【事件の表示】
　特許第３０４１４０３号「荷電ビーム断面加工・観察装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０４１４０３号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０４１４０３号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成２年１０月１２日に特許出願され、平成１２年３月１０日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１ないし３に対して、特許異議申立人株式会社日立製作所より特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．特許異議申立てについて
（ア）本件発明
　特許第３０４１４０３号の請求項１ないし３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】試料表面に集束イオンビームを走査させる集束イオンビーム照射系と、前記試料表面に電子ビームを走査させる電子ビーム照射系と、前記試料を移動させる試料ステージと、前記集束イオンビーム又は前記電子ビーム照射時に前記試料表面から放出される二次電子を捕らえる二次電子検出器と、前記二次電子検出器の出力を画像として表示する画像表示装置と、前記集束イオンビーム照射系からの集束イオンビームと前記電子ビーム照射系からの電子ビームとのビームを切り替えるビーム切替器から成る荷電ビーム断面加工・観察装置において、前記集束イオンビーム照射系と前記電子ビーム照射系とを互いにその照射軸を９０度より狭い角度に配置し、前記集束イオンビーム及び前記電子ビームのビーム毎に前記二次電子検出器から出力される信号処理を最適な状態に設定可能な二次電子制御系とを備え、前記ビーム切替器と前記二次電子制御系とを連動させ、前記集束イオンビームと電子ビームとを前記ビーム切替器で切り替えると同時に、前記二次電子制御系の設定が切り替わり、前記集束イオンビームによる試料表面画像と前記電子ビームによる断面画像とを前記画像表示装置に画像表示することを特徴とする荷電ビーム断面加工・観察装置。（以下、「本件発明１」という。）
【請求項２】前記信号処理は、主増幅器の前におかれるＳＩＭ用前置増幅器とＳＥＭ用前置増幅器によってなされ、前記ビーム切替器によりイオンビームと電子ビームが切り替えられると同時に連動して切り替えられることを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム断面加工・観察装置。（以下、「本件発明２」という。）
【請求項３】前記二次電子検出器内の光電子倍増管高圧電源をＳＩＭ用とＳＥＭ用別々にして、前記ビーム切替器によりイオンビームと電子ビームが切り替えられると同時に連動して切り替えられることを特徴とする請求項１又は２記載の荷電ビーム断面加工・観察装置。（以下、「本件発明３」という。）」
　
（イ）特許異議申立ての概要
　特許異議申立人株式会社日立製作所は、証拠として甲第１号証（特開平２−１２３７４９号公報）、甲第２号証（田中敬一外１名編「図説走査電子顕微鏡（生物試料作製法）」（１９８０年２月２５日）株式会社朝倉書店、第８〜１７頁、第３４〜４５頁）、甲第３号証（Ｋ．Ｎｉｋａｗａ外５名「ＮＥＷ　ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ　ＯＦ　ＦＯＣＵＳＥＤ　ＩＯＮ　ＢＥＡＭ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ　ＴＯ　ＦＡＩＬＵＲＥ　ＡＮＡＬＹＳＩＳ　ＡＮＤ　ＰＲＯＣＥＳＳ　ＭＯＮＩＴＯＲＩＮＧ　ＯＦ　ＶＬＳＩ」、１９８９年、ＩＥＥＥ／ＩＲＰＳ、第４３〜５２頁）を提出し、本件発明１ないし３は、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１ないし３の特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである旨主張している。
　
（ウ）甲各号証記載の発明
　上記甲第１号証には、
「試料面を走査照射するイオンビーム照射系と電子ビーム照射系、各ビーム照射時に試料から放出される２次電子を捕らえる検出器、上記検出器の出力を表示する像表示装置、および、ビーム切換器とからなり、上記イオンビーム照射系と上記電子ビーム照射系は互いにその照射軸を９０度または９０度より狭い角度に配置され、試料上の同一点にイオンビームおよび電子ビームを走査照射できるように、同一試料室に装着されており、上記ビーム切換器は、上記イオンビームと電子ビームとを交互に切換えるものであり、上記像表示装置は、上記切換器の切換え動作に応じて上記検出器の出力を試料表面像および断面加工像として表示するものであることを特徴とする断面加工観察装置。」（特許請求の範囲の請求項１）、
「本発明は半導体、特に超微細加工によりＳｉ等のウエハーに高密度に集積されたＬＳＩのプロセス評価に用いようとするもので、半導体製造プロセスの問題点を発見するための断面加工観察装置に関する。」（第１頁右下欄第４〜８行）、
「第３図は本発明の概念図である。図中の１はイオン源、２はコンデンサレンズ、３はビームブランキング、４は対物レンズ、５はＸＹ偏向電極、６は試料７から発生する二次電子を捕らえる検出器で、以上１から７までで走査イオン顕微鏡を構成する。８は電子銃、９はコンデンサレンズ、１０はビームブランキング、１１は対物レンズ、１２はＸＹ偏向電極で、以上８から１２までで走査電子顕微鏡筒部を構成し、試料７に細くしぼった電子線を照射し試料から放出される二次電子を検出器６で捕らえる。試料から出る二次電子はイオンビーム励起の時も電子ビーム励起の二次電子も区別が付かないから走査像を得ようとする場合は、イオンビームと電子ビームを同時に照射することは出来ない。このため１３に示すビーム切換器を用い、走査像を表示するために、イオン照射系と電子照射系との切換を行う。また、１４は像表示用ディスプレイで、この実施例では制御用コンピュータのＣＲＴ、１５，１６はディスプレイ中に設けられた夫々の像を表示するエリアである。」（第２頁右下欄第６行〜第３頁左上欄第７行）と記載されている。
　甲第２号証には、走査電子顕微鏡に関し、
「普通のＳＥＭでは、コントラスト調整に光電子増倍管の電圧（３００〜６００Ｖ）を変化させることで代用させている。つまり、コントラストを高く望むには、信号の利得を増し、かつコントラストに関係しない直流分をカットする方法がとられる（ｐ．１０、図１４参照）。図５および図６は、コントラスト（つまり映像信号の幅）と明るさのレベルをそれぞれ独立に変化させた場合の映像信号と、それぞれに対応した画面の様子を示したものである。しかし、一般にコントラストを増すと、直流分も増加するので、明るさのレベルも増加する。したがって、コントラストを増すことと明るさのレベルの調整を同時に行わねばならない。上記の操作は、いささかわずらわしいものであって、最近はこの操作を電気的に調節する’オートブライネス・コントラスト・コントロール’（自動画調）方式が多く採用されるようになってきた。これを装備すると、上記の操作の手間がはぶけるのみでなく、倍率を変えて試料の明るい視野から暗い視野を選んだ場合などにも、常に適切なコントラスト・レベルが得られ具合がよい。」（第３９頁第６行〜第４０頁第５行）と記載されている。
　甲第３号証には、集束イオンビーム技術のＶＬＳＩの欠陥解析およびプロセスモニターへの新応用に関し、
「従来の断面観察方法との比較・・・ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）とＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）とが広く用いられている。ＦＩＢによる方法はこれら従来の方法より多くの利点を有している（表１参照）。」（第４６頁右欄第１〜１１行参照）と記載されており、第４７頁の表１には、下から４段目の欄に「金属被覆領域での像のコントラスト」として、ＦＩＢの場合「非常に強く」、ＳＥＭの場合には「弱い」と表示されている。
　
（エ）対比・判断
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証記載の「イオンビーム照射系、電子ビーム照射系、検出器、ビーム切換器、像表示装置」は、それぞれ、本件発明１の「集束イオンビーム照射系、電子ビーム照射系、二次電子検出器、ビーム切換器、画像表示装置」に相当する。また、甲第１号証には、照射軸を９０度より狭い角度に配置することも記載されている。したがって、両者は、「試料表面に集束イオンビームを走査させる集束イオンビーム照射系と、前記試料表面に電子ビームを走査させる電子ビーム照射系と、前記試料を移動させる試料ステージと、前記集束イオンビーム又は前記電子ビーム照射時に前記試料表面から放出される二次電子を捕らえる二次電子検出器と、前記二次電子検出器の出力を画像として表示する画像表示装置と、前記集束イオンビーム照射系からの集束イオンビームと前記電子ビーム照射系からの電子ビームとのビームを切り替えるビーム切替器から成る荷電ビーム断面加工・観察装置において、前記集束イオンビーム照射系と前記電子ビーム照射系とを互いにその照射軸を９０度より狭い角度に配置し、前記集束イオンビームと電子ビームとを前記ビーム切替器で切り替えると同時に、前記集束イオンビームによる試料表面画像と前記電子ビームによる断面画像とを前記画像表示装置に画像表示する荷電ビーム断面加工・観察装置」である点で一致し、次の相違点で相違する。
　相違点：本件発明１は、集束イオンビーム及び電子ビームのビーム毎に二次電子検出器から出力される信号処理を最適な状態に設定可能な二次電子制御系とを備え、ビーム切替器と前記二次電子制御系とを連動させ、前記集束イオンビームと電子ビームとをビーム切替器で切り替えると同時に、前記二次電子制御系の設定が切り替わるものであるのに対し、甲第１号証には、該記載がない点。
　上記相違点について検討するに、甲第２号証に記載されたオートブライネス・コントラスト・コントロールは、本件発明１の二次電子制御系に対応するといえるものの、甲第２号証記載のオートブライネス・コントラスト・コントロールは単独の走査電子顕微鏡におけるものである。また、甲第３号証記載の表１は、単独のＦＩＢにおけるコントラストと単独のＳＥＭのコントラストとの比較を単に示したものであり、二次電子制御系に関する記載もない。してみれば、甲第２、３号証記載の発明はいずれも単独のビームを用いた装置に関するものであるから、甲第２、３号証記載の発明を、集束イオンビームと電子ビームとをビーム切替器で切り替える方式の甲第１号証記載の発明と組み合わせても、「集束イオンビーム及び電子ビームのビーム毎に二次電子検出器から出力される信号処理を最適な状態に設定可能な二次電子制御系とを備え、ビーム切替器と前記二次電子制御系とを連動させ、前記集束イオンビームと電子ビームとをビーム切替器で切り替えると同時に、前記二次電子制御系の設定が切り替わる」という具体的構成を導くことはできない。
　そして、本件発明１は、試料の目的の場所の断面像を、加工作業中必要に応じて、リアルタイムにイオンビームと電子ビームを切り換えて、鮮明な像を表示出来るので、微小な異物や異状形状を直ちに発見できるという顕著な効果を有するものである。
　よって、本件発明１は、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　次に、本件発明２は、本件発明１を引用してさらに限定したものであり、本件発明３は、本件発明１または２を引用してさらに限定したものであるから、本件発明２、３は、上記本件発明１と同様の理由により、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（オ）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１ないし３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月２２日（２００１．３．２２）