【事件の表示】
　特許第２９０３８３８号「クロックドインバータ回路」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０３８３８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９０３８３８号（平成４年３月１３日出願、平成１１年３月２６日設定登録。）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりのものである。
「ゲート電極が入力信号線に接続され、かつソース電極が電源線に接続された第１のP型MOSトランジスタと、
　ゲート電極が第１のクロック信号線に接続され、かつソース電極が前記第１のP型MOSトランジスタのドレイン電極に接続され、かつドレイン電極が出力信号線に接続された第２のP型MOSトランジスタと、
　ゲート電極が前記入力信号線に接続され、かつソース電極が接地線に接続された第１のN型MOSトランジスタと、
　ゲート電極が前記第１のクロック信号線と逆相の関係にある第２のクロック信号線に接続され、かつソース電極が前記第１のN型MOSトランジスタのドレイン電極に接続され、かつドレイン電極が前記出力信号線に接続された第２のN型MOSトランジスタとで構成されたクロックドインバータ回路において、
　前記第２のN型MOSトランジスタが、オフセットゲート構造のMOSトランジスタか、またはライトリー・ドープト・ドレイン構造のMOSトランジスタであることを特徴とするクロックドインバータ回路。」
２．異議申立の概要
　異議申立人は、甲第１号証（特願平４−８０４５０号）を提出し、本件発明は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
３．先願発明
　当審が通知した取消理由に引用された、本件出願の日前の他の出願であって、その出願後に公開された特願平４−８０４５０号（特開平５−２４１２０１号公報参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下先願明細書という。）には、「各インバータはNチャネル型トランジスタ５とPチャネル型トランジスタ６の直列接続されたものからなる。各インバータの一端はPチャネル型のスイッチングトランジスタ７を介して電源ラインに接続されているとともに、他端はNチャネル型のスイッチングトランジスタ８を介して接地ライン側に接続されている。」（第３頁右欄第４８行乃至第４頁左欄第４行、第１図）と、「インバータを構成するトランジスタ及びスイッチングトランジスタの少なくとも一部はLDD構造を有する。・・・勿論、全てのトランジスタをLDD構造としても良い。」（第４頁左欄第９行乃至第１５行）と、「トランジスタの経時劣化によるオン電流の低下並びに動作不能を未然に防ぐ為に非対称LDD構造としても良い。この例を図３に示す。ここではNチャネル型スイッチングトランジスタ８のドレイン側にのみ低濃度不純物領域LDを設けている。」（図３及びその関連説明である第５頁左欄第８行乃至第１２行）と記載されている。
そして、前記Pチャネル型トランジスタ６及びNチャネル型トランジスタ５のゲート電極は入力信号線に接続され、前記Pチャネル型スイッチングトランジスタ７及びNチャネル型スイッチングトランジスタ８のゲート電極にはそれぞれクロック信号及びその反転パルスが入力されていることも、第２頁右欄第２４行乃至第３０行等の記載から明らかである。なお、上記構成により、インバーのソース／ドレイン耐圧を改善し、リーク電流を抑制する、という効果を奏する旨も記載されている（第３頁右欄第２４行乃至第３０行、第５頁左欄第３１行乃至同頁右欄第５行）。
　以上の記載から、先願明細書には、
「ゲート電極が第１のクロック信号線に接続され、かつソース電極が電源線に接続された第１のP型MOSトランジスタと、
　ゲート電極が入力信号線に接続され、かつソース電極が前記第１のP型MOSトランジスタのドレイン電極に接続され、かつドレイン電極が出力信号線に接続された第２のP型MOSトランジスタと、
　ゲート電極が前記第１のクロック信号線と逆相の関係にある第２のクロック信号線に接続され、かつソース電極が接地線に接続された第１のN型MOSトランジスタと、
　ゲート電極が前記入力信号線に接続され、かつソース電極が前記第１のN型MOSトランジスタのドレイン電極に接続され、かつドレイン電極が前記出力信号線に接続された第２のN型MOSトランジスタとで構成されたクロックドインバータ回路において、
　前記MOSトランジスタの少なくとも一部（実施例では、第１のN型MOSトランジスタ）が、オフセットゲート構造のMOSトラン
ジスタか、またはライトリー・ドープト・ドレイン構造のMOSトランジスタであることを特徴とするクロックドインバータ回路。」（以下、先願発明という。）が記載されているということができる。
４．対比・判断
　そこで、本件発明と先願発明とを対比すると、両者は、
「ソース電極が電源線に接続された第１のP型MOSトランジスタと、
　ソース電極が前記第１のP型MOSトランジスタのドレイン電極に接続され、かつドレイン電極が出力信号線に接続された第２のP型MOSトランジスタと、
　ソース電極が接地線に接続された第１のN型MOSトランジスタと、
　ソース電極が前記第１のN型MOSトランジスタのドレイン電極に接続され、かつドレイン電極が前記出力信号線に接続された第２のN型MOSトランジスタとで構成されたクロックドインバータ回路において、
　それらのMOSトランジスタに、オフセットゲート構造のMOSトランジスタか、またはライトリー・ドープト・ドレイン構造のMOSトランジスタを用いるクロックドインバータ回路。」という点で一致するものの、本件発明では、第１のP型MOSトランジスタ及び第１のN型MOSトランジスタのゲート電極は入力信号線に接続され、第２のP型MOSトランジスタ及び第２のN型MOSトランジスタのゲート電極はクロック信号線に接続されているのに対し、先願発明においては第１のP型MOSトランジスタ及び第１のN型MOSトランジスタのゲート電極がクロック信号線に接続され、第２のP型MOSトランジスタ及び第２のN型MOSトランジスタのゲート電極は入力信号線に接続されている点で相違しており、また、「オフセットゲート構造のMOSトランジスタか、またはライトリー・ドープト・ドレイン構造のMOSトランジスタを用いる」対象となるMOSトランジスタが、本件発明では、第２のN型MOSトランジスタであるのに対し、先願発明では、第１のN型MOSトランジスタとした実施例はあるものの、特に規定されていない点で相違する。
そして、本件発明は、この相違点により、ホットキャリアの発生による特性の劣化を最も引き起こし易いトランジスタである第２のN型トランジスタを高耐圧構造にして、ホットキャリアの発生による過剰なドレイン電流の発生、ドレイン耐圧の劣化、閾値電圧の増加、相互コンダクタンスの低下を防止し、もって、本件の発明の詳細な説明記載の格別な効果を奏するものであるから、たとえ、クロック信号線及び入力信号線のゲート電極への接続に関して、本件発明のタイプと、先願発明のタイプの２とおりが周知であるにせよ、この構成上の相違点、及び、「オフセットゲート構造のMOSトランジスタか、またはライトリー・ドープト・ドレイン構造のMOSトランジスタを用いる」対象となるMOSトランジスタについての相違点を単なる設計的事項とし、両者を実質的に同一とすることはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
【異議決定日】
平成１２年８月８日（２０００．８．８）