【事件の表示】
　特許第２８３７３５５号「半導体ＩＣチップのパッケージ及びその製造方法並びにリード・フレーム」の請求項１〜５、１６〜１８についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８３７３５５号の請求項１〜５、１６〜１８についての特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２８３７３５５号（平成６年９月９日出願、平成１０年１０月９日設定登録）は、設定登録後、その特許について、異議申立人水野由起子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年４月２４日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否
（１）訂正事項
１）特許請求の範囲の請求項１を、
　「半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に形成される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードの両面を封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの前記半導体ＩＣチップのパッドと電気的に接続される位置から前記金属製の凸部が形成される位置までの間を含む領域を、非磁性体金属膜で被覆し、前記金属製の凸部が前記非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着されていることを特徴とする半導体ＩＣチップのパッケージ。」と訂正する。
　
２）同請求の範囲の請求項２を、
　「半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に接着される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードを封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成したことを特徴とする半導体ＩＣチップのパッケージ。」と訂正する。
　
３）同請求の範囲の請求項３を、
　「前記パッド領域に前記凸部を接着した請求項２記載の半導体ＩＣチップのパッケージ。」と訂正する。
　
４）同請求の範囲の請求項１６を、
　「導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成したことを特徴とするリード・フレーム。」と訂正する。
　
５）同請求の範囲の請求項１７を、
　「導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードもこ幅広のパッド領域を複数形成したことを特徴とするリ−ド・フレーム。」と訂正する。
　
６）特許明細書の段落【００１１】を、
　「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、請求項１に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージは、半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に形成される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードの両面を封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの前記半導体ＩＣチップのパッドと電気的に接続される位置から前記金属製の凸部が形成される位置までの間を含む領域を、非磁性体金属膜で被覆し、前記金属製の凸部が前記非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着した。」と訂正する。
　
７）同明細書の段落【００１２】を、
　「また、上記目的を達成するために、請求項２に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージは、半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に接着される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードを封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成した。
　そして、請求項３に係る発明は、上記請求項２に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージにおいて、前記パッド領域に前記凸部を接着した。
　さらに、請求項４に係る発明は、上記請求項１〜請求項３に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージにおいて、前記凸部を半田製とした。」と訂正する。
　
８）同明細書の段落【００１９】を、
　「一方、上記目的を達成するために、請求項１６に係る発明であるリード・フレームは、導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成した。」と訂正する。
　
９）同明細書の段落【００２０】を、
　「また、上記目的を達成するために、請求項１７に係る発明であるリード・フレームは、導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードに幅広のパッド領域を複数形成した。
　そして、請求項１８に係る発明は、上記請求項１７に係る発明であるリード・フレームにおいて、前記パッド領域の一面であって前記複数のインナ・リード同士で同じ側を向く面を非磁性体金属膜で被覆した。」と訂正する。
　
１０）同明細書の段落【００２２】を、
　「【作用】
　請求項１に係る発明にあっては、半導体ＩＣチップの各パッドは各インナ・リードに導通し、それらインナ・リードは金属製の凸部を介してパッケージ外部と導通する。従って、その金属製の凸部を実装ボードの端子に電気的に接続することにより実装が完了する。この際、金属製の凸部は同じ高さであり且つその金属製の凸部が形成される各リード・フレームも同一平面内に位置するから、各金属製の凸部の端部は水平に保たれ、一括した半田付けも可能である。そして、インナ・リードは導電性材料からなるため、ガラス・エポキシ樹脂のように製造途中の加熱処理によって反ってしまう可能性は小さい。
　しかも、インナ・リードの非磁性体金属膜で被服された部分のインダクタンスが低くなるから、半導体ＩＣチップの高速スイッチング動作が容易になる。
　さらに、金属製の凸部が非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着されているから、金属製の凸部とインナ・リードとの接着が強固である。
　請求項２に係る発明にあっても、上記請求項１に係る発明と同様に、金属製の凸部を実装ボードの端子に電気的に接続することにより実装が完了し、各金属製の凸部の端部は水平に保たれ、一括した半田付けも可能であり、そして、インナ・リードはガラス・エポキシ樹脂のように製造途中の加熱処理によって反ってしまう可能性は小さい。
　さらに、請求項２に係る発明であれば、パッド領域が、半導体ＩＣチップを動作させる際に発生する熱の放散を促進させる。しかも、幅広のパッド領域を、インナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる。
　そして、請求項２に係る発明において．請求項３に係る発明のようにパッド領域に金属製の凸部が接着されると、パッド領域が幅広であることから、リード・フレームと金属製の凸部との結合が強固になる。」と訂正する。
　
１１）同明細書の段落【００３０】を、
　「ここで、請求項１６〜請求項１９に係る発明であるリード・フレームは、上記請求項６〜請求項１５に係る半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法を実行する上で好適なリード・フレームである。
　例えば、請求項１６及び１７に係る発明であれば、上記請求項９、請求項１０に係る発明と同様に、外枠部を容易に切り離すことができ、しかも外枠部を切り離す際の力でインナ・リードが誤って抜けてしまうようなことを防止できるインナ・リードとなる。
　さらに、請求項１６に係る発明であれば、幅広のパッド領域を、インナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる。
　また、請求項１７に係る発明であれば、半導体ＩＣチップで発生する熱の放散を促進できるインナ・リードとなるし、インナ・リードに複数の幅広のパッド領域を設けているから、金属製の凸部の配置パターンを容易に変更できる。
　そして、請求項１８に係る発明であれば、メッキ処理によって形成される金属製の凸部との結合が強固になる。さらに、請求項１９に係る発明であれば、メッキ条件が各インナ・リード同士で一致するようになる。」と訂正する。
　
１２）同明細書の段落【００６０】を、
　「【発明の効果】
　以上説明したように、請求項１に係る発明にあっては、導電性材料からなるリード・フレームを介して半導体ＩＣチップの各パッドとリード端子としての金属製の凸部とを接続し、金属製の凸部の先端部を除いた全体を絶縁材料で封止し、しかも、金属製の凸部を非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着する構成としたため、金属製の凸部の先端部の水平度を向上することができ、しかも耐久性を向上することができ、さらには、高速クロックで動作させる半導体ＩＣチップのパッケージに好適に用いることができ、またさらに、金属製の凸部とインナ・リードとの接着が強固であるという効果がある。
　また、請求項２に係る発明にあっては、金属製の凸部の先端部の水平度を向上することができ、しかも耐久性を向上することができ、さらには、半導体ＩＣチップを動作させる際に発生する熱の放散を促進させるパッド領域を設けたため、半導体ＩＣチップの安定した動作を確保でき、またさらに、幅広のパッド領域をインナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができるという効果がある。
　そして、請求項３に係る発明にあっては、上記請求項２に係る発明の効果に加えて、パッド領域に金属製の凸部を形成したため、リード・フレームと金属製の凸部との結合が強固になり、信頼性がさらに高くなるという効果がある。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
１）上記訂正事項１）については、
　請求項１に記載された絶縁部材が、半導体ＩＣチップ及びインナ・リードの両面を封止している点を限定するとともに、同じく請求項１に記載された金属製の凸部が、非磁性体金属膜を介してインナ・リードに接着されている点を限定したものであり、半導体ＩＣチップ及びインナ・リードの両面が絶縁部材で封止されている点は、特許明細書の段落【００４２】や図５等に記載されていたものであり、また、金属製の凸部が、非磁性体金属膜を介してインナ・リードに接着されている点は、特許明細書の段落【００２８】や段落【００４５】の記載からみて、金属製の凸部は非磁性体金属膜を介してインナ・リードに接着されているものと認められる。
　したがって、訂正事項１）は特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
２）上記訂正事項２）については、
　請求項２に記載された幅広のパッド領域の形成位置をインナ・リードの中途部分に限定するとともに、これらインナ・リードの半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に同一高さの金属製の凸部を接着する点を限定したものであり、幅広のパッド領域をインナ・リードの中途部分に形成する点は、特許明細書の段落【００３４】や図２等に記載されており、また、これらインナ・リードの半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に、同一高さの金属製の凸部を接着する点は、特許明細書の段落【００２８】や段落【００４５】、図５の記載からみて、これらインナ・リードの半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に同一高さの金属製の凸部が接着されているものと認められる。
　したがって、訂正事項２）は特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
３）上記訂正事項３）については、
　訂正後の請求項２の記載と請求項３に記載との整合をとるための訂正である。
　したがって、訂正事項３）は明りようでない記載の釈明に該当する。
　
４）上記訂正事項４）については、
　請求項１６に記載された複数のインナーリードの中途部分に幅広のパッド領域が形成された点を限定したものであり、複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成する点は、特許明細書【００３４】や図２等に記載されていたものである。
　したがって、訂正事項４）は特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
５）上記訂正事項５）については、
　請求項１７に記載された複数のインナ・リードに幅広のパッド領域を複数形成した点を限定したものであり、複数のインナ・リードに幅広のパッド領域を複数形成する点は、特許明細書【００３４】や図２等に記載されていたものである。
　したがって、訂正事項５）は特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
　そして、上記訂正事項１）〜５）は、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
６）上記訂正事項６）〜９）については、
　訂正後の請求項１〜３、１６、１７の記載と発明の詳細な説明との整合をとるための訂正である。
　そして、この訂正事項６）〜９）は、いずれも明りようでない記載の釈明に該当するものであり、且つ願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
７）上記訂正事項１０）、１２）については、
　請求項１に係る発明において金属製の凸部を非磁性体金属膜を介してインナ・リードに接着した結果、金属製の凸部とインナ・リードとの接着が強固になった点と、請求項２に係る発明において幅広のパッド領域をインナ・リードの中途部分に形成した結果、隣合ったインナ・リード同士で長手方向にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる点とを明確にしたものである。
　したがって、この訂正事項１０）、１２）は、いずれも請求項１に係る発明の作用効果及び請求項２に係る発明の作用効果を明りょうにしたものであるから、明りようでない記載の釈明に該当する。
　また、金属製の凸部を非磁性体金属膜を介してインナ・リードに接着すると、特許明細書の段落【００２８】や段落【００４５】に記載されているように、金属製の凸部とインナ・リードとの接着が強固になるものと認められ、
また、幅広のパッド領域をインナ・リードの中途部分に形成すると、隣合ったインナ・リード同士で長手方向にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる点は、特許明細書の段落【００３４】に記載されている。
　したがって、上記訂正事項１０）、１２）は、願書に添付した明細書図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡又は変更するものでもない。
　
８）上記訂正事項１１）については、
　請求項１６に係る発明において幅広のパッド領域をインナ・リードの中途部分に形成した結果、隣合ったインナ・リード同士で長手方向にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる点と、請求項１７に係る発明においてインナ・リードに複数の幅広のパッド領域を形成した結果、金属製の凸部の配置パターンを容易に変更できる点とを明確にしたものである。
　したがって、この訂正事項１１）は、請求項１６に係る発明の作用及び請求項１７に係る発明の作用を明りようにしたものであるから、明りようでない記載の釈明に該当する。
　また、幅広のパッド領域をインナ・リードの中途部分に形成すると、隣合ったインナ・リード同士で長手方向にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる点は、特許明細書の段落【００３４】に記載されているし、また、インナ・リードに複数の幅広のパッド領域を設けると金属製の凸部の配置パターンを容易に変更できる点は、特許明細書の段落【００５２】に記載されている。
　したがって、上記訂正事項１１）は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（３）独立特許要件
１）本件発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１９に係る発明のうち、訂正後の請求項１〜５、１６〜１８に係る発明（以下、「本件発明１〜５、１６〜１８」という。）は、請求項１〜５、１６〜１８に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に形成される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出さた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードの両面を封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの前記半導体ＩＣチップのパッド電気的に接続される位置から前記金属製の凸部が形成される位置までの間含む領域を、非磁性体金属膜で被覆し、前記金属製の凸部が前記非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着されていることを特徴とする半導ＩＣチップのパッケージ。
　【請求項２】半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に接着される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードを封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成したことを特徴とする半導体ＩＣチップのパッケージ。
　【請求項３】前記パッド領域に前記凸部を接着した請求項２記載の半導体ＩＣチップのパッケージ。
　【請求項４】前記凸部は半田製である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージ。
　【請求項５】前記絶縁部材はプラス知育である請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージ。
　・・・
　【請求項１６】導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止させれた場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成したことを特徴とするリード・フレーム。
　【請求項１７】導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードに幅広のパッド領域を複数形成したことを特徴とするリード・フレーム。
　【請求項１８】前記パッド領域の一面であって前記複数のインナ・リード同士で同じ側を向く面を非磁性体金属膜で被覆した請求項１７記載のリード・フレーム。」
　
２）取消理由の概要
＜理由１＞訂正前の請求項１に係る発明は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の請求項２に係る発明は、刊行物１、７、８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，訂正前の請求項３〜５に係る発明は、刊行物１〜３、７、８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の請求項１６に係る発明は、刊行物５、６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、さらに、訂正前の請求項１７、１８に係る発明は、刊行物５〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
＜理由２＞訂正前の請求項２〜５に係る発明は、先願明細書に記載された発明と同一である。
　
３）取消理由において引用された引用例
３−１）刊行物１の特開昭５９−２２７１４３号公報には、集積回路パッケージに関する発明が、第７〜１０図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　「第７図（ａ）、（ｂ）はリードフレーム２を折曲げ成形することにより端子２ｃを形成した場合の集積回路の側断面形状を示したもので、同図（ａ）が端子２ｃの突出したもの、同図（ｂ）が端子２ｃの突出しないものをそれぞれ示している。
　第８図（ａ），（ｂ）は上述のワイヤボンデイングと異なり、ギャングボンデイングによりＩＣチップ１とリード２ｂとを接続してなる集積回路の例を示しており、同図（ａ）の場合は端子２ｃが樹脂モールド３の樹脂表面から突出した例、同図（ｂ）の場合は同一面をなす例である。図示しないが第６図（ｃ）の例のように端子２ｃが樹脂表面より窪んだものも勿論可能である。
　第９図（ａ）、（ｂ）はギャングボンデイングによる第７図（ａ）、（ｂ）に相当する構造の側断面形状を示したものであり、ＩＣチップ１が直接リード２ｂに接続される外は第７図と同様である。
　第１０図（ａ）、（ｂ）は第９図（ａ）、（ｂ）の集積回路の平面形状を示したもので、リード２ｂのＩＣチップ１寄りの端部はＩＣチップ１の端子に位置合わせできるように端部同士が接近し且つ尖っており、ＩＣチップ１の端子に直接接続される。そしてリード２ｂのパッケージから突出した部分は短く成形されている。」（第２頁右下欄１３行〜第３頁左上欄１６行）
　
３−２）刊行物２の特許審判請求公告第７６１号（特許第１５０１７２３号訂正明細書；公告日平成５．５．２５）には、集積回路用リードフレームに関する発明が記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　「ワイヤボンデイング部へのボンデイングワイヤ接続を円滑に欠陥なく行うためにこれらの表面にＡｕ又はＡｇをメッキすることが行われている。なおこれはリードフレーム全面にメッキを施すよりもチップ搭載部とワイヤボンデイング部のみの部分メッキの方が経済的で望ましいとされている。」（第２頁左欄下から１５〜９行）
　
３−３）刊行物３の特開平４−１１５５５８号公報には、半導体装置用リードフレームに関する発明が記載され、さらに以下の事項が記載されている。　発明の構成として、
　「素材上全面に直接もしくは下地皮膜を介してＰｄまたはＰｄ合金皮膜を形成し、少なくともアウターリード上の該ＰｄまたはＰｄ合金皮膜上にＡｇめっき皮膜を薄く形成したことを特徴とする半導体リードフレーム。」（特許請求の範囲の請求項１）、
　
　発明の効果として、
　「ＰｄまたはＰｄ合金皮膜は化学的に安定であるため、半導体チップの良好な接合性、良好なワイヤボンデイング性を有し、またははんだ濡れ性も良好なことからアウターリードのはんだ付け性も良好である。またリードフレームの全面にＰｄまたはＰｄ合金皮膜を形成するので工程の簡略化も行える利点がある。」（第２頁左上欄４〜１０行）
　
３−４）先願明細書の特願平６−１７１０２０号の願書に最初に添付した明細書又は図面（特開平８−３７２５３号公報参照）には、耐湿性等信頼性が高くかつ高密度の実装が可能な汎用性の優れた半導体装置の表面実装型パッケージ、及びその製造方法並びに実装方法に関する発明が、第１、２、２４、２５図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　発明の構成として、
　「半導体チップ上に設けられ、導体層を有する接着部材と、
上記半導体チップ上に設けられた電極と上記導体層とを電気的に接続する接続部材と、
上記半導体チップ、上記導体層、上記接着部材および上記接続部材を樹脂封止する封止部材と、
この封止部材に設けられた開口部を介して上記導体層に接続された外部電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。」（公報第２頁特許請求の範囲【請求項１】参照）、
　
　発明の作用として、
　「請求項１の発明においては、半導体チップおよびその上の接着部材の周囲が封止されて耐湿性がよくなり、また、外部電極と半導体チップ上の電極を（「の」は誤記である。）長くして封止樹脂と内蔵される接着部材、その上の導体層、接続部材等との界面を伝わって侵入する水分の進行が抑えられ、さらに、耐湿性が向上される。また、実装密度の向上と小型化が可能となる。」（公報第８頁段落【００５５】参照）、
　
　実施例１として、
　「図１および図２に示すように、半導体装置１Ａは半導体チップ２に接着されたテープ９を有し、このテープ９上に形成された導体層１０と半導体チップ２上の電極としてのボンデイングパッド３を金属細線１でワイヤボンデングし、導体層１０の一表面の一部を露出するために封止樹脂６に図３に示すように開口部１２を設ける。この開口部１２は半導体装置１Ａの製造工程の途中の工程である樹脂封止工程で用いる樹脂封止金型の樹脂封止部分の該当部分に設けた突起をテープ９上の導体層１０に押し当てて形成する。そして、この開口部１２に外部電極としての半田バンプ５を形成する。」（公報第９頁段落【００９５】参照）、
　
　実施例６として、
　「図２４および図２５はこの発明の第６実施例を示すもので、図２４はこの発明に係る半導体装置の一部断面図を示す外観図、図２５は図２４の線ｅ−ｅ’の部分で切断して示す断面図であり、各図において、図１〜図４と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。図において、１Ｆは本実施例による半導体装置、２６は半導体チップ２上に設けられた接着部材としてのＴＡＢテープ、２７はＴＡＢテープ２６上の外部電極としての配線、２８はＴＡＢテープ２６の内部リード、２９はＴＡＢテープ２６上の櫛形配線、３０はＴＡＢテープ２６の架橋部、３１はボンデイングパッド３上に設けられたバンプである。」（公報第１２頁段落【０１１６】参照）、
　
　「図２４において、ＴＡＢ技術を用い、ＴＡＢテープ２６の内部リード２８の先端部と半導体チップ２のボンデイングパッド３とをバンプ３１と呼ばれる金属突起電極を介して接続する。ＴＡＢテープ２６の樹脂封止部分より外側の破線で示すＴＡＢテープの架橋部３０は実施例１における架橋部１３（図４）と同様、封止金型内での半導体チップ２の位置固定、半田バンプ５を形成するために、封止樹脂６に設けた凹部を形成するための封止金型の突起をＴＡＢテープ２６上に圧接させることを可能にする。その後このＴＡＢテープの架橋部３０はその役目が終わると切断される。」（公報第１２頁段落【０１１７】参照）
　
３−５）刊行物５の実願昭５５−１４６８１７号（実開昭５７−６９２４６号）のマイクロフィルムには、樹脂モールド型の集積回路装置に用いるリードフレームに関する発明が、第１〜６図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　従来例として、
　「ダイスステージを取り囲みダイスステージに近接して配置された複数のインナーリード部３、インナーリード部３より外に向かって左右対称に伸びている外部リード部４」（第２頁３〜６行）、
　
　本考案として、
　「本考案のリードフレームは、鉄−ニッケル合金、コバール等の金属板に、第１図に示すようなリードパターンを形成する際、外枠フレーム６とダイスステージ支持リード片２の接続部７及び外枠フレーム６と外部リード部４との接続部８に写真蝕刻法で第４図（１）、第５図（１）、第６図（１）に示すような断面円弧状の凹部９を設けたものである。第４図（１）はリードフレーム上面に凹部９を設けた場合、第５図（１）は裏面に凹部９を設けた場合、第６図（１）は両面に凹部９を設けた場合を示すそれぞれ実施例である。」（第４頁８〜１８行）
　
３−６）刊行物６の特開平６−７７３８０号公報には、樹脂封止型半導体装置に関する発明が、第１〜３図とともの記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　「第１図〜第３図に示される実施例ではインナーリード２の一部に突起（ライズ）１０を設け水分の侵入と引き抜けの防止を実現している。」（第３頁左欄１０〜１２行）、
　
　「このようにインナリードの一部に突起を形成するようにしたことにより、突起の分だけ樹脂との接触面積が増加して引き抜けに抗する樹脂の量が増加し、突起が樹脂と係合するリードのみやリードと樹脂とがともに引き抜けることを防止できる。」（第３頁左欄３３〜３７行）
　
３−７）刊行物７の特開昭６３−２９０７９５号公報には、ＩＣカード用リードフレームに関する発明が、第１、２図とともに記載され、さらに　第１、２図とその詳細な説明の〔実施例〕の欄を参照すると、フレーム部１３に連設されている複数のリード部１４の先端部が幅広に形成されているものが開示されている。
　
３−８）刊行物８の特公昭５４一２０３１５号公報には、ＩＣチップなどの半導体装置に関する発明が、第２図とともに記載され、さらに、第２図とその詳細な説明を参照すると、基板１１に設けられている外部引出し導体１０の先端部の、ワイヤボンデイング領域１０ｂが、他の導体部分１０ｃより拡大して角形に形成されているものが開示されている。
　
４）対比・判断
＜理由１＞について
４−１）本件発明１と刊行物１とを対比すると、刊行物１に記載の「リード２ｂ」、「端子２ｃ」、「樹脂モールド３」は、それぞれ、本件発明１の「インナ・リード」、「金属製の凸部」、「絶縁部材」に相当し、刊行物１の第７〜９図の記載からみて、インナ・リードは同一平面内に配置され、端子２ｃは同一高さを有しているものと認められるから、両者は、本件発明１に沿って記載すると、「半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に形成される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードの両面を封止する絶縁部材と、を備えた半導体ＩＣチップのパッケージ。」の点で一致する。
　しかしながら、本件発明１が、「前記インナ・リードの前記半導体ＩＣチップのパッドと電気的に接続される位置から前記金属製の凸部が形成される位置までの間を含む領域を、非磁性体金属膜で被覆し、前記金属製の凸部が前記非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着されている」構成を有するのに対し、刊行物１に記載の発明は、このような構成を有していない点で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、刊行物２には、チップ搭載部とボンデイングワイヤ部とのボンデイングワイヤ接続を円滑にするために、経済的ではないが、リードフレーム全面に非磁性体金属であるＡｕまたはＡｇのメッキをすることが開示され、また、刊行物３には、リードフレーム全面に非磁性体金属であるＰｄまたはＰｄ合金皮膜を形成することにより、半導体チップの良好な接合性、良好なワイヤボンデング性を得るようにしたものが開示されている。
　しかしながら、刊行物２、３には、リードフレーム全面に非磁性体金属膜を形成することが記載されているとしても、「金属製の凸部が非磁性体金属膜を介してインナーリードに接着されている」構成は何らの記載も示唆もされていないから、刊行物１に記載の集積回路パッケージに、刊行物２、３に記載の非磁性体金属膜を適用しても、本件発明１は容易に想到できるものではない。
　さらに、刊行物５〜８にも、「金属製の凸部が非磁性体金属膜を介してインナ・リードに接着されている」構成については、何らの記載もないし示唆もされていない。
　
　そして、本件発明１の半導体ＩＣチップのパッケージは、金属製の凸部を同一高さとすることにより、一括した半田付けが可能となり、しかも、インナ・リードの、半導体チップのパッドと接続する位置から金属製の凸部が形成される位置までの間を含む領域を、非磁性体金属膜で被覆することにより、インナ・リードの非磁性体金属膜で被覆された部分のインダクタンスが低くなり、半導体チップの高速スイッチング動作が容易になるようにしたものであり、しかも、金属製の凸部が非磁性体金属膜を介してインナ・リードに接着することにより、金属製の凸部とインナ・リードとが強固に接着するという、訂正明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜３、５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４−２）本件発明２と刊行物１とを対比すると、両者は、本件発明２に沿って記載すると、「半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に接着される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードを封止する絶縁部材と、を備えた半導体ＩＣチップのパッケージ。」の点で一致するものの、本件発明２が、「インナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成した」のに対し、刊行物１に記載のものは、このようなパッド領域を有していない点で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、刊行物７、８には、リード部の先端部を幅広に形成したものが記載されているものの、幅広のパッド部をインナ・リードの中途部分に形成したものは記載されていないし、示唆もされていない。
　なお、刊行物１の第１０図（ａ）には、リード２ｂのＩＣチップ１寄りの端部を尖って形成するとともに、端子２ｃよりＩＣチップとは反対側を幅広に形成したたものが記載されているものの、端子２ｃはリード２ｂと同じ幅に形成されているから、リード２ｂの中途部分に幅広のパッド部分を形成したものとはいえない。
　そうしてみると、刊行物１に記載のリード２ｂに刊行物７、８に記載のリード部の先端部を幅広に形成する構成を適用しても、本件発明２は容易に想到できるものではない。
　
　さらに、刊行物２、３、５、６にも、幅広のパッド部をインナ・リードの中途部分に形成したものは記載されていないし、示唆もされていない。
　
　そして、本件発明２は、インナ・リードの中途部分に幅広のパッド部を形成することにより、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるよに幅広のパッド領域を設けることができるという訂正明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明２は、刊行物１〜３、５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４−３）本件発明３は、本件発明１、２のいずれかを引用してさらに構成を限定するものであるから、上記本件発明１、２と同じ理由により、刊行物１〜３、５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４−４）本件発明４は、本件発明１〜３のいずれかを引用してさらに構成を限定するものであるから、上記本件発明１〜３と同じ理由により、刊行物１〜３、５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４−５）本件発明５は、本件発明１〜４のいずれかを引用してさらに構成を限定するものであるから、上記本件発明１〜４と同じ理由により、刊行物１〜３、５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４−６）訂正前の請求項１６については取消理由の対象ではないが、訂正されたため、本件発明１６についても独立特許要件について以下検討する。
　本件発明１６と刊行物５に記載の発明とを対比すると、刊行物５に記載の「外枠フレーム６」、「外部リード部４」、「凹部９」は、本件発明１６の「外枠部」、「インナ・リード」、「肉薄部」に相当するから、両者は、「導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、を備えたり一ド・フレーム。」の点で一致する。
　しかしながら、本件発明１６の肉薄部を形成したリードはインナ・リードであるのに対し、刊行物５に記載の凹部９を形成したリードは外部リード部４である点（１）で相違し、さらに、本件発明１６が、インナ・リードの肉薄部の外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部を備え、複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成したのに対し、刊行物５には、このような構成を有していない点（２）で相違する。
　
　そこで、この相違点について検討すると、相違点（１）については、刊行物５に記載の外部リード部４は、インナーリード部３より外に向かって伸びているものであるから、外部リード部４に替えてインナーリード部３に凹部９を設けるようなことは適宜になし得るものである。
　しかしながら、相違点（２）については、刊行物６に、インナリードの一部に突起を形成して樹脂との接触面積を増加させて引き抜けを防止することが記載されており、この突起は本件発明６におけるストッパ部に相当するものの、刊行物６には、本件発明１６の構成要件である「複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成した」点については、何らの記載もなく示唆もない。
　そうしてみると、刊行物５に記載のリードフレームに刊行物６に記載の突起を適用しても、本件発明１６を容易に想到できるものではない。
　さらに、刊行物１〜３、７、８にも、幅広のパッド部を複数のインナ・リードの中途部分に形成したものは記載されていないし、示唆もされていない。
　
　そして、本件発明１６は、本件発明２と同様に、複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド部を形成することにより、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができるという訂正明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１６は、刊行物１〜３、５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４−７）本件発明１７と刊行物５とを対比すると、両者は、上記４−６）に記載したように、「導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、を備えたリード・フレーム。」の点で一致し、本件発明１７の肉薄部を形成したリードはインナ・リードであるのに対し、刊行物５に記載の凹部９を形成したリードは外部リード部４である点（１）で相違し、さらに、本件発明１７が、インナ・リードの肉薄部の外枠部とは逆側に形成され、且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部を備え、複数のインナ・リードに幅広のパッド領域を複数形成したのに対し、刊行物５には、このような構成を有していない点（２）で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、両者は、一致点及び相違点（１）については、上記４−６）における一致点及び相違点（１）と同じであるので、相違点（２）について検討すると、刊行物６には、インナリードの一部に突起を形成して、樹脂との接触面積を増加させて引き抜けを防止することが記載されており、この突起は本件発明１７におけるストッパ部に相当するものの、刊行物６には．本件発明１７の構成要件である「複数のインナ・リードに幅広のパッド領域を複数形成した」点については、何らの記載もなく示唆もない。
　そうしてみると、刊行物５に記載のリードフレームに刊行物６に記載の突起を適用しても、本件発明１７を容易に想到できるものではない。
　さらに、刊行物１〜３、７、８にも、幅広のパッド領域をインナ・リードに複数形成したものは記載されていないし、示唆もされていない。
　
　そして、本件発明１７は、インナ・リードに幅広のパッド領域を複数形成することにより、金属製の凸部の配置パターンを容易に変更できるという訂正明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１７は、刊行物１〜３、５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
４−８）本件発明１８は、本件発明１７を引用してさらに構成を限定するものであるから、上記本件発明１７と同じ理由により、刊行物１〜３、５〜８に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜理由２＞について
４−９）本件発明２と先願明細書に記載の発明とを対比すると、先願明細書に記載の「半導体チップ２」、「ボンデイングパッド３」、「導体層１０」、「半田バンプ５」及び「封止樹脂６」は、それぞれ本件発明２の「半導体ＩＣチップ」、「パッド」、「インナ・リード」、「金属製の凸部」及び「絶縁材料」に相当し、しかも、先願明細書に記載の「半田バンプ５」は、図１、２、２４、２５の記載からみて、同一高さにあることは明らかであるから、両者は、「半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に接着される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードを封止する絶縁部材と、を備えた半導体ＩＣチップ。」の点で一致する。
　しかしながら．本件発明２が、「前記インナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成した」のに対し、先願明細書に記載の発明は、このような構成を備えていない点で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、先願明細書の図１、２４には、幅広のパッド領域に相当するものが導体層１０、配線２７の先端部に記載されているものの、中途部分ではなく、中途部分に設けることが単なる設計的事項であるとも認められないから、本件発明２は先願明細書に記載の発明と同一ではない。
　
４−１０）本件発明３は、本件発明２を引用してさらに構成を限定するものであるから、本件発明２と同じ理由により、先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　
４−１１）本件発明４は、本件発明１〜３を引用してさらに構成を限定するものであるから、本件発明１〜３と同じ理由により、先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　
４−１２）本件発明５は、本件発明１〜４を引用してさらに構成を限定するものであるから、本件発明１〜４と同じ理由により、先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　
　したがって、本件発明１〜５、１６〜１８は、刊行物１〜３、５〜８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないし、また本件発明２〜５は、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることもできないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法（平成６年改正法）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例とされる、平成１１年改正前の同法第１２０条の４第３項において準用する同法（平成６年改正法）による改正前の同法第１２６条第１項ただし書き、第２項、及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］特許異議の申立て
（１）特許異議の申立ての概要
　異議申立人水野由起子は、訂正前の請求項１〜５、１６〜１８に係る発明は甲第１〜３、５〜８号証（刊行物１〜３、５〜８）に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し、また、訂正前の請求項２〜５に係る発明は甲第４号証（先願明細書）に記載の発明と同一であるから、同法第２９条の２の規定に該当し、特許を受けることができないものであり、訂正前の請求項１〜５、１６〜１８に係る発明についての特許は、いずれも同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張している。
　
（２）対比・判断
　本件発明１〜５、１６〜１８（訂正前の請求項１〜５、１６〜１８に係る発明に対応する。）は．いずれも上記［２］（３）４）において示した理由と同じ理由によって、甲第１〜３、５〜８号証に記載に発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができないものであり、また、訂正後の本件発明２〜５は、甲第４号証に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜５、１６〜１８についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５、１６〜１８についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜５、１６〜１８についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、特許法（平成６年改正法）附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月６日（２００１．２．６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１を、
　「半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に形成される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードの両面を封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの前記半導体ＩＣチップのパッドと電気的に接続される位置から前記金属製の凸部が形成される位置までの間を含む領域を、非磁性体金属膜で被覆し、前記金属製の凸部が前記非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着されていることを特徴とする半導体ＩＣチップのパッケージ。」と訂正する。
（２）特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項２を、
　「半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に接着される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードを封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成したことを特徴とする半導体ＩＣチップのパッケージ。」と訂正する。
（３）明りょうでない記載の釈明を目的として、請求項３を、
　「前記パッド領域に前記凸部を接着した請求項２記載の半導体ＩＣチップのパッケージ。」と訂正する。
（４）特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１６を、
　「導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成したことを特徴とするリード・フレーム。」と訂正する。
（５）特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１７を、
　「導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードもこ幅広のパッド領域を複数形成したことを特徴とするリード・フレーム。」と訂正する。
（６）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１１】を、
　「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、請求項１に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージは、半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に形成される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードの両面を封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの前記半導体ＩＣチップのパッドと電気的に接続される位置から前記金属製の凸部が形成される位置までの間を含む領域を、非磁性体金属膜で被覆し、前記金属製の凸部が前記非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着した。」と訂正する。
（７）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の段落【００１２】を、
　「また、上記目的を達成するために、請求項２に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージは、半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に接着される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リードを封止する絶縁部材と、を備え、前記インナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成した。
　そして、請求項３に係る発明は、上記請求項２に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージにおいて、前記パッド領域に前記凸部を接着した。
　さらに、請求項４に係る発明は、上記請求項１〜請求項３に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージにおいて、前記凸部を半田製とした。」と訂正する。
（８）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の段落【００１９】を、
　「一方、上記目的を達成するために、請求項１６に係る発明であるリード・フレームは、導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成した。」と訂正する。
（９）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の段落【００２０】を、
　「また、上記目的を達成するために、請求項１７に係る発明であるリード・フレームは、導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、前記複数のインナ・リードに幅広のパッド領域を複数形成した。
　そして、請求項１８に係る発明は、上記請求項１７に係る発明であるリード・フレームにおいて、前記パッド領域の一面であって前記複数のインナ・リード同士で同じ側を向く面を非磁性体金属膜で被覆した。」と訂正する。
（１０）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の段落【００２２】を、
　「【作用】
　請求項１に係る発明にあっては、半導体ＩＣチップの各パッドは各インナ・リードに導通し、それらインナ・リードは金属製の凸部を介してパッケージ外部と導通する。従って、その金属製の凸部を実装ボードの端子に電気的に接続することにより実装が完了する。この際、金属製の凸部は同じ高さであり且つその金属製の凸部が形成される各リード・フレームも同一平面内に位置するから、各金属製の凸部の端部は水平に保たれ、一括した半田付けも可能である。そして、インナ・リードは導電性材料からなるため、ガラス・エポキシ樹脂のように製造途中の加熱処理によって反ってしまう可能性は小さい。
　しかも、インナ・リードの非磁性体金属膜で被服された部分のインダクタンスが低くなるから、半導体ＩＣチップの高速スイッチング動作が容易になる。
　さらに、金属製の凸部が非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着されているから、金属製の凸部とインナ・リードとの接着が強固である。
　請求項２に係る発明にあっても、上記請求項１に係る発明と同様に、金属製の凸部を実装ボードの端子に電気的に接続することにより実装が完了し、各金属製の凸部の端部は水平に保たれ、一括した半田付けも可能であり、そして、インナ・リードはガラス・エポキシ樹脂のように製造途中の加熱処理によって反ってしまう可能性は小さい。
　さらに、請求項２に係る発明であれば、パッド領域が、半導体ＩＣチップを動作させる際に発生する熱の放散を促進させる。しかも、幅広のパッド領域を、インナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる。
　そして、請求項２に係る発明において．請求項３に係る発明のようにパッド領域に金属製の凸部が接着されると、パッド領域が幅広であることから、リード・フレームと金属製の凸部との結合が強固になる。」と訂正する。
（１１）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の段落【００３０】を、
　「ここで、請求項１６〜請求項１９に係る発明であるリード・フレームは、上記請求項６〜請求項１５に係る半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法を実行する上で好適なリード・フレームである。
　例えば、請求項１６及び１７に係る発明であれば、上記請求項９、請求項１０に係る発明と同様に、外枠部を容易に切り離すことができ、しかも外枠部を切り離す際の力でインナ・リードが誤って抜けてしまうようなことを防止できるインナ・リードとなる。
　さらに、請求項１６に係る発明であれば、幅広のパッド領域を、インナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる。
　また、請求項１７に係る発明であれば、半導体ＩＣチップで発生する熱の放散を促進できるインナ・リードとなるし、インナ・リードに複数の幅広のパッド領域を設けているから、金属製の凸部の配置パターンを容易に変更できる。
　そして、請求項１８に係る発明であれば、メッキ処理によって形成される金属製の凸部との結合が強固になる。さらに、請求項１９に係る発明であれば、メッキ条件が各インナ・リード同士で一致するようになる。」と訂正する。
（１２）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の段落【００６０】を、
　「【発明の効果】
　以上説明したように、請求項１に係る発明にあっては、導電性材料からなるリード・フレームを介して半導体ＩＣチップの各パッドとリード端子としての金属製の凸部とを接続し、金属製の凸部の先端部を除いた全体を絶縁材料で封止し、しかも、金属製の凸部を非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着する構成としたため、金属製の凸部の先端部の水平度を向上することができ、しかも耐久性を向上することができ、さらには、高速クロックで動作させる半導体ＩＣチップのパッケージに好適に用いることができ、またさらに、金属製の凸部とインナ・リードとの接着が強固であるという効果がある。
　また、請求項２に係る発明にあっては、金属製の凸部の先端部の水平度を向上することができ、しかも耐久性を向上することができ、さらには、半導体ＩＣチップを動作させる際に発生する熱の放散を促進させるパッド領域を設けたため、半導体ＩＣチップの安定した動作を確保でき、またさらに、幅広のパッド領域をインナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができるという効果がある。
　そして、請求項３に係る発明にあっては、上記請求項２に係る発明の効果に加えて、パッド領域に金属製の凸部を形成したため、リード・フレームと金属製の凸部との結合が強固になり、信頼性がさらに高くなるという効果がある。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体ＩＣチップのパッケージ及びその製造方法並びにリード・フレーム
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に形成される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リード
の両面
、前記金属製の凸部が前記非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着されている
　　【請求項２】　半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に
接着
の中途部分
　　【請求項３】　前記パッド領域に前記凸部を
接着
　　【請求項４】　前記凸部は半田製である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージ。
　　【請求項５】　前記絶縁部材はプラスチックである請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージ。
　　【請求項６】　外枠部の内側に複数のインナ・リードをそれぞれが同一平面内に位置するように形成してなる導電性材料製のリード・フレームを用意し、そのリード・フレームの一方の面側に電気的に絶縁した状態で半導体ＩＣチップを固定し、その半導体ＩＣチップの各パッドと前記インナ・リードとを電気的に接続し、前記インナ・リードの前記半導体ＩＣチップが固定されている側とは逆側の面の一部と前記外枠部全体とが外部に露出するように前記半導体ＩＣチップ及び前記リード・フレームを絶縁部材内に封止し、そして、前記外枠部を電極としてメッキ処理を行って前記インナ・リードの前記露出部分に同一高さの金属製の凸部を形成し、その後に、前記外枠部を切り離すことを特徴とする半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項７】　金型成形により前記半導体ＩＣチップ及び前記リード・フレームを前記絶縁部材内に封止し、その金型成形の際には、前記インナ・リードの前記露出する部分に金型の内面を密着させる請求項６記載の半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項８】　前記インナ・リードの前記凸部が形成される面を、その凸部を形成する前に非磁性体金属膜で被覆する請求項６又は請求項７記載の半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項９】　前記インナ・リードの前記外枠部に近接した部分に肉薄の部分を形成し、その肉薄の部分は前記絶縁部材内には封止せず、そして、その肉薄の部分を境に前記インナ・リードを切断して前記外枠部を切り離す請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項１０】　前記インナ・リードの前記絶縁部材に封止される領域の外端部分に、前記絶縁部材と強固に結合するストッパ部を形成した請求項６乃至請求項９のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項１１】　前記インナ・リードの前記外枠部側端部から前記凸部が形成される位置までの電気抵抗値を、前記複数のインナ・リード同士で一致させた請求項６乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項１２】　前記メッキ処理は半田メッキ処理である請求項６乃至請求項１１のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項１３】　前記メッキ処理の後に溶融アニール処理を行う請求項６乃至請求項１２のいずれかに記載の半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項１４】　パッケージ裏面にリード端子として複数の金属製の凸部を有する半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記金属製の凸部を半田メッキ処理によって形成することを特徴とする半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項１５】　パッケージ裏面にリード端子として複数の金属製の凸部を有する半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記金属製の凸部をメッキ処理によって形成し、前記メッキ処理の後に溶融アニール処理を行うことを特徴とする半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法。
　　【請求項１６】　導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え
、前記複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成し
　　【請求項１７】　
導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、
複数
ことを特徴とする
　　【請求項１８】　前記パッド領域の一面であって前記複数のインナ・リード同士で同じ側を向く面を非磁性体金属膜で被覆した請求項１７記載のリード・フレーム。
　　【請求項１９】　前記インナ・リードの前記外枠部側端部から前記パッド領域までの電気抵抗値を、前記複数のインナ・リード同士で一致させた請求項１７又は請求項１８記載のリード・フレーム。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　この発明は、半導体ＩＣチップのパッケージの構造及びその製造方法並びにリード・フレームに関し、特に、表面実装型の多端子ＬＳＩパッケージの一種であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）型のパッケージを改良したものである。
　【０００２】
　　【従来の技術】
　従来から高密度の表面実装型パッケージとして、外観四角形の各側面に一定ピッチでガル・ウイング状のリード端子（Ｇｕｌｌ　Ｗｉｎｇ　Ｔｙｐｅ　Ｌｅａｄ）を多数配置したクワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ：Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）が多く利用されている。その一方で、ＬＳＩの高密度化実装が進み、ＬＳＩが大規模化し且つ高速化されているため、リード端子の本数は増加傾向にある。
　【０００３】
　そして、リード端子の本数が増加すれば、パッケージの外形寸法をそのままにするには、ＱＦＰの構造から必然的に各リード端子間のピッチを狭くすることになるが、これでは、完成したパッケージを取り扱う際にピン曲がりが発生し易くなり、実装工程の歩留り悪化やテスト時の歩留り悪化という品質レベル低下の原因になってしまう。なお、リード端子間のピッチを広げるには、パッケージの外形寸法を大きくして各辺の長さを延ばせばよいのであるが、これではリード長が長くなるから、インダクタンス値が高くなり、ノイズ等の誘発原因となってしまう。このように、現在多用されているＱＦＰは、ＬＳＩの高密度化に十分に対応できないという大きな欠点を有している。
　【０００４】
　このようなＱＦＰが有する欠点を解決し得る従来の技術として、「日経エレクトロニクス」１９９４年２月１４日号（ｎｏ．６０１）の５９〜７３頁に開示されているボール・グリッド・アレイ・パッケージがある。
　即ち、ボール・グリッド・アレイ・パッケージは、上記文献の６１頁の図２に開示されるような構造を有していて、これを簡単に説明すれば、両面プリント配線基板に半導体ＩＣチップを搭載し、その配線基板の表面に形成された配線パターンの各配線と半導体ＩＣチップの各パッドとを、ワイヤ・ボンディングで電気的に接続する。基板表面側の配線は基板端部まで延びていて、その端部に形成されたスルーホールを介して基板底面側の配線端部に導通している。基板底面側の配線は、基板周縁部から基板中央部に向かって延びていて、各配線の先端部が格子状に並ぶようになっている。そして、その基板底面側の各配線の先端部に球形の半田（半田ボール）が固定されている。
　【０００５】
　このような構成であれば、リード端子として機能する半田ボールが２次元に配置されるから、端子ピッチが同じ端子数のＱＦＰに比べて非常に広くなり、しかも一括リフロで半田付けが可能であるため実装工程が簡易になるという利点を有している。
　【０００６】
　　【発明が解決しようとする課題】
　確かに従来のボール・グリッド・アレイ・パッケージであっても上述したような利点が期待できるのであるが、以下のような問題点を有しているため、ＱＦＰに取って代わる程に実用化は進んでいないのが現状である。
　即ち、従来のボール・グリッド・アレイ・パッケージが有する問題点とは、先ず製造上の問題として、両面配線基板としてガラス・エポキシ樹脂基板が使われているため、半導体ＩＣチップをダイ・ボンディング・エポキシ樹脂を介して配線基板に接着させそのエポキシ樹脂を加熱して硬化させる工程や、ダイ・ボンドされた半導体ＩＣチップの各パッドと基板表面の配線とをワイヤ・ボンディングにより電気的に接続する工程等の際に、配線基板に熱が加わると、基板自体に反りが発生する可能性が高い。そして、配線基板の水平度が悪化すると、後に固定される複数の半田ボールの水平面に対する端部の高さの均一性（半田ボール端部の水平度）が確保できなくなって、実装工程の際に接続不良が発生し易くなってしまう。
　【０００７】
　また、配線基板の底面側に半田ボールを固定する必要があるため、樹脂モールドされるのは半導体ＩＣチップが固定される配線基板の表面側だけとなってしまい、底面側の配線は外気に晒されてしまう。しかも、一方の面だけが樹脂モールドされると、その成形温度が１５０〜２００℃もあることから、常温に戻ったときにモールド樹脂と配線基板との熱膨張の差でやはり配線基板の水平度が悪化してしまい、上記と同様に半田ボール端部の水平度が確保できず、実装工程の際に接続不良が発生し易くなってしまう。
　【０００８】
　そして、一定寸法の半田ボールの製造自体が困難であるから、配線基板の水平度が高くても複数の半田ボールの水平面に対する端部の高さを均一にすることは容易ではないし、半田ボールの固定作業も非常に面倒であった。しかも、半田ボール端部の水平度の外観検査も極めて困難であった。
　次に、特性上の問題として、グリッド・アレイ状に配置される半田ボールのピッチを均一にするために、配線基板の表裏面間を導通させるスルーホールを基板周縁部に集中させているため、配線長が長くなり、インダクタンス及び電気抵抗値が増大し、ノイズ発生の可能性や信号の遅延を大きくし、特性劣化を招いてしまう。
　【０００９】
　また、信頼性の問題として、特に耐湿性の問題がある。つまり、ガラス・エポキシ樹脂とモールド樹脂との界面の密着力が弱いため、高温高湿試験，プレッシャ・クッカ試験等の環境試験において、従来のプラスチックＱＦＰに比べて耐久性が低いという欠点を有していた。
　そして、製造上の問題として、現在のボール・グリッド・アレイ・パッケージはガラス・エポキシ材料からなる配線基板を使用するため、従来のＱＦＰの製造に用いていた装置の兼用化が困難であり、上記半田ボール端部の水平度確保の困難性とも相まって、製造コストも増大する傾向にある。
　【００１０】
　本発明は、このような従来のボール・グリッド・アレイ・パッケージの種々の問題点に着目してなされたものであって、リード端子としての金属ボール端部の水平度を容易に確保でき、しかも製造コストの低減等も図ることができる半導体ＩＣチップのパッケージ，その製造方法及びそれに好適なリード・フレームを提供することを目的としている。
　【００１１】
　　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、請求項１に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージは、半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に形成される同一高さの金属製の凸部と、これら金属製の凸部の先端部分を露出させた状態で前記半導体ＩＣチップ及び前記インナ・リード
の両面
、前記金属製の凸部が前記非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着した
　【００１２】
　また、上記目的を達成するために、請求項２に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージは、半導体ＩＣチップの各パッドと電気的に接続され且つ同一平面内に配置される導電性材料からなる複数のインナ・リードと、これらインナ・リードの前記半導体ＩＣチップが配置される側とは逆側の面に
接着
の中途部分
　そして、請求項３に係る発明は、上記請求項２に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージにおいて、前記パッド領域に前記凸部を
接着
　さらに、請求項４に係る発明は、上記請求項１〜請求項３に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージにおいて、前記凸部を半田製とした。
　【００１３】
　そして、請求項５に係る発明は、上記請求項１〜請求項４に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージにおいて、前記絶縁部材をプラスチックとした。
　【００１４】
　また、上記目的を達成するために、請求項６に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法は、外枠部の内側に複数のインナ・リードをそれぞれが同一平面内に位置するように形成してなる導電性材料製のリード・フレームを用意し、そのリード・フレームの一方の面側に電気的に絶縁した状態で半導体ＩＣチップを固定し、その半導体ＩＣチップの各パッドと前記インナ・リードとを電気的に接続し、前記インナ・リードの前記半導体ＩＣチップが固定されている側とは逆側の面の一部と前記外枠部全体とが外部に露出するように前記半導体ＩＣチップ及び前記リード・フレームを絶縁部材内に封止し、そして、前記外枠部を電極としてメッキ処理を行って前記インナ・リードの前記露出部分に同一高さの金属製の凸部を形成し、その後に、前記外枠部を切り離すようにした。
　【００１５】
　そして、請求項７に係る発明は、上記請求項６に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、金型成形により前記半導体ＩＣチップ及び前記リード・フレームを前記絶縁部材内に封止し、その金型成形の際には、前記インナ・リードの前記露出する部分に金型の内面を密着させるようにした。
　さらに、請求項８に係る発明は、上記請求項６及び請求項７に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記インナ・リードの前記凸部が形成される面を、その凸部を形成する前に非磁性体金属膜で被覆するようにした。
　【００１６】
　また、請求項９に係る発明は、上記請求項６〜請求項８に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記インナ・リードの前記外枠部に近接した部分に肉薄の部分を形成し、その肉薄の部分は前記絶縁部材内には封止せず、そして、その肉薄の部分を境に前記インナ・リードを切断して前記外枠部を切り離すようにした。
　【００１７】
　そして、請求項１０に係る発明は、上記請求項６〜請求項９に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記インナ・リードの前記絶縁部材に封止される領域の外端部分に、前記絶縁部材と強固に結合するストッパ部を形成した。
　さらに、請求項１１に係る発明は、上記請求項６〜請求項１０に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記インナ・リードの前記外枠部側端部から前記凸部が形成される位置までの電気抵抗値を、前記複数のインナ・リード同士で一致させた。
　【００１８】
　またさらに、請求項１２に係る発明は、上記請求項６〜請求項１１に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記メッキ処理を半田メッキ処理とした。
　そして、請求項１３に係る発明は、上記請求項６〜請求項１２に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記メッキ処理の後に溶融アニール処理を行うようにした。
　また、上記目的を達成するために、請求項１４に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法は、パッケージ裏面にリード端子として複数の金属製の凸部を有する半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記金属製の凸部を半田メッキ処理によって形成するようにした。
　さらに、上記目的を達成するために、請求項１５に係る発明である半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法は、パッケージ裏面にリード端子として複数の金属製の凸部を有する半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法において、前記金属製の凸部をメッキ処理によって形成し、前記メッキ処理の後に溶融アニール処理を行うようにした。
　【００１９】
　一方、上記目的を達成するために、請求項１６に係る発明であるリード・フレームは、導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え
、前記複数のインナ・リードの中途部分に幅広のパッド領域を形成し
　【００２０】
　また、
上記目的を達成するために、
であるリード・フレーム
導電性材料からなる外枠部と、この外枠部の内側に水平に支持された導電性材料からなる複数のインナ・リードと、このインナ・リードの前記外枠部側端部近傍に形成された肉薄部と、前記インナ・リードの前記肉薄部の前記外枠部とは逆側に形成され且つそのインナ・リードが絶縁部材内に封止された場合にその絶縁部材と強固に結合するストッパ部と、を備え、
複数
　そして、請求項１８に係る発明は、上記請求項１７に係る発明であるリード・フレームにおいて、前記パッド領域の一面であって前記複数のインナ・リード同士で同じ側を向く面を非磁性体金属膜で被覆した。
　【００２１】
　さらに、請求項１９に係る発明は、上記請求項１７及び請求項１８に係る発明であるリード・フレームにおいて、前記インナ・リードの前記外枠部側端部から前記パッド領域までの電気抵抗値を、前記複数のインナ・リード同士で一致させた。
　【００２２】
　　【作用】
　請求項１に係る発明にあっては、半導体ＩＣチップの各パッドは各インナ・リードに導通し、それらインナ・リードは金属製の凸部を介してパッケージ外部と導通する。従って、その金属製の凸部を実装ボードの端子に電気的に接続することにより実装が完了する。この際、金属製の凸部は同じ高さであり且つその金属製の凸部が形成される各リード・フレームも同一平面内に位置するから、各金属製の凸部の端部は水平に保たれ、一括した半田付けも可能である。そして、インナ・リードは導電性材料からなるため、ガラス・エポキシ樹脂のように製造途中の加熱処理によって反ってしまう可能性は小さい。
　しかも、インナ・リードの非磁性体金属膜で被服された部分のインダクタンスが低くなるから、半導体ＩＣチップの高速スイッチング動作が容易になる。
　さらに、金属製の凸部が非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着されているから、金属製の凸部とインナ・リードとの接着が強固である。
　請求項２に係る発明にあっても、上記請求項１に係る発明と同様に、金属製の凸部を実装ボードの端子に電気的に接続することにより実装が完了し、各金属製の凸部の端部は水平に保たれ、一括した半田付けも可能であり、そして、インナ・リードはガラス・エポキシ樹脂のように製造途中の加熱処理によって反ってしまう可能性は小さい。
　さらに、請求項２に係る発明であれば、パッド領域が、半導体ＩＣチップを動作させる際に発生する熱の放散を促進させる。
しかも、幅広のパッド領域を、インナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる。
　そして、請求項２に係る発明において、請求項３に係る発明のようにパッド領域に金属製の凸部が
接着
　【００２３】
　特に、請求項４に係る発明であれば、金属製の凸部自体が半田製であるから、実装の際に加熱するだけで一括リフロ・半田付けが行われる。
　また、請求項５に係る発明であれば、封止する絶縁部材がプラスチックであるため、既存の設備を利用して大量生産が可能である。
　【００２４】
　【００２５】
　【００２６】
　また、請求項６に係る発明であれば、半導体ＩＣチップ及びリード・フレームを絶縁部材内に封止した段階では、リード・フレームの外枠部の全体と、インナ・リードの半導体ＩＣチップが固定されている側とは逆側の面の一部とが、絶縁部材から露出しているから、リード・フレームの外枠部を電極としてメッキ処理を行うと、各インナ・リードの露出している部分に金属の膜が形成される。従って、そのメッキ処理を所定時間連続すれば、各リード・フレームの露出している部分に金属製の凸部が形成される。この場合、メッキ処理の条件（電流分布状態等）を金属製の凸部が形成される位置間で一致させるだけで、各凸部の高さは一定になる。そして、凸部が形成された後に外枠部を切り離せば、各インナ・リード同士は電気的に独立する。
　【００２７】
　そして、請求項７に係る発明であれば、金型成形の際に金型が接触している部分には絶縁材料は付着しないから、インナ・リードの一部を外部に露出させる開口部が、封止工程と同時に形成される。従って、絶縁材料で全体を封止した後でインナ・リードの一部を露出させるための開口処理を行う必要はない。そして、単なる接触ではなく、金型の内面を密着させるため、開口部の深さは高い精度で一定になる。
　【００２８】
　さらに、請求項８に係る発明であれば、メッキ処理によって形成される金属製の凸部とインナ・リードとが強固に接着される。
　また、請求項９に係る発明であれば、インナ・リードを肉薄部で切断することは容易であるから、外枠部を容易に切り離せる。
　そして、請求項１０に係る発明であれば、インナ・リードの抜け方向への移動がストッパ部によって妨げられるから、外枠部を切り離す際の力でインナ・リードが誤って抜けてしまうようなことがない。
　【００２９】
　さらに、請求項１１に係る発明であれば、メッキ処理の条件が金属製の凸部が形成される位置間で一致する。
　また、請求項１２に係る発明であれば、金属製の凸部として半田製の凸部が形成される。
　そして、請求項１３に係る発明であれば、溶融アニール処理によって金属製の凸部とインナ・リードとの間の結合状態が良好になる。
　また、請求項１４に係る発明であれば、半導体ＩＣチップのパッケージを製造するに当たり、リード端子としての金属製の凸部を半田メッキ処理によって形成するため、複数の金属製の凸部の高さが一定になる。即ち、半田メッキ処理の条件（電流分布状態等）を金属製の凸部が形成される位置間で一致させるだけで、各凸部の高さは一定になる。
　さらに、請求項１５に係る発明であれば、半導体ＩＣチップのパッケージを製造するに当たり、リード端子としての金属製の凸部をメッキ処理によって形成するため、複数の金属製の凸部の高さが一定になる。即ち、メッキ処理の条件（電流分布状態等）を金属製の凸部が形成される位置間で一致させるだけで、各凸部の高さは一定になるし、溶融アニール処理によって金属製の凸部とインナ・リードとの間の結合状態が良好になる。
　【００３０】
　ここで、請求項１６〜請求項１９に係る発明であるリード・フレームは、上記請求項６〜請求項１５に係る半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法を実行する上で好適なリード・フレームである。
　例えば、請求項１６
及び１７
　さらに、請求項１６に係る発明であれば、
幅広のパッド領域を、インナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができる。
　また、請求項１７に係る発明であれば、半導体ＩＣチップで発生する熱の放散を促進できるインナ・リードとなる
し、インナ・リードに複数の幅広のパッド領域を設けているから、金属製の凸部の配置パターンを容易に変更できる。
　そして、請求項１８に係る発明であれば、メッキ処理によって形成される金属製の凸部との結合が強固になる。さらに、請求項１９に係る発明であれば、メッキ条件が各インナ・リード同士で一致するようになる。
　【００３１】
　　【実施例】
　以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
　図１乃至図５は本発明の第１実施例を示す図であって、各図は半導体ＩＣチップのパッケージング工程を説明するための図であり、完成した状態は図５に示される。
　【００３２】
　このパッケージング工程を順番に説明すると、先ず図１に示すように、半導体ＩＣチップ１を、リード・フレーム２上に絶縁接着剤３を介して電気的に絶縁した状態で固定する。
　ここで、リード・フレーム２を形成する材料には、導電性材料である金属であればいかなる材料を用いても構わないが、半導体ＩＣチップ１を特に高速のクロック（例えば、２００ＭＨｚ）で動作させるような場合には、低インダクタンスの非磁性体材料（例えば、Ｃｕ系合金材料）を用いることが好ましい。また、リード・フレーム２は、従来のパッケージに用いられていたリード・フレームと基本的には同じであり、薄い金属板（例えば、０．１ｍｍ厚のＣｕ系合金板）を所定の形状にエッチング或いはスタンピングにより加工して所定パターンに形成される。なお、図１その他の図面は、図示及び説明を容易にするため、リード・フレーム２等の極薄い部材をやや厚めに描いている。
　【００３３】
　図２は、本実施例に適用されるリード・フレーム２の平面形状の一例を示している。即ち、リード・フレーム２は、長方形状の枠である外枠部２Ａと、この外枠部２Ａの内側面から水平に内側に向かって延びる多数のインナ・リード２Ｂ，…，２Ｂと、これらインナ・リード２Ｂ，…，２Ｂと平行に形成され且つ先端が破線で示す領域（後に半導体ＩＣチップ１が固定される領域）に至る支持用腕２Ｃとから構成されている。なお、各インナ・リード２Ｂは、外枠部２Ａに対して水平になっているため、同一平面内に位置するようになっている。
　【００３４】
　また、各インナ・リード２Ｂは、その基端部が結合される外枠部２Ａの内側面に対して垂直に延びる細長い薄板状に形成されていて、その中途部分には、隣合ったインナ・リード２Ｂ同士では長手方向で前後にずれるように、幅広のパッド部２ａが複数（本実施例では、二つずつ）設けられている。ただし、各インナ・リード２Ｂ同士は、外枠部２Ａを介してのみ導通するように、異なるインナ・リード２Ｂのパッド部２ａ，２ａ同士も非接触となっている。
　【００３５】
　各インナ・リード２Ｂに設けられている二つのパッド部２ａのうちの一方の裏面側には、図２に破線○印で示すように金属製の凸部としての半田ボール４が形成されるのであるが、いずれのパッド部２ａに半田ボール４を形成するかは任意である。ただし、インナ・リード２Ｂの半田ボール４が形成されるパッド部２ａから外枠部２Ａとの結合部分までの間の電気抵抗値を、各インナ・リード２Ｂ同士で同じ大きさにしている。具体的には、外枠部２Ａとこれに最も近いパッド部２ａとの間のインナ・リード２Ｂの幅寸法を、そのパッド部２ａが外枠部２Ａに近いインナ・リード２Ｂでは相対的に細く、パッド部２ａが外枠部２Ａから遠いインナ・リード２Ｂでは相対的に太くすることにより、各インナ・リード２Ｂの外枠部２Ａとこれに最も近いパッド部２ａとの間の電気抵抗値を同じ大きさにするとともに、各パッド部２ａ間の幅を比較的太くしてこの部分の電気抵抗値を十分に小さくして、各インナ・リード２Ｂの半田ボール４が形成されるパッド部２ａと外枠部２Ａとの間の電気抵抗値を実質的に同じ大きさにしている。
　【００３６】
　なお、インナ・リード２Ｂ全体を十分に太くして長さによる電気抵抗値の違いを小さくし、もって各インナ・リード２Ｂの半田ボール４が形成されるパッド部２ａと外枠部２Ａとの間の電気抵抗値を実質的に同じ大きさにすることも考えられるが、これでは後に外枠部２Ａを切り離す際の作業性が悪くなってしまう。
　さらに、各インナ・リード２Ｂ及び支持用腕２Ｃの外枠部２Ａに近接した部分には、他の部分よりも肉薄の凹部２ｂが形成されている。ただし、この凹部２ｂは、少なくともその一部分が、図２に一点鎖線で示す後に樹脂モールドされる領域の外側に位置するように形成されている。
　【００３７】
　また、各パッド部２ａの裏面は、非磁性材料であるＡｕ，Ａｇ若しくはパラジューム（これらのうち、Ａｕが最も好ましい）からなる１．０〜１０．０μｍ程度の非磁性金属膜としての薄膜５で被覆されている。薄膜５は、各インナ・リード２Ｂの両方のパッド部２ａに対して設けてもよいが、少なくとも半田ボール４が形成されるパッド部２ａに対して設ければよい。なお、図１その他の図面では、一つのインナ・リード２Ｂの二箇所に薄膜５が設けられているようにも見えるが、断面図である図１で一番手前のインナ・リード２Ｂの他に、それよりも奥側のインナ・リード２Ｂに形成された薄膜５が見えているだけである。
　【００３８】
　そして、このようなリード・フレーム２の上面の図２破線で示す四角い領域に半硬化状態のポリイミド系若しくはエポキシ系の絶縁接着剤３を塗布し、その上に半導体ＩＣチップ１を乗せてから１５０〜２５０℃の範囲で絶縁接着剤３を熱硬化させて、半導体ＩＣチップ１をリード・フレーム２上に電気的に絶縁した状態で固定する。その後、半導体ＩＣチップ１の各パッドと一のインナ・リード２Ｂとを、例えば２５μｍ径のＡｕ又はＡｌ等からなるワイヤ６を介して電気的に接続する。ワイヤ６による接続は、通常のワイヤ・ボンディングと同様に行われる。
　【００３９】
　この場合、図１に示すように、各インナ・リード２Ｂの表面のうち、ワイヤ６が接続される部分から、後に半田ボールが形成されるパッド部２ａまでの間を含む領域を、非磁性材料であるＡｕ，Ａｇ若しくはパラジュームからなる１．０〜１０．０μｍ程度の非磁性金属膜としての薄膜７で被覆することが好ましい。
　なお、薄膜７は、強度上の関係等からリード・フレーム２を非磁性材料以外の金属（例えば、鉄系材料）で形成した場合に必要なものであって、リード・フレーム２自体が非磁性材料からなる場合には、薄膜７は省略してもよい。
　【００４０】
　また、薄膜７でインナ・リード２Ｂ全体を被覆してもよく、その場合には薄膜５は省略することができる。ただし、薄膜７をＡｕ以外の非磁性材料から形成した場合には、薄膜７で覆われたパッド部２ａの裏面上をさらにＡｕからなる薄膜５で被覆することが好ましい。
　ワイヤ６による全ての接続が完了したら、図３に示すように、全体をプラスチック・モールド成形金型１０内に装填する。このプラスチック・モールド成形金型１０は、上金型１０Ａ及び下金型１０Ｂからなり、半導体ＩＣチップ１が固定された状態のリード・フレーム２を上下から挟み込むようになっている。
　【００４１】
　プラスチック・モールド成形金型１０は、リード・フレーム２の略全体を樹脂でモールドするような空間１０Ｃを上金型１０Ａ及び下金型１０Ｂによって形成するようになっている。しかし、下金型１０Ｂには、後に半田ボールが形成されるパッド部２ａ（薄膜５が形成されたパッド部２ａ）に接触して樹脂の付着を防止する複数の凸部１１，…，１１が形成されるとともに、外枠部２Ａ及び各インナ・リード２Ｂの凹部２ｂ中央部よりも基端側の部分は、樹脂注入口１２に位置する部分を除いて上金型１０Ａ及び下金型１０Ｂ間に挟まれるようになっている。なお、凸部１１，…，１１は、後に下金型１０Ｂの離脱を容易にするため、円錐形の上半分程度を水平に切り取った形状となっている。
　【００４２】
　そして、樹脂注入口１２から樹脂を注入してこれを硬化させ、上金型１０Ａ及び下金型１０Ｂを取り外せば、図４に示すように、半導体ＩＣチップ１及びリード・フレーム２の表裏面全体が絶縁部材としてのモールド樹脂１３で封止されることになるが、凸部１１が存在した領域にテーパ穴１４が形成されるため、後に半田ボールが形成されるパッド部２ａ（薄膜５が形成されたパッド部２ａ）の中央部分は外部に露出するし、外枠部２Ａ及び各インナ・リード２Ｂの凹部２ｂ中央部よりも基端側の部分も外部に露出する。
　【００４３】
　図３に戻って、下金型１０Ｂ内には、これを水平に貫通する横穴１０ａと、この横穴１０ａから上方に延びて各凸部１１の先端面で開口する縦穴１０ｂ，…，１０ｂとが形成されていて、金型成形の際には、その横穴１０ａから空気を吸い出し真空状態とし、これにより（つまり、真空チャックにより）各パッド部２ａを凸部１１の先端面に密着させるようになっている。このため、下金型１０Ｂによるモールド樹脂１３成形精度が極めて高くなり、特に各テーパ穴１４の深さ寸法が均一化される。
　【００４４】
　図４の状態となったら、２００ｃｃ前後のＯ２雰囲気とし、電力４０Ｗで１５分程度プラズマエッチングを行って、プラスチック・モールド成形の際に発生した樹脂バリを除去する。
　そして、樹脂バリが除去されたら、その前処理として希塩酸で脱脂処理を行ってから、半田メッキ処理に移行する。具体的には、テーパ穴１４を通じて露出している薄膜５上が半田でメッキされるように、半導体ＩＣチップ１が固定されていないリード・フレーム２の裏面側を下にして半田メッキ槽に浸漬し、外枠部２Ａを電極として半田メッキ処理を行う。
　【００４５】
　即ち、外枠部２Ａは全てのインナ・リード２Ｂ，…，２Ｂと電気的に導通しており、しかも外枠部２Ａから各インナ・リード２Ｂ，…，２Ｂの半田ボールが形成されるパッド部２ａ（薄膜５が形成されたパッド部２ａ）までの電気抵抗値は一定であるため、メッキ面としてのパッド２ａに流れる電流が均一となり、図５に示すように、極めて均一性に優れた金属製の凸部としての半球状の半田ボール４，…，４が形成される。しかも、メッキ面としてのパッド２ａの裏面側を薄膜５で被覆しているため、半田との密着性が高くなり、このことも均一性に優れた半田ボール４，…，４を形成することに寄与している。さらには、リード・フレーム２が金属製であるから、ガラス・エポキシ樹脂基板を用いる場合に比べて熱処理工程等の影響によって反りが発生する可能性は極めて小さく、これによっても半田ボール４，…，４の先端部の水平度を、従来のボール・グリッド・アレイに比べて向上することができる。
　【００４６】
　所望高さの半田ボール４，…，４が形成されたら、半田メッキ処理を終え、最後に外枠部２Ａを切り離して製品として完成させる。なお、外枠部２Ａの切り離しは、各インナ・リード２Ｂを他の部分に比べて肉薄の凹部２ｂを境に切断することにより行われるから、簡単な作業で済むようになっている。
　そして、各半田ボール４，…，４は、インナ・リード２Ｂ及びワイヤ６を介して半導体ＩＣチップ１のパッドに導通しているため、従来のパッケージのリード端子としての働きを有している。従って、実装の際には、それら半田ボール４，…，４をボードの所定位置に形成された端子に導通させればよいのであるが、通常のボール・グリッド・アレイと同様に半田ボール４，…，４がパッケージの裏面にグリッド・アレイ状に配置されているため、それら半田ボール４，…，４を同時に加熱して溶融させれば、一括リフロ半田付けにより実装が完了する。従って、実装工程を非常に効率的に行うことができるし、特に熟練度を必要としないためコスト低減にも有利である。
　【００４７】
　しかも、本実施例にあっては、上述したように各半田ボール４，…，４が極めて高い精度で均一に形成されており、各半田ボール４，…，４の先端部の水平度をサブ・ミクロン単位で均一にできるため、一括リフロ半田付けの際に接続不良が発生する可能性が極めて小さくなる。また、上述したように、メッキ面としてのパッド２ａの裏面側を薄膜５で被覆しているため、半田との密着性が高くなるから、半導体ＩＣチップ１の動作上の信頼性を高くすることができる。
　【００４８】
　そして、半田ボール４，…，４を一つずつ固着するのではなく、半田メッキ処理によって一括して形成することができるため、作業性が極めて向上するし、固着不良や固着漏れの心配もないから、歩留りも向上するという利点がある。
　また、各半田ボール４，…，４は、インナ・リード２Ｂ及びワイヤ６を介して半導体ＩＣチップ１のパッドに導通する構成であるため、配線長が長くなってしまうこともないから、インダクタンスや抵抗値の増大を招くことがなく、ノイズや遅延の発生のような特性劣化の原因が生じないという利点もある。
　【００４９】
　さらに、リード端子としての半田ボール４，…，４の先端部分を除いた全体がモールド樹脂１３内に封止されるため、従来のボール・グリッド・アレイに比べて耐久性も向上する。特に、リード・フレーム２とモールド樹脂１３との密着力が強いから、耐湿性に関して従来のプラスチックＱＦＰと同等のレベルを得ることができる。
　【００５０】
　そして、半田メッキ処理を除いては従来のプラスチックＱＦＰの製造工程と大きな違いはないから、従来の製造装置の兼用化が容易であり、新規導入時の製造コストを低く抑えることができる。特に本実施例では、金型成形により樹脂モールドをし、その際に同時にテーパ穴１４を開口させるようにしているため、メッキ面を露出させるために後に開口処理を行う必要がなく、その分効率的な作業が行える。
　【００５１】
　また、本実施例では、各インナ・リード２Ｂに、半田ボール４が形成されるパッド部２ａの他に半田ボール４が形成されないパッド部２ａを設けているが、これは、半導体ＩＣチップ１の動作時に発生する熱の放散を促進させて、半導体ＩＣチップ１の安定した動作を確保するためである。従って、半田ボール４が形成されないパッド部２ａを二つ以上設けるようにしてもよいし、レイアウト上の制約から複数のパッド部２ａを設けることが困難なインナ・リード２Ｂに関しては半田ボール４が形成されるパッド部２ａのみを設けるようにしてもよい。
　【００５２】
　しかし、本実施例のように一つのインナ・リード２Ｂに複数のパッド部２ａが設けられていれば、半田ボール４，…，４の配置パターンを容易に変更できるという利点もある。特に、上記実施例では、幅寸法を適宜選定することにより外枠部２Ａとこれに最も近いパッド部２ａとの間の電気抵抗値を同じ大きさにするとともに、一つのインナ・リード２Ｂに設けられたパッド２ａ間の電気抵抗値を十分小さくすることにより、外枠部２Ａと各パッド２ａとの間の電気抵抗値を実質的に同じ大きさとしているため、リード・フレーム２の形状を変更しなくても、半田ボール４が形成されるパッド２ａを変更することが可能である。
　【００５３】
　そして、半田ボール４を幅広のパッド部２ａに形成するようにしてるため、半田ボール４とインナ・リード２Ｂとの間の電気抵抗値を大きくしてしまうようなことも回避される。
　さらに、本実施例では、リード・フレーム２をＣｕ系合金等の非磁性材料から成形しない場合には、各インナ・リード２Ｂの表面のうち、ワイヤ６が接続される部分から半田ボール４が形成されるパッド部２ａまでの間を含む領域を薄膜７で被覆するようにしているため、インナ・リード２Ｂの導通部分のインダクタンスを低く抑えることができ、半導体ＩＣチップ１を高速クロックで動作させる場合に好適である。なお、リード・フレーム２の厚さは非常に薄いため、薄膜７はインナ・リード２Ｂの上面側のみを被覆するようにしても十分な作用効果が期待できるが、インナ・リード２Ｂの全面を薄膜７で被覆した方が、高速スイッチング動作をさせる上では望ましい。
　【００５４】
　図６は本発明の第２実施例の要部を示す図であって、図６（ａ）はリード・フレーム２の部分的な平面図、同（ｂ）はその側面図である。なお、上記第１実施例と同様の構成には同じ符号を付し、その重複する説明は省略する。
　即ち、本実施例では、各インナ・リード２Ｂの凹部２ｂよりも先端側に、ストッパ部２０を設けている。本実施例のストッパ部２０は、凹部２ｂ側が幅広の三角形状をなし、その中央部をスルーホール２０ａが上下に貫通して構成されている。
　【００５５】
　従って、後に上記第１実施例で説明した工程によって樹脂モールドされると、そのストッパ部２０のスルーホール２０ａ内にも樹脂が入り込んで結合が強固になるとともに、三角形状のストッパ部２０がインナ・リード２Ｂの引抜き方向に対して大きな抵抗となる。このため、外枠部２Ａを切り離す際に誤ってインナ・リード２Ｂが脱落してしまったり或いは延びてしまったりすることを防止することができるから、歩留りを向上することができる。その他の作用効果は、上記第１実施例と同様である。
　【００５６】
　なお、上記各実施例では、半田メッキ処理で半田ボール４を形成した後に特別な後処理を行うようにはしていないが、例えば、半田ボール４が形成された後に全体を裏返して２５０℃程度で溶融アニール処理を行えば、半田ボール４とインナ・リード２Ｂとの密着性をさらに良好にし、且つ、一定量の半田のために表面張力によるボール高さを揃えることができ、信頼性をさらに高くすることができる。なお、この溶融アニール処理は、半導体ＩＣチップ１やモールド樹脂１３等への影響を考慮して、レーザ・アニール処理とすることが好ましい。
　【００５７】
　また、上記各実施例では、全体を封止する絶縁材料としてプラスチックを用いているが、適用可能な絶縁材料はこれに限定されるものではなく、例えばガラスのようなものであってもよい。
　そして、上記各実施例では、下金型１０Ｂの凸部１１を真空チャックによりパッド部２ａに密着させるようにしているが、密着させる手段はこれに限定されるものではなく、例えば磁気により密着させてもよい。
　【００５８】
　さらに、上記各実施例では、一つの半導体ＩＣチップ１を一つのリード・フレーム２に固定しこれを封止するようにしているが、これに限定されるものではなく、複数の半導体ＩＣチップ１を一つのリード・フレーム２を利用してパッケージングするようにしてもよい。
　また、リード・フレーム２の形状は上記各実施例で示した形状に限定されるものではなく、例えば外枠部２Ａを円形若しくは六角形，八角形等の多角形状としてもよい。
　【００５９】
　そして、上記各実施例では、金属製の凸部として半田ボール４を形成しているが、金属製の凸部の形状は球形，半球形に限定されるものではなく、他の形状であってもよい。また、半田以外の金属を用いてもよい。
　【００６０】
　　【発明の効果】
　以上説明したように、請求項１に係る発明にあっては、導電性材料からなるリード・フレームを介して半導体ＩＣチップの各パッドとリード端子としての金属製の凸部とを接続し、金属製の凸部の先端部を除いた全体を絶縁材料で封止
し、しかも、金属製の凸部を非磁性体金属膜を介して前記インナ・リードに接着
、またさらに、金属製の凸部とインナ・リードとの接着が強固であ
　また、請求項２に係る発明にあっては、金属製の凸部の先端部の水平度を向上することができ、しかも耐久性を向上することができ、さらには、半導体ＩＣチップを動作させる際に発生する熱の放散を促進させるパッド領域を設けたため、半導体ＩＣチップの安定した動作を確保でき
、またさらに、幅広のパッド領域をインナ・リードの中途部分に形成しているから、隣合ったインナ・リード同士では長手方向で前後にずれるように幅広のパッド領域を設けることができ
　そして、請求項３に係る発明にあっては、上記請求項２に係る発明の効果に加えて、パッド領域に金属製の凸部を形成したため、リード・フレームと金属製の凸部との結合が強固になり、信頼性がさらに高くなるという効果がある。
　【００６１】
　特に、請求項４に係る発明であれば、金属製の凸部自体を半田製としたため、実装の際に加熱するだけで一括リフロ・半田付けが行われるから、実装作業を効率的に行えるという効果がある。
　また、請求項５に係る発明であれば、封止する絶縁部材をプラスチックとしたため、既存の設備を利用して大量生産が可能であるから、新規導入する際にコスト的に有利であるという効果がある。
　【００６２】
　【００６３】
　【００６４】
　そして、請求項６に係る発明であれば、リード端子としての金属製の凸部の高さを容易に一定にすることができるから、実装工程の際に接続不良が発生する可能性を極めて小さくすることができるとともに、リード・フレームの外枠部をメッキ処理時の電極として利用するようにしたため、金属製の凸部の高さを同一にするメッキ処理を容易に行うことができるという効果がある。
　特に、請求項７に係る発明であれば、インナ・リードの一部を外部に露出させる開口部を封止工程と同時に形成できるから、作業効率が向上するとともに、金型の内面を密着させるため、後のメッキ処理で形成される金属製の凸部の高さを確実に一定にすることができるという効果がある。
　【００６５】
　そして、請求項８に係る発明であれば、メッキ処理によって形成される金属製の凸部とインナ・リードとを強固に接着することができるから、半導体ＩＣチップの動作上の信頼性を向上することができるという効果がある。
　また、請求項９に係る発明であれば、外枠部を容易に切り離せるから、作業効率が向上するという効果がある。
　【００６６】
　そして、請求項１０に係る発明であれば、インナ・リードの抜け方向への移動がストッパ部によって妨げられるから、外枠部を切り離す際の力でインナ・リードが誤って抜けてしまうようなことを防止でき、歩留りを向上できるという効果がある。
　さらに、請求項１１に係る発明であれば、各金属製の凸部の高さを確実に一定にできるという効果がある。
　【００６７】
　また、請求項１２、１４に係る発明であれば、金属製の凸部として半田製の凸部を形成するようにしたため、実装工程が容易になるという効果がある。
　そして、請求項１３、１５に係る発明であれば、メッキ処理の後に溶融アニール処理を行うようにしたため、信頼性がさらに向上するという効果がある。
　さらに、請求項１６〜請求項１９に係る発明であれば、上記請求項６〜請求項１５に係る半導体ＩＣチップのパッケージの製造方法を実行する上で好適なリード・フレームを提供することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　パッケージング工程の第１段階を示す断面図である。
　【図２】
　リード・フレームの一例を示す平面図である。
　【図３】
　パッケージング工程の第２段階を示す断面図である。
　【図４】
　パッケージング工程の第３段階を示す断面図である。
　【図５】
パッケージング工程が完了した状態を示す断面図である。
　【図６】
第２実施例の要部を示す図である。
　【符号の説明】
１　　　　半導体ＩＣチップ
２　　　　リード・フレーム
２Ａ　　　外枠部
２Ｂ　　　インナ・リード
２ａ　　　パッド部
２ｂ　　　凹部（肉薄部）
４　　　　半田ボール（金属製の凸部）
１０　　　プラスチック・モールド成形金型
１３　　　モールド樹脂
２０　　　ストッパ部