【事件の表示】
　特許第２８７７８００号「複合部材の分離方法、分離された部材、分離装置、半導体基体の作製方法および半導体基体」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８７７８００号の請求項１、１８、２３、４１に係る特許を維持する。
【理　由】
１，手続の経緯
　  本件特許の出願日　      平成10年3月25日
　　（優先権主張：平成9年3月27日日本および平成9年5月28日日本）
　　特許権設定登録　　      平成11年1月22日
　　特許異議の申立て（申立人：江上純忠）
　　　　　　　　　　　      平成11年9月30日
　　取消理由通知　　　      平成12年3月1日
　　訂正請求　　　　　      平成12年5月15日
２，訂正の適否についての判断
　a)訂正請求された特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載
　訂正請求された請求項１および２３に係る各発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１および２３に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】互いに接合された複数の部材を有する複合部材を、前記複数の部材の接合箇所とは異なる箇所にある微少空隙、又は歪み、或いは欠陥を含む分離領域において、分離する複合部材の分離方法において、前記複合部材の凹型又は狭い隙間を有する側面に流体を吹き付けることにより、前記複合部材を分離することを特徴とする分離方法。
【請求項２３】互いに接合された複数の部材を有する複合部材を支持する支持手段、前記複合部材の凹型又は狭い隙間を有する側面に流体を吹き付ける吹き付け手段を有し、前記複数の部材の接合箇所とは異なる箇所にある微小空隙、又は歪み、或いは欠陥を含む分離領域において前記複合部材を分離することを特徴とする分離装置。」
　また、訂正請求された発明の詳細な説明の【００２３】の記載は以下のとおりである。
「【００２３】
【課題を解決するための手段】
　本発明は、互いに接合された複数の部材を有する複合部材を、前記複数の部材の接合箇所とは異なる箇所にある微小空隙、又は歪み、或いは欠陥を含む分離領域において、分離する複合部材の分離方法において、前記複合部材の凹型又は狭い隙間を有する側面に流体を吹き付けることにより、前記複合部材を分離することを特徴とする。
　本発明は、互いに接合された複数の部材を有する複合部材を、前記複数の部材の接合箇所とは異なる箇所において、分離する複合部材の分離方法において、高圧の水流をノズルから吹き出すウォータ一・ジェット法により前記複合部材の側面に前記水流を吹き付けることにより、前記複合部材を分離することを特徴とする。
　本発明は、半導体基体の作製方法であって、基板上に多孔質単結晶半導体層と該多孔質単結晶半導体層の上に設けられた非多孔質単結晶半導体層とを有する第１の基体を用意する工程、前記第１の基体と第２の基体とを貼り合わせて側面に凹型又は狭い隙間を有する複合部材を形成する工程、及び前記複合部材の前記多孔質単結晶半導体層側面に流体を吹き付けることにより、前記複合部材を多孔質単結晶半導体層において分離する工程を有することを特徴とする。
　本発明は、半導体基体の作製方法であって、基坂上に多孔質単結晶半導体層と該多孔質単結晶半導体層の上に設けられた非多孔質単結晶半導体層とを有する第１の基体を用意する工程、前記第１の基体と第２の基体とを貼り合わせて複合部材を形成する工程、及び高圧の水流をノズルから吹き出すウォーター・ジェット法により前記複合部材の前記多孔質単結晶半導体層側面に前記水流を吹き付けることにより、前記複合部材を多孔質単結晶半導体層において分離する工程を有することを特徴とする。
　本発明は、半導体基体の作製方法であって、単結晶半導体から成る第１の基体の所定の深さにイオンを打ち込むことにより、微小気泡層を得ることのできるイオン打ち込み層を形成する工程、前記第１の基体と第２の基体とを絶縁層を介して貼り合わせて複合部材を形成する工程、及び前記複合部材のイオン打ち込み層側面に流体を吹き付けることにより、前記複合部材をイオン打ち込み層において分離する工程を有することを特徴とする。
　本発明は、分離装置に関し、互いに接合された複数の部材を有する複合部材を支持する支持手段、前記複合部材の凹型又は狭い隙間を有する側面に流体を吹き付ける吹き付け手段を有し、
　前記複数の部材の接合箇所とは異なる箇所にある微小空隙、又は歪み、或いは欠陥を含む分離領域において前記複合部材を分離することを特徴とする。
　本発明は、互いに接合された複数の部材を有する複合部材の第１の面を第１の保持体により回転可能に保持し、前記複合部材の第２の面を第２の保持体により回転可能に保持し、前記第１及び第２の保持体を同期させて回転させ、回転する前記複合部材の接合箇所とは異なる分離箇所に流体を吹き付け、前記複合部材を前記流体が吹き付けられた箇所を起点として、複数の部材に分離することを特徴とする。
　本発明は、分離装置に関し、互いに接合された複数の部材を有する複合部材の第１の面を回転可能に保持する第１の保持体、前記複合部材の第２の面を回転可能に保持する第２の保持体、前記第１及び第２の保持体の回転の同期をとる同期手段、回転する前記複合部材の接合箇所とは異なる分離箇所に流体を吹き付けるノズルを有し、前記複合部材を前記流体が吹き付けられた箇所を起点として複数の部材に分離することを特徴とする。
　本発明は、互いに接合された複数の部材を有する複合部材を、前記複数の部材の接合箇所とは異なる箇所にある微小空隙を含む分離領域において、分離する複合部材の分離方法において、盤状の前記複合部材の凹型又は狭い隙間を有する側面に研磨粒子を含まない流体を吹き付けることにより、前記複合部材を分離することを特徴とする。」
　b)拡張・変更及び新規事項の存否について
　本件特許の特許請求の範囲の請求項１および２３において、「にある微少空隙、又は歪み、或いは欠陥を含む分離領域に」を「…接合箇所とは異なる箇所に」と「おいて…」の間に加える上記各訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではなく、かつ本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した範囲内の訂正であると認められる。
　また、本件特許の発明の詳細な説明の【００２３】を、上記のように変更する訂正は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１および２３を訂正したことに伴う、明瞭でない記載の釈明であり、かつ本件特許の願書に添付した明細書又は図面に記載した範囲内の訂正であると認められる。
　c)特許法第29条柱書きおよび同法第36条第4、6項の規定に関する独立特許要件の判断
〔請求項１および２３に係る発明の構成の一部が不明確であることによる取消理由〕
　本件特許の請求項１および２３に係る発明においては、複合部材が分離される箇所がどのような構成になっているかの記載がなく、この点が不明確である。したがって、上記請求項に係る各発明は特許法第36条第6項の規定を満たしていない。
〔請求項１および請求項２３に係る発明が、その中における「流体」が気体を含む場合に、自然法則を利用した産業上利用できる発明とはならないことによる取消理由〕
　当審が通知した取消理由で引用したドリアン・リープマンとハンス・Ｗ・リープマンによる鑑定書（異議申立人が提出した甲第１号証）には、大略以下のような事項が記載されていると認められる。
「気体の場合には、その濃度が液体に比べて極めて小さいために本願の液体を用いた実施例で示されていると同等の圧力を得るためには超音速を超える速度を気体に与えなければならない。流体の速度が音速を超える場合は、速度の変化率と開口面積の変化率との関係が音速を超えない場合と逆になるので、気体を用いて複合ウエハを分離するためには、気体の超音速を利用する方法を考えなければならない。それには２つの方法があり、１つの方法は気体の流れを超音速で加速して膨張させた後、マッハ１までもって行く「Ｌａｖａ１ノズル」を得ることである。しかし、その「Ｌａｖａ１ノズル」を本願発明に適用した場合の開口部の直径は、加工の困難な１０ミクロン以下という値にしなければならず、現実的ではない。
　もう１つの方法は、超音速による衝撃波を起こさせて本願実施例に記載されているところの一番低い圧力である200気圧を複合ウエハの前面に与えて分離させることである。しかし、この場合も気体貯臓器の圧力を185,000気圧とし、かつその温度を8,000℃以上としなければならないという非現実的な問題に直面する。
　何れの場合にしても、複合ウエハの分離に高速ガスジェットを使用することは、一般的に不可能である。」
　同じく当審が通知した取消理由で引用した米国特許明細書第5213451号（異議申立人が提出した甲第２号証、以下「刊行物」という。）には、
「The present invention relates to apparatus for separating disk-type workpieses, in particular semiconductor wafers, from a wafer stack. It furthermore relates to a method of separating disk-type workpieses.」（第１欄第６行〜１０行）、「例えば圧縮空気や、或いは洗浄のために例えばアルゴンまたは窒素などの希ガスのようなガスを使用することは理論的には可能だが、200μm以下の薄いウェハーを分離する場合には不可能である。薄いウェハーは一般にガス圧に関係なくガス流の中で揺れたり割れたりし易いからであり、一方、驚くことに、液体が流体として使用された場合には、そのような揺れ現象やダメージを起こすことなくウェハーを分離することができる。」（第４欄第６６行〜第５欄第７行、異議申立人による翻訳）というような記載がなされている。
〔判断〕
　訂正請求された各発明においては、本件特許の請求項１および２３に係る発明において、「微少空隙、又は歪み、或いは欠陥を含む分離領域」という構成が付け加えられ、これにより複合部材を分離する箇所の構成が明確となり、訂正請求に係る請求項１および２３の各発明は、特許法第36条第6項の規定に関する独立特許要件は満足されたものと認められる。
　次に、流体が気体を含む場合に訂正請求に係る請求項１および２３の各発明が自然法則を利用した産業上利用できる発明に該当するか否かについて検討する。
　当審の取消理由に引用した上記刊行物には、「例えば圧縮空気や、或いは洗浄のために例えばアルゴンまたは窒素などの希ガスのようなガスを使用することは理論的には可能だが、200μm以下の薄いウェハーを分離する場合には不可能である。薄いウェハーは一般にガス圧に関係なくガス流の中で揺れたり割れたりし易いからであり、一方、驚くことに、液体が流体として使用された場合には、そのような揺れ現象やダメージを起こすことなくウェハーを分離することができる。」というような記載がなされており、この記載によれば、複合ウエハの分離にガスを用いることは理論的には可能であり、かつ200μmより厚い複合ウエハであれば、分離は不可能ではないことが示唆されていると認められる。そして、特許権者の特許異議意見書には、元圧4kgf/cm2の窒素ガスを、幅0.3mmのスリットノズルを用いて複合部材の凹型又は狭い隙間を有する側面に吹き付けたところ、多孔質層が破壊され２つに分離できたとする実験結果を、同人が付けた参考資料２を参照しながら述べている。そして、上記刊行物の記載と、特許権者の上記主張によれば、上記鑑定書の記載内容にもかかわらず、複合部材の凹型又は狭い隙間を有する側面に気体を吹き付けることにより、複合部材の複数の部材の接合箇所とは異なる箇所にある微少空隙、又は歪み、或いは欠陥を含む分離領域における分離は可能であるものと認められる。
　したがって、訂正請求に係る請求項１および２３の各発明は、特許法第29条柱書きの規定に関する独立特許要件は満たしているものと認められる。
　したがって、訂正請求に係る請求項１および２３の各発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
　d)本項のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２ないし４項の規定に適合するので、これを認める。
３，特許異議の申立てについての判断
　a)申立ての理由の概要
　異議申立人は甲第１〜２号証を提出し、本件請求項１、１８，２３および４１に係る各発明について、以下のような理由により取り消されるべき旨を主張している。
Ａ、本件請求項１、１８，２３および４１に係る各発明は、複合部材を分離できない「気体」を含む「流体」という用語が用いられているために、自然法則を利用した発明ということはできず、またそのために当業者が容易に実施できないために、特許法第２９条柱書きおよび同法第36条第4項の規定に違反してなされたものである。
Ｂ、本件請求項１および２３に係る発明は、複合部材が分離される箇所の構成が不明であるから、この点で、上記発明は自然法則を利用しておらず、かつそのために当業者が容易に実施できないので、特許法第29条柱書きと同法第36条第6項の規定を満たしていない。
Ｃ、本件請求項１８に係る発明は、その中にある「微少気泡層を得ることのできるイオン打ち込み層を形成する」という部分が、微少気泡層ができているかそうでないのかという点が不明瞭であり、その点により上記発明は特許法第36条第6項の規定を満たしていない。
　b)判断
　本件請求項１、１８，２３および４１に係る各発明のうち、訂正請求された請求項１および２３に係る各発明（以下「本件請求項１および２３に係る発明」という。）の要旨は、上記２−ａ）で述べたとおりである。また、本件請求項１８および４１に係る各発明は、以下のとおりである。
「【請求項１８】単結晶半導体から成る第１の基体の所定の深さにイオンを打ち込むことにより、微小気泡層を得ることのできるイオン打ち込み層を形成する工程、前記第１の基体と第２の基体とを絶縁層を介して貼り合わせて複合部材を形成する工程、及び前記複合部材のイオン打ち込み層側面に流体を吹き付けることにより、前記複合部材をイオン打ち込み層において分離する工程を有することを特徴とする半導体基体の作製方法。
【請求項４１】互いに接合された複数の部材を有する複合部材を、前記複数の部材の接合箇所とは異なる箇所にある微小空隙を含む分離領域において、分離する複合部材の分離方法において、
　盤状の前記複合部材の凹型又は狭い隙間を有する側面に研磨粒子を含まない流体を吹き付けることにより、前記複合部材を分離することを特徴とする分離方法。」
　また、申立人が提出した甲第１〜２号証の記載内容は、上記２−c)の〔上記各請求項に係る発明が、その中における「流体」が気体を含む場合に、自然法則を利用した産業上利用できる発明とはならないことのよる取消理由〕で述べたとおりである。
　以下、各申立理由Ａ〜Ｃについて検討する。
Ａ、申立理由Ａについて
　本件請求項１および２３に係る発明について、その中における「流体」が気体を含む場合であっても、自然法則を利用したものではないということはできず、これによって当業者が容易にその発明を実施することができないとすることもできないことは、上記２―ｃ）で述べたとおりである。同様の理由で、本件請求項１８および４１に係る発明においても、その中における「流体」が気体を含む場合であっても、自然法則を利用したものではないということはできず、これによって当業者が容易にその発明を実施することができないとすることもできない。したがって、本件請求項１、１８，２３および４１に係る発明が、「流体」が気体を含むことに関し、特許法第29条柱書きおよび同法第36条第4項の規定に違反してなされたものであるとすることはできない。
Ｂ、申立理由Ｂについて
　上記２−ｃ）で述べたとおり、本件請求項１および２３に係る各発明においては、訂正請求により、「微少空隙、又は歪み、或いは欠陥を含む分離領域」という構成が付け加えられ、これにより複合部材を分離する箇所の構成が明確となったので、特許法第29条柱書きの規定違反はもとより、同法第36条第6項の規定違反も解消したものと認められる。
Ｃ、申立理由Ｃについて
　本件請求項１８に係る発明における「第１の基体の所定の深さにイオンを打ち込むことにより、微小気泡層を得ることのできるイオン打ち込み層を形成する工程」という記載箇所については、例えば、発明の詳細な説明中の【0174】における「ここで投影飛程がSi基板中になるように、第１の基板表面からイオン注入した。これによって、分離層として働く層が、投影飛程の深さの所に微少気泡層あるいは注入イオン種の高濃度層による歪み層として形成された。」という記載によれば、基体中にイオンを打ち込むことにより微少気泡層または歪み層の何れかが形成されることが示されているので、同発明中の「第１の基体の所定の深さにイオンを打ち込むことにより、微小気泡層を得ることのできるイオン打ち込み層を形成する工程」という記載箇所は、微少気泡層の形成を行う工程を意味することは明らかであり、同発明は、特許法第36条第6項の規定を満たしていないとすることはできない。
　c)本項のむすび
　したがって、申立人の主張および提出した証拠等によっては、本件請求項１、１８，２３および４１に係る各発明について、特許法第29条柱書きおよび同法第36条第4および6項の規定に違反してなされたものであるとすることはできない。
４，むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠等によって、本件請求項１、１８、２３および４１に係る各発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件上記請求項に係る各発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月６日（２０００．６．６）