【事件の表示】
　特許第２８８３９４１号「光学位相板とその製造方法及びその光学位相板を用いた液晶表示素子」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８３９４１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第２８８３９４１号の請求項１ないし３に係る発明は、平成２年４月２８日に特許出願され、平成１１年２月１２日にその特許の設定登録がなされ、その後、名越千栄子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年４月３日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正明細書の請求項１〜３に係る発明
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「２．特許請求の範囲
（１）透光性基板上に形成され、略水平配向した高分子膜を主要構成要素とする光学補償を行う光学位相板において、該高分子膜が分子内に架橋構造を有する液晶性高分子からなり、配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程を経て製造されることを特徴とする光学位相板。
（２）配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程を経て製造されることを含む光学位相板の製造方法。
（３）電極を有する一対の基板及び該基板に挟持され正の誘電異方性を有し電圧無印加時に略水平にかつ螺旋軸を基板に垂直に向けてねじれ配向した液晶層からなる液晶セルと、基板の外側に配置された偏光板と、液晶層と偏光板の間に設けられ略水平配向した液晶性高分子層を主要構成要素とする光学位相板とから構成される液晶表示素子において、液晶性高分子層が、分子内に架橋構造を有する液晶性高分子からなり、光学位相板が配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程を経て製造され
ることを特徴とする液晶表示素子。」
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記特許請求の範囲の訂正に対応して発明の詳細な説明では以下の訂正がなされている。
（ａ）明細書６頁１４行〜７頁１５行目（公報４欄１９行〜３７行）「透光性基板上に形成され、略水平配向した高分子膜を主要構成要素とする光学補償板において、該高分子膜が分子内に架橋構造を有する液晶性高分子からなることを特徴とする光学位相板が提供される。
　また、本発明によれば、配向処理の施された基板上に架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布する工程と、該液晶性高分子を配向処理の方向に配向させる工程と、液晶性高分子の架橋性残基を反応させ、架橋構造を形成する工程とを含む光学位相板の製造方法が提供される。
　さらに、本発明によれば、電極を有する一対の基板及び該基板に挟持され正の誘電異方性を有し電圧無印加時に略水平にかつ螺旋軸を基板に垂直に向けてねじれ配向した液晶層からなる液晶セルと、基板の外側に配置された偏光板と、液晶層と偏光板の間に設けられ略水平配向した液晶性高分子層を主要構成要素とする光学位相板とから構成される液晶表示素子において、液晶性高分子層が、分子内に架橋構造を有する液晶性高分子からなることを特徴とする液晶表示素子が提供される。」の記載を、
「透光性基板上に形成され、略水平配向した高分子膜を主要構成要素とする光学補償を行う光学位相板において、該高分子膜が分子内に架橋構造を有する液晶性高分子からなり、配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程を経て製造されることを特徴とする光学位相板が提供される。
　また、本発明によれば、配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程を経て製造されることを含む光学位相板の製造方法が提供される。
　さらに、本発明によれば、電極を有する一対の基板及び該基板に挟持され正の誘電異方性を有し電圧無印加時に略水平にかつ螺旋軸を基板に垂直に向けてねじれ配向した液晶層からなる液晶セルと、基板の外側に配置された偏光板と、液晶層と偏光板の間に設けられ略水平配向した液晶性高分子層を主要構成要素とする光学位相板とから構成される液晶表示素子において、液晶性高分子層が、分子内に架橋構造を有する液晶性高分子からなり、光学位相板が配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程を経て製造されることを特徴とする液晶表示素子からなることを特徴とする液晶表示素子が提供される。」に訂正する。
（ｂ）明細書１４頁１行〜８行目（公報７欄４１行〜４７行）「液晶性高分子の架橋は、この例のように、液晶性高分子をガラス転移点以下に冷却して、液晶構造を固定化してから行うこともできるし、また、液晶状態で架橋させることもできる。しかしながら、液晶状態で架橋された場合には、架橋反応にともなって、体積変化を生じ、膜に皺ができたり、あるいは配向自体が破壊されることがあるため、特に前者を好ましく採用する。」の記載を、
「液晶性高分子の架橋は、この例のように、液晶性高分子をガラス転移点以下に冷却して、液晶構造を固定化してから行う。液晶状態で架橋させる場合には、架橋反応にともなって、体積変化を生じ、膜に皺ができたり、あるいは配向自体が破壊されることがあるため、好ましくない。」に訂正する。
　上記特許請求の範囲の訂正及び上記発明の詳細な説明における訂正は、光学位相板の製法として、もとの請求項２、明細書６頁最下行以降（公報４欄２４行〜）、及び明細書１３頁２行目（公報７欄２０行〜）及び１４頁１行目以降（公報７欄４１行〜）に記載されていたことがらであり、今回の訂正は、上記特許請求の範囲の訂正については、上記記載に基づいて請求項２の光学位相板の製造方法を限定するとともに、請求項１の光学位相板及び請求項３の液晶表示素子をそのように製造されたものに限定したものであるので、特許請求の範囲の滅縮に該当し、上記発明の詳細な説明における訂正については、上記記載に基づくとともに上記特許請求の範囲の訂正に対応させたもので、不明瞭な記載の釈明に該当し、これらは新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．独立特許要件の判断
［特許法第２９条第１項第３号ないし第２９条第２項について］
　甲第１号証（特開平１−２８２５１９号公報）、甲第２号証（特開昭５８−１７１１９号公報）および甲第３号証（Macromolecules，Vol.21，(1988)p.3536-3537）には、以下の発明が記載されている。
（ｉ）甲第１〜３号証記載の発明
［甲第１号証］（特開平１−２８２５１９号公報）
　『液晶表示素子』に関する発明であり、特許請求の範囲には、『基板間に挟持された液晶層と、液晶層の外側に配置された偏光手段と、液晶層と偏光手段の間に配置された液晶性高分子層とから構成されることを特徴とする液晶素子。』の発明が記載されている（特許請求の範囲）。
　甲第１号証に記載された発明は本件明細書（公報の３欄３２行〜４欄１０行）に記載された従来技術（液晶セルを２枚重ねた２層方式において、補償セルの代わりにねじれ配向した液晶性高分子を補償板とする方法）に相当するものである。
［甲第２号証］（特開昭５８−１７１１９号公報）
　甲第２号証には、「液晶層を有するオルガノポリシロキサン、その製造法、該化合物を含有する、オプトエレクトロニクス、情報記憶、試験技術、温度表示および電子写真分野の装置、並びに該化合物を含有する偏光箔」（発明の名称）に関する発明が記載されており、具体的には、「オルガノポリシロキサン骨格へ化学的に結合せる同じかまたは異なるメゾーゲン分子を有する化合物において、この化合物が３次元に架橋されていることを特徴とする液晶相を有するオルガノポリシロキサン」（請求項１）、「オルガノポリシロキサン骨格へ化学的に結合せる同じかまたは異なるメゾーゲン分子を有し、３次元に架橋された化合物を含有することを特徴とする液晶相を有するオルガノポリシロキサンを含有する、オプトエレクトロニクス、情報記憶、試験技術、温度表示および電子写真分野の装置」（請求項５）の発明が記載されている。
　そして、５頁左上欄７〜１３行に、「重要な用途が電界および磁界の光学的表示装置で得られた（オプトエレクトロニクス）。他の用途が、電子写真用、光変調の分野、または例えば偏光箔の成分としての応用に開かれる。本発明によるオルガノポリシロキサンは、なかんずく箔の積層用に好適である。」と記載され、５頁右下欄〜６頁右上欄記載の実施例４には、セルロースアセテート上に未架橋ポリシロキサン組成物を成膜した後架橋して、優れた耐溶剤性と耐熱性（分解温度の上昇）を有する架橋ポリシロキサン膜を得た例が記載されている。　
［甲第３号証］（Macromolecules，Vol.21，(1988)p.3536-3537）
　甲第３号証は、液晶高分子の位相化学的光重合について述べられており、具体的には、「ポリマーのクロロホルム溶液をガラス板上にキャストし減圧下に溶媒を蒸発させてポリマーフィルムをつくった」（3536頁右欄下６〜３行）、「光照射を行う」（3537頁左欄４行）、「ポリマーフィルムを５分光照射した後ポリマーはクロロホルムに完全に不溶となった。これはポリマー鎖間に架橋結合が生じたことを示している」（同左欄３２〜３５行）と記載されている。また3537頁の図４には光照射により耐熱性が向上した結果が示されている。甲第３号証に記載されているＰＥ−Ｔｒなる液晶性高分子は、3536頁のFigure１に記載されているように、シンナモイル基を有するものであり、ガラス転移温度は、１４℃、液晶相−等方相転移温度は１２２℃である（3536頁右欄８〜９行）。
（ii）対比・判断
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、本件発明１では、液晶性高分子として架橋構造を有する液晶性高分子を用いており、該架橋構造を形成するのに「配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程」を経て製造されたもの、すなわち液晶高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定してから架橋を行った特定のものとしているのに対し、甲第１号証に記載された発明では、液晶性高分子として架橋構造を有する液晶性高分子を用いていない点で相違している。
　以下、上記相違点について検討する。
　特許異議申立人は、甲第２号証ないし甲第３号証の記載からして、本件発明１は甲第１号証に内在する自明の態様にすぎず、そうでないとしても、甲第２号証ないし甲第３号証の記載からして架橋構造をもつ液晶高分子が耐溶剤性及び耐熱性に優れていることは明らかであるので、甲第２号証ないし甲第３号証に記載されている架橋構造を有する液晶性高分子を耐溶剤性と耐熱性の向上という架橋構造が示す周知の効果をもたらすため甲第１号証の液晶性高分子として用いてみることは当業者が適宜なしうることである旨主張する。
　しかし、本件発明１は上記訂正により、架橋構造をもつ液晶高分子として、液晶高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定してから架橋を行ったものとしているが、甲第２号証ないし甲第３号証には、成膜してから架橋する旨の記載はあるが、液晶高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定してから架橋を行うことについては記載されていないので、本件発明１は甲第１号証に内在する自明の態様とはいえないし、また、本件発明１はそのような構成を採用することによって、液晶状態で架橋された場合には架橋反応にともなって体積変化を生じ、膜に皺ができたりあるいは配向自体が破壊されることがあるのに対し、そのようなことがない（すなわち、膜に皺を生じない、配向が破壊されない）という効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明ではないし、また、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明から当業者が容易に想到し得たものとすることもできない。
　また、訂正明細書の請求項２，３に係る発明（以下、「本件発明２，３」という。）についても、同様に、架橋構造を形成するのに「配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程」の構成を有するのに対し、甲第１号証ないし甲第３号証にはその点についての記載がないので、本件発明２，３は、甲第１号証に記載された発明ではないし、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明から当業者が容易に想到し得たものとすることもできない。
［特許法第２９条の２について］
　本件特許異議申立に係る特許の出願の日前の出願であって、その後出願公開された出願（特願平１−２３０５７５号）の願書に最初に添付された明細書および図面（以下「先願明細書」という。甲第４号証（特開平２−１４９５４４号公報）参照。）には、以下の発明が記載されている。
（ｉ）先願明細書記載の発明
　甲第４号証（特開平２−１４９５４４号公報）は、「メタクリルオキシ−及び／又はアクリルオキシ基を有する液晶ポリオルガノシロキサンの製法、これを含有する組成物、その架橋法、膜の製法及びその製造用の出発化合物」（発明の名称）に関するものであり、特許請求の範囲第６項および第７項には、それぞれ、「６．前記請求項５によるポリオルガノシロキサン又は組成物を光重合開始剤及び／又は光増感剤の存在で紫外線により架橋する方法。」、「７．前記請求項６に記載の方法で得られるポリオルガノシロキサンを物質混合物の分離用の膜の製造、目的作用物質の遊離用に、電磁場の光学的表示、コンピューター分野、エレクトログラフ法、ライトモジュレーションの分野で、分極シートの成分として、光学フィルター、反射器の分野で、被覆で、ラッカー顔料及びガス−及び液体クロマトグラフィー用の固定相として使用することを特徴とする、膜の製法。」が記載されている。さらに９頁右下欄９〜１５行には、「……製造可能なメタクリルオキシ−及び／又はアクリルオキシ基を有する液晶ポリオルガノシロキサンを、三次元的に架橋させることができる。この架橋は、有利には、過酸化物、ＵＶ光又はＵＶ光よりエネルギーに富む電磁線によってか又は熱により惹起されるフリーラジカルによって起こすことができる。」、また１２頁左上欄７〜１２行には、「……本発明による組成物は−２０℃〜＋１８０℃の温度で、特に＋２０℃〜１００℃で基板に塗布し、常法で配向させ、例えばドクターにより溶融塗布することによって又は電場又は磁場により及び引き続きＵＶランプの照射により硬化させることによって架橋させる。」と記載されている。甲第４号証には「位相板」なる語は使用されていないが、特許請求の範囲第７項中には、「電磁場の光学的表示、コンピューター分野、エレクトログラフ法、ライトモジュレーションの分野で、分極シートの成分として、光学フィルター」と記載されている。
　なお、『応用物理ハンドブック』（参考文献１）の１０頁に記載の「（ii）位相子の定義・種類」によれば「一軸性結晶中を光が進むとき、その偏光状態の変化を受けずに透過できる二つの偏光（常光線と異常光線）が存在する。この二つの偏光の間に位相差を与える素子を、位相子という。」と記載されている。また、液晶が配向すれば屈折率異方性に基づく複屈折性、すなわち「位相差」が出現する。
（ii）対比・判断
　また、本件発明１〜３と先願明細書記載の発明とを対比すると、本件発明１〜３においては、架橋構造を形成するのに「配向処理を施された基板上に溶媒に溶解させた架橋性残基を有する液晶性高分子を塗布し、溶媒を加熱により除去する工程、該液晶性高分子をガラス転移点以上の温度で加熱し、配向させる工程と、液晶性高分子をガラス転移点以下の温度に冷却させて配向を固定させ、紫外線を照射させて架橋性残基を反応させることにより架橋構造を形成する工程」の構成を有するのに対し、先願明細書には「……基板に塗布し、常法で配向させ、……引き続きＵＶランプの照射により硬化させることによって架橋させる」と記載されているだけで、上記構成についての記載がないし、本件発明１〜３はそのような構成を有することにより、液晶状態で架橋された場合には架橋反応にともなって体積変化を生じ、膜に皺ができたりあるいは配向自体が破壊されることがあるのに対し、そのようなことがない（すなわち、膜に皺を生じない、配向が破壊されない）という新たな効果を奏するものと認められるので、本件発明１〜３は、先願明細書に記載された発明と同一とすることはできない。
　したがって、本件発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、本件発明１〜３は、甲第１号証に記載された発明と実質上同一であり、仮にそうでないとしても甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条の規定により特許を受けることができないものであり、また、その出願日前に出願された他人の特許出願明細書（甲第４号証参照）に記載された発明と同一のものであるから、特許法第２９条の規定により特許を受けることができないものであるので、本件特許は取り消されるべきものである旨主張している。
イ．判断・むすび
　上記（２）ウで示したように、本件発明１〜３は、甲第１号証に記載された発明ではなく、甲第１〜３号証から容易に発明をすることができたものでもないし、その出願日前に出願された他人の特許出願明細書（甲第４号証参照）に記載された発明と同一のものでもないので、特許異議申立人の主張は採用しない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月１５日（２０００．８．１５）