【事件の表示】
　特許第３０３７９４１号「ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０３７９４１号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第３０３７９４１号は、平成１０年１２月１８日に特許出願され、平成１２年２月２５日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人荒井純子から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年３月２１日に意見書が提出されたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人荒井純子は、甲第１号証（特開平８−８２９１６号公報）、甲第２号証（特開平８−１０１４９３号公報）、甲第３号証（特開平８−２７２０７１号公報）、甲第４号証（特開昭６３−５２１４２号公報）、甲第５号証（特公昭６２−２７３８７号公報）、甲第６号証（特公昭６２−３７３８６号公報）、甲第７号証（特公昭６２−３２７８２号公報）、甲第８号証（特公昭６２−２７３８６号公報）、甲第９号証（特公昭６１−４６８２１号公報）、甲第１０号証（特公昭６２−３７３８５号公報）及び甲第１１号証（特開平３−１６８７４７号公報）を提出し、本件請求項１〜３に係る発明は、それぞれ、甲第１号証記載の発明と同一であるから、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものであり、本件請求項４及び５に係る発明は、それぞれ、甲第１号証または甲第２号証記載の発明と同一であるから、本件請求項４及び５に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものであり、本件請求項１〜５に係る発明は、それぞれ、甲第１〜１１号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項１〜５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人荒井純子が提出した甲第１〜１１号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第1号証には、特許請求の範囲に、「【請求項1】 透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、ハーフトーン材料膜に対して選択的にエッチングが可能な遮光性を有する金属膜をメインパターンの外周部に枠状に設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項2】　請求項1記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、メインパターンの外周部の金属膜のエッジと、メインパターンの外周部のハーフトーン材料膜のエッジとが、メインパターンに対して直角の方向に一致することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項3】　請求項1記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、メインパターンの外周部の金属膜のエッジが、メインパターンの外周部のハーフトーン材料膜のエッジよりも外側に設けられることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項4】　請求項1から請求項3のうちのいずれか1つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、金属膜はCr、CrO、CrN、CrON又はこれらを積層した複合膜によって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項5】　請求項1から請求項3のうちのいずれか1つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、金属膜の最表面層はCrOによって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項6】　透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
(1)透明基板上に、ハーフトーン材料膜と、ハーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜と、レジスト膜とを積層する工程と、
(2)レジスト膜をパターニングする工程と、
(3)パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパターニングする工程と、
(4)パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングによってパターニングする工程と、
(5)レジスト膜を剥離する工程と、
(6)パターニングされた金属膜及びハーフトーン材料膜の上に、レジスト膜を積層する工程と、
(7)メインパターンの外周部に枠状のレジスト膜が残存するようにレジスト膜をパターニングする工程と、
(8)パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパターニングする工程と、
(9)レジスト膜を剥離する工程とを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項7】　透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
(1)透明基板上に、ハーフトーン材料膜と、ハーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜と、レジスト膜とを積層する工程と、
(2)レジスト膜をパターニングする工程と、
(3)パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパターニングする工程と、
(4)レジスト膜を剥離する工程と、
(5)レジスト膜を積層する工程と、
(6)レジスト膜をパターニングする工程と、
(7)パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマスクとして、ハーフトーン材料膜をエッチングによってパターニングする工程と、
(8)パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングする工程と、
(9)レジスト膜を剥離する工程とを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項8】　請求項6又は請求項7記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、金属膜はCr、CrO、CrN、CrON又はこれらを積層した複合膜によって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項9】　請求項6又は請求項7記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、金属膜の最表面層はCrOによって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」と記載されている。
　甲第1号証の【0012】及び【0013】段落には、「【課題を解決するための手段】…ハーフトーン材料膜としては、例えばMo・S i系の材料、より具体的には、例えば化学記号MoSiOxNY(Ｘ，Ｙは整数)で表される材料を用いることができる。
【0013】金属膜に関して「選択エッチングが可能である」ということは、ハ一フトーン材料膜をエッチングによって除去することなしに、金属膜だけをエッチングによって除去できる性質を有するということである。このような選択エッチングが可能な金属としては、例えば、ハーフトーン材料膜がMo・Si系材料で形成されるとすれば、Cr(クロム)、CrO(酸化クロム)、CrN(窒化クロム)、CrON(窒化酸化クロム)又はこれらを積層した複合膜を採用できる。複合膜を採用する場合は、図11及び図12に示すような2層構造又は図13に示すような3層構造とすることができる。」と記載されており、図11には、金属膜としてCr層、このCr層上にCrO層を積層したシフトマスク用ブランク、図12には、Cr層、このCr層上にCrN層を積層したシフトマスク用ブランク、図13には、Cr層、このCr層上にCrN層、このCrN層上にCrO層を積層したシフトマスク用ブランクが記載されている。
　【0015】段落には、「【0015】枠状の金属膜とハーフトーン材料膜との位置関係に関しては、例えば、次の2通りが考えられる。1つは、図1、図3(i)及び図5(i)に示すように、メインパターン3の外周部の金属膜8の内周エッジと、メインパターン3の外周部のハーフトーン材料膜2の内周エッジとが、メインパターン3に対して直角の方向(図1の紙面垂直方向、図3及び図5の上下方向)に一致するように両者の位置関係を設定する。他の1つは、図2及び図4(i')に示すように、メインパターン3の外周部の金属膜8の内周エッジが、メインパターン3の外周部のハーフトーン材料膜2の内周エッジよりも外側に設けられるように両者の位置関係を設定する。」と記載されていると共に、【0018】段落には、「【0018】【作用】請求項1乃至請求項5記載のハーフトーン型位相シフトマスクでは、枠状に形成された金属膜によって光の通過が確実に遮断される。よって、この位相シフトマスクを使ってウエハ等といった露光対象物に転写像を連続して形成するとき、転写像のまわりを誤って感光させることがない。また、金属膜はそれ自体が遮光性を有する材料によって形成されるので、ハーフトーン材料膜と開口部分との組み合わせによって遮光帯を形成した場合に比べて、高い遮光性を有する遮光帯を形成することができる。また、金属膜をハーフトーン材料膜に対して選択的にエッチングが可能な材料によって構成するので、金属膜及びハーフトーン材料膜は、それぞれ、個別にエッチングされる。一方の膜のエッチングの際に他方の膜がエッチングされてしまうことがないので、金属膜及びハーフトーン材料膜の両方の形状を希望の形状に正確に形成できる。」と記載されており、更に、【0033】段落には、「【0033】請求項5記載のハーフトーン型位相シフトマスク及び請求項9記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法のように、金属膜の最表面層をCrOによって形成すると有利である。すなわち、位相シフトマスクが完成した後に、この位相シフトマスクを使ってウエハ等の露光対象物を露光する際には、その露光対象物と金属膜とが互いに対面することになるが、このとき、金属膜の最表面層をCrOによって形成しておけば、CrOは光を反射しにくい性質を有しているので、金属膜からの散乱光の発生がほとんどなくなり、その結果、露光対象物上に精密な光像を形成できる。また、位相シフトマスクの製造過程において、金属膜の上にレジスト膜を積層し、さらにその積層したレジスト膜を電子線やレーザ等によって露光して潜像を形成する際、金属膜の最表面層をCrOによって形成しておけば、金属膜の表面で光の乱反射が起こり難く、従って、レジスト膜に対して高精度な描画を行うことができる。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第2号証には、特許請求の範囲に、「【請求項1】　透明基板と、その透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、そのハーフトーン材料膜上に積層されていてそのハーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜とを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項2】　透明基板と、その透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、そのハーフトーン材料膜上に積層されていてそのハーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜と、その金属膜上に積層されたレジスト膜とを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項3】　請求項1又は請求項2記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、金属膜はCr、CrO、CrN、CrON又はこれらを積層した複合膜によって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項4】　請求項1又は請求項2記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、金属膜の最表面層はCrOによって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。
【請求項5】　透明基板上に希望パターンのハーフトーン材料膜を形成して成るハーフトーン型位相シフトマスクを製造する製造方法において、(1)請求項1記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの金属膜の上にレジスト膜を積層し、(2)レジスト膜をパターニングし、(3)パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパターニングし、(4)パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングし、さらに(5)レジスト膜及び金属膜を剥離することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項6】　透明基板上に希望パターンのハーフトーン材料膜を形成して成るハーフトーン型位相シフトマスクを製造する製造方法において、(1)請求項2記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクのレジスト膜をパターニングし、(2)パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパターニングし、(3)パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングし、さらに(4)レジスト膜及び金属膜を剥離することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項7】　請求項5又は請求項6記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、金属膜はCr、CrO、CrN、CrON又はこれらを積層した複合膜によって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項8】　請求項5又は請求項6記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、金属膜の最表面層はCrOによって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」と記載されている。
　甲第2号証の【0018】段落には、「【0018】金属膜に関して「選択エッチングが可能である」ということは、ハーフトーン材料膜をエッチングによって除去することなしに、金属膜だけをエッチングによって除去できる性質を有するということである。このような選択エッチングが可能な金属としては、例えば、ハーフトーン材料膜がMo・S i系材料で形成されるとすれば、Cr(クロム)、CrO(酸化クロム)、CrN(窒化クロム)、CrON(窒化酸化クロム)又はこれらを積層した複合膜を採用できる。複合膜を採用する場合は、図4及び図5に示すような2層構造又は図6に示すような3層構造とすることができる。」と記載されており、図4には、金属膜としてCr層、このCr層上にCrO層を積層したシフトマスク用ブランク、図5には、Cr層、このCr層上にCrN層を積層したシフトマスク用ブランク、図6には、Cr層、このCr層上にCrN層、このCrN層上にCrO層を積層したシフトマスク用ブランクが記載されている。
　また、【0020】段落には、「【0020】金属膜は、周知の成膜方法によって形成できる。例えば、
CrOに関しては、Crをターゲットにして02を含む雰囲気中、例えばArを主成分として若干02を含むガス中、でスパッタリングを行う。CrNに関しては、CrをターゲットにしてN2を含む雰囲気中、例えばArを主成分として若干N2を含むガス中、でスパッタリングを行う。CrONに関しては、Crをターゲットにして02とN2を含む雰囲気中、例えばArを主成分として若干の02とN2を含むガス中、でスパッタリングを行う。」と記載されていると共に、【0029】段落には、「【0029】以上、好ましい実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施例に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変できる。例えば、請求項1又は請求項2記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの使用形態は、請求項5又は請求項6記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法に限定されない。例えば、請求項1又は請求項2記載のブランクの金属膜をハーフトーン材料膜に対して選択的にエッチングして所望パターンの金属膜をハーフトーン材料膜上に残すようにすれば、ハーフトーン材料膜上に所望パターンの遮光層を形成できる。」と記載され、効果として、【0030】及び【0031】段落に、「【発明の効果】請求項1及び請求項2記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクによれば、金属膜とハーフトーン材料膜とをそれぞれ独立してエッチング処理できるので、ハーフトーン材料膜に対して種々の好ましい処理を実行できる。例えば、パターニングされた金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングすれば、ハーフトーン材料膜を所望のパターンへと高精密にパターニングできる。また、Crを含んだ金属のような遮光性を有する金属によって金属膜を形成したときには、エッチングによって所望パターンの金属膜をハーフトーン材料膜の上に残すことにより、所望パターンの遮光層を有するハーフトーン型位相シフトマスクを作製できる。
【0031】請求項5及び請求項6記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法によれば、ハーフトーン材料膜のためのエッチング剤によってはエッチングされない金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングによってパターニングできるので、レジストをマスクとしてハーフトーン材料膜を直接エッチングする場合に比べて、寸法精度の高いハーフトーンパターンを得ることができる。また、ハーフトーン材料膜を金属膜で覆うので、ハーフトーン材料膜が薬品によって特性変化を生じることを防止できる。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第3号証には、特許請求の範囲に、「【請求項1】　(イ)透明基板上に半透明性パターンと遮光性パターン、あるいは透明基板上に遮光性パターンと半透明性パターンとがこれらの順に設けてあること、
(口)該遮光性パターンが少なくとも該半透明性パターンのエッジ部を
遮光
【請求項2】　(ハ)透明基板上に半透明性層と遮光層、あるいは透明基板上に遮光層と半透明性層とがこれらの順に設けてあること、(ニ)該遮光層は、該半透明性層と同一のエッチング種の適用が可能であり且つ該エッチング種に対して該半透明性層よりもエッチング速度が大きいこと、以上、(ハ)及び(ニ)を具備することを特徴とするマスクブランク。」と記載され、半透明性層、遮光層について、【0027】〜【0029】段落には、「【0027】そして、該半透明性層の材料としては、露光波長領域において半透明性を有する金属化合物、例えば酸化クロム(CrOｘ)や酸化窒化モリブデンシリサイド(MoSiON)、酸化タンタル(Ta2O５)、酸化鉄(Fe3O4)、酸化タングステン(W02)、酸化チタン(Ti2O3)等を用いることができる。
【0028】また、遮光層の材料としては、露光波長領域において充分な遮光性を有する金属あるいは金属化合物、例えばクロムやモリブデンシリサイド、タンタル、タングステン、モリブデン等を用いることができる。但し、該半透明性層と該遮光層の材料の組み合わせは、同じエッチング液またはエッチングガスで両方の膜ともエッチングが可能で、かつ遮光層のエッチング速度が半透明性層のそれよりも大きいような材料の組み合わせとする。
【0029】このような組み合わせは、基本的には同種金属の純金属と金属酸化物の組み合わせ、あるいは金属化合物の組成比を変化させたものの組み合わせが適する場合が多い。例えば、従来のマスクブランクは純クロムと酸化クロムの2層構造であり、この2層のエッチング速度は同じになるようにしてあるが、成膜時に窒素添加したり、酸化度を変えたり、圧力を制御することによってエッチング速度が変化することがわかっており、これを利用して逆にエッチング速度を異ならせることができる。また、異種金属化合物(例えば、酸化クロムとタングステン、あるいは酸化チタンとモリブデン、等。)のような組み合わせでも同一のエッチング液を用いてエッチングすることができ、これらの場合には一般にエッチング速度が異なる。また、エッチング速度は、エッチング液またはエッチングガスの組成・材料等によっても変化し、また該半透明性層や該遮光層の膜厚比によっても変化するため、ある程度調整することが可能である。但し、上記の材料はこれらに限定されるものではなく、半透明性あるいは遮光性について充分な性能を持つものであって、かつエッチング特性において上記の条件に適合するものであればよい。」と記載されている。また、【0030】〜【0032】段落には、「【0030】次に、図1(b)、図1(b')に本発明によるハーフトーン位相シフトマスクの構成を示した。その構成は、図1(b)は透明基板1上に半透明性層パターン2'と遮光層パターン3'とがこの順に設けられ、開ロ部4を設けてある。遮光層パターン3'はその下の半透明性層パターン2'よりもパターンエッジが後退して開口部が広がっている。また遮光層パターンのエッジ部と半透明性層パターンのエッジ部との距離L1はパターンのどの部分でも同じである。図1(b')は透明基板1上に遮光層パターン3'と半透明性層パターン2'とがこの順に設けられ、開口部4を設けてある。
【0031】図1(c)は図1(b)あるいは図1(b')のパターンを上から見た図であり、遮光層パターン3”の開ロ部に沿って内側に半透明性層パターン2”があり、その内側に開口部4が形成されていることを示す。
【0032】図1(c)のような構成のマスクを用いてウエハー上にパターンを露光転写した場合、該半透明性層パターン2”が180゜の位相反転作用を持つため、露光時の透過光はパターンエッジ部を境界として位相が急峻に180゜ 反転する。これにより、半透明性層パターン部分でハーフトーン位相シフト効果による光強度コントラストの向上効果および焦点深度の向上効果が生じる。一方、遮光層パターン3”は充分な遮光性を持つため露光による光もれはなく、マスクパターンに忠実なパターンが得られる。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第4号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に形成された第1の薄膜層と第2の薄膜層とからなるパターン化された多層遮光膜を具備したフォトマスクであって、前記第1の薄膜層はクロムからなり、前記第2の薄膜層は酸化クロムと窒化クロムの2種を主成分とし、かつ、前記第1の薄膜層のエッチング速度と前記第2の薄膜層のエッチング速度とが同じになるように前記酸化クロムと窒化クロムとを配合したことを特徴とするフォトマスク。」と記載されている。
　第2頁の左上欄第２行〜第１７行には、「この問題は、具体的には、その多層構造の遮光層を周知のフォトリソグラフィー・プロセスによりエッチングしてパターン化するに際して、クロム層とその上面もしくは下面に積層された酸化クロム層とのエッチング速度が異なることに起因するものである。通常の場合、酸化クロム層のエッチング速度がクロム層に比して数倍遅い。このため、2層構造の片面低反射クロムマスク及び3層構造両面低反射クロムマスクの場合、第1図にそれぞれ(a),(b)で示すように、最上部の酸化クロム層1より、その下層のクロム層2の方がエッチング速度が早いため、クロム層2のアンダーカット量が大きくなり、両層間の断面形状に段差を生じ、画像周囲に酸化クロム層からなるひさしを生じることになる。」と記載されていると共に、第3頁左上欄第１０行〜右上欄第１４行には、「本発明者は、以上のような従来技術における問題点を解決するため、反射防止層としての酸化クロム膜に代わり、従来のクロムマスク特性を損わない材料を種々検討、研究した結果、窒化クロム、酸化クロムの混合組成膜を反射防止層としてクロム膜上に積層すれば、上記の問題点を解決することができ、著しく優れた特性と高い生産性のマスクが得られることを見出し、本発明に到達したものである。
　その理由は窒化クロム膜が酸化クロム膜とは逆にエッチング速度がクロム膜に対して早いためであり、酸化クロムと窒化クロムの組成比を適当に変化させることによって、かなり広い範囲にエッチング速度を制御することが可能となることによるものである。…
　このように本発明のフォトマスク基板は、遮光層としてのクロム膜からなる層に、反射防止層としての酸化クロムと窒化クロムの混合組成膜が積層された構造を有することを特徴とするものである。」と記載されている。
１．２．５　甲第５号証の記載内容
　甲第5号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に第1層として窒素を含むクロム層、第2層として炭素を含むクロム層を積層したことを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第4欄第４行〜第２３行には、「この発明の目的は、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブランクを提供することである。このような目的の達成手段としては、前述したArとCH4の混合ガスに代えて、ArとN2の混合ガスを使用することにより、N2ガスのモル比を多くして各層のエッチング速度を大きくすることが考えられるが、その場合アンダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困難になり、根本的な解決にはなり得ない。
　そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層した窒素を含むクロム層が従来ほぼ同一の炭化度または窒化度で構成されていたのに対して、この炭素または窒素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い第1層として窒素を含むクロム層を、第2層として炭素を含むクロム層をそれぞれ積層することにより、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。」と記載されている。
　また、第5欄第27行〜6欄第23行には、「ここで、クロム層22の積層におけるArとN2の混合ガス中の窒化度、及びクロム層23の積層におけるArとCH4の混合ガス中の炭化度に対するエッチング速度の関係はそれぞれ第6図の曲線j及びkで示されるように、エッチング速度は窒化度が大きくなるに従って増大し、炭化度が大きくなるに従って減少する傾向にある。それ故、本発明においては、クロム残り密度を所望値以下にする場合に、ジャストエッチング時間に対するエッチング時間を減少させる手段として、第1層としてエッチング速度が速い窒素を含むクロム層22を積層し、第2層としてエッチング速度が遅い炭素を含むクロム層23を積層していることになる。そして、クロム層22の窒化度とクロム層23の炭化度とをそれぞれ大きくするに従って(第4図の曲線g→h→i)、クロム残り密度を減少させると共に、(エッチング時間)/(ジャストエッチング時間)を小さくし、1.0に近づけることができる。
　したがって、この発明によれば、従来品のように過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させることができる。…また、本発明は窒素を含むクロム層22と炭素を含むクロム層23を分離して説明したが、透明基板10の界面付近から遠ざかるに従って連続的に窒化度を減少させ、炭化度を増大させてもよい。」と記載されている。
１．２．６　甲第６号証の記載内容
　甲第6号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に炭素を含むクロム層を積層させ、または該クロム層に更に酸化クロム層を積層させてなるフォトマスクブブランクにおいて、該クロム層のうち、炭化度が該透明基板に近い層に小さく、かつ遠い層に大きいことを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第4欄第６行〜21行には、「この発明の目的は、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブランクを提供することである。このような目的の手段としては、CH4ガスのモル比を小さくして各層のエッチング速度を大きくすることが考えられるが、その場合アンダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困難になり、根本的な解決にはなりえない。
　そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層した炭素を含むクロム層が従来ほぼ同一の炭化度で構成されていたのに対して、この炭素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い層と遠い層とに分け、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。」と記載されている。
　また、第5欄第20行〜第6欄第15行には、「ここで、クロム層22,23の積層におけるArとCH4の混合ガス中の炭化度に対するエッチング速度の関係は第6図の曲線gで示されるように、エッチング速度は炭化度が大きくなるに従って減少する傾向にある。そして、クロム層22はクロム層23よりも炭化度を小さくするに従って(曲線f→e→d)、クロム残り密度を小さくすると共に、(エッチング時間)/(ジャストエッチング時間)を小さくし、1.0に近づけることができる。
　したがって、この発明によれば、従来品のように過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させることができる。…また、この発明はクロム層22とクロム層23を分離して説明したが、透明基板10の界面付近から遠ざかるに従って連続的に炭化度を増加させてもよい。」と記載されている。
１．２．７　甲第７号証の記載内容
　甲第7号証には、特許請求の範囲に、「1　透明基板上に表面被覆を施したフォトマスクブランクにおいて、前記表面被覆はクロム炭化物を含有するクロム膜を遮光膜として備えていることを特徴とするフォトマスクブランク。
2　透明基板上に表面被覆を施したフォトマスクブランクにおいて、前記表面被覆は遮光膜と、該遮光膜上に形成された表面反射防止膜とを有し、前記遮光膜はクロム炭化物を含有するクロム膜によって形成され、他方、前記表面反射防止膜はクロム窒化物を含有するクロム酸化物層によって形成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第3欄第１４行〜第26行には、「本発明者等は金属クロム膜の溶解速度をその上のクロム酸化物膜の溶解速度に比べて同じか、遅くすることによって、上述した問題を解決した。
　本発明の特徴は、スパッタリングにより、クロム膜中にクロム炭化物を含有させ、従来の方法によるクロム膜に比べエッチング液による溶解速度を遅くすることによりアンダーカットの量を減少させる製造方法、及びスパッタリングにより、表面反射防止用としてのクロム酸化物膜にクロム窒化物を含有させることにより、広い波長域(350〜600nm)にわたって表面分光反射率を平坦に低くする製造方法である。」と記載され、第4欄第35行〜第39行には、「表1に示すように、実施例に係る炭化物含有のクロム膜は金属クロム膜に比して溶解速度が遅いことがわかる。また、アルゴンとメタンとの混合比を変えることによって溶解速度の異なる遮光膜を形成できる。」と記載されている。
　また、第5欄第19行〜第6欄第17行には、「以上のように本発明によれば表1より明らかなように、クロム膜中にクロムの炭化物を含有することによって従来の金属クロム膜よりも溶解速度が遅くなり、アルゴンとメタンとの混合比によりエッチング時間も調節可能となる。このため、サイドエッチ量が従来の方法では約0.20μ/10secであったが、本発明では0.06μ/l0secと大幅に改良された。…したがって、本発明のようにクロムの酸化物にクロムの窒化物を含有させたものを使用することにより、表面分光反射率をも改善することができる。また、レジスト塗布後の反射率の変動を少なくし、パターン幅の精度の高いフオトマスクが得られる。」と記載されている。
１．２．８　甲第８号証の記載内容
　甲第8号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に窒素を含むクロム層を積層させ、または該クロム層に更に酸化クロム層を積層させてなるフォトマスクブランクにおいて、該クロム層のうち、窒化度が該透明基板に近い層に大きく、かつ遠い層に小さいことを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第4欄第6行〜第２１行には、「この発明の目的は、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブランクを提供することである。このような目的の達成手段としては、N2ガスのモル比を多くして各層のエッチング速度を大きくすることが考えられるが、その場合アンダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困難になり、根本的な解決にはなり得ない。
　そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層した窒素を含むクロム層が従来ほぼ同一の窒化度で構成されていたのに対して、この窒素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い層と遠い層とに分け、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。」と記載されている。
第5欄第２１行〜第6欄第15行には、「ここで、クロム層22,23の積層におけるArとN2の混合ガス中の窒化度に対するエッチング速度の関係は第6図の曲線gで示されるように、エッチング速度は窒化度が大きくなるに従って増大する傾向にある。そしてクロム層22はクロム層23よりも窒化度を大きくするに従って(曲線d→e→f)、クロム残り密度を小さくすると共に、(エッチング時間)/(ジャストエッチング時間)を小さくし、1.0に近づけることができる。
　したがって、この発明によれば、従来品のように過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させることができる。…また、本発明はクロム層22とクロム層23を分離して説明したが、透明基板10の界面付近から遠ざかるに従って連続的に窒化度を減少させてもよい。」と記載されている。
１．２．９　甲第９号証の記載内容
　甲第9号証の公告後にされた手続補正書の特許請求の範囲には、「透明基板上にクロムからなる薄膜層と、その上に積層された酸化クロム、窒化クロムの2種を主成分としてなる薄膜層とからなる多層遮光膜を設けてなり、かつ、前記クロムからなる薄膜層の化学的エッチング速度と、前記酸化クロム、窒化クロムの2種を主成分としてなる薄膜層の化学的エッチング速度とが同じになるように、該酸化クロム、窒化クロムの2種を主成分としてなる薄膜層の組成を一般式
CrｘNｙOZ〔式中x,y,Ｙ,zは原子比を示し、ｘ=1、y=0.1〜0.3、z=0.8〜1.4を表す。〕
で示される組成範囲として、
前記酸化クロムと窒化クロムとを配合することによって、パターンエッチングした際に前記クロムからなる薄膜層と、前記酸化クロム、窒化クロムの2種を主成分としてなる薄膜層との両エッチング端面の断面形状に段差もしくはひさしが実質的に生じないことを特徴とするフォトマスク基板。」と記載されている。
　第4欄第18行〜第32行には、「本発明者は、以上のような従来技術における問題点を解決するため、反射防止層としての酸化クロム膜に代わり、従来のクロムマスク特性を損わない材料を種々検討、研究した結果、窒化クロム、酸化クロムの混合組成膜を反射防止膜としてクロム膜上に積層すれば、上記の問題点を解決することができ、著しく優れた特性と高い生産性のマスクが得られることを見出し、本発明に到達したものである。
　その理由は窒化クロム膜が酸化クロム膜とは逆にエッチング速度がクロム膜に対して早いためであり、酸化クロムと窒化クロムの組成比を適当に変化させることによって、かなり広い範囲にエッチング速度を制御することが可能となることによるものである。」と記載されている。
１．２．１０　甲第１０号証の記載内容
　甲第10号証には、特許請求の範囲に、「1　透明基板上に、クロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜と、クロム膜と、クロム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物膜とを順次積層していることを特徴とするフォトマスクブランク。
2　特許請求の範囲第1項において、前記クロム膜がクロム炭化物を含有することを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第2欄第22行〜第29行には、「本発明は、上記のような従来の欠点を除去するためになされたものであり、裏面反射防止膜としてクロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜を、表面反射防止膜としてクロム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物膜を成膜することにより、安定した特性を有する両面反射防止用のフォトマスクブランクを提供することを目的とする。」と記載され、第3欄第13行〜第18行には、「なお、後述するエッチング速度は、クロム炭化物の炭化物度を増大した場合に遅くなり、クロム窒化物の窒化度を増大した場合に逆に早くなる傾向を予め考慮して、各膜のエッチング速度を同一になるように混合ガス比を選定している。
１．２．１１　甲第１１号証の記載内容
　甲第11号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に設けられた遮光パターンに炭素原子が含まれてなることを特徴とするフォトマスク。」と記載されている。
２．本件請求項１〜５に係る発明
請求項１
「微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンが、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透過部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクであって、少なくともマスクパターン転写領域内に形成された半透光部の光の相殺作用に実質的に寄与しない部分に遮光膜を設けたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
この遮光膜を、その表面側から透明基板側に向かってエッチングレートが段階的に又は連続的に速くなるとともに反射防止機能を有するように、厚さ方向において異なる金属材料で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」
請求項２
「前記マスクパターン転写領域と該転写領域の周縁の非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、前記非転写領域の半透光部以外の部位に所定以上の幅を有する遮光膜を設け、
この遮光膜を、遮光膜をその表面側から透明基板側に向かってエッチングレートが段階的に又は連続的に速くなるとともに反射防止機能を有するように、厚さ方向において異なる金属材料で構成したことを特徴とする請求項１記載のハーフト
ーン型位相シフトマスク。」
請求項３
「前記半透光部がモリブデン・シリコン系の半透光膜を有すると共に、前記遮光膜が酸素、窒素、炭素の少なくとも一種を含有したクロムからなることを特徴とする請求項１又は２記載のハーフトーン型位相シフトマスク。」
請求項４
「請求項１ないし３のいずれかに項記載のハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際にその素材として用いるハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
透明基板の上に半透光部を構成する半透光膜を有し、この半透光膜の上に遮光膜を有し、この遮光膜を、その表面側から透明基板側に向かってエッチングレートが段階的に又は連続的に速くなるとともに反射防止機能を有するように異なる金属材料で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
請求項５
「前記半透光膜がモリブデン・シリコン系の材料からなると共に、前記遮光膜が酸素、窒素、炭素の少なくとも一種を含有したクロムからなることを特徴とする請求項４記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
３．特許異議申立てについての判断
３．１　本件請求項１〜４に係る発明
　上記２．に記載のとおり。
３．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
３．２．１　本件請求項１〜５に係る発明と甲各号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明及び請求項１を引用する請求項２〜５に係る発明（以下、「本件発明」という。）が、「遮光膜を、その表面側から透明基板側に向かってエッチングレートが段階的に又は連続的に速くなるとともに反射防止機能を有するように、厚さ方向において異なる金属材料で構成」（以下、「本件発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、甲第１〜甲第１１号証記載の発明にはいずれも上記構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　本件発明は、上記本件発明の特徴的構成を有することにより、「本発明のハーフトーン型位相シフトマスクは、半透光部における光の相殺作用に実質的に寄与せずに本来遮光領域とすべき部分に設けた遮光膜に反射防止機能を持たせているので、露光時に被転写体であるウエハ等あるいは結像光学系(レンズ等)からの反射光が遮光膜で再反射される量を低減できるため、ゴースト等によるコントラストの低下及び線幅精度の悪化を防止でき、転写特性が一段と向上する。」及び「また、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、半透光膜の上の本来遮光すべき部分に設けた遮光膜を反射防止機能を備えた低反射遮光膜で構成したので、マスクパターンの描画をレーザー描画機で行う場合、レジスト膜厚のバラツキに対する線幅シフト量を小さくできる。また、反射防止機能を備えた遮光膜をその表面側から透明基板側に向かってエッチングレートが段階的又は順次速くなるように異なる金属材料で構成したので、特にウエットエッチングの場合に過剰なオーバーエッチングによる半透光膜のダメージを防止でき、且つ、半透光膜上の金属残りを防止することができる。」（特許明細書【発明の効果】の項）という上記甲第１号証〜甲第１１号証記載の発明にはない効果を有する。
　従って、本件発明は、甲第１号証又は甲第２証甲と同一であるとも、第１号証〜甲第１１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものともいえない。
４．むすび
 上記のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、上記のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１３年４月２４日（２００１．４．２４）