【事件の表示】
　特許第２８６８８４９号「情報記録媒体」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８６８８４９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯     
　本件特許第２８６８８４９号の請求項１に係る発明についての出願は、平成２年６月２９日（優先権主張：平成２年２月１９日、平成２年２月２３日、平成２年５月２４日）に特許出願され、平成１０年１２月２５日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、藤上絢子より特許異議の申立があり、取消理由を通知したところ、その指定期間内である平成１２年５月１日に訂正請求がなされ、同日に意見書が提出され、これに対し訂正拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１２年８月２９日に意見書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正後の発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　請求項１「基板上に設けられた記録層の主成分が、記録・消去時に結晶‐非晶間あるいは結晶‐結晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在し、上記Ｍ相とＬ相とが共に記録・消去に用いる波長の電磁波に対して光吸収能を有し、かつ、その組成を一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２であることを特徴とする情報記録媒体。」
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許権者が求めている訂正の内容は次のＡ〜Ｆのとおりである。
　Ａ．特許請求の範囲の請求項１の「基板上に設けられた記録層の主成分が、記録・消去時に結晶−非晶間あるいは結晶−結晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在し、上記Ｍ相とＬ相とが共に記録・消去に用いる波長の電磁波に対して光吸収能を有することを特徴とする情報記録媒体。」という記載を、
　「基板上に設けられた記録層の主成分が、記録・消去時に結晶−非晶間あるいは結晶−結晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在し、上記Ｍ相とＬ相とが共に記録・消去に用いる波長の電磁波に対して光吸収能を有し、かつ、その組成を一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２であることを特徴とする情報記録媒体。」とする訂正。
　Ｂ．明細書第８頁第１３行の「剥離」の記載を「隔離」とする訂正。
　Ｃ．明細書第２４頁の表Ｉ−１の左端欄のＡとＧに＊の印を付し、「＊ＡとＧは比較例」との記載を追加する表Ｉ−１の訂正。
　Ｄ．明細書第２５頁の表Ｉ−３の左端欄のＡに＊の印を付する表Ｉ−３の訂正。
　Ｅ．明細書第２６頁の表Ｉ−５の左端欄のＡとＧに＊の印を付し、「＊ＡとＧは比較例」とする表Ｉ−５の訂正。
　Ｆ．明細書第２９頁の表II−１の左端欄のＡとＧに＊の印を付し、「＊ＡとＧは比較例」との記載を追加する表II−１の訂正。
　Ｇ．明細書第３０頁の表II−３の左端欄のＡとＧに＊の印を付し、「＊ＡとＧは比較例」との記載を追加する表II−３の訂正。
　
　上記Ａの特許請求の範囲の訂正は、「その組成を一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２である」との構成を付加する訂正であるところ、特許明細書第７頁１２〜１４行に「Ｍ相とＬ相が下記条件を満足する情報記録媒体。　・Ｌ1-ａ＋Ｍａ（０.３０≦ａ≦０.９２）」と記載されていることから、前記付加した構成は特許明細書に記載されているものと認められるので、該訂正は特許請求の範囲の減縮に該当し、かつ新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　そして、上記Ｂの訂正は、特許明細書の「・・・Ｍ相同士はＬ相により完全に隔離された状態にあるのが良い。その場合剥離されたＭ相の平均的な大きさ・・・」の箇所に関し、「剥離」を「隔離」に訂正するものであって、先行する「隔離」との記載を勘案すれば、誤記の訂正といえ、また、上記Ｃ〜Ｇの訂正は、該特許請求の範囲の訂正に伴い明細書の記載を整合させたものであって、明瞭でない記載の釈明に該当し、かつ、上記Ｂ〜Ｇのいずれの訂正も新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）独立特許要件の判断
（Ａ）特許法第２９条の２の違反について、
（先願）
　訂正明細書の請求項１に係る発明に対してなされた特許に対して、当審が平成１２年６月２０日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された、特願平１−２４００５３号（特開平３−１０４０１９号公報参照、以下、先願という。）の出願の当初の明細書には、
（ｉ）「光、熱等の手段により可逆的に相変化する記録材料層を基板上に備え、この相変化に伴う光学的性質を利用する光学的記録方法において、上記記録材料におけるアモルファス相と、アモルファス中に結晶が混在した混相との間の光学的性質を利用して、情報の記録・再生・消去を行うことを特徴とする光学的記録方法。」（特許請求の範囲参照）、
（ii）「その課題とするところは、書換え速度の向上と保存安定性に優れた記録材料の適用が図れる光学的記録方法を提供することにある。」（公開公報第２頁左下欄５〜７行参照）こと、
（iii）「上記「混相」とはアモルファス相の一部が結晶化してアモルファス中に結晶が混在する相状態をいう。　また、このアモルファス中における結晶の比率については、アモルファス相と混相間における反射率につき記録情報としての差別化が図れ得る範囲において任意に設定可能である。」（公開公報第２頁左下欄１６行〜同頁右下欄２行参照）こと、
（iv）「この実施例において適用された光記録媒体は、・・・中略・・・（Ｓｂ２Ｔｅ３）８０−（Ｂｉ２Ｓｅ３）２０で示される厚さ１００ｎｍの記録材料層（３）と・・・中略・・・とでその主要部が構成されているものである。　・・・中略・・・そして、この光記録媒体の初期化のため・・・中略・・・１０ｍＷの半導体レーザーから上記記録材料層（３）面へレーザー光を８０ｎｓの条件で一様に照射し記録材料をアモルファス相からアモルファス中に結晶が混在する混相へ相変化させてその初期化を完了させた。　次いで、・・・中略・・・出力２２ｍＷの半導体レーザーから記録材料層（３）面へレーザー光を６０ｎｓ照射し、その照射された部位の記録材料を混相からアモルファス相へ相変化させて情報としてのランダムパターンの書き込みを行った。　次に、・・・中略・・・０．５ｍＷの半導体レーザーから上記記録材料層（３）面へレーザー光を照射し、この反射レーザー光を受光素子へ入力させて情報の再生を行った。　尚、再生信号のＣ／Ｎ比は４５ｄＢであった。・・・中略・・・。　一方、上記情報の書換えを行うため、・・・中略・・・１０ｍＷの半導体レーザーから記録材料層（３）面へレーザー光を８０ｎｓ照射し、この照射された部位の記録材料をアモルファス相からアモルファス中に結晶が混在する混相へ相変化させて書込み情報の消去を行った後、上記書込みに使用した半導体レーザーを用い同一の照射条件で新たな情報を書込んで情報の書換えを行った。　・・・・・・中略・・・。　また、上記「混相」のアモルファス中における結晶の比率についてはＸ線回折法で確認したところ約２５％であった。」（公開公報第５頁左上欄１８行〜第６頁左上欄１４行参照）こと、
（ｖ）「尚この実施例においてはその消去操作を８０ｎｓ以下の条件でも行ってみたが、若干情報の消残りがあり消去条件としては不十分であった。　また、同一の光記録媒体を用い、かつ、同一条件の記録、書換え操作を繰返す「繰返し特性」テストも行ったが、１０４回繰返してもその記録特性に変化は無かった。」（公開公報第６頁左下欄１６〜２０行）こと、が記載されている。
　
（対比・判断）
　上記先願の当初明細書の摘示から、および、その特許請求の範囲は「光学的記録方法」として記載されているが、その明細書中には当該記録方法に用いる光記録媒体についても詳細に記載されていることを勘案して、当該明細書には「光、熱等の手段により可逆的に相変化する記録材料層を基板上に備え、該記録材料におけるアモルファス相と、アモルファス中に結晶が混在した混相との間の光学的性質を利用して、情報の記録・再生・消去を行うことができる情報記録媒体。」が開示されているものと認められる。
　そこで、訂正後の本件請求項１に係る発明と上記先願の当初明細書に開示されていると認められる情報記録媒体の発明（以下、先願発明という）とを対比すると、本件訂正明細書の第７頁１５行〜末行には、Ｌ相を非晶質相、Ｍ相を結晶−非晶間の転移相とする例が示されており、該非晶質相はアモルファス相に他ならないから、結局、両者は、「基板上に設けられた記録層の主成分が、記録・消去時に結晶−非晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在する情報記録媒体。」に係るものである点で一致し、本件発明が、（イ）「Ｍ相とＬ相とが共に記録・消去に用いる波長の電磁波に対して光吸収能を有し、」かつ、（ロ）「その組成を一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２である」という限定を有するのに対し、先願発明ではこのような限定を有しない点で相違する。
　しかしながら、先願の当初明細書に記載された記録材料においても結晶−非晶質の状態を如何を問わず記録・消去に用いる波長の電磁波に対して何らかの光吸収能を有することは自明であるから、当該光吸収能に関する限定の有無によって両発明を別異のものとみることはできない。
　よって、前記（イ）の点は実質的な相違点ではない。
　次に、（ロ）のＭ相とＬ相のモル比の数値限定について検討する。
　先願の当初明細書には、「このアモルファス中における結晶の比率については、アモルファス相と混相間における反射率につき記録情報としての差別化が図れ得る範囲において任意に設定可能である。」という記載があり、具体例として結晶の比率が２５％の唯一の例、即ちａが０.２５の例が示されている。　しかし、先願の当初明細書には、訂正後の本件請求項１にかかる発明の構成要件である「一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２である」ことは記載されておらず、かつ、その構成によって消去比が優れたものとなることは記載も示唆もされていないし、自明でもない。
　一方、本件特許明細書の記載、特に表に示された実施例、比較例のデータからみて、「一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２である」範囲の例の消去比は、その範囲を外れる例の消去比に比べて優れている（およそ３０ｄＢ程度が境目と認められる）ことが窺い知ることができるので、訂正後の本件請求項１に係る発明は、上記「一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２である」との限定により、明細書に記載の消去比に優れた情報記録媒体が得られるという顕著な効果を奏するものである。
　よって、前記（ロ）の点は、実質的な相違点であると認められる。
　ところで、平成１２年８月２９日付け意見書に添付された乙各号証は本願出願後の刊行物であるが、そこには、「・・・記録膜を用いた急冷構造ディスクは、・・・中略・・・実用的なＣ／Ｎ（≧５０ｄＢ）、消去率（≧２５ｄＢ）が得られ、ジッタも５ｎｓｅｃ以下と良好である。」（乙第１号証：１９９１年冬季第２回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、第２１頁８〜１１行参照）、及び、「ＣＮＲが５２ｄＢ程度、消去比が３０ｄＢで基本的なオーバーライト性能を十分に満足することが分かった。」（乙第２号証：１９９１年秋季第３回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、第１１３頁下から８〜９行）との記載があり、消去比２５〜３０ｄＢ程度が実用上使用し得るかどうかの目安として一般的であったものと認められるから、前記（ロ）のＭ相とＬ相のモル比として０.３０≦ａ≦０.９２と限定したことに技術的意義はあるものといえる。
　なお、先願発明でも、上記（iv）の摘示のように再生信号のＣ／Ｎ比が４５ｄＢであって、上記（ｖ）の摘示のように１０４回繰返しても記録特性に変化がないことが示されているが、このことのみによって上記構成の自明性の判断は左右されない。
　したがって、訂正後の本件請求項１に係る発明は、上記先願の明細書に記載された発明と同一ではない。
　
（Ｂ）特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項違反について
（引用刊行物）
　当審が平成１２年２月１６日付けで通知した取消理由通知に引用された特開昭６４−７２３４１号公報（以下、引用例１という）には、
（ｉ）「基板と、光ビームが照射されることにより結晶相と非晶質中に結晶が混在した混相との間で可逆的に相変化が生じる記録層とを有することを特徴とする情報記録媒体。」（特許請求の範囲参照）、
（ii）「作用　　この発明において、記録層として、結晶相と非晶質中に結晶が混在した混相との間で相変化が生じ得る材料を使用する。このような組成においては、結晶化速度が大きく、また、微細結晶と非晶質中に微細結晶が混在した混相との間の相変化の変化速度が大きいので、初期化、記録及び消去速度を高速化することができる。また、記録マーク部を非晶質に結晶が混在している混相とすることにより、情報を安定して記録することができ、記録レベルを高めることができる。」（第２頁左下欄１４行〜同頁右下欄４行参照）こと、
（iii）「記録層を一般式（Ｉｎ１００−ｘＳｂｘ）１００−ｙＴｅｙで表される組成の合金で形成し、ｘ，ｙを夫々４８≦ｘ≦５２、０．０５≦ｙ≦５とする場合には、記録層に光ビームを照射すると、光ビームの照射条件により、ＩｎＳｂ金属間化合物の微細結晶とＩｎＴｅ又はＳｂＴｅの微細結晶とが混合した相と、ＩｎＴｅ又はＳｂＴｅの非晶質中にＩｎＳｂの微小結晶が混在した混相との間で相変化する。そして、初期化時及び情報の消去時にはＩｎＳｂ金属間化合物の微細結晶とＩｎＴｅ又はＳｂＴｅの微細結晶とが混合した相となり、情報の記録時にはＩｎＴｅ又はＳｂＴｅの非晶質中にＩｎＳｂの微細結晶が混在した混相となる。」（第２頁右下欄末行〜第３頁左上欄１３行参照）こと、
（iv）「Ｔｅが５原子％よりも多くなると結晶化速度が遅くなり過ぎ、初期化速度及び消去速度が不十分になってしまう。一方、前述のＩｎ１００−ｘＳｂｘ（４８≦ｘ≦５２）の合金は、Ｓｂの偏析が殆どないから、記録信号は小さい。この場合に、情報を有効に記録するためにはＴｅが０．０５原子％以上必要である。従って、上述のように、０．０５≦ｙ≦５の範囲が適当である。」（第３頁左下欄１７行〜同頁右下欄４行参照）こと、
（ｖ）試験例１として、（Ｉｎ４８Ｓｂ５２）９８Ｔｅ２の合金を３元同時スパッタにより８００Å成膜して記録層を形成したものを用いてサンプルＡを作製し、動特性評価し、Ｉｎ４３Ｓｂ５７にした以外はサンプルＡと同様に作製したサンプルＢと比べたところ、サンプルＡでは、回転数（ｒｐｍ）４００，８００，１２００，１８００の時に初期化に要する回転回数１，１，１，２回であり、記録マークの再生信号８０，８０，８０，７０ｍＶであり、消去残り０，０，０，０ｍＶであるのに対して、サンプルＢでは、回転数（ｒｐｍ）４００，８００，１２００，１８００の時に、初期化に要する回転回数が３，６，１１回、初期化できない、再生信号がそれぞれ１２０，７０，３０ｍＶ，−、消去残りが１０，５０，３０ｍＶ，−であることを記載した第１表の結果が得られ、その結果、サンプルＡはサンプルＢと比較して初期化回数が少なくてよく、消去残りも少ないことがわかった旨（第４頁左下欄末行〜第５頁右上欄末行参照）、
（vi）「試験例２　記録層を（Ｉｎ４８Ｓｂ５２）１００−ｙＴｅｙ，で形成して、ｙの値を変化させ、試験例１と同様な層構成の光ディスクサンプルを作製し、動特性評価を行なった。　・・・中略・・・。　Ｔｅを５原子％を越えて添加した場合には、情報の消去に際して消去残り信号が増大し、消去特性が低下した。これは、Ｔｅの増加に従って、記録マーク部に結晶化速度が小さいＩｎＴｅ又はＳｂＴｅの非晶質が増加したためである。」（第５頁左下欄１〜１７行参照）こと、が記載されている。
　
（対比・判断）
　そこで、訂正後の本件請求項１に係る発明と上記引用例１記載の発明とを対比する。
　本件訂正明細書第１８頁１行目には、Ｌ相が結晶であってもよいとされているから、引用例１記載の発明のＩｎＳｂの結晶相がＬ相に相当し、非晶質と結晶の相転移を行うＩｎＴｅ又はＳｂＴｅがＭ相に相当するといえるので、両者は、「基板上に設けられた記録層の主成分が、記録・消去時に結晶−非晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在する情報記録媒体。」に係るものである点で一致し、訂正後の本件請求項１に係る発明が、（イ）「Ｍ相とＬ相とが共に記録・消去に用いる波長の電磁波に対して光吸収能を有し、」かつ、（ロ）「その組成を一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２である」という限定を有するのに対し、引用例１記載の発明ではこのような限定を有しない点で相違する。
　しかしながら、引用例に記載された記録材料においても結晶−非晶質の状態を如何を問わず記録・消去に用いる波長の電磁波に対して何らかの光吸収能を有することは自明であるから、当該光吸収能に関する限定の有無によって両発明を別異のものとみることはできない。
　よって、前記（イ）の点は実質的な相違点ではない。
　次に、（ロ）のＭ相とＬ相のモル比の数値限定について検討する。
　引用例１記載の発明は、Ｍ相とＬ相の割合について明確に言及する記載がないところ、その具体的説明として唯一示された（Ｉｎ１００−ｘＳｂｘ）１００−ｙＴｅｙ に検討すると、前記のとおりＩｎＳｂがＬ相に相当し、ＩｎＴｅ又はＳｂＴｅがＭ相に相当し、更に、ｙとして最大５とすべきことが示唆されていて、そのとき（ＩｎＳｂ）９５Ｔｅ５ の合金となり、ＩｎとＳｂは５原子％がＴｅと結合することを考慮すると、前記合金はＬ９５−５Ｍ５ （即ち、Ｌ１００−５．３Ｍ５．３）と表すことができるので、訂正後の本件請求項１に係る発明で用いられるａに相当する値は最大で０．０５近傍と判断できる。　そして、引用例１の記載を検討しても、他にＭ相とＬ相の割合について具体的な示唆は見いだせない。
　そうであるから、（ロ）のＭ相とＬ相のモル比に関する「その組成を一般式Ｌ1-ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０.３０≦ａ≦０.９２である」という限定は、引用例１記載の発明との本質的な相違点であるばかりか、かかる数値範囲は当業者が容易に想い到ることができないものといえる。
　なお、上記摘示（ｖ）のように、引用例１の試験例１によれば、引用例１記載の発明であっても消去率残りが少ないことが示唆されていて、本願記載の比較例のデータとの不整合が窺えるものの、そのことによって前記容易性の判断が直ちに左右されるわけではない。
　そして、訂正後の本件請求項１に係る発明は、この構成を採用することにより明細書に記載の顕著な効果を奏するものである（上記２．（３）（Ａ）の（対比・判断）も参照）。
　したがって、訂正後の本件請求項１に係る発明は引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　よって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであって、上記訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するものであるから、当該訂正を認める。　　
　
３．特許異議申立についての判断
（１）申立についての概要
　特許異議申立人藤上絢子は、（ｉ）証拠として甲第１号証（特開昭６４−７２３４１号公報）を提出し、請求項１に係る発明に対する特許は特許法第２９条第１項第３号及び同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、（ii）証拠として甲第２号証（特開平３−１０４０１９号公報、即ち、特願平１−２４００５３号の明細書）を提出し、請求項１に係る発明に対する特許は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、当該特許は取り消されるべき旨主張している。
　
（２）請求項１に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件特許第２８６８８４９号の請求項１に係る発明は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記２．（１）の訂正後の発明参照。）。
　
（３）判断
　特許異議申立人が提出した甲第１号証は、上記２．（３）（Ｂ）で検討した引用例１と同一であり、同じく甲第２号証の出願の当初明細書は、上記２．（３）（Ａ）で検討した先願の当初明細書と同一である。
　よって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、（ｉ）上記２．（３）（Ｂ）で検討した理由と同じ理由により、甲第１号証に記載された発明と認めることができず、かつ、該発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることもできない、また、（ii）上記２．（３）（Ａ）で検討した理由と同じ理由により、甲第２号証出願の当初明細書（上記２．（３）（Ａ）の先願の当初明細書と同一）に記載された発明と認めることができない。
　
（４）むすび
　　以上のとおりであるから、訂正後の本件請求項１に係る発明に対してなされた特許は、特許異議申立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　　また、上記特許を取り消すべき理由を発見しない。
　　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月４日（２０００．１０．４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　Ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の「基板上に設けられた記録層の主成分が、記録・消去時に結晶‐非晶間あるいは結晶‐結晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在し、上記Ｍ相とＬ相とが共に記録・消去に用いる波長の電磁波に対して光吸収能を有することを特徴とする情報記録媒体。」を、「基板上に設けられた記録層の主成分が、記録・消去時に結晶‐非晶間あるいは結晶‐結晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在し、上記Ｍ相とＬ相とが共に記録・消去に用いる波長の電磁波に対して光吸収能を有
し、かつ、その組成を一般式Ｌ１−ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０．３０≦ａ≦０．９２である
　　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載の整合性を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、表中の例の一部を比較例とすべく、表Ｉ−１、表Ｉ−３、表Ｉ−５、表ＩＩ−１、表ＩＩ−３を訂正する。
　Ｂ．誤記の訂正を目的として、明細書第８頁第１３行の「剥離」の記載を「隔離」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
情報記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　基板上に設けられた記録層の主成分が、記録・消去時に結晶−非晶間あるいは結晶−結晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在し、上記Ｍ相とＬ相とが共に記録・消去に用いる波長の電磁波に対して光吸収能を有し、
かつ、その組成を一段式Ｌ１−ａＭａ（ただし、ａはモル比）で示したとき、０３０≦ａ≦０９２であることを特徴とする情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は情報記録媒体、特に相変化型情報記録媒体であって、光ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書き換えが可能である情報記録媒体に関するものであり、光メモリー関連機器に応用される。
　　【従来の技術】
　電磁波特にレーザービームの照射による情報の記録・再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶−非晶質相間或いは結晶−結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体が良く知られている。特に光磁気メモリーでは困難な、単一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系も、より単純であることなどから最近その研究開発が活発になっている。その代表的な材料例として、ＵＳＰ３，５３０，４４１に開示されているようにＧｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ等所謂カルコゲン系合金材料が挙げられる。又、安定性、高速結晶化等の向上を目的にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０）等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８）の提案等もなされている。しかしながら、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべてを満足し得るものとはいえない。
　又、特開昭６３−２５１２９０では結晶状態が実質的に３元以上の多元化合物単相からなる記録層を具備した光記録媒体が提案されている。ここで実質的に三元以上の多元化合物単相とは三元以上の化学量論組成をもった化合物（例えばＩｎ３ＳｂＴｅ２）を記録層中に９０原子％以上含むものとされている。
　このような記録層を用いることにより、高速記録、高速消去が可能となるとしている。
　しかしながら、記録、消去に要するレーザーパワーは未だ充分ではない。消去比も低い（消し残りが大きい）等の欠点を有している。
　更に特開平１−２７７３３８においては（ＳｂＸＴｅ１−Ｘ）１−ＹＭＹ（ここで０．４≦Ｘ＜０．７、Ｙ≦０．２、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群がら選ばれる少なくとも１種以上）で表される組成の合成からなる記録層を有する光記録媒体が提案されている。
　この系の基本はＳｂ２Ｔｅ３であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促進させている．又、ＤＣ光による消去率も大きいとしている。
　しかしながら、オーバーライト時の消去率は示されておらず（本発明者の検討結果では消し残りを生じた）、記録感度も不充分である。
　同様に特開昭６０−１７７４４６では記録層に（Ｉｎ１−ＸＳｂＸ）１−ＹＭＹ（０．５５≦Ｘ≦０．８０、０≦Ｙ≦０．２０）なる合金を、又、特開昭６３−２２８４３３では記録層にＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｓｂ（過剰）なる合金を各々用いているが、感度、消去比等の特性を満足するものではない。
　又、特開昭６３−１７３２４１では記録材料を熱的に安定なマトリックス中に分散せしめた記録層が提案されている。
　しかしながらマトリックス材料はいずれも透光性の高い高融点材料であり、記録層全体として充分な光吸収率、反射率が得られず感度、コントラスト等の低下をきたす。又、１ビームオーバーライト性能も充分とはいえない。
　特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
　中でもレーザー照射時間が１００ｎｓｅｃ以下という条件下で媒体面でのレーザー書込みパワーについては、現在までの報告例のいずれもが、１５ｍＷ程度以上のパワーを必要としており、転送速度向上のため大きな障壁となっている。又、記録・消去のくり返し時に発生する熱により、記録層、耐熱保護層等が損傷を受け、特性劣化をきたすため、くり返し性能向上に対しても大きな障害となっている。
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、上記従来技術に比較して下記の点を改良した情報記録媒体を提供しようとするものである。
（１）レーザー書込み（記録）感度の向上
（２）消去感度の向上
（３）記録−消去のくり返し性能向上
（４）消去比の向上
　　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決するためには相変化形情報記録媒体の記録層材料として以下に示す物質を用いることが極めて有効であることを見出した。
　基板上に設けられた記録層の主成分が記録・消去時に結晶−非晶間あるいは結晶−結晶間の相転移を生じる相（Ｍ相）と、記録・消去時に相転移を生じない相（Ｌ相）との混相状態で存在し、Ｍ相とＬ相が下記条件を満足する情報記録媒体。
　・Ｌ１−ａ＋Ｍａ（０．３０≦ａ≦０．９２）
　・Ｍの融点≦７００℃
　・Ｌの融点＞Ｍの融点
　・記録・消去に使用する波長の電磁波に対するＭ相、Ｌ相各々の光吸収係数αＭ、αＬが
　　　αＭ≧１０３ｃｍ−１、αＬ≧１０２ｃｍ−１
　　　ここでαはＩ＝Ｉ０（１−Ｒ）２ｅｘｐ−α１
　　　Ｉ０：入射光強度
　　　Ｉ：透過光強度
　　　ｌ：膜厚
　　　Ｒ：反射率
　αＭは好適には５×１０３ｃｍ−１以上、最適には１×１０４ｃｍ−１以上、αＬは好適には１×１０３ｃｍ−１以上、最適には５×１０３ｃｍ−１以上である。
　更にＬは繰り返し性能向上のために、二元以上の化合物組成か、その近傍の組成が望ましい。Ｍ相とＬ相とは混合状態にある必要があるが、望ましくは相転移相であるＭ相同士はＬ相により完全に隔離された状態にあるのがよい。その場合隔離されたＭ相の平均的な大きさ（以後、微粒子粒径と呼ぶ）は３０〜５００Å、好適には５０〜３００Å、最適には８０〜２００Åである。Ｍの含有率ａは、０．３０≦ａ≦０．９２、好適には０．５０≦ａ≦０．９０、最適には０．６０≦ａ≦０．９０である。
　更にＭの融点は７００℃以下、好適には６５０℃以下、最適には６００℃以下がよい。
　添付図面は本記録層を単純化し模式的に表わしたものである。
　相転移相（Ｍ相）１がマトリックスを形成している非相転移相（Ｌ相）２の中に分散している状態の混相を形成している。Ｍ相としては例えばＳｂ（ｍ．Ｐ．６３０℃）、Ｌ相としてはＡｇＩｎＴｅ２（ｍ．Ｐ．６８０℃）がある。
　このような構成にすることにより、記録層は以下のような特徴を持つようになる。
（１）相転移相（Ｍ相）、非相転移相（Ｌ相）が共に、光吸収能を持つため、記録・消去時に電磁波（例えばＬＤ光）の利用効率が高くなる。その結果、感度が向上する。
（２）Ｍ相が微粒子状態で存在するため、融点がバルク状態の値に比べ、降下する。したがってアモルファス化記録（通常は溶融・急冷）時に必要とされるエネルギーを低くすることができる。すなわち記録感度、応答速度が向上する。又、再結晶化（消去）時にも感度、応答速度が向上する。
　その中でも特に記録層材料として、下記一般式で表わされる物質を主成分とすることにより、極めて大きな改善が可能であることを見出した。
　その構成は、
（１）基板上に設けられた記録層の主成分が下記一般式で表され、かつ記録層中の存在状態がＸＹＺ２相とＭ相との混合であることを特徴とする情報記録媒体。
　一般式
　（ＸＹＺ２）１−ａＭａ
　　ＸＹＺ２は周期表のＩｂ一ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２あるいはＩＩｂ−ＩＶｂ−Ｖｂ２で表されるカルコパイライト型化合物、
　　Ｍは、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの中から選ばれる１種以上の元素あるいはＡｇＳｂＴｅ２、
　　０．３０≦ａ≦０．９２
である。
（２）ＸＹＺ２がＡｇＩｎＴｅ２であり、ＭがＳｂ又はＢｉであることを特徴とする上記（１）項記載の情報記録媒体。
　ａが０．３未満或いは０．９２を超えると感度、消去比、コントラストの向上に効果がなくなる。
　　又、記録層中には他の不純物等を微量（１％以下）含んでいてもよい。
　　更に本発明はその実施態様として下記各事項を包含するものである。
ａ）Ｌ相が二元以上の化合物である情報記録媒体。
ｂ）基板上に設けられた記録層の主成分が下記一般式で表わされ、かつ記録層中の存在状態がＸＹＺ２相とＭ相との混相である情報記録媒体。
　一般式
　（ＸＹＺ２）１−ａＭａ
　　ＸＹＺ２は周期表のＩｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２あるいはＩＩｂ−ＩＶｂ−Ｖｂ２で表されるカルコパイライト型化合物、
　　Ｍは、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅの中から選ばれる１種以上の元素あるいはＡｇＳｂＴｅ２、
　　０．３０≦ａ≦０．９２
　である。
　ｃ）ＸＹＺ２がＡｇＩｎＴｅ２であり、ＭがＳｂ又はＢｉである上記ｂ）項記載の情報記録媒体。
　ｄ）上記ｂ）又はｃ）項における一般式（ＸＹＺ２）１−ａＭａで表わされる物質が微量の酸素を含有した結果、一般式が（ＸＹＺ２）１−ａＭａに代り
　　｛（ＸＹＺ２）１−ａＭａ｝１−ｂＯｂ
　　（ただし、０．０１≦ｂ≦０．３０、その他の記号はｂ）項と同じ）
　で表わされる上記ｂ）項又はｃ）項記載の情報記録媒体である。
　ＸＹＺ２の具体例としては、
Ｉｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２；ＡｇＩｎＴｅ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＴｅ２、ＣｕＩｎＳｅ２
ＩＩｂ−ＩＶｂ−Ｖｂ２；ＺｎＳｎＳｂ２、ＺｎＳｎＡｓ２、ＺｎＳｎＰ２、ＺｎＧｅＡｓ２、ＣｄＳｎＰ２、ＣｄＳｎＡｓ２
等が挙げられる。
　ＸＹＺ２は化学量論組成が望ましいが、各々若干の組成ずれがあっても構わない。
　具体的には、
　ＸｏＹｐＺｑとした場合、
　　０．２≦ｏ≦０．３
　　０．２≦ｐ≦０．３
　　０．４≦ｑ≦０．６
　　ｏ＋ｐ＋ｑ＝１．０
　　【作用】
　本発明の記録層にレーザービームを照射すると、照射条件により、以下の様な相転移を生じるものと考えられる。
　わかり易くするためにＸＹＺ２としてＡｇＩｎＴｅ２を例にとり、ＭとしてＳｂを例にとり説明する。
　ＡｇＩｎＴｅ２の非晶質及び／又はＣｈａｌｃｏｐｙｒｉｔｅ型構造及び／又はＺｉｎｃｂｌｅｎｄｅ型構造中でのＭ（この場合はＳｂ）の結晶−結晶間及び／又は結晶−非晶間、及び／又は微結晶−粗大結晶間転移（ＡｇＩｎＴｅ２は転移を容易かつ安定化させる）。
　現在得られている情報だけでは相転移の機構を明確に特定することはできないが、いずれにせよＡｇＩｎＴｅ２及びＳｂが単独で存在する場合に比べ以下の点が特に優れていることが判明した。
（１）光吸収率が大きくなり、記録・消去感度が向上する。
（２）転移前後の光学的コントラストが大きくなりＣ／Ｎが向上する。
（３）オーバーライト時の消去比が飛躍的に向上する。
　特に消去特性については、驚くべきことに、ＤＣ光による単純消去時のみならず、１ビームのオーバーライトモードにおいてもほぼ完全な消去が可能であった。
　これは現在までに公知となっているいかなる材料にも全く見られない性能である。
　次にＡｇＳｂＴｅ２系の相をＭ相とする場合を例にして説明すると、本発明にかかる記録層はＡｇＳｂＴｅ２系の相（Ｍ相）と、Ｌ系の相とが混相の状態で存在している。この様な混相状態を得る方法はいくつかある。例えばスパッタリング等の成膜法でＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅを含む薄膜を基板上に成膜し、これに熱処理してＡｇＳｂＴｅ２とＬ相とに相分離させることにより得られる。熱処理方法としてはレーザービームによる方法、ヒーターによる方法などがある。レーザービームによる場合、ディスクを回転させることでレーザービーム強度、回転数を制御することにより熱処理条件を任意に選択できるため好適である。
　ところで、記録パワー（Ｐｗ）のレーザービームを照射した場合、ＡｇＳｂＴｅ２系の相は結晶から非晶質へと相転移を生じ、混相のもう一方のＬ相（記録・消去時に結晶−非晶質間の相転移を生じない材料よりなる相）は常に非晶質状態を維持する。
　又、消去パワー（ＰＥ）のレーザービームを照射した場合、ＡｇＳｂＴｅ系の相は非晶質から結晶へと相転移を生じ、Ｌ相は相転移を生じることなく非晶質状態を維持する。
　この例ではＬ相が非晶質であったが、Ｌ相が結晶質であってもよい。又、この例ではＡｇＳｂＴｅ２相が非晶質状態を記録状態としても、逆に結晶状態を記録状態としてもよい。
　いずれにしてもＡｇＳｂＴｅ２相とＬ相とはいわゆる混相状態になっている。
　Ｌ相としては光吸収係数が１０２ｃｍ−２以上のものが望ましく、その具体例としては、Ｉｎ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等があげられる。
　本発明においては前記のようにＬ相はいずれにしても相変化が起きず、ＡｇＳｂＴｅ２相が結晶・非晶質が相転移することにより、ディスクの反射率が変化し、ここに記録・消去が行われるとともに、著しく高い消去比が得られるようになる。
　高い消去比が得られるメカニズムは必ずしも明確にはなっていないが、次の様に考えることができる。ＡｇＳｂＴｅ２はもともと結晶化しやすい物質であるため、これを非相転移相Ｌでおおうことで記録（非晶質化）を容易にする効果が期待される。そのメカニズムとしては下記▲１▼▲２▼が考えられる。
　▲１▼ＡｇＳｂＴｅ２をおおうＬ相のためにＡｇＳｂＴｅ２のオーダリングが起こりにくくなる。
　▲２▼ＡｇＳｂＴｅ２の特性をある程度維持したまま、記録層としての熱伝導率をＬ相で制御することにより、記録時には急冷条件を満足するようにする。この場合には、Ｌ相としてＡｇＳｂＴｅ２よりも熱伝導率の大きなものが望ましい。
　又、ＡｇＳｂＴｅ２相をＬ相でおおうことにより、ＡｇＳｂＴｅ２の粒径を一定に保つことができ、繰返し信頼性を向上させることができる。
前記一般式から判るように、本発明の記録層においては、ＡｇＳｂＴｅ２相の量がＬ相の量に比較してかなり大きくなっている。すなわち、前者のＡｇＳｂＴｅ２相の量は混相全体の３０〜９２％を占めている。なお、前記一般式において、ａの値が３０％未満又は９２％を超えると消去比の向上に効果が認められなくなる。又、記録層には他の不純物（例えば酸素など）が微量（１重量％以下）含まれていてもかまわない。
　すなわち、高消去比が得られるということは、記録部に対して消去動作を行った時、記録部を完全におおいつくす形で結晶化又は非晶質化が進行することを意味している。そこで非晶質又は結晶質としての記録部において多量のＡｇＳｂＴｅ２の均一核形成並びに成長がまず進行し、それに平行して非晶質Ｌ相の表面からＡｇＳｂＴｅ２の不均一核形成及び成長が進行するというプロセスが生じているものと考えられる。
　又、本発明にかかる記録層によれば、
（１）光吸収率が大きくなり、記録・消去感度が向上する、
（２）転移前後の光学的コントラストが大きくなりＣ／Ｎが向上する、
（３）オーバーライト時の消去比が飛躍的に向上する、
なども認められた。
　本発明の光情報記録媒体は、基本的には、かかる記録層が２００〜１００００Å厚、好ましくは５００〜３０００Å厚、更に好ましくは７００〜２０００Å厚で基板上に形成されたものからなっている。
　本発明の前記情報記録媒体は、必要に応じて耐熱保護層、表面保護層、反射層、放熱層、接着層等の補助層を設けてもよい。
　本発明で用いられる基板は通常、ガラス、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コスト等の点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリルースチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。又、基板の形状としてはディスク状、カード状あるいはシート状であっても良い。
　耐熱性保護層の材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド状カーボン或いはそれらの混合物が挙げられる。又、必要に応じて不純物を含んでいてもよい。このような耐熱性保護層は各種気相成膜法、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成できる。
　耐熱性保護層の膜厚としては２００〜５０００Å、好適には５００〜３０００Åとするのが良い。２００Åより薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、逆に５０００Åより厚くなると、感度低下を来たしたり、界面剥離を生じ易くなる。又、必要に応じて保護層を多層化することもできる。
　反射層と放熱層を兼ねるものとしてはＡｌ、Ａｕなどの薄膜（厚さ２００〜２０００Åくらい）が用いられる。
　相変化材料は単層のみならず、多層膜あるいは超微粒子状の請求項（１）記載の相変化物質を耐熱性マトリックス中に分散せしめたようなものであっても良い。
　後者のような記録膜の作製法としては、前記気相成膜以外にゾル−ゲル法のような湿式プロセスも適用可能である。
　気相成膜法の中では、膜の特性、成膜の容易さ等の点で高周波（ｒｆ）スパッタ法が好適な方法である。
　ｒｆスパッタ法の代表的な記録層作製条件としては、
・ターゲット…ＸＹＺ２＋Ｍ（例えばＡｇＩｎＴｅ２＋Ｓｂ）
・スパッタ（反応）時圧力…０．５〜２０Ｐａ
・ｒｆパワー…２０Ｗ〜１ｋＷ
・スパッタガス…Ａｒ＋（Ｏ２：膜中酸素量制御時）
・スパッタ時間…１０秒〜２０分
等が挙げられるが、製法及び条件については何ら限定されるものではない。
　記録層の膜厚としては２００〜１０，０００Å、好適には５００〜３０００Å、最適には７００〜２０００Åである。
　記録、再生及び消去に用いる電磁波としてはレーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波等、種々のものが採用可能であるが、ドライブに取付ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーのビームが最適である。
　　【実施例】
　以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。ただし、これらの実施例は本発明を何ら制限するものではない。
実施例Ｉ‐１
　ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付、厚さ１．２ｍｍ、８６ｍｍφポリカーボネート基板上にｒｆスパッタリング法により耐熱保護層、記録層、耐熱保護層、反射層を順次積層し、評価用光ディスクを作製した。
　各層に用いた材料と膜厚を下記表Ｉ−１に示す。
　光ディスクの評価は８３０ｎｍの半導体レーザー光をＮＡ０．５のレンズを通して媒体面で１μｍφのスポット径に絞りこみ基板側から照射することにより行った。
　成膜後の記録膜は非晶質であったが、測定に際し、最初に媒体面で４〜１０ｍＷのＤＣ光でディスク全面を充分に結晶化させ、それを初期（未記録）状態とした。
　ディスクの線速度は７ｍ／ｓとした。
　記録の書込み条件は、線速度７ｍ／ｓ、周波数３．７ＭＨｚ−定とし、レーザーパワー（ＰＷ）を７〜１４ｍＷまで変化させた。
　読みとりパワー（ＰＲ）は１．０ｍＷとした。Ｃ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）値が飽和もしくは最大となった時のレーザーパワー（ＰＷ）と最適消去パワー（ＰＥ）、並びに得られたＣ／Ｎ値及び消去比を表Ｉ−１に示す。
　更にＣ／Ｎ値４５ｄＢ以上で、かつ消去比３５ｄＢ以上となったディスクについては２つの書込み周波数（ｆ１＝３．７ＭＨｚ、ｆ２＝４．５ＭＨｚ）で、交互にオーバーライトテストを実施した。
　オーバーライト時の書込みパワー（ＰＷ）及び消去パワー（ＰＥ）はディスクによって最適な値を選択した。
　線速度、ＰＲ等、他の条件は書込みテスト時と同様とした。
　オーバーライト性能の結果を下記表Ｉ−２に示す。
　表Ｉ−１、２より本発明による相変化型光記録媒体が優れた性能を有すること、特に記録感度の点で高感度化が達成されていることが確認される。
　【表１】
　【表２】
実施例Ｉ−２
　層構成を替えた外は実施例Ｉ−１と同じ条件で書込み性能を試験した。その結果を下記表Ｉ−３に示す。
　又、実施例Ｉ−１と同じ条件でオーバーライト性能を試験した。その結果を下記表Ｉ−４に示す。
　【表３】
　【表４】
実施例Ｉ−３
　実施例Ｉ−２と同様に、実施例Ｉ−１の層構成を替えた外は実施例Ｉ−１と同じ条件で書込み性能を試験した。その結果を下記表Ｉ−５に示す。
　又、実施例Ｉ−１と同じ条件でオーバーライト性能を試験した。その結果を下記表Ｉ−６に示す。
　【表５】
　【表６】
実施例ＩＩ−１
　ピッチ１・６μｍ、深さ７００Åの溝付、厚さ１．２ｍｍ、８６ｍｍφポリカーボネート基板上にｒｆスパッタリング法により耐熱保護層、記録層、耐熱保護層、反射層を順次積層し、評価用光ディスクを作製した。実施例ＩＩ−（１、２、３）の記録層作製時には、スパッタガス中酸素濃度をＯ２ガスとＡｒガスの流量比（Ｏ２／Ａｒ）を変化させることにより制御し、酸素濃度の異なる記録層を得た。
　各層に用いた材料と膜厚を下記表ＩＩ−１に示す。
　光ディスクの評価は８３０ｎｍの半導体レーザー光をＮＡ０．５のレンズを通して媒体面で１μｍφのスボット径に絞りこみ基板側から照射することにより行った。
　成膜後の記録膜は非晶質であったが、測定に際し、最初に媒体面で４〜１０ｍＷのＤＣ光でディスク全面を充分に結晶化させ、それを初期（未記録）状態とした。
　ディスクの線速度は７ｍ／ｓとした。
　記録の書込み条件は、線速度７ｍ／ｓ、周波数３．７ＭＨｚ一定とし、レーザーパワー（ＰＷ）を７〜１４ｍＷまで変化させた。
　読みとりパワー（ＰＲ）は１．０ｍＷとした。Ｃ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）値が飽和もしくは最大となった時のレーザーパワー（ＰＷ）と最適消去パワー（ＰＥ）、並びに得られたＣ／Ｎ値及び消去比を表ＩＩ−１に示す。
　更にＣ／Ｎ値４５ｄＢ以上で、かつ消去比３５ｄＢ以上となったディスクについては２つの書込み周波数（ｆ１＝３．７ＭＨｚ、ｆ２＝４．５ＭＨｚ）で、交互にオーバーライトテストを実施した。
　オーバーライト時の書込みパワー（ＰＷ）及び消去パワー（ＰＥ）はディスクによって最適な値を選択した。
　線速度、ＰＲ等、他の条件は書込みテスト時と同様とした。
　オーバーライト性能の結果を下記表ＩＩ−２に示す。
　表ＩＩ−１、２より本発明による相変化型光記録媒体が優れた性能を有すること、特に記録感度の点で高感度化が達成されていることが確認される。
　【表７】
　【表８】
実施例ＩＩ−２
　層構成を替えた外は実施例ＩＩ−１と同じ条件で書込み性能を試験した。その結果を下記表ＩＩ−３に示す。
　又、実施例ＩＩ−１と同じ条件でオーバーライト性能を試験した。その結果を下記表ＩＩ−４に示す。
　【表９】
　【表１０】
実施例ＩＩ−３
　実施例ＩＩ−２と同様に、実施例ＩＩ−１の層構成を替えた外は実施例ＩＩ−１と同じ条件で書込み性能を試験した。その結果を下記表ＩＩ−５に示す。
　又、実施例ＩＩ−１と同じ条件でオーバーライト性能を試験した。その結果を下記表ＩＩ−６に示す。
　【表１１】
　【表１２】
実施例ＩＩＩ−１、比較例ＩＩＩ−１及びＩＩＩ−２
　ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付で厚さ１．２ｍｍ、８６ｍｍφのポリカーボネート基板上にｒｆスパッタリング法により下部（基板側）耐熱保護層、記録層、上部耐熱保護層、反射層を順次積層し、３種類の評価用光ディスクを作製した。
　各層に用いた材料と膜厚とを下記表ＩＩＩ−１に示した。なお共通して、下部耐熱保護層としてはＳｉ３Ｎ４（約２０００Å厚）、上部耐熱保護層としてはＳｉ３Ｎ４（約１０００Å厚）、反射層としてはＡｌ（約５００Å厚）とした。
　光ディスクの評価は８３０ｎｍの半導体レーザー光をＮＡ０．５のレンズを通して記録層面で約１μｍφのスポット系に絞りこみ基板側から照射することにより行った。
　成膜後の記録層は非晶質であったが、測定に際し、最初に記録層面で４〜１０ｍＷのＤＣ光でディスク全面を充分に結晶化させ、それを初期（未記録）状態とした。ディスクの線速度は７ｍ／ｓとした。
　記録の書込み条件は、線速度７ｍ／ｓ、周波数３．７ＭＨｚ一定とし、レーザーパワー（ＰＷ）を７〜１４ｍＷまで変化させた。
　読み取りパワー（ＰＲ）は１．０ｍＷとした。Ｃ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）値が飽和もしくは最大となった時のレーザーパワー（ＰＷ）と最適消去パワー（ＰＥ）、並びに得られたＣ／Ｎ値及び消去比をも併せて表ＩＩＩ−１に示す。
　【表１３】
つづいて、オーバーライト特性を評価した。方法は２つの書込み周波数ｆ１＝３．７ＭＨｚ、ｆ２＝４．５ＭＨｚで交互にオーバーライトを実施した。又、オーバーライト時の書込みパワー（ＰＷ）及び消去パワー（ＰＥ）はディスクによって最適な値を選択した。その他の条件は書込みテスト時と同様にした。表ＩＩＩ−２にその結果を示す。
　【表１４】
　又、オーバーライトした記録層の記録部、消去部のそれぞれに電子線回折を行ったところ、記録部についてはアモルファス特有のブロードなリングパターンが観察された。これに対して消去部については記録部と同様のリングパターンに加え、明確なブラッグ反射点が観察され、面間隔よりこの結晶がＡｇＳｂＴｅ２であることが確認された。
　　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の効果を要約すると下記のとおりである。
（１）記録・消去時に要求される加熱温度が低い。又、本発明の材料は光吸収率が高いためレーザー光の吸収時の記録層加熱昇温効率も高い。
　　以上の理由により、必要レーザーパワーを低くすることができる。
　　即ち記録・消去感度が大巾に向上する。
（２）必要レーザーパワーを低くできるため、市販の安い、安定した半導体レーザーを使用できる。
（３）レーザー照射部の温度を低く抑えることが可能なため、熱損傷による特性劣化を低減できる。
（４）オーバーライト時の消去比を飛躍的に高くできる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の情報記録媒体の混相記録層の模式図である。
　　【符号の説明】
１…相転移相
２…非相転移相