【事件の表示】
　特許第２９７０８１０号「スパッタリングターゲット，薄膜，電極ないし配線および半導体装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７０８１０号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９７０８１０号は、昭和６３年１１月２２日に出願され、平成１１年８月２７日にその特許の設定登録がなされたものである。
　これに対し、西田良幸より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされたところ、平成１２年９月２９日付けで訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正事項
　平成１２年９月２９日付けの訂正請求は、特許請求の範囲の減縮とこの減縮に伴う明りょうでない記載の釈明を目的として、本件特許明細書を次のとおり訂正するものである。
（１）「特許請求の範囲」の欄
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１の「、高融点金属シリサイドターゲット、」を削除し、請求項１を次のとおり訂正する。
訂正事項ａ：「【請求項１】半導体装置のための薄膜形成に用いられる高融点金属−シリコンモザイクターゲットまたはＴｉ、Ｍｏ、ＷおよびＴａからなる群から選ばれる金属よりなる高融点金属ターゲットのいずれかのスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの少なくともスパッタされる表面の欠陥層および加工応力残留層がエッチング処理により除去されてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。」
（２）「発明の詳細な説明」の欄
　明りょうでない記載の釈明を目的として、本件特許明細書を次のとおり訂正する。
訂正事項ｂ：本件特許明細書の「、高融点金属シリサイドターゲット、」（本件特許公報第１頁第２欄第１１行乃至第１２行）を削除する。
訂正事項ｃ：本件特許明細書の「、あるいは高融点金属シリサイドターゲット」（本件特許公報第３頁第５欄第７行）を削除する。
訂正事項ｄ：本件特許明細書の「実施例２・・・その効果は絶大である。」（本件特許公報第４頁第７欄第３行乃至第８欄２８行）を削除する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、選択肢の中から「高融点金属シリサイドターゲット」を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、訂正事項ｂ乃至訂正事項ｄは、特許請求の範囲の減縮に伴う明りょうでない記載を釈明するものであり、しかも、これら訂正は特許明細書に記載した事項の範囲内でなされたものであるから新規事項の追加に該当せず、また当該訂正によって実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２−３．むすび
　以上のとおり、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについて
（１）本件発明
　特許権者が請求した上記訂正は、上述したとおり、認容することができるから、本件請求項１乃至５に係る発明（以下、それぞれ「訂正発明１乃至５」という）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「１．半導体装置のための薄膜形成に用いられる高融点金属−シリコンモザイクターゲットまたはＴｉ、Ｍｏ、ＷおよびＴａからなる群から選ばれる金属よりなる高融点金属ターゲットのいずれかのスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの少なくともスパッタされる表面の欠陥層および加工応力残留層がエッチング処理により除去されてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
２．前記エッチング処理が、湿式エッチング処理によって行われる、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
３．請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜。
４．請求項１または請求項２にいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された電極ないし配線。
５．請求項４に記載の電極ないし配線を少なくとも１部に用いてなる半導体装置。」
（２）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠方法として、先願明細書である甲第１号証（特願昭６３−９１４７４号（特開平１−２６３２６９号公報））を提出して、本件請求項１乃至５に係る各発明は、その出願の日前の出願であって、その出願後に公開された上記先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本件出願の発明者がその出願前の出願に係る上記の発明をした者と同一であるとも、また、本件出願の時にその出願人がその出願前の出願に係る上記特許出願の出願人と同一であるともいえないから、本件各発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである、と主張している。
（３）先願明細書の記載内容
　特許異議申立人が提出し当審が平成１２年７月１３日付け取消理由通知において引用した上記先願明細書には、次の事項が記載されている。
（イ）「本発明はスパッタリングターゲットの製造技術、特に、半導体装置の製造過程で用いられるスパッタリングターゲットの製造方法およびそれにより得られたスパッタリングターゲットに関するものである。」（第１頁左欄第１４行乃至第１８行）
（ロ）「すなわち、スパッタリングターゲットの材料としては、たとえばＭｏＳｉｘ、ＷＳｉｘなどが用いられているが、これらのメタルシリサイドを用いたスパッタリングターゲットの製造は、たとえばホットプレス法などの方法によりターゲット素材を形成し、これを切断した後に、その表面を研削加工することにより行われている。」（第１頁右欄第６行乃至第１２行）
（ハ）「ところが、前記スパッタリングターゲットは、機械的な研削加工によりターゲット材の表面に加工歪が形成されてしまい、この加工歪層の影響により、特にスパッタリングの初期においてターゲット材からの異物が多く発生することを本発明者は見い出した。」（第１頁右欄第１４行乃至第１９行）
（ニ）「そこで、本実施例においては、第１図（ａ）に示す如き加工歪層２を除去するため、ターゲット材１における加工歪層２の形成面に加工処理を施し、その加工歪層２が除去される（第１図（ｂ））。
すなわち、このような加工処理の具体例の１つとしては、ポリッシング方式がある。この場合、ターゲット材１の加工歪層２の形成面側を平坦なラッピング板に押し付けて、両者間に砥粒を加えながら相対運動させることにより、その砥粒でターゲット材１の加工歪層２を除去し、ターゲット材１の表面を鏡面加工する。それにより、ターゲット材２の表面は鏡面状態となり、無歪状態が実現される。
第２の加工処理方法としては、いわゆるメカノケミカルポリッシング法がある。この方法は機械的研磨手段により研磨と、化学的エッチング手段によるエッチングとを同時に実施するものである。この場合でも、ターゲット材１の表面の加工歪層２は除去され、鏡面加工状態となる。」（第２頁下段左欄第４行乃至右欄第２行）
（ホ）「本発明者が実験したところ、前記した２つの方法においては、ターゲット材１の表面の平滑度は約０．５μｍ程度となり、ターゲット材１の表面から０．５ｍｍ以内の加工歪層２はほぼ完全に除去することができた。」（第２頁下段右欄第３行乃至第７行）
（ヘ）「このように、本実施例によれば、ターゲット材１の表面に加工歪層２が存在しないので、スパッタリング時、特にその初期における異物発生の多発現象・・・が抑制され、スパッタリングの初期すなわちターゲット材１の使用開始直後から異物の発生を低減できる。」（第２頁下段右欄第８行乃至第１４行）
（４）当審の判断
（ｉ）本件訂正発明１について
　先願明細書には、半導体装置のための薄膜形成に用いられる「スパッタリングターゲット」に関し、ターゲット材（例えばＭｏＳｉｘなど）の表面の加工歪層をポリッシング方式やメカノケミカルポリッシング法により除去してスパッタリング時の異物の発生を低減させた「スパッタリングターゲット」の発明（以下、「先願明細書発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明１と先願明細書発明とを対比すると、両者は、ターゲット表面から異物（又は微細な粒子）の発生源である欠陥層を除去するという点では共通するところがあるが、少なくともターゲット表面から「除去する対象物」の点やそれを除去する「処理法」の点で相違していると云える。
　すなわち、本件訂正発明１は、「欠陥層および加工応力残留層」を「除去する対象物」としており、具体的には砥粒による研削仕上げ加工等の「機械加工」によって発生した「研削条痕、離脱孔および微小クラック等の加工欠陥層」（特許公報第５欄第１行及び第２行）や「加工応力残留層」を除去するものであるから、その「処理法」には、処理後のターゲット表面に加工応力が残留されない「エッチング処理」を採用しているのに対し、先願明細書発明は、「加工歪層」を「除去する対象物」としており、具体的には、上記（ホ）の「ターゲット材１の表面から０．５ｍｍ以内の加工歪層２はほぼ完全に除去することができた。」という記載に徴すれば、ターゲット材の表面からある深さ（０．５ｍｍ以内）まで加工歪層を面的に除去するものであり、しかも、その「処理法」として記載されているポリッシング方式やメカノケミカルポリッシング法はすべて機械的加工処理を伴うものであるから、本件特許明細書で欠陥層や加工応力残留層を生起するとしている機械的加工処理と何ら変わるところがなく、したがって先願明細書発明は「加工応力残留層の除去」を意図しているものではないと云うべきである。
　してみると、両者は、「除去する対象物」やその「処理法」の点で明らかに区別することができると云えるから、本件訂正発明１は、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
（ｉｉ）本件訂正発明２乃至５について
　これら発明は、少なくとも請求項１を引用してなるものであるから、上記（ｉ）で言及したと同様の理由により、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１乃至５に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件各発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月２２日（２０００．１２．２２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
本件訂正の要旨は、本件特許第２９７０８１０号発明の明細書を平成１２年９月２９日付け訂正請求書に添付された全文訂正明細書のとおり、すなわち、特許請求の範囲の減縮と明りょうでない記載の釈明を目的として、次の訂正事項ａ乃至ｄのとおり訂正するものである。
１．「特許請求の範囲」の欄
訂正事項ａ：請求項１の「、高融点金属シリサイドターゲット、」を削除し、請求項１を次のとおり訂正する。
「【請求項１】半導体装置のための薄膜形成に用いられる高融点金属−シリコンモザイクターゲットまたはＴｉ、Ｍｏ、ＷおよびＴａからなる群から選ばれる金属よりなる高融点金属ターゲットのいずれかのスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの少なくともスパッタされる表面の欠陥層および加工応力残留層がエッチング処理により除去されてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。」
２．「発明の詳細な説明」の欄
訂正事項ｂ：本件特許明細書の「、高融点金属シリサイドターゲット、」（本件特許公報第１頁第２欄第１１行〜第１２行）を削除する。
訂正事項ｃ：本件特許明細書の「、あるいは高融点金属シリサイドターゲット」（本件特許公報第３頁第５欄第７行）を削除する。
訂正事項ｄ：本件特許明細書の「実施例２・・・その効果は絶大である。」（本件特許公報第４頁第７欄第３行乃至第８欄２８行）を削除する。
（５４）【発明の名称】
スパッタリングターゲット，薄膜，電極ないし配線および半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　１．　半導体装置のための薄膜形成に用いられる高融点金属一シリコンモザイクターゲットまたはＴｉ，Ｍｏ，ＷおよびＴａからなる群がら選ばれる金属よりなる高融点金属ターゲットのいずれかのスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの少なくともスパッタされる表面の欠陥層および加工応力残留層がエッチング処理により除去されてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
　２．　前記エッチング処理が、湿式エッチング処理によって行われる、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
　３．　請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜。
　４．　請求項１または請求項２にいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットを用いて形成された電極ないし配線。
　５．　請求項４に記載の電極ないし配線を少なくとも１部に用いてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
　本発明は、半導体装置の電極配線材料等の薄膜形成に用いられる高融点金属−シリコンモザイクターゲットまたはＴｉ，Ｍｏ，ＷおよびＴａからなる群がら選ばれる金属よりなる高融点金属ターゲットのいずれかのスパッタリングターゲットおよびこのスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜、電極ないし配線ならびにこれら電極、配線を用いてなる半導体装置に関する。
（従来の技術）
　半導体装置の電極ないし配線、特にＭＯＳＬＳＩのゲート電極としては、従来、ポリシリコンが広く用いられている。しかしながら、ＬＳＩの高集積化に伴い、従来のポリシリコンを用いた半導体装置では、電気抵抗が大きく、信号伝搬の遅延が問題となってきている。一方、近年においては、セルファラインによる素子形成技術が種々提案されており、この場合のゲートソース、ドレイン電極材料として高融点金属材料が所望され、シリコンゲートプロセスとの互換性のある高融点金属シリサイドからなる薄膜形成技術が注目されている。
　このような半導体装置の電極ないし配線用の高融点金属シリサイド薄膜の形成に有効な方法の一つは、スパッタ法である。スパッタ法は、例えばＴｉ、Ｍｏ、ＷまたはＴａなど高融点金属とシリコンとをモザイク状に配列したモザイク型ターゲットにアルゴンイオンを衝突させて金属を放出させ、この放出金属をターゲット板に対向した基板に堆積させる方法である。したがって、このようなスパッタリングで形成されるシリサイド膜の性質は、ターゲット材の特性に大きく左右されることになる。
　従来のこのようなモザイク型ターゲットは、高純度、単結晶のシリコンと高純度の高融点金属を、例えばビームと呼ばれる扇型の形状に成形加工し、それらを組み合わせ所望の形状・寸法にすることにより作製されている。
　また、上記のようなモザイク型のターゲットの他に、高融点金属とシリコンを反応させて得られる高融点金属シリサイドからなるターゲットも提案されている。従来のこのようなシリサイドターゲットは、合成された高融点金属シリサイド粉末を出発材料として、成形ならびに真空ないし加圧焼結してシリサイド焼結体を作製し、このようにして得られた焼結体を所定の形状・寸法にすることにより得られる。
（発明が解決しようとする課題）
　しかしながら、上述した従来のスパッタリングターゲットにおいては、これを用いてスパッタリングによりシリサイド膜を形成する場合、その過程でターゲットのスパッタ面から微細な粒子（パーティクル）が不可避的に発生し、これが堆積しているシリサイド膜の中に混入するという問題がある。このために、形成された電極配線の抵抗が増大したり、ショート不良が発生するなどの不具合を引き起こす。特に、４Ｍ，１６Ｍと半導体装置の集積度が上昇するにつれて電極配線幅はさらに減少するため、シリサイド膜中に混入したパーティクルの粒径如何によってはショート不良率を増加させるので、製品歩留まりが大幅に低下するなどの問題がある。
　本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、スパッタリング中、特にスパッタリング初期に発生するパーティクル量を著しく減少させ、製品歩留まりの向上が図られたスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
発明の概要
　本発明によるスパッタリングターゲットは、半導体装置のための薄膜形成に用いられるスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの少なくともスパッタされる表面の欠陥層および加工応力残留層がエッチング処理により除去されてなることを特徴としている。
　さらに、本発明は、このスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜、電極ないし配線を包含する。
　さらに、本発明は、このようにして形成された電極ないし配線を少なくとも１部に用いてなる半導体装置を包含する。
発明の具体的説明
　本発明者は、前述した本発明の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、スパッタリング中にターゲットから発生するパーティクルは、ターゲットを構成しているビームを研削などの機械加工仕上げしたときの表面欠陥層、表面状態、残留応力などに起因していることを見出した。
　すなわち、研削仕上げ加工は、高速回転している研削砥石の硬い砥粒によって被加工物を削り取っていく加工法であり、高融点金属や単結晶珪素あるいはケイ素化合物のような硬くて脆い材料を研削加工する場合、粒状チップが加工面から飛散する。これは、研削時に砥粒との接触応力によって加工面に微少クラックが生じ、砥粒の通過後、応力の急激な解放によってクラックの肩部が押し上げられて、破片として離脱するものである。つまり、スパッタリングターゲットのような硬脆材料の加工に当っては、砥粒当りの切り込み深さまたは荷重を適当に大きくして、砥粒によって誘起される局部的応力場にクラックが含まれるくらいにし、このような材料の微少破砕の集積によって加工を進行させている。従って、加工面には、研削条痕、脱落孔および微少クラック等が存在する加工欠陥層が不可避的に発生する。このような加工欠陥層が全面に存在するターゲットを用いてスパッタリングを行うと、プラズマ中のイオンの衝突によって、上記加工欠陥部を起点として微細な粒子がターゲット表面から剥離離脱してこれがパーティクルとなって形成膜中に混入するのである。
　本発明者は、上記のような知見に基づいてさらに研究を重ねた結果、スパッタリングターゲットの表面にエッチング処理を施すことによって、上述したような加工欠陥層を迅速かつ効果的に除去することができ、パーティクルの生じない表面層を有するスパッタリングターゲットとなることを見出したものである。
　したがって、本発明は、スパッタリングターゲット表面部における機械加工によって発生した研削条痕、離脱孔および微少クラック等の加工欠陥層をエッチングにより除去してなることを基本的特徴としている。
　本発明の対象となるスパッタリングターゲットとしては、前述したＴｉ、Ｍｏ、ＷあるいはＴａなどの高融点金属とシリコンとで構成される高融点金属−シリコンモザイクターゲットが挙げられるが、このほかにも勿論、上記Ｔｉ、Ｍｏ、ＷあるいはＴａなどの高融点金属単独からなる金属ターゲットに適用することができる。
　本発明においては、所定の機械加工が施されたスパッタリングターゲットの少なくともスパッタが行われる面の表面をエッチングする。この場合のエッチング方法としては、迅速性ならびに操作の容易性の点で湿式エッチングが好ましく用いられる。ただし、本発明においては、湿式エッチングの他に、例えばスパッタエッチングや気相化学エッチングなどの乾式エッチングも使用可能であり、したがって本発明の範囲に含まれる。
　湿式エッチングを例にとって説明すると、ターゲットを構成する高融点金属は、例えば（イ）硝酸−フッ酸溶＜ＢＲ＞液、あるいは（ロ）硝−フッ酸溶液にさらにリン酸、酢酸などの腐蝕反応制御成分の少なくとも一種以上を含む溶液などのフッ酸系のエッチング溶液によってエッチングすることにより、仕上げ面を粗くすることなく、欠陥層及び加工応力残留層を除去できる。
　また、ターゲットを構成するシリコンは、例えば（イ）硝酸−フッ酸溶液、（ロ）硝酸−フッ酸溶液にさらにリン酸などの腐食反応制御成分を添加した溶液、（ハ）硫酸−過酸化水素溶液、あるいは（ニ）水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ溶液などのエッチング溶液によってエッチングすることで、仕上げ面を粗くすることなく、欠陥層および加工応力残留層を除去できる。
　さらに、高融点金属シリサイドのターゲットを処理する場合にあっては、例えば（イ）硝酸−フッ酸溶液、あるいは（ロ）硝酸−フッ酸溶液にさらにリン酸、酢酸などの腐蝕反応制御成分の少なくとも一種以上を含む溶液などのフッ酸系のエッチング溶液が好ましい。
　なお、上記エッチング処理に先立って、必要に応じて脱脂処理を行ってもよい。
　エッチング処理に際しての、エッチング溶液の濃度、処理時間、エッチング量については、研削方法、ターゲットの種類によって適宜選択することができるが、上述したように、仕上げ面を粗くすることなく、欠陥層および加工応力残留層を充分除去できるような範囲であることが肝要である。
　ところで、Ａｒイオン照射によるスパッタリングでは、イオンの衝突点は、高い応力場となり、しかも、高温にさらされている。したがって、ターゲット表層部に残留応力が残ると、スパッタリング中に生ずる熱により応力が増大していくつかの放射割れを含めた大きな割れが発生し、そのためにパーティクル発生量が増加する。したがって残留応力が残るターゲット表層部を完全に除去することが望ましい。
　このようにしてエッチングを行ったのち、常法に従って、水洗などを行うことにより、ターゲット面に残留しているエッチング溶液成分を完全に除去しておくことが必要である。また、必要に応じて、ターゲット面に形成されていることがあるエッチングによる表面酸化物を除去することもできる。
（実施例）
実施例１
　Ｍｏビームを、Ｍｏインゴットから１５．４ｍｍの厚さに切り出し、平面研削盤を用い、これを砥石（ＳＤ２００Ｎ１００ＶＤｌＥ）にて砥石周速１１００ｍ／分、切り込み速度１０μｍ／分の条件で厚さ１５ｍｍまで研削加工した。このビームを脱脂後、リン酸−硝酸−酢酸−弗酸（容量比は、５：２：２：１）の混酸中に浸し、表面層を５〜１５μｍ除去した。エッチング後ただちに、水洗し（５〜１０分間）乾燥し、仕上げた。
　Ｓｉビームは、Ｓｉインゴットから１５．３ｍｍの厚さに切り出し、平面研削盤を用い、砥石（ＳＤ４００Ｎ７５ＢＡ３．０）にて砥石周速１１００ｍ／分、切り込み速度１０μｍ／分の条件で厚さ１５ｍｍまで研削加工した。このビームを脱脂後、リン酸−フッ酸−硝酸（容量比５：５：２）混酸中に浸し、表面層を１０〜２５μｍ除去した。エッチング後ただちに、水洗し（５〜１０分間）、乾燥し、仕上げた。
　上記のビームを組み合わせたモリブデン−シリコンモザイク型ターゲットをマグネトロン・スパッタリング装置内にセットした。第１図はこの場合のモリブデン−シリコンモザイク型ターゲット１の斜視図であり、モリブデン２とシリコン３が交互に組合わされた様子を示す。
　このようにして得られたモリブデン−シリコンモザイク型ターゲットに、Ａｒイオン照射によるスパッタリングを行い、５インチ径のＰｏｌｙ−Ｓｉウェーハー上にシリサイド膜を３０００Å堆積した。
　この膜中に混入したパーティクル量を測定し（実施例１）、その結果を第２図に示した。また、比較例として研削加工により仕上げたモリブデン−シリコンモザイク型ターゲットを前記条件で３０００Å堆積した場合のパーティクル量を測定し（比較例１）、その結果を第２図に併記した。
　さらに、第３図および第４図はいずれもＳｉビームの表面状態を示す顕微鏡写真（ＳＥＭ）であり、第３図は上記研削加工直後の表面状態であり、一方第４図はエッチング処理後の表面状態を示す。また、第５図および第６図はいずれもＭｏビームの表面状態を示す顕微鏡写真（ＳＥＭ）であり、第５図は上記研削加工直後の表面状態であり、一方第６図はエッチング処理後の表面状態を示す。
　第２図〜第７図から明らかなように、ビーム表面をエッチング処理したモリブデン−シリコンモザイク型ターゲットは、その表面状態が極めて良好であり、スパッタリングの際に発生するパーティクル量は大幅に低減し、その効果は絶大である。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明の実施例に係るモリブデン−シリコンモザイク型ターゲットの形態を示す斜視図、第２図はウエハー上に存在するパーティクル量の変化を示すグラフ、第３図ないし第６図はターゲット表面の金属組織の状態を示すＳＥＭ顕微鏡写真である。
１……モリブデン−シリコンモザイク型ターゲット、２……モリブデンビーム、３……シリコンビーム