【事件の表示】
　特許第２９０３９６９号「光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０３９６９号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．本件発明
　本件特許第２９０３９６９号（平成５年１１月４日出願、平成１１年３月２６日設定登録。）の特許請求の範囲の請求項１〜６に係る発明（以下「本件発明１〜６」という。また本件発明１〜６を総称して「本件発明」という。）は、その特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　基板上に、第１の誘電体層、相変化記録層、第２の誘電体層および反射層を順次有する光学的情報記録用媒体であって、相変化記録層の膜厚が２０−５０ｎｍであり、第２の誘電体層は熱伝導率が１×１０−３ｐＪ・μｍ−１・Ｋ−１・ｎｓ−１ 以下の材質からなり、且つ膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ未満である、波長６００ｎｍ未満のレーザー光を用いて情報の記録再生を行なうための光学的情報記録用媒体。
【請求項２】　相変化記録層が、ＧｅＳｂＴｅ系又はＩｎＳｂＴｅ系である請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項３】　第１及び第２の誘電体層は、硫化亜鉛と二酸化ケイ素との混合物の組成を有する請求項１又は２に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項４】　第１及び第２の誘電体層は、光学定数ｎが１．９−２．４であり、ｋが０−０．０５である誘電体からなる請求項１乃至３のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項５】　反射層の厚みが１００−２００ｎｍである請求項１乃至４のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項６】　請求項１乃至５のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体に、波長６００ｎｍ未満のレーザー光を用いて情報の記録再生を行うことを特徴とする記録再生方法。」
II．特許異議申立て理由の概要
  特許異議申立人帝人株式会社は、
１．証拠として刊行物である下記の甲第１号証及び甲第２号証を提出し、本件発明特許１〜６は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、
２．また第２の誘電体の膜厚に係り、数値限定の根拠は誘電体膜厚５ｎｍ、記録層膜厚３０ｎｍの実施例と誘電体膜厚２０ｎｍ、記録層膜厚２０ｎｍの比較例の２例のみで、かつ記録層の膜厚変化を伴うものであるから、このデータから第２の誘電体膜厚を１０ｎｍ以下と数値限定する効果を確認できない。さらに、同日付け同一出願人の出願に係る特許第２９０３９７０号において、同一積層構成の光情報記録媒体で、第２の誘電体の膜厚を１０ｎｍ未満にすると、繰り返しオーバーライトする時に生じる記録層の物質移動を抑えられない技術的欠陥が指摘されており、本件発明にはこの欠陥を克服する構成が示されておらず、当業者が容易に実施できないため、本件出願は特許法第３６条第４項に違反してなされたものであるから、平成７年政令第２０５号第４条第１項の規定により、本件出願に対してなされた特許は取り消されるべき旨を主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・甲第１号証 
　応用物理学欧分誌刊行会発行
　「Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｌｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｏｌ．２８（１９８９）、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ　２８−３」、第１２３頁〜第１２８頁
・甲第２号証
　ＳＰＩＥ−Ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ発行、
「ＳＰＩＥ　ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ　Ｖｏｌｕｍｅ１６６３　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄａｔａ　Ｓｔｒａｇｅ」（１９９２）、第２９４頁〜第３０４頁
III．引用刊行物記載の発明
　甲第１号証には、第１２４頁のＦｉｇ．１（ａ），（ｂ）、第１２５頁のＴａｂｌｅIIに本願発明と同様の急速冷却型構造を有する相変化型ディスクであって、従来型のデイスクとして、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に、膜厚１６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２ からなる下部誘電体層（第１の誘電体層に相当）、膜厚２０ｎｍのＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｓｂからなる活性層（相変化記録層に相当）、膜厚２４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２ からなる上部誘電体層（第２の誘電体層に相当）および膜厚１００ｎｍのＡｌ合金からなる反射層を順次有するレーザー光を用いて情報の記録再生を行なうための光学的情報記録用媒体、改良型のデイスクとして、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に、膜厚１６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２ からなる下部誘電体層（第１の誘電体層）、膜厚２０ｎｍのＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｓｂからなる活性層（相変化記録層）、膜厚３０ｎｍのＡｌＮからなる上部誘電体層（第２の誘電体層）および膜厚１００ｎｍのＡｌ合金からなる反射層を順次有するレーザー光を用いて情報の記録再生を行なうための光学的情報記録用媒体が記載され、そして、第１２５頁のＴａｂｌｅＩには、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の光学定数ｎ＝２，ｋ＝０、熱伝導率＝１．５７０Ｅ−４ｋｃａｌ／ｍｓ℃（＝６．５７×１０−４ｐＪ・μｍ−１・Ｋ−１・ｎｓ−１  ）であること、ＡｌＮの光学定数ｎ＝１．９，ｋ＝０、熱伝導率＝６．０Ｅ−３ｋｃａｌ／ｍｓ℃（＝２．５１×１０−２ｐＪ・μｍ−１・Ｋ−１・ｎｓ−１  ）であることが記載されている。
　甲第２号証には、第３００頁のＦｉｇ．１に厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に、膜厚１８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２ からなる厚い下層（第１の誘電体層）、膜厚２５ｎｍのＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂからなる記録層（相変化記録層）、膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２ からなる薄い上層（第２の誘電体層）および膜厚１８０ｎｍのＡｌからなる反射層及び紫外線硬化保護層を順次有するレーザー光を用いて情報の記録再生を行なうための光学的情報記録用媒体が記載され、第２９６頁には「Ｈｉｇｈ　ｃｏｎｔｒａｓｔ　ｒａｔｉｏ　ｓｈｏｕｌｄ　ｂｅ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ａｔ　ｔｈｅ　ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ　ｏｆ　４００〜５００ｎｍ（ｆｏｒ　ｒｅａｄｉｎｇ）」と高い線密度を得るためには４００〜５００ｎｍの波長のレーザー光で再生されなければならないことが記載されている。
IV．判断
　IV−１．特許法第３６条違反について
　まず第２の誘電体の熱伝導率及び膜厚の数値限定のための根拠データが少ない点については、近接する従来技術との対比の上で、その数値のみが差異である場合において、その根拠が問題となる。
　本件の場合、その他に刊行物１には使用するレーザー光の波長が示されておらず、刊行物２とは第２の誘電体層の熱伝導率が明示されておらず、消去パワーマージンについても示されていない等の大きな差異があるため、数値の差異はその余の差異となるので、その根拠はさほどの問題ではない。
  次いで特許第２９０３９７０号の発明との一見矛盾とも見える部分との関連については、平成１２年６月２６日付け特許異議意見書中で述べられているように、本件発明は第２の誘電体の膜厚を極く薄くし、それに見合った適度の熱伝導率と組合せて放熱効果を上げ、消去比、消去パワーマージンを改善することを目的とするものであるのに対し、特許第２９０３９７０号の発明は、第２の誘電体の膜厚をある程度厚い所定の厚さとし、所定の熱伝導率との組合せによって、記録層の物質移動を阻止し、オーバーライト特性を改善することを目的とすることで異なっており、そのため、一方の目的を達成するための構成を採用すれば他方の目的達成の上で不都合な構成となることが避けられないことがあることも理解できるので、この点を矛盾とすることはできない。
　IV−２．特許法第２９条第２項違反について
　本件発明１と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、本件発明１の第２の誘電体層の膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ未満、熱伝導率が１×１０−３ｐＪ・μｍ−１・Ｋ−１・ｎｓ−１ 以下で、第２の誘電体層の膜厚を極く薄く、それに合わせて熱伝導率を適当に大きくして第２の誘電体層による放熱効果を上げ、記録層から反射層への放熱を促進して、記録層結晶化のための時間を稼ぐことによって短波長域においても消去パワーマージンを改善することを目的としているのに対し、甲第１号証に記載の発明では、従来型のディスクでは、第２の誘電体層に相当するＺｎＳ−ＳｉＯ２ からなる上部誘電体層の膜厚が２４０ｎｍ、熱伝導率が１．５７０Ｅ−４ｋｃａｌ／ｍｓ℃（＝６．５７×１０−４ｐＪ・μｍ−１・Ｋ−１・ｎｓ−１  ）で、改良型のディスクでは膜厚が ３０ｎｍ、熱伝導率が６．０Ｅ−３ｋｃａｌ／ｍｓ℃（＝２．５１×１０−２ｐＪ・μｍ−１・Ｋ−１・ｎｓ−１  ）で、両者ともに膜厚が大幅に異なり、改良型のディスクではさらに熱伝導率も異なる。ＡｌＮを薄膜化したときの熱伝導率がもっと小さいことが経験的に明らかだとしているが、シミュレーションのようにＺｎＳ−ＳｉＯ２と同じとは限らない。　また本件発明１のように波長６００ｎｍ以下の短波長領域で使用して、大きい消去パワーマージンが得られることも記載されていない。
　次いで、本件発明１を甲第２号証に記載の発明と対比すると、甲第２号証に記載の発明の、第２の誘電体層に相当する薄い上層は本件発明１のものと同様にＺｎＳ−ＳｉＯ２ で構成されてはいるが、その膜厚は２０ｎｍで本件発明１のものと異なるほか、熱伝導率も不明である。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の組成比が不明なので甲第１号証及び本件発明１のＺｎＳ−ＳｉＯ２の熱伝導率（両者は異なる）を直ちにそのまま適用することも困難である。
　そして４００〜５００ｎｍ領域で再生するとの記載はあるが、６００ｎｍ以下の短波長域における消去パワーマージンとの関連についての記載はない。
　甲第１号証に記載の発明と甲第２号証に記載の発明との組合せの容易性についても、両者は急速冷却構造を有するディスクである点では共通するものの、第２の誘電体層の厚さと熱伝導率と短波長域で使用する効果との関連が明確でないことから、直ちに両者を組み合わせることもできない。
　従って、本件発明１と甲第１、２号証に記載の発明とは第２の誘電体層の膜厚が異なり、本件発明１は、その膜厚を極く薄く、熱伝導率をそれに見合った特定の大きさにすることによって放熱特性を改善して、波長６００ｎｍ以下の短波長領域でも大きな消去パワーマージンを得るという、甲第１，２号証に記載の発明からは予期されない新規かつ顕著な効果を得ているので、本件発明１が甲第１，２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは言えない。
　なお、異議申立人は、甲第１号証の「Ｉｔ　ｈａｓ　ｔｈｉｎ　ｕｐｐｅｒ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｌａｙｅｒ　ｏｆ　ｏｎｌｙ　３０ｎｍ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ」の記載から、１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の膜厚を導けると主張するが、「僅か３０ｎｍ」とは、せいぜい３０ｎｍ前後を意味するに過ぎず、その「薄さ」のみを頼りにさらに実験をし、より放熱効果の大きい１〜１０ｎｍの膜厚の範囲に到達できるとの主張には無理があり採用できない。
　本件発明２〜６については、それぞれの発明が本件発明１をその一部としていることから、やはり、これらの発明も甲第１，２号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。    
V．結び
　以上のとおりであるから特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜６に係る発明に対する特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜６に係る発明に対する特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月３０日（２００１．８．３０）