【事件の表示】
　特許第３０７６１１９号「液晶表示装置の製造方法」の請求項１、２、４、５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０７６１１９号の請求項１、２、４、５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０７６１１９号の請求項１，２，４及び５に係る発明は、平成３年１２月２５日に特許出願され、平成１２年６月９日にその特許権の設定登録がなされ、その後異議申立人佐藤勝明により特許異議の申立がなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内に特許異議意見書が提出されたものである。
　
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、甲第１証ないし甲第５号証を提出し、請求項１及び４に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、請求項２に係る発明は、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて、また、請求項５に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて、各々、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その発明の特許は取り消されるべき旨主張している。
　
３．本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１，２，４及び５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　ガラス基板上にアルミニウムを主成分とする第１金属膜を形成する第１の工程と、
　該第１金属膜をエッチングすることにより、走査信号線、ゲート電極および容量素子の電極を形成する第２の工程と、
　上記第１金属膜の表面を酸化して、上記走査信号線、上記ゲート電極および上記容量素子の電極上に上記第１金属膜の酸化膜を形成する第３の工程と、
　上記ゲート電極および上記走査信号線の上層に窒化シリコン膜を設ける第４の工程と、
　該窒化シリコン膜上に半導体層を形成する第５の工程と、
　上記窒化シリコン膜および上記半導体層上に第２金属膜を設ける第６の工程と、
　該第２金属膜をエッチングして映像信号線、ソース電極およびドレイン電極を形成する第７の工程とを含み、
　上記第２の工程において上記第１金属膜をその端面の上記ガラス基板に対する傾斜角が１５〜５０度となるようにエッチングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
　上記第２の工程において、上記第１金属膜をリン酸、硝酸および氷酢酸を含む混酸により選択的にエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
　上記第１金属膜はアルミニウム膜として形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
　上記第１金属膜はパラジウム、シリコン、タンタルまたはチタンを含むアルミニウム膜として形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。」
　
４．甲各号証記載の発明
　特許異議申立人が提出したこの出願前公知の刊行物である甲第１号証：
特開平３−２７４０２９号公報には、
「本発明のアクティブマトリクス型表示装置の・・・製造工程に従って、以下に解説する。
（１）ゲート電極２及び補助容量電極３の形成
　第１金属膜（タンタル）をガラスからなる絶縁基板１上に成膜し、これをパターニングする第１金属膜パターン形成工程によって、ＴＦＴのゲート電極２とこれにつながるゲート配線２’、並びに容量素子の一方の電極をなす補助容量電極３とこれにつながる補助容量配線３’を同時に形成する。
（２）ゲート電極表面酸化膜２１及び補助容量電極表面酸化膜３１の形成
　上記第１金属膜の内、ゲート配線２’の端子部を除き、その表面を陽極酸化処理する第１金属表面酸化処理工程・・・
（３）ゲート絶縁膜成膜４の成膜
　プラズマＣＶＤ法による窒化シリコンの絶縁膜成膜工程によって、ＴＦＴ用の絶縁膜４を基板全面に成膜する。
（４）非結晶半導体膜５の形成
　上記絶縁膜成膜工程に連続して、プラズマＣＶＤ法でアモルファスシリコン膜を成膜し、・・・両アモルファスシリコン膜をパターニングする半導体膜パターン形成工程によって、ＴＦＴの上記ゲート電極２位置のゲート絶縁膜４上に、ＴＦＴ用非結晶半導体膜５と・・・との積層構造体を形成する。
（５）ゲート絶縁膜４の部分的除去
　・・・
（６）画素電極７の形成
　・・・
（７）ソース電極８及びドレイン電極９の形成
　第２金属膜（アルミ）を全面被着し、これをパターニングする第２金属パターン形成工程によって、ＴＦＴ用の上記不純物非結晶半導体膜６上にソース電極とドレイン電極を形成すると同時に、上記ゲート絶縁膜４から露出した第２図（ｂ）の上記ゲート配線端子部Ｐ上に第２金属からなるゲート配線端子１０を形成する。
（８）不純物非結晶半導体膜６、６の分離
　・・・」（３頁右下欄３行〜４頁右下欄１行、なお、上記記載中（１）〜（８）は丸数字である。）、
「更に、上述の実施例においては、第１金属としてタンタルを用いたが、本発明製造方法では、これに限定されることなく、表面酸化処理が可能な金属、例えばアルミニウムが使用でき、この場合にはゲート電極２及び補助容量電極３がアルミニウム、ゲート電極表面酸化膜２１及び補助容量電極表面酸化膜がアルミニウムを陽極酸化したアルミナで構成できる。」（５頁右上欄８〜１５行）と記載されている。
　上記によれば、甲第１号証には、
「ガラスからなる絶縁基板上に第１金属としてアルミニウムを成膜する第１の工程、
　これをパターニングする第１金属膜パターン形成工程によって、ＴＦＴのゲート電極とこれにつながるゲート配線、並びに補助容量電極とこれにつながる補助容量配線を同時に形成する第２の工程、
　上記第１金属を陽極酸化し、ゲート電極及び補助容量電極上にアルミニウムを陽極酸化したアルミナを形成する第３の工程、
  窒化シリコンの絶縁膜を基板全面に成膜する第４の工程、
　上記絶縁膜成膜工程に連続して、プラズマＣＶＤ法でアモルファスシリコン膜（非結晶半導体膜）を成膜する第５の工程、
　第２金属膜（アルミ）を全面被着する第６の工程、
　これをパターニングする第２金属パターン形成工程によって、ＴＦＴ用の上記非結晶半導体膜上にソース電極とドレイン電極及びゲート配線端子を形成する第７の工程、
　とを含むアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。」
の発明が記載されている。 
 　
　同じく、甲第２号証：特開昭６１−２７２７７６号公報には、
「（１）絶縁性基板上にソース電極線とゲート電極線とを夫々上下に格子状に配設し、それらの層状交差部近傍にＴＦＴを形成するマトリクス型表示装置のＴＦＴアレイにおいて、上記ゲート電極線及びソース電極線とを、低抵抗の電極材料を用い膜厚を厚くして形成すると共に、前記ゲート電極線にテーパーエッチを施こすように構成した事を特徴とするマトリクス型表示装置。」（特許請求の範囲）、
「ゲート電極線の低抵抗化を図るために、ゲート電極線の膜厚を厚くして形成する場合、第２図に示されるような従来構成をとると、ゲート電極の端部が下部のＴＦＴアレイ基板に対し垂直の段差となって形成されるので、この段差部において、上部に形成されるゲート絶縁膜や半導体膜にクラックや段切れが生じ、このためソース電極線が断線に至ったり、更にゲート電極線とソース電極線間が短絡されるという問題があった。」（２頁左下欄８〜１６行）、
「ガラス等の・・・基板上にゲート電極線１を形成する。即ち、本実施例では電極材料として、Ａｌ等の金属、金属合金及び金属化合物を用い、これらを真空蒸着技術により膜厚約２μｍ程度として成膜した後、ホトリソグラフィー技術によりゲート電極用素線・・・をライン状に形成する。次に、プラズマエッチングによる等方性エッチング等により前記電極用素線にテーパーエッチを施こしゲート電極線１として形成する。本実施例では、第１図（Ｂ）に示すように、その断面形態が台形となるように形成する。・・・次にこの上に、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜をプラズマＣＶＤ技術等により・・・形成した後、パターニングを行いゲート絶縁膜２として形成する。そしてａ−Ｓｉ・・・等の半導体層をＣＶＤ技術で成膜し、パターニングによりＴＦＴアレイの所定位置に半導体膜３を積層し形成する。そして次に、前記ゲート電極線１と同様の電極材料を用い、真空蒸着技術、及びホトリソグラフィー技術によりソース電極線５が形成される。なお、このソース電極線５には、・・・ゲート電極線１と同方向に突出部が設けられ、これによりソース電極・・・が構成される。」（３頁左上欄１０行〜右上欄１８行）と記載されている。又、第１図（Ｂ）には、ＴＦＴアレイ基板６に対するゲート電極線の端部の傾斜角がおおよそ４５度程度のものが図示されている。
　
 同じく、甲第３号証：特開昭５５−１５２０３号公報には、
　圧接型半導体装置（スイッチング素子）において、アルミニウムなどの比較的柔軟な金属からなるカソード電極が、素子に加えられる１万回以上の熱サイクルと圧力により、塑性変形し、だれを生じてゲート電極と短絡するのを防ぐために、前記ゲート電極及びカソード電極の表面露出部に水平面より１５度〜４５度位の傾斜を設けることが記載されている。
　
　同じく、甲第４号証：特開昭５５−１５２０４号公報には、圧接型半導体装置の製造方法に関し、
「アノード領域・・・、カソード領域（３３）及びゲート領域（３２）にＡｌを１０μｍ程度蒸着する。そして、カソード領域上及びゲート領域上のＡｌを、例えばレジスト・・・をマスクとして、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）−酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）−硝酸（ＨＮ３）＝４００ｃｃ−１００ｃｃ−８０ｃｃからなるエッチング液で選択的にエッチングする。このエッチング液でＡｌ（カソード電極（３３ａ）及びゲート電極（３２ａ））をエッチングすると、第３図から明らかの如くカソード電極（３３ａ）及びゲート電極（３２ａ）の側面がゆるやかな傾斜を有するようになる。」（２頁左下欄５〜１５行）と記載されている。
　
　同じく、甲第５号証：特開平２−８５８２６号公報には、
　液晶表示装置等の表示パネルにおいて、絶縁性基板上にＡｌもしくはＡｌ（Ｓｉ３％），Ａｌ（０．３％Ｐｄ）を形成し、パターン化して、ゲート電極・配線・負荷容量を形成し、陽極化成にてＡｌ２Ｏ３を形成することが記載されている。
　
５．対比・判断
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と甲第１号証記載の発明（以下、「引用発明１」という。）とを対比する。
　引用発明１の「ガラスからなる絶縁基板」、「ゲート配線」、「アルミニウムを陽極酸化したアルミナ」、「窒化シリコンの絶縁膜」、「非結晶半導体膜」は、本件発明１の「ガラス基板」、「走査信号線」、「第１金属膜の酸化膜」、「窒化シリコン膜」、「半導体層」に相当し、引用発明１における第１及び第２の金属膜のパターニングにおいて、エッチングを用いることは明らかであるから、両者は、
「ガラス基板上にアルミニウムを主成分とする第１金属膜を形成する第１の工程と、該第１金属膜をエッチングすることにより、走査信号線、ゲート電極および容量素子の電極を形成する第２の工程と、上記第１金属膜の表面を酸化して、上記走査信号線、上記ゲート電極および上記容量素子の電極上に上記第１金属膜の酸化膜を形成する第３の工程と、上記ゲート電極および上記走査信号線の上層に窒化シリコン膜を設ける第４の工程と、該窒化シリコン膜上に半導体層を形成する第５の工程と、上記窒化シリコン膜および上記半導体層上に第２金属膜を設ける第６の工程と、該第２金属膜をエッチングしてソース電極およびドレイン電極を形成する第７の工程とを含む液晶表示装置の製造方法。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点１；第７の工程で、本件発明１は、第２金属膜をエッチングして映像信号線、ソース電極およびドレイン電極を形成するのに対し、引用発明１は、ソース電極とドレイン電極及びゲート配線端子を形成するが、映像信号線については記載がない、
　相違点２；本件発明１は、第２の工程において、アルミを主成分とする第１金属膜をその端面の上記ガラス基板に対する傾斜角が１５〜５０度となるようにエッチングするのに対し、引用発明１では、そのような構成を有しない。
　
　上記相違点につき検討する。
　ＴＦＴを形成するマトリクス型表示装置のＴＦＴアレイにおいて、半導体膜を積層し、次に、真空蒸着技術、及びホトリソグラフィー技術によりソース電極線（本件発明１の「映像信号線」に相当。）及びソース電極を形成することは、甲第２号証に記載されているように従来周知の技術である。したがって、本件発明１の上記相違点１の構成は、当業者が容易に想到し得たものである。
　相違点２について、
　まず、本件発明は、「アルミニウム膜の端面を下部透明ガラス基板に対して直角としたときには、陽極酸化時にアルミニウム膜の体積が１．５倍に増加するから、陽極酸化時に陽極酸化膜の角部に応力集中が発生するので、陽極酸化膜の角部にクラックが発生するため、ゲート電極とソース、ドレイン電極とが短絡することがある。」という、特許明細書の【０００６】に記載された知見に基づき、この問題を解決することを課題としている。
　これに対し、甲第２号証には、膜厚を厚くして形成したゲート電極の端部が下部のＴＦＴアレイ基板に対し垂直の段差となって形成されると、この段差部において、上部に形成されるゲート絶縁膜や半導体膜にクラックや段切れが生じ、このためソース電極線が断線に至ったり、更にゲート電極線とソース電極線間が短絡されるという問題を解決するために、ゲート電極用素線をライン状に形成し、次に、プラズマエッチングによる等方性エッチング等により前記電極用素線に傾斜角が４５度程度のテーパーエッチングを施こしゲート電極線として形成することが記載されている。しかし、ゲート電極の酸化膜についてはなにも記載されていない。しかも、ＣＶＤ技術等による「ゲート絶縁膜や半導体膜」と「ゲート電極の酸化膜（陽極酸化膜）」では、その形成方法が異なるので、クラック発生のメカニズムが相違するから、甲第２号証には、本件発明の陽極酸化時に発生するクラックを防止するという課題が示唆されているということはできない。
　したがって、引用発明１に甲第２号証の上記技術を適用することは、当業者といえども容易ではない。
　又、甲第３号証には、アルミニウムからなるゲート電極表面露出部の側面の傾斜角度を水平面より１５度〜４５度にすることが記載されているが、甲第３号証記載のものは、圧接型半導体装置（スイッチング素子）において、素子に加えられる１万回以上の熱サイクルと圧力により、カソード電極が塑性変形し、だれを生じてゲート電極と短絡するのを防ぐための技術であり、本件発明１とは直接関係のないものである。
　更に、甲第４号証には、リン酸−酢酸−硝酸からなるエッチング液で選択的にエッチングし、カソード電極及びゲート電極の側面がゆるやかな傾斜を有するようにすることが、甲第５号証には、ゲート電極・配線・負荷容量をＡｌもしくはＡｌ（Ｓｉ３％），Ａｌ（０．３％Ｐｄ）で形成し、陽極酸化膜を形成することが記載され、夫々、本件の請求項２又は５に係る発明の構成の一部に相当するものが記載されていると認められるが、本件発明１の相違点２に関することは何も記載されていない。
　そして、本件発明１は、アルミを主成分とする第１金属膜をその端面のガラス基板に対する傾斜角が１５〜５０度となるようにエッチングする第２の工程と第１金属膜の酸化膜を形成する第３の工程を合わせ有することにより、製造時に、「陽極酸化膜の角部にクラックが発生しないから、ゲート電極とソース、ドレイン電極とが短絡することがない。また、走査信号線ＧＬの端面の下部透明ガラス基板ＳＵＢ１に対する傾斜角が１５〜５０度になるから、映像信号線ＤＬが走査信号線ＧＬとの交差部で断線することがなく、しかも図１６に示す走査信号線ＧＬの細り幅ｗが１μｍ以下になるので、走査信号線ＧＬが断線することがない。」という特許明細書記載の格別の効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　又、請求項２，４，５に係る発明は、いずれも、本件発明１の構成を全て引用し、さらに具体的な構成を限定するものであるから、本件発明１と同様の理由で、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月９日（２００１．８．９）