【事件の表示】
　特許第２８２７７９４号「ｐ型窒化ガリウムの成長方法」の請求項１及び２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８２７７９４号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2,827,794号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　平成5年2月5日
　特許権設定登録　　　平成10年9月18日
　特許公報発行　　　　平成10年11月25日
　異議の申立て（２件）平成11年5月24日
　取消理由通知　　　　平成11年8月3日
　異議意見書　　　　　平成11年10月19日
　
２．本件発明
　本件発明は、特許された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定された下記のとおりのものである。
「【請求項1】有機金属化合物気相成長法により、一般式InXAlYGa1-X-YN（0＜X＜1、0≦Y＜1）で表される窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた後、その窒化ガリウム系化合物半導体の上にMgを1×1017/cm3〜3×1020/cm3の範囲でドープしたp型GaNを成長させることを特徴とするp型窒化ガリウムの成長方法。
　【請求項2】前記InXAlYGa1-X-YN（0＜X＜1、0≦Y＜1）をGaN層の上に成長させることを特徴とする請求項1に記載のp型窒化ガリウムの成長方法。」
（以下、請求項１に係る発明を「本件第１発明」及び請求項２に係る発明を「本件第２発明」という。）
　本件発明は、上記構成により、MgドープGaNを何の後処理も必要とせず、低抵抗なｐ型とすることができ、成長中にすでにｐ型となっているため深さ方向に均一であり、このｐ型GaNを用いることにより、ダブルヘテロ構造の発光素子を容易に得ることができ、ｐ型層を半導体層内部に閉じこめた構造も可能であるという効果を生じるものである。
　
３．刊行物記載の発明
　取消理由通知書において引用した「JAPANESE　JOURNAL　OF　APPLIED　PHYSICS」（Vol.32(1993)、Part　No1A/B、第L8頁右欄第19行〜第L9頁左欄第16行（以下「刊行物１」という。））には、「P-GaN/N-InGaN/N-GaN二重へテロ構造を有する青色発光ダイオード」と題し、サファイア基板上に、MOCVD法(有機金属化合物気相成長法)に基づき、GaNバッファ層、SiドープGaN層、SiドープInGaN層及びMgドープGaN層を順次結晶成長させることにより、Mgドープp型GaN薄膜が形成され、その後、入射電子の加速電圧を１５kVに保持した条件下で高いp型GaNを得るために、LEEBI処理を行ったと記載されており（第L8頁右欄第19行〜第L9頁左欄第16行）、Fig.1には下記の構造が示されている。
　　Ｐ−ＧａＮ層
　　Ｎ−ＩｎＧａＮ層
　　Ｎ−ＧａＮ層
　　ＧａＮバッファ層
　　サファイア基板
  同じく特開平３−２１８６２５号公報（以下「刊行物２」という。）には、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶作製方法に関して、
「本発明は、マグネシウム（Mg）、亜鉛（Zn）、或いは炭素（C）などのアクセプタ不純物を添加した
　　((Ga1-XAlX)1-YInYN:０≦X＜1,0≦y＜1）
よりなる窒化ガリウム系化合物半導体結晶に電子線照射処理を行い、添加したアクセプタ不純物を活性化させるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
　　((Ga1-XAlX)1-YInYN:０≦X＜1,0≦y＜1）
よりなる結晶を得ることを特徴とする。（中略）
　更に、上記
　　((Ga1-XAlX)1-YInYN:０≦X＜1,0≦y＜1）
の結晶に添加するアクセプタ不純物濃度は、１・１０１７ｃｍ−３〜１・１０２１ｃｍ−３の範囲にあることが好ましい。」（第２頁左下欄第８行〜右下欄第３行）と記載されている。
  同じく、「GaN青紫色P-N接合発光ダイオードとGaN膜の結晶性」（第64回半導体物性等研究会　平成4年3月3日（以下「刊行物３」という。））には、「本講演では、GaNをバッファー層として成長したGaN膜の結晶性とその成長方法によって作られた高効率発光ダイオードについて述べる。」（第1頁「1.はじめに」の欄の下から2行〜最終行）、「GaN膜成長のために、我々は全く新規な考えのMOCVD(Two-Flow　MOCVD)装置を開発した。」（第1頁「2.GaN成長装置」の欄の第1〜2行）及び「P型GaN膜を得るためMgドープGaN膜の成長を行った。成長直後のMgドーブGaN膜の抵抗率は、約１０３Ω・cmから約１０６Ω・cmをの間でばらついた。最も低いもので320Ω・cmであり、キャリア濃度２×１０１５／cm３、移動度９cm２／V・sで明らかなP型を示した。成長直後のMgドープGaNが何も処理をせずにP型を示した報告は、これが最初である。」（第2頁「4.MgドープGaN膜の成長」の欄の第1〜5行）と記載されている。
　
４．比較及び検討
　(4.1)第１発明について
　本件第１発明（以下「前者」という。）と上記刊行物１記載の発明（以下「後者」という。）とを比較すると、両者は、有機金属化合物気相成長法により、インジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた後、その窒化ガリウム系化合物半導体の上にMgをドープしたp型GaNを成長させるp型窒化ガリウムの成長方法である点において一致し、以下の２点において相違している。
　第１の相違点
　上記インジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体が、前者においては、一般式InXAlYGa1-X-YN（0＜X＜1、0≦Y＜1）で表される窒化ガリウム系化合物半導体であるのに対し、後者においては、InGaNである点。
　第２の相違点
　p型GaNにドープするMgの量が、前者においては、1×1017/cm3〜3×1020/cm3であるのに対し、後者においては、単にMgドープGaN層と記載されているだけであり、そのドープ量について記載されていない点。
　上記相違点について検討すると、第１の相違点については、特許請求の範囲に記載された本件発明においては、窒化ガリウム系化合物半導体は上記一般式で記載されているが、発明の詳細な説明においては、実施例はいずれもInGaNであるから両者の間に実質的な相違はない。
　また、第２の相違点については、刊行物２に窒化ガリウム系化合物半導体のｐ層を形成するにはMgを1×10１７/cm３〜1×10２１/cm３添加することが知られているのであるから、それとほぼ等量である1×1017/cm3〜3×1020/cm3とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　なお、特許権者は、Mgを1×1017/cm3〜3×1020/cm3添加して成膜すると、その後何もしなくてもp型になると主張するが、上記刊行物３にも記載されているようにMgを添加して窒化ガリウム系化合物半導体を積層すれば何も処理せずにp型を示すことは本件特許出願前に知られていたので、Mgを上記の程度添加して窒化ガリウム系化合物半導体を積層することは当業者が容易に想到し得たことである。
  したがって、本件第１発明は、刊行物１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たことと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　(4.2)本件第２発明について
　本件第２発明は、上記第１発明の構成に、「前記InXAlYGa1-X-YN（0＜X＜1、0≦Y＜1）をGaN層の上に成長させること」を限定したp型窒化ガリウムの成長方法であるが、上記刊行物１においても、InXAlYGa1-X-YNの中の一つの形態（Y=0）であるInGaNをGaN層の上に成長させているので、本件第２発明と上記刊行物１記載の発明において上記限定点に関しては相違はない。
　したがって、本件第２発明は、上記本件第１発明と同様に、刊行物１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たことと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許明細書の請求項１乃至２に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月１日（２０００．２．１）