【事件の表示】
　特許第２７７７８５８号「半導体熱処理用シリカガラス管およびその製造方法」の請求項１及び２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７７７８５８号の請求項１及び２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７７７８５８号に係る手続きの経緯は、以下のとおりである。
　平成４年１０月１５日  　　　特許出願
　平成１０月５月８日　　　　　特許権の設定の登録
　平成１０年７月２３日　　　　特許掲載公報の発行
　平成１１年１月２５日　　　　特許異議の申立て
　平成１１年８月９日付け　　　取消理由の通知
　平成１１年１０月２８日　　　意見書及び訂正請求書の提出
  平成１１年１２月１３日　　　特許異議申立人へ審尋書
　平成１２年３月７日　　　　　特許異議申立人より回答書の提出
　平成１２年５月１２日付け　  取消理由の通知（手交による）
　平成１２年５月１４日　　　　平成１１年１０月２８日付訂正請求書の取　　　　　　　　　　　　　　　下げ
　平成１２年５月１４日  　　　訂正請求書の提出
II．訂正の適否
１．訂正事項
　訂正を請求する事項は、次のとおりである。
訂正事項ａ
  特許請求の範囲の請求項１に「内表面から少なくとも１００μｍの層」とあるのを「内表面からの厚さが１００μｍ〜１ｍｍの層」と訂正する。
訂正事項ｂ
  特許請求の範囲の請求項２に記載された「結晶質石英粉」の前に、「請求項１記載の半導体熱処理用シリカガラス管の製造方法であって、」を挿入する。
訂正事項ｃ
　明細書の段落【０００４】に「１００μまで」とあるのを「の厚さが１００μｍ〜１ｍｍまで」と訂正する。
訂正事項ｄ
  明細書の段落【０００８】に「少なくとも１００μｍ」とあるのを「の厚さが１００μｍ〜１ｍｍ」と訂正する。
訂正事項ｅ
  明細書の段落【０００９】に「鉄元素および銅元素含有量の少ない層を形成することを特徴とする」とあるのを「シリカガラス管の内表面からの厚さが１００μｍ〜１ｍｍの層の鉄元素含有量を１００ｐｐｂ以下、銅元素含有量を５０ｐｐｂ以下にすることを特徴とする」に訂正する。
訂正事項ｆ
　明細書の段落【００１３】に「１００μｍ」とあるのを「の厚さが１００μｍ〜１ｍｍ」に訂正する。
訂正事項ｇ
　明細書の段落【００１４】に「少なくとも１００μｍ」とあるのを「の厚さが１００μｍ〜１ｍｍ」に訂正する。
訂正事項ｈ
  明細書の段落【００２３】の表１に「溶融したシリカガラス内表面の鉄元素含有量」、「溶融したシリカガラス内表面の銅元素含有量」及び「溶融したシリカガラス管の肉厚」とあるのを、それぞれ、「溶解したシリカガラス内表面の鉄元素含有量」、「溶解したシリカガラス内表面の銅元素含有量」及び「溶融したシリカガラス管の肉厚」と訂正する。
２．訂正の目的の適否
　訂正事項ａは、「内表面から少なくとも１００μｍ」としていた、鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下で、銅元素含有量が５０ｐｐｂ以下である層の範囲を、「内表面からの厚さが１００μｍ〜１ｍｍ」とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　訂正事項ｂは、「半導体熱処理用シリカガラス管の製造方法」を、「請求項１に記載の半導体熱処理用シリカガラス管の製造方法であって、」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
  訂正事項ｃ乃至ｇは、上記ａ及びｂの訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載を、訂正後の請求項１及び２の記載に合わせるための訂正であるから、特許請求の範囲の減縮に伴って生じた明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　訂正事項ｈは、後述する取消理由通知に応答してなされたものであり、「溶解」と記載すべきところを「溶融」と記載した誤りを訂正するものであるから、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
３．新規事項追加の有無及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否
　上記ａの訂正は、本件の願書に添付された明細書の段落【００１３】の「上記電融シリカガラス管において内表面から１００μｍまでの層の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下で、銅含有量が５０ｐｐｂ以下であれば、酸水素火炎溶融シリカガラス炉芯管と同じ空焼き時間で規格値以上のウエーハを得ることができるが、より好ましくは前記層の厚みが１００μｍ以上１ｍｍ以下がよい。５０μｍ以下では効果がない。他方、層の厚みを１ｍｍ以上に形成することは技術的に困難である。」という記載に基づくものであるから、上記訂正は、いずれも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
４．独立特許要件
(１)取消理由の概要
　当審における平成１１年８月９日付け取消理由の概要は、以下のとおりである。
　本件請求項１に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である下記の刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（以下、「理由１」という。）
　また、本件請求項２に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された下記の刊行物５〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（以下、「理由２」という。）
　よって、本件の請求項１及び２に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１　特開昭５９−１２９４２１号公報（特許異議申立人が提出した甲　　　　　第１号証）
刊行物２  特開昭５２−１２９３７３号公報（特許異議申立人が提出した甲　　　　　第２号証）
刊行物３  特公昭６３−４３４４号公報（特許異議申立人が提出した甲第３　　　　　号証）
刊行物４  特開平４−１０８６８３号公報（特許異議申立人が提出した甲第　　　　　４号証）
刊行物５　特開昭６３−２３６７２３号公報（特許異議申立人が提出した甲　　　　　第５号証）　　　　　
刊行物６  特開昭４８−６９７９４号公報（特許異議申立人が提出した甲第　　　　　６号証）
刊行物７  特開昭６３−１０００３８号公報（特許異議申立人が提出した甲　　　　　第７号証）
　また、当審における平成１２年５月１２日付け取消理由の概要は、以下のとおりである。
　本件出願は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。（以下、「理由３」という。）
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　本件明細書中に記載された表中の「溶融したシリカガラス」という記載は、明細書の段落【００１９】の「（鉄元素および銅元素含有量の測定法）シリカガラスの内表面を、弗酸の蒸気で溶解し、この蒸気を凝縮した後、前記弗酸溶液を原子吸光分光光度計にて測定する。なお、溶解したシリカガラスの厚みについては、溶解後のシリカガラスの肉厚を測定し、溶解前との差を計算し、厚みを確認した。」という記載と一致していない。
(２)訂正後の発明
　訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された発明は以下のとおりである。
「【請求項１】結晶質石英粉を電気溶融して得たシリカガラス管の内表面からの厚さが１００μｍ〜１ｍｍの層の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下で、銅元素含有量が５０ｐｐｂ以下であることを特徴とする半導体熱処理用シリカガラス管。
　【請求項２】請求項１記載の半導体熱処理用シリカガラス管の製造方法であって、結晶質石英粉を電気溶融して得たシリカガラス管を９００〜１３００℃で、雰囲気加熱処理を少なくとも１時間行うことを特徴とする半導体熱処理用シリカガラス管の製造方法。」
(３)当審における判断
(ｉ)理由１について
　本件明細書の段落【０００２】乃至【０００４】には、以下の記載がある
ａ「シリカガラスには、結晶質石英を電気溶融法で溶融しガラス化したシリ　カガラス（以下電気溶融シリカガラスという）、結晶質石英を酸水素火炎　法で溶融しガラス化したシリカガラス（以下酸水素火炎溶融シリカガラス　という）、およびゾル−ゲル法やスート法で製造したシリカをガラス化し　た合成シリカガラス等がある。」
ｂ「しかしながら、前記酸水素火炎溶融シリカガラスは多量のＯＨ基を含有　するため、高温で長時間使用するとつぶれや変形を起こすという欠点を有　していた。また、合成シリカガラスは結晶質石英粉から得られたシリカガ　ラスに比較して粘度が低く、かつ製造時の混入塩素および塩化水素により　気泡が発生し見栄えが悪くなるという欠点を有していた。」
ｃ「そのため、従来、半導体工業用治具として、特に熱処理温度が１１００　℃以上のプロセスで用いる治具用素材としては専ら電気溶融シリカガラス　が用いられてきた。」
ｄ「ところが、近年新しい評価法が開発され、この評価法によりシリカガラ　スのウエーハへの影響を調べたところ、電気溶融シリカガラス製品は、高　純度にもかかわらずウエーハの劣化をもたらすことがわかった。」
ｅ「この原因を調べるため電気溶融シリカガラス管と酸水素火炎溶融シリカ　ガラス管とを電気炉内にセットし同じ時間空焼きをした後、ウエーハの酸　化処理をおこなった。すると、酸水素火炎溶融シリカガラス管の場合には　規格値以上のライフタイムを有するウエーハを得ることができたが、電気　溶融シリカガラスの場合には規格値領域が少ないウエーハが得られるにす　ぎなかった。このライフタイム低下の原因として、ウエーハの酸化膜中へ　の金属不純物元素の採り込みが考えられるが、その発生源が、酸水素火炎　溶融シリカガラス製品にライフタイム劣化が少ないところから、電気溶融　シリカガラス自体にあるものと考えられる。」
ｆ「しかしながら、酸水素火炎溶融シリカガラス製品は、１１００℃以上の　高温プロセスで変形が起こり使用期間が短いところから、電気溶融シリカ　ガラス製品の改良が希求されていた。」
ｇ「本発明者等は上記電気溶融シリカガラス管の空焼き時間の短縮化につい　て研究していたところ、前記空焼きの短縮化に鉄元素および銅元素の含有　量が影響することがわかった。」
ｈ「そのため先ず、本発明者等は、シリカガラスバルク全体の鉄元素の含有　量の低減を検討したが、シリカガラス管の製造時や加工時の汚染等のため　現実的には実施化が困難であった。さらに鋭意研究を続けたところ、内表　面からの厚さが１００μｍ〜１ｍｍまでの層中の鉄元素の含有量が１００　ｐｐｂ以下で銅元素の含有量が５０ｐｐｂ以下である電気溶融シリカガラ　ス管は、酸水素火炎溶融シリカガラス管と同程度の空焼き時間で、ウエー　ハのライフタイムを規格値以上にすることを発見した。
ｉ「そこで、この鉄元素および銅元素含有量の少ないシリカガラス層を電気　溶融シリカガラス管の内側に積層し、前記課題の解決を図ろうとしたが、　技術的に高度である上、コスト的にも高くなり好ましい手段とはいえなか　った。本発明者等は上記問題点を考慮しつつさらに研究を重ねた結果、電　気溶融シリカガラス管を特定の条件下で雰囲気加熱処理することにより鉄　元素および銅元素含有量の少ない層を形成できることを発見したものであ　る。」
　本件明細書のこれらの記載から明らかなように、訂正後の請求項１に係る発明は、「電気溶融シリカガラス管の内表面からの厚さが１００μｍ〜１ｍｍの層中の鉄元素の含有量が１００ｐｐｂ以下で銅含有量が５０ｐｐｂ以下とする」という構成によって、改良された電気溶融シリカ製品を得るという上記ｆ記載の目的を達成し、半導体熱処理用シリカガラス管として、１１００℃以上の高温プロセスで変形が起こり使用期間が短い酸水素火炎溶融シリカガラス製品の代わりに、１１００℃以上の高温プロセスで変形はしにくいが、従来は高純度であるにもかかわらずウェーハの劣化をもたらすものであったところの電気溶融シリカガラスの管を用いても、酸水素火炎溶融シリカガラス管と同程度の空焼き時間で、ウエーハのライフタイムを規格値以上にすることができるという効果を奏するものである（ｈ参照）。そしてこのことは、本件明細書の実施例１〜３および比較例１〜３によって確認できるところである。
　これに対し、刊行物１には、「Ｎａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ金属がそれぞれ０．５ｐｐｍ以下で、かつＣｕが０．０３ｐｐｍ以下であり、１２００℃において１０１２ポイズ以上の粘性を有する石英ガラスからなることを特徴とする半導体熱処理用部材。」が記載されており、その第２頁右下欄５〜１５行には、実施例１として、「天然水晶を微粉砕し、１５０〜２５０＃に篩別し、脱鉄した後、浮遊選鉱法により精鉱し、さらに６０℃以上で濃度５％のフッ化水素酸液に１０時間浸漬して精製粉にした。これをＣｕとアルカリ金属を飛散させるために長時間（１２時間）溶融してから成形し、外径１００ｍｍ、肉厚３ｍｍ、長さ１８２０ｍｍの炉芯管ならびにそれに使用するウエハーボートを得た。このウエハーボートの化学分析値を表１に示す。」と記載されており、また、その第３頁左上欄１６行から右上欄１５行には、「上述した実施例（１）（２）及び比較例（１）（２）で得た炉心管内に、半導体素子を載置したウェハーボードを内装し、該炉芯管をＳｉＣ−Ｓｉ系灼熱管をライナー管として拡散炉に取り付けた灼熱管内に挿入し、１２５０℃に加熱して半導体を製造する作業を１年間続けた後、各石英管の状態を調べた。これらの結果を表２に示す。・・・表１と表２とを見れば明らかなように、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉのアルカリ金属が各々０．５ｐｐｍ以下で、かつＣｕが０．０３ｐｐｍ以下であり、１２００℃において１０１２ポイズ以上の粘性を有するものは１年間使用しても、石英ガラス炉芯管に失透や変形がなく、しかも得られた半導体のライフタイムが長く、フラットバンドの電圧差｜ΔＶＦＲ｜が０．１以下であり、極めて高品質のものが得られた。」と記載されている。
　しかしながら、刊行物１の表１には、実施例１として、Ｎａが０．３ｐｐｍ、Ｋが０．３ｐｐｍ、Ｌｉが０．１ｐｐｍ、Ｃｕが０．０１ｐｐｍ（１０ｐｐｂ）、Ａｌが２０ｐｐｍ、Ｃａが０．８ｐｐｍであることが示されているだけで、鉄の含有量については触れていない。
　そうすると、刊行物１の実施例１の製造手順で得た炉芯管は、天然水晶を微粉砕し、１５０〜２５０＃に篩別し、脱鉄して製造されているとはいえ、それが最終製品として、シリカガラス管の内表面からの厚さが１００μｍ〜１ｍｍの層中の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下であるかどうかは、刊行物１の記載からでは分るものではないし、また、１２００℃において１０１２ポイズ以上の粘性を有するものは１年間使用しても、石英ガラス炉芯管に失透や変形がなく、しかも得られた半導体のライフタイムが長く、フラットバンドの電圧差｜ΔＶＦＲ｜が０．１以下であるということから、シリカガラス管の内表面からの厚さが１００μｍ〜１ｍｍの層中の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下であるということが導き出せるものではない。
　刊行物２の第１頁左下欄１５行から右下欄３行には、「しかしながら、上記ウエーハ処理における拡散や酸化などの熱処理工程で、拡散ソース源、フォトレジスト、洗浄液および拡散炉の反応管等から生ずる金Ａｕ、鉄Ｆｅ、銅Ｃｕ、鉛Ｐｂ、等の重金属がシリコンウエーハ内に侵入するためにこれらの重金属が、半導体装置におけるキャリアのライフタイムキラとして作用し、電流増幅率等を低下させたり、雑音、リーク電流等を増加させる要因となる欠点があることが判った。」と記載されているものの、それは、半導体装置製造における際の一般的な技術常識にすぎず、そして、そもそも、刊行物２の特許請求の範囲には、「リン不純物が一様にまたは局所的に拡散しているシリコンウエーハを、６００〜８００℃の熱処理を行ない、前記シリコンウエーハ中に分布している重金属を前記リン不純物によりゲッタリングすることを特徴シルコンウエーハの熱処理法。」と記載されているように、シリコンウエーハ中に分布している重金属をリン不純物によりゲッタリングするのであるから、刊行物２に、拡散炉の反応管等から生ずる重金属が半導体装置におけるキャリアのライフタイムキラとして作用するという知見が記載されていたとしても、それをもって、「結晶質石英粉を電気溶融して得たシリカガラス管の内表面からの厚みが１００μｍ〜１ｍｍの層中の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下で、銅元素含有量が５０ｐｐｂ以下である」という事項を構成要件とする訂正後の請求項１に係る発明の進歩性が否定できるわけではない。
　刊行物３には、「Ｓｉウエハーに対する緩衝剤であって、１００メッシュ以下の粉度をもつ水晶粉から成り、ＳｉＯ２の純度が９９．９９％以上で、かつ不純物含有量が、Ｆｅ７ｐｐｍ、Ａｌ２０ｐｐｍ、Ｎａ５ｐｐｍ，Ｋ５ｐｐｍ、Ｌｉ２ｐｐｍ、Ｃａ３ｐｐｍ、Ｃｕ０．５ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体用高純度水晶粉の緩衝剤。」が記載されているものの、それは、緩衝剤としての水晶粉にすぎず、また、Ｆｅ７ｐｐｍ、Ｃｕ０．５ｐｐｍ以下という高濃度の不純物を含んでよいものであるから、刊行物３の記載をもって、訂正後の請求項１に係る発明の「シリカガラス管の内表面からの厚みが１００μｍ〜１ｍｍの層中の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下で、銅元素含有量が５０ｐｐｂ以下である」という構成が導けるものではない。
　刊行物４には、「内表面に高純度の透明石英層を形成し、該透明石英層に含有されるＴｉ、Ｚｒ、Ｅｒ、Ｆｅ濃度をそれぞれＴｉ＜９００ｐｐｂ、Ｚｒ＜３００ｐｐｂ、Ｅｒ＜７００ｐｐｂ、Ｆｅ＜２００ｐｐｂとするとともに、Ｃｕの平均濃度をＣｕ＜１．０ｐｐｂとしたことを特徴とする石英ガラスルツボ。」（特許請求の範囲）が記載されているものの、これは、シリコン融液を収容するルツボであってシリコン単結晶を製造するシリコン融液と直に接触するものであるから、シリコン融液を汚染しないように不純物の管理を厳しく行うことは当然のことである。
　したがって、刊行物４の記載は、半導体熱処理用シリカガラス管に関するものである訂正後の請求項１に係る発明とは関係のないものである。
　刊行物５には、「Ｎａ、Ｋ及びＬｉが０．５ｐｐｍ以下の含有量を有する半導体工業用石英ガラス製品において、Ｎａ、Ｋをそれぞれ０．２ｐｐｍ以下で且つＯＨ基を１０ｐｐｍ以下の含有量に設定するとともに、その外表面層にドーピングされている不純物元素を核としてクリストバライト結晶層を形成した事を特徴とする石英ガラス製品。」（特許請求の範囲第１項）等が記載され、また、その第３頁左下欄６〜１５行には、「先ず、天然石英を微粉砕して粒度は一定になるよう振るい分け選別した後、フッ化水素にて浸漬洗浄した精製粉を、電気炉にて１０〜１２時間程度長時間加熱溶融する事により、ＯＨ基が１０ｐｐｍ以下の含有量の溶融体を得、これを成形して炉芯管を製造する材料となる透明石英ガラス管を形成した後、次にこれを加熱炉内で塩素ガス又は塩化水素ガスを流しながら数時間熱処理を行う事によりＮａとＫを０．１ｐｐｍ、Ｌｉを０．３ｐｐｍに抑えた石英ガラス管を得る事が出来た。」と記載されており、天然石英精製粉を、電気炉で加熱溶融することすなわち電気溶融することが示されているものの、刊行物５にも、石英ガラス製品中の鉄元素や銅元素の不純物含量について示すところはない。
　刊行物６には、「水晶を高温度で塩素又は塩素を含んだガスを通ずることを特徴とする水晶中の不純物の除去方法。」（特許請求の範囲）が記載されているが、それは結晶体である「水晶」中から不純物を除去するものであって、「シリカガラス」に関する記載はない。
　刊行物７には、「粉砕されてなる天然石英から天然石英製の石英ガラス製品を得る工程に、前記天然石英を大気中または少なくとも塩素を含む雰囲気中で高温処理する工程を含めたことを特徴とする天然石英ガラスからの不純物除去方法。」（特許請求の範囲第１項）および「前記石英ガラス製品はパイプであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の天然石英ガラスからの不純物除去方法。」（特許請求の範囲第２項）が記載されており、また、その第２頁右下欄１５〜１７行には、「天然石英パイプ中に塩素ガスを１ｌ／ｍｉｎ流しながら、外部から酸−水素バーナで加熱した。」および第３頁右上欄４〜９行には、「前記方法では天然石英パイプをその内部に塩素ガスを適当量流しながら外部から酸−水素バーナーで加熱したが、１０００℃以上の電気炉中にやはり塩素ガスを流しながら天然石英パイプをゆっくり引き下げて加熱しても同様の結果を得ることができた。」と記載されているものの、第１頁左欄１５〜１７行に、「本発明は天然石英から、主として光ファイバの製造に使用する天然石英から不純物を除去する方法に関するものである。」と記載されているように、刊行物７に記載された発明は、光ファイバー用のシリカガラス管の製造に関するものであって、水素によるロス増加を引き起こすと考えられる（第１頁右下欄１０〜１７行を参照）ＮａやＫ等の不純物を除去するものであり、また、その第２頁左下欄６行には、天然石英パイプ（天然石英から得たシリカガラス管のこと）の鉄（Ｆｅ）含有量が０．２０ｐｐｍすなわち２００ｐｐｂであることが示されている（第２頁左下欄６行参照）としても、鉄不純物の除去について示すところがない。
　してみると、刊行物１〜７の記載を総合したところで、それらの記載から、訂正後の請求項１に係る発明の「結晶質石英粉を電気溶融して得たシリカガラス管の内表面からの厚みが１００μｍ〜１ｍｍの層中の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下で、銅元素含有量が５０ｐｐｂ以下である」という構成が導き出せるものではない。
　よって、訂正後の請求項１に係る発明が、刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
(ii)理由２について
　本件明細書の上記ａ乃至ｉの記載から分かるように、訂正後の請求項２に係る発明は、請求項１記載の半導体熱処理用シリカガラス管、すなわち、「結晶質石英粉を電気溶融して得たシリカガラス管の内表面からの厚みが１００μｍ〜１ｍｍの層中の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下で、銅元素含有量が５０ｐｐｂ以下である半導体熱処理用シリカガラス管」の製造方法であって、「結晶質石英粉を電気溶融して得たシリカガラス管を９００〜１３００℃で、雰囲気加熱処理を行う」という事項を構成要件とするものである。
　そして、該構成をとることにより、上記ｆに記載された目的を達成し、半導体熱処理用シリカガラス管として、１１００℃以上の高温プロセスで変形が起こり使用期間が短い酸水素火炎溶融シリカガラス製品の代わりに、１１００℃以上の高温プロセスで変形はしにくいが、従来は高純度であるにもかかわらずウェーハの劣化をもたらすものであったところの電気溶融シリカガラスの管を用いても、酸水素火炎溶融シリカガラス管と同程度の空焼き時間で、ウエーハのライフタイムを規格値以上にすることができるという効果を奏するものであり、それは、本件明細書の実施例１〜３および比較例１〜３によって確認できるところである。
　刊行物１乃至７には、「シリカガラス管の内表面からの厚みが１００μｍ〜１ｍｍの層中の鉄元素含有量が１００ｐｐｂ以下で、銅元素含有量が５０ｐｐｂ以下である半導体熱処理用シリカガラス管」については記載がないことは前述のとおりである。
　加熱処理に関しては、刊行物５乃至７に記載がある。
　しかしながら、刊行物５には、「Ｎａ、Ｋ及びＬｉが０．５ｐｐｍ以下の含有量を有する半導体工業用石英ガラス製品において、Ｎａ、Ｋをそれぞれ０．２ｐｐｍ以下で且つＯＨ基を１０ｐｐｍ以下の含有量に設定するとともに、その外表面層にドーピングされている不純物元素を核としてクリストバライト結晶層を形成した事を特徴とする石英ガラス製品。」（特許請求の範囲第１項）に関し、その第３頁左下欄６〜１５行には、「先ず、天然石英を微粉砕して粒度は一定になるよう振るい分け選別した後、フッ化水素にて浸漬洗浄した精製粉を、電気炉にて１０〜１２時間程度長時間加熱溶融する事により、ＯＨ基が１０ｐｐｍ以下の含有量の溶融体を得、これを成形して炉芯管を製造する材料とする透明石英ガラス管を形成した後、次にこれを加熱炉内で塩素ガス又は塩化水素ガスを流しながら数時間熱処理を行う事によりＮａとＫを０．１ｐｐｍ、Ｌｉを０．３ｐｐｍに抑えた石英ガラス管を得る事が出来た。」と記載されており、天然石英精製粉を、電気炉で加熱溶融することすなわち電気溶融すること、および、電気溶融した溶融体を成形して加熱炉内で塩素ガス又は塩化水素ガスを流しながら数時間熱処理を行うことが示されているものの、その加熱炉内での塩素ガス又は塩化水素ガスを流しながらの数時間の熱処理における熱処理温度について記載するところはないから、刊行物５には、訂正後の請求項２に係る発明の構成要件である「結晶質石英粉を電気溶融して得たシリカガラス管を９００〜１３００℃で雰囲気加熱処理を行う」という事項が示されているとは認められない。
　刊行物６には、「水晶を高温度で塩素又は塩素を含んだガスを通ずることを特徴とする水晶中の不純物の除去方法。」（特許請求の範囲）が記載されているが、それは結晶体である「水晶」中から不純物を除去するものであって、「シリカガラス」からの不純物を除去する際の条件を示唆するものではない。
　刊行物７には、「粉砕されてなる天然石英から天然石英製の石英ガラス製品を得る工程に、前記天然石英を大気中または少なくとも塩素を含む雰囲気中で高温処理する工程を含めたことを特徴とする天然石英ガラスからの不純物除去方法。」（特許請求の範囲第１項）および「前記石英ガラス製品はパイプであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の天然石英ガラスからの不純物除去方法。」（特許請求の範囲第２項）が記載されており、また、その第２頁右下欄１５〜１７行には、「天然石英パイプ中に塩素ガスを１ｌ／ｍｉｎ流しながら、外部から酸−水素バーナで加熱した。」および第３頁右上欄４〜９行には、「前記方法では天然石英パイプをその内部に塩素ガスを適当量流しながら外部から酸−水素バーナーで加熱したが、１０００℃以上の電気炉中にやはり塩素ガスを流しながら天然石英パイプをゆっくり引き下げて加熱しても同様の結果を得ることができた。」と記載されているものの、処理時間につては特に記載がない。そして、刊行物７の第１頁左欄１５〜１７行に、「本発明は天然石英から、主として光ファイバの製造に使用する天然石英から不純物を除去する方法に関するものである。」と記載されているように、刊行物７に記載された発明は、光ファイバー用のシリカガラス管の製造に関するものであって、水素によるロス増加を引き起こすと考えられる（第１頁右下欄１０〜１７行を参照）ＮａやＫ等の不純物を除去するものであり、また、その第２頁左下欄６行には、天然石英パイプ（天然石英から得たシリカガラス管のこと）の鉄（Ｆｅ）含有量が０．２０ｐｐｍすなわち２００ｐｐｂであることが示されている（第２頁左下欄６行参照）としても、鉄不純物の除去について示すところがない。
　してみると、刊行物１〜７の記載を総合したところで、訂正後の請求項２に係る発明は、それらに記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
(iii)理由３について
　上記訂正事項ｈにより、理由３は解消された。
(iv)まとめ
　したがって、訂正後の請求項１及び２に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものではない。
５．むすび
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項ないし第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
III．特許異議申立について
１．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、甲第１号証乃至甲第７号証を提出して、
（１）本件請求項１に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（２）本件請求項２に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第５〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
旨主張している。
２．本件発明
　本件の請求項１及び２に係る発明は、前述の訂正請求により訂正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものである。（前項「II．４．(２)訂正後の発明」参照）
３．当審における判断
  特許異議申立人が提出した甲第１号証乃至甲第７号証は、前記刊行物１乃至７と同一であり、前項「II．４．(３)当審における判断」に記載したと同じ理由により、本件の請求項１及び２に係る発明が、甲第１号証乃至７号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
IV．むすび
  以上のとおりであるから、本件の請求項１及び２に係る特許は、特許異議申立人の主張および提出された証拠方法によっては、取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月２４日（２０００．５．２４）