(57)【要約】【課題】抵抗率の半導体基板面内均一性を向上させることが可能な半導体製造装置用のガス供給装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置の反応室内部にプロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置１は、反応室内部にプロセスガスを導入するためのマニホールド２を有し、マニホールド２には、少なくとも４つのガス供給配管（３，４，５，６）が結合されており、プロセスガスのひとつである添加ガスが、オリフィス７を有する複数の流路に分流されて、ガス供給配管の少なくとも２つを通じてマニホールド２に流入するように構成されたガスラインを備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置の反応室内部にプロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置であって、
前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドを有し、
前記マニホールドには、少なくとも３つのガス供給配管が結合されており、
前記プロセスガスのひとつである添加ガスが、オリフィスを有する複数の流路に分流されて、前記ガス供給配管の少なくとも２つを通じて前記マニホールドに流入するように構成されたガスラインシステムを備える、
ことを特徴とするガス供給装置。
【請求項２】
前記添加ガスが窒素ガスであることを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項３】
前記半導体製造装置が、プラズマＡＬＤ装置であることを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項４】
前記パージガスは、前記ガスラインを通じて前記マニホールドに流入されることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載のガス供給装置。
【請求項５】
半導体製造装置の反応室内部に、プロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置であって、
前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドと、
前記マニホールドに結合されたガスラインシステムと、
を備え、
前記ガスラインシステムは、前記マニホールドに互いに略等間隔に結合された、第１ガス供給配管、第２ガス供給配管、第３ガス供給配管及び第４ガス供給配管を有し、
前記第１ガス供給配管はパージガス供給装置に結合し、
前記第２ガス供給配管は二手に分岐し、一方は第１反応ガス供給装置に結合し、他方はオリフィスを介して分流点でさらに二手に分岐し、その一方はパージガス供給装置に結合し、他方は前記プロセスガスのひとつである添加ガス供給装置に結合し、
前記第３ガス供給配管は、二手に分岐し、一方は第２反応ガス供給装置に結合し、他方は第２オリフィスを介して前記分流点に結合し、
前記第４ガス供給配管は、二手に分岐し、一方は前駆体ガス供給装置に結合し、他方は第３オリフィスを介して前記分流点に結合する、
ことを特徴とするガス供給装置。
【請求項６】
前記添加ガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項５記載のガス供給装置。
【請求項７】
半導体製造装置の反応室内部に、プロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置であって、
前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドと、
前記マニホールドに結合されたガスラインシステムと、
を備え、
前記ガスラインシステムは、前記マニホールドに互いに略等間隔に結合された、第１ガス供給配管、第２ガス供給配管、第３ガス供給配管及び第４ガス供給配管を有し、
前記第１ガス供給配管はパージガス供給装置に結合し、
前記第２ガス供給配管は二手に分岐し、一方は第１反応ガス供給装置に結合し、他方は第１オリフィスを介して分流点でさらに二手に分岐し、その一方はパージガス供給装置に結合し、他方はさらに二手に分岐し、その一方は前記プロセスガスのひとつである添加ガス供給装置に結合し、他方は第２反応ガス供給装置に結合し、
前記第３ガス供給配管は、第２オリフィスを介して、前記分流点に結合し、
前記第４ガス供給配管は二手に分岐し、一方は前駆体ガス供給装置に結合し、他方は第３オリフィスを介して前記分流点に結合する、
ことを特徴とするガス供給装置。
【請求項８】
前記添加ガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項７記載のガス供給装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、半導体製造装置にプロセスガスを供給するためのガス供給装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いた金属薄膜の製造が周知である。ＡＬＤ法は、材料物質膜を一度に単層ずつ形成するものである。そのため、２種類以上のプロセスガスが交互にかつ連続的に導入される。このＡＬＤによれば、層の膜厚均一性及び堆積層の整合性が改善されるため、超薄膜ゲートの形成、メタライゼーションのための超薄膜バリア層、シード層の形成などへの応用が期待されている。
【０００３】
ＡＬＤ法によるタンタル（Ｔａ）系金属薄膜の形成には、プラズマＡＬＤ法が用いられてきた。その際、前駆体として、ＴａＦ５、ＴａＣｌ５、ＴＢＴＤＥＴ（tris-diethylamino-buthylimino-Tantalum）、ＴｉＭａｔａ(tertiaryamlimidotris-diethylamino-Tantalum)等のハロゲン系Ｔａまたは有機系Ｔａを用い、反応ガスとしてＨ２、ＮＨ３を用いて、反応ガスの導入時に１３．５６ＭＨｚまたは２７ＭＨｚの高周波（ＲＦ）電力を印加し、半導体基板上にＴａ系薄膜が堆積される。特に、抵抗率を制御する必要がある場合、添加ガスとして、窒素ガス（Ｎ２）が用いられる。
【０００４】
しかしながら、Ｔａ系膜は成膜時に膜中に取り込まれる窒素原子の量によって抵抗率が大きく変化するため、窒素ガスの流量が増加すると半導体基板面内での抵抗率の均一性が悪くなるという問題があった。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本願の目的は、半導体基板表面に堆積する膜の抵抗率の面内均一性を向上させることが可能な半導体製造装置用のガス供給装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本考案のひとつの態様において、半導体製造装置の反応室内部にプロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置は、前記反応室内部に前記プロセスガスを導入するためのマニホールドを有し、前記マニホールドには、少なくとも３つのガス供給配管が結合されており、前記プロセスガスのひとつである添加ガスが、オリフィスを有する複数の流路に分流されて、前記ガス供給配管の少なくとも２つを通じて前記マニホールドに流入するように構成されたガスラインシステムを備えることを特徴とする。
【０００７】
本考案の他の態様において、半導体製造装置の反応室内部に、プロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置は、前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドと、前記マニホールドに結合されたガスラインシステムとを備え、前記ガスラインシステムは、前記マニホールドに互いに略等間隔に結合された、第１ガス供給配管、第２ガス供給配管、第３ガス供給配管及び第４ガス供給配管を有し、前記第１ガス供給配管はパージガス供給装置に結合し、前記第２ガス供給配管は二手に分岐し、一方は第１反応ガス供給装置に結合し、他方はオリフィスを介して分流点でさらに二手に分岐し、その一方はパージガス供給装置に結合し、他方は前記プロセスガスのひとつである添加ガス供給装置に結合し、前記第３ガス供給配管は、二手に分岐し、一方は第２反応ガス供給装置に結合し、他方は第２オリフィスを介して前記分流点に結合し、前記第４ガス供給配管は、二手に分岐し、一方は前駆体ガス供給装置に結合し、他方は第３オリフィスを介して前記分流点に結合することを特徴とする。
【０００８】
本考案のさらに他の態様において、半導体製造装置の反応室内部に、プロセスガス及びパージガスを導入するためのガス供給装置は、前記反応室内部に前記プロセスガス及びパージガスを導入するためのマニホールドと、前記マニホールドに結合されたガスラインシステムとを備え、前記ガスラインシステムは、前記マニホールドに互いに略等間隔に結合された、第１ガス供給配管、第２ガス供給配管、第３ガス供給配管及び第４ガス供給配管を有し、前記第１ガス供給配管はパージガス供給装置に結合し、前記第２ガス供給配管は二手に分岐し、一方は第１反応ガス供給装置に結合し、他方は第１オリフィスを介して分流点でさらに二手に分岐し、その一方はパージガス供給装置に結合し、他方はさらに二手に分岐し、その一方は前記プロセスガスのひとつである添加ガス供給装置に結合し、他方は第２反応ガス供給装置に結合し、前記第３ガス供給配管は、第２オリフィスを介して、前記分流点に結合し、前記第４ガス供給配管は二手に分岐し、一方は前駆体ガス供給装置に結合し、他方は第３オリフィスを介して前記分流点に結合することを特徴とする。
【考案の効果】
【０００９】
本願によれば、半導体基板表面に堆積する膜の抵抗率の面内均一性を向上させることが可能な半導体製造装置用のガス供給装置を提供することができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本考案の実施形態について説明する。
【００１１】
［考案の第１の実施形態］
図１は、本考案の第1の実施形態に係るガス供給装置を概略的に示したものである。第１の実施形態に係るガス供給装置１は、後述するプラズマＡＬＤ装置５０と結合するマニホールド２と、該マニホールド２に結合された第1ガス供給配管３、第２ガス供給配管４、第３ガス供給配管５、第４ガス供給配管６を含むガスラインシステムとを備えて構成されている。
【００１２】
第１ガス供給配管３は、マニホールド２から上流側に向かって、質量流量制御器８を介して、パージガス供給装置（図示せず）に結合されている。パージガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）のような不活性ガスである。
【００１３】
第２ガス供給配管４は、マニホールド２から上流側に向かって、分岐点９において二手に分岐し、ガスライン１０及びガスライン１１となる。ガスライン１０の終端は第１反応ガス供給装置（図示せず）に結合されている。ガスライン１１には流体の流れを絞るオリフィス７が設けられ、分流点１２において二手に分岐し、ガスライン１３及びガスライン１４となる。ガスライン１３は質量流量制御器８を介して、例えばアルゴンガスのようなパージガス供給装置（図示せず）に結合されている。ガスライン１４は質量流量制御器８を介して窒素ガス（Ｎ２）供給装置（図示せず）に結合されている。
【００１４】
第3ガス供給配管５は、マニホールド２から上流側に向かって、分岐点１５において二手に分岐し、ガスライン１６及びガスライン１７となる。ガスライン１６の終端は第２反応ガス供給装置（図示せず）に結合されている。ガスライン１７には流体の流れを絞るオリフィス７が設けられ、分岐点１８を経て、ガスライン１９となる。ガスライン１９は分流点１２において上記したガスライン１３及びガスライン１４に分岐する。
【００１５】
第４ガス供給配管６は、マニホールド２から上流側に向かって、分岐点２０において二手に分岐し、ガスライン２１及びガスライン２２となる。ガスライン２１の終端は前駆体（プリカーサ）供給装置（図示せず）に結合されている。ガスライン２２には流体の流れを絞るオリフィス７が設けられている。ガスライン２２は、分岐点１８を経て、ガスライン１９となり、分流点１２に至り、上記したガスライン１３及びガスライン１４となる。
【００１６】
各ガスラインには、バルブ２３が適宜設けられる。また、質量流量制御装置８はすべてのガスラインに設けることも可能であり、選択的に特定のガスラインに設けることも可能である。オリフィス７は円環状のものが一般的であるが、流体の流れを絞る機能を有するものであればどのようなものでもよい。
【００１７】
本考案の第１の実施形態に係るガス供給装置１のマニホールド２を図２に示す。同図（ａ）は、マニホールド２の側面図であり、同図（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。マニホールド２は、略直方体形状を有し、内側中央部に円筒形の空洞２４を備える。マニホールド２の４つの側面には、上記した第１、第２、第３、第４ガス供給配管が互いに等間隔で結合されており、それぞれ空洞２４と連通している。マニホールド２の形状は、これに限定されず、任意の形状を取りうる。また、ガス供給配管の数は４つに限定されず、反応ガスが１種類の場合には３つでもよい。すなわち、少なくとも３つのガス供給配管を備えればよい。
【００１８】
次に、本考案の第1の実施形態に係るガス供給装置１の機能について説明する。Ｎ２ガス供給装置から供給されたＮ２ガスは、質量流量制御器８により所定の流量に制御された後、流量ｆのＮ２ガスとなる。流量ｆのＮ２ガスが分流点１２に流入される。流量ｆのＮ２ガスは、分流点１２において分流され、ガスライン１１、１７、２２を流れる。これらガスライン１１、１７、２２に設けられたオリフィス７によって、Ｎ２ガスは各ガスライン１１、１７、２２を流量ｆ１、ｆ２、ｆ３で流れる。ここで、ｆ＝ｆ１＋ｆ２＋ｆ３であって、ｆ１＝ｆ２＝ｆ３となるようにオリフィス７を調節する。
【００１９】
流量ｆ１のＮ２ガスは、分岐点９を介して、第２ガス供給配管４を通じてマニホールド２に流入される。流量ｆ２のＮ２ガスは、分岐点１５を介して、第３ガス供給配管５を通じてマニホールド２に流入される。流量ｆ３のＮ２ガスは、分岐点２０を介して、第４ガス供給配管６を通じてマニホールド２に流入される。マニホールド２の内部では、図２（ｂ）に示すように、３方向から均一な流量のＮ２ガス（流量ｆ１、ｆ２、ｆ３）が流入するため、マニホールド２内部におけるＮ２ガス濃度の均一性が向上する。ひいては、成膜時に半導体基板上に噴射されるＮ２ガスの均一性が向上する。
【００２０】
また、パージガスであるアルゴンガスＡｒは、質量流量制御８で所定の流量に制御されたのち、ガスライン１３を通じて流れ、分流点１２で分流される。パージガスは、Ｎ２ガスと同様の流路をたどってマニホールド２に至る。
【００２１】
ここで、本考案の第１の実施形態に係るガス供給装置と、従来のガス供給装置との違いについて説明する。図３は、従来のガス供給装置３０を概略的に示したものである。第１実施形態と同一の構成要素については、同一符号で示す。
【００２２】
従来のガス供給装置３０は、第１実施形態と同様に、マニホールド２と、該マニホールド２に互いに等間隔で結合された４つのガス供給配管とを備える点で第１実施形態と同様であるが、Ｎ２ガスは第１ガス供給配管３を通じてのみマニホールド２に流入される点で第１実施形態と異なっている。
【００２３】
従来のガス供給装置３０では、４つのガス供給配管のうち、一つのガス供給配管３のみからＮ２ガスが供給されるため、Ｎ２ガス濃度の均一性が劣る。したがって、従来のガス供給装置３０では、成膜時に均一性が高いＮ２ガスを半導体基板上に噴射することが不可能であった。本考案は、この問題点を解決するべく考案されたものである。
【００２４】
本考案の第1実施形態によれば、Ｎ２ガスを分流し、分流したそれぞれのガスラインにオリフィスを設けることにより、マニホールド内でのＮ２ガス濃度を均一化することができる。結果として、半導体基板に噴射するＮ２ガス濃度の均一性を向上させることが可能となる。
【００２５】
また、パージガスを供給するガスラインとＮ２ガスを供給するガスラインとを共有化することにより、装置構造を簡略化することが可能となる。
【００２６】
［考案の第２の実施形態］
次に、本考案の第２の実施形態に係るガス供給装置について図面を参照して説明する。図４は、第２の実施形態に係るガス供給装置を概略的に示したものである。第２実施形態に係るガス供給装置４０は、第２反応ガスを供給するためのガスライン１６’が新たに設けられ、該ガスライン１６’はＮ２ガス供給用のガスライン１４と分岐点２６で結合する点で、第１実施形態と異なる。第１実施形態と同一の構成要素については、同一符号で示す。
【００２７】
ガスライン１６’を流れる第２反応ガスは、分岐点２６を介して、ガスライン２７を流れ、分流点１２を介して、ガスライン１１、１７、２２に分流される。ガスライン１１、１７、２２に設けられたオリフィス７により、流量制限された後、ガス供給配管４、５、６を通じて、マニホールド２に流入される。
【００２８】
その他の機能については、第１実施形態と同様なので説明を省略する。尚、図中、ガスライン１６が示されているが、ガスライン１６’を使用する場合には省略することができる。
【００２９】
本考案の第２実施形態によれば、反応ガス及びＮ２ガスを分流し、分流したそれぞれのガスラインにオリフィスを設けることにより、マニホールド内での反応ガス及びＮ２ガスの濃度を均一化することができる。結果として、半導体基板上に噴射する反応ガス及びＮ２ガス濃度の均一性を向上させることが可能となる。
【００３０】
また、反応ガス、パージガス及びＮ２ガスを供給するガスラインを共有化することにより、装置構造を簡略化することが可能となる。
【００３１】
［プラズマＡＬＤ装置の構造］
次に、本考案の第１の実施形態に係るプラズマＡＬＤ装置について説明する。図５は、本実施形態に係るプラズマＡＬＤ装置５０の断面を概略的に示したものである。プラズマＡＬＤ装置５０は、リアクタ５１と、該リアクタ５１内にあって半導体基板５２を載置するためのサセプタ５３と、該サセプタ５３に対向して設置され、半導体基板５２に反応ガスを噴射するためのシャワーヘッド５４とを備えて構成されている。
【００３２】
リアクタ５１の内部は、ロードロックチャンバ（図示せず）との間で半導体基板５２の受け渡しを行うための搬送室５５と、プラズマＡＬＤ反応を生じさせ薄膜を堆積するための反応室５６とに区分けされる。搬送室５５の底部には、搬送室５５内部を真空排気するための排気口５７が設けられ、該排気口５７はリアクタ外部の真空ポンプ（図示せず）に結合されている。搬送室５５は排気口５７を通じて真空排気される。反応室５６の周囲には環状の排気ダクト５８が設けられ、排気ダクト５８の側面に設けられた排気口５９を通じて反応室５６の内部が排気される。
【００３３】
サセプタ５３は、例えばアルミニウム合金から成り、その内部には半導体基板５２を加熱するためのヒータ（図示せず）が埋設されている。該ヒータは、例えば抵抗加熱型シースヒータである。サセプタ５３は、接地されており、プラズマ放電の一方の電極を構成する。サセプタ５３は、アルミニウム合金の代わりにセラミック製であってもよい。セラミック製のサセプタは、抵抗加熱型ヒータを一体焼結して製作されたセラミック基体から成る。セラミック基体の素材として、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどが挙げられる。
【００３４】
サセプタ５３と対向する位置に、該サセプタ５３と平行にシャワーヘッド５４が設置されている。該シャワーヘッド５４の下面には反応ガスを半導体基板５２に均一に噴射するためのφ０．５mm〜１．０mmの細孔（図示せず）が約１０００〜５０００個設けられている。該シャワーヘッド５４は、高周波発振器６０と電気的に接続され、プラズマ放電の一方の電極を構成する。ここで、サセプタ５３に高周波発振器を接続し、シャワーヘッド５４を接地電位とすることもできる。高周波発振器６０は１３ＭＨｚ以上（例えば、１３．５６ＭＨｚまたは２７．１２ＭＨｚ）の高周波電力を生成する。シャワーヘッド５４の上面略中央部にはガス導入口６１が設けられている。シャワーヘッド５４の上面には、円板状のインシュレータ６２が載置されている。インシュレータ６２の略中央部には開口部６３が設けられ、該開口部６３を介して、ガス導入口６１とマニホールド２とが結合されている。シャワーヘッド５４の上面にはシャワーヘッド５４の内部を排気するための排気口６４が設けられている。シャワーヘッド５４の内部は、排気口６４から、インシュレータ６２に設けられた開口部６５を介して、真空排気される。
【００３５】
［薄膜製造方法の実施形態］
次に、本考案の実施形態にかかる薄膜製造方法について説明する。図６は、本実施形態に係るタンタル系金属薄膜の製造方法のフローチャートを示したものであり、図７はプロセスガス及びパージガスの流量と時間の関係を示すタイミングチャートである。
【００３６】
まず、工程１として、抵抗率を制御するためのＮ２ガスの供給を開始する。Ｎ２ガスは、上記した本考案の実施形態に係るガス供給装置により分流されかつオリフィスによって均一化されて供給される（ステップ１）。
【００３７】
次に、工程２として、前駆体ガスをパルス状に短時間流す（ステップ２）。ここで、前駆体は、例えば、ＴａＦ５、ＴａＣｌ５、ＴＢＴＤＥＴ、ＴｉＭａｔａ等のハロゲン系Ｔａまたは有機系Ｔａである。
【００３８】
次いで、工程３として、パージガスを流し、前駆体ガスをパージする（ステップ３）。パージガスとして、例えば、アルゴンなどの不活性ガスが使用される。
【００３９】
次に、工程４として、所定の流量の反応ガスを流すと同時に、高周波電力を印加し、プラズマ反応を生じさせる（ステップ４）。ここで、反応ガスとして、例えば、Ｈ２、ＮＨ３などが使用される。反応ガスは、１種類でもよく、また２種類以上であってもよい。印加する高周波電力として、例えば１３．５６ＭＨｚまたは２７ＭＨｚのＲＦ電力が使用される。
【００４０】
次いで、工程５として、パージガスを流し、反応ガスをパージする（ステップ５）。
【００４１】
上記したように、プラズマＡＬＤ法は、前駆体ガスと、反応ガスを交互にかつ連続して導入することにより、薄膜を一度に単層ずつ形成する成膜プロセスである。上記した工程２から工程５までを１サイクルとし、これを所定の回数繰り返し実行することにより、所望の膜厚のタンタル系金属薄膜を得ることができる。
【００４２】
工程６として、堆積した薄膜が所望の膜厚に達したか否かを判定し（ステップ６）、所望の膜厚に達していれば、工程７に進み、達していなければステップ２に戻り成膜サイクルを繰り返す。
【００４３】
ステップ６で、薄膜が所望の膜厚に達したと判定されると、工程７としてＮ２ガスの供給を停止し（ステップ７）、成膜プロセスを終了する。
【実施例】
【００４４】
以下、具体的に評価実験を行ったので説明する。実験は、半導体基板上にタンタル系金属薄膜を堆積させ、添加ガスの流量の変化に対する金属薄膜の抵抗率の変化と半導体基板の面内均一性を評価したものである。
【００４５】
図８は、添加ガスとしてＮ２を使用し、図３に示す従来のガス供給装置を使用してプラズマＡＬＤ法によりタンタル系金属薄膜を成膜した場合の実験結果を示す。図９は、添加ガスとしてＮ２を使用し、図１に示す本考案の第1実施形態に係るガス供給装置を使用してプラズマＡＬＤ法によりタンタル系金属薄膜を成膜した場合の実験結果を示す。図１０は、添加ガスとしてＮＨ３を使用し、図１に示す本考案の第1実施形態に係るガス供給装置を使用して熱ＡＬＤ法によりタンタル系金属薄膜を成膜した場合の実験結果を示す。
【００４６】
図８の実験結果より、従来のガス供給装置を使用した場合には、Ｎ２ガスの流量が増加するに従い抵抗率の面内均一性が低下していくことがわかる。これは、従来のガス供給装置では、マニホールドへのＮ２ガスの流入位置が１箇所であるため、Ｎ２ガスの流量の増加とともに、半導体表面全体に均一にＮ２ガスが供給されにくくなっているためであると考えられる。
【００４７】
これに対して、図９の実験結果では、Ｎ２ガスの流量が増加しても抵抗率の面内均一性が低下することはなく、ほぼ一定に維持されているのがわかる。これは、本考案の第1実施形態に係るガス供給装置では、Ｎ２ガスが３つに分流されかつオリフィスによって流量調節されてマニホールドへ流入されるため、Ｎ２ガスの流量が増加しても、半導体表面全体に均一にＮ２ガスが供給されるためであると考えられる。
【００４８】
尚、図１０の実験結果から、本考案の実施形態に係るガス供給装置を使えば、添加ガスとしてＮＨ３を使用する熱ＡＬＤにおいても同様の効果が得られることがわかる。
【００４９】
［その他］
以上、本考案の特定の実施形態について説明してきたが、ここに開示される装置の構造は例示に過ぎず、実用新案登録請求の範囲に記載された本考案の思想から離れることなく、さまざまな修正及び変更が可能であることは当業者の知るところである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本考案の第1の実施形態に係るガス供給装置の概略図である。
【図２】（ａ）は同実施形態に使用されるマニホールドの側面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。
【図３】従来のガス供給装置の概略図である。
【図４】本考案の第２の実施形態に係るガス供給装置の概略図である。
【図５】プラズマＡＬＤ装置の断面を概略的に示す。
【図６】プラズマＡＬＤ法による薄膜製造方法のフローチャートを示す。
【図７】同方法によるプロセスガスのタイミングチャートを示す。
【図８】従来のガス供給装置を使った実験結果を示す。
【図９】本考案の第1実施形態に係るガス供給装置を使った実験結果を示す。
【図１０】同実施形態に係るガス供給装置を使った実験結果を示す。
【符号の説明】
【００５１】
１・・・ガス供給装置、２・・・マニホールド、３・・・第1ガス供給配管、４・・・第2ガス供給配管、５・・・第3ガス供給配管、６・・・第4ガス供給配管、７・・・オリフィス、８・・・質量流量制御器、９・・・分岐点、１０、１１・・・ガスライン、１２・・・分流点、１３、１４・・・ガスライン、１５・・・分岐点、１６、１７、１８、１９・・・ガスライン、２０・・・分岐点、２１、２２・・・ガスライン、２３・・・バルブ、５０・・・プラズマＡＬＤ装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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