【事件の表示】
　特許第２９５０９２７号「半導体レーザ」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５０９２７号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2950927号の請求項1及び2に係る発明は、平成2年7月17日に特許出願され、平成11年7月9日に設定登録がなされ、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成12年8月1日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正内容
　訂正事項a
　特許請求の範囲の請求項1中の「ノンドープのクラッド層」を「InGaAlP系化合物半導体からなるノンドープのクラッド層」と訂正する。
　訂正事項b
　明細書第2頁第27行〜第28行の「ノンドープのクラッド層」を「InGaAlP系化合物半導体からなるノンドープのクラッド層」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ウ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第120条の4第2項及び同条第3項で準用する第126条第2〜4項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明
　訂正後の特許明細書の特許請求の範囲の請求項1及び2に係る発明（以下、本件発明1及び2という。）は次のとおりである。
「【請求項1】 InGaAl系化合物半導体からなるp型及びn型クラッド層と、ノンドープの活性層と、を有し、前記活性層とp型、n型クラッド層との夫々の間に、InGaAlP系化合物半導体からなるノンドープのクラッド層を設けた半導体レーザにおいて、前記n型クラッド層のn型ドーバントとしてSiを用い、前記活性層とp型クラッド層との間に設けたノンドープのクラッド層と、前記活性層とn型クラッド層との間に設けたノンドープのクラッド層との平均膜厚を300Å以下としたことを特徴とする半導体レーザ。
　【請求項2】 前記p型クラッドのp型ドーバントとして、Zn を用いたことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。」
　イ．異議申立の理由の概要
　異議申立人 谷 佳奈は、証拠として甲第1号証（特開平2-33990号公報）を提出し、本件発明1及び2は、特許法第29条第2項に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．甲第1号証に記載の発明
　甲第1号証の第2頁左上欄第7行〜第10行には、
「量子井戸活性層とP型InPクラッド層との間にクラッド層と同じ組成である薄いノンドープのInP拡散防止層を導入してZnの活性層内への拡散を抑制する方法が取られていた。」と記載されている。
　更に、その第2頁右上欄第4行〜第10行には、
「拡散防止層にある程度の厚さが必要になる。ところが厚すぎるとpn接合の位置が活性層から離れて注入キャリアが良好に活性層に注入されなくなり、逆に薄すぎると不純物が活性層まで拡散してしまうという問題があり、拡散防止層の層厚の制御がむずかしい。厚さの最適値としては数百Å程度が採用されている」と記載されている。
　更に、その第2頁右下欄第2行〜第11行には、
「まず、n型InP基板1上にSiドープn型InPバッファ層2（n〜3×1010cm-3、厚さ0.5μｍ）、波長1.15μｍ組成のノンドープInGaAsバリア層（厚さ150Å）及びノンドープInGaAs量子井戸層（厚さ75Å）4層からなる量子井戸活性層3、波長1.3μｍ組成で、ノンドープのInGaAsP拡散防止層4（厚さ300Å）、Znドープｐ型InPクラッド層5（p〜5×1017cm-3、厚さ1.0μｍ）を順次積層した。」と記載されている。
　更に、その第3頁左上欄第7行〜第11行には、
「なお、本実施例においてはInGaAsP系の量子井戸構造半導体レーザを例に示したが、もちろん用いる材料系はこれに限るものではない。また構造も量子井戸構造に限らず、通常のバルク活性層にも効果がある。」と記載されている。
　エ．本件発明と甲第1号証に記載の発明との対比・判断
　本件発明1及び2の「活性層とp型、n型クラッド層との夫々の間に、InGaAlP系化合物半導体からなるノンドープのクラッド層を設ける」ことは、甲第1号証には記載も示唆もされておらず、また、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして、本件発明1及び2は、「活性層とp型、n型クラッド層との夫々の間に、InGaAlP系化合物半導体からなるノンドープのクラッド層を設ける」ことにより、ドーパントの活性層への拡散を制御し、しかも順方向電圧を安定させ、長寿命化、及び歩留まりを改善するという作用効果を呈するものである。
　なお、異議申立人は、”甲第1号証に記載の量子井戸層の薄いノンドープバリア層が拡散防止層の役割を果たしている”と主張している。
　ところが、甲第1号証には、量子井戸層の薄いノンドープバリア層がn型クラッド層に隣接して配置されていることは記載も示唆もされていない。
　してみると、甲第1号証に記載の量子井戸層の薄いノンドープバリア層が拡散防止層の役割を果たしているとすることはできないから、異議申立人の上記主張は当を得ないものである。
　したがって、本件発明1及び2は、甲第1号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許法第29条第2項に違反して特許されたものとすることができない。
　オ．むすび
  以上のとおりであるから、異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明1及び2についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明1及び2についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月５日（２０００．９．５）
【訂正の要旨】
　▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１中の「ノンドープのクラッド層」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、
　「ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなるノンドープのクラッド層」と訂正する。
　▲２▼　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録時の特許公報第２頁左欄第２７行目〜第２８行目「ノンドープのクラッド層」とあるのを、
「ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなるノンドープのクラッド層」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体レーザ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなるｐ型及びｎ型クラッド層と、ノンドープの活性層と、を有し、前記活性層とｐ型、ｎ型クラッド層との夫々の間に、
ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなる
　【請求項２】前記ｐ型クラッドのｐ型ドーパントとして、Ｚｎを用いたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
　本発明は、可視光を出射するＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザに関する。
（ロ）従来の技術
　第５図に示す従来の半導体レーザの素子構造は、ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆ　ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ　Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．９，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ，１９８９，ｐｐ．１６１５−１６２１に開示されたものである。同図において、上からＡｕＺｎ／Ａｕ電極１０１、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０２、ｎ型ＧａＡｓブロック層１０３、ｐ型Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ＸＡｌＸ）０．５ｐクラッド層１０４、ノンドープのＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ活性層１０５、ｎ型Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ＸＡｌＸ）０．５Ｐクラッド層１０６、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１０７、ｎ型ＧａＡｓ基板１０８、ＡｕＧｅ／Ａｕ電極１０９である。
　この例ようにノンドープのＩｎＧａＰ活性層１０５を、ｐ型，ｎ型１ｎＧａＡｌＰクラッド層１０４，１０６で挟んだ素子構造では、製造工程中にｐ型，ｎ型クラッド層１０４，１０６のドーパント（例えばケイ素Ｓｉ，セレンＳｅ，亜鉛Ｚｎ）が活性層１０５内に混入し、素子の信頼性を低下させるという問題点があった。
　第６図は第５図の構造を有する素子においてｎ型クラッド層１０６にドーパントとしてＳｅを用いた素子のＳｅ，Ｚｎ濃度プロファイルを示し、第７図は同じくドーパントとしてＳｉを用いた素子のＳｉ，Ｚｎ濃度プロファイルを示したものである。但し、ドーパント濃度はＳＩＭＳを用いて測定した。
　これらの図からｎ型ドーパントとしてＳｅを用いると、Ｓｅのメモリ効果によって、活性層１０５内にＳｅが多量に取り込まれていることが分かる。
　一方ドーパントとしてＳｉを用いると、Ｓｅの場合に比べて活性層１０５へのＳｉの取り込みが低減されるものの、活性層１０５とｎ型クラッド層１０６との界面ではＳｉの取り込み量が多くなる。
　さらに、第６，７図においてｐ型ドーパントのＺｎも活性層１０５内に多く拡散して取り込まれていることが分かる。
（ハ）発明が解決しようとする課題
　本発明は上記従来技術の問題点に鑑み、活性層内にｐ型，ｎ型ドーパントが取り込まれる現象を軽減するための新しい素子構造を提供することを目的とする。
（ニ）課題を解決するための手段
　本発明は、ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなるｐ型及びｎ型クラッド層と、ノンドープの活性層と、を有し、前記活性層とｐ型，ｎ型クラッド層との夫々の間に、
ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなる
　そして、前記ｐ型クラッドのｐ型ドーパントとして、Ｚｎを用いる。
（ホ）作用
　活性層の両側にあるノンドープのクラッド層により活性層内へのｐ型，ｎ型ドーパントの取り込み量を制御し、しかも順方向電圧を安定させる。
（へ）実施例
　以下本発明の半導体レーザを図面に基づき詳細に説明する。
　第１図は素子構造を示す断面図であり、上から順に、Ｃｒ−Ａｕ電極１、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２、ｎ型ＧａＡｓブロック層３、ｐ型Ｉｎ（Ｇａ０．５Ａｌ０．５）Ｐクラッド層４、Ｉｎ（Ｇａ０．５Ａｌ０．５）Ｐノンドープクラッド層５、ノンドープのＩｎＧａＰ活性層６、Ｉｎ（Ｇａ０．５Ａｌ０．５）Ｐノンドープクラッド層７、ｎ型Ｉｎ（Ｇａ０．５Ａｌ０．５）Ｐクラッド層８、ｎ型ＩｎＧａＰバッファ層９、ｎ型ＧａＡｓ基板１０、Ｃｒ−Ｓｎ−Ａｕ電極１１である。
　前記各層は周知のＭＯＣＶＤ法を用いて基板１０の一主面上に順次エピタキシャル成長され、前記ノンドープクラッド層５，７の厚みはそれぞれ１００Åである。
　第２図は第１図の素子構造を有する半導体レーザ用素子において、ｎ型ドーパントとしてＳｉを用い、ｐ型ドーパントとしてＺｎを用いたときのドーピングプロファイルを示した図である。前記第７図と比較すると、活性層６内へのドーパントの取り込みが軽減されていることが分かる。
　即ち、従来の素子では、活性層１０５とｐ型クラッド層１０４との界面では３×１０１７（ｃｍ−３）程度のＺｎの拡散が見られ、活性層１０５とｎ型クラッド層１０６との界面では７．５×１０１７（ｃｍ−３）程度のＺｎの拡散が見られるのに対し、本発明の素子では各ノンドープクラッド層５，７と活性層６との界面では夫々１×１０１７、２．５×１０１７（ｃｍ−３）程度のＺｎの拡散しか見られない。
　第３図は前記ノンドープクラッド層５，７の平均膜厚と２００ｍＡにおける順方向電圧ＶＦとの関係を示す図である。ここで平均膜厚とは次式によるものとする。
　この図を見ると平均膜厚が３００Å程度まではＶＦの変化が少なく安定していることが明らかである。
　第４図は従来の素子と本発明の素子との寿命試験を行った結果を示す電流特性図である。ここで素子のストライプ幅、活性層６の厚み寸法、共振器長は夫々５μｍ、０．０８μｍ、３００μｍ、端面コート無しとし、寿命試験は５０℃、５ｍＷ、ＡＰＣ（ＡｕｔｏｍａｔｉｃＰｏｗｅｒ　Ｃｏｎｔｒｏｌ）法で行った。
　この図から明らかなように従来の素子は１５００時間程度までは大きな電流の変化はみられないが、１５００時間を過ぎると、その電流値が大きく変化してしまうのに比して、本発明素子では４０００時間に達しても初期の電流値を保持していることが観察された。
（ト）発明の効果
　本発明は以上の説明の如く、活性層の両側にノンドープのクラッド層を介在させることにより、ドーパントの活性層への拡散を制御し、しかも順方向電圧を安定させ、長寿命化、及び歩留まりの改善を期待できるという効果が生まれる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体レーザ素子の構造を示す断面図、第２図は同じくドーピングプロファイルを示す図、第３図は同じくノンドープ層の膜厚とＶＦとの関係を示す図、第４図は本発明の素子と従来の素子との寿命特性を比較した図、第５図は従来素子の構造断面図、第６図はｎ型ドーパントとしてＳｅを用いた従来素子のドーピングプロファイルを示す図、第７図は第５図に相当する従来素子のドーピングプロファイルを示す図である。
４……ｐ型クラッド層、
６……ノンドープの活性層、
５，７……ノンドープクラッド層、
８……ｎ型クラッド層。