【事件の表示】
　特許第２９５４１１４号「液晶表示装置の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５４１１４号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
  特許第２９５４１１４号の発明は、昭和６３年１１月２８日に出願した特願昭６３−２９８２２４号の一部を平成７年１１月２８日に新たな特許出願とした特願平７−３３１１９０号の一部を平成９年１０月２４日に新たな特許出願としたものであって、平成１１年７月１６日にその特許の設定の登録がなされ、その後、佐藤光男、森崎由紀子により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１２年９月１８日付けで訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者は、以下の訂正を求めるものである。
特許請求の範囲の請求項１の「対向電極及び前記画素電極に対応した所定の開口部を有する遮光膜が形成された第２基板と」を「前記画素電極に対応した所定の開口部を有する遮光層及びこの遮光層上に対向電極が形成された第２基板」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項は、本件特許の願書に添付した図１の図面に基づいて対向電極と遮光層との積層の順番を限定して特許請求の範囲を減縮するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについての判断
　ア．本件発明
   訂正明細書の請求項１および２に係る発明（以下、「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１および２に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】一主面上に薄膜素子及びこれに接続される画素電極からなる一画素をマトリクス状に配置した第１基板と、一主面上に前記画素電極に対応した所定の開口部を有する遮光層及びこの遮光層上に対向電極が形成された第２基板と、前記第１及び第２基板を互いの前記一主面側が対向するように組み合わせて得られる間隙に挟持した液晶とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記第２基板上に、金属酸化膜と、この金属酸化膜上に金属膜とを順次形成して積層膜を形成する工程と、前記積層膜をパターニングして前記遮光層を形成する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　前記積層膜の形成工程は、基板上に金属膜を形成し、これを酸化処理して第1 の金属酸化膜を形成する工程と、前記第1 の金属酸化膜上に金属膜を積層する工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。」
イ．特許法第２９条第２項違反について
　当審が、平成１２年７月４日付けで通知した取消理由において引用した刊行物１：特開昭６０−１２０３２１号公報には、以下の事項が記載されている。
「第１図、第２図に従来の構成の単位絵素の断面図を示す。１は液晶、２ａ、２ｂは配向膜、３ａ、３ｂはカラーフィルタ、４はブラックストライプ、６ａ、６ｂは透明基板である。ＴＦＴはゲート電極７，ゲート絶縁膜８、半導体層９，ソ ース又はドレイン電極１０ａ，１０ｂよりなり、ドレイン電極（ソース電極）１０ｂは単位絵素に相当する透明電導膜１３に接続している。１１は半導体層の保護膜で、さらにその上部に光しゃへい膜１２が形成されている。ＴＦＴは透明なガラス基板６ｂの上に設置される。」（１頁右下欄１８行〜２頁左上欄８行）、
「次に、表面黒化した金属や、・・・黒に着色するなどしてブラックストライプ４を基板６ａ上に格子状に形成する。このブラックストライプ４は、カラーフィルタの各色の境界部での反射をおさえて画像を鮮明にする効果だけでなく、基板６ｂ上に形成された配線からの反射を防止し（「放止」は誤記と認める。）、かつトランジスタの光導電効果を抑制するといった光遮へい効果も兼ね合せもっている。」（２頁左上欄末行〜右上欄８行）、
「第２図も従来例の１つであるが、第１図に示す構造と違う点は、カラフィルタ３ａ，３ｂと透明電導膜５の配置の上下が逆であるというだけで、その他の構造、配置については第１図の場合と全く同じである。」（２頁左下欄８〜１２行）と記載されている。
上記を含む明細書及び図面によれば、刊行物１には、「一対の透明基板６ａ、６ｂを対向するように組み合わせて得られる間隙に封入した液晶１と、前記一対の透明基板の一方の一面上にＴＦＴと、該ＴＦＴに接続された単位絵素１３からなる一画素をマトリックス状に配置した第１の基板６ｂと、他方の透明基板６ａと透明電導膜５の間に配置された表面黒化した金属からなるブラックストライプ４が形成された第２の基板６ａからなる液晶表示装置及びその製造方法」の発明が記載されている。
　同じく刊行物２：特開昭６１−２３５８１９号公報には、以下の事項が記載されている。液晶表示素子の遮光膜に関し、「上基板１の外側面には、Ｃｒ２Ｏ３などのように無光沢性を有する金属膜５と、Ｃｒなどのように遮光性を有する金属膜６と、Ｃｒ２Ｏ３などのように無光沢性を有する金属膜７とからなる３層金属膜が形成されている。」（２頁左上欄７〜１１行）、「上記実施例においては、・・・両側無光沢面としたが、一方の面のみに金属膜５または７を形成して２層金属膜とし、片側無光沢面にしてもよい。」（２頁右上欄９〜１５行）、「本発明によれば、遮光膜を遮光性の金属膜と無光沢性の金属膜との多層金属膜によって形成したので、遮光性及び無光沢性の両方を満足できる。また微細パターンを形成することができると共に、位置精度も向上する。」（２頁右上欄１７〜左下欄２行）と記載されている。上記を含む明細書及び図面によれば、刊行物２には、基板１の外側面に、Ｃｒ２Ｏ３などのように無光沢性を有する金属膜５と、Ｃｒなどのように遮光性を有する金属膜６と、Ｃｒ２Ｏ３などのように無光沢性を有する金属膜７とからなる３層金属膜を形成し、パターンを形成することが記載されている。
　本件発明１と刊行物１記載の発明を対比すると、刊行物１記載の発明の、「ＴＦＴに接続された単位絵素１３からなる一画素をマトリックス状に配置した第１の基板６ｂ」、「透明基板６ａと透明電導膜５の間に配置されたブラックストライプ４が形成された第２の基板６ａ」はそれぞれ本件発明１の「一主面上に薄膜素子及びこれに接続される画素電極からなる一画素をマトリクス状に配置した第１基板」、「一主面上に前記画素電極に対応した所定の開口部を有する遮光層及びこの遮光層上に対向電極が形成された第２基板」に相当するので、両者は、一主面上に薄膜素子及びこれに接続される画素電極からなる一画素をマトリクス状に配置した第１基板と、一主面上に前記画素電極に対応した所定の開口部を有する遮光膜及びこの遮光層上に対向電極が形成された第２基板と、前記第１及び第２基板を互いの前記一主面側が対向するように組み合わせて得られる間隙に挟持した液晶とを有する液晶表示装置の製造方法において一致するが、以下の点で相違する。
　本件発明１は、第２基板上に、金属酸化膜と、この金属酸化膜上に金属膜とを順次形成して積層膜を形成する工程と、前記積層膜をパターニングして前記遮光層を形成する工程と、を有するのに対して、刊行物１記載の発明は、表面黒化した金属からなるブラックストライプを第２の基板に形成するものである点。
　上記相違点について検討すると、刊行物１記載の発明のブラックストライプは光吸収と光遮蔽の効果を要求されるものであるので（刊行物１第２頁右下欄第７〜９行）、刊行物１記載の発明において表面黒化した金属からなるブラックストライプの代わりに、無光沢性及び遮光性の両方を満足する刊行物２の３層金属膜の遮光膜を採用し、第２基板上に、金属酸化膜と、この金属酸化膜上に金属膜とを順次形成して積層膜を形成する工程と、前記積層膜をパターニングして前記遮光層を形成する工程を有するものとすることに格別の困難性はない。そして、刊行物２記載の無光沢性の金属膜の反射率が金属の光沢面より小さいことは明らかであるから、外光に対する遮光層の反射率を小さくし、コントラストの低下を低減するという、本件発明１の効果は刊行物１及び２記載のものから予測し得る程度のものである。なお、特許権者が、平成１２年９月１８日付け特許異議意見書の第８〜９頁において主張している本件発明の効果はいずれも刊行物１及び２記載の発明から予測し得る程度のものであるので、格別のものとは認められない。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるで、本件発明１は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の金属酸化膜を形成する工程を、基板上に金属膜を形成し、これを酸化処理して形成する工程に限定したものであるが、金属膜を陽極酸化法により金属酸化膜とすることは周知慣用（必要があれば例えば特開昭６１−２８１２８１号公報、特開昭６２−５８２２６号公報参照）であるので、刊行物１記載の発明において、上記「本件発明１について」において述べたことに加え、基板上に金属膜を形成し、これを酸化処理して第1 の金属酸化膜を形成する工程を有するものとすることに格別の困難性はない。  
　したがって、本件発明２は、上記刊行物１及び２に記載された発明並びに周知慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本件発明２は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
４．むすび
 　以上のとおり、本件の請求項１および２係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月３日（２０００．１０．３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許請求の範囲の請求項１の「対向電極及び前記画素電極に対応した所定の開口部を有する遮光膜が形成された第２基板と」を「前記画素電極に対応した所定の開口部を有する遮光層及びこの遮光層上に対向電極が形成された第２基板」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　一主面上に薄膜素子及びこれに接続される画素電極からなる一画素をマトリクス状に配置した第１基板と、一主面上に
　
前記画素電極に対応した所定の開口部を有する遮光層及びこの遮光層上に
　前記第２基板上に、金属酸化膜と、この金属酸化膜上に金属膜とを順次形成して積層膜を形成する工程と、
　前記積層膜をパターニングして前記遮光層を形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　前記積層膜の形成工程は、基板上に金属膜を形成し、これを酸化処理して第１の金属酸化膜を形成する工程と、
　前記第１の金属酸化膜上に金属膜を積層する工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は透過型でアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、液晶を用いた表示素子は、テレビ表示やグラフィックディスプレイ等を指向した大容量で高密度のアクティブマトリクス型液晶表示素子の開発及び実用化が盛んである。このような表示素子では、クロストークのない高コントラストの表示が行えるように、各画素の駆動と制御を行う手段として半導体スイッチが用いられる。その半導体スイッチとしては、透過型表示が可能であり大面積化も容易である等の理由から、透明絶縁基板上に形成されたＴＦＴ等が、通常用いられている。
　【０００３】
　図４はＴＦＴを備えた表示画素電極アレイを用いた液晶表示装置の一画素を表す断面図である。同図において、第１基板１上には、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）からなる半導体層４、ドレイン電極５及びソース電極６から構成される薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）７と、このＴＦＴ７のソース電極６に接続された画素電極８とが形成され、更に、ＴＦＴ７と画素電極８に覆うように保護膜９が形成されている。また、第２基板上には、所定の位置に遮光層１１が形成され、更に、この遮光層１１を覆うように全面に対向電極１２が形成されている。そして、第１及び第２基板１、１０の間隙には、液晶層１３が挟持されて、液晶表示素子１４が構成されている。また、第２基板１０の後方にはバックライト１５を設置し、表示は第１基板１側から観察するものとする。ここで、遮光層１１は、画素間の境界にある無電極部分を覆う役目と、バックライト１５からの光或いは周囲の外光によってＴＦＴ７の特性、特にオフ特性が変わることを防ぐ役目を有している。
　【０００４】
　図５は図４と同じくＴＦＴを備えた表示画素電極アレイを用いた液晶表示装置の一画素を表す断面図であり、図４と対応する部分には同一の符号を付してある。図５においては、第１基板１の後方にバックライト１５を設置している点が図４の場合と異なっている。
　【０００５】
　これらの液晶表示装置では、ゲート電極２に書き込みパルスを与えることで、ドレイン電極５とソース電極６の間に導通状態になってドレイン電極５の信号が画素電極８と対向電極１２に挟持された液晶層１３の容量に信号が蓄積される。これにより、画素が動作状態となり、画素に信号が書き込まれる。書き込みパルスが立ち下がってから、次の書き込みパルスが与えられるまでの間は、液晶層１３は保持状態となり、液晶層１３の容量によって液晶表示素子の動作が保持される。この際、ドレイン電極５とソース電極６の間は理想的には非導通常状態であるが、ＴＦＴ７の半導体層４を構成するα−Ｓｉが光導電性を有するため、外光がＴＦＴ７の部分に入ると、ドレイン電極５とソース電極６の間は完全な非導通状態とはならず、画素電極８の電位は徐々にドレイン電極５の電位に近づいていく。従って、保持状態にあるときも絶えず信号電位の影響を受け、いわゆるクロストークと呼ばれる現象が表示コントラスト低下の一因となったり、或いは、画面内で輝度むらを生じたりする。
　【０００６】
　そこで、外光がＴＦＴ７の部分に入るのを防ぐために、一般的には図４に示すような遮光層１１を設けている。この遮光層１１の材料としては、大きく分けて染色材料と金属膜の２つが考えられるが染色材料は微細加工性に欠けるという欠点を有しているため、金属膜が用いられることが多い。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、遮光層１１の材料として金属膜を用いた場合、図４に示した配置では、表示観察面からの外光が遮光層１１によって反射され、その反射光がＴＦＴ７の半導体層４に影響を与える。また、図５に示した配置では、周囲からの外光が表示面で反射して表示上で影響を受けることがある。この場合、保持動作中にＴＦＴ７を通過するリーク電流が大きくなり、画面の上下で輝度むらが生じたり、クロストークが生じたりあるいは画面のちらつきの一因になっていた。この発明は、このような事情に鑑みなされたものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板と、一対の基板の一主面を対向するように組み合わせて得られる間隙に挟持した液晶と、一対の基板間に配置された遮光層とを有する液晶表示装置の製造方法であって、金属酸化膜、金属膜を有する積層膜を形成する工程と、積層膜をパターニングして遮光層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
　【０００９】
　本発明の液晶表示装置の製造方法により製造された液晶表示装置を表示観察面側に金属酸化膜が配置されるように遮光層を配置することにより、表示観察面側からの外光に対して、金属酸化膜が反射防止膜となり、反射率が小さくなる。
　【００１０】
　【発明の実施の形態】
　以下、図面を参照してこの発明の第１の実施形態を詳細に説明する。図１において、例えばガラスからなる第１の基板１の一主面上には、例えばＣｒ膜をスパッタ法で被覆した後、所定の形状にフォトエッチングすることによりゲート電極２が形成され、更に、これを覆うように例えばＳｉＯｘからなるゲート絶縁膜３がプラズマＣＶＤ法により形成されている。そして、ゲート絶縁膜３上のゲート電極２に対向する部分には、例えばｉ型の水素化アモルファスシリコン（α−Ｓｉ：Ｈ）からなる半導体層４がプラズマＣＶＤ法を利用して形成されている。そして、半導体層４のソース領域側に隣接するゲート絶縁膜３上には、例えばＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）膜をスパッタ法で被覆した後、所定の形状にフォトエッチングすることにより画素電極８が設けられている。また、ソース領域にはソース電極６の一端が接続され、ソース電極６の他端は画素電極８上に延在して接続されている。さらに、ドレイン領域にはドレイン電極５とソース電極６とは、例えばＭｏ膜とＡｌ膜とをスパッタ法で順次被膜した後、所定の形状にフォトエッチングするという同じ工程で形成している。こうして第１基板１上に、所定の薄膜素子７即ちＴＦＴと、これに接続される画素電極８が得られる。ここで、薄膜素子７とこれに接続される画素電極８により一画素が構成されており、図示はしていないが、この一画素は第１の基板１上でマトリクス状に配置されている。そして、第１基板１の一主面上には、更に全面に例えばＳｉＯｘからなる保護膜９が形成されている。
　【００１１】
　一方、例えばガラスからなる第２基板１０の一主面上には、例えばＩＴＯからなる対向電極１２、及び画素電極８に対応した所定の開口部を有するブラックマトリクスとしての遮光層１１が順次形成されている。ここで、遮光層１１は、図３（ｃ）に示すように、例えば酸化クロムからなる金属酸化膜１１ａ／例えばクロムからなる金属膜１１ｂの二層構造を含んでおり、遮光層１１内において、金属酸化膜１１ａは第２の基板側に最も近い層である。そして、金属膜１１ｂの膜厚が約１０００オングストロームであるのに対し、金属酸化膜１１ａの膜厚は数十オングストロームで、金属膜１１ｂの膜厚に比べ無視できるほど薄い。また、遮光層１１の形成工程は、まず、膜厚数十オングストロームのクロム層を形成した後に陽極酸化法等の方法で酸化処理を施して金属酸化膜を形成し、更にこの上に、膜厚約１０００オングストロームのクロム層を形成して金属膜を形成し、次に、所定の形状にパターニングすればよい。そして、第１及び第２基板１，１０とは違いの一主面側が対向するように組み合わせられ、これにより得られる間隙には液晶層１３が挟持されている。こうして、所望のアクティブマトリクス型の液晶表示素子１４が得られる。
　【００１２】
　更に、第１基板１側には、例えば冷陰極放電管からなる照明手段１５が配置されており、第１基板１の他主面側から照明を行う形になっている。この実施形態では、表示観察面となる第２基板１０側から入射した外光に対しては、反射防止膜としての金属酸化膜１１ａの存在により反射率は小さくなり、コントラストの低下による表示の見ずらさは感じられない。
　【００１３】
　更に他の実施形態の液晶表示装置は、図１に示すように、遮光層の構造が金属酸化膜１１ａ／金属膜１１ｂ／金属酸化膜１１ｃの三層構造を含み且つ最上層及び最下層が金属酸化膜となっている。
　【００１４】
　図２は遮光層１１の構成を図１に示すような三層構造とした場合と図３（ｃ）と同様に二層構造とした場合における信号電圧（Ｖ）と透過率（％）の関係を示す図である。図２からわかるように、遮光層１１の構成を金属酸化膜１１ａ／金属膜１１ｂ／金属酸化膜１１ｃの三層構造とすることにより、図３（ｃ）の二層構造の場合と比べ、例えば透過率が５０％となる信号電圧を１００〜３００ｍＶ低くすることができる。これは、金属酸化膜１１ｃが加わることにより、液晶表示素子１４の内部で遮光層１１に反射される光が減少したためと考えられる。このように三層構造にすることにより、二層構造の場合と比べ、更に良い効果を得ることができる。尚、この実施形態では、照明手段であるバックライトをどちらの基板側に設置した場合にも、観察面側から外光による影響を受けることなく、良好な画質を得ることができる。
　【００１５】
　【発明の効果】
　この発明により製造された液晶表示装置を、遮光層の金属酸化膜が表示観察面側となるように配置することにより、表示観察面側から入射される外光に対する遮光層の反射率を小さくすることにより、コントラストの低下を低減し良好な画質を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施形態を支援す液晶表示装置の断面図。
　【図２】
　液晶表示素子の信号電圧と透過率の関係を示す図。
　【図３】
　遮光層の部分の拡大断面図。
　【図４】
　従来の液晶表示装置の一例を示す断面図。
　【図５】
　従来の液晶表示装置の一例を示す断面図。
　【符号の説明】
　１…第１基板
　７…薄膜素子
　８…画素電極
　１０…第２基板
　１１…遮光層
　１１ａ…金属酸化膜
　１１ｂ…金属膜
　１１ｃ…金属酸化膜
　１２…対向電極
　１３…液晶層
　１４…液晶表示素子
　１５…照明手段