【事件の表示】
　特許第３０１５２６１号「表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１５２６１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３０１５２６１号の請求項１に係る発明についての出願は、平成６年９月１２日に出願され、平成１１年１２月１７日にその特許の設定登録がなされ、その後、竹宮茂文より特許異議の申立てがなされ、平成１２年１２月４日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年２月７日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１における「該基板の面方位を選択し、」を、「該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して特定結晶面を露出させ、」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１における、「９００℃以上の温度に加熱する際、該基板の面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択する」を「、該基板の前記選択面方位に対応して下記表に示す温度及び時間を選択して加熱する
」と訂正する。
＊訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項１における「サファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御する」を、「サファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御する」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　本件特許明細書の段落０００６の中第２乃至５行目における「常圧雰囲気で９００℃以上の温度に加熱してサファイア単結晶基板を熱処理する際、面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御することを特徴とする。」を、「サファイア単結晶基板上に成長させる異種物質の結晶格子にマッチングする原子ステップ高さに対応して該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して特定結晶面を露出させ、該異種物質を成長させるに先立ち該基板を常圧雰囲気で９００℃以上の温度に加熱する際、該基板の前記選択面方位に対応して下記表１に示す温度及び時間を選択して加熱することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御することを特徴とする。」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１における「該基板の面方位を選択し、」を、「該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して特定結晶面を露出させ、」と訂正するもので、基板の面方位をＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項１における「９００℃以上の温度に加熱する際、該基板の面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択する」を「、該基板の前記選択面方位に対応して下記表に示す温度及び時間を選択して加熱する」と訂正するもので、９００℃以上の温度に加熱する際、該基板の面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択する具体的範囲を、該下記表記載のとおりＡ面、Ｃ面、Ｒ面及びＸ面に応じた熱処理条件とすることに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり（特許明細書の表１参照）、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｃは、特許請求の範囲の請求項１における「サファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御する」を、「サファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御する」と訂正するもので、サファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御するに際し、選択した面方位特有の値に制御することを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　また、上記訂正事項ｄは、請求項１が訂正事項ａ乃至ｃのように訂正されたことに伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正で、明りょうでない記載の釈明を目的としたものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項乃至第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人は、証拠として、甲第１号証（特開平１−２４９６９５号公報）、甲第２号証（特開平２−２３９１９６号公報）及び甲第３号証（特開平３−３２３３号公報）を提示し、本件発明は、甲第１号証、甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたから、本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨主張している。
　更に、本件特許明細書には次のとおりの記載不備があり、特許法第３６条第５、６項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべきである旨主張している。
ａ　特許請求の範囲の請求項１において、「異種物質の結晶格子にマッチングする原子ステップ高さに対応して該基板の面方位を選択し」とありますが、この部分の記載は不明瞭です。
　例えば、「マッチングする」とはどういうことなのか不明です。これは結晶格子と原子ステップ高さが一致することを言うのか、そうでなければどのような状態を意味するのか全く不明です。
　また、「原子ステップ高さに対応して該基板の面方位を選択し」とありますが、どのように選択するのか不明です。そもそも、成長させる物質に応じて最適な面方位があることは当然であって、その際にどのようにして最適な面方位を選択するのかという選択方法が発明の特徴となるべきであって、これだけでは発明の構成要件となり得ません。
ｂ　特許請求の範囲の請求項１において、「該基板の面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御する」とありますが、この部分も不明瞭です。
例えば、「該基板の面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択する」とありますが、どのように選択するのか不明です。本来、面方位に対応した加熱条件、即ち本件特許公報の第１表に示された条件が本来特許発明の特徴となるべきであります。
　また、「原子ステップ高さ及びテラス幅を制御する」とありますが、これもどのように制御するのかが不明であります。
イ．特許法第３６条第５、６項違反について
ａの点について
　ａの点については、選択される面方位がサファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位である旨請求項１が訂正されたことにより、明りょうとなっている。
　また「マッチングする・・・選択し」は、特許権者の提出した特許異議意見書の第４頁２１乃至２５行の記載のとおり、「サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの結晶面の内、その原子ステップ高さが、形成しようとする単結晶面薄膜の１原子層厚さに最も近接した結晶面方位を選択する」意味であるから、その意味は明りょうである。
ｂの点について
　ｂの点については、面方位に対応した加熱条件が特許公報の第１表に示された条件に限定され、また原子ステップ高さ及びテラス幅の制御が選択した面方位特有の値に制御する旨請求項１が訂正されたことにより、明りょうとなっている。
　よって、本件特許明細書には申立人主張のような記載不備はない。
ウ．特許法第２９条第２項違反について
（本件発明）
　訂正明細書の本件発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「サファイア単結晶基板上に成長させる異種物質の結晶格子にマッチングする原子ステップ高さに対応して該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して特定結晶面を露出させ、該異種物質を成長させるに先立ち該基板を常圧雰囲気で、該基板の前記選択面方位に対応して下記表に示す温度及び時間を選択して加熱することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御することを特徴とするサファイア単結晶基板の熱処理方法。　
」（以下本件発明という）
（甲号証記載の発明）
　異議申立人が提出した甲第１号証には、アルミナ単結晶基板上にＧａＡｓ膜を成長させる場合に、Ｃ面を選択し、予め６００〜９５０℃で２〜６０分加熱することによって、原子を最も安定なステップ位置に配列させる気相成長方法が記載されている。
　次に異議申立人が提出した甲第２号証には、サファイア単結晶基板上にＣｄ１−ＸＭｎＸＴｅの膜を成長させる場合に、Ｃ面を選択し、予め８５０℃以上で加熱することによって、表面を平滑にすることができ、これによって結晶性の高い希薄磁性半導体薄膜が得られる製造方法が記載されている。
　更に異議申立人が提出した甲第３号証には、サファイア単結晶基板上にＧａＮ膜を成長させる場合に、Ｒ面を選択し予め６００〜１３５０℃で１０〜３０分間熱処理する化合物半導体単結晶薄膜の成長方法が記載されている。
（対比・判断）
　本件発明と甲第１乃至３号証に記載された発明とを対比すると、本件発明の熱処理時間が１〜１０、２０時間と長いのに対し甲第１乃至３号証では２〜６０分、１０〜３０分（甲第２号証は記載無し）と短時間である点で相違するばかりでなく、本件発明の必須の構成要件である、サファイア単結晶基板上に成長させる異種物質の結晶格子にマッチングする原子ステップ高さに対応して該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して、「該基板の前記選択面方位に対応して下記表に示す温度及び時間を選択して加熱することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御する
」点については記載も示唆もない。
　しかも本件発明は、上記の点を備えることにより「サファイア単結晶基板の表面に露出している結晶面に応じて熱処理条件を選択することにより、特定された結晶面で優先的に原子を再配列させ、平坦度が極めて高く、実質的に同一結晶方位をもつテラス面のみからなる基板表面を得ている。したがって、この上に形成される薄膜は、基板に対して結晶格子定数のマッチング性に優れ、界面の乱れに起因する結晶欠陥や結晶歪みのない高性能のデバイスを作成することが可能となる。」という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明が甲第１乃至３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは認めることはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月２４日（２００１．５．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１における「該基板の面方位を選択し、」を、「該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して特定結晶面を露出させ、」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１における、「９００℃以上の温度に加熱する際、該基板の面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択する」を「、該基板の前記選択面方位に対応して下記表に示す温度及び時間を選択して加熱する
」と訂正する。
＊訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１における「サファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御する」を、「サファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御する」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　不明りょうな記載の釈明を目的として、本件特許明細書の段落０００６の中第２乃至５行目における「常圧雰囲気で９００℃以上の温度に加熱してサファイア単結晶基板を熱処理する際、面方位に対応して加熱時間及び加熱温度を選択することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を制御することを特徴とする。」を、「サファイア単結晶基板上に成長させる異種物質の結晶格子にマッチングする原子ステップ高さに対応して該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して特定結晶面を露出させ、該異種物質を成長させるに先立ち該基板を常圧雰囲気で９００℃以上の温度に加熱する際、該基板の前記選択面方位に対応して下記表１に示す温度及び時間を選択して加熱することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御することを特徴とする。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】サファイア単結晶基板上に成長させる異種物質の結晶格子にマッチングする原子ステップ高さに対応して
該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して特定結晶面を露出させ
、該基板の前記選択面方位に対応して下記表に示す温度及び時間を選択して加熱する
サファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御する
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、発光素子，ＳＯＳデバイス等の搭載に適した表面状態をもつサファイア単結晶基板を製造する方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　発光素子を始めとする各種半導体素子は、単結晶基板に搭載され、基板内部又は表面に作り込んだ回路に結線されている。たとえば、青色発光素子や三次元高速ＩＣとして期待されているＳＯＳ（ｓｉｌｉｃｎ−ｏｎ−ｓａｐｐｈｉｒｅ）型デバイスは、サファイア単結晶からなる絶縁基板に搭載される。
　絶縁基板として使用される単結晶基板は、搭載する素子に対する良好な接合状態を得るため、表面に所定の結晶面を露出させた後、鏡面状態に研磨される。特定結晶面は、単結晶基板をダイヤモンドカッター等で切断するときに切断角度を調整することにより、基板表面に露出する。切断後の基板は、ダイヤモンド研磨粉を使用して研磨した後、コロイダルシリカ等を含む溶液中で化学エッチングされる。
　機械研磨及び化学研磨された単結晶基板は、表面粗さが１ｎｍ程度の極めて平滑な状態に鏡面仕上げされている。この表面は、その上に搭載される各種素子に対して所定の接続を得る上で重要な機能を果たす。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来の半導体素子を搭載する場合、前述した方法で鏡面仕上げされたサファイア単結晶基板でも、十分に必要とする接続が得られる。しかし、従来の鏡面仕上げでは、急速に進展している素子の高機能化，高密度化に対応できないことがある。ＧａＮ青色発光素子を搭載したサファイア基板では、素子と基板との間の接続が発光出力に大きく影響し、接続界面に乱れがあると高効率で青色を出力させることができない。また、三次元高速ＩＣとして期待されているＳＯＳ型デバイスでは、Ｓｉ薄膜とサファイア界面との乱れによって、満足できる特性が得られない。
　高機能化，高密度化に伴って欠陥が発生する原因に、単結晶基板の表面にある不規則な凹凸や異種結晶面の露出等が掲げられる。すなわち、機械研磨及び化学研磨されたサファイア単結晶基板は、表面粗さ１ｎｍ程度に平滑化されているものの、凹凸分布に規則性がない。また、結晶面を原子レベルで観察すると、所定の結晶面以外の結晶方位をもつ異種結晶面が凹凸の斜面等に露出している。
　【０００４】
　不規則な凹凸のある表面上にＳｉ等の薄膜を成長させると、多数の凹凸部で結晶成長が生じ、成長初期段階で数多くの島状結晶の成長が促進される。これは、凹凸部の階段部分が結晶核生成の元になる最も有力なサイトとして働くことに起因する。島状結晶は、成膜が進に従って相互に連結しながら成長する。その結果、島状結晶の間に粒界や刃状転位，ラセン転位等の成長欠陥が生成し易くなる（Ｊ．Ｃ．Ｂｅａｎ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３６（１９８０）ｐ．７４１−７４３参照）。これらの欠陥は、基板表面に形成される薄膜の特性、特に電気的特性に悪影響を及ぼす。
　【０００５】
　また、表面に露出した異種結晶面は、その上に成長する薄膜に、設計したエピタキシャル成長以外の成長方位を与える。異種結晶面は凹凸部の斜面に現れ易く、島状結晶の成長と相侯つて異種結晶粒を界面等に生成させる原因となる。その結果、完全な単結晶薄膜が得られず、界面の乱れに起因して半導体素子の特性が劣化する。
　本発明は、このような問題を解消すべく案出されたものであり、サファイア単結晶表面にある原子の再配列が熱処理条件に応じて結晶面ごとに異なることを利用し、結晶面に応じて加熱温度及び加熱時間を選択することにより、特定の結晶面を優先的に再配列させ、超平坦で同一結晶方位をもつテラス面及び直線状の規則的なステップサイトをもつ基板表面を得ることを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の熱処理方法は、その目的を達成するため、
サファイア単結晶基板上に成長させる異種物質の結晶格子にマッチングする原子ステップ高さに対応して該サファイア単結晶基板のＡ面、Ｃ面、Ｒ面またはＸ面の何れかの面方位を選択して特定結晶面を露出させ、該異種物質を成長させるに先立ち該基板を常圧雰囲気で９００℃以上の温度に加熱する際、該基板の前記選択面方位に対応して下記表１に示す温度及び時間を選択して加熱することによりサファイア基板表面の原子ステップ高さ及びテラス幅を、選択した面方位特有の値に制御することを特徴とする。
　ステップ高やステップ幅は、結晶面に応じて定まっている。そこで、基板上に成長させようとする薄膜の結晶単位長さに応じた結晶面の選択が可能になり、マッチング性に優れた薄膜が形成される。
　なお、本発明に従って熱処理されるサファイア単結晶基板には、転位密度ができるだけ少なく良質の基板が使用される。表面結晶方位がジャスト或いは故意に微少角度で傾斜させたものについて、±０．５度以内の精度を保持しつつ機械研磨及び化学研磨によって表面を調製した後、有機洗剤等で表面洗浄される。このような表面調製は、熱処理の過程で表面原子の面内拡散を均一化し、均一な高さをもつステップを形成する上で有効な前処理である。
　【０００７】
　【作用】
　結晶面は、それぞれの面に対して表面上での原子の拡散係数及び拡散のための活性化エネルギーが異なる。そのため、面方位に応じた熱処理を施すとき、熱的に安定な同一の結晶方位指数をもつ原子面のみが優先的に形成される。したがって、サファイア単結晶基板を、それぞれの面方位に適した温度及び時間で熱処理するとき、面方位に特有な原子層ステップ及び超平坦な原子面からなるナノステップ最表面構造が得られる。最表面構造は、実際の基板面の微傾斜に対応したテラス幅をもつナノステップ構造となる。各テラス面のステップ高さは、熱的に安定な原子面の結晶格子中での繰返し周期によって決定される。
　【０００８】
　たとえば、従来の機械研磨及び化学研磨で鏡面仕上げしたサファイア単結晶基板のＣ面（０００１）をＡＦＭ（電子間力顕微鏡）観察すると、図１に示すように多数の凹凸が不規則に存在する表面となる。このような表面は、その上に成長させるＳｉ薄膜に結晶欠陥を持ち込む原因となり、またＳｉ薄膜との界面に乱れを発生させる。
　これに対し、従来のサファイア単結晶基板を有機洗剤等で表面洗浄したＣ面（０００１）を１２００℃に１０時間加熱したものでは、図２に示すように不規則な凹凸が見られず、原子が１層つづ積み重なった極めて平坦な表面状態をもっていた。また、同じサファイア単結晶基板のＲ面を１２００℃に１時間加熱したところ、図３に示すように同様に原子が１層つづ積み重なった極めて平坦な表面状態になった。
　本発明者等の実験によるとき、各結晶面に対し次の条件下で熱処理することが有効であることが判った。
　【０００９】
　【表１】
　【００１０】
　そこで、これら各結晶面に対応した熱処理条件を選択し、特定の結晶面で優先的に原子を再配列するとき、極めて平坦化された基板表面が得られる。このように原子レベルで平坦化された基板表面は、その上に成膜される薄膜の結晶格子定数にマッチしたナノステップ表面として使用することができる。その結果、界面の乱れに起因した結晶歪みや結晶欠陥の少ない薄膜が得られ、高性能のデバイスを作り込むことが可能になる。
　たとえば、結晶面に応じて種々の原子ステップが得られるため、成長させたい薄膜の結晶単位の長さに応じて適当なサファイア基板面を選び、エピタキシャル成長を促進させることができる。このようにして、サファイア基板上にＺｎＯ等の薄膜を高精度で形成することが可能になる。
　【００１１】
　また、本発明に従った熱処理によるとき、原子ステップでの部分的な成長が可能となるため、量子細線を絶縁性基板の上に作製できる。すなわち、サファイア単結晶基板の最表面は、超平坦な原子面（テラス面）となっているので、温度及び雰囲気等の条件を適正に制御した成膜条件下では、テラス面に付着した薄膜構成原子がテラス面上で核形成することなく、テラス上を拡散してステップサイトにトラップされ、結晶化される。その結果、ステップに沿って薄膜構成原子が配列される。このとき、テラス上での薄膜の被覆率を１以下にすると、線幅が数ｎｍ〜数十ｎｍの量子細線がサファイア単結晶基板上に作製される。
　これにより、絶縁性，放熱性，耐放射線性，耐熱性，耐化学性等に優れたサファイア基板の上に量子構造を組み込んだデバイスの作成が可能となる。サファイア自体も表面硬度が向上し耐久性や表面輝度が改善されることから、たとえば高級腕時計のカバーガラス等の種々の用途への展開が可能になる。
　【００１２】
　【実施例】
実施例１：（Ｃ面の平坦化）
　表面を清浄化したサファイア単結晶基板のＣ面を空気中で１２００℃に１０時間加熱した後、空冷した。処理されたＣ面を、大気中でＡＦＭ観察したところ、図１に示した不規則な凹凸が検出されず、比較的広い面積をもつテラス面が観察された。また、各テラスのステップ高さは、図４に示すように、原子１層分にほぼ等しい約２．１３Åであった。
実施例２：（Ａ面の平坦化）
　表面を清浄化したサファイア単結晶基板のＡ面を空気中で１２００℃に３時間加熱した後、空冷した。処理されたＡ面のＡＦＭ像は、不規則な凹凸がなく、比較的広い面積のテラス面をもつ表面構造であった。また、各テラスのステップ高さは、図５に示すように、原子１層分にほぼ等しい約５Åであった。
実施例３：（Ｘ面の平坦化）
　表面を清浄化したサファイア単結晶基板のＸ面を空気中で１２００℃に１０時間加熱した後、空冷した。処理されたＸ面のＡＦＭ像は、不規則な凹凸がなく、比較的広い面積のテラス面をもつ表面構造であった。また、各テラスのステップ高さは、図６に示すように、原子１０層分にほぼ等しい約３０Åであった。
　【００１３】
　【発明の効果】
　以上に説明したように、本発明においては、サファイア単結晶基板の表面に露出している結晶面に応じて熱処理条件を選択することにより、特定された結晶面で優先的に原子を再配列させ、平坦度が極めて高く、実質的に同一結晶方位をもつテラス面のみからなる基板表面を得ている。したがって、この上に形成される薄膜は、基板に対して結晶格子定数のマッチング性に優れ、界面の乱れに起因する結晶欠陥や結晶歪みのない高性能のデバイスを作成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　従来の機械研磨及び化学研磨によって得られた多数の凹凸が不規則に分散しているサファイア単結晶基板の表面を観察したＡＦＭ像
　【図２】　本発明に従って熱処理されたサファイア単結晶基板のＣ面を観察したＡＦＭ像
　【図３】　本発明に従って熱処理されたサファイア単結晶基板のＲ面を観察したＡＦＭ像
　【図４】　本発明実施例１で得られたＣ面の表面状態を示すグラフ
　【図５】　本発明実施例２で得られたＡ面の表面状態を示すグラフ
　【図６】　本発明実施例３で得られたＸ面の表面状態を示すグラフ