【事件の表示】
　特許第２８０５７７１号「アライメント方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８０５７７１号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
 １．手続の経緯
　特許２８０５７７１号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、昭和６３年１０月１２日に特許出願され、平成１０年７月２４日に設定登録がなされ、特許異議申立人キヤノン株式会社より特許異議の申立てがなされ、平成１１年８月２４日付けで取消理由通知がなされ、平成１１年１１月２２日に訂正請求がなされた。その後該訂正請求に対し平成１２年２月１５日付けで訂正拒絶理由通知を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは何らの応答もない。
　
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正事項
１）訂正事項ａ
　請求項１に係る発明の「前記アライメントセンサから出力される光電信号をそれぞれ異なる複数の信号処理で処理し、各信号処理毎にマークの位置情報を求める第１工程」との記載を、「前記アライメントセンサから出力される光電信号をそれぞれ異なる複数の信号処理で処理し、各信号処理毎に基板上の異なる位置に設けられた複数のマークの位置情報をそれぞれ求める第１工程」と訂正する。
２）訂正事項ｂ
　請求項１に係る発明の「該第１工程で各信号処理毎に求められたマークの位置情報に基づいて、前記複数の信号処理の中から最適な信号処理を決定する第２工程」との記載を、「該第１工程で各信号処理毎に求められた複数のマークの位置情報に基づいて、前記複数の信号処理の中から最適な信号処理を決定する第２工程」と訂正する。
３）訂正事項ｃ
　請求項２に係る発明を、「前記第１工程は、前記アライメントセンサから出力される光電信号を処理して、前記複数のマークから得られたアナログ波形の各々を、それぞれ異なる複数のスライスレベルで２値化し、各スライスレベル毎に、マーク中心位置に関する値を算出し、　前記第２工程は、前記スライスレベル毎に、前記第１工程で求められたマーク中心位置に関する値のばらつきを統計処理によって求め、前記複数のスライスレベルの中からばらつきの最も小さいスライスレベルを最適なスライスレベルとして決定することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。」と訂正する。
４）訂正事項ｄ
　請求項３に係る発明の「複数の位置情報」との記載を、「複数のマークの位置情報」と訂正する。
　
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付した明細書及び図面の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
ウ．独立特許要件の判断
（１）訂正後の発明
　訂正後の請求項１ないし３に係る発明は、全文訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に設けられたアライメントマークを所定のアライメントセンサにより光電的に検出して前記基板をアライメントするアライメント方法において、
　前記アライメントセンサから出力される光電信号をそれぞれ異なる複数の信号処理で処理し、各信号処理毎に基板上の異なる位置に設けられた複数のマークの位置情報をそれぞれ求める第１工程と；
　該第１工程で各信号処理毎に求められた複数のマークの位置情報に基づいて、前記複数の信号処理の中から最適な信号処理を決定する第２工程と；
　該決定された信号処理のもとで得られる前記基板上のマークの位置情報に基づいて前記基板のアライメントを行う第３工程と；
　を含むことを特徴とするアライメント方法。
【請求項２】前記第１工程は、前記アライメントセンサから出力される光電信号を処理して、前記複数のマークから得られたアナログ波形の各々を、それぞれ異なる複数のスライスレベルで２値化し、各スライスレベル毎に、マーク中心位置に関する値を算出し、
　前記第２工程は、前記スライスレベル毎に、前記第１工程で求められたマーク中心位置に関する値のばらつきを統計処理によって求め、前記複数のスライスレベルの中からばらつきの最も小さいスライスレベルを最適なスライスレベルとして決定することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
【請求項３】前記第２工程は、前記第１工程で求められる複数のマークの位置情報のばらつきを各信号処理毎に求め、該ばらつきの最も小さくなる信号処理を最適な信号処理と決定することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。」
　
（２）訂正拒絶理由の概要
 訂正拒絶理由の概要は以下のとおりである。
　訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明は、下記各刊行物に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
記
刊行物１：特開昭６０−１６８１４９号公報
刊行物２：特開昭６０−　６０５０３号公報
刊行物３：特開昭６１−２４２０２０号公報
　
（３）刊行物に記載された発明
i)刊行物１
　当審が訂正拒絶理由通知書で引用した刊行物１（特開昭６０−１６８１４９号公報）には次のことが記載されている。
ａ．「本発明は、位置合わせ信号処理装置、特に半導体製造工程においてパターンニングのためウェハーとマスクとを高精度に位置合わせするための信号を得る位置合わせ信号処理装置に関するものである。」（１頁右下欄１行〜５行）、
ｂ．「例えば光源としてレーザー光を用いて対象を走査し、・・・位置関係に導くことにより行なわれる。」（２頁左上欄１７行〜同頁右上欄６行）、
ｃ．「以上はレーザー光Ｌの走査が一回行われた場合であるが、レーザーＬの走査は一つのしきい値についてｍ回行なう。ここで各走査ごとに得られるパターン位置データをＤ１１，Ｄ１２，・・・Ｄ１ｍとし、これらを制御回路９の記憶部に記憶する。経験的に設定された最初の設定しきい値をＳＬ１とする。次の走査においてはしきい値ＳＬ１より少し高いしきい値に設定して前述と同様なｍ回の走査を行なう。このとき得られるパターン位置データをＤ２１，Ｄ２２，・・・Ｄ２ｍとし、これらをまた制御回路９の記憶部に記憶する。次に、制御回路９はしきい値ＳＬ３を振巾弁別回路６，７に送出し、再びレーザー光Ｌの走査ごとのパターン位置データをＤ３１，Ｄ３２，・・・Ｄ３ｍとし制御回路９の記憶部に記憶する。このように制御回路９はしきい値をＳＬ１からＳＬｎまでｎ回変更し、全測定値を制御回路９の記憶部に記憶する。そして制御回路９は各しきい値ＳＬｐごとにパターン位置データの最大偏差値（平均値よりの一番大きな差を持つ値）を求め、さらにその中で最大偏差値の一番小さな値をもつしきい値を選択する。例えばこれがしきい値ＳＬｑであるとするとそのときのパターン位置データＤｑ１，Ｄｑ２，・・・Ｄｑｍの平均値を採用すべきパターン位置データとし、これによって位置合わせを行なう。・・・
　また、各しきい値の測定値の標準偏差を求め、標準偏差が最も少ない測定値が得られたしきい値の測定値の平均値を基に位置合せを行うことも可能である。」（３頁左下欄９行〜４頁左上欄２行）
　
ii)刊行物２
　同じく刊行物２（特開昭６０−６０５０３号公報）には次のことが記載されている。
「本発明は・・・加算方向に濃度差を有するアライメントマークを用い、加算結果のマークの信号レベルと複数のスライスレベルとを比較することによりマークを確実に検知するマーク位置検出装置の提供を目的とする。」（１頁右下欄１０行〜１５行）、
「従って、例えば第３図（Ｃ）において適当なスライスレベルＸＳＬを設けて加算濃度を二値化すると、第３図（Ｄ）に示す様に・・・パターンの中心ＭＸはＭＸ＝（ＭＲ−ＭＬ）／２で与えられる。」（５頁右上欄８行〜１２行）、
「第８図のフローチャートを用いて・・・説明する・・・ステップ８０３でマイクロプロセッサは加算メモリに格納された画像濃度データの最大値及び最小値をサーチする。最大値及び最小値が見つかると次に、ステップ８０４にてスライスレベルＸＳＬ１，ＸＳＲ１を設定する。・・・同様にステップ８０６にて波高値の２０％の値のスライスレベルＸＳＬ２を設定し、ステップ８０７にてステップ８０５と同様にしてＸＬ２，ＸＲ２を求める。
　以上述べた様にして、・・・を探すプロセスに進む。」（５頁右下欄６行〜６頁左上欄１８行）
　
iii)刊行物３
　同じく刊行物３（特開昭６１−２４２０２０号公報）には次のことが記載されている。
「本発明は、位置合わせ装置に関し、例えば半導体装置において・・・アライメントマーク同士の間隔を効率よく測定し両者の位置合わせを高精度かつ高速度で行なう位置合わせ装置に関する。」（１頁右下欄１２行〜１７行）、
「特にウェハ表面の材質によって・・・正しいパルス列本数が得られるスライスレベルを新たに検出して再設定を行ない、再計測を行なわなければならなかった。」（３頁左下欄１５行〜同頁右下欄８行）、
「すなわち、現在の位置合わせシステムにおいては、ペデスタル成分の大きいウェハやＳ／Ｎ比の悪いウェハのアライメントマークをも位置合わせする場合、高精度かつ高速度化を達成できないという問題点があった。」（３頁左下欄１５行〜同頁右下欄８行）
　
（４）対比・判断
［請求項１について］
　請求項１に係る発明と刊行物１のものを対比する。
i)引用例１の「マークパターン」「光電検出器１，２」が請求項１に係る発明の「アライメントマーク」「アライメントセンサ」に相当することが明らかであることから、刊行物１の上記ａ．及びｂ．の記載は、該刊行物１が請求項１に係る発明の「基板上に設けられたアライメントマークを所定のアライメントセンサにより光電的に検出して前記基板をアライメントするアライメント方法」との技術的事項を示すものである。
ii)刊行物１に、「レーザーＬの走査は一つのしきい値についてｍ回行なう。ここで各走査ごとに得られるパターン位置データをＤ１１，Ｄ１２，・・・Ｄ１ｍとし、これらを制御回路９の記憶部に記憶する。」「制御回路９はしきい値をＳＬ１からＳＬｎまでｎ回変更し、全測定値を制御回路９の記憶部に記憶する。」と記載されているのは上記のとおりであり、該記載は請求項１に係る発明の「アライメントセンサから出力される光電信号を」「複数の信号処理で処理し、各信号処理毎に基板上の異なる位置に設けられた複数のマークの位置情報をそれぞれ求める第１工程」を示すものである。
iii)刊行物１に、「制御回路９はしきい値をＳＬ１からＳＬｎまでｎ回変更し、全測定値を制御回路９の記憶部に記憶する。そして制御回路９は各しきい値ＳＬｐごとにパターン位置データの最大偏差値（平均値よりの一番大きな差を持つ値）を求め、さらにその中で最大偏差値の一番小さな値をもつしきい値を選択する。」と記載されているのは上記のとおりであり、該記載は請求項１に係る発明の「該第１工程で各信号処理毎に求められた複数のマークの位置情報に基づいて、前記複数の信号処理の中から最適な信号処理を決定する第２工程」を示すものである。
iv)刊行物１に、「パターン位置データＤｑ１，Ｄｑ２，・・・Ｄｑｍの平均値を採用すべきパターン位置データとし、これによって位置合わせを行なう。」と記載されているのは上記のとおりであり、該記載は請求項１に係る発明の「該決定された信号処理のもとで得られる前記基板上のマークの位置情報に基づいて前記基板のアライメントを行う第３工程」を示すものである。
　上記i)〜iv)の考察から、両者は、「基板上に設けられたアライメントマークを所定のアライメントセンサにより光電的に検出して前記基板をアライメントするアライメント方法において、前記アライメントセンサから出力される光電信号を複数の信号処理で処理し、各信号処理毎に基板上の異なる位置に設けられた複数のマークの位置情報をそれぞれ求める第１工程と；該第１工程で各信号処理毎に求められた複数のマークの位置情報に基づいて、前記複数の信号処理の中から最適な信号処理を決定する第２工程と；該決定された信号処理のもとで得られる前記基板上のマークの位置情報に基づいて前記基板のアライメントを行う第３工程と；を含むアライメント方法」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　アライメントセンサから出力される複数の信号処理で処理する際に、本願発明のものは、該光電信号を「それぞれ異なる」複数の信号処理で処理するのに対し、刊行物１のものは、複数の信号処理は行うが、レーザー光の走査ごとにしきい値を異ならせ、複数の信号処理を行う点。
　上記相違点について検討する。
　同一の信号に対し、複数の信号処理を行うことは刊行物２，３にも見られるように周知のことにすぎないので、刊行物１において、レーザー光のある走査に対して、複数の信号処理をすることにより、請求項１に係る発明の技術的事項とすることは当業者が容易になし得る事項である。
［請求項２について］
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明の技術的事項をさらに「前記第１工程は、前記アライメントセンサから出力される光電信号を処理して、前記複数のマークから得られたアナログ波形の各々を、それぞれ異なる複数のスライスレベルで２値化し、各スライスレベル毎に、マーク中心位置に関する値を算出し、前記第２工程は、前記スライスレベル毎に、前記第１工程で求められたマーク中心位置に関する値のばらつきを統計処理によって求め、前記複数のスライスレベルの中からばらつきの最も小さいスライスレベルを最適なスライスレベルとして決定する」と限定するものであるが、請求項１と同様の技術的事項については上記の判断と同様であり、また上記の限定された点については、「複数のマークから得られたアナログ波形の各々を、それぞれ異なる複数のスライスレベルで２値化すること」、及び「スライスレベル毎に、値のばらつきを統計処理によって求め、前記複数のスライスレベルの中からばらつきの最も小さいスライスレベルを最適なスライスレベルとして決定する」ことは刊行物１に記載されており、その際に、第１工程で求められたマーク中心位置を算出することも刊行物２（特に「パターンの中心ＭＸ」参照）に記載されていることにすぎないので、請求項２に係る発明とすることは刊行物１，２に記載の発明及び周知技術から当業者が容易になし得る事項である。
［請求項３について］
　請求項３に係る発明は、請求項１に係る発明の技術的事項をさらに「前記第２工程は、前記第１工程で求められる複数のマークの位置情報のばらつきを各信号処理毎に求め、該ばらつきの最も小さくなる信号処理を最適な信号処理と決定する」と限定するものであるが、請求項１と同様の技術的事項については上記の判断と同様であり、また上記の限定された点については、刊行物１に記載されている事項（特に、刊行物１の「さらにその中で最大偏差値の一番小さな値をもつしきい値を選択する」との記載参照）にすぎないので、請求項３に係る発明とすることは刊行物１に記載の発明及び周知技術から当業者が容易になし得る事項である。
　そして、明細書記載の効果も刊行物１、２に記載された発明及び周知技術から予測しうる程度のものである。
（５）まとめ
　したがって、訂正後の請求項１ないし３に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
３．特許異議の申立てについての判断
ア．本件発明
　請求項に係る発明は、特許明細書の記載から、その請求項１ないし３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に設けられたアライメントマークを所定のアライメントセンサにより光電的に検出して前記基板をアライメントするアライメント方法において、
　前記アライメントセンサから出力される光電信号をそれぞれ異なる複数の信号処理で処理し、各信号処理毎にマークの位置情報を求める第１工程と；
　該第１工程で各信号処理毎に求められたマークの位置情報に基づいて、前記複数の信号処理の中から最適な信号処理を決定する第２工程と；
　該決定された信号処理のもとで得られる前記基板上のマークの位置情報に基づいて前記基板のアライメントを行う第３工程と；
　を含むことを特徴とするアライメント方法。
【請求項２】前記第１工程は、それぞれ異なる複数のスライスレベルを使って前記アライメントセンサから出力される光電信号を処理し、各スライスレベル毎にマークの位置情報を求めることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
【請求項３】前記第２工程は、前記第１工程で求められる複数の位置情報のばらつきを各信号処理毎に求め、該ばらつきの最も小さくなる信号処理を最適な信号処理と決定することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。」（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」という。）
イ．申立ての理由の概要
　特許異議申立人キヤノン株式会社は、本件発明１ないし３は、下記各甲号証に記載された発明と同一または下記各甲号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである旨主張している。
記
甲第１号証：特開昭６０−１６８１４９号公報（上記刊行物１に対応）
甲第２号証：特開昭６０−　６０５０３号公報（上記刊行物２に対応）
甲第３号証：特開昭６１−２４２０２０号公報（上記刊行物３に対応）
ウ．甲号証記載の発明
　甲第１号証には、上記２．ウ．（３）．i)に記載した事項が記載されている。
　甲第２号証には、上記２．ウ．（３）．ii)に記載した事項が記載されている。
　甲第３号証には、上記２．ウ．（３）．iii)に記載した事項が記載されている。
エ．判断
［本件発明１について］
　本件発明１と刊行物１のものを対比する。
（１）引用例１の「マークパターン」「光電検出器１，２」が請求項１に係る発明の「アライメントマーク」「アライメントセンサ」に相当することが明らかであることから、刊行物１の上記ａ．及びｂ．の記載は、該刊行物１が請求項１に係る発明の「基板上に設けられたアライメントマークを所定のアライメントセンサにより光電的に検出して前記基板をアライメントするアライメント方法」との技術的事項を示すものである。
（２）刊行物１に、「レーザーＬの走査は一つのしきい値についてｍ回行なう。ここで各走査ごとに得られるパターン位置データをＤ１１，Ｄ１２，・・・Ｄ１ｍとし、これらを制御回路９の記憶部に記憶する。」「制御回路９はしきい値をＳＬ１からＳＬｎまでｎ回変更し、全測定値を制御回路９の記憶部に記憶する。」と記載されているのは上記のとおりであり、該記載は請求項１に係る発明の「アライメントセンサから出力される光電信号を」「複数の信号処理で処理し、各信号処理毎にマークの位置情報を求める第１工程」を示すものである。
（３）刊行物１に、「制御回路９はしきい値をＳＬ１からＳＬｎまでｎ回変更し、全測定値を制御回路９の記憶部に記憶する。そして制御回路９は各しきい値ＳＬｐごとにパターン位置データの最大偏差値（平均値よりの一番大きな差を持つ値）を求め、さらにその中で最大偏差値の一番小さな値をもつしきい値を選択する。」と記載されているのは上記のとおりであり、該記載は請求項１に係る発明の「該第１工程で各信号処理毎に求められたマークの位置情報に基づいて、前記複数の信号処理の中から最適な信号処理を決定する第２工程」を示すものである。
（４）刊行物１に、「パターン位置データＤｑ１，Ｄｑ２，・・・Ｄｑｍの平均値を採用すべきパターン位置データとし、これによって位置合わせを行なう。」と記載されているのは上記のとおりであり、該記載は請求項１に係る発明の「該決定された信号処理のもとで得られる前記基板上のマークの位置情報に基づいて前記基板のアライメントを行う第３工程」を示すものである。
　上記（１）〜（４）の考察から、両者は、「基板上に設けられたアライメントマークを所定のアライメントセンサにより光電的に検出して前記基板をアライメントするアライメント方法において、前記アライメントセンサから出力される光電信号を複数の信号処理で処理し、各信号処理毎にマークの位置情報を求める第１工程と；該第１工程で各信号処理毎に求められたマークの位置情報に基づいて、前記複数の信号処理の中から最適な信号処理を決定する第２工程と；該決定された信号処理のもとで得られる前記基板上のマークの位置情報に基づいて前記基板のアライメントを行う第３工程と；を含むことを特徴とするアライメント方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：
　アライメントセンサから出力される複数の信号処理で処理する際に、本願発明のものは、該光電信号を「それぞれ異なる」複数の信号処理で処理するのに対し、刊行物１のものは、複数の信号処理は行うが、レーザー光の走査ごとにしきい値を異ならせ、複数の信号処理を行う点。
　上記相違点について検討する。
　同一の信号に対し、複数の信号処理を行うことは刊行物２，３にも見られるように周知のことにすぎないので、刊行物１において、レーザー光のある走査に対して、複数の信号処理をすることにより、請求項１に係る発明の技術的事項とすることは当業者が容易になし得る事項である。
［本件発明２について］
　本件発明２は、本件発明１の技術的事項をさらに「前記第１工程は、それぞれ異なる複数のスライスレベルを使って前記アライメントセンサから出力される光電信号を処理し、各スライスレベル毎にマークの位置情報を求める」と限定するものであるが、請求項１と同様の技術的事項については上記の判断と同様であり、また上記の限定された点については、「複数のマークから得られたアナログ波形の各々を、それぞれ異なる複数のスライスレベルで２値化すること」、及び「スライスレベル毎に、値のばらつきを統計処理によって求め、前記複数のスライスレベルの中からばらつきの最も小さいスライスレベルを最適なスライスレベルとして決定する」ことは刊行物１に記載されており、その際に、第１工程で求められたマーク中心位置を算出することも刊行物２（特に「パターンの中心ＭＸ」参照）に記載されていることにすぎないので、本件発明２の技術的事項とすることは刊行物１，２に記載の発明及び周知技術から当業者が容易になし得る事項である。
［本件発明３について］
　本件発明３は、本件発明１の技術的事項をさらに「前記第２工程は、前記第１工程で求められる複数のマークの位置情報のばらつきを各信号処理毎に求め、該ばらつきの最も小さくなる信号処理を最適な信号処理と決定する」と限定するものであるが、本件発明１と同様の技術的事項については上記の判断と同様であり、また上記の限定された点については、刊行物１に記載されている事項（特に、刊行物１の「さらにその中で最大偏差値の一番小さな値をもつしきい値を選択する」との記載参照）にすぎないので、本件発明３の技術的事項とすることは刊行物１，２から当業者が容易になし得る事項である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件発明１ないし３は、上記甲第１〜３号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるので、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月１９日（２０００．７．１９）