【事件の表示】
　特許第２９４８５０１号「半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４８５０１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第２９４８５０１号は、平成７年３月２０日に特許出願され、平成１１年７月２日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人高橋友之輔から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月２６日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人高橋友之輔は、甲第１号証（特開平５−３６５９７号公報）、甲第２号証（特開平４−２０６６２６号公報）、甲第３号証（特公昭５８−１９３５０号公報）、甲第４号証（特開平３−２３０５１８号公報）及び甲第５号証（特開平２−２７５６３１号公報）を提出し、本件請求項１〜９に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件請求項１〜９に係る特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人高橋友之輔が提出した甲第１〜５号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証は、レジストなどの処理液を彼処理体に塗布して処理する方法に関し、従来の塗布方法の難点を解消し、被処理体の面内温度を制御して、極めて均一な膜厚とすることができる処理方法を提供するものであって、第３頁第４欄第１９〜２４行には、「搬送装置１１６が退行してカップ４が上昇した後、吐出ノズル３よりチャック上の半導体ウエハ１０４の中央にレジストが滴下され、所定のプログラムにしたがってチャック１が所望の回転数で高速回転し、これによりレジストが半導体ウエハ１０４の周縁に延伸、塗布される」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証は、半導体ウエハ周辺部のレジストを除去する除去方法に関し、第２頁左下欄第６〜１７行には、「チャンバ１内の上方周辺位置に周辺除去用のノズル６を設け、スピンチャック２を低速回転・・・させて上記したレジスト膜の溶剤をこのノズル６より外周側に供給、例えば噴射して第１図に示した矢印７の方向に溶剤を吸引し、第３図に示すようにウエハ３周辺部のレジスト液５膜の表面層を除去して周辺のレジスト膜５の厚さを中央部の厚さより薄く減少させると共に、ウエハ３のオリフラ部３Ａの周辺部のレジスト膜も薄くできるように、オリフラ部３Ａで上記ノズル６を側縁に沿って移動させるようにしている」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証は、半導体装置等の製造の分野において、基板の裏側及び側端面に塗布液が付着して塗膜が形成しないように工夫したスピンコーティング方法に関し、第３頁第６欄第１３〜２２行には、「図中３３は基板１２表面に形成された塗膜を示し、５０は基板の周辺部を示す。即ち、この方法は、ノズル３０からの液体の供給速度を大きくするかあるいは／及び基板の回転速度を小さくすることにより、供給された液体を基板１２の周辺部５０にもまわり込ませ、該部分５０の塗膜を溶解するかあるいは塗布液を薄める。かかる手段によって該部分５０の塗膜を除去するか厚さを減少させる」と記載されている。
　また、甲第３号証の第２頁第４欄第１７〜２８行には、「第１図は一般的なスピンコーティング方法の態様を示す側断面図である。図中１０は乳剤を塗布すべき基板１２を保持して回転軸１１を軸として回転されるターンテーブルである。基板１２を保持する手段としてはターンテーブル１０の基板保持面に設けられた通孔から基板１２を吸着して保持するものが一般的であるが、他に適当な手段を用いることができる。このようにしてターンテーブル１０上に保持された基板１２表面に塗布液が供給され、しかる後ターンテーブル１０が回転されて所望の厚さの塗膜が基板１２表面に形成される」と記載されている。
　さらに、甲第３号証の公報第３頁第６欄第３４〜４１行には、「このようにして基板１２の表面にまわり込んだ液体は、主に基板１２の周囲に形成された厚い塗膜部分を溶解するかあるいはその部分の塗布液を薄める。しかる後、基板１２の回転数を増すか、あるいは／及びノズル３０からの液供給を停止すれば基板１２の周辺部に形成された厚い塗膜部分が除去されるかあるいはその厚さが十分に減少される」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第４号証は、半導体基板上に薬液を回転塗布する薬液塗布装置に関し、半導体基板の塗布膜厚が均一で汚染がなく、製品歩留まりの高い薬液塗布装置を提供するものであって、第２頁右上欄第１３行〜左下欄第６行には、「半導体基板１の周辺部の位置の直下で塗布処理部３内にある温調溶剤ノズル７からは、温調された溶剤８が半導体基板１の裏面に吐出される。溶剤８の吐出は、薬液ノズル４より薬液５を半導体基板１上に滴下した後、半導体基板１を高速回転させる過程において任意のタイミングで行う。この過程は、半導体基板１上で薬液５内溶剤の揮発により、塗布膜を形成せしめるもので、通常、振り切りと呼ばれている。この振り切り中に、前述の温調溶剤ノズル７より溶剤８を吐出すると、溶剤８の蒸発潜熱と温調温度の兼ね合いにより半導体基板１外周付近の温度低下が起こり、半導体基板１外周付近の薬液５内の溶剤の揮発が抑制され、結果的に塗布膜厚が相対的に薄くなる」と記載されている。
１．２．５　甲第５号証の記載内容
甲第５号証は、半導体基板等の薄板状基板の湿式洗浄処理方法及びそのための装置に関し、特に薄膜作成工程における前処理としてのウエハ洗浄方法及びそのための装置であって、第３頁右上欄第１６行〜左下欄第９行には、「第２の発明は、上記洗浄処理方法を具体化した装置を提供するもので、・・・複数の基板処理槽を順次配置し、各基板処理槽内に基板を載置して水平回転するスピンチャックと所要の表面処理剤を吐出するノズルを設け、基板搬送手段で基板を各基板処理槽内のスピンチャックに向けて搬入及び搬出するように構成し、第１処理槽内では、フッ化水素を含む表面処理剤で基板の表面処理をし、第２処理槽内ではコリン又はコリン誘導体又は両者の混合物を含む洗浄剤で基板の表面を親水化して洗浄し、第２処理槽又は後続の処理槽内で純水によるリンス及び液切り乾燥するように構成した」と記載されている。　
　また、甲第５号証の第４頁左上欄第４行〜右下欄下から第９行には、第１処理槽１内では、ウエハ表面に形成された自然酸化膜をフッ化水素含有液１０で除去する処理が行われ、第２処理槽２内では、コリン洗浄処理、純水によるリンス処理及びスピン・ドライ処理が順次自動的に行われる旨記載されている。
　さらに、甲第５号証の公報第５頁左下欄第１１〜１８行には、「上記実施例装置では第２処理槽２内でコリン洗浄処理工程Ｓ１−１〜スピンドライ工程Ｓ３までの処理をなすものについて例示したが、これに限るものではなく、第２処理槽に続いて第３処理槽等を順次配置し、第２処理槽内ではコリン洗浄処理Ｓ１−１のみを行い、第３処理槽以降でリンス工程Ｓ２〜スピンドライ工程Ｓ３を行うようにしてもよい」と記載されている。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許査定時の特許請求の範囲の請求項１，２，３，４を削除する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項５「塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、
　前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、
　前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、
　この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、
　この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、
　前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程とを有することを特徴とする半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法。」を、「塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、
　前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、
　前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、
　この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、
　この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、
　前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程と、を有し、
　前記洗浄液除去工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記洗浄液の除去を行ない、　前記第２洗浄工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高く、かつ、前記洗浄液除去工程の回転数に比べて低い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記塗布液の洗浄、除去を行なうとともに、
　前記第１洗浄工程と前記第２洗浄工程で同じ洗浄液を用いることを特徴とする半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法。」と訂正し、請求項５を請求項１に繰り上げる。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項６，７，８，９を削除する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の【００１４】の記載「また、請求項５記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法は、塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周緑部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程と、を有することを特徴とするものである。」を、「【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するために、請求項１に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法は、半導体基板の表面に塗布液を滴下しその半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程と、を有し、前記洗浄液除去工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記洗浄液の除去を行ない、前記第２洗浄工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高く、かつ、前記洗浄液除去工程の回転数に比べて低い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記塗布液の洗浄、除去を行なうとともに、前記第１洗浄工程と前記第２洗浄工程で同じ洗浄液を用いることを特徴とするものである。」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の【００１０】、【００１１】、【００１２】、【００１３】、【００１５】、【００１６】、【００１７】、【００１８】、【００１９】、【００２０】、【００２１】、【００２２】、【００２４】および【００２７】を削除する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の【００２３】の記載「また、請求項５に記載の」を、「【作用】請求項１に記載の」と訂正する。
訂正事項ｇ
　特許明細書の【００２５】の記載「また、請求項７に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法においては、洗浄液」を、「また、洗浄液」と訂正する。
訂正事項ｈ
　特許明細書の【００２６】の記載「また、請求項８に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法においては、第２洗浄」を、「また第２洗浄」と訂正する。
訂正事項ｉ
　特許明細書の【００２８】、【００３８】、【００３９】、【００４０】、【００４１】、【００４２】、【００４３】、【００４５】および【００５２】の記載「本発明の第１の実施例」、「第１実施例」、「実施例」を、それぞれ「参考例」と訂正する。
訂正事項ｊ
　特許明細書の【００４３】、【００４９】および【００５２】の記載「第２の実施例」、「第２実施例」を、それぞれ「実施例」または「本実施例」と訂正する。
訂正事項ｋ
　特許明細書の【００５２】の記載「他の塗布液に対しても本発明を適用できることは」を、「他の塗布液に対しても適用できることは」と訂正する。
訂正事項ｌ
　特許明細書の【００５３】の記載「また、第１実施例においては…最適の塗布方法とすることができる。」を削除する。
訂正事項ｍ
　特許明細書の【００５４】、【００５５】、【００５６】、【００５７】、【００５９】および【００６２】を削除する。
訂正事項ｎ
　特許明細書の【００５８】の記載「また、請求項５に記載の」を、「【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項１に記載の」と訂正する。
訂正事項ｏ
　特許明細書の【００６０】の記載「また、請求項７に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法によれば、洗浄液」を、「また．洗浄液」と訂正する。
訂正事項Ｐ
　特許明細書の【００６１】の記載「また、請求項８に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法によれば、第１洗浄」を、「また，第１洗浄」と訂正する。
訂正事項ｑ
　特許明細書の【図面の簡単な説明】の記載「【図面の簡単な説明】
【図１】　本発明の第１実施例である塗布液の塗布方法のうち、スプレッド工程の手順を示す図である。
【図２】　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
【図３】　同、実施例において、縁取り工程におけるウエハの回転数とＳＯＧ膜の形状の関係を調査した実験結果を示す図である。
【図４】１　本発明の第２実施例である塗布液の塗布方法のうち、スプレッド工程の手順を示す図である。
【図５】　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
【図６】　従来の一例である塗布液の塗布方法の手順を示す図である。
【符号の説明】
　１ スピンナ
　２　裏面洗浄ノズル
　Ｗ　ウエハ（半導体基板）
　ｓ　ＳＯＧ液（塗布液）
　ｒ　洗浄液
　Ｅ１　膜厚が均一な領域
　Ｅ２　膜厚が変動する領域
　ｓｌ　膜厚が均一な部分
　ｓ２　膜厚が厚い部分
　ｓ３　膜厚が薄い部分
　ｓ４　端面に残存する部分
　ｓ５　洗浄液の影響で膜厚が厚くなる部分」を、「【図面の簡単な説明】
【図１】　参考例の塗布液の塗布方法のうち、スプレッド工程の手順を示す図である。
【図２】　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
【図３】　同、参考例において、縁取り工程におけるウエハの回転数とＳＯＧ膜の形状の関係を調査した実験結果を示す図である。
【図４】　本発明の実施例である塗布液の塗布方法のうち、スプレッド工程の手順を示す図である。【図５】　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
【図６】　従来の一例である塗布液の塗布方法の手順を示す図である。
【符号の説明】
　１ スピンナ
　２　裏面洗浄ノズル
　Ｗ　ウエハ（半導体基板）
　ｓ　ＳＯＧ液（塗布液）
　ｒ　洗浄液
　Ｅ１　膜厚が均一な領域
　Ｅ２　膜厚が変動する領域
　ｓｌ　膜厚が均一な部分
　ｓ２　膜厚が厚い部分
　ｓ３　膜厚が薄い部分
　ｓ４　端面に残存する部分
　ｓ５　洗浄液の影響で膜厚が厚くなる部分」と訂正する。
２．２　訂正後の請求項１
「塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、
　前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、
　前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、
　この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、
　この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、
　前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程と、を有し、
　前記洗浄液除去工程では前記第１洗浄工程の回転数に比べて高い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記洗浄液の除去を行ない、
　前記第２洗浄工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高く、かつ、前記洗浄液除去工程の回転数に比べて低い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記塗布液の洗浄、除去を行なうとともに、
　前記第１洗浄工程と前記第２洗浄工程で回じ洗浄液を用いることを特徴とする半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法。」
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
３．１．１　訂正事項ａ
　訂正事項ａは、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮にあたり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．２　訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、特許明細書の請求項５に請求項７の内容および請求項８の内容を付加することにより、「洗浄液除去工程」および「第２洗浄工程」の構成を減縮するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、「第１洗浄工程と第２洗浄工程で同じ洗浄液を用いること」は、特許明細書の【００４５】に「ウエハＷを４００〜１２００ｒｐｍ程度の回転数で回転させつつ裏面洗浄ノズル２からウエハＷ裏面に向けて洗浄液ｒを吐出させることにより、…（第１洗浄工程）」と記載され、【００４７】に「再度ウエハＷを４２０〜１３００ｒＰｍ程度の回転数で回転させつつ裏面洗浄ノズル２からウエハＷ裏面に向けて洗浄液ｒを吐出させることにより、…（第２洗浄工程）」と記載されているから、上記訂正事項ｂは、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
３．１．３　訂正事項ｃ
　訂正事項ｃは、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮にあたり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．４　訂正事項ｄ
　訂正事項ｄは、上記訂正事項ｂの訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．５　訂正事項ｅ
　訂正事項ｅは、上記訂正事項ａおよびｃの訂正に伴い、明細書の発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．６　訂正事項ｆ、ｇ、ｈ
　訂正事項ｆ、ｇ、ｈは、いずれも上記訂正事項ｂの訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．７　訂正事項ｉ、ｊ
　訂正事項ｉ、ｊは、いずれも上記訂正事項ａ〜ｃの訂正に伴い、削除した請求項に対応する特許明細書の第１実施例を、訂正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明に含まれない単なる参考例とし、訂正により残した請求項に対応する特許明細書の第２実施例を、訂正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明に対応する実施例としたものである。
　これらの訂正は、上記訂正事項ａ〜ｃの訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．８　訂正事項ｋ、１
　訂正事項ｋ、１は、いずれも上記訂正事項ａ〜ｃの訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．９　訂正事項ｍ
　訂正事項ｍは、上記訂正事項ａおよびｃの訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．１０　訂正事項ｎ、ｏ、ｐ
　訂正事項ｎ、ｏ、ｐは、上記訂正事項ｂの訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．１１　訂正事項ｑ
　訂正事項ｑは、上記訂正事項ａ〜ｃの訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、特許明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ〜ｑは、上記３．１．１〜３．１．１１のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と甲第１号証〜甲第５号証との対比、判断
　本件発明が、「洗浄液除去工程では前記第１洗浄工程の回転数に比べて高い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記洗浄液の除去を行ない、前記第２洗浄工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高く、かつ、前記洗浄液除去工程の回転数に比べて低い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記塗布液の洗浄、除去を行なう」構成（以下、「本件発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明は、いずれも本件発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　また、本件発明は、上記本件発明の特徴的構成を有することにより、「特許査定時の明細書の【００２６】、【００４８】〜【００５０】に記載したように、第２洗浄工程では洗浄液除去工程のように洗浄液が遠心力で振り切られることなく基板表面側に回り込むとともに第１洗浄工程に比べて第２洗浄工程における遠心力の方が大きくなり、第２洗浄工程における洗浄液の回り込み距離は第１洗浄工程における回り込み距離よりも小さくなるので、第２洗浄工程における洗浄液は塗布液に接触しない状態となって洗浄効率が高くなる、という格別の作用、効果を奏するものである。」（平成１２年７月２６日付特許異議意見書）という、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明のいずれにもない効果を有する。
　そうすると、本件発明は、上記甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月５日（２０００．１０．５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ、ｂ、ｃは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ｄ〜ｑは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ
　特許査定時の特許請求の範囲の請求項１，２，３，４を削除する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項５「塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、
　前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、
　前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、
　この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、
　この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、
　前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程とを有することを特徴とする半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法。」を、「塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、
　前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、
　前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、
　この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、
　この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、
　前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程と、を有し、
　前記洗浄液除去工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記洗浄液の除去を行ない、
　前記第２洗浄工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高く、かつ、前記洗浄液除去工程の回転数に比べて低い回転数で前証半導体基板を回転させることにより前記塗布液の洗浄、除去を行なうとともに、
　前記第１洗浄工程と前記第２洗浄工程で同じ洗浄液を用いることを特徴とする半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法。」と訂正し、請求項５を請求項１に繰り上げる。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項６，７，８，９を削除する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の【００１４】の記載「また、請求項５記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法は、塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周緑部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程と、を有することを特徴とするものである。」を、「【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するために、請求項１に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法は、半導体基板の表面に塗布液を滴下しその半導体基板を回転させることにより、前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程と、を有し、前記洗浄液除去工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記洗浄液の除去を行ない、前記第２洗浄工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高く、かつ、前記洗浄液除去工程の回転数に比べて低い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記塗布液の洗浄、除去を行なうとともに、前記第１洗浄工程と前記第２洗浄工程で同じ洗浄液を用いることを特徴とするものである。」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の【００１０】、【００１１】、【００１２】、【００１３】、【００１５】、【００１６】、【００１７】、【００１８】、【００１９】、【００２０】、【００２１】、【００２２】、【００２４】および【００２７】を削除する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の【００２３】の記載「また、請求項５に記載の」を、「【作用】請求項１に記載の」と訂正する。
訂正事項ｇ
　特許明細書の【００２５】の記載「また、請求項７に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法においては、洗浄液」を、「また、洗浄液」と訂正する。
訂正事項ｈ
　特許明細書の【００２６】の記載「また、請求項８に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法においては、第２洗浄」を、「また第２洗浄」と訂正する。
訂正事項ｉ
　特許明細書の【００２８】、【００３８】、【００３９】、【００４０】、【００４１】、【００４２】、【００４３】、【００４５】および【００５２】の記載「本発明の第１の実施例」、「第１実施例」、「実施例」を、それぞれ「参考例」と訂正する。
訂正事項ｊ
　特許明細書の【００４３】、【００４９】および【００５２】の記載「第２の実施例」、「第２実施例」を、それぞれ「実施例」または「本実施例」と訂正する。
訂正事項ｋ
　特許明細書の【００５２】の記載「他の塗布液に対しても本発明を適用できることは」を、「他の塗布液に対しても適用できることは」と訂正する。
訂正事項ｌ
　特許明細書の【００５３】の記載「また、第１実施例においては…最適の塗布方法とすることができる。」を削除する
訂正事項ｍ
　特許明細書の【００５４】、【００５５】、【００５６】、【００５７】、【００５９】および【００６２】を削除する。
訂正事項ｎ
　特許明細書の【００５８】の記載「また、請求項５に記載の」を、「【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項ｌに記載の」と訂正する。
訂正事項ｏ
　特許明細書の【００６０】の記載「また、請求項７に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法によれば、洗浄液」を、「また．洗浄液」と訂正する。
訂正事項Ｐ
　特許明細書の【００６１】の記載「また、請求項８に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法によれば、第１洗浄」を、「また，第１洗浄」と訂正する。
訂正事項ｑ
　特許明細書の【図面の簡単な説明】の記載
「【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の第１実施例である塗布液の塗布方法のうち、スプレッド工程の手順を示す図である。
　【図２】　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
　【図３】　同、実施例において、縁取り工程におけるウエハの回転数とＳＯＧ膜の形状の関係を調査した実験結果を示す図である。
　【図４】１　本発明の第２実施例である塗布液の塗布方法のうち、スプレッド工程の手順を示す図である。
　【図５】　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
　【図６】　従来の一例である塗布液の塗布方法の手順を示す図である。
　【符号の説明】
　１　スピンナ
　２　裏面洗浄ノズル
　Ｗ　ウエハ（半導体基板）
　ｓ　ＳＯＧ液（塗布液）
　ｒ　洗浄液
　Ｅ１　膜厚が均一な領域
　Ｅ２　膜厚が変動する領域
　ｓ１　膜厚が均一な部分
　ｓ２　膜厚が厚い部分
　ｓ３　膜厚が薄い部分
　ｓ４　端面に残存する部分
　ｓ５　洗浄液の影響で膜厚が厚くなる部分」を、
「【図面の簡単な説明】
　【図１】　参考例の塗布液の塗布方法のうち、スプレッド工程の手順を示す図である。
　【図２】　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
　【図３】　同、参考例において、縁取り工程におけるウエハの回転数とＳＯＧ膜の形状の関係を調査した実験結果を示す図である。
　【図４】　本発明の実施例である塗布液の塗布方法のうち、スプレッド工程の手順を示す図である。
　【図５】　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
　【図６】　従来の一例である塗布液の塗布方法の手順を示す図である。
　【符号の説明】
　１　スピンナ
　２　裏面洗浄ノズル
　Ｗ　ウエハ（半導体基板）
　ｓ　ＳＯＧ液（塗布液）
　ｒ　洗浄液
　Ｅ１　膜厚が均一な領域
　Ｅ２　膜厚が変動する領域
　ｓ１　膜厚が均一な部分
　ｓ２　膜厚が厚い部分
　ｓ３　膜厚が薄い部分
　ｓ４　端面に残存する部分
　ｓ５　洗浄液の影響で膜厚が厚くなる部分」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【
請求項１
　前記塗布液を滴下した半導体基板を回転させることにより前記塗布液を前記半導体基板上に塗り広げるスプレッド工程と、
　前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄液によって除去する縁取り工程とを有し、
　この縁取り工程が、前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板表面の周縁部の塗布液を洗浄、除去する第１洗浄工程と、
　この第１洗浄工程によって前記半導体基板の表面に回り込み前記周縁部に滞留する洗浄液を除去する洗浄液除去工程と、
　前記半導体基板の裏面に洗浄液を供給しつつその洗浄液が前記半導体基板の表面に回り込む回転数で半導体基板を回転させることによる前記半導体基板の裏面から表面周縁部の任意の位置にわたる塗布液の洗浄、除去を１回または複数回繰り返す第２洗浄工程と
、を有し、
　前記洗浄液除去工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高い回転数で半導体基板を回転させることにより前記洗浄液の除去を行ない、
　前記第２洗浄工程では、前記第１洗浄工程の回転数に比べて高く、かつ、前記洗浄液除去工程の回転数に比べて低い回転数で前記半導体基板を回転させることにより前記塗布液の洗浄、除去を行なうとともに、
　前記第１洗浄工程と前記第２洗浄工程で同じ洗浄液を用いる
【発明の詳細な説明】
　　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体装置の製造工程において半導体基板上にＳＯＧ、フォトレジスト等の塗布液を塗布する方法に関するものである。
　　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体集積回路等の半導体装置においては、デバイスの高集積化が進むに従って配線形成に伴うデバイス表面の段差が急峻となってきている。そこで、この急峻な段差を低減する手段の一つとしてＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）塗布膜を用いる方法がある。これは、半導体基板上にＳＯＧ液を塗布した後、熱処理を施すことによって段差を埋め込む技術である。塗布時のＳＯＧは比較的粘度の低い液体であるため、段差の底部へも充分に行き渡り段差を低減することができるわけである。一方、ＳＯＧ液に熱処理を施すと、ＳＯＧ中のシラノール基の脱水縮合反応が生じてＳＯＧがＳｉＯ２となるため、ＳＯＧ膜は絶縁膜として半導体集積回路に適用可能な薄膜となる。
　　【０００３】
　ところで、ＳＯＧ液を半導体基板上に塗布する場合には、半導体基板の中心部にＳＯＧ液を滴下した後、この半導体基板を高速回転させたときの遠心力により余剰のＳＯＧ液を飛散させるのと同時にＳＯＧ液を基板上に均一に塗り広げる、いわゆる回転塗布（スピンコート）法が通常用いられている。回転塗布法は、スプレー塗布、ディップ塗布等、種々の塗布法の中で安定性、均一性の点で最も一般的な塗布法である。図６に無機ＳＯＧ液（ＳＯＧには無機ＳＯＧと有機ＳＯＧがある）の回転塗布法の一例を示す。
　　【０００４】
　まず、図６（ａ）に示すように、スピンナ１上に半導体基板Ｗをセットし、その中心部に１〜３ｃｃ程度のＳＯＧ液ｓを滴下する。ついで、図６（ｂ）に示すように、この半導体基板Ｗを２０００〜４０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させることにより、ＳＯＧ液ｓを半導体基板Ｗ上に平坦に塗り広げる。この際、回転開始直後の低回転時のＳＯＧ液ｓの表面張力による回り込み、もしくは飛散したＳＯＧ液ｓの周辺からのはねかえり等の影響で半導体基板Ｗの裏面側にもＳＯＧ液ｓが自ずと付着するため、この塗り広げ工程の後、図６（ｃ）に示すように、半導体基板Ｗを１３００〜４０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させながら、裏面洗浄ノズル２から半導体基板Ｗの裏面に向けて洗浄液ｒを吐出させることにより、半導体基板Ｗの裏面に付着した余分なＳＯＧ液ｓを洗い落とす。
　　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　図６（ｄ）は、以上の手順でＳＯＧ膜ｓを形成した半導体基板Ｗの周縁部の様子を示すものである。半導体基板Ｗ表面の大部分の領域でＳＯＧ膜ｓの膜厚はほぼ均一になるが、半導体基板Ｗ表面の周縁部、特に最外周から約０．５ｍｍ程度の領域ではＳＯＧ液ｓの表面張力の影響でＳＯＧ液ｓが盛り上がった状態となり、この領域だけＳＯＧ膜ｓの膜厚が厚くなる。ところが、このように周縁部のＳＯＧ膜ｓの膜厚が厚い状態で後の工程の処理を続けた場合、熱処理工程でＳＯＧ膜ｓの熱収縮が生じ、その時の内部応力が膜厚の厚い部分に集中することでＳＯＧ膜ｓが割れてしまうことがある。すると、この割れたＳＯＧ膜ｓの飛散片が製造工程にとって異物となり、デバイスの歩留低下の原因になってしまう。
　　【０００６】
　そこで、この問題を解決する手段として、上記回転塗布法の手順の中に、半導体基板を回転させてＳＯＧ液を基板上に塗り広げる際に半導体基板の周縁部のみを冷却する方法が導入された。この方法は、基板周縁部を冷却することでこの冷却領域に存在するＳＯＧ液のみの表面張力を変化させ、この領域のＳＯＧ膜の膜厚が厚くならないように膜厚制御するというものである。ところが、この方法を採用した場合、半導体基板周縁部の表面側におけるＳＯＧ膜の膜厚が厚くなることは確かに抑えられるが、半導体基板の端面には依然として厚い膜厚のＳＯＧ膜が残り、これが異物発生の原因となるため、この方法も充分な異物発生防止の対策とはなり得なかった。
　　【０００７】
　また、半導体基板の周縁部は例えばハンドリング時に治具等と接触するなど、中央部に比べて異物発生の要因がただでさえ多い。したがって、歩留向上の要求がさらに厳しいような場合、異物発生防止のために特に基板の周縁部においては上述したような厚いＳＯＧ膜のみならず、薄いＳＯＧ膜をも確実に除去しておくことが必要とされ、半導体基板の周縁部におけるＳＯＧ膜をより確実に除去する手段の提供が望まれていた。
　　【０００８】
　また、以上ではＳＯＧ液の場合を一例として説明したが、半導体装置の製造工程中には、同様の回転塗布法を用いる塗布液としてフォトレジスト、フォトレジストの密着性向上剤として用いられるポリシラザン等の有機シラン等があり、これらの塗布液の場合についてもＳＯＧ液の場合と同様の問題を抱えていた。
　　【０００９】
　本発明は、前記の課題を解決するためになされたものであって、後工程において異物発生の原因となりデバイスの歩留を低下させることのない半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法を提供することを目的とする。
　　【
００１０
　【課題を解決するための手段】
　前記の目的を達成するために、請求項１に記載の半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法は、半導体基板の表面に塗布液を滴下しその半導体基板を回転させることにより、前期塗布液を前記半導体基板上に塗り広げる半導体装置製造工程における塗布液の塗布方法において、
　　【
００１１
　
【作用】
　請求項１に記載の
　　【
００１２
　また、洗浄液
　　【
００１３
　また、第２洗浄
　　【
００１４
　【実施例】
　以下、
参考例
　図１および図２は
参考例
参考例
　なお、本
参考例
　　【
００１５
　まず、図１（ａ）に示すように、スピンナ１上に６インチ径のウエハＷ（半導体基板）をセットし、その中心部に１〜３ｃｃ程度のＳＯＧ液ｓを滴下する。ついで、図１（ｂ）に示すように、このウエハＷを２０００〜４０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させることにより、ＳＯＧ液ｓをウエハＷ上に平坦に塗り広げる。この際、これと同時に裏面洗浄ノズル２からウエハＷ裏面に向けて洗浄液ｒを吐出させることにより、ウエハＷの裏面側に付着したＳＯＧ液ｓを洗い落とすとともに、ウエハＷの周縁部を冷却する。ウエハＷの温度は、冷却前には室温（例えば２４℃程度）とほぼ一致しているが、ＳＯＧ液ｓによる冷却によって１〜２℃程度低下する。なお、ここで用いる洗浄液ｒはＳＯＧ液ｓを溶解し得る性質を持つものであり、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が用いられる。
　　【
００１６
　図１（ｃ）は、以上の手順でＳＯＧ膜ｓを形成したウエハＷの周縁部の様子を観察したものである。ウエハＷ表面の大部分の領域でＳＯＧ膜ｓの膜厚は均一になるが、ウエハＷ表面の周縁部、特に最外周から約１ｍｍ程度の領域Ｅ２では図に示すように膜厚が変動する。すなわち、ウエハＷ中央部から周縁部に向けて、膜厚が均一な領域Ｅ１から膜厚が若干厚い部分ｓ２ができ、その外側に膜厚が均一な領域Ｅ１に比べて膜厚が薄い部分ｓ３ができ、ウエハＷの端面にはＳＯＧ膜ｓ４が残った状態となる。以上のように、図１（ａ）〜（ｃ）はウエハＷ上にＳＯＧ液ｓを塗り広げる工程であって、以降の説明ではスプレッド工程と呼ぶことにする。
　　【
００１７
　つぎに、図２（ａ）の状態（図１（ｃ）と同一）から、ウエハＷの回転数を６００〜１２００ｒｐｍ程度に低下させると同時に、裏面洗浄ノズル２からウエハＷの裏面に向けて洗浄液ｒを吐出させる。すると、ウエハＷの回転数がスプレッド工程における回転数に比べて低下したため、図２（ｂ）に示すように、洗浄液ｒとウエハＷとの界面における界面エネルギー（矢印Ａで示す）がウエハＷの回転による遠心力（矢印Ｂで示す）と釣り合う位置Ｃまで洗浄液ｒがウエハＷの表面側に回り込み、その部分のＳＯＧ膜ｓが除去される。このとき、洗浄液ｒがウエハＷの表面側に回り込む距離はウエハＷの回転数によって調節することができる。そこで、洗浄液ｒがウエハＷの表面側に回り込む距離が、ウエハＷ周縁部のＳＯＧ膜ｓの膜厚が変動する領域Ｅ２のうち、膜厚が薄い領域ｓ３の範囲内に収まるように６００〜１２００ｒｐｍの範囲内でウエハＷの回転数を選択する。以上のように、図２（ａ）、（ｂ）はウエハＷ表面周縁部のＳＯＧ膜ｓを除去する工程であって、以降の説明では縁取り工程と呼ぶことにする。
　　【
００１８
　図３は、縁取り工程におけるウエハＷの回転数とＳＯＧ膜ｓの形状の関係を調査した実験結果を示すものである。
　　【
００１９
　（１）ウエハＷの回転数が３００ｒｐｍ以下と極端に低い場合、遠心力が極めて小さいため、洗浄液ｒが不均一に、かつウエハＷ表面のかなり中心部にまで入り込む現象が生じ、中心部のＳＯＧ膜ｓまでが除去されてしまうので、使用できないことがわかった。
　　【
００２０
　（２）ウエハＷの回転数が３００〜６００ｒｐｍ程度と低い場合、洗浄液ｒがウエハＷの表面側に回り込む距離が大きくなり過ぎてしまう。すなわち、図３（ａ）に示すように、洗浄液ｒがウエハＷの表面側に回り込む距離が、ウエハＷ周縁部のＳＯＧ膜ｓの膜厚が変動する領域Ｅ２のうち、膜厚が薄い部分ｓ３を通り越して膜厚の厚い部分ｓ２、もしくは膜厚が均一な領域Ｅ１にまで及ぶため、ＳＯＧ膜ｓの外側に洗浄液ｒが存在する影響で膜厚が厚くなる領域ｓ５が極めて盛り上がった状態となる。そして、この極端に膜厚が厚い部分ｓ５はその後の熱処理によって割れてしまうことがわかった。
　　【
００２１
（３）ウエハＷの回転数が１２００ｒｐｍ以上と高い場合、洗浄液ｒがウエハＷの表面側にほとんど回り込まなくなってしまう。すなわち、２０００ｒｐｍ以上ではウエハＷ端面にＳＯＧ液のほとんどが残置したままであり、１３００〜１４００ｒｐｍであっても、図３（ｂ）に示すように、洗浄液ｒが回り込む位置がウエハＷの端面に留まり、ウエハＷ端面のＳＯＧ膜ｓ４は元来比較的厚く形成されるため、上記（２）の場合と同様、洗浄液ｒの影響で膜厚が厚くなる領域ｓ５がやはり比較的厚い状態となる。そして、この部分もその後の熱処理によって割れてしまうことがわかった。
　　【
００２２
（４）ウエハＷの回転数が６００〜１２００ｒｐｍ程度の場合、図３（ｃ）に示すように、洗浄液ｒがウエハＷの表面側に回り込む距離が、ウエハＷ周縁部のＳＯＧ膜の膜厚が変動する領域Ｅ２のうち、膜厚が薄い領域ｓ３の範囲内に収まる。すると、この領域の膜厚が薄いために、洗浄液ｒの影響で膜厚が厚くなる領域ｓ５もわずかに厚くなるだけであり、回転数が低すぎたり、高すぎる図３（ａ）、（ｂ）の場合に比べて充分薄くなる。そして、この部分はその後の熱処理によって割れないことがわかった。
　　【
００２３
　したがって、本実験の結論として、塗布液として無機ＳＯＧ液を用いた場合に縁取り工程におけるウエハＷの回転数を６００〜１２００ｒｐｍの範囲に設定するのが最適であることがわかった。
　　【
００２４
　
本参考例
　すなわち、従来の塗布方法においては、ウエハ裏面への洗浄液の供給が裏面側のＳＯＧ膜を除去する目的のみで行なわれており、つまり裏面のＳＯＧ膜を除去できさえすれば良いため、意図的に洗浄液を表面側に回し込むようなことさえ行なっていなかった。それに対して、本
参考例
　　【
００２５
　したがって、本
参考例
　　【
００２６
　また、本
参考例
　　【
００２７
　なお、
本参考例
参考例
参考例
　　【
００２８
　また、本
参考例
　　【
００２９
　つぎに、本発明の
実施例
　図４および図５は
本実施例
　なお、本実施例においても
参考例
　　【
００３０
　まず、図４（ａ）に示すように、スピンナ１上に６インチ径のウエハＷ（半導体基板）をセットし、その中心部に１〜３ｃｃ程度のＳＯＧ液ｓを滴下する。ついで、図４（ｂ）に示すように、このウエハＷを２０００〜４０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させることにより、ＳＯＧ液ｓをウエハＷ上に平坦に塗り広げる。以上のように、図４（ａ）、（ｂ）はウエハＷ上にＳＯＧ液ｓを塗り広げる工程であって、以降の説明ではスプレッド工程と呼ぶことにする。
　　【
００３１
　その後、図５（ａ）に示すように、ウエハＷを４００〜１２００ｒｐｍ程度の回転数で回転させつつ裏面洗浄ノズル２からウエハＷ裏面に向けて洗浄液ｒを吐出させることにより、ウエハＷの裏面側に付着したＳＯＧ液ｓを洗い落とすとともに、洗浄液ｒをウエハＷの裏面から表面側の周縁部に回り込ませ（図中破線で示す）、その部分のＳＯＧ液ｓを洗い落とす（第１洗浄工程）。また、ここで用いる洗浄液ｒは
参考例
　　【
００３２
　その後、図５（ｂ）に示すように、ウエハＷの回転数を２０００〜４０００ｒｐｍ程度に上げることにより、ウエハＷの表面側に回り込んだ洗浄液ｒを遠心力で振り切る。また、それと同時に洗浄液ｒの吐出を停止することにより、洗浄液ｒを除去、乾燥させる。このとき、洗浄液ｒの乾燥に伴って、ウエハＷの表面側に回り込んだ洗浄液ｒ中に残存していたＳＯＧ液ｓの成分がウエハＷの周縁部に析出する（洗浄液除去工程）。
　　【
００３３
　その後、図５（ｃ）に示すように、再度ウエハＷを４２０〜１３００ｒｐｍ程度の回転数で回転させつつ裏面洗浄ノズル２からウエハＷ裏面に向けて洗浄液ｒを吐出させることにより、洗浄液ｒをウエハＷの裏面から表面側の周縁部に回り込ませ（図中破線で示す）、その部分に析出したＳＯＧ液ｓの成分を洗い落とす（第２洗浄工程）。
　　【
００３４
　ここで、上述した（第１洗浄工程の回転数４００〜１２００ｒｐｍに対して第２洗浄工程の回転数は４２０〜１３００ｒｐｍ程度）ように、図５（ｃ）に示す第２洗浄工程におけるウエハＷの回転数は、図５（ａ）に示す第１洗浄工程における回転数よりも５〜１０％程度高い回転数を選択することが望ましい。このように高い回転数を選択することによって、第２洗浄工程において洗浄液ｒがウエハＷの表面側に回り込む距離は、第１洗浄工程において回り込む距離に比べて小さくなる。したがって、第２洗浄工程における洗浄液ｒはＳＯＧ膜ｓに到達しないため、ウエハＷの周縁部にわずかに残存するＳＯＧ液の成分のみを洗浄することができ、ウエハＷの周縁部における洗浄効率が高くなる。
　　【
００３５
　
本実施例
　すなわち、本実施例の塗布方法においては、第１洗浄工程終了後、ＳＯＧ液ｓが溶け込んだ洗浄液ｒがウエハＷの周縁部に滞留するが、次の洗浄液除去工程で洗浄液ｒが一旦除去され、ついで、第２洗浄工程において再度洗浄液ｒによる洗浄が行なわれることにより周縁部のＳＯＧ液ｓの成分が充分に除去される。
　　【
００３６
　さらに、第２洗浄工程におけるウエハＷの回転数を第１洗浄工程における回転数よりも５〜１０％程度高く設定したことで第２洗浄工程における洗浄液ｒをＳＯＧ膜ｓに接触しないようにしたため、ウエハＷの周縁部におけるＳＯＧ液ｓの洗浄効率をより高くすることができる。したがって、ただ連続的に洗浄液によるＳＯＧ液ｓの洗浄、除去を行なう場合に比べて洗浄効率がはるかに向上し、ＳＯＧ液ｓをより充分除去できるので、ＳＯＧ膜がウエハＷの周縁部に薄い状態で残るのを防止することができる。
　　【
００３７
　したがって、本実施例の塗布方法によって処理したウエハＷにおいて、例えば後の工程におけるハンドリング等に起因してウエハＷの周縁部が衝撃を受けるようなことがあったとしても、薄いＳＯＧ膜ｓが剥離することがなくなる。したがって、従来の問題点であったＳＯＧ膜の剥離に起因する異物発生を防止することができ、デバイスの歩留向上を図ることができる。
　　【
００３８
　なお、
本実施例
対しても適用
参考例
本実施例
　　【
００３９
　
そして
　　【
００４０
　
【発明の効果】
　以上、詳細に説明したように、請求項１に記載の
　　【
００４１
　
また、洗
　　【
００４２
　
また、第
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　
参考例の
　【図２】
　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
　【図３】
　同、
参考例
　【図４】
　本発明の
実施例
　【図５】
　同、塗布液の塗布方法のうち、縁取り工程の手順を示す図である。
　【図６】
　従来の一例である塗布液の塗布方法の手順を示す図である。
　【符号の説明】
　１　スピンナ
　２　裏面洗浄ノズル
　Ｗ　ウエハ（半導体基板）
　ｓ　ＳＯＧ液（塗布液）
　ｒ　洗浄液
　Ｅ１　膜厚が均一な領域
　Ｅ２　膜厚が変動する領域
　ｓ１　膜厚が均一な部分
　ｓ２　膜厚が厚い部分
　ｓ３　膜厚が薄い部分
　ｓ４　端面に残存する部分
　ｓ５　洗浄液の影響で膜厚が厚くなる部分