【事件の表示】
　特許第２７１２３７３号「磁気記録媒体及びその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７１２３７３号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
(１)手続の経緯
　
　本件特許第２７１２３７３号の請求項１ないし３に係る発明は、昭和６３年９月２２日に出願されたものであって、平成９年１０月３１日に特許の設定登録がなされ、その後、茨田三津江より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年２月５日に訂正請求がなされ、これに対して訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１月１１日に意見書が提出されたものである。
　
(２)訂正の適否
　
ア．訂正明細書の請求項１及び２に係る発明
　訂正明細書の請求項１及び２に係る発明（以下「訂正発明１、２」という）は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。　  　　
　請求項１「基板上に形成された磁気記録層の表面に耐久性を向上させるための炭素保護膜が形成され、該炭素保護膜上に潤滑剤が塗布されている磁気録媒体において、該炭素保護膜に水素を含ませ、その含有水素量が、被膜の、波数２９００ｃｍ−１付近（Ｃ−Ｈ結合の伸縮振動）の吸収の測定時、１００〜１０００ｃｍ−１の吸収係数となるものであり、前記潤滑剤がパーフルオロアルキルポリエーテルであって熱処理された膜になっていることを特徴とする磁気記録媒体。」
　請求項２「基板上に形成された磁気記録層の表面に、耐久性を向上させるために被膜の、波数２９００ｃｍ−１付近（Ｃ−Ｈ結合の伸縮振動）の吸収の測定時、１００〜１０００ｃｍ−１の吸収係数となる水素を含んだ炭素保護膜を、アルゴンガスに０.５Vol％を超え、５０Vol％未満の水素ガスを混入した雰囲気中で、且つスパッタ時の全圧力が３Ｐａ以下で、マグネトトロンスパッタ法によって形成し、次いで該炭素保護膜上に潤滑剤としてパーフルオロアルキルポリエーテルを塗布した後、６０℃〜２００℃の温度範囲に一旦保持されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。」
　
イ．引用刊行物記載の発明
　訂正発明１、２に対して、当審が平成１１年１０月２７日付けで通知した訂正拒絶理由において引用した刊行物１（特開昭６１−１２６６２７号公報）には、潤滑性、耐摩耗性、耐食性等を改善する目的で、磁気記録層の表面に水素を含む炭素保護膜及び潤滑剤層を順に設けた発明（以下「引用発明」という）が記載されており、潤滑剤としてポリパーフロロアルキルエーテル（本件発明１、２におけるパーフルオロアルキルポリエーテルに同じ）を用いること（第３頁左下欄）、「スパッタ雰囲気に炭化水素ガスを混入するのがよい。…スパッタ形成された膜には少量の水素が含まれるが、水素の比率が多いものは硬度が減少するので原子数の比で炭素の３０％以下とするものが好ましい。…炭化水素ガスを放電エネルギーで分解する場合には真空容器中に炭化水素ガスを単独または不活性ガスと１：０.１ないし１：２０の割合で混合して導入し、…」（第３頁左上欄第１２〜右上欄第４行）ということも記載されている。さらに、実施例には、炭素膜をＡｒ雰囲気中で高周波マグネトロンスパッタにより形成させた例が示されている。
　同じく刊行物２（特開昭６３−１１７３１１号公報）には、耐摩耗性や潤滑性などの改善を目的として、磁気ディスクの金属磁性膜上に、酸化アルミニウムからなる保護膜及びパ−フロロポリエーテルからなる潤滑剤を順に設け、両層の結合を強化するために潤滑剤塗布後に１００〜２００℃で１０〜６０分通常雰囲気下で加熱することが、刊行物３（特開昭６３−１０２０４０号公報）には、高温多湿での耐久性、耐候性の改善を目的として、強磁性金属薄膜上に潤滑剤を配したのち、高圧熱風処理することが、刊行物５（特開昭６２−２８５２２４号公報）には、耐久性、耐摩耗性の向上を目的として、強磁性金属薄膜の表面に保護膜を形成した後、該保護膜に熱処理を施すことが、それぞれ記載されている。
　
ウ．対比・判断
　訂正発明１と引用発明とを対比すると、両者は、「基板上に形成された磁気記録層の表面に耐久性を向上させるための炭素保護膜が形成され、該炭素保護膜上に潤滑剤が塗布されている磁気録媒体において、該炭素保護膜に水素を含ませ、前記潤滑剤がパーフルオロアルキルポリエーテルであって熱処理された膜になっていることを特徴とする磁気記録媒体。」である点において一致し、訂正発明１が次のＡ、Ｂの構成要件を有するのに対し、引用発明はこのような構成を有しない点で相違する。
　Ａ、炭素保護膜の含有水素量が２９００ｃｍ─１付近の吸収係数が１００〜
１０００ｃｍ─１の吸収係数となる量である点（以下、相違点Ａという）
　Ｂ、潤滑剤が熱処理された膜である点（以下、相違点Ｂという）
　
　そこで相違点Ａについてみると、含有水素量の上限に関して、刊行物１に記載された「膜の硬度が減少するため水素の含有量を３０％以下とすることが好ましい」という限定理由と、全文訂正明細書に記載された「吸収係数が１０００ｃｍ─１よりも多い含有水素量であると、水素化炭素膜の硬度が減少し磁気記録媒体の保護膜として十分な耐久性を示さないからである。」（第３頁第３〜４行）という限定理由との間に本質的な差異はなく、含有水素量の下限に関しても、全文訂正明細書に記載された「吸収係数が１００ｃｍー１よりも少ない含有水素量であると、その上に設けられる潤滑剤との界面エネルギーが減少せず、十分大きな付着力が生じず、長期間にわたって良好な潤滑性が持続し得ないし、」（第２頁末行〜第３頁第２行）という限定理由、即ち当該下限よりも少なくては実質的に記録媒体として使いものにならないという限定理由からみて、引用発明においても当然満足しているはずの限定にすぎないから、数値限定の有無にかかわらず両発明の間に含有水素量についての本質的な差異はないというべきである。
　なお、相違点Ａに関連して、特許権者は、意見書に添付した参考資料のデータに基づいて「本件発明１の含有水素量の上限は約１０％であって、３０％までも許容する引用発明とは規定範囲が相違し保護膜としての性質は異なる」旨主張しているが、仮にこのデータが本件発明１の含有水素量を的確に裏付けるものであるとしても、約１０％の点において保護膜の硬度や耐久性などに顕著な変化を生じるような臨界的意義があるものとも認められないから（そのことを証明する比較データは、取消理由通知及び訂正拒絶理由通知における指摘にもかかわらず全く示されなかった。）、相違点Ａにより訂正発明１の進歩性を認めることはできない。
　また、相違点Ｂについてみると、膜の耐久性、耐摩耗性などの改善を目的として潤滑剤層や保護層の熱処理を行うことは、上記刊行物２、３、５にもみられるように当該技術分野において本出願前広く知られた技術手段であり、訂正発明１において熱処理をしたことにより従来技術からは予測できない格別顕著な効果を奏するものとも認められない。（この点についても訂正拒絶理由通知で効果を証明する比較データが示されていない旨指摘したが、データは提出されなかった。）
　さらに、含有水素量の限定と熱処理との組み合わせに意味がある旨の特許権者の主張があるが、この点についても相乗効果について何らデータが示されていないから当該主張は根拠を欠いていると言わざるを得ない。
　次に、訂正発明２と引用例に記載された引用発明の製造方法とを対比すると、引用発明の製造方法は、次の２点Ｃ、Ｄを有しない点で訂正発明２と相違する。
　Ｃ、マグネトロンスパッタを、アルゴンガスに０.５Vol％を超え、５０Vol％未満の水素ガスを混入した雰囲気中で、且つスパッタ時の全圧力が３Ｐａ以下で行う点（以下、相違点Ｃという）
　Ｄ、パーフルオロアルキルポリエーテルを塗布した後、６０℃〜２００℃の温度範囲に一旦保持される点（以下、相違点Ｄという）
　
　しかしながら、本件特許明細書第４欄第１４〜１７行の「０.５Vol％以下の水素ガス濃度では十分な潤滑剤との付着力は得られない。また、５０Vol％以上の水素ガス濃度では水素化炭素膜の硬度が減少し保護膜として十分な耐久性を示さない。」という記載からみて、相違点Ｃに係る数値限定は、訂正発明１で限定した含有水素量の膜を製造するために当然選択されるべき範囲にすぎず、上記のように訂正発明１の数値限定を格別意義のあるものとみることができない以上、相違点Ｃに係る製造条件の設定についても格別創意を要するものとは言えない。
　また、相違点Ｄに係るスパッタ時の全圧力や熱処理の温度も当業者が実験により適宜設定しうる程度の事項にすぎない。
　
エ．むすび
　以上のとおり、訂正発明１、２は、上記刊行物１に記載された発明及び従来技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合せず、これを認めることができない。
　
(３)特許異議申立てについて
　
ア．本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。（以下、「本件発明1〜３」という）　
　請求項１「基板上に形成された磁気記録層の表面に耐久性を向上させるための炭素保護膜が形成され、該炭素保護膜上に潤滑剤が塗布されている磁気録媒体において、該炭素保護膜に水素を含ませ、その含有水素量が、被膜の、波数２９００ｃｍ−１付近（Ｃ−Ｈ結合の伸縮振動）の吸収の測定時、１００〜１０００ｃｍ−１の吸収係数となるものであることを特徴とする磁気記録媒体。」
　請求項２「基板上に形成された磁気記録層の表面に、耐久性を向上させるために被膜の、波数２９００ｃｍ−１付近（Ｃ−Ｈ結合の伸縮振動）の吸収の測定時、１００〜１０００ｃｍ−１の吸収係数となる水素を含んだ炭素保護膜を、アルゴンガスに０.５Vol％を超え、５０Vol％未満の水素ガスを混入した雰囲気中で、且つスパッタ時の全圧力が３Ｐａ以下で、マグネトトロンスパッタ法によって形成し、次いで該炭素保護膜上に潤滑剤を塗布したことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。」
　請求項３「潤滑剤を塗布した後、６０℃〜２００℃の温度範囲に一旦保持されることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。」
　
イ．引用刊行物
　本件発明１〜３に対して、当審が平成１０年１１月１９日付けで通知した取消理由において引用した刊行物２は、上記(２)イ．に記載した刊行物１と同じである。
　
ウ．対比・判断
　本件発明１〜３を上記(２)ア．に記載した訂正発明１、２と対比すると、本件発明１は、「潤滑剤がパーフルオロアルキルポリエーテルであって熱処理された膜になっている」という限定がない点を除き訂正発明１と実質上同一であり、本件発明２は、「パーフルオロアルキルポリエーテルを塗布した後、６０℃〜２００℃の温度範囲に一旦保持される」という限定がない点を除き訂正発明２と実質上同一である。また、本件発明３は本件発明２の従属項であって、本件発明２に「潤滑剤を塗布した後、６０℃〜２００℃の温度範囲に一旦保持される」という要件を付加したものである。
すなわち、本件発明１〜３は、実質上訂正発明１、２の上位概念に相当する発明とみなすことができる。
　してみると、本件発明１〜３は、上記(２)ウ．に記載したのと同様の理由により、上記引用刊行物２に記載された発明及び従来技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと言わざるを得ない。
　
エ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１６日（２０００．３．１６）