【事件の表示】
　特許第２８６３５５４号「石英ガラスるつぼ及びその製法」の請求項１及び２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８６３５５４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第２８６３５５４号の請求項１及び２に係る発明は、平成１年７月７日に特許出願され、平成１０年１２月１１日にその特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人により特許異議の申立がなされ、平成１１年１２月１日に取消の理由が通知され、その指定期間内の平成１２年２月１５日に訂正請求がなされ、平成１２年１１月２４日に再度、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１２年１２月１７日に平成１２年２月１５日付訂正請求が取り下げられると共に、別途訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　　ア．訂正事項ａ
　　　特許請求の範囲の請求項１記載の「二酸化ケイ素含有外側部、及びこの外側部の内側に設けられた合成二酸化ケイ素からなる内側ライニングとを具備した石英ガラスるつぼにおいて、前記外側部が天然産結晶質石英粒子を原料とし、かつ前記内側ライニング層が合成非晶質二酸化ケイ素を原料とし、しかもこの合成非晶質二酸化ケイ素がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られることを特徴とする石英ガラスるつぼ。」を「二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイ素の内側ライニング層の二層構造からなる石英ガラスるつぼにおいて、前記外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また前記内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成され、さらに前記内側ライニング層の厚さが該石英ガラスるつぼの肉厚の１／２以下でかつ０．２〜４ｍｍであり、しかも上記内側層の表面が平滑で緻密であることを特徴とする石英ガラスるつぼ。」と訂正する。
　　イ．訂正事項ｂ
      特許請求の範囲の請求項２を削除する。
　　ウ．訂正事項ｃ
　　　明細書第２頁９行、同頁１３行、第４頁１０行に記載されている「及びその製法」（本件公報第１頁２欄９行、同欄１３行、２頁３欄３２行）を削除する。
　　エ．訂正事項ｄ
　　　明細書第４頁１２行〜第６頁２行の「本願第１の発明は、・・・必要があるからである。」（本件公報第２頁３欄３５行〜同頁４欄１２行）を「本願発明は、二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイの内側ライニング層の二層構造からなる石英ガラスるつぼにおいて、前記外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また前記内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成され、さらに前記内側ライニング層の厚さが該石英ガラスるつぼの肉厚の１／２以下でかつ０．２〜４ｍｍであり、しかも上記内側層の表面が平滑で緻密であることを特徴とする石英ガラスるつぼである。本発明は、二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイ素の内側ライニング層の二層からなる石英ガラスるつぼである。そして、外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成されたものである。そして、」と訂正する。
　　オ．訂正事項ｅ
　　　明細書第７頁８行「また、本願の第２の発明により製造されるるつぼ」（本件公報第２頁４欄３６行）を、「また、本願の発明によるるつぼ」と訂正する。
　　カ．訂正事項ｆ
　　　明細書第８頁５〜６行の「以下、・・・説明する。」（本件公報第３頁５欄１〜２行）を、「以下、本発明の一実施例について説明する。」と訂正する。
　　キ．訂正事項ｇ
　　　明細書第９頁５行の「得られるるため、」（本件公報第３頁５欄１８〜１９行）を「得られるため、」と訂正する。
　　ク．訂正事項ｈ
　　　明細書第９頁１７〜１８行の「次に、本発明の・・・説明する。」（本件公報第３頁５欄２９〜３０行）を、「次に、本発明に係る石英ガラスるつぼの製造方法の一例について説明する。」と訂正する。
　　ケ．訂正事項ｉ
　　　明細書第１０頁１４行の「こうした本発明方法によれば、」（本件公報第３頁５欄４４行）を、「こうした方法によって得られた本発明の石英ガラスるつぼによれば、」と訂正する。
　　コ．訂正事項ｊ
　　　明細書第１２頁２行の「ＳｉＣ４」（本件公報第３頁６欄２２行）を、「ＳｉＣｌ４」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　　上記ａの訂正事項は、本件石英ガラスるつぼの基本的構造である「二酸化ケイ素含有外側部、及びこの外側の内側に設けられた合成二酸化ケイ素からなる内側ライニング層とを具備する石英ガラスるつぼ」を「二酸化ケイ素の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成に酸化ケイ素からなる内側ライニング層の二層構造からなる石英ガラスるつぼ」に訂正するとともに、当該内側ライニング層の厚さ及び表面の状態を限定するものであるから、明瞭でない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮に該当する。
　　上記ｂの訂正事項は、特許請求の範囲の請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　　上記ｃないしｆ、ｈ、ｉの訂正事項は、発明の詳細な説明の記載を訂正後の特許請求の範囲の記載と整合させるものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　　上記ｇの訂正事項は、「得られるるため、」を「得られるため、」と訂正するものであり、明らかな誤記の訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　　上記ｊの訂正事項は、「ＳｉＣ４」を、「ＳｉＣｌ４」と訂正するものであるが、明細書第１２頁１４〜１８行の「サンプル５は、・・・。この理由は、ＳｉＣｌ４の加水分解により得られる二酸化ケイ素は塩素の残留が避けられず」（本件公報第３頁５欄３３〜３６行）の記載からみて、「ＳｉＣ４」が「ＳｉＣｌ４」の誤記であることは明らかであるから、誤記の訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　　そして、上記いずれの訂正も実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもなく、後述するように本件特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（３）むすび
　　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第第１項但し書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立の概要
　異議申立人は、甲第１ないし４号証及び参考資料１、２を提出し、請求項１及び２に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから請求項１ないし２に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　　甲第１号証：特開昭５６−１７９９６号公報
　　甲第２号証：特公昭５９−３４６５９号公報
　　甲第３号証：堺一弘ら、「資源・素材　’８７（札幌）」［Ａ］新素材　　　　　　　　の開発と新金属、シリコン単結晶引き上げ用超高純度石英　　　　　　　　るつぼについて、Ｐ．３１〜３３、（社）日本鉱業会
　　甲第４号証：作花済夫著「ゾル−ゲル法の科学」（株）アグネ承風社　　　　　　　　（１９８８．７．５）発行、Ｐ．１〜３、８〜１３
　　参考資料１：特開昭６４−８２５２６号公報
　　参考資料２：実開昭６２−１７５０７７号公報
４．特許異議申立についての判断
（１）本件発明
　　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（請求項２は訂正により削除された）
（２）刊行物記載の発明
    異議申立人が提出した甲第１号証には、「二酸化ケイ素含有外側部と合成二酸化ケイ素からなる内側ライニングとを互いに固着させてなる半導体技術用、特にケイ素結晶用製造るつぼにおいて、内側ライニング(2)が原料として結晶質合成石英粒子からなり、且つ前記内側ライニングの自由平坦表面を始端とする少くとも薄い非結晶質層(3)を備えることを特徴とする半導体技術用るつぼ」（特許請求の範囲第１項）、「外側部(1)が原料として天然産石英粒子から造られてなる特許請求の範囲第１項記載のるつぼ」（同第２項）が記載されている。
    異議申立人が提出した甲第２号証には、内側ライニング層の原料について、「結晶質石英又は非晶質石英ガラスからなる微細に磨砕された粒子を、加熱された該粒子と非反応性の材料からなる中空型であってその垂直軸の周りに回転可能な中空型中に、該型の内壁上には層として、底部にはたまるように連続的に或いは非連続的に添加し、前記層の層厚を通して内側から外側へ熱をかけることによってその層の一部だけを溶融し、薄い部分層を半融焼結させ、層の残部を粒子状態のままに止らせ、得られた石英ガラスるつぼを冷却後中空型から取出すことからなる石英ガラスの製法・・・」（特許請求の範囲第１項）と記載されている。
    異議申立人が提出した甲第３号証には、「ここでは、高純度金属酸化物等を得る方法として近年注目されているゾルゲル法を採用し、・・・・単結晶引き上げ用石英ルツボへの適用可能性について、従来の精製天然石英粉と比較、検討して結果を報告する。」（第１頁左欄）と記載されている。
    異議申立人が提出した甲第４号証には、「ゾル−ゲル法では、金属の有機及び無機化合物の溶液から出発し、溶液中での化合物の加水分解・重合によって溶液を金属酸化物または水酸化物の微粒子が溶解したゾルとし、さらに反応を進ませてゲル化し、できた多孔質のゲルを加熱して非晶質、ガラス、多結晶体をつくる。多結晶体をつくる場合も、はじめにできるゲルは多くの場合非晶質である。」（第８頁下から８〜４行）との記載がある。
　　異議申立人が提出した参考資料１には、外側部分に天然石英を用い、その内側に合成石英を重ねた二重構造の石英ガラスるつぼが記載され、その製造法として、回転する型の内表面に天然石英を堆積させ、更にこの上に合成石英を重ね（実施例１，２）、これを石英の融点以上の温度まで加熱してガラス化し、石英ガラスルツボを製造すること、及び「この所定の厚さ例えば単結晶用育成用石英ガラスルツボでは、０．５ｍｍ以上である。」（４頁左上欄１３〜１５行）こと、が記載されているている。
　　異議申立人が提出した参考資料２には、外側の半透明石英ガラスが天然石英ガラスからなり、内側の透明石英ガラスが合成石英ガラスからなる石英るつぼが記載されている。
（３）対比・判断
　　本件発明１と異議申立人が提出した甲各号証及び参考資料記載の発明とを比較すると、甲各号証及び参考資料には、本件発明の構成要件である「二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイ素の内側ライニング層の二層構造からなる石英ガラスるつぼにおいて、前記内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成され、さらに前記内側ライニング層の厚さが該石英ガラスるつぼの肉厚の１／２以下でかつ０．２〜４ｍｍである石英ガラスるつぼ」について記載がない。
　　そして、参考資料１，２に記載されるように、二酸化ケイ素含有外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイの内側ライニングの二層構造からなる石英ガラスるつぼが知られており、甲第３及び４号証により、アルコキシドの加水分解により合成シリカを製造すること、及びそのようにして得られた合成シリカは、ほとんどが非晶質であることが知られているとしても、甲第４号証に記載されるようにアルコキシドの加水分解によって得られた合成シリカが必ず非晶質となるものでもなく、参考資料１、２の合成二酸化ケイ素として、アルコキシドの加水分解により得られた合成二酸化ケイ素を原料とするだけでなく、さらに非晶質とすることを、本件出願前、当業者が容易になし得たものとはいえない。
　　したがって、本件発明は、甲各号証及び各参考資料に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明の特許は、特許異議申立の理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。              　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月１０日（２００１．７．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１．特許第２８６３５５４号発明の明細書中特許請求の範囲「【請求項１】二酸化ケイ素含有外側部、及びこの外側部の内側に設けられた合成二酸化ケイ素からなる内側ライニングとを具備した石英ガラスるつぼにおいて、前記外側部が天然産結晶質石英粒子を原料とし、かつ前記内側ライニング層が合成非晶質二酸化ケイ素を原料とし、しかもこの合成非晶質二酸化ケイ素がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られることを特徴とする石英ガラスるつぼ。」とあるのを、明瞭でない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的として「【請求項１】二酸化ケイ素含有外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイの内側ライニング層の二層構造からなる石英ガラスるつぼにおいて、前記外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また前記内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成され、さらに前記内側ライニング層の厚さが該石英ガラスるつぼの肉厚の１／２以下でかつ０．２〜４ｍｍであり、しかも上記内側層の表面が平滑で緻密であることを特徴とする石英ガラスるつぼ。」と訂正する。
２．特許請求の範囲の請求項２を、特許請求の範囲の減縮を目的として削除する。
３．明細書第２頁９行、同頁１３行、第４頁１０行に記載されている「及びその製法」（本件公報第１頁２欄９行、同欄１３行、２頁３欄３２行）を、明瞭でない記載の釈明を目的として削除する。
４．明細書第４頁１２行〜第６頁２行の「本願第１の発明は、・・・必要があるからである。」とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として「本願発明は、二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイの内側ライニング層の二層構造からなる石英ガラスるつぼにおいて、前記外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また前記内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成され、さらに前記内側ライニング層の厚さが該石英ガラスるつぼの肉厚の１／２以下でかつ０．２〜４ｍｍであり、しかも上記内側層の表面が平滑で緻密であることを特徴とする石英ガラスるつぼである。本発明は、二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイの内側ライニング層の二層からなる石英ガラスるつぼである。そして、外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また前記内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成されたものである。そして、」と訂正する。
５．明細書第７頁８行「また、本願の第２の発明により製造されるるつぼ」（本件公報第２頁４欄３６行）を、明瞭でない記載の釈明を目的としてを目的として「また、本願の発明によるるつぼ」と訂正する。
６．明細書第８頁５〜６行の「以下、・・・説明する。」（本件公報第３頁５欄１〜２行）とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として「以下、本発明の一実施例について説明する。」と訂正する。
６．明細書第９頁５行の「得られるるため、」（本件公報第３頁５欄１８〜１９行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「得られるため、」と訂正する。
１．明細書第９頁１７〜１８行の「次に、本発明の・・・説明する。」（本件公報第３頁５欄４４行）とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として「次に、本発明に係る石英ガラスるつぼの製造方法の一例について説明する。」と訂正する。
８．明細書第１０頁１４行の「こうした本発明方法によれば、」（本件公報第３頁５欄２９〜３０行）とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として「こうした方法によって得られた本発明の石英ガラスるつぼによれば、」と訂正する。
９．明細書第１２頁２行の「ＳｉＣ４」（本件公報第３頁６欄２２行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「ＳｉＣｌ４」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
石英ガラスるつぼ
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）　
二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイ素の内側ライニング層の二層構造からなる石英ガラスるつぼ
前記外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また前記内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる
され、さらに前記内側ライニング層の厚さが該石英ガラスるつぼの肉厚の１／２以下でかつ０．２〜４ｍｍであり、しかも上記内側層の表面が平滑で緻密であること
【発明の詳細な説明】
　［産業上の利用分野］
　本発明は石英ガラス
るつぼに関し
るつぼに係わる。
　［従来の技術］
　従来、シリコン単結晶引上げに使用される２層構造の石英ガラスるつぼとしては、二酸化ケイ素含有外側部と，この外側部と一体化する合成二酸化ケイ素からなる内側ライニングとから構成されたものが知られている。以下、従来の各石英ガラスるつぼについて列挙する。
　▲１▼四塩化ケイ素の加水分解により得られた二酸化ケイ素からなる内側ライニングを備えた構成のもの（ドイツ特許公報第９６２８６８号）。
　▲２▼内側ライニングの原料が結晶質合成石英粒子からなる構成のもの（特公昭５８−５０９５５号公報）。
　▲３▼内側ライニングの原料が四塩化ケイ素の加水分解による合成石英のみで形成される構成のもの（特公昭５８−５０９５５号公報）。
　［発明が解決しようとする課題］
　しかしながら、従来の石英ガラスるつぼによれば、以下の問題点を有する。
　上記▲１▼の場合、るつぼの内側ライニングが多孔質であるため、単結晶を引き上げなければならない半導体物質が内側ライニングの孔の中に補促され、引き上げ操作が著しく妨げられる。
　上記▲２▼の場合、結晶質合成石英粒子の製造が困難でかつ多くの時間とエネルギーを要する。
　上記▲３▼の場合、内側ライニングを高純度にできるが、粘性が低いため高温での使用ができず、大型化できない。また、肉厚を大きくするこがができない。更に、プレスなどを必要とするため、製造コストが高価となる。更には、合成二酸化ケイ素に加水分解時に生じる塩素が残留するため、高温真空中にて使用中発泡する場合がある。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、孔のない平滑で耐熱性に優れた内側ライニングを有し、高温での使用，大型化が可能で、かつ所望の厚みに容易にしえる低コストの石英ガラスるつぼを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
　
本願発明は、二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイ素の内側ライニング層の二層構造からなる石英ガラスるつぼにおいて、前記外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また前記内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成され、さらに前記内側ライニング層の厚さが該石英ガラスるつぼの肉厚の１／２以下でかつ０．２〜４ｍｍであり、しかも上記内側層の表面が平滑で緻密であることを特徴とする石英ガラスるつぼである。
　
本発明は、二酸化ケイ素含有の外側層と、この外側層の内側に設けられた合成二酸化ケイ素の内側ライニング層の二層からなる石英ガラスるつぼである。そして、外側層が天然産結晶質石英粒子を原料とし、また内側ライニング層がシリコンアルコキシドの加水分解によって得られる合成非晶質二酸化ケイ素を原料として形成されたものである。そして
　前記第１層及び第２層を溶融する温度は、大体１５００〜２２００℃であり、アークトーチ，電気抵抗，高周波等により加熱される。
［作用］
　本発明によれば、内側ライニングの表面が平滑で孔のないち密な表面となり、しかも高温での使用，大型化が可能で、かつ所望の厚みに容易にしえる低コストの石英ガラスるつぼを得ることができる。また、従来のように四塩化ケイ素使用による塩素の残留の問題がない。更に、外側部に高粘性の天然石英粒子を原料とすることにより、変形を防止することができる。更には、内側ライニングの原料である合成非晶質二酸化ケイ素が、シリコンアルコキシドを加水分解することによって得られるため、短時間で簡単に製造でき、コスト的にも安く大量生産に適している。
　また、
本願の発明によるるつぼ
即ち、
　ＣＺ法では、シリコン融液と石英ガラスるつぼの壁面が直接に接触するため、シリコン融液中に石英ガラスが溶解する。このとき、石英ガラスるつぼ中の微量な不純物も、シリコン融液中に溶解し、Ｓｉ単結晶の晶質を低下させる。
　しかし、本発明による石英ガラスるつぼは合成二酸化ケイ素を原料とすることにより、容易に超高純度のものが得られ、このような石英ガラスるつぼを使用することにより、高品質なＳｉ単結晶を得ることができ、ひいてはその単結晶を用いて製造される半導体素子の製造歩留及び信頼性を向上させることが出来る。
［実施例］
　
以下、本発明の一実施例について説明する。
　第１図は、石英ガラスるつぼの断面図を示す。図中の１は、高粘性の天然産結晶質石英粒子からなる外側部である。この外側部１の内側には、合成非晶質二酸化ケイ素からなる内側ライニング２が外側部１と一体化して設けられている。この内側ライニング２の合成非晶質二酸化ケイ素は、シリコンアルコキシドの加水分解によって得られる。前記内側ライニング２の厚みは例えば２ｍｍで、ルツボ３の厚みの１／２以下である。なお、内側ライニング２の厚みは、底部胴部とでほぼ等しい。また、るつぼ３のサイズは、例えば外径（Ｌ）２００ｍｍ、厚み（Ｔ）８ｍｍ、高さ（Ｈ）２００ｍｍである。
　しかして、上記実施例に係る石英ガラスるつぼによれば、高粘度の天然産結晶質石英粒子からなる外側部１、及び合成非晶質二酸化ケイ素からなる内側ライニング２の２層構造で、しかも前記合成非晶質二酸化ケイ素がシリコンアルコキシドを加水分解することによって
得られるため
　更に、外側部１に高粘性の天然産結晶質石英粒子を原料とすることにより、変形を防止することができる。更には、内側ライニング２の原料である合成非晶質二酸化ケイ素が、シリコンアルコキシドを加水分解することによって得られるため、短時間で簡単に製造でき、コスト的にも安く大量生産に適している。
　次に、
本発明に係る石英ガラスるつぼの製造方法の一例について説明する
　まず、高純度のシリコンアルコキシドの加水分解により得られた非晶質二酸化ケイ素を、所定の粒度例えば５０〜１００メッシュに粉砕し、粉末状の粗生成物を得た。つづいて、得られた粉末状の粗生成物を１０００〜１３００℃で熱処理し、脱水、閉孔化した。次いで、天然産結晶質石英粒子を回転式型に供給し、型の内壁に外側壁１となる第１層を形成した。ひきつづき、前述した熱処理した粗生成物を前記回転式型内に供給し、前記第１層の内側に第２層を形成した。更に、回転型の回転を続けながらアークトーチ加熱により熱を供給して上記第１層，第２層を溶融した。この結果、天然産結晶質石英粒子からなる外側部１と非晶質二酸化ケイ素粒子からなる内側ライニング２から構成された石英ガラスるつぼを形成できた。
こうした方法によって得られた本発明の石英ガラスるつぼによれば、
　事実、上記実施例１に係るるつぼより幅（Ｗ）３０ｍｍのリング４を切出し、第２図（Ａ）図示の電気炉５中で熱処理（１２５０℃，２０時間）を行ない、そのつぶれ量の測定を行った（サンプル１）。また、比較のため、下記サンプル２〜５についても同様な試験を行ったところ、後掲する第１表に示す結果を得た。
　サンプル２；上記実施例１と比べ内側ライニングの厚み（４ｍｍ）のみ異なる石英ガラスるつぼを上記と同様にリングにしたもの。
　サンプル３；全てシリコンアルコキシドの加水分解により製造される二酸化ケイ素を原料とする石英ガラスるつぼを上記と同様にリングにしたもの。
　サンプル４；全て天然石英を原料とする石英ガラスるつぼを上記と同様にリングにしたもの。
　サンプル５；
ＳｉＣｌ
　また、上記各サンプルと同じ原料を用いて、外形４０６ｍｍ、高さ３０５ｍｍ、肉厚８ｍｍのるつぼを製造し、ＭＣＺ法によりノンドープＳｉ単結晶引上げに使用した。その結果、サンプル１，２，４は正常に引上げされた。サンプル３は２０％引上げたところでルツボの変形が激しくなって引上げ不可能となった。サンプル５はるつぼ内表面に開気孔が多く存在したものとなり、Ｓｉ融液が孔に補促され、引上げが不可能であった。この理由は、ＳｉＣｌ４の加水分解により得られる二酸化ケイ素は塩素の残留が避けられず、これが原因となり溶融時及び単結晶引き上げ時にるつぼ肉中からの発泡を招き、内表面に開気孔の存在したものとなったためと推察される。
　ところで、上記サンプル１，４に係るるつぼにより引き上げられた結晶の特性を調べたところ、サンプル１，４のライフタイムは夫々８０〜１２０（μｍ）、１０〜４０（μｍ）であった。但し、測定方法は反射マイクロ波法を用い、測定部分はウェハ中央部とした。なお、ウェハ中央部のみならず、他の部分でもサンプル１の方がサンプル４に比べ３〜５倍のライフタイムを示した。
［発明の効果］
　以上詳述した如く、本発明に係る石英ガラスるつぼによれば、孔のない平滑で耐熱性に優れた内側ライニングを有し、高温での使用、大型化が可能で、かつ所望の厚みに容易にしえコスト低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例に係る石英ガラスるつぼの断面図、第２図はるつぼより切出したリングのつぶれ量を測定するための説明図である。
１…外側部、２…内側ライニング、３．…るつぼ。