【事件の表示】
　特許第２９８１２４３号「表面処理方法」の請求項１〜１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９８１２４３号の請求項１〜１２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２９８１２４３号（優先権主張昭和６３年１２月２７日、平成１年１０月２７日出願、平成１１年９月１７日設定登録。）は、異議申立人野村栄子により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年２月２０に異議意見書が提出されたものである。
　
［２］本件発明
　本件特許の請求項１〜１２に係る発明（以下、「本件発明１〜１２」という。）は、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されたとおりのものである。
　
［３］異議申立ての理由の概要
　異議申立人野村栄子は、証拠として甲第１〜５号証を提出して、本件発明１〜１１は甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜１１の特許は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件発明１２の特許は、同法第３６条第４項に規定する要件を満たさない出願に対してされたものであるから、本件発明１〜１２の特許は特許を受けることができないものである旨主張している。
　
［４］刊行物１〜５に記載された技術的事項
　当審が通知した取消理由に引用された刊行物１〜５（甲第１〜５号証に対応する。）には、以下の技術的事項が記載されている。
　
（１）刊行物１
　上記刊行物１の特開昭６２−２３７７２９号公報には、半導体素子製造プロセス等における微細加工を行うための光照射によるＳｉＯ２のドライエッチング方法に関する発明が、第１、２図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　
本発明の概要について
　「本発明は、反応容器とは別の領域で、ＮＦ２、ＣＦ４、ＳＦ６等のＦを含むガスを放電、電子ビーム、光照射あるいは熱等により励起しＦラジカルを生成し、これを反応容器に導入する。反応容器には、試料を設置しておくと共に、該容器内に水素ガスを導入しておく。導入されたＦラジカルは試料表面と反応するとともに、気相中または表面でＨ２分子との反応でＨ２分子を励起又は分解し、Ｈラジカルを形成する。ここで生成された水素ラジカルや、Ｆと反応したＨＦはＳｉＯ２表面を還元しエッチング反応を促進する。しかし、エッチング生成物がＨラジカル等と結合し、エッチングが進行すると共に、堆積物が生じる。そこで紫外光を照射し、この堆積物をアブレーション、又は光化学反応によりその除去を促進することによりエッチングを促進させることができる。光を被処理体表面に対し、垂直方向から入射させると、光照射面でのエッチング速度は速く、エッチング側壁では光照射されず堆積膜が残り反応の障壁となるために、マスク下での横方向のエッチングが押さえられ異方性エッチングを達成することができる。
　また、堆積により積極的に生じさせるために、Ｈ２ガスと共にＮ２ガス、又はメタン等の有機ガス、不飽和フロロカーボン、クロロカーボンガス等を導入することもある。更に、堆積を生じやすくするために、堆積を生じさせるガスを反応容器とは別の領域で放電等を用い励起しても良い。」（２頁左下欄１０行〜右下欄１７行）
　
発明の実施例について
　「第１図は本法明の一実施例で用いる装置の概略図である。・・・この装置を用いて、反応性ガスとしてＮＦ３を用いた場合のＳｉＯ２のエッチングについて述べる．被エッチング物は第２図（ａ）に示すように下地Ｓｉ２２の上にＳｉＯ２膜２１があり、その表面にレジストマスク２３でパターニングしたものを用いる。ＮＦ３を５０ｓｃｃＭの流量、Ｈ２を５〜１０ｓｃｃＭの流量で流し、ＮＦ３はマイクロ波により放電させる。反応容器内の圧力を０．２Ｔｏｒｒとする。同時に照射光としてＡｒＦレーザを用い、試料表面に０．５Ｗ／ｃｍ２の強度で照射する。
ここで、光がない場合にもＳｉＯ２は５００Å／ｍｉｎ以下の速度でエッチングされるが光を照射した場合には１０００Å／ｍｉｎ以上の速さでエッチングが進行する。この場合表面にはエッチングの進行と何時に堆積物が付着する。光によるエッチングの促進はこの付着膜を光照射部で速く除去するためである。光は被処理面に対して垂直に入射しており、エッチングの進行と共に生じるエッチング側面には光の入射が弱い。従って付着膜がこの部分が除去されずに残るためにアンダーカットを防ぐ。その結果エッチング形状は第２図（ｂ）に示すように異方的となる。第２図（ｂ）で２４はエッチング側壁の付着膜を示す。
　反応ガスとしてはＮＦ３の他にＣＦ４、ＳＦ６等のガスでも良い。エッチング生成物との反応で生じる膜においては、ＮＦ３ガスを用いた場合には、膜中にＮを含む良好な膜が得られる。ＣＦ４、ＳＦ６を用いた場合Ｎを含まず、膜を形成しにくいため、Ｈ２と同時にＮ２ガスを導入しても良い。更に、より堆積を生じさせるためにＨ２ガスと同時に、メタン等の有機ガス又は、不飽和フロロカーボン（例えばＣ２Ｆ４等）のガスを導入しても良い。」（３頁左上欄１１行〜左下欄１９行）
　
（２）刊行物２
　上記刊行物２の特開昭５７−４９２３４号公報には、窒素とハロゲン元素との化合物をプラズマエッチングの反応性気体に用いる発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「本発明は化学的に安定な気体でありまた活性化または分解せしめた時ハロゲン元素とその副産物が無害の気体である窒素のハログン化物特にフッ化窒素・・・また塩化窒素・・・を用いた。さらにこのＮＦ、ＮＣｌの水素化物であるフッ化アンモニューム（ＮＨ４Ｆ、ＮＨ４ＨＦ２）塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃｌ）の固体をプラズマ中にて活性化、分解して、Ｎ２、ＮＨ３の安定な気体とフッ素、塩素のラジカルを発生させることを他の特徴としている。
　ここでは第１図に示すようにたて型のエッチング系を用いた。すなわちエッチング容器（１）には試料台（４）上にて試料（３）がのせられている。反応性気体はＮＦ３を（９）よりまた水素、酸素または不活性ガスを（１０）より導入した。
　活性化室（５）にてマイクロ波発生源（６）にて２．４５ＧＨｚ　１．３５ｋｗ最大の容量を有するマグネトロンよりアラニュエイター（７）を経て反応性ガスを活性化室（５）にて活性にする。すると
　　ＮＦ３　→ Ｎ＋＋３Ｆ＋　
　
　　２Ｎ＋　→ Ｎ２↑
　
　　Ｆ＋＋Ｓｉ　→　ＳｉＦ４↑
の反応により試料のエッチングされるべき物が単結晶、多結晶、アモルファスまたはセミアモルファス構造の珪素においてはＳｉＦ４となってエッチングされた。またこの被エッチング材は他の珪化物例えば窒化珪素、酸化アルミニューム、酸化珪窒素等であってもよい。」（２頁左上欄３行〜右上欄９行）
　
　「ハロゲン元素のうち塩素を用いるとアルミニューム、モリブデン、タングステン等の金属・・・その化合物のエッチングに好ましく、アルミニュームの場合の反応式を
　　ＮＣｌ３　→　Ｎ＋＋３Ｃｌ＋　
　
　　２Ｎ＋　→　Ｎ２　
　
　　４Ｃｌ＋＋Ａｌ　→　ＡｌＣｌ４↑」（２頁左下欄５〜１０行）
　
（３）刊行物３
　上記刊行物３の特開昭６３−５３９２９号公報には、半導体装置の薄膜形成に先立ち、プラズマエッチング法により基板表面を清浄化する発明が第１図（ｅ）〜（ｇ）とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「第１図（ｅ）に示す如く、プラズマＣＶＤ法により上部絶縁膜５として窒化シリコン膜を形成し、フォトリソ法によりソース・ドレイン領域へのコンタクト孔ｈを穿孔する。このとき、コンタクト孔ｈ内にはわずかに自然酸化膜Ｏ’が形成されることがある。
　第１図（ｆ）に示す如く再び前記プラズマＣＹＤ装置内に基板を設置し、前記と同様にプラズマエッチングにより表面の清浄化を行い、水素化アモルファスシリコンｉ層表面の自然酸化膜Ｏ’を除去する。
　続いて第１図（ｇ）に示す如くガスを切り換えてオーミック接触形成層８としての水素化アモルファスシリコンｎ＋層を形成する。」（３頁右上欄１〜１４行）
　
（４）刊行物４
　上記刊行物４の特開昭５７−１３１７５号公報には、半導体素子のマスクレスの選択エッチング方法に関する発明が第１図とともに開示され、、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「断面図を示した第１図の装置に於て、陽極の突出部（５）は、これをマウントしている熱良伝導性の絶縁体（２）を介して液体Ｎ２（１）の入ったヒートシンク（４）により表面温度がコントロールされている。突出部（５）の先は円錐形になっている。ここで、ガス導入口（１２）より例えばＣＦ４を１０−２Ｔｏｒｒ程度で導入した后、陽極の突出部（５）近傍に設けられた設置電位の陰極（６）との間に数ｋＶの電圧を印加すると、突出部（５）先端付近に導入ガスのイオンが発生し、そのイオンを陰極（６）のヒーム通過部（６’）を通して加速電極を兼ねた電子レンズ系（７）で加速し、試料台（１０）上の被エッチング物（１４）に向けて照射してエッチングが行われる。
　この反応性ガスを用いたＳｉＯ２のマスクレスのエッチングはヒートシンク（４）により陽極突出部（５）を冷却することにより達成された」（２頁左上欄１３行〜右上欄１５行）
　
（５）刊行物５
　上記刊行物５の特開昭６３−４１８５５号公報には、半導体装置の製造工程において用いるフォトマスクの洗浄方法に関する発明が第２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「第２図は本発明のプロセス工程を示す図である。ゴミのないマスク基板１上に、ナフタレンのイソプロピルアルコ−ル溶液を滴下し、５００〜２００，０００Åのナフタレン保護膜４をスピンコートした（第２図（ａ））。この保護膜４が昇華してなくならない条件下でマスクを保管した（第２図（ｂ））。露光直前に、このマスクをドライ洗浄装置内に鉛直下方向きにとりつけ、基板１の裏面をヒータ６で４０〜８０℃まで加熱し、５〜３０分間、１０−３Ｔｏｒｒ以下で真空排気し、保護膜４とその上のゴミ５を除去した。なお、ＨｇランプのＵＶ光８を照射しながら、１０−３Ｔｏｒｒ以下の真空排気をしても同様に除去できた。又、ヒータ６による加熱とＨｇランプによるＵＶ光８の照射を同時に行なうようにすると除去スピ−ドは増した。さらにマスク基板を１００〜６，０００ｒｐｍの速さで回転しても除去スピードは増加した（第２図（ｃ））。次にこのドライ洗浄後のマスクを第１図に示す露光装置１２に搬送し、露光を行なった後、再度ナフタレン保護膜をスピンコートした。」（２頁左下欄１０〜右下欄９行）
　
［５］対比・判断
（１）本件発明１
　刊行物１には、反応容器１内に設置した試料３、すなわち下地Ｓｉの上にあるＳｉＯ２膜２１の表面に、反応ガスとしてＨ２とＮＦ３を流してエッチングし、さらに、ＡｒＦレーザを試料表面に照射して、エッチングの進行とともに表面に付着した付着膜を除去するエッチング方法が記載され、さらに、ＮＦ３ガスを用いた場合には、エッチング生成物との反応で生じる膜中にＮを含む良好な膜が得られることも記載されている。
　そして、刊行物１に記載された「付着膜」は、本件発明１の「薄膜」に相当するから、本件発明１と刊行物１に記載された発明とは、「基体表面に酸化膜が形成された被処理基体を真空排気可能な反応容器に収納し、薄膜を前記酸化膜上に形成し、前記酸化膜を除去する表面処理方法」の点で一致するものの、酸化膜上に形成される薄膜が、本件発明１では、ハロゲン塩を含む薄膜であるのに対し、刊行物１に記載された発明では、付着膜はハロゲン塩を含むものであることが明らかではない点で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、刊行物１に記載された実施例では、ＳｉＯ２膜とＨＦガスとにより生じたＳｉＦ４ガスとＨ、Ｆ、ＨＦガスとが反応してＨ２ＳｉＦ６が生成し、ＳｉＯ２膜に付着するか、あるいは、ＳｉＦ４ガスとＮ、ＮＦ、ＮＦ２ガスとが反応してＳｉＮＦ，ＮＨ２ＳｉＦが生成し、ＳｉＯ２膜に付着するものである。
　そして、上記のＨ２ＳｉＦ６、ＳｉＮＦ、ＮＨ２ＳｉＦは、金属やＮＨ４を含んでいないから塩ではないし、エッチング生成物から形成されるため、この付着物によって、ＳｉＯ２膜がさらにエッチングされることもない。
　さらに、刊行物１に記載されているように、Ｈ２ガスと同時に、メタンなどの有機ガス、不飽和フロロカーボン（Ｃ２Ｆ４）ガスを導入した場合は、ＣＨ、ＣＦが生成するものの、これらについても塩ではない。
　
　これに対し、本件発明１の「ハロゲン塩を含む膜」については、その実施例を参照すると、ＮＦ３ガスとＮＨ３ガスとの反応により生じたＮＨ４Ｆが「ハロゲン塩を含む薄膜」を指すものであって、この薄膜と酸化膜が反応して（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が生じ、加熱によりＮＨ３、ＨＦ、ＳｉＦ４に分解して揮発し、これにより酸化膜が除去されるものである。
　
　してみると、刊行物１には、その実施例をみても、「ハロゲン塩を含む薄膜」を酸化膜上に形成して酸化膜を除去する構成が開示されていないし、刊行物１に記載された上記Ｈ２ＳｉＦ６、ＳｉＮＦ，ＮＨ２ＳｉＦの付着物やＣＨ、ＣＦの付着物に替えて「ハロゲン塩を含む薄膜」を形成して酸化膜を除去することは周知の技術ではないし、付着物としてハロゲン塩を含む薄膜に限定する動機付けとなるような記載もないから、本件発明１は、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到をすることができたものとすることもできない。
　
　そして、本件発明１は、ハロゲン塩を含む薄膜を形成することにより被処理基体表面の酸化物をダメージを生じることなく高選択にエッチング、除去することができるという明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
（２）本件発明２〜１１
　本件発明３〜５、７、８については、本件発明１を引用してさらに構成を限定するものであるから、本件発明１と同じ理由により刊行物１に記載された発明ではないし、また、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　本件発明６については、本件発明１を引用してさらに構成を限定するものであるから、本件発明１と同じ理由により刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　また、本件発明２、９については、刊行物２に、ハロゲン塩であるフッ化アンモニウムの固体を活性化室においてプラズマ中で活性化分解して発生したものをエッチング容器に導入し、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ等の金属の化合物をエッチングすることが記載されているにしても、本件発明１を引用してさらに構成を限定するものであるから、本件発明１と同じ理由により刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　本件発明１０については、刊行物３に、基板への水素化アモルファスシリコンｎ＋層８の形成の前に、自然酸化膜Ｏ’を除去することが記載されているにしても、本件発明１を引用してさらに構成を限定するものであるから、本件発明１と同じ理由により刊行物１、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　さらに、本件発明１１については、刊行物４に、イオンビーム、すなわち荷電粒子ビームを用いてエッチングすることが記載されているにしても、本件発明１と同様の理由により刊行物１，４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　そして、本件発明１〜１１については、刊行物１〜５に記載された発明を如何に組み合わせてみても当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［６］申立人の主張に対して
　本件発明４については、甲第５号証（刊行物５）に、保護膜を加熱によって除去すること、ＵＶ光を照射することによって保護膜を除去できることが記載されているにしても、本件発明１を引用してさらに構成を限定するものであるから、本件発明１と同じ理由により甲第１、５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　本件発明１２については、ハロゲン元素を含む陰イオンが溶解したＨ２ＳＯ４、Ｈ２ＳＯ３、ＨＮＯ３、ＨＮＯ２、Ｈ２ＣＯ３、Ｈ３ＰＯ４、ＨＢＯ３またはＨ２ＡｓＳＯ４を酸化膜上に形成しているが、Ｈ２ＳＯ３、ＨＮＯ３、ＨＮＯ２、Ｈ２ＣＯ３、Ｈ３ＰＯ４、ＨＢＯ３またはＨ３ＡｓＯ４については、それらを形成するために必要な原料物質、それらの中に溶解させる陰イオンの種類、及び陰イオンを形成するのに必要な原料物質については請求項１２に明りょうかつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項の規定に違反する旨主張している。
　しかしながら、特許明細書（公報１３頁左欄４５行〜１４頁左欄８行）に記載されているように、これらの液体は、第１０の実施例のＨ２ＳＯ４の場合と類似の手段で形成できるものであり、Ｏ元素もしくはハロゲン元素とＳ、Ｃ、Ｂ、Ｎ、Ｐ、Ａｓのいずれかの元素を含むガスと、Ｏ、Ｓ、Ｃのいずれかの元素と水素元素を含む無機化合物単一ガスもしくは混合ガス、あるいは構成元素がＣ、Ｈのみであるか、もしくは構成元素にＯ元素を含む有機化合ガスと反応させて形成することができ、またここで用いるガスは生ガスの他に、その構成成分元素を含む混合ガスから生成できるものであり、上記の原料物質、陰イオンの種類、及び陰イオンを形成するのに必要な原料物質は、第１０の実施例のＨ２ＳＯ４の場合から当業者が容易にその実施をすることができる程度のものであるから、請求項１２の記載は不備であるとすることはできない。よって、申立人の主張は採用しない。
　
［７］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件発明１〜１２についての特許は取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月１６日（２００１．４．１６）