【事件の表示】
　特許第２９６２９７７号「薄膜トランジスタの製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６２９７７号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成　５年　９月２４日
　設定登録（特許第２９６２９７７号）　　　平成１１年　８月　６日
　特許異議申立（申立人中川徹）　　　　　　平成１２年　４月１１日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　７月　３日
　特許異議意見書　　　　　　　　　　　　　平成１２年　９月１２日
　訂正請求書　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　９月１２日
　
２．異議申立理由および取消理由の概要
　異議申立人中川徹は、甲第１号証として、本件特許出願前公知の刊行物である、特開昭６３−４２１７５号公報を提出し、請求項１に係る発明は、甲第１号証記載の発明と同一であるか、または甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、取り消すべきであると主張する。
　取消理由も異議申立理由と同趣旨である。
　
３．訂正請求について
（訂正発明・訂正事項aについて）
 訂正事項aは、特許された特許請求の範囲請求項１
「絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、加熱炉内で水素処理を行った後に水素プラズマ処理を行うことを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。」を、
「絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタを熱処理によって緻密化されたシリコン酸化膜で覆った状態で、加熱炉内で水素処理を行った後に水素プラズマ処理を行うことを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。（以下、訂正発明という）」
と訂正するものである。
　この訂正は、明らかに特許請求の範囲の減縮に相当し、特許明細書には、「【００１４】 層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜１６を減圧ＣＶＤ法により堆積させ、この層間絶縁膜１６を緻密化し且つ前記不純物拡散領域１３〜１５を活性化してソース、ドレインとするために、９００℃の温度で熱処理を行う（図３Ｌ）。」という記載があるので、新規事項でもなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（訂正事項ｂについて）
　訂正事項ｂは、発明の詳細な説明【０００７】「【課題を解決するための手段】
　本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、加熱炉内で水素処理を行った後に水素プラズマ処理を行うものである。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【課題を解決するための手段】
　本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタを熱処理によって緻密化されたシリコン酸化膜で覆った状態で、加熱炉内で水素処理を行った後に水素プラズマ処理を行うものである。」と
訂正するものである。
　この訂正事項ｂは、上記訂正事項ａについてで検討したように、新規事項でもなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（訂正発明についてのまとめ）
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
４．特許異議申立について
（甲第１号証記載の発明）
　異議申立人中川徹が提出した、甲第１号証には、多結晶シリコンを半導体薄膜とする薄膜トランジスタの製造方法に関する発明が記載され、第３図Ａ〜Ｄに示される製造工程図において、絶縁基板（石英等）１上に多結晶シリコンよりなる半導体薄膜２、その上に形成されるゲート絶縁膜（室化シリコン等）３、さらにその上に形成される多結晶シリコンよりなるゲート電極４が示され、多結晶シリコンの半導体薄膜２内にゲート電極４をマスクとする不純物イオン打込処理及び熱処理によって形成されるソース領域５及びドレイン領域６が示されている。その後工程としては、眉間絶縁膜７、窓（コンタクトホール）８、９、ソース電極１０、ドレイン電極１１の形成がある（第１頁左下欄１８行目〜第２頁左上欄１８行目）と示されており、そして、多結晶シリコンの半導体薄膜２の移動度を向上させるための製法として、ソース電極１０及びドレイン電極１１を形成後に水素ガス雰囲気中で４００℃の熱処理することが提案されているが（第２の製法と記載）、この製法は半導体薄膜２内で水素が十分に入らず欠陥の少ない半導体薄膜を得ることができないことが記載されている（２頁右上欄１０行目〜左下欄１３行目）。そのため、半導体薄膜２内に水素をより十分に侵入させる方法として、「第２の製法の順次の工程をとって、半導体薄膜２を水素化させて後、水素ガスの１３．５６ＭＨｚの高周波を用いて励起されたプラズマ中に在らしめることによって、水素を層間絶縁膜７及びゲート絶縁膜３を通じて半導体薄膜２内に侵入させ、よって水素化された半導体薄膜をさらに水素化させることも提案されている。」（第２頁左下欄１４行目〜右下欄１行目）と記載されている。
（訂正発明と甲第１号証との対比）
　甲第１号証には、訂正発明の構成である、「前記薄膜トランジスタを熱処理によって緻密化されたシリコン酸化膜で覆った状態」であることが示されておらず、また、甲第１号証記載の層間絶縁膜が、緻密化されたシリコン酸化膜であるとも認められない。
　そして、訂正発明は該構成により、水素処理で層間絶縁膜１６内に、水素が浸透することで、水素プラズマ処理の時間を短くできる顕著な効果を奏する。
　してみると、訂正発明は、甲第１号証記載の発明と同一でもなく、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　従って、特許異議申立の理由及び証拠でによっては、上記訂正請求された特許請求の範囲請求項１に係る発明の特許を取り消すべきとすることはできない。
　又、他に訂正発明が特許を受けることができないとする理由が認められない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月１３日（２００１．２．１３）
【訂正の要旨】
訂正事項
訂正事項ａは、特許された特許請求の範囲請求項１
「絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、加熱炉内で水素処理を行った後に水素プラズマ処理を行うことを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタを熱処理によって繊密化されたシリコン酸化膜で覆った状態で、加熱炉内で水素処理を行った後に水素プラズマ処理を行うことを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。」
と訂正するものである。
　訂正事項ｂは、
　発明の詳細な説明【０００７】を「【課題を解決するための手段】
　本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、加熱炉内で水素処理を行った後に水素プラズマ処理を行うものである。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【課題を解決するための手段】
　本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタを熱処理によって繊密化されたシリコン酸化膜で覆った状態で、加熱炉内で水素処理を行った後に水素プラズマ処理を行うものである。」と訂正するものである。
（５４）【発明の名称】
薄膜トランジスタの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、
前記薄膜トランジスタを熱処理によって緻密化されたシリコン酸化膜で覆った状態で、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、例えば液晶表示デバイスの制御素子として利用される薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下ＴＦＴという）の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶デバイスとしてのＬＣＤにあっては、近年は単純マトリックス方式からアクティブマトリックス方式の開発が盛んとなっている。アクティブマトリックス方式には、各画素毎に薄膜トランジスタを付けたＴＦＴ型と非線形ダイオードを付けたダイオード型とがある。このうち、ＴＦＴ型は、そのスイッチング特性と画素容量を利用して、選択期間に印加された電圧を次の走査まで保持するものであり、大容量で高いコントラスト及び中間調を容易に得ることができる。
　【０００３】
　前記ＴＦＴは、透明ガラス基板上に半導体材料を堆積し、この半導体材料を利用してＭＩＳ型のトランジスタを形成したものであり、前記半導体材料としてはアモルファスシリコンや多結晶シリコンなどが用いられている。この内、多結晶シリコンを用いたＴＦＴは、ＬＣＤの画素電極として用いた場合に電荷移動度が大きいことや耐光性及び耐熱性に優れた利点があるが、水素プラズマ処理という工程を必要とする。
　【０００４】
　水素プラズマ処理とは、多結晶シリコン膜に存在するトラップ（捕獲準位）を水素原子で満たし、その移動度を上げるためのものであって、例えば、特開平１−４５１７２号公報（Ｈ０１Ｌ２９／７８）には、この水素プラズマ処理を、ソース、ドレイン領域とするための熱処理工程の後に行うことによって、不純物領域を安定化することが記載されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来例のような水素プラズマ処理は、通常平行平板型プラズマ水素処理装置を用いて行われるが、この装置は、一度に数枚のウエハを処理する能力しかなく、しかも、長時間連続して操業することが困難であり、結果としてスループットを低下させる問題がある。
　【０００６】
　本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関し、斯かる問題点を解消するものである。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板の上に多結晶シリコン膜を有し、この多結晶シリコン膜の上にゲート酸化膜を有し、このゲート酸化膜の上にドープされた多結晶シリコンからなるゲート電極を有し、且つ前記多結晶シリコン膜内にソース、ドレインとしての不純物活性領域が形成された構造の薄膜トランジスタにおいて、
前記薄膜トランジスタを熱処理によって緻密化されたシリコン酸化膜で覆った状態で、
　【０００８】
　【作用】
　即ち、加熱炉内で水素処理を行う場合、水素プラズマ装置に比べて長時間を要する不具合があるが、加熱炉は、ウエハを多量に処理できる利点がある。そこで、まず、加熱炉内で多量のウェハを水素処理した後に、水素プラズマ処理を行う。この水素プラズマ処理は、ＴＦＴがある程度水素処理された後に行うので、比較的短時間で終了する。従って、トータル的にウェハの処理能力が向上し、結果としてスループットが改善される。
　【０００９】
　【実施例】
　本発明の実施例を図１乃至図５に基づいて説明する。各図は本発明の薄膜トランジスタを作成するプロセスを示す断面図である。まず、石英ガラス等の透明絶縁基板１の上に、通常の減圧ＣＶＤ法により、７００Åの多結晶シリコン膜２を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術によりパターニングする（図１Ａ）。
　【００１０】
　通常の減圧ＣＶＤ法により、前記多結晶シリコン膜２の上に１０００Åのシリコン酸化膜３を形成する（図１Ｂ）。このＳｉ酸化膜３の上に、後述する補助容量の電極形成のためのレジストパターン４を形成し（図１Ｃ）、このレジストパターン４をマスクとして、イオン注入法により、前記多結晶シリコン膜２の端部に、リン（Ｐ）イオン（加速電圧１００ＫｅＶ、ドーズ量１．５×１０１５／ｃｍ２）を注入し、導電部５を形成する（図１Ｄ）。
　【００１１】
　レジスト４を除去した後、減圧ＣＶＤ法により、多結晶シリコン膜６を堆積し（図２Ｅ）、この多結晶Ｓｉ膜６にＰｏＣｌ３拡散により・リン（Ｐ）をドープし、多結晶Ｓｉ膜６に導電性を与える（図２Ｆ）。熱酸化法やＣＶＤ法により、前記多結晶Ｓｉ膜６の上にシリコン酸化膜７を形成し（図２Ｇ）、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、前記多結晶シリコン膜６及びシリコン酸化膜７をダブルゲート構造に加工する。
　【００１２】
　即ち、前記Ｓｉ酸化膜３の上に、前記多結晶シリコン膜６からなる第１ゲート電極８及び第２ゲート電極９を形成し、更に、前記多結晶シリコン膜２における導電部５の上部にも多結晶シリコン膜６を残存させる（図２Ｈ）。この多結晶シリコン膜６、前記シリコン酸化膜７及び前記導電部５で、電荷を補助的に蓄積しておくための補助容量部１０を構成する。
　【００１３】
　減圧ＣＶＤ法により、シリコン酸化膜１１を堆積させ（図３Ｉ）、これをＲＩＥ法により異方性全面エッチバックすることにより、前記第１ゲート電極８、第２ゲート電極９及び補助容量部１０の側壁にサイドウォール１２を形成する（図３Ｊ）。前記シリコン酸化膜７及びサイドウォール１２をマスクとして、前記多結晶シリコン膜２内にリン（Ｐ＋）イオンを注入し（加速電圧１００ＫｅＶ、ドーズ量１．５×１０１５／ｃｍ２）、不純物拡散領域１３〜１５を形成する（図３Ｋ）。
　【００１４】
　層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜１６を減圧ＣＶＤ法により堆積させ、この層間絶縁膜１６を繊密化し且つ前記不純物拡散領域１３〜１５を活性化してソース、ドレインとするために、９００℃の温度で熱処理を行う（図３Ｌ）。この状態で、チャネル部の特性を安定化させるために、前記多結晶シリコン膜２のチャネル部に対し、水素プラズマ処理等の方法で水素処理を行う訳であるが、ここで、本発明者は、水素の拡散経路について実験に基づき解明したので、それについて述べる。
　【００１５】
　まず、発明者は、図６に示すようなトップゲート型ｎ−ｃｈ　Ｐ−Ｓｉ　ＴＦＴであって、チャネル幅（Ｗ）＝１０μｍ、チャネル長（Ｌ）＝２〜１０μｍのモデルを複数作成した。図中、図１〜図５と同様の個所には同符号を用いている。尚、層間絶縁膜（シリコン酸化膜）１６の膜厚は１μｍに設定している。水素処理にはＲＦ水素プラズマを用いた。
　【００１６】
　図７は水素処理が終了した時のＴＦＴの移動度を、層間絶縁膜１６が有る場合と無い場合との測定結果を示している。例えば、移動度１０（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）を得るのに、層間絶縁膜１６が有る場合は水素処理に８時間要するのに対し、無い場合は２時間で済む。このことから、水素は層間絶縁膜１６中を通りにくいことがわかる。
　【００１７】
　図８はチャネル長Ｌと移動度との関係を示したグラフである。この図からチャネル長（Ｌ）が長いほど移動度が低下することが分かる。更に、チャネル長（Ｌ）が５μｍまでの場合、水素処理時間を４時間とした時（図中■印）には移動度が飽和しているのに対し、水素処理時間を２時間とした場合（図中△印）には飽和していないことから、水素処理時間は４時間必要とすることがわかる。
　【００１８】
　本発明者は、図６Ａ〜Ｄの水素の拡散経路について、上記図７及び図８の結果に基づいて考察してみた。
（経路Ａについて）
　経路Ａはチャネルに至るまでに層間絶縁膜１６としてのシリコン酸化膜とゲート電極８としての多結晶シリコン膜を通過しなければならない。
　【００１９】
　シリコン酸化膜は図７の通り時間をかければ水素を通すが、図８においてチャネル長（Ｌ）が長くなれば移動度が低下することから、水素は多結晶シリコンをきわめて通過しにくいと推測できる。従って、水素の拡散経路はＡではないと推測できる。
（経路Ｂについて）
　経路Ｂは水素がチャネルの中央に達するまでに２μｍ以上多結晶シリコン膜２内を通る必要がある。上記経路Ａと同様に、水素は多結晶シリコン内をきわめて通過しにくいから、この経路Ｂも水素の拡散経路ではないと推測できる。
　【００２０】
（経路Ｃ、Ｄについて）
　経路ＣもＤも水素がシリコン酸化膜内を長い間（１０時間以上）通過する必要がある。しかし、実際には図８の通り、水素の拡散は４時間で終了してしまうから、この経路Ｃ、Ｄはありえない。以上、水素の拡散経路がＡ〜Ｄのいずれでもないことを考えると、水素の拡散経路は、ゲート酸化膜３と多結晶シリコン膜２の界面又は多結晶シリコンと石英基板１との界面の少なくともいずれかが支配的であると考えられる。
　【００２１】
　さて、図３Ｌにおいて、前記した理由により水素処理を行うわけであるが、ここでは、図９のフローチャート中（Ｓ−１）に示す通り、まず、基板を電気炉内に入れ、温度４００℃、Ｈ２流量２．５リットル／分という条件で２４時間水素処理を施す。すると、水素はチャネル部に達することなく、前記層間絶縁膜１６内に、ある程度浸透する。その後、（Ｓ−２）の通り、従来通りＲＦ水素プラズマ処理を４時間行う。この水素プラズマ処理をする際には、既に、層間絶縁膜１６中に水素が浸透しているので、水素プラズマ処理の時間は短くてよい。
　【００２２】
　このように、水素処理を行う場合、まず、加熱炉内で行い、その後水素プラズマ処理を行うのは、加熱炉での処理はプラズマ処理よりも時間がかかるが、ウェハを多量に処理できるので、結果としてのトータル時間を短縮できるからである。さて、図４Ｍにおいて、表示用ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）１７をマグネトロンスパッタ法により堆積し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、不要個所を除去する。
　【００２３】
　更に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて前記ドレイン１３、１５に通じるコンタクトホール１８、１９を形成し、マグネトロンスパッタ法により、アルミニウム（Ａｌ）とモリブデン（Ｍｏ）の混合物からなる電極２０、２１を形成する（図４Ｎ）。最後に、ＣＶＤ法により保護膜としてのシリコン酸化膜２２を形成し（図５Ｏ）、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により不要個所を除去する（図５Ｐ）。
　【００２４】
　以上の工程により、ＬＣＤの画素部となるＴＦＴを形成する。尚、図１Ａの工程において、ガラス基板１上に多結晶シリコン膜２を形成する方法として、一旦アモルファスシリコンを堆積し、これを所定の条件で固相成長させる方法がある。本発明者は、これについて、以下のような実験を行った。即ち、１００ｎｍの熱酸化膜を形成したシリコン基板上に、減圧ＣＶＤ法により、６０ｎｍのアモルファスシリコン膜を堆積し、その後、５９０℃の温度で１４時間のアニールを施して固相成長させ、多結晶シリコン膜を形成した。
　【００２５】
　図１０は減圧ＣＶＤ法時に、ソースガスとしてＳｉＨ４を用いた場合とＳｉ２Ｈ６を用いた場合における、多結晶シリコン膜の結晶粒径をＴＥＭによって測定したものである。尚、堆積温度は適正な堆積速度が得られる温度範囲（４５０℃〜）とした。これにより、アモルファスシリコン膜の堆積のための減圧ＣＶＤ時にＳｉ２Ｈ６ガスを用いると、低い堆積温度で且つ大きな結晶粒径が得られることが分かる。
　【００２６】
　また、更に、減圧ＣＶＤ時のバックグラウンドの真空度が高ければ高いほど、純度の高い膜が得られることも実験によって確認された。図１１は前記２種類のガスを用いて形成した多結晶シリコン膜を用いたＴＦＴの特性を示したものである。これにより、Ｓｉ２Ｈ６を用いた場合、移動度の大きな素子が得られることが分かる。
　【００２７】
　尚、以上の実施例ではダブルゲート構造のＴＦＴを例として説明したが、これに限定するものではなく、例えばシングルゲート構造のＴＦＴであっても何ら問題はない。
　【００２８】
　【発明の効果】
　本発明の薄膜トランジスタの製造方法にあっては、まず、加熱炉内で多量のウェハを水素処理した後に、水素プラズマ処理を行い、水素プラズマ処理を、ＴＦＴがある程度水素処理された後に行う。従って、水素プラズマ処理の時間は比較的短時間で終了するので、加熱炉内で多量のウェハを処理できるぶんトータル的にウェハの処理能力が向上し、結果としてスループットを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例における薄膜トランジスタの製造プロセスを示す断面図である。
　【図２】
　本発明の実施例における薄膜トランジスタの製造プロセスを示す断面図である。
　【図３】
　本発明の実施例における薄膜トランジスタの製造プロセスを示す断面図である。
　【図４】
　本発明の実施例における薄膜トランジスタの製造プロセスを示す断面図である。
　【図５】
　本発明の実施例における薄膜トランジスタの製造プロセスを示す断面図である。
　【図６】
　水素の拡散経路を説明するための薄膜トランジスタの模式的断面図である。
　【図７】
　移動度の水素処理時間依存性を示した図である。
　【図８】
　移動度のチャネル長依存性を示した特性グラフである。
　【図９】
　本発明の実施例における水素処理を示すフローチャートである。
　【図１０】
　ａ−Ｓｉ堆積温度と結晶粒径との関係を示す特性グラフである。
　【図１１】
　多結晶シリコンを固相成長により形成した場合のＴＦＴ特性を示す図である。
　【符号の説明】
　１　石英基盤（絶縁基板）
　２　多結晶シリコン膜
　３　シリコン酸化膜（ゲート酸化膜）
　６　多結晶シリコン膜（ゲート電極）
１３〜１５　不純物活性領域