【事件の表示】
　特許第２８２５３３２号「樹脂封止型半導体装置、該装置の製法および半導体封止用樹脂組成物」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８２５３３２号の請求項１〜１１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第２８２５３３２号（平成２年９月２１日出願、平成１０年９月１１日設定登録）は、異議申立人岡本綾子より特許異議の申立てがなされ、取消理由を通知し、その指定期間内である平成１２年８月７日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）特許請求の範囲の請求項１及び請求項２中の「樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置において」を、「樹脂組成物で封止された厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において」と訂正する。
（１−２）請求項１２〜１５を削除する。
（１−３）明細書第１２頁第１〜２行目の「樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置において」を、「樹脂組成物で封止された厚さがｌｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において」と訂正する。
（１−４）明細書第２２頁第３〜４行目の「ポリエチレ」を、「ポリエチレン」と訂正する。
（１−５）明細書第３２頁の第３表中の「封止材料組性（重量部）」を、「封止材料組成（重量部）」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）上記訂正事項（１−１）については、特許請求の範囲に記載された「樹脂封止型半導体装置」を、「厚さがｌｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置」に限定しようとするものであって、当該厚さがｌｍｍ前後の超薄型パッケージは、明細書第９頁第８〜９行目（特許公報第３頁左欄第１３〜１４行目）に記載されていたものであるから、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
（２−２）上記訂正事項（１−２）については、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
（２−３）上記訂正事項（１−３）については、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
（２−４）上記訂正事項（１−４）については、「ポリエチレ」とあるのを「ポリエチレン」と明りょうにしたものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
（２−５）上記訂正事項（１−５）については、「封止材料組性」とあるのを「封止材料組成」と訂正したものであるから、誤記の訂正に該当するものである。
　
　そして、上記訂正事項（１−１）〜（１−５）は、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもないから、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するものである。
　
（３）独立特許要件
（３−１）本件発明
　訂正された明細書（以下、「訂正明細書」という。）の請求項１〜１１に係る発明（以下、「本件発明１〜１１」という。）は、それぞれ特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　半導体素子の少なくとも回路形成面が無機充填剤を含む樹脂組成物で封止された厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において、前記充填剤が粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が１〜１５μｍ、ＲＲＳ粒度線図における粒度分布直線の勾配ｎが０．５〜１．５の粒状物質であり、該充填剤の含有量が樹脂組成物全体の５５〜８５容量％であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項２】
　半導体素子の少なくとも回路形成面が無機充填剤を含む樹脂組成物で封止された厚さがｌｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において、前記充填剤が粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が２〜６μｍ、ＲＲＳ粒度線図における粒度分布直線の勾配ｎが０．５〜１．５の粒状物質であり、該充填剤の含有量が樹脂組成物全体の５５〜８５容量％であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項３】
　前記樹脂組成物がエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂の少なくとも１種を含み、８５℃／９８％ＲＨ下における飽和吸湿率が１重量％以下、ガラス転移温度が１３０℃以上の硬化物である請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項４】
　前記樹脂組成物がエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂の少なくとも１種を７０〜９９重量％およびシリコーン系可撓化剤１〜３０重量％を含み、８５℃／９８％ＲＨ下における飽和吸湿率が１重量％以下、ガラス転移温度が１３０℃以上の硬化物である請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項５】
　前記樹脂組成物が多官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂および硬化促進剤を含む請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項６】
　前記充填剤が実質的に球形の溶融シリカ粒子またはアルミナ粒子である請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項７】
　二つの半導体チップが回路形成面を対向して配置されており、該回路形成面上には複数のインナーリードが該半導体チップと電気的に浮いた状態で配置され、該インナーリードと前記半導体チップとはボンディングワイヤによって電気的に接続されており、これらは前記リードの外部回路との接続端部を残して封止樹脂で封止されており、該封止樹脂がエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂の少なくとも１種と、粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が１〜１５μｍの粒状物質からなる充填剤を含み、該充填剤の含有量が封止樹脂全体の５５〜８５容量％であることを特徴とする表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　【請求項８】
　前記封止樹脂が多官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂および硬化促進剤を含む請求項７に記載の表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　【請求項９】
　前記充填剤が実質的に球形の溶融シリカ粒子またはアルミナ粒子で請求項７または８に記載の表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　【請求項１０】
　前記封止樹脂のウランまたは／およびトリウムの含有量がｌｐｐｂ以下である請求項７〜９のいずれかに記載の表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　【請求項１１】
　前記封止樹脂が１０倍量の純水と混合し、１２０℃、１００時間抽出した抽出液がｐＨ３〜７、電気伝導度２００μｓ／ｃｍ以下、ハロゲンイオン、アンモニアイオンまたは金属イオンが１０ｐｐｍ以下である請求項７〜１０のいずれかに記載の表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　
（３−２）取消理由の概要
　取消理由の概要は、訂正前の請求項１〜６及び請求項１２〜１５に係る発明は、刊行物１（特開昭６３−１０８０２１号公報）、及び刊行物２（特開平１−１０８２５６号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたというものである。
　
（３−３）引用刊行物の記載事項
１）刊行物１
　刊行物１の特開昭６３−１０８０２１号公報には、線膨張係数及び弾性率の小さい半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその組成物を用いて封止した半導体装置に関する発明が、第１図とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
ア．半導体封止用エポキシ樹脂組成物について
　「１．エポキシ樹脂に変性剤としてシリコーン重合体、充填材として球状の溶融石英粉を配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、
　充填材の９０％以上が０．５〜１００μｍの粒径をもち、その粒度分布をＲＲＳ粒度線図で示した場合に、勾配ｎが０．６〜１．５の範囲で直線性を示す球状の溶融石英粉であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
２．前記充填材とシリコーン重合体が含むＳｉＯ２成分の総量が前記エポキシ樹脂組成物全体に対し８０重量％以上配合されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
イ．充填材の配合量について
　「一般に、封止用樹脂には熱膨張係数の低減を目的に樹脂よりも線膨張係数の小さい無機質充填材が配合されている。そこで線膨張係数を小さくするためには、充填材の配合量を増せば良い。しかし、充填材の配合量を増すと樹脂組成物の粘度が上昇し流動性が低下するため封止作業が困難になる。」（第２頁右上欄１５行〜左下欄１行）
ウ．充填材の粒径の限定理由として
　「充填材の９０重量％以上が粒径０．５〜１００ｍｍの範囲に限定される理由は、０．５ｍｍ以下の微粒子が多くなると樹脂組成物がチクソトロピック性を示すようになり、粘度上昇や流動性の低下が起こり、１００ｍｍ以上の粗い粒子が多くなると封止の際、Ａｕ線の変形や切断が起きたり、薄型のパッケージを封止する際に粗い粒子が金型中で目詰りを起こし、樹脂の充填不良が発生するためである。」（第３頁左下欄１７行〜右下欄５行）
エ．実施例２、４、５について
　前記充填材（球−２）６４３重量部を用いた封止用樹脂組成物（多官能エポキシ樹脂としての０−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂９０重量部、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂１０重量部、硬化剤としてのフェノールノボラック樹脂５２重量部、硬化促進剤としてのトリフエニルホスフイン１重量部、変性剤としてのエポキシ変性ポリジメチルシロキサン１０重量部、及びその他８重量部を含む。）の実施例２，４，５において、実施例２の最低溶融粘度が２２０ボイズ、実施例４、５のガラス転移温度が１７２℃、１７３℃である例。（第１表、第２表、及びその説明参照）
オ．第１図について
　第１図は、球状充填材の粒径に対する最大粒径からの累積重量％の線図であって、球−１については、粒径４４μｍを越える成分を４０重量％程度含み、最大粒径からの累積重量％が５０％である場合の平均粒径は約３０μｍであり、球−３については、粒径４４μｍを越える成分を１５重量％程度含んでおり、平均粒径は約８μｍであるものの、球−２については、粒径４４μｍを越える成分は１重量％未満であり、平均粒径も約６μｍであること。
　
２）刊行物２
　刊行物２の特開平１−１０８２５６号公報には、耐熱性、耐湿性および耐半田性（耐リフロー性）に優れた電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料に関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
カ．電子部品封止用成形材料について
　（Ａ）ビフェニル骨格を有する特定のエポキシ樹脂、及び（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有し、該平均分子量１０００以上のクレゾールノボラック樹脂を必須成分として含有することを特徴とする電子部品封止用成形材料。（特許請求の範囲参照）
キ．無機充填剤の配合量について
　「無機充填剤の配合量としては４０〜８０容量％が好ましく、吸水率を低減し、高温強度を向上するためには６０〜８０容量％がさらに好ましいが、特に限定されるものではない。」（第３頁左下欄１〜４行）
ク．樹脂組成物の吸水率について、５０ｍｍφ、３ｍｍｔの円板を成形し、８５℃／８５％ＲＨ、７２時間にて吸水させ重量変化から求めた、吸水率０．３５及び０．３６の例（第５頁左上欄７〜９行及び表１の実施例１、２参照）
ケ．「・・・エポキシ樹脂および・・・クレゾールノボラック樹脂を必須成分として含有する電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料。」（特許請求の範囲）、「本発明の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料の必須成分の１つである（Ａ）のエポキシ樹脂は・・・フェニル骨格に疎水性のメチル基を有するため吸水性が小さくなる。」（第２頁左下欄１〜５行）
コ．無機充填剤の配合量について
　「無機充填剤の配合量としては４０〜８０重量％が好ましく、吸水率を低減し、高温強度を向上するため６０〜８０容量％がさらに好ましい・・・」（第３頁左下欄１〜４行）
　
（３−４）対比・判断
１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１に記載のものとを対比すると、刊行物１に記載のものは半導体封止用であり、かかる用途において半導体素子の回路形成面が樹脂組成物で封止されることは自明であるから、両者は、半導体素子の少なくとも回路形成面が無機充填剤を含む樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置において、平均粒径が１〜１５ｍｍ、ＲＲＳ粒度線図における粒度分布直線の勾配ｎが０．５〜１．５の粒状物質である樹脂封止型半導体装置の点で一致し、次の点Ａ、Ｂ、Ｃで相違する。
Ａ．パッケージの厚さ
　本件発明１では、樹脂組成物で封止された厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置を対象としているのに対し、刊行物１に記載の樹脂封止型半導体装置は、パッケージサイズの小型薄型化に対応する装置を対象としているものの、上記のような超薄型パッケージに限定していない点。
Ｂ．充填材の粒径
　本件発明１では、充填剤が粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満であるのに対して、刊行物１に記載のものは、充填材の９０重量％以上が０．５〜１００μｍの粒径を有する点。
Ｃ．充填材の含有率
　本件発明１は、充填剤の含有率が樹脂組成物全体の５５〜８５容量％であるのに対して、刊行物１に記載のものは、充填材とシリコーン重合体が含むＳｉ０２成分の総量が、前記エポキシ樹脂組成物全体に対し８０重量％以上配合される点
　そこで、前記の相違点Ａ、Ｂ、Ｃについてさらに検討する。
１−１）相違点Ａ、Ｂ
　刊行物１には、本件発明１と同じ樹脂封止型半導体装置において、前記本件発明１の充填剤の粒径の限定理由と同様な理由、すなわち、０．５μｍ以下の微粒子が多くなると、粘度上昇や流動性の低下が起こり、１００μｍ以上の粗い粒子が多くなると封止の際、Ａｕ線の変形や切断が起きたり、薄型のパッケージを封止する際に粗い粒子が金型中で目詰まりを起こし、樹脂の充填不良が発生することが記載されている（記載事項ウ参照）。
　しかしながら、本件発明１のように、厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージにおいて、充填剤が粒径４４μｍを越える成分及び粒径０．１μｍ以下の成分をそれぞれ１重量％未満とすることにより、成型時に該粒子が成形金型の流路の狭い部分を目詰まりさせたり、金ワイヤの変形、断線の要因とならないようにするとともに、成形材料の溶融粘度上昇の要因とならないようにし、充填性を低下させることがないようにすることについては、記載はない示唆もない。
１−２）相違点Ａ、Ｃ
　刊行物２には、電子部品封止用エポキシ樹脂組成物における無機充填剤の配合量として、吸水率を低減し、高温強度を向上するために６０〜８０容量％配合することが記載されている（記載事項カ参照）。
　しかしながら、本件発明１のように、厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージにおいて、充填剤の含有量を５５容量％〜８５容量％とすることにより、成形中に充填剤と樹脂とが分離し易く、成形品中に組成のバラツキが生じ信頼性が低下することがないようにするとともに、封止樹脂材料の粘度が著しく上昇し、封止ができなくなることがないようにしたことについては、記載はないし示唆もない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
２）本件発明２について
　本件発明２は、成形性と耐リフロー性が優れたものを得るために、平均粒子径を１〜１５ｍｍから２〜６ｍｍに限定した点で本件発明１と異なるのみであり、平均粒子径を約６ｍｍとした例は刊行物１に示されている（記載事項エ参照）ものの、前記の本件発明１と同じ理由により、本件発明１は、刊行物１及び２に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３）本件発明３〜６について
　本件発明３〜５は本件発明１または２を引用し、本件発明６は本件発明１〜５のいずれかを引用したものであるから、前記の本件発明１または２と同じ理由により、本件発明３〜６は、刊行物１及び２に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の同法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を求める。
　
［３］異議申立てについて
（１）申立ての理由の概要
　訂正前の本件請求項１〜１５に係る発明は、甲第１号証の１〜３に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項に該当し、また、訂正前の本件請求項１〜１５に係る発明は、甲第１号証の１〜３、及び甲第４号証の１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定に該当し、それぞれ同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
（２）甲第１〜４号証の記載事項
（２−１）甲第１号証の１及び甲２号証
　甲第１号証の１及び甲第２号証は、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１、２に対応する。
　
（２−２）甲第１号証の２
　甲第１号証の２の特開昭６３−１２８０２０号公報には、線膨張係数が小さな半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び当該組成物を用いた樹脂封止型半導体装置に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「エポキシ樹脂に充てん剤として球形の溶融石英粉を配合したエポキシ樹脂組成物において、当該充てん剤の９０重量％以上が１００μｍ以下の粒径を有し、しかも、その粒度分布をＲＲＳ粒度線図で表示した場合に勾配ｎが０．６〜１．５の範囲で直線性を示す粒度分布を有し、かつ当該充てん剤が組成物全体に対し８０重量％以上配合されていることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項）
　
（２−３）甲第１号証の３
　甲第１号証の３の特開昭６３−２８２１４６号公報には、半導体等の電子部品の封止材、絶縁材、放熱シートなどの充てん材に関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　「ＲＲＳ粒度線図において、最大粒径からの累積重量％の１０〜３０重量％の１点と７０〜９０重量％の１点とを結んだ直線の勾配が１．１以下であり、かつ、最大粒径からの累積重量％が２０重量％から８０重量％までの粒度範囲の任意の粒径において、その粒径における最大粒径からの累積重量％の実測値と前記直線から内挿されるその粒径における最大粒径からの累積重量％の内挿値との差が１０重量％以下である粒度分布を有する球状粉末からなることを特徴とする充てん材。」（特許請求の範囲）
　
（２−４）甲第３号証
　甲第３号証の特開昭６２−３９６４１号公報には、ＩＣプラスチックパッケージ用充てん剤及びその製造方法に関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　平均粒径が５〜３０μｍの溶融石英粉９７．０〜９９．５重量％と平均粒径１０〜５００ｎｍの球状溶融石英粉０．５〜３．０重量％とからなる、ウラン等の放射性元素含有量がｌｐｐｂ以下であるＩＣプラスチックパッケージ用充てん剤。（特許請求の範囲第１、２項参照）
　
（２−５）甲第４号証の１
　甲第４号証の１の特開昭６１−２５８８６３号公報には、半導体封止用樹脂等の硬化性樹脂組成物に関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　結晶性石英粉を配合した硬化性樹脂組成物において、結晶性石英粉として８００〜１４００℃の温度で熱処理したものであって、結晶性石英粉１０ｇを１２０℃、２．１ｋｇ／ｃｍ２の加圧熱水５０ｍｌで抽出処理した場合に抽出液中のハロゲンとアルカリ金属の量がそれぞれ５ｐｐｍ以下になるものを使用したこと硬化性樹脂組成物。（特許請求の範囲第１、２項参照）
　
（２−６）甲第４号証の２
　甲第４号証の２の特開昭５７−２１２２２４号公報には、樹脂封止型ＬＳＩ、ＩＣ、トランジスタなどの半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　「常温常圧下水またはこれと有機溶剤とを用いて検出されるアルカリ金属イオン含量および加水分解性ハロゲンイオン含量が共にそれぞれ１０ｐｐｍ以下である下記の三成分；
　ａ）ノボラック型エポキシ樹脂を主成分とする全塩素含量が０．１重量％以下のエポキシ樹脂、
　ｂ）上記ａ成分のエポキシ基に対して水酸基当量で０．７〜１．２当量を占めるノボラック樹脂、
　ｃ）全組成物中６０〜８０重量％を占める溶融シリカ粉末および／または結晶性シリカ粉末、
を必須成分とし、かつプレッシャークッカー状態（１２１℃、２気圧、１００％Ｒ．Ｈ）下で抽出される硬化物のアルカリ金属イオン含量が１０ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が１００ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が１００μν／ｃｍ以下となるような配合組成とされた半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項）
　
（３）当審の判断
（３−１）本件発明１について
　甲第１号証の２、甲第１号証の３、及び甲第３号証には、充填剤として、甲第１号証の１に記載されている充填材の粒径０．５μｍ〜１００μｍとほぼ同様の粒径のものが記載され、また、甲第１号証の２には、甲第１号証の１に記載されている充填材等の含有率８０重量％以上とほぼ同様の含有率のものが記載されているにしても、上記［２］（３−４）１）と同様の理由により、本件発明１は、甲第１号証の１〜３、及び甲第３号証に記載の発明ではないし、甲第１号証の１〜３、及び甲第３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３−２）本件発明２について
　甲第１号証の２、３には、甲第１号証の１に記載された充填材（球−２）の平均粒径６μｍと同様の平均粒径のものが記載されているにしても、上記［２］（３−４）２）と同様の理由により、本件発明２は、甲第１号証の１〜３、及び甲第３号証に記載の発明ではないし、甲第１号証の１〜３、及び甲第３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３−３）本件発明３〜６について
　本件発明３〜５は、本件発明１または２を引用し、本件発明６は本件発明１〜５のいずれかを引用したものであるから、前記の本件発明１または２と同じ理由により、本件発明３〜６は、刊行物１及び２に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３−４）本件発明７について
　本件発明７は、一つの半導体チップが回路形成面を対向して配置されており、該回路形成面上には複数のインナーリードが該半導体チップと電気的に浮いた状態で配置され、該インナーリードと前記半導体チップとはボンディングワイヤによって電気的に接続されており、これらは前記リードの外部回路との接続端部を残して封止樹脂で封止した半導体装置であって、本件発明１おける樹脂組成物として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂の少なくとも１種を用いて樹脂封止したものである。
　しかしながら、甲第１号証の１〜３、甲第２、３号証、及び甲第４号証の２には、樹脂組成物として、エポキシ樹脂等の本件発明７と同様の樹脂組成物を用いることが記載されており、しかも、半導体装置として、一つの半導体チップが回路形成面を対向して配置され、該回路形成面上には複数のインナーリードが該半導体チップと電気的に浮いた状態で配置され、該インナーリードと前記半導体チップとは、ボンディングワイヤによって電気的に接続され、これら全体を前記リードの外部回路との接続端部を残して封止樹脂で封止したものが、本件出願前普通に知られていたにしても、本件発明７は、上記［２］（３−４）１）と同じ理由により、甲第１号証の１〜３、甲第２、３号証、及び甲第４号証の１、２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（３−５）本件発明８〜１１について
　本件発明８は、本件発明７を引用し、本件発明９は本件発明７または８のいずれかを引用し、本件発明１０は本件発明７〜９のいずれかを引用し、さらに、本件発明１１は本件発明７〜１０のいずれかを引用したものであるから、前記の本件発明７と同じ理由により、本件発明８〜１１は、甲第１号証の１〜３、甲第２、３号証、及び甲第４号証の１、２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件発明１〜１１についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１１についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜１１についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月２４日（２０００．１０．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１及び請求項２中の「樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置において」を、「樹脂組成物で封止された厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において」と訂正する。
（２）特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１２〜１５を削除する。
（３）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第１２頁第１〜２行目の「樹脂組成物で封止された樹脂封止型半導体装置において」を、「樹脂組成物で封止された厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において」と訂正する。
（４）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第２２頁第３〜４行目の「ポリエチレ」を、「ポリエチレン」と訂正する。
（５）誤記の訂正を目的として、明細書第３２頁の第３表中の「封止材料組性（重量部）」を、「封止材料組成（重量部）」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
樹脂封止型半導体装置、該装置の製法および半導体封止用樹脂組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　半導体素子の少なくとも回路形成面が無機充填剤を含む樹脂組成物で封止された厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において、
前記充填剤が粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が１〜１５μｍ、ＲＲＳ粒度線図における粒度分布直線の勾配ｎが０．５〜１．５の粒状物質であり、該充填剤の含有量が樹脂組成物全体の５５〜８５容量％であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項２】
　半導体素子の少なくとも回路形成面が無機充填剤を含む樹脂組成物で封止された厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において、
前記充填剤が粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が２〜６μｍ、ＲＲＳ粒度線図における粒度分布直線の勾配ｎが０．５〜１．５の粒状物質であり、該充填剤の含有量が樹脂組成物全体の５５〜８５容量％であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項３】
　前記樹脂組成物がエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂の少なくとも１種を含み、８５℃／９８％ＲＨ下における飽和吸湿率が１重量％以下、ガラス転移温度が１３０℃以上の硬化物である請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項４】
　前記樹脂組成物がエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂の少なくとも１種を７０〜９９重量％およびシリコーン系可撓化剤１〜３０重量％を含み、８５℃／９８％ＲＨ下における飽和吸湿率が１重量％以下、ガラス転移温度が１３０℃以上の硬化物である請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項５】
　前記樹脂組成物が多官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂および硬化促進剤を含む請求項１または２に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項６】
　前記充填剤が実質的に球形の溶融シリカ粒子またはアルミナ粒子である請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項７】
　二つの半導体チップが回路形成面を対向して配置されており、該回路形成面上には複数のインナーリードが該半導体チップと電気的に浮いた状態で配置され、該インナーリードと前記半導体チップとはボンディングワイヤによって電気的に接続されており、これらは前記リードの外部回路との接続端部を残して封止樹脂で封止されており、
該封止樹脂がエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂の少なくとも１種と、粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が１〜１５μｍの粒状物質からなる充填剤を含み、
該充填剤の含有量が封止樹脂全体の５５〜８５容量％であることを特徴とする表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　【請求項８】
　前記封止樹脂が多官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂および硬化促進剤を含む請求項７に記載の表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　【請求項９】
　前記充填剤が実質的に球形の溶融シリカ粒子またはアルミナ粒子で請求項７または８に記載の表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　【請求項１０】
　前記封止樹脂のウランまたは／およびトリウムの含有量が１ｐｐｂ以下である請求項７〜９のいずれかに記載の表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
　【請求項１１】
　前記封止樹脂が１０倍量の純水と混合し、１２０℃、１００時間抽出した抽出液がｐＨ３〜７、電気伝導度２００μｓ／ｃｍ以下、ハロゲンイオン、アンモニアイオンまたは金属イオンが１０ｐｐｍ以下である請求項７〜１０のいずれかに記載の表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
　［産業上の利用分野］
　本発明は、樹脂封止型半導体装置、半導体封止用樹脂組成物に係り、とくに表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置に関する。
　［従来の技術］
　半導体素子を外部環境から保護し、プリント基板への実装を容易にするためのパッケージ技術として、従来から樹脂封止技術が広く用いられている。しかし、半導体素子はこれまで３年に約４倍のピッチで高集積化が進み、それに伴って素子サイズも大型化が進んでいる。また、素子の高性能、多機能化に伴いピン数の増加が進んでいる。
　一方、各種エレクトロニクス機器の小型軽量化、高機能化等のニーズから、各種半導体装置は実装の高密度化の要求が強く、パッケージは小型薄型化のすう勢にあり、その結果封止樹脂層はますます薄肉化の方向にある。
　従来のパッケージは、ピンをプリント基板のスルーホールに差し込んで実装するＤＩＰ（
Ｄ
Ｉ
Ｐ
Ｓ
Ｏ
Ｐ
Ｓ
Ｏ
Ｊ
Ｑ
Ｆ
Ｐ
　更に、パッケージの厚さは特に装置や部品の薄型化を図る上で極めて重要であり、最近はＴＳＯＰ（
Ｔ
Ｓ
Ｏ
Ｐ
Ｔ
Ｓ
Ｏ
Ｊ
Ｔ
Ｑ
Ｆ
Ｐ
［発明が解決しようとする課題］
　しかし、このようにチップの大型化、多ピン化、パッケージの小型薄肉化、表面実装化が進むにつれ、半導体素子を樹脂封止する上で次の様な問題が生じている。
（１）樹脂封止半導体装置は、それを構成する半導体チップ、リードフレーム、金ワイヤ、封止樹脂等の熱膨張係数がそれぞれ異なるため、温度差によって熱応力を発生し、パッケージ内部の接着層の剥離、パッシベーション膜のクラック、アルミニウム配線の位置ずれや断線、半導体チップの破損、パッケージのクラック等の種々の不良を発生し易い。
（２）表面実装型パッケージ（パッケージの表面にプリント回路板等の外部回路との接続用リードあるいははんだバンプを設けてはんだ付けにより接続する）は、実装時にべーパーリフローあるいは赤外線リフロー方式によるはんだ付けが行われるため、パッケージ全体がはんだの溶融温度以上に加熱される。そのため、パッケージが吸湿しているとパッケージ内部で吸湿水分が急激に蒸発し、その蒸気圧によってパッケージ内部に剥離やクラックが生じ、実装後の信頼性が著しく低下する。
（３）封止材料の熱膨張係数を小さくするためには、充填剤の配合量を増やす必要があるが、材料の流動特性が低下するためパッケージの封止樹脂層が薄い部分あるいはリード間等の狭い隙間には充填しにくい。
（４）封止材料の流動特性を向上すると、封止時の圧力によって金型の合わせ面に封止材料が流れ込み、ばりの発生率が高くなるため作業性が悪くなる。
（５）パッケージサイズの小型化には従来のパッケージ構造では限界があり、新しい構造のパッケージの提供が必要である。
　本発明の目的は、前記に鑑み大型チップや多ピンのチップを小型薄肉化した表面実装型パッケージ並びに高度な信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
　また、本発明の他の目的は、狭い隙間に充填でき、かつ、金型の合わせ面でのばり発生が少なく、熱応力の発生が少ない、はんだ耐熱性が優れた封止材料を提供することにある。
　更にまた、本発明の他の目的は、上記の封止材料を用いた高集積度のチップサイズが大きいあるいはピン数が多い表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置の製法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
　前記目的を達成する本発明の要旨は次の通りである。
（１）半導体素子の少なくとも回路形成面が無機充填剤を含む樹脂組成物で封止された厚さが１ｍｍ前後の超薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置において、
前記充填剤が粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が１〜１５μｍ、ＲＲＳ粒度線図における粒度分布直線の勾配ｎが０．５〜１．５の粒状物質であり、該充填剤の含有量が樹脂組成物全体の５５〜８５容量％であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置並びにその製法。
（２）二つの半導体チップが回路形成面を対向して配置されており、該回路形成面上には複数のインナーリードが該半導体チップと電気的に浮いた状態で配置され、該インナーリードと前記半導体チップとはボンディングワイヤによって電気的に接続されており、これらは前記リードの外部回路との接続端部を残して封止樹脂で封止されており、
該封止樹脂がエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂の少なくとも１種と、粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が１〜１５μｍの粒状物質からなる充填剤を含み、
該充填剤の含有量が封止樹脂全体の５５〜８５容量％であることを特徴とする表面実装構造を有する樹脂封止型半導体装置。
（３）粒径４４μｍを越える成分および粒径０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が１〜１５μｍ、ＲＲＳ粒度線図における粒度分布直線の勾配ｎが０．５〜１．５の粒状物質である無機充填剤と熱硬化性樹脂を主成分とし、該粒状無機充填剤が全体の５５〜８５容量％を占める組成物からなり、該組成物の１８０℃での溶融粘度が１００〜２０００ポイズであり、かつ、その硬化物の熱膨張係数が（０．７〜１．８）×１０−５／℃、ガラス転移温度が１３０℃以上であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物および該組成物を用いた樹脂封止型半導体装置の製法。
　本発明の適用に当たって最も効果が大きい表面実装型の半導体装置の一例を、図面を用いて説明する。
　第２図はリードフレーム１のダイパッド部２に半導体素子３を銀ペースト４で固着し、素子上のアルミニウム電極とリードフレーム間を金ワイヤ５でボンデイングし、封止材料６で封止したＴＱＦＰ（
Ｔ
Ｑ
Ｆ
Ｐ
Ｐ
　これに対して、第１図においてはリードフレーム１にフィルム状接着剤７を用いて半導体素子３を固着した後、素子上のアルミニウム電極とリードフレーム間を金ワイヤ５でボンデイングし、樹脂材料６で封止したＳＯＪ（
Ｓ
Ｏ
Ｊ
　また、第３図は半導体装置のリードフレーム部分を間に挾んで半導体素子３、３’の回路形成面を対向させて二段重ねにし、これを樹脂材料６で封止したもので、見掛け上は前記ＳＯＪの一例である。
　前記第１，３図以外に、本発明が適用される表面実装型パッケージの例としては、導体回路を形成したポリイミドフィルムのテープに、半導体素子をボンディングしたいわゆるＴＡＢ（
Ｔ
Ａ
Ｂ
　本発明において、前記封止材料の樹脂成分としては熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでも使用できるが、熱硬化性樹脂はモノマー段階での粘度が比較的低いため充填剤を多量に配合することが容易であり、パッケージの熱応力の低減を図る上で有利である。これに対し、熱可塑性樹脂は溶融粘度が高く、充填剤を多量に配合することは難しいが、成形品の伸び率が大きいために、熱応力が発生してもクラックが生じにくいと云う利点がある。
　前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等がある。このうち、エポキシ樹脂が封止品の特性が優れており有用であるが、特に、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｏ−クレゾール型エポキシ樹脂を始め、ビスフェノールＡ骨格を有する多官能（３官能以上）エポキシ樹脂、ビフェニル骨格あるいはナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂が有用である。これらは２種以上併用することによってより優れた特性が得られる。
　前記エポキ樹脂の硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂、無水ポリカルボン酸、アミン、イミダゾール、三フッ化ホウ素等の化合物を用いることができるが、特にフェノールノボラック樹脂またはその誘導体を硬化剤として用いた組成物が成形性、硬化物物性、封止品の各種信頼性のバランスが優れている。
　これらのエポキシ樹脂は比較的硬化反応が緩慢なため、通常は硬化促進剤を配合して硬化反応を促進する必要がある。本発明のような用途に有用な硬化促進剤としては含窒素塩基性化合物、含りん塩基性化合物またはこれら化合物のテトラ置換ボロン塩から選ばれる化合物が有用である。
　含窒素塩基性化合物の具体例としてはイミダゾールおよびその誘導体または１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンおよびその誘導体が挙げられる。
　また、含りん塩基性化合物としてはトリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン等が挙げられる。
　さらに、含窒素塩基性化合物および含りん塩基性化合物のテトラ置換ボロン塩としてはイミダゾールおよびその誘導体、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンおよびその誘導体あるいは有機ホスホニウム化合物のテトラ置換ボロン塩があげられる。これらの硬化促進剤は２種類以上用いることもできる。
　本発明の特徴である充填剤は、無機の粒状物質である。一般に無機系の充填剤は成形品の熱膨張係数を小さくしたり、剛性や熱伝導性を高める効果が優れている。充填剤の粒子形状は封止材料の溶融粘度や流動性、成形品物性に影響を及ぼす。例えば、角状の充填剤は成形品の機械強度を高める作用があるが、溶融粘度を上昇させ流動性を低下させる傾向が強く、配合量をあまり増すことはできない。一方、球状の充填剤は材料の溶融粘度の上昇や流動性の低下に及ぼす影響が少ないために、配合量をかなり多くできる反面、成形品の機械的強度を高める効果がいま一つ少ない。
　本発明においては前記の充填剤はその目的に応じて選択することができるが、粒径が４４μｍを越える成分および粒径が０．１μｍ以下の成分がそれぞれ１重量％未満、平均粒径が１〜１５μｍ、好ましくは２〜６μｍ、特に好ましくは２〜５μｍ未満の粒状物質を５５〜８５容量％配合したものを用いることにある。
　前記４４μｍを越える成分が多くなると、成形時に該粒子が成形金型の流路の狭い部分を目詰まりさせたり、金ワイヤの変形，断線の要因となる。一方、前記０．１μｍ以下の成分が多くなると成形材料の溶融粘度上昇の要因となり、充填性を低下させる。
　また、平均粒径が１μｍより小さい場合は充填剤に占める微細粒子がどうしても増えるために成形材料の粘度が上昇し、狭い隙間への充填性が低下する。平均粒径が１５μｍを越えると成形品の高温強度が低下し、耐はんだリフロー性が低下する。成形性と耐リフロー性が優れたものを得るためには２〜６μｍ、特に２〜５μｍ未満が好ましい。
　また、充填剤の粒度分布をＲＲＳ粒度線図（井伊谷鋼一；粉体ハンドブック　１９６５年　朝倉書店）で示した場合に、勾配ｎが０．５〜１．５の範囲で直線性を示す充填剤は、最大充填率が高いために成形材料である組成物の粘度上昇を比較的小さくすることができる。これまでの封止樹脂組成物は、成形時に金型の合わせ面から溶融した樹脂組成物が洩れ出して、成形品にばりを発生するため、成形後のばり取りが作業性に大きな影響を与えていた。しかし、本発明の前記粒度分布の充填剤を用いた樹脂組成物は、意外にもこうした成形時のバリの発生を著しく少なくすると云う効果があり、作業性向上に極めて優れていることが分かった。
　前記充填剤の配合量が５５容量％未満では、成形中に充填剤と樹脂とが分離し易く、成形品中に組成のバラツキが生じ信頼性が低下する。また、８５容量％を超えると封止材料の粘度が著しく上昇し、封止ができなくなる。
　前記充填剤としては熱膨張係数が小さく、剛性が高い溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ等が挙げられる。特に、粒子形がほゞ球状の溶融シリカは、粘度の上昇率が小さいので、充填量を多くする際に極めて有効である。
　これらの充填剤は、予め表面にカップリング材を被覆して用いると樹脂成分との塗れ性や接着性が高まりボイド等の欠陥の少ない成形品が得られ、吸湿性や機械特性を向上することができる。
　次に、本発明の成形用樹脂組成物においては、各種の可撓化剤を添加することができる。特に、熱硬化性樹脂に可撓化剤を添加すると封止品の耐熱衝撃性が改善されるばかりでなく、弾性率の低下による熱応力の低減を図ることができる。
　可撓化剤としてはシリコーン系化合物、シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、ポリエステルゴムのような熱可塑性エラストマー、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミドなどの熱可塑性樹脂を用いることができる。特にシリコーン系可撓化剤は撥水性を付与するため、封止品の耐湿性の向上に効果がある。
　なお、本発明の樹脂組成物には必要に応じ樹脂成分と充填剤の接着性を高めるカップリング剤、成形品の金型からの離型性を良くする離型剤、あるいは難燃剤、着色剤等を配合することができる。また、リードフレームやチップと樹脂組成物との接着性を向上する接着性増強剤、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、フッ素樹脂等の微粉末を配合することができる。更にまた、樹脂の分子鎖中に侵入して該分子の自由体積や易動度を小さくして樹脂成分自体の熱膨張係数や吸湿率を小さくする樹脂強化剤を配合することもできる。
　本発明において、封止材料としての接着力の目安としては、銅箔または４２アロイ箔と接着し、硬化後のピール強度が室温で５００ｇ／ｃｍ以上であることが望ましい。また、耐湿性としては、硬化物を８５℃／９８％ＲＨ下における吸湿率が１重量％以下であることが望ましい。
　また、前記封止材料には、ウランまたは／およびトリウムの含有量が１ｐｐｂ以下、好ましくは０．１ｐｐｂ以下のものを用いることによって、半導体装置のソフトエラーを実質的に防ぐことができる。
　更にまた封止材料をその１０倍量の純水と混合し、１２０℃、１００時間抽出した抽出液が、ｐＨ３〜７、電気伝導度２００μｓ／ｃｍ以下、ハロゲンイオン、アンモニアイオンまたは金属イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下にすることによって、該封止装置の耐湿性を向上することができる。
　前記封止材料中のウラン，トリウム並びにハロゲンイオン等は、それぞれの原料物質をイオン交換水等の超純水を用いて洗浄処理することにより低減することができる。
　従来、樹脂封止型半導体装置は一般に第２図に示すようにリードフレーム１の一部に形成したダイパッド２上に半導体素子３を搭載し、素子表面の電極とその周辺に配置された他のリードフレーム１との間を金ワイヤ５で電気的に接続した後、封止材料６により封止していた。
　この場合、金ワイヤ５をボンデイングしたリードフレーム１の端部も封止されるため、完成したパッケージは半導体素子の大きさのわりには、大きいものになっていた。即ち、リードフレーム１の端部の封止代がパッケージ寸法を大きくしていた。
　これに対し、第１図に示す構造の半導体装置は、前記ダイパッドを無くしてリードを伸ばし、それに直接半導体素子を固着し樹脂封止するため、第２図のようなリードフレームの封止代が不要になり、その分パッケージを小さくすることができる。
　本発明によれば、第３図に示すような半導体素子３，３’を二段重ねにし、これを樹脂封止することによって、更にパッケージ寸法当たりの実装密度が大きな樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
　本発明の樹脂封止型半導体装置は次のような方法で作成することができる。
　後述の実施例で詳述する方法で調製した封止用樹脂組成物を、射出成形機により加熱溶融し、半導体チップを所定のキャビティ内に装着した金型に射出して、所定のパッケージサイズに成形する。成形後は必要により後キュア等を行なうことによって、本発明の樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
　なお、前記金型としては、ほゞ中央部にポットが設けられており、該ポットから複数のキャビティに成形材料が注入できるように複数のランナを設けたものが用いられるが、前記ポットを複数個有するマルチポット型の金型に本発明の樹脂組成物は適している。
［作用］
　本発明の樹脂封止型半導体装置の耐リフロー性が優れているのは、封止材料である樹脂組成物を前記組成範囲内に特定したことによって、該封止材料がチップ周辺、リードフレーム間等の狭い隙間にも完全に充填することができ、かつ、封止材料自体も低吸湿性であるので耐吸湿性のパッケージが構成できるためと考える。
　また、本発明の樹脂組成物がばりの発生が少ないのは、前記特定の粒度分布を有する充填剤が、金型の合わせ面の僅かな隙間を適度に目詰まりさせるためと考える。
［実施例］
　次に、本発明を実施例により詳細に説明する。
〔実施例１〜３〕および〔比較例１〜４〕
　エポキシ樹脂として、ｏークレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９８、１５０℃溶融粘度：１８ポイズ）および臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：４００、１５０℃溶融粘度：１．２ポイズ）、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（水酸基当量：１０６、１５０℃溶融粘度：０．８ポイズ）、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、可撓化剤として両末端アミン変性ポリジメチルシリコーン、充填剤としては第１表に示すように平均粒径、比表面積等がそれぞれ異なる球形溶融シリカを用い、カップリング剤にエポキシシラン（第１表においてカップリング剤の配合量がそれぞれ異なっているのは充填剤の比表面積に応じて配合量を決めたためである）、難燃化助剤として三酸化アンチモン、離型剤としてモンタン酸エステル、着色剤としてカーボンブラックを用い、第２表に示す配合組成の封止材料を作製した。
　上記封止材料は、ビニール袋中で各素材を予備混合し、二軸ロールで８０〜９０℃，約１０分間混練し、冷却後粉砕機を用いて粗粉砕した後、タブレット状に成形し供した。
　次に、上記成形材料を用い、各種試験片および第１図に示すように半導体素子を封止し、その成形硬化物の特性、封止品の各種信頼性、リードフレームおよび金ワイヤの損傷，変形状況等について比較した。なお、封止には５０トンのトランスファ成形機を用い、金型温度１７５℃、成形圧力７０ｋｇｆ／ｍｍ２、成形時間１．５分で行った。得られた封止品は軟Ｘ線透視装置を用いて内部を透視し、封止材料の充填状態を見た。また、以下の各種信頼性を評価した。
　耐熱衝撃性は、−５０℃／１０分⇔１５０℃／１０分を１サイクルとして行ないパッケージクラックが発生するまでのサイクル数を比較した。
　耐リフロー性は、各封止品を６０℃／９５％ＲＨ下で吸湿させた後、２１５℃で９０秒間加熱し、パッケージクラックが発生するまでの吸湿時間を比較した。また、本実施例品については更に条件が厳しい８５℃／９５％ＲＨ下で吸湿させ２１５℃で９０秒間加熱する試験も行なった。
　耐湿性は８５℃／８５％ＲＨで９６時間吸湿させ、２１５℃，９０秒間加熱した封止品を１２０℃，２気圧下に放置した場合の半導体素子表面のアルミニウム配線に腐食不良が発生するまでの吸湿時間を比較した。
　結果を第１表に示す。
　第１表から明らかなように、本実施例における封止材料は成形性が良好で、ばりの発生も少なく、かつ、封止品の信頼性が優れている。特に、耐リフロー性については充填剤の粒径が小さいほど優れていることが分かる。但し、小さすぎると封止材料の粘度が高くなるので２〜６μｍが好ましい。
〔実施例４〜７〕樹脂成分として、前記実施例１〜３で用いたエポキシ樹脂の他に、シリコーン系樹脂としてモノメチルシロキサン単位５０モル％、モノフェニルシロキサン単位３５モル％およびジフェニルシロキサン単位１５モル％からなり、けい素原子に直結した水酸基を３．５重量％を含むオルガノポリシロキサン、ポリイミド系樹脂として２，２−ビス［４−（４−メチルマレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン６５重量部とジアリルフタレート樹脂３５重量部からなる混合物、ビニルエステル系樹脂としてフェノールノボラック樹脂をメタクリル酸と反応させて得られるエポキシアクリレート樹脂６５重量部とジアリルフタレート樹脂３５重量部からなる混合物を用いて比較した。
　なお、充填剤としては、実施例２で用いた平均粒径６μｍ，比表面積４ｍ２／ｇ，４４μｍより大きい粒子および０．５μｍ以下の粒子がそれぞれ１重量％未満の充填剤を用い、第３表に示す組成の封止材料を作製し、前記実施例１と同様に、成形品および第１図に示すような樹脂封止型半導体装置を作成して、諸特性を評価した。
　結果を第３表に示す。
　第３表から明らかなように、本実施例における封止材料は成形性が良好であり、かつ、封止品の信頼性が優れていることが分かる。
〔実施例８〜１０〕
　樹脂成分として前記実施例１で用いたエポキシ樹脂（但し、実施例１０のみは１５０℃の溶融粘度が３．０ポイズのものを使用）を用い、充填剤配合量を増した成形材料を作製し、前記実施例と同様に成形品および樹脂封止型半導体装置の諸特性を比較した。なお、封止する半導体装置としては第３図に示すように、二つの半導体素子３，３’が対向した構造のものを用いた。
　結果を第４表に示す。
　第４表から明らかなように、本発明の封止材料は成形性が良好であり、かつ、封止品の信頼性が優れていることが分かる。なお、本実施例では半導体素子を二段重ねにして封止しているため、従来のように一つの素子を封止した場合に比べ素子の実装密度当たりのパッケージの大きさを、面積で約４５％小さくすることができた。
［発明の効果］
　本発明の半導体装置に用いた封止材料は流動性が優れているため狭い隙間にもよく充填できるので、封止樹脂層の厚さが薄いパッケージ、またはピン数が多い素子の封止に優れ、特に、耐リフロー性に優れた半導体装置を提供することができる。
　また、本発明の封止樹脂は、成形品のばり発生が少ないので生産性に優れている。
【図面の簡単な説明】
　第１図および第３図は、本発明の樹脂封止型半導体装置の部分切欠斜視図（ａ）および断面模式図（ｂ）、第２図は、半導体素子を搭載するダイパッドを備えた従来の樹脂封止型半導体装置の断面模式図である。
　１…リードフレーム、２…ダイパッド、３…半導体素子、４…銀ペースト、５…金ワイヤ、６…封止材料、７…フィルム状接着層。