【事件の表示】
　特許第３０４９０７９号「半導体製造装置の製造方法及び半導体装置」の請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０４９０７９号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］本件発明
　本件特許第３０４９０７９号（平成２年９月２７日出願、平成１２年３月２４日設定登録）の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１〜３に記載されたとおりのものである。
　
［２］特許異議申立ての理由の概要
　異議申立人渡部賢一は、次の甲第１〜１０号証を提示して、以下に示したとおり、本件発明１〜３についての特許は特許法第１１３条第１項第２、４号の規定により取り消すべきである旨主張する。
　
（理由１）本件発明１〜３は、甲第１〜１０号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜３についての特許は、同法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（理由２）本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載には不備があり、本件発明１〜３についての特許は、同法第３６条第３項の規定に違反してされたものである。
　
［３］甲各号証の記載事項
（１）甲第１号証
　上記甲第１号証の特開昭５８−１４１５２３号公報には、半導体のＣＶＤなどの工程に使用される石英管の放熱構造に関する発明が、第３、４図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「石英管の中にＳｉウエファを収容して加熱すると共に、石英管の両端にパッキングを介して接続された反応ガス流入用フランジから流出用フランジに向けて反応ガスを流して、Ｓｉウエファに酸化等の処理を施すようにした半導体製造装置において、前記石英管はその両端近傍の周囲に冷却用の翼板が突出されていることを特徴とする半導体製造装置。」（特許請求の範囲）、
　「Ｏリング８、８′を介挿して接合する石英管端部１２、１２′は、その周囲に翼（フイン）状の放熱板１３、１３′を多数配設して熱の放熱面積を拡大させた空冷のラジエーター構造にしてある。」（２頁右上欄４〜８行）、
　「本発明の半導体製造装置では、石英管反応炉のシーリングの効率がより完全なものになるため、空気の侵入や反応ガスのもれが防止され、半導体の品質を向上させることができる。」（２頁左下欄１０〜１４行）
　以上まとめると、甲第１号証には、石英管の中にＳｉウエファを収容して加熱するとともに、反応ガスを流して、ＳｉウエファにＣＶＤの処理を施す際に、石英管反応炉の両端の金属フランジ、石英管端部が高温になり、これに改装されたパッキングが熱におかされて、空気の侵入や反応ガスのもれが生じていたのを、石英管端部の周囲に放熱板を多数配列して空冷ラジエータ構造にしたことにより、このような空気の侵入や反応ガスのもれを防いだことが記載されている。
　
（２）甲第２号証
　上記甲第２号証の特開昭６０−２２４２８１号公報には、ＰＩＮ接合を少なくとも１つ有する半導体装置に関する発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「またＩ型半導体層・・・中の酸素、炭素、窒素の不純物をそれぞれ５×１０１８ｃｍ−３以下、４×１０１７ｃｍ−３、５×１０１８ｃｍ−３以下にせしめることにより多結晶化を促し、加えて接合界面ではミスフィットを除去するためさらに１〜３％の変換効率の向上を促すことができることが推測できる。」（４頁左下欄４〜１０行）
　
（３）甲第３号証
　上記甲第３号証の特開昭６１−５０２７７７号公報には、半導体の製造に使用する石英ガラス製のフランジを有する管状の構成部材に関する発明が図１〜４とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「１．石英ガラス又は石英材料から、融着された、又は、溶接されたフランジを有している管、排気鐘、ドーム、又は、ルツボのような管状の構成部材において、フランジ（１；１６；２２；２６）が、薄壁の中空フランジとして形成されていることを特徴とする管状の構成部材。」（請求の範囲１）、
　「Ｕ形のフランジ１は、管状の構成部材２と一緒に空間６を包囲しており、その中には、接続支管７を介して、冷却媒体、例えば、水、又は、ガスを、供給ないしは運び去られる。」（３頁左上欄１６〜１９行）
　
（４）甲第４号証
　上記甲第４号証の特開昭６４−１２５２３号公報には、半導体ウエーハの低圧ＣＶＤ装置における被熱処理物を収容する熱処理用チューブに関する発明が、第１、２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「耐熱材料によって透明に形成されたチューブ本体の開口部に、肉厚で不透明な縁部を設けた熱処理用チューブ。」（特許請求の範囲）、
　「このように各チューブ２０Ａ、２０Ｂの開□部に肉厚で不透明な縁部６を取り付けたことによって、比熱を高め、熱伝導を抑えることができるので、シール構造など熱遮断構造の簡略化を実現できるとともに、過熱防止によって不要な生成物の発生をも防止できるのである。」（３頁左下欄１６行〜右下欄１行）
　さらに、第１図及び第２図において、矢視円Ａに示したように、チューブ本体４の開口端部がテーパ状に形成されることが示されている。
　
（５）甲第５号証
　上記甲第５号証の特開昭６４−４４０１６号公報には、気相成長膜形成装置に使用される石英製反応管に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「金属製の蓋とシール材を用いて反応ガスを密封し、加熱器で高温反応部を形成する石英製反応管において、上記の金属製の蓋をする開口部と上記の高温反応部の中間の石英管壁に、幅射熱の遮断板を埋め込んだことを特徴とする石英製反応管。」（特許請求の範囲）、
　「このように構成された石英製反応管の動作を説明する。矢印Ａのように、高温反応部ｌａから反射を繰り返しながら管壁内を伝播して来た幅射熱は、大部分が黒雲母５で遮断され、黒雲母５を回り込んでＯリングに到達するものは極くわずかで、Ｏリング２の温度が下がった。加熱器４の温度を約８５０℃とし、バイトン製のＯリング２を用いた場合、従来例に比べ寿命が約１０倍伸びた。」（２頁右上欄２〜１０行）
　
（６）甲第６号証
　上記甲第６号証の特開昭６４−４４０１７号公報には、気相成長膜形成装置に使用される石英製反応管に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「金属製の蓋とシール材を用いて反応ガスを密封し、加熱器で高温反応部を形成する石英製反応管において、上記の金属製の蓋をする開口部と上記の高温反応部の中間の石英管壁に、不透明の石英部分を設けたことを特徴とする石英製反応管。」（特許請求の範囲）
　「このように構成された石英製反応管の動作を説明する。矢印Ａのように、高温反応部ｌａから反射を繰り返しながら管壁内を伝播して来た幅射熱は、大部分が不透明石英部ｌｂで反射または吸収され、開口部まで伝播する幅射熱は極くわずかで、Ｏリング２の温度は大幅に低下した。加熱器４の温度を約８５０℃とし、バイトン製のＯリング２を用いた場合、Ｏリング２の寿命は従来に比べ約１０倍に伸びた。」（２頁右上欄３〜１１行）
　
（７）甲第７号証
　上記甲第７号証の特開昭６２−１６５９１４号公報には、半導体ウエハに酸化膜などを形成する拡散炉装置に関する発明が第１、２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「半導体ウエハを整列した石英ボートを収納した石英管を加熱し、この石英管内に導入した反応ガスで上記半導体ウエハを熱拡散処理する拡散炉装置において、上記石英管内に石英管と同じ曲率の石英樋を設けたことを特徴とする拡散炉装置。」（特許請求の範囲）
　さらに、第１図（Ａ）、第２図（Ａ）には、石英管３の開口端部がテーパ状になっていることが示されている。
　
（８）甲第８号証
　上記甲第８号証の特開昭６４−４６９１８号公報には、半導体拡散炉用炭化珪素質炉芯管に関する発明が第２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「炭化珪素質の炉芯管本体の端部にフランジを設け、該炉芯管本体のフランジに石英ガラス製のキャップを嵌合して締め具でフランジ接合したことを特徴とする半導体拡散炉用炭化珪素質炉芯管。」（特許請求の範囲）、
「キャップ６の端面にはテフロン又はバイトンゴムからなるＯリング７を介して金属製の自動キャップ８が接合されている。」（２頁右上欄１８行〜左下欄１行）
　
（９）甲第９号証
　上記甲第９号証の特開平２−８６１２０号公報には、半導体デバイスの製造工程において使用する縦型熱処理装置に関する発明が第１、２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「反応容器内で被処理物を気体によって処理するに際し、前記気体による前記反応容器内腐蝕部に非腐蝕性のガスを吹き付けた状態で上記処理を行うことを特徴とする処理方法。」（特許請求の範囲）
　「Ｏリング１０は、耐熱性に優れたゴム部材例えばカルレッツ（商品名、デュポン社製）によって形成されている。」（３頁右上欄９〜１１行）
　
（１０）甲第１０号証
　上記甲第１０号証の「化学大事典」（共立出版株式会社、昭和５４年１１月１０日縮刷版第２３刷発行）には、「表１ 合成ゴムの種類」（第５４７頁）には、「ＢｉｔｏｎＡ」がフッ素ゴムの一商品であることが示されている。
　
［４］対比・判断
（１）特許法第２９条第２項違反について
（１−１）本件発明１
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証に記載された半導体製造装置は、半導体のＣＶＤ工程に使用されるものであるから、ウエファに膜を形成することは明らかである。また、甲第１号証に記載されたものは、石英管の中にＳｉウエファを収容して加熱すると共に、反応ガスを流してＳｉウエファに処理を施す際に、放熱板によりＯリングを冷却している以上、Ｓｉウエファを石英管に出し入れする際においても、放熱板によりＯリングの温度は低下していることは当然である。
　そして、甲第１号証に記載された「石英管反応炉」、「原料ガス」、「ウエファ」、「ガスケット部」、及び「放熱手段」は、本件発明１の「耐熱性材料の容器」、「混合ガス」、「試料」、「パッキング」、及び「放熱板」に相当する。
　してみると、両者は、本件発明１の構成に沿って記載すると、「耐熱性材料の容器内で原料ガスを加熱分解して試料に膜を形成する半導体製造装置において、前記膜堆積中および前記膜が堆積される前記試料を前記半導体製造装置に出し入れする際に前記耐熱性の容器と接合するガスケット部の温度が低下するように、前記耐熱性材料の容器のガスケット部周辺に放熱手段を設け、この半導体製造装置を用いて膜を形成する半導体装置の製造方法」の点で一致する。
　しかしながら、本件発明１が、試料に多結晶シリコン膜のフローテイングゲートを形成する半導体製造装置を用いて、炭素不純物濃度が、１０１７／ｃｍ３以下の前記多結晶シリコン膜のフローテイングゲートを形成するのに対し、甲第１号証に記載された発明はこのような膜を形成することは明らかではない点で相違する。
　そこで上記相違点について検討する。
　ウエハに多結晶シリコン膜のフローテイングゲートを形成することは、本件出願当時、フラッシュメモリにおいて周知の技術であり、しかも、甲第１号証には半導体のＣＶＤ工程についての開示があることから、甲第１号証に記載された石英管を用いて、ウエハに多結晶シリコン膜のフローテイングゲートを形成することは示唆されているとしても、本件発明１のように、ガスケット部周辺に放熱手段を設けた半導体製造装置を用いて、炭素不純物濃度が１０１７／ｃｍ３以下の多結晶シリコン膜のフローテイングゲートを形成することについては何らの記載もないし、示唆もされていないことから、上記の半導体製造装置を用いて、炭素不純物濃度が１０１７／ｃｍ３以下の多結晶シリコン膜のフローテイングゲートを形成することは容易に想到することはできない。
　してみると、甲第２号証に、ＰＩＮ半導体層のＩ型半導体層中の炭素の不純物を４×１０１７ｃｍ−３とすることにより多結晶化を促す旨が記載され、また、甲第３〜６号証に、本件発明の放熱手段に相当するものが記載され（甲第３号証に記載された冷却媒体を供給する中空フランジ、甲第４号証に記載された熱処理用チューブの開口部に取り付けた縁部、甲第５号証に記載された石英管壁に埋め込んだ輻射熱の遮断板、甲第６号証に記載された石英管壁に設けた不透明の石英部分。）、さらに、甲第４、７号証に、本件発明の放熱手段の実施例として記載されているテーパ状の石英管端部に相当する、テーパ部を有する石英管端部が記載されているとしても、甲第１号証に記載された石英管に、甲第２〜７号証に記載されたものを組み合わせてみても、本件発明１を容易に想到することはできない。
　
　そして、本件発明１は、容器のガスケット部周辺に放熱手段を設けて、炭素不純物濃度が１０１７／ｃｍ３以下の、多結晶シリコン膜のフローテイングゲートを形成することにより、多結晶シリコン膜を熱酸化したときにできる多結晶シリコン膜の酸化膜について絶縁耐圧を高くすることができるという顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（１−２）本件発明２、３
　本件発明２は本件発明１を引用するものであるから、甲第４号証に低圧ＣＶＤ装置が記載され、また、ゲート酸化膜を熱酸化法により形成することが周知の技術であるとしても、本件発明１が甲第１〜７号証に記載された発明から容易に想到することができない以上、本件発明２についても、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件発明３は本件発明１を引用するものであるから、甲第５、６、８、９号証に記載されているように、Ｏリングとしてゴム部材を用いることが周知の技術であるとしても、本件発明１が甲第１〜７号証に記載された発明から容易に想到することができない以上、本件発明３についても、甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　そして、本件発明１〜３は、甲第１〜１０号証に記載された発明を如何に組み合わせてみても当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（２）同法第３６条第３項違反について
　本件特許明細書には、石英管１のヘリと石英管１の胴体部分との境界をテーパ状１２とすることによって、石英管内部ヒータ９からの熱輻射が直接ゴムガスケット３に当たらず途中の空間に放散するので、ゴムガスケット３はさほど過熱されない旨の記載（３頁６欄２１行〜２９行）があるが、このような記載では、単にテーパを設けると記載するのみで、テーパの角度やテーパの長さ、テーパとゴムガスケットとの位置関係などについては何も記載されておらず、放熱手段として機能し得るテーパの定義が全く不明である旨の主張をしている。
　しかしながら、テーパは、放熱手段としての機能を奏するものでさえあれば、どのような角度や長さを有していても、また、ゴムガスケットとの位置関係がどのようなものであっても構わないから、放熱手段として機能し得るテーパの定義が必要である理由は何もない。
　したがって、申立人の主張は採用できない。
　　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願についてされたものとは認めない。
　よって、特許法（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月１６日（２００１．７．１６）