(57)【要約】  【課題】高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造を提供する。  【解決手段】本考案に係る高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造は、基板ユニットと、発光ユニットと、パッケージコロイドユニットとを含む。該基板ユニットは、基板本体と、それぞれ前記基板本体に形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する。前記発光ユニットは前記基板本体に設置された発光ダイオードチップを複数有し、前記各発光ダイオードチップはそれぞれ前記基板ユニットの正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続される正極端と負極端を有する。前記パッケージコロイドユニットは、それぞれ前記発光ダイオードチップを覆うパッケージコロイドを複数有する。   【選択図】図３
0003138755.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板ユニットと、
前記基板ユニットに電気接続するように設置された発光ダイオードチップを複数有する発光ユニットと、
それぞれ前記発光ダイオードチップを覆うパッケージコロイドを複数有するパッケージコロイドユニットとを備える高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２】
前記基板ユニットは、プリント回路基板(PCB)、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはCu基板であることを特徴とする請求項１記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項３】
前記基板ユニットは、基板本体と、それぞれ前記基板本体に形成された正極導電トレース及び負極導電トレースとを備える請求項１記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項４】
前記基板本体は、金属層と、前記金属層に成形されたベークライト層とを備えることを特徴とする請求項3記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項５】
前記正極導電トレース及び負極導電トレースはAl回路あるいはAg回路であることを特徴とする請求項3記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項６】
前記各発光ダイオードチップは、それぞれ前記基板ユニットの正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続される正極端と負極端を備えることを特徴とする請求項3記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項７】
前記各発光ダイオードチップの前記正極端、負極端は、二つの対応するワイヤでワイヤボンディング接続することにより、前記正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続されることを特徴とする請求項6記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項８】
前記各発光ダイオードチップの前記正極端、負極端は、複数の対応する半田ボールでフリップチップ接続することにより、前記正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続されることを特徴とする請求項6記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項９】
前記発光ダイオードチップは、前記基板ユニットに一直線になるように配列されることを特徴とする請求項１記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１０】
前記発光ダイオードチップは、前記基板ユニットに複数本の直線になるように配列されることを特徴とする請求項１記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１１】
前記各パッケージコロイドは、シリコンと蛍光パウダとをミックスして構成された蛍光性コロイドであることを特徴とする請求項１記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１２】
前記各パッケージコロイドは、エポキシ樹脂と蛍光パウダとをミックスして構成された蛍光性コロイドであることを特徴とする請求項１記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１３】
さらに、前記基板ユニットを覆い、前記各パッケージコロイドの上面を露出するように前記各パッケージコロイドを囲むフレーム層から構成されたフレームユニットを備えることを特徴とする請求項１記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１４】
前記フレーム層は光透過しないフレーム層であることを特徴とする請求項１３記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１５】
前記光透過しないフレーム層は白色フレーム層であることを特徴とする請求項１4記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１６】
さらに、それぞれ前記各パッケージコロイドの上面を露出するように前記各パッケージコロイドを囲むフレーム本体を複数有するフレームユニットを備え、前記フレーム本体は互いに隔離するように前記基板ユニットに設けられることを特徴とする請求項１記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１７】
前記フレーム本体は、光透過しないフレーム本体であることを特徴とする請求項１6記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項１８】
前記光透過しないフレーム本体は白色フレーム本体であることを特徴とする請求項１７記載の高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、発光ダイオードチップの封止構造に関し、特に、高効率発光効果(high-efficiency lateral light-emitting effect)を有する発光ダイオードチップの封止構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の発光ダイオードの第１の封止方法を示すフローチャートである。このフローチャートから、従来の発光ダイオードの第１の封止方法は、先ず、複数のパッケージした発光ダイオードを提供する工程（Ｓ８００）と、次に、その上に正極導電トレース及び負極導電トレースを有する帯形の基板本体を提供する工程（Ｓ８０２）と、最後に、パッケージした発光ダイオード毎がその帯形の基板本体上に順次設けられ、かつパッケージした発光ダイオード毎の正、負極端をその帯形の基板本体の正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続させる工程（Ｓ８０４）とを含むことが分かる。
【０００３】
図２は、従来の発光ダイオードの第２の封止方法を示すフローチャートである。このフローチャートから、従来の発光ダイオードの第２の封止方法は、先ず、その上に正極導電トレース及び負極導電トレースを有する帯形の基板本体を提供する工程（Ｓ９００）と、次に、複数の発光ダイオードチップがその帯形の基板本体上に順次設けられ、かつ、発光ダイオードチップ毎の正、負極端をその帯形の基板本体の正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続させる工程（Ｓ９０２）と、最後に、帯形のパッケージコロイドをその帯形の基板本体およびこれらの発光ダイオードチップ上を覆い、帯形発光領域のあるライトバーを形成する工程（Ｓ９０４）とを含むことが分かる。
【０００４】
しかしながら、上記従来の発光ダイオードの第１の封止構造については、パッケージした発光ダイオード毎を発光ダイオードパッケージ全体から切断してから、表面封止技術（SMT）でパッケージした発光ダイオードをその帯形の基板本体上に設けなければならないため、製造プロセス時間を短縮させることは出来ず、また、発光の際に、これらのパッケージした発光ダイオードの間にダークバンド現象が現れ、使用者の視線には好ましくない効果が発生してしまう。
【０００５】
また、上記従来の発光ダイオードの第２の封止方法については、完成したライトバーが帯形発光領域を有するため、第２の封止方法はダークバンドの問題は発生しない。しかし、この帯形のパッケージコロイドが励起された領域が不均一であるため、ライトバーの光の効率は良くない（すなわち、発光ダイオードチップに近いパッケージコロイド領域は、比較的に強い励起光源が発生し、発光ダイオードチップに遠ざかるパッケージコロイド領域は、比較的に弱い励起光源が発生する）。
【０００６】
以上のように、従来の発光ダイオードの封止方法およびその封止構造は、不便や欠点が明らかに存在し、改善が期待されていることが分かる。
【０００７】
そのため、本考案者は、前記欠点が改良できるのを確信して、長年この分野で経験を積み重ねてきた。精密な観察かつ研究をし、さらに学術理論に合せ、合理的な設計且つ前記の欠点を有効に改良できる本考案を提案する。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００８】
本考案が解決しようとする技術課題は、高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造を提供することにある。本考案の発光ダイオード構造は、発光の時に連続した発光領域を形成し、輝度不均一の場合はなく、かつ本考案は、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に短縮し、大量生産が可能である。また、本考案の構造設計は、様々な光源、例えばバックライトモジュールや、飾りランプ、照明用ランプまたはスキャンナー光源などに適用でき、これらはいずれも本考案を適応できる範囲および製品である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術課題を解決するため、本考案による一つの封止構造は、先ず、基板ユニットと、発光ユニットとパッケージコロイドユニットとを有する高効率発光効果を有する発光ダイオードチップパッケージ構造を提供する。前記基板ユニットは、基板本体と、それぞれ前記基板本体に形成された正極導電トレース及び負極導電トレースとを備える。前記発光ユニットは、前記基板本体に設置された発光ダイオードチップを複数有する。前記各発光ダイオードチップは、それぞれ前記基板ユニットの正極導電トレース及び負極導電トレースに電気接続される正極端と負極端を備える。前記パッケージコロイドユニットは、それぞれ前記発光ダイオードチップを覆うパッケージコロイドを複数有する
また、本考案の発光ダイオードチップの封止構造は、更に以下の２つの実施態様を含む。
【００１０】
一、前記基板本体を覆い、前記各パッケージコロイドの上面を露出するように前記各パッケージコロイドを囲むフレーム層から構成されたフレームユニットを備える。
【００１１】
二、それぞれ前記各パッケージコロイドの上面を露出するように前記各パッケージコロイドを囲むフレーム本体を複数有するフレームユニットを備え、前記フレーム本体は互いに隔離するように前記基板本体に設けられる。
【００１２】
そのため、本考案の発光ダイオードチップの封止構造は、発光の時に連続した発光領域を形成し、輝度不均一の場合は発生されない。本考案は、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に短縮し大量生産できる。
【００１３】
本考案が所定の目的を達成するために採用する技術、手段及びその効果をさらに詳細に具体的に説明するために、以下に本考案に関わる詳しい説明及び添付図面を参照することにより、深く且つ具体的な理解を得られるが、それらの添付図面が参考及び説明のみに使われ、本考案の請求の範囲を狭義的に制限するものではないことは言うまでもないことである。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１４】
図3、図3ａ〜3dおよび図3Ａ〜3Dを参照する。図3は、本考案に係る封止構造の第１の実施例を示すフローチャートであり、図3ａ〜3ｄは、それぞれ本考案に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す図であり、図3Ａ〜3Ｄは、それぞれ本考案に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す断面図である。図3のフローチャートから分かるように、本考案に係る第１の実施例は、以下のステップを含む高効率発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造を提供する。
【００１５】
先ずは、図3ａおよび図3Ａに示すように、基板本体１０と、該基板本体１０にそれぞれ形成された複数の正極導電トレース１１および複数の負極導電トレース１２を有する基板ユニット１を提供する（Ｓ１００）。
【００１６】
前記基板本体１０は、金属層１０Aと、前記金属層１０Aに成形されたベークライト層１０Bとを備える(図3a及び図3Aに示す)。また、異なる設計要求に応じて、該基板ユニット１は、プリント回路基板(PCB)や、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはCu基板である。また、該正、負極導電トレース１１、１２は、Al回路またはAg回路を採用し、且つ、該正、負極導電トレース１１、１２のレイアウトは、異なる要求に応じて多少変えることができる。
【００１７】
次に、図3ｂおよび図3Ｂに示すように、該基板本体１０上にマトリクス方式により複数の発光ダイオードチップ２０をそれぞれ設置し、複数列の縦方向発光ダイオードチップ列２を形成し、各々の当該発光ダイオードチップ２０は、基板ユニット１の正、負極導電トレース１１、１２にそれぞれ電気的に接続された正極端２０１及び負極端２０２を有する（Ｓ１０２）。
【００１８】
また、本考案に係る第１の実施例については、発光ダイオードチップ２０毎の正極端２０１及び負極端２０２は、２つの対応しているワイヤＷを介してワイヤボンディングの方式で該基板ユニット１の正、負極導電トレース１１、１２に電気的に接続される。また、縦方向発光ダイオードチップ列２毎は、直線の配列方式で該基板ユニット１の基板本体１０に設けられ、かつ、各々の発光ダイオードチップ２０は、青色発光ダイオードチップであれば良い。
【００１９】
もちろん、上記のこれらの発光ダイオードチップ２０の電気接続方式は、本実施例に限らず、例えば、図4に示すように（本考案の発光ダイオードチップがフリップチップの方式によって電気的に接続することを示す図である）、各々の発光ダイオードチップ２０’の正、負極端２０１’、２０２’は、複数の対応する半田ボールＢを介してフリップチップの方式で、該基板ユニット１’の正、負極導電トレース１１’、１２’に電気的に接続されてもよい。また、異なる設計要求に応じて、これらの発光ダイオードチップ（図示せず）の正、負極端は、直列接続や、並列接続または直列／並列の方式で該基板ユニット（図示せず）の正、負極導電トレースに電気的に接続できる。
【００２０】
その後、図3ｃ、図3Ｃに示すように、第１のモールドユニットＭ１を介して複数の帯形のパッケージコロイド３を縦方向の各々の発光ダイオードチップ列２上を縦方向に覆う。
【００２１】
そのうちでは、該第１のモールドユニットＭ１は、第１のアッパモールドＭ１１および該基板本体１０を載置する第１のローモールドＭ１２からなり、該第１のアッパモールドＭ１１は、これらの縦方向発光ダイオードチップ列２に対応する複数の第１のチャンネルＭ１１０を備える。
【００２２】
また、これらの第１のチャンネルＭ１１０の高さと幅は、これらの帯形のパッケージコロイド３の高さと幅と同じである。さらに、帯形の各々のパッケージコロイド３は、異なる使用要求に応じて、シリコン及び蛍光パウダをミックスして形成した蛍光樹脂、或いは、エポキシ樹脂及び蛍光パウダをミックスして形成した蛍光樹脂を選択できる。
【００２３】
続いて、図3ｄおよび図3Ｄを合せて図３ｃに示すように、２つずつの縦方向発光ダイオードチップ２０の間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイド３と前記基板本体１０を横方向に切断し、複数本のライトバーＬ1を形成する。前記各ライトバーＬ1は、各々の発光ダイオードチップ２０の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイド３０を有する（Ｓ１０６）。
【００２４】
図5、図5ａ〜5cおよび図5Ａ〜5Cを参照する。図5は、本考案に係る封止構造の第２の実施例を示すフローチャートであり、図5ａ〜5cは、それぞれ本考案に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す図であり、図5Ａ〜5Cは、それぞれ本考案に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。図5のフローチャートから分かるように、第２の実施例のステップＳ２００〜Ｓ２０4は、それぞれ第１の実施例のステップＳ１００〜Ｓ１０4と同じである。すなわち、ステップＳ２００は、第１の実施例の図3ａおよび図3Ａに示される説明に該当し、ステップＳ２０２は、第１の実施例の図3ｂおよび図3Ｂに示される説明に該当し、ステップＳ２０４は、第１の実施例の図3ｃおよび図3Ｃに示される説明に該当する。
【００２５】
また、ステップＳ２０４の後には、本考案の第２の実施例は、さらに、以下のステップを含む。先ず、図５ａおよび図５Ａに示すように、２つずつの縦方向発光ダイオードチップ２０の間に沿って、これらの帯形のパッケージコロイド３を横方向に切断し、各々の発光ダイオードチップ２０の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイド３０’を形成する（Ｓ２０６）。
【００２６】
次に、図５ｂおよび図５Ｂに示すように、第２のモールドユニットＭ２を介してフレームユニット４を該基板本体１０上に覆いかつこれらのパッケージコロイド３０’の間に充填する（Ｓ２０８）。ここで、該第２のモールドユニットＭ２は、第２のアッパモールドＭ２１および該基板本体１０を載置する第２のローモールドＭ２２からなり、該第２のアッパモールドＭ２１は、フレームユニット４に対応する１つの第２のチャンネルＭ２１０を備え、また、該第２のチャンネルＭ２１０の高さは、これらのパッケージコロイド３０’の高さと同じであり、該第２のチャンネルＭ２１０の幅は、該フレームユニット４の幅と同じである。
【００２７】
最後に、図５ｃおよび図５Ｃを合せて図５ｂを参照すると、２つずつの縦方向発光ダイオードチップ２０の間に沿ってこのフレームユニット４および基板本体１０を横方向に切断し複数のライトバーＬ２を形成し、かつ、当該フレームユニット４が各々のライトバーＬ２の上の全てのパッケージコロイド３０’の周辺をそれぞれ覆う複数のフレーム層４０になるように切断される（Ｓ２１０）。ここで、これらのフレーム層４０は、光透過しないフレーム層、例えば、白色フレーム層である。
【００２８】
図６、図６ａ〜６ｂおよび図６Ａ〜６Ｂを参照する。図６は、本考案に係る封止構造の第３の実施例を示すフローチャートであり、図６ａ〜６ｂは、それぞれ本考案に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す図であり、図６Ａ〜６Ｂは、それぞれ本考案に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。図６のフローチャートから分かるように、第３の実施例のステップＳ３００〜Ｓ３０４は、それぞれ第１の実施例のステップＳ１００〜Ｓ１０４と同じであり、かつ、第３の実施例のステップＳ３０６は、第２の実施例のステップＳ２０６と同じである。すなわち、ステップＳ３００は、第１の実施例の図３ａおよび図３Ａに示される説明に該当し、ステップＳ３０２は、第１の実施例の図３ｂおよび図３Ｂに示される説明に該当し、ステップＳ３０４は、第１の実施例の図３ｃおよび図３Ｃに示される説明に該当し、ステップＳ３０６は、第２の実施例の図５ａおよび図５Ａに示される説明に該当する。
【００２９】
また、ステップＳ３０６の後には、本考案の第３の実施例は、さらに、以下のステップを含む。先ず、図６ａおよび図６Ａに示すように、第３のモールドユニットＭ３を介して複数の帯形フレーム層４’を該基板本体１０上に覆いかつ各々のパッケージコロイド３０’の間に縦方向に充填する（Ｓ３０８）。
【００３０】
ここで、該第３のモールドユニットＭ３は、第３のアッパモールドＭ３１および該基板本体１０を載置する第３のローモールドＭ３２からなり、該第３のアッパモールドＭ３１は、これらの縦方向発光ダイオードチップ列２に対応する複数の第３のチャンネルＭ３１０を備え、また、該第３のチャンネルＭ３１０の高さは、これらのパッケージコロイド３０’の高さと同じであり、該第３のチャンネルＭ３１０の幅は、各々の該パッケージコロイド３０’の幅より大きい。
【００３１】
最後に、図６ｂおよび図６Ｂを合せて図６ａを参照すると、２つずつの縦方向発光ダイオードチップ２０の間に沿ってこれらのフレーム層４’および基板本体１０を横方向に切断し複数のライトバーｌ３を形成し、かつ、これらの帯形フレーム層４’が各々のパッケージコロイド３０’の周辺をそれぞれ覆う複数のフレーム本体４０’になるように切断される（Ｓ３１０）。ここで、これらのフレーム本体４０’は、光透過しないフレーム本体、例えば、白色フレーム本体である。
【００３２】
以上のように、本考案の発光ダイオードチップの封止構造は、発光の時に連続の発光領域を形成し、輝度不均一のことが発生されず、かつ本考案は、COB(Chip On Board)及びダイモールド(die mold)の方式で、製造プロセス時間を有効に短縮し大量生産でき、また、本考案の封止構造は、様々な光源、例えばバックライトモジュールや、飾りランプ、照明用ランプまたはスキャンナー光源などに適用でき、これらは、いずれも本考案が適応する範囲および製品である。
【００３３】
しかし、前記の説明は、単に本考案の好ましい具体的な実施例の詳細説明及び図面に過ぎなく、本考案の実用新案登録請求の範囲を制限するものではなく、本考案の請求する範囲は、下記の実用新案登録請求の範囲に基づくべき、いずれの当該分野における通常の知識を有する専門家が本考案の分野の中で、適当に変更や修飾などを実施できるが、それらの実施のことが本考案の請求範囲内に含まれるべきことは言うまでもないことである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、従来の発光ダイオードチップの第１の封止方法を示すフローチャートである。
【図２】図２は、従来の発光ダイオードチップの第２の封止方法を示すフローチャートである。
【図３】図３は、本考案に係る封止構造の第１の実施例を示すフローチャートである。
【図３ａ】図３ａは、本考案に係る封止構造の第１の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図３ｂ】図３ｂは、本考案に係る封止構造の第１の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図３ｃ】図３ｃは、本考案に係る封止構造の第１の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図３ｄ】図３ｄは、本考案に係る封止構造の第１の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本考案に係る封止構造の第１の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本考案に係る封止構造の第１の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本考案に係る封止構造の第１の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本考案に係る封止構造の第１の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【図４】図４は、本考案の発光ダイオードチップがフリップチップの方式によって電気的に接続することを示す図である。
【図５】図５は、本考案に係る封止構造の第２の実施例を示すフローチャートである。
【図５ａ】図５ａは、本考案に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図５ｂ】図５ｂは、本考案に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図５ｃ】図５ｃは、本考案に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本考案に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本考案に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本考案に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【図６】図６は、本考案に係る封止構造の第３の実施例を示すフローチャートである。
【図６ａ】図６ａは、本考案に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図６ｂ】図６ｂは、本考案に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本考案に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本考案に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１基板ユニット
１０基板本体
１１正極導電トレース
１２負極導電トレース
１’基板ユニット
１０’基板本体
1０A金属層
1０Bベークライト層
１１’正極導電トレース
２縦方向発光ダイオードチップ列
２０発光ダイオードチップ
２０１正極端
２０２負極端
２０’発光ダイオードチップ
２０１’正極端
２０２’負極端
３パッケージコロイド
３０パッケージコロイド
３０’パッケージコロイド
Ｍ１第１のモールドユニット
Ｍ１１第１のアッパモールド
Ｍ１２第１のローモールド
Ｍ１１０第１のチャンネル
Ｍ２第２のモールドユニット
Ｍ２１第２のアッパモールド
Ｍ２２第２のローモールド
Ｍ２１０第２のチャンネル
Ｍ３第３のモールドユニット
Ｍ３１第３のアッパモールド
Ｍ３２第２のローモールド
Ｍ３１０第３のチャンネル
Ｌ１ライトバー
Ｌ２ライトバー
Ｌ３ライトバー
【図１】
0003138755.tif 000003
【図２】
0003138755.tif 000004
【図３】
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【図３ａ】
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【図３Ａ】
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【図３ｂ】
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【図３Ｂ】
0003138755.tif 000009
【図３ｃ】
0003138755.tif 000010
【図３Ｃ】
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【図３ｄ】
0003138755.tif 000012
【図３Ｄ】
0003138755.tif 000013
【図４】
0003138755.tif 000014
【図５】
0003138755.tif 000015
【図５ａ】
0003138755.tif 000016
【図５Ａ】
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【図５ｂ】
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【図５Ｂ】
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【図５ｃ】
0003138755.tif 000020
【図５Ｃ】
0003138755.tif 000021
【図６】
0003138755.tif 000022
【図６ａ】
0003138755.tif 000023
【図６Ａ】
0003138755.tif 000024
【図６ｂ】
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【図６Ｂ】
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