【事件の表示】
　特許第３００９０９５号「窒化物半導体発光素子」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００９０９５号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３００９０９５号に係る出願は、平成７年１０月２７日の出願であって、平成１１年１２月３日にその設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月２６日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正の内容は、特許請求の範囲の請求項１、
「ｐ型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
を、
「ｐ型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜（但しＩＴＯを除く）よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
と訂正し、請求項の訂正に整合するように発明の詳細な説明【０００７】、【００２４】、【００３１】ないし【００３６】を訂正するものである。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正のうち請求項１の訂正は、請求項１に係る発明の「透明導電膜」からＩＴＯを除くとしたものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、いわゆる「除くクレーム」は新規事項に該当しないものであり、また、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものにも該当しない。
　また、発明の詳細な説明の訂正は、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加や、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものには該当しない。
　
（３）結論
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
（１）本件発明
　本件特許第３００９０９５号の請求項１ないし請求項４に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】ｐ型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜（但しＩＴＯを除く）よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】前記第一の層の膜厚が５００オングストローム以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】前記第一の層がニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）よりなる群から選択された少なくとも一種を含む金属または合金よりなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】前記第二の層が亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）よりなる群から選択された少なくとも一種を含む酸化物よりなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の内のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。」
　
（２）特許異議申立人の主張の概要
  特許異議申立人シャープ株式会社は、甲第１号証として特開平７−３０２７７０号公報を提示して、訂正前の請求項１ないし請求項４に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである旨、主張している。
　
（３）先願明細書
　特許異議申立人の提示した甲第１号証は、本願の出願日前の他の出願であって、本願の出願後に出願公開された特願平６−９２３２３号の公開公報であり、以下、公開公報により示すと、特願平６−９２３２３号の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、先願明細書という。）には、
「【請求項１】ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、３−５族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、４００℃以上で熱処理することを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項２】請求項１記載のＩｎｘＧａｙＡｌｚＮで表される３−５族化合物半導体において、０≦ｘ≦１の代わりに０．１≦ｘ≦１であることを特徴とする３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項３】保護層が、酸化硅素、窒化硅素及び錫添加酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくとも１種からなる層であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項４】電極材料がＡｕであることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。
【請求項５】電極材料がＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金であることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体用電極の製造方法。」（特許請求の範囲）、
「【従来の技術】紫外もしくは青色の発光ダイオード（以下、ＬＥＤと記すことがある。）又は紫外もしくは青色のレーザダイオード等の発光デバイスの材料として、一般式ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体が知られている。該化合物半導体を用いた発光素子について、概略を図１により説明する。図１の例は、ｎ型のＩｎｘＧａｙＡｌｚＮからなるＮ層２と、ｐ型のＩｎｘ’Ｇａｙ’Ａｌｚ’ＮからなるＰ層３との界面にｐ−ｎ接合を有する例である。ｎ電極４とｐ電極５にそれぞれマイナス、プラスの電圧を加えると、接合の順方向に電流が流れる。」（段落番号【０００２】）、
「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、一般式ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される３−５族化合物半導体に用いる透明な電極材料の製造方法を提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可能とし、ＬＥＤの製造における検査工程を容易でしかも信頼性の高いものとするものである。」（段落番号【０００４】）、
「本発明における３−５族化合物半導体用電極材料は、Ａｕ金属、又はＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金が好ましい。Ａｕとの合金として、さらに好ましくはＭｇ、Ｚｎ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種とＡｕとの合金である。Ａｕとの合金として具体的には、Ａｕ−Ｍｇ、Ａｕ−Ｚｎ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−Ｎｉ合金などが挙げられる。特にＡｕ−Ｍｇ合金が好ましい。これらの電極材料はｐ型不純物をドープした該化合物半導体と接触抵抗の小さい電極となるので好ましい。」（段落番号【００１４】）、
「成膜する電極材料の膜厚は、１０Å以上５μｍ以下が好ましい。電極の膜厚が１０Åより小さい場合には均一な薄膜を得ることができず、良好な電極にならないので好ましくない。また、５μｍより大きい場合には、以下に述べる熱処理によっても透明になりにくいので好ましくない。さらに好ましくは１００Å以上２μｍ以下である。なお、電極金属は保護層を形成しないで熱処理した場合には凝集してしまい、電極として使用することが困難となる。本発明の３?５族化合物半導体用電極の製造方法によれば、保護層形成後に電極金属を熱処理することで、電極材料の凝集が見られず、伝導性を保持したまま電極が透明になるので好ましい。」（段落番号【００１６】）、
「本発明に使用するこれらの保護層の性質としては、・・・特別に良好な結晶性は必要なく、構成元素の欠陥、不純物等を含んでいてもよい。また、単一の層からなるものだけでなく、複数の層の積層構造でもよい。
　なお、検査時、または製品として使用する場合に、この保護層を通して発光素子からの発光を取り出す場合には、目的とする波長範囲で光吸収が問題とならない程度に小さいことが好ましい。このような条件を満たす材料としては酸化硅素（以下、ＳｉＯ２と記す。）、窒化硅素（以下、Ｓｉ３Ｎ４と記す。）および錫添加酸化インジウム（一般にＩＴＯと呼ばれるものである。）が挙げられる。」（段落番号【００１７】）、
「該電極材料の保護層の成膜方法は公知の方法によることができる。・・・スパッタリング法により成膜する場合、ターゲットとしてはＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＩＴＯを用いることができる。・・・ＩＴＯの場合にはＩｎとＳｎとの合金、又はＩｎのターゲットとＳｎのターゲットを同時にＯ２雰囲気中でスパッタリングすることができる。」（段落番号【００１８】）、
「こうして得られたｐ型ＧａＮ膜に、蒸着法によりＡｕＭｇ（Ｍｇ濃度５重量％）、ＡｕＺｎ（Ｚｎ濃度５重量％）、ＡｕＧｅ（Ｇｅ濃度１２重量％）、ＡｕＳｉ（Ｓｉ濃度１０重量％）、ＡｕＮｉ（Ｎｉ濃度５重量％）、及びＡｕ電極をそれぞれ２０００Å成膜した。さらに、この試料にマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ２を１μｍ成膜した。・・・さらに、これらの試料を窒素中、１０００℃で５分間熱処理したところ、どの電極材料とも透明になった。図２にＡｕＭｇ電極について熱処理の前後での透過スペクトルを示す。熱処理前では透過率の最大値はせいぜい０．２％しかないのに対して、熱処理により４００ｎｍから７５０ｎｍの領域で透過率が４０％以上に向上していることがわかる。これらの試料を沸酸で処理してＳｉＯ２の保護層を取り除き、２ｍｍ離れた２点間の抵抗を測定したところ、どの電極でも５０ｋΩ以下であり、電極として機能することを確かめた。ＳｉＯ２のかわりにＩＴＯを用いても同様の効果を示す。」（段落番号【００２５】）と記載されている。
　よって、先願明細書には、
「ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体の上に形成された電極を通して光の取り出しを可能とした青色発光素子において、ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体の上に、ＮｉとＡｕとの合金からなる、膜厚１０Å以上５μｍ以下の透明電極が形成され、さらにその上に、ＳｉＯ２またはＩＴＯからなる保護層を形成し、熱処理したＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体青色発光素子」の発明（以下、先願発明という。）が記載されている。
　
Ａ）本件の請求項１に係る発明について
（４）対比
　本件請求項１に係る発明（以下、本件発明１という。）と先願発明とを対比すると、先願発明における、「ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体」、「ＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体青色発光素子」及び「ＮｉとＡｕとの合金からなる透明電極」は、本件発明１における、「ｐ型窒化物半導体層」、「窒化物半導体発光素子」及び「透光性の金属薄膜よりなる第一の層」に相当し、先願発明においても、ｐ型ＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体は、ＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体青色発光素子の最表面に形成されており、また、「ＳｉＯ２またはＩＴＯからなる保護層」は第二の層といえるから、両者は
「ｐ型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、第二の層が形成されている窒化物半導体発光素子」
である点で一致しているが、
　本件発明１では、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜（但しＩＴＯを除く）よりなる第二の層とからなる電極が形成されているのに対し、先願発明では、第一の層は透光性の金属薄膜よりなる透明電極であり、第二の層はＳｉＯ２またはＩＴＯからなる保護層である点、
で相違している。
　
（５）当審の判断
　本件特許明細書の【００１９】及び【００２０】には、
「【００１９】
　ｐ層を最表面とする発光素子では、ｐ層に形成した電極が発光をさえぎらなければ、発光素子の外部量子効率が向上する。そこで、ｐ層の表面に、透過率のよい透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、透過率の良い酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる電極を形成することにより、発光素子の外部量子効率は向上する。
【００２０】
　さらに、第一の層の膜厚が５００オングストローム以下であると、透光性の良い電極としての第一の層を形成することができるが、第一の層の膜厚を次第に薄くすることにより、電極のｐ層に対するシーズ抵抗が大きくなる傾向にある。本発明では透明な導電膜である第二の層を、第一の層の上に形成していることにより、全体としての電極の厚さが厚くなって、抵抗が大きくなるのを防止できる。しかも、電極全体としては透光性を保ったままであるので、発光は効率よく外部へ取り出される。」
と記載されており、本件発明１は、上記相違点に係る構成要件を具備することにより、電極の抵抗を低く抑えつつ、電極全体の透光性を保ち、発光素子の外部量子効率を向上させるという作用効果を奏するものである。
　これに対して、先願明細書には、ＳｉＯ２またはＩＴＯからなる保護層は、電極を構成する層である旨の記載はなく、また、電極層上に保護層を形成するのは、保護層形成後に電極金属を熱処理することで、電極材料が凝集せず、伝導性を保持したまま電極が透明になるようにすることを目的としたものであり、電極を薄くしても抵抗が大きくなるのを防止するためではないから、保護膜を形成する材料として導電性を持つものに限定していない。
　また、保護膜の材料として例示されたＳｉＯ２は導電性ではないから、電極を構成することはできず、ＩＴＯは透明導電膜であるから、ＩＴＯの保護層を残して透明金属とともに透明電極を形成することは不可能ではないが、このような記載はなく、本件発明１では、透明導電膜としてＩＴＯを排除しているから、この場合にあっても、両者が同一の発明ということはできない。
　してみれば、上記相違点を、課題解決のための具体化手段における微差ということはできず、本件発明１は先願発明と同一の発明ではない。
　
（６）結論
　よって、本件発明１は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものではない。
　
Ｂ）本件の請求項２ないし請求項４に係る発明について
　本件の請求項２ないし請求項４に係る発明は、本件の請求項１に係る発明の構成要件をすべて含み、さらに構成要件を付加して限定した発明であるから、本件の請求項１に係る発明と同様に、先願発明と同一の発明ではなく、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものではない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１ないし請求項４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし請求項４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月７日（２００１．２．７）
【訂正の要旨】
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１、
「ｐ型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
を、
「ｐ型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜（但しＩＴＯを除く）よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
と訂正する。
発明の詳細な説明【０００７】、【００２４】、【００３１】及び【００３６】を訂正するものである。
２．訂正事項２
　明細書の発明の詳細な説明【０００７】、
「【課題を解決するための手段】
　本発明の発光素子は、ｐ型窒化物半導体層が最表面に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする。」
を、
「【課題を解決するための手段】
　本発明の発光素子は、ｐ型窒化物半導体層が最表面に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜（但しＩＴＯを除く）よりなる第二の層とからなる電極が
形成されていることを特徴とする。」
と訂正する。
３．訂正事項３
　明細書の発明の詳細な説明【００２４】、
「［実施例１］」
を、
「［比較例１］」
と訂正する。
４．訂正事項４
　明細書の発明の詳細な説明【００３１】、
「［実施例２］」
を、
「［実施例１］」
と訂正する。
５．訂正事項５
　明細書の発明の詳細な説明【００３２】、
「［実施例３］」
を、
「［実施例２］」
と訂正する。
６．訂正事項６
　明細書の発明の詳細な説明【００３３】、
「［実施例４］」
を、
「［実施例３］」
と訂正する。
７．訂正事項７
　明細書の発明の詳細な説明【００３４】、
［［実施例５］」
を、
「［実施例４］」
と訂正する。
８．訂正事項８
　明細書の発明の詳細な説明【００３５】、
「［実施例６］」
を、
「［実施例５］」
と訂正する。
９．訂正事項９
　明細書の発明の詳細な説明【００３６】、
「［実施例７］」
を、
「［比較例２］」
と訂正する。
１０．訂正事項１０
　明細書の発明の詳細な説明【００３１】ないし【００３６】の、
「実施例１」
を、すべて
「比較例１」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
窒化物半導体発光素子
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】ｐ型窒化物半導体層が最表面に形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜（但しＩＴＯを除く）よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
　　【請求項２】前記第一の層の膜厚が５００オングストローム以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
　　【請求項３】前記第一の層がニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）よりなる群から選択された少なくとも一種を含む金属または合金よりなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
　　【請求項４】前記第二の層が亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）よりなる群から選択された少なくとも一種を含む酸化物よりなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の内のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が積層されてなるＬＥＤ等の発光素子に係り、特に最表面にｐ型窒化物半導体層が形成された発光素子の電極に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】現在、窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を用いた青色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤが実用化されている。これらのＬＥＤの基本的な構造は、透明な絶縁性基板の上に例えばｎ型ＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０≦Ｙ≦１）よりなるｎ型窒化物半導体層（以下、ｎ層という。）と、ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）よりなる活性層と、ｐ型ＡｌＺＧａ１−ＺＮ（０≦Ｚ≦１）よりなるｐ型窒化物半導体層（以下、ｐ層という。）とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有している。このＬＥＤは基板側からｎ電極を取り出すことができないので、同一面側からｎ電極と、ｐ電極とを取り出す、いわゆるフリップチップ形式とされている。発光観測面側は基板が透明であるので、基板側、電極側いずれ側にもなるが、電極側、つまりｐ型窒化物半導体層側が発光観測面とされているものが多い。
　　　【０００３】発光観測面側となるｐ層には、活性層の発光を外部に取り出すために透光性の金属よりなる電極が設けられている。また我々は特開平６−３１４８２２号公報において、ｐ層の表面に透光性の金属電極が設けられた発光素子を示した。しかしながら、従来の透光性の金属電極では、青色、緑色光に対する電極の透過率が悪く、外部量子効率では未だ十分満足できるものではなかった。
　　　【０００４】ところで、ＬＥＤ等の半導体材料よりなる発光素子に使用される電極は、順方向電圧を低下させるためにも、その半導体材料と好ましいオーミック接触を得ている必要がある。前記ＬＥＤにおいても、ｎ層にはＴｉとＡｌを含む電極、ｐ層にはＮｉとＡｕを含む電極で好ましいオーミック接触を得ている。
　　　【０００５】その他、窒化物半導体に形成する電極材料として、例えば特開平５−５５６３１号には酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛が示されている。しかしこの公報に示される材料はアクセプター不純物をドープしたｉ（ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）型の窒化物半導体に形成する電極であって、好ましいオーミックは得られておらず、ｐ層に形成する電極ではない。また特開平５−３１５６４７号公報にはｐ層に形成する好ましい電極としてＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ等が述べられているが、実際にはｐ型ではなくＭＩＳ構造の発光素子のｉ層にＡｕ電極しか設けられていない。
　　　【０００６】
　　【発明が解決しようとする課題】ｐ層は従来より結晶成長が非常に難しい材料であり、その物性も未だ良く解明されていないのが現実である。ｐ−ｎ接合を有するＬＥＤが実現されてもｐ層に形成する電極には未だ改良すべき点も多く、さらにｐ層となじみが良く、数々の特性に優れた電極材料が求められている。またＬＥＤでは外部量子効率の向上が望まれている。従って本発明の目的とするところは、発光素子として有用なｐ層の新規な電極を提供することにより、外部量子効率に優れた発光素子を実現することにある。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】本発明の発光素子は、ｐ型窒化物半導体層が最表面に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、前記ｐ型窒化物半導体層の表面に、透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、酸化物を含む透明導電膜（但しＩＴＯを除く）よりなる第二の層とからなる電極が形成されていることを特徴とする。
　　　【０００８】さらに本発明の態様では、第一の層の膜厚が５００オングストローム以下であることを特徴とする。５００オングストローム以下の膜厚にすれば、第一の層の透光性が非常に良くなる。
　　　【０００９】また、第一の層がニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）よりなる群から選択された少なくとも一種を含む金属または合金よりなることを特徴とする。これらの金属または合金はｐ型層と好ましいオーミック接触が得られ、その中でも特に第一の層において、Ｎｉおよび／またはＰｄをｐ層と接する側にすると、さらに好ましいオーミック接触を得ることができる。
　　　【００１０】また、本発明では、第二の層が亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）よりなる群から選択された少なくとも一種を含む酸化物よりなることを特徴とする。具体的にはＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎとの酸化物）、ＭｇＯ等を挙げることができる。
　　　【００１１】本発明の発光素子において、第一の層、および第二の層を形成するには蒸着、スパッタ等、通常の気相製膜装置を用いることができる。第一の層は透光性の金属薄膜である。金属薄膜を透光性にするには例えば金属薄膜の膜厚の制御により可能である。透光性になる膜厚は金属の種類によっても異なるが、通常０．１μｍ以下の膜厚にすることにより透光性とすることができる。好ましくは５００オングストローム（０．０５μｍ）以下、さらに好ましくは２００オングストローム以下の膜厚にすることにより、第一の層が発光の吸収が少ない優れた透光性を有する。なお透光性とは発光素子の発光波長を電極が透過するという意味であって、必ずしも無色透明を意味するものではない。
　　　【００１２】第一の層はｐ層の電極となる金属で透光性の薄膜を形成できる材料であればどのような材料でも良いが、特にＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒよりなる群から選択された少なくとも一種を含む金属または合金はｐ層と好ましいオーミック接触が得られ、発光素子の順方向電圧を下げる上で有用である。、その中でも特に、Ｎｉおよび／またはＰｄをｐ層と接する側にすると、窒化物半導体よりなる発光素子の３６０ｎｍ〜６５０ｎｍ付近、望ましくは３８０ｎｍ〜５６０ｎｍの波長の吸収が少なく、かつオーミック性にも優れているので、最も好ましい。またこの第一層を前記金属の積層構造としてもよい。積層構造の場合、後に電極を熱的アニールで処理すると、電極材料が第一層の中で渾然一体となって合金化した状態となる。
　　　【００１３】第二の層は第一の層の上に形成して、電極全体の抵抗を低くする。そのために第二の層を酸化物を含む透明導電膜とする。酸化物を含む透明導電膜には数々の種類があるが、特に好ましくはＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（ＩｎとＳｎの酸化物）、ＭｇＯ等で示されるＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇ等の酸化物を含む抵抗の低い透明導電膜を形成することが望ましい。この透明導電膜よりなる第二の層の厚さは特に限定するものではなく、数オングストローム〜数μｍの厚さで形成可能である。
　　　【００１４】本発明の発光素子はＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＤＶＰＥ（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）、ＭＯＭＢＥ（有機金属分子線気相成長法）等の気相成長装置を用いて、基板上に窒化物半導体の結晶を成長、積層することで作成可能である。基板にはサファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＺｎＯ、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＮ等が用いられるが、一般的にはサファイア、ＳｉＣが用いられることが多い。積層構造としては、基本的にｎ層の上にｐ層を積層してｐ層が最表面となるように積層して、この最表面のｐ層に電極を形成できる構造とする。具体的にはｐ−ｎ接合を有するヘテロ構造、ｐ−ｉ−ｎ接合を有するヘテロ接合の発光素子等が挙げられる。ｎ型の窒化物半導体は、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ等のドナー不純物をドープすれば成長可能である。一方、ｐ型の窒化物半導体は、Ｍｇ、Ｚｎ等のＩＩ族元素、Ｃ等のアクセプター不純物を窒化物半導体中にドープすることにより成長可能である。例えば、ＭＯＶＰＥ法を用いてアクセプター不純物をドープした窒化物半導体を成長させると、成長後、何の処理をしなくともｐ型特性を示すものもあるが、好ましくは、４００℃以上でアニーリング処理を施すことにより、さらに好ましいｐ型特性を示すようになる。なおｐ型とは、例えばアクセプター不純物をドープした窒化物半導体で、抵抗率が１０３Ω・ｃｍ以下を示す半導体をいう。
　　　【００１５】
　　【作用】図１はｐ層に形成した各種電極の電流電圧特性を示すグラフである。具体的に、ｐ層の上に次に述べる第一の層のみを形成した後、あるいは第一の層と第二の層とを形成した後、４００℃以上でアニールして電極を形成し、同一種類の電極同士の電流電圧特性を測定することにより、その電極のｐ層に対するオーミック性を調べたものである。また、図２は図１に示す透光性電極の透過率を示すグラフである。電極は次の通りである。
　　　【００１６】
Ａ：第一の層にＰｄを４０オングストロームの膜厚で形成した透光性電極。
Ｂ：第一の層にＲｈを４０オングストロームの膜厚で形成した透光性電極Ｃ：第一の層にＰｄを１０オングストローム、第二の層にＺｎＯを５００オングストロームの膜厚で形成した透光性電極。
Ｄ：第一の層にＰｄを１０オングストローム、第二の層にＩｎ２Ｏ３を５００オングストロームの膜厚で形成した透光性電極。
Ｅ：第一の層にＮｉを６０オングストローム、第二の層にＡｕを２００オングストロームの膜厚で形成した透光性電極。
　　　【００１７】図１に示すように、Ｐｄ（Ａ）はｐ層と接する側にすると非常に良好なオーミック性を示す。なおＡ線の傾きはＰｄの膜厚が薄くなればなるほど、小さくなる傾向にある。一方、Ｒｈ（Ｂ）は一応オーミック性は示すものの、他のＡ、ＣＤ、Ｅに比べて接触抵抗が大きい。なお他のＲｕ、Ｏｓ、Ｉｒ等の白金族の元素はＢ線と同様の傾向を示したので省略する。次に一層目にＰｄ、二層目にＺｎＯを形成した電極（Ｃ）、及び一層目にＰｄ、二層目にＩｎ２Ｏ３を形成した電極（Ｄ）も良好なオーミック接触を示している。この傾向は第二層目をＩＴＯ、ＳｎＯ２またはＭｇＯとしても同様であったので省略する。また一層目にＮｉ、二層目にＡｕを形成した電極（Ｅ）は良好なオーミック接触を示しているが透過率が悪い。これは後に述べる。なおオーミック性に関しては第一層目にＮｉ、Ｐｔを形成した電極もＥ線と同様の傾向を示したので省略する。
　　　【００１８】また図２は各電極の透過率を示すものであるが、従来のＮｉ−Ａｕを含む電極（Ｅ）は窒化物半導体発光素子の発光の特徴である紫色〜緑色領域にかけての透過率が悪い。これに対し、本発明の発光素子に係る電極Ｃ、Ｄの透過率はＥに比べて非常に優れているので、発光素子の外部量子効率を向上させることができる。また、第一層目にのみ他の白金族の元素Ｐｔ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ等の元素よりなる透光性電極はＡ，Ｂ線と類似した透過率を示すので省略する。
　　　【００１９】ｐ層を最表面とする発光素子では、ｐ層に形成した電極が発光をさえぎらなければ、発光素子の外部量子効率が向上する。そこで、ｐ層の表面に、透過率のよい透光性の金属薄膜よりなる第一の層と、透過率の良い酸化物を含む透明導電膜よりなる第二の層とからなる電極を形成することにより、発光素子の外部量子効率は向上する。
　　　【００２０】さらに、第一の層の膜厚が５００オングストローム以下であると、透光性の良い電極としての第一の層を形成することができるが、第一の層の膜厚を次第に薄くすることにより、電極のｐ層に対するシーズ抵抗が大きくなる傾向にある。本発明では透明な導電膜である第二の層を、第一の層の上に形成していることにより、全体としての電極の厚さが厚くなって、抵抗が大きくなるのを防止できる。しかも、電極全体としては透光性を保ったままであるので、発光は外部へ取り出される。
　　　【００２１】さらに、第一の層にＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒよりなる群から選択された少なくとも一種を含む金属または合金とすることにより、膜厚を薄くした状態においてもｐ層と好ましいオーミックが得られるために、発光素子のＶｆが下がり、発光効率に優れた素子を実現できる。また窒化物半導体発光素子が特徴とする紫〜緑色波長域での透過率がよい。
　　　【００２２】また、第二の層にＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｇよりなる群から選択された少なくとも一種を含む導電性の酸化物薄膜は前記のように紫〜緑色波長域での透過率が良く、さらに、第一の層の膜厚を薄くしても、この第二の層があるために電極の抵抗が上がらないという利点を有する。
　　　【００２３】
　　【実施例】以下、図面を基に本発明の発光素子の一実施例について説明する。図３は本発明の発光素子をｐ層の電極側から見た平面図であり、図４は図３の発光素子を図に示す一点鎖線で切断した際の構造を示す模式的な断面図である。
　　　【００２４】［比較例１］ＭＯＶＰＥ反応装置を用い、２インチφのサファイア基板１の上にＧａＮよりなるバッファ層２を２００オングストローム、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を４μｍ、ノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる単一量子井戸構造の活性層４を３０オングストローム、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるｐ型クラッド層５を０．２μｍ、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層６を０．５μｍの膜厚で順に成長させる。
　　　【００２５】さらにウェーハーを反応容器内において、窒素雰囲気中で６００℃でアニーリングして、ｐ層５、６をさらに低抵抗化する。アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出し、最上層のｐ型ＧａＮの表面に所定の形状のマスクを形成し、エッチング装置でマスクの上からエッチングを行い、図２に示すようにｎ型コンタクト層３の一部を露出させる。
　　　【００２６】次に、ｐ層の上のマスクを除去し、最上層のｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に第一の層１０として、Ｐｄを２０オングストロームの膜厚で蒸着する。蒸着後の第一の層は明らかに透光性となっており、サファイア基板１まで透けて観測できた。このように第一の層を、露出したｐ層のほぼ全面に形成することにより、電流をｐ層全体に均一に広げることができ、しかも透光性であるので、電極側を発光観測面とできる。
　　　【００２７】第一の層１０形成後、第一の層の隅部にＡｕとＮｉを含むボンディング用のパッド電極１３を２μｍの膜厚で形成する。なおこのパッド電極１３は透光性ではない。
　　　【００２８】パッド電極１３形成後、第一の層１０の上にＩＴＯよりなる第二の層１１を５００オングストロームの膜厚で蒸着する。
　　　【００２９】パッド電極１３を形成した後、露出したｎ層にＴｉとＡｌとを含むｎ電極１４を２μｍの膜厚で形成し、最後にアニール装置で４００℃以上で熱処理を施し、電極を合金化させる。なおアニールによりｐ層の第一の層１０と第二の層１１とからなる透光性の電極は合金化して渾然一体となった状態となっているので、図１では、あえて最表面の電極を第二の層１１と示さず、第一の層＋第二の層という意味で１０＋１１という符号で示している。
　　　【００３０】以上のようにして、ｎ型コンタクト層３とｐ層コンタクト層６とに電極を形成したウェーハを、３５０μｍ角のチップ状に切断し、その発光チップのサファイア基板側１をリードフレームと接着し、ワイヤーボンドし、エポキシ樹脂でモールドしてＬＥＤ素子としたところ、Ｉｆ（順方向電流）２０ｍＡにおいて、Ｖｆ（順方向電圧）３．４Ｖ、発光波長４６０ｎｍであり、発光出力は、従来のＮｉとＡｕを含む透光性のｐ電極を有する同構造のＬＥＤよりも、約３０％高かった。
　　　【００３１】［実施例１］比較例１において、第一の層１０にＮｉを２０オングストローム、第二の層１１にＩｎ２Ｏ３を５００オングストロームの膜厚で形成する他は、比較例１と同様にしてＬＥＤ素子を得たところ、Ｉｆ２０ｍＡにおいて、Ｖｆ３．５Ｖで発光出力は比較例１のものとほぼ同等であった。
　　　【００３２】［実施例２］比較例１において、第一の層１０にＰｄを１０オングストローム、Ｎｉを１０オングストローム積層し、第二の層１１にＳｎＯ２を用いる他は比較例１と同様にしてＬＥＤ素子を得たところ、Ｉｆ２０ｍＡにおいて、Ｖｆ３．４Ｖ、発光出力も比較例１のものとほぼ同等であった。
　　　【００３３】［実施例３］比較例１において、第一の層１０にＰｄを１０オングストローム、Ｐｔを１０オングストローム積層し、第二の層１１にＺｎＯを用いる他は比較例１と同様にしてＬＥＤ素子を得たところ、Ｉｆ２０ｍＡにおいて、Ｖｆ３．５Ｖ、発光出力も比較例１のものとほぼ同等であった。
　　　【００３４】［実施例４］比較例１において、第一の層１０にＰｄを１０オングストローム、Ｒｈを１０オングストローム積層し、第二の層１１にＭｇＯを用いる他は比較例１と同様にしてＬＥＤ素子を得たところ、Ｉｆ２０ｍＡにおいて、Ｖｆ３．５Ｖ、発光出力も比較例１のものとほぼ同等であった。
　　　【００３５】［実施例５］比較例１において、第一の層１０にＰｄを１０オングストローム、Ｒｕを１０オングストローム積層し、第二の層１１にＩｎ２Ｏ３を用いる他は比較例１と同様にしてＬＥＤ素子を得たところ、Ｉｆ２０ｍＡにおいて、Ｖｆ３．５Ｖ、発光出力も比較例１のものとほぼ同等であった。
　　　【００３６】［比較例２］比較例１において、第一の層１０の膜厚を２００オングストロームとする他は比較例１と同様にして、ＬＥＤ素子を得たところ、Ｉｆ２０ｍＡにおいて、Ｖｆ３．４Ｖであったが、第一の層の透光性がやや失われたため、発光出力は比較例１のものに比べて２０％程低下した。
　　　【００３７】
　　【発明の効果】以上説明したように本発明の発光素子は、ｐ層の表面に形成して、活性層の発光を有効に外部に取り出すことができる。しかも電極がｐ層とのオーミック性にも優れているため、Ｖｆが低い実用的な発光素子を実現できる。本発明の発光素子を例えばフルカラーＬＥＤディスプレイ、ＬＥＤ信号機、道路情報表示板等のＬＥＤデバイスに使用すると、低消費電力で明るいデバイスが実現でき、その産業上の利用価値は大である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　ｐ層に形成した各種電極の電流電圧特性を示す図。
　【図２】　ｐ層に形成する各種電極の各波長に対する透過率を示す図。
　【図３】　本発明の一実施例に係る発光素子の電極形状を示す平面図。
　【図４】　図１の発光素子の構造を示す模式断面図
　【符号の説明】
１・・・・サファイア基板
２・・・・バッファ層
３・・・・ｎ型コンタクト層
４・・・・活性層
５・・・・ｐ型クラッド層
６・・・・ｐ型コンタクト層
１０・・・・第一の層
１１・・・・第二の層
１３・・・・パッド電極
１４・・・・ｎ電極