【事件の表示】
　特許第２９１５２０５号「基板表面処理装置および基板表面処理方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１５２０５号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．本件発明
　特許第２９１５２０５号（平成４年３月３１日出願、平成１１年４月１６日設定登録。）の請求項１ないし２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　基板を収納する表面処理槽と、
　その表面処理槽内に基板を保持する基板保持手段と、
　前記表面処理槽内に表面処理用反応性ガスを供給するガス供給手段と
を備えた基板表面処理装置において、
　前記表面処理槽内に純水を供給する純水供給手段と、
　前記表面処理槽の周囲からそれよりも高い位置にわたって設けられて前記表面処理槽からオーバーフローした純水を受け止めて排出する排水槽と、
　前記表面処理槽内の表面処理用反応性ガスを排出する排気手段とを備え、
　かつ、前記各手段を次の順序で作動させる、すなわち、
　（ａ）ガス供給手段から表面処理槽内へ表面処理用反応性ガスを供給して基板の表面処理を行い、
　（ｂ）排気手段によって表面処理槽内の表面処理用反応性ガスを排出し、
　（ｃ）基板保持手段で保持された基板の全体を表面処理槽の上端周縁よりも下方位置に収納した状態で、純水供給手段によって表面処理槽内に純水を供給するとともに、表面処理槽からオーバーフローした純水を排水槽によって受け止めて排出しながら、基板を純水で洗浄し、
　（ｄ）表面処理槽から基板を引き上げる
　ことによって基板の表面処理を行うことを特徴とする基板表面処理装置。
　【請求項２】　表面処理槽内へ表面処理用反応性ガスを導入して基板の表面処理を行う表面処理過程と、
　表面処理過程の後に表面処理槽内の表面処理用反応性ガスを排出するガス排出過程と、
　ガス排出過程の後に表面処理槽内に純水を供給するとともに、表面処理槽から純水をオーバーフローさせて排出しながら基板を純水で洗浄する純水洗浄過程と、
　表面処理槽から基板を引き上げる過程と
　を備えたことを特徴とする基板表面処理方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　先の取消理由通知において引用した刊行物１（特開平２−２０５０２５号公報）には、
「第２図は、本発明の第２の実施例を示す、半導体ウエハー洗浄装置の断面図である。同図において、１は洗浄槽、２は温調用ヒータ、６はウエハー、７は洗浄糟ふた、８は排気孔、９は排水孔及び排水バルブ、１０は純水スプレー口、１１はアンモニアガス（ＮＨ３）、１２は水蒸気（Ｈ２ＯＶａｐａｒ）１３は窒素ガス（Ｎ２）、１４はバルブ、１５はＭＦＣ（マスフローコントローラー）１６は温純水供給装置、１７は純水バルブ、１８は流量計、１９は、ガス、純水流量制御器で、以上は、第１図の構成と同様なものである。　第１図の構成と異なるのは、洗浄槽スノコ４、と洗浄用キャリア５をもうけ、バッチ処理にした点である。前記のように構成された第２実施例の半導体ウエハー洗浄装置について、以下その動作を説明する。ウエハー６を洗浄用キャリア５に入れる。一般的には、１バッチ２５枚入れることになる。その後、洗浄槽ふた７を開け、キャリア５を洗浄槽内に入れる。・・・（中略）・・・その後、アンモニアガス（ＮＨ３）１１を少量導入し洗浄を行う。又、温純水も、純水スプレー口１０から洗浄槽内に導入され、ガスの導入と純水の導入を組み合わせることで、効果的な洗浄が可能となる。尚、本実施例においては、バッチ処理で行っている為、ウエハ−乾燥は、洗浄槽内では困難であるが、多量のウエハーを短時間に処理できるという特長を有している。」（第３頁左上欄第６行目〜同頁右上欄第１２行目）が記載され、「第１図において、・・・（中略）・・・８は洗浄槽内のガスを排気するための排気孔、」（第２頁右上欄第８〜１３行目）が記載されており、洗浄後、乾燥させるために洗浄槽から半導体ウエハーを取り出すことは明らかであることから、
　刊行物１には、「半導体ウエハーを収納する洗浄槽と、その洗浄槽内に半導体ウエハーを保持する洗浄用キャリアと、前記洗浄槽内にアンモニアガス、水蒸気を供給するバルブ１４、及びＭＦＣ１５とを備えた半導体ウエハー洗浄装置において、
　前記洗浄槽内に純水を供給する純水スプレー口と、前記表面処理槽内のガスを排出する排気孔とを備え、
　かつ、前記洗浄用キャリア、バルブ、ＭＦＣ、及び純水スプレー口を次の順序で作動させる、すなわち、バルブ１４、及びＭＦＣ１５から洗浄槽へアンモニアガス、水蒸気を供給して半導体ウエハーの表面処理を行い、洗浄槽内に純水をスプレーして洗浄用キャリアで保持された半導体ウエハーを純水で洗浄し、洗浄槽から半導体ウエハーを取り出すことによって半導体ウエハーの表面処理を行う半導体ウエハー表面処理装置。」、及び、
　「洗浄槽内へアンモニアガス、水蒸気を導入して半導体ウエハーの表面処理を行う表面処理過程と、洗浄槽内のアンモニアガス、水蒸気を排出するガス排出過程と、表面処理過程の後に洗浄槽内に純水をスプレーして半導体ウエハーを純水で洗浄する純水洗浄過程と、洗浄槽から半導体ウエハーを取り出す過程とを備えた半導体ウエハー表面処理方法。」が記載されていると認められる。
　また、同じく引用した刊行物２（特開平４−４２５３１号公報）には、「３０は洗浄槽であり、この上縁部の外面には全周にわたり洗浄槽３０から溢流排出する洗浄液の排出路を形成する樋部３１を設けており、底部にはマニホールド部を形成する供給管３２の一端を取着している。この供給管３２の片端には、第１の供給弁３３と第１の流量調節器３４とを介して、例えば純水を供給する供給源３５を接続しており、第１の供給弁３３側の中間部には第１の供給支管３６，第２の供給支管３７，第３の供給支管３８がそれぞれの一端を取着し・・・それぞれ第２，第３，第４の供給弁３９、４０、４１と第２、第３、第４の流量調節器４２、４３、４４とを介して、例えば弗化水素、塩酸、過酸化水素の各薬液の供給源を接続している。」（第３頁右上欄第４〜１７行目）と記載され、「棚５は、この上に基板搬送器６に載せておいた被洗浄物の半導体基板７が洗浄液の液面下にくる位置に設けてある。」（第１頁右下欄第１２〜１５行目）と記載され、「半導体基板７を洗浄するに際し、・・・（中略）・・・過酸化水素を、純水が通流する供給管３２に送給する。過酸化水素は供給管３２を通流する間に純水で希釈され、洗浄槽３０に溢流するように供給されるが、過酸化水素の送給量は洗浄槽３０で所定の過酸化水素の濃度になるように、第４の流量調節器４４を調節して行う。過酸化水素による洗浄を所定時間行った後、第４の供給弁４１を閉止し、洗浄槽３０中を純水のみにする。その後洗浄槽３０から基板搬送器６に載せたまま半導体基板７を取り出して全部の洗浄を終わる。」（第３頁左下欄第１行目〜同頁右下欄第１７行目）と記載されており、過酸化水素による洗浄後、洗浄槽を純水のみにするには、純水がオーバーフローして排出されることは自明であることから、刊行物２には、
「基板を収納する洗浄槽と、その洗浄槽内に基板を保持する基板搬送器と、前記洗浄槽内に表面処理液を供給する供給管、第１〜３の供給支管、第２〜４の供給弁、第２〜４の流量調節器、及び弗化水素、塩酸、過酸化水素の各薬液の供給源とを備えた基板表面処理装置において、
　前記洗浄槽内に純水を供給する供給管、第１の供給弁、第１の流量調節器、及び供給源と、前記洗浄槽の周囲からそれよりも高い位置にわたって設けられて前記洗浄槽からオーバーフローした純水を受け止めて排出する樋部とを備え、
　かつ、前記供給管、第１〜３の供給支管、第１〜４の供給弁、第１〜４の流量調節器、及び弗化水素、塩酸、過酸化水素の各薬液の供給源、及び純水を供給する供給源を次の順序で作動させる、すなわち、表面処理液供給手段から洗浄槽内へ表面処理液を供給して基板の表面処理を行い、洗浄槽内の表面処理液を排出し、基板搬送器で保持された基板の全体を洗浄槽の上端周縁よりも下方位置に収納した状態で、純水供給手段によって洗浄槽内に純水を供給するとともに、洗浄槽からオーバーフローした純水を樋部によって受け止めて排出しながら、基板を純水で洗浄し、洗浄槽から基板を引き上げることによって基板の表面処理を行うことを特徴とする基板表面処理装置。」、及び、
「洗浄槽内へ表面処理液を導入して基板の表面処理を行う表面処理過程と、表面処理過程の後に洗浄槽内の表面処理液を排出する過程と、洗浄槽内に純水を供給するとともに、洗浄槽から純水をオーバーフローさせて排出しながら基板を純水で洗浄する純水洗浄過程と、洗浄槽から基板を引き上げる過程とを備えた基板表面処理方法。」が記載されていると認められる。
３．対比・判断
（１）本件請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、
　刊行物１に記載された発明の「半導体ウエハー」、「洗浄槽」、「洗浄用キャリア」、「アンモニアガス、水蒸気」、「バルブ、ＭＦＣ」、「純水スプレー口」、及び「排気孔」は、それぞれ、本件の請求項１に係る発明の「基板」、「表面処理槽」、「基板保持手段」、「表面処理用反応性ガス」、「ガス供給手段」、「純水供給手段」、及び「排気手段」に相当すると認められるから、
　両者は、「基板を収納する表面処理槽と、その表面処理槽内に基板を保持する基板保持手段と、前記表面処理槽内に表面処理用反応性ガスを供給するガス供給手段とを備えた基板表面処理装置において、
　前記表面処理槽内に純水を供給する純水供給手段と、前記表面処理槽内の表面処理用反応性ガスを排出する排気手段とを備え、
　かつ、前記各手段を次の順序で作動させる、すなわち、ガス供給手段から表面処理槽内へ表面処理用反応性ガスを供給して基板の表面処理を行い、基板保持手段で保持された基板を表面処理槽に収納した状態で、純水供給手段によって表面処理槽内に純水を供給して、基板を純水で洗浄し、表面処理槽から基板を取り出すことによって基板の表面処理を行う基板表面処理装置。」である点で一致し、
　本件請求項１に係る発明が「表面処理槽の周囲からそれよりも高い位置にわたって設けられて前記表面処理槽からオーバーフローした純水を受け止めて排出する排水槽を備え、基板保持手段で保持された基板の全体を表面処理槽の上端周縁よりも下方位置に収納した状態で、純水供給手段によって表面処理槽内に純水を供給するとともに、表面処理槽からオーバーフローした純水を排水槽によって受け止めて排出しながら基板を純水で洗浄し、表面処理槽から基板を引き上げる」のに対して、刊行物１に記載された発明が純水をスプレーすることにより表面処理槽内に基板保持手段によって保持された基板を純水で洗浄し、表面処理槽から基板を取り出す点（以下「相違点１」という）、及び、本件請求項１に係る発明が「基板の表面処理を行った後に、排気手段によって表面処理槽内の表面処理用反応性ガスを排出する」のに対して、刊行物１に記載された発明が排気手段によっていつ表面処理槽内のガスを排出するのかが明らかでない点（以下「相違点２」という）で相違する。
　前記相違点について検討する。
相違点１について；
　前記刊行物２には、「基板を収納する表面処理槽（「洗浄槽」がこれに相当する）と、その表面処理槽内に基板を保持する基板保持手段（同「基板搬送器」）と、前記表面処理槽内に表面処理液を供給する表面処理液供給手段（同「供給管、第１〜３の供給支管、第２〜４の供給弁、第２〜４の流量調節器、及び弗化水素、塩酸、過酸化水素の各薬液の供給源」）とを備えた基板表面処理装置において、
　前記表面処理槽内に純水を供給する純水供給手段（同「供給管、第１の供給弁、第１の流量調節器、及び純水を供給する供給源」）と、前記表面処理槽の周囲からそれよりも高い位置にわたって設けられて前記表面処理槽からオーバーフローした純水を受け止めて排出する排水槽（同「樋部」）とを備え、
　表面処理液による表面処理を行った後に、基板保持手段で保持された基板の全体を表面処理槽の上端周縁よりも下方位置に収納した状態で、純水供給手段によって表面処理槽内に純水を供給するとともに、表面処理槽からオーバーフローした純水を排水槽によって受け止めて排出しながら基板を純水で洗浄し、表面処理槽から基板を引き上げる」ことが記載されており、そして、刊行物１に記載された発明と刊行物２に記載された発明とはいずれもバッチ式で、かつ湿式の基板表面処理装置において、表面処理後に基板を純水で洗浄を行う点で共通しているので、刊行物１に記載された純水をスプレーすることにより基板を純水で洗浄し、基板を表面処理槽から取り出す構成を、刊行物２記載された表面処理槽に純水を供給するとともに、表面処理槽から純水をオーバーフローさせて排出しながら基板を純水で洗浄し、基板を表面処理槽から引き上げる構成に代えて、相違点１に示した本件請求項１に係る発明のように構成することは当業者が容易に想到し得たことと認められる。
相違点２について；
　使用した表面処理用反応性ガスが表面処理槽内に残留しているのであれば、この残留した表面処理用反応性ガスを純水によって洗浄する前に排出することは当業者であれば容易になし得た設計的事項であると認められる。
　また、本件の請求項１に係る発明の効果も、刊行物１ないし２に記載された発明から容易に予測できる程度のものにすぎない。
（２）本件請求項２に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、
　刊行物１に記載された発明の「半導体ウエハー」、「洗浄槽」、及び「アンモニアガス、水蒸気」は、それぞれ、本件請求項２に係る発明の「基板」、「表面処理槽」、及び「表面処理用反応性ガス」に相当すると認められるから、
　両者は、「表面処理槽内へ表面処理用反応性ガスを導入して基板の表面処理を行う表面処理過程と、表面処理槽内の表面処理用反応性ガスを排出するガス排出過程と、表面処理過程の後に表面処理槽内に純水を供給して基板を純水で洗浄する純水洗浄過程と、表面処理槽から基板を取り出す過程とを備えた基板表面処理方法。」である点で一致し、
　本件請求項２に係る発明では、「表面処理過程の後に表面処理装置内の表面処理用反応性ガスを排出するガス排出過程」を備えたのに対して、刊行物１に記載された発明では、ガス排出過程がいつ行われるのか明らかでない点（以下「相違点１」という）、及び、本件請求項２に係る発明では、純水洗浄過程が「表面処理槽内に純水を供給するとともに、表面処理槽から純水をオーバーフローさせて排出しながら基板を純水で洗浄する」ものであり、また、「表面処理槽から基板を引き上げる過程」を備えたのに対して、刊行物１に記載された発明では、純水洗浄過程が純水をスプレーすることにより基板を純水で洗浄するものであり、また、表面処理槽から基板を取り出す過程を備えた点（以下「相違点２」という）で相違する。
　前記相違点について検討する。
相違点１について；
　使用した表面処理用反応性ガスが表面処理槽内に残留しているのであれば、このガス排出過程を表面処理過程の後に行うことは当業者であれば容易になし得た設計的事項であると認められる。
相違点２について；
　前記刊行物２には、純水洗浄過程が、表面処理槽（「洗浄槽」がこれに相当する）に純水を供給するとともに、洗浄槽から純水をオーバーフローさせて排出しながら基板を純水で洗浄するものであり、また、表面処理槽から基板を引き上げる過程とを備えたことが記載されており、そして、刊行物１に記載された発明と刊行物２に記載された発明とはいずれもバッチ式で、かつ湿式の基板表面処理方法において、表面処理過程の後に、純水洗浄過程を備えた点で共通しているので、引用刊行物１に記載された純水をスプレーすることにより基板を純水で洗浄する純水洗浄過程と、基板を表面処理槽から取り出す過程とを、刊行物２記載された表面処理槽内に純水を供給するとともに、表面処理槽から純水をオーバーフローさせて排出しながらさせる基板を純水で洗浄する純水洗浄過程と、基板を表面処理槽から引き上げる過程とに代えて、相違点１に示した本件請求項２に係る発明のように構成することは当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　また、本件の請求項２に係る発明の効果も、刊行物１ないし２に記載された発明から容易に予測できる程度のものにすぎない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１ないし２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１ないし２に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月１９日（２０００．９．１９）