(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の発熱体を有するサーマルプリンターヘッドにおいて、隣り合う印刷ドット部間の隣接する発熱体間における不要な温度上昇を防ぐと共に、印画カスを溜まらないようにすることができるサーマルプリンターヘッドを提供する。【解決手段】複数の発熱体を有するサーマルプリンターヘッドにおいて、少なくとも１つの発熱体１１により形成されてなる印刷ドット部１５とその隣接する印刷ドット部との間に形成された充填体１８とを備え、充填体は少なくとも多孔質部１２を有していることを特徴とする。【選択図】図５
0003139607.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
複数の発熱体を有するサーマルプリンターヘッドにおいて、
少なくとも１つの発熱体により形成されてなる印刷ドット部とその隣接する印刷ドット部との間に形成された充填体とを備え、前記充填体は少なくとも多孔質部を有していることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項２】
請求項１記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
前記充填体の上面の中心部は多孔質部が形成されていることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
前記多孔質部の膜厚方向の長さは、前記発熱体の膜厚方向の長さよりも長く形成されていることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項４】
請求項１または２に記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
前記多孔質部の上面は、前記発熱体の上面よりも高く形成されていることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項５】
請求項１または２に記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
前記多孔質部の下面は、前記発熱体の下面よりも低く形成されていることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
前記多孔質部の膜厚方向の長さは、０．２μｍ〜１．５μｍであることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
前記充填体はＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５との混合物からなることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
前記多孔質部はＴａ２Ｏ５からなることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
前記ドット部は少なくとも１つの発熱体からなることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載のサーマルプリンターヘッドにおいて、
折り返し導体により互いの一端部が接続された２つの発熱体から１つの印刷ドット部が構成されていることを特徴とするサーマルプリンターヘッド。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、サーマルプリンターヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示す一般的なサーマルプリンターヘッドの印刷動作を以下より説明する。発熱体を有するサーマルプリンターヘッド１は、インクリボン２及び印画紙３を介してプラテン７により圧接することができるようにプラテンの付近の位置に設置されている。インクリボン用送り入れローラ５はインクリボン２を矢印の方向に送ることができ、また、それと同時に印画紙用送り入れローラ６は印画紙を矢印の方向に送ることができる。また、送り出しローラ４はインクリボン２及び印画紙３を矢印の方向に送り出すことができる。印刷の動作時には、それぞれのローラ４、５、６は所定の速度で回転することによりインクリボン２及び印画紙３を送り、そのとき、サーマルプリンターヘッド１に電流を所定のタイミングで流すことによって、発熱体を局所的に発熱させることによって、インクリボン２から印画紙３に色を転写することができる。プラテン７は、例えば、サーマルプリンターヘッド１に向かって送り入れられるインクリボン２にシワがある場合に引き伸しシワをなくす効果があり、サーマルプリンターヘッド１からの圧接を受ける位置に配置されている。
【０００３】
図２７に示す従来のサーマルプリンターヘッドの断面図を説明する。基板１６上に複数の発熱体１１がドットギャップ部１９を介して連続して形成され、複数の前記発熱体１１の一端部にはそれぞれ図示しない一方の電極が接続され、複数の前記発熱体１１の前記個別電極が形成された端部に対して反対側の他端部には図示しない他方の電極が接続され、基板１６、発熱体１１、個別電極、及び折り返し電極の上部を覆う摩耗防止層１４が形成されている。前記摩耗防止層１４は熱効率が良く摩耗に対して耐性のある硬い材料で形成されており、前記発熱体１１から発生する熱を効率良く印画紙３に伝えることができる。
【０００４】
しかしながら、従来のサーマルプリンターヘッドでは、摩耗防止層１４に形成される溝３０が十分に深くなく、発熱体１１から発生する熱が摩耗防止層１４を熱伝導して、隣の発熱体１１上までも熱が拡散してしまうため、発熱体１１とその隣接する発熱体１１とのドットギャップ部１９間や隣の発熱体１１上において温度が上昇してしまい、本来印画すべきでない部分によって印画してしまい、印刷ドット部となる発熱体１１の印画領域を広げてしまうという問題があった。
【０００５】
また、図２８に示すサーマルプリンターヘッドのように発熱体１１間の摩耗防止層１４に溝３０を形成することによって、発熱体１１相互の熱の影響を小さくするものがあるが、このサーマルプリンターヘッドでは、印刷動作時において、インクリボン２に圧接されるとインクリボン２から発生するカスやゴミなどが溝３０に詰まることがあり、例えば、詰まったカスやゴミが印画紙３に付着等し、印刷不良の要因となっていた。
【０００６】
【特許文献１】特開平２−３０７７６０公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
本考案は、これらの問題を解消するために考案されたものであって、隣接する印刷ドット部間の隣接する発熱体間における不要な温度上昇を防ぐと共に、印画カスなどが蓄積することを防ぐことを目的とする。  
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本考案は、複数の発熱体を有するサーマルプリンターヘッドであって、少なくとも１つの発熱体により形成されてなる印刷ドット部とその隣接する印刷ドット部との間に形成された充填体とを備え、充填体は少なくとも多孔質部を有している。これにより、隣接する印刷ドット部間の隣接する発熱体間を確実に断熱することができ、また、印画カスが溜まることを防止することができる。
【０００９】
また、本考案は、充填体の上面の中心部は多孔質部が形成されている
【００１０】
また、本考案は、多孔質部の膜厚方向の長さは、前記発熱体の膜厚方向の長さよりも長く形成されている。前記多孔質部の膜厚方向の長さを前記発熱体の膜厚方向の長さよりも長く形成することによって、隣接する発熱体間を確実に断熱することができ、また、印画カスが溜まることなくすることができる。
【００１１】
また、前記多孔質部の上面は、前記発熱体の上面よりも高く形成されている。前記多孔質部の上面が前記発熱体の上面よりも高く形成されることによって、隣接する発熱体間を前記発熱体の上面側まで断熱することができ、また、前記発熱体の上面側まで印画カスが溜まることがないようにすることができる。
【００１２】
また、前記多孔質部の下面は、前記発熱体の下面よりも低く形成されている。前記多孔質部の下面が前記発熱体の下面よりも低く形成されることによって、隣接する発熱体間を前記発熱体の下面側まで断熱することができる。
【００１３】
また、前記多孔質部の膜厚方向の長さは、０．２μｍ〜１．５μｍである。多孔質部の膜厚方向の長さを０．２μｍ〜１．５μｍにすることによって、多孔質部が発熱体の膜厚方向の長さよりも長く形成することができ、隣接する発熱体間を断熱することができる。
【００１４】
また、前記充填体はＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５との混合物からなる。充填体にＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５を用いることにより、断熱効果のある多孔質部を形成することができる。
【００１５】
また、前記多孔質部はＴａ２Ｏ５からなる。多孔質部にＴａ２Ｏ５を用いることにより、断熱効果を有し、また、印画カスの溜まらないようにすることができる。
【００１６】
また、ドット部は少なくとも１つの発熱体からなる。
【００１７】
また、折り返し導体により互いの一端部が接続された２つの発熱体から１つの印刷ドット部が構成されている。
【考案の効果】
【００１８】
本考案のサーマルプリンターヘッドにより、印画時の印刷ドット部の発熱体の印画領域の広がりを抑制し、シャープで精度の良い印刷ドット部による印画ができ、また、印画時に摩耗防止層１４の溝３０に発生する印画カスやゴミ等が蓄積する問題を解消することができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下より第１の実施の形態について、図２〜図５を用いて説明することとする。また、従来と同一の部材については同一の符号を付した。
【００２０】
図２は、本考案のサーマルプリンターヘッドの構成を示す断面図である。放熱性を有する基板１６の上に蓄熱性を有するグレーズ層１３が形成されている。前記グレーズ層１３は凸部１３ａと平坦部１３ｂとで構成されており、前記凸部１３ａと平坦部１３ｂとの界面は凸部高さ基準点としてある。前記凸部高さｈは、所定の高さに形成されており、この凸部高さによって後に後述する印刷ドット部１５が、前記グレーズ層の平坦部１３ｂを基準として所定の角度に形成されるよう調整され形成される。
【００２１】
図３は折り返し構造によるサーマルプリンターヘッドの平面図を示す。折り返し構造は、コの字状の折り返し導体２３により互いの一端部が接続された２つの発熱体１１から１つの印刷ドット部１５が構成され、一方の発熱体１１の他端部に個別電極２１が、他方の発熱体１１の他端部に、隣接する印刷ドット部１５の他方の発熱体１１の他端部とも接続されたコモン電極３１がそれぞれ接続している。コモン電極３１は、コモンライン２４の長手方向の両端から給電されるように電源供給端子２５に接続されている。
【００２２】
また、個別電極端子２２は、個別電極２１上に形成されており、ワイヤーボンディング２８によって駆動ＩＣ２６に接続されている。前記駆動ＩＣ２６はそれぞれの印刷ドット部１５の発熱状態を個々に制御しており、印刷動作時に電流を制御することができる。
【００２３】
駆動ＩＣ２６はＰＣＢ２７上に形成されており、個別電極端子２２、コモンライン２４、及び駆動ＩＣ２６を覆うようにワイヤーボンディング保護層２９が形成されている。また、印刷ドット部１５上には摩耗防止層１４が形成されており、印刷動作時による摩耗から印刷ドット部１５を守るものである。基板１６及びＰＣＢ２７は取付台の上に接着剤を介して一体に形成されている。取付台は、金属の材料を用いればよくＡｌ２Ｏ３を用いてもよく、また、アルマイト処理により形成されたものであってもよい。
【００２４】
次に、図５に示すように、放熱性を有する基板１６上に蓄熱性を有するグレーズ層１３が形成されている。前記グレーズ層１３の上には発熱体１１が形成されており、印刷ドット部１５は２つの隣接する発熱体１１によって構成されている。ドットギャップ部１９は印刷ドット部１５の間に形成されている。
【００２５】
発熱体１１とその隣接する発熱体１１との間には、充填体１８が形成されている。充填体１８は例えばＳｉＯ２５０％、Ｔａ２Ｏ５５０％の混合物から形成されており、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒなどの添加物が含まれていても形成することができる。ドットギャップ部１９における前記充填体１８には多孔質部１７が形成されている。多孔質部１７は印刷ドット部１５間を断熱し、また、ドットギャップ部に充填されているため、印画カスが発熱体１１の間に溜まるのを防止することができる。発熱体１１の上にはバリア層１２が形成されている。また、基板１６の最上面には摩耗防止層１４が全面に形成されており、印刷ドット部１５などを印刷時の摩耗から保護している。
【００２６】
前記多孔質部１７は、前記充填体１８の上面の中心部に形成されており、ドットギャップ部１９に形成されており、発熱体１１から発する熱がドットギャップ部に伝わって隣接する発熱体１１に到達することを防ぐことができる。
【００２７】
また、前記多孔質部１７は、発熱体１１よりも厚く形成されており、隣接する発熱体１１間のドットギャップ部１９を断熱することができる。
【００２８】
また、多孔質部１７の上面は発熱体１１の上面よりも上方に形成されていることが好ましく、またさらに、多孔質部１７の下面は発熱体１１の下面よりも下方に形成されていることが好ましい。
【００２９】
また、本実施例では、多孔質部１７の膜厚方向の長さは、０．２μｍ〜１．５μｍであることが好ましく、多孔質部１７が０．２μｍよりも短い場合は多孔質部１７が確実にドットギャップ部１９を遮断できないため、隣接するドットギャップ部１９の隣接する発熱体１１間を充分に断熱することができなくなってしまう。また、多孔質部１７が１．５μｍよりも長い場合は、多孔質部１７の膜厚方向の長さが増大するため、充填体１８に例えばバッファードフッ酸を浸透させて多孔質部１７を形成するときに、より長時間に亘って基板１６をバッファードフッ酸に浸す必要があり、それにより発熱体１１を溶解してしまう恐れがある。この多孔質部１７形成のためのバッファードフッ酸に、フッ酸、希フッ酸などの充填体１８に含まれるＳｉＯ２を溶解できるエッチング液を用いてもよい。
【００３０】
多孔質部１７は前記充填体１８に含まれるＴａ２Ｏ５により形成されており、前記充填体１８のＳｉＯ２やその他添加物（Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ）などをバッファードフッ酸により溶解することにより形成される。このように形成したＴａ２Ｏ５はポーラス構造（多孔体）を有しており、熱の伝わりを遮断することができる。ここで、ポーラス構造とは、複数の微細な孔を有する構造のことであり、例えば、蜂の巣のような多孔構造をしている。
【００３１】
本考案の第１の実施の形態について図６〜図１５を参照してその製造方法を説明する。
【００３２】
先ず、図６に示す基板１６を準備する。この基板１６は伝熱効率が比較的高く放熱性を有することが好ましい。また、平坦性が高いことが好ましい。例えば、Ａｌ２Ｏ３の基板を用いることができる。
【００３３】
次に、図７に示すグレーズ層１３を基板１６上に形成する。グレーズ層１３は伝熱効率が低く熱を蓄積することができる材料が好ましい。例えば、ガラスを用いることができる。グレーズ層１３は図２に示すように凸部１３ａと平坦部を有していてもよい。
【００３４】
次に、図８に示す発熱体１１をグレーズ層１３の上部全面に成膜し、フォトリソグラフィ法により２つの発熱体１１とドットギャップ部１９とが交互に連続して形成されるようにパターニングする。発熱体１１はＴａ−ＳｉＯ２などを用いることができる。前記発熱体１１は、その厚さや面積によって発熱量が異なり、設計により調整すればよく、例えば厚さは０．２μｍ、長さＬは５０μｍ、幅Ｗは４０μｍ、面積（Ｌ×Ｗ）は２０００μｍ２でよい。
【００３５】
次に、図９に示すバリア層１２を発熱体１１及びドットギャップ部１９の上面に形成する。前記バリア層１２は、例えば、ＳｉＯ２により形成することが好ましい。ここでバリア層１２の厚さは、後の工程において、発熱体１１の上側にある充填体１８を除去するときのオーバーエッチングのために膜厚０．２μｍ程度厚く形成してもよい。
【００３６】
次に、図１０に示すようにバリア層１２をフォトリソグラフィ法によって、ドットギャップ部１９を上からエッチングし、少なくとも発熱体の下面よりも下層方向まで掘り込む。発熱体１１の下面よりも下層方向まで掘り込まない場合は、後の工程において、充分に発熱体１１とその隣接する発熱体１１との間に充填体１８を形成できなくなり、その結果、発熱体１１とその隣接する発熱体１１との間を断熱することができなくなる。ここでのエッチングは、ウェットエッチングでもドライエッチングでもよく、ウェットエッチングの場合はバッファードフッ酸、ドライエッチングの場合はＣＦ４のガスを用いること好ましい。また、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によるエッチングでもよい。
【００３７】
次に、図１１に示すＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５との混合物からなる充填体１８を基板１６上側全面に形成する。このとき、発熱体１１とその隣接する発熱体１１との間は前記充填体により隙間なく充填される。前記充填体１８の上面は、前記バリア層１２の上部よりも低く形成し、且つ、前記発熱体１１上部よりも高く形成することが好ましい。前記充填体１８の上面がバリア層１２の上部よりも高い場合、後の工程においてバッファードフッ酸を用いて充填体１８の一部をポーラス化させ、多孔質部１７を形成するとき、充填体１８にバッファードフッ酸が充分に浸透しないため、多孔質部１７を発熱体１１の下面よりも下方向に形成することができなくなってしまう。また、ドットギャップ部１８に形成される充填体１８の上面が発熱体１１上部よりも低い場合、後の工程において基板１６をバッファードフッ酸に浸したときに、発熱体１１が直接にバッファードフッ酸の溶液に接触してしまい、発熱体１１が溶解してしまう。
【００３８】
次に、図１２に示す発熱体１１の上側にある充填体１８をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などにより除去し、発熱体１１間にある充填体１８を残す。ここでＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により発熱体１１の上側にある充填体１８を除去するとき、該充填体１８を完全に除去することが目的であるが、オーバーエッチングして該充填体１８の下に形成されたバリア層１２の上面が削れてしてしまってもよい。
【００３９】
次に、図１３に示すレジスト層２０を前記基板１３上側全面に形成し、フォトレジスト工程により複数形成された前記ドットギャップ部１９の各々の中心部が露出するようにパターニングする。パターニング後のレジスト層２０は、前記発熱体１１の上側を覆い、また、前記バリア層１２の上側及び側面側を覆うようにパターニングする。
【００４０】
次に、前記基板１６をバッファードフッ酸に浸すことにより、充填体１８に含まれるＳｉＯ２を溶解し、除去することによりＴａ２Ｏ５からなる多孔質部１７を形成する。（図１４参照）このとき、充填体１８の露出した中心部において、充填体１８とバッファードフッ酸の溶剤とが接触することにより、充填体１８とバッファードフッ酸の溶剤との接触面から徐々にバッファードフッ酸が浸透していき、充填体１８がポーラス化され、多孔質部１７が形成される。前記充填体１８内における多孔質部１７の厚さは、例えば、０．８μｍでよく、発熱体１１の厚さよりも厚くすることが好ましい。また、前記多孔質部１７は、発熱体１１よりも下側まで形成することが好ましく、そのためにバッファードフッ酸に浸す時間を適度に調整すればよい。
【００４１】
次に、図１５に示すようにレジスト層２０をＮＭＰやＩＰＡなどの溶剤により取り除く。
【００４２】
ここで、前記バリア層１２の上面に、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などにより前記基板１６上部全面をエッチングして、前記多孔質部形成工程によるダメージ等を除去してもよい。このエッチングにより、バリア層１２上面を清浄化し、また、平坦化することができる。また、このエッチングによりバリア層１２の厚さを規定することができる。本実施例では、このエッチングによって、バリア層１２の厚さを０．４μｍとした。
【００４３】
最後に、摩耗防止層１４を基板１６の上側全面に形成すると図５のようになる。前記摩耗防止層１４は、熱伝導性が良好で、摩耗に対して耐性のあるものが好ましく、具体的にはＳｉＡｌＯＮなどにより形成することが好ましい。本実施例では、摩耗防止層１４は厚さ５μｍに形成した。また、これより薄くてもよい。
【００４４】
次に、図１６を用いて本考案の別の実施の形態を説明する。印刷ドット部１５は１つの発熱体１１によって構成されている。
【００４５】
また、印刷ドット部１５と１つの発熱体１１とが交互に連続して形成されている。
【００４６】
本考案の他の実施の形態について図１７〜図２６を参照して製造方法を説明する。
【００４７】
先ず、図１７に示す基板１６を準備する。この基板１６は伝熱効率が比較的高く放熱性を有することが好ましい。また、平坦性が高いことが好ましい。例えば、Ａｌ２Ｏ３の基板を用いることができる。
【００４８】
次に、図１８に示すグレーズ層１３を基板１６上に形成する。グレーズ層１３は伝熱効率が低く熱を蓄積することができる材料が好ましい。例えば、ガラスを用いることができる。グレーズ層１３は図２に示すように凸部１３ａと平坦部１３ｂを有していてもよい。
【００４９】
次に、図１９に示す発熱体１１をグレーズ層１３の上部全面に成膜し、フォトリソグラフィ法により１つの発熱体１１とドットギャップ部１９とが交互に連続して形成されるようにパターニングする。発熱体１１はＴａ−ＳｉＯ２などを用いることができる。前記発熱体１１は、その厚さや面積によって発熱量が異なり、設計により調整すればよく、例えば厚さ０．２μｍ、長さＬは５０μｍ、幅Ｗは４０μｍ、面積（Ｌ×Ｗ）は２０００μｍ２でよい。
【００５０】
次に、図２０に示すバリア層１２を発熱体１１及びギャップ部の上面に形成する。前記バリア層１２は、後に説明する多孔質部形成工程に用いるエッチングに対する耐性を有していることが好ましく、例えば、ＳｉＯ２を用いることが好ましい。
【００５１】
次に、図２１に示すようにバリア層１２をフォトリソグラフィ法によって、ドットギャップ部１９を上からエッチングし、少なくとも発熱体の下面よりも下層方向まで掘り込む。発熱体１１の下面よりも下層方向まで掘り込まない場合は、後の工程において、充分に発熱体１１とその隣接する発熱体１１との間に充填体１８を形成できなくなり、結果、発熱体１１とその隣接する発熱体１１との間を断熱することができなくなる。ここでのエッチングは、ウェットエッチングでもドライエッチングでもよく、ウェットエッチングの場合はバッファードフッ酸、ドライエッチングの場合はＣＦ４のガスを用いること好ましい。また、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によるエッチングでもよい。
【００５２】
次に、図２２に示すＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５との混合物からなる充填体１８を基板１６上側全面に形成する。このとき、前記ドットギャップ部１９は前記充填体により隙間なく充填される。前記ドットギャップ部１９に形成された前記充填体１８の上面は、前記バリア層１２の上部よりも低く形成し、且つ、前記発熱体１１上部よりも高く形成することが好ましい。ドットギャップ部１９に形成される充填体１８の上面がバリア層１２の上部よりも高い場合、後の工程において多孔質部を発熱体１１の下面よりも下方向に形成することができなくなってしまう。また、ドットギャップ部１９に形成される充填体１８の上面が発熱体１１上部よりも低い場合、後の工程において基板１６をバッファードフッ酸に浸したときに、発熱体１１が直接にバッファードフッ酸の溶液に接触してしまい、発熱体１１が溶解してしまう。
【００５３】
次に、図２３に示す発熱体１１の上側にある充填体１８をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などにより除去し、発熱体１１間にある充填体１８を残す。ここでＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により発熱体１１の上側にある充填体１８を除去するとき、該充填体１８を完全に除去することが目的であるが、オーバーエッチングして該充填体１８の下に形成されたバリア層１２の上面が削れてしてしまってもよい。
【００５４】
次に、図２４に示すレジスト層２０を前記グレーズ層１３上側全面に形成し、フォトレジスト工程により複数形成された前記ドットギャップ部１９の各々の中心部が露出するようにパターニングする。パターニング後のレジスト層２０は、前記発熱体１１の上側を覆い、また、前記バリア層１２の上側及び側面側を覆うようにパターニングする。
【００５５】
次に、前記基板１６をバッファードフッ酸に浸すことにより、充填体１８に含まれるＳｉＯ２を溶解し、除去することによりＴａ２Ｏ５からなる多孔質部１７を形成する。（図２５参照）このとき、充填体１８の露出した中心部において、充填体１８とバッファードフッ酸の溶剤とが接触することにより、充填体１８とバッファードフッ酸の溶剤との接触面から徐々にバッファードフッ酸が浸透していき、充填体１８がポーラス化され、多孔質部１７が形成される。前記充填体１８内における多孔質部１７の厚さは、例えば、０．８μｍでよく、発熱体１１の厚さよりも厚くすることが好ましい。また、前記多孔質部１７は、発熱体１１よりも下側まで形成することが好ましく、そのためにバッファードフッ酸に浸す時間を適度に調整すればよい。
【００５６】
次に、図２６に示すようにレジスト層２０をＮＭＰやＩＰＡなどの溶剤により取り除く。
【００５７】
ここで、前記バリア層１２の上面に、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などにより前記基板１６上部全面をエッチングして、前記多孔質部形成工程によるダメージ等を除去してもよい。このエッチングにより、バリア層１２上面を清浄化し、また、平坦化することができる。また、このエッチングによりバリア層１２の厚さを規定することができる。本実施例では、このエッチングによって、バリア層１２の厚さを５μｍとした。
【００５８】
最後に、摩耗防止層１４を基板１６の上側全面に形成する。前記摩耗防止層１４は、熱伝導性が良好で、摩耗に対して耐性のあるものが好ましく、具体的にはＳｉＡｌＯＮなどにより形成することが好ましい。本実施例では、摩耗防止層１４は厚さ５μｍに形成した。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】従来のサーマルプリンターヘッドの印刷動作を説明する模式図。
【図２】本考案のサーマルプリンターヘッドの構造を示す断面図。
【図３】本考案のサーマルプリンターヘッドの平面図。
【図４】図３の拡大図。
【図５】本考案の第１の実施の形態の図。
【図６】本考案の第１の実施の形態の製造方法の説明図。
【図７】図６の次の工程の説明図。
【図８】図７の次の工程の説明図。
【図９】図８の次の工程の説明図。
【図１０】図９の次の工程の説明図。
【図１１】図１０の次の工程の説明図。
【図１２】図１１の次の工程の説明図。
【図１３】図１２の次の工程の説明図。
【図１４】図１３の次の工程の説明図。
【図１５】図１４の次の工程の説明図。
【図１６】本考案の他の実施の形態の図。
【図１７】本考案の他の実施の形態の製造方法の説明図。
【図１８】図１７の次の工程の説明図。
【図１９】図１８の次の工程の説明図。
【図２０】図１９の次の工程の説明図。
【図２１】図２０の次の工程の説明図。
【図２２】図２１の次の工程の説明図。
【図２３】図２２の次の工程の説明図。
【図２４】図２３の次の工程の説明図。
【図２５】図２４の次の工程の説明図。
【図２６】図２５の次の工程の説明図。
【図２７】従来のサーマルプリンターヘッドの図。
【図２８】その他の従来のサーマルプリンターヘッドの図。
【符号の説明】
【００６０】
１  サーマルプリンターヘッド
２  インクリボン
３  印画紙
４  送り出しローラ
５  インクリボン用送り入れローラ
６  感熱紙用送り入れローラ
７  プラテン
１１  発熱体
１２  バリア層
１３  グレーズ層
１３ａ  グレーズ層の凸部
１３ｂ  グレーズ層の平坦部
１４  摩耗防止層
１５  印刷ドット部
１６  基板
１７  多孔質部
１８  充填体
１９  ドットギャップ部
２０  レジスト層
２１  個別電極
２２  個別電極端子
２３  折り返し導体
２４  コモンライン
２５  電源供給端子
２６  駆動ＩＣ
２７  ＰＣＢ
２８  ワイヤーボンディング
２９  ワイヤーボンディング保護層
３０  溝
３１  コモン電極
Ｌ  発熱体長さ
Ｗ  発熱体幅
ｈ  グレーズ層の凸部高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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