【事件の表示】
　特許第２９６２４１５号「交換結合膜」の請求項１ないし１９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９６２４１５号の請求項１ないし１９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９６２４１５号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平１０−２３６８０１号）平成１０年　８月２４日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　平成１１年　８月　６日
　特許異議申立（申立人：根津仁）　　　　平成１２年　４月１２日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　平成１２年　６月２０日
　特許異議意見書　　　　　　　　　　　　平成１２年　９月１４日
　
２．本件発明
　本件特許２９６２４１５号の請求項１〜１９に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された事項により特定されるとおりの次のものである。
「【請求項１】反強磁性層と強磁性層とが接して形成され、前記反強磁性層と強磁性層との界面にて交換異方性磁界が発生し、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記反強磁性層は、少なくとも元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうちいずれか１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成され、前記反強磁性層と強磁性層との界面構造が、非整合状態にあることを特徴とする交換結合膜。
【請求項２】前記反強磁性層の少なくとも一部の結晶構造が、Ｌ１０型の面心正方規則格子となっている請求項１記載の交換結合膜。
【請求項３】前記反強磁性層と強磁性層との界面にて、前記反強磁性層および強磁性層の結晶配向が異なっている請求項１または２に記載の交換結合膜。
【請求項４】前記強磁性層の｛１１１｝面が、前記反強磁性層との界面に平行な方向に優先配向するのに対し、前記反強磁性層の｛１１１｝面の配向度は、前記強磁性層の配向度よりも小さいか、あるいは無配向となっている請求項３記載の交換結合膜。
【請求項５】前記反強磁性層の｛１１１｝面が、前記強磁性層との界面に平行な方向に優先配向するのに対し、前記強磁性層の｛１１１｝面の配向度は、前記反強磁性層の配向度よりも小さいか、あるいは無配向となっている請求項３記載の交換結合膜。
【請求項６】前記反強磁性層と強磁性層との界面に平行な方向への、前記反強磁性層の｛１１１｝面の配向度、および前記強磁性層の｛１１１｝面の配向度は共に小さくなっているか、あるいは無配向となっており、前記｛１１１｝面以外の結晶面が、界面に平行な方向へ優先配向されて、反強磁性層と強磁性層の結晶配向が異なる請求項３記載の交換結合膜。
【請求項７】前記反強磁性層はＸ−Ｍｎ合金で形成され、元素Ｘは、Ｐｔである請求項１ないし６のいずれかに記載の交換結合膜。
【請求項８】前記反強磁性層はＰｔＭｎ合金で形成され、前記反強磁性層の格子定数ａ，ｃの比ｃ／ａは、０．９３〜０．９９の範囲内である請求項７記載の交換結合膜。
【請求項９】前記反強磁性層は、Ｘ−Ｍｎ−Ｘ′合金（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうちいずれか１種または２種以上の元素である）で形成され、前記Ｘ−Ｍｎ−Ｘ′合金は、元素ＸとＭｎとで構成される空間格子の隙間に元素Ｘ′が侵入した侵入型固溶体であり、あるいは、元素ＸとＭｎとで構成される結晶格子の格子点の一部が、元素Ｘ′に置換された置換型固溶体である請求項１ないし６のいずれかに記載の交換結合膜。
【請求項１０】前記反強磁性層として用いられるＸ−Ｍｎ−Ｘ′合金の元素ＸはＰｔである請求項９記載の交換結合膜。
【請求項１１】前記元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である請求項９または１０に記載の交換結合膜。
【請求項１２】前記元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのうち１種または２種以上の元素である請求項１１記載の交換結合膜。
【請求項１３】前記元素Ｘ′の組成比はａｔ％で、０．２?１０の範囲内である請求項９ないし１２のいずれかに記載の交換結合膜。
【請求項１４】前記元素Ｘ′の組成比はａｔ％で、０．５〜５の範囲内である請求項１３記載の交換結合膜。
【請求項１５】元素ＸとＭｎとの組成比の割合Ｘ：Ｍｎは、４：６〜６：４の範囲内である請求項１３または１４に記載の交換結合膜。
【請求項１６】前記反強磁性層として用いられるＸ−Ｍｎ−Ｘ′合金は、スパッタ法により形成される請求項９ないし１５のいずれかに記載の交換結合膜。
【請求項１７】前記反強磁性層が、Ｘ−Ｍｎ合金（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうちいずれか１種または２種以上の元素である）で形成され、前記反強磁性層が強磁性層の上に形成されており、Ｘ−Ｍｎ合金のＸの組成比はａｔ％で、４７〜５７の範囲内である請求項１、７、８のいずれかに記載の交換結合膜。
【請求項１８】前記反強磁性層が、Ｘ−Ｍｎ−Ｘ′合金（ただし、Ｘは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうちいずれか１種または２種以上の元素であり、Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）で形成され、前記反強磁性層が強磁性層の上に形成されており、Ｘ−Ｍｎ−Ｘ′合金のＸ＋Ｘ′の組成比はａｔ％で、４７〜５７の範囲内である請求項１３ないし１５のいずれかに記載の交換結合膜。
【請求項１９】Ｘ−Ｍｎ合金のＸの組成比、あるいはＸ−Ｍｎ−Ｘ′合金のＸ＋Ｘ′の組成比はａｔ％で、５０〜５６の範囲内である請求項１７または１８記載の交換結合膜。」
　
３．特許異議申立ての理由及び取消理由通知の概要
　特許異議申立人根津仁は、証拠として甲第１号証（特願平９−１４２４７号：特開平１０−２１４７１６号公報）、甲第２号証（特開平６−３１４６１７号公報）、甲第３号証（特開平７−７８３２７号公報）を提出し、本件請求項１〜７，９〜１９は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、また，本件請求項１，７，８に係る発明は甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
　また、取消理由通知の概要も特許異議申立ての理由と同主旨である。
　
４．特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明
　甲第１号証（特願平９−１４２４７号：特開平１０−２１４７１６号公報）は、交換結合膜に関する発明であり、以下の点が第１〜７図と共に記載されている。
【請求項１】強磁性体膜と、該強磁性体膜に隣接して形成された反強磁性体膜とを備え、上記強磁性体膜と上記反強磁性体膜との交換結合により、上記強磁性体膜の磁化の方向が固定されている交換結合膜において、
　上記反強磁性体膜がＭｎＰｔ合金からなると共に、
　上記強磁性体膜がｆｃｃ構造で（１１１）配向しており、
　かつ、これら反強磁性体膜と強磁性体膜との積層膜には、交換結合磁界を高めるための熱処理が施されていることを特徴とする交換結合膜。
【請求項２】上記反強磁性体膜をなすＭｎＰｔ合金のＰｔ組成が３２〜５０原子％であることを特徴とする請求項１に記載の交換結合膜。
【請求項３】強磁性体膜と、該強磁性体膜に隣接して形成された反強磁性体膜とを備え、上記強磁性体膜と上記反強磁性体膜との交換結合により、上記強磁性体膜の磁化の方向が固定されている交換結合膜の製造方法において、
　ｆｃｃ構造をとる強磁性体膜を（１１１）配向させて成膜すると共に、さらにこの上にＭｎＰｔ合金からなる反強磁性体膜を成膜し、その後、これら強磁性体膜と反強磁性体膜との積層膜に対して、交換結合磁界を高めるための熱処理を施すことを特徴とする交換結合膜の製造方法。
【請求項４】ｆｃｃ構造をとる強磁性体膜を（１１１）配向させて成膜する前に、該強磁性体膜の（１１１）方向への配向性を高める下地膜を形成しておき、該下地膜の上に上記強磁性体膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の交換結合膜の製造方法。
【００４１】強磁性体層３と反強磁性体層４とを積層した後に行なう熱処理は、反強磁性体層４のＭｎ原子の磁気秩序を向上させる働きをするものである。すなわち、熱処理前の反強磁性体層４では、Ｍｎ原子とＰｔ原子とが無秩序に配列しているため、Ｍｎ原子のもつ磁化の向きが無秩序になっており、強磁性体層３の原子と交換結合するＭｎ原子は少ない。ところが、反強磁性体層４を強磁性体層３と接合した状態で熱処理を行うと、熱振動によって反強磁性体層４の結晶構造が規則化され、Ｍｎ原子の反強磁性秩序化が促進される。同時に、反強磁性体層４と強磁性体層３との界面では、ある程度ランダムに向いていたＭｎ原子の磁気モーメントが熱振動によって回転し、ＮｉＦｅ合金の磁気モーメントと強磁性的に結合する。これら二つの効果により、強磁性体膜３と反強磁性体膜４との交換結合が増大するのである。
【００４９】〔実施例１〕本発明の第１の実施例を、図１および図３を用いて以下に説明する。本実施例に用いられる交換結合膜のサンプル♯１・♯２と比較サンプル♯１・♯２を、図１を用いて以下に示す。
【００５０】サンプル♯１は、ガラスからなる基板１の上に、Ｔａからなる下地層２、ＮｉＦｅ合金からなる強磁性体層３、Ｐｔの組成が４８原子％のＭｎＰｔ合金からなる反強磁性体層４を積層して作成した。
【００５４】サンプル♯１・♯２の各層２〜４および比較サンプル♯１・♯２の各層３・４は、一つの成膜装置を用いて４×１０−７Ｔｏｒｒ以下まで排気後、同一真空中で成膜したものである。また、上記各層２〜４の膜厚は、各サンプル♯１・♯２および各比較サンプル♯１・♯２において等しくなっている。
【００５５】また、上記各層２〜４のスパッタ条件は以下の通りである。下地層２、および反強磁性体層４は、ＤＣマグネトロンスパッタ法にて、Ａｒ圧が５ｍＴｏｒｒ、Ｐｏｗｅｒ＝６４１ｍＷ／ｃｍ２ 、の成膜条件で所定膜厚成膜した。強磁性体層３はＲＦコンベンショナルスパッタ法にて、Ａｒ圧：５ｍＴｏｒｒ、Ｐｏｗｅｒ：１３０ｍＷ／ｃｍ２、基板バイアス＝＋５０Ｖの成膜条件で所定膜厚成膜した。
【００６４】〔実施例２〕本発明の第２の実施例を、図１および図４を用いて以下に説明する。本実施例に用いられる交換結合膜は、図１に示すように、ガラスからなる基板１上に、下地層２としてＴａを２００Å、強磁性体層３としてＮｉＦｅ合金を１００Å、反強磁性体層４としてＭｎＰｔ合金を２００Å積層したものである。ここで、反強磁性体層４であるＭｎＰｔ合金のＰｔ組成比は、３２〜５０原子％の範囲で種々に変化させている。なお、各層２〜４の成膜条件は、実施例１と同様である。
【００６６】図４に示すように、反強磁性体層４のＰｔ組成比が４５〜４８原子％の交換結合膜では、熱処理温度が２００℃と比較的低温であっても、ＦｅＭｎ合金の反強磁性体層を持つ交換結合膜と比較して、遜色のない強い交換結合磁界が得られ、さらに、熱処理温度が２３０℃のものでは、約１７０〜２００Ｏｅという非常に強い交換結合磁界が得られている。
【００６７】また、２５０℃以上の熱処理では、反強磁性体層４のＰｔ組成比が３２〜５０原子％の広い組成範囲で交換結合磁界が得られ、特に、４５〜４８原子％の組成範囲では強い交換結合を得ることができる。
　
　甲第２号証（特開平６−３１４６１７号公報）は、交換結合膜に関す発明であり、以下の点が第１〜１０図と共に記載されている。
【請求項１】組成がＮ１００−ＺＭｎＺ（Ｎは　Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ａｇ，Ａｕ，Ｏｓ，Ｉｒのうちから選ばれた少なくとも１種、２４≦ｚ≦７５）で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜と、前記反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備えることを特徴とする交換結合膜。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。まず、本発明の第１の交換結合膜は、Ｎ１００−ＺＭｎＺ反強磁性体膜と、前記反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備えることを特徴とする。ここで、Ｎが Ｃｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ａｇ，Ａｕ，Ｏｓ，Ｉｒのうちから選ばれた少なくとも１種の金属である場合、ｚは２４≦ｚ≦７５の範囲である。なお、数値は原子％を表す。ｚ＜２４ではネール温度が室温以下となるため、交換結合が得られなくなる。一方、ｚ＞７５ではＭｎ量が多くなり耐蝕性が劣化してしまうため好ましくない。より好ましくは４０＜ｚ≦７０である。これらの金属は、反強磁性体膜のネール温度を好ましい範囲にまで低下させる点で特に好ましい成分である。
【０００９】また、Ｎが　Ｐｄ，Ｐｔのうちから選ばれた少なくとも１種である場合には、ｚは２４≦ｚ＜３５または４０＜ｚ≦７５の範囲である。すなわち、ｚ＜２４ではネール温度が室温以下となるため交換結合が得られなくなり、ｚ＞７５ではＭｎ量が多くなり耐食性が低下する。さらにこの場合、３５≦ｚ≦４０ではＮ１００−ｚＭｎｚ（ＮがＰｄ，Ｐｔのうちから選ばれた少なくとも１種）の結晶構造が歪んだ面心立方構造となり、成膜時に膜に大きな歪が加わり、反強磁性体膜と強磁性体膜との間で膜の剥離が発生するため好ましくない、より好ましくは４０＜ｚ≦７５の範囲である。これらの金属は、反強磁性体膜と強磁性体膜との格子整合性の点で特に好ましい成分である。
　
　甲第３号証（特開平７−７８３２７号公報）は、多層磁性層磁気記録媒体に関する発明であり、以下の点が第１〜１０図と共に記載されている。
【０１１２】（実施例３）実施例１と同様の構成を持つ磁気記憶装置において、基板として、直径２．５インチ、厚さ０．４ｍｍのＳｉ−Ｃ基板を用い、その表面に実施例１と同様にして略円周方向のテクスチャを形成した。その上に、２ｍＴｏｒｒのアルゴン圧の条件のもとで厚さ５０ｎｍのＣｒ下地層、第１の磁性層として厚さ１３ｎｍのＣｏ−１６ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ層、厚さ２ｎｍのＣｒ非磁性中間層、第２の磁性層として厚さ１１ｎｍのＣｏ−１１ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ層を順次積層した。さらに、その上に、実施例１と同様のカーボン保護層と潤滑層を順次形成した。こうして形成された磁気記録媒体をＸ線回折により分析した結果、Ｃｒ下地層では（１００）あるいは（１１０）結晶面が基板と略並行となるように結晶が配向成長し、磁性層は（１１０）面が基板と略並行となるよう配向成長していた。この磁気記録媒体のディスク円周方向に磁界を印加して測定した保磁力Ｈｃ（θ）は１９３０エルステッド、保磁力配向度は０．３２、残留磁束密度・総磁性層厚積Ｂｒ×ｔは１３６ガウス・ミクロンであった。媒体表面の磁気ヘッド走行方向に測定した中心線平均粗さＲａ（θ）は１．４ｎｍ、Ｒａ（ｒ）／Ｒａ（θ）は１．８であった。また、下地層、第１および第２の磁性層および非磁性中間層の中に不純物として含まれるＡｒ濃度は０．５ａｔ％以下であった。
　
５．本件請求項１〜１９に係る発明と特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明との対比・判断
　本件請求項１に係る発明と特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明とを対比すると、甲各号証には本件請求項１に係る発明の構成要件である「反強磁性層と強磁性層との界面構造が、非整合状態にあること」が記載されていず、さらにこれらを示唆する記載もない。また、本件請求項１に係る発明は、前記構成要件を具備することにより、「【０１６２】【発明の効果】より大きい交換異方性磁界を得ることが可能となっている。」という特許明細書記載の効果を奏するものである。
　なお、特許異議申立人は、「甲第１号証における反強磁性層と強磁性層の原子は、互いに無秩序に配列されており、本件請求項１における反強磁性層と強磁性層の界面構造が非整合状態であることと等価の構造が開示されている。」（特許異議申立書第１３頁第８行〜第１１行）と主張している。しかし、甲第１号証の「【００４１】強磁性体層３と反強磁性体層４とを積層した後に行なう熱処理は、反強磁性体層４のＭｎ原子の磁気秩序を向上させる働きをするものである。すなわち、熱処理前の反強磁性体層４では、Ｍｎ原子とＰｔ原子とが無秩序に配列しているため、Ｍｎ原子のもつ磁化の向きが無秩序になっており、強磁性体層３の原子と交換結合するＭｎ原子は少ない。ところが、反強磁性体層４を強磁性体層３と接合した状態で熱処理を行うと、熱振動によって反強磁性体層４の結晶構造が規則化され、Ｍｎ原子の反強磁性秩序化が促進される。同時に、反強磁性体層４と強磁性体層３との界面では、ある程度ランダムに向いていたＭｎ原子の磁気モーメントが熱振動によって回転し、ＮｉＦｅ合金の磁気モーメントと強磁性的に結合する。これら二つの効果により、強磁性体膜３と反強磁性体膜４との交換結合が増大するのである。」の記載は、単に熱処理によるＭｎ原子とＰｔ原子の規則化の説明であり、Ｍｎ原子とＰｔ原子とが無秩序に配列していても反強磁性層と強磁性層との界面構造が整合状態（双方の原子が１対１で対応した状態）にあることは十分にあり得ることである。即ち、Ｍｎ原子とＰｔ原子とが無秩序に配列していることと、界面構造が整合か非整合かは無関係であり、甲第１号証の反強磁性層と強磁性層との界面構造が、非整合状態であるとはいえない。
　さらに、特許異議申立人は、「甲第１号証と本件請求項１の交換結合膜は、同一の材料、構造からなり、同一の機能を発揮するものであるから、両者は同一と認められる。」（特許異議申立書第１３頁第１８行〜第２０行）と主張している。確かに、甲第１号証では、強磁性層がＮｉＦｅ，反強磁性層がＭｎＰｔで、反強磁性層の組成比が本件請求項１に係る発明と一部重複しているものがあるが、組成比が同じものでも、製造条件により、界面構造が整合か非整合かは変わるので、非整合であるとは限らない。
　また、特許異議申立人は、「甲第２号証においては、・・・Ｐｔ組成比は２５〜６０ａｔ％（「４０〜７５ａｔ％」はＭｎの組成比であり、Ｐｔ組成比は「２５〜６０ａｔ％」の誤りである。）が望ましいと述べられており、本件発明における反強磁性層と強磁性層との界面を非整合にするためのＰｔ組成比を包含している。」（特許異議申立書第１７頁第２４行〜第２８行）と主張している。確かに、甲第２号証でも、強磁性層がＮｉＦｅ，反強磁性層がＭｎＰｔで、反強磁性層の組成比が本件請求項１に係る発明と一部重複しているものがあるが、組成比が同じものでも、製造条件により、整合か非整合かは変わるので、非整合であるとはいえない。さらに、甲第２号証には、「【０００９】これらの金属は、反強磁性体膜と強磁性体膜との格子整合性の点で特に好ましい成分である。」と記載されており、反強磁性体膜と強磁性体膜の界面を整合させるものであって、非整合にさせるものではない。
　以上のように、特許異議申立人の主張はいずれも採用できない。
　したがって、本件請求項１に係る発明が、甲第１号証記載の発明と同一であるとも、また、甲第２号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　また、請求項２〜１９に係る発明は、請求項１をさらに限定したものであるから、本件請求項２〜１９に係る発明が、当該甲第１号証記載の発明と同一であるとも、また、当該甲第２号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
　６．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜１９に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１９に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月３０日（２０００．１１．３０）