【事件の表示】
　特許第３０８６５５６号「半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０８６５５６号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許３０８６５５６号に係る出願は、平成５年２月９日に出願され平成１２年７月７日に設定登録されたが、その後特許異議申立人住友電気工業株式会社による異議の申立がなされたものである。
　
２．本件発明
　本件特許３０８６５５６号の請求項１〜９に係る発明（以下、「本件発明１〜９」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】半導体ダイヤモンド層上に形成される耐熱性オーミック電極において、厚さが１０乃至７０Åの電極Ｔｉ層と、このＴｉ層と前記半導体ダイヤモンド層との間の反応により生じた炭化物層とを有することを特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極。
【請求項２】前記電極Ｔｉ層の上に、Ｗ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｐｔ及びＴａからなる高融点金属、Ｔｉ−Ｗからなる高融点合金、ＴｉＣ及びＴｉＮからなる高融点化合物からなる群から選択された少なくとも１種の材料により拡散防止層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極。
【請求項３】半導体ダイヤモンド層上に、電極層として、厚さが１０乃至７０ÅのＴｉ層を形成し、次いで焼鈍することにより、前記Ｔｉ層と半導体ダイヤモンド層との間にＴｉｘＣ１−ｘ（但し、０＜ｘ＜１）炭化物層を形成することを特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極の形成方法。
【請求項４】前記焼鈍後、前記Ｔｉ層の上に、拡散防止層としてＷ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｐｔ及びＴａからなる高融点金属、Ｔｉ−Ｗからなる高融点合金、ＴｉＣ及びＴｉＮからなる高融点化合物からなる群から選択された少なくとも１種の材料を蒸着して拡散防止層を形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体ダイヤモンド層上のオーミック電極の形成方法。
【請求項５】前記電極層又は拡散防止層の上に、ボンディングのための表面層として、Ａｌ、Ａｕ及びＰｔからなる群から選択された少なくとも１種の材料を形成することを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体ダイヤモンド層上のオーミック電極の形成方法。
【請求項６】半導体ダイヤモンド層上に、電極層として、厚さが１０乃至７０ÅのＴｉ層を形成し、前記Ｔｉ層上に、拡散防止層としてＷ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｐｔ及びＴａからなる高融点金属、Ｔｉ−Ｗからなる高融点金属、ＴｉＣ及びＴｉＮからなる高融点化合物からなる群から選択された少なくとも１種の材料を蒸着して拡散防止層を形成し、次いで焼鈍することにより、前記Ｔｉ層と半導体ダイヤモンド層との間にＴｉｘＣ１−ｘ（但し、０＜ｘ＜１）炭化物層を形成することを特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極の形成方法。
【請求項７】半導体ダイヤモンド層上に、電極層として、厚さが１０乃至７０ÅのＴｉ層を形成し、前記Ｔｉ層上に、拡散防止層としてＷ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｐｔ及びＴａからなる高融点金属、Ｔｉ−Ｗからなる高融点金属、ＴｉＣ及びＴｉＮからなる高融点化合物からなる群から選択された少なくとも１種の材料を蒸着して拡散防止層を形成し、次いで、ボンディングのための表面層として、Ａｌ、Ａｕ及びＰｔからなる群から選択された少なくとも１種の材料を形成し、次いで焼鈍することにより、前記Ｔｉ層と半導体ダイヤモンド層との間にＴｉｘＣ１−ｘ（但し、０＜ｘ＜１）炭化物層を形成することを特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極の形成方法。
【請求項８】半導体ダイヤモンド層上に、電極層として、厚さが１０乃至７０ÅのＴｉ層を形成し、前記Ｔｉ層上に、ボンディングのための表面層として、Ａｌ、Ａｕ及びＰｔからなる群から選択された少なくとも１種の材料を形成し、次いで焼鈍することにより、前記Ｔｉ層と半導体ダイヤモンド層との間にＴｉｘＣ１−ｘ（但し、０＜ｘ＜１）炭化物層を形成することを特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極の形成方法。
【請求項９】前記焼鈍は、真空中又は不活性ガス中で、３５０℃乃至１０００℃の温度で実施することを特徴とする請求項３、６、７又は８項のいずれか１項に記載の半導体ダイヤモンド層上のオーミック電極の形成方法。」
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１号証（米国特許第５０５５４２４号明細書）、甲第２号証（第３９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ｎｏ．２、平成４年春季、第４５９頁、３０ｐ−ＺＹ−９）及び甲第３号証（第５３回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｎｏ．２、平成４年秋季、第４０５頁、１７ａ−ＺＸ−４）を提出し、本件請求項１〜９に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号、または同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
　
４．特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明
４．１　甲第１号証(米国特許第５０５５４２４号明細書)
　本号証は、本件特許の出願日前の１９９１年１０月８日に特許されたものであって、「半導体ダイヤモンド上へのオーミック接合の形成方法」に関するものである。
　そして、本号証の特許請求の範囲の請求項１には、半導体ダイヤモンド上に炭化物形成金属を堆積し、該炭化物形成金属の上に耐腐食性金属を堆積し、該炭化物形成金属と耐腐食性金属に対して不活性な雰囲気中で、３５０から１２００℃の温度範囲に加熱することが記載されている。また、請求項２には、炭化物形成金属と耐腐食性金属の具体的な金属名が記載され、請求項３と４には、これらの炭化物形成金属と耐腐食性金属の堆積が蒸着によって行われると記載されている。
　さらに、請求項５には、半導体ダイヤモンド上に炭化物形成金属を堆積し、該炭化物形成金属の上に中間金属を堆積し、該中間金属の上に耐腐食性金属を堆積した後、該炭化物形成金属、中間金属と耐腐食性金属に対して不活性な雰囲気中で、３５０から１２００℃の温度範囲に加熱することが記載されている。そして、請求項６及び７には、炭化物形成金属、耐腐食性金属並びに中間金属の具体的な金属名が記載され、請求項８乃至１０には、これら炭化物形成金属、耐腐食性金属及び中間金属の堆積が蒸着により行われると記載されている。
　また、甲第１号証の第４欄第３６〜３７行には、炭化物形成金属の厚さは、５〜５０ｎｍと記載されている。
　さらに、同欄第５５〜６３行には、加熱される不活性な雰囲気が、真空や水素、窒素、アルゴンなどのガスであり、この加熱によってこれらの金属部が、オーミック接合に変わることが記載されている。
　そして、甲第１号証の第５欄第１〜５行には、仮説としながらもこうした加熱の間に炭化物形成金属とダイヤモンド表面の界面付近に炭化物の核が発生することが記載され、同欄第１１〜１９行には、実施態様の一例として、ダイヤモンド側からカーボン（ダイヤモンド）：モリブデン炭化物：モリブデン：モリブデンとニッケルの合金：ニッケル：ニッケルと金の合金：金という構成になっていることが記載されている。
　さらに、第５欄第２０〜３１行には、耐腐食性金属の蒸着が不要な用途もあることが記載されており、半導体ダイヤモンド上に炭化物形成金属のみを蒸着することが記載されている。
　
４．２　甲第２号証（第３９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ｎｏ．２、平成４年春季、第４５９頁、３０ｐ−ＺＹ−９）
　本号証は、「ダイヤモンド薄膜／金属界面の特性」に関するものであり、「ダイヤモンド薄膜に炭化物を作るＴｉを蒸着したときのＡＥＳ、ＥＥＬＳによるスペクトルを図に示す。・・・図より、ダイヤモンド表面はＴｉを蒸着すると室温でＴｉＣｘに変化することが分かる。本講演においてはこれらの詳細、及び現在進められているＡＥＳ、ＥＥＬＳ等による他の金属・・・とダイヤモンド薄膜との界面反応に関する研究について報告する。」と記載されている。
　
４．３　甲第３号証（第５３回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｎｏ．２、平成４年秋季、第４０５頁、１７ａ−ＺＸ−４）
　本号証は、「ｐ型多結晶ダイヤモンド薄膜へのオーミック電極の形成機構」に関するものであり、ダイヤモンドの上にＴｉを蒸着し、Ａｒ雰囲気中で熱処理を行うとオーミック特性が得られること並びに界面に生成したＴｉ炭化物が電気特性に大きく寄与することが記載されている。
　
５．本件発明と甲各号証記載の発明との対比・判断
　本件発明１〜９における電極Ｔｉ層の厚さ１０〜７０Åの内、５０〜７０Åは、甲第１号証の５０〜５００Åと重複している。しかし、甲第１号証には５０〜７０Åの範囲の具体的な数値の実施例は記載されていない。さらに、本件発明１〜９では、本件図面の図１からも明らかなように、電極Ｔｉ層の厚さを１０〜７０Åとしたことにより、必要最小限のＴｉ層のみとし、高温においても使用できるという甲第１号証に記載されていない異質な効果を有する。そして、この効果は出願時の技術水準から当業者が予測できたものではないので、本件発明１〜９は、いわゆる選択発明に該当し、甲第１号証に対して進歩性を有する。
　甲第２号証では、ダイヤモンド薄膜に炭化物を作るＴｉを蒸着したダイヤモンド薄膜／金属界面の特性をＡＥＳ（オージェ電子分光法）又はＥＥＬＳ（電子エネルギー損失分光）を用いて測定している。そして、このＡＥＳ又はＥＥＬＳの測定法が５０Å以下程度までを測定するものであったとしても、測定時のＴｉの厚みが５０Å以下程度といえるだけで、測定のために表面を削ることも考えられ、ダイヤモンドの薄膜上に蒸着したＴｉの厚みが５０Å以下か否かは不明である。したがって、特許異議申立人が述べているような「甲第２号証は、当時当業者がダイヤモンド上にＴｉを蒸着する場合、数十Å程度蒸着していたことを示している」とはいえない。
　甲第３号証には、電極Ｔｉ層の厚さについて何ら記載されていない。
　したがって、本件発明１〜９が、甲１号証又は甲第２号証記載の発明と同一であるとも、また、甲１〜３号証記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明１〜９についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜９についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜９についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月１１日（２００１．５．１１）