【事件の表示】
　特許第２９１５８９２号「樹脂封止型半導体装置およびその製造方法」の請求項に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９１５８９２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
　
Ｉ．手続の経緯
　
　本件特許第2915892号は、平成10年３月23日（優先権主張平成９年６月27日、日本国）に特許出願され、平成11年４月16日にその請求項１〜４に係る発明について特許の設定登録がなされ、その後、粟井英一郎により特許異議の申立てがなされ、当審より取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成12年10月10日に訂正請求がなされたものである。
　
　
II．訂正の適否
　
１．訂正の内容　
　訂正の内容は以下のとおりである。
（１）訂正ａ
　(i)訂正ａ-１
　 特許請求の範囲の【請求項１】に、
　「リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域と、前記インナーリード部の下面と側面とを外部端子として露出させて前記インナーリード部の上面領域とを封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面と側面とに露出して配列された前記インナーリード部に連続して形成された外部端子と、前記インナーリード部の先端部の表面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」
とある記載を、
　「リードフレームのインナーリード部の上面よりも上方に位置させた支持部に搭載された半導体素子と、
　この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、
　前記半導体素子の上面の金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびこれに連続して形成されたアウターリード部の上面領域を封止し、前記インナーリード部の下面とアウターリード部の下面と端面とを外部端子として露出させた封止樹脂と、
　前記インナーリード部の先端部の上面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、
　前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、
　前記アウターリード部の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は、前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるよう前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」
と訂正する。
　(ii)訂正ａ-2
　 発明の詳細な説明の【0009】に、
　「この目的を達成するために本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域と、前記インナーリード部の下面と側面とを外部端子として露出させて前記インナーリード部の上面領域とを封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面と側面とに露出して配列された前記インナーリード部に連続して形成された外部端子と、前記インナーリード部の先端部の表面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする。」
とある記載を、
　「この目的を達成するために本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのインナーリード部の上面よりも上方に位置させた支持部に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびこれに連続して形成されたアウターリード部の上面領域を封止し、前記インナーリード部の下面とアウターリード部の下面と端面とを外部端子として露出させた封止樹脂と、前記インナーリード部の先端部の上面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、前記アウターリード部の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は、前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるよう前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする。」
と訂正する。
（２）訂正ｂ
　(i)訂正ｂ-１
　 特許請求の範囲の【請求項３】に、
　「先端部の表面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、半導体素子を搭載する支持部とを有したリ一ドフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域を含む前記半導体素子の外囲領域と、前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域とを樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成型し、その側面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続すること特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」
とある記載を、
　「先端部の上面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、前記インナーリード部の上面よりも上方に位置して半導体素子を搭載する支持部とを有したリードフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、
　前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、
　前記半導体素子の上面の前記金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域を樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、
　前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成形し、その端面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、
　前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半体装置の製造方法であって、
　半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるように前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」
と訂正する。
　(ii)訂正ｂ-２
　 上記訂正ｂ-１に伴い、発明の詳細な説明の【0011】に、
　「本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、先端部の表面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、半導体素子を搭載する支持部とを有したリードフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域を含む前記半導体素子の外囲領域と、前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域とを樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成型し、その側面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続すること特徴とする。」
とある記載を、
　「本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、先端部の上面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、前記インナーリード部の上面よりも上方に位置して半導体素子を搭載する支持部とを有したリードフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域を樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成形し、その端面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるように前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続することを特徴とする。」
と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否　
　上記訂正ａ-１及びｂ-１は、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正に該当し、訂正ａ-２及びｂ-２は、それぞれ、訂正ａ-１及びｂ-１に伴う明りょうでない記載の釈明に該当する。
　また、これらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面（但し、誤記の訂正に該当するものについては、願書に最初に添付した明細書又は図面）の記載事項の範囲内のものであり、且つ、特許請求の範囲を実質上拡張ないし変更するものではない。
　
３．独立特許要件の判断　
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、後記「III．特許異議申立てについて」において説示するように、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を見出せない。
　
４．むすび
　よって、上記訂正は、特許法第120条の４第２項但書及び同条第３項により準用する同法第126条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
III．特許異議申立てについて
　
１．特許異議申立ての理由の概要　
　特許異議申立人粟井英一郎は、証拠方法として下記甲第１〜６号証を提出して、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：実願昭53-  2259号（実開昭54-106776号）のマイクロフィルム
　甲第２号証：実願昭59-127828号（実開昭61- 42856号）のマイクロフィルム
　甲第２号証の１：実願平3-38190号（実開平4-123550号）のマイクロフィルム
　甲第３号証：特開平6- 21304号公報
　甲第３号証の１：特開平6-85132号公報
　甲第４号証：特開平6- 21315号公報
　甲第５号証：特開平6-104364号公報
　甲第６号証：特開平7- 50380号公報
　
２．本件発明　
　訂正後の本件請求項１〜４に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」〜「本件発明４」という。）は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】リードフレームのインナーリード部の上面よりも上方に位置させた支持部に搭載された半導体素子と、
　この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、
　前記半導体素子の上面の金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびこれに連続して形成されたアウターリード部の上面領域を封止し、前記インナーリード部の下面とアウターリード部の下面と端面とを外部端子として露出させた封止樹脂と、
　前記インナーリード部の先端部の上面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、
　前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、
　前記アウターリード部の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は、前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるよう前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項２】インナーリード部の先端部は幅広部を有していることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項３】先端部の上面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、前記インナーリード部の上面よりも上方に位置して半導体素子を搭載する支持部とを有したリードフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、
　前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、
　前記半導体素子の上面の前記金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域を樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、
　前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成形し、その端面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、
　前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半体装置の製造方法であって、
　半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるように前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
　【請求項４】インナーリード部の先端部は幅広部を有していることを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。」
　
３．甲各号証に記載の事項　
〈甲第１号証〉
　モールド集積回路装置の構造に関し、次の記載がある。
　ア．「第４図は本考案実施例の断面構造図である。台部１には集積回路素子５が接続され、金属細線６により各電極が内部リード部２に接続されている。このリード部は外部リード部３の位置で、モールド７から外部底面に露出するよう形成されている。このリード部は金属細線６と接続される先端近傍で折り曲げられ、その接続点および台部１が底面より高い位置になるよう構成され、台部１と底面との間にもモールドの樹脂が介在するよう形成される。」（３頁９〜18行）
〈甲第２号証〉
　「半導体装置」に関して、次の記載がある。
　イ．「第１図から明らかなように、樹脂封止部３内のリード端子１のインナーリード部１-２に、ボンディングワイヤー５のリードとの接続部９を中心にほぼ同心円状に複数の溝８を切っている。溝８はリード端子１のボンディング部９を中心に環状に多数切り、また溝８は封止樹脂３とリード端子１との界面となるインナーリード部１-２の両面、両側面及び端面にもほどこしておく。
　この様な溝８を作ることによって、リード端子１と封止樹脂３とのミクロのすき間２より侵入した水分が界面にそって溝８に到達すると、水分はこの溝８にそって広がり、内部への進行が防げられる。また、この溝８はリード端子１のボンディング部９に向って何本もあるため、リード端子１と封止樹脂との境界面積は格段に増加し、外部からボンディングワイヤー５までの界面距離が長くなることによって、ボンディングワイヤー５へ水分が到達しにくくなる。」（３頁５行〜４頁３行）
〈甲第２号証の１〉
　「リードフレーム」に関し、次の記載がある。
　ウ．「リード部表面と樹脂の接着部を伝って侵入する湿気がタブ部表面に接着した半導体チップとリード部にボンディングしたワイヤに及ぶのを防止する対策としてリード部やタブ部表面に表面加工を施すリードフレームにおいて、リード部のワイヤボンディングエリアを表面加工対象領域から除外したことを特徴とするリードフレーム。」（【請求項１】）
　エ．「図１は本考案の一実施例を示す。図において１はタブ部、２はリード部、３はタブ部１表面に接着した半導体チップ、４は半導体チップ３表面の電極パットとリード部２を接続するボンディングワイヤ、５は外部樹脂、６は内部樹脂、７はワイヤボンディングエリアであり、図１(ａ)は内部樹脂６を除き上から見た構造を示す平面図、図１(ｂ)は図１(ａ)に示すＡ-Ａにおける断面を示す断面図である。」（４頁２〜７行）
〈甲第３号証〉
　「リードフレーム及び半導体装置の製造方法」に関し、次の記載がある。
　オ．「図３(ｃ)はインナーリード３のワイヤステッチボンド近傍の表面、もしくは裏面、あるいは両面に複数のハーフエッチング部11を設けたものである。」（【0014】）
　カ．「以上述べたように、本発明において、インナーリードのワイヤステッチボンド近傍にハーフエッチング部を設けることによりインナーリードと樹脂との密着性を高めることができ、それと同時に、リードの移動、ワイヤ切れといった不良発生を防止するという優れた効果を有する。」（【0016】【発明の効果】）
〈甲第３号証の１〉
　「半導体装置」に関して、次の記載がある。
　キ．「半導体チップと、一端側が上記半導体チップと接続線で結線された複数のリード片と、一面側に上記半導体チップの載置接着面と凹凸表面とを有するダイパッドと、該ダイパッドの他面側を露出させて上記半導体チップ及び上記リード片の一端側を上記ダイパッドと封止固定するレジン封止体とを備えたことを特徴とする半導体装置。」（【請求項１】）
　ク．「ダイパッド７に設けられた凹凸表面７cによって当部位とレジン封止体８との接着面積が増加し発生応力に充分対応してダイパッド７とレジン封止体８間の界面剥離を防止することができる。」（【0009】８〜９行）
〈甲第４号証〉
　「半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置」に関して次の記載がある。
　ケ．「しかし、上記の様な従来の技術では、…(中略）…ボンディングワイヤとリードフレームとの結合性が悪く、少しの環境の変化等ですぐにボンディングワイヤが切れてしまったり、リードフレームと半導体装置を封止するための樹脂との密着性が悪く、上記と同様にリードフレームインナーリード部が環境の変化によって微動しボンディングワイヤが切れたりしてしまう。」（【0003】【発明が解決しようとする課題】）
　コ．「リードフレーム７のインナーリード先端４付近の表面に凹凸部や溝等が形成されることにより、…(中略）…リードフレーム７と樹脂との密着性が向上し、環境の変化によりリードフレーム７と樹脂との熱膨張係数の違いによって発生するインナーリード４が樹脂内で微動する事が抑制できる。」（３頁右欄５〜11行）
〈甲第５号証〉
　「リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型」に関して、次の記載がある。
　サ．リードフレームのインナーリードの先端部を幅広に形成すること。（【図１】）
〈甲第６号証〉
　「半導体装置」に関して、次の記載がある。
　シ．「本発明の半導体装置１は、図１および図２に示すように、外観的にはエポキシレジンからなるパッケージ１の下面周縁にリード２の外端（外部端子３）が埋め込まれた形状となっている。」（【0011】１〜４行）
　ス．「前記パッケージ１内の中央にはタブ６が位置し、このタブ６上に半導体チップ７が固定されている。また、前記タブ６の周縁近傍には、リード２の内端が臨んでいる。そして、このリ−ド２の内端と、前記半導体チップ７の図示しない電極は、導電性のワイヤ９によって電気的に接続されている。前記リ−ド２は、タブ６（半導体チップ７）の周縁近傍からパッケージ１の周緑に向かって延在するが、パッケージ１内において途中でパッケージ１の下面５側に曲がってパッケ−ジ１の下面５から突出する。また、パッケージ１から突出したリ一ド２は突出箇所で曲がってパッケージの下面に張り付くように延在する構造となっている。下面５に突出して曲がったリ一ド２は下面および外端がパッケ−ジから露出し、側面部分はパッケージ内に埋設されている。この露出したリ一ド外端部分は、実装用の外部端子３となるとともに、特性検査用の測定端子（テストパッド）ともなる。」（【0012】）
　
４．対比・判断　
　(１) 本件発明の骨子・技術的意義等
　先ず、本件発明１，３は、前記２で認定したことから明らかなように、樹脂封止型半導体装置（本件発明１）又はその製造方法（本件発明３）において、
　 〔Ａ〕リードフレームの半導体素子を搭載する支持部をインナーリード部の上面よりも上方に位置させるとともに、
　半導体素子上面の電極とインナーリード部を電気接続する金属細線の領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子外囲領域及びインナーリード部とこれに連続するアウターリード部の上面領域を封止し、インナーリードの下面とアウターリード部の下面と端面とを外部端子として露出させ、且つアウターリード部端面を封止樹脂側面と実質的に同一面に配置させるように樹脂封止を施し、
　且つ、装置の厚みを請求項１に規定する所定の厚み以下の薄厚とすること、
及び、
　 〔Ｂ〕上記インナーリード部の先端部の上面にのみ複数の溝部を設けるとともに、上記金属細線のインナーリード部側の接続部を、金属細線の接続部分のストレスが吸収されるように上記複数の溝部と溝部との間に配置すること、
を骨子とし、
　また、本件発明２，４は、それぞれ、本件発明１，３に対して、  
　 〔Ｃ〕インナーリード部先端部に幅広部を設けること、
を骨子とする。
　そして又、本件明細書及び図面の記載を参酌しつつ、上記各骨子からなる本件各発明の技術的意義を、目的と関連付けつつ把握してみると、本件発明１，３は、
　樹脂との密着性向上を図るために、上記〔Ａ〕の構成にみる如く、半導体素子支持部を封止樹脂内で持ち上げて（以下、樹脂内での持ち上げを「アップセット処理」ということがある。）この部分を両面封止構造としつつ（【0031】(下から)４〜１行，【0034】１〜７行参照）、同時に、装置の可及的薄型化の見地から、リード部（インナーリード部＋アウターリード部）では、その下面を封止樹脂から露出させて片面封止構造とした（【0004】，【0012】４〜５行参照）ものにおいて、
　特に、インナーリード部下面の露出に起因して強まる、
　 　(ａ) 樹脂との密着性の低下、及び、
　 　(ｂ) この部位における片面的応力印加によるワイヤ接続部の破壊、
を防止するために、上記〔Ｂ〕の如き構成、即ち、インナーリード部の先端部上面での複数の溝部形成と該溝部間でのワイヤ接続なる構成をとったもの（【0032】，【0033】参照）と解することができ、
　また、本件発明２，４は、　本件発明１，３におけるインナーリード部の密着性を更に向上させるために、該先端部に上記〔Ｃ〕の如き構成を付加したもの（【0032】参照）と解することができる。
　(２) 甲各号証に記載のものとの対比
　 (２-１)
　先ず、本件発明１，３と甲第１，６号証に記載のものを対比すると、甲第１，６号証には、前記３．ア，シ，スにみるように、半導体支持部である「台部」（甲第１号証）或いは「タブ」（甲第６号証）を封止樹脂内でアップセット処理し、アウターリード部の下面及び端面を樹脂から露出させて、該端面を樹脂側面と同一面とすることが記載されているので、半導体支持部のアップセット処理とアウターリード部の下面及び端面の露出、という点では、甲第１，６号証に記載のものは、本件発明１，３の上記〔Ａ〕の構成と少なくとも部分的に共通するものを備えているといえる。
　しかし、これら甲第１，６号証に記載のものは、いずれも、半導体素子支持部のアップセット処理に併せてインナーリード部をもアップセット処理し、これら両部をともに樹脂で両面封止するものであるから、本件発明１，３のように、半導体素子支持部をアップセット処理して両面封止構造とするが、インナーリード部はアップセット処理をせずに片面封止構造としたものにおける、該インナーリード部の上記(ａ)，(ｂ)の如き問題点の存在を示し得るものではないし、又、もとより、かかる問題点に対する解決策を示すものでもない。
  そこで、以下、上記の如く、半導体素子支持部をアップセット処理しつつ、インナーリード部はアップセット処理を施さないものにおける、該インナーリード部の上記(ａ)，(ｂ)の問題点とその解決策についての開示ないし示唆、という見地から、更に他の甲号証について検討してみる。
　 (２-２)
　甲第２，２の１号証には、前記３．イ，ウ，エにみるように、樹脂封止型半導体装置のインナーリードの先端部を含む上面（甲第２号証では、下面も）に、複数の「溝」（甲第２号証）或いは「Ｖ溝……等の表面加工」（甲第２の１号証）なる溝部を設け、該複数の溝部間にワイヤ接続することが記載されているので、かかる溝部の形成及び該溝部間へのワイヤ接続という点では、これら甲第２，２の１号証に記載のものは、本件発明１，３の上記〔Ｂ〕の構成と少なくとも外形的に共通するものを備えているといえる。
　しかし、甲第２，２の１号証に記載のものにおける上記複数の溝部は、専ら、水分の侵入防止を目的として設けられており、且つ、それらの装置のインナーリード部は樹脂で両面封止されていることからみてれば、たとえ、上記のように複数の溝部形成と該溝間部へのワイヤ接続という点での外形的な共通性が認められるにせよ、それをもって、本件発明１，３のように、半導体素子支持部をアップセット処理して両面封止構造とするが、インナーリード部はアップセット処理せずに片面封止構造としたものにおける、該インナーリード部の上記(ａ)，(ｂ)の如き問題点の存在を示すものとはいえないし、又、かかる問題点を解決するのに、上記の〔Ｂ〕の如き構成、即ち、インナーリード部先端部上面に複数の溝部を形成し、且つ、該溝部間へワイヤ接続するという構成、が有効であること、について示唆を与えるものともいえない。
　 (２-３)
　次に、甲第３，４号証には、前記３．オ，カ，ケ，コにみるように、樹脂封止型半導体装置のインナーリードの先端部上面に、複数の「ハーフエッチング部」（甲第３号証）或いは「溝」（甲第４号証）を設けて、これにより樹脂との密着性を良くし、ワイヤ切れを防ぐことが記載されているので、密着性向上とワイヤ切れ防止のためにインナーリード部上面に溝部ないし凹凸が形成されるという点では、甲第３，４号証に記載のものは、本件発明１，３の上記〔Ｂ〕の構成と一部において共通するものがあるといえる。
  しかし、甲第３，４号証に記載のものは、インナーリード部に対する樹脂封止が片面封止に止まるのか或いは両面封止なのか、或いは又、アップセット処理を伴うものか等一切不明であり、又、溝部間でワイヤ接続するものでもなく、従って又、本件発明１，３のように、半導体素子支持部をアップセット処理して両面封止構造としつつ、インナーリード部はアップセット処理せずに片面封止構造としたものにおける、該インナーリード部上面の溝部間でのワイヤ接続により、インナーリード部の片面封止構造による片面的応力印加で生じるストレスを吸収、緩和すること、については何らの示唆も与えるものでもない。
　一方、甲第３の１号証には、前記３．キ，クにみるように、片面封止構造の「ダイパッド」の周囲部上面に「凹凸」を設けて、これにより樹脂との界面剥離を防止することが記載されてはいるが、この甲第３の１号証に記載のものは、当該凹凸の形成対象がインナーリード部ではなく「ダイパッド」である上、インナーリード部はといえば依然として両面封止されたものに過ぎず、又、溝部間でワイヤ接続するものでもなく、従って、この甲第３の１号証に記載のものも又、本件発明１，３におけるように、片面封止されたインナーリード部上面の溝部間でのワイヤ接続により、インナーリード部の片面封止構造による片面的応力印加で生じるストレスを吸収、緩和してワイヤ接続部の破壊を防止すること、については何らの示唆も与えるものではない。
　 (２-４)
　なお、甲第５号証には、前記３．サにみるように、インナーリード部先端部の幅広部形成について記載があるが、本件発明１，３の上記〔Ａ〕，〔Ｂ〕の構成と関連する記載はどこにも見出せない。
　 (２-５)
　また、以上の甲第１〜６号証に記載のものを総合してみても、上記〔Ａ〕及び〔Ｂ〕の構成が結合された本件発明１，３を導き出すに足る示唆を見出すことはできない。
　そして、本件発明１，３は、上記〔Ａ〕及び〔Ｂ〕の構成の結合により、装置の薄型化と樹脂との密着性向上を図りつつ、片面封止構造とされたインナーリード部における片面的応力印加によるストレスを吸収、緩和してワイヤ接続部の破壊を防止できる、という明細書記載の効果を奏する。
　したがって、本件発明１，３は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
　(３) 本件発明２，４について
　本件発明２，４は、それぞれ、本件発明１，３に対して、インナーリード部先端部の形状に関する上記〔Ｃ〕の如き限定が更に付加された内容のものであるから、本件発明１，３が甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえない以上、本件発明２，４を、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
　
５．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月２０日（２０００．１１．２０）
【訂正の要旨】
　　訂正の要旨
　特許第２９１５８９２号発明の明細書を、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正する。
　すなわち、
（１）訂正ａ
　（ｉ）訂正ａ−１
　特許請求の範囲の【請求項１】に、
　「リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域と、前記インナーリード部の下面と側面とを外部端子として露出させて前記インナーリード部の上面領域とを封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面と側面とに露出して配列された前記インナーリード部に連続して形成された外部端子と、前記インナーリード部の先端部の表面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」
とある記載を、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的として、
　「リードフレームのインナーリード部の上面よりも上方に位置させた支持部に搭載された半導体素子と、
　この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、
　前記半導体素子の上面の金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびこれに連続して形成されたアウターリード部の上面領域を封止し、前記インナーリード部の下面とアウターリード部の下面と端面とを外部端子として露出させた封止樹脂と、
　前記インナーリード部の先端部の上面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、
　前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、
　前記アウターリード部の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は、前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるよう前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」
と訂正する。
　（ｉｉ）訂正ａ−２
　上記訂正ａ−１に伴い、【発明の詳細な説明】の【０００９】に、
　「この目的を達成するために本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域と、前記インナーリード部の下面と側面とを外部端子として露出させて前記インナーリード部の上面領域とを封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面と側面とに露出して配列された前記インナーリード部に連続して形成された外部端子と、前記インナーリード部の先端部の表面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする。」
とある記載を、【請求項１】の記載との整合を図り、明りょうでない記載を釈明する目的で、
　「この目的を達成するために本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのインナーリード部の上面よりも上方に位置させた支持部に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびこれに連続して形成されたアウターリード部の上面領域を封止し、前記インナーリード部の下面とアウターリード部の下面と端面とを外部端子として露出させた封止樹脂と、前記インナーリード部の先端部の上面にのみ設けられた複数の溝部とを備えて、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、前記アウターリード部の端面は前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置され、前記金属細線のインナーリード部側の接続部は、前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるよう前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置されていることを特徴とする。」
と訂正する。
（２）訂正ｂ
　（ｉ）訂正ｂ−１
　特許請求の範囲の【請求項３】に、
　「先端部の表面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、半導体素子を搭載する支持部とを有したリードフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域を含む前記半導体素子の外囲領域と、前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域とを樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成型し、その側面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、前記半導体素子の厚み＋１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続すること特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」
とある記載を、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的として、
　「先端部の上面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、前記インナーリード部の上面よりも上方に位置して半導体素子を搭載する支持部とを有したリードフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、
　前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、
　前記半導体素子の上面の前記金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域を樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、
　前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成形し、その端面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、
　前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半体装置の製造方法であって、
　半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるように前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」
と訂正する。
　（ｉｉ）訂正ｂ−２
　上記訂正ｂ−１に伴い、発明の詳細な説明の【００１１】に、
　「本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、先端部の表面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、半導体素子を搭載する支持部とを有したリードフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域を含む前記半導体素子の外囲領域と、前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域とを樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成型し、その側面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続すること特徴とする。」
とある記載を、【請求項３】の記載との整合を図り、明りょうでない記載を釈明する目的で、
　「本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、先端部の上面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、前記インナーリード部の上面よりも上方に位置して半導体素子を搭載する支持部とを有したリードフレームに対して、前記支持部に半導体素子を接合する工程と、前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線領域と前記支持部の下部領域とを含む半導体素子の外囲領域並びに前記インナーリード部およびアウターリード部の下面が外部端子として露出するように前記インナーリード部およびアウターリード部の上面領域を樹脂により封止して封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を成形し、その端面が前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配置されて前記封止樹脂より露出した外部端子を形成する工程とよりなり、前記半導体素子の厚み十１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるように前記複数の溝部の溝部と溝部との間に配置して接続することを特徴とする。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　リードフレームの
インナーリード部の上面よりも上方に位置させた
　この半導体素子の上面の電極と前記リードフレームのインナーリード部とを電気的に接続した金属細線と、
　前記半導体素子の上面の金属細線領域
と前記支持部の下部領域と
並びに
およびこれに連続して形成されたアウターリード部の上面領域を封止し、前記インナーリード部の下面とアウターリード部の下面と端面とを外部端子として露出させた
　前記インナーリード部の先端部の
上面
　前記半導体素子の厚み＋１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置であって、
　前記
アウターリード部
、前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるよう
　【請求項２】　インナーリード部の先端部は幅広部を有していることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項３】　先端部の
上面
前記インナーリード部の上面よりも上方に位置して
　前記半導体素子の電極と前記リードフレームのインナーリード部の先端部とを金属細線により電気的に接続する工程と、
　前記半導体素子の上面の前記金属細線
領域と前記支持部の下部領域と
並びに
を
　前記リードフレームの前記インナーリード部と連続したアウターリード部を
成形
端面
　前記半導体素子の厚み＋１［ｍｍ］以下の厚みを有する薄厚の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
　半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、前記金属細線のインナーリード部側の接続部を
前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるように
を
　【請求項４】　インナーリード部の先端部は幅広部を有していることを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、リードフレーム上に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子上面側を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、基板実装の高密度化に伴い、基板実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されている。小型化・薄型化のためには、樹脂テープを用いたＴＡＢ実装技術が開発されているが、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発においては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その搭載面を封止樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置が開発されている。
　【０００３】
　以下、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。図５は、従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。図５に示す従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム１のダイパッド部２上に半導体素子３が搭載され、その半導体素子３の電極（図示せず）とリードフレーム１のインナーリード部４とが金属細線５により電気的に接続されている。そしてリードフレーム１の片面、すなわちリードフレーム１の半導体素子３が搭載された面の半導体素子３の外囲領域は封止樹脂６により封止されているものである。
　【０００４】
　図５に示すような構造により、製造された樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置の底面に外部電極であるアウターリード部７を配列した構造を有し、リードフレーム１の半導体素子３が搭載された面のみが封止樹脂６により封止され、リードフレーム１の裏面側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型半導体装置が実現するものである。
　【０００５】
　次に図５に示した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法にあっては、まずリードフレーム１のインナーリード部４の先端部に機械的または化学的な加工により、テーパー形状を形成し、そしてリードフレーム１上に半導体素子３を接合するものである。次いで、半導体素子３とリードフレーム１のインナーリード部４とを金属細線５により電気的に接続した後、トランスファーモールドによりリードフレーム１の半導体素子搭載面を封止樹脂６により封止するものである。最後に外部電極を形成するために、封止樹脂６から突出したリードフレーム１のアウターリード部７を加工して樹脂封止型半導体装置を完成するものである。
　【０００６】
　なお、従来においては図５に示した構造の樹脂封止型半導体装置以外に、図６に示すような構造もある。図６に示す樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム１のインナーリード部４の先端部４ａに対して、半導体素子３を搭載するための絶縁性の樹脂テープ８を接合し、ダイパッド部を形成したものである。そしてその樹脂テープ８上に半導体素子３を搭載後、半導体素子３の電極とインナーリード部４とを金属細線５により電気的に接続し、リードフレーム１の半導体素子３搭載面を封止樹脂６により封止した構造である。この図６に示した樹脂封止型半導体装置では、図５に示した樹脂封止型半導体装置よりも、薄型化が図れるというメリットがある。すなわち、図６に示した樹脂封止型半導体装置では、リードフレーム１のインナーリード部４の下面に樹脂テープ８を接合し、その上面に半導体素子３を搭載しているので、インナーリード部４の上面と、半導体素子３の上面との段差が低くなり、その結果、封止樹脂６の樹脂厚も薄くなり、樹脂封止型半導体装置としての厚みが薄型となるものである。図５に示した樹脂封止型半導体装置では、インナーリード部４と同一面にあるダイパッド部２上に半導体素子３を搭載しているので、図６に示した樹脂封止型半導体装置ほど封止樹脂６の厚みを薄くすることはできない。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実質的にはリードフレームの半導体素子が搭載された面、すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止した構造である。そのため、インナーリード部にテーパー形状を形成したとしても、全体的にリードフレームと封止樹脂との接触面積の低下により、密着性が損なわれ、製品の信頼性が低下するという課題があった。また、実質的にリードフレームの片面のみを樹脂封止している構造であるため、封止樹脂の応力により半導体素子が悪影響を受けたり、封止樹脂にパッケージクラックが発生するという課題もあった。さらにインナーリード部と半導体素子とを金属細線で接続し、片面封止した際には、片面封止の構造の応力により、金属細線で接続されたインナーリード部に応力による負荷がかかり、接続部分が破壊されたりして、接続不良が発生するという課題もあった。
　【０００８】
　したがって、この発明の目的は、前記従来の課題を解決するものであり、リードフレームと封止樹脂の密着性を保持し、金属細線とインナーリード部の安定した接続が可能となり、高信頼性を有し、薄型化を実現した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　この目的を達成するために本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの
インナーリード部の上面よりも上方に位置させた
と前記支持部の下部領域と
並びに
およびこれに連続して形成されたアウターリード部の上面領域を封止し、前記インナーリード部の下面とアウターリード部の下面と端面とを外部端子として露出させた
アウターリード部
、前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるよう
　【００１０】
　このように、インナーリード部の表面に複数の溝部が設けられ、金属細線のインナーリード部側の接続部は溝部と溝部との間に配置されているので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部に加わるストレスや金属細線へのストレスを緩和させることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。この場合、封止樹脂でリードフレームの片面を封止した構造による応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部との間の部分にはかからないため、金属細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続ができる。
　【００１１】
　本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、先端部の上面にのみ複数の溝部が設けられているインナーリード部と、前記インナーリード部に連続したアウターリード部と、
前記インナーリード部の上面よりも上方に位置して
領域と前記支持部の下部領域と
並びに
を
成形
端面
前記金属細線の接続部分のストレスが吸収されるように
を
　【００１２】
　このように、半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、金属細線のインナーリード部側の接続部を溝部と溝部との間に配置して接続するので、封止樹脂でリードフレームの片面を封止した構造による応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部との間の部分にはかからないため、金属細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続ができる。この場合、溝部を２本以上設けて、溝部と溝部との間に金属細線を接続することにより、ストレスを吸収する効果を向上させることができる。また、複数の溝部により封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部に加わるストレスをさらに緩和させることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止する効果が向上する。
　【００１３】
　【００１４】
　【００１５】
　【００１６】
　【００１７】
　【００１８】
　【００１９】
　【００２０】
　【００２１】
　【００２２】
　【００２３】
　【００２４】
　【００２５】
　【発明の実施の形態】
　この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を図１〜図４に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の断面図、図２はその平面図、図３はそのインナーリード部を示す拡大断面図、図４（ａ）はそのインナーリード部先端を示す拡大平面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は正面図である。なお、図２においては、内部構造を示すために、便宜上、平面図では一部封止樹脂を透視した図としている。図中、破線は、ダイパッド部と吊りリードの一部を示している。
　【００２６】
　図１および図２に示すように、この樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部１１に搭載された半導体素子１２と、この半導体素子１２の上面の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、半導体素子１２の上面の金属細線１４領域とダイパッド部１１の下部領域とを含む半導体素子１２の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列されたインナリード部１３に連続して形成された外部端子であるアウターリード部１６とを備えている。リードフレーム９は、ダイパッド部１１がインナーリード部１３より上方に位置するようにアップセット処理してある。ここでは、ダイパッド部１１は搭載しようとする半導体素子１２よりも面積的に小さい構成としている。上記のように、この樹脂封止型半導体装置は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１７を有しているので、ダイパッド部１１の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレーム９に対して両面封止型の半導体装置である。
　【００２７】
　また、図３および図４に示すように、インナーリード部１３はその先端部に幅広部１８を有しており、さらに表面に複数の溝部１９が形成されている。そしてインナーリード部の先端部の端面は厚み方向に逆テーパが形成されている。また、アウターリード部１６は、その露出面が封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面上に配列され、従来のように封止樹脂１５よりも突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。また、金属細線１４のインナーリード部１３側の接続部は溝部１９と溝部１９との間に配置されている。
　【００２８】
　なお、ここで実施形態の樹脂封止型半導体装置は、全体厚が０．７［ｍｍ］という非常に薄型の樹脂封止型半導体装置であり、半導体素子厚プラス１［ｍｍ］以下という厚みを目標にしたものである。そして吊りリード１０のアップセット処理の段差は、０．１［ｍｍ］であり、ダイパッド部１１の下方の封止樹脂１５ａの厚さは０．１［ｍｍ］である。また半導体素子１２の厚さは０．２［ｍｍ］であり、半導体素子１２の上方の封止樹脂１５ｂの厚さは、０．１５［ｍｍ］である。
　【００２９】
　次に図１〜図４に示した実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。まずリードフレーム９のダイパッド部１１を支持している吊りリード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイパッド部１１に対して半導体素子１２を導電性接着剤により底面側を接合する。
　【００３０】
　次にダイパッド部１１上の半導体素子１２の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。この時、インナーリード部１３側に接続する金属細線１４は、インナーリード部１３の表面に設けられた２本の溝部１９と溝部１９との間に存在するように接続する。次にトランスファーモールドにより、半導体素子１２の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１２の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、ダイパッド部１１の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ、封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部１１の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１２の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域に封止樹脂１５が回り込まないように気密性よく封止する必要がある。
　【００３１】
　そしてリードフレーム９のアウターリード部１６を封止樹脂１５の外面と同一面となるように成形する。以上のような工程により、リードフレーム９に対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であるため、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００３２】
　また、インナーリード部１３表面に設けられた幅広部１８、溝部１９により、封止樹脂１５との密着性の向上、インナーリード部１３に加わる片面封止構造によるストレスを緩和できるとともに、封止樹脂１５との密着性（アンカー効果）も向上させることできる。すなわち、封止樹脂１５からインナーリード部１３の抜けを防止できる。
　【００３３】
　また、インナーリード部１３に対しては、封止樹脂１５は片面封止構造となっているので、その構造によりインナーリード部１３には封止樹脂１５による応力が印加されることになるが、インナーリード部１３には溝部１９が形成してあり、その溝部１９によってインナーリード部１３に加わる応力を吸収し、緩和することができる。そして接続部分を溝部１９と溝部１９との間に配置しているので、接続部分が応力によりダメージを受け、破壊するようなこともなくなる。
　【００３４】
　以上のようにこの実施の形態によれば、リードフレーム９の吊りリード部１０に対してアップセット加工し、ダイパッド部１１をインナーリード部１３よりも上方に上げているので、ダイパッド部１１の下方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂１５が存在し、リードフレーム９と封止樹脂１５との密着性を向上させることができ、製品の信頼性を保つことができる。さらにアウターリード部１６を従来のように封止樹脂１５の側面から突出させずに、封止樹脂１５の底面部分に埋め込んだ形で配列しているので、外部端子としての信頼性を向上することができるとともに、外部端子が突出していない分だげ、小型の半導体装置を実現することができる。またリードフレーム９の上面と下面との両面で樹脂封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚さであるため、薄型化は実現できるものである。
　【００３５】
　さらにダイパッド部１１を小面積化したり、開口部を設けたりすることで、封止樹脂１５と半導体素子１２裏面との密着性を向上させることができ、信頼性を確保することができる。また、インナーリード部１３表面に設けられた幅広部１８、溝部１９により、封止樹脂との密着性向上、インナーリード部１３に加わる片面封止構造によるストレスを緩和できる。特に金属細線１４のインナーリード部１３側の接続部へのストレスを溝部１９が吸収するので、金属細線１４の接続部分はストレスの影響を受けず、接続部分の破壊を防止して、安定した接続が可能となり、製品の信頼性を向上させることができる。それにより樹脂封止型半導体装置の信頼性を向上させることができる。
　【００３６】
　なお、インナーリード部１３の溝部１９の数については、実施の形態では２本であるが、単一の溝部を設けて、その溝部の付近に金属細線を接続することにより、インナーリード部に加わるストレスや金属細線へのストレスを緩和させることができる。また、溝部を２本以上設けて、溝部と溝部との間に金属細線を接続することにより、ストレスを吸収する効果を向上させることができる。また、溝部の溝方向は半導体装置の側面に沿った方向に設けたが、側面に交差する方向等、どの方向に設けてもよく、また縦横に交差する網目状にしてもよい。また、溝部と幅広部の両方設けたが、一方だけ設ける構成にしてもよい。
　【００３７】
　【発明の効果】
　本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、インナーリード部の表面に複数の溝部が設けられ、金属細線のインナーリード部側の接続部は溝部と溝部との間に配置されているので、封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部に加わるストレスや金属細線へのストレスを緩和させることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止できる。この場合、封止樹脂でリードフレームの片面を封止した構造による応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部との間の部分にはかからないため、金属細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続ができる。
　【００３８】
　本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によれば、半導体素子の電極とインナーリード部とを金属細線により電気的に接続する際、金属細線のインナーリード部側の接続部を溝部と溝部との間に配置して接続するので、封止樹脂でリードフレームの片面を封止した構造による応力は、その溝部で吸収され、溝部と溝部との間の部分にはかからないため、金属細線の接続部分は破壊することなく、安定した接続ができる。この場合、溝部を２本以上設けて、溝部と溝部との間に金属細線を接続することにより、ストレスを吸収する効果を向上させることができる。また、複数の溝部により封止樹脂とのアンカー効果および製品リード部に加わるストレスをさらに緩和させることができ、リード剥がれ、金属細線剥がれを防止する効果が向上する。
　【００３９】
　【００４０】
　【００４１】
　【００４２】
　【００４３】
　【００４４】
　【００４５】
　【００４６】
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
　【図２】
　この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を示す平面図である。
　【図３】
　この発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置の要部拡大断面図である。
　【図４】
　（ａ）はこの発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置のインナーリード部の平面図、（ｂ）は左側面図、（ｃ）は正面図である。
　【図５】
　従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
　【図６】
　従来の樹脂封止型半導体装置の別の例を示す断面図である。
　【符号の説明】
　１　リードフレーム
　２　ダイパッド部
　３　半導体素子
　４　インナーリード部
　４ａ　先端部
　５　金属細線
　６　封止樹脂
　７　アウターリード部
　８　樹脂テープ
　９　リードフレーム
　１０　吊りリード
　１１　ダイパッド部
　１２　半導体素子
　１３　インナーリード部
　１４　金属細線
　１５　封止樹脂
　１６　アウターリード部
　１７　段差部
　１８　幅広部
　１９　溝部