【事件の表示】
　特許第２６１０３７２号「合せずれ測定方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６１０３７２号の特許を維持する。
【理　由】
１．本件特許第２６１０３７２号は、平成３年１０月３１日に出願されたものであって、平成９年２月１３日にその特許権の設定登録がなされ、その後、小笠原範夫及び菅原益夫よりそれぞれ特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１０年６月８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．本件特許に対し、異議申立人小笠原範夫は、甲第１号証としてＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１２６１　“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ，Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ，ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　IV”（１９９０年）第１０４−１１３頁（以下、「刊行物１」という。）を提示し、本件特許に係る発明は、甲第１号証に記載されており、又は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は取り消されるべきものである旨主張する。
　
３．本件特許に対し、異議申立人菅原益夫は、甲第１号証としてＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１４６４　“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ，Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ，ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　IV”（１９９１年３月）第２６７−２７７頁（以下、「刊行物２」という。）を、甲第２号証として特開昭５９−７４６２８号公報（以下、「刊行物３」という。）を、甲第３号証として特開平３−１８５８０７号公報（以下、「刊行物４」という。）を提示し、本件特許に係る発明は、甲第１号証に記載されている、又は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は取り消されるべきであると主張する。
　
５．上記訂正請求によって訂正された明細書に係る発明（以下、「訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「前工程で形成された基準パターンと後工程で形成された被測定パターンとを撮像素子により撮像し、上記被測定パターンを上記基準パターンと比較し、被測定パターン形成の際のずれを測定する合せずれ測定方法において、上記各パターンの各線幅を絶対量で２μｍ以上、上記撮像素子上で８画素以上であって、１画素当り０．２５μｍ以上とするとともに、上記各パターンにおける各線間の距離を絶対量で２μｍ以上、上記撮像素子上で８画素以上であって、１画素当り、０．２５μｍ以上としたことを特徴とする合せずれ測定方法。」
　
４．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、以下のとおり訂正するものである。
　特許請求の範囲について、「上記各パターンの各線幅を絶対量で２μｍ以上、上記撮像素子上で８画素以上とするとともに」を、「上記各パターンの各線幅を絶対量で２μｍ以上、上記撮像素子上で８画素以上であって、１画素当り０．２５μｍ以上とするとともに」と訂正し、「上記各パターンにおける各線間の距離を絶対量で２μｍ以上、上記撮像素子上で８画素以上とした」を「上記各パターンにおける各線間の距離を絶対量で２μｍ以上、上記撮像素子上で８画素以上であって、１画素当り、０．２５μｍ以上とした」と訂正する。
　
（２）上記訂正事項についてみると、この訂正は、パターンの各線幅及び各線間の距離それぞれと撮像素子との関係を、撮像素子１画素当り０．２５μｍ以上となるものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　そして、この訂正事項は、特許明細書の段落【００３１】に、「本実施例においては、各パターン１１、１２・・・、１３〜１８の線幅および距離が絶対量で２μｍ以上に設定されており、さらに撮像素子上で８画素以上に設定されている。つまり、１画素当り０．２５μｍ以上の大きさの領域が撮像される。」と、直接に記載されているから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、これらの訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、前記訂正事項は、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
（３）次に、独立特許要件について判断する。
　前記刊行物１〜４には、以下の事項が記載されている。
　刊行物１；オーバーレイエラーの測定に使用されるウエハー上のラインの測定に関し、「オーバーレイエラーの測定には、２つの別個のプロセス層上に配置された（一般に箱型の）２つの造形の中心の間の間隔の測定を含む。」（第１１０頁下から４−３行目参照）、「７０倍及び１４０倍の対物レンズをオーバーレイ測定に使用した。１４０倍対物レンズをライン幅に使用した。像はＣＣＤカメラで検出される。最大の倍率（１４０倍対物レンズ）では、各カメラ素子は物体上の０．０５４μｍ四方に相当する。」（第１０５頁２１−２４行目参照）及び「緑色光では曲線は０．８μｍ以上で直線である。紫色光でのレスポンス曲線は０．６μｍ以下で非曲線であるように思われる。」（第１０７頁下から５−４行目参照）と記載され、Ｆｉｇ．４には、０．６〜３μｍの線幅のパターンについて、予測値と観測値とを対比しており、そのグラフが直線の範囲にあることが示されており、Ｆｉｇ．７には、スペース（線間距離）のＳＥＭ測定値とこの装置の観測値との対比グラフが示されており、物体上の０．５μｍ以上であれば良好であることが示されている。
　刊行物２；「サブミクロンのデバイスの製造における総合的な密度が高くなってくると、フォトリソグラフィック技術の重ね合わせ制御の要求は、困難になってくる。０．１５ミクロン以下の重ね合わせ精度は、１６ＭビットＤＲＡＭのようなハーフミクロンデバイスの製造の環境下で要求され、０．１ミクロン以下の重ね合わせ精度は、６４ＭビットＤＲＡＭのようなサブハーフミクロンデバイスの製造の環境下で要求される。」（第２６７頁１６−２０行目参照）及び「この研究で、サブハーフミクロンデバイスの製造に適用することに対して、自動的な重ね合わせ測定技術が研究された。システム固有の要素の変化と同様、重ね合わせマーク構造の相違についての測定誤差の依存について特に注意が払われた。測定誤差は、フィルム厚さ、表面反射率及び表面粗さの広い変動を有するウエハについて計測された。測定誤差に関する照明光の入射角の影響も調査された。他に、製造限界レベルの測定誤差も得られたデータで同様に論じられる。この研究で使われたシステムはＫＬＡ−５０００Ｒ自動重ね合わせ測定システムであった。光学の概要図が図１に示されている。光源は、そのバンド幅４５０−６５０ｎｍのＸｅアーク灯であった。光源の出力は光ファイバーを通してＬＩＮＮＩＫ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅの入口にセットされた絞りに導かれた。絞りの姿勢は２ミクロンで調整可能である。そして照明光の入射角は絞りの位置の制御によって可変とすることが可能となる。計測マークが常に対物視野の中心に位置することを保障するように、画像処理技術と高精度のステージが使用された。その結果重ね合わせマークの位置決め誤差によって生じる計測誤差が除かれた。自動焦点合わせはコヒーレンスプローブ顕微鏡の技術によって提供された。コヒーレンスプローブ顕微鏡は焦点特有の再現性が０．０５μｍについて許容される。自動計測のレシピが作成されている間システムが記憶している焦点オフセットは、鮮明な画像を得るために使用された。この研究で使用された重ね合わせマークは図２に示されたボックスインボックス検査構造であった。図２において、内側のボックスは一方のマスキングステップでウエハ上に転写され、外側のボックスは他方のステップで転写された。像はＣＣＤカメラによって検出された。計測倍率において、カメラ画素の各々は物体上のほぼ０．１μｍ角に対応している。重ね合わせ誤差量は、ＣＣＤカメラによって捕らえられた２次元画像から計算された。」（第２６８頁３−２７行目参照）と記載され、図２には、内側のボックスマークのエッジ間隔が１０μｍ、外側のボックスマークの内側エッジの間隔が２０μｍのものが示されている。
　刊行物３；プリント基板用のフォトマスクのパターンを検査する方法及び装置に関し、「従来、プリント基板は原版からフォトマスクを作成した後現像定着処理することにより作成される。この場合フォトマスクは現像液中のゴミあるいはパターン形成時の基板との接触等によりパターン上に導体幅小、導体間隔小、黒点、ピンホール、突起、欠け等の欠陥が発生する。このような欠陥に対して従来は実体顕微鏡等を使用した目視検査により検出し修正を行ってきた。しかしながら、昨今フォトマスクパターンが増々微細化し高密度化されてくるに及び従来の如き目視検査では最早十分に欠陥を検出しきれず、例えば光ビーム、電子ビーム等の走査による検査が必要となってきた。この光ビーム、電子ビーム等の走査による検査をより的確に行う方法が探求されている。本発明の目的は、前述の背景に鑑み、光ビームによる走査を特に局所処理の形態を用いより的確に行うことにある。この目的は、本発明によれば、フォトマスクをスキャナにより読み取って得たデータに対してフォトマスクの検査基準である最小導体幅及び最小導体間隔を検査するための画素で構成された２組の８角形の各辺を測定単位として用い、外側にある８角形の測定単位のうち対向する辺の画素が１画素以上非導体部に相当する値であり前記辺の垂直方向で対向する辺の画素がすべて導体部に相当する値であるか、又は内側にある８角形の測定単位のうち対向する辺の画素が１画素以上導体部に相当する値であり前記辺の垂直方向で対向する辺の画素がすべて非導体部に相当する値であるかの状態を検出することを特徴とするフォトマスクの検査方法を提供する」（第２頁左上欄９行目−左下欄１行目）、「第１図は本発明によるフォトマスクの検査方法を実施するための装置を示すブロック線図である。第１図において１は被検査試料であるフォトマスクを示し、２はフォトマスクをＸ−Ｙステージにて移動させる自動送り手段を示し、３はフォトマスクのパターンを投影する光学的手段であり、４は該光学的手段により投影されたフォトマスクパターンを該パターンの明暗に対応した画像データとして出力するスキャナであり例えばラインスキャン型固体撮像素子が使用される。」（第２頁右下欄９−１９行目）及び「本実施例においては検査基準として最小導体幅２００μｍ、最小導体間隔１３０μｍを設定しているので、画像データが１０μｍ／画素の場合、導体幅は１９画素以下、導体間隔は１２画素以下が欠陥となる。」（第３頁左下欄９−１４行目）と記載されている。
　刊行物４；半導体露光装置による焼付けパターンの重ね合わせ精度を自動的に測定するようにした半導体製造装置に関し、「このとき、後述する第４ステップで使用するレチクル側ずれ量計測用マーク（第４図中のＲＰ）をウエハ側マーク（第４図中のＷＰ）と重ね合わせ露光する。」（第４頁右下欄２０行目−第５頁左上欄３行目）及び「すなわち、第３図に示すように、ウエハ第１ショットから最終ショットまで順にＸＹステージをステップアンドリピートさせながら、（ＳＢ００１）初めにずれ量計測マークの画像をＣＣＤカメラＣＭで取り込んで画像処理によるオートフォーカスを行いステージと投影レンズの間隔を最適な距離に設定し（ＳＢ００２）、次に、画像処理によってずれ量計測マークの測定を行ない（ＳＢ００３）、その測定値を制御装置ＣＵ内部に蓄積する。計測を終了したウエハは、回収ハンドＨＡＲでウエハチャックから、現像装置の搬入回路Ｒ３へ送り、現像装置ＤＥでは、現像作業をしないでＲ４へ送って、ウエハ受取テーブルＷＥＮでウエハを取り出す（Ｓ０１１）。次に、ステッパ制御装置ＣＵは、その内に蓄積されたずれ量計測値から、オートアライメント精度であるところの、分散σの３倍値３σと、ずれ計測値の平均値であるオフセットを算出して出力する。ここで３σ値が大きく許容範囲を越えている場合、オペレーション用の端末ＣＳにワーニングを出力し、検査作業者に知らせる。もし３σ値が許容範囲以内であれば、検査したウエハの工程オフセットは正常検出された事となる。この工程オフセットは、アライメント時にレチクルステージＲＳを駆動補正する値として、ステッパ制御装置ＣＵに自動設定される（Ｓ０１２）。以上、自動検査工程について説明したが、次に、ずれ量計測マークの形成法について第６図を用いて説明する。検査するウエハには、半導体製造における前工程で、ウエハ基板上にウエハ側の計測用マークＷＰを第６図（Ａ）のように形成する。このマークの形成法は、アライメントマークの形成法と等しい。この実施例では、上記第１ステップに於て、レジストＲＥを塗布した状態が第６図（Ｂ）のようになる。第２ステップでは、レチクルとウエハがアライメントされながら、レチクルに描かれてたパターンがレジスト層に露光される。第３ステップで現像されることにより、ウエハの断面形状は、第６図（Ｃ）あるいは、第６図（Ｄ）となり、レチクル側のパターンＲＰ１，ＲＰ２またはＲＰ３，ＲＰ４のように形成される。ずれ量を測定する第４ステップでＣＣＤカメラが取り込む画像においては、第６図（Ｅ）のようになり、ステッパ制御装置ＣＵ内で処理する時点で第６図（Ｆ）のような、マーク長軸方向に圧縮された信号となる。次に、このようにして形成したマーク位置の検出と、ずれ量の計算について説明する。第６図（Ｆ）は、マーク長軸方向に圧縮した信号を示している。マークの検出は、まず、３本のマークの中心を１本ずつ独立に求める。そして、２つのレチクル側マーク中心Ｒ１，Ｒ２からレチクルマーク中心を
　ＲＣ＝（Ｒ１＋Ｒ２）／２
として求め、ずれ量はこれとウエハ側マーク中心ＷＣとから、
　Ｅ＝ＲＣ−ＷＣとして求められる。」（第５頁右上欄１８行目−第６行目左上欄１７行目）と記載されている。
　訂正発明と前記刊行物１〜４に記載されたものとを対比すると、前記各刊行物には、いずれにも、訂正発明の構成である「前工程で形成された被測定パターンと後工程で形成された被測定パターンから被測定パターン形成の際のずれを測定する合せずれ測定方法において、各パターンの線幅及び各線間の距離を撮像素子１画素当り０．２５μｍ以上とする」構成が記載されておらず、かつ該構成が示唆されているとすることもできない。
　すなわち、刊行物１及び刊行物２には、被測定パターンの具体的寸法及びこれを撮像するＣＣＤカメラの画素数については、本件発明の数値限定に相当する寸法及び画素数の記載があるが、刊行物１には、１つの画素が物体上の０．０５４μｍ平方（１４０倍対物レンズの場合）又は０．１０８μｍ平方（７０倍対物レンズの場合）に相当するものが記載されているのみであり、刊行物２には、１画素当り物体上の０．１μｍ角のものが記載されているにすぎない。
　また、刊行物３に記載されたものは、プリント基板用のフォトマスクのパターン上の導体幅及び導体間隔を検査するものであって、導体幅は、製造されるプリント基板から必然的に決まるものであり、また、１画素当りのパターンの寸法は、導体幅の欠陥の検出精度によって定まるものであるから、前工程で形成された基準パターンと後工程で形成された基準パターンとの合せずれを測定する訂正発明とは、技術分野を全く異にする。したがって、刊行物３に記載されたパターンの幅及び撮像素子の１画素当りのパターンの寸法を、訂正発明のごとき合わせずれ測定方法に適用することが容易であるとすることはできない。
　したがって、訂正発明は、前記刊行物１〜４のいずれかに記載されているとも、前記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
（４）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
５．次に、特許異議の申立てについて判断する。
（１）本件特許に係る発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲第１項に記載されたとおりのものであって、上記３で認定したとおりのものである。
　
（２）そして、本件特許に係る発明は、上記４（３）で示したように、刊行物１〜４のいずれかに記載されているとも、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
６．したがって、特許異議甲立ての理由及び証拠によっては、本件特許に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件特許に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月１日（２０００．９．１）