【事件の表示】
　特許第３００８７６８号「バンプの形成方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００８７６８号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
1. 手続の経緯
　特許第３００８７６８号の請求項１、２に係る発明は、平成６年１月１１日に特許出願され、平成１１年１２月３日に設定の登録がなされた後、本件請求項１、２に係る発明の特許について、特許異議申立人大和田百合子（以下、「申立人」という）により、平成１２年８月１１日に特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月２６日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正請求の適否
（２−１）訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書を平成１２年１２月２６日付けの訂正請求書に添付された明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その内容は次のとおりである。
（２−１−１）訂正事項Ａ
　特許請求の範囲の
「【請求項１】電子部品の表面に形成された電極上にバンプを形成する方法であって、電極上に溶融した半田に対するヌレ性がこの電極よりもよい素材にて球面を有するバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核を覆うようにクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させることを特徴とするバンプの形成方法。
【請求項２】前記素材が半田であることを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方法。」を、「【請求項１】電子部品の表面に形成された電極上にバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核にクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させてこの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法であって、前記核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成するとともにこの核の表面を球面とし、前記スクリーン印刷手段によって前記核を中心にこの核を覆うようにクリーム半田を塗布することを特徴とするバンプの形成方法。
【請求項２】前記素材が半田であることを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方法。」に訂正する。
（２−１−２）訂正事項Ｂ
　段落【０００８】の、「【課題を解決するための手段】このために本発明は、電子部品の電極上に溶融した半田に対するヌレ性がこの電極よりもよい素材にて球面を有するバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核を覆うようにクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させることにより、バンプを形成するものである。」を、「【課題を解決するための手段】このために本発明は、電子部品の表面に形成された電極上にバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核にクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させてこの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法であって、前記核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成するとともにこの核の表面を球面とし、前記スクリーン印刷手段によって前記核を中心にこの核を覆うようにクリーム半田を塗布するようにしたものである。」に訂正する。
（２−２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、および拡張・変更の存否
（２−２−１）訂正事項Ａについて
　訂正事項Ａは、請求項１において、「電極上に溶融した半田に対するヌレ性がこの電極よりもよい素材にて球面を有するバンプの核を形成し」を、より下位の概念である「半田バンプの核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成する」に限定するものであるから、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、請求項１に係る発明を上記のように訂正することは、【００１１】、【００１２】、【００１３】、【００１４】の記載および図１から読みとれる。したがって、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
（２−２−２）訂正事項Ｂについて
　訂正事項Ｂは、上記訂正事項Ａの訂正にあわせて、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、この訂正は、願書に添付した明細書および図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
（２−３）訂正の認否
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書および同第３項の規定で準用する同法第１２６条第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立て
（３−１）本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１、２に係る発明は、訂正請求書に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのもの（以下、「本件発明１」、「本件発明２」という）である。
「【請求項１】電子部品の表面に形成された電極上にバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核にクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させてこの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法であって、前記核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成するとともにこの核の表面を球面とし、前記スクリーン印刷手段によって前記核を中心にこの核を覆うようにクリーム半田を塗布することを特徴とするバンプの形成方法。
【請求項２】前記素材が半田であることを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方法。」
（３−２）申立人の主張する特許異議申立ての理由
本件発明１、２は、下記甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それらの発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（３−３）証拠方法
　甲第１号証：特開平　２−１５００３１号公報
　甲第２号証：特開昭６２−２０４５４７号公報
（３−３−１）甲第１号証の記載事項
　特許請求の範囲には、「基板上に、第１のマスク印刷により第１はんだペースト・パターンを形成する工程、該第１のはんだペースト・パターンを該基板に並行な平板により加圧しながら溶融して前記第１のはんだペースト・パターンより薄い平板状の第１次はんだバンプを形成する工程、該第１次はんだバンプ上に、第１のマスク印刷と同一のマスクを用いる第２のマスク印刷により第２のはんだペースト・パターンを形成する工程、該第１次はんだバンプと第２のはんだペースト・パターンを溶融合体せしめて上面が球面状の第２次はんだバンプを形成する工程を含むことを特徴とするはんだバンプの形成方法。」が記載され、その工程図が第１図に示されている。
（３−３−２）甲第２号証の記載事項
　第１次はんだバンプの上に第２次はんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、第１次はんだバンプの形状が球面である点として、第５頁左下欄第１９行目〜第６頁左上欄第３行目に第３図を引用して、「次に、第３図に示すような超音波はんだづけ装置を用いて、このシリコンウェハ１１の電極上にはんだバンプを形成した。第３図において、はんだ槽４１内にははんだの還流路４２が形成され、溶融はんだ４３が収容されている。この溶融はんだ４３は図示しないモータにより回転される撹伴棒４４により還流路４２内を通ってはんだ槽４１中央部で液面より上に噴出して還流する。前記シリコンウェハ１１は裏面をバキュームチャックにより吸着された状態で、電極が形成されている表面の全面が噴出した溶融はんだ４３の液面に浸漬される。そして、はんだ槽４１の底面から超音波振動子４５を挿入し、シリコンウェハ１１近傍の溶融はんだ４３に超音波を印加する。なお、はんだとしてはＡｇを２％含むＰｂ−Ｓｎの共晶はんだを使用し、はんだ槽温度を２６０℃に維持した。また、超音波振動子４５により溶融はんだ４３に周波数３０ｋＨｚ、出力５０Ｗの超音波を印加し、シリコンウェハ１１の浸漬時間は３秒間とした。このはんだづけ操作中、周囲にＡｒガスを２０１／分の流量で流した。この操作により第２図に示すようなバンプ高さ１０μｍのはんだバンプが形成された。更に、超音波を印加しない一般のはんだ槽内に２秒間浸漬してバンプ高さを２０μｍとした。」が記載されている。
（３−４）対比・判断
（３−４−１）本件発明１について
　甲第１号証には、２段階で半田バンプを形成するすること、および、各段階で使用される半田が半田ペーストである点が、また、甲第２号証には、２段階で半田バンプを形成する際の第１段階の半田バンプが球面である点がそれぞれ記載されていることは認められるにしても、本件発明１を構成する事項である、「電極上のバンプの核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成するとともにこの核の表面を球面とし、前記スクリーン印刷手段によって前記核を中心にこの核を覆うようにクリーム半田を塗布する」（以下、「要件Ａ」という）については、甲第１、２号証の何れにも開示されておらず、また、示唆もされていない。そして、本件発明１は、上記「要件Ａ」を備えることにより、「クリーム半田が側方へ流動してブリッジが生じるのを防止しながら、狭ピッチ化した電子部品の電極上に形状のよいしかも体積の大きいバンプを確実に形成することができる。特に、核は球面を有するので、その表面積は大きく、したがってこの核を覆うように塗布されて溶融したクリーム半田はこの全表面に吸い付けられるので側方へ流動しにくく、したがってこの全表面にしっかり付着し、自身の表面張力によって球形に形を整えることにより、形状がよくしかも体積の大きいバンプを形成することができる。」（本件明細書【００１７】参照）という明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３−４−２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を引用して記載したものであるから、前記「要件Ａ」を発明を構成する事項として備えるものであるところ、前記「要件Ａ」については、甲第１、２号証の記載から容易になしえたものと認められない以上、本件発明２は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３−５）まとめ
 　以上のとおりであるから、本件発明１、２の特許は、特許異議の申立ての理由および証拠方法によっては取消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１８日（２００１．１．１８）
【訂正の要旨】
　　訂正の要旨
１．特許請求の範囲について
　特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】電子部品の表面に形成された電極上にバンプを形成する方法であって、電極上に溶融した半田に対するヌレ性がこの電極よりもよい素材にて球面を有するバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核を覆うようにクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させることを特徴とするバンプの形成方法。
　【請求項２】前記素材が半田であることを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方法。」を、「【請求項１】電子部品の表面に形成された電極上にバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核にクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させてこの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法であって、前記核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成するとともにこの核の表面を球面とし、前記スクリーン印刷手段によって前記核を中心にこの核を覆うようにクリーム半田を塗布することを特徴とするバンプの形成方法。
　【請求項２】前記素材が半田であることを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方法。」に訂正する。
２．発明の詳細な説明について
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
　【０００８】の「【課題を解決するための手段】このために本発明は、電子部品の電極上に溶融した半田に対するヌレ性がこの電極よりもよい素材にて球面を有するバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核を覆うようにクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させることにより、バンプを形成するものである。」を、「【課題を解決するための手段】このために本発明は、電子部品の表面に形成された電極上にバンプの核を形成した後、スクリーン印刷手段によりこの核にクリーム半田を塗布し、次いでリフロー手段によりこのクリーム半田を加熱して溶融固化させてこの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法であって、前記核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成するとともにこの核の表面を球面とし、前記スクリーン印刷手段によって前記核を中心にこの核を覆うようにクリーム半田を塗布するようにしたものである。」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
バンプの形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】電子部品の表面に形成された電極上にバンプ
の核を
核に
てこの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法であって、
　
前記核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成するとともにこの核の表面を球面とし、前記スクリーン印刷手段によって前記核を中心にこの核を覆うようにクリーム半田を塗布す
　【請求項２】前記素材が半田であることを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、基板やチップなどの電子部品の表面に形成された電極上にバンプを形成するバンプの形成方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　電子部品を小型高密度化するための手段として、電子部品の表面に電極をマトリクス状に多数個形成し、この電極上にバンプ（突出電極）を形成する方法が知られている。またバンプの形成方法として、スクリーン印刷手段により電極上にクリーム半田を塗布した後、電子部品を加熱炉で加熱することにより、クリーム半田を溶融固化させてバンプを形成する方法が知られている。
　【０００３】
　　【発明が解決しようとする課題】
　スクリーン印刷手段によれば、バンプを低コストで作業性よく形成できる利点があるが、クリーム半田をリフロー装置の加熱炉で加熱して溶融させた際に、溶融したクリーム半田が流動して相隣る電極上のクリーム半田同士が一体化し、過大なバンプが生じたり、相隣る電極上のバンプ同士が短絡するブリッジを生じやすいという問題点があった。次に図３（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照しながらその理由を詳述する。
　【０００４】
　図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のバンプの形成方法の説明図であって、バンプが形成される基板の断面を示している。まず図３（ａ）に示すように、基板１の表面に形成された電極２上にスクリーン印刷手段によりクリーム半田３を塗布する。４は電極２の間に形成されたレジスト膜である。クリーム半田３を塗布するスクリーン印刷手段としては、例えば特開平３−２００９９号公報に記載されたものが知られている。
　【０００５】
　次にこの基板１をリフロー装置の加熱炉へ送り、クリーム半田３を加熱処理する。リフロー装置としては、例えば特開平２−２６３５７０号公報に記載されたものが知られている。図３（ｂ）はリフロ一中の基板の断面を示すものであって、図示するようにクリーム半田３を加熱すると、クリーム半田３は溶融し、側方へ流動化するため、図示するように相隣る電極２上のクリーム半田３同士がつながってしまう。そして溶融したクリーム半田３は半田内圧が低い側（本例では右側）へ次第に吸い寄せられ（破線矢印参照）、図３（ｃ）において実線で示すように右側の電極２上に過大なバンプ３ｄが生じたり、あるいは破線で示すように電極２上に不良形状のバンプ３ｂとブリッジ３ｃが生じやすいものである。
　【０００６】
　しかし、近年は電子部品の高集積・高密度化の要請から電極は次第に狭ピッチ化する傾向にあり、またバンプが固着される相手方電子部品の電極にバンプをしっかり固着するためにはバンプの体積をより大きくすることが望ましいが、このように電極が狭ピッチ化するほどまたバンプの体積が大きくなるほど、上記問題点は顕著化するものであった。また上記した問題点は、フリップチップを形成するために、ウエハから切り出されたチップの電極上にバンプを形成する場合にも同様に生じる。
　【０００７】
　そこで本発明は上記従来方法の問題点を解消し、電子部品の電極上に形状のよい、しかも体積の大きいバンプを確実に形成できるバンプの形成方法を提供することを目的とする。
　【０００８】
　　【課題を解決するための手段】
　このために本発明は、電子部品の
表面に形成された
にバ
核に
てこの電極上にバンプを形成するバンプの形成方法であって、前記核を、溶融した前記クリーム半田と前記電極とのヌレ性よりも溶融した前記クリーム半田とのヌレ性が大きな素材で形成するとともにこの核の表面を球面とし、前記スクリーン印刷手段によって前記核を中心にこの核を覆うようにクリーム半田を塗布するようにした
　【０００９】
　【作用】
　上記構成によれば、電子部品の表面に形成された電極上に予め核を形成し、この核を覆うようにクリーム半田を塗布した後、このクリーム半田をリフロー手段により加熱して溶融させる際には、溶融したクリーム半田は核の表面にしっかり吸い付けられ、したがってクリーム半田が側方へ流動して相隣るクリーム半田がつながり、ブリッジが発生するようなことはなく、各電極上に形状のよい、しかも体積の大きいバンプを確実に形成することができる。
　【００１０】
　【実施例】
　次に、図面を参照しながら本発明の一実施例を説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図であって、工程順に示している。まず図１（ａ）に示すように、基板１の電極２上にスクリーン印刷手段によりクリーム半田３を塗布する。スクリーン印刷手段のスクリーンマスクはその厚さを薄くしてあり、したがって電極２上に塗布されたクリーム半田３の厚さＤは従来例である図３（ａ）の場合よりもかなり薄く、したがってクリーム半田３の塗布量は少ない。なおクリーム半田３の塗布量を少なくするためには、スクリーンマスクのパターン孔の開孔面積を小さくしてもよい。
　【００１１】
　次にこの基板１をリフロー装置の加熱炉へ送り、基板１を加熱してクリーム半田３を溶融させる。図１（ｂ）は加熱中のクリーム半田３を示しており、クリーム半田３は加熱されることにより溶融し流動化するが、上述のようにクリーム半田３の量は少ないので、図３（ｂ）に示す従来例のように、相隣る電極２上のクリーム半田３がつながることはない。
　【００１２】
　さらにリフローが進行するのにともない、クリーム半田３は完全に溶融し、図１（ｃ）に示すように溶融したクリーム半田３はヌレ性のよい電極２上に吸い寄せられ、かつ自身の表面張力により球形化し、次いで基板１を冷却することにより溶融したクリーム半田３は球形のまま固化する。この固化した小さな球形のクリーム半田３は球面を有するバンプの核となるものであり、以下、この小さく固化したクリーム半田３を核と呼称する。
　【００１３】
　次に図１（ｄ）に示すように、スクリーン印刷手段により、この核３を覆うようにクリーム半田３’を塗布する。このスクリーン印刷手段のスクリーンマスクは、核３をクリーム半田３’で覆えるように、その厚さは核３の高さよりも厚くしてある。
　【００１４】
　次にこの基板１をリフロー装置の加熱炉へ送り、基板１を加熱してクリーム半田３’を溶融させる。この場合、核３の素材は上述のようにクリーム半田であり、新たにこれを覆うように塗布されたクリーム半田３’と同材質であるので、核３と新たなクリーム半田３’のヌレ性は電極２とのヌレ性よりもきわめて大きく、しかも核３は球形であるのでその表面積は大きい。このため溶融したクリーム半田３’は核３の全表面に吸い付けられて側方へ流動しにくく、したがって図１（ｅ）に示すように溶融したクリーム半田３’は核３の表面にしっかり付着し、自身の表面張力によって球形に形を整える。その後、溶融したクリーム半田３’は溶融した核３と融合し、基板１を冷却して固化させれば、バンプ３ａが完成する。
　【００１５】
　以上のように本方法は、まず電極２上に小さな核３を形成し、この核３を中心にして更にクリーム半田３’を追加して塗布するようにしているので、体積の大きいバンプ３ａを形成することができる。しかも溶融した半田に対する核３のヌレ性は大きくかつ核３は球形であってその表面積は大きいので、溶融したクリーム半田３’をその全表面にしっかり吸い付けて側方へ流動するのを抑制でき、したがって上述した従来例のように過大なバンプやブリッジが生じることはなく、各電極２上に形状のよい大形のバンプを確実に形成することができる。
　【００１６】
　図２（ａ）（ｂ）は本発明の他の実施例のバンプの形成方法の説明図である。図２（ａ）において、基板１の電極２上には電解メッキ手段などにより半田プリコート部５が薄く（厚さＤ）形成されている。この半田プリコート部５をフュージングにより溶融させて、図２（ｂ）に示す球面を有する半球状の核３を形成する。これ以後は、図１（ｄ）（ｅ）と同様であって、この核３を覆うクリーム半田３’をスクリーン印刷手段により形成した後、リフロー装置の加熱炉で基板１を加熱してクリーム半田３’を溶融させることによりバンプ３ａを形成する。なお上記実施例は、電子部品として基板１を例にとって説明したが、チップの電極上にバンプを形成するフリップチップの製造にも適用できるものである。また核に半田を使用する場合、クリーム半田とこの核になる半田の融点は同じであっても異っていても差しつかえはない。
　【００１７】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明は、電子部品の電極上に、ヌレ性のよい素材にて核を形成し、次いでこの核を覆うようにクリーム半田を塗布した後、このクリーム半田を溶融固化させてバンプを形成するようにしているので、クリーム半田が側方へ流動してブリッジが生じるのを防止しながら、狭ピッチ化した電子部品の電極上に形状のよいしかも体積の大きいバンプを確実に形成することができる。特に、核は球面を有するので、その表面積は大きく、したがってこの核を覆うように塗布されて溶融したクリーム半田はこの全表面に吸い付けられるので、側方へ流動しにくく、したがってこの全表面にしっかり付着し、自身の表面張力によって球形に形を整えることにより、形状がよくしかも体積の大きいバンプを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　（ａ）は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
　（ｂ）は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
　（ｃ）は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
　（ｄ）は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
　（ｅ）は本発明の一実施例のバンプの形成方法の説明図
　【図２】
　（ａ）は本発明の他の実施例のバンプの形成方法の説明図
　（ｂ）は本発明の他の実施例のバンプの形成方法の説明図
　【図３】
　（ａ）は従来のバンプの形成方法の説明図
　（ｂ）は従来のバンプの形成方法の説明図
　（ｃ）は従来のバンプの形成方法の説明図
　【符号の説明】
　１　基板
　２　電極
　３，３’クリーム半田
　３ａ　バンプ
　５　半田プリコート部