(57)【要約】  磁気センサＭＳが、磁化された場合に磁化可能な物体ＳＰＢにより発生される浮遊磁界ＳＦを感知すると共に該感知された浮遊磁界ＳＦに依存した電気目的信号ＵＯＢを発生する磁気抵抗素子ＧＭＲを有している。また、該センサＭＳは、上記磁化可能な物体ＳＰＢを磁化するための第１周波数ω１を持つ磁界Ｈ，Ｈextを発生する磁界発生器ＷＲ１，ＷＲ２と、上記磁気抵抗素子ＧＭＲを介して第２周波数ω２ｔを持つＡＣ電流Ｉ２sinω２ｔを少なくとも発生させる電流源ＡＣ２と、上記電気目的信号ＵＯＢから導出された電気出力信号Ｕ０を発生する電子手段とを有する。上記電子手段は、電気出力信号Ｕ０の振幅を安定化させる安定化手段を有する。該安定化手段は、上記安定化に要する情報を、動作中の前記目的信号ＵＯＢに存在する信号成分の、磁気抵抗素子ＧＭＲの急峻度にリニアに依存する振幅から導出する。上記急峻度は、磁気抵抗素子ＧＭＲの磁気感知方向において該磁気抵抗素子を経る磁界の関数としての、該磁気抵抗素子ＧＭＲの抵抗の導関数として定義される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化された場合に磁化可能物体により発生される浮遊磁界を感知すると共に該感知された浮遊磁界に依存する電気目的信号を発生するような磁気抵抗素子を有する磁気センサであって、該センサが、前記磁化可能物体を磁化するための第１周波数を持つ磁界を発生する磁界発生器と、前記磁気抵抗素子を介して第２周波数を持つＡＣ電流を少なくとも発生させる電流源と、前記電気目的信号から導出された電気出力信号を発生する電子手段とを有し、該電子手段が前記電気出力信号の振幅を安定化させる安定化手段を有し、該安定化手段が前記安定化に要する情報を、動作中の前記電気目的信号に存在する信号成分の前記磁気抵抗素子の急峻度にリニアに依存する振幅から導出し、該急峻度が前記磁気抵抗素子を該磁気抵抗素子の磁気的感知方向に経る磁界の関数としての該磁気抵抗素子の抵抗値の導関数として定義されるような磁気センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気センサにおいて、前記信号成分が、前記磁気抵抗素子を経る前記ＡＣ電流における前記第２周波数に関係する二次高調波成分であることを特徴とする磁気センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気センサにおいて、前記安定化手段が前記磁気抵抗素子を介して第３周波数を持つ他のＡＣ電流を発生させる手段を有し、前記信号成分が、前記磁気抵抗素子を経る電流における前記第３周波数に、又は前記第３周波数と前記第２周波数との差に、又は前記第３周波数と前記第２周波数との和に等しい周波数を持つ高調波成分であることを特徴とする磁気センサ。
【請求項４】
請求項３に記載の磁気センサにおいて、該センサが、前記他のＡＣ電流を生じさせるために、前記第３周波数を持つような他の磁界を発生させる他の磁界発生器を有していることを特徴とする磁気センサ。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の磁気センサにおいて、前記安定化手段が、前記磁気抵抗素子の急峻度を調整する急峻度調整手段を有していることを特徴とする磁気センサ。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気センサにおいて、前記急峻度の調整が前記磁気抵抗素子を経るＤＣ電流の値を変化させることにより実行されることを特徴とする磁気センサ。
【請求項７】
請求項４に記載の磁気センサにおいて、前記安定化手段が前記磁気抵抗素子の急峻度を調整する急峻度調整手段を有し、該急峻度の調整が前記他の磁界におけるＤＣ値成分を変化させることにより実行されることを特徴とする磁気センサ。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の磁気センサにおいて、前記急峻度調整手段が、前記信号成分を同期検波する同期検波器と、該検波された信号成分を前記磁気抵抗素子の急峻度の目標値と比較すると共に該比較の結果として誤差信号を供給するような手段とを有し、該誤差信号が前記磁気抵抗素子を経る前記ＤＣ電流の値又は前記他の磁界における前記ＤＣ値成分を変化させるための基礎を形成することを特徴とする磁気センサ。
【請求項９】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の磁気センサにおいて、前記安定化手段が、前記電気目的信号から前記電気出力信号への電子的伝達の利得値を調整する利得調整手段を有することを特徴とする磁気センサ。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気センサにおいて、前記利得調整手段が、前記信号成分を同期検波する同期検波器と、該検波された信号成分を前記磁気抵抗素子の急峻度の目標値と比較すると共に該比較の結果として制御信号を供給するような手段とを有し、該制御信号が前記利得値を変化させるための基礎を形成することを特徴とする磁気センサ。
【請求項１１】
請求項１ないし１０の何れか一項に記載の磁気センサにおいて、前記電子手段が、前記電気目的信号又は該電気目的信号の利得調整されたバージョンを、前記第１周波数及び／又は前記第１周波数と前記第２周波数との差及び／又は前記第１周波数と前記第２周波数との和において同期検波する他の同期検波器と、該他の同期検波器からの結果的信号をフィルタ処理すると共に該フィルタ処理の結果として前記電気出力信号を供給する周波数ローパスフィルタとを有することを特徴とする磁気センサ。
【請求項１２】
請求項１ないし１１の何れか一項に記載の磁気センサを有するバイオチップ。
【請求項１３】
複数の磁気センサを有するバイオチップであって、請求項１ないし１２の何れか一項に記載の少なくとも１つの磁気センサが基準センサとして使用され、他の磁気センサにおける前記磁気抵抗素子の急峻度の調整又は前記電気目的信号から前記電気出力信号への電子的伝達の利得値を調整する利得調整が、前記基準センサから導出された情報を用いて実行されるようなバイオチップ。
【請求項１４】
磁化された場合に磁化可能物体により発生される浮遊磁界を感知すると共に該感知された浮遊磁界に依存する電気目的信号を発生するような磁気センサにおける磁気抵抗素子の急峻度を安定化させる方法であって、該急峻度は前記磁気抵抗素子を該磁気抵抗素子の磁気的感知方向に経る磁界の関数としての該磁気抵抗素子の抵抗値の導関数として定義され、該方法が、
−  前記磁化可能物体を磁化するための第１周波数を持つ磁界を発生させるステップと、
−  前記磁気抵抗素子を介して第２周波数を持つＡＣ電流を発生させるステップと、
−  前記電気目的信号から電気出力信号を発生するステップと、
−  前記電気出力信号の振幅を、前記電気目的信号に存在すると共に前記磁気抵抗素子の急峻度にリニアに依存するような信号成分を検出することにより安定化させるステップと、
を有するような方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁化された場合に磁化可能物体により発生される浮遊磁界を感知すると共に、該感知された浮遊磁界に依存する電気目的信号を発生する方法に関する。本発明は、更に、磁化された場合に磁化可能物体により発生される上記浮遊磁界を感知すると共に上記電気目的信号を発生する磁気抵抗素子を有するような磁気センサ、及び例えば分子診断生物試料分析又は化学試料分析に使用するための斯様なセンサを有するバイオチップにも関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロアレイ又はバイオチップの導入は、ＤＮＡ（デオキシリボ核酸）、ＲＮＡ（リボ核酸）、核酸、タンパク質、細胞及び細胞断片、組織エレメント等に関する試料の分析に革命をもたらしている。応用例は、例えば人の遺伝子型特定（例えば、病院における又は個々の医師若しくは看護子による）、医療的スクリーニング、生物学的及び薬理学的研究、唾液内のドラッグの検出等である。バイオチップの目的は、試料（通常は、溶液）内の生物分子の存在を検出及び定量化することである。
【０００３】
バイオセンサ、バイオセンサチップ、生物マイクロチップ、遺伝子チップ又はＤＮＡチップとも呼ばれるバイオチップは、最も簡単な形態では、当該バイオチップ上の良好に規定された領域に多数の異なるプローブ分子が付着された基板からなり、斯かるプローブ分子には分析されるべき分子又は分子断片が、整合した場合に結合することができる。
【０００４】
上記"基板"なる用語は、使用することが可能な、又はデバイス、回路若しくはエピタキシャル層を形成することが可能な何らかの下側に位置する材料又は複数の材料を含むことができる。また、該"基板"なる用語は、例えばドーピングされたシリコン、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガリウムヒ素燐（ＧａＡｓＰ）、インジウム燐（ＩｎＰ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）基板等の半導体基板を含み得る。該"基板"は、半導体基板部分に加えて、例えばＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４層等の絶縁層を含むこともできる。このように、"基板"なる用語は、ガラス、プラスチック、セラミック、シリコンオンガラス、シリコンオンサファイヤ基板も含む。このように、"基板"なる用語は、関心の層又は部分の下側に位置する層のための要素を広く定義するために使用される。また、"基板"は、例えばガラス又は金属層等の、層が形成される如何なる他の基体でもあり得る。
【０００５】
例えば、ＤＮＡ分子の断片は１つの固有な相補的ＤＮＡ（c-ＤＮＡ）分子断片に結合する。結合反応の発生は、例えば分析されるべき分子に連結された蛍光マーカを使用することにより検出することができる。蛍光マーカの代わりとして、磁化可能物体を、分析されるべき分子に連結された磁気マーカとして使用することもできる。本発明が扱うのは後者のタイプのマーカである。バイオチップにおいては、上記磁化可能物体は、通常は所謂超常磁性ビード（superparamagnetic beads）により実施化される。これは、少量の多数の異なる分子又は分子断片を並列に短時間に分析する能力を提供する。１つのバイオチップは、１０〜１０００又はそれ以上の異なる分子断片のためのアッセイ（assays）を保持することができる。バイオチップの使用から利用可能となり得る情報の有用性は、人ゲノム計画並びに遺伝子及びタンパク質の機能に関する追補研究等の計画の結果として、来る１０年の間に急速に増加するであろう。バイオチップの機能の一般的説明は、国際特許出願公開第WO03/054523号として公開された出願人による国際特許出願に既述されている。
【０００６】
超常磁性ビードの検出に基づく（例えば、１００個の）センサのアレイからなるバイオチップは、試料流体（例えば、血液又は唾液等の溶液）における多数の異なる生物分子（例えば、タンパク質、ＤＮＡ等）の濃度を同時に測定するために使用することができる。試料流体は、目標分子種又は抗原を有する。磁気ラベル（マーカ）を持ち得る如何なる生物分子も、潜在的に使用し得る。測定は、超常磁性ビードを目標に付着させ、該ビードを印加された磁界により磁化し、（例えば）巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサを使用して斯かる磁化されたビードの浮遊磁界（浮遊場）を検出することにより達成することができる。
【０００７】
本出願においては、焦点は、超常磁性ナノ粒子の励起に基づくバイオチップに対するものである。しかしながら、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）及びトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）等の他の磁気抵抗センサにおける適用も、本発明の一部である。前記磁界発生器は、磁界を発生させるワイヤに流れる電流を有することができ、これにより超常磁性ビードを磁化する。該超常磁性ビードからの浮遊場は当該ＧＭＲに面内（in-plane）磁化成分を生じ、この結果、抵抗が変化する。
【０００８】
本発明の背景に関する更なる説明のために、図１及び２を参照する。
【０００９】
図２は、基板ＳＢＳＴＲ上の磁気センサＭＳの一実施例を示している。単一の又は複数の斯様なセンサを、図１に概念的に示すように、同一の基板ＳＢＳＴＲ上に集積してバイオチップＢＣＰを形成することができる。磁気センサＭＳは磁界発生器を有し、該磁界発生器は、本実施例では、例えば第１の電流伝導ワイヤＷＲ１により基板ＳＢＳＴＲ内に組み込まれる。該磁界発生器は、第２の（又は、もっと多くの）電流伝導ワイヤＷＲ２も有することができる。また、磁界Ｈを発生させるために電流伝導ワイヤの代わりに他の手段を適用することもできる。該磁界発生器は、基板ＳＢＳＴＲ外に配置することもできる（外部励起）。各磁気センサＭＳにおいて、例えば巨大磁気抵抗性抵抗ＧＭＲ等の磁気抵抗素子が基板ＳＢＳＴＲに組み込まれて、当該バイオチップＢＣＰにより収集された情報を読み出し、かくして、磁化可能物体を介して目標粒子ＴＲの有無を読み出し、これにより斯かる目標粒子ＴＲの区域的密度を決定又は推定する。上記磁化可能物体は、好ましくは、所謂超常磁性ビードＳＰＢにより実施化される。目標ＴＲに選択的に結合することができる結合部位（結合サイト）ＢＳが、プローブエレメントＰＥ上に付着される。該プローブエレメントＰＥは、基板ＳＢＳＴＲ上に付着される。
【００１０】
磁気センサＭＳの、又はもっと一般的にはバイオチップＢＣＰの機能は下記の通りである。即ち、各プローブエレメントＰＥには、特定のタイプの結合サイトＢＳが設けられる。目標試料ＴＲがプローブエレメントＰＥに供給され又は該プローブエレメント上を通過され、もし結合サイトＢＳが該目標試料ＴＲと合致すると、これらは互いに結合する。超常磁性ビードＳＰＢが、目標試料ＴＲに直接的又は間接的に連結されている。該超常磁性ビードＳＰＢは、当該バイオチップＢＣＰにより収集された情報を読み出すのを可能にする。超常磁性粒子は、零の印加磁界において時間平均磁化が、磁化測定の時間目盛においては頻繁な熱的に誘導される磁気モーメントの反転により零となるような強磁性粒子である。平均反転頻度は、
【数１】
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により与えられ、ここで、ＫＶ（Ｋは磁気異方性エネルギ密度であり、Ｖは粒子体積である）は克服されるべきエネルギ障壁であり、ν０は反転試み頻度（典型値は、１０９ｓ-1）であり、ｋはボルツマン定数であり、Ｔは絶対温度（ケルビン）である。
【００１１】
磁界Ｈは超常磁性ビードＳＰＢを磁化し、該超常磁性ビードは、応答として、ＧＭＲにより検出することができるような浮遊場ＳＦを発生する。必要ではないが、ＧＭＲは、好ましくは、該ＧＭＲを通過する磁界Ｈの部分が該ＧＭＲの層の感知方向に垂直となるように配置されるべきである。当該ＧＭＲが感知的となる全外部場が、図２にＨextにより示されている。
【００１２】
浮遊場ＳＦは水平成分（当該ＧＭＲの層の感知方向）を有し、かくして、該ＧＭＲの抵抗値の差を発生する。これにより、目標ＴＲの量に関する尺度となる電気出力信号（図１には示されていないが、例えばＤＣ電圧によりバイアスされている場合に該ＧＭＲを経る電流の変化により発生される）をセンサＭＳにより供給することができる。
【００１３】
超常磁性ビードの量のみならず、当該センサの総利得も、該センサの出力電圧の振幅を決定する。従って、総利得は、例えば実際のバイオ測定の前に該総利得を測定することにより、知らなければならない。好ましくは、この総利得は所望の値に等しくなるように校正もされる。更に、前記磁界発生器から直接的結果として生じる（従って、超常磁性ビードを介してではない）磁界に起因する磁気クロストークの効果を測定するために、クロストーク分離技術を実行するのも望ましい。当該センサの総利得は、増幅器（又はバッファ）等の種々のエレメント及びＧＭＲの急峻度に依存する。該急峻度は、磁気抵抗素子を該磁気抵抗素子の磁気的感知方向に経る磁界の関数としての、該磁気抵抗素子の抵抗の導関数である。クロストーク相殺が実行されたとしても、バイオ測定の間における上記増幅器の利得又は上記ＧＭＲの急峻度の値の如何なる変化も、測定の精度に悪く影響し得る。この点に関しては、当該センサにおける最も厳しい構成部品はＧＭＲである。ＧＭＲの急峻度、従って当該センサの総利得は、制御するのが困難なパラメータ、例えば印加される磁界、製造誤差、経年効果及び温度等に依存する。このように、ＧＭＲの感度を安定化させるという大きな要求が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従って、本発明の目的は、磁気センサに存在するＧＭＲの感度を安定化させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この目的を達成するために、本発明は、磁化された場合に磁化可能物体により発生される浮遊磁界を感知すると共に該感知された浮遊磁界に依存する電気目的信号を発生する磁気抵抗素子を有する磁気センサであって、該センサが、上記磁化可能物体を磁化するための第１周波数を持つ磁界を発生する磁界発生器と、上記磁気抵抗素子を介して第２周波数を持つＡＣ電流を少なくとも発生させる電流源と、上記電気目的信号から導出された電気出力信号を発生する電子手段とを有し、該電子手段が上記電気出力信号の振幅を安定化させる安定化手段を有し、該安定化手段が上記安定化に要する情報を、動作中の上記目的信号に存在する信号成分の上記磁気抵抗素子の急峻度にリニアに依存する振幅から導出するような磁気センサを提供する。
【００１６】
本発明は、第２周波数を持つＡＣ電流を供給することにより、感知される目的信号が、感知された浮遊磁界に依存するような信号成分を有するのみならず、振幅がＧＭＲの感度にリニアに依存するような１以上の信号成分も有するようになるという洞察に基づいている。前記電子手段により、このような信号成分は上記目的信号において信号の残部から分離することができ、当該ＧＭＲの感度に関する尺度を提供する。これは、前記総利得を安定化させるのを可能にする。
【００１７】
ＧＭＲを経る上記ＡＣ電流は、該ＧＭＲに内部磁界を生じさせる。ＧＭＲ積層体における非対称な電流分布により、該ＧＭＲを経る電流はセンサの感知層に面内（in-plane）磁界成分を生じさせる。この効果は、内部磁気クロストークと解釈することができ、上記ＡＣ電流の振幅の自乗に対してリニアであり、且つ、当該ＧＭＲの感度にリニアな電圧成分を生じさせる。上記ＡＣ電流の振幅の自乗に対するリニアさは、該ＡＣ電流に関する二次高調波成分（従って、第２周波数より２倍高い周波数を有する）に対するリニアさも意味する。このように、ＧＭＲの感度の安定化は、前記目的信号における二次高調波成分（第２周波数に対する）を検出すると共に、前述した制御するのが困難なパラメータの影響を相殺するための何らかの処理を実施することにより実行することができる。他の高調波成分、例えば四次高調波成分を、上記二次高調波の代わりに使用することもできる。しかしながら、一般的に二次高調波が支配的に存在するので、当該センサにおいて可能な最高の信号対雑音比を達成する、従って当該バイオセンサ測定に関して最高の精度を達成する観点から二次高調波を使用することが好ましい。
【００１８】
本発明は、更に、前記安定化手段が前記磁気抵抗素子を介して第３周波数を持つ他のＡＣ電流を発生させる手段を有し、前記信号成分が前記磁気抵抗素子を経る電流における、前記第３周波数、又は前記第３周波数と第２周波数との間の差、又は前記第３周波数と第２周波数との和に等しい周波数を持つ高調波成分であることを特徴とし得る。上記他のＡＣ電流は、好ましくは、他の磁界を発生させる他の磁界発生器の存在により発生される。時には、先に言及した面内磁界成分が非常に弱く、結果として、前記二次高調波成分も非常に弱い。これは、該二次高調波成分の検出を非常に困難にさせる。これは非常に雑音的な信号となり得、これにより、当該バイオ測定の精度に悪く影響し得る。上記他の磁界の追加により、前記目的信号における信号成分は、前記第３周波数、又は前記第３周波数と第２周波数との間の差、又は前記第３周波数と第２周波数との和に等しい周波数を持って発生される。これら全ての信号成分は、当該ＧＭＲの感度にリニアに依存し、個別に又は組み合わされて分離することができ、前記二次高調波成分の検出に関して前述したのと対応する態様で当該センサの総利得を安定化させるために使用することができる。
【００１９】
ＧＭＲの感度を安定化させる１つの方法は、前記磁気抵抗素子の急峻度を調整する急峻度調整手段を追加することによるものである。これは、例えば当該磁気抵抗素子を経るＤＣ電流の値を変化させることにより実行することができる。他の例として、上記急峻度の調整は、前記他の磁界におけるＤＣ値成分を変化させることにより（例えば前記他のＤＣ電流におけるＤＣ成分を変化させることにより）実行される。利得調整手段は、上記信号成分を同期的に検波する同期検波器と、該検波された信号成分を上記磁気抵抗素子の急峻度に対する目標値と比較すると共に、該比較の結果として誤差信号を供給する手段とを有することができる。上記誤差信号は、当該ＧＭＲを経る電流の、又は前記他の磁界（若しくは他の電流）におけるＤＣ値を変化させる。このようにすることにより、上記誤差信号が零に等しく（近く）なるように制御されるような負帰還ループが形成される。結果的に、該ＧＭＲの感度は、上記目標値に等しくされる（従って、安定化される）。
【００２０】
ＧＭＲの感度を安定化させる他の方法は、前記電気目的信号から前記電気出力信号への電子的伝達の利得値を調整する利得調整手段を追加することによるものである。ここでは、当該ＧＭＲが組み込まれた負帰還ループが存在しないので、不所望な発振又はオーバーシュートは発生し得ず、従って前述した方法より設計するのが容易である。該利得調整手段は、前記信号成分を同期的に検波する同期検波器と、該検波された信号成分を前記磁気抵抗素子の急峻度に対する目標値と比較すると共に、該比較の結果として制御信号を供給する手段とを有することができる。この制御信号は、上記利得値を変化させるために使用される。
【００２１】
他の実施例では、製造の間において超常磁性ビードが基準センサに付着される。これは、良好に規定された表面密度濃度のビード又は良好に規定された体積密度のビードをスポット付着（インクジェットスポット付着）させることにより達成することができる。
【００２２】
これらのビードは、当該伝達関数の校正のために使用することができる。当該センサが試料流体内の自由移動ビードに対して遮蔽されている場合（ビードの範囲が充分に大きい場合に当てはまる）、伝達関数は実際のバイオ測定の間においても安定化させることができる。
【００２３】
他の実施例においては、ＧＭＲの感度は、外部磁石により形成される磁界の強度を変化させることにより、又は外部磁石の位置を平行移動又は回転により変化させることにより制御される。
【００２４】
前記電子手段は、前記第１周波数上、及び／又は前記第１周波数と第２周波数との差上、及び／又は前記第１周波数と第２周波数との和上で、前記目的信号（又は該目的信号の利得調整されたバージョン）を同期的に検波する他の同期検波器と、該他の検波器からの結果的信号をフィルタ処理すると共に、該フィルタ処理の結果として前記電気出力信号を供給する周波数ローパスフィルタとを有することができる。これにより、上記電気出力信号は、目標ＴＲの量に対する、従って試料流体における生物分子の濃度に対する尺度であるような純粋なＤＣ信号となる。
【００２５】
他の例として、前記基準センサの利得は、該基準センサの近傍の少なくとも１つの場発生ワイヤに対する応答を測定することにより得られる。ビードの数がバイオ測定の間において変動し、当該安定化メカニズムを妨害する可能性があるので、基準センサ表面上の又は溶液内へのビードに対して感知的でないことが重要である。従って、好ましくは、表面上の結合領域をなくすことにより、適切な遮蔽により、ビードをセンサから引き離すことにより、又は当該超常磁性ビードの応答帯域幅より高い周波数で測定することにより、磁気ビードは基準センサの表面の近くから避けられるようにする。他の例として、ビードは良好に規定された態様でセンサ表面に吸引される。この方法の利点は、当該基準センサを該センサ上の自由移動ビードから遮蔽することができ、これが斯かるビードがＧＭＲの安定化メカニズムに影響するのを回避することになる点にある。上記吸引力は、当該センサの近傍の磁界発生ワイヤにより生ぜられる磁界勾配により発生することができる。
【００２６】
所望ならば、ビードを表面に吸引した後に、表面の近傍のビードは、（磁気的に）洗浄することにより除去される。他の例として、製造の間にビードが基準センサに付着される。これは、例えば良好に規定された表面密度濃度のビード又は良好に規定された体積密度のビードを（インクジェットスポット付着のように）スポット付着することにより達成することができる。これらのビードは、バイオ測定の間における利得安定化のために使用することができる。好ましくは、上記ビードは、試料流体における自由移動ビードからの磁界を遮蔽する。他の例として、常磁性ビードの応答は"スイッチオフ"される。結果として、磁気クロストークのみが測定され、これを、総利得を安定化させるために使用することができる。これは、例えば当該ビードの磁気応答周波数より高い周波数ω３を持つような垂直磁界を当該ＧＭＲの感知方向に対して垂直に印加することにより実行することができる。この場は、ビードを飽和させ、結果として、電流ワイヤからの磁気クロストークのみが測定される。この信号は利得を示すものであり、かくして、利得を一定に維持するために使用することができる。これは、ビードにヒステリシスを付与する（付加的な磁界の助けにより）ことにより実行することもできる。ビードは、検出のために必要とされる、リニアな領域に調整される。次いで、上記付加的場が取り去られると、ビードは磁界に、最早、応答せず、かくして、クロストークのみが測定される。
【００２７】
また、本発明は、磁化された場合に磁化可能物体により発生される浮遊磁界を感知すると共に、該感知された浮遊磁界に依存する電気目的信号を発生する磁気センサにおける磁気抵抗素子の急峻度を安定化させる方法であって、
−  前記磁化可能物体を磁化するための第１周波数を持つ磁界を発生するステップと、
−  前記磁気抵抗素子を介して第２周波数を持つＡＣ電流を発生させるステップと、
−  上記電気目的信号から電気出力信号を発生するステップと、
−  前記電気出力信号の振幅を、前記目的信号に存在すると共に前記磁気抵抗素子の急峻度にリニアに依存する信号成分を検出することにより安定化させるステップと、
を有するような方法を提供する。
【００２８】
本発明は、更に、発明的磁気センサを有するバイオチップも提供する。該バイオチップは複数の磁気センサを有することができ、その場合において少なくとも１つの発明的センサは基準センサとして使用され、他のセンサにおける磁気抵抗素子の急峻度の調整又は電気目的信号から電気出力信号への電子的伝達の利得値を調整する利得調整は、上記基準センサから導出される情報を用いて実行される。
【００２９】
好ましくは、ＧＭＲの感度は、ビードの励起が実行されるのと同一の周波数範囲で測定される。このようにすることにより、最高の信号対雑音比に到達することができる。オプションとして、当該センサは１以上のＧＭＲが組み込まれた所謂ホイートストーンブリッジ又は半ホイートストーンブリッジを有することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明を、添付図面を参照して更に説明する。
【００３１】
尚、図面は概念的なものであって、本発明を限定するものではない。また、図面において、構成要素の幾つかの大きさは誇張されており、寸法通りではなく、説明目的のためのみのものとなっている。また、各図に対する説明は本発明の原理を説明するもので、本発明を斯かる説明及び／又は図面に限定するものと見なしてはならない。
【００３２】
図３は、ＧＭＲの抵抗値を、磁界成分Ｈextの関数として示している。ＧＭＲの感度ｓGMR＝ｄＲGMR／ｄＨextは一定ではなく、Ｈextに依存することに注意すべきである。該感度は、当該ＧＭＲ積層体における非対称な電流分布に起因する如何なる内部発生磁界にも依存する。
【００３３】
図２に示したセンサＭＳにおいて、巨大磁気抵抗ＧＭＲの代わりに、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）又は異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）のような特定のタイプの抵抗等の、磁界に依存する特性（パラメータ）を持つ如何なる他の手段を適用することもできる。ＡＭＲ、ＧＭＲ又はＴＭＲ材料においては、磁界の印加の結果として１以上の層の磁化方向が変化すると電気抵抗が変化する。ＧＭＲは、所謂スイッチング磁性層の間に導体中間層を伴う層状構造の場合の磁気抵抗であり、ＴＭＲは磁性金属電極層及び誘電体中間層を有する層状構造の場合の磁気抵抗である。
【００３４】
ＧＭＲ技術においては、２枚の非常に薄い磁性膜が非常に接近して一緒に配されるような構造が開発されている。第１の磁性膜は固定（pinned）される。これは、この磁性膜の磁気的向きが、通常は該膜を交換バイアス層（第１の磁性膜の磁気的向きを固定する反強磁性材料の層）の極近くに保持することにより固定されることを意味する。第２の磁性層、即ちフリー層は、自由な可変な磁気的向きを有する。磁界の変化（この場合には、超常磁性粒子ＳＰＢの磁化の変化から発生する）は、上記フリー磁性層の磁気的向きの回転を生じ、これが、当該ＧＭＲ構造の抵抗値を増加又は減少させる。低い抵抗値は、一般的に、センサ層及び固定層が磁気的に同一の方向に向けられる場合に発生する。より高い抵抗値は、センサ層（膜）及び固定層（膜）の向きが互いに反対になる場合に発生する。
【００３５】
ＴＭＲは、絶縁（トンネル）障壁により分離された２つの強磁性電極層からなる系において観測され得る。この障壁は、極めて薄く（即ち、１ｎｍのオーダ）なければならない。その場合にのみ、この障壁を介して電子がトンネル通過することができる。これは、量子機械的移送プロセスである。一方の層の磁気整列は、交換バイアス層を利用することにより、他方に影響を与えることなく変化させることができる。磁界の変化（この場合においては、超常磁性粒子ＳＰＢの磁化の変化から生じる）は、センサ膜の磁気的向きの回転を生じさせ、これが、当該ＴＭＲ構造の抵抗値を増加又は減少させる。
【００３６】
強磁性材料のＡＭＲは、磁化方向に対して電流がなす角度への抵抗値の依存性である。この現象は、強磁性材料の電子散乱断面の非対称性によるものである。
【００３７】
図４は磁気センサの一部を示し、該図において磁界Ｈext（ビードから到来する）以外に当該ＧＭＲ自体により発生された内部発生磁界Ｈintも示されている。ＤＣ電流ＩDCを供給する電流源ＩBIAS及び第２周波数ω２を持つようなＡＣ電流Ｉ２sinω2tを供給するＡＣ電流源ＡＣ２が磁気抵抗素子ＧＭＲに結合されている。このように、これら２つの電流の和が該ＧＭＲを介して流れ、センス電流ｉｓにより示されている。該センス電流ｉｓは、ＧＭＲの両端間に信号（電圧）ＵGMRを発生させる。該電圧ＵGMRは増幅器ＡＭＰにより増幅され、該増幅器が目的信号ＵOBを供給する。上記センス電流ｉｓは、当該ＧＭＲ内に内部磁界Ｈint＝α・ｉsを発生させる。従って、センス電流ｉｓに対して適切な値を選択することにより、図３に示した曲線を水平に"移動"させることができ、当該ＧＭＲの適切な感度を選択することができる。内部磁界Ｈintの影響は内部磁気クロストークと解釈することができ、信号ＵGMRに電圧成分ｅint＝ｓGMR・α・ｉs2を生じさせ、ここでｓGMRは当該ＧＭＲの感度であり、αは定数である。結果として、該ＧＭＲ電圧は二次高調波信号を含み、該信号がＧＭＲの感度を安定化するために利用される。これは、以下のように説明される。当該ＧＭＲの感知層における全面内（in-plane）磁化Ｈｘは、
【数２】
2008522151.tif 000004
に等しい。
【００３８】
信号ＵGMRは、
【数３】
2008522151.tif 000005
により表すことができる。
【００３９】
ｉｓ＝ＩDC＋Ｉ2sinω2tを代入すると、
【数４】
2008522151.tif 000006
となる。
【００４０】
前記ビードからの磁界は、Ｈext＝Ｈ1sinω1tに等しい。
【００４１】
かくして、信号ＵGMRに対して下記の式を導出することができる：
【数５】
2008522151.tif 000007
【００４２】
信号ＵGMRに関する後者の式の最後の項は、
【数６】
2008522151.tif 000008
に等しく、前記第２周波数ω２に対する二次高調波成分である。更に、ＧＭＲの感度ｓGMRが、この最後の項にリニアに存在する。かくして、この最後の項の助けにより、当該感度を安定化させることができる。これは、信号ＵGMRの増幅されたバージョンである目的信号ＵOBを同期復調することにより実行することができる。
【００４３】
この復調の結果は、ｓGMRに比例し、且つ、Ｈ１からは独立したＤＣ成分である。
【００４４】
図５は、ＧＭＲを経るＤＣ電流を調整するような手段が存在する本発明実施例の概要図である。図４の構成に加えて、下記の構成要素が存在する。即ち、第１乗算器ＭＰ１、第２乗算器ＭＰ２、（第１）周波数のローパスフィルタＬＰＦ１、減算器ＤＦＦ及び積分フィルタＩＮＴである。第１乗算器ＭＰ１は、目的信号ＵOBを信号cos2ω2tで乗算することにより該目的信号ＵOBを同期復調する。（簡略化のために、この図及び他の図における振幅は"１"に等しくなるように選定されているが、これは限定と解釈してはならない。）結果としての信号はＤＣ値であり、目標値ｓTRから減算される。結果としての誤差信号は積分フィルタＩＮＴに供給される。該積分フィルタＩＮＴの出力信号は、電流源ＩBIASのＤＣ値ＩDCを調整するために使用される。構成要素"ＡＭＰ"、"ＭＰ１"、"ＤＦＦ"、"ＩＮＴ"及び"ＩBIAS"が負帰還ループを形成することに注意されたい。従って、該帰還ループの利得が充分に高いなら、減算器ＤＦＦの出力端（＝積分フィルタＩＮＴの入力端）における前記誤差信号は、略零となるように制御されるであろう。従って、当該センサの実効感度は、目標値ｓTRに等しくなる（従って、安定化される）。このようにして安定化された目的信号ＵOBは、該目的信号ＵOBをcos(ω1-ω2)t若しくはcos(ω1+ω2)t若しくはsin(ω1)t又はこれら３つの信号の組み合わせで乗算するような第２乗算器ＭＰ２により同期復調される。該第２乗算器ＭＰ２の出力端における結果としての信号ＵMP2はローパスフィルタＬＰＦ１によりフィルタされ、該フィルタは、純粋なＤＣ信号であると共に目標ＴＲ（図２参照）の量に関する、従って試料流体における生物分子の濃度に関する尺度となるような電気出力信号Ｕ０を供給する。
【００４５】
図６は、ＧＭＲ積層体の断面を示し、この図には該積層体を経る電流が概念的に示されている。前述したパラメータα及びｓGMRは、共に、該ＧＭＲ積層体における電流分布の関数である。図６は、ＧＭＲ積層体における電流分布を示し、該電流分布はフリー（感知）層ＦＬと固定（ピン）層ＰＬとの間の非磁性層ＮＭＬに中心が位置している。センス電流ｉｓの重心を感知層ＦＬの直ぐ下の最適位置に移動すると、より大きな磁界強度が該センス電流ｉｓにより感知層ＦＬに誘起される結果となり、これは当該安定化回路の制御範囲及び利得を増加させる。これは、当該積層体における抵抗値のバランスを、例えば該積層体に低抵抗性層を追加することにより又は該積層体における異なる層の厚さを変更することにより最適化することにより達成することができる。
【００４６】
センス電流ｉｓにより発生された印加磁界Ｈint（図５参照）は当該ＧＭＲ内に集中されるので、センサ表面の近傍の磁性ビード（図２参照）と、供給されたセンサ電流との間には無視可能な相互作用しか存在しない。従って、この方法は、実際の磁性ビード測定と同時的に適用することができる。
【００４７】
非リニアなＧＭＲ特性による高調波歪成分は、センス電流ｉｓにより誘導される磁界のＡＣ振幅が小さい故に、無視可能であることに注意されたい。
【００４８】
図７は、電気目的信号ＵOBから電気出力信号Ｕ０への電子的伝達における利得値を調整するような利得調整手段を有する本発明の一実施例の概要図を示す。図７の回路は図５の回路とは下記の点で相違する。即ち、積分フィルタＩＮＴ及び減算器ＤＦＦは存在せず、従って帰還ループは存在しない。かくして、電流源ＩBIASのＤＣ値ＩDCも、誤差信号により制御されることはない。更に、図７の回路は、図５の回路に加えて利得調整器ＧADPTを有している。該利得調整器は、増幅器ＡＭＰの出力端に結合されて目的信号ＵOBを入力する信号入力端を備えると共に第２乗算器ＭＰ２の入力端に結合されて信号ＵOBGを供給する信号出力端を備え、該信号ＵOBGは上記目的信号ＵOBの利得調整されたバージョンである。更に、図７の回路は、図５の回路に加えて、更なる周波数ローパスフィルタＬＰＦ２を有し、該ローパスフィルタは第１乗算器ＭＰ１の出力端と上記利得調整器ＧADPTの制御入力端との間に結合されている。この回路は下記のように動作する。即ち、目的信号ＵOBは、図５の回路におけるように、信号cos2ω2tにより乗算（同期復調）される。結果としての信号は上記更なるローパスフィルタＬＰＦ２によりフィルタされ、該フィルタは利得調整器ＧADPTの制御入力端に制御信号を供給する。該更なるローパスフィルタＬＰＦ２の存在により、この制御信号は純粋なＤＣ信号となる。該制御信号は、利得調整器ＧADPTの基準入力端に存在する目標値ｓTRと比較される。該利得調整器ＧADPTの利得は、下記の式により表され：
【数７】
2008522151.tif 000009
ここで、Ｇは上記更なるローパスフィルタＬＰＦ２により供給されるＤＣ信号の値であり、従って当該ＧＭＲの感度ｓGMRに関係し、δは利得調整器ＧADPTの可能な最大利得を決定する。かくして、図５の回路におけるのと同様に、当該センサの実効感度が安定化される。図５の回路を超える図７の回路の利点は、ここでは帰還ループが存在せず、従って、安定性（オーバーシュート及び発振の防止）に関して、この回路は設計するのが容易であり、ＧＭＲのセンス電流に依存する利得制御特性に依存しない点にある。図７に示された位置の代わりに、利得調整器ＧADPTは第２乗算器ＭＰ２の後に配置することもできる。
【００４９】
図８は、利得値を調整する本発明の他の実施例の概要を示している。図８の回路は、図５の回路とは構成が以下のように相違する。即ち、図８において、第３の乗算器ＭＰ３は、増幅器ＡＭＰの出力端に結合された第１入力端と、第１及び第２乗算器ＭＰ１及びＭＰ２の共通接続点に結合された出力端とを備えている。更に、図８の回路において、積分フィルタＩＮＴの出力端は、電流源ＩBIASに結合されるのではなく、乗算器ＭＰ３の第２入力端に結合されている。図８の回路の構成は図５の回路の構成と大きな類似点を示しているが、これら２つの回路の動作原理は相違していることに注意すべきである。図８の回路の動作原理は、図７の回路の動作原理に類似している。基本的に、図８における構成要素"ＭＰ３"、"ＭＰ１"、"ＤＦＦ"、"ＩＮＴ"により形成される（負）帰還ループは、図７における構成要素"ＭＰ１"、"ＬＰＦ２"、"ＧADPT"により形成されるフィードフォワードループと類似の機能を果たす。図８の回路は帰還ループを有しているが、図５におけるような安定性に関する設計の可能性のある複雑さは予測されるものではないことに注意すべきである。何故なら、この帰還ループは、ループ内に少ない構成要素しか含まず、電流源ＩBIAS及びＧＭＲは当該帰還ループ内に存在しないからである。
【００５０】
図１０は、ＧＭＲを経るＤＣ電流を調整する手段が存在すると共に、第３周波数ω３を持つ他の磁界Ｈ3sinω3tが存在するような本発明の実施例の概要を示す。図５の回路に対する図１０の回路の構成上の差は、他のＡＣ電流源ＡＣ３及び他のワイヤＷＲ３により構成される他の磁界発生器の存在である。上記他のＡＣ電流源ＡＣ３は上記他のワイヤＷＲ３を介して他のＡＣ電流Ｉ3sinω3tを供給し、これらは、応答として、上記他の磁界Ｈ3sinω3tを発生する。図１０の回路の適用は、内部的に発生される磁界Ｈintが小さくて、目的信号ＵOBにおける二次高調波成分を正確に検出するのが困難である（過度に雑音性の信号となる）全ての状況において有利である。（Ｈint＝α・ｉｓの下の矢印が、前の図よりも意図的に小さく示されていることに注意されたい。）従って、基本的に、周波数ω３を持つＡＣ電流がＧＭＲに生ぜられ、前記二次高調波成分の機能を引き継ぐ。このようにして、該ＧＭＲを経る電流には、ω３−ω２及びω３＋ω２に等しい周波数を持つ高調波成分が発生する。結果として、これらの成分はＧＭＲの両端間の信号ＵGMR及び目的信号ＵOBにも存在する。更に、当該回路の動作は、ここでは目的信号ＵOBが周波数2ω2で同期検波されるのではなく、ω３−ω２、ω３＋ω２又はω１の何れかで同期検波されるという事実を除き、図５における回路のものと同様である。これは、第１乗算器ＭＰ１により実行され、該乗算器は目的信号ＵOBをcos(ω３-ω２)t、cos(ω３+ω２)t、sinω１t、又はこれら３つの信号の組み合わせにより乗算する。
【００５１】
図９は、上記他の磁界Ｈ3sinω3tを発生するための他のワイヤＷＲ３のための有利な位置の一例を概念的に示す。該他のワイヤＷＲ３はＧＭＲの下に位置するので、上記他の磁界は超常磁性ビードＳＰＢに全く（又は殆ど）到達しない。これは、ＧＭＲが該他の磁界に対して遮蔽を形成するからである。更に、該他のワイヤＷＲ３から超常磁性ビードＳＰＢまでの距離も、これらビードからＧＭＲまでの距離と比較して相対的に大きい。
【００５２】
図９におけるワイヤＷＲ３の位置の代わりに、該ワイヤＷＲ３はＧＭＲに隣接して配置することもできる。この場合、ビードＳＰＢはワイヤＷＲ３に一層近くなるので、これらビードＳＰＢはＧＭＲの感度ｓGMRの測定を妨害する可能性がある。この影響は、磁性ビードＳＰＢの応答帯域幅より充分に高い周波数で、従ってω３≧１／τneelなる周波数で感度ｓGMRを測定することにより抑圧することができる。時定数τneelは所謂ニール（Neel）緩和時間である（ニール緩和に関しては、"Journal of Magnetism and Magnetic Materials"194 (1999)のR. Kotiz他によるpage 62を参照されたい）。
【００５３】
一般的に言うと、ω３を増加させることにより、超常磁性ビードＳＰＢからの応答は減少するであろう。ω３を広い周波数範囲にわたり掃引することにより、当該磁気センサの利得及び感度に関する、従ってビードＳＰＢの数に関する情報が取り出される。
【００５４】
他の例として、ＧＭＲに隣接する（又はＧＭＲの下の）ワイヤＷＲ３は、感度ｓGMRを制御するためにＤＣ磁界を発生する。この方法は、恐らくは、ビードＳＰＢを駆動し得るような無視できない磁界勾配を発生する。利得の安定化の間及びバイオ測定（ビードからの応答を測定する）の間のみにおいて該ＤＣ磁界を発生することが、この影響を最小化し得る。
【００５５】
更に他の例として、感度ｓGMRは、当該バイオチップに対する外部磁石（永久磁石又は電磁石）の強度又は位置（平行移動、回転）を変化させることにより制御される。
【００５６】
また、外部磁石が、感度ｓGMRの測定を実行するためにＧＭＲに変動する磁界を発生することも可能である。
【００５７】
図１１は、電気目的信号ＵOBから電気出力信号Ｕ０への電子的伝達の利得値を調整する利得調整手段を有すると共に、第３周波数ω３を持つ他の磁界発生器が存在するような本発明の実施例の概要を示す。基本的に、この回路の構成は図７の回路と類似しているが、ワイヤＷＲ３及びＡＣ電流源ＡＣ３を有する他の磁界発生器が追加されている。該他の磁界発生器の追加は、図１０を参照して前述したのと同様の理由によるものである。
【００５８】
図１２は、図１０に示した実施例に対する代替例としての、ＤＣ電流源ＩBIASを調整する代わりに、ワイヤＷＲ３を介してＤＣ成分ＩDC3を供給する追加のＤＣ電流源を調整することにより前記他の磁界におけるＤＣ値が調整されるような本発明の実施例の概要を示す。
【００５９】
図１３及び１４は、１つの発明的センサが基準センサＲＦＳとして動作すると共に、他のバイオセンサアレイＢＳＡにおけるＧＭＲの急峻度が該基準センサＲＦＳから導出される情報の助けにより安定化されるようなセンサのアレイを示している。各センサのＤＣセンス電流ｉｓは、同一の利得補正値により補正される。βは、基準センサＲＦＳにおけるセンス電流ｉｓの二次高調波の検出を表している。ループフィルタαの出力（これは、利得補正値を表す）が、各センサにおけるＤＣセンス電流の振幅を制御する。ＧＭＲの利得変化は、当該アレイにおける各センサに対して同一であると仮定される。これらセンサは同一のバイオチップ上に互いに接近して配置されるので、これは良い仮定である。図１３のシステムの代替例として、図１４のシステムは、（ＧＭＲを経るＤＣ電流を調整することによりＧＭＲを制御する代わりに）ＧＭＲを制御するために対応するＧＭＲに向かって調整可能なＤＣ磁界を発生するようなワイヤ（コイル）を有する。
【００６０】
以上に述べた実施例は本発明を限定するというよりは解説するものであり、当業者であれば添付請求項に記載した本発明の範囲から逸脱することなしに他の実施例を設計することができるであろうことに注意すべきである。また、請求項において括弧内の如何なる符号も請求項を限定するものと見なしてはならない。また、"有する"等の文言は、何れかの請求項に又は全体として明細書に掲載されたもの以外の構成要素の存在を排除するものではない。また、構成要素の単数形での参照は、斯かる構成要素の複数形での参照を排除するものではない。また、特定の手段が相互に異なる従属請求項で引用されるという単なる事実は、これら手段の組み合わせを使用することができないことを示すものではない。また、上記説明及び請求項における上部、底部、上、下等の如何なる用語も、記述的目的で使用されたもので、必ずしも相対的な位置を説明するものではない。また、その様に使用された用語は適切な状況下では入れ替え可能であり、ここで述べた本発明の実施例は図に記載又は図示された以外の他の向きで動作することができると理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、基板及び複数の磁気センサを有するバイオチップを示す。
【図２】図２は、組み込まれた磁界励起部を備える磁気センサの一実施例を示す。
【図３】図３は、ＧＭＲの抵抗値を、該ＧＭＲの層が磁界に対して感知的となる方向の磁界成分の関数として示す。
【図４】図４は、ビードからの磁界以外に、当該ＧＭＲ自体により発生される内部発生磁界が説明のために図示された磁気センサの一部を示す。
【図５】図５は、ＧＭＲを経るＤＣ電流を調整するための手段が存在する本発明の一実施例の概要図である。
【図６】図６は、ＧＭＲ積層体の断面を図示し、該積層体を経る電流が概念的に示されている。
【図７】図７は、電気目的信号から電気出力信号への電子的伝達の利得値を調整する利得調整手段を有するような本発明の一実施例の概要図を示す。
【図８】図８は、利得値を調整する本発明の他の実施例の概要図を示す。
【図９】図９は、第３周波数を持つ他の磁界を発生するためのワイヤにとり有利な位置の例を概念的に示す。
【図１０】図１０は、ＧＭＲを経るＤＣ電流を調整する手段が存在すると共に、第３周波数を持つ他の磁界が存在するような本発明の一実施例の概要図を示す。
【図１１】図１１は、電気目的信号から電気出力信号への電子的伝達の利得値を調整する利得調整手段を有すると共に、第３周波数を持つ他の磁界が存在するような本発明の一実施例の概要図を示す。
【図１２】図１２は、図１０に示した実施例の代替例としての、前記他の磁界におけるＤＣ値が調整されるような本発明の一実施例の概要図を示す。
【図１３】図１３は、１つの発明的センサが基準センサとして作用すると共に、他のセンサにおけるＧＭＲの急峻度が該基準センサから導出される情報の助けで安定化されるようなセンサのアレイを示す。
【図１４】図１４は、１つの発明的センサが基準センサとして作用すると共に、他のセンサにおけるＧＭＲの急峻度が該基準センサから導出される情報の助けで安定化されるようなセンサのアレイを示す。
【図１】
2008522151.tif 000010
【図２】
2008522151.tif 000011
【図３】
2008522151.tif 000012
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2008522151.tif 000017
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2008522151.tif 000023
【国際調査報告】
2008522151.tif 000024
2008522151.tif 000025
2008522151.tif 000026