【事件の表示】
　特許第３０６７０７２号「ウェハボ−ト支持テ−ブル」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６７０７２号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３０６７０７２号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成５年１２月２４日に特許出願され、平成１２年５月１９日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許の請求項１、２に係る発明について、異議申立人服部政平より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年６月２５日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項ａ：特許請求の範囲の請求項１、２の「半導体ウエハを熱処理用炉管内に記載させるため」との記載を「半導体ウエハ熱処理炉に使用される」と訂正する。
訂正事項ｂ：特許請求の範囲の請求項１の「複数枚積層されて」の前に「接触して」を挿入する。
訂正事項ｃ：特許請求の範囲の請求項１、２の「梨地状」の前に「表面粗さＲｍａｘが５〜５０μｍである」を挿入する。
訂正事項ｄ：特許請求の範囲の請求項２の「この上部」を「前記梨地状になされたテーブル上面」と訂正する。
訂正事項ｅ：明細書の発明の詳細な説明の欄の第６段落（２箇所）、「 半導体ウエハを熱処理用炉管内に記載させるため」との記載を「半導体ウエハ熱処理炉に使用される」と訂正する。  
訂正事項ｆ：明細書の発明の詳細な説明の欄の第６段落、「複数枚積層されて」の前に「接触して」を挿入する。
訂正事項ｇ：明細書の発明の詳細な説明の欄の第６段落、第７段落、第１２段落、第１４段落「この上部」を「前記梨地状になされたテーブル上面」と訂正する。
訂正事項ｈ：明細書の発明の詳細な説明の欄の第６段落（２箇所）、「梨地状」の前に「表面粗さＲｍａｘが５〜５０μｍである」を挿入する。
 （２）訂正の適否
　訂正事項ａは、請求項１、２に記載された「記載」の意味が不明であるので、ウエハボートが半導体ウエハ熱処理炉に使用されるものであることを明確にしたものであり、明りょうでない記載の釈明に当たる。またこの訂正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂは、第３図、および、明細書第１０段落の「５０μｍを越えると・・・微小空間が開放的となり、断熱効果が得られなくなる。」の記載から明らかであり、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に相当し、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｃに記載の、「表面粗さＲｍａｘが５〜５０μｍである」を挿入することは、明細書第１０段落の「赤外線透過率を５０％未満とするためには、表面粗さＲｍａｘを５μｍ以上する必要がある。また、表面粗さＲｍａｘ が５０μｍを越えると上記多数の微小空間が開放的となり、断熱効果が得られなくなる。」の記載から明らかであり、かつ、特許請求の範囲の減縮に相当し、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｄは、「この上部」の「この」の記載の示すものを明確にした訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当し、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項ｅ、ｆ、ｇ、ｈは、訂正事項ａ、ｂ、ｃ、ｄの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正であり、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
  本件の請求項１、２に係る発明は以下のとおりのものである。
【請求項１】 半導体ウェハ熱処理炉に使用されるウェハボートを上側面に載置するウェハボート支持テーブルであって、前記ウェハボート支持テーブルは、板状の基材が接触して複数枚積層されて構成され、且つ各板状の基材の一面または両面が表面粗さＲｍａｘが５〜５０μｍである梨地状となっていることを特徴とするウェハボート支持テーブル。
【請求項２】 半導体ウェハ熱処理炉に使用されるウェハボートを上側面に載置するウェハボート支持テーブルであって、前記ウェハボート支持テーブルは、少なくとも前記ウェハボートを載置する上面が表面粗さＲｍａｘが５〜５０μｍである梨地状となっており、前記梨地状になされたテーブル上面に鏡面板が配置されていることを特徴とするウェハボート支持テーブル。
　
（２）特許法第３６条の取消理由について
　取消理由で指摘した点は、上記訂正により明確となったので、本件発明が、特許法第３６条第４項、第５項の規定を満たさない特許出願に対してなされたものであるとすることはできない。
（３）異議申立の理由の概要
　申立人服部政平は、請求項１、２に係る発明は、甲第１号証（特開平３−１６４６８８号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない旨主張している。
（ａ）甲第１号証に記載の発明
　甲第１号証には、「中空容器３９の内部には、断熱部材を有するフィン構造体４３が受台４２上に載置されて設けられている。このフィン構造体４３は、例えば４本のスペーサ軸４４と、このスペーサ軸４４の上端に位置決め支持されるフィン４５とからなるフィンユニットを複数段積み重ねることにより構成されている。フィン構造体４３は、フィンユニットの脱着が容易であるので、フィンユニットの段数を変えることにより、熱処理温度に応じて断熱効果を自由に調節することができる。」（第３頁右下欄第４行〜第１３行）ことが、開示されている。
（ｂ）対比・判断
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証記載の発明とを対比する。
　甲第１号証に記載の発明は、スペーサ軸４４の上端に位置決め支持されるフィン４５により断熱しており、本件請求項１に係る発明の板状の基材が接触して複数枚積層された構成と相違する。
　本件請求項１に係る発明は、上記構成に基づいて、複数枚積層された梨地状の板状の基材の接触部に形成される微小空間により断熱するという甲第１号証にはない明細書に記載の作用効果を有しており、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載の発明と同一とも、また、甲第１号証から容易に成し得たものとも認められない。
　本件請求項２に係る発明と甲第１号証記載の発明とを対比する。
　甲第１号証に記載の発明には、テーブル上面に鏡面板を配置するという構成が無い点で本件請求項２に係る発明と相違する。
　本件請求項２に係る発明は、鏡面板と梨地状の板状の基材との間に形成される微小空間により断熱するという、甲第１号証にはない明細書に記載の作用効果を有しており、本件請求項２に係る発明は、甲第１号証に記載の発明と同一とも、また、甲第１号証から容易に成し得たものとも認められない。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由および証拠によっては、本件請求項１、２に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１、２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月４日（２００１．７．４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項ａ：明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１、２の「半導体ウエハを熱処理用炉管内に記載させるため」との記載を「半導体ウエハ熱処理炉に使用される」と訂正する。
訂正事項ｂ：特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の「複数枚積層されて」の前に「接触して」を挿入する。
訂正事項ｃ：特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１、２の「梨地状」の前に「表面粗さＲｍａｘが５〜５０μｍである」を挿入する。
訂正事項ｄ：明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項２の「この上部」を「前記梨地状になされたテーブル上面」と訂正する。
訂正事項ｅ：明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の発明の詳細な説明の欄の第６段落（２箇所）、「半導体ウエハを熱処理用炉管内に記載させるため」との記載を半導体ウエハ熱処理炉に使用される」と訂正する。
訂正事項ｆ：明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の発明の詳細な説明の欄の第６段落、「複数枚積層されて」の前に「接触して」を挿入する。
訂正事項ｇ：明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の発明の詳細な説明の欄の第６段落、第７段落、第１２段落、第１４段落「この上部」を「前記梨地状になされたテーブル上面」と訂正する。
訂正事項ｈ：明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の発明の詳細な説明の欄の第６段落（２箇所）、「梨地状」の前に「表面粗さＲｍａｘが５〜５０μｍである」を挿入する。
（５４）【発明の名称】
ウェハボート支持テーブル
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
半導体ウェハ熱処理炉に使用される
接触して
表面粗さＲ
が５〜５０μｍである
　【請求項２】　
半導体ウェハ熱処理炉に使用される
表面粗さＲ
が５〜５０μｍである
前記梨地状になされたテーブル上面
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体ウエハ熱処理炉に使用されるウェハボートを、その上側面に載置するためのウェハボート支持テーブルに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体工業分野では、半導体ウエハの酸化、拡散、ＣＶＤ処理等の熱処理に縦型拡散炉はスペースメリットに優れ、均一な酸化膜等を低コストで形成できるため、近年益々利用されるようになっている。
　縦型拡散炉は、下部からウェハボートを挿入するタイプと上部からウェハボートを挿入するタイプとに大別される。しかし、いずれのタイプにおいても拡散部炉下部の支持治具の上に縦型ボート用テーブルを設置し、その上にウェハボートを置いてウェハボートに係止されたウェハに対して熱処理を行う構成になっている。ウェハボート用テーブルを構成する材料としては通常石英ガラス、ＳｉＣ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ等が用いられている。
　【０００３】
　図６は従来の半導体ウェハに熱処理を施すための縦型拡散炉の一例を断面図によって示したものである。円柱状のウェハボート支持テーブル１の上側面には、熱処理を施そうとする複数の半導体ウェハ２を係上したウェハボート３が載置されている。前記ウェハボート支持テーブル１は、その下側面が昇降装置４に連結された駆動部材５に固定されている。
熱処理にあたっては、半導体ウェハ２を係止したウェハボートは加熱体６を持つ縦型炉７内に配置された炉心管８内に、該炉心管の下方開口部より昇降装置４によって押し上げ挿入される。図６に示す所定位置までウェハボート３が昇降装置４によって押し上げられた時、炉心管８の下方開口部に設けられたフランジ部８ａと駆動部材５との間に配置されたＯリングによるシール部材９によって、炉心管８内は密封される。そして炉心管８の上部に設けられた連通孔８ｂより炉心管８内に反応ガスまたは不活性ガスが流され、半導体ウェハ２に対して酸化、拡散、ＣＤＶ処理等の熱処理が成される。
　【０００４】
　前記した縦型拡散炉に用いられるウェハボート支持テーブル１は、その上側部が縦型炉７の加熱体６からの赤外線輻射熱によって高温に晒され、また下側部は略常温に近い状態に成される。換言すれば、ウェハボート支持テーブル１は充分な断熱作用を有していなければならず、加えて充分な耐熱性、耐熱衝撃性が要求される。
　この様な要求を満たすために、ウェハボート支持テーブルの構成については幾つかの提案が成されている。例えば特開昭６４−４７０２０号公報には、内部にグラスウールを詰め込んだ小径筒体で集合体でウェハボート支持テーブルを構成し、支持テーブルに断熱効果を与えるように成されたものが開示されている。また同公報には他の手段として、支持テーブルを構成する石英ガラス素材に例えば発泡ガラス体のような微小空間を持たせることで、同様に支持テーブルに断熱作用を持たせるように成されたものも開示されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、従来の前者のようなウェハボート支持テーブルにおいては、支持テーブルを構成する各小径体にグラスウールを詰め込む作業が必要となり、特殊な作業である故に作業効率を上げることができず、コストの上昇は免れない。また従来の後者のようなウェハボート支持テーブルにおいては、繰り返し使用している間に発泡ガラス体の微小空間が開孔し、ここに取り込まれていた不純ガスまたは不純物が拡散して炉心管内のクリーン度を低下させてしまうといった技術的課題を有している。
　本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、充分な断熱作用、耐熱性および耐熱衝撃性を有していることは勿論のこと、且つコストの上昇を招くことなく、また炉心管内のクリーン度を低下させる等の課題を引き起こすことのないウェハボート支持テーブルを提供することを目的とするものである。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　前記課題を達成するために成された本発明のウェハボート支持テーブルは、
半導体ウェハ熱処理炉に使用される
接触して
表面粗さＲ
が５〜５０μｍである
　また本発明のウェハボート支持テーブルは、
半導体ウェハ熱処理炉に使用される
表面粗さＲ
が５〜５０μｍである
前記梨地状になされたテーブル上面
　【０００７】
　【作用】
　本発明に係るウェハボート支持テーブルにおいては、積層される複数枚の各板状の基材の一面または両面が梨地状となっているので、例えば梨地状面どおしの接触部において多数の微小空間が形成され良好な断熱効果が得られる。
　しかもテーブル上側部から下側部の方向に基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り返され、このために充分な断熱作用を持たせることができる。
　また本発明に係るウェハボート支持テーブルにおいては、少なくともウェハボ−トを載置する上面が梨地状となっており、
前記梨地状になされたテーブル上面
　【０００８】
　【実施例】
　以下、本発明に係るウェハボート支持テーブルの実施例について、図面を参照して説明する。まず図１は本発明のウェハボート支持テーブルの第１の実施例を断面図によって示したものである。
　図において、ウェハボート支持テーブル１０は板状の基材が複数枚積層され、全体的には円柱状に構成されている。前記各基材は円盤状の頂板１０ａと同一径を有する底板１０ｂ、および頂板１０ａと底板１０ｂとの間に積層された同一径の複数枚の中間板１０ｃにより構成されている。そしてこれら各頂板１０ａ、中置板１０ｃ、底板１０ｂは４本の棒状部材１０ｄによって一体に支持されている。前記各頂板１０ａ、中間板１０ｃ、底板１０ｂおよび棒状部材１０ｄはそれぞれ石英ガラス、ＳｉＣ、Ｓｉ含浸ＳｉＣ等により構成されている。
　【０００９】
　図２はウェハボート支持テーブルの組み立て工程の一例を示したものである。先ず底板１０ｂに予め設けておいた凹部対して４本の棒状部材１０ｄを嵌め込み樹立させる。続いて底板１０ｂに対して嵌め込み樹立された４本の棒状部材１０ｄをガイドとして予め貫通孔を備えた中間板１０ｃを順次重ね合わせる。そして最後に棒状部材１０ｄの頂板１０ａに予め設けておいた凹部を嵌め込むことで支持テーブルが形成される。
　前述した組み立てに際し、底板１０ｂの凹部に対して４本の棒状部材１０ｄを嵌め込む際、材料が石英ガラスの場合は溶接され、またＳｉＣ等の場合には接着剤を併用してもよい。また底板１０ｂに対して中間板１０ｃを順次重ね合わせる場合、さらに最後に頂板１０ａの凹部を棒状部材１０ｄの頂部に嵌め込む場合においても同様に行うことができる。
　【００１０】
　図３の（Ａ）および（Ｂ）はウエハボート支持テーブルの断面を一部拡大して示したものである。まず図３（Ａ）に示すように、互いに積層される中間板１０ｃの表面は平滑面１０ｃ１に成されており、またその裏面は梨地状の加工が施され、梨地面１０ｃ２に成されている。中間板１０ｃの裏面に施される梨地状の加工はサンドブラスト手段により成される。要するにこの図３（Ａ）に示すものは、基材の一面のみに梨地状の加工が施されている例を示している。
　この梨地状の加工によって得られる梨地面１０ｃ２の好ましい表面粗さは、ＪＩＳ、Ｂ０６０１−１９７６のＲｍａｘで５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍである。５μｍ未満では赤外線透過率が７０％以上となり、好ましくはない。赤外線透過率を５０％未満とするためには、表面粗さＲｍａｘを５μｍ以上する必要がある。また、表面粗さＲｍａｘが５０μｍを越えると上記多数の微小空間が開放的となり、断熱効果が得られなくなる。
　また図３（Ｂ）に示す例は、互いに積層される中間板１０ｃの表面および裏面の両面に梨地状の加工が施された例を示している。すなわち、中間板１０ｃの表面には梨地面１０ｃ３が施され、また中間板１０ｃの裏面には梨地面１０ｃ２が施されている。この中間板１０ｃの表裏両面に設けられる梨地面１０ｃ３、１０ｃ２は前記図３（Ａ）の場合と同様にそれぞれサンドブラスト手段により形成される。
　この梨地状の加工によって得られる梨地面１０ｃ２の好ましい表面粗さは、ＪＩＳ、Ｂ０６０１−１９７６のＲｍａｘで５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍである。５μｍ未満では赤外線透過率が７０％以上となり、好ましくはない。赤外線透過率を５０％未満とするためには、表面粗さＲｍａｘを５μｍ以上する必要がある。また、表面粗さＲｍａｘが５０μｍを越えると上記多数の微小空間が開放的となり、断熱効果が得られなくなる。
　この様にして形成されたウェハボート支持テーブル１０は、前述した図６に示すように、その上側面にウェハボート３が載置固定され、またその下側面は昇降装置４に連結された駆動部材５に固定される。従ってウェハボート支持テーブル１０の上側面は、半導体ウェハの熱処理工程において熱処理用炉心管８内からの赤外線輻射を受け、１０００℃以上の高温に晒されることになる。
　しかしながら支持テーブル１０は、複数枚の各板状の基材の一面または両面に梨地状の加工が施されているので、この梨地状加工部分で赤外線の透過が遮蔽される。しかもテーブル上側部から下側部の方向に基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り返され、このために充分な断熱作用を持たせることができ、炉心管８内の均一保温と共に、駆動部材５等対して有害な熱の伝達が阻止される。
　【００１１】
　図４はウェハボート支持テーブルの組み立て工程の他の例を示したものである。この例においては、先ず底板１０ｂに予め設けておいた凹部対して４本の棒状部材１０ｄが嵌め込み樹立される。そして底板１０ｂに対して樹立された棒状部材１０ｄの各頂部に頂板１０ａに予め設けておいた凹部を嵌め込むことで、底板１０ｂ、４本の棒状部材１０ｄ、頂板１０ａから成る組み立て体が完成する。
　一方、中間板１０ｃには棒状部材１０ｄの配置間隔に一致した間隔を有する２本のスリット１１が平行に設けられている。従って中間板１０ｃにおける２本のスリット１１の解放部を各棒状部材１０ｄに向けて水平方向に移動させることで、頂板１０ａと底板１０ｂとの間に中間板１０ｃを挿入配置させることができる。この様にして複数枚の中間板１０ｃを順次頂板１０ａと底板１０ｂとの間に挿入配置させることで、図１に示したものと同様の全体として円柱状のウェハボート支持テーブルを組み立てることができる。
　なお、この場合、底板１０ｂ、４本の棒状部材１０ｄ、頂板１０ａから成る組み立て体に対して、中間板１０ｃは４方向から水平に挿入することができる。従って順次挿入方向を変えて積層させることによって、放熱方向をランダムにさせることが可能であり、また熱応力を緩和させることができ、この例においては最も好ましい。
　【００１２】
　図５は本発明のウェハボート支持テーブルの第２の実施例を一部を拡大した断面図で示したものである。この図５に示した支持テーブル１０は、テーブル上面が、梨地状となっており、
前記梨地状になされたテーブル上面
　この鏡面板１２は例えばシリコン単結晶半導体ウエハをミラ−研磨したもので形成される。通常鏡面研磨したミラ−面の表面粗さは非接触表面粗さ計での測定では、Ｒａ（Ｒｍｓ）＝３〜５Å、Ｒｍａｘ（Ｒｐｕ）＝１０〜１５Åとなっている。
　本発明では少なくとも表面粗さがＲａ＝０．０１μｍ以下、かつＲｍａｘ＝０．０５μｍ以下となっていれば良い。また、鏡面板１２は少なくとも配置される上面側が鏡面研磨されていれば良い。
　この図５に示した例によると、テーブル上面に鏡面板１２の上面が鏡面研磨されているため、先ず炉心管内の輻射赤外線の大部分はこの鏡面板１２によって炉心管内に反射され、テーブル側に伝達される熱量を極めて少なくさせることが可能になる。またテーブル側に伝達された輻射赤外線は上記鏡面板１２とテ−ブルの上面の梨地面１０ｃ２の間に介在する多少の微小空間により効果的に遮断されることになり、断熱効果を上げることができる。
　尚、上記第１実施例と第２実施例はこれらを組み合わせることにより、一層の相乗効果をうることができる。またこの場合には第２実施例の鏡面板の配置に換えて、テ−ブルの上面を平滑面とし、この表面に鏡面層をＳｉの蒸着またはスパッタリング等の方法により形成してもよい。
　【００１３】
　【発明の効果】
　本発明のウェハボート支持テーブルは、板状の基材を複数枚積層し、且つ各板状の基材の一面または両面に梨地状の加工を施したため、この梨地状加工部分が炉心管側から輻射される赤外線の透過を効果的に阻止し、支持テーブル上側部の近辺で赤外線が吸収されて発熱する。しかもテーブル上側部から下側部の方向に基材が積層されているので各基材毎にその作用が繰り返され、このために充分な断熱作用を持たせることができ、炉心管内の均一保温と共に、駆動部材等対して有害な熱の伝達が阻止される。
　【００１４】
　また本発明のウェハボート支持テーブルは、少なくともウェハボ−トを載置する上面が梨地状となっており、
前記梨地状になされたテーブル上面
　以上のように本発明のウェハボート支持テーブルによると、充分な断熱作用、耐熱性および耐熱衝撃性を有していることは勿論のこと、また前記した従来のもののようにコストの上昇を招くことなく、さらに炉心管内のクリーン度を低下させる等の問題を引き起こすことのない商品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のウェハボート支持テーブルの第１の実施例を示した断面図
　【図２】
　図１に示すウェハボート支持テーブルの組み立て工程の例を示した斜視図。
　【図３】
　図１に示すウェハボート支持テーブルの一部拡大断面図
　【図４】
　図１に示すウェハボート支持テーブルの組み立て工程の他の例を示した斜視図
　【図５】
　本発明のウェハボート支持テーブルの第２の実施例を示した一部拡大断面図。
　【図６】
　従来の縦型拡散炉の一例を示した断面図。
　【符号の説明】
　１０　　　　　ウェハボート支持テーブル
　１０ａ　　　　板状基材（頂板）
　１０ｂ　　　　板状基材（底板）
　１０ｃ　　　　板状基材（中間板）
　１０ｄ　　　　棒状部材
　１０ｃ１　　　　平滑面
　１０ｃ２　　　　梨地面
　１０ｃ３　　　　梨地面
　１１　　　　　　スリット
　１２　　　　　　鏡面板