【事件の表示】
　特許第２９０１７０５号「半導体基板の洗浄方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９０１７０５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２９０１７０５号の請求項１に係る発明は、平成２年６月８日の出願であって、平成１１年３月１９日に特許の設定登録がなされ、その後、北村二郎より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月５日に訂正請求（後日取下げ）がなされた後、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年９月２７日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正請求は、本件特許に係る願書に添付した明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は次のとおりのものである。
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の記載を、
「半導体基板を少なくとも２種以上の洗浄液でそれぞれ洗浄する方法において、前記半導体基板を洗浄槽内に洗浄液の液面下にくるように収納し、かつ一つの洗浄液から他の洗浄液に移行して洗浄する際にも前記洗浄槽から常に洗浄液が溢流排出するように連続して流しながら前記各洗浄液を順次切り替え、該半導体基板が常に液中に保持されるようにして洗浄を行うことを特徴とする半導体基板の洗浄方法であって、この洗浄方法は前記洗浄槽に接続された供給管から供給される純水の液面下にくるように前記半導体基板の全てを前記洗浄槽に収納し、かつ前記純水を前記洗浄槽から溢流排出させる工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第１の供給支管から前記供給管に第１の洗浄液を供給し、前記純水と前記第１の洗浄液からなる第１の混合液を前記一つの洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記第１の洗浄液の供給を止め、前記洗浄槽を前記純水のみにする工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第２の供給支管から前記供給管に第２の洗浄液を供給し、前記純水と前記第２の洗浄液からなる第２の混合液を前記他の洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程を有することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。」と訂正する。
イ．訂正事項ｂ
　明細書の第６頁第７行目〜第７頁第５行目の記載を、
「［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　本発明は、半導体基板を少なくとも２種以上の洗浄液でそれぞれ洗浄する方法において、前記半導体基板を洗浄槽内に洗浄液の液面下にくるように収納し、かつ一つの洗浄液から他の洗浄液に移行して洗浄する際にも前記洗浄槽から常に洗浄液が溢流排出するように連続して流しながら前記各洗浄液を順次切り替え、該半導体基板が常に液中に保持されるようにして洗浄を行うことを特徴とする半導体基板の洗浄方法であって、この洗浄方法は前記洗浄槽に接続された供給管から供給される純水の液面下にくるように前記半導体基板の全てを前記洗浄槽に収納し、かつ前記純水を前記洗浄槽から溢流排出させる工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第１の供給支管から前記供給管に第１の洗浄液を供給し、前記純水と前記第１の洗浄液からなる第１の混合液を前記一つの洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記第１の洗浄液の供給を止め、前記洗浄槽を前記純水のみにする工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第２の供給支管から前記供給管に第２の洗浄液を供給し、前記純水と前記第２の洗浄液からなる第２の混合液を前記他の洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程を有することを特徴とするものである。」と訂正する。
ウ．訂正事項ｃ
　明細書第１２頁第７〜９行目の「また薬液は上記に限るものではなく、純水の使用を必須とするものでもない。」とあるのを、
「また薬液は上記に限るものではない。」と訂正する。
エ．訂正事項ｄ
　明細書第１２頁第１０〜１３行目の「間に純水を流してから次の洗浄液を流すようにしたが、洗浄液によっては間に純水を流さないで連続して次の洗浄液を流してもよい。」とあるのを、
「間に純水を流してから次の洗浄液を流す。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲において、「半導体基板の洗浄方法」を「この洗浄方法は前記洗浄槽に接続された供給管から供給される純水の液面下にくるように前記半導体基板の全てを前記洗浄槽に収納し、且つ前記純水を前記洗浄槽から溢流排出させる工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第１の供給支管から前記供給管に第１の洗浄液を供給し、前記純水と前記第１の洗浄液からなる第１の混合液前記一つの洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記第１の洗浄液の供給を止め、前記洗浄槽を前記純水のみにする工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第２の供給支管から前記供給管に第２の洗浄液を供給し、前記純水と前記第２の洗浄液から成る第２の混合液を前記他の洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程を有すること」と限定するものであるから特許請求の範囲の減縮を目的に該当するものである。
　また、これらの限定は、本件特許明細書の第８頁第４〜１３行目、第９頁第４〜１３行目、及び同頁第１５行目〜第１０頁第２行目の記載に基づくものであり、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　また、訂正事項ｂないしｄについては、訂正事項ａによる特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当し、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
（３）独立特許要件の判断
ア．本件訂正発明
　上記訂正請求に基づく本件特許請求の範囲に係る発明（以下、「本件訂正発明」という。）は、本件訂正明細書及び本件特許図面の記載からみて、本件訂正明細書の特許請求の範囲に記載された前記２．（１）ア．に示したとおりのものと認める。
イ．取消理由の概要
　一方、当審において平成１２年７月１９日付けで通知した取消理由の概要は、本件特許明細書の特許請求の範囲に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、刊行物１（特開昭６３−５８８４０号公報、特許異議申立人提出の甲第１号証）に記載された二つの記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというにある。
ウ．取消理由についての判断
　そこで、以下に、本件訂正発明に対して、上記取消理由について検討する。
ウ−１
　刊行物１には次の事項が記載されている。
「本発明は、例えば半導体プロセスにおいてフォトマスクブランクやフォトマスク、あるいは半導体基板等の高清浄度を必要とする被洗浄物を洗浄する場合に用いて好適な洗浄方法およびその装置に関する。」（第１頁左欄第１８行目〜同頁右欄第２行目）
　実施例１として、半導体基板（刊行物１に記載の「フォトマスク基盤」がこれに相当する。）を洗浄槽に一つの洗浄液（同「ＩＰＡ」）の液面下にくるように収納し、かつ前記洗浄液を前記洗浄槽から溢流排出させながら洗浄すること（第４頁左上欄第２行目〜同頁右上欄第１行目、及び第１図参照）、また、ＩＰＡの代わりに超純水ならばさしつかえないこと（第４頁左下欄第１２〜１８行目）。
　実施例２として、半導体基板（同「フォトマスク基板」）を一つの洗浄液（同「超純水とＩＰＡの混合液（比重０．７９）」）に浸漬したまま洗浄槽に他の洗浄液（同「１．１．２−トリクロル−１．２．２−トリフルオルエタン、商品名：フレオンＴＦ（比重１．５８）」）を供給すること、超純水とフレオンは互いに溶解せず分離すること、及び超純水−ＩＰＡ液層は、洗浄槽よりオーバーフロー槽に溢流すること（第４頁右上欄第２行目〜同左下欄第１１行目、及び第３図参照）。
ウ−２　検討
　本件訂正発明と刊行物１に記載のものとを対比すると、刊行物１に記載のものは、実施例１のものが一つの洗浄液を溢流するものであること、また、実施例２のものが２種の洗浄液の比重差により一つの洗浄液を溢流するものであって、新たに追加された本件訂正発明の必須の構成要件である「洗浄槽に接続された供給管から供給される純水の液面下にくるように前記半導体基板の全てを前記洗浄槽に収納し、かつ前記純水を前記洗浄槽から溢流排出させる工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第１の供給支管から前記供給管に第１の洗浄液を供給し、前記純水と前記第１の洗浄液からなる第１の混合液を前記一つの洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記第１の洗浄液の供給を止め、前記洗浄槽を前記純水のみにする工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第２の供給支管から前記供給管に第２の洗浄液を供給し、前記純水と前記第２の洗浄液から成る第２の混合液を前記他の洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程を有すること」を備えておらず、当該構成要件により本件訂正発明は、一つの洗浄液から他の洗浄液に移行して洗浄する場合にも、純水が常に洗浄槽から溢流するため、半導体基板が常に各洗浄液または純水の液面下にあり洗浄途中において半導体基板が大気に暴露せず、従って洗浄途中において各洗浄液又は純水の液面が半導体基板の液面を通過することがなく、半導体基板表面への大気中からの汚染やエッチングむらによるヘイズの発生、ならびに洗浄液表面と大気による気−液界面部に存在する汚染物質の半導体基板表面への付着を抑制することができる。さらに、一つの洗浄液または他の洗浄液は、洗浄途中において、洗浄槽に常に供給する純水をそれぞれ共通の成分としてこれに第１の洗浄液または第２の洗浄液を混合してなるものであるため、洗浄途中において溢流する状態を維持しながら一つの洗浄液または他の洗浄液の濃度を調節変更することが可能で、かつ一つの洗浄液から他の洗浄液に移行する際においても溢流する状態を維持するため洗浄液と大気との気−液界面部のみならず洗浄液内に存在する汚染物質の半導体基板表面への付着をも抑制することができ、加えて他の洗浄液に移行する際には洗浄槽を一端純水のみにするため、他の洗浄液に一つの洗浄液が混ざることを防止することができ、これによって、半導体基板表面の状況に応じた洗浄が可能となり、高集積化した半導体装置の実現に適した半導体基板を提供することができるという格別な効果を奏するものであり、本件訂正発明が引用文献１に記載の各事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　なお、特許異議申立人の提出した甲第２号証（特開昭６２−１３６８２５号公報）には、半導体ウエハの流体処理（湿式処理）方法において、半導体ウエハを収容した処理容器２を液体充満状態にしたまま洗浄液を切り替えてウエハの洗浄を行なう装置において、洗浄液をＳＣ１（過酸化水素十アンモニア）→水→フッ化水素酸ＨＦ→水→ＨＣ１（塩酸）溶液と順次切り替えること、及び弁９６を使用して水を導入している状態で、ＨＦ溶液を入口弁９２に導入して、希釈ＨＦを処理容器２内へ導入することが記載されている（第１４頁右上欄第９行目〜第１５頁右下欄第２０行目、第３図、及び第５図参照）が、一つの洗浄液または他の洗浄液は、洗浄槽に常に供給する純水をそれぞれ共通の成分としてこれにを混合してなるものでなく、上記の新たに追加された本件訂正発明の必須の構成要件を備えていない。
　したがって、本件訂正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることが出来ない発明とすることはできない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　特許異議申立人北村二郎は、甲第１号証（特開昭６３−５８８４０号公報、取消理由で引用した刊行物１）、及び甲第２号証（特開昭６２−１３６８２５号公報）を提出し、本件特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、又は、甲第１号証ないし甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得たものであって、この発明に係る特許は、特許法第２９条第１項、又は、第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨の主張をしている。
（２）判断
　しかしながら、本件特許明細書は、前述のとおり訂正されることとなり、本件請求項１に係る発明は、前記２．（１）ア．のとおりである。そして、本件の特許請求の範囲に係る発明は、前記２．（３）ウ．において述べたように、異議申立人が提出した甲第１号証に記載された発明であるとも、又は、前記甲第１号証ないし甲第２号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月６日（２０００．１１．６）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２９０１７０５号発明の明細書（以下「明細書」という。）を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、次の各訂正事項ア〜エのとおり訂正する。
　ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「半導体基板を少なくとも２種以上の洗浄液でそれぞれ洗浄する方法において、前記半導体基板を洗浄槽内に洗浄液の液面下にくるように収納し、かつ一つの洗浄液から他の洗浄液に移行して洗浄する際にも前記洗浄槽から常に洗浄液が溢流排出するように連続して流しながら前記各洗浄液を順次切り替え、該半導体基板が常に液中に保持されるようにして洗浄を行うことを特徴とする半導体基板の洗浄方法であって、この洗浄方法は前記洗浄槽に接続された供給管から供給される純水の液面下にくるように前記半導体基板の全てを前記洗浄槽に収納し、かつ前記純水を前記洗浄槽から溢流排出させる工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第１の供給支管から前記供給管に第１の洗浄液を供給し、前記純水と前記第１の洗浄液からなる第１の混合液を前記一つの洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記第１の洗浄液の供給を止め、前記洗浄槽を前記純水のみにする工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第２の供給支管から前記供給管に第２の洗浄液を供給し、前記純水と前記第２の洗浄液からなる第２の混合液を前記他の洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程を有することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　明細書の第６頁第７行目〜第７頁第５行目の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　本発明は、半導体基板を少なくとも２種以上の洗浄液でそれぞれ洗浄する方法において、前記半導体基板を洗浄槽内に洗浄液の液面下にくるように収納し、かつ一つの洗浄液から他の洗浄液に移行して洗浄する際にも前記洗浄槽から常に洗浄液が溢流排出するように連続して流しながら前記各洗浄液を順次切り替え、該半導体基板が常に液中に保持されるようにして洗浄を行うことを特徴とする半導体基板の洗浄方法であって、この洗浄方法は前記洗浄槽に接続された供給管から供給される純水の液面下にくるように前記半導体基板の全てを前記洗浄槽に収納し、かつ前記純水を前記洗浄槽から溢流排出させる工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第１の供給支管から前記供給管に第１の洗浄液を供給し、前記純水と前記第１の洗浄液からなる第１の混合液を前記一つの洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記第１の洗浄液の供給を止め、前記洗浄槽を前記純水のみにする工程と、
　前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第２の供給支管から前記供給管に第２の洗浄液を供給し、前記純水と前記第２の洗浄液からなる第２の混合液を前記他の洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程を有することを特徴とするものである。」と訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　明細書第１２頁第７〜９行目の「また薬液は上記に限るものではなく、純水の使用を必須とするものでもない。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「また薬液は上記に限るものではない。」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　明細書第１２頁第１０〜１３行目の「間に純水を流してから次の洗浄液を流すようにしたが、洗浄液によっては間に純水を流さないで連続して次の洗浄液を流してもよい。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「間に純水を流してから次の洗浄液を流す。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
　半導体基板の洗浄方法
（５７）【特許請求の範囲】
　半導体基板を少なくとも２種以上の洗浄液でそれぞれ洗浄する方法において、前記半導体基板を洗浄槽内に洗浄液の液面下にくるように収納し、かつ一つの洗浄液から他の洗浄液に移行して洗浄する際にも前記洗浄槽から常に洗浄液が溢流排出するように連続して流しながら前記各洗浄液を順次切り替え、該半導体基板が常に液中に保持されるようにして洗浄を行うことを特徴とする半導体基板の洗浄方法
であって、この洗浄方法は前記洗浄槽に接続された供給管から供給される純水の液面下にくるように前記半導体基板の全てを前記洗浄槽に収納し、かつ前記純水を前記洗浄槽から溢流排出させる工程と、
　
前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第１の供給支管から前記供給管に第１の洗浄液を供給し、前記純水と前記第１の洗浄液からなる第１の混合液を前記一つの洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程と、
　
前記純水の供給を維持させながら、前記第１の洗浄液の供給を止め、前記洗浄槽を前記純水のみにする工程と、
　
前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第２の供給支管から前記供給管に第２の洗浄液を供給し、前記純水と前記第２の洗浄液からなる第２の混合液を前記他の洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程を有することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
　［発明の目的］
（産業上の利用分野）
　本発明は半導体基板の洗浄方法に関し、特に複数の洗浄液を用いて行う洗浄方法の改良に関する。
（従来の技術）
　周知の通り、半導体装置の高集積化は半導体基板の清浄度に寄るところが非常に高く、その為半導体基板の洗浄方法に対する要求は最近より高い水準のものになってきている。
　このような中で、従来より行われている、いわゆるバッチ式と言われる方法を、以下に図面を用いて説明する。
　第２図は第１の方法を示す断面図であり、この図により２種類の洗浄液による洗浄方法について説明する。
　１は洗浄槽であり、この底部には排出管２が排出弁３を中間部に設けて取着してあり、また内部の中間部には底部側の面から上面側に洗浄液が通流する複数の孔４が形成された棚５が設けてある。なお棚５は、この上に基板搬送器６に載せて置いた被洗浄物の半導体基板７が洗浄液の液面下にくる位置に設けてある。また洗浄槽１の上方には、洗浄槽１内に洗浄液Ａを供給する供給弁８を設けた供給管９が配置してあり、洗浄槽１の底部には洗浄液Ｂを供給する供給弁１０を設けた供給管１１が取着してある。
　このように構成したものにおいて、洗浄槽１の棚５上に基板搬送器６に載せたまま半導体基板７を置き、排出弁３を閉止しておいて供給弁８を開き、供給管９から洗浄槽１に洗浄液Ａを供給する。洗浄液Ａを半導体基板７の全面が浸るまで洗浄槽１に満たし、供給弁８を閉止して所定時間の洗浄を行う。その後、排出弁３を開き、洗浄槽１内の洗浄液Ａを排出管２を介して排出する。続いて排出弁３を閉止して供給弁１０を開き、供給管１１から洗浄槽１に洗浄液Ｂを供給する。洗浄液Ａと同様に洗浄液Ｂを半導体基板７の全面が浸るまで洗浄槽１に満たし、供給弁１０を閉止して所定時間の洗浄を行う。そして排出弁３を開き、洗浄槽１内の洗浄液Ｂを排出管２を介して排出して、洗浄液Ａと洗浄液Ｂによる半導体基板７の洗浄を終える。尚、多種類の洗浄液を用いて洗浄する場合は、各洗浄液毎の供給管等を設けて洗浄槽に洗浄液を供給し、排出管で排出してから次の洗浄液を供給して順次洗浄することになる。
　第３図は第２の方法を示す断面図であり、この図により３種類の洗浄液による洗浄方法について説明する。
　１５、１６、１７は各洗浄液毎に設けた洗浄槽であり、これらの底部には供給弁１８、１９、２０を設けて洗浄液Ｃ、Ｄ、Ｅを各洗浄槽に供給する供給管２１、２２、２３が取着してある。また各洗浄槽内部の中間部には、その上に基板搬送器６に載せて置いた半導体基板７が洗浄液の液面下にくる位置に、棚５が設けてある。
　このように構成したものにおいて、洗浄槽１５、１６、１７にそれぞれ供給弁１８、１９、２０を開き、供給管２１、２２、２３から洗浄液Ｃ、Ｄ、Ｅを供給する。各洗浄液は半導体基板７の全面が浸る以上に各洗浄槽に満たす。まず洗浄槽１５の棚５上に基板搬送器６に載せたまま半導体基板７を置き、洗浄液Ｃの中に所定時間浸して洗浄を行う。その後洗浄槽１５から半導体基板７を基板搬送器６に載せたまま引上げ、次の洗浄槽１６の棚５上に置き、洗浄液Ｄの中に浸して所定時間の洗浄を行う。さらに洗浄槽１６から半導体基板７を基板搬送器６に載せたまま引上げ、次の洗浄槽１７の棚５上に置き、洗浄液Ｅの中に浸して所定時間の洗浄を行う。その後基板搬送器６に載せたまま半導体基板７を洗浄槽１７から引上げて、洗浄液Ｃと洗浄液Ｄ、洗浄液Ｅによる半導体基板７の洗浄を終える。なお洗浄は、必要に応じ洗浄液を常に供給し、洗浄槽の上縁部から溢流させながら行ってもよい。尚、多種類の洗浄液を用いて洗浄する場合は、各洗浄液毎に洗浄槽等を設け、順次洗浄槽を替え、各洗浄液に浸して洗浄することになる。
　以上の各従来の洗浄方法では洗浄液を次から次へと移行させていく際に、半導体基板７の一部又は全部が一度大気に触れることになる。このような半導体基板７の大気への暴露は、洗浄された基板表面への大気からの汚染吸着の増大を招く。即ちダスト、反応生成物が付着する。また洗浄液を変えていく際に、洗浄液が半導体基板の表面を移動していく為、基板表面の状況により、基板表面に洗浄液が残っている部分の液−固の界面と、残っていない部分の気−固の界面の両者が混在し、次の洗浄液に浸漬した場合を含め、混在部分でエッチングむらが生じヘイズの発生を見ることになる。さらに上記に対する対応を進めていった場合でも、洗浄液を変更する度に半導体基板７の表面を洗浄液の液面、即ち気−液界面が移動することになり、この界面の移動により、界面部に存在する汚染物質が基板表面に付着し、汚染するという問題が残る。
（発明が解決しようとする課題）
　上記のような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところは半導体基板を洗浄するに際し、洗浄途中で基板を大気に暴露することが無く、また洗浄液を変更する度に洗浄液の液面が基板表面を通過することが無いために、ヘイズの発生がなく、付着する汚染物質が少ない、高集積化した半導体装置の実現を可能とする半導体基板の洗浄方法を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　本発明
は、
半導体基板の洗浄方法であって、この洗浄方法は前記洗浄槽に接続された供給管から供給される純水の液面下にくるように前記半導体基板の全てを前記洗浄槽に収納し、かつ前記純水を前記洗浄槽から溢流排出させる工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第１の供給支管から前記供給管に第１の洗浄液を供給し、前記純水と前記第１の洗浄液からなる第１の混合液を前記一つの洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記第１の洗浄液の供給を止め、前記洗浄槽を前記純水のみにする工程と、前記純水の供給を維持させながら、前記供給管に接続された第２の供給支管から前記供給管に第２の洗浄液を供給し、前記純水と前記第２の洗浄液からなる第２の混合液を前記他の洗浄液として前記洗浄槽に供給する工程を有することを特徴とする
（作用）
　上記のように形成された半導体基板の洗浄方法は、半導体基板を洗浄槽内に洗浄液の液面下に来るように収納し、ここに各洗浄液を順次連続して供給し、洗浄の途中で半導体基板を洗浄液の入った洗浄槽から引き上げることなしに洗浄を行うことになる。この時連続供給する各洗浄液は洗浄槽から常に溢流排出している。このため半導体基板は洗浄途中で大気に触れることがなく、また洗浄液の液面である気−液界面が半導体基板の表面を通過するのは、洗浄を終えて半導体基板を取り出す時だけとなり、ヘイズの発生がなく、付着する汚染物質が非常に少なくなる。
（実施例）
　以下本発明の一実施例を、第１図の要部を切欠いて示す正面図を参照して説明する。尚、従来と同一部分には同一符号を付して、説明を省略する。
　３０は洗浄槽であり、この上縁部の外面には全周にわたり洗浄槽３０から溢流排出する洗浄液の排出路を形成する樋部３１を設けており、底部にはマニホールド部を形成する供給管３２の一端を取着している。この供給管３２の片端には、第１の供給弁３３と第１の流量調節器３４とを介して、例えば純水を供給する第１の供給源３５を接続しており、第１の供給弁３３側の中間部には第１の供給支管３６、第２の供給支管３７、第３の供給支管３８がそれぞれの一端を取着している。また第１乃至第３の供給支管３６〜３８の片端にはそれぞれ第２、第３、第４の供給弁３９、４０、４１と、第２、第３、第４の流量調節器４２、４３、４４とを介して、例えば弗化水素、塩酸、過酸化水素の各薬液の供給源を接続している。４５は弗化水素を供給する第２の供給源であり、４６は塩酸を供給する第３の供給源であり、４７は過酸化水素を供給する第４の供給源である。
　このように構成したものにおいて半導体基板７を洗浄するに際し、まず第２乃至第４の供給弁３９〜４１を閉止しておき、第１の供給弁３３を開き、第１の流量調節器３４で流量を調節しながら洗浄槽３０に純水を溢流するように供給する。このようにしておきながら洗浄槽３０の棚５上に、基板搬送器６に載せたままの半導体基板７をその全面が浸漬するように置き、純水による洗浄を行う。続いて第２の供給弁３９を開き、第１の供給支管３６を介して第２の供給源４５から弗化水素を、純水が通流する供給管３２に送給する。弗化水素は供給管３２を通流する間に純水と混合し、希釈されて洗浄槽３０に溢流するように供給されるが、弗化水素の送給量は洗浄槽３０で所定の弗化水素の濃度になるように、第２の流量調節器４２を調節して行う。弗化水素による洗浄を所定時間行った後、第２の供給弁３９を閉止し、洗浄槽３０中を純水のみにする。次に第３の供給弁４０を開き、第２の供給支管３７を介して第３の供給源４６から塩酸を、純水が通流する供給管３２に送給する。塩酸は供給管３２を通流する間に純水で希釈され、洗浄槽３０に溢流するように供給されるが、塩酸の送給量は洗浄槽３０で所定の塩酸の濃度になるように、第３の流量調節器４３を調節して行う。塩酸による洗浄を所定時間行った後、第３の供給弁４０を閉止し、洗浄槽３０中を純水のみにする。さらに続けて第４の供給弁４１を開き、第３の供給支管３８を介して第４の供給源４７から過酸化水素を、純水が通流する供給管３２に送給する。過酸化水素は供給管３２を通流する間に純水で希釈され、洗浄槽３０に溢流するように供給されるが、過酸化水素の送給量は洗浄槽３０で所定の過酸化水素の濃度になるように、第４の流量調節器４４を調節して行う。過酸化水素による洗浄を所定時間行った後、第４の供給弁４１を閉止し、洗浄槽３０中を純水のみにする。その後洗浄槽３０から基板搬送器６に載せたまま半導体基板７を取り出して全部の洗浄を終わる。尚、必要に応じて純水を加熱し、温水として供給管３２に供給してもよく、また純水に加える各薬液の量が多く、濃度の高い洗浄液を使用する場合は、各供給支管の取着部より下流側の供給管３２内部、もしくは洗浄槽３０の底部に、スクリュー式などの撹拌機を内装して撹拌し混合を促進してもよい。
　以上のように実施することにより、一つの洗浄液から他の洗浄液に移行して洗浄する場合にも、洗浄液を連続して流しながら移行するので、半導体基板７を洗浄槽３０の外に引き出したり、洗浄槽３０内を空にしたりして大気に暴露するようなことも無く、また各洗浄液を洗浄槽から溢流するように連続して流し、洗浄を行うので、洗浄液の液面が半導体基板７の表面を通過するのは、半導体基板７を洗浄を終えて最後に洗浄槽３０から取り出す時の一度だけとなる。
　そのため、洗浄された半導体基板表面への大気中からの汚染（ダスト、反応生成物の付着等）はなくなり、またエッチングむらによるヘイズも発生しない。さらに洗浄液の気−液界面部に存在する汚染物質が基板表面に付着する汚染も少なくなる。またさらに各薬液の濃度を洗浄途中で調節し変更することができ、基板表面の状況に応じた対応も可能であり、各薬液の流す組み合わせが変えられるため、異なる仕様の洗浄をも行うことができる。
　尚、上記の実施例においては供給管３２をマニホールド部として各供給支管を取着し、ここで各洗浄液の主たる混合を行っているが、洗浄槽の底部に各供給支管を直接取着するように設け、この底部内で混合するようにしてもよい。
また薬液は上記に限るものではない。
間に純水を流してから次の洗浄液を流す。
［発明の効果］
　以上の説明から明らかなように、本発明は、半導体基板を洗浄槽内に洗浄液の液面下に来るように収納し、洗浄槽から常に洗浄液を溢流排出するように連続して流しながら複数の洗浄液を順次切り替えて洗浄を行うように形成したことにより、洗浄途中で半導体基板を大気に暴露することが無く、また洗浄液を変更する度に洗浄液の液面が基板表面を通過することが無いために、ヘイズの発生がなくなり、付着する汚染物質が少なくなり、高集積化した半導体装置の実現に適した半導体基板を提供できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明に係わる一実施例の正面図、第２図は従来の第１の方法を説明するために示す断面図、第３図は従来の第２の方法を説明するために示す断面図である。
７…半導体基板、３０…洗浄槽、３１…樋部、３２…供給管、３５…第１の供給源、４５…第２の供給源、４６…第３の供給源、４７…第４の供給源。