【事件の表示】
　特許第２９２７２５７号「半導体装置の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９２７２５７号の請求項１〜５に係る特許を維持する。
【理　由】
一.手続の経緯
　本件特許第２９２７２５７号の発明は、平成８年１１月２０日に出願され、平成１１年５月１４日に設定登録され、その後、平成１２年１月２８日に渡部徹及び渡辺紀子より特許異議申立がなされ、平成１２年５月２３日付で取消理由通知をし、その指定期間内である平成１２年８月７日に訂正請求がなされたものである。
二.訂正の適否の判断
（イ）訂正の要旨
(1）訂正事項ａ
特許請求の範囲の請求項１を
「半導体基板面の酸化膜上に多結晶シリコン層を堆積する工程と、
多結晶シリコン層を所定の平面形状にパターンニングし、抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体を含む半導体基板上に絶縁膜を堆積させ、前記抵抗体のコンタクト領域となる所定の領域のみ多結晶シリコン層が露出し、それ以外の前記抵抗体の表面の領域は前記絶縁膜で覆い、かつ抵抗体の端部の側面に前記絶縁膜を側壁状に残すように前記絶縁膜をパターニングする工程と、
露出した多結晶シリコン膜を含む半導体基板上に高融点金属を堆積し、不活性ガス等の雰囲気中で熱処理を施し、抵抗体の酸化膜で覆われた領域以外の多結晶シリコン膜と高融点金属を反応させることにより、シリサイド層を形成する工程と、
酸化膜上の未反応の高融点金属を除去し、シリサイド層を形成した抵抗体を含む半導体基板上に酸化膜を堆積させ、抵抗体のシリサイド層領域にコンタクト孔を形成する工程と、
前記コンタクト孔を通して抵抗体のシリサイド層に外部電極を接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」と訂正する。
(2）訂正事項ｂ
明細書の段落００１８を「【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板面の酸化膜上に多結晶シリコン層を堆積する工程と、多結晶シリコン層を所定の平面形状にパターンニングし、抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体を含む半導体基板上に絶縁膜を堆積させ、前記抵抗体のコンタクト領域となる所定の領域のみ多結晶シリコン層が露出し、それ以外の前記抵抗体の表面の領域は前記絶縁膜で覆い、かつ抵抗体の端部の側面に前記絶縁膜を側壁状に残すように前記絶縁膜をパターニングする工程と、露出した多結晶シリコン膜を含む半導体基板上に高融点金属を堆積し、不活性ガス等の雰囲気中で熱処理を施し、抵抗体の酸化膜で覆われた領域以外の多結晶シリコン膜と高融点金属を反応させることにより、シリサイド層を形成する工程と、酸化膜上の未反応の高融点金属を除去し、シリサイド層を形成した抵抗体を含む半導体基板上に酸化膜を堆積させ、抵抗体のシリサイド層領域にコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔を通して抵抗体のシリサイド層に外部電極を接続する工程とを含むものである。」と訂正する。
（ロ）訂正の適否
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。また、訂正事項ｂは不明瞭な記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同第３項で準用する同第１２６条第２及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
三．特許異議申立についての判断
(1)本件発明
　本件特許請求の範囲請求項１〜５に係る発明は以下のとおりである。
「【請求項１】半導体基板面の酸化膜上に多結晶シリコン層を堆積する工程と、
多結晶シリコン層を所定の平面形状にパターンニングし、抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体を含む半導体基板上に絶縁膜を堆積させ、前記抵抗体のコンタクト領域となる所定の領域のみ多結晶シリコン層が露出し、それ以外の前記抵抗体の表面の領域は前記絶縁膜で覆い、かつ抵抗体の端部の側面に前記絶縁膜を側壁状に残すように前記絶縁膜をパターニングする工程と、
露出した多結晶シリコン膜を含む半導体基板上に高融点金属を堆積し、不活性ガス等の雰囲気中で熱処理を施し、抵抗体の酸化膜で覆われた領域以外の多結晶シリコン膜と高融点金属を反応させることにより、シリサイド層を形成する工程と、
酸化膜上の未反応の高融点金属を除去し、シリサイド層を形成した抵抗体を含む半導体基板上に酸化膜を堆積させ、抵抗体のシリサイド層領域にコンタクト孔を形成する工程と、
前記コンタクト孔を通して抵抗体のシリサイド層に外部電極を接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。  
【請求項２】抵抗体とＭＯＳＦＥＴのゲート電極を同一の多結晶シリコン層から形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】多結晶シリコン膜をゲート電極として使用するＭＯＳＦＥＴの製造工程において、抵抗体となる多結晶シリコンのコンタクト領域のシリサイド化とＭＯＳＦＥＴのゲート電極上のシリサイド化を同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記絶縁膜をパターニングする工程において、同時にゲート電極に絶縁膜を側壁状に残すことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】同一平面上にゲート電極と抵抗体を形成することを特徴とする請求項２，３又は４に記載の半導体装置の製造方法。」
(2)申立の理由の概要
　申立人渡部徹は、甲第１号証（特開平４−１２２０５８号公報）、甲第２号証（特公昭６１−４３４６４号公報）及び甲第３号証（特開平４−９４５６７号公報）を提示し、請求項１〜５に係る発明は、甲第１号証〜甲第３号証記載の発明に基づき当業者が容易に発明できたものであるから特許法第２９条第２項の規定によりその特許が取り消されるべきである旨主張する。また、申立人渡辺紀子は、甲第１号証（特開平３−１９２７３号公報）、甲第２号証（申立人渡部徹提示の甲第１号証）、甲第３号証（特開平４−１３７６４５号公報）、甲第４号証（特開昭６４−７２５２４号公報）及び甲第５号証（申立人渡部徹提示の甲第３号証）を提示し、請求項１〜５に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証記載の発明に基づき当業者が容易に発明できたものであるから特許法第２９条第２項の規定によりその特許が取り消されるべきである旨主張する。
(3)判断
　申立人渡部徹提示の甲第１号証には、半導体基板上の厚い絶縁膜上に抵抗体形状にパターニングされた多結晶シリコンを形成し、その端部に絶縁体側壁を設け、上記多結晶シリコン上にチタンシリサイドを形成し、全面に層間絶縁膜を被覆し、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介して抵抗体のアルミ配線を形成するポリサイド抵抗体の製造方法が、同様に提示された甲第２号証には、ＭＯＳＦＥＴのゲート電極と抵抗体とを同一のポリシリコン層で形成し、ＭＯＳＦＥＴのコンタクト抵抗を小さくし、抵抗体の抵抗値を大きくしておくために、ＭＯＳＦＥＴのソース領域上、ドレイン領域上及びゲート電極上のみにシリサイド層を形成する半導体装置の製造方法が、同様に提示された甲第３号証には、甲第２号証記載の発明の改良発明に関して、ポリシリコン抵抗体上の絶縁膜が薄いと電極のコンタクト部にシリサイド層を形成するために金属膜を形成し、熱処理したときに薄い絶縁膜を通してポリシリコン上にシリサイド層が形成される等の問題点を解消するために、ＬＯＣＯＳ法によりポリシリコン抵抗体上に厚い絶縁膜を形成すること及びポリシリコン抵抗体の電極コンタクト部にもＭＯＳＦＥＴの電極コンタクト部と同時にシリサイド層を形成することやポリシリコン抵抗体の端部に側壁を形成することが、申立人渡辺紀子提示の甲第１号証には、絶縁膜８上にポリシリコン抵抗体１１を形成し、全面に絶縁膜９を形成し、ポリシリコン抵抗体１１の電極コンタクト部上の絶縁膜９に開孔を設け、高融点金属を被着し、熱処理により電極コンタクト部上にシリサイドを形成し、全面に絶縁膜１０を形成し、シリサイド上にコンタクト孔を開口し、アルミ配線３を形成するポリシリコン抵抗体の製造方法が、同様に提示された甲第３号証には、半導体基板上にポリシリコンを被着させ、パターニングによりＭＯＳＦＥＴのゲート電極と抵抗体とを同時に形成し、ゲート電極側部と抵抗体端部とに同時に側壁を形成し、ＭＯＳＦＥＴの電極コンタクト部と抵抗体上とにシリサイド層を形成する半導体装置の製造方法が、同様に提示された甲第４号証には、同一平面上にゲート電極とポリシリコン素子（ポリシリコン抵抗体も含まれるものと認められる）とを形成する半導体装置の製造方法が記載されているものと認められる。しかしながら、上記甲各号証には、本件請求項１〜５に係る発明の構成要件である「抵抗体を含む半導体基板上に絶縁膜を堆積させ、抵抗体のコンタクト領域となる所定の領域のみ多結晶シリコン層が露出し、それ以外の抵抗体の表面の領域は絶縁膜で覆い、かつ抵抗体の端部の側面に絶縁膜を側壁状に残すように絶縁膜をパターニングする工程」は記載はおろか示唆もされていない。そして、本件請求項１〜５に係る発明は上記構成要件を有することにより、抵抗体の端部までシリサイド化されたコンタクト領域を形成できるため、外部電極と接続するコンタクト孔形成時のマージンを大きく取ることができるという顕著な効果を奏する。したがって、本件請求項１〜５に係る発明は上記甲各号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたとすることはできない。
(4)むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件特許請求の範囲請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許請求の範囲請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月２２日（２０００．８．２２）