【事件の表示】
　特許第２７８０９８６号「集積回路の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７８０９８６号の請求項１〜１０に係る特許を取り消す。
【理　由】
一.手続の経緯
　本件特許第２７８０９８６号の発明は、昭和６３年１２月３日（優先権主張　１９８７年１２月４日　米国）に出願され、平成１０年５月１５日に設定登録され、その後、平成１０年１１月４日に松下愛より特許異議申立がなされ、平成１１年５月１８日付で取消理由通知をし、その指定期間（延長期間を含む。）内である平成１１年１２月８日に訂正請求がなされ、それに対して平成１１年１２月１７日付で訂正拒絶理由通知をし、その指定期間（延長期間を含む。）内である平成１２年４月２６日に訂正請求の補正がなされたものである。
二.訂正の適否の判断
(1)訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲請求項１に記載された下記の事項により特定されるとおりのものである。
　「ゲート酸化膜（例えば５）と最上層の絶縁膜（例えば１１）とを有したゲート電極を形成し、
　堆積した材料をエッチングし、前記絶縁層をエッチストップとして作用させることによって前記ゲート電極の側部に絶縁サイドウオールスペーサ（例えば１７）を形成し、
　ソース及びドレイン領域（例えば１９）を形成し、
　導電体窓パッド層（例えば２３）を堆積およびパターニングして少なくともパッド層の一部をソース及びドレイン両領域（例えば１９）の少なくとも一部と接触するとともに、前記絶縁サイドウオールスペーサ（例えば１７）の部分を覆い、前記堆積およびパターニングによって前記ゲート電極上の窓パッド層の部分を除去し、
　誘電体層（例えば２５）を堆積し、パターニングして、ソース及びドレイン領域（例えば１９）の少なくとも一部の実質上直上にあり少なくとも窓パッド層（例えば２３）の一部が露出する窓を該層中に形成し、そして、
　前記窓にコンタクト材料（例えば２７）を堆積する、ステップによって形成される複数のトランジスタを有した集積回路の製造方法。」
(2)訂正の適否
　上記訂正された特許請求の範囲請求項１に係る発明の独立特許要件について検討すると、当審が通知した訂正拒絶理由において提示した刊行物（特開昭６１−１８３９５４号公報）には、「〔発明の目的〕本発明は、データ線を形成する金属配線層のコンタクトパッドとなる多結晶シリコンの電極層が、セルフ・アライメント構造でベリードコンタクトを形成することができ、更に大幅な高密度化が可能な読み出し専用半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。」（第３頁左下欄第１６行〜右下欄第２行）、「実施例１　まず、例えばＰ型のシリコン半導体基板３１に選択酸化を施し、フィールド酸化膜３２を形成した後、熱酸化により酸化膜を形成した。つづいて、全面に例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、リンを含有した多結晶シリコン層を形成した。なお、多結晶シリコン層は、最初に不純物をドープしていないものを形成し、その後リンをドープするようにしてもよい。ひきつづき、多結晶シリコン層の熱酸化又はＣＶＤ法により多結晶シリコン層上の全面に、厚さ４０００Å程度の酸化膜を形成した後、写真触刻法により形成されたレジストパターン（図示せず）をマスクとしてＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法によりエッチングを行なうことにより上下に酸化膜３３、３４が配置された多結晶シリコンゲート電極３５を形成した。この後、前記多結晶シリコンゲート電極３５及び上下の酸化膜３３、３４をマスクにしてＮ型不純物、例えばリン（又は砒素）のイオン注入を行ない、Ｎ型の拡散領域３６１、３７１を形成した（第１図（ａ）図示）。次いで、同図（ｂ）に示すようにＣＶＤ法により基板３１の全面に厚さ５０００Å程度の低温ＳｉＯ２膜３８を形成した。この後ＲＩＥの異方向性を利用してＳｉＯ２膜３８のエッチングを行い、ゲート電極３５及び上下の酸化膜３３、３４の両側壁にＳｉＯ２からなる壁体３９を形成すると共に、ベリードコンタクトホール４０を形成した（同図（ｃ）図示）。次いで、基板３１全面に第２の多結晶シリコン層４１を堆積し、例えば低温のリン拡散などにより第２の多結晶シリコン層４１に不純物を拡散しつつ、ベリードコンタクトホール４０を介して接触する基板３１の拡散領域３６１、３７１にリンを拡散して該拡散領域３６１、３７１よりも深い高濃度のＮ＋型拡散領域３６２、３７２を形成した（同図（ｄ）図示）。これによりＮ型拡散領域３６１及びＮ＋型拡散領域３６２からなるドレイン領域４２、並びにＮ型拡散領域３７１及びＮ＋型拡散領域３７２からなるソース領域４３が夫々形成された。この後、写真触刻法により形成されたレジストパターン（図示せず）をマスクとして第２の多結晶シリコン層４１をパターニングしてＭＯＳ型トランジスタのドレイン４２とベリードコンタクトホール４０を通して接続すると共に、少なくともその一部がゲート電極３５の酸化膜３４上に延在する多結晶シリコンの電極層（コンタクトパッド層）４４１、４４２を形成した（同図（ｅ）図示）。次いで、全面に厚さ１００００Å程度のＣＶＤ−ＳｉＯ２膜４５を堆積し、写真触刻法により形成されたレジストパターン（図示せず）をマスクとして同ＣＶＤ−ＳｉＯ２膜４５に一方のコンタクトパッド層４４２の表面に通じるコンタクトホール４６をＲＯＭデータ（書き込み情報）に応じて開孔した後、真空蒸着法等によってアルミニウム層を蒸着し、更に該アルミニウム層をパターニングしてデータ線４７を形成した。この後は全面に図示しない保護膜を被覆形成して完成する（同図（ｆ）及び第２図図示）。なお、第２図は第１図（ｆ）の平面図である。」（第４頁左上欄第９行〜右下欄第９行）及び「なお、本発明は上記実施例１、２に限定されず、例えば第４図に示すようにゲート電極３５及び上下の酸化膜３３、３４の両側面に絶縁物からなる壁体３９を形成すると共に、ベリードコンタクトホール４０を形成し、多結晶シリコン層の堆積、リン等の拡散、同多結晶シリコン層のパターニングよりドレイン、ソース領域４２、４３とベリードコンタクトホール４０を通して接続する多結晶シリコンからなる電極層４４１〜４４３を形成した構造のＲＯＭも製造することも可能である。」（第６頁右上欄第１６行〜左下欄第５行）が第１、２図及び第４図と共に記載されている。そして、第４図から見て、ソース及びドレイン４２、４３の数が３に対してコンタクトホール４６の数が１であるから、コンタクトホール４６の全数がソース及びドレイン領域の全数よりも少ないことは明らかである。してみると、上記刊行物には酸化膜３３と上層の酸化膜３４とを有するゲート電極３５を形成し、堆積した酸化膜３８をＲＩＥ法によりエッチングして前記ゲート電極３５の側部に酸化膜からなる壁体３９を形成し、Ｎ型拡散領域３６１及びＮ＋型拡散領域３６２からなるドレイン領域４２並びにＮ型拡散領域３７１に及びＮ＋型拡散領域３７２からなるソース領域４３を形成し、半導体基板３１全面に多結晶シリコン層４１を堆積パターニングしてその一部をドレイン領域４２及びソース領域４３の少なくとも一部と接触すると共に、壁体３９の部分及びゲート電極３５上の一部を覆うコンタクトパッド層４４１〜４４３を形成し、ＣＶＤ−ＳｉＯ２膜４５を堆積し、これをパターニングしてコンタクトパッド層４４２の表面に通じるコンタクトホール４６を形成し、アルミニウム層を蒸着し、これをパターニングしてデータ線４７を形成する、複数のＭＯＳトランジスタを有する読み出し専用半導体記憶装置の製造方法、及び複数のＭＯＳトランジスタを有する読み出し専用半導体記憶装置においてコンタクトホールの全数がソース及びドレイン領域の全数よりも少ないことが記載されているものと認められる。
　本件請求項１に係る発明と刊行物記載の発明とを対比すると、刊行物記載の発明の「酸化膜３３」、「酸化膜３８」、「酸化膜からなる壁体３９」、「コンタクトパッド層４４１〜４４３」、「ＣＶＤ−ＳｉＯ２膜４５」、「コンタクトホール４６」、「アルミニウム層からなるデータ線４７」及び「読み出し専用半導体記憶装置」は、本件請求項１に係る発明の「ゲート酸化膜」、「材料」、「絶縁サイドウオールスペーサ」、「導電体窓パッド層」、「誘電体層」、「窓」、「コンタクト材料」及び「集積回路」に相当するから、両者は、「ゲート酸化膜を有したゲート電極を形成し、堆積した材料をエッチングし、前記ゲート電極の側部に絶縁サイドウオールスペーサを形成し、ソース及びドレイン領域を形成し、導電体窓パッド層を堆積およびパターニングして少なくともパッド層の一部をソース及びドレイン両領域の少なくとも一部と接触するとともに、前記絶縁サイドウオールスペーサの部分を覆い、誘電体層を堆積し、パターニングして、ソース及びドレイン領域の少なくとも一部の実質上直上にあり少なくとも窓パッド層の一部が露出する窓を該層中に形成し、そして、前記窓にコンタクト材料を堆積する、ステップによって形成される複数のトランジスタを有した集積回路の製造方法」に点で一致し、以下の点で相違する者と認められる。
　(1)本件請求項１に係る発明が堆積した材料をエッチングして絶縁サイドウオールスペーサを形成する際のエッチストッパとして作用する最上層の絶縁膜を有するのに対して、上記刊行物記載の発明はそのような絶縁膜を有していない点。
　(2)本件請求項１に係る発明がゲート電極上の導電窓パッド層の部分を除去するのに対して、上記刊行物記載の発明は導電窓パッド層をゲート電極上の一部を覆うように形成している点。
　上記相違点について検討する。
　相違点(1)については、堆積した材料をエッチングして絶縁サイドウオールスペーサを形成する際のエッチストッパとして作用する絶縁膜を有する半導体装置の製造方法は周知（特開昭６２−１７３７６３号公報参照）であり、上記刊行物記載の発明において当該周知技術を採用することに格別の創意工夫を必要としない。そして、上記刊行物記載の発明において当該周知技術を採用した場合、エッチストッパとして作用する絶縁膜が上層の酸化膜３４の上に形成されることすなわち最上層として形成されることは明らかである。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　相違点(2)については、上記刊行物記載の発明において導電窓パッド層のゲート電極上の部分を除去するか否かは単なる設計的事項にすぎず、本件請求項１に係る発明がゲート電極上の導電窓パッド層の部分を除去した点に格別の意義も認められないから（なお、平成１２年４月２６日付の意見書において主張する効果である「導電窓パッド層とゲート電極間の不所望の干渉を回避すること」は本件明細書及び図面に記載されていない効果であるから、このような効果の主張は採用できない）、上記相違点は当業者が必要に応じて任意になし得たことと認められる。
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
三．特許異議申立についての判断
(1)本件発明
　特許請求の範囲請求項１〜１０に係る発明は、特許請求の範囲請求項１〜１０に記載された下記の事項により特定されるとおりのものである。
　「【請求項１】ゲート酸化膜（例えば５）と最上層の絶縁層（例えば１１）とを有したゲート電極を形成し、
堆積した材料をエッチングし、前記絶縁層をエッチストップとして作用させることによって前記ゲート電極の側部に絶縁サイドウオールスペーサ（例えば１７）を形成し、
ソース及びドレイン領域（例えば１９）を形成し、
導電体窓パッド層（例えば２３）を堆積およびパターニングして少なくともパッド層の一部をソース及びドレイン両領域（例えば１９）の少なくとも一部と接触するようにし、
誘電体層（例えば２５）を堆積し、パターニングして、ソース及びドレイン領域（例えば１９）の少なくとも一部の実質上直上にあり少なくとも窓パッド層（例えば２３）の一部が露出する窓を該層中に形成し、そして、
　前記窓にコンタクト材料（例えば２７）を堆積する、ステップによって形成される複数のトランジスタを有した集積回路の製造方法。
【請求項２】前記窓パッド層（例えば２３）の材料はＴｉＮ，シリサイド，ポリシリコンおよびポリサイドより成る群より選択される請求項１記載の製造方法。
【請求項３】前記窓パッド層（例えば２３）はポリシリコンより成る請求項１記載の製造方法。
【請求項４】前記ソース及びドレイン領域（例えば１９）)は前記ポリシリコンからのドーパントの熱駆動によって形成される請求項３記載の製造方法。
【請求項５】前記窓パッド層（例えば２３）はＴｉＮより成る請求項２記載の製造方法。
【請求項６】前記サイドウオールスペーサ（例えば１７）は酸化物より成る請求項１記載の製造方法。
【請求項７】前記ソース及びドレイン領域形成ステップはイオン打込みより成る請求項１記載の製造方法。
【請求項８】前記堆積およびパターニングは、少なくとも２個のトランジスタのソース及びドレイン領域（例えば１９）に接触する窓パッド層（例えば２３）を形成する請求項１記載の製造方法。
【請求項９】前記窓パッド層（例えば２３）は少なくとも1個のトランジスタのゲート電極構造体、あるいは２個のトランジスタを分離するフィールド酸化膜（例えば３）上を横切る請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】前記窓の全数は前記ソース及びドレイン領域（例えば１９）の全数よりも少ない請求項１記載の製造方法。」
(2)引用刊行物
　当審が通知した取消理由において引用した刊行物（特開昭６１−１８３９５４号公報）には、酸化膜３３と上層の酸化膜３４とを有するゲート電極３５を形成し、堆積した酸化膜３８をＲＩＥによりエッチングして前記ゲート電極３５の側部に酸化膜からなる壁体３９を形成し、Ｎ型拡散領域３６１及びＮ＋型拡散領域３６２からなるドレイン領域４２並びにＮ型拡散領域３７１に及びＮ＋型拡散領域３７２からなるソース領域４３を形成し、半導体基板３１全面に多結晶シリコン層４２を堆積パターニングしてその一部をドレイン領域４２及びソース領域４３の少なくとも一部と接触すると共に、壁体３９の部分及びゲート電極３５上の一部を覆うコンタクトパッド層４４１〜４４３を形成し、ＣＶＤ−ＳｉＯ２膜４５を堆積し、これをパターニングしてコンタクトパッド層４４２の表面に通じるコンタクトホール４６を形成し、アルミニウム層を蒸着し、これをパターニングしてデータ線４７を形成する、複数のＭＯＳトランジスタを有する読み出し専用半導体記憶装置の製造方法、及び複数のＭＯＳトランジスタを有する読み出し専用半導体記憶装置においてコンタクトホールの全数がソース及びドレイン領域の全数よりも少ないことが記載されているものと認められる。　
(3)対比・判断
　イ)請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明と刊行物記載の発明とを対比すると、刊行物記載の発明の「酸化膜３３」、「酸化膜３８」、「酸化膜からなる壁体３９」、「コンタクトパッド層４４１〜４４３」、「ＣＶＤ−ＳｉＯ２膜４５」、「コンタクトホール４６」、「アルミニウム層からなるデータ線４７」及び「読み出し専用半導体記憶装置」は、本件請求項１に係る発明の「ゲート酸化膜」、「材料」、「絶縁サイドウオールスペーサ」、「導電体窓パッド層」、「誘電体層」、「窓」、「コンタクト材料」及び「集積回路」に相当するから、両者は、「ゲート酸化膜とを有したゲート電極を形成し、堆積した材料をエッチングし、前記ゲート電極の側部に絶縁サイドウオールスペーサを形成し、ソース及びドレイン領域を形成し、導電体窓パッド層を堆積およびパターニングして少なくともパッド層の一部をソース及びドレイン両領域の少なくとも一部と接触するとともに、前記絶縁サイドウオールスペーサの部分を覆い、誘電体層を堆積し、パターニングして、ソース及びドレイン領域の少なくとも一部の実質上直上にあり少なくとも窓パッド層の一部が露出する窓を該層中に形成し、そして、前記窓にコンタクト材料を堆積する、ステップによって形成される複数のトランジスタを有した集積回路の製造方法」の点で一致し、本件請求項１に係る発明が堆積した材料をエッチングして絶縁サイドウオールスペーサを形成する際のエッチストッパとして作用する最上層の絶縁膜を有するのに対して、上記刊行物記載の発明はそのような絶縁膜を有していない点で相違するものと認められる。
　上記相違点について検討する。
　堆積した材料をエッチングして絶縁サイドウオールスペーサを形成する際のエッチストッパとして作用する絶縁膜を有する半導体装置の製造方法は周知（特開昭６２−１７３７６３号公報参照）であり、上記刊行物記載の発明において当該周知技術を採用することに格別の創意工夫を必要としない。そして、上記刊行物記載の発明において当該周知技術を採用した場合、エッチストッパとして作用する絶縁膜が上層の酸化膜３４の上に形成されることすなわち最上層として形成されることは明らかである。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　ロ)請求項２に係る発明について
　刊行物記載の発明も窓パッド層としてポリシリコンを用いているのであるから、請求項２に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項１に係る発明と刊行物記載の発明との相違点と同じであり、「イ)請求項１に係る発明について」において述べた様に、この相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
  ハ)請求項３に係る発明について
　刊行物記載の発明も窓パッド層としてポリシリコンを用いているのであるから、請求項３に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項１に係る発明と刊行物記載の発明との相違点と同じであり、「イ)請求項１に係る発明について」において述べた様に当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　ニ)請求項４に係る発明について
　請求項４に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項３に係る発明と刊行物記載の発明との相違点以外に、ソース及びドレイン領域が、請求項４に係る発明はポリシリコンからのドーパントの熱駆動により形成されるのに対して、上記刊行物記載の発明はそのような構成を採っていない点である。請求項３に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、「ハ)請求項３に係る発明について」において述べた様に当業者が容易に想到し得たことと認められる。また、上述の相違点については、不純物を含有するポリシリコンから不純物の熱駆動によってソース及びドレイン領域を形成することは周知であり、上記刊行物記載の発明において上記周知技術を採用することに格別の創意工夫を必要としない。そして、上記刊行物記載の発明においては不純物含有ポリシリコンとして多結晶シリコン４１を採用することは当業者にとって当然になし得たことである。よって、この相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　ホ)請求項５に係る発明について
　請求項５に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項２に係る発明と刊行物記載の発明との相違点以外に、窓パッド層が、請求項５に係る発明はＴｉＮよりなるのに対して、刊行物記載の発明は多結晶シリコン層からなる点である。請求項２に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、「ロ)請求項２に係る発明について」において述べた様に当業者が容易に想到し得たことと認められる。また、上述の相違点については、配線材料すなわちコンタクト材料とソース、ドレイン領域とをＴｉＮを介して接続することが周知であるから（特開昭６２−２２４０７５号公報参照）、上記刊行物記載の発明において当該周知技術を採用して窓パッド層として多結晶シリコンに替えてＴｉＮを採用することに格別の創意工夫を必要としない。よって、この相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　ヘ)請求項６に係る発明について
　刊行物記載の発明のサイドウオールスペーサも酸化物よりなるのであるから、請求項６に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項１に係る発明と刊行物記載の発明との相違点と同じであり、「イ)請求項１に係る発明について」において述べた様に当業者が容易に想到し得たことと認められる。
  ト)請求項７に係る発明について
　請求項７に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項１に係る発明と刊行物記載の発明との相違点以外に、ソース及びドレイン領域形成ステップが、請求項７に係る発明はイオン打込みよりなるのに対して、刊行物記載の発明はイオン打込みによりなるのではない点である。請求項１に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、「イ)請求項１に係る発明について」において述べた様に当業者が容易に想到し得たことと認められる。また、上述の相違点については、イオン打込みによりソース及びドレイン領域を形成することが周知であるから、上記刊行物記載の発明において当該周知技術を採用してソース及びドレイン領域形成ステップとしてイオン打込みにより行う方法を採用することに格別の創意工夫を必要としない。よって、この相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。　
　チ)請求項８に係る発明について
　刊行物記載の発明も少なくとも２個のＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン領域に接する窓パッド層を多結晶シリコン４１の堆積及びパターニングで形成しているのであるから、請求項８に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項１に係る発明と刊行物記載の発明との相違点と同じであり、「イ)請求項１に係る発明について」において述べた様に当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　リ)請求項９に係る発明について
　請求項９に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項８に係る発明と刊行物記載の発明との相違点以外に、窓パッド層が、請求項９に係る発明は少なくとも1個のトランジスタのゲート電極構造体、あるいは２個のトランジスタを分離しているフィールド酸化膜を横切っているのに対して、刊行物記載の発明は少なくとも1個のトランジスタのゲート電極構造体、あるいは２個のトランジスタを分離しているフィールド酸化膜を横切っているか否か不明である点である。請求項８に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、「チ)請求項８に係る発明について」において述べた様に当業者が容易に想到し得たことと認められる。また、上述の相違点については、刊行物記載の発明もコンタクトパッド層は壁体及び上層の酸化膜によりゲート電極から絶縁されており、ゲート電極上を横切って配置することが可能であるから、ゲート電極上を横切って配置することは当業者が必要に応じて容易に想到し得たことと認められる。
　ヌ)請求項１０に係る発明について
　刊行物記載の発明の読み出し専用半導体記憶装置においてもコンタクトホールすなわち窓の全数がソース及びドレイン領域の全数よりも少ないのであるから、請求項１０に係る発明と刊行物記載の発明との相違点は、請求項１に係る発明と刊行物記載の発明との相違点と同じであり、「イ)請求項１に係る発明について」において述べた様に当業者が容易に想到し得たことと認められる。　
(4)むすび
　以上のとおりであるから、本件特許請求の範囲請求項１〜１０に係る発明は、上記刊行物１記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本件特許請求の範囲請求項１〜１０に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に特許を受けることができない。
　したがって、本件特許請求の範囲請求項１〜１０に係る発明についての特許は拒絶査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月１８日（２０００．５．１８）