【事件の表示】
　特許第２９５８４９１号「光電変換装置の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５８４９１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第２９５８４９１号の請求項１に係る発明についての出願は、平成２年３月２８日に特許出願され、平成１１年７月３０日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、佐藤正より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月１７日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
　ア．訂正の内容
　特許権者は、以下の訂正を求めるものである。
ａ．明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載された「この層の成膜温度と同等又はこれより高い温度でこの層で熱処理を施し、」を「この層の成膜温度より高い温度でこの層に熱処理を施し、」と訂正する。
ｂ．同じく請求項1に記載された「この第1の不純物半導体層の成膜温度と同等又はこれより高い温度で真性半導体層を成膜した上で、」を「この第1の不純物半導体層の成膜温度より高い温度で真性半導体層を成膜した上で」と訂正する。
ｃ．同じく請求項1に記載された「n層、又は、p層の第2の不純物半導体を成膜するものであり、」を「n層、又は、p層の第2の不純物半導体を第1の不純物半導体層の成膜温度と同等で成膜するものであり、」と訂正する。
ｄ．明細書第2頁第21行~第24行（特許公報第２頁第３欄第３０行乃至３５行）の「p層、または、n層の第1の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度と同等又はこれより高い温度でこの層に熱処理を施し、この第1の不純物半導体層の成膜温度と同等又はこれより高い温度で真性半導体層を成膜したうえで、n層、または、p層の第2の不純物半導体層を成膜するものであり、」を、「p層、または、n層の第1の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度より高い温度でこの層に熱処理を施し、この第1の不純物半導体層の成膜温度より高い温度で真性半導体層を成膜したうえで、n層、または、P層の第2の不純物半導体層を第1の不純物半導体層の成膜温度と同等で成膜するものであり、」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項aおよびｂは、明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載された２者択一の記載を一方のものに限定するものであるので、特許請求の範囲を減縮するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　訂正事項ｃ．は、明細書第3頁第8行~第14行（特許公報第２頁第４欄第２行ないし第７行）の「ガラス基板(1)上の例えばSn02 からなる透明電極(2)の上に、まずa-SiC:Hからなるp層(3)を250Å成膜する。グロー放電装置に供給するガス流量は、SiH4 が5sccm、CH4 が15sccm、B2 H6(1000ppmH2 希釈品)が15sccm、H2 が50sccmである。他の条件は、反応圧力1.0Torr、基板温度200℃、RFパワー50mW/cm2 である。」と、明細書第3頁第19行~第22行（特許公報第２頁第４欄第14行ないし第18行）の「続いてｉ層(4)の上に、微結晶化したa-Si:Hからなるn層(5)を300Å成膜する。ガス流量は、SiH4 が5sccm、PH3(1000ppmH2希釈品)が100sccm、H2 が200sccmである。他の条件は、反応圧力1.0Torr,基板温度200℃、RFパワー500mW/cm2 である。」と、明細書第4頁第19行~第20行（特許公報第３頁第５欄第４行ないし第５行）の「半導体層のうち最後に成膜するn層(5)の成膜温度は、p層(3)の成膜温度と同等又はi層(4)の成膜温度と同等が適当である。」との記載に基づき特許請求の範囲を減縮するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　訂正事項ｄ．は、上記訂正事項ａ，ｂ，ｃに伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合性をとるためのものであるので、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについての判断
　ア．本件発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「導電型の異なる2つのｐ層、n層よりなる不純物半導体層の間にi層の真性半導体層を設けた非単結晶半導体からなる光電変換装置の製造方法であって、ｐ層、または、n層の第1の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度より高い温度でこの層に熱処理を施し、この第1の不純物半導体層の成膜温度より高い温度で真性半導体層を成膜したうえで、n層、または、P層の第2の不純物半導体層を第1の不純物半導体層の成膜温度と同等で成膜するものであり、第1の不純物半導体層の熱処理温度を、100℃以上400℃以下とし、また、真性半導体層の成膜温度を、100℃以上400℃以下とすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。」
　イ．申立の理由の概要
　申立人佐藤正は、甲第１号証（特開昭６０−２４９３７６号公報）、甲第２号証（特開昭５７−１５７５７７号公報）、甲第３号証（特開昭５９−２０８７９１号公報）、甲第４号証（特開昭５８−７０５２４号公報）、甲第５号証（特開昭６２−９２４８５号公報）を提出して、本件発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるか、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので特許法第２９条第１項第３号または第２項の規定により特許を受けることができず、取り消されるべきであると主張している。
　ウ．判断
（引用刊行物）
　申立人佐藤正が提出した上記甲第１号証（特開昭６０−２４９３７６号公報）には以下の事項が記載されている。
　「本発明はn- i -p太陽電池の製造により実施するように変形された。…
p+付着：
排気：
ガスバージ：
排気：
ガス平衡化：
i層付着開始：
i層の勾配づけ：
ｉ層付着仕上げ：
ガス平衡化：
n+付着：
　「比較用のアロイセルに対して、Vocにおける12.7%の改良(第5図)、Ｊscにおける5.1%改良(第4図)及びフイルフアクター(fill　factor)(グラフでは示されていない)の9.8%の改良を示し、全体として29.1%の効率の改良になる（第６図）ことを示す。」（第10頁右下欄第5〜10行）
　申立人佐藤正が提出した上記甲第２号証（特開昭５７−１５７５７７号公報）には以下の事項が記載されている。
　「(1)P型、i型およびn型のアモルファスシリコン層を含む薄膜光起電力素子に於いて、P型のアモルファスシリコン層を形成する時の基板温度をi型のアモルファスシリコン層を形成する時の基板温度より低くすることを特徴とする薄膜光起電力素子の製造方法。
　(2)P型アモルファスシリコン層を形成する時の基板温度をi型のアモルファスシリコン層を形成する時の基板温度より10℃~250℃低くすることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜光起電力素子の製造方法。
　(3)P型アモルファスシリコン層を形成する時の基板温度が100℃より高
く、350℃より低いことを特徴とする特許請求の範囲第1項および第2項記載の薄膜光起電力素子の製造方法。」（特許請求の範囲）
　「本発明によるa-S i光起電力素子AのP型a~S i層形成時の基板温度は220℃でその膜厚は約200Å、i型およびn型a‐S i層形成時の基板温度は280℃でその膜厚は各々約5000Å、約500Åである。」（第2頁左下欄第5〜9行）
「本発明によれば、P- i-n型a-S i光起電力素子において、P型a-S i層における光吸収損失を低減することができ高い光電変換効率の光起電力素子を得ることができる。」（第2頁右下棚第14〜18行）
　申立人佐藤正が提出した上記甲第３号証（特開昭５９−２０８７９１号公報）には以下の事項が記載されている。
「各プラズマ反応室7,8,9には第2図と同様にそれぞれ高周波電源13に接続された対向電極10,11、バルブを備えたガス導入口15が設けられている。またプラズマ反応室7,8,9、予備加熱室17,第一、第二中間室18,19にはそれぞれ基板を加熱するためのヒータ21が備えられている。…次いでシャツ夕14aを開いて支持板12により基板を真空排気されたP型膜形成プラズマ反応室7に送ったあとシャツ夕14aを閉じ、ガス導入口15よりSiH4,CH4,.B2H6などの混合ガスを導入して電極10,11間に放電電力を印加し、プラズマ分解を行って基板上に例えば100Åの膜厚のP型膜を成長させる。次いで第一中間室18との間のシャツ夕14bを開閉して基板をのせた支持板12を第一中間室18に送りこむ。第一中間室はあらかじめ真空排気されており、ここではヒータ21により基板の加熱(例えば200℃)のみを行い、膜成はしない。次にシャツ夕14cを開閉してＩ膜形成プラズマ反応室8に送り、S iH4を主成分としたガスのグロー放電により例えば5000Åの膜厚のＩ層のシリコン薄膜を形成させる。次にシャツ夕14dを開閉して第二中間室19に送る。第二中間室19も予め真空排気されており、ここでも基板の加熱のみ行う。続いてN型膜形成プラズマ室9においてPH3を添加したS iH4ガスのグロ一放電分解によりN型膜を形成し、最後に冷却室20で冷却してシリコン薄膜の形成を終了する。」（第2頁右上欄第19行〜右下欄第10行）
　「本発明は第２図に示す装置をさらに改良し、多層シリコン層の厚み方向の不純物分布をより精密に制御し、光電変換素子の変換効率などの特性を一層向上させる」（第2頁左上欄第17〜20行）
　「中間室で加熱のみを行うことは膜形成時のプラズマによる膜ダメージを焼きなましにより除去し、シリコン薄膜の膜質を高める点でも効果がある。」（第２頁右下欄第18行〜第3頁左上欄１行）
　「以上のように、本発明では、各プラズマ反応室の間に基板加熱源を備えた中間室を設けたため、各プラズマ反応室の他の反応室からの汚染を防止し、シリコン薄膜中での不純物濃度を高精度でコントロールできるばかりでなく、中間室を膜質向上のための焼きなまし室としての機能や、量産性の装置の待機室としての機能をもあわせもたせることができる」（第３頁左下欄第3行〜第10行）
　申立人佐藤正が提出した上記甲第４号証（特開昭５８−７０５２４号公報）には以下の事項が記載されている。
　「光起電力PINセルを形成するために、チャンバ14のデポジション装置24は基板上にp形のアモルファス・シリコン・アロイをデポジットし、チャンバ16のデポジション装置26は基板上に真性アモルファス・シリコン・アロイをデボジットし、チャンバ18のデポジション装置28は、基板12上にn形のアモルファス・シリコン・アロイをデポジットする。」（第9頁左下欄第10〜17行）
「基板がスロット62及び64を介して1つのチャンバから次のチャンバへ通過するときに、基板12を高温に維持することが望ましい。」（第11頁左上欄第8〜10行）
　「デポジットされる膜は、高効率のデバイスを形成するために高純度のものであることが本質的なことである。この目的のために、ドーピング装置を含むチャンバ１４及び１８から真性のチャンバ１６を分離することが必要である。」（第9頁右下欄第4〜8行）
　申立人佐藤正が提出した上記甲第５号証（特開昭６２−９２４８５号公報）には以下の事項が記載されている。
　「非晶質半導体層形成装置20は入側端側に取込室21を備え、以下順次、これに連ねてp型非晶質半導体層の形成室22、中間室23、i型非晶質半導体層の形成室24、中間室25、n型非晶質半導体層の形成室26、中間室2 7、裏面電極の形成室28、取出室29を一列に連接配置して構成されている。取込室21、中間室23,25,27は構造的にはいずれも略同様であって、底壁に図示しない真空ポンプに連らなる排気孔21a,23a,25a,27aを備えると共に、夫々の内部にはガラス基板1の通過域の上,下に望ませてヒータ21b,21c,23b,23c,25b,25c,27b,27cを備えており,真空ポンプによって常時夫々所定の真空度に設定維持しつつ通過するガラス基板1を所要の温度に加熱保温するようになっている。」（第3頁左下欄第6〜20行）
（対比・判断）
　上記各号証に記載された発明と本件発明を対比すると、上記各号証のいずれにおいても、本件発明の「ｐ層、または、n層の第1の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度より高い温度でこの層に熱処理を施し、この第1の不純物半導体層の成膜温度より高い温度で真性半導体層を成膜した」点についての記載ないし示唆はない。そしてこのことにより、本件発明は、高温ｉ層の成膜中に第１の不純物半導体層が高温ｉ層中に不純物が拡散することがなく光電変換装置の初期変換効率の低下が防止できるとともに、高温ｉ層は光照射を受けてもキャリア輸送能が安定しているので光電変換装置の劣化を抑制することができ、高効率かつ高信頼性の光電変換装置を製造することができるという明細書記載の格別な効果を奏するものである。
　なお、上記甲第３ないし５号証には、第１の不純物半導体層の成膜工程と真性半導体層の成膜工程の間に、熱処理を施すことが記載されているが、上記甲第３ないし５号証のいずれにも、当該熱処理の温度と、第１の不純物半導体層または真性半導体層の成膜温度との関係についての記載ないし示唆はされておらず、上記甲第１または第２号証を勘案しても、上記甲第３ないし５号証記載の熱処理は、上記効果を奏する本件発明における熱処理を示唆するものではない。
　したがって、本件発明は、申立人佐藤正が提出した上記甲第１号証に記載された発明と同一とも、同じく提出された上記甲第１ないし５号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月２７日（２０００．９．２７）
【訂正の要旨】
　ａ．明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「この層の成膜温度と同等又はこれより高い温度でこの層で熱処理を施し、」を「この層の成膜温度より高い温度でこの層に熱処理を施し、」と訂正する。
ｂ．同じく請求項１に記載された「この第１の不純物半導体層の成膜温度と同等又はこれより高い温度で真性半導体層を成膜した上で、」を「この第１の不純物半導体層の成膜温度より高い温度で真性半導体層を成膜した上で」と訂正する。
ｃ．同じく請求項１に記載された「ｎ層、又は、ｐ層の第２の不純物半導体を成膜するものであり、」を「ｎ層、又は、ｐ層の第２の不純物半導体を第１の不純物半導体層の成膜温度と同等で成膜するものであり、」と訂正する。
ｄ．明細書第２頁第２１行〜第２４行（特許公報第２頁第３欄第３０行乃至３５行）の「ｐ層、または、ｎ層の第１の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度と同等又はこれより高い温度でこの層に熱処理を施し、この第１の不純物半導体層の成膜温度と同等又はこれより高い温度で真性半導体層を成膜したうえで、ｎ層、または、ｐ層の第２の不純物半導体層を成膜するものであり、」を、「ｐ層、または、ｎ層の第１の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度より高い温度でこの層に熱処理を施し、この第１の不純物半導体層の成膜温度より高い温度で真性半導体層を成膜したうえで、ｎ層、または、Ｐ層の第２の不純物半導体層を第１の不純物半導体層の成膜温度と同等で成膜するものであり、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光電変換装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
１．導電型の異なる２つのｐ層、ｎ層よりなる不純物半導体層の間にｉ層の真性半導体層を設けた非単結晶半導体からなる光電変換装置の製造方法であって、
　ｐ層、または、ｎ層の第１の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度
より
より
第１の不純物半導体層の成膜温度と同等で
　第１の不純物半導体層の熱処理温度を、１００℃以上４００℃以下とし、また、真性半導体層の成膜温度を、１００℃以上４００℃以下とする
　ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明は、太陽電池等の光電変換装置の製造方法に関し、特に導電型の異なる２つの不純物半導体層（ｐ層、ｎ層）の間に真性半導体層（ｉ層）を設けた非単結晶半導体からなる光電変換装置の製造方法に関する。
［従来の技術］
　非単結晶半導体からなる光電変換装置は、安定性が良くないといわれている。特にアモルファスシリコン太陽電池の場合には、Ｓｔａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｉ効果と呼ばれる現象がある。すなわち、Ｐ層、ｉ層及びｎ層からなる素子のうち活性層であるｉ層の電導度が光照射によりしだいに低下してキャリア輸送能が下がり、素子の変換効率が低下するのである。
　そこで、ｉ層を薄膜化してこの層の電界強度を高める試みがなされている。キャリア輸送能を予め上げておくことによって素子の劣化を抑制しようとするのである。
　また、それそれｐ層、ｉ層及びｎ層からなる複数の素子をタンデム接続し、受光面側素子のｉ層を薄膜化する試みもなされている。このようなタンデム構造の採用により、受光面側素子はｉ層薄膜化の効果で劣化が抑制され、裏面側素子は長波長光のみが照射されるために劣化が抑制されると考えられている。
［発明が解決しようとする課題］
　上記ｉ層薄膜化技術やタンデム構造の採用によっても太陽電池の劣化の抑制は十分ではなく、１年間屋外使用したときの光電変換効率の劣化の割合が１５％を上回る問題があった。
　さて、ｐ層とｎ層との間のｉ層を高温で成膜することは劣化抑制に効果があるものと考えられる。しかしながら、本発明者らは、太陽電池の製造過程において単にｉ層を高温で成膜するだけでは初期変換効率が著しく低下することを見いだした。ｐ層上にｉ層を高温成膜する際にｐ層中の不純物がｉ層内に拡散してＰ／ｉ界面に不活性層が生成し、これにより初期変換効率が低下するものと考えられる。
　本発明は、導電型の異なる２つの不純物半導体層の間に真性半導体層を設けた非単結晶半導体からなる光電変換装置に関し、初期変換効率の低下を防止しながら劣化の抑制を実現する製造方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
　本発明は、導電型の異なる２つのｐ層、ｎ層よりなる不純物半導体層の間にｉ層の真性半導体層を設けた非単結晶半導体からなる光電変換装置の製造方法であって、ｐ層、または、ｎ層の第１の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度
より
より
第１の不純物半導体層の成膜温度と同等で
［作　用］
　本発明に係る方法によれば、成膜した第１の不純物半導体層に熱処理を施すことによってこの層の耐熱性及び耐プラズマ性を向上させたうえで高温ｉ層の成膜を行なうから、高温ｉ層の成膜中に第１の不純物半導体層から高温ｉ層中に不純物が拡散することはない。したがって、初期変換効率の低下が防止できる。
　また、高温ｉ層は光照射を受けてもキャリア輸送能が安定しており、劣化が抑制される。
［実施例］
　第１図は、本発明の実施例に係る方法で製造した有効面積１．０ｃｍ２（１，０ｃｍ×１．０ｃｍ）の太陽電池の断面図である。ただし、各半導体層の成膜には平行平板容量結合型グロー放電装置を使用するのが適当である。
　ガラス基板（１）上の例えばＳｎＯ２からなる透明電極（２）の上に、まずａ−ＳｉＣ：Ｈからなるｐ層（３）を２５０Å成膜する。グロー放電装置に供給するガス流量は、ＳｉＨ４が５ｓｃｃｍ、ＣＨ４が１５ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６（１０００ｐｐｍＨ２希釈品）が１５ｓｃｃｍ、Ｈ２が５０ｓｃｃｍである。他の条件は、反応圧力１．０Ｔｏｒｒ、基板温度２００℃、ＲＦパワー５０ｍＷ／ｃｍ２である。
　次に、真空中でｐ層（３）に３００℃、１時間の熱処理を施す。
　熱処理が完了したｐ層（３）の上に基板温度３２０℃の高温でａ−Ｓｉ：Ｈからなるｉ層（４）を５０００Å成膜する。他の成膜条件は、ＳｉＨ４のガス流量１０ｓｃｃｍ、反応圧力０．３Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー５０ｍＷ／ｃｍ２である。
　続いてｉ層（４）の上に、微結晶化したａ−Ｓｉ：Ｈからなるｎ層（５）を３００Å成膜する。ガス流量は、ＳｉＨ４が５ｓｃｃｍ、ＰＨ３（１０００ｐｐｍＨ２希釈品）が１００ｓｃｃｍ、Ｈ２が２００ｓｃｃｍである。他の条件は、反応圧力１．０Ｔｏｒｒ，基板温度２００℃、ＲＦパワー５００ｍＷ／ｃｍ２である。
　最後に金属からなる裏面電極（６）をｎ層（５）上に成膜する。
　第２図は、以上に説明した方法で製造した太陽電池の初期外部特性（電流電圧特性）を示すグラフである。測定には、ＡＭ−１、１００ｍＷ／ｃｍ２のソーラーシミュレート光を用いた。特性値は、開放電圧０．８２１ｖｏｌｔｓ、短絡電流１６．５８ｍＡ／ｃｍ２、ＦＦ（フィルファクタ）６１．１１％、光電変換効率８．３２８％である。１年間屋外使用したときの光電変換効率の劣化の割合は１０％未満であって、従来に比べて大幅に劣化が抑制されている。
　第３図は、比較例の初期外部特性を示すグラフである。この比較例に係る太陽電池は、ｐ層（３）に熱処理を施さない点以外は上記実施例と全く同じに作成したものである。つまり、ｐ層（３）に熱処理を施さないで３２０℃の高温でｉ層（４）を成膜したものである。実施例の場合と同じ条件で測定した比較例の特性値は、開放電圧０．８０６ｖｏｌｔｓ、短絡電流１５．５８ｍＡ／ｃｍ２、ＦＦ４７．８２％、光電変換効率６．０１４％である。
　両特性の比較から、ｉ層（４）の高温成膜前にｐ層（３）に熱処理を施すことによって、ＦＦ等の初期外部特性が改善されることがわかる。特に初期変換効率の大幅な改善が認められる。
　ｐ層（３）の成膜温度は、５０℃以上、４００℃以下が望ましい。
　ｐ層（３）の熱処理温度は、この層（３）の成膜温度と同等又はこれより高いことが必要であって、１００℃以上、４００℃以下であることが必要である。ｐ層成膜温度より１００℃程度高い温度が最適である。処理時間は１０分以上、２時間以下が望ましい。なお、本実施例では真空中で熱処理を行っているが、水素雰囲気でも良く、窒素等の不活性ガスの雰囲気でも良い。
　ｉ層（４）の成膜温度も、ｐ層（３）の成膜温度と同等又はこれより高いことが必要であって、１００℃以上、４００℃以下であることが必要である。このうち２００℃以上、４００℃以下の範囲が望ましい。
　半導体層のうち最後に成膜するｎ層（５）の成膜温度は、ｐ層（３）の成膜温度と同等又はｉ層（４）の成膜温度と同等が適当である。なお、以上のｐ、ｉ、ｎ各層（３，４，５）の膜厚は、前記の値に限定されない。
　前記ＳｎＯ２以外の透明電極（２）の構成材料としては、ＩＴＯやＺｎＯ等の他の透明な金属酸化物をあげることができる。これらの材料を複合使用しても良い。光電変換装置を構成する非単結晶半導体としてはＳｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＧｅ、ＳｉＳｎ等の水素化合金（例えば実施例でｐ層（３）に使用したａ−ＳｉＣ：Ｈやｉ層（４）に使用したａ−Ｓｉ：Ｈ）やフッ素化合金等の一般に光起電力素子に使用されるアモルファスシリコン系半導体をあげることができる。上記実施例においてｎ層（５）に使用したような微結晶を含むアモルファス半導体でも良いし、多結晶半導体でも良い。受光面側には、上記実施例のようにａ−ＳｉＣ：Ｈに周期律表ＩＩＩｂ族の元素をドープしたｐ層（３）を配するのが最も好適である。ただし、受光面側にｎ層を配置しても良く、この場合のｎ層には周期律表Ｖｂ族の元素をドープしたａ−ＳｉＣ：Ｈを使用するのが最適である。
　ｐ層（３）とｉ層（４）との間又はｎ層（５）とｉ層（４）との間にｉ層（４）に向かって光学的禁制帯幅及び不純物濃度が段階的に減少する層を設けても良い。この不純物半導体層の膜厚は、３０Å以上、５００Å以下が適当であり、より好ましくは５０Å以上、２００Å以下である。
　受光面側の不純物半導体層（ｐ層（３）又はｎ層）と透明電極（２）との間に、両者間の接触抵抗を下げる目的で、受光面側不純物半導体層と同じ導電型の高濃度ドーピング層を設けても良い。この高濃度ドーピング層の膜厚は、５Å以上、１００Å以下が適当であり、より好ましくは１０Å以上、５０且Å以下である。不純物濃度は、受光面側不純物半導体層の５倍以上、５０倍以下が適当である。
　それそれｐ層、ｉ層及びｎ層からなる２素子をタンデム接続した２段タンデム構造を採用する場合には、受光面より遠い側の素子について本発明を適用するのが効果的である。
［発明の効果］
　以上に説明したように、本発明に係る製造方法は、導電型の異なる２つの不純物半導体層の間に真性半導体層を設けた非単結晶半導体からなる光電変換装置の製造方法であって、第１の不純物半導体層を成膜し、この層の成膜温度より高い温度でこの層に熱処理を施し、この第１の不純物半導体層の成膜温度より高い温度で真性半導体層を成膜したうえで、第２の不純物半導体層を成膜するものであるから、光電変換装置の初期変換効率の低下を防止しながらその劣化を抑制することができる。したがって、本発明によれば高効率かつ高信頼性の光電変換装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の実施例に係る方法で製造した太陽電池の断面図、
　第２図は前図の太陽電池の初期外部特性を示すグラフ、
　第３図は比較例の初期外部特性を示すグラフである。
　符号の説明
　１…ガラス基板、２…透明電極、３…Ｐ層、４…ｉ層、５…ｎ層、６…裏面電極。