【事件の表示】
　特許第３０３５０９８号「半導体装置およびそれのプリント回路板への実装方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０３５０９８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０３５０９８号に係る出願は、平成４年１２月２２日に特許出願され、平成１２年２月１８日に特許の設定登録がなされ、その後、請求項１〜３に係る発明の特許について、小山憲一より特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．本件発明
　本件請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含み、（Ｃ）成分であるシリコーン化合物の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜５重量％の範囲内に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）下記の一般式（１）で表されるシリコーン化合物。
【化１】
〔上記式（１）において、Ｒは１価の有機基であり、相互に同じであっても異なっていてもよい。ただし、１分子中において、上記Ｒのうち少なくとも２個はアミノ基置換有機基である。また、ｍは０〜４０の整数である。〕
（Ｄ）無機質充填剤。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置を、プリント回路板に搭載して、２００〜３００℃の雰囲気下で半田付けすることを特徴とする半導体装置のプリント回路板への実装方法。
【請求項３】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含み、（Ｃ）成分であるシリコーン化合物の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜５重量％範囲内に設定されている半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）下記の一般式（１）で表されるシリコーン化合物。
【化２】
〔上記式（１）において、Ｒは１価の有機基であり、相互に同じであっても異なっていてもよい。ただし、１分子中において、上記Ｒのうち少なくとも２個はアミノ基置換有機基である。また、ｍは０〜４０の整数である。〕
（Ｄ）無機質充填剤。」
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として、下記の甲第１〜３号証を提示して、本件発明１及び３は甲第１号証に記載された発明であるか、又は、甲第１及び２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、又、本件発明２は、甲第１及び３号証、又は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜３に係る特許は、特許法第29条第１項又は同条第２項の規定に違反してなされたものであると主張する。
　　甲第１号証：特開平１-２７６６５２号公報
　　甲第２号証：特開平１-１５３７６７号公報
　　甲第３号証：特開平４-２２５０１９号公報
　
４．甲各号証に記載の事項
〈甲第１号証〉
　ア．「下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
　（Ａ）エポキシ樹脂。
　（Ｂ）ノボラツク型フェノール樹脂。
　（Ｃ）下記の一般式（Ｉ）で表されるオルガノポリシロキサン。
　〔上記式（Ｉ）において、Ｒ１はＨまたは１価の有機基、Ｒ２は２価の有機基、Ｒ３はフェニル基またはアルアルキル基であり、ｍ'＋ｎは５〜２００の整数、ｍ'／ｎは２０〜３である。〕」（特許請求の範囲第１項）
　（注．甲第１号証の原文では、上記一般式(Ｉ)の重合度は、式左半部についての「ｍ」と式右半部についての「ｎ」の和「ｍ＋ｎ」で表されているが、ここにおける「ｍ」は、本件発明１の一般式(１)の重合度を表す「ｍ」と同一の記号であり、以下において検討をする上で紛らわしいので、本稿では、便宜上、甲第１号証の「ｍ」を「ｍ'」に、また、「ｍ＋ｎ」を「ｍ'＋ｎ」に書き改めた形で記す。なお、この「ｍ'＋ｎ」は、一般式(Ｉ)の左半部の重合度と右半部の重合度との和であるから、「全重合度」とも呼び得るであろうが、以下においては、単に「重合度」という。）
　イ．「すなわち、本発明者らは、他の信頼性（耐湿信頼性，耐衝撃信頼性，耐熱信頼性等）を損なうことなく封止樹脂の低応力化を実現させることを目的として一連の研究を重ねた。その結果、上記特性のオルガノポリシロキサンを用いると、他の信頼性を損なうことなく封止樹脂の低応力化が得られることを見出しこの発明に到達した。」（２頁左下欄(下から)９〜３行）
　ウ．「なお、この発明では、上記Ａ成分，Ｂ成分，Ｃ成分以外に必要に応じて硬化促進剤，無機質充填剤，離型剤等を用いることができる。」（３頁右上欄１１〜１３行）
　エ．「このとき、上記オルガノポリシロキサン（Ｃ成分）の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部（以下「部」と略す）に対して３〜４０部用いることが、得られる樹脂硬化物の低応力性の点から好ましく、」（３頁右下欄７〜11行）
　オ．
　　　　　　　　                                           　　　　　　　　　　　　　　　（４頁左下欄第１表）
　カ．
                                                           　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（４頁右下欄第２表）
〈甲第２号証〉
　キ．「（実施例１）
　エポキシ樹脂を１００重量部のうちハロゲン基含有重２５０ｐｐｍのエポキシ化フェノールノボラック（数平均分子量：５００，エポキシ当量：１７０）６５重量部及びハロゲン基含有量１３０ｐｐｍのＣ１４の長鎖脂肪酸のグリシジールエステル３５重量部に硬化剤として予め３５０メッシュパスの微粉末化したジシアンジアミド４重量部、可撓性付与剤として
なる構造のジメチルシロキサン化合物１０重量部、硬化促進剤として１，８ジアザ‐ビシクロ（５，４，０）ウンデセン-７のレゾルシン塩０．５重量部を攪拌し均一分散液とし、更に銀粉末４００部を加え三本ロールで混練し、均一なマウント用樹脂ペーストを得た。」（５頁左上欄４行〜右上欄２行）
　ク．「（実施例３）
　実施例１と同様にして、可撓性付与剤のみを
なる構造のジメチルシロキサン化合物１５重重部として得たマウント用樹脂ペーストの特性結果を第１表に示した。」（５頁右下欄４行〜(下から)７行）
〈甲第３号証〉
　ケ．「高集積ＩＣデバイスは、そのほとんどが信頼性、コスト及び量産性に優れるエポキシ樹脂封止方式により封止されている。エポキシ樹脂封止材料としては、耐熱性、耐湿性、成形性にすぐれたＯ-クレゾールノボラックエポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂で構成される樹脂組成物が用いられている。…（中略）…従来のＤＩＰタイプと違い半田付け時にパッケージそのものが２１５〜２６０℃の高温にさらされることとなり、」（２頁１欄【０００２】１行〜【０００３】３行）
　
５．対比・判断
　(１) 特許法第２９条第１項違反の当否
　(本件発明１について)
　本件発明１と甲第１号証に記載の発明を対比すると、
　先ず、後者における「ノボラック型フェノール樹脂」は前者における「フェノール樹脂」に包含され、
　又、後者でいう「オルガノポリシロキサン」は前者でいう「シリコーン化合物」と同義の語である上、後者の該「オルガノポリシロキサン」の「一般式(Ｉ)」は、前者における「シリコーン化合物」の「一般式(１)」に比べ、その繰り返し単位及び鎖両端の化学構造がいずれもより限定されたものであるとともに、その重合度も、（後者の「一般式(Ｉ)」における重合度「ｍ'＋ｎ」は、式左端の「Ｓi-Ｏ」単位を算入した値であるため、これを算入しないものである前者の「一般式(１)」における重合度「ｍ」より１だけ大きい値となるから、比較のため、後者においても、その重合度「ｍ'＋ｎ」を左端の「Ｓi-Ｏ」単位を算入しない値「ｍ」に換算して表し直すこととすれば、後者のｍ'＋ｎ＝５〜２００は、ｍ'−１＋ｎ＝４〜１９９となるから、ｍ＝４〜１９９に相当することが明らかであるので、）前者の重合度ｍ＝０〜４０とは、形式上、ｍ＝４〜４０の範囲で重複するものであり、
　又、前者において(Ｄ)成分とされた「無機質充填剤」は、後者においても「用いることができる」（前記４．ウ参照）とあるから、
　結局、両者は、
　“下記の(Ａ)〜(Ｄ)成分を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ') 下記の一般式で表されるシリコーン化合物。
〔上記式において、Ｒは１価の有機基であり、相互に同じであっても異なっていてもよい。ただし、１分子中において、上記Ｒのうち少なくとも２個はアミノ基置換有機基である。ｍは４〜４０の整数。〕
（注．ｍ＝４〜４０の範囲のものを(Ｃ')成分と記す。）
（Ｄ）無機質充填剤。”
である点で、形式的には一応、一致するといえるが、次の点で相違する。
　(ｉ) 上記(Ｃ')成分（ｍ＝４〜４０）の含有量（注．本件発明１では、実際には、(Ｃ)成分（ｍ＝０〜４０）の含有量として示される。）が、本件発明１では、エポキシ樹脂組成物全体に対し「０．０５〜５重量％」であるのに対し、甲第１号証には、エポキシ樹脂に対する含有量が示されるに止まり（前記４．エ参照）、エポキシ樹脂組成物全体に対する含有量は記載されていない点。
　（なお、この点については、甲第１号証には、前記４．カの第２表にみるように、実施例１，２，４，５として、オルガノポリシロキサンａ又はｂを、エポキシ樹脂組成物全体に対して、それぞれ、１５部（注．第２表の組成から計算して約２．６％に相当。）又は５部（注．同じく約０．９％に相当。）含有させることが記載されており、これらの含有量の値は、数値的には上記(Ｃ')成分の本件発明１における含有量の範囲（０．０５〜５重量％）に含まれる。しかし、該オルガノポリシロキサンａ，ｂは、前記４．オの第１表にみるように、重合度ｍ'＋ｎ＝７５＋２５又は４０＋１０（即ち、ｍ'＋ｎ＝１００又は５０。「ｍ」に換算すれば、ｍ＝９９又は４９）の化合物であるから、その含有量を根拠なく一般化して、上記(Ｃ')成分（ｍ＝４〜４０）の含有量とみることはできない（なお、もとより、(Ｃ)成分（ｍ＝０〜４０）の含有量とみることもできない。）。）
　
　また、形式的にみて一応是認した上記一致点についても、両者の技術内容を精査すると、(Ｃ')成分について次の如き実質的相違点が認められる。
　(ii) 甲第１号証は、そこに記載の発明につき、オルガノポリシロキサンの重合度ｍ'＋ｎを５〜２００（即ち、ｍ＝４〜１９９）と規定するものの、実施例としては、上記のとおり、重合度ｍ'＋ｎ＝１００又は５０（即ち、ｍ＝９９又は４９）のオルガノポリシロキサンａ，ｂを用いた例が示されるのみで、上記(Ｃ')成分（ｍ＝４〜４０）については、実施例の記載はもとより、これに代わり得る他の根拠付けの記載も一切なく、いわば、ｍ＝４〜４０の範囲については、形式的に範囲が示されるものの実質的には根拠不明であるといえるのに対し、本件発明１は、かかる根拠付けの欠如したｍ＝４〜４０の(Ｃ')成分を、（甲第１号証には全く記載されていない４未満の重合度のものをも合わせた(Ｃ)成分の範囲として）特に選択し、且つ、これにより、次に述べるような、甲第１号証には記載されていない顕著な効果を奏する点。
　即ち、本件発明１は、上記(ｉ)及び(ii)の相違点に係る構成を含む請求項１に記載の構成により、（甲第１号証に記載のものでは、「他の信頼性（耐湿信頼性、耐衝撃信頼性、耐熱信頼性等）を
損なうことなく
より向上させた
　従って、本件発明１は、甲第１号証にいわば広範囲に記載されていたもののうち、根拠付けがなかった特定範囲の選択を通じて、顕著な効果を奏する別個の発明を構築したものというべきであるから、甲第１号証に記載された発明であるということはできない。
　
　(本件発明３について)
　本件発明３は、本件発明１の構成の主要部たる半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を構成の全部とする発明であるから、本件発明１が、上述したように、該エポキシ樹脂組成物の成分組成の点で甲第１号証に記載されたものと同一であるといえない以上、本件発明３も甲第１号証に記載されたものと同一であるとはいえない。
　
　(２) 特許法第２９条第２項違反の当否について
　(本件発明１について)
　先ず、甲第１号証については、甲第１号証に記載のものとの対比における上記(ｉ)、(ii)の相違点に係る本件発明１の構成についての甲第１号証中の記載は、実質上、上記（１）で取り上げて検討したものに止まるから、該構成を示唆する記載が甲第１号証に見出せるとはいえない。
　また、甲第２号証には、前記４．キ，クの「実施例１」，「実施例３」にみるように、その重合度が２４又は１４（注．前記「ｍ」に換算すれば、それぞれ、２３又は１３に相当する。）であるジメチルシロキサン化合物を、エポキシ樹脂組成物全体に対し１０重量部（注．約１．９％に相当。）又は１５重量部（注．約２．９％に相当。）加える例が記載されており、これらのジメチルシロキサン化合物は、その重合度及び含有量の点では本件発明１における(Ｃ)成分たるシリコーン化合物の要件を満たし、従って、甲第１号証のオルガノポリシロキサンとの対比において摘示した上記(ｉ)や(ii)の如き相違点は生じないものではある。しかし、該ジメチルシロキサン化合物を用いた甲第２号証のエポキシ樹脂組成物は、銀粉を必須成分として含有し、且つ、半導体素子を金属製フレーム等に接着するために用いられる「導電性樹脂ペースト」であって、甲第１号証に記載のもののように半導体素子を封止するためのものではない。そして、導電性樹脂ペーストと半導体素子封止用樹脂組成物とは用途が画然と異なり、求められる特性も決して同一とはいえないものであるから、甲第２号証の導電性樹脂ペーストの成分たる上記ジメチルシロキサン化合物の重合度及び含有量に関する数値を、そのまま、甲第１号証の半導体素子封止用樹脂組成物の成分たるオルガノポリシロキサンに適用できる、と認める得る理由は見出せない。
　また、甲第３号証には、前記４．ケにみるように、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関して記載されているが、当該樹脂組成物の成分としてオルガノポリシロキサン（＝シリコーン）を加えることについては何らの記載もない。
　従って、甲第１〜３号証をすべて検討してみても、上記(ｉ)及び(ii)の相違点に係る本件発明１の構成を示唆するに足る記載は何も見出せない。
　そして、本件発明１は、これら(ｉ)及び(ii)の相違点に係る構成、すなわち、本件発明１に係る(Ｃ)成分の含有量及び重合度の特定ないし選択により前記（１）で述べた如き顕著な効果を奏する。
　よって、本件発明１は、甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
　
　(本件発明２及び３について)
　本件発明２は、本件発明１に更に実装上の要件を追加して方法の発明としたものであるし、又、本件発明３は、本件発明１の構成の主要部たる半導体素子封止用のエポキシ樹脂組成物を構成の全部とする発明であるから、本件発明１が上記のように該エポキシ樹脂組成物の成分組成の点で甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえない以上、本件発明２及び３も、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、２に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めない。
　よって、平成６年改正特許法（平成６年法律第116号）附則第14条の規定に基づく、同法の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第205号）第４条第２項の規定により、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月１２日（２００１．９．１２）