【事件の表示】
　特許第３０１２５９６号「反射型液晶表示装置およびその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１２５９６号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０１２５９６号の請求項１ないし２に係る発明は、平成４年９月９日に出願した特願平４−２４０９３５号（優先権主張平成３年９月１０日、平成３年１１月２９日、平成４年７月３日）の一部を特願平１０−１７２５９５号として新たに特許出願されたものであって、平成１１年１２月１０日にその特許の設定の登録がなされ、その後、丸山　淑子により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１２年１２月２６日付けで訂正請求がなされ、再度取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年３月１６日付けで訂正請求がなされるとともに、前記平成１２年１２月２６日付け訂正請求が取り下げられたものである。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　ａ．特許明細書の請求項１の４〜５行目に記載された
「前記絶縁膜は、凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが、少なくとも２つ以上の前記反射電極の形成領域において同一であること」を、
「前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが複数の前記反射電極の形成領域で繰返して形成され、かつ凹凸の配列パターンが２種類以上組合わされていること」と訂正する。
　ｂ．特許明細書の請求項２の１〜２行目に記載された
「前記絶縁膜に形成された凹凸の配列パターンが、全ての前記反射電極の形成領域において同一であることを特徴とする請求項１記載の」を、
「液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、
　前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが、全ての前記反射電極の形成領域において同一であることを特徴とする」と訂正する。
　ｃ．特許明細書の段落番号００２１の４〜６行目に記載された
「前記絶縁膜は、凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが、少なくとも２つ以上の前記反射電極の形成領域において同一であること」を、
「前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが複数の前記反射電極の形成領域で繰返して形成され、かつ凹凸の配列パターンが２種類以上組合わされていること」と訂正する。
　ｄ．特許明細書の段落番号００２２の１行目に記載された
「本発明は、前記絶縁膜に形成された凹凸の配列パターンが」を
「本発明は、液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、「凹凸の配列パターン」をさらに具体的に限定するものであり、また、訂正事項ｂは、「凹凸の配列パターン」をさらに具体的に限定するとともに、請求項１の訂正に伴い従属項形式を独立項形式に改めるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許明細書の【００５２】〜【００５４】に記載された事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｃ及びｄは、訂正事項ａ及びｂの特許請求の範囲の訂正に伴い、それとの整合を図るため、発明の詳細な説明の記載を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項を含むものではなく、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立に対する判断
（１）特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人は、甲第１号証；「２インチ画像表示用２２０×１８０画素ＭＯＳ−ＬＣＤ」笠原幸一他、テレビジョン学会誌　Vol.38，No.4（1984），357〜361頁を提出し、本件の請求項１に係る発明は甲第１号証に記載された発明であるか、請求項１及び請求項２に係る発明は甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号または第２９条第２項の規定により取りすべきである旨主張している。
（２）本件発明
　本件の請求項１及び２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、
　前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが、複数の前記反射電極の形成領域で繰返して形成され、かつ凹凸の配列パターンが２種類以上組合わされていることを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】　液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、
　前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが、全ての前記反射電極の形成領域において同一であることを特徴とする反射型液晶表示装置。」
　
（３）甲第１号証記載の発明
　特許異議申立人の提出した本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証には、図９及びその説明（３６０頁右欄６〜１０行）に、液晶層を介在してシリコン基板と前面ガラス基板とが対向配置されていることが開示され、　図６及びその説明（３５９頁右欄１３行〜３６０頁左欄９行）に、シリコン基板上に、フォトリソグラフィー技術を用いて多数の小孔をあけて形成した凹凸を有するポリイミド層間絶縁膜を介して、アルミで形成された光拡散反射特性を有する表示電極が設けられていることが開示され、
　図４及びその説明（３５９頁左欄２〜５行）には、ＬＣＤに用いられているＭＯＳアレイが２２０（垂直方向）×１８０（水平方向）画素設けられていることが記載され、
　図５及びその説明（３５９頁右欄３〜６行）には、表示電極サイズで決められる実行画素サイズが１２８×２１２μｍ２、垂直方向の画素ピッチが１３６μｍ、水平方向の画素ピッチが２２０μｍであることが記載され、
　図７及びその説明（３６０頁左欄１０〜１５行）には、ポリイミドに多数の小孔をあけるためのフォトマスクが開示されており、小孔形状が八角形で六方稠密に配列されており、水平方向の配列ピッチが１０μｍであることが記載されている。
　又、写真２には、基板（ポリイミド層間絶縁膜）の全面にわたって八角形の小孔が六方稠密に配列されたものが示されている。
　　                                       
（４）当審の判断                  
（請求項１に対して）
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と上記甲第１号証記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比すると、両者は「液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、前記絶縁膜は、凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸は所定の配列パターンで形成されている反射型液晶表示装置」の発明で一致する。
　しかし、引用発明における、所定の配列パターンは、八角形の小孔が六方稠密に配列されてなる規則的なものであるとともに、凹凸は、１つの反射電極の形成領域を特に意識することなく、ポリイミド層間絶縁膜の全面にわたって形成されているものである。よって、引用発明は、本件発明１の「絶縁膜は、１つの反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有するとともに、該凹凸の配列パターンが、複数の前記反射電極の形成領域で繰返して形成され、かつ凹凸の配列パターンが２種類以上組合わされている」構成を備えていない。
　そして、反射型液晶表示装置において、上記構成が周知であると認めるべき証拠もない。
　しかも、本件発明は、配列パターンが各反射電極において同一もしくは２種類以上の配列パターンの組合せであるため、容易に凸部の形成を行うことができるなどの明細書記載の効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
（請求項２に対して）
　請求項２に係る発明（以下、「本件発明２」という。）と引用発明とを対比すると、引用発明は、本件発明２の「絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有するとともに、該凹凸の配列パターンが、全ての前記反射電極の形成領域において同一である」構成を備えていない。
　そして、反射型液晶表示装置において、上記構成が周知であると認めるべき証拠もない。
　したがって、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月２３日（２００１．３．２３）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、
特許明細書の請求項１の４〜５行目に記載された
「前記絶縁膜は、凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが、少なくとも２つ以上の前記反射電極の形成領域において同一であること」という記載を添付の訂正明細書の通り、
『前記絶縁膜は、
１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの
複数の前記反射電極の形成領域で繰返して形成され、かつ凹凸の配列パターンが２種類以上組合わされている
という記載に訂正する。
　ｂ．特許請求の範囲の減縮を目的として、
特許明細書の請求項２の１〜２行目に記載された
「前記絶縁膜に形成された凹凸の配列パターンが、全ての前記反射電極の形成領域において同一であることを特徴とする請求項１記載の」
という記載を添付の訂正明細書の通り、
『
液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、
　
前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該
する
という記載に訂正する。
　ｃ．明瞭でない記載の釈明を目的として、
特許明細書の明細書段落番号００２１の４〜６行目に記載された
「前記絶縁膜は、凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該凹凸の配列パターンが、少なくとも２つ以上の前記反射電極の形成領域において同一であること」
という記載を添付の訂正明細書の通り、訂正後の特許請求の範囲との整合性を取るため、
『前記絶縁膜は、
１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの
複数の前記反射電極の形成領域で繰返して形成され、かつ凹凸の配列パターンが２種類以上組合わされている
という記載に訂正する。
　ｄ．明瞭でない記載の釈明を目的として、
特許明細書の明細書段落番号００２２の１行目に記載された
「本発明は、前記絶縁膜に形成された凹凸の配列パターンが」
という記載を添付の訂正明細書の通り、訂正後の特許請求の範囲との整合性を取るため、
『本発明は、
液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該
という記載に訂正する。
（５４）【発明の名称】
反射型液晶表示装置およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、
　前記絶縁膜は、
１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの
複数の前記反射電極の形成領域で繰返して形成され、かつ凹凸の配列パターンが２種類以上組合わされている
　【請求項２】　
液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、
　
前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該
する
　【請求項３】　液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、他方基板側からの入射光を反射する反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法において、
　前記一方基板上の液晶層側に感光性樹脂を塗布する工程と、
　前記感光性樹脂を略円形のパターンが不規則に配列された遮光手段を介して露光および現像した後に熱処理を行い、複数の凹凸部を形成する工程と、
　前記複数の凹凸部上に金属薄膜からなる前記反射電極を形成する工程と、
を含み、前記遮光手段に配列された略円形のパターンの総面積が、前記反射電極の総面積の４０％以上であることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、外部からの入射光を反射することによって表示を行う反射型液晶表示装置およびその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、ワードプロセッサ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低く、薄形であり、軽量化が可能であるため注目されている。
　【０００３】
　従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ（ツイステッドネマティック）方式、ならびにＳＴＮ（スーパツイステッドネマティック）方式が用いられているけれども、これらの方式では偏光板によって必然的に自然光の光強度の１／２が表示に利用されないことになり、表示が暗くなるという問題がある。
　【０００４】
　このような問題に対して、偏光板を用いず、自然光の全ての光線を有効に利用しようとする表示モードが提案されている。このようなモードの例として、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（Ｄ．Ｌ．Ｗｈｉｔｅ　ａｎｄ　Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５　４７１８　１９７４）。このモードでは、電界によるコレステリック・ネマティック相転移現象が利用されている。この方式に、さらにマイクロカラーフィルタを組合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案されている（Ｔｏｈｒｕ　Ｋｏｉｚｕｍｉ　ａｎｄ　Ｔａｔｓｕｏ　Ｕｃｈｉｄａ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＳＩＤ．Ｖｏ１．２９／２．１５７．１９８８）。
　【０００５】
　このような偏光板を必要としないモードでさらに明るい表示を得るためには、あらゆる角度からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。そのためには、最適な反射特性を有する反射板を作成することが必要となる。上述の文献には、ガラスなどから成る基板の表面を研磨剤で粗面化し、フッ化水素酸でエッチングする時間を変えることによって表面の凹凸を制御し、その凹凸上に銀の薄膜を形成した反射板について記載されている。
　【０００６】
　しかしながら、上記文献に記載の反射板には、ガラス基板に研磨剤によって傷をつけることによって凹凸が形成されるため、均一な形状の凹凸が形成されない。また、凹凸の形状の再現性が悪いという問題があるため、このようなガラス基板を用いると再現性よく良好な反射特性を有する反射型液晶表示装置を提供することができない。
　【０００７】
　図２５は、アクティブマトリクス方式に用いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す。）１を有する基板２の平面図であり、図２６は、図２５に示す切断面線Ｘ２６−Ｘ２６から見た断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板２上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線３が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線３からはゲート電極４が分岐して設けられている。ゲートバス配線３は、走査線として機能している。
　【０００８】
　ゲート電極４を覆って基板２上の全面に窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）などから成るゲート絶縁膜５が形成されている。ゲート電極４の上方のゲート絶縁膜５上には、非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と記す。）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどから成る半導体層６が形成されている。半導体層６の一方の端部には、チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るソース電極７が重畳形成されている。また、半導体層６の他方の端部には、ソース電極７と同様に、チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン電極８が重畳形成されている。ドレイン電極８の半導体層６とは反対側の端部には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）から成る絵素電極９が重畳形成されている。
　【０００９】
　図２５に示すように、ソース電極７にはゲートバス配線３と前述のゲート絶縁膜５を挟んで交差するソースバス配線１０が接続されている。ソースバス配線１０は、信号線として機能している。ソースバス配線１０も、ソース電極７と同様な金属で形成されている。ゲート電極４、ゲート絶縁膜５、半導体層６、ソース電極７およびドレイン電極８は、ＴＦＴ１を構成し、該ＴＦＴ１はスイッチング素子の機能を有している。
　【００１０】
　図２５および図２６に示すＴＦＴ１を有する基板２を反射型液晶表示装置に適用しようとすれば、絵素電極９をアルミニウム、銀などの光反射性を有する金属で形成するばかりでなく、ゲート絶縁膜５あるいはその上に凹凸を形成する必要がある。一般に、無機物から成る絶縁膜にテーパのついた凹凸を均一に形成することは困難である。
　【００１１】
　図２７は、アクティブマトリクス方式に用いられるＴＦＴ１１を有する基板１２の平面図であり、図２８は、図２７に示される切断面線Ｘ２８−Ｘ２８から見た断面図である。ガラスなどの絶縁性の基板１２上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線１３が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線１３からはゲート電極１４が分岐して設けられている。ゲートバス配線１３は、走査線として機能している。
　【００１２】
　ゲート電極１４を覆って基板１２上の全面に、窒化シリコン、酸化シリコンなどから成るゲート絶縁膜１５が形成されている。ゲート電極１４の上方のゲート絶縁膜１５上には、ａ−Ｓｉなどから成る半導体層１６が形成されている。半導体層１６の両端部には、ａ−Ｓｉなどから成るコンタクト層１７が形成されている。一方のコンタクト電極１７上にはソース電極１８が重畳形成され、他方のコンタクト層１７上には、ドレイン電極１９が重畳形成されている。ソース電極１８には、ゲートバス配線１３と前述のゲート絶縁膜１５を挟んで交差する信号線として機能するソースバス配線２３が接続されている。ゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、半導体層１６、コンタクト層１７、ソース電極１８およびドレイン電極１９は、ＴＦＴ１１を構成する。
　【００１３】
　さらにその上に複数の凸部２０ａを有し、ドレイン電極１９上にコンタクトホール２１を有する有機絶縁膜２０が形成される。有機絶縁膜２０上には、反射電極２２が形成され、反射電極２２はコンタクトホール２１を介してドレイン電極１９と接続されている。
　【００１４】
　以上のように、ＴＦＴ１１を形成した基板１２上に有機絶縁膜２０を形成する場合は、エッチング法を用いて有機絶縁膜２０の表面に凸部２０ａを容易に形成することができ、凸部２０ａを有する有機絶縁膜２０上に反射電極２２を形成することによって、容易に凹凸を有する反射電極２２を形成することができる。
　【００１５】
　【発明が解決しようとする課題】
　図２５および図２６に示されるように、反射電極９とソースバス配線１０とをゲート絶縁膜５上に形成する際には、反射電極９とソースバス配線１０とが導通しないように間隙９ａが形成される。しかしながら、図２７および図２８に示されるように、ソースバス配線２３をゲート絶縁膜１５上に、反射電極２２を有機絶縁膜２０上にそれぞれ形成すれば、前述のような間隙９ａは不要である。
　【００１６】
　表示の輝度を向上するためには、反射電極２２はその表面積が大きいほど好まい。したがって、図２７および図２８では反射電極２２端部は、有機絶縁膜２０を介してソースバス配線２３上に形成されている。
　【００１７】
　有機絶縁膜２０は、凸部２０ａを有しているため、隣り合う凸部２０ａ間の底部２０ｂ部分がソースバス配線２３上に接触するエッチング不良が生じた場合、有機絶縁膜２０による絶縁が行われず、有機絶縁膜２０上に形成される反射電極２２とソースバス配線２３との絶縁不良が生じるという問題がある。
　【００１８】
　また、基板１２上の全面に凸部２０ａを有する有機絶縁膜２０を形成するため、反射電極２２をパターニングする際、凸部２０ａによって反射電極２２の周縁部に凹凸が生じ、反射電極２２のパターニング不良が生じるという問題がある。
　【００１９】
　さらに、反射電極２２が、基板１２上に形成された引回し電極であるゲート電極１４上の接続部分の半導体層１６の上に有機絶縁膜２０を介して形成された場合、反射電極２２にかかる信号が半導体層１６にかかり、疑似的に反射電極２２がゲート電極１４と同じような機能を果たし、反射電極２２と半導体層１６との界面にチャネルを形成してしまい、ＴＦＴ１１の特性を低下させる。また、ゲート電極１４と反射電極２２との間に、大きな寄生容量が発生することになる。これらの現象は、表示品位を低下させる原因となる。
　【００２０】
　本発明の目的は、上述の問題を解決し、良好な反射特性を有する反射板を容易に、かつ再現性よく作成することができ、表示品位が向上する反射型液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
　【００２１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、前記絶縁膜は、
１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの
複数の前記反射電極の形成領域で繰返して形成され、かつ凹凸の配列パターンが２種類以上組合わされている
　【００２２】
　また、本発明は、
液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、絶縁膜を介して他方基板側からの入射光を反射する反射電極が形成される反射型液晶表示装置において、前記絶縁膜は、１つの前記反射電極の形成領域において不規則な配列パターンの凹凸を有する有機樹脂からなるとともに、該
　【００２３】
　本発明は、液晶層を介在して対向配置される一対の基板のうちの一方側の基板上に、他方基板側からの入射光を反射する反射電極を有する反射型液晶表示装置の製造方法において、前記一方基板上の液晶層側に感光性樹脂を塗布する工程と、前記感光性樹脂を略円形のパターンが不規則に配列された遮光手段を介して露光および現像した後に熱処理を行い、複数の凹凸部を形成する工程と、前記複数の凹凸部上に金属薄膜からなる前記反射電極を形成する工程と、を含み、前記遮光手段に配列された略円形のパターンの総面積が、前記反射電極の総面積の４０％以上であることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法である。
　【００２４】
　以下、本発明の反射型液晶表示装置およびその製造方法について、その作用を簡単に説明する。
　【００２５】
　本発明に従えば、反射型液晶表示装置は、前記凹凸部の配列パターンが同一である反射電極を有しており、そのため、反射電極毎に異なる配列パターンで形成する必要はなく、反射電極が形成される全領域に容易に前記凹凸部を形成することが可能となる。つまり、反射電極に対応する領域のホトマスク上には、それぞれ同じ配列パターンで遮光領域が形成されるため、一つの反射電極に対応する配列パターンを形成するだけでよく、ホトマスクの作成が容易に可能となっている。
　【００２６】
　また本発明に従えば、反射型液晶表示装置の製造方法において、前記遮光手段は、前記略円形のパターンが形成された遮光領域の総面積を反射電極の総面積の４０％以上としているため、高い反射率を得ることが可能となる。つまり、遮光手段の遮光領域の総面積を反射電極の総面積の４０％以上とすることにより、正反射成分が多くならず、散乱が多くなるために、観察者の視角範囲において高い反射率を得ることが可能となっている。
　【００２７】
　【発明の実施の形態】
　図１は、本発明の一実施形態である反射型液晶表示装置３０の断面図であり、図２は、図１に示される基板３１の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の基板３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線３２からはゲート電極３３が分岐している。ゲートバス配線３２は、走査線として機能している。
　【００２８】
　ゲート電極３３を覆って基板３１上の全面に、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）などから成るゲート絶縁膜３４が形成されている。ゲート電極３３の上方のゲート絶縁膜３４上には、非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と記す。）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどから成る半導体層３５が形成されている。半導体層３５の両端部には、ａ−Ｓｉなどから成るコンタクト電極４１が形成されている。一方のコンタクト電極４１上には、チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るソース電極３６が重畳形成され、他方のコンタクト電極４１上には、ソース電極３６と同様に、チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン電極３７が重畳形成されている。
　【００２９】
　図２に示すように、ソース電極３６には、ゲートバス配線３２に前述のゲート絶縁膜３４を挟んで交差するソースバス配線３９が接続されている。ソースバス配線３９は、信号線として機能している。ソースバス配線３９も、ソース電極３６と同様の金属で形成されている。ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、半導体層３５、ソース電極３６およびドレイン電極３７は、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す。）４０を構成し、該ＴＦＴ４０はスイッチング素子の機能を有する。
　【００３０】
　ゲートバス配線３２、ソースバス配線３９およびＴＦＴ４０を覆って、基板３１上全面に有機絶縁膜４２が形成されている。有機絶縁膜４２の反射電極４３が形成される領域には、先細状で先端部が球面状に形成された、高さＨの凸部４２ａが形成されており、ドレイン電極３７の部分にはコンタクトホール４３が形成されている。有機絶縁膜４２の形成方法や、これにコンタクトホール４３を形成する工程上の問題、および液晶表示装置３０を作成する際の液晶層厚のバラツキを小さくするため、凸部４２ａの高さＨは１０μｍ以下が好ましい。
　【００３１】
　一般に、液晶層の厚さは１０μｍ以下である。有機絶縁膜４２の凸部４２ａ形成領域上にアルミニウム、銀などから成る反射電極３８が形成され、反射電極３８はコンタクトホール４３において、ドレイン電極３７と接続される。さらにその上には、配向膜４４が形成される。
　【００３２】
　基板４５上には、カラーフィルタ４６が形成される。カラーフィルタ４６は、基板３１の反射電極３８に対向する領域には、マゼンタまたは緑色のフィルタ４６ａが形成され、反射電極３８に対向しない領域には黒色のフィルタ４６ｂが形成される。カラーフィルタ４６上の全面には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ＴｉｎＯｘｉｄｅ）などから成る透明電極４７が形成され、さらにその上には配向膜４８が形成される。
　【００３３】
　前記両基板３１、４５は、反射電極３８とフィルタ４６ａとが一致するように対向して貼合わせられ、基板間に液晶４９が注入されて反射型液晶表示装置３０が完成する。
　【００３４】
　図３は、図１および図２に示される凹凸を有する反射電極３８を基板３１上に形成する形成方法を説明する工程図であり、図４は、図３に示す形成方法を説明する断面図であり、図５は、図３の工程ｓ７で用いられるマスク５１の平面図である。図４（１）は、図３の工程ｓ４を示し、図４（２）は、図３の工程ｓ７を示し、図４（３）は、図３の工程ｓ８を示し、図４（４）は、図３の工程ｓ９を示している。
　【００３５】
　工程ｓ１では、ガラスなどから成る絶縁性の基板３１上にスパッタリング法によって３０００Åの厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソグラフ法およびエッチングによってパターニングを行い、ゲートバス配線３２およびゲート電極３３を形成する。工程ｓ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜３４を形成する。
　【００３６】
　工程ｓ３では、半導体層３５となる厚さ１０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層４１となる厚さ４００Åのｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成する。形成されたｎ＋型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層のパターニングを行い、半導体層３５およびコンタクト層４１を形成する。工程ｓ４では、基板３１の全面に厚さ２０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソース電極３６、ドレイン電極３７およびソースバス配線３９を形成し、ＴＦＴ４０が完成する。図４（１）は、工程ｓ４までの処理終了後のＴＦＴ４０が形成された基板３１の断面図である。
　【００３７】
　工程ｓ５では、ＴＦＴ４０を形成した基板３１上の全面にポリイミド樹脂を２μｍの厚さに形成し、有機絶縁膜４２を形成する。工程ｓ６では、ホトリソグラフ法およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜４２にコンタクトホール４３を形成する。工程ｓ７では、有機絶縁膜４２上にホトレジスト５０を塗布し、図５に示されるマスク５１を用いて反射電極３８形成領域に凸部５０ａをパターニングする。さらに、凸部５０ａの角をとるために、１２０℃〜２５０℃の範囲で熱処理を行う。本実施の形態では、２００℃、３０分の熱処理を行った。図４（２）に、工程ｓ７までの処理終了後の基板３１の断面図を示す。マスク５１には、反射電極３８形成領域に、図５に示されるように斜線で示す円形の遮光領域５１ａが不規則に形成されている。
　【００３８】
　工程ｓ８では、図４（３）に示されるように、ホトレジスト５０を覆って有機絶縁膜４２をエッチングして高さＨが０．５μｍの凸部４２ａを形成する。このとき、ホトレジスト５２に熱処理を行い、凸部５０ａの角をとってあるため、凸部４２ａもまた角がとれた形に形成される。また、コンタクトホール４３およびＴＦＴ４０上の有機絶縁膜４２は、ホトレジスト５０によって保護されており、エッチングは行われない。
　【００３９】
　工程ｓ９では、有機絶縁膜４２上全面にアルミニウム層を形成し、図４（４）に示されるように凸部４２ａ上に反射電極３８を形成する。この状態の基板３１を、反射電極３８を有する基板５２とする。反射電極３８は、有機絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４３を介してＴＦＴ４０のドレイン電極３７と接続されている。
　【００４０】
　有機絶縁膜４２上の凸部４２ａの形状は、マスク５１の形状、ホトレジスト５０の厚さ、ドライエッチングの時間によって制御することができることが確認されている。
　【００４１】
　以上の工程によって、反射電極３８を有する基板５２を得た。また、上述の製造工程において、有機絶縁膜４２のドライエッチング時間を長くして、凸部４２ａの高さＨを１μｍとした基板３１を得ることができ、高さＨが１μｍである反射電極３８を有する基板３１を基板５９とする。
　【００４２】
　図１に示される他方の基板４５に形成される電極４７は、たとえばＩＴＯから成り、厚さは１０００Åである。配向膜４４、４８は、ポリイミドなどを塗布後、焼成することによって形成されている。基板３１、４５間には、たとえば７μｍのスペーサを混入した図示しない接着性シール剤をスクリーン印刷することによって液晶４９を封入する空間が形成され、前記空間を真空脱気することによって、液晶４９が注入される。液晶４９としては、たとえば黒色色素を混入したゲストホスト液晶（メルク社製、商品名：ＺＬＩ２３２７）に、光学活性物質（メルク社製、商品名：Ｓ８１１）を４．５％混入したものを用いる。
　【００４３】
　図６は、反射電極３８を有する基板５２、５９の反射特性の測定法を示す断面図である。反射電極３８を有する基板５２、５９上に紫外線硬化接着樹脂５３を介してガラス基板５４を密着し、測定用装置５５を形成する。反射型液晶表示装置３０において、基板４５と液晶４９との屈折率のいずれも約１．５であるので、紫外線硬化接着樹脂５３および基板５４の屈折率は約１．５のものを用いている。基板５４の上部に、光の強度を測定するホトマルチメータ５６が配置されている。ホトマルチメータ５６は、反射電極３８に基板３１に対して入射角θで入射する入射光５７のうち、基板３１の法線方向に反射する散乱光５８を検出するように、基板３１の法線方向に固定されている。
　【００４４】
　測定用装置５５に入射される入射光５７の入射角θを変化させて反射電極３８による散乱光５８を測定することによって、反射電極３８の反射特性が得られる。この測定結果は、反射型液晶表示装置３０内の反射電極３８と液晶４９層などとの境界における反射特性と同様の結果が得られることが確認されている。
　【００４５】
　図７は、本実施の形態の反射電極３８を有する基板５２、５９の反射特性を示すグラフである。基板５２の反射特性は曲線６０で示され、基板５９の反射特性は曲線６１で示される。図７において、入射角θをもって入射する光の反射強度は、θ＝０°の線に対する角θの方向に、原点０からの距離として表されている。また、図７に破線で示す曲線６２は、標準白色板（酸化マグネシウム）について測定した反射特性を示す。基板５２の反射特性を示す曲線６０は、入射角は小さい場合には基板の法線方向の反射率が大きく、入射角が大きい場合には法線方向の反射率が小さいという指向性を持っている。それに対して、基板５９の反射特性を示す曲線６１は、標準反射板の反射特性を示す曲線６２と同様の反射特性を示す曲線６１を有していることが判る。
　【００４６】
　このように、ドライエッチング時間を制御することによって反射特性６０、６１を制御することができる。また、マスク５１の遮光領域５１ａの占める割合を変化させることによって、正反射成分の大きさを制御することができる。
　【００４７】
　反射型液晶表示装置３０上にホトマルチメータ５６を配置して、反射率を測定した。反射率は、入射光５７の入射角θが３０°のときの標準白色板における法線方向への拡散光５８の強度に対する、反射型液晶表示装置３０の法線方向への拡散光５８の強度の比率を求めることによって得られる。電圧を印加した場合、入射角θ＝３０°の入射光に対する反射型液晶表示装置３０の反射率は、約２０％とかなり明るく、コントラスト比は５であった。
　【００４８】
　図８は、本発明の一実施形態である反射型液晶表示装置３０の白色光源光に対する反射光の色をＣＩＥ色度図に示したグラフである。点Ｗ１は白色光源光を示し、点Ｗ２は反射型液晶表示装置３０によって表示される白色を示し、点Ｇは反射型液晶表示装置３０によって表示される緑色を示し、点Ｍは反射型液晶表示装置３０によって表示されるマゼンタを示している。反射型液晶表示装置３０の白色を示す点Ｗ２は、白色光源光を示す点Ｗ１に近いことが判る。
　【００４９】
　本実施の形態の反射型液晶表示装置３０では、反射電極３８を形成した面が液晶４９側に位置しているため、視差がなくなり、良好な表示画面が得られる。また、本実施の形態では、凹凸を有する反射電極３８が液晶４９層側、すなわち液晶４９層にほぼ隣接する位置に配置されている構成となるため、凸部４２ａの高さＨは、液晶層厚よりも小さく、凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱さない程度に穏やかにすることが望ましい。
　【００５０】
　さらに、本実施の形態では、有機絶縁膜４２のパターニングをドライエッチング法によって行ったが、有機絶縁膜４２がポリイミド樹脂の場合には、アルカリ溶液によるウエットエッチング法によって行ってもよい。また、有機絶縁膜４２としてポリイミド樹脂を用いたが、アクリル樹脂などの他の有機材料を用いてもよい。さらに本実施の形態では、基板３１、４５として、ガラスなどから成る透明な材料を用いたが、シリコン基板のような不透明な材料でも同様な効果が発揮され、この場合には回路を基板上に集積できる利点がある。
　【００５１】
　なお、前記実施の形態においては、表示モードとして相転移型ゲスト・ホストモードを取上げたけれども、これに限定されることはなく、たとえば２層式ゲスト・ホストのような他の光吸収モード、高分子分散型液晶表示装置のような光散乱型表示モード、強誘電性液晶表示装置で使用される複屈折表示モードなどでも同様の効果が得られる。また本実施の形態では、スイヅチング素子としてＴＦＴ４０を用いた場合について説明したけれども、たとえばＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子、ダイオード、バリスタなどを用いたアクティブマトリクス基板にも適用することができる。
　【００５２】
　図９は、本発明の実施の形態を示す基板３１の複数の反射電極３８を示した平面図である。反射電極３８上には、有機絶縁膜４０に形成される凸部４２ａを介して凸部３８ａが不規則に形成されている。しかしながら、反射電極３８の凸部３８ａの不規則さは、どの反射電極３８をとっても同様である。これは、有機絶縁膜４２上に凸部４２ａを形成する際に用いられるホトマスク５１の各反射電極３８に対応する領域に、同じ配列パターンで遮光領域５１ａを形成しているためである。
　【００５３】
　凸部４２ａを形成するためのホトマスク５１の各反射電極３８に対応する領域に、それぞれ異なる配列パターンの遮光領域５１ａを設計することもできるけれども、このような方法を採ると、配列パターンの形成に必要とされるデータ量が増大し、ホトマスク５１の作成が困難となる。しかしながら、本実施の形態によれば、各反射電極３８に対応する領域のホトマスク５１上には、それぞれ同じ配列パターンで遮光領域５１ａが形成されるため、１つの反射電極３８に対応する配列パターンを形成するだけでよく、ホトマスク５１の作成が容易となる。
　【００５４】
　また、図９に示される凸部４２ａは、２種類の円形の遮光領域が不規則に配列されているホトマスクを用いて形成されている。凸部３８ａの大きさは、たとえば断面形状の最大直径を５μｍと１０μｍとし、高さは０．６μｍとし、それらが１つの反射電極３８に対応する領域でのみランダムに形成し、残りの絵素はその配列パターンを繰返している。たとえば、絵素の大きさは、３００μｍ×３００μｍ、絵素数３２０×２４０、対角サイズ５インチであるようなモノクロ反射型液晶表示装置を作成した。
　【００５５】
　なお、反射型液晶表示装置３０の構成、凸部４２ａの作成方法、表示モードなどは前述したとおりである。全面点灯させたときの表示は、隣の絵素との干渉による色は見えず、良好な白色が得られた。
　【００５６】
　反射電極３８の数が多くなり、反射電極３９のピッチが小さくなったときに、特に隣の反射電極３８が形成する絵素との干渉色が問題となる場合には、２種類以上の配列パターンを組合せてホトマスク５１を形成すればよい。
　【００５７】
　以上のように、本実施の形態によれば、反射電極３８部分のみに凹凸を形成するため、ソースバス配線３９と反射電極３８との絶縁不良が生じず、また反射電極３８周縁部の有機絶縁膜４２上は凹凸がなく平坦であるためパターニング不良は生じず、反射型液晶表示装置３０の表示品位が向上する。また、反射電極３８部分に形成される凸部４２ａは不規則に配置され、また先細状にかつ先端部は球面状に形成され、１種類あるいは大きさの異なる２種類以上の形状から成るため、反射型液晶表示装置３０の法線方向への拡散光の強度が向上する。
　【００５８】
　また、本実施の形態によれば、前記凸部４２ａの配列パターンが各反射電極３８において同一もしくは２種類以上の配列パターンの組合せであるため、容易に凸部の形成を行うことができる。
　【００５９】
　図１０は、本発明の実施の形態である反射型液晶表示装置１３０の断面図であり、図１１は、図１０に示される基板１３１の平面図である。ガラスなどから成る絶縁性の基板１３１上に、クロム、タンタルなどから成る複数のゲートバス配線１３２が互いに平行に設けられ、ゲートバス配線１３２からはゲート電極１３３が分岐している。ゲートバス配線１３０には、走査線として機能している。
　【００６０】
　ゲート電極１３３を覆って基板１３１上の全面に、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）などから成るゲート絶縁膜１３４が形成されている。ゲート電極１３３の上方のゲート絶縁膜１３４上には、非晶質シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と記す。）、多結晶シリコン、ＣｄＳｅなどから成る半導体層１３５が形成されている。半導体層１３５の両端部には、ａ−Ｓｉなどから成るコンタクト電極１４１が形成されている。一方のコンタクト電極１４１上には、チタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るソース電極１３６が重畳形成され、他方のコンタクト電極１４１上には、ソース電極１３６と同様にチタン、モリブデン、アルミニウムなどから成るドレイン電極１３７が重畳形成されている。
　【００６１】
　図１１に示すように、ソース電極１３６には、ゲートバス配線１３２と前述のゲート絶縁膜１３４を挟んで交差するソースバス配線１３９が接続されている。ソースバス配線１３９は、信号線として機能している。ソースバス配線１３９も、ソース電極１３６と同様の金属で形成されている。ゲート電極１３３、ゲート絶縁膜１３４、半導体層１３５、ソース電極１３６およびドレイン電極１３７は、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す。）１４０を構成し、該ＴＦＴ１４０は、スイッチング素子の機能を有する。
　【００６２】
　反射電極１３８が形成される領域には、複数の凸部１４２ａが不規則に形成されている。ゲートバス配線１３２、ソースバス配線１３９、ＴＦＴ１４０および凸部１４２ａを覆って、基板１３１上全面に有機絶縁膜１４２が形成されている。有機絶縁膜１４２には、凸部１４２ａに応じた凸部１４２ｂが生じる。ドレイン電極１３７部分には、コンタクトホール１４３が形成されている。液晶表示装置１３０を作成する際の液晶層厚のバラツキを小さくするため、凸部１４２ｂの高さＨ１は液晶層の厚さより小さい１０μｍ以下が好ましい。一般に、液晶層の厚さは１０μｍ以下であるためである。また、凸部１４２ａのピッチは、１００μｍ以下が好ましい。凸部１４２ａが形成されている領域上の有機絶縁膜１４２上にアルミニウム、銀などから成る反射電極１３８が形成され、反射電極１３８はコンタクトホール１４３においてドレイン電極１３７と接続される。さらに、その上に配向膜１４４が形成される。
　【００６３】
　反射電極１３８は、図１１に示されるように、ゲートバス配線１３２の一部およびソースバス配線１３９の一部に有機絶縁膜１４２を介して重畳されるように形成されている。このため、反射電極１３８の面積を大きくすることができ、表示画面の開口率が大きくなり、明るい表示が可能となる。反射電極１３８のパターニング不良をなくすためには、反射電極１３８の周縁部には、凸部１４２ａを形成しない構成とすればよい。また、反射電極１３８とゲートバス配線１３２およびソースバス配線１３９との絶縁不良が生じるときには、重畳する部分には凸部１４２ａを形成しない構成とすればよい。
　【００６４】
　基板１４５上には、カラーフィルタ１４６が形成される。カラーフィルタ１４６は、基板１３１の反射電極１３８に対向する領域には、マゼンタまたは緑色のフィルタ１４６ａが形成され、反射電極１３８に対向しない領域には、黒色のフィルタ１４６ｂが形成される。カラーフィルタ１４６上の全面には、ＩＴＯなどから成る透明電極１４７、さらにその上に配向膜１４８が形成される。
　【００６５】
　両基板１３１、１４５は、反射電極１３８とフィルタ１４６ａとが一致するように間隔をあけて対向して貼合わせられ、基板間に液晶１４９が注入されて反射型液晶表示装置１３０が完成する。
　【００６６】
　図１２は、図１１および図１２に示される凸部を有する反射電極１３８を基板１３１上に形成する形成方法を説明する工程図であり、図１３は、図１２に示す形成方法を説明する断面図であり、図１４は、図１２の工程ａ５で用いられるマスク１５１の平面図である。図１３（１）は、図１２の工程ａ４を示し、図１３（２）は、図１２の工程ａ５を示し、図１３（３）は、図１２の工程ａ６を示し、図１３（４）は、図１２の工程ａ８を示し、図１３（５）は、図１２の工程ａ９を示している。
　【００６７】
　工程ａ１では、ガラスなどから成る絶縁性の基板１３１上にスパッタリング法によって３０００Åの厚さのタンタル金属層を形成し、この金属層をホトリソグラフ法およびエッチングによってパターニングを行い、ゲートバス配線１３２およびゲート電極１３３を形成する。工程ａ２では、プラズマＣＶＤ法によって４０００Åの厚さの窒化シリコンから成るゲート絶縁膜１３４を形成する。
　【００６８】
　工程ａ３では、半導体層１３５となる厚さ１０００Åのａ−Ｓｉ層と、コンタクト層１４１となる厚さ４００Åのｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成する。形成されたｎ＋型ａ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層のパターニングを行い、半導体層１３５およびコンタクト層１４１を形成する。工程ａ４では、基板１３１の全面に厚さ２０００Åのモリブデン金属をスパッタ法によって形成し、このモリブデン金属層のパターニングを行って、ソース電極１３６、ドレイン電極１３７およびソースバス配線１３９を形成し、ＴＦＴ１４０が完成する。図１３（１）は、工程ａ４までの処理終了後のＴＦＴ１４０が形成された基板１３１の断面図である。
　【００６９】
　工程ａ５では、ＴＦＴ１４０を形成した基板１３１上全面にホトレジスト（商品名：ＯＦＰＲ−８００）を１２００Åの厚さに塗布し、図１４に示されるマスク１５１を用いて、図１３（２）に示されるように、凸部１４２ａを形成する。マスク１５１には、反射電極１３８の形成領域に図１４に示されるように、斜線で示す円形の遮光領域１５１ａ、１５１ｂが不規則に形成されている。遮光領域１５１ａの直径Ｄ１は、遮光領域１５１ｂの直径Ｄ２よりも大きく形成されている。たとえば、直径Ｄ１は１０μｍであり、直径Ｄ２は５μｍである。直径Ｄ１、Ｄ２は、それぞれ２０μｍ以下が好ましい。本実施の形態では、２種類の遮光領域１５１ａ、１５１ｂを有するマスク１５１を用いたけれども、マスク１５１はこれには限定されない。遮光領域は１種類の円形でもよく、また３種類以上の円形でもよい。その後、熱処理を行い、図１３（２）に示されるように、凸部１４２ａを角がとれた形状に形成する。
　【００７０】
　工程ａ６では、基板１３１上全面にポリイミド樹脂を１μｍの厚さに塗布し、図１３（３）に示されるように、有機絶縁膜１４２を形成する。工程ａ７では、ホトリソグラフ法およびドライエッチング法を用いて有機絶縁膜１４２にコンタクトホール１４３を形成する。
　【００７１】
　工程ａ８では、凸部１４２ｂを有する有機絶縁膜１４２上全面に図１３（４）に示されるように、アルミニウムから成る金属薄膜を形成し、工程ａ９では図１３（５）に示されるように凸部１４２ｂ上に反射電極１３８をパターニングする。反射電極１３８は、有機絶縁膜１４２に形成されたコンタクトホール１４３を介してＴＦＴ１４０のドレイン電極１３７と接続されている。反射電極１３８のパターニング時に、有機絶縁膜１４２の下のホトレジストから成る凸部１４２ａは、露光、現像、アルミニウムのエッチング、レジストの剥離の工程を通しても、何の変化も見られないことを確認している。
　【００７２】
　凸部１４２ａの形状は、マスク１５１の形状、凸部１４２ａとなるホトレジストの厚さによって制御することができることが確認されている。また、凸部１４２ａの角は、凸部１４２ａの形成後、熱処理をすることによって容易にとることができる。
　【００７３】
　図１０に示される他方の基板１４５に形成される電極１４７は、たとえばＩＴ○から成り、厚さは１０００Åである。電極１３８、１４７上の配向膜１４４、１４８は、ポリイミドなどを塗布後、焼成することによって形成されている。基板１３１、１４５間には、たとえば７μｍのスペーサを混入した図示しない接着性シール剤をスクリーン印刷することによって、液晶１４９を封入する空間が形成され、前記空間を真空脱気することによって液晶１４９が注入される。液晶１４９としては、たとえば黒色色素を混入したゲストホスト液晶（メルク社製、商品名：ＺＬＩ２３２７）に、光学活性物質（メルク社製、商品名：Ｓ８１１）を４．５％混入したものを用いる。
　【００７４】
　図１５は、本発明の反射型液晶表示装置１３０の反射特性の測定に用いられる反射板１７０の製造工程を説明する工程図であり、図１６は、図１５の各工程を説明する断面図である。工程ｂ１では、図１６（１）に示すように、厚さ１．１ｍｍのガラス（商品名、７０５９：コーニング社製）１７１の一方表面に、レジスト材料として、たとえばＯＦＴＲ−８００（東京応化社製）を好ましくは５００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍでスピンコートによって塗布する。本実施の形態では、３０００ｒｐｍで３０秒間塗布し、レジスト１７２を１．２μｍ成膜した。
　【００７５】
　工程ｂ２では、レジスト１７２を１００℃で３０分間プリベータし、工程ｂ３では、図１６（２）に示すように、レジスト１７２上に円形の遮光領域１５１ａ、１５１ｂを有するホトマスク１５１を配置して露光を行い、工程ｂ４では、図１６（３）に示すように、レジスト１７２を現像し、基板１７１表面に不規則な略円柱形の凸部１７４を形成した。現像液として、２．３８％のＮＭＤ−３（東京応化社製）を用いた。
　【００７６】
　工程ｂ５では、ガラス基板１７１上の凸部１７４を好ましくは１２０℃〜２５０℃で熱処理すると、図１６（４）に示されるように角はとれて球面状の滑らかな凸部１７４が形成される。本実施の形態では、１８０℃で３０分間熱処理を行った。工程ｂ６では、図１６（５）に示すように凸部１７４を形成した基板１７１上に有機絶縁膜１７４ａを形成した。有機絶縁膜１７４ａとしては、ポリイミド樹脂を好ましくは９２０ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで２０秒間スピンコートによって塗布する。本実施の形態では、２２００ｒｐｍで２０秒間塗布し、１μｍの厚さの有機絶縁膜７４ａを成膜した。有機絶縁膜１７４ａには、凸部１７４に応じた凸部が生じるが、凸部１７４よりは滑らかである。
　【００７７】
　工程ｂ７では、図１６（６）に示すように有機絶縁膜１７４ａ上に金属薄膜１７５を形成した。金属薄膜１７５としては、アルミニウム、ニッケル、クロム、銀、銅などが挙げることができる。金属薄膜１７５の厚さは、０．０１μｍ〜１．０μｍ程度が適している。本実施の形態では、アルミニウムを真空蒸着することによって金属薄膜１７５を形成した。金属薄膜１７５は、凸部１７４に沿って形成された有機絶縁膜１７４ａ上に形成されているため、凸部１７４に応じた不規則な円形の凸部１７５ａを有している。以上によって反射板１７０を得た。
　【００７８】
　図１７は、反射板１７０の反射特性の測定法を説明する側面図である。通常、液晶表示装置１３０に用いられる基板１３１、１４５および液晶１４９層の屈折率は、それぞれ約１．５である。反射板１７０の表面と、液晶１４９層とが接する構成を想定し、本実施の形態では屈折率１．５の紫外線硬化樹脂１７７を用いてガラス基板１７６を反射板１７０に密着させて、反射板１７０の反射特性を測定した。この測定結果は、反射板１７５の表面と液晶１４９層の境界における反射特性と同様の結果を与えることを確認している。
　【００７９】
　図１７に示すように、反射特性の測定は、反射板１７０に入射する入射光１７９の散乱光１８０をホトマルチメータ１７８で検出することによって行われる。反射板１７０には、その法線に対し角度θをもって入射光１７９が入射する。ホトマルチメータ１７８は、金属薄膜１７５上の入射光１７９が照射される点を通る反射板１７０の法線方向に固定されている。入射光１７９の入射角度θを代えて入射光１７９の金属薄膜１７５による散乱光１８０の強度を測定することによって反射特性が得られた。
　【００８０】
　図１８は、入射角度θと反射強度との関係を示すグラフである。入射角度θである入射光１７９の反射強度は、θ＝０°の線に対する角度θの方向に、原点０からの距離として表されている。θ＝７０°の反射強度をＰ１、θ＝６０°の反射強度をＰ２、θ＝４０°の反射強度をＰ３、θ＝３０°の反射強度をＰ４、θ＝−３０°の反射強度をＰ５、θ＝−４０°の反射強度をＰ６、θ＝−６０°の反射強度をＰ７、θ＝−７０°の反射強度をＰ８で示している。
　【００８１】
　図１８では、酸化マグネシウムの標準白色板の反射特性曲線を破線８１で示している。θ＝３０°の反射強度Ｐ４は、θ＝３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ１０よりも優れており、θ＝−３０°の反射強度もまたθ＝−３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ１１よりも優れていることが判る。
　【００８２】
　以上のように、本実施の形態によれば、形状の制御が容易であり、再現性を有するホトレジストから成る凸部１４２ａ上に凸部１４２ａに沿って形成された凸部１４２ｂを有する有機絶縁膜１４２上に、凸部１４２ｂに沿った反射電極１３８を形成する。凸部１４２ａの形状を制御することによって、良好な反射特性を有する反射電極１３８が得られ、反射型液晶表示装置１３０の表示品位が向上する。
　【００８３】
　前述のホトマスク１５１は、図１９に示すようなものを用いるのが好ましい。図１９（１）では、遮光領域１５１ａ、１５１ｂの総面積がマスク１５１の総面積の約４７％であり、図１９（２）では遮光領域１５１ａ、１５１ｂの総面積がマスク１５１の総面積の４１％である。
　【００８４】
　図２０は、遮光領域１５１ａ、１５１ｂが総面積の４０％以上を占めるマスク５１、１５１を用いて形成された反射薄膜７５、１７５における入射角度θと反射強度との関係を示すグラフである。入射角度θである入射光７８、１７８の反射強度は、θ＝０°の線に対する角度θの方向に、原点０からの距離として表されている。θ：７０°の反射強度をＰ２１、θ＝６０°の反射強度をＰ２２、θ＝４０°の反射強度をＰ２３、θ＝３０°の反射強度をＰ２４、θ＝２５°の反射強度をＰ２５、θ＝−２５°の反射強度をＰ２６、θ＝−３０°の反射強度をＰ２７、θ＝−４０°の反射強度をＰ２８、θ＝−６０°の反射強度をＰ２９、θ＝−７０°の反射強度をＰ３０で示している。
　【００８５】
　図２０では、また酸化マグネシウムの標準白色板の反射特性曲線を破線１８１で示している。θ＝３０°の反射強度Ｐ２４は、θ＝３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ３４よりも優れており、θ＝−３０°の反射強度Ｐ２７もまたθ＝−３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ３７よりも優れていることが判る。
　【００８６】
　これに対し、遮光領域１５１ａ、１５１ｂが総面積の４０％未満、たとえば３５％のホトマスク１５１を用いて同様の方法で反射板の反射特性を図２１に示す。θ＝３０°の反射強度Ｐ５４は、θ＝３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ４４よりも劣っており、θ＝−３０°の反射強度Ｐ５７もまたθ＝−３０°の酸化マグネシウムの反射強度Ｐ４７よりも劣っていることが判る。これは、凸部が４０％未満であると、正反射成分が非常に多く、散乱が少ないため視野が狭められていたと考えられる。
　【００８７】
　図２２は、遮光領域１５１ａ、１５１ｂのマスクの総面積に占める割合を変化させたホトマスク１５１を用いて作成した反射板のθ＝３０°での反射率を示す。図２２から凸部の割合を４０％以上とすることによって高い反射率の反射板が得られることが判る。この他に、ホトレジストの種類や、膜厚、熱処理温度を選択することによって、凸部の傾斜角度を自由に制御することができ、これによって反射特性を制御できる。また、有機絶縁膜の種類や膜厚によっても反射特性を制御できる。
　【００８８】
　本実施の形態の反射型液晶表示装置１３０では、反射電極１３８を形成した面が液晶１４９側に位置しているため視差がなくなり、良好な表示画面が得られる。また本実施の形態では、凹凸を有する反射電極１３８が液晶１４９層側、すなわち液晶１４９層にほぼ隣接する位置に配置されている構成となるため、凸部１４２ｂの高さＨ１は、液晶層厚よりも小さく、凸部の傾斜角度は液晶分子の配向を乱さない程度に穏やかにすることができる。また本実施の形態では、反射電極１３８形成領域のみに凸部１４２ａを形成したけれども、基板１３１全面に凸部１４２ａを形成してもよい。また、反射電極１３８を透明電極として、別に反射板を設けてもよく、この場合にも同様に、不規則な複数の凸部上に形成された有機絶縁膜上に反射板が形成される。また、スイッチング素子としてＴＦＴ１４０を用いるアクティブマトリクス駆動方式の反射型液晶表示装置１３０について説明したけれども、これに限られるものではなく、単純マトリクス駆動方式などの反射型液晶表示装置でも同様の効果が得られる。
　【００８９】
　さらに、本実施の形態では有機絶縁膜１４２のパターニングをドライエッチング法によって行ったが、有機絶縁膜１４２がポリイミド樹脂の場合には、アルカリ溶液によるウエットエッチング法によって行ってもよい。また、有機絶縁膜１４２としてポリイミド樹脂を用いたが、アクリル樹脂などの他の有機材料を用いてもよい。さらに本実施の形態では、基板１３１として、ガラスなどから成る透明な材料を用いたが、シリコン基板のような不透明な材料でも同様な効果が発揮され、この場合には回路を基板上に集積できる利点がある。
　【００９０】
　なお、前記実施の形態においては、表示モードとして相転移型ゲスト・ホストモードをとりあげたけれども、これに限定されることはなく、たとえば２層式ゲスト・ホストのような他の光吸収モード、高分子分散型液晶表示装置のような光散乱型表示モード、強誘電性液晶表示装置で使用される複屈折表示モードなどでも同様の効果が得られる。また本実施の形態では、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合について説明したが、たとえばＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子、ダイオード、バリスタなどを用いたアクティブマトリクス基板に適用することができる。
　【００９１】
　図２３は、本発明の実施の形態を説明するための平面図である。本実施の形態の特徴は、前述の図２に示すように凹凸を形成した反射型アクティブマトリクス基板３１上に、電気絶縁性材料から成る黒色遮光層７１を形成したことである。黒色遮光層７１は、図２３において斜線を付した領域、すなわち、反射電極３８以外の領域とＴＦＴ４０を構成する半導体層３５の形成領域とに形成される。なお、前述の図１０および図１１に示される反射型アクティブマトリクス基板１３１上に黒色遮光層７１を形成してもよい。
　【００９２】
　図２４は、黒、色遮光層７１の形成方法を説明するための断面図である。ここでは、図６に示されるアクティブマトリクス基板３１を例にとり説明するが、アクティブマトリクス基板１３１の場合も同様である。
　【００９３】
　先ず、基板３１の全面に、図２４（１）に示すように、可視光を吸収するように赤色、青色、緑色の顔料をそれぞれ分散させた感光性アクリル樹脂、たとえば富士ハント社製、商品名：カラーモザイクＣＲ、ＣＧ、ＣＢを３種類混ぜ合わせて黒色を呈した樹脂７１をスピンナを用いて塗布する。
　【００９４】
　続いて、図２４（２）に示すように、所定のマスク７２を用いて露光し、現像した後に、反射電極３８以外の領域と、ＴＦＴ４１を構成する半導体層３５の形成領域と完全に覆うように、不要な部分をエッチングによって取除いて、図２４（３）に示すように、黒色遮光層７１を形成した。その後、２００℃で１時間加熱し、黒色遮光層７１を硬化させた。
　【００９５】
　以上のように、本実施の形態によれば、黒色遮光層７１を形成して反射電極３８以外の部分の反射光（散乱光）を遮るようにしたので、表示に不必要な光の漏れを防止することができ、コントラストの優れた反射型液晶表示装置を実現することができる。また、対向する基板４５上に黒色遮光層７１を形成する場合に比べて、基板貼合わせ時のマージンを大きくとることができ、基板貼合わせのずれによる開口率の低下を少なくした明るい表示を実現することができる。
　【００９６】
　本実施の形態では、黒色遮光層７１の材料として、顔料を分散させたアクリル樹脂を用いたが、カーボンを分散させたアクリル樹脂、たとえば富士ハント社製、商品名：カラーモザイクＢＫのような有機材料や、アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ；Ｈ）、あるいは銀の無電界メッキなどの無機物も適用可能である。また、黒色遮光層７１の厚みは、用いる材料の吸収係数を考慮して、好ましくは透過率を少なくとも５％以下に、より好ましくは１％以下になるように設定する必要がある。
　【００９７】
　【発明の効果】
　以上のように、本発明の反射型液晶表示装置によれば、前記凹凸部の配列パターンが同一である反射電極を有しており、そのため、反射電極毎に異なる配列パターンで形成する必要はなく、反射電極が形成される全領域に容易に前記凹凸部を形成することが可能となる。つまり、反射電極に対応する領域のホトマスク上には、それぞれ同じ配列パターンで遮光領域が形成されるため、一つの反射電極に対応する配列パターンを形成するだけでよく、ホトマスクの作成が容易に可能となっている。
　【００９８】
　また本発明の反射型液晶表示装置の製造方法によれば、前記遮光手段は、前記略円形のパターンが形成された遮光領域の総面積を反射電極の総面積の４０％以上としているため、高い反射率を得ることが可能となる。つまり、遮光手段の遮光領域の総面積を反射電極の総面積の４０％以上とすることにより、正反射成分が多くならず、散乱が多くなるために、観察者の視角範囲において高い反射率を得ることが可能となっている。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施形態である反射型液晶表示装置３０の断面図である。
　【図２】
　図１に示される基板３１の平面図である。
　【図３】
　図１および図２に示される基板３１上に凹凸を有する反射電極３８を形成する形成方法を説明する工程図である。
　【図４】
　図３に示す形成方法を説明する断面図である。
　【図５】
　図３の工程ｓ７で用いるマスク５１の平面図である。
　【図６】
　反射電極３８を有する基板５２の反射特性の測定法を示す断面図である。
　【図７】
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板５２、５９の反射特性６０、６１を示すグラフである。
　【図８】
　本発明の一実施形態である反射型液晶表示装置３０の白色光源光に対する反射光の色をＣＩＥ色度図に示したグラフである。
　【図９】
　本発明の一実施形態を示す基板３１の平面図である。
　【図１０】
　本発明の一実施形態である反射型液晶表示装置１３０の断面図である。
　【図１１】
　図１０に示される基板１３１の平面図である。
　【図１２】
　図１０および図１１に示される凸部を有する反射電極１３８を形成する形成方法を説明する工程図である。
　【図１３】
　図１２に示す形成方法を説明する断面図である。
　【図１４】
　図１２の工程ａ５で用いるマスク１５１の平面図である。
　【図１５】
　本発明の反射型液晶表示装置１３０の反射特性の測定に用いられる反射板１７０の製造工程を説明する工程図である。
　【図１６】
　図１５の工程を説明する断面図である。
　【図１７】
　反射板１７０の反射特性の測定法を説明する斜視図である。
　【図１８】
　入射角度θと反射強度との関係を示すグラフである。
　【図１９】
　マスク５１を示す平面図である。
　【図２０】
　遮光領域５１ａ、１５１ａの総面積がマスクの総面積の４０％以上であるマスク５１を用いて形成された反射薄膜７５における入射角度θと反射強度との関係を示すグラフである。
　【図２１】
　遮光領域１５１ａの総面積が全体の３５％を占めるマスク１５１を用いて形成された反射薄膜７５における入射角度θと反射強度との関係を示すグラフである。
　【図２２】
　遮光領域の割合と反射率との関係を示すグラフである。
　【図２３】
　本発明の一実施形態を説明するための平面図である。
　【図２４】
　黒色遮光層７１の形成方法を説明するための断面図である。
　【図２５】
　アクティブマトリクス方式に用いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ１を有する基板２の平面図である。
　【図２６】
　図２５に示される切断面線Ｘ２６−Ｘ２６から見た断面図である。
　【図２７】
　アクティブマトリクス方式に用いられるスイッチング素子である薄膜トランジスタ１１を有する基板１２の平面図である。
　【図２８】
　図２７に示される切断面線Ｘ２８−Ｘ２８から見た断面図である。
　【符号の説明】
３０、１３０　　　反射型液晶表示装置
３１、４５、１３１、１４５　　基板
３８、１３８　　反射電極
４２、１４２　　有機絶縁膜
４２ａ、１４２ａ　　凸部
４９、１４９　　液晶
５１、１５１　　ホトマスク