【事件の表示】
　特許第３０４７３８５号「受光素子」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０４７３８５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第3047385号の請求項1〜3に係る発明は、平成3年10月25日に特許出願され、平成12年3月24日に設定登録がなされ、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間である平成13年3月28日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正内容
（１）特許請求の範囲を以下のように訂正する。
「【請求項１】　第１の導電型を示す半導体層の一部に第２の導電型を示す第１の領域を選択的に設けることによって形成されるｐｎ接合部分を受光領域とした受光素子において、
　前記第１の領域は、前記半導体層の一部に形成された第２の導電型を示す第２の領域によって取り囲まれ、前記第１の領域と前記第２の領域の隙間は２〜２０μｍであり、前記半導体層と前記第２の領域とは、第２の領域の一部にのみ接触する導電体によって電気的に短絡されており、前記第２の領域の上面の残り部分は金属によって被覆されていない、
　ことを特徴とする受光素子。
　【請求項２】　前記導電体は、金属膜である請求項１記載の受光素子。
　【請求項３】　前記導電体は、導電性半導体層である請求項１記載の受光素子。」
（２）段落【００２１】を以下のように訂正する。
「【００２１】
　次に、図３を用いて本発明に係る第３の実施例について説明する。同図（ａ）は本実施例の上面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ’断面図である。ＦｅドープＩｎＰ基板１（抵抗率；ρ＝１ＭΩ・ｃｍ）上には、ノンドープＩｎＰバッファー層２ａ（ｎ＝１×１０１５ｃｍ−３、厚さ１μｍ）、ノンドープＩｎＧａＡｓ受光層２ｂ（ｎ＝１×１０１５ｃｍ−３、厚さ４μｍ）、ノンドープＩｎＰ窓層２ｃ（ｎ＝２×１０１５ｃｍ−３、厚さ３μｍ）が積層されている。これら受光層２ｂ及び窓層２ｃには、ｐ型の第１の領域３及び第２の領域４が、封管法によるＺｎの選択拡散により形成されている。この第１の領域３の直径は３００μｍであり、この領域３を設けることによって、ｐｎ接合部分を受光領域１０とする構造が形成される。また、第１の領域３と周囲の第２の領域４との間にあるｎ型領域の幅は２０μｍである。一方、第１の領域３上にはｐ側電極５が設けられており、その電極５の内側の領域３上には反射防止膜６が、外側の第１の領域３及び第２の領域４を含む窓層２ｃ上には素子保護膜７が形成されている。なお、受光素子のｎ側電極８は第２の領域４の外側のＩｎＰ窓層２ｃ、及び第２の領域４の一部の上に形成され、その内径は４３０μｍで、第２の領域４上に５μｍ張り出している。」
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　上記訂正事項（１）及び（２）は、特許明細書に記載された事項の範囲内で特許請求の範囲を減縮するものであり、新規事項を追加するものでなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　ウ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第120条の4第2項及び同条第3項で準用する平成6年法律第116号における改正前の特許法第126条第1項ただし書き及び同法同条第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明
　上記「２．ア．（１）特許請求の範囲を以下のように訂正する。」を参照。
　イ．異議申立の理由の概要
　異議申立人 傳 由美子は、証拠として甲第1及び2号証を提出し、本件発明1〜3は、特許法第29条第2項に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明
　甲第１号証（特開昭５７−１４８３８１号公報）には、下記の事項が記載されている。
　その第１頁左欄５〜１３行中の特許請求の範囲には、
「一導電型の半導体基体に受光領域を有し、該受光領域への光照射に対応した信号を発生させる半導体受光装置において、前記受光領域のまわりの前記半導体基体の少なくとも一部に異なる導電型領域が形成され、該領域には前記半導体基体に与えられる電位と実質的に等しい電位が供給されているか、もしくは前記半導体基体との間に逆バイアス電位が供給されていることを特徴とする半導体受光装置」と記載されている。
　更に、その第２頁右上欄７〜１４行目及び図４ａ、ｂには、
「Ｎ＋基板結晶（８）上に比抵抗約１００Ω−ｃｍのＮ型エピタキシヤル層（９）を厚さ２０μ程度成長したウェハーに、先ず深さ１０μ、巾３０μのＰ型領域（１０）をボロン選択拡散により形成する。次に２つの独立したＰＮ接合をもつ受光部（１１）、（１２）を深さ０．５μ程度形成して、第４−ａ、４−ｂ図のような断面構造にした。」と記載されている。
　更に、その第２頁右上欄１７行目〜左下欄１行目には、
「電極（１５）はＰ型領域（１０）と電気的に接続されると共に、エピタキシャル層（９）にも接続される様にする。この結果、領域（１０）とエピタキシャル層（９）とで形成されるＰＮ結合は自己短絡される。」と記載されている。
　また、その第２頁左下欄１３〜１６行目及び図５−ａには、
「第５−ａ図の基板周辺部に表れる出力ＡＡ′を不要出力として除去、低減する為には、第４図の構造の領域で、受光部（１１）、（１２）を囲む様にすれば良い。」と記載されている。
　また、その第２頁右下欄３〜６行目には、
「領域（１０）をエピタキシャル層（９）にＡｌ電極で短絡させるのではなく、別の手段を用いて基板（８）と電気的に接続するようにしてもよい」と記載されている。
　甲第２号証（特開昭６１−２８９６７７号公報）には、その第３頁左上欄第５〜７行及び図１、２には、
「前記受光素子（３）の周囲に前記拡散領域Ａとは離して第２導電型の拡散領域Ｂからなるガードリング（９）およびガードリング用電極（８ａ）、（８ｂ）を形成した」と記載されている。
　エ．当審の対比・判断
　本件発明1〜3の「第１の領域と前記第２の領域の隙間は２〜２０μｍ」とすることは、甲第1及び2号証のいずれにも記載も示唆もされておらず、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして、本件発明1〜3は、「第１の領域と前記第２の領域の隙間は２〜２０μｍ」とすることにより、大強度光入力時に光パルス応答波形の立ち下がりにテールを生じないという作用効果を呈するものである。
　したがって、本件発明1〜3は、甲第1及び2号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　オ．むすび
  以上のとおりであるから、異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明1〜3についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明1〜3についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月２７日（２００１．４．２７）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
（１）特許請求の範囲を以下のように訂正する事を求めます。
　【特許請求の範囲】
　【請求項１】　第１の導電型を示す半導体層の一部に第２の導電型を示す第１の領域を選択的に設けることによって形成されるｐｎ接合部分を受光領域とした受光素子において、
　前記第１の領域は、前記半導体層の一部に形成された第２の導電型を示す第２の領域によって取り囲まれ、前記第１の領域と前記第２の領域の隙間は２〜２０μｍであり、前記半導体層と前記第２の領域とは、第２の領域の一部にのみ接触する導電体によって電気的に短絡されており、前記第２の領域の上面の残り部分は金属によって被覆されていない、
　ことを特徴とする受光素子。
　【請求項２】　前記導電体は、金属膜である請求項１記載の受光素子。
　【請求項３】　前記導電体は、導電性半導体層である請求項１記載の受光素子。
（２）段落番号００２１を以下のように訂正する事を求めます。
　【００２１】
　次に、図３を用いて本発明に係る第３の実施例について説明する。同図（ａ）は本実施例の上面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ’断面図である。ＦｅドープＩｎＰ基板１（抵抗率；ρ＝１ＭΩ・ｃｍ）上には、ノンドープＩｎＰバッファー層２ａ（ｎ＝１×１０１５ｃｍ−３、厚さ１μｍ）、ノンドープＩｎＧａＡｓ受光層２ｂ（ｎ＝１×１０１５ｃｍ−３、厚さ４μｍ）、ノンドープＩｎＰ窓層２ｃ（ｎ＝２×１０１５ｃｍ−３、厚さ３μｍ）が積層されている。これら受光層２ｂ及び窓層２ｃには、ｐ型の第１の領域３及び第２の領域４が、封管法によるＺｎの選択拡散により形成されている。この第１の領域３の直径は３００μｍであり、この領域３を設けることによって、ｐｎ接合部分を受光領域１０とする構造が形成される。また、第１の領域３と周囲の第２の領域４との間にあるｎ型領域の幅は２０μｍである。一方、第１の領域３上にはＰ側電極５が設けられており、その電極５の内側の領域３上には反射防止膜６が、外側の第１の領域３及び第２の領域４を含む窓層２ｃ上には素子保護膜７が形成されている。なお、受光素子のｎ側電極８は第２の領域４の外側のＩｎＰ窓層２ｃ、及び第２の領域４の一部の上に形成され、その内径は４３０μｍで、第２の領域４上に５μｍ張り出している。
（５４）【発明の名称】
受光素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　第１の導電型を示す半導体層の一部に第２の導電型を示す第１の領域を選択的に設けることによって形成されるｐｎ接合部分を受光領域とした受光素子において、
　前記第１の領域は、前記半導体層の一部に形成された第２の導電型を示す第２の領域によって取り囲まれ、前記第１の領域と前記第２の領域の隙間は２〜２０μｍであり、前記半導体層と前記第２の領域とは、第２の領域の一部にのみ接触する導電体によって電気的に短絡されており、前記第２の領域の上面の残り部分は金属によって被覆されていない、
　ことを特徴とする受光素子。
　【請求項２】　前記導電体は、金属膜である請求項１記載の受光素子。
　【請求項３】　前記導電体は、導電性半導体層である請求項１記載の受光素子。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業状の利用分野】
　本発明は、半導体レーザ用の光出力モニター装置、光通信システム用の受信装置等に用いられる受光素子に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図４は、従来の受光素子の構造を上面図、及びそのＸ−Ｘ’断面図で示したものである。図示されるように従来の受光素子は、裏面に第１導電型の電極８が施された第１導電型半導体基板１の表面に、光吸収層を含む第１導電型半導体結晶層２が積層され、その半導体結晶層２には不純物が選択拡散されて、第２導電型である第１の領域３が形成されている。この構造は、半導体基板１をｎ層（またはｐ層）、第１の領域３をｐ層（またはｎ層）とし、そのｐｎ接合部分（空乏層またはｉ層）を受光領域１０とするｐｉｎフォトダイオード構造を形成している。半導体結晶層２の表面には、第１の領域３上に第２導電型電極５が設けられており、その電極５の内側の第１の領域３上は反射防止膜６で覆われ、また電極５の外側の半導体結晶層２上は素子保護膜９で覆われている。
　【０００３】
　上述の構造を有する半導体装置に逆バイアスを印加することによって空乏層中に電界が生じ、受光領域１０への入射光によって生じたキャリアである電子、正孔の各々は、第１導電型半導体基板１、第２導電型領域３のそれぞれの方向に振り分けられて加速される。このため光電流を外部に取り出すことができ、光信号を検出することができる。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　前述の図４に示す構造では、受光領域１０内に光が入射すると、光生成キャリアは空乏層に捕捉されて応答特性は良好となる。しかし、受光領域１０の外側に光が入射すると、発生したキャリアが密度勾配により拡散して空乏層に達し、光電流として取り出される。この拡散によるキャリアの移動は遅いため、キャリアが受光領域１０に到達すると、光パルス応答波形の立ち下がりにテールを生じてしまう。
　【０００５】
　上述の受光素子を光通信に用いるとき、光ファイバから出射した光は受光領域１０に入射するように集光される。しかし、一部の光が受光領域１０の外に漏れた場合、前述した理由により受光素子の応答速度の低下に繋がる。特に高速の受光素子では、受光領域１０の面積を小さくして接合容量を下げているので、受光領域１０の外側に入射する光の割合が増加して応答速度の遅い拡散成分が増加し、応答速度の劣化に繋がる。
　【０００６】
　また、半導体レーザの光出力を一定に保つために、半導体レーザの後ろ端面から出射する光を受光素子で受けて半導体レーザの駆動電流を帰還制御するとき、半導体レーザから出射した光が受光素子の受光領域１０の外側にも広がってしまうと、前述したように拡散による応答速度の遅い成分が発生し、帰還制御に悪影響を与える。
　【０００７】
　本発明は、これらの問題を解決し、応答速度等の電気的・光学的特性を改善した受光素子を提供することを目的とする。
　【０００８】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明は、第１の導電型を示す半導体層の一部に第２の導電型を示す第１の領域を選択的に設けることによって形成されるｐｎ接合部分を受光領域とした受光素子において、第１の領域は半導体層の一部に形成された第２の導電型を示す第２の領域によって取り囲まれ、半導体層と第２の領域とは導電体によって電気的に短絡されていることを特徴とする。
　【０００９】
　　【作用】
　本発明によれば、入射した光が受光領域外に漏れてキャリアを発生させた場合でも、そのキャリアは第２導電型の第２の領域に吸収されるので、拡散による受光領域内へのキャリアの流入を防ぐことができる。このため、必要な光電流のみを外部回路に取り出すことができる。
　【００１０】
　さらに、第１の導電型を示す半導体層と前述の第２の領域との間に金属など導電性の膜を形成し短絡することによって、第２の領域に吸収されたキャリアを再結合・消滅させることができる。従って第２の領域にはキャリアの蓄積がなく、光パルス応答波形の立ち下がりにテールを生じない等、素子の電気的・光学的特性を改善することができる。
　【００１１】
　【実施例】
　以下、図に基づいて本発明の実施例について説明する。
　【００１２】
　まず、図１を用い、本発明に係る受光素子の基本的な実施例について説明する。同図（ａ）は本発明の受光素子の上面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ’断面図である。図示されるように、裏面に第１導電型であるｎ型の電極８が設けられた、同じくｎ型半導体基板１の表面上には、光吸収層を含む第１導電型であるｎ型の半導体結晶層２が形成されている。この半導体結晶層２には、封管法による不純物拡散によって第２導電型であるｐ型の第１の領域３が設けられている。ここで、第１の領域３の直径は３００μｍであり、この第１の領域３を設けることによって形成されたｐｎ接合部分が、受光領域１０を形成している。さらにこの第１の領域３は、同様に不純物拡散によって電荷捕獲領域であるｐ型の第２の領域４で囲まれており、第１の領域３とは２０μｍの距離を隔てて設けられている。この第１の領域３上には第２導電型であるｐ型の電極５が設けられ、その内側の第１の領域３上には反射防止膜６が、外側の第１の領域３及び第２の領域４を含む半導体結晶層２上には素子保護膜７が形成されている。
　【００１３】
　上記の構造によれば、受光領域１０に入射された光によって生じた電子、正孔の各々は、半導体基板１と第１の領域３の方向へそれぞれ振り分けられて加速される。このため、光電流を外部に取り出すことができ、光信号を検出することができる。さらに、受光領域１０以外の部分に光が入射した場合、生じた不要なキャリアは半導体結晶層２中の第２の領域４に形成されたビルトインポテンシャルによって捕獲され、受光領域１０内へ流入するのを防ぐことができる。したがって、光信号の検出に必要な光電流のみを取り出すことができる。
　【００１４】
　但し、この時第２の領域４によって吸収・捕獲されたキャリアのうち、その一部は半導体結晶層２で再結合によって消滅するが、その他は第２の領域４内に蓄積される。特に大強度の光入力時には再結合で消滅するキャリアの割合が少なく、その他の大部分のキャリアが第２の領域４に蓄積される。このため第２の領域４に形成されたビルトインポテンシャルが弱くなり、第２の領域４で捕獲されるキャリアの割合が減少する。従って、拡散による移動速度の遅いキャリアが受光領域１０に流入するようになり、光パルス応答波形の立ち下がりにテールを生じる等、素子の電気的・光学的特性に悪影響が生じる。
　【００１５】
　上述の影響は、特に第２の領域４が素子の端面部分に露出していない場合に大きい。この場合、キャリアの再結合・消滅がほとんど起こらないため第２の領域４にキャリアが蓄積され、このままでは先に述べたように電気的・光学的特性に影響が生じてしまう。一方、第２の領域４が素子の端面に露出している場合には、キャリアはこの端面部分でリークして再結合・消滅しやすい。このため、第２の領域４で蓄積されるキャリアがほとんどなく、第２の領域４に形成されたビルトインポテンシャルは弱くなりにくい。そのため、第２の領域４で捕獲されるキャリアの割合は減少せず、電気的・光学的特性に大きな悪影響を及ぼすことはない。しかし、これらの受光素子を様々な光学デバイスに応用するにあたり、大強度の光入力時であっても、発生したキャリアをより迅速に消滅させ、第２の領域４内にはキャリアがつねに蓄積されていない状態を維持する必要がある。
　【００１６】
　そこで前述の影響をなくすため、上記の構造に加え、図１に示されるように、さらに、半導体結晶層２と第２の領域４とにそれぞれ接触するように金属膜１１が設けられている。本実施例において、この金属膜１１は半導体結晶層２と第２の領域４のそれぞれに幅５μｍずつ接触しており、その面積は１０μｍ×５０μｍである。
　【００１７】
　上記の構造によれば、前述したように受光領域１０以外の部分に光が入射した場合、発生した不要なキャリアは電荷捕獲領域である第２の領域４によって捕獲される。したがって、光パルスの立ち下がりにテールが生じることなく、光信号の検出に必要な光電流のみを取り出すことができる。さらにこの捕獲されたキャリアは、半導体結晶層２と第２の領域４を短絡している金属膜１１によって再結合・消滅し、第２の領域４内には蓄積されない。したがって、第２の領域４で捕獲されるキャリアの割合は減少せず、電気的・光学的特性に影響を及ぼすことがない。また、構造についても、蓄積したキャリアを取り出すために新たな電極を形成して電極８と接続するといった複雑な処理をとる必要がなく、素子構造の簡略化を図ることができる。なお、領域３の直径および金属膜１１の面積等は、本実施例に限る必要はない。
　【００１８】
　次に、図２を用いて本発明の第２の実施例について説明する。同図（ａ）は本実施例に係る受光素子の上面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ’断面図である。裏面にｎ側電極８が形成されているｎ＋型ＩｎＰ（インジウム・リン）半導体基板１上には、ノンドープＩｎＰバッファー層２ａ（キャリア濃度；ｎ＝２×１０１５ｃｍ−３、厚さ２μｍ）、ノンドープＩｎＧａＡｓ（インジウム・ガリウム・ヒ素）、受光層２ｂ（ｎ＝３×１０１５ｃｍ−３、厚さ３．５μｍ）、そして暗電流を少なくするためのノンドープＩｎＰ窓層２ｃ（ｎ＝１×１０１５ｃｍ−３、厚さ２μｍ）が積層されている。これら受光層２ｂ及び窓層２ｃには、ｐ型である第１の領域３及び第２の領域４が、Ｚｎの選択拡散により形成されている。この第１の領域３の直径は２００μｍであり、第２の領域（電荷捕獲領域）４の幅は４０μｍである。また、第１の領域３と周囲の第２の領域４との間にあるｎ型領域の幅は１０μｍである。一方、第１の領域３上にはｐ側電極５が設けられており、その電極５の内側の領域３上には反射防止膜６が、外側の第１の領域３及び第２の領域４を含む窓層２ｃ上には素子保護膜７が形成されている。さらに、窓層２ｃ上には半導体結晶層２と第２の領域４とにそれぞれ接触するように金属膜１１が設けられている。この金属膜１１は、第２の領域４で捕獲されたキャリアを再結合・消滅させるため、半導体結晶層２と第２の領域４のそれぞれに幅１０μｍずつ接触しており、その面積は２０μｍ×４０μｍである。
　【００１９】
　上述の受光層２ｂの厚さは入射光の吸収効率を良くするために２〜７μｍの範囲にあることが望ましいが、特にこの範囲に限定するものではない。また、ｐ型である第１の領域３と第２の領域４との間のｎ型領域の幅は２〜４０μｍの範囲にあることが望ましいが、特にこの範囲に限定するものではない。また、ｎ型領域およびｐ型である第２の領域４に接触している金属膜１１の形状・幅も上述に限定されるものではない。
　【００２０】
　この構造においても、前述の基本的な実施例同様、不要なキャリアは第２の領域４に集められ、さらに金属膜１１によってそれらキャリアが再結合・消滅する。したがって、応答速度等の電気的・光学的特性に悪影響を及ぼすことはない。
　【００２１】
　次に、図３を用いて本発明に係る第３の実施例について説明する。同図（ａ）は本実施例の上面図、同図（ｂ）はそのＸ−Ｘ’断面図である。ＦｅドープＩｎＰ基板１（抵抗率；ρ＝１ＭΩ・ｃｍ）上には、ノンドープＩｎＰバッファー層２ａ（ｎ＝１×１０１５ｃｍ−３、厚さ１μｍ）、ノンドープＩｎＧａＡｓ受光層２ｂ（ｎ＝１×１０１５ｃｍ−３、厚さ４μｍ）、ノンドープＩｎＰ窓層２ｃ（ｎ＝２×１０１５ｃｍ−３、厚さ３μｍ）が積層されている。これら受光層２ｂ及び窓層２ｃには、ｐ型の第１の領域３及び第２の領域４が、封管法によるＺｎの選択拡散により形成されている。この第１の領域３の直径は３００μｍであり、この領域３を設けることによって、ｐｎ接合部分を受光領域１０とする構造が形成される。また、第１の領域３と周囲の第２の領域４との間にあるｎ型領域の幅は２０μｍである。一方、第１の領域３上にはｐ側電極５が設けられており、その電極５の内側の領域３上には反射防止膜６が、外側の第１の領域３及び第２の領域４を含む窓層２ｃ上には素子保護膜７が形成されている。なお、受光素子のｎ側電極８は第２の領域４の外側のＩｎＰ窓層２ｃ、及び第２の領域４の一部の上に形成され、その内径は４３０μｍで、第２の領域４上に５μｍ張り出している。
　【００２２】
　上述の構造によれば、電極８をｐ型である第２の領域４及びｎ型の窓層２ｃの両方に接触するように形成することで、光電流を取り出すためのｎ側電極８と、領域（電荷捕獲領域）４で捕獲されたキャリアを再結合・消滅させるための金属膜１１の両方の役割を果たすことができ、簡単な構造でありながら前述した基本的な実施例、及び第２の実施例と同様の効果を得ることができる。
　【００２３】
　ここに記載した半導体材料並びにその寸法などはあくまでも一例であり、用途・対象とする波長等により異なる。例えば、半導体材料についてはＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）、ＩｎＧａＡｓＰ（インジウム・ガリウム・ヒ素・リン）、ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム・ガリウム・ヒ素）、ＣｄＴｅ（カドミウム・テルル）、ＨｇＣｄＴｅ（水銀・カドミウム・テルル）、ＩｎＳｂ（インジウム・アンチモン）等の化合物半導体や、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）等でも良い。また、不純物にはＢｅ（ベリリウム）、Ｃｄ（カドミウム）等の材料を用いても良く、その不純物拡散にはイオン打ち込み等の方法を用いても良い。さらに、第２の領域と半導体結晶層とを短絡する材料は金属膜に限らず、導電性を有する半導体層等でも良い。
　【００２４】
　【発明の効果】
　以上説明したように、第１導電型半導体結晶層中の受光領域を取り囲むように第２導電型領域を形成させるという簡単な構造を用いることにより、受光領域の外側に入射した光によって発生した電荷を吸収し、応答速度の劣化を防止することができる。さらに、受光領域の外側の第１導電型を示す半導体層と、選択的に形成された第２の領域との間を電気的に短絡する構造を用いることによって、捕獲したキャリアを再結合・消滅することができ、特に大強度光入力時に光パルス応答波形の立ち下がりにテールを生じない等、素子の電気的・光学的特性が改善された受光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る受光素子の基本的な実施例を示す図である。
　【図２】
　本発明に係る受光素子の第２の実施例を示す図である。
　【図３】
　本発明に係る受光素子の第３の実施例を示す図である。
　【図４】
　従来の受光素子の構造を示す図である。
　【符号の説明】
　１…半導体基板、２…半導体結晶層、２ａ…バッファー層、２ｂ…受光層、２ｃ…窓層、３…第１の領域、４…第２の領域、５…電極、６…反射防止膜、７…素子保護膜。