【事件の表示】
　特許第２８２４０７９号「磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器」の請求項１、２、５、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８２４０７９号の請求項１、２、５、６に係る特許を維持する。
【理　由】
[１]本件発明　
　本件特許第２８２４０７９号（平成１年（１９８９）４月２４日特許出願（パリ条約による優先権主張：１９８８年４月２５日、米国）、平成１０年９月４日設定登録）の請求項１〜８に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、それぞれ特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものと認めるところ、その請求項１，２，５及び６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明５」及び「本件発明６」という。）の構成に記号Ａ〜Ｌを付して記載すると次のとおりである。
　「【請求項１】
Ａ．高速でかつ圧力から実質的に独立なエッチング均一性で真空室内に配置されたウェハをエッチングするように構成された該真空室を内部に規定するハウジングを有する真空処理反応器であって、
Ｂ．前記ウェハを支持する受け台；　
Ｃ．反応ガスを前記真空室内に供給するガスマニホルド；
Ｄ．ウェハエッチングプラズマを発生するために前記ウェハ支持受け台と前記ガスマニホルドの間にＲＦエネルギーを印加するＲＦ手段；
Ｅ．前記ウェハ表面とほぼ並行なＤＣ磁場を形成する電流制御式磁場発生手段、
Ｆ．前記電流制御式磁場発生手段は、前記ハウジングの周緑に配置され、前記ウェハ表面に並行な磁場を形成する少なくとも第１及び第２の対の電磁石を備え；
Ｇ．前記磁石に選択した電流を印加する手段は、前記ＤＣ磁場の大きさ及び方向を独立して制御するための各磁石に対する電源を含み；
Ｈ．前記磁場の強度及び方向を独立して制御するために磁石の前記電源に電流を選択的に印加するコンピュータ手段とを備え、
Ｉ．前記コンピュータは、前記電源のそれぞれに制御信号を独立して印加することを特徴とする真空処理反応器。
　　【請求項２】
Ｊ．前記ガスマニホルド及びクランプリング上に、石英などエッチを通さない素材の被覆を更に有する
請求項１に記載の真空処理反応器。
　　【請求項５】
Ｋ．前記受け台内で冷却流体を循環させる手段を更に備えていることを特徴とする
請求項１に記載の真空処理反応器。
　　【請求項６】
Ｌ．反応器の外側に配置され、内部反応器表面への付着を防ぐために該内部反応器表面を所定の温度に加熱する手段を更に有する
請求項５に記載の真空処理反応器。」（以下、Ａ〜Ｌの構成を、それぞれ構成Ａ（真空処理装置）、構成Ｂ（受け台）、構成Ｃ（ガスマニホルド）、構成Ｄ（ＲＦ手段）、構成Ｅ（電流制御式磁場発生手段）、構成Ｆ（電磁石）、構成Ｇ（電流を印加する手段）、構成Ｈ（コンピュータ手段）、構成Ｉ（制御信号の印加）、構成Ｊ（エッチを通さない素材の被覆）、構成Ｋ（冷却流体を循環させる手段）及び構成Ｌ（加熱する手段）と、略記する。）
　なお、請求項１に記載の「前記磁場の強度及び方法」は、「前記磁場の強度及び方向」（前記構成Ｈ（コンピュータ手段）参照）の誤記であることは、請求項１における前記構成Ｇ（電流を印加する手段）中の「前記ＤＣ磁場の大きさ及び方向」及び請求項７、８中の同様の記載、さらに明細書中の実施例その他の記載からみて明らかであるから、前記のとおり認定した。
　
［２］特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人  アルバック成膜株式会社は、証拠として甲第１〜９号証を提示し、本件発明１、２，５及び６は、これら甲各号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１、２、５及び６についての特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取消されるべき旨主張する。
　
［３］甲各号証の記載事項
　特許異議申立人が提示した甲各号証にはそれぞれ以下の事項が記載されている。
　
（１）甲第１号証（特開昭６１−２１２０２３号公報）
　平行平板型ドライエッチング装置について、
　「これらの図に示す平行平板型ドライエッチング装置は、処理室１と、この処理室１内の上部側に定置された電極３と、処理室１の下部に形成された電極導入口２から処理室１内に導入される電極６とを具備している。前記処理室１内は、大気に対して気密に保持されている。前記電極３には、筒軸４と、複数個の小孔５とが設けられ、筒軸４の内部から小孔５を通じて、真空雰囲気中で処理室１内にエッチングガスを導入するようになっている。・・・中略・・・前記電極３、６間には、高周波電力が印加されるようになっている。また、前記電極６には電極冷却手段と、半導体ウエハ冷却手段とが設けられている。前記電極冷却手段は、軸７の内部から電極６の内部にわたって設けられた冷却水導入路８と、電極６内に形成された冷却水室９と、電極６の内部から軸７の内部にわたって設けられた冷却水導出路１０とを有して構成され、冷却水を循環させて電極６を冷却するようになっている。」（第３頁左上欄第５行〜右上欄第６行）と記載され、また、
　「前記半導体ウエハ押えプレー１４は、前記電極３、６間に形成されるプラズマ状態の乱れを小さく押さえるため、耐食性、耐熱性に優れた電気絶縁材料、例えばセラミックスや石英の薄板で形成されている。」（第３頁右上欄第１９行〜左下欄第３行）と記載されている。
　前記ドライエッチング装置の作用効果として、
　「処理室１内において電極６上に載置された半導体ウエハ１２を押えた状態で、半導体ウエハ押さえプレート１４，緩衝材１５および板ばね１９との結合体がプラズマ側にわずかしか突出しないため、電極３，６間に形成されるプラズマ状態に大きな乱れを生じさせることがなく、したがって半導体ウエハ１２にエッチング処理を均一に施すことができる。」（第４頁右下欄第１５行〜第５頁左上欄第３行）と記載されている。
　
（２）甲第２号証（特開昭５６−４５７６１号公報）
　平行平板電極形プラズマ反応装置について、
　「第２図はこの発明の一実施例を示す模式断面図で、第１図の従来例と同一部分は同一符号で示し、その説明を省略する。図において、（９ａ）および（９ｂ）はチャンバ（１）の両側に設けられ、上部電極（３）および下部電極（４）の間にその電極面に平行な静磁場を発生する制御静磁場発生用コイルである。図に一点鎖線で示したＨはこの静磁場である。
　この実施例装置を用いて、被加工物（７）にプラズマ反応処理を施すには、従来例と同様に、下部電極（４）上に被加工物（７）を載置し、チャンバ（１）内を排気口（２）を通じて排気し、チャンバ（１）内の圧力を１０−２ Ｔｏｒｒ以下になるようにする。次にプラズマ反応に所要の反応ガスを反応ガス導入口（５）からチャンバ（１）内へ導入し、チャンバ（１）内の圧力を所定の値、例えば０．１〜１．０Ｔｏｒｒに保つ。チャンバ（１）内の圧力が十分安定してから、高周波電源（８）を動作させて、上部および下部電極（３）および（４）間に所定の周波数および電力、例えば１３ＭＨｚ、１０００Ｗの高周電力を供給する。この高周波電力の供給によって、両電極（３）および（４）間にプラズマが発生する。次に、制御静磁場発生用コイル（９ａ）および（９ｂ）に電流を流し、両電極（３）および（４）の電極面に平行な静磁場Ｈを発生させる。そして、この静磁場Ｈの強度、すなわち磁束密度はコイル（９ａ）および（９ｂ）に流す電流によって容易に調整できる。この平行静磁場Ｈの印加によって両電極（３）および（４）間のプラズマを安定化することができ、更にこの静磁場Ｈの強度を調整することによって、電極間のプラズマ状態および電極表面近傍のプラズマ状態の制御が可能であり、プラズマ反応に寄与する主要反応種の濃度及び分布並びに反応種の種類の制御が可能である。
・・・中略・・・
　なお、以上主としてプラズマエッチングについて説明したがプラズマ化学的気相成長（プラズマＣＶＤ）による各種無機質膜および有機質膜の生成およびその膜質の制御にもこの発明は適用できる。」（第２頁右上欄第１０行〜右下欄第１６行）と記載されている。
　
（３）甲第３号証（特開昭６０−１０２７４２号公報）
　平行平板型ドライエッチング装置として、「本実施例に係る装置は、基本的には、処理室１２、表面が研磨された凸面である下部電極１７及び上部電極１６から構成される平行平板型のドライエッチング装置である。本実施例においては下部電極１７が支持台となる。
　処理室１２は、排気口１３を介して真空排気系（図示せず）に接続されている。処理室１２にはガス導入口２４を介して反応ガスが導入される。・・・中略・・・
　上部電極１６と下部電極１７との間には高周波電源２５が接続されている。
　下部電極１７には、液体熱媒体が流れる流路４８、ポンプ４２、液体熱媒体の温度制御装置４３が設けられている。また、オリフイス２１、バルブ１５を介して熱伝達用ガスのガスだめ２６が設けられている。
・・・中略・・・
　以上の装置において、下部電極１７は、適切な一定温度に保たれた液体熱媒体が循環されることにより、一定温度に保たれる。」（第４頁左上欄第１８行〜左下欄第６行）と記載されている。
　
（４）甲第４号証（特開昭６２−２０５２７０号公報）
　産業上の利用分野として、
　「本発明は、磁気的に増強されたバイアススパッタリングおよびプラズマ・エッチング用の装置に係わり、特に半導体基板表面を均一に高速かつ低ダメージでスパッタエッチングするのに好適なスパッタエッチング用電極に関する。」（第１頁右欄第１１行〜第１５行）と記載されている。
　プラズマ処理用マグネトロン電極として、
　「プラズマ処理装置に搭載され、処理対象基板の支持を兼ねたマグネトロン電極であって、該基板の表面に概略平行な磁界を発生させる磁界発生手段を具備するものにおいて、
　互いに交叉する複数の電磁石からなる磁界発生手段を有し、
　前記電磁石への通電電流を制御することにより、前記基板の表面に概略平行な磁界を発生させ、かつ、回転させることを特徴とするマグネトロン電極。」（特許請求の範囲第１項）と記載されている。
　プラズマ形成の作用として、
　「第１図を用いて説明する。
　まず基板面近傍に、基板５に概略平行な磁界７を形成する。電界は、直流もしくは高周波電源によって、基板に対し垂直に形成されているので、上記磁界と電界による荷電粒子へのドリフト力・・・により（第１図でドリフト方向を矢印８で示す）、第１図で基板上方の部分６に高密度プラズマが形成される。また磁界の向きを逆方向にすると、反対に基板下方の部分に高密度プラズマが形成される。このことから、基板に概略平行な磁界を、基板中心のまわりに回転すれば、時間平均的に見れば、基板全面に一様で均一な密度のプラズマを形成することが可能となる。」（第２頁右下欄第１６行〜第３頁左上欄第９行）と記載されている。
　実施例として、
　「以下、本発明の一実施例を第１図および第２図により説明する。断面がコの字形のヨーク１にコイル３，３’が巻かれている。これと同一のヨーク１にコイル２，２’が巻かれている。コイル３，３’はそれぞれ同一方向に巻いてあり、これらに通電すると磁極間に磁界７が形成される。通電方向を逆にすると磁界の方向は逆になる。またコイル２，２’もそれぞれ同一方向に巻いてあり、コイル２，２’にのみ通電すると磁界７と９０°の傾きを持った磁界（図示せず）が形成される。コイル２，２’とコイル３，３’に同時に通電すると第３図に示す様に対向する磁極間を結ぶ線に対して傾斜した磁界７’を形成する。このことから第４図に示す様に、コイル２，２’へ通電する電流９、コイル３，３’へ通電する電流１０を制御すると、基板面上の磁界が基板を中心として回転する。この結果、基板面に対して概略平行で時間平均的に等方的磁界を形成できる。」（第３頁左上欄第１７行〜同右上欄第１４行）と記載されている。
　
（５）甲５号証（Ｎ．Ｈｅｉｍａｎ”ＩＢＭ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ”Ｖｏｌ．２３，ＮＯ．９　Ｆｅｂｒｕａｒｙ　ｌ９８１，ｐ．４２９５）
　磁場補強スパッタエッチング及びデポジットについて、
　「スパッタ蒸着において磁場を使用することは周知である。従来のプレナーダイオードスパッタ配置に直交磁場を使用することによりイオン化及び速度がかなり増す。しかしながら、放電は一方向に掃引され、そして蒸着パターン及びターゲットのエッチプロフィルは大変不均一である。
　磁場がＤＣよりもむしろＡＣである場合には、この問題の多くは解消する。というのは、プラズマが一方向に掃引され、次いで他の方向に掃引されて、不均一性を平均化するからである。この概念の改良型は回転磁場を利用することである。これには、磁場強度並びにイオン化作用及びイオン化速度が一定のままであるという利点がある。また、回転数が十分に高い場合、電子路は磁場線に沿ってスパイラルであるばかりでなく、回転磁場の軸の周りでもいくらかスパイラルであり、かくして有効な電子路長及び究極的にはイオン化速度が増加する。さらにまた、蒸着パ夕ーンがターゲットに対して曲がっているため、図に示すように、ターゲットよりも大きな面積にわたって均一性が達成される。
　技術的観点からみて、一定の回転磁場を得ることは困難ではない。互いに９０°に配置された二対のコイルに、電流の位相角が９０°であるように、交流を印加することができる。本技術はまた、ターゲットの均一な浸食をもたらし、スパッタ及び反応性エッチングのために用いることができる。」（第４２９５頁第１行〜第２２行）と記載されている。
　
（６）甲第６号証（電子通信学会編、「ＬＳＩハンドブック」オーム社、昭和５９年１１月３０日発行、第４２８頁〜第４３４頁）
　反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）のリアクタ材料について、
　「プラズマ電位（Ｖｐ）や自己バイアス電位（Ｖｄｃ）によってエネルギーを得た荷電粒子は、おのおのリアクタ内壁や陰極材料をスパッタし、重金属類はデバイスの電気的特性に重大な影響を与える。ＲＩＥでは印加電力の約８０％は陰極に集中し、スパッタされても除去可能な、例えば、炭素板、テフロン板などの有機膜、石英板などを陰極材料に選べばよい。また、内壁は金属の露出は避け、前記の膜などで覆わなければならないが、その際、Ｖｄｃ発生のために電子が流れる一部金属面の露出も必要である。」（第４３２頁右欄第１０行〜第１９行）と記載されている。
　
（７）甲第７号証（特開昭５７−１００７３２号公報）　　　            　ドライエッチング装置における反応生成物等の付着防止のための加熱について、
　「第２図は、本発明の一実施例を示すドライエッチ装置の説明図であり、チャンバー１の内壁や排気管３が加熱されているため反応生成物やフォトレジストカスなどが再付着せず必ずトラップ４まで運ばれてそこで吸着される。」（第２頁左欄第１１行〜第１５行）と記載され、
　さらに第２図には、加熱ヒーター７がチャンバー１の外側に配置されていることが示されている。
　
（８）甲第８号証（特開昭６２−２４３７６４号公報）
　第３頁右上欄第９行〜第４頁右下欄第１２行の「実施例」の欄及び第１〜７図には、マグネトロンスパッ夕装置を用いるスパッタ成膜に際して、電磁石電流などの成膜条件を制御するためにコンピュータを用いることが示されている。
　
（９）甲第９号証（特開昭６０−３９１６１号公報）
　第１１頁左上欄第８行〜第１２頁左下欄第１行の「発明の開示」の欄及び第１〜４図に、マグネトロン型のスパッタ・コーティング装置を用いるスパッタ・コーティングに際し、電磁石に印加される電流振幅（強度）を調節して磁場強度を制御する等のために、コンピュータを用いることが示されている。
　
［４］対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と甲第２号証に記載のものとを対比すると、甲第２号証に記載の「被加工物（７）」、「下部電極（４）」、「上部電極（３）」及び「静磁場」は、それぞれ本件発明１の「ウエハ」、「受け台」、「ガスマニホルド」及び「ＤＣ磁場」に相当するから、両者は、前記構成Ａ（真空処理装置）、構成Ｂ（受け台），構成Ｃ（ガスマニホルド），構成Ｄ（ＲＦ手段）及び構成Ｅ（電流制御式磁場発生手段）を有し、さらに、前記電流制御式磁場発生手段が前記ハウジングの周縁に配置され、前記ウェハ表面に並行な磁場を形成する対の電磁石を備えた点で一致し、次の点１）及び２）で相違する。
　１）構成Ｆ（電磁石）に関して、本件発明１は前記電流制御式磁場発生手段が少なくとも第１及び第２の対の電磁石を備えるのに対して、甲第２号証に記載のものは前記電流制御式磁場発生手段は一対すなわち第１の対の電磁石を備える点。
　２）本件発明１は構成Ｇ（電流を印加する手段），構成Ｈ（コンピュータ手段）及び構成Ｉ（制御信号の印加）を有するのに対して、甲第２号証に記載のものは前記静磁場の強度を制御するための前記一対の電磁石に対する電源を備えているにすぎない点。
　前記の相違点１）、２）について検討する。
相違点２）について
　本件発明１は、そのままでの自己クリーニング能力を具備したエッチ反応器を提供することを目的の一つとし（本件特許掲載公報第４頁第８欄第２６行〜第２７行参照）、相違点２）の構成Ｇ（電流を印加する手段）、構成Ｈ（コンピュータ手段）、構成Ｉ（制御信号の印加）の内、特に、前記第１及び第２の対の各電磁石に対する電源を含み、磁場の強度と方向を独立して制御するために磁石の前記電源に電流を選択的に印加するコンピュータ手段を具備することを特徴とするものである。
　これにより、エッチング処理において好ましくは磁場の低速回転を採用してウエハの全周にわたってエッチングの一様性を高め、ウエハへのイオンボンバード及びデバイスの損傷や金属製室内に生じる渦電流損を低下させ得ると共にエッチの輪郭制御効果を向上させ（本件特許掲載公報第７頁第１３欄第１行〜末行参照）、一方、自己クリーニング処理においては室内のいたるところへと浄化プラズマを広げると共に、必要に応じ室の特定領域に対するエッチ速度を上昇可能とすることで、室の全面積を効率よくクリーニングする（本件特許掲載公報第１０頁第２０欄第３０行〜第３４行参照）という作用効果を奏するものである。
　これに対し、前記甲第１、３，６及び７号証には、前記相違点（２）における本件発明１の構成に関連する内容は見当たらず、甲第４及び５号証には、二対の電磁石に電流を印加して磁場を回転させることによりエッチングの一様性を高めること（本件発明の構成Ｆ（電磁石）に相当する。）が、また、甲第８号証には、マグネトロンスパッタ装置を用いるスパッタ成膜において、電磁石電流等を調節しての成膜条件を制御するためにコンピュータを用いること（本件発明１における構成Ｈ（コンピュータ手段）に相当する。）が、さらに、甲第９号証には、甲第８号証に記載のものと同様な装置による同様な処理において電磁石に印加される電流強度を調節して磁場強度を制御する等のためにコンピュータを用いること（同じく、本件発明１における構成Ｈ（コンピュータ手段）に相当する。）が、それぞれ示されているにすぎない。
　そして、本件発明１の前記した目的の点、第１及び第２の対の電磁石である二対の各電磁石に対する電源を設け、これら各電源に電流を選択的に印加して、磁場の強度と方向を独立して制御する点、及び、かかる制御によるエッチング処理と自己クリーニング処理の前記の作用効果、特に後者の作用効果の点について、甲各号証のいずれにも記載がなく、示唆するところもない以上、前記相違点２）における本件発明１の構成Ｇ（電流を印加する手段），構成Ｈ（コンピュータ手段）及び構成Ｉ（制御信号の印加）は、甲各号証に記載のものに基づいて当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　したがって、前記相違点１）については検討するまでもなく、本件発明１は甲第１〜９号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（２）本件発明２、５及び６について
　本件発明２及び５は、本件発明１を引用し、さらに構成Ｊ（エッチを通さない素材の被覆）あるいは構成Ｋ（冷却流体を循環させる手段）を付加・限定したものであり、また、本件発明６は、本件発明５を引用し、さらに構成Ｌ（加熱する手段）を付加・限定したものであるから、前記と同じ理由により、甲第１〜９号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由によっては、本件発明１、２，５及び６についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２，５及び６についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、２、５及び６についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月１０日（２０００．５．１０）