【事件の表示】
　特許第２９３７９４４号「非常に高利得のヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法」の請求項８ないし２０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９３７９４４号の請求項８ないし１３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９３７９４４号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平９−１２１９８４号）平成　９年　５月１３日
　優先権主張（米国）　　　　　　　　　平成　８年　５月１３日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　平成１１年　６月１１日
　特許異議申立　　　　　　　　　　　　平成１２年　２月２２日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　平成１２年　５月２２日
　意見書・訂正請求書　　　　　　　　　平成１２年１２月　７日
　
２．訂正の適否についての判断
２．１　訂正の内容
２．１．１　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項８中の「エポタキシャル層」を「エピタキシャル層」と訂正する。
２．１．２　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項８中の「エミッタメサ及び不動態化層へと形成されるエミッタ層と」を「エミッタメサ及び不動態化層として上記ベース層の上に形成される単一のエミッタ層と」と訂正する。
２．１．３　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項１４〜２０を削除する。
　
２．２　訂正の目的の適否，新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、本件特許明細書【００１３】の「エピタキシャル」等の記載からも明らかなように、誤記の訂正に相当する。
　さらに、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．２．２　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂは、「エミッタメサ及び不動態化層へと形成されるエミッタ層と」をより下位概念である「エミッタメサ及び不動態化層として上記ベース層の上に形成される単一のエミッタ層と」と限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　さらに、当該構成は、本件特許明細書【００１５】及び図７の記載から明らかであり、上記訂正事項ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．２．３　訂正事項ｃ
　上記訂正事項ｃは、特許請求の範囲の請求項１４〜２０を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　
２．３　訂正の適否のむすび
　以上のとおり上記訂正請求は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜３項の規定に適合するから、上記訂正を認める。
　
３．特許異議申立についての判断
３．１　特許異議申立の理由及び取消理由の概要
　特許異議申立人シャープ株式会社は、甲第１号証（刊行物１：特開平６−２４４１９５号公報），甲第２号証（刊行物２：特開平７−１０６３４３号公報）を提出し、本件請求項８〜２０に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証から当業者が容易になし得た発明であり、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　取消理由も特許異議申立の理由と同趣旨である。
　
３．２　本件発明
　上記２．で示したように上記訂正は認められるから、本件の請求項８〜１３に係る発明（以下、「本件発明８〜１３」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項８〜１３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項８】　基体層、コレクタ接点層、コレクタ層及びベース層を含む互いに上下に形成された複数の垂直方向に一体化されたエピタキシャル層と；
　エミッタメサ及び不動態化層として上記ベース層の上に形成される単一のエミッタ層と；
　上記不動態化層に蒸着される一対のベース金属接点とを備え、このベース金属接点は、アニールされて、上記不動態化層を通して上記ベース金属接点を上記ベース層へと拡散させ、ベースオーミック接点を形成することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項９】　上記基体材料は、ＧａＡｓから形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項１０】　上記コレクタ接点エピタキシャル層は、ｎ＋材料から形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項１１】　上記コレクタエピタキシャル層は、ｎ−材料から形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項１２】　上記ベースエピタキシャル層は、ｐ＋材料から形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項１３】　上記エミッタ層は、ＡｌＧａＡｓから形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。」
　
３．３　取消理由通知で引用した各刊行物に記載された発明
　当審が取消理由通知で引用した刊行物１（甲第１号証：特開平６−２４４１９５号公報）は、半導体装置、特にヘテロ接合バイポーラトランジスタに関するものであり、以下の点が、補正された図１（第９頁）と共に記載されている。
【０００３】電流利得の確保に関しては、ＧａＡｓの表面再結合が大きいことと、標準的な素子構造である、均一組成ベースで、かつ傾斜組成（ｇｒａｄｅｄ）エミッタ構造の場合、フェルミレベル・ピンニングから生じる表面チャネルにキャリア（電子）が流れ込み易いことが原因となってベース電流の増大を招き、結果として電流利得（＝（コレクタ電流）／（ベース電流）比）が小さくなることが問題となっていた（図３及び図４参照）。この問題は、エミッタ層とベース層の接合周辺を被覆するように、ベース層よりもバンドギャップの大きなＡｌＧａＡｓエミッタ層の一部を空乏層として残し、パッシベーションとして用いた構造、いわゆる“ガードリング構造”によって大幅に改善された。
【００２０】【実施例】実施例１
　本発明の実施例として図１に示すようなＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴの製造工程を詳細に説明する。まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法にて２〜９の各層を備えたエピウエハを成長する。ここで２はｎ型のＳｉを濃度５×１０１８cm−３でドーピングしたｎ型ＧａＡｓサブコレクタ層を層厚５０００Å、３はｎ型のＳｉを濃度５×１０１６cm−３でドーピングしたｎ型ＧａＡｓコレクタ層を層厚５０００Å、４はｐ型のＣを濃度２×１０１９cm−３でドーピングしたｐ型ＧａＡｓベース層を層厚８００Å、５はｎ型のＳｉを５×１０１７cm−３でドーピングしたｎ型ＡｌＧａＡｓ傾斜組成（Ａｌ組成０→０．３）エミッタ層を層厚３００Å、６はｎ型のＳｉを５×１０１７cm−３でドーピングしたｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層を層厚１０００Å、７はｎ型のＳｉを５×１０１７cm−３でドーピングしたｎ型ＡｌＧａＡｓ傾斜組成（Ａｌ組成０．３→０）エミッタ層を層厚３００Å、８はｎ型のＳｉを５×１０１８cm−３でドーピングしたｎ型ＧａＡｓキャップ層を層厚１０００Å、９はｎ型のＳｉを２×１０１９cm−３でドーピングしたｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を層厚１０００Åとした。
　【補正後の００２１】次に上記２〜９の各層を備えたエピウエハのエミッタ層を、リン酸系エッチング液（Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝３：１：５０）とＨＦエッチング液を順に用いてメサエッチングを行い、ベース層の最表面が５００Å以下のｎ型ＡｌＧａＡｓ層５が露出しているような状態に加工したウエハを、プラズマＣＶＤ装置に搬入する。その後、プラズマＣＶＤ装置内で１３．５６ＭＨｚの高周波を用いて、ＰＨ３とＨ２ との混合気体のグロー放電を起こし生成されたプラズマにこのウエハ表面を露出させ、３０分間プラズマ処理を行う。このときリアクター内の圧力は５×１０ー３Ｔｏｒｒ，Ｈ２で１０％に希釈したＰＨ３を流量２０ｓｃｃｍで流し、プラズマパワー密度は０．２Ｗ／cm２ 、基板温度は２５０℃とする。このプラズマ処理によって大量のＰ原子がエミッタ層５，６，７とキャップ層８，コンタクト層９の側壁及びベース層表面の数百Åの領域でＡｓ原子を置換する。このようにしてリン化物層１４が形成される。その後ベース層及びコレクタ層にメサエッチングを行った後、公知のフォトプロセス法でエミッタ、ベース、コレクタの各オーミック電極を形成し図１に示すＨＢＴの素子分離と実装を行う。（第８頁）
　
　同じく刊行物２（甲第２号証：特開平７−１０６３４３公報）は、ヘテロバイポーラ型半導体装置に関するものであり、以下の点が図３，４，６と共に記載されている。
【００４１】図４Ａに示すように、半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、ｎ＋型ＧａＡｓコレクタコンタクト層２、ｉ型ＧａＡｓコレクタ層３、ｐ＋型ＧａＡｓベース層４、ｎ型ＩｎＧａＰエミッタ層５、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ保護層６、ｎ型ＧａＡｓエミッタ層７、ｎ＋型ＩｎＧａＡｓエミッタキャップ層８をこの順番でガスソースＭＢＥまたはＭＯＣＶＤ等で形成する。
【００４２】ＧａＡｓコレクタコンタクト層２の不純物濃度は約３×１０１８cm−３、膜厚は約５００ｎｍである。ＧａＡｓコレクタ層３はノンドープで膜厚は約４５０ｎｍである。ＧａＡｓベース層４の不純物濃度は約４×１０１９cm−３、膜厚は約７０ｎｍである。ＩｎＧａＰエミッタ層５の不純物濃度は約３×１０１７cm−３、膜厚は約３０ｎｍである。
【００４３】ＡｌＧａＡｓエミッタ保護層６はＡｌＸＧａ１−ＸＡｓの組成を有する組成勾配層であり、下表面でｘが０．３、上表面でｘが０である。このエミッタ保護層６は、エッチング停止、エミッタ層表面の不動態化と共に、ＩｎＧａＰエミッタ層５の伝導帯をＧａＡｓのバンド構造になめらかに接続させる役割も果たす。また、不純物濃度は約３×１０１７cm−３、膜厚は約３０ｎｍである。ＧａＡｓエミッタ層７の不純物濃度には勾配が設けられており、下表面で約３×１０１７cm−３、上表面で約３×１０１８cm−３であり、膜厚は約３００ｎｍである。
【００４９】次に、ＣＣｌ２Ｆ２とＨｅとの混合ガスを用い、ＧａＡｓエミッタ層７を等方性ドライエッチングする。このエッチングガスはＡｌＧａＡｓをエッチングしないため、エッチングはＡｌＧａＡｓエミッタ保護層６の表面で自動的に停止する。さらに、オーバエッチングを行ってエミッタ層７をサイドエッチングし、エミッタ電極１１による庇状部分を形成する。このようにして、エミッタメサ３０を形成する。
【００５３】図４Ｄは、ベース電極を形成する工程を示す。エミッタ保護層６を除去した後、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕをこの順番でそれぞれ２０ｎｍ、２０ｎｍ、４０ｎｍ、８０ｎｍの厚さ蒸着する。エミッタ保護層６はアンダーカットされているため、Ｐｄ／Ｚｎ／Ｐｔ／Ａｕ層はエミッタ保護層６に接触しない。Ｐｄ／Ｚｎ／Ｐｔ／Ａｕ層の蒸着については、本願発明者らが特開平５−２５９４３５号に開示している技術を用いることができる。
【００５６】次に、窒素雰囲気中３５０℃で１５分間、熱処理を行う。熱処理によりコレクタコンタクト層２のコレクタ電極９との界面近傍が合金化され、コレクタ電極９とコレクタコンタクト層２との間のオーミック接触を得ることができる。同時に、ベース電極１０からベース層４に達する電極反応領域２０が形成され、ベース電極１０とベース層４との間のオーミック接触を得ることができる
【００６５】次に、図６を参照して第２の実施例の変形例について説明する。
　図６は、第２の実施例の変形例によるＨＢＴの断面図を示す。本変形例によるＨＢＴは、図３に示す第２の実施例によるＨＢＴと比べて、ベース電極１０が形成されている領域のエミッタ保護層６が除去されないで残されている点が異なる。その他の構成は図３に示す第２の実施例と同様である。
　
３．４　本件発明と各刊行物記載の発明との対比・判断
　本件発明８〜１３と上記刊行物１，２記載の発明とを対比すると、エミッタメサ及び不動態化層が、本件発明８〜１３では、単一のエミッタ層から構成されているのに対して、刊行物１記載の発明では、ｎ型ＡｌＧａＡｓ傾斜組成（Ａｌ組成０→０．３）エミッタ層５，ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層６及びｎ型ＡｌＧａＡｓ傾斜組成（Ａｌ組成０．３→０）エミッタ層７の３層から構成されており、刊行物２記載の発明では、ｎ型ＩｎＧａＰエミッタ層５，ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ保護層６及びｎ型ＧａＡｓエミッタ層７の３層から構成されている。　すなわち、刊行物１，２には、本件発明８〜１３の構成要件である「エミッタメサ及び不動態化層としてベース層の上に形成される単一のエミッタ層」が記載されておらず、さらにこれらを示唆する記載もない。また、本件発明８〜１３は、前記構成要件を具備することにより、構造及び製造プロセスが簡単であるという顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明８〜１３が、上記刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
３．５　特許異議申立についての判断のむすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明８〜１３の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明８〜１３の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２５日（２００１．１．２５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ：誤記の訂正を目的として、特許請求の範囲の請求項８中の「エポタキシャル層」を「エピタキシャル層」と訂正する。
　訂正事項ｂ：特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項８中の「エミッタメサ及び不動態化層へと形成されるエミッタ層と」を「エミッタメサ及び不動態化層として上記ベース層の上に形成される単一のエミッタ層と」と訂正する。
訂正事項ｃ：特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１４〜２０を削除する。
（５４）【発明の名称】
非常に高利得のヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の製造方法において、
　ａ）基体層と、サブコレクタ層と、コレクタ層と、ベース層と、エミッタ層が互いに上下に形成された垂直方向に一体化されたデバイスを用意し；
　ｂ）上記エミッタ層の上に第１ホトレジストを形成し；
　ｃ）エミッタメサの位置及び上記ベース層へのアクセス部を画成するようにパターン化されたホトマスクを形成し；
　ｄ）上記ホトレジストを露光及び現像して、エミッタ層上の第１ホトレジストの一部分以外の全てを除去し；
　ｅ）上記エミッタ層をエッチングしてエミッタメサを形成し、上記エッチングは、上記エミッタの薄い不動態化層を上記ペース層の上に残すように制御され；
　ｆ）ベース金属接点の位置を画成するように第２のホトレジストを付着し；
　ｇ）上記第２のホトレジストを露光及び現像して、上記不動態化層を露出すると共に、エミッタメサのオーバーハングを形成して、ペース金属接点の位置を画成し；
　ｈ）上記不動態化層の上記露出領域と上記ホトレジストの上に１つ以上の金属を付着して、上記エミッタメサに隣接するベース金属接点を形成し；
　ｉ）上記第２のホトレジストと、上記ホトレジスト上の上記金属層を除去し、上記不動態化層上で上記エミッタメサに隣接配置された一対のベース金属接点を残すようにし；そして
　ｊ）上記残されたペース金属接点をアニールし、上記不動態化層を通して上記ベース金属接点を拡散させ、上記ベース金属接点と上記ベース層を反応してべースオーミック接点を形成できるようにする；
という段階を備えたことを特徴とする方法。
　【請求項２】　上記基体は、ＧａＡｓで形成される請求項１に記載の方法。
　【請求項３】　上記コレクタ接点層は、ｎ＋材料から形成される請求項１に記載の方法。
　【請求項４】　上記コレクタ層は、ｎ−材料から形成される請求項１に記載の方法。
　【請求項５】　上記ベース層は、Ｐ＋材料から形成される請求項１に記載の方法。
　【請求項６】　上記エミッタ層は、ＡｌＧａＡｓから形成される請求項１に記載の方法。
　【請求項７】　上記１つ以上の金属は、ｐ−型オーミック材料から形成される請求項１に記載の方法。
　【請求項８】　基体層、コレクタ接点層、コレクタ層及びベース層を含む互いに上下に形成された複数の垂直方向に一体化された
エピタキシャル
　
エミッタメサ及び不動態化層として上記ベース層の上に形成される単一のエミッタ層と
　上記不動態化層に蒸着される一対のベース金属接点とを備え、このペース金属接点は、アニールされて、上記不動態化層を通して上記ベース金属接点を上記ベース層へと拡散させ、べースオーミック接点を形成することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項９】　上記基体材料は、ＧａＡｓから形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項１０】　上記コレクタ接点エピタキシャル層は、ｎ＋材料から形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項１１】　上記コレクタエピタキシャル層は、ｎ−材料から形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項１２】　上記ベースエピタキシャル層は、ｐ＋材料から形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
　【請求項１３】　上記エミッタ層は、ＡｌＧａＡｓから形成される請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）及びその製造方法に係り、より詳細には、エミッタ／ベース接合に不動態化を与えて比較的広いバンドギャップを形成すると共にエミッタ／ベース接合の再結合速度を最小にするための薄い不動態化層と、この不動態化層にオーミック金属の蒸着により形成されたベース金属接点であって、アニールした際にベースオーミック接点を形成するようなベース金属接点とを備えたＨＢＴを製造する方法に係る。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を製造する方法は公知である。このような方法が、例えば、参考としてここに取り上げる米国特許第５，２９８，４３９号及び第５，３４４，７８６号に開示されている。
　【０００３】
　上記’４３９特許は、基体と、コレクタ層と、ベース層と、エミッタ層と、エミッタ接点層とを含むヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造する方法を開示している。エミッタ接点層の一部分の上にエミッタ金属が付着され、これはエミッタメサのエッチング中にマスクとして使用されて、エミッタ金属で覆われないエミッタ接点層が除去される。更に、エッチングは、エミッタメサに隣接する張出部を形成するエミッタ層の薄い部分以外の全ての部分をエッチング除去するように制御される。次いで、ホトレジストを用いてベース金属接点が画成される。次いで、比較的薄いエミッタ層が標準的なやり方でベース層までエッチングされる。ベース層の露出された部分は、ベース金属接点を形成するのに使用される。エミッタ層の張出部は、ＨＢＴデバイスの実際の有効エミッタ面積を増加するので、このような構成は、デバイスの信頼性に影響することが知られている。
　【０００４】
　上記’７８６特許は、基体層と、コレクタ層と、ベース層と、エミッタ層と、オーミックエミッタ接点層と、誘電体層とを備えたＨＢＴを開示している。ホトレジストがパターン化され、誘電体層の一部分以外の全てが除去される。残された誘電体層は、マスクとして働き、ベース層までデバイスをエッチングしてべースオーミック接点を形成できるようにする。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　図１及び２を参照し、ベース層まで又はベース層を越えてエッチングする際の問題を説明する。図１及び２は、基体層２０と、コレクタ接点層２２と、コレクタ層２４と、ベース層２６とを有する半導体を示している。ベース層の上にエミッタ層がエピタキシャル成長され、そしてべース層までエッチングされて、エミッタメサ２８を形成すると共に、一対のベース金属接点３０及び３２をベース層の上に直接形成できるようにする。図１においては、エミッタメサ２８は、エミッタ／ベース接合までエッチングされる。図２は、エミッタ／ベース接合を越えてエミッタメサをエッチングする場合を示し、ベース層２６の一部分がエッチング除去されるところを示している。この構成ではエミッタ／ベース接合のバンドギャップが比較的低いので、エミッタ／ベース接合において表面の再結合速度が増加し、従って、利得（β）が低下する。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の目的は、公知技術の種々の問題を解決することである。
　【０００７】
　本発明の別の目的は、エミッタ／ベース接合に比較的広いバンドギャップをもつヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することである。
　【０００８】
　本発明の更に別の目的は、エミッタ／ベース接合における表面再結合速度を最小にしたヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することである。
　【０００９】
　本発明の更に別の目的は、公知デバイスよりも利得（β）の大きなヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することである。
　【００１０】
　要約すれば、本発明は、基体層と、コレクタ接点層と、コレクタ層と、ベース層と、ＡｌＧａＡｓから形成され、エミッタメサを形成するようにエッチングされるエミッタ層と、エミッタメサに隣接する比較的薄い不動態化層とを備えたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）に係る。ベース金属接点は、不動態化層に形成されて、広いバンドギャップを生じ、従って、エミッタ／ベース接合における表面再結合速度を最小にすると共に、デバイスの全利得（β）を増加する。ベース金属接点は、ｎ−型不動態化層にｐ−オーミック金属を蒸着することにより形成される。ｐ−オーミック接点がアニールされ、不動態化層を通してｐ−型金属拡散を生じると共に、ベース層との反応を生じ、オーミック接点を形成する。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　本発明のこれら及び他の目的は、添付図面を参照した以下の詳細な説明より容易に理解されよう。
　【００１２】
　本発明によるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）は、最終処理段階の前の１つの段階において図３に示されている。ＨＢＴは、基体層３４と、コレクタ接点層３６と、コレクタ層３８と、ベース層４０と、エミッタメサ４２と、エミッタ／ベース接合のすぐ上の点でエミッタメサ４２のエッチングを終了することにより形成された不動態化層４４とを含む垂直方向に一体化されたプロファイルを有している。不動態化層４４の上には一対のベース金属接点４６及び４８が配置され、エミッタメサ４２から離間される。ＡｌＧａＡｓから形成された不動態化層４４は、比較的広いバンドギャップを生じ、従って、エミッタ／ベース接合における表面再結合速度を最小にし、ＨＢＴの利得（β）を増加する。例えば、１ｘ１０１９ｃｍ−３の密度において１４００Å巾のペース層をもつ構成では、３μｍｘ１０μｍエミッタのＨＢＴにおいて１ｍＡの電流で２００以上の電流利得（β）を実現することができる。１ｘ１０１９ｃｍ−３の密度をもつ８００Å巾のベース層の場合には、２μｍｘ２μｍエミッタのＨＢＴにおいて１ｍＡの電流で４００以上の電流利得が可能となる。
　【００１３】
　最初に、図４に示すように、ＧａＡｓから形成された基体材料３４が２５ミルの厚みにエピタキシャル成長される。コレクタ接点層３６、コレクタ層３８、ベース層４０及びエミッタ層５０は、分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）又は金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）のような適当なプロセスにより、各々６０００Å、７０００Å、１４００Å及び２６５０Åの厚みにエピタキシャル成長される。エピタキシャル成長の後に、エミッタ層５０の上でホトレジスト層５２（図５）がスピンされる。ホトレジスト５２は、ホトマスク５６により、エミッタメサ及びベース接点アクセス領域を画成するようパターン化される。図６に示すように、ホトレジスト５２は、ホトマスク５６を通して露光されそして現像される。ホトレジストの露光された全ての領域は除去され、図６に示すように、エミッタエピタキシャル層にホトレジスト５２の一部分が残される。
　【００１４】
　サブコレクタ層３６はｎ＋材料で形成され、そしてコレクタ層３８はｎ−材料で形成される。ベース層４０は、ｐ＋材料で形成される。エミッタ層５０は、ｎ−型材料、例えば、ＡｌＧａＡｓで形成される。
　【００１５】
　図６においてホトレジストが現像された後に、選択的湿式エッチングによってエミッタメサ４２が形成される。選択的湿式エッチングは、ベースエピタキシャル層４０へ浸透する前に停止され、例えば、５０Åの厚みをもつエミッタＡｌＧａＡｓの薄い不動態化層５８がエミッタメサ４２に隣接して残される。
　【００１６】
　図８に示すように、別のホトレジスト６０が頂部においてスピンされ、ホトマスク６１によりパターン化され、べ一スオーミック接点位置を画成する。ホトレジスト層６０は、ホトマスク６１を通して露光されそして現像される。ホトレジスト６０の露光された部分は、図８に示すように除去されて、オーミックベース接点位置を画成する。べースオーミック接点位置が画成されると、ｎ−型不動態化層４０、ホトレジスト６０、及び不動態化層５８の露出領域を含む全ての領域にｐ−オーミック接点金属が蒸着される。例えば、ＡｕＢｅ／Ｐｄ／Ａｕのような種々の接点金属が、例えば、各々１０００、１００及び１５００Åの厚みで、図９に示すように、ホトレジスト６０及び不動態化層５８に蒸着され、付着される。
　【００１７】
　ホトレジスト６０が除去され、ホトレジスト６０に付着された金属をリフトオフするが、不動態化層５８に付着された金属はリフトオフせず、図１０に一般的に示すようにベース金属接点４６及び４８を形成する。上記したように、不動態化層５８は、エミッタ／ベース接合に巾の広いバンドギャップを形成し、エミッタ／ベース接合における表面再結合速度を最小にし、これにより、ＨＢＴの全利得（β）を増加する。次いで、ｐ−オーミック接点４６及び４８がアニールされて、不動態化層５８を通るＰ−型金属拡散を生じさせ、ベース層４０と反応し、ぺ−スオーミック接点を形成する。アニールプロセスは、ｐ−オーミック金属とｐ＋ベースとの間の低抵抗接触を確保する。ｐ−型オーミック材料のアニールプロセスは、窒素雰囲気中において約４５０℃で約８分間である。
　【００１８】
　以上の技術に鑑み、本発明の多数の変更や修正が明らかとなろう。従って、本発明は、特許請求の範囲内で、上記以外のやり方で実施できることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　公知のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の断面図で、エミッタ／ベース接合までエッチングされたエミッタメサと、ベースエピタキシャル層上に形成されたベース金属接点とを示す図である。
　【図２】
　図１と同様であるが、エミッタ接合を越えてエミッタメサをエッチングするところを示した図である。
　【図３】
　ベース層の上に不動態化層が形成されそして不動態化層の上にベース金属接点が形成された本発明によるＨＢＴの断面図である。
　【図４】
　本発明によりＨＢＴに対して成長されたエピタキシャルウェハを示す断面図である。
　【図５】
　図４と同様であるが、エミッタメサの画成及びベース接点のアクセスのためにホトレジスト及びホトマスクを追加するところを示す図である。
　【図６】
　ホトレジストの現像を示す図である。
　【図７】
　図６と同様であるが、ベースエピタキシャル層の前に終了する選択的エミッタエピタキシャルエッチングによりベースエピタキシャル層の上にエミッタメサ及び不動態化層を形成するところを示す図である。
　【図８】
　図７と同様であるが、べ−スオーミック接点を画成するためにホトレジストを追加しそしてホトレジストを露出する段階を示す図である。
　【図９】
　図８と同様であるが、ホトレジスト及び不動態化層にオーミック金属を蒸着するところを示す図である。
　【図１０】
　ホトレジストと、エミッタメサに隣接する残りの金属とをリフトオフし、ベース金属接点を残すところを示す図である。
　【図１１】
　ベース金属接点をアニールしそしてベース金属接点をベースエピタキシャル層に拡散して、オーミック接点を形成するところを示す図である。
　【符号の説明】
　３４　基体層
　３６　コレクタ接点層
　３８　コレクタ層
　４０　ベース層
　４２　エミッタメサ
　４４　不動態化層
　４６、４８　ベース金属接点
　５２　ホトレジスト層
　５６　ホトマスク
　５８　不動態化層
　６０　別のホトレジスト
　６１　ホトマスク