【事件の表示】
　特許第２８９４９２１号「半導体装置およびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８９４９２１号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８９４９２１号に係る発明についての出願は、平成５年４月３０日に出願されたものであって、平成１１年３月５日にその発明についての特許の設定登録がなされ、その後、小山 憲一より特許異議の申し立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月２日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
2．1　訂正の内容
　ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１、
「化合物半導体チップを内蔵する半導体装置において、上記化合物半導体チップがシリコーン樹脂で覆われ、かつ、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分の元素が、上記シリコーン樹脂の生成に用いられたシロキサン化合物に結合されていたアルコキシ基と反応して、該シリコーン樹脂のシロキサン基に化学的に結合していることを特徴とする半導体装置。」
を、
「化合物半導体チップを内蔵する半導体装置において、上記化合物半導体チップは少なくともＧａＡｌＡｓから構成され、上記化合物半導体チップがシリコーン樹脂で覆われ、かつ、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接するＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合されていた水酸基が、上記シリコーン樹脂の生成に用いられたシロキサン化合物に結合されていたアルコキシ基と反応してアルコールを離脱し、上記水酸基が結合されていたＡｌが上記シリコーン樹脂のシロキサン基に化学的に結合していることを特徴とする半導体装置。」と訂正し、特許請求の範囲の請求項２を削除する。
イ．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項３
「化合物半導体チップを内蔵する半導体装置の製造方法であって、付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とし、かつ該シロキサン化合物の分子の末端にアルコキシ基が結合している化合物半導体封止用樹脂で上記化合物半導体チップを覆った後、上記化合物半導体封止用樹脂を反応させて、シリコーン樹脂を生成させるとともに、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分の元素を上記シリコーン樹脂のシロキサン基と化学的に結合させるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
を、特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い請求項２に繰り上げると共に、
「少なくともＧａＡｌＡｓから構成される化合物半導体チップを内蔵する半導体装置の製造方法であって、付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とし、かつ該シロキサン化合物の分子の末端にアルコキシ基が結合している化合物半導体封止用樹脂で上記化合物半導体チップを覆った後、上記化合物半導体封止用樹脂を反応させて、シリコーン樹脂を生成させるとともに、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接するＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合された水酸基を上記シリコーン樹脂のシロキサン基と反応させてアルコールを離脱させ化学的に結合させるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」と訂正する。
ウ．訂正事項ｃ
　明細書の段落【０００５】、【０００６】、【０００７】、【０００８】、【０００９】、【００１２】、【００１３】、【００１４】、【００２０】、【００２８】、【００２９】及び【００３０】を、上記訂正事項ａ、ｂとの整合をとるために訂正する。
2．2　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ、ｂは、特許請求の範囲の化合物半導体チップの組成に関する構成 及び 化合物半導体チップとシロキサン化合物との反応の態様に関する構成、を各々限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、上記訂正事項ａ、ｂは、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではないし、新規事項の追加にも該当しない。
 次に、上記訂正事項ｃは、上記訂正事項ａ、ｂの訂正に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるための、明瞭でない記載の釈明を目的としたもので、上記訂正事項ａ、ｂと同様の内容のものであり、新規事項を追加するものでも、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
2．3　独立特許要件の検討
2．3．1　訂正明細書の請求項１及び２に係る発明
　訂正明細書の請求項１及び２に係る発明（以下、「本件訂正発明１及び２」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものである（前記2．1のア及びイ参照。）。
2．3．2　引用例
　当審が、取消理由通知で引用した、本件出願前公知である刊行物１（特開平４−２７４３３６号公報）には、
　ＧａＡｓ等の化合物半導体チップを内蔵する半導体装置について記載されている（特許請求の範囲の請求項１及び段落【００１８】等。）。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　同じく、刊行物２（特公平３−４２４９７号公報）には、
　ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓ等の化合物半導体素子を内蔵する半導体装置について記載されている（特許請求の範囲、第１欄第１３〜１５行等。）。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　同じく、刊行物３（特公平２−２３０２２号公報）には、
「１ 半導体素子表面または半導体素子表面とインナーリード部が、一般式
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｒ２ｂ　　　　　　
　　　　　 ｜
　   Ｒ１ａ−Ｓｉ−Ｘ４−ａ−ｂ（ここにＲ１ は封止用成形樹脂材料と化学結合が可能な反応基を少なくとも１個有する一価の有機基、Ｒ２ は一価の有機基、Ｘはハロゲンを除く加水分解可能な基または水酸基、ａは１〜３の整数、ｂは０〜２の整数でａ＋ｂ＝１〜３）で示されるオルガノシラン化合物またはこの部分加水分解物と硬化促進剤とからなる組成物で被覆され、さらに成形樹脂材料で封止されてなることを特徴とする半導体装置」（特許請求の範囲第１項）、
「本発明は半導体装置、特には半導体素子表面をシリコーン化合物で被覆した耐湿特性が大巾に改良された半導体装置に関するものである。半導体素子は一般に外部環境からの保護を目的としてセラミックパッケージまたは樹脂などで封止されており、」（第１頁第２欄第１６〜２１行）、
「半導体素子表面を上記した一般式で示されるオルガノシラン化合物またはその部分加水分解物・・・とその硬化促進剤とからなる組成物・・・で予じめ被覆し、ついでこれを樹脂封止すれば、この半導体素子を含む半導体装置の耐湿性が大巾に改良される」（第２頁第３欄第３０〜３７行）、
「つぎに本発明の実施例をあげるが、例中において使用したオルガノシラン化合物・・・半導体装置全体を１０秒間浸漬」（第４頁第８欄第２７行〜第６頁第１９行）と記載され、
第３頁の第５欄第２〜３９行には、オルガノシラン化合物として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シランなどが例示され、第２図、第３図には半導体素子１の表面にオルガノシラン化合物と硬化促進剤からなる組成物による被覆部８が形成され、その周囲が樹脂９で封止された半導体装置、が示されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　同じく、刊行物４（特開平２−１４８８５４号公報）には、
「（１）アルケニル基を有するポリオルガノシロキサン１００重量部、有機過酸化物０．０１〜１０重量部及び接着性付与剤０．０１〜２０重量部を基本成分として成る組成物を電子部品の所定面に層状に被着形成する工程と、前記組成物層を被着形成した電子部品に加熱処理を施して表面粘着性の弾性硬化物層化する工程と、前記表面粘着性の弾性硬化物層上に保護封止用樹脂系層を形成する工程とを具備して成ることを特徴とする電子部品の製造方法。
（２）アルケニル基を有するポリオルガノシロキサン１００重量部、有機過酸化物０．０１〜１０重量部、ポリオルガノハイドロジェンシロキサン５０重量部以下、接着性付与剤０．０１〜２０重量部及び付加反応触媒２０ｐｐｍ以下を基本成分として成る組成物を電子部品の所定面に層状に被着形成する工程と、前記組成物層を被着形成した電子部品に加熱処理を施して表面粘着性の弾性硬化物層とする工程と、前記表面粘着性の弾性硬化物層上に保護封止用樹脂系層を形成する工程とを具備して成ることを特徴とする電子部品の製造方法。」（特許請求の範囲）、
「本発明は、電子部品の製造方法に係り、特に樹脂系の保護封止材で封止した構成の耐湿性等の優れた電子部品の製造方法に関する」（第１頁右下欄第１０〜１２行）、
「実施例１　２５℃での粘度が１０００ｃｐの、・・・また後者は１４．４ｋｖ／ｍｍであった。」（第５頁右下欄第１１行〜第６頁右下欄第７行の実施例１及び実施例２）、
「ＳＩＰ型素子、ＤＩＰ型素子、あるいはダイオード、トランジスタ、ＩＣ素子などを始め、ハイブリッド構造等各種の電子部品の樹脂モールド乃至樹脂封止の場合に適用しうる。」（第７頁左上欄第６〜１０行）、
「得られた樹脂モールド電子部品は優れた絶縁耐圧及び耐湿性を保持、発揮し信頼性の高い機能を常時呈する」（第７頁右上欄第７〜１０行）と記載され、
第４頁左上欄第３行〜右上欄第８行には、接着性付与剤成分について、シランカップリング剤等が挙げられ、該シランカップリング剤の具体例として、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（メトキシエトキシ）シラン等が例示され、第１図には、半導体チップ素子の表面にシリコーンコーテイング層が形成され、その周囲が樹脂で封止された半導体装置、が示されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　同じく、刊行物５（特開昭６２−１９９６６１号公報）には、
「１ （Ａ）一般式・・・で表されるビニル基含有ポリシロキサン１００重量部、（Ｂ）一般式・・・で表される、珪素原子に結合した水素原子を含有するポリシロキサン１〜３５重量部、（Ｃ）一般式・・・で表されるアルケニル基含有シラン化合物、上記（Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して０．０１〜２．０重量％、（Ｄ）白金系付加反応触媒 よりなる・・・半導体インナーコート用樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項）、
「半導体のインナーコートとは半導体チップを樹脂で封止加工する際および該樹脂の硬化の収縮応力による半導体表面の損傷防止、あるいはボンディングワイヤーの接続を保護するために、半導体チップ表面に予め保護層としてコーティングするものである。」（第２頁左下欄第１７行〜右上欄第２行）、
「成分（Ｃ）は、・・・半導体チップへの密着性向上の目的をもって・・・使用する。・・・反応性に富むＳｉＯＲ２基・・・」（第５頁右上欄第２行〜左下欄第５行）と記載され、
第６頁の実施例１には、成分（Ｃ）として、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シランが使用される例が記載され、第１図には、半導体チップの表面にインナーコート層が形成され、その周囲が樹脂で封止された半導体装置、が示されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　同じく、刊行物６（「シリコーンハンドブック」（１９９０年８月３１日、日刊工業新聞社発行）第４６、４７、５５〜６３頁）には、
シランカップリング剤は、有機ポリマーと無機、および金属材料の接する界面で接着改良剤（カップリング剤）としての働きをすること、シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン等があること、シランカップリング剤の加水分解生成物のシラノール基と無機、金属系材料からなる基体表面のＭ−ＯＨ（Ｍはケイ素、または金属原子）との間に、水を生成する脱水縮合反応が起こり、基体表面と共有結合により接合されること、が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　同じく、刊行物７（特開昭５９−１３９６８４号公報）には、
特許請求の範囲及び第２頁右上欄第４行〜左下欄第２行に、発光素子（例、ＧａＡｌＡｓなどを材料とする発光ダイオード）と受光素子とを対向配置し、両素子間光路部にもしくはこれらの周辺をおおって、透光性の環化ブタジエンゴムを介在させた光結合半導体装置、が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　同じく、刊行物８（特開昭６０−６３９６９号公報）には、
特許請求の範囲及び第２頁右下欄第９〜第２０行に、発光素子の光取り出し部上に球形レンズを設けてなる発光ダイオードにおいて、発光素子（ＧａＡｓおよびＧａＡｌＡｓを材料としたダブルヘテロ型発光素子）と球形レンズとを固着する樹脂（例、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂）が該球形レンズの表面を被覆したことを特徴とする発光ダイオード、が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
2．3．3　対比・判断
　本件訂正発明１及び２と上記刊行物１〜８に記載の発明とを対比すると、上記刊行物１〜８に記載の発明には、本件訂正発明１の必須の構成である　（ａ）「化合物半導体チップを内蔵する半導体装置において、上記化合物半導体チップは少なくともＧａＡｌＡｓから構成され、上記化合物半導体チップがシリコーン樹脂で覆われ、かつ、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接するＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合されていた水酸基が、上記シリコーン樹脂の生成に用いられたシロキサン化合物に結合されていたアルコキシ基と反応してアルコールを離脱し、上記水酸基が結合されていたＡｌが上記シリコーン樹脂のシロキサン基に化学的に結合していること」
　及び
本件訂正発明２の必須の構成である（ｂ）「少なくともＧａＡｌＡｓから構成される化合物半導体チップを内蔵する半導体装置の製造方法であって、付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とし、かつ該シロキサン化合物の分子の末端にアルコキシ基が結合している化合物半導体封止用樹脂で上記化合物半導体チップを覆った後、上記化合物半導体封止用樹脂を反応させて、シリコーン樹脂を生成させるとともに、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接するＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合された水酸基を上記シリコーン樹脂のシロキサン基と反応させてアルコールを離脱させ化学的に結合させるようにしたこと」の記載がない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　すなわち、刊行物３には、半導体素子を内蔵する半導体装置であって、該半導体素子表面がオルガノシラン化合物（またはその部分加水分解物）と硬化促進剤とからなる組成物で被覆されたものが記載されており、該オルガノシラン化合物（またはその部分加水分解物）の例示には、「シラン化合物」と並んで、「アルコキシ基の結合したシロキサン化合物」の例も記載されているが（刊行物３の第３頁第５欄の例示化合物参照）、同刊行物に記載された半導体装置は、「少なくともＧａＡｌＡｓから構成される半導体チップを内蔵する半導体装置」ではなく、しかもその実施例をみると、実際の半導体素子表面の被覆部の形成には、「シラン化合物」しか用いられていない（刊行物３の第４頁第８欄第２７行〜第６頁第１９行参照）。ましてや、「半導体チップのＧａＡｌＡｓ部分のＡｌが該半導体チップを覆うシリコーン樹脂のシロキサン基と化学的に結合する」旨を示唆する記載はない。
　刊行物４には、アルコキシ基が結合したシロキサン化合物であるポリオルガノハイドロジェンシロキサンが記載されているが（刊行物４の実施例１，２）、該シロキサン化合物の、アルコキシ基の結合しているＳｉは、シロキサン基を構成するするＳｉではなく、しかも、「半導体チップがＧａＡｌＡｓから構成されるものである」点については何も記載されていない。
　刊行物５には、半導体インナーコート用樹脂組成物の配合成分として、シロキサン化合物が記載されているが、該シロキサン化合物は、アルコキシ基が結合したシロキサン化合物ではなく、しかも、「半導体チップがＧａＡｌＡｓから構成されるものである」点については何も記載されていない。
　刊行物６には、シランカップリング剤の加水分解物生成物であるシラノール基と無機、金属系材料からなる基体表面の水酸基との間に、水を生成する脱水縮合反応が起こり、基体表面と共有結合により接合されることが記載されているが、同刊行物は、「シラン化合物」であるシランカップリング剤の加水分解生成物のシラノール基が、基体表面の水酸基と反応して接合する旨を教示するに止まる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、本件訂正発明１及び２は、各々前記構成（ａ）及び（ｂ）を採用することにより、「シリコーン樹脂に接するＧａＡｌＡｓ部分のＡｌがシリコーン樹脂のシロキサン基と化学的に結合するので、化合物半導体チップのＧａＡｌＡｓ部分を化学的に安定化でき、化合物半導体チップの特性劣化を防止できる」という、格別な効果を奏するものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、本件訂正発明１及び２は、前記刊行物１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2．3．4　以上のとおりであるから、本件訂正発明１及び２は、出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2．3．5　むすび
　したがって、上記訂正は、いずれも、特許法第１２０条の４第２項及び同
第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．特許異議申立てについて
3．1　特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人小山憲一は、甲第１号証〜甲第８号証を提出するとともに、本件訂正前の請求項１乃至請求項３に係る発明は、甲第１号証〜甲第８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきものであると主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　3．2　判断
　上記甲第１号証〜甲第８号証は、上記刊行物１〜８に対応するものであり、本件訂正発明１及び２が、上記刊行物１〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないことは、上記「2．3．3　対比・判断」の項に記載したとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　3．3　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１３年１月２６日（２００１．１．２６）
【訂正の要旨】
（３）訂正事項
ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１を、
「化合物半導体チップを内蔵する半導体装置において、
　
上記化合物半導体チップは少なくともＧａＡｌＡｓから構成され、
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合されていた水酸基
アルコールを離脱し
上記水酸基が結合されていたＡｌが上記
と訂正し、特許請求の範囲の請求項２を削除する。
ｂ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項３を、特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い請求項２に繰り上げると共に、
「
少なくともＧａＡｌＡｓから構成される
　付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とし、かつ該シロキサン化合物の分子の末端にアルコキシ基が結合している化合物半導体封止用樹脂で上記化合物半導体チップを覆った後、上記化合物半導体封止用樹脂を反応させて、シリコーン樹脂を生成させるとともに、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する
ＧａＡｌＡｓ部分のＡ１に結合された水酸基
反応させてアルコールを離脱させ
と訂正する。
ｃ．上記訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【０００５】を、
「　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、請求項１に記載の半導体装置は、化合物半導体チップを内蔵する半導体装置において、
上記化合物半導体チップは少なくともＧａＡｌＡｓから構成され、
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合されていた水酸基
アルコールを離脱し
上記水酸基が結合されていたＡｌが上記
と訂正し、明細書の段落【０００６】を削除する。
ｄ．上記訂正事項ｂに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【０００７】を、
「請求項
２
少なくともＧａＡｌＡｓから構成される
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合された水酸基
反応させてアルコールを離脱させ
と訂正する。
ｅ．上記訂正事項ａ，ｂに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【０００８】を、
「【作用】
　例えば、発光素子として動作するＧａＡｌＡｓチップでは、Ａｌが活性であり、不安定要因となる。つまり、空気中では通常、このＡｌは水酸基（−ＯＨ）と結合しているが、使用環境によって様々な状態をとり、この結果、チップ特性が影響を受けて劣化すると考えられる。そこで、本発明者は、付加反応型シリコーン樹脂（付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とする化合物半導体封止用樹脂）に、有機基とオキシ基との結合からなる基（−ＯＲ）を含有させた。このようにした場合、化合物半導体チップの活性元素に結合している水酸基（−ＯＨ）と、上記有機基とオキシ基との結合からなる基（−ＯＲ）とが反応して、上記有機基と水酸基とからなる化合物（Ｒ−ＯＨ）が離脱するとともに、上記化合物半導体チップの活性元素と、付加反応により生成されたシリコーン樹脂中のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）とが化学的に結合した状態となる。したがって、化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分が化学的に安定な状態となり、上記化合物半導体チップの特性劣化が防止される
。
と訂正する。
ｆ．上記訂正事項ａ，ｂに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【０００９】を、
「また、上記有機基とオキシ基との結合からなる基（−ＯＲ）は、シロキサン化合物の分子の末端に結合している場合、上記化合物半導体チップの活性元素に結合している水酸基（−ＯＨ）と容易に反応する。この結果、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分が化学的に安定な状態となり、上記化合物半導体チップの特性劣化が防止される
。
と訂正する。
ｇ．上記訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【００１２】を、
「請求項１の半導体装置では、
少なくともＧａＡｌＡｓから構成される
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌ
ＧａＡｌＡｓ部分
と訂正し、明細書の段落【００１３】を削除する。
ｈ．上記訂正事項ｂに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【００１４】を、
「また、請求項
２
少なくともＧａＡｌＡｓから構成され
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌ
ＧａＡｌＡｓ部分
と訂正する。
ｉ．上記訂正事項ａ，ｂに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【００２０】を削除する。
ｊ．上記訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【００２８】を、
「【発明の効果】
　以上より明らかなように、請求項１の半導体装置では、
少なくともＧａＡｌＡｓから構成される
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌ
ＧａＡｌＡｓ部分
と訂正し、明細書の【００２９】を削除する。
ｋ．上記訂正事項ｂに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【００３０】を、
「また、請求項
２
少なくともＧａＡｌＡｓから構成され
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌ
ＧａＡｌＡｓ部分
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　化合物半導体チップを内蔵する半導体装置において、
　
上記化合物半導体チップは少なくともＧａＡｌＡｓから構成され、
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合されていた水酸基
アルコールを離脱し
上記水酸基が結合されていたＡｌが上記
　【請求項
２
少なくともＧａＡｌＡｓから構成される
　付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とし、かつ該シロキサン化合物の分子の末端にアルコキシ基が結合している化合物半導体封止用樹脂で上記化合物半導体チップを覆った後、上記化合物半導体封止用樹脂を反応させて、シリコーン樹脂を生成させるとともに、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合された水酸基
反応させてアルコールを離脱させ
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。より詳しくは、化合物半導体チップを樹脂で覆われた状態で内蔵する半導体装置およびその製造方法に関する。
　　　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、化合物半導体封止用樹脂としては、付加反応型のシロキサン化合物（−Ｓｉ−Ｏ−結合を持つ化合物）を母材とし、この他に無機質充填剤、ガラス繊維、硬化触媒などを添加したもの（付加反応型シリコーン樹脂）が用いられている。この付加反応型のものは、図１２に示すように、所定の硬化条件で付加反応させることにより、シロキサン結合を主鎖とするシリコーン樹脂（オルガノ・シロキサン・ポリマー）を生成することができる。なお、この例は、シロキサン化合物　（〜Ｏ−Ｒ２ｓｉ−ＣＨ−ＣＨ２）と（Ｈ−Ｒ２Ｓｉ−Ｏ〜）とを触媒の下で付加反応させることにより、シリコーン樹脂（〜Ｏ−Ｒ２ｓｉ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｒ２ｓｉ−Ｏ〜）を生成する例を示している（Ｒは有機基を表す。）。このように付加反応型のものを用いている理由は、硬化時に無溶剤で副生成物が生じないので化合物半導体を汚染するおそれがなく、また、加熱によって短時間で硬化するので生産性向上に寄与するからである。これに対して、縮合反応型のシロキサン化合物を母材とするもの（縮合反応型シリコーン樹脂）は、硬化時にアルコール・水などが生じる。また、硬化時間も比較的長くかかり、温湿度のばらつきにより硬化状態が変わり易いため、生産性が良いとは言えない。このため、化合物半導体封止用樹脂としては用いられていない。
　　　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、化合物半導体チップ、例えば発光素子として動作するＧａＡｌＡｓチップを上記付加反応型シリコーン樹脂で覆い、所定の硬化条件で付加反応させたとしても、動作を継続したとき発光出力が低下したり、耐圧（逆耐圧）が低下するなど、チップの特性が劣化するという問題がある。
　　　【０００４】
　そこで、この発明の目的は、化合物半導体チップをシリコーン樹脂で覆われた状態で内蔵する半導体装置であって、上記化合物半導体チップの特性劣化を起こさない半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
　　　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、請求項１に記載の半導体装置は、化合物半導体チップを内蔵する半導体装置において、
上記化合物半導体チップは少なくともＧａＡｌＡｓから構成され、
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合されていた水酸基
アルコールを離脱し
上記水酸基が結合されていたＡｌが上記
　　　【０００６】
　　　【０００７】
　請求項
２
少なくともＧａＡｌＡｓから構成される
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌに結合された水酸基
反応させてアルコールを離脱させ
　　　【０００８】
　　【作用】
　例えば、発光素子として動作するＧａＡｌＡｓチヅプでは、Ａｌが活性であり、不安定要因となる。つまり、空気中では通常、このＡｌは水酸基（−ＯＨ）と結合しているが、使用環境によって様々な状態をとり、この結果、チップ特性が影響を受けて劣化すると考えられる。そこで、本発明者は、付加反応型シリコーン樹脂（付加反応によりシリコーン樹脂を生成すべきシロキサン化合物を母材とする化合物半導体封止用樹脂）に、有機基とオキシ基との結合からなる基（−ＯＲ）を含有させた。このようにした場合、化合物半導体チップの活性元素に結合している水酸基（−ＯＨ）と、上記有機基とオキシ基との結合からなる基（−ＯＲ）とが反応して、上記有機基と水酸基とからなる化合物（Ｒ−ＯＨ）が離脱するとともに、上記化合物半導体チップの活性元素と、付加反応により生成されたシリコーン樹脂中のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）とが化学的に結合した状態となる。したがって、化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分が化学的に安定な状態となり、上記化合物半導体チップの特性劣化が防止される
。
　　　【０００９】
　また、上記有機基とオキシ基との結合からなる基（−ＯＲ）は、シロキサン化合物の分子の末端に結合している場合、上記化合物半導体チップの活性元素に結合している水酸基（−ＯＨ）と容易に反応する。この結果、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分が化学的に安定な状態となり、上記化合物半導体チップの特性劣化が防止される
。
　　　【００１０】
　また、上記有機基とオキシ基との結合からなる基は、アルコキシ基（−ＯＲ）である場合、上記化合物半導体チップの活性元素に結合している水酸基（−ＯＨ）と容易に反応する（なお、Ｒ′はアルキル基を表すものとする。）。つまり、上記アルコキシ基（−ＯＲ′）と水酸基（−ＯＨ）とが反応して、アルコール（Ｒ′ＯＨ）が離脱するとともに、上記化合物半導体チップの活性元素と、付加反応により生成されたシリコーン樹脂中のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）とが化学的に結合した状態となる。この結果、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分が化学的に安定な状態となり、上記化合物半導体チップの特性劣化が防止される。なお、離脱するアルコール（Ｒ′ＯＨ）は、少量であり、上記化合物半導体チップの特性にほとんど影響を及ぼさない。
　　　【００１１】
　また、上記アルコキシ基（−ＯＲ′）を０．１重量パーセント以上含むのが望ましい。化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分の水酸基（−ＯＨ）を完全に反応させるためである（後述）。なお、アルコキシ基（−ＯＲ′）の含有量が多くなりすぎると、付加反応型シリコーン樹脂の吸湿性または粘性等が問題となる。上記アルコキシ基の含有量の上限は、この観点から定まると思われる。
　　　【００１２】
　請求項１の半導体装置では、
少なくともＧａＡｌＡｓから構成される
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌ
ＧａＡｌＡｓ部分
　　　【００１３】
　　　【００１４】
　また、請求項２の半導体装置の製造方法によれば、
少なくともＧａＡｌＡｓから構成され
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌ
ＧａＡｌＡｓ部分
　　　【００１５】
　　【実施例】
　以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
　　　【００１６】
　この発明の基礎となる化合物半導体封止用樹脂を用いて、発光素子として動作するＧａＡｌＡｓチップを封止する例について説明する。
　　　【００１７】
　この例では、化合物半導体封止用樹脂として、付加反応型のシロキサン化合物（−Ｓｉ−Ｏ−結合を持つ化合物）からなる母材に、有機基とオキシ基との結合からなる基としてアルコキシ基（−ＯＲ′）を所定の比率で含有させたものを用意する。上記母材は、図１２に示したシロキサン化合物（〜Ｏ−Ｒ２Ｓｉ−ＣＨ−ＣＨ２）と（Ｈ−Ｒ２Ｓｉ−Ｏ〜）との混合物とする。また、図１中に示すように、上記アルコキシ基（−ＯＲ′）は、シロキサン化合物の分子の末端に結合させて、（〜Ｏ−Ｒ２ｓｉ−ＯＲ′）なる状態で含ませる。なお、このアルコキシ基は、典型的にはメトキシ基（−ＯＣＨ３）であるが、エトキシ基（−ＯＣ２Ｈ５）やフェノキシ基などであっても良い。また、従来と同様に、この他に無機質充填剤、ガラス繊維、硬化触媒などを添加しておく。
　　　【００１８】
　上記ＧａＡｌＡｓチップを上記化合物半導体封止用樹脂で覆った後、所定の条件で硬化させる。例えば、温度１５０〜２６０℃の範囲内に設定したオーブン中で、１〜２時間加熱して硬化させる。これにより、図１２に示しように、シロキサン化合物（〜Ｏ−Ｒ２Ｓｉ−ＣＨ−ＣＨ２）と（Ｈ−Ｒ２Ｓｉ−Ｏ〜）とを触媒の下で付加反応させてシリコーン樹脂（〜Ｏ−Ｒ２Ｓｉ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｒ２Ｓｉ−Ｏ〜）を生成させる。同時に、図１に示すように、上記ＧａＡｌＡｓチップに接する部分で、アルコキシ基を含む上記シロキサン化合物（〜Ｏ−Ｒ２Ｓｉ−ＯＲ′）同士を反応させて、シリコーン樹脂（−Ｏ−Ｒ２Ｓｉ−Ｏ−Ｒ２Ｓｉ−Ｏ〜）を生成させる。このとき、アルコキシ基（−ＯＲ′）は、上記ＧａＡｌＡｓチップの活性元素Ａｌに予め結合している水酸基（−ＯＨ）と容易に反応する。つまり、上記アルコキシ基（−ＯＲ′）と水酸基（−ＯＨ）とが反応して、アルコール（Ｒ′ＯＨ）が離脱するとともに、上記ＧａＡｌＡｓチップの活性元素Ａｌと、付加反応により生成されたシリコーン樹脂中のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）とが化学的に結合した状態となる。したがって、化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分が化学的に安定な状態となり、チップ特性の劣化が防止される。この結果、上記化合物半導体チップのうち上記シリコーン樹脂に接する部分が化学的に安定な状態となり、上記化合物半導体チップの特性劣化が防止される。なお、離脱するアルコール（Ｒ′ＯＨ）は、少量であり、ほとんど特性に影響を及ぼさない。
　　　【００１９】
　実際に上記化合物半導体封止用樹脂中のアルコキシ基（−ＯＲ′）の含有量（添加量）を変化させた場合の、高温通電試験による上記ＧａＡｌＡｓチップ（発光素子）の特性劣化は、図２，図３に示すようなものである。図２，図３は、アルコキシ基の添加量がゼロの場合（従来品）の変動量を１００として、それぞれ発光出力，逆耐圧の変動量を相対値で表している。図２から明らかなように、発光出力の変動量は、アルコキシ基の添加量が増すにつれて減少し、添加量が０．１ｗｔ％以上になると略ゼロになっている。また、図３から明らかなように、逆耐圧の変動量も、アルコキシ基の添加量が増すにつれて減少し、添加量が０．１ｗｔ％以上になると略ゼロになっている。この結果から、アルコキシ基を０．１ｗｔ％以上添加することによって、ＧａＡｌＡｓチップの表面を略完全に安定化でき、特性劣化を抑制できることが分かった。なお、アルコキシ基（−ＯＲ′）の添加量が多くなりすぎると、上記化合物半導体封止用樹脂の吸湿性または粘性等が問題となる。上記アルコキシ基の添加量の上限は、この観点から定まると思われる。
　　　【００２０】
　　　【００２１】
　図４〜図８は、上記化合物半導体封止用樹脂を適用した半導体装置を例示している。
　　　【００２２】
　図４はフォトカプラを示している。このフォトカプラは、リードフレーム３，４に、それぞれ化合物半導体発光チップ１，受光チップ２をマウントして、これらを対向させた状態で、上記化合物半導体発光チップ１と受光チップ２との間に上記化合物半導体封止用樹脂を設け、この化合物半導体封止用樹脂を加熱により硬化させてシリコーン樹脂５を生成した後、周囲を遮光性樹脂６でモールドしたものである。なお、７，８はＡｕワイヤを示している。このフォトカプラでは、化合物半導体発光チップ１がシリコーン樹脂５で覆われ、かつ、化合物半導体発光チップ１のうちシリコーン樹脂５に接する部分の元素がシリコーン樹脂５のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）と化学的に結合した状態となる。したがって、上に述べたように、化合物半導体発光チップ１のうち上記シリコーン樹脂５に接する部分を化学的に安定化でき、上記化合物半導体発光チップ１の特性劣化を防止できる。
　　　【００２３】
　図５は、別のタイプのフォトカプラを示している。このフォトカプラは、リードフレーム１３に化合物半導体発光チップ１１をマウントし、化合物半導体発光チップ１１を上記化合物半導体封止用樹脂で覆い、この化合物半導体封止用樹脂を加熱により硬化させてシリコーン樹脂１５を生成した後、化合物半導体発光チップ１１と、リードフレーム１４にマウントした受光チップ１２とを対向させた状態で、透光性樹脂１６，遮光性樹脂１７で順にモールドしたものである。なお、１８，１９はＡｕワイヤを示している。このフォトカプラでは、化合物半導体発光チップ１１がシリコーン樹脂１５で覆われ、かつ、化合物半導体発光チップ１のうちシリコーン樹脂１５に接する部分の元素がシリコーン樹脂１５のシロキサン基（−ｓｉ−Ｏ−）と化学的に結合した状態となる。したがって、化合物半導体発光チップ１１のうち上記シリコーン樹脂１５に接する部分を化学的に安定化でき、上記化合物半導体発光チップ１１の特性劣化を防止できる。
　　　【００２４】
　図６はさらに別のタイプのフォトカプラを示している。このフォトカプラは、リードフレーム２３，２４に、それぞれ化合物半導体発光チップ２１，受光チップ２２をマウントして、これらを絶縁シート２６を介して同一面上に並べた状態で、上記化合物半導体発光チップ２１と受光チップ２２とを包むように上記化合物半導体封止用樹脂を設け、この化合物半導体封止用樹脂を加熱により硬化させてシリコーン樹脂２５を生成した後、周囲を遮光性樹脂２７でモールドしたものである。なお、２８，２９はＡｕワイヤを示している。このフォトカプラでは、化合物半導体発光チップ２１がシリコーン樹脂２５で覆われ、かつ、化合物半導体発光チップ２１のうちシリコーン樹脂２５に接する部分の元素がシリコーン樹脂２５のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）と化学的に結合した状態となる。したがって、化合物半導体発光チップ２１のうち上記シリコーン樹脂２５に接する部分を化学的に安定化でき、上記化合物半導体発光チップ２１の特性劣化を防止できる。
　　　【００２５】
　図７はさらに別のタイプのフォトカプラを示している。このフォトカプラは、リードフレーム３３に化合物半導体発光チップ３１をマウントし、化合物半導体発光チップ３１を上記化合物半導体封止用樹脂で覆い、この化合物半導体封止用樹脂を加熱により硬化させてシリコーン樹脂３５を生成している。この後、シリコーン樹脂３５に覆われた化合物半導体発光チップ３１と、リードフレーム３４にマウントした受光チップ３１とをそれぞれ透光性樹脂３６，３７に封止した状態で、対向させ、周囲を遮光性樹脂３８で覆ったものである。なお、３９，４０はＡｕワイヤを示している。このフォトカプラでは、化合物半導体発光チップ３１がシリコーン樹脂３５で覆われ、かつ、化合物半導体発光チップ３１のうちシリコーン樹脂３５に接する部分の元素がシリコーン樹脂３５のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）と化学的に結合した状態となる。したがって、化合物半導体発光チップ３１のうち上記シリコーン樹脂３５に接する部分を化学的に安定化でき、上記化合物半導体発光チップ３１の特性劣化を防止できる。
　　　【００２６】
　図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は単体発光素子を示している（同図（ａ），（ｃ）は、それぞれ同図（ｂ）におけるＡ−Ａ′断面、Ｂ−Ｂ′断面を示している。）。この単体発光素子は、リードフレーム４３のヘッダ部４２に化合物半導体発光チップ４１をマウントし、化合物半導体発光チップ４１とリードフレーム４４とをＡｕワイヤ４６で配線した後、化合物半導体発光チップ４１を上記化合物半導体封止用樹脂で覆い、この化合物半導体封止用樹脂を加熱により硬化させてシリコーン樹脂４５を生成している。この後、周囲を透光性樹脂４７でモールドしたものである。この単体発光素子では、化合物半導体発光チップ４１がシリコーン樹脂４５で覆われ、かつ、化合物半導体発光チップ４１のうちシリコーン樹脂４５に接する部分の元素がシリコーン樹脂４５のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）と化学的に結合した状態となる。したがって、上に述べたように、化合物半導体発光チップ４１のうち上記シリコーン樹脂４５に接する部分を化学的に安定化でき、上記化合物半導体発光チップ４１の特性劣化を防止できる。
　　　【００２７】
　図９，図１０は、それぞれ透過型フォトインタラプタ，反射型フォトインタラプタを示している。図９に示す透過型フォトインタラプタは、リードフレーム５３，５４にそれぞれ化合物半導体発光チップ５１，受光チップ５２を取り付け、互いに対向させた状態となっている。一方、図１０に示す反射型フォトインタラプタは、リードフレーム６３，６４にそれぞれ化合物半導体発光チップ６１，受光チップ６２を取り付け、同一面に並べた状態となっている。５９，６０，６９，７０はＡｕワイヤを示している。これらの透過型フォトインタラプタ，反射型フォトインタラプタには、図１１に示すように、作製方法によってそれぞれケースタイプ，Ｔ＆Ｔタイプ，Ｔ＆Ｉタイプ，Ｉ＆Ｉタイプがある。ケースタイプとは、図９の透過型フォトインタラプタの例で述べると、化合物半導体発光チップ５１，受光チップ５２を、図８に示した単体発光素子と同様の作製手順によってそれぞれ発光素子，受光素子（いずれも樹脂モールド５６，５７完）の形態にし、この後、これらを外装ケース５８，６８に組み込むものをいう。また、Ｔ＆Ｔタイプとは、上記発光素子，受光素子がトランスファ成形され、外装ケース５８，６８もトランスファ成形で作製されるものをいう。Ｔ＆Ｉタイプとは、上記発光素子，受光素子がトランスファ成形され、外装ケース５８，６８がインジェクション成形によって作製されるものをいう。Ｉ＆Ｉタイプとは、上記発光素子，受光素子がインジェクション成形され、外装ケース５８，６８もインジェクション成形で作製されるものをいう。図１０の反射型フォトインタラプタの各タイプも、透過型フォトインタラプタと全く同様に分類される。いずれにしても、作製に当たっては、まず化合物半導体発光チップ５１，６１をリードフレーム５３，６３にマウントし、Ａｕワイヤ５９，６９で配線した後、化合物半導体発光チップ５１，６１を上記化合物半導体封止用樹脂で覆う。そして、この化合物半導体封止用樹脂を加熱により硬化させてシリコーン樹脂５５，６５を生成する。このようにした場合、化合物半導体発光チップ５１，６１がシリコーン樹脂５５，６５で覆われ、かつ、化合物半導体発光チップ５１，６１のうちシリコーン樹脂５５，６５に接する部分の元素がシリコーン樹脂５５，６５のシロキサン基（−Ｓｉ−Ｏ−）と化学的に結合した状態となる。したがって、化合物半導体発光チップ５１，６１のうち上記シリコーン樹脂５５，６５に接する部分を化学的に安定化でき、上記化合物半導体発光チップ５１，６１の特性劣化を防止できる。
　　　【００２８】
　　【発明の効果】
　以上より明らかなように、請求項１の半導体装置では、
少なくともＧａＡｌＡＳから構成される
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌ
ＧａＡｌＡｓ部分
　　　【００２９】
　　　【００３０】
　また、請求項
２
少なくともＧａＡｌＡｓから構成され
ＧａＡｌＡｓ部分のＡｌ
ＧａＡｌＡｓ部分
【図面の簡単な説明】
　　【図１】　この発明の基礎となる化合物半導体封止用樹脂の組成および反応を示す図である。
　　【図２】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用したＧａＡｌＡｓチップの高温通電試験による発光出力の変動量を示す。
　　【図３】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用したＧａＡｌＡｓチップの高温通電試験による逆耐圧の変動量を示す図である。
　　【図４】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用したフォトカプラを示す図である。
　　【図５】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用したフォトカプラを示す図である。
　　【図６】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用したフォトカプラを示す図である。
　　【図７】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用したフォトカプラを示す図である。
　　【図８】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用した単体発光素子を示す図である。
　　【図９】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用した透過型フォトインタラブタを示す図である。
　　【図１０】　上記化合物半導体封止用樹脂を適用した反射型フォトインタラプタを示す図である。
　　【図１１】　フォトインタラプタの分類を示す図である。
　　【図１２】　従来の化合物半導体封止用樹脂の組成および反応を示す図である。
　　【符号の説明】
　１，１１，２１，３１，４１，５１，６１　化合物半導体発光チップ
　２，１２，２２，３２，４２，５２，６２　受光チップ
　５，１５，２５，３５，４５，５５，６５　シリコーン樹脂