【事件の表示】
　特許第２９２７２２２号「樹脂封止型半導体装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９２７２２２号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
一．手続の経緯　
　特許第２９２７２２２号については、平成７年１０月３１日にその発明の特許出願がなされ、平成１１年５月１４日にその特許の設定登録がなされ、その後特許異議申立人赤塚慶太及び宇田川豊弘により、それぞれ、請求項１ないし７（全請求項）に係る発明の特許に対して特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月２４日に訂正請求がなされたものである。　
　　
二．訂正の適否についての判断　
１．訂正の内容　
　訂正請求は、願書に添付した明細書（以下、「明細書」という。）を、訂正請求書に添付した訂正明細書（以下、「訂正明細書」という。）のとおり訂正することを求めたものであり、訂正の内容は以下のとおりである。
［訂正事項ａ］　請求項１中の「ポリグリシジルエーテル（Ａ）」を、「ポリグリシジルエーテルであって、かつ、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物（以下、「２核体化合物」と略記する。）を該ポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するポリグリシジルエーテル（Ａ）」と訂正する。
［訂正事項ｂ］　請求項３を削除する。
［訂正事項ｃ］　「【請求項４】・・・・請求項１、２または３記載の樹脂封止型半導体装置。」を、「【請求項３】・・・・請求項１又は２記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
［訂正事項ｄ］　「【請求項５】・・・・請求項１、２、３または４記載の樹脂封止型半導体装置。」を、「【請求項４】・・・・請求項１、２又は３記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
［訂正事項ｅ］　「【請求項６】・・・・請求項１、２、３、４または５記載の樹脂封止型半導体装置。」を、「【請求項５】・・・・請求項１、２、３又は４記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
［訂正事項ｆ］　「【請求項７】」を、「【請求項６】」と訂正する。
［訂正事項ｇ］　明細書第２頁右欄第１〜９行（段落番号【０００６】）の　「即ち、・・・・ポリグリシジルエーテル（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）とを必須成分とすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置に関する。」を、「即ち、・・・・ポリグリシジルエーテルであって、かつ、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物（以下、「２核体化合物」と略記する。）を該ポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するポリグリシジルエーテル（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）とを必須成分とすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置に関する。」と訂正する。
［訂正事項ｈ］　明細書第２頁右欄第２１〜２６行（段落番号【０００８】）の「また本発明で用いる・・・・混合物として用いられる。」を、「また本発明で用いる・・・・混合物として用いられるが、本発明においては１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物、即ち２核体化合物の含有量が、４０〜８０重量％の範囲にある。」と訂正する。
［訂正事項ｉ］　明細書第３頁左欄第２１行（段落番号【００１３】）の「Ｘは脂肪族炭化水素基」を、「Ｘは脂環式炭化水素基」と訂正する。
［訂正事項ｊ］　明細書第３頁左欄第２１行（段落番号【００１３】）の「ｍは１〜ｎは」を、「ｎは」と訂正する。
［訂正事項ｋ］　明細書第３頁左欄第３５〜４１行（段落番号【００１５】）の「更に、ポリグリシジルエーテル（Ａ）は、その１５０℃での溶融粘度が７．０ポイズ以下であり、且つ２核体成分含有量が４０〜８０重量％の範囲のものであって、さらにそのエポキシ当量が２２０〜３００ｇ／ｅｑの範囲のものが・・・・好ましい。」を、「更に、ポリグリシジルエーテル（Ａ）は、その１５０℃での溶融粘度が２．０ポイズ以下であり、且つ２核体成分含有量が４６〜６５重量％の範囲のものであって、さらにそのエポキシ当量が２３５〜２８０ｇ／ｅｑの範囲のものが・・・・好ましい。」と訂正する。
　　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　［訂正事項ａ］は、請求項１に記載された「ポリグリシジルエーテル（Ａ）」をより下位概念である「２核体化合物を該ポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するポリグリシジルエーテル（Ａ）」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、上記下位概念は訂正前の請求項３に記載されたものである。
　［訂正事項ｂ］〜［訂正事項ｆ］は、訂正前の請求項１に係る発明を減縮して訂正前の請求項３に係る発明とすることに伴う、請求項番号及び引用請求項番号の修正に係るものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　［訂正事項ｇ］及び［訂正事項ｈ］は、発明の詳細な説明の記載を請求項の記載と整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　［訂正事項ｉ］は、他の個所の記載と整合しないために不明りょうとなっている記載を本来の意に戻すものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　［訂正事項ｊ］は、明らかな誤記の訂正に該当する。
　［訂正事項ｋ］は、本来は請求項６の記載と対応関係にあるのに対応関係となっていない記載を、請求項６の記載に整合させて明りょうにするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正は、明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。　
　　
３．まとめ　
　よって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１〜第３号に該当するものであり、また、同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　
　　　
三．特許異議申立てについて　　　　
１．本件発明
　本件の請求項１ないし６に係る発明は、訂正明細書の請求項１ないし６に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】半導体素子と、該素子中の電極部と接合するリードフレームと有し、前記半導体素子とリードフレームとが固定化するように封止材料で封止された半導体装置において、リードフレームが銅系金属で構成されており、かつ、封止材料が、脂環式炭化水素基を結接基としてフェノール類と結合した構造を有するポリフェノール類のポリグリシジルエーテルであって、かつ、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物（以下、「２核体化合物」と略記する。）を該ポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するポリグリシジルエーテル（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）とを必須成分とすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】封止材料中の無機充填材（Ｃ）の含有率が、７５〜９５重量％である請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】ポリグリシジルエーテル（Ａ）が、１５０℃における溶融粘度が７．０ポイズ以下のものである請求項１又は２記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】ポリグリシジルエーテル（Ａ）が、エポキシ当量２２０〜３００ｇ／ｅｑの範囲のものである請求項１、２又は３記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】ポリグリシジルエーテル（Ａ）が、ジシクロペンタジエンとフェノールとの重付加反応物にエピハロヒドリンを反応させ得られるエポキシ樹脂である請求項１、２、３又は４記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】ポリグリシジルエーテル（Ａ）が、ジシクロペンタジエンとフェノールとの重付加反応物にエピハロヒドリンを反応させ得られるエポキシ樹脂であり、かつ２核体の含有率が４５〜６５重量％であり、かつ１５０℃における溶融粘度が２．０ポイズ以下であり、かつエポキシ当量が２３５〜２８０ｇ／ｅｑであることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。」
（以下、請求項１ないし６に係る各発明を、それぞれ、「訂正発明１」、「訂正発明２」・・・・「訂正発明６」という。）
　　　
２．申立ての理由の概要　
　イ．特許異議申立人赤塚慶太（以下、「申立人赤塚」という。）は、証拠として下記の甲第１〜３号証を提出し、
　「訂正前の請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない発明である。」、
　「訂正前の請求項３〜７に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明である。」、
　「本件明細書の特許請求の範囲の記載に不備があり、訂正前の請求項７に係る特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を具備しない特許出願に対してなされたものである。」
として、訂正前の請求項１〜７に係る発明の特許は取り消されるべきである旨を主張している。
［甲第１号証］　特開平７−２０６９８３号公報
［甲第２号証］　特開平７−２４７４０９号公報
［甲第３号証］　特開平５−３２７０号公報
　　　
　ロ．特許異議申立人宇田川豊弘（以下、「申立人宇田川」という。）は、証拠として下記の甲第１〜３号証を提出し、
　「訂正前の請求項１〜７に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明である。」、
　「本件明細書の記載に不備があり、本件特許は、特許法第３６条第４項または第６項に規定する要件を具備しない特許出願に対してなされたものである。」
として、訂正前の請求項１〜７に係る発明の特許は取り消されるべきである旨を主張している。
［甲第１号証］　齋藤省吾他編「先端電子材料事典」（平３−３−１５）（株）シーエムシー　第１０２８〜１０２９頁
［甲第２号証］　「電子材料」（平７−７）(株)工業調査会　第５２〜５７頁
［甲第３号証］　特開平７−２４７４０９号公報
　　　
３．甲各号証に記載された事項
　イ．申立人赤塚の提出した甲第１〜３号証には以下の事項が記載されている。
［甲第１号証］（以下、「甲Ａ１号証」という。）
　「エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及びフィラーを含有するエポキシ樹脂組成物において、フィラーとして、・・・・無機粉の・・・・フィラーであり・・・・成形体中のフィラーの体積分率が７８％以上であるフィラーを、使用していることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲【請求項１】）、
　「・・・・エポキシ樹脂組成物を用いて、銅合金製リードフレームに搭載された半導体素子を封止してなる半導体装置。」（特許請求の範囲【請求項７】）、
　「本発明は上記のような状況に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、銅合金製リードフレームに搭載した半導体チップを封止した半導体装置の吸湿耐半田性及び耐ヒートショック性が改善できるエポキシ樹脂組成物及びその製造方法を提供することであり、また、当該エポキシ樹脂組成物を用いた吸湿耐半田性及び耐ヒートショック性の優れた封止型半導体装置を提供することである。」（段落番号【０００５】）、
　「また、本発明の必須成分であるエポキシ樹脂は１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物であって・・・・ジシクロペンタジエン−フェノール共重合体型エポキシ樹脂・・・・を挙げることができる。」（段落番号【００２０】）。
　上記の他、第７頁【表３】及び【表４】には、実施例１〜８の混合フィラーの含有率が真比重換算体積分率で７０〜７５％（組成物全体に対する重量比率を算出すると約８２〜８６重量％）であることが、また、第９頁【表６】には、実施例１〜５の半導体装置についての吸湿耐半田性及び耐ヒートショック性の評価では不良数がほぼゼロであることが示されている。
　　　　
［甲第２号証］（以下、「甲Ａ２号証」という。）
　「エポキシ樹脂と硬化物とを必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、（Ａ）環状脂肪族炭化水素基を結接基としてヒドロキシル芳香族化合物と結合した化合物のポリグリシジルエーテルと・・・・とを併用することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲【請求項１】）、
　「環状脂肪族炭化水素基を結接基としてヒドロキシル芳香族化合物と結合した化合物のポリグリシジルエーテル（Ａ）と・・・・硬化剤（Ｃ）と、無機充填剤（Ｄ）とを必須成分とする半導体封止材料。」（特許請求の範囲【請求項１５】）、
　「前記のポリグリシジルエーテル（Ａ）は、特にその製造方法が制限されるものではないが、例えば、ヒドロキシル芳香族化合物と、ジシクロペンタジエン、リモネンおよび３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデンに代表される脂環式不飽和炭化水素とを触媒を用いて重合してフェノール性水酸基含有の重合体を得（第１工程）、次いで該重合体をエピハロヒドリンによりグリシジルエーテル化する（第２工程）ことによりポリグリシジルエーテル（Ａ）を得る方法が挙げられる。」（段落番号【００１５】）、
　「次いで、第２工程としては・・・・エピハロヒドリンに溶解し・・・・反応する方法が挙げられる。・・・・エピハロヒドリンとしては、特に限定されないが、エピクロルヒドリン、エピブロモヒドリン、エピヨードヒドリン等が挙げられる。」（段落番号【００１７】）、
　「本発明の封止材用エポキシ樹脂組成物に使用する無機充填剤の配合割合は、半導体封止材料全体に対して、通常５０〜９０重量％であり、中でも６５〜８５重量％の範囲が好ましい。」（段落番号【００４９】）、
　「ジシクロペンタジエン−フェノール重付加物型エポキシ樹脂（Ｅ１）（エポキシ当量２６３ｇ／ｅｑ、軟化点６５℃、ＩＣＩコーンプレート型粘度計による１５０℃の溶融粘度０．８ポイズ：大日本インキ化学工業（株）製、ＥＰＩＣＬＯＮ　ＥＸＡ−７２００））５６重量部」（段落番号【００５４】）。
　　　
［甲第３号証］（以下、「甲Ａ３号証」という。）
　「エポキシ樹脂を主剤とし、フェノール樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物において、分子構造中にグリシジルエーテル基を２個有するエポキシ樹脂を、全エポキシ樹脂に対してエポキシ当量換算で５０％以上の割合で含む・・・・ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲【請求項１】）、
　「また、これら２官能エポキシ樹脂または２官能フェノール樹脂の含有割合は、前述の換算法により、そのエポキシ当量または水酸基当量が５０％以上９０％以下であることが望ましく、６０％以上８０％以下であることがさらに望ましい。」（段落番号【００１１】）。
　　
　ロ．申立人宇田川の提出した甲第１〜３号証には以下の事項が記載されている。
［甲第１号証］（以下、「甲Ｂ１号証」という。）
　「集積回路そのものは・・・・通常リードフレームにワイヤーボンディングし，ケースに入れて集積回路部品となる．」（第１０２８頁右欄下から第４行〜第１０２９頁左欄第１行）、
　「最近はＦｅ−Ｎｉ４２合金より熱伝導性・電気伝導性のよいＣｕ合金が注目されており，Ｃｕ合金の機械的特性強化への努力が活発に進められている．」（第１０２９頁左欄下から第２行〜右欄第３行）。
　　
［甲第２号証］（以下、「甲Ｂ２号証」という。）
　「半導体封止用エポキシ樹脂」に関して以下の事項が記載されている。
　「現在，ＥＣＮベースの封止材に代わる第２世代の封止材として・・・・ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）形である。」（第５４頁左欄下から第２行〜右欄第３行）、　
　「ジシクロペンタジエン形エポキシ樹脂・・・・具体的には表４に表わしたように，フェノール核同士を結合する結接基と，フェノール核に結合する置換基の分子量を高め，かつ繰り返し数ｎを小さくすることにより，水酸基濃度と架橋密度が低い硬化物を提供するエポキシ樹脂を設計可能である。・・・・ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）骨格・・・・を含有するエポキシ樹脂が，低架橋密度でありながら，高耐熱性を有することを発見した。・・・・これは表４の結接基：Ｘに相当するＤＣＰＤ骨格の剛直性が非常に高いため，高い熱的安定性を有することによると考えられる。またゴム領域（ソルダリフロー温度域）の弾性率も非常に低く，クラック防止に有効に作用する。」（第５５頁左欄第５行〜右欄第１５行）、
　「表２の記載のように，ＥＣＮよりも５０％も高い密着力（銅箔ピール強度）を有する。」（第５６頁右欄下から第２〜１行）、
　「また将来の技術動向予想としては，熱放散性を高めるための銅製リードフレーム（線膨張係数が４２アロイよりも高い）の普及・・・・」（第５７頁左欄下から第１０〜８行）。
　以上の他、「図１　ＥＣＮと特殊エポキシ樹脂の分子構造」（第５２頁右欄）と題して「ジシクロペンタジエン形エポキシ樹脂の分子構造」が、「表２　特殊エポキシ樹脂硬化物物性」（第５４頁）と題して「ＤＣＰＤ形エポキシ樹脂の溶融粘度、密着力」が、「表４　低吸湿性エポキシ樹脂の分子設計」（第５５頁右欄）と題して「結接基ＸとしてのＤＣＰＤ骨格、繰り返し数ｎ＝０，１であること」が、また、「図６　各種エポキシ樹脂のＴｇと吸湿率の関係」（第５６頁）と題して「繰り返し数ｎ＝０〜１のＤＣＰＤ形エポキシ樹脂の吸湿性が比較的低いこと」が示されている。
　　　
［甲第３号証］（以下、「甲Ｂ３号証」という。）
　申立人赤塚提出の甲第２号証（甲Ａ２号証）に同じ。
　　　
４．申立てについての検討
（１）はじめに
　上記訂正によって、訂正前の請求項１は削除され、訂正前の請求項３に係る発明が訂正後の請求項１に係る「訂正発明１」となった。
　そして、訂正発明２〜６は、全て訂正された請求項１を引用するものである。
　してみれば、申立人赤塚の異議申立ての理由のうち、特許法第２９条第１項第３号違反に係る申立てについてはその対象がないものとなったので検討を割愛する。
　また、申立人赤塚及び申立人宇田川による「訂正前の請求項７の記載と発明の詳細な説明の記載とが整合しない」旨の特許法第３６条違反に係る申立てについては、訂正事項ｋに係る訂正の結果、明細書の記載不備は解消されて特許法第３６条違反はないものとなった。
　したがって、以下では、両異議申立てについて、特許法第２９条第２項違反の有無についてのみ検討する。
　　　
（２）本件発明の構成及び効果
　イ．訂正発明１ないし６は、樹脂封止型半導体装置において、下記の構成Ａ及びＢを必須とするものである。
［構成Ａ］　リードフレームを「銅系金属」で構成すること。
［構成Ｂ］　封止材料のポリグリシジルエーテル（エポキシ樹脂）成分として、「脂環式炭化水素基を結接基としてフェノール類と結合した構造を有するポリフェノール類のポリグリシジルエーテルであって、かつ、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物（２核体化合物）をポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するもの」（以下、「脂環式かつ２核体のエポキシ樹脂の特定量」という。）を用いること。
　　　
　ロ．訂正発明１ないし６において、上記各構成に基づく効果については以下のように認識されている。
［構成Ａに基づく効果］
　リードフレームを銅系金属で構成しているため、熱放散性を高めることができる。（段落番号【０００２】、【００４４】）
［構成Ｂ中「脂環式」とする点に基づく効果］　
　銅系金属との密着性が良好なため、線膨張係数が著しく高い銅系金属をリードフレームとして用いているにもかかわらず、耐ハンダクラック性、耐ヒートサイクルクラック性を高めることができる。（段落番号【０００３】、【００１７】、【００４４】）
［構成Ｂ中「２核体」かつ「特定量」とする点に基づく効果］
　脂環式エポキシ樹脂のうちでも２核体を特定量で含有させることにより、流動性、成形性を向上させることができる。（段落番号【００１４】）
　　　
（３）申立人赤塚の申立てについての検討
　ｉ）本件発明と甲Ａ各号証記載の発明との対比
　イ．訂正発明１ないし６と甲Ａ１号証記載の発明とを対比すると、甲Ａ１号証には、樹脂封止型半導体装置において、リードフレームを「銅合金製」（銅系金属）とすること、及び封止材料のエポキシ樹脂成分として「ジシクロペンタジエン−フェノール共重合体型エポキシ樹脂」（脂環式エポキシ樹脂）を用いることが記載されている。
　ただし、脂環式エポキシ樹脂の核体数については、「１分子内にエポキシ基を２個以上有する」即ち「２核体以上」という記載があるものの、「２核体」とする旨の記載はない。また、その使用量も不明である。
　したがって、甲Ａ１号証における構成Ａ、Ｂの記載の有無は以下のとおりである。
［記載有］　構成Ａ、構成Ｂ中「脂環式」とする点。
［記載無］　構成Ｂ中「２核体」とする点、同「特定量」とする点。
　　
　ロ．訂正発明１ないし６と甲Ａ２号証記載の発明とを対比すると、甲Ａ２号証には、樹脂封止型半導体装置において、封止材料のエポキシ樹脂成分として「環状脂肪族炭化水素基を結接基としてヒドロキシル芳香族化合物と結合した化合物のポリグリシジルエーテル」（脂環式エポキシ樹脂）を用いることが明りょうに記載されているものの、かかる環式エポキシ樹脂を「２核体」とし、かつ「特定量」とする点が記載されていない。
　また、リードフレームに関しては材質についてのみならず何らの記載もない。
　したがって、甲Ａ２号証における構成Ａ、Ｂの記載の有無は以下のとおりである。
［記載有］　構成Ｂ中「脂環式」とする点。
［記載無］　構成Ａ、構成Ｂ中「２核体」とする点、同「特定量」とする点。
　　　
　ハ．訂正発明１ないし６と甲Ａ３号証記載の発明とを対比すると、甲Ａ３号証には、樹脂封止型半導体装置において、封止材料のエポキシ樹脂成分として「分子構造中にグリシジルエーテル基を２個有するエポキシ樹脂」（２核体エポキシ樹脂）を「全エポキシ樹脂に対してエポキシ当量換算で５０％以上（望ましくは９０％以下、さらに望ましくは６０％以上８０％以下）の割合（訂正発明１における「特定量」に相当する。）で含有するもの」を用いることが記載されている。
　そして、「２核体」かつ「特定量」とする効果について、「室温および加熱時の靱性の向上、加熱時の低弾性、リードフレームや半導体装置と封止樹脂との界面剥離防止、吸湿率の低減、耐熱性、表面実装時の耐クラック性」（段落【００１８】）が記載されている。
　一方、かかるエポキシ樹脂として脂環式のものを用いることについては何らの記載もみられない。
　また、リードフレームについても触れるところがない。
　したがって、甲Ａ３号証における構成Ａ、Ｂの記載の有無は以下のとおりである。
［記載有］　構成Ｂ中「２核体」とする点、同「特定量」とする点。
［記載無］　構成Ａ、構成Ｂ中「脂環式」とする点。
　　　
　ii）判断
　イ．以上をまとめると、訂正発明１ないし６における「構成Ｂ」即ち「脂環式かつ２核体のエポキシ樹脂の特定量」自体については、甲Ａ１〜３号証のいずれにも記載がないことは明らかであるが、この「構成Ｂ」が甲Ａ１〜３号証の記載から当業者が容易に想起できるかどうかについて検討する。
　　　
　ロ．訂正発明１ないし６において、「脂環式」エポキシ樹脂を「２核体」かつ「特定量」とする理由は、「流動性・成形性の向上」をはかるためである。
　これに対して、甲Ａ３号証には、２核体かつ特定量とすることにより、流動性・成形性が向上することについては記載も示唆もされていない。
　してみれば、甲Ａ１または２号証記載の「脂環式」エポキシ樹脂を用いる発明において、流動性・成形性の向上をはかるために、甲Ａ３号証記載の「２核体」かつ「特定量」とする点を適用すべき動機付けを見出すことはできない。
　つまり、上記「構成Ｂ」は、甲Ａ１〜３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に想起しうるものとは認められない。
　　　
　ニ．したがって、「構成Ｂ」を具備するところの訂正発明１ないし６は、甲Ａ１〜３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものとは認められない。
　　
　iii）まとめ
　以上のとおりであるから、訂正発明１ないし６については、「甲Ａ１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明である。」とすることはできない。
　　　
（４）申立人宇田川の申立てについて
　ｉ）本件発明と甲Ｂ各号証記載の発明との対比
　イ．訂正発明１ないし６と甲Ｂ１号証記載の発明とを対比すると、甲Ｂ１号証には、樹脂封止型半導体装置において、リードフレームを「Ｃｕ合金」（銅系金属）から構成することが記載されている。
　一方、封止樹脂の材料については何ら触れるところはない。
　したがって、甲Ｂ１号証における構成Ａ、Ｂの記載の有無は以下のとおりである。
［記載有］　構成Ａ。
［記載無］　構成Ｂ。
　　
　ロ．訂正発明１ないし６と甲Ｂ２号証記載の発明とを対比すると、甲Ｂ２号証には、樹脂封止型半導体装置において、封止材料のエポキシ樹脂成分として「ジシクロペンタジエン形エポキシ樹脂（ＤＣＰＤ）」（脂環式エポキシ樹脂）を用いること、「結接基の繰り返し数ｎ＝０体」（２核体）のようなｎ数の小さいものを用いることにより、水酸基濃度と架橋密度が低い硬化物を提供するエポキシ樹脂を設計可能であること、脂環式エポキシ樹脂の密着力（銅箔ピール強度）は、ＥＣＮ形及びビフェニル形エポキシ樹脂よりも優れていること、熱放散性を高めるために「銅製リードフレーム」が用いられること等が記載されている。
　ただし、脂環式かつ２核体のエポキシ樹脂を「特定量」とする点については何の記載もない。
　したがって、甲Ｂ２号証における構成Ａ、Ｂの記載の有無は以下のとおりである。
［記載有］　構成Ａ、構成Ｂ中「脂環式」とする点、同「２核体」とする点。
［記載無］　構成Ｂ中「特定量」とする点。
　　
　ハ．甲Ｂ３号証は、申立人赤塚提出の甲Ａ２号証に相当する。
　したがって、甲Ｂ３号証における構成Ａ、Ｂの記載の有無は以下のとおりである。
［記載有］　構成Ｂ中「脂環式」とする点。
［記載無］　構成Ａ、構成Ｂ中「２核体」とする点、同「特定量」とする点。
　　
　ii）判断
　訂正発明１ないし６の構成Ｂにおいて、「特定量」とする点は「２核体」とする点と相まって、「流動性・成形性の向上」という顕著な効果を奏するために不可欠な要素である。
　してみれば、「特定量」とする点について何の開示もない甲Ｂ１〜３号証の記載内容をすべて組み合わせても、訂正発明１ないし６が、当業者にとって容易に想起できるものとは認められない。
　　
　iii）まとめ
　したがって、訂正発明１ないし６については、「甲Ｂ１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明である。」とすることはできない。
　　　
四．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の訂正発明１ないし６の特許を取り消すことはできない。　
　また、他に本件の訂正発明１ないし６の特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１２年８月３１日（２０００．８．３１）
【訂正の要旨】
　　　　　　　　　　　　訂正の要旨
　特許第２９２７２２２号の明細書を以下のとおり訂正する。
［訂正事項ａ］　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１中の「ポリグリシジルエーテル（Ａ）」を、「ポリグリシジルエーテルであって、かつ、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物（以下、「２核体化合物」と略記する。）を該ポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するポリグリシジルエーテル（Ａ）」と訂正する。
［訂正事項ｂ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、請求項３を削除する。
［訂正事項ｃ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、「【請求項４】・・・・　請求項１、２または３記載の樹脂封止型半導体装置。」を、「【請求項３】・・・・請求項１又は２記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
［訂正事項ｄ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、「【請求項５】・・・・請求項１、２、３または４記載の樹脂封止型半導体装置。」を、「【請求項４】・・・・請求項１、２又は３記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
［訂正事項ｅ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、「【請求項６】・・・・請求項１、２、３、４または５記載の樹脂封止型半導体装置。」を、「【請求項５】・・・・請求項１、２、３又は４記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
［訂正事項ｆ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、「【請求項７】」を、「【請求項６】」と訂正する。
［訂正事項ｇ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第２頁右欄第１〜９行（段落番号【０００６】）の
　「即ち、・・・・ポリグリシジルエーテル（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）とを必須成分とすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置に関する。」を、「即ち、・・・・ポリグリシジルエーテルであって、かつ、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物（以下、「２核体化合物」と略記する。）を該ポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するポリグリシジルエーテル（Ａ）と、硬化剤（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）とを必須成分とすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置に関する。」と訂正する。
［訂正事項ｈ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第２頁右欄第２１〜２６行（段落番号【０００８】）の「また本発明で用いる・・・・混合物として用いられる。」を、「また本発明で用いる・・・・混合物として用いられるが、本発明においては１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物、即ち２核体化合物の含有量が、４０〜８０重量％の範囲にある。」と訂正する。
［訂正事項ｉ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第３頁左欄第２１行（段落番号【００１３】）の「Ｘは脂肪族炭化水素基」を、「Ｘは脂環式炭化水素基」と訂正する。
［訂正事項ｊ］　誤記の訂正を目的として、明細書第３頁左欄第２１行（段落番号【００１３】）の「ｍは１〜ｎは」を、「ｎは」と訂正する。
［訂正事項ｋ］　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第３頁左欄第３５〜４１行（段落番号【００１５】）の「更に、ポリグリシジルエーテル（Ａ）は、その１５０℃での溶融粘度が７．０ポイズ以下であり、且つ２核体成分含有量が４０〜８０重量％の範囲のものであって、さらにそのエポキシ当量が２２０〜３００ｇ／ｅｑの範囲のものが・・・・好ましい。」を、「更に、ポリグリシジルエーテル（Ａ）は、その１５０℃での溶融粘度が２．０ポイズ以下であり、且つ２核体成分含有量が４６〜６５重量％の範囲のものであって、さらにそのエポキシ当量が２３５〜２８０ｇ／ｅｑの範囲のものが・・・・好ましい。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
樹脂封止型半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　半導体素子と、該素子中の電極部と接合するリードフレームと有し、前記半導体素子とリードフレームとが固定化するように封止材料で封止された半導体装置において、リードフレームが銅系金属で構成されており、かつ、封止材料が、脂環式炭化水素基を結接基としてフェノール類と結合した構造を有するポリフェノール類のポリグリシジルエーテル
であって、かつ、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物（以下、「２核体化合物」と略記する。）を該ポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するポリグリシジルエーテル
　　【請求項２】　封止材料中の無機充填材（Ｃ）の含有率が、７５〜９５重量％である請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
　　【請求項
３
１又は２
　　【請求項
４
１、２又は３
　　【請求項
５
１、２、３又は４
　　【請求項
６
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は新規な特に熱放散性と表面実装時の耐ハンダクラック性に優れる樹脂封止型半導体に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】近年半導体素子の高速化、高密度化に伴う消費電力の増大による発熱対策が題となりはじめ、プラスチックパッケージ分野でも、その対応が急務になっている。また、リードフレームは半導体装置において放熱作用を持つ重要な部品の一つであるが、ディスクリート（個別半導体）には従来、熱伝導率が高く、熱放散性に優れる点から銅含有合金が広く用いられており、また、パソコン搭載メモリーに用いられるＭＯＳ型半導体（ＤＲＡＭなど）においても、熱放散性に優れる銅含有合金が見直されている。
　【０００３】
　【解決しようとする課題】しかし銅含有合金リードフレームは、その線膨張係数が著しく高いという性質のため、表面実装時の耐ハンダクラック性の向上を目的に無機充填材の充填率を８５〜９０重量％にも高めた封止材料とは線膨張係数との差が非常に大きくなる為、充填率を充分に高められず、ヒートサイクル時にはクラックや剥離等の不良の発生を起こしやすいという課題を有していた。つまり無機充填材の高充填率化による耐ハンダクラック性の向上手段は、銅含有合金リードフレームとの組み合わせの半導体装置においては実施が極めて困難なものであった。
　【０００４】本発明が解決しようとする課題は、銅含有合金に代表される銅系金属をリードフレームに使用した場合において、耐ハンダクラック性及び耐ヒートサイクルクラック性が著しく優れ、然も、熱放散性にも著しく優れる樹脂封止型半導体を提供することにある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意検討した結果、半導体素子と、該素子中の電極部と接合するリードフレームと有し、前記半導体素子とリードフレームとが固定化するように封止材料で封止された半導体装置において、リードフレームとして銅系金属を用い、かつ、封止材料が、脂環式炭化水素基を結接基としてフェノール類と結合した構造を有するポリフェノール類のポリグリシジルエーテル、その硬化剤及び無機充填剤を含有するものを用いることにより上記課題を解決できることを見いだし本発明を完成するに至った。
　【０００６】即ち、本発明は半導体素子と、該素子中の電極部と接合するリードフレームと有し、前記半導体素子とリードフレームとが固定化するように封止材料で封止された半導体装置において、リードフレームが銅系金属で構成されており、かつ、封止材料が、脂環式炭化水素基を結接基としてフェノール類と結合した構造を有するポリフェノール類のポリグリシジルエーテル
であって、かつ、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物（以下、「２核体化合物」と略記する。）を該ポリグリシジルエーテル成分中４０〜８０重量％となる割合で含有するポリグリシジルエーテル
　【０００７】
　【発明の実施の形態】本発明で用いるリードフレームは、銅系金属から構成されており、銅或いは銅含有合金が挙げられるが、後者の方が強度の点から好ましく、具体的には、銅−錫合金、銅−鉄合金、銅−ジルコニウム合金、銅−銀合金、銅−クロム−ジルコニア合金、銅−クロム−錫合金、銅−鉄−マグネシウム合金、銅−錫−シリコン合金、銅−ニッケルー錫合金、無酸素銅などや、それらにリンやマグネシウムを添加した合金などが挙げられる。但し、これらの具体例に限定されるものではない。
　【０００８】また本発明で用いるポリグリシジルエーテル（Ａ）は
、
が、本発明においては１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物、即ち２核体化合物の含有量が、４０〜８０重量％の範囲にある
　【０００９】ここでフェノール類としては、フェノール、及びアルキル基、アルケニル基、アリル基、アリール基、アラルキル基或いはハロゲン基等が結合した置換フェノール類が挙げられる。具体的に例示すると、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、ビニルフェノール、イソプロペニルフェノール、アリルフェノール、フェニルフェノール、ベンジルフェノール、クロルフェノール、ブロムフェノール（各々ｏ、ｍ、ｐ−異性体を含む）、ビスフェノールＡ、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等が例示されるが、これらに限定されるものではない。またこれらの混在していても構わない。これらの中でも流動性および硬化性が優れる点からフェノール、クレゾールが特に好ましい。
　【００１０】一方、脂環式炭化水素基としては、フェノール骨格部分の結接基となるものであり、その構造は特に限定されるものではないが、中でもその骨格中にシクロヘキサン環或いはシクロヘキセン環を有するものが硬化物の吸水性が低く耐水性に優れる点から好ましい。それらの中でも特に銅系金属との線膨張係数の点、耐水性及び耐熱性等の点から、具体的にはジシクロペンタジエン、リモネン、３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデン、ノルボルネン、ビニルヘキセン、α−テルピネン、β−テルピネンの分子骨格中の不飽和結合に基づく２価の炭化水素基が好ましい。これらの化合物は単独で使用してもよく、また２種類以上併用しても良い。更に、これらの中でも硬化物の耐熱性及び耐湿性を一層向上させることができる点からジシクロペンタジエンの分子骨格中の不飽和結合に基づく２価の炭化水素基が好ましい。
　【００１１】この様なポリグリシジルエーテル（Ａ）として、更に具体的には例えば下記一般式で表わされるものが好ましく挙げられる。
　【００１２】
　【化１】
　【００１３】（式中、Ｒは独立的に、アルキル基或いは水素原子であり、ｍは置換基Ｒの数を示す１〜４の整数であり、Ｘは
脂環式炭化水素基
ｎは
　【００１４】この様なポリグリシジルエーテル（Ａ）は、既述の通り、種々の構造をもつものの混合物であり、分子量分布を有するものであるが、１分子あたりグリシジルエーテル基を２個有する化合物、即ち２核体化合物の含有量が、４０〜８０重量％の範囲にあることが封止材料の流動性が向上し、成形性が良好となる点から好ましく、さらには、１５０℃の溶融粘度が７．０ポイズ以下及びエポキシ当量が２２０〜３００ｇ／ｅｑの範囲内にあるエポキシ樹脂が無機充填剤の一層の高充填化が可能となる他、硬化物の耐水性も著しく良好となものとなり、耐ハンダクラック性及び耐ヒートサイクルクラック性がより優れたものとなる。
　【００１５】更に、ポリグリシジルエーテル（Ａ）は、その１５０℃での溶融粘度が
２．０
４６〜６５重量％
２３５〜２８０ｇ／ｅｑ
　【００１６】この２核体の含有量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって分析された重量割合で表される値である。
　【００１７】このような分子構造を有し、かつ上記条件を満足するポリグリシジルエーテル（Ａ）は、無機充填剤（Ｃ）を高充填しても、リードフレームと半導体封止材料との線膨張係数とに差を生ずることなく、耐ハンダクラック性が著しく良好なものとなる他、更に、ポリグリシジルエーテル（Ａ）自体吸水率が低く、銅系合金リードフレームとの密着性が良好な為、無機充填材（Ｃ）を高充填させなくとも、低吸水率のパッケージ硬化物となりやはり耐ハンダクラック性及び耐ヒートサイクルクラック性の良好なものとなる。
　【００１８】一方、上記ポリグリシジルエーテル（Ａ）の他のエポキシ樹脂、例えばオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂やビフェニル型エポキシ樹脂なとは、吸水率が高いため、耐ハンダクラック性の向上を図る目的で、無機充填剤を８５重量％以上にも高めた場合、パッケージ硬化物の線膨張係数（８〜１０ｐｐｍ）が、銅系合金リードフレームの線膨張係数（１７ｐｐｍ）を大きく下回るため、界面に熱ストレスが発生し、ヒートサイクル時にクラックや剥離等の不良が発生し易くなる。
　【００１９】以上詳述したポリグリシジルエーテル（Ａ）を製造する方法としては、特に制限されるものではないが、例えば、上述したフェノール類と不飽和脂環式化合物との重付加反応させた後、エピハロヒドリンを反応させる方法が挙げられる。
　【００２０】ここで用いる不飽和脂環式化合物は、脂環式炭化水素基を構成する為の原料成分であり、１分子中に不飽和二重結合を２つ以上有する脂肪族環状炭化水素化合物であれば、特に限定されないが、例示するならばジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４−ビニルシクロヘキセン、５−ビニルノルボナ−２−エン、α−テルピネン、β−テルピネン、リモネン等が挙げられる。これらの中でも特性バランス、特に耐熱性、吸湿性の点からジシクロペンタジエンが好ましい。またジシクロペンタジエンは石油留分中に含まれることから、工業用ジシクロペンタジエンには他の脂肪族或いは芳香族性ジエン類等が不純物として含有されることがあるが、耐熱性、硬化性、成形性等を考慮すると、ジシクロペンタジエンの純度９０重量％以上の製品を用いることが望ましい。
　【００２１】フェノール類と不飽和脂環式化合物との重付加反応させたて得られるポリフェノール類（以下、「中間体」と略記する）は、特にその製造条件が限定されるものではないが、ポリグリシジルエーテル（Ａ）の１５０℃での溶融粘度を７．０ポイズ以下にし、かつ２核体成分の含有量を４０〜８０重量％の範囲に設定するためには、反応時のフェノール類と不飽和脂環式化合物のモル比率を調整することが好ましく、不飽和脂環式化合物１モルに対してフェノール類を４モル以上使用することが好ましい。なかでもフェノール類／不飽和脂環式化合物＝２．５／１〜１５／１（モル比率）の範囲内で合成すると、上述のポリグリシジルエーテル（Ａ）を得るに好ましい中間体が得られる。
　【００２２】さらに上記中間体の製造法を具体的に詳述すれば、溶融或いは溶液にしたフェノール類に、重付加触媒を添加し、これに不飽和脂環式化合物を適下後、加熱攪拌し重付加反応を進行させ、その後に過剰のフェノール類を蒸留回収し、重付加反応物を得る。ここで重付加触媒としては、塩酸、硫酸なとの無機酸或いはパラトルエンスルホン酸等の有機酸或いはＡｌＣｌ３、ＢＦ３等のルイス酸等が挙げられる。
　【００２３】次いで、この様にして得られた中間体とエピハロヒドリンとを反応させることによって、目的とするポリグリシジルエーテル（Ａ）とすることができるが、この反応は公知の方法に従って良く、例えば次の反応が挙げられる。
　【００２４】先ず、中間体中の水酸基に対して２〜１５当量、中でもの溶融粘度の低減効果に優れる点から好ましくは３〜１０当量のエピハロヒドリンを添加して溶解し、その後、中間体中の水酸基に対して０．８〜１．２当量の１０〜５０％ＮａＯＨ水溶液を５０〜８０℃の温度で３〜５時間要して適下する。適下後その温度で０．５〜２時間程度攪拌を続けて、静置後下層の食塩水を棄却する。次いで過剰のエピハロヒドリンを蒸留回収し祖樹脂を得る。これにトルエン、ＭＩＢＫ等の有機溶媒を加え、水洗−脱水−濾過−脱溶媒工程を経て、目的の樹脂を得ることができる。また不純物塩素量の低減等を目的に、反応の際ジオキサン、ＤＭＳＯ等の溶媒を併用しても良い。
　【００２５】ここで用いるエピハロヒドリンとしては、エピクロルヒドリンが最も一般的であるが、他にエピヨードヒドリン、エピブロムヒドリン、β−メチルエピクロルヒドリン等も用いることができる。
　【００２６】また、本発明に用いられる硬化剤（Ｂ）としては、通常エポキシ樹脂の硬化剤として常用されている化合物はすべて使用することができ、特に限定されるものではないが、例えばフェノールノボラック樹脂、オルソクレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、フェノール類−ジシクロペンタジエン重付加型樹脂、ジヒドロキシナフタレンノボラック樹脂、キシリデン基を結接基とした多価フェノール類、フェノールーアラルキル樹脂、ナフトール類樹脂ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンなどの脂肪族アミン類、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミン類、ポリアミド樹脂およびこれらの変性物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物系硬化剤、ジシアンジアミド、イミダゾール、ＢＦ３−アミン錯体、グアニジン誘導体等の潜在性硬化剤等が挙げられる。中でも半導体封止材用としては、上記フェノールノボラック樹脂等の芳香族炭化水素−ホルムアルデヒド樹脂が硬化性、成形性、耐熱性に優れること、またフェノール−アラルキル樹脂が硬化性、成形性、低吸水率に優れる点から好ましい。これらの硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂を硬化せしめる量であれば何れでもよく、特に限定されないが、好ましくは用いるエポキシ樹脂の一分子中に含まれるエポキシ基の数と、硬化剤中の活性水素の数が当量付近となる量である。
　【００２７】上掲された如き各化合物を硬化剤として用いる際は、硬化促進剤を適宜使用することができる。硬化促進剤としては公知慣用のものがいずれも使用できるが、例えば、リン系化合物、第３級アミン、イミダゾール、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩、等が挙げられ、これらは単独のみならず２種以上の併用も可能である。
　【００２８】本発明で用いる無機充填剤（Ｃ）は、硬化物の機械強度、硬度を高めることのみならず、低吸水率、低線膨張係数を達成し、耐ハンダクラック性を高めるための必須成分である。その配合量は、特に限定されるものではないが、組成物中７５〜９５重量％の範囲で用いることが、特にそれらの特性が際立つものとなり、特に半導体封止剤用途において耐ハンダクラック性が非常に優れる点から好ましい。
　【００２９】この様な無機充填剤（Ｃ）としては、特に限定されないが溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも、特に半導体封止材料用途においては溶融シリカ、結晶シリカが一般的に用いられており、特に流動性に優れる点から溶融シリカが好ましい。また球状シリカ、粉砕シリカ等も使用できる。
　【００３０】また本発明においては、必須成分である上述したポリグリシジルエーテル（Ａ）に加え、さらにその他のエポキシ樹脂（Ｄ）を併用しても構わない。この際に用いられるエポキシ樹脂（Ｄ）としては、公知慣用のものが何れも使用でき、例えばビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型２官能エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの中でも、特に耐熱性に優れる点からオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が、また流動性に優れる点からビフェニル型２官能エポキシ樹脂が好ましい。
　【００３１】また必要に応じて、着色剤、難燃剤、離型剤、またはカップリング剤などの公知慣用の各種の添加剤成分も適宜配合せしめることができる。また、上記各成分から封止材料を調製するには、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、その他の添加剤をミキサー等によって十分に均一に混合した後、更に熱ロールまたはニーダー等で溶融混練し、射出あるいは冷却後粉砕するなどして得ることができる。
　【００３２】本発明で用いる封止材料には、上述した各成分の他にテトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、ヘキサブロモベンゼン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤及びシリコンオイル、合成ゴム、シリコーンゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合してもよい。
　【００３３】この封止材料から本発明の樹脂封止型半導体装置を製造するには、例えば、上記各成分をミキサー等によって十分に均一に混合した後、更に熱ロールまたはニーダー等で溶融混練し、射出あるいは冷却後粉砕し、タブレット化して封止材料とし、次いで、低圧トランスファー成形機にて、例えば、１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ２、１２０秒間の条件で、シリコンチップ等の半導体素子を銅含有合金製リードフレームを用いて封止し、次いで、加熱硬化するなどにより得ることができる。
　【００３４】
　【実施例】次に本発明を該エポキシ樹脂の製造例、実施例およびその比較例により具体的に説明する。尚、例中において部は特に断りのない限りすべて重量部である。
　【００３５】尚、溶融粘度は５０ＨｚのもとにおいてＲｅｓｅａｃｈ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔＬＴＤ．製「ＩＣＩ　ＣＯＮＥ　＆　ＰＬＡＴＥ　ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ」で測定した。また２核体成分含有量は、東ソー（株）製「ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）」（測定条件：流速＝１．０ｍｌ／分間，圧力＝９２Ｋｇ／ｃｍ２，カラム＝Ｇ４，３，２，２ＨＸＬ，検出器＝Ｒ１　３２×１０−６ＲＩＵＦＳ）で測定した。軟化点は明峰社製作所（株）製「軟化点測定器」（加熱器：ＨＵ−ＭＫ，検出器ＡＳＰ−Ｍ２）測定した。
　【００３６】製造例１（ポリグリシジルエーテル（Ａ）の製造例）
攪拌機、温度計、４つ口フラスコにフェノール９４０ｇ（１０モル）を、ＢＦ３・フェノール錯体２１ｇを添加し充分混合した。その後ジシクロペンタジエン２０４９（１．５モル）を系内温度を９０〜９５℃に保ちながら２時間要して添加した。その後系内温度を９５℃に保ち、２時間加熱攪拌し、得られた反応生成物溶液にマグネシウム化合物「ＫＷ−１０００」（商品名；協和化学工業（株）社製）４３ｇを添加し、３０分間攪拌して触媒を失活させた後、反応溶液を濾過した。得られた透明溶液から過剰のフェノールを蒸留回収して褐色の固形樹脂４０３ｇを得た。この樹脂の軟化点は９５℃、水酸基当量は１７１ｇ／ｅｑあった。
　【００３７】この樹脂３４２ｇにエピクロルヒドリン９２５ｇ（１０モル）をいれ溶解する。それに８０℃で２０％ＮａＯＨ４４０ｇ（２．２モル）を３時間かけて攪拌しながら滴下し、さらに３０分間攪拌を続けてその後静置した。下層の食塩水を棄却し、エピクロルヒドリンを１５０℃で蒸留回収した後、粗樹脂にＭＩＢＫ６００ｇを加え、さらに水２５０ｇを加え８０℃にて水洗した。そして下層の水洗水を棄却した後、脱水、濾過を経てＭＩＢＫを１５０℃で脱溶剤して目的のエポキシ樹脂（Ｉ）４０９ｇを得た。この樹脂は褐色固体で、軟化点６１℃、１５０℃での溶融粘度０．６ポイズ、２核体成分含有量５５重量％、エポキシ当量は２６０ｇ／ｅｑであった。
　【００３８】製造例２（ポリグリシジルエーテル（Ａ）の製造例）
製造例１で得られた中間体を使用し、エピクロルヒドリンを１１１０ｇ（１２モル）に変更した以外は実施例１と同様にして、エポキシ樹脂（ＩＩ）４１８ｇを得た。この樹脂は褐色固体で、軟化点５８℃、１５０℃での溶融粘度０．３ポイズ、２核体成分含有量５８重量％、エポキシ当量は２４２ｇ／ｅｑであった。
　【００３９】製造例３（ポリグリシジルエーテル（Ａ）の製造例）
中間体を製造する際のジシクロペンタジエンを２７２ｇ（２モル）に変更した以外は、製造例１と同様にしてエポキシ樹脂（ＩＩＩ）３８９９を得た。この樹脂は褐色固体で、軟化点８４℃、１５０℃での溶融粘度４．５ポイズ、２核体成分含有量４４重量％、エポキシ当量は２８３ｇ／ｅｑであった。
　【００４０】実施例１〜３及び比較例１〜３
　第１表で表される配合に従って調製した混合物をミキサーにより常温で混合し、２軸熱ロールにて７０〜１００℃により混練し、冷却後粉砕して成形材料とした。粉砕して得られた成形材料は、タブレット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ２、１２０秒間の条件で、各種試験用として、６ｍｍ×６ｍｍのシリコンチップを５２ｐｉｎの銅含有合金製リードフレームを用いて封止し、１８０℃、５時間後硬化した。
　【００４１】各種試験方法は下記の通り。
・吸水率：封止した半導体を８５℃・８５％ＲＨの環境下で１６８時間処理後、重量増加率を測定し、吸水率とした。
・耐ハンダクラック性：封止した半導体を８５℃・８５％ＲＨの環境下で１６８時間処理し、その後２６０℃のハンダ浴に１０秒間浸漬後、顕微鏡で外部クラックを観察し、クラック発生率を測定した。
・耐ヒートサイクルクラック性：封止した半導体を−１９６℃×１分間〜２６０℃×３０秒間の熱サイクルを繰り返し、２０サイクル後、顕微鏡で外部クラックを観察し、クラック発生率を測定した。
　【００４２】またここで、下記のエポキシ樹脂を比較評価用に用いた。
・オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＣＮ）（大日本インキ化学工業（株）製商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ　Ｎ−６６５、軟化点６８℃、エポキシ当量２０８ｇ／ｅｑ）
・ビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ樹脂（株）商品名：エピコートＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ）
その他、難燃エポキシ樹脂として、ＥＰＩＣＬＯＮ　１５３（テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、臭素含有量４８重量％、軟化点７０℃、エポキシ当量４０１ｇ／ｅｑ）、硬化剤として、フェノライト　Ｔ　Ｄ−２１３１（フェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、軟化点８０℃、水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ）を用いた。
　【００４３】
　【表１】
　
　【００４４】
　【発明の効果】本発明が解決しようとする課題は、銅含有合金に代表される銅系金属をリードフレームに使用した場合において、耐ハンダクラック性及び耐ヒートサイクルクラック性が著しく優れ、然も、熱放散性にも著しく優れる樹脂封止型半導体を提供することにある。