【事件の表示】
　特許第２８１６１３９号「真空処理装置用搬送システム及び真空処理装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８１６１３９号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２８１６１３９号（平成２年８月２９日出願（特願平２−２２５３２１の分割）、平成１０年８月１４日設定登録）は、設定登録後、その特許について、異議申立人金田幸一、熊澤邦宏、高橋　学、竹野哲雄の４名よりそれぞれ特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年２月１５日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否
（１）訂正の内容
（１−１）訂正事項Ａ
　特許請求の範囲の請求項１の４行〜７行に「前記大気中のカセット・・・アンロードロック室と、」とあるのを、「前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、」に訂正する。
　
（１−２）訂正事項Ｂ
　請求項１の７行〜８行に「前記大気中のカセットと・・・搬送装置と、」とあるのを、「前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、」に訂正する。
　
（１−３）訂正事項Ｃ
　請求項１の９行〜１２行に「前記ロードロック室・・・隔離弁とを備え、」とあるのを、「前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及び前記アンロードロツク室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、」と訂正する。
　
（１−４）訂正事項Ｄ
　請求項１の１３行〜１６行に「大気雰囲気の・・・一枚毎搬入出する」とあるのを、「大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロツク室と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出する」と訂正する。
　
（１−５）訂正事項Ｅ
　請求項２の５行〜８行に「前記大気中のカセット・・・アンロードロック室と、」とあるのを、「前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、」に訂正する。
　
（１−６）訂正事項Ｆ
　請求項２の８行〜９行に「前記大気中のカセットと・・・搬送装置と、」とあるのを、「前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、」に訂正する。
　
（１−７）訂正事項Ｇ
　請求頃２の１０行〜１３行に「前記ロードロック室・・・隔離弁とを備え、」とあるのを、「前記ロードロック室及ひ前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及び前記アンロードロツク室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、」と訂正する。
　
（１−８）訂正事項Ｈ
　請求項２の１４行〜１７行に「大気雰囲気の・・・一枚毎搬入出する」とあるのを、「大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出する」と訂正する。
　
（１−９）訂正事項Ｉ
　明細書の段落【０００８】の２行〜末行に「被処理基板を・・・特徴がある。」とあるのを、「被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及び前記アンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記大気中のカセットとの間で、前記彼処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出する真空処理装置用搬送システムに特徴がある。」と訂正する。
　
（１−１０）訂正事項Ｊ
　明細書の段落【０００９】の１行〜末行に「被処理基板を一枚・・・真空処理装置にある。」とあるのを、「被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室と、該複数の真空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及びアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出する真空処理装置にある。」と訂正する。
　
（１−１１）訂正事項Ｋ
　明細書の段落【００１０】の１行〜１１行に「本発明によれば、・・・少なくなり、」とあるのを、「本発明によれば、いずれかの真空処理室へ被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室がありこのロードロック室及ひアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために被処理基板もしくは処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とが設けられている。そして、大気雰囲気の前記ロードロック室及びアンロードロック室と大気中のカセットとの間で、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気のロードロック室及びアンロードロック室といずれかの真空処理室との間で、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬入出する。そのため、基板の搬入出に伴い真空処理室とロードロック室またはアンロードロック室が連通状態になっている時間は短い。従って、処理済基板に付着したゴミや残留ガスのロードロック室及びアンロードロック室に持ち込まれる量が少なくなり、」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項Ａについて
　上記訂正事項Ａは、請求項１の「ロードロック室／アンロードロツク室」の表現を明りょうな記載に訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−２）訂正事項Ｂについて
　上記訂正事項Ｂは、請求項１の構成を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−３）訂正事項Ｃについて
　上記訂正事項Ｃは、請求項１の構成を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−４）訂正事項Ｄについて
　上記訂正事項Ｄは、請求項１の構成を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−５）訂正事項Ｅ〜Ｈについて
　上記訂正事項Ｅ〜Ｈは、請求項１に関する訂正事項Ａ〜Ｄに対応して請求項２の構成をそれぞれ訂正するものであり、訂正事項Ａ〜Ｄにおいて示した理由と同じ理由により、特許請求の範囲の減縮または明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−６）訂正事項Ｉ、Ｊについて
　上記訂正事項Ｉ、Ｊは、明細書の段落【０００８】、【０００９】に記載されていた特許請求の範囲の請求項１、２に相当する記載を、上記訂正事項Ａ、Ｂの訂正に整合させるための訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−７）訂正事項Ｋについて
　上記訂正事項Ｋは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の欄の記載とを整合させるための訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項Ａ〜Ｋは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）独立特許要件
（３−１）本件発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された発明（以下、「本件発明１、２」という。）は、特許請求の範囲の請求項１、２に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、
　前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、
　前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、
　前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及び前記アンロードロツク室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、
　大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロツク室と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出することを特徴とする真空処理装置用搬送システム。
【請求項２】
　被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室と、
　該複数の真空処理室に連結された搬送室と、
　被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、
　前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、
　前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロツク室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、
　前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及びアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、
　大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロツク室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出することを特徴とする真空処理装置。」
　
（３−２）取消理由の概要
１）理由１
　訂正前の請求項１、２に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当するものである。
２）理由２
　訂正前の請求項１、２に係る発明は、刊行物１〜７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定に該当するものである。
　
（３−３）引用刊行物の記載事項
１）刊行物１
　刊行物１の特開平２−６１０６４号公報には、真空室と該真空室内に配置された回転可能な基板ホルダーとを備えた、メリーゴーランド方式によって基板を被覆する装置に関する発明が第１、２図とともに開示され、さらに
以下の事項が記載されている。
　
　実施例について
　「第１図には真空室１が示されており、同真空室の外側の包囲面は、偏平な中空シリンダで構成されていると表現することができる。・・・真空室１の内部には、同様に円環状の基板ホルダー６が回転駆動可能に取り付けられている。・・・
　・・・真空室１には２つの同一のエアロックステーション８、９が備えられており、・・・真空室１の上側にはさらに２つの被覆ステーション１０、１１が配置されている。
　・・・
　・・・各エアロックステーション８、９には１つの積載ステーション１６ないし１７と４つのマガジン１８、・・・ないし１９、・・・が割り当てられている。積載ステーション１６、１７とマガジン１８、・・・ないし１９、・・・との間には、回転する基板円板２０ａないし２１ａを備える引き渡し装置２０ないし２１が配置されている。」（第４頁左上欄８行〜左下欄１行）、
　
　「第４図には真空室１の細部、即ち室の天井２、室の床３そして枠４、５が明瞭に示されている。室の天井２にはシリンダ状の空所が配設されており、同空所をエアロック室の上部３８が十分な半径方向の隙間をもって貫通している。
　このエアロック室の上部３８は、シリンダ状の内部空室３９を有し、さらに上端部においてはシール面４０ａを備えるフランジ４０を有している。このシール面内にシールリング４１が装着されている。上部３８はベローズ４２によって気密的に真空室１に連結されている。
　エアロック室の上部３８はさらに下方のシール面４０ｂを有しており、同シール面内には別のシールリング４３が装着されている。
　さらにエアロックステーション８、９には、エアロック室の上部３８に割り当てられて、駆動されるものであって、しかも前記シリンダ状の内部空室３９を十分に満たすところの、シール縁４５を備える押しのけ体４４が付設されている。・・・駆動シリンダ４９を用いてシール縁４５を、エアロック室の上部３８の上方のシール面４０ａないしはシールリング４１の上に気密的に載置することができる。
　フランジ４０と真空室１との間には、図面は示されていない駆動装置が存在し、同駆動装置によって上部３８の下方のシール面４０ｂが基板ホルダー６の上面に気密的に当接せしめられる。」（第５頁左上欄２行〜右上欄１７行）、
　
　「この時点で積載ステーションの前記つかみは基板を開放し、同基板は今や持上げロッド６２の下降によって、第４図の実線で示された位置まで運ばれる。基板２６が基板ホルダー６の凹部６７に装着されると直ちに、基板受容部６３もまた基板ホルダー６の環状肩部の上に当接し、そしてセンタリングコーン６４は基板受容部６３から離れる。この時−第４図の状態と対照的に−基板ホルダー６とエアロック室の上部３８及び下部５１とが密着していることは明白である。基板２６が沈下した直後に、押しのけ体４４が基板２６の上方の内部空室３９内に導入される（点線で示された位置）。この時シール面４０ａとシール縁４５とが密着する。−真空ポンプが連続的に作動している状態で−エアロック室の上部３８は持上げられ、エアロック室の下部５１は沈下せしめられる。この状態が第４図に示されている。今や装置は円転状態にあり、同装置において基板ホルダー６はある歩幅で、即ち２目盛り角度ずつ歩進せしめられる。
　・・・
　基板の導出工程は、導入工程をちょうど逆にして行われる。即ち、まず基板ホルダー６にエアロック室の上部３８及び下部５１が密着し、その後内部空室３９が注気され、押しのけ体４４が持ち上げられる。続いて直ぐに、基板２６も持上げロッド６２によって一点鎖線に示された位置まで持上げられ、そしてつかみ２２、２２’ないし２３、２３’のいずれか１つによって把持され、その領域から回転軸回りの旋回により取り出される。」（第６頁左下欄１〜右下欄１８行）
　
２）刊行物２
　刊行物２の特開昭６３−１５３２７０号公報には、真空槽内における基板交換機構に関する発明が第１、２図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　実施例について
　「第１図は本装置（１）の全体を示すが、左右には一対のＣＶＤ反応室（２ａ）（２ｂ）が設けられ、これらの間にバッファー室（３）が設けられている。バッファー室（３）と両反応室（２ａ）（２ｂ）との間の隔壁にはゲートバルブ（１６）（１７）（「（４ａ）（４ｂ）」は誤記である。）が設けられ、これらを介してウエハーの受け渡しが行われるようになっている。バッファー室（３）の前方には本発明に関わるウエハー交換室（５）が設けられ、ゲートバルブ（６）を介してこれら室（３）（５）間でウエハーの受け渡しが行われるようになっている。
　バッファー室（３）内にはウエハー転送機構（７）が設けられ、これは搬送用フォーク（８）を備え、矢印ａで示すように中心軸（９）の回りに回動自在であり、かつ矢印ｂで示すように伸縮自在となっている。ウエハー交換室（５）の両側壁部にもゲートバルブ（１０）（１１）が設けられ、この一方側には未処理ウエハー搬入用ベルト（１２）が設けられ、ウエハーストック・カセット（１３）から所定のタイミングで一枚宛、自動的に取り出してベルト（１２）によりウエハー交換室（５）内に搬入するようになっている。また他方には処理済ウエハー搬出用ベルト（１４）が設けられ、処理済ウエハーストック・カセット（１５）へと搬入するようになっている。」（第３頁左上欄１３行〜右上欄１５行）、
　
　発明の効果について
　「本発明の真空槽内における基板交換機構に依れば、大気中の所定の位置へウエハー交換室から処理済ウエハーを搬出及び大気中の所定の位置からウエハー交換室へウエハーを搬入する作業、さらにそれに伴うベント、排気作業を処理室で他のウエハーの処理を行っている間に平行して行うことが可能となり、処理室でのウエハー交換作業上要する時間を最小にすることが出来生産性を一段と向上させる事が出来る。」（第６頁右下欄１９行〜第７頁左上欄７行）
　
３）刊行物３
　刊行物３の特開昭６２−５０４６３号公報には、高品質真空中でのバイアススパッタ成膜を高速に行うことを可能とする連続スパッタ装置に関する発明が第１〜３図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　発明の概要について
　「（１）取入・取出室を設け、処理室を常時高真空に保持し、（２）処理室内の複数の処理ステーションの真空雰囲気を独立に制御し、処理ステーション間の相互汚染をなくし、（３）処理室内で基板を保持したまま移動する基板ホルダにエッチング電極を内蔵し、スパッタ成膜とスパッタエッチングを同時に行うことにより、バイアススパッタを可能としたものである。」（第２頁右上欄１〜５行）、
　
　一実施例の構成について
　「第２図に示す如くローデイングステーション７８の大気側にはローデイング室５１、さらにその大気側に取入・取出室５２が設置されている。取入・取出室５２内には２組の搬送手段５３、５４が、またローデイング室５１内には１組の搬送手段５５が設置されている。
　・・・
　取入・取出室５２の両側にはゲートバルブ部５６、５７が設置されている。ゲートバルブ５６、５７が開いている時に基板５は大気中の搬送手段（図示せず）により取入・取出室５２に搬入され、搬送手段５３、５４、５５によりローデイング室５１を経て再び大気側に搬出されることができる。また取入・取出室５２は第１図に示すように真空配管５８、真空バルブ５９を経由して補助真空ポンプ６０に、またリーク配管６１、リークバルブ６２を経由してリークガス源（図示せず）に接続されている。」（第３頁左上欄８行〜右上欄６行）、
　
　一実施例の動作について
　「取入・取出室５２では両側のゲートバルブ５６、５７および真空バルブ５９を閉じた状態で、リークバルブ６２を開き、リーク配管６２よりリークガスを導入し、取入・取出室５２内を大気圧にしておく。
　ローデイング室５１ではエレベータ６５を下降の状態にしておくとともに真空ポンプ９１により例えば１０−７Ｔｏｒｒ台に真空排気しておく。
　・・・
　取入・取出室５２のゲートバルブ５６を開いた後、大気側搬送装置（図示せず）と搬送手段５３（第２図）との協調により基板５を搬入位置６９に搬入した後ゲートバルブ５６を閉じる。
　次に補助真空ポンプ６０（第１図）を作動させ、真空バルブ５９を開き、取入・取出室５２内を例えば０．１Ｔｏｒｒに排気した後、ゲートバルブ５７を開く。搬送手段５３、５５（第２図）の協調により、基板５をローデイング位置６４に搬送した後、エレベータ６５、アーム６６（第１図）の協調により、基板５を基板ホルダ４２に装着する。
　・・・ローデングステーション７８（第２図）では基板ホルダ４２に装着されている処理ずみ基板５を、アーム６６、エレベータ６５（第１図）の協調により、搬送手段５５（第２図）上に移しかえる。ゲートバルブ５７を開いた後、搬送手段５５、５４の協調により基板５を取入・取出室５２内の搬出位置７０に搬送するとともに、未処理の基板５を搬入位置６９からローデイング位置６４に搬送した後、ゲートバルブ５７を閉じる。
　前述のごとく取入・取出室内を大気圧にし、ゲートバルブ５６を開いた後、次に処理する未処理基板５の搬入と、搬出位置７０にある処理ずみ基板５の搬出とを同時に行う。」（第３頁右下欄１６行〜第４頁右上欄１５行）、
　「また本実施例ではローデイングステーション７８にローデイング室５１と、取入・取出室５２とを設けたが、これに限らずローデイング室５１を省略し、取入・取出室５２を主真空室３２に直接に取付け、さらに取入・取出室５２内にエレベータ６５ローデイング用のアーム６６を設けることによっても同様の効果が得られる。」（第４頁右下欄２０〜第５頁左上欄６行）
　
４）刊行物４
　刊行物４の「Ｓｅｍｉｃｏｎ　ＮＥＷＳ」１９８７年４月号、Ｐ３８〜４３には、サブミクロンプロセスの要求を満足するスパッタリング装置に関する発明が図３とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　装置の説明について
　「図３に装置の本体構成を示す。本装置は五角柱形状の外筒と円筒形状の内筒とで構成された主真空室を中心として、主真空室の各側面に個別の真空室を配置した構造である。主真空室の五つの側面に設けられた個別の真空室は、それぞれ独立したウエハ処理室を構成し、４室の小容積の処理室Ｉ〜ＩＶと前処理室とから成る。
　主真空室内には回転ドラムが内蔵され、これにウエハを保持するウエハホルダが取り付けられている。このウエハホルダは、回転ドラムのラジアル方向に動くことができる構造であり、各ウエハ処理室の配置に対応して回転ドラムに等角度に５個設けられている。
　ウエハはロード側カセットから１枚づつロードロック室を経て前処理室に搬入される。前処理室内には、ウエハ加熱ステーションとスパッタエッチクリーニングステーションが取付け可能であり、プロセスの要求に応じてベーキングによる吸着ガスの追出しやスパッタエッチクリーニングの前処理を受ける。次いでウエハは、搬送アームによって水平から垂直に姿勢変換された後、前述のウエハホルダに装着される。このウエハホルダは、ホルダ前後進駆動装置によってウエハ処理時には処理室側へ、ドラム回転時には回転ドラムに密着する機構となっている。ウエハホルダに装着されたウエハは、回転ドラムが１／５回転する毎に処理室Ｉ〜ＩＶへと搬送され、順次各処理室に静止対向して所定の処理が施され、再び姿勢を水平に戻した後に前処理室、ロードロック室を経由してアンロード側カセットに収納される。」（第４０頁左欄９行〜第４１頁左欄３行）
　
５）刊行物５
　刊行物５の特表昭６４−５０００７２号公報には、半導体ウエーハ処理装置のためのモジューラ装置に関する発明が第１〜３図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　第１、２図について
　「モジューラ半導体処理装置１はウエーハハンドラー及びロードロックモジュール４００、ゲートバルブモジュール１００ａ−１００ｆ、移送モジュール２００ａ及び２００ｂ、処理モジュール３００ａ−３００ｄ、及び移送モジュール２００ａと２００ｂとの間に接続された通過モジュール５００を有している。
　・・・領域４０７はロードロックチェンバ４０６の外部にあり、モジュール４００の範囲内は大気圧となっている。制御された低気圧環境が装置のこの部分にもたらされる。・・・処理されるべき選択されたウエーハがウエーハハンドラー４０５によって、・・・ウエーハカセット４０２−４０３からロードされる。前記ウエーハハンドラー４０５は選択されたウエーハをそのカセットからウエーハアライナ及びフラットフアインダ４０８に移送し、又、ウエーハアライナ４０８からロードロックチェンバ４０６へ移送する。」（第３頁左上欄９行〜右上欄２行）、
　
　「ウエーハの処理が完了すると、ウエーハは処理モジュールからロードロックチェンバ４０６に戻され、そこから移動アーム２０１ａによって、又は移動アーム２０１ｂ、通過チェンバ５０１及び移動アーム２０１ａによって運ばれたカセット（４０１−４０４）に戻される。」（第４頁右上欄１行〜６行）、
　
　第３図について
　「操作において、運ばれたウエーハはウエーハハンドラー（第３図には図示せず）によって、入口モジュール４０ａ内の運ばれたウエーハカセット（第３図には図示せず）から平坦ファインダー５０ｂに運ばれ、次に、ロードロックチェンバ４６ａに運ばれる。該ロードロックチェンバは第１図のロードロックチェンバ４０６と同じものである。・・・運ばれたウエーハは次に移送アーム２０１ｃに載せられ、・・・ウエーハの処理が完了すると、ウエーハは、ウエーハが置かれる処理モジュールを供給する移送アームに載せられ、出口ポート２１ａに戻される。・・・移動アーム２０１ｃは２つの処理管接続口をサービスし、どちらも入口及び出口モジュールである。もし望むならば、入口モジュール４１ａは入口及び出口モジュールの両方として利用してもよく、」（第５頁右上欄３行〜右下欄７行）
　
６）刊行物６
　刊行物６の特開平２−１０６０３７号公報には、処理室内で被処理基板の処理を行う以前の初期段階に、処理室から被処理基板を搬出する動作を実行し、この後に処理室内に被処理基板を搬入して処理を開始する処理方法に関する発明が第１、２図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　エッチング装置の構成について
　「上記未処理ウエハ（ｌａ）を収納する収納部（２ａ）と、この収納部から上記ウエハ（ｌａ）を搬出するための搬送部（３ａ）と、この搬送部（３ａ）により搬送されたウエハ（ｌａ）を位置合わせするアライメント部（４）と、この位置合わせされたウエハ（ｌａ）を搬入する搬送機構（５ａ）及び処理済みウエハ（ｌｂ）を搬出する搬送機構（５ｂ）を備えた気密な処理部（６）と、この処理部（６）から搬出されたウエハ（ｌｂ）を搬送する搬送部（３ｂ）と、この搬送されたウエハ（ｌｂ）を収納する収納部（２ｂ）から構成されている。
　上記収納部（２ａ）（２ｂ）には上記ウエハ（ｌａ）（ｌｂ）を板厚方向に所定の間隔を設けて複数枚例えば２５枚を積載収納可能なウエハカセット（７ａ）（７ｂ）が各々１個設けられている。・・・
　そして、上記搬送部（３ａ）（３ｂ）は、並設された２本のベルトにより上記ウエハ（ｌａ）（ｌｂ）をウエハカセット（７ａ）から搬出或いはウエハカセット（７ｂ）へ搬入可能としている。
　・・・
　・・・この処理部（６）は、エッチング処理する気密容器即ち処理室（８）に気密を保ちながらウエハ（ｌａ）を搬送可能なイン側ロードロック室（９）及び処理済みのウエハ（ｌｂ）を搬出可能なアウト側ロードロック室（１０）が設けられている。」（第２頁右上欄１７行〜右下欄１３行）、
　
　ウエハの処理方法について
　「収納部（２ａ）に載置されたウエハカセット（７ａ）内に収納されている未処理ウエハ（ｌａ）を、搬送部（３ａ）によりアライメント部（４）へ搬送する。・・・搬出側の搬送機構（５ｂ）即ちアウト側ロードロック室（１０）内に設けられている搬送機構（５ｂ）を動作させる。これは、蓋（１２ａ）を開けて処理室（８）内に上記搬送機構（５ｂ）を挿入して、上記処理室（８）内からウエハ（１）を搬出する動作を行なう。・・・この後、上記位置合わせされたウエハ（ｌａ）を、イン側ロードロック室（９）内に配置されている搬送機構（５ａ）により・・・上記イン側ロードロック室（９）内に搬入し、蓋（１１ａ）を閉じる。そして、このイン側ロードロック室（９）に接続した真空機構（図示せず）により、上記イン側ロードロック室（９）内を所定の減圧状態に設定する。更に、蓋（１１ｂ）を開け、所定の減圧状態に設定された処理室（８）内に、搬送機構（５ａ）により搬入し、設置用電極（１６）に上記ウエハ（ｌａ）を設置する。そして、上記処理室（８）内に設置されたウエハ（ｌａ）は、蓋（ｌ１ｂ）が閉じられた後に、所定の反応ガス例えばエッチングガスの供給及び電極（１６）（１７）間の放電によりプラズマエッチングされる。この間、上記イン側ロードロック室（９）内には、次の未処理ウエハ（ｌａ）が搬入され、ウエハ（ｌａ）の存在が上記センサー（１４ａ）により認識される。そして、上記処理室（８）内のウエハ（１）のエッチング処理が終了すると、この処理済ウエハ（ｌｂ）を、減圧状態となっているアウト側ロードロック室（１０）内に、蓋（１２ａ）が開くことにより搬送される。このアウト側ロードロック室（１０）で不活性ガス例えばＮ２ガスを供給することにより常圧に設定し、蓋（１２ｂ）を開けて上記ウエハ（ｌｂ）を搬出してウエハカセット（７ｂ）内に収納する。」（第３頁右上欄１４行〜右下欄１３行）
　
７）刊行物７
　刊行物７の特開昭６０−２４６６３５号公報（上記取消理由通知に記載された、「刊行物７：特開平１−２４６６３５号公報」は誤記である。）には、半導体基板等の自動基板処理装置に関する発明が、第１、２図とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　
　実施例について
　「第１図において、基板処理部Ａは、カセット１０の形状を除けば第１図と同一の基板処理装置である。この実施例ではカセット１０、１５はカセット室１、３の専用となってこゝに固定され脱着の必要がないものになっている。またこれに伴って、（第１図には第２図と同じ大きさに描いたが）カセット室の扉２、４も基板が通過できるだけの最小開口でよいものとなる。・・・
　第２図のＢ部の基板搬送装置６０と基板収納装置７０は本実施例で付設された部分である。基板収納装置７０の内では処理前の被処理基板２１はカセット２０に収納され、処理後の基板３１はカセット３０に収納され、ダミー用の補助基板５１はカセット４１、４２に収納されている。・・・カセット室１のカセット１０の被処理基板１１がなくなった場合には、扉２を開いて、基板収納装置７０内にあらかじめ投入されている被処理基板２１がカセット２０から、搬送器Ｃで搬送されてくるようになっている。そしてこの場合、もしカセット２１にセットされている基板の枚数が、エッチング室７に設けられたステージ９の個数・・・の整数倍になっていない場合には、・・・不足枚数だけの補助用基板５１がカセット４１より搬送器Ｆ−Ｄ−Ｃを経由して、カセット室１のカセット１０に自動的に搬送補給されるようになっている。次に、所定の基板処理を終えてエッチング室７からトランスファー室５を経由して、処理済基板１２がカセット室３のカセット１５に納められた後は、扉４が開かれ、処理済基板１２が搬送器Ｄ、Ｆによって処理済基板３１と補助基板５１に区分けされて、それぞれがカセット３０とカセット４１または４２に送られ収納される。」（第２頁右下欄１０行〜第３頁右上欄９行）
　
（３−４）対比・判断
１）理由１について
　本件発明１、２と刊行物１に記載の発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明において、基板を１枚毎真空処理する複数の被膜ステーション１０、１１と、この被膜ステーション１０、１１に連結された真空室１が設けられ、この真空室１には、内部を移動する基板ホルダー６が設けられており、この被膜ステーション１０、１１と真空室１は、本件発明１、２における真空処理室と搬送室に相当する。
　また、刊行物１に記載の発明において、被処理基板、処理済基板を複数枚収納できるマガジン１８、１９等が引き渡し装置２０、２１に設けられているが、このマガジン１８、１９等は、本件発明１、２におけるカセットに相当する。
　また、刊行物１に記載の発明において、大気中のマガジン１８、１９等とエアロックステーション８、９との間で被処理基板、処理済基板の搬入搬出が行われ、マガジン１８、１９等内の被処理基板は、引き渡し装置２０、２１、積載ステーション１６、１７を介してエアロックステーション８、９へ移送されており、この引き渡し装置２０、２１及び積載ステーション１６、１７は、本件発明１、２における大気搬送装置に相当し、エアロックステーション８、９は、本件発明１、２におけるロードロック室、アンロードロック室に相当する。
　さらに、刊行物１に記載の発明において、エアロックステーション８、９には、真空側に基板ホルダー６がシールリング４３を介して開閉可能に設けられ、大気側にシール縁４５を有する押しのけ体４４が設けられているが、この基板ホルダー６、押しのけ体４４は、本件発明１、２における隔離弁に相当する。
　そして、刊行物１に記載の発明において、エアロックステーション８、９とマガジン１８、１９等との間で、引き渡し装置２０、２１、積載ステーション１６、１７を介して基板の１枚毎の搬入搬出が行われるとともに、被膜ステーション１０、１１とエアロックステーション８、９との間で回転移動する基板ホルダー６を有する真空室１を介して基板の１枚毎の搬入搬出が行われている。
　しかしながら、
　本件発明１、２では、被処理基板を搬入搬出するロードロック室と、処理済基板を搬入搬出するアンロードロック室を有しているのに対し、刊行物１に記載の発明では、エアロックステーション８、９は被処理基板と処理済基板の搬入搬出を兼用している点（１）
　本件発明１、２では、カセット台に載置したカセットとロードロック室及びアンロードロック室との間で、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置を有しているのに対し、刊行物１に記載の発明では、マガジン１８、１９等とエアロックステーション８、９との間で、基板を搬送する引き渡し装置２０、２１と積載ステーション１６、１７を有している点（２）
で、それぞれ相違し、しかも、本件発明１、２の上記相違点（１）、（２）は、刊行物１において記載されているに等しい事項であるとすることもできない。
　したがって、本件発明１、２は、刊行物１に記載の発明であるとすることはできない。
　
２）理由２について
　本件発明１、２と刊行物１〜７に記載のものとを対比すると、以下のとおりである。
　
　刊行物１には、本件発明１、２の上記相違点（１）、（２）の構成に変更するための動機付けとなるものは何も記載されていない。
　
　刊行物２には、ゲートバルブ６、１０、１１（本件発明１、２の「隔離弁」に相当する。）を有する一つのウエハー交換室５（本件発明１、２の「ロードロック室、アンロードロック室」に相当する。）に対して、一方の側に未処理ウエハー搬入用ベルト１２（本件発明１、２の「大気搬送装置」に相当する。）を設け、他方の側に処理済ウエハー搬出用ベルト１４（本件発明１、２の「大気搬送装置」に相当する。）を設けた装置が記載されている。
　しかしながら、刊行物２に記載のものは、一つのウエハー交換室の両側に未処理ウエハー搬入用ベルト１２、処理済ウエハー搬出用ベルト１４を設けているから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　刊行物３には、ローデイング室５１を省略したゲートバルブ５６、５７（本件発明１、２の「隔離弁」に相当する。）を有する一つの取入・取出室５２からなるローデイングステーション７８（本件発明１、２の「ロードロック室、アンロードロック室」に相当する。）が記載され、処理前の基板５を、大気側搬送手段によりこの取入・取出室５２に搬入し、処理後の処理ずみ基板５を、取入・取出室５２から搬出することが記載されている。
　しかしながら、刊行物３に記載のものは、１つの取入・取出室５２に設置されている２組の搬送手段５３、５４に対して搬送手段がどのように設けられているのか明らかではないから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成であるとすることはできないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　刊行物４には、ロード側カセットからウエハを１枚ずつ前処理室へ搬入するロードロック室と処理済のウエハをアンロード側カセットへ搬出するアンロードロック室とを設けた装置が記載され、しかも図３には、２つのロードロック室に隔離弁に相当するものが記載され、またロード側カセットとロードロック室の間、アンロード側カセットとロードロック室の間には、それぞれ大気搬送装置に相当するものが記載されている。
　しかしながら、刊行物４に記載のものは、一組のロードロック室とアンロードロック室を備えているものの、これらと主真空室との間に前処理室を設けており、ロード側カセットとロードロック室及びアンロード側カセットとアンロードロック室の間には、ウエハを一枚毎搬送する一組の大気搬送装置に相当するものが設けられているから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室とアンロードロック室に対して、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置を設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　刊行物５の第３図には、ウエーハが、ウエーハハンドラー（本件発明１、２の「大気搬送装置」に相当する。）によって、ウエーハカセットから入口モジュール４０ａに運ばれ、さらに入口モジュール４０ａに設けられたロードロックチェンバー４６ａ（本件発明１、２の「ロードロック室」に相当する。）に運ばれること、そして、ウエーハの処理が完了すると、ウエーハはロードロックチェンバー４６ｂ（本件発明１、２の「アンロードロック室」に相当する。）から出口モジュール４０ｂに運ばれることが記載され、さらに第３図には、ロードロックチェンバー４６ａ、４６ｂにゲートバルブモジュール１０ｄ、１０ａ（本件発明１、２の「隔離弁」に相当する。）が記載されている。
　しかしながら、刊行物５に記載のものは、一組のロードロックチェンバー４６ａ、４６ｂを備えているものの、第１図に記載されているウエーハハンドラー４０５に相当するものがどのように設けられているのか明らかではないから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成であるとすることはできないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　刊行物６には、ウエハカセット７ａ内に収納された未処理ウエハ１ａを、搬送部３ａ（本件発明１、２の「大気搬送装置」に相当する。）を介して蓋１１ａ、１１ｂ（本件発明１、２の「隔離弁」に相当する。）を有するイン側ロードロック室９に搬入した後、処理室８へ搬出し、処理済のウエハ１ｂを、アウト側ロードロック室１０から蓋１２ａ、１２ｂ（本件発明１、２の「隔離弁」に相当する。）を有する搬送部３ｂ（本件発明１、２の「大気搬送装置」に相当する。）を介してウエハカセット７ｂに搬入することが記載されている。
　しかしながら、刊行物６に記載のものは、１組のイン側ロードロック室９とアウト側ロードロック室１０を備えているものの、イン側ロードロック室９とアウト側ロードロック室１０には、それぞれ搬送部３ａ、３ｂが設けられているから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室とアンロードロック室に対して、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置を設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　刊行物７には、基板収納装置７０内の被処理基板２１が、カセット２０から一つの基板搬送装置６０（本件発明１、２の「大気搬送装置」に相当する。）内の搬送器Ｃにより扉２（本件発明１、２の「隔離弁」に相当する。）を有するカセット室１（本件発明の１、２の「ロードロック室」に相当する。）を経由してトランスファー室５（本件発明１、２の「真空処理室」に相当する。）へ搬送され、処理済基板１２は、扉４（本件発明１、２の「隔離弁」に相当する。）を有するカセット室３（本件発明１、２の「アンロードロック室」に相当する。）から基板搬送装置６０内の搬送器Ｄ、Ｆによってカセット３０、４１に送られ収納される装置が記載されている。
　しかしながら、刊行物７に記載のものは、一組のカセット室１、３及び一つの基板搬送装置６０を備えているものの、基板搬送装置６０内には搬送器Ｃ、Ｄ、Ｆが設けられており、搬送器Ｃにより被処理基板２１を搬送し、搬送器Ｃ、Ｄにより処理済基板を搬送するものであって、この基板搬送装置６０は、本件発明１、２の大気搬送装置のように、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　次に、刊行物１〜７に記載のものの組み合わせについて検討すると、刊行物１〜３に記載の１つのロードロック、アンロードロック室を、一組のロードロック室及びアンロードロック室とするようなことは、刊行物４〜７に記載のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室を備えることが普通に知られていることからみて、容易に設計できる程度の事項にすぎないとしても、刊行物４〜６に記載の搬送手段は、ロードロック室及びアンロードロック室にそれぞれ設けられており、また、刊行物７に記載の一つの基板搬送装置は、搬送器Ｃにより被処理基板を搬送し、搬送器Ｃ、Ｄにより処理済基板を搬送するものである。
　してみると、刊行物１〜７に記載のものを組み合わせてみても、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成を容易に想到することはできない。
　
　そして、本件発明１、２は、基板の搬入出に伴い真空処理室とロードロック室またはアンロードロック室が連通状態になっている時間は短いので、処理済基板に付着したゴミや残留ガスのロードロック室及びアンロードロック室に持ち込まれる量が少なくなるとともに、１つの大気搬送装置により基板の搬出入を行うため、大気搬送装置の数を少なくしクリーンルームにおける半導体製造装置の占める床面積を小さくすることができる、という顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１、２は、刊行物１〜７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法（平成６年改正法）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、同法（同改正法）第１２０条の４第３項において準用する同法（同改正法）による改正前の同法（昭和６３年改正法）第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての理由の概要
（１−１）異議申立人金田幸一は、証拠として甲第１、２号証を提出して、訂正前の本件請求項１、２に記載された発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張している。
　
（１−２）異議申立人熊澤邦宏は、証拠として甲第１〜６号証を提出して、訂正前の本件請求項１、２に記載された発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張している。
　
（１−３）異議申立人高橋　学は、証拠として甲第１〜３号証を提出して、訂正前の本件請求項１、２に記載された発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張している。
　
（１−４）異議申立人竹野哲雄は、証拠として甲第１〜４号証を提出して、訂正前の本件請求項１、２に記載された発明は、甲第１、２号証に記載された発明である旨主張している。
　
（２）証拠に記載された事項
（２−１）異議申立人金田幸一の提出した証拠
１）甲第１号証
　甲第１号証の特開昭６３−１５３２７０号公報（当審が通知した取消理由において引用した刊行物２に対応する。）には、上記刊行物２に記載された事項が記載されている。
　
２）甲第２号証
　甲第２号証の特開平１−２５１７３４号公報には、処理室側搬送系とロードロック室側搬送系の間に半導体ウエハの一時収容機構を設けた半導体製造装置に関する発明が、第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　中央部に配置されたウエハ搬送室１と、該ウエハ搬送室１の両側にあってウエハキャリア２を収容するロードロック室３と、該ウエハ搬送室１を中心としてほぼ９０°の間隔をおいて配置された３つの処理チャンバ４ａ、４ｂ、４ｃと、各ロードロック室３内のウエハキャリア２とウエハ搬送室１の間で半導体ウエハ５の搬送を行うための第１のロードロック室側搬送機構６により搬送された半導体ウエハ５を所定の処理チャンバへと搬送するための第２の処理室側搬送機構７と、これら第１及び第２の搬送機構の間に設けられた半導体ウエハ５を一時収容するためのバッファ室８とを設けた半導体製造装置。（「実施例」参照」）
　
（２−２）異議申立人熊澤邦宏の提出した証拠
１）甲第１号証
　甲第１号証の特開昭６２−４４５７１号公報には、被処理基板を一枚毎真空処理する真空処理技術に関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　
　「チャンバ１１にはウエハ１４の搬入および搬出のための真空ロック室１７および１８がこれに接して設けられており、各真空ロック室１７および１８はそれぞれ一対のバルブ１９Ａ・１９Ｂ・２０Ａ・２０Ｂを有しかつ室内を真空引きするための配管（図示せず）と室内に乾燥窒素を導入し大気圧まで高めるための配管（図示せず）とが接続されている。この真空ロック室１７および１８は真空引きの時間を最小にするため容積は可能な限り小さくする。」（第２頁左上欄６〜１５行）、
　
　「カセット２８から取り出されたウエハ１４は既に開かれているバルブ１９Ａを通って真空ロック室１７に入りこのときバルブ１９Ｂは閉ざされている。ここでバルブ１９Ａを閉じ真空ロック室１７を真空引きし所定の真空に達すると、バルブ１９Ｂを開いてウエハ１４をチャンバ１１内に移動しさらにプラテン１６に載置されてクランプされる。ウエハ１４がチャンバ１１内に移動されると直ちにバルブ１９Ｂを閉じて真空ロック室１７には乾燥窒素が導入され、同室１７内が大気圧に達するとバルブ１９Ａは開いて新しいウエハがカセット２８から送られる。」（第２頁左上欄１６行〜右上欄８行）、
　
　「このとき真空ロック室１８は既に真空引きされかつバルブ２０Ａは開いているためウエハ１４を同室１８に移し、次いでバルブ２０Ａを閉じた後同室１８に乾燥窒素を導入し大気圧になったときバルブ２０Ｂを開いて処理ずみのウエハ１４をカセット２７に送りこむ。ウエハ１４を真空ロック室１８から取り出すと直ちにバルブ２０Ｂは閉ざされ同室１８の真空引きを行い所定真空圧に達すると、バルブ２０Ａを開いて次のウエハの導入を待つ。これで１枚のウエハのイオン注入は終了する。」（第２頁右上欄１３行〜左下欄３行）
　
２）甲第２〜５号証
　甲第２〜５号証（当審が通知した取消理由において引用した刊行物３、４、６、及び５に対応する。）の、特開昭６２−５０４６３号公報、「Ｓｅｍｉｃｏｎ　Ｎｅｗｓ」１９８７．４（第３８〜４３頁）、特開平２−１０６０３７号公報、及び特表昭６４−５０００７２号公報には、上記刊行物３、４、６、及び５に記載された事項が記載され、甲第５号証には、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「選択されたウェーハのカセットからロードロックチェンバ４０６中への移送の間、ウェーハは初めにウェーハハンドラー４０５によってウェーハ表面を沿直方向に維持されながらウェーハアライナ４０８に移される。選択されたウェーハは次にウェーハの平坦面が水平になるように回転されてロードロック４０６内に置かれる。その時、該ロードロックは大気にさらされている。ウェーハの平坦面はウェーハが移動アーム２０１ａによってゲートバルブモジュール１００ａから移動モジュール２００ａへ移送される間、水平に維持される。前記移動アーム２０１ａは移動モジュール２００ａ及びゲートバルブモジュール１００ａの入出ポート２１０を通じてロードロックチェンバ４０６内のウェーハを引き出す。
　移動モジュール２００ａは４つのポート２１０、２１１、２１２及び２１３を有する。ポート２１０、２１１及び２１２は各々、ゲートバルブモジュール１００ａ、１００ｂ及び１００ｃによって制御される。ポート２１１とそのゲートバルブモジュール１００ｂは移動モジュール２００ａのチェンバ２１５を処理モジュール３００ａのチェンバ３０１ａに接続している。同様に、ポート２１２及びそのゲートバルブモジュール１００ｃは移動モジュール２００ａのチェンバ２１５を処理モジュール３００ｂのチェンバ３０１ｂに接続している。移動モジュール２００ａの内部チェンバ２１５は在来のポンピング機構（第１図には図示せず）によって、大気圧よりも低い、選択された圧力に維持される。チェンバ２１５が排気される速度を高めるために、チェンバ２１５はアーム２０１ａに関してチェンバ２１５の容積を最小化する大きさにされる。
　ロードロックチェンバ４０６からウェーハを除いた後、移動アーム２０１ａは移動チェンバ２１５中に引っ込み、ゲートバルブ１００ａは閉じられる。移動アーム２０１ａはウェーハを選択された処理ポート２１１又は２１２或いは移動ポート２１３にもたらすために選択された角度だけ回転する。選択されたウェーハが処理ポート、例えばポート２１１の所にもたらされると、ゲートバルブモジュール、例えばモジュール１００ｂは選択されたウェーハがロードロック４０６から移動モジュール２００ａのチェンバ２１５内へ移される間は閉じられているが、制御システム（図示せず）によって開かれる。アーム２０１ａは次に処理ポート、例えばポート２１１及び対応するゲートバルブモジュール例えばモジュール１００ｂを通って、対応する処理モジュール、例えば３００ａの対応する処理チェンバ、例えば３０１ａ内に伸びる。ウェーハは次に、第１図には示されていない手段により取りはずされる。
　・・・ポート２１１及び２１２そしてゲートバルブモジュール１００ｂ及び１００を介して、各々移動モジュール２００ａをウェーハハンドラー及びロードロック４００に接続する入出ポート２１０及びバルブ１００ａとともに移動モジュール２００ａに接続された２つの処理モジュール３００ａ及び３００ｂの提供は、ウェーハの非連続処理及び、連続処理装置に比較して増大した処理能力を可能にする。ウェーハをウェーハカセットから移して運ばれた処理モジュール内にオフロードするのに必要な時間は、典型的に、処理モジュール内のウェーハの処理に必要な時間よりもずっと少ない。」（第３頁右上欄１３行〜右下欄２０行）
　
３）甲第６号証
　甲第６号証の特開昭５７−２９５７７号公報には、被処理基板を一枚毎真空処理する真空処理技術に関する発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「大気より基板を挿入するための挿入室と、エッチング或は加熱を行なうための前処理室と、スパッタリングにより基板への膜付けを行なうスパッタ室と、処理済の基板を大気へ取出するための取出し室と、前記各室間を必要に応じて開放、封止するゲートバルブと、前記各室を各々排気する手段と、・・・前記各室へ被処理基板を順次搬送する機構とを有する」（第１頁左下欄５〜１４行）、
　
　「被処理基板１は、大気中で挿入室２へ収容された後、前処理室３でエッチング及び必要により加熱された後スパッタ室４で膜付けされ、取出室５で再び大気に取出される。」（第２頁左上欄第４〜７行）、
　
　「スパッタリングの終った被処理基板１はスパッタ室４と取出し室１５の中間に設けられたゲートバルブ１６を通過して取出し室１５へ搬送された後大気中へ回収される。」（第２頁右上欄１０〜１３行）、
　
　「前処理室の基板がゲートバルブ８を通って再びゲートバルブ８が閉じられ、前処理室には新たな基板が搬入されると自動的にバルブ９，バルブ１７は再び最初の状態に戻る。・・・バルブ９，バルブ１７の操作がゲートバルブ８と関連して動作することにより連続スパッタ装置の効率は高められている。」（第３頁右上欄７〜１３行）
　
（２−３）異議申立人高橋　学の提出した証拠
１）甲第１号証
　甲第１号証の特開平１−３１０５５３号公報には、半導体ウエハに対してプラズマＣＶＤなどのプロセス処理を行う半導体ウエハ処理装置に関する発明が、第４図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「一方、プロセス反応室１の側方には真空仕切弁を介して第１、第２のロック室８，９が連なり、かつ第２のロック室９には外部から搬入したウエハを一時的に受容保持する中継受け渡し機構１０が、また第１のロック室８には前記ウエハ保持機構６、および中継受け渡し機構１０との間でウエハの移送、受け渡しを行うハンドリング機構１１が配備されている。・・・なお、プロセス反応室１、第１ロック室８、第２ロック室９は真空排気系１３に接続して真空状態に維持されている。
　また第２のロック室９に対向して室外側にはクリーンベンチ１４を備えており、ここにウエハ１５を収容したカセット１６と前記中継受け渡し機構１０との間でウエハ１５の移送、受け渡しを行う別なハンドリング機構１７が設置してある。
　次に前記装置によるウエハの搬送、プロセス処理について説明すると、まず未処理のウエハを収容したカセット１６を所定位置にセットし、ここからハンドリング機構１７の操作で一枚ずつ取出したウエハ１５を真空仕切弁を開いた第２ロック室９の中継受け渡し機構１０に受け渡し、再び真空仕切弁を閉じて室内を真空排気する。続いて第１ロック室８と第２ロック室９との間の真空仕切弁を開き、ハンドリング機構１１の操作でウエハ１５を第２ロック室９より第１ロック室８に取り込んだ後に再び真空仕切弁を閉じる。次にプロセス反応室１と第１ロック室８との間の真空仕切弁を開き、ハンドリング機構１１の操作によりウエハ１５をウエハステージ１２に載せたまま室内側に設置したウエハ保持機構６の真下位置に移動する。続いてウエハ保持機構６を下降操作し、静電チャックのチャック面がウエハステージ１２に載っているウエハ１５に着地したところで停止し、ここで静電チャックの電極に電圧を印加してウエハ１５を静電チャックに吸着保持させる。その後にウエハ保持機構６は再び定位置に上昇復帰し、ハンドリング機構１１は第１ロック室８の室内に退避して再び真空仕切弁を閉じる。これによりウエハのローディングが済み、この状態でプラズマＣＶＤ等のプロセス処理を行う。
　一方、ウエハのプロセス処理が済むと、前記したローディング操作とは逆な順序で処理済みのウエハがウエハ保持機構６よりハンドリング機構１１のウエハステージ１２に受け渡され、さらに第１、第２ロック室を経て室外に待機しているカセット１６に収容される。」（第２頁左上欄２行〜左下欄１０行）
　
２）甲第２号証
　甲第２号証の特開昭６０−２４６６３５号公報（当審が通知した取消理由において引用した刊行物７に対応する。）には、上記刊行物７に記載された事項が記載されている。
　
３）甲第３号証
　甲第３号証の特開平１−２５１７３４号公報（上記異議申立人金田幸一の提出した甲第２号証に対応する。）には、上記甲第２号証に記載された事項が記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「中央部に配置されたウエハ搬送室１の一方には、これを挟んで両側に夫々ウエハキャリア２を収容するロードロック室３が配設されており、また、ウエハ搬送室１の他方には、ウエハ搬送室１を中心としてほぼ９０°の角度間隔をおいて３つのチャンバ４ａ、４ｂ、４ｃが同心円上に配設されている。
　ウエハ搬送室１内には、各ロードロック室３内のウエハキャリア２とウエハ搬送室１間で、半導体ウエハ５の搬送を行うためのロードロック室側搬送機構６と、このロードロック室側搬送機構６により搬送室１に搬送された半導体ウエハ５を各処理室４ａ、４ｂ、４ｃの所定の処理室へと搬送するための処理室側搬送機構７、そして、これら両搬送機構６、７の間に設けられ、両搬送機構６、７により搬送された半導体ウエハ５を一時収容するためのバッファ棚８が設けられている。
　このようなＣＶＤ装置における半導体ウエハの処理は、まず、ロードロック室側搬送機構６のウエハ保持部例えば搬送アーム６ａ等により、ウエハキャリア２から所定の半導体ウエハ５を取出して、これを搬送室１内のバッファ棚８へ移載する。そして、処理室側搬送機構７のウエハ保持部例えば搬送アーム７ａにより、このバッファ棚８から所定の半導体ウエハを取出し、所定のチャンバへと搬送し、一連の処理を行う。処理終了後の半導体ウエハは、上記動作と逆の動作で搬送して所定のウエハキャリアへ収容する。」（第２頁左下欄１行〜右下欄８行）
　
（２−４）異議申立人竹野哲雄の提出した証拠
１）甲第１号証
　甲第１号証の特開昭６４−５０００７２号公報（当審が通知した取消理由において引用した刊行物５、及び異議申立人熊澤邦宏の提出した甲第５号証に対応する。）には、上記刊行物５に記載された事項が記載され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「選択されたウエーハは次にウエーハの平坦面が水平になるように回転されてロードロック４０６内に置かれる。その時、該ロードロックは大気にさらされている。・・・前記移動アーム２０１ａは移動モジュール２００ａ及びゲートバルブモジュール１００ａの入出ポート２１０を通じてロードロックチェンバ４０６内のウエーハを引き出す。
　移動モジュール２００ａは４つのポート２１０、２１１、２１２及び２１３を有する。・・・ポート２１１とそのゲートバルブモジュール１００ｂは移動モジュール２００ａのチェンバ２１５を処理モジュール３００ａのチェンバ３０１ａに接続している。・・・移動モジュール２００ａの内部チェンバ２１５は在来のポンピング機構（第１図には図示せず）によって、大気圧よりも低い、選択された圧力に維持される。チェンバ２１５が排気される速度を高めるために、チェンバ２１５はアーム２０１ａに関してチェンバ２１５の容積を最小化する大きさにされる。
　ロードロックチェンバ４０６からウエーハを除いた後、移動アーム２０１ａは移動チェンバ２１５中に引っ込み、ゲートバルブ１００ａは閉じられる。・・・　アーム２０１ａは次に処理ポート、例えばポート２１１及び対応するゲートバルブモジュール例えばモジュール１００ｂを通って、対応する処理モジュール、例えば３００ａの対応する処理チェンバ、例えば３０１ａ内に伸びる。」（第３頁右上欄１７行〜右下欄５行）、
　
２）甲第２号証
　甲第２号証の特開平２−６１０６４号公報（当審が通知した取消理由において引用した刊行物１に対応する。）には、上記刊行物１に記載された事項が記載されている。
　
３）甲第３号証
　甲第３号証の国際公開公報ＷＯ８７／０６５６１号公報は、上記甲第１号証の国際公開公報であって、上記甲第１号証に記載の「制御された低気圧環境が装置のこの部分にもたらされる。」（第３頁左上欄１８〜１９行）に対応する記載として、甲第３号証には、「Ａ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ，ｌｏｗ　ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ　ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ　ｉｓ　ｐｒｏｖｉｄｅｄ　ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｐｏｒｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｙｓｔｅｍ」（第４頁８〜９行）が記載されている。
　
４）甲第４号証
　甲第４号証の「半導体製造装置用用語辞典」（昭和６２年１１月２０日発行）第１８３頁には、ロードロック室に関して、以下の記載がある。
　
　「処理室を大気中に開放しないでウエーハの取入れ、取出しを行うことを目的とした真空室。」
　
　なお、異議申立人竹野哲雄は、平成１１年８月２０日付で上申書を提出し、その中で、特開平１−１２０８１１号公報を追加して、証拠資料として提出している。
　上記特開平１−１２０８１１号公報には、ＥＣＲプラズマを用いてプラズマＣＶＤ、エッチング等の処理を行う半導体ウエハ装置に関する発明が、第１、２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「ウエハの搬入、搬出は次記のように行われる。まず第２ロック室の大気側仕切弁を開放した状態で室外配置のハンドリング機構によりカセットから１枚宛のウエハを取り出して第２ロック室内に配備の中継受け渡し機構に送り込む。次いで前記仕切弁を閉じて第２ロック室内を真空排気した後に、常時真空圧に保持されている第１ロック室と第２ロック室との間の仕切弁を開き、第１ロック室内に装備のハンドリング機構によりウエハを第１ロック室内に取り込むとともに第２ロック室との間の仕切弁を閉じる。次に第１ロック室とプロセス反応室との間の仕切弁を開き、第１ロック室内に待機しているウエハをプロセス反応室内に搬入した上で室内に装備のウエハ保持機構に受け渡す。ここでハンドリング機構を第１ロック室内に戻して再び仕切弁を閉じた後に、プロセス反応室内で所定のウエハ処理を行う。ウエハ処理が済むと前記した搬入操作と逆な順序で処理済ウエハがプロセス反応室から第１ロック室、第２ロック室を経由して搬出され、室外に待機しているカセットに収容され、これで枚葉毎の一連の工程が終了する。」（第３頁右上欄１０行〜左下欄１１行）、
　
　「また前記のウエハ搬送工程ではロスタイム発生の要因となるカセットのロック室内搬入、搬出工程が不要となる他、第２ロック室の中継受け渡し機構をウエハ搬入用、搬出用に２基配備して置くか、あるいは第１，第２のロック室、およびその付属機器を含む設備を一組として、それぞれウエハの搬入用、搬出用として用いる二組の設備を独立してプロセス反応室に接続設置して置くことにより、ウエハの搬入と搬出工程を並列的に行うことが可能となり、これにより従来装置と比べて一連のウエハ搬送工程の所要時間を大幅に短縮してスループットの向上を図ることができる。」（第３頁右下欄２〜１３行）
　
（３）対比・判断
（３−１）本件発明１、２と異議申立人金田幸一の提出した甲第１、２号証に記載のものとを対比すると以下のとおりである。
　
　甲第１号証に記載のものは、上記［２］（３−４）の２）において、刊行物２について対比したとおり、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　甲第２号証に記載のものは、ウエハ搬送室１の両側にロードロック室３を設けているものの、ロードロック室３内に半導体ウエハ５のウエハキャリア２（本件発明１、２のカセットに相当する。）を収納しているから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　そして、甲第１、２号証に記載のものを組み合わせてみても、１つの大気搬送装置により、大気中のカセットとロードロック室及びアンロードロック室との間で被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送することは容易に想到することはできない。
　
（３−２）本件発明１、２と異議申立人熊澤邦宏の提出した甲第１〜６号証に記載のものとを対比すると以下のとおりである。
　
　甲第１号証に記載のものは、一組の真空ロック室１７、１８（本件発明１，２のロードロック室、アンロードロック室に相当する。）を介してカセット２８とチャンバ１１との間でウエハ１４を搬送しているものの、搬送装置については不明であるから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　甲第２、３、４、５号証に記載のものは、上記［２］（３−４）の２）において、それぞれ刊行物３、４、６、５に記載のものについて対比したとおり、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　甲第６号証に記載のものは、前処理室３に基板の挿入室２を設け、スパッタ室４に取出室１５を設けているが、ウエハの搬送装置については不明であるから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　そして、甲第１〜６号証に記載のものを組み合わせてみても、１つの大気搬送装置により、大気中のカセットとロードロック室及びアンロードロック室との間で被処理基板もしくは処理済基板を１枚毎搬送することは容易に想到することはできない。
　
（３−３）本件発明１、２と異議申立人高橋　学の提出した甲第１〜３号証に記載のものとを対比すると、以下のとおりである。
　
　甲第１号証に記載のものは、ハンドリング機構１１により、ウエハ１５を収容したカセット１６と第２ロック室に配備した中継受け渡し機構１０との間で、ウエハ１５の移送、受け渡しを行っているものの、第２ロック室９はハンドリング機構１１とともに処理前のウエハと処理済のウエハの移送、受け渡しを兼用しているから、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　甲第２号証に記載のものは、上記［２］（３−４）の２）において、刊行物７に記載のものについて対比したとおり、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　甲第３号証に記載のものは、上記［３］（３−１）において、異議申立人金田幸一の提出した甲第２号証に記載のものについて対比したとおり、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものもない。
　
　そして、甲第１〜３号証に記載のものを組み合わせてみても、１つの大気搬送装置により、大気中のカセットとロードロック室及びアンロードロック室との間で被処理基板もしくは処理済基板を１枚毎搬送することは容易に想到することはできない。
　
（３−４）本件発明１、２と異議申立人竹野哲雄の提出した甲第１〜４号証に記載のものとを対比すると、以下のとおりである。
　
　甲第１号証に記載のものは、ウエーハハンドラー４０５（本件発明１，２の大気搬送装置に相当する。）により選択されたウエーハをカセットからロードロックチェンバー４０６（本件発明１，２のロードロック装置に相当する。）へ移送し、さらに移動モジュール２００ａ（本件発明１，２の搬送装置に相当する。）の移動アーム２０１ａによりロードロックチェンバー４０６内のウエーハを引き出し、ウエーハの処理が完了すると、ウエーハはロードロックチェンバ４０６からカセットに戻されるものの、本件発明１，２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成ではない。
　
　甲第２号証については、上記［２］（３−４）の１）において、刊行物１に記載の発明について対比したとおりである。
　
　甲第３号証は、同号証に記載の「ｌｏｗ　ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ」からみて、上記甲第１号証に記載の「低気圧環境」（第３頁左上欄１８〜１９行）は、「低微粒子環境」の誤記であることを明らかにしたものにすぎず、また甲第４号証は、ロードロック室の機能を明らかにしたものにすぎない。
　
　なお、異議申立人竹野哲雄が追加して提出した特開平１−１２０８１１号にも、本件発明１、２のように、一組のロードロック室及びアンロードロック室と、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬送する一つの大気搬送装置とを設けた構成は記載されていないし、このような構成に変更するための動機付けとなるものはない。
　
　そして、本件発明１、２は、上記［２］（３−４）の２）において示したとおりの顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１、２は、異議申立人竹野哲雄の提出した甲第１、２号証に記載された発明ではないし、また同申立人金田幸一の提出した甲第１、２号証、同申立人熊澤邦宏の提出した甲第１〜６号証、及び同申立人高橋　学の提出した甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件発明１，２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、２についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、特許法（平成６年改正法）附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１２日（２００１．１．１２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１の４〜７行に「前記大気中のカセット・・・アンロードロック室と、」とあるのを、「前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、」に訂正する。
（２）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項１の７〜８行に「前記大気中のカセットと・・・搬送装置と、」とあるのを、「前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、」に訂正する。
（３）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項１の９〜１２行に、「前記ロードロック室・・・隔離弁とを備え、」とあるのを、「前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及び前記アンロードロツク室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、」と訂正する。
（４）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項１の１３〜１６行に「大気雰囲気の・・・一枚毎搬入出する」とあるのを、「大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出する」と訂正する。
（５）明りょうでない記載の釈明を目的として、同請求項２の５〜８行に「前記大気中のカセット・・・アンロードロック室と、」とあるのを、「前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、」に訂正する。
（６）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項２の８〜９行に「前記大気中のカセットと・・・搬送装置と、」とあるのを、「前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、」に訂正する。
（７）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求頃２の１０〜１３行に「前記ロードロック室・・・隔離弁とを備え、」とあるのを、「前記ロードロック室及ひ前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及び前記アンロードロツク室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、」と訂正する。
（８）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項２の１４〜１７行に「大気雰囲気の・・・一枚毎搬入出する」とあるのを、「大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出する」と訂正する。
（９）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【０００８】の２〜末行に「被処理基板を・・・特徴がある。」とあるのを、「被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及ひ前記アンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記大気中のカセットとの間で、前記彼処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出する真空処理装置用搬送システムに特徴がある。」と訂正する。
（１０）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の段落【０００９】の１〜末行に「被処理基板を一枚・・・真空処理装置にある。」とあるのを、「被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室と、該複数の真空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気中のカセットから前記被処理基板を搬入するとともに前記搬送室を介していずれかの真空処理室へ前記被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室と、前記大気中のカセットと前記ロードロック室及び前記アンロードロック室との間で前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬送する１つの大気搬送装置と、前記ロードロック室及び前記アンロードロック室の大気側及び真空側に前記大気搬送装置から独立してそれぞれ設けられ、該ロードロック室及びアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とを備え、大気雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記大気中のカセットとの間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気の前記ロードロック室及び前記アンロードロック室と前記いずれかの真空処理室との間で、前記被処理基板もしくは前記処理済基板を一枚毎搬入出する真空処理装置にある。」と訂正する。
（１１）明りょうでない記載の釈明を目的として、同明細書の段落【００１０】の１〜１１行に　「本発明によれば、・・・少なくなり、」とあるのを、「本発明によれば、いずれかの真空処理室へ被処理基板を搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するためのアンロードロック室がありこのロードロック室及ひアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために被処理基板もしくは処理済基板を搬入出する毎に開閉される隔離弁とが設けられている。そして、大気雰囲気の前記ロードロック室及びアンロードロック室と大気中のカセットとの間で、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬入出するとともに、真空雰囲気のロードロック室及びアンロードロック室といずれかの真空処理室との間で、被処理基板もしくは処理済基板を一枚毎搬入出する。そのため、基板の搬入出に伴い真空処理室とロードロック室またはアンロードロック室が連通状態になっている時間は短い。従って、処理済基板に付着したゴミや残留ガスのロードロック室及びアンロードロック室に持ち込まれる量が少なくなり、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
真空処理装置用搬送システム及び真空処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【特許請求の範囲】
　　【請求項１】
　被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送室と、
　被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、
　前記大気中のカセット
から
入
へ
搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理基板を搬入するとともに前期大気中のカセットへ処理済基板を搬出するための
　前記大気中のカセットと前記ロードロック室
及び前記
前記
一枚毎
１つの大気
　前記ロードロック室
及び前記
及び
前記大気搬送装置から独立して
及び前記
前記
　大気雰囲気の前記ロードロック室
及び前記
前記
及び前記
前記
　【請求項２】
　被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室と、
　該複数の真空処理室に連結された搬送室と、
　被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、
　前記大気中のカセット
から
入
へ
搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するための
　前記大気中のカセットと前記ロードロック室及
び前記
前記
一枚毎
１つの大気
　前記ロードロック室
及び前記
前記大気搬送装置からそれぞれ独立して
及び
前記
　大気雰囲気の前記ロードロック室
及び前記
前記
及び前記
前記
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、真空処理装置に係り、特に複数の真空処理室を有する真空処理装置用搬送システムに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置あるいはスパッタリング装置などの真空処理装置においては、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位（一般にロットとよばれる）として基板カセットに収納して装置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセットに収容して回収することにより、生産の効率化を図るのが一般的な真空処理装置である。
　【０００３】
　しかしながら、上記のような真空処理装置、特にドライエッチング装置、ＣＶＤ装置など活性ガスによる反応を利用する装置においては、処理を行うに従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するために、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これを避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニングと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用するドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からはドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつある。
　【０００４】
　このような機能を備えた真空処理装置の一例として、実開昭６３−１２７１２５号公報に開示された装置などがあげられる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　例えば、実開昭６３−１２７１２５号公報に開示された装置においては、処理室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によってダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされている。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題があった。
　【０００６】
　また、一旦、プラズマクリーニングに使用されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚染の観点から好ましくない。
　【０００７】
　本発明の目的は、上記の問題点を解決し、ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記目的を達成するために、被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気中のカセット
から
入
へ
搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するための
及び前記
前記
一枚毎
１つの大気
及び前記
及び
前記大気搬送装置から独立して
及び前記
前記
及び前記
前記
及び前記
前記
　【０００９】
　本発明の他の特徴は、被処理基板を一枚毎真空処理する複数の真空処理室と、該複数の真空処理室に連結された搬送室と、被処理基板もしくは処理済基板を複数枚収納できるカセットを大気中で載置するカセット台と、前記大気中のカセット
から
入
へ
搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するための
及び前記
前記
一枚毎
１つの大気
及び前記
前記大気搬送装置から独立して
及び
前記
及び前記
前記
及び前記
前記
　【００１０】
　本発明によれば、いずれかの真空処理室
へ
搬出するためのロードロック室と、いずれかの真空処理室から前記搬送室を介して前記処理済基板を搬入するとともに前記大気中のカセットへ前記処理済基板を搬出するための
及び
と
及び
及び
または
及び
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の一実施例を図１により説明する。
　　【００１２】
　図１は、本発明による真空処理装置の、半導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装置への応用を示す図である。
　　【００１３】
　装置は、未処理のウェーハ（基板）を収納した状態で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウェーハ（基板）を再度元の位置に収納して回収するための、複数（通常２５枚）のウェーハ（基板）を収納できる複数のカセット１ａ、１ｂおよび１ｃ、該カセット１ａ、１ｂ、１ｃを載置し、装置への導入／払出しの位置を決定するための、位置及び姿勢を変えることがなく、水平又は水平に近い平面の上に常に一定位置に固定されたカセット台２ａ、２ｂ、２ｃ、図示しない真空排気装置及びガス導入装置を装備し、ウェーハを真空雰囲気に導入するためのロードロック室（基板受入室）５、同じくウェーハを大気中に取りだすためのアンロードロック室（基板取出室）６、ウェーハにエッチング処理を施すためのエッチング１１、それらをそれぞれ気密に分離可能な隔離弁１２、及びロードロック室（基板受入室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカセット１ａ、１ｂ、１ｃとの間に配置され、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室（基板受入室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカセット１ａ、１ｂ、１ｃとの間でウェーハ（基板）を授受するための第１搬送装置１３から構成されている。
　【００１４】
　装置の動作としては、まず、未処理のウェーハ（基板）を収納したカセット１ａ、１ｂがストッカ（図示省略）から装置へとロボット又はオペレータにより供給され、カセット台２ａ、２ｂに載置される。この時カセット台２ａ、２ｂは水平な同一平面上にあるため、カセットの供給動作を単純化することが可能であり、生産ラインの自動化への対応が容易である。一方、カセット台２ｃには、ダミーウェーハを収納したカセット１ｃが載置される。
　【００１５】
　装置は、カセットに付与された生産情報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができる。
　【００１６】
　カセット１ａに収納された未処理のウェーハ（基板）２０を第１搬送装置１３により抜き取り、第１搬送装置１３に対してカセット１ａとは反対側に配置されたロードロック室（基板受入室）５へ隔離弁１２ａを通して搬入する。このときウェーハ（基板）２０は、カセット１ａ内のいずれの場所に収納されたものでも良い。ウェーハ（基板）２０は、隔離弁１２ａからロードロック室（基板受入室）５に入った後、隔離弁１２ｂからアンロードロック室（基板取出室）６を出るまで、装置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、隔離弁１２ａ、１２ｂを境にして仕切りを設け、カセット台２ａ、２ｂとそこに載置されたカセット１ａ、１ｂ及び第１搬送装置１３のみを清浄度の高いクリーンルーム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンスルーム側に置くことができる。ロードロック室（基板受入室）５は、隔離弁１２ａを閉じた後、排気装置（図示省略）によって所定の圧力まで真空排気され、次いで、隔離弁１２ｂが開放されてウェーハ（基板）２０は、搬送室１６に設置された真空搬送装置（図示省略）によりエッチング室１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）へ搬送され、試料台８（８ａ，８ｂ，８ｃ）上に載置される。
　【００１７】
　エッチング室１１に搬入されたウェーハ（基板）２０は、所定の条件によりエッチング処理を施される。この間に、ロードロック室（基板受入室）５は隔離弁１２ａ、１２ｂを閉じた状態で、ガス導入装置４により大気圧に復帰され、開放された隔離弁１２ａから１枚目のウェーハと同様に２枚目のウェーハ（基板）が第１搬送装置１３によって搬入され、再び排気装置によって所定の圧力まで真空排気される。１枚目のウェーハ２０のエッチング処理が終了すると、隔離弁１２ｃが開かれて処理済みのウェーハ（基板）２０がアンロードロック室（基板取出室）６に搬出され、続いて隔離弁１２ｃが閉じられ、隔離弁１２ｂが開かれて２枚目のウェーハ（基板）がロードロック室（基板受入室）５から搬入され、隔離弁１２ｂを閉じた後エッチング処理が開始される。
　　【００１８】
　アンロードロック室（基板取出室）６に搬出された処理済みウェーハ（基板）２０は、アンロードロック室（基板取出室）６を大気圧に復帰した後、隔離弁１２ｄを通して第１搬送装置１３によって大気中に取りだされ、当初収納されていたカセット１ａ内の元の位置へ戻される。
　【００１９】
　以上の動作を繰り返して、カセット１ａに収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位置に再収納し終わるとカセット１ａは回収可能となり、別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換されるが、装置はその間カセット１ｂ内の未処理ウェーハの処理を続けており、カセット１ｂの全てのウェーハの処理が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセットが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能である。この時カセット１ａ、カセット１ｂは水平な同一平面上にあるため、カセット１ａの回収作業及び別の未処理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、第１搬送装置１３によるカセット１ｂへのアクセスに影響を与えることなく行うことができる。
　【００２０】
　エッチング室１１は、処理を重ねるにつれて反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実施に当っては、カセット１ｃに収納されたダミーウェーハ３０を第１搬送装置１３によって抜取り、以降は前記被処理ウェーハ２０の場合と全く同様にして処理を行った後、ダミーウェーハ３０をカセット１ｃ内の元の位置に戻すことができ、ダミーウェーハ３０は常にカセット１ｃ内にストックされていることになる。尚、カセット１ｃのダミーウェーハ３０が全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の使用により使用不良となった場合、ダミーウェーハ３０はカセット１ｃごと全て交換される。
　【００２１】
　従って、プラズマクリーニングを特別な処理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング処理の中に組み込んで一連の作業として行うことができ、クリーニングを実施する周期も任意に設定することが可能である。装置のハードウェア上からもプラズマクリーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセット台の一つ（本例の場合２ｃ）にダミーウェーハ３０を収納したカセット（本例の場合１ｃ）を設置するだけで良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合には、ダミーウェーハ３０を収納したカセットの代わりに、被処理ウェーハ（基板）２０を収納したカセットを設置することにより、より効率良く生産を行うことができることは説明するまでもない。
　【００２２】
　また、一旦プラズマクリーニングに使用されたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻るようになされているので、真空室内では使用済みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の心配も無い。更に、使用済みのダミーウェーハは、カセットの元の位置に戻されるので、使用済みのダミーウェーハと未使用のダミーウェーハまたは使用頻度の少ないダミーウェーハと高いダミーウェーハとの混同を防止でき、プラズマクリーニングにダミーウェーハを有効に、かつ、不都合なく使用し得る。
　【００２３】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する真空処理装置用搬送システムを提供することができるという効果が有る。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例のドライエッチング装置の平面図である。
　【符号の説明】
１…基板カセット、２…カセット台、５…ロードロック室（基板受入室）、６…アンロードロック室（基板取出室）、８…試料台、１１…エッチング室、１２…隔離弁、１３…第１搬送装置、１６…搬送室、２０…ウェーハ（基板）、３０…ダミーウェーハ。