【事件の表示】
　特許第２９５０９１２号「軟磁性薄膜」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５０９１２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続きの経緯
　本件特許第２９５０９１２号の発明は、平成２年５月２２日に特許出願（特願平２−１３１４９１号）されたものであって、平成３年２月１４日付、平成９年５月２１日付及び平成１１年４月５日付の手続補正書により補正された明細書及び図面について平成１１年７月９日にその特許（請求項の数２）についての設定登録がなされ、平成１１年９月２０日に特許公報が発行され、その後、その特許（全請求項）について平成１２年３月１７日に田中幹代より特許異議の申立がなされ、その全請求項について平成１２年８月１７日付で取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１０月３０日に訂正請求がなされたものである。
【２】訂正の適否について
（１）訂正の要旨
　訂正請求書により訂正する訂正事項は、特許請求の範囲の減縮と請求項２の削除及びこれに関連する明細書の記載事項における明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、その訂正内容は、要旨以下のとおりである。
(1-1)訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を以下のとおり訂正する。
「(1)
下記式で表される原子比組成を有し、　式　Fe
100-(a+b)
M
a
O
b
（上記式においてＭは、3A族元素および4A族元素から選ばれる１種以上であり、2≦ａ≦15、9≦ｂ≦35である。）
　Feを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが1000Å以下であり、前記結晶粒子が全体の50体積％以上存在
し、成膜後熱処理が施されている
(1-2)訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
(1-3)訂正事項ｃ
　特許公報第２頁左欄第20行〜第35行を以下のとおり訂正する。
「このような目的は下記
(1)
　(1)
下記式で表される原子比組成を有し、　式　Fe
100-(a+b)
M
a
O
b
（上記式においてＭは、3A族元素および4A族元素から選ばれる１種以上であり、2≦ａ≦15、9≦ｂ≦35である。）
　Feを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが1000Å以下であり、前記結晶粒子が全体の50体積％以上存在
し、成膜後熱処理が施されている
(1-4)訂正事項ｄ
　特許公報第２頁右欄第22行〜第23行を以下のとおり訂正する。
「また、
ｂは9〜35、好ましくは9〜28
【３】訂正の適否についての判断
＜訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否についての判断＞
（１）訂正の目的等
　本件訂正の要旨は、上記訂正事項ａ乃至ｄのとおりであって、その訂正事項ａの訂正内容は、特許請求の範囲の請求項１に係る発明について特許請求の範囲の減縮を目的とし、また訂正事項ｂは請求項２の削除であり、さらに訂正事項ｃ及び訂正事項ｄの訂正内容は、いずれも前記訂正事項ａ、ｂによる特許請求の範囲の減縮と請求項２の削除に伴なう明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（２）検討
　以下、各訂正事項について検討する。
(2-1)訂正事項ａは、請求項１に係る発明の構成である原子比組成などについて、その構成を限定するものであり、また訂正事項ｂは請求項２の削除であって、いずれも特許請求の範囲の減縮にあたるものである。
(2-2)訂正事項ｃ及び訂正事項ｄは、いずれも前記特許請求の範囲を減縮することにより不明りょうとなる詳細な説明の欄について、この減縮に係わる構成についての詳細な説明の欄の記載事項を削除するなど、詳細な説明の欄の記載を訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明にあたるものである。
(2-3)したがって、訂正事項ａ乃至ｄに係る訂正は、いずれも特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、また請求項を追加するなど実質的に特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとも認められない。
（３）まとめ
　以上のとおりであって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
【４】本件特許発明
　訂正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、以下のとおりである。
「(1)
下記式で表される原子比組成を有し、　式　Fe
100-(a+b)
M
a
O
b
（上記式においてＭは、3A族元素および4A族元素から選ばれる１種以上であり、2≦ａ≦15、9≦ｂ≦35である。）
　Feを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが1000Å以下であり、前記結晶粒子が全体の50体積％以上存在
し、成膜後熱処理が施されている
【５】特許異議申立についての判断
（１）異議申立の概要
(1-1)異議申立人田中幹代は、証拠方法として甲第1号証（特開平4-26105号公報）、甲第2号証（特開昭60-220914号公報）及び甲第3号証（特開平2-199027号公報［特願平1-20165号］）、さらに参考資料1、2（審決公報）を提出し、概要以下のとおり訂正前の特許請求の範囲の請求項１乃至２に係る発明についての特許を取り消すべきであると申立てるものである。
「本件は、平成9年5月21日に提出された手続補正書によってなされた補正において要旨の変更がなされたものであって、本件の出願日は手続補正書の提出日に繰り下がるべきものである。よって、本件の請求項1及び請求項2に記載された発明は、甲第1号証（特開平4-26105号公報）に基づいて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により取り消されるべきである。
　また、本件の請求項2に記載された発明は、甲第2号証に記載された発明であり、または甲第2号証に記載された発明から当業者が容易に発明できたものであり、特許法第29条第1項第3号または特許法第29条第2項の規定に該当し、当然に取り消されるべきである。
　また、本件の請求項2に記載された発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に甲第3号証として出願公開がされた特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と実質的に同一であり、しかも、本件の出願の発明者は甲第3号証の特許出願に係る発明者と同一ではなく、また本件の出願時において、その出願人が甲第3号証の出願の出願人と同一でもないので、特許法第29条の2の規定により当然に取り消されるべきである。
　さらに、本件の請求項1及び請求項2に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載した発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載したものと認めることができず、改正前特許法第36条4項の規定を満たしておらず、当然に取り消されるべきものなのである。」
（２）検討
　前記異議申立人の異議申立理由について、以下各申立理由毎に検討する。
（なお、本件異議申立てに係る請求項２についての発明は、訂正が認められたことにより削除されたため、検討を要しないこととなった。）
（2-1）特許法第36条第4項違反について
　異議申立人田中幹代は、前記した記載不備の理由の詳細において、「本件明細書の発明の詳細な説明には、Fe、M、およびO以外の元素を含む軟磁性薄膜としては、せいぜい、C及びNが、Oの一部を置換して含有された軟磁性薄膜が記載されているのみであり、Fe、M、O、C、N以外の元素を含む軟磁性薄膜についての記載はない。」（特許異議申立書第24頁第8〜11行）、「したがって、本件発明の請求項1及び請求項2に係る軟磁性薄膜に、「Fe、M（Mは3A族元素および4A族元素から選ばれる1種以上である）およびO」以外の元素を含ませるのであれば、それらの元素の種類及び組成比を特許請求の範囲に記載することが必要である。本件発明の軟磁性薄膜を、「Fe、M、…およびO」以外の元素を含む軟磁性薄膜とするのであれば、本件明細書の発明の詳細な説明の記載からして、C及びNが、Oの一部を置換して含有された軟磁性薄膜であると特定すべきである。」（特許異議申立書第24頁第27行〜同第25頁第4行）と指摘している。
　しかしながら、当該異議申立人田中幹代が異議申立の具体的理由で主張する「元素の種類及び組成比を特許請求の範囲に記載する」必要性について、本件特許明細書には「なお、場合によっては、さらに炭素および／または窒素が、酸素の一部を置換して含有していてもよい。」（本件特許掲載公報第４欄第29〜30行）との記載が認められ、また本件発明は訂正により「Fe100-(a+b)MaOb」からなる元素組成となったことにより、本件特許明細書の記載に不備があるとはいえないものと認められる。
　したがって、異議申立人田中幹代による特許法第36条第4項の規定に違反する旨の主張は採用することができない。
（2-2）特許法第29条第1項第3号及び同条第2項違反について
　はじめに、本件特許に係る出願日について、異議申立人田中幹代は、本件発明についての平成9年5月21日付（及び平成11年4月5日付）の手続補正書による補正は出願当初の明細書の要旨を変更するものであって不適法なものであるから、本件発明の出願日はその補正がなされた「平成9年5月21日に繰り下がるものである」と主張し、これを根拠として本件発明に係る出願公開公報を公知の引用刊行物（甲第1号証［特開平4-26105号公報］）として申立てたものであって、その明細書の要旨変更に係わる具体的理由は「本件の出願当初の明細書及び図面には、Fe、M、およびO以外の元素を含む軟磁性薄膜としては、せいぜい、C及びNが、Oの一部を置換して含有された軟磁性薄膜が記載されているのみであり、Fe、M、O、C、N以外の任意の元素を含む軟磁性薄膜についての発明は一切開示されていない。」（特許異議申立書第13頁第19〜22行）というものである。
　しかしながら、本件発明（特許請求の範囲の請求項１に係る発明）は、前記したように訂正により少なくとも「Fe、M、O、C、N以外の任意の元素」を格別に含む軟磁性薄膜とするものではないことが明確となった結果、出願当初の明細書及び図面に記載された事項の範囲内のものであることになり、本件特許の出願日についてはその現実の出願の日である平成2年5月22日である。
　したがって、異議申立人田中幹代が異議申立において、証拠方法として公知の引用刊行物とする本件発明に係る出願公開公報（甲第1号証［特開平4-26105号公報］）は、本件発明の出願日以後である平成4年1月29日に公開されたものであるから、特許法第29条第1項第3号所定の刊行物であるとすることはできない。
　なお、異議申立人田中幹代による甲第2号証（特開昭60-220914号公報）は、本件発明の出願日前である昭和60年11月5日に公開されたものではあるが、本件特許異議申立の理由によれば、訂正により削除された請求項２に係わる引用刊行物である。そして、当該甲第2号証には、本件発明（特許請求の範囲の請求項１に係る発明）についての構成である「Feを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが1000Å以下であり、前記結晶粒子が全体の50体積％以上存在
し、成膜後熱処理が施されている
　以上のとおりであって、異議申立人田中幹代による当該主張はその前提において当を得ないものであって採用することができない。
（2-3）特許法第29条の2違反について
　異議申立人田中幹代の特許法第29条の2違反に係わる理由は、訂正により削除された特許請求の範囲の請求項２に係る発明について甲第3号証（特願平1-20165号［特開平2-199027号］）を引用してする申立理由であって、本件発明（請求項１）に係わるものではないことから、検討を要しないこととなった。
　なお、本件発明（訂正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明）は、異議申立人田中幹代が提出した甲第3号証（特願平1-20165号［特開平2-199027号］）に記載された発明と同一であるとは認められず、したがって、本件発明（訂正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明）についての特許はこれを取り消すことはできない。
（３）まとめ
　以上のとおりであって、異議申立人田中幹代による異議申立の理由について、本件発明（特許請求の範囲の請求項１に係る発明）に係る明細書には記載不備があるとの異議申立は理由があるものとすることはできず、また本件発明（特許請求の範囲の請求項１に係る発明）は出願当初の明細書及び図面に記載された事項の範囲内のものであってその出願はその現実の出願の日になされたものと認められるから、本件発明（特許請求の範囲の請求項１に係る発明）は、異議申立人田中幹代が提出する甲第1号証に係わらず、また甲第2号証によっても容易に発明をすることができたものとは認められない。
　したがって、本件発明（特許請求の範囲の請求項１に係る発明）についての特許は、特許法第36条第4項の規定に違反してなされたものとも、また特許法第29条第1項第3号及び同条第2項の規定に違反してなされたものともすることができない。
【６】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件特許請求の範囲の請求項１に係る発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月２６日（２００１．４．２６）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　訂正請求書により訂正する訂正事項は、特許請求の範囲の減縮、請求項２の削除及びこれに関連する明細書の記載事項における明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、その訂正内容は、以下のとおりである。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】Ｆｅ、Ｍ（Ｍは３Ａ族元素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上である）およびＯを含有し、Ｍの含有量が２〜１５ａｔ％であり、Ｏの含有量が４〜３５ａｔ％であり、保磁力４Ｏｅ以下、電気抵抗率１００×１０−６Ω・ｃｍ以上であり、Ｆｅを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが１０００Å以下であり、前記結晶粒子が全体の５０体積％以上存在することを特徴とする軟磁性薄膜。
　【請求項２】Ｆｅ、Ｍ（Ｍは３Ａ族素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上である）およびＯを含有し、Ｍの含有量が２〜１５ａｔ％であり、Ｏの含有量が４〜３５ａｔ％であり、単層膜での保磁力４Ｏｅ以下、電気抵抗率１００×１０−６Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする軟磁性薄膜。」を、
「（１）下記式で表される原子比組成を有し、
　式　Ｆｅ１００−（ａ＋ｂ）ＭａＯｂ
（上記式においてＭは、３Ａ族元素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上であり、２≦ａ≦１５、９≦ｂ≦３５である。）
　保磁力４Ｏｅ以下、電気抵抗率１００×１０−６Ω・ｃｍ以上であり、
　Ｆｅを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが１０００Å以下であり、前記結晶粒子が全体の５０体積％以上存在し、成膜後熱処理が施されていることを特徴とする軟磁性薄膜。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
（３）訂正事項ｃ
　特許公報第２頁左欄第２０行〜第３５行の
「このような目的は下記（１）、（２の本発明によって達成される。
　（１）Ｆｅ、Ｍ（Ｍは３Ａ族元素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上である）およびＯを含有し、Ｍの含有量が２〜１５ａｔ％であり、Ｏの含有量が４〜３５ａｔ％であり、保磁力４Ｏｅ以下、電気抵抗率１００×１０−６Ω・ｃｍ以上であり、Ｆｅを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが１０００Å以下であり、前記結晶粒子が全体の５０体積％以上存在することを特徴とする軟磁性薄膜。
　（２）Ｆｅ、Ｍ（Ｍは３Ａ族素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上である）およびＯを含有し、Ｍの含有量が２〜１５ａｔ％であり、Ｏの含有量が４〜３５ａｔ％であり、単層膜での保磁力４Ｏｅ以下、電気抵抗率１００×１０−６Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする軟磁性薄膜。」を、
「このような目的は下記（１）の本発明によって達成される。
　（１）下記式で表される原子比組成を有し、
　式　Ｆｅ１００−（ａ＋ｂ）ＭａＯｂ
（上記式においてＭは、３Ａ族元素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上であり、２≦ａ≦１５、９≦ｂ≦３５である。）
　保磁力４Ｏｅ以下、電気抵抗率１００×１０−６Ω・ｃｍ以上であり、
　Ｆｅを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが１０００Å以下であり、前記結晶粒子が全体の５０体積％以上存在し、成膜後熱処理が施されていることを特徴とする軟磁性薄膜。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許公報第２頁右欄第２２行〜第２３行の
「また、ｂは４〜３５、好ましくは７〜２８、特に好ましくは９〜２１である。」を、
「また、ｂは９〜３５、好ましくは９〜２８、特に好ましくは９〜２１である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
軟磁性薄膜
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）
下記式で表される原子比組成を有し、
　
式　Ｆｅ１００−（ａ＋ｂ）ＭａＯｂ
（上記式においてＭは、３Ａ族元素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上であり、２≦ａ≦１５、９≦ｂ≦３５である。）
　保磁力４　Ｏｅ以下、電気抵抗率１００×１０−６Ω・ｃｍ以上であり、
　Ｆｅを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが１０００Å以下であり、前記結晶粒子が全体の５０体積％以上存在
し、成膜後熱処理が施されている
【発明の詳細な説明】
　＜産業上の利用分野＞
　本発明は、軟磁性薄膜、特に高密度記録に適した磁気ヘッド、薄膜インダクタ等に用いられる軟磁性薄膜に関する。
　＜従来の技術＞
　磁気ヘッドや薄膜インダクタ等の軟磁性薄膜の材料として、センダスト、パーマロイ等の各種軟磁性材料が知られている。
　この場合、例えば、磁気記録の分野では、磁気記録の高密度化に伴ない、高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体が用いられる。この場合、高保磁力の磁気記録媒体に良好な記録を行なうには、磁気ヘッドから密度の高い磁束を発生させる必要がある。
　このため、磁気ヘッド用の軟磁性薄膜として、飽和磁束密度Ｂｓが高いものが要求される。
　加えて、高い記録・再生感度が得られる点で、軟磁性薄膜の透磁率μが高いことが好ましい。
　さらには、透磁率μの周波数特性が高い点で、電気抵抗率ρが高いことが好ましい。
　しかし、センダストやパーマロイでは、飽和磁束密度Ｂｓが不十分なため、保磁力Ｈｃが１４００　Ｏｅ以上ある高保磁力の磁気記録媒体に十分な書き込みができない。
　また、数種の軟磁性薄膜を交互に積層した高飽和磁束密度および高透磁率の多層膜が知られているが、製造工程が多く、複雑であり、しかも生産歩留りが低いため、未だ実用化されていない。
　＜発明が解決しようとする課題＞
　本発明の目的は、飽和磁束密度Ｂｓが高く、透磁率μが高く、しかも電気抵抗率ρが高い軟磁性薄膜を提供することにある。
　＜課題を解決するための手段＞
　このような目的は下記
（１）
　（１）
下記式で表される原子比組成を有し、
　式　Ｆｅ１００−（ａ＋ｂ）ＭａＯｂ
（上記式においてＭは、３Ａ族元素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上であり、２≦ａ≦１５、９≦ｂ≦３５である。）
　保磁力４　Ｏｅ以下、電気抵抗率１００×１０−６Ω・ｃｍ以上であり、
　Ｆｅを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが１０００Å以下であり、前記結晶粒子が全体の５０体積％以上存在
し、成膜後熱処理が施されている
　＜作用＞
　本発明の軟磁性薄膜は、飽和磁束密度Ｂｓが高く、透磁率μが高く、しかも電気抵抗率ρが高い。
　このため、本発明の軟磁性薄膜を例えば、磁気ヘッドに適用する場合、高保磁力の磁気記録媒体に十分書き込むことができ、しかも高い記録・再生感度が得られ、加えて、高周波数特性が向上する。
　なお、特開昭６４−２４４０３号公報には、「Ｆｅを主体とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｂの少なくとも一種を２０ａｔ％以下含有し、かつ酸素を０．００５〜３ａｔ％含有する軟磁性薄膜」が開示されている。
　しかし、酸素含有量が４ａｔ％未満では、透磁率μが低く、十分な軟磁気特性を得ることができずかつ電気抵抗率ρも不十分である。
　＜発明の具体的構成＞
　以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。
　本発明の軟磁性薄膜は、下記式で示される原子比組成を有する。
　式　Ｆｅ１００−（ａ＋ｂ）ＭａＯｂ　上式においてＭは、３Ａ族元素および４Ａ族元素から選ばれる１種以上である。
　このうち、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆの１種以上が好ましい。
　より好ましくは、緻密生、密着強度および安定性が高く、しかも内部応力が小さい等の膜質が良好な点で、Ｙ、ＨｆおよびＺｒから選ばれる１種以上、特に好ましくはこれらのうちで、Ｈｃが低く、μが高く、磁気特性が良好であり、ρが高く、高周波特性が良好な点でＹが好ましい。
　また、ａは２〜１５、好ましくは３〜１３、特に好ましくは４〜１１である。
　前記範囲未満では、保磁力Ｈｃが高く、十分な透磁率μが得られない。
　前記範囲をこえると飽和磁束密度Ｂｓが１２ｋＧ以下に低下する。
　また、
ｂは９〜３５、好ましくは９〜２８
　前記範囲未満では、保磁力Ｈｃが高く、十分な軟磁気特性が得られない。
　前記範囲をこえると飽和磁束密度Ｂｓが１２ｋＧ以下に低下し、また保磁力Ｈｃも高くなり十分な軟磁気特性が得られない。
　なお、場合によっては、さらに炭素および／または窒素が、酸素の一部を置換して含有していてもよい。
　この場合、酸素の含有量は、酸素、窒素および炭素の合計に対して、５０ａｔ％以上、より好ましくは８０ａｔ％以上、特に好ましくは９０〜１００ａｔ％であることが好ましい。
　これにより、特にρが向上し、高周波特性が向上する。
　このような本発明の軟磁性薄膜の組成は、例えば、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｒｏｂｅ　Ｍｉｃｒｏ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　（ＥＰＭＡ）法により測定すればよい。
　軟磁性薄膜の膜厚は、用途等に応じて適宜選択すればよいが、通常０．３〜５μｍである。
　このような本発明の軟磁性薄膜は、通常、Ｆｅを主成分とする主磁性相と、Ｍの酸化物を主成分とする酸化物相とを有する。ただし、酸化物相の粒子は微細なため、通常のＸ線回折等では検出が困難である。
　主磁性相は、通常、Ｆｅを主成分とする結晶粒子にて構成される。そして、結晶粒子は、Ｆｅのみで構成されてもよく、あるいはＦｅにＭまたは酸素が固溶したものであってもよい。
　また、酸化物相は、通常、Ｍの酸化物にて構成されるが、さらにＭの窒化物やＭの炭化物等が含まれていてもよい。この場合、Ｍの酸化物は、通常、最も安定な酸化物の形で存在するが、化学量論の組成から多少ずれていてもよい。
　主磁性層の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄは、１０００Å以下であることが好ましい。
　前記範囲をこえると異方性分散を小さくすることができなくなると考えられ、結果として保磁力Ｈｃが大きくなり、軟磁気特性を得ることができない。
　そして、平均結晶粒径Ｄは、より好ましくは３００Å以下、特に２０〜３００Åであることが好ましい。
　前記範囲の場合、特に高い透磁率μが得られる。
　なお、平均結晶粒径Ｄが１０００Å以下、特に３００Å以下の場合、高い耐食性が得られる。そして、特にＭとしてＹが含まれる場合は、Ｆｅ−Ｙ合金の有する耐食性との相乗効果によって、より一層高い耐食性が得られる。
　結晶粒子の平均結晶粒径Ｄは、粉末法によるＸ線回折線のα−Ｆｅ（１１０）ピークの半値巾Ｗ５０を測定し、下記のシェラーの式から求めればよい。
　式　Ｄ＝０．９λ／Ｗ５０ｃｏｓθ上式において、λは用いたＸ線の波長であり、θは回折角である。
　なお、α−Ｆｅ（１１０）ピークの２θは、４４．４度である。
　また、主磁性相の結晶粒子は全体の５０体積％以上、特に８０体積％以上存在することが好ましい。
　前記範囲未満では保磁力Ｈｃが大きく、軟磁気特性が得られず、しかも飽和磁束密度Ｂｓも低い。
　微結晶よりなる主磁性相の体積比率は、例えば透過型電子顕微鏡を用いて、マトリックスの非晶質相と析出している微結晶相の体積比にて求めればよい。
　本発明の軟磁性薄膜を成膜するには、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の気相法を用いればよい。
　成膜時には、通常、基板を水冷する。基板温度が高いと成膜される軟磁性薄膜の主磁性相および酸化物相の結晶粒が成長するため、基板温度は２００℃以下が好ましい。
　基板の冷却法に特に制限はなく、例えば、水冷して成膜すればよい。
　軟磁性薄膜をスパッタ法により形成するには、例えば、以下のようにする。
　ターゲットには、合金鋳造体や焼結体さらには複合ターゲット等を用いる。
　酸素を膜中に混入するためには、酸素雰囲気中の反応性スパッタでもよく、あるいは、ターゲットに酸化物を用いてもよい。
　スパッタリングは、Ａｒ等不活性ガス雰囲気下で行なわれる。
　そして、反応性スパッタの場合は、酸素を０．２〜２．５体積％程度含有させればよい。
　スパッタの方式には特に制限はなく、また、使用するスパッタ装置にも制限はなく、通常のものを用いればよい。
　なお、動作圧力は、通常、ＲＦスパッタの場合には３〜３０×１０−３Ｔｏｒｒ程度、イオンビームスパッタの場合には１．５〜２．５×１０−４Ｔｏｒｒ程度とすればよく、このほかの諸条件は、スパッタ方式の種類等に応じ適宜決定する。
　成膜直後の膜は、非晶質でも、あるいは結晶質すなわち結晶粒子が存在してもよい。
　なお、Ｍと酸素は親和力が強いため、成膜時にＭ酸化物の生成熱により膜が自己熱処理され、良好な軟磁気特性が得られる。
　軟磁性薄膜の軟磁気特性をより一層向上させるため熱処理を行うことが好ましい。この場合、特に下記の条件が好適である。
　昇温速度：２〜１０℃／分程度　保持温度：２００〜５５０℃、特に３００〜４５０℃程度　保持時間：５〜１００分程度　冷却速度：２〜２０℃／分程度　雰囲気：１×１０−４Ｔｏｒｒ以下の真空中またはＡｒ等の不活性ガス中なお、本発明の場合、微細に分散したＭ酸化物が、熱処理による結晶粒子の粒成長を抑制するため、平均結晶粒径Ｄは前記の範囲内となる。
　得られた軟磁性薄膜の直流〜５０Ｈｚ程度での保磁力Ｈｃは、４　Ｏｅ以下、より好ましくは３　Ｏｅ以下である。
　また、５ＭＨｚでの初透磁率μｉは、６００以上、特に７００以上のものが得られる。
　保磁力Ｈｃが前記範囲をこえると、あるいは初透磁率μｉが前記範囲未満であると、磁気ヘッドに適用したとき、記録・再生感度が低下する傾向にある。
　また、軟磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂｓは、１２ｋＧ以上、特に１４ｋＧ以上のものが得られる。
　前記範囲未満であるとオーバーライト特性が悪化し、特に高保磁力の磁気記録媒体の記録が困難となる。
　また、軟磁性膜の電気抵抗率ρは、１００×１０−６Ω・ｃｍ以上、特に１３０×１０−６Ω・ｃｍ以上のものが得られる。
　このため、本発明の軟磁性薄膜は、例えば膜厚２μｍでμｉが約２０００の薄膜の場合、１３ＭＨｚ程度の周波数まではμｉは低下せず、高周波でも高透磁率が得られる。
　なお、Ｂｓ、Ｈｃ，μｉおよびρは下記のとおり測定すればよい。
　Ｂｓ：試料振動式磁力計（ＶＳＭ）を用いて、１０　ｋＯｅの磁場中で行なう。
　Ｈｃ：薄膜ヒストロスコープを用いて行なう。
　μｉ：インピーダンスアナライザーを用い、３　ｍＯｅの磁場中にて、測定周波数５ＭＨｚでインダクタンスを測定して求める。
　ρ：四端子法でシート抵抗を測定して求める。
　本発明の軟磁性薄膜は薄膜磁気ヘッド等の各種磁気ヘッドに適用できる。
　第１図に、本発明を適用した好適実施例である浮上型の薄膜磁気ヘッドを示す。
　第１図に示される薄膜磁気ヘッドは、スライダ７上に、絶縁層８１、下部磁極層９１、ギャップ層１０、絶縁層８３、コイル層１１、絶縁層８５、上部磁極層９５および保護層１２を順次有する。
　本発明においてスライダ７は、材料として従来公知の種々のものを用いればよく、例えばセラミックス、フェライト等により構成される。
　この場合、セラミックス、特にＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣを主成分とするセラミックス、ＺｒＯ２を主成分とするセラミックス、ＳｉＣを主成分とするセラミックスまたはＡｌＮを主成分とするセラミックスが好適である。なお、これらには、添加物としてＭｇ、Ｙ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等が含有されていてもよい。
　スライダ７の形状やサイズ等の諸条件は公知の何れのものであってもよく、用途に応じ適宜選択される。
　スライダ７上には、絶縁層８１が形成される。
　絶縁層８１の材料としては従来公知のものは何れも使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法により行なうときには、ＳｉＯ２、ガラス、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
　絶縁層８１の膜厚やパターンは公知の何れのものであってもよく、例えば膜厚は、５〜４０μｍ程度とする。
　磁極は、通常図示のように、下部磁極層９１と、上部磁極層９５として設けられる。
　本発明では、下部磁極層９１および上部磁極層９５に、前記式で表わされる原子比組成の軟磁性薄膜を用いる。
　このため、高保磁力の磁気記録媒体に対してもオーバーライト特性に優れ、記録・再生感度、特に、高周波数での記録・再生感度が高い磁気ヘッドが得られる。
　下部および上部磁極層９１、９５のパターン、膜厚等は公知のいずれのものであってもよい。例えば下部磁極層９１の膜厚は１〜５μｍ程度、上部磁極層９５の膜厚は１〜５μｍ程度とすればよい。
　下部磁極層９１および上部磁極層９５の間にはギャップ層１０が形成される。
　ギャップ層１０には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等公知の種々の材料を用いればよい。
　また、ギャップ層１０のパターン、膜厚等は公知の何れのものであってもよい。
例えば、ギャップ１０の膜厚は０．２〜１．０μｍ程度とすればよい。
　コイル層１１の材質には特に制限はなく、通常用いられるＡｌ、Ｃｕ等の金属を用いればよい。
　コイルの巻回パターンや巻回密度についても制限はなく、公知のものを適宜選択使用すればよい。例えば巻回パターンについては、図示のスパイラル型の他、積層型、ジグザグ型等何れであってもよい。
　また、コイル層１１の形成にはスパッタ法、めっき法等の各種気相被着法を用いればよい。
　図示例ではコイル層１１は、いわゆるスパイラル型としてスパイラル状に上部および下部磁極層９１、９５間に配設されており、コイル層１１と上部および下部磁極層９１、９５間には絶縁層８３、８５が設層されている。
　絶縁層８３、８５の材料としては従来公知のものは何れも使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法により行なうときには、ＳｉＯ２、ガラス、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
　また、上部磁極層９５上には保護層１２が設層される。保護層１２の材料としては従来公知のものは何れも使用可能であり、例えばＡｌ２Ｏ３等を用いることができる。
　この場合、保護層１２のパターンや膜厚等は従来公知のものはいずれも使用可能であり、例えば膜厚は１０〜５０μｍ程度とすればよい。
　なお、本発明ではさらに各種樹脂コート層等を積層してもよい。
　このような薄膜磁気ヘッドの製造工程は、通常、薄膜作製とパターン形成とによって行なわれる。
　各層の薄膜作製には、上記したように、従来公知の技術である気相被着法、例えば真空蒸着法、スパッタ法、あるいはめっき法等を用いればよい。
　薄膜磁気ヘッドの各層のパターン形成は、従来公知の技術である選択エッチングあるいは選択デポジションにより行なうことができる。エッチングとしてウェットエッチングやドライエッチングにより行なうことができる。
　本発明を適用した薄膜磁気ヘッドは、アーム等の従来公知のアセンブリーと組み合わせて使用される。
　また、前記の薄膜磁気ヘッドを用いて、種々の方式のオーバーライト記録を行うことができる。
　本発明の軟磁性薄膜は、このような薄膜磁気ヘッドのほかＭＩＧ（メタル・イン・ギャップ）ヘッド等の各種磁気ヘッドに適用できる。
　また、熱処理温度が比較的低い３００℃程度で十分な磁気特性が得られるので、ポリイミドの高分子フィルムの上に成膜することもできるので、薄膜インダクタ等にも適用できる。
　＜実施例＞
　以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
　実施例１　ＲＦスパッタ装置を用いて、表１に示される原子比組成を有し、膜厚、約１μｍのＦｅ−Ｙ−Ｏ軟磁性薄膜を基板上に成膜した。
　まず、純鉄ターゲット上にＹのチップを対称性よく配置し、この複合ターグットから５５ｍｍの位置に基板を置き、ＡｒとＯ２の混合ガスでスパッタリングを行なった。
　なお、基板には結晶化ガラス（コーニング社製フォトセラム）を用い、間接水冷して、基板の温度を１００℃以下に保持した。
　主な成膜条件は、下記のとおりである。
　スパッタガス：Ａｒ＋０．１体積％Ｏ２〜Ａｒ＋２．５体積％Ｏ２　スパッタガス圧：５×１０−３Ｔｏｒｒ　投入電力：２．４Ｗ／ｃｍ２成膜速度：１６０Ａ／分　到達真空度：１×１０−６Ｔｏｒｒ　次に、磁気特性を向上させるために真空度１×１０−６Ｔｏｒｒ、温度４００℃、保持時間１時間にて熱処理を行なった後に、以下の方法で諸特性を評価した。
　（１）膜組成　特別に純度９９．８５％のアルミニウム基板上に成膜した膜を用いて、ＥＰＭＡ法により求めた。
　（２）初透磁率（μｉ）　フェライトヨークを膜面に当て、インピーダンスアナライザを用いて、３　ｍＯｅの磁場、測定周波数５ＭＨｚでインダクタンスを測定することにより求めた。
　（３）保磁力（Ｈｃ）　薄膜ヒストロスコープにより求めた。
　（４）飽和磁束密度（Ｂｓ）　ＶＳＭを用いて１０　ｋＯｅの磁場中で測定した。
　（５）電気抵抗率（ρ）　四端子法でシート抵抗を測定することにより求めた。
　（６）結晶粒子の平均結晶粒径（Ｄ）　Ｘ線回折法を用いてα−Ｆｅ（１１０）ピークの半値幅より求めた。
　（７）結晶粒子の含有率　透過型電子顕微鏡を用いて、マトリックスの非晶質相と析出している微結晶相の体積比より求めた。
　また、比較用に、Ｆｅ７４Ｓｉ１８Ａｌ８（ａｔ％）の組成の合金ターゲットを用いて、Ａｒ中でスパッタリングを行なったほかは、前記と同様とし、膜厚１μｍのＦｅ−ＳｉＡｌ軟磁性薄膜をガラス基板上に成膜した。
　そして、真空度１×１０６Ｔｏｒｒ、温度６００℃、保持時間１時間にて熱処理を行なった後、前記と同様に諸特性を評価した。
　結果は表１に示されるとおりである。
表１に示される結果から本発明の効果が明らかである。
　なお、１〜２０ＭＨｚの周波数でμｉを測定したところ、サンプルＮｏ．１、２では、それぞれ１〜１０ＭＨｚにて一定のμｉが得られ、２０ＭＨｚでもμｉの低下量はわずかであった。
　加えて、耐食性も良好であった。
　また、第２図にサンプルＮｏ．１の熱処理前のＸ線回折チャート、第３図にサンプルＮｏ．１の熱処理後のＸ線回折チャートを示す。
　成膜直後にα−Ｆｅの鋭い（１１０）ピークを示していた本発明の軟磁性薄膜（Ｎｏ．１）は、真空中で４００℃にて１時間保持されることによって、このα−Ｆｅの（１１０）ピークが小さくなり、結晶粒子の粒成長が生じていないことがわかる。これは、正確なことは不明であるが、Ｘ線回折では検出されない微細に分散したＹ２Ｏ３がアニールによるα−Ｆｅの結晶粒成長を抑制しているためと考えられる。
　実施例２　Ｆｅ−Ｈｆ−Ｏ軟磁性薄膜をイオンビームスパッタ装置を用いて下記のように作製した。
　まず、純鉄ターゲット上にＨｆのチップを対称性よく配置した複合ターゲットに対し、１００ｍｍ径のバケット型イオンガンをもつイオンビームスパッタ装置にてＡｒイオンを加速してターゲットに当て、ターゲットから所定の距離に基板を置いて膜厚約１μｍの膜を成膜した。
　この場合、真空チャンバーの基板に近い所から微量の酸素を流し、反応性スパッタを行なった。
　また、基板には実施例１と同様、結晶化ガラスを用い、間接水冷した。
　主な成膜条件は下記の通りである。
　加速電圧：１２００Ｖ　ビーム電流：１３０ｍＡ　成膜速度：１６０Å／分　到達真空度：１×１０−７Ｔｏｒｒ　成膜中真空度：１．５〜２．５×１０−４Ｔｏｒｒ　次に得られた薄膜の磁気特性を向上させるために真空度１×１０−６Ｔｏｒｒ、温度４００℃、保持時間１時間にて熱処理を行なった後に、実施例１と同様の方法で諸特性を評価した。
　結果は表２に示されるとおりである。
表２に示される結果から本発明の効果が明らかである。
　実施例３　膜厚１μｍのＦｅ−Ｚｒ−Ｏ軟磁性薄膜を実施例２のＦｅ−Ｈｆ−Ｏ軟磁性薄膜と同様の方法にて、同様の条件でガラス基板上に成膜した。
　この場合、ターゲットには純鉄上にＺｒのチップを対称性よく配置した複合ターゲットを用いた。
　なお、熱処理条件も実施例２と同様である。
　そして、得られた軟磁性薄膜に対し、前記と同様の方法で諸特性を評価した。
結果は表３に示されるとおりである。
表３に示される結果から本発明の効果が明らかである。
　なお、このほか、３Ａ族元素および４Ａ族元素から選ばれる種々の金属を用いてＦｅ−Ｍ−Ｏ軟磁性薄膜を成膜して前記と同様の評価を行なったところ同等の結果が得られた。
　また、本発明の軟磁性薄膜を磁気ヘッドに適用して、薄膜磁気ヘッドを製造した。
　そして、高保磁力の磁気記録媒体に対し、記録・再生を行なったところ、十分なオーバーライト特性と高周波数での高い記録・再生感度等の優れた電磁変換特性が得られた。
　＜発明の効果＞
　本発明の軟磁性薄膜は、飽和磁束密度Ｂｓが高く、透磁率μが高く、保磁力Ｈｃが低い軟磁気特性を有し、しかも電気抵抗率ρが高い。
　加えて、耐食性が良い。
　さらには、単層膜で前記の特性が得られるため、成膜が容易であり、生産歩留りや量産性が高い。
　また、本発明の軟磁性薄膜を例えば、磁気ヘッドに適用する場合、高保磁力の磁気記録媒体へ十分な記録を行なうことができ、十分なオーバーライト特性が得られる。
　加えて、記録・再生感度、特に高周波数での記録・再生感度が従来のものに比べ格段と向上にする。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明の軟磁性薄膜を適用した薄膜磁気ヘッドの１例が示される部分断面図である。
　第２図は、本発明の軟磁性薄膜の熱処理前のＸ線回折チャートが示されるグラフである。
　第３図は、本発明の軟磁性薄膜の熱処理後のＸ線回折チャートが示されるグラフである。
　符号の説明
　７……スライダ
　８１、８３、８５……絶縁層
　９１……下部磁極層
　９５……上部磁極層
　１０……ギャップ層
　１１……コイル層
　１２……保護層