【事件の表示】
　特許第２７０４１５７号「磁性部品」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７０４１５７号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７０４１５７号の請求項１〜請求項４に係る発明についての出願（特願平８−３１１１７４、特願昭６３−１２３９１０の分割）は、昭和６３年５月２３日（原出願日）になされ、平成９年１０月３日に、その発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について特許異議の申立てがなされ、平成１１年２月１７日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年４月２３日に訂正請求がなされ、再度、平成１２年４月５日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月１２日に訂正請求がなされ、さらに、平成１２年９月２９日に取消理由通知が手交されると共に訂正請求がなされ、平成１１年４月２３日付け及び平成１２年６月１２日付け訂正請求が取り下げられたものである。
２．訂正の要旨
Ｔ；Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも１種
Ｍ；Cu、Ag、Au、Zn、Sn、Pb、Sb、Biから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ'；Zr、Hf、Nbから選ばれる少なくとも１種以上
Ｙ；Si、Ｐ、Ｂ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100（原子％）
0.01≦ｂ≦５
　３≦ｃ≦18
　０≦ｄ≦５
0.01≦ｅ≦15
で表され、微細結晶粒を有する高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金を用いてなることを特徴とする磁性部品。
【請求項２】微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００オングストロームの結晶が８０％以上存在することを特徴とする請求項１に記載の磁性部品。」
を、、特許請求の範囲の減縮を目的として、
Ｔ；Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ；Cu、Ag、Au、Zn、Sn、Pb、Sb、Biから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ'；Zr、Hf、Nbから選ばれる少なくとも１種以上
Ｙ；Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100（原子％）
0.01≦ｂ≦５
　３≦ｃ≦18
　０≦ｄ≦５
0.01≦ｅ≦15
で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が13.0ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする磁性部品。
Ｔ；Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ；Cu、Ag、Au、Zn、Sn、Pb、Sb、Biから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ'；Zr、Hf、Nbから選ばれる少なくとも１種以上
Ｙ；Si、Ｂから選ばれる１種
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100（原子％）
0.01≦ｂ≦５
　３≦ｃ≦18
　０≦ｄ≦５
0.01≦ｅ≦５
で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が13.0ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする磁性部品。」
と訂正し、
　【請求項３】及び【請求項４】を削除する。
　ｂ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【０００１】【００１１】の「軟磁性合金」を「軟磁性薄帯又は薄膜」と訂正する。
　ｃ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、【００１２】〜【００１５】を、
　「【００１２】
　【課題を解決するための手段】
【００１４】
【００１５】」
と訂正する。
　ｄ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【００２６】を、
　「【００２６】しかし、その量があまり多いと飽和磁束密度が低下するため、その量を15原子％以下とした。ただし、Ｙ元素としてSiまたはＢを選択する場合、その含有量は５原子％未満にする。Ｙ元素の中で、特にＢは合金の非晶質化が顕著であり、そのため非晶質合金を得た後の微細結晶粒の析出による磁気特性の改善に有効であり、好ましいものである。なお、本発明の第１発明の磁性部品においてＹ元素はＰ、Ｃの１種のみまたは２種のみからなり、第２の発明の磁性部品においてはSiまたはＢの１種のみからなるものとする。」
と訂正する。
　ｅ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書【００４３】の「３〜５」を「２〜４」に、「２５〜４３，５６〜５９，７１〜７８」を「４〜２２，３５〜４３，４４〜４６」に訂正する。また、同様に【００４４】の「３〜５」を「２〜３」に、「４４〜５５，６０〜７０，７９〜９５」を「２３〜２７，２８〜３４」に訂正し、さらに【００４５】の「３〜５」を「４」に、「９６〜９８」を「４７〜４９」に、それぞれ訂正する。
　ｆ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【表１】の試料１〜１２、【表２】の試料１３〜１８及び２０〜２２、【表４】の試料６０〜７０、【表５】の試料７９〜９５を削除し、特許明細書の【表２】の試料１９，２３，２４を、訂正明細書の【表１】の試料１，２，３と訂正し、これに準じて特許明細書の【表３】〜【表５】を、訂正明細書の【表２】〜【表４】とし、試料番号をそれぞれ訂正する。
　また、特許明細書の【００３６】及び【００４１】の表１，２」を「表１」に、【００４９】の「表３〜５」を「表２〜４」に、それぞれ訂正する。
　ｇ．誤記の訂正を目的として、特許明細書の【０００５】の「低週は領域」を「低周波領域」に、「特性を得られるに至っていな。」を「特性を得られるに至っていない。」に、また、特許明細書【０００８】の「これらの合金おいても」を「これらの合金においても」に、それぞれ訂正する。
３．訂正の適否についての判断
3-1.訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　ａの訂正は、訂正前の請求項１及び請求項２を、一般式で表される軟磁性合金をそのＹ成分によって、Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上の合金、及びSi、Ｂから選ばれる１種の合金に分けて訂正後の請求項１及び請求項２とし、訂正後の請求項１において、訂正前の請求項２の記載に基づいて微細結晶粒の面積比及び結晶粒径の割合を限定するとともに、特許明細書の【表１】乃至【表５】の記載に基づいて飽和磁束密度を限定し、訂正前の請求項３及び請求項４の記載に基づいて「磁性部品」を「軟磁性合金薄帯又は薄膜」に限定するものであり、また、訂正後の請求項２において、特許明細書の【表１】乃至【表５】の記載に基づいてｅの数値及び飽和磁束密度を限定し、訂正前の請求項３及び請求項４の記載に基づいて「磁性部品」を「軟磁性合金薄帯又は薄膜」に限定するものであるから、特許法第１２０条の４第２項ただし書第１号の特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ｂ〜ｆの訂正は、上記ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであるから、特許法第１２０条の４第２項ただし書第３号の明りょうでない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ｇの訂正は、特許明細書の前後の記載からみて明らかな誤記の訂正であると認められるから、特許法第１２０条の４第２項ただし書第２号の誤記の訂正に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
3-2.独立特許要件
（本件発明）
　訂正明細書の請求項１及び請求項２に係る発明（以下、「本件第１発明及び第２発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された次のとおりのものである。
Ｔ；Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ；Cu、Ag、Au、Zn、Sn、Pb、Sb、Biから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ'；Zr、Hf、Nbから選ばれる少なくとも１種以上
Ｙ；Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100（原子％）
0.01≦ｂ≦５
　３≦ｃ≦18
　０≦ｄ≦５
0.01≦ｅ≦15
Ｔ；Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ；Cu、Ag、Au、Zn、Sn、Pb、Sb、Biから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ'；Zr、Hf、Nbから選ばれる少なくとも１種以上
Ｙ；Si、Ｂから選ばれる１種
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100（原子％）
0.01≦ｂ≦５
　３≦ｃ≦18
　０≦ｄ≦５
0.01≦ｅ≦５
で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が13.0ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする磁性部品。」
（取消理由の概要）
　平成１１年２月１７日付けの取消理由は、訂正前の本件請求項１〜４に係る発明は、特願昭６３−６８８２３号（特開平１−２４２７５５号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書１」という。）に記載された発明と同一であるから、本件請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり（取消理由１）、本件請求項１〜３に係る発明は、刊行物１（「日本金属学会講演概要　昭和６３年春期（第１０２回・習志野）大会」昭和６３年３月１５日、日本金属学会発行、第３９３頁）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることがであるから、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（取消理由２）、また、本件明細書には、記載不備があるから、本件特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり（取消理由３）、さらに、本件は、特願昭６３−１２３９１０号（特開平１−２９４８４７号）を原出願とする分割出願として特許出願されたものであるが、当該原出願の発明と同一となる発明を含んでいるから、本件請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第３９条第２項の規定に違反してなされたものである（取消理由４）、というものである。
　また、平成１２年４月５日付けの取消理由は、本件請求項１〜４に係る発明は、特願昭６２−１８３８７６号（特開昭６４−２７００９号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書２」という。）、特願昭６２−１３８６２４号（特開昭６３−３０２５０４号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書３」という。）、特願昭６２−３１７１８９号（特開昭６４−７９３４２号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書４」という。）の何れかに記載された発明と同一であるから、本件請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである（取消理由５）、というものである。
　さらに、平成１２年９月２９日に手交された取消理由は、本件明細書には、記載不備があるから、本件特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである（取消理由６）、というものである。
　取消理由１について、
（先願明細書に記載された発明）
　先願明細書１には、次の発明が記載されている。
　「1.一般式：
　(Fe1-aMa)100-x-α-zAxM'αBｚ(原子％)
（ただし、MはCo及び／又はNiであり、ＡはCu及び／又はAgであり、M'はNb，Ta，Zr，Hf，Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、a，x，α及びzはそれぞれ、
0≦a≦0.3，0.1≦x≦10，1≦α≦30，5≦z≦17を満たす。）
により表わされる組成を有し、組織の少なくとも５０％が微細な結晶粒からなり、前記結晶粒の最大寸法で測定した粒径の平均が１０００Å以下の平均粒径を有することを特徴とするFe基磁性合金。
2.一般式：
0≦a≦0.3，0.1≦x≦10，1≦α≦30，β≦10，5≦z≦17を満たす。）
により表わされる組成を有し、組織の少なくとも５０％が微細な結晶粒からなり、前記結晶粒の最大寸法で測定した粒径の平均が１０００Å以下の平均粒径を有することを特徴とするFe基磁性合金。」（特許請求の範囲第１項、第２項）
　「上記組成を有する本発明に係るFe基軟磁性合金はまた組織の少なくとも５０％以上が微細な結晶粒からなる。
　この結晶粒は、α−Feを主体とするものでＢ等が固溶していると考えられる。この結晶粒は１０００Å以下と著しく小さな平均粒径を有することを特徴とし、合金組織中に均一に分布している。合金組織のうち微細結晶粒以外の部分は主に非晶質である。なお微細結晶粒の割合が実質的に１００％になっても本発明の磁心は十分に優れた磁気特性を示す。」（特開平１−２４２７５５号公報第４頁右上欄第６〜１６行）
　「次に本発明の合金の製造方法について説明する。
　まず上記所定の組成の溶湯から、片ロール法、双ロール法等の公知の液体急冷法によりリボン状の非晶質合金を形成する。通常、片ロール法等により製造される非晶質合金リボンの板厚は５〜１００μｍ程度であるが、板厚が２５μｍ以下のものが高周波において使用される磁心用薄帯として特に適している。」（同第４頁左下欄第１〜８行）
　「本磁心の磁路方向に磁心が飽和する程度の磁場を印加し熱処理した場合は、Ｂ−Ｈカーブの角形性が良いものが得られ、可飽和リアクトル用磁心、磁気スイッチ、エキシマレーザ励起回路に用いられるパルス圧縮用コア等に好適となる。一方磁路と直角方向に磁心がほぼ飽和する強さの磁場を印加し熱処理した場合は、Ｂ−Ｈカーブが傾斜し、低角形比で恒透磁率特性に優れたものが得られ、動作範囲が広がるので、トランスやノイズフィルター、チョークコイル等に好適となる。」（同第５頁左上欄第５〜１５行）
　「また、本発明合金はスパッター法、蒸着法等の気相急冷法により非晶質合金膜を作製後これを熱処理し結晶化されて製造することもできるし、膜をつける基板を加熱しながら膜をつけ熱処理を行なわず直接微細結晶粒組織からなる本発明Fe基磁性合金を得ることもできる。Agを添加する場合は薄膜化した方がより好ましい結果を得ることができる。」（同第５頁右上欄第３〜１０行）
（対比・判断）
　したがって、本件第１発明は、先願明細書１に記載された発明と同一とすることはできない。
　したがって、本件第２発明は、先願明細書１に記載された発明と同一とすることはできない。
　取消理由２について、
（刊行物に記載された発明）
　刊行物１には、「超微細結晶粒組織を有する新しいＦｅ基軟磁性合金の諸特性」と題し、
　「２．方法　CuとNb等を複合添加したFe-Si-B系アモルファス合金を単ロール法により作製した後、トロイダル状に巻き熱処理を行い磁気特性を測定した。更に、Ｘ線回折及び透過電子顕微鏡によるミクロ組織観察を行った。
３．結果　(1)Fe-Si-B系合金にCuとNbを複合添加することにより、飽和磁束密度が比較的大きくかつCo基アモルファス合金に匹敵する低磁歪軟磁性合金が得られることを見い出した。（表１）
(2)優れた軟磁気特性が得られる理由は、CuとNbの複合添加により、結晶化後超微細なbccFe固溶体結晶粒が形成されるためであると考えられる。（図１）
(3)開発合金は、磁場中熱処理により種々の形のＢ−Ｈ曲線が得られるため、高周波トランス、可飽和リアクトル、チョークコイル等各種磁性部品への適用が可能である。」（第393頁第６〜13行）
と記載され、
　表１には、開発材Ａ：Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9及び開発材Ｂ：Fe73.5Cu1Nb3Si16.5B6は、それぞれ、Bs(T)が1.24及び1.18であることが示され、図１には、Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金のミクロ組織が示されている。
（対比・判断）
　本件第１及び第２発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、「一般式；FeaCubNbcＹeで表され、微細結晶粒を有する優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯を用いてなる磁性部品。」である点で一致し、Ｙ成分が、本件第１発明においては、「Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上」であり、また、本件第２発明においては、「Si、Ｂから選ばれる１種」で５原子％未満であるのに対し、刊行物１に記載された発明においては、Si及びＢの両成分を含有し、両成分のいずれも５原子％以上である点、本件第１及び第２発明においては、「飽和磁束密度が13.0ｋＧ以上」であるのに対し、刊行物１に記載された発明においては、飽和磁束密度Bs(T)が1.24及び1.18（12.4及び11.8ｋＧ）である点で相違するほか、刊行物１には、本願発明の構成要件である微細結晶粒の面積比、その結晶粒径について記載がない点で相違する。
　そして、本件第１発明及び第２発明は、上記相違点に示した構成要件を具備することにより、鉄損が低く、高透磁率であり、高周波において優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金が得られるという明細書記載の効果を奏するものである。
　したがって、本件第１発明及び第２発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　取消理由３について、
　本件の特許請求の範囲の記載において、微細結晶粒の構成が不明である点については、訂正によって、本件第１発明及び第２発明は、いずれも「微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在」すると規定され、実施例からも微細結晶粒は８０〜９０％が結晶粒径５０〜３００Åの結晶であることは明らかであるから、この点の記載不備は解消した。また、この程度の大きさの粒径の結晶は、従来の電子顕微鏡等による測定技術を用いて測定評価可能なものと認められるから、発明の詳細な説明に具体的な記載がなくても、この点で記載不備があるとはいえない。
　取消理由４について、
　本件発明は、「軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなる・・・磁性部品」と訂正されたから、「軟磁性合金」の発明である原出願の発明と同一ではない。
　取消理由５について、
（先願明細書に記載された発明）
　同じく引用された先願明細書２には、次の発明が記載されている。
　「(1)一般式：
  「本発明の目的は飽和磁束密度が高く、軟磁気特性に優れ、５００℃以上のガラスボンディングを行っても磁気特性の劣化の小さい、新規のFe基軟磁性合金膜を提供することを目的とする。」（第２頁右下欄末行〜第３頁左上欄第３行）
　「本発明のFe基軟磁性合金膜はスパッタ法、蒸着法等の気相急冷法により、前記組成の非晶質合金膜を形成後、これを加熱し微細な結晶粒を形成する熱処理工程に依って得られる。」（第３頁左下欄第１〜４行）
　「上記組成の本発明のFe基軟磁性合金膜はまた組織の少なくとも５０％以上が微細な結晶粒からなる。
　この結晶粒はα−Feを主体とするものでSi等が固溶していると考えられる。この結晶粒は５００Å以下と著しく小さな平均粒径を有することを特徴とし、合金膜組織中に均一に分布している。合金組織のうち微細結晶粒以外の部分は主に非晶質である。なお微細結晶粒の割合が実質的に１００％になっても本発明のFe基軟磁性合金膜は十分に優れた磁気特性を示す。本発明において結晶粒径がその最大寸法で測定した場合５０〜２００Åの平均粒径を有する場合特に高い透磁率が得られる。」（第４頁右下欄第５〜１７行）
　「実施例１
　原子％でFe72.5％、Cu0.9％、Nb3.2％、Si10.8％、Ｂ12.6％で表わされる組成を有する厚さ3μmの非晶質合金膜を・・・作製した。・・・
　次にこの非晶質合金膜をＮ２ガス雰囲気中において５３０℃に３０分保持後室温まで冷却し、Ｘ線回折を行った。・・・透過電子顕微鏡による組織観察の結果、組織の５０％以上が１００〜２００Åの微細な結晶粒からなることが確認された。・・・
　次にこの膜のヒステリシスカーブを振動型磁力計（ＶＳＭ）により測定した。Ｂｓ＝13.2ｋＧ、Ｈｃ＝1.0Ｏｅが得られた。」（第５頁左下欄第２行〜右下欄第２行）
　「Bsは、組成（at％）Fe73.3Cu1.1Nb3.1Si10.5B12.0のもの、Fe75.5Cu1.0Nb3.0Si13.5B7.0のものが13.3ｋＧ、(Fe0.93Co0.07)73.2Cu1.1Nb3.1Si13.5B9.1のものが13.2ｋＧ、Fe73.4Cu1.1Nb3.0Si10.5B12.0のものが13.3ｋＧ、(Fe0.93Co0.07)73.4Cu1.0Nb3.1Si13.5B9のものが13.2ｋＧであり、それ以外の組成（Si及びBを有するか、Bのみを有し、両成分はいずれも５原子％以上である）の本発明例のものは、10.2〜12.6ｋＧであること。」（第６頁第１表及び第２表）
　同じく引用された先願明細書３には、次の発明が記載されている。
　「(1)一般式
　「本発明は、各種トランス、チョークコイル、可飽和リアクトル、ノイズフィルター等に用いられる軟磁気特性に優れた磁心に関するものである。」（第２頁右下欄第１６〜１８行）
　「上記組成を有する本発明に係るFe基軟磁性合金はまた組織の少なくとも５０％以上が微細な結晶粒からなる。
  この結晶粒はα−Feを主体とするものでSiやＢ等が固溶していると考えられる。この結晶粒は５００Å以下と著しく小さな平均粒径を有することを特徴とし、合金組織中に均一に分布している。合金組織のうち微細結晶粒以外の部分は主に非晶質である。なお微細結晶粒の割合が実質的に１００％になっても本発明の磁心は十分に優れた磁気特性を示す。」（第５頁左下欄第１２行〜右下欄第２行）
　「次に本発明の磁心の製造方法について説明する。
　まず上記所定の組成の溶湯から、片ロール法、双ロール法等の公知の液体急冷法によりリボン状の非晶質合金を形成する。通常、片ロール法等により製造される非晶質合金リボンの板厚は５〜１００μｍ程度であるが、板厚が２５μｍ以下のものが高周波において使用される磁心用鋼帯として特に適している。
　この非晶質合金は、結晶相を含んでいてもよいが、後の熱処理により微細な結晶粒を均一に生成するためには非晶質であるのが望ましい。
　非晶質リボンは熱処理の前に巻回、打ち抜き、エッチング等をして所定の形状に加工し磁心とする方が望ましい。」（第５頁右下欄第７行〜末行）
　「本発明合金の飽和磁束密度Bsは１０kGを超えるものがあり、Co基アモルファス合金より高く軟磁気特性もCo基アモルファスと同等以上の特性が得られることがわかる。また磁歪が小さくほぼ磁歪が０のものも得られる。」（第９頁右上欄１〜５行）
　「Bsは、組成（at％）Fe79Cu1.0Si8B9Nb3のものが14.6ｋＧ、Fe77Cu1.0Si10B9Nb3のものが14.3ｋＧ、(Fe0.959Co0.041)73.5Cu1Si13.5B9Nb3のものが13.0ｋＧ、(Fe0.93Co0.07)73.5Cu1Si13.5B9Nb3のものが13.2ｋＧ、Fe75.5Cu1Si13.5B7Nb3のものが13.3ｋＧであり、それ以外の組成（Si及びBを有し、Si成分は５原子％以上である）の本発明例のものは、9.2〜12.8ｋＧであること。」（第９頁第１表及び第２表）」
　同じく引用された先願明細書４には、
　「(1)一般式
　(Fe1-aMa)100-x-y-z-αCuxSiyBzM'α（ただし、MはCo及び／又はNiであり、M'はNb，Ｗ，Ta，Zr，Hf，Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、a，x，y，z及びαはそれぞれ0≦a＜0.5，0.1≦x≦3，0≦y≦30，0≦z≦25，5≦y+z≦30及び0.1≦α≦30を満たす。）により表される組成を有し、組織の少なくとも５０％が微細な結晶粒からなることを特徴とするＦｅ基軟磁性合金。
(2)特許請求の範囲第１項に記載のＦｅ基軟磁性合金において、前記組織の残部が実質的に非晶質であり、前記結晶粒が１０００Å以下の平均粒径を有することを特徴とするＦｅ基軟磁性合金。」（特許請求の範囲第１項、第２項）
　「本発明は、優れた磁気特性を有するＦｅ基軟磁性合金、特に各種トランス、チョークコイル、可飽和リアクトル、磁気ヘッド等に好適な低磁歪Ｆｅ基軟磁性合金、及びそれらの製造方法に関するものである。」（第３頁右下欄第１７〜第４頁左上欄第１行）
　「上記組成を有する本発明のＦｅ基軟磁性合金はまた組織の少なくとも５０％以上が微細な結晶粒からなる。
  この結晶粒はｂｃｃ構造のα−Feを主体とするものでSiやＢ等が固溶していると考えられる。この結晶粒は１０００Å以下と著しく小さな平均粒径を有することを特徴とし、合金膜組織中に均一に分布している。結晶粒の平均粒径とは各粒子の最大寸法を平均したものである。平均粒径が１０００Åを超えると良好な軟磁気特性が得られなくなる。好ましい平均粒径は５００Å以下であり、より好ましくは２００Å以下であり、特に５０〜２００Åである。
　合金組織のうち微細結晶粒以外の部分は主に非晶質である。なお微細結晶粒の割合が実質的に１００になっても本発明のＦｅ基軟磁性合金は十分に優れた磁気特性を示す。」（第８頁左上欄第４行〜最下行）
　「次に本発明のＦｅ基軟磁性合金の製造方法について説明する。
　まず上記所定の組成の溶湯から、片ロール法、双ロール法等の公知の液体急冷法によりリボン状の非晶質合金を形成する。通常、片ロール法等により製造される非晶質合金リボンの板厚は５〜１００μｍ程度であるが、板厚が２５μｍ以下のものが高周波において使用される磁心材料として特に適している。
　この非晶質合金は、結晶相を含んでいてもよいが、後の熱処理により微細な結晶粒を均一に生成するためには非晶質であるのが望ましい。液体急冷法により、熱処理を経ずに本発明の合金を得ることも可能である。
　非晶質リボンは熱処理の前に巻回、打ち抜き、エッチング等をして所定の形状に加工する。」（第８頁右上欄第５行〜最下行）
　「本合金からなる磁心の磁路方向に磁場を印加し熱処理した場合は、Ｂ−Ｈカーブの角形性が良いものが得られ、可飽和リアクトル用磁心、磁気スイッチ、パルス圧縮用コア、スパイク電圧防止用リアクトル等に好適となる。一方磁路と直角方向に磁場を印加し熱処理した場合は、Ｂ−Ｈカーブが傾斜し、低角形比で恒透磁率性に優れたものが得られ、動作範囲が広がるので、トランスやノイズフィルター、チョークコイル等に好適となる。」（第８頁右下欄第８〜１７行）
　「また本発明のＦｅ基軟磁性合金はそれぞれ以外にスパッター法等の薄膜化技術を用いて製造することも可能であり、薄膜磁気ヘッド等で作製できる。」（第９頁左上欄第６〜８行）
と記載されている。
（対比・判断）
(1)先願明細書２に記載された発明に対して、
　したがって、本件第１発明は、先願明細書２に記載された発明と同一とすることはできない。
　したがって、本件第２発明は、先願明細書２に記載された発明と同一とすることはできない。
(2)先願明細書３に記載された発明に対して、
　したがって、本件第１発明は、先願明細書３に記載された発明と同一とすることはできない。
　したがって、本件第２発明は、先願明細書３に記載された発明と同一とすることはできない。
(3)先願明細書４に記載された発明に対して、
　したがって、本件第１発明は、先願明細書４に記載された発明と同一とすることはできない。
　したがって、本件第２発明は、先願明細書４に記載された発明と同一とすることはできない。
　取消理由６について、
　平成１２年９月２９日付けの訂正請求により、本件明細書の記載不備は解消した。
（まとめ）
　したがって、本件請求項１及び請求項２に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
3-3.訂正の適否についての結論
　よって、上記訂正請求は、特許法愛１２０条の４第２項、同条第３項で準用する第１２６条第２項〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
４．特許異議申立てについての判断
4-1.申立て理由の概要
　特許異議申立人日立金属株式会社は、甲第１号証〜甲第３号証を提出して、訂正前の本件請求項１、２及び４に係る発明は、特願昭６２−１８３８７６号の願書に最初に添付した明細書又は図面（前記先願明細書２と同じ）に記載された発明と同一であるから、本件請求項１、２及び４に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり（申立て理由１）、本件請求項３に係る発明は、特願昭６２−１３８６２４号の願書に最初に添付した明細書又は図面（前記先願明細書３と同じ）に記載された発明と同一であるから、本件請求項３に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり（申立て理由２）、また、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第３号証（前記刊行物１と同じ）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（申立て理由３）、さらに、本件明細書には、記載不備があるから、本件請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり（申立て理由４）、取り消されるべきものである、と主張している。
　特許異議申立人勝俣智夫は、甲第１号証〜甲第５号証を提出して、本件請求項１に係る発明は、甲第５号証（前記刊行物１と同じ）に記載された発明であるか、又は、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してなされたものであり（申立て理由５）、本件請求項１〜４に係る発明は、特願昭６２−１３８６２４号の願書に最初に添付した明細書又は図面（前記先願明細書３と同じ）、特願昭６２−１８３８７６号の願書に最初に添付した明細書又は図面（前記先願明細書２と同じ）、特願昭６２−３１７１８９号の願書に最初に添付した明細書又は図面（前記先願明細書４と同じ）、特願昭６３−６８８２３号の願書に最初に添付した明細書又は図面（前記先願明細書１と同じ）の何れかに記載された発明と同一であるから、本件請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり（申立て理由６）、取消されるべきである、と主張している。
4-2.当審の判断
　上記3-2に述べたとおり、前記申立て理由１〜６については、すべて理由がない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件第１及び第２発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１及び第２発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月１日（２０００．１２．１）
【訂正の要旨】
　ａ．特許請求の範囲の請求項１及び請求項２
「【請求項１】一般式；ＴａＭｂＭ’ｃＭ″ｄＹｅ
Ｔ；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種
Ｍ；Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ’；Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ″；Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上
Ｙ；Ｓｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（原子％）
０．０１≦ｂ≦５
　　　３≦ｃ≦１８
　　　０≦ｄ≦５
０．０１≦ｅ≦１５
で表され、微細結晶粒を有する高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金を用いてなることを特徴とする磁性部品。
　【請求項２】微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００オングストロームの結晶が８０％以上存在することを特徴とする請求項１に記載の磁性部品。」
を、、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】一般式；ＴａＭｂＭ’ｃＭ″ｄＹｅ
Ｔ；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種
Ｍ；Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ’；Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ″；Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ａ１から選ばれる少なくとも１種以上
Ｙ；Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（原子％）
０．０１≦ｂ≦５
　　　３≦ｃ≦１８
　　　０≦ｄ≦５
０．０１≦ｅ≦１５
で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が１３．０ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする磁性部品。
　【請求項２】一般式；ＴａＭｂＭ’ｃＭ″ｄＹｅ
Ｔ；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ；Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ’；Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１種以上
Ｍ″；Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上
Ｙ；Ｓｉ、Ｂから選ばれる１種
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（原子％）
０．０１≦ｂ≦５
　　　３≦ｃ≦１８
　　　０≦ｄ≦５
０．０１≦ｅ≦５
で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が１３．０ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする磁性部品。」と訂正し、
　【請求項３】及び【請求項４】を削除する。
　ｂ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【０００１】【００１１】の「軟磁性合金」を「軟磁性薄帯又は薄膜」と訂正する。
　ｃ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、【００１２】〜【００１５】を、
　「【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の第１の発明の磁性部品は、一般式；ＴａＭｂＭ’ｃＭ″ｄＹｅ（Ｔ；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ；Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ’；Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ″；Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上、Ｙ；Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（原子％）、０．０１≦ｂ≦５（原子％）、３≦ｃ≦１８（原子％）、０≦ｄ≦５（原子％）、０．０１≦ｅ≦１５（原子％）、）で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が１３．０ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする。
　【００１３】また、本発明の第２の発明の磁性部品は、一般式；ＴａＭｂＭ’ｃＭ″ｄＹｅ（Ｔ；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ；Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ’；Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ″；Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上、Ｙ；Ｓｉ、Ｂから選ばれる１種、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（原子％）、０．０１≦ｂ≦５（原子％）、３≦ｃ≦１８（原子％）、０≦ｄ≦５（原子％）、０．０１≦ｅ≦５（原子％）、）で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が１３．０ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする。
　【００１４】
　【００１５】」
と訂正する。
　ｄ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【００２６】を、
　「【００２６】しかし、その量があまり多いと飽和磁束密度が低下するため、その量を１５原子％以下とした。ただし、Ｙ元素としてＳｉまたはＢを選択する場合、その含有量は５原子％未満にする。Ｙ元素の中で、特にＢは合金の非晶質化が顕著であり、そのため非晶質合金を得た後の微細結晶粒の析出による磁気特性の改善に有効であり、好ましいものである。なお、本発明の第１発明の磁性部品においてＹ元素はＰ、Ｃの１種のみまたは２種のみからなり、第２の発明の磁性部品においてはＳｉまたはＢの１種のみからなるものとする。」と訂正する。
　ｅ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書【００４３】の「３〜５」を「２〜４」に、「２５〜４３，５６〜５９，７１〜７８」を「４〜２２，３５〜４３，４４〜４６」に訂正する。また、同様に【００４４】の「３〜５」を「２〜３」に、「４４〜５５，６０〜７０，７９〜９５」を「２３〜２７，２８〜３４」に訂正し、さらに【００４５】の「３〜５」を「４」に、「９６〜９８」を「４７〜４９」に、それぞれ訂正する。
　ｆ．前記ａの訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【表１】の試料１〜１２、【表２】の試料１３〜１８及び２０〜２２、【表４】の試料６０〜７０、【表５】の試料７９〜９５を削除し、特許明細書の【表２】の試料１９，２３，２４を、訂正明細書の【表１】の試料１，２，３と訂正し、これに準じて特許明細書の【表３】〜【表５】を、訂正明細書の【表２】〜【表４】とし、試料番号をそれぞれ訂正する。
　また、特許明細書の【００３６】及び【００４１】の表１，２」を「表１」に、【００４９】の「表３〜５」を「表２〜４」に、それぞれ訂正する
　ｇ．誤記の訂正を目的として．、特許明細書の【０００５】の「低週は領域」を「低周波領域」に、「特性を得られるに至っていな。」を「特性を得られるに至っていない。」に、また、特許明細書【０００８】の「これらの合金おいても」を「これらの合金においても」に、それぞれ訂正する。
（５４）【発明の名称】
磁性部品
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】一般式；ＴａＭｂＭ’ｃＭ”ｄＹｅ
　　　Ｔ；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種
以上
　　　Ｍ；Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種以上
　　　Ｍ’；Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１種以上
　　　Ｍ″；Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上
　　　
Ｙ；Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上
　　　ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（原子％）
　　　０．０１≦ｂ≦　５
　　　　　　３≦ｃ≦１８
　　　　　　０≦ｄ≦　５
　　　０．０１≦ｅ≦１５
　で表され、
微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が１３．０ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜
　【請求項２】
一般式；ＴａＭｂＭ’ｃＭ”ｄＹｅ
　　　
Ｔ；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種以上
　　　
Ｍ；Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種以上
　　　
Ｍ’；Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１種以上
　　　
Ｍ”；Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上
　　　
Ｙ；Ｓｉ、Ｂから選ばれる１種
　　　
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（原子％）
　　　　　
０．０１≦ｂ≦　５
　　　　　　
３≦ｃ≦１８
　　　　　　
０≦ｄ≦　５
　　　
０．０１≦ｅ＜　５
　
で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が１３．０ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする磁性部品。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、軟磁性合金
薄帯又は薄膜
　　　【０００２】
　【従来の技術】
　従来から、スイッチングレギュレータなどの高周波で使用する磁心としては、パーマロイ、フェライトなどの結晶質材料が使用されている。しかしながら、パーマロイは比抵抗が小さいので高周波での鉄損が大きくなるという欠点を有している。
　　　【０００３】
　また、フェライトは高周波での鉄損は小さいが、飽和磁束密度もせいぜい５ｋＧと低く、そのため、大きな磁束密度での使用時にあっては飽和に近くなり、その結果鉄損が増大するという欠点を有している。近年、スイッチングレギュレータに使用される電源トランス、平滑チョークコイル、コモンモードチョークコイルなどの高周波で使用される磁心においては、形状の小型化が望まれているが、この場合、動作磁束密度の増大が必要となるため、フェライトの鉄損の増大は実用上大きな問題となっている。
　　　【０００４】
　このため、結晶構造を持たない非晶質磁性合金が高透磁率、低保磁力など優れた軟磁気特性を示すので最近注目を集め、一部実用化されている。これらの非晶質合金は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどを基本としてＳｉ、Ｐ、Ｂ、Ｃ、Ａｌなどを包含するものである。
　　　【０００５】
　しかしながら、これらの非晶質合金の全てが高周波領域で鉄損が小さいというわけではない。例えばＦｅ基非晶質合金は安価であり、５０〜６０Ｈｚの低周波領域ではケイ素鋼の約１／４という非常に小さい鉄損を示すが、１０〜５０ｋＨｚという高周波領域においては著しく大きな鉄損を示し、とてもスイッチングレギュレータなどの高周波領域での使用に適合するものではない。このため、これを改善するために、Ｆｅの一部をＮｂ、Ｍｏ、Ｃｒなどの非磁性金属で置換することにより低磁歪化し、低鉄損、高透磁率を図っている。しかし、例えば樹脂モールド時の樹脂の硬化収縮などによる磁気特性の劣化が比較的大きく、高周波領域で用いられる軟磁性材料としては十分な特性を得られるに至っていな
い
　　　【０００６】
　一方、Ｃｏ基非晶質合金は、高周波領域で低鉄損、高角形比が得られるために可飽和リアクトルなどの電子機器用磁性部品に実用化されているが、コストが比較的高いものである。
　　　【０００７】
　また、オーディオ，ビデオあるいはコンピュータなど記憶装置における磁気記録は、近年の高密度化に伴い、磁気記録媒体の高保磁力化が進んでおり、これに対応できる磁気ヘッド材として高飽和磁束密度材の開発が望まれている。現在は、この材料として、フェライト，パーマロイ，センダスト，Ｃｏ基非晶質合金等が用いられている。
　　　【０００８】
　ここでフェライトは耐摩耗性良好であるが飽和磁束密度がせいぜい５ｋＧと低く、パーマロイは飽和磁束密度が８ｋＧ程度でありまだ十分とはいえず耐摩耗性にも課題が残されている。また、センダストにおいては軟磁気特性が最も優れている組成において飽和磁束密度が１０ｋＧ程度であり、Ｃｏ基非晶質合金はＣｏＮｂＺｒ系の合金で窒化させることにより１２〜１３ｋＧまで飽和磁束密度を高めることができる。しかし、これらの合金
に
　　　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　以上に述べたように、Ｆｅ基非晶質合金は安価な軟磁性材料でありながら磁歪が比較的大きく、Ｃｏ基非晶質合金に比べ鉄損、透磁率とも劣っており、高周波領域における用途には問題があった。
　　　【００１０】
　一方、Ｃｏ基非晶質合金は磁気特性は良好であるものの、素材の値段が高いため工業上有利ではなかった。
　　　【００１１】
　したがって本発明は、上記問題点に鑑み、高周波領域において高飽和磁束密度で優れた磁気特性を有する軟磁性合金
薄帯又は薄膜
　　　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の第１の発明の磁性部品は、一般式；
ＴａＭｂＭ’ｃＭ”ｄＹｅ
以上
Ｙ；Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以上
）
微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が１３．０ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を
　　　【００１３】
　また、本発明の第２の発明の磁性部品は、
一般式；ＴａＭｂＭ’ｃＭ”ｄＹｅ（Ｔ；Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ；Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ’；Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選ばれる少なくとも１種以上、Ｍ”；Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ａｌから選ばれる少なくとも１種以上、Ｙ；Ｓｉ、Ｂから選ばれる１種、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００（原子％）、０．０１≦ｂ≦５（原子％）、３≦ｃ≦１８（原子％）、０≦ｄ≦５（原子％）、０．０１≦ｅ＜５（原子％）、）で表され、微細結晶粒を有し、該微細結晶粒は合金中に面積比で３０％以上存在し、その中で結晶粒径５０〜３００Åの結晶が８０％以上存在し、飽和磁束密度が１３．０ｋＧ以上とする高飽和磁束密度で優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金薄帯又は薄膜を用いてなることを特徴とする。
　　　【００１４】
　　　【００１５】
　　　【００１６】
　上記構成により、高周波領域において高飽和密度で、優れた軟磁気特性を有する軟磁性合金を使用した、優れた磁気特性を有する磁性部品を得ることができる。
　　　【００１７】
　【発明の実施の形態】
　本発明の磁性部品に使用される軟磁性合金の組成限定理由および微細結晶粒の限定理由について説明する。
　　　【００１８】
　Ｍは、耐食性を高め、結晶粒の粗大化を防ぐと共に、鉄損、透磁率などの軟磁気特性を改善するのに有効な元素である。
　　　【００１９】
　しかし、あまりその量が少ないと含有の効果が得られず、逆にあまりその量が多いと磁気特性の劣化を生じるために、その量を０．０１〜５原子％とした。好ましくは０．０２〜４．５原子％、より好ましくは０．５〜４原子％である。また、Ｍの中でもＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｓｎが軟磁気特性改善のために好ましい。なお、この中でＣｕの含有率が３原子％以上になると合金が脆くなるため、Ｃｕが含有される場合のＣｕのみの含有量は０．０１原子％以上、３原子％未満とすることが好ましい。
　　　【００２０】
　Ｍ’は超急冷による非結晶質化および結晶粒径の均一化に有効であると共に、磁歪および磁気異方性を低減させ軟磁性特性の改善、さらには温度変化に対する磁気特性の改善に有効な元素である。
　　　【００２１】
　しかし、その量があまり少ないと非結晶質化がなされず添加の効果がなく、逆にその量があまり多いと同様に非結晶質化がなされず、さらに飽和磁束密度が低下するため、その量を３〜１８原子％とした。好ましくは５〜１２原子％である。
　　　【００２２】
　Ｍ”はＭ’と同様に結晶粒径の均一化に有効であると共に、磁歪および磁気異方性を低減させ軟磁気特性の改善、さらには温度変化に対する磁気特性の改善に有効な元素である。
　　　【００２３】
　しかし、その量があまり多いと非結晶質化がなされず、さらに飽和磁束密度が低下するため、その量を５原子％以下とした。好ましくは４原子％以下である。
　　　【００２４】
　ここで、Ｍ”における各含有元素は上記効果と共に、さらにそれぞれ次のような効果を有している。まず、Ｔｉは最適磁気特性を得るための熱処理条件の範囲の拡大、Ｖ、Ｔａ、Ｍｎは耐脆化性の向上および切断などの加工性の向上、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗは耐食性の向上および表面性の向上、Ａｌは結晶粒の微細化と共に磁気異方性の低減に有効であり、これにより磁歪、軟磁気特性の改善などの効果を有している。特に低鉄損化にはＴｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗが好ましい。
　　　【００２５】
　Ｙは製造時における合金の非結晶化を助長する元素であり、結晶化温度の改善ができ、磁気特性向上のための熱処理に対して有効である。
　　　【００２６】
　しかし、その量があまり多いと飽和磁束密度が低下するため、その量を１５原子％以下とした。
ただし、Ｙ元素としてＳｉまたはＢを選択する場合、その含有量は５原子％未満にする。Ｙ元素の中で、
なお、本発明の第１の発明の磁性部品においてＹ元素はＰ、Ｃの１種のみまたは２種のみからなり、第２の発明の磁性部品においてはＳｉまたはＢの１種のみからなるものとする。
　　　【００２７】
　また、Ｔにおいて、Ｆｅを主成分とする場合には、Ｃｏ，Ｎｉの量は２０原子％以下が好ましい。
　　　【００２８】
　上記、本発明に使用される軟磁性合金の製造方法は、例えば液体急冷法により非晶質合金薄帯を得た後、アトマイズ法などにより急冷粉末を得た後、あるいは通常使用されているスパッタ法，蒸着法などにより同様の特性を有する非晶質合金薄帯を得た後、前記非晶質合金の結晶化温度に対し、−５０〜＋１２０℃、好ましくは−３０〜＋１００℃の温度で１分〜１０時間、好ましくは１０分〜５時間の熱処理を行い、意図する微細結晶粒を析出させる方法などにより得ることが可能となる。
　　　【００２９】
　ここで、非晶質合金薄膜を得るための製造方法の一例として、イオンビームスパッタ法による製造方法について説明する。
　　　【００３０】
　まず、所望の合金を真空高周波溶解法などを用いて作成し、これを所定の形状に加工した後、バッキングプレートに接着してターゲットを製造する。このターゲットをスパッタ装置の所定位置に固定し、１×１０−４Ｔｏｒｒ以上の真空度まで排気した後、Ａｒガスを導入して基板とターゲット間に電圧をかけて、ターゲットにＡｒイオンを衝突させてスパッタし、基板上に堆積させる。
　　　【００３１】
　なお、積層膜を作成する場合には、例えば別に用意した絶縁層となるＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮなどのターゲットを用いてスパッタし、非晶質合金薄膜と交互に積層させればよい。この際の絶縁層の厚さは５〜１００オングストローム程度が好ましく、さらには１０〜５０オングストロームが好ましい。
　　　【００３２】
　次に、本発明に使用される軟磁性合金の微細結晶粒について述べる。
　　　【００３３】
　本発明に使用される合金中において、あまり微細結晶粒が少ないと、すなわち非晶質相があまり多いと鉄損が大きく、透磁率が低く、磁歪が大きく、樹脂モールドによる磁気特性の劣化が増大するため、合金中の微細結晶粒は面積比３０％以上存在することが好ましい。より好ましくは４０％以上、新に好ましくは５０％以上である。
　　　【００３４】
　さらに、上記微細結晶粒中においても結晶粒径があまり小さいと磁気の改善が図れず、逆に結晶粒径があまり大きいと磁気特性の劣化が発生するために、上記微細結晶粒中においても、結晶粒径５０〜３００オングストロームの結晶が８０％以上存在することが好ましい。
　　　【００３５】
　本発明の磁性部品は、例えば磁気ヘッド，薄膜ヘッド，大電力用を含む高周波トランス，可飽和リアクトル，コモンモードチョークコイル，ノーマルモードチョークコイル，高電圧パルス用ノイズフィルタ，レーザ電源等に用いられる磁心，電流センサ，方位センサ，セキュリティーセンサー，トルクセンサーなどの各種センサー用の磁性材料など、磁性部品として優れた特性を有している。
　　　【００３６】
　【実施例】
　
表１
　　　【００３７】
　また比較として、前記巻同体の磁心に各結晶化温度（昇温速度１０ｄｅｇ／ｍｉｎで測定）より約７０℃低い温度で約５０分間の熱処理を行った非晶質状態の磁心を作成し、同様に測定に供した。さらに比較として、パーマロイとセンダストとを用いた磁心についても、同様に測定に供した。
　　　【００３８】
　得られた磁心を構成する薄帯中の微細結晶粒の割合と、その中での５０〜３００オングストロームの微細結晶粒の割合をそれぞれＡ、Ｂ（％）として、併せて第１表に示す。
　　　【００３９】
　さらに、本発明の微細結晶粒が存在する磁心と、比較として示した微細結晶粒が存在しない磁心について、それぞれ５個ずつ用い、Ｂ＝３ｋＧ、ｆ＝５０ｋＨｚでの熱処理後の鉄損と、磁歪、１ｋＨｚ、２ｍＯｅでの透磁率、飽和磁束密度とを併せて第１表に示す。
　　　【００４０】
　
【表１】
　　　【００４１】
上記
表１
　　　【００４２】
　また、これらの磁心をエポキシ系樹脂により含浸硬化を行ったところ、本発明の微細結晶粒を有する磁心の鉄損も増大はいずれも５％以下であり、良好な直答性を保持しているが、比較として示した合金および非晶質合金薄帯を用いた磁心の鉄損の増大は３倍程度となり、本発明との差が一層顕著となった。
　　　【００４３】
　さらに本発明の他の実施例として、表
２〜４
４〜２２，３５〜４３，４４〜４６
　　　【００４４】
　さらに本発明の他の実施例として、表
２〜３
２３〜２７，２８〜３４
　　　【００４５】
　さらに他の実施例として、イオンビームスパッタ装置を使用し表４に示した試料
４７〜４９
　　　【００４６】
　上記トロイダル磁心および薄膜に対し、各材料の第１発熱ピークから得られる結晶化温度（昇温速度１０ｄｅｇ／ｍｉｎで測定）の８０℃上で約２時間の熱処理を行い、測定に供した。これらの磁心に対し、トロイダル磁心の場合は、１ｋＨｚ，２ｍＯｅの初透磁率（μ’１ｋＨｚ）、１００ｋＨｚ，２ｋＧの鉄損（Ｐ１００ｋＨｚ／２ｋＧ（ｍＷ／ｃｃ））および飽和磁化（４πＭｓ（ｋＧ））をインピーダンスアナライザ，Ｕ関数計，試料振動型磁力計を用いて、また薄膜の場合は、１ＭＨｚ，２ｍＯｅの初透磁率（μ’１ｋＨｚ）および飽和磁化（４πＭｓ（ｋＧ））をインピーダンスアナライザ，試料振動型磁力計を用いて測定した。
　　　【００４７】
　
【表２】
　　　【００４８】
　
【表３】
　　　【００４９】
　
【表４】
上記表
２〜４
　　　【００５０】
　【発明の効果】
　本発明は、所望の合金組成において、微結晶粒を設けた軟磁性合金を高周波領域において高飽和磁束密度で、優れた磁気特性を有する磁性部品を提供することができる。