(57)【要約】【課題】  基板温度プロファイル制御のための方法およびシステムを提供することである。【解決手段】  表面上の温度プロファイルの特定された均一性または特定された不均一性を提供する基板ホルダの上面の迅速な温度プロファイル制御のための方法およびシステムは、提供される。基板ホルダは、第１の熱ゾーンに配置された第１の流体チャネルを含み、そして、特定された流量および特定された温度で、基板ホルダの表面の第１の熱ゾーンの温度プロファイルを制御するように、熱伝達流体を利用する。基板ホルダの第２の熱ゾーンに配置された第２の流体チャネルは、特定された流量および特定された温度で熱伝達流体を利用して、基板ホルダの表面の第２の熱ゾーンの温度プロファイルを制御するように構成されている。【選択図】
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の温度を制御するシステムであって：
基板ホルダの第１の熱ゾーンに位置づけられた第１の流体チャネルおよび前記基板ホルダの第２の熱ゾーンに位置づけられた第２の流体チャネルを有する前記基板ホルダと；
前記第１の流体チャネルに接続され、前記第１の流体チャネルに第１の流量で第１の熱伝達流体を供給するように構成された第１の熱交換器と；
前記第２の流体チャネルに接続され、前記第２の流体チャネルに第２の流量で第２の熱伝達流体を供給するように構成された第２の熱交換器とを具備するシステム。
【請求項２】
前記第１の熱ゾーンに隣接して位置づけられた第１の温度センサと；
前記第２の熱ゾーンに隣接して位置づけられた第２の温度センサと；
前記第１の温度センサ、および前記第２の温度センサに接続され、所定の基板温度が達成されるまで、前記第１の流量、若しくは前記第２の流量、または両方を調整するように構成されたコントローラとを更に具備する請求項１のシステム。
【請求項３】
前記第１の温度センサ、および前記第２の温度センサは、熱電対、または光学的温度測定デバイスを含んでいる請求項２のシステム。
【請求項４】
前記光学的温度測定デバイスは、光学的温度計を含んでいる請求項３のシステム。
【請求項５】
前記第１の流体チャネル、および前記第２の流体チャネルのうちの少なくとも１つは、前記基板ホルダの上面の面において、実質的に円形である請求項１のシステム。
【請求項６】
前記第１の流体チャネル、および前記第２の流体チャネルは、前記基板ホルダの中央軸を中心に同心である請求項１のシステム。
【請求項７】
前記基板ホルダより低い熱伝導率を有し、前記第１の熱ゾーンと、前記第２の熱ゾーンとの間に配置された少なくとも１つのインシュレータを更に具備する請求項１のシステム。
【請求項８】
前記第１の流体チャネルおよび前記第２の流体チャネルに隣接して位置づけられた１つ以上の温度コントロール部材を更に具備する請求項１のシステム。
【請求項９】
前記１つ以上の温度コントロール部材は、１つ以上の流体チャネル、１つ以上の抵抗加熱部材、１つ以上の熱電デバイス、またはその組合せを含んでいる請求項８のシステム。
【請求項１０】
前記１つ以上の温度コントロール部材と、前記第１の流体チャネルおよび前記第２の流体チャネルとの間に位置づけられた１つ以上の制御可能な絶縁部材を更に具備する請求項８のシステム。
【請求項１１】
前記第１の熱ゾーンに隣接して位置づけられた第１の温度センサと；
前記第２の熱ゾーンに隣接して位置づけられた第２の温度センサと；
前記第１の温度センサ、および前記第２の温度センサに接続され、所定の基板温度が達成されるまで、前記第１の熱伝達流体、若しくは前記第２の熱伝達流体、または両方の温度を調整するように構成されたコントローラを更に具備する請求項１のシステム。
【請求項１２】
前記第１および第２の流体は、同じ流体を含んでいる請求項１のシステム。
【請求項１３】
前記第１および第２の熱交換器は、実質的に同じ流量で前記第１および第２の流量を提供するように構成されている請求項１のシステム。
【請求項１４】
前記コントローラは、所望の基板温度プロファイルが達成されるまで、前記第１の流量、若しくは前記第２の流量、または両方を調整するように更に構成されている請求項２のシステム。
【請求項１５】
基板ホルダに保持された基板の温度を制御する方法であって：
前記基板ホルダの第１の熱ゾーンに第１の熱伝達流体を提供することと；
前記基板ホルダの第２の熱ゾーンに第２の熱伝達流体を提供することと；
前記第１の熱伝達流体、若しくは前記第２の熱伝達流体、または両方の流量を前記基板の温度プロファイルを制御するように制御することとを具備する方法。
【請求項１６】
前記基板の温度プロファイルを制御するための、前記第１の熱伝達流体の流量および前記第２の熱伝達流体の流量の１つ以上を含む１つ以上のパラメータを初期化することと；
前記処理システムでプロセスを始めることと；
前記１つ以上のパラメータを調整することと；
前記プロセスを終了することとを更に具備する請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記第１の熱伝達流体、若しくは前記第２の熱伝達流体、または両方の温度を前記基板の前記温度プロファイルを制御するように、制御することを更に具備する請求項１６の方法。
【請求項１８】
基板の温度を制御するシステムであって：
基板ホルダに第１の熱ゾーンと、前記基板ホルダに第２の熱ゾーンとを有する前記基板ホルダと；
前記基板ホルダの前記第１および第２の熱ゾーンの温度を、前記基板ホルダに対して温度プロファイルを提供するように、独立して制御するための手段とを具備するシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２００４年８月６日に出願された米国出願シリアル番号第１０／９１２，１８２号に関し、そしてそれに対して優先権主張するものである。本発明は、２００３年１１月１４日に出願された米国特許出願シリアル番号第10／７２１,５００号に、２００３年３月２８日に出願された米国仮出願シリアル番号第６０／４５８,０４３号に、２００２年７月２日に出願された米国出願シリアル番号第１０／１６８，５４４号に関するものであり、これらの出願の全体の内容は、本願明細書に引用したものとする。
【０００２】
本発明は、基板の温度プロファイル制御のための方法およびシステムに、特に基板の温度プロファイル制御のための基板ホルダに関するものである。
【背景技術】
【０００３】
半導体の製造およびプロセスにおいて、たとえばエッチングおよび堆積プロセスを含むさまざまなプロセスが、かなり基板温度に依存することは、知られている。このために、基板の温度を均一に制御する能力は、半導体処理システムの必須の要件である。基板の温度は、プラズマプロセス、たとえばイオン衝撃、同じく熱輻射、熱伝導、および基板の表面で起こる化学プロセス等によって決定される。基板ホルダの上面に正確な温度を提供することは、基板の温度を制御するのに利用されることができる。
【０００４】
基板ホルダへ正確な温度を提供するために、多くの基板ホルダは、単一の注入口および単一の出口を有する温度コントロールチャネルを利用し、このチャネルは、基板ホルダの上面へ熱を移送し、またはその上面から熱を除去することができる伝熱流体の流れを可能とする。本発明の発明者は、ある場合には、このような単一チャネル基板ホルダが、不正確な温度コントロールを提供すると認識している。
【０００５】
たとえば、裏面温度制御ガスは、基板ホルダと、基板との間の熱伝導率を提供するために使用されることができる。裏面ガスが利用されるとき、ガスの圧力は、一般的に均一でない。裏面ガスの圧力のこの不均一性は、基板と、基板ホルダとの間の一様でない熱伝達をもたらし得る。基板ホルダの単一の温度コントロールチャネルは、裏面ガス圧が均一でないとき基板の温度プロファイルが特定のレベルにあることを確実にする十分な温度コントロールを必ずしも提供することができない。
【０００６】
加えて、しばしば、基板ホルダの上面の温度だけが重要ではなく、温度の空間的分布（すなわち特定の温度プロファイル）も、所望のプロセス結果を得るために必要とされる。たとえば、均一なエッチングまたは堆積が、他の熱不均一性を補うために、基板ホルダの上面上の温度プロファイルを調整することを含むことができることが分かっている。しかしなから、単一の温度コントロールチャネル基板ホルダは、基板領域全体に渡って同じ温度コントロールに適用され、したがって、このような正確な温度プロファイルを提供することができない。
【０００７】
上記の不正確な温度コントロールに加えて、本発明の発明者は、従来の温度コントロール機構が、いくつかのプロセスに対し、不十分な温度変化速度を提供することを更に認識した。半導体産業の多くのプロセスは、各々のステップが異なった温度、ガス組成、ＲＦ電力などを必要とするマルチステッププロセスを要する。このようなマルチステッププロセスは、シーケンシャルプロセスが同じ真空チャンバの中ですばやく達成されるときに、有利である。この目的を達成するために、基板ホルダは、熱伝導特性に対し急速変化が可能でなければならない。慣習的に、チラーは、基板ホルダを通って循環する伝熱流体の温度を制御する。チラーは、プラズマプロセスに依存している伝熱流体の温度を変える重要な時間を必要とすることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の１つの目的は、従来の温度コントロールに関する上記の、または他の問題の何らかを減少することまたは解決することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
現発明の別の目的は、基板ホルダの上面に、温度プロファイル制御を提供することである。
【００１０】
現発明のさらに他の目的は、プロセスまたは複数のプロセスによって必要なときに、基板ホルダの温度の急速変化を提供することである。
【００１１】
これらの、および／または他の目的は、本発明に係る基板の温度を制御する基板ホルダおよび方法によって提供されることができる。本発明の一態様では、基板の温度を制御するシステムは、基板ホルダ内に第１の熱ゾーンに位置づけられた第１の流体チャネルと、第２の熱ゾーンに位置づけられた第２の流体チャネルとを有する基板ホルダを含む。第１の熱交換器は、第１の流体チャネルに接続され、第１の流体チャネルに第１の流量で第１の熱伝達流体を供給するように構成され、第２の熱交換器は、第２の流体チャネルに接続され、第２の流体チャネルに第２の流量で第２の熱伝達流体を供給するように構成される。
【００１２】
本発明の別の態様では、基板ホルダに保持された基板の温度を制御する方法は、基板ホルダ内の第１の熱ゾーンに第１の熱伝達流体を提供することと、基板ホルダ内の第２の熱ゾーンに第２の熱伝達流体を提供することと、基板の温度プロファイルを制御するように、第１の熱伝達流体、若しくは第２の熱伝達流体、または両方の流量を制御することとを含む。
【００１３】
本発明の更に別の態様は、基板ホルダに第１の熱ゾーンと、この基板ホルダに第２の熱ゾーンとを有する基板ホルダを具備する基板の温度を制御するシステムを含む。温度プロファイルを基板ホルダに提供するように基板ホルダの第１および第２の熱ゾーンの温度を独立して制御するための手段は、また、提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下の説明では、本発明の完全な理解を容易にするために、説明のためであって限定されるものではなく、具体的な詳細、たとえば基板ホルダの特定のジオメトリ、および多様な基板ホルダ内の温度コントロール部材の多様な形状は、記載される。しかしながら、本発明が、これらの具体的な詳細から離れる他の実施形態において実施される得ることは、理解されるべきである。
【００１５】
本発明の１つの実施形態に係る材料処理システム１００は、図１に記載され、基板ホルダ１２０と、その上に支持される基板１３５とを有するプロセスツール１１０を含む。基板ホルダ１２０は、材料処理システム１００内で基板温度の温度プロファイル制御および／または迅速な調整を提供するために、基板ホルダ１２０内に配置された少なくとも２つの熱ゾーンを提供するように構成される。熱ゾーンは、各々、たとえば、抵抗加熱部材若しくはその複数の部材、および／または、ある数の熱電デバイスなどのような付加的な温度コントロール部材の有無にかかわらず、予め特定された流量および温度で熱伝達流体を回すための流体チャネルを含むことができる。明確にするため提示の中で、それぞれの基板ホルダの流体チャネルは、熱ゾーンを表し、図１、図２、図３、図４、および図５において例示される。
【００１６】
図１に記載された例示の実施形態において、材料処理システム１００は、プラズマエッチングかプラズマ無しエッチングを容易にすることができる。代わりとして、材料処理システム１００は、後密着ベーキング（post-adhesion bake：ＰＡＢ）または後露光ベーキング（post-exposure bake：ＰＥＢ）のために利用されることができるフォトレジストスピンコーティングシステムの加熱／冷却モジュールのようなフォトレジストコーティングチャンバ、紫外線（ＵＶ）リソグラフィシステムのようなフォトレジストパターニングチャンバ、スピンオンガラス（ＳＯＧ）システムのような誘電体コーティングチャンバ、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）システム、化学気相成長（ＣＶＤ）システムのような堆積チャンバ、物理蒸着（ＰＶＤ）システム、プラズマ増強化学的気相成長（ＰＥＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）システム、または熱アニーリングのＲＴＰシステムのような高速熱プロセス（ＲＴＰ）チャンバを含む。
【００１７】
図１に記載された例示の実施形態に係る材料処理システム１００は、プロセスボリューム１１５を備え処理される基板１３５が上部に固定される基板ホルダ１２０を有するプロセスツール１１０と、ガス注入システム１１８と、真空排気システム１３０とを含む。基板１３５は、半導体ウェハまたは液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）であることができる。
【００１８】
基板ホルダ１２０は、基板１３５を支持し、その温度を制御するように構成される。基板ホルダ１２０は、基板ホルダ１２０の中心の熱ゾーンに位置づけられた実質的に円形である第１の流体チャネル１４０と、第１の流体チャネル１４０のまわりに同心で配置された、基板ホルダ１２０の周辺の熱ゾーンの第２の流体チャネル１４５とを具備する。第１の流体チャネル１４０は、基板ホルダ１２０へ対応する注入口１４１で提供され、基板ホルダ１２０から対応する出口１４２で戻される第１の伝熱流体を回すように構成される。第１の伝熱流体の流れは、第１の熱交換器（またはチラー）１５０から、第１の流量（または速度）、および第１の温度で放出される。第２の流体チャネル１４５は、基板ホルダ１２０へ対応する注入口１４６で提供され、基板ホルダ１２０から対応する出口１４７で戻される第２の伝熱流体を回すように構成される。第２の伝熱流体は、第２の熱交換器（またはチラー）１５５から、第２の流量（または速度）、および第２の温度で放出される。
【００１９】
たとえば、第１および第２の熱交換器１５０および１５５は、それぞれ、ダイキン工業株式会社から市販されているモデル番号ＵＢＲＰＤ5Ａ-1Ｔ4チラーを含むことができる。第１および第２の熱交換器１５０、１５５は、たとえば、水またはフロリナートまたはＧａｌｄｅｎ  ＨＴ-１３５のような誘電流体のうちの少なくとも１つを含んでいる伝熱流体によって作動するように構成されることができる。従来技術において当業者によって理解されるように、第１および第２の熱伝達流体は、同じか、または異なった流体であり得る。同様に、第１および第２の流量は、プロセス要求に依存し、同じか、または異なることとなり得る。
【００２０】
図１を参照し、コントローラ１６０は、マイクロプロセッサと、メモリと、材料処理システム１００と通信し、それへの入力をアクティブにし、同様に、材料処理システム１００からの出力をモニターするのに十分な制御電圧を生成するのが可能なデジタルＩ／Ｏポートとを備えている。その上、コントローラ１６０は、ガス注入システム１１８、真空排気システム１３０、第１の熱交換器１５０、第２の熱交換器１５５、基板１３５の静電クランピングを容易にする図示されない高圧直流（ＤＣ）電源、および図示されない裏面ガス供給システムと接続されることができ、情報を交換することができる。たとえば、メモリに格納されたプログラムは、基板温度を制御する方法を実行するためにプロセスレシピにより材料処理システム１００の上述したコンポーネントへの入力をアクティブにするように利用されることができる。コントローラ１６０の１つの実施例は、テキサス州オースティンのデル社から入手可能なデルプレシジョンワークステーション６４０（登録商標）である。
【００２１】
コントローラ１６０は、材料処理システム１００に対して近くに位置づけられることができ、または、それは、材料処理システム１００に対して遠く離れて位置づけられることができる。たとえば、コントローラ１６０は、データを直接接続、イントラネット、およびインターネットの少なくとも１つを使用して材料処理システム１００と交換することができる。コントローラ１６０は、たとえば顧客サイト（すなわちデバイスメーカーなど）でイントラネットに接続されることができ、または、それは、たとえばベンダーサイト（すなわち装置製造業者）でイントラネットに接続されることができる。加えて、たとえば、コントローラ１６０は、インターネットに接続されることができる。さらにまた、別のコンピュータ（すなわちコントローラ、サーバなど）は、たとえば、直接接続、イントラネット、およびインターネットの少なくとも１つを介してデータを交換するようにコントローラ１６０にアクセスすることができる。
【００２２】
本発明に係る、基板ホルダ１２０の温度および温度の空間的分布は、２つ以上の熱ゾーン、たとえば例示的に図１に記載される第１の熱ゾーン（中心）および第２の熱ゾーン（周辺）を使用して制御されることができる。図１に示すように、各々の熱ゾーンは、熱交換器に独立して接続される流体チャネルを持っており、そこにおいて、伝熱流体の速度（または流量）、若しくは伝熱流体の温度、または両方ともは、制御された基板ホルダ温度を達成するように調整されることができる。このような構成は、基板ホルダ全体の温度の空間的分布を制御する能力を許容する。たとえば、基板ホルダ１２０の上面１２１の強い中心ピークの温度プロファイルか、または強いエッジピークの温度プロファイルは、得られることができるか、または維持されることができる。別の形態として、実質的に均一な温度プロファイルは、得られることができる。したがって、上記の背景の部分に記載されている単一の温度コントロールチャネルとは異なり、本発明によって、温度プロファイルの使用が、一様でない裏面ガス圧または熱不均一性を補うことを可能とする。
【００２３】
加えて、発明の構成は、基板の温度のより急速な変化を提供する。特に、本発明の発明者は、温度を制御するための流量の使用が、熱伝達流体の温度を制御するためのチラーの使用より、高速な温度変化を提供することを認識した。その上、熱制御チャネルに独立して接続される２つのチラーの使用は、従来技術の単一チャネル−単一チラーの構成より急速に全体にわたる温度変化を提供する。なお更に、基板ホルダの上面１２１に対する急速な温度プロファイルの変化は、第１の流体チャネル１４０、第２の流体チャネル１４５、または両方のいずれにか供給される熱伝達流体の流量変化によって得られることができる。伝熱流体の温度が同様に調整されるとき、伝熱流体の流量の変化を利用する急速な温度および／または温度プロファイルの変化の能力は、増強されることができる。
【００２４】
図２に記載された別の例示の実施形態に係る基板ホルダ１２０は、更に、第１の（中心）熱ゾーンおよび第２の（周辺）熱ゾーン、それぞれに隣接して（ｐｒｏｘｉｍａｔｅ）位置づけられた２つ以上の温度センサ１７０および１７５を含むことができる。温度センサは、熱電対（たとえばＫタイプ熱電対）を含むことができる。別の形態として、温度センサは、±１．５℃の精度で５０℃から２０００℃までの測定が可能なアドバンストエネルギ社（１６２５、シャープポイントドライブ、フォートコリンズ、ＣＯ、８０５２５）から市販されている光ファイバー温度計、モデル番号ＯＲ2000Ｆ、または２００２年７月２日に出願され係属中の名称「伝達スペクトロスコピーを使用してウェハ帯端（ｂａｎｄ−ｅｄｇｅ）測定の方法およびウェハの温度均一性を制御するプロセッサ」の合衆国特許出願第１０／１６８,５４４号にて記載されたような帯端温度計測システムを含むことができる。そして、その内容は、それらの全体において参照によって本願明細書に引用したものとする。２つ以上の温度センサ１７０および１７５は、目的の温度分布を得るために実施される制御アルゴリズムへのフィードバックとしてコントローラ１６０に温度測定を提供することができる。
【００２５】
たとえば、熱伝達流体温度が基板ホルダ温度より低いときに、伝熱流体の流量（または速度）の増加は、基板ホルダ温度の低下に影響を作用することができる。別の形態として、伝熱流体の流量（または速度）の減少は、基板ホルダ温度の上昇に作用することができる。加えて、たとえば、熱伝達流体温度が、基板ホルダ温度より高いとき、伝熱流体の流量（または速度）の増加は、基板ホルダ温度の上昇に作用することができる。別の形態として、伝熱流体の流量（または速度）の減少は、基板ホルダ温度の低下に作用することができる。
【００２６】
図３に記載された別の例示の実施形態に係る材料処理システム２００は、たとえば、図１および図２の実施形態と類似したものであり得て、第１の流体チャネル１４０と、第２の流体チャネル１４５との間に配置された熱絶縁物２２５を、更に備えている基板ホルダ２２０を具備することができる。熱絶縁物２２５は、第１の流体チャネル１４０、および第２の流体チャネル１４５と実質的に同心である。熱絶縁物２２５は、基板ホルダ２２０の制御可能な熱ゾーンを横方向に絶縁するために、第１の流体チャネル１４０と、第２の流体チャネル１４５との間の挿入される。熱絶縁物２２５は、低い熱伝導率（基板ホルダ２２０の熱伝導率に対して）を有する何らかの材料または材料の組合せであることができる。別の形態として、熱絶縁物２２５は、調整可能な熱伝導率、たとえば、可変的な圧力を有するガスギャップを有するインシュレータを含むことができる。付加的な詳細は、２００３年１１月２６日に出願された名称「基板温度プロファイル制御のための方法およびシステム」の係属中の米特許出願シリアル番号第10／７２１,５００号で明らかにされることができ、そして、それは、全体として参照によってここに取り入れられる。
【００２７】
図４に記載された別の例示の実施形態に係る材料処理システム３００は、たとえば、図１、図２、および図３の実施形態に類似したものであり得て、２つ以上の温度コントロール部材３３１および３３２を更に備えている基板ホルダ３２０を含むことができる。各々の温度コントロール部材、すなわち３３１および３３２は、たとえば、伝熱流体を流すための別の流体チャネル、抵抗加熱部材、または熱電デバイス（またはそれのアレイ）を含むことができる。加えて、基板ホルダ３２０は、熱絶縁物３２５を任意に含むことができる。第１および第２の流体チャネル１４０および１４５より上に位置づけられる２つ以上の温度コントロール部材の使用は、基板１３５を加熱および冷却するための付加的な制御を提供することができる。
【００２８】
図５に記載された別の例示の実施形態に係る材料処理システム４００は、たとえば、図１、図２、図３、および図４の実施形態に類似したものであり得て、２つ以上の制御可能な絶縁部材４４１および４４２を更に含んでいる基板ホルダ４２０を具備することができる。各々の制御可能な絶縁部材、すなわち４４１および４４２は、基板ホルダ４２０内の熱の流れを垂直方向に制御するために可変的な圧力を有するガスギャップを含むことができる。付加的な詳細は、２００３年３月２８日に出願の名称「基板の温度コントロールのための方法およびシステム」の米国仮シリアル番号第６０／４５８,０５３号で見つけることができ、それの全体の内容は、参照によってここに取り入れられる。
【００２９】
上の実施形態が２つの分離した熱ゾーンを示す一方、当業者は、いくつかの熱絶縁物によって分離されることができるかまたは分離されることができない異なった数の熱チャネルを有する他の実施形態を容易に理解する。
【００３０】
図６は、処理システムの基板ホルダ上の基板の温度プロファイルを制御する方法５００を記載しているフローチャートを示す。温度プロファイル方式（ｓｃｈｅｍｅ）は、プロセスシステムにおけるプロセスのための複数のプロセスステップに関係することができる。基板ホルダは、図１、図２、図３、図４、または図５に記載されているそれらの１つを具備することができる。方法５００は、基板の温度プロファイルを制御するための制御パラメータを初期化することで５０５で開始する。ここで使用しているように、「温度プロファイルを制御すること」は、均一または不均一な基板温度の一方を達成するように、基板ホルダの異なった空間領域を独立して制御することを意味する。制御パラメータは、第１の熱ゾーンに対する入力パラメータと、第２の熱ゾーンに対する入力パラメータとを含む。制御パラメータは、更に、静電クランプＨＶ（高電圧）ＤＣ（直流）電源電圧に対する入力パラメータ、静電クランプＨＶ  ＤＣ電源電流に対する入力パラメータ、裏面ガス供給システムに対する入力パラメータ、ガス注入システムの入力パラメータ、真空排気システムの入力パラメータなどを備えることができるが、しかし、それに限定されるものではない。第１および第２の熱ゾーンに対する入力パラメータは、たとえば、流体流量（または速度）、若しくは流体温度、または両方を含むことができる。静電クランプＨＶ  ＤＣ電源電圧に対する入力パラメータは、たとえば、クランプ電圧を含むことができる。静電クランプＨＶ  ＤＣ電源電流に対する入力パラメータは、たとえば、クランプ電流を含むことができる。裏面ガス供給システムに対する入力パラメータは、たとえば、裏面流量、裏面圧力、または裏面ガスタイプを含むことができる。ガス注入システムに対する入力パラメータは、たとえば、ガス注入流量、若しくは複数の流量、ガス注入圧力、若しくは複数の圧力、またはガス注入ガスタイプ、若しくは複数のタイプを含むことができる。
【００３１】
５１０において、５０５で定める制御パラメータは、基板、基板ホルダ、または処理システムの前処理の少なくとも１つを実行するために、セットされることができる。
【００３２】
５１５において、プロセスは、基板を処理するための処理システム内で始められ、５２０において、制御パラメータは、制御され、および／または調整される。制御パラメータは、所定のプロセスレシピによって、制御されることができ、および／または調整されることができる。代わりとして、制御パラメータは、温度−感知デバイス（温度センサ）を使用しての温度測定を、プロセスレシピによって命令されるプロセス条件と比較することによって、制御されることができ、および／または調整されることができる。代わりとして、制御パラメータは、所定のプロセスレシピの組合せ、および温度感知デバイスを使用する温度測定を、プロセスレシピによって命令されるプロセス条件と比較することによって、制御されることができ、および／または調整されることができる。
【００３３】
５２５において、プロセスは終了され、その後、制御パラメータは、任意に、基板、基板ホルダ、または処理システムの少なくとも１つを後処理するために、制御されることができ、および／または調整されることができる。
【００３４】
本発明の特定の例示的な実施形態だけが上で詳述されたが、当業者は、多くの変更態様が、本発明の新規進歩の事項から逸脱することなく、例示的な実施形態において、可能であることを容易に理解する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施形態に係る基板ホルダを有するプラズマ処理システムの簡略ブロック図を記載した図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る基板ホルダを有するプラズマ処理システムの簡略ブロック図を記載した図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る基板ホルダを有するプラズマ処理システムの簡略ブロック図を記載した図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る基板ホルダを有するプラズマ処理システムの簡略ブロック図を記載した図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る基板ホルダを有するプラズマ処理システムの簡略ブロック図を記載した図である。
【図６】本発明の１つの実施形態に係る処理システムの基板ホルダ上の基板の温度を制御する方法を記載した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2008509553.tif 000009