【事件の表示】
　特許第３０７９２６６号「単結晶の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０７９２６６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３０７９２６６号（平成３年１１月２７日特許出願、平成１２年６月２３日設定登録）の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである（以下、本件発明という）。
「【請求項１】グラファイト製ヒータを用いて単結晶を育成する単結晶製造方法において、上記ヒータの素材として抵抗率のばらつきが、±７．７％以内であるグラファイトを選択し、該グラファイトを円筒状に加工したものをヒータとして用いることを特徴とする単結晶の製造方法。」
２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人小野浩一は、証拠方法として甲第１、２号証を提出し、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて容易に想到し得る発明であるから、本件発明の特許は特許法第２９条第１項第３号、第２項の規定に違反してなされたものであり取り消されるべきものである旨主張している。
３．甲号各証の記載内容
甲第１号証：特開昭６３−１６６１９５号公報
(ａ)「抵抗加熱を行うためのカーボンヒータとしては、種々の形状のものが作製されている。このうち円筒状の形状を有するものは、例えば半導体デバイスの基板として用いられるシリコン単結晶の引上装置に用いられている。すなわち、シリコン単結晶引上装置は、チャンバー内にルツボを回転自在に支持し、このルツボ外周に配置された円筒状のカーボンヒータを用いてルツボ内のシリコン原料を溶融し、シリコン融液に上方から回転自在に吊下された種結晶を浸してこれを引上げることによりシリコン単結晶インゴットを引上げるものである。上記カーボンヒータは円筒状の外観を有し、下端から上方へ延びる溝と上端から下方へ延びる溝とが交互に形成されたものである。そして、印加される電流を、このカーボンヒータの円筒面に沿って上下にジグザグを描く長い電流経路を流すことにより抵抗加熱を行うようになっている。ところで、従来のカーボンヒータは、大径の等方性カーボンのブロックの中心部をくり抜いて円筒状のカーボン成形体を作製し、この成形体に下端から上方へ延びる溝及び上端から下方へ延びる溝を加工することにより製造されている。」（第１頁左下欄第１８行〜右下欄第２０行）
(ｂ)「しかし、従来のカーボンヒータは、一体物の円筒状のカーボン成形体を用いるため、どうしても成形条件の不均一性の影響を受け、位置によって異なる物性を示しやすい。このため、使用時に位置によって温度が異なり、均一な加熱が困難となる。」第２頁左上欄第２〜７行）
（ｃ）「実際に、従来のカーボンヒータと上記実施例のカーボンヒータとを用い、１５００℃まで加熱する場合、従来のカーボンヒータでは位置によって１５００±４０℃の誤差があったが、上記実施例のカーボンヒータでは温度誤差は１５００±１０℃であった。」（第２頁右下欄第１８行〜第３頁左上欄第３行）
甲第２号証：玉虫文一他編「岩波理化学辞典　第3版」岩波書店　第６２８頁（１９７５年４付き３０日）
（ｄ）「ジュールの法則」の項には、「電流の強さをＩ、抵抗をＲとすれば、単位時間中に流れだす熱量Ｑは　Ｑ＝Ｉ２Ｒである。」ことが記載されている。
４．対比・判断
  上記（ａ）の記載から、甲第１号証には従来の技術として「カーボンヒータを用いるシリコン単結晶引上げ方法において、大径の等方性カーボンのブロックを円筒状に加工したものをヒータとして用いるシリコン単結晶引上げ方法。」という発明（以下、甲１発明という）が記載されていると云える。
  本件発明と甲１発明とを対比すると、甲１発明の「シリコン単結晶引上げ方法」は、本件発明の「単結晶の製造方法」に相当するから、
両者は、本件発明では、ヒータの素材として抵抗率のばらつきが、±７．７％以内であるグラファイトを選択し、該グラファイトを円筒状に加工したものをヒータとして用いるのに対して、甲１発明では、大径の等方性カーボンのブロックを円筒状に加工したものをヒータとして用いる点で相違している。
　そこで、上記相違点を検討する。
  本件特許明細書によれば、本件発明は、従来技術における「従来のＬＥＣ法による単結晶引上げ装置に使用される加熱用のヒータの材料となるグラファイトブロックは、８００〜１５００μΩｃｍの抵抗率を持っており、同一規格のグラファイトでも抵抗率に±２０％程度のばらつきがある。従来、ＬＥＣ法により単結晶成長を行なう装置に使用されるヒータは、形状を同一にして抵抗値は成り行きまかせにするか、抵抗値が所定の値になるようにヒータ形状を調整したものを使用していた。そのため、ヒータを取り替えた時に抵抗値あるいはヒータ形状が以前のヒータで確立された単結晶化の条件からはずれ、単結晶の歩留まりが低下し、新たに単結晶化の条件を見出さなければならないという」問題点（本件特許掲載公報第２頁段落【０００３】）、換言すれば、ヒータを取り替えた時、抵抗値や形状が変わってしまう問題点を解決するために、上記相違点で摘示した構成を具備し、その結果、ヒータを取り替えた時も「ヒータの抵抗値が一定の範囲にあり、ヒータ形状も同一であるため、ヒータへの給電条件の変動幅が従来に比べて小さくなり単結晶化率を向上させることができる。」（本件特許掲載公報第２頁第４欄第３〜６行）という効果を奏するというものである。
　これに対して、甲第１号証では、上記（ｂ）の「一体物の円筒状のカーボン成形体を用いるため、どうしても成形条件の不均一性の影響を受け、位置によって異なる物性を示しやすい。このため、使用時に位置によって温度が異なり、均一な加熱が困難となる」の記載から明らかなように、成形条件の不均一性により、ヒータの各位置における加熱温度の違いの問題点は指摘されているが、ヒータを取り替えた時のヒータの素材間の物性の差異についての問題点は何も記載されていない。
　つまり、甲第１号証には、ヒータの素材間の抵抗率の差異については何も記載もされていないし、示唆もされていない。
　してみると、本件発明は、上記相違点で摘示した構成を具備することにより、上記効果を奏するのであるから、本件発明は甲１発明と同一であるとは云えないし、甲１発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
　なお、特許異議申立人は、上記（ｃ）の記載は、甲第２号証記載の学術的法則に基づいて計算すると、甲第１号証においてヒータの素材として抵抗率のばらつきが±７．７％以内であるカーボンを選択することに該当することを開示していると主張しているので、その点を検討すると、上記（ｃ）の記載は、円筒状に加工されたカーボンヒータにおいて、ヒータの位置によっては１５００±４０℃の誤差があったと云うことであり、上述したように成形条件の不均一性によるヒータの各位置における加熱温度の違いを述べたものに過ぎないから、ヒータの素材間の抵抗率の差異について述べたものではない。
５．むすび
 以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
 また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
 よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月７日（２００１．５．７）