【事件の表示】
　特許第２８４７２２８号「半導体治具材料の評価方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８４７２２８号の特許を維持する。
【理　由】
［１］本件発明
　本件特許第２８４７２２８号（平成５年１２月２２日出願、平成１０年１１月６日設定登録）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「プロセスチューブ内に設けた高純度石英又は高純度炭化珪素からなるウエハボート上に、モニター用ウエハとウエハ状に加工した半導体治具材料の成形体とを併立させて熱処理を行い、モニター用ウエハの特性を測定することを特徴とする半導体治具材料の評価方法。」
　
［２］特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人  堀田雄次は、証拠として、
甲第１号証：「１９９３年（平成５年）春季　第４０回応用物理学関係連合講演会講演予稿集　第２分冊」１９９３年３月２９日（社）応用物理学会発行、第６５７頁
甲第２号証：「月刊　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９９２−６」第５８頁〜第６５頁
甲第３号証：特公昭５２−３４１８９号公報
を提示して、本件発明は甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである旨主張する。
　
［３］甲各号証の記載事項
　特許異議申立人が提示した甲各号証にはそれぞれ下記の事項が記載されている。
　
（甲第１号証）
　酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）の汚染評価についての序として、
　「序　酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）は誘電率が極めて高いため、次期メモリデバイスでは容量絶縁膜の１つとして検討されている。しかし、酸化タンタルはＬＳＩ材料として新しく、実用化に際してはＬＳＩ製造プロセスでの汚染も評価する必要がある。本報告では酸化タンタルのＬＳＩ製造ラインにおける汚染評価を行ったので報告する。」（第６５７頁第５〜７行）
　酸化タンタルのＬＳＩ製造ラインにおける汚染評価の実験として、
　「実験　［１］熱転写評価：Ｐ型ＳｉウエハにＬＰＣＶＤで酸化タンタルを約１０００Å成膜し、この成膜ウエハに対して鏡面が隣接するように清浄ウエハを設置した後、熱転写のため酸素または窒素雰囲気（７００〜９００℃）で１時間熱処理した。Ｔａが熱転写された側のウエハについて１．転写量、２．少数キャリアライフタイム、３．膜中電荷量、４．ＴａのＳｉウエハ深さ方向の分布について調べた。転写量はＦＩ−ＩＣＰ−ＭＳで測定した。」（第６５７頁第８〜１２行）
　
（甲第２号証）
　石英、ＳｉＣなどの拡散炉用治具材料についての新しい純度評価方法について、
　「今回我々は、石英、ＳｉＣなどの拡散炉用治具材料についての新しい純度評価方法として、サンドイッチアニール法を開発した。この方法により、治具材料から高温で放出される金属不純物を検出することが可能になり、その結果、拡散炉内の治具の材質によってウェーハが汚染されることが確かめられた。」（第５８頁左下欄第１０〜１５行）
　前記サンドイッチアニール法による金属不純物を検出する方法と、金属不純物による影響を評価する方法について、
　「サンドイッチアニール法は、材料から放出される金属不純物を検出する方法と、放出された金属不純物による影響をライフタイムで評価する方法から成る。
　図１は金属不純物の検出方法である。厚さ１００ｎｍのシリコン窒化膜をＣＶＤ法により成長させたシリコンウェーハを、ウェーハと同一の口径を持つ厚さ５ｍｍの評価用治具材料から成る円盤によってはさみ、窒素雰囲気の拡散炉内で所定の温度で数時間アニールする。この過程で、円盤から放出された金属不純物はシリコン窒化膜中に取り込まれる。アニール後、シリコン窒化膜付きウェーハを取り出し、フッ酸によって窒化膜を溶解し、原子吸光分析にて溶液中の金属不純物を検出する。今回分析した元素は、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌの８元素である。
　図２はライフタイムの評価方法である。厚さ５０ｎｍの熱酸化膜を成長させたシリコンウェーハ（ｎ型、１０Ω・ｃｍ）を同様にはさみ、アニールする。アニール後、熱酸化膜をフッ酸で溶解し、再度、厚さ２５ｎｍの熱酸化膜を成長させ、４５０℃、窒素・水素雰囲気で３０分間アニールした後、μ−ＰＣＤ法によりウェーハ全面についてライフタイムを測定する。」（第５８頁左欄第２１行〜右欄第１２行）
　サンドイッチアニール法の特長について、
　「サンドイッチアニール法は、
　１．実際に使用される温度での治具材料のウエーハに対する汚染の影響を評価できる。
　２．ウエーハと円盤を密着させるため、雰囲気の影響を受けない。
　３．シリコン窒化膜を用いることにより、高い検出感度が得られる。
　４．円盤の形状を揃えることにより、材料間の相対比較が可能となる。
などの特長を有し、」（第５８頁右欄下から３行〜第５９頁左欄第７行）
　評価する治具材料について、
　「拡散炉用治具材料として、今回、半導体熱処理プロセス用高純度石英、およびＣＶＤ−ＳｉＣで被覆した焼結ＳｉＣを評価した。」（第５９頁左欄第１３〜１５行）
　
（甲第３号証）
　従来の拡散用保持具の材質について、
　「従来の拡散用保持具の材質は耐熱性と、ウエーハに対して化学的に反応しない特性を有する石英ガラスが用いられている。」（第２欄第７〜９行）
　石英製のウエーハ保持具について、
　「本発明は（「本発明に」は明らかな誤記である。）シリコンによって保持具を形成し、これの表面にシリコンの酸化膜を形成したことを特徴とするものである。
　以下図面を参照して本発明の実施例を説明する。
　第１図は最も簡単な構造の保持具を示す斜視図で、本体１の上面には三日月状の円弧溝２が多数個設けられている。この円弧溝２の円弧はウエーハの外周の円弧に一致しておりウエーハの先端を挿入することができ、また多数のウエーハを保持するために平行に設けてある。」（第２欄第２６〜３５行、）
　
［４］対比・判断
　本件発明と上記甲第２号証に記載のものとを対比すると、甲第２号証に記載の「シリコンウエーハ」、及び「拡散炉用治具材料」或いは「評価用治具材料」は、それぞれ本件発明の「モニター用ウエハ」、及び「半導体治具材料」に相当するから、両者は、モニター用ウエハとウエハ状に加工した半導体治具材料の成形体とを設置して熱処理を行い、モニター用ウエハの特性を測定する半導体治具材料の評価方法の点で一致し、前記モニター用ウエハと前記成形体の設置形態が、本件発明では、プロセスチューブ内に設けた高純度石英又は高純度炭化珪素からなるウエハボード上に併立させて、すなわちモニター用ウエハと成形体とを直接接触しないように所定の間隔を保ってウエハボード上に立たせている（本件特許掲載公報【００１０】、【００１４】等参照）のに対して、甲第２号証に記載のものは、シリコンウエーハを評価用治具材料から成る円盤によって密着状態ではさむ点で相違する。
　そこで、上記の相違点について、以下、検討する。
　上記甲第１号証には、ＬＳＩ材料としての酸化タンタルのＬＳＩ製造ラインにおける汚染評価の方法として、酸化タンタルの成膜ウエハに対して、清浄ウエハを鏡面を隣接するように設置して熱処理し、酸化タンタルが熱転写された側のウエハについて転写量や小数キャリアライフタイム等の特性を測定し評価することが開示されているものの、甲第１号証に記載された「隣接」及び「熱転写」は、いずれも対象となるものの双方が接していること示す（「広辞苑」岩波書店、「印刷工学便覧」技報堂（株）参照）ものであって、成膜ウエハと清浄ウエハが直接接触せずに離間して設置されていることを裏付ける根拠は甲第１号証の記載からは見当たらない。
　また、ウエハボードは本件図面の図１や上記甲第３号証に記載されている保持具のように、多数のウエーハを離間して収納するためのものであるとしても、甲第１号証の記載では、成膜ウエハと清浄ウエハをウエハボードに設置することは示唆されているとすることはできない。
　さらに、本件発明において、ウエハーボードの材質として高純度石英や高純度炭化珪素を用いるのは、評価結果に誤差を生じさせないようにするためのものであるが、これについても甲第３号証を含めて甲各号証のいずれにも示すものはない。
　ところで、異議申立人は、（ａ）甲第１号証に記載のものは本件発明と同一技術分野であること、（ｂ）甲第１号証に記載された前記成膜ウエハと清浄ウエハは直接接触せずに設置されていること、（ｃ）高純度石英又は高純度炭化珪素からなるウエハボードを用いる点は、甲第３号証を引用するまでもなく慣用技術であり、甲第１号証に記載のものはこの点を暗示していること、及び（ｄ）効果においても本件発明と甲第１号証に記載のものは格別な差異はないことを主張している（特許異議申立書第６頁第１〜２３行等参照）。
　しかしながら、上記（ａ）、（ｄ）については、本件発明は半導体治具材料の評価方法であるのに対して、甲第１号証に記載の評価方法は、ＬＳＩ材料としての酸化タンタルのＬＳＩ製造ラインにおける汚染の評価方法であって、両者の評価方法の対象は異なり、その効果も相違するものである。また、上記（ｂ）、（ｃ）については、すでに検討したとおりである。
　このように、前記相違点について、本件発明の構成は甲各号証のいずれにも記載がなく、示唆するところもないから、本件発明は、甲各号証に記載のものから容易に想到することはできない。
　そして、本件発明は前記相違点の構成を具備することにより、直接接触させることで、評価用のモニター用ウエハを傷付けるということがなく、高温熱処理中に半導体治具材料から放出される金属不純物を容易かつ高感度に検出することができるとともに半導体特性への影響を明確化することが可能になるという、甲各号証に記載のものから予測し得ない明細書記載の格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
［５］　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由によっては本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認められない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月２３日（２０００．５．２３）