(57)【要約】【課題】プラズマ装置の膜蒸着およびエッチング工程に利用し、電界を調整して電界分布を均一にするスロット電極を提供する。【解決手段】スロット電極１００は、電極板１１０、摂動スロットセグメント１２０、第１の縁摂動スロットセグメント１４０および少なくとも１つの第２の縁摂動スロットセグメント１５０を備える。電極板１１０は、第１の表面１１１と、第１の表面１１１と表裏の関係で設けられた第２の表面１１２と、第１の側面１１３と、第１の側面１１３と表裏の関係で設けられた第２の側面１１４と、第３の側面１１５とを有する。第２の縁摂動スロットセグメント１５０は、第１の縁摂動スロットセグメント１４０と直交方向に配置されている。【選択図】図１
0003143649.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面と、前記第１の表面と表裏の関係で設けられた第２の表面と、第１の側面と、前記第１の側面と表裏の関係で設けられた第２の側面と、第３の側面とを有し、ＲＦ電流源と電気的に接続され、電界を生成する電極板と、
前記第１の側面に隣接され、前記第１の表面から前記第２の表面にかけて対称的な形状に形成され、前記電界の強度分布を制御する摂動スロットセグメントと、
前記摂動スロットセグメントと表裏の関係で設けられ、前記第２の側面に隣接し、前記第１の表面から前記第２の表面にかけて対称的な形状に形成され、前記電極板の一縁上の前記電界の強度分布を制御する第１の縁摂動スロットセグメントと、
前記第１の縁摂動スロットセグメントと直交方向に配置され、前記第３の側面に隣接され、前記第１の表面から前記第２の表面にかけて対称的な形状に形成され、前記電極板の他の少なくとも１つの縁上の前記電界の強度分布を制御する少なくとも１つの第２の縁摂動スロットセグメントとを備え、
前記摂動スロットセグメントは、前記ＲＦ電流源と同じ側に配置されていることを特徴とするスロット電極。
【請求項２】
前記電極板は、常圧化学気相成長（ＡＰＣＶＤ）システム、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）システム、高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ  ＣＶＤ）システム、プラズマエンハンスト化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムおよび誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングシステムに利用することが可能なことを特徴とする請求項１に記載のスロット電極。
【請求項３】
前記電極板は、アルミニウム、アルミ被覆材、シリコン、石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素、カーボン、窒化アルミニウム、サファイア、ポリイミドおよびテフロン（登録商標）からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする請求項１に記載のスロット電極。
【請求項４】
前記電極板は、方形の板状、円形の板状、六角形の板状および多角形の板状からなる群から選ばれた形状からなることを特徴とする請求項１に記載のスロット電極。
【請求項５】
前記ＲＦ電流源は、１０ＭＨｚから１０ＧＨｚの間の周波数で操作されることを特徴とする請求項１に記載のスロット電極。
【請求項６】
前記ＲＦ電流源は、１３．５６ＭＨｚの周波数で操作されることを特徴とする請求項１に記載のスロット電極。
【請求項７】
前記電極板のサイズは、前記ＲＦ電流源の操作周波数に対し、０．０００１から０．５ガイド波長であることを特徴とする請求項１に記載のスロット電極。
【請求項８】
前記ＲＦ電流源から前記電極板に入力されるインピーダンスは、１から３００オームの間であることを特徴とする請求項１に記載のスロット電極。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、電極に関し、特に、プラズマプロセス装置中に利用し、電界分布を調整することが可能なスロット電極に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日の半導体製造工程技術において、プラズマは、プラズマ助成式化学蒸着（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマアシストエッチング（ｐｌａｓｍａ−ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｅｔｃｈｉｎｇ）、プラズマ重合化（ｐｌａｓｍａ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）などの有効な薄膜工程およびエッチング工程を行うことが可能であり、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）  ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）工場、ソーラバッテリ工場およびファウンダリなど、様々な分野で利用されている。例えば、微結晶シリコン薄膜ソーラセルの製造工程では、まず、プラズマエンハンスト化学蒸着（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）の工程において大量の水素を加えてシランを希釈させた後、反応により微結晶シリコン薄膜を形成し、様々な電気特性を向上させて歩留まりを向上させていた。またそれら様々な工程で使用するプラズマ周波数が大きくなると、めっき膜速度も向上する。しかし、めっき膜を形成する基板面積が増大した場合、その上を伝播する電磁波はその位相変化により電界が変化し、相対的にプラズマ均一性およびめっき膜の効率に悪影響を与えることがあった。特に、膜付基板のサイズが８インチや１２インチのウェーハなどから、今日のＴＦＴ工場、ソーラーエネルギー工場で生産される１平方メートルよりも大きな面積を有するガラス基板まで大型化するに伴い、大量生産の効率およびコストに重大な悪影響を及ぼすことがあった。
【０００３】
そのため、上述の問題点を解決するために、従来技術の欠点を有さず、プラズマ密度を均一にすることが可能な電極が求められていた。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本考案の目的は、プラズマ装置の膜蒸着およびエッチング工程に利用し、電界を調整して電界分布を均一にするスロット電極を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の目的を達成するため、本考案の請求項１に記載のスロット電極によると、第１の表面と、前記第１の表面と表裏の関係で設けられた第２の表面と、第１の側面と、前記第１の側面と表裏の関係で設けられた第２の側面と、第３の側面とを有し、ＲＦ電流源と電気的に接続され、電界を生成する電極板と、前記第１の側面に隣接され、前記第１の表面から前記第２の表面にかけて対称に形成され、前記電界の強度分布を制御する摂動スロットセグメント（ｐｅｒｔｕｒｂａｔｉｏｎ  ｓｌｏｔ  ｓｅｇｍｅｎｔ）と、前記摂動スロットセグメントと表裏の関係で設けられ、前記第２の側面に隣接し、前記第１の表面から前記第２の表面にかけて対称に形成され、前記電極板の一縁上の前記電界の強度分布を制御する第１の縁摂動スロットセグメントと、前記第１の縁摂動スロットセグメントと直交方向に配置され、前記第３の側面に隣接され、前記第１の表面から前記第２の表面にかけて対称に形成され、前記電極板の他の少なくとも１つの縁上の前記電界の強度分布を制御する少なくとも１つの第２の縁摂動スロットセグメントとを備え、前記摂動スロットセグメントは、前記ＲＦ電流源と同じ側に配置されていることを特徴とする。
【０００６】
本考案の請求項２に記載のスロット電極によると、前記電極板は、常圧化学気相成長（ＡＰＣＶＤ）システム、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）システム、高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ  ＣＶＤ）システム、プラズマエンハンスト化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システムおよび誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングシステムに利用することが可能なことを特徴とする。
【０００７】
本考案の請求項３に記載のスロット電極によると、前記電極板は、アルミニウム、アルミ被覆材、シリコン、石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素、カーボン、窒化アルミニウム、サファイア、ポリイミドおよびテフロン（登録商標）からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする。
【０００８】
本考案の請求項４に記載のスロット電極によると、前記電極板は、方形の板状、円形の板状、六角形の板状および多角形の板状からなる群から選ばれた形状からなることを特徴とする。
【０００９】
本考案の請求項５に記載のスロット電極によると、前記ＲＦ電流源は、１０ＭＨｚから１０ＧＨｚの間の周波数で操作されることを特徴とする。
【００１０】
本考案の請求項６に記載のスロット電極によると、前記ＲＦ電流源は、１３．５６ＭＨｚの周波数で操作されることを特徴とする。
【００１１】
本考案の請求項７に記載のスロット電極によると、前記電極板のサイズは、前記ＲＦ電流源の操作周波数に対し、０．０００１から０．５ガイド波長であることを特徴とする。
【００１２】
本考案の請求項８に記載のスロット電極によると、前記ＲＦ電流源から前記電極板に入力されるインピーダンスは、１から３００オームの間であることを特徴とする。
【考案の効果】
【００１３】
本考案の電界分布を均一にするスロット電極は、構造が簡素であり、大型の加工基板の製造が可能なため、商業価値が高く、プラズマ処理装置に広く利用することができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本考案の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、これにより本考案が限定されるものではない。
【００１５】
（第１実施形態）
図１は、本考案の第１実施形態による電界分布を均一にするスロット電極１００を示す模式図である。スロット電極１００は、電極板１１０、摂動スロットセグメント１２０、第１の縁摂動スロットセグメント１４０および少なくとも１つの第２の縁摂動スロットセグメント（例えば、２つの第２の縁摂動スロットセグメント）１５０を含む。電極板１１０は、第１の表面１１１と、第１の表面１１１と表裏の関係に設けられた第２の表面１１２と、第１の側面１１３と、第１の側面１１３と表裏の関係に設けられた第２の側面１１４と、第３の側面１１５と、第３の側面１１５と表裏の関係に設けられた第４の側面１１６とを有し、ＲＦ電流源１３０と電気的に接続され、電界を生成する。摂動スロットセグメント１２０は、電極の第１の側面１１３に隣接した箇所に配置されている。摂動スロットセグメント１２０は、エッチング工程を利用し、電極板１１０の第１の表面１１１から第２の表面１１２にかけて対称的な形状に形成され、電界の強度分布を制御する。第１の縁摂動スロットセグメント１４０は、摂動スロットセグメント１２０に対向した位置に設けられ、電極板１１０の第２の側面１１４に隣接した箇所に配置されている。第１の縁摂動スロットセグメント１４０は、エッチング工程を利用し、電極板１１０の第１の表面１１１から第２の表面１１２にかけて対称的な形状に形成されている。この第１の縁摂動スロットセグメント１４０を利用すると、電極板１１０の縁（第２の側面１１４の近傍）上の電界の強度分布を制御することができる。各第２の縁摂動スロットセグメント１５０は、第１の縁摂動スロットセグメント１４０に対してそれぞれ直交方向に配列されている。第２の縁摂動スロットセグメント１５０の各々は、電極板１１０の第３の側面１１５および第４の側面１１６に隣接した箇所に配置され、電極板１１０の第１の表面１１１から第２の表面１１２にかけて対称的な形状に形成されている。これら第２の縁摂動スロットセグメント１５０を利用すると、電極板１１０の他の２つの縁（第３の側面１１５および第４の側面１１６の近傍）上の電界の強度分布を制御することができる。
【００１６】
プラズマプロセス工程に必要な蒸着システムにおいて、電極板１１０は、常圧化学気相成長（ＡＰＣＶＤ）システム、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）システム、高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ  ＣＶＤ）システム、プラズマエンハンスト化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）システム、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングシステムに利用することができる。電極板１１０は、アルミニウム、アルミ被覆材、シリコン、石英、炭化ケイ素、窒化ケイ素、カーボン、窒化アルミニウム、サファイア、ポリイミドおよびテフロンからなる群から選ばれた材料からなる。製造工程では、プラズマの周波数に応じて電極板１１０のサイズを選択し、操作するプラズマ周波数に対し、ガイド波長（ｇｕｉｄｅｄ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）により電極板１１０のサイズを決めることができる。電極板１１０が電気的に接続されたＲＦ電流源１３０は、約１０ＭＨｚから１０ＧＨｚの間の周波数で操作される。第１実施形態では、この操作周波数は、１３．５６ＭＨｚであることが好ましい。電極板１１０のサイズ（例えば、長さおよび幅）は、ＲＦ電流源の操作周波数に対し、０．０００１から０．５ガイド波長である。第１実施形態では、電極板１１０の長さＬが約０．０８ガイド波長であることが好ましく、電極板１１０の幅Ｗが約０．０３ガイド波長であることが好ましい。さらに、製造工程では、ＲＦ電流源１３０から電極板１１０への給電状況を考慮する。電磁波の反射が大きくなることを防ぐために、ＲＦ電流源１３０から電極板１１０に入力されるインピーダンスは、約１から３００オームの間であり、好ましくは約５０オームである。また、ＲＦ電流源１３０は、インピーダンス整合回路（図示せず）によりインピーダンスを調整することができる。
【００１７】
電界分布を均一にするスロット電極１００を利用し、プラズマ均一性の向上効果を得るために、摂動スロットセグメント１２０が電極板１１０中に加えられ、ＲＦ電流源１３０と同じ側に配置されている。摂動スロットセグメント１２０の作用は、ＲＦ電流源１３０に入力された電流方向を摂動させてスロット電極１００上の電界分布を変化させ、スロット電極１００上のプラズマ密度に影響を与える。摂動スロットセグメント１２０は、スロット電極１００を利用して装置により処理された加工基板と接触しておらず、摂動スロットセグメント１２０のサイズが変わると、摂動レベルも変化する。従って、摂動スロットセグメント１２０のサイズは、電極板１１０の電界強度を良好に制御することが可能な条件下で決定される。摂動スロットセグメント１２０は、長さＬ１が電極板１１０の長さＬの約９５％よりも小さく、幅Ｗ１が電極板１１０の幅Ｗの約１％よりも小さい。本考案の第１実施形態では、摂動スロットセグメント１２０の長さＬ１は、電極板１１０の長さＬの約８４％よりも小さいことが好ましく、摂動スロットセグメント１２０の幅Ｗ１は、電極板１１０の幅Ｗの約０．８％よりも小さいことが好ましい。さらに、ＲＦ電流源１３０と、摂動スロットセグメント１２０との間の距離ｄも入力電流の強度に影響を与える。つまり、距離ｄが小さいほど、摂動スロットセグメント１２０の摂動効果が大きくなり、距離ｄが大きいほど、摂動スロットセグメント１２０の摂動効果が小さくなる。本実施形態において、ＲＦ電流源１３０と、摂動スロットセグメント１２０との間の距離ｄは、好ましくは電極板１１０の幅Ｗの約０．０２４％である。摂動スロットセグメント１２０は、電極板１１０への入力電流を摂動させ、入力電流が電極板１１０上を流れるときに生成される電界は、電極板１１０の構造により変化する。例えば、従来技術では電極板１１０の縁上の電界が不均一となる問題が発生することがあった。電極板１１０の縁の電界が不均一となる問題が発生することを防ぐために、第１の縁摂動スロットセグメント１４０を利用する。この第１の縁摂動スロットセグメント１４０は加工基板と接触していない。本考案の第１実施形態による第１の縁摂動スロットセグメント１４０は、長さＬ２が電極板１１０の長さＬの約９５％よりも小さく、第１の縁摂動スロットセグメント１４０の幅Ｗ２が電極板１１０の幅Ｗの約１％よりも小さい。本考案の第１実施形態において、第１の縁摂動スロットセグメント１４０の長さＬ２は、電極板１１０の長さＬの約８４％よりも小さいことが好ましく、第１の縁摂動スロットセグメント１４０の幅Ｗ２が電極板１１０の幅Ｗの約０．８％よりも小さいことが好ましい。この第１の縁摂動スロットセグメント１４０と、電極板１１０の縁（第２の側面１１４）との間の距離ｄ１は、電極板１１０の幅Ｗの約２％であることが好ましい。さらに、電界の均一性を向上させるために、２つの側面（第３の側面１１５および第４の側面１１６）の近傍に少なくとも１つ（例えば、２つ）の第２の縁摂動スロットセグメント１５０をそれぞれ配置している。第２の縁摂動スロットセグメント１５０は、第１の縁摂動スロットセグメント１４０および摂動スロットセグメント１２０に対してそれぞれ直交方向に配列され、加工基板と接触していない。各第２の縁摂動スロットセグメント１５０の長さＬ３は、電極板１１０の幅Ｗの約６０％よりも小さく、第２の縁摂動スロットセグメント１５０の幅Ｗ３は、電極板１１０の長さＬの約１％よりも小さい。各第２の縁摂動スロットセグメント１５０の長さＬ３は、電極板１１０の幅Ｗの約５７％であることが好ましく、各第２の縁摂動スロットセグメント１５０の幅Ｗ３は、電極板１１０の長さＬの約０．６６％であることが好ましく、第２の縁摂動スロットセグメント１５０と、電極板１１０の縁（第３の側面１１５または第４の側面１１６）との間の距離ｄ２は、電極板１１０の長さＬの約１．３％であることが好ましい。
【００１８】
さらに、プラズマ工程は、真空かつ汚染されていない環境で行わなければならないため、電界分布を均一にするスロット電極１００はプラズマ工程を行うために接地金属チャンバで覆われている。
【００１９】
図２は、本考案の第１実施形態による摂動スロットセグメント１２０が加えられ、１３．５６ＭＨｚの周波数で操作されたときの状態を示す電界分布図である。図２の電界分布図は、電極板１１０の長さＬが１５１０ｍｍであり、幅Ｗが１２３０ｍｍであるときの状態を示す。第１実施形態の摂動スロットセグメント１２０は、長さＬ１が１２７５ｍｍであり、幅Ｗ１が１０ｍｍであり、ＲＦ電流源１３０と、摂動スロットセグメント１２０との間の距離ｄは３０ｍｍである。図２に示すように、電極板１１０の電界分布の均一性は、摂動スロットセグメント１２０を加えることにより向上させることができる。図３は、本考案の第１実施形態による電極板１１０に摂動スロットセグメント１２０および第１の縁摂動スロットセグメント１４０が加えられ、１３．５６ＭＨｚの周波数で操作されるときの状態を示す電界分布図である。電極板１１０および摂動スロットセグメント１２０のサイズパラメータは、図２の構造と同じであり、第１の縁摂動スロットセグメント１４０は、長さＬ２が１２７５ｍｍであり、幅Ｗ２が１０ｍｍである。この第１の縁摂動スロットセグメント１４０と、電極板１１０の縁との間の距離ｄ１は２５ｍｍである。図３に示す電極板１１０上の電界変化は、図２に示す電界変化よりも小さく、電極板１１０上の電界分布の均一度は、第１の縁摂動スロットセグメント１４０を加えることによって、より向上させることができる。さらに、電極板１１０の電界分布は、第２の縁摂動スロットセグメント１５０を加えることによってさらに向上させることができる。
【００２０】
図４は、本考案の第１実施形態による電極板１１０に摂動スロットセグメント１２０、第１の縁摂動スロットセグメント１４０および第２の縁摂動スロットセグメント１５０が加えられ、１３．５６ＭＨｚの周波数で操作するときの状態を示す電界分布図である。電極板１１０、摂動スロットセグメント１２０および第１の縁摂動スロットセグメント１４０のサイズパラメータは、図３の構造と同じであり、各第２の縁摂動スロットセグメント１５０は、長さＬ３が７００ｍｍであり、幅Ｗ３が１０ｍｍである。この第２の縁摂動スロットセグメント１５０と、電極板１１０の縁との間の距離ｄ２は２０ｍｍである。図４に示す電極板１１０上の電界変化は、図３に示す電界変化よりも小さく、電極板１１０上の電界分布の均一度は、第２の縁摂動スロットセグメント１５０を加えることによって、より向上させることができる。さらに、電極板１１０上の電界分布は、第２の縁摂動スロットセグメント１５０を加えることによってさらに向上させることができる。
【００２１】
図５は、本考案の第１実施形態によるスロット電極１００を備えるコンデンサ結合型プラズマ装置２００を示す模式図である。コンデンサ結合型プラズマ装置２００は、チャンバ２１０と、ステージ２３０と、電界分布を均一にするスロット電極１００と、ガス排出孔２１３と、ガス導入孔２１４とを含む。
【００２２】
チャンバ２１０は、接地された第１のチャンバ表面２１２および第２のチャンバ表面２１１を有し、必要な処理空間を有する。ステージ２３０は、チャンバ２１０中で処理を行うために必要な電極を保持するための第１のチャンバ表面２１２上に配置されている。このステージ２３０は、絶縁材料を使用して第１のチャンバ表面２１２と、製造工程を行う時に必要な電極とを電気的に分離させてもよい。このステージ２３０は、シリコン、ＧａＡｓ、セラミック、ガラス、ガラス繊維、炭化水素化合物セラミック、テフロン、テフロンガラス繊維およびテフロンセラミックからなる群から選ばれた材料からなる。
【００２３】
スロット電極１００は、チャンバ２１０中においてステージ２３０上に配置され、チャンバ２１０中に均一な電界を生成する。これによりコンデンサ効果がスロット電極１００と、第２のチャンバ表面２１１との間に発生してプラズマが生成され、このスロット電極１００は、長さＬが約０．０８ガイド波長であることが好ましく、幅Ｗが０．０３ガイド波長であることが好ましい。製造工程では、スロット電極１００の上方に加工基板２２０を配置し、プラズマ反応を発生させる。この加工基板２２０は、サスペンション基板、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、セラミック基板、ガラス基板、ガラス繊維基板、炭化水素化合物セラミック基板、テフロン基板、テフロンガラス繊維基板およびテフロンセラミック基板からなる群から選択される。
【００２４】
ガス排出孔２１３は、第２のチャンバ表面２１１上に設けられ、チャンバ２１０中で行う工程で発生したガスを排出させて真空排気を行う。ガス導入孔２１４は、第２のチャンバ表面２１１上に設けられ、プラズマの発生に必要なガスをチャンバ２１０中へ導入し、ガス導入孔２１４からＳｉxＯyＣzＮlＨm（ここで、ｘ、ｙ、ｚ、ｌおよびｍは、０または整数である。）で表される化合物気体を導入し、この化合物気体にはＳｉＨ4、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）、（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、Ｃ6Ｈ6ガスが含まれる。
【００２５】
図６は、本考案の第１実施形態によるスロット電極１００を備える噴射式コンデンサ結合型プラズマ装置３００を示す模式図である。噴射式コンデンサ結合型プラズマ装置３００は、チャンバ３１０と、ステージ３２０と、電界分布を均一にするスロット電極１００と、ガス排出孔３１３と、ガス導入孔３５０とを含む。
【００２６】
チャンバ３１０は、接地された第１のチャンバ表面３１２および第２のチャンバ表面３１１を有し、必要な処理空間を有する。ガス導入孔３５０は、第１のチャンバ表面３１２上に設けられ、プラズマの発生に必要なガスをチャンバ３１０中へ導入し、ガス導入孔３５０からＳｉxＯyＣzＮlＨm（ここで、ｘ、ｙ、ｚ、ｌおよびｍは、０または整数である。）で表される化合物気体を導入し、この化合物気体にはＳｉＨ4、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）、（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2、Ｃ6Ｈ6ガスが含まれる。ステージ３２０は、第２のチャンバ表面３１１上に配置することにより、チャンバ３１０中で工程を行う際に必要な電極を保持し、ステージ３２０は、絶縁材料を使用して第２のチャンバ表面３１１と、工程を行う時に必要な電極とを絶縁させる。このステージ３２０は、シリコン、ＧａＡｓ、セラミック、ガラス、ガラス繊維、炭化水素化合物セラミック、テフロン、テフロンガラス繊維およびテフロンセラミックからなる群から選ばれた材料からなる。
【００２７】
スロット電極１００は、ステージ３２０上に配置され、チャンバ３１０中に均一な電界を生成させる。スロット電極１００と、チャンバ３１０のガス導入孔３５０との間にコンデンサ効果を発生させてプラズマを生成させ、スロット電極１００と、第２のチャンバ表面３１１との間に他のコンデンサ効果を発生させる。このスロット電極１００は、長さＬが約０．０８ガイド波長であることが好ましく、幅Ｗが約０．０３ガイド波長であることが好ましい。この工程を行う際は、スロット電極１００の上方に加工基板３３０を配置してプラズマ反応を発生させる。この加工基板３３０は、サスペンション基板、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、セラミック基板、ガラス基板、ガラス繊維基板、炭化水素化合物セラミック基板、テフロン基板、テフロンガラス繊維基板およびテフロンセラミック基板からなる群から選択される。
【００２８】
さらに、第１のチャンバ表面３１２上には、ガス排出孔３１３が設けられ、チャンバ３１０中で行う工程で発生したガスを排出させて真空排気を行う。
【００２９】
（他の実施形態）
上述の実施形態では、電極板は方形の板状に形成されている。本考案の他の実施形態では、電極板は、円形の板状、六角形の板状、多角形の板状などといった様々な形状に形成されていてもよい。
以上、当該分野の技術を熟知するものが理解できるように本考案の好適な実施形態を開示したが、本考案は上述した実施形態に限定されるものではなく、本考案の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本考案の実用新案登録請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本考案の第１実施形態によるスロット電極を示す模式図である。
【図２】本考案の第１実施形態によるスロット電極が摂動スロットセグメントを備えた状態における電界分布図である。
【図３】本考案の第１実施形態によるスロット電極が摂動スロットセグメントおよび第１の縁摂動スロットセグメントを備えた状態における電界分布図である。
【図４】本考案の第１実施形態によるスロット電極が摂動スロットセグメント、第１の縁摂動スロットセグメントおよび２つの第２の縁摂動スロットセグメントを備えた状態における電界分布図である。
【図５】本考案の第１実施形態によるスロット電極を備えるコンデンサ結合型プラズマ装置を示す模式図である。
【図６】本考案の第１実施形態によるスロット電極を備える噴射式コンデンサ結合型プラズマ装置を示す模式図である。
【符号の説明】
【００３１】
１００：スロット電極、１１０：電極板、１１１：第１の表面、１１２：第２の表面、１１３：第１の側面、１１４：第２の側面、１１５：第３の側面、１１６：第４の側面、１２０：摂動スロットセグメント、１３０：ＲＦ電流源、１４０：第１の縁摂動スロットセグメント、１５０：第２の縁摂動スロットセグメント、２００：コンデンサ結合型プラズマ装置、２１０：チャンバ、２１１：第２のチャンバ表面、２１２：第１のチャンバ表面、２１３：ガス排出孔、２１４：ガス導入孔、２２０：加工基板、２３０：ステージ、２４０：ＲＦ電流源、３００：噴射式コンデンサ結合型プラズマ装置、３１０：チャンバ、３１１：第２のチャンバ表面、３１２：第１のチャンバ表面、３１３：ガス排出孔、３２０：ステージ、３３０：加工基板、３４０：ＲＦ電流源、３５０：ガス導入孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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