【事件の表示】
　特許第２７１１５９０号「ポジ型フオトレジスト組成物」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７１１５９０号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７１１５９０号に係る手続の経緯の概要は、以下のとおりである。
　平成２年９月１３日　　　特許出願
　平成９月１０月３１日　　特許権の設定の登録
　平成１０年２月１０日　　特許掲載公報の発行
　平成１０年８月６日　　　ジェイエスアール株式会社（以下、「申立人１」という）から特許異議の申立て
　平成１０年８月１０日　　クラリアント　インターナショナル　リミテッド（以下、「申立人２」という）から特許異議の申立て
　平成１０年８月１０日　　五島香里（以下、「申立人３」という）から特許異議の申立て
　平成１０年８月１０日　　住友化学工業株式会社（以下、「申立人４」という）から特許異議の申立て
　平成１０年１２月２２日　取消理由の通知
　平成１１年３月３０日　　意見書及び訂正請求書の提出
　平成１１年７月３０日　　訂正拒絶理由の通知
　平成１１年１０月１８日　手続補正書（訂正請求書）の提出
ＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正請求書の補正の適否
　上記訂正拒絶理由の概要は、
（１）請求項を増加する訂正であるから、特許法第１２０条の４第２項のただし書きの各号のいずれにも該当しない、
（２）訂正後の明細書の記載が不備であって、特許法第３６条に規定する要件を満たしていないから、独立して特許を受けることができないものであり、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項に適合しない、
というものである。
　上記訂正請求者の補正は、該訂正拒絶理由を解消するために、上記訂正請求書は特許法第１７条の４第１項の規定に基づいてなされたものであり、すなわち、（１）の理由に対しては、請求項１と請求項２をまとめて１つの請求項にすることにより解消するものであり、また、（２）の理由については、「下記構造物」が、▲２▼および▲３▼の化合物から除かれることを明瞭にする事により解消するものである。そして、該補正は、訂正明細書の特許請求の範囲を減縮するとともに、明瞭でない記載を釈明するものであって、訂正明細書に記載された範囲内の補正であるから、訂正明細書の要旨を変更するものではない。
２．訂正事項
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「フェノール性水酸基を有する低分子化合物」を「フェノール性水酸基を有する下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの低分子化合物」と訂正するとともに、同請求項中の「ポジ型フォトレジスト組成物。」の後に、「
及び各式の説明文（式の説明文の記載を省略。）を挿入し、さらに、同請求項末尾の「値を指す。」の後に、「また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。
」及び各式の説明文（式の説明文の記載を省略。）を追加する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書第６頁第１５〜１６行（公報第４欄第１８〜１９行）の「フェノール性水酸基を有する低分子化合物」を「フェノール性水酸基を有する下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの低分子化合物」と訂正するとともに、同頁第１８行（公報第４欄第２１行）の「達成された。」の後に、式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）、及び各式の説明文（式及び式の説明文の記載を省略。）を挿入し、さらに、第７頁第２行（公報第４欄第２５行）の「値を指す。」の後に、「また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。・・・（式及び式の説明文の記載を省略。）」を追加する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書第１４頁第１〜１７行（公報第６欄下から第４行〜第８欄第３行）の「かかる低分子化合物としては、・・・ポリヒドロキシ芳香族化合物も、本目的に利用できる。」を、「かかる低分子化合物としては、次の一般式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）、（９）で記述されるもののうち、本発明の要件を満たす構造のものが特に本効果を発揮しやすい化合物として特定される。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　明細書第１５〜１６頁（公報第４〜５頁）に記載された式−（１）の構造式、式−（３）の構造式、及び式−（６）の構造式を削除するとともに、これらの式の説明文が記載された同第１８頁第１５〜１７行（公報第１０欄下から第９〜７行）及び同第１８頁末行〜第１９頁第４行（公報第１０欄下から第４〜末行）の記載を削除する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書第２５頁第１６行（同公報第第１３欄第２１行）の「必要である。」と同第１７行（同欄第２２行）の「本発明における」の間に、「また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。・・・（式及び式の説明文の記載を省略。）」を挿入する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書第３８頁第１５行〜第４１頁第２行（同公報第１７欄第３６行〜第１８欄第２４行）の合成例６を削除する。
（７）訂正事項ｇ
　明細書第４７頁第１１〜１３行（公報第２０欄第２７〜２８行）の化合物−３、同第４８頁第１３〜１９行（公報第２０欄下から第１０〜４行）の化合物−９〜１１、及び同第５０頁第６〜９行（公報第２１欄第１６〜１８行）の化合物−１８を削除する。
（８）訂正事項ｈ
　明細書第５０頁第１０行〜第５３頁第１１行（公報第２１欄第１９行〜第２４欄下から９行）に記載された実施例１及び実施例２を削除するとともに、同第５２、５４頁（公報第１２、１３頁）の表−１及び表−２を削除する。
（９）訂正事項ｉ
　明細書第５３頁下から第８行〜第５５頁第２行のに記載された実施例３において、同第５３頁下から５〜３行（公報第２４欄下から第５〜４行）の「または上記参考例６で得られたノボラック樹脂オリゴマ（ｍ）〜（ｏ）」を削除するとともに、同第５５頁第１行（公報第２５欄下から第３行）の「これを実施例１と同様にして評価した」を、上記削除した実施例１の該当部分の記載に代え、さらに、上記削除に適合させて、「本発明３５」、「本発明３６」、「比較例２０」および「比較例２１」の項が削除されるように、同第５６頁（公報第１４頁）の表−３を訂正する。
３．訂正の目的の適否、及び新規事項あるいは特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否
（１）訂正事項ａは、訂正前の本件明細書において、フェノール性水酸基を有する低分子化合物の例示化合物として記載された一般式（１）〜（９）の化合物のうち、一般式（１）、（３）及び（６）の化合物を削除して、一般式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの低分子化合物に特定するとともに、▲２▼および▲３▼の化合物から、特定の構造物［Ａ］、［Ｂ］を除くものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、該訂正は、取消理由通知において同一であるとして引用された刊行物あるいは先願明細書１乃至５に記載された発明との同一性を解消するために、すなわち、後記の「４．独立特許要件（４）当審の判断」の項で詳述するように、一般式（１）
を削除することにより、先願明細書１に記載された発明との同一性を解消し、また、一般式（３）
を削除するとともに構造物［Ｂ］（前記）を除くことにより、先願明細書２に記載された発明との同一性を解消し、さらに一般式（６）
を削除するとともに構造物［Ａ］（前記）を除くことにより、刊行物及び先願明細書３乃至５に記載された発明との同一性を解消するためになされたものであって、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂ乃至ｉは、上記訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合性をはかるための訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
４．独立特許要件
（１）訂正後の発明
　訂正後の本件発明（以下「訂正後の発明」という。）は、訂正明細書の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された以下のとおりである。
「▲１▼重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０であるアルカリ可溶性フェノールノボラック樹脂、
　▲２▼１，２−キノンジアジド化合物、
　▲３▼該ノボラック樹脂に対して２〜３０重量％の、１分子中の総炭素数が１２〜５０で、且つ、１分子中に２〜８個のフェノール性水酸基を有する下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および　（９）のいずれかの低分子化合物、
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
　（各式中の説明の記載を省略）
　ただし、該ノボラック樹脂の分子量は、標準ポリスチレンを参照値として定義されたゲルパーミエーションクロマトグラフィによって得られる値を指す。
　また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。
（各式中の説明文及び構造物中の説明文の記載を省略。）」
（２）取消理由の概要
　これに対し、上記取消理由の概要は以下のとおりである。
（理由１）訂正前の請求項１に係る発明は、下記刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　記
刊行物：欧州特許公開第３５８８７１号（特開平２−２７５９５５号公報を翻訳文として参照のこと。）
（理由２）訂正前の請求項１に係る発明は、本件出願の日前の出願であって、その出願後に公開された下記の出願１乃至５の願書に最初に添付された明細書（以下「先願明細書１乃至５」という。）に記載された発明と同一でありしかも、本件出願の発明者がその出願前の出願に係る上記発明をしたものと同一であるとも、また、本件出願の時にその出願人がその出願前の出願に係る上記特許出願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法第２９条の２第１項の規定により、特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　記
１．特願平２−２５７１５号出願（特開平３−２３０１６４号公報参照）
２．特願平３−４７６９３号出願（特願平２−３９４０９号に基づく国内優先権主張日：平成２年２月２０日特開平４−２１１２５４号公報参照）
３．特願平１−１７６５８６号出願（特開平２−２７５９５５号公報参照）
４．特願平１−９４９３８号出願（特開平２−２７３６４１号公報参照）
５．特願平２−２３６８４５号出願（特開平３−１７９３５３号公報参照）
（３）対比・判断
（ｉ）理由１について：
　上記刊行物には、ポリフェノールを含むアルカリ可溶性樹脂および１，２−キノンジアジド化合物を含有するポジ型感放射線性レジスト組成物が記載されており、該ポリフェノールとして、
が記載されている。
　訂正後の発明と刊行物に記載されている発明とを比較すると、刊行物に記載された上記のポリフェノール化合物は、訂正後の発明における▲３▼の低分子化合物から削除された一般式（６）の化合物あるいは構造物［Ａ］に相当するものである。
　よって、訂正後の発明は、刊行物に記載された発明であるとすることはできない。
（ｉｉ）理由２について：
▲１▼先願明細書１には、「樹脂成分として、ｍ−クレゾール、：ｐ−クレゾール２０／８０〜８０／２０（モル比）を原料とし、ダイマの含有量が１０％重量以下、トリマの含有量が１０％重量以上のノボラックを含み、かつ感光剤成分としてテトラヒドロシキベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、またはヘキサヒドロキシベンゾフェノンの水酸基のうち平均７５％以上がナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸またはナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸でエステル化されている化合物を含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。」（特許請求の範囲）に関し、「本発明で使用されるノボラックは、・・・その分子量分布が３〜８の範囲にあり、かつその数平均分子量が５００〜５，０００の範囲にあるものが好ましい。ここで分子量分布とは、Ｍｗ（重量平均分子量／Ｍｎ（数平均分子量）で表わされるものである。」（第３頁右下欄第２〜８行）と記載されている。
　訂正後の発明と先願明細書１に記載された発明とを対比すると、先願明細書に記載された上記のノボラックトリマーは、訂正後の発明における▲３▼の低分子化合物から削除された一般式（１）の化合物に相当するものである。
　したがって、訂正後の発明が、先願明細書１に記載された発明であるとすることはできない。
▲２▼先願明細書２には、「アルカリ可溶性樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物であって、下記一般式（１）：
・・・（中略）・・・
で表わされるポリヒドロシキ化合物およびその誘導体の少なくとも何れかを含有していることを特徴とする感放射線性樹脂組成物」が記載されている。
　訂正後の発明と先願明細書２に記載された発明とを対比すると、先願明細書２に記載された一般式（１）で表わされるポリヒドロキシ化合物及びその誘導体は、訂正後の発明における▲３▼の低分子化合物から削除された一般式（３）の化合物及び構造物［Ｂ］に相当するものである。
　したがって、訂正後の発明が、先願明細書２に記載された発明であるとすることはできない。
▲３▼先願明細書３は、上記刊行物に対応する日本国出願の出願明細書であって、上記刊行物に記載されたと同じ発明が記載されており、上記（ｉｉ）に記載したと同じ理由により、訂正後の発明が、先願明細書３に記載された発明であるとすることはできない。
▲４▼先願明細書４には、「下記式（１）で表わされるトリフェニルメタン誘導体
」（特許請求の範囲）に関し、「本発明を利用したポジ型感放射線性レジスト組成物には、式（Ｉ）で表わされるトリフェニルメタン誘導体以外にアルカリ可溶性樹脂及び１，２−キノンジアジド化合物を含む」（第３頁左上欄第６〜９行）が記載されている。
　訂正後の発明と先願明細書４に記載された発明とを対比すると、先願明細書４に記載された上記のトリフェニルメタン誘導体は、訂正後の発明における▲３▼の低分子化合物から削除された一般式（６）の化合物及び構造物［Ａ］に相当するものである。
　したがって、訂正後の発明が、先願明細書４に記載された発明であるとすることはできない。
▲５▼先願明細書５には、「（１）一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物を含有するアルカリ可溶性樹脂と１，２−キノンジアジド化合物とを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物。
・・・（中略）・・・
（２）一般式（１）のフェノール化合物が下式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感放射線性レジスト組成物
」（特許請求の範囲第１〜２項）が記載されている。
　訂正後の発明と先願明細書５に記載された発明とを対比すると、先願明細書５に記載された上記のフェノール化合物は、訂正後の発明における▲３▼の低分子化合物から削除された一般式（６）の化合物及び構造物［Ａ］に相当するものである。
　したがって、訂正後の発明が、先願明細書５に記載された発明であるとすることはできない。
（ｉｉｉ）まとめ
　以上のように、前記取消理由によっては、訂正後の発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　また、後記の「ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断　３．当審の判断」の項で詳述するように、上記取消理由以外の各特許異議申立人の主張する理由及び提出された証拠方法によっても、訂正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　よって、訂正後の発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
５．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断
１．本件特許発明
　本件に係る発明は、前述のとおり、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（以下、「本件発明」という。）
２．申立の理由の概要
（１）申立人１は、下記の甲第１乃至４号証を提出し、以下の理由により、本件特許は取り消されるべきであると主張している。
（理由１）本件発明は、甲第１号証に記載された発明と同一である。
　よって、本件発明は特許法第２９条の２の規定による特許要件を欠如している。
（理由２）本件発明は、甲第３号証に記載された発明と同一であるからあるいは甲第３号証と甲第４号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本件発明は特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項の規定による特許要件を欠如している。
　　　　　　　　　　記
甲第１号証の１　特開平４−２１１１５４号公報（上記「先願明細書２」と同一）
甲第１号証の２　特願平２−３９４０９号明細書写し
甲第２号証　　　平成１０年７月１３日付ジェイエスアール株式会社精密電子研究所研究員秋山将作成の実験報告書（以下、「実験報告書１」という）
甲第３号証　　　欧州公開特許第３５８８７１号明細書（上記「刊行物」と同一）
甲第４号証　　　特開昭６０−１４０２３５号公報（以下、「刊行物２」という。）
（２）申立人２は、下記の甲第１乃至７号証を提出し、以下の理由により、本件特許は取り消されるべきであると主張している。
（理由１）本件発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けられないものである。
（理由２）本件発明は、甲第１号証に基づいて、あるいは甲第１号証に甲第２号証または甲第３号証を組み合わせて、あるいは甲第４号証に甲第２号証または甲第３号証を組み合わせて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（理由３）本件発明は、甲第５号証または甲第６号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
（理由４）本件明細書は、記載に不備があるものであり、特許法第３６条第４項または第６項の規定により特許を受けることができないものである。
　　　　　　　　　　記
甲第１号証　欧州公開特許第３５８８７１号明細書（上記「刊行物」と同一）
甲第２号証　特開昭６０−１４０２３５号公報（以下、「刊行物３」という」）
甲第３号証　特開昭６１−２０５９３３号公報（以下、「刊行物４」という」）
甲第４号証　特開昭６４−４４４３９号公報（以下、「刊行物５」という）
甲第５号証　特開平４−５０８５１号公報（以下、「先願明細書６」という）
甲第６号証　特開平４−２３０７５４号公報（以下、「先願明細書７」という）
甲第７号証　キタフミオによる実験成績証明書（以下、「実験報告書２」という）
甲第７号証の２　甲第７号証の訳文
（３）申立人３は、下記の甲第１乃至３号証を提出し、本件発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は取り消されるべきであると主張している。
　　　　　　　　　　記
甲第１号証　　特開平３−２３０１６４号公報（上記「先願明細書１」と同一）
甲第２号証　　「高分子論文集」第４６巻第１号（１９８９）ｐｐ１５〜１９、平成元年１月２５日、社団法人高分子学会発行
甲第３号証　　「電気化学および工業物理化学」第５６巻第３号、ｐｐ１８４〜１８８、昭和６３年３月発行
（４）申立人４は、下記の甲第１乃至１０号証を提出し、以下の理由により、本件特許は取り消されるべきであると主張している。
（理由１）本件発明は、甲第１号証に記載された発明、甲第６号証に記載された発明、あるいは甲第７号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けられないものである。
（理由２）本件発明は、甲第６号証及び／又は甲第７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（理由３）本件発明は、甲第２号証、甲第４号証、甲第８号証、甲第９号証あるいは甲第１０号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　　　　　　　　　　記
甲第１号証　欧州公開特許第３５８８７１号明細書（上記「刊行物」と同一）
甲第２号証　特開平２−２７５９５５号公報（上記「先願明細書３」と同一」）
甲第３号証　平成１０年７月１５日付住友化学工業株式会社精密化学品研究所主任研究員橋本和彦作成の実験成績証明書（特開平２−２７５９５５号公報に基づく実験）（以下、「実験報告書３」という）
甲第４号証　特開平３−２２８０５９号公報（以下、「先願明細書８」という。）
甲第５号証　平成１０年７月１５日付住友化学工業株式会社精密化学品研究所主任研究員橋本和彦作成の実験成績証明書（特願平３−２２８０５９号公報に基づく実験）（以下、「実験報告書４」という）
甲第６号証　特開平１−１０５２４３号公報（以下、「刊行物６」という）
甲第７号証　特開平１−２８９９４６号公報（以下、「刊行物７」という）
甲第８号証　特開平２−２７３６４１号公報（上記「先願明細書４」と同一）
甲第９号証　特開平３−１７９３５３号公報（上記「先願明細書５」と同一）
甲第１０号証　特開平４−５０８５１号公報（上記「先願明細書６」と同一）
３．当審の判断
（１）特許法第３６条違反について
　申立人２は、本件明細書の記載が不備である理由として、以下のように述べている。
“本件明細書には「本発明のノボラック樹脂はＭｗ値で定義される平均分子量が１０００〜６０００の範囲のものが好ましく、さらには２０００〜４５００の範囲のものが好ましい。Ｍｗ値が大きすぎる場合には、上記同様に、広いラチチュードを得る本発明の効果は得られない。」と記載されているにもかかわらず、請求項１には、ノボラック樹脂についての分子量の規定は全くなされていないので、請求項に発明を特定するために必要と認める事項のすべてが記載されていない”
　しかしながら、明細書の該記載は、ノボラック樹脂について好ましい条件を記載したものであって、該記載があるからといって、直ちにノボラック樹脂の分子量の規定が、本件発明の構成に欠くとことができない事項であるとすることはできないから、該申立人の理由は採用できない。
（２）特許法第２９条第１項第３号違反について
　本件発明と刊行物に記載された発明との対比については前項「ＩＩ．４．（３）（ｉｉ）理由１について」において述べたとおりであるので、ここでは、刊行物５及び６について検討する。
▲１▼刊行物５（申立人４の提出した甲第６号証である特開平１−１０５２４３号公報）には、「（１）フェノール類をホルムアルデヒドと付加縮合反応させることによって製造されるノボラック樹脂であって、そのゲルパーミエーショングロマトグラフ（ＧＰＣ）パターン（ＵＶ（２５４ｎｍ）検出器使用）の面積比がポリスチレン換算分子量で１５０乃至５００未満（フェノール類未反応モノマーは含まない）の範囲（以下Ａ領域と称する）が８〜３５％であり、ポリスチレン換算分子量で５００乃至５０００未満の範囲（以下Ｂ領域と称する）が０〜３０％であり、ポリスチレン換算分子量で５０００を超える範囲（以下Ｃ領域と称する）が３５〜９２％であり、かつＢ領域／Ａ領域：２．５０以下であることを特徴とするポジ型フォトレジスト用ノボラツグ樹脂。」（特許請求の範囲第１項）が記載されており、そして、第４頁の右上欄１０行〜右下欄４行には、このようなノボラッグ樹脂の分子量分布（ＧＰＣパターン）を調整する方法として、「ノボラック樹脂を分別し、各フラクションを調合する方法」（同頁の右上欄末行〜左下欄１行）及び、「各Ａ、Ｂ又はＣ領域を主成分とするノボラッグ樹脂を別途合成し、分別により得られるフラクションと組み合わせること」（同頁の左下欄末行〜右下欄３行）が挙げられているが、本件発明の要件であるノボラック樹脂の「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０である」点については記載がないから、本件発明が刊行物５に記載された発明であるとすることはできない。
▲２▼刊行物６（申立人４の提出した甲第７号証である特開平１−２８９９４６号公報）には、「ノボラック樹脂、キノンジアジド化合物及び下式で表わされる化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
（式中の説明の記載を省略）」（特許請求の範囲）が記載され、該ポジ型レジスト組成物の成分であるノボラック樹脂については、第３頁の左上欄１１行〜右下欄１７行で説明されており、特に下左欄１１行〜下右欄２行には、「なかでも、ノボラック樹脂として、そのＧＰＣのパターン（ＵＶ（２５４ｎｍ）検出器使用）の面積比がポリスチレン換算分子量で１５０乃至５００未満（フェノール類未反応モノマーは含まない）の範囲（以下Ａ領域と称する）が８〜３５％であり、ポリスチレン換算分子量で５００乃至５０００未満の範囲（以下Ｂ領域と称する）が０〜３０％であり、ポリスチレン換算分子量で５０００を超える範囲（以下Ｃ領域と称する。）が３５〜９２％であり、かつＢ領域／Ａ領域＝２．５０以下であることを特徴とする、ノボラック樹脂が好ましい効果を発現する。」と記載されている。
　本件発明と刊行物６に記載された発明とを比較すると、該刊行物に記載された上記式で表わされる化合物は、本件発明における式（５）の低分子化合物に相当するが、該刊行物には、本件発明の要件であるノボラック樹脂の「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０である」点については記載がない。よって、本件発明が刊行物６に記載された発明であるとすることはできない。
　なお、申立人４は、刊行物５及び６に記載されたＧＰＣパターンにおいて、Ａ領域が８〜３５％であり、Ｂ領域が０〜３０％であり、Ｃ領域が３５〜９２％であるノボラック樹脂は、特にＡ領域及びＢ領域がそこに記載の範囲内で比較的少ない場合には、まさに分子量分布の狭いものとなり、結果的に「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０である」範囲に入ると解するのが相当であると主張しているが、該主張の裏付けとなる根拠は何ら示されておらず、採用することはできない。
（３）特許法第２９条第２項違反について
（ｉ）本件発明は、「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０であるアルカリ可溶性フェノールノボラック樹脂」と「１分子中の総炭素数が１２〜５０で、且つ、１分子中に２〜８個のフェノール性水酸基を有する下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの低分子化合物」とを組み合わせて用いることを特徴とし、そのことにより、本件明細書記載の「本発明の効果はノボラック樹脂がある特定の分散度を有し、しかもこれに上記低分子化合物を添加した場合にのみ発揮される特異な効果である。即ち、かかる低分子化合物を本発明の本発明に規定するノボラック樹脂と組み合わせると、期待通り低分子化合物の溶解促進作用によりレジストの感度を向上させる一方、全く意外なことに何れか単独で得られるよりも広い現像ラチチュードを与えるのである。」　（特許公報第４欄末行〜第５欄第７行参照）という効果を奏するものであり、該効果については、実施例と比較例の評価結果を記載した表−１乃至表−３（特許公報第１２〜１４頁参照）からも明らかである。
（ｉｉ）これに対し、刊行物１乃至６のいずれにも、「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０であるアルカリ可溶性フェノールノボラック樹脂」と「１分子中の総炭素数が１２〜５０で、且つ、１分子中に２〜８個のフェノール性水酸基を有する下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの低分子化合物」とを組み合わせて用いる点については記載されておらず、示唆する記載もない。
　すなわち、刊行物１に記載されたポリフェノール化合物は、前述のとおり、本件発明の低分子化合物には相当せず、また、「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０であるアルカリ可溶性フェノールノボラック樹脂」を用いることを示唆する記載もない。
　また、刊行物６、７には、前項に記載したとおり、「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０であるアルカリ可溶性フェノールノボラック樹脂」を用いることを示唆する記載はない。
　また、刊行物２（申立人１の提出した甲第４号証あるいは申立人２の提出した甲第２号証である特開昭６０−１４０２３５号公報）には、「本発明は、樹脂成分としてノボラック系のフェノール−ホルムアルデヒド縮合物を基材とするポジ作用性ホトレジスト組成物であって、この組成物中の前記樹脂成分が高い平均分子量および低い多分散度を有することを特徴とするホトレジスト組成物に関する。」（第２頁右下欄第８〜１３行）、「本発明に従い使用するノボラック樹脂は高い平均分子量および低い多分散度を有するものである。たとえばこれらは４５００〜１８０００の平均分子量を有し、その多分散度は分子量に応じて２．７（分子量４，５００の場合）〜５．７（分子量１８，０００の場合）にある。７，０００〜１３，０００の分子量と２．８〜４．５の多分散度を有する樹脂が好適である」（第３頁右上欄第８〜１５行）、及び「使用する感光性成分は当技術で既知の全ての化合物、特にｏ−ジアゾキノン系化合物であることができる。」（第４頁左上欄第５〜７行）と記載されている。
　しかしながら、刊行物２には、本件発明で特定する低分子化合物を用いる点については記載がなく、また、本件発明の「重量平均分子量と数平均分子量の比」に相当する多分散度についても、「２．７〜５．７、好ましくは２．８〜４．５」とされており、本件発明の「１．５〜４．０」とは、一部重複するものの異なっている。
　したがって、刊行物２の、低分子化合物を含有しないレジスト組成物におけるノボラック樹脂の多分散度（重量平均分子量と数平均分子量の比に相当）関する「２．７〜５．７、好ましくは２．８〜４．５」という記載から、本件発明の特定の低分子化合物を含有するレジスト組成物におけるノボラック樹脂の重量平均分子量と数平均分子量の比を「１．５〜４．０」と特定することが容易になし得ることであるとすることはできない。
　また、刊行物３（申立人２の提出した甲第３号証である特開昭６１−２０５９３３号公報）には、感光性平版印刷版およびフォトレジストに適する感光性組成物に関するものであり、「本発明におけるノボラック樹脂は、フェノール類とホルムアルデヒドを酸触媒の存在下で縮合して得られる樹脂」（すなわちフェノールノボラック樹脂）であること、「（ノボラック樹脂の）重量平均分子量Ｍｗと該ノボラック樹脂の数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎ（以下“分散度”と呼ぶ）が２〜１４」であることが記載されている（第３頁右下欄第１行〜第４頁右上欄第９行）。そして、「分散度：Ｍｗ／Ｍｎが２未満のとき、アンダー現像性が低下し、Ｍｗ／Ｍｎが１４を越えるとき、セーフライト性が低下し、現像許容性が狭くなる。」ことが記載され、さらに、実施例（第１２頁左上欄表２）において、特定の分子量および分子量分布を有するレジス組成物が、アンダー現像性およびオーバー現像性に優れることが示されている。また、「ｏ−キノンジアジド化合物及びノボラック樹脂を含有する感光性組成物」（第３頁左下欄第１３〜１９行）が記載されている。
　しかしながら、刊行物３には、本件発明で特定する低分子化合物を用いる点については記載がなく、また、本件発明の「重量平均分子量と数平均分子量の比」についても、「２〜１４」とされており、本件の「１．５〜４．０」とは、一部重複するものの大きく異なっている。
　したがって、刊行物３の、低分子化合物を含有しないレジスト組成物におけるノボラック樹脂の重量平均分子量と数平均分子量の比に関する「２〜１４」という記載から、本件発明の特定の低分子化合物を含有するレジスト組成物におけるノボラック樹脂の重量平均分子量と数平均分子量の比を「１．５〜４．０」と特定することが容易になし得ることであるとすることはできない。
　さらに、刊行物４（申立人２の提出した甲第４号証である特開昭６４−４４４３９号公報）には、ポジ型ホトレジスト組成物に関し、「樹脂成分として、例えばフェノールまたはフェノール系化合物とアルデヒド化合物との縮合により得られるノボラック樹脂のようなアルカリ可溶性樹脂を含有する。」（第４頁右下欄下から第２行〜第５頁左上欄第１３行）、「ポジ型ホトレジストは、感光性キノンジアジド化合物として、好ましくは１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸または１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸の低分子量芳香族または脂肪族ヒドロキシル化合物によるエステル化生成物を含有する。」（第５頁右上欄第５〜１０行）と記載されている。さらに、第３頁右下欄下から第７行〜第４頁左上欄第４行には、ポジ型ホトレジスト組成物が下記式２
（式中の説明の記載を省略）の化合物を含むことが記載されている。
　刊行物４に記載された発明と本件発明とを比較すると、刊行物４に記載された上記化合物は、本件発明で特定する式（４）の低分子化合物に相当するが、本件発明の要件であるノボラック樹脂の「重量平均分子量と数平均分子量の比」については何ら記載がない。
　低分子化合物を含有しないレジスト組成物におけるノボラック樹脂の重量平均分子量と数平均分子量の比に関する刊行物２の「２．７〜５．７、好ましくは２．８〜４．５」あるいは刊行物３の「２〜１４」という記載があっても、刊行物４に記載された発明は、特定の低分子化合物を含有するレジスト組成物であって、刊行物２，３に記載されたものとは異なるものであるから、両者をいかに組み合わせても、本件発明の特定の低分子化合物を含有するレジスト組成物におけるノボラック樹脂の重量平均分子量と数平均分子量の比を「１．５〜４．０」と特定することが容易になし得ることであるとすることはできない。
（４）特許法第２９条の２違反について
　本件発明と先願明細書１乃至５に記載された発明との対比については、前項「ＩＩ．訂正の可否４．（３）（ｉｉ）理由２について」において述べたとおりであるので、ここでは、先願明細書６乃至８に記載された発明について検討する。
▲１▼先願明細書６（申立人２が提出した甲第５号証あるいは申立人４が提出した甲第１０号証である特開平４−５０８５１号公報）には、「下記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物を含有するアルカリ可溶性樹脂と感放射線性成分とを含有することを特徴とするポジ型感放射線性レジスト組成物。
」（特許請求の範囲第１項）（式の説明の記載を省略）に関し、「中でもノボラック樹脂としては、晶析、分別等により、そのＧＰＣ・・・によるポリスチレン換算分子量が９００以下の成分が、全パターン面積に対して２５％以下であるものが好ましい。」（第４頁左上欄第２〜６行）と記載されているが、本件発明の要件である、ノボラック樹脂の「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０である」点については、何ら記載されていない。
　この点について、申立人２は、先願明細書６に記載された合成３の追試結果を上記「実験報告書２」として提出し、同一であると主張している。
　しかしながら、その追試結果によれば、得られたノボラック樹脂は、ポリスチレン換算重量平均分子量が２４１４であると記載されており、先願明細書６に記載された「ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量は３７１０であった。」（第５頁左下欄下から第７、６行）とは大きく異なるものであるから、該実験報告書２に基づく主張を採用することはできない。
　また、上記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物は、本件発明の「式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの低分子化合物」に該当しない。
　したがって、本件発明が、先願明細書６に記載された発明であるとすることはできない。
▲２▼先願明細書７（申立人２が提出した甲第６号証である特開平４−２３０７５４号公報）には、「アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物および下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
」（特許請求の範囲第１項）（式の説明の記載を省略）が記載されておおり、該化合物は本件発明の「式（９）の低分子化合物」に相当する。
　しかしながら、先願明細書には「なかでもＧＰＣ（ＵＶ−２５４ｎｍ）により測定したポリスチレン換算分子量が９００以下の成分のパターン面積が、ＧＰＣパターンの全面積に対して２５％以下であるものが好ましい。・・・ここでポリスチレン換算分子量９００以下の成分が２５％以下の樹脂を得るには、通常の縮合反応を行った後、分別等を行うことにより容易に得られる。」（第５欄第２８〜３７行）と記載されているが、本件発明の要件であるアルカリ可溶性樹脂が、ノボラック樹脂の「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０である」点については、何ら記載されていない。
　したがって、本件発明が、先願明細書７に記載された発明であるとすることはできない。
▲３▼先願明細書８（申立人４が提出した甲第４号証である特開平３−２３２８０５９号公報）には、「本発明は「本発明はｍ−クレゾール、２，３，５−トリメチルフェノール及び場合によりｐ−クレゾールの混合物をアルデヒド類と縮合させて得られる樹脂（１）及びＧＰＣ（検出器ＵＶ−２５４ｎｍ使用）によるポリスチレン換算重量平均分子量２０００〜２００である低分子量ノボラック（Ｈ）を含有するアルカリ可溶性樹脂（Ａ）と１，２−キノンジアジド化合物とを含有するポジ型レジスト組成物を提供するものである。本発明はさらにｍ−クレゾール、２，３，５−トリメチルフェノール及び場合によりｐ−クレゾールの混合物をアルデヒド類と縮合させて得られる樹脂（１）及び下記一般式（ｍ）で表わされる化合物を含有するアルカリ可溶性樹脂（Ｂ）と１，２−キノンジアジド化合物とを含有するポジ型レジスト組成物を提供するものである。
」（第４頁右上欄第２行〜左下欄第１行）と記載されている。
　本件発明と先願明細書８に記載された発明とを対比すると、先願明細書８に記載された上記の２，３，５−トリメチルフェノールは、訂正後の発明における構造物［Ａ］に相当するものである。
　また、先願明細書８には、「更に、樹脂（Ｉ）がそのＧＰＣパターンにおけるポリスチレン換算分子量で９００以下の範囲の面積比が、全パターン面積に対して２５％以下であるもの、特に６０００以下の範囲の面積比が、全パターンに対して４０％以上６５％以下、更に好ましくは５０％以上６５％以下であるものが耐熱性が向上し、現像残渣が生じにくいので好適である。そのような樹脂を得るには、通常の縮合反応を行った後分別等を行うことにより容易に得られる。」（第５欄左上欄下から第６行〜右上欄第４行）と記載されているが、本件発明の要件であるアルカリ可溶性樹脂が、ノボラック樹脂の「重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０である」点については、何ら記載されていない。
　したがって、本件発明が、先願明細書４に記載された発明であるとすることはできない。
ＩＶ．むすび
　したがって、各特許異議申立ての理由及び提出された証拠方法によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２０日（２０００．１．２０）
【訂正の要旨】
１．特許請求の範囲の減縮を目的として、
▲１▼特許請求の範囲の請求項１の「フェノール性水酸基を有する低分子化合物」を「フェノール性水酸基を有する下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの低分子化合物」と訂正するとともに、同請求項中の「ポジ型フォトレジスト組成物。」の後に、「
及び各式の説明文（式の説明文の記載を省略。）を挿入し、さらに、同請求項末尾の「値を指す。」の後に、「また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。
」及び各式の説明文（式の説明文の記載を省略。）を追加する。
２．明瞭でない記載の釈明を目的として、
▲１▼明細書第６頁第１５〜１６行（公報第４欄第１８〜１９行）の「フェノール性水酸基を有する低分子化合物」を「フェノール性水酸基を有する下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの低分子化合物」と訂正するとともに、同頁第１８行（公報第４欄第２１行）の「達成された。」の後に、式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）、及び各式の説明文（式及び式の説明文の記載を省略。）を挿入し、さらに、第７頁第２行（公報第４欄第２５行）の「値を指す。」の後に、　「また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。・・・（式及び式の説明文の記載を省略。）」を追加する。
▲２▼明細書第１４頁第１〜１７行（公報第６欄下から第４行〜第８欄第３行）の「かかる低分子化合物としては、・・・ポリヒドロキシ芳香族化合物も、本目的に利用できる。」を、「かかる低分子化合物としては、次の一般式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）、（９）で記述されるもののうち、本発明の要件を満たす構造のものが特に本効果を発揮しやすい化合物として特定される。」と訂正する。
▲３▼明細書第１５〜１６頁（公報第４〜５頁）に記載された式−（１）の構造式、式−（３）の構造式、及び式−（６）の構造式を削除するとともに、これらの式の説明文が記載された同第１８頁第１５〜１７行（公報第１０欄下から第９〜７行）及び同第１８頁末行〜第１９頁第４行（公報第１０欄下から第４〜末行）の記載を削除する。
▲４▼明細書第２５頁第１６行（同公報第第１３欄第２１行）の「必要である。」と同第１７行（同欄第２２行）の「本発明における」の間に、「また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。・・・（式及び式の説明文の記載を省略。）」を挿入する。
▲５▼明細書第３８頁第１５行〜第４１頁第２行（同公報第１７欄第３６行〜第１８欄第２４行）の合成例６を削除する。
▲６▼明細書第４７頁第１１〜１３行（公報第２０欄第２７〜２８行）の化合物−３、同第４８頁第１３〜１９行（公報第２０欄下から第１０〜４行）の化合物−９〜１１、及び同第５０頁第６〜９行（公報第２１欄第１６〜１８行）の化合物−１８を削除する。
▲７▼明細書第５０頁第１０行〜第５３頁第１１行（公報第２１欄第１９行〜第２４欄下から９行）に記載された実施例１及び実施例２を削除するとともに、同第５２、５４頁（公報第１２、１３頁）の表−１及び表−２を削除する。
▲８▼明細書第５３頁下から第８行〜第５５頁第２行のに記載された実施例３において、同第５３頁下から５〜３行（公報第２４欄下から第５〜４行）の「または上記参考例６で得られたノボラック樹脂オリゴマ（ｍ）〜（ｏ）」を削除するとともに、同第５５頁第１行（公報第２５欄下から第３行）の「これを実施例１と同様にして評価した」を、上記削除した実施例１の該当部分の記載に代え、さらに、上記削除に適合させて、「本発明３５」、「本発明３６」、「比較例２０」および「比較例２１」の項が削除されるように、同第５６頁（公報第１４頁）の表−３を訂正する。
（５４）【発明の名称】
ポジ型フォトレジスト組成物
（５７）【特許請求の範囲】
（１）▲１▼重量平均分子量と数平均分子量の比が１．５〜４．０であるアルカリ可溶性フェノールノボラック樹脂、
▲２▼１，２−キノンジアジド化合物、
▲３▼該ノボラック樹脂に対して２〜３０重量％の、１分子中の総炭素数が１２〜５０で、且つ、１分子中に２〜８個のフェノール性水酸基を有する
下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
　上記一般式に於いて、各記号は以下を表す。
Ｒ１〜Ｒ４：　　同一でも、異なってもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
　Ｒ５、Ｒ６：　　同一でも、異なってもよく、水素原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基。
Ｒ７：　　水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
Ｒ８〜Ｒ１０：　　同一でも、異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
ａ〜ｄ：　　０もしくは１から３の整数。
ｌ〜ｎ：　　１から３の整数。
ｅ〜ｇ：　　０もしくは１から２の整数。
ｐ：　　　　１から３の整数。
ｈ：　　　　０もしくは１から（４−ｐ）の整数。
ｑ：　　　　３から７の整数。
ｒ：　　　　１から３の整数。
Ｘ：　　　　メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン基、ハロアルキルメチレン基。
Ｚ：　　　　単結合、オキシメチレン基。
　更にまた、
　のいずれかを表す。
　ただし、該ノボラック樹脂の分子量は、標準ポリスチレンを参照値として定義されたゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって得られる値を指す。
　
また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。
　
式中、Ｒ１〜Ｒ７は、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基、あるいはＯＤ基（但し、Ｄは水素原子または１，２−キノンジアジド基を含有する有機基）のいずれかを示し、
　これらＲ１〜Ｒ７の各々は、それぞれ２種以上の異なる基として各ベンゼン環に結合していてもよく、かつＲ１〜Ｒ３の何れかには、並びにＲ４、Ｒ５およびＲ７のいずれかには、少なくとも１個のＯＤ基が含まれているものとし、
　Ｒ８およびＲ９は、それぞれ、水素原子、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基のいずれかを示し、
　ａ〜ｅおよび　は、それぞれ０〜５の整数を示し、
　ｆは、０〜４の整数を示す。
（但し、ａ〜ｃのうち少なくとも１つ、およびｄ、ｅ、ｇのうち少なくとも１つは０ではない。）
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
　本発明は特定のアルカリ可溶性ノボラック樹脂、１，２−キノンジアジド化合物、及び特定の低分子成分添加剤を含有する、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線等の輻射線に感応するポジ型フォトレジスト組成物に関するものであり、更に詳しくは現象ラチチュードに優れ、高感度でかつ解像力の良い微細加工用ポジ型フォトレジスト組成物に関するものである。
　代表的な利用分野はＩＣなどの半導体製造工程、液晶、サーマルヘッドなどの回路基板の製造、更にその他のフォトファブリケーション工程である。
「従来技術」
　ポジ型フォトレジスト組成物としては、一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例えば、「ノボラック型フェノール樹脂／ナフトキノンジアジド置換化合物」としてＵＳＰ−３，６６６，４７３号、同４，１１５，１２８号及び同４，１７３，４７０号等に、また最も典型的な組成物」として「クレゾール−ホルムアルデヒドより成るノボラック樹脂／トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・トゥ・マイクロリソグラフィー」（Ｌ．Ｆ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ「Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｍ　ｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」）（ＡＣＳ出版、Ｎｏ．２１９号、Ｐ１１２〜１２１）に記載されている。
　結合剤としてのノボラック樹脂は、膨潤することなくアルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像をエッチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエッチングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に有用である。また、感光物として用いるナフトキノンジアジド化合物は、それ自身ノボラック樹脂のアルカリ溶解性を低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射を受けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろノボラック樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする点で特異であり、この光に対する大きな性質変化の故にポジ型フォトレジストの感光物として特に有用である。
　これまで、かかる観点からノボラック樹脂ナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型フォトレジストが開発、実用化され、１〜２μｍ程度までの線幅加工においては十分な成果を収めてきた。
　しかし、集積回路はその集積度を益々高めており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては、１μｍ以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要とされる様になってきている。かかる用途においては、特に高い解像力、露光マスクの形状を正確に写しとる高いパターン形状再現精度及び常に一定の加工線幅を確保する上で広い現像ラチチュードを有するフォトレジストが要求されている。更に高い生産性を得るためにレジストの感度が高いことも必要な条件となっている。
　従来、解像力を高め、パターン形状の良い画像再現を得るには高いγ値を有するレジストの利用が有利とされ、このような目的に合うレジスト組成物の技術開発が行われてきた。かかる技術を開示する特許、報告はきわめて多数に上り、特にポジ型フォトレジストの主要成分であるノボラック樹脂の技術に関しては、そのモノマー組成、分子量分布、合成の方法などに関して多くの特許出願がなされており、一定の成果をおさめてきた。
　しかし、かかる高解像力レジストでは共通して感度が低いという欠点が生ずることが多かった。
　一方、感度を高めるためにはアルカリ可溶基を有する低分子化合物を溶解促進剤として添加するなどの技術が開示されているが、反面、現像ラチチュードが狭くなり、またパターン形状を損なうなどの欠点が新たに生ずることが多かった。
　従って、現像ラチチュードの広いしかも高感度で解像力の良いレジストを開発することが望まれていた。ここで現像ラチチュードとは、現像して得られるレジスト線幅の現像時間依存性、あるいは温度依存性で表すことが出来る。
「本発明が解決しようとする問題点」
　従って、本発明の目的は高解像力を保ちつつ、しかも感度のロスなしに、特に広い現像ラチチュードを有するポジ型フォトレジスト組成物を得ることにある。
「問題点を解決するための手段」
　本発明者等は、上記諸特性に留意し、鋭意検討した結果、ノボラック樹脂の分散度、即ち、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比（以下、分散度と記す）が重要であることを見いだした。
　即ち、本発明の目的は、
（１）▲１▼分散度が１．５〜４．０であるアルカリ可溶性フェノールノボラック樹脂、
▲２▼１，２−キノンジアジド化合物、
▲３▼該ノボラック樹脂に対して２〜３０重量％の、１分子中の総炭素数が１２〜５０で、且つ、１分子中に２〜８個のフェノール性水酸基を有する
下記式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）および（９）のいずれかの
　
上記一般式に於いて、各記号は以下を表す。
Ｒ１〜Ｒ４：　同一でも、異なってもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
Ｒ５、Ｒ６：　同一でも、異なってもよく、水素原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基。
Ｒ７：　水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
Ｒ８〜Ｒ１０：　　同一でも、異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
ａ〜ｄ：　　０もしくは１から３の整数。
ｌ〜ｎ：　　１から３の整数。
ｅ〜ｇ：　　０もしくは１から２の整数。
ｐ：　　　　１から３の整数。
ｈ：　　　　０もしくは１から（４−ｐ）の整数。
ｑ：　　　　３から７の整数。
ｒ：　　　　１から３の整数。
Ｘ：　　　　メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン基、ハロアルキルメチレン基。
Ｚ：　　　　単結合、オキシメチレン基。
　更にまた、
　
のいずれかを表す。
　ただし、該ノボラック樹脂の分子量は、標準ポリスチレンを参照値として定義されたゲルパーミェーションクロマトグラフイー（以下ＧＣＰと記す）によって得られる値を指す。
また、▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。
　
式中、Ｒ１〜Ｒ７は、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基、あるいはＯＤ基（但し、Ｄは水素原子または１，２−キノンジアジド基を含有する有機基）のいずれかを示し、
　これらＲ１〜Ｒ７の各々は、それぞれ２種以上の異なる基として各ベンゼン環に結合していてもよく、かつＲ１〜Ｒ３の何れかには、並びにＲ４、Ｒ５およびＲ７のいずれかには、少なくとも１個のＯＤ基が含まれているものとし、
　Ｒ８およびＲ９は、それぞれ、水素原子、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基のいずれかを示し、
　ａ〜ｅおよび　は、それぞれ０〜５の整数を示し、
　ｆは、０〜４の整数を示す。
（但し、ａ〜ｃのうち少なくとも１つ、およびｄ、ｅ、ｇのうち少なくとも１つは０ではない。）
　ここで、公知技術と本発明との関係について説明しておく。
　ノボラック樹脂にある特有の分子量分布を持たせることによってレジストの特性を改良する試みは、既に公知である。例えば、特開平１−１０５２４３号には分子量が５００から５０００の範囲が３０％以下になるような分布を持たせたノボラック樹脂が好ましいと記述されている。また、特開昭６２−２２７１４４号、及び同６３−２０４４号には分子量分布に於ける特定分子量領域の比率に好ましい範囲があることが示されている。更に、同６０−９７３４７号、及び同６０−１８９７３９号には低分子量成分を分別除去したノボラック樹脂が、また特に同６０−４５２３８号には、本発明に用いるような分散度が３以下の樹脂を用いることが記述されている。
　また、本発明に用いることができる芳香族水酸基を有する低分子化合物は通常溶解促進剤として、感度の向上などの目的で用いられるもので、レジスト組成物への添加については多数の例が開示されている。しかし、かかる化合物はこれを添加すると未露光部の膜減りが増加し、結果としてレジストの形状を悪化させるのが普通である。また、現像速度を増加させるが故に、現像ラチチュードも低下するのが一般的である。従って、これらを最小限に抑えるようにして好ましい化合物の構造選択が行われてきた。
　然るに、本発明の効果はノボラック樹脂がある特定の分散度を有し、しかもこれに上記低分子化合物を添加した場合にのみ発揮される特異な効果である。
　即ち、かかる低分子化合物を本発明に規定するノボラック樹脂と組み合わせると、期待通り低分子化合物の溶解促進作用によりレジストの感度を向上させる一方、全く意外なことにいずれか単独で得られるよりも広い現像ラチチュードを与えるのである。
　このような特異な効果が何故発生するのかは明らかではないが、いずれにしてもこの組合せで得られる解像力、現像ラチチュードは、いずれの単独または加成の効果からも期待され得るものではなく、本発明はこの特異な組合せ効果の発見に基づいてなされたものである。
　以下に本発明の態様を詳細に説明する。
　本組成物に用いるノボラック樹脂は比較的狭い分子量分布を持つ必要がある。このようなポリマーの分子量分布の広がりは、一般に重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）の比、即ちＭＷ／Ｍｎ値（分散値）をもって表すことが出来ることが知られている。分布が広いほど数値は大きくなり、分布のないものでは比の値は１となる。典型的なポジ型フォトレジストに用いられるノボラック樹脂は比較的広い分子量分布を有しており、例えば特開昭６２−１７２３４１号に典型的に示されているように、多くは分散度が５〜１０の間にある。またＳＰＩＥプロシーディング「Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｒｅｓｉｓｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｖ」　第９２０巻、３４９ページには、この値が３．０のものよりは４．５５から６．７５迄のものの方が高いγ値を与えることが示唆されている。
　本発明に係るノボラック樹脂がかかる効果を発揮するためには、分散度がこれらと異なり、１．５〜４．０、更に好ましくは１．５〜３．５の範囲に入っている必要がある。分散度が大きすぎる場合には、本発明の効果である広い現像ラチチュードが得られない。またこの値が小さすぎるものはそのノボラック樹脂を合成する上で、高度の精製工程を要するので実用上の現実性を欠くがゆえに不適切である。
　本発明のノボラック樹脂はＭｗ値で定義される平均分子量が１０００〜６０００の範囲のものが好ましく、さらには２０００〜４５００の範囲のものが特に好ましい。Ｍｗ値が大きすぎる場合には、上記同様に、広い現像ラチチュードを得る本発明の効果は得られない。
　本発明のように小さな分散度を有するノボラック樹脂を製造するには様々な方法が考えられる。特定のフェノール性モノマーの選択、縮合反応条件の選択、更には分散度の大きな通常のノボラック樹脂を分別沈殿する等の方法でこれを得ることが出来る。本発明の効果を得るためにはこれらのいずれの方法を用いて製造したものでも良い。
　ノボラック樹脂は種々のフェノール類を単独、またはそれらの複数種の混合物をフォルマリンなどのアルデヒド類で重縮合することによって得られるが、ここで用いるフェノール類としてはフェノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−クレゾール、２，３−ジメチルフェノーノル、２，４−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノール、２，６−ジメチルフェノール、３，４−ジメチルフェノールレ、３，５−ジメチルフェノール、２，３，４−トリメチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、２，４，５−トリメチルフェノール、メチレンビスフェノール、メチレンビスｐ−クレゾール、レゾルシン、カテコール、２−メチルレゾルシン、４−メチルレゾルシン、ｏ−クロロフェノール、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、２，３−ジクロロフェノール、ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチノレフェノール、ｐ−エチルフェノール、２，３−ジエチルフェノール、２，５−ジエチルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｐ−ターシャリーブチルフェノール、α−ナフトール、β−ナフトール、４−フェニルフェノールなどを単独、または複数の混合物として用いることが出来る。これらの中では、特にクレゾール、ジメチルフェノール、トリメチルフェノールなどのアルキルフェノールの複数混合物を用いるのが好ましい。また、これらのフェノール類のモノメチロール化体、ジメチロール化体を置換フェノール類として用いることもできる。
　アルデヒド類としては、フォルマリンの他、パラフォルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、グリオキザール、クロロアセトアルデヒド、ジクロロアセトアルデヒド、ブロモアルデヒドなどを単独、または複数の混合で用いることが出来る。
　本発明を構成するフェノール性水酸基を有する低分子化合物としては分子中の炭素数の総数が１２〜５０で、かつフェノール性水酸基の総数が２〜８のものを用いる。かかる化合物のうち、本発明で使用するノボラック樹脂に添加した際に、ノボラック樹脂のアルカリ溶解速度を増大させる化合物が特に望ましい。また該化合物の炭素数が５１以上のものでは本発明の効果が著しく減少する。また１１以下のものでは耐熱性が低下するなどの新たな欠点が発生する。本発明の効果を発揮させるためには、分子中に少なくとも２個の水酸基数を有することが必要であるが、これが９以上になると、現像ラチチュードの改良効果が失われる。
　この低分子化合物の好ましい添加量はノボラック樹脂に対して２〜３０重量％であり、更に好ましくは５〜２５重量％である。３０重量％を越えた添加量では、現像時にパターンが変形するという新たな欠点が発生する。
　
かかる低分子化合物としては、次の一般式（２）、（４）、（５）、（７）、（８）、（９）で記述されるもののうち、本発明の要件を満たす構造のものが特に本効果を発揮しやすい化合物として特定される。但し、本効果を最も有効に発揮させるためには、本発明に実際に用いる感光剤骨格化合物よりは、分子中の（水酸基／総炭素数）の比の値が小さいものを選ぶことが望ましい。
　上記一般式に於いて、各記号は以下を表す。
Ｒ１〜Ｒ４：　　同一でも、異なってもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
Ｒ５、Ｒ６：　　同一でも、異なってもよく、水素原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基。
Ｒ７：　水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
Ｒ８〜Ｒ１０：　　同一でも、異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、低級アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基。
ａ〜ｄ：　　０もしくは１から３の整数。
ｌ〜ｎ：　　１から３の整数。
ｅ〜ｇ：　　０もしくは１から２の整数。
ｐ：　　　　１から３の整数。
ｈ：　　　　０もしくは１から（４−ｐ）の整数。
ｑ：　　　　３から７の整数。
ｒ：　　　　１から３の整数。
Ｘ：　　　　メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン基、ハロアルキルメチレン基。
Ｚ：　　　　単結合、オキシメチレン基。
　更にまた、
　のいずれかを表す。
　本発明に用いられる１，２−ナフトキノンジアジド化合物としては、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸あるいは１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸とポリヒドロキシ芳香族化合物とのエステルが用いられる。
　該ポリヒドロキシ芳香族化合物としては、例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３’４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類、２，３，４−トリヒドロキシアセトフェノン、２，３，４−トリヒドロキシフェニルヘキシルケトン等のポリヒドロキシフェニルアルキルケトン類、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン−１等のビス（（ポリ）ヒドロキシフェニル）アルカン類、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸フェニル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル類、ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アルカン又はビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アリール類、エチレングリコールージ（３，５−ジヒドロキシベンゾエート）等のアルキレン−ジ（ポリヒドロキシベンゾエート）類、３，５，３’，５’−ビフェニルテトロール、２，４，２’，４’−ビフェニルテトロール、２，４，６，３’，５’−ビフェニルベントール、２，４，６，２’，４’，６’−ビフェニルヘキソール等のポリヒドロキシビフェニル類、４，４’，３”，４”−テトラヒドロキシ−３，５，３’，５’−テトラメチルトリフェニルメタン、４，４’，２’，３”，４”−ペンタヒドロキシ−３，５，３’，５’−テトラメチルトリフェニルメタン、２，３，４，２’，３’，４’，３”，４”−オクタヒドロキシ−５，５’−ジアセチルトリフェニルメタン等のポリヒドロキシトリフェニルメタン類、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ−インダン−５，６，５’，６’−テトロール、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ−インダン−５，６，７，５’，６’，７’−ヘキソオール、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ−インダン−４，５，６，４’，５’，６’−ヘキソオール、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ−インダン−４，５，６，５’，６’，７’−ヘキソオール等のポリヒドロキシスピロビ−インダン類、３，３−ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）フタリド、３，３−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）フタリド、３’，４’，５’，６’−テトラヒドロキシスピロ［フタリド−３，９’−キサンテン］等のポリヒドロキシフタリド類、２−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−３，５，７−トリヒドロキシベンゾピラン、２−（３，４，５−トリヒドロキシフェニル）−３，５，７−トリヒドロキシベンゾピラン、２−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−３−（３，４，５−トリヒドロキシベンゾイルオキシ）−５，７−ジヒドロキシベンゾピラン、２−（３，４，５−トリヒドロキシフェニル）−３−（３，４，５−トリヒドロキシベンゾイルオキシ）−５，７−ジヒドロキシベンゾピランなどのポリヒドロキシベンゾピラン類、２，４，４−トリメチル−２−（２’，４’−ジヒドロキシフェニル）−７−ヒドロキシクロマン、２，４，４−トリメチル−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）−７，８−ジヒドロキシクロマン、２，４，４−トリメチル−２−（２’，４’，６’−トリヒドロキシフェニル）−５，７−ジヒドロキシクロマンなどのポリヒドロキシフェニルクロマン類、２，６−ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２，４−ジヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２，４，６−トリヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（２−アセチル−３，４，５−トリヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、２，４，６−トリス（２，３，４−トリヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、２，４，６−トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、４，６−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）ピロガロール、２，６ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、２，６−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）フロログルシノール等のヒドロキシベンジルフェノール類、あるいはケルセチン、ルチン等のフラボノ色素類等、更にはノボラックの低核体、またはその類似物を用いることができる。
　またアセトンピロガロール縮合樹脂やポリビニルフェノールのような芳香族水酸基を含有したポリマーをこれらの低分子化合物に代えて用いることもできる。また本発明になるノボラックの水酸基自身をキノンジアジドで適当量置換して感光物として、あるいはバインダーとしての機能も兼ねさせることも可能である。これらの中では特に芳香族水酸基を、同一芳香環上に２個以上有する部分を包含し、かつ全部で３個以上の水酸基を有する構造を持ったものが好ましい。
　感光物は上記のようなポリヒドロキシ化合物を１，２−ナフトキノンジアジド基で置換した化合物であるが、一般にはその置換度の異なる異性体の混合物が用いられる。しかし、本発明の効果を発揮させるためには、置換度の低い異性体の混入は好ましくない。更に具体的に述べるなら、全ての水酸基を置換したものと一個の水酸基のみが未置換で残った異性体との総和が感光物全体の８０重量％以上、更に好ましくは９０重量％以上のものを用いることが必要である。
　また、このような▲２▼および▲３▼の化合物のうち、下記構造物を除く。
　
　
式中、Ｒ１〜Ｒ７は、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基、あるいはＯＤ基（但し、Ｄは水素原子または１，２−キノンジアジド基を含有する有機基）のいずれかを示し、
　これらＲ１〜Ｒ７の各々は、それぞれ２種以上の異なる基として各ベンゼン環に結合していてもよく、かつＲ１〜Ｒ３の何れかには、並びにＲ４、Ｒ５およびＲ７のいずれかには、少なくとも１個のＯＤ基が含まれているものとし、Ｒ８およびＲ９は、それぞれ、水素原子、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基のいずれかを示し、
　ａ〜ｅおよびｇは、それぞれ０〜５の整数を示し、
　ｆは、０〜４の整数を示す。
（但し、ａ〜ｃのうち少なくとも１つ、およびｄ、ｅ、ｇのうち少なくとも１つ０ではない。）
　本発明における感光物とアルカリ可溶性ノボラック樹脂の使用比率は、ノボラック樹脂１００重量部に対し感光物５〜５０重量部、好ましくは１０〜４０重量部である。この使用比率が５重量部未満では残膜率が著しく低下し、また５０重量部を超えると感度及び溶剤への溶解性が低下する。
　本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラック樹脂を溶解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル類のエーテル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどの脂肪酸エステル類、１，１，２−トリクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる。これら溶剤は単独で、あるいは複数の溶剤を混合して使用することもできる。
　本発明のポジ型フォトレジスト用組成物には、必要に応じ染料、可塑剤、接着助剤及び界面活性剤等を配合することができる。その具体例を挙げるならば、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等の染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フェノキシ樹脂、アルキツド樹脂、エポキシ樹脂等の可塑剤ヘキサメチルジシラザン、クロロメチルシラン等の接着助剤及びノニルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、オクチルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール等の界面活性剤がある。
　特に染料に於いては、分子内に芳香族水酸基、カルボン酸基などのアルカリ可溶基を含む染料、例えばグルタミン等が特に有利に使用されるが、かかる化合物を添加する場合には、本発明の低分子溶解促進剤の量をこれに合わせて調節し、最適の性能を得ることが望ましい。
　上記ポジ型フォトレジスト組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）、ガラス、セラミックス、金属等の基板上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により０．５〜３μｍの厚みに塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像することにより良好なレジストを得ることができる。塗布性を改良する目的で弗素置換基やシリコン含有基等を有する界面活性剤を添加して、表面張力を低下させることも好ましい。
　本発明のポジ型フォトレジスト用組成物の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤、芳香族水酸基含有化合物などを適当量添加して使用することもできる。中では、特にテトラアンモニウムヒドロキシドを用いることが最も好ましい。
「発明の効果」
　本発明のポジ型フォトレジスト組成物は解像力に優れ、かつ高感度でありながら、現像のラチチュードが広いという特徴を有する。従って、超微細な回路を有する半導体基板の量産製造用に最も好適に用いられるものである。
「実施例」
　以下に本発明をその実施例をもって説明するが、無論本発明の態様はこれらの実施例にのみ限定されるべきものではない。
合成例１
　以下に本発明にかかるノボラック樹脂（ｂ）及び比較のためのノボラック樹脂（ａ）の合成例を示す。
（１）ノボラック樹脂（ａ）の合成
　ｍ−クレゾール４５ｇ、Ｐ−クレゾール５５ｇ、３７％フォルマリン水溶液４４．９ｇ及び蓚酸２水和物０．０５ｇを攪拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つロフラスコに仕込み、攪拌しながら１００℃まで昇温し、７時間反応させた。反応後室温まで冷却し、還流冷却管を取り除いて３ｍｍＨｇまで減圧した。
　ついで徐々に１５０℃まで昇温し、水及び未反応モノマーを除去した。得られたノボラック樹脂をポリスチレン標準のＧＰＣで分析したところ、Ｍｗが２３１０、分散度は５．５４であった。これをノボラック樹脂（ａ）とした。
（２）ノボラック樹脂（ｂ）の合成
　上記ノボラック樹脂（ａ）５４ｇをとって、５０ｍｌのＭＥＫに溶解し、次いで２０００ｍｌのシクロヘキサンを加え、攪拌しながら６０℃に加温した。この溶液をそのまま室温まで静置して１６時間放置し、沈澱を得た。この沈澱物を回収濾過し、５０℃の真空オーブンで乾燥して約１８ｇのノボラック樹脂（ｂ）を得た。
　これをＧＰＣで分析すると、Ｍｗが３５４０、分散度は３．０５であった。
合成例２
　以下に本発明に係る別なノボラック樹脂（ｃ）（ｄ）及び比較のためのノボラック樹脂（ｅ）の合成例を示す。
（３）ノボラック樹脂（ｃ）の合成
　ｍ−クレゾール６０ｇ、ｐ−クレゾール２８ｇ、２，６−ビスヒドロキシメチルｐ−クレゾール３１．２ｇ、３７％フォルマリン水溶液２２．４ｇを、攪拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つ口フラスコに仕込み、１１０℃の油浴で加熱しながら攪拌した。内温が９０℃に達した時点で、１．３０ｇの蓚酸２水和物を添加した。その後１５時間還流下で反応を続け、更に油浴の温度を２００℃まで上げて、還流冷却管を除いた減圧下で水と未反応モノマーを除去した。得られたノボラック樹脂をＧＰＣで分析したところ、Ｍｗは３５６０、分散度は３．７５であった。
（４）ノボラック樹脂（ｄ）の合成
　５００ｍｌのケルダールフラスコ中で上記ノボラック樹脂（ｃ）５０ｇを１５０ｇのメタノールと２５ｇのエチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）との混合溶媒に溶解し、次いで１００ｇの純水を撹拌しながら添加すると液は混濁した。これを室温下で３０分放置して、分離した２層を得た。上層をデカンテーションで取り除いた後、減圧蒸留して溶媒を取り除き、固形のノボラック樹脂を得た。Ｍｗは４２８０、分散度は３．３６であった。
（５）ノボラック樹脂（ｅ）の合成
　ｍ−クレゾール６０ｇ、ｐ−クレゾール４０ｇ、２，６−ビスヒドロキシメチルｐ−クレゾール１５．６ｇ、３７％フォルマリン水溶液４０．７ｇを、撹拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つ口フラスコに仕込み、更に２．６０ｇのの蓚酸２水和物を加えて、１１０℃の油浴で加熱しながら撹拌した。１８時間還流下で反応を続け、更に油浴の温度を２００℃まで上げて、還流冷却管を除いた減圧下で水と未反応モノマーを除去した。得られたノボラック樹脂をＧＰＣで分析したところ、Ｍｗは６３６０、分散度は４．６８であった。
合成例３
　以下に本発明に係る更に別なノボラック樹脂（ｆ）（ｇ）及び比較のためのノボラック樹脂（ｈ）の合成例を示す。
（６）ノボラック樹脂（ｆ）の合成
　ｍ−クレゾール２０ｇ、ｐ−クレゾール３０ｇ、２，３−ジメチルフェノール２２．６ｇ、２，６−ビスヒドロキシメチルｐ−クレゾール４６．４ｇを５００ｇのＥＣＡと混合し、撹拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つ口フラスコに仕込んだ。次いで、３７％フォルマリン水溶液６．８ｇを添加、１１０℃の油浴で加熱しながら撹拌した。内温が９０℃に達した時点で、５．４ｇの蓚酸２水和物を添加した。その後１８時間油浴の温度を１１０℃に保って反応を続け、反応物を冷却後、大量の水にあけて沈澱したノボラック樹脂を回収、乾燥した。得られたノボラック樹脂はＭｗが２３２０、分散度は２．０５であった。
（７）ノボラック樹脂（ｇ）の合成
　ｍ−クレゾール２０ｇ、ｐ−クレゾール４５ｇ、２，３−ジメチルフェノール２２．６ｇ、２，６−ビスヒドロキシメチルｐ−クレゾール２３．２ｇを１５０ｇのＥＣＡと混合し、撹拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つ口フラスコに仕込んだ。次いで、３７％フォルマリン水溶液３１．８ｇを添加、１１０℃の油浴で加熱しながら撹拌した。内温が９０℃に達した時点で、１０．２ｇの蓚酸２水和物を添加した。その後１８時間油浴の温度を１１０℃に保って反応を続け、反応物を冷却後、大量の水にあけて沈澱したノボラック樹脂を回収、乾燥した。得られたノボラック樹脂はＭｗが４７２０、分散度は３．３２であった。
（８）ノボラック樹脂（ｈ）の合成
　ｍ−クレゾール２０ｇ、ｐ−クレゾール５５ｇ、２，３−ジメチルフェノール２２．６ｇ、２，６−ビスヒドロキシメチルｐ−クレゾール７．７ｇを、撹拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つ口フラスコに仕込んだ。次いで、３７％フォルマリン水溶液４０．６ｇを添加、１１０℃の油浴で加熱しながら撹拌した。内温が９０℃に達した時点で、２．３ｇの蓚酸２水和物を添加した。その後１８時間油浴の温度を１１０℃に保って反応を続け、次いで還流冷却管を取り除いて２００℃で減圧蒸留し、未反応モノマーを取り除いた。２００ｇのＥＣＡを添加して反応物を冷却後、大量の水にあけて沈澱したノボラック樹脂を回収、乾燥した。得られたノボラック樹脂はＭｗが８６９０、分散度は６．２５であった。
合成例４
　　以下に本発明に係る更に別なノボラック樹脂（ｉ）（ｊ）の合成例を示す。
（９）ノボラック樹脂（ｉ）の合成
　Ｐ−クレゾール３０ｇ、ｏ−クレゾール１４ｇ、２，３−ジメチルフェノール５０ｇ、２，３，５−トリメチルフェノール２０ｇ、２，６−ジメチルフェノール４．９ｇを５０ｇのジエチレングリコールモノメチルエーテルと混合し、撹拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つ口フラスコに仕込んだ。次いで、３７％フォルマリン水溶液８５ｇを添加、１１０℃の油浴で加熱しながら撹拌した。内温が９０℃に達した時点で、６．２ｇの蓚酸２水和物を添加した。その後１８時間油浴の温度を１３０℃に保って反応を続け、次いで還流冷却管を取り除いて２００℃で減圧蒸留し、未反応モノマーを取り除いた。得られたノボラック樹脂はＭｗが３２３０、分散度は２．７５であった。
（１０）ノボラック樹脂（ｊ）の合成
　５００ｍｌのケルダールフラスコ中で上記ノボラック樹脂（ｉ）５０ｇを１００ｇのメタノールと５０ｇのエチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）との混合溶媒に溶解し、次いで５０ｇの純水を撹拌しながら添加すると液は混濁した。これを室温下で３０分放置して、分離した２層を得た。上層をデカンテーションで取り除いた後、減圧蒸留し溶媒を取り除き、固形のノボラック樹脂を得た。Ｍｗは４３２０、分散度は３．６８であった。
合成例５
　以下に本発明に係る更に別なノボラック樹脂（ｋ）の合成例を示す。
（１１）ノボラック樹脂（ｋ）の合成
　ｍ−クレゾール６０ｇ、Ｐ−クレゾール４０ｇ、３７％フォルマリン水溶液４８．６ｇ及び蓚酸２水和物０．０５ｇを撹拌機、還流冷却管、温度計を取り付けた３つ口フラスコに仕込み、撹拌しながら１００℃まで昇温し、７時間反応させた。反応後室温まで冷却し、還流冷却管を取り除いて３０ｍｍＨｇまで減圧した。
　ついで徐々に１５０℃まで昇温し、水及び未反応モノマーを除去した。得られたノボラック樹脂をポリスチレン標準のＧＰＣで分析したところ、Ｍｗが７３５０、分散度は７．８６であった。
　このノボラック樹脂１０ｇを５００ｍｌのＴＨＦに溶解し、分取用ＧＰＣカラムＴＳＫ−ＧＥＬ、Ｇ−２０００ＨＧ８、及びＧ４０００ＨＧ６（東ソー製）２本を装着したＧＰＣ装置にチャージした。溶離液としてＴＨＦを流速５ｍｌ／分で流し、Ｍｗ値が６０００〜８０００の範囲を分画して回収した。溶媒を留去して得たノボラック樹脂を樹脂（ｋ）とした。ＧＰＣで分析するとＭｗが７２６０、分散度は２．５５であった。
合成例７
（１５）　感光物（Ａ）の合成
　２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド４３ｇ及びγブチロラクトン４００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝１７ｇ／４０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合物を１％塩酸水溶液１０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水とメタノールで洗浄、乾燥（４０℃）を行い、感光物（Ａ）を回収した。
　生成物を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析したところ、その２５４ｎｍの吸光度で検出されるチャート上のピーク面積比で見て、４置換エステルが８９％、３置換エステルが５％、残りがその他の低置換体からなる混合物であった。
（１６）　感光物（Ｂ）の合成
　４，４，４’，４’，−テトラメチル−２，２’−スピロビクロマン−６，７，６’，７’−テトロール１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド３４．５ｇ及びジオキサン５００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／ジオキサン＝１３．７ｇ／５０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水とメタノールで洗浄、乾燥（４０℃）を行い、感光物（Ｂ）を回収した。
　生成物をＨＰＬＣで上記同様に分析したところ、４置換エステルが９３％、残りがその他の低置換体からなる混合物であった。
（１７）　感光物（Ｃ）の合成
　３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン−５，６，７，５’，６’，７’−ヘキソール１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド３４．５ｇ及びアセトン５００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝１３．７ｇ／５０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水とメタノールで洗浄、乾燥（４０℃）を行い、感光物（Ｃ）を回収した。
　生成物をＨＰＬＣで分析したところ、４置換エステルが９６％、残りがその他の低置換体からなる混合物であった。
（１８）　感光物（Ｄ）の合成
　２，６−ビス（３，５−ジメチル４−ヒドロキシベンジル）ｐ−クレゾール１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジドー５−スルホニルクロリド３１．３ｇ及びアセトン３００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝１２．４ｇ／３０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で１５時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水とメタノールで洗浄、乾燥（４０℃）を行い、感光物（Ｄ）を回収した。
　生成物をＨＰＬＣで分析したところ、３置換エステルが８３％、２置換エステルが１２％、残りがその他の低置換体からなる混合物であった。
（１９）　感光物（Ｅ）の合成
　２，６−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）ピロガロール１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド３１．８ｇ及びアセトン３００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝１２．６ｇ／３０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で１５時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水とメタノールで洗浄、乾燥（４０℃）を行い、感光物（Ｅ）を回収した。
　生成物をＨＰＬＣで分析したところ、５置換エステルが９３％、残りがその他の低置換体からなる混合物であった。
（２０）　感光物（Ｆ）の合成
　２，６−ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンジル）−ｐ−クレゾール１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド５２．４ｇ及びγブチロラクトン５００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝２０．７ｇ／３０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で１５時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水とメタノールで洗浄、乾燥（４０℃）を行い、感光物（Ｆ）を回収した。
　生成物をＨＰＬＣで分析したところ７置換エステルが４８％、６置換エステルが４４％、残りがその他の低置換体からなる混合物であった。
（２１）　感光物（Ｇ）の合成
　２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド２９．７ｇ及びジオキサン４００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／ジオキサン＝１１．８ｇ／４０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１０００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水で洗浄、乾燥（４０℃）を行い、感光物（Ｇ）を回収した。
　生成物を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析したところ、４置換エステルが４３％、３置換エステルが２４％、２置換エステノレが１２％、残り２１％がその他の低置換体及び未反応テトラヒドロキシベンゾフェノンからなる混合物であった。
　以下に、上記合成例に於て製造されたノボラック樹脂を用いて、所定の低分子化合物と組み合わせて処方化された本発明のレジスト、及び比較のためのレジストの実施例を示す。
　まず、本実施例に用いた低分子化合物の具体例を以下の略称で示す。
化合物−１：　一般式（２）に於て、ａ〜ｄ＝０、Ｄ＝２，２’−イソプロピレンの化合物。
化合物−２：　一般式（２）に於て、ａ〜ｄ＝１、Ｒ１〜Ｒ４＝メチル基、Ｄ＝２，２’−イソプロピレンの化合物。
化合物−４：　一般式（４）に於ける、４，６−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）ピロガロール。
化合物−５：　一般式（４）に於ける、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−ｐ−クレゾール。
化合物−６：　一般式（４）に於ける、ｐ−クレゾールダイマー。
化合物−７：　一般式（５）に於ける、２，４，５−トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジル）−１，３，５−トリヒドロキシベンゼン。
化合物−８：　一般式（５）に於ける、２，４，５−トリス（２−ヒドロキシベンジル）−１，３，５−トリメトキシベンゼン。
化合物−１２：　一般式（７）に於ける、２，８，１４，２０−テトラメチルペンタシクロ【１９．３．１．１３．７．１９．１３．１１５．１９】オクタコサ−１（２５），３，５，７（２８），９，１１，１３（２７），１５，１７，１９（２６），２１，２３−ドデカエン−４，６，１０，１２，１６，１８，２２，２４−オクトール。
化合物−１３：　一般式（９）に於ける、１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，３−トリメチル−５，６−ジヒドロキシインダン。
　また、比較のために試験された、本発明に該当しない低分子化合物の例を次に示す。
化合物−１４：　フロログルシノール
化合物−１５：　４−フェニルフェノール
化合物−１６：　一般式（２）に於て、ａ〜ｄ＝１、Ｒ１〜Ｒ４＝イソプロピル基、Ｄ＝ジメチルメチレン基の化合物（総炭素数＝５５）
化合物−１７：　２，４，６−トリス（２，３，４−トリヒドロキシ−５−ベンゾイル）−１，３，５−トリヒドロキシベンゼン（総水酸基数＝１２）
実施例３
　上記合成例２で得られたノボラック樹脂（ｄ）を５ｇに、参考例７で得られた感光物（Ａ）〜（Ｇ）、更に上記低分子化合物−１〜２０を表−３に記載の量で混合し、これを乳酸エチル１８ｇに溶解し、０．２μｍのミクロフィルターを用いて濾過してフォトレジスト組成物を調製した。
　
このフォトレジストをスピナーを用いてシリコンウエハーに塗布し、真空吸着式ホットプレートで９０℃、６０秒間乾燥して膜厚１．２μｍのレジスト膜を得た。この膜に縮少投影露光装置（キャノン社製　ＦＰＡ−１５５０Ｍ−ＩＩＩ）を用い露光した後、１２０℃の真空吸着式ホットプレートで９０秒間加熱し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキシド水溶液で１分間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハーのレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストを評価した。
　感度は０．７μｍのマスクパターンを再現する露光量もって定義した。
　更に各サンプルにつき、現像ラチチュードを評価するために現像時間を２０秒と９０秒とに変えて同様な評価を行った。この両者での、上記で定義された感度の比をもって現像ラチチュードの指標とした。この値が１．０に近いほど、現像ラチチュードが広くて望ましい結果ということになる。
　解像力は０．７μｍのマスクパターンを再現する露光量における限界解像力を表す。
　耐熱性は、レジストがパターン形成されたシリコンウエハーをホットプレートで４分間べークし、そのパターンの変形が起こらない温度を示した。
　得られた結果を表−３にまとめた。
　以上のように、本発明の要件を満たすレジストサンプルは感度の著しい低下なしに、高い解像力を発揮し、更にいずれも比較対象に比べて現像ラチチュードが優れていることが判る。