(57)【要約】【解決手段】犠牲基板に電気的検査用プローブ及び平坦度感知用プローブの先端部とを実現するための第１保護膜パターンを形成し、前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとしてエッチングして前記犠牲基板に第１トレンチを形成する。前記第１保護膜パターンを除去して、前記犠牲基板上に前記第１トレンチを露出するバー形状の第１開口部を有する第２保護膜パターンを形成する。前記第１開口部内に導電性物質を提供して、前記検査用プローブの先端部及び前記感知用プローブの先端部の各々に連結するビーム部を形成することによって、前記検査用プローブ及び前記感知用プローブを形成する。前記第２保護膜パターンを除去する。前記検査用プローブと前記感知用プローブの先端部の対向側のビーム部を多層回路基板にポンディングして、前記犠牲基板を除去することによって前記検査用プローブ及び前記感知用プローブを露出させる。【選択図】図１
2008525793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
犠牲基板に電気的検査用プローブ及び平坦度感知用プローブの先端部を構成するための第１保護膜パターンを形成し、
前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとしてエッチングして前記犠牲基板に第１トレンチを形成し、
前記第１保護膜パターンを除去して、前記犠牲基板上に前記第１トレンチを露出するバー形状の第１開口部を有する第２保護膜パターンを形成し、
前記第１開口部内に導電性物質を形成して、前記検査用プローブの先端部及び前記感知用プローブの先端部の各々に連結するビーム部を形成することによって、前記検査用プローブ及び前記感知用プローブを形成し、
前記検査用プローブと前記感知用プローブの先端部の対向側のビーム部を多層回路基板にポンディングし、
前記犠牲基板を除去することによって、前記検査用プローブ及び前記感知用プローブを露出することを含むプローブカードの形成方法。
【請求項２】
前記第１開口部の長軸方向のエッジは、前記第１トレンチの一側に整列するように、前記第２保護膜パターンが形成される請求項１に記載のプローブカードの形成方法。
【請求項３】
前記検査用プローブ及び前記感知用プローブを形成した後、前記感知用プローブの先端部の上部にビーム部を露出する第２開口部を有する第３保護膜パターンを形成し、
前記第２開口部内に導電性物質を形成して、前記感知用プローブの先端部の上部に信号突出部を形成し、
前記第３保護膜パターンを除去することをさらに含む請求項２に記載のプローブカードの形成方法。
【請求項４】
前記第２保護膜パターンを形成した後、前記第２保護膜パターンをマスクとして前記犠牲基板をエッチングして第２トレンチを形成することをさらに含む請求項３に記載のプローブカードの形成方法。
【請求項５】
前記第２保護膜パターンの形成は、前記検査用プローブが形成される部分には、前記第１開口部の長軸方向のエッジが前記第１トレンチの一側に整列して、前記第１開口部の中間部に前記第１トレンチが位置するようにする請求項１に記載のプローブカードの形成方法。
【請求項６】
前記第２保護膜パターンを形成した後、前記第２保護膜パターンをマスクとして前記犠牲基板をエッチングして第２トレンチを形成することをさらに含む請求項５に記載のプローブカードの形成方法。
【請求項７】
前記感知用プローブのビーム部を露出する第３開口部を有する第３保護膜パターンを形成し、
前記第３開口部内に導電性物質を形成して、前記感知用プローブのビーム部の厚さを前記検査用プローブのビーム部より厚くすることをさらに含む請求項１に記載のプローブカードの形成方法。
【請求項８】
前記検査用プローブと前記感知用プローブとを多層回路基板にポンディングすることは、前記多層回路基板上のバンプを通じて形成し、前記検査用プローブに対応される前記バンプは、前記感知用プローブに対応するバンプより厚く形成されることを特徴とする請求項７に記載のプローブカードの形成方法。
【請求項９】
前記多層回路基板を準備し、
前記多層回路基板上に複数個バンプを形成するための第１−ａ保護膜パターンを形成し、
前記第１保護膜パターン内部に導電性物質を形成して、バンプを形成し、
前記複数のバンプを選択的に開放するための第１−ｂ保護膜パターンを少なくとも一つ以上順次的に形成し、
前記第１−ｂ保護膜パターン内部に導電性物質を形成することによって前記複数のバンプ高さを個別的に調節することをさらに含む請求項１に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項１０】
前記バー形状のビーム部と、前記ビーム部の一端に付着された先端部と、を備え、電気的検査のための検査用プローブと、平坦度を感知するための感知用プローブと、を準備し、
前記検査用プローブと前記感知用プローブの先端部の対向側の前記ビーム部を前記多層回路基板にポンディングすることを含み、
前記検査用プローブと前記感知用プローブとを前記多層回路基板にポンディングすることは、前記多層回路基板上の前記バンプを通じて行い、前記検査用プローブに対応される前記バンプは、前記感知用プローブに対応されるバンプより厚く形成されるプローブカードの形成方法。
【請求項１１】
前記感知用プローブを前記多層回路基板にポンディングすることは、レーザを使う請求項１０に記載のプローブカードの形成方法。
【請求項１２】
犠牲基板上に、バー形状のビーム部と、前記ビーム部の一端の下部に付着した先端部と、を備え、電気的検査のための検査用プローブと平坦度を感知するための感知用プローブを形成し、
多層回路基板を準備し、
前記感知用プローブの先端部に対応する位置に前記多層回路基板上の信号突出部を形成し、
前記検査用プローブと前記感知用プローブの先端部の対向側のビーム部を前記多層回路基板上に前記信号突出部より高いバンプを介してポンディングし、
前記犠牲基板を除去することによって、前記検査用プローブと前記感知用プローブを露出させることを含むプローブカードの形成方法。
【請求項１３】
外部の電気信号を受け入れるための少なくとも一つ以上のバンプを備える多層回路基板と、
一側の上段が前記多層回路基板のバンプとポンディングされるバー形状のビーム部と、
前記ビーム部の他側の下段に付着し、半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えるカンチレバー型検査用プローブと、
前記検査用プローブが前記半導体チップのパッドに接続される時、前記検査用プローブに加えられるオーバードライブの程度を感知するセンシング手段とを含むプローブカード。
【請求項１４】
前記センシング手段は、
一側の上段が前記多層回路基板のバンプにポンディングされ、他側の上段に信号突出部を備えたバー形状のビーム部と、
前記他側の下段に付着して前記半導体チップに向かって、加圧接続する先端を備えるカンチレバー型感知用プローブと、
前記多層回路基板上に配置されるものの、前記オーバードライブが一定範囲を越える場合に、前記信号突出部と接触することを感知する信号接続端子と、を含む請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１５】
前記センシング手段は、
一側の上段が前記多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、
前記ビーム部の中間部の下段に付着して前記半導体チップに向かって、加圧接続する先端部を備えるカンチレバー型感知用プローブと
前記多層回路基板上に配置されるものの、前記オーバードライブが一定範囲を越える場合に、前記ビーム部の他側と接触することを感知する信号接続端子とを含む請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１６】
前記センシング手段は、
一側の上段が前記多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、
前記ビーム部の他側の下段に付着して半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えるカンチレバー型感知用プローブと、
前記多層回路基板上に配置されるものの、前記オーバードライブが一定範囲を越える場合に、前記ビーム部の他側と接触することを感知する信号接続端子とを含み、
前記感知用プローブのビーム部は、前記検査用プローブのビーム部より厚い請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１７】
前記センシングは、一側の上段が前記多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、
前記ビーム部の他側の下段に付着して半導体チップのパッドと加圧接続する先端とを備えるカンチレバー型感知用プローブと、
前記多層回路基板上に配置されるものの、前記オーバードライブが一定範囲を越える場合に前記ビーム部の他側と接触することを感知する信号接続端子と、を含み、
前記検査用プローブがポンディングするバンプは、前記感知用プローブがポンディングするバンプより厚い請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１８】
前記センシング手段は、一側の上段が前記多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、
前記ビーム部の他側の下段に付着して半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えるカンチレバー型感知用プローブと、
前記感知用プローブの先端部に対応する位置の前記多層回路基板上に配置された信号突出部及び前記多層回路基板上に配置されるものの、前記オーバードライブが一定範囲を越える場合に前記ビーム部の他側が前記信号突出部と接触することを感知する信号接続端子を含み、
前記感知用プローブがポンディングするバンプは、前記信号突出部より厚い請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１９】
前記センシング手段は、前記検査用プローブの周辺部の前記多層回路基板の所定位置に設置されて、前記検査用プローブが予め設定されたオーバードライブ範囲を超過する場合に、半導体テストチップと接触して、反応する接触センサ、圧力センサ又は、光センサで構成される請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項２０】
外部電気信号を受け入れるための少なくとも一つ以上の接続端子を備える多層回路基板と、
前記多層回路基板の接続端子上に備えるバンプと、
一側の上段が前記バンプとポンディングするビーム部と他側の下段に半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えたカンチレバー型検査用プローブと、
前記検査用プローブに加えられるオーバードライブの程度を感知するセンシング手段とを備えたプローブカードと、
前記センシング手段からセンシングされたオーバードライブ量に従う電気信号を入力受けて、予め設定されたオーバードライブ量と比較して、その比較結果によって全体システムを制御する制御部と、
前記制御部の制御によって検査装置の駆動有無を制御する検査装置駆動部と、
前記制御部の制御信号により前記オーバードライブ量をディスプレーするディスプレー部と、を含むプローブカードの検査システム。
【請求項２１】
前記制御部の制御信号によってアラームを発生させるアラーム発生部をさらに含む請求項２０に記載のプローブカードの検査システム。
【請求項２２】
前記センシング手段は、前記検査用プローブと、
別に備える感知用プローブと、を含む請求項２０に記載のプローブカードの検査システム。
【請求項２３】
前記感知用プローブは、前記半導体チップのダミーパッドと接触する請求項２２に記載のプローブカードの検査システム。
【請求項２４】
前記センシング手段は、接触センサ、圧力センサ又は、光センサによって成り立つ請求項２０に記載のプローブカードの検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感知用プローブを含むプローブカードの製造方法及び、そのプローブカード、プローブカードの検査システムに関する。より詳細には、プローブカードに検査用プローブと別に感知用プローブをさらに備え、オーバードライブ（ｏｖｅｒ  ｄｒｉｖｅ）及びウェハの平坦度を感知することができる感知用プローブを含むプローブカードの製造方法、そのプローブカード及びプローブカードの検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程は、一連の工程によりシリコンウェハ上に多数のチップを配列形成した後、これをパッケージングし、切断して、個別チップで分離する工程を実行する。ここで、シリコンウェハ上に形成された多数のチップをパッケージング及び切断するためには、前記各チップに電気信号を印加して、正常な作動有無をチェックする工程が必ず必要であり、これを半導体の検査工程と称する。前記検査工程は、シリコンウェハ上に形成された多数のチップに対応するように接触体を備えたプローブカードにもって、前記接触体をシリコンウェハ上のチップに接触して、電気信号を印加することによってチップの正常有無をチェックする。以下、前記接触体をプローブと称する。
【０００３】
前記半導体検査工程は、ウェハチャックに検査するシリコンウェハを在置させ、前記プローブの先端をシリコンウェハ上の検査するパッドに接触させ、所定の物理力を加えてプローブの先端を押した状態で電気信号を印加させて、特性検査を実施する方式で行う。
【０００４】
この時、プローブカードに備えた多数のプローブ先端がシリコンウェハの検査する多数のパッドに一括的に接触することができるように十分なＯＤ（Ｏｖｅｒ  Ｄｒｉｖｅ、オーバードライブ）が確保されるべきで、常に一定に維持されることがパッドに致命的な損傷を防止できるので、現在のＯＤ状態をリアルタイムで知ることができる手段が要求されるに至った。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
また、前記ウェハチャックに在置されたシリコンウェハが常に一定の平坦度を維持することによって、多数のプローブの先端が該当パッドに正確に接触し、検査できるだけでなくパッドに損傷を与えなくなるので、リアルタイムで正確にシリコンウェハの平坦度を感知できる手段が要求されるに至り、前記要求によって、ウェハの平坦度を感知できる手段が開発された。
【０００６】
本発明の技術的な課題は、回路基板の上部に半導体素子の検査パッドを検査するための検査用プローブとは別に前記検査用プローブと同じ方式のＭＥＭＳ方式で製造して、高集積された半導体素子を有するシリコンウェハに加えられるプローブのＯＤとプローブカードに対してシリコンウェハの平坦度を感知することができるように感知用プローブを含むプローブカードの製造方法及びそのプローブカード、プローブカードの検査システムを提供する。
【０００７】
また、本発明の他の課題は、感知用プローブを通じて、感知されたＯＤに対する情報及びプローブカードに対してシリコンウェハの平坦度に対する情報をＰＣ等の端末装置の画面上にリアルタイムで出力して、作業者が知ることができる感知用プローブを含むプローブカードの製造方法及びそのプローブカード、プローブカードの検査システムを提供する。
【０００８】
また、本発明のその他の課題は、感知用プローブを通じて、感知されたプローブのＯＤとプローブカードに対してシリコンウェハの平坦度をＰＣ等の端末装置に記憶させて、次の作業者がこれを利用して、前の作業者が設定しておいたＯＤ及び平坦度を確認できるように再調整するわずらわしさを除去することができるための感知用プローブを含むプローブカード製造方法及びそのプローブカード、プローブカードの検査システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術的な課題を達成するため、本発明は、プローブカードの形成方法を提供する。
【００１０】
この方法によれば、犠牲基板に電気的検査用プローブ及び平坦度感知用プローブの先端部を構成するための第１保護膜パターンを形成し、第１保護膜パターンをエッチングマスクとしてエッチングして犠牲基板に第１トレンチを形成し、第１保護膜パターンを除去して、犠牲基板上に第１トレンチを露出するバー形状の第１開口部を有する第２保護膜パターンを形成し、第１開口部内に導電性物質を形成して、検査用プローブの先端部及び感知用プローブの先端部の各々に連結するビーム部を形成することによって、検査用プローブ及び感知用プローブを形成し、検査用プローブと感知用プローブの先端部の対向側のビーム部を多層回路基板にポンディングし、犠牲基板を除去することによって、検査用プローブ及び感知用プローブを露出させる。
【００１１】
第１開口部の長軸方向のエッジが第１トレンチの一側に整列するように、第２保護膜パターンが形成される。
【００１２】
本発明の一実施の形態によれば、検査用プローブ及び感知用プローブを形成した後、感知用プローブの先端部の上部のビーム部を露出する第２開口部を有する第３保護膜パターンを形成し、第２開口部内に導電性物質を形成して、感知用プローブの先端部の上部のビーム部上に信号突出部を形成して、第３保護膜パターンを除去することをさらに含む。
【００１３】
第２保護膜パターンの形成した後、第２保護膜パターンをマスクとして犠牲基板をエッチングして第２トレンチを形成することをさらに含むことができる。
【００１４】
本発明の他の実施の形態によれば、第２保護膜パターンの形成は、検査用プローブが形成される部分には、第１開口部の長軸方向のエッジが第１トレンチの一側に整列して、第１開口部の中間部に第１トレンチが位置するようにする。
【００１５】
第２保護膜パターンを形成した後、第２保護膜パターンをマスクとして犠牲基板をエッチングして第２トレンチを形成することをさらに含むことができる。
【００１６】
本発明のまた他の実施の形態によれば、感知用プローブのビーム部を露出する第３開口部を有する第３保護膜パターンを形成し、第３開口部内に導電性物質を形成して、感知用プローブのビーム部の厚さを検査用プローブのビーム部より厚くすることをさらに含む。
【００１７】
本発明のまた他の実施の形態によれば、検査用プローブと感知用プローブとを多層回路基板にポンディングすることは、多層回路基板上のバンプを通じて形成し、検査用プローブに対応されるバンプは、感知用プローブに対応するバンプより厚く形成される。
【００１８】
本発明のまた他の実施の形態によれば、多層回路基板を準備し、多層回路基板上に複数個バンプを実行するための第１−ａ保護膜パターンを形成し、第１−ａ保護膜パターン内部に導電性物質を形成して、バンプを形成し、複数のバンプを選択的に開放するための第１−ｂ保護膜パターンを少なくとも一つ以上順次的に形成し、第１−ｂ保護膜パターン内部に導電性物質を形成することによって複数のバンプ高さを個別的に調節することをさらに含むことができる。
【００１９】
本発明のまた他の実施の形態によれば、バー形状のビーム部と、ビーム部の一端に付着された先端部と、を備え、電気的検査のための検査用プローブと平坦度を感知するための感知用プローブとを準備し、検査用プローブと感知用プローブの先端部の対向側のビーム部を多層回路基板にポンディングすることを含み、検査用プローブと感知用プローブとを多層回路基板にポンディングすることは、多層回路基板上のバンプを通じて行い、検査用プローブに対応されるバンプは、感知用プローブに対応されるバンプより厚く形成される。
【００２０】
感知用プローブを多層回路基板にポンディングすることは、レーザを使用することができる。
【００２１】
本発明のまた他の実施の形態によれば、犠牲基板上に、バー形状のビーム部と、ビーム部の一端に付着された先端部と、を備え、電気的検査のための検査用プローブと平坦度を感知するための感知用プローブを形成し、多層回路基板を準備して、感知用プローブの先端部に対応する位置に多層回路基板上に信号突出部を形成し、検査用プローブと感知用プローブの先端部の対向側のビーム部を多層回路基板上に信号突出部より高いバンプを介してポンディングし、犠牲基板を除去することによって検査用プローブと感知用プローブを露出させることを含む。
【００２２】
また技術的な課題を達成するため、本発明は、プローブカードを提供する。このプローブカードは、外部の電気信号を受け入れるための少なくとも一つ以上のバンプを備える多層回路基板と、一側の上段が多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、ビーム部の他側の下段に付着し、半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えるカンチレバー型検査用プローブと、検査用プローブが半導体チップのパッドに接続される時、検査用プローブに加えられるオーバードライブの程度を感知するセンシング手段とを含む。
【００２３】
本発明の一実施の形態によれば、センシング手段は、一側の上段が多層回路基板のバンプにポンディングされ、他側の上段に信号突出部を備えたバー形状のビーム部と、他側の下段に付着して半導体チップに向かって、加圧接続する先端を備えるカンチレバー型感知用プローブと、多層回路基板上に配置されるものの、オーバードライブが一定範囲を越える場合に信号突出部と接触することを感知する信号接続端子とを含む。
【００２４】
本発明の他の実施の形態によれば、センシング手段は、一側の上段が多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、ビーム部中間部の下段に付着して半導体チップに向かって、加圧接続する先端部を備えるカンチレバー型感知用プローブと、多層回路基板上に配置されるものの、オーバードライブが一定の範囲を越える場合にビーム部の他側と接触することを感知する信号接続端子とを含む。
【００２５】
本発明のまた他の実施の形態によれば、センシング手段は、一側の上段が多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、ビーム部の他側の下段に付着して半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えるカンチレバー型感知用プローブ及び多層回路基板上に配置されるものの、オーバードライブが一定の範囲を越える場合にビーム部の他側と接触することを感知する信号接続端子を含む。感知用プローブのビーム部は、検査用プローブのビーム部より厚い。
【００２６】
本発明のまた他の実施の形態によれば、センシング手段は、一側の上段が多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、ビーム部の他側の下段に付着して半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えるカンチレバー型感知用プローブと、多層回路基板上に配置されるものの、オーバードライブが一定の範囲を越える場合にビーム部の他側と接触することを感知する信号接続端子とを含み、検査用プローブがポンディングするバンプは、感知用プローブがポンディングするバンプより厚い。
【００２７】
本発明のまた他の実施の形態によれば、センシング手段は、一側の上段が多層回路基板のバンプとポンディングするバー形状のビーム部と、ビーム部の他側の下段に付着して半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えるカンチレバー型感知用プローブと、感知用プローブの先端部に対応する位置の多層回路基板上に配置された信号突出部及び多層回路基板上に配置されるものの、オーバードライブが一定範囲を越える場合にビーム部の他側が信号突出部と接触することを感知する信号接続端子を含み、感知用プローブがポンディングするバンプは、信号突出部より厚い。
【００２８】
本発明のまた他の実施の形態によれば、センシング手段は、検査用プローブ周辺部の多層回路基板所定部に設置されて、検査用プローブが予め設定されたオーバードライブ範囲を超過する場合に半導体テストチップと接触して、反応する接触センサ、圧力センサ又は、光センサで構成される。
【００２９】
また技術的な課題を達成するために本発明は、プローブカードの検査システムを提供する。このシステムは、外部電気信号を受け入れるための少なくとも一つ以上の接続端子を備える多層回路基板と、多層回路基板の接続端子上に備えるバンプと、一側の上段がバンプとポンディングするビーム部と他側の下段に半導体チップのパッドと加圧接続する先端を備えたカンチレバー型検査用プローブと、検査用プローブに加えられるオーバードライブの程度を感知するセンシング手段を備えたプローブカードと、センシング手段からセンシングされたオーバードライブ量に従う電気信号が入力を受けて、予め設定されたオーバードライブ量と比較して、その比較結果によって全体システムを制御する制御部と、制御部の制御によって検査装置の駆動有無を制御する検査装置駆動部と、制御部の制御信号によってオーバードライブ量をディスプレーするディスプレー部を含む。
【００３０】
制御部の制御信号によりアラームを発生させるアラーム発生部をさらに含むことができる。
【００３１】
センシング手段は、検査用プローブと別に備える感知用プローブを含むことができる。
【００３２】
感知用プローブは、半導体チップのダミーパッドと接触することができる。
【００３３】
センシング手段は、接触センサ、圧力センサ又は、光センサで成り立つことができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の感知用プローブを含むプローブカードの製造方法によれば、パッド検針用プローブが形成される回路基板の上部に前記パッド検針用プローブと同じ方式のＭＥＭＳ方式で製造して、高集積化された半導体素子を有するシリコンウェハに加えられるプローブのＯＤと、プローブカードに対してシリコンウェハの平坦度とを感知して、リアルタイムで作業者に知らせることによって効率的な検査工程を行う効果がある。
【００３５】
また、本発明の製造方法に従って製造されるプローブカードによれば、感知用プローブを通じて、感知されたプローブのＯＤとプローブカードに対してシリコンウェハの平坦度をＰＣ等のモニター装置に記憶させて、次の作業者がこれを利用して、前の作業者が設定しておいたプローブのＯＤ及びプローブカードに対してシリコンウェハの平坦度を確認して、不必要な再調整工程を予め除去することができるようにして作業者の作業工程を減らせるし、その上、作業時間も短縮させることができて、作業効率が向上られる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明に対して詳細に記述する前に、まず本発明の詳細な説明に使用される用語を定義すれば、ウェハ上にあるパッドの状態を検査するためのプローブは、検査用プローブと称し、前記パッド検査の際に発生するＯＤを感知したり、前記ウェハの平坦度を感知したりするプローブを感知用プローブと称する。
【００３７】
図１は、本発明に従うＯＤ感知用プローブの実施の形態を示した図面である。
【００３８】
図１の（ａ）に示したように、酸化膜で形成される保護膜（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ、図示せず）は、（１００）面等のように一定の結晶方位を有するシリコン材質の犠牲基板５上に形成される。
【００３９】
その後、前記保護膜が形成された犠牲基板５上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像するフォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程と酸化膜のエッチング工程とを逐次実行することによって、エッチング工程のエッチングマスクとして使われる第１保護膜パターン２が形成される。
【００４０】
図１の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン２を利用して、ウェットエッチング工程及び異方性ドライエッチング工程を連続的に実行することによって、プローブ先端に該当する第１トレンチが犠牲基板５上に形成される。
【００４１】
即ち、図面上においては、詳細に示されなかったが、第１保護膜パターン２を利用して形成される第１トレンチは、始めにウェットエッチング工程を通じて、プローブ先端の終端部に該当する薄い第１トレンチを先に形成し、次に異方性ドライエッチング工程を通じて、前記第１トレンチの深さをもう少し深く形成される。
【００４２】
本工程によれば、前記プローブ先端の終端部に該当する第１トレンチは、第１保護膜パターン２の形状により円錐やピラミド形状等で多様に形成することができ、前記ドライエッチング工程は、ディップトレンチ（Ｄｅｅｐ  Ｔｒｅｎｃｈ）エッチング方法としてボシュプロセス（Ｂｏｓｈ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）で呼ばれる公知のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって実行される。
【００４３】
そして、図１の（ｃ）に示したように、ウェットエッチング工程を通じて、前記第１保護膜パターン２を除去し、図１の（ｄ）に示したようにスッパタリング（ｓｕｐｐｔｅｒｉｎｇ）工程によって、犠牲基板５上部に後、続メッキ工程のシード（Ｓｅｅｄ）で機能する銅（Ｃｕ）等のシード層１０が形成させる。
【００４４】
図１の（ｅ）に示したように、その上部にフォトレジストをコーティングした後、露光及び現像工程を経て、検査用プローブ２０の支持ビーム２０ｂと、感知用プローブ２２の支持ビーム２２ｂ断面のパターンを有する第２保護膜パターン１５を形成させて、後に続く金属物質の形成工程によって、ビーム２０ｂ、２２ｂを形成するための空間部が形成される。
【００４５】
図１の（ｆ）に示したように、前記第２保護膜パターン１５を通じて開放された空間部に導電性物質をメッキによって、形成させた後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法、エッチバック（Ｅｔｃｈｂａｃｋ）及びグラインディング（Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）等の平坦化工程を実行することによって、検査用プローブ２０及び感知用プローブ２２を形成する。この時、検査用プローブ２０及び感知用プローブ２２は、先端部の２０ｂ、２２ｂと前記先端部の２０ｂ、２２ｂを一体に有するビーム部２０ａ、２２ａになる。
【００４６】
前記検査用プローブ２０及び感知用プローブ２２は、本実施の形態のメッキ以外にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法又は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、形成されることもできる。
【００４７】
そして、図１の（ｇ）に示したように、前記感知用プローブ２２の先端部２２ｂ側ビーム部２２ａの上部面に信号突出部３０の断面のパターンを有する第３保護膜パターン２５を形成させ、後に続く金属物質の形成工程によって、信号突出部３０を形成するための空間部を形成する。
【００４８】
図１の（ｈ）に示したように、前記第３保護膜パターン２５を通じて開放された空間部に導電性物質をメッキ工程によって形成し、前記信号突出部３０を形成する。
【００４９】
図１の（ｉ）に示したように、ウェットエッチング工程を利用して、前記第２保護膜パターン１５及び第３保護膜パターン２５を除去する。
【００５０】
図１の（ｊ）に示したように、先端部２０ｂ、２２ｂの反対側ビーム２０ａ、２２ａの上部終端部は、前記検査用プローブ２０と感知用プローブ２２を多層回路基板３５（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）上に形成されたバンプ５５、５４にポンディングさせる。
【００５１】
図１の（k）に示したように、前記検査用プローブ２０及び感知用プローブ２２は、ウェットエッチング工程を利用して、前記犠牲基板５を除去することによって開放される。
【００５２】
一方、図２は、犠牲基板５をウェットエッチング及び異方性ドライエッチング工程を連続的に実行することによって犠牲基板５内部に検査用プローブ２０及び感知用プローブ２２が形成させた後、メッキ工程を通じて、前記感知用プローブ２２に信号突出部３０を一体型で形成させる方式を説明するための図面であり、図１との同一構成要素には、同一符号を付けて重複する工程の説明を省略する。
【００５３】
図２の（ａ）に示したように、図１の（ａ）乃至（ｃ）と同じ工程が実行されて先端部を形成するためのトレンチが形成された犠牲基板５上に検査用プローブ２０のビーム部２０ｂ及び感知用プローブ２２のビーム部２２ｂの断面パターンを有する第１保護膜パターン１５を形成させる。
【００５４】
前記１保護膜パターン１５をエッチングマスクとして使って、エッチング工程を実行して、トレンチを形成することによって前記検査用プローブ２０の先端部２０ａとビーム部２０ｂ及び感知用プローブ２２の先端部２２ｂとビーム部２２ａが形成されるトレンチを前記犠牲基板５内部に形成する。
【００５５】
図２の（ｂ）に示したように、犠牲基板５上部にシード層１０を形成した後、前記トレンチ内部に導電性物質をメッキによって形成し、検査用プローブ２０と感知用プローブ２２とを形成する。
【００５６】
図２の（ｃ）に示したように、検査用プローブ２０及び感知用プローブ２２が形成された犠牲基板５上部に前記感知用プローブ２２の先端部２２ｂの側ビーム部２２ａの上部面に信号突出部３０の断面パターンを有する第３保護膜パターン２５を形成する。
【００５７】
図２の（ｄ）に示したように、前記第３保護膜パターン２５を通じて開放された空間部に導電性物質をメッキによって形成し、信号突出部３０を形成する。
【００５８】
それ以後の工程は、図１の（ｉ）乃至図１の（ｋ）と同じ工程が実行されることによって、検査用プローブ２０と感知用プローブ２２を多層回路基板３５上に形成されたバンプ５５、５４にポンディングさせてプローブカードを完成することになる。この時、前記同じ工程の詳細な説明は、省略する。
【００５９】
一方、図１及び図２に示した製造工程により製造されたプローブカードが適用されたプローブカードの検査システムは、図３に示すように、外部電気信号を受け入れるための少なくとも一つ以上の接続端子４０と配線４５を具備している多層回路基板３５と、前記多層回路基板３５の接続端子４０上に備えるバンプ５５と、一側の下段に半導体チップのパッドと加圧接続する先端が備えて他側の上段に前記バンプ５５とポンディングされるビーム部２０ａになる複数のカンチレバー型検査用プローブ２０と、前記検査用プローブ２０とは別に前記検査用プローブ２０に加えられるＯＤの程度を感知するセンシング手段とプローブカード検査装置６０とで構成される。
【００６０】
前記センシング手段は、前記検査用プローブ２０とは別に前記多層回路基板３５の接続端子４０にバンプ５４を介して備える感知用プローブ２２と、前記感知用プローブ２２の先端部２２ｂの側ビーム部２２ａの上部面に備えた信号突出部３０と、前記信号突出部３０と対向する位置の前記多層回路基板３５上に備えて、前記ＯＤが一定範囲を越える場合に前記信号突出部３０と接触することによって、前記電気信号を外部で出力させるための感知用信号接続端子５０になる。
【００６１】
この時、前記信号突出部３０の高さは、前記検査用プローブ２０が予め設定されたＯＤ範囲内で作動する場合、端子と接続されないし、前記検査用プローブ２０が予め設定されたＯＤ範囲を超えて作動する場合、感知用信号接続端子５０と接続される高さである。
【００６２】
前記プローブカード検査装置６０は、前記センシング手段からセンシングされたＯＤレベルに従う電気信号が入力され、予め設定されたＯＤレベルと比較し、比較結果によって、全体システムを制御する制御部６１と、前記制御部６１の制御によるプロービング検査装置の駆動有無を制御するプロービング検査装置駆動部６２と、前記制御部６１の制御信号による前記ＯＤレベルをディスプレーするディスプレー部６３と、前記制御部６１の制御信号によるアラームを発生させるアラーム部６４で構成される。
【００６３】
以下、図３を参照して前記の通りに構成されたプローブカードの作用及びプローブカードの検査システムの作用について説明する。
【００６４】
図３の（ｂ）に示したように、プローブカードの検査用プローブ２０の先端部２０ｂが外部の物理力によって、加圧されて、検査用パッド１に接触して、外部から物理力が加えられ、ＯＤが予め確保されたＯＤ間隔ｄ１内に存在する場合、検査用プローブ２０が予め設定された間隔の範囲ｄ１内で曲がられるので、感知用プローブ２２は、感知用信号接続端子５０と一定の距離を維持することになる。これによって、感知用信号接続端子５０及び配線４５と連結した接続端子４０を通じて、ローレベルの電気的信号がプローブカード検査装置６０の制御部６１に入力される。
【００６５】
一方、図３の（ｃ）のように、外部から物理力が加えられてＯＤが、予め確保されたＯＤ間隔を抜け出した場合、検査用プローブ２０が予め設定された間隔を抜け出した範囲ｄ２になるので、感知用プローブ２０にも同一の物理力が加えられて、信号突出部３０が感知用信号接続端子５０に接続され、配線４５及び接続端子４０を通じて、ハイレバルの信号がプローブカード検査装置６０の制御部６１で入力される。
【００６６】
その際に、制御部６１は、まずプロービング検査装置駆動部６２を制御して、プロービング検査装置がプロービング検査動作を中止できるように制御する一方、現在状況をディスプレー部６３で出力させて、作業者に知らせる。
【００６７】
制御部６１は、アラーム部６４でアラーム発生信号を出力して、現場にある他の作業者や管理者に知らせる。この時、アラーム信号は、ブザー 、電子オーディオ信号、案内音声メッセージ等多様な方式で提供される。
【００６８】
なお、プローブカードの作動時に生成されるＯＤ感知情報は、未図示の記憶手段に記憶されて、該当パッドの検査工程が終了した後にも活用することができる。
【実施例１】
【００６９】
図４及び図５に示した実施の形態は、感知用プローブ２１のビーム部２１ａの長さを検査用プローブ２０のビーム部２０ａより長く形成して、前記ビーム部２１ａの終端部から内側で所定間隔に離れた地点に先端部の２１ｂを形成させ、実施の形態と同一にＯＤを感知することができるように感知用プローブ２１を形成したものとして、実施の形態と同じ構成要素には、同一な符号を付けて、重複説明を省略する。
【００７０】
即ち、図１の（ａ）乃至（ｄ）に示した工程と同じ工程を実行して先端部を形成するためのトレンチが形成され、トレンチが形成された犠牲基板５上部にシード層１０が形成されると、図４の（ｅ）に示したように、前記犠牲基板５上に検査用プローブの先端部が端部に備えるビーム部及び感知用プローブ２１の先端部２１ｂが一側から所定間隔に離れた地点に備えるビーム部２１ａ断面のパターンを有する第１保護膜パターン１５を形成する。
【００７１】
そして、図４の（ｆ）に示したように、第１保護膜パターン１５を通じて開放されたトレンチ及び空間部に導電性物質をメッキ工程によって形成し、先端部の２０ｂと前記先端部の２０ｂを終端部に一体に形成するビーム部２０ａによって成り立った前記検査用プローブ２０及び、先端部の２１ｂと前記先端部の２１ｂを一側の端部から内側で所定間隔に離れた地点に一体に形成するビーム部２１ａによって成り立った感知用プローブ２１を形成する。
【００７２】
以後、プローブカードを製造するための工程は、前述した実施の形態と同一なものであるので、ここでは、その詳細な説明を省略する。
【００７３】
一方、図５は、ウェットエッチング及び異方性ドライエッチング工程を連続的に実行することによって犠牲基板５内部に検査用プローブ２０及び感知用支持ビーム２１を形成させる製造方法を説明するための図面として図１との同一構成要素には、同一な符号を付けて、重複する工程の説明を省略する。
【００７４】
即ち、図５の（ａ）に示したように、一般的な検査用プローブ２０のビーム部２０ａの断面を有する一方、先端部２０ｂがビーム部の一側の端部から内側で所定間隔に離れた地点に形成されるようにする感知用プローブ２１のビーム部２１ａ断面パターンを有する第１保護膜パターン１５を形成した後、ウェットエッチング及び異方性ドライエッチング工程を連続的に実行することによって検査用プローブ２０を形成させることができる空間部と、先端部２１ｂがビーム部２１ａの中間に位置される感知用プローブを形成させることができる第２開口部とを形成する。
【００７５】
以後、メッキ工程を通じて、メッキ物質が前記空間部に形成されるようにして図５の（ｂ）のように先端部の２０ｂと、前記先端部の２０ｂとを終端部に一体に形成するビーム部２０ａによって成り立った検査用プローブ２０及び、先端部の２１ｂと前記先端部の２１ｂの一側の端部から内側で所定間隔に離れた地点に一体に形成されるビーム部２１ａによって成り立つ感知用プローブ２１を形成する。
【００７６】
前記の通りに図４及び図５のように成り立つ製造方法によって製造されたプローブカード又はセンシング手段である感知用プローブ２１がビーム部２１ａと、前記ビーム部２１ａの一側の端部から内側で所定間隔に離れた地点に先端部の２１ｂが一体に形成される点のみが、実施の形態と相違になり、その以外の部分は、同一なので、ここでは、センシング手段のみに対して説明する。
【００７７】
即ち、センシング手段は、前記検査用プローブ２０と別に前記多層回路基板３５の接続端子４０にバンプ５４を介して備え、前記ビーム部２１ａの一側の端部から内側で所定間隔に離れた地点に先端部２１ｂが備えることによって前記ビーム部２１ａが先端部の外側に延びる感知用プローブ２１と、前記感知用プローブ２１のバンプ反対側ビーム部２１ａの端部に対向する位置の前記多層回路基板３５上に備え、前記ＯＤが一定範囲を越える場合に前記ビーム部２１ａ端部と接触することによって前記電気信号を外部で引き出すための感知用信号接続端子５０によって成り立つ。
【００７８】
一方、前記のように構成されたセンシング手段を有するプローブカードの検査装置６０の作用も前述した実施の形態と同一なので、ここでは、その詳細な説明を省略する。
【００７９】
即ち、図６に示したように、外部から印加される物理力によって、前記検査用プローブ２０にＯＤが発生する場合、前記ＯＤの発生範囲程度によって前記ビーム部２１ａの端部が感知用信号接続端子５０と選択的に接続され、プローブカード検査装置６０の制御部６１は、前記感知用信号接続端子５０から入力される電気的信号に応じて、実施の形態と同じようにプロービング検査装置駆動部６２、ディスプレー部６３、アラーム部６４を制御する。
【実施例２】
【００８０】
図７及び図８に示した実施の形態は、多層回路基板３５に形成される複数のバンプの中、検査用プローブ２０がポンディングされるバンプ５５の高さが、感知用プローブ８０がポンディングされるバンプ５４の高さより高いように成り立つことと、さらに前記感知用プローブ部８０のビーム部８０ａが前の実施の形態より厚く成長させることが、実施の形態と相違であるので、実施の形態との同一構成要素には、同一符号で付けて、重複する工程の説明を省略する。
【００８１】
即ち、図７の（ａ）に示したように、多層回路基板３５を準備して、前記多層回路基板３５上に複数個バンプ断面のパターンを有する第１保護膜パターン６５を形成する。
【００８２】
図７の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン６５を貫通して開放された空間部に導電性物質をメッキ工程によって形成し、バンプ５４、５５を形成する。
【００８３】
図７の（ｃ）に示したように、前記複数のバンプの中、所定のバンプ５５を選択的に開放するための第２保護膜パターン６４を形成する。
【００８４】
図７の（ｄ）に示したように、前記第２保護膜パターン６４を貫通して開放された空間部に導電性物質をメッキによって形成することによって、前記所定バンプ５５の高さを高くして、調節する。
【００８５】
一方、前記ポンプ５４、５５にポンディングする検査用プローブ２０及び感知用プローブ８０は、図７の（ｅ）乃至図７の（ｇ）に示したように、図１の（ａ）乃至（ｆ）に示した工程と同じ工程を実行することによって形成される。
【００８６】
前記のようにエッチング工程を通じて先端部の２０ｂと前記先端部の２０ｂを終端部に一体に形成するビーム部２０ａによって形成された検査用プローブ２０及び、先端部の８０ｂと前記先端部の８０ｂを終端部に一体に形成するビーム部８０ａによって形成された感知用プローブ８０は、犠牲基板５の内部に形成される。
【００８７】
図７の（ｈ）に示したように、前記感知用プローブ８０のビーム部８０ａ上部面にビーム部８０ａを成長させるための第３保護膜パターン８５が形成される。
【００８８】
図７の（ｉ）及び（ｊ）に示したように、前記第３保護膜パターン８５を貫通して開放された空間部に導電性物質をメッキによって形成し、前記感知用プローブ８０のビーム部８０ａのみを選択的に成長させる。
【００８９】
そして、図７の（ａ）及び（ｃ）に示したように、前記複数のバンプを形成するための第１保護膜パターン６５と、前記バンプの中、所定バンプを選択的に成長させるための第２保護膜パターン６４と、図７の（ｈ）に示した前記感知用支持ビーム８０のビーム部８０ａを成長させるための第３保護膜パターン８５とは、ウェットエッチング工程を利用して除去される。
【００９０】
図７の（ｋ）に示したように、前記検査用プローブ２０と感知用プローブ８０の一側の終端部は、多層回路基板３５上に形成されたバンプ５５、５４に一括ポンディングさせる。
【００９１】
図７の（l）に示したように、前記犠牲基板５を除去することによって前記検査用プローブ２０及び感知用プローブ８０が開放される。
【００９２】
一方、図８に示した実施例は、検査用プローブ２０のビーム部２０ａ及び感知用プローブ８０のビーム部８０ａが犠牲基板５上部に形成された点が、図７を通じて説明した実施例と相違である。即ち、図８の（ａ）に示した先端部２０ｂを一側の終端部に一体に形成するビーム部２０ａによって成り立った検査用プローブ２０及び、先端部の８０ｂと先端部８０ｂを一側の終端部に一体に形成するビーム部８０ａによって成り立った感知用プローブ８０の製造方法は、図１の（ａ）乃至図１（ｆ）と同一なので、ここでは、その詳細な説明を省略する。
【００９３】
そして、図８の（ａ）に示したように、犠牲基板５の上部に検査用プローブ２０及び感知用プローブ８０を形成した後、前記感知用プローブ８０のビーム部８０ａのみを選択的に成長させるために犠牲基板５の上部に保護膜パターン７５を形成させる。ここで、未説明の図面符号１５は、検査用プローブ２０及び感知用プローブ８０を形成させるための保護膜パターンである。
【００９４】
そして、図８の（ｂ）に示したように、前記保護膜パターン７５を貫通して開放された空間部に導電性物質をメッキによって形成し、前記感知用プローブ８０のビーム部８０ａのみが成長される。
【００９５】
以後の工程は、図７を通じて説明した実施の形態と同一なので、その詳細な説明を省略する。前記のように図７及び図８のように実行される製造方法によって製造されたプローブカードは、センシング手段のみが実施例と相違であり、その以外の部分は、同一なので、ここでは、センシング手段のみに対して説明する。
【００９６】
即ち、センシング手段は、図９に示したように、前記検査用プローブ２０と別に前記多層回路基板３５の接続端子４０にバンプ５４を介して備える前記ビーム部８０ａが成長されてなる感知用プローブ８０と、前記感知用プローブ８０のバンプ５４の反対側ビーム部８０ａの端部に対向する位置の前記多層回路基板３５上に備え、前記ＯＤが一定範囲を越える場合に、前記ビーム部８０ａの端部と接触することによって前記電気信号を外部で引き出すための感知用信号接続端子５０によって成り立つ。
【００９７】
一方、前記のように構成されたセンシング手段を有するプローブカード検査装置６０の作用は、また実施の形態と同一なので、ここでは、その詳細な説明を省略する。
【００９８】
即ち、外部から印加される物理力によって、前記検査用プローブ２０にＯＤが発生する場合、前記ＯＤの発生範囲の程度により前記感知用プローブ８０のビーム部８０ａの端部が感知用信号接続端子５０に選択的に接続されて、プローブカード検査装置６０の制御部６１は、前記感知用信号接続端子５０から入力される電気的信号に応じて、実施の形態１と同じようにプロービング検査装置駆動部６２、ディスプレー部６３、アラーム部６４を制御する。
【実施例３】
【００９９】
図１０に示した実施例は、検査用プローブ２０の一側の端部がポンディングされるバンプ５５と、感知用プローブ２２の一側の端部がポンディングされるバンプ５４との高さを異なるように実現させてプローブのＯＤを感知しようとする実施の形態である。図１０の（ａ）に示したように、先に多層回路基板３５上にバンプ５５，５４を形成するための第１保護膜パターン６５を形成する。
【０１００】
図１０の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン６５を貫通して開放された空間部に導電性物質をメッキによって形成し、バンプ５５、５４が形成させる。
【０１０１】
図１０の（ｃ）に示したように、前記バンプ５５、５４が形成された多層回路基板３５上に前記バンプ５５を選択的に成長させるために第２保護膜パターン６４が形成される。
【０１０２】
図１０の（ｄ）に示したように、前記第２保護膜パターン６４を貫通し開放された空間部に導電性物質をメッキによって形成し、所定バンプ５５のみを成長させる。
【０１０３】
図１（ａ）乃至（ｆ）を通じて説明した工程と同じ工程を実行して、検査用プローブ２０を形成させる。ここでは、前記検査用プローブ２０の製造工程に対する詳細な説明は、省略する。
【０１０４】
そして、図１０の（ｅ）に示したように、先端部の２０ｂと前記先端部の２０ｂを一側の終端部に一体に形成するビーム部２０ａによって成り立った検査用プローブ２０を多層回路基板３５上に形成されたバンプ５５に一括的にポンディングさせた後、犠牲基板５０をウェットエッチング工程を利用して、除去する。
【０１０５】
図１０の（ｆ）に示したように、前記検査用プローブ２０と別に製造された先端部の２２ｂと前記先端部の２２ｂを一側の終端部に一体に形成するビーム部２２ａによって成り立った感知用プローブ２２とを前記多層回路基板３５に形成されたバンプ５４にレーザポンディング装置を利用して、個別にポンディングさせる。この時、感知用プローブ２２の製造方式は、検査用プローブ２０の製造方式と同一なので、その詳細な説明は、省略する。
【０１０６】
この時、前記検査用プローブ２０のビーム部２０ａの厚さ及び感知用プローブ２２のビーム部２２ａの厚さは、同一であり、前記多層回路基板３５上に形成されたバンプ５５、５４の高さが異なり、その高さは、図１１に示したように、前記検査用プローブ２０が予め設定されたＯＤ範囲内で作動する場合、感知用信号接続端子５０と接続されなくて、前記検査用プローブ２０が予め設定されたＯＤ範囲を超えて作動する場合、感知用プローブ２２のビーム部２２ａの終端部が感知用信号接続端子５０と接続される高さである。
【０１０７】
前述のように、図１０と同じように成り立った製造方法によって製造されたプローブカードは、またセンシング手段のみが実施の形態と相違しており、それ以外の部分は同一であるので、ここでは、センシング手段のみ説明する。
【０１０８】
前記センシング手段は、前記検査用プローブ２０と別に前記多層回路基板３５の接続端子４０に前記検査用プローブ２０のバンプ５５より高さが低いバンプ５４を介して備える感知用プローブ２２と、前記感知用プローブ２２のバンプ５４の反対側ビーム部２２ａの端部と対向する位置の前記多層回路基板３５の上に備え、前記ＯＤが一定範囲を越える場合に、前記ビーム部２２ａ端部と接触することによって前記電気信号を外部で引き出すための感知用信号接続端子５０によって成り立つ。
【０１０９】
一方、前記の通りに構成されたセンシング手段を有するプローブカード検査装置６０の作用は、また実施の形態と同一であるので、ここでは、その詳細な説明を省略する。
【０１１０】
即ち、外部から印加される物理力によって、前記検査用プローブ２０にＯＤが発生する場合、前記ＯＤの発生範囲の程度により前記感知用プローブ２２のビーム部２２ａの端部が感知用信号接続端子５０に選択的に接続されて、プローブカード検査装置６０の制御部６１は、前記感知用信号接続端子５０から入力される電気的信号に応じて、実施の形態と同じようにプロービング検査装置駆動部６２、ディスプレー部６３、アラーム部６４を制御する。
【実施例４】
【０１１１】
図１２に示した実施例は、多層回路基板３５上に信号突出部９５を形成させてプローブのＯＤを感知しようとする実施例として、図１２の（ａ）に示したように、多層回路基板３５を準備した後、感知用プローブの先端部側に対応する位置の前記多層回路基板３５上に信号突出部９５を形成する一方、バンプを形成するための第１保護膜パターン６５を形成する。
【０１１２】
図１２の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン６５を貫通して開放された空間部に導電性物質をメッキによって形成し、信号突出部９５及びバンプ５４、５５を形成する。
【０１１３】
図１２の（ｃ）に示したように、前記検査用プローブ２０と感知用プローブ２２の先端部の反対側のビーム部と前記多層回路基板３５との間に前記信号突出部９５より高さが高いバンプを介するための第２保護膜パターン６４を形成する。
【０１１４】
図１２の（ｄ）に示したように、第２保護膜パターン６４を貫通して開放された空間部に導電性物質をメッキによって形成させて成長されたバンプ５５、５４を形成する。
【０１１５】
図１２の（ｅ）に示したように、第１、第２保護膜パターン６５、６４をウェットエッチング工程を通じて除去する。
【０１１６】
そして、実施の形態の図１（ａ）乃至（ｆ）を通じて説明した工程と同じ工程を実行して、検査用プローブ２０及び感知用プローブ２２を形成させる。ここでは、前記検査用プローブ２０及び感知用プローブ２２の製造工程に対する詳細な説明は省略する。
【０１１７】
図１２の（ｆ）に示したように、先端部の２０ｂと前記先端部の２０ｂを一側の終端部に一体に形成するビーム部２０ａによって成り立った検査用プローブ２０及び、先端部の２２ｂと前記先端部の２２ｂを一側の終端部に一体に形成するビーム部２２ａによって成り立った感知用プローブ２２を、多層回路基板３５上に形成されたバンプ５５、５４に一括的にポンディングさせる。
【０１１８】
そして、図１２の（ｇ）に示したように、犠牲基板５をウェットエッチング工程を利用して、除去することによって、前記検査用プローブ２０と感知用プローブ２２とを開放させる。
【０１１９】
前記のように図１２のように成り立つ製造方法によって製造されたプローブカード、又はセンシング手段が、実施の形態と相違であり、多層回路基板３５上にプローブのＯＤをセンシングするための信号突出部９５が形成されたことであるので、その以外の部分は、同一なので、ここでは、センシング手段のみに対して説明する。
【０１２０】
即ち、センシング手段は、図１３に示したように、前記検査用プローブ２０と別に前記多層回路基板３５の接続端子４０にバンプ５４を介して備える感知用プローブ２２と前記感知用プローブ２２の先端部２２ｂと対応する位置の前記多層回路基板３５上に備える感知用信号接続端子５０と前記感知用信号接続端子５０上に前記バンプ５４、５５より高さが低く形成された信号突出部９５によって構成される。
【０１２１】
一方、前記のように構成されたセンシング手段を有するプローブカード検査装置６０の作用は、又実施の形態と同一であるので、ここでは、その詳細な説明を省略する。
【０１２２】
即ち、外部から印加される物理力によって、前記検査用プローブ２０にＯＤが発生する場合、前記ＯＤの発生範囲の程度により前記感知用プローブ２２のビーム部２２ｂの端部が感知用信号接続端子５０と連結され、形成された信号突出部９５と選択的に接続され、プローブカード検査装置６０の制御部６１は、前記感知用信号接続端子５０から入力される電気的信号に応じて、実施の形態と同じようにプロービング検査装置駆動部６２、ディスプレー部６３、アラーム部６４を制御する。
【０１２３】
前述した実施の形態によって実現された前記感知用プローブ２２は、半導体チップのダミーパッドと接触するようになっているし、前記センシング手段は、接触センサ、圧力センサ又は光センサ等で代替されることができる。
【０１２４】
図１４は、前記実施の形態によって製造された感知用プローブ２２をプローブカードに適用させた実施の形態を説明するためのものとして、プローブカードに従う感知用プローブ２２の多様な適用位置に備えてプローブのＯＤを感知するだけでなくプローブカードに対するウェハの平坦度を感知することができる。
【０１２５】
図１５は、感知用プローブ２２が接触するダミーパッドに対して説明するためのものとして、図１５の（ａ）に示したように、一定に配列された検査用プローブ２０と感知用プローブ２２を有するプローブカードにマッチングさせて図１５の（ｂ）のようにウェハの（１）領域に前記検査用プローブの先端が接触する検査するパッドを備えて、ウェハの（２）領域に前記感知用プローブの先端が接触するダミーパッドを備えている。
【０１２６】
即ち、図１５に示したように、検査用プローブ２０の先端は、検査するパッド１の上部に接触し、感知用プローブ２２の先端は、ダミーパッド２の上部に接触して、オーバードライブやウェハの平坦度を感知して、プローブカード検査装置６０に送る。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
本発明のプローブカードの製造方法及びそのプローブカード、プローブカードの検査システムは、半導体装置を検査するために使用される。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本発明に従うＯＤ感知用プローブを含むプローブカードの製造方法の一実施の形態を説明するための側断面図である。
【図２】図１の感知用プローブの製造方法のその他の実施の形態を説明するための側断面図として、図１と異なる部分のみを抜粋して示した図である。
【図３】図１及び図２の製造方法によって製造されたＯＤ感知用プローブが適用されたプローブカードの検査システムを説明するための図である。
【図４】本発明に従うＯＤ感知用プローブを含むプローブカード製造方法のその他の実施の形態を説明するための側断面図である。
【図５】図４の感知用プローブの製造方法と異なるその他の実施の形態を説明する側断面図である。
【図６】図４及び図５の製造方法によって製造されたＯＤ感知用プローブが適用されたプローブカードの検査システムを説明するための図である。
【図７】本発明に従うＯＤ感知用プローブを含むプローブカード製造方法のその他の実施の形態を説明するための側断面図である。
【図８】図７の感知用プローブの製造方法と異なる実施の形態の製造工程を説明するための側断面図である。
【図９】図７及び図８の製造方法によって製造されたＯＤ感知用プローブが適用されたプローブカードの検査システムを説明するための図面である。
【図１０】本発明に従うＯＤ感知用プローブを含むプローブカード製造方法のその他の実施の形態を説明するための側断面図である。
【図１１】図１０の製造方法によって製造されたＯＤ感知用プローブが適用されたプローブカードの検査システムを説明するための図面である。
【図１２】本発明に従うＯＤ感知用プローブを含むプローブカード製造方法のその他の実施の形態を説明するための側断面図である。
【図１３】図１２の製造方法によって製造されたＯＤ感知用プローブが適用されたプローブカードの検査システムを説明するための図面である。
【図１４】本発明に従う平坦度感知用プローブの他の実施の形態を示した図面である。
【図１５】プローブカードにマッチングされるようにウェハ上に形成されたパッドとダミーパッドを示した図面である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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