【事件の表示】
　特許第２８１０６４９号「半導体装置」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８１０６４９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２８１０６４９号の発明は、平成３年１０月１７日に出願された特願平３−２９８１７２号の一部を平成８年１０月１８日に新たな出願としたもので、平成１０年７月３１日に設定登録され、その後、平成１１年４月１４日に牧田美樹より特許異議申立がなされ、平成１１年９月２０日付で取消理由通知をし、その指定期間内である平成１１年９月２０日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否の判断
（イ）訂正の要旨
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１の記載を「複数の導電層間の層間絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、この第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられたシリコン酸化膜とを備えた半導体装置において、前記シリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とし、更に、前記第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けることを特徴とした半導体装置。」
に訂正し、同請求項２の記載を「導電層上の絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、この第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられたシリコン酸化膜とを備えた半導体装置において、前記シリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とし、更に、前記第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けることを特徴とした半導体装置。」に訂正する。
（ロ）訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項は特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（ハ）独立特許要件の判断
　上記訂正された特許請求の範囲請求項１及び２に係る発明の独立特許要件について検討すると、本願発明の目的を達成するための構成要件が訂正により付加されたので、取消理由は解消された。したがって、上記訂正された本件特許請求の範囲請求項１及び２に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（ニ）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同第３項で準用する同第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議申立についての判断
（イ）申立の理由の概要
　申立人牧田美樹は、甲第１号証（特願平３−６９６０５号、平成３年４月２日出願（特開平４−２１８９４７号公報参照））を示し、特許請求の範囲請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証記載の発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができず、特許を取り消すべきである旨主張する。
（ロ）特許請求の範囲
　「【請求項１】複数の導電層間の層間絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、この第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられたシリコン酸化膜とを備えた半導体装置において、前記シリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とし、更に、前記第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けることを特徴とした半導体装置。
　【請求項２】導電層上の絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、この第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられたシリコン酸化膜とを備えた半導体装置において、前記シリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とし、更に、前記第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けることを特徴とした半導体装置。」
（ハ）対比・判断
　甲第１号証には、その第２実施例に吸湿性の高い絶縁膜である有機シロキサンポリマー層と、その上のＴＥＯＳ及び酸素を主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられ、９００℃の窒素雰囲気中で熱処理された膜密度の低いシリコン酸化膜と、有機シロキサンポリマー層の下のＴＥＯＳ及び酸素を主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられ、９００℃の窒素雰囲気中で熱処理された膜密度の高いシリコン酸化膜とからなる層間絶縁膜が記載されている。また、９００℃の窒素雰囲気中で熱処理された膜密度の低いシリコン酸化膜の膜厚については何ら記載されていないが、第１実施例には膜厚が４００ｎｍと記載されており、通常、特段の理由がない限り第２実施例は第１実施例を援用しているとみるのが相当であるから、第２実施例のものも膜厚は４００ｎｍとする事に何ら問題はない。ところで、有機シロキサンポリマー層形成後空気にさらすことなくその上にＴＥＯＳ及び酸素を主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられたシリコン酸化膜を形成するか否かについては何ら記載されていない。
　したがって、本件請求項１に係る発明が第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられたシリコン酸化膜とを備えているのに対して、上記甲第１号証記載の発明がそのような構成を備えているとはいえない点で両者は相違し、しかも本件請求項１に係る発明は上記の構成を採用することによって吸湿の全くない絶縁膜を得ることができるという顕著な効果を奏する。よって、本件請求項１に係る発明が上記甲第１号証記載の発明と同一とすることはできない。特許請求の範囲請求項２に係る発明も同様の理由により上記甲第１号証記載の発明と同一とすることはできない。
（ニ）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月１日（１９９９．１０．１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
▲１▼訂正事項ａ
特許明細書の特許請求の範囲請求項１の記載を
「複数の導電層間の層間絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、この第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられたシリコン酸化膜とを備えた半導体装置において、前記シリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とし、更に、前記第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けることを特徴とした半導体装置。」
に訂正する。
▲２▼訂正事項ｂ
特許明細書の特許請求の範囲請求項２の記載を「導電層上の絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、この第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられたシリコン酸化膜とを備えた半導体装置において、前記シリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とし、更に、前記第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けることを特徴とした半導体装置。」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　複数の導電層間の層間絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、
この第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう
特徴
　　【請求項２】　導電層上の絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、
この第１絶縁膜を空気にさらすことなくその表面を覆うよう
特徴
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体装置に係り、詳しくは、複数の導電層間の層間絶縁膜の構成に関するものである。
　【０００２】
　　【従来の技術】
　従来の半導体装置における配線構造の一例を図１に示す。図１において、２１はシリコン基板を示す。シリコン基板２１上面全域には絶縁膜２２が形成され、絶縁膜２２上にはＡｌからなる第１導電層２３がパターン形成されている。第１導電層２３表面を含んで絶縁膜２２の上面にはシリコン酸化膜２４が形成され、シリコン酸化膜２４上には、シリコン酸化膜２５、シリコン酸化膜２６が積層形成されている。
　【０００３】
　これら３層のシリコン酸化膜２４、２５、２６にて層間絶縁膜２００が構成されている。層間絶縁膜２００（シリコン酸化膜２６）上にはＡｌからなる第２導電層２８が形成されている。
　次に、このような構成の配線構造の作製手順について説明する。
　まず、シリコン基板２１の上に絶縁膜２２を形成した後、Ａｌ等の金属を蒸着法、スパッタ法あるいは化学気相成長法により積層し、ホトリソグラフィ技術を用いてパターニングして第１導電層２３を形成する。第１導電層２３の上には、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長法によりシリコン酸化膜２４を堆積する。
　【０００４】
　シリコン酸化膜２４の上には、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長法によりシリコン酸化膜２５を堆積する。シリコン酸化膜２５の上には、シリコン酸化膜２４と同様にプラズマ励起による化学気相成長法によりシリコン酸化膜２６を堆積する。
　シリコン酸化膜２４、２５及び２６からなる層間絶縁膜２００の上にはＡｌ等の金属を蒸着法、スパッタ法あるいは化学気相成長法により積層して第２導電層２８を形成する。
　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　上述したような半導体装置にあっては、層間絶縁膜の構成において以下のような問題点があった。
　有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長法により堆積したシリコン酸化膜は、強い吸湿性を有し、成膜後に空気中から水分を吸収する。シリコン酸化膜中に取り込まれた水分が、Ａｌ配線の腐食、絶縁機能の低下をもたらすことは、例えば、特開平３−２９３４５号公報に記載されている。従って、層間絶縁膜として使用するシリコン酸化膜の吸湿は、半導体装置の信頼性の上で大きな問題となっている。
　【０００６】
　図１に示すような半導体装置の層間絶縁膜２００の構成にあっては、このような吸湿性を有するシリコン酸化膜２５の上に吸湿性を有さないシリコン酸化膜２６を堆積しているが、シリコン酸化膜２６を堆積した後でも、シリコン酸化膜２５は空気中の水分を吸収して上述したような信頼性上の問題が生ずる場合がある。
　【０００７】
　本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、水分が絶縁膜に覆われている導電層に与える悪影響を防止し、導電層の特性を長期に亘って保持することにより、半導体装置としての信頼性を高めることをその目的とする。
　【０００８】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の半導体装置は、複数の導電層間の層間絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられ、前記第１絶縁膜の表面を覆うシリコン酸化膜とを備えた半導体装置において、前記シリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とし、更に、前記第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けることをその要旨とする。
　また、本発明の半導体装置は、導電層上の絶縁膜として、吸湿性の高い第１絶縁膜と、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起により化学気相成長させられ、前記第１絶縁膜の表面を覆うシリコン酸化膜とを備えたものであって、前記シリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とし、更に、前記第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁漠を設けることをその要旨とする。
　【０００９】
　すなわち、吸湿性を有する第１絶縁膜の表面が、厚さ２００ｎｍ以上の吸湿性がきわめて低いシリコン酸化膜にて覆われているので、第１絶縁膜における吸湿が防止される。しかも、第１絶縁膜における前記シリコン酸化膜と反対側には、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けているので、万一第１絶縁膜が吸湿しても、水分が導電層に到達することを防止する。
　【００１０】
　このシリコン酸化膜と第２絶縁膜との相乗効果により、絶縁膜に覆われている導電層への水分の進出を遮断する。
　以下、吸湿性を有するシリコン酸化膜における吸湿を防止すべく、これを覆うように形成するシリコン酸化膜の厚さを２００ｎｍ以上とした限定理由について説明する。
　【００１１】
　図２に示すように、シリコン基板３１上に有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長法によりシリコン酸化膜３５を、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長法によりシリコン酸化膜３６を、この順に堆積した試料を作製した。シリコン酸化膜３５とシリコン酸化膜３６との膜厚構成を変えて、下記の表１に示すＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ及びＥの５種類の試料を用意した。
　【００１２】
　【表１】
　【００１３】
　尚、試料Ｂ，Ｃ及びＤはシリコン酸化膜３５を堆積後、試料を空気にさらすことなくシリコン酸化膜３６を堆積した。従って、試料Ｂ，Ｃ，Ｄの吸湿はシリコン酸化膜３６を堆積した後のみにおいて起きる。
　各試料におけるシリコン酸化膜３５、３６の形成条件は同じである。シリコン酸化膜３５は、ＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ，テトラエトキシシラン，Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）とオゾン（Ｏ２−４％Ｏ３）とを減圧下、４００℃で熱励起により化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ）させたもの（以下、ＴＥＯＳ−Ｏ３系熱ＣＶＤシリコン酸化膜３５という）である。また、シリコン酸化膜３６は、ＴＥＯＳと酸素とを４００℃でプラズマ励起によるＣＶＤで堆積させたもの（以下、ＴＥＯＳ−Ｏ２系プラズマＣＶＤシリコン酸化膜３６という）である。
　【００１４】
　試料の吸湿性はＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光）法による赤外吸収スペクトルの変化により測定した。本実験では吸湿したＴＥＯＳ−Ｏ３系熱ＣＶＤシリコン酸化膜３５の赤外吸収スペクトルに現れる９３０ｃｍ−１付近の吸収（以下、９３０ｃｍ−１吸収という）ピーク高さにより吸湿の進行を評価した。
　図３に試料Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ及びＥの空気中放置時間に対する９３０ｃｍ−１吸収ピーク高さの変化を示す。試料Ａの結果（○印）より、ＴＥＯＳ−Ｏ３系熱ＣＶＤシリコン酸化膜３５は空気中から水分を吸収すること、そして、試料Ｅの結果（●印）より、ＴＥＯＳ−Ｏ２系プラズマＣＶＤシリコン酸化膜３６は空気中では吸湿性を示さないことがわかる。
　【００１５】
　試料Ｂ，Ｃ及びＤの結果（□印、△印及び▽印）より、ＴＥＯＳ−Ｏ３系熱ＣＶＤシリコン酸化膜３５とＴＥＯＳ−Ｏ２系プラズマＣＶＤシリコン酸化膜３６との２層膜においては、ＴＥＯＳ−Ｏ３系熱ＣＶＤシリコン酸化膜３５の上に堆積されたＴＥＯＳ−Ｏ２系プラズマＣＶＤシリコン酸化膜３６の膜厚が増加すると、９３０ｃｍ−１吸収ピーク高さが減少することが分かる。そして、試料Ｄでは、ＴＥＯＳ−Ｏ２系プラズマＣＶＤシリコン酸化膜３６単層である試料Ｅと同様に９３０ｃｍ−１吸収はみられない。
　【００１６】
　以上により、吸湿性を有するＴＥＯＳ−Ｏ３系熱ＣＶＤシリコン酸化膜３５の上に吸湿性を有さないＴＥＯＳ−Ｏ２系プラズマＣＶＤシリコン酸化膜３６を堆積して、ＴＥＯＳ−Ｏ３系熱ＣＶＤシリコン酸化膜３５の吸湿を防止する方法に関して次の２点がわかる。
　（ア）　ＴＥＯＳ−Ｏ２系プラズマＣＶＤシリコン酸化膜３６の膜厚が１００ｎｍ以下では、空気中からの吸湿を完全に防止することはできない。
　【００１７】
　（イ）　ＴＥＯＳ−Ｏ２系プラズマＣＶＤシリコン酸化膜３６の膜厚を２００ｎｍ以上にすると空気中からの吸湿を３０日以上の長期にわたり防止することができる。
　（ア）、（イ）より図１における層間絶縁膜２００を形成する工程の中で、有機シランとオゾンを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長法により堆積されたシリコン酸化膜２５上の、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜２６の膜厚を２００ｎｍ以上とすることにより、層間絶縁膜２００形成後のシリコン酸化膜２５における空気中からの吸湿を防止することができる。
　【００１８】
　　【発明の実施の形態】
　本発明を具体化した実施形態を図を参照して説明する。
　図４は本実施形態における半導体装置の断面図であり、図中１１はシリコン基板を示す。シリコン基板１１上面全域には絶縁膜１２が形成され、絶縁膜１２上にはＡｌからなる第１導電層１３がパターン形成されている。第１導電層１３表面を含んで絶縁膜１２の上面には、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜１４が形成されている。シリコン酸化膜１４上には、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜１５が形成されている。また、シリコン酸化膜１５上には、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜１６が厚さ２００ｎｍ以上に形成されている。これらの３層のシリコン酸化膜１４、１５、１６にて層間絶縁膜１００が構成されている。
　【００１９】
　層間絶縁膜１００（シリコン酸化膜１６）上には、Ａｌからなる第２導電層１８が形成されている。第１導電層１３上方の一部の層間絶縁膜１００は除去されていて、第１導電層１３、第２導電層１８を接続するためのコンタクトホール１９となっている。コンタクトホール１９の側壁には、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積されたサイドウォール１７が厚さ２００ｎｍ以上に形成されている。コンタクトホール１９の中央部には、第２導電層１８が延在して下方の第１導電層１３と接続している。
　【００２０】
　本半導体装置では、吸湿性を有するシリコン酸化膜１５上に吸湿性を有さないシリコン酸化膜１６を厚さ２００ｎｍ以上形成しているので、前述の実験結果（図３）からもわかるように、このシリコン酸化膜１５の空気中からの吸湿を完全に防止できる。
　次に、このような構成をなす配線構造の作製手順を、その工程を示す図５を参照して説明する。
　【００２１】
　まず、ＭＯＳトランジスタを形成したシリコン基板１１の上に絶縁膜１２を形成した後、Ａｌ等の金属を蒸着法、スパッタ法あるいは化学気相成長法により積層し、ホトリソグラフィー技術を用いたパターニングにより第１導電層１３を形成し、その後、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積したシリコン酸化膜１４を形成する（図５（ａ））。
　【００２２】
　有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積されるシリコン酸化膜は、厚く堆積するとオーバーハングが生じる。本工程でのオーバーハングは、後の有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長によりシリコン酸化膜を堆積する工程において、第１導電層の間隔が狭い部分においてボイドを発生させる可能性がある。そのため、本工程におけるシリコン酸化膜１４の膜厚は、後の有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長によりシリコン酸化膜を堆積する工程において、ボイドが発生しない程度にとどめる必要がある。
　【００２３】
　次に、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長によりシリコン酸化膜１５を形成した後、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により、シリコン酸化膜１６を２００ｎｍ以上堆積させて、層間絶縁膜１００を形成する（図５（ｂ））。ここで、シリコン酸化膜１５を形成後、空気にさらすことなくシリコン酸化膜１６を形成すれば、吸湿が全く無いシリコン酸化膜１５を得ることができ、層間絶縁膜１００の信頼性をさらに向上させることができる。
　【００２４】
有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜は、非常に優れたステップカバレジを示すので、ボイドを発生することなくシリコン酸化膜１４形成時の段差の穴埋めを行うことができる。しかし、クラック耐性に問題があり、厚く堆積するとクラックが発生する。クラックの発生は、半導体装置の信頼性のうえで好ましくない。
　【００２５】
　また、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜は、絶縁性においても有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜に比べて劣る。このため、本工程におけるシリコン酸化膜１５の膜厚は、後の工程において必要な平坦性を得た上で、できる限り薄くする必要がある。
　【００２６】
　次に、ホトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１導電層１３と第２導電層１８との間での接続を得るためのコンタクトホール１９を層間絶縁膜１００に形成した後、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長法により厚さ２００ｎｍ以上のシリコン酸化膜１７ａを全域に形成する（図５（ｃ））。
　【００２７】
　次いで、異方性エッチングによりコンタクトホール１９の側壁にシリコン酸化膜１７ａからなる厚さ２００ｎｍ以上のサイドウォール１７を形成した後、Ａｌ等の金属を蒸着法、スパッタ法あるいは化学気相成長法により積層して第２導電層１８を形成する（図５（ｄ））。
　尚、上記実施形態においては、第１、第２導電層１３、１８間の層間絶縁膜１００を、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長により堆積したシリコン酸化膜１５の上下に有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長によるシリコン酸化膜１４、１６を堆積した３層構造としている。本発明の目的の一つは、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積したシリコン酸化膜と有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長により堆積したシリコン酸化膜とを用いて構成された層間絶縁膜において、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜の吸湿を防止することであり、層間絶縁膜が４層以上の積層構造である場合においても同様の効果を奏する。
　【００２８】
　また、上記実施形態においては、有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜、有機シランとオゾンとを主成分とする気相から熱励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜及び有機シランと酸素とを主成分とする気相からプラズマ励起による化学気相成長により堆積されたシリコン酸化膜を順次積層することにより層間絶縁膜を形成しているが、層間絶縁膜の平坦性を向上させる目的で、上記工程中に、等方性あるいは異方性エッチバックを行った場合においても同様の効果を奏する。
　【００２９】
　更に、上記実施形態では、第１、第２導電層１３、１８をＡｌ等の金属としたが、これが例えば、多結晶シリコン等のいかなる導電層であった場合においても同様の効果を奏する。
　【００３０】
　　【発明の効果】
　本発明にあっては、吸湿性を有する第１絶縁膜の表面を、厚さ２００ｎｍ以上の吸湿性がきわめて低いシリコン酸化膜で覆って、第１絶縁膜における吸湿を防止すると共に、第１絶縁膜におけるシリコン酸化膜とは反対側に、第１絶縁膜よりも吸湿性の低い第２絶縁膜を設けて、万一第１絶縁膜が吸湿しても、水分が導電層に到達することを防止するので、このシリコン酸化膜と第２絶縁膜との相乗効果により、絶縁膜に覆われている導電層への水分の進出を効果的に遮断することができる。
　【００３１】
　従って、絶縁膜に覆われている導電層の特性を長期に亘って保持することができ、半導体装置としての信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　従来の半導体装置における配線構造の一例を示す断面図である。
　　【図２】
　本発明における数値限定のために作製した実験用試料の構造を示す断面図である。
　　【図３】
　各実験用試料におけるシリコン酸化膜の吸湿性を示すグラフである。
　　【図４】
　本発明の半導体装置における配線構造の一例を示す断面図である。
　　【図５】
　図４に示す配線構造を得る工程を示す断面図である。
　【符号の説明】
　１１　シリコン基板
　１３　第１導電層
　１４　シリコン酸化膜（第２絶縁膜）
　１５　シリコン酸化膜（第１絶縁膜）
　１６　プラズマＣＶＤ法で形成したシリコン酸化膜
　１８　第２導電層