【事件の表示】
　特許第２７８０８８０号「有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７８０８８０号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理由】
〔１〕手続の経緯
　特許第２７８０８８０号の請求項１〜１０に係る発明は、平成３年８月２日に特許出願（優先権主張：特願平２−３２３２２９号、優先日：平成２年１１月２８日、優先権主張国：日本）され、平成１０年５月１５日にその特許の設定登録がされ、その後、大槻功子及び鈴木正和より特許異議の申立てがされ、取消理由通知がされ、その指定期間内である平成１１年７月２３日に訂正請求がされたものである。
〔２〕訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、ａ〜ｄのとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項１に記載される「電荷の移動度、電荷輸送帯域の膜厚及び印加電圧と電荷輸送時間との関係式に基づいて、電荷輸送時間を算出し、当該算出した電荷輸送時間を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。」を「前記有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ）」に訂正する
ｂ．特許請求の範囲の請求項１０に記載される「光通信発光装。」を「光通信発光装置。」に訂正する。
ｃ．平成１０年２月２４日付け補正書の段落０００８の「電荷の移動度、電荷輸送帯域の膜厚及び印加電圧と電荷輸送時間との関係式に基づいて、電荷輸送時間を算出し、当該電荷輸送時間を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする。」を「前記有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする。
　Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ））」に訂正する。
ｄ．平成７年１０月５日付けの補正書の段落００６０中「実施例８」と記載されたところを「実施例９」に、「実施例７」と記載されたところを「実施例８」に訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記ａの訂正事項に関連する記載として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の発明の詳細な説明（特許明細書段落００２２〜００２４）には「正孔および電子の移動度をそれぞれμｈ，μｅとし、正孔輸送帯域２０５および電子輸送帯域２０７の膜厚をそれぞれｄｈ，ｄｅとすると、電荷輸送時間Ｔは下記（３）式で表される。
　【数３】
Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ））
（３）
　ここで、Ｅは電界強度であり、Ｅ＝（印加電圧）／（ｄｈ，ｄｅ）である。また、Ｔ＝ｄｈ／（μｈ・Ｅ）、Ｔｅ＝ｄｅ／（μｈ・Ｅ）とする。また、演算子「ｍａｘ（Ｘ，Ｙ）」は、ＸおよびＹの二つの値のうち大きい方の値を表すものとする。」と記載されていることから、「前記有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。　　Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ）」の点は特許明細書に記載されているものと認める。
　そうすると、上記ａの訂正は、特許明細書に記載されて事項の範囲内において有機エレクトロルミネッセンス素子を限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　上記ｂの訂正は、特許明細書には「光通信用発光装置」と記載されており、明らかに誤記の訂正と認められるから、新規事項の追加に該当しない。
　上記ｃの訂正は、上記ａに関連して特許明細書段落００２２〜００２４に記載されており、文脈上修文するものであり、明りょうでない記載の釈明に相当し、新規事項の追加に該当しない。
　上記ｄの訂正は、単なる誤記と認められ、新規事項の追加に該当しない。
　そして、上記いずれの訂正も実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
ウ．独立特許要件
（請求項１〜１０に係る発明）
　訂正明細書の請求項１〜１０に係る発明（以下、「請求項１に係る発明」等という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】少なくとも陽極と、発光機能を有する有機層と、陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ））
　【請求項２】請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の静電容量を０〜５００ｐＦ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　【請求項３】請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の発光面の面積を０〜００２５ｃｍ２（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、当該素子の時定数を０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を複数個」直列に接続することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、電荷輸送時間を０〜４０ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とし、当該素子の時定数を０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とし、かつ、発光立ち上がり時間を０〜５０ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層は、発光層と電子輸送層とから、あるいは正孔注入層と発光層とから、あるいは正孔注入層と発光層と電子輸送層とから構成してあることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項８】請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子と、時定数として０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値を有する駆動回路とを含むことを特徴とする発光装置。
　　【請求項９】請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を、送光用発光素子として用いることを特徴とするフォトカプラー。
　　【請求項１０】請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子に、電源出力が変調可能な電源を接続してなる光通信用発光装置。」
（引用刊行物）
　当審が取消理由で引用した刊行物１〜８には、以下のとおりのことが記載されている。
　刊行物１（特開平２−６６８７３号公報）には、「アノード、前記アノード上に塗被せしめられた平面電界発光媒体、および前記平面電界発光媒体上に塗被せしめられたカソードを有する電界発光デバイスであって、前記平面電界発光媒体が前記アノードに隣接せる有機正孔注入帯域と前記カソードに隣接せる有機電子注入発光帯域とからな」（特許請求の範囲）ること、「常用の電子注入及び輸送化合物のどれでもカソードと隣接する有機電界発光媒体の層を形成する際に用いることができる。この層は、例えばアントラセン」（第２６頁左下欄第１〜４行）であること、「金属層の変形加工を行い、幅が２７５μｍで中心間の間隔が４００μｍ未満である薄膜平行アノードストリップの層を形成した。」（第３０頁右下欄第１１〜１３行）こと、「カソード層をアノードストリップの方向とは垂直の方向にホトリソグラフィーでパターニングして、幅２７５μｍの平行ストリップを得た。」（第３１頁左上欄第９〜１２行）ことが、図面と共に記載されている。
　刊行物２（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ，Ｊｏｈｎ　Ｄ．　Ｗｒｉｇｈｔ著、Ｃａｍｂｒｌｄｇｅ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　Ｐｒｅｓｓ，Ｃｏｐｙｒｉｇｈｔ　１９８７）には、アントラセンの移動度が、０．４ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１であることが記載されている。
　刊行物３（Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｈｏｌｅｓ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ　ｉｎ　Ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ，Ｒ．Ｇ．Ｋｅｐｌｅｒ　ａｎｄ　Ｆｌｏｙｄ　Ｎ．Ｃｏｐｐａｇｅ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ　１５１，ｐ．６１３（１９６６））には、「アントラセンの誘電体常数は、３の次数である。」（第６１３頁左欄４２，４３行）と記載されている。
　刊行物４（特開平２−２５２７９３号公報）には、「本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、発光材料として、ジスチリルピラジン誘導体を用いた有機ＥＬ素子が高輝度の黄色及び緑色発光を低電圧で出力できることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。」（第２頁左下欄第１９行〜右下欄第４行）こと、「前記正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達化合物は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合物であって、例えば１０４〜１０５Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖ・Ｓの正孔移動度をもつものが好適である。」（第７頁右上欄第７〜１３行）こと、「真空槽を１．２×１０−４Ｐａまで減圧したのち、ＴＰＤの入った前記加熱ボートに通電して、２３０℃まで加熱し、蒸着速度０．１−０．３ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板上に蒸着し、膜厚６０ｎｍの正孔注入輸送層を設けた。さらに、２，５−ビス−（２−（４−ビフェニル）エテニル）ピラジンの入った前記ボートを通電して２８５℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで、前記正孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚７０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の当該基板の温度は室温であった。」（第１０頁右下欄１８行〜第１１頁左上欄第８行）こと、「真空槽を３×１０−４Ｐａまで減圧したのち、ＴＰＤの入った前記加熱ボートに通電して、２３０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板上に蒸着し、膜厚７０ｎｍの正孔注入輸送層を設けた。さらに、２，５−ビス−（４−エチルスチリル）ピラジンの入った前記ボートを通電して２００℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで、前記正孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚８０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の該蒸着板の温度は室温であった。」（第１１頁右上欄第１９行〜左下欄第１０行）こと、「モリブデン製の抵抗加熱ボートにＴＰＤ２００ｍｇを入れ、さらに別のモリブデン製の抵抗加熱ボートにオールトランス構造の２，５−ビス−（４−メトキシスチル）ピラジン【式（１８）の化合物】２００ｍｇを入れ、真空蒸着装置に取り付けた。次いで、真空槽を２×１０−４Ｐａまで減圧したのち、ＴＰＤの入った前記加熱ボートに通電して、２２０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板上に蒸着し、膜厚６０ｎｍの正孔注入輸送層を設けた。さらに、２，５−ビス−（４−メトキシスチリル）ピラジンの入った前記ボートを通電して２３０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで、前記正孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚９０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の該基板の温度は室温であった。」（第１１頁右下欄第１５行〜第１２頁左上欄第１０行）ことが記載されている。
　刊行物５には、「一方ＥＬ素子は５０〜１００ＰＦ／ｍｍ２程度の容量を有しており、また透明電極として使用されているＩＴＯの面積抵抗は１０Ω程度とかなり大きい。従って、電極寸法に応じたＣＲの時定数の問題が発生する。例えば０．２ｍｍ×０．２ｍｍの画素で１０００×１０００画素のＥＬパネルを想定するとＣＲの時定数からは駆動回路から最遠部の画素に電圧が印加されるためには４０マイクロ秒程度が必要である。しかし、上述のアクセス時間は１０００本走査では１６．７マイクロ秒にすぎない。従って、駆動回路に近い画素では発光表示が得られたとしても、遠い画素では発光しなかったり、あるいは著しい発光むらを呈し実用に供する表示装置とすることができない。」（第２頁左下欄第３〜１６行）ことが、図面と共に記載されている。
　取消理由通知で示した、刊行物６は、上記刊行物１と同じ刊行物である。
　刊行物７（特開平２−６６８７０号公報）には、「透明電極１４はＤＣスパッタリングにより成膜した膜厚１００ｎｍのＩＴＯ薄膜であり、フォトリングラフ法を用いて金属薄膜層１３の上にストライプ状にパタニングした。ストライプの本数は１０２４本であり、幅は０．２ｍｍ、ピッチは０．３ｍｍである。」（第３頁左上欄第１７行〜右上欄第２行）こと、「背面電極の本数は７６８本であり、幅は０．２ｍｍ、ピッチは０．３ｍｍである。」（第３頁右上欄第１２〜１４行）ことが、図面と共に記載されている。
　刊行物８（特開平２−２３５４５１号公報）には、「少なくとも１以上の光受信機を備え、所定の情報を担持させて光を上記光受信機の開口部に向かって投光する光送信機において、この光送信機の発光部をＥＬ発光体とし、このＥＬ発光体の発光面積を上記光受信機の受光開口部面積より大きく形成したことを特徴とする光送信機。」（特許請求の範囲）旨が、図面と共に記載されている。
（対比・判断）
　請求項１に係る発明と上記刊行物１〜３に記載された発明を対比すると、上記刊行物１に記載された発明には、電子注入又は輸送化合物にアントラセンを用いること、上記刊行物２には、アントラセンの移動度の点、刊行物３に記載された発明には、アントラセンの誘電体常数がそれぞれ記載されているものの、請求項１に係る発明の必須構成である「有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ））」なる構成を具備していない。すなわち、上記刊行物１に記載された発明は、有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなる構成をとっておらず、かつ、上記刊行物２に記載された発明は、単に純粋の結晶アントラセンの移動度を記載したものであって、実際の製品化されたものは純粋の結晶アントラセンの移動度を得られないから、刊行物１に刊行物２の数値を単に計算上適用しても、請求項１に係る発明の上記数値を得られないことは明らかである。
　請求項１に係る発明と刊行物４、５、７、８に記載された発明を対比すると、刊行物４に記載された発明は、「少なくとも陽極と、発光機能を有する有機層と、陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域」の構成を具備しており、刊行物５に記載された発明は、「ＥＬ素子が５０〜１００ＰＦ／ｍｍ２程度の容量」を有しおり、刊行物７に記載された発明は、ストライプ状にパターニングしたＥＬの点、刊行物８に記載された発明は、光送受信機が記載されているが、請求項１に係る必須構成である「有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ））」である構成を具備していない。
　そして、請求項１に係る発明は、上記の構成を備えることにより、「応答速度の速い有機ＥＬ素子を得ることができる。また、本発明の有機ＥＬ素子または発光装置は、応答速度が速いので、フォトカプラーやフォトインターラプターあるいは光通信用発光装置として利用することが可能となる。」という明細書に記載の格別の効果を奏するものである。
　したがって、請求項１に係る発明は、刊行物１〜５、７、８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　請求項２〜１０に係る発明は、請求項１を引用した発明であるから、請求項１に係る発明が拒絶されない以上、当然に拒絶することはできない。
　したがって、本件請求項１〜１０に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２−４項に規定に適合するので、当該訂正を認める。
〔３〕特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人大槻功子は、請求項１〜３、７に係る発明は、甲第１号証（上記刊行物１）、甲第２号証（上記刊行物２）、甲第３号証（上記刊行物３）に基づいて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反し、当該特許を取り消すべきと、申立人鈴木正和は、請求項１〜１０に係る発明は、甲第１号証（上記刊行物４）、甲第２号証（上記刊行物５）、甲第３号証（上記刊行物６）、甲第４号証（上記刊行物７）、甲第５号証（上記刊行物８）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反するので、当該特許を取り消すべき、と主張している。
イ．判断
　本件請求項１〜１０に係る発明は、上記〔２〕ウ．独立特許要件の項で判断したように、上記刊行物１〜８に記載された発明から容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない、
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月２９日（１９９９．９．２９）
【訂正の要旨】
ａ．特許請求の範囲の請求項１に記載される「電荷の移動度、電荷輸送帯域の膜厚及び印加電圧と電荷輸送時間との関係式に基づいて、電荷輸送時間を算出し、当該算出した電荷輸送時間を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。」を「前記有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ）」
と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の請求項１０に記載される「光通信発光装。」を「光通信発光装置。」に訂正する。
ｃ．平成１０年２月２４日付け補正書の段落０００８の「電荷の移動度、電荷輸送帯域の膜厚及び印加電圧と電荷輸送時間との関係式に基づいて、電荷輸送時間を算出し、当該電荷輸送時間を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする。」を「前記有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする。
　Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ））」に訂正する。
ｄ．平成７年１０月５日付けの補正書の段落００６０中「実施例８」と記載されたところを「実施例９」に、「実施例７」と記載されたところを「実施例８」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　少なくとも陽極と、発光機能を有する有機層と、陰極とを備えた有幾エレクトロルミネッセンス素子において、
　前記有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、
　電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯域の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ））
　　【請求項２】　請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の静電容量を０〜５００ｐＦ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項３】　請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の発光面の面積を０〜０．０２５ｃｍ２（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項４】　請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、当該素子の時定数を０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項５】　請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を複数個直列に接続することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項６】　請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
　電荷輸送時間を０〜４０ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とし、
　当該素子の時定数を０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とし、
　かつ、発光立ち上がり時間を０〜５０ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項７】　請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層は、発光層と電子輸送層とから、あるいは正孔注入層と発光層とから、あるいは正孔注入層と発光層と電子輸送層とから構成してあることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項８】　請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子と、時定数として０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値を有する駆動回路とを含むことを特徴とする発光装置。
　　【請求項９】　請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を、送光用発光素子として用いることを特徴とするフォトカプラー。
　　【請求項１０】　請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子に、電源出力が変調可能な電源を接続してなる光通信用発光装置。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、発光層をＥＬ発光能をもつ有機低分子または有機高分子で形成した素子であり、自己発光のため広い視野角からの視認性がよく、完全固体型素子であるため耐衝撃性に優れるなど、ディスプレイ素子として理想的な特徴を有している。このため、各種の分野において研究、開発が進められている。
　　　【０００３】
　一搬に、発光素子の要求特性の一つとして応答速度が挙げられており、有機ＥＬ素子の応答速度に関しても、従来、いくつかの報告がなされている。
　例えば、有機ＥＬ素子の応答速度は数μｓであるとの報告がなされている（ＳＤＩ　Ｊａｐａｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ　８９′Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，７６０頁）。
　また、有機ＥＬ素子の応答速度には、素子容量と素子内抵抗が関係し、素子の応答追度はμｓオーダー程度であるとの報告がなされている（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６５（１９８９）３６１０）。
　　　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述した有機ＥＬ素子は応答速度の面で十分とはいえず、例えば、発光ダイオードの応答速度（数ｎｓ〜数十ｎｓ）に比べて、応答速度が遅いという問題がある。
　また、応答速度が遅いために、フォトカプラーやフォトインターラプターにおける逆光用発光素子として従来用いられている発光ダイオード等の代替品として有機ＥＬ素子を使用することができないという問題があり、さらに同様の理由により、光通信用の発光素子として使用することができないという問題がある。
　　　【０００５】
　本発明は、上述した問題点にかんがみてなされたもので、応答速度を速くした有機ＥＬ素子および該素子を用いた発光装置の提供を目的とする。
　　　【０００６】
　上記目的を達成するために本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、等価回路の分析が非常に重要であることを突き止めた。すなわち、従来の有機ＥＬ素子が数μｓ程度の応答速度しか得られなかったのは、等価回路の分析がなされず、したがって、時定数の大きな素子しか得られていなかったためであることが判った。
　　　【０００７】
　本発明者等は等価回路の分析を行なった結果、素子の時定数τの値が素子の静電容量Ｃおよび素子の面積に関係し、▲１▼素子の時定数τの値を１００ｎｓ以下にすることが応答時間が１μｓより小さい高速応答素子を得るために必要であり、素子の時定数τの値を１００ｎｓ以下にすると応答速度を高速にできること、▲２▼素子の静争電容量Ｃの値を５００ＰＦ以下にすると素子の時定数τの値を１００ｎｓ以下にできること（したがって、Ｃ≦５００ＰＦとτ≦１００ｎｓとは等価である）、▲３▼素子の発光面の面積を０．０２５ｃｍ２以下にすると素子の静電容量Ｃの値を５００ＰＦ以下にできること、▲４▼特に必要ならば素子の時定数τの値を１０ｎｓ以下にすることができることを第一に見い出した。
　また、実際の電源を接続して素子を駆動すると、等価回路における理想的な駆動回路（電源）で駆動する場合と異なり、電源内部の抵抗や素子との配線抵抗などのため、時定数τの実際の値は大きくなる。したがって、この実際の時定数の値が１００ｎｓ以下（特に必要ならば１０ｎｓ以下）となるように、駆動回路を設計することが必要であることを第二に見い出した。
　さらに、素子の発光立ち上がりおよび発光立ち下がり完了時間を短くするためには、電荷輸送時間を短くする必要があり、電荷輸送時間が６００ｎｓ以下であることが必要であること、特に超高速応答である５０ｎｓ以下で発光立ち上がりが完了するためには電荷輸送時間が４０ｎｓ以下であることが必要であることを第三に見い出し本発明を完成するに至った。
　　　【０００８】
　　【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子と称する場合もある。）は、少なくとも陽極と、発光機能を有する有機層と、陰極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、有機層が、正孔輸送帯域および電子輸送帯域の電荷輸送帯域からなり、電荷の移動度（μｈ，μｅ）、電荷輸送帯攻の膜厚（ｄｈ，ｄｅ）及び印加電圧（Ｅ・（ｄｈ＋ｄｅ））と電荷輸送時間（Ｔ）との下記関係式に基づいて、電荷輸送時間（Ｔ）を算出し、当該電荷輸送時間（Ｔ）を０〜６００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることを特徴とする。
Ｔ＝ｍａｘ（ｄｈ／（μｈ・Ｅ），ｄｅ／（μｅ・Ｅ））
　また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するにあたり、当該有機エレクトロルミネッセンス素子の静電容量を０〜５００ＰＦ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とすることが好ましい。
　また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するにあたり、有機層の手光面の面積を０〜０．０２５ｃｍ２（但し、０は含まない。）の範囲内の値とするのが好ましい。
　また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するにあたり、当該素子の時定数を０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とするのが好ましい。
　また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するにあたり、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を複数個直列に接続することが好ましい。
　また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するにあたり、電荷輸送時間を０〜４０ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とし、当該素子の時定数を０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とし、かつ、発光立ち上がり時間を０〜５０ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値とするのが好ましい。
　また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成するにあたり、有機層は、発光層と電子輸送層とから、あるいは正孔注入層と発光層とから、あるいは正孔注入層と発光層と電子輸送層とから構成してあることが好ましい。
　また、本発明の別な態様は、発光装置であって、上記有機エレクトロルミネッセンス素子と、時定数として０〜１００ｎｓ（但し、０は含まない。）の範囲内の値を有する駆動回路とを含むことを特徴とする。
　また、本発明の別な態様は、フォトカプラーであって、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を、送光用発光素子として用いることを特徴とする。
　また、本発明の別な態様は光通信用発光装置であって、上記有機エレクトロルミネッセンス素子に、電源出力が変調可能な電源を接続することを特徴とする。
　その他、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子と称する場合もある。）は、種々の態様を採ることができ、例えば、素子の時定数を１００ｎｓ以下とし、および／または素子の静電容量を５００ＰＦ以下とし、かつ、電荷輸送時間を６００ｎｓ以下とした構成を採ることができ、好ましくは素子の発光面の面積を０．０２５ｃｍ２以下とし、かつ電荷輸送時間を６００ｎｓ以下とした構成を採ることができる。
　また、複数の素子を直列に接続した場合には、接続体の時定数を１００ｎｓ以下とし、および／または素子の静電容量の総和を５００ＰＦ以下とし、かつ個別の素子の電荷輸送時間を６００ｎｓ以下とした構成を採ることができる。
　また、特に必要ならば素子の時定数τの値を１０ｎｓ以下とした構成を採ることができる。
　さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、当該素子の時定数が１０ｎｓ以下であり、かつ、正孔輸送時間および電荷輸送時間が４０ｎｓ以下であり、かつ、発光立ち上がり完了時間および発光立ち下がり完了時間が５０ｎｓ以下である構成を採ることかできる。
　　　【０００９】
　以下、本発明を詳細に説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、素子の時定数を１００ｎｓ以下とした構成としてある。ここで、素子の時定数を等価回路に基づき説明する。
　一般に、有機ＥＬ素子の等価回路は図１のように表わされる。同図において、１は有機ＥＬ素子であり、例えば、図２に示すように、ガラス基板２、ＩＴＯ電極（陽極）３、正孔注入層４、発光層５、および陰極（Ｍｇ；Ａｇ）６を順次積層して構成されている。Ｃは素子の静電容量であり、素子の面積をＳとし、素子の膜厚をｄとすると、下記（１）式で表わされる（図２参照）。
　　　【００１０】
　【数１】
　　　【００１１】
　ここで、εｏは真空中の誘電率、εｒは有機層の比誘電率である。静電容量Ｃの値は、有機層の膜厚によるが、例えば、有機層として用いれる電荷輸送層と発光層の合計の膜厚が６０〜２６０ｎｍである場合は、４０ｎＦ／ｃｍ２〜１０ｎＦ／ｃｍ２であり、この値は素子の面積に比例する。
　Ｒ１はＣと並列に接続した抵抗であり、素子の電荷輸送層および発光層による抵抗と、電極と有機層（電荷輸送層または発光層など）との界面における抵抗からなる。
　Ｒ１は印加電圧の増加に比例してその値が小さくなる挙動を示すので、その値は一概にはいえないが、典型的な値は５〜１０Ｖの順方向の電圧Ｖが順方向に素子に印加された場合、１ｃｍ２当たりＲ１≒数１０ｋΩ〜１００Ωであり、この素子の抵抗値は素子の面積が大きくなると反比例して小さくなる。
　Ｒ２はＣと直列に接続した抵抗であり、電極による抵抗および素子の配線抵抗からなる。抵抗Ｒ２の値は通常、１〜１００Ωである。Ｖは素子を駆動する電源である。
　　　【００１２】
　上記図１に示した等価回路の時定数τは下記（２）式で表わされる。
　　　【００１３】
　【数２】
　　　【００１４】
　上記のように時定数τはＣ、Ｒ１、Ｒ２と上記（２）式に示す関係にあり、したがってＣ、Ｒ２の値を小さくすると、時定数τの値は小さくなることが判る。また、上述したようにＣの値は、素子の面積Ｓに比例するため、素子の面積Ｓを小さくずれば、時定数τの値を小さくできることが判る。一方、抵抗Ｒ２は主として配線抵抗によるもので、素子面積との相関性は薄く、時定数τに与える影響は比較的小さいことも判った。
　上記のように、時定数τの値を小さくするには、素子の静電容量Ｃを小さくすれはよく、このためには素子面積Ｓを小さくすればよいことが判明した。
　なお、素子の静電容量Ｃを小さくするには、上記（１）式における素子の膜厚ｄや比誘電率εｒを変化させて行ってもよいことも判る。
　　　【００１５】
　従来用いられていた有機ＥＬ素子の面積は０．１ｃｍ２以上であり、この面積を従来のものより小さくすることで、Ｃ≦５００ＰＦとすることができる。また、このとき、Ｒ１＞＞Ｒ２となるため上記（２）式からτ≒ＣＲ２≦１００ｎｓとなり、高速応答性を有する素子を得る基礎とすることができる。ここで、τ≒ＣＲ２（Ｒ１＞＞Ｒ２のとき）の値はＣとＲ、の値を知ることにより、計算される。
　素子の時定数τの値は、好ましくは、ＣＲ２＜５０ｎｓ、特に好ましくは１０ｎｓ以下である。これを与えるＣの値は、好ましくは５００ＰＦ以下、特に好ましくは２００ＰＦ以下である。
　したがって、素子面積は有機層膜厚を１３０ｎｍとするとき、０．０１ｃｍ２以下とするのが特に好ましい。一方、膜厚を厚くして素子容量を減少させてもよいが、膜厚を３００ｎｍ以上にすると素子の発光効率が減少し素子駆動電圧も２０Ｖ以上になるので好ましくない。すなわち、素子膜厚が３００ｎｍ以下で素子容量を２００ＰＦ以下にするのが特に好ましい。
　　　【００１６】
　さらに、Ｒ２はＩＴＯの配線容量が大きく寄与している。したがって、素子発光に必要な電極部分（図２のＩＴＯ電極３の部分）以外は、抵抗値が数Ω以下となるように配線することが好ましい。
　　　【００１７】
　なお、複数の有機ＥＬ素子を直列に接続して使用する場合は、接続体の時定数か１００ｎｓ以下となり、および／または素子の静電容量の総和が５００ＰＦ以下となるようにすることが好ましい。特に、高速ＥＬ素子を得るには、素子を直列に継ぐことが素子の容量減少につながり好ましい。このとき、素子は順方向に電圧が印加されるように継ながなければならない。しかし、この際に、素子駆動電圧が直列に連結した素子の数倍になる不利益を被ることに注意しなければならない。また、特に超高速有機ＥＬ素子得るためには、素子の時定数を１０ｎｓ以下にすることが好ましいことをくりかえしておく。
　　　【００１８】
　なお、上述した有機ＥＬ素子を実際の電源を用いて駆動すると、電源内部の抵抗や素子との配線抵抗などのため、時定数τの実際の値は理論値より大きくなる。したがって、この実際の時定数の値が１００ｎｓ以下（特に好ましくは１０ｎｓ以下）となるような後述する駆動回路にて素子を駆動することが必要である。
　　　【００１９】
　また、上述した時定数τだけで素子の発光応答挙動は定まるものではなく、発光が始まるまでには電荷の注入、移動、再結合過程に必要とされる電荷輸送時間が必要となり、さらに、発光が安定した定常状態に達するまでには、立ち上がり時間が必要となる。
　　　【００２０】
　ここで、有機ＥＬ素子の発光機構について説明する。有機ＥＬ素子の発光機構については、ＥＰ　０２８１３８２（Ｔａｎｇら）に記述されている。図３に示すように、基板２０１上に透明電極（陽極）２０３が支持されている。陽極２０３の上には正孔輸送帯域２０５があり、この上にさらに電子輸送帯域２０７があり、この電子輸送帯域２０７は陰極２０９に密着している。
　正孔輸送帯域２０５は、電子と正孔が再結合し、発光材料分子の励起状態を形成する領域（再結合領域）まで正孔を輸送する帯域であって、正孔注入層または発光層の一部を含む。電子輸送帯域２０７は再結合領域まで電子を輸送する帯域であって、電子注入層または発光層の一部を含む。
　　　【００２１】
　今、電源がオンされると、τ時間経過後、陽極２０３にプラス（＋）、陰極２０９にマイナス（−）の電圧が印加される。これにより、正孔２１０は陽極２０３から正孔輸送帯域２０５内に注入される。印加電圧によって生じた電界により、正孔２１０は正孔輸送帯域２０５内を電子輸送帯域２０７の方向に輸送される。電子輸送帯域２０７が発光層を含むとすれば、発光層は電子輸送帯域２０７内であって正孔輸送帯域２０５と密着する部分に存在する。この部分に輸送された正孔は正孔輸送帯域２０５より発光層に注入される。
　一方、電子２１１は電圧が印加された後、陰極２０９から電子輸送帯域２０７に注入され、電界により電子輸送帯域２０７内を輸送され、前記発光層内に到達する。ここで、電子と正孔は発光材料分子の励起状態を形成し、これは基底状態に戻るとき発光する。
　以上の発光原理から明らかなように、素子が発光し始めるためには、最低限素子に実質的に電圧が印加されるのに必要な時間τ以外に、電子と正孔の電荷輸送時間が必要である。
　　　【００２２】
　正孔および電子の移動度をそれぞれμｈ，μｅとし、正孔輸送帯域２０５および電子輸送帯域２０７の膜厚をそれぞれｄｈ，ｄｅとすると、電荷輸送時間丁は下記（３）式で表わされる。
　　　【００２３】
　【数３】
　　　【００２４】
　ここで、Ｅは電界強度であり、Ｅ＝（印加電圧）／（ｄｈ＋ｄｅ）である。また、Ｔ＝ｄｈ／（μｈ・Ｅ）、Ｔｅ＝ｄｅ／（μｅ・Ｅ）とする。
　また演算子「ｍａｘ（Ｘ，Ｙ）」は、ＸおよびＹの二つの値のうち大きい方の値を表わすものとする。
　以上示されるように、正孔輸送帯域２０５および電子輸送帯域２０７におけるの移動度μｈ、μｅの値は大きいことが好ましい。６０ｎｍの帯域を１×１０６ｖ／ｃｍの電界強度下で移動する時間Ｔは移動度が１×１０−５ｃｍ２／ｖ・ｓｅｃの場合６００ｎｓである。したがって、１μｓ以下で発光が立ち上がりが完了するには、好ましくは１×１０−５ｃｍ２／ｖ・ｓｅｃ以上の移動度を持つことが６０ｎｍの膜厚の帯域に対して必要である。任意の膜厚に対しては、１μｓ以下の発光立ち上がり完了時間とするには６００ｎｓ以下の輸送時間とするように膜厚、移動度を設定する。
　　　【００２５】
　正孔輸送帯域に用いる材料が公知のトリフェニルアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体（ＥＰ　０２８１３８２参照）であるときは、正孔の移動度は１０−３〜１０−４ｃｍ２／ｖ・ｓｅｃである。これらの材料によって正孔注入層または発光層を形成し、μｈ＞２×１０−４ｃｍ２／ｖ・ｓｅｃを崖成するのは容易である。このとき膜厚を７５ｎｍ以下とするならば、１ｎｖ／ｃｍ以上の電界強度で、Ｔｈ＜４０ｎｓを達成できる。
　一方、電子移動度の大きな材料はあまり知られていないので、電子輸送帯域に用いる材料の電子の移動度によりたいていの場合Ｔは定まるが、これが１０−５ｃｍ２Ｖ・ｓｅｃ程度以上であることが好ましい。特に好ましいのは、８×１０−５ｃｍ２／Ｖ・ｓｅＣ以上である。
　さらに、電子輸送帯域の膜厚を特に薄くして、例えば、０〜２０ｎｍ程度とするならば、Ｔｅ＜５０ｎｓを満たすように小さくできる。しかし、今後の電子輸送帯域材料の研究が進展するにつれ１０−３〜１０−４ｃｍ２／ｖ・ｓｅｃ以上のμｅの値が大きい材料が見い出されることは容易に推定できる。この際にも本発明の知見は十分に利用できる。
　　　【００２６】
　さらに、発光か安定した定常状態に達するまでには、立ち上がり時間が必要となる。
　図４に示すように、時刻ｔ０の位置において電源をＯＮにすると、ほぼ、τ＋Ｔ時間後、正孔と電子が再結合し、発光が立ち上がり始める。しかし、この発光が安定した定常の状態の至るまで（発光が完了するまで）には、さらに、立ち上がり時間Ｔ′が必要である。この観測される立ち上がり時間Ｔ′および輸送時間Ｔは、素子の静電容量Ｃ（したがってτ）に、予想外に大きく依存することが判明した。例えば、τ＞１００ｎｓのときτ＋Ｔ＋Ｔ′（立ち上がり完了時間）はμＳオーダー以上であるのに対し、τ＜２０ｎｓの条件下では、後述する表１に示すように、τ＋Ｔ＋Ｔ′は５００ｎｓよりかなり短いことが観察された。ＴおよびＴ′がτに依存しないのであれば、τ＋Ｔ＋Ｔ′の値はτの変化量（８０ｎｓ）だけ変化し、５００ｎｓ以上も変化することはあり得ない。
　この原因は今のところ詳細には解明されていないが、素子に速やかに電圧が印加された状態にならないと、電界強度Ｅが定常状態に到達するのが遅れ、電荷の注入および輸送が定常的に行なわれるのに、予想外に時間が必要となるためであると考えられる。
　以上のように、発光の立ち上がり完了時間（すなわちτ＋Ｔ＋Ｔ′）を速くするには、素子の時定数τを小さくすることが非常に有効であることが判った。
　　　【００２７】
　素子の応答速度を速くするためには、発光の立ち下がり完了時間を短かくすることも必要である。これは、τが大きく、１００ｎｓ以上になると、電源ＯＦＦ後もこのτ時間レベルで素子内に残留電界が残り電荷注入輸送が生じ、発光の立ち下がりに必要以上の時間がかかるため、高速応答が困難となるためであることが判明した。そして、特に、τ＜２０ｎｓ（場合によってはτ＜１０ｎｓ）となるように素子の静電容量を設定することが好ましいことが判明した。
　　　【００２８】
　τ＜２０ｎｓとなるように素子の静電容量を設定した場合の発光立ち下がりの様子を図５に示す。同図において、時刻ｔ１の位置において電源をＯＦＦすると（Ｉ）の部分で急激に立ち下がる。
　（Ｉ）の部分は、発光層を形成する分子の蛍光寿命程度で減衰する指数関数的緩和部分である。この部分の時間は通常５０ｎｓ以下である。この部分の時間は時刻ｔ１より以前の時間にて生成されていた励起状態が基底状態に戻るのに必要な時間であり、高速である。前記したように蛍光寿命により図５の（Ｉ）の部分が定まる。したがって、蛍光寿命が短いほど高速の発光立ち下がりとなる。好ましくは、１００ｎｓ以下、特に好ましくは２０ｎｓ以下の蛍光寿命とすることが好ましい。（ＩＩ）の部分は発光層内に残っている電子と正孔が再結合することによって生じる長時間型の緩和部分である。この部分を特徴づける定数は再結合定数であり、これは電子と正孔が再結合して励起状態となるときの速度定数である。
　　　【００２９】
　本発明者らは、後述する図１１のデーターに基づきモデル解析を行ない（１／ｎ０ｒ）＝３３０ｎｓ（ｎ０は平行状態での電子密度、ｒは再結合定数）の値を、ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌ（Ｏｘ）３／Ｍｇ；Ｉｎの素子で得た。ｎ０は１０１４〜１０１５ｃｍ−３と既算した場合、ｒ＝３×１０−９〜３×１０−８ｃｍ−３ｓ−１であり、アントラセン単結晶で得られている値（３±２）×１０−６ｃｍ−３ｓ−１（Ｐｈｙｓ．Ｓｔａｔ．ｓｏｌ．Ａ６，２３１）に比べ小さい。これは、さらに良質の発光材料または発光源を用いたとき、ｒの値を大きくできることを示している。仮にｒが１０−６ｃｍ−３ｓ−１程度であったならば、（１／ｎ０ｒ）＝３ｎｓ程度の値が得られることになり、これは発光立ち下がりにおいて長時間の立ち下がり部分が無視できることを示しており、特に好ましい。
　　　【００３０】
　また、長寿命の緩和部分が小さい場合も存在することがわかった（実施例７、図１３参照）。この場合は、実質上（Ｉ）の部分だけで発光立ち下がりが完了し、特に好走しい場合である。長寿命の成分は前記の再結合によって生じるものの他にも三重項励起状態からのＥＬ発光起源のもの、トラップに捕捉されていた残存電荷が再結合を起すことによるＥＬ発光起源のものなどが考えられるので、これらの成分をなくすことが必要である。
　　　【００３１】
　以上述べてきた各因子の各々について、特に好ましい形態を実施することにより（ただし上記再結合定数は除く）、定常発光の９０％に到達するのに必要な発光立ち上がり完了時間は３００ｎｓ以下とすることができる。今、このような応答時間よりこの素子の最高応答周波数は、ｆ＝１／応答時間、と概算できる。ｆ：１／３００ｎｓ＝３．３ＭＨｚであるので、少なくとも３．３ＭＨｚの周波数応答性をもつ有機ＥＬ素子を得ることができることが判る。
　特に、素子の時定数を１０ｎｓ以下とし、Ｔｅ＜４０ｎｓかつＴｈ＜４０ｎｓとしたとき、発光立ち上がり完了時間を５０ｎｓ以下とすることができる。また、長寿命の緩和成分が無視できる状態において、緩和は蛍光寿命のみで決まることになるので、蛍光寿命が小さければ発光立ち下がり完了時間を５０ｎｓ以下とすることができる。このとき応答周波数は２０ＭＨｚに達する。
　　　【００３２】
　次に、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成および形成材料について説明する。有機ＥＬ素子は、基板上に作製することが好ましい。この基板の材料については、特に制限はなく、従来より有機ＥＬ素子に慣用されているもの、例えば、ガラス，透明プラスチックあるいは、石英等を用いることができる。また、基板の厚さは、有機ＥＬ素子の１０倍以上であることが好ましい。
　電極（陽極または陰極）の形成材料としては、金，アルミニウム，インジウム，マグネシウム，銅，銀等の金属、これらの金属の合金、混合物、特開昭６３−２９５６９５号公報に開示されている合金、混合物電極、あるいは、ＩＴＯ（インジウムチンオキサイド；酸化インジウムと酸化スズの混合酸化物），ＳｎＯ２（酸化第二スズ）ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の透明電極材料等が用いられる。
　この際、陽極には、仕事関数の大きい金属または電気伝導性化合物を用いるのが好ましい。陰極には、仕事関数の小さい金属または電気伝導性化合物を用いるのが好ましい。
　これらの電極は、少なくとも一方を透明もしくは半透明とすることが、発光の透過率を高める上で好ましい。電極の厚さは１０ｎｍ〜１μｍ、特に、２００ｎｍ以下であることが透過率を高める観点からすると好ましい。電極は、公知の方法、例えば、蒸着法やスパッタリング法によって形成される。
　　　【００３３】
　有機層部は少なくとも有機化合物からなる発光層を有し、この有機層部の構成態様としては、発光層のみからなる場合（この場合有機層部は単層である）、発光層／正孔注入層からなる場合、電子輸送層／発光層からなる場合、電子輸送層／発光層／正孔注入層からなる場合、その他の場合（特願平１−０６８３８７号等参照）等が挙げられる。この有機層部の構成順序は電極により逆になってもよい。
　発光層は、注入機能、輸送機能および発光機能を有する。
　ここで、注入機能とは、電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔を注入可能とする機能および陰極または電子注入層より電子を注入可能とする機能をいう。
　また、輸送機能とは、正孔及び電子を電界の力により移動（輸送）させる機能をいう。
　さらに、発光機能とは、正孔と電子の再結合の場を提供し、発光させる機能をいう。
　この場合、正孔注入性と電子注入性の能力に違いがあってもよい。発光層の厚さは、５ｎｍ〜５μｍの範囲内とすることが好ましい。
　　　【００３４】
　正孔注入層および電子注入層は、必ずしも設ける必要はないが、発光性能向上のため設けることが好ましい。
　正孔注入層は、より低い電界で正孔を発光層に輸送する材料で形成される。正孔の移動度は、１０４〜１０６ｖ／ｃｍの電場のもとで少なくとも１０−６ｃｍ２／ｖ・ｓｅｃの値を有することが好ましい。電子注入層は、より低い電界で電子を発光層に輸送する材料で形成される。
　　　【００３５】
　なお、上記構成からなる有機ＥＬ素子の作製方法は特に制限されないが、蒸着法を用いれば、蒸着法だけで有機ＥＬ素子を作製することができ、設備面および生産時間面より有利であるため好ましい。
　　　【００３６】
　上記構成からなる有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の問に電圧を印加してエージングを行なったものであってもよい。
　ここでいうエージングとは、電圧を印加して、リーク電流を発生させる領域を除去するとともに、素子内に貯つた正孔や電子を除去することをいう（特願平２−１１７８８５号参照）。これにより有機ＥＬ素子に、安定動作を行なわせる。本発明方法に用いられる有機ＥＬ素子は必ずしもこのエージングを行なったものである必要はないが、素子の動作の安定化の観点からするとエージングを行なったものであることが好ましい。
　　　【００３７】
　次に、本発明の発光装置について説明する。本発明の発光装置は、上述した本発明の有機ＥＬ素子を、該素子の駆動時の時定数の値が１００ｎｓ（特に必要ならば１０ｎｓ）を超えないように設計された駆動回路（電源）で駆動する構成としてある。
　このような駆動回路としては、立ち上がりおよび立ち下がり時間が短パルス電圧を印加可能な駆動回路（電源）が好ましい。例えば、立ち上がりおよび立ち下がり時間が２０ｎｓ以下（特に好ましくは１ｎｓ程度以下）であるパルス電圧を印加可能なパルスジェネレーターが好ましい。
　　　【００３８】
　上述した本発明の有機ＥＬ素子および発光装置は、２０ＭＨｚ（最高５０ＭＨｚ）の周波数応答性を要求するフォトカプラーやフォトインターラプターにおける送光用発光素子および送光用発光装置として利用することができる。すなわち、図６に示すようにパルス電源２１で本発明の有機ＥＬ素子１を駆動してを発光状態（断続、変調）にすると、これに対向する受光素子２２はパルス列を再現する。
　このように高速応答有機ＥＬ素子を発光部位にし、また既存のシリコンフォトダイオード，シリコンＰＩＮフォトダイオード，アバランシェダイオード，光電子増倍管などの受光素子を受光部位にして、電気−電気変換装置を形成できる。
　　　【００３９】
　さらに、シリコンフォトダイオードなどの半導体を用いた受光素子基板上に有機ＥＬ素子を形成し、フォトカプラー，フォトインターラプターなどを集積化することも容易である。図７はこの集積回路の一例を示しておりＰＩＮフォトダイオード３１上に有機ＥＬ素子１を形成したフォトカプラーである。ＰＩＮフォトダイオード３１は、Ｎ層３２，Ｉ層３３，Ｐ層３４からなる。Ｐ層３４上にはＳｉＯ２窓材３５が積層され、その上に本発明の有機ＥＬ素子（図２のものと同様）を形成してある。そして、電極３６を陰極（−）とし、電極３７を陽極（＋）として、これらの電極間に３〜１５Ｖの電圧波形を印加すれば、これに対応してＰＩＮフォトダイオード３１の電極３８，３９間に起電力が生じるようなっている。本発明の有機ＥＬ素子は高速応答性を示すので、十分高速な受光部位を用いればＭＨｚオーダーの周波数変調をかけた電気−電気変換を行うことができる。
　　　【００４０】
　また、本発明の有機ＥＬ素子を変調可能な電源に接続すれば光通信用発光装置として利用できる。この場合、発光装置と受光素子との間は光ファイバーケーブル等て接続される。
　また、逆にＰＩＮフォトダイオードなどの高速受光素子と高速有機ＥＬ素子を組み合せることにより受光素子に入射したパルス光による光電流による電圧変化を有機ＥＬ素子に印加することにより、高速光−光変換も可能である。
　　　【００４１】
　【実施例】
　以下、実施例にもとづき本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
　
高速有機ＥＬ素子の作製
　ＨＯＹＡ社製の膜厚１００ｎｍのＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３；Ｓｎ）電極付ガラス基板をイソプロピルアルコールにて５分間超音波洗浄後、イソプロピルアルコールに浸した。これを取り出し、乾燥Ｎ２にてブローして乾燥した後、ＵＶ一オゾン洗浄装置（サムコインターナショナル社製ＵＶ３００）にて約５分間基板を洗浄し支持基板とした。次に、これを日本真空技術社製真空蒸着装置の基板ホルダーに取付けた。一方、通電用端子台にＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（３−メチルフェニル）４，４′−ジアミノビフェニル）入りのＭｏ製蒸着ボートとＡｌ（Ｏｘ）３（８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体）入りのＭｏ製蒸着ボートを取付け、真空槽を１０−６Ｔｏｒｒまで排気した。ＴＰＤ入りのボートに通電してＴＰＤを蒸着し、ガラス基板／ＩＴＯ／ＴＰＤの層構成を保有するものを得た。このときＴＰＤ蒸着速度は１〜３Å／ｓ、膜厚は６０ｎｍ、基板温度は室温であった。次に、Ａｌ（Ｏｘ）３入りのボートに通電し、Ａｌ（Ｏｘ）３層を上記ガラス基板／ＩＴＯ／ＴＰＤの上に蒸着した。このときのＡｌ（Ｏｘ）３の蒸着速度は１〜２Å／ｓ、膜厚は６０ｎｍ、基板温度は室温であった。
　以上を終え、真空層を開放し、ガラス基板／ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌ（Ｏｘ）３の上にステンレス製マスクをかけ基板ホルダーに取付けた。このときマスクは素子の発光面積が１ｍｍ×０．５ｍｍになるように開口されたものであった。さらに通電用端子台にＭｇ入りＭｏ製ボートとＩｎ入りＷ製フィラメントボートを取付け、さらに真空槽を６×１０−７をＴｏｒｒまで排気した。Ｍｇ入りのボートに通電子蒸着速度１４Å／ｓでＭｇを蒸着した。同時にＩｎ入りのボートも通電し、０．６〜０．９Å／ｓでＩｎを蒸着した。この二元蒸着によりＭｇ；Ｉｎを９００Ａ形成し、Ｍｇ；Ｉｎ陰極とした。
　作製した素子の平面図および断面図を図８（ａ）および（ｂ）に示す。Ｍｇ；Ｉｎ６とＩＴＯ３に挟まれた部分Ｈが素子が発光する面積を規定するが、ＩＴＯの配線低抗を小さくするため、陽極の電源との接続位置は、この発光部分に近づけるようにした。この素子の容量を測定した結果１００ＰＦであった。またＲ１は不明であるがＲ２＝２５Ωであった。従ってτ：２．５ｎｓであると推定された（Ｒ１は不明ではあるが素子面積が小さいのでＲ１＞＞Ｒ２である。
　　　【００４２】
実施例２
　
発光装置の作製（発光応答速度の測定）
　図９に示すように、立ち上がり、立ち下がりを２０ｎｓ程度とすることが可能なパルス電圧を印加可能なパルスジェネレーター４１を用意し、図面に示すような回路で有機ＥＬ発光素子１（実施例１で作製した素子）をセットして発光装置を作製し、十分高速なオシロスコープ４２を用意し、図９のように接続した。点線内の５０Ωはオシロスコープが等価的に５０Ωの抵抗体であることを示している。なお、電源の内部抵抗４３は５０Ωである。
　このときの時定数の理論値（計算値）は下記（４）式で表される。
　　　【００４３】
　【数４】
　　　【００４４】
　一方、高速応答性を測定する受光子として光電子増倍管４４（浜松ホトニクス社製Ｒ９２８）を用い５０Ωの終端抵抗内蔵の高速オシロスコープ４５にて有機ＥＬ素子の発光波形を計測した。
　図１０にオシロスコープ４２にて計測されたＥＬ素子に印加された電圧波形Ｉ（電圧１０Ｖ）を示す。印加電圧波形はすみやかに立ち上がり、素子の時定数が２０ｎｓであることを示している。これに対応して得られた発光波形ＩＩは発光が立ち上がり始めまでの時間τ＋Ｔ≦７０ｎｓであることを示している。発光波形が平衡状態の９０％になるまでの時間はτ＋Ｔ＋Ｔ’＝２６０ｎｓと高速であった。
　次に、定数τの測定について述べる。
　時定数τで定められた時間後にオシロスコープで測定された電圧は下記（５）式に示すようになっている。
　　　【００４５】
　【数５】
　　　【００４６】
　ここで、本実施例における素子においては、
１＋（２５／Ｒ１＋Ｒ２）≒１、１＋（２５／Ｒ２）≒２となっているので、上記（５）式は下記（６）式のように表される。
　　　【００４７】
　【数６】
　　　【００４８】
　したがって、τ時間後の電圧が上記（６）式に示す値をとるときの時間を測定すれば、時定数τの値が実測できる。先に述べたτの値はこの方法により実測している。
　一方、電源をＯＦＦした後の発光立ち下がり挙動を図１１に示す。
　約４０ｎｓまで指数関数的に減衰しその後、再結合定数で定まる長時間型発光立ち下がりを示した。発光が平衡状態の９０％まで立ち下がる時間は約３００ｎｓであった。以上の結果を表１に示す。
　　　【００４９】
比較例１
　実施例１と同様に素子を作製したが、素子発光を与える素子面積が２×５ｍｍであることが異った。素子の容量は２０００ＰＦであった。これに対し実施例２と同様な計測を行い、図１２の発光応答波形を得た。ｔ０は電源ＯＮにしたとき、ｔ２は電原ＯＦＦにしたときを示している。この測定結果から発光が立ち上がり始めるまでの時間は５５０ｎｓ、発光波形が平衡状態の９０％になるまでの時間は２．２μｓであった。また発光が平衡状態の９０％にまで立ち下がる時間は７００ｎｓであった。
　　　【００５０】
実施例３〜５および比較例２
　素子面積を表１に示すように変化させた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、実施例２と同様にして発光装置を作製した。そして、発光が立ち上がり始めるまでの時間τ＋Ｔ，発光が平衡状態の９０％にまで達する時間τ＋Ｔ＋Ｔ′，発光が平衡状態の９０％にまで立ち下がる時間丁″、素子の静電容量Ｃおよび素子の時定数τを実施例２と同様に測定した。これらの結果を表１に示す。
　　　【００５１】
　【表１】
　　　【００５２】
　実施例２〜５と比較例１〜２をみれば明らかにわかるように発光の立ち上がり時間（τ＋Ｔ＋Ｔ′）及び立ち下がり時間Ｔ″は素子の面積すなわち容量（したがって、時定数）と相関が強くあり、素子の容量を小さくするほど高速応答できる。またその容量は５００ＰＦ以下であることが好ましい。特に好ましくは２００ＰＦ以下であり、このとき５００ｎｓ以下の応答速度を示す。
　　　【００５３】
実施例６
　
電気−電気変換装置（光通信用発光装置）の作製
　実施例１のパルスジェネレーターにより３ＭＨｚの周波数を持つパルス列を送りだした。これを実施例２の図９と同じようにセットをした後、有機ＥＬ素子にパルス列を印加し、パルス点灯を行った。この発光を浜松ホトニクスＳ１１９０　ＰＩＮフォトダイオードにより受光した結果、３ＭＨｚの周波数をもつパルス列を再現した。このときＰＩＮフォトダイオードには５０Ωの終端抵抗を付け加えその両端の電位を測定し計測した。この実施例は電気−電気変換（光通信）が高速に行なわれることを示している。
　　　【００５４】
実施例７
高速変調の例
　実施例１の素子にファンクションジェネレーターを接続し、正弦波の変調を行ない発光応答を観測した。周波数４．６ＭＨｚのとき（周波数３ＭＨｚ以下のとき）発光パワーに対し、０．７０７倍となった（３ｄＢ以下）。
　したがって、３ｄＢ電気的帯域幅（応答周波数）は４．６ＭＨｚであった。
　　　【００５５】
比較例３
　比較例１の素子に実施例６と同様のテストを行なったところ、周波数２０ＫＨｚのときの発光パワーに対し、０．７０７倍になる周波数は僅か１４０ＫＨｚであった。
　　　【００５６】
実施例８
　
超高速応答有機ＥＬ素子の作製及び評価
　ＨＯＹＡ社製の膜厚１００ｎｍのＩＴＯ電極付ガラス基板をイソプロピルアルコールにて５分間超音波洗浄後、イソプロピルアルコールに浸した。これを取り出し、乾燥Ｎ２にてブローして乾燥した後、ＵＶ−オゾン洗浄装置（サムコインターナショナル社製ＵＶ３００）にて約５分間基板を洗浄しこれを支持基板とした。次に、これを日本真空技術社製真空蒸着装置の基板ホルダーに取付けた。一方、Ｍｏ製抵抗加熱蒸着ボートにＢＣｚＶＢを２００ｍｇ入れた。ＢＣｚＶＢは下記の構造式で示される発光材料である（ＥＰＯ０３７３５８２に記載）。
　　　【００５７】
　【化１】
　　　【００５８】
　上記Ｍｏ製蒸着ボートを真空蒸着装置の通電用端子台に取付け、真空槽を１．５×１０−４Ｐａまで排気した。ＢＣｚＶＢ入りのボートを加熱し、ＢＣｚＶＢを蒸着速度１〜３Å／ｓ、膜厚６０ｎｍで蒸着し、ガラス基板／ＩＴＯ／ＢＣｚＶＢの層構成を保有するものを得た。このとき基板温度は室温であった。次に、真空槽を開放し、上記ＢＣｚＶＢ層の上にステンレス製マスクをかけ基板ホルダーに取付けた。このときマスクは素子の発光面積が１ｍｍ×０．５ｍｍになるように開口されたものであった。さらに通電用端子台にＭｇ入りＭｏ製ボートとＡｇ入りＷ製フィラメントボートを取付け、さらに真空槽を１×１０−４Ｐａまで排気した。Ｍｇ入りのボートに通電し、Ｍｇを蒸着速度１８〜２０Å／ｓ、Ａｇを０．６〜０．８Å／ｓで同時に二元蒸着し、Ｍｇ；Ａｇを１３００Å形成した。そしてこれをＭｇ；Ａｇ陰極とした。
　　　【００５９】
　作製した素子の平面図および断面図を図８（ａ）および（ｂ）に示す。実施例２と同様にして、発光応答速度の測定を行なった。ただし、パルス電圧の立ち上がり及び立ち下がりを１ｎｓ程度とすることが可能なパルスジェネレーター（アブラック社製ＡＶＲ−Ｅ２−Ｃ−Ｐ−Ｗ−０３）に変更した。また、受光素子として、高速応答でありＥＬ素子の発光を忠実に再現するような光電子増倍管（浜松ホトニクス社製Ｒ１５６４０−０１）を用いた。
　図１３にオシロスコープにて計測された印加電圧波形を示す。また、同時に発光応答の波形であるＥＬ信号を示す。
　印加電圧波形はすみやかに立ち上がり、素子の時定数が６ｎｓであることを示している（図１０では素子の時定数のため、印加電圧波形の立ち上がりが鈍っていたものと考えられる）。
　これに対応して得られた発光波形はτ＋Ｔ≦６ｎｓであることを示している。発光波形が発光の平衡状態の９０％になるまでの時間（発光立ち上がり完了時間）τ＋丁＋Ｔ′は２４ｎｓと極めて高速であった。一方、発光波形が発光の平衡状態の９０％にまで立ち下がる時間（発光立ち下がり完了時間）は僅か１４ｎｓであり、やはり極めて高速であった。
　本素子の発光層（ＢＣｚＶＢ層）は、正孔輸送が極めて優れた層であり、ｄｈ≒６０ｎｍ、ｄｅ≒０〜５ｎｍの場合と推定される。したがって、陰極に面したところに再結合帯域が存在し、極めて高速に６ｎｓ以下で正孔は再結合帯域に到達し、ここに注入された電子と再結合したと考えられる。また、残光成分である長命奇成分は極めて少なく、発光立ち下がり完了時間は短寿命である蛍光成分のみであった。
　　　【００６０】
実施例９
　実施例８と同様にしてガラス基板／ＩＴＯ／ＢＣｚＶＢを作製した。次に、あらかじめ別のＭｏボードに仕込んだＡｌ（Ｏｘ）３入りのボードを加熱し、１２ｎｍの電子注入層を作成した。蒸着条件は蒸着速度１〜３Å／ｓ、基板温度は室温とした。その後、真空槽を１×１０−４Ｐａまで排気し、実施例８と同様にＭｇ：Ａｇ陰極を形成した。
　作製を終えた素子を実施例８と同様に評価した。ただし、パルス印加電圧は３３Ｖとした。
　ＲＣ時定数は８ｎｓ以下、発光立ち上がり完了時間は１８ｎｓ、発光立ち下がり完了時間は１４ｎｓであり、極めて高速であった。なお、このとき別に行なった発光スペクトルの測定から実施例８の素子と実施例９の素子のスペクトルは一致し、ＢＣｚＶＢ層が発光層であることを確認した。ＢＣｚＶＢ層内のＡｌ（Ｏｘ）３層こ面する部分が再結合帯域であり、ＢＣｚＶＢ層内の正孔輸送時間、Ａｌ（Ｏｘ）３層内の電子輸送時間ともに１４ｎｓ以下であることにより、超高速応答を実現できた。
　　　【００６１】
　　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、応答速度の速い有機ＥＬ素子を得ることができる。
　また、本発明の有機ＥＬ素子または発光装置は、応答速度が速いので、フォトカプラーやフォトインターラプターあるいは光通信用発光装置として利用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　有機ＥＬ素子の等価回路を示す図である。
　【図２】
　本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す斜視図である。
　【図３】
　有機ＥＬ素子の発光機構の説明図である。
　【図４】
　有機ＥＬ素子の発光の立ち上がりを示す図である。
　【図５】
　有機ＥＬ素子の発光の立ち下がりを示す図である。
　【図６】
　本発明のフォトカプラーを示す構成図である。
　【図７】
　本発明の有機ＥＬ素子をＰＩＮフォトダイオード上に形成した状態を示す正面図である。
　【図８】
　実施例において作製した有機ＥＬ素子を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
　【図９】
　実施例において作製した発光装置を示す構成図である。
　【図１０】
　実施例において作製した発光装置の発光の立ち上がりを示すグラフである。
　【図１１】
　実施例において作製した発光装置の発光の立ち下がりを示すグラフである。
　【図１２】
　比較例における発光波形を示すグラフである。
　【図１３】
　実施例において作製した他の有機ＥＬ素子の印加電圧波形および発光波形を示すグラフである。