(57)【要約】【課題】  封止部の材料に有害な紫外線を除去することにより、封止外層の寿命を延ばし、封止外層のコストを低減させることが可能な紫外線を除去する発光ダイオードを提供する。【解決手段】  紫外線を除去する発光ダイオード１は、リードフレーム１０と、リードフレーム１０上に配置された台部２０と、台部２０上に配置され、外側に光線を発するＬＥＤチップ３０と、ＬＥＤチップ３０上に配置され、光線中の紫外線を除去するフィルタ膜３１と、台部２０およびＬＥＤチップ３０が配置されたリードフレーム１０の一部を覆う封止部４０と、を備える。【選択図】図１
0003139178.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームと、
前記リードフレーム上に配置された台部と、
前記台部上に配置され、外側に光線を発するＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップ上に配置され、前記光線中の紫外線を除去するフィルタ膜と、
前記台部および前記ＬＥＤチップが配置された前記リードフレームの一部を覆う封止部と、を備えることを特徴とする紫外線を除去する発光ダイオード。
【請求項２】
前記フィルタ膜と前記ＬＥＤチップとの間には、透明状のカバー層が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の紫外線を除去する発光ダイオード。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、発光ダイオードに関し、特に紫外線を除去する発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のランプ型（ｌａｍｐ  ｔｙｐｅ）の高パワー発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）の封止には、封止外層の樹脂材料としてエポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）を用い、発光ダイオードとリードフレームとの接続を固定させるものがあった。エポキシ樹脂は、非常に安価な上に封止後の構造も非常に堅固であるため、発光ダイオードの封止材料としてよく利用されている。しかし、発光ダイオードが発する光線には紫外線（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｌｉｇｈｔ：ＵＶ）が含まれており、封止外層（すなわちエポキシ樹脂）は、その紫外線により炭素化され、透明度が低減することがあった。これにより、発光ダイオードの光線がエポキシ樹脂から有効に放射されなくなる上、エポキシ樹脂の透明度が低減されて、光線を完全に透過させることができなくなることがあった。
【０００３】
また、紫外線の影響を受けないシリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）樹脂材料でエポキシ樹脂を代替し、発光ダイオードの封止外層として用いる発光ダイオードがあった。しかし、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂のように堅固ではない上、エポキシ樹脂より高価であったため、封止外層のコストを低減させることのできる方法が求められていた。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本考案の目的は、封止部の材料に有害な紫外線を除去することにより、封止外層の寿命を延ばし、封止外層のコストを低減させることが可能な紫外線を除去する発光ダイオードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）  リードフレームと、前記リードフレーム上に配置された台部と、前記台部上に配置され、外側に光線を発するＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップ上に配置され、前記光線中の紫外線を除去するフィルタ膜と、前記台部および前記ＬＥＤチップが配置された前記リードフレームの一部を覆う封止部と、を備えることを特徴とする紫外線を除去する発光ダイオード。
【０００６】
（２）  前記フィルタ膜と前記ＬＥＤチップとの間には、透明状のカバー層が配置されていることを特徴とする（１）に記載の紫外線を除去する発光ダイオード。
【考案の効果】
【０００７】
本考案の紫外線を除去する発光ダイオードは、エポキシ樹脂からなる封止部が劣化して透光性が低下することを防ぎ、発光ダイオードの寿命を延ばすことができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本考案の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１および図２を参照する。図１は、本考案の第1実施形態による発光ダイオードを示す模式図である。図２は、本考案の第１実施形態によるＬＥＤチップ（ＬＥＤ  ｃｈｉｐ）３０を示す斜視図である。図１および図２に示すように、発光ダイオード１は、リードフレーム１０、台部２０、ＬＥＤチップ３０、フィルタ膜３１および封止部４０を少なくとも備える。リードフレーム１０は、金属材料からなり、第１のリードフレーム１０１および第２のリードフレーム１０２を含み、回路と接続されている。台部２０とは、第１のリードフレーム１０１の一端上で銀ペーストが塗布された箇所であり、そこにＬＥＤチップ３０が配置されている。このＬＥＤチップ３０の表面には、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）または蒸着法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）によりフィルタ膜（ＵＶ  ｆｉｌｔｅｒ）３１が形成されている。フィルタ膜３１は、酸化物（例えばＴｉＯ２）の一種であり、短波紫外線よりも短い波長（例えば青白光の波長）を含む光線がＬＥＤチップ３０から外側に放射されるときに、光線のなかに含まれる紫外線を反射させて遮断することができる。
【０００９】
ＬＥＤチップ３０は、導線１０３により第２のリードフレーム１０２と電気的に接続させてもよい。しかし、ＬＥＤチップ３０と第２のリードフレーム１０２とは、必ずしも導線１０３により接続させなくともよく、共晶反応法（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｒｅａｃｔｉｏｎ）により電気的に接続させてもよい。最後に透光可能な封止部４０により、台部２０およびＬＥＤチップ３０が配置されたリードフレーム１０の一部を覆う。具体的には、封止部４０は、第１のリードフレーム１０１上の台部２０、ＬＥＤチップ３０および第１のリードフレーム１０１の接続関係を固定し、第１のリードフレーム１０１と第２のリードフレーム１０２との間の接続関係を固定することができる。この封止部４０に使用される材料は、エポキシ樹脂およびシリコーン樹脂のうちの少なくとも一つを含む封止樹脂材料または導電金属を含む封止樹脂材料（第２のリードフレーム１０２とＬＥＤチップ３０との電気的接続を提供する）であり、これによりＬＥＤチップ３０が封止部４０内で光線を放射する時に、光線の中の紫外線を除去することができる。そのため、封止部４０には、透光度に悪影響を与える炭素化が発生しない。
【００１０】
ＬＥＤチップ３０内の各層の構造（例えば、ｐ型電極層（ｐ−ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、ｎ型電極層（ｎ−ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、ｐ型ＧａＮ層（ｐ−ＧａＮ）、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）、ｎ型ＧａＮ層（ｎ−ＧａＮ）および基材層（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）の各層）の形成順序およびその作用は、当該技術に習熟した者であるなら分かる上、本考案の重点ではないため、ここでは詳しく述べない。
【００１１】
（第２実施形態）
図３を参照する。図３は、本考案の第２実施形態による発光ダイオードチップを示す斜視図である。しかし、本考案のフィルタ膜３１は、ＬＥＤチップ３０の表面に直接配置するだけに限定されるわけではなく、ＬＥＤチップ３０の表面に配置されたカバー層６０上に配置させてもよい。カバー層６０は、ガラスや透光プラスチックなど、光線を透過させることができればどんな材料からなってもよい。これにより、ＬＥＤチップ３０から放射される光線は、カバー層６０およびフィルタ膜３１を透過する時に封止部４０を炭素化させる紫外線が除去される。
【００１２】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本考案の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本考案を限定するものではない。本考案の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本考案の実用新案登録請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本考案の第1実施形態による発光ダイオードを示す模式図である。
【図２】本考案の第1実施形態によるＬＥＤチップを示す斜視図である。
【図３】本考案の第２実施形態によるＬＥＤチップを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００１４】
１…発光ダイオード、  １０…リードフレーム、  ２０…台部、
３０…ＬＥＤチップ、  ３１…フィルタ膜、  ４０…封止部、
６０…カバー層、  １０１…第１のリードフレーム、
１０２…第２のリードフレーム、  １０３…導線。
【図１】
0003139178.tif 000003
【図２】
0003139178.tif 000004
【図３】
0003139178.tif 000005