【事件の表示】
特許第２８８３４２６号「化合物半導体結晶の成長方法」の特許について、次のとおり決定する。　
【結　論】
特許第２８８３４２６号の特許を維持する。
【理　由】
 １．手続の経緯
　特許第２８８３４２６号に係る発明についての出願は、平成２年８月２３日に特許出願され、平成１１年２月５日に特許の設定登録がなされ、その後、平成１１年１０月１５日に特許異議申立人 菊地信（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされたものである。　　　　　　　　　
２．特許異議の申立てについて　　　　　　　　　
（１）本件発明　　　　　　　　　　　　　　　　
　特許第２８８３４２６号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＡｓ基板上にＧａＩｎＰ結晶あるいはＡｌＧａＩｎＰ結晶を成長させる化合物半導体の成長方法において、前記基板として、その結晶成長面の面方位を（１００）面から＜０１１＞方向に５〜７°傾けたものを用いると共に、成長速度を４〜１０μｍ／ｈｒとすることを特徴とする化合物半導体結晶の成長方法。」　
（２）特許異議申立て理由の概要
　申立人は証拠として甲第１号証（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，２５（１２）（１９８９），第７５８〜７５９頁），甲第２号証（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６６（１１）（１９８９），第５３８４〜５３８７頁）乃び甲第３号証（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５９（２）（１９８６），第３９５〜３９８頁）を提出し、本件発明はこれらの刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことを理由として、その特許を取り消すべき旨を主張している。　　　　
（３）甲各号証に記載された事項　　　　　　　　
　甲第１号証　　　　　　　　　　　　　　　　
ア．「有機金属気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）により成長したＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐのバンドギャップは、基板が（１００）面から離れるように傾けられるに従い増加し、高角度で飽和する。同じ現象が同様に４元系（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐにも存在する。」（第７５８頁右欄抄文）　　　　
イ．「（１００）ＧａＡｓ基板上にＭＯＶＰＥによって成長したＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐのフォトルミネッセンスのピークは、たとえ組成を厳密に制御しても成長条件により変化することが知られている。」（第７５８頁右欄第１〜４行）
ウ．「使用された基板は（１００），（１００）から［０１１］軸へ向かって２°傾けたもの，（１００）から［０１１］軸へ向かって５°傾けたもの，（１００）から［０１１］軸へ向かって１５．８°傾けたものである（５１１）Ａ、であった。更に傾けた基板として、（３１１）Ｂ（（１００）から［０１１］軸へ向かって２５．２°傾けたもの）と（１１１）Ｂ（（１００）から［０１１］軸へ向かって５４．７°傾けたもの）が採用された。」（第７５８頁右欄下から２行〜第７５９頁左欄第４行）
エ．（１００）面から０〜５４．７°だけ離れさせたＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐのフォトルミネッセンスのピークエネルギーを室温下で測定した結果のグラフ。（第７５８頁Ｆｉｇ．１）
オ．（１００）面から０〜５４．７°だけ離れさせた（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐのフォトルミネッセンスのピークエネルギーを室温下で測定した結果のグラフ。（第７５９頁Ｆｉｇ．２）
　甲第２号証
ア．「ＧａＡｓに格子整合した高品質のＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐを大気圧下で有機金属気相エピタキシー（ＯＭＶＰＥ）によって成長させた。成長は、温度６８０℃，成長速度１２μｍ／ｈで行われた。…我々の結果は、この高成長速度でＶ／ＩＩＩの割合を変化させてもエネルギーバンドギャップが変化する現象は起こらないことを示した。」（第５３８４頁抄文）
イ．「ＯＭＶＰＥによって成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐのエネルギーバンドギャップが、１〜３μｍ／ｈの典型的な成長速度においてＶ／ＩＩＩ比と成長温度を変えた時に、１．８２ｅＶから１．９ｅＶまで変化することが報告された。」（第５３８４頁左欄第２２〜２５行）
ウ．「エネルギーバンドギャップの赤色側へのシフトはもちろん可視レーザーにとって好ましくない。可視レーザーでは可能な限り短い波長が望まれる。この現象は、液相エピタキシー（ＬＰＥ）で、上記において議論されたＯＭＶＰＥの結果の場合よりも速い５〜２０μｍ／ｈｒの成長速度で成長した材料では起こらない。今回の仕事は、変則的なバンドギャップの挙動をＯＭＶＰＥでの高い成長速度で極小にすることができるかどうかを決定するために行われた。」（第５３８４頁右欄第１〜９行）             　　　　　　　　　　
エ．「先に発行された刊行物に記載された、Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ　Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄモデル４１４を修正した反応器中で、大気圧下でのＯＭＶＰＥ成長が行われた。…基板は（１００）から＜０１１＞方向へ２°傾けた半絶縁性のＧａＡｓであった。…最初に１０００〜１５００ÅのＧａＡｓ緩衝層が基板上に成長させられ、続いて１〜２μｍのＧａＩｎ層が成長した。成長速度は約１２μｍ／ｈｒであった。」（第５３８４頁右欄第２０〜３６行）
　甲第３号証
　ＧａＡｓ（１００）基板上にＧａｘＩｎ１−ｘＰ結晶を６μｍ／ｈｒの成長速度で形成すること。（第３９６頁ＴＡＢＬＥＩ）
（４）対比・判断
　上記「２．（３）甲第１号証ア〜オ」に摘記した事項よりみて、甲第１号証には、「有機金属気相エピタキシーによりＧａＡｓ基板上にＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ乃至（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐを成長させる化合物半導体の成長方法において、ＧａＡｓ基板として、その結晶成長面の面方位を（１００）面から＜０１１＞方向に０〜５４．７°だけ傾けたものを用いる化合物半導体結晶の成長方法。」が記載されていると言える（以下、「甲第１号証記載の発明」という。）。
　本件発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、ＭＯＣＶＤ法とは有機金属化学気相成長方法のことであり（例えば、本件特許公報第１頁右欄第８行参照）、有機金属気相エピタキシーの１種であるから、甲第１号証の「有機金属気相エピタキシー」は本件発明の「ＭＯＣＶＤ法」に相当する。
　また、甲第１号証の「Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ乃至（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐ」はそれぞれＧａＩｎＰ結晶，ＡｌＧａＩｎＰ結晶の１種であるから、本件発明の「ＧａＩｎＰ結晶あるいはＡｌＧａＩｎＰ結晶」に相当する。
　更に、甲第１号証の「（１００）面から＜０１１＞方向に０〜５４．７°だけ傾けた」点は、傾ける角度が５〜７°の部分において本件発明の構成と重複する。
　したがって、両者は「ＭＯＣＶＤ法によりＧａＡｓ基板上にＧａＩｎＰ結晶あるいはＡｌＧａＩｎＰ結晶を成長させる化合物半導体の成長方法において、前記基板として、その結晶成長面の面方位を（１００）面から＜０１１＞方向に５〜７°傾けたものを用いる化合物半導体結晶の成長方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
相違点：本件発明では（１００）面から＜０１１＞方向に５〜７°傾けたＧａＡ　　　　ｓ基板上への化合物半導体の成長速度を４〜１０μｍ／ｈｒとするのに　　　　対して、甲第１号証記載の発明は成長速度について言及するものではな　　　　い点。
　そこで、この相違点について検討する。
　本件発明は、レーザに適用した場合の発振波長が６５６〜６６０ｎｍよりも短い波長となる化合物半導体を提供するという技術的課題を解決するために（本件特許公報第２頁第３欄第1７〜２２行参照）、成長速度を４〜１０μｍ／ｈｒとするものである。
　これに対して、甲第２号証には、有機金属気相エピタキシーによってＧａＡｓ基板上にＧａＩｎＰ結晶を成長させる場合に、ＧａＡｓ基板を（１００）面から＜０１１＞方向に２°傾け、結晶成長速度を１２μｍ／ｈとすること（２．（３）甲第２号証ア．参照）、甲第３号証には、有機金属気相エピタキシーによりＧａＡｓ基板上にＧａＩｎＰ結晶を６μｍ／ｈｒの成長速度で形成することは記載されているが、化合物半導体の成長速度を制御することによってレーザに適用した場合の発振波長の短波長化を図ることについては、何ら示唆するところはないから、甲第２，３号証のいずれにも、レーザに適用した場合に発振波長が６５６〜６６０ｎｍよりも短い波長となる化合物半導体を提供するという技術的課題を解決するために成長速度を４〜１０μｍ／ｈｒとすることに対しての何らの動機も存在しないと言うべきである。
　してみれば、上記相違点に係る本件発明の構成は、甲第１号証記載の発明と甲第２，３号証記載の発明を併せて勘案しても当業者が容易に想到し得たものとは言えないから、本件発明はこれらの刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　なお、申立人は、甲第２号証に結晶の成長速度を変えることによりエネルギーバンドギャップが変化することが記載されていることを主張しているが、甲第２号証には、典型的な成長速度（１〜３μｍ／ｈ）においてＶ／ＩＩＩ比と成長温度を変えた時にエネルギーバンドギャップが変化することは記載されているが（２．（３）甲第２号証イ．参照）、結晶の成長速度とエネルギーバンドギャップとの間に相関があることは何ら記載されていないから、この申立人の主張は採用できない。
３．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２６日（２０００．１．２６）