【事件の表示】
　特許第２８４４７３４号「薄膜の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８４４７３４号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２８４４７３４号に係る手続の経緯の概要は、以下のとおりである。
　平成元年１０月２６日　　　特許出願
　平成１０月１０月３０日　　特許権の設定の登録
　平成１１年１月６日　　　　特許掲載公報の発行
　平成１１年７月６日　　　　特許異議の申立て
　平成１１年１０月４日付　　取消理由の通知
　平成１１年１２月２１日　　意見書及び訂正請求書の提出
　平成１２年１月１９日付  　申立人への審尋書
　平成１２年４月１０日    　申立人からの回答書の提出
　平成１２年４月２６日付  　訂正拒絶理由の通知
II．訂正の適否について
１．訂正事項
　訂正請求による訂正は、特許請求の範囲に
「【請求項１】プラズマＣＶＤを用いて基板上にシリコン系薄膜を成膜する薄膜の製造方法において、
少なくともＳｉＨ４　ガス以外のガス種を最初にチャンバー内に導入し、前記基板の温度と前記チャンバー内の圧力とを安定させた後、プラズマＣＶＤ法におけるＲＦ放電の直前に少なくともＳｉＨ４　ガスを導入して、前記基板上にシリコン系薄膜を成膜していくことを特徴とする薄膜の製造方法。」
とあるのを
「【請求項１】チャンバー内をＳｉＨ４　ガス及び不活性ガスを含む製造ガスで満たし、プラズマＣＶＤを用いて前記チャンバー内の基板上にシリコン系薄膜を成膜する薄膜の製造方法において、
　前記不活性ガスを前記チャンバー内に導入して前記基板の温度を安定させた後、プラズマＣＶＤ法におけるＲＦ放電開始前の１分以内に、前記製造ガスの総流量のうち７０〜８０％を前記不活性ガスで占めるように、少なくともＳｉＨ４　ガスを導入して前記製造ガスを前記チャンバー内で満たして、前記基板上にシリコン系薄膜を成膜していくことを特徴とする薄膜の製造方法。」
とする訂正を含むものである。
２．当審が通知した訂正拒絶理由の概要
　平成１２年４月６日付けで通知した訂正拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
(理由１)
　上記訂正は、下記の(イ)、(ロ)の点で、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第２項の規定に適合しない。
(理由２)
　上記訂正は、下記の(ハ)点で、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しない。
(理由３)
　上記訂正は、下記の(ニ)、(ホ)の点で、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
(イ)訂正により、請求項１には「前記製造ガスの総流量のうち７０〜８０％　を前記不活性ガスで占める」という構成が付加された。
　　しかしながら、該構成は、第１図に示された、Ｎ２　ガス、ＳｉＨ４　ガス　及びＮＨ３　ガスを用いた実施例（公報第４欄第２８〜４７行）に記載され　ているにすぎず、願書に添付された明細書又は図面の記載からは、願書に　添付した明細書又は図面に、その他の製造ガスを用いた場合にも「前記製　造ガスの総流量のうち７０〜８０％を前記不活性ガスで占める」ようにす　ることが記載されているとは認められない。
  　よって、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した範囲内　においてした訂正ではない。
(ロ)訂正により、請求項１に記載された「ＳｉＨ４　以外のガス種」は「不活　性ガス」に訂正された。
　　しかしながら、「不活性ガス」という記載は、第１図に示す実施例（公　報第４欄第２８〜４７行）に「不活性ガスであるＮ２　ガス」という記載だ　けであり、その他の「不活性ガス」については、何ら記載されていない。
  　よって、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した範囲内　においてした訂正ではない。
(ハ)訂正前の請求項１は「チャンバー内の圧力を安定させる」という要件が　記載されていたが、該構成は、上記訂正により削除され、訂正後の請求項　１に係る発明の要件ではなくなった。
　　よって、上記訂正は、特許請求の範囲の範囲を拡張するものである。
(ニ)訂正後の請求項１に係る発明では、「ＳｉＨ４ ガス」と「不活性ガス」　を用いるとしているが、訂正請求書に添付された全文明細書の第２図に示　す実施例では、「ＳｉＨ４ ガス」と「Ｈ２ ガス」が用いられており、該　　「Ｈ２　ガス」が不活性ガスであるとは認められない。（必要ならば、「化　学大辞典２」第６９８〜６９９頁及び第７７０頁を参照のこと。）
　　また、該「Ｈ２　ガス」が請求項１に記載された「不活性ガス」に該当す　るというのであれば、該「不活性ガス」の意味が不明りょうである。
  　よって、訂正後の明細書の記載には不備があり、特許法第３６条第３項　及び第４項に規定する要件を満たしていないから、特許出願の際独立して　特許を受けることができないものである。
(ホ)本件の訂正後の請求項１に係る発明（以下、「訂正後の発明」とい　　　う。）は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認め　る。
　　訂正後の発明は、本件出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−１　９０１７３号公報（取消理由で引用した刊行物１と同一）及び特開昭６１　−２６７７３号公報（取消理由で引用した刊行物２と同一）に記載された　発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　よって、本件訂正後の発明は、特許出願の際独立して特許を受けること　ができないものである
３．当審における判断
　上記訂正拒絶理由に対し、特許権者に期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは何らの応答もなかった。
　そして、上記の訂正拒絶理由は妥当なものと認められる。
　したがって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合しないものであるので、当該訂正は認めない。
III．取消理由について
１．本件特許に係る発明は、特許査定された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】プラズマＣＶＤを用いて基板上にシリコン系薄膜を成膜する薄膜の製造方法において、
少なくともＳｉＨ４　ガス以外のガス種を最初にチャンバー内に導入し、前記基板の温度と前記チャンバー内の圧力とを安定させた後、プラズマＣＶＤ法におけるＲＦ放電の直前に少なくともＳｉＨ４　ガスを導入して、前記基板上にシリコン系薄膜を成膜していくことを特徴とする薄膜の製造方法。」（以下、「本件発明」という。）
２．取消理由の概要
　平成１１年１０月４日付けで通知した取消理由の概要は、以下のとおりである。
（理由１）本件発明は、下記刊行物１及び２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
　よって、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
                    　　　　記
刊行物１　特開昭６３−１９０１７３号公報（特許異議申立人が提出した甲　　　　　第１号証）
刊行物２  特開昭６１−２６７７３号公報（特許異議申立人が提出した甲第　　　　　２号証）
（理由２）本件発明は、下記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１　特開昭６３−１９０１７３号公報（特許異議申立人が提出した甲　　　　　第１号証）
刊行物２  特開昭６１−２６７７３号公報（特許異議申立人が提出した甲第　　　　　２号証）
（理由３）
  本件明細書の記載は、以下の点で不備であって、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていない。
　よって、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　記
　特許請求の範囲には、「少なくともＳｉＨ４　ガス以外のガス種を最初にチャンバー内に導入し、前記基板の温度と前記チャンバー内の圧力とを安定させた後、・・・ＳｉＨ４　ガスを導入して」と記載されているのに対し、実施例には、「不活性ガスであるＮ２　のみをチャンバー内に導入する。次に、例えば１４分程経過して基板温度が安定したら、活性ガスであるＳｉＨ４　ガスとＨＮ３　ガスを導入する。そして、その直後、例えば１分程経過してチャンバー内の圧力が安定になり次第、RF放電を開始する。」と記載されており、両者の記載が一致していない点。
３．当審における判断
(１)各刊行物記載の発明
刊行物１：
「プラズマ処理装置」に関し、第３頁右上欄第１６行〜左下欄第９行及び第１図には、ヒータ（６）が設けられた第１図の装置を用い、「次ぎに反応管（１）内にパージガスとして例えばアルゴンカスを導入して反応管（１）内をアルゴンガスに置換して反応管（１）内を３００℃に保つ。この後パイプ（４）から反応ガス例えばシランカス２００ＳＣＣＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｃｕｂｉｃ　Ｃｍ／Ｍｉｎｕｔｅｓ）とアンモニアカス１６００ＳＣＣＭを流通させ　０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒに保持する。この反応ガスを流入後予め定めた期間流入し、電極板（７Ａ）（７Ｂ）間に高周波電圧例えば４５０ＫＨｚ・４００Ｗの電力を印加すると各電極板（７Ａ）（７Ｂ）間の雰囲気は反応ガスのプラズマが発生し高エネルギーに励起され各電極板（７Ａ）（７Ｂ）に支持されたウエハ（２）の表面にはプラズマＣＶＤ膜が均一に形成される。」と記載され、第２頁左上欄第１２行には、「正確な膜を形成する」という目的が記載されている。
刊行物２：
　「堆積膜形成方法」に関し、その実施例３（第５頁右上欄第１９行〜左下欄第１７行、第１図）には、「第２図の装置を用い、ａ−Ｓｉ膜の形成を行った。堆積質１内の電極３上に、円盤状のガラス基板４を載置した後、堆積室１内を２５０ｍｍＴｏｒｒの圧力に保持した。・・・この圧力を保持したまま、Ａｒの加熱ガスをノズル３０から基板表面に向って放出させ、基板を加熱した。基板温度は実施例１と同様に熱電対で測温し、該表面温度が３００℃±１０℃になるように、ガス加熱用ヒター３１に印加する電圧を調整し基板温度を制御した。・・・測温後、上記条件を保った堆積室内に、原料ガスとしてのモノシラン（ＳｉＨ４　）を、１００ｃｃ／ｍｉｎ．の流入速度で導入し、１００Ｗの高周波を電極２，３間に印加したところ、５分後にガラス基板上に膜厚１．８μｍのａ−Ｓｉ膜が膜剥れを生じることなく形成された（膜堆積速度＝６０Å／ｓｅｃ）。」と記載され、第４頁右下欄第２行〜第９行には、「ＣＶＤ法等の如く熱エネルギーを利用して堆積膜を形成する装置」に適用できることが記載され、第４頁右下欄第１６〜１８行には、「半導体膜あるいは絶縁膜等の形成すべき堆積膜の用途に応じて、種々の原料ガスを単独で、あるいは混合する等して使用することができる。」と記載され、実施例１及び実施例２（第５頁左上欄第１５行、第２図）には、加熱手段の一つとしてランプ２２（幅射熱による加熱手段）が用いられることが記載され、第４頁左下欄第９行〜第１１行には、「加熱ガスとしては、原料ガスと反応しないもの、例えば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等のガスやＮ２　等の不活性ガス等が好適に使用しうる。」と記載されている。
　なお、該刊行物の第１図と第２図は、文章中では逆転（誤記）している。
(２)理由１について
(２−１)本件発明の構成
　本件発明と各刊行物に記載された発明とを対比するため、本件発明を以下の構成に分けて記載する。
構成Ａ：プラズマＣＶＤを用いて基板上にシリコン系薄膜を成膜する薄膜の　　　　製造方法において、
構成Ｂ：少なくともＳｉＨ４　ガス以外のガス種を最初にチャンバー内に導入　　　　し、前記基板の温度と前記チャンバー内の圧力とを安定させた後、構成ｃ：プラズマＣＶＤ法におけるＲＦ放電の直前に少なくともＳｉＨ４　ガ　　　　スを導入して、前記基板上にシリコン系薄膜を成膜していくことを　　　　特徴とする薄膜の製造方法。
(２−２)本件発明と刊行物１記載の発明の対比
　刊行物１に記載された発明は「プラズマ処理装置」に係る技術であり、実際にシラン（ＳｉＨ４　）ガスとアンモニア（ＮＨ３　）ガスを用いてシリコン系薄膜を形成している（第３頁右上欄第１６行〜同頁左下欄第９行）ので、「プラズマＣＶＤを用いて基板上にシリコン系薄膜を成膜する薄膜の製造方法」（構成Ａ）に関する発明である点で、両発明は一致している。
　また、本件発明においては、「ＳｉＨ４　ガス以外のガス種」を最初にチャンバー内に導入し、その後「ＳｉＨ４　ガス」を導入する（構成Ｂ、Ｃ）。一方、刊行物１記載の発明でも、パージガスとして「アルゴン（Ａｒ）ガス」を導入し、その後「シラン（ＳｉＨ４　）ガスとアンモニア（ＮＨ３　）ガス」を導入している（第３頁右上欄第１６行〜左下欄第９行）。したがって、この構成に関し、本件発明と刊行物１記載の発明は同一である。
　さらに、本件発明においては、ＳｉＨ４　ガス以外のガス種を導入した後、「基板の温度・・・を安定させ」ている（構成Ｂ）。一方、刊行物１記載の発明でも、「３００℃に保つ」（第３頁右上欄第１９行）の記載から、基板温度を安定化させていることは明白である。したがって、この構成に関しても、両発明は同一である。
　ところで、本件明細書の説明に従えば、従来の技術では、必要とするガス種（ＳｉＨ４　、ＮＨ３　、Ｎ２　）を同時にチャンバー内に導入して基板温度を上昇させるので、ＳｉＨ４　ガスが熱分解を起こし、これが各種問題の原因になるとされている（特許公報第２頁左欄第２〜５０行）ところ、本件発明では、この問題を解決する為に、最初にＮ２　等のガスを導入して基板温度を上昇させ、次にＳｉＨ４　、ＮＨ３　等の原料ガスを導入するプロセスを採用し、ＳｉＨ４　ガスの熱分解を抑制したのであって、本件発明の特徴は、このようなプロセス（以下、「二段階ガス導入」という。）にあると認められる。
　そして、先にも述べたように、刊行物１にはこのような最も重要な構成、いわゆる発明の本質的事項が明確に記載されている。また、発明の効果に関しては、刊行物１記載の発明ではこのようなガスの二段階ガス導入（一段目で加熱）が行なわれているので、本件発明と同様の効果を得ているのは明白である。具体的に述べると、刊行物１記載の発明では、ＳｉＨ４　ガスを導入する前に、まずＡｒガス等を導入し加熱しているので、仮に最初からＡｒガスとＳｉＨ４　ガスを同時に導入する場合と比較して、ＳｉＨ４　ガスが高温にさらされる時間が短くて済むので熱分解は生じ難くなり、本件発明と同様の効果が得られるものと認められる。なお、刊行物１記載の発明では、「正確な膜を形成」する点が目的の一つであり（第２頁左上欄第１２行）、本件発明の効果として主張されるような２００〜３００Å程度の極薄膜は、刊行物１記載の発明等の技術によって得ることが可能であり、この点は本件出願時において周知である。
　次に、本件発明の上記構成（二段階ガス導入）以外の構成に関して説明する。
　上記以外の構成、例えば圧力の安定化や放電との時間的関係などは、このような二段階ガス導入により成膜を行なうのであれば、必然的に決定される常識的な条件である。すなわち、刊行物１の記載の有無にかかわらず、技術常識を参酌することにより当然導き出される事項であるので、仮に刊行物に明記が無い場合であっても、当業者にとって記載されているに等しい事項である。
　以下、この点を勘案しつつ、そのような構成について比較検討する。
　本件発明においては、ＳｉＨ４　ガス以外のガス種を導入した後、「チャンバー内の圧力を安定させ」せている（構成Ｂ）。まず、この構成に関しては、明細書中の実施例と矛盾しているので記載不備である。すなわち請求項１では、そのように記載されているにもかかわらず、実施例（特許公報第２頁右欄第３１〜３６行）では、「不活性ガスであるＮ２ガスのみをチャンバー内に導入する。次に、例えば１４分程経過して基板温度が安定したら、活性ガスであるＳｉＨ４　ガスとＮＨ３　ガスを導入する。そして、その直後、例えば１分程度経過してチャンバー内の圧力が安定になり次第、ＲＦ放電を開始する。」と記載されている。すなわち、実施例では、圧力の安定化は、請求項１の記載の様な「ＳｉＨ４　ガス以外のガス種」を導入した後ではなく、「ＳｉＨガス」を導入した後であり、この実施例の記載と請求項１の記載が一致していないことは明白である（記載不備については、上記取消理由の（理由３）に記載。
　したがって、このような記載不備の事項に関して、刊行物１記載の発明と比較検討すること自体に、その意義を認め難いが、あえて比較検討するならば、刊行物１記載の発明においては、シラン（ＳｉＨ４　）ガスとアンモニア（ＮＨ３　）ガスを流通させて、「０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒに保持する」と記載されているから（第３頁左下欄第２〜３行）、ＳｉＨ４　ガスを導入した後圧力を安定化させる本件明細書に記載された「実施例」と同一である。
　次に、本件発明においては、「ＲＦ放電の直前にＳｉＨ４　ガスを導入」している（構成Ｃ）。一方、刊行物１には、４５０ｋＨｚ、４００Ｗの電力を印加して放電を起こす記載が有り（第３頁左下欄第４行〜第５行）、これは、本件発明における「ＲＦ放電」（即ち、高周波放電）に該当するが、該刊行物には「直前に」（ＳｉＨ４　ガスを導入する）という直接的な記載はない。
　しかし、本件発明における「直前に」は、具体的にどの程度の短時間であるのか、極めて不明確である。
　仮に、この「直前に」は圧力が安定になる迄の時間を意味するのであれば、成膜時にチャンバー内の圧力を安定化させることは、安定した成膜を行なう上で必ず必要な常識的条件であるから、この点は、刊行物１記載の発明との実質的な相違点とはなり得ない。例えば、刊行物１記載の発明では、シラン（ＳｉＨ４　）ガスとアンモニア（ＮＨ３　）ガスを流通させて、「０．５Ｔｏｒｒ〜２Ｔｏｒｒに保持」し、「この反応ガスを流入後予め定めた期間流入」することが記載されており（第３頁左下欄第２行〜第４行）、この予め定めた期間とは、当然、チャンバー内の圧力を安定化する迄の意味も含まれる筈である。なぜならば、圧力が安定でなければ良好な成膜を実施できないからである。
　したがって、以上説明したとおり、本件発明は、刊行物１記載の発明と実質的に同一である。
(２−３)本件発明と刊行物２記載の発明との対比：
　刊行物２記載の発明は、「ＣＶＤ法等の如き・・・堆積膜を形成する装置」等を用いるものであり（第４頁右下欄第２行〜第９行）、「半導体膜あるいは絶縁膜等」を、「種々の原料ガスを単独で、あるいは混合する等して」用いることができ（第４頁右下欄第１４行〜第１８行）、実施例３においては、「ａ−Ｓｉ膜」を形成するものであるから、「プラズマＣＶＤを用いて基板上にシリコン系薄膜を成膜する薄膜の製造方法」（構成Ａ）の関する発明である点で、両発明は一致している。
　また、本件発明においては、「ＳｉＨ４　ガス以外のガス種」を最初にチャンバー内に導入し、その後「ＳｉＨ４　ガス」を導入する（構成Ｂ、Ｃ）。一方、刊行物２記載の発明の「実施例３」でも、「Ａｒ」の加熱ガスを導入し、その後「ＳｉＨ４　ガス」を導入している（第５頁右上欄第１９行〜左下欄第１７行）。したがって、この構成に関して、両発明は同一である。
　さらに、本件発明においては、ＳｉＨ４　ガス以外のガス種を導入した後、「基板の温度・・・を安定させ」ている（構成Ｂ）。一方、刊行物２記載の発明の「実施例３」でも、「基板温度を制御した」、「上記条件に保った」（第５頁左下欄第９行、第１２行）の記載から、基板温度が安定であることは明白である。したがって、この構成に関しても、両発明は同一である。
　ところで、前述したように、本件発明の特徴とする点は、このような「二段階ガス導入」にあると認められるが、刊行物２にはこのような最も重要な構成、いわゆる本件発明の特徴点が明確に記載されているのである。
　また、発明の効果に関しては、刊行物２記載の発明ではこのようなガスの二段階ガス導入（一段目で加熱）が行なわれているので、本件発明と同様の効果を得ているのは明白である。
　そして、先にも記述したように、本件発明の上記の構成（二段階ガス導入）以外の構成、例えば圧力の安定化や放電との時間的関係などは、このような二段階ガス導入により成膜を行なうのであれば、必然的に決定される常識的な条件であって、刊行物２での記載の有無にかかわらず、技術常識を参酌することにより当然導き出される事項であるので、仮に刊行物に明記は無い場合であっても、当業者にとって記載されているに等しい事項である。
　以下、この点を勘案しつつ、そのような構成について比較検討する。
　本件発明においては、ＳｉＨ４　ガス以外のガス種を導入した後、「チャンバー内の圧力を安定させ」せている（構成Ｂ）。一方、刊行物２記載の発明においては、「堆積室１内を２５０ｍｍＴｏｒｒの圧力に保持した。・・・この圧力を保持したまま、Ａｒの加熱ガスを」と記載されているから（第５頁左下欄第２行〜第５行）、ＳｉＨ４　ガス以外のガス種を導入した後圧力を安定化させる本件「請求項１」と同一である。　
　次に、本件発明においては、「ＲＦ放電の直前にＳｉＨ４　ガスを導入」している（構成Ｃ）。しかし、前述したとおり、この「直前に」は、具体的にどの程度の短時間であるのか、極めて不明確である。また、前述したとおり、仮に、この「直前に」は圧力が安定になる迄の時間を意味するのであるならば、成膜時にチャンバー内の圧力を安定化させることは、安定した成膜を行なう上で必ず必要な常識的条件であるから、この点は、刊行物２記載の発明との実質的な相違点とはなり得ない。
　したがって、以上説明したとおり、本件発明は、刊行物２記載の発明とも実質的に同一である。
(３)理由３について
　特許権者は、理由３に指摘された明細書の記載不備を解消すべく、請求項１に記載から「チャンバー内の圧力を安定させる」という要件を削除する訂正を含む訂正請求をしたが、前項II．「訂正の適否について」に記載したとおり、該訂正は認められない結果、上記理由３は依然として解消していない。
(４)まとめ
　以上のとおり、本件の請求項１に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
  さらに、本件明細書の記載は、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができないものである。
IV．結び
　したがって、本件の請求項１に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認められる。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月８日（２０００．８．８）