【事件の表示】
　特許第２９８８４８３号「薄膜半導体装置の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９８８４８３号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許２９８８４８３号に係る出願は、平成２年９月２７日に出願された特願平２年２５７６５３号の一部を特許法第４４条第１項の規定により、平成１１年６月３０日に特願平１１年１８６６３９号として特許出願され、平成１１年１０月８日に設定登録されたが、その後特許異議申立人鈴木玉緒による異議の申立がなされたものである。
　
２．本件発明
　本件特許２９８８４８３号の請求項１，２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】 熱酸化法により形成されたゲート絶縁膜を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
シリコン薄膜が形成された基板を酸化炉に挿入する工程と、
前記酸化炉内で前記シリコン薄膜を酸化させてゲート絶縁膜を形成する工程を有し、
前記シリコン薄膜が形成された基板を酸化炉に挿入する工程において、前記基板の表面温度が２０℃／分以下の昇温速度で昇温するように前記酸化炉に挿入することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項２】 前記シリコン薄膜が形成された基板を酸化炉に挿入する工程において、前記基板を１００ｍｍ／分以下の挿入速度で前記酸化炉に挿入することを特徴とする請求項１に記載の薄膜半導体装置の製造方法。」
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人鈴木玉緒は、証拠として甲第１号証（特開平２−１２２６３１号公報）、甲第２号証（特開昭５６−１５８４３１号公報）、甲第３号証（特開昭６３−２２６０２９号公報）、甲第４号証（特開昭６３−１７７４２５号公報）、甲第５号証（理科年表、丸善株式会社出版、Ｐ４７２−４７３）を提出し、本件請求項１，２に係る発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
　
４．特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明
　甲第１号証(特開平２−１２２６３１号公報)は、薄膜トランジスタの製造方法を開示し、「第１図Ａに示すように、まず例えば石英ガラス基板１の全面に例えば低圧ＣＶＤ法により例えば膜厚８００Å程度の多結晶Ｓｉ薄膜２を形成する。」(３頁の左上欄５〜８行)、「次に、例えばＯ２雰囲気中において例えば１０００℃で４０分間熱酸化を行うことにより、第１図Ｅに示すように、多結晶Ｓｉ薄膜４上にＳｉＯ２膜から成るゲート酸化膜５を形成する」(３頁の右上欄８〜１１行)、「通常、酸化炉はＯ２、Ｎ２等を導入することができるように構成されている」(３頁の右下欄１２〜１３行)が、第１図と共に記載されている。
　甲第２号証(特開昭５６−１５８４３１号公報)は電力用半導体素子の酸化膜形成方法を開示し、「結晶欠陥の低減を図ることができる電力用半導体素子の酸化膜形成方法を提供することを目的とする。」(２頁の左上欄５〜７行)、「第２図はウェハーを９００℃から加熱開始させたときの加熱工程を示す実施例で、この図において、まず炉内を５０℃〜６０℃／ｍｉｎの加熱速度で９００℃まで加熱させる。この加熱過程がＡ部である。このように加熱された炉内にはドライ窒素Ｎ２が充填されるとともに、この雰囲気中にシリコンウエハーを挿入する。・・・炉内に挿入したシリコンウエハーが炉の均熱帯に到達したら、１００℃〜３００℃／ｈｒの加熱速度で炉自体の温度を１１００℃になるまで加熱する。」(２頁の左上欄１０行〜右上欄５行)、「炉内を５００℃〜９００℃に加熱した後、ウエハーを炉内に挿入して加熱速度を１００℃〜３００℃／ｈｒで加熱して設定温度に達したなら所定時間、設定温度を維持し、しかる後１００℃〜３００℃／ｈｒの冷却速度でウエハーを冷却させるようにして酸化膜を形成したので、結晶欠陥を従来に比較して大巾に低減することができる。」(３頁の左上欄２〜９行)が、第２図と共に記載されている。ここで、１００℃〜３００℃／ｈｒの加熱速度は、１.７〜５℃／分の昇温速度に相当する。
　甲第３号証(特開昭６３−２２６０２９号公報)は熱酸化による絶縁膜形成方法を開示し、「酸化までの標準的な手順は、ウエーハを洗浄・乾燥後、パドルに並べて、８００から９００℃に設定された炉に自動的に挿入し、その後、酸化温度まで徐々に昇温して酸化処理し、その後、降温してウエーハを取出す」(２頁の左上欄６〜１０行)、「石英管１２内を水素ガスで完全に置換したならば、反応炉の温度を徐々に、例えば毎分５℃の割合で昇温し、８００℃〜９５０℃とする。このように水素雰囲気中で熱処理を行うことによってシリコン基板１３表面の自然酸化膜を除去することができ、清浄化することができる。」(３頁の右上欄２行〜７行)、「自然酸化膜を除去したならば、反応炉の温度を徐々に例えば毎分２．５℃の割合で降温させ、例えば８００℃以下とする。そして第１のガス導入管１６からの水素ガスを窒素ガスへ切換え、ある一定時間例えば１０分間置換した後、第１のガス導入管１６を閉じ、窒素ガスの導入を停止し、第２のガス導入管１７を開き、酸素ガスを導入する。」(３頁の右上欄１１〜１７行)、「そして、再び、反応炉の温度を８５０℃〜９５０℃へ前述のように徐々に昇温し、シリコン基板１３の酸化を行う。この際、第２のガス導入管１７から酸素ガスを導入すると同時に、第１のガス導入管１６より水素ガスを導入し、水蒸気酸化を行ってもよく」(３頁の左下欄２行〜７行)が、第１図と共に記載されている。
　甲第４号証(特開昭６３−１７７４２５号公報)は、薄膜の形成方法を開示し、「第１図は、ソフトランディング炉の温度サイクルを示すもので、ウェハの酸化温度より十分に低い温度Ｔ１(以後に示すデータでは８００℃で行った。)以下でウェハを挿入し、置換ガス(データでは窒素ガスを用いた。)で炉内を満たした。その後、ウェハの反応温度Ｔ２(データでは１０００℃で行った。)以上に昇温し、反応ガス(データでは窒素、酸素混合ガスを用いて酸化反応を行った。)を流し薄膜形成を行った。」(２頁の右上欄１４行〜左下欄２行)、「この時のウェハローデイング速度は３ｍｍ毎秒」（２頁の右下欄３行〜４行）が、第１〜７図と共に記載されている。３ｍｍ毎秒のウェハーローディング速度は、１８０ｍｍ／分のウェハー挿入速度に相当する。
　甲第５号証（理科年表）には、石英とシリコンの熱伝導率が記載されている。
　
５．本件請求項１，２に係る発明と特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明との対比・判断
　本件請求項１，２に係る発明と特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明とを対比すると、当該甲各号証のいずれにも本件請求項１，２に係る発明の構成要件である「基板の表面温度が２０℃／分以下の昇温速度で昇温するように酸化炉に挿入すること」が記載されていず、さらにこれらを示唆する記載もない。また、本件請求項１，２に係る発明は、前記構成要件を具備することにより、「【００２２】本発明の酸化方法によって作製された薄膜トランジスタの電界効果易動度は２０〜３０ｃｍ２／Ｖ・ｓとなり従来方法に比べて２〜３倍に改善された。さらに、ドレイン電圧５ボルトの時のオフ電流は約５ｐＡと１桁小さくなった。」という特許明細書記載の効果を奏するものである。
　なお、甲第２号証の「１００℃〜３００℃／ｈｒ（１．７〜５℃／分）の加熱速度」及び甲第３号証の「毎分５℃／分で昇温」は、基板を炉内に挿入した後のことであり、基板挿入時の昇温速度については何ら記載がない。また、甲第４号証に「ウエハローディング速度３ｍｍ毎秒（１８０ｍｍ／分）」とあるが、この場合に基板の表面温度の昇温速度が、どの程度かは明らかでなく、さらに、本件請求項２に係る発明の「１００ｍｍ／分以下の挿入速度」の範囲外のものである。
　したがって、本件請求項１，２に係る発明が、当該甲各号証のいずれかに記載の発明であるとも、また、当該甲各号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
　６．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１，２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１，２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月７日（２０００．９．７）