【事件の表示】
　特許第２８５６７８９号「アクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８５６７８９号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
  本件特許第２８５６７８９号に係る出願は、平成１年１１月７日に出願され、平成１０年１１月２７日にその設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１月４日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年５月２６日に意見書の提出がなされ、再度の訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月１９日に意見書の提出がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正の内容は、特許請求の範囲の請求項１、
「絶縁基板の一主面上に複数本の走査線及び信号線をマトリクス状に交差させ、この交差付近に薄膜トランジスタ及びこれに接続される表示画素電極及び電荷蓄積容量からなる一画素を配してなるアレイ基板と、絶縁基板の一主面上に対向電極を形成してなる対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板を互いの前記一主面側が対向するように組み合わせて得られる間隙に挟持してなる液晶層とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法において、前記電荷蓄積容量は蓄積容量用電極と前記薄膜トランジスタを構成する半導体層とを用いて構成され、前記電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるように、前記信号線と前記蓄積容量用電極との電位関係を設定することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法。」
を、
「絶縁基板の一主面上に複数本の走査線及び信号線をマトリクス状に交差させ、この交差付近に薄膜トランジスタ及びこれに接続される表示画素電極及び電荷蓄積容量からなる一画素を配してなるアレイ基板と、絶縁基板の一主面上に対向電極を形成してなる対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板を互いの前記一主面側が対向するように組み合わせて得られる間隙に挟持してなる液晶層とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法において、前記電荷蓄積容量は蓄積容量用電極と前記薄膜トランジスタを構成する半導体層とを用いて構成され、前記信号線の映像信号電圧の最大値をＶsig（max）、前記蓄積容量用電極の電位をＶcs、前記電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域をとるための最小電圧値をＶod、前記薄膜トランジスタのゲートとソースとの間の寄生容量に起因して、前記走査線電圧がオンからオフに切り替わる際に生じる前記表示画素電極電位のシフト量を△Ｖpとすると、前記信号線と前記蓄積容量用電極との電位関係は、前記電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるように、
　［Ｖcs−｛Ｖsig（max）−△Ｖp｝］≧Ｖod
の関係に設定されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法。」
と訂正し、明細書を、請求項１の訂正に整合するように訂正するものである。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許請求の範囲の請求項１の訂正は、「前記電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるように、前記信号線と前記蓄積容量用電極との電位関係を設定する」を、具体的に数式による条件式を用いて限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、該条件式は、明細書の第１６頁第１４行に記載されているものであるから、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　また、明細書の訂正は、特許請求の範囲の請求項１の訂正に整合させるための訂正であるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　
（３）独立特許要件の検討
　訂正後の請求項１に記載された発明（以下、訂正発明という。）の独立特許要件について検討する。
　
（引用例）
　取消理由通知に引用した、本件出願前公知である刊行物１：特開昭６２一１０６１９号公報には、
「（１）複数のデータ線、複数のゲート線、該ゲート線によって導通・非導通を制御される薄膜トランジスタ群及び該薄膜トランジスタ群を介してデータ線に接続される液晶セル群より成るアクティブマトリクスパネルにおいて、前記液晶セルより成るキャパシタと並列に、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一構造の絶縁膜を用いて形成されたＭＯＳキャパシタを設けたことを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
（２）前記ＭＯＳキャパシタは、一方の電極を画素電極に、他方の電極を、縦方向に隣接する画素のゲート線又は一定電位のラインに接続したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクティブマトリクスパネル。
（３）前記ＭＯＳキャパシタのサブストレートは不純物ドープされないシリコン薄膜としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクティブマトリクスパネル。
（４）前記ＭＯＳキャパシタのサブストレートはＰ型又はＮ型に不純物ドープされたシリコン薄膜としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクティブマトリクスパネル。」（特許請求の範囲）、
「第３図において、２６は透明基板、２７、２８は第１のシリコン薄膜、２９、３０はゲート絶縁膜、３１、３２は第二のシリコン薄膜、３３は層間絶縁膜、３４は透明導電膜、３５は液晶、３６は対向電極である。２７、２９、３１は、それぞれ、薄膜トランジスタ２１のサブストレート、ゲート絶縁膜、ゲートであり、２８、３０、３２は、それぞれ、ＭＯＳキャパシタ２３のサブストレート、ゲート絶縁膜、ゲートである。」（公報第３頁左上欄第２行〜第１１行）、
「第４図において、４５は透明基板、４６、４７は第１のシリコン薄膜、４８、４９はゲート絶縁膜、５０、５１は第２のシリコン薄膜、５２は層間絶縁膜、５３は透明導電膜、５４は液晶、５５は対向電極である。４６、４８、５０は、それぞれ、第２図の薄膜トランジスタ３９のサブストレート、ゲート絶縁膜、ゲートであり、４７、４９、５１は、それぞれ、第２図のＭＯＳキャパシタ４１のサブストレート、ゲート絶縁膜、ゲートである。」（公報第３頁右上欄第３行〜第１２行）、
「第５図は、縦方向に隣あった二つの画素を示した図であり、５８、５９、６０はゲート線、６１はデータ線、６２、６３は定電位線である。定電位線６２、６３はＭＯＳキャパシタ６４，６５がＯＮ状態となる電位に固定される。」（公報第３頁右上欄第１８行〜左下欄第２行）、
「また、電荷保持用のＭＯＳキャパシタを常にＯＮ状態に保つための定電位線を設けたことによって、電荷保持用キャパシタを作るための特別な製造プロセスを一切必要とせず、従来どうりのプロセスで製造可能となる。」（公報第３頁右下欄第５行〜第９行）と記載されており、
　第３図及び第４図には、ＭＯＳキャパシタは．サブストレート、ゲート絶縁膜及びゲートで構成され、第３図ではゲートが透明導電膜に電気的に接続された第２のシリコン薄膜、サブストレートが定電位線に接続された、薄膜トランジスタを構成する半導体層である第１のシリコン薄膜からなり、第４図ではサブストレートが薄膜トランジスタを構成する半導体層である第１のシリコン薄膜の延長部、ゲートが定電位線に接続された第２のシリコン薄膜からなることが示されており、また、第８図には、複数のゲート線５、６、７及び複数のデータ線８、９、１０がマトリクス状に交差し、その交差付近に薄膜トランジスタ１１、１２、１３、１４及びこれに接続される液晶セル１５、１６、１７、１８を配置することが示されている。
　よって、刊行物１には、
「透明基板上に複数のデータ線、複数のゲート線をマトリクス状に交差させ、その交差付近に、該ゲート線によって導通・非導通を制御される薄膜トランジスタ群及び該薄膜トランジスタ群を介してデータ線に接続される液晶セル群を配置し、これと対向電極との間に封入した液晶よりなるアクティブマトリクスパネルの駆動方法において、前記液晶セルよりなるキャパシタと並列に、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一構造の絶縁膜及び薄膜トランジスタを構成する半導体層を用いて形成されたＭＯＳキャパシタを設け、前記ＭＯＳキャパシタは、一方の電極を画素電極に、他方の電極を、定電位線に接続し、定電位線はＭＯＳキャパシタが常にＯＮ状態となる電位に固定するアクティブマトリクスパネルの駆動方法」の発明（以下、引用発明という。）が記載されている。
　同じく、刊行物２：特開昭６２一１７８２９６号公報には、
「（１）絶縁基板上に設けられた、ゲート線群、ソース線群、該ゲート線群及びソース線群を駆動する薄膜ドライバー回路、及び該ゲート線とソース線の交点に設けられた薄膜トランジスタアレイによって液晶を駆動して成るアクティブマトリクスパネルにおいて、該ソース線を駆動する薄膜ドライバー回路は、薄膜トランジスタより成る走査回路と、薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタと同一構造のＭＯＳ型キャパシタより成るサンプルホールド回路とを具備して成ることを特徴とするアクティブマトリクスパネル。
（２）前記ＭＯＳ型キャパシタは、エンハンスメント型ＭＯＳキャパシタであり、そのゲート電極もしくはサブストレート電極は該ＭＯＳキャパシタがオンする電位に設定されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクティブマトリクスパネル。
（３）前記ＭＯＳ型キャパシタは、サブストレート部に不純物ドープされたデプレッション型ＭＯＳキャパシタであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアクティブマトリクスパネル。」（特許請求の範囲）、
「ＴＦＴ３は、ソース・ドレインを成す不純物ドープされた第一のシリコン薄膜２２、２３、チャネル部を成す不純物ドープされない第一のシリコン薄膜２４、ゲート絶縁膜２５、ゲート電極を成す第二のシリコン薄膜２６、層間絶縁膜２７、配線２８、２９により絶縁基板２１の上に構成されており、前記ＭＯＳ型キャパシタ４は、サブストレート電極を成す不純物ドープされない第一のシリコン薄膜３０、ゲート絶縁膜３１、ゲート電極を成す第二のシリコン薄膜３２より絶縁基板２１の上に構成されている。」（公報第２頁右下欄第１０行〜第２０行）、
「ＭＯＳ型キャパシタ４は第５図に示す様な特性を有する。定電位線５は、例えば第４図の５５に示す様な電位、即ち、ＶＧＳ１、ＶＧＳ２＞ＶＴＨを満たし常にＭＯＳキャパシタ４をオン状態に保つ様な電位に設定されているため、ＭＯＳキャパシタ４は容量値Ｃoxのホールド容量として動作する。」（公報第３頁左上欄第１３行〜第１９行）と記載されており、
　第４図には、表示信号が正負に極性反転されて表示部へ供給されること及びこの映像信号の電位に対するＭＯＳ型キャパシタのゲートに接続された定電位線の電位の関係が示されており、第５図には、ＭＯＳ型キャパシタの電極間印加電圧ＶＧＳと蓄積容量の関係が示されており、印加電圧ＶＧＳがＶＴＨを越えると、容量は最大容量Ｃoxとなることが示されている。
　
（対比）
　訂正発明と、引用発明とを対比すると、引用発明の透明基板は絶縁性のものであり、また、引用発明においても、対向電極を形成した対向基板があることは自明であるから、両者は、
「絶縁基板の一主面上に複数本の走査線及び信号線をマトリクス状に交差させ、この交差付近に薄膜トランジスタ及びこれに接続される表示画素電極及び電荷蓄積容量からなる一画素を配してなるアレイ基板と、絶縁基板の一主面上に対向電極を形成してなる対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板を互いの前記一主面側が対向するように組み合わせて得られる間隙に挟持してなる液晶層とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法において、前記電荷蓄積容量は蓄積容量用電極と前記薄膜トランジスタを構成する半導体層とを用いて構成されているアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法」
である点で一致しており、
　訂正発明では、「前記信号線の映像信号電圧の最大値をＶsig（max）、前記蓄積容量用電極の電位をＶcs、前記電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域をとるための最小電圧値をＶod、前記薄膜トランジスタのゲートとソースとの間の寄生容量に起因して、前記走査線電圧がオンからオフに切り替わる際に生じる前記表示画素電極電位のシフト量を△Ｖpとすると、前記信号線と前記蓄積容量用電極との電位関係は、前記電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるように、
　［Ｖcs−｛Ｖsig（max）−△Ｖp｝］≧Ｖod
の関係に設定されている」のに対し、引用発明では、「ＭＯＳキャパシタは、一方の電極を画素電極に、他方の電極を、定電位線に接続し、定電位線はＭＯＳキャパシタが常にＯＮ状態となる電位に固定され」ているが、各電位の関係及び電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるか否かについての記載はない点、
で相違している。
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
　刊行物２には、ＭＯＳ型キャパシタの電極間印加電圧ＶＧＳと蓄積容量の関係が示され、印加電圧ＶＧＳがＶＴＨを越えると、容量は最大容量Ｃoxとなること、ＭＯＳ型キャパシタの電極に接続した定電位線の電位と、表示信号の電位との差を常にＶＴＨより大きくし、常にＭＯＳキャパシタをオン状態に保つ電位に設定することにより、ＭＯＳキャパシタを最大容量値Ｃoxのホールド容量として動作させること、が記載されており、これらの記載から、引用発明における「ＭＯＳキャパシタは、一方の電極を画素電極に、他方の電極を、定電位線に接続し、定電位線はＭＯＳキャパシタが常にＯＮ状態となる電位に固定」するとの構成要件は、ＭＯＳキャパシタの電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるように、信号線と蓄積容量用電極との電位関係を設定するための構成要件であるものと認められる。
　そして、走査線選択電圧と走査線非選択電圧との差電圧をΔＶg、ＴＦＴのゲートとソースの間の寄生容量をＣgs、液晶層の容量をＣlc、電荷蓄積容量をＣsとしたとき、「薄膜トランジスタのゲートとソースとの間の寄生容量に起因して、走査線電圧がオンからオフに切り替わる際に生じる表示画素電極電位のシフト量△Ｖp」が、ΔＶp＝ΔＶg×｛Ｃgs／（Ｃgs＋Ｃlc＋Ｃs）｝で表される量だけ発生することは周知である（必要なら、特開昭６３−２１６０３０号公報及び特開昭５９−７３４４号公報参照）から、引用発明において、定電位線の電位をＭＯＳキャパシタを常にＯＮ状態にするように設定する際に、従来周知の画素電極電位のシフト量を考慮し、訂正発明の如き条件式を設定することは、当業者ならば、容易に想到し得たものと認められる。
　
　これに関して、特許権者は、平成１２年１２月１９日付け意見書において、概略以下のように主張している。
　刊行物１には、定電位を設定するに当たり、各電位の関係及びＭＯＳキャパシタがその容量、電圧特性における最大容量領域となるか否かについての具体的記載やシフト量に関する記載はない。一方、刊行物２のＭＯＳキャパシタは、サンプルホールド回路の一部を構成するものであり、画素電極との関連性やシフト量に関する記載もないから、刊行物１に適用することは容易でなく、シフト量を考慮することも容易でない。
　しかしながら、刊行物２は、刊行物１の、「ＭＯＳキャパシタは、一方の電極を画素電極に、他方の電極を、定電位線に接続し、定電位線はＭＯＳキャパシタが常にＯＮ状態となる電位に固定」するとの構成要件を明らかにするための証拠であり、刊行物２の上記「ＭＯＳ型キャパシタの電極間印加電圧ＶＧＳがＶＴＨを越えると、容量は最大容量Ｃoxとなること、ＭＯＳ型キャパシタの電極に接続した定電位線の電位と、表示信号の電位との差を常にＶＴＨより大きくし、常にＭＯＳキャパシタをオン状態に保つ電位に設定することにより、ＭＯＳキャパシタを最大容量値Ｃoxのホールド容量として動作させる」旨の記載から、刊行物１の前記構成要件は、「ＭＯＳキャパシタの電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるように、信号線と蓄積容量用電極との電位関係を設定するための構成要件」であることを明らかにしたものである。
　それ故、刊行物２のＭＯＳキャパシタがサンプルホールド回路を構成するものであることは、刊行物２の前記証拠能力を阻害するものとはならない。
　また、シフト量に関しては、アクティブマトリクス型液晶表示素子において、「薄膜トランジスタのゲートとソースとの間の寄生容量に起因して、走査線電圧がオンからオフに切り替わる際に生じる表示画素電極電位のシフト量△Ｖp」が、本件特許明細書に記載されているような式で表される量だけ発生することは周知であることを周知例により示し、引用発明において、定電位線の電位をＭＯＳキャパシタを常にＯＮ状態にするように設定する際に、画素電極電位にオンオフの切り替え時にシフトが発生することは周知なのであるから、定電位線の電位を該シフトが発生してもＯＮ状態となる電位に固定すべく、訂正発明の如き条件式を設定することは、当業者ならば容易に想到し得た、と判断したものである。
　よって、特許権者の主張は採用できない。
　
　以上のとおり、訂正発明は、引用発明及び公知・周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正請求は認められない。
　
３．特許異議の申立について
（１）請求項に係る発明
　本件特許第２８５６７８９号の請求項１ないし請求項３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３に記載された、
「【請求項１】絶縁基板の一主面上に複数本の走査線及び信号線をマトリクス状に交差させ、この交差付近に薄膜トランジスタ及びこれに接続される表示画素電極及び電荷蓄積容量からなる一画素を配してなるアレイ基板と、絶縁基板の一主面上に対向電極を形成してなる対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板を互いの前記一主面側が対向するように組み合わせて得られる間隙に挟持してなる液晶層とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法において、前記電荷蓄積容量は蓄積容量用電極と前記薄膜トランジスタを構成する半導体層とを用いて構成され、前記電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるように、前記信号線と前記蓄積容量用電極との電位関係を設定することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法。
【請求項２】前記信号線に印加される映像信号は前記対向電極の対向電極電位に対し反転されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法。
【請求項３】前記電荷蓄積容量は、前記映像信号が前記対向電位に対して正側及び負側のいずれに対しても、その容量・電圧特性における最大容量領域となるように設定されていることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動方法。」
と認める。
　
（２）対比・判断
Ａ．請求項１に係る発明について
　本件の請求項１に係る発明は、前記訂正発明と対比して、「前記電荷蓄積容量がその容量・電圧特性における最大容量領域となるように、前記信号線と前記蓄積容量用電極との電位関係を設定する」具体的な条件式からなる構成要件を有さないが、その他の構成要件はすべて一致したものであるから、訂正発明と同様に、引用発明及び公知・周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
Ｂ．請求項２に係る発明について
  請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明を、「信号線に印加される映像信号は対向電極の対向電極電位に対し反転されている」と限定したものであるが、映像信号を対向電極の対向電極電位に対し反転することは、刊行物２の第４図や前記特開昭５９−７３４４号公報にも示されているように、液晶の交流駆動として本件出願前周知の技術であるから、請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明と同様に、引用発明及び公知・周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、請求項２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
Ｃ．請求項３に係る発明について
  請求項３に係る発明は、請求項２に係る発明を、「電荷蓄積容量は、映像信号が対向電位に対して正側及び負側のいずれに対しても、その容量・電圧特性における最大容量領域となるように設定されている」と限定したものであるが、上記の如く、液晶の交流駆動は本件出願前周知の技術であり、引用発明において、交流駆動をした場合には、映像信号が対向電位に対して正側及び負側のいずれに対しても、定電位線はＭＯＳキャパシタが常にＯＮ状態となる電位に固定することは当然である（刊行物２には第４図に関連して、定電位線をＶＧＳ１、ＶＧＳ２＞ＶＴＨを満たし常にＭＯＳキャパシタをオン状態に保つ電位に設定することが示されている）から、請求項３に係る発明は、請求項２に係る発明と同様の理由により、引用発明及び公知・周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、請求項３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
４．むすび
  よって、本件の請求項１ないし請求項３に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１９日（２００１．１．１９）