【事件の表示】
　特許第３０２９１１７号「光センサ用薄膜半導体装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０２９１１７号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成　２年　３月２７日
　設定登録（特許第３０２９１１７号）　　　　　平成１２年　２月　４日
　特許異議申立（佐藤光男）　　　　　　　　　　平成１２年１０月　２日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１２月　８日
　意見書・訂正請求　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　２月２６日
　
２．訂正請求について
（１）訂正事項
　上記訂正請求に係る訂正事項の概要は次のとおりである
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の
「支持体上にパターニングされた導電層、該導電層上に形成されている絶縁層、該絶縁層上に設けられた半導体層、該半導体層上にオーミックコンタクト層を介して設けられた少なくとも一対の電極、とを有する光センサ用薄膜半導体装置において、温度６０℃、湿度９０％の高温高湿状態に１０００時間放置した後の暗電流に変化がないように前記絶縁層の膜厚と同じかそれ以上の厚さのプラズマ窒化ケイ素保護層を更に有することを特徴とする光センサ用薄膜半導体装置。」を
「支持体上にパターニングされた導電層、該導電層上に形成されている
アンダーカット部を有する
前記光センサ用薄膜半導体装置を覆うように設けられた
訂正事項ｂ
　明細書の発明の詳細な説明の〔問題点を解決するための手段〕を訂正事項ａに伴い訂正する。
（２）訂正目的
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的としている。
　訂正事項ｂは、訂正事項ａに伴って、明りょうでない記載の釈明を目的としている。
（３）訂正請求の可否
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮に該当し、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲の拡張し、変更するものではない。
　訂正事項ｂは、明りょうでない記載の釈明に該当し、特許明細書または図面に記載した事項の範囲内であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲の拡張し、変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３　異議申立及び取消理由の概要
（１）特許異議申立の概要
　特許異議申立人佐藤光男は、甲第１号証（特開昭６３−９２０５４号公報）、甲第２号証（特開昭６３−１８５０５９号公報）、甲第３号証（特開昭６４−５０５９号）、甲第４号証（特開昭６２−２１９９６３号公報）を提出し、請求項１に係る特許発明は、甲第１号証〜甲第４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当する。また、アンダーカット部が存在することが必要な事項であるのに請求項１に係る特許発明には記載されていないから、特許法第３６条第６項第２号に違反する。従って、請求項１に係る特許発明は取消すべきであると主張している。
（２）取消理由の概要
　上記（１）特許異議申立の概要と同旨である。但し、特許法第３６条第３項、第４項に違反するとしている。
　
４　本件発明
　訂正請求が認められるので、本件特許の請求項１に係る発明は、上記の訂正発明のとおりである。
　
５　引用例記載の発明
（甲第１号証）
　甲第１号証には、ガラス等の透明基板１１上に、金属等の遮光層１２及び絶縁層１３が形成され、その上に光導電層としての ａ−Ｓｉ：Ｈ等の半導体層１４が形成され、更にオ一ミックコンタクト用のドーピング半導体層１５を介して一対の主電極１６及び１７が形成された光センサーが示されており、原稿Ｐとセンサ部８との間の間隔は、通常０．１ｍｍ程度として４〜８本／ｍｍ の読み取り解像力を得ており、このような解像力を確保するために、透明の保護層２０をセンサ部８の上面に被覆形成する半導体装置が示されている。
（甲第２号証）
　甲第２号証には第１のパッシベーション膜としてＰＳＧ膜を形成し、該ＰＳＧ膜上に第２のパッシベーション膜として、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜即ちプラズマＳｉ３Ｎ４膜を形成した固体撮像素子が示されており、プラズマＳｉ３Ｎ４膜による水分の浸入阻止効果によって暗電流を減少させる旨が示されている。
（甲第３号証）
　甲第３号証には、導電体層上に絶縁層としてＳｉＮ膜を形成した光電変換装置が示されている。
（甲第４号証）
　甲第４号証には、保護層としてプラズマ窒化シリコン層を用いた固体撮像素子が示されており、プラズマ窒化シリコン層が耐湿性の向上に好適である旨が示されている。
　
６　対比・判断
（第２９条第２項）
　上記甲第１号証〜甲第４号証のいずれにも、訂正発明の特徴とするアンダーカット部を有する絶縁層を有した光センサ用薄膜半導体装置を、絶縁層の厚さと同じかそれ以上の厚さのプラズマ窒化ケイ素保護層によって覆う点に関しては何等開示するところはない。
　そして、甲第１号証には、所望の解像力を得るために原稿Ｐとセンサ部８との間隔を通常０．１ｍｍ程度に厳密に制御する必要があり、間隔の制御は透明の保護層２０をセンサ部８の上面に被覆形成することによって行なうとの記載はあるものの、保護層の厚さの具体的な値が開示されておらず、アンダーカット部からの水の浸入という技術課題を認識するような記載もない。
　また、パッシベーション膜としての窒化ケイ素膜が耐水性、耐湿性を向上させることは甲第２号証などに示されてはいるものの、アンダーカット部からの水の浸入という技術課題は甲第２号証〜甲第４号証のいずれからも認識され得るものではない。
　してみると、訂正発明は、甲第１号証〜甲第４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（第３６条第３項、第４項）
　訂正発明は、光センサ用薄膜半導体装置がアンダーカット部を有する構成であり、また、プラズマ窒化ケイ素保護層を光センサ用薄膜半導体装置を覆うように設けたことによって、プラズマ窒化ケイ素保護層と半導体層との位置関係も明りょうとなり、特許法第３６条第３項及び第４項に違反するものではなくなった。
　
７　異議申立のまとめ
  従って、訂正発明は、特許異議申立の理由及び取消理由に該当せず、それらの理由で訂正発明に係る特許を取消すことはできない。
　また、他に訂正発明に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
　従って、本件訂正発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項に規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月７日（２００１．６．７）
【訂正の要旨】
訂正事項ａ
　クレームの減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の
「支持体上にパターニングされた導電層、該導電層上に形成されている絶縁層、該絶縁層上に設けられた半導体層、該半導体層上にオーミックコンタクト層を介して設けられた少なくとも一対の電極、とを有する光センサ用薄膜半導体装置において、温度６０℃、湿度９０％の高温高湿状態に１０００時間放置した後の暗電流に変化がないように前記絶縁層の膜厚と同じかそれ以上の厚さのプラズマ窒化ケイ素保護層を更に有することを特徴とする光センサ用薄膜半導体装置。」を「支持体上にパターニングされた導電層、該導電層上に形成されている
アンダーカット部を有する
前記光センサ用薄膜半導体装置を覆うように設けられた
訂正事項ｂ
　明りようでない記載の釈明を目的として、明細書の発明の詳細な説明の
「〔問題点を解決するための手段〕上記目的を達成する本発明の光センサ用薄膜半導体装置は、支持体上にパターニングされた導電層、該導電層上に形成されている絶縁層、該絶縁層上に設けられた半導体層、該半導体層上にオーミックコンタクト層を介して設けられた少なくとも一対の電極、とを有する光センサ用薄膜半導体装置において、温度６０℃、湿度９０％の高温高湿状態に１０００時間放置した後の暗電流に変化がないように前記絶縁層の膜厚と同じかそれ以上の厚さのプラズマ窒化ケイ素（ＳｉＮ）保護層を更に有することを特徴とする。
　本発明によれば、ＴＦＴもしくはＴＦＴ型センサ等を有する光センサ用の薄膜半導体装置に保護層として設けられた窒化ケイ素膜（以下Ｐ−ＳｉＮ膜と略す）を設け、さらに逆スタガー型構成におけるゲート絶縁膜の厚さより厚いＰ‐Ｓｉｎ膜保護層としたことにより、薄膜半導体素子の側面を含む全面を覆い耐水性、耐湿性を向上させることができる。」を、
「〔問題点を解決するための手段〕上記目的を達成する本発明の光センサ用薄膜半導体装置は、支持体上にパターニングされた導電層、該導電層上に形成されているアンダーカット部を有する絶縁層、該絶縁層上に設けられた半導体層、該半導体層上にオーミックコンタクト層を介して設けられた少なくとも一対の電極、とを有する光センサ用薄膜半導体装置において、温度６０℃、湿度９０％の高温高湿状態に１０００時間放置した後の暗電流に変化がないように、前記光センサ用薄膜半導体装置を覆うように設けられた前記絶縁層の膜厚と同じかそれ以上の厚さのプラズマ窒化ケイ素（Ｓｉｎ）保護層を更に有することを特徴とする。
　本発明によれば、ＴＦＴもしくはＴＦＴ型センサ等を有する光センサ用の薄膜半導体装置に保護層として設けられた窒化ケイ素膜（以下Ｐ−ＳｉＮ膜と略す）を設け、さらに逆スタガー型構成におけるゲート絶縁膜の厚さより厚いＰ‐ＳｉＮ膜保護層としたことにより、薄膜半導体素子の側面を含む全面を覆い耐水性，耐湿性を向上させることができる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光センサ用薄膜半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
（１）支持体上にパターニングされた導電層、該導電層上に形成されている
アンダーカット部を有する
前記光センサ用薄膜半導体装置を覆うように設けられた
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、光センサ用薄膜半導体装置に関し、更に詳しくは、無機保護層を有する、逆スタガー型構造の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）型光センサとして用いることができる光センサ用薄膜半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
　近年の情報機器やその他電子機器の発達、発展により、大面積化、薄型化、長尺化に適した構成の薄膜半導体装置の要望がますます高まっている。
　このような要望に答えるべく、従来、ＴＦＴもしくはＴＦＴ型光センサが多く開発されてきた。これら薄膜半導体装置は、一般に外部環境等から素子を保護するため、保護層としてポリイミドなどの有機保護層で保護することが知られている。
〔発明が解決しようとしている問題点〕
　しかしながら、有機保護層では水の浸入を防ぐいわゆる耐水性が充分であるとはいえない場合がある。特に、高湿状態に装置を保った場合には、保護層を通してわずかではあるが浸入する水の影響によってデバイスの特性が劣化するという問題が生ずる場合があった。
　例えば、浸入した水がＴＦＴもしくはセンサ表面に到達し、ＴＦＴで言えばオフ電流、センサでいえば暗電流が増加するという問題が生ずる場合があった。
　本発明は、上記したような問題点に鑑みてなされたものであって、環境によらず、長期間に亙って安定な特性を有している薄膜半導体装置を提供することを目的とする。
　また、本発明は、耐水性、耐湿性が格段と向上する薄膜半導体装置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕
　上記目的を達成する本発明の光センサ用薄膜半導体装置は、支持体上にパターニングされた導電層、該導電層上に形成されている
アンダーカット部を有する
前記光センサ用薄膜半導体装置を覆うように設けられた
　本発明によれば、ＴＦＴもしくはＴＦＴ型センサ等を有する光センサ用の薄膜半導体装置に保護層として設けられた窒化ケイ素膜（以下Ｐ−ＳｉＮ膜と略す）を設け、さらに逆スタガー型構成におけるゲート絶縁膜の厚さより厚いＰ−ＳｉＮ膜保護層としたことにより、薄膜半導体素子の側面を含む全面を覆い耐水性、耐湿性を向上させることができる。
〔実施例〕
　以下本発明を図面を用いて説明する。
　第１図は本発明の光センサ用薄膜半導体装置に用いることができるＴＦＴもしくはＴＦＴ型光センサの一例を示す模式的断面図である。
　ガラス等の絶縁基板を用いた支持体１１上にゲート電極１２が形成されている。ゲート電極は例えばＣｒ等の金属を５００Å〜１００Åの厚さにスパツタ法で堆積し、その後所望の形状にパターニングされている。ゲート電極１２上には、ゲート絶縁膜が設けられている。ゲート絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法により、シラン（ＳＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）の混合ガスを用いてＳｉＮ膜を堆積した。ゲート絶縁膜１３は、ゲート電極１２のカバレージのためゲート電極より厚くつける必要があり、通常ゲート電極が１０００Åの場合３０００Å程度は必要で、その程度の膜厚で実用化されている。
　ゲート絶縁膜１３の上に、半導体層１４、オーミツクコンタクト層１５が、プラズマＣＶＤ法により堆積される。半導体層１４はシランを分解して形成されるイントリンジツクなアモルフアスシリコン層（以下ｉ層と略す）であり、オーミツクコンタクト層は、シリコンと燐を含有したｎ＋型アモルフアスシリコン層（以下ｎ＋層と略す）である。
　その後、スパツタ法等によりＴＦＴのソース及びドレインとなる電極を例えばＡｌを用いて形成する。
　その後、しかる形状にＡｌをパターニングし、ＴＦＴあるいはＴＦＴ型光センサとなる。
　このパターニングの際、ＴＦＴあるいはＴＦＴ型光センサの素子間分離の為、ＴＦＴあるいはＴＦＴ型光センサ素子以外の不要部をエッチングして除去するが、ゲート絶縁膜１３のエツチング速度が半導体層１４等より速く、さらに、完全に素子間分離をするため、エツチングをエツチング終了後も弱干のオーバーエツチングをする必要がある。これによってゲート絶縁膜１３は、半導体層１４の下側までサイドからエツチングされ、アンダーカツト部１９が生じる。
　この後ＴＦＴあるいはＴＦＴ型光センサのチヤンネル部１８を安定化し、水の浸入を防ぐ為、ＴＦＴあるいはＴＦＴ型光センサの表面をプラズマＣＶＤ法により、プラズマＳｉＮ膜（窒化シリコン膜）を形成し保護層１７を形成する。
　このプラズマＳｉＮ膜は例えばシラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）を１：２として基板温度１５０℃で形成した。膜中のシリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の比は１：０．８であった。
　本発明では、この時、保護層１７とするプラズマＳｉＮ膜の厚さはゲート絶縁膜１３の厚さと同じかそれ以上にして、アンダーカツトの部分１９も完全に埋まるようにした。
　第２図は、保護層の厚さがゲート絶縁膜の厚さより薄い場合の薄膜半導体装置の模式的断面図である。
　第２図に示されるように、プラズマＳｉＮの保護層２７が、ゲート絶縁膜２３より薄い場合、アンダーカツト部２９が埋まらず露出している状態となり、ここから水分が侵入する。
　第３図は、耐水性（耐湿性）試験の結果を示すグラフである。
　試験は高温高湿（６０℃、９０％）保存試験で行った。
　第３図において、３１は本発明の半導体装置による光センサ、３２と３３はそれぞれ本発明と比較するための光センサにおける暗電流の値を示している。
　それぞれの違いを具体的に説明する。３１は本発明の実施例であるゲート絶縁膜の厚さ３０００Åに対して、保護層ＳｉＮ膜の厚さが４０００Åの時のセンサの暗電流の変化を示す。３２は第２図に示されるようにゲート絶縁膜の厚さ３０００Åに対して、保護層ＳｉＮ膜の厚さが薄く、２０００Åのときの変化、３３は従来例のようにポリイミドの保護層だけのときの変化を示す。
　第３図に示されるように、本発明の半導体装置による光センサは高湿状態に１０００時間放置した後もほとんど暗電流に変化がなかったのに対し、比較例は、時間が経過するにつれて暗電流の値が徐々に増加してしまうのがわかる。
　即ち、本発明は光センサはＳ／Ｎ比の低下もなく初期の性能を維持できるのに較べて、比較例では、Ｓ／Ｎ比が悪くなり光センサとして性能が低下しているのがわかる。
　第４図は、本発明を薄膜半導体装置をファクシミリ等の画像読み取り装置に応用した場合の模式的側断面図を示す。
　第４図において、４０は光源、４１はガラス基板、４２はゲート電極、４３はゲート絶縁膜、４４は半導体薄膜、４５はオーミックコンタクト層、４６は上部電極、４７は保護層、４８は光電変換部、４９は原稿、５０は耐摩耗層である。
　第４図に示されるように光源４０からの入射光は原稿４９で反射して、光センサの光電変換部に入射して光電変換される。
　第５図に本発明の半導体装置を利用した場合の回路の平面図の一例を示す。同図において、２１０はマトリクスに形成された配線部、２０８は本発明によるＴＦＴ型光センサを用いた光センサ部、２１２は電荷蓄積部、２１３ａは本発明によるＴＦＴを用いた転送用スイッチ、２１３ｂは電荷蓄積部２１２の電荷をリセットする本発明によるＴＦＴを用いた放電用スイッチ、２３０は転送用スイッチの信号出力を信号処理ＩＣに接続する引き出し線である。本実施例では光センサ部２０８、転送用スイッチ２１３ａ及び放電用スイッチ２１３ｂを構成する光導電性半導体層としてａ−Ｓｉ：Ｈ膜が用いられ、絶縁層としてプラズマＣＶＤによる窒化シリコン膜が用いられている。尚、第５図においては、煩雑さを避けるために、上下２層の電極配線のみ示し、上記光導電性半導体層及び絶縁層は図示していない。また上層電極配線と半導体層との界面にはｎ＋層が形成され、オーミック接合が取られている。
　第６図は第５図示の装置の等価回路を示す。
　同図において、Ｓｉ，１、Ｓｉ，２、…Ｓｉ，Ｎ（以下Ｓｉと記す。ここでｉはブロツクの番号、１〜Ｎは各ブロツク内のビツト数である。）は光センサ部２０８を示す光センサである。Ｃｉ，１、Ｃｉ，２、…、Ｃｉ，Ｎ（以下Ｃｉと記す）は電荷蓄積部２１２を示す蓄積コンデンサであり、光センサＳｉの光電流を蓄積する。ＳＴｉ，１、ＳＴｉ，２、…、ＳＴｉ，Ｎ（以下ＳＴｉと記す）は蓄積コンデンサＣｉの電荷を負荷コンデンサＣＸ１、ＣＸ２、…、ＣＸＮ（負荷コンデンサ２２３に対応）に転送するための転送用スイツチ（転送用スイツチ２１３ａに対応）。ＳＲｉ，１、ＳＲｉ，２、…、ＳＲｉ，Ｎ（以下ＳＲｉと記す）は蓄積コンデンサＣｉの電荷をリセットする放電用スイツチ（放電用スイツチ２１３ｂに対応）である。
　これらの光センサＳｉ、蓄積コンデンサＣｉ、転送スイッチＳＴｉおよび放電用スイツチＳＲｉはそれぞれ一側にアレイ状に配置され、Ｎ側で１ブロツクを構成し、画像読取装置は全体としてＭ側のブロツクに分けられている。例えば、センサが１７２８個で構成されているとすれば、Ｎ＝３２、Ｍ＝５４とすることができる。アレイ状に設けられた転送用スイツチＳＴｉ、放電用スイツチＳＲｉのゲート電極はゲート配線部２１０に接続される。転送用スイッチＳＴｉのゲート電極は１番目のブロツク内で共通に接続され、放電用スイッチＳＲｉのゲート電極は次の順位のブロツクの転送用スイツチのゲート電極に接続される。
　マトリクス配線部２１０の共通線（ゲート駆動線Ｇ１、Ｇ２、…、ＧＭ）はゲート駆動部２４６によりドライブされる。一方、信号出力はマトリクス構成になっている引出し線２３０（信号出力線Ｄ１、Ｄ２、…、ＤＮ）を介して信号処理部２４７（ブロック単位で）接続される。
　また、光センサＳｉ，１、…、Ｓｉ，Ｎ、Ｓ２，１、…、ＳＮ，Ｎのゲート電極（速光層２０２）は駆動部２５０に接続されて、負のバイアスが加えられている。
　かかる構成において、ゲート駆動線Ｇ１、Ｇ２、…、ＧＭにはゲート駆動部２４６から順次選択パルス（ＶＧ１、ＶＧ２、ＶＧ３、…、ＶＧＭ）が供給される。また、ゲート駆動線Ｇ１が選択されると、転送用スイツチＳＴ１がＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ１に蓄積された電荷が負荷コンデンサＣＸ１〜ＣＸＮに転送される。次にゲート駆動線Ｇ２が選択されると、転送用スイッチＳＴ２がＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ２に蓄積された電荷が負荷コンデンサＣＸ１〜ＣＸ３２に転送され、同時に放電用スイツチＳＲ１により蓄積コンデンサＣ１の電荷がリセツトされる。以下同様にして、Ｇ３、Ｇ４、…、ＧＭについても選択されて読み取り動作が行なわれる。これらの動作は各ブロツクごとに行なわれ、各ブロツクの信号出力ＶＸ１、ＶＸ２、…、ＶＸＮは信号処理部２４７の入力Ｄ１、Ｄ２、…、ＤＮに送られ、シリアル信号に変換されて出力される。
　本発明の薄膜半導体装置を用いた読み取り装置は、長時間に亙る使用に対しても特性等の劣化がなく安定した読み取りを行うことができた。
　特に高湿状態における使用は従来のものと比べて明らかに安定していた。
　尚、本実施例の読み取り装置は、第４図に示されるように光センサの上部に耐摩耗層５０を形成してセンサの裏面から光源４０により照明し、原稿４９を読み取るレンズレスのコンタクトセンサアレイのみならず、等倍結像レンズ（たとえば、日本板硝子社製のセルフォックレンズなど）を用いたコンタクトセンサアレイにも使用可能である。
〔発明の効果〕
　以上説明したように、本発明の薄膜半導体装置においては、ＴＦＴ及びＴＦＴ型光センサのゲート絶縁膜の厚さ以上のプラズマ窒化膜を保護層として表面を覆うように形成したことによりＴＦＴ及びＴＦＴ型光センサの耐湿性、耐水性が格段と向上するという効果がある。
　また、本発明では、保護層の厚さ及び膜質を高温高湿状態に１０００時間放置した後も暗電流に変化がない様にすることで、Ｓ／Ｎ比の低下がなく初期の性能を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明の薄膜半導体装置の模式的断面図、第２図は、保護層の厚さがゲート絶縁膜より薄い時の模式的断面図、第３図は、耐水性（耐湿性）試験の結果を示す図、第４図は、本発明の薄膜半導体装置を用いた画像読取装置の模式的断面図、第５図は、本発明の応用を示す画像読取装置の模式的平面図、第６図は、本発明の応用を示す画像読取装置の等価回路である。
１１、２１、４１……支持体。
１２、２２、４２……ゲート電極。
１３、２３、４３……ゲート絶縁膜。
１４、２４、４４……半導体層。
１５、２５、４５……オーミツクコンタクト層
１６、２６、４６……ソース、ドレイン電極
１７、２７、４７……プラズマＳｉＮ保護層
１９、２９……アンダーカツト部。