【事件の表示】
　特許第３０５０２３６号「ヒートシンク」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０５０２３６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０５０２３６号（以下「本件特許」という。）は、平成２年６月２７日に出願したものであって、特許権設定の登録後、特許異議申立人　株式会社トクヤマより、その請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、特許取消理由の通知がなされ、これに対し特許権者より訂正請求書が提出されたものである。
　　
II．訂正について
（II-1）訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
(a-1)特許請求の範囲を、以下のとおりに訂正する。
「上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするヒートシンク。」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
(b-1)明細書第２頁第１６〜１８行の「溶着用金属の・・・・ヒートシンク」を、「搭載する素子の位置決めを容易、かつ、正確に行なうことを可能とするとともに、溶着用金属の量を適当にすることができるヒートシンク」と訂正する。
(b-2)明細書第３頁第２〜３行の「その上に・・・・蒸着されている」を、「その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなる」と訂正する。
(b-3)明細書第３頁第７〜１０行の「その上に・・・・行なうことができる。」を、「その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされている。溶着用金属は搭載する素子の大きさと同じ大きさであるので、その上に素子を載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めを行なうことができる。すなわち、パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとして機能する。」と訂正する。
(b-4)明細書第第５頁第３〜５行の「発光素子７は・・・・光ファイバ８と」を、「次いで、発光素子７が溶着用金属層４上に搭載されるが、溶着用金属層４は該素子７と同じ大きさとされているので、溶着用金属層４はアライメントマークとして機能し、発光素子７を溶着用金属層４上に載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めされ、光ファイバ８と」と訂正する。
(b-5)明細書第５頁第１７〜１８行の「溶着用金属がパターニングされているから、位置決めに利用でき」を、「搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされているから、素子の位置決めを容易、かつ、正確に行うことができ」と訂正する。
(b-6)明細書第４頁第１７〜１８行「同じメタルマスクを用いている。」と「蒸着工程が終了した」との間に、改行して、「したがって、メタルマスクのマスクサイズを溶着用金属の上に搭載される素子の大きさと同じ大きさとすることで、パターニングされて蒸着された溶着用金属の大きさを、搭載する素子の大きさと同じ大きさに形成できる。」を挿入する。
　
（II-2）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、訂正事項ｂは、発明の詳細な説明を上記訂正事項ａと整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。そして、それらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、かつ、当該訂正が実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとはいえない。
　したがって、本訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
　　　
III．本件発明
　訂正後の請求項１に係る発明（以下「訂正発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの以下のものと認める。
「上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするヒートシンク。」
　　
IV．特許異議申立について
（IV-1）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　株式会社トクヤマは、本件出願前に頒布された刊行物として、甲第１号証（特開昭５９−１６７０３８号公報）を提示して、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当するので、その発明に係る特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
（IV-2）証拠の記載事実
甲第１号証
(1-1)「１．光半導体泰子のチップを実装するためのサブマウントにおいて、高熱伝導性電気絶縁材料でサブマウント基体を構成し、かつ、サブマウント基体の主面に部分的なメタライズパターンを一つ以上形成し、前記メタライズパターンの一つまたは複数個のパターン上に部分的にソルダーパターン層を設けたことを特徴とする光半導体素子用サブマウントの構造。」（特許請求の範囲１）
(1-2)「従来、光半導体素子、特にレーザーダイオードなどにおいては、金属やＳiなどから成るサブマウントと称する小片に半導体チップをボンディングしたのち、ステムに実装するという手法が一般に採用されている。また、サブマウントの材料として、熱伝導性が高く、かつ電気絶縁性の高い材料（II−Ａ型ダイヤモンド、酸化べリリウム〔ベリリア〕、熱伝導性ＳiＯセラミックなど）を使用した素子が提案されている。」（第２頁左上欄第１９行〜右上欄第７行）
(1-3)第１図とともに、「第１図は、高熱伝導性ＳiＯセラミック・・・・をサブマウントに用いた半導体レーザ装置の構造の例を示す断面図である。サブマウント２１上には、ソルダー層２３を含むメタライズ層が設けられている。半導体レーザのチップ２２を上記サブマウント２１上にソルダー２３により接合した後、ソルダーまたは熱伝導性接着剤２５によりサブマウントがステム２４に接合されている。」（第２頁第８〜１８行）
(1-4)第２、３図とともに、「本発明によるサブマウントの基本構造とその実装例を第２図（平面図）、第３図（断面図）に示す。まず、サブマウント３１を構成する基板（例えば・・・高熱伝導性ＳiＯセラミック基板）の主面に、配線層４０、４１を部分的にメタライズして形成する。・・・・ついで、上記のパターンニングのピッチにしたがって適当なサイズの小片に切断してサブマウント３１を製作する。次に、配線層４０上に半導体チップ３２をボンディングし、ついで、チップの上部電極と他の配線層４１とをＡｕ線３６で接続する。」（第２頁右下欄第３〜１４行）
(1-5)第４、５図とともに、「実施例１　・・・・サブマウント用の熱伝導性ＳiＯセラミック基板５１の裏面に、基板を４００〜５００℃に加熱しながらＮi層５６を膜厚約４０００Å真空蒸着し、ついで基板温度約２００℃においてＡｕ層５７を約２０００Å真空蒸着して裏面のメタライズ層を形成した。次に、基板を２００〜３００℃に加熱しながら、基板表面にＴi層６１・・・、Ｍｏ層６２・・・、Ａｕ層６３・・・を順次連続して真空蒸着した。次に、通常のホトレジストを用いたリソグラフィ技術を用いて選択的にパターンエッチングを行ない、配線層５２、５３を形成した。次に、基板を１５０〜２００℃に加熱しながら、再度表面全面にＴｉ層６４・・・、Ｍｏ層６５・・・、Ａｕ層６６・・・を順次連続して真空蒸着した。ついで、ホトレジスト技術を用いて選択的にパターンエッチングを行ない、バリヤ層５４を形成した。
　次に、パターンニングを施したサブマウント主面全面に、厚さ３〜５μｍのポジ型レジスト膜を塗布し、ホトレジスト技術によりソルダーバッド５５に相当する形状・・・の窓をレジスト膜に設けた。ついで、上記のレジスト膜を被着した状態で、この面にＰｂとＳｎからなるソルダを厚さ２〜４μｍ真空蒸着した。ついで、レジストを溶解し得る有機溶剤・・・中に試料を浸漬し、超音波振動を溶剤に加えてレジスト膜とレジスト膜上のＰｂ／Ｓｎソルダーを溶解・除去する、いわゆる「リフトオフ法」を用いることにより、ソルダ一バッド５５を選択的に形成した。・・・・最後に、第４図に示すように、パターンニングのピッチにしたがって熱伝導性ＳｉＯセラック基板を切断して・・・サブマウントを製作した。」（第３頁左上欄第８行〜左下欄第１２行）
(1-6)「（３）サブマウント材料に高熱伝導性ＳiＯセラミックを用いると、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レ−ザチップの実装に対して極めて有効である。高熱伝導性ＳiＯセラミックは・・・・実装時の歪を最少限に抑えることができ、きわめて高信頼度のＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ半導体レーザを得ることができる。」（第６頁左下欄第６〜１５行）
　　
(IV-3)対比・判断
　訂正発明と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、訂正発明におけるメタライズ及び溶着用金属はそれぞれ甲第１号証に記載されたメタライズパターン及びソルダーパターンに対応し、また、甲第１号証にはソルダを真空蒸着したことの記載がある（摘記1-5）。これらのことからすると、訂正発明は、甲第１号証に記載された発明と、上面がメタライズされ、その上に溶着用金属がパターニングされて蒸着されたものである点で一致し、そして、（Ａ）訂正発明では、上記の溶着用金属について、搭載する素子の大きさと同じ大きさのものとしているのに対して、甲第１号証にはその記載がない点、（Ｂ）訂正発明では、上記のパターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなるとしているのに対して、甲第１号証にはその記載がない点、及び、（Ｃ）訂正発明が対象とする物品はヒートシンクであるのに対して、甲第１号証に記載の発明ではサブマウントであって、ヒートシンクとの記載がない点、の各点で両者の発明は一応相違している。
　　
　そこで、これら相違点Ａ〜Ｃについて、以下検討する。
相違点Ａ及びＢについて
　まず、本件の訂正発明について検討すると、訂正発明は、従来のヒートシンクでは、位置決めのための方策を講ずる必要があり、素子の搭載に先立って溶着用金属を所定の位置に載せねばならず、また、載せる溶着用金属の量が多すぎると素子の周辺にはみ出したり、少ない場合には充分な接着が行なわないことになり、溶着用金属を適当にしなければならない問題があった、との従来技術における問題点の把握に基づき（訂正明細書の「発明が解決しようとする課題」の欄参照。）、上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属（即ち、相違点Ａに係る構成。）がパターニングされて蒸着され、当該パターニングされた溶着用金属は、搭載する素子の大きさと同じ大きさであるのでアライメントマークとなり（即ち、相違点Ｂに係る構成。）、その上に素子を載せるだけで容易、かつ正確に位置決めを行なうことができるとしたものである（訂正明細書の「作用」の欄参照。）。
　してみれば、訂正発明は、上記相違点Ａ及びＢに係る構成を含む前記認定のとおりの構成とすることにより、訂正明細書に記載され、そして甲第１号証に記載のない、前記の目的を達成し、また効果を奏したものということができる。したがって、上記相違点Ａ及びＢは、甲第１号証に記載された発明との、実質的な相違点を構成するものということができる。
　以上のとおりであるから、上記相違点Ｃについてあらためて検討するまでもなく、訂正発明は、甲第１号証に記載された発明ということはできない。
　　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、訂正発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月２６日（２００１．６．２６）
【訂正の要旨】
（訂正の要旨）
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
（ａ‐１）特許請求の範囲を、以下のとおりに訂正する。
「上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするヒートシンク。」
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
（ｂ‐１）明細書第２頁第１６〜１８行の「溶着用金属の・・・・ヒートシンク」を、「搭載する素子の位置決めを容易、かつ、正確に行なうことを可能とするとともに、溶着用金属の量を適当にすることができるヒートシンク」と訂正する。
（ｂ‐２）明細書第３頁第２〜３行の「その上に・・・・蒸着されている」を、「その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなる」と訂正する。
（ｂ‐３）明細書第３頁第７〜１０行の「その上に・・・・行なうことができる。」を、「その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされている。溶着用金属は搭載する素子の大きさと同じ大きさであるので、その上に素子を載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めを行なうことができる。すなわち、パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとして機能する。」と訂正する。
（ｂ‐４）明細書第第５頁第３〜５行の「発光素子７は・・・・光ファイバ８と」を、「次いで、発光素子７が溶着用金属層４上に搭載されるが、溶着用金属層４は該素子７と同じ大きさとされているので、溶着用金属層４はアライメントマークとして機能し、発光素子７を溶着用金属層４上に載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めされ、光ファイバ８と」と訂正する。
（ｂ‐５）明細書第５頁第１７〜１８行の「溶着用金属がパターニングされているから、位置決めに利用でき」を、「搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされているから、素子の位置決めを容易、かつ、正確に行うことができ」と訂正する。
（ｂ‐６）明細書第４頁第１７〜１８行「同じメタルマスクを用いている。」と「蒸着工程が終了した」との間に、改行して、「したがって、メタルマスクのマスクサイズを溶着用金属の上に搭載される素子の大きさと同じ大きさとすることで、パターニングされて蒸着された溶着用金属の大きさを、搭載する素子の大きさと同じ大きさに形成できる。」を挿入する。
　なお、訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、訂正事項（ｂ）は明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（５４）【発明の名称】
ヒートシンク
（５７）【特許請求の範囲】
　上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするヒートシンク。
【発明の詳細な説明】
　（産業上の利用分野）
　本発明は、発光素子や受光素子等を搭載するためのヒートシンクに関するものである。
　（従来の技術）
　従来、光ファイバに結合する受発光素子等には、これら素子の動作時に発生した熱を速やかに冷却媒体（普通は、空気である。）に伝えるため、ヒートシンクが用いられる。また、ヒートシンクは、素子の組立搭載時の歪みと、その後の残留歪みの除去や緩和をも目的として用いられることもあり、シリコン、ベリリア、ダイヤモンド等が用いられる。
　ヒートシンクの上面は、当該素子が載る部分、あるいは、全面がメタライズされており、素子の組立搭載時には、溶着用金属を該当部分に載せて、その上に素子を位置決めして重ね、昇温し、溶着していた。
　しかしながら、このような従来のヒートシンクでは、位置決めのための方策を講ずる必要があり、素子の搭載に先立って溶着用金属を所定の位置に載せなければならなかった。また、載せる溶着用金属の量が、多すぎると素子の周辺にはみ出したり、少ない場合には充分な接着が行なわれないことになり、溶着用金属を適当にしなければならない問題があった。
　（発明が解決しようとする課題）
　本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、搭載する素子の位置決めを容易、かつ、正確に行なうことを可能にするとともに、溶着用金属の量を適当にすることができるヒートシンクを提供することを目的とするものである。
　（課題を解決するための手段）
　本発明は、ヒートシンクにおいて、上面がメタライズされ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされて蒸着され、該パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとなることを特徴とするものである。
　（作　用）
　本発明は、ヒートシンクにおいて、上面がメタライズされ、かつ、その上に搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされている。溶着用金属は搭載する素子の大きさと同じ大きさであるので、その上に素子を載せるだけで容易、かつ、正確に位置決めを行なうことができる。すなわち、パターニングされた溶着用金属がアライメントマークとして機能する。また、溶着用金属は、蒸着によって付着されているから、その量を蒸着工程で制御でき、また、素子の搭載時に溶着用金属を載せるという作業を不要にできるものである。
　（実施例）
　第１図乃至第５図は、本発明の一実施例を製造工程とともに説明するためのものであり、第１図は、シリコンウェハーの斜視図、第２図は、蒸着工程における断面図、第３図は、蒸着後のシリコンウェハーの側面図、第４図は、製造されたヒートシンクの斜視図、第５図は、発光素子を搭載した側面図である。図中、１はシリコンウェハー、２はメタルマスク、３はメタライズ層、４は溶着用金属層、５はヒートシンク、６はステム、７は発光素子、８は光ファイバである。
　まず、第１図に示すシリコンウェハー１の上面に、メタライズ層を形成する。第２図に示すように、シリコンウェハー１の上面を下にして、メタルマスク２を介して金属を蒸着する。最初にＴｉ，Ｐｔ，Ａｕの順に蒸着し、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕのメタライズ層３を形成する。Ｔｉは、シリコンウェハーとの接着性、Ａｕは溶着用金属との接着性のために選択されたものであるが、これに限られるものではない。蒸着されたメタライズ層３の上に、溶着用金属として、ＡｕＳｎの共晶合金を用い、これを蒸着して溶着用金属層４を形成する。この実施例では、溶着用金属層の蒸着には、同じメタルマスクを用いている。
　したがって、メタルマスクのマスクサイズを溶着用金属の上に搭載される素子の大きさと同じ大きさとすることで、パターニングされて蒸着された溶着用金属の大きさを、搭載する素子の大きさと同じ大きさに形成できる。
　蒸着工程が終了したウェハーを第３図に示す矢印の位置でカットして、第４図に示すヒートシンク５が得られる。第５図は、このヒートシンクに発光素子を搭載したものである。ステム６の上面中央には、ヒートシンク５のサイズに相当する形が刻印されており、ヒートシンク５とステム６との位置決めが行なわれる。次いで、発光素子７が溶着用金属層４上に搭載されるが、溶着用金属層４は該素子７と同じ大きさとされているので、溶着用金属層４はアライメントマークとして機能し、発光素子７を溶着用金属層４上に載せだけで容易、かつ、正確に位置決めされ、光ファイバ８との光軸合わせが行なわれる。
　なお、この実施例では、メタライズ層をパターニングしたが、メタライズ層は全面に蒸着し、溶着用金属層のみをパターニングするようにしてもよい。
　また、メタライズ層と溶着用金属層とを別のパターンとなるようにしてもよい。
　搭載される素子が、受光素子や発光素子に限られるものでないことはもちろんである。
　（発明の効果）
　以上の説明から明らかなように、本発明によれば、搭載する素子の大きさと同じ大きさの溶着用金属がパターニングされているから、素子の位置決めを容易、かつ、正確に行うことができ、また、溶着用金属が付着される量を蒸着により正確に制御できるから、適量の溶着用金属をもったヒートシンクを提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
　第１図乃至第５図は、本発明の一実施例を製造工程とともに説明するためのものであり、第１図は、シリコンウェハーの斜視図、第２図は、蒸着工程における断面図、第３図は、蒸着後のシリコンウェハーの側面図、第４図は、製造されたヒートシンクの斜視図、第５図は、発光素子を搭載した側面図である。
　１…シリコンウェハー、２…メタルマスク、３…メタライズ層、４…溶着用金属層、５…ヒートシンク、６…ステム、７…発光素子、８…光ファイバ