【事件の表示】
  特許第２５３５５８１号「炭素膜作製方法」の特許に対する特許異議の申立てについてした平成９年１２月１０日付け取消決定に対し、東京高等裁判所において取消決定取消の判決（平成１０年（行ケ）第５７号、平成１２年６月２２日判決言渡）があったので、さらに審理したうえ、次のとおり決定する。　
【結　論】
　特許第２５３５５８１号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２５３５５８１号の請求項１ないし３に係る発明は、昭和６３年２月１日に特許出願され、平成８年７月８日にその特許の設定登録がなされたところ、特許異議申立人吉川喜一郎から平成９年３月１８日付けで特許異議の申立てがあり、平成９年１２月１０日付けで「特許第２５３５５８１号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。」との決定がなされた。
　これに対して、本件特許の特許権者は、平成１０年（行ケ）第５７号として取消決定取消請求訴訟を提訴するとともに、平成１０年９月２５日付けで訂正審判（平成１０年審判第３９０６９号）を請求したところ、平成１２年３月２３日付けで「特許第２５３５５８１号発明の明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正することを認める。」との審決（平成１２年４月１７日審決確定：以下、「訂正審決」という。）がなされ、平成１２年６月２２日に、前記平成１０年（行ケ）第５７号の取消決定取消請求事件について、「特許庁が平成９年異議第７１２３２号事件について平成９年１２月１０日にした決定を取り消す。」との判決の言渡があった。
　　　
２．本件発明
　訂正後の本件特許の請求項１及び２に係る発明は、訂正審決により訂正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】　少なくとも一つの端子及び配線を有する基板上に、ＣＶＤ法により、ＳＰ３混成軌道を有する炭素結合を有し、熱伝導度が２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上である、ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜を形成する工程と、
前記炭素薄膜上にマスクを形成する工程と、
酸素を含有するエッチング用気体に、前記炭素薄膜を曝す工程と、
前記エッチング用気体にエネルギーを与えて、前記エッチング用気体を活性化させる工程と、
前記マスクで覆われた部分以外の前記炭素薄膜を選択的にエッチングして、前記少なくとも一つの端子は、前記炭素薄膜で覆われないようにする工程と
により、半導体装置上に前記ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜よりなるパッシベーション膜を形成すること
を特徴とする炭素膜作製方法。
　【請求項２】　少なくとも一つの端子及び配線を有する基板上に、ＣＶＤ法により、ＳＰ３混成軌道を有する炭素結合を有し、熱伝導度が２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上である、ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜を形成する工程と、
前記炭素薄膜上にマスクを形成する工程と、
前記マスクに従って前記炭素薄膜を選択的にエッチング除去して、前記少なくとも一つの端子を露呈させる工程と
により、半導体装置上に前記ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜よりなるファイナルコーティング膜を形成すること
を特徴とする炭素膜作製方法。」（以下、請求項１に係る発明を「本件発明１」、請求項２に係る発明を「本件発明２」という。）
　　　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人吉川喜一郎（以下、「申立人」という。）は、甲第１号証（特開昭６０−２６１１４３号公報）、甲第２号証（特開昭６２−１３６０２５号公報）、甲第３号証（特開昭５８−２１２１３６号公報）、甲第４号証（特開昭６０−１１７７２３号公報）及び甲第５号証（Journal of Materials Science Letters　７（１９８８）ｐ．４１０〜４１２）を提出して、
　「特許査定時における本件特許の請求項１ないし３に係る発明は、甲第１号証または甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものである。」または
　「特許査定時における本件特許の請求項１ないし３に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。」
として、本件発明の特許は特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張している。
　　　
４．甲各号証の記載事項
（１）甲第１号証（特開昭６０−２６１１４３号公報）
　イ）半導体装置の製造方法に関して、以下の事項が記載されている。
　ａ．炭素膜の製法及び構造に関し
　「本発明によれば、低温プラズマＣＶＤ法で成膜したダイヤモンド状炭素膜」（第３頁左欄第４〜５行）、
　「ＬＳＩの形成された基板にセルフバイアスがかかるようにし、・・・・供給ガスとしてアルゴン（Ａｒ）とＣＨ４またはＣ４Ｈ１０の混合ガスを使用する。・・・・」（第２頁左下欄第１５行〜右下欄第８行）、
　「・・・・膜は、完全なダイヤモンドではないがアモルファスな状態なものの中にダイヤモンドが存在する緻密なものであることが確認された。」（第２頁右下欄第９〜１３行）、
　ｂ．マスクパターンの形成に関し
　「膜上に窒化膜または酸化膜を成膜し、更にその上にレジストのパターンを作る。ＣＦ４／ＣＨＦ３（１：１）で前記窒化膜または酸化膜にレジストパターンを転写」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左欄第１行）、
　ｃ．エッチングに関し                 　
　「上記の如くにして作られた膜の加工法は酸素（Ｏ２）プラズマによるリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）を用いる」（第２頁右下欄第１４〜１６行）、
　「転写した後に、Ｏ２　ＲＩＥで膜を加工する。」（第２頁右下欄末行〜第３頁左欄第１行）、
　ｄ．用途及び効果に関し
　「本発明は・・・・耐湿性、耐ナトリウムイオン性に優れたダイヤモンド状炭素膜を半導体装置例えばＬＳＩのカバー膜として形成する方法を提供する・・・・」（第２頁左上欄第４〜７行）、　
　「・・・・ダイヤモンド状炭素膜をＬＳＩのカバー膜に使用することにより、カバー膜の耐湿性、耐ナトリウムイオン性が改善されるので、半導体装置の信頼性向上に効果大である。」（第３頁左欄第５〜８行）。
　ロ）併せて、第１図には「カソードカップル型プラズマＣＶＤ装置の断面図」が、第２図（ｂ）には「基板５の上にＡｌ配線７が形成されている様子」が示されており、また、この第２図（ｂ）において、ＰＳＧ膜８の上に「ダイヤモンドが存在する緻密な炭素膜」（符号の付されていない層）が形成されていることを見てとることができる。
　　　　
（２）甲第２号証（特開昭６２−１３６０２５号公報）
　イ）極微細パタン加工用カーボン膜及び極微細パタン加工方法に関して、以下の事項が記載されている。
　ａ．カーボン膜の製法に関し
　「本発明の水素含量を調節したカーボン膜の形成法としては、・・・・プラズマＣＶＤ法・・・・を採用することができる。・・・・室温プラズマＣＶＤ法が有利である。」（第３頁左下欄第５〜１０行）、
　「カーボン膜形成用基板２を真空ベルジヤ１内のホルダ７に設置し、・・・・マイクロ波発信器４でマイクロ波を５００Ｗで発振させ、・・・・Ｃ２Ｈ２ガスを導入し、・・・・マイクロ波によるＣ２Ｈ２プラズマを発生させる。・・・・基板２上に水素含量５〜３０％のカーボン膜が形成される。」（第４頁左上欄第２〜１９行）、
　ｂ．マスクパタンの形成に関し
　「カーボン膜上に・・・・線幅０．０４μｍのレジストのパタンが得られた」（第５頁左上欄第１〜１３行）、
　ｃ．エッチングに関し
　「このレジストパタンをマスクに酸素ガスの反応性イオンエッチング・・・・でカーボン膜に転写した。」（第５頁左上欄第１３〜１６行）。
　ロ）併せて、第１図には「極微細パタン加工用カーボン膜を被加工基板に被覆する際に使用する装置」が、第３図（１）、（２）には「カーボン膜２４の上にレジスト２３のマスクを形成する工程」が、また、第３図（３）には「レジスト２３をマスクとしてカーボン膜２４を選択的にエッチングする工程」が図示されている。
　　　
（３）甲第３号証（特開昭５８−２１２１３６号公報）
　イ）微細パターンの形成方法に関して、以下の事項が記載されている。
　ａ．カーボン膜の製法に関し
　「まず１実施例のカーボン膜の被着は・・・・カーボン膜（１１）を約１０００Åの膜厚に被着させる。」（第２頁右上欄第１６行〜左下欄第２行）、
　ｂ．マスクパターンの形成に関し
　「次に、前記カーボン膜（１１）上にレジスト膜（１２）を回転塗布し乾燥し、露光現像し所定パターンのレジスト膜（１２’）を形成する。」（第２頁左下欄第３〜５行）、
　ｃ．エッチングに関し
　「ついで叙上のレジスト膜（１２’）をマスクにして反応性イオンエッチング装置でＯ２ガスを用いてカーボン膜（１１）にエッチングを施す」（第２頁左下欄第５〜８行）。
　ロ）併せて、第５図には「Ａｌ・Ｓｉ膜３上に、アーク放電によりカーボン膜１１を被着させる様子」が、第６図には「カーボン膜１１上に所定のパターンのレジスト膜１２’を形成する様子」が、また、第７図には「エッチングを施してカーボン膜１１’を残存させる様子」が図示されている。
　　　
（４）甲第４号証（特開昭６０−１１７７２３号公報）
　イ）微細パターンの形成方法に関して、以下の事項が記載されている。
　ａ．炭素膜の製法に関し
　「炭素膜３を電子ビーム蒸着、カーボン電極相互間のアーク放電、炭化水素の放電分解などで形成した場合の断面形状を示している。」（第３頁左下欄第３〜６行）、
　ｂ．マスクパターンの形成に関し
　「次に炭素膜３の上にホトレジスト４を被覆する。・・・・ホトレジスト４が選択的にエッチングされる第１図（Ｃ）。」（第３頁左下欄第１０〜１８行）、
　ｃ．エッチングに関し
　「次にダイオードタイプのプラズマエッチング装置を用い酸素プラズマでエッチングする・・・・選択エッチングされる第１図（Ｄ）。」（第３頁左下欄第１９行〜右上欄第２行）。
　ロ）併せて、第１図（Ａ）には「パーマロイ層２の上に炭素膜３を形成した様子」が、第１図（Ｂ）及び（Ｃ）には「炭素膜３上のホトレジスト４を選択的にエッチングする様子」が、また、第１図（Ｄ）には「ホトレジストをマスクとして炭素膜３を選択的にエッチングする様子」が図示されている。
　　　
（５）甲第５号証（Journal of Materials Science Letters　７（１９８８）ｐ．４１０〜４１２）
　イ）Structure and hardness of diamond-like carbon films prepared by arc evaporation（アーク蒸発により形成されたダイヤモンド類似の炭素薄膜の構造と硬度）に関して、以下の事項が記載されている。
　ａ．薄膜（ａ−Ｃ）の製法に関し
　「Fig.2a shows the low-loss region for the film prepared from the arc,(a-C) together with a film prepared by glow discharge deposition from methane gas(a-C:H).（ Ｆｉｇ．２ａは、アーク法により形成された薄膜（ａ−Ｃ）と、グロー放電法によりメタンガスから形成した薄膜（ａ−Ｃ：Ｈ）との、低ロス領域を表す。）」（第４１０頁左欄下から第５〜２行）、
　ｂ．薄膜（ａ−Ｃ）の構造に関し
　「The films examined in the electron microscope consisted of an amorphous matrix with crystalline inclusions which were confirmed to be graphite.（電子顕微鏡で調べたところ、薄膜は、黒鉛である結晶を含むアモルファス状マトリックスからなることが解った。）」（第４１０頁左欄第３８〜４０行）、
　「The a-C film,however,shows a plasma resonance at 32±0.8 eV,very close to the value for diamond.（ａ−Ｃ膜は、ダイヤモンドに非常に近い、３２±０．８ ｅＶのプラズモン・ピークを有する。）」（第４１０頁右欄第７〜９行）、
　「This indicates that the material is free of sp2(or sp)hybridized carbon and that the predominant bonding is of the sp3 or diamond-like form.（この材料は、ｓｐ２（またはｓｐ）混成炭素を含まず、主要な結合はｓｐ３ 或いはダイヤモンド類似の形態であることが分かる。）」（第４１０頁右欄第１５〜１８行）、
　「The diffraction pattern of the a-C material showed the material to be amorphous (or at least in the form of nanometre-sized crystallites).Consequetly,the structure is deduced to be an amorphous form of diamond,analogous to the well-known tetrahedral network of amorphous silicon.  （ａ−Ｃ材料の回折パターンは、この材料がアモルファス状（ないしは少なくともナノメーター大の結晶状）であることを示している。結論として、その構造は、アモルファス形態のダイヤモンドであり、よく知られたアモルファスシリコンの四面体ネットワークに類似していると推測される。） 」（第４１０頁右欄下から第２行〜第４１１頁左欄第４行）、
　「In summary,we conclude that cathodic arc evaporation from graphite can produce amorphous films with the structural characteristics of diamond（総括すると、黒鉛のカソードアーク蒸発法によれば、ダイヤモンド構造を有するアモルファス状薄膜を成膜することができるという結論に達した） 」（第４１１頁右欄第１２〜１４行）、
　ｃ．薄膜の物性に関し        
　「The apparent hardness resulting from the analysis is approximately 13000 Hv（分析結果から導き出された見かけのビッカース硬度は１３０００Ｈｖ程度である）」（第４１１頁右欄第５〜６行）。
　ロ）併せて、Ｆｉｇ．２（ａ）、（ｂ）には「グロー放電法によりメタンガスから形成した薄膜（ａ−Ｃ：Ｈ）及びアーク法により形成された薄膜（ａ−Ｃ）のＥＥＬＳスペクトル」が図示されている。
　　　
５．対比・判断
（１）検討の対象となる発明について
　前記訂正審判において訂正が認められた結果、特許査定時の請求項１は削除され、特許査定時の請求項２及び３に係る発明は、それぞれ、上記のとおりの本件発明１及び２となった。
　その結果、特許査定時の請求項１に係る発明については、特許異議申立ての対象がないものとなったので、以下、本件発明１及び２について検討する。
　　　　
（２）本件発明１及び２の構成及び効果について
　イ）本件発明１及び２の炭素膜作製方法における「炭素膜」とは、いずれも、「熱伝導度が２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上である、ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜」を意味するものである。
　この炭素膜についてさらに詳述すれば、上記「ダイヤモンド類似の硬さ」及び上記「アモルファス構造の炭素薄膜」とは、それぞれ、「ビッカース硬度２０００ｋｇ／ｍｍ２以上」及び「膜全体にわたって（もちろん一部にも）微細結晶構造を全く含むことのない、アモルファス構造のみの炭素薄膜」を指すことは、前記訂正審判の審理中に特許権者が提出した意見書（平成１１年２月２５日付）の記載に照らして明らかである。
　（以下では、本件発明１及び２に係る上記「熱伝導度が２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上である、ダイヤモンド類似の硬さを有し且つアモルファス構造の炭素薄膜」（即ち、「熱伝導度２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上、ビッカース硬度２０００ｋｇ／ｍｍ２以上、かつ膜全体にわたって微細結晶構造を全く含むことのない、アモルファス構造のみの炭素薄膜」）を「特定の炭素膜」という。）
　　　　
　ロ）本件発明１は、上記特定の炭素膜を用いて「半導体装置上にパッシベーション膜を形成する」ものであり、また、本件発明２は、上記特定の炭素膜を用いて「半導体装置上にファイナルコーティング膜を形成する」ものである。
　かかる構成により、本件発明１及び２においては、「化学的にきわめて安定な炭素膜の選択エッチングができるため、半導体集積回路等のファイナルコーティング等の層間絶縁膜に用いることができる。またサーマルヘッドその他の表面をこすって走行する電気用部材にきわめて有効である。特にこの炭素膜は熱伝導率が２．５Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇ以上、代表的には４．０〜６．０Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇとダイヤモンドの６．６Ｗ／ｃｍ　ｄｅｇに近いため、高速テープ状キャリア走行により発生する熱、ＩＣの中の局部大電流の発生による発熱を全体に均一に分散して逃がし、局部的な昇温およびそれに伴う特性劣化、特性低下を防ぐことができる。耐摩耗性、高熱伝導性、高平滑性等多くの特性を併用して有効に用いることができる。」（明細書第１７頁第１３行〜第１８頁第６行、特許掲載公報第８欄第４５行〜第９欄第７行）という顕著な効果を奏し得たものである。
　　　　
（３）本件発明１及び２と甲各証記載の発明との対比
　イ）本件発明１及び２と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、「甲第１号証には、上記特定の炭素膜が開示されていない」点で本件発明１及び２とは相違する。　
　即ち、甲第１号証には、ダイヤモンド状炭素膜を用いて「ＬＳＩのカバー膜を形成する」（換言すれば、ファイナルコーティング膜を形成する）ことが開示されているものの、上記ダイヤモンド状炭素膜は「完全なダイヤモンドではないがアモルファスな状態なものの中にダイヤモンドが存在する緻密な膜」であるから、アモルファス構造のみからなる本件発明１及び２に係る上記特定の炭素膜とは明りょうに異なるし、しかも具体的な熱伝導度及び硬度が不明である点でも上記特定の炭素膜とは相違する。
　　　
　ロ）本件発明１及び２と甲第５号証に記載された発明とを対比すると「甲第５証には、パッシベーション膜ないしはファイナルコーティング膜を形成することが開示されていない」点で本件発明１及び２とは相違する。
　即ち、甲第５号証に記載されている薄膜（ａ−Ｃ）は、「ｓｐ３ 結合を主要結合とする、ダイヤモンド類似の構造を有する炭素膜」であり、「アモルファス状（ないしは少なくともナノメーター大の結晶状）」であり、さらに「１３０００Ｈｖ程度のビッカース硬度」を有するものの、この甲第５号証には、かかる薄膜（ａ−Ｃ）を用いて、半導体装置上にパッシベーション膜ないしはファイナルコーティング膜を形成することについては何らの開示もない。
　　　
　ハ）本件発明１及び２と甲第２〜４号証に記載された各発明とを対比すると、甲第２〜４号証においては、上記特定の炭素膜についても、パッシベーション膜ないしはファイナルコーティング膜を形成することについても記載も示唆もない。
　　　
（４）判断
　イ）本件発明１及び２が、甲第１号証または甲第２号証に記載された発明であるとすることができないことは、上記「（３）本件発明１及び２と甲各証記載の発明との対比」のイ）及びハ）で述べことから明らかである。
　　　
　ロ）次に、本件発明１及び２が甲第１〜５号証の記載事項に基づいて当業者が容易に想起できるものかどうかを検討する。
　まず、甲第１号証及び甲第５号証の記載事項に基づいて当業者が容易に想起できるものかどうかを検討するに、これら甲各号証には、これらの記載事項を組み合わせるべき動機付け、換言すれば、「ダイヤモンド状炭素膜を用いてＬＳＩのカバー膜を形成する」甲第１号証記載の発明において、ダイヤモンド状炭素膜に代えて甲第５号証記載の薄膜（ａ−Ｃ）を用いるべき指向性が開示されていない。
　また、甲第２〜４号証の記載事項を加味しても、かかる指向性を見出すことはできない。
　しかも、甲第５号証に記載された薄膜（ａ−Ｃ）については、これが上記特定の炭素膜に相当すると認めるに足る十分な根拠もない。
　してみれば、上記特定の炭素膜を用いて半導体装置上にパッシベーション膜を形成する本件発明１、及び上記特定の炭素膜を用いて半導体装置上にファイナルコーティング膜を形成する本件発明２のいずれについても、これらの発明が、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　　　　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては本件発明１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成９年１２月１０日（１９９７．１２．１０）