【事件の表示】
　特許第２８９７４０６号「半導体素子の剥離方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８９７４０６号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．本件手続の経緯
　本件特許第２８９７４０６号の発明は、平成２年１１月６日に出願され、平成１１年３月１２日に設定登録され、平成１１年５月３１日に特許公報に掲載されたところ、その請求項１ないし３に係る特許について平成１１年１１月３０日付けで経沢正巳から特許異議の申立がなされ、その後の取消理由通知に対してその指定期間内である平成１２年６月２日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ．訂正請求について
ＩＩ−１．訂正事項
（ａ）特許請求の範囲の請求項１を削除する。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項２中の、
「請求項１に記載の半導体素子の剥離方法であって、前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を加えることによって、」を「接着剤によって、基板上に接着して載置されている半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、前記接着剤を加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を、前記半導体素子の一方の側面から該一方の側面に対向する他方の側面に向けて前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」と訂正するとともに、請求項２を請求項１に繰り上げる。
（ｃ）特許請求の範囲の請求項３中の、
「前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」を
「前記半導体素子に直接当る部分に樹脂を載置またはコーティングした治具を用いて、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」と訂正するとともに、請求項３を請求項２に繰り上げる。
（ｄ）平成１０年１１月９日付けの手続補正書（以下、第２手続補正書という。）により補正された明細書第４頁第８行〜第５頁第１３行中の、
「前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な方向の力を、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った前記接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とする。
　前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を加えることによって、」（第２手続補正書第１頁第６〜１１行）を
「前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を、前記半導体素子の一方の側面から該一方の側面に対向する他方の側面に向けて前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」と訂正し、
「前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」（第２手続補正書第１頁第１６〜１７行）を
「前記半導体素子に直接当る部分に樹脂を載置またはコーティングした治具を用いて、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」と訂正する。
（ｅ）明細書第３頁第１５行の「５の配線パターン」を「３の配線パターン」と訂正する。
（ｆ）明細書第７頁第８行の「第２図」を「第１図」と訂正する。
ＩＩ−２．訂正の適否
ＩＩ−２−１．目的、新規事項、拡張変更の適否
　訂正事項（ａ）は、請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に係るものである。
　訂正事項（ｂ）は、訂正事項（ａ）に伴い必要となる請求項２の明りょうでない記載の釈明に該当する内容と、請求項２の発明における「基板の面と平行な直線方向の力」を特許明細書第７頁９〜１２行の記載及び第１図、第４図の記載に基づいて限定する、特許請求の範囲の減縮に該当する内容に係るものである。
　訂正事項（ｃ）は、請求項３の発明における「半導体素子と基板との間に回転方向の力を加える手段」を明細書第１１頁４〜７行の記載に基づき限定したものであり、特許請求の範囲の減縮に係るものである。
　訂正事項（ｄ）は、訂正事項（ａ）に伴い発生した明細書中の明りょうでない記載の釈明に係るものである。
　訂正事項（ｅ）、（ｆ）は、図面の簡単な説明の欄の記載および実施例の記載からみて、誤記の訂正に係るものであることは明らかである。
　そして、訂正事項（ａ）〜（ｅ）が、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではないことは明らかである。
ＩＩ−２−２．独立特許要件
ＩＩ−２−２−１．訂正後の本件発明
　訂正後の本件発明は、全文訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】接着剤によって、基板上に接着して載置されている半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、前記接着剤を加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を、前記半導体素子の一方の側面から該一方の側面に対向する他方の側面に向けて前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った前記接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とする半導体素子の剥離方法。（以下、本件発明１という。）。
【請求項２】接着剤によって、基板上に接着して載置されている半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、前記接着剤を前記半導体素子側及び前記基板側の両方から加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面が前記半導体素子を回転させる平面と平行となるような回転方向の力を、前記半導体素子に直接当る部分に樹脂を載置またはコーティングした治具を用いて、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離することを特徴とする半導体素子の剥離方法（以下、本件発明２という。）。
ＩＩ−２−２−２．引用例の記載内容及び本件発明との比較・検討
　当審が取消理由通知において示した引用例１［実願平２−１０３４９８号の願書に最初に添付された明細書及び図面（実開平４−５９９４１号マイクロフィルム、甲第１号証参照）］には以下の（イ）〜（ホ）の内容が記載されている。
（イ）「１．回路基板上に接着剤を介して接続された半導体チップを回路基板から除去する半導体チップの除去装置において、除去される半導体チップの立体形状に近似した凹部を有する金型と、この金型の一側に取り付けられて該金型にせん断応力を与える支持部とを備えることを特徴とする半導体チップの除去装置。
２．金型内に熱源を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体チップの除去装置。」（実用新案登録請求の範囲）
（ロ）「以下、本考案を図面を参照しながら説明する。
　第１図は本考案の基本構成を示す断面図である。・・・・（省略）・・・・
　ＩＣ４を除去するには、例えば、予め２５０〜３００℃に加熱した金型１で回路基板１０上に固定されたＩＣ４の背面および側面を覆い、所定時間加熱した後、支持部２に円周方向のせん断力Ｆを加える。この場合、支持部２の上部の形状を下部に比べ大きくすることで、挺の原理により加える力を少なくすることができる。
　この場合、ＩＣ４と基板１０の間には、円周方向のせん断力が加わる一方、接着剤８は高温で加熱されているため、せん断接着力が低下しており、容易にＩＣ４の除去ができる。
　基板１０上に残った接着剤８は、一般に使用されているエポキシ硬化物の剥離剤あるいは有機溶剤等を含浸した布や綿棒等でふきとる等の方法で除去できる。
　なお、本考案において接着剤８を加熱するには、上記の如く金型１によってＩＣの背面および側面を加熱するとともに、さらに基板１０の背面側から熱風や赤外線加熱等の加熱手段Ａを加えると効率の良い除去ができる（第１図参照）。」（第３頁１６行〜第６頁１５行）
（ハ）「〈作用〉
　本考案によれば、金型形状をＩＣの基板との接触面を除く全面を覆う構成としたので、効率的な加熱が可能となり、かつ加熱状態のままＩＣに周方向のせん断力を加えられるので除去作業を短時間で行うことができ、除去作業の自動化も行い易い。」（第７頁２０行〜第８頁６行）
（ニ）「上記接続試料を２５℃、２４時間放置後、金型（材質は銅、内面サイズは６ｍｍ角、深さ０．４ｍｍ、側壁厚みｌｍｍ）を３００℃に加熱し、ＩＣの背面および側面を覆い、３０秒保持後、支持部を時計方向に徐々に回すことによりＩＣの除去を行った。次に、ガラス板上に残った接着剤を剥離液サンエコンＧ−４３０（太陽化工株式会社製商品名）を含浸した綿棒でふきとった。この場合、除去後のＩＣおよびＩＴＯ回路には破損が見られなかった。」（第９頁９〜１９行）
（ホ）支持部２に円周方向のせん断力Ｆが加えられることを示す第１図。
　そこで、引用例１の記載内容と本件発明１、２とを比較検討する。
　本件発明１は、半導体素子が接着された基板から半導体素子を剥離するに際して、半導体素子と基板との間に、「半導体素子が接着された基板の面と平行な直線方向の力を、前記半導体素子の一方の側面から該一方の側面に対向する他方の側面に向けて加えること」、すなわち、「基板の面と平行で、半導体素子の一方の側面から対向する他方の側面に向けて直線方向であるせん断力を加えること」（構成Ａという）を構成とするものであるところ、引用例１には、「金型にせん断応力を与える」との記載があり（上記（イ）参照）、半導体素子と基板との間にせん断応力を加えることが記載されているものの、該せん断応力の内容については、「円周方向のせん断力」とすることが記載されているのみで、構成Ａについて記載するところはなく、かつ、上記（ハ）に「本考案によれば、・・・ＩＣに周方向のせん断力を加えられるので」と記載されていることからみて、引用例１においては、周方向以外のせん断力が認識されているとは解されないから、引用例１に前記構成Ａが記載されているとすることはできない。
　また、本件発明２は、半導体素子が接着された基板から半導体素子を剥離する方法において、半導体素子と基板との間に回転方向の力を加える手段として、「半導体素子に直接当る部分に樹脂を載置またはコーティングした治具を用いること」（構成Ｂという）を構成とすることにより、半導体素子を破損することなく剥離できるようにしたものであるところ、引用例１には、回転方向の力を加える手段について、「除去される半導体チップの立体形状に近似した凹部を有する」と記載されている（上記（イ）参照）ものの、該手段の半導体素子に直接当る部分についてのさらなる記載はなく、上記（ニ）の「金型（材質は銅、内面サイズは６ｍｍ角、深さ０．４ｍｍ、側壁厚みｌｍｍ）を・・・・加熱し、ＩＣの背面および側面を覆い、・・・・支持部を時計方向に徐々に回すことによりＩＣの除去を行った。・・・・除去後のＩＣおよびＩＴＯ回路には破損が見られなかった。」との記載からみて、半導体素子の破損を防止するために金型の半導体素子に直接当たる部分に樹脂を載置したりコーティングすることの必要性は認識されていないと解されるから、引用例１に本件発明２の前記構成Ｂが示されているとすることはできない。
　してみると、本件発明１、２が引用例１に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　したがって、訂正後の本件発明１、２が、特許法第2 ９条の２の規定により特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　また、他に、訂正後の本件発明１、２が特許出願の際に独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　以上のとおりであるから、訂正後の本件発明１，２は、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
ＩＩ−２−３．訂正の認否
　上記の訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するものであるから、上記訂正は認める。
ＩＩＩ．特許異議申立てについて
ＩＩＩ−１．特許異議申立人の主張
　特許異議申立人・経沢正巳は、証拠として、甲第１号証（上記引用例１）及び参考資料１［実用プラスチック用語辞典、大阪市立工業研究所プラスチック課編纂、株式会社プラスチックス・エージ発行（昭和４５年６月２０日）、ｐ．２７９及び２６０］を提出し、
　訂正前の本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第2 ９条の２の規定により、特許を受けることができないものである、
　との理由で、訂正前の本件請求項１〜３に係る発明の特許は取り消されるべきである旨を主張する。
ＩＩＩ−２．特許異議申立人の主張の適否の検討
　訂正前の本件請求項１〜３に係る発明は、上記訂正により、ＩＩ−２−２−１に記載したとおりの本件発明１及び２となった。
　そして、本件発明１及び２が、甲第１号証に記載された発明と同一でなく、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものでないことはＩＩ−２−２−２に記載したとおりである。
　また、参考資料１には、せん断応力の定義が記載されているものの、せん断応力の方向が示されているわけではないから、該定義をみても、甲第１号証におけるせん断応力の方向が本件発明１におけるような直線方向であることを示していると解することはできないし、前記定義がせん断応力を発生させる金型の表面に樹脂を被覆又はコーティングすることまで示していると解することができないから、前記定義をみても、甲第１号証に、本件発明１及び２の前記構成Ａ及びＢが記載されているとすることはできない。
　したがって、訂正後の本件発明１および２に係る特許が特許異議申立人の主張する理由により取り消されるべきであるとすることはできない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、訂正後の本件発明１および２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の本件発明１および２に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月１３日（２０００．９．１３）
【訂正の要旨】
訂正事項
（ａ）特許請求の範囲の請求項１を削除する。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項２中の、
「請求項１に記載の半導体素子の剥離方法であって、前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を加えることによって、」を「接着剤によって、基板上に接着して載置されている半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、前記接着剤を加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を、前記半導体素子の一方の側面から該一方の側面に対向する他方の側面に向けて前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」と訂正するとともに、請求項２を請求項１に繰り上げる。
（ｃ）特許請求の範囲の請求項３中の、
「前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」を
「前記半導体素子に直接当る部分に樹脂を載置またはコーティングした治具を用いて、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」と訂正するとともに、請求項３を請求項２に繰り上げる。
（ｄ）平成１０年１１月９日付けの手続補正書（以下、第２手続補正書という。）により補正された明細書第４頁第８行〜第５頁第１３行中の、「前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な方向の力を、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った前記接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とする。
　前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を加えることによって、」（第２手続補正書第１頁第６〜１１行）を
「前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を、前記半導体素子の一方の側面から該一方の側面に対向する他方の側面に向けて前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」と訂正し、
「前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」（第２手続補正書第１頁第１６〜１７行）を
「前記半導体素子に直接当る部分に樹脂を載置またはコーティングした治具を用いて、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、」と訂正する。
（ｅ）明細書第３頁第１５行の「５の配線パターン」を「３の配線パターン」と訂正する。
（ｆ）明細書第７頁第８行の「第２図」を「第１図」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体素子の剥離方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）接着剤によって、基板上に接着して載置されている半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、
　前記接着剤を加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を、前記半導体素子の一方の側面から該一方の側面に対向する他方の側面に向けて前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、
　前記基板から前記半導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った前記接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とする半導体素子の剥離方法。
（２）接着剤によって、基板上に接着して載置されている半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、
　前記接着剤を前記半導体素子側及び前記基板側の両方から加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面が前記半導体素子を回転させる平面と平行となるような回転方向の力を、前記半導体素子に直接当る部分に樹脂を載置またはコーティングした治具を用いて、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離することを特徴とする半導体素子の剥離方法。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、半導体素子の剥離方法に関する。
〔従来の技術〕
　従来、半導体装置の再生方法は、第２図に示されるような方法で行われていた。第２図において１は基板、２は半導体素子であり、１０は刃状治具である。さらに具体的に記述するため、第２図のＡ−Ａ’断面を第３図に示す。第３図において、２の半導体素子上に形成された電極６上に形成された金属突起４は、それに相対するように１の基板上に形成された配線パターンと、５の絶縁樹脂によって電気的な接続が得られている。この接続工程がうまくいかなかった場合、１０に示されるような刃状治具を２の半導体素子と、１の基板との間にむりやり、さし込むことで、基板１と、半導体素子２とを引きはがし、もう一度、基板１と半導体素子２の接続を行っていた。４の金属突起をハンダ、３の配線パターンをニッケルで形成し、共晶で各々の接続を行っている場合も同様の方法で再生が行われていた。
　〔発明が解決しようとする課題〕
　しかし、従来の技術では、むりやり刃状治具を半導体素子と基板の間にさし込むため、半導体素子や基板の破壊が起こり、装置の再生という本来の目的を達成することは困難であるという問題点を有していた。
　そこで、本発明の半導体装置の再生方法では、半導体素子も、基板も破壊が起こらず、完全に再生が行える方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
　上記課題を解決するため、本発明の半導体素子の剥離方法は、接着剤によって、基板上に接着して載置されている半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、前記接着剤を加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面と平行な直線方向の力を、前記半導体素子の一方の側面から該一方の側面に対向する他方の側面に向けて前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離し、しかる後に前記基板上に残った前記接着剤を溶剤等を用いて剥離することを特徴とする。
　接着剤によって、基板上に接着して載置されている半導体素子を前記基板から剥離する方法であって、前記接着剤を前記半導体素子側及び前記基板側の両方から加熱しながら、前記半導体素子が接着された前記基板の面が前記半導体素子を回転させる平面と平行となるような回転方向の力を、前記半導体素子に直接当る部分に樹脂を載置またはコーティングした治具を用いて、前記半導体素子と前記基板との間に加えることによって、前記基板から前記半導体素子を剥離することを特徴とする。
〔作用〕
　本発明では、半導体素子載置部を加熱するので、半導体素子と基板との挟持部材、例えば、接着剤、ハンダ等が常温よりもやわらかくなる。接着剤であれば、接着力が低下し、ハンダであれば、剪断強度が低下する。さらに本発明によると、半導体素子の側面から半導体素子と、基板との間に剪断力を加えるので、半導体素子や基板にダメージを全く与えず、両者を分離することができるのである。
〔実施例〕
　以下に、本発明の実施例を、図を用いて詳細に説明する。第１図は、本発明による半導体装置の再生方法を示した斜視図である。１は基板であり、少くとも表面が絶縁物で形成されており、ガラス、セラミクス、ホウロウ、ガラスエポキシ等であることが多い。その上に、３の配線パターンが形成されている。配線パターンは、金、銀、クロム、ニッケル等の金属か、ＩＴＯ等の金属酸化物を、蒸着、スパッタ、メッキ等で形成し、フォト工程で目的のパターンにパターニングされていることが多い。２は半導体素子であり、能動面は基板側と対向して載置されている。半導体素子２と基板１は絶縁樹脂で形成される接着剤、ハンダ等で保持されている。ここで、半導体素子２と配線パターン３との接続に失敗した場合について考える。失敗する例としては、接続時に、配線パターンと半導体素子の位置にずれが生じた場合や、半導体素子、配線パターン、基板に不良が存在した場合、あるいは接続に用する時間が短かすぎる等の理由で接続が不完全である場合等が考えられる。その場合、半導体素子２を基板１から一旦取り去り、もう一度半導体素子２を基板１に接続し直す必要が生ずるがこれは一般的に再生と言われている。この半導体素子２を基板１から取る時に、第１図に示すように、１１の剪断力発生治具を、半導体素子２の側面に当て、１２の熱風供給口から熱風を供給しながら、矢印の方向に剪断力を発生させ、半導体素子２を基板１から取り去る。この時の様子をより詳しく、第４図を用いて説明する。第４図は、第１図のＢ−Ｂ’断面であり、本発明による半導体装置の再生方法を示す断面図である。１の基板上に形成されている配線パターン３は、半導体素子２の能動素子形成面にＣｒ、Ｔｉ−Ｐｄ等で形成されている電極６上に形成されている金属突起４を用いて、半導体素子２との電気的導通がはかられている。金属突起４はハンダ等で形成され、配線パターン３と共晶で機械的、電気的な保持が行われる場合と、金、パラジウム、ニッケル等で形成され、５の絶縁樹脂で接着されることで、機械的、電気的な保持が行われている場合が多い。５の絶縁樹脂は、光硬化、熱硬化樹脂であることが多く、必要に応じて導電性を有する粒子が金属突起４と配線パターン３の間に存在していることもある。また、金属突起は半導体素子側でなく配線パターン側に形成されていることもあるし、金属突起のかわりに、導電性を有する粒子が、半導体素子上の電極と配線パターンとの間の電気的導通を保持する場合もある。いずれの方法で、半導体素子と基板の接続を行ってもかまわないが、半導体素子を絶縁樹脂で基板に接着してある場合、これを、剥離する場合の手順を述べる。まず、１２の熱風供給口から熱風を半導体素子２及び基板１に供給する。すると、５の絶縁樹脂が加熱され、やわらかくなる。一般に樹脂は加熱されると、やわらかくなり、接着剤の場合は接着力が低下する。この状態で、１１の剪断力発生用治具を、半導体素子２の側面に押し当て、図中矢印の方向に力を加えると、半導体素子２は基板１から取りはずせる。次に、基板１上に残った絶縁樹脂５を溶剤等を用いて剥離し、再度、絶縁樹脂５を基板１上に載置し、剥離した半導体素子２を位置合わせし、絶縁樹脂５を硬化させれば再生作業は終了する。基板か、半導体素子に不良が存在するならば、それを取り変えた後、再生作業を行えば良い。加熱の方向は、基板側から行ってもよく、やわらかくしなければならない部分を加熱できれば良い。また、熱風を用いた加熱でなく、他のエネルギー源、例えば赤外線を用いても良く、ホットプレート上に載せて、再生作業を行ってもかまわない。金属突起に、ハンダ等を用いている場合、導電粒子で半導体素子上の電極と配線パターンとの接続を取っている場合も全く同様であって、接続に寄与している部分を加熱し、取りやすくして剪断力を与えて半導体素子を基板から取りはずしても良い。又、加熱方法として、剪断力発生用治具中にヒーターを組み込み、これを熱源としても良い。
　第５図に、他の実施例を示す。第５図は、本発明による他の半導体装置の再生方法を示す断面図である。１３は、回転剪断力を半導体素子２と基板１に与えるための回路剪断力発生用治具であり、１５は基板１を固定する固定板であり、１６の位置決めピンで基板が固定板に固定されている。半導体装置は、第４図で示した構造と同一である。１３の回転剪断力発生用治具は半導体素子２の側面をはさみ込むようにさらに加工が施されており、これを回転させることで、半導体素子２と基板１の間に回転剪断力を発生させ、半導体素子を基板から取りはずすのである。この時、回転剪断力発生治具に組み込まれたロッドヒーター１４及び固定板１５中に組み込まれたロッドヒーター１４によって絶縁樹脂５は加熱され、やわらかくなっている。口ッドヒーター１４は、その必要に応じてどちらか一方でも良く、前述の他の加熱手段で加熱または併用して加熱しても良い。回転剪断力発生用治具と半導体素子の間には、半導体素子のチッピングを防止するために、シート状のものが挟まれることもある。また、回転剪断力を発生させるために、半導体素子の側面をチャッキングする治具を用いる場合もある。
　また、半導体素子２に直接当る治具の部分は、テフロン等の樹脂を載置またはコーティングし、半導体素子のチッピングを防止する構造の治具を用いる方法としても良い。
〔発明の効果〕
　以上、説明したように、本発明の半導体素子の再生方法では、加熱しながら半導体素子の側面に、半導体素子と基板との間に直線方向又は回転方向の剪断力を発生させる方法としたので、半導体素子や基板に対して限界応力以上の応力が発生せずに、半導体素子を基板から剥離することができ、半導体素子や基板を破壊しないので、不要なコストは発生せずに、半導体装置を再生することが可能になるという大きな効果を有する。又、破壊した半導体素子や基板が相手側に残ることもなくなったので、良品の半導体素子や基板を捨てなくとも良くなり、より安価に半導体装置を生産できるという効果も有する。
　また、剪断力発生治具又は、固定板に加熱手段を入れることによって、発熱手段を準備、固定する手間が不必要となり、煩雑さがなくなるという効果も有する。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明による半導体装置の再生方法を示す斜視図であり、第２図は従来の半導体装置の再生方法を示す斜視図、第３図は従来の半導体装置の再生方法を示す断面図である。第４図は、本発明による半導体装置の再生方法を示す断面図であり、第５図は本発明による他の半導体装置の再生方法を示す断面図である。
　　１…　　基板
　　２…　　半導体素子
　　３…　　配線パターン
　　４…　　金属突起
　　５…　　絶縁樹脂
　　６…　　電極
　１０…　　刃状治具
　１１…　　剪断力発生用治具
　１２…　　熱風供給口
　１３…　　回転剪断力発生用治具
　１４…　　ロッドヒーター
　１５…　　固定板
　１６…　　位置決めピン