【事件の表示】
　特許第２９５１９０３号「処理装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９５１９０３号の特許を維持する。
【理　由】
［１］本件発明
　本件特許第２９５１９０３号（昭和５８年１１月９日出願（特願昭５８−２０８９５７の分割である特願平７−２９２８９８の分割）、平成１１年７月９日設定登録）の発明は、特許された明細書及び図面（以下、「特許明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである（なお、請求項１に記載された構成要件についてはＡ〜Ｈに分説して記載する。）。
　「１．Ａ．内部を真空に排気する排気手段を備えた処理室と、
Ｂ．該処理室の内部に設置されて被処理基板を載置する上面をほぼ全面に亘って絶縁物で被覆した基板電極手段と、
Ｃ．該基板電極手段に電圧を印加する電圧印加手段と、
Ｄ．前記基板電極手段に載置した被処理基板と前記基板電極手段の絶縁物との間に熱伝達ガスを供給する熱伝達ガス供給手段と、
Ｅ．前記処理室の内部にガスを供給するガス供給手段と、
Ｆ．前記処理室の内部で前記基板電極手段と対向して設置された対向電極手段と、
Ｇ．該対向電極手段に高周波電力を印加する高周波電力印加手段とを備え、Ｈ１．前記排気手段で真空に排気した前記処理室の内部に前記ガス供給手段からガスを供給した状態で前記高周波電力印加手段で前記対向電極に高周波電力を印加することにより前記対向電極手段と前記基板電極手段との間に発生させたプラズマで前記基板電極手段に載置した被処理基板を処理するときに、
Ｈ２．前記熱伝達ガス供給手段により前記被処理基板と前記基板電極手段の絶縁物との間に介在させる熱伝達ガスの平均自由工程以下の面粗さに表面が形成された前記絶縁物に前記電圧印加手段により印加した電圧により前記被処理基板をほぼ全面に亘って静電吸着させるとともに
Ｈ３．前記熱伝達ガス供給手段により前記被処理基板を前記基板電極手段の絶縁物との間に前記熱伝達ガスを供給して前記被処理基板を冷却することを特徴とする処理装置。
２．前記熱伝達ガス供給手段により前記被処理基板と前記基板電極の絶縁物との間に供給される前記熱伝達ガスの圧力が、１００Ｐａよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
３．前記基板電極手段に電圧を印加する電圧印加手段が、直流電源を備え、該直流電源により前記基板電極手段の内部に設けられた電極部に直流電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。　」（以下、請求項１〜３に記載された発明を「本件発明１〜３」という。）
　
［２］特許異議の申立ての理由の概要
　特許異議申立人大森　巌は、甲第１号証を提出して、本件発明１〜３は、甲第１号証に記載された発明（以下、「引用発明」という。）と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消すべきものである旨主張している。
　
［３］甲第１号証の記載事項
　甲第１号証の特開昭５８−２１３４３４号公報には、ウエーハと下方の圧胴との間の微細間隙内に熱伝導において補助するためにガスを導入するところの、半導体ウエーハについて固体から固体への熱移送を達成するための装置に関する発明が、第３〜９図とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　「熱移送を達成するための装置であって：前記凸状湾曲圧胴が前記半導体ウエーハを受け取るために該圧胴に固着された弾力性熱伝導ポリマー表面を有するところの装置。」（特許請求の範囲第５項）、
　「熱移送を達成するための装置であって：・・・ガスが処理チャンバーに入ることを阻むところの装置。」（特許請求の範囲第７項）、
＜半導体ウエーハに関して固体から固体への熱移送を達成するための装置についての従来技術として＞
　「イオンインプランテーシヨン及びエッチングのような他の適用の場合、熱エネルギーは不要の副産物である。」（第２頁右下欄１６〜１８行）、
＜半導体ウエーハに関して熱移送を達成することへの以前の方法として＞
　「さらに、ウエーハは、イオンビームまたはウエーハの何れか一方或いはその両方を断続的に走査すること・・・によって冷却を持続されていた。この方法は、有効に冷却され・・・た金属プレートを、配置されるべき半導体ウエーハにもたらすこと、又はウエーハを有効に冷却されたプレート上のわずかに圧縮可能な表面に対して保持するために静電力を印加することによる。」（第３頁右上欄６〜１５行）、
＜好適実施例の説明として＞
　「実用的な装置において、圧胴の表面に対して圧縮される半導体ウエーハのように、微細規模で２つの表面に凹凸がある。結果として、半導体生成物設備の分野において、たとえ半導体ウエーハが圧胴に対してしっかりと圧縮されても、微細規模で接触する実際の面積は、実質的に全表面の１０％以下である。」（第４頁右下欄１〜７行）、
　「第３図の断面図及び第４図の平面図で示される本発明の装置の実施例において、ガスは、導管４４を通って成形圧胴表面３６を取り囲む環状凹所３７内に導入される。環状凹所３７は、ウエーハが上側にクランプ固定され且つアイテム４５によって下方から気密される位置に隣接したウエーハの周囲周辺ガスを導入する。成形圧胴表面３６とウエーハ４１の背面との間の接触圧力は、手段４２からのクランピング力の印加によって生じるであろう。この圧力は、ウエーハ４１を破損する圧力以下であるべく選択されるが、ウエーハの裏側の有意のガス圧力を受容可能にするのに十分に有意である。ガスがガス源４３からの圧力をもってパルプ４０及び経路４４を通って環状経路３７へ導入されるとき、ガスはウエーハ４１の底部と圧胴表面３６との間の接触面における微細空隙を満たす。」（第５頁右上欄６行〜左下欄１行）、
　「本発明の装置及び方法は、固体から固体への熱移送の利点とガス伝導からの熱移送補助とを結合する。・・・本発明の装置は、ウエーハに亘って有意の、好適には一様な接触圧力を達成するために圧胴に対するウエーハに予荷重を加えることによって、半導体ウエーハと圧胴との間に固体対固体の接触を生ずる。・・・しかしながら、微細レベルにおいて接触する面積は、依然として顕著に、利用できる総面積の１０パーセント（％）以下である。このことは、圧胴が金属性又は弾力性ポリマーの表面を有するかどうかの問題である。これらの微細空隙中にガスは、圧力をもって導入される。」（第５頁右下欄１２行〜第６頁左上欄１３行）、
　「本発明のハイブリッド特性（ガス伝導と結合した固体から固体への熱移送）を十分に理解するために、ガス伝導による熱移送の機構を検査することが役に立つ。第５図において示されるように低い圧力においてガス伝導による熱移送の速度は、圧力とともに直線的に増加する。ここで、ガスの密度は圧力の増加とともに増加して、平均自由工程は、ガス衝突の優勢が半導体ウエーハ又は圧胴のいずれかとともに起こるのに十分長い状態である。本質的に、ガス分子は、ウエーハと圧胴との間で前後に運行する。この圧力状態は、分子流れと呼ばれる。この領域において、圧力がより大きくなるにつれて、半導体ウエーハと圧胴との間の熱移送の速度はより大きくなる。半導体生産環境において重要な大部分のガスの場合、分子流れ領域は、約１Ｔｏｒｒ以下に亘る。圧力が十分に高く又は半導体ウエーハと圧胴との間の間隙が十分に大きいとき、ガス衝突の優勢は、半導体ウエーハ又は圧胴との衝突よりむしろガス分子間で生じ始める。この条件は、層流領域として説明される。分子流れと層流領域との中間において、両方の領域の特性が存在する遷移領域がある。いくつかの層流特性が存在する領域は、半導体生産環境において重要な大部分のガスについて約５Ｔｏｒｒ以上にある。この領域においてガスは、少なくとも熱伝導率が圧力から独立している液体状部分で作用し始める。かくして、一度この状態が達成されると、圧力を特定の間隙について増加することによって利点は全く得られない。熱抵抗は、半導体ウエーハと圧胴との間の間隙を縮小することによってのみ減少させられる。分子から層流への遷移は、緩やかであって装置における圧胴からウエーハまでの間隙により決まる異なる点において生じるであろう。
　層流領域において熱伝導率への抵抗は、圧力から独立していて、間隙に依存している。」（第６頁右上欄１行〜右下欄１４行）、
　「本発明の装置及び方法は、層流が存在するこの圧力条件において動作する。この条件下で動作を得るために、半導体ウエーハは、第３図で概略的に図示されるように周囲のクランピング力をウエーハ周辺上において加えられる。・・・第９図において、曲線［ａ］は圧胴対ウエーハの接触による伝導成分を示し、曲線「ｂ」はガス伝導による寄与を示し、曲線「ｃ」は正味の伝導を示す。・・・
　・・・荷重が十分に高いガス圧力を許容すると同時に、荷重は半導体ウエーハと圧胴との間の間隙を最小にして、以て圧胴と半導体ウエーハとの間の微細空隙内のガスの熱移送容量を高める。一般に、圧胴は凸形状を有する。圧胴は、好適には滑らかに仕上げられた金属表面、例えば柔らかなアルミニウム表面を有する。そのような固体金属表面は、好適な固体対固体熱接触を生じること、すなわち、弾力性ポリマーコーテイングよりも良好に生じることがわかっている。熱接触の質は、金属の伝導率に正比例し、硬度に反比例して、表面の凹凸のうち上に高い方の凸端の頻度に比例する。・・・柔軟な熱伝導性ポリマーが、用いられてもよいが、概して高い示性数を有しない。」（第６頁右下欄９行〜第７頁右上欄１５行）
　
　以上の記載をまとめると、甲第１号証には、エッチングなどの処理装置において、真空の処理チャンバーと、半導体ウエーハを載置するポリマーコーテイングを施した圧胴と、半導体ウエーハと圧胴との間にガスを供給するガス源とを備え、ガス源により半導体ウエーハと圧胴との間にガスを介在させるとともに、圧胴に対して圧縮される半導体ウエーハの表面と圧胴の表面とに、微細規模で凹凸があること、ガス源によりガスを供給してウエーハを冷却することからなる、半導体ウエハーについてガス補助の固定から固体への熱移送のための装置に関する発明が開示され、さらに、半導体ウエーハに熱移送を達成することへの以前の方法として、半導体ウエーハを冷却された金属プレート上のわずかに圧縮可能な表面に対して、ウエーハを保持するために静電力を印加することが開示されている。
　
［４］対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と引用発明とを対比すると、引用発明は、半導体ウエハーについてガス補助の固定から固体への熱移送のための装置に関する発明であるから、本件発明の被処理基板を冷却する処理装置と共通することは明らかである。
　そして、さらに詳細に構成を対比すると、引用発明は、処理チャンバー、圧胴３５、ガス源を備えていることから、本件発明１における、構成要件Ａの「処理室」、構成要件Ｂの基板を載置する手段、構成要件Ｃの「電圧印加手段」、構成要件Ｄの「熱伝達ガス供給手段」を有するとともに、構成要件Ｈ３の熱伝達ガスを供給して被処理基板を冷却する構成を有するものの、本件発明１の構成要件Ｂの「基板電極手段」と、この基板電極手段に電圧を印加する構成要件Ｃの「電圧印加手段」に相当する手段を有していない点（１）で相違する。
　また、引用発明は、本件発明１における、構成要件Ｅの「ガス供給手段」、構成要件Ｆの「対向電極手段」及び構成要件Ｇの「高周波電力印加」に相当する手段を有していない点（２）で相違する。
　さらに、引用発明は、本件発明１の構成要件Ｈ１、Ｈ２に相当する構成を有していない点（３）で相違する。
　そこで、上記相違点（１）〜（３）のうち、相違点（３）の構成要件Ｈ２について検討すると、本件発明１においては、絶縁物は、熱伝達ガスの平均自由工程以下の面粗さに表面が形成されていること、換言すれば、絶縁物の表面の面粗さの被処理基板面との２面間の距離が、熱伝達ガスの平均自由工程以下に絶縁物の表面の面粗さを形成するとともに、この絶縁物に被処理基板をほぼ全面に亘って静電吸着させることとしている（本件明細書の段落【００１６】〜【００１９】、【００４２】参照）。
　一方、甲第１号証には、第５図の説明として、「低い圧力においてはガス伝導による熱移送の速度は、圧力とともに直線的に増加する。ここで、ガスの密度は圧力の増加とともに増加して、平均自由工程は、ガス衝突の優勢が半導体ウエーハ又は圧胴の何れかとともに起こるのに十分長い状態である。本質的に、ガス分子は、ウエーハと圧胴との間で前後に運行する。この圧力状態は、分子流れと呼ばれる。・・・圧力が十分高く又は半導体ウエーハと圧胴との間の間隔が十分に大きいとき、ガス衝突の優勢は、半導体ウエーハ又は圧胴との衝突よりむしろガス分子間で生じ始める。この条件は、層流領域として説明される。・・・層流領域において熱伝導率への抵抗は、圧力から独立していて、間隙に依存している。」と記載され、さらに、第９図の説明として、「（圧胴に対する半導体ウエーハの）荷重が十分に高い圧力を許容すると同時に、荷重は半導体ウエーハと圧胴との間の間隙を最小にして、以て圧胴と半導体ウエーハとの間の微細空隙内のガスの熱移送容量を高める。・・・熱接触の質は、・・・表面の凹凸のうち上に高い方の凸端の頻度に比例する。」と記載されている。
　そうしてみると、甲第１号証には、低いガス圧力では、ガスの平均自由工程はガス衝突が半導体ウエーハ又は圧胴の何れかとともに起こるのに十分長い状態であるものの、高いガス圧力では、熱抵抗、すなわち熱移送容量は半導体ウエーハと圧胴との間の間隙に依存するが、その間隙は荷重により最小になることが開示されている。
　しかしながら、甲第１号証には、従来技術として、半導体ウエーハを冷却された金属プレート上のわずかに圧縮可能な表面に対して、ウエーハを保持するために静電力を印加することが開示されているものの、本件発明１のように、絶縁物の表面の面粗さを熱伝達ガスの平均自由工程以下に形成することまでは記載されていないし、示唆もされていない。
　したがって、本件発明１の構成要件Ｅの「ガス供給手段」、構成要件Ｆの「対向電極手段」、構成要件Ｇの「高周波電力印加手段」及び構成要件Ｈ１に相当する構成が周知慣用手段であるとしても、本件発明１は、引用発明と同一であるとすることはできない。
　
（２）本件発明２、３について
　本件発明２、３は、本件発明１を引用して、さらに熱伝達ガスの圧力を１００Ｐａよりも大きいこと、電圧印加手段が直流電源を備え、基板電極手段の電極部に直流電圧を印可することと限定したものであって、本件発明１は引用発明と同一であるとすることができない以上、本件発明２、３についても引用発明と同一とすることはできない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件発明１〜３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月１１日（２０００．９．１１）