【事件の表示】
　特許第３０３８９５０号「ドライエッチング方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０３８９５０号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０３８９５０号（以下「本件特許」という。）は、平成３年２月１２日に特許出願され、特許権の設定登録の後、特許異議申立人　中野映子より、請求項１及び２に係る特許について特許異議の申立がなされたものである。
　　
II．本件発明
　本件請求項１、２に係る発明（以下「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、願書に添付した明細書及び図面（以下単に「明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】分子構造の少なくとも一部に環状部を有する飽和フルオロカーボン系化合物を含むエッチング・ガスを用いて被エッチング基体の温度を５０℃以下に制御しながら基板上に形成されたシリコン化合物層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】分子構造の少なくとも一部に環状部を有する不飽和フルオロカーボン系化合物を含むエッチング・ガスを用いて被エッチング基体の温度を５０℃以下に制御しながら基板上に形成されたシリコン化合物層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。」
　　　　
III．特許異議申立について
（１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　中野映子は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（米国特許第４３２４６１１号明細書）、甲第２号証（米国特許第４８４０６５２号明細書）、及び甲第３号証（米国特許第４１６２１８５号明細書）を提示して、本件発明１は、甲第２、３号証を参酌すれば、甲第１号証に記載された発明であり、また、甲第１〜２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、さらに、本件発明２は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、その特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
（２）証拠の記載事実
甲第１号証
(1-1)「二酸化シリコン及び窒化シリコンをエッチングする工程及びガス混合物」（発明の名称）
(1-2)「平面状の反応装置内のプラズマ環境にある二酸化シリコン及び／又は窒化シリコンをエッチングする工程とそれに用いるガス混合物。ガス混合物は、第一のエッチングガスと、エッチングの選択性をコントロールする第二のガスから成る。」（要約）
(1-3)「反応装置の動作中、電極は、通路（図示せず）を循環する冷媒によっておよそ５℃〜２０℃の温度に維持される。」（第２欄第３〜６行）
(1-4)「反応装置内の基板上の二酸化シリコン及び／又は窒化シリコンをエッチングする工程において、前記反応装置は、一つのチャンバと、間隔を空けたほほ平坦な一対の電極とを有し、また、両電極の間に基板を配置する段階と、純粋の炭素−フッ素ガスから成る第一のガスを約１〜３トルの圧力で導入する段階と、水素を含む第二のガスを約０．５〜１．５トルの圧力で導入する段階と、両電極に電圧を加えてガスをイオン化し両電極間にプラズマを形成する段階とを具備する。」（クレーム１）
(1-5)「第一のガスはＣ２Ｆ６，ＣＦ４，Ｃ３Ｆ８，Ｃ４ＦＩ０，Ｃ４Ｆ８及びこれらの組合せから選ばれたものであるクレーム１の工程。」（クレーム３）
　　
甲第２号証
(2-1)「冷熱を生成し使用する方法、及びこの方法を実施する装置」（発明の名称）
(2-2)「冷媒は、例えばイソブタン又は好ましくはＲ−Ｃ３１８と表記されるオクタフルオロシクロブタンＣ4Ｆ8であって、完全に液状であるか、あるいは好ましくは膨張バルブ１８中のライン１６を通過して来た時のその温度次第で膨張バルブ１８の出口においては部分的にガス状である。」（第７欄第６５行〜第８欄第２行）
　　
甲第３号証
(3-1)「Ｓｉに対するＳｉＯ２のエッチングを促進するためのプラズマ・エッチングにおける飽和及び不飽和ハロゲン化炭素ガスの利用」（発明の名称）
(3-2)「本発明は、シリ力をシリコンよりも速い速度でプラズマ・エッチングする方法であって、不飽和ハロゲン化炭素及び飽和ハロゲン化炭素を含むガス混合物を用いることを特徴とする。ハロゲン化炭素は、フッ素を含むものが好ましく、好適な具体例はＣ３Ｆ６及びＣ２Ｆ６ガスを含むガス混合物である。」（要約）
(3-3)「プラズマ・エッチングシステムにおけるＳiＯ２及びＳｉの双方を有する物においてＳiＯ２／Ｓｉエッチング比率を調整する方法であって、プラズマ・エッチング・システム内へ飽和ハロゲン化炭素ガスの制御可能な流量を導入する段階と、前記プラズマ・エッチング・システム内へ不飽和ハロゲン化炭素ガスの制御可能な流量を導入して飽和ハロゲン化炭素系ガスと混合させてプラズマを形成する段階と、飽和ハロゲン化炭素ガス及び不飽和ハロゲン化炭素ガスの相対的流量を調整してＳiＯ２／Ｓiエッチング比率を制御する方法。」（クレーム１）
(3-4)「前記不飽和ハロゲン化炭素はＣ３Ｆ４であり、前記飽和ハロゲン化炭素はＣＦ４であることを特徴とするクレーム１に記載の方法。」（クレーム６）
(3-5)「ガスの相対的流量が、ガス混合物のハロゲン／炭素の比率を２〜３の値であるように調整されることを特徴とするクレーム８に記載の方法。」（クレーム９）
　　
（３）対比・判断
本件発明１について
　本件発明１と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証には、二酸化シリコン及び窒化シリコンをエッチングする工程及びガス混合物（摘記1-1）に係る発明が記載されており、さらに、電極を５〜２０℃の温度に維持すること（摘記1-3）、Ｃ４Ｆ８ガスを用いること（摘記1-5）が記載されていることからみて、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明と、飽和フルオロカーボン系化合物を含むエッチング・ガスを用いて被エッチング基体の温度を５０℃以下に制御しながら基板上に形成されたシリコン化合物層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法、の点で一致し、そして、本件発明１では、上記飽和フルオロカーボン系化合物が、分子構造の少なくとも一部に環状部を有するものであるのに対して、甲第１号証には、前記化合物の環構造についての記載がない点で、両者は相違している。
　そこで、上記相違点について検討する。
　甲第２号証には、冷熱を生成し使用する方法及びこの方法を実施する装置（摘記2-1）に係る発明が記載され、併せて、冷媒が、好ましくはＲ−Ｃ３１８と表記されるオクタフルオロシクロブタンＣ4Ｆ8であると記載され（摘記2-2）、この化合物は環構造を有する飽和フルオロカーボン系化合物であると認められる。
　しかし、当該甲第２号証の上記記載は、「Ｒ−Ｃ３１８」乃至「オクタシクロブタンＣ４Ｆ８」が冷媒として用いられることを開示してはいるが、冷媒とエッチングとでは、本来技術分野が異なり、それに基いて、使用されるガス（冷媒、エッチングガス）に要求される物性も同じとは認めることができないので、甲第２号証に環状化合物が記載されているからといって、甲第１号証に記載されたエッチングガスの「Ｃ４Ｆ８」が直ちに環状の化合物を意味するということはできない。また、甲第３号証にもかかる環構造についての記載はない。
　そして、本件発明１は、上記の相違点に係る構成を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、実施例及び比較例（【0042】〜【0043】）を含む明細書に記載された効果を奏したものと認められる。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明とも、また、甲第１〜２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ともいうことはできない。
　　　　　
本件発明２について
　本件発明２と、甲第３号証に記載された発明とを対比すると、甲第３号証には、Ｓｉに対するＳｉＯ２のエッチングを促進するためのプラズマ・エッチングにおける飽和及び不飽和ハロゲン化炭素ガスの利用（摘記3-1）に係る発明が記載されており、さらに、エッチングガスとして不飽和ハロゲン化炭素及び飽和ハロゲン化炭素を含むガス混合物を用いること（摘記3-2）、及び前記不飽和ハロゲン化炭素はＣ３Ｆ４であること（摘記3-4）が記載されていることからみて、本件発明２は、甲第３号証に記載された発明と、不飽和フルオロカーボン系化合物を含むエッチング・ガスを用いて基板上に形成されたシリコン化合物層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法、の点で一致し、そして、（ａ）本件発明２では、上記不飽和フルオロカーボン系化合物が、分子構造の少なくとも一部に環状部を有するものであるのに対して、甲第３号証には、前記化合物の環構造についての記載がない点、及び（ｂ）本件発明２では、エッチングを、被エッチング基体の温度を５０℃以下に制御しながら行うのに対して、甲第３号証にはそのような温度の記載がない点で、両者は相違している。
　そこで、上記各相違点について検討する。
相違点（ａ）について
　化合物の環構造に関して、特許異議申立人は、特許異議申立書において、Ｃ３Ｆ４に分子構造の少なくとも一部に環状部を有するものが含まれることは当業者において周知の事項であると主張している（第１０頁第２１〜２３行）。しかし、特許異議申立人のこの主張を裏付ける証拠は提出されておらず、また、甲第１〜２号証の記載を見ても、環状のＣ３Ｆ４乃至不飽和フルオロカーボン系化合物がエッチングガスとして用いられることが、本件出願前周知乃至既知であったと認めることもできない。
　そして本件発明２は、当該相違点（ａ）を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、明細書に記載された効果を奏したものと認められる。
　してみれば、上記相違点（ｂ）について検討するまでもなく、本件発明２は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、本件発明１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月２５日（２００１．５．２５）