【事件の表示】
　特許第３０１２６６０号「磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および薄膜磁気ディスクの製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０１２６６０号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第３０１２６６０号（平成１年１１月１７日出願、平成１１年１２月１０日設定登録。）の請求項１及び請求項２に係る発明は、それぞれその特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「［請求項１］　磁気ディスク用基板として非晶質ガラス相中に結晶相が散存する結晶化ガラスを用いた磁気ディスク用基板の製造方法であって、前記結晶層が散在する結晶化ガラスは、ガラス中に結晶核を発生するための結晶核発生熱処理工程と、前記結晶核を成長させ所定の寸法にするための結晶核成長熱処理工程とによって形成され、この結晶化ガラスの表面を鏡面機械加工処理した後、少なくともフッ化水素を含むフッ化水素酸水溶液中に浸漬して前記ガラス基板表面の結晶相を残し、非晶質相を選択的に所定の深さまで優先的にエッチングし、前記ガラス基板表面に凹凸を形成して成る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。」
　「［請求項２］　請求項１記載の製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラス基板上に磁性薄膜及び炭素系保護膜をスパッタリングにより順次積層する工程を有して成る薄膜磁気ディスクの製造方法。」
　
２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人板倉栄子は、証拠として、甲第１号証（特開昭６３−２２５９１９号公報）、甲第２号証（特開昭６２−２３０６５１号公報）、甲第３号証（特開昭６１−９６５１２号公報）、甲第４号証（特開昭６１−１２６６２７号公報）、甲第５号証（特開昭６１−１３７２１９号公報）、甲第６号証（特開昭６０−２２９２３４号公報）、甲第７号証（特開昭６２−７２５４７号公報）、甲第８号証（浜野健也編集「ファインセラミックスハンドブック」１９８４年２月１０日初版第１刷、朝倉書店発行、１８４〜１９５頁）を提出し、本件請求項１及び請求項２に係る発明は、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を取り消すべきである旨主張している。
　
３．甲第１〜８号証の記載
　甲第１号証には、
（ｉ）「平坦性を損なわず、表面に異方性がなく微小な凹凸を形成したガラスからなる磁気ディスク用基板の前記凹凸の形状が触針式の粗さ計を用い半径２．５μｍの触針でガラス表面を走査させて粗さを測定したとき、高さが５０〜７００Åの範囲にある前記凹凸の山が０．１〜１０μｍの範囲のピッチで形成されている磁気ディスク用基板の製造法であって、磁気ディスク用基板の表面の凹凸をフッ化カリウムとフッ酸を含む水溶液を用い化学エッチングにより形成することを特徴とする磁気ディスク用基板の製造法。」（請求項２参照）、及び、
（ii）「一般にガラスは表面の平滑性に優れ、硬く、変形抵抗が大きくかつ、表面欠陥が少ない等の理由から高密度化に適した磁気ディスク用基板として注目されている（・・・中略・・・）。　　しかしながら、上述した耐ＣＳＳ性およびヘッドスティック性に対しては、ガラスは鏡面性が優れているが故に、ガラス基板を用いたメディアは、他の平滑性の劣る基板を用いたメディアに比べ、ヘッドとメディアの接触面積が増大するため摩擦抵抗の増加や吸着力の増大を招くことから問題があった。　このような欠点を解消するために、表面に機械的手段により微小な凹凸を形成させた基板を用いることにより、ヘッドとメディアの間に生ずる摩擦力および吸着力を低減させる方法が提案されている。」こと（第２頁右上欄５行〜左下欄１行参照）、
（iii）「本発明は前述の問題点を解決すべく磁気的特性に悪影響を与えることなく、耐ＣＳＳ性やヘッドスティック性の向上を目的としてなされたものであり、スパッタ、メッキ、蒸着等のプロセスにより磁性膜が形成される磁気ディスク用基板であって、・・・後略・・・。」こと（第２頁左下欄欄１１〜１６行参照）、
（iv）「本発明の磁気ディスク基板としては、通常のソーダライムシリケートガラス、無アルカリガラス、硼珪酸ガラス、石英ガラス、風冷または液冷等による物理強化ガラス、化学強化ガラス、あるいは結晶性ガラス等を用いることができる。」こと（第３頁右上欄１８行〜左下欄３行参照）、
（ｖ）「本発明の磁気ディスク用基板の製造法において、化学エッチング液の作用は明らかではないが、フッ酸とフッ化カリウムから遊離したカリウムイオンがガラスから溶出したＳｉと反応することにより生成したケイフッ化物がガラス表面にポーラスな反応抑制層を形成するために溶出量の不均一性を生じ、凹凸が形成されるものと考えられる。」こと（第３頁右下欄１２行〜末行）、
（vi）「実施例１　　ソーダライムガラスの素板を中性洗剤で洗浄し、イオン交換水で水洗の後乾燥した。この素板をフッ化カリウムとフッ酸を含む水溶液を用いて化学エッチング処理し、該素板表面に凹凸のを形成し、磁気ディスク用基板を得た。　化学エッチング処理の条件と凹凸の形状を表１に示す。この基板上にスパッタ法によりＣｏ系磁性膜を形成し、さらにその上にカーボン保護膜を形成した後、ＣＳＳ特性、ヘッドスティック性、Ｓ／Ｎ比及びミッシングパルスを評価した。その結果を比較例１とともに表１に示す。」こと（第４頁左上欄２〜１３行参照）、
（vii）「実施例３　　結晶化ガラスからなる素板を用い、実施例１と同様にして磁気ディスク基板を作製、Ｃｏ磁性膜とその上にカーボン保護膜を形成した後、諸特性を評価した。その結果を比較例３とともに表１に示す。」こと（第４頁右上欄３〜８行参照）、が記載されていて、
（viii）表１中に、実施例で得られた基板の凹凸の形状やＣＳＳ特性、ヘッドスティック、Ｓ／Ｎ比、ディフェクトのデータ、並びに、エッチング条件を変えた比較例の他、機械研磨のみにより凹凸を形成した例（比較例１）が示されている（第４頁表１参照）。
　
　甲第２号証には、
（ｉ）「結晶質相と非晶質相から成る結晶化ガラス表面を、（ａ）結晶質相に比べ非晶質相の溶解速度の大きい粗化液で粗化する工程、（ｂ）無電解めっき反応を開始させることのできる触媒を付与する工程、（ｃ）無電解めっきを行なう工程、とを含むことを特徴とする結晶化ガラス表面の金属化法。」（請求項１参照）、及び、
（ii）「本発明は結晶化ガラス基板、結晶化ほうろう基板、結晶化ガラスで表面被覆したセラミック基板等上への回路形成に利用される結晶化ガラス表面の金属化法に関するものである。」こと（第１頁右下欄４〜７行参照）、
（iii）「フッ酸や水酸化ナトリウム融解液を用いると腐食力が強すぎるため結晶化ガラス表面の結晶質相、非結晶質相の区別なく溶解され粗化面の凹凸の制御が困難な上に、表面付近に脆弱層を形成するため、その後に施す無電解めっき膜がこの脆弱層と共に剥離し、安定的な密着力を得ることが困難であった。」こと（第２頁左上欄１０〜１６行参照）、
（iv）「結晶化ガラスは結晶質相と非晶質相とより成っているが、結晶質相が数種の相（組成）より成っている場合があり、本発明では結晶質相の少なくとも一つの相に比べ非晶質相の溶解速度の大きい粗化液で粗化をする。その結果、粗化面には結晶質相の少なくとも一つの相が残り、その後に施すめっき膜との密着力を大きくするように粗化面を形成することが出来る。　・・・中略・・・。　この結晶化ガラスはＢａＯを多く含む結晶質相と、ホウケイ酸ガラス質相から成る。結晶質相は長さ２０μｍ以下の針状で非晶質マトリック中に無数に分散している。」こと（第２頁左下欄１０行〜右下欄５行参照）、
（ｖ）「（発明の効果）　本発明により結晶化ガラスの表面にめっきによる金属膜を密着性よく形成することができた。」こと（第３頁右上欄１５〜１７行）、が記載されている。
　
　甲第３〜５号証には、
　磁気記録膜上にスパッタによってカーボン保護膜を形成することが記載されている（甲第３号証第２頁左上欄第９〜１３行、右上欄実施例１、甲第４号証請求項１〜２、甲第５号証第２頁右上欄１３行〜末行など参照）。
　
　甲第６号証には、
（ｉ）「単位体積当たりの表面積が１３０ｍ２／ｇ以下で形状が実質的に球状の粒径３２０Å以下の無水アルミナ微粉末を純水中に懸濁させた液を研摩液として該研摩液を用い、被研摩結晶化ガラスとラップ定盤を対向させて、ラップ荷重０．１〜２ｋｇ／ｃｍ２を加えながら精密研摩して成る表面粗度８０Å以下且つ無歪の表面層を形成することを特徴とする結晶化ガラス製磁気ディスク用基板の製造方法。」（請求項２）、及び、
（ii）「被研摩結晶化ガラスには、ガラス質基地中に約３０％の結晶が晶出したフォトセラム（商品名、コーニング社製造）を使用し、その試料は直径８０ｍｍ×２ｍｍ厚さで、被研摩面粗度３００Åであった。」こと（第４頁右上欄１〜４行参照）、
（iii）「本発明は磁気ディスク基板に結晶化ガラスを用いたこと、及び結晶化ガラスの精密研摩方法により、磁気ディスクの信頼性、電磁変換特性及び歩留の向上に極めて有効なことが分かる。」こと（第５頁左下欄７〜１０行参照）、
（iv）実施例と比較例の加工結果として、表面粗度の程度が示された表と凹凸の程度が示された図（第５頁の表１、第１図、第２図）、が記載されている。
　
　甲第７号証には、
（ｉ）「ＳｉＯ２　６８〜８４重量％、ＬｉＯ２　３〜２０重量％、・・・中略・・・からなる１００〜３００℃の温度範囲において５０〜１６０×１０−７ｄｅｇ−１の線膨張係数を有する磁気記録用グラス・セラミック基体。」（請求項１参照）、及び、
（ii）「本発明は磁気記録、再生装置、特に磁気記録装置の貯蔵素子となるメモリーディスク、ソフト及び固定ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、光磁気ディスク基板に関する。」こと（第１頁右下欄４〜７行参照）、及び、
（iii）「従来の技術　　磁気記録用ディスク基材としてはアルミニウム基合金、樹脂材料及びグラス・セラミック（結晶化ガラス）等が知られている。　結晶化ガラスからなる基体の研磨面には、周知の如く、塗布又はスパッタリング等により、ニッケル・コバルト合金の磁性皮膜または鉄−アルミニウム系磁性膜の下地をメッキ処理ののち、磁性メッキを施している。勿論高速回転により使用が可能な条件をそなえ、研磨表面に単一種の酸化物からなる非磁性材料が熱反応により被着され、さらにその上に磁性材料の皮膜が焼成され、回転軸に支持されるもの、又は基体の研磨表面に酸化スズが被着されて、平滑面が形成され、その上に磁性材料の皮膜が被着され、回転自在に支持されると云った種々の装置及び寸法が発表されている。」こと（第１頁右下欄８行〜第２頁左上欄３行参照）、
（iv）「結晶化ガラスは結晶粒子が細かくなければ研磨によって充分平滑な面を得ることが出来ない。」こと（第２頁右上欄８〜１０行参照）が記載されている。
　
　甲第８号証には、
　結晶化ガラスの製造方法として、２段階熱処理が採用できることが記載されている（第１９２頁図II.3.73、第１９３頁第３行〜第１９４頁第４行、第１９３頁図II.3.76など参照）。
　
４．対比・判断
（１）請求項１に係る発明について
　甲第１号証には、上記摘示から明らかなように、「磁気ディスク用基板として結晶化ガラスを用いた磁気ディスク用基板の製造方法であって、少なくともフッ酸を含む水溶液を用いて前記ガラス基板表面をエッチングし、前記ガラス基板表面に凹凸を形成して成る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法」の発明が記載されている。
　そこで、本件請求項１に係る発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、フッ酸を含む水溶液を用いて処理することはフッ化水素を含むフッ化水素酸水溶液中に浸漬して処理することに相当することから、両者は、「磁気ディスク用基板として結晶化ガラスを用いた磁気ディスク用基板の製造方法であって、少なくともフッ化水素を含むフッ化水素酸水溶液中に浸漬して前記ガラス基板表面をエッチングし、前記ガラス基板表面に凹凸を形成して成る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法」の発明である点で一致し、他方、甲第１号証記載の発明は、（イ）磁気ディスクに用いられる結晶化ガラスが「非晶質ガラス相中に結晶相が散在する」か否かの言及がない点、（ロ）結晶化ガラスが「ガラス中に結晶核を発生するための結晶核発生熱処理工程と、前記結晶核を成長させ所定の寸法にするための結晶核成長熱処理工程とによって形成されたもの」か否かの開示が無い点、（ハ）「結晶化ガラスの表面を鏡面機械加工処理した」との開示が無い点、（ニ）「ガラス基板表面の結晶相を残し、非晶質相を選択的に所定の深さまで優先的にエッチング」したとの言及がない点で、本件請求項１に係る発明と相違している。
　そこで、（ハ）の点について検討する。
　特許異議申立人は、甲第１号証には「ガラスは鏡面性が優れているが故に、ガラス基板を用いた」（第２頁右上欄１１〜１３行）との記載や、「平坦性を損なわず、表面に異方性がなく微小な凹凸を形成した」（請求項２）との記載があり、このような平滑性は、鏡面機械加工に依らなければ得られない旨主張している。　しかしながら、もともと「一般にガラスは表面の平滑性に優れ」（甲第１号証第２頁右上欄５〜６行）るものであることから、ガラス基板が形成された時点で既に平滑性を有していると解することができ、甲第１号証記載の発明においてそのような平滑性を有するガラスに対して更に鏡面機械加工処理を施すことまで意図されていると解釈することは、妥当ではない。
  そうであるから、甲第１号証記載の発明において、鏡面機械加工処理を施すことは記載も示唆もされていないし、自明ともいえず、（ハ）の点は実質的な相違点といえる。
　一方、甲第６号証と甲第７号証には、光磁気ディスク基板の製造に当たり、結晶化ガラスの研磨処理を行うことや研磨された結晶化ガラスを用いることが知られている旨記載されていて、その点では本件請求項１に係る発明と一致している。　しかし、その研磨処理（鏡面機械加工処理に相当）は行われるものの、その後に化学的エッチングを施すことは、甲第６号証と甲第７号証には記載も示唆もされておらず、必要とされていないから、甲第１号証記載の発明に対して甲第６号証及び甲第７号証記載の発明を組み合わせるべき動機付けがない。　また、甲第２号証〜甲第５号証、及び甲第８号証にも、鏡面機械処理を行うことは記載も示唆もされていないから、それらの記載を参酌したところで、化学的エッチングを行う前に鏡面機械加工処理を行うことは導き得ない。
　そうであるから、甲第２号証〜甲第８号証の記載を参酌しても、甲第１号証記載の発明において、化学的エッチングの前に鏡面機械加工処理を施すことは、当業者が容易に想い到るとはいえない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、請求項１記載の構成を採用することにより明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、（イ）、（ロ）、（ニ）の相違点について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（２）請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る製造方法の発明で得られた磁気ディスク用ガラス基板上に、磁性薄膜と炭素系保護膜をスパッタリングにより順次積層する工程を有して成る薄膜磁気ディスクの製造方法の発明であるから、上記（１）で請求項１に係る発明について検討した結果と同じ理由により、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月１６日（２０００．１１．１６）