【事件の表示】
　特許第２８３７００７号「ＥＬディスプレイ素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８３７００７号の特許を維持する。
【理　由】
〔1〕手続きの経緯
　本件特許第2837007号（以下「本件特許」という。）は、平成3年10月24日の出願であって、平成10年10月9日に特許権の設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社により特許異議の申立てがなされた。そして、当審において取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成11年10月26日に訂正請求がなされ、さらにその後、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成12年3月7日に訂正請求書の補正がなされたものである。
〔2〕訂正請求書の補正の適否についての判断
　上記訂正請求書の補正は、
1)訂正請求書に添付された全文訂正明細書（以下「訂正明細書という」。）の特許請求の範囲の請求項１の「前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物とした」を「前記発光層から最も離れた部分では酸化物とした」と補正し、
2)訂正明細書の課題を解決するための手段の項の「前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物としたことを特徴とする」を、「前記発光層から最も離れた部分では酸化物としたことを特徴とする」と補正し、
3)訂正明細書の作用及び効果の項の「前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物とされる。」を「前記発光層から最も離れた部分では酸化物とされる。」と補正するものである。
　上記補正は、訂正の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するので、当該補正を認める。
〔3〕訂正の適否についての判断
(1)訂正の内容
　本件補正後の訂正請求の要旨は、以下のとおりのものである。
1)特許明細書の特許請求の範囲の「絶縁性基板上に電極間に挟持された発光層を有し、」を「絶縁性基板上に電極間に挟持され、硫化亜鉛（ZｎS）を含む発光層を有し、」と訂正し、
2)特許明細書の特許請求の範囲の「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物とした」を「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、前記発光層から最も離れた部分では酸化物とした」と訂正し、
3)発明の詳細な説明の段落【0005】における、「絶縁性基板上に電極間に挟持された発光層を有し、」を「絶縁性基板上に電極間に挟持され、硫化亜鉛(ZnS)を含む発光層を有し、」と訂正し、
4)発明の詳細な説明の段落【0005】における、「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物とした」を「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、前記発光層から最も離れた部分では酸化物とした」と訂正し、
5)発明の詳細な説明の段落【0006】における、「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物とされる。」を「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、前記発光層から最も離れた部分では酸化物とされる。」と訂正するものである。
(2)訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正1)は、発光層を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして当該訂正は、特許明細書の段落【0006】の「硫化亜鉛(ZnS)に代表される発光層」なる記載、特許明細書の段落【0009】の「発光層4としたは、母体材料を硫化亜鉛(ZnS)としマンガン(Mn)を少量添加してオレンジ色発光を呈するZnS：Mnを用いた」なる記載に基づくものである。したがって、この事項は、特許明細書の記載に基づくものであるから、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　上記訂正2)は、窒化物系絶縁膜の構成材料の組成比を限定するとともに、並列的記載の一方を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
  そして、当該訂正は、図２、特許明細書の段落【0010】の「窒化物系絶縁膜は、発光層に隣接した接触部分ではSiNＸの形であり、発光層から離れるにつれてSiOＸNＹの形となり」及び「成膜開始時にはスパッタ装置のチャンバー内にアルゴンガスと窒素ガスのみを供給し、徐々に窒素ガスを増加させ最後は窒素ガスを０にし、アルゴンガスと酸素ガスのみで成膜した。」なる記載に基づくものであるから、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　上記訂正3)ないし5)は、発明の詳細な説明の課題を解決するための項の記載及び同作用及び効果の項の記載を特許請求の範囲の記載と整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
(3)独立特許要件
1)訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、訂正明細書の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
「絶縁性基板上に電極間に挟持され、硫化亜鉛（ZｎS）を含む発光層を有し、該発光層と前記何れかの電極との間に絶縁層を配置したELディスプレイ素子であって、
  前記発光層と隣接する前記絶縁層を窒化物系絶縁膜で構成し、かつ該窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも前記発光層との接触部分では酸素を含まない窒化物とし、前記窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、前記発光層から最も離れた部分では酸化物としたことを特徴とするELディスプレイ素子。」
2)引用刊行物記載の発明
　平成11年4月21日付け取消理由通知書で引用した刊行物１（特開昭62-170191号公報）には、薄膜発光素子の製造方法に関し、以下の事項が記載されている。
a)「ＳｉＮ膜のみで第２誘電体層を形成した場合には、絶縁耐圧は高いが、絶縁破壊がプロパゲーティングモード（propagatinng mode）であり破壊点が大きく、絵素欠けが発生しやすいという問題がある。」（第2頁右上欄第7〜11行）
b)「この発光層5の形成は、発光層5の母材となるＺｎＳに発光センターとなるＭｎ、Ｄｙ、Ｔｍあるいはこれらの化合物を添加した焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより行われる。その膜厚は6000〜8000Å程度に設定し、成膜後真空アニールする。次にこの発光層5を下地層としてこの上に、プラズマＣＶＤ法でＳｉＮ膜10を形成する。このとき、原料ガスとしては、ＳｉＨ４とＮ２の混合ガスを用いる。」（第2頁左下欄第19行〜同右下欄第7行）
c)「上部誘電体層をプラズマＣＶＤ法によるＳｉＮ膜10とＳｉＯ膜11を重畳することにより形成すると、絶縁破壊のモードがセルフヒーリング（self heuling）となり、破壊が小さく押さえられ、素子の信頼性向上が図れる。」（第3頁左欄第12〜17行）
  同刊行物２（特開平2-189891号公報）には、薄膜ＥＬ素子に関し、以下の事項が記載されている。
a)「上記薄膜ＥＬ素子の駆動時に生ずる絶縁破壊のモードは、上記膜中の酸素量が増加するに伴いプロパゲイトモード（拡大型）からセルフヒーリングモード（自己回復型）に移行して、」（第3頁右上欄第5〜8行）
b)「積層して構成する場合、上部絶縁層は、発光層5と接する側を窒素リッチ（ｚ／ｙは小）にする一方、背面電極8に接する側を酸素リッチ（ｚ／ｙは大）にすれば、素子の特性を損うことがないので好ましい。」（第3頁右下欄第13〜17行）
c)「下部絶縁層を積層して構成する場合、発光層5と接する側を窒素リッチにする一方、透明電極2に接する側を酸素リッチにするのが好ましい。」（第4頁左上欄第4〜7行）
d)「上記ＳｉＸＮＹＯＺ：Ｈ膜の膜中の酸素と窒素の組成比（ｚ／ｙ）が０から3.0の範囲にあり、かつ珪素と窒素の組成比（ｘ／ｙ）が0.7から3.0の範囲にある場合、絶縁破壊する際にセルフヒーリングモードを示し、エージングに対して安定で、かつ実用的な輝度を示す薄膜ＥＬ素子を提供することができる。」（第4頁左上欄第17行〜同右上欄第3行）
  同刊行物３（特開平1-204394号公報）には、薄膜ＥＬ素子に関し、以下の事項が記載されている。
a)「少なくとも一方が透明電極である一対の電極の間に、二つの絶縁層にサンドイッチ状にはさまれた発光層を設けた薄膜ＥＬ素子において、前記絶縁層は窒化物と酸化膜の積層膜であり、かつ、窒化膜は前記発光層側に形成され、さらに前記窒化膜を構成する金属元素と前記酸化物を構成する金属元素が同じものであることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。」（特許請求の範囲１．）
b)「酸素プラズマによる酸化防止ができ、素子の輝度劣化を防止することができる。」（第2頁左下欄第2〜4行）
c)「この上に、第一絶縁層3として、ＳｉＯ２を120ｎｍの厚さに、ＡｒとＯ２ガス雰囲気中でＲＦスパッタリング法で形成した。さらに、同一バッチ内で絶縁層4、Ｓｉ３Ｎ４をＡｒとＮ２混合ガス雰囲気中でスパッタリング法で200ｎｍ形成した。」（第2頁右下欄第1〜6行）
d)「次に発光層5上に第一絶縁層3、4と同一条件で第二絶縁層6を発光層5に接する上面に　Ｓｉ３Ｎ４膜を200ｎｍ、さらに、その上部に　　ＳｉＯ２膜7を120ｎｍ形成した。」（第2頁右下欄第10〜13行）
　同刊行物４（特開平3-40393号公報）には、薄膜ＥＬ素子に関し、以下の事項が記載されている。
a)「上記上部絶縁層6は、プラズマＣＶＤ法によってＳｉ３Ｎ４膜6a、ａ−Ｓｉ膜6b、ＳｉＯＮ膜6cの順に次のように形成する。まず、Ｓｉ３Ｎ４膜6aは、原料ガスとしてＳｉＨ４ガスおよびＮ２ガスを用いてＳｉＨ４ガス濃度２％で形成する。ａ−Ｓｉ膜6bはＳｉＨ４ガスのみを用いて形成する。
ＳｉＯＮ膜6cはＳｉＨ４ガス、Ｎ２ガスおよびＮ２Ｏガスを用いてＳｉＨ４ガス濃度２％、Ｎ２Ｏガス濃度２％で形成する。」（第2頁左下欄第4〜12行）
b)「ＥＬ素子の絶縁破壊特性は、ＳｉＯＮ膜の膜厚及び膜中の酸素量及びａ−Ｓｉ膜の膜厚に依存する。」（第3頁第11〜13行）
c)「ガラス基板1に垂直方向に積層する際に、それぞれ原料ガスＳｉＨ４、Ｎ２ 、Ｎ２Ｏ各ガスの混合比を徐々に変化させることによって、組成を連続的に変化させるようにしても良い。」（第3頁右上欄第3〜7行）
3)対比・判断
　そこで、本件請求項１に係る発明と、上記各刊行物１ないし４に記載の発明とを対比する。
　上記刊行物１には、誘電体層をSiN膜10とSiO膜11を重畳することにより形成することは記載されているが、本件請求項１に係る発明を特定する事項である「窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少」するようにした構成については、記載も示唆もされていない。
　上記刊行物２には、絶縁層の発光層5と接する側を窒素リッチにする一方、背面電極8に接する側を酸素リッチにすることは記載されているが、本件請求項１に係る発明を特定する事項である「窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少」するようにした構成については、記載も示唆もされていない。
  上記刊行物３には、絶縁層をSi３N４膜とSiO２膜の２層より形成することは記載されているが、本件請求項１に係る発明を特定する事項である「窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少」するようにした構成については、記載も示唆もされていない。
  上記刊行物４には、絶縁層6をSi２N４膜、a−Si膜、SiON膜の３層より形成することは記載されているが、本件請求項１に係る発明を特定する事項である「窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少」するようにした構成については、記載も示唆もされていない。
　したがって、本件請求項１に係る発明が、上記刊行物１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできないから、本件請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
(4)むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
〔4〕特許異議申立てについての判断
1)申立ての理由の概要
　申立人、シャープ株式会社は、本件請求項１に係る発明は、本件発明の出願前に頒布された甲第１号証（上記「刊行物１」と同じ。）、甲第２号証（上記「刊行物２」と同じ。）、甲第３号証（上記「刊行物３」と同じ。）、甲第４号証（上記「刊行物４」と同じ。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。よって、本件発明は、同法第１１３条第２号の規定により取り消されて然るべきものである旨、主張している。
2)当審の判断
　本件請求項１に係る発明は、上記〔3〕(3)3)で示したように、取消理由通知で示した刊行物に記載された発明から容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　したがって、上記異議申立人の主張は採用できない。
　また、他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月２１日（２０００．４．２１）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
１）特許明細書の特許請求の範囲の「絶縁性基板上に電極間に挟持された発光層を有し、」を「絶縁性基板上に電極間に挟持され、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含む発光層を有し、」と訂正し、
２）特許明細書の特許請求の範囲の「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物とした」を「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、前記発光層から最も離れた部分では酸化物とした」と訂正し、
３）発明の詳細な説明の段落【０００５】における、「絶縁性基板上に電極間に挟持された発光層を有し、」を「絶縁性基板上に電極間に挟持され、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含む発光層を有し、」と訂正し、
４）発明の詳細な説明の段落【０００５】における、「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物とした」を「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、前記発光層から最も離れた部分では酸化物とした」と訂正し、
５）発明の詳細な説明の段落【０００６】における、「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも前記発光層から最も離れた部分では酸素を含む窒化物又は酸化物とされる。」を「前記窒化物系絶縁膜の厚み方向に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、前記発光層から最も離れた部分では酸化物とされる。」と訂正するものである。
（５４）【発明の名称】
ＥＬディスプレイ素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁性基板上に電極間に挟持され
、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含む
　前記発光層と隣接する前記絶縁層を窒化物系絶縁膜で構成し、かつ該窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも前記発光層との接触部分では酸素を含まない窒化物とし、前記窒化物系絶縁膜の厚み方向
に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、
は酸
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、各種情報端末機器のディスプレイ等に使用されるＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ素子に関し、特に、絶縁耐圧が高く破壊し難くして信頼性を向上したＥＬディスプレイ素子構造に関する。
　【０００２】
　【従来技術】
　従来、薄膜ＥＬディスプレイ素子は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）やアルカリ土類硫化物（ＣａＳ，ＳｒＳ）等を発光母体とし、それに発光中心としてマンガン（Ｍｎ），テルビウム（Ｔｂ），サマリウム（Ｓｍ）などを少量ドーピングして形成した発光層に電界をかけた時に発光する現象を利用したものであり自発光型の平面ディスプレイ素子として注目されている。
　薄膜ＥＬディスプレイ素子は、特に、車載用ディスプレイ装置のように高い表示品質が要求される用途に適したディスプレイ素子であるといえる。
　図８は、薄膜ＥＬディスプレイ素子の典型的な断面構造を示した模式図である。
　薄膜ＥＬディスプレイ素子１０は、絶縁性基板であるガラス基板１上に、下部電極（透明電極）２、下部絶縁層３、発光層４、上部絶縁層５及び上部電極（金属電極又は透明電極）６を順次積層し形成されている。
　このうち、発光層４を上下から覆うように形成された下部絶縁層３及び上部絶縁層５は薄膜ＥＬディスプレイ素子１０の信頼性を決定する大きな要素である。
　下部絶縁層３及び上部絶縁層５の材料としては、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２．Ｔａ２Ｏ５等の酸化物、Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ等の窒化物、ＰｂＴｉＯ３やＰＺＴのような複合酸化物等が提案されている。又、それらを複数組み合わせた積層構造の絶縁層も提案されている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　ここで、薄膜ＥＬディスプレイ素子は高電圧下で駆動されるため、絶縁層の絶縁耐圧が高いことや誘電率が大きいことが要求される。
　更に、薄膜ＥＬディスプレイ素子を完成させるには、次に述べるような性能も絶縁層には必要である。
　第１に、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を母体材料とした発光層との密着性が薄膜ＥＬディスプレイ素子の完成品に対してだけでなく、その素子を構成する全プロセスを通じて良好でなければならない。
　つまり、プロセス途中で電極を希望の形状に微細加工する際のウェットエッチング工程などにおいても、発光層一絶縁層間でしばしば膜剥離が発生するからである。
　第２に、絶縁破壊した場合においては、その破壊が次々と伝播して大きな破壊となる破壊モードではなく破壊部分がピンポイントでおさまり破壊がそれ以上拡大しない自己回復型の破壊モードの方が望ましい。
　つまり、この自己回復型の破壊モードであれば、例え、絶縁破壊が起きても目に見えない小さな破壊点が残るだけであり、薄膜ＥＬディスプレイ素子の歩留り向上にもつながることになる。
　ここで、絶縁層に窒化物を用いることは公知である。これは、酸素プラズマを使用し発光層上に酸化物系絶縁膜を形成しようとすると発光層の硫化亜鉛が酸化され再結合中心が増加し発光効率が低下するためという理由による。
　しかしながら、従来、上述の発光層に対して密着性と破壊モードの改善を総合的に考慮した提案はなく、経験的に絶縁層の種類を決定していたのである。
　【０００４】
　本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、絶縁層と発光層との密着性の向上を図ると共にその絶縁層の破壊モードが絶縁破壊の進行しない自己回復型であるＥＬディスプレイ素子を提供することである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するための発明の構成は、絶縁性基板上に電極間に挟持され
、硫化亜鉛（ＺｎＳ）を含む
に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、
は酸
　【０００６】
　【作用及び効果】
　ＥＬディスプレイ素子の発光層と隣接する絶縁層は窒化物系絶縁膜にて構成される。そして、その窒化物系絶縁膜の厚み方向の少なくとも上記発光層との接触部分では酸素を含まない窒化物とし、上記窒化物系絶縁膜の厚み方向
に沿って前記発光層から最も離れた部分に向かって徐々に酸素濃度が増加すると共に徐々に窒素濃度が減少し、かつ、
は酸
　【０００７】
　発明者らは、ＥＬディスプレイ素子の発光層と絶縁層との間でしばしば生じる膜剥離現象の大きな原因として以下のことを見出した。ＥＬディスプレイ素子の絶縁層形成法には繊密で良質な膜層が得られるという理由からスパッタリング法、特に、反応性スパッタリング法が用いられることが多い。この方法では、例えば、絶縁層として酸化物系絶縁膜を形成しようとすると絶縁層形成時のチャンバー内に酸素が存在し、それによる酸素プラズマは硫化亜鉛（ＺｎＳ）から成る発光層表面を酸化する。この発光層表面の酸化により酸化亜鉛（ＺｎＯ）が直接生じるという説が一般的な概念であった。
　これに対して、発明者らは上述の発光層表面の酸素プラズマによる酸化により硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）が発光層表面近傍に形成されることを見出した。この硫酸亜鉛は硫化亜鉛或いは酸化亜鉛に比べて、図７に示したように、約１０万倍も水に溶け易い物質であり、洗浄工程やウエットエッチング工程のように周囲に水が存在すると、工程途中で形成された硫酸亜鉛が溶け出し、その部分から膜剥離を生じるのである。
　【０００８】
　以上の原因による膜剥離を防止するためには、絶縁層成膜時の初期段階で酸素プラズマが存在しないようにしなければならない。非酸化物系の絶縁膜として、最も代表的な窒化膜には、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜がある。
　又、発明者らは破壊モードについて鋭意実験研究を行ったところ以下のような現象を見出した。つまり、窒化珪素膜において、酸素を含有しない状態（ＳｉＮｘ）の膜は絶縁破壊が伝播モードとなり一度破壊が起きるとその破壊は大きな面積まで広がってしまった。一方、酸素を含有する状態（ＳｉＯｘＮｙ）の膜は初期の絶縁破壊が伝播しない自己回復型の破壊モードを示した。
　以上述べたような結果から、発明者らは発光層一絶縁層の間の膜剥離を防止すると共に破壊モードを自己回復型とするための絶縁層は本発明の構成のようにすれば良いことが分かった。即ち、絶縁膜の膜剥離現象は発光層との接触部分の状態に、又、絶縁膜の破壊モードは逆に発光層から最も離れた部分の状態に支配されるためである。
　【０００９】
　【実施例】
　以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
　図１は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
　薄膜ＥＬディスプレイ素子１００は、絶縁性基板であるガラス基板１（厚さ１．１ｍｍ，ＨＯＹＡ製ＮＡ４０：ノンアルカリガラス）上に順次、以下の薄膜が形成され構成されている。
　ガラス基板１上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム−錫）透明導電膜から成る下部電極（透明電極）２、窒化物系絶縁膜から成る下部絶縁層３、発光層４、窒化物系絶縁膜から成る上部絶縁層５及びＡｌ薄膜から成る上部電極５が形成されている。尚、発光層４としては、母体材料を硫化亜鉛（ＺｎＳ）としマンガン（Ｍｎ）を少量添加してオレンジ色発光を呈するＺｎＳ：Ｍｎを用いた。
　窒化物系絶縁膜から成る下部絶縁層３及び上部絶縁層５の発光層４に隣接した部分は酸素を含まない状態の無酸素層３ａ，５ａである。これら無酸素層３ａ，５ａは酸素を含まない窒化物から成る。
　又、窒化物系絶縁膜から成る下部絶縁層３及び上部絶縁層５の発光層４から最も離れた部分では酸素を含んだ状態の有酸素層３ｂ，５ｂである。これら有酸素層３ｂ，５ｂは酸素を含む窒化物又は酸化物から成る。
　【００１０】
　図２は、下部絶縁層３及び上部絶縁層５の窒化物系絶縁膜の膜厚方向における窒素濃度及び酸素濃度の分布を示した説明図である。
　窒化物系絶縁膜としては、ＳｉＮｘを基にした。窒化物系絶縁膜は、発光層に隣接した接触部分ではＳｉＮｘの形であり、発光層から離れるにつれＳｉＯｘＮｙの形となり、発光層から最も離れた（表面）部分ではＳｉＯｘの形とした。
　即ち、上記無酸素層３ａ，５ａはＳｉＮｘから成り、上記有酸素層３ｂ，５ｂはＳｉＯｘから成る。
　【００１１】
　次に、上述の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００の製造方法を以下に述べる。
　ガラス基板１上にＩＴＯをアルゴン（Ａｒ）及び酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気中で高周波スパッタして２０００Åの厚さに成膜し、ウェットエッチングにより図面の左右方向であるＸ方向にストライプ状の透明な下部電極２を形成した。
　次に、Ｓｉ金属をターゲットとし、アルゴン、酸素及び窒素（Ｎ２）の混合ガスをチャンバー内に供給できるスパッタ装置を用い、その混合ガス雰囲気中で高周波スパッタして下部電極２上に窒化物系絶縁膜である下部絶縁層３を形成した。
　この成膜開始時には、チャンバー内にアルゴンガスと酸素ガスのみを供給した。成膜途中では、徐々に供給酸素量を減少させ、代わりに窒素ガスを供給し、徐々に供給窒素量を増加させた。そして、成膜終了直前には、酸素ガスの供給を停止し、アルゴンガスと窒素ガスのみを供給した。この膜厚は２０００Åとした。
　下部絶縁層３上の発光層４は、ＺｎＳ：Ｍｎのペレットを作成し、電子ビーム蒸着法で成膜した。Ｍｎ濃度は１ｗｔ％であり、膜厚は６０００Åである。
　次に、発光層４上に、窒化物系絶縁膜である上部絶縁層５を形成した。上部絶縁層５は上記下部絶縁層３の逆の構造である。即ち、成膜開始時にはスパッタ装置のチャンバー内にアルゴンガスと窒素ガスのみを供給し、徐々に窒素ガスを減少させ、酸素ガスを増加させ最後は窒素ガスを０にし、アルゴンガスと酸素ガスのみで成膜した。この膜厚は下部絶縁層３と同様の２０００Åである。
　最後に、Ａｌを電子ビーム蒸着法により２０００Åの厚みに成膜し、フォトエッチング法により図面に垂直方向であるＹ方向にストライプ状の上部電極６を形成した。
　尚、上述の構成の素子をＳｉＮｘ−ＳｉＯｘＮｙ−ＳｉＯｘ品とする。
　【００１２】
　上記ＳｉＮｘ−ＳｉＯｘＮｙ−ＳｉＯｘ品と比較実験するため、下部絶縁層３及び上部絶縁層５の各々をＳｉＮｘのみで形成した素子をＳｉＮｘ品とする。又、下部絶縁層３及び上部絶縁層５の各々をＳｉＯｘのみで形成した素子をＳｉＯｘ品とする。
　即ち、ＳｉＮｘ品の下部絶縁層３及び上部絶縁層５はＳｉターゲットをアルゴンガスと窒素ガスのみの混合ガス雰囲気中でスパッタし、ＳｉＯｘ品の下部絶縁層３及び上部絶縁層５はアルゴンガスと酸素ガスのみの混合ガス雰囲気中でスパッタし製作した。これら下部絶縁層３及び上部絶縁層５の膜厚は全て２０００Åとした。
　【００１３】
　本発明のＳｉＮｘ−ＳｉＯｘＮｙ−ＳｉＯｘ品及びＳｉＮｘ品は、上部電極６のフォトエッチング工程でも膜剥離を起こすことなく問題がなかった。
　しかし、ＳｉＯｘ品は洗浄工程やフォトエッチング工程のウエットエッチング工程で膜剥離を生じ満足な薄膜ＥＬディスプレイ素子を作ることができなかった。この場合の膜剥離は発光層４と上部絶縁層５との間で生じた。この原因をＸ線光電子分光法により分析した。その結果、膜剥離したＳｉＯｘ品は発光層（ＺｎＳ：Ｍｎ）の最表面部分にＺｎＳＯ４が形成されていることが判明した。
　図７にて分かるように、ＺｎＳＯ４はＺｎＳ，ＺｎＯに比べ１０万倍も水に対して溶け易く、発光層と絶縁層との間に形成されたＺｎＳＯ４層が洗浄工程やフォトエッチング工程のウエットエッチング工程で水に溶解し、そこから膜剥離が生じたと考えられる。このＺｎＳＯ４は発光層の母材であるＺｎＳが絶縁膜（ＳｉＯｘ）形成時のスパッタで生じる酸素プラズマにより酸化され形成されたと考えられる。ここで、従来、ＺｎＳは酸化により直接ＺｎＯとなるというのが通説であった。
　本発明のＳｉＮｘ−ＳｉＯｘＮｙ−ＳｉＯｘ品及びＳｉＮｘ品は、発光層のＺｎＳが直接酸素プラズマに曝されないためＺｎＳＯ４が形成されず膜剥離が生じなかったと考えられる。
　【００１４】
　次に、完成した本発明のＳｉＮｘ−ＳｉＯｘＮｙ−ＳｉＯｘ品とＳｉＮｘ品とに対して絶縁破壊するまで駆動電圧を上昇させ絶縁破壊後の様子を比べた。
　両者が絶縁破壊する電圧値にはあまり差がなかったが、両者の破壊モードは大きく異なった。即ち、ＳｉＮｘ−ＳｉＯｘＮｙ−ＳｉＯｘ品は絶縁破壊が直径０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の穴が形成されただけでそれ以上進行しなかった（自己回復型）。それに対して、ＳｉＮｘ品は最初小さな絶縁破壊が生じると瞬時にして伝播し、発光画素全体がまたたく間に壊れてしまった（伝播型）。
　この破壊モードの違いの原因は不明であるが、窒化物系絶縁膜の発光層に接触する面とは反対の最表面部分に酸素が存在する場合に自己回復型の破壊モードを示す実験結果が得られている。
　【００１５】
　図３は、本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の他の実施例における縦断面を示した模式図である。尚、この図では、発光層４より上側の構成を示しているが、発光層４の下側に対しても対象的に構成されている。
　発光層４上に上部絶縁層５が形成してある。この上部絶縁層５は上述の実施例と同様のＳｉＮｘ−ＳｉＯｘＮｙ−ＳｉＯｘの構成である。
　本実施例では、上部絶縁層５上に五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）の膜厚４０００Åから成る絶縁層７が形成されている。この絶縁層７は絶縁耐圧を上部絶縁層５のみの場合から更に向上させるために形成したものである。このように、他の種類の絶縁層を上部絶縁層５上に積み重ねて形成しても効果は上述と同様となる。
　【００１６】
　図４〜図６は、本発明に係る窒化物系絶縁膜の膜厚方向の他の実施例における窒素濃度及び酸素濃度の分布を示した説明図である。
　図４では、窒化物系絶縁膜のうち発光層との接触部分のみＳｉＮｘ層で構成し、発光層から離れるとＳｉＯｘＮｙ層の構成となっている。このものでは、ＳｉＯｘ層は存在しない。
　図５では、窒化物系絶縁膜は発光層との接触部分からＳｉＮｘ層が続き、発光層から最も離れた部分である最外殻表面にＳｉＯｘＮｙ層を形成したものである。
　図６では、窒化物系絶縁膜は発光層との接触部分からＳｉＮｘ層が続き、発光層から最も離れた部分である最外殻表面にＳｉＯｘ層が形成されている。
　図４〜図６に示された窒化物系絶縁膜の構造は全て上述の実施例と同様に膜剥離及び破壊モードの改善に効果を発揮する。
　上述の実施例での発光層としてはＺｎＳ：Ｍｎで説明したが、ＺｎＳ：Ｔｂ（緑色発光）やＺｎＳ：Ｓｍ（赤色発光）など他の添加物を入れた場合も同様である。
　本発明では窒化物系絶縁膜にＳｉＮｘ系を用いたがＡＩＮ系のような他の窒化物で構成しても良い。
　尚、本実施例では、下部絶縁層と上部絶縁層とを対称的に構成したが、絶縁破壊モードの改善と膜剥離防止効果は、上部絶縁層が支配的であり上部絶縁層のみ本発明で構成してもかまわない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の具体的な一実施例に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
　【図２】
　同実施例に係る窒化物系絶縁膜の膜厚方向における窒素濃度及び酸素濃度の分布を示した説明図である。
　【図３】
　本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の他の実施例における縦断面を示した模式図である。
　【図４】
　本発明に係る窒化物系絶縁膜の膜厚方向の他の実施例における窒素濃度及び酸素濃度の分布を示した説明図である。
　【図５】
　本発明に係る窒化物系絶縁膜の膜厚方向の他の実施例における窒素濃度及び酸素濃度の分布を示した説明図である。
　【図６】
　本発明に係る窒化物系絶縁膜の膜厚方向の他の実施例における窒素濃度及び酸素濃度の分布を示した説明図である。
　【図７】
　硫化亜鉛とその酸化物の水に対する溶解度を示した表である。
　【図８】
　従来の薄膜ＥＬディスプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
　【符号の説明】
１−ガラス基板（絶縁性基板）
２−下部電極
３−下部絶縁層（窒化物系絶縁膜）
３ａ−無酸素層（酸素を含まない窒化物）
３ｂ−有酸素層（酸素を含む窒化物又は酸化物）
４−発光層
５−上部絶縁層（窒化物系絶縁膜）
５ａ−無酸素層（酸素を含まない窒化物）
５ｂ−有酸素層（酸素を含む窒化物又は酸化物）
６−上部電極