【事件の表示】
　特許第２９５８２８４号「転写マスク及びその製造方法並びにパターン転写方法」の請求項１ないし１３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５８２８４号の請求項１ないし１２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第２９５８２８４号は、平成９年３月２７日に特許出願され、平成１１年７月２３日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人渡辺忠雄から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月２８日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
１．２　異議申立人渡辺忠雄が提出した甲第１〜５号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証には、第３８４９頁左欄の「IV．結論」の第１〜２行に、「様々な厚さで、テーパーのある開口部を持つＥＢマスク」と記載されている。
　また、第３８４５頁下段右欄の「II．シミュレーションと実験」の第２〜４行には、「５μｍＬ／Ｓはセルプロジエクションシステムのウエハー上では０．２μｍＬ／Ｓに相当する」と記載されている。
　また、第３８４９頁左欄の「IV．結論」の第８〜１０行及び図５と図７には、「順テーパー（θ＜９００）は電子線に影響があるため、避けるべ　きであると示している」、「θ＝９２０のシミュレーション例」及び「θ＝９０．４０の実験例」と記載されている。
　また、第３８４８頁左欄の第９〜１０行には、「最適な露光量の±１０％の範囲とした露光量レンジ」と記載されている。
　また、第３８４９頁左欄の「IV．結論」の第１０〜１３行には、「テーパ一角が９００あるいはそれ以上の時は、電子線透過率はマスクのテーパー縁にピークは無く、エネルギー分布がより広くなっている。」と記載されている。
　更に、第３８４８頁左欄第４〜５、１１〜１２行には、「８９．００、９０．００、９０．４０の２０μｍ厚のＥＢマスクを用いて、０．２μｍＬ／Ｓパターンを露光した。結果間に重要な違いは認められない。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証第２頁右欄第４３〜４５行には、「０．２０μｍ以下の配線加工等に対応するため、設計寸法に対して、０．１μｍ以下の寸法精度が要求される。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証の請求項１には、「アパチャ本体を構成する基材と該基材の表裏両面に形成された金属膜とを有している」と記載されている。
　また、第２頁右欄第４８行には、「８８〜８９度程度のテーパは形成される」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
 甲第４号証の第２頁左欄第４５〜４９行には、「厚さ０．５〜１．５μｍ程度の電子ビーム感光性を有するレジスト（電子ビームレジスト：ＥＢレジスト）（６）を塗布する。」と記載されている。
１．２．５　甲第５号証の記載内容
 甲第５号証の第３頁右欄第４５〜４６行には、「ドライエッチングのマスクとして用いる厚さ２μｍのＳｉ０２膜」と記載されている。
１．２．６　甲第６号証の記載内容
 甲第６号証の第５頁左欄第１５〜１９行には、「微細パターン形成層３上に電子線レジスト（東レ製、商品名：ＥＢＲ−９００）をスピンコートし、所定のべ一クを施した後に、電子線描画装置（日立製作所製、商品名：ＨＬ−７００）で所定のパターンを描画し」と記載されている。
１．２．７　甲第７号証の記載内容
 甲第７号証の第４頁右欄第８〜９行には、「従来例のように開口パターン群開口の一つをアパチャチップとして分割しても良い」と記載されている。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口において、このうち最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９００あるいはそれ以上とし、この最も順テーパ形状になる開口以外の開口を逆テーパ状としたことを特徴とする転写マスク。」を、「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記転写マスクは、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための形状、サイズが異なる多種の開口であって、同一条件による一括エッチングにて形成された開口を有し、前記開口のうち、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９００あるいは９０〜９０．５０とし、この最も順テーパ形状になる開口以外の開口をより逆テーパ状としたことを特徴とする転写マスク。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項２の「転写マスク」を、「請求項１記載の転写マスク」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項３を削除する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項４を請求項３に繰り上げ、特許明細書の請求項４の「請求項１〜３」を、「請求項１〜２」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項５を請求項４に繰り上げ、特許明細書の請求項４の「請求項１〜４」を、「請求項１〜３」と訂正する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項６を請求項５に繰り上げる。
訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項７を請求項６に繰り上げる。
訂正事項ｈ
　特許明細書の請求項８を請求項７に繰り上げる。
訂正事項ｉ
　特許明細書の請求項９を請求項７に繰り上げ、特許明細書の請求項９の「請求項７又は８」を、「請求項６又は７」と訂正する。
訂正事項ｊ
　特許明細書の請求項１０を請求項９に繰り上げ、特許明細書の請求項１０の「請求項１〜５及び７〜９」を、「請求項１〜４及び６〜８」と訂正する。
訂正事項ｋ
　特許明細書の請求項１１を請求項１０に繰り上げ、特許明細書の請求項１１の「請求項１〜５及び７〜９」を、「請求項１〜４及び６〜８」と訂正する。
訂正事項ｌ
　特許明細書の請求項１２を請求項１１に繰り上げ、特許明細書の請求項１２の「請求項１〜５及び７〜９」を、「請求項１〜４及び６〜８」と訂正する。
訂正事項ｍ
　特許明細書の請求項１３を請求項１２に繰り上げ、特許明細書の請求項１３の「請求項１２」を、「請求項１１」と訂正する。
２．２　訂正後の請求項
２．２．１　訂正後の請求項１
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記転写マスクは、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための形状、サイズが異なる多種の開口であって、同一条件による一括エッチングにて形成された開口を有し、前記開口のうち、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９００あるいは９０〜９０．５０とし、この最も順テーパ形状になる開口以外の開口をより逆テーパ状としたことを特徴とする転写マスク。」
２．２．２　訂正後の請求項２
「描画のための全ての開口のテーパ角を９０〜９３０の範囲としたことを特徴とする請求項１記載の転写マスク。」
２．２．３　訂正後の請求項３
「描画のための全ての開口の荷電粒子線入射側の寸法を、設計値に対して−０．８μｍ〜＋０．３μｍの範囲内としたことを特徴とする請求項１〜２記載の転写マスク。」
２．２．４　訂正後の請求項４
「描画のための全ての開口の荷電粒子線入射側の寸法を、設計値に対して０〜１０％小さくしたことを特徴とする請求項１〜３記載の転写マスク。」
２．２．５　訂正後の請求項５
「請求項４記載の転写マスクを用い、設計値寸法に対応したドーズ量より実際のドーズ量を０〜１０％増やして転写を行うことを特徴とするパターン転写方法。」
２．２．６　訂正後の請求項６
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜３μｍの深さまではテーパ角を９００〜８８０の範囲とし、３μｍより深い部分ではテーパ角を９００超としたことを特徴とする転写マスク。」
２．２．７　訂正後の請求項７
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜６μｍ深さまではテーパ角を９００〜８９０の範囲とし、６μｍより深い部分ではテーパ角を９００超としたことを特徴とする転写マスク。」
２．２．８　訂正後の請求項８
「９００超のテーパ角が、９０〜９３０の範囲内であることを特徴とする請求項６又は７記載の転写マスク。」
２．２．９　訂正後の請求項９
「転写マスクの少なくとも表面に荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層を設けたことを特徴とする請求項１〜４及び６〜８記載の転写マスク。」
２．２．１０　訂正後の請求項１０
「請求項１〜４及び６〜８記載の転写マスクを製造する方法であって、シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層の厚さを０．１〜２．０μｍの範囲としたことを特徴とする転写マスクの製造方法。」
２．２．１１　訂正後の請求項１１
「請求項１〜４及び６〜８記載の転写マスクを製造する方法であって、シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層をパターニングするためのレジストとしてＥＢレジストを用い、これを電子線を用いた直接描画法で描画することを特徴とする転写マスクの製造方法。」
２．２．１２　訂正後の請求項１２
「一枚の基板から異なる開口パターンを有する複数の転写マスクを製造するために、電子線を用いた直接描画法によって転写マスク毎に異なる開口パターンの描画を行うことを特徴とする請求項１１記載の転写マスクの製造方法。」
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
３．１．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａについては、特許明細書の請求項１に記載された「この最も順テーパ形状になる開口以外の開口を逆テーパ状とした」を下位概念である「この最も順テーパ形状になる開口以外の開口をより逆テーパ状とした」と訂正し、特許明細書の請求項１に記載された「このうち最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９００あるいはそれ以上とし、」を下位概念である「このうち最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９００あるいは９０〜９０．５０とし、」と訂正し、特許明細書の請求項１に記載された「ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口において、このうち」を下位概念である「前記転写マスクは、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための形状、サイズが異なる多種の開口であって、同一条件による一括エッチングにて形成された開口を有し、前記開口のうち、」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、「この最も順テーパ形状になる開口以外の開口をより逆テーパ状とした」点は、特許明細書第１２頁第１８から第２０行に記載されていたものであり、「このうち最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９００あるいは９０〜９０．５０とし、」については、訂正前の請求項３等に記載されていたものであり、「前記転写マスクは、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための形状、サイズが異なる多種の開口であって、同一条件による一括エッチングにて形成された開口を有し、前記開口のうち、」は、特許明細書第４頁第４行、同第４頁第２６行の本発明の解決課題及び実施例１に記載されていたものである。
　従って上記訂正事項ａは、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
３．１．２　訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、特許明細書の請求項２「描画のための全ての開口のテーパ角を９０〜９３０の範囲としたことを特徴とする転写マスク。」を、下位概念である、「描画のための全ての開口のテーパ角を９０〜９３０の範囲としたことを特徴とする請求項１記載の転写マスク。」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。また、上記訂正事項ｂは、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
３．１．３　訂正事項ｃ
　訂正事項ｃは、特許明細書の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．４　訂正事項ｄ〜ｍ
　訂正事項ｄ〜ｍは、上記訂正事項ｃの訂正に伴い、請求項を繰り上げ、かつ引用する請求項を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたり、また、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ〜ｍは、上記３．１．１〜３．１．４のとおりであるから、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第３項までの規定に適合するので、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜１２に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１〜１２に係る発明と甲第１号証〜甲第７号証との対比、判断
　本件請求項１及びに係る発明が、「デバイスパターンを形成するための形状、サイズが異なる多種の開口であって、同一条件による一括エッチングにて形成された開口を有し、前記開口のうち、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９００あるいは９０〜９０．５０とし、この最も順テーパ形状になる開口以外の開口をより逆テーパ状とした」構成（以下、「本件請求項１〜５に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、甲第１号証に記載された発明は、上記本件請求項１〜５に係る発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　従って、本件請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることができない。
　本件請求項３〜５に係る発明が、上記本件請求項１〜５に係る発明の特徴的構成を有するのに対し、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明は、上記本件請求項１〜５に係る発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　従って、本件請求項３〜５に係る発明は、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとすることができない。
　本件請求項６に係る発明が、「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜３μｍの深さまではテーパ角を９００〜８８０の範囲とし、３μｍより深い部分ではテーパ角を９００超とした」（以下、「本件請求項６に係る発明の特徴的構成」という。）構成を有するのに対し、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明は、いずれも、上記本件請求項６に係る発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　従って、本件請求項６に係る発明は、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとすることができない。
　本件請求項７に係る発明が、「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜６μｍ深さまではテーパ角を９００〜８９０の範囲とし、６μｍより深い部分ではテーパ角を９００超とした」（以下、「本件請求項７に係る発明の特徴的構成」という。）構成を有するのに対し、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明は、いずれも、上記本件請求項７に係る発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　従って、本件請求項７に係る発明は、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとすることができない。
　本件請求項８〜１２に係る発明は、上記本件請求項１〜５に係る発明の特徴的構成、本件請求項６に係る発明の特徴的構成及び本件請求項７に係る発明の特徴的構成のいずれかを構成として有しており、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明は、いずれも、当該本件請求項１〜５に係る発明の特徴的構成、本件請求項６に係る発明の特徴的構成及び本件請求項７に係る発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　従って、本件請求項８〜１２に係る発明は、甲第１号証〜甲第７号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月１６日（２０００．１１．１６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ、ｂ、ｃは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ｄ〜ｍは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口において、このうち最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０°あるいはそれ以上とし、この最も順テーパ形状になる開口以外の開口を逆テーパ状としたことを特徴とする転写マスク。」を、「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記転写マスクは、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための形状、サイズが異なる多種の開口であって、同一条件による一括エッチングにて形成された開口を有し、前記開口のうち、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０°あるいは９０〜９０．５°とし、この最も順テーパ形状になる開口以外の開口をより逆テーパ状としたことを特徴とする転写マスク。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項２の「転写マスク」を、「請求項１記載の転写マスク」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項３を削除する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項４を請求項３に繰り上げ、特許明細書の請求項４の「請求項１〜３」を、「請求項１〜２」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項５を請求項４に繰り上げ、特許明細書の請求項４の「請求項１〜４」を、「請求項１〜３」と訂正する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項６を請求項５に繰り上げる。
訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項７を請求項６に繰り上げる。
訂正事項ｈ
　特許明細書の請求項８を請求項７に繰り上げる。
訂正事項ｉ
　特許明細書の請求項９を請求項７に繰り上げ、特許明細書の請求項９の「請求項７又は８」を、「請求項６又は７」と訂正する。
訂正事項ｊ
　特許明細書の請求項１０を請求項９に繰り上げ、特許明細書の請求項１０の「請求項１〜５及び７〜９」を、「請求項１〜４及び６〜８」と訂正する。
訂正事項ｋ
　特許明細書の請求項１１を請求項１０に繰り上げ、特許明細書の請求項１１の「請求項１〜５及び７〜９」を、「請求項１〜４及び６〜８」と訂正する。
訂正事項ｌ
　特許明細書の請求項１２を請求項１１に繰り上げ、特許明細書の請求項１２の「請求項１〜５及び７〜９」を、「請求項１〜４及び６〜８」と訂正する。
訂正事項ｍ
　特許明細書の請求項１３を請求項１２に繰り上げ、特許明細書の請求項１３の「請求項１２」を、「請求項１１」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
転写マスク及びその製造方法並びにパターン転写方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、
　
前記転写マスクは
形状、サイズが異なる多種の開口であって、同一条件による一括エッチングにて形成された開口を有し、前記開口のうち
９０〜９０．５°
より
　　【請求項２】　描画のための全ての開口のテーパ角を９０〜９３°の範囲としたことを特徴とする
請求項１記載の
　　【請求項
３
２
　　【請求項
４
３
　　【請求項
５
４
　　【請求項
６
　開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜３μｍの深さまではテーパ角を９０°〜８８°の範囲とし、３μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超としたことを特徴とする転写マスク。
　　【請求項
７
　開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜６μｍ深さまではテーパ角を９０°〜８９°の範囲とし、６μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超としたことを特徴とする転写マスク。
　　【請求項
８
６
７
　　【請求項
９
４
６
８
　　【請求項
１０
４
６
８
　シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層の厚さを０．１〜２．０μｍの範囲としたことを特徴とする転写マスクの製造方法。
　　【請求項
１１
４
６
８
　シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層をパターニングするためのレジストとしてＥＢレジストを用い、これを電子線を用いた直接描画法で描画することを特徴とする転写マスクの製造方法。
　　【請求項
１２
１１
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、電子線、イオンビーム、Ｘ線などの荷電粒子線露光に用いられる転写マスク等に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　現在、次世代の超微細化素子等の製造技術として、電子線リソグラフィー、イオンビームリソグラフィー、Ｘ線リソグラフィー等が注目されているが、いずれが量産技術として主流となるかは未だ不透明な状況にある。
　　　【０００３】
　この中で、近年、露光パターン中に繰り返して現れる種々の要素的パターンを、マスクを用いた転写方式で部分的に一括露光できるようにし、これら種々の要素的パターン転写を組み合わせることによって所望のパターンの露光を迅速に行えるようにした、部分一括露光（ブロック露光、セルプロジェクション露光あるいはキャラクタプロジェクションという場合もある）と呼ばれる描画方式が提案され、描画時間が短く量産性があり超微細パターンの描画が可能であることから、次世代ＬＳＩ技術、特に０．２μｍ以降のリソグラフィー法として脚光を浴び期待されている。
　　　【０００４】
　この方法に用いられるマスクは、通常、多数の互いに異なる要素的パターンを１枚のマスク上に形成したものであり、このマスクを用いた露光は、要素的パターン（開口）で電子ビームを成形して所定の区画（ブロックまたはセル）を部分的に一括して露光し、一つの要素的パターンの転写が終了すると、電子ビームを偏向させるかもしくはマスクを移動させるかあるいはその双方を行うなどして次の要素的パターンの転写を行い、この操作を繰り返して描画を行うようにしている。
　　　【０００５】
　ところで、上述の電子ビームによる部分一括露光等の荷電粒子線露光に用いられる荷電粒子線露光用マスクは、一般に、支持枠部に支持された薄膜部に荷電粒子線を通過させる開口（貫通孔）パターンを形成した、いわゆる穴あきマスク（ステンシルマスク；Ｓｔｅｎｃｉｌ　ｍａｓｋ）である。すなわち、荷電粒子線を良好に透過する物質は存在せず、荷電粒子線を通過させる部分にはいかなる物質も介在させることができないので、この部分は貫通されていなければならない。また、この開口パターンを厚い基板等に形成すると、通過する荷電粒子線が開口パターンの側壁の影響を受けて正確な転写ができなくなるので、開口パターンを形成する部分（荷電粒子線を遮蔽する部分）は薄膜としなければならない。また、薄膜を平面精度を保って支持するためには所定の強度を有する支持枠部が必要となる。
　　　【０００６】
　上述した転写マスクは、開ロパターン（要素的パターン）で電子ビームを成形して転写を行うので、転写マスクには、形状、サイズの全く異なる多種の開口パターンが寸法精度良く形成されていなければならない。
　その精度は主用途である０．２０μｍ以下の配線加工等に対応するため、設計寸法に対して、±１０％以下の寸法精度が要求される。この寸法精度とは、電子線がマスクの開口パターンを通過した寸法となるため、マスク中の開口パターン全体にわたる寸法精度となる。
　　　【０００７】
　このような部分一括露光等に用いられる転写マスクは、従来より種々の方法で作製されているが、加工性や強度の点からシリコン基板（市販のシリコンウエハ等）を加工して作製するのが一般的である。具体的には、例えば、シリコン基板裏面をエッチング加工して支持枠部とこの支持枠部に支持された薄膜部を形成し、この薄膜部に開口を形成して転写マスクを作製する。
　　　【０００８】
　この場合、電子線がシリコン基板中に侵入する飛程距離は出力（加速電圧）にもよるが、通常は１０〜２０μｍの深さに到達する。このため、電子線を遮蔽するにはシリコン薄膜部の厚さは２０〜３０μｍとする必要がある。したがって、シリコン薄膜部に開口を高精度に形成するためには、多種サイズ、形状の開口パターンをすべて垂直に十ミクロン以上の深さにエッチングする必要がある。この深堀りエッチングをトレンチエッチングという。
　　　【０００９】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、数ミクロンから百ミクロンを超える多種サイズの開口パターンを同一条件による一括エッチングにてすべて９０°の角度で垂直にトレンチエッチングすることは非常に困難である。
　　　【００１０】
　通常、このように極端にサイズの異なるパターンをトレンチエッチングする場合、サイズの小さい開口パターン程わずかなテーパーであっても寸法精度に大きく影響するので、必然的に、最小サイズの開口パターンが垂直エッチングされるようにエッチング条件を合わせるている（特願平７−１５８３８６号公報等）。この場合、最小サイズの開口パターンよりもサイズが大きい開口パターンは、開口サイズが大きくなるにしたがい開口底部が狭くなる順テーパーエッチングや、逆に開口底部が広くなる逆テーパーエッチングとなってしまう。例えば、図６に示すように、２μｍ幅（ライン状または矩形状）の開口が垂直エッチングされるようにエッチング条件を設定すると（図６（ａ））、それよりもサイズの大きい開口は垂直エッチングされず、順テーパ状あるいは逆テーパー状となる（図６（ｂ））。この程度は、サイズが大きくなるほど顕著である。
　　　【００１１】
　ここで、開口パターンを形成するシリコン薄膜部が十分に薄ければ（１μｍ以下）、寸法はばらつきの範囲に収まるが、上述したように電子線を遮蔽するためにはシリコン薄膜部を１μｍ以下に薄くすることはできない。シリコン薄膜部の厚さ（開口の深さ）は十ミクロン以上と深いのでわずかなテーパーであっても大きな寸法精度の狂いが生じる。また、順テーパー部分には直接電子線が照射されるため、マスクの耐久性が低下するとともに、順テーパー部分で反射された電子が散乱して転写パターン精度の低下を招く。逆に、開口の断面形状が逆テーパ形状であると、ビーム入射側の開口寸法が設計値どうりであっても、パターンエッジにおける透過電子線量の変化によりビーム精度が落ちると考えられていた。
　　　【００１２】
　上述したように、従来は、開口の大小にかかわらず開口の断面形状の垂直性を追求する方向にあった。
　　　【００１３】
　本発明は上述した背景の下になされたものであり、高い転写精度を実現しうる転写マスク及び転写方法等の提供を目的とする。
　　　【００１４】
　　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明者は鋭意研究を重ねた結果、転写マスクにおけるディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口において、これらの開口の断面形状を所定範囲の逆テーパ形状に制御することで、高い転写精度を実現しうることを見い出した。そして、開口の大小にかかわらずすべての開口の断面形状の垂直性を追求する場合に比べ、製造時間が短く、製造が容易で、コストも安価で済むことを見い出し本発明を完成するに至った。
　　　【００１５】
　すなわち、本発明の転写マスクは、
（構成１）支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口において、このうち最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０°あるいはそれ以上とし、この最も順テーパ形状になる開口以外の開口を逆テーパ状としたことを特徴とする構成としてある。
　　　【００１６】
　また、本発明の他の転写マスクは、
（構成２）描画のための全ての開口のテーパ角を９０〜９３°の範囲としたことを特徴とする構成とし、
　　　【００１７】
　また、前記構成１〜２の態様として、
（構成３）前記最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０〜９０．５°の範囲とした構成とし、
　　　【００１８】
　また、本発明の他の転写マスクは、
（構成４）描画のための全ての開口の荷電粒子線入射側の寸法を、設計値に対して−０．８μｍ〜＋０．３μｍの範囲内としたことを特徴とする構成とし、
　　　【００１９】
　また、本発明の他の転写マスクは、
（構成５）描画のための全ての開口の荷電粒子線入射側の寸法を、設計値に対して０〜１０％小さくしたことを特徴とする構成としてある。
　　　【００２０】
　また、本発明のパターン転写方法は、
（構成６）構成５記載の転写マスクを用い、設計値寸法に対応したドーズ量より実際のドーズ量を０〜１０％増やして転写を行うことを特徴とする構成としてある。
　　　【００２１】
　また、本発明の他の転写マスクは、
（構成７）支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜３μｍの深さまではテーパ角を９０°〜８８°の範囲とし、３μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超としたことを特徴とする構成とし、
　　　【００２２】
（構成８）支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜６μｍ深さまではテーパ角を９０°〜８９°の範囲とし、６μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超としたことを特徴とする構成とし、
　　　【００２３】
　また、前記構成の態様として、
（構成９）９０°超のテーパ角が、９０〜９３°の範囲内であることを特徴とする構成とし、あるいは、
　　　【００２４】
　また、前記構成の態様として、
（構成１０）転写マスクの少なくとも表面に荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層を設けたことを特徴とする構成としてある。
　　　【００２５】
　また、本発明の転写マスクの製造方法は、
（構成１１）上記本発明の転写マスクを製造する方法であって、シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層の厚さを０．１〜２．０μｍの範囲としたことを特徴とする構成とし、
　　　【００２６】
（構成１２）上記本発明の転写マスクを製造する方法であって、シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層をパターニングするためのレジストとしてＥＢレジスト（通常ポジ型）を用い、これを電子線を用いた直接描画法で描画することを特徴とする構成とし、あるいは、
　　　【００２７】
（構成１３）一枚の基板から異なる開口パターンを有する複数の転写マスクを製造するために、電子線を用いた直接描画法によって転写マスク毎に異なる開口パターンの描画を行うことを特徴とする構成としてある。
　　　【００２８】
　　【作用】
　上述の構成１によれば、開口の断面形状が若干逆テーパ形状であっても、ビーム入射側の開口寸法は設計値どうりであるので、このビーム入射側の開口で成形されたビームは設計値どうりの転写精度を満足する。
　　　【００２９】
　上述の構成２によれば、描画のための全ての開口のテーパ角を９３°以下とすることで、デバイス設計上のパターン配置の観点から隣接する開口パターンどうしの干渉が避けられる。また、このテーパ角を９０°以上とすることで、開口の断面形状が順テーパ形状となって開口の寸法精度が落ちることがない。
　　　【００３０】
　上述の構成３によれば、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０．５°以下とすることで、最も逆テーパになりやすい開口のテーパ角を確実に９３°以下とすることができる。逆に言えば、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０．５°以上とすると、最も逆テーパになりやすい開口のテーパ角が９３°以上になる可能性がある。一方、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０°以上とすることで、この開口の断面形状が順テーパ形状となって開口の寸法精度が落ちることもない。
　　　【００３１】
　上述の構成４によれば、ディバイスパターン転写用の開口のうちで描画のための全ての開口のビーム入射側の寸法を、設計値に対して−０．８μｍ〜＋０．３μｍ（好ましくは−０．５μｍ〜＋０．２μｍ）の範囲内とすることで、マスクとしての転写精度や性能を確保できる。
　これらの開口寸法が設計値に対して０．３μｍを超えて大きい場合には、レジストの解像性が低下してしまう。また、これらの開口寸法が設計値に対して０．８μｍを超えて小さい場合、電子のドーズ量を多くすることによって個々のパターンを解像することは可能であるが、各種（サイズ、形状）パターン毎にドーズ量の必要以上（通常以上）の調整が加わり、描画時間の延長につながり実用的でない。
　　　【００３２】
　上述の構成５及び６によれば、ディバイスパターン転写用の開口のうちで描画のための全ての開口のビーム入射側の寸法を、設計値に対して０〜１０％小さくした転写マスクを用い、かつ、設計値寸法に対応したドーズ量より実際のドーズ量を０〜１０％増やして転写を行うことで、設計どうりの転写精度を確保でき、実用上極めて有用である。すなわち、開口寸法が設計値より若干プラスであって開口の断面形状が逆テーパ形状であると若干解像度が低下するが、開口の断面形状が逆テーパ形状であっても、開口寸法を設計値どうりか又は若干アンダーとし、必要に応じドーズ量を若干増やすことで、設計値どうりの転写精度を確保できることを見い出した。
　　　【００３３】
　上述の構成７によれば、開口の断面形状を、ビーム入射側から０〜３μｍの深さまではテーパ角を９０°〜８８°の範囲とすることで、この部分でビームを成形する。
　ビーム入射側から３μｍの深さまでは開口のサイズ、形状にかかわらずドライエッチングによりテーパ角がほぼ垂直（９０°〜８８°）な開口が得られ、開口寸法を設計値どうりに制御することが容易である。そして、この部分でビームを成形することでほぼ設計値どうりの転写精度を確保できることを見い出した。
　一方、３μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超の逆テーパとすることで、順テーパによる開口の寸法精度の低下を避けることができる。
　　　【００３４】
　上述の構成８によれば、開口の断面形状を、ビーム入射側から０〜６μｍ深さまではテーパ角を９０°〜８９°の範囲とし、６μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超とすることで、この部分でビームを成形する。
　構成８では、構成７に比べビーム入射側からの距離が長いので、その分だけテーパ角を垂直に近くする必要がある。
　　　【００３５】
　上述の構成１０によれば、転写マスクの表面（好ましくは表面及び裏面）に荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層を設けることで、開口の断面形状が逆テーパ形状であっても、荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層を設けない場合に比べ、ビームのコントラストを得やすく、また、放熱性を向上でき、さらに、マスク材がビームによりエッチングされるのを防止できる。なお、荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層は、転写マスクの表面の他、裏面、側面、開口の側面に形成することもできる。また、荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層は、１〜３層あるいはそれ以上とすることができ、この場合各層は異なる材料であっても良く、サンドイッチ構造などとしても良い。
　　　【００３６】
　上述の構成１１によれば、シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層の厚さを０．１〜２．０μｍの範囲とすることで、本発明の開口断面形状及び寸法精度を実現できる。
　すなわち、エッチングマスク層の厚さが０．１μｍより薄いと、エッチングマスク層とシリコンとのエッチング選択比が十分に大きく深さ１０μｍ以上のエッチング加工が可能であっても、エッチング時の斜め入射イオン等の影響を受けて開口の入り口部分が広がってしまい、所定の開口断面形状及び寸法精度を実現できない。
　一方、エッチングマスク層の厚さが２．０μｍより厚いと、エッチングマスク層のドライエッチング加工特性の観点から寸法精度を満足することが困難である。
　　　【００３７】
　上述の構成１２によれば、シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層をパターニングするためのレジストとしてＥＢレジストを用い、これを電子線を用いた直接描画法で描画することで、高い開口精度、ＴＡＴ（ターン・アラウンド・タイム）化を実現できる。
　すなわち、開口の寸法精度のみならず、開口パターンにおけるコーナー部分の直角度等を実現するには、レジスト解像性に優れたプロセスが必要であり、ＥＢレジストが適している。また、短ＴＡＴ化の観点からは、フォトリソグラフィー法ではレチクル作製期間等が必要となるためトータル時間の延長につながり適さず、電子線を用いた直接描画法で描画することで短ＴＡＴ化を実現できる。
　　　【００３８】
　また、上述の構成１３によれば、電子線を用いた直接描画法によって転写マスク毎に異なる開口パターンの描画を行うことによって、一枚の基板から異なる開ロパターンを有する複数の転写マスクを同時に製造でき、より短ＴＡＴ化を実現できる。
　　　【００３９】
　以下、本発明を詳細に説明する。
　　　【００４０】
　本発明の転写マスクは、図１に示すように、支持枠部１に支持された薄膜部２に開口３を形成してなる。
　　　【００４１】
　ここで、支持枠部及び薄膜部の材料、マスク自体の形状、サイズ、開口の深さ等は特に制限されない。
　支持枠部及び薄膜部は同一材料で一体的に形成しても良く、別材料で形成しても良い。
　薄膜部がシリコンである場合には、電子遮蔽性及び開口精度等の観点から、開口の深さは、５〜３０μｍ程度が好ましく、１０〜２０μｍ程度がより好ましい。
　支持枠部及び薄膜部の材料としては、Ｓｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｇａ、Ｉｎなどが挙げられる。支持枠部及び薄膜部を得るための基板としては、シリコン基板（リンやボロンをドープしたものを含む）、二枚のシリコン板をＳｉＯ２層を介して貼り合わせた構造のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板（ＳｉＯ２層はエッチング停止層）、酸素イオンをシリコン基板等に高濃度で打ち込み熱処理で酸化膜を形成したＳＩＭＯＸ（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｂｙ　ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　ｏｘｙｇｅｎ）基板などが挙げられる。薄膜部は、炭素系材料の膜（例えば、カーボン、ＤＬＣ、グラファイト、ダイヤモンド、炭素からなるアモルファス構造の膜など）で形成することもできる。
　　　【００４２】
　本第一発明では、転写マスクにおけるディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口を対象とする。
　ここで、ディバイスパターン転写用の開口には、アライメントマークなどの非ディバイスパターン転写用の開口等は含まれない。
　また、ディバイスパターン転写用の開口のうちで寸法精度がより必要な０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口とは、例えば、縮小率が１／３０では６μｍ以下、縮小率が１／５０では１０μｍ以下、縮小率が１／１００では２０μｍ以下の開口を指す。
　　　【００４３】
　本第一発明では、上記開口のうちで、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０°以上とする（図２（ｂ））。これにより、この開口以外の開口の断面形状を、より逆テーパ状とすることができる（図２（ａ））。
　この構成によれば、開口の断面形状が若干逆テーパ形状であっても、ビーム入射側の開口寸法は設計値どうりであるので、このビーム入射側の開口で成形されたビームは設計値どうりの転写精度を満足する。
　　　【００４４】
　この場合、エッチング温度（基板温度を含む）、エッチングガス、ガス圧力、高周波電源の出力（パワー）などのドライエッチング条件を調節することで、開口の断面形状及びビーム入射側の開口寸法等を制御できる。
　　　【００４５】
　なお、ディバイスパターン転写用の開口以外の開口や、ディバイスパターン転写用の開口のうちで０，２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口のドライエッチング加工は、０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口のエッチング条件と同一とすることもでき、選択的にマスキングすることにより別条件、別プロセスとすることもできる。
　　　【００４６】
　本第一発明では、０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口、又は描画に必要な全ての開口のテーパ角を９０〜９３°（より好ましくは９０〜９２°）の範囲とすることが好ましい。
　これらの開口のテーパ角を９３°以下とすることで、デバイス設計上のパターン配置の観点から隣接する開口パターンどうしの干渉が避けられる。また、このテーパ角を９０°以上とすることで、開口の断面形状が順テーパ形状となって開口の寸法精度が落ちることもない。
　なお、描画に必要な全ての開口のテーパを逆テーパとするときは、部分一括露光装置における縮小率によらず開口のテーパ角を９０〜９３°の範囲とすればよい。これは、仮にエッチングマスク寸法が同じでも、逆テーパトレンチ加工になる程エッチングマスク直下のアンダーカットにより開口パターン寸法が拡大してしまうためである。
　　　【００４７】
　本第一発明では、上記最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０〜９０．５°の範囲とすることが好ましい。
　最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０．５°以下とすることで、最も逆テーパになりやすい開口のテーパ角を確実に９３°以下とすることができる。逆に言えば、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０．５°以上とすると、最も逆テーパになりやすい開口のテーパ角が９３°以上になる可能性がある。一方、最も順テーパになりやすい開口のテーパ角を９０°以上とすることで、この開口の断面形状が順テーパ形状となって開口の寸法精度が落ちることはない。
　　　【００４８】
　本第一発明では、前記ディバイスパターン転写用の開口のうちで０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口、又は描画に必要な全ての開口の荷電粒子線入射側の寸法を、設計値に対して−０．８μｍ〜＋０．３μｍ（好ましくは−０．５μｍ〜＋０．２μｍ）の範囲内とすることが好ましい。
　これらの開口寸法が設計値に対して０．３μｍを超えて大きい場合には、良好なデバイスパターンの形成が難しく、レジストの解像性が低下してしまう。また、これらの開口寸法が設計値に対して０．８μｍを超えて小さい場合、電子のドーズ量を多くすることによって個々のパターンを解像することは可能であるが、各種（サイズ、形状）パターン毎にドーズ量の必要以上（通常以上）の調整が加わり、描画時間の延長につながり実用的でない。なお、これらの開口寸法は設計値どうりであることが最も好ましい。これらの開口寸法が設計値に対して−０．８μｍ〜＋０．３μｍの範囲内であれば、良好なデバイスパターンの形成が可能である。したがって、この範囲は設計値に対する開口寸法の余裕である。なお、この数値範囲は縮小率が１／３０以下である場合の範囲であり、縮小率が大きくなれば、その倍率に比例してこの数値範囲は大きくなる。
　　　【００４９】
　本発明のパターン転写方法では、上述した第一発明の転写マスクにおいて、ディバイスパターン転写用の開口のうちで０．２μｍ以下のデバイスパターンを形成するための開口、又は描画に必要な全ての開口のビーム入射側の寸法を、設計値に対して数％（０〜１０％）小さくした転写マスクを用い、かつ、設計値寸法に対応したドーズ量より実際のドーズ量を数％（０〜１０％）増やして転写を行う。
　これにより、デバイス特性を満足できる転写精度を確保でき、実用上極めて有用である。すなわち、開口寸法が設計値より少しでも大きく開口の断面形状が逆テーパ形状であると解像度が低下するが、開口の断面形状が逆テーパ形状であっても、開口寸法が設計値に対して０〜１０％の範囲であれば、適切なドーズ量あるいはドーズ量を若干増やすことで、デバイス特性を満足できる転写精度を確保できることを見い出した。
　　　【００５０】
　本第二発明の転写マスクは、図３に示すように、開口の断面形状を、ビームの入射側から０〜３μｍ（好ましくは０〜２μｍ、より好ましくは０〜１μｍ）の深さまではテーパ角を９０°〜８８°とすることで、この部分でビームを成形する。
　ビームの入射側から３μｍの深さまでは開口のサイズ、形状にかかわらずドライエッチングによりテーパ角がほぼ垂直（９０°〜８８°）な開口が得られ、開口寸法を設計値どうりに制御することが容易である。そして、この部分でビームを成形することでほぼ設計値どうりの転写精度を確保できることを見い出した。なお、ビーム入射側から１μｍの深さまでの開口の断面形状がほぼ垂直であればビームコントラストを確保することができ、耐久性も問題はない。
　なお、上記数値範囲（９０°〜８８°）は、部分一括露光装置における縮小率が１／３０以下の場合であって、縮小率が１／５０以下の場合は９０°〜８６°、縮小率が１／１００以下の場合は９０°〜８４°となる。
　一方、３μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超の逆テーパとすることで、順テーパによる開口の寸法精度の低下を避けることができる。この場合、逆テーパ部分の深さ（距離）が短くなる分だけ逆テーパ部分のテーパ角を大きくとることができる。この逆テーパ部分のテーパ角は９０〜９４°、より好ましくは９０〜９２°の範囲とすることが、上記第一発明の転写マスクと同様の理由から好ましい。
　なお、第一発明の転写マスクでは高度な寸法制御性が要求されるが、第二発明の転写マスクでは寸法制御が容易であり、したがって製造が容易である。
　　　【００５１】
　第二発明の転写マスクは、エッチング温度（基板温度を含む）、使用ガス、ガス圧力、高周波印加出力（パワー）などのドライエッチング条件を調節することで、製造できる。この場合、ビーム入射側の垂直部分とそれより深い逆テーパ部分とでドライエッチング条件を変化させる。例えば、所定深さまで順テーパ加工を行った上で、基板温度を変更するか、あるいは、ガス組成を変更する、Ｈｅ圧力を下げる、ＲＦ出力を１．５〜２倍位に上げる等により変化できる。
　　　【００５２】
　第二発明では、開口の断面形状を、ビーム入射側から０〜６μｍ深さまではテーパ角を９０°〜８９°の範囲とし、６μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超とすることもできる。この場合、ビーム入射側からの距離が長いので、その分だけテーパ角を垂直に近くする。
　なお、上記数値範囲（９０°〜８９°）は、部分一括露光装置における縮小率が１／３０以下の場合であって、縮小率が１／５０以下の場合は９０°〜８７°、縮小率が１／１００以下の場合は９０°〜８６°となる。
　　　【００５３】
　上述した第一発明及び第二発明の転写マスクにおいて、開口のテーパ角を制御する方法は特に制限されないが、例えば、順テーパにするには垂直加工条件よりもエッチング時の基板温度を下げるか、あるいは混合ガス系における堆積性のガスを増やせばよく、逆テーパにするには垂直加工条件よりもエッチング時の基板温度を上げるか、あるいは混合ガス系における堆積性のガスを減らす又は増やせばよい。
　例えば、ＳｉＣｌ４／ＳＦ６ガスの場合、ＳｉＣｌ４を増やすかＳＦ６を減らせば順テーパにできる。ＳｉＣｌ４／Ｎ２混合ガスの場合、Ｎ２を増せば順テーパ、Ｎ２を減らせば逆テーパとなる。Ｃｌ２／Ｏ２混合ガスの場合、Ｏ２を増せば順テーパ、Ｏ２を減らせば逆テーパとなる。基板温度の場合、装置の基板温度調整機構の他に、基板温度に影響を与える要因（Ｈｅ圧力、ＲＦ出力、ガス圧力など）を厳密に制御することでテーパ角を制御できる。
　　　【００５４】
　上述した第一発明及び第二発明の転写マスクでは、転写マスクの表面に荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層を設けることができる。
　これにより、開口の断面形状が逆テーパ形状であっても、荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層を設けない場合に比べ、放電性、帯電除去特性等を向上することができる。
　　　【００５５】
　荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層としては、イリジウム（Ｉｒ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ），銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属層等が挙げられる。
　これらの金属は、荷電粒子線遮蔽性を有し、また、荷電粒子線照射時のマスクの耐久性を向上させる。さらに、これらの金属は、良導体であり、電子伝導性や熱伝導性に優れているため、帯電（チャージアップ）によるビームずれの防止や、発熱によるマスクの熱歪み防止効果に寄与できる。
　荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層の形成方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電着法、メッキ法などの薄膜形成方法が挙げられる。
　　　【００５６】
　本発明の転写マスクの製造方法では、シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層の厚さを０．１〜２．０μｍの範囲とすることが好ましい。
　このエッチングマスク層は、シリコン薄膜部上に形成され、リソグラフィー法で開口形状と同じパターンにパターニングされ、シリコン薄膜部に開口を形成する際のマスクとなる。
　エッチングマスク層の厚さが０．１μｍより薄いと、エッチングマスク層とシリコンとのエッチング選択比が十分に大きく深さ１０μｍ以上のエッチング加工が可能であっても、エッチング時の斜め入射イオン等の影響を受けて開口の入り口部分が粗れてしまい（図４）、所定の開口断面形状及び寸法精度を実現できない。
　一方、エッチングマスク層の厚さが２．０μｍより厚いと、エッチングマスク層のドライエッチング後のパターン寸法特性を満足することが困難となるため、寸法精度を満足することが困難である。また、エッチングマスク層が厚くなるに従い、その上に形成するレジストの厚さも厚くする必要があり、レジストパターニング時のパターン寸法精度やコーナーＲ特性（コーナー部分の直角性）を満足することが難しい。
　　　【００５７】
　エッチングマスク層の材質、形成方法等は特に制限されず、従来より公知の各種材質、形成方法が用いられる。
　　　【００５８】
　具体的には、エッチングマスク層としては、ＳｉＯ２層の他、ＳｉＣ層、Ｓｉ３Ｎ４層、サイアロン（ＳｉとＡｌの複合混合物）層、ＳｉＯＮ層などの無機層や、レジスト、感光性フィルムなどの有機層、タングステン、ジルコニウム、チタン、クロム、ニッケルなどの金属、これらの金属を含む合金、あるいはこれらの金属または合金と酸素、窒素、炭素等との金属化合物などの金属層等が用いられる。
　　　【００５９】
　また、エッチングマスク層は各種薄膜形成法によって形成できる。例えば、ＳｉＯ２層の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法、熱酸化法、ＣＶＤ法や、ＳＯＧ（スピン・オングラス）、感光性ガラス、感光性ＳＯＧなどを用いる方法等の薄膜形成方法などが挙げられる。
　　　【００６０】
　エッチングマスク層のパターニングは、リソグラフィー技術を用いて行い、所望の形状にパターニングする。
　具体的には、例えば、エッチングマスク層上にレジストを塗布し、露光、現像によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチングマスク層のドライエッチングを行い、レジストパターンをエッチングマスク層に転写する。なお、エッチングマスク層として感光性ガラスや感光性ＳＯＧなどを用いる場合には、レジストプロセスを省略できる。レジストは、エッチングマスク層のエッチング後除去される。
　エッチングマスク層（ＳｉＯ２層など）のエッチングガスとしては、フロロカーボン系ガス（ＳＦ６／Ｏ２、ＣＦ４／Ｏ２、Ｃ２Ｆ６／Ｏ２等）などが用いられる。
　　　【００６１】
　本発明の転写マスクの製造方法では、シリコン薄膜部に開口を形成する際に、エッチングマスク層をパターニングするためのレジストとしてＥＢレジストを用い、これを電子線を用いた直接描画法で描画してレジストをパターニングすることが好ましい。
　これにより、高い開口パターン精度、ＴＡＴ化（ターン・アラウンド・タイム化）を実現できる。すなわち、開口の寸法精度のみならず、開口パターンにおけるコーナー部分の直角度等を実現するには、レジスト解像性に優れたプロセスが必要であり、ＥＢレジストが適している。また、短ＴＡＴ化の観点からは、フォトリソグラフィー法ではレチクル作製期間等が必要となるためトータル時間延長につながり適さず、電子線を用いた直接描画法で描画することで短ＴＡＴ化を実現できる。
　また、電子線を用いた直接描画法によって転写マスク毎に異なる開口パターンの描画を行うことによって、一枚の基板から異なる開口パターンを有する複数の転写マスクを同時に製造でき、より短ＴＡＴ化を実現できる。
　　　【００６２】
　本発明の転写マスクの製造方法では、パターニングされたエッチングマスク層をマスクとして、ドライエッチング技術により薄膜部を所定の深さにトレンチエッチング加工して、薄膜部に開口を形成する。
　　　【００６３】
　ここで、ドライエッチング方法や条件等は、特に制限されない。エッチング温度（基板温度を含む）、使用ガス、ガス圧力、高周波印加出力（パワー）などのドライエッチング条件を調節することで、開口の断面形状及びビーム入射側の開口寸法等を制御できる。
　　　【００６４】
　シリコン基板のドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、例えば、ＳＦ６ガス、Ｃｌ２／Ｏ２混合ガス、ＳｉＣｌ４／Ｎ２混合ガス等が挙げられる。
　　　【００６５】
　基板温度は使用するエッチングガスにより最適温度が大幅に異なるので一概には言えないが、例えば、エッチングガスがＳＦ６である場合にあっては−１１０〜−１３０℃程度、エッチングガスがＳｉＣｌ４／Ｎ２である場合にあっては２０〜５０℃程度が適当である。
　　　【００６６】
　ガス圧力も使用するエッチングガスにより最適圧力が大幅に異なるので一概には言えないが、例えば、エッチングガスがＳＦ６である場合にあっては１〜５ｍＴｏｒｒ程度、エッチングガスがＳｉＣｌ４／Ｎ２である場合にあっては３０〜４０ｍＴｏｒｒ程度が適当である。
　　　【００６７】
　ドライエッチング方法としては、例えば、エッチング反応生成物（ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ等）で側壁のエッチングを防ぎつつトレンチエッチングを行う側壁保護エッチング（ガス圧５０ｍＴｏｒｒ程度）、低温（−１３０℃程度、ガス圧２０ｍＴｏｒｒ以下）で側壁のエッチングを防ぎつつトレンチエッチングを行う極低温エッチング、などを使用できる。これらのエッチング技術と本発明を組み合わせることで、テーパ角のより高度な制御が可能となる。
　　　【００６８】
　本発明の転写マスクの製造方法では、基板裏面をエッチングにより加工して支持枠部に支持された薄膜部を形成できる。
　シリコン基板裏面の加工は、製造コストおよび加工時間等の観点からはウエットエッチングにより行うことが好ましい。
　　　【００６９】
　シリコン基板裏面をエッチング加工するには、例えば、基板裏面にウエットエッチングマスク層を形成し、このウエットエッチングマスク層をリソグラフィー技術によってパターニングした後、基板裏面をエッチング液に浸し、基板裏面のエッチングを行なえばよい。
　　　【００７０】
　本発明の転写マスクの製造方法では、あらかじめ基板上に金属層等を形成しておき、この金属層およびシリコン薄膜部を連続的にドライエッチングして開口を形成することもできる。
　このように金属層およびシリコン薄膜部を連続的にドライエッチングして開口を形成すると、荷電粒子線遮蔽性及び／又は導電性を有する物質の層を含めた開口部の形成を連続ドライエッチングにより一工程でしかも短時間で行うことができるとともに、高精度な開口部を容易に形成することができる。
　　　【００７１】
　　【実施例】
　以下、実施例にもとづき本発明をさらに詳細に説明する。
　　　【００７２】
実施例１
　図５は本発明の転写マスクの製造工程の一例を示す工程説明図である。
　　　【００７３】
　図５に示すように、シリコン基板１０の全表面に、ＣＶＤ法により厚さ１．５μｍのＳｉＯ２層１１を形成した（図５（ａ））。
　　　【００７４】
　続いて、基板上面上のＳｉＯ２層１１上にＥＢレジストを塗布、熱処理し、２．０μｍ□、３．０μｍ□、４．０μｍ□、５．０μｍ□の開口パターンと、２．０μｍ幅、３．０μｍ幅、４．０μｍ幅、５．０μｍ幅の細線状の開口パターンとを、ＥＢ装置で描画（露光）した。これを現像してレジストパターンを形成した（図示せず）。
　　　【００７５】
　次いで、上記レジストパターンをマスクとして、基板表面上のＳｉＯ２層１１をドライエッチングして、パターン転写を行い、パターニングされたＳｉＯ２層１１（エッチングマスク層）を形成した（図５（ｂ））。なお、ドライエッチングは、エッチングガスＣ４Ｈ８／Ｏ２／Ａｒ、ガス圧力３０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ出力５００Ｗの条件で行った。
　　　【００７６】
　レジストを除去した後、上記パターニングされたＳｉＯ２層１１をマスクとして、ドライエッチングにより、シリコン基板１のトレンチエッチングを行って、開口パターンを形成した（図５（ｃ））。なお、装置にはＲＩＥを用い、ガスはＳｉＣｌ４／Ｎ２、圧力４５ｍＴｏｒｒ、出力４５０Ｗとした。
　　　【００７７】
　続いて、裏面ＳｉＯ２層１１をレジストを用いたリソグラフィー法によってパターニングし、このパターニングされた裏面ＳｉＯ２層１１をマスクとして、エチレンジアミン／ピロカテコール（カテコール）／水からなるアルカリ系水溶液により、基板１０の裏面を所定の大きさ、形状にエッチング加工して支持枠部および薄膜部を形成した（図５（ｄ））。その際、基板上面の開口部分は樹脂層（図示せず）により保護した。なお、薄膜部の厚さは、２０μｍとした。
　　　【００７８】
　最後に、不必要となったＳｉＯ２層１１を緩衝フッ酸で除去して、支持枠部１に支持された薄膜部２に開口３を形成してなる転写マスクを得た（図５（ｅ））。
　　　【００７９】
　得られた転写マスクの開口部のビーム入射側の開口寸法、テーパ角を調べた。この結果、２〜５μｍのサイズの小さい開口の断面形状が若干逆テーパ形状であっても、ビーム入射側の開口寸法はほぼ設計値どうりであった。また、このビーム入射側の開口で成形されたビームはほぼ設計値どうりの転写精度を満足することが確認された。
　　　【００８０】
実施例２
　開口のビーム入射側の寸法を、設計値に対して　３％小さくした転写マスクを作製し、この転写マスクを用いて設計値寸法に対応したドーズ量より実際のドーズ量を３〜５％増やして転写を行ったこと以外は実施例１と同様にして転写精度を調べた。
　その結果、デバイス特性を満足できる転写精度を満足することが確認された。
　　　【００８１】
実施例３
　２〜１００μｍまでの転写マスク上のすべての開口の断面形状を、荷電粒子線入射側から０〜３μｍの深さまではテーパ角を９０°〜８８°の範囲とし、３μｍより深い部分ではテーパ角を９０°超としたこと以外は実施例１と同様にして転写精度を調べた。
　その結果、すべてのサイズの開口について正確に設計値レベルの転写精度を満足することが確認された。
　　　【００８２】
　以上好ましい実施例をあげて本発明を説明したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるものではない。
　　　【００８３】
　例えば、本発明の転写マスクは、電子線露光用のマスクの他、イオンビーム露光用マスクやＸ線露光用マスク等としても利用できる。
　　　【００８４】
　　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、高い転写精度を実現しうる転写マスク及び転写方法等を提供をできる。
　　　【００８５】
　また、開口の大小にかかわらずすべての開口の断面形状の垂直性を追求する場合に比べ、製造時間が短く、製造が容易で、コストも安価で済む。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の転写マスクの模式的断面図である。
　　【図２】
　本発明における開口パターンの断面形状を説明するための部分拡大断面図である。
　　【図３】
　本発明における開口パターンの断面形状の他の態様を説明するための部分拡大断面図である。
　　【図４】
　エッチングマスク層が薄い場合の状況を説明するための部分拡大断面図である。
　　【図５】
　本発明による転写マスクの製造工程の一例を示す工程説明図である。
　　【図６】
　従来の開口パターンの断面形状を説明するための部分拡大断面図である。
　　【符号の説明】
　　１　支持枠部
　　２　薄膜部
　　３　開口
　１０　シリコン基板
　１１　ＳｉＯ２層