【事件の表示】
　特許第２８８２３５５号「ＩＩＩ　−Ｖ族化合物半導体ウエハ及びその製造方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８２３５５号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１、手続の経緯
  本件特許第２８８２３５５号の請求項１〜５に係る発明は、平成８年４月１０日に特許出願され、平成１１年２月５日にその特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、渡部賢一より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内に平成１２年４月１９日付けで訂正請求が提出されたものである。
２、訂正の適否
２−１、訂正の内容
  本件訂正請求書における訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。
  すなわち、特許請求の範囲の減縮を目的として、
（１）訂正事項ａ　特許請求の範囲を「【請求項１】（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、（１００）方向から（０±１±１）方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に直角方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハの製造方法。
【請求項２】（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、（１００）方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に対して（０±１±１）の方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハの製造方法。
【請求項３】結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
【請求項４】ＧａＡｓウエハであって、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つ事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
【請求項５】ＡｌＧａＩｎＰレーザの基板となる請求項４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。」と訂正する。
２−２、訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張変更の存否
　上記訂正事項ａは、
（ア−１）請求項１の「５°≦Θ≦９０°」（本件特許公報第１頁第１欄第３行）を「５°〜３０°」と、
（ア−２）請求項１の「５°≦Θ≦９０°」（本件特許公報第１頁第１欄第５、６行）を「５°≦Θ≦３０°」と、
（ア−３）請求項２の「５°〜９０°」（本件特許公報第１頁第１欄第最終行）を「５°〜３０°」と、
（ア−４）請求項２の「５°≦Θ≦９０°」（本件特許公報第１頁第２欄第７行）を「５°≦Θ≦３０°」と、
（ア−５）請求項３の「５°〜９０°」（本件特許公報第１頁第２欄第１３行）を「５°〜３０°」と訂正し、
（イ−１）請求項３の「化合物半導体ウエハ」（本件特許公報第１頁第２欄第１４行）の前に「ＩＩＩ−Ｖ族」を、
（イ−２）請求項４の「化合物半導体ウエハ」（本件特許公報第２頁第３欄第３〜４行）の前に「ＩＩＩ−Ｖ族」を、
（イ−３）請求項５の「化合物半導体ウエハ」（本件特許公報第２頁第３欄第６行）の前に「ＩＩＩ−Ｖ族」を挿入するものである。
　上記訂正箇所（ア−１）〜（ア−５）は、（１００）面からの傾き角度を５°〜９０°から５°〜３０°に減縮するものであり、この数値範囲は本件特許明細書にも「（１００）面から５°〜３０°（１−１−１）方向に傾いたＧａＡｓオフアングル基板はＡｌＧａＩｎＰレーザの基板として有用である。」（本件特許公報第４頁第７欄第６〜８行）と記載されており、また上記訂正箇所（イ−１）〜（イ−３）は化合物半導体ウエハをＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハに減縮するものであり、本件特許明細書にも「この発明はオフアングルのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ・・・に関する。」（本件特許公報第２頁第３欄第９〜１０行）と記載されているから、上記訂正事項（ａ）は、特許請求の範囲の減縮に該当し、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではなく、新規事項の追加にも該当しない。〔なお、上記（イ−１）〜（イ−３）の訂正部分については、訂正請求書の請求の理由の欄に理由が記載されていないが単なる脱落と解し、当審でその訂正の適否を判断した。〕
２−３、独立特許要件
（ア）、訂正後の請求項１〜５に係る発明
  本件訂正明細書の請求項１〜５に係る発明は、訂正明細書又は図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、（１００）方向から（０±１±１）方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に直角方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハの製造方法。
【請求項２】（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、（１００）方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に対して（０±１±１）の方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハの製造方法。
【請求項３】結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
【請求項４】ＧａＡｓウエハであって、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つ事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
【請求項５】ＡｌＧａＩｎＰレーザの基板となる請求項４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。」
（イ）、引用刊行物の記載内容
  当審が先に通知した取消理由通知に引用された刊行物１（特開平７一３０７３１６号公報）には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエーハおよびその加工方法に関し、次の事項が記載されている。
（ａ）「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の（１００）面を持つ円形ウェーハで、方位を示すために側周に付けられた２つのオリエンテーションフラットが、（０±１±１）面に対する周万向の誤差が±０．０２°以内であり、機械加工によって形成されていることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族半導体ウェーハ。」（請求項１）
（ｂ）「これらの劈開面自体も互いに直交する。」（第２頁第２欄第１４行）
（ｃ）「チップの切断線は厳密に劈開面である。しかしウェーハの上にチップ単位のデバイスを作製する段階では、オリエンテーションフラットによってデバイスの方位を決定している。オリエンテーンヨンフラットと劈開面の方向がΘだけ食い違うとする。デバイスの方位と、その側面、端面の角度がΘだけ異なることになる。」（第３頁第３欄第４９行〜第４欄第５行）
（ｄ）「＜１００＞方向に成長させたＩＩＩ−Ｖ族結晶をインゴットの時点で、結晶側面を（０±１±１）に精密に合わせて研削加工する。この後、インゴットを薄くスライスしてウェーハにする。予め研削加工した部分がオリエンテーションフラットになる。これは真の劈開からのずれが０．０２°以内である。」（第４頁第５欄第３０〜３５行）
（ｅ）「【実施例】ＬＥＣ法で＜１００＞方向にＩｎＰ結晶を成長させた。（中略）。二つの劈開面に平行になるようにオリエンテーンヨンフラットＯＦ、ＩＦを付けることになる。（中略）。このインゴットを円柱形に研削する。Ｘ線結晶面方位測定装置がインゴットの外周研削装置に付いている。これにより、結晶の面万位を測定する。プライマリーフラット（オリエンテーションフラット）を（０±１±１）面から、０．０２°以内になるように位置決めし、側面を研削加工した。これが図２に示す状態である。内周刃スライサーにより、インゴットを軸線に直角な方向に切り出す。これがウェーハである。」（第４頁第５欄第４６行〜第６欄第２８行）
　同じく刊行物２（特開昭５８−１４２５２１号公報）には、集積回路用化合物半導体結晶基板に関し、次の事項が記載されている。
（ｆ）「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体集積回路を構成する基板結晶により形成され、結晶学的方位｛１１１｝面を主面としたウェハで構成されたことを特徴とする集積回路用化合物半導体結晶基板。」（特許請求の範囲第１項）
（ｇ）「従来の＜１００＞軸育成したバルク結晶から｛１１１｝面ウェハを切り出すには結晶方位を５４．７°傾けて切り出す必要がある。このウエハでは傾けて切り出したために必然的に不純物の濃度分布が存在し、ＦＥＴ特性間にばらつきを生じ、高品質な集積回路は実現できない。」（第２頁右上欄第３〜８行）
（ｈ）「そこで、く１１１＞軸方向に成長させたバルク単結晶から育成軸に垂直な｛１１１｝面を切断してウェハ加工し、ＦＥＴを形成した結果、個々のＦＥＴ間の特性に大きな差異は認められなかった。」（第２頁右上欄第８〜１２行）
（ｉ）「第２図は・・・しかしながら、ＧａＡｓのような・・・」（第２頁左下欄第１０行〜右下欄第９行）
（ｊ）「本発明では、再現性よく同一表面状態を得るためにウエハ間で処理面が反転しないようにするべく、第２図に示したように、第１のＯＦ４と直交して時計回りの円周位置に・・・第２のＯＦ５を形成する。・・・上記実施例では第１のＯＦ４は｛１１１｝面ウエハの円周の任意所望の箇所に、例えば第２図のように形成したが｛１１１｝面と直交する｛１１０｝面の一つ（｛１１１｝面では面内に３方向ある）に形成してもよく、また第２のＯＦ５は残りの二つの｛１１０｝面の一つに形成してもよい。」（第２頁右下欄第１８行〜第３頁左上欄第３行）
　同じく刊行物３（特開平７−３８１９４号公報）半導体レーザ及びその製造方法に関し、次の事項が記載されている。
（ｋ）「第１導電型半導体基板の第１の主面上に順次結晶成長された第１導電型半導体層、該第１導電型半導体層よりもバンドギャップの小さい材料からなる活性層、及び該活性層の構成材料よりもバンドギャップの大きい第２導電型半導体層を有する半導体レーザにおいて、上記第１導電型半導体層は、その上に配置される上記活性層が量子細線となる第１の結晶面と、その両側に配置される第２の結晶面とを備えたものであり、上記第１の結晶面は｛１００｝面に対する傾きが所定角度以下の面であり、上記第２の結晶面は｛１００｝面に対する傾きの角度が上記第１の結晶面の｛１００｝面に対する傾きの角度よりも大きい面であり、上記活性層は、｛１００｝面上に成長させた場合に結晶を構成する原子が規則正しく配列されたオーダリング状態で結晶成長し、｛１００｝面に対し傾きを有する面上に成長させた場合に原子の配列の規則性が乱れたディスオーダリング状態で結晶成長する成長条件で結晶成長されたＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰからなる結晶薄膜であることを特徴とする半導体レーザ。」（請求項１）
（ｌ）「図７は、（中略）、Ｇａ０．５　Ｉｎ０．５Ｐ層及び（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎｏ．５Ｐ層を、主面として（１００）面に対し〔０１１〕方向へある角度傾けた面（オフアングル面）をもつＧａＡｓ基板上に成長したときのフォトルミネッセンスピークエネルギー即ちバンドギャップエネルギーのシフト量を示す図である。・・・オフアングルが７°以上になると（１００）面、即ちオフアングル０°の面上よりバンドギャップが０．０７４ｅＶ以上大きくなる。」（第７頁第１１欄第１５〜３３行）
（ｍ）「実施例１．・・・１は表面が（１００）面であるｎ型ＧａＡｓ基板である。・・・溝斜面１１ｂの（１００）面に対する傾きθ１は例えば４５°である。」（第６頁第１０欄第５〜２１行）
（ウ）、対比・判断
（ウ−１）訂正発明１について
　訂正後の請求項１に係る発明（以下、訂正発明１という。）は、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法に関し、「（１００）方向から（０±１±１）方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に直角方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する」構成を有することにより、明細書記載の「通常のウエハのように自然劈開したものに比較してＯＦ、ＩＦの円周方向の誤差が小さい。機械研削してフラットを付けたものは自然劈開に比べて誤差が１／３〜１／２０になる。オフアングルが大きいものほど本発明の優越性が明確になる。」（本件訂正明細書第１５頁第２〜５行）という効果を奏するものである。
  これに対して、刊行物１には、＜１００＞方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に直角方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有するウエハを製造することは記載されている。
　しかしながら、この記載は単にオフアングルでない単結晶インゴットに機械研削でＯＦ、ＩＦを付与する記載であり、刊行物１には、オフアングルの単結晶インゴットを機械研削してフラットを付けたものは自然劈開したものに比較してＯＦ、ＩＦの円周方向の誤差が小さく、オフアングルの単結晶インゴットの場合こそ機械研削が必要であるということの示唆はなく、まして機械研削の対象の単結晶インゴットを「（１００）方向から（０±１±１）方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に単結晶を成長させたもの」とする構成については何も記載されていないし、示唆もされていない。
  また、刊行物２には、く１１１＞軸方向に成長させたバルク単結晶から育成軸に垂直な｛１１１｝面を切断してウェハ加工したウエハで構成され、直交したＯＦ、ＩＦを形成した化合物半導体ウエハが記載されている。
　しかしながら、このウエハは（１００）面に対して５４．７°のオフアングルであり、訂正発明１の（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルのウエハとは角度において相違する。さらに刊行物２には「結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すためにオフアングルの単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削する」構成については何も記載されていないし、示唆もされていない。
  また、刊行物３には、半導体レーザの基板上に結晶成長された第１導電型半導体層が、第１の結晶面と、その両側に配置される第２の結晶面とを備えたものであり、第１の結晶面は｛１００｝面に対する傾きが所定角度以下の面であり、上記第２の結晶面は｛１００｝面に対する傾きの角度が上記第１の結晶面の｛１００｝面に対する傾きの角度よりも大きい面であることが記載されているから、第１の結晶面が成長する基板部分は（１００）面であり、第２の結晶面が成長する基板部分はオフアングルであることが記載されていると云える。
　しかしながら、刊行物３には、基板となるウエハを切り出す単結晶インゴットについて記載されておらず、また、オフアングルの単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削することについても何も記載されていないし、示唆もされていない。
　また、上述したように、オフアングルの単結晶インゴットにこそ機械研削が必要であるということが刊行物１に示唆されていない上に、刊行物２記載の単結晶インゴットが訂正発明１の単結晶インゴットとオフアングルの角度において相違することから、刊行物１、２に記載された発明を組み合わせても、訂正発明１は当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
　したがって、訂正発明１は刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
（ウ−２）訂正発明２について
　訂正後の請求項２に係る発明（以下、訂正発明２という。）は、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法に関し、「（１００）方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に対して（０±１±１）の方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する」構成を有することにより、上記ウ−１で述べた明細書記載の効果を奏するものである。
  これに対して、刊行物１には、＜１００＞方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に直角方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有するウエハを製造することは記載されている。しかしながら、この記載は単にオフアングルでない化合物半導体ウエハの製造において機械研削でＯＦ、ＩＦを付与する記載であり、刊行物１には、オフアングルの化合物半導体ウエハの製造において単結晶インゴットの機械研削が必要であるということの示唆はなく、ましてや単結晶インゴットの切断方向を「（０±１±１）方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に切断する」構成については何も記載されていないし、示唆もされていない。
  刊行物２には、上記（ｇ）の「＜１００＞軸育成したバルク結晶から｛１１１｝面ウェハを切り出すには結晶方位を５４．７°傾けて切り出す必要がある。」という記載から、（１００）方向に単結晶を成長させ、結晶を軸に対して５４．７°のオフアングルだけ傾斜した方向に切断することは記載されていると云えるが、切り出す角度が５４．７°と訂正発明２の５°〜３０°の範囲外である。さらに、刊行物２にはオフアングルの化合物半導体ウエハの製造において「結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削する」構成については何も記載されていないし、示唆もされていない。
　刊行物３については上記（ウ−１）で述べたように、一部にオフアングルの基板面を有する半導体レーザについて記載されているにすぎない。
  また、上述したように刊行物１にオフアングルの化合物半導体ウエハの製造において単結晶インゴットの機械研削が必要であるということが示唆されていない上に、刊行物２の切り出す角度が訂正発明２の切り出す角度と相違する以上、刊行物１、２に記載された発明を組み合わせても、訂正発明２は当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
したがって、訂正発明２は、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
（ウ−３）訂正発明３について
　訂正後の請求項３に係る発明（以下、訂正発明３という。）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハに関し、「結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つ」構成を有することにより、上記ウ−１で述べた明細書記載の効果を奏するものである。
  これに対して、刊行物１には上記（ウ−１）で述べたように、使用されている単結晶インゴットは＜１００＞方向に成長させたものであり、その場合軸に直角方向に切断製造されたウエハは（１００）面を持つウェーハであるから、上記「結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つ」構成については何も記載されていないし、示唆もされていない。
  刊行物２には、上記（ウ−１）で述べたように、ＯＦ、ＩＦを有するオフアングルウエハは記載されているが、５４．７°のオフアングルであり、訂正発明３の５°〜３０°の範囲外である。さらに刊行物２には機械研削については何も記載されていないし、示唆もされていない。
  刊行物３については上記（ウ−１）で述べたように、一部にオフアングルの基板面を有する半導体レーザについて記載されているにすぎず、「結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されている」構成については何も記載されていないし、示唆もされていない。
  したがって、訂正発明３は、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
（ウ−４）訂正発明４、５について
  訂正後の請求項４に係る発明（以下、訂正発明４という。）は、訂正発明３を「ＧａＡｓウエハであって、」とさらに限定したものであるから、上記（ウ−３）と同じ理由で 、訂正発明４は、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
  また、訂正後の請求項５に係る発明（以下、訂正発明５という。）は請求項４に係る発明を引用しさらに限定する発明であるから、訂正発明４について述べたと同じ理由で、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が想到し得るものであるとすることはできない。
２−４、まとめ
　以上のとおり、訂正後の請求項１〜５に係る発明は特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３、特許異議申立てについて
３−１、申立ての理由の概要
  特許異議申立人は、証拠方法として甲第１〜３号証を提出し、請求項１〜５に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり取り消されるべきものである旨主張している。
３−２、甲号各証の記載内容
  甲第１〜３号証は、上記刊行物１〜３と同じ。
３−３、本件発明
  本件請求項１〜５に係る発明は、上記（ア）において摘記したとおりのものである。
３−４、対比・判断
 上記（ウ）で述べたと同じ理由で、本件請求項１〜５に係る発明は甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
４、むすび
  以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月１０日（２０００．５．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２８８２３５５号発明の明細書を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち、特許請求の範囲の減縮を目的として、
（１）訂正事項ａ　特許請求の範囲を「【請求項１】（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、（１００）方向から（０±１±１）方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に単結晶を成長させ、結晶の壁開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって壁開面方向を求め、直交する壁開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に直角方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハの製造方法。
　【請求項２】（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、（１００）方向に単結晶を成長させ、結晶の壁開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって壁開面方向を求め、直交する壁開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に対して（０±１±１）の方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハの製造方法。
　【請求項３】結晶の壁開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項４】ＧａＡｓウエハであって、結晶の壁開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つ事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項５】ＡｌＧａＩｎＰレーザの基板となる請求項４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、（１００）方向から（０±１±１）方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に単結晶を成長させ、結晶の壁開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって壁開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に直角方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハの製造方法。
　【請求項２】　（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、（１００）方向に単結晶を成長させ、結晶の壁開方向をしめすＯＦ、ＩＦを付すために単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって壁開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に対して（０±１±１）の方向に所望のオフアングルΘ（５°≦Θ≦３０°）だけ傾斜した方向に切断して、ＯＦ、ＩＦを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハの製造方法。
　【請求項３】　結晶の劈開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項４】　ＧａＡｓウエハであって、結晶の壁開方向をしめすＯＦ、ＩＦが機械研削によってウエハ周辺に付されていて、（１００）面から（０±１±１）面方向に５°〜３０°傾いた面を持つ事を特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
　【請求項５】　ＡｌＧａＩｎＰレーザの基板となる請求項４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明はオフアングルのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハとその製造方法に関する。特に基板の方位を示すためのオリエンテーションフラット（ＯＦ）を形成する方法に関する。オフアングルというのは、低指数の面からずれた表面を持つという意味である。低指数というのは面指数（ｋｌｍ）の整数の値が小さいということである。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体というのは、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂなどを意味する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＧａＡｓ結晶などＩＩＩ−Ｖ族半導体の単結晶はＨＢ法（水平ブリッジマン法）やＬＥＣ法（液体封止材チョクラルスキー法）、ＶＢ（垂直ブリッジマン法）、ＶＧＦ（垂直温度勾配法）によって作られる。ＨＢ法はボートの中にＧａＡｓ多結晶の原料を入れ、そのボートを石英管に入れ、石英管を封じ水平に炉の中に置いて加熱し、種結晶の方から徐々に冷却して単結晶を成長させる。ＬＥＣ法はるつぼに入れた液体封止材によって覆われたＧａＡｓの原料融液に種結晶を漬けて種結晶を回転させながら引上げる方法である。ＶＢ、ＶＧＦ法は、石英またはＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）るつぼに種結晶とＧａＡｓ多結晶を原料として入れて、種結晶から徐々に冷却させる方法である。
　【０００３】
　本発明は結晶の方位に関するので、成長結晶の方位について初めに説明する。ＧａＡｓ単結晶の上に、ＧａＡｓを主体とするエピタキシャル層を成長させて何らかの素子を作る場合は、主に低指数面の（１００）ウエハが用いられる。この面は二つの劈開面が側面に直交した面として現れるので、素子製作上極めて好都合であるからである。この面の上には格子整合したＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ層などをエピタキシャル成長させることができる。劈開面は（０±１±１）、（±１０±１）、（±１±１０）である。ここで面指数（ｋｌｍ）は負数の場合、整数の上に線を引いて示すべきであるが、ＪＩＳではそれができないから−１のように前に負号を付ける。
　【０００４】
　二元の化合物であり閃亜鉛鉱構造を持つので、これらの劈開面は全て同等ではない。負号が奇数個のものと偶数個のものは異なる劈開面である。
　単結晶薄片から劈開面に沿って一部を折り取ることを自然劈開という。ＧａＡｓ円形ウエハの場合も、自然劈開し一定長さの弦とする。長さを異ならせる事によって２種類の劈開面を区別する。負号が偶数個である（０１１）、（０−１−１）、（１０１）、（−１−１０）などをＯＦ（オリエンテーションフラット）という。負号が奇数個の（０−１１）（０１−１）、（−１０１）などをＩＦ（アイデンティフィケーションフラット）と呼ぶ。
　【０００５】
　（１００）面を表面とする通常のウエハでは、これに直交する２種類の劈開面が存在する。そこでＯＦ＝（０−１−１）、ＩＦ＝（０−１１）として、長さＬ１Ｌ２の違うフラットをＯＦ、ＩＦに設ける。円柱形のインゴットを薄いウエハに切り出してから、自然劈開によってウエハの側部にＯＦ、ＩＦを付ける。これによって結晶方位と表裏を示すようにしている。
　【０００６】
　（１００）面ウエハは劈開面（０±１±１）が丁度直交する位置にあるから、ウエハ上に縦横多数の同等のデバイスチップを作製した後、劈開面にそって切断し、長方形（正方形）のチップを切り放す事ができた。また直交する劈開面が表面に直角であるから、劈開面をレーザの反射鏡面としても使う事ができる。（１００）面ＧａＡｓ基板は最も便利なウエハである。
　【０００７】
　ＧａＡｓ基板を用いたレーザとしては、従来からＡｌＧａＡｓ系の混晶が用いられてきた。これは広い混晶比ｘにおいてＧａＡｓ基板と格子整合できる。ＡｌＧａＡｓレーザは発振閾値が下がり大出力化してきたので、ＣＤの光源としても広く利用される。発振波長は８３０ｎｍ、７８０ｎｍなど短波長化している。既に大量の７８０ｎｍＡｌＧａＡｓレーザが製造され使用されている。
　【０００８】
　しかし、これは波長がなお長すぎる。可視光ではないから人間の目には見えない。半導体レーザを作る試みは数多くなされており、幾多のレーザが提案されている。ＩｎＰ基板を用いるＩｎＧａＡｓＰ系のレーザも提案されている。しかしこれらのレーザが発する光はなお赤外光である。
　【０００９】
　１９８５年ＧａＡｓ基板の上にこれに格子整合するＡｌＧａＩｎＰ系のレーザが室温連続発振することが確かめられた。これは３族元素、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの３元と、５族のＰとよりなる四元の混晶である。基板はＧａＡｓを用いる。ＡｌＧａＡｓレーザは６８０ｎｍの可視光を発する事ができる。３族の半分はＩｎであり、のこりの半分がＧａとＡｌよりなる。混晶比ｘをパラメータとして、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐによって表現する事ができる。ＧａＡｓとの整合条件から０．５という値が決まる。パラメータｘの広い範囲でＧａＡｓ基板と整合する事ができる。Ａｌの比率ｘが増えるとバンドギャップが増える。ために発振波長が下がる。
　【００１０】
　このような発見があり、ＡｌＧａＩｎＰの多重量子井戸を用いた赤色半導体レーザの研究開発が盛んに行われている。ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰの層を多層重ねて形成し活性層としている。これらの結晶はバルク結晶としては製造できない。それでＧａＡｓ基板の上にエピタキシャル成長させてこれらの混晶薄膜を作っている。
　【００１１】
　可視半導体レーザができれば、人間の目に見えるという事で用途が広がる。それだけでなく波長が短いのでＣＤなどの光源に使うと記録密度が素晴らしく向上する。
　従来行われていた試みにおいて、基板は（１００）ＧａＡｓウエハである。これにＭＢＥ、ＭＯＶＰＥ法によってＡｌＧａＩｎＰ層などをエピタキシャル成長させる。
　【００１２】
　これまで最も普通に利用されていたＧａＡｓウエハは（１００）面を表面に持つものである。（１００）面は劈開面が直交２面にあり、様々の点で優れているからである。レーザの共振器として劈開面を利用できるし、チップに切り出す時に自然壁劈開によることができる。デバイス作製という点では最も好都合の面である。図１に上面を（１００）とした場合の化合物半導体ウエハの各面の方位を図式的に示す。
　【００１３】
　しかしＧａＡｓ基板の上に、四元混晶のＡｌＧａＩｎＰ薄膜をエピタキシャル成長させる場合、（１００）面ウエハが必ずしも最適の方位でないことに気づきつつある。（１００）のように低面指数のウエハでは再現性良く４元混晶を成長させる事ができないのである。３族元素がＡｌ、Ｇａ、Ｉｎと３つもある。これら元素はＧａＡｓ面上でＰとの反応速度が違う。原料ガスの配分によって所望のＡｌ：Ｇａ：Ｉｎの比を実現しようとする。しかし目的どおりの混晶比にはならず、また比率が場所によってばらついてしまう。
　【００１４】
　本発明者等は低面指数ＧａＡｓウエハに所望の比率のＡｌＧａＩｎＰ混晶を作るのが難しい原因について考察し、（１００）からかなり大きい角度傾いた面を持つＧａＡｓウエハがむしろ適当であるということを知った。（１００）から（１−１−１）方向、（１１１）方向、（１−１１）方向或いは（１１−１）方向に１５°傾けたウエハが好適のようである。１５°の前後、５°〜３０°の傾きを持つウエハが、ＡｌＧａＩｎＰ四元混晶の基板に向いていることが分かってきた。
　【００１５】
　傾斜の方向は以上の４つの方向のいずれでもよいのである。これを（１±１±１）と表現する事ができる。しかし４つの場合全てを含むように述べると記述が複雑になる。以後の説明に於いて、傾きの方向を（１−１−１）とする。これ以外の傾きの場合をも含むが、その場合は正負の負号を適当に変える必要がある。ＯＦ面は（０−１−１）、ＩＦ面は（０−１１）とする。これは相対的な定義であって、反対に定義しても良い。化合物半導体では二つのフラットによって結晶方位を示すことができる。しかし以後の説明ではＯＦ＝（０−１−１）、ＩＦ＝（０−１１）とする。
　【００１６】
　（１−１−１）面は（１００）より５４．７°傾いている。さらにこれを越えて存在する低指数面は（０−１−１）で、（１００）より９０°傾いている。であるから（１００）より（１−１−１）へ５°〜３０°傾いたウエハは低い面指数によって表現することができない。
　【００１７】
　そこで（１００）を基準として表現する。（１００）から角度Θだけ傾いたウエハの場合、傾き角Θをオフアングルと呼ぶ。ウエハはオフアングルウエハという。さらに角度を指定して、Θオフアングルウエハということもある。さらに傾斜の方向をも含め、（１００）Θオフ（１−１−１）ウエハという場合もある。
　【００１８】
　このような基板であっても、側辺に方位を示すフラットが必要である。レーザを作るのであるから、ストライプの方向、共振器などは結晶方位に合わせて決定されるべきである。ＯＦは本来（０−１−１）であるが、これは基板表面と直角にならず、９０°からオフアングルΘだけずれる。ＩＦは（０−１１）であり、これは基板表面に直交する。図２に基板の側辺に付したＯＦ、ＩＦを示す。何れも劈開面の方向を代表する。オフアングルの表面を持つウエハの場合、表面に直交するＯＦ、ＩＦは劈開面そのものではなく、劈開面と表面の交線でウエハを表面に直角に切った面ということになる。
　【００１９】
　【発明が解決しようとする課題】
　（１００）から（０−１−１）方向オフのウエハにおいて、（０−１−１）方向、（０−１１）方向を示すためにＯＦ、ＩＦを付ける必要がある。この場合にＯＦ、ＩＦの円周方向の誤差が十分に小さくなくてはならない。しかし（１００）ウエハにおいては有効であった自然劈開によるＯＦ、ＩＦの作製法は、オフアングルウエハにおいては誤差が大きくなる。オフアングルが大きいウエハになると自然劈開法では、誤差が０．１°以上にもなってしまう。
　【００２０】
これでは基板の上に多くのエピタキシャル層を成長させデバイスを作製した時の製品歩留まりが悪くなる。オフアングル化合物半導体ウエハにおいてより高精度にＯＦ、ＩＦを与える方法を提案することが本発明の第１の目的である。高精度のＯＦ、ＩＦを持つオフアングル化合物半導体ウエハを提供することが本発明の第２の目的である。ＡｌＧａＡｓレーザよりも波長の短いＡｌＧａＩｎＰレーザの基板として好適なオフアングルＧａＡｓウエハを提案することが本発明の第３の目的である。
　【００２１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は（１００）面から（０−１−１）面に５°〜９０°傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの結晶方位を示すＯＦ、ＩＦを付すために、単結晶インゴットの状態でＸ線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にＯＦ、ＩＦになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削する。その後、結晶を軸に直角方向あるいは斜め方向に切断して、所望のオフアングルウエハを製作するようにする。円柱形に研削したインゴットの周面軸方向にＯＦ、ＩＦとなるべき面を帯状に機械研削したものの斜視図を図６に示す。このように機械研削でＯＦ、ＩＦを付けてからウエハに切り出す。
　【００２２】
　（１００）面から５°〜３０°（１−１−１）方向に傾いたＧａＡｓオフアングル基板はＡｌＧａＩｎＰレーザの基板として有用である。そのようなレーザ基板のＯＦ、ＩＦを正確に与える方法として本発明は極めて有用である。３０°〜９０°オフアンルのＧａＡｓ基板には特に用途はない。またＧａＡｓ以外のＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＰのオフアングルウエハには今のところ用途は見いだされていない。しかしそのような化合物半導体オフアングルウエハにおいても本発明は、極めて正確に、ＯＦやＩＦを与えることができる。
　【００２３】
　【発明の実施の形態】
　ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶インゴットを製作する方法は、公知の方法を使う。ＬＥＣ（液体封止ＣＺ）法、ＨＢ（水平ブリッジマン）法、ＶＢ（垂直ブリッジマン）法、ＶＧＦ（垂直温度勾配）法など任意である。（１００）から（１−１−１）方向にオフアングル８の基板を作るには二つの方法がある。一つはオファンブルのインゴットを成長させる方法である。もう一つは（１００）インゴットを成長させ斜めにスライスしてオフアングルウエハを切り出す方法である。
　【００２４】
［（１）オフアングルインゴット法（図３）］
　インゴット自体をオフアングルのものとする方法である。（１００）から（１−１−１）に向かってΘオフアングルであるウエハが目的のウエハであるとする。図３に示すように、初めから（１００）から（１−１−１）に向けてΘ傾いた単結晶を、ＬＥＣ法、ＶＢ法、ＶＧＦ法またはＨＢ法によって成長させる。これを円柱形に研削する。
　【００２５】
　Ｘ線回折によって、（０−１−１）面と、（０−１１）面を求める。これらの面方位とインゴット側面の接線の方向を決めて、一定の幅でインゴット軸方向にＯＦとＩＦに当たるフラットを機械研削する。この後インゴットを軸と直角の方向で、（１００）から（１−１−１）に向かってΘだけオフアングルであるウエハを切り出す。このウエハは円形で、側周に既にＯＦとＩＦが付いている。ウエハにした後自然劈開をしない。機械研削したＯＦとＩＦをそのまま用いる。
　【００２６】
　ＩＦ＝（０−１１）であり、結晶の傾きの方向は（０−１−１）であるから、ＩＦはウエハ面に垂直であり得る。Ｂ面を厳密な（０−１１）として定義する。ＩＦの精度はＢ面からの円周方向のズレ角δによって評価する事ができる。しかし（０−１−１）面は、ウエハ表面と垂直でない。垂直からΘだけ傾いている。そこで、（０−１−１）面から（−１−１−１）方向にΘだけ傾いた面をＡ面として定義する。Ａ面はウエハ表面と直角であり、しかも（０−１−１）面との交線がウエハ表面に平行である。ＯＦの精度はＡ面からの円周方向のズレΔによって評価できる。
　【００２７】
　この方法はオフアングル単結晶の成長が難しいという問題がある。しかしＬＥＣ法、ＶＢ法、ＶＧＦ法、ＨＢ法によってオフアングルの単結晶を成長させる技術が開発されている。得られるウエハは円形であり、ＯＦ、ＩＦは面に垂直であるから取扱い容易である。
　【００２８】
［（２）（１００）インゴット法（図４）］
　図４に示すように、インゴット自体は（１００）方向のものとする。つまりΘ＝０の（１００）ジャストの単結晶を製造する。これは製造容易である。これを円柱形或いは楕円柱形に研削する。Ｘ線回折によって、（０−１−１）面と、（０−１１）面を求める。これらの方位はインゴットの側面直交２方向に存在する。これらの面方位を示す一定幅の平坦部ＯＦ、ＩＦをインゴット軸方向に機械研削する。
　【００２９】
この後インゴットを（１００）から（１−１−１）に向けてΘだけ傾いた面でインゴットを薄片に切り出す。これにより（１００）から（１−１−１）に向かってΘだけオフアングルであるウエハを切り出すことができる。このウエハは楕円形または円形である。側周には既にＯＦとＩＦが付いている。ウエハにした後自然劈開をしない。機械研削したＯＦとＩＦをそのまま用いる。ただしＯＦは表面とΘ＋９０°の角度をなす。
　【００３０】
　ＩＦ＝（０−１１）であり、結晶の傾きの方向は（０−１−１）であるから、ＩＦはウエハ面に垂直であり得る。Ｂ面を厳密な（０−１１）として定義する。ＩＦの精度はＢ面からの円周方向のズレ角によって評価する事ができる。
　しかし（０−１−１）面は、ウエハ表面と垂直でない。（０−１−１）面をＡ’面として定義する。これはウエハ表面と垂直でないが劈開面である。ＯＦの精度はＡ’面からの円周方向のズレΔによって評価できる。
　【００３１】
　この方法は単結晶の成長が容易であるという利点がある。しかしウエハの形状に問題がある。円柱形のインゴットから出発すると楕円形のウエハになる。それを見越して楕円形のインゴットに研削するとウエハを円形にできるが、楕円研削は円柱研削よりも難しいので、通常楕円ウエハから、ＯＦ、ＩＦの精度（機械研削面）を維持したまま、チャンファ機により円形ウエハ加工する。しかし、ＯＦが、表面に対して直角でない。傾斜するという問題がある。
　【００３２】
　【実施例】
［例▲１▼　３°オフの比較例］
　ＬＥＣ法により、（１００）３°オフ（１−１−１）のＧａＡｓ単結晶インゴットを育成した。円筒研削し３インチ径とした。これを本発明の方法に従ってＸ線回折法によって（０−１−１）方向と（０−１１）方向を正確に求めた。［０−１−１］方向と結晶表面の直交する部分を機械研削によって、長さ２２ｍｍのＯＦを付けた。さらに（０−１１）面にも機械研削により短いＩＦをつけた。これを内周刃スライサーによってウエハに切りだした。
　【００３３】
ウエハは表面に直角で互いに直交する方向にＯＦとＩＦを持つ。ＩＦは劈開面に平行であり得るが、ＯＦは壁開面からオフアングル分だけ傾く。ウエハ毎に側辺のＯＦの厳密なＡ面からの円周方向のズレΔを測定した。図２にズレの定義を示す。ずれの測定値は０．０１１°であった。ここでＡ面というのは、（０−１−１）から（１−１−１）に向かって３°傾いた面として定義される。円周方向というのは［０−１１］、［０１−１］を指す。
　【００３４】
　Ｘ線回折によって同じ円筒形インゴットの（０−１−１）、（０−１１）方位を調べ、インゴットの周面に印をつけ、これをウエハに切りだした後、印に従って自然劈開した。これによってＯＦとＩＦを付けた。自然劈開であるからＯＦは表面に直角でなくオフアグルだけ傾く。自然劈開したもののＯＦの円周方向のズレ角度δを測定した。δの平均値は０．０１３°であった。
　【００３５】
［例▲２▼　５°オフの実施例］
　ＬＥＣ法により、（１００）から（１−１−１）げオフのＧａＡｓ単結晶インゴットを育成した。円筒研削し３インチ径の円柱インゴットとした。Ｘ線回折法によって（０−１−１）方向と（０−１１）方向を正確に求めた。［０−１−１］方向と結晶表面の直交する部分を機械研削によって、長さ２２ｍｍのＯＦを付けた。
　【００３６】
さらに（０−１１）面にも機械研削により短いＩＦをつけた。その後ウエハに切りだした。ウエハ毎に側辺のＯＦの厳密なＡ面からの円周方向のズレΔを測定した。円周方向ずれの測定値の平均は０．０１６°であった。ここでＡ面というのは、（０−１−１）から（１−１−１）に向かって５°傾いた面として定義される。
　【００３７】
　同じ円筒形インゴットをＸ線回折によって（０−１−１）、（０−１１）方位を調べ、インゴットの周面に印をつけ、これをウエハに切りだした後、印に従って自然劈開した。これによってＯＦとＩＦを付けた。ＩＦは表面に直角であるが、オフは表面から５°傾く。自然劈開したもののＯＦの円周方向のズレ角度δを測定した。δの平均値は０．０５５°であった。
　本発明の場合は、ＯＦ方位が自然壁開に比べて約１／３の誤差に減っている。機械研削の方が厳密な方位を与えることができる。
　【００３８】
［例▲３▼　１０°オフの実施例］
　ＶＢ法により、＜１００＞方向に延びるＧａＡｓ単結晶インゴットを育成した。円筒研削し３インチ径の円柱インゴットとした。Ｘ線回折法によって（０−１−１）方向と（０−１１）方向を正確に求めた。（０−１−１）方向の結晶表面を機械研削し長さ２２ｍｍのＯＦを付けた。さらに（０−１１）面にも機械研削により短いＩＦをつけた。
　【００３９】
その後（１００）から（１−１−１）方向に１０°傾いた面に平行にインゴットを切りだした。これにより（１００）から（１−１−１）方向に１０°オフの楕円形ウエハを得た。ＩＦはウエハ面に直角である。しかしＯＦはウエハ表面に対して１０°の角度をなす。Ａ’面を厳密な（０−１−１）面として定義する。ウエハ毎に側辺のＯＦの厳密なＡ’面からの円周方向のズレΔを測定した。円周方向ずれの測定値の平均は０．００８°であった。
　【００４０】
　同じように［１００］方向に引き上げた円筒形インゴットをＸ線回折によって（０−１−１）、（０−１１）方位を調べ、インゴットの周面に印をつけ、これを（１００）から（１−１−１）方向に１０°傾いた方向に切断することにより楕円形ウエハに切りだした後、印に従って自然劈開した。これによってＯＦとＩＦを付けた。ＯＦは表面から１０°傾く。自然劈開したＯＦのＡ’面との円周方向のズレ角度δを測定した。δの平均値は０．０８４°であった。
　本発明の場合は、ＯＦ方位が自然壁開に比べて約１／１０の誤差に減っている。機械研削の方がはるかに厳密な方位を与えることができる。
　【００４１】
［例▲４▼　１５°オフの実施例］
　ＶＢ法により、＜１００＞方向に延びるＧａＡｓ単結晶インゴットを育成した。楕円形状に研削し短径が３インチ径の楕円柱インゴットとした。Ｘ線回折法によって（０−１−１）方向と（０−１１）方向を正確に求めた。（０−１−１）方向の結晶表面を機械研削し長さ２２ｍｍのＯＦを付けた。さらに（０−１１）面にも機械研削により短いＩＦをつけた。その後（１００）から（１−１−１）方向に１５°傾いた面に平行にインゴットを切りだした。これにより（１００）から（１−１−１）方向に１５°オフの略円形ウエハを得た。図５にそのウエハの断面図を示す。
　【００４２】
　ＩＦはウエハ面に直角である。しかしＯＦはウエハ表面に対して１５°の角度をなす。Ａ’面を厳密な（０−１−１）面として定義する。ウエハ毎に側辺のＯＦの厳密なＡ’面からの円周方向のズレΔを測定した。円周方向ずれの測定値の平均は０．０１９°であった。
　【００４３】
　同じように＜１００＞方向に引き上げたインゴットを楕円形に研削した。Ｘ線回折によって（０−１−１）、（０−１１）方位を調べ、インゴットの周面に印をつけた。これを（１００）から（１−１−１）方向に１５°傾いた方向に切断することにより楕円形ウエハに切りだした後、印に従って自然劈開した。これによってＯＦとＩＦを付けた。ＯＦは表面に対して直角な面から１５°傾く。自然劈開したＯＦのＡ’面との円周方向のズレ角度δを測定した。δの平均値は０．１６８°であった。
本発明の場合は、ＯＦ方位が自然劈開に比べて約１／８の誤差に減っている。自然劈開よりも本発明の機械研削の方が厳密な方位を与えることができる。
　【００４４】
［例▲５▼　５４．６°オフの実施例］
　ＨＢ法により、＜１−１−１＞方向に延びるＧａＡｓ単結晶インゴットを育成した。これはボートの形状を写しＤ型の断面形状を持つ。円筒研削し円筒形状のインゴットとする。Ｘ線回折法によって（０−１−１）方向と（０−１１）方向を正確に求めた。（０−１−１）から５４．６傾いた方向の結晶表面を機械研削し長さ２２ｍｍのＯＦを付けた。さらに（０−１１）面にも機械研削により短いＩＦをつけた。インゴット車由に直角に（１−１−１）面ウエハを切りだした。これにより（１００）から（１−１−１）方向に５４．６°オフの略円形ウエハを得た。ＯＦとＩＦが直角の方向に形成されて劈開面でない。
　【００４５】
　Ａ面を（０−１−１）面から５４．６の角度をなす面として定義する。ウエハ毎に側辺のＯＦの厳密なＡ面からの円周方向のズレΔを測定した。円周方向ずれの測定値の平均は０．０１１°であった。
　【００４６】
　同じように＜１−１−１＞方向にＨＢ法によって成長させたインゴットを円柱形に研削した。Ｘ線回折によって（０−１−１）、（０−１１）方位を調べ、インゴットの周面に印をつけた。これを軸に直角に（（１−１−１）方向に）切断することにより円形ウエハに切りだした後、印に従って自然劈開した。これによってＯＦとＩＦを付けた。ＯＦは表面から３５．４°傾く。自然劈開したＯＦのＡ’面（０−１−１）との円周方向のズレ角度δを測定した。δの平均値は０．２５１°であった。
　【００４７】
　本発明の場合は、ＯＦ方位の誤差が自然壁開に比べて約１／２０に減っている。自然劈開よりも本発明の機械研削の方が厳密な方位を与えることができる。このようにオフアングルが大きくなると、本発明の優れていることがより顕著に分かる。
　【００４８】
［例▲６▼　９０°オフの実施例］
　ＶＢ法により、＜０−１−１＞方向に延びるＧａＡｓ単結晶インゴットを育成した。これを円筒研削し円筒形状のインゴットとする。Ｘ線回折法によって（０−１１）方向を正確に求めた。ここに於いて、結晶表面を機械研削し長さ２２ｍｍのＩＦを付けた。インゴット軸に直角に（０−１−１）面ウエハを切りだした。これにより（１００）から（１−１−１）方向に９０°オフ、つまり（０−１−１）の略円形ウエハを得た。ＩＦが表面と直角の方向に形成されている。Ｂ面を（０−１１）面として定義する。ウエハ毎に側辺のＩＦの厳密なＢ面からの円周方向のズレΔを測定した。円周方向ずれの測定値の平均は０．０１４°であった。
　【００４９】
　同じように＜０−１−１＞方向にＶＢ法によって成長させたインゴットを円柱形に研削した。Ｘ線回折によって（０−１１）方位を調べ、インゴットの周面に印をつけた。これを軸直角に切断することにより円形ウエハに切りだした後、印に従って自然壁関した。これによってＩＦを付けた。自然壁開したＯＦのＢ面（０−１１）との円周方向のズレ角度δを測定した。δの平均値は０．３０２°であった。
　【００５０】
　本発明の場合は、ＯＦ方位の誤差が自然劈開に比べて約１／２０に減っている。自然劈開よりも本発明の機械研削の方が厳密な方位を与えることができる。このようにオフアングルが大きくなると、本発明の優れていることがより顕著に分かる。
　【００５１】
　【発明の効果】
　（１００）から（１−１−１）方向へ５°〜９０°オフＧａＡｓウエハにおいて、本発明はインゴットの状態で、Ｘ線回折法によってＯＦ、ＩＦの方向を決めインゴットの側面を機械研削し、その後でインゴットを所望の方位に切断しウエハとする。通常のウエハのように自然劈開したものに比較してＯＦ、ＩＦの円周方向の誤差が小さい。機械研削してフラットを付けたものは自然劈開に比べて誤差が１／３〜１／２０になる。オフアングルが大きいものほど本発明の優越性が明確になる。本発明は自然劈開に頼らず機械研削するので、３°〜９０°のオフアングルにおいて厳密な面からのズレを常に０．１°以下にすることができる。
　【００５２】
　ＡｌＧａＩｎＰ薄膜をエピタキシャル成長させる場合、オフアングルのＧａＡｓ基板が有効であることが分かりつつある。オフアングルＧａＡｓ基板という場合、ＯＦ、ＩＦを従来のように自然劈開によって与えると、円周方向の角度誤差が大きくなる。本発明はインゴットの状態でＸ線回折で方位を決めインゴット周面を軸方向に機械研削することによりＯＦ、ＩＦを与える。これにより自然劈開によるよりも正確にＩＦ、ＯＦを決定できる。ＡｌＧａＩｎＰレーザ用のＧａＡＳ基板の製造方法として有効である。
　【００５３】
　ＧａＡｓウエハ以外に、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＰなどＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハのＯＦ、ＩＦの形成の手段として広く使うことができる。ただしオフアングルのウエハに明確な用途があるのは、現在のところＧａＡｓウエハだけである。ＩｎＰウエハ、ＧａＰウエハなどをオフアングルにした場合、何に利用できるか？ということは分からない。ＧａＡｓ以外の化合物半導体のオフアングルウエハの用途は未だ見いだされていない。
　本例ではすべて（０±１±１）方向にＩＦをつけた例を扱ったが、これは角度さえ正確に分かっていればどの部分につけてもよい。実際には角度が正確であれば、（００±１）方向や（０±１１）方向につけても構わない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　化合物半導体の結晶面方位を説明的に示す（１００）を土面とする平面図。
　【図２】
　化合物半導体ウエハの側周２箇所にＯＦとＩＦを付したものの斜視図。
　【図３】
　（１００）から（１−１−１）方向にオフアングルΘを持つように単結晶成長させて得た円柱形のインゴットの側面の劈開面にＯＦとＩＦの平坦面を軸方向に研削し、インゴットを車由に垂直な方向に切断し、（１００）Θオフアングル（１−１−１）のウエハを製作する様子を説明するためのインゴットの斜視図。
　【図４】
　（１００）方向に単結晶成長させて得た円柱形のインゴットの側面の劈開面にＯＦとＩＦの平坦面を車由方向に研削し、インゴットを（１００）から（１−１−１）方向にオフアングルΘだけ傾斜した方向に切断し、（１００）Θオフアングル（１−１−１）のウエハを製作する様子を説明する為のインゴットの斜視図。
　【図５】
　図４のインゴットをオフアングルΘだけ斜めに切りとって作製したウエハの断面図。
　【図６】
　円柱形のインゴットに劈開面を示すＯＦ、ＩＦになるべき面を帯状に機械研削した状態のインゴット斜視図。