【事件の表示】
　特許第２９３２８２６号「表示装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９３２８２６号の請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９３２８２６号の請求項１乃至５に係る発明は、平成４年４月１４日に特許出願され、平成１１年５月２８日にその特許の設定の登録がなされ、その後、セイコーエプソン株式会社により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月３０日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否に対する判断
２−１．訂正事項
  （ａ）特許明細書の請求項１乃至５「　【請求項１】　基板上に形成され、第１の方向に延びる保持容量用電極、上記基板上に形成され、上記保持容量用電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記保持容量用電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記保持容量用電極は、上記画素領域単位に上記ゲート配線と電気的に接続されており、上記保持容量用電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差していることを特徴とする表示装置。
　　【請求項２】　基板上に形成され、第１の方向に延びる電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極は、上記画素領域単位に上記ゲート配線と電気的に接続されており、上記電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差していることを特徴とする表示装置。
　　【請求項３】　電極とゲート配線との間に誘電体膜が設けられており、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
　　【請求項４】　電極は、画素領域に配設された画素電極の一部と誘電体膜を介して対向配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
　　【請求項５】　ソース配線は、アルミニウムとクロムとが積層した金属膜よりなることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。」を
「【請求項１】　基板上に形成され、第１の方向に延びる電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極と上記ゲート配線との間に設けられた誘電体膜、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極と上記ゲート配線とは上記誘電体膜を介して積層されており、上記画素領域単位に、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続され、かつ、上記電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】　電極は、画素領域に配設された画素電極の一部と誘電体膜を介して対向配置されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】　ソース配線は、アルミニウムとクロムとが積層した金属膜よりなることを特徴とする請求項１記載の表示装置。」と訂正する。
　（ｂ）特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合を図るため【０００７】の【課題を解決するための手段】及び【００１２】の第１行〜第１９行を訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
  上記訂正事項（ａ）は、特許請求の範囲の第１項を削除し、第２項に第３項を組み合せたものを新たな第１項とし、第３項を削除し、第４項及び第５項を新たな第２項及び第３項に訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、実質的に特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではなく、願書に添付した明細書及び図面に記載された事項の範囲内においてなされたものである。又、上記訂正事項（ｂ）は、特許請求の範囲の訂正に伴い、それとの整合を図るためになされたものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当する。
２−３．訂正の適否に対するむすび
　以上のとおり、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定及び第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．取消理由についての判断
３−１．本件訂正発明
　本件の請求項１乃至３に係る発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記訂正事項（ａ）参照。）
３−２．引用刊行物
　当審が通知した取消理由通知に引用した特開平２−２７７０２７号公報（以下「刊行物１」という）には、
「複数の信号線と複数の走査線との各交差点に薄膜トランジスタを配し、該各薄膜トランジスタを介して夫々信号線に結合される表示電極を備えた表示電極基板と、該表示電極基板に対向した対向電極を備える対向電極基板と、及び上記両電極基板間に配置された液晶物質とからなる液晶表示装置において、上記表示電極線の各走査線を夫々少なくとも２本のバスラインで構成し、一方のバスラインに上記薄膜トランジスタのゲート電極を連設し、他方のバスラインに付加容量電極を連設すると共に、上記両バスライン間を複数のブリッジラインで連結したことを特徴とする液晶表示装置。」（特許請求の範囲）、
「アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、その表示電極基板に数百本の走査線と信号線、数万のＴＦＴと表示電極、更には補助容量を備えているので、構造が複雑になり、製造プロセスも煩雑になるため、走査線や信号線等の断線、及びこれら配線交差部での層間短絡事故が絶えない。」（１頁右下欄１９行〜２頁左上欄５行）、
「本発明は、・・・走査線や信号線等の断線、及びこれら配線交差部での短絡事故を簡単に修復できる構造として表示欠陥の低減を可能とした・・・ものである。」（２頁左上欄１９行〜右上欄３行）、
「第１図、第２図に示す如く、ガラス基板１上に、画素単位のＴＦＴのゲート電極を兼ねた第１バスライン３，画素単位の補助容量電極２を連設した第２バスライン４及び画素単位で両バスライン３，４を連設したブリッジライン５となる第１金属膜が第３図のパターンに形成されている。」（２頁左下欄１２〜１８行）、
「第１バスライン３に断線事故が生じた場合でも、走査線に給電する走査パルスは、断線箇所Ａ近くのブリッジライン５，第２のバスライン４を経由して全走査線に給電される。また、第２のバスラインに断線が生じても、同様の働きにより走査パルスの給電を可能とできる。」（３頁左上欄１０行〜１６行）、
「ドレイン配線１２と信号線の第１バスライン３との間で交差部Ｃで短絡事故が生じた場合、この交差部の第１のバスライン３の両端部ｃ、ｃを夫々レーザー光で切断して、ドレイン配線１２を走査線から分離する。この場合、ブリッジライン５，第２のバスライン４のバイパス作用により、信号線の断線は無く、表示欠陥は生じない。」（３頁右上欄８〜１４行）と記載されている。又、第４図には、ゲート電極を兼ねた第１バスラインとそれに沿って同じ方向に延びる画素単位の補助容量電極２を連設した第２バスライン４とが画素単位毎にブリッジラインを介して電気的に接続され、前記第２バスラインは、ゲート電極を兼ねた第１バスラインとドレイン配線との交差部以外の領域で、ドレイン配線１２と交差しているものが図示されている。
　上記によれば、刊行物１には、走査線や信号線等の断線、及びこれら配線交差部での短絡事故を簡単に修復でき、表示欠陥の低減を可能とすることを目的とし、「ゲート電極を兼ねた第１バスラインとそれに沿って同じ方向に延びる画素単位の補助容量電極２を連設した第２バスライン４とが画素単位毎にブリッジラインを介して電気的に接続され、前記第２バスラインは、ゲート電極を兼ねた第１バスラインとドレイン配線との交差部以外の領域で、ドレイン配線１２と交差しているアクティブマトリクス型の液晶表示装置」の発明が記載されている。
　同じく、特開平４−８３２３２号公報（以下「刊行物２」という）には、
「マトリクス形表示装置は、通常、互いに対向する２枚の基板の間に液晶等の表示材料が挟持された構造になっている。上記基板の少なくとも一方には、マトリクス状に配列された透明な導電膜からなる画素電極を設け、これらの画素電極毎に選択的に電圧を印加するためにトランジスタ等のスイッチング素子を設けている。さらに、表示特性向上のために画素毎に電荷保持容量を設けている。」（１頁右下欄３〜１１行）、
「この発明の一実施例を図について説明する。第１図はこの発明の一実施例によるマトリクス形表示装置の薄膜トランジスタアレイ基板を示す平面図、・・・多数のゲート電極線（１）とソース電極（２）とで区画された区画部分（９）に薄膜トランジスタ（３）や画素電極（１４）が設けられた構造になっている。これらの図において、（８）は透明な絶縁基板、（１７）は絶縁基板（８）上に形成された透明な下部電極、（１８）は絶縁基板（８）上に設けられた透明な電荷保持容量絶縁膜で、下部電極（１７）を覆うように形成されている。・・・（１４）は電荷保持容量絶縁膜（１８）上に透明導電膜で形成された画素電極であり、下部電極（１７）と重なり合う部分およびこれらの間に介在する電荷保持絶縁膜（１８）で電荷保持容量（７）を構成している。（１）は電荷保持容量絶縁膜（１８）上に互いに平行に形成されたゲート電極線、（４）はゲート電極で、第１図において上方のゲート電極線（１）から区画部分（９）へ延長することにより形成されている。画素電極（１４）は第１のコンタクトホール（ホースは誤記と認める）（１９）を通して隣接するゲート電極線（１）、即ち、第１図において下方のゲート電極線（１）につながっている。（１２）はこれらの上に形成された透明なゲート絶縁膜、・・・（２）はこれらの上に互いに平行、かつ、ゲート電極線（１）とは直交して形成されたソース電極線」（３頁左上欄９行〜左下欄５行）、
「下部電極（１７）と隣接するゲート電極線（１）、即ち第１図において下方のゲート電極線（１）とが第１のコンタクトホール（１９）を通して互いに電気的につながるようにする。」（３頁右下欄８〜１２行）、
「アルミニウム（Ａｌ）等の金属を堆積してパターニングを行い、ソース電極線（２）、ソース電極（５）およびドレイン電極（６）を形成する。」と記載されている。
　上記によれば、刊行物２には、「絶縁基板上に画素毎に設けられた下部電極、第１の方向に延びるゲート電極線の上に形成されたゲート絶縁膜、これらの上にゲート電極線とは直交して形成されたアルミニウム等の金属からなるソース電極線、並びに上記ゲート電極線とソース電極線とで区画された区画部分に薄膜トランジスタや画素電極が設けられた薄膜トランジスタアレイ基板と、対向基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、下部電極を覆うように電荷保持絶縁膜が形成されており、その上に形成されたゲート電極線と前記下部電極とが電荷保持絶縁膜のコンタクトホールを通して互いに電気的につながっている表示装置。」の発明が記載されている。
３−４．対比・判断
（請求項１に係る発明について）
　本件の請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という）と刊行物２記載の発明（以下「引用発明」という）とを対比する。
　引用発明の「絶縁基板」、「下部電極」、「ゲート電極線」、「ゲート絶縁膜」、「電荷保持絶縁膜」、「直交し」、「薄膜トランジスタ」、「区画部分」は、
　本件発明１の「基板」、「電極」、「ゲート配線」、「絶縁膜」、「誘電体膜」、「第２の方向に延びる、又は、交差する」、「ＴＦＴ」、「画素領域」にそれぞれ相当し、対向基板が透明電極を有することは自明である。
　したがって、両者は「基板上に形成された電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極と上記ゲート配線との間に設けられた誘電体膜、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極と上記ゲート配線とは上記誘電体膜を介して積層されており、上記画素領域単位に、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続され、かつ、上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差している表示装置。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点：電極が、本件発明１では、ゲート配線に沿って第１の方向に延び、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差しているのに対し、引用発明では、画素毎に形成されているのでソース配線と交差しない点。
　上記相違点につき検討する。
　上記刊行物１記載の発明の「ゲート電極を兼ねた第１バスライン」、「画素単位の補助容量電極２を連設した第２バスライン４」及び「ドレイン配線１２」は、本件発明１の「ゲート配線」、「第１の方向に延びる電極」及び「ソース配線」に相当し、刊行物１記載の発明の「ブリッジライン」も本件発明１の「コンタクトホール」も、電極とゲート配線とを電気的に接続する点で共通のものであるから、刊行物１記載の発明には本件発明１の上記相違点の構成が備わっている。
　ところで、本件発明１において、電極をゲート配線に沿って延びる配線形状としたのは、ゲート配線の断線やゲート配線とソース配線の短絡に対する冗長性をもたせ、製造歩留まりを向上させることを目的としてなされたものである。そして、このような目的は、上記刊行物１記載の発明の「走査線や信号線等の断線、及びこれら配線交差部での短絡事故を簡単に修復できる構造として表示欠陥の低減を可能とする」ものと格別異なるものではない。
　してみれば、引用発明において、ゲート配線の断線やゲート配線とソース配線の短絡に対する冗長性をもたせるために、電極として上記刊行物１記載の画素単位の補助容量電極２を連設した第２バスライン４を適用し、本件発明１の構成を得ることは当業者が容易になし得たものである。
　しかも、本件発明１によってもたらされる効果は、刊行物１及び２記載のものから予想されるものであり、格別ということはできない。
　したがって、請求項１に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（請求項２に係る発明について）
　刊行物２には、前掲のように、透明導電膜で形成された画素電極と、下部電極と重なり合う部分およびこれらの間に介在する電荷保持絶縁膜で電荷保持容量を構成することが記載されている。
　したがって、請求項２に係る発明は、本件発明１と同様の理由により刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（請求項３に係る発明について）
　液晶表示装置の配線をアルミニウムとクロムの二層とすることは、この出願前周知（例えば、特開平１−１４０１２９号公報及び特開平２−２８７４３５号公報参照）の技術であるから、引用発明のソース配線としてアルミニウムとクロムを積層した金属膜とすることは当業者が容易に想到し得たものである。
　したがって、請求項３に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
３−４．
　よって、本件の請求項１乃至３に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件の請求項１乃至３に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月１９日（２０００．７．１９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
▲１▼訂正事項ａ
　【特許請求の範囲】の【請求項１】乃至【請求項５】の記載、
「　　【請求項１】　基板上に形成され、第１の方向に延びる保持容量用電極、上記基板上に形成され、上記保持容量用電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記保持容量用電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記保持容量用電極は、上記画素領域単位に上記ゲート配線と電気的に接続されており、上記保持容量用電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差していることを特徴とする表示装置。
　　【請求項２】　基板上に形成され、第１の方向に延びる電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極は、上記画素領域単位に上記ゲート配線と電気的に接続されており、上記電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差していることを特徴とする表示装置。
　　【請求項３】　電極とゲート配線との間に誘電体膜が設けられており、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
　　【請求項４】　電極は、画素領域に配設された画素電極の一部と誘電体膜を介して対向配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
　　【請求項５】　ソース配線は、アルミニウムとクロムとが積層した金属膜よりなることを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。」
を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「　　【請求項１】　基板上に形成され、第１の方向に延びる電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極と上記ゲート配線との間に設けられた誘電体膜、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極と上記ゲート配線とは上記誘電体膜を介して積層されており、上記画素領域単位に、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続され、かつ上記電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差していることを特徴とする表示装置。
　　【請求項２】　電極は、画素領域に配設された画素電極の一部と誘電体膜を介して対向配置されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
　　【請求項３】　ソース配線は、アルミニウムとクロムとが積層した金属膜よりなることを特徴とする請求項１記載の表示装置。」
と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【０００７】に
「この発明に係る表示装置は、基板上に形成され、第１の方向に延びる保持容量用電極、上記基板上に形成され、上記保持容量用電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記保持容量用電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記保持容量用電極は、上記画素領域単位に上記ゲート配線と電気的に接続されており、上記保持容量用電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差するものである。
　また、この発明の別の発明に係る表示装置は、基板上に形成され、第１の方向に延びる電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極は、上記画素領域単位に上記ゲート配線と電気的に接続されており、上記電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差しているものである。
　また、上記各表示装置において、上記電極とゲート配線との間に誘電体膜が設けられており、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続されるものである。
　また、上記各表示装置において、上記電極が、画素領域に配設された画素電極の一部と誘電体膜を介して対向配置されているものである。
　また、上記各表示装置において、ソース配線が、アルミニウムとクロムとが積層した金属膜よりなるものである。」
とあるのを
「この発明に係る表示装置は、基板上に形成され、第１の方向に延びる電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極と上記ゲート配線との間に設けられた誘電体膜、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極と上記ゲート配線とは上記誘電体膜を介して積層されており、上記画素領域単位に、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続され、かつ上記電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差しているものである。
　また、上記表示装置において、上記電極が、画素領域に配設された画素電極の一部と誘電体膜を介して対向配置されているものである。
　また、上記表示装置において、ソース配線が、アルミニウムとクロムとが積層した金属膜よりなるものである。」
と訂正する。
　また、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１２】の第１行〜第１９行に
「以上のように、この発明によれば基板上に形成され、第１の方向に延びる保持容量用電極、上記基板上に形成され、上記保持容量用電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記保持容量用電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記保持容量用電極は、上記画素領域内において上記ゲート配線と電気的に接続されており、上記保持容量用電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差しているので、ゲート配線の断線及びゲート配線とソース配線の短絡等に冗長性をもたせ、表示装置の製造歩留を向上させることができる効果がある。
　また、この発明の別の発明によれば、基板上に形成され、第１の方向に延びる電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極は、上記画素領域単位に上記ゲート配線と電気的に接続されており、上記電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差しているので、」
とあるのを
「以上のように、この発明によれば基板上に形成され、第１の方向に延びる電極、上記基板上に形成され、上記電極に沿って第１の方向に延びるゲート配線、上記電極と上記ゲート配線との間に設けられた誘電体膜、上記電極および上記ゲート配線を覆う絶縁膜、上記絶縁膜上に形成され、第２の方向に延びるソース配線、並びに上記ゲート配線および上記ソース配線に囲まれた画素領域を備えたＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間に表示材料を挟持した表示装置であって、上記電極と上記ゲート配線とは上記誘電体膜を介して積層されており、上記画素領域単位に、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続され、かつ上記電極および上記ゲート配線は、上記ソース配線と交差すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差しているので、」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　基板上に形成され、第１の方向に延び
る電
記電
上記電極と上記ゲート配線との間に設けられた誘電体膜、
記電
上記電極と上記ゲート配線とは上記誘電体膜を介して積層されており、上記画素領域単位に、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続され、かつ上記
すると共に、上記電極は、ゲート配線とソース配線との交差部以外の領域で、上記ソース配線と交差している
　　【請求項２】　
電極は、画素領域に配設された画素電極の一部と誘電体膜を介して対向配置されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
　　【請求項３】　
ソース配線は、アルミニウムとクロムとが積層した金属膜よりなることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　この発明は、ＴＦＴアレイを用いた表示装置において、ゲート配線の断線及びゲート・ソース短絡に対する救済方法を提案するものであり、それによりＴＦＴアレイを用いた表示装置の製造歩留の向上に関するものである。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　液晶表示装置は通常二枚の対向電極の間に液晶などの表示材料が挟持され、この表示材料に電圧を印加する方法で構成される。この際、少なくとも一方の基板にマトリクス状に配置した画素電極を設け、これらの画素電極に選択的に電圧を印加するために、各画素毎にＴＦＴ等の非線形特性を有する素子を設けている。
　　　【０００３】
　従来この種の装置としては、図４及び図５に示す様なものがあった。図４は、例えば特開昭５９−１１９３２２号公報に記載された従来の表示装置に用いられているＴＦＴアレイ基板の要部を示す部分平面図、そして図５は図４のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図において、１はガラス等の透明絶縁基板、２は保持容量の下部電極、３は保持容量の誘電体、３−１は保持容量コンタクトホール、４は画素電極、５はゲート電極・配線、６はゲート絶縁膜、７はｉ−ａ−Ｓｉ、８はエッチングストッパー、８−１はエッチングストツパーコンタクトホール、９はｎ−ａ−Ｓｉ、１０はドレイン電極、１１はソース電極・配線、１２はドレイン画素コンタクトホールである。
　　　【０００４】
　従来のＴＦＴアレイは以下の様にして形成されていた。まず、洗浄されたガラス等の透明絶縁基板１上にＭｏやＣｒ等の金属膜をスパッタ法等で成膜し、フォトエッチング法等により保持容量の下部電極２を形成する。２番目にＳｉＯ２やＳｉＮ等の誘電体膜をＣＶＤ法等で成膜し、フォトエッチング法等で保持容量の誘電体膜３を形成する。３番目にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜をＥＢ蒸着法等で成膜し、フォトエッチング法等でパタ−ニングし、画素電極４等を形成する。４番目に、ＣｒやＴａ等の金属膜をスパッタ法等で成膜し、フォトエッチング法等により、ゲート電極・配線５等を形成する。５番目に、ゲート絶縁膜６となるＳｉＯ２やＳｉＮ、半導体層となるｉ−ａ−Ｓｉ７、そしてエッチングストッパ−８となるＳｉＯ２やＳｉＮを、３層を連続的にプラズマＣＶＤ法等で成膜する。そしてエッチングストッパ−８をフォトエッチング法等で形成する。６番目に、ソース・ドレインのオーミックコンタクト層としてのｎ−ａ−Ｓｉ９をプラズマＣＶＤ法等で形成する。７番目に、画素電極４とドレイン電極１０を接続するためのコンタクトホール１２をフォトエッチング法等で形成する。８番目に、Ａｌ、Ａｌ／Ｃｒ、Ａｌ／Ｍｏ等の金属膜をスパッタ法等で成膜し、フォトエッチング法等でソース電極・配線１１及びドレイン電極１０等を形成する。最後に、ソース・ドレイン分離の為のエッチングや保護膜等（図示せず）の形成を行なう。
　　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　上記の様にして形成されたＴＦＴアレイは、図６に示すように異物等によりゲート配線が断線１３したり、ゲ−ト電極・配線とソ−ス電極・配線が短絡１４したりすることによりＴＦＴアレイ及びそれを用いたＴＦＴ・ＬＣＤの製造歩留を低下させるという問題があった。
　　　【０００６】
　この発明はこのような問題を解決するためになされたもので、ゲ−ト配線の断線及びゲ−ト電極・配線とソ−ス電極・配線の短絡に対する冗長性をもたせ、そういった不良によるＴＦＴアレイ及びそれを用いたＴＦＴ・ＬＣＤの製造歩留の向上を目的としている。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　
この
上記電極と上記ゲート配線との間に設けられた誘電体膜、
上記電極と上記ゲート配線とは上記誘電体膜を介して積層されており、上記画素領域単位に、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続され、かつ
　
また、上記表
　また、上
記表
　　　【０００８】
　　【作用】
　上記のようにして構成された表示装置は、ゲ−ト配線が冗長化されているので、異物などによりゲ−ト配線が断線しても電極により電気的にはオ−プンとならない。またゲ−ト配線とソ−ス配線の短絡が発生したとしてもゲ−ト配線をレ−ザ光などで切断し短絡部を切り離すことにより修復でき、しかも電極により電気的にはオ−プンとならない。従ってＴＦＴアレイ及びそれを用いた表示装置の製造歩留も改善されることが期待できる。
　　　【０００９】
　　【実施例】
　実施例１．
　図１及び図２は、この発明の一実施例であり、図１は、この発明の表示装置に用いられているＴＦＴアレイ基板の要部を示す部分平面図、そして図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図において、１はガラス等の透明絶縁基板、２は保持容量の下部電極、３は保持容量の誘電体、４は画素電極、５はゲート電極・配線、６はゲート絶縁膜、７はｉ−ａ−Ｓｉ、８はエッチングストッパー、９はｎ−ａ−Ｓｉ、１０はドレイン電極、そして１１はソース電極・配線である。
　　　【００１０】
　以下にこの発明のＴＦＴアレイの形成方法を説明する。まず、洗浄されたガラス等の透明絶縁基板１上にＭｏやＣｒ等の金属膜をスパッタ法等で成膜し、フォトエッチング法等により保持容量の下部電極２を形成する。この時この電極のパターンは従来例に示したような画素ごとに独立したパタ−ンでなく、図１に示されたように後で形成するゲ−ト配線に沿う形のライン形状とする。２番目にＳｉＯ２やＳｉＮ等の誘電体膜をＣＶＤ法等で成膜しフォトエッチング法等で保持容量の誘電体膜３を形成する。３番目にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜をＥＢ蒸着法等で成膜し、フォトエッチング法等でパタ−ニングし画素電極４等を形成する。４番目に、ＣｒやＴａ等の金属膜をスパッタ法等で成膜し、フォトェッチング法等により、ゲート電極・配線５等を形成する。５番目に、ゲート絶縁膜６となるＳｉＯ２やＳｉＮ、半導体層となるｉ−ａ−Ｓｉ７、そしてエッチングストッパ−８となるＳｉＯ２やＳｉＮを、３層を連続的にプラズマＣＶＤ法等で成膜する。そしてエッチングストッパ−８をフォトエッチング法等で形成する。６番目に、ソ−ス・ドレインのオ−ミックコンタクト層としてのｎ−ａ−Ｓｉ９をプラズマＣＶＤ法等で形成する。７番目に、画素電極４とドレイン電極１０を接続するためのコンタクトホ−ル１２を、フォトエッチング法等で形成する。８番目に、Ａ１、Ａ１／Ｃｒ、Ａ１／Ｍｏ等の金属膜をスパッタ法等で成膜し、フォトエッチング法等でソース電極・配線１１及びドレイン電極１０等を形成する。最後に、ソース・ドレイン分離の為のエッチングや保護膜等（図示せず）の形成を行なう。
　　　【００１１】
　上記のようにして構成されたＴＦＴアレイは、ゲ−ト電極・配線５の下層に絶縁膜３を介してゲ−ト配線と平行に保持容量電極２が存在し、しかも画素ごとにコンタクトホ−ル３−１を介してゲ−ト電極５と電気的に接続されているので、図３に示すように異物などによりゲート配線が断線１３しても下層の保持電極２により電気的にはオ−プンとならない。またゲ−ト電極・配線５とソ−ス電極・配線１１の短絡１４が発生したとしてもゲ−ト配線５をレ−ザ光などで切断し、短絡部Ｃ−Ｃ線部及びＤ−Ｄ部を切り離すことにより修復でき、しかも下層の保持電極２により電気的にはオ−プンとならない。従ってＴＦＴアレイ及びそれを用いた表示装置の製造歩留の飛躍的な改善が期待できる。
　　　【００１２】
　　【発明の効果】
　以上のように、
この発明
上記電極と上記ゲート配線との間に設けられた誘電体膜、
上記電極と上記ゲート配線とは上記誘電体膜を介して積層されており、上記画素領域単位に、上記誘電体膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記電極と上記ゲート配線とが電気的に接続され、かつ
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　この発明の一実施例に係わるＴＦＴアレイの要部を示す部分平面図である。
　　【図２】
　図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
　　【図３】
　この発明の一実施例に係わるＴＦＴアレイを説明する説明図である。
　　【図４】
　従来のＴＦＴアレイの要部を示す部分平面図である。
　　【図５】
　図４のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
　　【図６】
　従来の表示装置における不良発生部を示す説明図である。
　　【符号の説明】
　　１　透明絶縁基板
　　２　保持容量の下部電極
　　３　保持容量の誘電体
３−１　保持容量コンタクトホ−ル
　　４　画素電極
　　５　ゲ−ト電極・配線
　　６　ゲ−ト絶縁膜
　　７　ｉ−ａ−Ｓｉ
　　９　ｎ−ａ−Ｓｉ
　１０　ドレイン電極
　１１　ソース電極・配線