【事件の表示】
　平成７年特許願第１２８８３８号「半導体素子の多層金属配線の形成方法」拒絶査定に対する審判事件について，次のとおり決定する。
【結論】
　平成１０年２月１０日付けの手続補正を却下する。
【理由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年５月１日（パリ条約による優先権主張１９９４年５月１０日、大韓民国）の出願であって、平成１０年２月１０日付けで提出された手続補正書の補正の内容は、明細書の特許請求の範囲について補正をしようとするものである。
　そして、同手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「本願第１発明」という。）は、次のとおりである。
「半導体基板の全面上に第１中間絶縁層を形成するステップと、第１中間絶縁層上に下部金属配線層を形成するステップと、下部金属配線層が形成された第１中間絶縁層上に第２中間絶縁層を形成するステップと、下部金属配線層の上部に対応させて第２中間絶縁層をエッチングしてコンタクトホールを形成するステップと、コンタクトホール及び第２中間絶縁層の上にアルミニウムを堆積させるステップと、前記アルミニウムの上にタングステンを堆積させて前記コンタクトホールを埋め込むステップと、前記第２中間絶縁層が露出するまで前記アルミニウムとタングステンとをＣＭＰ工程でエッチングするステップと、を備えることを特徴とする半導体素子の多層金属配線の形成方法。」
２．補正の適否について
　上記補正は、補正前の請求項１の「コンタクトホールを含む基板上にアルミニウムを堆積させるステップ」及び「・・・エッチングするステップ」を補正後の「コンタクトホール及び第２中間絶縁層の上にアルミニウムを堆積させるステップ」及び「・・・ＣＭＰ工程でエッチングするステップ」に補正しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そこで、以下前記補正後における、特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
３．引用刊行物記載の発明
　原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平６−８５０７０号公報（公開日：平成６年３月２５日。以下、
「引用例１」という）には、
「この様な問題点を解決する多層配線の形成方法が提案された。図６は１９９１年ＶＭＩＣ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｐ１４４−ｐ１５２において提案された多層配線の形成方法を示す工程断面図である。図６（ａ）〜（ｆ）に従って第２の配線層１１の形成方法を順次説明する。まず、第１の配線層２，層間絶縁膜３を以下に説明する第２の配線層１１と同じ形成方法を利用して形成したので層間絶縁膜３の表面はすでに平坦化されたものとなっている。こののち、全面にレジスト６を塗布し写真製版技術によって接続孔８用のレジスト６パターンを形成する。さらに全面にレジスト７を塗布し、写真製版技術によって第２の配線層１１用のレジストアパターンを形成する（図６（ａ））。次に、接続孔８のレジスト６パターンをマスクとして層間絶縁膜３を規定時間エッチングし、層間絶縁膜３中に接続孔８を途中まで形成する。　（図６（ｂ））。次に、第２の配線層１１用レジストアパターンをマスクとして接続孔８用レジスト６パターンをエッチングし、層間絶縁膜３表面に第２の配線層１１用レジストパターンを残す。接続孔８用レジスト６のエッチングの際には当然ながら第２の配線層１１用レジスト７も同時に除去されてしまい、接続孔８用レジスト６パターンに第２の配線層１１用レジストパターンが転写されて残ることになる（図６（ｃ））。次に、残存した第２の配線層１１用レジストパターンをマスクとして層間絶縁膜３をエッチングし、接続孔８および配線溝９を形成する。このとき層間絶縁膜３の膜厚によってはオーバーエッチングされることがある。その後、レジストを除去する。（図６（ｄ））。次に、全面に、ＣＶＤ法等を用いて被覆性にすぐれた金属膜１０を形成する。このとき金属膜１０厚は接続孔８および配線溝９を埋めるのに充分な膜厚とする（図６（ｅ））。その後、化学機械研磨法により金属膜１０を研磨して接続用プラグと第２の配線層１１を形成する。このとき、接続用プラグ、第２の配線層１１，および層間絶縁膜３の表面は平坦となる。　（図６（ｆ））。」（【０００５】〜【０００７】）が、図６と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例１には、「第１の配線層２，層間絶縁膜３を以下に説明する第２の配線層１１と同じ形成方法を利用して形成するステップと、
　層間絶縁膜３をエッチングし、接続孔８および配線溝９を形成するステップと、
　全面に、被覆性にすぐれた金属膜１０を形成して、接続孔８および配線溝９を埋めるステップと、
　化学機械研磨法により金属膜１０を研磨して接続用プラグと第２の配線層１１を形成して、接続用プラグ、第２の配線層１１，および層間絶縁膜３の表面を平坦とするステップと、
を備えることを特徴とする半導体素子の多層金属配線の形成方法。」が記載されているものと認められる。
　同じく原審の拒絶の理由に引用された、本願出願日前に頒布された刊行物である特開平３−２７４７３２号公報（以下、「引用例２」という）には、
「この実施例では、上記配線６が３層構造とされている。すなわちシリコン基板１に接触する最下層６ａはＷ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、ＴｉＮ（窒化チタン）あるいはＴｉＷ（チタンタングステン）等の高融点金属層からなり、かつグレインサイズの小さな金属層とされ、この最下層６ａの上に、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ系金属からなりかつ比較的グレインサイズの大きな中間層６ｂが、またその中間層６ｂの上に最下層６ａと同様グレインサイズの小さな高融点金属層からなる最上層６ｃが積層された構造とされている。」（第２頁左下欄第４〜１４行）、
「次に、配線を２層構造で実現する場合のプロセスの一例を第３図（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。この実施例では、基板上１に比較的厚いシリコン酸化膜のような層間絶縁膜１５を被着した後、レジスト１１をマスクとしてエッチングにより配線部に溝１２を形成する。（第３図（ａ））。次にマスクとなったレジスト１１を除去してからグレインサイズの小さな高融点金属層１６ａを基板全面にスパッタ蒸着する（第３図（ｂ））。しかる後、基板温度や圧力を変えてからバイアス・スパッタ蒸着で上記金属層１６ａよりもグレインサイズの大きなＡｌ系金属層１６ｂを基板全面に略一様に被着する（第３図（ｃ））。次に、Ａｌ系金属層１６ｂをエッチバックし、さらに続けてその下の高融点金属層１６ａをエッチングする。すると、第３図（ｄ）に示すように、絶縁膜５に形成した溝１２内に高融点金属層１６ａとＡｌ系金属層１６ｂとからなる２層構造の配線１６が形成される。この実施例では、絶縁膜１５の溝１２の中に配線１６が形成され、しかも上層のＡｌ系金属層１６ｂの両側にもストレスマイグレーション耐性の高い高融点金属層１６ａが形成されているため、上方にグレインサイズの小さな金属層を形成しなくてもある程度ストレスマイグレーション耐性を高めることができる。」（第３頁右上欄第２行〜左下欄第８行）、
「例えば上記実施例ではグレインサイズの小さな金属層をグレインサイズの大きな金属層の上下または周囲に形成しているが、グレインサイズの大きな金属層をグレインサイズの小さな金属層の上下または周囲に形成するようにしてもよい。」（第４頁左上欄第７〜１１行）、
「［発明の効果］本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。すなわち、配線層のエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を同時に向上させ、配線幅が狭くなっても断線を生じにくくして、デバイスの信頼性を向上させることができる。」（第４頁右上欄第１〜９行）が、第３図と共に記載されている。
　したがって、上記各記載から、引用例２には、「基板上に層間絶縁膜を被着するステップと、
　上記層間絶縁膜をエッチングして溝を形成するステップと、
　基板全面にグレインサイズの大きなＡｌ系金属層を被着するステップと、
　上記Ａｌ系金属層の上に、上記Ａｌ系金属層よりもグレインサイズの小さなタングステンを堆積するステップと、
　上記Ａｌ系金属層と上記タングステンを続けてエッチングするステップと、
を備えることを特徴とする半導体素子の金属配線の形成方法。」が記載されているものと認められる。
４．対比
　本願第１発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１に記載された発明の「第１の配線層２，層間絶縁膜３を以下に説明する第２の配線層１１と同じ形成方法を利用して形成するステップ」は、本願第１発明の「半導体基板の全面上に第１中間絶縁層を形成するステップと、第１中間絶縁層上に下部金属配線層を形成するステップと、下部金属配線層が形成された第１中間絶縁層上に第２中間絶縁層を形成するステップ」に相当すると認められる。
　また、引用例１に記載された発明の「接続孔」、「化学機械研磨法」は、それぞれ本願第１発明の「コンタクトホール」、「ＣＭＰ」に相当する。
　従って、本願第１発明と引用例１に記載された発明は、
「半導体基板の全面上に第１中間絶縁層を形成するステップと、第１中間絶縁層上に下部金属配線層を形成するステップと、下部金属配線層が形成された第１中間絶縁層上に第２中間絶縁層を形成するステップと、下部金属配線層の上部に対応させて第２中間絶縁層をエッチングしてコンタクトホールを形成するステップと、コンタクトホール及び第２中間絶縁層の上に金属膜を堆積させて前記コンタクトホールを埋め込むステップと、前記第２中間絶縁層が露出するまで前記金属膜をＣＭＰ工程でエッチングするステップと、を備えることを特徴とする半導体素子の多層金属配線の形成方法。」である点で一致し、
　コンタクトホール及び第２中間絶縁層の上に金属膜を堆積してコンタクトホールを埋め込むステップが、本願第１発明においては「コンタクトホール及び第２中間絶縁層の上にアルミニウムを堆積させるステップと、前記アルミニウムの上にタングステンを堆積させて前記コンタクトホールを埋め込むステップ」からなるのに対して、引用例１に記載された発明では「被覆性にすぐれた金属膜１０を形成して接続孔を埋めるステップ」からなる点において相違する。
５．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２には「半導体素子の金属配線の形成方法」に係る発明が開示されており、引用例２に記載された発明と引用例１に記載された発明とは、発明の属する技術分野を共通とするものである。
　そして、引用例２に記載された発明と、引用例１に記載された発明は、どちらも、溝が形成された絶縁層に金属膜を形成して前記溝を前記金属膜で埋め込むステップと、その後前記絶縁膜が露出するまで前記金属膜を除去するステップを有している。
　してみれば、引用例１に記載された発明の「被覆性にすぐれた金属膜１０を形成して接続孔を埋めるステップ」に代えて、引用例２に記載された「基板全面にグレインサイズの大きなＡｌ系金属層を被着するステップと、上記Ａｌ系金属層の上に、上記Ａｌ系金属層よりもグレインサイズの小さなタングステンを堆積させて前記コンタクトホールを埋め込むステップ」を採用することは、当業者が適宜なし得たことであり、また、引用例１に記載された発明の金属膜形成ステップとして、引用例２に記載された前記ステップを採用することを阻害する要因も存在しない。
　なお、出願人は、審判請求書の請求の理由の欄において、「要するに、本願発明は、・・・絶縁層の上に載るアルミニウム層の厚さを薄くし、ＣＭＰでそれを除去するとき容易に除去されるようにしたものである。」と主張する。
　しかしながら、本願明細書の請求項１に係る発明は、アルミニウム層の厚さを規定していないから、前記出願人の主張は請求項の記載に基づかないものであり、採用できない。
６．むすび
　以上のとおりであるから、平成１０年２月１０日付けで提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明は、上記引用例１及び引例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないと認められるから、上記補正は特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項の規定により準用する同法第５３条の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【決定日】
平成１１年１０月２７日（１９９９．１０．２７）