【事件の表示】
　特許第２７１４５４８号（「真空処理装置及び真空処理装置の使用方法」）の請求項１〜３の特許に対する特許異議の申立について、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７１４５４８号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
一．［手続の経緯］
　本件特許第２７１４５４８号（請求項の数３、以下、「本件特許」という）は、昭和５８年１１月２８日に出願された特願昭５８−２２２００４号をもとの出願として、平成７年１２月１４日付でした、特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願平７−３２５６６５号）に係り、平成９年１０月３１日に設定登録されたが、本件特許に対し、その全請求項に関して、表記特許異議申立人より特許異議の申立があったので、当審において、当該申立の理由を検討の上、特許取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内の平成１１年７月１２日に、特許異議意見書の提出と共に訂正請求があったが、当審より、当該訂正は特許請求の範囲を実質上変更するものである旨の訂正拒絶理由を通知した。これに対して、特許権者より、先の特許取消理由と共に当該訂正拒絶理由をも回避する新たな訂正請求をしたい旨の特許異議意見書が提出されたので、これを受けて、当審より明細書の記載に不備があるとする特許取消理由を通知して、特許権者は先の平成１１年７月１２日付の訂正請求を取下げると共に、平成１１年１２月１４日付で新たに訂正請求をしたものである。
二．［訂正請求について］
　１．訂正の要旨
　上記訂正請求における訂正の要旨は、次のイ〜ニのとおりである。
　イ　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、前記同一の真空処理室への基板の搬出入のために前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させることを特徴とする」という記載を、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理装置の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、　　
　前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させ、前記第１の基板受け部に渡された基板は前記基板テーブルから前記基板電極へ、前記第２の基板受け部に渡された処理済の基板は前記基板電極から前記基板テーブルへそれぞれ搬送することを特徴とする」と訂正する。
　ロ　同じく請求項２において、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、前記同一の真空処理室への基板の搬出入のために前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させる真空処理装置の使用方法であって、」という記載を、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、前記同一の真空処理室への基板の搬出入のために前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させる真空処理装置の使用方法であって、」と訂正すると共に、
　これに続く「前記第１の基板受け部が処理済の基板を当該真空処理室から搬出する間に、前記真空処理室外で前記第１の基板受け部が別の処理前の基板を保持しており、前記処理済基板の搬出後、該第２の基板受け部が当該真空処理室に該別の処理前基板を搬入することを特徴とする」という記載を、「前記第２の基板受け部が前記基板搬送経路を経由して処理済の基板を当該真空処理室から搬出する間に、前記真空処理室外で前記第１の基板受け部が前記基板テーブルから受取った別の処理前の基板を保持しており、前記処理済基板の搬出後、該第１の基板受け部が前記基板搬送経路を経由して当該真空処理室に該別の処理前基板を搬入することを特徴とする」と訂正する。
  ハ　同じく請求項３において、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に制御する真空処理装置の使用方法であって、」という記載を、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に制御する真空処理装置の使用方法であって、」と訂正すると共に、
　これに続く「処理済の基板を前記第１の基板受け部により当該真空処理室から搬出する間に、別の処理前の基板を前記第２の基板受け部により当該真空処理室へ搬入することを特徴とする」という記載を、「処理済の基板を前記第２の基板受け部により前記基板搬送経路を経由して当該真空処理室から搬出する間に、別の処理前の基板を前記第１の基板受け部により前記基板テーブルから受取り、該基板搬送経路を経由して当該真空処理室へ搬入することを特徴とする」と訂正する。
  ニ　特許明細書の発明の詳細な説明欄中における、【0006】（「発明の概要」欄）について、上記イ及びロの訂正事項に対応する箇所の記載を、同じくイ及びロの訂正事項の趣旨に合致するように訂正する。
　３．訂正請求の適否
　（１）訂正の目的
　上記イ〜ハの訂正は、本件特許に係る発明の必須の構成をより限定すると共に、第１及び第２の基板受け部の関係を明確にするものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明に該当するとみることができるし、同じくニの訂正は、当該イ、ロの訂正によって生じる明細書の前後の記載内容の齟齬を、訂正により整合させようとするものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当するとみることができる。
　（２）新規事項の有無
　本件特許に係る、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、上記訂正の内容は、当該明細書及び図面に記載された事項の範囲内のものといえる。
　（３）拡張、変更の有無
　上記訂正の内容は、訂正前の特許請求の範囲を実質的に拡張したり、変更したりするものではない。
　（４）独立特許要件の適否
　上記訂正に係る特許請求の範囲に記載された発明について、本件特許に係る上記もとの出願の際、独立して特許を受けることができるものか否かについて検討する。
　　（４-1）＜訂正に係る発明＞
  上記訂正に係る発明は、平成１１年１２月１４日付で提出された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
【請求項１】「基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バッファ室間で前記基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段とを備えた真空処理装置において、
　前記基板搬送手段は、同じバッファ室内に設けられかつ同一の前記真空処理室に基板を搬出入するために裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理装置の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、　　
　前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させ、前記第１の基板受け部に渡された基板は前記基板テーブルから前記基板電極へ、前記第２の基板受け部に渡された処理済の基板は前記基板電極から前記基板テーブルへそれぞれ搬送することを特徴とする真空処理装置。」
（上記の訂正請求に係る請求項１の発明を、以下、「本件発明」という）
【請求項２】「基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バッファ室間で前記基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段とを備え、前記基板搬送手段が、同じバッファ室内に設けられかつ同一の前記真空処理室に基板を搬出入するために裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、前記同一の真空処理室への基板の搬出入のために前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させる真空処理装置の使用方法であって、
　前記第２の基板受け部が前記基板搬送経路を経由して処理済の基板を当該真空処理室から搬出する間に、前記真空処理室外で前記第１の基板受け部が前記基板テーブルから受取った別の処理前の基板を保持しており、前記処理済基板の搬出後、該第１の基板受け部が前記基板搬送経路を経由して当該真空処理室に該別の処理前基板を搬入することを特徴とする真空処理装置の使用方法。」
【請求項３】「基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バッファ室間で前記基板を搬送する基板搬送手段とを備え、前記基板搬送手段が、同一の真空処理室への基板の搬送のために同一のバッファ室内に設けられ裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に制御する真空処理装置の使用方法であって、
　処理済の基板を前記第２の基板受け部により前記基板搬送経路を経由して当該真空処理室から搬出する間に、別の処理前の基板を前記第１の基板受け部により前記基板テーブルから受取り、該基板搬送経路を経由して当該真空処理室へ搬入することを特徴とする真空処理装置の使用方法。」
　（４-2）＜引用例とその記載事項の概要＞
　これに対して、引用例となるものは、いずれも本件特許に係る上記もとの出願前に頒布された次の刊行物である。
  刊行物１　特開昭５６−４２４４号公報
　　（特許異議申立人が提出した甲第１号証）
　刊行物２　実願昭５５−１１４５５６号（実開昭５７−３９４３０号）のマイクロフィルム
    （同じく甲第２号証）
　刊行物３　特公昭５６−２０６９７号公報
  　（同じく参考資料１）
  上記刊行物１には、「ウエーハの連続真空処理装置」に関して、次の記載がある。
「第３図は、装置全体構成図である。同図において、扉（Ｉ）が開いた状態でローダ部よりウエーハが供給され、ベルト搬送部付ステージの足位置へ搬送される。そこで、扉（Ｉ）が閉じ、予備室（Ｉ）内を真空排気する。真空度が設定値に達するとステージが第１段位置まで下降する。次にスライド式アーム付回転部のアームがウエーハとステージの間へ移動し、その後ステージは、最下点まで下降する。これにより、ウエーハはアーム上へ移換され、アームは回転部の定位置まで戻る。」「この状態で回転部１７が１８０°回転し、さらにアームがウエーハをのせて移動する。次にステージ１９が第１段位置まで上昇し、ステージの４本のピン上へウエーハを移し換える。」「ステージ１９の上昇によりウエーハ処理室とウエーハ搬送部とは、隔離され」、「ガスによるエッチング等を行っても」、「搬送機構部に対するガスの影響の心配がない。ウエーハ処理室内での処理が終了すると、ステージ１９は、第１段位置まで下降し、スライド式アーム付回転部のアームがウエーハとステージの間へ移動し、ついでステージが最下点まで下降してウエーハをアームへ移換する。この時、回転部のアーム上へは前述の方式により次のウエーハが移換されており、アーム戻り、２つの回転部の１８０°の回転、各ステージの上昇、アームの移動により、ウエーハはステージ１９、ベルト搬送部付ステージへ移し換えられる。ベルト搬送部付ステージは、ウエーハを受取った後、最上点まで上昇し、予備室」と「搬送室を隔離した後、室内を大気圧にリークさせ、扉」を「開放してウエーハをアンローダへ収納する。」（第２頁左上欄第１４行〜同頁左下欄第１４行）
「例えば、第３図において、スライド式アーム付回転部とウエーハ処理室を１式ずつ増やせば、処理室を２式直列に並べた構成になる。」（第３頁左上欄第１３〜１６行）　　　
  また、上記刊行物２には、「連続式目動枚葉型ガスプラズマ処理装置」に関して、次のように記載されている。
「隣接して設けられた複数個の枚葉型ガスプラズマ反応室と、該反応室にウエハーを搬送するための搬送機構と自動制御機構とからなる装置であって、該ウエハー搬送機構としては１個の横方向搬送コンベアと該反応室数と同数の縦方向搬送コンベア、ウエハー搬出入用繰出しアーム、およびウエハー持ち上げコロ等とを適宜組合せてなる駆動、停止及び方向転換を含むウエハー搬送機構であり、自動制御機構はウエハーの搬送とガスプラズマ処理を一連の自動制御により連続的に行なう」(実用新案登録請求の範囲の欄)
  更に、上記刊行物３には、「プラズマ反応処理装置」に関して、次の記載がある。
　「上記ピックアップ５，６の旋回、これに伴うウエハーカセット３，４の昇降、ウエハーテーブル２の昇降、プラズマ反応の操作等は互いに連動して行われるものであり、かつこの一連のストロークの速度は適宜調節可能となっている。上記互いに連動して作動させる制御機構としては例えば工作機械の自動加工などに用いられる周知のプログラム制御が利用され、一例として１つの軸に多数個のカムを串通取付し、これにより各部の作動を所要時間ずつ一定の順序で行わせることができる。」（第３頁第５欄第１３〜２２行）　　　
　（４-3）＜発明の対比＞
　本件発明と刊行物１の記載とを対比すると、刊行物１記載の「ウエーハ」は本件発明の「基板」に、以下同様に、「ウエーハ処理室」は「基板を一枚づつ処理する真空処理室」に、「ウエーハ搬送室」は「バッファ室」に、「スライド式アーム付回転部」は「基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段」に、「ベルト搬送部付ステージ」は「基板テーブル」に、ローダ部１及びアンローダ部５とベルト搬送部付ステージとの間でウエーハを搬送する「搬送部２」（第３図）は、「他の基板搬送手段」に、それぞれ相当するものである。そして、ウエーハ処理室の前後に各１つが設けられている、上記のスライド式アーム付回転部の、それぞれの「スライド式アーム」は、「裏面から基板を保持する第１の基板受け部と第２の基板受け部」に相当し、当該それぞれのアームは個別に作動させることが可能なものである。また、エッチング処理等を行うウエーハ処理室には、「基板電極」が設けられることは明らかである。
　したがって、本件発明と刊行物１記載の発明との一致点と相違点は次のとおりである。
［一致点］「基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バッファ室間で前記基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段とを備えた真空処理装置において、
　前記基板搬送手段は、同じバッファ室内に設けられかつ同一の前記真空処理室に基板を搬出入するために裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、
  第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で基板搬送経路を構成し、
　前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させて基板を搬送する」ようにした点。
［相違点］本件発明では、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理装置の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成」すると共に、「前記第１の基板受け部に渡された基板は前記基板テーブルから前記基板電極へ、前記第２の基板受け部に渡された処理済の基板は前記基板電極から前記基板テーブルへそれぞれ搬送する」ものであるのに対し、刊行物１記載の発明では、基板テーブルに相当するものが２つ設けられていて、第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路が、１つの基板テーブルと真空処理室内の基板電極との間で平面視で重なり合うことはなく、また、第１及び第２の基板受け部は、基板電極と、それぞれ別の基板テーブルとの間で基板を搬送するものである点。
  （４-4）＜相違点の検討＞
  上記の相違点は、本件発明が、基本的に、１つの基板テーブルと基板電極との間で基板を搬送する機構を採用していることに起因するもので、このような基本的な機構は、基板テーブルに相当するものを２つ設けることが必須の構成となる刊行物１に記載されたものや、基板テーブルに関して全く言及のない刊行物２及び３の記載事項から示唆されるというものでないことは明らかである。
  そして、本件発明では、上記相違点に係る構成を採用することにより、「動作平面の異なるアーム搬送装置を用いて」「真空処理室への基板の搬入、搬出を同時に行うことができ」「スループットを向上できる」と共に、装置全体の小型化も図れるという、上記各刊行物の記載からは予測しがたい作用効果を奏することができる。
  したがって、本件発明は、上記各刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　（４-5）＜請求項２、３の発明について＞
　訂正請求に係る、請求項２及び３の発明は、いずれも、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成」するという、上記相違点で指摘した本件発明の構成と同様の構成を備える「真空処理装置」の使用方法に係るものであって、やはり、上記刊行物１〜３の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　（４-6）＜その他の理由について＞
  更に、本件発明及び上記訂正請求に係る請求項２及び３の発明については、当審よりの２回目の特許取消理由通知で指摘した、明細書の記載不備に係るものをはじめとして、本件特許に係る上記もとの出願の際、独立して特許を受けることができないとする他の理由も発見しない。
  （５）訂正の適法性
　上記（１）〜（４）で検討したところによれば、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであって、同条第３項で準用され、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により適用される、同法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、同条第２項及び第３項の規定に適合しているといえるので、上記訂正請求を認容する。
三．［特許異議申立について］
　１．特許異議申立の理由
　特許異議申立人は、本件特許に係る各発明は、上記二．３．（４-2）で指摘した刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記の本件各発明に係る本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に基づいて拒絶査定をするべき出願に対してされたことになり、取り消すべきものである旨を主張している。
  ２．当審の判断
　上記二．３．（５）における、本件訂正請求の適否の検討結果に示されるように、上記訂正請求が認容されることにより、上記平成１１年１２月１４日付で提出された訂正明細書を本件特許明細書として、本件各特許発明は、当該特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された、上記二．３．（４-1）で指摘したとおりのものと認める。
　そして、当該各特許発明について、上記１．の特許異議申立理由が採用できないものであることは、上記二．３．（４-3）〜（４-4）における、本件各発明と上記各刊行物記載のものとの対比の検討結果から明らかである。
四．［むすび］
　以上のとおりであるから、本件特許は、特許異議申立人の主張する理由およびその提出した証拠によっては、取り消すことはできないし、また、他に取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２６日（２０００．１．２６）
【訂正の要旨】
　　上記訂正請求における訂正の要旨は、次のイ〜ニのとおりである。
　イ　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、前記同一の真空処理室への基板の搬出入のために前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させることを特徴とする」という記載を、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理装置の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、
　前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させ、前記第１の基板受け部に渡された基板は前記基板テーブルから前記基板電極へ、前記第２の基板受け部に渡された処理済の基板は前記基板電極から前記基板テーブルへそれぞれ搬送することを特徴とする」と訂正する。
　ロ　同じく請求項２において、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、前記同一の真空処理室への基板の搬出入のために前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させる真空処理装置の使用方法であって、」という記載を、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１っの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、前記同一の真空処理室への基板の搬出入のために前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させる真空処理装置の使用方法であって、」と訂正すると共に、
　これに続く「前記第１の基板受け部が処理済の基板を当該真空処理室から搬出する間に、前記真空処理室外で前記第１の基板受け部が別の処理前の基板を保持しており、前記処理済基板の搬出後、該第２の基板受け部が当該真空処理室に該別の処理前基板を搬入することを特徴とする」という記載を、「前記第２の基板受け部が前記基板搬送経路を経由して処理済の基板を当該真空処理室から搬出する間に、前記真空処理室外で前記第１の基板受け部が前記基板テーブルから受取った別の処理前の基板を保持しており、前記処理済基板の搬出後、該第１の基板受け部が前記基板搬送経路を経由して当該真空処理室に該別の処理前基板を搬入することを特徴とする」と訂正する。
　ハ　同じく請求項３において、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に制御する真空処理装置の使用方法であって、」という記載を、「第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に制御する真空処理装置の使用方法であって、」と訂正すると共に、
　これに続く「処理済の基板を前記第１の基板受け部により当該真空処理室から搬出する間に、別の処理前の基板を前記第２の基板受け部により当該真空処理室へ搬入することを特徴とする」という記載を、「処理済の基板を前記第２の基板受け部により前記基板搬送経路を経由して当該真空処理室から搬出する間に、別の処理前の基板を前記第１の基板受け部により前記基板テーブルから受取り、該基板搬送経路を経由して当該真空処理室へ搬入することを特徴とする」と訂正する。
　ニ　特許明細書の発明の詳細な説明欄中における、【０００６】（「発明の概要」欄）について、上記イ及びロの訂正事項に対応する箇所の記載を、同じくイ及びロの訂正事項の趣旨に合致するように訂正する。
（５４）【発明の名称】
真空処理装置及び真空処理装置の使用方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バヅファ室間で前記基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段とを備えた真空処理装置において、　
　前記基板搬送手段は、同じバッファ室内に設けられかつ同一の前記真空処理室に基板を搬出入するために裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、
当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれ移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、
　前記第１の基板受け部及び前記第２の基板受け部を個別に作動させ
、前記第１の基板受け部分に渡された基板は前記基板テーブルから前記基板電極へ、前記第２の基板受け部に渡された処理済の基板は前記基板電極から前記基板テーブルへそれぞれ搬送す
　【請求項２】
　基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バッファ室間で前記基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段とを備え、前記基板搬送手段が、同じバッファ室内に設けられかつ同一の前記真空処理室に基板を搬出入するために裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、
当該第１の基板受け部第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は，前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、
　前記
第２
前記基板搬送経路を経由して
第１
基板テーブルから受け取った
第１
前記基板搬送経路を経由して
　【請求項３】
　基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バッファ室間で前記基板を搬送する基板搬送手段とを備え、前記基板搬送手段が、同一の真空処理室への基板の搬送のために同一のバッファ室内に設けられ裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、
前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、
　処理済の基板を前記
第２
前記基板搬送経路を経由して
第１
前記基板テーブルから受取り、該基板搬送経路を経由して
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の利用分野】
　本発明はエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等の半導体製造工程に適した真空処理装置に関するものである。
　　　【０００２】
　　【発明の背景】
　最近の半導体製造プロセス技術の進歩は著しく、ドライエッチング装置においても１μｍパターンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このような微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット（時間あたりの基板処理枚数）を向上させることおよび製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題となっている。
　　　【０００３】
　このような要求を解決するためには装置を小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステムが構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求されるようになってきた。これに対して、従来の、例えば、特開昭５７−１２８９２８号公報に開示されているような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合したモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス工程への適用にはむかない。
　　　【０００４】
　また、実開昭５７−３９４３０号公報に開示されているようないくつかの真空処理室と一つのバッファ室との間を基板が搬送されて連続的に処理されるようなタイプでは真空処理室数が固定され、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を変更したりする自由度がなく、使用しづらいという問題点を有している。
　　　【０００５】
　　【発明の目的】
　本発明の目的は、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる真空処理装置を提供することにある。
　【０００６】
　　【発明の概要】
　本発明の特徴は、基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バッファ室間で前記基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段とを備えた真空処理装置において、前記基板搬送手段は、同じバッファ室内に設けられかつ同一の前記真空処理室に基板を搬出入するために裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、
当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、
、前記第１の基板受け部に渡された基板は前記基板テーブルから前記基板電極へ、前記第２の基板受け部け部に渡された処理済の基板は前期基板電極から前記基板テーブルへそれぞれ搬送する
　本発明の特徴は、基板を一枚づつ処理する真空処理室と、該真空処理室に連通するバッファ室と、前記真空処理室と前記バッファ室間で前記基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段とを備え、前記基板搬送手段が、同じバッファ室内に設けられかつ同一の前記真空処理室に基板を搬出入するために裏面から前記基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、
当該第１の基板受け部及び第２の基板受け部のそれぞれの移動経路は、前記真空処理室の前方外側でかつ他の基板搬送手段との基板受渡し地点に配置された１つの基板テーブルと前記真空処理室内の基板電極との間で平面視で少なくとも一部が重なり合う基板搬送経路を構成し、
第２
前記基板搬送経路を経由して
第１
基板テーブルから受け取った
第１
前記基板搬送経路を経由して
　　　　【０００７】
　本発明によれば、真空処理室とバッファ室間で基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段は、同じバッファ室内に設けられかつ同一の真空処理室に基板を搬出入するために裏面から基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、同一の真空処理室への基板の搬出入のために第１の基板受け部及び第２の基板受け部を個別に作動させるので、真空処理室への基板の搬出入と、基板処理の効率を高め、スループットを向上できる真空処理装置を提供出来る。
　本発明の他の特徴によれば、同一の真空処理室への基板の搬出入のために第１の基板受け部及び第２の基板受け部を個別に作動させる真空処理装置の使用方法において、第１の基板受け部が処理済の基板を当該真空処理室から搬出する間に、真空処理室外で第２の基板受け部が別の処理前の基板を保持しており、処理済基板の搬出後、該第２の基板受け部が当該真空処理室に該別の処理前基板を搬入するので、真空処理室への基板の搬出入と、基板処理の効率を高め、スループットを向上できる真空処理装置の使用方法を提供出来る。
　　　【０００８】
　　【発明の実施例】
　本発明の一実施例を図１〜図５で説明する。
　図１で、真空処理装置は、真空排気可能なバッファ室１０と、バッファ室１０に設けられた真空処理室２０と、基板３０を矢印Ａ方向に搬送可能なバッファ室１０に内設された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第１の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室１０の側壁に設けられたゲート弁、仕切具等の真空開閉手段４０、４１と、この場合、真空開閉手段４０、４１が設けられた側壁と直角をなし第１の基板搬送手段をはさんで真空処理室２０と対応する側壁に設けられたゲート弁等の他の真空開閉手段５０、５１を介してバッファ室１０に具設された真空予備室６０と、第１の基板搬送手段との間で他の真空開閉手段５０、５１を介して基板３０を矢印Ｂ、Ｃ方向に搬送する第２の基板搬送手段（図示省略）と、第１の基板搬送手段の基板搬送経路上で、かつ、真空処理室２０に対応して設けられた基板受渡手段（図示省略）と、基板受渡手段と真空処理室２０との間で基板３０を矢印Ｄ方向に搬送する第３の基板搬送手段（図示省略）とを有している。なお、この場合、真空予備室６０には、基板カセット７０、７１を昇降駆動するカセット昇降装置（図示省略）のカセットテーブル（図示省略）が昇降可能に他の真空開閉手段５０、５１と対応して内設されている。
　　　【０００９】
　第１〜第３の基板搬送手段、基板受渡手段等を図２で更に詳細に説明する。
　図２において、第１の基板搬送手段はベルト搬送装置８０であり、ベルト搬送装置８０は、その全体を昇降装置、例えば、シリンダ８１で昇降駆動されると共に、モータ８２でベルト８３を回転駆動される。
　　　【００１０】
　第２の基板搬送手段は、他の真空開閉手段５０、５１をはさんで真空予備室６０に設けられたベルト搬送装置９０、１００とバッファ室１０に設けられたベルト搬送装置１１０、１２０である。ベルト搬送装置９０のプーリ９１、９２とプーリ９１、９２に無端に巻掛けられたベルト９３とは、カセット昇降装置１３０のカセヅトテーブル１３１に対応し、かつ、カセットテーブル１３１が最高位置まで上昇させられた時点でもその上方に位置するように配設されている。
　　　【００１１】
　ベルト９３はモータ９４で回転駆動される。ベルト搬送装置１１０はモータ１１１でベルト１１２を回転駆動され、ベルト搬送装置１１０のベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送装置８０のべルト８３の一方の昇降動を阻害しないよう、この場合、Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ１１３は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置するように設けられている。なお、ベルト搬送装置９０のベルト９３とベルト搬送装置１１０のベルト１１２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置９０とべルト搬送装置１１０との他の真空開閉手段５０側端の間隔は、基板３０の受渡しに支障のない大きさとなっている。
　　　【００１２】
　ベルト搬送装置１００のプーリ１０１、１０２とプーリ１０１、１０２に無端に巻掛けられたベルト１０３とは、ベルト搬送装置９０と同様に配設され、ベルト１０３はモータ１０４で回動駆動される。ベルト搬送装置１２０はモータ１２１でベルト１２２を回転駆動され、ベルト搬送装置１２０のベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送装置１１０の場合と同様にベルト搬送装置８０のベルト８３の一方の昇降動を阻害しないようにＶ字形に折曲され最終端のプーリ１２３は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置するように設けられている。
　　　【００１３】
　なお、べルト搬送装置１００のべルト１０３とべルト搬送装置１２０のベルト１２２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置１００とベルト搬送装置１２０との他の真空開閉手段５１側端の間隔は、基板３０の受渡しに支障のない大きさとなっている。また、ベルト搬送装置１１０のプーリ１１３とプーリ１１３に対応するプーリ１１４との間隔は、基板３０の落下を防止して良好に受渡し可能な大きさであり、ベルト搬送装置１２０のプーリ１２３に対応するプーリ１２４との間隔も同様の大きさである。なお、ベルト搬送装置８０は、ベルト８３のレベルがベルト搬送装置１１０、１２０のベルト１１２、１２２のレベル以下並びに以上になるように昇降駆動される。
　　　【００１４】
　基板受渡手段１４０は、ベルト搬送装置８０のペルト８３間の寸法より小さい基板テーブル１４１と昇降装置、例えば、シリンダ１４２とで構成されている。基板テーブル１４１は真空処理室２０と対応する位置で、この場合は、ベルト搬送装置１１０、１２０の間の位置で、ベルト搬送装置８０のベルト８３間を通過しシリンダ１４２で昇降可能に設けられている。
　　　【００１５】
　第３の基板搬送手段は、アーム搬送装置１５０、１６０である。アーム搬送装置１５０は、基板すくい具１５１とアーム１５２と回動装置、例えば、パルスモータ１５３とで構成されている。パルスモータ１５３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の一方の側（図２では左側）に設けられ、パルスモータ１５３には、アーム１５２の一端が設けられている。アーム１５２の他端には基板すくい具１５１が設けられている。また、アーム搬送装置１６０は、基板すくい具１６１とアーム１６２と回動装置、例えば、パルスモータ１６３とで構成されている。パルスモータ１６３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の他方の側（図２では右側）に設けられ、パルスモータ１６３には、アーム１６２の一端が設けられている。アーム１６２の他端には、基板すくい具１６１が設けられている。この場合、基板すくい具１５１、１６１、アーム１５２、１６２の寸法は、基板テーブル１４１並びに基板電極２１に基板３０が載置されている場合、この基板３０を基板すくい具１５１、１６１ですくい可能な寸法である。
　　　【００１６】
　また、アーム１５２、１６２は、基板すくい具１５１、１６１で基板３０を基板テーブル１４１と基板電極２１との間で搬送可能にパルス．モータ１５３、１６３でそれぞれ部分回動される。なお、この場合、アーム１５２、１６２の動作平面はアーム１５２が上面、アーム１６２で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置１５０で基板３０を基板テーブル１４１から基板電極２１へ搬送する際に、アーム搬送装置１６０で基板３０を基板電極２１から基板テーブル１４１へ搬送するのを阻害しないようになっている。
　　　【００１７】
　カセット昇降装置１３０は、カセットテーブル１３１と、カセットテーブル１３１に垂設され下端部にネジが形成された昇降ロッド１３２と、モータ１３３で回動駆動される歯車１３４と、歯車１３４と噛合し設けられると共に昇降ロッド１３２の下端部が螺合された歯車１３５とで構成されている。基板電極２１は、ラック・ピニオン機構２２を介しモータ２３の回動により昇降駆動される。また、基板電極２１の中心部には、基板支持用の爪２４が昇降装置、例えば、シリンダ２５で昇降可能に設けられている。爪２４は、その表面が基板電極２１の表面以下になる位置と、アーム搬送装置１５０、１６０の基板すくい具１５１、１６１と基板３０を受渡し可能な位置との間で昇降駆動される。
　　　【００１８】
　図１、図２で示される真空処理装置では、次のような基板処理を行うことができる。
　　　【００１９】
　まず、他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブル１３１は、最下部に下降させられ、他の真空開閉手段５１に対応するカセットテーブル（図示省略）は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段５０、５１が、例えば、シリンダ５２、５３の駆動により閉止されバッファ室１０と真空予備室６０との連通は気密に遮断されると共に、真空開閉手段４０、４１が閉止又は仕切られてバッファ室１０と外部との連通も気密に遮断される。この状態でバッファ室１０は真空排気装置（図示省略）を作動させることで所定圧力に減圧排気される。
　　　【００２０】
　一方、真空予備室６０には、外部が大気側である場合は、真空予備室６０に設けられた扉等の大気真空開閉手段（図示省略）を開放することで所定枚数の基板３０が装填された基板カセット（以下、供給カセットと略）７０と基板回収用の空の基板カセット（以下、回収カセットと略）７１とが搬入されて、供給カセット７０は他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブル１３１に、回収カセット７１は他の真空開閉手段５１に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。
　　　【００２１】
　その後、大気真空開閉手段は閉止され真空予備室６０は、真空排気装置（図示省略）でバッファ室１０の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。その後、シリンダ５２の駆動により他の真空開閉手段５０が開放され、これによりバッファ室１０と真空予備室６０とは連通状態となる。この状態下で、モータ１３３を駆動しカセットテーブル１３１を１ピッチ分下降させることで供給カセット７０の、この場合、最下部に装填された基板３０はベルト９３に載置される。
　　　【００２２】
　その後、モータ９４によりべルト９３を回転駆動することで載置された基板３０は他の真空開閉手段５０側へ搬送され、モータ１１１により回転駆動されているベルト１１２に他の真空開閉手段５０を介して渡される。ベルト１１２に渡された基板３０はベルト搬送装置８０側へ搬送される。なお、このときベルト８３のレベルがベルト１１２のレベル以下となるようにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１により降下させられている。
　　　【００２３】
　その後、基板３０がプーリ１１３、１１４にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト８３のレベルがベルト１１２のレベル以上となるようにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１により上昇させられ、これにより基板３０はベルト１１２からベルト８３へ渡される。ベルト８３に渡された基板３０は、モータ８２の駆動により基板テーブル１４１に対応する位置まで搬送された後に、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で上昇させることで基板テーブル１４１に受取られる。基板テーブル１４１に受取られた基板３０は、例えば、オリフラ合せ装置１７０でオリフラを合わされる。
　　　【００２４】
　その後、基板３０は、例えば、基板のせ具１５１に渡されアーム１５２をパルスモータ１５３で真空処理室２０側へ回転駆動することで、バッファ室１０を経て真空処理室２０の基板電極２１の上方へ搬送される。その後、爪２４をシリンダ２５で上昇させることで、基板のせ具１５１の基板３０は、爪２４に受取られる。その後、基板３０を爪２４に渡した基板のせ具１５１は、真空処理室２０外のバッファ室１０に退避させられる。その後、爪２４を、その表面が基板電極２１の表面以下となるようにシリンダ２５で下降させることで、基板３０は爪２４から基板電極２１に渡されて載置される。
　　　【００２５】
　その後、仕切り用のフランジ１８０と、フランジ１８０の裏面とバッファ室１０の底壁とに跨設されたべローズ１８１と、フランジ１８０を昇降駆動する昇降装置、例えば、シリンダ１８２とで構成される仕切り手段１８３によりバッファ１０と真空処理室２０とは仕切られる。この状態で、まず、基板電極２０と、基板電極３０の上方に対向して真空処理室２０に設けられた対向電極（図示省略）との電極間隔は、モータ２３を駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真空処理室２０には、流量を調節されてプロセスガスが導入されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動により真空処理室２０の圧力は処理圧力に調整される。
　　　【００２６】
　その後、例えば、基板電極２１に接続された電源、例えば、高周波電源（図示省略）より基板電極２１に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電極２１との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基板電極２１に載置された基板３０は、エッチング処理等所定処理される。この間、供給カセット７０からは、上記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０、８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。
　　　【００２７】
　真空処理室２０での処理が終了した後に仕切り手段１８３によるバッファ室１０と真空処理室２０の仕切りは解除され、真空処理室２０はバッファ室１０と再び連通させられる。その後、基板電極２１は、所定位置まで降下させられ、爪２４をシリンダ２５で上昇させることで、処理済みの基板３０は、基板電極２１から除去され爪２４に渡される。その後、基板のせ具１６１を爪２４に渡された基板３０の裏面に対応する位置まで回転させた後に、爪２４をシリンダ２５で下降させることで、処理済みの基板３０は基板のせ具１６１に渡される。
　　　【００２８】
　その後、基板のせ具１５１に渡された基板３０は、基板テーブル１４１から基板電極２１へ、また、基板のせ具１６１に渡された処理済みの基板３０は基板電極２１から基板テーブル１４１へそれぞれ搬送される。基板電極２１へ搬送された基板３０は、上記した操作により所定処理される。この間、基板テーブル１４１に搬送された処理済みの基板３０は、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で下降させることでベルト搬送装置８０のベルト８３に渡され、その後、ベルト８３、１２２のモータ８２、１２１による回転駆動で他の真空開閉手段５１側へ搬送される。なお、ベルト８３からべルト１２２への処理済みの基板３０の受渡しは、ベルト１１２からベルト８３への基板３０の受渡しと逆操作により行われる。シリンダ５３の駆動により他の真空開閉手段５１が開放され、モータ１０４によりベルト１０３を回転駆動することで、他の真空開閉手段５１側へ搬送されてきた処理済みの基板３０は他の真空開閉手段５１を介して真空予備室６０に搬入され、その後、カセットテーブルを１ピッチ分上昇させることで回収カセット７１に回収される。
　　　【００２９】
　また、供給カセット７０からは上記した操作により基板３０が取り出されべルト搬送装置１１０、８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。
　　　【００３０】
　以上のような操作を繰り返し実施することで、供給カセット７０からは基板３０が１枚毎取り出され、真空予備室６０からバッファ室１０を経て真空処理室２０に搬送され、真空処理室２０で１枚毎処理され、処理済みの基板３０は、真空処理室２０からバッファ室１０を経て真空予備室６０に搬送されて１枚毎回収カセット７１に回収される。
　　　【００３１】
　図３は、図１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して２モジュール連設した場合の例を示すものである。なお、図３での構成部品は、図２のそれと全て同一であり、したがって、構成、作用等の説明は省略する。図３で示される真空処理装置では、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すような基板処理を行うことができる。
　　　【００３２】
　即ち、図４（ａ）に示すように基板３０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でシリーズ処理することも、図４（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でパラレル処理することも、図４（ｃ）に示すように、基板３０を、連設された真空処理装置毎の真空処理室２０でパラレル処理することもできる。
　　　【００３３】
　なおこのような基板処理モードで図４（ａ）、（ｂ）に示される基板処理モードの場合、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）を少なくとも１個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を少なくとも１個セットするようにする。また、図４（ｃ）に示される基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予備室６０に供給カセヅト（図示省略）、回収カセット（図示省略）を各１個セットするようにする。
　　　【００３４】
　また、図１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して２モジュール連設した場合、各真空処理装置における基板３０の搬送はバッファ室１０を経ることで行われる。
　　　【００３５】
　更に、図１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して３モジュール以上連設した場合は、図４に示すような基板処理モードに加えて図５（ａ）、（ｂ）に示すような基板処理を行うことができる。
　　【００３６】
　即ち、図５（ａ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の前段の真空処理装置の真空処理室２０と、この場合は、中段の真空処理装置の真空処理室２０とで、まず、パラレル処理し、引続き後段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理することも、図５（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理することもできる。
　　　【００３７】
　なお、このような基板処理モードの場合、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）を２個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を２個セットするようにする。
　　　【００３８】
　また、各真空処理装置の真空処理室２０で基板３０をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセットを１個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを１個セットするようにする。
　　　【００３９】
　また、各真空処理装置の真空処理室で基板３０をパラレル処理する場合は、前段の真空処理装置の真空予備室に供給カセットを少なくとも１個セットし後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを少なくとも１個セットするようにする。
　　　【００４０】
　また、各真空処理装置を独立させそれぞれの真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットとを各１個セットするようにする。また、図１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して３モジュール以上連設した場合でも、各真空処理装置における基板３０の搬送は、バッファ室１０を経ることで行われる。
　　　【００４１】
　本実施例のような真空処理装置では、次のような効果が得られる。
（１）プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。
（２）基板は真空排気されているバッファ室を経て次の真空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理室へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問題なく適用できる。
（３）第２の基板搬送手段と第３の基板搬送手段とを平行とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることができ、多モジュール構成がし易くなっている。
（４）真空予備室を真空排気可能なカセット室としているので、真空処理装置の奥行寸法を小さくすることができ、多モジュールシステムでは、１モジュールに　２個のカセットをセットすることも可能でスループット向上時のカセットセッ　ト時間間隔を長くすることができる。
（５）第３の基板搬送手段として動作平面の異なるアーム搬送装置を用いているので、真空処理室への基板の搬入、搬出を同時に行うことができるので、スルー　プットを向上できる。
（６）多モジュールによるシリーズ処理あるいはパラレル処理が可能となるため、真空処理装置の小形化と合わせ床面積当りのスループットを向上させることができる。
（７）バッファ室に設けられる真空開閉手段の開口面積は、基板が１枚通過可能な面積であればよく、したがって、多モジュールの場合、真空処理装置間での残　留プロセスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装置でのプロセス　ガスに対する独立性を確保できる。
　　　【００４２】
　なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくして、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、図６に示すように、真空予備室６０′を例えば、真空開閉手段４０を介してバッファ室１０に具設すると共に、矢印Ａ方向に基板３０を搬送する第１の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）との間で真空開閉手段４０を介して矢印Ｅ方向に基板３０を受渡し可能に第２の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）を真空予備室６０′に設けるようにする。この場合、他の真空開閉手段は不用である。
　　　【００４３】
　以上、説明した実施例では、真空予備室を供給カセット、回収カセットが外部より搬入されてセットされるような真空予備室としているが、特に、このような真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カセット、回収カセットを真空予備室に固定してセットし、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットから取り出して外部へ搬出するようにしても良い。
　　　【００４４】
　また、第１の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段との間で搬送するようなものであれば良い。また、第２の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、アームが直進するアーム搬送装置、アームが回動ずるアーム搬送装置等を用いても良い。
　　　【００４５】
　　【発明の効果】
　本発明の真空処理装置によれば、真空処理室とバッファ室間で基板を一枚づつ搬送する基板搬送手段は、同じバッファ室内に設けられかつ同一の真空処理室に基板を搬出入するために裏面から基板を保持する第１の基板受け部及び第２の基板受け部を有し、同一の真空処理室への基板の搬出入のために第１の基板受け部及び第２の基板受け部を個別に作動させるので、真空処理室への基板の搬出入と、基板処理の効率を高め、スループットを向上させることができるという効果がある。
　また、本発明の真空処理装置の使用方法によれば、第１の基板受け部が処理済の基板を当該真空処理室から搬出する間に、真空処理室外で第２の基板受け部が別の処理前の基板を保持しており、処理済基板の搬出後、該第２の基板受け部が当該真空処理室に該別の処理前基板を搬入するので、真空処理室への基板の搬出入と、基板処理の効率を高め、スループットを向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による真空処理装置の一実施例を示す平面図。
　【図２】
　図１の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
　【図３】
　図１の真空処理装置を２モジュール連設した真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
　【図４】
　（ａ）ないし（ｃ）は、２モジュール真空処理装置での基板処理モード図。
　【図５】
　（ａ）、（ｂ）は、３モジュール真空処理装置での他の基板処理モード図。
　【図６】
　本発明による真空処理装置の他の実施例を示す平面図。
　　【符号の説明】
　１０…バッファ室、２０…真空処理室、３０…基板、４０、４１…真空開閉手段、５０、５１…他の真空開閉手段、６０、６０′…真空予備室、８０ないし１２０…ベルト搬送装置、１４０…基板受渡手段、１５０、１６０…アーム搬送装置
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による真空処理装置の一実施例を示す平面図。
　【図２】
　図１の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
　【図３】
　図１の真空処理装置を２モジュール連設した真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
　【図４】
　（ａ）ないし（ｃ）は、２モジュール真空処理装置での基板処理モード図。
　【図５】
　（ａ）、（ｂ）は、３モジュール真空処理装置での他の基板処理モード図。
　【図６】
　本発明による真空処理装置の他の実施例を示す平面図。
　　【符号の説明】
　１０…バッファ室、２０…真空処理室、３０…基板、４０、４１…真空開閉手段、５０、５１…他の真空開閉手段、６０、６０′…真空予備室、８０ないし１２０…ベルト搬送装置、１４０…基板受渡手段、１５０、１６０…アーム搬送装置
【図面】