【事件の表示】
　特許第２８２７８７３号「電荷転送装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８２７８７３号の特許を維持する。
【理　由】
（１）経緯　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
原出願の出願日　　昭和６０年　２月　６日（実願昭６０−１５５３６号）
特許へ分割出願　　平成　５年１２月２８日
特許登録　　　　　平成１０年　９月１８日
特許異議申立　　　平成１１年　５月２１日
取消理由通知　　　平成１１年　９月３０日
特許異議意見書　　平成１１年１２月２８日
訂正請求書        平成１１年１２月２８日
　
（２）訂正請求の要旨
１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、明細書の特許請求の範囲に係る記載
「１、信号電荷を転送するための転送チャネルと、この転送チャネルから転送される信号電荷を蓄積するためのフローティング領域と、このフローティング領域をそのドレインに供給されるＤＣ電位にリセットするための電界効果トランジスタとをそれぞれ具備する電荷転送装置において、
上記電界効果トランジスタのゲートには所定バイアスを与えられたパルス電位が印加されるように構成され、
上記所定バイアスを与えるための電源と上記ＤＣ電位の電源とが互いに共通となるように構成されていることを特徴とする電荷転送装置。」
を、
「１、信号電荷を転送するための転送チャネルと、この転送チャネルから転送される信号電荷を蓄積するためのフローティング領域と、このフローティング領域をそのドレインに供給されるＤＣ電位にリセットするための電界効果トランジスタとをそれぞれ具備する電荷転送装置において、
上記転送チャネルは埋め込みチャネルから構成され、
上記電界効果トランジスタはその動作状態において表面チャネル電界効果トランジスタとなるように構成され、
上記電界効果トランジスタのゲートには所定バイアスを与えられたパルス電位が印加されるように構成され、
上記所定バイアスを与えるための電源と上記ＤＣ電位の電源とが互いに共通となるように構成されていることを特徴とする電荷転送装置。」（以下、訂正発明という）と訂正すると共に、請求項２及び３を削除する。
２）訂正事項ｂ
　上記訂正事項ａに伴い、明細書の不明りょうな記載の釈明を目的として、明細書の段落番号【０００７】の「【課題を解決するための手段】　本発明は、信号電荷を転送するための転送チャネルと、この転送チャネルから転送される信号電荷を蓄積するためのフローティング領域と、このフローティング領域をそのドレインに供給されるＤＣ電位にリセットするための電界効果トランジスタとをそれぞれ具備する電荷転送装置において、上記電界効果トランジスタのゲートには所定バイアスを与えられたパルス電位が印加されるように構成され、上記所定バイアスを与えるための電源と上記ＤＣ電位の電源とが互いに共通となるように構成されたものである。」を、「【課題を解決するための手段】　本発明は、信号電荷を転送するための転送チャネルと、この転送チャネルから転送される信号電荷を蓄積するためのフローティング領域と、このフローティング領域をそのドレインに供給されるＤＣ電位にリセットするための電界効果トランジスタとをそれぞれ具備する電荷転送装置において、上記転送チャネルは埋め込みチャネルから構成され、上記電界効果トランジスタはその動作状態において表面チャネル電界効果トランジスタとなるように構成され、上記電界効果トランジスタのゲートには所定バイアスを与えられたパルス電位が印加されるように構成され、上記所定バイアスを与えるための電源と上記ＤＣ電位の電源とが互いに共通となるように構成されたものである。」と訂正する。
３）訂正事項ｃ
　上記訂正事項ａに伴い、明細書の不明りょうな記載の釈明を目的として、明細書の段落番号【００１７】の「【発明の効果】　本発明に係る電荷転送装置によれば、転送チャネルから転送される信号電荷を蓄積するためのフローティング領域を所定のＤＣ電位にリセットするための電界効果トランジスタのドレインに供給される上記ＤＣ電位の電源と、この電界効果トランジスタのゲートに印加されるパルス電位に所定バイアスを与えるための電源とが互いに共通となるように構成されているから、上記ＤＣ電位の変動と上記所定バイアスの変動とが互いに追随し、このために、電源電圧の変動に対する上記パルス電位のマージンを小さくすることができる。」を「【発明の効果】　本発明に係る電荷転送装置によれば、埋め込みチャネルから構成された転送チャネルから転送される信号電荷を蓄積するためのフローティング領域を所定のＤＣ電位にリセットするための電界効果トランジスタがその動作状態において表面チャネル電界効果トランジスタとなるように構成されるとともに、上記電界効果トランジスタのドレインに供給される上記ＤＣ電位の電源と、この電界効果トランジスタのゲートに印加されるパルス電位に所定バイアスを与えるための電源とが互いに共通となるように構成されているから、上記パルス電位の振幅を小さくすることができるとともに、上記ＤＣ電位の変動と上記所定バイアスの変動とが互いに追随し、このために、電源電圧の変動に対する上記パルス電位のマージンをきわめて小さくすることができる。」と訂正する。
４）訂正事項ｄ
　誤記の訂正を目的として、明細書の【図４】の「図３に示すプリチャージ・トランジスタとして埋め込みチャネル動作のＦＥＴを用いた従来のＢＣＣＤについての第２図と同様な図である。」を「図３に示すプリチャージ・トランジスタとして埋め込みチャネル動作のＦＥＴを用いた従来のＢＣＣＤについての図２と同様な図である。」と訂正する。
　
（３）訂正事項ａ、ｂ、ｃ、ｄについて
  訂正事項ａで追加された請求項１の構成は、訂正前の特許請求の範囲の請求項２および請求項３に記載されていたものである。したがって、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
　訂正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができたものであるかどうかはのちに検討する。
　訂正事項ｂ、ｃ、ｄに係る訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
　
（４）異議申立理由及び取消理由の概要
１）異議申立理由
　特許異議申立人川原幸雄は、甲第１号証（特開昭５６−１６９３６５号公報）、甲第２号証（実願昭４９−１３７１５３号（実開昭５１−６４１４７号）のマイクロフィルム）、甲第３号証（実願昭６０−１５５３６号（実開昭６１−１３１８５４号）のマイクロフィルム）（＝本件の原出願）、甲第４号証（特開昭６３−１７７４６１号公報）を提出し、次の主張をしている。
　理由１として、本件の請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証記載の発明と同一または記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条に違反する。
　理由２として、請求項３に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条に違反する。
　理由３として、本件出願の発明の詳細な発明の欄では、リセット用のトランジスタとして「エンハンスメント型の表面チャネル電界効果トランジスタ」を備えた電界転送装置して記載されていないので、リセット用のトランジスタとして「エンハンスメント型の表面チャネル電界効果トランジスタ」以外の電界効果トランジスタを用いても本件発明が成立する記載がないので、請求項１及び２に係る発明は、明細書に記載されていない発明であり、特許法第３６条第４項または第５項に違反する。
　理由４として、請求項１及び２に係る発明は、リセット用のトランジスタとして「エンハンスメント型の表面チャネル電界効果トランジスタ」を「電界効果トランジスタ」に拡張しており、本件出願と原出願との間には、同一性がないので、本件出願は、分割の要件を満たしていないから、出願日は平成５年１２月２８日とすべきであり、そうすると、本件の請求項１〜３に係る発明は、甲第４号証記載の発明と同一または記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条に違反する。
２）取消理由
　上記１）異議申立理由と同趣旨及び本件の請求項１〜３に係る発明は、甲第３号証記載の発明と同一または記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条に違反する。
　
（４）本件の出願日について
　表面チャネル動作の電界効果トランジスタとして、エンハンスメント型とデプリション型とが存在しているのは、原出願の出願日以前から周知である。また、本件特許の第１図および第２図に示す実施例におけるようにｐチャネルの表面チャネル動作の電界効果トランジスタについて見ると、エンハンスメント型のものの場合には、ドレイン電流が流れ始めるゲート電圧（すなわち、しきい値電圧）Ｖｔｈが正となり、デプッリション型のものの場合には、しきい値電圧Ｖｔｈが負となることも、原出願日以前から周知である。そして、エンハンスメント型のものとデプリション型のものとの実質的な相違はこのしきい値電圧の相違点のみであって、この点も原出願の出願日以前から周知である。
　また、本件特許の図１および図２に示す実施例においては、エンハンスメント型の表面チャネル動作のＦＥＴ１１が用いられている。しかし、このＦＥＴ１１をデプリション型のものに置き換えるには、ＦＥＴ１１のチャネル部分であるｐ層１０にイオン注入されるｐ型不純物の量をしきい値電圧Ｖｔｈが負になるまで減らすとともに、必要に応じて、表面チャネル動作のＦＥＴ１１のプリチャージ・ゲートＰＧに印加される所定バイアスの値を変更するだけでよい。また、このバイアス値の変更は、原出願の明細書の第１０頁１〜１５行目に記載の方法に準じた方法を用いればきわめて容易に達成することができる。そして、このようにエンハンスメント型の表面チャネル動作のＦＥＴ１１をデプリション型の表面チャネル動作のＦＥＴに置き換えることは、当業者にとっては単なる設計事項である。
　そして、ｐ層１０にイオン注入されるｐ型不純物の量が少なければデプリシン型となり、多ければ、エンハンスメント型となることは、原出願の出願日以前から周知であって、当業者にとっては原出願の出願日以前から自明事項である。
　原出願の明細書（甲第３号証）の第２頁２〜７行目には、
「〔考案の概要〕
本考案は、埋込チャネル型の電荷転送装置において、埋込チャネルの出力部をリセットするためのトランジスタを表面チャネル電界効果トランジスタで構成することにより、電源電圧変動に強くしかも低振幅動作可能としたものである。」
と記載されている。
　したがって、この記載から明らかなように、原出願の明細書および図面には、
１　原出願の明細書および図面において実施例として示すような埋込みチャネル型の電荷転送装置において、
２　理込チャネルの出力部をリセットするためのトランジスタを表面チャネル電界効果トランジスタで構成することにより、
３　電源電圧変動に強くしかも低振幅動作可能とすることができる。
ということが実質的に記載されている。
　したがって、上記１、２および３の記載からも、原出願の明細書には、リセット用トランジスタとして用いられる電界効果トランジスタが示唆されている。
　上において述べたとおり、本件発明は、原出願の明細書および図面に実質的に開示されており、本件特許は、原出願の出願日に出願されたものと見なされるべきものである。
　従って、特許異議申立の理由４及び取消理由の追加した理由は正当でない。
　
（５）甲号証記載の発明
　上記「（４）本件の出願日について」で検討し、出願日を原出願の日とみなしたので、甲第３号証及び甲第４号証は、公知でないので検討しない。甲第１号証及び甲第２号証ついて検討する。
１）甲第１号証記載の発明
　甲第１号証の第２頁右下欄２〜４行目には、「リセットパルス発生器の電源電圧をその回路と共通の１２Ｖ電源ラインから受けられるようにし、」と記載され、また、甲第１号証の第３頁右下欄９〜１４行目には、「このことはＶＧＧに等しい波高値を有するリセット電圧のＲの値が前記した１２ＶとなるＶＤＤの値もしくはそれ以下となることを意味し、結果としてリセットパルス発生器の電源電圧を他の回路と同じ電圧供給ラインから供給すること、したがって、回路が簡単化されることになる。」と記載されている。
２）甲第２号証記載の発明
　甲第２号証の明細書第５頁には、「ｎ型シリコン基板（１９）上に絶縁体層としてＳｉＯ２膜（２）を設け、このＳｉＯ２膜（２）上に転送電極（３）を夫々離間して設け、転送された信号電荷を出力に取り出すため例えばフローティングジャンクションからなるソース領域（Ａ）を設け、この領域（Ａ）の入力側に第１のトランスファーゲート電極（φＧ１）を前記ＳｉＯ２膜（２）上に設け、さらに各サイクルごとにリセットするリセット電極（４）をＳｉＯ２膜（２）上に設け、さらにシリコン基板（１）の内表面にドレイン領域（Ｂ）を設けて第１のＣＣＤ（５）を構成する。この第１のＣＣＤ（５）のドレイン領域（Ｂ）とリセット電極（４）とを共通接続した両方にリセット制御信号を制御する。」と記載されている。
　
（６）訂正発明と甲第１号証、甲第２号証記載の発明との対比
　上記（４）で述べたように、甲第１号証には、「リセットパルス発生器の電源電圧を他の回路と同じ電圧供給ラインから供給すること」は示されるが、バイアスを与える電源と同一の電源とは明記されていない。甲第２号証には、「この第１のＣＣＤ（５）のドレイン領域（Ｂ）とリセット電極（４）とを共通接続した両方にリセット制御信号を制御する」ことは示されるが、バイアスを与える電源と同一の電源とは明記されていない。
　そして、訂正発明は、該構成によって、「ａ、転送チャネルから転送される信号電荷を蓄積するためのフローティング領域を所定のＤＣ電位にリセットするための電界効果トランジスタがその動作状態において表面チャネル電界効果トランジスタとなるように構成されるとともに、上記電界効果トランジスタのドレインに供給される上記ＤＣ電位の電源と、この電界効果トランジスタのゲートに印加されるパルス電位に所定バイアスを与えるための電源とが互いに共通となるように構成されているから、上記ＤＣ電位の変動と上記所定バイアスの変動とが互いに追随し、このために、電源電圧の変動に対する上記パルス電位のマージンをきわめて小さくすることができる。ｂ、転送チャネルから転送される信号電荷を蓄積するためのフローティング領域を所定のＤＣ電位にリセットするための電界効果トランジスタがその動作状態において表面チャネル電界効果トランジスタとなるように構成されているから、上記パルス電位の幅幅を小さくすることができる。」という顕著な効果を有するものであり、訂正発明は、甲第１号証及び甲第２号証記載の発明であるともできないし、また、両発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　従って、特許異議申立の理由１及び２は正当ではない。
　
（７）特許法第３６条第４項または第５項違反について
　上記「（４）本件の出願日について」で述べたように、エンハンスメント型の表面チャネル動作のＦＥＴ１１をデプリション型の表面チャネル動作のＦＥＴに置き換えることは、当業者にとっては単なる設計事項であるので、詳細な説明に明記されていなくても、特許法第３６条第４項または第５項違反とはいえない。
　従って、特許異議申立の理由３は正当ではない。
（８）訂正発明の独立特許性について及び訂正の可否
　上記「（６）訂正発明と甲第１号証、甲第２号証記載の発明との対比」、「（７）特許法第３６条第４項または第５項違反について」で述べたように、訂正発明に特許第２９条及び第３６条第４項、第５項違反はない。
　また、その他の独立して特許を受けられないとする理由は発見できない。
　従って、訂正請求書（平成１１年１２月２８日）は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項の規定を満たしているので、当該訂正を認める。
（１０）まとめ
　上述したように、異議申立理由及び取消理由のいずれも理由がないので、訂正発明は維持されるべきものである。
　よって、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月２４日（２０００．７．２４）