(57)【要約】  本発明は磁気分離装置に関し、常磁性の物質を反磁性の物質から分離し、常磁性の物質をその常磁性磁化率に応じて分離し、反磁性の物質をその反磁性磁化率に応じて分離するために使用される。本発明は生物学的対象物を分離するために、また水などから重金属および有機不純物を除去するために、電子工学、冶金学、化学に利用できる。本発明の装置はオープン・ドメイン・ストラクチャ・タイプの磁気システムに基づく。また本発明の装置は、磁界極性の方向が互いに反対であって、しかも磁気異方性がこれらの磁性体の磁束密度よりも大きいような側面が合わされた略長方形の２つの永久磁石（１、２）の形式で実現される。これらの磁石（１、２）をこれらの磁石の下面と合わさる保磁力のない材料製のプレートを含む共通ベース（４）に取り付け、これら磁石の上面に保持力のない材料製の薄いプレート（５、６）が載せられて磁石（１、２）の合わされた面の上端縁（８、９）の上にギャップを形成している。分離される材料（１１）のための非磁性支持体（１０）は、ギャップ（７）の上に位置づけられる。
2008525179.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キッテル・オープン・ドメイン・ストラクチャ中において、磁界極性の方向が互いに反対であって、かつ磁気異方性が磁性体の磁束密度を実質的に超えるような磁石の接合側面の自由縁上に高勾配磁界ゾーンを作り出す方法であって、
前記磁石の前記接合側面の前記上端縁のすぐ上に狭いギャップを形成するように前記磁石の自由側面に載せられた薄い軟磁性プレートによって、前記高勾配磁界ゾーンの寸法がセットされることを特徴とする方法。
【請求項２】
横側が互いに合わされ、略長方形の形状であり、磁界極性の方向が互いに反対であり、また磁気異方性が前記磁性体の磁束密度を実質的に超えるような２つの永久磁石によって形成されるオープン・ドメイン・ストラクチャのタイプの磁気システムに基づいて設計された、高勾配磁界中で物質を分離する装置であって、
前記磁石が、前記磁石の下側に連結された軟磁性プレートを含む共通ベースに取り付けられており、また、前記磁石の上側には、前記磁石の前記接合側面の前記上端縁のすぐ上に狭いギャップを形成する薄い軟磁性プレートが載せられており、さらに、前記ギャップのすぐ上に分離される材料のための非磁性支持体があることを特徴とする装置。
【請求項３】
前記薄い軟磁性プレートが、バナジウム・パーメンジュールなどの軟磁性材料でできていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記薄い軟磁性プレートの厚さが０．０１ｍｍ〜１．０ｍｍであることを特徴とする請求項２または３に記載の装置。
【請求項５】
前記薄い軟磁性プレートが、前記ギャップの幅を０．０１ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲に調整する手段を備えており、また、前記ギャップが、前記磁石の前記横側を接合させる平面に関して対称的に位置づけられていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記非磁性支持体が薄いバンドとして設けられ、前記ギャップの長手方向の軸線に垂直な方向に沿って前記薄いバンドを移動させる手段を備えることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記非磁性支持体が、機械的振動の発生器に連結された水平プレートとして設けられることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記磁石が、ネオジウム・鉄・ボロン、サマリウム・コバルト、または鉄・プラチナでできていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項９】
３つ以上の磁石の横側の一続きに合わされる接合として、２つ以上の磁気システムに基づいて形成されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気分離の方法および装置に関するものであって、ａ）常磁性物質を反磁性物質から分離すること、ｂ）常磁性物質をその常磁性磁化率に応じて分離すること、ｃ）反磁性物質をその反磁性磁化率に応じて分離すること、を目的としている。本発明の適用が見込まれる分野は、電子工学、冶金学、化学において、クリーンで、かつ超純粋な物質および材料を作り出し、生物学および医学においては生物学的実験材料（赤血球、「磁性細菌」など）を分離し、また水などから重金属および有機不純物を除去することである。
【背景技術】
【０００２】
磁気分離の基本的なファクタは、その物質の粒子に作用し、またその物質の磁化率に比例する磁力、その磁束密度の値Ｂ、および、その印加された磁界の勾配の値▽Ｂである。それゆえ、磁気分離の感度および選別性を高める上で、できる限り大きい値の磁束密度、磁界勾配、あるいはそれらの結合されたファクタ（すなわち、積Ｂ▽Ｂ）を使用することが必要となるであろう。
【０００３】
強磁性体を、それらの磁化率の値という観点から分離し、数ミリメートルのギャップにおいて、積Ｂ▽Ｂの値が約４．５・１０５ｍＴ２／ｍに到達できるようにされた磁気分離装置が知られている（非特許文献１）。しかしながら、この磁気分離装置は、常磁性の物質および材料と、反磁性の物質および材料を分離するのには使用できない。なぜなら、それらの磁界パラメータの値が、充分大きくないからである。
【０００４】
キッテル・オープン・ドメイン・ストラクチャ（キッテル開放磁区構造、Kittel open domain structure）の形式で磁化が逆である２つの永久磁石から成っている磁気システムが知られている（非特許文献２）。このシステムでは、これらの接合磁石の面の端縁付近には、減磁率テンソルの非対角行列要素に起因する強力な漂遊磁界が現われて（図１を参照）、その積Ｂ▽Ｂの値が１０１１ｍＴ２／ｍに達する。磁石の表面上で、これらの接合面の上端縁のゾーン（図１では、ライン・ゾーン０Ｙ内）には、成分Ｈｙ（ｘ，ｚ）、成分Ｈｚ（ｘ，ｚ）、成分Ｈｘ（ｘ，ｚ）で、強力な漂遊磁界が現われる。成分Ｈｙ（ｘ，ｚ）は、このシステムの幾何形状（形態）によりゼロに等しく、また、垂直成分Ｈｚ（ｘ，ｚ）は、この磁性体の磁束密度の値の半分よりも小さいものを含み、さらに、この場合において、もっとも重要である水平成分Ｈｘ（ｘ，ｚ）は、次式で表すことができる。
【０００５】
Ｈｘ（ｘ，ｚ）＝Ｍｓ［Ｉｎ（ａ２＋ｚ２＋２ａｘ＋ｘ２）−２Ｉｎ（ｘ２＋ｚ２）＋Ｉｎ（ａ２＋ｚ２−２ａｘ＋ｘ２）］
ここで、Ｍｓは、これらの磁石の磁化飽和であり、また、ａは、０ｘ軸に沿った磁石のサイズである（図１を参照）。
【０００６】
この式から、平面ｚ＝０のとき、地点０にて、この漂遊磁界の水平成分は、無限大に近づこうとすることがわかる。その結果、これらの接合磁石のラインに沿って−０．１ａ≦ｘ≦０．１ａの狭い範囲において、漂遊磁界の水平成分は、図１中の点線で示される突然跳躍を行う。この突然跳躍の強さは、この磁石材料の磁束密度よりも数倍強いこともある。
【０００７】
記述される磁気システムの重要な実用的特徴は、漂遊磁界Ｈｘ（ｘ，ｚ）が、地点０付近のエリアにおいて、１０６〜１０９ｍＴ／ｍの値に達し得る高勾配を有するという事実である。この磁気システムでは、積Ｂ▽Ｂの値は、１０１１ｍＴ２／ｍに達する。この磁気システムの欠点は、生み出された磁界の形状および勾配を制御できないために、実際には、この磁気システムを使用して物質および材料を分離できなくなることである。
【０００８】
数ミクロンのギャップにおいて、約１．３・１０１０ｍＴ２／ｍの積Ｂ▽Ｂの値に到達できるようにする高勾配磁気分離装置が知られている（非特許文献３）。この高勾配磁気分離装置の欠点は、２５μｍ〜６０μｍのサイズを持つ強磁性本体（細線、球など）を、分析されようとする物質に取り入れる必要があることであり、この事実は、分離される物質の性質および特性の可能な範囲を実質的に制限する。
【０００９】
ウイルスや微生物などの病原性成分を含むコロイド分散（colloidal dispersion）から不純物を絶えず除去する装置が知られている（特許文献１）。この装置は、中心コアのある磁石を少なくとも１つ持っており、また、その磁石の磁極は、互いに向き合っていて、その磁極面に垂直である磁界とともにチャネル（溝）を形成するように、位置づけられている。このチャネルには、断面が長方形で、かつ非磁性体でできている皿（tray）形のバスケット（basket）があり、そのバスケットでは、高透磁率を持つ材料から、結んでいない繊維、細線、網状の布、または粉末の形式でフィルタが作られていて、高勾配磁界を発生できるようにしている。このバスケットおよびフィルタの一方の側は、その溶液を供給する室と連通しており、また、他方の側は、濾過された液体を捕集する室と連通している。この装置の欠点は、フィルタの形式の強磁性本体を、分析されようとする物質に取り入れる必要があることと、非液体物質を分離するのに、この装置を使用できないことである。
【００１０】
磁化できる粒子の沈降法により、懸濁液から生物学的物質を磁気分離する磁気システムが知られている（特許文献２）。この磁気システムは、鉄製プレートが固定されている担持プレートと、この鉄製プレートに取り付けられたいくつかの永久磁石を含み、その場合、それぞれの磁石の極性が、隣接する磁石の極性の逆となっている。これらの磁石の上には、鉄でできている磁界コンセントレータ・プレート（magnetic field concentrator plate）が横たわっており、また、その磁界コンセントレータ・プレートの上には、カバープレートが配置されている。分離されようとする懸濁液を持つ管を、その磁界中に位置づけるために、このカバープレートと磁界コンセントレータ・プレートに穴が設けられている。この磁界コンセントレータのプレートは、滑らかな外面と円錐形の断面を持っていて、このプレートの厚さが、上記の穴に向かって薄くなるようにしている。この磁気システムの欠点は、この磁気システムを用いて、常磁性物質を、その常磁性磁化率の大きさの点から分離することを可能にするような磁界のパラメータを得られない点である。
【非特許文献１】グレボフ（Ｇｌｅｂｏｖ），Ｖ．Ａ．、グレボフ（Ｇｌｅｂｏｖ），Ａ．Ｖ．、クニャゼフ（Ｋｎｙａｚｅｖ），Ｙｕ．Ｄ．、ネフェードフ（Ｎｅｆｅｄｏｖ），Ｖ．Ｓ．、リレイェフ（Ｌｉｌｅｙｅｖ），Ａ．Ｓ．著「ネオジウム・鉄・ボロン・システムの高速硬化粉末の磁気分離（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｆａｓｔ−ｈａｒｄｅｎｅｄ ｐｏｗｄｅｒｓ ｏｆ ｎｅｏｄｙｍｉｕｍｉｒｏｎｂｏｒｏｎ ｓｙｓｔｅｍｓ）」（インスティチュート  オブ  ハイアー  エデュケーション（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｈｉｇｈｅｒ Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ）；マテリアルズ  オブ  エレクトロニック  エンジニアリング（Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）、ＶＵＺ会報、２００３年第４号、ｐ．５９−６１）
【非特許文献２】サモファロフ（Ｓａｍｏｆａｌｏｖ），Ｖ．Ｎ．、ラブリク（Ｒａｖｌｉｋ），Ａ．Ｇ．、ベロゾロフ（Ｂｅｌｏｚｏｒｏｖ），Ｄ．Ｐ．、アブラメンコ（Ａｖｒａｍｅｎｋｏ），Ｂ．Ａ．著「異方性の強い磁性体からシステム内に散乱する強力磁界（Ｓｔｒｏｎｇ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄｓ ｏｆ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｉｎ ｓｙｓｔｅｍｓ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｈｉｇｈｌｙ ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｍａｇｅｎｔｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」（フィジックス  オブ  メタルズ  アンド  メタラジカル  サイエンス（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｍｅｔａｌｓ ａｎｄ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ）、２００４年第９７巻第３号、ｐ．１５−２３）
【非特許文献３】Ｇｈ．ヤコブ（ｌａｃｏｂ）、Ａｙ．Ｄ．チョチーナ（Ｃｉｏｃｈｉｎａ）、Ｏ．ブレデティーン（Ｂｒｅｄｅｔｅａｎ）著「高勾配磁気分離順序マトリックス（Ｈｉｇｈ Ｇｒａｄｉｅｎｔ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ Ｏｒｄｅｒｅｄ Ｍａｔｒｉｃｅｓ）」（ヨーロピアン  セルズ  アンド  マテリアルズ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｅｌｌｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、２００２年第３巻補遺２、第２５号（ｐ．１６７−１６９）、ＩＳＳＮ１４７３−２２６２）
【特許文献１】欧州特許第０４２９７００号明細書
【特許文献２】欧州特許第０５８９６３６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明による装置は、調整可能な形状と勾配を持つ強力かつ高勾配の磁界を、この分離ゾーン内に作り出すという課題を解決し、様々なタイプの常磁性の物質および材料を反磁性の物質および材料から分離するために、また、常磁性の物質および材料をそれらの常磁性磁化率の大きさの点から分離するために、さらに、反磁性の物質および材料を、それらの反磁性磁化率の大きさの点から分離するために、高感度磁気分離装置として使用するように設計されている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的は、キッテル・オープン・ドメイン・ストラクチャ中において、磁界極性の方向が互いに反対であって、かつ磁気異方性が磁性体の磁束密度を実質的に超えるような２つの磁石の接合面の自由縁上に形成される高勾配磁界を作り出す、本方法により達成できる。これらの磁石の接合面の上端縁のすぐ上に、狭いギャップを形成するように、これらの磁石の自由面に載せられた薄い磁性軟鉄プレートによって、上記高勾配磁界ゾーンの寸法がセットされる。
【００１３】
この問題は、物質を磁気分離する装置が、２つの永久磁石から成るオープン・ドメイン・ストラクチャとして作られた磁気システムに基づくという事実によっても解決される。その場合、これらの永久磁石の横側は接合されており、また、これらの磁石の形状は一般に長方形であって、それらの磁界極性の方向が逆になっており、しかも、それらの磁気異方性は、その磁性体の磁束密度を実質的に超えている。これらの磁石は、磁性プレートを含む共通ベースに取り付けられている。また、この磁性プレートは、軟鉄材料でできていて、これらの磁石の下側と接合されている。これらの磁石の上側には、狭いギャップを形成する軟磁性材料でできている薄いプレートが、これらの磁石の接合面の上端縁のすぐ上に位置づけられており、また、このギャップのすぐ上には、分離される材料のための非磁性支持体が位置づけられている。
【００１４】
本発明の特定の実施形態では、これらの薄いプレートは、バナジウム・パーメンジュールなどの軟磁性材料でできている。
【００１５】
本発明の他の特定の実施形態では、これらの薄いプレートは、０．０１ｍｍ〜１．０ｍｍの厚さに作られている。
【００１６】
本発明の他の特定の実施形態では、これらの薄いプレートは、これらの接合磁石の平面に対して対称的に位置づけられていて、これらの磁石の上側の面に沿ってこれらの薄いプレートを移動させて、上記ギャップのサイズを０．０１ｍｍ〜１．０ｍｍに調整する手段を備えている。
【００１７】
本発明の他の特定の実施形態では、この支持板は、ポリエステルなどの非磁性材料でできている薄いバンドまたはテープとして作られている。
【００１８】
本発明の他の特定の実施形態では、このバンドは、上記ギャップの長手方向の軸線に垂直な方向に沿って、このバンドを移動させる手段を備えている。
【００１９】
本発明の他の特定の実施形態では、この支持板は、機械的振動の発生源に連結された非磁性プレートとして作られている。
【００２０】
本発明の他の特定の実施形態では、これらの磁石は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ、Ｓｍ−Ｃｏ、またはＦｅ−Ｐｔのような材料でできている。
【００２１】
本発明の他の特定の実施形態では、この装置は、３つ以上の磁石の一続きの接合面として、２つ以上の磁気システムに基づいて形成され、しかも、その分離ゾーンが、それらの接合面の上端縁の上で、２つ以上の溝穴になっている。
【００２２】
これらの磁石の接合面の上端縁は、２つの平面の交差線にじかに相接する磁石ゾーンであって、その一方の平面は、磁石の横側を接合させる平面であり、また他方の平面は、磁石の上側の平面である（図６中の番号８と番号９を参照のこと）。
【発明の効果】
【００２３】
本発明による装置の主な特徴は、この分離ゾーン内の積Ｂ▽Ｂの大きさをかなり大きくで、さらに、積Ｂ▽Ｂを調整することもでき、それにより、高漂遊磁界を使用して、高感度磁気分離装置を作り出す実際的な可能性が与えられることである。
【００２４】
図２と図３、さらに図４と図５にも示される図は、公知のオープン・ドメイン・ストラクチャ（非特許文献１参照）と比較した磁界構成の変化（これは、本発明により得られる）を実証している。これらの提示される図は、本発明による磁気システムでは、上記のプレート間のギャップにより形成されるゾーンへの磁界の集中だけでなく、磁力線の形状の変化、および、これらの磁石の接合側面の端縁付近の磁束密度の大きさと分布の変化も達成されることを示している。したがって、本発明により、この磁界のパラメータをかなり変化させることが可能となり、また、常磁性の物質および材料を、その常磁性磁化率の大きさにより分離することと、反磁性の物質および材料を、その反磁性磁化率の大きさにより分離することを含め、材料を、材料の磁気的性質の広範囲にわたって分離するのにもっとも適した条件を生み出すことも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
ここで開示される装置（図６を参照）は、磁化方向が逆（図中の矢印で示される）である略長方形形状の２つの磁石１、２を備える。これらの磁石は、磁気異方性が、例えばネオジウム・鉄・ボロン、鉄・プラチナ、またはサマリウム・コバルトなどといった磁石の材料の磁束密度よりもさらに大きい材料でできている。
【００２６】
実験には、約１．３Ｔの残留磁束密度、約１３００ｋＡ／ｍの固有保磁力、約３２０ｋＪ／ｍ３の最大エネルギー積の焼結ネオジウム・鉄・ボロン磁石が使用された。磁石のサイズは、２５ｍｍ×５０ｍｍ×５０ｍｍであった。
【００２７】
磁石１と磁石２は、平面３に沿って互いに合わされている。また、それらの下側は例えば５ｍｍ〜２５ｍｍの厚さを持つ軟鉄材料製のプレート形式のベース４上に置かれている。
【００２８】
磁石１と磁石２の上側には、飽和磁束密度が大きい軟磁性材料製で厚さが０．０１ｍｍ〜１．０ｍｍの薄いプレート（５と６）が位置している。プレート５とプレート６の厚さは、この磁束密度の所要の大きさ、および実際の物質および材料の分離に最適な磁界勾配に応じて、選択されるべきである。プレート５とプレート６は、磁石１と磁石２の上側に幅０．０１ｍｍ〜１．０ｍｍの狭いギャップ７を形成するような離間距離をもって、磁石１の上端縁８と磁石２の上端縁９のすぐ上に平面３に対して一般的に対称に置かれている。ギャップ７のすぐ上には、分離される材料１１を載せるための非磁性支持体１０がある。非磁性支持体１０は水平プレートとして作ってもよく、例えば機械的振動の発生器（図６には示されない）に連結されてもよい。非磁性支持体１０はまた、非磁性バンド（例えばポリエステル製）として作られてもよく、また、ギャップ７の長手方向の軸線に垂直な方向に沿って、このバンドを移動させる手段を備えてもよい（このバンドと、その移動手段は、図６には示されない）。非磁性支持体１０は、プレート５とプレート６の表面から、０ｍｍ〜５ｍｍの距離だけ非磁性支持体１０を移動させる手段を備えていてもよい。ギャップの幅を、０．０１ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲にわたって調整するために、プレート５とプレート６は、磁石１と磁石２の上側に沿ってこれらのプレートを移動させる手段（１２と１３）に連結されている。
【００２９】
この装置により、ギャップを形成するプレート５とプレート６の表面から１０μｍ未満の距離において、積Ｂ▽Ｂの大きさが４・１０１１ｍＴ２／ｍよりも大きい強力な磁界を作り出すことが可能となる。したがってこの装置の特定の実施形態では、厚さ０．２０ｍｍのバナジウム・パーメンジュールのプレートが使用され、かつギャップ幅が０．０５ｍｍであり、この磁束密度の接線成分は、４．０Ｔを越える。さらに、磁界の接線成分のピーク幅は、ギャップ７の幅で調整されることもある。
【００３０】
図７は、プレート５とプレート６の平面に垂直な軸線からの距離によって上記磁束密度が決まることを示すグラフである。図７中の座標の原点は、ギャップ７の中心で、プレート５とプレート６と同じ高さの地点に相当する。この地点から０．１０ｍｍ離れた所では、磁気勾配は４．１・１０６ｍＴ／ｍであり、また、０．０１ｍｍ離れた所では、磁気勾配は１．２・１０８ｍＴ／ｍであるが、一方、その積Ｂ▽Ｂは４．２・１０１１ｍＴ２／ｍである。
【００３１】
常磁性磁化率の異なる物質の混合物について、この開示された装置を用いて、常磁性物質を分離できることを調べる実験が行われた。その結果を以下の表に示す。
【００３２】
【表１】
2008525179.tif 000003
【００３３】
この分離処理は、以下のように行われた。すなわち、上記の表に示される物質の混合物を、プレート（５と６）から一定距離の所に位置する薄いポリエステル製バンド上に載せた。次にこのバンドを、これらのプレートの表面の上側でギャップ７の長手方向の軸線に垂直な方向に沿って、動かした。このバンドとプレート（５と６）との間隔が約１．９０ｍｍであるときに、より大きい磁化率を有する硫酸ジスプロシウムの粒子が上記混合物から分離されたが、一方、上記混合物の他の粒子は、このバンドといっしょに、引き続き進み続けた。次に、分離された硫酸ジスプロシウムの粒子がこのバンドから除去され、このバンドとプレート（５と６）との間隔が短くし、この分離処理を続けた。
【００３４】
この表は、このバンドからプレート（５と６）の表面までの距離の大きさが、常磁性物質の混合物のすべての成分の分離に対応することを示している。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明による２つの磁石を持つ磁気システムに基づいて、２つ以上の類似の磁気システムの構成物として、さらに生産的な磁気分離装置を作り出すことができる。それぞれのシステムは、３つ以上の磁石の面の一続きの接合により形成されるべきであり、その場合、２つ以上のギャップ付近の分離ゾーンは、これらの接合面の上端縁の上で、上記プレートにより形成される。例えば、上述のような４つの磁石と３つの分離ゾーンとから成るシステムでは、分離される物質を有するバンドが一回通過する間に、三段階の物質分離を実行することができるであろう。
【００３６】
したがって、この開示された装置により、このギャップを形成するこれらのプレートの表面から１０μｍよりも短い距離にて、積Ｂ▽Ｂの大きさが非常に大きい、すなわち４・１０１１ｍＴ２／ｍよりも大きい強力な磁界を作り出すことが可能となる。この装置により、この分離ゾーン内の磁界の形状および勾配を調整することも可能となる。実際、本発明は、常磁性の物質および材料を反磁性の物質および材料から分離するために、また、常磁性の物質および材料をその常磁性磁化率の大きさに応じて分離するために、さらに、反磁性の物質および材料をその反磁性磁化率の大きさに応じて分離するために、使用できる。これらの物質は粉末の形であってもよいし、また、コロイド溶液および懸濁液の形であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】２つの磁石のキッテル・オープン・ドメイン・ストラクチャの図である。
【図２】キッテル・オープン・ドメイン・ストラクチャ中の磁力線の略図を示す。
【図３】本発明による磁気システム中の磁力線の略図を示す。
【図４】キッテル・オープン・ドメイン・ストラクチャ中の接合磁石の端縁付近の磁束密度の水平成分の変化を示すグラフである。
【図５】本発明による磁気システム中の接合磁石の端縁付近の磁束密度の水平成分の変化を示すグラフである。
【図６】本発明による磁気システムの図である。
【図７】上記ギャップ・ゾーン内の磁束密度が、上記プレートの表面からの距離によって決まることを示すグラフである。
【図１】
2008525179.tif 000004
【図２】
2008525179.tif 000005
【図３】
2008525179.tif 000006
【図４】
2008525179.tif 000007
【図５】
2008525179.tif 000008
【図６】
2008525179.tif 000009
【図７】
2008525179.tif 000010
【国際調査報告】
2008525179.tif 000011
2008525179.tif 000012