【事件の表示】
　特許第２９８１０４８号「洗浄装置及びその洗浄方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９８１０４８号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９８１０４８号の請求項１ないし７に係る発明についての出願は、平成４年２月２０日に特許出願され、平成１１年９月１７にその発明について特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人永田　大樹により特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１２年１２月２７日に訂正請求（後日取下げ）がなされた後、再度取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年４月１３日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正請求の内容
　訂正請求は、願書に添付した明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は次のとおりのものである。
　特許請求の範囲の請求項１に係る記載
「【請求項１】　半導体製造工程で用いる洗浄装置において、
　純水供給用三方弁の洗浄槽への純水供給用弁部に常時少量の純水を流す通路を形成することを特徴とする洗浄装置。」を、
「【請求項１】　サプライ配管とリターン配管と、前記サプライ配管および前記リターン配管にそれぞれ引き込み部分を介して接続される三方弁とを含む半導体製造工程で用いる洗浄装置において、
　前記三方弁は、前記サプライ配管に接続されるサプライ配管接続口と、前記リターン配管に接続されるリターン配管接続口と、洗浄槽への供給用配管に接続される供給用配管接続口とを有し、前記サプライ配管と前記供給用配管、あるいは、前記サプライ配管と前記リターン配管のいずれかの経路を形成するとともに、前記供給用配管への供給用弁部に常時少量の純水を流す通路を形成することを特徴とする洗浄装置。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正事項は、請求項１について、三方弁が、サプライ配管接続口及びリターン配管接続口が引き込み部分を介してサプライ配管及びリターン配管に接続され、また供給用配管接続口が供給用配管を介して洗浄槽に接続されて、サプライ配管と供給用配管、あるいは、サプライ配管とリターン配管のいずれかの経路を形成するものであるものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、この限定は、願書に添付した明細書の段落【００１３】、【００１４】の記載、及び前提となる従来の洗浄装置を示した図３の記載に基づくものであって、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
(3)むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　特許異議申立人永田　大樹は、甲第１号証として特開昭６２−２４４１３８号公報を、甲第２号証として特開昭５９−２１１２３３号公報を、及び甲第３号証として特開平３−３０３３０号公報を提出し、請求項１ないし４、及び請求項５ないし７に係る発明は、それぞれ甲第１ないし３号証、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、同請求項２に係る特許は、その記載が不備であるから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり特許を取り消すべきものである旨主張している。
（２）本件発明
　本件特許第２９８１０４８号の請求項１ないし請求項７に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　サプライ配管とリターン配管と、前記サプライ配管および前記リターン配管にそれぞれ引き込み部分を介して接続される三方弁とを含む半導体製造工程で用いる洗浄装置において、
　前記三方弁は、前記サプライ配管に接続されるサプライ配管接続口と、前記リターン配管に接続されるリターン配管接続口と、洗浄槽への供給用配管に接続される供給用配管接続口とを有し、前記サプライ配管と前記供給用配管、あるいは、前記サプライ配管と前記リターン配管のいずれかの経路を形成するとともに、前記供給用配管への供給用弁部に常時少量の純水を流す通路を形成することを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】　前記通路は１〜５リットル／分の流量の純水を流すことを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項３】　前記通路は洗浄槽への純水供給用弁部に形成されるバイパス路である請求項１記載の洗浄装置。
【請求項４】　前記通路は洗浄槽への純水供給用弁部に閉じない通路を形成することを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
【請求項５】　半導体製造工程で用いる洗浄装置の洗浄方法において、
（ａ）温純水を１〜５分の間に２０〜６０リットル／分の流量で流し、
（ｂ）それを排水した後、弁を切り換えて純水を２０秒の間に２０〜９０リットル／分の流量で流し、
（ｃ）それを排水した後、もう一度純水を２０秒の間に２０〜９０リットル／分の流量で流すことを特徴とする洗浄装置の洗浄方法。
【請求項６】　前記温純水と純水との切り換えに三方弁を用いることを特徴とする請求項５記載の洗浄装置の洗浄方法。
【請求項７】　前記温純水と純水との切り換えに五方弁を用いることを特徴とする請求項５記載の洗浄装置の洗浄方法。」
（３）特許法第２９条第２項違反について
　ア．甲各号証に記載された発明
　甲第１号証には、
「本発明は純水によるクリーン洗浄を行う洗浄装置に係わる。半導体の集積回路の製造過程で超純水による洗浄工程がある。」（第１頁左下欄第１９行〜同頁右下欄第２行）、
「主ライン１１から洗浄装置１２へパイプ１３を経由して導入された純水はバルブ１４（本件特許発明の純水供給用三方弁に相当する）の人力口１５を経て、第一の出力口１９に接続された絞り弁２０（本件特許発明の常時少量の純水を流す通路およびバイパス路に相当する）から流出する。一方、弁駆動部２２に固定されたダイヤフラム弁１６で制御された純水は、第二の出力口１７から水洗槽１８（本件特許発明の洗浄槽に相当する）へ流入する。ダイヤフラム弁１６が閉の時でも主ライン１１から導入された純水は、絞り弁２０を通して常時流出しているので、パイプ１３にバクテリアが発生することはない」（第２頁右上欄第８〜１８行）、
「絞り弁２０の出力口は排水口２１に接続して純水を廃棄してもよく、また、水洗槽１８に流入させ水洗槽１８を常に清浄な純水で満たしておくことによって節水を計ることもできる」（第２頁左下欄第８〜１２行）の記載からみて、
「主ライン１１と、主ライン１にパイプ１３を介して接続されるバルブ１４とを含む半導体製造工程で用いる洗浄装置において、
　前記バルブ１４は、前記主ライン１１に接続される入力口１５と、排水口２１に接続される第一の出力口１９と、水洗槽１８への供給用配管に接続される第二の出力口１７とを有し、前記主ライン１１と前記供給用配管の経路を開閉するとともに、前記出力口１９と排水口２１又は水洗槽１８とを接続する配管には常時少量の純水を流す絞り弁２０を形成する洗浄装置。」が記載されていると認められる。
　甲第２号証には、
「本発明は、薬液処理した半導体ウェハを洗浄する半導体ウェハの洗浄装置に関する。」（第１頁左下欄第１７〜１８行）、
「流水槽１１の仕切り板１２より深い位置の側壁には、一端が図示しない純水供給部に接続した第１の配管１４１　が設けられている。また、・・・前記配管１４１　の途中には、純水供給部から流水槽１１への純水供給量を制御するエアバルブ１６が設けられている。」（第２頁左下欄第２〜１０行）、
「キャリア等にセットしたウェハを流水槽１１内にセットした後、・・・エア弁１６を動かし、純水バルブを“開”にして純水が流水槽１１内に流れる。そして、タイマー２１の設定時間が経過した時、・・・純水バルブが“閉”に近い状態となって純水の供給量が制限される。」（第２頁右下欄第７〜２０行）、
「純水の供袷を完全に止めることなく、常に最小限の純水を供給しているため、流水槽１１内にバクテリアが増殖するのを阻止し、素子への悪影響を防止できる。」（第３頁左上欄第１１〜１４行目）の記載からみて、
「純水供給部に接続された第１の配管１４１　と、前記第１の配管１４１　の途中に設けられたエアバルブ１６とを含む半導体製造工程で用いる洗浄装置において、
　前記バルブ１６は、前記純水供給部と流水槽１１の経路を開閉するとともに、常時少量の純水を流す通路を形成する洗浄装置。」が記載されていると認められる。
　甲第３号証には、
「本発明は、半導体ＩＣのウェハ−やマスク等の基板を洗浄及び乾燥する方法並びに装置の改良に関する。」（第１頁左上欄第１０〜１２行目）、
「基板が収容されたチャンバー内に温水を注入してして上記基板を該温水に浸した後、上記チャンバー内を温水の蒸気圧以下に減圧して該温水を沸騰させ、続いて上記チャンバー内に純水を注入して上記基板をすすぎ、その後、上記チャンバー内の水を排水するとともに、チャンバー内を真空引きする基板の洗浄及び乾燥方法」（特許請求の範囲の請求項１）、
「インナーチャンバｌａの底部には給水口４が設けられ、該給水口４には給水管５が接続されていて、該給水管５にはこれを開閉する給水用開閉弁６が介設されている。また、給水管５の端部は温水供給管７と冷水供給管８とに分岐し、温水供給管７には冷水を加熱して温水を得るヒータ９を介して純水としての冷水を供給する給水源１０に接続され、冷水供給管８は直接給水源１０に接続されている。そして、温水供給管７にはこれを開閉する温水用開閉弁１１が、冷水供給管８にはこれを開閉する冷水用開閉弁１２が各々介設されていて、給水用開閉弁６の開時に温水用開閉弁１１を開動作させて温水を給水管５から給水口４を経てインナーチャンバー１ａ内に供給する一方、冷水用開閉弁１２の開動作により冷水を給水管５からインナーチャンバー１ａ内に供給するようにした給水手段１３を構成している。また、上記インナーチャンバーｌａ底部の給水口４は排水口１５としても兼用され、該排水口１５には給水用開閉弁６手前の給水管５を介して排水管１６が接続され、該排水管１６の途中には排水用開閉弁１７が介設されている。」（第２頁右下欄第１６行〜第３頁第１７行）の記載からみて、
「純水を供給する給水源１０に接続された温水供給管７及び冷水供給管８にその端部が分岐された給水管５と、インナーチャンバー１ａ底部の排水口１５として兼用される給水口４と後記給水用開閉弁６間の給水管５に接続される排水管１６と、前記給水管５、温水供給管７、冷水供給管８、及び排水管１６にそれぞれ介設された給水用開閉弁６、温水用開閉弁１１、冷水用開閉弁１２、及び排水用開閉弁１７とを含む半導体製造工程で用いる洗浄装置。」（以下、「甲第３号証に記載の第１発明」という。）、及び「基板が収容されたチャンバー内に温水を注入してして上記基板を該温水に浸した後、上記チャンバー内を温水の蒸気圧以下に減圧して該温水を沸騰させ、続いて上記チャンバー内に純水を注入して上記基板をすすぎ、その後、上記チャンバー内の水を排水するとともに、チャンバー内を真空引きして乾燥させ、窒素ガスで充填するする基板の洗浄及び乾燥方法」（以下、「甲第３号証に記載の第２発明」という。）が記載されていると認められる。
イ．対比、判断
（請求項１に係る発明について）
　請求項１に係る発明と上記甲第１号証及び甲第２号証に記載の各発明、並びに甲第３号証に記載の第１発明とを対比すると、前記甲第１号証ないし甲第３号証のいずれにも、請求項１に係る発明の必須の構成要件である「三方弁は、サプライ配管および前記リターン配管にそれぞれ引き込み部分を介して接続され、前記サプライ配管と前記供給用配管、あるいは、前記サプライ配管と前記リターン配管のいずれかの経路を形成するとともに、前記供給用配管への供給用弁部に常時少量の純水を流す通路を形成すること」が記載されていない。
　甲第１号証に記載されたものは、バルブ１４が閉の時でも主ライン１１から導入された少量の純水が絞り弁２０を通して常時流出しているのでパイプ１３にはバクテリアが発生することはないものの、バルブ１４は、主ライン１１と前記供給用配管の経路を開閉する二方弁にすぎないので、弁を閉じた状態では、パイプ１３とバルブ１４の構成部材であるダイヤフラム弁１６の間や、前記ダイヤフラム弁１６と水洗槽１８（請求項１に係る発明の「洗浄槽」に相当する。）の間の配管部分において純水が流れず、これらの部分のバクテリアの発生を抑制することは困難である。
　また、甲第２号証に記載されたものは、常時少量の純水を流す通路が形成されたエアバルブ１６は二方弁にすぎず、また、純水供給部と流水槽１１（同「洗浄槽」に相当する。）とは第１の配管１４１　により直接接続されているので、流水槽１１に流入する純水は、純水供給部における純水の圧力の影響を直接受け、エアバルブ１６による純水の供給量の制御が困難になるものである。
　さらに、甲第３号証に記載された、給水管５、排水管１６、給水用開閉弁６及び排水用開閉弁１７からなる管路は、給水用開閉弁６が排水管１６の給水管５に対する接続部よりも上流側に設けられているために、給水管５とインナーチャンバーｌａ（同「洗浄槽」に相当する。）、あるいは、インナーチャンバーｌａと排水管１６の下流側のいずれかの経路を形成するものであり、また、給水管５の端部が分岐された温水供給管７及び冷水供給管８、及び温水用開閉弁１１、及び冷水用開閉弁１２からなる管路は、加熱された純水、あるいは、冷水のままの純水を供給管５に選択的に供給するための構成にすぎず、いずれも、請求項１に係る発明のサプライ配管と前記供給用配管、あるいは、前記サプライ配管と前記リターン配管のいずれかの経路を形成する三方弁の構成とは相違している。
　そうすると、甲第１号証ないし甲第３号証には、請求項１に係る発明の前記構成が記載されておらず、また、示唆されているとすることもできない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、「洗浄槽の未使用時にも常時純水をリンス槽内に少量供給できるようにしたので、リンス槽内と三方弁からの配管へのパーティクルの発生が低減され、また、サプライ配管およびリターン配管からそれぞれ分岐して引き込まれた所に位置する供給用配管から洗浄槽に純水を供給するので、サプライ配管の水圧の影響を直接受けず、洗浄槽へ安定して純水を供給することが可能となる」という顕著な効果を奏するものであり、本件請求項１に係る発明が上記甲第１号証ないし甲第３号証に記載されたものから容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（本件請求項２ないし請求項４に係る発明について）
　本件請求項２ないし請求項４に係る発明は、請求項１に係る発明を更に限定したものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、甲第１号証ないし甲第３号証に記載されたものから容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（本件請求項５に係る発明について）
　本件請求項５に係る発明と甲第３号証に記載の第２発明とを比較すると、本件請求項５に係る発明は洗浄装置の洗浄方法に関するものであるのに対して、甲第３号証に記載されたものは、基板Ｗの洗浄方法に関するものであって、洗浄槽を確実に洗浄するための本件請求項５に特定する事項は何ら開示されておらず、示唆もされてない。
　そして、本件請求項５に係る発明は、「純水が放置され、パーティクルが発生したとしても、温純水により配管を敏速に洗浄できるので、パーティクルの少ない半導体ウエハ等の洗浄を行うことができる。」という顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項５に係る発明が甲第３号証に記載されたものから容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（本件請求項６ないし請求項７に係る発明について）
　本件請求項６ないし請求項７に係る発明は、本件請求項５に係る発明を更に限定したものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記刊行物１及び刊行物２に記載されたものから容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（４）特許法第３６条違反について
　異議申立人は、本件請求項２に係る発明は、純水の通路において、バクテリアの発生防ぐために常時流し続ける水の流量は、配管等の大きさや容量によって決まるものであり、絶対的な数値を規定しても、所期の目的を達成し得るものでないことは明らかであり、本件請求項２に係る発明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているものとは言えない旨主張している。
　しかしながら、半導体製造工程で用いる洗浄装置においては、配管等の大きさや容量はほぼ定まるものであり、純水の流量を本件請求項２に係る発明の如く規定しても当業者でがその実施をすることができないものということはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１ないし請求項７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし請求項７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月７日（２００１．５．７）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２９８１０４８号発明の明細書を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、次のとおり訂正する。
　特許請求の範囲の請求項１に係る記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】　サプライ配管とリターン配管と、前記サプライ配管および前記リターン配管にそれぞれ引き込み部分を介して接続される三方弁とを含む半導体製造工程で用いる洗浄装置において、
　前記三方弁は、前記サプライ配管に接続されるサプライ配管接続口と、前記リターン配管に接続されるリターン配管接続口と、洗浄槽への供給用配管に接続される供給用配管接続口とを有し、前記サプライ配管と前記供給用配管、あるいは、前記サプライ配管と前記リターン配管のいずれかの経路を形成するとともに、前記供給用配管への供給用弁部に常時少量の純水を流す通路を形成することを特徴とする洗浄装置。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
洗浄装置及びその洗浄方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
サプライ配管とリターン配管と、前記サプライ配管および前記リターン配管にそれぞれ引き込み部分を介して接続される三方弁とを含む半導体製造工程で用いる洗浄装置において、
　前記三方弁は、前記サプライ配管に接続されるサプライ配管接続口と、前記リターン配管に接続されるリターン配管接続口と、洗浄槽への供給用配管に接続される供給用配管接続口とを有し、前記サプライ配管と前記供給用配管、あるいは、前記サプライ配管と前記リターン配管のいずれかの経路を形成するとともに、前記供給用配管への
　【請求項２】　前記通路は１〜５リットル／分の流量の純水を流すことを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
　【請求項３】　前記通路は洗浄槽への純水供給用弁部に形成されるバイパス路である請求項１記載の洗浄装置。
　【請求項４】　前記通路は洗浄槽への純水供給用弁部に閉じない通路を形成することを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
　【請求項５】　半導体製造工程で用いる洗浄装置の洗浄方法において、
（ａ）温純水を１〜５分の間に２０〜６０リットル／分の流量で流し、
（ｂ）それを排水した後、弁を切り換えて純水を２０秒の間に２０〜９０リットル／分の流量で流し、
（ｃ）それを排水した後、もう一度純水を２０秒の間に２０〜９０リットル／分の流量で流すことを特徴とする洗浄装置の洗浄方法。
　【請求項６】　前記温純水と純水との切り換えに三方弁を用いることを特徴とする請求項５記載の洗浄装置の洗浄方法。
　【請求項７】　前記温純水と純水との切り換えに五方弁を用いることを特徴とする請求項５記載の洗浄装置の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体製造装置、特にリンス槽に供給する超純水の末端の配管方法及び供給方法を改良した洗浄装置及びその洗浄方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、このような分野の技術としては、例えば「超純水の化学」、発行所株式会社　リアライズ社　Ｐ．１５２〜１６２に記載されるものがあった。
　従来、この種の洗浄・エッチング装置の配管は、図３に示されるように、サプライ配管４とリターン配管５を有し、装置内で三方弁３を介し、それぞれの配管を結び、常に純水が溜まらないような構造となっている。洗浄・エッチング装置内のリンス槽２に純水を供給する場合は、三方弁３を切り換えることにより、リンス槽２内に供給する。なお、１は洗浄装置、６はリンス槽２の排水管、７はリンス槽２の排水弁である。
　【０００３】
　図４及び図５はかかる従来の洗浄装置の三方弁を示す断面図である。これらの図に示すように、エアーにより第１の弁駆動用シリンダ１７及び第２の弁駆動用シリンダ１８を駆動させることにより、ダイアフラムをオープン、クローズさせ、水の流れを制御するようにしている。
　すなわち、未使用時は、図４に示すように、サプライ配管接続口８からリターン配管接続口９へと水が流れる。また、純水供給時には、図５に示すように、リンス槽供給配管側の第２のダイアグラム弁１２をオープンさせ、かつリターン配管側の第１のダイアグラム弁１１をクローズさせることにより、純水の供給を行なう。
　【０００４】
　なお、上記図４及び図５において、１０はリンス槽供給配管接続口、１３は第１のダイアグラム弁オープン用エアー接続口、１４は第１のダイアグラム弁クローズ用エアー接続口、１５は第２のダイアグラム弁オープン用エアー接続口、１６は第２の弁クローズ用エアー接続口である。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記構造の洗浄装置では、三弁弁３よりリンス槽２の間が、そのリンス槽２を使用しな場合に溜まり水となり、バクテリアの発生やパーティクルが増加するという問題があった。
　図６は溜まり水のパーティクル増加を測定したもので、時間が経過するとパーティクルが増加することがわかる。なお、図６において、縦軸にはｍｌ（ミリリットル）当たりのパーティクルの個数（ｃ／ｍｌ）、横軸には時間（ｈ）を示している。
　【０００６】
　この図において、グラフａはリンス槽の蓋が開いている場合の第１回目の測定結果、グラフｂはリンス槽の蓋が開いている場合の第２回目の測定結果、グラフｃはリンス槽の蓋が開いている場合の第３回目の測定結果、グラフｄはリンス槽に窒素ガス（不活性ガス）を封入している場合の第１回目の測定結果、グラフｅはリンス槽に窒素ガス（不活性ガス）を封入している場合の第２回目の測定結果、グラフｆはリンス槽の蓋が閉じている場合の第１回目の測定結果、グラフｇはリンス槽の蓋が閉じている場合の第２回目の測定結果、グラフｈはリンス槽の蓋が閉じている場合の第３回目の測定結果、グラフｉはリンス槽の蓋が開いている場合の第４回目の測定結果を示している。
　【０００７】
　この図に示すように、どの場合においても、時間の経過とともに、パーティクルが増加していることが明らかである。
　本発明は、以上述べた洗浄装置の三方弁とリンス槽間の溜まり水によりパーティクルが増加するという問題点を除去するため、
（１）溜まり水をなくし、パーティクル、バクテリアの増加を防ぐ。
（２）純水を使用する前にリンス槽間のパーティクル、バクテリアを除去する。
　【０００８】
　以上２点により、パーティクル、バクテリアの少ない純水を供給する洗浄装置及びその洗浄方法を提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記目的を達成するために、半導体製造工程で用いる洗浄装置において、純水供給用三方弁の洗浄槽への純水供給用弁部に常時少量の純水を流す通路を形成するようにしたものである。
　また、前記通路は１〜５リットル／分の流量の純水を流すようにしている。また、前記通路は洗浄槽への純水供給用弁部に形成されるバイパス路を設けたり、前記通路としては洗浄槽への純水供給用弁部に閉じない通路を形成するようにしている。
　【００１０】
　また、半導体製造工程で用いる洗浄装置の洗浄方法において、（ａ）温純水を１〜５分の間に２０〜６０リットル／分の流量で流し、（ｂ）それを排水した後、弁を切り換えて、純水を２０秒の間に２０〜９０リットル／分の流量で流し、（ｃ）それを排水した後、もう一度純水を２０秒の間に２０〜９０リットル／分の流量で流すようにしたものである。
　【００１１】
　【作用】
　本発明によれば、上記のように、（１）洗浄装置の純水供給用三方弁の洗浄槽への純水供給用弁部に常時少量の純水を流す通路を形成する。また、（２）純水を使用する前に温純水を切換弁とリンス槽間に供給する。したがって、そこで増加したパーティクル及びバクテリアを除去することができる。
　【００１２】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について図を参照しながら詳細に説明する。
　図１は本発明の第１の実施例を示す洗浄装置の三方弁の断面図、図２は本発明を適用した場合のパーティクル特性を示す図であり、縦軸にｍｌ当たりのパーティクルの個数、横軸に時間（ｈ）を示している。
　【００１３】
　図１に示すように、サプライ配管は、サプライ配管接続口２０に接続され、リターン配管は、リターン配管接続口２１に接続される。また、リンス槽への供給用配管は、リンス槽への供給用配管接続口２２に接続される。第１の弁駆動用シリンダ２７は、第１のダイアグラム弁オープン用エアー接続口２３からのエアーの供給により、駆動されて、第１のダイアグラム弁３１は隆起した弁座３０から離れてオープンする。また、第１のダイアグラム弁クローズ用エアー接続口２４からのエアーの供給により、駆動されて、第１のダイアグラム弁３１は隆起した弁座３０に当接してクローズする。
　【００１４】
　一方、第２の弁駆動用シリンダ２８は、第２のダイアグラム弁オープン用エアー接続口２５からのエアーの供給により、駆動されて、第２のダイアグラム弁３４は隆起した弁座３２から離れてオープンする。また、第２のダイアグラム弁クローズ用エアー接続口２６からのエアーの供給により、駆動されて、第２のダイアグラム弁３４は隆起した弁座３２に当接してクローズする。
　【００１５】
　しかしながら、第２のダイアグラム弁３４により完全にクローズされると、前記したように、リンス槽への供給用配管に水が溜まり、パーティクル及びバクテリアが発生する。そこで、本実施例では、第２のダイアグラム弁３４に対向する隆起した弁座３２の一部にバイパスライン３３を形成して、リンス槽への供給用配管に常時連通するようにしている。その径は、１〜５１／ｍｉｎ（分）を流すために十分な通路からなるバイパスラインでよい。
　【００１６】
　このバイパスライン３３を設けることにより、未使用時、第２のダイアフラム弁３４が締まり、リンス槽に純水が流れない場合でも、１〜５１／ｍｉｎ（分）の純粋を流すことができ、図２に示すように、パーティクルの増加はみられない。つまり、図２のグラフｊは温純水を１ｌ／分の流量で流した場合、グラフｋは温純水を５ｌ／分の流量で流した場合を示しており、いずれの場合もパーティクルの発生が低くなっている。
　【００１７】
　図７は本発明の第２の実施を示す洗浄装置の三方弁の断面図である。
　この図に示すように、第１の実施例のバイパスライン３３の代わりに、１〜５ｌ／ｍｉｎ（分）を常時流すために、第２の弁駆動用シリンダ２８にストップピン３５を設けることにより、リンス槽への通路が第２のダイアグラム弁３４によって完全には締められない構造になっている。すなわち、第２の弁駆動用シリンダ２８が第２のダイアグラム弁クローズ用エアー接続口２６からのエアーの供給により、駆動されてもストップピン３５によりストップして、第２のダイアグラム弁３４と弁座３２との間には通路が形成される。このバルブを使用することにより、１〜５ｌ／ｍｉｎ（分）常時、純水を流すことができるので、図２に示すように、パーティクルの増加はみられない。
　【００１８】
　図８は本発明の第３の実施例を示す温純水により洗浄装置を洗浄する方法を実施するための配管系統図である。
　この図において、４０はリンス槽、４１は純粋サプライ配管、４２は純粋リターン配管、４３は温純水サプライ配管、４４は温純水リターン配管、４５は純水三方弁、４６は温純水三方弁である。
　【００１９】
　この実施例においては、３０分以上純水を使用しなかった場合、つまりリンス槽が純水放置状態にあった場合は、その放置された純水を排水し、温純水三方弁４６をオープンして、リンス槽へ温純水をオーバーフローさせ、温純水を１〜５分の間に２０〜６０ｌ／ｍｉｎ（分）の流量で流し、その後、温純水を排水し、温純水三方弁４６をクローズして、純水三方弁４５をオープンして、純水をリンス槽ヘオーバーフローさせ、純水を２０ｓｅｃ（秒）の間、２０〜９０ｌ／ｍｉｎ（分）の流量で流し、その後、その水を排水した後、ただちにう一度純水を２０ｓｅｃ（秒）の間に２０〜９０ｌ／ｍｉｎ（分）の流量で流すと、図１０に示すように、パーティクルを減らすことができる。
　【００２０】
　そのパーティクルの測定は、図９に示されるフローに従って行なわれる。つまり、リンス槽に純水放置状態が発生する（ステップＳ１）と、その状態でその液中のパーティクルのカウントＡを行なう（ステップＳ２）。次に、その放置された純水を排水する（ステップＳ３）。次に、リンス槽に温純水を満水し（ステップＳ４）、オーバーフローを所定時間行なう（ステップＳ５）。その時間をパラメータにしたものが、図１０に示されている。つまり、オーバーフロー時間は、１分、２分、５分および２０分とそれぞれ実施した。次に、その温純水を排水する（ステップＳ６）。次に、純水をリンス槽に満水し（ステップＳ７）、その液中のパーティクルのカウントＢを行なう（ステップＳ８）。次に、その純水を２０秒間オーバーフローさせ（ステップＳ９）、その状態で、その液中のパーティクルのカウントＣを行なう（ステップＳｌ０）。次いで、その純水の排水を行なう（ステップＳ１１）。これを再び繰り返す。
　【００２１】
　このようにして洗浄することにより、図１０に示すように、パーティクルの数を低減することができる。すなわち、図１０において、グラフｍは温純水を１分間オーバーフローさせた場合、グラフｎは温純水を２分間オーバーフローさせた場合、グラフｏは温純水を５分間オーバーフローさせた場合、グラフｐは温純水を２０分間オーバーフローさせた場合を、それぞれ示している。特に、温純水を２０分間オーバーフローさせた場合にはパーティクルの数を大幅に低減することができる。
　【００２２】
　図１１は本発明の第４の実施例を示す温純水により洗浄する方法を実施するための配管系統図である。
　この実施例では、温純水により、洗浄する方法を実施するため五方弁を用いるようにしている。純水のサプライとリターンと、温純水のサプライとリターンと、リンス槽供給用の接続が可能であり、供給を行なわないようにすることもできる。
　【００２３】
　図１１において、５１は純水サプライ配管接続口、５２は純水リターン配管接続口、５３は温純水サプライ配管接続口、５４は温純水リターン配管接続口、５５はリンス槽供給用接続口、５６は第１のシリンダ、５７は第１のダイアグラム弁、５８は第１の弁座、５９は第２のシリンダ、６０は第２のダイアグラム弁、６１は第２の弁座、６２は第３のシリンダ、６３は第３のダイアグラム弁、６４は第３の弁座、６５は第４のシリンダ、６６は第４のダイアグラム弁、６７は第４の弁座である。
　【００２４】
　この五方弁を用いることにより、第３の実施例と同様の温純水により洗浄を行なうことができる。すなわち、純水放置状態から、その排水を行なった後、例えば、第２のシリンダ５９を駆動して、第２のダイアグラム弁６０をオープンして、温純水サプライ配管接続口５３より温純水を供給してリンス槽供給用接続口５５からリンス槽へと温純水を供給する。その後、温純水を排水して、第２のダイアグラム弁６０をクローズする。次に、第３のシリンダ６２を駆動して、第３のダイアグラム弁６３をオープンして、純水サプライ配管接続口５１より温純水を供給してリンス槽供給用接続口５５からリンス槽へと純水を供給する。これを更に繰り返して、上記した洗浄装置の洗浄を行なう。
　【００２５】
　なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
　【００２６】
　【発明の効果】
　以上、詳細に説明したように、本発明によれば、洗浄槽の未使用時にも常時純水をリンス槽内に少量供給できるようにしたので、リンス槽内と三方弁からの配管へのパーティクルの発生が低減され、パーティクルの少ない半導体ウエハ等の洗浄を行なうことができる。
　【００２７】
　また、純水が放置され、パーティクルが発生したとしても、温純水により配管を敏速に洗浄できるので、パーティクルの少ない半導体ウエハ等の洗浄を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　発明の第１の実施例を示す洗浄装置の三方弁の断面図である。
　【図２】
　本発明を適用した場合のパーティクル特性を示す図である。
　【図３】
　本発明の第１の実施例を示す洗浄装置の配管系統図である。
　【図４】
　従来の洗浄装置の未使用時の三方弁の断面図である。
　【図５】
　従来の洗浄装置の使用時の三方弁の断面図である。
　【図６】
　従来の場合のパーティクル特性を示す図である。
　【図７】
　本発明の第２の実施例を示す洗浄装置の三方弁の断面図である。
　【図８】
　本発明の第３の実施例を示す温純水により洗浄装置を洗浄する方法を実施するための配管系統図である。
　【図９】
　本発明の第３の実施例を示す温純水により洗浄装置を洗浄するパーティクルの測定フローチャートである。
　【図１０】
　本発明の第３の実施例によるパーティクル特性を示す図である。
　【図１１】
　本発明の第４の実施例を示す温純水により洗浄する方法を実施するための配管系統図である。
　【符号の説明】
　２０　サプライ配管接続口
　２１　リターン配管接続口
　２２　リンス槽への供給用配管接続口
　２３　第１のダイアグラム弁オープン用エアー接続口
　２４　第１のダイアグラム弁クローズ用エアー接続口
　２５　第２のダイアグラム弁オープン用エアー接続口
　２６　第２のダイアグラム弁クローズ用エアー接続口
　２７　第１の弁駆動用シリンダ
　２８　第２の弁駆動用シリンダ
　３０，３２　　隆起した弁座
　３１　第１のダイアグラム弁
　３３　バイパスライン
　３４　第２のダイアグラム弁
　３５　ストップピン
　４０　リンス槽
　４１　純水サプライ配管
　４２　純水リターン配管
　４３　温純水サプライ配管
　４４　温純水リターン配管
　４５　純水三方弁
　４６　温純水三方弁
　５１　純水サプライ配管接続口
　５２　純水リターン配管接続口
　５３　温純水サプライ配管接続口
　５４　温純水リターン配管接続口
　５５　リンス槽供給用接続口
　５６　第１のシリンダ
　５７　第１のダイアグラム弁
　５８　第１の弁座
　５９　第２のシリンダ
　６０　第２のダイアグラム弁
　６１　第２の弁座
　６２　第３のシリンダ
　６３　第３のダイアグラム弁
　６４　第３の弁座
　６５　第４のシリンダ
　６６　第４のダイアグラム弁
　６７　第４の弁座