【事件の表示】
　特許第２７５４６５８号「光磁気記録媒体」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７５４６５８号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２７５４６５８号発明（国内優先権主張、昭和６３年３月７日出願）は、平成１０年３月６日にその特許の設定登録がなされ、その後、帝人株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間である平成１１年６月９日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否の判断
１．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のａ〜ｅのとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項１を、
「透明基板上に干渉層、希土類金属と遷移金属の合金よりなる記録層、及び反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、上記記録層の膜厚が２００〜４００Åであり、記録層の単位体積あたりの磁気モーメントの向きが常温において記録層中の遷移金属の磁気モーメントの向きと同方向であり、記録層の保磁力が常温において４〜１５ＫＯｅであり、かつ上記反射層がアルミニウムにタンタル、チタン、ジルコニウム、バナジウム、白金、モリブデン、クロム及びパラジウムよりなる群から選ばれた元素が１５原子％以下添加されているアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。」と訂正。
ｂ．特許明細書第４頁１５行〜第５頁３行の「本発明の要旨は・・・に存する。」とある記載を、「本発明の要旨は透明基板上に干渉層、希土類金属と遷移金属の合金よりなる記録層、及び反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、上記記録層の膜厚が２００〜４００Åであり、記録層の単位体積当たりの磁気モーメントの向きが、常温において記録層中の遷移金属の磁気モーメントの向きと同方向であり、記録層の保持力が常温において４〜１５ＫＯｅであり、かつ上記反射層がアルミニウムにタンタル、チタン、ジルコニウム、バナジウム、白金、モリブデン、クロム及びパラジウムよりなる群から選ばれた元素が１５原子％以下添加されているアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体に存する。」と訂正。
ｃ．特許明細書第５頁７〜９行の「このような層構成とすることと記録層の物性を従来の物性のものと異なるものを用いることの併用により、」とある記載を、
「このような層構成とすることと、記録層に膜厚及び物性が従来のものと異なるものを用いかつ反射層にアルミニウム合金を用いることの併用により、」と訂正。
ｄ．特許明細書第７頁下から３〜２行の「膜厚は２００〜６００Å、」とある記載を、
「膜厚は２００〜４００Åであり、」と訂正。
ｅ．特許明細書第８頁９〜１４行の「反射層は高反射率の物質なら何でも良いが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔはコストが高くＣｕは腐食を起こし易い為、ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜が望ましい。特にＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ等を１５ａｔ％以下添加した合金は」とある記載を、
「反射層はＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ等を１５ａｔ％以下添加した合金で形成する。この合金で形成した反射層は」と訂正。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び変更の存否
　上記訂正ａは、記録層の膜厚、及び反射層であるアルミニウム合金の材料、添加物の量を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、上記訂正ｂ〜ｅは、上記特許請求の範囲の訂正に対応させるためのものであるので、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記訂正は新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
３．独立特許要件
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「訂正後の請求項１に係る発明」という。）は、上記（２）１．ａ．に記載されるとおりのものである。
（引用刊行物）
　訂正後の請求項１に係る発明に対して、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（特開昭６１−２５８３５３号公報）には、
「膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有するＴｂ一Ｆｅ膜に少なくとも０．５原子％のコバルトを含む磁性膜の上に反射膜を設けたことを特徴とする、光磁気記録媒体。」（特許請求の範囲）
「その目的は保持力が大きく且つカー回転角がより大きな光磁気記録媒体を提供することにある。」（公報、第２頁左上欄９〜１１行）
「磁性膜の厚さは７００Å以下好ましくは１５０〜５００Åである。また、磁性膜の上に設けられる反射膜の材料はＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなどから選択される。」（公報、第２頁右上欄１１〜１５行）
「磁性膜としてθｋの大きい（Ｆｅ０．８７Ｃｏ０．１３）０．８０Ｔｂ０．２０の組成を選択」（公報、第３頁左上欄５〜７行）と記載されている。
　同じく引用した刊行物２（特開昭６１−２５８３５３号公報）には、
「非晶質希土類膜一遷移金属系磁性薄膜の上および／または下に非晶質構造の窒化ケイ素からなる保護膜を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体」（特許請求の範囲）
「特性が安定で長寿命な非晶質希土類一遷移金属系光記録媒体を提供する」（公報、第２頁左上欄１０〜１１行）
「磁性膜１３の膜厚は３００〜５０００Å程度が適当である」（公報第２頁右上欄９〜１０行）「ファラデー効果を利用する場合は、．．．保護膜１５上、あるいは．．．磁性膜１３上に、Åｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの反射膜を形成することができる」（公報、第２頁右下欄１〜４行）
「磁性膜（ＴｂＦｅＣｏ）の膜厚は１０００Ａで遷移金属リッチの膜である」（公報、第３頁左上欄下から４〜３行）
と記載されている。
（対比．判断）
　訂正後の請求項１に係る発明と上記刊行物１、２に記載の発明とを対比すると、上記刊行物１、２に記載の発明は、訂正後の請求項１に係る発明を特定する「記録層の膜厚が２００〜４００Å」であることと「反射層がアルミニウムにタンタル、チタン、ジルコニウム、バナジウム、白金、モリブデン、クロム及びパラジウムよりなる群から選ばれた元素が１５原子％以下添加されているアルミニウム合金で形成される」ことを組み合わせる点を備えていない。
　そして、訂正後の請求項１に係る発明は、この点により明細書記載の「遷移金属リッチ領域の記録時のノイズの低減が可能となり、遷移金属リッチ領域の長所である高いキャリアレベル、高い感度等の特性を有効に利用した光磁気記録媒体が得られる。さらに低い正磁場においてＣ／Ｎが立ち上がりまた低い負磁場によってＣ／Ｎが落ち切るという磁界変調記録に好適な媒体でもある。」という効果を奏するものである。
　したがって、訂正後の請求項１に係る発明が、上記刊行物１、２に記載された発明から容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、訂正後の請求項１に係る発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについての判断
１．申立ての理由の概要
　本件請求項１、２に係る発明について、異議申立人帝人株式会社は、甲第１号証（特開昭６１−２５８３５３号公報）および甲第２号証（特開昭５９−２０１２４７号公報）を提出して、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるので取り消されるべきものであると主張している。
２．本件発明
　訂正後の請求項１に係る発明は、上記（２）１．ａ．を参照。
　請求項２に係る発明は、次のとおりである。「記録層組成が、ＴｂＦｅＣｏである特許請求の範囲（１）に記載の光磁気記録媒体。」
３．甲各号証
　甲第１号証（特開昭６１−２５８３５３号公報）および甲第２号証（特開昭５９−２０１２４７号公報）については、上記（２）３．（引用刊行物）を参照されたい。
４．対比．判断
　訂正後の請求項１に係る発明は、上記（２）３．（対比．判断）で示したように、上記甲第１、２号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　請求項２に係る発明は、訂正後の請求項１に係る発明を引用してさらに限定した発明であるから、上記訂正後の請求項１に係る発明と同様な理由により、上記甲第１、２号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申し立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１３日（１９９９．８．１３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲の請求項１を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「透明基板上に干渉層、希土類金属と遷移金属の合金よりなる記録層、及び反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、上記記録層の膜厚が２００〜４００Åであり、記録層の単位体積あたりの磁気モーメントの向きが常温において記録層中の遷移金属の磁気モーメントの向きと同方向であり、記録層の保持力が常温において４〜１５ＫＯｅであり、かつ上記反射層がアルミニウムにタンタル、チタン、ジルコニウム、バナジウム、白金、モリブデン、クロム及びパラジウムよりなる群から選ばれた元素が１５原子％以下添加されているアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。」と訂正。
ｂ．特許明細書第４頁１５行〜第５頁３行の「本発明の要旨は．．．に存する。」とある記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「本発明の要旨は透明基板上に干渉層、希土類金属と遷移金属の合金よりなる記録層、及び反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、上記記録層の膜厚が２００〜４００Åであり、記録層の単位体積当たりの磁気モーメントの向きが、常温において記録層中の遷移金属の磁気モーメントの向きと同方向であり、記録層の保持力が常温において４〜１５ＫＯｅであり、かつ上記反射層がアルミニウムにタンタル、チタン、ジルコニウム、バナジウム、白金、モリブデン、クロム及びパラジウムよりなる群から選ばれた元素が１５原子％以下添加されているアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体に存する。」と訂正。
ｃ．特許明細書第５頁７〜９行の「このような層構成とすることと記録層の物性を従来の物性のものと異なるものを用いることの併用により、」とある記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「このような層構成とすることと、記録層に膜厚及び物性が従来のものと異なるものを用いかつ反射層にアルミニウム合金を用いることの併用により、」と訂正。
ｄ．特許明細書第７頁下から３〜２行の「膜厚は２００〜６００Å、」とある記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「膜厚は２００〜４００Åであり、」と訂正。
ｅ．特許明細書第８頁９〜１４行の「反射層は高反射率の物質なら何でも良いが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔはコストが高くＣｕは腐食を起こし易い為、ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜が望ましい。特にＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ等を１５ａｔ％以下添加した合金は」とある記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「反射層はＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ等を１５ａｔ％以下添加した合金で形成する。この合金で形成した反射層は」と訂正。
（５４）【発明の名称】
光磁気記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　透明基板上に干渉層、希土類金属と遷移金属の合金よりなる記録層、及び反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、上記記録層の膜厚が２００〜４００Åであり、記録層の単位体積あたりの磁気モーメントの向きが常温において記録層中の遷移金属の磁気モーメントの向きと同方向であり、記録層の保磁力が常温において４〜１５ＫＯｅであり、かつ上記反射層がアルミニウムにタンタル、チタン、ジルコニウム、バナジウム、白金、モリブデン、クロム及びパラジウムよりなる群から選ばれた元素が１５原子％以下添加されているアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
　　【請求項２】　記録層組成が、ＴｂＦｅＣｏである特許請求の範囲（１）に記載の光磁気記録媒体。
　　【請求項３】　Ｔｂが、ＴｂＦｅＣｏ全体量の１８〜２１原子％、ＣｏがＦｅＣｏ全体量の３〜３０原子％である特許請求の範囲１又は２に記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は光磁気記録媒体に関する。詳しくは感度、信号強度、低ノイズ性に優れた光磁気記録媒体に関する。
〔従来の技術とその問題点〕
　光記録媒体の中でも追加記録、消去が可能なイレーザブル型メモリーとしては光磁気記録媒体が最も実用に近い段階にある。
　光磁気記録方式としては、再生にファラデー効果を利用する方式とカー効果を利用する方式とがあり、現在の所、後者の方が技術的完成度は高い。また、記録方式としては所謂キュリー点記録方式と補償点記録方式とがあり、前者の方が広く研究されている。
　また、上記方式に照らして、記録層としては、現在、希土類−遷移金属薄膜が最も広く用いられているが、この記録層は、直接空気等と接していると酸化等によって、光磁気記録媒体として利用し得る光学的特性を失う。このため、記録層における酸化等の非可逆的反応の進行を防止する目的で記録層の両側に保護層を設けた構成（以後サンドイッチ構造と呼ぶ）が一般的に用いられている。
　記録層の構成は、信号強度（以後キャリアレベルと呼ぶ）、ノイズ成分（以後ノイズレベルと呼ぶ）及び記録感度等の特性に深く関連しているため、記録層の組成、膜厚などは、上記特性が総合的に良好となるように選択されている。一般的に、キャリアレベルは記録層中の希土類成分が増加するにつれ低下する。また、記録感度も記録層中の希土類成分が増加するにつれ悪化する。然しなから、希土類成分が少なく記録層の保磁力が低い組成では、記録後にノイズレベルが上昇するため、Ｃ／Ｎの低下を招く。特に低印加磁場でのノイズの上昇が大きい。従って従来は、この記録後のノイズを低減させる目的で、希土類−遷移金属の組成は、互いに逆方向を向いている希土類金属と、遷移金属の磁気モーメントがバランスする（磁気モーメントが消失する）組成（以後、この組成を補償組成と呼ぶ）に近い組成が好ましいとされてきた。（例えば、光メモリシンポジウム、’８６論文集、第９頁）
　しかしながら補償組成近傍の組成を用いるのは以下の２点で問題があった。
（１）　遷移金属リッチの場合と比較してキャリアが低く、感度が若干劣る。
（２）　逆磁場（記録方向と逆向きの磁場）をかけた場合磁場を強くしないと記録されてしまう（磁界変調記録の場合は逆磁場では記録されないことが必要）。従って磁界変調記録には適していない。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明者等は上記の問題を解決すべく鋭意検討を行なった結果、ある特定の層構成を用い、更に記録層の物性を補償組成から大きく外れる組成とすることによりキャリアレベルが大きく、ノイズレベルが低く、感度が良好であり、かつ磁界変調記録に適した媒体が得られることを見出し、本発明を完成した。
　本発明の要旨は透明基板上に干渉層、希土類金属と遷移金属の合金よりなる記録層、及び反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、上記記録層の膜厚が２００〜４００Åであり、記録層の単位体積あたりの磁気モーメントの向きが、常温において記録層中の遷移金属の磁気モーメントの向きと同方向であり、記録層の保磁力が常温において４〜１５ＫＯｅであり、かつ上記反射層がアルミニウムにタンタル、チタン、ジルコニウム、バナジウム、白金、モリブデン、クロム及びパラジウムよりなる群から選ばれた元素が１５原子％以下添加されているアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体に存する。
〔発明の構成〕
　本発明の光磁気記録媒体は、基板−干渉層−記録層−反射層の層構成とされる。
　このような層構成とすることと、記録層に膜厚及び物性が従来のものと異なるものを用いかつ反射層にアルミニウム合金を用いることの併用により、本発明の光磁気記録媒体は特異の効果を奏するものとなっている。
　まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、ガラス上に溝つき樹脂を形成した基板等が挙げられる。
　基板の厚みは１〜２ｍｍ程度が一般的である。
　干渉層としては金属酸化物や金属チッ化物、無機炭化物などが用いられる。金属酸化物としてはＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ、ＳｉＯ２の金属酸化物単独あるいはこれらの混合物、あるいはＡｌ−Ｔａ−Ｏの複合酸化物等が挙げられる。また更にこれらに他の元素、例えばＴＩ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙｂ等が酸化物の形で単独あるいはＡｌ、Ｔａと複合して酸化物を形成していてもよい。これらの金属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、耐食性が高く光磁気記録層との反応性も小であり、また、基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂との密着性に優れる。
　金属チッ化物としては、具体的にはＳｉ、Ａｌ、Ｇｅ等の金属チッ化物あるいはこれらの２種以上の複合チッ化物又はこれらとＮｂ、Ｔａとの複合チッ化物（例えば、ＳｉＮｂＮ、ＳｉＴａＮ等）が挙げられる。なかでもＳｉを含有するチッ化物が良好な結果をもたらす。
　金属チッ化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記録層との反応性が小である。
　一方、無機炭化物としてはＢ４Ｃ、ＳｉＣ等があげられる。
　特に、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）は、内部応力が小さく、クラックの発生が少ないので好適に用いられる。
　この干渉層の膜厚は屈折率により最適膜厚が異なるが、通常６００Å〜８００Å程度が適当である。
　光磁気記録層としては希土類と遷移金属との合金が用いられるが、従来用いられている補償組成の記録媒体としない。
　具体的には記録層の単位体積当りの磁気モーメントの向きが、記録層中の遷移金属の磁気モーメントの向きと同じで、記録層の保持力が４〜１５ＫＯｅである記録層とする。
　記録層としては、例えばＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等が用いられる。好ましくは、ＴｂＦｅＣｏでＴｂをＴｂＦｅＣｏ全体量の１８〜２１原子％、ＣｏをＦｅＣｏ全体量の３〜３０原子％含有している記録層が好ましい。記録層の膜厚は２００〜４００Åであり、さらには２５０〜４００Å程度が好ましい。
　このような特性を有する記録層は、この記録層上に反射層を設けた反射式記録媒体として構成することにより感度、信号強度が大きく、印加磁場が弱くてもノイズの増加しない記録媒体が得られる。その理由は完全に明確とされていないが、上記のような層構成とすることにより記録層中の反磁場の発生が抑えられ、磁気モーメントの乱れが防止されるためと考えられる。
　本発明においては光磁気記録層上に反射層及び保護層を設ける。反射層はＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｄ等を１５ａｔ％以下添加した合金で形成する。この合金で形成した反射層はＣ／Ｎ比、感度共に良好な特性をもたらす。反射層の厚みは２５０〜５００Åが好ましい。反射層上に更に保護層を設けても良い。保護層としてはＴａやその酸化物等が好適に用いられる。この保護層の目的は反射層の酸化防止である。保護層は５０Å〜３００Å程度の厚さを設ければ充分である。
　上記干渉層、記録層および反射層の作成にはスパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶＤ）、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）等が適用される。
　ＰＶＤによって膜の作成を行なうには、所定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム蒸着またはスパッタリングにより基板上に各層を堆積するのが通常の方法である。
　また、イオンプレーティングを用いる方法も考えられる。
　膜の体積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれば生産性に影響するので通常０．１Å／ｓｅｃ〜１００Å／ｓｅｃ程度とされる。
　〔実　施　例〕
　以下に実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
実施例、比較例
　ポリカーボネート基板をマグネトロンスパッタ装置に導入し５×１０−５Ｐａ以下まで排気した後Ａｒを３０ｓｃｃｍ、Ｏ２を４ｓｃｃｍ導入し、圧力を０．５Ｐａに調整した。この状態で５００Ｗのパワーで４インチφのＴａターゲットをＲＦスパッタリングし４Å／ｓｅｃの速度で屈折率２．１の酸化タンタルの干渉層を７５０Å形成した。
　チャンバーを一度排気した後Ａｒを３０ｓｃｃｍ、０．３Ｐａの圧力に導入しＴｂとＦｅ９０Ｃｏ１０のターゲットを同時スパッタリングした。
　組成を変える時はスパッタ時のＴｂターゲットへの投入電力及びＦｅ９０Ｃ１０ターゲットへの投入電力を変える事によって、Ｔｂの、ＴｂＦｅＣｏ全体量に占める割合を変えた。記録層の膜厚は３００Åとなるように作製した。
　次に、Ａｌターゲット上にＴａチップを配し、Ａｌ９７Ｔａ３の反射層を３００Å形成した。作製したディスクは表１に示す。ディスクＮｏ．１が本発明のものであり、ディスクＮｏ．２〜５は比較例である。このディスクを光磁気記録再生装置を用いて、以下の条件で記録再生し、Ｃ／Ｎ、感度を測定した。
（条件）　ｒ＝３０ｍｍ、ＣＡＶ１８００ｒｐｍ、
　　　　　ｆ＝０．５ＭＨＺ、ｄｕｔｙ５０％、
　　　　　バイアス磁場２００、６００Ｏｅ、
　　　　　再生パワー０．８ｍＷ
　第１図及び第２図に測定結果を示す。図中、白丸（○）は、バイアス磁場２０００ｅ、黒丸（●）はバイアス磁場６００Ｏｅの場合における測定結果である。第１図及び第２図から明らかなように、キャリアレベルのＴｂ量依存性は従来のサンドイッチ構造を採用した場合と同じく、Ｔｂ量の増加に伴ない減少傾向にある。また、感度もＴｂ量の増加に伴なって悪化していく。一方、ノイズレベルは、従来より悪化すると言われている、遷移金属リッチ領域で十分低い値になっている。ディスクＮｏ．１でＣ／Ｎ５９ｄＢ、感度４．５ｍＷを得た。
　さらにデイスクＮｏ．１、３及びＮｏ．５について印加磁場への特性の依存性を測定した（第３図）。消去時の磁場方向を負にとっている。第３図から、遷移金属リッチの組成はわずか２００エルステッド（Ｏｅ）正磁界でＣ／Ｎが完全に立ち上がり−２００Ｏｅの負磁界ではＣ／Ｎが完全に落ちていることがわかる。従ってディスクＮｏ．１は磁界変調記録には好適な媒体である。
比較例
　実施例１との比較のため、サンドイッチ構造のディスク（Ｎｏ．６〜１０）を作製した。実施例１と同じ方法で干渉層、記録層を作製した。この場合、記録層は膜厚が９００Åとなるように作製した。次に、反射層の代わりに、再び酸化タンタルを、干渉層の作製時と同一条件で作製した。作製したディスクは表２に示す。このディスクを、実施例１と同一の条件バイアス磁場６００Ｏｅで記録再生し、Ｃ／Ｎ、感度を測定した。測定結果を第３図及び第４図に示す。サンドイッチ構造では、補償組成近傍でＣ／Ｎが極大となり、Ｃ／Ｎが極大となる組成においてＣ／Ｎ５８ｄＢ、感度５．５ｍＷを得た。
　さらにディスクＮｏ．６、８およびＮｏ．１０について印加磁場への特性の依存性を測定した（第６図）。この場合、どの組成でも負方向の磁場を印加したときＣ／Ｎがなかなか落ちきらない。最もＣ／Ｎの出る補償組成近傍では−２００エルステッド（Ｏｅ）の印加磁場でも約３５ｄＢのＣ／Ｎが出てしまっており磁界変調には向かない。希土類リッチの組成の方が負磁場でのＣ／Ｎの低下は大きいが、正方向の立ち上りが遅くやはり磁界変調には向かない。
　　【発明の効果】
　本発明によれば、遷移金属リッチ領域の記録時のノイズの低減が可能となり、遷移金属リッチ領域の長所である高いキャリアレベル、高い感度等の特性を有効に利用した光磁気記録媒体を得られる。
　さらに低い正磁場においてＣ／Ｎが立ち上がりまた低い負磁場によってＣ７Ｎが落ち切るという磁界変調記録に好適な媒体でもある。
【図面の簡単な説明】
　第１図及び第２図は本発明の実施例及び比較例による動特性（キャリアレベル、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比及び感度）の組成依存性を示したものである。
第３図は前記実施例及び比較例で得られたディスクのＣ／Ｎの印加磁場依存性を示したものである。
第４図及び第５図は比較例（サンドイッチ構造）による動特性の組成依存性を示したものである。
第６図は前記比較例で得られたディスクのＣ／Ｎの印加磁場依存性を示したものである。