【事件の表示】
　特許第２９６０４０４号「半導体基板処理方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６０４０４号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２９６０４０４号（以後「本件特許」という）は、昭和５８年１１月２８日に出願された特願昭５８−２２２００４号をもとの出願として、特許法第４４条第１項の規定による平成７年１２月１４日付でされた新たな出願（特願平７−３２５６６５号）について、この新たな出願をもとの出願として、更に、平成９年９月５日に、同じく、同条同項の規定による新たな出願（特願平９−２４０１１８号）をし、更に、この新たな出願（特願平９−２４０１１８号）をもとの出願とした、同じく同条同項の規定による新たな出願である特願平１０−２１７８６１号に係り、平成１１年７月３０日にその特許請求の範囲に記載された発明について特許の設定登録がなされ、その後、この本件特許に対し、表記異議申立人より特許異議申立があったので、当審において、当該申立の理由を検討の上、当審より特許取消理由（第１回）を通知したところ、その通知書で指定した期間内の平成１２年９月１１日に特許異議意見書と共に訂正請求書（第１回）が提出され、さらに、当審から特許取消理由（第２回）を通知したところ、その指定期間内の平成１２年１０月１７日に、先の平成１２年９月１１日付訂正請求を取り下げると共に、特許異議意見書と共に新たな訂正請求書が提出されたものである。
　
２．訂正請求の可否
（１）訂正の要旨
　平成１２年９月１１日付の訂正請求は、上記のとおり取り下げられたので、特許権者の求める訂正は、平成１２年１０月１７日付の訂正請求書に記載されたとおりのものであり、その訂正の要旨は、次のア、イのとおりである。
　ア．特許請求の範囲の記載を
「【請求項１】
　カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り出し、
バッフア室の所定位置に設けられた
　前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電極上方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引き続き下降させて前記基板電極に
前記１枚の基板を載置し、前記真空処理室を仕切り、前記１枚の基板に
前記供給カセットから取り出された他の１枚の基板について前記基板テーブル上で
　前記仕切りを開き前記プラズマ処理が終了した基板
を動作平面の異なるアーム搬送装置を用いて前記真空処理室から搬出すると共に前記オリフラ合わせの終了した他の１枚の基板を前記真空処理室へ搬入し、処理の終了した前記１枚の基板を前記バッファ室を経由してカセットテーブルに搬送し該
　イ．上記アにより訂正された特許請求の範囲の請求項１の記載内容と詳細な説明の記載内容を整合させるように、詳細な説明における課題を解決する手段が記載されている【０００６】の記載内容を、請求の範囲の記載に合わせる訂正を行う。
（２）訂正の目的、新規事項の有無及び特許請求の範囲の実質的拡張・変更の存否
　ア．訂正事項アについて
　訂正事項アの前段の特許請求の範囲冒頭における「カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り出し、基板テーブル上に搬送してオリフラ合わせを行い、」とあるのを、「カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り出し、バッファ室の所定位置に設けられた基板テーブル上に搬送してオリフラ合わせを行い、」と訂正している箇所は、基板テーブルの位置を限定しているのであって、明らかに特許請求の範囲の減縮を目的としており、願書に添付した明細書の【００１４】や【００１５】及び図２、図３には、「バッファ室１０の所定位置に設けられた基板テーブル１４１」が明示されており、前記訂正は、願書に添付した明細書及び図面に記載されていた範囲内の訂正といえる。
　中段における「前記基板電極に所定のプラズマ処理を行い、」とあるのを、「前記基板電極に前記１枚の基板を載置し、前記真空処理室を仕切り、前記１枚の基板に所定のプラズマ処理を行い、」に訂正する箇所は、基板電極に置かれる基板が１枚であることを限定し、さらに、載置からプラズマ処理を行うまでの間に真空処理室を仕切ることを限定しているのであり、明らかに特許請求の範囲の減縮を目的とするもので、願書に添付した明細書の【００２５】に「仕切り手段１８３によりバッファ室１０と真空処理室２０とは仕切られる。」との記載からみて、願書に添付した明細書及び図面の記載範囲内の訂正といえる。
　同じく、中段の「この間、前記基板テーブル上で次の基板のオリフラ合わせを行い、」とあるのを、「この間、前記供給カセットから取り出された他の１枚の基板について前記基板テーブル上でオリフラ合わせを行い、」と訂正している箇所は、オリフラ合わせが行われる基板を「前記供給カセットから取り出された他の１枚の基板」と限定しているものであって、特許請求の範囲の減縮を目的としているものといえ、願書に添付した明細書の【００２６】の「この間、供給カセット７０からは、上記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０、８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。」との記載からみて自明な事項であって、願書に添付した明細書及び図面の記載範囲内の訂正といえる。
　後段の「前記プラズマ処理が終了した基板は前記真空処理室から搬出し、カセットテーブルを上昇させて回収カセットに前記基板を一枚毎回収することを特徴とする半導体基板処理方法。」とあるのを、「前記仕切りを開き前記プラズマ処理が終了した基板を動作平面の異なるアーム搬送装置を用いて前記真空処理室から搬出すると共に前記オリフラ合わせの終了した前記他の１枚の基板を前記真空処理室へ搬入し、処理の終了した前記１枚の基板を前記バッファ室を経由してカセットテーブルに搬送し該カセットテーブルを上昇させて回収カセットに前記基板を１枚毎回収することを特徴とする半導体基板処理方法。」と訂正している個所は、特許明細書の請求項１の要件を「仕切り」及び「アーム搬送装置」について限定するとともにオリフラ合わせの行い方を明確に限定するものであって、明らかに特許請求の範囲の減縮に該当し、また、当該訂正事項については、特許明細書の【００１６】、【００２４】において記載されており、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
　したがって、訂正事項アによる訂正は、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内において、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加にも該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　イ．訂正事項イについて
　訂正事項イによる訂正は、訂正事項アによる訂正後の特許請求の範囲の内容と、発明の詳細な説明の内容との整合を図り、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内において、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項の追加にも該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）訂正請求の認容について
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項に掲げる事項を目的とするものであり、同第１２０条の４第３項において準用する特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正の請求を認容する。
　
３．当審からの取消理由について
　当審から通知した特許取消理由（２回目）は、特許明細書の特許請求の範囲における記載不備に関するものであり、当該不備は上記訂正により解消している。なお、特許取消理由（第１回）は、特許異議申立ての理由に基づくものであり、次項において検討する。
　
４．特許異議申立ての判断
（１）本件特許発明の認定
　上記のとおり、平成１２年１０月１７日付の訂正請求は認容されるので、本件特許発明は、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲に記載された下記の請求項１のとおりのものと認める。
【請求項１】　
　カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り出し、バッフア室の所定位置に設けられた基板テーブル上に搬送してオリフラ合わせを行い、
　前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電極上方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引き続き下降させて前記基板電極に前記１枚の基板を載置し、前記真空処理室を仕切り、前記１枚の基板に所定のプラズマ処理を行い、この間、前記供給カセットから取り出された他の１枚の基板について前記基板テーブル上でオリフラ合わせを行い、
　前記仕切りを開き前記プラズマ処理が終了した基板を動作平面の異なるアーム搬送装置を用いて前記真空処理室から搬出すると共に前記オリフラ合わせの終了した他の１枚の基板を前記真空処理室へ搬入し、処理の終了した前記１枚の基板を前記バッファ室を経由してカセットテーブルに搬送し該カセットテーブルを上昇させて回収カセットに前記基板を１枚毎回収することを特徴とする半導体基板処理方法。
（２）特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人は、本件特許発明に対して、甲第１号証乃至甲第３号証を提出して、本件特許発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に基づいて拒絶査定されるべき出願について受けたもので、取り消されるべきである旨主張している。
（３）引用刊行物とその記載事項の概要
　甲第１号証（実願昭５４−１６１１２２号（実開昭５６−７７７５７号）のマイクロフィルム）には、「真空空間の試料輸送機構」に関して、図３〜図７とともに、下記ア．の記載がある。
　ア．「第３図は本考案をマイクロ波プラズマエッチング装置に適用した場合の上面図で、・・・２つの方向を示す矢印及び回転試料台１１の軸に付した矢印は、それらが付されている部品の運動方向を示す。１４は反応管を意味し、回転試料台１１が回転して、試料がこの下にはいった所で処理が行なわれる。１５および１７は第１および第２のカセットそれぞれ７および９を所定の高さにする、上下運動する台で、１６および１８は試料をアーム１０にのせたり、それから降ろしたりする役をする、同様に上下動するシリンダである。・・・第６図は本考案による試料輸送機構の１例の動作の説明図である。図中、左側が主真空室、右側が副真空室である。・・・試料から第１のカセット７から取り出され、ベルト８にのって、シリンダ１８の真上に来た所で、ベルト８は停止する（Ｂ）。シリンダ１８が上昇し、試料を持ち上げる（Ｄ）。シリンダ１８が下降する（Ｅ）。アーム１０がｄからｃに移動する（Ｆ）。シリンダ１６が上昇する（Ｇ）。アーム１０がｃからｄに移動する（Ｈ）。シリンダ１５が下降する（１）。アーム１０が再びａに戻る（Ｊ）。試料を主真空室１から副真空室２に移すときは、逆の過程をたどる。・・・第７図は本考案を適用した平行平板型プラズマエッチング装置の構成を示す図である。・・１９は平行平板電極である。」（第５頁第８行〜第７頁第１４行）
　甲第２号証（特開昭５７一１３２６５９号公報）には、「イオン打込み装置」に関して、下記イ．の記載がある。
　イ．「真空吸引によりウェハを固定して回転し、ウェハファセットの位置での光量変化等によりウェハファセットを検知する方法も広く用いられているが、真空中では真空吸引が不可能であり、このような技術も使用ができなかった。
　本発明は、ウェハを一枚ずつ自動装着するウェハ装着部にウェハファセットの向きを真空中において所定の方向に揃える機構を備えることにより、面チャネリングによってイオンの侵入距離にばらつきが生じるのを防ぎ均一性を高めること、及びウェハ面上のパターンに特定の方向からイオンを打ち込むことができるイオン打ち込み装置を提供することを目的とする。・・・第２図は本発明の実施例であって、１はウェハ、・・まず、ウェハ１がウェハ支持台８の上方からウェハ導入用レール９に沿って入ってくる。・・ウェハファセット２の向きがウェハファセット固定用ガイド１０の向きと一致するとウェハ１は回転しなくなり、ウェハファセット２はウェハファセット固定用ガイド１０と同じ方向に揃えられる。」（２頁左上欄第１１行〜左下欄第２行、第２，３図参照）
　甲第３号証（特公昭５８−８１０６号公報）には、「保護条件下での処理装置」に関して、第１，２，６図とともに、下記ウ〜カの記載がある。
　ウ．「ウエイフア２０は、扉２４が開く方向から真空閘部に接近するコンペア３０に載せられて真空閘部１８に配送される。扉２６が止まり扉２４が開いていると、コンベア３０上に載せられたウエイフアは空間２８内に滑込み扉２６の上面に静置される。この位置においては、シーケンス制御装置（図示せず）は扉２４を閉じ、空間２８（閉鎖位置の扉２４と２６間の空間）を予備段階の真空ポンプ（図示せず）に接続させる。このポンプは前記空間を真空にするが、その真空度は水銀柱約１０ミクロンの真空であることが望ましい。」（第４欄第３４〜４４行）
　エ．「望ましい実施態様が第２図乃至第４図に更に詳細に示されている。真空処理室１６（第２図の矢印４４により示す）は、ケーシング４８で形成される前段真空室４６と連通している。」（第５欄第３３〜３６行）
　オ．「ウエイフアレシーバ即ち部品支持ドア７４は室４６内に配設され、軸７６上で回動する様取付けられる。」（第６欄第２２〜２４行）
　カ．「第６図において、部品支持ドア７４は、ウエイフフ７２０を受取る面７８と、前記面７８の３つの周部に配設された直立した突起部１３０とを有する略々トレー状である。・・部材１３８は軸１４４周囲に回転する様取付けられた円板で、円板１３８の周部がウエイフア２０の周部と係合する様に配置されている。円板１３８は従来周知の方法（例えば部品支持ドア７４の裏面上に取付けられたモータ）により駆動される。・・前記ウェイフア２０の回転運動は、円板１３８により得られ、即ち前記円板１３８が回転してウエイフアに回転を起こさせる。ウエイフア２０のこの様な回転運動は、平坦部１４６（この平坦部がなければ円形ウエイフアの周部に設けられる）がある回転位置に来て円板１３８とウエイフアの間に機械的な接触がなくなってウエイフアの回転運動が止まる迄継続する。こうして、所望の方向（例えば、第２図に示す如きイオンビームに対し７０の方向）への部品支持ドア７４の軸７６周囲の回転運動と、面７８内のウエイフア２０の回転運動により、イオンビームに対する結晶格子の２つの軸の希望の方向が得られる。」（第８欄第４２行〜第１０欄第１行）
（４）対比・判断
　本件特許発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証における「第１のカセット７」が、本件特許発明の「供給カセット」に、以下同様に「試料」が「基板」に、「シリンダ１８」上の試料が載る部分が「基板テーブル」に、「台１５、１７」が「カセットテーブル」に、「主真空室１」が「真空処理室」に、「副真空室２」が「バッファ室」に、「主ゲートバルブ３」が「仕切り」に、「平行平板電極」が「基板電極」に、「シリンダ１６」が「爪」に、「第２のカセット」が「回収カセット」に相当し、両者は、
「カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り出し、バッファ室の所定位置に設けられた基板テーブル上に搬送し、基板を真空処理室の基板電極上方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引き続き下降させて前記基板電極に基板を載置し、真空処理室を仕切り、所定のプラズマ処理を行い、仕切を開き前記プラズマ処理が終了した基板は前記真空処理室から搬出し、カセットテーブルを上昇させて回収カセットに前記基板を一枚毎回収する半導体基板処理方法」である点で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点＞
　本件特許発明においては、「基板電極に１枚の基板を載置し、真空処理室を仕切り、前記１枚の基板にプラズマ処理を行っている間に、供給カセットから取り出された他の１枚の基板について基板テーブル上でオリフラ合わせを行」うものであって、「前記仕切りを開き前記プラズマ処理が終了した基板を動作平面の異なるアーム搬送装置を用いて前記真空処理室から搬出すると共に前記オリフラ合わせの終了した他の１枚の基板を前記真空処理室へ搬入」しているのに対して、甲第１号証に記載された発明においては、基板電極には複数枚の基板を載置し、その中の１枚についてプラズマ処理を行うものであって、基板の搬送アームは２本以上アームを取り付けることも可能であるものの各アームの動作平面が異なることやオリフラ合わせについては全く記載されていない点。
　以下上記相違点について検討する。
　甲第２号証及び甲第３号証には、イオン打ち込み等を行う処理装置において、真空室内でのウェハ処理前にオリフラ合わせを行うことが開示されているが、動作平面が異なるアーム搬送装置を用いてオリフラ合わせ後の基板を所定のプラズマ処理を行っている間に前記基板テーブル上で次の基板のオリフラ合わせを行うことについては全く記載されていない。また、甲第１号証における主真空室１は、複数のウェーハが円周上に載置され処理されるものであり、本件特許発明における「基板電極に１枚の基板を載置し、真空処理室を仕切り、前記１枚の基板にプラズマ処理を行」うものではないので、基板の搬送アームを２本以上を取り付けたとしても、前記１枚の基板にプラズマ処理を行っている間に、供給カセットから取り出された他の１枚の基板について基板テーブル上でオリフラ合わせを行い、」「前記仕切りを開き前記プラズマ処理が終了した基板をアーム搬送装置を用いて前記真空処理室から搬出すると共に前記オリフラ合わせの終了した他の１枚の基板を前記真空処理室へ搬入」することはできない。
　したがって、上記相違点について、甲第２，３号証の記載から当業者が容易に想到し得たとはいえず、上記本件特許発明は、上記相違点を含む構成を備えることにより、特許明細書に記載された基板１枚毎の処理方法に関して「処理時間を短縮でき、スループットを向上できる」という顕著な効果を奏するものと認める。
　よって、本件特許発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたと認めることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては本件特許発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。　
【異議決定日】
平成１２年１１月１５日（２０００．１１．１５）
【訂正の要旨】
　本件特許異議申立に係る訂正請求における訂正の要旨は、次のア、イのとおりである。
　ア．特許請求の範囲の記載を
「【請求項１】
　カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り出し、
バッフア室の所定位置に設けられた
　前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電極上方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引き続き下降させて前記基板電極に
前記１枚の基板を載置し、前記真空処理室を仕切り、前記１枚の基板に
前記供給カセットから取り出された他の１枚の基板について前記基板テーブル上で
　
前記仕切りを開き
を動作平面の異なるアーム搬送装置を用いて前記真空処理室から搬出すると共に前記オリフラ合わせの終了した他の１枚の基板を前記真空処理室へ搬入し、処理の終了した前記１枚の基板を前記バッファ室を経由してカセットテーブルに搬送し該
　イ．上記アにより訂正された特許請求の範囲の請求項１の記載内容と詳細な説明の記載内容を整合させるように、詳細な説明における課題を解決する手段が記載されている【０００６】の記載内容を、請求の範囲の記載に合わせる訂正を行う。
（５４）【発明の名称】
半導体基板処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り出し、
バッファ室の所定位置に設けられた
　前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電極上方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引き続き下降させて前記基板電極に
前記１枚の基板を載置し、前記真空処理室を仕切り、前記１枚の基板に
　この間、
前記供給カセットから取り出された他の１枚の基板について
で
　
前記仕切りを開き
を動作平面の異なるアーム搬送装置を
すると共に前記オリフラ合わせの終了した前記他の１枚の基板を前記真空処理室へ搬入し、処理の終了した前記１枚の基板を前記バッファ室を経由してカセットテーブルに搬入し該
１
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明はエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタ装置等の半導体製造工程に適した半導体基板処理方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　最近の半導体製造プロセス技術の進歩は著しく、ドライエッチング装置においても１μｍパターンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このような微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット（時間あたりの基板処理枚数）を向上させることおよび製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題となっている。
　【０００３】
　このような要求を解決するためには装置を小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステムが構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求されるようになってきた。これに対して、従来の、例えば、特開昭５７−１２８９２８号公報に開示されているような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合したモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス工程への適用にはむかない。
　【０００４】
　また、実開昭５７−３９４３０号公報に開示されているようないくつかの真空処理室と一つのバッファ室との間を基板が搬送されて連続的に処理されるようなタイプでは真空処理室数が固定され、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を変更したりする自由度がなく、使用しづらいという問題点を有している。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、半導体製造における基板の処理時間を短縮でき、スループットを向上出来る半導体基板処理方法を提供することにある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の特徴は、カセットテーブルを下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り出し、
バッファ室の所定位置に設けられた
前記１枚の基板を載置し、前記真空処理室を仕切り、前記１枚の基板に
前記供給カセットから取り出された他の１枚の基板について
で
前記仕切りを開き
を動作平面の異なるアーム搬送装置を
すると共に前記オリフラ合わせの終了した前記他の１枚の基板を前記真空処理室へ搬入し、処理の終了した前記１枚の基板を前記バッファ室を経由してカセットテーブルに搬入し該
１
　【０００７】
　本発明によれば、真空処理室内で基板が処理されている間に、真空排気された空間で基板のオリフラ合わせを実施するので、処理時間を短縮でき、スループットを向上出来る。
　【０００８】
　【発明の実施の形態】
　本発明の一実施例を図１〜図５で説明する。
　図１で、真空処理装置は、真空排気可能なバッファ室１０と、バッファ室１０に設けられた真空処理室２０と、基板３０を矢印Ａ方向に搬送可能なバッファ室１０に内設された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第１の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室１０の側壁に設けられたゲート弁、仕切具等の真空開閉手段４０、４１と、この場合、真空開閉手段４０、４１が設けられた側壁と直角をなし第１の基板搬送手段をはさんで真空処理室２０と対応する側壁に設けられたゲート弁等の他の真空開閉手段５０、５１を介してバッファ室１０に具設された真空予備室６０と、第１の基板搬送手段との間で他の真空開閉手段５０、５１を介して基板３０を矢印Ｂ、Ｃ方向に搬送する第２の基板搬送手段（図示省略）と、第１の基板搬送手段の基板搬送経路上で、かつ、真空処理室２０に対応して設けられた基板受渡手段（図示省略）と、基板受渡手段と真空処理室２０との間で基板３０を矢印Ｄ方向に搬送する第３の基板搬送手段（図示省略）とを有している。なお、この場合、真空予備室６０には、基板カセット７０、７１を昇降駆動するカセット昇降装置（図示省略）のカセットテーブル（図示省略）が昇降可能に他の真空開閉手段５０、５１と対応して内設されている。
　【０００９】
　第１〜第３の基板搬送手段、基板受渡手段等を図２で更に詳細に説明する。
　図２において、第１の基板搬送手段はベルト搬送装置８０であり、ベルト搬送装置８０は、その全体を昇降装置、例えば、シリンダ８１で昇降駆動されると共に、モータ８２でベルト８３を回転駆動される。
　【００１０】
　第２の基板搬送手段は、他の真空開閉手段５０、５１をはさんで真空予備室６０に設けられたベルト搬送装置９０、１００とバッファ室１０に設けられたベルト搬送装置１１０、１２０である。ベルト搬送装置９０のプーリ９１、９２とプーリ９１、９２に無端に巻掛けられたベルト９３とは、カセット昇降装置１３０のカセットテーブル１３１に対応し、かつ、カセットテーブル１３１が最高位置まで上昇させられた時点でもその上方に位置するように配設されている。
　【００１１】
　ベルト９３はモータ９４で回転駆動される。ベルト搬送装置１１０はモータ１１１でベルト１１２を回転駆動され、ベルト搬送装置１１０のベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送装置８０のベルト８３の一方の昇降動を阻害しないように、この場合、Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ１１３は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置するように設けられている。なお、ベルト搬送装置９０のベルト９３とベルト搬送装置１１０のベルト１１２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置９０とベルト搬送装置１１０との他の真空開閉手段５０側端の間隔は、基板３０の受渡しに支障のない大きさとなっている。
　【００１２】
　ベルト搬送装置１００のプーリ１０１、１０２とプーリ１０１、１０２に無端に巻掛けられたベルト１０３とは、ベルト搬送装置９０と同様に配設され、ベルト１０３はモータ１０４で回動駆動される。ベルト搬送装置１２０はモータ１２１でベルト１２２を回転駆動され、ベルト搬送装置１２０のベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送装置１１０の場合と同様にベルト搬送装置８０のベルト８３の一方の昇降動を阻害しないようにＶ字形に折曲され最終端のプーリ１２３は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置するように設けられている。
　【００１３】
　なお、ベルト搬送装置１００のベルト１０３とベルト搬送装置１２０のベルト１２２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置１００とベルト搬送装置１２０との他の真空開閉手段５１側端の間隔は、基板３０の受渡しに支障のない大きさとなっている。また、ベルト搬送装置１１０のプーリ１１３とプーリ１１３に対応するプーリ１１４との間隔は、基板３０の落下を防止して良好に受渡し可能な大きさであり、ベルト搬送装置１２０のプーリ１２３に対応するプーリ１２４との間隔も同様の大きさである。なお、ベルト搬送装置８０は、ベルト８３のレベルがベルト搬送装置１１０、１２０のベルト１１２、１２２のレベル以下並びに以上になるように昇降駆動される。
　【００１４】
　基板受渡手段１４０は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間の寸法より小さい基板テーブル１４１と昇降装置、例えば、シリンダ１４２とで構成されている。基板テーブル１４１は真空処理室２０と対応する位置で、この場合は、ベルト搬送装置１１０、１２０の間の位置で、ベルト搬送装置８０のベルト８３間を通過しシリンダ１４２で昇降可能に設けられている。
　【００１５】
　第３の基板搬送手段は、アーム搬送装置１５０、１６０である。アーム搬送装置１５０は、基板すくい具１５１とアーム１５２と回動装置、例えば、パルスモータ１５３とで構成されている。パルスモータ１５３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の一方の側（図２では左側）に設けられ、パルスモータ１５３には、アーム１５２の一端が設けられている。アーム１５２の他端には基板すくい具１５１が設けられている。また、アーム搬送装置１６０は、基板すくい具１６１とアーム１６２と回動装置、例えば、パルスモータ１６３とで構成されている。パルスモータ１６３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の他方の側（図２では右側）に設けられ、パルスモータ１６３には、アーム１６２の一端が設けられている。アーム１６２の他端には、基板すくい具１６１が設けられている。この場合、基板すくい具１５１、１６１、アーム１５２、１６２の寸法は、基板テーブル１４１並びに基板電極２１に基板３０が載置されている場合、この基板３０を基板すくい具１５１、１６１ですくい可能な寸法である。
　【００１６】
　また、アーム１５２、１６２は、基板すくい具１５１、１６１で基板３０を基板テーブル１４１と基板電極２１との間で搬送可能にパルスモータ１５３、１６３でそれぞれ部分回動される。なお、この場合、アーム１５２、１６２の動作平面はアーム１５２が上面、アーム１６２で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置１５０で基板３０を基板テーブル１４１から基板電極２１へ搬送する際に、アーム搬送装置１６０で基板３０を基板電極２１から基板テーブル１４１へ搬送するのを阻害しないようになっている。
　【００１７】
　カセット昇降装置１３０は、カセットテーブル１３１と、カセットテーブル１３１に垂設され下端部にネジが形成された昇降ロッド１３２と、モータ１３３で回動駆動される歯車１３４と、歯車１３４と噛合し設けられると共に昇降ロッド１３２の下端部が螺合された歯車１３５とで構成されている。基板電極２１は、ラック・ピニオン機構２２を介しモータ２３の回動により昇降駆動される。また、基板電極２１の中心部には、基板支持用の爪２４が昇降装置、例えば、シリンダ２５で昇降可能に設けられている。爪２４は、その表面が基板電極２１の表面以下になる位置と、アーム搬送装置１５０、１６０の基板すくい具１５１、１６１と基板３０を受渡し可能な位置との間で昇降駆動される。
　【００１８】
　図１、図２で示される真空処理装置では、次のような基板処理を行うことができる。
　【００１９】
　まず、他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブル１３１は、最下部に下降させられ、他の真空開閉手段５１に対応するカセットテーブル（図示省略）は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段５０、５１が、例えば、シリンダ５２、５３の駆動により閉止されバッファ室１０と真空予備室６０との連通は気密に遮断されると共に、真空開閉手段４０、４１が閉止又は仕切られてバッファ室１０と外部との連通も気密に遮断される。この状態でバッファ室１０は真空排気装置（図示省略）を作動させることで所定圧力に減圧排気される。
　【００２０】
　一方、真空予備室６０には、外部が大気側である場合は、真空予備室６０に設けられた扉等の大気真空開閉手段（図示省略）を開放することで所定枚数の基板３０が装填された基板カセット（以下、供給カセットと略）７０と基板回収用の空の基板カセット（以下、回収カセットと略）７１とが搬入されて、供給カセット７０は他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブル１３１に、回収カセット７１は他の真空開閉手段５１に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。
　【００２１】
　その後、大気真空開閉手段は閉止され真空予備室６０は、真空排気装置（図示省略）でバッファ室１０の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。その後、シリンダ５２の駆動により他の真空開閉手段５０が開放され、これによりバッファ室１０と真空予備室６０とは連通状態となる。この状態下で、モータ１３３を駆動しカセットテーブル１３１を１ピッチ分下降させることで供給カセット７０の、この場合、最下部に装填された基板３０はベルト９３に載置される。
　【００２２】
　その後、モータ９４によりベルト９３を回転駆動することで載置された基板３０は他の真空開閉手段５０側へ搬送され、モータ１１１により回転駆動されているベルト１１２に他の真空開閉手段５０を介して渡される。ベルト１１２に渡された基板３０はベルト搬送装置８０側へ搬送される。なお、このときベルト８３のレベルがベルト１１２のレベル以下となるようにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１により降下させられている。
　【００２３】
　その後、基板３０がプーリ１１３、１１４にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト８３のレベルがベルト１１２のレベル以上となるようにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１により上昇させられ、これにより基板３０はベルト１１２からベルト８３へ渡される。ベルト８３に渡された基板３０は、モータ８２の駆動により基板テーブル１４１に対応する位置まで搬送された後に、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で上昇させることで基板テーブル１４１に受取られる。基板テーブル１４１に受取られた基板３０は、例えば、オリフラ合せ装置１７０でオリフラを合わされる。
　【００２４】
　その後、基板３０は、例えば、基板のせ具１５１に渡されアーム１５２をパルスモータ１５３で真空処理室２０側へ回転駆動することで、バッファ室１０を経て真空処理室２０の基板電極２１の上方へ搬送される。その後、爪２４をシリンダ２５で上昇させることで、基板のせ具１５１の基板３０は、爪２４に受取られる。その後、基板３０を爪２４に渡した基板のせ具１５１は、真空処理室２０外のバッファ室１０に退避させられる。その後、爪２４を、その表面が基板電極２１の表面以下となるようにシリンダ２５で下降させることで、基板３０は爪２４から基板電極２１に渡されて載置される。
　【００２５】
　その後、仕切り用のフランジ１８０と、フランジ１８０の裏面とバッファ室１０の底壁とに跨設されたべローズ１８１と、フランジ１８０を昇降駆動する昇降装置、例えば、シリンダ１８２とで構成される仕切り手段１８３によりバッファ室１０と真空処理室２０とは仕切られる。この状態で、まず、基板電極２０と、基板電極３０の上方に対向して真空処理室２０に設けられた対向電極（図示省略）との電極間隔は、モータ２３を駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真空処理室２０には、流量を調節されてプロセスガスが導入されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動により真空処理室２０の圧力は処理圧力に調整される。
　【００２６】
　その後、例えば、基板電極２１に接続された電源、例えば、高周波電源（図示省略）より基板電極２１に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電極２１との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基板電極２１に載置された基板３０は、エッチング処理等所定処理される。この間、供給カセット７０からは、上記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０、８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。
　【００２７】
　真空処理室２０での処理が終了した後に仕切り手段１８３によるバッファ室１０と真空処理室２０の仕切りは解除され、真空処理室２０はバッファ室１０と再び連通させられる。その後、基板電極２１は、所定位置まで降下させられ、爪２４をシリンダ２５で上昇させることで、処理済みの基板３０は、基板電極２１から除去され爪２４に渡される。その後、基板のせ具１６１を爪２４に渡された基板３０の裏面に対応する位置まで回転させた後に、爪２４をシリンダ２５で下降させることで、処理済みの基板３０は基板のせ具１６１に渡される。
　【００２８】
　その後、基板のせ具１５１に渡された基板３０は、基板テーブル１４１から基板電極２１へ、また、基板のせ具１６１に渡された処理済みの基板３０は基板電極２１から基板テーブル１４１へそれぞれ搬送される。基板電極２１へ搬送された基板３０は、上記した操作により所定処理される。この間、基板テーブル１４１に搬送された処理済みの基板３０は、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で下降させることでベルト搬送装置８０のベルト８３に渡され、その後、ベルト８３、１２２のモータ８２、１２１による回転駆動で他の真空開閉手段５１側へ搬送される。なお、ベルト８３からベルト１２２への処理済みの基板３０の受渡しは、ベルト１１２からベルト８３への基板３０の受渡しと逆操作により行われる。シリンダ５３の駆動により他の真空開閉手段５１が開放され、モータ１０４によりベルト１０３を回転駆動することで、他の真空開閉手段５１側へ搬送されてきた処理済みの基板３０は他の真空開閉手段５１を介して真空予備室６０に搬入され、その後、カセットテーブルを１ピッチ分上昇させることで回収カセット７１に回収される。
　【００２９】
　また、供給カセット７０からは上記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０、８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。
　【００３０】
　以上のような操作を繰り返し実施することで、供給カセット７０からは基板３０が１枚毎取り出され、真空予備室６０からバッファ室１０を経て真空処理室２０に搬送され、真空処理室２０で１枚毎処理され、処理済みの基板３０は、真空処理室２０からバッファ室１０を経て真空予備室６０に搬送されて１枚毎回収カセット７１に回収される。
　【００３１】
　図３は、図１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して２モジュール連設した場合の例を示すものである。なお、図３での構成部品は、図２のそれと全て同一であり、したがって、構成、作用等の説明は省略する。図３で示される真空処理装置では、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すような基板処理を行うことができる。
　【００３２】
　即ち、図４（ａ）に示すように基板３０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でシリーズ処理することも、図４（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でパラレル処理することも、図４（ｃ）に示すように、基板３０を、連設された真空処理装置毎の真空処理室２０でパラレル処理することもできる。
　【００３３】
　なおこのような基板処理モードで図４（ａ）、（ｂ）に示される基板処理モードの場合、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）を少なくとも１個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を少なくとも１個セットするようにする。また、図４（ｃ）に示される基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）、回収カセット（図示省略）を各１個セットするようにする。
　【００３４】
　また、図１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して２モジュール連設した場合、各真空処理装置における基板３０の搬送はバッファ室１０を経ることで行われる。
　【００３５】
　更に、図１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して３モジュール以上連設した場合は、図４に示すような基板処理モードに加えて図５（ａ）、（ｂ）に示すような基板処理を行うことができる。即ち、図５（ａ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の前段の真空処理装置の真空処理室２０と、この場合は、中段の真空処理装置の真空処理室２０とで、まず、パラレル処理し、引続き後段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理することも、図５（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理することもできる。
　【００３６】
　なお、このような基板処理モードの場合、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）を２個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を２個セットするようにする。
　【００３７】
　また、各真空処理装置の真空処理室２０で基板３０をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセットを１個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを１個セットするようにする。
　【００３８】
　また、各真空処理装置の真空処理室で基板３０をパラレル処理する場合は、前段の真空処理装置の真空予備室に供給カセットを少なくとも１個セットし後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを少なくとも１個セットするようにする。
　【００３９】
　また、各真空処理装置を独立させそれぞれの真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットとを各１個セットするようにする。また、図１、図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０、４１を介して３モジュール以上連設した場合でも、各真空処理装置における基板３０の搬送は、バッファ室１０を経ることで行われる。
　【００４０】
　本実施例のような真空処理装置では、次のような効果が得られる。
　（１）プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。
　（２）基板は真空排気されているバッファ室を経て次の真空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理室へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問題なく適用できる。
　（３）第２の基板搬送手段と第３の基板搬送手段とを平行とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることができ、多モジュール構成がし易くなっている。
　（４）真空予備室を真空排気可能なカセット室としているので、真空処理装置の奥行寸法を小さくすることができ、多モジュールシステムでは、１モジュールに２個のカセットをセットすることも可能でスループット向上時のカセットセット時間間隔を長くすることができる。
　（５）第３の基板搬送手段として動作平面の異なるアーム搬送装置を用いているので、真空処理室への基板の搬入、搬出を同時に行うことができるので、スループットを向上できる。
　（６）多モジュールによるシリーズ処理あるいはパラレル処理が可能となるため、真空処理装置の小形化と合わせ床面積当りのスループットを向上させることができる。
　（７）バッファ室に設けられる真空開閉手段の開口面積は、基板が１枚通過可能な面積であればよく、したがって、多モジュールの場合、真空処理装置間での残留プロセスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装置でのプロセスガスに対する独立性を確保できる。
　【００４１】
　なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくして、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、図６に示すように、真空予備室６０′を例えば、真空開閉手段４０を介してバッファ室１０に具設すると共に、矢印Ａ方向に基板３０を搬送する第１の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）との間で真空開閉手段４０を介して矢印Ｅ方向に基板３０を受渡し可能に第２の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）を真空予備室６０′に設けるようにする。この場合、他の真空開閉手段は不用である。
　【００４２】
　以上、説明した実施例では、真空予備室を供給カセット、回収カセットが外部より搬入されてセットされるような真空予備室としているが、特に、このような真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カセット、回収カセットを真空予備室に固定してセットし、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットから取り出して外部へ搬出するようにしても良い。
　【００４３】
　また、第１の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段との間で搬送するようなものであれば良い。また、第２の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、アームが直進するアーム搬送装置、アームが回動するアーム搬送装置等を用いても良い。
　【００４４】
　【発明の効果】
　本発明によれば、真空処理室内で基板が処理されている間に、真空排気された空間で基板のオリフラ合わせを実施するので、処理時間を短縮でき、スループットを向上出来る。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による真空処理装置の一実施例を示す平面図。
　【図２】
　図１の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
　【図３】
　図１の真空処理装置を２モジュール連設した真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
　【図４】
　（ａ）ないし（ｃ）は、２モジュール真空処理装置での基板処理モード図。
　【図５】
　（ａ）、（ｂ）は、３モジュール真空処理装置での他の基板処理モード図。
　【図６】
　本発明による真空処理装置の他の実施例を示す平面図。
　【符号の説明】
　１０…バッファ室、２０…真空処理室、３０…基板、４０、４１…真空開閉手段、５０、５１…他の真空開閉手段、６０、６０′…真空予備室、８０ないし１２０…ベルト搬送装置、１４０…基板受渡手段、１５０、１６０…アーム搬送装置