(57)【要約】【課題】鏡面反射デバイスにおける色およびコントラストを測定するシステムおよび方法。【解決手段】干渉系変調器のような鏡面反射デバイスにおける色およびコントラストを測定するためのシステムおよび方法がここに開示されている。色とコントラストの決定を行うために、鏡面反射デバイスから反射される光は、デバイスの照射に従って測定されることができる。その測定は、鏡面反射性ブライトおよびダーク標準からと同様にテストされているデバイスから反射される光のスペクトルを測定することを含んでよい。スペクトルは、鏡面反射デバイスの反射度スペクトルおよび色パラメータを決定するために使用されることができる。【選択図】      図８
2008516193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鏡面反射デバイスの色あるいはコントラストを測定する方法であって、
前記デバイスの反射面に実質上垂直な入射照射を前記デバイス上に与えることと；そして
前記反射面に実質上垂直な、前記反射面から反射される光のみのスペクトルを測定することと;
を備える方法。
【請求項２】
前記鏡面反射デバイスは、干渉系変調器ディスプレイを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記入射照射は、光ファイバを通して光を当てることによって与えられる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記実質上垂直な反射光は、光ファイバを通して受け取られる反射光を測定することにより検知される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記入射照射は、ビームスプリッタからの光を反射することにより、与えられる請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記実質上垂直な反射光は、ビームスプリッタを通して伝送される光を測定することにより検知される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記入射照射および前記実質上垂直な反射光を与える光は、１つ以上のレンズを通過する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記入射照射を与える光は、ケーラー照射システムを通る、請求項１記載の方法。
【請求項９】
１以上のサンプル干渉系変調器の色あるいはコントラストを測定する方法であって、
ブライト標準から反射される光のスペクトルを測定することと；
前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光のスペクトルを測定することと；そして
前記のブライト標準および1以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルに基づいて前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することと；
を備える、方法。
【請求項１０】
ダーク標準から反射される光のスペクトルを測定すること、を更に備える、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記ダーク標準は、少なくとも１つのエタロンを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記のブライト標準およびサンプル干渉系変調器から反射される前記光は、前記のブライト標準およびサンプル干渉系変調器から鏡面反射される、照射源からの光を含む、干渉系変調器請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記のブライト標準およびサンプル干渉系変調器から反射される前記光は、前記の標準およびサンプル干渉系変調器の反射面に実質上垂直に反射されつ光を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、ブライト状態の前記サンプル干渉系変調器とダーク状態の前記サンプル干渉系変調器の両方に対して測定される、請求項９記載の方法。
【請求項１５】
前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、非駆動状態、過駆動状態、メモリダーク状態、そしてメモリブライト状態における前記サンプル干渉系変調器に対して測定される、請求項９記載の方法。
【請求項１６】
前記サンプル干渉系変調器は、第１の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第１セットと第２の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第２セットとを含み、前記第１の色は前記第２の色とは異なり、前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、干渉系変調器の前記第１セットと干渉系変調器の前記第２セットに対して別々に測定される、請求項９記載の方法。
【請求項１７】
前記ブライト標準は、鏡面反射標準を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１８】
前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することは、前記のブライトおよびダーク標準のスペクトル反射率と比較して前記サンプル干渉系変調器の相対的なスペクトル反射率を決定することを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１９】
前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することは、前記相対的なスペクトル反射率に前記ブライト標準の前記スペクトル反射率を掛けることを含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記反射度スペクトルから色パラメータを決定すること、を更に備える請求項９記載の方法。
【請求項２１】
ブライト状態における前記サンプル干渉系変調器に対し決定された色パラメータをダーク状態における前記同じサンプル干渉系変調器に対し決定された色パラメータと比較することによって、前記サンプル干渉系変調器のコントラストを決定すること、を更に備える請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
ディスプレイにおける使用に適合された複数の反射ディスプレイエレメントと、そして
ブライト標準と、
を備え、
前記反射ディスプレイエレメントと前記ブライト標準が単一のウェハ上に存在する、
集積反射ディスプレイエレメント及びテスト標準ウェハ。
【請求項２３】
前記反射ディスプレイエレメントは干渉系変調器である、請求項２２記載のウェハ。
【請求項２４】
ダーク標準を更に備え、前記反射ディスプレイエレメント、前記ブライト標準、および前記ダーク標準が、単一のウェハ上に存在する、請求項２２記載のウェハ。
【請求項２５】
前記ブライト標準は、トランスペアレントな基板上に堆積される反射性材料を備える、請求項２２記載のウェハ。
【請求項２６】
前記ダーク標準は、少なくとも１つのエタロンを含む、請求項２４記載のウェハ。
【請求項２７】
ディスプレイにおける使用のために光を反射するための複数の第１手段と；
前記第１手段から反射される光よりも大きな強度で光を反射するための第２手段と；
を備え、
前記第１手段と前記第２手段は単一のウェハ上に存在する、
ウェハ。
【請求項２８】
前記第１手段は干渉系変調器を備える、請求項２７記載のウェハ。
【請求項２９】
前記第２手段はブライト標準を備える、請求項２７または２８記載のウェハ。
【請求項３０】
鏡面反射性の反射デバイスを照射するように適合された照射源と；
前記鏡面反射性の反射デバイスから反射される光を検知するように適合された検知器と；そして
前記照射源からの光を前記検知器に鏡面反射するように適合され、それによって、前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルを決定する際に使用するための反射度スペクトル標準を提供する鏡面反射性の反射ブライト標準と；
を備える、インラインライティングおよび測定システム。
【請求項３１】
前記照射源からの光が前記検知器に到達しないようにブロックするように適合されたシャッタ、を更に備える請求項３０記載のシステム。
【請求項３２】
前記照射源からの光を前記検知器に鏡面反射するように適合された鏡面反射性の反射ダーク標準を更に備え、それによって、前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルの決定において使用するための第２反射度スペクトル標準を提供する、請求項３０記載のシステム。
【請求項３３】
前記検知器は分光計を備える、請求項３０記載のシステム。
【請求項３４】
鏡面反射性の反射デバイスを照射するための第１手段と；
前記鏡面反射性の反射デバイスから反射される光を検知するための第２手段と；そして
前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルを決定する際に使用するために反射度スペクトル標準を提供するための第３手段と；
を備える、インラインライティングおよび測定システム。
【請求項３５】
前記第１手段は照射源である、請求項３４記載のシステム。
【請求項３６】
前記第２手段は検知器である、請求項３４または３５記載のシステム。
【請求項３７】
前記第３手段は鏡面反射性の反射ブライト標準である、請求項３４、３５、または３６の何れか１項に記載のシステム。
【請求項３８】
一端から入力光を受け取るように適合され、そして別の端で検知器に動作するように結合される、少なくとも１つの検知光ファイバエレメントと；そして
前記少なくとも１つの検知光ファイバエレメントのまわり周辺に位置する複数の照射光ファイバエレメントと、なお前記照射光ファイバエレメントは、一端から光を発するように適合され、そして別の端で光源に動作するように結合される；
を備える、インラインライティングおよび測定システム。
【請求項３９】
前記検知器は分光計を含む、請求項３８記載のシステム。
【請求項４０】
前記照射エレメントを励起しそして前記検知エレメントを入力する光が実質上並列であるように、前記の検知光ファイバエレメントおよび照射光ファイバエレメントが位置する、請求項３８記載のシステム。
【請求項４１】
前記光ファイバエレメントは、反射サンプルに照射を与え、そして前記サンプルの表面から約２μｍから約５μｍまで前記サンプルから反射される光を受け取るように適合されている、請求項３８記載のシステム。
【請求項４２】
検知器から離れている場所から前記検知器まで光を伝えるための第１手段と；そして
光源から前記離れた場所まで光を伝えるための第２手段と；
を備える、インラインライティングおよび測定システム。
【請求項４３】
前記第１手段は、前記検知器に動作するように結合されている少なくとも１つの検知光ファイバエレメントを備える、請求項４２記載のシステム。
【請求項４４】
前記第２手段は、前記少なくとも１つの検知光ファイバエレメントのまわり周辺に位置する複数の照射光ファイバエレメントを備え、そして、それらは、前記光源に動作するように結合されている、請求項４２または４３記載のシステム。
【請求項４５】
干渉系変調器のアレイがディスプレイにおける使用に適しているかどうかを決定する方法であって、
非駆動状態、メモリダーク状態、メモリブライト状態、および過駆動状態における前記干渉系変調器のうちの少なくともいくつかのための色パラメータを決定することと；そして
前記決定に基づいて、前記アレイをディスプレイとして使用に適しているものと確認することと；
を備える方法。
【請求項４６】
前記アレイは、第１の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第１セットと第２の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第２セットとを含んでおり、前記第１の色は前記第２の色とは異なっており、色パラメータが、干渉系変調器の前記第１セットおよび干渉系変調器の前記第２セットの両方に対し決定されている、請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
前記確認することは、前記色パラメータによって示された色域に基づいている、請求項４６記載の方法。
【請求項４８】
前記確認することは、２つの異なる状態において測定された前記色パラメータのうちの１つの比率として決定されたコントラスト比に基づいている、請求項４５記載の方法。
【請求項４９】
複数の材料堆積ステップと；
材料除去のための領域を定義する複数のパターニングステップと；そして
複数の材料除去ステップと；
を備えるプロセスによって製造される集積干渉系変調器およびテスト標準ウェハであって、
前記のパターニングステップが、複数の干渉系変調器と、そして別に、ブライト標準およびダーク標準から成るグループから選択される少なくとも１つの反射率標準とを定義するために使用されている、
ウェハ。
【請求項５０】
前記少なくとも１つの反射率標準は、１あるいは複数の高反射率材料を除いて全てが除去された前記ウェハの領域を含む、請求項４９記載のウェハ。
【請求項５１】
前記少なくとも１つの反射率標準は、スタティックエタロンが形成される前記ウェハの領域を含む、請求項４９記載のウェハ。
【請求項５２】
干渉系変調器アレイを製造する方法であって、
実質上トランスペアレントな基板上に複数の干渉系変調器を形成することと；
前記基板上に、ブライト標準およびダーク標準から成るグループから選択される反射率標準を形成することと；
を備える方法。
【請求項５３】
前記の反射率標準および干渉系変調器は、両方とも、同一の一連の材料堆積および除去のステップによって形成され、前記の干渉系変調器および反射率標準は、異なるパターニングを受ける、請求項５２記載の方法。
【請求項５４】
請求項５２のプロセスによって生成された干渉系変調器アレイ。
【請求項５５】
干渉系変調器の色を測定する方法であって、
前記干渉系変調器から反射される光を検知することと;
最大量の光を反射するための手段を使用して、第１レファレンス反射率を決定することと；そして
前記の検知された光および第１レフェレンス反射率から前記干渉系変調器の前記色を決定することと；
を備える方法。
【請求項５６】
最少量の光を反射するための手段を使用して第２レファレンス反射率を決定することを更に備え、前記干渉系変調器の前記色を決定することは、前記検知された光と前記第１および第２のレファレンス反射率から前記の色を決定することを含んでいる、請求項５５記載の方法。
【請求項５７】
前記の前記色を決定するステップは、前記干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することを含む、請求項５５記載の方法。
【請求項５８】
前記の前記色を決定するステップは、前記干渉系変調器の１以上の色パラメータを決定することを含む、請求項５５記載の方法。
【請求項５９】
複数の干渉系変調器を備える装置であって、
前記干渉系変調器のうちの少なくともいくつかから反射される光を検知することと；
ブライト標準から反射される光を検知することと；そして
前記干渉系変調器の反射度スペクトル、１以上の色パラメータ、及び／又はコントラスト比を決定することと;
を備える方法によって、前記装置における使用に適しているとして確認された、前記複数の干渉系変調器を備える装置。
【請求項６０】
前記装置における使用に適しているとして前記干渉系変調器を確認することは、ダーク標準から反射される光を検知すること、を更に備える、請求項５９記載の装置。
【請求項６１】
前記ダーク標準は少なくとも１つのエタロンを含む、請求項６０記載の装置。
【請求項６２】
前記ディスプレイと電気的にやりとりするプロセッサと、なお前記プロセッサはイメージデータを処理するように構成されている；
前記プロセッサと電気的にやりとりするメモリデバイスと；
を備える請求項５９記載の装置。
【請求項６３】
前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送るように構成されたドライバ回路、を更に備える請求項６２記載の装置。
【請求項６４】
前記イメージデータの少なくとも１部分を前記ドライバ回路に送るように構成されたコントローラ、を更に備える請求項６３記載の装置。
【請求項６５】
前記イメージデータを前記プロセッサに送るように構成されたイメージソースモジュール、を更に備える請求項６２記載の装置。
【請求項６６】
前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ、および送信機の少なくとも１つを備える、請求項６５記載の装置。
【請求項６７】
入力データを受け取りそして前記入力データを前記プロセッサに伝えるように構成された入力装置、を更に備える請求項６２記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、マイクロエレクトロメカニカルシステム(microelectromechanical systems)（ＭＥＭＳ）に関係する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）は、マイクロメカニカルエレメント(micro mechanical elements)、アクチュエータ(actuators)、およびエレクトロニクス(electronics)を含んでいる。マイクロメカニカルエレメントは、電気あるいは電気機械デバイスを作るために、堆積(deposition)、エッチング(etching)、および  あるいは  基板及び／又は堆積された材料層(deposited material layers)の部分をエッチング除去する(etch away)あるいは層を追加する他の微細機械加工プロセスを使用して作られることができる。ＭＥＭＳデバイスの１つのタイプは、干渉系変調器(interferometric modulator)と呼ばれる。ここに使用されるように、干渉系変調器あるいは干渉系光変調器の用語(the term interferometric modulator or interferometric light modulator)は、光学干渉(optical interference)の原理を使用して光を選択的に吸収し、及び／又は、反射するデバイスを指す。ある実施形態においては、干渉系変調器は、１対の導電性プレートを備えているかもしれないし、それらの１つあるいは両方は、全部または一部、トランスペアレント(transparent)である、及び／又は、反射する(reflective)、かもしれないし、そして、適切な電気信号が適用されれば相対運動(relative motion)が可能かもしれない。特定な実施形態においては、一方のプレートは、基板上に堆積された(deposited)固定層(stationary layer)を備えるかもしれないし、そして他方のプレートは、エアギャップ(air gap)によって固定層から分けられた金属膜(metallic membrane)を含むかもしれない。ここにより詳細に説明されるように、別のプレートに対しての一方のプレートのポジションは、干渉系変調器上に入射する光の光学干渉を変えることができる。そのようなデバイスは広範囲のアプリケーションを有しており、そして、既存製品を改良し未だ開発されていない新製品を創造する際にそれらの特徴が十分に引き出されることができるように
、これらのタイプのデバイスの特性を利用、及び／又は、修正することは技術的に有益であろう。
【発明の開示】
【０００３】
［要約］
本発明のシステム、方法。およびデバイスは、各々いくつかの面(aspects)を持っており、それらのうちのどの単一の１つも、単独ではその望ましい属性に寄与していない。この発明の範囲を制限すること無しに、そのより顕著な特徴が今から簡単に述べられる。この論述を考慮した後に、そして、特に、［詳細な説明］と題された部分を読んだ後に、この発明の特徴がどのように他の表示装置に比べて利点を提供するのかを理解するであろう。
【０００４】
ここに開示された一実施形態は、鏡面反射デバイス(specular reflective device)の色あるいはコントラスト(contrast)を測定する方法を含み、前記デバイスの反射面に実質上垂直な入射照射(incident illumination)を前記デバイス上に与えること(providing)と、前記反射面に実質上垂直な、前記反射面から反射される光のみ(only light reflected)のスペクトルを測定することと、を含んでいる。
【０００５】
ここに開示された別の一実施形態は、１以上のサンプル干渉系変調器(sample interferometric modulators)の色あるいはコントラストを測定する方法を含み、ブライト標準(bright standard)から反射される光のスペクトルを測定することと、前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光のスペクトルを測定することと、そして、前記ブライト標準および1以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルに基づいて前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトル(reflectance spectrum)を決定することと、を含んでいる。
【０００６】
ここに開示された別の一実施形態は、集積反射ディスプレイエレメントおよびテスト標準ウェハ(an integrated reflective display element and test standard wafer)含み、ディスプレイにおける使用に適合された複数の反射ディスプレイエレメントとブライト標準を含んでおり、前記反射ディスプレイエレメントと前記ブライト標準は単一のウェハ上に存在する。
【０００７】
ここに開示された別の一実施形態はウェハを含み、それは、ディスプレイにおける使用のために光を反射するための複数の第１手段と、前記第１手段から反射される光よりも大きな強度で光を反射するための第２手段とを備えており、前記第１手段と前記第２手段は単一のウェハ上に存在する。
【０００８】
ここに開示された別の一実施形態は、インラインライティング(in-line lighting)および測定システムを含み、それは、鏡面反射性の反射デバイス(specularly reflective device)を照射するように適合された照射源と、前記鏡面反射性の反射デバイスから反射される光を検知するように適合された検知器と、そして、前記照射源からの光を前記検知器に鏡面反射するように適合され、それによって、前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルを決定する際に使用するための反射度スペクトル標準を提供する鏡面反射性の反射ブライト標準と、を含む。
【０００９】
ここに開示された別の一実施形態は、インラインライティングおよび測定システムを含み、それは、鏡面反射性の反射デバイスを照射するための第１手段と、前記鏡面反射性の反射デバイスから反射される光を検知するための第２手段と、そして、前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルを決定する際に使用するために反射度スペクトル標準を提供するための第３手段と、を含む。
【００１０】
ここに開示された別の一実施形態は、インラインライティングおよび測定システムを含み、一端から入力光を受け取るように適合され、そして、別の端で検知器に動作するように結合された(operatively coupled)、少なくとも１つの検知光ファイバエレメントと、そして、前記少なくとも１つの検知光ファイバエレメントのまわり周辺に(peripherally around)位置する複数の照射光ファイバエレメントと、を含んでおり、前記照射光ファイバエレメントは、一端から光を発するように適合され、そして別の端で光源に動作するように結合されている。
【００１１】
ここに開示された別の一実施形態はインラインライティングおよび測定システムを含み、それは、検知器から離れている場所から前記検知器まで光を伝えるための第１手段と、そして、光源から前記離れた場所まで光を伝えるための第２手段と、を含む。
【００１２】
ここに開示された別の一実施形態は、干渉系変調器のアレイがディスプレイとして使用に適しているかどうかを決定する方法を含み、非駆動状態(un-driven state)、メモリダーク状態(memory dark state)、メモリブライト状態(memory bright state)、および過駆動状態(over-driven state)における前記干渉系変調器のうちの少なくともいくつかのための色パラメータを決定することと、そして、前記決定に基づいて、前記アレイをディスプレイとして使用に適しているものと確認すること(identifying)と、を含む。
【００１３】
ここに開示された別の一実施形態は、複数の材料堆積ステップ(material deposition steps)、材料除去のための領域を定義する複数のパターニングステップ(patterning steps)、および、複数の材料除去ステップ(material removal steps)を含むプロセスによって製造される、集積干渉系変調器およびテスト標準ウェハ(an integrated interferometric modulator and test standard wafer)を含んでおり、前記のパターニングステップは、複数の干渉系変調器と、そして別に、ブライト標準およびダーク標準(dark standard)から成るグループから選択される少なくとも１つの反射率標準(reflectivity standard)とを定義するために使用される。
【００１４】
干渉系変調器アレイを製造する方法は、実質上トランスペアレントな(substantially transparent)基板上に複数の干渉系変調器を形成することと、前記基板上に反射率標準(reflectivity standard)を形成することと、を含んでおり、前記反射率標準は、ブライト標準およびダーク標準から成るグループから選択されている。
【００１５】
干渉系変調器の色を測定する方法は、前記干渉系変調器から反射される光を検知することと、最大量の光を反射するための手段を使用して第１レファレンス反射率(first reference reflectivity)を決定することと、そして、前記の検知された光および第１レフェレンス反射率から前記干渉系変調器の前記色を決定することと、を含んでいる。
【００１６】
干渉系変調器ディスプレイは、前記干渉系変調器のうちの少なくともいくつかから反射される光を検知すること、ブライト標準から反射される光を検知すること、および、前記干渉系変調器の反射度スペクトル、１以上の色パラメータ、及び／又はコントラスト比を決定することによって、ディスプレイにおける使用に適しているとして確認された(identified)、複数の前記干渉系変調器を、備えている。
【００１７】
［詳細な説明］
以下の詳細な説明は本発明のある特定の実施形態を対象としている。然しながら、本発明は、多くの異なる方法で具現化されることができる。この説明においては、図面が参照され、そこでは、同様の部分は全体をとおして同様の数字で示されている。以下の説明から明らかであるように、実施形態は、動いているもの（例、ビデオ）であろうが、あるいは静止しているもの（例：静止画）であろうが、またテキストあるいは画像であろうが、イメージを表示するように構成されている任意のデバイスにおいてインプリメント(implement)されてよい。より詳細には、実施形態は、様々な電子デバイス、例えば、これらに限定されないが、モバイル電話(mobile telephones)、無線デバイス(wireless devices)、携帯情報端末(personal data assistants)（ＰＤＡ）、ハンドヘルドあるいはポータブルコンピュータ(hand-held or portable computers)、ＧＰＳ受信機(GPS receivers)／ナビゲータ(navigators)、カメラ(cameras)、ＭＰ３プレーヤ(MP3 players)、カムコーダ(camcorders)、ゲーム機(game consoles)、腕時計(wrist watches)、クロック(clocks)、計算機(calculators)、テレビジョンモニタ(television monitors)、フラットパネルディスプレイ(flat panel displays)、コンピュータモニタ(computer monitors)、自動ディスプレイ(auto displays)（例、走行距離計ディスプレイ、等）、コックピットコントロール及び／又はディスプレイ(cockpit controls and/or displays)、カメラビュー(camera views)のディスプレイ（例、車両中のレアビューカメラのディスプレイ）、電子写真(electronic photographs)、電子ビルボードあるいはサイン(electronic billboards or signs)、プロジェクタ(projectors)、建築構造(architectural structures)、パッケージング(packaging)、および美的構造(aesthetic structures)（例、１個の宝石上のイメージのディスプレイ）など、の中にインプリメントされるかもしれない、あるいは、関連付けられるかもしれない、ということが考えられる。ここに記述されたものと同様の構造のＭＥＭＳデバイスは、非ディスプレイアプリケーション、例えば、電子スイッチングデバイスなど、において使用されることもできる。
【００１８】
多くのディスプレイ技術は、本質的にビューワに散光(diffuse light)を与える。対照的に、干渉系変調器に基づいたディスプレイは、本質的に鏡面反射光(specular reflected light)を与える。そのようなディスプレイにおいてディフューザフィルム(diffuser film)を組み入れることは望ましいかもしれないが、干渉系変調器の反射する性質は、与えられたディスプレイによって生成された色およびコントラストを測定するための特有の挑戦および機会を示す。従って、ここに開示された様々な実施形態においては、干渉系変調器のような鏡面反射デバイスにおける色とコントラストを測定するためのシステムと方法が提供される。一実施形態では、色とコントラストは、干渉系変調器から鏡面反射される光のスペクトルを測定することにより測定される。スペクトルは、検知された反射光と実質上平行な入射照射(incident illumination)を与えるインラインライティング方式(in-line lighting systems)を使用して、測定されてよい。いくつかの実施形態では、鏡面反射性ブライトおよびダーク標準(specular bright and dark standards)から反射される光のスペクトルもまた測定され、そして、干渉系変調器のための反射度スペクトルおよび色パラメータ(reflectance spectrum and color parameters)を得るために干渉系変調器から反射される光のスペクトルと比較される。
【００１９】
干渉系ＭＥＭＳディスプレイエレメントを備える一つの干渉系変調器ディスプレイ実施形態が、図１の中で示される。これらのデバイスにおいては、ピクセルは、ブライト(bright)状態かダーク(dark)状態のいずれにある。ブライト（「オン(on)」あるいは、「開いた(open)」）状態においては、ディスプレイエレメントは、ユーザに入射可視光線の大部分を反射する。ダーク（「オフ(off)」あるいは、「閉じた(closed)」）状態の時は、ディスプレイエレメントは、ユーザに入射可視光線のほとんどを反射しない。実施形態に応じて、「オン」および「オフ」状態の光反射度特性(light reflectance properties)は逆であり得る。ＭＥＭＳピクセルは、選択された色で主に反射するように構成されることができ、黒白に加えて色表示を可能とする。
【００２０】
図１は、表示装置(visual display)の一連のピクセルの中の２つの隣接したピクセル(adjacent pixels)を図示する等角投影図であり、各ピクセルはＭＥＭＳ干渉系変調器を備える。いくつかの実施形態においては、干渉系変調器ディスプレイは、これらの干渉系変調器の行(row)／列(column)アレイを含む。各干渉系変調器は、少なくとも1つの可変ディメンション(one variable dimension)を持った共振光キャビティ(resonant optical cavity)を形成するために、互いから制御可能で可変な距離に位置する1対の反射層を含む。一実施形態においては、反射層のうちの１つは、２つのポジション間で動かされることができる。本説明の中で緩和ポジション(relaxed position)と呼ばれる第１ポジションにおいては、可動反射層(movable reflective layer)は、固定部分反射層(fixed partially reflective layer)から比較的大きく離れて位置する。本発明の中で作動ポジションと呼ばれる第２ポジションにおいては、可動反射層は、固定部分反射層により近く隣接して(more closely adjacent to)位置する。２つの層から反射する入射光は、可動反射層のポジションに応じて、建設的に(constructively)あるいは破壊的(destructively)に干渉し(interfere)、各ピクセルに対し、全面的に反射する(overall reflective)、あるいは、無反射の(non-reflective)、状態を作る。
【００２１】
図１中のピクセルアレイの図示された部分は、２つの隣接する干渉系変調器１２ａおよび１２ｂを含む。左側の干渉系変調器１２ａにおいては、可動反射層１４ａが、部分反射層を含む光スタック(optical stack)１６ａから予め決められた距離に位置する緩和ポジションの中に示されている。右側の干渉系変調器１２ｂにおいては、可動反射層１４ｂが、光スタック１６ｂに隣接する作動ポジションの中で示されている。
【００２２】
光スタック１６ａおよび１６ｂ（総称して光スタック１６と呼ばれる）は、ここに参照されるように、典型的にいくつかの溶融された層(fused layers)から構成され、それは、電極層例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、部分反射層例えばクロム、そしてトランスペアレント誘電体(transparent dielectric)を含むことができる。光スタック１６は、このように導電性(electrically conductive)で、部分的にトランスペアレントであって部分的に反射し、そして、例えば、トランスペアレント基板２０上に上記層の１つ以上を堆積することによって(by depositing)製造されることができる。いくつかの実施形態においては、該層は、平行ストリップ(parallel strips)にパターン化され、そして、更に以下に説明されるように表示装置(display device)中の行電極を形成できる。可動反射層１４ａ、１４ｂは、ポスト(posts)１８の上面(top)、および、ポスト１８間に堆積された介在犠牲材料(intervening sacrificial material)、に堆積された堆積金属層(deposited metal layer or layers)（１６ａ、１６ｂの行電極に直交する）の一連の平行ストリップとして形成されることができる。犠牲材料がエッチング除去される(etched away)時、可動反射層１４ａ、１４ｂは、定められたギャップ１９により、光スタック１６ａ、１６ｂから分離される。アルミニウムのような高い導電性で反射材料が、反射層１４に使用されることができ、そして、これらのストリップが表示装置において列電極を形成することができる。
【００２３】
印加電圧の無い状態では、図１においてピクセル１２ａによって示されるように、キャビティ１９は、可動反射層１４ａと光スタック１６ａの間に残っており、可動反射層１４ａは機械的緩和状態(mechanically relaxed state)にある。然しながら、選択された行および列に電位差が加えられる時、対応するピクセルの行と列の電極の交点で形成されるキャパシタはチャージされ、静電力が電極を共に引き寄せる。もし電圧が十分に高い場合は、可動反射層１４は、変形し、そして光スタック１６に押し付けられる(is forced against)。図１中の右側のピクセル１２ｂによって示されるように、光スタック１６内の誘電体層（この図の中では示されていない）が、層１４および１６間の分離距離をショートすることを防ぎ、そして制御することができる。その動作は、加えられる電圧差の極性にかかわらず同じである。このように、反射ピクセル状態対非反射ピクセル状態を制御できる行／列の動きは、従来のＬＣＤおよび他のディスプレイ技術において使用されるものと、多くの点において類似している。
【００２４】
図２から図５までは、ディスプレイアプリケーションにおいてたくさんの干渉系変調器を使用する１つの例示的なプロセスおよびシステムを示す。
【００２５】
図２は、本発明の面(aspects)を組込ことができる電子デバイスの一実施形態を示しているシステムブロック図である。例示的な実施形態においては、電子デバイスはプロセッサ２１を含んでおり、それは、任意の汎用シングルチップあるいはマルチチップのプロセッサ、例えば、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ Ｐｒｏ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）、あるいは任意の特定用途マイクロプロセッサ、例えば、デジタルシグナルプロセッサ、マイクロコントローラ、あるいはプログラマブルゲートアレイ、であってよい。従来技術的と同じように、プロセッサ２１は、１以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成されてよい。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、ｅメールプログラム、あるいは任意の他のソフトウェアアプリケーション、を含む１以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されてよい。
【００２６】
一実施形態においては、プロセッサ２１はまた、アレイドライバ２２と通信するように構成される。一実施形態においては、アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイあるいはパネル３０に信号を供給する行ドライバ回路２４および列ドライバ回路２６を含む。図１の中で示されるアレイの断面は、図２中の線１−１によって示される。ＭＥＭＳ干渉系変調器の場合、行／列作動プロトコル(row/column actuation protocol)は、図３の中で示されるこれらのデバイスのヒステリシス特性(hysteresis property)を利用できる。それは、例えば、可動層に緩和状態(relaxed state)から作動状態(actuated state)まで変形させるために１０ボルトの電位差を要求するかもしれない。然しながら、電圧がその値から減少する時、電圧は１０ボルト未満に降下して戻るので、可動層はその状態を維持する。図３の例示的実施形態においては、可動層は、電圧が２ボルト未満に下がるまで、完全には緩まない(not relax)。このように、図３中で示された例においては約３Ｖから７Ｖの電圧の範囲があり、そこには印加された電圧のウィンドウ(window)が存在し、その中では、デバイスは緩和状態か作動状態のいずれかで安定している。これは、ここでは、「ヒステリシスウィンドウ(hysteresis window)」あるいは「安定ウィンドウ(stability window)」と呼ばれる。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイの場合、行ストローブ中、駆動されるべき(to be actuated)ストローブされた行中のピクセルは約１０ボルトの電圧差にさらされ(exposed)、そして、緩和されるべき(to be relaxed)ピクセルはゼロボルトに近い電圧差にさらされるように、行／列作動プロトコルは設計されることができる。ストローブの後、ピクセルは、行ストローブがそれらをどんな状態におこうともその状態のままであるように、約５ボルトの定常状態電圧差にさらされる。書かれた後、各ピクセルは、この例では３−７ボルトの「安定ウィンドウ」内の電位差を認識する(see)。この特徴は、図１中で図示されたピクセルデザイン(pixel design)を、作動あるいは緩和の何れかの既存状態において同じ印加電圧状態の下で安定させる。干渉系変調器の各ピクセルは本質的には、作動状態であろうとあるいは緩和状態であろうと、固定および可動の反射層によって形成されるキャパシタであるので、この安定状態は、ほとんどパワー損失のないヒステリシスウィンドウ内の電圧に保持されることができる。もし印加される電位差が固定されている場合は、本質的に、電流はピクセルの中へは流れない。
【００２７】
典型的なアプリケーションにおいては、表示フレームは、第１行において駆動されたピクセルの所望のセットに従って、列電極のセットをアサートすること(asserting)により生成されることができる。行パルスは、そのあと、行１電極に加えられ、アサートされた列ラインに対応するピクセルを駆動する。列電極のアサートされたセットは、次に、第２行中の駆動されたピクセルの所望のセットに対応するように変更される。パルスは、そのあと行２電極に加えられ、アサートされた列電極に従って、行２中の適切なピクセルを駆動する。行１ピクセルは、行２パルスに影響を受けずに、それらが行１パルス中に設定された状態のままである。これは、フレームを生成するために連続する方法で一連の行全体(the entire series of rows)に対し繰り返されてよい。一般に、フレームは,秒当りいくつかの所望の数のフレームでこのプロセスを継続的に繰り返すことによって、リフレッシュされ、及び／又は、新しい表示データで更新される。表示フレームを生成するためにピクセルアレイの行および列の電極を駆動するための多種多様のプロトコルもまた良く知られており、そして、本発明と共に使用されてよい。
【００２８】
図４および５は、図２の３ｘ３アレイ上の表示フレームを生成するための一つの可能な作動プロトコルを示す。図４は、図３のヒステリシス曲線を示すピクセルのために使用されることができる列および行の電圧レベルの可能なセットを示す。図４実施形態において、ピクセルを駆動することは、適切な列を−Ｖbiasに、そして適切な行を＋ΔＶに設定することを含んでおり、それらは−５ボルトおよび＋５ボルトにそれぞれ対応してもよい。ピクセルを緩和することは、適切な列を＋Ｖbiasにそして適切な行を同じ＋ΔＶに設定することにより達成され、ピクセルを横切ってゼロボルトの電位差を生成する。行電圧がゼロボルトに保持されるこれらの行では、ピクセルは、列が＋Ｖbias、あるいは−Ｖbiasにあるかどうかにかかわらず、どんな状態であれそれらが元々にあった状態の中で安定している。図４においてさらに示されるように、上記に説明されたものと反対の極性の電圧が使用されることができ、例えば、ピクセルを駆動することは、適切な列を＋Ｖbiasに、そして適切な行を−ΔＶに設定することを含んでもよい、ということが認識されるであろう。この実施形態においては、ピクセルを緩めること(releasing)は、適切な列を−Ｖbiasにそして適切な行を同じ−ΔＶに設定することによって達成されることができ、ピクセルを横切ってゼロボルトの電位差を生成する。
【００２９】
図５Ｂは、図５Ａにおいて示されるディスプレイ配列の原因となる、図２の３ｘ３アレイに適用される一連の行と列の信号を示すタイミング図であり、ここでは、駆動されたピクセルは反射しない。図５Ａフレームにおいて示されるフレームを書く前に、ピクセルはどんな状態にもあり得、そしてこの例では、全ての行は０ボルトにあり、そして全ての列は＋５ボルトにある。これらの印加電圧によって、全てのピクセルは、それらの既存の作動状態あるいは緩和状態の中で安定している。
【００３０】
図５Ａフレームにおいて、ピクセル（１、１）（１、２）（２、２）、（３、２）、そして（３、３）が駆動される。これを達成するために、行１の「ライン時間(line time)」の間、列１および２は−５ボルトに設定され、そして列３は、＋５ボルトに設定される。これは、全てのピクセルが３−７Ｖ安定ウィンドウの中に留まるので、どのピクセルの状態も変えない。行１が、そのあと、０から、５ボルトになり、そしてゼロ０に戻る、パルスでストローブされる。これは（１、１）および（１、２）ピクセルを駆動し、そして（１、３）ピクセルを緩和する。アレイ中の他のピクセルは影響されない。所望されるような行２を設定するために、列２は−５ボルトに設定され、そして、列１および３は＋５ボルトに設定される。行２に適用される同じストローブが、そのあと、ピクセル（２、２）を駆動し、そしてピクセル（２、１）および（２、３）を緩和する。再び、アレイの他のピクセルは影響されない。行３は、列２および３を−５ボルトに、そして列１を＋５ボルトに設定することによって同様に設定される。行３ストローブは、図５Ａにおいて示されるように行３ピクセルを設定する。フレームを書いた後、行ポテンシャルはゼロであり、そして、列ポテンシャルは＋５かまたは−５ボルトのままでいることができ、そして、ディスプレイは、そのとき、図５Ａの配列において安定している。何十あるいは何百もの行および列のアレイに対し同じ手続きが使用されることができる、ということが認識されるであろう。行および列の駆動を行うために使用される電圧のタイミング、シーケンス、およびレベルは、上述された概括的原理内で幅広く変えられることができ、上記例は説明の為のみのものであって、また、任意の駆動電圧方法が、ここに説明されるシステムおよび方法で使用されることができる、ということもまた認識されるであろう。
【００３１】
図６Ａおよび６Ｂは、表示装置４０の一実施形態を示すシステムブロック図である。表示装置４０は、例えば、携帯電話あるいはモバイル電話(cellular or mobile telephone)であり得る。然しながら、表示装置４０の同じコンポーネントあるいはそれの少し変化したものもまた、様々なタイプの表示装置、例えばテレビおよびポータブルメディアプレイヤなど、を例示している。
【００３２】
表示装置４０は、収納容器(housing)４１、ディスプレイ３０、アンテナ４３、スピーカ４４、入力装置４８、およびマイクロホン４６を含んでいる。収納容器４１は、一般に、注入成型(injection molding)および真空成形(vacuum forming)を含む、当業者に良く知られている様々な製造プロセスのうちの任意のものから形成される。更に、収納容器４１は、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、そしてセラミック、あるいはそれらの組合せ、を含むが、これらに限定されない、様々な材料のうちの任意のものから作られてもよい。一実施形態においては、収納容器４１は取り外し可能な部分（示されていない）を含んでおり、それは、異なる色の、あるいは異なるロゴ、ピクチャ、あるいはシンボルを含んでいる、他の取り外し可能な部分で交換されてもよい。
【００３３】
例示的な表示装置４０のディスプレイ３０は、ここに説明されるように、双安定ディスプレイ(bi-stable display)を含む様々なディスプレイのうちの任意のものであってよい。他の実施形態においては、ディスプレイ３０は、フラットパネルディスプレイ、例えば、上記で説明されたようなプラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ、あるいはＴＦＴ  ＬＣＤなど、あるいは、非フラットパネルディスプレイ、例えば、当業者によく知られているような、ＣＲＴ、あるいは他の電子管デバイスなど、を含んでいる。然しながら、本発明の実施形態を説明する目的のために、ディスプレイ３０は、ここに説明されるように、干渉系変調器ディスプレイを含んでいる。
【００３４】
例示的な表示装置４０の一実施形態のコンポーネントが、図６Ｂにおいて略図的に示されている。図示された例示的な表示装置４０は収納容器４１を含んでおり、その中に少なくとも部分的に囲まれた更なるコンポーネントを含むことができる。例えば、一実施形態においては、例示的な表示装置４０は、トランシーバ４７に結合されているアンテナ４３を含むネットワークインタフェース２７を含んでいる。トランシーバ４７は、コンディショニングハードウェア(conditioning hardware)５２に接続されているプロセッサ２１に、接続されている。コンディショニングハードウェア５２は、信号を調整する（例、信号をフィルタにかける）ように構成されてよい。コンディショニングハードウェア５２は、スピーカ４５およびマイクロホン４６に接続されている。プロセッサ２１はまた、入力装置４８およびドライバコントローラ２９に接続されている。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８およびアレイドライバ２２に結合されており、アレイドライバは次にディスプレイアレイ３０に結合されている。パワーサプライ(power supply)５０は、特定の例示的な表示装置４０設計によって必要とされる全てのコンポーネントに、パワーを供給する。
【００３５】
ネットワークインタフェース２７は、例示的な表示装置４０がネットワーク上で1以上のデバイスと通信できるように、アンテナ４３およびトランシーバ４７を含んでいる。一実施形態においては、ネットワークインタフェース２７はまた、プロセッサ２１の要件を軽減するためにいくつかの処理機能を有していてもよい。アンテナ４３は、信号を送受するための、当業者に知られている任意のアンテナでよい。一実施形態においては、アンテナは、ＩＥＥＥ  ８０２．１１（ａ）、（ｂ）、または（ｇ）を含むＩＥＥＥ  ８０２．１１標準規格に従ってＲＦ信号を送りそして受け取る。別の実施形態においては、アンテナは、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標）標準規格に従ってＲＦ信号を送りそして受け取る。携帯電話(cellular telephone)の場合には、アンテナは、無線携帯電話ネットワーク(wireless cell phone network)内で通信するために使用されるＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳあるいは他の知られた信号を受け取るように設計されている。トランシーバ４７は、信号がプロセッサ２１によって受け取られそして更に処理される(manipulated)ことができるように、アンテナ４３から受け取られた信号を前処理する(pre-process)。トランシーバ４７はまた、それらがアンテナ４３を経緯して例示的な表示装置４０から送信されることができるように、プロセッサ２１から受け取られた信号を処理する。
【００３６】
一代替実施形態においては、トランシーバ４７は受信機と置き換えられることができる。更に別の代替実施形態においては、ネットワークインタフェース２７は、プロセッサ２１に送られるべきイメージデータ(image data)を保存あるいは生成できるイメージソース(image source)と置き換えられることができる。例えば、イメージソースは、イメージデータを含んでいるデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）あるいはハードディスクドライブ、あるいは、イメージデータを生成するソフトウェアモジュールでありうる。
【００３７】
プロセッサ２１は、一般に、例示的な表示装置４０の全体的なオペレーション(overall operation)を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインタフェース２７あるいはイメージソースからの圧縮イメージデータ(compressed image data)のようなデータを受け取り、そしてデータを、生イメージデータ(raw image data)に処理する、あるいは、生イメージデータに容易に処理されるフォーマットに処理する。プロセッサ２１は、次に、処理されたデータをドライバコントローラ２９に、あるいは保存のためにフレームバッファ２８に送る。生データは、典型的には、イメージ内の各場所(each location)でのイメージ特性(image characteristics)を確認する(identifies)情報を指す。例えば、そのようなイメージ特性は、色(color)、色相(saturation)、およびグレースケールレベル(gray-scale level)を含むことができる。
【００３８】
一実施形態においては、プロセッサ２１は、例示的な表示装置４０の動作(operation)を制御するマイクロコントローラ、ＣＰＵ、あるいは論理ユニットを含んでいる。コンディショニングハードウェア５２は、一般に、スピーカ４５に信号を送信するための、そしてマイクロホン４６から信号を受け取るための、増幅器およびフィルタを含んでいる。コンディショニングハードウェア５２は、例示的な表示装置４０内のディスクリートコンポーネントであってもよいし、あるいはプロセッサ２１あるいは他のコンポーネントの中に組込まれてもよい。
【００３９】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された生イメージデータを、プロセッサ２１から直接に又はフレームバッファ２８から取得し、そして、アレイドライバ２２への高速伝送のために生イメージデータを適切に再フォーマット(reformat)する。具体的には、ドライバコントローラ２９は、生イメージデータをラスタのようなフォーマット(raster-like format)を有するデータフロー(data flow)に、再フォーマットし、それが、ディスプレイアレイ３０全体にわたってスキャンするのに適切な時間順序を有するようにする。そのあと、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報(formatted information)を、アレイドライバに送る。ＬＣＤコントローラのようなドライバコントローラ２９は、しばしば、スタンドアローン(stand-alone)の集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１に関連付けられるが、そのようなコントローラは多くの方法でインプリメントされ得る。それらは、ハードウェアとしてプロセッサ２１の中に組み込まれてもよいし、ソフトウェアとしてプロセッサ２１の中に組み込まれてもよいし、あるいは、アレイドライバ２２と共にハードウェアで完全に一体化されてもよい。
【００４０】
典型的には、アレイドライバ２２は、ドライバコントローラ２９からフォーマットされた情報を受け取り、そして、該ビデオデータをパラレルなセットの波形(a parallel set of waveforms)に再フォーマットし、波形は、ディスプレイのｘ−ｙマトリックスのピクセルから来ている何百そして時には何千ものリード（leads）に毎秒何度も加えられる。
【００４１】
一実施形態においては、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２、およびディスプレイアレイ３０は、ここに説明されるディスプレイのタイプのどれに対しても適切(appropriate)である。例えば、一実施形態においては、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラあるいは双安定ディスプレイコントローラ（例、干渉系変調器コントローラ）である。別の実施形態においては、アレイドライバ２２は、従来のドライバあるいは双安定ディスプレイドライバ（例、干渉系変調器ディスプレイ）である。一実施形態においては、ドライバコントローラ２９は、アレイドライバ２２と一体化される。そのような実施形態は、携帯電話、時計、および他の小面積ディスプレイ、のような高集積システムにおいては一般的である。更に別の実施形態においては、ディスプレイアレイ３０は、典型的なディスプレイアレイあるいは双安定ディスプレイアレイ（例、複数の干渉系変調器(an array of interferometric modulator)を含むディスプレイ）である。
【００４２】
入力装置４８は、ユーザが例示的な表示装置４０のオペレーションを制御することを可能にする。一実施形態においては、入力装置４８は、キーパッド、例えば、ＱＷＥＲＴＹキーボードあるいは電話キーパッド、ボタン、スイッチ、タッチセンシティブスクリーン、圧力あるいは熱センシティブメンブレンなど、を含む。一実施形態においては、マイクロホン４６は、例示的な表示装置４０のための入力装置である。マイクロホン４６が装置にデータを入力するために使用される時、音声コマンドは、例示的な表示装置４０のオペレーションを制御するためにユーザによって供給されてもよい。
【００４３】
パワーサプライ５０は、技術的に知られているだけでなく様々なエネルギー蓄積装置を含むことができる。例えば、一実施形態においては、パワーサプライ５０は、ニッケルカドミウム電池あるいはリチウムイオン電池のような充電可能電池である。別の実施形態においては、パワーサプライ５０は、再生可能エネルギー源、キャパシタ、あるいは太陽電池であり、プラスチック太陽電池および太陽電池ペイントを含んでいる。別の実施形態においては、パワーサプライ５０は、壁コンセントからパワーを受け取るように構成される。
【００４４】
いくつかのインプリメンテーションにおいては、電子ディスプレイシステムの中のいくつかの場所に置かれることができるドライバコントローラにおいて、制御のプログラミングが可能である(control programmability resides)。いくつかのケースでは、アレイドライバ２２において、制御のプログラミングが可能である。当業者は、上記に説明された最適化が任意の数のハードウェア及び／又はソフトウェアのコンポーネントで、そして様々な構成においてインプリメントされることができる、ということを認識するであろう。
【００４５】
上記に説明された原理に従って作動する干渉系変調器の詳細な構造は、様々であり得る(may vary widely)。例えば、図７Ａ−７Ｅは、可動反射層１４およびその支持構造体の５つの異なる実施形態を示す。図７Ａは図１の実施形態の断面図であり、ここでは、金属材料のストリップ(a strip of metal material)１４が、直交して延長する支持体１８上に堆積されている。図７Ｂでは、可動反射層１４は、つなぎ(tether)でコーナのみで支持体につけられている。図７Ｃでは、可動反射層１４は、変形可能層３４から吊るされており(suspended)、それは柔軟な金属(flexible metal)を備えてもよい。変形可能層３４は、変形可能層３４の周囲のまわりの基板２０に、直接あるいは間接的に接続する。これらの接続は、ここではサポートポスト(support-post)と呼ばれる。図７Ｄの中で図示されている実施形態は、サポートポストプラグ４２を有しており、その上に変形する層３４が置かれている。可動反射層１４は、図７Ａ−７Ｃにおけるように、キャビティ上方につるされたままであるが、しかし、変形可能層３４は、変形可能層３４と光スタック１６との間のホールをふさぐことによりサポートポストを形成しない。寧ろ、サポートポストは、サポートポストプラグ４２を形成するために使用される平坦化材料から、形成されている。図７Ｅにおいて示される実施形態は、図７Ｄの中で示される実施形態に基づいているが、示されていない更なる実施形態のみならず、図７Ａ−７Ｃにおいて図示されている実施形態のうちのどれとも機能するように適合されてよい。図７Ｅの中で示される実施形態においては、金属あるいは他の導電性材料の追加の層(extra layer)は、バス構造体(bus structure)４４を形成するために使用されている。これは、信号が干渉系変調器のバック(back)に沿って伝わることを可能にし、そうでなければ基板２０上で形成されなければならなかった多くの電極を無くすことができる。
【００４６】
図７中で示されるもののような実施形態においては、干渉系変調器は、ダイレクトビューデバイス(direct-view device)として機能し、そこでは、イメージはトランスペアレント基板２０のフロント側、変調器が配置されているものと反対の側、から見られる(viewed)。これらの実施形態においては、反射層１４は、変形可能層３４を含んで、基板２０の反対側の反射層１４の側の干渉系変調器の部分を、遮蔽する(shield)。これは、遮蔽されたエリアが、イメージ品質に否定的に影響を与えること無しに、構成されそして操作されることを可能にする。そのようなシールディングは、図７Ｅの中のバス構造体４４を可能とし、それは、変調器の光特性を変調器のエレクトロメカニカル特性、例えば、アドレッシングおよびそのアドレッシングに起因する動きなど、から分離する機能(ability)を与える。この分離可能な変調器構成は、変調器のエレクトロメカニカルの面(aspects)および光学的な面のために使用される構成上の設計および材料が、互いに独立して選択されてそして機能することを可能にする。更に、図７Ｃ−７Ｅにおいて示される実施形態は、反射層１４の光特性と変形可能層３４によって実行される機械特性との減結合(decoupling)から導き出される更なる利点を有する。これは、反射層１４のために使用される構造上の設計および材料が光特性に関して最適化されるのを、そして、変形可能層３４のために使用される構造上の設計および材料が所望の機械特性に関して最適化されるのを、可能とする。
【００４７】
鏡面反射デバイスにおける色とコントラストを測定すること
【００４８】
ほとんどのディスプレイ技術は、本質的に、ビューアに散光を与える。例えば、陰極線管、放射ＬＣＤ、およびプラズマディスプレイ、のような放射ディスプレイ(emissive displays)においては、ピクセルは光を複数の方向(multiple direction)に伝える(transmit)。同様に、反射ＬＣＤは入射光を複数の方向に散乱させる。対照的に、ディフューザフィルム(diffuser film)の無い干渉系変調器ディスプレイのような鏡面反射デバイスは、鏡面反射の方法で入射光を反射する。従って、一実施形態においては、鏡面反射デバイスの色およびコントラストの測定は、入射照射の角度と等しい角度でデバイスから反射される光を測定することによって行われる。一実施形態においては、入射照射の角度は、鏡面反射デバイスの平面に実質上垂直である。そのような実施形態においては、入射照射および反射光は実質上並列である。そのような構成(configuration)は、ここでは、「インライン」ライティング(“in-line” lighting)と呼ばれる。
【００４９】
一実施形態において、インラインライティングは、図８において表示されるようなシステムを使って達成される。このシステムでは、光源２１０からの光を評価されるデバイス上に反射するビームスプリッタ２００が提供されている。干渉系変調器アレイのような鏡面反射デバイスは、プローブマウント２４０上に置かれることができ、それはＸ−Ｙステージ２５０に結合されていてよい。プローブマウント２４０は、鏡面反射デバイスに電気接続するためのコンポーネントを備えることができる。例えば、プローブマウント２４０は、鏡面反射デバイス上のコンタクトと接続するばね仕掛けのピン(spring loaded pins)を備えるかもしれない。一実施形態においては、鏡面反射デバイスは、ウェハ上の干渉系変調器のアレイ(an array of interferometric modulators)であり、ここではウェハは、ウェハ上の干渉系変調器を制御するための電気コンタクトを含む。Ｘ−Ｙステージ２５０は、照射および測定のためのデバイスの領域を選択するために反射デバイスを移動させるのに使用されることができる。検知モジュール２２０は、デバイスから反射される光を別々に検知するために提供される。このようにして、入射および検知された反射光の両方は、基板に垂直(normal)である。いくつかの実施形態においては、システムは、鏡面反射デバイスの全アクティブ表面積(total active surface area)の小さな部分のみを評価するために顕微鏡対物レンズ(microscope objective)２３０を更に備えてもよい。いくつかの実施形態においては、顕微鏡対物レンズ２３０は、検知モジュール２２０の中で光検知器２６０によって反射光の強度(intensity)を測定することにより焦点を合わせられることができる。最適の焦点は、測定された反射光の強度中の最大によって示されることができる。鏡面反射デバイスの選択された領域のみから反射される光を測定するために、光源からプローブマウント２４０への、そしてプローブマウント２４０から検知モジュール２４０への光経路中の様々な場所にレンズは置かれてよい、ということを、当業者は認識するであろう。
【００５０】
検知モジュール２２０は、１つ以上の検知器、例えば光検知器(photo detector)あるいは分光計(spectrometer)２６０、およびＣＣＤカメラ２７０を含んでよい。１つ以上のビームスプリッタ(beam splitter)２８０は、１つよりも多い検知器による同時測定のために使用されてよい。光源２１０は、所望のスペクトルおよび強度特性(spectral intensity characteristics)を有する光を供給するように選択されることができる。例えば、光源２１０を、ディスプレイを見る(view)ために典型的に使用されるであろう光源の特性に接近させることが望ましいかもしれない。一実施形態においては、標準Ｄ６５光源が使用される。別の実施形態においては、Ｄ６５光源標準に対してそのスペクトルが知られている連続スペクトル光源(continuous spectrum)が使用される。
【００５１】
いくつかの実施形態においては、光源２１０は、ケーラー設計(Koehler design)を有するデバイスのような照射制御装置２９０に結合されることができる。照射制御装置２９０のアパーチャ(aperture)は、鏡面反射デバイス上の関連領域(area of interest)だけを照射するように調整されることができる。
【００５２】
別の実施形態においては、インラインライティングは、光ファイバエレメントのバンドル(a bundle of fiber-optic elements)を使用することによって提供されることができる。図９は、光ファイバエレメントを使用してインラインライティングを供給するためのシステムを図示する。システムは、測定されるべき鏡面反射デバイス３０４上に置かれる光ファイバのバンドル３０２を備える。バンドル３０２中の１つ以上のファイバ３０６は、光源３０８に接続されてよい。バンドル３０２中の１つ以上の他のファイバ３１０は、検知モジュール３１２に接続されてよい。図９の中で図示された実施形態においては、ファイババンドル(fiber bundle)３０２は、鏡面反射デバイス３０４に垂直に置かれることができる。この構成においては、照射ファイバ３０６を通して供給される入射光は、検知ファイバ３１０によって受け取られる光と実質上平行になる。一実施形態においては、ファイババンドル３０２の末端は、鏡面反射デバイス３０４の表面から、約２から約５μｍの間（例、３から４μｍの間）に置かれる。別の実施形態においては、図８の中の顕微鏡対物レンズ２３０のような顕微鏡対物レンズは、ファイババンドル３０２の終端と鏡面反射デバイス３０４の表面の間に置かれてよい。
【００５３】
一実施形態では、複数の検知器が使用されるように、検知モジュール３１２は、１つ以上のビームスプリッタ、例えば、図８の中で図示されるビームスプリッタ２８０、を含んでもよい。代替実施形態においては、図８中のビームスプリッタ２００のようなビームスプリッタが鏡面反射デバイスに垂直な入射および反射光を誘導する(direct)ように、ファイババンドル３０２は位置を定められることができる。この構成は、ＣＣＤカメラのような検知モジュール２２０中の更なる検知器が、検知ファイバ３１０によって受け取られない反射光を検知するように同時に使用されることを可能にする。
【００５４】
図１０Ａは、ファイババンドル３０２の断面の一実施形態を図示する。この実施形態においては、照射ファイバ３０６はバンドル３０２の周囲に沿って位置し、そして、検知ファイバ３１０が、バンドル３０２の中心に位置する。この構成は、検知されるべき鏡面反射デバイスの部分の均一照射(uniform illumination)を可能にする。一実施形態においては、照射ファイバ３０６は、スペーサ(spacer)３２０によって照射ファイバ３０６から間を置かれ離れている。一実施形態においては、スペーサ３２０は、検知ファイバ３１０と照射ファイバ３０６の間に約５μｍから約５ｍｍ（例、約２０から約５００μｍの間）のギャップを提供する。一実施形態においては、ファイバ３０６および３１０は、約１００μｍから約６００μｍ（例、約３００から約５００μｍの間）の直径を有している。一実施形態においては、ファイバは、約４００μｍの直径を有している。別の実施形態においては、ファイババンドル３０２中のファイバは、例えばエポキシ樹脂などで、一緒につけられ、そして、スペーサ３２０は使用されない。図１０Ｂの中で図示された別の実施形態においては、２つの検知ファイバ３２１が、バンドル３０２の中心に位置する。２つの検知ファイバ３２１は、図１０Ａの中で図示された単一の検知ファイバ３１０よりも小さな直径を有するかもしれない。例えば、一実施形態では、検知ファイバ３２１は、各々２００μｍの直径を有している。
【００５５】
上記で説明されたインラインライティングシステムを使って、鏡面反射デバイス（例えば干渉系変調器アレイなど）から反射される光を測定する時、照射および検知のエリア(area)のサイズは、レンズおよびアパーチャのシステムを使って、例えば、レンズ２３０を備えたケーラーデバイス(Koehler device)の中で、あるいは他のアパーチャ−レンズシステムを使って制御されてよい。光は、鏡面反射デバイスからの反射の前、及び／又は、後、の両方で制御されることができる。一実施形態においては、鏡面反射デバイスの照射のエリアは、光ファイバ３０２とデバイス３０４の間の距離を調整することによって調整されることができる。使用されるエリアのサイズは、任意の適切なサイズであってよい。一実施形態においては、ディスプレイが測定される時、十分なピクセルか照射され検知するので、ピクセル全体にわたる効果の平均化は達成される。一実施形態では、約１０から約２０のピクセルの間の直径を有するエリアが測定される。更に、レスポンスの均一性をチェックするためにディスプレイの表面にわたって(over the surface of the display)複数のエリアを測定することが望ましいかもしれない。一実施形態においては、ディスプレイの中心にあるエリアだけが測定される。他の実施形態においては、適切な標準(appropriate standard)であるとディスプレイ産業界で認められるように、異なる位置での複数のエリアが測定される。例えば、５、９あるいは１３の異なるエリアが測定されるかもしれない。
【００５６】
当業者は、干渉系変調器ディスプレイのような鏡面反射デバイスから反射される光のインライン照射および検知を提供する他の方法を十分認識するであろう。
【００５７】
色とコントラストの測定のための標準(Standard for Color and Contrast Measurements)
【００５８】
いくつかの実施形態においては、干渉系変調器ディスプレイにおける色およびコントラストの決定を行うために、上記に説明されたようなインラインライティングシステムを使って測定が行われる。いくつかの実施形態においては、色とコントラストの測定は、干渉系変調器アレイの表示装置へのパッケージングより先に行われる。従って、もし色とコントラストの測定が満足でない場合は、アレイはパッケージングより先に廃棄処分されることができ、そうすることによって、欠陥のあるあるいは不満足なディスプレイを廃棄処分することに伴うコストを減らしている。従って、一実施形態においては、干渉系変調器ディスプレイの色とコントラストの測定は、「ウェハ」レベルで（すなわち、上記に説明されたように、干渉系変調器のアレイが基板上に製造された後に）行われる。
【００５９】
いくつかの実施形態においては、色とコントラストの測定は、干渉系変調器アレイの測定より先に、ダークおよびブライト標準からの反射を測定することによって、容易になり得る。一実施形態においては、干渉系変調器からの可能な反射のうちの最小強度(minimum intensity)を表すダーク標準(dark standard)が選ばれ、そして、干渉系変調器からの可能な反射のうちの最大強度(maximum intensity)を表すブライト標準(bright standard)が選ばれる。一実施形態においては、ダーク標準およびブライト標準からの反射は、各干渉系変調器アレイがテストされるより先に、測定される。別の実施形態においては、単一のダーク標準およびブライト標準からの反射が測定され、そして、複数の干渉系変調器アレイをテストするためのレファレンス(reference)として使用される。
【００６０】
一実施形態においては、ダーク標準およびブライト標準は、１つ以上の干渉系変調器アレイと同じウェハ上で提供される。図１１は、そのような実施形態を図示する。図１１では、ウェハ３５０は、干渉系変調器アレイ３５２、ブライト標準３５４、そしてダーク標準３５６を含んでいる。干渉系変調器アレイ３５２の色及び／又はコントラストの測定を行うことより先に、ブライト標準３５４およびダーク標準３５６からの反射が測定されることができ、そしてそのような測定は、干渉系変調器アレイ３５２に関する色及び／又はコントラスト測定を行うための比較として使用され得る。測定後、ウェハ３５０は、ブライト標準３５４およびダーク標準３５６を除去するように切断されることができ、そして、干渉系変調器アレイ３５２は、望ましいデバイスパッケージに組み入れられることができる。
【００６１】
別の実施形態においては、ブライト及び／又はダーク標準は、測定システムの一部として提供されることがでえきる。例えば、図８の中で図示されたシステムでは、標準はＸ−Ｙステージ２５０上に固定されてよい。各新しいウェハ上のあるいは一連のウェハ間の測定より先に、Ｘ−Ｙステージ２５０は、正確な較正を得るために標準がシステムによって精査される(probed)ように位置が定められる(positioned)。
【００６２】
図１２Ａは、ブライト標準３５４の一実施形態を図示する。このブライト標準３５４は、実質上トランスペアレントな基板３７２上に堆積される反射材料(reflective material)３７０を備える。一実施形態においては、図１に及び図７Ａから７Ｃまでをとおしてエレメント１４として図示されるような、反射材料３７０は、干渉系変調器中の可動ミラー(movable mirror)を構成するために使用されるのと同じ材料を備える。例えば、反射材料３７０は、アルミニウムを備えてよい。一実施形態においては、図１１および１２Ａの中で図示されたブライト標準３５４は、干渉系変調器３５２と同じウェハ３５０上に、干渉系変調器３５２と同時に製造される。例えば、同じ堆積と除去のステップが全ウェハ３５０上で使用されてもよい；然しながら、ブライト標準３５４のパターニングは、可動ミラーが堆積される時、可動ミラー材料３７０が基板３７２上に直接に堆積されるようにブライト標準３５４のエリア中の全ての他の層が除去されている、というようなものであってもよい。図１２Ａの中で図示されたブライト標準３５４は、それが、干渉系変調器３５２中の部分的に反射する層からの反射に起因するいずれの干渉も無しに干渉系変調器３５２中の可動ミラーからの完全な反射を表わすので、干渉系変調器３５２からの最大反射率(maximum reflectivity)を表わすであろう。
【００６３】
図１２Ｂは、ダーク標準３５６の一実施形態を図示する。このダーク標準３５６は、実質上トランスペアレントな基板３７２に堆積された重層構造(layered structure)を備える。重層構造は、部分的に反射するミラー３８０、実質上トランスペアレントな誘電材料３８２、および反射材料３７０を備える。この構造は、部分反射ミラー３８０から反射される光が、部分反射ミラー３８０と反射材料３７０との間で複数回反射される光に干渉するだろうから、エタロン(etalon)として機能する。一実施形態においては、部分反射ミラー３８０は、図１に及び図７Ａから７Ｃまでをとおしてエレメント１６として図示されるような、干渉系変調器中の部分反射体(partial reflector)を構成するために使用されるのと同じ材料を備える。一実施形態においては、反射材料３７０は、図１に及び図７Ａから７Ｃまでをとおしてエレメント１４として図示されるような、干渉系変調器中の可動ミラーを構成するために使用されるのと同じ材料を備える。一実施形態においては、誘電体３８２は、干渉系変調器の中で誘電性の層として使用されるのと同じ材料を含む。一実施形態においては、図１１および１２Ｂの中で図示されるダーク標準３５６は、干渉系変調器３５２と同じウェハ３５０上で干渉系変調器３５２と同時に製造される。例えば、同じ堆積と除去のステップが、全ウェハ３５０上で使用されてもよい；然しながら、ダーク標準３５６のパターニングは、部分反射体３８０、誘電体３８２、および可動ミラー材料３７０のみが基板上に残る、というようなものであってよい。図１２Ｂの中で図示されたダーク標準３５６は、それが、作動状態（すなわち、図１の中で図示されるように、可動ミラー層が固定層に押し付けられる時）における干渉系変調器３５２に構造において似ているので、干渉系変調器３５２からの最小反射率(minimum reflectivity)を表わすであろう。言いかえれば、図１２Ｂの中で図示されたダーク標準３５６は、エアギャップ（例、図１中のエアギャップ１９）の存在しない干渉系変調器３５２に構造において似ている。
【００６４】
代替実施形態においては、ダーク標準構造３５６を使用することよりも寧ろ、光源が切られるあるいは光源が適切なシャッタを使って遮られ得る時に測定システムを使って測定される反射率あるいはゼロ反射率であるようにダークレファレンスポイント(dark reference point)が適宜(arbitrarily)選ばれてよい。あるいは、シャッタは、光が検知器に入るのをブロックするために使用されてもよい。
【００６５】
当業者は、干渉系変調器の色とコントラストの測定を行うためのブライトおよびダークレファレンススペクトルとして使用されてもよい反射率の他の構造あるいはモデルを認識するであろう。
【００６６】
モノクロディスプレイ用のテスト方法
【００６７】
いくつかの実施形態においては、色及び／又はコントラストが測定される予定の干渉系変調器は、モノクロディスプレイ(monochrome display)であろう。そのようなディスプレイは、図７Ａから７Ｃを通して図示されたタイプのような、２状態のうちの１つの状態で存在することが可能な、単一タイプの干渉系変調器を複数備えるかもしれない。各干渉系変調器は、ブライト状態とダーク状態を有しており、ブライト状態は、非作動状態(unactuated state)における干渉系変調器によって決定されるであろう、そして、ダーク状態は、作動状態(actuated state)における干渉系変調器によって決定されるであろう。
【００６８】
図１３は、干渉系変調器ディスプレイにおける色とコントラストを測定する方法の一実施形態を図示するフローチャートである。特定の実施形態に応じて、ステップは、図１３において図示されたものに追加されてもよいし、あるいは、いくつかのステップが取り除かれてもよい。更に、ステップの順序は、アプリケーションに応じて並び替えられてもよい。最初、ブロック４００で、標準およびサンプル干渉系変調器ディスプレイを照射するために入射照射が提供される。照射は、上記に説明されたインライン照射システムの一部として提供されるかもしれない。いくつかの実施形態においては、照射は、標準あるいはディスプレイの一部分のみに提供される。ブロックに４０２に進み、ブライト標準から反射される光のスペクトルが測定される。一実施形態においては、ブライト標準は、上記に説明されたような構造である。スペクトルは、上記に説明されたインラインライティングシステムの一部である分光計によって測定されてよい。ブロック４０４に移動して、ダーク標準から反射される光のスペクトルが測定される。一実施形態においては、ダーク標準は上記に説明されたような構造である。いくつかの実施形態においては、ダークレファレンスは、ダーク標準を使用すること以外の他の方法によって、例えば、光源を切るあるいは遮ることによって、得られる。
【００６９】
次に、ブロック４０６で、ディスプレイにおけるサンプル干渉系変調器から反射される光のスペクトルが測定される。入射光のスペクトルは、ブライト（非作動中）状態およびダーク（作動中）状態における両方の干渉系変調器に対し別々に測定されてよい。更に、ブライトおよびダーク状態は、様々な駆動方式のもとで測定されてよい。一実施形態においては、サンプル干渉系変調器から反射される光のスペクトルは、４つの異なる駆動方式のもとで測定される。図１４は、図３の中で既に示された干渉系変調器のヒステリシス動作を図示する。１つの駆動方式においては、干渉系変調器が駆動されないように、干渉系変調器の両端には電圧は加えられない。従って、干渉系変調器は、図１４においてポイント４５０により例示されるような非駆動のブライト状態(undriven bright state)にある。別の駆動方式においては、干渉系変調器の前の状態にかかわらずに干渉系変調器を作動ダーク状態(actuated dark state)に強制するのに十分高い電圧が加えられる。そのような過度に駆動されたダーク状態(overdriven dark state)は、図１４中のポイント４５２によって例示される。第３の駆動方式では、ヒステリシスウィンドウ内のダーク状態に干渉系変調器を置くように、一連の電圧が加えられる。そのようなメモリダーク状態(memory dark state)は、図１４の中のポイント４５４によって例示される。最後の駆動の方式では、ヒステリシスウィンドウ内のブライト状態に干渉系変調器を置くように、一連の電圧が加えられる。そのようなメモリブライト状態(memory bright state)は、図１４中のポイント４５６によって例示される。当業者は、代替駆動方式の下でサンプル干渉系変調器からの反射度を測定することもまた可能であることを認識するであろう。
【００７０】
図１３中のフローチャートに戻ると、ブロック４０８では、各所望の駆動方式の下でのサンプル干渉系変調器の反射度スペクトルが決定される。反射度スペクトルは、測定されたスペクトルが光源からの入射光のスペクトルによる寄与分(contributions)を含んでいる点で、反射光の測定されたスペクトルと異なる。例えば、反射光の測定されたスペクトルの１つの表現は次のとおりである：
Ｉ（λ）＝Ｓ（λ）Ｒ（λ）
但し、Ｉ（λ）は反射光の強度であり、Ｓ（λ）は照射光源によって放射される光の強度であり、そして。Ｒ（λ）は反射度スペクトルである。従って、反射度スペクトルは、照射源と無関係に、反射材料の固有のスペクトル特性(inherent spectral properties)を表わす。一実施形態においては、サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルは、ブライトおよびダーク標準のために決定された標準反射度スペクトルとの比較に基づいて決定される。一実施形態においては、ブライト標準は、そのために較正された反射度スペクトル(calibrated reflectance spectrum)が決定されている商業的に入手可能な高反射率鏡面反射度標準(high-reflectivity specular reflectance standards)を含んでいる。一実施形態においては、この標準は、ＮＩＳＴマスター標準(NIST master standard)に帰することができる(traceable)。別の実施形態においては、干渉系変調器と同時に製造される上記に説明されたブライト標準のような、ブライト標準の反射スペクトルは、該標準が測定される毎に、または、製造プロセスが多少なりとも変らない限りは複数の標準に対し１度に、商業的に利用可能な標準に別々に較正されてよい。一実施形態においては、ダーク標準もまた、低い反射率の鏡面反射度標準のような、商業的に利用可能なダーク標準を含んでいる。あるいは、ダーク標準の反射度スペクトルはゼロであると仮定される。
【００７１】
一実施形態においては、図１３のフローチャートの中で図示されるように、サンプル干渉系変調器の反射度スペクトル(reflectance spectrum)を決定することは、ブロック４１０で、ブライトおよびダーク標準に比較してサンプル干渉系変調器の相対反射率(relative reflectivity)を決定することと、ブロック４１２で、該結果にブライト標準の反射度スペクトル(reflectance spectrum)を掛けることとを、備える。この方法は、ダーク標準の反射率が０であると仮定する。決定は、次のように数学上表現されることができる:
【数１】
2008516193.tif 000003
【００７２】
但し、Ｒ（λ）はサンプル干渉系変調器の反射度スペクトルであり、Ｍ（λ）はサンプル干渉系変調器から反射される光の測定強度(measured intensity)であり、Ｄ（λ）はダーク標準から反射される光の測定強度であり、Ｂ（λ）はブライト標準から反射される光の測定強度であり、そして、ＲＢ（λ）はブライト標準の反射度スペクトルである。代替実施形態においては、サンプルの反射度スペクトルもまたダーク標準の反射率に基づいて正される(corrected)。この実施形態においては、ダーク標準の反射率は０であるとは仮定されない。
【００７３】
図１５は、上記に述べられた４駆動方法の下の干渉系変調器に対し決定される典型的な反射度スペクトルを図示するグラフである。これらの反射度スペクトルは、テストされる干渉系変調器がディスプレイにおける使用のために適切であるかどうかを、あるいは、製造中に何らかの問題があったのかどうかを、決定するために使用されることができる。理想的には、ブライト状態は、可視スペクトル内で大きなピークを持った反射度スペクトルを示すだろうし、そして、ダーク状態は、可視スペクトル中で低い反射率を示すだろう。更に、２つのブライト状態の互いの比較および２つのダーク状態の互いの比較は、サンプル干渉系変調器に関する情報を提供することができる。メモリブライト反射スペクトル(memory bright reflectance spectrum)は、非駆動反射度スペクトル(undriven reflectance spectrum)と比較してより短い波長へとシフトされている。この結果は、電圧がメモリブライト状態における干渉系変調器にわたって加えられ、可動ミラーを部分反射体の方へ弓なりに曲げさせる(bow)からである。理想的には、メモリブライト状態の反射度スペクトルは、非駆動状態に比較して極端にはシフトされないであろう。もしシフティングが著しい(significant)のであれば、可動ミラーがしなやかすぎる(too flexible)ということを示すものであり得るであろうし、そしてディスプレイのブライト状態は、一貫した(consistent)色および反射率を提供しないであろう。同様に、メモリダーク(memory dark)および過駆動(overdriven)状態は理想的には同様の反射度スペクトルを持つであろう。もし反射度スペクトルが著しく異なっているのであれば、過駆動状態のより高い電圧が加えられる時、可動ミラーが更に著しく動くということを示すものであり得るであろう。この結果は、可動ミラーが十分しなやかではなく、一貫しないダーク状態をもたらしている、ということを示すことができるであろう。図１５における反射度スペクトルはまた製造プロセス中の問題に関する表示(indication)も提供できるということが認識されるであろう。
【００７４】
図１３に再び戻って、一実施形態においては、サンプル干渉系変調器のための反射度スペクトルは、ブロック４１４でのＣＩＥ  標準３刺激値(CIE standard tri-stimulus values)のような色パラメータにオプションとして変換されてもよい。一実施形態においては、ＣＩＥ  ３刺激値Ｘ、Ｙ、およびＺは、次の関係を使用して決定される：
【数２】
2008516193.tif 000004
【００７５】
但し、Ｓ（λ）は光源のスペクトル強度であり、Ｒ（λ）は反射度スペクトルであり、そして、
【数３】
2008516193.tif 000005
【００７６】
いくつかの実施形態においては、３刺激値は、Ｙ、ｘ、ｙあるいはＹ、ｕ’、ｖ’等価物(equivalents)に変換される、なお変換は次のとおりである：
【数４】
2008516193.tif 000006
【００７７】
ＣＩＥ  ３刺激値および等色関数(color matching functions)は、技術的に良く知られている。色パラメータは、上記で述べられた駆動方法の各々を受ける(undergoing)サンプル干渉系変調器に対し決定されることができる。例えば、表１は、４つの駆動方法に対して得られた１つの特定の干渉系変調器用の色パラメータをリストにしている。
【表１】
2008516193.tif 000007
【００７８】
Ｙ色パラメータは、色の明るさ(brightness of a color)を示すものとして、人間のビューワ(human viewer)によって知覚される。従って、いくつかの実施形態においては、干渉系変調器ディスプレイのコントラストは、メモリブライト状態におけるＹ色パラメータの、メモリダーク状態におけるＹ色パラメータに対する比率として定義されてもよい。例えば、表１の色パラメータを有する干渉系変調器のコントラスト比は、３．５であろう。
【００７９】
色パラメータの値は、サンプル干渉系変調器がディスプレイにおける使用に適しているかどうかを決定するために使用されてよい。例えば、色パラメータ値は、特定のディスプレイアプリケーションに望ましい値と比較されてよい。
【００８０】
多色ディスプレイのためのテスト方法
【００８１】
いくつかの実施形態においては、多色干渉系変調器アレイ(polychromatic interferometric modulator array)はテストされる。例えば、カラー干渉系変調器ディスプレイ(color interferometric modulator display)は、３つの異なるタイプの干渉系変調器を含むピクセルを提供することによって構成されることができ、各タイプは、異なるサイズのエアギャップ（例、図１中のエアギャップ１９）によって特徴づけられる。各タイプの干渉系変調器のブライト状態は、従って、異なる色を有する光を反射するであろう。あるいは、多色干渉系変調器ディスプレイは、様々な電圧を加えることにより中間状態(intermediate state)にそのエアギャップが調整されることができる干渉系変調器を製造することによって構成されてもよい。従って、そのような干渉系変調器はいくつかのブライト状態を有することができ、各々は異なる色を反射する。
【００８２】
多色ディスプレイの場合、色のついたブライト状態(colored bright state)の各異なる組合せの反射度スペクトルは、モノクロディスプレイについて上記に説明され、図１３において示されたように、決定されてよい。そのようなディスプレイのダーク状態は、ダーク状態にある全てのピクセルによって決定されることができる。更に、三原色ブライト状態から成る(consisting of)多色ディスプレイの場合、白いブライト状態反射度スペクトルは、全ての色の同時のブライト状態を測定することにより測定されることができる。従って、一つの例においては、赤、緑、および青のサブピクセルを有する干渉系変調器ディスプレイの場合、表２の中で示されるように、８つの反射度スペクトルが測定される。
【表２】
2008516193.tif 000008
【００８３】
更に、各ブライトおよびダーク状態は、メモリブライトおよびダーク状態か、非駆動ブライト状態か、過駆動状態か、あるいはそれらの任意の組合せであり得る。従って、多くの可能な反射度スペクトルが、多色ディスプレイに対し決定され得る。
【００８４】
ブライト状態（例、シアン、黄、およびマゼンタ）の組合せによって生成される非原色(non-primary colors)は、特定カラー干渉系変調器のダーク状態が満足なものであるかどうかを示すために有用である。例えば、もし赤のサブピクセルが十分に暗く(dark)なければ、シアン用の決定された反射度スペクトルは、期待されるものと異なるであろう。
【００８５】
いくつかの実施形態においては、上記に説明されるような色パラメータは、測定された各反射度スペクトルに対し決定されることができる。そのような場合では、色空間プロット(color space plot)において色パラメータをプロットする(plot)ことが望ましいかもしれない。図１６は、そのような色空間プロットの１つを図示しており、そこでは、赤５００、緑５０２、青５０６、および白５０８の反射度スペクトルの色パラメータが決定され、そしてプロットされている。三角形５１０によって図示されたエリアは、ディスプレイに利用可能な色域の判定の指標となる。従って、そのような表示は、所望の色域特性および白色点(white point)を備えたディスプレイを設計するのに使用されることができる。更に、複数の色パラメータは、サンプル干渉系変調器がディスプレイにおける使用に適しているのかどうかを決定するために使用されてもよい。例えば、特定のディスプレイアプリケーションが指定された色域を有するのは望ましいかもしれない。上記に説明された色パラメータの決定は、指定された色域がサンプル干渉系変調器によって達成されたかどうかを決定するために使用されることができる。
【００８６】
多色ディスプレイのためのコントラスト比は、白および黒の状態のＹ色パラメータの比率として決定されることができる。あるいは、コントラスト比は、各色のサブピクセルに対し独立に決定されてもよい。例えば、表２中の赤の反射度スペクトルのＹ色パラメータの、黒の反射度スペクトルのＹ色パラメータに対する比率は、赤のコントラスト比を提供する。
【００８７】
上記に説明された多色ディスプレイにおける測定の全ては単一のブライト標準(single bright standard)を使って行われることができるが、いくつかの実施形態においては、複数のブライト標準(multiple bright standards)が使用されることができ、各々はより近い波長で最大反射率を有し、該最大は各色のサブピクセルについて観測される。
【００８８】
本発明は、実施形態と例を参照して説明されたが、本発明の精神から逸脱せずに多くのそして様々な修正が行われることができる、ということが理解されるべきである。従って、本発明は、特許請求の範囲によってのみ限定されている。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】図１は、第１干渉系変調器の可動反射層が緩和ポジションにあり、第２干渉系変調器の可動反射層が作動ポジションにある、干渉系変調器ディスプレイの一実施形態の一部分を図示する等角投影図である。
【図２】図２は、３ｘ３干渉系変調器ディスプレイを組込む、電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図３は、図１の干渉系変調器の一例示的実施形態の場合の可動ミラーポジション対印加電圧のダイアグラムである。
【図４】図４は、干渉系変調器ディスプレイを駆動するために使用されことができる行と列の電圧の１セットを示す。
【図５Ａ】図５Ａおよび５Ｂは、図２の３ｘ３干渉系変調器ディスプレイに１フレームのディスプレイデータを書くために使用されることができる行と列の信号のための一例示的タイミング図を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図２の３ｘ３干渉系変調器ディスプレイに１フレームのディスプレイデータを書くために使用されることができる行と列の信号のための一例示的タイミング図を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、複数の干渉系変調器を備える視覚的表示装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、複数の干渉系変調器を備える視覚的表示装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図１のデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、干渉系変調器の他の実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、干渉系変調器の別の他の実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、干渉系変調器の更に別の他の実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、干渉系変調器の更なる他の実施形態の断面図である。
【図８】図８は、ビームスプリッタを利用する、鏡面反射デバイスのテストのためのインライン照射および検知を提供するシステム、を図示するブロック図である。
【図９】図９は、光ファイバを利用する、鏡面反射デバイスのテストのためのインライン照射および検知を提供するためのシステム、を図示するブロック図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図９において図示された光ファイバの一実施形態の断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図９において図示された光ファイバの別の実施形態の断面図である。
【図１１】図１１は、集積干渉系変調器アレイとブライトおよびダーク標準を有するウェハの上面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、ブライト反射度標準の断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、ダーク反射度標準の断面図である。
【図１３】図１３は、鏡面反射デバイスの反射度スペクトルおよび色パラメータを測定する方法を図示するフローチャートである。
【図１４】図１４は、干渉系変調器のヒステリシス特性を図示するグラフである。
【図１５】図１５は、様々な駆動方法の下での干渉系変調器の反射度スペクトルを図示するグラフである。
【図１６】図１６は、三色の干渉系変調器ディスプレイのための色パラメータを図示する色空間プロットである。
【図１】
2008516193.tif 000009
【図２】
2008516193.tif 000010
【図３】
2008516193.tif 000011
【図４】
2008516193.tif 000012
【図５Ａ】
2008516193.tif 000013
【図５Ｂ】
2008516193.tif 000014
【図６Ａ】
2008516193.tif 000015
【図６Ｂ】
2008516193.tif 000016
【図７Ａ】
2008516193.tif 000017
【図７Ｂ】
2008516193.tif 000018
【図７Ｃ】
2008516193.tif 000019
【図７Ｄ】
2008516193.tif 000020
【図７Ｅ】
2008516193.tif 000021
【図８】
2008516193.tif 000022
【図９】
2008516193.tif 000023
【図１０Ａ】
2008516193.tif 000024
【図１０Ｂ】
2008516193.tif 000025
【図１１】
2008516193.tif 000026
【図１２Ａ】
2008516193.tif 000027
【図１２Ｂ】
2008516193.tif 000028
【図１３】
2008516193.tif 000029
【図１４】
2008516193.tif 000030
【図１５】
2008516193.tif 000031
【図１６】
2008516193.tif 000032
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月5日(2007.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のサンプル干渉系変調器の色あるいはコントラストを測定する方法であって、
基板上に位置するブライト標準から反射される光のスペクトルを測定することと；
前記基板上に同様に位置する前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光のスペクトルを測定することと；そして
前記のブライト標準および1以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルに基づいて前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することと；
を備える、方法。
【請求項２】
ダーク標準から反射される光のスペクトルを測定することを更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ダーク標準は、少なくとも１つのエタロンを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記のブライト標準およびサンプル干渉系変調器から反射される前記光は、前記のブライト標準およびサンプル干渉系変調器から鏡面反射される、照射源からの光を含む、干渉系変調器請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記のブライト標準およびサンプル干渉系変調器から反射される前記光は、前記の標準およびサンプル干渉系変調器の反射面に実質上垂直に反射される光を含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、ブライト状態の前記サンプル干渉系変調器とダーク状態の前記サンプル干渉系変調器の両方に対して測定される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、非駆動状態、過駆動状態、メモリダーク状態、そしてメモリブライト状態における前記サンプル干渉系変調器に対して測定される、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記サンプル干渉系変調器は、第１の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第１セットと第２の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第２セットとを含み、前記第１の色は前記第２の色とは異なり、前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、干渉系変調器の前記第１セットと干渉系変調器の前記第２セットに対して別々に測定される、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記ブライト標準は、鏡面反射標準を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することは、前記のブライトおよびダーク標準のスペクトル反射率と比較して前記サンプル干渉系変調器の相対的なスペクトル反射率を決定することを含む、請求項２記載の方法。
【請求項１１】
前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することは、前記相対的なスペクトル反射率に前記ブライト標準の前記スペクトル反射率を掛けることを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記反射度スペクトルから色パラメータを決定することを更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
ブライト状態における前記サンプル干渉系変調器に対し決定された色パラメータをダーク状態における前記サンプル干渉系変調器に対し決定された色パラメータと比較することによって、前記サンプル干渉系変調器のコントラストを決定すること、を更に備える請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
ディスプレイにおける使用に適合された複数の反射ディスプレイエレメントと；そして
ブライト標準と；
を備え、
前記反射ディスプレイエレメントと前記ブライト標準が同じ基板上に存在する、
集積反射ディスプレイエレメント及びテスト標準ウェハ。
【請求項１５】
前記反射ディスプレイエレメントは干渉系変調器である、請求項１４記載のウェハ。
【請求項１６】
ダーク標準を更に備え、前記反射ディスプレイエレメント、前記ブライト標準、および前記ダーク標準が、同じ基板上に存在する、請求項１４記載のウェハ。
【請求項１７】
前記ブライト標準は、トランスペアレントな基板上に堆積される反射性材料を備える、請求項１４記載のウェハ。
【請求項１８】
前記ダーク標準は、少なくとも１つのエタロンを含む、請求項１７記載のウェハ。
【請求項１９】
ディスプレイにおける使用のために光を反射するための複数の第１手段と；
前記第１手段から反射される光よりも大きな強度で光を反射するための第２手段と；
を備え、
前記第１手段と前記第２手段は同じ基板上に存在する、
ウェハ。
【請求項２０】
前記第１手段は干渉系変調器を備える、請求項１９記載のウェハ。
【請求項２１】
前記第２手段はブライト標準を備える、請求項１９または２０記載のウェハ。
【請求項２２】
鏡面反射性の反射デバイスを照射するように適合された照射源と；
前記鏡面反射性の反射デバイスから反射される光を検知するように適合された検知器と；
前記照射源からの光を前記検知器に鏡面反射するように適合され、それによって、前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルを決定する際に使用するための反射度スペクトル標準を提供する鏡面反射性の反射ブライト標準と；そして
前記照射源からの光を前記検知器に鏡面反射するように適合され、それによって、前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルを決定する際に使用するための第２反射度スペクトル標準を提供するエタロンを備えた鏡面反射性の反射ダーク標準と；
を備える、インラインライティングおよび測定システム。
【請求項２３】
前記照射源からの光が前記検知器に到達しないようにブロックするように適合されたシャッタ、を更に備える請求項２２記載のシステム。
【請求項２４】
前記検知器は分光計を備える、請求項２２記載のシステム。
【請求項２５】
鏡面反射性の反射デバイスを照射するための第１手段と；
前記鏡面反射性の反射デバイスから反射される光を検知するための第２手段と；
前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルを決定する際に使用するために反射度スペクトル標準を提供するための第３手段と；そして
前記鏡面反射性の反射デバイスの反射度スペクトルを決定する際に使用するために反射度スペクトル標準を提供するための第４手段と；
を備える、インラインライティングおよび測定システム。
【請求項２６】
前記第１手段は照射源である、請求項２５記載のシステム。
【請求項２７】
前記第２手段は検知器である、請求項２５または２６記載のシステム。
【請求項２８】
前記第３手段は鏡面反射性の反射ブライト標準である、請求項２５、２６、または２７の何れか１項に記載のシステム。
【請求項２９】
前記第４手段は鏡面反射性の反射ダーク標準である、請求項２５、２６、２７、または２８の何れか１項に記載のシステム。
【請求項３０】
干渉系変調器のアレイがディスプレイにおける使用に適しているかどうかを決定する方法であって、
非駆動状態、メモリダーク状態、メモリブライト状態、および過駆動状態における前記干渉系変調器のうちの少なくともいくつかのための色パラメータを決定することと；そして
前記決定に基づいて、前記アレイをディスプレイとして使用に適しているものと確認することと；
を備える方法。
【請求項３１】
前記アレイは、第１の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第１セットと第２の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第２セットとを含んでおり、前記第１の色は前記第２の色とは異なっており、色パラメータが、干渉系変調器の前記第１セットおよび干渉系変調器の前記第２セットの両方に対し決定されている、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
前記確認することは、前記色パラメータによって示された色域に基づいている、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
前記確認することは、２つの異なる状態において測定された前記色パラメータのうちの１つの比率として決定されたコントラスト比に基づいている、請求項３０記載の方法。
【請求項３４】
複数の材料堆積ステップと；
材料除去のための領域を定義する複数のパターニングステップと；そして
複数の材料除去ステップと；
を備えるプロセスによって製造される集積干渉系変調器およびテスト標準ウェハであって、
前記のパターニングステップが、複数の干渉系変調器と、そして別に、ブライト標準およびダーク標準から成るグループから選択される少なくとも１つの反射率標準とを定義するために使用されている、
ウェハ。
【請求項３５】
前記少なくとも１つの反射率標準は、１あるいは複数の高反射率材料を除いて全てが除去された前記ウェハの領域を含む、請求項３４載のウェハ。
【請求項３６】
前記少なくとも１つの反射率標準は、スタティックエタロンが形成される前記ウェハの領域を含む、請求項３４記載のウェハ。
【請求項３７】
干渉系変調器アレイを製造する方法であって、
実質上トランスペアレントな基板上に複数の干渉系変調器を形成することと；
前記基板上に、ブライト標準およびダーク標準から成るグループから選択される反射率標準を形成することと；
を備える方法。
【請求項３８】
前記の反射率標準および干渉系変調器は、両方とも、同一の一連の材料堆積および除去のステップによって形成され、前記の干渉系変調器および反射率標準は、異なるパターニングを受ける、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
請求項３７のプロセスによって生成された干渉系変調器アレイ。
【請求項４０】
基板上の干渉系変調器の色を測定する方法であって、
前記干渉系変調器から反射される光を検知することと;
更に前記基板上で最大量の光を反射するための手段を使用して、第１レファレンス反射率を決定することと；そして
前記の検知された光および第１レフェレンス反射率から前記干渉系変調器の前記色を決定することと；
を備える方法。
【請求項４１】
最少量の光を反射するための手段を使用して第２レファレンス反射率を決定することを更に備え、前記干渉系変調器の前記色を決定することは、前記検知された光と前記第１および第２のレファレンス反射率から前記の色を決定することを含んでいる、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
前記の前記色を決定するステップは、前記干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することを含む、請求項４０記載の方法。
【請求項４３】
前記の前記色を決定するステップは、前記干渉系変調器の１以上の色パラメータを決定することを含む、請求項４０記載の方法。
【請求項４４】
複数の干渉系変調器を備える装置であって、
基板上に位置している前記干渉系変調器のうちの少なくともいくつかから反射される光を検知することと；
前記基板上に更に位置しているブライト標準から反射される光を検知することと；そして
前記干渉系変調器の反射度スペクトル、１以上の色パラメータ、及び／又はコントラスト比を決定することと;
を備える方法によって、前記装置における使用に適しているとして確認された、前記複数の干渉系変調器を備える装置。
【請求項４５】
前記装置における使用に適しているとして前記干渉系変調器を確認することは、ダーク標準から反射される光を検知することを更に備える、請求項４４記載の装置。
【請求項４６】
前記ダーク標準は少なくとも１つのエタロンを含む、請求項４５記載の装置。
【請求項４７】
前記ディスプレイと電気的にやりとりするプロセッサと、なお前記プロセッサはイメージデータを処理するように構成されている；
前記プロセッサと電気的にやりとりするメモリデバイスと；
を備える請求項４４記載の装置。
【請求項４８】
前記干渉系変調器に少なくとも１つの信号を送るように構成されたドライバ回路、を更に備える請求項４７記載の装置。
【請求項４９】
前記イメージデータの少なくとも１部分を前記ドライバ回路に送るように構成されたコントローラを更に備える、請求項４８記載の装置。
【請求項５０】
前記イメージデータを前記プロセッサに送るように構成されたイメージソースモジュールを更に備える、請求項４７記載の装置。
【請求項５１】
前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ、および送信機の少なくとも１つを備える、請求項５０記載の装置。
【請求項５２】
入力データを受け取りそして前記入力データを前記プロセッサに伝えるように構成された入力装置を更に備える、請求項４７記載の装置。
【請求項５３】
１以上のサンプル干渉系変調器の色あるいはコントラストを測定する方法であって、
少なくとも１つのエタロンを備えるダーク標準から反射される光のスペクトルを測定することと；
前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光のスペクトルを測定することと；そして
前記のダーク標準および1以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルに基づいて前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルを決定することと；
を備える、方法。
【請求項５４】
前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、ブライト状態の前記サンプル干渉系変調器とダーク状態の前記サンプル干渉系変調器の両方に対して測定される、請求項５３記載の方法。
【請求項５５】
前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、非駆動状態、過駆動状態、メモリダーク状態、そしてメモリブライト状態における前記サンプル干渉系変調器に対して測定される、請求項５３記載の方法。
【請求項５６】
前記サンプル干渉系変調器は、第１の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第１セットと第２の色の光を反射するように適合された干渉系変調器の第２セットとを含み、前記第１の色は前記第２の色とは異なり、前記１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルは、干渉系変調器の前記第１セットと干渉系変調器の前記第２セットに対して別々に測定される、請求項５３記載の方法。
【請求項５７】
前記反射度スペクトルから色パラメータを決定することを更に備える、請求項５３記載の方法。
【請求項５８】
ブライト状態における前記サンプル干渉系変調器に対し決定された色パラメータをダーク状態における前記サンプル干渉系変調器に対し決定された色パラメータと比較することによって、前記サンプル干渉系変調器のコントラストを決定すること、を更に備える請求項５７記載の方法。
【請求項５９】
複数の干渉系変調器を備える装置であって、
前記干渉系変調器のうちの少なくともいくつかから反射される光を検知することと；
少なくとも１つのエタロンを備えるダーク標準から反射される光を検知することと；そして
前記干渉系変調器の反射度スペクトル、１以上の色パラメータ、及び／又はコントラスト比を決定することと;
を備える方法によって、前記装置における使用に適しているとして確認された、前記複数の干渉系変調器を備える装置。
【請求項６０】
コンピュータに、メモリダーク状態、メモリブライト状態、そして過駆動状態において干渉系変調器を駆動させるための手段と、
コンピュータに、各駆動された状態の間に前記干渉系変調器から反射される光の色パラメータを決定させるための手段と、
を備える、コンピュータ可読媒体。
【請求項６１】
コンピュータに、１以上のサンプル干渉系変調器から反射される光のスペクトルを測定させるための手段と、
コンピュータに、前記サンプル干渉系変調器から反射される光の前記スペクトルとブライト標準から反射される光のスペクトルとに基づいて、前記サンプル干渉系変調器の反射度スペクトルを決定させるための手段と、
を備える、コンピュータ可読媒体。
【請求項６２】
コンピュータに、前記ブライト標準のスペクトル反射率と比較して前記サンプル干渉系変調器の相対的なスペクトル反射率を決定させるための手段、を備える請求項６１記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項６３】
コンピュータに、前記相対的なスペクトル反射率に前記ブライト標準の前記スペクトル反射率を掛けさせるための手段、を備える請求項６２記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項６４】
コンピュータに、前記反射度スペクトルから色パラメータを決定させるための手段、を備える請求項６１記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項６５】
コンピュータに、ブライト状態における前記サンプル干渉系変調器に対し決定された色パラメータをダーク状態における前記サンプル干渉系変調器に対し決定された色パラメータと比較することによって、前記サンプル干渉系変調器のコントラストを決定させるための手段、を備える請求項６４記載のコンピュータ可読媒体。
【国際調査報告】
2008516193.tif 000033
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