【事件の表示】
　特許第２８５９７８５号「アクティブマトリクス基板」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８５９７８５号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　平成　４年　９月　７日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　平成１０年１２月　４日
　特許異議の申立て（請求項１ないし３）
　（申立人　藤井　巌）　　　　　　　　　平成１１年  ７月２２日
　特許異議の申立て（請求項１ないし３）
　（申立人　セイコーエプソン株式会社）　平成１１年  ８月２４日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　平成１１年１０月２９日
　訂正請求　                            平成１１年１２月２４日
　訂正拒絶理由通知　　　　　　　　　　　平成１２年　１月２８日
　訂正請求書の補正　　　　　　　　　　  平成１２年　４月１０日
２．訂正の適否
（訂正明細書の請求項１に係る発明）
　平成１２年４月１０日付けの補正は、訂正明細書の特許請求の範囲をさらに減縮するために、平成１１年１２月２４日付け訂正請求書の特許請求の範囲に関する訂正事項を変更するものであって、この補正は、訂正請求書の要旨を変更するものであるから、特許法第１２４条の４第３項で準用する特許法第１３１条第２項の規定に適合せず、採用できない。
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件訂正発明」という。）は、平成１１年１２月２４日付け訂正請求書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「マトリクス状に形成された絵素電極と、該絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、該絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリクス基板であって、
　該薄膜トランジスタは、多結晶シリコンからなる半導体層が複数の領域に区分されたLDD領域を有するLDD構造となっており、両最外領域の一方がソース電極、他方がドレイン電極であり、該半導体層の片面側の上にゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に形成され、
　さらに該半導体層の該ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に絶縁膜を介して第1の遮光膜が形成されているとともに、該半導体層の該ゲート電極が形成された面の側に、間に1または2以上の絶縁膜を介して第2の遮光膜が形成されてなり、該第1の遮光膜は隣り合う遮光膜と連結されているとともに、該第1および第2の遮光膜は、少なくとも該LDD領域を覆うように形成されているプロジェクター用のアクティブマトリクス基板。」
（引用刊行物記載の発明）
　本件訂正発明に対し、平成１２年１月２８日付で通知した訂正拒絶理由に引用された刊行物１（特開昭６０−１３３４９３号公報）には、
「マトリクス状に形成された表示電極（４）と、該表示電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成されたゲート線（８０）およびソース線（７０）と、該表示電極、ゲート線およびソース線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタ（３）とを有するアクテイブマトリックス基板（１）であって、
　該薄膜トランジスタは、アイランド（１２）の両最外領域の一方がソース電極（７）、他方がドレイン電極（１０）であり、該アイランドの片面側の上に第２の絶縁膜（１５）とゲート電極（８）とがこの順に形成され、
　さらに該アイランドの該ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に第４の絶縁膜（１７）を介して裏側の遮光膜（１４）が形成されているとともに、該アイランドの該ゲート電極が形成された面の側に、表側の遮光膜（９）が形成されてなり、該裏側の遮光膜は隣り合う遮光膜と連結されているとともに、該裏側の遮光膜は、少なくとも該アイランド領域を覆うように形成されている透過型のアクティブマトリクス基板。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
（対比）
　引用発明と本件訂正発明を比較すると、両者は、アクティブマトリクス基板の発明であって、引用発明の「表示電極（４）」、「ゲート線（８０）」、「ソース線（７０）」、「薄膜トランジスタ（３）」、「アイランド（１２）」、「ソース電極（７）」、「ドレイン電極（１０）」、「ゲート電極（８）」、「裏側の遮光膜（１４）」、「表側の遮光膜（９）」が本件訂正発明の「絵素電極」、「走査配線」、「信号配線」、「薄膜トランジスタ」、「半導体層」、「ソース電極」、「ドレイン電極」、「ゲート電極」、「第１の遮光膜」、「第２の遮光膜」にそれぞれ相当しており、両者は、ともに
「マトリクス状に形成された絵素電極と、該絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、該絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリクス基板であって、
　該薄膜トランジスタは、半導体層の両最外領域の一方がソース電極、他方がドレイン電極であり、該半導体層の片面側の上にゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に形成され、
　さらに該半導体層の該ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に絶縁膜を介して第1の遮光膜が形成されているとともに、該半導体層の該ゲート電極が形成された面の側に、第2の遮光膜が形成されてなり、該第1の遮光膜は隣り合う遮光膜と連結されているとともに、該第1の遮光膜は、少なくとも該半導体層領域を覆うように形成されている透過型のアクティブマトリクス基板。」の発明である点で一致し、次のａ〜ｃの点で相違する。
ａ．薄膜トランジスタの半導体層について、本件訂正発明では、これが多結晶シリコンからなる複数の領域に区分されたLDD領域を有するLDD構造となっているのに対し、引用発明では、このようなLDD構造にはなっていない点。
ｂ．半導体層のゲート電極が形成された面の側に形成された第2の遮光膜について、本件訂正発明では少なくともLDD領域を覆う（実施例では、半導体層の全領域を覆う）ように間に絶縁膜を介して形成されているのに対し、引用発明では、遮光膜（９）は、ゲート電極領域を覆っているだけでゲート電極より外側の半導体層領域を覆ってはおらず、また、遮光膜（９）は、図面上ゲート電極（８）に接続されておりこの部分に絶縁膜が介在していない点。
ｃ．アクティブマトリクス基板について、本件訂正発明では、これがプロジェクター用とされているのに対し、刊行物１には、透過型との記載はあるものの、プロジェクター用とは記載されていない点。
（相違点についての判断）
　上記相違点ａについて検討するに、例えば、特開昭５８−１０５５７４号公報、特開平２−７４０７７号公報、特開平４−１７１８６５号公報（特に第４図）に記載されているように、オフ電流を少なくするために、アクティブマトリクス基板に使用される薄膜トランジスタの半導体層に多結晶シリコンからなるLDD構造を採用することは周知の事項であるから、引用発明における薄膜トランジスタの半導体層として本件訂正発明のごとく多結晶シリコンからなるLDD構造を採用することは、当業者が容易になし得たものと認められる。
　上記相違点ｂについて検討するに、アクティブマトリクス基板に使用される薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流を押さえるために、薄膜トランジスタの半導体層の全領域を覆う遮光膜をゲート電極が形成された面の側に絶縁膜を介して設けることは、例えば、特開昭５８−１５９５１６号公報（遮光膜６）、特開昭５８−１５９５２０号公報（遮光膜４）、特開昭６１−５９４７３号公報（第３図（ｅ）のＡｌ膜１２）に記載されているように周知であるから、引用発明においてこれら周知の構造を採用して、ゲート電極側に設けられる第２の遮光膜を本件訂正発明のごとく間に絶縁膜を介して半導体層領域全体を覆うようなものとすることも当業者が容易になしうる事項であると認められる。
　上記相違点ｃについて検討するに、透過型の液晶アクテイブマトリクス基板をプロジェクターとして用いることは、例えば、特開平４−２２９８３２号公報、特開平４−２０４４１８号公報、特開平４−１０６５３９号公報、特開平３−２８７２２３号公報、特開昭６１−１５０４８７号公報にみられるように周知であり、裏側から強い光が入射してもコントラストが劣化しないように裏側にも遮光膜を形成したものである刊行物１に記載されたアクテイブマトリクス基板（第３頁右上欄第３行〜左下欄第１０行の記載参照。）をプロジェクターに使用することも当業者が容易に想到し得たものと認められる。
（訂正の適否についての結論）
　以上のとおりであるから、訂正明細書の請求項１に係る発明は、上記引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、この訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する（特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の）特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
３．特許異議の申立てについての判断
（請求項１ないし３に係る発明）
　請求項１ないし３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】　マトリクス状に形成された絵素電極と、該絵素電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成された走査配線および信号配線と、該絵素電極、走査配線および信号配線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタとを有するアクティブマトリクス基板であって、
　該薄膜トランジスタは、多結晶シリコンからなる半導体層が複数の領域に区分されたＬＤＤ領域を有するＬＤＤ構造となっており、両最外領域の一方がソース電極、他方がドレイン電極であり、該半導体層の片面側の上にゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に形成され、さらに該半導体層の該ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に絶縁膜を介して遮光膜が形成されており、該遮光膜は少なくとも該ＬＤＤ領域を覆うとともに隣り合う該遮光膜と連結されているアクティブマトリクス基板。
【請求項２】　前記遮光膜が、多結晶シリコンにより形成された請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】　前記薄膜トランジスタのゲート電極側に、間に１または２以上の絶縁膜を介して第２の遮光層が形成された請求項１又は請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。」
（引用刊行物記載の発明）
　当審が通知した取消理由に引用した刊行物１（特開昭６０−１３３４９３号公報）には、上記した引用発明、すなわち、
「マトリクス状に形成された表示電極（４）と、該表示電極の近傍を通って格子状に相互に交差して形成されたゲート線（８０）およびソース線（７０）と、該表示電極、ゲート線およびソース線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタ（３）とを有するアクテイブマトリックス基板（１）であって、
　該薄膜トランジスタは、アイランド（１２）の両最外領域の一方がソース電極（７）、他方がドレイン電極（１０）であり、該アイランドの片面側の上に第２の絶縁膜（１５）とゲート電極（８）とがこの順に形成され、
　さらに該アイランドの該ゲート電極が形成された面とは反対側に、間に第４の絶縁膜（１７）を介して裏側の遮光膜（１４）が形成されているとともに、該アイランドの該ゲート電極が形成された面の側に、表側の遮光膜（９）が形成されてなり、該裏側の遮光膜は隣り合う遮光膜と連結されているとともに、該裏側の遮光膜は、少なくとも該アイランド領域を覆うように形成されている透過型のアクティブマトリクス基板。」の発明が記載されている。
（請求項１に係る発明について）
　請求項１に係る発明と引用発明を比較すると、両者は、前記訂正の適否において本件訂正発明と引用発明との相違点ａとして指摘した点において相違し、他に格別の相違は認められない。
　そして、この相違点ａに係る事項は、前記訂正の適否における前記相違点ａについての検討で指摘したように周知技術であり、当業者が容易に採用しうるものである。
　したがって、請求項１に係る発明は、引用発明及び前記周知技術に基づき当業者が容易に発明できたものである。
（請求項２に係る発明について）
　請求項２の遮光膜を多結晶シリコンにより形成することについて検討するに、刊行物１の第４頁右上欄第５〜１１行には引用発明における遮光膜（１４）としてポリシリコンが使用される旨記載されているところであるから、請求項２に係る発明も請求項１に係る発明と同様に、刊行物１に記載された発明及び前記周知技術に基づき当業者が容易に発明できたものである。
（請求項３に係る発明について）
　請求項３の薄膜トランジスタのゲート電極側に間に１または２以上の絶縁膜を介して第２の遮光層を形成することについて検討するに、光リーク電流を押さえるために薄膜トランジスタの半導体層の全領域を覆う遮光膜をゲート電極が形成された面の側に絶縁膜を介して設けることは、前記訂正の適否における相違点ｂについての検討の際に指摘したように周知の技術であるから、結局、請求項３に係る発明も、引用発明および前記訂正の適否において前記相違点ａに関して指摘した周知技術および前記相違点ｂに関して指摘した周知技術に基づき当業者が容易に発明できたものである。
４．むすび
　以上のとおりであるから、請求項１ないし３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１ないし３に係る発明の特許は、拒絶査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月１０日（２０００．５．１０）