【事件の表示】
　特許第３０１５６８２号「ペン入力タッチパネル」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１５６８２号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０１５６８２号は、平成６年８月２２日に特許出願（特願平６−２３３９７５号）され、平成１１年１２月１７日に設定登録され、その後、申立人尾池工業株式会社より請求項１に係る発明について、申立人島倉肇より請求項１および２に係る発明について、それぞれ特許異議の申立てがされ、取消理由通知がされ、その指定期間内である平成１３年１月３０日に訂正請求がされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
ア．特許権者が求めている訂正の内容は、以下の（１）ないし（６）のとおりである。
　
（１）特許請求の範囲の請求項１の「同基板の透明薄膜電極は透明フイルム上に厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、」を「同基板の透明薄膜電極は、当該透明フイルム上に、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、」と訂正する。
　これに伴い、明細書第８段落目の「同基板の透明薄膜電極は透明フイルム上に厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、」を「同基板の透明薄膜電極は、当該透明フイルム上に、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、」と訂正する。
　
（２）明細書第１２段落中の「酸化珪素薄膜層は、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする化合物であり、具体的には、ＳｉＯｘ、特にｘの値が１．５〜２．０のもの、より好ましくは、１．７〜２．０のものがより高い透明性を有することから好ましい。」を「酸化珪素薄膜層は、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする化合物であり、具体的には、ＳｉＯｘ、特にｘの値が１．５〜２．０（ｘ＝２．０を除く）のもの、より好ましくは、１．７〜２．０（ｘ＝２．０を除く）のものがより高い透明性を有することから好ましい。」と訂正する。
　
（３）明細書第１９段落中の「アルカリガラス基板９の上にＳｉＯ２薄膜層８、ＩＴＯ薄膜層７を順次積層し、」を「アルカリガラス基板９の上にＳｉＯｘ薄膜層８、ＩＴＯ薄膜層７を順次積層し、」と訂正する。
　
（４）(a)明細書第２０段落中の表１における左側欄の
「実施例１」「実施例２」「実施例３」をそれぞれ、
「参考例１」「参考例２」「実施例１」に、
(b)第２１段落中の
「各実施例、比較例の仕様、製造条件は次の通りである。
実施例１」を
「各参考例、実施例、比較例の仕様、製造条件は次の通りである。
参考例１」に、
(c)第２２段落中の
「実施例２
　実施例１における透明導電性フィルム１に形成したＳｉＯ２薄膜層３の厚さを４５０Åにした他は、実施例１と同じ透明導電性フィルム１を作成し、タッチパネル１０に組み込んで物性の評価試験を行った。」を
「参考例２
　参考例１における透明導電性フィルム１に形成したＳｉＯ２薄膜層３の厚さを４５０Åにした他は、参考例１と同じ透明導電性フィルム１を作成し、タッチパネル１０に組み込んで物性の評価試験を行った。」に、
(d)第２３段落中の
「実施例３
　透明導電性フィルムの基板としては、厚さ１８８μｍのポリエステルフィルム２を用い、その上に真空蒸着法によりＳｉＯ１．８薄膜層３を形成した。ＳｉＯとＳｉＯ２とを混合し、燒結した酸化珪素ターゲットを３×１０-５Ｔｏｒｒの真空下で電子銃加熱方式により加熱し、蒸着薄膜層を形成した。
　このＳｉＯ１．８薄膜層３上に実施例１と同様の条件で」を
「実施例１
　透明導電性フィルムの基板としては、厚さ１８８μｍのポリエステルフィルム２を用い、その上に真空蒸着法によりＳｉＯ１．８薄膜層３を形成した。ＳｉＯとＳｉＯ２とを混合し、燒結した酸化珪素ターゲットを３×１０-５Ｔｏｒｒの真空下で電子銃加熱方式により加熱し、蒸着薄膜層を形成した。
　このＳｉＯ１．８薄膜層３上に参考例１と同様の条件で」に、
(d)第２４段落中の「実施例１と同様に」を「参考例１と同様に」に、
(e)第２５段落中の「実施例１と同様に」を「参考例１と同様に」に、
(f)第２６段落中の「実施例１と同様に」を「参考例１と同様に」に、
(g)第２７段落中の「実施例２と同様に」を「参考例２と同様に」に、
それぞれ訂正する。
　
　なお、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の発明の詳細な説明の第２０段落の表中の参考例１、参考例２、比較例１、比較例２、比較例３の構成がＳｉＯｘとなっているが、これらは、訂正請求書の訂正事項に記載されておらず、全文訂正明細書の単なる誤記であると認められる。
　
イ．（１）の訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、（２）、（３）及び（４）の訂正事項は、特許請求の範囲の訂正に伴って発明の詳細な説明の記載をこれと整合させたものと認められ、これらの訂正は新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
ウ．したがって、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．取消理由についての判断
ア．本件特許第３０１５６８２号の請求項１および２に係る発明は、訂正後の特許請求の範囲の請求項１および２に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】二枚の透明絶縁性基板の夫々の一方の表面に透明薄膜電極を設け、同一対の透明薄膜電極を絶縁性スペーサを介して対向配置してなるタッチパネルにおいて、その押圧側の基板は、透明導電性フイルムからなり、同基板の透明薄膜電極は、当該透明フイルム上に、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、更に同薄膜層上に０．５〜１０ｋΩ／□の表面抵抗値を有するインジウムスズ酸化物薄膜層を設けてなることを特徴とするペン入力タッチパネル。
　【請求項２】前記絶縁性スペーサは、接地面積０．０１ｍｍ２以下、高さ３０μｍ以下の透明樹脂ドットであり、非押圧側の基板は、透明ガラス基板からなり、その上に酸化珪素薄膜層を設け、更にインジウムスズ酸化物薄膜層を設けた透明導電性ガラス基板から構成されている請求項１に記載のペン入力タッチパネル。」
　
イ．これに対し、当審が通知した取消理由通知で引用した刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
刊行物１：特開平１−２８１６２３号公報（申立人島倉肇の提出した甲第３号証）
刊行物２：特開平１−１３２００５号公報（申立人尾池工業株式会社および申立人島倉肇の提出した甲第１号証）
刊行物３：特開平６−２２２３５２号公報（申立人尾池工業株式会社の提出した甲第２号証、申立人島倉肇の提出した甲第４号証）
刊行物４：特開平２−２５６１１４号公報（申立人島倉肇の提出した甲第２号証）
刊行物５：薄膜ハンドブック（日本学術振興会薄膜第１３１委員会編、昭和５８年１２月１０日第１版第１刷　株式会社オーム社発行：申立人尾池工業株式会社の提出した甲第３号証）
　
　上記刊行物１には、以下の事項が図面とともに記載されている。
「本発明は、基本的に、第１の透明導電性の基板と、第１の基板の対向辺近傍面上に構成した第１の平行電極と、第１の基板に相対して配置される第２の透明導電性の基板と、第２の基板の対向辺近傍面上に構成した第２の平行電極と、前記第１および第２の基板面上の少なくとも一方に被着された透明感圧導電層と、該透明感圧導電層上あるいは透明感圧導電層のない基板面上のいずれか一方に被着された絶縁性パターンとから成り、前記第１および第２の平行電極が互いに直角方向をなすように両基板の構成面を接触配置させることを特徴とする透明タッチパネルである。
　本発明に用いられる透明導電性の基板は、第１の基板および第２の基板の対で構成されている。その基板は、基材にAu又はインジウム−スズ酸化物など薄い導電被膜を形成した透明なフィルム、シート又は板状であり、基材としては例えばポリエステル、ポリカーボネート、ポリプロピレン−ポリエステル複合フィルム、ポリエーテルスルフォン、ガラス等が挙げられる。」（第２頁左下欄第１１行〜右下欄第１０行）
「この絶縁性のパターンは、スイッチ機能の信頼性を高めるためのもので、直径が３０〜３００μｍの範囲のドット状か、線幅が３０〜３００μｍの範囲の縞状または格子状のいずれか１つの形成されたもので、なおかつその厚さが２〜５０μｍの範囲である。この大きさ未満ではスイッチの信頼性の点で十分でなく、また耐久性の点で不利である。この大きさを超える場合は、分解能が低下しペンを摺動させた際凹凸を感じて操作感を悪くし、また不感点部分が大きくなって好ましくない。」（第３頁左下欄第７行〜第１７行）
「第１図に示すように、大きさ２５０×２５０mmで、厚さ１２５μｍのポリエステルフィルムの表面に酸化スズの透明導電薄膜１ａ、１１ａを形成させることにより、面積抵抗５００Ω／□の透明導電性フィルム１、１１を得、」（第３頁右下欄第１７行〜第４頁左上欄第１行）
　以上のことから、刊行物１には、
「二枚の基板の夫々の一方の表面に透明導電薄膜を設け、同一対の透明導電薄膜を絶縁性パターンを介して対向配置してなるタッチパネルにおいて、その押圧側の基板は、透明導電性フイルムからなり、同基板の透明導電薄膜は基材に０．５ｋΩ／□の表面抵抗値を有するAu又はインジウム−スズ酸化物など薄い導電被膜を設けてなることを特徴とするペン入力タッチパネル。」に係る発明が記載されている。
　
　上記刊行物２には、以下の事項が図面とともに記載されている。
「本発明の透明導電性フィルムにおいては、透明なベースフィルム（１）の表面に二酸化珪素薄膜層（２）を介して透明導電膜層（３）を形成し、」（第２頁左上欄第５行〜第７行）
「本発明の透明導電性フィルムの二酸化珪素薄膜層（２）は前記透明なベースフィルム（１）面上に常法により例えば二酸化珪素を真空蒸着やスパッタリングなどして形成される。その厚さは特に制限はないが通常は２００〜６００Å程度の範囲である。」（第２頁右上欄第９行〜第１３行）
　また、表１には、導電膜層の表面抵抗が２００、３００および４００Ω／□の実施例が示されている。
　
　上記刊行物３には、以下の事項が図面とともに記載されている。
「【００１５】このような誘電体薄膜の材料としては、たとえば、ＮａＦ（１．３）、Ｎａ3 ＡｌＦ6 （１．３５）、ＬｉＦ（１．３６）、ＭｇＦ2 （１．３８）、ＣａＦ2 （１．４）、ＢａＦ2 （１．３）、ＳｉＯ2 （１．４６）、ＬａＦ3 （１．５５）、ＣｅＦ3 （１．６３）、Ａｌ2 Ｏ3 （１．６３）、ＯＭ−４（１．６６）などの無機物〔上記各材料の（　）内の数値は光の屈折率ｎ2 である〕や、光の屈折率ｎ2 が１．４〜１．６程度のアクリル樹脂、ウレタン樹脂、シロキサン系ポリマ―などの有機物があり、これらの中から、光の屈折率ｎ2 が前記の関係を満たすものが選択使用される。実用上は、ＭｇＦ2 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 などがとくに好適に用いられる。
【００１６】誘電体薄膜の厚さとしては、５０Å以上とするのがよく、好ましくは１００〜３，０００Å、とくに好ましくは２００〜１，０００Åの範囲とするのがよい。５０Å未満では連続被膜となりにくく、透明性や耐擦傷性の向上をあまり期待できない。なお、厚くなりすぎると透明性の向上が期待できなくなり、またクラツクを生じるおそれがあり、好ましくない。」（第３頁左欄第１９行〜第３１行）
「【００２０】この導電性薄膜の厚さは、５０Å以上とするのが好ましく、これより薄いと表面抵抗が１０3 Ω／□以下となる良好な導電性を有する連続被膜となりにくい。また、あまり厚くしすぎると透明性の低下などをきたすため、とくに好適な厚さとしては、１００〜３，０００Å程度とするのがよい。」（第３頁右欄第５行〜第１０行）
　
　上記刊行物４には、以下の事項が図面とともに記載されている。
「本発明において、基板２および２’としては、透明なフィルム、プラスチック板、無機ガラス板等が用いられ、その上に金、パラジウム、クロム等の金属や酸化インジウム、酸化スズ等の金属酸化物を蒸着、スパッタリング、塗布等の手段で形成することにより導電膜３および３’を配する。」（第２頁左上欄第１４行〜第１９行）
「導電膜３および３’の抵抗値は数十Ω／□／数ＫΩ／□のものが好ましい。」（第２頁右上欄第１６行〜第１７行）
　
　上記刊行物５には、第８９６頁の「表４・１０透明導電性フィルムの応用分野」の記載の中で、「透明タブレットスイッチ」の用途で要求特性として５×１０3Ω／□以下であることが示されている。
　
ウ．請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明を比較すると、刊行物１記載のものにおける「基板」、「透明導電薄膜」、「絶縁性パターン」、「基材」および「Au又はインジウム−スズ酸化物など薄い導電被膜」が、それぞれ請求項１に係る発明の「透明絶縁性基板」、「透明薄膜電極」、「絶縁性スペーサ」、「透明フイルム」および「インジウムスズ酸化物薄膜層」に相当する。
　そうすると、請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明は、
「二枚の透明絶縁性基板の夫々の一方の表面に透明薄膜電極を設け、同一対の透明薄膜電極を絶縁性スペーサを介して対向配置してなるタッチパネルにおいて、その押圧側の基板は、透明導電性フイルムからなり、同基板の透明薄膜電極は透明フイルム上に０．５ｋΩ／□の表面抵抗値を有するインジウムスズ酸化物薄膜層を設けてなることを特徴とするペン入力タッチパネル。」である点で一致し、
（ａ）請求項１に係る発明では、「透明薄膜電極」が「透明フイルム上に、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、更に同薄膜層上」に設けられているのに対し、刊行物１に記載された発明では、「透明フイルム」上に「二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層」が設けられていない点、および
（ｂ）請求項１に係る発明では、「０．５〜１０ｋΩ／□の表面抵抗値を有する」のに対し、刊行物１に記載された発明では「０．５ｋΩ／□」である点で、それぞれ相違する。
　
　相違点（ａ）について検討すると、請求項１に係る発明と同様に、「透明薄膜電極」の耐久性を高めるために、刊行物２には「透明フイルム上に厚さ２００〜６００Åの二酸化珪素薄膜層を設け」た点が、刊行物３には「透明フイルム上に厚さ５０Å以上の誘電体薄膜層を設け」た点がそれぞれ記載されており、また、透明薄膜電極に用いる誘電体薄膜として「二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする酸化珪素薄膜」は慣用されているものである（例えば、特開昭６０−１７４２１号公報、特公昭６３−３７６９９号公報等参照）から、これらの技術を刊行物１に記載された発明に適用して「二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、酸化珪素薄膜層を設け」ることは、当業者であれば容易になし得たものと認められる。
　また、「酸化珪素薄膜層」の厚さを「１００〜６００Å」とすることも、上記刊行物２および３に記載された数値の範囲内であって、「１００〜６００Å」なる範囲に格別の臨界的意義も認められない。
　
　相違点（ｂ）について検討すると、請求項１に係る発明と同様の「透明薄膜電極」の表面抵抗値として、刊行物２には「２００、３００および４００Ω／□」が、刊行物３には「１０3 Ω／□以下」が、刊行物４には「数十Ω／□〜数ＫΩ／□」が、刊行物５には「５×１０3Ω／□以下」がそれぞれと記載されており、請求項１に係る発明の「０．５〜１０ｋΩ／□」と重なる部分が公知となっている。そして、「透明薄膜電極」の表面抵抗値は、電極自体の大きさ、使用用途等に応じて、当業者が実証的にその最適値を定めるべき設計的事項であり、「０．５〜１０ｋΩ／□」という数値範囲に、格別の臨界的意義は認められない。
　
　したがって、請求項１に係る発明は、上記刊行物１ないし５に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
エ．次に、請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明の「絶縁性スペーサ」を「接地面積０．０１ｍｍ２以下、高さ３０μｍ以下の透明樹脂ドット」と、「非押圧側の基板」を「透明ガラス基板からなり、その上に酸化珪素薄膜層を設け、更にインジウムスズ酸化物薄膜層を設けた透明導電性ガラス基板」と、限定したものである。
　
　しかしながら、「絶縁性スペーサ」を「接地面積０．０１ｍｍ２以下、高さ３０μｍ以下の透明樹脂ドット」とする点は刊行物１に、「非押圧側の基板」を「透明ガラス基板」とする点は刊行物１および４にそれぞれ記載されており、これらを組み合わせることにより、それぞれの持つ効果の和以上の格別の効果を奏するものとも認められない。
　
　したがって、請求項２に係る発明は、上記刊行物１ないし５に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１および２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
　したがって、本件請求項１および２に係る発明についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　
　よって、結論の通り決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月２１日（２００１．２．２１）
【訂正の要旨】
（１）特許請求の範囲の請求項１の「同基板の透明薄膜電極は透明フイルム上に厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、」を「同基板の透明薄膜電極は、当該透明フイルム上に、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、」と訂正する。
　これに伴い、明細書第８段落目の「同基板の透明薄膜電極は透明フイルム上に厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、」を「同基板の透明薄膜電極は、当該透明フイルム上に、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、厚さ１００〜６００Åの酸化珪素薄膜層を設け、」と訂正する。
（２）明細書第１２段落中の「酸化珪素薄膜層は、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする化合物であり、具体的には、ＳｉＯｘ、特にｘの値が１．５〜２．０のもの、より好ましくは、１．７〜２．０のものがより高い透明性を有することから好ましい。」を「酸化珪素薄膜層は、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする化合物であり、具体的には、ＳｉＯｘ、特にｘの値が１．５〜２．０（ｘ＝２．０を除く）のもの、より好ましくは、１．７〜２．０（ｘ＝２．０を除く）のものがより高い透明性を有することから好ましい。」と訂正する。
（３）明細書第１９段落中の「アルカリガラス基板９の上にＳｉＯ２薄膜層８、ＩＴＯ薄膜層７を順次積層し、」を「アルカリガラス基板９の上にＳｉＯｘ薄膜層８、ＩＴＯ薄膜層７を順次積層し、」と訂正する。
（４）
（ａ）明細書第２０段落中の表１における左側欄の
「実施例１」「実施例２」「実施例３」をそれぞれ、
「参考例１」「参考例２」「実施例１」に、
（ｂ）第２１段落中の
「各実施例、比較例の仕様、製造条件は次の通りである。
実施例１」を
「各参考例、実施例、比較例の仕様、製造条件は次の通りである。
参考例１」に、
（ｃ）第２２段落中の
「実施例２
　実施例１における透明導電性フィルム１に形成したＳｉＯ２薄膜層３の厚さを４５０Åにした他は、実施例１と同じ透明導電性フィルム１を作成し、タッチパネル１０に組み込んで物性の評価試験を行った。」を
「参考例２
　参考例１における透明導電性フィルム１に形成したＳｉＯ２薄膜層３の厚さを４５０Åにした他は、参考例１と同じ透明導電性フィルム１を作成し、タッチパネル１０に組み込んで物性の評価試験を行った。」に、
（ｄ）第２３段落中の
「実施例３
　透明導電性フィルムの基板としては、厚さ１８８μｍのポリエステルフィルム２を用い、その上に真空蒸着法によりＳｉＯ１．８薄膜層３を形成した。ＳｉＯとＳｉＯ２とを混合し、焼結した酸化珪素ターゲットを３×１０−５Ｔｏｒｒの真空下で電子銃加熱方式により加熱し、蒸着薄膜層を形成した。
　このＳｉＯ１．８薄膜層３上に実施例１と同様の条件で」を
「実施例１
　透明導電性フィルムの基板としては、厚さ１８８μｍのポリエステルフィルム２を用い、その上に真空蒸着法によりＳｉＯ１．８薄膜層３を形成した。ＳｉＯとＳｉＯ２とを混合し、焼結した酸化珪素ターゲットを３×１０−５Ｔｏｒｒの真空下で電子銃加熱方式により加熱し、蒸着薄膜層を形成した。
　このＳｉＯ１．８薄膜層３上に参考例１と同様の条件で」に、
（ｄ）第２４段落中の「実施例１と同様に」を「参考例１と同様に」に、
（ｅ）第２５段落中の「実施例１と同様に」を「参考例１と同様に」に、
（ｆ）第２６段落中の「実施例１と同様に」を「参考例１と同様に」に、
（ｇ）第２７段落中の「実施例２と同様に」を「参考例２と同様に」に、
それぞれ訂正する。
（５４）【発明の名称】
ペン入力タッチパネル
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　二枚の透明絶縁性基板の夫々の一方の表面に透明薄膜電極を設け、同一対の透明薄膜電極を絶縁性スペーサを介して対向配置してなるタッチパネルにおいて、
　その押圧側の基板は、透明導電性フィルムからなり、同基板の透明薄膜電極は、透明フィルム上
に、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、
　【請求項２】　前記絶縁性スペーサは、接地面積０．０１ｍｍ２以下、高さ３０μｍ以下の透明樹脂ドットであり、非押圧側の基板は、透明ガラス基板からなり、その上に酸化珪素薄膜層を設け、更にインジウムスズ酸化物の薄膜層を設けた透明導電性ガラス基板から構成されている請求項１に記載のペン入力タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はタッチパネルに関し、詳しくはＯＡ用、ＦＡ用等の携帯用の機器に良く用いられるペン入力に適したタッチパネルに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に抵抗膜式タッチパネルは、ＯＡ用、ＦＡ用等の表示画面に組み合わせて多く用いられるようになってきた。このようなタッチパネルは、ＣＲＴ用等の比較的面積の大きな表示画面では、指入力方式が一般的であったが、携帯用の電子機器の利用が増え、表示面積の小さな画面が多く用いられるようになり、更に文字入力の必要性の高まりにつれ、ペン入力方式が増えてきている。
　【０００３】
　ペン入力タッチパネルにあっては、径の細いペン先を用いて連続的に文字入力したり、小さな入力点を押圧することが要求されるので、細いペン先に対応する透明薄膜電極の寿命、言い換えると細いペン先によるペン入力の繰り返しに対応する摺動耐久性の改善が必要となっている。
　【０００４】
　即ち、本出願人はペン入力用タッチパネルにおいて、絶縁スペーサに関する問題点、スペーサの移動による不感点の増加、スペーサの形状による分解能の低下等の点を改善する為に、スペーサの径を小さくし、分布密度を細かくしたもの等を特願平５−２２６３４７号等として提案した。
　しかし、細いペン先で繰り返しペン入力すると、ペン先と絶縁スペーサとで繰り返し押圧されることにより押圧側の基板の透明薄膜電極の脱落が発生し、導通不能となるなど摺動耐久性が大変短く実用上使用に耐えない場合があった。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ペン入力方式のタッチパネルの場合、実用上１０万回以上のペン入力の摺動耐久性が求められている。同耐久性を高める方法としては、インジウムスズ酸化物薄膜層（以下ＩＴＯ膜層という）の結晶性を高めることにより改善が可能であるが、結晶性を高めると、タッチパネル製造プロセスにおけるエッチング加工特性が悪くなるという問題があった。
　【０００６】
　また、携帯用電子機器用としては、低消費電力であることが求められ、その為には透明薄膜電極の表面抵抗値を高くすればよいわけであるが、ＩＴＯ薄膜層をスパッタリング成形する際の製膜条件を変更した場合、抵抗値の均一性や透明性が悪くなるといった問題点が発生する。
　【０００７】
　本発明の目的とする処は、ペン入力タッチパネルの押圧側基板に使用される透明導電性フィルムの透明性を低下させることなく、ペン入力の摺動耐久性を向上せしめ、使用時（ペン入力時）における消費電力が低く、耐ノイズ性を高めることを満足させる共に、タッチパネルの製造プロセスにおいても加工し易く、更にペン入力タッチパネル全体としても透明性を低下させることなく、長寿命の使用に耐え得るペン入力タッチパネルを提供する点にある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、前記目的を達成すべく鋭意検討した結果、本発明に到達したものである。即ち本発明の請求項１は、二枚の絶縁性基板の夫々の一方の表面に薄膜電極を設け、同一対の薄膜電極を絶縁性スペーサーを介して対向配置してなるタッチパネルにおいて、その押圧側の基板は透明導電性フイルムからなり、同基板の透明薄膜電極は
、
、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする、
　【０００９】
　請求項２は、請求項１に記載のペン入力タッチパネルであって、前記絶縁性スペーサは、接地面積０．０１ｍｍ２以下、高さ３０μｍ以下の透明樹脂ドットであり、非押圧側の基板は、透明ガラス基板からなり、その上に酸化珪素薄膜層を設け、更にインジウムスズ酸化物薄膜層を設けた透明導電性ガラス基板から構成されていることを特徴とする。
　【００１０】
　本発明に用いられる押圧側の基板としては、プラスチックフィルム（シートを含む）から形成された厚さ５０〜２５０μｍ程度、より好ましくは１００〜２００μｍ程度で基板の光線透過率が８５％以上で表面の平滑性が良好なフィルムであれば適用可能である。
　【００１１】
　前記プラスチックフィルムは、単一の基材からのフィルムに限定されるものではなく、付着強度の改善を目的とした各種下塗りを施した積層フィルムであっても良い。
　具体的なプラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）等を例示できる。
　【００１２】
　本発明の押圧側の基板の透明導電性フイルムに形成される酸化珪素薄膜層としては、厚さ１００〜６００Åが好ましい。厚さ１００Å以下では、その上にＩＴＯ薄膜層を積層し、ペン入力を行った時の摺動耐久性が悪くなり、６００Å以上では透明性に問題が出てくる。より好ましくは１５０〜５００Åであり、更に好ましくは２００〜４５０Åである。
　酸化珪素薄膜層は、二酸化珪素及び一酸化珪素を主成分とする化合物であり、具体的には、ＳｉＯｘ、特にｘの値が１．５〜２．０
（ｘ＝２．０を除く）
（ｘ＝２．０を除く）
　【００１３】
　本発明の押圧側の基板の透明導電性フイルムに酸化珪素薄膜層を介して形成されるインジウムスズ酸化物薄膜層（ＩＴＯ膜層）は、表面抵抗値が０．５〜１０ｋΩ／□が好ましく、より好ましくは０．７〜５ｋΩ／□である。
　表面抵抗値が０．５ｋΩ／□以下では、携帯用機器としては消費電力が大きく好ましくない、又表面抵抗値が１０ｋΩ／□以上では、低消費電力の為には望ましいが、表示画面が液晶ディスプレイである場合、液晶駆動回路の誘導ノイズを受け易くなり実用上問題がある。
　【００１４】
　本発明における前記酸化珪素薄膜層の形成方法には、真空蒸着法、高周波スパッタリング法、ＣＶＤ法等の公知の技術を用いることができ、ＩＴＯ膜層の形成方法には、真空蒸着法、スパッタリング法等の公知の物理的製膜法を用いることができる。
　【００１５】
　絶縁性スペーサは、従来からの方法によってガラス基板の透明薄膜電極上に形成されるもので、本発明においては特に制限されるものでないが、ペン入力に対応して透明性の改良、入力した線の不連続などの入力不良の発生を防止する為には、該スペーサは、接地面積で約０．０１ｍｍ２以下、好ましくは０．００１〜０．００３ｍｍ２、高さ３０μｍ以下、好ましくは３〜１０μｍ程度の微細ドットとすることが望ましい。
　【００１６】
　非押圧側の基板は透明ガラス基板からなり、その上に酸化珪素薄膜層を設け、更にインジウムスズ酸化物薄膜層を設けた透明薄膜電極基板からなるが、これは特に制限されるものでなく、通常市販されているアルカリガラス基板に酸化珪素薄膜層、インジウムスズ酸化物薄膜層を順次積層し、透明性の良い、透明薄膜電極の寿命の良い透明導電性ガラス基板としたものである。
　【００１７】
　【作用】
　押圧側の基板に、プラスチックフィルム上に所定の厚さの酸化珪素薄膜層と所定の表面抵抗値をもつＩＴＯ膜層とを設けた透明導電性フィルムを用いることにより、高い透明性と熱安定性に優れ、且つペン入力の摺動耐久性に優れると共に低消費電力で耐ノイズ性の良いペン入力タッチパネルが得られた。これは、酸化珪素薄膜層がＩＴＯ膜層のインジウムの拡散を防ぎ、更に、プラスチックフイルムとＩＴＯ膜層との密着性の改善の役目を果たした為だと考えられる。
　更に、特定寸法の絶縁性スペーサと、透明性が良く、透明薄膜電極の寿命の長い透明導電性ガラス基板と組み合わせることにより、より透明性の良い、よりペン入力の摺動耐久性に優れたペン入力タッチパネルが得られた。
　【００１８】
　【実施例】
　以下、図面の実施例に基づいて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　尚、物性の評価は、下記の方法により行った。
　表面抵抗値については、四探針抵抗率測定方法に準じて測定した。
　ペン入力の摺動耐久性は、ポリアセタール樹脂製のペンスライダー（先端Ｒ：０．４ｍｍ、線径Φ：０．８ｍｍ、先端は半球状）に荷重（２９０ｇ）をかけ、６ｃｍ／ｓｅｃの速度で摺動ずる検査装置を用いて摺動回数を測定しながら、摺動耐久性を評価した。
　光線透過率は、自記分光光度計にて波長５５０ｎｍでの透明導電性フィルムの透過率を１００分率で表した。
　【００１９】
　次に示す各実施例及び比較例の透明導電性フィルム１を用いて、図１に示すペン入力タッチパネル１０を作成した。ペン入力タッチパネル１０は、透明導電性フィルム１と、透明導電性ガラス基板６とを、夫々のＩＴＯ薄膜層４、７を対向させ、絶縁スペーサ５を介して積層配置して作製したものである。
　透明導電性フィルム１は、透明フィルムである厚さ１８８μｍのポリエステルフィルム２を用い、その上に高周波スパッタリング法により酸化珪素薄膜層３を作製し、同各実施例酸化珪素薄膜層３上にＩＴＯ薄膜層４をスパッタリング法により積層した。
　他方、透明導電性ガラス基板６は、アルカリガラス基板９の上に
ＳｉＯｘ
　前記、透明導電性フィルム１と透明導電性ガラス基板６とを組み合わせペン入力タッチパネル１０とした。透明導電性フィルム１の酸化珪素薄膜層３の効果を調べる為に、上記物性の評価試験を行い、ペン入力の摺動耐久性、表面抵抗値、光線透過率を計測し、その結果を表１に示した。
　【００２０】
　【表１】
　【００２１】
　各
参考例、
参考例１
　透明導電性フィルム１は、透明フィルムである厚さ１８８μｍのポリエステルフィルム２を用い、その上に高周波スパッタリング法によりＳｉＯ２薄膜層３を作製した。
　この際のスパッタリング条件は、次の通りである。
　　ターゲット　　：ＳｉＯ２
　　雰囲気ガス　　：Ａｒのみ
　　圧力　　　　　：２．０ｍＴｏｒｒ
　　投入電力　　　：ＲＦ２．０ｋｗ（４．１３Ｗ／ｃｍ２）
　　基板温度　　　：９０℃
　この条件のもとで、フィルムの巻き取り速度を調整し、厚さ１５０Åの厚さのＳｉＯ２薄膜層３を形成した透明導電性フィルム１を得た。
　次に、透明導電性フィルム１のＳｉＯ２薄膜層３上にＩＴＯ薄膜層４をスパッタリング法により積層した。
　これのスパッタリング条件は次の通りである。
　　ターゲット　　：Ｉｎ２Ｏ３９０ｗｔ％ーＳｎＯ２１０ｗｔ％
　　雰囲気ガス　　：Ａｒ９７．５％、Ｏ２２．５％
　　圧力　　　　　：２．０ｍＴｏｒｒ
　　投入電力　　　：７６０Ｗ（１．５７Ｗ／ｃｍ２）
　　基板温度　　　：９０℃
　　フィルム速度　：１．５ｍ／分
　この条件のもとで形成されたＩＴＯ薄膜層４の表面抵抗値は７００Ω／□であり、膜厚は１５０Å、フィルム基板全体の光線透過率は約８７％であった。
　同透明導電性フィルム１をタッチパネル１０に組み込んで前記物性の評価試験を行った。
　【００２２】
参考例２
　
参考例１
参考例１
　【００２３】
実施例１
　透明導電性フィルムの基板としては、厚さ１８８μｍのポリエステルフィルム２を用い、その上に真空蒸着法によりＳｉＯ１．８薄膜層３を形成した。ＳｉＯとＳｉＯ２とを混合し、燒結した酸化珪素ターゲットを３×１０−５Ｔｏｒｒの真空下で電子銃加熱方式により加熱し、蒸着薄膜層を形成した。
　このＳｉＯ１．８薄膜層３上に
参考例１
　同様に、物性評価試験を行った。
　【００２４】
比較例１
　
参考例１
　実施例と同様１ＴＯ薄膜層７を有する透明ガラス基板６と組み合わせ、ペン入力タッチパネル１０を作製し、物性の評価試験を行った。
　【００２５】
比較例２
　
参考例１
　実施例と同様に、ペン入力タッチパネル１０を作製し、物性の評価試験を行った。
　【００２６】
比較例３
　
参考例１
　【００２７】
比較例４
　
参考例２
　前記と同様、物性の評価試験を行った。
　【００２８】
　【発明の効果】
　本発明に係る透明導電性フィルムを用いたペン入力タッチパネルは、高透明性とペン入力の摺動耐久性を両立せしめることが可能となり、且つ、従来品より消費電力を低減することができ、特に携帯用電子機器の電力負荷を軽減することができるという効果を奏する。
　更に、ペン入力タッチパネル全体の透明性の向上、透明薄膜電極の長寿命化を可能とする格別の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係るペン入力タッチパネルの実施例の要部組立て断面図である。
　【符号の説明】
１．透明導電性フィルム
２．ポリエステルフィルム
３．酸化珪素薄膜層
４．ＩＴＯ薄膜層
５．絶縁スペーサ
６．透明導電性ガラス基板
７．ＩＴＯ薄膜層
８．ＳｉＯ２薄膜層
９．アルカリガラス基板