【事件の表示】
　特許第３０４６２９３号「真空浸炭処理方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０４６２９３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０４６２９３号（以下「本件特許」という。）は、平成１１年２月２５日（優先権主張　平成１０年３月５日　日本）に出願したものであって、特許権設定の登録後、特許異議申立人　株式会社日本ヘイズより、その請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、合議体より特許取消理由の通知、及び特許権者より訂正請求書の提出の各手続がなされたものである。
　　
II．訂正について
（II-1）訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
(a-1)特許請求の範囲を、以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ１ｋＰａを越え１０ｋＰａ以下の圧力下で浸炭処理を行うことを特徴とする真空浸炭方法」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
(b-1)【0006】及び【0008】（２カ所）、【0012】、【0014】中、「１〜１０ｋＰａ」を、「１ｋＰａを越え１０ｋＰａ以下」と訂正する。
(b-2)【0013】中、「１ｋＰａ以上」を、「１ｋＰａを越え」と訂正する。
　　
（II-2）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　訂正事項（ａ）は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、訂正事項（ｂ）は、発明の詳細な説明の記載を上記訂正事項（ａ）と整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当すると認められる。そして、それらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、かつ、当該訂正が実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとはいえない。
　したがって、本訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
　　　
III．本件発明
　訂正後の請求項１に係る発明（以下単に「本件発明」という。）は、訂正明細書（以下単に「明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの以下のものと認める。
「【請求項１】真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ１ｋＰａを越え１０ｋＰａ以下の圧力下で浸炭処理を行うことを特徴とする真空浸炭方法」
　　
IV．特許異議申立について
（IV-1）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　株式会社日本ヘイズは、本件優先権主張日前に頒布された刊行物として、甲第１号証（特開平８−３２５７０１号公報）、及び甲第２号証（米国特許第５２０５８７３号明細書）を提示し、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１及び２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であると主張している。
　　
（IV-2）証拠の記載事実
甲第１号証
(1-1)「【請求項1】鋼材よりなるワークを、真空浸炭炉の加熱室内で真空加熱するとともに、該加熱室内に浸炭用ガスを供給して浸炭処理を行なう真空浸炭方法であって、前記浸炭用ガスとしてガス状の鎖式不飽和炭化水素を使用するとともに、前記加熱室内を1kPa以下の真空状態として浸炭処理を行なうことを特徴とする真空浸炭方法。」（特許請求の範囲　請求項１）
(1-2)「【0019】【課題を解決するための手段】本発明による真空浸炭方法は、鋼材よりなるワークを、真空浸炭炉の加熱室内で真空加熱するとともに、この加熱室内に浸炭用ガスを供給して浸炭処理を行なう方法であって、浸炭用ガスとしてガス状の鎖式不飽和炭化水素を使用するとともに、加熱室内をlkPa以下の真空状態として浸炭処理を行なうことを特徴とするものである。」（段落【0019】）
(1-3)「【0020】上記ガス状の鎖式不飽和炭化水素としては、アセチレン系ガス、特にアセチレンガスを使用することが望ましい。」（段落【0020】）
(1-4)「【0028】そのため、本発明による真空浸炭方法では、浸炭用ガスの炉内滞在時間を短くするために、炉内圧力を従来の真空浸炭方法よりも極端に低い１ｋＰａ以下として、ワークの表面での分解反応は起きるが、炉内空間では殆ど煤を発生しない真空浸炭方法を実現している。」（段落【0028】）
(1-5)「【0030】【発明の効果】これに対して、本発明による真空浸炭方法では、ガス状の鎖式不飽和炭化水素を浸炭用ガスとして使用するものであり、このガス状の鎖式不飽和炭化水素であるエチレンガス(C2H4)やアセチレンガス(C2H2)は、従来使用されていたメタン系ガスと相違し、炭素原子数に比べて水素原子の数が少ない。」（段落【0030】）
(1-6)「【0031】そのため、加熱室内で浸炭用ガスが原子状炭素を発生させるように分解しても、分解生成ガスである水素ガス等の分子数が多くならないため、浸炭ガス分子としてワークに接触しようとする際の水素ガス分子等の妨害を少なくすることができる。その結果、浸炭処理時の圧力が低いこともあり、浸炭ガス分子の平均自由行程(mean free path)が伸び、ワークの深い凹部の内壁周面にも、浸炭ガス分子が侵入し易くなり、さらに浸炭ガス分子が化学的に活性で、高温にしなくても、また時間をかけなくても分解し易い不飽和炭化水素であるため、ワーク表面で短時間で容易に反応、分解して原子状炭素をワーク表面に供給できることと相俟って、ワークの各部を均一に浸炭することができることとなる。
【0032】そして、この浸炭の均一性は炉内圧力を低くするほど顕著になる」（段落【0031】〜【0032】）
(1-7)「【0033】また、本発明では、加熱室内を従来の真空浸炭に比べて極端に低圧の１ｋＰａ 以下で浸炭処理を行なっているため、加熱室内に供給されてから低圧に維持するための吸引手段で吸引されるまでの時間、すなわち、浸炭用ガスの加熱室内での滞留時間が短くなる。滞留時間が短くなれば、分解浸炭に至らなかった浸炭用ガスを、加熱室内で分解して煤を発生させる以前に、加熱室内から除去することが可能になり、加熱室内での煤の発生を防止することができる。」（段落【0033】）
(1-8)「【0038】さらに、本発明による真空浸炭方法では、加熱室内を１ｋＰａ 以下の低圧にしており、加熱室自体が加熱室外に対して断熱効果を発揮することから、加熱室自体を、水冷したり、断熱保護したりする必要が低減されるため、加熱室を含む真空容器の外壁を、低圧に維持する構造のみにして、特別の断熱構造としなくても済み、真空浸炭炉の製造工数、製造コストを低減することにも寄与できる。」（段落【0038】）
(1-9)「【0057】なお、本発明の真空浸炭方法では、加熱室内を１kPa 以下の真空状態で浸炭を行なっていることにより、アセチレンガスを浸炭用ガスとして使用しても、ワークの浸炭ムラをなくし、かつ煤の発生を抑えて浸炭処理を行なうことがができるが、加熱室内を１ｋＰａを超える圧力として浸炭処理を行なった場合は、煤の発生を抑え難くなり、浸炭も不均一になって望ましくない。」（段落【0057）】
　　
甲第２号証
(2-1)「金属合金部品に対する低圧炭化処理において、水素と２〜６０vol％のエチレンからなる燃料混合物が用いられる。」（アブストラクト）
(2-2)「本発明は金属合金部材、特にスチール部材、に用いる低圧浸炭方法に関するものである。」（第１欄第７〜９行）
(2-3)「より詳細には、本発明による方法は、次の各工程から実質的に成るものである：
・・・・ｆ）水素を５００ｈＰａまで導入する。ｇ）エチレンベースの燃料ガスを、各々の場合に合わせて１０〜１００ｈＰａの圧力で導入することにより炭化を行い・・・」（第１欄第６５行〜第２欄第１３行）
(2-4)実施例を示す表中、水素を導入後、エチレン燃料ガスにより炭化を行ったこと。（第３〜６欄　実施例１〜７）
(2-5)「水素を５００ｈＰａまで導入して真空破壊する。炭化は、エチレンを通常３０ｈＰa 近辺の圧力で導入することにより起こり、それに続いて、１０-1ｈＰa以下の絶対圧で拡散する。」（第７欄第１８〜２１行）
(2-6)「・・・（ｆ）チャンバに水素を５００ｈＰａまでの圧力で導入し、
（ｇ）１０〜１００ｈＰaの圧力でエチレンをチャンバに導入して、上記の水素とのエチレンベース燃料ガス混合物を形成し、・・・」（第７欄、クレーム１）
　　
(IV-3)対比・判断
　本件発明と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者の発明は真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用いて浸炭処理を行うことを特徴とする真空浸炭方法の点で一致し、そして真空浸炭処理の圧力について、本件発明では「１ｋＰａを越え１０ｋＰａ以下」と規定されているのに対して、甲第１号証の記載では「１ｋＰａ以下」であって、双方の圧力が異なる点で、両者の発明は相違する。
　そこで、この相違点について検討する。
　甲第２号証には、低圧炭化処理を行なうに際して、水素とエチレンとの混合ガスを用いる発明が記載されており（摘記2-1）、具体的には、水素ガスを導入後、エチレンを１０〜１００ｈＰａの圧力（摘記2-3、2-6）、及び、３０ｈＰａの圧力（摘記2-5）で導入したことが記載されている。特許異議申立人は、甲第２号証のこれらの記載に基いて、甲第１号証に記載の発明に対して１〜１０ｋＰａの圧力を採用し、もって本件発明を構成することは容易になし得たことであると主張している。
　しかし、甲第２号証に記載の発明で用いられている浸炭ガスは、水素とエチレンとの混合ガスであって、エチレンを単独で用いたものではなく、さらに、甲第１号証には、エチレンを用いた場合を含めて、浸炭処理を１ｋＰａ以下の低い圧力で行う必要性が記載され（摘記1-1、1-8、1-9）、また、浸炭の均一性は炉内圧力を低くするほど顕著になる旨が記載されていること（摘記1-6）、及び、甲第２号証に記載された特定の水素−エチレン混合ガスの場合に採用されている圧力が、ガス組成の相違するエチレンガスに対して、そのまま適用できるといえる根拠もないことからすると、甲第１号証に記載されている１ｋＰａ以下という低い圧力に代えて、甲第２号証に記載された発明で採用されている、より高い圧力を適用するということを、当業者が容易に想到するということはできない。
　そして本件発明は、当該相違点を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、エチレンガスを使用した場合には、圧力が１ｋＰａ以下では浸炭が不十分であったという、先行文献（特開平８−３２５７０１号（即ち、甲第１号証））の開示に反する知見に基き、その問題点を改善するとともに（本件明細書【0006】〜【0007】参照）、取扱、メンテナンスが容易で設備費が安価で、しかも、ワーク全体の表面に均一に浸炭層を形成し、真空浸炭に必要な排気ポンプの容量を小さくできて設備コストを低減し、かつ炉内の煤の発生を抑えて設備のメンテナンス性を改善し、さらには原料ガスの消費量及びコストを低減させるという、明細書に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　以上のとおりであるから、本件発明は甲第１及び２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月２５日（２００１．５．２５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨　（特許第３０４６２９３号；異議２０００−７３９５７）　
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
（ａ−１）特許請求の範囲を、以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ１ｋＰａを越え１０ｋＰａ以下の圧力下で浸炭処理を行うことを特徴とする真空浸炭方法」
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
（ｂ−１）【０００６】及び【０００８】（２カ所）、【００１２】、【００１４】中、［１〜１０ｋＰａ」を、「１ｋＰａを越え１０ｋＰａ以下」と訂正する。
（ｂ−２）【００１３】中、「１ｋＰａ以上」を、「１ｋＰａを越え」と訂正する。
　なお、訂正事項（ａ）は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、訂正事項（ｂ）は明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（５４）【発明の名称】
真空浸炭処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ
１ｋＰａを超え１０ｋＰａ以下
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は鉄鋼材料の真空浸炭処理方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　鉄鋼材料の浸炭には、従来からガス浸炭、真空浸炭、プラズマ浸炭等が行われている。ガス浸炭は現状広く行われているが、可燃ガスによる安全性、処理品表面の粒界酸化、高温浸炭による短サイクル化が難しい等の問題点がある。またプラズマ浸炭は設備コストが高く特殊浸炭に限定されている。真空浸炭は９００〜１０００℃で浸炭ガスとして飽和炭化水素（メタンガス、プロパンガス、ブタンガス）を用い１０〜７０ｋＰａの圧力で処理する方法が取られている。
　【０００３】
　しかし、従来からの真空浸炭法は、設備費が高いこと、煤によるメンテナンスの困難さ、ランニングコストが高いこと等の問題点があった。そこで、ランニングコストを低減するために例えば、特開平８−３２５７０１号公報では、鎖式不飽和炭化水素であるアセチレン系ガスを使用して、１ｋＰａ以下での真空浸炭処理を行う方法が開示されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、アセチレンは圧力をかけると爆発しやすいガスであり取扱が難しく面倒である。また、高圧力下で動作させると煤の発生が多くなるため、低圧下（１ｋＰａ以下）で動作させ、大型の真空ポンプやメカニカルブースターポンプが必要になり、設備が複雑になるとともに設備費が著しく高価になるという問題があった。また、前述した通常の真空浸炭では浸炭装置内に付着する煤がメンテナンスを煩雑にしており、これもランニングコストを高くしている。
　【０００５】
　本発明の課題は、上記問題点に鑑みて、より取扱が容易で設備費が安価でメンテナンスの容易な真空浸炭処理方法を提供することである。さらに詳細には炉内に装荷されたワーク全体の表面に均一に浸炭層を形成するとともに、真空浸炭に必要な排気ポンプの容量を小さくすることにより設備コストを低減し、かつ炉内の煤の発生を抑えることにより設備のメンテナンス性を著しく改善し、さらには原料ガスの消費量及びコストを低減させた真空浸炭処理方法を提供することである。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　ところで、特開平８−３２５７０１号公報ではアセチレンなどの鎖式不飽和炭化水素を使用する旨記載されているが、具体的にはアセチレン系ガス以外のガスについて開示されていない。また、エチレンガスの使用については全く記載されていない。そこで、本発明者らは、特開平８−３２５７０１の実施例に記載のアセチレンガスに代えて工業的にも多く使われて安価なエチレンガスでの試験を行ったが、この方法では結局所望の浸炭層を得ることができなかった。そこで、本発明者らは、研究の結果、エチレンを原料とし、真空浸炭処理炉内の圧力を
１ｋＰａを超え１０ｋＰａ以下
　【０００７】
　この知得により、本発明においては、真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ１ｋＰａを超え１０ｋＰａ以下の圧力下で浸炭処理を行う真空浸炭方法を提供することによって上記課題を解決した。
　【０００８】
　エチレンガスを使用すれば、炉内圧力を
１ｋＰａを超え１０ｋＰａ以下
１ｋＰａを超え１０ｋＰａ以下
　【０００９】
　【実施例】
　（実施例１）
　次に本発明の真空浸炭処理方法により、浸炭処理した第一の実施例について説明する。第一の実施例においては、内径１２００ｍｍ、長さ１５００ｍｍ、内容積約１．７ｍ３の円筒形の浸炭室を持つ真空浸炭装置に、外形２０ｍｍ、長さ１０ｍｍの鋼材ＳＣＭ４１５（ＪＩＳ　Ｇ　４１０５記載）相当の丸棒を３０個装荷し、エチレンガスを１Ｌｉｔ／分の流量で浸炭室内へ供給し、炉内圧力３ｋＰａ、炉内温度１０００℃の条件下で１時間の浸炭処理を行った。浸炭処理中の煤の発生はなかった。さらに、浸炭時間完了後、油冷により焼き入れした。その後、ワーク表面からの炭素濃度を分析したところ、炭素濃度が０．３％になる表面からの距離は丸棒の円筒面の先端部、中央部それぞれにおいて、約０．９ｍｍとなり、十分で均一な浸炭深さを得ることができた。
　【００１０】
　また浸炭ガスの圧力を３ｋＰａとしたので、浸炭室内の排気は最大排気流量が３０００Ｌｉｔ／分、モーター容量３．７ｋｗの真空ポンプ１台で十分排気が可能であり、アセチレンガスを用いた際に必要であった、高価なメカニカルブースターポンプは不要である。
　【００１１】
　（実施例２）
　さらに、本発明の真空浸炭処理方法により、浸炭処理した第二の実施例について説明する。第二の実施例においては、第一の実施例で用いたものと同じ真空浸炭装置を用い、外形２０ｍｍ、長さ１０ｍｍの鋼材ＳＣＭ４１５（ＪＩＳ　Ｇ　４１０５記載）相当の丸棒を、炉内に５個おき、エチレンガスを１Ｌｉｔ／分の流量で浸炭室内へ供給し、炉内圧力６ｋＰａ、炉内温度１０００℃の条件下で１時間の浸炭処理を行った。浸炭時間完了後、油冷により焼き入れした。その後、ワーク表面からの炭素濃度を分析したところ、炭素濃度が０．３％になる表面からの距離は約０．９ｍｍであり、十分な浸炭深さを得ることができた。さらに、浸炭深さのバラツキは±０．０５ｍｍ以内であり均一に浸炭されていた。
　【００１２】
　【発明の効果】
　本発明は鉄鋼材料の真空浸炭方法において、真空浸炭処理方法において、浸炭ガスとしてエチレンガスを用い、かつ
１ｋＰａを超え１０ｋＰａ以下
　【００１３】
　より、詳述すれば、エチレンガスを用いることにより炉内圧力を
１ｋＰａを超えて
　【００１４】
　また、炉内圧力が
１ｋＰａを超え１０ｋＰａ以下
　【００１５】
　さらには原料ガスに価格が安く、爆発しにくいエチレンガスを使用したので、ガス費用を低減でき、取扱が容易で、処理のし易い真空浸炭処理方法を提供するものとなった。また、これに使用する浸炭処理装置も低コスト、長寿命となり、今後の真空浸炭の普及につながり産業上非常に有益である。