【事件の表示】
　特許第２７２７４４４号「光走査装置」の特許に対する特許異議の
申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７２７４４４号の特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２７２７４４４号は平成１年１月９日に出願され、平成９年１２月１２日に設定登録され、その後、旭光学工業株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１月２５日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年４月１９日に訂正請求の補正がなされたものである。
（２）訂正請求の補正についての判断
　訂正請求の補正の内容は、特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１、「半導体レーザダイオードからの光束を光偏向器により偏向し結像光学系により受光面上に集光し光走査する光走査装置において、走査方向の共役点が受光面上と半導体レーザダイオードの発光点にあり、半導体レーザダイオードの波長が以下の関係式を満たすことを特徴とする光走査装置。
　Ｗ／（λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ）＞２（β２ｌ＋α）／（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）、
　２（β２ｌ＋α）＜（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）
Ｗ：高精細面像として要求される受光面上に集光する光束直径（点像強度がピーク強度に対して１／ｅ２どなる直径）、
λ：半導体レーザの波長、
ｋ：比例定数２．０５、
ＦＮＯｅｒ：受光面上に集光される光束の有効Ｆナンバー、
β：結像光学系による半導体レーザ側の共役点に対する受光面側の共役点の横倍率、
ｌ：結像光学系による半導体レーザ側の共役点の環境・時間変動による光軸方向移動量、
α：結後光学系による受光面側の共役点の理境・時間変動による光軸方向移動量、
γ：結像光学系により受光面上に集光走査されるレーザビームウェストの像面湾曲量」
を、
「半導体レーザダイオードからの光束を光偏向器により偏向し結像光学系により受光面上に集光し光走査する光走査装置において、走査方向の共役点が受光面上と半導体レーザダイオードの発光点にあり、半導体レーザダイオードの波長が以下の関係式を満たすことを特徴とする光走査装置。
　Ｗ／（λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ）＞２（β２ｌ＋α）／（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）、
　２（β２ｌ＋α）＜（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）
　λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ＜Ｗ
ｗ：高精細面像として要求される受光面上に集光する光束直径（点像強度がピーク強度に対して１／ｅ２となる直径）、
λ：半導体レーザの波長、
ｋ：比例定数２．０５、
ＦＮＯｅｒ：受光面上に集光される光束の有効Ｆナンバー、
β：結像光学系による半導体レーザ側の共役点に対する受光面側の共役点の横倍率、
ｌ：結像光学系による半導体レーザ側の共役点の環境・時間変動による光軸方向移動量、
α：結後光学系による受光面側の共役点の理境・時間変動による光軸方向移動量、
γ：結像光学系により受光面上に集光走査されるレーザビームウェストの像面湾曲量」
と補正し、明細書の記載もこれに合わせて補正するものであり、訂正請求の補正の要件を満足するので、これを認める。
（３）訂正の適否についての判断
▲１▼訂正の内容
　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の
　「半導体レーザダイオードからの光束を光偏向器により偏向し結像光学系により受光面上に集光し光走査する光走査装置において、走査方向の共役点が受光面上と半導体レーザダイオードの発光点にあり、半導体レーザダイオードの波長が以下の関係式を満たすことを特徴とする光走査装置。
Ｗ：高精細面像として要求される受光面上に集光する光束直径（点像強度がピーク強度に対して１／ｅ２となる直径）、
λ：半導体レーザの波長、
ｋ：比例定数２．０５、
ＦＮＯｅｒ：受光面上に集光される光束の有効Ｆナンバー、
β：結像光学系による半導体レーザ側の共役点に対する受光面側の共役点の横倍率、
ｌ：結像光学系による半導体レーザ側の共役点の環境・時間変動による光軸方向移動量、
α：結後光学系による受光面側の共役点の理境・時間変動による光軸方向移動量、
γ：結像光学系により受光面上に集光走査されるレーザビームウェストの像面湾曲量」
を、上記（２）に記載したように訂正し、明細書については、明細書の記載を特許請求の範囲の記載と合致させるため、不明瞭な記載の釈明を目的として、その他不明瞭な記載の釈明及び誤記の訂正を目的として、明細書を訂正するものである。
▲２▼訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許請求の範囲の訂正は、条件式
２（β２ｌ＋α）＜（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）
λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ＜Ｗ
を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当し、明細書の訂正は不明瞭な記載の釈明及び誤記の訂正を目的としており、共に、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　また、取消理由通知は、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項第２号の規定に違反してなされたものである、というものであったが、上記訂正の結果、該取消理由は解消されたので、訂正後の発明を特許出願の際独立して特許を受けることができないものである、とすることはできない。
▲３▼結論
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（４）特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許第２７２７４４４号の請求項１に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認める。
（特許異議申立人の主張の概要）
　これに対して、特許異議申立人旭光学工業株式会社は、甲第１号証として「写真工業」昭和５９年２月号第４２巻第２号、昭和５９年２月１日発行、写真工業出版社、第１０１頁〜第１０５頁、を提示して、本件出願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない、旨主張している。
（証拠の記載）
　甲第１号証には、
「スポットサイズωとビームウェストω０は次の関係を有する。
ここで、・・・ｘはビームスポットとビームウェストの各位置間の距離であり、λはレーザー光の波長である。」（第１０１頁左欄第１２行〜第１７行）、
「ビームウェスト径は
　ω０＝ｋλＦ
で表される。ここで、ｋはｔｒｕｎｃａｔｉｏｎの比率により決まる定数であり、Ｆは・・・ビームをｔｒｕｎｃａｔｅするアパーチュアの直径ａとレンズの焦点距離ｆによって決まる光学系のＦナンバー」（第１０１頁右欄第７行〜第１３行）と記載されている。
（当審の判断）
　特許異議申立人の主張は、請求項１の記載によれば、２（β２ｌ＋α）＞２ＦＮＯｅｒＷ−γになる場合をも許容するので、請求項１は発明の構成に欠くことのできない構成を記載していない、というものである。
　ところで、請求項１は上記の如く訂正されて、２（β２ｌ＋α）＜（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）であることが明示されたので、特許異議申立人の主張の根拠はなくなった。
　なお、特許異議申立人は、上記のような訂正がなされても、レーザー波長は、該条件式によっては選定されないから、請求項１には、本件特許の課題を解決するための手段が提示できていない、旨主張している。
　しかしながら、訂正後の請求項１では、
　２（β２ｌ＋α）＜（２ＦＮＯｅｒγ）
　λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ＜Ｗ
の２つの条件式が追加されており、１番目の条件式は、レーザー波長を含まず、Ｆナンバーの範囲が選択されるのみであるが、２番目の条件式には、レーザー波長が包含されており、１番目の条件式を満足するＦナンバーに対して、波長λを適宜選択することにより、２番目の条件式を満足させることが可能であるから、訂正後の請求項１の記載によれば、レーザの波長を選択することにより、本願発明の課題を解決することができるものと認められ、特許異議申立人の主張は採用できない。
（むすび）
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月２９日（１９９９．６．２９）
【訂正の要旨】
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の１減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１、
「半導体レーザダイオードからの光束を光偏向器により偏向し結像光学系により受光面上に集光し光走査する光走査装置において、走査方向の共役点が受光面上と半導体レーザダイオードの発光点にあり、半導体レーザダイオードの波長が以下の関係式を満たすことを特徴とする光走査装置。
　
Ｗ：高精細面像として要求される受光面上に集光する光束直径（点像強度がピーク強度に対して１／ｅ２となる直径）、
λ：半導体レーザの波長、
ｋ：比例定数２．０５、
ＦＮＯｅｒ：受光面上に集光される光束の有効Ｆナンバー、
β：結像光学系による半導体レーザ側の共役点に対する受光面側の共役点の横倍率、
ｌ：結像光学系による半導体レーザ側の共役点の環境・時間変動による光軸方向移動量、
α：結後光学系による受光面側の共役点の理境・時間変動による光軸方向移動量、
γ：結像光学系により受光面上に集光走査されるレーザビームウェストの像面湾曲量」
を、
「半導体レーザダイオードからの光束を光偏向器により偏向し結像光学系により受光面上に集光し光走査する光走査装置において、走査方向の共役点が受光面上と半導体レーザダイオードの発光点にあり、半導体レーザダイオードの波長が以下の関係式を満たすことを特徴とする光走査装置。
　Ｗ／（λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ）＞２（β２ｌ＋α）／（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）、
　２（β２ｌ＋α）＜（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）
　λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ＜Ｗ
Ｗ：高精細面像として要求される受光面上に集光する光束直径（点像強度がピーク強度に対して１／ｅ２となる直径）、
λ：半導体レーザの波長、
ｋ：比例定数２．０５、
ＦＮＯｅｒ：受光面上に集光される光束の有効Ｆナンバー、
β：結像光学系による半導体レーザ側の共役点に対する受光面側の共役点の横倍率、
ｌ：結像光学系による半導体レーザ側の共役点の環境・時間変動による光軸方向移動量、
α：結後光学系による受光面側の共役点の理境・時間変動による光軸方向移動量、
γ：結像光学系により受光面上に集光走査されるレーザビームウェストの像面湾曲量」と訂正する。
２．訂正事項２
　明細書の記載を特許請求の範囲の記載と整合させるため、不明りょうな記載の釈明を目的として、明細書第５頁第３行〜第４行の、
「Ｗ／（λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ）＞２（β２ｌ＋α）／（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）」
の次に、
「２（β２ｌ＋α）＜（２ＦＮＯｅｒＷ−γ）
　λ・ｋ・ＦＮＯｅｒ＜Ｗ」
を追加する訂正を行う。
３．訂正事項３
　不明りょうな記載の釈明を目的として、明細書第７頁第８行〜第１１行の、「（光走査光学系の有効ＦＮＯを選定しようとすると２ＦＮＯｅｒＷ−γも同時に変動してしまうため解が存在しない場合が生じる）」
を、
「（光走査光学系の有効ＦＮＯは、波長λと光束直径Ｗ０より求まる。つまり、光走査光学系の有効ＦＮＯは、波長λに依存する。そのため、波長λを変化させて光走査光学系の有効ＦＮＯを設定しようとすると２ＦＮＯｅｒＷ−γも同時に変動してしまうため解が存在しない場合が生じる）」
と訂正する。
４．訂正事項４
　誤記の訂正を目的として、明細書第１０頁第１７行の、
「Ｇ」を、「Ｃ１｝と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光走査装置
（５７）【特許請求の範囲】
　１．半導体レーザダイオードからの光束を光偏向器により偏向し結像光学系により受光面上に集光し光走査する光走査装置において、走査方向の共役点が受光面上と半導体レーザダイオードの発光点にあり、半導体レーザダイオードの波長が以下の関係式を満たすことを特徴とする光走査装置。
Ｗ：高精細画像として要求される受光面上に集光する光束直径（点像強度がピーク強度に対して１／ｅ２となる直径），
λ：半導体レーザの波長，
ｋ：比例定数２．０５，
ＦＮＯｅｆ：受光面上に集光される光束の有効Ｆナンバー，
β：結像光学系による半導体レーザ側の共役点に対する受光面側の共役点の横倍率，
ｌ：結像光学系による半導体レーザ側の共役点の環境・時間変動による光軸方向移動量，
α：結像光学系による受光面側の共役点の環境・時間変動による光軸方向移動量，
γ：結像光学系により受光面上に集光走査されるレーザビームウエストの像面湾曲量
【発明の詳細な説明】
　　［産業上の利用分野］
　本発明は、電子写真プロセスを有し高精細画像出力を要求されるレーザビームプリンタやレーザビーム複写装置などに使用される光走査装置、すなわち半導体レーザからの光束や桔像光学系により受光面上に集光走査する光走査装置に関する。
　　［従来の技術］
　従来、上記の様なレーザビームプリンタやレーザビーム複写装置などにおいて、半導体レーザから受光面ないし被照射体面までの光路長を、環境変動、経時ないし時間変動に対して、極力不変に保とうとする方法として、次の如きものが知られている。
　１つは、半導体レーザやこのレーザからの光をコリメートするコリメータレンズを支持する支持体を線膨張係数の小さな金属で形成して、半導体レーザの発光点とコリメータレンズ間の距離を環境変動などに対し不変に保とうとするものである。他の１つは、定期的に半導体レーザ装置の調整を行い画像補正を行なうものである。
　　［発明が解決しようとしている課題］
　しかし、これらの方法においては、部材が高価になるとか、メンテナンスの手間がかかるとかの不都合が避けられないのが現状であり、更に受光面での集光ビーム径ないし光束直径が常に充分に仕様を満足することは完全に保証できないという難点もある。
　これに対し、受光面相当の位置で集光ビーム径を検知し、これに基づいて光走査装置側で、レンズ系をアクチュエートして受光面を集光ビームの集点深度域内に収める動作を随時行なうオートフォーカス機構を用いた光走査装置が提案されている。
しかし、こうした従来例においても、装置が必然的に複雑になり且つ高価になってしまうという欠点がある。
　従って、本発明の目的は、上記の欠点を解決すべく、環境変動や時間変動により変動する受光面と光学装置の結像面間の光路差が、要求される高精細画像に対応した焦点深度域内に含まれるように半導体レーザの波長を選定し所定の関係式を満たすように構成した光走査装置を提供することにある。
　　［課題を解決するための手段］
　上記の目的を達成する為に、半導体レーザからの光束を結像光学系により受光面上に結像する本発明の光走査装置においては、以下の関係式を満たすように諸要素を構成して、組立時一度の調整のみで、メンテナンスの必要性や装置の複雑化ないし高価格化を回避している。
Ｗ：高精細画像として要求される受光面上に集光する光束直径（点像強度がピーク強度に対して１／ｅ２となる直径），
λ：半導体レーザの波長，
ｋ：比例定数２．０５，
ＦＮＯｅｆ：受光面上に集光される光束の有効Ｆナンバー，
β：結像光学系による半導体レーザ側の共役点に対する受光面側の共役点の横倍率，
ｌ：結像光学系による半導体レーザ側の共役点の環境・時間変動による、光軸方向の移動量，
α：結像光学系による受光面側の共役点の環境・時間変動による、光軸方向の移動量，
γ：結像光学系により受光面上に集光走査されるレーザビームウエストの像面湾曲量。
　　［作用］
　上記の関係式においで、２（β２ｌ＋α）は環境・時間変動による光走査面の光軸方向相対移動（受光面それ自体の変動のみでなく半導体レーザの発光点の変動や、コリメータレンズの焦点距離変動をも考慮したもの）の量を意味し、２ＦＮＯｅｆＷ−γは光束の像の像面湾曲をも考慮した光走査面の焦点深度を意味する。
　従って、本発明の基本的な考えは、
の関係式からわかるように、λ・ｋ・ＦＮＯｅｆ＝Ｗ０である、レーザ波長と光走査光学系の有効Ｆ跪により決まる点像強度分布のピーク強度に対する１／ｅ２の直径、即ち、集光ビーム径の光走査面上の最小値が、高精細画像として要求される点像強度分布のピーク強度に対する１／ｅ２の直径Ｗに対して、環境・時間変動による光走査像面の光軸方向移動量２（β２ｌ＋α）より、光走査面側の焦点深度２ＦＮＯｅｆＷ−γが大きくなるように設定することで上記関係式を満たすようにすることで、これを行なうためにレーザ波長λを選定することである。（
光走査光学系の有効ＦＮＯは、波長γと光束直径Ｗ０より求まる。つまり、光走査光学系の有効ＦＮＯは波長λに依存する。そのため、波長λを変化させて光走査光学系の有効ＦＮＯを設定しようとすると２ＦＮＯｅｆＷ−γも同時に変化してしまうため解が存在しない場合が生じる
　　［実施例］
　第１図は、本発明の一実施例の概略を示す。同図において、半導体レーザ１から発振された光束はコリメータレンズ２によって平行光束に変換される。この平行光束は、走査光束の形成する走査面に垂直な副走査方向にのみパワーを有するシリンドリカルレンズ３により、副走査方向にのみポリゴンミラー５の反射鏡面５ａに集光され主走査方向（走査面内にあって副走査方向に直角な方向）においては平行光束のまま、線状光束となって反射鏡面５ａに入射する。ここで、ミラー５の回転に伴って線状光束は偏向走査される。第１図では、反射鏡面５ａの３つの位置で光束が偏向される様子が示されている。偏向後、主走査方向にｆ・θ特性（理想像高が焦点距離ｆと光束入射角度θの積で与えられる特性）を有し副走査方向において受光面１０と反射鏡面５ａ近傍とに共役点を持つアナモフィックな集光レンズ６、７、８により、光束は受光面１０上に絞り込まれ受光面１０上で光走査する。第１図中、ポリゴンミラー５と集光レンズ６、７、８の間、及びこの集光レンズ６、７、８と受光面１０の間には、夫々、平板窓ガラス４、９が配置されている。
　先ず、こうした構成において、半導体レーザ１の波長に注目してこれが上記の関係式を満たさない場合を、本発明と対比的な意味で、説明する。
　半導体レーザ１の波長が７８０ｎｍであるとき、高精細画像、例えば６００ｄｐｉ（１インチ当たりのドット数）相当の出力を提供しようとすると、受光面１０上のレーザ光束の強度分布がピーク強度に対し１／ｅ２である幅を経験則にて４５μｍ程度に絞り込む必要がある。この光束直径を走査全域で確保するためには、光束直径を最小値で４０μｍ程度（１／ｅ２幅）に設定する必要がある。この最小光束直径から、受光面１０に入射するレーザ光束の有効ＦナンバーＦＮＯｅｆは平面波にて３０程度、半導体レーザ１からのガウシアンビームを用いる場合、絞りによる光束規制による通過光束端部の強度により若干変化するが、約２８石程度である必要がある（前述のようにレーザ波長は７８０ｎｍである）。
　この有効Ｆナンバーより、回折によるビームウエストの長さが決まってくる。つまり、レーザ波長が７８０ｎｍで、有効Ｆナンバーが２８．５であるとき、１／ｅ２幅の光束直径が４５μｍ以下の焦点深度は１光束（１つの面角）にて２．２ｍｍ程度となり、更にアナモフィック集光レンズ（ｆ・θレンズ）の像面湾曲が半画角３０度にて±０．３ｍｍ程度のレンズ系を用いると走査全域での焦点深度は１．４ｍｍとなってしまう。
　この様子が第２図に示されている。第２図（ａ）において、Ｗ１はビームウエストであり、θ１は光束の有効Ｆナンバーに関係する角度である。また、第２図（ｂ）において、Ａ１は走査面であり、Ａ１′とＡ１″は走査面の環境・時間変動による相対変動の範囲を示し、Ｂ１は光走査光学系のベスト像面（像面湾曲を伴う）、Ｂ１′とＢ１″は１／ｅ２幅の光束直径４５μｍの焦点深度を示し、更に
Ｃ１
　これに対し、本実施例では次のように設定されている。
　半導体レーザ１の波長を６８０ｎｍ又は６７０ｎｍとし、この場合、１／ｅ２幅の光束直径を走査全域で４５μｍ以下とするために光束の有効Ｆナンバーは３３となり（同じ径を実現するために、波長が短くなればそれにおよそ反比例してＦナンバーは大きくてよい）、そのときの焦点深度は１光束にて２．３ｍｍ程度で、前記と同様の理由にて走査全域での焦点深度は１．７ｍｍとなる。
　一方、走査面１０の環境・時間による相対変動の範囲は次のようになる。
　光走査装置や走査面の架体の熱膨張と受光面の可動変位により受光面１０は約±０．１ｍｍの環境・時間変動を起こし、光学部材の環境温度変化（０℃〜６０℃）による焦点距離変動によりピント（ビームウエスト）の移動が約±０．２ｍｍとなり、コリメータレンズ２側のレーザ発光部のピント移動が環境温度変化で±０．００２ｍｍ（ｌ）あるとコリメータレンズ２の焦点距離を２０ｍｍ程度、結像光学系６、７、８の焦点距離を３００ｍｍ程度として縦倍率（横倍率βの２乗）が、２２５倍（＝（３００／２０）２倍）となって受光面１０上でのピントの移動が約±０．４５ｍｍとなり、変動要素を合計すると約±０．７５ｍｍとなる。これはレンジで１．５ｍｍとなり、第２図の対比例では焦点深度Ｃ１（１．４ｍｍ）を越えてしまうが本実施例では第３図に示すように焦点深度Ｃ２（１．７ｍｍ）内に収まる。
　尚、第３図（ａ）、（ｂ）では、第２図の各符号のサフィックス１が２になっているが、各符号は同様なものを指示する。
　この様にして、本実施例では、レーザ波長を短波長化して、環境・時間変動があっても常に高構細画像出力が維持できることになる。
　　［発明の効果］
　以上の構成により、本発明においては、メインテナンスや装置の複雑化を招来することなく、組立時の調整のみで高精細画像出力が維持される。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図（ａ）は対比例に関して所定の光束直径を生成したときのビームウエストを示す図、第２図（ｂ）はこの対比例に関して像面湾曲、所定光束直径の焦点深度、走査面相対変動を説明する図、第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例に関する第２図（ａ）、（ｂ）と同様な図である。
　１・・・・半導体レーザ、２・・・・コリメータレンズ、３・・・・シリンドリカルレンズ、５……ポリゴンミラー、６、７、８・・・・アナモフィック集光レンズ、１０・・・・走査面