【事件の表示】
　特許第２８９４３０４号「半導体装置の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８９４３０４号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第２８９４３０４号の請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１ないし３」という。）は、平成８年１２月２０日に出願され、平成１１年３月５日に設定登録されたもので、それぞれ特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】プリデポジション工程と、エッチング工程とを有し、フロロカーボンガスを用いて、酸化膜をドライエッチングする半導体装置の製造方法であって、
プリデポジション工程は、被処理体を処理する前に処理室内にエッチングガスよりもＣ／Ｆ比の高いフロロカーボンガスを導入し、処理室内にフロロカーボンデポジション膜を堆積させ、かつ同時にダミーの基板にエッチングを行う処理であり、
エッチング工程は、プリデポジション処理の終了後に、プリデポジションに使用したガスとは異なるフロロカーボンガスを用い、酸化膜エッチングを行う処理であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記プリデポジション処理に用いるフロロカーボンガスのうち、ＣｎＦｍで表されるｎ／ｍ比が３／８以上であるフロロカーボンガスを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【箭求項３】前記プリデポジション処理に用いるフロロカーボンガスのうち、ＣｎＨｘＦｍで表されるｎ／ｍ比が１／３以上であるフロロカーボンガスを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人　安藤純男は、甲第１号証（特開昭５４−１６１２７７号公報）、甲第２号証（特開平８−１８６０９２号公報）、甲第３号証（特開平６−８４８５１号公報）を提示して、本件発明１ないし３は甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１ないし３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである旨主張する。
３．各甲号証の記載事項
３−１．甲第１号証
　甲第１号証には、プラズマ食刻法に関し以下の事項が記載されている。
「本発明は、シリコン基板上に形成された酸化シリコン被膜のプラズマ食刻法に関するものである。」（第１頁左下欄第１２〜１３行）
「本発明は、上記のような従来法の欠点を解消し、酸化シリコン膜とシリコン基板との食刻速度の比を大きくすることにより、酸化シリコン膜をシリコン基板に対して選択性良く、かつ精度良く食刻する方法を提供するものである。
　以下に第２図および第３図に示す本発明による食刻方法の一実施例について詳細に説明する。
　まず、反応槽（１）内を真空にする。その後、反応槽（１）内にＣ４Ｆ８なる化学式を有するガスを導入し、０．５Ｔｏｒｒのガス圧力に保ち、対向する電極（６）（７）に高周波電力を印加して反応槽（１）内にガスプラズマを発生させる。約１０分の後、ガス導入を止め高周波電力の印加を止めると第２図に示すように反応槽（１）の内壁及び試料台（２）表面などに薄膜（１０）が生成される。
　次に、第３図に示すように、上記試料台（２）上に食刻すべき試料（３）を置き、反応槽（１）内を真空にした後、反応槽内にＣＦ４ガスを導入し、０．１Ｔｏｒｒのガス圧力に保ち、対向電極（６）（７）に高周波電力を印加して発生したガスプラズマ（９）により試料（３）の食刻を行う。
　この食刻方法によれば、酸化シリコン膜の食刻速度はシリコン基板の食刻速度の約５倍となる。
そのため、シリコン基板上に酸化シリコン被膜を有する試料を食刻する際に酸化シリコン膜の食刻の終点制御が容易となる。
・・・（中略）・・・
　なお、本発明の方法は、試料の食刻に使用する反応槽とは別の反応槽を用いて、予め前記Ｃ４Ｆ８ガスプラズマによる処理と同様の処理を行なった試料台（２）を用いても同じ効果が得られる。
　又、本発明の方法は、Ｃ４Ｆ８ガスプラズマ処理の代りに、ＣＦ４とＣ２Ｈ６の混合ガス等のガスプラズマ処理を用いても、類似の効果が得られる。」（第２頁左下欄第４行〜第３頁右上欄第５行）
３−２．甲第２号証
　甲第２号証には、プラズマエッチング方法に関し以下の事項が記載されている。
「【０００９】
また本発明に係る第３のプラズマエッチング方法は、前記デポジション性の高いガスがフッ化炭素系のガスであり、前記基板がシリコン酸化膜が積層された基板であることを要旨とする。
【００１０】
デポジション性の高いガスとは、プラズマ中において生成するプラズマ重合物が反応容器内に付着しやすいガス、すなわちプラズマ重合物の蒸気圧が低いガスをいう。このデポジション性の高いガスには、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８等のＣ／Ｆ比の高いフッ化炭素系ガス、ＣＨＦ３等の水素を含むフッ化炭素系ガス、ＣＯなどが含まれる。
【００１１】
同種のガスとは、プラズマ中において類似のプラズマ重合物を生成するものをいう。例えばＣ４Ｆ８に対して、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＣＨＦ３等のフッ化炭素系ガスである。」
「【００１３】
【作用】本発明の構成においては、基板をプラズマエッチングする前に、プラズマエッチングに用いられるガスと同種のガスのプラズマを十分に照射して、反応容器内の部材の表面に一定量以上のプラズマ重合物を付着させた安定状態とする。したがって、基板のプラズマエッチングの際には、部材の表面上の重合と解離が略平衡にあるので、それ以前のエッチングの履歴によらず基板上に付着するプラズマ重合物の量は一定量となり、プラズマエッチングの特性の時間変動を一定にすることができる。」
「【００２５】
まず、前記真空排気装置を用いてプラズマ生成室12、試料室15、試料搬送室17およびカセット室18を所定圧力に設定する。搬送ロボット17b を用いてダミーウエハ（例えば単なるシリコンウェハ）21a を試料台16上に載置する。ガス導入管15a から試料室15にＣ４Ｆ８と酸素とからなるエッチングガスを導入する。励磁コイル14に直流電流を供給してプラズマ生成室内に磁場を発生させる。そして、マイクロ波（周波数ｆ=2.45GHz）を導波管13、マイクロ波導入窓12b を通してプラズマ生成室12内に導入する。すると励磁コイル14により発生する磁界と前記マイクロ波の電界とにより、エッチングガスがプラズマ化されプラズマ中のイオンおよび中性分子あるいは原子がウエハ上に導かれる。この際、プラズマ化されたエッチングガスにより生成される重合物がプラズマ生成室12内部壁および試料室15内部壁に付着し、その後のエッチングの際におけるプラズマによる付着と解離が略平衡状態になる。
【００２６】
次に前記マイクロ波発振器等の作動を停止し、プラズマの発生を停止した後、搬送ロボット17b によりダミーウエハ21a を搬出し、通常のウエハ21b を搬入する。
【００２７】
先と同様に、試料室15にＣ４Ｆ８と酸素からなるエッチングガスを供給し、励磁コイル14に直流電流を供給し、プラズマ生成室12にマイクロ波を供給する。そして高周波電源16a により試料台16に高周波電力を印加する。すると、先と同様、励磁コイル14により発生する磁界とマイクロ波の電界とにより、エッチングガスがプラズマ化される。そして、このプラズマ中のイオンおよび中性分子あるいは原子がウエハ上に導かれ、ウエハ上のシリコン酸化膜がエッチングされる。」
３−３．甲第３号証
　甲第３号証には、プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置に関し以下の事項が記載されている。
「【００２９】
実施例１
図１は、この発明に係るプラズマエッチング方法を実現するための装置の全体構成図である。図１は、以下の点を除いて、図３に示す従来のものと同様であり、同一部分には同一の参照番号を付し、その説明を繰返さない。図１が図３に示すものと異なる点は、下部電極９の上に、エッチングの対象となる、半導体ウェハ上の被エッチング物と同一の成分で構成されたダミーウェハ７を載せている点である。図１を参照して、本発明のプラズマエッチング方法を説明する。図４を用いて説明したように、プラズマクリーニングを行なうと、エッチング特性に不安定な領域ができる。そのため、図１を参照して、プラズマクリーニング直後に、被エッチング物と同一の成分で構成された同一のエッチング特性を示すダミーウェハ７を、下部電極９の上に載せる。次に、エッチングプロセスと同一または類似のガスをプロセス供給口２から、反応室３内に流す。この状態で、下部電極９に高周波電源を印加し、上部電極１と下部電極９の間にプラズマを発生させる。このプラズマにより、ダミーウェハ７を垂直にエッチングしながら、反応生成物を発生させる。反応生成物の処理室内への付着が平衡状態に達したとき、エッチング特性も安定領域に入る。エッチング特性が安定領域に入ったときに、半導体ウェハをプラズマエッチングすると、安定的にエッチング処理が行なえ、ひいては、連続的に、均一な半導体装置を製造できる。」
４．　対比・判断
４−１．本件発明１について
　本件発明１は、半導体製造において、エッチングガスとは異なるＣ／Ｆ比の高いフロロカーボンガスを用いたプリデポジションを行うことにより、ウエハーを連続処理する際のウエハー間のプロセス再現性を向上させ、更に高選択エッチングを可能とするものである。
　一方、甲第１号証に記載された発明は、半導体製造において、Ｃ４Ｆ８ガスを用いてプリデポジションを行うことにより、選択性よい食刻（エッチング）を可能とするものである。
　そして、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載の「まず、反応槽（１）内を真空にする。その後、反応槽（１）内にＣ４Ｆ８なる化学式を有するガスを導入し、０．５Ｔｏｒｒのガス圧力に保ち、対向する電極（６）（７）に高周波電力を印加して反応槽（１）内にガスプラズマを発生させる。約１０分の後、ガス導入を止め高周波電力の印加を止めると第２図に示すように反応槽（１）の内壁及び試料台（２）表面などに薄膜（１０）が生成される。」工程は、本件発明１のプリデポジション工程に相当し、また、甲第１号証に記載の「次に、第３図に示すように、上記試料台（２）上に食刻すべき試料（３）を置き、反応槽（１）内を真空にした後、反応槽内にＣＦ４ガスを導入し、０．１Ｔｏｒｒのガス圧力に保ち、対向電極（６）（７）に高周波電力を印加して発生したガスプラズマ（９）により試料（３）の食刻を行う。」工程は、本件発明１の「エッチング工程」に相当する。
　また、甲第１号証に記載のエッチング工程は、ＣＦ４ガス即ちフロロカーボンガスを用いて酸化シリコン膜の食刻（ドライエッチング）を行うものであり、プリデポジション工程は、エッチングガス（ＣＦ４ガス）よりもＣ／Ｆ比の高いフロロカーボンガス（Ｃ４Ｆ８ガス）を導入してデポジション膜を堆積させている。
　したがって、両者は、
「プリデポジション工程と、エッチング工程とを有し、フロロカーボンガスを用いて、酸化膜をドライエッチングする半導体装置の製造方法であって、
プリデポジション工程は、被処理体を処理する前に処理室内にエッチングガスよりもＣ／Ｆ比の高いフロロカーボンガスを導入し、処理室内にフロロカーボンデポジション膜を堆積させる処理であり、エッチング工程は、プリデポジション処理の終了後に、プリデポジションに使用したガスとは異なるフロロカーボンガスを用い、酸化膜エッチングを行う処理である」
点において一致するものの、本件発明１のプリデポジション工程は、処理室内にエッチングガスよりもＣ／Ｆ比の高いフロロカーボンガスを導入した状態で、「同時にダミーの基板にエッチングを行う処理」でもあるのに対し、甲第１号証にはかかる旨の記載がない点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
　本件発明１のプリデポジション工程においてダミーの基板にエッチング処理を行う理由は、特許明細書の段落【００３０】に以下のとおり記載されている。
「さらに、基板バイアスである高周波電源７を印加しているため、ダミーウェハー中のＳｉがエッチングされ、プラズマ中のフッ素と反応し、Ｓｉ−Ｆ結合が形成され排気される。そのため、プラズマ中のフッ素が除去され、より炭素濃度リッチなデポジション膜が形成される。」
このように、本件発明１のプリデポジション工程では、Ｃ４Ｆ８ガスのようにデポジション性の高いガス中でダミー基板に高周波電源７を印加してダミー基板中のＳｉをエッチングすることにより、Ｓｉをプラズマ中のフッ素と反応させている。
　これに対し、甲第２号証に記載のものは、デポジション性の高いガスを用いてウエハーをプラズマエッチングするに際し、エッチングガスと同種のガスを用いてプリデポジションすることにより一枚目のウエハから再現性よく連続処理できるようにするものであり、その実施例には、Ｃ４Ｆ８ガスを用いダミーウエハを試料台に載置してプリデポジション工程を行うことが記載されている。
　ところが甲第２号証の実施例には、エッチング工程においては【００２７】に「そして高周波電源16a により試料台16に高周波電力を印加する。・・・ウエハ上のシリコン酸化膜がエッチングされる。」と記載されているが、プリデポジション工程においては試料台１６に高周波電力を印加する記載はない。
　したがって、甲第２号証には、プリデポジション工程において、ダミーウエハを試料台に載置する点は記載されているが、ダミーウエハのエッチング処理が行われているか否かについては何ら記載も示唆もない。
　また、甲第３号証には、エッチングガスと同一または類似のガスを用い、ダミーウエハをエッチングしながらプリデポジションを行うことにより、連続的に均一なエッチング処理が行えるようにすることが記載されているが、エッチングガス成分は不明であり、ダミーウエハのエッチング処理を行うことによる作用効果についても、何ら記載も示唆もない。
　そして、甲第１号証に記載の発明は、エッチングを高選択比で行うことを目的としており、エッチングの連続処理の際の均一性等については課題としていない。
　ゆえに、甲第２，３号証にプリデポジション工程においてダミーウエハを載置もしくはエッチングすることが記載されているとしても、目的課題が相違する甲第１号証に記載の発明のプリデポジション工程において、ダミーの基板のエッチング処理を行うことについての動機付けは何ら見あたらないし、エッチングガスよりもＣ／Ｆ比の高いフロロカーボンガスを導入した状態で、ダミーの基板にエッチングを行う処理を行うことは、当業者が容易になし得ることでもない。
　そして、本件発明１は、上記相違点により、前記した特許明細書の段落【００３０】に記載されているような甲第１〜３号証に記載のものから予測し得ない格別な作用効果を奏するものである。
　以上のことから、本件発明１は甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
４−２．本件発明２、３について
　本件発明２、３は、本件請求項１を引用し、さらに構成を付加限定したものであるから、前記と同様な理由により、甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
５．　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１ないし３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１ないし３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月１２日（２０００．９．１２）