【事件の表示】
　特許第３０７３０５１号「チャージアップ防止方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０７３０５１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０７３０５１号は、平成３年５月２７日に出願され、平成１２年６月２日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、小林陽信より特許異議の申立がなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年７月４日に意見書が提出されたものである。
  
II．特許異議申立について
１．本件発明
　本件請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「荷電粒子線を用いてパターンを形成する際に生じるチャージアップを防止するに当り、パターン形成用レジスト上に、下記一般式（１）で示される化合物を含む水溶液を塗布し、しかる後加熱処理により該レジスト上に導電性薄膜を形成することを特徴とするチャージアップ防止方法。
  
　（式（１）中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基、ｘは５０〜２０００の整数を示す。また、スルホン酸基は芳香環に対して２／５〜３／５の割合で導入されている。）」
  
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、小林陽信は、
甲第１号証　特開平１−１３２１２２号公報
甲第２号証　国際公開第９１／０５９７９号パンフレット
甲第３号証　特表平５−５０４１５３号公報
甲第４号証　特開昭６３−２５４７２８号公報
甲第５号証　特開昭６３−２５４７２９号公報
を提出して、
（１）請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証或いは、甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証及び甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する発明に該当すること、並びに、
（２）本件特許明細書には、記載上の不備があり、特許法第３６条第４項又は第５項に違反するものであること、
により、請求項１に係る発明の特許は、拒絶しなければならない特許出願に対して特許されたものであるからその特許を取り消すべき旨主張する。
  
３．書証の検討
（１）甲第１号証には、
ア．「１．荷電粒子線を用いて所定パタン潜像を、放射線感剤層へ形成し、さらに、現像処理によって該感剤層に所定パタンを形成する方法において、該荷電ビームの照射前に、該放射線感剤層上面に水溶性の帯電防止膜を形成しておくことを特徴とするパタン形成方法。
　２．結晶水をもつ実質的に水溶性の化合物と水溶性高分子とを含む帯電防止膜組成物であって、水溶性高分子の比率が５重量パーセントから５０重量パーセントである帯電防止膜組成物を用いることを特徴とする第１項記載のパタン形成方法。」（特許請求の範囲）に関する発明が記載され、
イ．従来技術の課題として、「電子線、イオン線の荷電粒子線を用いたパタン形成方法では、パタンを形成する放射線感剤層が絶縁体である樹脂組成物であったり、基板が絶縁体の場合、照射中に電荷が蓄積して基板がチャージアップし、基板上の感剤層表面近傍の電界が乱されることにより高精度のパタン形成が行なえないという問題がある。感剤層自体が導電性であったり、感剤層上面に導電性の被覆があれば、チャージアップは防止できる。しかし、高感度・高解像度の感材の性能を劣化させずに、感剤を導電性にするのは困難である。感剤層表面に導電性の塗膜を形成する方法としては、従来、特開昭６１−１１３１３４号に記載があるように、キャスト法で塗布できる導電性高分子膜を形成する方法が知られている。しかし、導電性高分子は、溶媒可溶性のものでもかなり強力な極性の有機溶剤を用いなければ塗布溶液にできず、上面に塗布できる感剤に制限があった。即ち、高性能の感剤として知られている多くの材料は、極性の有機溶剤に容易に溶解してしまい、感剤層を変質・溶解することなく導電性高分子塗膜を塗布するのは困難であった。また、感剤の現像処理の時も、感剤層に影響を与えずに不用となった被覆膜を除去するのは困難であった。」（第１頁右下欄第５〜第２頁左上欄７行）こと、
ウ．それに対して、「水溶性の帯電防止膜組成物は、水溶液から塗布できるので、塗付時に放射線感剤層を変性・劣化させることがない。この帯電防止膜の形成によってチャージアップによるパタン精度の劣化を防ぐことができ、また、潜像形成後、水洗によって容易に除去できるので、放射線感剤の解像性能をそこなうことなく現像処理によってパタン形成できる。結晶水をもつ実質的に水溶性の化合物と水溶性高分子とからなる組成物は、水溶液からキャスト法で容易に塗膜を形成でき、さらに、その塗膜中に結晶水をもつ化合物が分散していて、充分な量の水が膜中に保持できるので、帯電防止に必要な導電性を確保できる。」（第２頁右上欄第６〜１８行）こと、
エ．実施例として、「第１図（ａ）にように、シリコン基板１上にポジ型電子線レジストＲＥ５０００Ｐ（日立化成工業社商品名）を回転塗布法にて塗布、１００℃２０分間のベーク処理によって、２μｍの厚さのレジスト層２を形成した。この電子線レジスト層上に水溶性帯電防止膜３を回転塗布法で塗布、６０℃１０分間の熱処理により０．０８μｍの厚さを得た。使用した水溶性帯電防止膜組成物は、次のようにして得た。塩化アルミニウム・６水和物、５重量に対しイオン交換水９５重量部を加え、塩化アルミニウム水溶液を調合する。次に、ビニルピロリドンと酢酸ビニルとの共重合体（ＧＡＦ社製品ＰＶＰ／ＶＡＳ−６３０）の５重量パーセント水溶液を調合する。この水溶性高分子溶液１重量部に対し、上記の塩化アルミニウム水溶液９重量部を加えよく混合すると均一な水溶液となる。この水溶液を回転塗布法で塗布すると水溶性帯電防止膜が得られる。その後、第１図（ｂ）のように、可変矩形ビーム型電子線装置により加速電圧１．５ｋＶで、電子線を８μＣ／ｃｍ２ の照射量で照射し、電子線レジスト層に潜像５を形成した。次に水洗処理によって帯電防止膜を除去し第１図（ｃ）を得た。これを、水酸化テトラメチルアンモニウムの２重量パーセント水溶液で現像し、第１図（ｄ）のようなポジ型レジストパタンを得た。」（第２頁左下欄第１〜右下欄４行）こと、
　発明の効果として、「本発明によれば、荷電粒子線リソグラフィー、特に電子線リソグラフィーにおいて、電子線等の荷電粒子線描画中に生じるチャージアップ現象を防止できるので、パタン位置精度を向上できる。また、本発明になる水溶性帯電防止膜組成物は、水溶液から塗布でき、かつ、不要になった後、水洗処理で極めて容易に除去できるので既存のほとんどの電子線レジスト上にその塗膜を変性・劣化させることなく塗布でき、また現像前に除去できる。」（第３頁左下欄第５〜１４行）こと、が記載されている。
（２）甲第２号証には、
オ．「式Ｉ：　　　
〔式中、０≦ｙ≦１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、Ｈ、Ｓ０３−、−Ｓ０３Ｈ、−Ｒ７Ｓ０３−、−Ｒ７Ｓ０３Ｈ、−ＯＣＨ３、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＮＲ７ ２、−ＮＨＣＯＲ７、−〇Ｈ、−〇−、−ＳＲ７、−ＯＲ７、−ＯＣＯＲ７、−Ｎ０２、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ７、−ＣＯＲ７、−ＣＨＯおよび−ＣＮ、（式中、Ｒ７はＣ１〜Ｃ８アルキル、アリールまたはアラルキル基である）から成る群から独立に選ばれ、−Ｓ０３−、−Ｓ０３Ｈ、−Ｒ７Ｓ０３−または−Ｒ７Ｓ０３Ｈである少なくとも１個のＲ１、Ｒ２、Ｒ３またはＲ４基を含有する環の部分は２０〜１００％変化する〕の化学的組成を有することを特徴とするスルホン化ポリアニリン組成物。」（特許請求の範囲第１項）、
　「電気伝導用の組成物であって、導電率が約０．５Ｓ／ｃｍの範囲内であり、該組成物が式Ｉのスルホン化ポリアニリン組成物から成ることを特徴とする前記の組成物。」（特許請求の範囲第１７項）、
　「組成物が、電子ビームリトグラフィー法用の放電層として使用される請求の範囲１７に記載の組成物。」（特許請求の範囲第１８項）に関する発明が記載され、
カ．「電子スペクトルを取るために、化合物Ｉを０．１Ｍ　ＮＨ４ＯＨ 中に溶解させて均一溶液とし、次いでポリマー溶液を石英基板上に流延した。空気中、室温で化合物II（ａｍｍｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔ）の水性溶液をゆっくりと蒸発させることにより、弱い揮発性塩基ＮＨ３ が自然蒸発して化合物Ｉが得られた。」（第１５頁第５〜９行）こと、
　「構造解析と物性。元素分析、赤外スペクトル、電子スペクトル、導電率およびサイクリックボルタメトリーの結果は、発煙硫酸でエメラルジン塩基をスルホン化することで、ポリアニリンの酸化形態である自己−ドープ化し、スルホン化、プロトン化したエメラルジン、すなわち、導電率〜０．５Ｓ／ｃｍを有する化合物Ｉを得る方法と一致する。このポリマーは、先ず、図６の構造ｂに示される仮想構造の強酸を形成し、塩酸のような強酸のプロトン化の例と同様にして、直ちにイミノ窒素原子をプロトン化して導電性ポリマーを形成するものと推定される。構造ｂの化合物は、水性（アンモニウム）塩基による処理によってエメラルジン塩基と類似のスルホン化、非プロトン化絶縁性アンモニウム形態、すなわち、図６に示した構造ｃ化合物が生成する。」（第１６頁第１〜１２行）こと、
　「化合物Ｉの溶解度も、相当するポリアニリンポリマーとは著しく異なる。化合物Ｉは、０．１Ｍ　ＮＨ４ＯＨ またはＮａＯＨ水溶液に完全に溶解して青紫色の溶液を形成するが、ポリアニリンを同様の溶液で洗浄すると、不溶性塩基型に転化する。化合物Ｉは、ＮＭＰに溶解して青色の溶液となり、同様に、ＤＭＳＯ（ジメチルスルフォキシド）により緑色の溶液を与える。自己−ドープポリアニリンである化合物Ｉを水性塩基で処理すると、ポリマー主鎖の脱プロトンを起こして、図７のＡまたはＢに示す対応するエメラルジン塩基を形成する。この脱プロトン化は、導電率において、オーダーにして９〜１０桁程度の減少をもたらす。化合物Ｉは、０．１Ｍ　ＮＨ４ＯＨ およびＮａＯＨに可溶性である点で、エメラルジン塩酸塩と相違する。」（第１７頁第３〜１５行）こと、
キ．「スルホン化ポリアニリン組成物の溶解度及び電気伝導度は、その組成物の他の用途ににも有用にしている。例えば、本発明において考えている他の用途は、スルホン化ポリアニリン組成物を電子ビームリトグラフィー用の放電層およびそのための使用である。」（第２２頁第２６〜３１行）こと、
　「さらに、スルホン化ポリアニリン組成物は、溶剤溶液から薄いフィルムに流延し、溶剤を蒸発させて自立性フィルムを製造することができる。」（第２３頁第１５〜１６行）こと、
ク．図６には、構造ａ（化合物Ｉ）として、本件明細書に記載された【化２】一般式（２）に該当する化学構造式が、構造ｃとして、同じく【化１】一般式（１）に該当する化学構造式が記載されている。
（３）甲第３号証は、甲第２号証のパテントファミリーに該当する文献であり、記載事項は、甲第２号証とほぼ同一である。ただし、頒布された時期は、本件特許発明の出願日以降である。
（４）甲第４号証には、
ケ．「基板上に導電性高分子薄膜を塗付したのち、同導電性高分子薄膜に熱処理を施し、次いで、電子ビーム露光処理、現像処理を施して導電性高分子薄膜パターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法」（特許請求の範囲）に関する発明が記載され、
コ．従来のレジストパターン形成方法の課題について、「多層構造レジスト膜を使用した電子ビーム露光においては下層レジストの膜厚が大であると入射電子により下層レジストが帯電し、電子ビームが曲げられて描画パターンの位置ずれが発生するため、レジスト間に導電性を持つシリコン（Ｓｉ）薄膜を配置し、下層レジストの帯電を防止する対策が講じられている。」（第１頁左下欄第１９〜右下欄５行）こと、「このような従来の解決方法では、多層構造のレジスト間に本来は不必要である導電性のＳｉ薄膜を形成しなければならず、また、Ｓｉ薄膜形成のためにプラズマＣＶＤあるいは蒸着などの処理を施す必要があり、これらの工程が、塗布、熱処理工程などからなるホトレジスト工程とは異質なものであるため工程が複雑化する問題があった。」（第１頁右下欄第７〜１３行）こと、
サ．実施例では、「先ず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面上に導電性高分子薄膜２としてポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜を形成する。この薄膜の形成は、ポリスチレンスルホン酸アンモニウム水溶液を４０００ｒｐｍの条件で回転塗付し、こののち、窒素（Ｎ２ ）雰囲気中で２００℃、３０分間の熱処理を施すことによって行なった。」（第２頁左上欄第１２〜１７行）こと、「また、アンモニウム基は、窒素と水素とから構成され、金属を含まないため、半導体基板を汚染するおそれがなく、半導体装置の製造工程におけるレジストパターンの形成に特に好適である。」（第２頁右上欄第１４〜１８行）こと、が記載されている。
（５）甲第５号証には、
シ．「（１）基板上に電子ビームレジスト膜と導電性高分子薄膜を重ねて形成したのち、熱処理、電子ビーム露光処理を順次施し、次いで、前記導電性高分子薄膜を除去し、こののち、前記電子ビームレジスト膜を現像してパターン形成を行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法。（２）導電性高分子薄膜がポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のレジストパターンの形成方法。」（特許請求の範囲）に関する発明が記載され、
ス．作用として、「本発明のレジストパターンの形成方法によればＳｉ薄膜を用いることなく帯電現象を防止することが可能となり、パターンの歪み、位置ずれのない高精度のレジストパターンが実現される。」（第２頁左上欄第９〜１２行）こと、が記載されている。
　
４．判断
（１）特許法第２９条２項違反について
　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）と、甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証に記載のものは、上記摘記事項「３（１）ア、イ、エ」によれば、荷電粒子線を用いて所定パタン潜像を放射線感剤層へ形成し、さらに、現像処理によって該感剤層に所定パタンを形成する方法において、該荷電ビームの照射前に、該感剤層上面に水溶性の帯電防止膜を形成しておくものであって、実施例では、帯電防止膜が、塩化アルミニウム水溶液と共重合体樹脂の水溶液の混合物として塗布され、熱処理して形成するものであるが、この熱処理は、単に水溶媒を除くための乾燥処理にすぎないものと認められるから、
　両者は、「荷電粒子線を用いてパターンを形成する際に生じるチャージアップを防止するに当り、パターン形成用レジスト上に、水溶液を塗布し、しかる後該レジスト上に導電性薄膜を形成することを特徴とするチャージアップ防止方法。」である点で一致しているが、
　相違点１；導電性薄膜を形成するのに塗布する水溶液に関して、本件発明が、一般式（１）の化合物を含む水溶液を用いるのに対して、甲第１号証の記載では、塩化アルミニウム水溶液と水溶性高分子とを含む組成物である点、
　相違点２；水溶液塗布後の処理に関して、本件発明は、その後加熱処理により導電性薄膜を形成するのに対して、甲第１号証の記載では、この点についての記載がない点、で相違している。
　そこで、まず相違点２について検討する。
　甲第２号証には、構造ｃの化合物を化合物Ｉに変換する条件について、上記「３．（２）カ」で摘記したとおり、化合物Ｉを０．１Ｍ　ＮＨ４ＯＨ 中に溶解させて均一溶液とし、次いでポリマー溶液を石英基板上に流延し、空気中、室温で化合物II（ａｍｍｏｎｉｕｍ　ｓａｌｔ）の水性溶液をゆっくりと蒸発させることにより、弱い揮発性塩基ＮＨ３ が自然蒸発して化合物Ｉが得られたことが記載されており、特に加熱操作を施すことなく、構造ｃから化合物Ｉが形成されることが示されている。そして、加熱処理の必要性については、何ら記載されていない。なお、甲第１号証に記載のものは、導電剤である塩化アルミニウムが、イオン性無機金属塩であり、この導電性はイオン性基の導電性のみによるもので、導電性膜中の水分が導電性発現には不可欠であり、本件発明の高分子鎖が共役系でつながった電子伝導性の伝導体とは導電性の発現において基本的に異なるものである。そして、ここでの水溶液塗布後の処理は、あくまでも水溶媒を除くための乾燥処理である。
　これに対して、本件発明では、塗布後、加熱処理して導電性薄膜を形成することにより、スルホン酸基と塩を形成するカチオン物質は分解、気化し高導電性を発現し所期の効果を得るものであるから、この加熱処理を甲第２号証の記載から導き出すことはできない。
　更に、甲第４号証には、導電性高分子として、ポリスチレンスルホン酸塩が記載されているが、これは高分子主鎖に沿った電子共役系を持たず導電性の発現は側鎖のイオン性基の導電性のみによるもので、また、甲第５号証には、導電性高分子としてポリスチレンスルホン酸アンモニウム塩が記載されているが、これも高分子主鎖に沿った電子共役系を持たず導電性の発現は側鎖のイオン性基の導電性のみによるもので、両者とも導電性の発現原理が本件発明とは異なるのであるから、当然にカチオン物質が分解、気化し高導電性を発現する加熱処理については、何も示唆するものはない。
　したがって、相違点２は、甲第２号証、甲第４号証及び甲第５号証の記載に基づいて当業者が容易に導き出すことはできない。
 
　次に、相違点１について検討する。
　甲第２号証には、本件発明における一般式（１）に該当する化合物である式Ｉの化合物が記載され、より具体的には、構造ｃとして、本件発明の一般式（１）におけるＲ１〜Ｒ３が水素原子であるものが記載され、主鎖をなすフェニレン環上に導入されるスルホン酸基は、優先的に交互環において起こり、かつ、環の半分だけがスルホン化されること、即ちスルホン酸基の置換割合は本件発明の２／５〜３／５に含まれるもので、該化合物が水溶性を示すこと、塗布法により自立性の薄膜を形成しうることが記載されている。そして、該化合物が、電子ビームリトグラフィー法用の放電層に使用されることも明記されているから、少なくとも該化合物が、甲第１号証に記載されたレジスト上に形成する水溶性帯電防止膜と同様に使用しうることは、明らかである。さらに、甲第１号証に記載された塩化アルミニウムを用いる導電層は、金属イオンを含有する導電性薄膜であって、本件発明の高分子鎖が共役系でつながった電子伝導性の伝導体とは基本的に異なるものではあるが、甲第４号証あるいは甲第５号証によれば、電子線露光レジスト上に設ける導電層として、金属イオンを含有する導電性薄膜の欠陥が認識されているから、甲第１号証に記載された塩化アルミニウムを用いる導電層についても同様の欠陥が生起する可能性は大きいものと推定される。
　そうすると、導電性薄膜を形成する塗布水溶液として、甲第１号証に記載された塩化アルミニウム水溶液と水溶性高分子とを含む組成物に代えて、甲第２号証に記載された式Ｉの化合物を含む水溶液を適用することは、容易に想到できるものである。
　しかしながら、上記相違点２についての検討で述べたとおり、相違点２が、特に本件発明と導電性の発現原理が同じであるスルホン化ポリアニリン組成物に関する甲第２号証の記載から、及び他の甲第４号証、甲第５号証の記載から容易に導き出すことができない以上、本件発明の構成を甲号各証に記載された発明に基いて当業者が容易に想到することができたとは云えない。
　そして、本件発明は、相違点２に基づく上記本件発明の構成により明細書に記載された、荷電粒子線露光時の荷電蓄積によるパターンの変形や位置ずれが防止でき、また、（ａ）一般式（１）で示される化合物はパターン形成用レジストを侵すことなく、水溶液の状態でそのレジスト上に直接塗布することができるため、操作が容易であり、（ｂ）電子線照射後、アルカリ現像する際にはパターン形成と同時に導電性薄膜が溶解除去されるため、剥離工程の省略も可能であるという、甲号各証の記載からは予測することのできない格別な効果を奏しているものである。
　よって、本件発明は、甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証及び甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（２）特許法第３６条違反について
　特許異議申立人が本件特許明細書に関して、特許法第３６条違反を申し立てた趣旨は、実施例には、一般式（１）におけるスルホン酸塩の塩基成分としてアンモニウムイオンの例のみしか示されていないから、Ｒ１〜Ｒ３の全てについて、発明の詳細な説明において裏付けられていないものであって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではなく、特許法第３６条第４項及び第５項の規定により特許を受けることができないというものである。
　ところで、通常明細書において、実施例の形態は、特許法施行規則第２４条様式２９によれば、特許出願人が最良と思うものを少なくとも一つ掲げて記載するものであるから、アンモニウムイオンの例一つを代表例として記載することは、なんら不合理ではない。そして、一般に、有機製造化学の分野において、強酸に対する造塩イオンとして、アンモニウムと、低級アルキルアミンのアンモニウムとは、等価的に扱われることが極めて多く、本件発明においても、スルホン酸の対イオンとして、アンモニウムイオンと、低級アルキルアミンのアンモニウムイオンとが全く異なる挙動を示すものであるとすべき根拠はないから、アンモニウムイオンの一例しかないことを以て、本件明細書が特許法第３６条に違反するものとすることはできない。
 
III．むすび
  以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月４日（２００１．９．４）