【事件の表示】
　特許第２９７９１９４号「真空吸着装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７９１９４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
　【１】　手続きの経緯 
　特許出願　　　　　　平成２年５月３１日
　特許権設定登録      平成１１年９月１７日
　特許異議の申立て    平成１２年５月９日
　取消理由通知　　　　平成１２年７月２５日
　訂正請求　　　　　　平成１２年１０月３日
　【２】　訂正の適否について
　［１］　訂正事項
　１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１における「多孔質セラミックス」を「気孔率３０〜４０％の多孔質セラミックス」に訂正する。
　２　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１における「該多孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて」を「上記吸着面を形成する多孔質セラミックスの開気孔表面に導電膜を付着させて」に訂正する。
　３　訂正事項３
　願書に添付した明細書（平成１０年１０月２日付け手続補正書）の第２頁第７行ないし第８行及び第４頁第８行ないし第９行の「多孔質セラミックス」を「気孔率３０〜４０％の多孔質セラミックス」に訂正する。
　４　訂正事項４
　願書に添付した明細書（平成１０年１０月２日付け手続補正書）の第２頁第８行ないし第９行及び第４頁第９行の「該多孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて」を「上記吸着面を形成する多孔質セラミックスの開気孔表面に導電膜を付着させて」に訂正する。
　［２］　訂正の目的の適正、新規事項の有無及び拡張、変更の存否    
　１　訂正事項１による訂正について
　多孔質セラミックスの気孔率を特定したものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、この訂正は、願書に添付した明細書の第３頁第末行に「気孔率３０〜４０％」と記載されていることに基づくものである。
　２　訂正事項２による訂正について
　導電膜の付着状態特定したものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、この訂正は、願書に添付した明細書の第３頁第９行ないし第１８行に「この多孔質セラミックス板の全表面に無電解メッキを施して、Ni、Cuなどの金属メッキ層を形成するが、該金属メッキ層は多孔質セラミックス板の全ての開気孔中にも形成される。……この後、上記多孔質セラミックス板の上面を研摩して、平坦度の優れた吸着面2aを形成する。……また、吸着面2aの開気孔部分では金属メッキ層が露出することから、この金属メッキ層によって、吸着面2aは導電性を有することになる。」と記載されていることに基づくものである。
　２　訂正事項３及び訂正事項４による訂正について
　訂正事項１及び訂正事項２による訂正に伴って生じる明細書の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、訂正事項１ないし訂正事項４による訂正は、明らかに新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　［３］　むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　【３】　特許異議申立人よりの特許異議の申立てについての判断
　［１］　特許異議申立人が掲げている特許異議の申立ての理由の概要は、次のとおりである。
　１　本件特許に係る出願の出願前の出願であって、その出願後に出願公開された出願の願書に係る公報を甲第１号証（特願平１−３４２２７６号（特開平３−２０２２４６号公報参照））として提出して、本件請求項１に係る発明が、これに記載された発明と同一であると認められ、しかも、発明者が同一であるとも、また、出願人が同一であるとも認められないので、本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
　２　甲第２号証（特開昭６２−２９１９３７号公報）を本件特許に係る出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物として提出し、本件請求項１に係る発明が、これに記載された発明と同一の発明であるか、又はこれらに記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項又は同法同条第２項の規定に違反してなされたものである。
　［２］　前記理由について検討する。
　１　前記理由１について検討する。
　本件請求項１に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認める。
　「【請求項１】　吸着面を含む部位が気孔率３０〜４０％の多孔質セラミックスからなり、上記吸着面を形成する多孔質セラミックスの開気孔表面に導電膜を付着させて導電性を付与してなる真空吸着装置。」
　これに対して、甲第１号証には次ぎの発明が記載されている。
　吸着面を含む部位が多孔質セラミックスからなり、該多孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて導電性を付与してなる真空吸着装置。
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証とを比較すると、本件請求項１に係る発明が、多孔質セラミックスの気孔率を３０〜４０％と特定し、 かつ、導電膜の付着状態を多孔質セラミックスの開気孔表面に導電膜を付着させると特定することを、必須の構成要件として具備しているのに対して、甲第１号証には、これらの点については記載がない。
　したがって、本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載された発明とが同一の発明とは認めることができない。
　２　前記理由２について検討する。
　甲第２号証刊行物には次ぎの発明が記載されている。
　吸着面を含む部位がセラミックスからなり、該セラミックスの表面に導電膜を付着させて導電性を付与してなる真空吸着装置。
　本件請求項１に係る発明と甲第２号証刊行物に記載された発明とを比較すると、本件請求項１に係る発明が、セラミックスを多孔質セラミックスとし、かつ、その気孔率を３０〜４０％と特定し、さらに、導電膜の付着状態を多孔質セラミックスの開気孔表面に導電膜を付着させると特定することを、必須の構成要件として具備しているのに対して、甲第１号証には、これらの点については記載がない点において相違する。
　そして、本件請求項１に係る発明は、前記必須の構成要件として具備していることにより、吸着面の平坦性を優れたものとし、かつ、多孔質セラミックスであることの性質を利用して導電膜を有効に形成したものとすることできるという明細書記載の相乗的な作用効果を奏し所期の目的を達成できるものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明の前記必須の構成要件のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものではない。
　よって、本件請求項１に係る発明は、甲第２号証刊行物に記載された発明と同一の発明であるか、又はこれらに記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　【４】　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１に係るを特許を取り消すことができない。
　また、他に本件特許の請求項１に係るを特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
平成１３年３月５日（２００１．３．５）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　【１】　訂正事項
　１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１における「多孔質セラミックス」を「気孔率３０〜４０％の多孔質セラミックス」に訂正する。
　２　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１における「該多孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて」を「上記吸着面を形成する多孔質セラミックスの開気孔表面に導電膜を付着させて」に訂正する。
　３　訂正事項３
　願書に添付した明細書（平成１０年１０月２日付け手続補正書）の第２頁第７行ないし第８行及び第４頁第８行ないし第９行の「多孔質セラミックス」を「気孔率３０〜４０％の多孔質セラミックス」に訂正する。
　４　訂正事項４
　願書に添付した明細書（平成１０年１０月２日付け手続補正書）の第２頁第８行ないし第９行及び第４頁第９行の「該多孔質セラミックスの表面に導電膜を付着させて」を「上記吸着面を形成する多孔質セラミックスの開気孔表面に導電膜を付着させて」に訂正する。
　【２】　訂正の目的
　１　訂正事項１及び訂正事項２による訂正について
　特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　２　訂正事項３及び訂正事項４による訂正について
　明細書の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（５４）【発明の名称】
真空吸着装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】吸着面を含む部位が
気孔率３０〜４０％の
上記吸着面を形成する多孔質セラミックスの開気孔
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、半導水ウエハやガラス基板などを吸着して固定するための真空吸着装置に関するものである。
〔従来の技術〕
　従来より、例えば半導体装置の製造工程において、半導体ウエハを吸着固定し、研磨や切断を行うために真空吸着装置が用いられている。
　このような真空吸着装置としては、吸着面に開口した複数の貫通孔を有するものがあったが、貫通孔部分のみで吸着するため、吸着が不均一となり、被吸着物にソリが生じやすいなどの問題点があった。そこで、より均一な吸着を行うために、吸着面を多孔質体で形成した真空吸着装置が用いられていた。
　例えば、第３図に示すように、基体１３に多孔質板１２を固着して吸着面１２ａを形成し、吸引孔１３ａより真空吸引することによって、上記吸着面１２ａに半導体ウエハＷを吸着固定するようになっていた。
　また、上記多孔質板１２として、金属焼結体からなるものは、バリ、カエリ、サビが発生しやすく耐摩耗性が小さいことから寿命が短く、優れた平坦度を維持できない、などの欠点があった。そこで、上記多孔質板１２として、多孔質セラミックスを用いることが行われていた（特開昭５９−１２４５３６号、６２−５３７７４号、６３−１６９２４３号公報参照）。
〔従来技術の課題〕
　ところが、このような多孔質板１２として多孔質セラミックスを用いた真空吸着装置１１は、吸着面１２ａが絶縁性のセラミックスからなり、導電性がないため加工中に半導体ウエハＷに発生した静電気が逃げずにたまりやすく、この静電気が発散する際に半導体ウエハＷ上の回路を破壊してしまりという問題点があった。
　また、上記真空吸着装置１１上に半導体ウエハＷを載置して切断を行う際に、カッターが切断完了して吸着面１２ａに接触することを検知できず、吸着面１２ａを切り込んでしまうという不都合があった。
〔課題を解決するための手段〕
　そこで、本発明は上記課題に鑑み、真空吸着装置の吸着面を含む部位を
気孔率３０〜４０％の
上記吸着面を形成する多孔質セラミックスの開気孔表面に
〔作用〕
　本発明によれば、吸着面を含む部位が導電性を有することから、半導体ウエハに発生した静電気を逃がすことができる。
　また、吸着固定した半導体ウエハを切断する際に、カッターと吸着面との電気的導通を検知することによって、切断完了に伴うカッターと吸着面の接触を容易に検出することができる。
　さらに、吸着面を含む部位がセラミックスからなるため、優れた平坦性、耐摩耗性、耐蝕性を有している。
〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を図をもって説明する。
　第１図、第２図に示す真空吸着装置１は、基体３に多孔質板２を固着して吸着面２ａを形成し、吸引孔３ａより真空吸引することによって、上記吸着面２ａに半導体ウエハＷなどの被吸着物を吸着固定するようになっている。
　また、上記多孔質板２は、表面に金属メッキなどを施して導電膜とした多孔質セラミックスからなっている。その為、吸着面２ａは導電性を有し、第１図に示すように、上記多孔質板２をアース４に接続しておけば、半導体ウエハＷに発生する静電気を逃がすことができる。また、第２図に示すように真空吸着装置１上に吸着した半導体ウエハＷを切断する際に、カッター６と多孔質板２との電気的導通を検知器５で検出するようにしておけば、切断完了して、カッター６が吸着面２ａに接触したことを容易に検知でき、吸着面２ａへのカッター６の切り込みを防止できる。
　なお、上記基体３は、金属又は緻密質セラミックスからなり、この基体３と多孔質板２はガラス、接着剤などによって固着してある。
　次に、上記多孔質板２として、表面に金属メッキを施して導電膜とした多孔質セラミックスからなるものについて説明する。
　まず、アルミナ、ジルコニア等のセラミック原料に所定の焼結助剤などを添加し、バインダーや焼結条件を調整したり、あるいは焼成時に焼失する物質を混入しておくことによって、気孔率３０〜４０％、平均細孔径５〜５００μｍ程度の多孔質セラミックス板を製造する。この多孔質セラミックス板の全表面に無電解メッキを施して、Ｎｉ、Ｃｕなどの金属メッキ層を形成するが、該金属メッキ層は多孔質セラミックス板の全ての開気孔中にも形成される。また、上記Ｎｉ、Ｃｕなどの金属メッキ層は体積固有抵抗値が１０−５〜１０−６Ω・ｃｍと極めて低く、従ってこの多孔質セラミックス板り表面は優れた導電性をもつことになる。
　この後、上記多孔質セラミックス板の上面を研摩して、平坦度の優れた吸着面２ａを形成する。この時、吸着面２ａにはセラミックスが露出するため、被吸着物をセラミックス部分で支持することから、優れた平坦性、耐摩耗性を有する。
　また、吸着面２ａの開気孔部分では金属メッキ層が露出することから、この金属メッキ層によって、吸着面２ａは導電性を有することになる。
　なお、上記金属メッキ層となる金属の種類はＮｉ、Ｃｕなどを用いるが、耐蝕性、密着強度などの点からＮｉが最も優れていた。また、金属メッキ層の厚みは、０．５μｍ以上であれば吸着面２ａに導電性を持たせることができる。ただし、金属メッキ層の厚みが大きいと、多孔質板２の細孔径を小さくしてしまうため、厚みは１μｍ程度のものが最も優れていた。
　また、上記実施例では導電膜として金属メッキを施したもののみを示したが、この他に、ＣＶＤ法などによりＴｉＣ、ＴｉＮなどの導電性薄膜を形成したものでもよい。
　さらに、上記多孔質セラミックス板の気孔率が３０％より低いと吸着力が弱くなり、逆に気孔率が４０％より高いと、吸着面の平坦性が悪くなってしまうため、真空吸着装置として用いるためには、気孔率３０〜４０％のものが優れていた。
　そこで、第１表に示すさまざまな多孔質セラミックスを用いて多孔質板２を形成した。いずれも多孔質板２の大きさは、直径１５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍとし、吸着面の中央部と端面間の電気抵抗値を測定した。
　この結果、第１表に示すように本発明実施例のものは、いずれも電気抵抗値が低く、優れた導電性を有していることが判る。
〔発明の効果〕
　以上のように、本発明によれば、真空吸着装置の吸着面を含む部位を
気孔率３０〜４０％の
上記吸着面を形成する多孔質セラミックスの開気孔表面に
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図はそれぞれ本発明実施例に係る真空吸着装置を示す断面図である。第３図は従来の真空吸着装置を示す断面図である。
１：真空吸着装置
２：多孔質板、２ａ吸着面
３：基体、３ａ：吸引孔