【事件の表示】
　特許第３０３４１３９号「アモルファスシリコン感光体及び薄膜形成装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０３４１３９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３０３４１３９号の請求項１〜３に係る発明は、平成４年１１月３０日に出願され、平成１２年２月１８日にその特許の設定の登録がなされ、その後、東谷　満より特許異議申立がなされ、取消理由通知がなされその指定期間内である平成１３年４月３日に訂正請求がなされたものである。　
２．訂正の適否について　
　2.1　訂正の内容　
　上記訂正請求による訂正の内容は次のとおりである。　
　Ａ．特許請求の範囲　
「【請求項１】 外周面にアモルファスシリコン層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしたことを特徴とするアモルファスシリコン感光体。　
【請求項２】 アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、プラズマ発生手段と、被成膜用円筒体とを設置するとともに、該円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面を有し且つ外径が２０乃至６０ｍｍであるダミー用円筒体を配置したことを特徴とする薄膜形成装置。　
【請求項３】 アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備えたプラズマ発生手段とを設置するとともに、該電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とする薄膜形成装置。」を　
「【請求項１】ダミー用円筒体を用いたグロー放電によって外周面にアモルファスシリコン層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とするアモルファスシリコン感光体。　
【請求項２】 アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、グロー放電用電極板と、この電極板との対向電極との間に高周波電力の印加とガス流を設けることで放電を発生させるプラズマ発生手段と、被成膜用円筒体とを設置するとともに、該円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面を有し且つ外径が２０乃至６０ｍｍであるダミー用円筒体を配置したことを特徴とする薄膜形成装置。　
【請求項３】 アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備え、この円筒状電極体の周囲に等距離且つ同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べることで、これら電極体と円筒体の間に高周波電力を印加とガス流を成して放電を発生せしめるプラズマ発生手段とを設置するとともに、該電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とする薄膜形成装置。」　
　と訂正する。　
　Ｂ−１ 明細書第4頁段落【０００９】の「外周面」を「ダミー用円筒体を用いたグロー放電によって外周面」と訂正する。　
　Ｂ−２　明細書第4頁段落【０００９】の「Ｒ面」を「半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面」と訂正する。　
　Ｂ−３　明細書第4頁段落【００１０】の「プラズマ発生手段」を「グロー放電用電極板と、この電極板との対向電極との間に高周波電力の印加とガス流を設けることで放電を発生させるプラズマ発生手段」と訂正する。　
　Ｂ−４ 明細書第4頁段落【００１１】の「備えたプラズマ発生手段」を「備え、この円筒状電極体の周囲に等距離且つ同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べることで、これら電極体と円筒体の間に高周波電力を印加とガス流を成して放電を発生せしめるプラズマ発生手段」と訂正する。　
　2.2訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否　
　上記訂正Ａは、特許請求の範囲に記載の「被成膜用円筒体」、「Ｒ面」、及び「プラズマ発生手段」を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当し、特許明細書中の段落【００１５】〜【００２０】、【００２３】に記載の事項に基づくものであるから願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、且つ、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。　
上記訂正事項Ｂ−１〜Ｂ−４は、いずれも特許請求の範囲の記載にあわせて明細書の該当箇所を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。　
　2.3　むすび　
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下、「平成６年改正法という。」）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　
３．訂正後の発明　
　訂正後の発明は、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された次のとおりのものである。　
　「【請求項１】ダミー用円筒体を用いたグロー放電によって外周面にアモルファスシリコン層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とするアモルファスシリコン感光体。（以下、「本件発明１」と言う。）　
【請求項２】 アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、グロー放電用電極板と、この電極板との対向電極との間に高周波電力の印加とガス流を設けることで放電を発生させるプラズマ発生手段と、被成膜用円筒体とを設置するとともに、該円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面を有し且つ外径が２０乃至６０ｍｍであるダミー用円筒体を配置したことを特徴とする薄膜形成装置。（以下、「本件発明２」と言う。）　
【請求項３】 アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備え、この円筒状電極体の周囲に等距離且つ同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べることで、これら電極体と円筒体の間に高周波電力の印加とガス流を成して放電を発生せしめるプラズマ発生手段とを設置するとともに、該電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とする薄膜形成装置。」（以下、「本件発明３」と言う。）　
４．　取消理由　
　4.1　取消理由の趣旨
　取消理由の趣旨は、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、下記の刊行物１〜３に記載された発明であるか、又は、下記の刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定により特許することはできない発明に対して特許されたものである、また、本件特許明細書の記載は、特許法第３６条第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない、というものである。　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記　
　刊行物１：実願昭５９−２０００８号（実開昭６０−１３３４７８号のマイクロフィルム）　
　　（異議申立人の提出した甲第１号証）　
 刊行物２：実願昭６０−１６３１８３号（実開昭６２−７１６３４号のマイクロフィルム）　
　　（同甲第２号証）　
　刊行物３：欧州特許出願公開第０４８２９０３　Ａ２号明細書　
　　（同甲第３号証）　
　刊行物４：実願平２−４０５５５９号（実開平４−９２５５号のＣＤ−ＲＯ Ｍ）　
　　（同甲第４号証）　
　刊行物５：実願昭６０−１８１３２７号（実開昭６２−８９６５３号のマイクロフィルム）　
　　（同甲第５号証）
　刊行物６：特開昭６３−９１６６４号公報　
　　（同甲第６号証）　
　刊行物７：特開昭５８−１４７０２６号公報　
　　（同行第７号証）　
　4.2　刊行物の記載　
　刊行物１には、　
　(a)「１．導電性円筒体の外周側面に、グロー放電によってアモルファスシリコンがコーティングされてなる感光体ドラムにおいて、　
　前記導電性円筒体の周側面と端面との間に、径大部が前記周側面と、径小部が前記端面に夫々接続される第３の環状面が形成されていることを特徴とする感光体ドラム。　
　２．第３の環状面は、断面方向の半径が０．５mm以上の円弧状を呈する実用新案登録請求の範囲第１項に記載の感光体ドラム。」（実用新案出願登録請求の範囲）、　
　(b)「前記円筒体(1)の端縁部(2)が鋭利となって、グロー放電によりアモルファスシリコンをコーティングする際に、この端縁部(2)に電界が集中する。すると、放電ムラが生じて、この部分(2)のアモルファスシリコンの組織が歪み、剥離しやすくなって感光体ドラムの寿命が短かくなると言う欠点を有することになる」（第２頁第３〜９行）、　
　(c)「第３図は本考案の第２の実施例を示す縦断面図である。この図において、前記と同様な円筒体(1)の端縁部には、断面方向の半径が１mmの円弧状を呈する環状面(5)が形成されている。　
　なお、前記断面方向の半径は大であればある程良いが、０．５mm以上であれば実用に供し得る。　前記のように円筒体(1)の端縁部に鋭利な部分が存在しないと、その部分には電界が集中せず、アモルファスシリコンの組織が歪むことはない。」（第３頁第１１〜１９行）と記載され、　
　刊行物１に記載の「導電性円筒体」、「第３の環状面は断面方向の半径が円弧状を呈する」は、本件発明の「被成膜用円筒体」、「周面端部をＲ面としたこと」にそれぞれ相当する。　
　刊行物２には、　
　(d)「１）導電性支持体と該支持体上その端部にいたるまでの全面にわたつて設けられた非晶質シリコンを母材とする感光層とからなる電子写真用感光体において、前記支持体の端部が曲面状に面取りされていることを特徴とする電子写真用感光体。」（実用新案登録請求の範囲）、　
　(e)「〔考案の目的〕　
　本考案は、上述の危険性を除去し、支持体の端部までａ−Ｓｉ感光層が形成されており、しかも、支持体からａ−Ｓｉ感光層が剥離しにくい電子写真用感光体を提供することを目的とする。」（第頁第１１〜１５行）、　
　(f)「支持体１として端部の面取りをそれぞれＲ0.3，Ｒ0.5，Ｒ1.0，Ｒ1.5，Ｒ2.0および非円面の曲面としたものを用い、これら各支持体上に、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）ガスを用い、ＲＦグロー放電法によりガス圧0.5Ｔorr，ガス流量100 SCCM，アルミニウム支持体温度250℃，ＲＦ電力200Ｗの条件で膜厚約20μｍのａ−Si膜の感光層２を形成した。これらの実施例の感光体においては感光層２の剥離は生じなかった。」（第５頁第８〜１７行）と記載され、　
　刊行物２に記載の「導電性支持体」、「端部が曲面状に面取りされていること」は、本件発明の「被成膜用円筒体」、「周面端部をＲ面としたこと」にそれぞれ相当する。　
　刊行物３には、　
　(g)アモルファスシリコンが導電性円筒基体上にグロー放電法により形成される電子写真感光体用円筒基体に関し、直径が２cm又は３cmの導電性円筒基体であって光導電層が形成される領域の端部が、必要に応じて面取り加工したり、丸みを付与する加工されていることが記載されている。（Ｃlaim１、第４頁第５０行〜第５頁第１９行、第７頁第２〜８行、第２４〜２９行、及びFIG5.8.1.11.12参照）、　
　刊行物３に記載の「導電性円筒基体」、「端部が面取り加工、丸み付与処理されていること」は、本件発明の「被成膜用円筒体」、「周面端部をＲ面としたこと」にそれぞれ相当する。　
　刊行物４には次の記載がなされている。　
　(h)「【０００４】従来のグロー放電分解装置は図３及び図４に示すように、円筒形状を成す反応室１の中央に支持体７を載置し、その支持体７を取り囲むように円筒形状の外部電極４を配置し、反応室１の壁面には成膜用ガスの導入口２と、反応後のガスを排気すべく不図示の吸気ポンプに配管される排気口５とが設けられている。また、上記外部電極４の周面には多数のガス噴出口３が穿設され、上記支持体７には例えばアルミニウム（以下、アルミニウムをＡｌと略記する。）、ステンレス等の導電性材料から成るダミーリング９ａ及び９ｂが嵌装され、更に支持体７の内部にはヒータ１１が配置される。　
【０００５】上記ダミーリング９ａ及び９ｂを配置することで円筒体６の端部付近で発生する放電むらを防止し、これによって円筒体６の端部付近の外周面上に均質なａ−Si膜を形成する。」（段落【０００４】【０００５】）　
　(i)「上述の被成膜部材である円筒体６は、例えばAl、ステンレス等の導電性材料からなるとともに外径２５〜３００ｍｍ、肉厚１〜１０ｍｍ、長手方向に１５０〜７００ｍｍの寸法を有し、」（段落【００１４】）　
　
　刊行物５にはつぎの記載がなされている。　
　(j)「１）真空槽内に配設され互に平行な軸のまわりに回転可能な複数個の支持体に回転軸と同軸に装着された複数個の円筒状導電性基体を一方の電極とし、その複数個の円筒状導電性基体と所定の間隔をおいて配置された対向電極との間に電圧を印可してグロー放電を発生させ、前記真空槽内に導入される原料ガスを分解させて前記円筒状導電性基体表面上に感光層を形成せしめる電子写真用感光体製造装置において、前記対向電極の前記円筒状導電性基体に対向する表面に着脱可能に複数個の金属部材が取り付けられたことを特徴とする電子写真用感光体製造装置。　
　２）実用新案登録請求の範囲第１項記載の感光体製造装置において、対向電極表面に取り付けられる金属部材の円筒状導電性基体に面する側の端部が曲面状に面取りされていることを特徴とする電子写真用感光体製造装置。」（実用新案登録請求の範囲）　
　(k)「金属部材１０の基体６に対向する面の端部を第３図に示すように曲面状に面取りしておくと、成膜中に発生するおそれのある端部におけるａ−Si膜の剥離を防止することができ、基体への剥離したａ−Si片の飛散をなくして、表面欠陥のないａ−Si膜が得られ有効である。」（第９頁第９〜１４行）　
　
　刊行物６には次の記載がなされている。　
　(l)「ドラム状支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材料を含有した光電導性を有する光受容層とを有する光受容部材であって前記ドラム状支持体の外直径が70mm以下であることを特徴とする光受容部材。」（特許請求の範囲）　
　(m)「本発明の主たる目的は、ドラム状支持体上にa-Si（H,X）で構成される光受容層を備えた光受容部材において、a-Si(H,X)膜の膜はがれを防止し、白抜け等の画像欠陥を生じない高品質な画像を得ることができる電子写真の光受容部材を提供することを目的とする。」（第２頁右上欄第１８行〜左下欄第３行）　
　
　刊行物７には次の記載がなされている。　
　(n)「反応室内に原料ガスを導入し、これをグロー放電により分解させて円筒状試料の外周面に膜を形成する装置において、前記試料の両端に、試料と同一の外径を有する補助管を試料と同軸に、かつ試料に密着させて配置するようにしたことを特徴とするグロー放電による膜形成装置。」（特許請求の範囲）　
　(o)「〔発明の目的〕　
　本発明は、円筒状試料の外周面に対して均一な膜厚の膜を形成させ得るグロー放電による膜形成装置を提供することを目的とする。」（第１頁右下欄第１１〜１４行）　
　4.3　対比判断　
　4.3.1　特許法第２９条第１項第３号違反について　
　4.3.1.1　請求項１に係る発明について　
　刊行物１には、導電性円筒体の外周側面に、グロー放電によってアモルファスシリコンがコーティングされてなる感光体ドラムにおいて、　
　前記導電性円筒体の周側面と端面との間に、径大部が前記周側面と、径小部が前記端面に夫々接続される断面方向の半径が０．５mm以上の円弧状を呈する第３の環状面が形成されている感光体ドラムに関し記載され、該環状面が存在することによって、端部にコーティングされるアモルファスシリコンの組織が歪み、剥離しやすくなる欠点を防止するものである。　そこで、本件発明１と刊行物１に記載の発明を対比すると、「グロー放電によって外周面にアモルファスシリコン層が形成された被成膜用円筒体の周面端部を半径０．５乃至１．０ｍｍのＲ面にしたアモルファスシリコン感光体。」である点で一致するが、次の点で相違する。　
　(1)本件発明１が「ダミー用円筒体を用いる」のに対し、刊行物１にはこの点についての記載はない。　
　(2)本件発明１が「被成膜用円筒体の外径を２０乃至６０ｍｍ」とするのに対し、刊行物１は該円筒体の外径を特定するものではなく、外径が８０ｍｍの円筒体を使用した感光体の実施例が一例記載されている点。　
　そして、本件発明１は、上記相違点に係る構成要件を備えることにより他の構成要件と相俟って膜剥離がなく、感光体の浸漬試験が良好であり、また、画像黒点の少ない画像が形成できるという明細書記載の効果が奏されるものであるから（実施例及び表１参照）、上記相違点は意味のあるものであり、本件発明１が刊行物１に記載されていた発明であるとすることはできない。　
　（刊行物２について）　
　刊行物２には、導電性支持体と該支持体上の端部に至るまでの全面にわたってグロー放電法によって設けられた非晶質シリコンを母材とする感光層からなる電子写真用感光体において、前記支持体の端部がＲ0.3乃至2.0に曲面状に面取りされている電子写真用感光体が記載されている。　
　　そこで、本件発明１と刊行物２に記載の発明とを対比すると、両者は、「グロー放電によって外周面にアモルファスシリコン層が形成された被成膜用円筒体の周面端部を半径０．５乃至１．０ｍｍのＲ面にしたアモルファスシリコン感光体。」である点で一致し、次の点で相違する。　
　(1)本件発明１が「ダミー用円筒体を用いる」のに対し、刊行物２にはこの点についての記載はない。　
　(2)本件発明１が「被成膜用円筒体の外径を２０乃至６０ｍｍ」とするのに対し、刊行物２には外径についての記載はない。　
　そして、本件発明１は、上記相違点に係る構成要件を備えることにより他の構成要件と相俟って膜剥離がなく、感光体の浸漬試験が良好であり、また、画像黒点の少ない画像が形成できるという明細書記載の効果が奏されるものであるから（実施例及び表１参照）、上記相違点は意味のあるものであり、本件発明１が刊行物２に記載されていた発明であるとすることはできない。　
　（刊行物３について）　
　刊行物３には、電子写真用感光体用円筒基体に関し、直径が２cm又は３cmの導電性円筒基体であって、光導電性が形成される領域の端部が面取り加工、丸み付与処理がなされていること、アモルファスシリコンが導電性円筒基体上にグロー放電法により形成されることが記載されている。　
　　そこで、本件発明１と刊行物３に記載の発明とを対比すると両者は、「グロー放電によって外周面にアモルファスシリコン層が形成された直径が２cm又は３cmの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしたアモルファスシリコン感光体。」である点で一致し、次の点で相違する。　
　(1)本件発明１が「ダミー用円筒体を用いる」のに対し、刊行物３にはこの点についての記載はない。　
　(2)本件発明１が「外周面にアモルファスシリコン層が形成された被成膜用円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面にした」のに対し、刊行物３には、該周面端部に「面取り加工、丸み付与処理」を施したと記載されている点。
　そして、本件発明１は、上記相違点に係る構成要件を備えることにより、膜剥離がなく、感光体の浸漬試験が良好であり、また、画像黒点の少ない画像が形成できるという明細書記載の効果が奏されるものであるから（実施例及び表１参照）、本件発明１が刊行物３に記載されていた発明であるとすることはできない。　
　4.3.1.2　請求項２に係る発明について　
　刊行物１〜３の記載のいずれにも、本件発明２に係る構成要件である「アモルファスシリコン層が形成される被成膜用円筒体の端部にダミー用円筒体を配置すること」及び「円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面を有し且つ外径が２０乃至６０ｍｍであるダミー用円筒体を配置した」ことについて記載されていない点で、本件発明２は刊行物１〜３とはそれぞれ相違している。　
　そして、本件発明２は、上記相違点に係る構成要件を備えることにより他の構成要件と相俟って膜剥離がなく、感光体の浸漬試験が良好であり、また、画像黒点の少ない画像が形成できるという明細書記載の効果が奏されるものであるから（実施例、表１、段落【００２０】【００２３】参照）、上記相違点は意味のあるものであり、本件発明２が刊行物１〜３に記載された発明であるとすることはできない。　　
　4.3.1.3　請求項３に係る発明について　
　刊行物１〜３の記載のいずれにも、本件発明３に係る構成要件である「反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備え、この円筒状電極体の周囲に等距離且つ同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べる」及び「該電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にした」ことについて記載されていない点で、本件発明３とはそれぞれ相違している。　
　そして、本件発明３は、上記相違点に係る構成要件を備えることにより他の構成要件と相俟って膜剥離がなく、感光体の浸漬試験が良好であり、また、画像黒点の少ない画像が形成できるという明細書記載の効果が奏されるものであるから（実施例及び表２参照）、上記相違点は意味のあるものであり、本件発明３が刊行物１〜３に記載されていた発明であるとすることはできない。　
　4.3.2　特許法第２９条第２項違反について　
　本件発明１〜３は、剥離が生じなくなったａ−Ｓｉ感光体、並びに成膜時にそれらの円筒体の周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥がれなくなったａ−Ｓｉ用薄膜形成装置を提供することを目的とし、成膜後の端部の剥離状態が無く、感光体を水に浸漬したときに各端部の剥離が無く、感光体により得た画像において径０．１ｍｍ以上の黒点の発生が少ない効果が得られるものである。（段落【０００８】、実施例、【表１】、【表２】参照）　
　4.3.2.1　請求項１に係る発明について　
　前項4.3.1で検討したように、本件発明１と刊行物１に記載の発明を対比すると、「グロー放電によって外周面にアモルファスシリコン層が形成された被成膜用円筒体の周面端部を半径０．５乃至１．０ｍｍのＲ面にしたアモルファスシリコン感光体。」とする点で一致するが、次の点で相違する。　
　(1)本件発明１が「ダミー用円筒体を用いる」のに対し、刊行物１にはこの点についての記載はない。　
　(2)本件発明１が「被成膜用円筒体の外径を２０乃至６０ｍｍ」とするのに対し、刊行物１は該円筒体の外径を特定するものではなく、外径が８０ｍｍの円筒体を使用した実施例が一例記載されている点。　
　そこで上記相違点について刊行物２〜７を検討する。　
　刊行物２には、導電性支持体と該支持体上の端部に至るまでの全面にわたってグロー放電法によって設けられたアモルファスシリコンを母材とする感光層からなる電子写真用感光体において、前記支持体の端部がＲ0.3乃至2.0に曲面状に面取りすることによりアモルファスシリコン層の剥離を防止することが記載されているが、上記相違点(1)及び(2)に係る本件発明１の構成要件についての記載はない。　
　刊行物３には、電子写真感光体用円筒基体に関し、直径が２cm又は３cmの導電性円筒基体であって光導電性が形成される領域の端部が、面取り加工、丸み付与処理されていること、アモルファスシリコンが導電性円筒基体上にグロー放電法により形成されることが記載されているが、上記相違点(1)については記載されていない。　
　そして、本件発明１と刊行物３に記載の事項とは、「被成膜用円筒体の外径」が直径２又は３ｃｍである点において一致するものであるが、刊行物３には、該円筒体の外径を特定したことについての意義はなんら示されていないので、刊行物３に記載の該円筒体を刊行物１に記載の発明に適用するにしても本件発明１の奏する上記効果を予測することはできない。
　刊行物４には、外径２５〜３００ｍｍの成膜用円筒体とダミーリングとを使用したグロー放電により形成されるアモルファスシリコン感光体に関し、上記相違点(1)に係る本件発明１の構成要件を記載する。　
　そして、刊行物４には「被成膜用円筒体」の外径が２５〜３００ｍｍと記載され、本件発明１の該円筒体の外径を包含するものではあるが、その外径は本件発明１のものと比較して広範囲のものであり、しかも、外径を特定したことについての意義を記載するところはないのであるから、刊行物４に記載の「被成膜用円筒体の外径」をさらに、２０乃至６０ｍｍと特定することにより本件発明１の奏する上記効果を予測することはできない。　
　刊行物５には、対向電極表面に取り付けられる金属部材の円筒状導電性基体に面する側の端部が曲面状に面取りされていることが記載されているが、上記相違点(1)(2)に係る本件発明１の構成要件を示唆する記載はない。　
　刊行物６には、ドラム状支持体（被成膜用円筒体）上にアモルファスシリコンを有する光受容部材において、ドラム状支持体の外直径を７０ｍｍ以下とすることにより膜はがれ等が防止ができることが記載され、上記相違点（２）に係る本件発明１の構成要件を示唆するものであるが、「被成膜用円筒体の周面端部を半径０．５乃至１．０ｍｍのＲ面にした」こととの組合せに基づいて「膜剥がれ防止」以外に、上記本件発明１に特有の効果が奏されることを予測させるものはない。　
　また、上記相違点(1)に係る本件発明１の構成要件について記載されていない。　
　刊行物７には、グロー放電法によりアモルファスシリコン膜を成膜するに当たり、ダミーリングを使用することにより、該周面に均一な膜を生成することができる旨記載されていて、上記相違点(１)に係る本件発明の構成要件については示唆されている。　
　しかし、上記相違点(2)に係る本件発明の構成要件については記載されていない。　
　したがって、甲第２〜７号証には上記相違点に係る(1)及び(2)に係る本件発明１の構成要件については個々に記載又は示唆されてはいるものの、それらの要件を刊行物１に記載の発明と組合せることを示唆するものはないし、さらに、それにより本件発明１の上記効果が奏されることを予測させるものはないので、本件発明１が刊行物１〜７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　4.3.2.2　請求項２に係る発明について　
　刊行物４には、円筒形状を成す反応室の中央に支持体を載置し、その支持体を取り囲むように円筒形状の外部電極を配置し、反応室の壁面には成膜用ガスの導入口と、反応後のガスを排出すべく吸気ポンプに配管される排気口とが設けられ、上記外部電極４の周囲には多数のガス噴出口が設され、上記支持体７には、端部にダミーリングが嵌装された外径２５〜３００ｍｍの被成膜用円筒体が配置されたグロー放電分解装置が記載されている。　
　そして、この装置は、上記ダミーリングを嵌装することで円筒体の端部付近で発生する放電むらを防止し、これによって円筒体６の願部付近の外周面上に均質なａ−Si膜を形成することを目的とするものである。　
　本件発明２と刊行物４に記載の発明とを対比すると、「アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、グロー放電用電極板と、この電極板との対向電極との間に高周波電力の印加とガス流を設けることで放電を発生させるプラズマ発生手段と、被成膜用円筒体とを設置するとともに、該円筒体の端部に、ダミー用円筒体を配置した薄膜形成装置。」で両者は一致し、次の点で相違する。　
　(1)本件発明２は、ダミー用円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面を有するが、刊行物４にはこの点についての記載はない。　
　(2)本件発明が、ダミー用円筒体の外径が２０乃至６０ｍｍであるのに対し、刊行物４にはこの点に関しての記載はない。　
　そこで、相違点について検討する。　
　刊行物１，２，３には、被成膜円筒体の周面端部を実質的にＲ面とすることが記載されているが、ダミー用円筒体に関するものではない。　
　刊行物５には、対向電極に取り付けられる金属部材の円筒状導電性基体に面する側の端部が曲面状に面取りされている感光体の製造装置が記載されているが、ダミー用円筒体に関するものではない。　
　刊行物６に、ダミー用円筒体についての記載はない。　
　刊行物７には、円筒状試料の両端に、試料と同一外径を有する補助管を試料と同軸にかつ試料に密着させて配置するグロー放電による膜形成装置であり、該補助管は「ダミー用円筒体」に相当するから、ダミー用円筒体を使用するものである。　
　しかし、該補助管の周面端部及び外径について記載するところはないので、上記相違点(1)(2)に係る本件発明２の構成要件について記載されてはいない。　
　したがって、刊行物１〜７には、上記相違点(1)及び(２)に係る本件発明２の構成要件について記載又は示唆するところはなく、また、本件発明２の上記効果を予測させるものはないので、本件発明２が刊行物１乃至７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　
　4.3.2.3 　請求項３に係る発明について　
　刊行物５には、真空槽内に配設された複数の円筒状導電性基体を一方の電極と対向電極との間に電圧を印可してグロー放電を発生させ、前記真空槽内に導入される原料ガスを分解させて前記円筒状導電性基体表面上に感光層を形成せしめる電子写真感光体製造装置において、複数個の円筒状導電性基体に面する側の端部が曲面状に面取りされている金属部材が前記対向電極の前記円筒状導電性基体に対向する表面に着脱可能に取り付けられた電子写真用感光体製造装置が記載され、金属部材の基体に対向する面の端部を曲面状に面取りしておくことにより、成膜中に発生するおそれのある端部におけるａ−Si膜の剥離を防止するものである。　
　本件発明３と刊行物５に記載の発明とを対比すると、
「アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、複数の被成膜用円筒体と、円筒状電極体を備え、これら電極体と円筒体の間に高周波電力を印加とガス流を成して放電を発生せしめるプラズマ発生手段とを設置した薄膜形成装置。」で一致するが、次の点で相違する。　
　(1)本件発明３が「外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極」を備えるのに対し、刊行物５には電極の外径が記載されていない。　
　(2)本件発明３が「円筒状電極体の周囲に同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べる」のに対し、刊行物１には、「円筒状電極体の内部に複数の被成膜用円筒体を並べる」と記載されている。　
　(3)本件発明３が「円筒状電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にした」のに対し、刊行物５にはこの点についての記載はない。　
　相違点について検討する。　
　刊行物４，６，７は、被成膜用円筒体の該周面に亘ってアモルファスシリコン感光層を成膜するグロー放電分解装置に関するものであるが、上記相違点(1),(2）及び(3)に係る本件発明３の構成要件について記載又は示唆するところはない。　
　また、刊行物１〜３には、「被成膜用円筒体」に関する事項が記載されているが、上記相違点(1),(2）及び(3)に係る本件発明３の構成要件について記載又は示唆するところはない。　
　したがって、刊行物１〜７には、上記相違点(1),(2)及び(3)に係る本件発明３の構成要件について記載又は示唆するところはなく、また、本件発明３の上記効果を予測させるものはないので、本件発明３が刊行物１乃至７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　4.4　特許法第３６条第５及び６項違反について　
　本件請求項２及び３に記載の、「プラズマ発生手段」が何から構成され、薄膜形成装置においてどのように配置されているのか不明であるので、特許法第３６条第５及び６項に違反する旨の取消理由は、上記訂正請求によりにより解消された。　
５．申立理由についての当審の判断　
　5.1　異議申立の理由の概要　
　申立人　東谷　満は、甲第１〜７号証（上記刊行物１〜７にそれぞれ対応する）を提出し、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明であり、請求項１〜３に係る発明は甲第１〜７号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反して特許されたものであり、　
　また、請求項２及び３の記載は、特許法第３６条第５項及び６項の規定に違反する旨主張する。
　5.2　当審の判断　
　本件特許異議申立の理由及び証拠については上記取消理由の項ですでに検討したので、同項に記載の理由と同じ理由で請求項１が甲第１乃至３号証に記載の発明であるとも、請求項１乃至３に係る発明が甲第１乃至７号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものともすることはできない。　
６．まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めない。　
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により上記の通り決定する。　
【異議決定日】
平成１３年６月８日（２００１．６．８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３０３４１３９号の明細書を次のとおり訂正する。
Ａ．特許請求の範囲の「【請求項１】　外周面にアモルファスシリコン層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしたことを特徴とするアモルファスシリコン感光体。
　【請求項２】　アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、プラズマ発生手段と、被成膜用円筒体とを設置するとともに、該円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面を有し且つ外径が２０乃至６０ｍｍであるダミー用円筒体を配置したことを特徴とする薄膜形成装置。
　【請求項３】　アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備えたプラズマ発生手段とを設置するとともに、該電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とする薄膜形成装置。」を特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】　ダミー用円筒体を用いたグロー放電によって外周面にアモルファスシリコン層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とするアモルファスシリコン感光体。
　【請求項２】　アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、グロー放電用電極板と、この電極板との対向電極との間に高周波電力の印加とガス流を設けることで放電を発生させるプラズマ発生手段と、被成膜用円筒体とを設置するとともに、該円筒体の端部に、周面端部が半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面を有し且つ外径が２０乃至６０ｍｍであるダミー用円筒体を配置したことを特徴とする薄膜形成装置。
　【請求項３】　アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備え、この円筒状電極体の周囲に等距離且つ同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べることで、これら電極体と円筒体の間に高周波電力を印加とガス流を成して放電を発生せしめるプラズマ発生手段とを設置するとともに、該電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことを特徴とする薄膜形成装置。」
　と訂正する。
　Ｂ−１　明細書第４頁段落【０００９】の「外周面」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として「ダミー用円筒体を用いたグロー放電によって外周面」と訂正する。
　Ｂ−２　明細書第４頁段落【０００９】の「Ｒ面」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として「半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面」と訂正する。
　Ｂ−３　明細書第４頁段落【００１０】の「プラズマ発生手段」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として「グロー放電用電極板と、この電極板との対向電極との間に高周波電力の印加とガス流を設けることで放電を発生させるプラズマ発生手段」と訂正する。
　Ｂ−４　明細書第４頁段落【００１１】の「備えたプラズマ発生手段」を特許請求の範囲の減縮に伴う不明瞭な記載の釈明を目的として「備え、この円筒状電極体の周囲に等距離且つ同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べることで、これら電極体と円筒体の間に高周波電力を印加とガス流を成して放電を発生せしめるプラズマ発生手段」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
アモルファスシリコン感光体及び薄膜形成装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
ダミー用円筒体を用いたグロー放電によって
半径０．２乃至１．０ｍｍの
　【請求項２】アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、
グロー放電用電極板と、この電極板との対向電極との間に高周波電力の印加とガス流々設けることで放電を発生させる
　【請求項３】アモルファスシリコン成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備え
、この円筒状電極体の周囲に等距離且つ同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べることで、これら電極体と円筒体の間に高周波電力の印加とガス流を成して放電を発生せしめる
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
本発明はアモルファスシリコン感光体、並びにプラズマＣＶＤによりアモルファスシリコン層などを生成する薄膜形成装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来技術並びにその課題】
アモルファスシリコン層（以下、アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）から成る電子写真用感光体が市場にでているが、その感光体を製造するためにはプラズマＣＶＤを利用したグロー放電分解装置等の薄膜形成装置が用いられる。このグロー放電分解装置によれば、成膜用ガスが導入される反応室内部に、円筒状基板を配置し、グロー放電のプラズマによって基板外周面に成膜するようにしたものである。
　【０００３】
このグロー放電分解装置によれば、円筒形状の金属製反応炉の内部に、被成膜用円筒体、その内部に設けた基板加熱用ヒーター、グロー放電用電極板が設置され、更に被成膜用円筒体の端にダミー用の円筒体を設置して、その被成膜用円筒体を支持するとともに、その周面の成膜形成を良好にしている。そして、ａ−Ｓｉ生成用ガスを反応炉内部へ導入するとともに、被成膜面へ噴出し、更にヒーターによって基板を所要の温度に設定するとともに、電極板によりグロー放電を発生させ、更に被成膜用円筒体を回転させることによって、その周面にａ−Ｓｉ膜に成膜させる。
　【０００４】
しかしながら、上記グロー放電分解装置を用いると、被成膜用円筒体の周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離し易くなっており、特に成膜時には剥離片が飛散し、それが成膜中に入り、膜欠陥が発生するという問題点があった。
　【０００５】
このような問題点は、上記ダミー用円筒体の周面端部についても、同様な問題点であった。また、上記グロー放電用電極板が円筒体であれば、同様にその周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離するという問題点であった。
　【０００６】
また、上記グロー放電分解装置を用いて製作したａ−Ｓｉ感光体であり、これが製品化された後であっても、その円筒体周面端部のａ−Ｓｉ膜は、その膜の弱い密着力によって、使用中に膜剥がれが生じるという問題点があった。
　【０００７】
本発明者は上記事情に鑑みて、鋭意研究を重ねた結果、いずれの円筒体であっても、その周面端部の形状が問題解決に大きく影響を及ぼすことを知見した。
　【０００８】
したがって、本発明は上記知見により完成したものであり、その目的は膜剥がれが生じなくなったａ−Ｓｉ感光体、並びに成膜時にそれらの円筒体の周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥がれなくなったａ−Ｓｉ用薄膜形成装置を提供することにある。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
請求項１のａ−Ｓｉ感光体は、
ダミー用円筒体を用いたグロー放電によって
半径０．２乃至１．０ｍｍの
　【００１０】
請求項２の薄膜形成装置においては、ａ−Ｓｉ成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、
グロー放電用電極板と、この電極板との対向電極との間に高周波電力の印加とガス流を設けることで放電を発生させる
　【００１１】
請求項３の薄膜形成装置においては、ａ−Ｓｉ成膜用ガスが導入される反応容器の内部に、被成膜用円筒体と、外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体を備え
、この円筒状電極体の周囲に等距離且つ同心円状に複数の被成膜用円筒体を並べることで、これら電極体と円筒体の間に高周波電力の印加とガス流を成して放電を発生せしめる
　【００１２】
　【作用】
上記構成のａ−Ｓｉ感光体によれば、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしており、これにより、その成膜された製品においては、その周面端部に形成されたａ−Ｓｉ層が剥離することがなくなる。
　【００１３】
また、上記構成の薄膜形成装置によれば、外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体もしくはダミー用円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面にしたことにより、その端部の膜に加わるストレスが著しく小さくなり、これにより、その周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、膜欠陥が発生しなくなる。同様に外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことによっても、その周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、膜欠陥が発生しなくなる。
　【００１４】
　【実施例】
図１は本発明のａ−Ｓｉ用薄膜形成装置であって、同時に複数個のａ−Ｓｉ感光体が製作できるグロー放電分解装置１の平面概略図であり、図２はその部分縦断面概略図である。
　【００１５】
このグロー放電分解装置１によれば、２は円筒形状の反応容器、２ａはその上体、２ｂはその周壁、２ｃはその底体であり、３は反応容器２の中心に設けた円筒形状のアルミニウム製グロー放電用電極板（外径２００ｍｍ、長さ４００ｍｍ）であり、この電極板３の周囲には等距離且つ同心円状に複数個のアルミニウム製被成膜用円筒状基板４（外径３０ｍｍ、長さ２５４ｍｍ）が並べられている。更に、その外側にガス噴出孔を多く設けた４本のガス噴出筒５が等距離且つ同心円状に並べられ、また、グロー放電用電極板３の下に相当する底体２ｃの中心にはガス排気口６が設けられ、４本のガス噴出筒５から放出したガスが複数個の被成膜用円筒状基板４の近傍を流れ、ガス排気口６へ向かうようなガスの流れができている。
　【００１６】
上記被成膜用円筒状基板４はアルミニウム製下ダミー用円筒体７の上に配置され、更に被成膜用円筒状基板４の上にアルミニウム製上ダミー用円筒体８を配置した構成であり、また、これら三者の円筒体の内部にヒーター９を設けられており、基板４を所定の温度に加熱するようにしている。そして、上体２ａの上に付設されたモーター１０により回転軸１１を介して上ダミー用円筒体８が回転駆動し、これに伴って上記三者の円筒体４、７、８が一体的に回転する。
　【００１７】
１２は高周波電源、１３はマッチングボックスであり、このマッチングボックス１３の一方の出力端子はグロー放電用電極板３に接続され、他方の出力端子は周壁２ｂから回転軸１１を介して円筒体基板４、７、８に接続され、しかも、上体２ａの上には、それと電気的に絶縁するように電極板３を付設した蓋体１４を設けている。これにより、グロー放電用電極板３と円筒体４、７、８との間に放電が発生するようになっている。
　【００１８】
上記構成のグロー放電分解装置１によりａ−Ｓｉ感光体を製作するには、上記の電力印加系並びにガス流系の下で円筒体４、７、８が回転し、更にその内部に設けたヒーター１０により基板温度を約２７５℃にまで高くし、グロー放電により各円筒状基板４の周面にａ−Ｓｉ層が気相成長される。そして、この気相成長に伴って生じるガス分解残余ガスはガス排出口６により排出される。尚、図中の矢印はガス流を示す。
　【００１９】
また、図３は上記被成膜用円筒状基板４と、アルミニウム製下ダミー用円筒体７と、アルミニウム製上ダミー用円筒体８との配置状態を示す拡大図であり、上下ダミー用円筒体７、８のそれぞれの基板４側に凸状体を設けて、これらの凸状体を円筒状基板４の両端に嵌着した構造であり、図４はグロー放電用電極板３の拡大図である。
　【００２０】
図３によれば、外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒状基板４の周面両端部４ａ、４ｂをＲ面の曲面にし、その半径０．２乃至１．０ｍｍにする。また、外径２０乃至６０ｍｍのダミー用円筒体７、８のそれぞれの周面端部７ａ、８ａを半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面にする。同図においては、円筒状基板４とダミー用円筒体７、８の各外径がほぼ同じであるが、適宜、両者の外径を違えてもよい。更に、外径１００乃至３００ｍｍのグロー放電用電極板３の周面端部３ａを半径５乃至１０ｍｍのＲ面にする。
　【００２１】
以下、本発明者の実験結果を詳述する。
上記構成のグロー放電分解装置１において、高周波電力７００Ｗの電力印加系、並びに１０００ｓｃｃｍのモノシランと１０ｓｃｃｍのジボランを混合状態で導入し、そのガス圧力０．０５Ｔｏｒｒに設定したガス流系の下で、グロー放電により各円筒状基板４の周面に厚み３５ミクロンのａ−Ｓｉ層が気相成長した。また、円筒状基板４またはダミー用円筒体７、８の端部４ａ、４ｂ、７ａ、８ａのＲ面の半径（単位ｍｍ）を幾通りにも代えて、それらの成膜後の端部の剥離状況の有無を目視により確認したところ、表１に示す結果となった。また、同表には、個々のａ−Ｓｉ感光体により得た画像において、感光体の１周当たりに相当する面積での径０．１ｍｍ以上の黒点の数を計測した結果と、これらのａ−Ｓｉ感光体を２４時間水に浸貴し、各端部の剥離状況の有無を目視により確認した結果とを示す。また、この画像黒点数が３０個以上を合格とした。尚、同表中の○印は剥離がなかった場合であり、×印は剥離した場合を示す。
　【００２２】
　【表１】
　【００２３】
上記実験においては、円筒状基板４またはダミー用円筒体７、８の外径が３０ｍｍである場合の結果であるが、この外径が２０ｍｍ乃至６０ｍｍの範囲内にあれば、Ｒ面の半径を０．２乃至１．０ｍｍにすることにより良好な結果が得られることを実験上確認した。
　【００２４】
次に、グロー放電用電極板３の周面端部３ａのＲ面半径（単位ｍｍ）を幾通りにも代えて、それらの成膜後の端部の剥離状況の有無を目視により確認したところ、表２に示す結果となった。また、同表には、個々のａ−Ｓｉ感光体により得た画像において、径０．１ｍｍ以上の黒点の数を計測した結果、並びにこれらのａ−Ｓｉ感光体を２４時間水に浸漬し、各端部の剥離状況の有無を目視により確認した結果も示す。
　【００２５】
　【表２】
　【００２６】
上記実験においては、グロー放電用電極板３の外径が２００ｍｍである場合の結果であるが、この外径が１００乃至３００ｍｍの範囲内であれば、Ｒ面の半径を５乃至１０ｍｍにすることにより良好な結果が得られることを実験上確認した。
　【００２７】
かくして、本実施例により製作したａ−Ｓｉ感光体によれば、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの円筒状基板４の周面端部をＲ面にしており、これにより、そのａ−Ｓｉ感光体製品を使用するに際し、その周面端部に形成されたａ−Ｓｉ層が剥離することがなくなった。しかも、このようなａ−Ｓｉ感光体製品を製作する上記構成の薄膜形成装置によれば、円筒状基板４もしくはダミー用円筒体７、８の周面端部をＲ面にしたことにより、その端部の膜に加わるストレスが著しく小さくなり、これにより、その周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、同様にグロー放電用電極板３の周面端部もＲ面にしたことによっても、その周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなった。
　【００２８】
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更、改良等は何ら差し支えなく、また、グロー放電分解装置の他に反応性スパッタリング装置等のプラズマＣＶＤ装置でもよい。
　【００２９】
　【発明の効果】
以上のように、本発明のａ−Ｓｉ感光体によれば、外周面にａ−Ｓｉ層が形成された外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体の周面端部をＲ面にしており、これにより、その成膜された製品においては、その周面端部に形成されたａ−Ｓｉ層が剥離することがなくなり、その結果、高品質且つ高信頼性の電子写真感光体等ａ−Ｓｉ製品を提供することができた。
　【００３０】
また、本発明の薄膜形成装置によれば、外径２０乃至６０ｍｍの被成膜用円筒体もしくはダミー用円筒体の周面端部を半径０．２乃至１．０ｍｍのＲ面にしたことにより、その端部の膜に加わるストレスが著しく小さくなり、これにより、その周面端部のａ−Ｓｉ膜が剥離しなくなり、膜欠陥が発生しなくなり、その結果、この薄膜形成装置を用いることで、高品質且つ高信頼性の電子写真感光体等ａ−Ｓｉ製品を提供することができた。
　【００３１】
また、本発明の薄膜形成装置によれば、同様に外径１００乃至３００ｍｍの円筒状電極体の周面端部を半径５乃至１０ｍｍのＲ面にしたことによっても、その周面端部のａ−Ｓｉ模が剥離しなくなり、膜欠陥が発生しなくなり、高品質且つ高信頼性のａ−Ｓｉ製品を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
実施例のグロー放電分解装置の平面概略図である。
　【図２】
実施例のグロー放電分解装置の部分縦断面概略図である。
　【図３】
成膜用円筒状基板とダミー用円筒体との配置状態を示す拡大図である。
　【図４】
グロー放電用電極板の拡大図である。
　【符号の説明】
２　　　　　　　　　反応容器
３　　　　　　　　　グロー放電用電極板
４　　　　　　　　　被成膜用円筒状基板
７　　　　　　　　　下ダミー用円筒体
８　　　　　　　　　上ダミー用円筒体
４ａ、７ａ、８ａ　周面端部