体的な好ましい例としては、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリアルキルシリル基、ベンジル基、アルキル基などを挙げることができ、カルボン酸無水物基が存在する芳香族基が非プロトン性の電子供与基によって置換された芳香族基の化学構造を有する芳香族ＡＴＣ二無水物の具体的な好ましい例としては、３，３′，４，４′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、１，４−ジメトキシ−２，３，５，６−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、１，４−ジトリメチルシリル−２，３，５，６−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシルフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシルフェノキシ）ベンゼン二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシルフェノキシ）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシルフェノキシ）メチルアミン二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシルフェノキシ）ビフェニル二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシルフェノキシ）ジフェニルスルフォン二無水物、などを挙げることができる。
　　　【００２９】
　また、本発明においては、本発明の感光性組成物のフィルムの３６５ｎｍの波長における吸光度が膜厚１０μ当り１．５以下である限り、上記以外の一般式（ＶＩ）で示されたＡＴＣ二無水物を必要に応じて上記のＡＴＣ二無水物に混合して、あるいは以下に述べる特定の芳香族ジアミノ化合物と組み合わせるか、およびまたは特定のアミド結合濃度の芳香族ポリイミド前駆体に用いる場合には単独で用いることができる。
　　　【００３０】
　このような化合物の具体例としては、−ピロメリット酸二無水物、２，３，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−キノリンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルスルフィドテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホキシドテトラカルボン酸二無水物などを用いることができ、その他１，２，８，９−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシルフェニルスルフォニル）ベンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシルフェニルチオ）ベンゼン二無水物、３，３″，４，４″−タ−フェニルテトラカルボン酸二無水物、４−フェニルベンゾフェノン−３，３″，４，４″−テトラカルボン酸二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシルベンゾイル）−ベンゼン二無水物、３，３′′′，４，４′′′−クアチルフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシルフェノキシ）ベンゾフェノン二無水物、４，４′ビス（３，４−ジカルボキシルフェノキシ）ジフェニルスルホキシド二無水物なども用いることができる。
　　　【００３１】
　（ｉｉｉ−２）の条件を満足するポリイミド前駆体を製造する場合は、Ｙが前述の一般式（ＩＩ）で示される二価の基であるような芳香族ジアミノ化合物を用いる。これらの芳香族ジアミノ化合物の具体的な好ましい例としては、例えば４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′−ジアミノジフェニル、３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、
　　　【００３２】
３，３′−ジアミノベンゾフェノン、３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルメタン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルスルフィドなどが挙げられる。
　　　【００３３】
　（ｉｉｉ−３）の条件を満足するポリイミド前駆体を製造する場合は、Ｙが前述の一般式（ＩＩＩ）で示される二価の基であるような芳香族ジアミノ化合物を用いる。これらの芳香族ジアミノ化合物の具体的な好ましい例としては、例えば４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフォキシド、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルフォキシド、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゾフェノンなどが挙げられる。
　　　【００３４】
　（ｉｉｉ−４）の条件を満足するポリイミド前駆体を製造する場合は、芳香族ジアミノ化合物のうちで、アミノ基が存在する芳香族基またはこれとエーテル結合を介して隣接する芳香族基において非プロトン性の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学構造を有する芳香族ジアミノ化合物を用いる。ここでは電子吸引基とは、前出のδｐまたはδｍの値が０．２以上の値をとるような置換基を言う。非プロトン性の電子吸引基としては、アシルオキシ基、アシルアミノ基、ハロゲン基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、ニトリル基、アルキルスルフォン基、ニトロ基、アルコキシスルフォン基などを挙げることができる。
　　　【００３５】
　アミノ基が存在する芳香族基またはこれとエーテル結合を介して隣接する芳香族基においてフッ素原子を含まない非プロトン性の電子吸引基によって置換された芳香族基の化学構造を有する芳香族ジアミノ化合物の具体的な好ましい例としては、４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフォキシド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフォン、４，４′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニルスルフォニル〕ジフェニルエーテル、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフォン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゾフェノン、１，４−ビス（４−アミノフェニルスルフォニル）ベンゼン、１，４−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニルスルフォニル〕ベンゼン、４，４′−ビス（４−アミノフェニルスルフォニル）ジフェニルエーテル、３，５−ジアミノ安息香酸エチルエステル、２，４−ジアミノベンズアミド、３，５−ジアミノベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−３′，５′−ジアミノベンゾフェノン、３，５−ジアミノ安息香酸（メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル）エステル、３，５−ジアミノアセトアニリド、４−クロロ−ｍ−フェニレンジアミン、３，５−ジアミノベンゾニトリル、５−ニトロ−ｍ−フェニレンジアミンなどを挙げることができる。
　　　【００３６】
　また、本発明の感光性組成物のフィルムの３６５ｎｍにおける吸光度が１０μｍあたり１．５以下である限りにおいて、上記の特定の化学構造を有する芳香族ジアミノ化合物以外の一般式（Ｖ）で表わされる芳香族ジアミノ化合物を必要に応じて上記の特定の化学構造を有する芳香族ジアミノ化合物に混合して、あるいは前記の特定の化学構造を有するＡＴＣ無水物と組み合わせるか、およびまたは特定のアミド結合濃度のポリイミド前駆体に用いる場合には単独で用いることもできる。
　　　【００３７】
　このような芳香族ジアミノ化合物の具体的な好ましい例としては、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルスルフイド、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、１，４−フェニレンジアミン、２，７−ナフタレンジアミン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジクロロ−４，４′−ジアミノビフェニル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、５，８−ジアミノキノリン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルメタン、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルフィド、ビス〔２−（４−アミノフェニル）−ベンゾチアゾリル〕オキシド、ビス〔２−（４−アミノフェニル）−ベンズイミダゾリル〕スルホキシド、ビス〔２−（４−アミノフェニル）−ベンズオキサゾリル〕、４−（４−アミノフェニルスルホニル）−４′−アミノビフェニル、４，４′−ビス（４−アミノフェニル）ジフェニルエーテル、１，４−ジ−（４−アミノベンゾイルオキシ）ブタンなどを挙げることができる。
　　　【００３８】
　これらの種々の芳香族ジアミノ化合物のうち、Ｙが前述の一般式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示される二価の基である芳香族ジアミノ化合物を用いてポリイミド前駆体を製造すると、得られた感光性組成物から加熱硬化後に得られるポリイミド塗膜の耐熱性、強度、耐水性が良好であるのでより好ましい。またここに挙げた芳香族ジアミノ化合物のうちで、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフォン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフォン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニルおよびビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフォン、４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ）ジフェニルスルフォン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフォキシド、４，４′−ジアミノジフェニルスルフォンを用いると、前述と同様のポリイミド塗膜の物性の点からさらに好ましい。
　　　【００３９】
　本発明の感光性組成物の（Ｂ）成分として用いる光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−ベンゾイル−４′−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノンなどのべンゾフェノン誘導体、２，２′−ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのアセトフェノン誘導体、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタールなどのベンジル誘導体、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテルなどのべンゾイン誘導体、２，６−ジ（４−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６′−ジ（４−アジドベンジリデン）シクロヘキサノンなどのアジド類、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシムなどのオキシム類が用いられるが、光感度の点でオキシム類が好ましい。これらの光重合開始剤の添加量は前記のポリイミド前駆体ポリマー１００重量部に対し、１〜１５重量部が好ましい。
　　　【００４０】
　本発明の感光性組成物において（Ｃ）成分として用いる溶剤は、溶解性の点で極性溶媒が好ましく、例えばＮ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトンなどが用いられ、これらは単独又は二種以上の組み合わせで用いることができる。
　　　【００４１】
　これらの溶剤は塗布膜厚、粘度に応じて芳香族ポリイミド前駆体１００重量部に対し、１００〜４００重量部の範囲で用いることができる。
　本発明の感光性組成物には、前記した（Ａ）〜（Ｃ）の必須成分に加えて所望に応じ光感度向上のために反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物を加えることもできる。このような化合物としては例えば、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、付加モル数２〜２０のポリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド及び上記のアタリレート又は相当するメタクリレート、メタクリルアミドなどがある。これらの化合物は、ポリイミド前駆体１００重量部当り、１〜３０重量部の範囲で添加するのが好ましい。
　　　【００４２】
　本発明の感光性組成物には、所望に応じ光感度向上のための増感剤を添加することができる。このような増感剤としては、例えばミヒラーズケトン、４，４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，５−ビス（４′−ジエチルアミノベンジリデン）シクロペンタノン、２，６−ビス（４′−ジエチルアミノベンジリデン）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４′−ジメチルアミノベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６−ビス（４′−ジエチルアミノベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、４，４′−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４′−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、２−（４′−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、２−（４′−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−４′−ジメチルアミノビフェニル）−ベンゾチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンジリデン）アセトン、１，３−ビス（４−ジエチルアミノベンジリデン）アセトン、３，３′−カルボニル−ビス（７−ジエチルアミノクマリン）、３−アセチル−７−ジメチルアミノクマリン、３−エトキシカルボニル−７−ジメチルアミノクマリン、３−ベンジロキシカルボニル−７−ジメチルアミノクマリン、３−メトキシカルボニル−７−ジエチルアミノクマリン、３−エトキシカルボニル−７−ジエチルアミノクマリン、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルジェタノールアミン、Ｎ−ｐ−トリルジエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、４−モルホリノベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、４−ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、２−メルカプトベンズイミダゾール、１−フェニル−５−メルカプト−１，２，３，４−テトラゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンズチアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ナフト（１，２−ｄ）チアゾール、２−（ｐ−ジメチルアミノベンゾイル）スチレン等が挙げられる。感度の点で、メルカプト基を有する化合物と、ジアルキルアミノフェニル基を有する化合物を組み合わせて用いることが好ましい。これらは単独で又は２ないし５種類の組み合わせで用いられ、その添加量は前記のポリイミド前駆体１００重量部に対し、０．１〜１０重量部が好ましい。
　　　【００４３】
　本発明の感光性組成物には、所望に応じ基材との接着性向上のため接着助剤を添加することもできる。この接着助剤としては、例えばγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−３−ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ−３−グリシドキシプロピルメチルシラン、Ｎ−（３−ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド、Ｎ−〔３−（トリエトキシシリル）プロピル〕フタルアミド酸、ベンゾフェノン−３，３′−ビス（３−トリエトキシシリル）プロピルアミノカルボニル−４，４′−ジカルボン酸、ベンゼン−１，４−ビス（３−トリエトキシシリル）プロピルアミノカルボニル−２，５−ジカルボン酸などが用いられる。これらの添加量は前記のポリイミド前駆体１００重量部に対し、０．５〜１０重量部の範囲が好ましい。
　　　【００４４】
　本発明の感光性組成物には、所望に応じ保存時の組成物溶液の粘度や光感度の安定性を向上させるために熱重合禁止剤を添加することができる。この熱重合禁止剤としては、例えばヒドロキノン、Ｎ−ニトロンジフェニルアミン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、フェノチアジン、Ｎ−フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−メチルフェノール、５−ニトロソ−８−ヒドロキシキノリン、１−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナフトール、２−ニトロソ−５−（Ｎ−エチル−Ｎ−スルフォプロピルアミノ）フェノール、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−フェニルヒドロキシアミンアンモニウム塩、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、Ｎ−ニトロソ−Ｎ（１−ナフチル）ヒドロキシルアミンアンモニウム塩、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニルメタンなどが用いられる。その添加量は、前記のポリイミド前駆体１００重量部に対し、０．００５〜５重量部の範囲が好ましい。
　　　【００４５】
　本発明の感光性組成物は、ｉ線によるパターン形成を可能にするために、それから形成される塗布乾燥後のフィルムのｉ線すなわち波長３６５ｎｍの光線における吸光度を膜厚１０μｍ当り１．５以下にすることが必要である。これよりも吸光度が大きいと、必要な光量がフィルムの底部まで到達することができず、パターン形成が不完全になる。
　このような吸光度は、（Ａ）〜（Ｃ）の必須成分及び所望に応じ加えられるその他の成分の添加量を適宜加減して調製することができる。
　本発明の感光性組成物は、上記（Ａ）〜（Ｃ）の必須成分およびその他の成分を混合する事によって得られる。そして、ポリイミド塗膜は以下の方法によりその組成物から得ることができる。
　　　【００４６】
　本発明の感光性組成物は、例えばスピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷器などで塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法などにより基板上に塗布することができる。得られた塗膜は、風乾、オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥などにより乾燥する。
　こうして得られた塗膜は、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、紫外線光源等により露光される。パターンの解像度及び取扱い性の点で、その光源波長はｉ線が好ましく、装置としてはステッパーが好ましい。
　現像は、従来知られているフォトレジストの現像方法、例えば回転スプレー法、パドル法、超音波処理を伴う浸漬法などの中から任意の方法を選んで行うことができる。
　　　【００４７】
　使用される現像液としては、前記のポリマー前駆体に対する良溶媒と貧溶媒の組み合わせが好ましい。この良溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトンなどが、また、貧溶媒としてはトルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール及び水などが用いられる。良溶媒に対する貧溶媒の割合は使用するポリイミド前駆体の溶解性により調整される。各溶媒を組み合わせて用いることもできる。
　　　【００４８】
　また、カルボン酸含有量の高いものを含む組成物に対しては、コリンヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等、有機塩基の水溶液に、必要に応じ、上記の溶媒を加えた現像液が用いられる。
　このようにして得られたポリイミド前駆体組成物のパターンフィルムは加熱して感光性成分を揮散させることにより、ポリイミドに変換される。加熱変換は、ホットプレート、オーブン、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンにより行うことが出来る。加熱変換させる際の雰囲気気体としては空気を用いてもよく、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いることができる。
　　　【００４９】
　　【実施例】
　次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本願発明の範囲はこれら実施例によって何ら限定されるものではない。なお、各例中の特性は以下のようにして測定した。
　（１）アミド結合濃度
　アミド結合濃度は、以下の式に従い求める。
　　　【００５０】
　上記式において、〔Ｍ〕Ｃはテトラカルボン酸単位の分子量を表わし、これは原料として用いたテトラカルボン酸二無水物の分子量から２個の酸素の原子量３２を減じて求める。テトラカルボン酸二無水物を２種以上用いた場合は、各テトラカルボン酸二無水物の分子量と使用モル比より計算した平均分子量を用いる。〔Ｍ〕Ａは、ジアミン単位の分子量を表わし、これは、原料として用いた芳香族ジアミノ化合物の分子量から２個の水素原子の原子量２を減じて求める。芳香族ジアミノ化合物を２種以上用いた場合は、各ジアミノ化合物の分子量と使用モル数より計算した平均分子量を用いる。
　　　【００５１】
　〔Ｍ〕Ｓは、前駆体ポリマーの芳香環に結合したカルボニル基部分に存在する側鎖置換基（Ｒ）および（Ｒ′）の合計分子量を示し、同じ置換基が結合している場合は、置換基の分子量に２を乗じればよいし、２種類以上の置換基が存在する場合には、各置換基の分子量と使用モル比より計算した平均値分子量に２を乗ずる。
　なお、上記の計算は炭素の原子量を１２、窒素の原子量を１４、酸素の原子量を１６、硫黄の原子量を３２、水素の原子量を１として計算して得た値である。
　式中、２０００はポリイミド前駆体１ｋｇ中に存在するアミド結合のモル数を計算するための係数である。
　　　【００５２】
　（２）ポリイミド前駆体塗膜の吸光度
　ポリイミド前駆体のＮ−メチルピロリドン溶液を、約１ｍｍ厚の石英板上にスピン塗布したのち、８０℃のオーブン中で４０分間乾燥して、膜厚１０μｍの塗膜を形成させる。次いで、この塗膜の３６５ｎｍにおける吸光度をＵＶ分光器（島津製作所、ＵＶ−２４０型）を用いて測定し、下記式に従い、アブソーバンス値で表わした。
　吸光度＝ｌｏｇ１０　Ｉ０／Ｉ
（式中、Ｉ０は入射光強度、Ｉはフィルムを通った透過光の強度である。）
　　　【００５３】
　（３）感光性組成物塗膜の吸光度
　上記（２）と同様の方法で測定した。
　（４）ポリイミド前駆体の粘度数
　Ｎ−メチルピロリドン中のポリイミド前駆体（１ｇ／ｄｌ）の粘度数（ηｓｐ／ｃ）をオートビスコメーター　ＡＶＬ−２Ｃ（サン電子製）により３０℃において測定した。
　　　【００５４】
　（５）感光性組成物の粘度
　組成物試料の溶液をＥ型粘度計（東京計器製、ＶＩＳＣＯＮＩＣ−ＥＭＤ型）を用い、２３℃において測定した。
　（６）ポリイミド塗膜の引張強度と伸度
　各例において、ウエハー上の塗膜をフォトマスクを使用しないで全面露光して、現像しない他は、同様に処理した。得られたポリイミド塗膜をウエハーから剥がして、その引張強度および伸度をＡＳＴＭ　Ｄ−８８２−８８に従って測定した。
　　　【００５５】
　（７）引剥がし試験
　ポリイミド塗膜のエポキシ樹脂との接着性を以下のようにして測定した。
　熱処理後のシリコンウエハー上のポリイミド塗膜にエポキシ樹脂接着剤（昭和高分子社製、アラルダイトスタンダード）を用いて、直径２ｍｍのピンを接合した。このサンプルを引取試験機（クワッドグループ社製、セバスチャン５型）を用いて引き剥がし試験を行った。
　評価：引き剥がし強度７ｋｇ／ｍｍ２以上・・・接着力良好
　　　　　　　　　　　６−５ｋｇ／ｍｍ２・・・使用可
　　　　　　　　　　　５ｋｇ／ｍｍ２未満・・・不良
　　　【００５６】
　（８）耐水性試験
　熱処理後のシリコンウエハー上のポリイミド塗膜を沸騰水中に４８時間保持したあと、５０℃のオーブン中で２時間乾燥した後、上記と同様の引き剥がし試験を行った。
　評価：引き剥がし強度７ｋｇ／ｍｍ２以上・・・接着力良好
　　　　　　　　　　　６−３ｋｇ／ｍｍ２・・・使用可
　　　　　　　　　　　３ｋｇ／ｍｍ２未満・・・不良
　（９）原料
　製造例に用いたＡＴＣ二無水物は次の記号で表す。次の構造式は（ＶＩ）のＸを表す。
　　　【００５７】
　【化１０】
　　　【００５８】
　【化１１】
　　　【００５９】
　製造例で用いた芳香族ジアミノ化合物は次の記号で表す。次の構造式は式（Ｖ）中のＹを表す。
　【化１２】
　　　【００６０】
　【化１３】
　　　【００６１】
　【化１４】
　　　【００６２】
　【化１５】
　　　【００６３】
　【化１６】
　　　【００６４】
　【化１７】
　　　【００６５】
（製造例１）
　５００ｍｌ容のセパラブルフラスコに（Ｘ−１）１６．１ｇ、（Ｘ−１１）１０．９ｇ、（Ｅ−１）２７．０ｇを及びγ−ブチロラクトン６０ｍｌを装入し、氷冷下、かきまぜながらピリジン１７．０ｇを加えた。室温で１６時間かきまぜたのち、ジシクロヘキシルカルボジイミド４１．２ｇを含むγ−ブチロラクトン４０ｍｌの溶液を氷冷下、３０分間で加え、続いて（Ｙ−１）３５．０ｇを７０ｍｌのγ−ブチロラクトンに懸濁したものを６０分間で加えた。氷冷下、３時間かきまぜたのち、エタノール５ｍｌを加えて、さらに１時間かきまぜ、上記のプロセスで生じた固形物を濾過により除去した。反応溶液を１０ｌのエタノールに加え、生成した沈澱を濾別したのち、真空乾燥した。このようにしてポリイミド前駆体（Ａ１−１）を製造した。（Ａ１−１）の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表５に示す。
　　　【００６６】
　（製造例２）
　５００ｍｌのセパラブルフラスコに（Ｘ−２）６２．０ｇ及びＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド（以下ＤＭＡｃという）４６２ｍｌを入れ、かきまぜながら（Ｙ−２）６８．４ｇを含むＤＭＡｃ１００ｍｌを加え、室温で１６時間かきまぜたのち氷冷下（Ｅ−２）４３．４ｇを加え、３時間かきまぜた。この反応液を１０ｌのエタノールに加え、生成した沈澱を濾過したのち、真空乾燥した。このようにしてポリイミド前駆体（Ａ２−１）を製造した。（Ａ２−１）の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表５に示す。
　　　【００６７】
　（製造例３）
　（Ｙ−３）７６．８ｇをＮ−メチルピロリドン４５０ｇに溶解し（Ｘ−３）７１．６ｇを加えて５０℃で６時間反応させた。これに（Ｅ−３）７４．０ｇをＮ−メチルピロリドン１１０ｇに溶かした溶液を室温でゆっくりと加えてポリイミド前駆体（Ａ３−１）の溶液を得た。（Ａ３−１）のアミド結合濃度、吸光度を表５に示す。
　（製造例４）
　（Ｙ−４）１２１．１ｇをＮ−メチルピロリドン６８７ｇに溶解し、（Ｘ−８）８８．２ｇを加え、室温で１２時間かきまぜた。次に、（Ｅ−４）８５．３ｇを加え、７０℃で３６時間かきまぜた。このようにしてポリイミド前駆体（Ａ４−１）の溶液を製造した。この（Ａ４−１）のアミド結合濃度、吸光度を表５に示す。
　　　【００６８】
　（製造例５）
（Ｘ−４）７２．９ｇをＮ−メチルピロリドン２００ｇに溶解し、（Ｅ−１）５．２ｇを加えて１００℃で１時間加熱した。これを５０℃まで冷却し、（Ｙ−５）４４．４ｇをＮ−メチルピロリドン１１０ｇとともに加えて、５０℃で５時間かきまぜた。次いで、トリフルオロ酢酸無水物７６．０ｇをテトラヒドロフラン２８０ｍｌとともに加えて、５０℃で２時間かきまぜた。この際に不溶固型分が析出した。次いで、（Ｅ−１）５２．０ｇを加えて５０℃で５時間かきまぜることにより、固型分が溶解して均一な溶液が得られた。この溶液を１０１の水中に加え、生成した沈澱を濾過、水洗後真空乾燥した。このようにしてポリイミド前駆体（Ａ５−１）を製造した。この（Ａ５−１）の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表５に示す。
　　　【００６９】
　（製造例６〜１７）
　表１に示されたＡＴＣ二無水物、芳香族ジアミノ化合物とＲ含有化合物をそれぞれ表１に示された量を用いる以外は製造例１と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ１−２）〜（Ａ１−１７）を製造した。得られたポリイミド前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表５に示す。
　（製造例１８〜２５）
　表２に示された、ＡＴＣ二無水物、芳香族ジアミノ化合物とその他の化合物をそれぞれ表２に示された量を用いる以外は製造例３と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ３−２）〜（Ａ３−９）を製造した。得られたポリイミド前駆体のアミド結合濃度、吸光度を表６に示す。
　　　【００７０】
　（製造例２６〜２８）
　表２に示されたＡＴＣ二無水物をそれぞれ表２に示された量だけ用いる以外は、製造例５と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ５−２）〜（Ａ５−４）を製造した。このようにして得たポリイミド前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表６に示す。
　（製造例２９、３０）
　表２に示された、ＡＴＣ二無水物、アミノ化合物をそれぞれ表２に示された量を用いる以外は製造例１と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ１−１４）、（Ａ１−１５）を製造した。このようにして得たポリイミド前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表６に示す。
　　　【００７１】
　（製造例３１）
　５００ｍｌ容のセパラブルフラスコに、（Ｘ−２）３１．０ｇ、ピリジン１７．０ｇ、γ−ブチロラクトン６０ｍｌを入れ、かきまぜながら（Ｅ−１）、２７．０ｇを加えた。溶液を４０℃に加熱し、４時間保持した後、室温で１６時間かきまぜたのち、ジシクロヘキシルカルボジイミド４１．２ｇのγ−ブチロラクトン４０ｍｌによる溶液を氷冷下、３０分間で加え、続いて（Ｙ−８）４０．４ｇを８０ｍｌのγ−ブチロラクトンに懸濁したものを６０分間で加えた。さらに３時間氷冷下でかきまぜた後、エタノール５ｍｌを加えてさらに１時間かきまぜ、上記プロセスで生じた固形物を濾過により除去した反応溶液を１０１のエタノールに加え生成した沈澱を濾別し、真空乾燥した。このようにしてポリイミド前駆体（Ａ１−１６）を製造した。この（Ａ１−１６）の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表６に示す。
　　　【００７２】
　（製造例３２）
　表２に示されたＡＴＣ二無水物と芳香族ジアミノ化合物をそれぞれ表２に示された量を用い、（Ｙ−１）３５．０ｇを７０ｍｌのγ−ブチロラクトンに懸濁したものを加える替わりに（Ｙ−５）２３．６ｇを含む１６０ｍｌγ−ブチロラクトン溶液を加えること以外は製造例１と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ１−１７）を製造した。この（Ａ１−１７）の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表６に示す。
　　　【００７３】
　（製造例３３）
　表２に示されたＡＴＣ二無水物、アミノ化合物とその他の化合物をそれぞれ表２に示された量を用いる以外は製造例２と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ２−２）を製造した。この（Ａ２−２）の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表６に示す。
　（製造例３４）
　（Ｙ−７）１６０．６ｇを、Ｎ−メチルピロリドン７７０ｇに溶解し、（Ｘ−１１）１２０ｇを加え、５０℃で６時間反応させた。この溶液５０ｇに、（Ｅ−９）２．５ｇを５０ｇのＮ−メチルピロリドンに溶解した溶液を加えポリイミド前駆体（Ａ３−１０）を得た。（Ａ３−１０）の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表６に示す。
　　　【００７４】
　（製造例３５〜４３）
　表３に示されたＡＴＣ二無水物、芳香族ジアミノ化合物とその他化合物をそれぞれ表３に示された量を用いる以外は製造例３２と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ１−１８）〜（Ａ１−２６）を製造した。ポリイミド前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表７に示す。
　（製造例４４）
　（Ｙ−２０）２２．８ｇ、Ｎ−メチルピロリドン１５０ｇに溶解し、（Ｘ−３）３５．８ｇを加えて５０℃で６時間反応させた。これに（Ｅ−３）３７．２ｇをＮ−メチルピロリドン６６ｇに溶かした溶液を室温でゆっくりと加えてポリイミド前駆体溶液（Ａ３−１１）を得た。（Ａ３−１１）の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表７に示す。
　　　【００７５】
　（製造例４５〜４８）
　表３に示されたＡＴＣ二無水物、芳香族ジアミノ化合物とその他の化合物をそれぞれ表３に示された量を用いる以外は製造例３２と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ１−２８）〜（Ａ１−３１）を製造した。ポリイミド前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表７に示す。
　（製造例４９〜５０）
　表３に示されたＡＴＣ二無水物及び芳香族ジアミノ化合物を表３に示された量用いる以外は参考例４と同様の合成法でポリイミド前駆体溶液（Ａ４−２）、（Ａ４−３）を製造した。ポリイミド前駆体溶液の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表７に示す。
　　　【００７６】
　（製造例５１、５２）
　表３に示されたその他の化合物を表３に示された量だけ用いる以外は製造例４４と同様の合成法を用いてポリイミド前駆体溶液（Ａ３−１２）、（Ａ３−１３）を製造した。ポリイミド前駆体溶液の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表７に示す。
　（製造例５３〜５８）
　表４に示されたＡＴＣ二無水物及び芳香族ジアミノ化合物を表４に示された量用いる以外は製造例４３と同様の合成法でポリイミド前駆体（Ａ１−３２）〜（Ａ１−３７）を製造した。ポリイミド前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表８に示す。
　　　【００７７】
　（製造例５９、６０）
　ＡＴＣ二無水物として表４に示された化合物を表４に示された量だけ用いる以外は製造例５と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ５−５）、（Ａ５−６）を製造した。ポリイミド前駆体の粘度数、アミト結合濃度、吸光度を表８に示す。
　（製造例６１）
　表４に示されたＡＴＣ二無水物、芳香族ジアミノ化合物とその他の化合物をそれぞれ表４に示された量を用いる以外は製造例３２と同様にして、ポリイミド前駆体（Ａ１−３８）を製造した。ポリイミド前駆体の粘度数、アミド結合濃度、吸光度を表８に示す。
　　　【００７８】
　次に実施例を示すが、例中の各成分に対する略号は、以下の通りである。
（光重合開始剤（成分Ｂ））
　Ｉ−１　　ベンゾフェノン
　Ｉ−２　　ベンジル
　Ｉ−３　　２−イソプロピルチオキサントン
　Ｉ−４　　１，３−ジフェニルプロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム
　Ｉ−５　　１−フェニル−３−エトキシプロパントリオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム
　　　【００７９】
（反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物）
　Ｍ−１　　テトラエチレングリコールジメタクリレート
　Ｍ−２　　ペンタェリスリトールジアクリレート
　Ｍ−３　　メチレンビスアクリルアミド
　Ｍ−４　　Ｎ−メチロールアクリルアミド
　Ｍ−５　　トリメチロールプロパントリアクリレート
　　　【００８０】
（増感剤）
　Ｓ−１　　ミヒラーズケトン
　Ｓ−２　　４，４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン
　Ｓ−３　　２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール
　Ｓ−４　　２−（ｐ−ジメチルアミノベンゾイル）スチレン
　Ｓ−５　　Ｎ−フェニルジェタノールアミン
　Ｓ−６　　Ｎ−ｐ−トリルジェタノールアミン
　Ｓ−７　　Ｎ−フェニルエタノールアミン
　Ｓ−８　　２−メルカプトベンズイミダゾール
　Ｓ−９　　１−フェニル−５−メルカプト−１，２，３，４−テトラゾール
　Ｓ−１０　２−メルカプトベンゾチアゾール
　　　【００８１】
（接着助剤）
　Ｆ−１　　γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン
　Ｆ−２　　３−メタクリロキシプロピルトリメトシキキラン
　Ｆ−３　　３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン
　Ｆ−４　　Ｎ−〔３−（トリエトキシシリル）プロピル〕フタルアミド酸
　Ｆ−５　　ベンゾフェノン−３，３′−ビス〔Ｎ−（３−トリエトキシシリル）プロピルアミド〕−４，４′−ジカルボン酸
　　　【００８２】
（熱重合禁止剤）
　Ｚ−１　　Ｎ−ニトロソジフェニルアミン
　Ｚ−２　　ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メタン
　Ｚ−３　　２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−メチルフェノール
　Ｚ−４　　２−ニトロソ−１−ナフトール
　　　【００８３】
　（参考例１）
　ポリイミド前駆体（Ａ１−１）５０ｇ、（Ｉ−１）２ｇ、（Ｍ−１）６ｇ、（Ｓ−１）０．　０５ｇ、（Ｓ−５）　１ｇ、（Ｓ−８）１．５ｇ、（Ｆ−１）１ｇおよび（Ｚ−１）０．０５ｇを、Ｎ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して、感光性組成物（Ｗ−１）を調製した。この組成物の塗膜の吸光度は１．５、この粘度は７３．５ポイズであった。
　この組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布し、乾燥して１３μｍ厚の塗膜を形成させた。この塗膜にテストパターン付レチクルを用いてｉ線ステッパーＥＰＡ２００１ｉＩ（キャノン製）により、８００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーを照射した。次いでこのウエハーをγ−ブチロラクトンとキシレン（５０／５０（％））を用いてスプレー現像し、イソプロピルアルコールでリンスしたところ、１０μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。
　　　【００８４】
　このウエハーをイナートオーブンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃で１時間、続いて３００℃で１時間熱処理することにより７μｍ厚のポリイミドのフィルムを得た。このフィルムは引き剥がし試験および耐水性試験のいずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断し、接着力、耐水性ともに良好であった。また、ポリイミドフィルムの引張強度は１４ｋｇ／ｍｍ２、伸度は３０％であった。
　　　【００８５】
　（実施例２）
　ポリイミド前駆体（Ａ２−１）２０ｇ、（Ｉ−２）０．３ｇ、（Ｍ−２）０．５ｇ、（Ｓ−２）０．０２ｇ、（Ｓ−９）０．１ｇ、（Ｆ−３）０．１５ｇおよび（Ｚ−２）メタン０．０１ｇをＮ−メチルピロリドン４０ｇに溶解して、感光性組成物（Ｗ−２）を調製した。この組成物の塗膜の吸光度は１．５、粘度は４４ポイズであった。
　次に、この組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布し、乾燥して１３μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜にｉ線ステッパー露光機ＮＳＲ１５０５ｉ（ニコン製）により、レチクルを通してｉ線光源から４００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーに露光させた。次いでこのウエハーをテトラメチルアンモニウムヒドロキシド／メタノール／水（０．３／２．７／９７（容量％））でパドル現像し、水でリンスしたところ、１０μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。
　　　【００８６】
　これをホットプレートで２００℃において１０分間べーキングし、さらに縦型キュア炉に入れ、窒素雰囲気下、３５０℃で１時間熱処理して７μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験いずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断し、接着力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は２０ｋｇ／ｍｍ、伸度は９％であった。
　　　【００８７】
　（実施例３）
　ポリイミド前駆体（Ａ３−１）の溶液７７ｇに、（Ｉ−３）０．２ｇ、（Ｍ−３）０．８ｇ、（Ｓ−３）０．０２ｇ、（Ｓ−６）０．３ｇ、（Ｓ−１０）０．１５ｇ、（Ｆ−３）０．１ｇおよび（Ｚ−３）０．０１ｇを溶解し、感光性組成物（Ｗ−３）を調製した。この組成物の塗膜の吸光度は０．８、粘度は５５．０ポイズであった。
　次に、この組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布し、乾燥して１７μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜にフォトマスクを通して、ＰＬＡ５０ｌＦ露光機（キャノン製）により、ｉ線バンドパスフィルターＵＶＤ３６Ｃ（東芝色ガラス製）を通して１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで露光した。このウエハーをＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド／エタノール（８０／２０（ｖｏｌ％））の現像液により、スプレー現像後、イソプロピルアルコールによりリンスしたところ、１０μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。
　　　【００８８】
　これをイナートオーブン中で、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３００℃１時間熱処理して、８μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験いずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断し、接着力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１２ｋｇ／ｍｍ２、伸度は７０％であった。
　　　【００８９】
　（参考例４）
　ポリイミド前駆体（Ａ４−１）の溶液３３．３ｇに、（Ｉ−４）０．６ｇ、（Ｍ−４）０．８ｇ、（Ｓ−４）０．０３ｇ、（Ｓ−７）０．２ｇ、（Ｓ−８）０．１ｇ、（Ｆ−４）０．１ｇおよび（Ｚ−４）０．０１ｇを溶解して感光性組成物（Ｗ−４）を調製した。この組成物の塗膜の吸光度は１．５、粘度は３８ポイズであった。
　　　【００９０】
　この組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布・乾燥して１３μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜にパターンレチクルを用いてｉ線ステッパーＦＰＡ２０００ｉＩ（キャノン製）により８００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで露光した。このウエハーをコリンヒドロキシド／エタノール／水（０．５／９．５／９０（ｖｏｌ％））の現像液によりパドル現像後、水によりリンスしたところ、１０μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。
　　　【００９１】
　これをイナートオーブン中で、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３００℃１時間熱処理して、７μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験および耐熱性試験のいずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断し、接着力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１８ｋｇ／ｍｍ２、伸度は１２％であった。
　　　【００９２】
　（参考例５）
　ポリイミド前駆体（Ａ５−１）５０ｇ、（Ｉ−５）２ｇ、（Ｍ−５）３ｇ、（Ｓ−３）０．１ｇ、（Ｓ−９）０．５ｇ、（Ｆ−５）１ｇおよび（Ｚ−４）０．０２ｇとをＮ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して感光性組成物（Ｗ−５）を調製した。この組成物の塗膜の吸光度は１．０、粘度は４７．０ポイズであった。
　この組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布・乾燥して１９μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜にテストパターン付レチクルを用いてｉ線ステッパーＦＰＡ２００１ｉＩ（キャノン製）により６００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで露光した。このウエハーをシクロヘキサノン／キシレン（７０／３０（ｖｏｌ％））の現像液によりパドル現像液、イソプロピルアルコールによりリンスしたところ、１５μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。
　　　【００９３】
　このウエハーをイナートオーブンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３５０℃２時間熱処理して、１０μｍ厚のポリィミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験のいずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断し、接着力、耐水性共に良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１８ｋｇ／ｍｍ２、伸度は１８％であった。
　　　【００９４】
　（参考例６〜１８）
　表９に示す種々のポリイミド前駆体５０ｇ、（１−５）２ｇ、（Ｍ−５）３ｇ、（Ｓ−３）０．３ｇ、（Ｓ−９）０．５ｇ、（Ｆ−５）１ｇおよび（Ｚ−４）０．０２ｇをＮ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して感光性組成物（Ｗ−６）〜（Ｗ−１８）を調製した。これら組成物の粘度及び塗膜の吸光度を表９に示す。
　　　【００９５】
　これらの組成物を、３インチシリコンウエハー上にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の膜厚を表９に示す。これらの塗膜にテストパターン付レチクルを用いてｉ線ステッパーＦＰＡ２００１ｉＩ（キャノン製）により、８００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで露光した。このウエハーをシクロヘキサノン／キシレン（７０／３０（ｖｏｌ％））の現像液によりパドル現像後、イソプロピルアルコールによりリンスして、得られた解像度を表９に示す。
　これらのウエハーをイナートオーブンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３５０℃２時間熱処理してポリイミドのパターンを得た。また、このポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果および引張強度、伸度、フィルムの膜厚を表９に示す。
　　　【００９６】
　（実施例１９〜２６）
　表１０に示す種々のポリイミド前駆体の溶液７７ｇを用い、実施例３と同様にして感光性組成物（Ｗ−１９）〜（Ｗ−２６）を調製した。これらの組成物の粘度及び塗膜の吸光度を表１０に示す。
　これらの組成物を用いて、実施例３と同様にして塗膜を形成し、その解像度及び熱処理後のポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果および引張強度、伸度、膜厚を表１０に示す。
　　　【００９７】
　（参考例２７〜２８）
　表１０に示すポリイミド前駆体（５０９）、（Ｉ−５）２ｇ、（Ｍ−５）３９、（Ｓ−３）０．１ｇ、（Ｓ−９）０．５ｇ、（Ｆ−５）１ｇおよび（Ｚ−４）０．０２ｇとをＮ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して感光性組成物（Ｗ−２７）〜（Ｗ−２８）を調製した。これらの粘度、および塗膜の吸光度を表１０に示す。
　これらの組成物を用いて実施例１と同様に処理して得たパターンの解像度、また、加熱硬化後のポリイミドの塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験および膜厚、引張強度、伸度、を表１０に示す。
　　　【００９８】
　（比較例１および２）
　表１０に示すポリイミド前駆体５０ｇ、（Ｉ−５）２ｇ、（Ｍ−５）３ｇ、（Ｓ−３）０．０５ｇ、（Ｓ−９）０．５ｇ、（Ｆ−５）１ｇおよび（０−４）０．０２ｇとをＮ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して感光性組成物（ＷＲ−１）および（ＷＲ−２）を調製した。これらの組成物の粘度および塗膜の吸光度を表１０に示す。
　　　【００９９】
　次に、これらの組成物を参考例６と同様に処理したところ、比較例１のものは、強い逆台形性のパターン断面形状により、ライン／スペースのラインが流れ、比較例２のものは、更に強い逆台形性のパターン断面形状によりラインが流れ、いずれも実用上問題があった。また、加熱硬化後のポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験および膜厚、引張強度、伸度を表１０に示す。
　　　【０１００】
　（比較例３）
　ポリイミド前駆体（Ａ１−７）に代えて、ポリイミド前駆体（Ａ１−１４）を用い、比較例１と同様にして感光性組成物（ＷＲ−３）を調製した。この組成物の粘度は６６．３ポイズ、塗膜の吸光度は０．４１であった。
　この組成物を、３インチのシリコンウエハー上にスピン塗布し、乾燥して２７μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜を実施例１と同様に処理して得たパターンは、露光部の膨潤が強く、ライン／スペースを解像できなかった。このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験のいずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断，接着力、耐水性ともに良好であった。また、ポリイミド塗膜の引張強度は９ｋｇ／ｍｍ２、伸度は１２０％であった。
　　　【０１０１】
　（参考例２９）
　ポリイミド前駆体（Ａ１−１７）５０ｇ、（Ｉ−１）２ｇ、（Ｍ−１）６ｇ、（Ｓ−１）０．０５ｇ、（Ｓ−５）１ｇ、（Ｓ−１０）１．５ｇ、（Ｆ−１）１ｇ、（Ｚ−１）０．０５ｇをＮ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して組成物（Ｗ−２９）を調製した。この組成物の粘度は７８ポイズ、塗膜の吸光度は１．５であった。
　　　【０１０２】
　この組成物を参考例１と同様の方法で１３μｍ厚の塗膜を形成し、現像した後、キシレンによりリンスしたところ、１０μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。このウエハーを実施例１と同様に熱処理して７μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験のいずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断、接着力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１５ｋｇ／ｍｍ２、伸度は１４％であった。
　　　【０１０３】
　（参考例３０）
　ポリイミド前駆体（Ａ２−２）５５．６ｇに（Ｉ−２）０．３ｇ、（Ｍ−２）０．５ｇ、（Ｓ−２）０．０２ｇ、（Ｓ−９）０．１ｇ，（Ｆ−２）０．１５ｇ、（Ｚ−２）０．０１ｇを溶解して感光性組成物（Ｗ−３０）を調製した。この組成物の粘度は１２９ポイズ、塗膜の吸光度は１．５であった。
　この組成物を実施例２と同様の方法で１３μｍ厚の塗膜を形成し、現像したところ、１０μｍのライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。
このウエハーを実施例２と同様に熱処理して、７μｍ厚のポリイミドパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験では、５〜６ｋｇ／ｍｍ２の時点でフィルムが破断し、耐水性試験では、引き剥がし強度が３ｋｇ／ｍｍ２に低下した。
また、このポリイミド塗膜の引張強度は１７ｋｇ／ｍｍ２、伸度は１０％であった。
　　　【０１０４】
　（実施例３１）
　ポリイミド前駆体（Ａ３−１）に代えて、ポリイミド前駆体（Ａ３−１０）を用い、実施例３と同様にして感光性組成物（Ｗ−３１）を調製した。この組成物の粘度は５０ポイズ、塗膜の吸光度は１．４であった。
　この組成物を実施例３と同様の方法で１７μｍ厚の塗膜を形成し、現像したところ、１０μｍのライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。
このウエハーを実施例３と同様に熱処理して、９μｍ厚のポリイミドパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験のいずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断、接着力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１６ｋｇ／ｍｍ２、伸度は１０％であった。
　　　【０１０５】
　（参考例３２〜３６および比較例４〜６）
　表１１に示す種々のポリイミド前駆体やその他の成分をＮ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して組成物（Ｗ−３２）〜（Ｗ−３６）および（ＷＲ−４）〜（ＷＲ−６）を調製した。これらの粘度および塗膜の吸光度を表１２に示す。
　これらの組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の厚みを表１２に示す。この塗膜にテストパターン付レチクルを用いて、ｉ線ステッパーＦＰＡ２００ｌｉＩ（キャノン製）の表１１に示す露光エネルギーで露光した。このウエハーをシクロヘキサノン／キシレン（７０／３０（ｖｏｌ％））の現像液によりパドル現像後、表１１に示す溶媒にてリンスし、得られた解像度を表１２に示す。実施例のものは、いずれもシャープなパターンが得られた。
　これらのウエハーをイナートオープンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３５０℃、２時間熱処理して、表１２に示す厚みのポリイミドのパターンを得た。このポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果および引張強度、伸度を表１２に示す。
　　　【０１０６】
　（参考例３７〜４０）
　表１３に示す種々のポリイミド前駆体５０ｇ、（Ｉ−１）２ｇ、（Ｍ−１）６ｇ、　（Ｓ−１）　０．０５ｇ、（Ｓ−５）１ｇ、（Ｓ−８）１．５ｇ、（Ｆ−１）１ｇ、（Ｚ−１）０．０５ｇをＮ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して組成物（Ｗ−３７）〜（Ｗ−４０）を調製した。これらの粘度および塗膜の吸光度を表１３に示す。
　　　【０１０７】
　これらの組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の厚みを表１３に示す。この塗膜にテストパターン付レチクルを用いて、表１３に示すｉ線ステッパー、露光条件にて露光した。このウエハーをγ−ブチロラクトン／キシレン（５０／５０（ｖｏｌ％））の現像液によりスプレー現像液、キシレンによりリンスしたところ、いずれもシャープなパターンが得られた。これらの解像度を表１３に示す。
　このウエハーをイナートオーブンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３００℃、１時間熱処理して得られたポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験結果および塗膜、引張強度、伸度を表１３に示す。
　　　【０１０８】
　（参考例４１および４２）
　表１３に示すポリマー前駆体３３．３ｇに、（Ｉ−４）０．６ｇ、（Ｍ−４）０．８ｇ、（Ｓ−４）０．０３ｇ、（Ｓ−７）０．２ｇ、（Ｓ−８）０．１ｇ、（Ｆ−４）０．１ｇ、（Ｚ−４）０．０１ｇを溶解して感光性組成物（Ｗ−４１）および（Ｗ−４２）を調製した。これらの組成物の粘度および塗膜の吸光度を表１３に示す。
　この組成物を露光エネルギーを５００ｍＪ／ｃｍ２と代える他は、参考例５と同様に処理したところ、いずれもシャープなパターンが得られた。これらの解像度を表１３に示す。このウエハーをイナートオーブンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３５０℃、１時間熱処理して得たポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果および塗膜、引張強度、伸度を表１３に示す。
　　　【０１０９】
　（実施例４３〜４５）
表１３に示すポリマー前駆体７７ｇに、（Ｉ−３）０．２ｇ、（Ｍ−３）０．８ｇ、（Ｓ−３）０．０２ｇ、（Ｓ−６）０．３ｇ、（Ｓ−１０）０．１５ｇ、（Ｆ−３）０．１ｇ、（Ｚ−３）０．０１ｇを溶解して感光性組成物（Ｗ−４３）〜（Ｗ−４５）を調製した。これらの組成物の粘度および塗膜の吸光度を表１３に示す。
　　　【０１１０】
　これらの組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の厚みを表１３に示す。この塗膜にレチクルを通してｉ線光源で表１３に示す露光条件にて露光した。このウエハーをＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド／エタノール＝８０／２０（ｖｏｌ％））の現像液によりスプレー現像液、イソプロピルアルコールによりリンスしたところ、何れもシャープなパターンが得られた。これらの解像度を表１３に示す。このウエハーをイナートオープンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３５０℃、１時間熱処理して表１３に示す厚みのポリイミドのパターンを得た。また、このポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果および引張強度、伸度を表１３に示す。
　　　【０１１１】
　（参考例４６）
　ポリイミド前駆体（Ａ１−３１）５０ｇ、（Ｉ−１）２ｇ、（Ｍ−１）６ｇ、（Ｓ−１）０．０５ｇ、（Ｓ−５）１ｇ、（Ｓ−１０）１．　５ｇ、（Ｆ−１）１ｇおよび（Ｚ−１）０．０５ｇをＮ−メチルピロリドン７５ｇに溶解して感光性組成物（Ｗ−４６）を調製した。この組成物の粘度は４３ポイズ、塗膜の吸光度は１．５であった。
　　　【０１１２】
　この組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布・乾燥して１３μｍ厚の塗膜を得た。この塗膜にｉ線ステッパー露光機ＮＳＲ−１５０５ｉ（ニコン製）により、レチクルを通してｉ線光源で６００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで露光した。このウエハーをγ−ブチロラクトン／キシレン：５０／５０（ｖｏｌ／ｖｏｌ％）の現像液によりスプレー現像後、キシレンによりリンスしたところ、１０μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。このウエハーをイナートオープンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３００℃、１時間熱処理して７μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験および耐水性試験のいずれにおいても応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂が破断、接着力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１４ｋｇ／ｍｍ２、伸度は１５％であった。
　　　【０１１３】
　（参考例４７および４８）
　表１４に示すポリマー前駆体５０ｇ、（Ｉ−５）２ｇ、（Ｍ−５）３ｇ、（Ｓ−３）０．１ｇ、（Ｓ−９）０．５ｇ、（Ｆ−５）１ｇ、（Ｚ−４）０．０２ｇをＮ−メチルピロリドンに溶解して感光性組成物（Ｗ−４７）〜（Ｗ−４８）を調製した。これらの組成物の粘度および塗膜の吸光度を表１４に示す。
　　　【０１１４】
　この組成物を３インチシリコンウエハー上にスピン塗布・乾燥した。得られた塗膜の厚みを表１４に示す。この塗膜にｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ（ニコン製）により、レチクルを通してｉ線光源でＷ−４７に対しては５００ｍＪ／ｃｍ２、Ｗ−４８に対しては６００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで露光した。このウエハーをシクロヘキサノン／キシレン＝７０／３０（ｖｏｌ／ｖｏｌ％）の現像液によりパドル現像後、イソプロピルアルコールによりリンスしたところ、いずれもシャープなパターンが得られた。解像度を表１４に示す。このウエハーをイナートオーブンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３５０℃、１時間熱処理して表１４に示す厚みのポリイミドのパターンを得た。また、このポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果および引張強度、伸度を表１４に示す。
　　　【０１１５】
　（参考例４９）
　ポリイミド前駆体（Ａ１−３１）を（Ａ１−３４）に代える他は参考例４６と同様にして感光性組成物（Ｗ−４９）を調製した。この組成物の粘度は４４ポイズ，塗膜の吸光度は１．０であった。
　この組成物を露光エネルギーを２００ｍＪ／ｃｍ２に代えるほかは参考例４６と同様に処理して２０μｍ厚の塗膜を得、現像液の解像度を測定したところ、１５μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。このウエハーを実施例４６と同様に熱処理して１１μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験、耐水性試験ともに応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂を破断し、接着性、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１４ｋｇ／ｍｍ２、伸度は３０％であった。
　　　【０１１６】
　（参考例５０および５１）
　表１４に示すポリイミド前駆体５０ｇ、（Ｉ−５）２ｇ、（Ｍ−５）３ｇ、（Ｓ−３）０．１ｇ、（Ｓ−９）０．５ｇ、（Ｆ−５）１ｇ、（Ｚ−４）０．０２ｇをＮ−メチルピロリドンに溶解して感光性組成物（Ｗ−５０）および（Ｗ−５１）を調製した。これらの粘度および塗膜の吸光度を表１４に示す。
　これらの組成物を露光エネルギーをＷ−５０に対して２００ｍＪ／ｃｍ２、Ｗ−５１に対し５００ｍＪ／ｃｍ２とする他は参考例５と同様に処理してシャープなパターンを得た。その解像度を表１４に示す。このウエハーをイナートオープンを用いて、窒素雰囲気下、１４０℃１時間、３５０℃、１時間熱処理して得たポリイミド塗膜引き剥がし試験、耐水性試験の結果および膜厚、引張強度、伸度を表１４に示す。
　　　【０１１７】
　（参考例５２）
　ポリイミド前駆体を（Ａ１−３１）に代えて（Ａ１−３７）とし、Ｎ−メチルピロリドン８０ｇを用いたほかは実施例４６と同様にして感光性組成物（Ｗ−５２）を調製した。この組成物の粘度は３０ポイズ、塗膜の吸光度は１．２であった。
　この組成物を参考例４６と同様に処理して１３μｍ厚の塗膜を得、現像後の解像度を測定したところ、１０μｍライン／スペースの解像するシャープなパターンが得られた。このウエハーを参考例４６と同様に熱処理して７μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験、耐水性試験ともに応力８ｋｇ／ｍｍ２の時点でエポキシ樹脂を破断し、接着力、耐水性ともに良好であった。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１４ｋｇ／ｍｍ２、伸度は２５％であった。
　　　【０１１８】
　（参考例５３および５４）
　表１５に示す種々のポリイミド前駆体５０ｇを用いた他は参考例６と同様にして感光性組成物（Ｗ−５３）および（Ｗ−５４）を調製した。これらの組成物の粘度及ぴ塗膜の吸光度を表１５に示す。
　これらの組成物を、参考例６と同様の方法で処理して得られたパターンの解像度、また、加熱硬化後のポリイミド塗膜の引き剥がし試験、耐水性試験の結果および膜厚、引張強度、伸度を表１５に示す。
　　　【０１１９】
　（比較例７）
　ポリマー前駆体（Ａ１−８）に代えて（Ａ１−３８）を用い、参考例６と同様にして感光性組成物（ＷＲ−７）を調製した。この組成物の粘度は６０．２ポイズ、塗膜の吸光度は２．０であった。
　次に、これらの組成物を参考例６と同様に処理して、１２μｍの塗膜を得、現像後の解像度を測定したところ、強い逆台形性のパターン断面形状により、ライン／スペースのラインが流れ、実用上問題があった。このウエハーから、参考例６と同様の方法で７μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。このフィルムは、引き剥がし試験では応力５ｋｇ／ｍｍ２で破断し、耐水性試験では３ｋｇ／ｍｍ２以下に低下した。また、このポリイミド塗膜の引張強度は１４ｋｇ／ｍｍ２、伸度は３０％であった。
　　　【０１２０】
　＜その他の物性試験＞
　以下に、感光性組成物、およびそれから得られるポリイミド塗膜の種々の物性を測定し、その結果を表１６〜１７に示す。測定方法、評価は以下のとおりである。
　（１）保存安定性試験
　実施例、参考例１〜５４および比較例１〜６で製造した感光性組成物（Ｗ−１）〜（Ｗ−５４）および（ＷＲ−１）〜（ＷＲ−６）を４０℃でのオープン中で５日間保持した。保持後の粘度変化、パターン形成能力を測定することにより、組成物の熱安定性を調べた。
　評価：±５％以上の粘度変化なく、保持前と同様に塗布、パターン形成可能・・・良好（○）
　　　　±２５％までの粘度変化が認められるが、塗布回転数の変更により塗布、パターン形成可能・・・実用上問題なし（△）
　　　　±２５％を超える粘度変化が認められるが、塗布不可能・・・不良（×）
　　　　【０１２１】
　　（２）長時間現像の影響
　実施例１〜５４、比較例４および６と同様の条件で感光性組成物（Ｗ−１）〜（Ｗ−５４）、（ＷＲ−４）および（ＷＲ−６）を用いて塗布、露光を行い、次いで実施例、参考例１〜５４、比較例４、６において行った現像よりも３０％長い時間現像を行った後リンスしてパターンを得た。
　評価：シャープなパターンが得られた・・・・・・・・・・良好（○）
　　　　僅かにパターンの膨潤あり・・・・・・・実用上問題なし（△）
　　　　露光部分が　部膨潤、溶解し、解像せず・・・・・・不良（×）
　　　【０１２２】
　（３）ポリイミド塗膜の耐熱性試験
　実施例、参考例１〜２８及び比較例３で得られたポリイミドフィルムを、（ｉ）２８０℃のハンダ浴上に２０秒間おいた場合および（ｉｉ）３００℃に加熱した金属のてこを２秒間押し当てた場合のフィルムの変化を観察した。
　評価：（ｉ）変化なし・・・・・・・・・・・・・・・・・良好（○）
　　　　　　　収縮が起こり、部膨潤・・・・・　実用上問題なし（△）
　　　　　　　溶解し、回収不可能・・・・・・・・・・・・不良（×）
　　　（ｉｉ）大きな変化なし・・・・・・・・・・・・・・良好（○）
　　　　　　　跡が生じる・・・・・・・・・・・実用上問題なし（△）
　　　　　　　穴が生じる・・・・・・・・・・・・・・・・不良（×）
　　　【０１２３】
（４）ポリイミドフィルムの伸度
参考例８、２７，２８、３０および５４、比較例１、２および７で得られたポリイミドフィルムをそれぞれ沸騰水中に４８時間保持した後、５０℃のオーブン中で２時間乾燥し、フィルムの伸度を測定した。参考例８、２７、２８からのフィルムの沸騰後の伸度はそれぞれ９０％が８５％、２７％が３０％、６５％が６５％であり、沸騰水中でのフィルムの伸度の変化はほとんど認められなかった。参考例３０および５４は、夫々、１０％が５％以下に、３０％が１５％に低下した。比較例１よび７ではそれぞれ、３０％が２２％、３０％が１０％に低下した。その比較例２では、８％が２％以下となり、伸度測定ができなかった。
　　　【０１２４】
　【表１】
　　　【０１２５】
　【表２】
　　　【０１２６】
　【表３】
　　　【０１２７】
　【表４】
　　　【０１２８】
　【表５】
　　　【０１２９】
　【表６】
　　　【０１３０】
　【表７】
　　　【０１３１】
　【表８】
　　　【０１３２】
　【表９】
　　　【０１３３】
　【表１０】
　　　【０１３４】
　【表１１】
　　　【０１３５】
　【表１２】
　　　【０１３６】
　【表１３】
　　　【０１３７】
　【表１４】
　　　【０１３８】
　【表１５】
　　　【０１３９】
　【表１６】
　　　【０１４０】
　【表１７】
　　　【０１４１】
　　【発明の効果】
　本発明の感光性組成物によれば、今後半導体装置の製造におけるフォトリソグラフィ工程で一般化してくるｉ線露光プロセスによって、高い解像度でポリイミドのパターンを得ることができる。従って、従来のように複雑かつ有毒な物質を使用する非感光重合体を用いることなく、簡便にポリイミド塗膜を得ることができる。
　また、本発明の感光性組成物から加熱変換後に得られるポリイミドフィルムは耐水性及び基材との接着性において優れたものである。