【事件の表示】
　特許第２８９０３９２号「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８９０３９２号の請求項１及び２に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2,890,392号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願（特願平6−269279）平成６年１１月２日
　特許権設定登録　　　　　　平成１１年２月２６日
　公報発行日　　　　　　　　平成１１年５月１０日
　異議の申立て　　　　　　　平成１１年１１月１０日
　訂正請求　　　　　　　　　平成１２年５月２日
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の目的の適否等について
　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項1において、「発光層を構成するIII−V族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、発光層でない層に少なくとも一層以上形成されている」を「発光層を構成するIII−V族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、インジウムを含むIII−V族窒化物半導体よりなり、発光層でない層に少なくとも一層以上形成され、前記バンドギャップの小さい層に電極が形成されている」と訂正することは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項２
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項3を削除する。
　訂正事項３
　明細書の段落【0006】において、「さらに発光層を構成するIII−V族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、発光層でない層に少なくとも一層以上形成されている」を「さらに発光層を構成するIII−V族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、インジウムを含むIII−V族窒化物半導体よりなり、発光層でない層に少なくとも一層以上形成され、前記バンドギャップの小さい層に電極が形成されている」と訂正することは、上記訂正事項１の訂正と整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項４
　明細書の段落【0008】において、「さらに好ましい態様として、」を「本発明によれば、」と訂正することは、上記訂正事項１の訂正と整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項５
　明細書の段落【0023】において、「以上説明したように、本発明によると、」の後に「発光層よりもバンドギャップの小さい層に電極を形成するので、電極材料とそのバンドギャップの小さいIII−V族窒化物半導体層とがオーミックが取りやすくなり発光素子の効率を向上させるだけでなく、」を追加することは、上記訂正事項１の訂正と整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（２）独立特許要件の判断
　（2．1）本件発明
　訂正された明細書の特許請求の範囲請求項１乃び２に記載されている事項により特定される発明（以下、それぞれ「本件第１発明」などといい、概括的に「本件発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】互いに導電型の異なるIII−V族窒化物半導体（InXAlYGal−X−YN、0≦X、0≦Y、X＋Y≦1）が積層されて発光層を備えるIII−V族窒化物半導体発光素子において、
　前記発光層がインジウムを含むIII−V 族窒化物半導体よりなり、さらに発光層を構成するIII−V族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、インジウムを含むIII−V族窒化物半導体よりなり、発光層でない層に少なくとも一層以上形成され、前記バンドギャップの小さい層に電極が形成されていることを特徴とするIII−V族窒化物半導体発光素子。
　【請求項２】前記発光素子は、発光層が第1のクラッド層と第2のクラッド層とで挟まれたダブルヘテロ構造を有しており、さらに前記発光層のIII−V族化合物半導体よりもバンドギャップの小さいIII−V族化合物半導体よりなる層が、前記第1のクラッド層および／または前記第2のクラッド層の外側に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のIII−V族窒化物半導体発光素子。」
　
　（2．2）特許法第２９条の２について
　異議申立人奥田誠の提示する甲第１号証（特開平8−97508号公報、以下「刊行物１」という。）には、Inを含む活性層よりバンドギャップの小さい層を吸収層とする発光素子が記載されているが、そのバンドギャップの小さい層を電極を形成すべきpコンタクト層とすることに関する記載はない。
　同じく甲第２号証（特開平8−213657号、以下「刊行物２」という。）には、数原子層厚のp−InGaN 層をp−GaN コンタクト層上に形成することにより、接着性を向上させることが開示されているが、p−InGaN 層と活性層とのバンドギャップの大小関係は明らかでなく、また、段落【0097】に「この場合Inを含むことにより接着面のバンドギャップは小さくなるが、膜厚が数原子層と非常に薄いため、光の吸収はほとんどおこらず、デバイス特性に影響はない。」と記載されているので、光吸収層としての機能を果たす構成は開示されていない。すなわち、上記p−InGaN層は単なる接着層であり、コンタクト層ではない。、
　同じく甲第3号証（特開平8−213653号、以下「刊行物３」という。）には、活性層よりバンドギャップの小さいGaPNよりなる層を有する発光素子が記載されているが、本件発明におけるInを含む窒化物半導体pコンタクト層に関する記載はない。
　同じく甲第4号証（特開平8−97502号、以下「刊行物４」という。）には、活性層よりバンドギャップの小さい層として、半導体レーザの電流阻止層が記載されているが、本件発明におけるInを含む窒化物半導体pコンタクト層に関する記載はない。
　同じく甲第5号証（特開平7−249795号、以下「刊行物５」という。）には、In を含む活性層よりバンドギャップの小さい層を含む発光素子が記載されているが、活性層よりバンドギャップの小さいpコンタクト層を有する発光素子に関する記載はない。
　同じく甲第6号証（特開平8−97469号、以下「刊行物６」という。）には、In を含む活性層よりバンドギャップの小さい層を含む発光素子が記載されているが、活性層よりバンドギャップの小さいpコンタクト層を有する発光素子に関する記載はない。
　以上のとおり、上記刊行物１〜６のいずれの刊行物にも、窒化物からなる発光素子において、活性層よりもバンドギャップエネルギーの小さいインジウムを含む窒化物半導体をコンタクト層とすることは記載されていない。
　したがって、本件発明は、上記刊行物１〜６に記載の発明と同一であるとはいえないので、本件特許は、特許法第29条の2の規定に違反してなされたものではない。
　
　（2．3）特許法第２９条第２項について
　異議申立人奥田誠の提示する甲第7号証（特開平5−37011号公報、以下「刊行物６」という。）には、端面発光型発光ダイオードとして内部に光吸収領域を備える発光素子が記載されている。
　同じく甲第8号証（特開平1−91467号、以下「刊行物８」という。）には、InGaAsP からなるダブルヘテロ構造の発光素子において、活性層よりもバンドギャップエネルギーの小さい層を活性層以外の層に設けることが記載されている。
　同じく甲第9号証（特開平6−196754号公報、以下「刊行物９」という。）には、InGaNを発光層とし、GaAlN をクラッド層、GaN 層をコンタクト層とする窒化物半導体発光素子が記載されている。
　同じく甲第10号証（特開平6−196754号、以下「刊行物１０」という。）には、埋め込み層が活性層よりもバンドギャップの小さい材料で構成されたスーパールミネッセントダイオードが記載されている。
　同じく甲第11号証（特開平6−97494号、以下「刊行物１１」という。）には、活性層よりバンドギャップの小さい材料で構成された電流ブロッキング層を有するGaAlAs 材料からなるスーパールミネッセントダイオードが記載されており、基板上に積層する半導体としてInGaAlP、InGaAsP、ZnCdSSeなどが使用できると記載されている。
　しかしながら、上記刊行物７〜１１のいずれの刊行物にも、窒化物からなる発光素子において、活性層よりもバンドギャップエネルギーの小さいインジウムを含む窒化物半導体をコンタクト層とすることの記載はなく示唆もない。そして、本件発明は、該要件を具備することにより、電極とのオーミック接触が得られやすくなり発光効率が向上するという格別の効果を奏するものであるので、上記刊行物７〜１１に基づいて、本件発明を当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　
　（３） この項のむすび
　以上のとおりであるので、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項において、なお従前の例によるとされる改正前の特許法第１２６条第１項ないし第３項の規定に適合するので、これを認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
　（1）特許異議申立人奥田誠は、上記刊行物１ないし１１を提示し、本件第１発明及び第２発明は、上記刊行物１ないし６に記載された発明と同一であるから特許法第２９条の２の規定により、また、上記刊行物７乃至１１に基づいて当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると主張する。
　しかしながら、上記（２）独立特許要件に記載の理由により、本件第１発明及び第２発明は、上記刊行物１ないし６に記載された発明と同一であるとも、また、刊行物７ないし１１に基づいて当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　（2）また、特許異議申立人長谷川尋海は、上記刊行物５を提示し、本件第１発明及び第２発明は、上記刊行物５に記載された発明と同一であるから特許法第２９条の２の規定により、また、本件第１発明及び第２発明では、発光についての規定がなく、主発光ピークがバンド間遷移により発光するものまで請求項に包含されるが、これは発明の詳細な説明に記載されていない事項であるので、本件特許出願は特許法第３６条第６項に違反し、特許を受けることができないものであると主張する。
　しかしながら、本件第１発明及び第２発明が上記刊行物５に記載された発明と同一でない点については、上記（２）独立特許要件に記載のとおりである。また、特許請求の範囲の記載方法に関しては、本件特許発明の目的は、明細書の段落【0005】に記載されているように、「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の発光素子は不純物によりその主発光ピークを得ているために、発光スペクトルの半値幅が広くなり、発光が白っぽく見えるという問題があった。従って本発明はこの問題を解決するため成されてもので、その目的とするところはIII−V族窒化物半導体よりなる発光素子の発光スペクトルの半値幅を小さくして色純度を上げることにある。」のであるから、本件特許の請求項に記載された窒化物半導体発光素子は、当然ながら不純物準位による主発光を有するとともにバンド間発光も有するものであり、バンド間発光のみからなる窒化物半導体発光素子ではない。したがって、本件特許の特許請求の範囲に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載された発明であり、平成５年改正特許法第３６条第５項第１号に違反するものではない。
４．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許は、特許異議申立人の提示した証拠及び理由によっては、取り消すことができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１日（２０００．６．１）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において、「発光層を構成するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、発光層でない層に少なくとも一層以上形成されている」とあるを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「発光層を構成するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、インジウムを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなり、発光層でない層に少なくとも一層以上形成され、前記バンドギャップの小さい層に電極が形成されている」と訂正する。
２．訂正事項２
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項３を削除する。
３．訂正事項３
　発明の詳細な説明の段落【０００６】において、「さらに発光層を構成するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、発光層でない層に少なくとも一層以上形成されている」とあるを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「さらに発光層を構成するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が．インジウムを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなり、発光層でない層に少なくとも一層以上形成され、前記バンドギャップの小さい層に電極が形成されている」と訂正する。
４．訂正事項４
　発明の詳細な説明の段落【０００８】において、「さらに好ましい態様としてとして、」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「本発明によれば、」と訂正する。
５．訂正事項５
　発明の詳細な説明の段落【００２３】において、明瞭でない記載の釈明を目的として、「以上説明したように、本発明によると、」の後に「発光層よりもバンドギャップの小さい層に電極を形成するので、電極材料とそのバンドギャップの小さいＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層とがオーミックが取りやすくなり発光素子の効率を向上させるだけでなく、」を追加する。
７．訂正事項７
　明瞭でない記載の釈明を目的として、請求項３を請求項２に繰り上げる。
（５４）【発明の名称】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子
（５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】　互いに導電型の異なるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が積層されて発光層を備えるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子において、
前記発光層がインジウムを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなり、さらに発光層を構成するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、
インジウムを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなり、
前記バンドギャップの小さい層に電極が形成されている
【請求項２】　前記発光素子は、発光層が第１のクラッド層と第２のクラッド層とで挟まれたダブルヘテロ構造を有しており、さらに前記発光層のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりもバンドギャップの小さいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる層が、前記第１のクラッド層および／または前記第２のクラッド層の外側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）よりなる発光素子に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体はＩｎＮが１．９５ｅＶ、ＧａＮが３．４ｅＶ、ＡｌＮが６．０ｅＶのバンドギャップエネルギーを有しており、それら窒化物の混晶ＩＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮは組成比によりバンドギャップを１．９５〜６．０ｅＶまで変化させられることから、従来より紫外、可視域の発光ダイオード（ＬＥＤ）レーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子の材料として注目されている。また最近この材料で、世界で初めて青色ＬＥＤが実現された。
　【０００３】
　現在の青色ＬＥＤに使用されている発光素子の構造を図１に示す。基本的には、サファイアよりなる基板１１の上に、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１２と、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層よりなるｎ型クラッド層１３と、Ｚｎ、ＳｉドープＩｎＧａＮよりなる活性層１４と、Ｍｇドープｐ型ＧａＡｌＮ層よりなるｐクラッド層１５と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐコンタクト層１６とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有している。通常、基板１１とｎコンタクト層１２との間にはＧａＮＡｌＮ等のバッファ層が形成されるが特に図示していない。この発光素子は活性層１４であるＺｎ、ＳｉドープＩｎＧａＮの発光により４５０ｎｍ〜５２０ｎｍの青色〜青緑色発光を示す。その発光スペクトルの一例を図２に示す。
　【０００４】
　図２のスペクトルは４５０ｎｍ付近に主発光ピークがある青色ＬＥＤを示しており、４５０ｎｍ付近の主発光ピークは不純物準位によるピークであり、３９０ｎｍ付近のピークがＩｎＧａＮのバンド問発光によるピークである。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来の発光素子は不純物によりその主発光ピークを得ているために、発光スペクトルの半値幅が広くなり、発光が白っぽく見えるという問題があった。従って本発明はこの問題を解決するため成されたもので、その目的とするところはＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなる発光素子の発光スペクトルの半値幅を小さくして色純度を上げることにある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子は、互いに導電型の異なるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が積層されて発光層を備えるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子において、
前記発光層がインジウムを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなり、さらに発光層を構成するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりもバンドギャップの小さい層が、
インジウムを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなり、
前記バンドギャップの小さい層に電極が形成されている
　【０００７】
また、本発明の発光素子の好ましい態様としては、発光層が第１の主面と第２の主面を有していると共に、インジウムを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなる活性層であり、その活性層の主面が第１のクラッド層と第２のクラッド層とで挟まれたダブルヘテロ構造であり、さらに前記発光層のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりもバンドギャップの小さいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる層が、前記第１のクラッド層および／または前記第２のクラッド層の外側に形成されている発光素子である。
　【０００８】
　
本発明によれば
　【０００９】
　【作用】
　通常、ダブルヘテロ構造のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体では、活性層はその活性層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有するクラッド層で挟まれる。本発明では、その活性層よりも小さいバンドギャップエネルギーを有する層をクラッド層の外側に形成することにより、バンドギャップの小さい層が、そのバンドギャップよりも大きいバンドギャップ層よりの発光の一部を吸収する。つまり、図２のスペクトルで、活性層のＩｎＧａＮのバンドギャップよりも、小さいバンドギャップを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層（例えば４４０ｎｍに合致するＩｎの組成比を有するＩｎＧａＮ）をクラッド層の外側に形成すると、４４０ｎｍよりも短波長の光が、小バンドギャップ層に吸収される。これより、スペクトルの半値幅が狭くなって、発光色の色純度を向上させることが可能となる。但し、前記バンドギャップが小さい層は、発光素子の主発光波長を吸収しない範囲に組成比を調整することはいうまでもない。
　【００１０】
　この作用はダブルヘテロ構造の発光素子に限らず、シングルヘテロ構造、ホモ構造の素子に付いても同様である。例えばＭｇドープｐ型ＧａＮ層を発光層として４３０ｎｍに主発光ピークのあるホモ構造の発光素子では、発光層ではない層にＧａＮ（３．４ｅＶ）よりもバンドギャップの小さい層（例えば４２０ｎｍのバンドギャップに相当するＩｎＧａＮ）層を形成すると、４２０ｎｍよりも短波長の光がＩｎＧａＮ層に吸収される。
　【００１１】
　【実施例】
［実施例１］図３に本発明の一実施例の発光素子の構造を示す。これは基板１の上に発光層よりもバンドギャップの小さい層８８（以下、小バンドギャップ層という。）と、ｎ型コンタクト層２と、第１のクラッド層３と、活性層４と、第２のクラッド層５と、ｐ型コンタクト層６と、もう一つの小バンドギャップ層８８’とが順に積層された構造を有している。
　【００１２】
　基板１には、サファイア（Ａ面、Ｃ面、Ｒ面も含む。）の他、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ等が使用できる。
　【００１３】
　ｎ型コンタクト層２はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等のｎ型ドーパントを含むＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で形成することができ、結晶性のよいコンタクト層を得るには、好ましくＧａＮ、ＧａＡｌＮを形成する。
　【００１４】
　ｎ型クラッド層３が第１のクラッド層であり、同じくＳ　ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等のｎ型ドーパントを含むＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で形成することができる。結晶性のよいクラッド層を得るには、好ましくＧａＮ、ＧａＡｌＮを形成する。但し、ダブルヘテロ構造を実現するだけであれば、ｎ型コンタクト層２、ｎ型クラッド層３のいずれかを省略してもよい。省略した場合は残ったｎ型層がクラッド層、およびコンタクト層として作用する。
　【００１５】
　活性層４は発光層であり、インジウムを含むＩＩＩ−Ｖ窒化物半導体とすることが好ましい。さらに好ましくは、前記ｎ型ドーパントおよび／またはＺｎ、Ｍｇ等のＩＩ族元素であるｐ型ドーパントを含んで低抵抗にしたＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０＜Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で形成する。インジウムを含有させた活性層はインジウムの含有比によって発光色を紫外〜橙色まで自由に変更でき、可視域の発光素子を実現する上で非常に好ましく、結晶性のよい活性層を得るためにはＩｎＧａＮを形成することが好ましい。但し、ダブルヘテロ構造の場合、前にも述べたように、活性層のバンドギャップがクラッド層よりも小さくなるようにＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮの組成比を調整することはいうまでもない。
　【００１６】
　ｐ型クラッド層５は第２のクラッド層であり、同じくＺｎ、Ｍｇ等のｐ型ドーパントを含むＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で形成することができ、結晶性が良く、好ましいｐ型特性を示すクラッド層を得るには、ＭｇをドープしたＧａＮ、またはＧａＡｌＮを形成する。
　【００１７】
　ｐ型コンタクト層６も同じくｐ型ドーパントを含むＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で形成することができ、同様に結晶性が良く、好ましいｐ型特性を示すクラッド層を得るには、好ましくＭｇをドープしたＧａＮ、またはＧａＡｌＮを形成する。但し、同様にダブルヘテロ構造を実現するだけであれば、ｐ型クラッド層５、ｐ型コンタクト層６のいずれかを省略してもよい。省略した場合は残ったｐ型層がクラッド層、およびコンタクト層として作用する。
　【００１８】
　次に本発明の特徴である小バンドギャップ層８８、８８’であるが、これらは活性層４よりもバンドギャップの小さいＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ層で形成する。例えば活性層がＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎである場合、その活性層よりもバンドギャップを小さくするにはインジウムの組成比（Ｘ値）を０．１よりも大きくしたＩｎＧａＮを形成することで実現可能である。
　【００１９】
　特にＩｎを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を活性層とした青色発光素子では、図２のように、スペクトルの短波長側にＩｎＧａＮのバンド間発光を示すピークが現れることが多い。このバンド間発光のピーク強度は、発光素子の電流値を多くした場合に強くなる傾向にある。バンド間発光が強くなると、発光素子の発光効率が低下してしまい、発光色がずれる傾向にあるので、このバンド間発光をなくすことは非常に都合がよい。そこで本発明のように小バンドギャップ層を形成すると、バンド間発光が吸収されるので、発光色がずれることがない好ましい発光色を示す発光素子を実現できる。
　【００２０】
　なお、図３では小バンドギャップ層８８、８８’を第１のクラッド層及び第２のクラッド層の両側に形成しているが、いずれか一方に形成してもよいことはいうまでもない。いずれか一方に形成する場合は、発光観測面側となるクラッド層の外側に形成することが望ましい。さらに、ｐコンタクト層６を省略し、小バンドギャップ層８８’にＭｇ、Ｚｎ等のｐ型ドーパントをドープしてＰ型として、電極を形成すべきｐコンタクト層とすると、電極とのオーミックが得られやすくなり発光効率が向上する。
　【００２１】
［実施例２］
　図４も本願の発光素子の一構造を示す断面図である。これは基板２１の表面に電子キャリア濃度の大きいＳｉドープｎ＋型ＧａＮ層２２と、電子キャリア濃度の小さいＳｉドープｎ型ＧａＮ２３と、ＭｇをドープしたＰ型ＧａＮ２４と、ＧａＮよりもバンドギャップが小さい、例えば４００ｎｍにバンドギャップを有するＩｎＧａＮ９９を積層した発光素子を示している。
　【００２２】
　この発光素子は発光層がＭｇドープＧａＮ層２４であり、４３０ｎｍ付近を発光ピークとしている。しかしながら、小バンドギャップ層９９が設けられているため、小バンドギャップ層９９が４００ｎｍ以下の波長を吸収する。従って、紫外線部分をカットした発光素子を実現しているため、モールド樹脂にも悪影響を与えることが少ない発光素子を実現できる。
　【００２３】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によると、
発光層よりもバンドギャップの小さい層に電極を形成するので、電極材料とそのバンドギャップの小さいＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層とがオーミックが取りやすくなり発光素子の効率を向上させるだけでなく、
　【００２４】
　さらにインジウムを含む活性層で緑色発光素子を実現した場合は、本発明によると青色光の部分がカットできるので色純度が向上し、好ましい発光素子を提供できる。
　【００２５】
　また発光素子を構成する半導体と同一材料でフィルターを形成したことになり、生産技術上好ましく、信頼性にも優れた発光素子を提供でき、その産業上の利用価値は多大である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　従来のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子の一構造を示す模式断面図。
　【図２】　従来のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子の発光スペクトルを示す図。
　【図３】　本発明の一実施例に係るＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子の構造を示す模式断面図。
　【図４】　本発明の他の実施例に係るＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子の構造を示す模式断面図。
　【符号の説明】
１・・・基板　　　　　　　　　　　２・・・ｎコンタクト層
３・・・ｎクラッド層　　　　　　　４・・・活性層
５・・・ｐクラッド層　　　　　　　６・・・ｐコンタクト層
８８、８８’・・・小バンドギャップ層