【事件の表示】
　特許第２８４２９０８号「プラズマプロセス装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８４２９０８号の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　平成　１年１２月２０日
　設定登録　　　　　　　　　　　　平成１０年１０月２３日
　　　　　　　　　　　　　　　　（特許第２８４２９０８号）
　特許公報発行　　　　　　　　　　平成１１年　１月　６日
　特許異議の申立て　　　　　　　　平成１１年　７月　６日
　　　　　　　　　　　　　　　　（申立人　高　橋　　　学）
　取消理由通知　　　　　　　　　　平成１１年１０月２１日
　意見書、訂正請求書　　　　　　　平成１１年１２月２７日
　審尋（申立人宛）　　　　　　　　平成１２年　１月２７日
　回答書　　　　　　　　　　　　　平成１２年　４月１７日
　取消理由通知　　　　　　　　　　平成１２年　５月　８日
　訂正請求書　　　　　　　　　　　平成１２年　５月１８日
　訂正請求取下書（平成１１年１２月２７日付けのもの）
                                  平成１２年　５月１８日
　
II．訂正の内容
　平成１２年５月１８日付けの訂正請求書における訂正の要旨は次のとおりである。
２．１　訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に「短波長光線（７）の照射」（１頁１２〜１３行、特許公報１欄９行）とあるのを「短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射」に訂正する。
２．２　訂正事項ｂ
　特許明細書の２頁１２行に「短波長光線の照射」（同公報２欄８行）とあるのを「短波長光線が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射」に訂正する。
２．３　訂正事項ｃ
　特許明細書の５頁１０行に「短波長光線の照射」（同公報３欄４０行）とあるのを「短波長光線が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射」に訂正する。
２．４　訂正事項ｄ
　特許明細書８頁１２〜１８行に「次に、第２図は・・・（中略）・・・狙ったものである。」（同公報４欄４０〜４６行）とあるのを削除する。
２．５　訂正事項ｅ
　特許明細書１１頁１３行２「第２図は・・・（中略）・・・構成図、」（同公報第６欄１２行）とあるのを削除する。
２．６　訂正事項ｆ
　第２図を削除する。
III．訂正の適否に対する判断
１．訂正の目的、新規事項、拡張・変更
１．１　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書の請求項１では短波長光線（７）の照射状態については何も限定されていなかったものを、「前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する」と具体的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、特許明細書の６頁１８行〜７頁１行には、「反応室内の一側には光源６が設けられており、この光源６からの光線７は、両電極１、２間の空間を、電極と平行に通過するように設定されている。」（特許公報４欄１３〜１５行）と記載されていたから、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．２　訂正事項ｂ及びｃについて
　上記訂正事項ｂ及びｃは、上記訂正事項ａで特許明細書の請求項１が訂正されたことに伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．３　訂正事項ｄ〜ｆについて
　上記訂正事項ｄ〜ｆは、上記訂正事項ａで特許明細書の請求項１が訂正されたことに伴い、訂正後の請求項１に係る発明の実施例に該当しなくなったものを削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２．独立特許要件
２．１　訂正明細書に記載された発明
　訂正請求書の特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「原料ガスの充填された反応室内において、一対の電極（１、２）間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて半導体プラズマプロセスを行うようにしたプラズマプロセス装置において、前記一対の電極間に印加される電圧を放電維持電圧よりもやや低く設定するとともに、該電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射により制御することを特徴とするプラズマプロセス装置。」
（以下、上記請求項１に係る発明を「本件訂正発明」という。）
２．２　取消理由の概要
（１）平成１１年１０月２１日付けの取消理由の概要は、次のとおりである。
　本件特許の請求項１に係る発明は、本件特許にかかる出願の出願の日前の出願であって、その出願後に出願公開された下記　１　の出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件発明の発明者がその出願前の出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許にかかる出願の出願の時において、その出願人がその出願前の出願に係る上記出願の出願人と同一でもないから、該発明の特許は特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　１．特願平１−２９７３５６号（特開平３−１５９０９９号公報）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（甲第１号証に該当）
（２）平成１２年５月８日付けの取消理由の概要は、次のとおりである。
　本件特許の明細書及び図面には、下記に示したとおり、記載不備が存在するから、本件特許は明細書及び図面の記載が特許法第３６条第３項又は第４項及び第５項の規定を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　本件特許に係る発明は、「電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射により制御する」ことを発明の構成に欠くことのできない事項としているが、本件特許明細書には上記構成を備えていない第２図に記載のものも本件特許に係る発明の１実施例であるとして記載されているので、本件特許に係る発明の構成が明確でない。
２．３　取消理由についての判断
　上記（２）の取消理由は、平成１２年５月１８日付けの訂正請求書により該当する記載部分が全て削除されたため、解消された。
　そこで以下において、上記（１）の取消理由について検討する。
２．３．１　先願明細書及び図面に記載の発明
　上記１の出願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書等」という。なお、以下に示した摘記箇所は全て上記公開公報における箇所を示す。）には、「プラズマ装置及びプラズマ発生方法」に関し、
(1-1)「従来技術は、特にプラズマ発生時に電子を供給するという点に配慮がされておらず、最初のプラズマ発生が容易でなかった。また、時には発生したプラズマも条件により形状が安定しないという問題があった。本発明の目的はプラズマを適時に容易に発生させることが出来るようにし、プラズマ形状の安定化及びプラズマの消滅を防止することにある。」（１頁右下欄１５行〜２頁左上欄２行）、
(1-2)「上記目的を達成するために放電部に設けた自由電子源としての光電物質に紫外線照射ランプ又は紫外線レーザ、場合によってはＸ線により光（紫外線からＸ線領域も含む）を照射する。この結果光電効果により自由電子源から自由電子が放出され、これがトリガーとなりプラズマが発生するようにしたものである。」（２頁左上欄４〜１０行）、
(1-3)「放電部に設置された物質（これは、金属、半導体、絶縁体のいずれでもよい）に、その物質が光電効果を起こすのに適当な波長（紫外線から軟Ｘ線の波長域）の光を照射することにより物質から電子が放出される。空間に電界が印加されている際にはひとたび電子が放出されるとその電子によりプラズマが発生する。又、照射する光の強度を変化させることにより放出される電子の数をコントロールすることができ、これにより一度発生したプラズマが電子の過不足により、プラズマ状態を安定して維持できる。」（２頁左上欄１８行〜同頁右上欄８行）、
(1-4)「（実施例）　以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。第１図は本発明の一形態の紫外線照射装置を備えたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の主要部を示す。本装置はプラズマ生成室１，真空装置３，紫外線ランプ４，鏡５，陽極６，光電面７，ＥＣＲ磁界コイル１０，マイクロ波導入窓１１，ガス供給管１２より成る。・・・（中略）・・・（実施例１）　上述の装置を用い、マイクロ波強度に依るプラズマが５秒以内に発生する度合を測定した。・・・（中略）・・・マイクロ波強度が３００Ｗにおいては、プラズマが５秒以内に発生する確率が紫外線を照射した場合と照射しない場合とで確率がそれぞれ９２％，２７％と３倍以上の差が見られた。また、プラズマが存在する状態からマイクロ波強度を下げていった際のプラズマが消えたときのマイクロ波強度を第３図に示した。紫外線照射強度が０Ｗは従来の方法に相等している。紫外線の照射強度を増すとプラズマが安定し、プラズマ消滅時のマイクロ波強度が格段に減少し、弱いマイクロ波でもプラズマを安定させることが可能となった。」（２頁右上欄１５行〜同頁右下欄１９行）、
(1-5)「（実施例５）　第７図に本発明の一実施例の紫外線照射装置を自由電子源として備えた高周波プラズマＣＶＤ装置を示した。高周波印加電極１７により高周波電力０〜５００Ｗで周波数１３．６ＭＨｚの高周波を印加する。紫外線ランプ４は基板９付近に照射された光電子を放出しガス供給管から送られた分子と衝突しプラズマ発生のきっかけとなる。第８図にこの装置を用い第２図と同様の実験結果を示した。やはり紫外線を照射しない場合に比べ、高周波電力２００Ｗにおいて、プラズマ発生確率は３倍以上大きくなり、紫外線照射によって低い高周波電力でプラズマを発生させる効果があった。」（３頁左下欄９行〜同頁右下欄２行）、
との記載があるほか、
(1-6)４頁の第１図には、紫外線ランプ４が光電面７と対向して配置され、紫外線ランプ４からの光の照射は基板９の面と平行であって、光電面７から光電子８が発生するようになされたＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が、また、
(1-7)４頁の第７図には、平行板形の一対の高周波印加電極１７のうち下側の高周波印加電極１７に基板９が載せられ、基板９の右側斜め上方に紫外線ランプ４が設けられた高周波プラズマＣＶＤ装置が、示されている。
２．３．２　対比・判断
　本件訂正発明は、「原料ガスの充填された反応室内において、一対の電極（１、２）間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて半導体プラズマプロセスを行うようにしたプラズマプロセス装置」において、「前記一対の電極間に印加される電圧を放電維持電圧よりもやや低く設定する」とともに、「該電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射により制御する」ことにより、「放電は光が照射されている期間にのみ生じ、光の遮断と共に消失するとともに、放電は光路を中心に電極間にのみ生じる」（特許明細書５頁１３〜１５行、特許公報３欄４３〜４５行）という作用を生じさせているものである。
　一方、上記先願明細書等の上記「(1-4)」及び「(1-6)」に摘記した構成のものは、紫外線ランプ４等の短波長光源が光電面７と対向して配置され、短波長光源からの光の照射は基板９の面と平行に行われる構成のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置であるが、このＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置はマイクロ波導入窓１１から供給されるマイクロ波によりプラズマを生成するものであって、上記「(1-1)」〜「(1-3)」の記載をも参照すれば、光電面７から発生した光電子により前記プラズマの状態を制御するものであるから、本件訂正発明の構成要件である「原料ガスの充填された反応室内において、一対の電極（１、２）間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化」するという構成を備えておらず、かつ、「前記一対の電極間に印加される電圧を放電維持電圧よりもやや低く設定する」とともに「該電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射により制御する」という構成も備えていないことは明らかである。
　また、同じく上記「(1-5)」及び「(1-7)」に摘記した構成のものは、「一対の電極間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて半導体プラズマプロセスを行うようにしたプラズマプロセス装置」であるが、紫外線ランプ４等の短波長光源からの光は基板９に対し斜め方向から照射されて光電子を放出するようになされており、しかも上記「(1-1)」〜「(1-3)」の記載をも参照すれば、放出された光電子によりプラズマの状態を制御するものであるから、本件訂正発明の構成要件とする「前記一対の電極間に印加される電圧を放電維持電圧よりもやや低く設定する」とともに「該電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射により制御する」という構成を備えていないことは明らかである。
　してみれば、上記先願明細書等には、少なくとも、原料ガスの充填された反応室内において、一対の電極間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて半導体プラズマプロセスを行うようにしたプラズマプロセス装置において、「前記一対の電極間に印加される電圧を放電維持電圧よりもやや低く設定する」とともに「該電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射により制御する」という構成を備えることを示唆する記載はないから、上記先願明細書等に記載の発明と本件訂正発明とは別異のものである。
　以上のとおりであるから、本件訂正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
３．訂正の認否
　したがって、上記「III．１．」及び「III．２．３」に述べたように、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
IV．特許異議の申立についての判断
１．特許異議の申立ての理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１、２号証を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は、
（１）本件特許の請求項１に係る発明は、本件特許に係る出願の出願の日前の出願であって、その出願後に出願公開された甲第１号証に係る出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件発明の発明者がその出願前の出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許に係る出願の出願の時において、その出願人がその出願前の出願に係る上記出願の出願人と同一でもないから、該発明の特許は特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものである、
（２）本件特許の請求項１に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである、
ので、特許を取り消すべきものである旨を主張している。
２．当審の判断
２．１　本件発明
　上記「III．３．」で述べたように、上記訂正を認めるので、本件特許の請求項１に係る発明は、上記「III．２．１」に摘記した請求項１に記載されたとおりのもの（以下、「本件発明」という。）である。
２．２　特許異議の申立ての理由についての判断
２．２．１　申立ての理由（１）について
　申立ての理由（１）及びその申立ての理由で引用された甲第１号証は、当審における平成１１年１０月２１日付けの取消理由で通知した理由及び証拠として引用した公開公報と同じであるから、上記「III．２．３」で述べたのと同様の理由により、本件発明は甲第１号証に係る先願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一ではない。
２．２．２　申立ての理由（２）について
　申立人の提出した甲第２号証（「電気学会研究会資料　放電研究会　ＥＤ−８７−３２〜３８」社団法人電気学会、１９８７年８月４日発行、１〜１０頁）は、「Ｃ３Ｆ６ガスの直流放電特性と放電時間遅れ」と題する報文であって、これには、
(2-1)「当研究室では物性的な興味からＣ３Ｆ６のフラッシュオーバー電圧について測定を行った結果、紫外線の照射・非照射によりフラッシュオーバー電圧に著しい特性の違いがあることが発見された。これを受けて、放電時間遅れについて測定を行った結果、電界強度の変化により、初期電子の発生が著しく変化することを示唆するデータが得られたので、今回報告する。」（１頁８〜１２行）、
(2-2)「３−１　Ｃ３Ｆ６の実験結果　２章で述べた方法により、直流フラッシュオーバー電圧の測定を行った。・・・（中略）・・・照射時は電圧のばらつきは極めて小さく（σ＜０．１ｋＶ）、圧力の上昇に対して直線的に増加しているが、パッシェンの法則には従わず、フラッシュオーバー電圧の増加は圧力の増加を上回っているのが良くわかる。これに対して、非照射時はいずれのギャップ長でも低気圧領域でのばらつきが大きいばかりでなく、フラッシュオーバー電圧が照射時より相当高くなる。」（３頁９〜２４行）、
との記載がある。
　すなわち、甲第２号証には、フラッシュオーバー電圧、つまり気体放電を起こす電圧が、減圧雰囲気下で紫外線照射の有無により変化し、紫外線照射を行った場合には紫外線照射を行わない場合に比べて気体放電を起こす電圧が低くなることが示されているとは認められる。
　しかしながら、甲第２号証には、「原料ガスの充填された反応室内において、一対の電極間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて半導体プラズマプロセスを行うようにしたプラズマプロセス装置」において、プラズマの発生を紫外線等の短波長光線の照射により制御することの必要性を示唆する記載はないから、甲第２号証に記載のものを上記プラズマプロセス装置に適用する動機は全く存在していないので、本件発明は甲第２号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認められない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基く、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月２４日（２０００．５．２４）
【訂正の要旨】
　平成１２年５月１８日付けの訂正請求書における訂正の要旨は次のとおりである。
１．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に「短波長光線（７）の照射」（１頁１２〜１３行、特許公報１欄９行）とあるのを「短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射」に訂正する。
２．訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の２頁１２行に「短波長光線の照射」（同公報２欄８行）とあるのを「短波長光線が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射」に訂正する。
３．訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の５頁１０行に「短波長光線の照射」（同公報３欄４０行）とあるのを「短波長光線が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射」に訂正する。
４．訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書８頁１２〜１８行に「次に、第２図は・・・（中略）・・・狙ったものである。」（同公報４欄４０〜４６行）とあるのを削除する。
５．訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書１１頁１３行２「第２図は・・・（中略）・・・構成図、」（同公報第６欄１２行）とあるのを削除する。
６．訂正事項ｆ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、第２図を削除する。
（５４）【発明の名称】
プラズマプロセス装置
（５７）【特許請求の範囲】
　原料ガスの充▲填▼された反応室内において、一対の電極（１、２）間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて半導体プラズマプロセスを行うようにしたプラズマプロセス装置において、
　前記一対の電極間に印加される電圧を放電維持電圧よりもやや低く設定するとともに、該電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の
短波長光線（７）が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射
【発明の詳細な説明】
　〔概要〕
　この発明は、半導体製造プロセスにおけるプラズマＣＶＤ等に好適なプラズマプロセス装置に関し、
　制御性・信頼性の高いプラズマプロセス装置を提供することを目的とし、
　原料ガスの充▲填▼された反応室内において、一対の電極間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて半導体プラズマプロセスを行うようにしたプラズマプロセス装置において、前記一対の電極間に印加される電圧を放電維持電圧よりもやや低く設定するとともに、該電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の短波長光線が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射により制御するように構成する。
〔産業上の利用分野〕
　この発明は、半導体製造プロセスにおけるプラズマＣＶＤ等に好適なプラズマプロセス装置に関する。
　プラズマプロセス装置は、半導体製造プロセスにおけるプラズマＣＶＤ等に広く用いられているが、昨今ＬＳＩの微細化に伴い、その制御性および信頼性の向上が要望されている。
〔従来の技術〕
　プラズマプロセス装置は、原料ガスの充▲填▼された反応室内において、一対の電極間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて例えばプラズマＣＶＤ等の半導体プラズマプロセスを行うものである。
　従来、プラズマプロセス装置におけるプラズマの発生は、一対の電極間にプラズマ臨界電圧以上の電圧を与え、原料ガスを自己放電させることにより制御されていた。
　このため、放電の開始条件や放電経路は装置の幾何学的構造に大きく依存し、従来より経験と試行錯誤によりプロセスの制御性、信頼性の確保が成されてきた。
　しかしながら、昨今ＬＳＩの微細化が進むにつれて、最早このような経験と勘に頼る方法をもってしては、プロセス側の要求に追従できなくなりつつある。
　一方、プラズマプロセスに変わる技術としては、光励起プロセス等が注目され開発が急がれているが、今だ実用化には至っていない。
〔発明が解決しようとする課題〕
　上述のように、従来プラズマプロセス装置におけるプラズマの発生は、一対の電極間に印加される電圧をプラズマ臨界電圧以上に上昇させることにより制御されており、このため放電の開始条件や放電経路は装置の幾何学的構造に依存し、経験と試行錯誤によってプロセスの制御性・信頼性の確保が成されてきており、これでは昨今のＬＳＩの微細化の要望に追従できなくなりつつある。
　この発明は上述の問題点に鑑み成されたものであり、その目的とするところは、制御性・信頼性の高いプラズマプロセス装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　この発明は、上記の目的を達成するために、原料ガスの充▲填▼された反応室内において、一対の電極間に放電を起こして前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマ化されたガスを用いて半導体プラズマプロセスを行うようにしたプラズマプロセス装置において、前記一対の電極間に印加される電圧を放電維持電圧よりもやや低く設定するとともに、該電圧印加状態にある原料ガスの放電開始を所定の
短波長光線が前記一対の電極間の空間をウェハーと実質的に平行に通過する照射
〔作用〕
　このような構成によれば、放電は光が照射されている期間にのみ生じ、光の遮断と共に消失するとともに、放電は光路を中心に電極間にのみ生ずる。更に、放電開始電圧・放電維持電圧は、従来装置の数分の１以下に低下する。
〔実施例〕
　第１図は本発明の第１実施例の構成を示す図である。
　この実施例は、アノード電極にウェハーをおくようにした通常の平行平板型プラズマプロセス装置に本発明を適応したものである。
　同図に示されるように、原料ガスの充▲填▼された反応室内には一対の平行平板上電極であるアノード電極１とカソード電極２が設けられており、アノード電極１上には例えばプラズマＣＶＤの対象となるウェハー３が載置されている。尚、図において４は電気力線を示すものである。
　これら一対の電極１、２間には直流電源５が印加されている。この直流電源５の印加電圧の値は、後述する短波長光線が存在しない状態における放電開始電圧、放電維持電圧よりも低く設定されている。
　反応室内の一側には光源６が設けられており、この光源６からの光線７は、両電極１、２間の空間を、電極と平行に通過するように設定されている。
　また、光線７としては、原料ガスを電離できるように、紫外線よりも波長の短い短波長光線が用いられる。
　又、光源６としては、ランプ、レーザ、放射光等適宜なものが使用される。
　以上の構成によれば、一対の電極１、２間に直流電源５を印加し、その状態で光源６から光線７を照射すると、両電極１、２間においては光線７の光路を中心として原料ガスの放電が発生してプラズマ８が生じ、又この放電状態は光線７の遮断とともに消失する。
　このため、アノード電極１上のウェハー３に対しプラズマＣＶＤを行う場合には、プラズマ８の発生、消失を高精度に制御することができ、これにより例えばＶＬＳＩプロセスヘの対応も可能となる。
　また、両電極１、２間に印加される直流電源５の値は、放電開始電圧としてＤＣ数百Ｖ以上若しくは高周波〜マイクロ波数ｋｖ以上を印加せねばならなかった従来装置に比べ、数分の１程度に低下させることができる。
　また、プロセスの開始・終了は光のオンオフで制御されるため、プラズマプロセス特有の初期・終了時不安定性が除かれる。
　また、放電源が外部照射光であるため、電極の汚れなどに起因したプロセス条件の経時的変化もない。
　更に、印加電圧が光なしでは放電を起こさない程度なので、反応室壁等へ放電が揺らぐ等の不安定性もない。
　次に、第３図は本発明の第３実施例の構成を示す図である。
　尚、同図において前記第１図の実施例と同一構成部分については同符号を付して重複説明は省略する。
　この第３実施例の特徴は、ＭＯＣＶＤ等で複数の原料ガスを交互に供給する場合、特定の原料ガスの供給時にのみ同期して放電を起こさせるものである。
　すなわち、原料ガス導入口９、１０の前面にはシャッタ１１、１２が設けられ、また光源６の前面にもシャッタ１３が設けられている。
　これらシャッタ１１〜１３は、同期回路１４の制御によって、原料ガス導入口９、１０からの原料ガス噴出に合わせて適宜開閉制御される。
　このような構成によれば、同一のプロセス条件下においては十分に分解できないような原料の組み合わせであっても、光線７を適切に照射、遮断することによって所期のプロセス運転が可能となる。
　次に、第４図は本発明の第４実施例の構成を示す図、第５図は、同第４実施例の作用説明図である。
　尚、同図において、前記第１図の実施例と同一構成部分については同符号を付して説明は省略する。
　この第４実施例の特徴は、高周波プラズマプロセスにおいて、印加交番電圧に同期して放電を起させるようにしたものである。
　この実施例によれば、光のオンオフによって数百Ｈｚまでは放電の発生、消失を交番電圧に追従させることができ、カソード電極１が負電圧の時にのみ放電を起こせば、ウェハー３への電子衝撃をなくせ、基板（ウェハー３）の損傷を可及的に減少させることができる。
〔発明の効果〕
　以上の説明で明らかなように、この発明によれば、放電源を外部からの照射光に求めるとともに、印加電圧を光なしの場合の放電開始・放電維持電圧より低く保つようにしたため、放電が生じる領域を光路と電極間にのみ限定でき、不必要な場所で放電が生じることによる汚染や損傷、不安定性を除くことができる。
　また、電極間隔等の幾何学配置についても、放電開始・放電維持条件を満たす必要がないため、これらを自由に選択することができる。
　また、放電源を外部制御しているため安定であり、また電極間電圧が低くなるため損傷が緩和され、さらに放電のオンオフを速やかに且つ安定に行うことができる等の優れた効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
　第１図は第１実施例の構成図、
　第３図は第３実施例の構成図、
　第４図は第４実施例の構成図、
　第５図は第４実施例の作用説明図である。
　１…アノード電極
　２…カソード電極
　３…ウェハー
　４…電気力線
　５…直流電源
　６…光源
　７…光線
　８…プラズマ
　９…原料ガス導入口
　１０…原料ガス導入口
　１１…シャッタ
　１３…シャッタ
　１４…同期回路
　１５…高周波電源
　１６…同期回路