【事件の表示】
　特許第２８６６２２８号「液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法」の請求項１に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８６６２２８号の請求項１に係る発明の特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８６６２２８号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　　特許出願　　　　　　平成３年１０月１１日
　　審査請求　　　　　　平成９年１月２０日
　　特許権設定登録　　　平成１０年１２月１８日
　　特許公報発行　　　　平成１１年３月８日
　　特許異議の申立て　　平成１１年６月２４日
　
２．本件発明
　本件発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】半導体装置の基板上に薄膜状の配線をスパッタリング等の物理蒸着法により形成する工程と、前記配線をパターニングする工程と、該パターニング工程の前または後に前記配線を熱処理する工程とを含む製造工程により、薄膜状の配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、前記薄膜状の配線を合金成分としてＴａ、Ｔｉ、Ｚｒの中の１種又は２種以上を総量で０．１〜１０ａｔ％含有するＡｌ基合金により形成し、且つ、前記配線の熱処理を２５０〜５００℃の温度で行うことを特徴とする液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法。」
　
３．これに対し、異議申立人佐藤勝明の提出する甲第１号証刊行物（特願平２−２５０３８３号の願書に添付した明細書及び図面を掲載した公開特許公報（特開平４−１３０７７７号公報））には、「第６図は従来の薄膜トランジスタの製造方法を示す製造工程図であり、ここでは、ＴＦＴアクティブマトリックス型液晶表示素子の画素電極選択用薄膜トランジスタを製造する場合の工程を示している。」（第１頁右下欄第９行〜第１３行）、
「［工程１］
　まず、ガラス基板１上に、Ｔｉ含有量が２．２ｗｔ％以上のＴｉ含有Ａｌからなるゲート金属膜を蒸着装置またはスパッタ装置により成膜する。このゲート金属膜の成膜温度は１００〜２００℃である。この後、このゲート金属膜をパターニングしてゲート電極４およびゲート配線を形成する。
　［工程２］
　次に、上記基板１上に，ＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ装置により成膜し、ゲート絶縁膜５を形成する。このＳｉＮ膜は、成膜温度を２５０〜２７０℃、ＲＦ放電のパワー密度を６０〜１００ｍＷ／ｃｍ２に制御して成膜する。」（第４頁右下欄第１３行〜第５頁左上欄第５行）、
「［工程７］
・・・この層間絶縁膜も、ゲート絶縁膜５と同じ成膜条件（成膜温度；２５０〜２７０℃・・・）で成膜する。」（第５頁左下欄第１行〜第７行）、
「［工程９］
　・・・なお、この保護絶縁膜１２も、成膜温度；２５０〜２７０℃・・・で成膜する。」（第５頁左下欄第１９行〜右下欄第４行）及び
「すなわち、第３図は、純Ａｌ膜と、Ｔｉ含有量が異なる各種Ｔｉ含有Ａｌ膜について、これらを２５０〜２７０℃で熱処理し、その後の膜表面の状態を測定した結果を示している。なお、上記熱処理は、純Ａｌ膜またはＴｉ含有Ａｌ膜を形成した基板を、プラズマＣＶＤ装置により、ゲート絶縁膜５の成膜時と同様に加熱して行った。
　この第３図に示すように、Ｔｉ含有量が０％の純Ａｌ膜は、２５０〜２７０℃の熱処理でも膜表面がかなり荒れ、高い比率でヒロックａが発生した。また、Ｔｉ含有量が１．３ｗｔ％のＴｉ含有Ａｌ膜は、膜表面の荒れは純Ａｌ膜に比べてかなり少なくなったが、それでも、僅かながらヒロックａの発生が認められた。これに対し、Ｔｉ含有量が２．２ｗｔ％のＴｉ含有Ａｌ膜は、膜表面の荒れはほとんどなく、ヒロックの発生は全く認められなかった。これはＴｉ含有量が２．７ｗｔ％、５．６ｗｔ％、のＴｉ含有Ａｌ膜においても同様であり、またＴｉ含有量が多いＴｉ含有Ａｌ膜ほど、膜表面は平滑であった。」（第６頁左上欄第５行〜右上欄第４行）と記載されている。
　すなわち、上記甲第１号証刊行物には、半導体装置のガラス基板上に薄膜状のゲート金属膜をスパッタリング等の物理蒸着法により形成する工程と、前記ゲート絶縁膜をパターニングし、ゲート配線を形成する工程と、該パターニング工程の後に前記ゲート配線を熱処理する工程とを含む製造工程により、薄膜状のゲート配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、前記薄膜状のゲート配線を合金成分としてＴｉを総量で２．２ｗｔ％（約１．２５ａｔ％）以上含有するＡｌ基合金により形成し、且つ、前記ゲート配線の熱処理を２５０〜２７０℃の温度で行う液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法が記載されていると認められる。
　なお、上記ゲート配線の熱処理は、配線パターニングの後の絶縁膜の成膜温度によるものあるが、配線パターニングの後の熱処理であることに違いはなく、また、熱処理温度に関し、「すなわち、第３図は、純Ａｌ膜と、Ｔｉ含有量が異なる各種Ｔｉ含有Ａｌ膜について、これらを２５０〜２７０℃で熱処理し、その後の膜表面の状態を測定した結果を示している。なお、上記熱処理は、純Ａｌ膜またはＴｉ含有Ａｌ膜を形成した基板を、プラズマＣＶＤ装置により、ゲート絶縁膜５の成膜時と同様に加熱して行った。」と記載されているのであるから、Ｔｉ含有量の異なる各種Ｔｉ含有Ａｌ膜が２５０〜２７０℃で熱処理されている、すなわち、絶縁膜の成膜時ではあるが、配線自身が２５０〜２７０℃で熱処理されていることを明確に意識して加熱されているのである。
　この点に関し、特許権者は、異議意見書の中で、
　(1)　上記刊行物記載の熱処理は、あくまでも絶縁膜の成膜温度であり、Ｔｉ含有Ａｌ合金配線膜の熱処理温度ではない。
　(2)　本件発明の熱処理は、「Ａｌ合金配線膜が絶縁膜の成膜時にやむをえず受ける熱によるもの」ではなく、あくまでもＡｌ合金配線膜を直接の対象としての熱処理であり、「Ａｌ合金配線膜を積極的に熱処理する」ものである。
　(3)　本件発明の熱処理は、パターニング工程の後に限られず、前であってもよいものである。
　(4)　本件発明の熱処理は、例えば実施例１においては、「２５０℃で１時間保持する真空熱処理」であり、熱処理時間長いが、上記刊行物のものは、高々数十秒程度であると推測される。
等と主張する。
　しかしながら、請求人の上記主張は以下の理由により採用できない。
　(1)の点について
　既に述べたとおり、上記刊行物には、「すなわち、第３図は、純Ａｌ膜と、Ｔｉ含有量が異なる各種Ｔｉ含有Ａｌ膜について、これらを２５０〜２７０℃で熱処理し、その後の膜表面の状態を測定した結果を示している。なお、上記熱処理は、純Ａｌ膜またはＴｉ含有Ａｌ膜を形成した基板を、プラズマＣＶＤ装置により、ゲート絶縁膜５の成膜時と同様に加熱して行った。」と記載されているのであるから、Ｔｉ含有Ａｌ膜を２５０〜２７０℃で熱処理することは、ゲート絶縁膜５の成膜時と同様の加熱である。すなわち、成膜時の加熱は、Ｔｉ含有Ａｌ膜を２５０〜２７０℃で熱処理しており、請求人の主張は採用できない。
　(2)の点について
　熱処理は、物理的な、客観的な処理であるので、人間の主観的な行為と異なり積極的な熱処理とか、やむをえない熱処理とかの区別はない。そして、本件特許発明の請求項の記載には上記熱処理の差異を区別するための構成は、何も記載されていない。
　(3)の点について
　本件発明の熱処理は、パターニング工程の前あるいは後に行い、上記刊行物記載の発明の熱処理は、パターニング工程の後に行うものであるが、両者は、パターニング工程の後で熱処理する点において同一である。
　(4)の点について
　上記刊行物に記載されている成膜温度は、第１に記載されているように、工程２，工程７及び工程９の３工程において２５０〜２７０℃に加熱されており、それらを合わせてどの程度の時間加熱されているのかは不明であるが、数十秒よりは長いものと認められ、一方、本件特許明細書の請求項には、熱処理保持時間についての限定はないので、本件発明及び上記引用刊行物記載の発明は、ともに配線のパターニング工程の後に２５０〜５００℃の間の熱処理を施していることに違いはない。
　
４．比較及び検討
　本件発明（以下「前者」という。）と上記甲第１号証刊行物記載の発明（以下「後者」という。）とを比較すると、後者における「ガラス基板」及び「ゲート金属膜」（又は「ゲート配線」）は、前者における「基板」及び「配線」に相当するので、両者は、半導体装置の基板上に薄膜状の配線をスパッタリング等の物理蒸着法により形成する工程と、前記配線をパターニングする工程と、該パターニング工程の後に前記配線を熱処理する工程とを含む製造工程により、薄膜状の配線を備えた液晶ディスプレイ用半導体装置を製造するに際し、前記薄膜状の配線を合金成分としてＴｉを総量で約１．２５〜１０ａｔ％含有するＡｌ基合金により形成し、且つ、前記配線の熱処理を２５０〜２７０℃の温度で行う液晶ディスプレイ用半導体装置の製造方法である点において重複しており、その点において同一の発明である。
　
５．むすび
　以上のとおりであるので、本件請求項１に係る発明は、本件特許出願の日前の他の特許出願（特願平２−２５０３８３号）であって、本件特許出願後に公開されたものの願書に最初に添付された明細書又は図面（特開平４−１３０７７７号公報参照）に記載された発明と同一であるので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月３日（２０００．３．３）