【事件の表示】
　特許第２９４３７４０号「化学増幅型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９４３７４０号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）本件発明
　特許第２９４３７４０号（平成８年１２月１６日出願、平成１１年６月２５日設定登録）の請求項１ないし請求項６に係る発明（以下「本件発明１」ないし「本件発明６」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の各請求項に記載されたとおりのものである。
（２）申立ての理由の概要
　特許異議申立人株式会社東芝（以下、「申立人」という。）は、証拠として甲第１号証（特開平８−１５８６３号公報）、甲第２号証（Journal of Photopolymer Science and Technology vol.9, no.3 (1996) p.457-464）、甲第３号証（特開平８−８２９２５号公報（p.1-24抜粋））、甲第４号証（特開平５−１２７３７０号公報）、甲第５号証（特開平７−２３４５１１号公報）を提出し、請求項１ないし請求項６に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、特許を取り消すべきものである旨主張している。
（３）甲第１〜４号証記載の発明
［甲第１号証］（特開平８−１５８６３号公報）
　甲第１号証の【請求項１】には、「一般式（１）【化１】（注．芳香環を有する３元共重合体。詳説しない。）で表される構成単位を有する重合体と酸発生剤とを含有するレジスト組成物」が記載され、【００２０】には、「本発明の組成物において、前記式（１）で表される構成単位を有する重合体は、放射線の照射により酸発生剤から生成する酸の作用を受けて被照射部分の溶解度が変化する。本発明の組成物はアルカリ現像液を用いることによりポジ型レジストとして作用する。」と記載されている。さらに【００２０】には、「前記式（１）で表される構成単位を有する重合体は、酸不安定性基をベンジルエーテル基を介して、ポリマーに結合させることにより、ドライエッチング耐性や解像性などのレジスト特性が向上するものと思われる」と記載されていることと式（１）とから、酸不安定性基（＝酸分解性基）は、−ＣＲ２Ｒ３−Ｐｈ−Ｒ４の構造のものであり、Ｒ２、Ｒ３がメチル基（【０００５】）、Ｒ４が−Ｏ−ＣＲ８Ｒ９Ｒ１０の形のものも含まれる。
　【００１７】には、酸発生剤の樹脂に対する配合量が記載され、【００２２】には、「本発明のレジスト組成物を溶剤に溶解させたレジスト溶液をシリコンウエハなどの基板表面に定法により塗布した後、溶剤を乾燥除去することによりレジスト膜を形成することができる。」「このようにして得られたレジスト膜にパターンを形成させるための露光で用いられる露光源としては遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光、Ｘ線、電子線などの電子線源が挙げられる。さらに露光後に熱処理（露光後べ一ク）を行うと感度の向上と安定化が図れるため好ましい。」と記載されている。
　また、【００４５】には、「本発明によれば、感度、解像性、耐エッチング性などのレジスト特性に優れ、波長の短い遠紫外線やＫｒＦエキシマレーザー光を用いるリソグラフィーに適したレジスト材料が得られる。」という効果を奏することが記載されている。
［甲第２号証］（Journal of Photopolymer Science and Technology vol.9, no.3(1996)p.457-464）
　甲第２号証の４５７頁には、「近年の半導体デバイスの高密度化への追求下にあっては、クオーターミクロンオーダーのＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィ用の単層のフォトレジストに対する強い要求がある。この目的に対するフォトレジストは高いドライエッチング耐性と１９３ｎｍのＡｒＦレーザー線の波長に対する透明性を持つことが重要である。芳香族化合物を備える感光性組成物は高いドライエッチング耐性を有することが知られている。多くの種類のフェノール樹脂がこの種のレジスト材料のベース材料として開発されてきた。しかしこの利便な種類のレジスト材料は波長の短い光源を用いたパターニングに用いられると、レジストがその波長において強い吸収を有するため、レジスト層の表面から離れるにしたがい所望の領域に露光光が十分貫通しない。結果としてこれらのレジスト材料で微細なパターンを形成することは困難であった。」と記載され、４５８頁には、「ドライエッチング耐性と短波長領域に対する透明性に加えて環境に対して悪影響を与えない必要がある。これらの要求性を満たすために我々は天然のメントールをポリマーの一部とした、すなわちメンチルメタクリレート三元共重合体をベースにした、新規な単層のレジストを開発した。」と記載され、４６０〜４６３頁には、上記三元共重合体、光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト組成物がドライエッチング耐性及び１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーに対する透明性を兼ね備えることを示す実験結果が記載されている。
［甲第３号証］（特開平８−８２９２５号公報（p.1-24抜粋））
　甲第３号証の【請求項１】ないし【請求項２】には、テルペノイド骨格、より望ましくは一般式（１）で示すメンチル基（注．環式炭化水素基の一種）またはメンチル誘導体基を有する化合物を含む感光性材料が記載されている。
　そして、【００２７】には、「メンチル基またはメンチル誘導体基は感光性材料の任意の成分に存在させることができる。」と記載されている。（ただし、【００４２】【００４３】に列挙されている酸分解性基としては、メンチル基を含むものは挙げられていない。）
　【請求項４】には、前記テルペノイド骨格を有する化合物が酸で分解または架橋する基を含むと共にこの化合物に対し光酸発生剤が配合されてなること（化学増幅型レジストとすること）が記載されている。
　また、【０１１９】〜【０１２２】には、「テルペノイド骨格を有する化合物は芳香環を有しないにもかかわらず優れたドライエッチング耐性を示すことを見出した。」と記載され、「テルペノイド骨格を有する化合物は芳香環を有しないので、本来ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光などの短波長領域における吸収が少なく、透明性に優れている。このようなテルペノイド骨格を有する化合物を含有しているので、紫外線、DeepＵＶ光、２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光、１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、およびＸ線などの短波長光に対して透明性が優れ、かつ十分なドライエッチング耐性を有する感光性材料が得られた。」と記載され、また、「特に、前記化合物としてメンチル基またはメンチル誘導体基を含有する化合物を用いた場合には、よりドライエッチング耐性に優れた感光性材料が得られる。メンチル基などでは環構造を有するので一方の炭素−炭素結合が切れても他方の結合が残るためであると考えられる。」と記載されている。
［甲第４号証］（特開平５−１２７３７０号公報）
　甲第4号証の【請求項１】には、「アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤及び一般式(a)で表される化合物とを含むことを特徴とするポジ型感光性組成物。」が記載され、一般式(a)で表される化合物（注．有橋環式炭化水素基のアダマンタン基を含む）は溶解抑止剤として添加されている。
［甲第５号証］（特開平７−２３４５１１号公報）
　甲第5号証の【請求項４】には「一般式【化３】で示される三元共重合体（注．脂環族の基を有する３元共重合体。）と放射線照射により酸を生じる物質とからなることを特徴とする感放射線感光材料。」が記載されている。脂環族としては【０００４】にノルボルネン、トリシクロ[５．２．１．０2.6]デカン、アダマンタンなどの有橋環式炭化水素基が挙げられている。
　また、上記三元共重合体を用いた環放射線感光材料の具体例として、レジストが開示されている。（【０１２５】〜【０１２８】）
（４）対比・判断
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、本件発明１と甲第１号証の[請求項１]とは、いずれも「少なくとも酸の作用により酸分解性基が分解しアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂と、露光により酸を発生する光酸発生剤を含有する化学増幅型フォトレジスト」に関する発明である点で一致している。
　一方、本件発明１は「樹脂中に芳香環を含まない」ものであるのに対し、甲第１号証に記載された発明は樹脂中に芳香環を含んでいるものである点、及び、
本件発明１は「樹脂構造中の酸の作用により分解する酸分解性基」が、
　−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｒ１−ＯＲ２（Ｒ１は環式炭化水素基を有する炭素数６〜１０の２価の炭化水素基、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、あるいはアシル基。）で表されるものであるのに対し、
甲第１号証に記載された発明では、
　−Ｃ（ＣＨ３）２−（芳香環）−Ｏ−（アルキル基等）
である点、すなわち特に本件発明１では酸分解性基は上記のような芳香環でない環式炭化水素基を有するものであるのに対し、甲第１号証に記載された発明は酸分解性基が芳香環を有するものである点で、
本件発明１は甲第１号証に記載された発明とは構成上異なっている。
　以下、上記相違点について検討する。
　甲第２号証ないし甲第３号証には、耐ドライエッチング性を保持しつつ２２０ｎｍ以下の光に対する透明性を向上させるために芳香環を含有する樹脂（フェノール樹脂等）に代えて芳香環でない環式炭化水素基（メンチル基）を含有する樹脂を用いることが記載されている。
　そこで、申立人は、「当業者であるならばドライエッチング耐性を保持しつつ、波長１８０ｎｍ〜２２０ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーに対して透明性を有するレジストを得るために、甲第１号証に記載されたレジスト組成物において、甲第２号証あるいは甲第３号証に得られる知見に基づいて、樹脂成分として芳香環を含まないものを用い、さらに芳香環部分を芳香環以外の環構造を持つ環式炭化水素基とすることにより、甲第１号証記載の発明の効果、すなわち、ドライエッチング耐性、基板密着性に優れる、溶解阻止能(露光前後での溶解速度差)が大きい、解像度に優れるといった効果に加えて、１８０ｎｍ〜２２０ｎｍの光に対して透明性を有するという本件請求項１記載のレジスト組成物と同一の効果を有するレジスト組成物を得ることができるということは容易に類推できる」と主張する。
　しかし、甲第２号証ないし甲第３号証に記載された芳香環でない環式炭化水素基であるところのメンチル基は、酸分解性基中に用いられるものとして示されていない。（甲第３号証では、【００４２】【００４３】に酸分解性基が列挙されているが、メンチル基を含むものは挙げられていない。）つまり、甲第２号証ないし甲第３号証には、メンチル基が酸分解性基中の基として使用されることについては何ら記載されていないし示唆されてもいない。すなわち、甲第２号証ないし甲第３号証には、
　−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｒ１−ＯＲ２（Ｒ１は環式炭化水素基を有する炭素数６〜１０の２価の炭化水素基）
の構造のものが、酸分解性基として使用されることについては何ら記載されていないし示唆されてもいない。また、そのような構造の酸分解性基によってもたらされる効果も明らかでない。
　したがって、甲第２号証ないし甲第３号証の存在によっても、甲第１号証記載の発明において、２２０ｎｍ以下の光に対する透明性を向上させるために、樹脂骨格中の芳香環を芳香環以外の環構造を持つ環式炭化水素基とするだけでなく、
　−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｒ１−ＯＲ２（Ｒ１は環式炭化水素基を有する炭素数６〜１０の２価の炭化水素基）
の構造のものを酸分解性基とすることにより本件明細書記載の効果を奏することまでは、当業者にとっても明らかではないから、申立人の主張は採用できない。
　なお、甲第４号証は、溶解抑止剤についてのものであるから、甲第１号証に係る発明と結びつくものではない。また、甲第５号証は甲第１号証に係る発明の容易性について引用されたものではない。
　したがって、本件発明１を甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものとすることはできない。
　また、本件発明２〜６は本件発明１を引用するものであるから、同様に甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものとすることはできない。
（５）むすび
　以上のとおり、本件発明１〜６は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではないから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜６についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜６についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月２５日（２０００．７．２５）