【事件の表示】
　特許第２８９７７５４号「半導体装置の検査方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８９７７５４号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯と本件特許発明
　本件特許第２８９７７５４号は、平成９年３月２７日に特許出願がなされ、平成１１年３月１２日に特許の設定登録がなされ、その後、その特許について異議申立人雨山範子により特許異議の申立てがなされたものであって、その発明は特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】半導体装置が形成されたシリコンチップ表面の配線が接続されてる金属からなるボンディングパッドの領域に、前記シリコンチップ裏面より実質的に垂直に赤外線を照射し、前記ボンディングパッド裏面で反射する赤外線を、前記照射の軸上に配置された赤外線受光部に取り込んで、前記ボンディングパッド裏面を反射した赤外線の明暗による映像を形成し、前記映像により前記シリコンチップの検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置の検査方法において、前記映像のボンディングパッドが表示された領域内の暗部の形状により前記シリコンチップの検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項３】請求項２記載の半導体装置の検査方法において、前記暗部または前記暗部に含まれる領域が前記ボンディングパッドの領域中に占める割合により前記シリコンチップの検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。」（以下、本件発明１−３という。）
２．特許異議の申立てについて
　特許異議申立人雨山範子は、甲第１号証として特開平５−１６０２２９号公報を、甲第２号証として特開平５−１５２４０１号公報を提示し、特許請求の範囲の請求項１−３に記載された発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明の特許は、特許法第１１３条第２号に該当するので、取消されるべきものである旨主張している。
３．甲第１、２号証に記載の事項
３−１．甲第１号証に記載の事項
　第３頁左欄第２０〜２２行目には、
「電子部品、半導体素子などのボンディング用端子、パッド及びリ−ドフレ−ムの検査方法及び装置として」と記載されている。
　第３頁左欄第２４〜３０行目には、
「図１に示すように、治具１上のリ一ドフレ−ム２のボンディング面にレ−ザ発振器４からのレ−ザ光５をレンズ６を通して照射して、リ−ドフレ−ム２のボンディング面からの反射光１２をレンズ６及びフィルタ１３を通してセンサ７により反射光１２を検出し、測定装置８で反射光量または反射率を算出し」と記載されている。
　第３頁左欄第４１〜４４行目には、
「ボンディング用端子、パッド及びリ−ドフレ−ムに波長７８０ｎｍ〜３０μｍ赤外光を照射し、照射した赤外光の反射光を計測し反射率または反射光量を算出する」と記載されている。
また、図１には、
「ボンディング面には垂直に赤外光が照射され、また照射する赤外光の軸上にセンサを配置してボンディング面からの反射光を受光している」点が記載されている。
　第３頁左欄第４４〜５０行目には、
「ボンディング用端子、パッド及びリ−ドフレ−ム表面に酸化皮膜や汚れが存在すると波長７８０ｎｍ〜３０μｍ赤外光を照射すると赤外光を吸収して反射率または反射光量が減少したり、きずや大きなごみが存在すると波長７８０ｎｍ〜３０μｍ赤外光を照射すると赤外光は乱反射して反射率または反射光量が減少したり」と記載されている。
　第３頁右欄第３〜６行目には、
「ボンダビリティが良好なボンディング用端子、パッド及びリ−ドフレ−ム表面の反射光量または反射率を標準として、その許容範囲内であるか否かで判定した。」と記載されてる。
　第６頁左欄【００３１】には、
「本発明によれば、ボンディング前に端子，パッド及びリ−ドフレ−ムのボンディングすべき表面のきず，ピンホ−ル，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，表面粗さ，酸化皮膜及び材質変化などの不良を未然に防止し、接続部の未接合、界面剥離欠陥や接合強度の低下不良を低減することができ、高品質の接続部が得られ、経済的効果が大きい。」と記載されてる。
３−２．甲第２号証に記載の事項
　３頁右欄第１９〜２１行目には、
「シリコンが赤外線を透過するという性質を利用し、シリコンが主材料であるチップ７を赤外光により透過させ」と記載されている。
　第３頁右欄第３〜７行目には、
「結像点が基材８上にあるときは反射光が大きいが、パッド１０上に来るとピンホ−ルの上では結像しないため、ピンホ−ルの透過光量は少なくなり、計測対象物６に応じて透過光量が変化することになる」と記載されている。
　第３頁右欄第１０〜１５行目には、
「得られた反射光の信号がコンパレ−タ１７で二値化されるとともに、画像処理部１８に送られ、例えば、図７に示すような画像が得られる。したがって、バンプ１０は予め決められた大きさの形状を有するため、それから外れた大きさのものを欠陥とすることにより容易にバンプ欠陥が検出できる。」と記載され、その画像例が図７に示されている。
　図３には、
「バンプが形成されたシリコンチップの裏面から赤外光を照射し、基材やパッドなど対象箇所によって光量が異なる反射赤外光を、信号処理することによって得られる画像から検査を行う検査方法」及び「そのような検査方法を行う検査装置全体」が示されている。
　図５には、
「バンプが形成されたシリコンチップの裏面から赤外光を照射し、基材やパッドなど対象箇所によって光量が異なる反射赤外光を、信号処理することによって得られる画像から検査を行う検査装置の部分概要図」が示されている。
　第２頁左欄第４０〜４２行目には、
「バンプ結合では、図１０に示すように、接合部が完全にチップの下となるため、信頼性の評価が難しい」と記載されている。
４．判断
　本件発明１は、ボンディングパッドの領域に、前記シリコンチップ裏面より実質的に垂直に赤外線を照射することにより得られるボンディングパッド裏面で反射する赤外線を、前記照射の軸上に配置された赤外線受光部に取り込んで、「前記ボンディングパッド裏面を反射した赤外線の明暗による映像を形成」するという構成を具えることによって、ボンディングパッドの接合部におけるボンディングパッドやシリコンに発生する亀裂等のダメ−ジについての検査を行うことができるという効果（本件特許明細書【００１３】、【００１４】参照）を奏するものである。
　これに対して、甲第１号証記載のものは、ボンディングすべき表面のきず、ピンホ−ル、ゴミ、汚れなどの微小な欠陥、表面粗さ、酸化皮膜及び材質変化などの不良を未然に防止することを目的とするものであるが、そのための具体的な構成は、ボンディング面の表面に対して垂直に赤外線を照射するというものであって、本件発明１におけるように、シリコンチップの裏面から赤外線を照射するものではない。
　また、甲第２号証記載のものは、本件発明１におけると同様にシリコンチップ裏面から赤外光を照射してその反射光を赤外線受光部に取り込んで画像処理し、その明暗により検査するというものであるが、甲第２号証記載のものは、基材にシリコンチップをバンプ接合したものにおいて、バンプ部の形状を検出するというものであり、このため、基材とバンプ部との反射光の光量差を検出しているものである。
　これに対して、本件発明１は、基材とバンプ部との反射光の光量差を検出してバンプ部の外形形状を検査するというものではなく、「ボンディングパッド裏面を反射した赤外線の明暗による映像を形成」するという構成により、すなわち、ボンディングパッドの外形形状に対応する映像の領域内の明暗を検出することにより、ボンディングパッドやシリコンに発生する亀裂等のダメ−ジの有無を検査するというものであり、本件発明１の前記の構成については甲第２号証には記載及び示唆がない。
　そして、上記したように、本件発明１の「ボンディングパッド裏面を反射した赤外線の明暗による映像を形成」するという構成については甲第１、２号証には記載及び示唆がないのであるから、甲第１、２号証を相互に勘案しても本件発明の前記構成については当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　従って、本件発明１は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
  また、本件発明２、３は本件発明１の構成を更に技術的に限定したものであるから、本件発明１について述べたと同様の理由により、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　５．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１−３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１−３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月６日（２０００．４．６）