【事件の表示】
　特許第３０６５７４３号「電子部品用セラミック製絶縁基板の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０６５７４３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３０６５７４３号（平成３年１０月２８日出願、平成１２年５月１２日設定登録。）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「複数個の絶縁基板を連接した状態のセラミック素材板を製作し、このセラミック素材板に、当該セラミック素材板を前記各絶縁基板ごとにブレイクする複数本のスクライブ溝をレーザー光線の照射によって刻設し、次いで、前記セラミック素材板に、グレーズ層又は各種配線回路或いは各種素子用のペーストを塗着したのち焼成し、次いで、前記セラミック素材板を、前記各スクライブ溝に沿って各絶縁基板ごとにブレイクするようにした絶縁基板の製造方法において、
　前記各スクライブ溝における溝深さを、前記セラミック素材板の厚さの５分の２以上にし、この各スクライブ溝の全てを、その両端を前記セラミック素材板における側端面にまで到達することなく、前記セラミック素材板における側端面に隣接する部分に狭い寸法のスクライブ溝無し部を残して刻設することを特徴とする電子部品用セラミック製絶縁基板の製造方法。」
　
２．特許異議の申立ての理由の概要
　特許異議申立人・吉川喜一郎（以下、「異議申立人」という。）は、証拠として、甲第１号証（特開昭６２−１０２５５４号公報）、甲第２号証（特開昭６２−２３２１８７号公報）及び甲第３号証（特開平３−２５２３８４号公報）を提出し、本件発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定により、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであり、また、本件発明は、甲第３号証に係る先願（特願平２−４５９７０号）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であると認められ、本件発明の特許は、特許法第２９条の２第１項の規定により、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるから、本件発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　
３．甲各号証記載事項の概要
　甲第１号証には、特に両面実装の混成集積回路モジュールの製造方法に関して、図面第１図ないし第３図と共に、「（ａ）同形の一対の大形セラミック基板の、それぞれの搭載面をレーザ加工して、Ｘ軸、Ｙ軸にそれぞれ平行するスクライブ線により、矩形状に並列した区画を設ける。（ｂ）そして、各区画に、所望の回路パターン、及びリードパターン３を印刷形成する。（ｃ）それぞれの区画のチップ部品２を実装する位置に、半田層を印刷し、チップ部品２を載せ、加熱してチップ部品２を半田付けする。（ｄ）大形セラミック基板をスクライブ線部分で折り曲げ、分離して、第３図に示すように、一方の大形セラミック基板より、短冊形のセラミック基板１Ａの搭載面１ａに、所望の混成集積回路が形成された混成集積回路モジュールの片方を製造する。」（第２頁左上欄第５行〜第１８行）と記載されている。
　甲第２号証には、セラミック基板の製造方法に関して、図面第１図ないし第３図と共に、「レーザビーム１４の走査、またはグリーンシート１の移動によって、グリーンシート１の一方の面１ａ上のレーザビーム１４を照射された形成部位３の表層部のセラミクス系無機物および成膜用有機物は、レーザビーム１４の有する熱エネルギー受けて順次融解蒸発し、その飛散痕跡として連続的な凹部が残り、それが切り欠き溝４を形成し、これらがグリーンシート１の焼成後、個片分割用のスクライブブレイクライン５として機能するものである。第２図に示すこれら切り欠き溝４の幅：Ｗ２と深さ：Ｄ２は、レーザの発振出力（パワー密度）とスポット径と走査速度によって決定づけられ、それらを可変調整することによって容易に適切な切り欠き溝形状を形成することができる。それらの切り欠き溝形状は、上記以外にレーザの発生エネルギー状態などの加工条件を選択することによって、第３図に示すように、形成部位に沿って間欠的に形成された貫通長孔１５や貫通短孔１６の組合せ、さらには上記貫通孔１５および１６間のグリーンシート１の一方のシート面１ａ上に切り欠き溝４を形成した複合スクライブブレイクラインとしても、同様な個片分割効果が得られるものである。」（第３頁右上欄第２行〜左下欄第５行）と記載されている。
　上記先願の願書に最初に添付した明細書及び図面の内容を掲載している甲第３号証には、セラミック基板を分割する際前工程で行われるセラミック基板のレーザースクライバーによるスクライブ方法に関して、図面第１図ないし第３図と共に、「このようにして得られたセラミック集合基板をその表面に形成したミシン目のスリットに沿って機械的に分割する。これにより第３図（ロ）に示す電子部品を搭載したセラミック基板６、６・・ができあがる。」（第２頁右下欄第７行〜第１１行）と記載されている。
　
４．対比・判断
４−１．特許法第２９条第２項違反について
　先ず、本件発明と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証の上記摘記事項は、本件発明の「複数個の絶縁基板を連接した状態のセラミック素材板を製作し、このセラミック素材板に、当該セラミック素材板を前記各絶縁基板ごとにブレイクする複数本のスクライブ溝をレーザー光線の照射によって刻設し、次いで、前記セラミック素材板に、グレーズ層又は各種配線回路或いは各種素子用のペーストを塗着したのち焼成し、次いで、前記セラミック素材板を、前記各スクライブ溝に沿って各絶縁基板ごとにブレイクするようにした絶縁基板の製造方法」と実質的に一致しているといえるが、各スクライブ溝の溝深さ及び刻設する範囲に関して、本件発明では「各スクライブ溝における溝深さを、セラミック素材板の厚さの５分の２以上にし、この各スクライブ溝の全てを、その両端を前記セラミック素材板における側端面にまで到達することなく、前記セラミック素材板における側端面に隣接する部分に狭い寸法のスクライブ溝無し部を残して刻設する」構成であるのに対して、甲第１号証には、本件発明の上記構成は記載されていない。
　一方、甲第２号証には、上記摘記事項のとおり、レーザビーム１４を照射して形成されるスクライブブレイクラインとして機能する切り欠き溝形状として、（１）連続的な凹部からなる切り欠き溝４（図面第１図及び第２図、参照）、（２）間欠的に形成された貫通長孔１５や貫通短孔１６の組合わせ（図面第３図、参照）及び（３）上記（２）の貫通孔１５および１６間のグリーンシート１の一方のシート面１ａ上に上記（１）の切り欠き溝４を形成したもの（図面第３図、参照）、が記載されている。
　そして、本件発明のスクライブ溝の形状と甲第２号証記載の上記（１）ないし（３）の切り欠き溝形状とを対比すると、次のとおりの相違がある。
　（１）甲第２号証には、連続的な凹部からなる切り欠き溝４の溝深さをグリーンシート１の厚さの５分の２以上にすることについての明確な記載はなく、また、甲第２号証の図面第１図の記載からは、上記切り欠き溝４をグリーンシート１における側端面にまで到達するように形成しているものと認められる。
　（２）甲第２号証記載の間欠的に形成された貫通長孔１５や貫通短孔１６は貫通孔であって、グリーンシート１を貫通しているものであるから、本件発明のスクライブ溝とは異なるというべきものである。また、甲第２号証の図面第３図の記載では、間欠的に形成した貫通孔がグリーンシート１の側端面には形成されていないが、このことは、図面作製上の都合等の非意図的な表示の結果によるものとも解することができ、当該図面第３図の記載のみでもって、甲第２号証に、本件発明の「各スクライブ溝の全てを、その両端を前記セラミック素材板における側端面にまで到達することなく、前記セラミック素材板における側端面に隣接する部分に狭い寸法のスクライブ溝無し部を残して刻設する」構成が記載されているとはいえない。
　（３）甲第２号証記載の上記（２）の貫通孔１５および１６間のグリーンシート１の一方のシート面１ａ上に上記（１）の切り欠き溝４を形成したものは、上記（１）及び（２）の組み合わせであるから、上記（１）及び（２）で説示したのと同様の相違がある。
　よって、甲第２号証にも、本件発明の「各スクライブ溝における溝深さを、セラミック素材板の厚さの５分の２以上にし、この各スクライブ溝の全てを、その両端を前記セラミック素材板における側端面にまで到達することなく、前記セラミック素材板における側端面に隣接する部分に狭い寸法のスクライブ溝無し部を残して刻設する」構成の開示があるとはいえない。
　しかも、甲第１号証及び甲第２号証のいずれにも、本件発明の技術的課題である、各スクライブ溝の溝深さを深くすると、炉内で焼成するときに、各スクライブ溝に沿った割れ又は亀裂が頻発するし、逆に溝深さを浅くすると、上記の割れ又は亀裂が発生することを防止できるが、その反面、セラミック素材板を、この各スクライブ溝に沿ってブレイクするとき、前記セラミック素材板は、当該セラミック素材板における表裏両面に対して傾いた状態にブレイクされることになり、各絶縁基板の寸法精度が低下すると言う問題についても、全く言及がない。
　そして、本件発明は、上記構成を備えたことにより、本件特許明細書に記載の「グレーズ層又は各種配線回路或いは各種素子用ペーストの焼成に際して、セラミック素材板に各スクライブ溝に沿った割れ又は亀裂が発生することを確実に防止することができる状態のもとで、前記各スクライブ溝の溝深さを深くすることができるから、各絶縁基板の長さ寸法及び幅寸法における寸法のバラ付きを小さくできて、各絶縁基板における長さ寸法及び幅寸法の寸法精度を、従来の製造方法による場合よりも大幅に向上できる」という顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、異議申立人が提出した甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
４−２．特許法第２９条の２違反について
　本件発明と甲第３号証に記載された発明とを対比すると、両者は、セラミック素材板にスクライブ溝をレーザー光線の照射によって刻設する点では一致しているが、甲第３号証には、次の構成が記載されているとはいえない。
（１）甲第３号証の図面第１図（ニ）及び第２図（ニ）は、その他の記載も合わせて考えると、スリットの形成位置を示すことを目的とする図面とみるべきで、これらの記載のみでもって、甲第３号証に、「スリット５の溝深さを、集合セラミック基板１の厚さの５分の２以上にすること」が記載されているとはいえない。
（２）甲第３号証には、上記摘記事項のとおり、セラミック集合基板をその表面に形成したミシン目のスリットに沿って機械的に分割することが記載されており、甲第３号証の図面第３図（イ）の記載からみて、ミシン目状のスリットは、その機械的に分割する箇所においては、集合セラミック基板１の側端面にまで形成されているものと認められ（例えば、図面第３図（イ）の左端側の破線、参照）、当該甲第３号証には、「各スリット５の全てを、その両端を集合セラミック基板１における側端面にまで到達することなく、前記集合セラミック基板１における側端面に隣接する部分に狭い寸法のスリット無し部を残して刻設すること」が記載されているとはいえない。
　よって、甲第３号証には、本件発明の「各スクライブ溝における溝深さを、セラミック素材板の厚さの５分の２以上にし、この各スクライブ溝の全てを、その両端を前記セラミック素材板における側端面にまで到達することなく、前記セラミック素材板における側端面に隣接する部分に狭い寸法のスクライブ溝無し部を残して刻設する」構成は記載されていない。
　したがって、本件発明は、異議申立人が提出した甲第３号証に記載された発明と同一であるとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月１５日（２００１．５．１５）