【事件の表示】
　特許第２８８２４８２号「インゴットのオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法」の請求項１ないし３、５、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８２４８２号の請求項１ないし３、６、７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８８２４８２号発明は、特許法第４１条に基づく優先権を伴う平成１０年５月１３日（優先日平成９年１２月１５日）の出願であって、平成１１
年２月５日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人北垣　敏
より請求項１、２、３、５、及び６に対して特許異議の申し立てがなされた。これに対し、当審より平成１２年３月３０日付で取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月１２日に特許権者より訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の要旨
ａ．訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１ないし６に係る記載
　「【請求項１】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出す
るインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過
してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転
角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したとこ
ろで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリ
フラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオリフラ・
ノッチ検出方法。
　　【請求項２】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのイ
ンゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達
したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を
前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオ
リフラ・ノッチ検出方法。
　　【請求項３】　前記エッジ検出センサは、一定幅の光を投光する投光ユニッ
トと、その投光ユニットから投光された光を受光する受光ユニットとからなり、
前記投光ユニットと前記受光ユニットとの間に前記インゴットの端面の周縁部を
通過させ、前記受光ユニットで受光される受光量の変化の始点及び／又は終点を
検出することにより、前記オリフラ又はノッチのエッジを検出することを特徴と
する請求項１又は２記載のインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　　【請求項４】　前記オリフラ又はノッチのエッジの検出は、
　形状誤差のないインゴットに形成されたオリフラ又はノッチのエッジを前記エ
ッジ検出センサで検出した場合に得られる理論上の出力カーブを予め取得し、
　その理論上の出力カーブと、検出によって得られた出力カーブとを比較して、
エッジの欠けの有無を判断し、
　エッジに欠けがある場合は、前記理論上の出力カーブに基づいて計算によって
エッジを求めることを特徴とする請求項１又は２記載のインゴットのオリフラ・
ノッチ検出方法。
　　【請求項５】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチをエッジ検出セ
ンサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決
めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法において、
　インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッ
チの一方側のエッジが前記検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に
到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方
側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記インゴットを逆方向に（θ十δ）°回転させて停止し、
　前記インゴットを正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエ
ッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットをイ
ンゴット軸回りに正方向に（γ十θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。
　　【請求項６】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチをエッジ検出セ
ンサの検出点から正万向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決
めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法において、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのイ
ンゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方
側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴッ
トを前記回転方向と同方向に（γ十θ／２）°回転させて停止することにより、
前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴ
ットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
　「【請求項１】　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ロー
ラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測
定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を
斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光
ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニッ
トとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して
、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオ
リフラ・ノッチ検出方法であって、
　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように
前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動
させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過
してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転
角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したとこ
ろで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリ
フラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオリフラ・
ノッチ検出方法。
　　【請求項２】　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ロー
ラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測
定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を
斜めに横切るように挟んで百いに対向するように設置された投光ユニットと受光
ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニッ
トとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して
、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオ
リフラ・ノッチ検出方法であって、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのイ
ンゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように
前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動
させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達
したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を
前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオ
リフラ・ノッチ検出方法。
　　【請求項３】　前記エッジ検出センサは、一定幅の光を投光する投光ユニッ
トと、その投光ユニットから投光された光を受光する受光ユニットとからなり、
前記投光ユニットと前記受光ユニットとの間に前記インゴットの端面の周縁部を
通過させ、前記受光ユニットで受光される受光量の変化の始点及び／又は終点を
検出することにより、前記オリフラ又はノッチのエッジを検出することを特徴と
する請求項１又は２記載のインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　　【請求項４】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出す
るインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、インゴットをインゴット軸
回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの
検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するイン
ゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に
到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴッ
トを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取
得するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　前記オリフラ又はノッチのエッジの検出は、
　形状誤差のないインゴットに形成されたオリフラ又はノッチのエッジを前記エ
ッジ検出センサで検出した場合に得られる理論上の出力カーブを予め取得し、
　その理論上の出力カーブと、検出によって得られた出力カーブとを比較して、
エッジの欠けの有無を判断し、
　エッジに欠けがある場合は、前記理論上の出力カーブに基づいて計算によって
エッジを求めることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項５】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　前記オリフラ又はノッチのエッジの検出は、
　形状誤差のないインゴットに形成されたオリフラ又はノッチのエッジを前記エ
ッジ検出センサで検出した場合に得られる理論上の出力カーブを予め取得し、
　その理論上の出力カーブと、検出によって得られた出力カーブとを比較して、
エッジの欠けの有無を判断し、
　エッジに欠けがある場合は、前記理論上の出力カーブに基づいて計算によって
エッジを求めることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項６】　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチを前記エッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法であって、
　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように
前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動
させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッ
チの一方側のエッジが前記検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に
到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方
側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記インゴットを逆方向に（θ十δ）°回転させて停止し、
　前記インゴットを正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエ
ッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットをイ
ンゴット軸回りに正方向に（γ十θ／２）°回転させて停止することにより、前
記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴッ
トのオリフラ・ノッチ位置決め方法。
　【請求項７】　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチをエッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法において、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのイ
ンゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように
前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動
させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方
側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴッ
トを前記回転方向と同方向に（γ十θ／２）°回転させて停止することにより、
前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴ
ットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。」
と訂正する。
ｂ．訂正事項ｂ
　段落０００６の記載を次の通り訂正する。
　「【課題を解決するための手段】
　請求項１に係る発明は、前記目的を達成するために、インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とする。」
ｃ．訂正事項ｃ
　段落０００８の記載を次の通り訂正する。
　「また、請求項２に係る発明は、前記目的を達成するために、インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とする。」
ｄ．訂正事項ｄ
　段落００１０の記載を次の通り訂正する。
　「また、請求項６に係る発明は、前記目的を達成するために、インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチを前記エッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法であって、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記インゴットを逆方向に（θ十δ）°回転させて停止し、前記インゴットを正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットをインゴット軸回りに正方向に（γ十θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とする。」
ｅ．訂正事項ｅ
　段落００１２の記載を次の通り訂正する。
　「また、請求項７に係る発明は、前記目的を達成するために、インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチをエッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法において、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、インゴットをインゴット軸回りに回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットを前記回転方向と同方向に（γ十θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とする。」
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ａ．訂正事項ａ
　訂正事項ａについては、訂正請求による請求項１、２、３、６及び７は、特許明細書の特許請求の範囲請求項１、２、３、５、及び６をそれぞれ訂正したものである。特許明細書の特許請求の範囲請求項４は、本件特許異議の申し立てがなされていない請求項であるが、訂正請求により請求項４、５の如く訂正されているので特許時の請求項４の訂正についても検討する。
　以下、特許時の請求項１ないし６に係る発明を単に、それぞれ「特許発明１ないし６」と言い、訂正請求による請求項１ないし７に係る発明を単に、それぞれ「訂正発明１ないし７」と言う。
Ａ．訂正発明１
　訂正発明１を段落を示す符号を付して記載すると次のごとくなる。
　「【請求項１】　
ア．　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、
イ．　前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、
ウ．　前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、
エ．　その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
オ．　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、
カ．　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
キ．　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
ク．　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
ケ．　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、
コ．　その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
サ．　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得する
シ．　ことを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。」
　上記請求項１の段落アないしエの技術事項は、本件請求項１のインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法で使用する装置の構成を追加限定するものであり、同じく段落カないしキの技術事項は、該装置とインゴットの関係を追加限定するものであるから、訂正事項ａは、特許請求の範囲を減縮するものに該当する。
　新規事項の有無について検討するに、上記段落ウの「斜めに横切るように」は、本件願書に最初に添付した明細書には、段落００２１に「レーザー投光ユニット１６ａとレーザー受光ユニット１６ｂは、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットＩｎの端面周縁部を挟んで互いに対向するように設置されており、」と記載されているのみである。また、段落００５３にも、「図１１に示すように、エッジ検出センサ１６のレーザー投光ユニット１６ａからは一定幅ｗを有するレーザー光が投光される。インゴットＩｎを回転させて、このレーザー投光ユニット１６ａとレーザー受光ユニット１６ｂとの間にインゴットＩｎの端面の周縁部を通過させると、」と記載されているのみであり、該明細書に「斜めに横切るように」は記載されていない。しかし、本件願書に最初に添付した図面の図１１を参照すると、レーザー投光ユニット１６ａとレーザー受光ユニット１６ｂは、インゴットＩｎの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置されていてることが認められる。このように設置することは、インゴットの軸方向中間部においてインゴットの周縁部エッジをレーザー投光ユニット及びレーザー受光ユニットを配置して測定することはできないから、インゴットの端面部に配置することとなるが、レーザー投光ユニットとレーザー受光ユニットをインゴットＩｎの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置することは、当然に行なわなければいけないものであって、段落ウの訂正事項は、新規な事項とは認められない。
　次に、上記段落カの、「上方に位置するように」については、本件願書に最初に添付した明細書の関連箇所である段落００２７に「この際、図７（ａ）に示すように、インゴットＩｎに形成されたオリフラＯＦがエッジ検出センサ１６の検出点Ｐよりも上方に位置するようにインゴットＩｎを載置する。」と、また、段落００４４に「この場合、インゴットＩｎは、図８（ａ）に示すように、そのオリフラＯＦが検出点Ｐの下側で、かつ、支持ローラ３６Ａ、３６Ｂにかからない位置に載置する。」と記載されているだけであるが、図７及び図８を参照すると、オリフラの位置が支持ローラよりも上方に位置するようにインゴットを載置する点が認められる。
　このように、オリフラの位置が支持ローラよりも上方に位置するようにインゴットを載置しないと、支持ローラによりインゴットを支持しているため、インゴットを回転させた際僅かな回転でオリフラ部分が支持ローラに当接して円滑な回転が望めないことは当業者に明白であり、したがって、インゴットを回転させてオリフラのエッジを検出する際に、オリフラの位置が支持ローラよりも上方に位置するようにインゴットを載置する点は必然的な事項といえ、新規事項に該当しない。
　また、上記請求項１の段落アないしエの技術事項は、出願時の明細書の段落００１８、００１６、００２１と図面の図６に記載されており、また、同じく段落カの技術事項は、出願時の明細書の段落００２７、００４４と図面の図７、図８及び段落００２１と図面の図６に記載されており、同じく段落キの技術事項は、出願時の明細書の段落００１６と図面の図１に記載されている。
　したがって、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、明らかに、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
Ｂ．訂正発明２、３、６及び７
　訂正発明２、３、６及び７は、特許発明２、３，５、及び６にそれぞれ対応している。そして、訂正発明２、６及び７は、特許発明２、５、及び６に、それぞれ上記請求項１と同様、構成要件アないしエ及びカ、キを付加するものであり、請求項１で検討したのと同様な理由で、訂正発明２、６及び７の訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正発明３は、引用している請求項１及び請求項２の訂正内容以外には訂正されていないので、訂正発明１及び訂正発明２と同様、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
Ｃ．訂正発明４，５
　訂正発明４，５は、特許発明４に対応するものであり、特許異議の申立てがなされていない請求項であるが、訂正がなされているので、検討すると、訂正発明４，５は、引用していた請求項の訂正に伴なう記載内容の変更を防ぐために、２項に分けて独立形式記載に改めて訂正したもので、実質的に内容は変わっておらず、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
ｂ．訂正事項ｂないしｅ
　訂正事項ｂないしｅは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、明りようでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１ないし７の訂正に応じて、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正したものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）独立特許要件の判断
　当審の平成１２年３月３０日付取消理由において、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反しているか、若しくは同第２９条第２項の規定に違反しているとして引用した、
　刊行物１　特開昭６０−８０２４１号公報
　刊行物２　特開平３一７３５５３号公報
　刊行物３　特開平１一３０３７３７号公報
について検討する。
ａ．刊行物の記載内容
Ａ．刊行物１
　刊行物１には、次の事項が記載されている。
ア．　「本発明は、位置合せ装置に係り、特に半導体製造装置で処理する基板のオリエンテーションフラット（以下、オリフラと略）の位置合せに好適な位置合せ装置に関するものである。」（第１頁右下欄第１２〜１５行）
イ．　「基板検出手段５０は、回転開始した基板１１を検出した後に基板１１を検出しなくなるまで基板検出信号７２をマイコン４１に出力し、その後、回転している基板１１を再び検出するまで基板検出信号７２をマイコン４１に出力する基板検出装置で、基板検出装置は、光源５１と受光器５２とで構成された光センサ５３である。回転角検出手段６０は、回転角を電気量に変換してパルス数信号７３をマイコン４１に出力する回転角検出装置６１である。」（第２頁左下欄第１１〜１９行）
ウ．　「このように、基板１１の回転角θは発生したパルス数Ｐに置き換えることができる。　
　そこで、位置合せ操作の前に、中心回転角θｏに相当する中心パルス数Ｐｏから任意の位置までの移動パルス数Ｐｓｅｔを予め設定する。尚、中心回転角θｏは式（２）で表わされる。
　θｏ＝（θ１＋θ２　）／２＝（π＋θｒ＋θｆ）／２　（ｒａｄ）…（２）
　ここで、θ１：一定の角速度で回転している基板１１を光センサ５３が検出し　　　　　　　ている状態から基板１１を検出しなくなる状態に遷移した場合の　　　　　　　基板１１の回転角。
　　　　　θ２：一定の角速度で回転している基板１１を光センサ５３が検出し　　　　　　　ていない状態から基板１１を再び検出する状態に遷移した場合の　　　　　　　基板１１の回転角。
　　　θｒ，θｆ：光センサ５３固有の応答遅れ時間に角速度を乗じたもので、定　　　　　　　数とをなすことができる。」（第２頁右下欄第７行〜第３頁左上　　　　　　　欄第７行）
エ．　「基板１１を検出した後、基板１１を光センサ５３が検出しなくなる状態に遷移することを調べるために、光センサ５３が基板１１を検出しなくなるまで、基板検出信号７２をマイコン４１に入力する。光センサ５３が基板１１を検出しなくなった状態に遷移したことをマイコン４１が理解した後、そのときの駆動装置３１が回転開始から発生させた総パルス数の情報を有するパルス数信号７３を回転角検出装置６１がマイコン４１に入力する。この場合の総パルス数をＰ１とする。
　次に光センサ５３が基板１１を再び検出する状態に遷移することを調べるために、光センサ５３が基板１１を検出するまで、基板検出信号７２をマイコン４１に入力する。光センサ５３が基板１１を検出した状態に遷移したことをマイコン４１が理解した後、そのときのパルス数信号７３を回転角検出装置６１からマイコン４１に入力する。この場合の総パルス数をＰ２とする。
　パルス数Ｐ１とＰ２の中心パルス数Ｐｏは式（２）と同様に式（３）で表わさ
れる。
　　　Ｐｏ＝（Ｐ１十Ｐ２）／２　　［パルス］（３）
　中心パルス数Ｐｏに、あらかじめ設定されていた移動パルス数Ｐｓｅｔを加え
たものが停止パルス数Ｐｓｔｏｐとなり、式（４）であらわされる。
　　Ｐｓｔｏｐ＝Ｐ。十Ｐｓｅｔ［パルス］（４）
　停止パルス数Ｐｓｔｏｐを求めた後、停止パルス数Ｐｓｔｏｐと、駆動装置３１が発生した総パルス数Ｐが等しくなるまで、回転角検出装置６１からマイコン４１にパルス数信号７３を入力する。停止パルス数Ｐｓｔｏｐと総パルス数Ｐが等しくなった時点で、マイコン４１から駆動装置３１へ回転停止信号７１を出力し、基板１１の回転を停止させる。これにより、任意の位置で基板１１の位置合せを行なうことができる。」（第３頁左上欄下から３行〜左下欄第１３行）
オ．　「中心回転角から定位置までの角度を設定することにより、任意の位置で基板の位置合せを行うことができる。」（第３頁右下欄第８〜１０行）
カ．図を参照すると、オリフラ１０が記載されている。
　上記ア乃至カの記載からすると、上記刊行物１には、「基板１１に形成されたオリフラ１０の位置合せに用いる回転中心角を定める中心回転角の検出方法であって、基板１１を軸回りに回転し、基板１１を検出できる状態にある所定のスタート位置から基板１１を検出しなくなった位置まで到達するまでに要する回転角度θ１を検出すると共に、さらに、上記スタート位置から基板１１を再び検出する位置まで到達するに要した角度θ２を検出し、前記スタート位置から前記基板を回転させた方向に（θ１十θ２）／２の角度にある位置をオリフラの位置合わせに用いる回転中心角と定める基板の回転中心角の検出方法。」（以下「刊行物１記載の第１発明」という。）
及び「中心回転角θ０に相当する中心パルス数Ｐ。から任意の位置までの移動パルス数Ｐｓｅｔが予め設定されている場合に、その任意の位置に基板１１を位置合せする方法であって、回転開始信号により駆動装置３１から発生したパルスにより１パルス当たりθｓｔｅｐの割合でテーブル２１と基板１１を回転させ、光センサ５３が（回転開始時の基板１１を検出している状態から）基板１１を検出しなくなった状態に遷移したときのパルス数Ｐ１を、また、光センサ５３が（基板１１を検出していない状態から）再び検出することとなった状態に遷移したときのパルス数Ｐ２をそれぞれ検出し、中心パルス数Ｐｏを、式Ｐｏ＝（Ｐ１十Ｐ２）／２から求め、さらに、予め設定されている移動パルス数Ｐｓｅｔから停止パルス数Ｐｓｔｏｐを、式Ｐｓｔｏｐ＝Ｐｏ＋Ｐｓｅｔから求め、その後、駆動装置３１が発生したパルスにより基板１１を回転させ、その総パルス数Ｐが停止パルス数Ｐｓｔｏｐと等しくなった時点で基板１１の回転を停止させる上記任意の位置での基板１１の位置合せ方法。」（以下「刊行物１記載の第２発明」という。）が記載されていると認められる。
Ｂ．刊行物２、３
　刊行物２には、次の事項が記載されている。
ア．　「本発明は、外周部にオリエンテーションフラットと呼ばれる直線状の切欠き部が形成された半導体ウエハやセラミックスウエハなどのウエハの位置を検出する装置に関する。」（第１頁右下欄第９〜１２行）
イ．　「例えば、特開昭６０一８０２４１号公報に開示されている位置合せ装置は、テーブルに吸着保持されて回転駆動されるウエハのオリエンテーションフラットの両端を光センサで検知し、そのときのテーブルの回転角度Ｐ１，Ｐ２をそれぞれ求め、（Ｐ１十Ｐ２）／２の位置を基準としてウエハを位置決めしている。」（第２頁左上欄第４〜１０行）
ウ．　「３は、ウエハＷの周辺位置を検出する一次元イメージセンサとしてのＣＣＤラインセンサであり、このＣＣＤラインセンサ３の上方には周辺位置検出用の光源４および光学系５が設けられている。ＣＣＤラインセンサ３は、ウエハＷがテーブル１にそれぞれの中心が一致するように載置された時に、ウエハＷの円弧部端縁がＣＣＤラインセンサ３の有効画素領域の中央になるように配置されている。」（第３頁左上欄第１３行〜同右上欄第１行）
エ．　「第４図は採取された周辺位置データの一例を示している。ウエハＷはテーブル１の中心に対して多少偏心して載置されるのが普通であるから、周辺位置データは、ウエハ中心とテーブル中心とが一致しているときのウエハ円弧部の周辺位置データＤｏを中心に滑らかに変化している。なお、第４図中のＡ領域はオリエンテーションフラット部分の周辺位置データを示している。」（第４頁左上欄第９〜１７行）
　刊行物３には、次の事項が記載されている。
ア．　「本発明は半導体素子製造装置又は検査装置等における円形状物体の位置決め装置に関し、特にウエハのオリフラやノッチ等の位置決めを行う」（第１頁右下欄第１〜３行）
イ．　「２つの検出系１００、１０１は互いにウエハ７の回転軸８に対して略１８０度対向して配置されている。検出系１００、１０１において１は光源で例えばＬＥＤや半導体レーザ等から成っている。２はコンデンサーレンズであり光源１からの光束をミラー３を介してウエハ７面上のエッジ部に入射させている。５は結像レンズでありウエハ７のエッジ部をリニアセンサー等の検出素子６面上にミラー４を介して結像させている。
　本実施例ではウエハ７を回転軸８を中心に１８０度回転させ、このとき回転軸８を中心に略１８０度回転した位置に設置した２つの検出系１００、１０１によりウエハ７のエッジ部分を通過した光束を受光し、２つの検出素子６からの出力信号を用いて不図示の演算手段によりウエハ７の偏心量やオリフラ又はノッチの位置検出を行っている。」（第２頁左下欄第５行〜右下欄第１行）
ウ．　「まず、２つの検出値Ａ，Ｂで１１式左辺の演算を行い、この演算値がオリフラ又はノッチがなければ常に一定の値（Ｃ）であることを利用して、この演算結果を一つ前の演算結果と比較してその変化分に注目し、変化の始まった角度（θｏｎｓ）をオリフラ又はノッチに入った角度、変化の極小値に見合う角度をオリフラ又はノッチ迄の角度（θｏｎｍ）、変化が終了した角度（θｏｎｅ）をオリフラ又はノッチが通過した角度として検出する。」（第３頁左下欄最終行〜右下欄第９行、上記１１式の１１は丸括弧付き）
　上記刊行物２のアないしエの記載又は刊行物３のアないしウの記載から、上記刊行物２又は刊行物３には、「ウエハのオリフラを検出する方法に関するものであって、検出センサが、一定幅の光を投光する投光ユニットと、その投光ユニットから投光された光を受光する受光ユニットとからなり、前記投光ユニットと前記受光ユニットとの間に前記インゴットの端面の周縁部を通過させ、前記受光ユニットで受光される受光量の変化の始点及び／又は終点を検出することにより、前記オリフラ又はノッチのエッジを検出する構成」が記載されていると認められる。
ｂ．対比・判断
Ａ．訂正発明１について
　訂正発明１の上記アないしエの構成要件である「インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して」の、インゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において使用する装置に関する構成、及び訂正発明１の上記カ、キの構成要件である「前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、」のインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法におけるインゴットと装置に関する関連構成は、何れも上記刊行物１ないし３には記載されておらず、また、自明な技術事項ではない。
　そして、インゴットを、少なくとも２本の支持ローラ上に載置し、インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、該インゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、簡単にオリフラ又はノッチの位置を検出することができるものである。
　したがって、訂正発明１は、上記刊行物１ないし３に記載された発明であるとすることはできず、また、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
Ｂ．訂正発明２、６及び７について
　訂正発明２、６及び７については、上記訂正発明１について検討したのと同様に、上記アないしエの構成要件及びカ、キの構成要件を有していて、上記訂正発明１について検討したのと同様の理由により、上記刊行物１ないし３に記載された発明であるとすることはできず、また、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできないものである。
　そして、訂正発明６及び７のインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法においては、訂正発明１と同様に簡単にオリフラ又はノッチの位置を検出することができるとともに、更に、簡単に高精度な位置決めを行うことができるものである。
Ｃ．訂正発明３について
　訂正発明３は、上記Ａ及びＢで検討した訂正発明１の請求項１及び訂正発明２の請求項２を引用しており、この点ですでに上記刊行物１ないし３に記載された発明であるとすることはできず、また、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできないものである。
　上記ＡないしＣで検討した如く、訂正発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定および同第２９条第２甲の規定に違反しておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２ないし４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件特許発明
　上記のように本件については訂正が認められており、本件特許発明は、２．（１）のａ．に示す訂正後の請求項１ないし７に記載されたとおりのものである。
（２）特許異議申立ての概要
　特許異議申立人北垣　敏は、甲第１号証として特開昭６０−８０２４１号公報を甲第２号証として特開平３一７３５５３号公報を、また、甲第３号証として特開平１一３０３７３７号公報を提出して、本件特許の請求項１ないし３及び請求項５、６に係る発明は、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものであると主張している。
（３）当審の判断
　上記甲第１ないし３号証は、上記２．（３）ｂのＡないしＣにおいて検討した、刊行物１ないし３にそれぞれ相当しており、上記２．（３）ｂのＡないしＣにおいて検討した如く、上記異議申立による特許時の請求項１ないし３及び５、６に係る発明である、本件特許発明請求項１ないし３及び６、７は、刊行物１ないし３言い換えると甲第１ないし３号証に記載された発明であるとすることはできず、また、上記刊行物１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。結局、本件異議申立に係る特許発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定及び特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものとすることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３及び６、７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件請求項１ないし３及び６、７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２６日（２００１．１．２６）
【訂正の要旨】
１．訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１乃至６に係る記載
　「【請求項１】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項２】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項３】　前記エッジ検出センサは、一定幅の光を投光する投光ユニットと、その投光ユニットから投光された光を受光する受光ユニットとからなり、前記投光ユニットと前記受光ユニットとの間に前記インゴットの端面の周縁部を通過させ、前記受光ユニットで受光される受光量の変化の始点及び／又は終点を検出することにより、前記オリフラ又はノッチのエッジを検出することを特徴とする請求項１又は２記載のインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項４】　前記オリフラ又はノッチのエッジの検出は、
　形状誤差のないインゴットに形成されたオリフラ又はノッチのエッジを前記エッジ検出センサで検出した場合に得られる理論上の出力カーブを予め取得し、
　その理論上の出力カーブと、検出によって得られた出力カーブとを比較して、エッジの欠けの有無を判断し、
　エッジに欠けがある場合は、前記理論上の出力カーブに基づいて計算によってエッジを求めることを特徴とする請求項１又は２記載のインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項５】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチをエッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法において、
　インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記インゴットを逆方向に（θ＋δ）°回転させて停止し、
　前記インゴットを正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットをインゴット軸回りに正方向に（γ＋θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。
　【請求項６】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチをエッジ検出センサの検出点から正万向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法において、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットを前記回転方向と同方向に（γ十θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。」を、
　「【請求項１】　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、
　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項２】　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで百いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項３】　前記エッジ検出センサは、一定幅の光を投光する投光ユニットと、その投光ユニットから投光された光を受光する受光ユニットとからなり、前記投光ユニットと前記受光ユニットとの間に前記インゴットの端面の周縁部を通過させ、前記受光ユニットで受光される受光量の変化の始点及び／又は終点を検出することにより、前記オリフラ又はノッチのエッジを検出することを特徴とする請求項１又は２記載のインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項４】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　前記オリフラ又はノッチのエッジの検出は、
　形状誤差のないインゴットに形成されたオリフラ又はノッチのエッジを前記エッジ検出センサで検出した場合に得られる理論上の出力カーブを予め取得し、
　その理論上の出力カーブと、検出によって得られた出力カーブとを比較して、エッジの欠けの有無を判断し、
　エッジに欠けがある場合は、前記理論上の出力カーブに基づいて計算によってエッジを求めることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項５】　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　前記オリフラ又はノッチのエッジの検出は、
　形状誤差のないインゴットに形成されたオリフラ又はノッチのエッジを前記エッジ検出センサで検出した場合に得られる理論上の出力カーブを予め取得し、
　その理論上の出力カーブと、検出によって得られた出力カーブとを比較して、エッジの欠けの有無を判断し、
　エッジに欠けがある場合は、前記理論上の出力カーブに基づいて計算によってエッジを求めることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項６】　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチを前記エッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法であって、
　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記インゴットを逆方向に（θ＋δ）°回転させて停止し、
　前記インゴットを正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットをインゴット軸回りに正方向に（γ＋θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。
　【請求項７】　インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチをエッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法において、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットを前記回転方向と同方向に（γ＋θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。」
と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　段落０００６の記載を次の通り訂正する。
　「【課題を解決するための手段】
　請求項１に係る発明は、前記目的を達成するために、インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とする。」
（３）訂正事項ｃ
　段落０００８の記載を次の通り訂正する。
　「また、請求項２に係る発明は、前記目的を達成するために、インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの問に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とする。」
（４）訂正事項ｄ
　段落００１０の記載を次の通り訂正する。
　「また、請求項６に係る発明は、前記目的を達成するために、インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチを前記エッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法であって、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記インゴットを逆方向に（θ＋δ）°回転させて停止し、前記インゴットを正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットをインゴット軸回りに正方向に（γ＋θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とする。」
（５）訂正事項ｅ
　段落００１２の記載を次の通り訂正する。
　「また、請求項７に係る発明は、前記目的を達成するために、インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチをエッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された所定の基準位置に位置決めするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法において、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、インゴットをインゴット軸回りに回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットを前記回転方向と同方向に（γ＋θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とする。」
（５４）【発明の名称】
インゴットのオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
であって、
　
前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　
前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項２】　
インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
であって、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　
前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　
前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転し、
　前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得することを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項３】　前記エッジ検出センサは、一定幅の光を投光する投光ユニットと、その投光ユニットから投光された光を受光する受光ユニットとからなり、前記投光ユニットと前記受光ユニットとの間に前記インゴットの端面の周縁部を通過させ、前記受光ユニットで受光される受光量の変化の始点及び／又は終点を検出することにより、前記オリフラ又はノッチのエッジを検出することを特徴とする請求項１又は２記載のインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法。
　【請求項４】　
インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　前記オリフラ又はノッチのエッジの検出は、
　形状誤差のないインゴットに形成されたオリフラ又はノッチのエッジを前記エッジ検出センサで検出した場合に得られる理論上の出力カーブを予め取得し、
　その理論上の出力カーブと、検出によって得られた出力カーブとを比較して、エッジの欠けの有無を判断し、
　エッジに欠けがある場合は、前記理論上の出力カーブに基づいて計算によってエッジを求めることを特徴とす
るイ
　
【請求項５】
インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法であって、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、前記検出点から前記インゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置を前記オリフラ又はノッチの位置として取得するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法において、
　前記オリフラ又はノッチのエッジの検出は、
　形状誤差のないインゴットに形成されたオリフラ又はノッチのエッジを前記エッジ検出センサで検出した場合に得られる理論上の出力カーブを予め取得し、
　その理論上の出力カーブと、検出によって得られた出力カーブとを比較して、エッジの欠けの有無を判断し、
　エッジに欠けがある場合は、前記理論上の出力カーブに基づいて計算によってエッジを求めることを特徴とす
るイ
　
【請求項６】
インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
前記
であって、
　
前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラに載置し、
　
前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸んい沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°検出するとともに、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止し、
　前記インゴットを逆方向に（θ＋δ）°回転させて停止し、
　前記インゴットを正方向に回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットをインゴット軸回りに正方向に（γ＋θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。
　
【請求項７】
インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
　インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得し、
　
前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴット前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、
　
前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　インゴットをインゴット軸回りに回転させて、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジが前記検出点に到達したことを検出し、検出後、さらに前記インゴットを前記回転方向と同方向に（γ＋θ／２）°回転させて停止することにより、前記オリフラ又はノッチを前記基準位置に位置決めすることを特徴とするインゴットのオリフラ・ノッチ位置決め方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明はインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法に係り、特にインゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出するインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＩＣ等の半導体素子の原料となるシリコン等のウェーハをインゴットからスライスする場合、そのスライスされたウェーハが所定の結晶方位となるように、インゴット軸を所定角度傾けてスライスしている。
　しかし、インゴットのインゴット軸は、必ずしも結晶軸とは一致していない。そこで、ウェーハのスライスに先立って、インゴット軸に対する結晶軸の方位を知る必要がある。
　【０００３】
　このインゴット軸に対する結晶軸の方位は、インゴット軸に対する結晶軸の最大傾き角度ＺＭと傾き方向θＭで表されるが、一般には、インゴットに形成されたオリフラに平行な方向の傾き角度αと、オリフラに垂直な方向の傾き角度βをＸ線方位測定器で測定し、そのα、βから最大傾き角度ＺＭと傾き方向θＭを計算するようにしている。したがって、Ｘ線方位測定器でインゴットの結晶方位を測定する場合は、インゴットに形成されたオリフラを所定位置に位置決めして測定しなければならない。
　【０００４】
　従来、このインゴットの位置決めは、インゴットの端面をＣＣＤカメラ等で撮影し、その画像を見ながらインゴットに形成されたオリフラの位置を検出して、所定の位置に位置決めするようにしていた。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記の方法でオリフラの検出を行うと、装置が大掛かりとなり、コストアップにつながるという欠点があった。
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置の検出及びその位置決めを簡単に行うことができるインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法を提供することを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に係る発明は、前記目的を達成するために、
インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
であって、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　【０００７】　　　　　　　　
　本発明によれば、インゴットをインゴット軸回りに回転し、オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが前記検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出する。そして、その他方側のエッジが前記検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止する。このとき、検出点からインゴットを回転させた方向にθ°／２の位置が、オリフラ又はノッチの位置として取得される。
　【０００８】
　また、請求項２に係る発明は、前記目的を達成するために、
インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
であって、
前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　【０００９】
　本発明によれば、まず、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得しておく。そして、インゴットをインゴット軸回りに回転し、前記オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したところで前記インゴットの回転を停止する。このとき、検出点からインゴットを回転させた方向と逆方向にθ°／２の位置がオリフラ又はノッチの位置として取得される。
　【００１０】
　また、請求項
６
インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対抗するように設置された投光ユニットと受光ユニットとだらなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
前記
であって、前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　【００１１】
　本発明によれば、まず、インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点を通過してから他方側のエッジが検出点に到達するまでに要するインゴットの回転角度θ°を検出する。これと同時に、他方側のエッジが前記検出点に到達したところでインゴットの回転を停止する。次いで、インゴットをインゴット軸回りに逆方向に（θ＋δ）°回転させて停止する（δは正の任意の角度）。次いで、再びインゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したことを検出する。そして、その検出後、さらにインゴットをインゴット軸回りに正方向に（γ＋θ／２）°回転させてインゴットの回転を停止する。これにより、エッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された基準位置にオリフラ又はノッチを位置決めすることができる（γは０を含む正の任意の角度）。
　【００１２】
　また、請求項
７
インゴット搬送装置に設けられた少なくとも２本の支持ローラ上にインゴットを載置し、前記インゴット搬送装置によって所定の結晶方位測定位置に搬送し、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットの端面周縁部を斜めに横切るように挟んで互いに対向するように設置された投光ユニットと受光ユニットとからなるエッジ検出センサによって、その投光ユニットと受光ユニットとの間に形成される検出点を通過するオリフラ又はノッチのエッジを検出して、
前記オリフラ又はノッチの位置が前記支持ローラよりも上方に位置するように前記インゴットを前記インゴット搬送装置の支持ローラ上に載置し、前記インゴット搬送装置によって前記インゴットをインゴット軸に沿って移動させることにより、前記インゴットを前記結晶方位測定位置に搬送し、
　【００１３】
　本発明によれば、まず、インゴットに形成されたオリフラ又はノッチの両エッジが前記インゴットのインゴット軸となす角θ°を予め取得しておく。次いで、インゴットをインゴット軸回りに正方向に回転させて、オリフラ又はノッチの一方側のエッジがエッジ検出センサの検出点に到達したことを検出する。そして、その検出後、さらにインゴットをインゴット軸回りに正方向に（γ＋θ／２）°回転させてインゴットの回転を停止する。これにより、エッジ検出センサの検出点から正方向にγ°回転した点に設定された基準位置にオリフラ又はノッチを位置決めすることができる（γは０を含む正の任意の角度）。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　以下添付図面に従って本発明に係るインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法の好ましい実施の形態について詳説する。
　なお、以下の実施の形態では、本発明に係るインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法をＸ線方位測定装置に適用した例で説明する。
　【００１５】
　図１、図２は、それぞれ本発明に係るインゴットのオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法が適用されたＸ線方位測定装置１０の正面図と平面図である。同図に示すように、Ｘ線方位測定装置１０は、主としてＸ線方位測定器１２、インゴット搬送装置１４及びエッジ検出センサ１６から構成されている。
　まず、Ｘ線方位測定器１２について説明する。Ｘ線方位測定器１２は、所定の結晶方位測定位置に搬送されてきたインゴットＩｎの結晶方位を測定する。ここで、インゴットＩｎの結晶方位は、一般にインゴット軸Ｏに対する結晶軸の最大傾き角度ＺＭと傾き方向θＭで表されるが、Ｘ線方位測定器１２では、インゴットのオリフラに平行な方向の結晶軸の傾き角度αと、オリフラに垂直な方向の結晶軸の傾き角度βを測定し、その測定結果α、βからインゴット軸Ｏに対する結晶車由の最大傾き角度ＺＭと傾き方向θＭを算出する。
　【００１６】
　次に、インゴット搬送装置１４について説明する。インゴット搬送装置１４は、インゴットＩｎをＸ線方位測定器１２の所定の結晶方位測定位置に搬送するとともに、そのインゴットＩｎに形成されたオリフラを所定位置に位置決めする。このインゴット搬送装置１４の具体的な構成は、以下の通りである。
　図３及び図４は、それぞれインゴット搬送装置１４の構成を示す側面図と平面図である。
　【００１７】
　架台２０上には、一対のガイドレール２２、２２が敷設されており、該ガイドレール２２、２２上には、スライダ２４、２４、…を介して門型に形成されたスライドテーブル２６がスライド自在に支持されている。
　また、前記架台２０上にはガイドレール２２、２２に沿ってネジ棒２８が配設されており、該ネジ棒２８は、その両端部を前記架台２２上に設けられた軸受部材３０、３０に回動自在に支持されている。このネジ棒２８の一方端には、前記架台２０上に設置された送りモータ３２の出力軸が連結されており、この送りモータ３２を駆動することにより、ネジ棒２８が回転する。
　【００１８】
　前記ネジ棒２８には、ナット部材３４が螺合されており、該ナット部材３４は連結部材３４ａを介してスライドテーブル２６に連結されている。したがって、スライドテーブル２６は、前記送りモータ３２を駆動することによりガイドレール２２、２２上を水平に移動する。
　前記スライドテーブル２６は、図４に示すように、その上面中央に開口部２６Ａが形成されており、この開口部２６Ａの両側には、それぞれ支持ローラ３６Ａ、３６Ｂが３本づつ直列して配置されている。各支持ローラ３６Ａ、３６Ｂは、それぞれ一本の回転軸３６ａ、３６ｂに固着されており、該回転軸３６ａ、３６ｂは、前記スライドテーブル２６上に設置された軸受部材３８Ａ、３８Ｂに回動自在に支持されている。インゴットＩｎは、この支持ローラ３６Ａ、３６Ｂ上に載置される。
　【００１９】
　また、前記支持ローラ３６Ａ、３６Ｂのうち一方側の支持ローラ３６Ａの回転軸３６ａには、支持ローラ回転用モータ４０の出力軸が連結されている。支持ローラ３６Ａは、この支持ローラ回転用モータ４０を駆動することにより回転する。そして、この支持ローラ３６Ａが回転することにより、支持ローラ３６Ａ、３６Ｂ上に載置されたインゴットＩｎが、そのインゴット軸Ｏを中心に回転する。
　【００２０】
　また、他方側の支持ローラ３６Ｂの回転軸３６ｂには、エンコーダ４２が連結されており、このエンコーダ４２によって支持ローラ３６Ｂの回転量が検出される。このエンコーダ４２の検出値は、制御装置４４に出力され、制御装置４４は、この支持ローラ３６Ｂの回転量からインゴットＩｎの回転量を算出する。
　次に、エッジ検出センサ１６について説明する。エッジ検出センサ１６は、前記インゴット搬送装置１４によって所定の結晶方位測定位置に搬送されてきたインゴットＩｎのオリフラのエッジを検出する。
　【００２１】
　図５、図６は、それぞれエッジ検出センサ１６の正面図と平面図である。同図に示すように、エッジ検出センサ１６は、架台２０上に垂直に立設された支柱４６の頂部に設けられており、レーザー光を投光するレーザー投光ユニット１６ａと、そのレーザー光を受光するレーザー受光ユニット１６ｂから構成されている。レーザー投光ユニット１６ａとレーザー受光ユニット１６ｂは、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットＩｎの端面周縁部を挟んで互いに対向するように設置されており、その間（検出点Ｐ）を通過するオリフラのエッジを検出する。具体的な検出法は、次の通りである。
　【００２２】
　まず、インゴットＩｎを所定の結晶方位測定位置に搬送する。この結晶方位測定位置にインゴットＩｎが搬送されると、インゴットＩｎの端面周縁の円形部にレーザー投光ユニット１６ａから投光されたレーザー光が当たり、そのレーザー光の通過が遮られる。この結果、レーザー受光ユニット１６ｂでレーザー光が受光されなくなる。
　【００２３】
　次に、前記結晶方位測定位置に搬送されたインゴットＩｎを、そのインゴット軸回りに回転させる。
　ここで、前記インゴットＩｎの端面周縁の円形部が、前記検出点Ｐを通過している間は、インゴットＩｎの端面周縁の円形部にレーザー光が当たるので、レーザー受光ユニット１６ｂでレーザー光は受光されない。
　【００２４】
　しかし、インゴットＩｎに形成されたオリフラのエッジが、前記検出点Ｐを通過すると、レーザー光はそのまま直進することができるようになり、この結果、レーザー受光ユニット１６ｂでレーザー光が受光されるようになる。
　制御装置４４は、このレーザー受光ユニット１６ｂによるレーザー光の受光を検出することにより、オリフラの一方側のエッジが前記検出点Ｐを通過したことを検出する。
　【００２５】
　また、インゴットＩｎに形成されたオリフラが、前記検出点Ｐを通過している間は、レーザー光がレーザー受光ユニット１６ｂで受光され続けるが、オリフラの他方側のエッジが検出点Ｐを通過すると、再びレーザー光はインゴットＩｎの端面周縁の円形部に当たるため、レーザー受光ユニット１６ｂでは、レーザー光は受光されなくなる。
　【００２６】
　制御装置４４は、このレーザー受光ユニット１６ｂでレーザー光が受光されなくなったことを検出することにより、オリフラの他方側のエッジが検出点Ｐを通過したことを検出する。
　すなわち、制御装置４４は、レーザー受光ユニット１６ｂでのレーザー光の受光の開始点を検出することにより、オリフラの一方側のエッジを検出し、レーザー光の受光の終了点を検出することにより、オリフラの他方側のエッジを検出する。
　【００２７】
　次に、前記のごとく構成されたＸ線方位測定装置１０の作用について説明する。
　まず、インゴット搬送装置１４の支持ローラ３６Ａ、３６Ｂ上にインゴットＩｎを載置する。この際、図７（ａ）に示すように、インゴットＩｎに形成されたオリフラＯＦがエッジ検出センサ１６の検出点Ｐよりも上方に位置するようにインゴットＩｎを載置する。
　【００２８】
　次に、送りモータ３２を駆動して、スライドテーブル２６をＸ線方位測定器１２に向けて移動させる。そして、所定の結晶方位測定位置で停止させる。
　一方、前記送りモータ３２の駆動と同時に、エッジ検出センサ１６を作動させる。すなわち、レーザー投光ユニット１６ａからレーザー光を投光し、そのレーザー光をレーザー受光ユニット１６ｂで受光する。
　【００２９】
　ここで、前記スライドテーブル２６が結晶方位測定位置で停止すると、インゴットＩｎの端面周縁の円形部にレーザー投光ユニット１６ａから投光されたレーザー光が当たり、そのレーザー光の通過が遮られる。この結果、レーザー受光ユニット１６ｂでレーザー光が受光されなくなる。
　次に、支持ローラ回転用モータ４０を駆動して、支持ローラ３６Ａを時計回りの方向に回転させる。この結果、インゴットＩｎが、そのインゴット軸Ｏを中心として反時計回りの方向（正方向）に回転する。
　【００３０】
　インゴットＩｎが回転すると、そのインゴットＩｎに形成されたオリフラＯＦが反時計回りの方向（正方向）に回転する。そして、図７（ｂ）に示すように、そのオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が、エッジ検出センサ１６の検出点Ｐを通過する。
　ここで、前記オリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が検出点Ｐを通過すると、レーザー投光ユニット１６ａから投光されたレーザー光が、レーザー受光ユニット１６ｂで受光される。制御装置４４は、このレーザー受光ユニット１６ｂによるレーザー光の受光を検出することにより、オリフラＯＦの一方側のエッジＥ１がエッジ検出センサ１６の検出点Ｐを通過したことを検出する。制御装置４４は、このオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が検出点Ｐを通過したことを検出すると、エンコーダ４２を作動させて支持ローラ３６Ｂの回転量の検出を開始する。
　【００３１】
　オリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が検出点Ｐを通過した後もインゴットＩｎを回転し続けると、次いで、図７（ｃ）に示すように、オリフラＯＦの他方側のエッジＥ２が、エッジ検出センサー６の検出点Ｐに到達する。
　ここで、前記オリフラＯＦの他方側のエッジＥ２が前記検出点Ｐに到達すると、レーザー投光ユニット１６ａから投光されたレーザー光が、再びレーザー受光ユニット１６ｂで受光されなくなる。制御装置４４は、このレーザー受光ユニット１６ｂでレーザー光が受光されなくなったことを検出することにより、オリフラＯＦの他方側のエッジＥ２がエッジ検出センサ１６の検出点Ｐに達したことを検出する。
　【００３２】
　制御装置４４は、前記オリフラＯＦの他方側のエッジＥ２が検出点Ｐに達したことを検出すると、支持ローラ回転用モータ４０の駆動を停止して、インゴットＩｎの回転を停止させる。そして、エンコーダ４２の検出値から、オリフラＯＦの一方側のエッジＥ１から他方側のエッジＥ２に到達するまでのインゴットＩｎの回転角度θ°を算出する。そして、この算出結果からオリフラＯＦのフラット面の位置を次のように取得する。
　【００３３】
　すなわち、図７（ｃ）に示すように、インゴットＩｎのオリフラＯＦのフラット面は、両エッジＥ１、Ｅ２の中間の位置、すなわち、∠Ｅ１ＯＥ２（＝θ°）の１／２のところにある。一方、インゴットＩｎは、そのオリフラＯＦの他方側のエッジＥ２が検出点Ｐに位置した状態で停止している。したがって、インゴットＩｎのオリフラＯＦのフラット面は、検出点Ｐから反時計回りの方向（正方向）に（θ°／２）回転した位置にあることが分かる。
　【００３４】
　ここで、Ｘ線方位測定器１２の結晶方位測定時におけるオリフラＯＦのフラット面の設定基準位置が検出点Ｐの位置に設定されているとする（γ＝０）。この場合、インゴットＩｎを時計回りの方向（逆方向）にθ°／２回転させれば、オリフラＯＦを基準位置に位置させることができる。
　しかしながら、支持ローラ回転用モータ４０からの動力をギア機構等を介して支持ローラ３６Ａに伝達する機構にあっては、検出時の回転方向と逆方向にインゴットＩｎを回転させると、ギアのバックラッシによってオリフラＯＦを正確に位置決めできないおそれがある。
　【００３５】
　このため、次の操作によってバックラッシを取り除いてオリフラＯＦの位置決めを行う。
　まず、制御装置４４は、支持ローラ回転用モータ４０を駆動して、インゴットＩｎを時計回りの方向（逆方向）に（θ＋δ）°回転させる。ここで、このδは任意の正の角度である。この操作により、オリフラＯＦが検出点Ｐの上方に位置する。なお、本実施の形態では、δはδ＝９０−（θ°／２）と設定している。したがって、上記の操作により、オリフラＯＦは、図７（ｄ）に示すように、インゴットＩｎの真上の位置に位置する。
　【００３６】
　次に、制御装置４４は支持ローラ回転用モータ４０を駆動して、インゴットＩｎを反時計回りの方向（正方向）に回転させる。これにより、インゴットＩｎに形成されたオリフラＯＦが反時計回りの方向（正方向）に回転し、図７（ｅ）に示すように、そのオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が、エッジ検出センサ１６の検出点Ｐに到達する。
　【００３７】
　このオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が検出点Ｐに到達すると、レーザー投光ユニット１６ａから投光されたレーザー光が、レーザー受光ユニット１６ｂで受光される。制御装置４４は、このレーザー受光ユニット１６ｂによるレーザー光の受光を検出することにより、オリフラＯＦの一方側のエッジＥ１がエッジ検出センサ１６の検出点Ｐに到達したことを検出する。そして、支持ローラ回転用モータ４０の駆動を停止して、インゴットＩｎの回転を停止させる。
　【００３８】
　ここで、インゴットＩｎのオリフラＯＦのフラット面は、一方側のエッジＥ１から時計回りの方向（逆方向）に（θ°／２）回転したところにあるので、このオリフラＯＦのフラット面を前記基準位置（検出点Ｐ）に位置させるには、インゴットＩｎを反時計回りの方向（正方向）に（θ°／２）回転させればよい。
　制御装置４４は、支持ローラ回転用モータ４０の駆動をして、インゴットＩｎを更に反時計回りの方向（正方向）に（θ°／２）回転させる。
　【００３９】
　この結果、図７（ｆ）に示すように、オリフラＯＦのフラット面が検出点Ｐの位置に位置して位置決めがなされる。
　なお、このインゴットＩｎを反時計回りの方向（正方向）に（θ°／２）回転させる際、制御装置４４は、エンコーダ４２を作動して支持ローラ３６Ｂの回転量を検出し、インゴットＩｎの回転量を算出する。そして、インゴットＩｎが正確に（θ°／２）回転しているか確認する。これにより、確実にオリフラＯＦを基準位置に位置決めすることができる。
　【００４０】
　前記のごとくオリフラＯＦの位置決めが終了すると、Ｘ線方位測定器１２によってインゴットＩｎの結晶方位の測定が行われる。すなわち、Ｘ線方位測定器１２によって、結晶軸のオリフラに平行な方向の傾き角度αと、オリフラに垂直な方向の傾き角度βが測定される。この測定結果α、βは、Ｘ線方位測定器１２に備えられた図示しない制御装置に出力され、該制御装置は、その測定値α、βからインゴット軸Ｏに対する結晶軸の最大傾き角度ＺＭと傾き方向θＭを算出する。そして、その算出結果は、Ｘ線方位測定器１２のモニタ上に表示される。
　【００４１】
　以上によりインゴットＩｎの結晶方位の測定は終了し、測定終了後、再び送りモータ３２を駆動してスライドテーブル２６を測定開始前の位置に移動させる。そして、インゴットＩｎを支持ローラ３６Ａ、３６Ｂ上から取り上げ、次のスライスベースの接着工程に搬送する。
　このように、上述したＸ線方位測定装置１０では、極めて簡単な方法でオリフラの位置を検出することができるので、インゴットＩｎの位置決めを容易に行うことができる。
　【００４２】
　また、オリフラの検出に要する機構も、インゴットＩｎを回転させる手段と、オリフラＯＦのエッジＥ１、Ｅ２を検出する手段のみで構成されているため、極めて簡単な機構となる。したがって、装置自体のコンパクト化を図ることができる。また、装置のコストダウンを図ることもできる。
　さらに、検出時のインゴットＩｎの回転方向と逆方向にインゴットＩｎを回転させて位置決めするのではなく、一度逆方向に戻したのち、検出時の回転方向と同方向にインゴットＩｎを回転させて位置決めすることにより、バックラッシの影響を受けずに、高精度な位置決めを行うことができる。
　【００４３】
　なお、本実施の形態では、オリフラＯＦの設定基準位置が検出点Ｐの位置に設定されている場合（γ＝０の場合）について説明したが、基準位置が検出点Ｐから正方向にγ°回転した位置に設定されている場合については、次のように位置決めする。すなわち、図７（ｅ）の状態から、インゴットＩｎを反時計回りの方向（正方向）に（γ＋θ°／２）回転させる。これにより、検出点Ｐから正方向にγ°回転した位置にオリフラＯＦを位置決めすることができる。
　【００４４】
　また、オリフラＯＦの設定基準位置が検出点Ｐから時計回りの方向（逆方向）にε°回転した位置に設定されている場合については、次のように位置決めする。なお、ここでは基準位置が検出点Ｐから時計回りの方向（逆方向）にε＝９０。回転した位置（インゴットＩｎの真上の位置）に設定されている場合について説明する。この場合、インゴットＩｎは、図８（ａ）に示すように、そのオリフラＯＦが検出点Ｐの下側で、かつ、支持ローラ３６Ａ、３６Ｂにかからない位置に載置する。
　【００４５】
　まず、制御装置４４は、支持ローラ回転用モータ４０を駆動して、インゴットＩｎを時計回りの方向（逆方向）に回転させる。これにより、図８（ｂ）に示すように、そのオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が、エッジ検出センサ１６の検出点Ｐを通過する。制御装置４４は、このオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が検出点Ｐを通過したことを検出すると、エンコーダ４２を作動させて支持ローラ３６Ｂの回転量の検出を開始する。そして、制御装置４４は、図８（ｃ）に示すように、オリフラＯＦの他方側のエッジＥ２が検出点Ｐに達したことを検出すると、支持ローラ回転用モータ４０の駆動を停止して、インゴットＩｎの回転を停止させる。
　【００４６】
　次に、制御装置４４は、エンコーダ４２の検出値から、オリフラＯＦの一方側のエッジＥ１から他方側のエッジＥ２に到達するまでのインゴットＩｎの回転角度θ°を算出する。
　ここで、図８（ｃ）に示すように、インゴットＩｎのオリフラＯＦのフラット面は、両エッジＥ１、Ｅ２の中間の位置、すなわち、∠Ｅ１ＯＥ２（＝θ°）の１／２のところにある。したがって、インゴットＩｎのオリフラＯＦのフラット面は、検出点Ｐから時計回りの方向にθ°／２回転した位置にあることが分かる。制御装置４４は、支持ローラ回転用モータ４０を駆動して、インゴットＩｎをインゴット軸回りに（９０°−θ°／２）回転させる。この結果、図８（ｄ）に示すように、オリフラＯＦのフラット面がインゴットＩｎの真上の位置に位置決めされる。
　【００４７】
　また、上記の実施の形態では、オリフラの位置を検出する方法とその位置決め方法について説明したが、ノッチの位置の検出及び位置決めをする場合にも同様の方法で検出及び位置決めすることができる。すなわち、図９に示すように、ノッチＮの中心は、ノッチＮの両エッジｅ１、ｅ２の中間の位置、すなわち、∠ｅ１Ｏｅ２（＝θ°）の１／２のところにあるので、このノッチＮの両エッジｅ１、ｅ２を検出することにより、オリフラＯＦの場合と同様に、ノッチＮの位置を検出することができる。
　【００４８】
　また、図１０（ａ）に示すように、オリフラＯＦの両エッジＥ１、Ｅ２のなす角θ°が予め分かっている場合は、一方側のエッジＥ１の検出のみを行えば、オリフラＯＦのフラット面の位置を検出することができる。
　すなわち、まず、支持ローラ回転用モータ４０を駆動して、支持ローラ３６Ａを時計回りの方向に回転させる。この結果、インゴットＩｎが、インゴット軸Ｏを中心として反時計回りの方向（正方向）に回転する。
　【００４９】
　インゴットＩｎが回転すると、そのインゴットＩｎに形成されたオリフラＯＦが反時計回りの方向（正方向）に回転する。そして、図１０（ｂ）に示すように、そのオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が、エッジ検出センサ１６の検出点Ｐに到達する。
　ここで、前記オリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が検出点Ｐに到達すると、レーザー投光ユニット１６ａから投光されたレーザー光が、レーザー受光ユニット１６ｂで受光される。制御装置４４は、このレーザー受光ユニット１６ｂによるレーザー光の受光を検出することにより、オリフラＯＦの一方側のエッジＥ１がエッジ検出センサ１６の検出点Ｐに到達したことを検出する。制御装置４４は、このオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１が検出点Ｐに到達したことを検出すると、支持ローラ回転用モータ４０の駆動を停止して、インゴットＩｎの回転を停止させる。
　【００５０】
　ここで、オリフラＯＦの両エッジＥ１、Ｅ２のなす角θ°は予め分かっているので、このオリフラＯＦの一方側のエッジＥ１を検出することにより、オリフラＯＦのフラット面の位置を知ることができる。すなわち、オリフラＯＦのフラット面は、一方側のエッジＥから時計回りの方向（逆方向）に（θ°／２）回転したところにある。
　【００５１】
　したがって、このオリフラＯＦを前記基準位置に位置させるためには、インゴットＩｎを反時計回りの方向（正方向）に（θ°／２）回転させればよい。
　制御装置４４は、支持ローラ回転用モータ４０を駆動して、インゴットＩｎをインゴット軸回りに（θ°／２）回転させる。この結果、図１０（ｃ）に示すように、オリフラＯＦのフラット面が設定基準位置である検出点Ｐの位置に位置決めされる。
　【００５２】
　この方法では、検出時のインゴットＩｎの回転方向と位置決め時のインゴットＩｎの回転方向が一致しているので、バックラッシの影響を受けず高精度な位置決めを行うことができる。
　また、上記方法はノッチＮの両エッジｅ１、ｅ２のなす角θ°が予め分かっている場合にも同様に適用することができる。
　【００５３】
　なお、上述した実施の形態では、エッジの検出をレーザーセンサで行っているが、センサはこれに限定されるものではない。
　また、オリフラＯＦのエッジＥ１、Ｅ２は、以下の方法で検出することにより、より高精度な検出を行うことができる。
　図１１に示すように、エッジ検出センサ１６のレーザー投光ユニット１６ａからは一定の幅ｗを有するレーザー光が投光される。インゴットＩｎを回転させて、このレーザー投光ユニット１６ａとレーザー受光ユニット１６ｂとの間にインゴットＩｎの端面の周縁部を通過させると、図１２のグラフに示すように、円形部（ｘ〜ａ，ｉ〜ｋ））では受光量が一定となるが、オリフラＯＦの部分（ａ〜ｉ）では受光量が変化する。したがって、このレーザー光の受光量が変化を開始した点（図１２において点ａ）と変化が終了した点（同図において点ｉ）とを検出すれば、オリフラＯＦの両エッジＥ１、Ｅ２を検出することができる。
　【００５４】
　しかしながら、実際にはインゴットＩｎには形状誤差（真円度、欠け等）があるので、図１３（ａ）に示すように、円形部においても受光量は安定していない。このため、オリフラＯＦのエッジでない部分を誤ってエッジであると認識してしまうおそれがある。
　そこで、エッジ検出センサ１６の出力レベルの上下に予め幅ζを持たせ、これによってインゴットＩｎの形状誤差を吸収するようにする。これにより、オリフラＯＦのエッジＥ１、Ｅ２の誤認識を防止することができる。
　【００５５】
　また、オリフラＯＦの両エッジＥ１、Ｅ２のなす角θは、予め計算によって求めることができるので、この計算で求めたθ０を予め制御装置４４に入力しておき、この値θ０と検出によって求められたθとを比較することにより、誤検出あるいはエッジに欠け等が生じていると判断することができる。
　また、図１３（ｂ）に示すように、形状誤差のないインゴットＩｎを検出した場合に得られるエッジ検出センサ１６の理論上の出力カーブを制御装置４４に予め入力しておき、検出によって得られたエッジ検出センサ１６の出力カーブ（図１３（ａ））とを比較することによっても、誤検出あるいはエッジに欠け等が生じていると判断することができる。
　【００５６】
　そして、エッジに欠けが生じている場合は、オリフラＯＦの中心側の複数の値（ｆ〜ｈ）と円形部の値（ｊ〜ｌ）とから計算によってエッジを算出する。これにより、エッジに欠けが生じている場合であっても、高精度なエッジＥ１、Ｅ２の検出を行うことができる。
　以上のような方法でオリフラＯＦのエッジＥ１、Ｅ２を検出することにより、形状誤差（真円度、欠け等）が生じているインゴットＩｎであっても、精度良くオリフラＯＦのエッジＥ１、Ｅ２を検出することができる。
　【００５７】
　なお、上述した実施の形態では、インゴットＩｎに形成されたオリフラ又はノッチの検出及びその位置決めを行う方法について説明したが、本発明はインゴットだけではなく、インゴット切断後のウェーハに形成されたオリフラ又はノッチの検出及び位置決めを行う場合にも同様に適用することができる。
　【００５８】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、簡単にインゴットに形成されたオリフラ又はノッチの位置を検出することができるとともに、簡単に高精度な位置決めを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係るオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法を適用したＸ線方位測定装置の構成を示す正面図
　【図２】
　本発明に係るオリフラ・ノッチ検出方法及び位置決め方法を適用したＸ線方位測定装置の構成を示す平面図
　【図３】
　インゴット搬送装置の構成を示す側面図
　【図４】
　インゴット搬送装置の構成を示す平面図
　【図５】
　エッジ検出センサの構成を示す正面図
　【図６】
　エッジ検出センサの構成を示す平面図
　【図７】
　オリフラ検出方法及び位置決め方法の説明図
　【図８】
　オリフラ検出方法及び位置決め方法の説明図
　【図９】
　ノッチ検出方法及び位置決め方法の説明図
　【図１０】
　オリフラ検出方法及び位置決め方法の説明図
　【図１１】
　エッジ検出センサの他の実施の形態の構成を示す平面図
　【図１２】
　他の実施の形態のエッジ検出方法の説明図
　【図１３】
　他の実施の形態のエッジ検出方法の説明図
　【符号の説明】
１０…Ｘ線方位測定装置
１２…Ｘ線方位測定器
１４…インゴット搬送装置
１６…エッジ検出センサ
１６ａ…レーザー投光ユニット
１６ｂ…レーザー受光ユニット
３６Ａ、３６Ｂ…支持ローラ
４０…支持ローラ回転用モータ
４２…エンコーダ
４４…制御装置
Ｉｎ…インゴット
ＯＦ…オリフラ
Ｅ１、Ｅ２…オリフラのエッジ
Ｎ…ノッチ
ｅ１、ｅ２…ノッチのエッジ
Ｐ…検出点