【事件の表示】
　特許第２７０９６８０号「複合型正特性サーミスタ装置」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７０９６８０号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７０９６８０号については、平成５年２月１９日に特許出願され、平成９年１０月２４日に特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされ、当審より取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年３月８日に訂正請求がなされた。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の要旨
　訂正請求書において、本件特許の願書に添付した明細書を訂正明細書のとおり訂正しようとしているが、その要旨は、以下の（ａ）〜（ｃ）のとおりのものと認める。
（ａ）本件特許の願書に添付した明細書の特許請求の範囲請求項１において、「前記正特性サーミスタの電極層の凹凸が１０μｍ以下であることを特徴とする」とあるのを、「前記正特性サーミスタの前記電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、前記共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されている」と訂正する。
（ｂ）本件特許の願書に添付した明細書の特許請求の範囲請求項２及び３を削除する。
（ｃ）本件特許の願書に添付した明細書の段落番号【００２２】の「正特性サーミスタの電極層の凹凸が１０μｍ以下であることを特徴とする」とあるのを「正特性サーミスタの前記電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、前記共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されていることを特徴とする」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の在否
１）訂正事項（ａ）については、本件特許の願書に添付した明細書の特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１の記載を訂正したものであり、訂正事項（ｂ）についても本件特許の願書に添付した明細書の特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項２及び３を削除したものでる。そして、これらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２）訂正事項（ｃ）については、特許請求の範囲の上記訂正事項（ａ）及び（ｂ）に伴って発明の詳細な説明の記載を整合させるものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とし、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（３）独立特許要件の判断
１）訂正請求に係る発明
　訂正明細書の特許請求の範囲請求項１に係る発明は、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】表面に電極層を形成された加熱用正特性サーミスタと電流制御用正特性サーミスタとからなり、
　前記加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタの間に配置された電極面に接触する１個の共通端子と、
　前記加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタのうちの一方の電極面に接触する２個のバネ端子とを具えた複合型正特性サーミスタ装置において、
　前記正特性サーミスタの前記電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、前記共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されていること
を特徴とする複合型正特性サーミスタ装置。」
２）引用刊行物等
　当審が取消理由通知で引用した刊行物１（特開昭６１−１８１１０２号公報）には、「第２図は２素子タイプの正特性サーミスタの配置図で、同図１，２はそれぞれＰ．Ｔ．Ｃ素子である。素子１，２とも正特性サーミスタ素子であるが、素子１，２はヒータの役割をするため熱結合し、電流減少機能を早めている。」（第２頁左上欄第８行〜第１２行）、「２方のＰ．Ｔ．Ｃ素子の共通端子５に素子全面が密着するために、無電解ニッケルメッキ３と銀４とでは電流密度及び熱膨張係数の違いにより、歪が起きているのが第３図の部分電極であり、第１図の全面電極では銀と共通端子５の密着により上記の歪が起らないものと考える。尚，第２図で５は共通端子、６は端子である。」（第２頁左上欄第１６行〜右上欄第２行）と記載されている。また、第２図には、（加熱用）正特性サーミスタ１と（電流制御用）正特性サーミスタ２のうち一方の電極面に接触する２個のバネ端子６、６が示されていると認められる。そして、第２頁の表には、Ｐ．Ｔ．Ｃ素子の電極厚みを６〜８、１０〜１２μｍにすることが開示されている。
　したがって、刊行物１には、表面に電極層を形成された加熱用正特性サーミスタと電流制御用正特性サーミスタとからなり、前記加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタの間に配置された電極面に接触する１個の共通端子と、前記加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタのうちの一方の電極面に接触する２個のバネ端子とを具えた複合型正特性サーミスタ装置において、前記正特性サーミスタの前記電極層の厚みを６〜８μｍ、１０〜１２μｍにした２素子タイプの正特性サーミスタ、が記載されていると認められる。
　同じく、当審が取消理由通知で引用した刊行物２（株式会社学献社発行「エレクトロニクス・セラミックス」冬号、１９７９年１月１日発行、第６１頁〜第６５頁）には、「ＰＴＣに大きな電力と高い温度の伝達を期待する場合、…焼成後表面研磨により平面度を出す方法がとられるようになってきた。…このような研磨加工により、平面度は５μｍ位が得られる。」（第１６頁左欄第第１６行〜右欄第１行）、「ＰＴＣにオーミック性の電極を付与するためにＮｉに電解メッキをする。」（第１６頁右欄第３行〜第４行）、「大きな突入電力を全面に均等に流し込むためにＮｉ無電解メッキの上に銀メッキを施す。」（第１６頁右欄第１１行〜第１２行）と記載されている。
　したがって、刊行物２には、ＰＴＣ焼成後に平面度５μｍ位の表面研磨を施し、Ｎｉ等の電極を付与することが記載されていると認められる。
　同じく、当審が取消理由通知で引用した刊行物３（特開昭５２−５８１３９号公報）には、「この基板１０の溝２０ａ、３０ａ、２０ｂ、３０ｂが形成されてなる表面全域に蒸着、スパッタリング等の方法により電極Ｅを付与する（第５図）。その後この電極Ｅが付与されている基板１０表面を、ラッピング等の方法により研磨し、各溝２０ａ、３０ａ、２０ｂ、３０ｂ外の電極Ｅを除去し、溝内の電極のみを残して対向電極４０、５０を形成し、発熱体を得るのである（第６図）。」（第２頁右下欄第６行〜第１４行）と記載されている。
３）対比・判断
　まず、訂正明細書の請求項１に係る発明（以下「訂正請求に係る発明」という。）と取消理由通知で引用した刊行物１に記載されたものとを対比すると、訂正請求に係る発明は、正特性サーミスタの電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されているのに対し、刊行物１に記載のものは、正特性サーミスタの電極層の厚みを６〜８μｍ、１０〜１２μｍにした点において相違している。したがって、刊行物１に記載されたものは、訂正請求に係る発明の構成要件である「共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されている」という構成を備えていない。
　次に、訂正請求に係る発明と刊行物２に記載されたものを対比すると、刊行物２に記載されたものは、訂正請求に係る発明の構成要件である「正特性サーミスタの電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されている」という構成を備えていない。
　さらに、訂正請求に係る発明と刊行物３に記載されたものを対比すると、刊行物３に記載されたものは、刊行物２に記載されたものと同様訂正請求に係る発明の構成要件である「正特性サーミスタの電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されている」という構成を備えていない。
　したがって、刊行物１乃至３のいずれに記載されたものも訂正請求に係る発明の構成要件である「共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されている」という構成を備えていない。
　そして、訂正請求に係る発明は上記構成により訂正明細書に記載のとおりの効果を奏するものである。
　したがって、訂正請求に係る発明は、各刊行物等に記載された発明と同一ではなく、また、それらから当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　そして、他に、訂正請求に係る発明が出願の際独立して特許を受けることができない発明とする理由を発見しない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項の規定において準用する同法１２６条の第２項乃至第４項の規定に適合するもので当該訂正を認める。
３．特許異議申立についての判断
　上記訂正請求は、「２．訂正の適否についての判断」に示したとおり、合法になされたものであるから、本件請求項１に係る発明は、訂正請求書に添付した訂正明細書の特許請求の範囲請求項１に記載のとおりのものと認める。
　そして、本件請求項１に係る発明は、前記「２．（３）独立特許要件の判断」において検討したとおり、特許異議申立人株式会社村田製作所が提出した各刊行物等にそれぞれ記載された発明と同一とすることもできないし、また、それらから当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許異議申立人が主張する理由及び提出した証拠によっては、取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月２０日（１９９９．５．２０）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
（１）本件特許の願書に添付した明細書の特許請求の範囲請求項１において、「前記正特性サーミスタの電極層の凹凸が１０μｍ以下であることを特徴とする」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記正特性サーミスタの前記電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、前記共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されている」と訂正する。
（２）本件特許の願書に添付した明細書の特許請求の範囲請求項２及び３を、特許請求の範囲の減縮を目的として削除する。
（３）本件特許の願書に添付した明細書の段落番号【００２２】の「正特性サーミスタの電極層の凹凸が１０μｍ以下であることを特徴とする」とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「正特性サーミスタの前記電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、前記共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されていることを特徴とする」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
複合型正特性サーミスタ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　表面に電極層を形成された加熱用正特性サーミスタと電流制御用正特性サーミスタとからなり、
　前記加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタの間に配置された電極面に接触する１個の共通端子と、
　前記加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタのうちの一方の電極面に接触する２個のバネ端子とを具えた複合型正特性サーミスタ装置において、
　前記正特性サーミスタの前記電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、
前記共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されている
を特徴とする複合型正特性サーミスタ装置。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、シャドウマスク型カラー陰極線管（ＣＲＴ）の消磁回路等に用いられる複合型正特性サーミスタ装置に係るものである。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　シャドウマスク型ＣＲＴの消磁回路、冷蔵庫やエアコンのコンプレッサモータ起動用リレー回路あるいは通信機器の保安器回路等電流値を徐々に低下させる必要がある部分に正特性（ＰＴＣ：Ｐｏｓｉｔｉｖｅ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サーミスタが用いられている。
　　　【０００３】
　この正特性サーミスタの代表的な使用例であるシャドウマスク型カラーＣＲＴの消磁回路について説明する。
　シャドウマスク型カラーＣＲＴの主要な構成部品であるシャドウマスクはカラーＣＲＴ蛍光面の直前に設けられており、３本の電子銃から発射された電子ビームを各々対応する蛍光体に衝突させる。
　　　【０００４】
　このシャドウマスクに用いられる材料として、通常は加工性及び価格の点から薄い鋼鉄板が用いられている。そのため、外部磁界等によってシャドウマスクが磁化されることがあり、この磁化によって電子ビームの進路が曲げられ、その結果色ずれ、色むらあるいは画面のゆれが生じる。
　　　【０００５】
　このようなシャドウマスクの磁化によって生じる色ずれ等を防止するために、シャドウマスク型カラーＣＲＴの前面ガラスであるフェースプレートの外周に消磁コイルを設け、消磁コイルに徐々に減少する交番電流を流すことによって、シャドウマスクの消磁を行う。
　　　【０００６】
　この徐々に減少する消磁電流を発生させるために、ＰＴＣサーミスタが用いられている。
　ＰＴＣサーミスタはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とする酸化物半導体セラミックであり、材料組成を制御することにより抵抗急変温度いわゆるスイッチング温度を任意に設定できるため、温度センサ、電流制限素子あるいは定温発熱体として使用されている。
　　　【０００７】
　図３（ａ），（ｂ）にＰＴＣサーミスタの構造を、同（ｃ）にＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性を示す。
　ＰＴＣサーミスタの形状としては（ａ）に示したケースタイプと（ｂ）に示したリードタイプがある。
　（ａ）に示したケースタイプにおいては、ＰＴＣサーミスタ素子１０はバネ端子１１及び１２に挟まれた状態でケース１３内に収納されている。
　（ｂ）に示したリードタイプにおいてはケースタイプと同様の構造を有するＰＴＣサーミスタ素子及び電極がモールドされている。
　　　【０００８】
　（ｃ）に示されるのは横軸に温度Ｔを縦軸に抵抗Ｒを採ったＰＴＣサーミスタ抵抗−温度特性曲線であり、ＰＴＣサーミスタの抵抗値は温度が上昇するにつれて、温度が比較的低い間は次第に低下し温度がスイッチング温度になる前に最少抵抗値Ｒｍｉｎになり、スイッチング温度を越えると、急激に上昇する。通常は抵抗値がＲｍｉｎの２倍になる温度を回路動作上のスイッチング温度ＴＳとしている。
　　　【０００９】
　ＰＴＣサーミスタの内部抵抗及び表面温度は、ＰＴＣサーミスタの自己発熱量と放熱量が平衡した時点で一定となる。
　したがって、平衡時の内部抵抗をより大きくし、かつ短時間で平衡させることにより、平衡点電流は小さくなりより優れた消磁効果を得ることが可能となる。
　　　【００１０】
　図４に示すのはこのＰＴＣサーミスタを用いた消磁回路の例であって、交流電源２０にＰＴＣサーミスタ２１とＣＲＴ２２のフェースプレート周囲に取り付けられた消磁コイル２３とを直列に接続し、さらに消磁回路をオン／オフするスイッチ２４が付加されて構成されている。
　　　【００１１】
　この消磁回路にはＣＲＴ２２に駆動電圧が印加されるときに交流電源２０から交流電流がＰＴＣサーミスタ２１を経由して供給されることにより消磁が開始される。
　ＰＴＣサーミスタ２１は供給される交流電流により自己発熱して加熱され、所定のスイッチング温度近傍に達すると、ＰＴＣサーミスタ２１の抵抗値が急激に増大し、交流電流が急激に減少する。
　交流電流が減少し平衡した時点で、消磁動作が終了する。
　　　【００１２】
　消磁用ＰＴＣサーミスタの平衡時の抵抗値を大きくし、かつ短時間でその抵抗値に到達するようにすれば、最終的な平衡点電流を降下させることにより完全な消磁を行うことが可能になるとともに、全体の使用電力を削減することが可能になる。
　このことを目的として、ＰＴＣサーミスタ２個で構成した複合型ＰＴＣサーミスタが用いられている。
　　　【００１３】
　図５（ａ）に複合型ＰＴＣサーミスタの構造を、（ｂ）に複合型ＰＴＣサーミスタの動作を示す。
　（ａ）に示した複合型ＰＴＣサーミスタは、加熱用ＰＴＣサーミスタ素子３０と電流制御用ＰＴＣサーミスタ素子３１が共通端子３２を挟んで配置され、各々にバネ端子３３及び３４が接触し、これらの全体がケース３５内に収納されている。
　　　【００１４】
　（ｂ）において、Ａは加熱用ＰＴＣサーミスタ３０の抵抗−温度特性、Ｂは電流制御用ＰＴＣサーミスタ３１の抵抗−温度特性を示す特性曲線である。
　図６の回路で交流電流が加えられると、ＰＴＣサーミスタ３０及び３１は自己発熱して温度が上昇する。発熱温度の高い加熱用ＰＴＣサーミスタ３０の熱は共通端子３２を介して伝えられ、電流制御用ＰＴＣサーミスタ３１はさらに加温されて温度が上昇する。このため、単独で動作したときの平衡状態Ｒ１より高い抵抗値の平衡状態Ｒ２に移行し、電流が流れにくくなり平衡点電流が小さくなる。
　　　【００１５】
　加熱用ＰＴＣサーミスタ３０のスイッチング温度及び平衡時の抵抗値は、電流制御用ＰＴＣサーミスタ３１のスイッチング温度よりも熱を供給する目的のため高く設定されている。したがって、各々のスイッチング温度ＴＳ及びＲＳは異なる値に設定されており、例えば加熱用ＰＴＣサーミスタ３０のスイッチング温度Ｔ２は１３０℃に、電流制御用ＰＴＣサーミスタ３１のスイッチング温度Ｔ１は５０℃に設定されている。
　　　【００１６】
　図６に複合型ＰＴＣサーミスタを使用した消磁回路の構成を示すが、この消磁回路は交流電源４０に電流制御用ＰＴＣサーミスタ４１と消磁コイル４２とを直列に接続し、この電流制御用ＰＴＣサーミスタ４１と消磁コイル４２とが直列に接続されたものと並列に加熱用ＰＴＣサーミスタ４３が接続され、さらに消磁回路をオン／オフするスイッチ４４が付加されて構成されている。
　　　【００１７】
　この消磁回路においては、消磁コイル４２に駆動電圧が印加されるときに交流電流が供給されてシャドウマスクの消磁が行われ、加熱用ＰＴＣサーミスタ４３が発熱することにより電流制御用ＰＴＣサーミスタ４１がより高い温度に加熱され、その温度がスイッチング温度を越えると電流制御用ＰＴＣサーミスタ４１に流れる交流電流が徐々に低下し、交流電流が平衡点電流になると消磁動作が終了する。
　　　【００１８】
　ところで、共通端子３２、バネ端子３３，３４とＰＴＣサーミスタ素子３０，３１との電気的接触を良好にするためにＰＴＣ素子の両面に電極を形成したものがある。
　（ａ）に示すのは無電解メッキ法により、ＰＴＣサーミスタ素子の両面にＮｉ等の金属層２が形成され、さらにその上に電極層をスクリーン印刷法によってＡｇ等からなる金属層７が形成されている。
　また、（ｂ）に示すのは電極層を溶射法によって形成したものであって、ＰＴＣサーミスタ素子１の両面にＡ１あるいは真鍮等の金属層８が形成されている。
　　　【００１９】
　このようにして形成される電極層は表面に凹凸が発生することを避けることができない。そのため、加熱用ＰＴＣサーミスタ３０と共通端子３２及び共通端子３２と電流制御用ＰＴＣサーミスタ３１の密着性が悪く、共通端子３２を介しての熱伝導が不十分になり最終的な平衡点電流が所定の値まで下がらず、消磁が不十分になることがある。
　　　【００２０】
　電流制御用ＰＴＣサーミスタ３１の最終的な電流を所定の平衡点電流まで下げるために、加熱用ＰＴＣサーミスタ３０のスイッチング温度を上げる方法もあるが、通常はケース３５がプラスチックで構成されているため耐熱性の面から限界がある。
　　　【００２１】
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、ＰＴＣサーミスタ素子の表面に電極が形成された複合型ＰＴＣサーミスタにおいて、加熱用ＰＴＣサーミスタと共通端子間及び電流制御用ＰＴＣサーミスタと共通端子間の熱伝導を良好にすることにより平衡点電流及び動作時の消費電力を低下させることを課題とする。
　　　【００２２】
　　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するために、本願においては複合型ＰＴＣサーミスタに使用されるＰＴＣサーミスタに形成された電極の表面特に共通端子に接触する面を平面研磨したものであり、すなわち「表面に電極層を形成された加熱用正特性サーミスタと電流制御用正特性サーミスタとからなり、加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタの間に配置された電極面に接触する１個の共通端子と、加熱用正特性サーミスタと前記電流制御用正特性サーミスタのうちの一方の電極面に接触する２個のバネ端子とを具えた複合型正特性サーミスタ装置において、正特性サーミスタの電極層の凹凸が１０μｍ以下であり、前記共通端子と接触する電極層面に平面研磨が施されていることを特徴とする複合型正特性サーミスタ装置」であることを構成とする発明を提供する。
　　　【００２３】
　　【作用】
　このような構成を有する本願発明において、加熱用ＰＴＣサーミスタから発生した熱は平滑度が高く構成された電極に接触している共通端子を介して効率的に電流制御用ＰＴＣサーミスタに伝導される。
　　　【００２４】
　　【実施例】
　実施例を説明する。
　図１に示すのは本願発明の実施例であって、図５に示した従来のものと同様に（ａ）に示すのは電極層を無電解メッキ後スクリーン印刷法によって形成したもの、（ｂ）に示すのは電極層を溶射法によって形成したものである。
　（ａ）に示す無電解メッキ法により、ＰＴＣサーミスタ素子の両面にＮｉ等の金属層２が形成され、さらにその上に電極層をスクリーン印刷法によってＡｇ等からなる金属層３が形成されているが、この金属層３はもともとあった金属層４を平面研磨することによって取り除いたものである。
　　　【００２５】
　また、（ｂ）に示す電極層を溶射法によって形成したものは、ＰＴＣサーミスタ素子１の両面にＡ１あるいは真鍮等の金属層５が形成されているが、この金属層５ももともとあった金属層６を平面研磨することによって取り除いたものである。
　　　【００２６】
　図１に示す実施例においては、ＰＴＣサーミスタ素子の両面の電極を平面研磨しているが、熱伝導に関与するのは共通電極が接触する面であるから、共通電極が接触する面だけを平面研磨するようにすれば、加工コストを下げることができる。
　　　【００２７】
　本願発明の実施例品と従来のものとを比較した実験データを示す。
　実験には同一形状、同一特性の電極付きＰＴＣサーミスタ素子によって複合型ＰＴＣサーミスタを構成し、本願発明実施例品は電極層を平面研磨し、従来品は自然面のままにし、この複合型ＰＴＣサーミスタを図６に示した消磁回路において、実効値電圧１００Ｖの交流電源に接続し、交流抵抗７．５Ωの消磁コイルを接続して平衡点電流を測定した。
　　　【００２８】
　実験には加熱用ＰＴＣサーミスタとして
　▲１▼φ＝１１．０ｍｍ，ｔ＝２．５ｍｍ，Ｔｓ＝１２０℃、
　▲２▼φ＝１０．５ｍｍ，ｔ＝２．３ｍｍ，Ｔｓ＝１３０℃、
　▲３▼φ＝１１．０ｍｍ，ｔ＝２．３ｍｍ，Ｔｓ＝１４０℃
のものを使用し、電流制御用ＰＴＣサーミスタとして
　▲４▼φ＝１３．３ｍｍ，　ｔ＝２．２ｍｍ，Ｔｓ＝５０℃、
　▲５▼φ＝１４．０ｍｍ，　ｔ＝１．８ｍｍ，Ｔｓ＝５０℃
のものを使用し、平衡点電流は種々のものについて行った。
　　　【００２９】
　その結果を表１に、表１から計算した平衡点電流の変化率を表２に、また電極面の凹凸差を表３に示す。
　【表１】
　【表２】
　【表３】
　　　【００３０】
　表１から明らかなように、平衡点電流はＰＴＣサーミスタ素子の表面を研磨することにより減少し、特に加熱用ＰＴＣサーミスタ素子と電流制御用ＰＴＣサーミスタ素子の両方を研磨加工したものにおいては最大３１．８％も減少した。
　また、加熱用ＰＴＣサーミスタ素子と電流制御用ＰＴＣサーミスタ素子のうちの一方の電極面を研磨加工した場合には、加熱用ＰＴＣサーミスタ素子のみを研磨加工した場合の方が減少率が大きい。
　　　【００３１】
　このことからＰＴＣサーミスタ素子の表面に平面研磨を施して凹凸差を小さくしたことにより加熱用ＰＴＣサーミスタと電流制御用ＰＴＣサーミスタの熱伝導効率が上昇し、電流制御用ＰＴＣサーミスタ素子の平衡点抵抗が大きくなり平衡点電流を小さくすることができることが明かである。
　　　【００３２】
　　【発明の効果】
　以上説明したように、平面研磨することにより複合型ＰＴＣサーミスタの平衡点抵抗を高くし、平衡点電流を小さくすることができる。
　平衡点電流値が小さくなることは、ＣＲＴのシャドウマスクの残留磁荷を小さくすることができるということであり、このことによりＣＲＴの画像品質（色ずれ等）が向上する。また大きい電流を短時間で小さくすることにより、ブラウン管の画像出力も非常に短時間で安定する。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本願発明において用いるＰＴＣサーミスタ素子の構造図。
　　【図２】
　従来のＰＴＣサーミスタ素子の構造図。
　　【図３】
　ＰＴＣサーミスタの構造図及び動作説明図。
　　【図４】
　ＰＴＣサーミスタを用いた消磁回路図。
　　【図５】
　複合型ＰＴＣサーミスタの構造図及び動作説明図。
　　【図６】
　複合型ＰＴＣサーミスタを用いた消磁回路図。
　　【符号の説明】
　１，１０，２１　ＰＴＣサーミスタ素子
　２，３，４，５，６，７，８　　金属層
　２１　　ＰＴＣサーミスタ
　１１，１２，３３，３４　　バネ端子
　１３，３５　　ケース
　２０，４０　　交流電源
　２２　　ＣＲＴ
　２３，４２　　消磁コイル
　２４，４４　　スイッチ
　３０，４３　　加熱用ＰＴＣサーミスタ
　３１，４１　　電流制御用ＰＴＣサーミスタ
　３２　　　　　共通電極