【事件の表示】
　特許第３００８０３８号「平行平板型プラズマ装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００８０３８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３００８０３８号（平成３年８月９日出願、平成１１年１２月３日設定登録。）は、異議申立人佐藤　正より異議申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１月２９日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）願書に添付した明細書及び図面（以下、「特許明細書」という。）の請求項１における「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下に設定」を、「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下、前記高周波電源の出力が１８００ｗ以下、並びに前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力が３００ｍＴｏｒｒ以下に設定」と訂正する。
　
（１−２）特許明細書の発明の詳細な説明の段落【０００６】における「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下に設定」を、「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下、前記高周波電源の出力が１８００ｗ以下、並びに前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力が３００ｍＴｏｒｒ以下に設定」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）上記訂正事項（１−１）については、特許請求の範囲に記載された「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下に設定」する点を、より下位概念である「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下、前記高周波電源の出力が１８００ｗ以下、並びに前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力が３００ｍＴｏｒｒ以下に設定」と限定したものである。
　そして、高周波電源の出力を１８００ｗ以下に設定する点は、特許明細書の段落【０００７】、【００１５】、表１、及び図２に記載され、また前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力を３００ｍＴｏｒｒ以下に設定する点は、特許明細書の段落【０００４】に記載されている。
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−２）上記訂正事項（１−２）については、特許請求の範囲との整合を図るために明確化したものであり、その訂正内容も特許明細書の段落【０００７】、【００１５】、表１、及び図２、並びに段落【０００４】に記載されている。
　したがって、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項（１−１）、（１−２）については、それぞれ願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、同法第１２０条の４第３項において準用する同法による改正前の特許法（平成５年改正法）第１２６条第１項ただし書き、及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］特許異議申立てについての判断
（１）異議申立ての理由の概要
　異議申立人佐藤　正は、甲第１〜６号証及び参考資料１〜４を提出して、本件特許明細書の請求項１に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
　
（２）本件発明
　上記［２］において説示したように上記訂正が認められるから、本件訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　
　「互いに対向して配置された上部電極及び下部電極を備え、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電源が接続された平行平板型プラズマ装置において、前記上部電極及び下部電極間の間隔が０．９ｃｍを超える場合に、プラズマ状態の安定を得るために、前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下、前記高周波電源の出力が１８００ｗ以下、並びに前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力が３００ｍＴｏｒｒ以下に設定されていることを特徴とする平行平板型プラズマ装置。」
　
（３）提出された証拠の記載事項
（３−１）甲第１号証
　甲第１号証の特開昭６４−５３６１５号公報には、トランジスタ増幅器で発生する不要な高調波の影響を除去したトランジスタ型高周波電源が記載されている。
　
（３−２）甲第２号証
　甲第２号証の「最新アモルファスＳｉハンドブック」（株）サイエンスフォーラム（昭５８−３−３１）の写しには、グロー放電によるａ−Ｓｉ膜の製造と装置に関する発明が開示され、さらに、図−２には、互いに対向して配置された上部電極及び下部電極を備え、上部電極と下部電極との間に高周波電源が接続された平行平板型プラズマ装置が記載されており、また図−４には、この上部電極及び下部電極の間隔（電極間距離）を１０ｍｍ、２０ｍｍ、３０ｍｍに設定して膜生成を行ったことが示されている。
　
（３−３）甲第３号証
　甲第３号証の特開昭６１−６４１２１号公報には、平行平板電極を有するＣＶＤ装置に関する発明が第３図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「電極間の電位分布を均一とするための電極構造に関する重要なパラメータは、第３図に示した電極２１，２２の間隔Ｄと、電極２１の側面と反応容器１１の内壁との距離Ｇである。電極間隔Ｄは電極間の電界分布を一様とするためできるだけ短い方が好ましく、通常１０〜５０〔ｍｍ〕の範囲の値が採られている。」（２頁左上欄４〜１０行）
　
（３−４）甲第４号証
　甲第４号証の特開昭６２−１２８１２２号公報には、平行平板型枚葉式ドライエッチング装置に関する発明が第４〜６図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「本発明装置を用いてエッチングを行った場合の均一性の実測値を第４図および第５図に示す。測定はいずれも第４図右側に示すようなウエハ４（径１００ｍｍ）に対し矢印Ａの測定方向に沿って、測定位置を左端を０，右端を１００としてウエハ全面に亙ってエッチング深さを測定したものである。矢印Ｂは排気方向を示す。
　第４図は電極間隔および補正リングの高さを一定にして補正リングの径を変えた場合の測定結果である。電極間隔ｄ＝７０ｍｍとし、補正リングは０．３ｍｍ厚アルマイト製、高さが６０ｍｍで、径がそれぞれ８０の，９０の，および１００のものについて各各エッチング時間２分，２分，１分３０秒としてエッチングしたものである。
　第５図は補正リングの高さと径を一定にして、電極間隔ｄを７５ｍｍ，８０ｍｍ，８５ｍｍ，９０ｍｍと変えてエッチングしたものである。補正リングは高さを６０ｍｍ，径を１００ｍｍとした。
　比較のため、補正リング無しでエッチングした場合のエッチング深さを第６図に示す。但し、電極間隔ｄは７０ｍｍ、ウエハ４の径は５インチ（１２７ｍｍ）とした。
　第４〜６図から分るように、ウエハ寸法に対し最適の補正リングの径および電極間隔を選定すればエッチングの均一性を著しく向上させることができる。」（３頁左上欄末行〜左下欄５行）
　
（３−５）甲第５号証
　甲第５号証の特開昭６２−２０４５２９号公報には、ドライエッチング方法に関する発明が開示され、さらにドライエッチングに使用する容器内のガス圧を２×１０‐４〜８×１０‐３［ｔｏｒｒ］に設定すること（特許請求の範囲請求項１参照）、第１及び第２の電極間の距離を１０〜１００［ｍｍ］に設定すること（同請求項４参照）が、それぞれ記載されている。
　
（３−６）甲第６号証
　甲第６号証の特開平２−２６８４２８号公報には、平行平板型のプラズマエッチング装置に関する発明が開示され、さらに実験の際のエッチング条件として、圧力３２５ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー１５０ｗ、電極間隔１ｃｍとしたものが記載されている。
　
（３−７）参考資料１
　参考資料１のカタログ「プラズマ用可変低周波電源ＬＧシリーズ」アステック（株）（８９．６）の写しには、プラズマ・チェンバの電極間に十分な高周波電界を発生させるとともに、有害な高調波出力を抑制することが記載され、さらに、ＬＧ−３０Ｔ型について出力電力０−３ＫＷ、高調波出力−４０ｄＢとすること、ＬＧ−４５Ｔについて出力電力０−４．５ＫＷ、高調波出力−４０ｄＢとすることが記載されている。
　
（３−８）参考資料２
　参考資料２のカタログ「プラズマ用高周波電源」パール工業（株）（１９８７．１１）の写しには、半導体製造装置、その他、ＲＦ／ＤＣのコンビネーションを必要とする使用条件下で、有利な電源として、形式ＲＰ−１０００ｒｃについて、ＲＦの定格出力１０００Ｗ、スプリアス（すなわち、発振周波数以外の高調波及び低調波などの不要周波数成分）−４５ｄＢ以下のものが記載されている。
　
（３−９）参考資料３
　参考資料３のカタログ「プラズマ用ＤＣ／ＲＦコンビネーション電源」パール工業（株）（１９８８．１）の写しには、最終頁の仕様欄に記載の形式ＤＰ−８００−１０／ＲＰ−１０００ＲＣのものについて、ＲＦの定格出力１０００Ｗ、スプリアス（発振周波数以外の高調波及び低調波などの不要周波数成分）が−４５ｄＢ以下のものが記載されている。
　
（３−１０）参考資料４
　参考資料４のカタログ「プラズマ用高周波電源」パール工業（株）（１９８９．１）の写しには、最終頁仕様欄の、型式ＲＰ−２００、ＲＰ−３００、ＲＰ−５００について、それぞれ定格出力を２００Ｗ、３００Ｗ、５００Ｗとし、スプリアスをいずれも−４５ｄＢとすることが記載されている。
　
（４）対比・判断
　本件発明と上記参考資料２〜４に記載されたものとを対比すると、以下のとおりである。
　参考資料２の記載（最終頁仕様欄の、型式ＲＰ−１０００ｒｃについてスプリアスを−４５ｄＢ以下とする記載。）、参考資料３の記載（最終頁仕様欄の型式ＲＰ−２００、ＲＰ−３００、ＲＰ−５００について、スプリアスを−４５ｄＢ以下とする記載。）、参考資料４の記載（最終頁仕様欄の型式ＲＰ−２００、ＲＰ−３００、ＲＰ−５００について、スプリアスを−４５ｄＢとする記載。）からみて、プラズマ装置の高周波電源において、高調波成分の高調波含有率を−３０ｄＢ以下とするようなことは本件特許の出願前普通に採用されていた技術的事項にすぎないし、仮に普通に採用されていたものではないとしても、公知の技術的事項であることは明らかである（参考資料２〜４に記載された日付からみて、参考資料２が１９８７年１１月頃に、参考資料３が１９８８年１月頃に、また参考資料４が１９８９年１月頃に印刷、頒布されたものであると推認できる。）。
　してみると、本件発明と上記参考資料２〜４に記載された周知ないしは公知の技術的事項とは、高周波電源の高調波含有率を−３０ｄＢ以下としたプラズマ装置の点で一致するものの、以下の点で相違する。
　
　本件発明は、上部電極及び下部電極を備え、それぞれの電極の間に高周波電源が接続された平行平板型プラズマ装置において、上部電極及び下部電極間の間隔を０．９ｃｍを超えるものとし、プラズマ状態の安定を得るために、高周波電源の出力を１８００ｗ以下、反応室内の圧力を３００ｍＴｏｒｒ以下に設定しているのに対し、上記参考資料２〜４に記載された周知ないしは公知の技術的事項では、電極間の間隔、高周波電源の出力、及び反応室内の圧力が上記の範囲にあることが明らかではない点。
　
　そこで、上記相違点について以下検討する。
　電極間の間隔については、甲第２〜６号証に記載されているように、平行平板型プラズマ装置の上部電極及び下部電極の間隔が０．９ｃｍを越えるものは本件特許の出願前普通に知られており、高周波電源の出力については、参考資料１〜４に記載された定格出力（参考資料１の、高調波出力−４０ｄＢのときに出力電圧を０−３ＫＷとする記載。参考資料２、３の、スプリアス−４５ｄＢのときに高周波の定格出力を５００Ｗ、１０００Ｗとする記載。参考資料４の、スプリアス−４５ｄＢのときに高周波の定格出力を２００Ｗ、３００Ｗ、５００Ｗとする記載。）は、本件発明における高周波電源の出力が１８００Ｗ以下に設定されている範囲に包含され、そして、反応室内の圧力については、甲第６号証に、平行平板型のプラズマエッチング装置の圧力を３２５ｍＴｏｒｒとすることが記載されている。
　しかしながら、参考資料１〜４、甲第１〜６号証のいずれにも、電極間の間隔が０．９ｃｍを越え、且つ高周波電源の高調波含有率を−３０ｄＢ以下としたプラズマ装置において、プラズマ状態の安定を得るために、高周波電源の出力の上限を１８００Ｗとするとともに、反応室内の圧力を３００ｍＴｏｒｒ以下に設定することについては、何らの示唆もされていないし、本件特許の出願前普通に知られていたものとも認められない。
　してみると、本件発明のように、電極間の間隔が０．９ｃｍを越え、且つ高周波電源の高調波含有率を−３０ｄＢ以下としたプラズマ装置において、プラズマ状態の安定を得るために、高周波電源の出力を１８００Ｗ以下、反応室内の圧力を３００ｍＴｏｒｒ以下に設定することは、容易に想到することはできない。
　
　したがって、本件発明は、甲第１〜６号証及び参考資料１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）異議申立人の主張について
　異議申立人は、本件発明と甲第１号証に記載されたものとを対比して、相違点１〜３を挙げ、相違点１の平行平板型プラズマ装置の点は甲第２〜６号証により周知であり、相違点２の電極間隔を０．９ｃｍ超に設定する点は甲第２〜４号証により周知であり、さらに相違点３の高調波含有率の合計を−３０ｄＢ以下に設定された高周波電源の点は参考資料１〜４により周知である旨主張している。
　しかしながら、上記甲第２〜６号証に記載されているように、電極間の間隔を０．９ｃｍ越に設定したものが周知であり、また、参考資料１〜４に記載されているように、高調波含有率の合計を−３０ｄＢ以下に設定された高周波電源は周知であるにしても、甲第１号証には、上記（４）において説示した本件発明との相違点については何も記載していないし示唆もないから、甲第１号証に記載されたものに上記周知の技術を組み合わせてみても、本件発明を容易に想到することはできない。
　したがって、申立人の主張は採用しない。
　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立てによっては、本件発明につての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、特許法（平成６年改正法）附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月２日（２００１．７．２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、願書に添付した明細書の請求項１における「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下に設定」を、「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下、前記高周波電源の出力が１８００ｗ以下、並びに前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力が３００ｍＴｏｒｒ以下に設定」と訂正する。
（２）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の発明の詳細な説明の段落【０００６】における「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下に設定」を、「前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下、前記高周波電源の出力が１８００ｗ以下、並びに前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力が３００ｍＴｏｒｒ以下に設定」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
平行平板型プラズマ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　互いに対向して配置された上部電極及び下部電極を備え、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電源が接続された平行平板型プラズマ装置において、前記上部電極及び下部電極間の間隔が０．９ｃｍを超える場合に、プラズマ状態の安定を得るために、前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下、前記高周波電源の出力が１８００ｗ以下、並びに前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力が３００ｍＴｏｒｒ以下に設定されていることを特徴とする平行平板型プラズマ装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は平行平板型プラズマ装置、より詳細には上部電極、下部電極及びウェハクランプ等を備え、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電源（以下ＲＦ電源と記す）が接続されウェハ上に集積回路の微細パターンを形成する際等に使用される平行平板型プラズマ装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　大規模集積回路の製造においては、半導体ウェハ上に微細なパターンを形成する必要があり、このために主にドライエッチング装置が用いられている。ドライエッチング装置としてこれまで種々の形式の装置が提案されているが、集積度の高い大規模集積回路の製造においては、微細パターンを再現性良く形成することのできる平行平板型プラズマエッチング装置が主流となってきている。この種平行平板型プラズマエッチング装置の概略を図１に示す。図中１０は反応室を示しており、この反応室１０の上部には上部電極１１が配設され、この上部電極１１に対向して反応室１０の下部には、下部電極１２が配設されている。下部電極１２の上面にはウエハ１３が載置されており、下部電極１２の外周にはフォーカスリング１４が配設され、さらにフォーカスリング１４の外周には排気リング１５が配設され、フォーカスリング１４と排気リング１５の間に排気路１６が形成されている。上部電極１１の上方にはシールプレート１８が配設され、このシールプレート１８の中央部にガス導入路１９が形成されており、ガス導入路１９はガス供給源（図示せず）に接続されている。上部電極１１の外周にはコンファインメントリング２１が当接して配設され、さらにコンファインメントリング２１の外周にはアタッチメントリング２２が配設されており、アタッチメントリング２２にはウェハ１３を下部電極１２に固定するためのクランプ板２３が取り付けられている。上部電極１１と下部電極１２との間にはＲＦ電源２５が接続されており、このＲＦ電源２５から上部電極１１及び下部電極１２にＲＦ電力を印加することにより、ガス導入路１９から供給された反応ガスがプラズマ化されてウェハ１３にエッチング処理が施されるようになっている。
　【０００３】
　このエッチング処理を行なう際、ウェハ１３の径が大きくなるにつれてプラズマのウェハ１３への集中及びプラズマ安定領域の拡大が要求されるようになってきており、またパターンの微細化につれて大口径のウェハ１３ではプラズマイオンの指向性がより求められてきている。このため反応室１０の低圧化が図られると共にＲＦ電力の高出力化、上部電極１１と下部電極１２との間隔の拡張が図られてきている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来の多用されていた６インチウェハを８インチウェハに大口径化を図り、該ウエハに０．５μｍ以下の微細加工を施し、しかも高スループット化を図るためには、例えば上部電極１１と下部電極１２との間隔を従来の０．８ｃｍから１．０ｃｍ程度とし、反応室１０内の、圧力を従来の８００ｍＴｏｒｒから３００ｍＴｏｒｒ以下とし、ＲＦパワーを１２００Ｗ以上とすることが要求される。
　しかしながら従来のＲＦ電源は、その高調波含有率の合計が−２０ｄＢ程度であり、このようなＲＦ電源を用いた場合、上部電極１１と下部電極１２との間隔を１．０ｃｍ程度とし、ＲＦパワーを１２００Ｗに設定すると、図２に示すように、安定したプラズマ状態を維持することができない。なお、図２は後述するように、ＲＦ電源の各高調波含有率におけるプラズマの安定領域を示す図であり、高調波含有率の合計が−２０ｄＢの場合、電極間間隔は０．９ｃｍ以下、ＲＦパワーは１４００Ｗ以下が安定領域であり、前述した電極間隔１．０ｃｍ、ＲＦパワー１２００Ｗはこの範囲を逸脱している。このため大口径ウェハを歩留り良く、精度良く、しかも高スループットで処理することは困難であるといった課題があった。
　【０００５】
　本発明は上記課題に鑑み発明されたものであって、電極間間隔を広くし、反応室を低圧としても、またＲＦパワーを高パワーとしても安定したプラズマを立てることができ、大口径ウェハに微細加工を高スループットで施すことができる平行平板型プラズマエッチング装置を提供することを目的としている。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために本発明に係る平行平板型プラズマ装置は、互いに対向して配置された上部電極及び下部電極を備え、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電源が接続された平行平板型プラズマ装置において、前記上部電極及び下部電極間の間隔が０．９ｃｍを超える場合に、プラズマ状態の安定を得るために、前記高周波電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下、前記高周波電源の出力が１８００ｗ以下、並びに前記上部電極及び下部電極を備える反応室内の圧力が３００ｍＴｏｒｒ以下に設定されていることを特徴とする。
　【０００７】
　【作用】
　図２は低圧下におけるプラズマ安定領域を示す図であり、反応室内の圧力を２００ｍＴｏｒｒ、ＣＦ４ガスを２５ＳＣＣＭ、ＣＨＦ３ガスを２５ＳＣＣＭ、Ａｒガスを６５０ＳＣＣＭ、Ｈｅのガス分圧を９Ｔｏｒｒの条件下で実験を行ない、ＲＦ電源の各高調波成分における高調波含有率の合計をそれぞれ約−２０ｄＢ、約−３０ｄＢ、約−４５ｄＢに設定し、電極間間隔とＲＦパワーとの関係に基づくプラズマ安定領域の範囲を調べた結果である。プラズマ安定領域は、高調波含有率の合計が約−２０ｄＢの場合は、電極間間隔が０．９ｃｍ以下でかつＲＦパワーが１４００Ｗ以下の範囲であり、高調波含有率の合計が約−３０ｄＢの場合は、電極間間隔が１．１５ｃｍ以下でかつＲＦパワーが１３００Ｗ以下の範囲と電極間間隔が１．０５ｃｍ以下でかつＲＦパワーが１８００Ｗ以下の範囲とを加えた範囲であり、高調波含有率の合計が約−４５ｄＢの場合は、高調波含有率の合計が約−３０ｄＢの範囲にさらに電極間間隔が０．９ｃｍ以下でかつＲＦパワーが２０００Ｗ以下の範囲を加えた範囲である。
　従来のＲＦ電源はその高調波含有率の合計が−２０ｄＢ程度であり、電極間間隔を１．０ｃｍとし、１２００ＷのＲＦパワーを印加すると、プラズマ安定領域を外れてしまう。
　【０００８】
　一方、ＲＦ電源の高調波含有率の合計を−３０ｄＢ程度に設定すると、大口径ウェハに微細加工を高スループットで施すために、電極間間隔を１．０ｃｍ程度まで広げ、ＲＦパワーを１２００Ｗ以上印加しても十分にプラズマ安定領域内に入ることとなる。従って、大口径ウェハを精度良く、また高スループットで処理するために、上部電極と下部電極の間隔を１．０ｃｍ程度あるいはそれ以上に広げ、またＲＦパワーを１２００Ｗ以上印加しても安定したプラズマ処理を施すことができる。
　【０００９】
　【実施例及び比較例】
　以下、本発明に係る平行平板型プラズマ装置の実施例及び比較例を説明する。
　【００１０】
　図１に示した装置を用い、種々の条件下でプラズマ安定領域の確認を行なった。
　ＲＦ電源２５を除く平行平板型プラズマ装置の構成は従来のものと同様であるので、ここではその説明を省略する。
　なお、本装置において上部電極１１と下部電極１２とに印加する高周波の位相は１８０°ずらしてある。
　【００１１】
　本装置における反応室１０内の圧力を２００ｍＴｏｒｒとし、反応室１０への供給するＣＦ４ガスの流量を２５ＳＣＣＭ、ＣＨＦ３ガスの流量を２５ＳＣＣＭ、Ａｒガスの流量を６５０ＳＣＣＭとし、Ｈｅガスの分圧を９Ｔｏｒｒに設定した。またＲＦ電源２５における高調波含有率を除く条件は、電源入力が２００Ｖ±５％、５０／６０Ｈｚ、３相、最大入力電源が３ＫＶＡ、発振周波数４００ＫＨｚ±０．０５％、定格出力２ＫＷ連続、出力調整５〜１００％、リップル含有率３％以下、出力安定度±０．７５％（負荷変動時の電源電圧変動）、出力インピーダンス５０〜５２Ω（同軸出力）、使用環境は周囲温度が５〜４０℃、周囲湿度が１５〜８０％のものを使用した。
　【００１２】
　ＲＦ電源２５の各高調波成分及びその高調波含有率の合計は下記の表１に示したものを使用した。
　【００１３】
　【表１】
　【００１４】
　このうち高調波含有率の合計が約−４４．６ｄＢ（各次高調波ひずみ率の合計が０．００３５％）であるものの基本波形を図３（ａ）に、スペクトル分布を図３（ｂ）に示し、また高調波含有率の合計が約−２０．７ｄＢ（各次高調波ひずみ率の合計が０．８５％）であるものの基本波形を図４（ａ）に、スペクトル分布を図４（ｂ）にそれぞれ示した。これらの図から高調波含有率の合計が約−４４．６ｄＢであるものの２次、３次、４次の各高調波成分は、高調波含有率の合計が約−２０．７ｄＢであるものの２次、３次、４次の各高調波成分に比べて急激に減衰していることがよくわかる。
　【００１５】
　以上のような条件下で上部電極１１と下部電極１２との間隔、及び印加するＲＦパワーを種々に変更して反応室１０内におけるプラズマ安定状況を調査した。
　これらの結果を図２及び表１に示した。
　各高調波成分の高調波含有率の合計が約−３０．７ｄＥである実施例のものでは、低圧下（２００ｍＴｏｒｒ）、上部電極１１と下部電極１２との間隔を１．０ｃｍに設定しても、ＲＦパワーが１８００Ｗまでは、プラズマ放電状態が安定している。従ってウェハ１３の径が８インチの大口径となっても微細加工を歩留り良く、しかも高スループットで処理することが可能となる。
　【００１６】
　他方、その高調波含有率の合計が約−２０．７ｄＢである比較例のものでは、ＲＦパワーを１２００Ｗまで取ろうとすると上部電極１１と下部電極１２との間隔は０．９ｃｍまでしか広げることはできず、大口径のウェハ１３を精度良く、高歩留り、高スループットで処理することは不可能である。
　【００１７】
　【発明の効果】
　以上の説明により明らかなように、本発明に係る平行平板型プラズマエッチング装置にあっては、ＲＦ電源の各高調波成分における高調波含有率の合計が−３０ｄＢ以下に設定されているので、上部電極と下部電極との間隔を広くとり、ＲＦパワーを高くして低圧化を図ってもプラズマを安定した状態で立てることができる。
　従って、大口径ウェハに微細加工を高歩留り、高スループットで施すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　平行平板型プラズマエッチング装置を示す概略断面図である。
　【図２】
　高調波含有率をパラメータにとり、電極間間隔とＲＦパワーとの関係に基づくプラズマ安定領域の範囲を示した図である。
　【図３】
　（ａ）は−４４．６ｄＢにおけるＲＦの基本波形を示す図、（ｂ）はスペクトル分布を示す図である。
　【図４】
　（ａ）は−２０．７ｄＢにおけるＲＦの基本波形を示す図、（ｂ）はスペクトル分布を示す図である。
　【符号の説明】
　１１　上部電極
　１２　下部電極
　１６　排気路
　１９　ガス導入路
　２３　クランプ板
　２５　ＲＦ電源