【事件の表示】
　特許第２９６９６６６号「積層セラミックコンデンサの製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６９６６６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続きの経緯
　本件特許２９６９６６６号発明は、平成１年８月２２日に出願され、平成１１年８月２７日にその特許権の設定登録がなされ、その後、株式会社村田製作所から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その後指定期間内である平成１２年１０月１９日に訂正請求がなされたものである。
　
【２】訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサの全数に、パルス電圧を印加することにより、少なくともデラミネーションが存在する積層セラミックコンデンサを絶縁破壊させる第１工程と、この第１工程後絶縁抵抗を測定することにより前記の絶縁破壊させた積層セラミックコンデンサを分離、除去する第２工程とを有する積層セラミックコンデンサの製造方法。」を、
「セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサにおいて、量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、量産品の全数に前記デラミネーンョンの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下のパルス電圧を印加することにより、少なくともデラミネーションが存在する積層セラミックコンデンサを絶縁破壊させる第１工程と、この第１工程後絶縁抵抗を測定することにより前記の前記破壊させた積層セラミックコンデンサを分離、除去する第２工程とを有する積層セラミックコンデンサの製造方法。」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明における課題を解決するための手段の項中の「パルス電圧を積層セラミックコンデンサに全数印加し、」（特許公報第２頁第４欄第６行目〜第７行目）を「量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、前記デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下のパルス電圧を積層セラミックコンデンサに全数印加し、」と訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明における実施例の項中の「対象とする積層セラミックコンデンサの正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる波高値をあらかじめ予備テストで確認することにより、その波高値以下のパルス電圧を試料に印加し、」（特許公報第４頁第７欄第４１行目〜第４４行目）を「対象とする積層セラミックコンデンサの量産品から、デラミネーションの存在が観察されるものと存在しないと見られるものを分離して抜き取り、デラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）と正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とをあらかじめ予備テストで確認することにより、デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で正常品の波高値以下のパルス電圧を量産品全数の試料に印加し、」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明における実施例の項中の「セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサの全数に、パルス電圧を印加することにより、」（特許公報第４頁第７欄第４８行目〜第５０行目）を「セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサにおいて、量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、量産品の全数に前記デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下のパルス電圧を印加することにより、」と訂正する。
　オ．訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明における実施例の項中の「験験」（特許公報第３頁第６欄第４２行目）を「試験」と訂正する。
　カ．訂正事項ｆ
　発明の詳細な説明における実施例の項中の「正常品との絶縁抵抗値との差を」（特許公報第４頁第８欄第４３行目）を「正常品との絶縁抵抗値の差を」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１に記載された「パルス電圧」という明瞭でない記載を明確にするために、より下位概念である「量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーンョンが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、量産品の全数に前記デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下のパルス電圧」と限定するものであり、当該事項は、発明の詳細な説明の実施例の項中で説明されたパルス電圧に関する具体例、すなわち「まず、量産品のデラミネーションの発生した積層セラミックコンデンサを入手し、・・・デラミネーションが存在すると観察されるものと存在しないものと見られるものを分離した。」（特許公報第２頁第４欄第２０行目〜第２頁第４欄第２５行目）という記載、「デラミネーションのないと思われる分類Ｂから１０個抜き取り、・・・この結果、８００ボルトで１０個全部のパルス波形に変化が認められた。」（特許公報第３頁第５欄第４１行目〜第３頁第５欄第４８行目）という記載、「デラミネーションがあると思われる分類Ａから１０個抜き取り、・・・波高値４００ボルト以下で１０個全部のパルス波形が異常減衰した。」（特許公報第３頁第６欄第４１行目〜第３頁第６欄第４３行目）という記載、及び、「そこで、パルス電圧の波高値を５００ボルトに固定し、」（特許公報第３頁第６欄第４４行目）、という記載に基づくものであり、実施例でのパルス電圧に基づいて限定したものである。したがって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮および明瞭でない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　上記訂正事項ｂ、ｃ、ｄは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るために訂正したものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　上記訂正事項ｅ、ｆは、明瞭でない記載の釈明を目的としかつ明らかな誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、上記各訂正事項は、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
【３】特許異議の申立についての判断
（１）申立ての理由の概要
　申立人株式会社村田製作所は、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証（MILITALY　SPECIFICATION　MIL-C-55681B　1976年発行）、甲第２号証（JISハンドブック電子　1982　JIS　C　5102　第73頁〜第102頁　1982年発行）、甲第３号証（電子通信学会技術研究報告　VOL.81　NO.226　第７頁〜第12頁　「積層セラミックコンデンサの低電圧故障とそのスクリーニング法」1982年発行）に記載されているか又は前記甲各号証に記載のものから当業者が容易に発明をすることができものであり、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許を取り消すべき旨主張している。
　
（２）本件の請求項１に係る発明
　上記【２】で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
（３）刊行物等
　特許異議申立人が証拠として提示した各刊行物には、それぞれ、以下のような事項が記載されている。
　
刊行物１：MILITALY　SPECIFICATION　MIL-C-55681B　1976年発行（甲第１　　　　　号証）
・積層セラミックコンデンサの品質規格およびその検査方法に関するＭＩＬ規格について、品質として要求される事項の検査条件および方法にもとずいて全ての試料（積層セラミックコンデンサ）について行うこと、
・耐電圧試験は定格電圧の２５０％、試験電圧の印加時間は５±１秒、試験電圧の印加場所はコンデンサ素子の端子間で行うこと
・試験後、コンデンサに絶縁破壊が無いことを検査すること
　
刊行物２：JISハンドブック電子　1982　JIS　C　5102　第73頁〜第102頁　　　　　　1982年発行（甲第２号証）
・コンデンサの耐電圧試験の方法に関するＪＩＳ規格として、試供コンデンサに対して、直流パルス電圧を印加して、絶縁破壊が起こらないかどうか検査すること
　
刊行物３：電子通信学会技術研究報告　VOL.81　NO.226　第７頁〜第12頁　　　　「積層セラミックコンデンサの低電圧故障とそのスクリーニング法　　　　　」1982年発行（甲第３号証）
・積層セラミックコンデンサの定電圧故障とそのスクリーニング法に関し、故障潜在品の大部分を除去する条件として、電圧を、１〜５ＶＤＣで、断続的（ＯＮ−１秒／ＯＦＦ−１秒）に印加することにより、絶縁抵抗が劣化した部品をスクリーニングすること
　
（４）対比・判断
　本件発明と、刊行物１、刊行物２及び刊行物３に記載されたものとを比較すると、各刊行物には、本件発明を特定する事項である「量産品からデラミネーションの存在が観察されるものと
デラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、量産品の全数に前記デラミネーンョンの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下のパルス電圧を印加することにより、少なくともデラミネーションが存在する積層セラミックコンデンサを絶縁破壊させる第１工程」に相当する事項が存在しておらず、また、上記各刊行物のいずれにも、本件発明の目的に関する認識についての記載もなく上記事項に関しての示唆もない。そして、本件発明は、上記事項により、デラミネーションの存在する積層セラミックコンデンサを除去して、正常品のみを選別することができ、したがって大量の積層セラミックコンデンサの全数選別がきわめて短時間で行えるという顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、上記各刊行物に記載されたものであるとは認められず、また、これら各刊行物の記載内容自体もしくはこれらの組み合わせから当業者が容易に発明をすることができものであるとは認められない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月３０日（２００１．１．３０）
【訂正の要旨】
（１）訂正の内容
　ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサの全数に、パルス電圧を印加することにより、少なくともデラミネーションが存在する積層セラミックコンデンサを絶縁破壊させる第１工程と、この第１工程後絶縁抵抗を測定することにより前記の絶縁破壊させた積層セラミックコンデンサを分離、除去する第２工程とを有する積層セラミックコンデンサの製造方法。」を、
「セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサにおいて、量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、量産品の全数に前記デラミネーンョンの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下のパルス電圧を印加することにより、少なくともデラミネーションが存在する積層セラミックコンデンサを絶縁破壊させる第１工程と、この第１工程後絶縁抵抗を測定することにより前記の前記破壊させた積層セラミックコンデンサを分離、除去する第２工程とを有する積層セラミックコンデンサの製造方法。」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明における課題を解決するための手段の項中の「パルス電圧を積層セラミックコンデンサに全数印加し、」（特許公報第２頁第４欄第６行目〜第７行目）を「量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、前記デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下のパルス電圧を積層セラミックコンデンサに全数印加し、」と訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明における実施例の項中の「対象とする積層セラミックコンデンサの正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる波高値をあらかじめ予備テストで確認することにより、その波高値以下のパルス電圧を試料に印加し、」（特許公報第４頁第７欄第４１行目〜第４４行目）を「対象とする積層セラミックコンデンサの量産品から、デラミネーションの存在が観察されるものと存在しないと見られるものを分離して抜き取り、デラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）と正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とをあらかじめ予備テストで確認することにより、デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で正常品の波高値以下のパルス電圧を量産品全数の試料に印加し、」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明における実施例の項中の「セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサの全数に、パルス電圧を印加することにより、」（特許公報第４頁第７欄第４８行目〜第５０行目）を「セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサにおいて、量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、量産品の全数に前記デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下のパルス電圧を印加することにより、」と訂正する。
　オ．訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明における実施例の項中の「験験」（特許公報第３頁第６欄第４２行目）を「試験」と訂正する。
　カ．訂正事項ｆ
　発明の詳細な説明における実施例の項中の「正常品との絶縁抵抗値との差を」（特許公報第４頁第８欄第４３行目）を「正常品との絶縁抵抗値の差を」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
積層セラミックコンデンサの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサ
において、量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、量産品
前記デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下の
【発明の詳細な説明】
　産業上の利用分野
　本発明は電子機器回路に使用される積層セラミックコンデンサの製造方法に関するものである。
　従来の技術
　既に、積層セラミックコンデンサは電子回路部品として必要欠くべからざる位置を占めている。そして積層セラミックコンデンサと言えば、チップタイプのものが現在では圧倒的多数を占め、かつては主流であったリード線付きの樹脂被覆タイプのもののイメージは小さくなっている。しかし、両者とも素体の構成は同様のものであり、その製造方法についても現在同様な方法による製造が行われている。
　最も典型的な積層セラミックコンデンサの製造方法は、次の通りである。まずチタン酸バリウムや酸化チタンを主成分とする粉末混合物に有機バインダ及び溶剤、可塑剤を加え、混合、分散させたスラリーを２０〜１００μｍの厚さのシートに成型する。このシートにパラジウムまたは銀とパラジウムの合金ペーストを所定の形状にスクリーン印刷する。そして、このシートを複数枚重ね合わせ、さらにスクリーン印刷のないシートをその上下に数枚重ね合わせた後、加圧し密着させる。その後、チップ片に切断し、グリーンチップを作製し、２００〜３００℃の低温で有機物を除去してから、１３００〜１４００℃の高温で焼結させ焼結体に変化させる。この後、バレル研磨によりバリを取除くと同時に端面に導電体層が露出するようにし、この端面部に銀ないしは銀とパラジウムの合金ペーストを塗布し、８００〜９００℃で焼付けすることにより、積層セラミックコンデンサの素体が得られる。そしてチップタイプの場合はこのまま、またはさらにニッケルメッキと錫メッキ等を端子電極上にほどこしている場合が多い。一方、リード線付きの樹脂被覆タイプの場合は端子部にリード線を半田付けし、エポキシ樹脂等を素体部のみに塗着したものである。
　以上述べたように、積層セラミックコンデンサの素体を構成する焼結体は、金属導電体層とセラミック誘電体層とが一体焼結されてなるものであり、異質な層が接する構造となっている。したがって、この接合面は接合力のゆるい状態になっており、多数の素体の中には接合面が剥離した状態、いわゆるデラミネーションが存在する場合がある。このようなデラミネーションには種々のモードがあり、このモードによっては電子回路に組み込まれた場合、周囲環境や電子機器の使用条件によってその長期間の品質が保証できなくなることもある。そして、極端な場合、実装時において特にチップタイプの積層セラミックコンデンサは、半田付け時の熱によってデラミネーションが破壊発生源となり、クラックを生じ短絡不良を発生させることもある。
　発明が解決しようとする課題
　従来はこのデラミネーションに対して、Ｘ線透視法や超音波探傷法等の非破壊選別法が試みられては来ており、非常に多くの文献が提出されてはいるが、抜き取り検査の方法としては効果はあっても、全数選別する方法としては大量処理の点で未だ問題も多く、実用化に至ってはいない。したがって、抜き取り検査法により、ロットの合否判定をしているのが現状である。
　本発明は以上に述べた積層セラミックコンデンサにおいてデラミネーションの存在するものを効果的に除去し、品質の良好な積層セラミックコンデンサを製造する方法を提供しようとするものである。
　課題を解決するための手段
　この課題を解決するために本発明は、
量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、前記デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下の
　作用
　このような本発明の方法によれば、簡単に全数選別を実施することが可能であり、かつ従来のロット検査で有していた、わずかなデラミネーション不良品が混在するが故に良品の多くが廃棄されていたという欠点を救うことができるので、製造上の損失を軽減することが可能である。
　実施例
　以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明する。
　まず、量産品でデラミネーションの発生した積層セラミックコンデンサを入手し、断面検査結果では抜き取り数３０個当り４個のデラミネーションが確認された試料を用いた。この試料から１０００個を抜き取り、超音波探傷機を用いて、デラミネーションが存在すると観察されるものと存在しないと見られるものを分離した。この結果、▲Ａ▼デラミネーションの存在すると思われるものが１１６個、▲Ｂ▼デラミネーションのないと思われるものが７９２個得られ、▲Ｃ▼９２個はどちらともいえないものであった。これら▲Ａ▼，▲Ｂ▼，▲Ｃ▼の分類のそれぞれ３０個ずつの断面を観察した結果、第１図に示すようなモードのデラミネーションを含むものがあり、それらは下記の第１表のような数量比率を示した。
　尚、第１図中、１はセラミック誘電体層、２は導電体層、３は端子電極である。
　次に、デラミネーションのないと思われる分類▲Ｂ▼から１０個抜き取り、パルス試験機で立ち上がり時間１μｓｅｃのパルス電圧を印加した。このとき、試料端子間の電圧をオシロスコープでモニターしながら、パルス波形が異常減衰するまでパルス電圧を上げながらパルス印加を繰り返し、変化の生じた電圧値（波高値）を求めた。この結果、８００ボルトで１０個全部のパルス波形に変化が認められた。この波形変化の模様を第２図に示す。図中、（ア）はパルス波形に変化の生じない正常のとき、（イ）は典型的なパルス波形の異常減衰を示す。そこで、デラミネーションがあると思われる分類▲Ａ▼から１０個抜き取り、前記と同様な
試
　そこで、パルス電圧の波高値を５００ボルトに固定し、試料の母集団から１０個抜き取り、全試料にパルスを印加し、パルス波形が異常減衰するものと、正常のものとに分類した。分類後、パルス波形の正常品と異常品の電気的特性を測定した結果と、断面観察によるデラミネーションのモード毎の確認数量を未処理品と比較した結果を下記の第２表に示す。
　第２表の結果から明らかなように、パルス電圧印加により、デラミネーションの存在する積層セラミックコンデンサをオシロスコープでパルス波形をモニターすることで検出できることが明らかであり、その波形の異常減衰品は必ず絶縁抵抗値が低下することが明白である。したがって、対象とする積層セラミックコンデンサの
量産品から、デラミネーションの存在が観察されるものと存在しないと見られるものを分離して抜き取り、デラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）と
電圧値
と
量産品全数の
　発明の効果
　以上のように本発明は、セラミック誘電体層と導電体層が交互に複数積層されてなる積層セラミックコンデンサ
において、量産品からデラミネーションの存在が観察されるものとデラミネーションが存在しないものを分離して抜き取り、デラミネーションが存在しない正常品のパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とデラミネーションの存在が観察されるもののパルス電圧波形が異常減衰を生じる電圧値（波高値）とを求め、量産品
前記デラミネーションの存在が観察されるものの波高値以上で前記正常品の波高値以下の
　この場合、第１工程のパルス電圧印加は、使用最高温度以上の高温雰囲気を形成する必要はなく単にパルス電圧を印加するだけで良いので短時間で行え、しかもこのパルス電圧印加によりデラミネーションの生じているものの絶縁破壊は確実に行われるので、第２工程で絶縁抵抗を測定すればデラミネーションの生じているものと、正常品を容易に分離し、正常品のみを選別することができるのである。
　したがって大量の積層セラミックコンデンサの全数選別がきわめて短時間で行えることとなる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の実施例に用いた試料の超音波探傷法によるデラミネーションの検出結果とデラミネーションのモードを説明するための図、第２図は本発明を説明するためのデラミネーション検出に用いたパルス波形の異常減衰を示す図である。
　１……セラミック誘電体層、２……導電体層、３……端子電極。