(57)【要約】  本発明は、均等な薄い液体層特にリン酸層を、基板（１２）特に光起電用のシリコンセルに塗布する装置（１０）に関し、液体水槽（１６）および液体を液体ミスト（１５）に変換する高周波音響装置（１１）を備えるプロセス室（１４）と、プロセス室（１４）の液体ミスト降下シャフト（２５）の下方に配置された基板（１２）の搬送装置（１３）とを備える。本発明によると、プロセス室（１４）の液体ミスト降下シャフト（２５）が、搬送装置（１３）に向ってその内のり断面が先細りになっていると共に、搬送装置（１３）を覆う基板（１２）の通過シャフト構造（４０）に連通しており、液体ミスト降下シャフト（２５）および通過シャフト構造（４０）の連通端部のそれぞれの内のり断面は互いに適合化、好ましくは実質的には等しくされていることにより、該当するシリコンセルへ液体を、面積に関しても量に関してもより均質に塗布可能であるような装置（１０）が得られる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体水槽（１６）および液体を液体ミスト（１５）に変換する高周波音響装置（１１）を備えるプロセス室（１４）と、前記プロセス室（１４）の液体ミスト降下シャフト（２５）の下方に配置された基板（１２）の搬送装置（１３）とを有する、均等な薄い液体層特にリン酸層を、前記基板（１２）特に光起電用のシリコンセルに塗布する装置（１０）において、
前記プロセス室（１４）の前記液体ミスト降下シャフト（２５）は前記搬送装置（１３）に向ってその内のり断面が先細りになっていると共に、前記搬送装置（１３）を覆う前記基板（１２）の通過シャフト構造（４０）に連通しており、前記液体ミスト降下シャフト（２５）および前記通過シャフト構造（４０）の連通端部のそれぞれの内のり断面は互いに適合化、特に実質的には等しくされている、装置。
【請求項２】
前記液体ミスト降下シャフト（２５）は、前記通過シャフト構造（４０）に向って楔形に構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記通過シャフト構造（４０）には、通過方向（Ａ）で見て前記降下シャフト（２５）の後に前記液体水槽（１６）と接続された帰還シャフト（５２）が配置されており、その連通部と反対を向いている方の後側端部は液体タンク（１９）と接続されている、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記高周波音響装置（１１）の上方の領域で第１の制御装置（３２）と接続された給気管（３１）が連通している、請求項１から３の少なくとも１項に記載の装置。
【請求項５】
前記通過シャフト構造（４０）の端部に第２の制御装置（４７）を備える排気通路（４６）が設けられている、請求項１から４の少なくとも１項に記載の装置。
【請求項６】
前記通過シャフト構造（４０）と前記排気通路（４６）との間に、吸引ファン（４８）と接続された層流形成器（４５）を備える吸出しボックス（４３）が配置されている、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１および前記第２の制御装置（３２，４７）は、前記プロセス室（１４）から前記通過シャフト構造（４０）を通るミスト輸送の速度と、前記基板（１２）の前記搬送装置（１３）の速度とについて相互に適合化可能であり、特に同期化可能である、請求項１から６の少なくとも１項に記載の装置。
【請求項８】
前記プロセス室（１４）の中には前記高周波音響装置（１１）の上方または前記液体水槽（１６）の上方に織物（３０）を有する、特にプラスチック織物を有する衝突部材（２８）が設けられている、請求項１から７の少なくとも１項に記載の装置。
【請求項９】
前記降下シャフト（２５）と反対を向いている方のプロセス室壁（２２）を起点として傾いている前記衝突部材（２８）の自由端と、前記プロセス室壁（２２）と反対と向いている方の前記液体水槽（１６）の端部に配置された堰（２７）との間に、液体ミストのための貫通部（２９）が設けられている、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記プロセス室（１４）の天井（２４）は、前記降下シャフト（２５）と反対を向いている方の前記プロセス室壁（２２）を起点として上昇するように傾いている、請求項１から９の少なくとも１項に記載の装置。
【請求項１１】
楔形をした前記液体ミスト降下シャフト（２５）は、仕切壁（２３，２６）に織物上張り（３４）を備えている、請求項１から１０の少なくとも１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記降下シャフト（２５）の前記仕切壁（２３，２６）は、前記通過シャフト構造（４０）の連通領域において排出溝（３６，３７）の上で終わっている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記通過方向（Ａ）に対して横向きに設けられている前記搬送装置（１３）の幅に応じて、およびこれに伴う前記プロセス室（１４）の幅に応じて、当該方向に所定の間隔をおいて配置された複数の高周波音響装置（１１）が設けられている、請求項１から１２の少なくとも１項に記載の装置。
【請求項１４】
液体水槽（１６）および液体を液体ミスト（１５）に変換する高周波音響装置（１１）を備えるプロセス室（１４）を有する、特に請求項１および場合によりそれ以後のいずれかの請求項に記載された、均等な薄い液体層特にリン酸層を、基板（１２）特に光起電用のシリコンセルに塗布する装置（１０）において、
前記高周波音響装置（１１）は、液体を霧状化するために特に水晶ガラスからなるノズル（６８）を備えており、その下方に高周波音響生成器（６５）が配置されている、装置。
【請求項１５】
液体水位（２０）から前記液体水槽（１６）へ突入する前記ノズル（６８）と前記高周波音響生成器（６５）との間に、前記水槽（１６）から前記ノズル（６８）への液体の供給部（６９）が設けられている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記ノズル（６８）は特にプラスチックからなるハウジング（６１）に保持されており、前記ハウジングは前記液体水槽（１６）の底面に取り付けられると共に前記液体水槽（１６）を液密に貫通しており、前記水槽の底面（２１）の領域で前記高周波音響生成器（６５）が前記ハウジング（６１）の中に取り付けられており、前記液体水槽（１６）の内部にある前記ハウジング（６１）の部分（６７）には多数の半径方向の供給穴（６９）が設けられている、請求項１４または１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記高周波音響生成器は圧電素子（６５）であり、該圧電素子の上には前記ノズル（６８）の方を向いくように、音響周波数に合わせて適合化された水晶ガラス板（６６）が取り付けられており、特に接着されている、請求項１４から１６までの少なくとも１項に記載の装置。
【請求項１８】
プロセス室の内部で高周波音響装置によって液体ミストが生成され、前記液体ミストが特に搬送装置によって移動していく基板の上に降下または沈積する、均等な薄い液体層特にリン酸層を、基板特に光起電用のシリコンセルに塗布する方法において、
前記液体ミストは前記プロセス室から前記基板までの途上で能動的に移動させられ、前記液体ミストは前記プロセス室の後に続く降下シャフトの中で濃縮されて均質化され、移動していく前記基板の上に配置された通過シャフト構造の中へと案内されて前記基板の上に沈積し、前記液体ミストの能動的な移動は前記基板の速度と適合化され、特に同期化される、方法。
【請求項１９】
沈積されるべき前記液体ミストを案内する前記通過シャフト構造で加熱された液体が、直接フィードバックされる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記液体ミストは、前記通過シャフト構造の端部で残留物として均等に吸い出される、請求項１８または１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１または請求項１４のプリアンブルに記載されている、均等な薄い液体層、特にリン酸層を基板に、特に光起電用のシリコンセルに塗布する装置に関するものであり、ならびに、請求項１８のプリアンブルに記載されている、均等な薄い液体層、特にリン酸層を基板に、特に光起電用のシリコンセルに塗布する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンから光起電力セルを製造できるようにするためには、まず、リンを未加工セルにドーピングする必要がある。そのために、第１のステップでセルがリン酸で湿潤され、次いで、湿潤されたセルが約８００から９００℃の高温炉に入れられ、そこで、乾燥した酸からシリコン基板の中へとリンが拡散していく。このときのコーティングは、一方では、拡散時の均等な分布を得るために極めて均等に行われることが望ましく、他方では、極めて少量であることが望ましい。余剰のリン酸は「リンガラス」としてセルの上に溶着してしまい、フッ化水素酸を用いて手間をかけなければ再び剥離することができず、ないしは剥離せざるを得ないからである。
【０００３】
公知の方法では、シリコン基板へのリン酸の塗布は、高周波音響装置によってリン酸が霧状化され、リン酸ミストがシリコン基板上に沈積するように行われている。このときリン酸ミストは、プロセス室から降下シャフトへと案内されていき、この降下シャフトは比較的幅広であり、そばを通過していくシリコン基板またはシリコンセルの上方に比較的広い間隔をおいて配置されている。これに関わる欠点は、この公知の装置にはミストの均質化についての保証がないという点にある。若干の空気の動きがあるだけで、ミストを「吹き払う」のに充分だからである。しかも、このようなプロセス室の構成は、不都合な凝縮液滴がシリコンセルに落下するという結果につながり、これは均質な湿潤またはコーティングとは相反している。降下シャフトの下方にある液滴槽によってこのような凝縮液滴を受け止めることが試みられているが、これはミストの均等な拡散を一層強く妨げてしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って本発明の課題は、該当する基板特にシリコンセルへ、液体特にリン酸を、面積に関しても量に関してもほぼ均質に塗布することを可能にする、均等な薄い液体層、特にリン酸層を基板特に光起電用のシリコンセルに塗布する、冒頭に述べた種類の装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題を解決するために、均等な薄い液体層特にリン酸層を、基板特に光起電用のシリコンセルに塗布する前述した種類の装置において、請求項１に記載の構成要件が意図される。
【０００６】
本発明の方策により、実質的に閉じた循環路の内部で、均質なミスト形成だけでなく、生成場所（プロセス室）から塗布の場所に至るまでの、および基板への塗布中特にシリコンセルへの塗布中における、液体ミストの均質な案内も実現される。このような均質性は、シリコン基板上での平坦な沈積だけでなく、量的な沈積にも当てはまる。さらには、液体ミスト降下シャフトの先細部によって、および逆流の発生によって、液体ミストの濃縮と一層の均質化が実現される。
【０００７】
請求項２に記載の構成要件によって、製造工学的に簡単な降下シャフトの実施形態が実現される。
【０００８】
請求項３に記載の構成要件によって、通過していくシリコン基板の上方に配置された通過シャフト構造の天井が温度を保持されることが実現され、それにより、液体ミストの凝縮およびこれに伴う液滴形成が起こり得なくなり、これは液体ミストおよびその塗布の均質性をいっそう促進する。
【０００９】
請求項４および請求項５の少なくとも一方に記載の構成要件によって、発生場所から塗布まで、および塗布段階中に、制御可能かつ均質で能動的な液体ミストの誘導が実現される。この場合、排気通路を利用するときには、シャフト構造の通過端部のところで液体ミストの均質性を損なわず、定義された流速を液体ミストに与えるために、請求項６に記載の構成要件を意図するのが好都合である。
【００１０】
請求項７に記載の構成要件によって、液体ミストに作用する重力および搬送時間全体にわたる作用時間によって、液体ミストが均等に十分な量だけシリコン基板に沈降できることが、好ましく有利な形で実現される。
【００１１】
請求項８に記載の構成要件によって、液体ミスト生成の領域に衝突部材が設けられ、この衝突部材は、そのプラスチック織物が飛沫を生じさせることなく液体を受け止めて、液体水槽へ流し戻すことができるという利点を有している。そのための１つの好ましい実施形態は、請求項９に記載の構成要件によって得られる。
【００１２】
請求項１０に記載の構成要件に基づくプロセス室の天井の構成は、液体ミストの均質性という観点から、傾いた配置によって、これに溜まった凝縮液を液体水槽へ戻るように誘導することができるという利点をもたらす。
【００１３】
同様に請求項１１に記載の方策によると、降下シャフトの壁部に沈降した凝縮液を、液滴が生じないように下方に向って排出することができる降下シャフトが液体ミストに設けられる。この場合、請求項１２に記載の構成要件を意図するのが好都合であり、それにより、溝を伝って凝縮液を側方へ排出することができる。
【００１４】
さらに別の好ましい設計上の構成は請求項１３の構成要件によって得られ、その利点は、このような種類の装置は幅に関してほぼ任意の長さを与えることができるという点にある。
【００１５】
冒頭に述べたような公知の装置では高周波音響装置が用いられ、その高周波音響発生器または高周波音響生成器はリン酸に対して耐性がない。従って、空気が入らないように水で充填され、温度調節循環路と接続されている中間容器を利用することが必要である。中間容器の下面には高周波音響生成器が取り付けられると共に、中間容器の上面には隔膜が取り付けられており、水と隔膜は、高周波音響発生器から、その上に位置するリン酸水盤またはリン酸水槽への音響伝送器としての役目をする。その場合の欠点は、高いコストのかかる高価な技術、隔膜の頻繁な疲労破断、およびその結果として生じる、時間コストのかかる面倒な隔膜交換であり、このような音響伝送器の減衰特性も欠点となる。
【００１６】
このような欠点を回避するために、冒頭に述べた種類の装置において、請求項１４に記載の構成要件が意図される。
【００１７】
本発明の方策により、水晶ガラスノズルで、リン酸だけでなく音響も収束することが実現される。その場合、請求項１５に記載の構成要件を意図するのが好都合であり、それにより、水晶ガラスノズルで押し除けられた液体が供給部を介して再度流れることができる。
【００１８】
これに関する１つの好ましい設計上の構成は、請求項１６に記載の構成要件から得られる。
【００１９】
請求項１７に記載の構成要件によって、高周波音響生成の強度に関わる欠点を生じさせることなく、高周波音響生成器をリン酸と実質的に直接結合することが実現できる。
【００２０】
さらに本発明は、請求項１８のプリアンブルに記載された、均等な薄い液体層、特にリン酸層を基板、特に光起電用のシリコンセルに塗布する方法も対象としている。
【００２１】
前述したとおり、これに匹敵する従来の方法では、液体ミストの案内およびこれに伴うリン酸の沈積に均質性が欠けている。
【００２２】
この点を改善するために、前述した種類の方法において、請求項１８に記載の構成要件が意図される。
【００２３】
本発明の方策によって、液体ミスト生成部を起点として液体ミスト層が基板に塗布されるまで、または沈降するまで、液体ミストを能動的かつ均質な仕方で案内できることが実現される。
【００２４】
そのための好ましい実施形態は、請求項１９および請求項２０の少なくとも一方の構成要件から得られる。
【００２５】
本発明のその他の具体的事項については、図面に示された実施例を参照しながら本発明を詳しく記述して説明する、以下の記載から読み取ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１に示す装置１０は、光起電用のシリコン基板またはシリコンセル１２に、均等で薄いリン酸層を塗布する役目を果すものである。このとき、シリコン基板１２は搬送装置１３で矢印Ａの方向に供給されてから離れていくように案内され、高周波音響装置１１によってプロセス室１４の内部で生成されるリン酸ミスト１５の中を通るようにシリコン基板１２が案内されることによって、搬送運動の途中でリン酸層が均質に施される。
【００２７】
図１によると、紙面に対して垂直な方向に、選択された長さにわたって延びるプロセス室１４の中では、リン酸を含んでいる水槽１６が底面側に配置されている。リン酸水槽１６は配管１８を介してリン酸タンク１９と接続されている。このタンク１９からリン酸が必要に応じて、特に温度調節された上で、水槽１６に送られる。液体水槽１６の底面２１には、後で図２を参照しながら詳しく説明する高周波音響装置１１が取り付けられている。
【００２８】
プロセス室１４は、図１で見て右側の側壁２２、これと向かい合う左側の側壁２３、天井２４、および紙面と平行に位置している図示しない端壁で仕切られている。液体タンク１９の上方に位置するプロセス室１４は、左側の側壁２３を向いている領域に、搬送装置１３へと向かう降下シャフト２５を備えている。プロセス室１４の天井２４は、右側の側壁２３を起点として斜めに上昇するように配置されており、搬送装置１３へと向う延長部２３’で、降下シャフト２５の側壁を形成する左側の側壁２３とぴったり結合されている。この側壁２３，２３’は、搬送装置１３に向って、右側の側壁２２へ向う方向へと斜めに傾いており、それにより、搬送装置１３に向ってほぼ楔形に構成された、または先細になる降下シャフト２５が得られており、その向かい合う側壁２６は垂直方向、すなわち上方に位置しているプロセス室１４の右側の側壁２２と平行に延びている。降下シャフト２５のこの側壁２６は液体水槽１６を仕切っており、液体水槽１６の液体水位２０を超えて、堰２７を形成しながら延長されている。
【００２９】
プロセス室１４の右側の側壁２２の上側領域には、斜め下方に向って、すなわち液体水槽１６に向って傾きながらプロセス室１４の中へ突入し、堰２７の手前で間隔をおいて、貫通部２９を形成しながら終わっている衝突部材２７が取り付けられている。
【００３０】
衝突部材２８はプラスチック織物３０が張り渡されたフレームを有しており、プラスチック織物３０は、高周波音響装置１１によって放出されたリン酸ミスト１５のリン酸液滴を飛沫が生じないように受け止め、液滴が液体水槽１６へ流れ戻るようにする。従って、貫通部２９および衝突部材２８のプラスチック織物３０を通過したリン酸ミストだけが、その下に位置しているプロセス室１４の空間に出ていく。さらに衝突部材２８のプラスチック織物３０は、プロセス室１４の天井２４に溜まって右側の側壁２２へと流れ戻る凝縮液を、液体水槽１６へと流れ込ませる。
【００３１】
水槽１６の液体水位２０と衝突部材２８との間の領域には給気接続部３１が設けられており、その引込配管は調節装置３２を備えている。それにより、制御可能な給気部３１，３２を介して、発生したリン酸ミストは堰２７を超えて降下シャフト２５の入口へと追い出され、ないしは能動的に移動させられる。
【００３２】
左側の側壁２３，２３’の互いに移行し合っている部分だけでなく、降下シャフト２５の側壁２６も織物上張り３４を備えており、それは、降下シャフト２５の壁部に沈降したリン酸ミスト１５の凝縮液を、この織物上張り３４によって、滴下を生じることなく下方に向って排出できるようにするためである。そのために、側壁２３，２３’および２６の下側エッジは、詳しくは図示しないやり方で凝縮液を側方へ、すなわち紙面に対して垂直な方向へ導き出す溝３６または３７の上で終わっている。
【００３３】
搬送装置１３の上には、または、シリコン基板１２が上に載って矢印Ａの方向へ移動する搬送装置１３の上側車間部３９の上には、降下シャフト２５の前にある導入領域４１と、降下シャフト２５の後にある導出領域４２とを有する通過シャフト構造４０が設けられている。導入領域４１と導出領域４２との間では、シャフト構造４０は上方に向って開いており、この開口領域に降下シャフト２５が連通している。シャフト構造４０の導出領域４２は、進行方向Ａで見て後側の端部に吸出しボックス４３を備えており、搬送装置１３の車間部３９の方を向いたその開口部には、屋根型に配置されたプラスチック織物４５が層流形成器を構成するように配置されている。このプラスチック織物４５と反対を向いている方の吸出しボックス４３の端部には吸出し配管４６が取り付けられており、この吸出し配管には、リン酸ミスト１５を能動的に運動または流動させるための吸引ファン４８を備える制御装置４７が配置されている。吸引ファン４８の背後には、リン酸タンク１９に連通する凝縮液フィードバック４９が設けられている。
【００３４】
給気と排気のための両方の制御装置３２および４７に基づき、発生したリン酸ミスト１５を制御可能な仕方で発生場所から、すなわちプロセス室１４から、プロセス室１４と、液体水槽１６の下方に向って突き出した降下シャフト２５とを介してシャフト構造４０へ、シリコン基板１２がコーティングされる場所まで移動させることができる。降下シャフト２５の楔形をした構成に基づき、逆流によってリン酸ミストが濃縮され、均質化される。降下シャフト２５から比較的低いところにあるシャフト構造４０への直接的な移行により、リン酸ミスト１５は均質かつ濃縮された状態に保たれ、従って、シャフト構造４０の導出領域４２を全面的または完全に充填する。吸出しボックス４３により、リン酸ミスト１５の沈積しなかった部分は、シャフト構造４０の導出領域４２からその幅全体にわたって均等に吸い出されるので、導出領域４２でリン酸ミストの均質性が維持される。それにより、リン酸ミストに作用する重力に基づいて、および、搬送時間全体にわたる作用時間に基づいて、リン酸を均等に、かつ十分な量だけ基板１２に沈降させることができる。リン酸ミストのドーピングは、給気と排気の制御を通じて、ならびに高周波音響装置１１の出力制御を通じて、細かい感度で行われる。さらに、シリコン基板１２の搬送装置１３の搬送速度が、プロセス室１４から降下シャフト２５とシャフト構造４０とを介して吸出しボックス４３にまで至る、ほぼ閉じた循環路を通るリン酸ミスト１５の運動の速度に合わせて適合化され、好ましくはこれと同期化すなわち同一化されることによって、シリコン基板１２に対するリン酸ミストの均質で均等な（場所的および時間的な）作用が実現される。
【００３５】
全区間を通じてのリン酸ミスト１５の均等で均質な案内のために、垂直方向の液体ミスト降下シャフト２５と、沈積室を仕切っている基板１２の通過シャフト構造４０との寸法設定または連通端部を互いに適合化、好ましくは同一にするのが有意義である。
【００３６】
シャフト構造４０の導出領域４２の内部で、シャフト構造４０の天井５１へのリン酸ミスト（１５）の凝縮を防止するために、導出領域４２の上には帰還シャフト５２が設けられており、その底面は天井５１によって形成されている。帰還シャフト５２は、配管５３を介して、シャフト構造４０の導出領域４２の入口端部の領域でリン酸水槽１６のオーバーフロー管５４と接続されており、それにより、水槽１６からあふれ出る温度調節されたリン酸は、シャフト構造４０を介して、搬送方向Ａの方向へと流れることができる。帰還シャフト５２の端部には、堰に似た部材５６の後側で、余剰のリン酸をリン酸タンク１９へ戻す配管パイプ５７が接続されている。
【００３７】
図２は、図１の部分図として、装置１０で使用される高周波音響装置１１を模式的な縦断面図で示している。高周波音響装置１１は、リン酸水槽の底面２１にある穴６２を貫通し、フランジ６３によって水槽底面２１の下面に取り付けられたプラスチックハウジング６１を有している。フランジ６３で取り囲まれている下側の中空のハウジング部分６４の内部には、水槽底面２１の領域に、高周波音響生成器として圧電素子６５が配置されており、その下面は図示しないやり方で接続配管を備えると共に、その上面は水晶ガラス板６６で覆われており、好ましくは接着されている。水晶ガラス板６６はその厚みに関して、圧電素子６５の高周波音響周波数に合わせて適合化されており、それにより、音響をほぼ損失なく伝送できるようになっている。圧電素子６５と水晶ガラス板６６とからなるこのユニットは、後者を前にして、水槽１６の中にあるリン酸の方を向いた側で、下面に対して気密に密封をするように中空のハウジング部分６４に組み付けられている。リン酸水槽１６に突入する、中空のハウジング部分６４と一体的になっている上側の中空なハウジング部分６７には、水晶ガラスノズル６８が、その下側の直径の大きい方の端部でねじ止めされている。上側の中空のハウジング部分６７には、円周上に配置された多数の半径方向穴６９が穿設されており、これらの穴を介して、水槽１６の中に含まれるリン酸が水晶ガラスノズル６８の空間に流入することができ、水晶ガラス板６６とも接触する。水晶ガラスノズル６８は、プロセス室１４に突入する連通部７１に向って先細りになっている。それにより、練通部７１を備えている水晶ガラスノズル６８の先端部は、水槽１６の中のリン酸の液体水位２０をわずかに超えて突き出ている。板６６を介しての圧電素子６５の高周波音響エネルギーにより、ノズル６８に含まれているリン酸が、水槽１６の中にあるリン酸の液体水位２０を超えて上方へ放出されるとき、水晶ガラスノズル６８でリン酸だけでなく音響も収束される。外に放出されたリン酸の周囲では、リン酸ミスト１５の激しい形成が行われる。前述したように、衝突部材に当たってリン酸ミストから分離されたリン酸液滴は、水槽１６によって再び受け止められる。
【００３８】
水晶ガラスノズル６８の中で押し除けられた、リン酸ミスト１５を形成するためのリン酸は、半径方向穴６９を介して、水槽１６から再び再度流れ込むことができる。
【００３９】
図１に示す装置１０は、図２に示す高周波音響装置１１に代えて、これ以外の形で構成された高周波音響装置を備えていてもよいことを付言しておく。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】光起電用のシリコン基板に均等で薄いリン酸層を塗布する装置を示す、模式的な部分縦断面の側面図である。
【図２】図１の装置で使用される高周波音響装置を組付け状態で示す断面図である
【図１】
2008536669.tif 000003
【図２】
2008536669.tif 000004
【国際調査報告】
2008536669.tif 000005
2008536669.tif 000006
2008536669.tif 000007
2008536669.tif 000008