【事件の表示】
　特許第２８９５７４３号「ＳＯＩ基板の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８９５７４３号の特許を取り消す。
【理　由】
一.手続の経緯
　本件特許第２８９５７４３号の発明は、平成６年３月２５日に出願され、平成１１年３月５日に設定登録され、その後、平成１１年１１月２４日に西塚保遠より特許異議申立がなされ、平成１２年２月１６日付で取消理由通知をし、その指定期間内である平成１２年４月１８日に訂正請求がなされ、それに対して平成１２年５月１０日付で訂正拒絶理由通知をしたものである。
二.訂正の適否の判断
(1)訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲請求項１に記載された下記の事項により特定されるとおりのものである。
　「２枚のシリコンウエーハを、該シリコンの酸化膜を介して結合させたＳＯＩ基板の製造方法であって、
（１）格子間酸素濃度が１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ規格）以下の第１のシリコンウエーハ（チョクラルスキー法で得られた単結晶シリコンからなるもの。ただし、イントリンシックゲッタリング処理を行ったものを除く）の表面に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成し、
（２）前記第１のシリコンウエーハを、前記シリコン酸化膜を介して、これを支持する台材となる第２のシリコンウエーハに重ね合わせて、熱処理することにより結合ウエーハを得、
（３）該結合ウエーハの第１のシリコンウエーハ側を研削、研磨することにより、第２のシリコンウエーハ上にシリコン酸化膜を介して厚さ５μｍ以上のＳＯＩ層（単結晶シリコン層）を有するＳＯＩ基板を得ることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
(2)訂正の適否
　上記訂正された特許請求の範囲請求項１に係る発明の独立特許要件について検討すると、当審が通知した訂正拒絶理由において提示した刊行物１（特開平３−２５０６１７号公報）には、「２枚の第１，第２ウエーハのうちの第２ウエーハの少なくとも片面に酸化膜を形成し、該酸化膜が中間層になるようにして第２ウエーハを第１ウエーハに重ね合わせた後、これら第１，第２ウエーハを所定温度に加熱して両者を接着した後、第２ウエーハの表面を研磨してこれを薄膜化することによって接合ウエーハを得ることを特徴とする接合ウエーハの製造方法」（特許請求の範囲）、「そこで、近年、SOI（Si on Insulation）構造のウエーハが特に注目されるに至った。この接合ウエーハは、２枚の半導体ウエーハの少なくとも一方を酸化処理してそのウエーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、これら２枚の半導体ウエーハを前記酸化膜が中間層になるようにして重ね合わせた後、所定温度に加熱して両者を接着し、その上層のウエーハ（以下、ボンドウエーハと称す）を研磨加工してこれを薄膜化することによって得られる。」（第２頁左上欄第３〜１２行）、「ところで、前述のようにプレ研磨された厚さｔ１のボンドウエーハ１（第１図（ｄ）参照）は、２次研磨によって厚さｔ２（例えば、３μｍ）まで研磨されて薄膜化され、これによって第１図（ｅ）に示すような接合ウエーハが得られる。」（第３頁右上欄第３〜８行）及び「本願発明の構造を有する接合ウエーハは、ボンドウエーハに例えば集積回路素子が公知の方法で形成される場合、中間の酸化膜を熱酸化形成するならば、ベースウエーハに当該酸化膜が形成されるのと比較してボンドウエーハが誘電体である酸化膜によって、集積回路素子の形成される領域の片面が完全に被覆されていることによって、当該集積回路素子の耐絶縁特性、その他の電気特性が良好に実現される。」（第４頁左上欄第１８行〜右上欄第６行）が第１図と共に記載されている。してみると、上記刊行物１には、２枚の第１，第２シリコンウエーハのうちの第２シリコンウエーハの少なくとも片面に熱酸化による酸化膜を形成し、該酸化膜が中間層になるようにして第２シリコンウエーハを第１シリコンウエーハに重ね合わせた後、これら第１，第２シリコンウエーハを所定温度に加熱して両者を接着した後、第２シリコンウエーハの表面を研磨してこれを例えば厚さ３μｍに薄膜化することによって接合ウエーハを得ることを特徴とする接合ウエーハの製造方法が記載されているものと認められる。同様に提示した刊行物３（「ウエハ接着技術とその適用の現状」電子デバイス・半導体デバイス合同研究資料（１９８９年１０月２５日）第２７〜３４頁）には、そのTable２にSOI基板上のPOWER ICのデバイス活性層（SOI層）の厚さが１０〜５０μｍであることが記載されているものと認められる。同様に提示した刊行物５（「５．酸素析出とＯＳＦ」半導体の結晶欠陥制御の科学と技術（１９９３年６月３０日）第１９９〜２１８頁）には、その図−４６にイントリンシックゲッタリングを行っていないチョクラルスキー法で得られた単結晶シリコンのＯＳＦ密度が格子間酸素濃度の低下と共に減少する傾向にあることが記載されているものと認められる。
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１記載の発明とを対比すると、上記刊行物１記載の発明の「第１シリコンウエーハ」、「第２シリコンウエーハ」、「表面を研磨された第２シリコンウエーハ」及び「接合ウエーハ」は、本件請求項１に係る発明の「第２のシリコンウエーハ」、「第１のシリコンウエーハ」、「SOI層」及び「SOI基板」に相当するから、両者は、「２枚のシリコンウエーハを、該シリコンの酸化膜を介して結合させたＳＯＩ基板の製造方法であって、
（１）第１のシリコンウエーハの表面に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成し、
（２）前記第１のシリコンウエーハを、前記シリコン酸化膜を介して、これを支持する台材となる第２のシリコンウエーハに重ね合わせて、熱処理することにより結合ウエーハを得、
（３）該結合ウエーハの第１のシリコンウエーハ側を研削、研磨することにより、第２のシリコンウエーハ上にシリコン酸化膜を介してＳＯＩ層（単結晶シリコン層）を有するＳＯＩ基板を得ることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法」の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　(1)第１のシリコンウエーハが、本件請求項１に係る発明においては、格子間酸素濃度が１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ規格）以下で、チョクラルスキー法で得られた単結晶シリコンからなり、イントリンシックゲッタリング処理を行っていないシリコンウエーハであるのに対して、上記刊行物記載の発明においては、どのようなウエーハであるのか不明である点。
　(2)SOI層の厚さが、本件請求項１に係る発明においては、５μｍ以上であるのに対して、上記刊行物記載の発明においては、例えば３μｍである点。
　上記相違点について検討する。
　相違点(1)については、上記刊行物５に示すようにイントリンシックゲッタリングを行っていないチョクラルスキー法で得られた単結晶シリコンのＯＳＦ密度が格子間酸素濃度の低下と共に減少する傾向にあること良く知られている。よって、上記刊行物１記載の発明において第１のシリコンウエーハとしてイントリンシックゲッタリングを行っていないチョクラルスキー法で得られた単結晶シリコンウエーハを採用した場合、そのＯＳＦ密度を減少させるためにその格子間酸素濃度を低下させるようにすることに格別の創意工夫を必要としない。そして、本件請求項１に係る発明が格子間酸素濃度を１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ規格）以下としたことに格別の意義を見出すことができないから、格子間酸素濃度を小さくする方法として１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ規格）以下とする事は単なる設計上の問題にすぎない。したがって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　相違点(2)については、上記刊行物３に示すようにSOI基板上のPOWER ICのデバイス活性層（SOI層）の厚さが１０〜５０μｍであることが良く知られている。そして、上記刊行物１記載の発明におけるＳＯＩ基板をPOWER ICとして用いるようにすることに格別の創意工夫を必要としない。その場合、ＳＯＩ層の厚さは１０〜５０μｍとなる。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　ところで、特許権者は、平成１２年７月２１日付の特許異議意見書において、上記相違点(1)に関し、刊行物５の図−４６のようなシリコンウエーハに発生するＯＳＦと、そのシリコンウエーハを用いて作製されるＳＯＩに発生するＯＳＦとに大きな違いがあるから、刊行物５の図−４６を刊行物１に適用すること自体無理であると主張し、その理由として、本件特許発明の契機となった実験（本件特許発明に係る図１）におけるサンプルＣとサンプルＤのＯＳＦ密度の観察結果からみて全く同一のウエーハを用いて同一の熱処理を行ったとしても、ＳＯＩにするか否か、または、そのＳＯＩの厚さをどのくらいにするか否かによってＳＯＩに発生するＯＳＦの挙動が全く異なる旨述べている。しかしながら、上記サンプルＤはそのＳＯＩの膜厚が１．５μｍであり、本件明細書にも例えば２μｍ未満の厚さの場合はＳＯＩ層において結晶性に何ら問題が発生しないと述べているように、格子間酸素濃度に関わりなく、ＳＯＩの膜厚が１．５μｍである上記サンプルＤはＯＳＦがほとんど発生しないのであり、それに対して、上記サンプルＣは格子間酸素濃度の高い厚さの大きいウエーハであり、ＯＳＦが多数発生するのは明らかなことである。このような共に格子間酸素濃度の大きい薄いＳＯＩと厚いウエーハとを比較した結果に基づいての上記理由は刊行物５の図−４６を刊行物１に適用し得ないとの主張の根拠とはなり得ない。むしろ、格子間酸素濃度の大きい、ＳＯＩ層の厚みの大きいＳＯＩにおいて比較例１のようにＯＳＦが多いことが示されていることから、ウエーハであれＳＯＩであれ、格子間酸素濃度の大きい、厚みの大きいものはＯＳＦが多いといえ、逆に実施例１〜３及び上記刊行物５の図−４６から、ウエーハであれＳＯＩであれ、格子間酸素濃度の小さいものはたとえ厚みが大きくともＯＳＦが少ないといえる。そして、ウエーハにおいて格子間酸素濃度を小さくすれば、ＯＳＦが少なくなるとの知見を有する者が厚いＳＯＩにおいても格子間酸素濃度を小さくすれば、ＯＳＦが少なくなるとの予測を得ることは容易なことである。なお、上記刊行物５の図−４６の場合、格子間酸素濃度が約２４ｐｐｍにおいてＯＳＦ密度が減少するのに対して、本件の比較例１に示すように１８．５ｐｐｍａでもＯＳＦ密度が減少しないのは、実験条件の相違に基づくものといえ、上記刊行物５の図−４６において格子間酸素濃度が約２４ｐｐｍでＯＳＦ密度が減少することが、刊行物５において格子間酸素濃度を１６ｐｐｍａ以下にすることの困難性を示すものではない。
　同様に相違点(2)に関し、上記特許異議意見書に添付された参考文献２には「ＦＺシリコンは主として７５０〜１０００Ｖの高電圧に耐えねばならない”パワーデバイス（power device）”の製造に用いられる。」と記載されているが、この記載は、７５０〜１０００Ｖの高電圧に耐えねばならない”パワーデバイス（power device）”に主としてＦＺシリコンが用いられると述べているものであって、パワーＩＣ全てがこのような７５０〜１０００Ｖの高電圧に耐えねばならないものではなく、例えば、本件明細書にも例示されているように、パワーＩＣとは、電子交換、放電型プリンタまたはプラズマディスプレイ定電圧電源回路、自動車エレクトロニクスなどのエレクトロニクス分野で、同一シリコンチップ上に部分的に高圧デバイスを搭載したもので、更に述べれば、１０数ボルト以上の高圧デバイスを搭載したＩＣであって、上記参考文献２の記載が、ＣＺシリコンのパワーＩＣへの使用を否定するものでないことは明かである。
　ところで、上記特許異議意見書において、特許権者は、第１のシリコンウエーハの酸化膜形成を熱酸化により行うのはＳＯＩ層の格子間酸素濃度を下げるためであると主張するが、同様の構成を採る上記刊行物１記載の発明においても同様の効果を有することは明かである。
　なお、本件請求項１に係る発明の効果とするところも当業者の予測の範囲を出るものではない。
　よって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、上記刊行物１，３及び５記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
三．特許異議申立についての判断
(1)本件発明
　特許請求の範囲請求項１に係る発明は、特許請求の範囲請求項１に記載された下記の事項により特定されるとおりのものである。
　「２枚のシリコンウエーハを、該シリコンの酸化膜を介して結合させたＳＯＩ基板の製造方法であって、
（１）格子間酸素濃度が１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ規格）以下の第１のシリコンウエーハの表面に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成し、
（２）前記第１のシリコンウエーハを、前記シリコン酸化膜を介して、これを支持する台材となる第２のシリコンウエーハに重ね合わせて、熱処理することにより結合ウエーハを得、
（３）該結合ウエーハの第１のシリコンウエーハ側を研削、研磨することにより、第２のシリコンウエーハ上にシリコン酸化膜を介して厚さ５μｍ以上のＳＯＩ層（単結晶シリコン層）を有するＳＯＩ基板を得ることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
(2)引用刊行物
　当審が通知した取消理由において引用した刊行物１（特開平３−２５０６１７号公報）には、「２枚の第１，第２ウエーハのうちの第２ウエーハの少なくとも片面に酸化膜を形成し、該酸化膜が中間層になるようにして第２ウエーハを第１ウエーハに重ね合わせた後、これら第１，第２ウエーハを所定温度に加熱して両者を接着した後、第２ウエーハの表面を研磨してこれを薄膜化することによって接合ウエーハを得ることを特徴とする接合ウエーハの製造方法」（特許請求の範囲）、「そこで、近年、SOI（Si on Insulation）構造のウエーハが特に注目されるに至った。この接合ウエーハは、２枚の半導体ウエーハの少なくとも一方を酸化処理してそのウエーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、これら２枚の半導体ウエーハを前記酸化膜が中間層になるようにして重ね合わせた後、所定温度に加熱して両者を接着し、その上層のウエーハ（以下、ボンドウエーハと称す）を研磨加工してこれを薄膜化することによって得られる。」（第２頁左上欄第３〜１２行）、「ところで、前述のようにプレ研磨された厚さｔ１のボンドウエーハ１（第１図（ｄ）参照）は、２次研磨によって厚さｔ２（例えば、３μｍ）まで研磨されて薄膜化され、これによって第１図（ｅ）に示すような接合ウエーハが得られる。」（第３頁右上欄第３〜８行）及び「本願発明の構造を有する接合ウエーハは、ボンドウエーハに例えば集積回路素子が公知の方法で形成される場合、中間の酸化膜を熱酸化形成するならば、ベースウエーハに当該酸化膜が形成されるのと比較してボンドウエーハが誘電体である酸化膜によって、集積回路素子の形成される領域の片面が完全に被覆されていることによって、当該集積回路素子の耐絶縁特性、その他の電気特性が良好に実現される。」（第４頁左上欄第１８行〜右上欄第６行）が第１図と共に記載されている。してみると、上記刊行物１には、２枚の第１，第２シリコンウエーハのうちの第２シリコンウエーハの少なくとも片面に熱酸化による酸化膜を形成し、該酸化膜が中間層になるようにして第２シリコンウエーハを第１シリコンウエーハに重ね合わせた後、これら第１，第２シリコンウエーハを所定温度に加熱して両者を接着した後、第２シリコンウエーハの表面を研磨してこれを例えば厚さ３μｍに薄膜化することによって接合ウエーハを得ることを特徴とする接合ウエーハの製造方法が記載されているものと認められる。同様に引用した刊行物３（「ウエハ接着技術とその適用の現状」電子デバイス・半導体デバイス合同研究資料（１９８９年１０月２５日）第２７〜３４頁）には、そのTable２にSOI基板上のPOWER ICのデバイス活性層（SOI層）の厚さが１０〜５０μｍであることが記載されているものと認められる。同様に引用した刊行物５（「５．酸素析出とＯＳＦ」半導体の結晶欠陥制御の科学と技術（１９９３年６月３０日）第１９９〜２１８頁）には、その図−４６に単結晶シリコンのＯＳＦ密度が格子間酸素濃度の低下と共に減少する傾向にあることが記載されているものと認められる。　
(3)対比・判断
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１記載の発明とを対比すると、上記刊行物１記載の発明の「第１シリコンウエーハ」、「第２シリコンウエーハ」、「表面を研磨された第２シリコンウエーハ」及び「接合ウエーハ」は、本件請求項１に係る発明の「第２のシリコンウエーハ」、「第１のシリコンウエーハ」、「SOI層」及び「SOI基板」に相当するから、両者は、「２枚のシリコンウエーハを、該シリコンの酸化膜を介して結合させたＳＯＩ基板の製造方法であって、
（１）第１のシリコンウエーハの表面に熱酸化によってシリコン酸化膜を形成し、
（２）前記第１のシリコンウエーハを、前記シリコン酸化膜を介して、これを支持する台材となる第２のシリコンウエーハに重ね合わせて、熱処理することにより結合ウエーハを得、
（３）該結合ウエーハの第１のシリコンウエーハ側を研削、研磨することにより、第２のシリコンウエーハ上にシリコン酸化膜を介してＳＯＩ層（単結晶シリコン層）を有するＳＯＩ基板を得ることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法」の点で一致するが、以下の点で相違するものと認められる。
　(1)第１のシリコンウエーハが、本件請求項１に係る発明においては、格子間酸素濃度が１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ規格）以下のシリコンウエーハであるのに対して、上記刊行物記載の発明においては、どのようなウエーハであるのか不明である点。
　(2)SOI層の厚さが、本件請求項１に係る発明においては、５μｍ以上であるのに対して、上記刊行物記載の発明においては、例えば３μｍである点。
　上記相違点について検討する。
　相違点(1)については、上記刊行物５に示すように単結晶シリコンのＯＳＦ密度が格子間酸素濃度の低下と共に減少する傾向にあること良く知られている。そして、上記刊行物１記載の発明において上記刊行物５記載の技術を採用してＳＯＩのＯＳＦ密度を減少させるためにその格子間酸素濃度を低下させるようにすることに格別の創意工夫を必要としない。そして、本件請求項１に係る発明が第１のシリコンウエーハの格子間酸素濃度を１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ規格）以下としたことに格別の意義を見出すことができないから、格子間酸素濃度を小さくする方法として１６ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ規格）以下とする事は単なる設計上の問題にすぎない。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　相違点(2)については、上記刊行物３に示すようにSOI基板上のPOWER ICのデバイス活性層（SOI層）の厚さが１０〜５０μｍであることが良く知られている。そして、上記刊行物１記載の発明におけるＳＯＩ基板をPOWER ICとして用いるようにすることに格別の創意工夫を必要としない。その場合、ＳＯＩ層の厚さは１０〜５０μｍとなる。よって、上記相違点は当業者が容易に想到し得たことと認められる。　
(4)むすび
　以上のとおりであるから、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明は、上記刊行物１、３及び５記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明についての特許は拒絶査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月２２日（２０００．８．２２）