【事件の表示】
　特許第２９６３８５５号「半導体素子の重畳測定マーク及びこれを用いた半導体素子の多重パターン間の重畳誤差測定方法」の請求項１、５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９６３８５５号の請求項１、５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．　本件発明　
　本件特許第２９６３８５５号（平成６年１２月２７日（パリ条約による優先権主張１９９３年１２月２７日、韓国）出願、平成１１年８月６日設定登録）の請求項１〜８に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりの、「半導体素子の重畳測定マーク及びこれを用いた半導体素子の多重パターン間の重畳誤差測定方法」と認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）及び請求項５に係る発明（以下、「本件発明５」という。）はそれぞれ次のとおりである。
　
［本件発明１］
　「半導体素子の重畳測定マークにおいて、スクライブラインのＹ−軸に平行な状態で一定間隔が離隔するように形成される２個の第１重畳マークと、前記スクライブラインのＸ−軸に平行な状態で一定間隔が離隔するように形成される２個の第２重畳マークと、前記第１及び第２重畳マークによって形成された四角形の外側ボックスの内側に形成される第３重畳マークからなることを特徴とする半導体素子の重畳測定マーク。」
　
［本件発明５］
 「半導体素子の多重パターン間の重畳誤差測定方法において、プロダクトダイス（Ｐｒｏｄｕｃｔ　ｄｉｃｅ）上に形成された第１パターンと第３パターン間のマージンを考慮し形成される第１マスクによってスクライブラインのＹ−軸に平行な状態で一定間隔が離隔するように２個の第１重畳マークを形成する段階と、前記第１重畳マークに重ねずに、プロダクトダイス上に形成された第２パターンと前記第３パターン間のマージンを考慮し形成される第２マスクによって前記スクライブラインのＸ−軸に平行な状態で一定間隔が離隔するように２個の第２重畳マークを形成する段階と、前記第３パターンを形成することに用いられる第３マスクによって前記第１重畳マークと前記第２重畳マークの内側に第３重畳マークを形成する段階と、前記第１重畳マークと前記第３重畳マークの間の距離を測定し、前記第２重畳マークと前記第３重畳マークの間の距離を測定する段階からなることを特徴とする半導体素子の多重パターン間の重畳誤差測定方法。」
　
２．　特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人  友野　宏は、証拠として
　
甲第１号証：特開昭６３−２９０９０１号公報
甲第２号証：Ｋｅｖｉｎ　Ｍ．Ｍｏｎａｈａｎ　「Ｉｎｔｅｇｅｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ，Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　ＩＩＩ」ＳＰＩＥ　Ｖｏｌｕｍｅ　１０８７，（１９８９）　Ｐ３７８〜３８１
　
を提示して、本件発明１、５は、甲第１、２号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、それらの特許は特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべき旨主張している。
　
３．　甲各号証の記載事項
［甲第１号証］
ア．　産業上の利用分野について
　「本発明は露光装置における位置合わせ方法に係り、特に複数の層が積層されてなる試料に対して各層毎にビームとの相対的位置合わせを行なう位置合わせ方法に関する。」（第１頁右欄下から第４行〜末行）
　
イ．　発明が解決しようとする問題点及び発明の目的について
　「試料が例えばＡ，Ｂ及びＣの計３層からなり、最上層のＣ層露光時に、Ｃ層のＸ方向はＡ層に位置合わせを行い、Ｃ層のＹ方向はＢ層に位置合わせを行うような場合、従来は直接位置合わせにしろ、間接位置合わせにしろマイクロＣＰＵ６の信号処理アルゴリズムが固定であり、バーニヤ、ターゲットはＸ方向用とＹ方向用を同時にＡ，Ｃ層間又はＢ、Ｃ層間に入れていた。
　このため、Ｃ層は上記の場合、例えばＡ層に位置合わせを行うようにしたときはＡ層とＢ層との間の位置合わせ精度σＡＢとＡ層とＣ層との位置合わせ精度σＡＣとを共にσとすると、Ｂ層とＣ層との間の位置合わせ精度σＢＣが、
　
　
となり、Ｃ層はＡ層に対しては位置ずれがσ程度であるが、Ｂ層に対しては位置ずれが√２倍大きくなるという問題点があった。
　本発明は上記の点に鑑みて創作されたもので、最適位置合わせを行うことができる露光装置における位置合わせ方法を提供することを目的とする。」（第２頁右上欄第２行〜左下欄第２行）
　
ウ．　位置合わせ方法について
　「複数の層が積層形成される試料面上に、互いに直交するＸ方向とＹ方向の夫々専用の第１及び第２の位置合わせ用ターゲットを設けると共に、該第１及び第２の位置合わせ用ターゲットと検査用バーニヤとを夫々Ｘ方向及びＹ方向に夫々独立に前記複数の層の各々に入れ、これにより前記試料面上より得られたＸ方向座標検出信号光及びＹ方向座標検出信号光をディテクタ（１Ｘ，１Ｙ）により別々に光電変換した後、信号処理手段（２Ｘ〜６Ｘ，２Ｙ〜６Ｙ，１０）により別々に位置ずれ検出のための演算を行い、その演算結果に基づいてＸ方向及びＹ方向別に位置合わせを行うことを特徴とする露光装置における位置合わせ方法。」（特許請求の範囲）
　
エ．　位置合わせ用ターゲットの形状と配置について
　「第２図において、ウエーハ１１上の適宜の位置に、Ｘ方向の座標を検出するための第１の位置合わせ用ターゲット１２と、Ｙ方向の座標を検出するための第２の位置合わせ用ターゲット１３とが設けられている。
　ターゲット１２は長手方向がＹ方向である長方形状であり、またターゲット１３は長手方向がＸ方向である長方形状をしている。」（第２頁右下欄第８行〜第１５行）
　
オ．　効果について
　「例えば、Ａ層及びＢ層が積層されてなるウエーハに、更にＣ層をそのＸ方向はＡ層に合わせ、かつ、そのＹ方向はＢ層に合わせて積層したいような場合は、Ａ層とＣ層間にＸ方向用ターゲットとバーニヤとを挿入し、Ｂ層とＣ層との間にＹ方向用ターゲットとバーニヤとを挿入することにより、Ｂ層とＣ層との間及びＡ層とＣ層との間の位置ずれは、Ａ層とＢ層間のそれと同じになり、位置ずれにばらつきがなくなる。」（第３頁右上欄第９行〜第１７行）
　
［甲第２号証］
カ．　半導体素子の重畳測定システム（ＯＭＳ）に用いられるターゲットとして、僅かな間隔を有する４片で構成する４角形の外側ボックスを形成したウエーハターゲット、および該外側ボックスの内側に形成されたやはり僅かな間隔を有する４片で構成する４角形のマスクターゲットからなるＯＳＭターゲットが、図２およびその関連する説明に示されている。
　
４．　対比・判断
［本件発明１について］
（１）本件発明１と甲第１号証に記載のものとの対比
　本件発明１と甲第１号証に記載のものとを対比するに、両者の課題及び目的についてみると、本件発明１は、半導体ウエハのプロダクトダイス上に形成される３個以上の多重パターン間の重畳誤差測定には２個のパターン毎の複数重畳測定マークを必要とし、それに応じた複数の測定回数と設置区域を要するという点を課題とし、多重パターン間の重畳誤差を１回で測定できるようにした重畳測定マークを提供することを目的とするものである（本件明細書、公報【０００６】〜【０００８】参照）のに対して、甲第１号証に記載のものは、ウエーハに積層された、例えば３層等の多重層の最上層の位置合わせにおいて、従来の方法は位置ずれが拡大するという点を課題とし、かかる位置ずれの拡大現象のない最適位置合わせを提供することを目的とするものであり（記載事項イ参照）、両者の具体的な、課題及び目的はそれぞれ異なるものである。
　また、構成についてみると、本件発明１の重畳測定マークは、第１〜第３重畳マーク相互間のＸＹ座標上の位置関係を示すものであって、第１〜第３重畳マークが、請求項１に規定する、スクライブラインに平行な所定の配置関係をとるものであるのに対して、甲第１号証に記載の位置合わせ用ターゲットは、Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ独立に複数の層に入れ、これによりＸ、Ｙ方向別に位置合わせを行うものであり、例えば、Ａ層及びＢ層が積層されてなるウエーハに、更にＣ層をそのＸ方向はＡ層に合わせ、かつ、そのＹ方向はＢ層に合わせて積層したいような場合は、Ａ層とＣ層間にＸ方向用ターゲットとバーニヤとを挿入し、Ｂ層とＣ層との間にＹ方向用ターゲットとバーニヤとを挿入することにより、Ｂ層とＣ層との間及びＡ層とＣ層との間の位置ずれは、Ａ層とＢ層間のそれと同じになるものである。
　してみると、第１号証には３層或いは３パターンの重畳ずれを一回で測定することが実質的に記載されているとする特許異議申立人の認識は明白な誤りであり、両者は、単に半導体素子の位置合わせのための重畳測定マークという点で共通するにすぎず、本件発明１の、Ｘ−軸に平行な第１重畳マークとＹ−軸に平行な第２重畳マークとによって形成された四角形の外側ボックッスの内側に、第３重畳マークを形成した重畳測定マークについては、甲第１号証に記載も示唆もない。
　
（２）本件発明１と甲第２号証に記載のものとの対比
　次に、本件発明１と甲第２号証に記載のものを対比すると、本件発明１の課題及び目的については甲第２号証に何ら記載も示唆もなく、構成において
両者は、４個のマークによって形成された四角形の外側ボックスと、該ボックスの内側に形成されるマークとからなる半導体素子の重畳測定マークの点で一致するものの、本件発明１においては、四角形の外側ボックスが、「スクライブラインのＹ−軸に平行な状態で一定間隔が離隔するように形成される２個の第１重畳マークと、前記スクライブラインのＸ−軸に平行な状態で一定間隔が離隔するように形成される２個の第２重畳マーク」によって形成され、しかも第３重畳マークが、「該四角形の外側ボックスの内側に形成される」ものであり、しかも、本件発明１の構成からみて、半導体素子の重畳測定マークが、それぞれ多重パターン間相互のＸＹ座標上の位置関係を示す第１〜第３の重畳マークでもって構成されるのに対し、甲第２号証にはこれらについて記載も示唆もない。
　
　そして、本件発明１は、重畳誤差測定時間およびパターン形成の余裕空間を減らすことができ、重畳測定装置によって容易に多層間の重畳誤差を測定した後重畳の程度を比較しやすく、多層間の重畳誤差の測定を簡素化させることによって、生産工程を短縮せしめることができるという、甲第１、２号証に記載のものから予測し得ない明細書記載の格別な効果を奏するものである。
　
　なお、特許異議申立人は、甲第１号証には３パターンの重畳ずれを一回で測定することが実質的に記載されているとの認識に立ち、かかる測定のために、２パターン間のＸ、Ｙ方向のずれを知るためのマークである甲第２号証に記載のターゲットに基づいて本件発明１の構成を採るようにすることは容易に想到し得る旨主張する（特許異議申立書第６頁第１行〜第８頁第１２行参照）が、前提となる前記の認識は明白な誤りであり、かつ、甲第２号証に記載のターゲットを、第１〜第３重畳マークから構成される本件発明１の重畳測定マークとして適用することが容易であるとする論拠は、何ら立証を伴わないものであって、特許異議申立人の主張は採用することができない。
　
　したがって、本件発明１は甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［本件発明５について］
　本件発明５と甲１、２号証に記載のものとを対比すると、本件発明５は本件発明１と同じ前記の課題を有するが、それについて甲１、２号証のいずれにも記載も示唆もないし、また、構成については、本件発明５の構成要件である「プロダクトダイス（Ｐｒｏｄｕｃｔ　ｄｉｃｅ）上に形成された第１パターンと第３パターン間のマージンを考慮し形成される・・・第１重畳マークを形成する段階」、「前記第１重畳マークに重ねずに、プロダクトダイス上に形成された・・・第２重畳マークを形成する段階」、「前記第３パターンを形成することに用いられる・・・第３重畳マークを形成する段階」、及び「前記第１重畳マークと前記第３重畳マークの間の距離を測定し、前記第２重畳マークと前記第３重畳マークの間の距離を測定する段階」のいずれについても、甲１、２号証には記載も示唆もない。
　
　そして、本件発明５はこれらの構成要件を具備することにより、甲各号証に記載のものから予測し得ない明細書記載の前記した効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明５は甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
５．　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１、５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、５に係る特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認められない。
　よって、特許法（平成６年改正法）附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月９日（２００１．１．９）