【事件の表示】
　特許第２９２２８６４号「フェライト磁石およびその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９２２８６４号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２９２２８６４号の請求項１ないし請求項４に係る発明についての出願は、平成８年１１月１８日に特許出願され、平成１１年４月３０日にその設定登録がなされ、その後、住友特殊金属株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１２年６月１２日に訂正請求がなされた後、再度の取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１月９日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否
２−１．訂正の内容
２−１−１．平成１２年６月１２日付け訂正請求
（１）請求項１の記載中「（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種以上、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以上）、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６で表される基本組成を有し、」とあるのを「（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０で表される基本組成を有し、平均粒径が０．４μｍ以上の粉砕粉を焼結してなるフェライト焼結磁石であって、保磁力ｉＨｃが２．５ｋＯｅ以上であり、」と、「フェライト磁石」とあるのを「フェライト焼結磁石」と訂正する。
（２）請求項２の記載中「フェライト磁石」とあるのを「フェライト焼結磁石」と訂正する。
（３）請求項３の記載中「（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種以上、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以上）、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６で表される基本組成を有する」とあるのを、「（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０）で表される基本組成を有する平均粒径が０．４μｍ以上の」と、「特徴とする」とあるのを、「特徴とする、保磁力ｉＨｃが２．５ｋＯｅ以上であり、」と、「フェライト磁石」とあるのを「フェライト焼結磁石」と訂正する。
（４）請求項４の記載中「フェライト磁石」とあるのを「フェライト焼結磁石」と訂正する。
（５）発明の名称「フェライト磁石およびその製造方法」とあるのを「フェライト焼結磁石およびその製造方法」と訂正する。
（６）明細書の段落【０００１】、【０００３】、【０００９】、【００１０】、【００１１】、【００２０】において、「フェライト磁石」とあるのを「フェライト焼結磁石」と訂正する。
（７）明細書の段落【０００３】に「最大となる」とあるのを「大きくなる」と訂正する。
（８）明細書の段落【０００５】の記載を請求項１の訂正に整合させる。
（９）明細書の段落【０００７】の記載を請求項３の訂正に整合させる。
（１０）明細書の段落【０００９】に「６」（２ヶ所）とあるのを「６．０」と訂正する。
（１１）明細書の段落【０００９】に「ｙがｘ／（１．８ｎ）以上、ｘ／（２．２ｎ）以下」とあるのを「ｙがｘ／（１．８ｎ）以下、ｘ／（２．２ｎ）以上」と訂正する。
（１２）明細書の段落【００１０】に「焼結現象を制御する元素」とあるのを「焼結現象を制御する添加物」と、「ＣａＯは結晶粒成長を促進する元素」とあるのを「ＣａＯは結晶粒成長を促進する添加物」と訂正する。
（１３）明細書の段落【００１２】に「従来材に比して高性能の磁石材料となりうる」とあるのを「従来材に比して高性能のフェライト焼結磁石となりうる」と訂正する。
（１４）明細書の段落【００１８】に「飽和磁束密度Ｂｒ」とあるのを「残留磁束密度Ｂｒ」と、「良好で、飽和磁化σｓ向上の効果が顕著に出ていると判断される。」とあるのを「良好である。」と訂正する。
（１５）明細書の段落【００１８】の末尾に「またいずれの場合も、保磁力ｉＨｃは２．５ｋＯｅ以上であることが分かる。」を追加訂正する。
２−１−２．平成１３年１月９日付け訂正請求
（１）請求項１ないし請求項４の記載中「フェライト焼結磁石」とあるのをいずれも「異方性フェライト焼結磁石」と訂正する。
（２）発明の名称「フェライト焼結磁石およびその製造方法」とあるのを「異方性フェライト焼結磁石およびその製造方法」と訂正する。
（３）明細書の段落【０００１】、【０００５】、【０００７】、【０００９】、【００１０】、【００１１】、【００１２】、【００２０】において、「フェライト焼結磁石」とあるのを「異方性フェライト焼結磁石」と訂正する。
（４）明細書の段落【０００２】、【０００３】に「高性能焼結磁石」とあるのを「高性能異方性焼結磁石」と、【０００３】に「フェライト磁石」とあるのを「異方性フェライト焼結磁石」と訂正する。
（５）明細書の段落【００１０】に「混合→仮焼→粉砕→成形→焼結」とあるのを「混合→仮焼→粉砕→磁場中成形→焼結」と訂正する。
（６）明細書の段落【００１１】に「フェライト焼結体」とあるのを「異方性フェライト焼結体」と訂正する。
（７）明細書の段落【００１２】に「実施例１〜３、及び参考例３〜９」とあるのを「参考例１〜１２」と訂正する。
（８）表１に実施例１、２及び３とあるのをそれぞれ参考例３、４及び５と、その下の参考例３〜９とあるのをそれぞれ順次参考例６〜１２と訂正する。
（９）明細書の段落【００１４】に「参考例１０」（２箇所）とあるのを「参考例１３」と、「実施例１」とあるのを「参考例３」と、「実施例４」とあるのを「参考例１４」と訂正する。
（１０）明細書の段落【００１５】に「参考例１１」とあるのを「参考例１５」と訂正する。
（１１）明細書の段落【００１７】に「参考例１２」とあるのを「参考例１６」と訂正する。
（１２）明細書の段落【００１８】に「実施例５〜７、参考例１３」とあるのを「実施例１〜３、参考例１７」と、「実施例５」、「実施例６」、「実施例７」、及び「参考例１３」とあるのをそれぞれ「実施例１」、「実施例２」、「実施例３」、及び「参考例１７」と訂正する。
（１３）明細書の段落【００１９】に「参考例１４」とあるのを「参考例１８」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　上記平成１２年６月１２日付け訂正請求の（１）ないし（４）は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、（５）、（６）、（８）、（９）、（１０）、（１３）、（１５）は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、（７）、（１１）、（１２）、（１４）は、誤記の訂正を目的とするものである。また、上記訂正はいずれも願書に添付した明細書又は図面に記載された事項及びそれから自明な範囲の事項であり、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記平成１３年１月９日付け訂正請求の（１）は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、（２）〜（１３）は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。また、上記訂正はいずれも願書に添付した明細書又は図面に記載された事項及びそれから自明な範囲の事項であり、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
２−３．「訂正の適否」のむすび
　以上のとおりであるから、上記平成１２年６月１２日付け訂正請求に係る訂正は、特許法第１２０条の４第２項および第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するものであり、これをさらに訂正した平成１３年１月９日付け訂正請求に係る訂正は、特許法第１２０条の４第２項および第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
  本件請求項１ないし請求項４に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明４」という）は、平成１３年１月９日付け訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】　原子比率で
（Ｓｒ１−ｘＲｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＭｙ）２Ｏ３］
（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０で表される基本組成を有し、平均粒径が０．４μｍ以上の粉砕粉を焼結してなる異方性フェライト焼結磁石であって、保磁力ｉＨｃが２．５ｋＯｅ以上であり、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有することを特徴とする異方性フェライト焼結磁石。
【請求項２】　基本組成物に対する重量比率で０．４〜０．５％のＳｉＯ２および０．３５〜０．５５％のＣａＯを含有する請求項１に記載の異方性フェライト焼結磁石。
【請求項３】　原子比率で
（Ｓｒ１−ｘＲｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＭｙ）２Ｏ３］
（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０）で表される基本組成を有する平均粒径が０．４μｍ以上の粉砕粉末のスラリーを、順次乾燥あるいは濃縮、混練、磁場中成形、焼結することを特徴とする、保磁力ｉＨｃが２．５ｋＯｅ以上であり、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有する異方性フェライト焼結磁石の製造方法。
【請求項４】　粉砕時あるいは混練時に分散剤を固形分比率で０．２〜２％添加する請求項３に記載の異方性フェライト焼結磁石の製造方法。」
　
３−２．申立ての理由の概要
　申立人は、甲第１号証ないし甲第１５号証を提出し、以下の点を理由に本件発明１ないし本件発明４に係る特許を取り消すべき旨主張している。
Ａ．本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
Ｂ．本件発明１は、甲第２号証に記載された発明であるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
Ｃ．本件発明１は、甲第３号証に記載された発明であるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
Ｄ．本件発明１は、甲第４号証ないし甲第６号証および甲第９号証ないし甲第１１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
Ｅ．本件発明１は、甲第７号証ならびに甲第５号証および甲第６号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
Ｆ．本件発明１は、甲第８号証ならびに甲第４号証、甲第５号証および甲第７号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
Ｇ．本件発明２は、甲第１２号証に記載されている事項を甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された発明に適用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
Ｈ．本件発明３は、甲第１３号証に記載されている事項を甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された発明に適用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
Ｉ．本件発明４は、甲第１３号証ないし甲第１４号証に記載されている事項を甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された発明に適用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
３−３．申立人が提出した甲各号証
　申立人が提出した甲第１号証（特公平６−９０９６９号公報）には以下の点が記載されている。
・適正な保磁力（Ｈｃ）を維持するとともに同時に飽和磁化（σｓ）の高い磁気記録媒体用磁性粉、およびその磁性粉を用いることにより電磁変換特性とりわけ再生出力が向上する磁気記録媒体に関する発明であること、（第２頁左欄第４〜７行）
・Ｍ型（マグネトプランバイト型）のフェライトは、ＡＯ・６Ｆｅ２Ｏ３すなわちＡ・Ｆｅ１２Ｏ１９で示されること、本発明における六方晶系フェライトの構成元素としては、鉄、酸素の他、式中のＡとして、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｐｂの群から選ばれる少なくとも１種があげられ、Ｈｃを低減化するために鉄をＴｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｂから選ばれる少なくとも１種で置換、好ましくはＴｉとＣｏの２元素で鉄１元素を置換するとよいこと、この置換元素をＱ、置換量をＹとするとＭ型フェライトは、Ａ・Ｆｅ１２−ＹＱＹＯ１９で示されること、（第２頁右欄第３８行〜第３頁左欄第１行）
・Ｈｃの低減化に伴って生起するσｓの低下を回避するため、ＡをＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕから選ばれる少なくとも１種の希土類元素で置換すること、この置換する希土類元素をＭ、置換量をＸとすると、Ａ１−ＸＭＸの関係にあり、Ｘは、０．０５〜０．２の範囲内に設定されるのが好ましいこと、（第３頁左欄第７〜１４行）
・価数の異なるイオン同士を置換するために価数補償を行なうことが必要であること、例えば、Ａ２＋イオンをＭ３＋イオンで置換する場合、例えばＦｅ３＋イオンをＺｎ２＋、Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋等の２価のイオンで置換して価数補償をすること、（第３頁左欄第２４〜２８行）
・Ｍ型のフェライトにおいて、ＡとしてＢａ、ＱとしてＴｉ＋Ｃｏの場合、ＦｅとＣｏで価数補償された該フェライトはＢａ１−ＸＭＸＦｅ１２−（Ｘ＋２Ｙ）ＴｉＹＣｏＸ＋ＹＯ１９として示されること、（第３頁左欄第３１〜３３行）
　申立人が提出した甲第２号証（特開昭６０−６３７１５号公報）には以下の点が記載されている。
・磁気記録体に係り、特に高密度垂直磁化記録に適する磁気記録体に関する発明であること、（第１頁左下欄第１４〜１５行）
・本発明は一般式、Ａ１−ＸＬａＸＦｅ１２−ＸＣｏＸＯ１９（但し、ＡはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｐｂの群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｘは０．５〜１．１の数を表わす。）で示される六方晶系フェライトであって且つ平均粒径０．０１〜０．３μｍの磁性微粉末（微粒子）を含む磁性記録層を具備して成ること、（第２頁右上欄第４〜１１行）
　申立人が提出した甲第３号証（米国特許第３７２３５８７号明細書）には以下の点が記載されている。
・およそＭＯ・６Ｆｅ２Ｏ３（Ｍは、Ｂａ、ＳｒおよびＰｂの少なくとも一つを表す）である製品組成に相当する出発原料を秤量し、得られた混合物を１２００℃以上の温度で仮焼すること、（第１欄第２３〜２７行）
・本発明のプロセスに従い少なくとも前記したＢａ、ＳｒおよびＰｂ化合物の少なくとも一つが、およそＭＯ・６Ｆｅ２Ｏ３ である製品組成に相当するように出発Ｆｅ化合物に混合されること、（第６欄第２４〜２８行）
・磁気特性改善添加物は、ＣａＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、Ａｓ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ５、Ｋ２Ｏ、ＢｅＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＣｕＯ、ＰｂＣｒＯ４、Ｌｉ２Ｏ、ＭｇＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＭｏＯ３、ＮｉＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｂ２Ｏ５等の酸化物、ＢａＳＯ４、ＳｒＳＯ４等の硫酸塩、ＰｂＦ２、ＭｇＦ２等のフッ化物、Ａｌ２Ｉ３・６Ｈ２Ｏ、ＢａＩ２・２Ｈ２Ｏ、ＣａＩ２・６Ｈ２Ｏ等のヨウ化物、及び希土類酸化物の混合物を含むこと、これら添加物は原料であるＦｅ化合物およびＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ化合物の混合物の合計量の０．０５〜４．５重量％の添加されること、（第６欄第４２〜５３行）
　申立人が提出した甲第４号証（Ｇ．Ａ．Ｓｍｏｌｅｎｓｋｉｉ　＆　Ａ．Ａ．Ａｎｄｒｅｅｖ，”Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｆｅｒｒｉｍａｇｎｅｔｓ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ｍａｇｎｅｔｏｐｌｕｍｂｉｔｅ　ａｎｄ　ｇａｒｎｅｔ　ｉｎ　ｓｔｒｏｎｇ　ｐｕｌｓｅ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｆｉｅｌｄｓ”，Ｂｕｌｌｅｔｉｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｃａｄｅｍｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＵＳＳＲ，Ｖｏｌ．２５，１９６１、Ｐ．１４０５〜１４０８）には以下の点が記載されている。
・（１−ｘ）Ｂａ２＋Ｆｅ３＋１２Ｏ１９−ｘＭ３＋Ｆｅ３＋１１Ｍ２＋Ｏ１９　　
ここで、Ｍ３＋＝Ｌａ３＋、Ｐｒ３＋、またはＢｉ３＋で、Ｍ２＋＝Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋であるタイプの固溶体を調査したこと、（第１４０５頁第３０〜３２行）
・前記固溶体でＭ３＋をＬａ３＋、Ｍ２＋をＣｏ２＋としたもの、およびＭ３＋をＬａ３＋、Ｍ２＋をＮｉ２＋としたものについて、ｘの値０〜０．８の範囲で飽和磁化の測定結果が示されていること（第１４０５頁下から第２４〜２３行、同頁図１および図２）
・第２成分の導入により、保磁力はバリウム六方晶フェライトの値より数倍高くなること、（第１４０６頁下から第１７〜１５行）
・ＢａＦｅ１１Ｏ１９−“ＢｉＦｅ１１ＣｏＯ１９ ”固溶体でも類似のデータが得られたこと、・・室温での保磁力は、組成が１０〜２０モルパーセントになると１．５倍に増大すること、（第１４０６頁下から第１４〜１０行）
　申立人が提出した甲第５号証（計器材料５（１９７４）４４、Ｐ４４〜５６）には以下の点が記載されている。
・マグネトプランバイト型構造において、Ｂａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｐｂ２＋等のイオンは、半径が酸素イオン半径（１．３２Å）に近いので酸素イオンの最密構造中の酸素イオンの位置を占めること、このため、これらのイオンを置換するイオンとしては、酸素イオンに近いイオン半径、例えば１．０〜１．５Åの間の半径を有するものが求められること、イオン半径という要件からみれば、希土類元素イオンは基本的にはＢａ２＋イオンを部分的又は全部置換できること、（第４９頁左欄第１６〜２２行）
・Ｌａ３＋は１価又は２価のイオンと組合わせてＢａ２＋イオンを置換することもでき、この場合例えばＡ０．５Ｌａ０．５Ｆｅ１２Ｏ１９フェライトが形成されること（ＡはＮａ１＋、Ｋ１＋、Ｒｂ１＋等）、また、Ｂａ１−ｘＭｅｘＬａｘＦｅ１２−ｘＯ１９も形成され得ること（Ｍｅ＝Ｚｎ２＋、Ｍｇ２＋）、Ｌａの代わりにＰｒ、ＢｉでＢａ２＋を置換することもあり、この場合、Ｂａ１−ｘＭ３＋ｘＦｅ１２−ｘＭ２＋ｘＯ１９フェライト（Ｍ３＋：Ｌａ３＋、Ｐｒ３＋、Ｂｉ３＋、Ｍ２＋：Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋）が形成されるが、固溶体を形成する範囲はｘ≦０．８であること、Ｍ３＋の置換に応じてσｓは低下し保磁力は増加し、例えばＢｉでＢａを置換する場合、保磁力は１．５倍まで増加できること、（第４９頁右欄第６行〜下から第１４行）
　申立人が提出した甲第６号証（特公昭２９−５１３９号公報）には以下の点が記載されている。
・亜鉄酸バリウムを主成分とする酸化物永久磁石の改良に関し、磁気的性質を改善し強力な永久磁石を得ようとするものであること、（第１頁左欄第２〜４行）
・Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂおよび希土類元素のＬａ、Ｐｒ、Ｎｄのイオン半径は、それぞれ、１．４３、１．２７，１．３２及び１．２２、１．１６、１、４５（Å）であること、（第２頁第２表）
・Ｆｅ２Ｏ３８０％、ＢａＯ１５％、Ｒ２Ｏ３（希土類元素酸化物）５％の混合物を成形して１０００℃以上の温度で焼成して得た磁石につきＲ２Ｏ３がそれぞれＬａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３の場合の磁気的諸性質の測定結果が示されていること（第２頁実施例２および第３表）
・Ｆｅ２Ｏ３９０％、ＳｒＯ１０％、より成る亜鉄酸ストロンチウム１００部と希土類元素酸化物例えばＬａ２Ｏ３とを混合し成型して１０００℃以上の温度で焼成して得た磁石につき磁気的諸性質の測定結果が示されていること（第２頁実施例３および第４表）
・バリウムストロンチウム、鉛等の酸化物を含むフェライトは３者とも六方晶系の結晶構造を示し、しかも、Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ等のイオン半径が互いに類似している上に酸素のイオン半径（１．３２Å）に極めて近く、従ってバリウムフェライト中のＢａをＳｒ又はＰｂで全部又は一部置換してもほぼ同じ格子定数を有する六方晶系のフェライトとなるから、これら３者のフェライトに対する希土類元素酸化物の作用及び効果はほぼ同様であると考えられること、（第２頁左欄下から第７〜１行及び同頁右欄下から第７〜４行）
　申立人が提出した甲第７号証（特開昭６２−１１９７６０号公報）には以下の点が記載されている。
・マグネトプランバイト型バリウムフェライトのＢａの一部をＬａで置換するとともに、Ｆｅの一部をＣｏで置換した光磁気記録材料、（特許請求の範囲）
・光磁気記録媒体の記録層に使用することができる光磁気記録材料に関すること、（第１頁左下欄第１１〜１２行）
・Ｂａ−フェライトの鉄原子の一部をＣｏで置換し、これによる電荷補償を２価のバリウムを３価のランタンで置き換えることにより行なうと、磁気光学効果が増大し、結晶磁気異方性も増大すること、（第２頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第１行）
・本発明の光磁気記録材料の代表的な組成式は、Ｂａ１−ｘＬａｘＣｏｙＦｅ１２−ｙＯ１９（０＜ｘ≦１，ｘ≒ｙ）であり、ｘとｙとは多少不一致があっても、所期の特性を得ることができること、（第２頁右下欄第１０〜１３行）
・本発明によれば磁気光学効果および結晶磁気異方性の大きな光磁気記録材料が得られること、この光磁気記録材料からなる薄膜を光磁気記録媒体の記録層として用いることにより、読み出し性能および記録の安定性が向上した光磁気記録を実現することができること、（第３頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第２行）
　申立人が提出した甲第８号証（１９９６年１０月１７日発行の電波新聞第２３〜２４頁）には以下の点が記載されている。
・ＺｎによってＦｅを置換できれば飽和磁化の増加が期待できるが、安定したＭ型構造とするためにはＺｎ２＋とＦｅ３＋の価数の違いを補償しなければならないこと、ＴＤＫでは様々な可能性を研究した結果、Ｓｒ２＋の一部をＬａ３＋で置き換えた構造（Ｓｒ１−ｘＬａｘＦｅ１２−ｘＺｎｘＯ１９）において置換量ｘを適当な範囲とすることで高い磁気特性が得られることを見出したこと、（第２４頁最左欄第４〜２５行）　
・ＬａとＺｎの置換量と室温における分子量あたりの磁化の強さ、異方性磁場およびキュリー温度の関係が、ｘ＝０〜０．６の範囲で示されていること、（第２３頁図２）
　申立人が提出した甲第９号証（近角聰信「強磁性体の物理（下）−磁気特性と応用」（昭和６０年５月１０日発行）裳華房Ｐ．２６２〜２６９）には、強磁性体が飽和の状態に近づく様子を示す「飽和漸近則」について記載されている。
　申立人が提出した甲第１０号証は、社団法人日本電子材料工業会が平成１１年７月３０日に同会会議室で開催した「パルス磁界による永久磁石の測定」をテーマとする研修会における金属材料研究所の加藤誠一氏による「パルス磁石を用いた永久磁石の磁気特性評価に関する研究」と題するテキストであり、以下の点が記載されている。
・高性能磁石の測定に必要な強い磁界を発生させるには超電導磁石を用いる方法とパルス磁石を用いる方法があるが、超電導磁石を用いる方法は効果であるなどの欠点があること、（第１頁下から第１４〜１３行）
・今回の研究の結果、パルス法は高性能磁石に対応できる次代の標準測定法の有力な候補となり得ることがわかったこと、（第２５頁下から第２〜１行）
　申立人が提出した甲第１１号証（平賀貞太郎他２名「電子材料シリーズ　フェライト」（昭和６１年１１月３０日発行）丸善、Ｐ．３２〜３３）には以下の点が記載されている。
・保磁力の大きいことが必要な永久磁石に対しては、一軸異方性の大きい材料で単磁区粒子をつくれば、ＨｃをＨａまでもっていくことができるはずであるが、単磁区粒子の集合体と見なせるＢａフェライト焼結体や磁気テープの現実のＨｃは、粒子間の相互作用や磁壁の発生のために単磁区粒子のＨｃの理論値より低くなること、（第３３頁第５〜９行）
　申立人が提出した甲第１２号証（「粉体及び粉末冶金」第３４巻第４号（１９８７年６月）Ｐ．２７〜３２）は、金子裕治他２名による「ＣａＯおよびＳｉＯ２添加によるＳｒフェライト磁石の高性能化」と題する論文であり、以下の点が記載されている。
・主原料のα−Ｆｅ２Ｏ３は高純度品を用い、ＳｒＣＯ３は市販の特級試薬を使用し、添加物試薬として市販の特級試薬ＣａＣＯ３およびＳｉＯ２を用い、ＳｉＯ２については純度補正を行ったこと、（第２７頁右欄下から第５行〜第２８頁左欄第１行）
・焼結条件を１２３０℃、６０ｍｉｎに固定した場合の、ＣａＯとＳｉＯ２の添加量による磁石特性の変化がＦｉｇ．３に示されていること、ＣａＯの添加量として、０．３、０．４５、０．６、０．７５ｗｔ％を選び、この各々のＣａＯに対してＣａＯ／ＳｉＯ２の比で０．７５〜２．０まで変化させたこと、Ｓｒフェライト焼結体のＢｒ及びρは、ＣａＯの量にかかわらず、ＣａＯ／ＳｉＯ２の比が大きくなるにつれて増大し、ｉＨｃはＣａＯ／ＳｉＯ２の値に強く依存しており、添加比により極端に変化するが、ＣａＯ／ＳｉＯ２＝１．２５付近で最大値２．５ｋＯｅ以上を示すこと、（第３０頁右欄第７行〜第３１頁左欄第１０行）
・ＣａＯを０．４５ｗｔ％、ＣａＯとＳｉＯ２の添加比を１．２５とした場合、電子レンジ用高性能磁石として要求されるＢｒ≧４．４ＫＧ、ｉＨｃ≧２．８ＫＯｅを満たすＳｒフェライト焼結体が得られること、（第３２頁右欄第４〜７行）
　申立人が提出した甲第１３号証（特開平７−１０６１７２号公報）には以下の点が記載されている。
・高磁気特性のフェライト磁石の製造方法に関する発明であること、（第２頁右欄第４〜５行）
・ＭＯ・ｎＦｅ２Ｏ３（Ｍ：Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ、のうち１種以上、ｎ＝５〜６）の基本組成を有するフェライト粗粉末を湿式にて微粉砕し、その後乾燥、解砕した後、混練後、湿式成形して焼結するという技術的手段を採用したこと、高い磁気特性を得るためには、このフェライト粉末がスラリー中で凝集しないことが重要で、高濃度スラリー状態としたものの混練時に分散剤を添加することにより、凝集が解かれ配向性が向上し、磁気特性が向上することを見出したこと、磁性粉の分散剤としては、界面活性剤、高級脂肪酸、高級脂肪酸石鹸、高級脂肪酸エステル等が知られているが、アニオン系界面活性剤の一種であるポリカルボン酸系分散剤、特にポリカルボン酸アンモニウム塩が有効であること、分散剤の添加割合は、０．１〜５．０ｗｔ％が好ましいこと、（第３頁左欄第６〜３２行）
　申立人が提出した甲第１４号証（特開平６−１１２０２９号公報）には以下の点が記載されている。
・フェライト粉末を含むスラリーを磁場中で成形した後、焼結するフェライト磁石の製造方法に関する発明であること、（第２頁左欄第１８〜２０行）
・ＭＯ・ｎＦｅ２Ｏ３（Ｍ：Ｂａ、Ｓｒ、Ｐｂ、のうち１種以上、ｎ＝５〜６）の基本組成を有するフェライト粉末を含むスラリーにポリカルボン酸系分散剤を添加し、磁場中で圧縮成形し、焼結すること、（第２頁右欄第６〜１０行）
・ポリカルボン酸系分散剤でフェライト粒子の分散性向上に特に有効なものとしては、ポリカルボン酸アンモニウムであることもわかったこと、（第２頁右欄第２５〜２８行）
　申立人が甲第１５号証として提出したのは、申立人が請求項１と証拠との関係を表形式にまとめたものである。
　
３−４．対比・判断
３−４−１．本件発明１について
３−４−１−１．特許法第２９条第１項第３号違反の主張について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明を対比する。本件発明１は、異方性フェライト焼結磁石に係る発明である一方、甲第１号証に係る発明は、磁気記録媒体用の磁性粉に関するものであり、両者は、磁性体である点では共通するものの、その求められる性質は異なるものというべきであり、かつ甲第１号証で具体的に例示されているのは、Ｂａ系フェライトでしかもＦｅを置換する元素としては好ましいとされるＴｉ＋Ｃｏであって、Ｓｒ系フェライトでＦｅの置換元素がＭｎ、ＣＯ、Ｎｉである本件発明１とは異なる。したがって、その他の構成につき検討するまでもなく、本件発明１が甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　本件発明１と甲第２号証に記載された発明を対比する。甲第２号証は、高密度垂直磁化記録に適する磁気記録体に関する発明であり、その磁気記録層に使われる磁性粉と、本件発明１に係る異方性フェライト焼結磁石とは、その求められる性質は異なるものというべきであり、かつ甲第１号証で具体的に例示されているのは、Ｂａ系フェライトであり、本件発明１とは異なる。したがって、その他の構成につき検討するまでもなく、本件発明１が甲第２号証に記載された発明であるとすることはできない。
　本件発明１と甲第３号証に記載された発明を対比する。甲第３号証は、焼結磁石に関するものではあるが、その磁気特性改善添加物として、「ＣａＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏ、Ａｓ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ５、Ｋ２Ｏ、ＢｅＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｅＯ２、Ｃｓ２Ｏ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＣｕＯ、ＰｂＣｒＯ４、Ｌｉ２Ｏ、ＭｇＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＭｏＯ３、ＮｉＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｂ２Ｏ５等の酸化物、ＢａＳＯ４、ＳｒＳＯ４等の硫酸塩、ＰｂＦ２、ＭｇＦ２等のフッ化物、Ａｌ２Ｏ３・６Ｈ２Ｏ、ＢａＩ２・２Ｈ２Ｏ、ＣａＩ２・６Ｈ２Ｏ等のヨウ化物、及び希土類酸化物の混合物」という多数の化合物および混合物が列挙されただけであって、Ｌａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種の所定量でＳｒを置換すると同時に、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種の所定量でＦｅを置換するという本件発明１の構成が開示されていると認めることはできない。したがって、その他の構成につき検討するまでもなく、本件発明１が甲第３号証に記載された発明であるとすることはできない。
  以上のとおりであるから、本件発明１が甲第１号証に記載された発明である、あるいは、甲第２号証に記載された発明である、あるいは甲第３号証に記載された発明であるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである旨の申立人の主張は、いずれも採用することができない。
３−４−１−２．特許法第２９条第２項違反の主張について
　本件発明１と甲第４号証に記載された発明とを対比する。甲第４号証に記載されているのは、一般式が（１−ｘ）Ｂａ２＋Ｆｅ３＋１２Ｏ１９−ｘＭ３＋Ｆｅ３＋１１Ｍ２＋Ｏ１９　ここで、Ｍ３＋＝Ｌａ３＋、Ｐｒ３＋、またはＢｉ３＋で、Ｍ２＋＝Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋であるタイプの固溶体であり、この一般式を本件発明１における記載形式に変形すると、（Ｂａ１−ｘＭ３＋ｘ）Ｏ・６［（Ｆｅ１−ｘ／１２Ｍ２＋ｘ／１２）２Ｏ３］となる。すなわち、甲第１号証におけるフェライトは、Ｂａフェライトについてその構成元素であるＢａＬａ３＋、Ｐｒ３＋、またはＢｉ３＋で、ＦｅをＣｏ２＋、Ｎｉ２＋で元素置換したものであるのに対し、本件発明１はＳｒフェライトについてその構成元素であるＳｒをＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種で、ＦｅをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種で元素置換したものである点で相違するので、この点につき検討する。申立人は、甲第５号証、甲第６号証を提出して、甲第４号証におけるＢａをＳｒで置換えることは当業者が容易に想到し得ると主張している。しかしながら、甲第６号証に記載されたＢａフェライトとＳｒフェライトについての磁気的性質の測定結果を対比すると、Ｓｒフェライトの方が劣っているから、このような傾向が全てのＢａ系フェライトとそのＢａをＳｒで置換えたＳｒ系フェライトについても予測できるとすれば、甲第４号証に記載されたＢａ系フェライトのＢａをわざわざ特性の劣ると予測されるＳｒ系フェライトとすべくＳｒで置換えようとするとは考えられない。甲第５号証ならびに甲第９号証ないし甲第１１号証にも、かかる判断に反するような事項は記載されていない。本件発明１は、Ｓｒフェライトについてその構成元素であるＳｒをＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種で、ＦｅをＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種で元素置換したフェライトでは、Ｂａ系フェライトにおいて同種の元素置換をした場合よりも、優れた磁気的特性が得られる点を見出したことに基いてなされたものであり、甲第４号証ないし甲第６号証および甲第９号証ないし甲第１１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　本件発明１と甲第７号証に記載された発明とを対比する。本件発明１は、異方性フェライト焼結磁石に係る発明である一方、甲第７号証は、その薄膜を光磁気記録媒体の記録層として用いる光磁気記録材料に関するものであり、両者は、磁性体である点では共通するものの、その求められる性質は異なるものというべきであり、かつ甲第７号証は、本件発明１とは異なるＢａ系フェライトに関するものであって、甲第７号証には、当該光磁気記録材料を異方性フェライト焼結磁石に適用すること、ならびにその際、ＢａをＳｒに置換えることを示唆するような記載もない。そして、これらの点は、甲第５号証及び甲第６号証にも記載及び示唆はない。したがって、本件発明１が甲第７号証ならびに甲第５号証および甲第６号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであると認めることはできない。
　本件発明１と甲第８号証に記載された発明とを対比する。甲第８号証に記載されているのは、一般式がＳｒ１−ｘＬａｘＦｅ１２−ｘＺｎｘＯ１９のフェライト磁石であり、Ｆｅを置換する元素が本件発明１ではＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であるに対し、甲第８号証ではＺｎと異なっている。甲第８号証の記載によれば、様々な可能性を研究した結果、Ｆｅの一部をＺｎで置換しさらにＳｒの一部をＬａで置換した構造において置換量ｘを適当な範囲にすることで高い磁気特性が得られることを見出したものである旨記載されており、Ｓｒ系フェライトの置換元素について、本件発明１のようなＦｅの一部をＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種でＳｒの一部をＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種で置換することの記載はないし、これらを示唆する記載もない。この点は、甲第４号証、甲第５号証および甲第７号証にも記載及び示唆がない。したがって、本件発明１は、甲第８号証ならびに甲第４号証、甲第５号証および甲第７号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであると認めることはできない。
  以上のとおりであるから、本件発明１は、甲第４号証ないし甲第６号証および甲第９号証ないし甲第１１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第７号証ならびに甲第５号証および甲第６号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第８号証ならびに甲第４号証ないし甲第７号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨の申立人の主張は、いずれも採用することができない。
　
３−４−２．本件発明２について
　請求項２は請求項１を引用する請求項であって、本件発明２は本件発明１の構成をすべて備えており、かつ、甲第１号証ないし甲第３号証にはいずれも、本件発明１の構成を示唆する記載も認められないから、請求項２で特定している事項と甲第１２号証に記載されている事項とを対比検討するまでもなく、本件発明２が甲第１２号証に記載されている事項を甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された発明に適用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨の申立人の主張を採用することはできない。
　
３−４−３．本件発明３について
　本件発明３は製造方法に関するものであるが、本件発明１の構成をすべて備えており、かつ、甲第１号証ないし甲第３号証にはいずれも、本件発明１の構成を示唆する記載も認められないから、本件発明２の製造プロセスと甲第１３号証に記載されている製造プロセスとを対比検討するまでもなく、本件発明２が甲第１３号証に記載されている事項を甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された発明に適用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨の申立人の主張を採用することはできない。
　
３−４−４．本件発明４について
　請求項４は請求項３を引用する請求項であって、本件発明４は本件発明３の構成をすべて備えており、かつ、甲第１号証ないし甲第３号証にはいずれも、本件発明１の構成を示唆する記載も認められないから、請求項４で特定している事項と甲第１３号証ないし甲第１４号証に記載されている事項とを対比検討するまでもなく、本件発明２が甲第１３号証ないし甲第１４号証に記載されている事項を甲第１号証ないし甲第１１号証に記載された発明に適用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨の申立人の主張を採用することはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし請求項４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし請求項４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月２日（２００１．３．２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
・特許第２９２２８６４号の明細書において
（１）請求項１の記載中「（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種以上、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以上）、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６で表される基本組成を有し、」および「フェライト磁石」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的としてそれぞれ「（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０で表される基本組成を有し、平均粒径が０．４μｍ以上の粉砕粉を焼結してなるフェライト焼結磁石であって、保磁力ｉＨｃが２．５ｋＯｅ以上であり、」および「異方性フェライト焼結磁石」と訂正する。
（２）請求項２の記載中「フェライト磁石」とあるのを特許請求の範囲の減縮を目的として「異方性フェライト焼結磁石」と訂正する。
（３）請求項３の記載中「（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種以上、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種以上）、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６で表される基本組成を有する」、「特徴とする」および「フェライト磁石」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的としてそれぞれ「（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０）で表される基本組成を有する平均粒径が０．４μｍ以上の」、「特徴とする、保磁力ｉＨｃが２．５ｋＯｅ以上であり、」および「異方性フェライト焼結磁石」と訂正する。
（４）請求項４の記載中「フェライト磁石」とあるのを特許請求の範囲の減縮を目的として「異方性フェライト焼結磁石」と訂正する。
（５）発明の名称「フェライト磁石およびその製造方法」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「異方性フェライト焼結磁石およびその製造方法」と訂正する。
（６）明細書の段落【０００１】、【０００３】、【０００９】、【００１０】、【００１１】、【００２０】において、「フェライト磁石」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「異方性フェライト焼結磁石」と訂正する。
（７）明細書の段落【０００２】、【０００３】に「高性能焼結磁石」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「高性能異方性焼結磁石」と訂正する。
（８）明細書の段落【０００３】に「最大となる」とあるのを誤記の訂正を目的として「大きくなる」と訂正する。
（９）明細書の段落【０００５】の記載を明りょうでない記載の釈明を目的として請求項１の訂正に整合させる。
（１０）明細書の段落【０００７】の記載を明りょうでない記載の釈明を目的として請求項３の訂正に整合させる。
（１１）明細書の段落【０００９】に「６」（２ヶ所）とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「６．０」と訂正する。
（１２）明細書の段落【０００９】に「ｙがｘ／（１．８ｎ）以上、ｘ／（２．２ｎ）以下」とあるのを誤記の訂正を目的として「ｙがｘ／（１．８ｎ）以下、ｘ／（２．２ｎ）以上」と訂正する。
（１３）明細書の段落【００１０】に「焼結現象を制御する元素」および「ＣａＯは結晶粒成長を促進する元素」とあるのを誤記の訂正を目的として「焼結現象を制御する添加物」および「ＣａＯは結晶粒成長を促進する添加物」と訂正する。
（１４）明細書の段落【００１０】に「混合→仮焼→粉砕→成形→焼結」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「混合→仮焼→粉砕→磁場中成形→焼結」と訂正する。
（１５）明細書の段落【００１１】に「フェライト焼結体」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「異方性フェライト焼結体」と訂正する。
（１６）明細書の段落【００１２】に「従来材に比して高性能の磁石材料となりうる」および「実施例１〜３、及び参考例３〜９」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「従来材に比して高性能の異方性フェライト焼結磁石となりうる」および「参考例１〜１２」と訂正する。
（１７）表１に実施例１、２及び３ならびに参考例３〜９とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的としてそれぞれ参考例３、４及び５ならびに順次参考例６〜１２と訂正する。
（１８）明細書の段落【００１４】に「参考例１０」（２箇所）、「実施例１」および「実施例４」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「参考例１３」、「参考例３」および「参考例１４」と訂正する。
（１９）明細書の段落【００１５】に「参考例１１」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「参考例１５」と訂正する。
（２０）明細書の段落【００１７】に「参考例１２」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「参考例１６」と訂正する。
（２１）明細書の段落【００１８】に「飽和磁束密度Ｂｒ」および「良好で、飽和磁化σｓ向上の効果が顕著に出ていると判断される。」とあるのを誤記の訂正を目的として「残留磁束密度Ｂｒ」および「良好である。」と訂正する。
（２２）明細書の段落【００１８】に「実施例５〜７、参考例１３」、「実施例５」、「実施例６」、「実施例７」、及び「参考例１３」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「実施例１〜３、参考例１７」、「実施例１」、「実施例２」、「実施例３」および「参考例１７」と訂正する。
（２３）明細書の段落【００１８】の末尾に明りょうでない記載の釈明を目的として「またいずれの場合も、保磁力ｉＨｃは２．５ｋＯｅ以上であることが分かる。」を追加訂正する。
（２４）明細書の段落【００１９】に「参考例１４」とあるのを明りょうでない記載の釈明を目的として「参考例１８」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
異方性
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　原子比率で
　　（Ｓｒ１−ｘＲｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＭｙ）２Ｏ３］
（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０）で表される基本組成を有し、平均粒径が０．４μｍ以上の粉砕粉を焼結してなる
異方性
異方性
　【請求項２】　基本組成物に対する重量比率で０．４〜０．５％のＳｉＯ２および０．３５〜０．５５％のＣａＯを含有する請求項１に記載の
異方性
　【請求項３】　原子比率で
　　（Ｓｒ１−ｘＲｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＭｙ）２Ｏ３］
（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０）で表される基本組成を有する平均粒径が０．４μｍ以上の粉砕粉末のスラリーを、順次乾燥あるいは濃縮、混練、磁場中成形、焼結することを特徴とする、保磁力ｉＨｃが２．５ｋＯｅ以上であり、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有する
異方性
　【請求項４】　粉砕時あるいは混練時に分散剤を固形分比率で０．２〜２％添加する請求項３に記載の
異方性
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、自動車あるいは電気機器用の回転機等に用いられる高い磁気特性の
異方性
異方性
　【０００２】
　【従来の技術】
　フェライト磁石は、モーター、発電機等の回転機を含む種々の用途に使用されている。最近は特に自動車用回転機分野では小型・軽量化を目的とし、電気機器用回転機分野では高効率化を目的としてより高い磁気特性を有するフェライト磁石が求められている。
　従来ＳｒフェライトあるいはＢａフェライトの高性能
異方性
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　このような製造方法を前提とした場合、
異方性
焼結
　第１の方法は微粒化である。焼成体における結晶粒の大きさが、Ｍ（マグネトプランバイト）型Ｓｒフェライト磁石の臨界単磁区粒子径である約０．９μｍに近いほど保磁力ｉＨｃは大きくなるため、焼成時の結晶粒成長を見込んで、微粉砕平均粒径を例えば０．７μｍ以下に微粒化すればよい。しかしながら本方法では、微粒化するほど湿式成形時の脱水特性が悪くなり、生産効率が落ちるという副作用を有する。
　第２の方法は焼成体の結晶粒の大きさをできるだけ均一にすることである。理想的には均一にしてその値を上記の臨界単磁区粒子径値約０．９μｍとすればよい。この値より大きな結晶粒も小さな結晶粒も保磁力ｉＨｃの低下につながるからである。この方式による具体的な高性能化の手段は微粉砕粉の粒径分布を改善することにあるが、工業的生産を前提とした場合にはボールミルやアトライターなどの既存の粉砕機を用いざるを得ず、その改善程度には自ずから限界がある。また近年、化学的沈殿法により均一な粒子径を有するフェライト微粒子を作製する試みが公表されているが、工業的大量生産に適合する方式とはいえない。
　第３の方法は磁気的異方性を左右する結晶配向度を向上させることである。本方法における具体的手段としては、表面活性剤を微粉砕スラリーに添加してスラリー中のフェライト粒子の分散性を向上したり、配向時の磁場強度を強くすること等が挙げられる。
　第４の方法は焼成体の密度を向上させることである。Ｓｒフェライト焼成体の理論密度は５．１５ｇ／ｃｃである。現在市場に供されているＳｒフェライト磁石の密度は概ね４．９〜５．０ｇ／ｃｃの範囲にあり、この値は対理論密度比で９５〜９７％に相当する。高密度化させれば残留磁束密度Ｂｒの向上が期待されるが、上記の現状値以上に密度を向上させるためにはＨＩＰ等の特殊な高密度化手段が必要である。しかしながらこのような特殊なプロセスの導入は製造原価の増加に結びつき、廉価磁石としてのフェライト磁石の特長を失わしめる可能性がある。
　第５の方法はフェライト磁石を構成する主組成物であるフェライト化合物自体の飽和磁化σｓを向上させることである。飽和磁化σｓ向上は直接的に残留磁束密度Ｂｒの向上へ結びつく可能性を有している。従来において生産されているフェライト化合物はＭ（マグネトプランバイト）型の結晶構造を有している。このＭ型より大きな飽和磁化を有するＷ型フェライトの検討も鋭意行われているものの、雰囲気制御の困難さのため量産化が実現されるには至っていない。
　このような状況の中で、上記第１〜第４の方法によりフェライト磁石の高性能化が図られ、代表特性；Ｂｒ＝４１００　Ｇ、ｉＨｃ＝４０００　Ｏｅを有する高性能フェライト磁石の製品化まで進んでいるのが現状である。
　しかしながら、ＳｒＯ・ｎＦｅ２Ｏ３で表される化合物を主組成物とし上記第１〜第４の方法でこれ以上の格段の高性能化を図ることは下記の理由により困難になっている。即ち第１の理由は上記第１〜第４の方法が生産性に対し副作用ともいうべき悪影響を有していたり、量産工程を考慮した場合の実現が困難な内容を含んでいるためである。第２の理由は磁気特性特に残留磁束密度Ｂｒが既に理論値に近いレベルに達しているためである。
　従って、本発明の目的は上記第５の方法により格段に優れた磁気特性、特に従来に比べて高い残留磁束密度、または高い残留磁束密度と保磁力とを有する新しい高性能
異方性
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明者らはＳｒＯ・ｎＦｅ２Ｏ３で表すことができる組成物のＳｒおよびＦｅイオンサイトの一部を異種元素で置換する方法を見い出した。
　マグネトプランバイト型Ｓｒフェライトの磁性はＦｅイオンの磁気モーメントが担っており、この磁気モーメントがＦｅイオンサイトにより部分的に反平行方向に配列したフェリ磁性体の磁気構造を有している。この磁気構造において飽和磁化を向上させるためには２つの方法がある。第１の方法は反平行方向に向いた磁気モーメントに対応するサイトのＦｅイオンを、Ｆｅイオンより小さな磁気モーメントを有するか非磁性の別種の元素で置換することである。第２の方法は平行方向に向いた磁気モーメントに対応するサイトのＦｅイオンを、Ｆｅイオンより大きな磁気モーメントを有する別種の元素で置換することである。
　本発明者らは以上を念頭におき、前記Ｆｅイオンを種々の元素で置換する検討を鋭意行った結果、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉが飽和磁化の向上および磁石特性を改善する元素であることを見い出した。しかしながら単純に前記元素を加えただけでは十分な効果は得られない。なぜならば、Ｆｅイオンサイトを別種の前記元素で置換しようとすると、イオン価数のバランスがくずれ異相が発生してしまうためである。この現象を回避するために、電荷補償を目的にＳｒイオンサイトを別種の元素で置換すればよく、その目的のためにはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒが特に有効であることを見い出し本発明をなしたものである。
　【０００５】
　即ち本発明の
異方性
　　（Ｓｒ１−ｘＲｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＭｙ）２Ｏ３］
（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０）で表される基本組成を有し、平均粒径が０．４μｍ以上の粉砕粉を焼結してなる
異方性
　【０００６】
　上記本発明では、基本組成物に対する重量比率で０．４〜０．５％のＳｉＯ２および０．３５〜０．５５％のＣａＯを含有することが従来に比べて高い残留磁束密度または高い残留磁束密度と保磁力とを有するために好ましい。
　【０００７】
　また本発明の方法は、保磁力ｉＨｃが２．５ｋＯｅ以上であり、実質的にマグネトプランバイト型結晶構造を有する
異方性
　　（Ｓｒ１−ｘＲｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＭｙ）２Ｏ３］
（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｐｒのうちの少なくとも１種であり、ＭはＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの少なくとも１種であり、０．０５≦ｘ≦０．５、｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝、５．７≦ｎ≦６．０）で表される基本組成を有する平均粒径が０．４μｍ以上の粉砕粉末のスラリーを、順次乾燥あるいは濃縮、混練、磁場中成形、焼結することを特徴とする。
　【０００８】
　上記本発明では、粉砕時あるいは混練時に分散剤を固形分比率で０．２〜２％添加することが従来に比べて高い残留磁束密度または高い残留磁束密度と保磁力とを有するために好ましい。
　【０００９】
　本発明の
異方性
　ここで、良好な磁気特性を実現するために、ｎ値は５．７以上、６．０以下とすることがよい。ｎ値が５．７未満では磁気特性の減少傾向が認められる。あるいは６．０を越える場合にはマグネトプランバイト相以外の異相（例えばα−Ｆｅ２Ｏ３）が生成し、磁気特性の低下を招く。
　またｘは０．０５以上、０．５以下とする。ｘが０．０５未満であれば本発明に関わる有意の効果が認められず、０．５を越えれば逆に磁気特性が低下する。
　ｙとｘの間には、電荷補償の目的を実現するために、
　　ｙ＝ｘ／（２．０ｎ）
の関係が成り立つ必要があるが、ｙがｘ／（１．８ｎ）以下、ｘ／（２．２ｎ）以上であれば本発明の効果を実質的に損なうことは無い。
　【００１０】
　以上の基本組成物は以下に示す
異方性
　　混合→仮焼→粉砕→
磁場中
　ＲおよびＭ元素は上記工程の混合段階で加えた方が仮焼と焼結の２回の高温過程を経ることになり、固体内拡散が進行してより均一な組成物が得られることが期待される。
　高性能の
異方性
　【００１１】
　上記の組成物からさらに高性能の
異方性
　平均粒径値が０．４μｍ未満まで粉砕すると、焼結時に異常結晶粒成長が生じ高い磁気特性が得られないとともに、湿式成形時の脱水特性が悪化する。０．６μｍを越える場合には、焼結体組織において粗大な結晶粒の存在比率が増加する。
　高い磁気特性の
異方性
　分散剤としては界面活性剤、高級脂肪酸、高級脂肪酸石鹸、高級脂肪酸エステル等が知られているが、アニオン系界面活性剤の一種であるポリカルボン酸系分散剤を使用することによりフェライト粒子の分散性が向上し、フェライト粒子の凝集を防止できることがわかった。ポリカルボン酸系分散剤にも種々あるが、フェライト粒子の分散性向上に特に有効なものはポリカルボン酸アンモニウム塩である。
　分散剤の添加量は固形分比率で０．２％以上であれば有効であるが、２％を越えると逆に残留磁束密度が低下する。
　以下に本発明の詳細を実施例により説明する。
　【００１２】
　【発明の実施の形態】
（参考例１〜１２）
　ＳｒＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｒ元素の酸化物およびＭ元素の酸化物を下記の化学式において、原子比率でｎ：５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ＝０．１１７になるよう配合し、湿式にて混合した後、１２００℃で２時間、大気中で仮焼した。
　　（Ｓｒ１−ｘＲｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＭｙ）２Ｏ３］
　Ｒ元素としては、Ｓｒイオンと類似のイオン半径を有することを基準として、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄを選択した。またＭ元素としては、Ｆｅイオンと類似のイオン半径を有することを基準として、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎを選択した。また比較例として、上記化学式においてｎ＝５．８５、ｘ＝ｙ＝０なる組成物を同様な方法で作製した。仮焼粉をローラーミルで乾式粉砕を行い粗粉砕粉とした。試料振動型磁力計により得られた粗粉砕粉の磁気特性を評価した。この際の測定条件は最大磁場強度が１２ｋＯｅであり１／Ｈ２プロットにより本測定条件による飽和磁化値σｓを求めた。またＨｃを求めた。またＸ線回折により生成した相の同定を行った。評価結果を表１に示す（表１において、Ｍ相とはマグネトプランバイト型の結晶構造を有する相である）。
　表１より、（Ｒ元素、Ｍ元素）の組み合わせで（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｃｏ）、（Ｌａ、Ｎｉ）をそれぞれ置換元素として選択した場合に、比較例に比して高い飽和磁化値および良好な保磁力値を有しており、従来材に比して高性能の
異方性
　【００１３】
　【表１】
　【００１４】
（参考例１３）
　Ｒ元素としてＬａ、Ｍ元素としてＺｎをそれぞれ選択し、ＳｒＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３およびＺｎＯを下記に示す化学式において、原子比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ＝０〜０．６になるよう配合し、湿式にて混合した後、１２００℃で２時間、大気中で仮焼した。
　　（Ｓｒ１−ｘＬａｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＺｎｙ）２Ｏ３］
　その後
参考例３
（参考例１４）
　Ｒ元素をＰｒまたはＮｄ、Ｍ元素をＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれかとした組み合わせとした以外は参考例１３と同様にして評価した場合においても図１とほぼ同様な結果が得られた。
　またｎが５．７〜６．０の範囲では有意に差異は認められず、同様な効果が得られることを確認した。
　【００１５】
（参考例１５）
　電荷補償と関連して、Ｒ元素とＭ元素の添加量比の許容範囲を求める検討を行った。Ｒ元素としてＬａ、Ｍ元素としてＺｎをそれぞれ選択し、ＳｒＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３およびＺｎＯを下記に示す化学式において、原子比率でｎ＝５．８５、ｙ＝０．８３〜１．２５ｘ１０−２、ｘ＝０．１１７になるよう配合し、湿式にて混合した後、１２００℃で２時間、大気中で仮焼した。
　　（Ｓｒ１−ｘＬａｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＺｎｙ）２Ｏ３］
　その後
参考例３
　表２より、電荷バランスが完全に満たされた条件、即ちｘ＝２ｎｙが成り立つ添加量比のみならず、ｘ／（ｎｙ）が１．８から２．２の範囲にあれば、磁気特性の実質的な劣化は認められず、有効であることがわかる。一方、ｘ／（ｎｙ）が２．２を越えた場合あるいは１．８未満の場合には磁気特性の顕著な減少が認められた。従って、ｘ／（ｎｙ）の望ましい範囲は１．８以上、２．２以下であることがわかる。これをｙについて整理すると、ｙの望ましい範囲は下記の式で示される。
　　｛ｘ／（２．２ｎ）｝≦ｙ≦｛ｘ／（１．８ｎ）｝
　【００１６】
　【表２】
　【００１７】
（参考例１６）
　Ｒ元素としてＬａ、Ｍ元素としてＺｎをそれぞれ選択し、ＳｒＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３およびＺｎＯを下記に示す化学式において、原子比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ＝０．１１７になるよう配合し、湿式にて混合した後、１２００℃で２時間、大気中で仮焼した。
　　（Ｓｒ１−ｘＬａｘ）０・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＺｎｙ）２Ｏ３］
　仮焼粉をローラーミルで乾式粉砕を行い粗粉砕粉とした。その後、アトライターにより湿式粉砕を行い、平均粒径が０．７μｍの微粉砕粉を含むスラリーを得た。磁気特性におよぼす焼結助剤の効果を調査するため、ＳｉＯ２とＣａＣＯ３を粉砕粉に対する重量比でそれぞれ０〜０．６０％、０．８０％（ＣａＯ換算で０．４５％）粉砕初期に添加した。このスラリーを１０ｋＯｅの磁場中で湿式成形を行い、成形体とした。成形体を１１８０〜１２３０℃の温度範囲で２時間焼結し、焼結体とし、この焼結体を約１０×１０×２０ｍｍの形状に加工し、Ｂ−Ｈトレーサーにより磁気特性を評価した。結果を図２に示す。なおＳｉＯ２が０％の場合はｉＨｃが極端に低くプロットしていない。
　図２からＳｉＯ２添加量の増加に伴い保磁力ｉＨｃ値が増加し、０．４５％添加時に適正なｉＨｃ値が得られることがわかる。一方ＳｉＯ２添加量をさらに増加し、０．６０％とした場合にはｉＨｃの焼結温度に対する依存性が不安定となる。これはＳｉＯ２の結晶粒成長抑制効果が過剰となり、焼結時に適正な結晶粒成長が進まなかったためと考えられる。従って、ＳｉＯ２添加量は０．４０％以上、０．５０％以下が望ましいことがわかる。
　ＳｉＯ２添加量を０．４５％と固定して、磁気特性のＣａＯ添加量依存性を検討した結果、上記とほぼ同様な結果が得られ、これよりＣａＯの望ましい添加量範囲は０．３５〜０．５５％であることがわかった。
　【００１８】
（参考例１〜３、参考例１７）
　Ｒ元素としてＬａを選択するとともに、Ｍ元素としてＭｎを選択した場合
（実施例１）
（実施例２）
（実施例３）
（参考例１７）
　　（Ｓｒ１−ｘＬａｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＭｙ）２Ｏ３］
　その後、アトライターにより湿式粉砕を行い、平均粒径が０．７μｍの微粉砕粉を含むスラリーを得た。焼結助剤として、ＳｉＯ２とＣａＣＯ３を粉砕粉に対する重量比でそれぞれ０．４５％、０．８０％（ＣａＯ換算で０．４５％）粉砕初期に添加した。このスラリーを１０ｋＯｅの磁場中で湿式成形を行い、成形体とした。この成形体を１１８０〜１２３０℃の温度範囲で２時間焼結し、焼結体とした。また同様な方法でｘ＝ｙ＝０なる組成を有する試料を比較材（従来材）として作製した。この焼結体を約１０×１０×２０ｍｍの形状に加工し、Ｂ−Ｈ　トレーサーにより磁気特性を評価した。結果を図３に示す。
　図３より、（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｎｉ）置換材はいずれも従来材に比較して低ｉＨｃ領域における残留磁束密度Ｂｒの伸びが良好である。従って、（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｎｉ）置換材は特に高Ｂｒ材に適合している。一方、（Ｌａ、Ｃｏ）置換材は、高いＢｒとともに高いｉＨｃを兼ね備えており、高性能材として非常に有用である。本実施例のいずれにおいても従来材に対する優位性は明らかである。またいずれの場合も、保磁力ｉＨｃは２．５ｋＯｅ以上であることが分かる。
　【００１９】
（参考例１８）
　Ｒ元素としてＬａ、Ｍ元素としてＺｎを選択し、ＳｒＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３およびＺｎＯを下記に示す化学式において、原子比率でｎ＝５．８５、ｘ＝２ｎｙ、ｘ＝０．１１７になるよう配合し、湿式にて混合した後、１２００℃で２時間、大気中で仮焼した。仮焼粉をローラーミルで乾式粉砕を行い粗粉砕粉とした。
　　（Ｓｒ１−ｘＬａｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ１−ｙＺｎｙ）２Ｏ３］
　その後、アトライターにより湿式粉砕を行い、平均粒径が０．７３μｍの微粉砕粉を含むスラリーを得た。また、サンドミルを用いて平均粒径が０．４３μｍの微粉砕粉を含むスラリーを作製した。この際、焼結助剤として、ＳｉＯ２とＣａＣＯ３を粉砕粉に対する重量比でそれぞれ０．４５％、０．８０％（ＣａＯ換算で０．４５％）粉砕初期に添加した。０．７３μｍの微粉砕粉を含むスラリーはそのまま１０ｋＯｅの磁場中で湿式成形を行い、成形体とした。一方、０．４３μｍの微粉砕粉を含むスラリーは、乾燥した後、混練処理を行った。混練はニーダーを用い、固形分濃度が８５％になるよう水を加えて行った。この際、分散性向上を目的としてポリカルボン酸塩を固形分比率で０．４％添加した。その後０．７３μｍの微粉砕粉の場合と同様な方法で成形体を作製した。成形体を１１８０〜１２３０℃の温度範囲で２時間焼結し、焼結体とした。また同様な方法でｘ＝ｙ＝０なる組成を有する試料を比較材（従来材）として作製した。この焼結体を約１０×１０×２０ｍｍの形状に加工し、Ｂ−Ｈ　トレーサーにより磁気特性を評価した。結果を図４に示す。
　図４より、０．７３μｍと０．４３μｍのいずれにおいても、比較的低ｉＨｃ領域における、ＬａおよびＺｎ置換材の高Ｂｒ性は明らかである。さらに、０．４３μｍレベルまで微粒化し、混練処理を行った材料は約１５０ＧのＢｒ向上が認められた。
　粉砕後の平均粒径が磁気特性におよぼす影響をさらに詳細に調べた結果、０．６０μｍを越えると磁気特性の向上効果が顕著でなく、０．４０μｍ未満では焼結時の異常結晶粒成長により逆に磁気特性が劣化することがわかった。従って、粉砕後の平均粒径の望ましい範囲は０．６０μｍ以下、０．４０μｍ以上である。
　また、混練時に添加する分散剤量が磁気特性におよぼす影響をさらに詳細に調べた結果、固形分比率で０．２％未満では添加効果が認められず、２．０％を越えると焼結時の有機物分解により逆に磁気特性が劣化することがわかった。従って分散剤添加量の望ましい範囲は０．２％以上、２．０％以下である。
　【００２０】
　【発明の効果】
　以上に記述の如く、本発明によれば、従来に比べて残留磁束密度または残留磁束密度と保磁力とが向上するため、各種磁石応用品分野において極めて有用なマグネトプランバイト型結晶構造を有する新しい高性能
異方性
【図面の簡単な説明】
　【図１】　ｘと飽和磁化との相関の一例を示す図である。
　【図２】　ＣａＯ含有量、ＳｉＯ２含有量と磁気特性の相関の一例を示す図である。
　【図３】　（Ｌａ、Ｚｎ）、（Ｌａ、Ｍｎ）、（Ｌａ、Ｎｉ）、（Ｌａ、Ｃｏ）置換材と従来材の磁気特性を比較した一例を示す図である。
　【図４】　微粉砕の平均粒径および混練処理の効果と磁気特性の相関の一例を示す図である。