【事件の表示】
　特許第２９２１４９９号「プラズマ処理装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９２１４９９号の特許を維持する。
【理　由】
（Ｉ）手続きの経緯
　本件特許第２９２１４９９号の請求項１に係る発明は、平成８年７月３０日に特許出願され、平成１１年４月３０日に設定登録され、平成１１年７月１９日に特許公報に掲載されたところ、平成１２年１月１３日に吉成　迪夫（以下、申立人という。）から特許異議の申立がなされ、その後の取消理由通知に対し、その指定期間内である平成１２年７月２７日付けで訂正請求がなされたものである。
（ＩＩ）訂正請求について
ＩＩ−１．訂正事項
（１）特許明細書の請求項１に記載された「この誘電体部材に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有し前記反応容器に真空シール介して取付けられる対向電極」という表現を、「前記反応容器を真空シールする誘電体板に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有する対向電極」という表現に訂正する。
（２）特許明細書の段落番号【００１９】の「この誘電体部材に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有し前記反応容器に真空シール介して取付けられる対向電極」という表現を、「前記反応容器を真空シールする誘電体板に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有する対向電極」という表現に訂正する。
ＩＩ−２．訂正の適否            
　訂正事項（１）は、特許明細書の請求項１に記載された「この誘電体部材に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有し前記反応容器に真空シール介して取付けられる対向電極」という表現を、特許明細書の【００２２】、【００２６】及び図２の記載に基づいて、その内容が明りょうとなるように訂正したものであり、訂正事項（２）は、請求項１の訂正に伴い必要となった、発明の詳細な説明を特許請求の範囲に整合させるための訂正であるから、訂正事項（１）及び（２）は、ともに、特許明細書中の明りょうでない記載の釈明に該当するものであり、特許明細書に記載された事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　したがって、本件の訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項の規定および同法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第２乃至３項の規定に適合し、適法なものと認める。
（ＩＩＩ）特許異議申立について
ＩＩＩ−１．特許異議申立の理由
　申立人は、甲第１号証［実願平３−２８６３４号（実開平４−１１７４３７号）のマイクロフィルム］、甲第２号証（特開昭６３−７０５２６号公報）、参考文献１（特開平４−３６１５２９号公報）、参考文献２（特開平７−３３５５６７号公報）、参考文献３（特開昭６４−３０１４２号公報）、及び参考文献４（特開平１−２８３３５９号公報）を提示し、
（Ａ１）訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、前記発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり取り消されるべきものである、
（Ａ２）訂正前の請求項１に記載された「この誘電体部材に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有し前記反応容器に真空シール介して取付けられる対向電極」という表現は明りょうでないから、本件特許は特許法第３６条第６項の規定を満足しない出願に対してなされたものであり取り消されるべきものである、
旨を主張する。
ＩＩＩ−２．本件発明
　本件発明は、上記訂正請求により訂正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「処理すべき試料基板を載置するために設けられた試料保持部を具備する試料保持台を収納する反応容器と、この反応容器の上側の該反応容器外に所定の距離をおいて配置されるとともにマイクロ波発振器からのマイクロ波が導波管を介して伝送される誘電体線路部材と、前記反応容器を真空シールする誘電体板に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有する対向電極と、前記対向電極の隣接する前記マイクロ波導入窓の間のそれぞれの部分に内蔵されるヒーターとを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。」
ＩＩＩ−３．甲各号証及び参考文献の記載事項
　甲第１号証には、
「マイクロ波プラズマ装置」（段落番号【０００８】）に関する発明が記載され、
「本考案は・・・その目的とするところはプラズマ生成室内に導入するマイクロ波強度分布を均一にすることで試料被処理面全面にわたって処理速度の均一性を確保したマイクロ波プラズマ装置を提供するにある。」（段落番号【０００５】参照）、
「反応器１は上部壁を除く全体が金属製であり、特に周囲壁は二重構造であって内部に冷却水用の通流室１１を備え、また上部の耐熱性誘電体板１２によって気密状態に封止され、更にこの耐熱性誘電体板１２の上方に誘電体被覆線路２が設置されている。・・・・誘電体被覆線路２の側部には導波管３を介してマイクロ発振器４が連結され、マイクロ発振器４から発振されたマイクロ波は導波管３、誘電体被覆線路２を経て反応器１内のプラズマ室５内に導入し、反応器１の内部に電界を形成するようにしてある。」（段落番号【０００８】および（補正後の）【図１】参照）、
「図示しない支持台上に試料Ｓが載置される」（段落番号【０００９】参照）、「本考案装置にあっては前記耐熱性誘電体板１２の上面（・・・）に平行に金属板１４を配設してある。金属板１４は前記耐熱性誘電体板１２に密接して設けることが望ましい・・・・該金属板は・・・複数のスリット状をなすマイクロ波透過窓１４ａ，１４ｂ，１４ｃが設けられている。」（段落番号【００１０】参照）と記載されている。
　甲第２号証には、
「マイクロ波プラズマ処理装置」に関する発明が記載され、
「第３図は従来のマイクロ波プラズマ処理装置の概略断面図である。・・・第３図において、１０は真空容器、１１はマイクロ波１２を導く導波管、１３は誘電体としてアルミナで作られたマイクロ波透過窓、１４は被加工物例えばウエハ、１５はステージ、・・・１８は第４図に示す如き窓孔１８ａを有する窓ホルダーである」（第１頁右下欄第１３行〜第２頁左上欄第４行参照）、
「一般に、プラズマ化させる気体に弗素系ガスを用いた場合には透過窓の誘電体材質として前述のアルミナが用いられるが、これは窓材として石英を用いると窓材がエッチングされるからである。この場合に、アルミナは２００℃以上では屈曲強度が急速に劣化するために窓材として用いた場合に窓の開口面積によっては大気圧に耐えられず破損してしまうことがある。そのために、第３図、第４図に示す如く窓孔１８ａのみマイクロ波を通過させるようにし他の部分は透過窓１３を保持するような構造にして破損を防止している。」（第２頁左上欄１７行〜同頁右上欄７行）、
「第１図は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の一実施例概略断面図である。・・・１９は冷却液、例えば水を通す管材（パイプ）であって、第２図図示の如く窓ホルダー１８のブリッジ部１８ｂの内部に埋設されている。このパイプに冷却液を通すことによって透過窓の熱上昇を押えることができるので、ブリッジ部１８ｂのそりは防止でき、・・・当初の開口面積を維持しマイクロ波透過窓の破損を防止することができる。」（第２頁右下欄第２〜１３行参照）と記載されている。
　参考文献１には、マイクロ波と磁場によりプラズマを発生させ例えば半導体ウエハ等の試料をエッチングあるいは成膜処理等するマイクロ波プラズマ装置（段落番号【０００１】参照）が記載され、
第１図としてマイクロ波導入口を反応室外に設けた装置が記載されている。
　参考文献２には、
図１として複数の透孔を有する電極部が反応室内に設けられたマイクロ波プラズマ処理装置が記載され、
「反応器１１は・・・金属を用いて二重構造に形成され、この内部には熱媒体を通すための通流路１２が形成されており、通流路１２の下端部及び上端部には熱媒体の導入管１２ａ及び排出管１２ｂがそれぞれ接続されている。さらに導入管１２ａと排出管１２ｂとは図示しない供給ポンプ、温度調整装置、熱媒体用タンク等に接続されている。これら通流路１２、供給ホンブ、温度調整装置等を含んで加熱手段２１が構成されており、前記温度調整装置により常時所定温度に設定された熱媒体が通流路１２内を所定流量で循環するようになっている。」（第４頁右欄１０〜２０行）と記載されている。
　参考文献３には、
プラズマ処理に用いられるマイクロ波イオン源に関する発明が記載され、
第１図として、マイクロ波導入窓を保持し反応室壁を構成するマイクロ波導入部１２２の全体を適切に冷却するために複数の冷却水による冷却機構１３を設けたマイクロ波イオン源が記載されている。
　参考文献４には、
プラズマ処理装置において、プラズマ処理室の上部にＯリングを介して石英板が配置され、石英板の上面（反応室外）に、スリット板を密着させた状態で空洞共振器が結合されること（第１図および第５頁右上欄９〜１６行参照）が記載されているている。
ＩＩＩ−４．比較・検討
ＩＩＩ−４−１．主張Ａ１について
　甲第１号証には、大面積にわたってプラズマ室内に導入されるマイクロ波の強度分布を均一にするために複数のスリット状のマイクロ波透過窓を有する金属板をマイクロ波導延室側に設けること、および、反応室の周囲壁を冷却することについては記載されているものの、前記金属板にヒーターを埋設することを示唆する記載はない。
　甲第２号証には、窓材のプラズマに面する側に冷却用パイプを埋設した窓ホルダーを設けることが記載されているものの、前記窓ホルダーは、窓材のプラズマに面する側に設けられたものである点で甲第１号証の金属板と相違し、甲第２号証の窓ホルダーは、窓材のエッチングを防止するものでありプラズマ熱による熱上昇を防止するために冷却用パイプを備えるものであって、プラズマによるエッチング防止と熱上昇という課題を有する部分に用いる部材であるから、前記窓ホルダーの構成が、甲第１号証に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置の金属板のような、プラズマに面さない、前記各課題が認識されない側に配備した、マイクロ波透過窓の部材の構成を示唆しているとすることはできない。
　さらにまた、甲第１号証に記載された金属板をヒーターを埋設したものとするためには、甲第２号証に記載の熱上昇の防止に用いる冷却用パイプをヒーターに代えることが必要であるところ、熱上昇の防止に用いる冷却用パイプをヒーターに代えることが周知であるともいえないから、甲第２号証の記載をみても、甲第１号証に記載された金属板をヒーターを埋設したものとすることが当業者に容易であったとすることはできない。
　したがって、甲第１号証及び甲第２号証の記載をみても、本件発明の「反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有する対向電極と、対向電極の隣接する前記マイクロ波導入窓の間のそれぞれの部分に内蔵されるヒーターとを備える」という構成が当業者に容易に想到することができた構成であったとすることはできない。
　そして、本件発明は、前記構成を採用することにより、明細書の段落番号【００３０】および【００３１】に記載されたとおりの、デバイス製造の歩留まりを向上させることができ、ウェハ間の処理のばらつきがなくなるという効果を奏したものである（段落番号【００１５】、【００１６】、【００２７】、【００２８】参照）。
　してみれば、本件発明が、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　したがって、Ａ１の主張は採用することができない
　なお、参考文献１、４には、スリット板を反応室外に設けることが記載されているものの、該スリット板にヒーターを設けることの示唆はなく、参考文献２、３は、ともに、スリット板を反応室内に設けるものであるうえに、参考文献２は反応室の側壁を冷却するものであり、参考文献３はスリット部材を冷却するものであって、スリット板を反応室外に設けかつスリット板にヒーターを内蔵させるという本件発明の構成を示唆するところがないから、参考文献１〜４を総合しても、本件発明が、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
ＩＩＩ−４−２．主張Ａ２について
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された明りょうでない記載は、前記の訂正請求に係る訂正によって明りょうなものとなった。
　したがって、Ａ２の主張は採用することができない。
（ＩＶ）むすび
　以上のとおりであるから、申立人の主張する理由および証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月２４日（２０００．８．２４）
【訂正の要旨】
訂正事項
（１）特許明細書の請求項１に記載された「この誘電体部材に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有し前記反応容器に真空シール介して取付けられる対向電極」という表現を、「前記反応容器を真空シールする誘電体板に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有する対向電極」という表現に訂正する。
（２）特許明細書の段落番号【００１９】の「この誘電体部材に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有し前記反応容器に真空シール介して取付けられる対向電極」という表現を、「前記反応容器を真空シールする誘電体板に密着しかつ前記反応容器外に配置されるとともに複数のマイクロ波導入窓を有する対向電極」という表現に訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　処理すべき試料基板を載置するために設けられた試料保持部を具備する試料保持台を収納する反応容器と、この反応容器の上側の該反応容器外に所定の距離をおいて配置されるとともにマイクロ波発振器からのマイクロ波が導波管を介して伝送される誘電体線路部材と、
前記反応容器を真空シールする
板
す
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス等の製造プロセスに用いられる半導体素子基板等のエッチングもしくは薄膜形成等にマイクロ波を導入しプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】低ガス圧力に保った真空反応容器内に、マイクロ波を導入することによりガス放電を起こし得られたプラズマを、試料に照射する事によりエッチングや薄膜形成等の処理を行うプラズマ処理装置は、高集積半導体素子や液晶の製造に欠かせない。特に、プラズマ生成に関わるマイクロ波と生成されたプラズマ中のイオンの加速を行うための電力とをそれぞれ独立に制御出来るプラズマ処理装置が、ドライエッチング技術及び薄膜形成技術において望まれる。
　【０００３】図４は従来のプラズマ処理装置の一例を示す模式断面図である。プラズマの生成とプラズマ中のイオンの加速とを独立に制御する事が出来るプラズマエッチング装置は、例えば、Ｔ．Ａｋｉｍｏｔｏ　ｅｔ　ａｌ．，Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ．，３３（１９９４），Ｈ．Ｍａｂｕｃｈｉ　ｅｔ　ａｌ．，Ｐｒｏｃ．１６ｔｈＳ−ｙｍｐ．Ｄｒｙ　Ｐｒｏｃｅｓｓ，Ｐ２３５（１９９４）に開示されている。このプラズマ処理装置は、図４に示すように、アルミニウム、ステンレス等の金属により形成されている中空直方体形状の反応容器１と、この反応容器１の上部に配置されるとともにマイクロ波の透過性を有し誘電損失が小さくかつ耐熱性をもつ、例えば、石英ガラスまたはＡｌ２Ｏ３等を用いて形成された誘電体板２を備えている。
　【０００４】また、反応容器１の上方には誘電体板２と所定の間隔をおいて対向し誘電体板２を覆いうる大きさの誘電体線路３が設置されている。この誘電体線路３は誘電損失の小さいフッ素樹脂等の誘電体材料で形成された誘電体層とこの誘電体層の上面に設置されたＡ１等の金属板４とで構成されている。さらに、誘電体線路３にはマイクロ波発振器５より導波管６を介してマイクロ波が導入されるようになっており、誘電体線路３の終端は金属板４で封止されている。
　【０００５】反応室１の内部には処理対象物である試料Ｓを保持するための試料保持部７を有する試料台８が設けられており、試料保持部７には試料Ｓ表面にバイアス電圧を発生させるための高周波電源９が接続されている。試料Ｓに対向する誘電体板２の下面には、反応容器１を介してアース１０に接続されたアルミ製の対向電極１１が密接して設置されている。また、この対向電極１１にはマイクロ波が反応容器１内に進入出来るように多数のマイクロ波の導入窓１４が形成されている。
　【０００６】この金属製の対向電極１１は高周波電源９が供給されるカソード（試料保持部７）に対するアノードとなり、アース電極として、電極間に歪みのない電界を発生させ、カソード上に載置された試料Ｓにおいて均一なバイアス電圧を発生させることができる。即ちこのアノードは、このプラズマ処理装置において非常に重要な構成部品となっている。
　【０００７】一方、反応容器１の下部壁には反応容器１を真空に排気するための排気装置に接続された排気管１２が連結されており、さらに、反応容器１の側壁には反応容器１内に必要な反応ガスを供給するためガス供給管１３が接続されている。また、反応容器及び上部電極にはそれぞれヒーター１５及び１６を設置し、反応容器１及び上部電極を予め加熱し、デポジションの付着を防止している。さらに、それぞれのヒーター１５，１６に対し、電力を供給するためのヒーター電源１９が設置されている。
　【０００８】上記のように構成されたプラズマ処理装置にあっては、以下のようにして試料Ｓ表面にプラズマ処理が施される。まず、排気管１２から排気を行って反応容器１内を所定の圧力に設定し、その後ガス供給管１３から反応ガスを供給する。次に、マイクロ波発信器５においてマイクロ波を発振させ、導波管６を介して誘電体線路３に導入する。すると誘電体線路３下方に電界が形成され、形成された電界が誘電体板２を透過しアースされた対向電極１１のマイクロ波の導入窓１４をとおり抜けて反応容器１内においてプラズマを発生する。同時に、前記プラズマ中のイオンのエネルギーを制御するため、高周波電源９により試料Ｓが載置されている試料保持部７に高周波電源を印加し、試料Ｓ表面にバイアス電圧を発生させる。このバイアス電圧により、イオンを試料Ｓに対して垂直に入射させるとともに、試料Ｓに入射するイオンのエネルギーを制御する。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】図５は図４の対向電極を下から見て示す平面図である。上述した従来のプラズマ処理装置では、対向電極１１は反応容器１の内部にあり、対向電極１１がプラズマに直接触れる構造になっている。また、この対向電極１１はアルミを母材としその表面はアルマイトでコーティングされている。しかしながら、対向電極１１をプラズマ処理装置に設置し、プラズマ処理を行うと表面のアルマイトコーティングに亀裂が入り、母材であるアルミとフッ素が反応しＡｌＦ３を主成分としたゴミが発生するという問題が発生した。
　【００１０】この問題を確認する意味で、以下に実際に行った実験の結果を示す。
　【００１１】まず、ＣＦ４／ＣＨ２Ｆ２＝４０／４０ｓｃｃｍ、μ／ＲＦ＝１３００／６００Ｗ、プラズマ照射時間２分の条件でダミーウェハ２５枚を処理し、直後にダミーウェハをＣＦ４／ＣＨ２Ｆ２＝４０／４０ｓｃｃｍの条件でガスを噴き出させながらプラズマを生成させずにチャンバ内を搬送させた。その結果、直径０．４μｍのゴミが８インチウェハ上で２万個程度測定された。さらにそのゴミをＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ）を用いて分析した結果、ＡｌＦ３と同定出来た。このように、Ａｌ製対向電極１１が反応容器１内に存在すると、プラズマ処理を行うことで多くのゴミを発生し、半導体素子製造の障害となる。
　【００１２】従って、本発明の第１の目的は、ゴミの発生を抑制することを目的としたものである。
　【００１３】また、上述した従来のプラズマ処理装置における誘電体板２は、厚さ２ｃｍのＡｌ２Ｏ３或いは石英ガラス製である。Ａｌ２Ｏ３或いは石英ガラスは熱容量が大きく、反応容器中でプラズマ処理を行うと、次第に温度が上昇しやがて飽和温度に達する。誘電体板２の温度上昇は、誘電体板に付着していたデポジションが温度上昇により放出されエッチング特性に大きな影響を与える。即ち、誘電体板２の温度が上昇すると、ウェハ上へのデポジションが増大するためエッチレートの低下や選択比の変化が観察される。
　【００１４】この問題を確認する意味で、以下の実験を行なった。
　【００１５】まず、ＣＦ４／ＣＨ２Ｆ２＝４０／４０ｓｃｃｍ、μ／ＲＦ＝１３００／６００Ｗ、プラズマ照射時間２分の条件でＰｏｌｙ−Ｓｉのウエハ７枚を処理しつつ、それぞれのウエハ処理ごとの誘電体板２の中心部の温度変化及びＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチレート変化を確認した。また、耐熱製板である誘電体板２は反応容器に取り付けられたヒーター１５と対向電極１１の周囲に取り付けられたシート状のラバーヒーター１６からの熱伝導で予め加熱されており、その設定温度は１７０℃である。しかしながら、誘電体板２の中心部の温度は１４３℃となった。このことは、ラバーヒーター１６により誘電体板２を均一に加熱する事は困難であることが判明した。誘電体板２の中心部の温度変化及びＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチレート変化を表１に示す。
　【００１６】
　【００１７】このように不安定なエッチング特性は、デバイス製造においてウェハ間に差を生じさせる原因となる。
　【００１８】従って、本発明の第２の目的は、中央部の誘電体板の温度変化を抑制し誘電体板の温度を均一にすることを目的としている。
　【００１９】
　【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、処理すべき試料基板を載置するために設けられた試料保持部を具備する試料保持台を収納する反応容器と、この反応容器の上側の該反応容器外に所定の距離をおいて配置されるとともにマイクロ波発振器からのマイクロ波が導波管を介して伝送される誘電体線路部材と、
前記反応容器を真空シールする
板
す
　【００２０】
　【００２１】
　【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照して説明する。
　【００２２】図１は本発明の第１の実施の形態におけるプラズマ処理装置を示す模式断面図である。このプラズマ処理装置は、図１に示すように、アルミニウム、ステンレス等の金属により形成されている反応容器１と、この反応容器１の上部に気密に取付けられるとともにマイクロ波の透過性を有し誘電損失が小さくかつ耐熱性をもつ、例えば、石英ガラスまたはＡｌ２Ｏ３等を用いて形成された誘電体板２と、複数のマイクロ波の導入窓１４を有し誘電体板２と密着するように反応容器外側に設置される対向電極１１とを備えている。
　【００２３】すなわち、対向電極１１が直接プラズマにさらされないように反応容器１外に配置させたことである。この構造にすることにより、対向電極１１の母材であるＡｌとフッ素プラズマが反応することにより生成するＡｌＦ３を主成分とするゴミの発生を抑制できる。また、この対向電極１１の周囲にはヒーター１６を設置し、対向電極１１と密着した誘電体板２を加熱しデポジションの付着を抑制している。
　【００２４】次に、このプラズマ処理装置の動作を説明する。まず、排気管１２から排気を行って反応容器１内を所定の圧力に設定しその後ガス供給管１３から反応ガスを供給する。次に、マイクロ波発振器５においてマイクロ波を発振させ、導波管６を介して誘電体線路３に導入する。このことにより、誘電体線路３下方に電界が形成され、形成された電界がアースされた対向電極１１のマイクロ波導入窓をとおり抜け、さらに誘電体板２を透過し反応室１内においてプラズマを発生する。同時に、プラズマ中のイオンエネルギーを制御するため、高周波電源９により試料Ｓが載置されている試料保持部７に高周波電力を印加し、試料Ｓ表面にバイアス電圧を発生させる。このバイアス電圧により、イオンを試料Ｓに対して垂直に入射させるとともに、試料Ｓに入射するイオンのエネルギーを制御しつつ試料Ｓであるウェハに対する処理を行う。
　【００２５】次に、上述のプラズマ処理装置を用いて実験を行った結果を説明する。まず、ＣＦ４／ＣＨ２Ｆ２＝４０／４０ｓｃｃｍ、μ／ＲＦ＝１３００／６００Ｗ、プラズマ照射時間２分の条件でダミーウェハ２５枚を処理し、直後にダミーウェハをＣＦ４／ＣＨ２Ｆ２＝４０／４０ｓｃｃｍの条件でガスを噴き出させながらプラズマを生成させずにチャンバ内を搬送させた。その結果、観測されたゴミが８インチウェハ上で２０個程度であった。さらにこのゴミをＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ）を用いて分析した結果、ＡｌＦ３は検出されず、主成分はデポジションの構成分子であるフルオロカーボンであることが判明した。以上の結果より、ゴミの低減に大きな効果を発揮する事が分かった。
　【００２６】図２は本発明の第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置を示す模式断面図、図３（ａ）および（ｂ）は図２の対向電極を抽出して示す平面図およびＡＡ断面図である。このプラズマ処理装置は、図１に示す前述の実施の形態で説明したプラズマ処理装置の対向電極１１に替えて、図３に示すように、マイクロ波の導入窓１４の間のそれぞれに独立してヒーター１７が内蔵された対向電極１８を設置する。この対向電極１８により、対向電極１８の下側に設置されかつ対向電極１８と密着し反応容器１を真空シールしている石英ガラス或いはＡｌ２Ｏ３で形成された誘電体板２をそれぞれのヒーターへの電流を制御し予め均一に加熱することで、誘電体板２の温度変化を抑制出来る構造を特徴としている。
　【００２７】次に、このプラズマ処理装置を用いて上述した処理の手段による実際に実験を行った。結果を示す。まず、ＣＦ４／ＣＨ２Ｆ２＝４０／４０ｓｃｃｍ、μ／ＲＦ＝１３００／６００Ｗ、プラズマ照射時間２分の条件でＰｏｌｙ＝Ｓｉのベタウェハ７枚を処理しつつ、それぞれのウェハ処理ごとの誘電体板２の中心部の温度変化及びＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチレート変化を確認した。対向電極１８に内蔵したヒーター１７は、１７０℃に設定した。この時誘電体板２は対岸電極に内蔵されたヒーター１７により直接加熱され、また反応容器１に取り付けられたヒーター１５と対向電極１８の周囲に取り付けられたヒーター１６からの熱伝導によりその初期温度は１６８℃であった。なお、温度測定は蛍光温度計を用い、誘電体板２の反応容器面中心の温度を測定した。結果を次に示す。
　【００２８】
　【００２９】以上の結果より、Ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチレートがウェハ処理枚数に対し安定している事から、プロセス安定性に対し大きな効果を有することが分かった。
　【００３０】
　【発明の効果】以上説明したように本発明は、対向電極を反応容器外側に設置し対向電極が直接プラズマにさらされない構造とすることにより、プラズマ処理を行うことによる対向電極の表面のアルマイトコーティングに亀裂や、母材であるアルミとプラズマガスが反応し生成されるゴミが無くなり、デバイス製造の歩留りを向上させることができるという効果がある。
　【００３１】また、マイクロ波導入窓をもつ対向電極に一様にヒーターの複数個を内蔵させ、対向電極の下側に密着させ設置されるとともに反応容器を真空シールを介して密閉する石英ガラス或いはＡｌ２Ｏ３で形成された誘電体板をこれらヒーターにより予め加熱することで、誘電体板の中央部の温度上昇を抑制できプロセスの安定性が向上し、ウェハ間の処理のばらつきが無くなるという効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の第１の実施の形態におけるプラズマ処理装置を示す模式断面図である。
　【図２】本発明の第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置を示す模式断面図である。
　【図３】図２の対向電極を抽出して示す平面図およびＡＡ断面図である。
　【図４】従来のプラズマ処理装置の一例を示す模式断面図である。
　【図５】図４の対向電極を下から見て示す平面図である。
　【符号の説明】
１　　反応容器
２　　誘電体板
３　　誘電体線路
４　　金属板
５　　マイクロ波発振器
６　　導波管
７　　試料保持部
８　　試料台
９　　高周波電源
１０　　アース
１１，１８　　対向電極
１２　　排気管
１３　　ガス供給管
１４　　導入窓
１５，１６，１７　　ヒーター