【事件の表示】
　特許第２７１８４１２号「電子機器」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７１８４１２号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７１８４１２号発明は、昭和６２年６月１９日に出願された特願昭６２−１５１１９０号出願の一部を特許法第４４条第１項の規定により新たな特許出願とするものとし平成８年１１月１１日出願され、平成９年１１月１４日にその特許権の設定の登録がなされ、その後、末岡定、池田英治、京セラ株式会社及び雨宮範子により特許異議の申立てがなされ、平成１１年２月９日に取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年３月３１日に訂正請求がなされ、その後平成１１年９月１０日に訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月１０日に訂正請求の補正がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否
１．訂正の内容
　上記の訂正請求の補正は、訂正請求書の要旨を変更するものでなく、当該補正は特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するので、上記訂正の内容は次のとおりである。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲中の「所定の配線パターンを形成した基仮にＬＳＩチップを搭載した」を「所定の配線パターンを形成した基板にその下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップを搭載した」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲中の「該半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂」を「該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である該Ａｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲中の「その縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さく」を「その縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であり」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　【０００８】、【００１１】及び【００１２】中の「ＬＳＩ実装構造体」を「ＬＳＩ実装構造体を用いた電子機器」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　【００１７】中の「さらに具体的に述べるならば」を「すなわち、本発明は、所定の配線パターンを形成した基板にその下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳｌチップを搭載した電子機器であって、該基板の配線パターンとＬＳＩチップの有するＡｌ配線層とを電気的に接続する半田バンプと、該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である該Ａｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂であってその縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂とを用いて、該ＬＳＩチップを該基板に搭載したものである。」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　【００１７】中の「樹脂の縦弾性係数が常温付近で１００ＯＫｇｆ／ｍｍ２以下（中略）。弾性係数がこれ以上大きいと」を「なお、前記樹脂は、後述する表１から表３に示すように、縦弾性係数が常温付近で１０００Ｋｇｆ／ｍｍ２以下、特に望ましくは５〜ｌ０００Ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲に有り、かつ、熱膨張係数が常温付近で１８〜４６×１０−６／℃の範囲にある樹脂で充填された充填構造体であることが好まい。
縦弾性係数がこれ以上大きいと」と訂正する。
　訂正事項ｇ
　【００２６】中の「半田材料は９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金である。」を「半田材料は９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金である。この９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金の熱膨張係数は約２１．４×１０−６／℃であり、縦弾性係数は約１５５０Ｋｇｆ／ｍｍ２である。」と訂正する。
　訂正事項ｈ
　【００２８】にある「図１に示すエポキシ樹脂組成物」を「表１に示すエポキシ樹脂組成物」と訂正する。
　訂正事項ｉ
　【００４２】中の「半導体集積回路構造体」を「半導体集積回路構造体を用いた電子機器」と訂正する。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａについては、ＬＳＩチップを「下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップ」に限定するものであり、「所定の配線パターンを形成した基板にその下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップを搭載した」は明細書の【００２５】及び図４及び図５に記載されていたから、特許請求の範囲の減縮に相当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｂについては、「当該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である該ＡＩ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂」は明細書の図１等に記載されていたものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｃについては、「半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂」をより限定するもので、「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」は【００１７】中等に記載されていたものであから、特許請求の範囲の減縮に相当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｄについては、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｅについては、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｆについては、明細書の【００１７】にある「特に望ましくは１０−９００Ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲に有り、かつ、熱膨張係数が常温付近で２０−３０×１０−６／℃の範囲にある樹脂で充填された充填構造体である。」で規定する数値範囲が表１〜表３に示す実験結果と一致しておらず、発明の詳細な説明とこれら表１〜表３に示す実験結果との整合をとるためのものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｇについては、この実験に用いられた半田バンプは、９５％Ｐｂ−５％Ｓｎであり、その熱膨張係数は２１．４×１０−６／℃、縦弾性係数は１５５０Ｋｇｆ／ｍｍ２であることを明示するものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｈついては、エポキシ樹脂組成物は図１にではなく表１に示したものであることは明らかであるので、誤記の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｉについては、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであるから、明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　３．独立特許要件
　訂正後における特許請求の範囲に記載された発明（以下、「本件発明」という。）は、次の「ＩＩＩ．特許異議申立についての判断」において示すように特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。
４．以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項の規定、及び同条第３項で準用され、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされることにより適用される、この改正する法律による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２〜３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立についての判断
１．本件発明
　本件発明は、訂正後の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「所定の配線パターンを形成した基板にその下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップを搭載した電子機器であって、該基板の配線パターンとＬＳＩチップの有するＡｌ配線層とを電気的に接続する半田バンプと、該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である該Ａｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂であってその縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂とを用いて、該ＬＳＩチップを該基板に搭載したことを特徴とする電子機器。」
２．申立理由の概要。
（１）異議申立人の末岡定は、甲第１号証〔「電子通信学会技術研究報告　ＥＭＣ８６−１８」（１９８６年９月１９日）社団法人電子通信学会ｐ．１〜６、以下「引用例１」という。〕、甲第２号証（特開昭６１−１５９７５２号公報、以下「引用例２」という。）、甲第３号証〔特開昭６３−３１６４４７号公報（原出願の公開公報）〕及び参考資料（特開昭６０−１８２７５２号公報）を提出し、
本件発明は、引用例１に記載された発明であるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたもの（理由１）で、取り消されるべきである旨、
本件発明は、引用例２に記載された発明から当業者が容易に発明をするここができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもの（理由２）で、取り消されるべきである旨、
本件発明は、原出願の特許請求の範囲に記載された発明と同一であり、出願日の遡及なく、そして、原出願の公開公報に記載の発明から容易になし得たものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもの（理由３）で、取り消されるべきである旨、
本件発明の特許は特許法第３６条第４項の規定を満たしていない出願に対してなされたもの（理由４）で、取り消されるべきである旨主張する。
（２）異議申立人の池田英治は、甲第１号証〔特許第２６７５００３号公報（原出願の特許公報）、甲第２号証〔特開昭６３−３１６４４７号公報（原出願の公開公報）〕、甲第３号証（引用例１）、甲第４号証〔「半導体・集積回路技術　第２９回シンポジウム講演論文集」（昭６０−１２−５）電気化学協会電子材料委員会　第４３〜４８頁、以下「引用例５」という。〕を提出し、本件発明は、原出願の特許請求の範囲に記載された発明と同一であり、出願日の遡及なく、そして、原出願の公開公報に記載の発明と同一の発明であるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたもの（理由５）、又は原出願の公開公報に記載の発明から容易になし得たものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもの（理由３）で、取り消されるべきである旨、
本件発明は、引用例１に記載された発明と同一であるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたもの（理由１）、又は、本件発明は、引用例１に記載された発明から容易になし得たものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもの（理由６）で、取り消されるべきである旨、
本件発明は、引用例５に記載された発明と同一であるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたもの（理由７）、又は、
本件発明は、引用例５に記載の発明から容易になし得たものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもの（理由８）で、取り消されるべきである旨主張する。
（３）異議申立人の京セラ株式会社は、第１号証（引用例５）を提出し、本件発明は、引用例５に記載された発明と同一であるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたもの（理由７）で、取り消されるべきである旨主張する。
（４）異議申立人の雨宮範子は、甲第１号証−１（引用例１）及び甲第１号証−２〔科学技術振興事業団（ＪＩＣＳＴ）が主催する技術文献オンラインデータベースによって得られた抄録〕を提出し、本件発明は、引用例１に記載された発明と同一であるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたもの（理由１）、又は、本件発明は、引用例１に記載の発明から容易になし得たものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもの（理由６）で、取り消されるべきである旨主張する。
３．判断など
イ．理由１、６について
（引用例１に記載の事項）
　引用例１には、
　樹脂補強によるフリップチップ実装の高信頼化
　　−冷熱サイクル特性向上効果の解析−、
と題し、
　「本研究では、ガラス基板上に駆動用ＬＳＩをフリップチップ実装した場合の高信頼化技術について検討し、車載用パネルディスプレイとしての仕様を満足し得る特性を得た。引き続き、セラミック基板への実装を対象に樹脂補強による信頼性向上の検討を行った」と記載される（第１頁第１８行〜同頁第２０行）と共に、ＬＳＩチップの上面を覆うことなく配線パターンを有する基板と該基板との対向面である配線層を有するＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプの周囲の空隙部を充填するように形成された補強樹脂とを用いて、ＬＳＩチップを基板に搭載した樹脂補強型フリップチップ実装（電子部品）が図示され（第２頁図１（ｂ）参照）、また、樹脂の縦弾性係数が小さいほど熱疲労寿命が向上し、かつその樹脂の縦弾性係数は、はんだよりも小さいことが開示され（第４頁図３、表２、第４頁第４〜５行、表３、第５頁２９〜３１行、第６頁図７等参照）、さらに、冷熱サイクル試験後の断線不良率と充填樹脂の熱膨張係数の関係を示すグラフが開示される（第３頁図２参照）と共に、「樹脂の熱膨張係数を接続に用いるはんだの値に近づけることによって、不良率が大幅に低減するという結果である。」（３頁１８〜１９行）と記載されている。
（対比判断）
　本件発明を引用例１に記載のものと対比し検討する。
　両者は、所定の配線パターンを形成した基板の配線パターンとＬＳＩチップの有する配線層とを電気的に接続する半田バンプと、該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である配線層を有するＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂を用いて、該ＬＳＩチップを該基板に搭載した電子機器に関する点で共通する。
　しかし、本件発明では、ＬＳＩチップを「下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成した」もので、樹脂を「縦弾性係数が前記半田バンフを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」としたものであるところ、引用例１には、「下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップ」も「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」について記載はない。
　そして、引用例１に記載の如きＬＳＩチップを該基板に搭載した樹脂補強型フリップチップ実装構造（電子部品）において、本件発明におけるように、ＬＳＩチップを「下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したもの」、樹脂を「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」とすることは、引用例１に記載のものにより示唆されるものでもない。
　そして、本件発明の電子機器は、前記要旨構成により、ＬＳＩチップに形成したＡｌ配線が断線しないものであると認める。
　従って、本件発明は引用例１に記載された発明であるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものであるとも、引用例１に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるともすることはできない。
ロ．理由２について
（引用例２に記載の事項）
　引用例２には、「複数個の半導体チップと、該半導体チップの載置される基板と、該基板と前記半導体チップとの対向する前記端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充填し、且つ前記多数個の半導体チップを個々に独立して包囲して形成された樹脂被覆と、を有するマルチチップ搭載の半導体装置において、該チップ上面は被覆せず、チップ周囲の樹脂の高さを、チップ上面に等しく平坦化した構造で、もしくは・・・構造で、チップ上面もしくは該高熱伝導板上面を熱伝導体に接触させて冷却したこと、もしくは金属、高熱伝導樹脂を介して冷却したことを特徴とする半導体樹脂パッケージ」（特許請求の範囲）が記載されている。
　（対比・判断）
　引用例２に記載のものは、本件発明と同じく所定の配線パターンを形成した基板の配線パターンとＬＳＩチップの有する配線層とを電気的に接続する半田バンプと、該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である配線層を有するＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂（補強樹脂）を用いて、該ＬＳＩチップを該基板に搭載した電子機器に関する。
　しかし、本件発明では、ＬＳＩチップが「下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成した」もので、樹脂が「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」であるところ、引用例２には「下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップ」も、「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下ででありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」についても記載はない。
　そして、引用例２に記載の如きＬＳＩチップを該基板に搭載した樹脂補強型フリップチップ実装構造（電子部品）において、本件発明におけるように、ＬＳＩチップを「下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したもの」で、樹脂を「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい」ものとすることは、引用例２に記載のものにより示唆されるものでもない。
　そして、本件発明の電子機器は、ＬＳＩチップに形成したＡｌ配線が断線しないものである。
　従って、本件発明は、引用例２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできないので、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるとすることはできない。
ハ．理由３，５について
　原出願の特許請求の範囲に記載された発明は、「半導体集積回路が形成されてなるＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップが搭載される基板と、該基板と該ＬＳＩチップとの対向する電極端子間に形成された半田バンプと、該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面であるＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなる樹脂層とを有するＬＳＩ実装構造体において、
　該樹脂を少なくともビスフェノールＡ型エポキシ樹脂もしくは脂環式エポキシ樹脂のいずれかと無機微粉末成分とで構成しかつ該樹脂の縦弾性係数が常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該半田バンプを構成する低融点合金のそれにほぼ等しくなるように構成したことを特徴とするＬＳＩ実装構造体。」を要旨とするものである。
　本件発明を原出願の特許請求の範囲に記載された発明と対比すると、ＬＳＩチップが、本件発明では「下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成した」ものであるのに対して原出願の特許請求の範囲に記載された発明ではかかる限定がなく、また樹脂が、本件発明では「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」であるのに対して原出願の特許請求の範囲に記載された発明では「少なくともビスフェノールＡ型エポキシ樹脂もしくは脂環式エポキシ樹脂のいずれかと無機微粉末成分とで構成しかつ該樹脂の縦弾性係数が常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該半田バンプを構成する低融点合金のそれにほぼ等しくなるように構成した」ものであるから、両者の構成は明らかに相違する。
　したがって、本件発明は、原出願の特許請求の範囲に記載された発明と同一ではなく、その出願の出願日は遡及するから、原出願の公開公報に記載の発明と同一の発明であるからその特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものであるとも、原出願の公開公報に記載の発明から容易になし得たものであるからその特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるともすることはできない。
ニ．理由４について
　申立人の末岡定は、
「本件特許出願時の明細書の発明の詳細な説明の記載内容を確認すると、半田の性質（物性）との関連において、その縦弾性係数が半田のバンプを構成する該低融点合金のそれよりも小さくかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂を用いる（構成要件Ｄ）ことについて明確に説明している箇所は何処にも無い」（１１頁２５〜２９行）にもかかわらず、本件明細書の特許請求の範囲には「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれより小さくかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂とを用いて、」の記載があり、発明の詳細な説明に記載した発明の構成に欠くとができない事項のみが記載されていない旨いうが、訂正請求により、上記「その縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれより小さくかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂とを用いて、」は「その縦弾性係数が前記半田パンプを構成する低融点合金のそれより小さい常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂とを用いて、」と訂正され、本件明細書の特許請求の範囲には、発明の詳細な説明に記載した発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されているようになった。
ホ．理由７、８について
（引用例５に記載の事項）
　引用例５には、「ガラス基板上へのフリップチッブ実装の樹脂被覆による信頼性向上」と題し、配線パターン（Ｃｒ−Ｃｕ）を形成した基板（Ｓｏｄａｌｉｍｅ　ｇｌａｓｓ）上にその下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップ（Ｓｉ　ｃｈｉｐ）を載置し、該基板の配線パターンと該該ＬＳＩチップの有するＡｌ配線層とを半田バンプ（Ｐｂ−５％ＳｎのＳｏｌｄｅｒ）を介して電気的に接続し、樹脂で該基板と該基板との対向面である該Ａｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間において半田バンプ周囲の空隙部を充填すると共にチップ上面を被覆してなるＬＳＩ実装構造体が図示され（第４５頁Ｆｉｇ．１参照）、また上述の電子機器における冷熱サイクル特性の評価のための実験サンプルとして、前記樹脂層（Ｒｅｓｉｎ）の縦弾性係数（ヤング率Ｅ）を半田バンプ（Ｓｏｌｄｅｒ）のそれよりも小さい８００ｋｇｆ／ｍｍ２、かつ樹脂層（Ｒｅｓｉｎ）の熱膨張係数（ＴＣＥ）を半田バンプ（Ｓｏｌｄｅｒ）のそれとほぼ等しく設定したものが記載されている（第４７頁１６〜１９行及び「Ｔａｂｌｅｌ」参照）
（対比・判断）
　本件発明を引用例５に記載のものと対比すると、他の点はさておき、本件発明では、ＬＳＩチップの上面までも樹脂被覆していない構造において、樹脂を「縦弾性係数が前記半田パンプを構成する低融点合金のそれより小さい常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」としたところ、引用例５に記載のものではＬＳＩチップの上面までも樹脂被覆されている。
　そして、本件発明におけるＬＳＩチップの上面までも樹脂被覆していない構造において、樹脂を「縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれより小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂」とした点は、引用例５に記載のものにより示唆されるものでない。
　そして、本件発明の電子機器は、ＬＳＩチップに形成したＡｌ配線が断線しないものである。
　したがって、本件発明は、引用例５に記載されたのものであるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものであるとも、第１項の規定に違反してなされたものであるとも、引用例５に記載されたものから容易になし得たものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるともすることはできない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理及び証拠によっては本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月２２日（１９９９．９．２２）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　本件特許第２７１８４１２号発明の明細書を次の（１）乃至（９）のとおり訂正する。
（１）特許請求の範囲中の「所定の配線パターンを形成した基仮にＬＳＩチップを搭載した」を「所定の配線パターンを形成した基板にその下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップを搭載した」と訂正する。
（２）特許請求の範囲中の「該半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂」を「該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である該Ａｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂」と訂正する。
（３）特許請求の範囲中の「その縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さく」を「その縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近でｌ０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であり」と訂正する。
（４）【０００８】、【００１１】及び【００１２】中の「ＬＳＩ実装構造体」を「ＬＳＩ実装構造体を用いた電子機器」と訂正する。
（５）【００１７】中の「さらに具体的に述べるならば」を「すなわち、本発明は、所定の配線パターンを形成した基板にその下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳｌチップを搭載した電子機器であって、該基板の配線パターンとＬＳＩチップの有するＡｌ配線層とを電気的に接続する半田パンプと、該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である該Ａｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂であってその縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂とを用いて、該ＬＳＩチップを該基板に搭載したものである。」と訂正する。
（６）【００１７】中の「樹脂の縦弾性係数が常温付近で１０００　Ｋｇｆ／ｍｍ２以下（中略）。弾性係数がこれ以上大きいと」を「なお、前記樹脂は、後述する表１から表３に示すように、縦弾性係数が常温付近で１０００Ｋｇｆ／ｍｍ２以下、特に望ましくは５〜１０００Ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲に有り、かつ、熱膨張係数が常温付近で１８〜４６×１０−６／℃の範囲にある樹脂で充填された充填構造体であることが好まい。
縦弾性係数がこれ以上大きいと」と訂正する。
（７）【００２６】中の「半田材料は９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金である。」を「半田材料は９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金である。この９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金の熱膨張係数は約２１．４×１０−６／℃であり、縦弾性係数は約１５５０Ｋｇｆ／ｍｍ２である。」と訂正する。
（８）【００２８】にある「図１に示すエポキシ樹脂組成物」を「表１に示すエポキシ樹脂組成
物」と訂正する。
（９）【００４２】中の「半導体集積回路構造体」を「半導体集積回路構造体を用いた電子機器」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電子機器
（５７）【特許請求の範囲】
１．所定の配線パターンを形成した基板に
その下面にＡＩ配線層を有する多層配線パターンを形成した
有するＡｌ配線層
該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である該Ａｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間に設けられた
い常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下であり
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明はＬＳＩを基板に搭載した実装構造体を適用した電子機器に係り、特にＬＳＩチップを半田バンプを介してセラミックなどの基板に接続実装した後、樹脂によって補強する型の半導体集積回路実装構造体を適用した電子機器に関する。
　【従来の技術】
　コンピュータ等ＬＳＩを多数用いた電子機器が広く用いられる様になるに従って、ますます小型化、多機能化が求められる蛍光にある。この要求は、ＬＳＩの高集積化だけにとどまらず、ＬＳＩチップ同志あるいはＬＳＩチップと他の周辺位置との接線スペースの縮小にも及んでいる。
　大形計算機の分野では、セラミック基板に、接続ＬＳＩチップを搭載し、相互配線の長さを短縮しようという動きが見られる（日経エレクトロニクス．１９８１年７月２０日号，ｐ１１８〜１１４参照）。
　一方、結晶表示装置など平面ディスプレイ装置において、マトリクス駆動を行なう為、表示情報量の増大に伴って、接続端子数が急激に増加し、接続部の信頼性確保が困難になりつつあり、これら表示デバイスと、駆動用ＬＳＩとを直接接続実装する装置の検討がなされている。表示デバイスの基板であるガラス板上に回路を形成し、ＬＳＩチップを搭載し、接続を行なうものである。このような技術は、液晶表示装置の他、エレクトロルミネッセンス、エレクトロクロミックなと平面ディスプレイ全般にわたって求められているものである。
　【発明が解決しようとする課題】
　多数の集積回路が形成されたＬＳＩチップを上記した基板に実装する方法は、いくつか考えられる。
　一つは、ＬＳＩチップをあらかじめ接続ピンを出して樹脂モールドし、樹脂ピンと、基板上に設けられた配線とをはんだ接続する方法がある。この方法は、従来のＬＳＩ実装技術の延長上にあり、技術的な難しさは少ない。しかし、この方法では、樹脂モールドＬＳＩ素子のサイズが、チップサイズに比べて大きくなる為、スペースを大幅に節減することは難しく、また、コストの面でもメリットが出ない。
　もう一つは、ＬＳＩチップを直接、基板に接続ししかる後に、必要な封止処理を行なうもので、新しい試みに属するものである。まだ、試行錯誤を繰り返している段階である為、いくつかの方式が提案されている。いずれもチップと配線との接続の信頼性及び素子の耐環境性を確保することを念頭に考えられているものである。
　本発明はＬＳＩチップを基板にフリップチップ法で実装し、樹脂補強してなるＬＳＩ実装構造体を
用いた電子機器
用いた電子機器
　【課題を解決するための手段】
　フリップチップ接続によって実装された実装構造が熱疲労によって破壊されるメカニズムとしては、実験及び解折などにより、ＬＳＩチップと基板との熱膨張の違いによる熱応力を半田バンプが受け、半田が繰返し歪みによって破断し、接続部の断線に到ることは良く知られた事実である。従って、これを解決する最も単純な方法はチップと基板の熱膨張係数を一致させることであるが、実用的に考えると汎用の基板材料が使えない事になり実現性に乏しい。
　両者の熱膨張差を確認した上で熱疲労寿命を向上させる方法として半田バンプを高くする技術が検討されている。しかし、この技術は半田バンプの形成を非常に煩雑なものとし、フリップチップ法特有の簡便なプロセスが適用出来なくなる。
　これら従来技術にたいして、本発明は、特に、構造が簡単で、既存のフリップチップ法特有の利点を生かした汎用性の高いＬＳＩチップ実装構造体
を用いた電子機器
　本発明では、図１に示す様な基本構造を有し、基板との電気的な接続を行なうための半田バンプ（３）を形成したＬＳＩチップ（２）を基板（５）上にフリップチップ法で接続実装したあと、半田バンプ周辺の間隙を樹脂（４）で充填して保護したＬＳＩ実装構造体
を用いた電子機器
　このような実装構造体において、半田のせん断疲労による破断を押えるためには、半田に加えられるせん断変形量を小さくすれば良いことは明らかである。
　せん断変形を受けなければ疲労することは無いからである。発明者らは既にこの点に気付き、充填すべき樹脂の物性を適正化することで目的を達成できることを明らかにした。即ち、チップと基板とが作る問題を、熱膨張係数が半田よりも小さく、かつ縦弾性係数が半田のそれよりも大きい硬質の絶縁性樹脂で充填するば良い事を見い出したものである（特願昭６０−１１３１１６号公報）。
　しかし、上記した物性の樹脂を充填した場合に次のような問題点が生じ全ての実装構造体に体して良好な熱疲労特性を適用した場合、確かに半田の熱疲労断線は回避できるものの、煩雑な電子回路及び接続配線が形成されているＬＳＩチップを搭載した例で、薄膜導体の部分で断線するという現象が起ることがある。
　これは、充填される樹脂とチップの熱膨張差が大きいため、チップ面に大きな熱応力が発生し、薄膜導体を破断することが原因である。従って、熱疲労特性をよりいっそう高める為には、半田の破断を回避するだけに留まらず、チップ面に生ずる熱応力をも小さく出来る実装構造体とする必要がある。本発明はそれを達成すべくなされたもので、充填すべき樹脂の弾性係数をできるだけ小さくし、熱膨張係数は接合に用いている半田のそれに近いものとすれば良いことを見い出した結果生まれたものである。
　
すなわち、本発明は、所定の配線パターンを形成した基板にその下面にＡｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップを搭載した電子機器であって、該基板の配線パターンと該ＬＳＩチップの有するＡｌ配線層とを電気的に接続する半田バンプと、該ＬＳＩチップの上面を覆うことなく該基板と該基板との対向面である該Ａｌ配線層を有する多層配線パターンを形成したＬＳＩチップの下面との間に設けられた半田バンプ周囲の空隙部を充填する樹脂であってその縦弾性係数が前記半田バンプを構成する低融点合金のそれよりも小さい常温付近で１０００ｋｇｆ／ｍｍ２以下でありかつ熱膨張係数が該低融点合金のそれにほぼ等しい樹脂とを用いて、該ＬＳＩチップを該基板に搭載したものである。
　
なお、前記樹脂は、後述する表１から表３に示すように、縦弾性係数が常温付近で１０００Ｋｇｆ／ｍｍ２以下、特に望ましくは５〜１０００Ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲に有り、かつ、熱膨張係数が常温付近で１８〜４０×１０−６／℃の範囲にある樹脂で充填された充填構造体であることが好ましい。
　縦弾性係数がこれ以上大きいとチップ面配線導体に生ずる熱応力が大きくなり、熱疲労寿命が著しく低下する場合が生ずる。また縦弾性係数がこれより小さいと半田接合部に集中する応力を樹脂層に分散する効果が小さくなり、半田接合部に生ずる熱歪みが大きくなって熱疲労寿命が低下する。
　一方、熱膨張係数がこの範囲を外れると樹脂と半田の膨張収縮差が大きくなり、半田接合部に大きな引っ張り応力が発生して、やはり半田の熱疲労断線が起こりやすくなる。
　本発明を実現するために用いられる樹脂としては未硬化の状態で流動性が有りチップと基板の摩擦にボイドなしで充填可能であり、加熱などの手段により硬化して所望の物性を示すものが用いられる。
　このような材料はいくつか考えられるが、次のような材料が好適である。
　液状のエポシキ樹脂を主成分とし、それに縦弾性係数低減のための液状ゴム成分及び熱膨張係数を調整するための無機微粉末成分を配合し、硬化剤及び／又は硬化促進剤などを混合した組成物が上げられる。また、より低弾性係数の材料として、液状シリコーンコンパウンドがあり、これに熱膨張係数及び縦弾性係数を好適な値に調整するための無機微粉末成分を配合したものを用いることが出来る。
　熱膨張係数を調整する為に用いられる無機微粉末成分としては、石英、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミナなどそれ自体熱膨張係数が小さい材料が好適である。
　【作用】
　本発明の半導体集積回路実装構造体
を用いた電子機器
　【実施例】
　次に具体的実施例に基づいて本発明の実施態様及び効果を詳しく説明する。
（実施例１〜９）
〔試料の作成方法〕
（１）試験用Ｓｉチップ
　１０ミリ角のＳｉチップを用い、Ａｌ導電体膜及びＳｉＯ２絶縁膜を交互に形成して図４あるいは図５に示す層構成の多層配線パターンを形成する。図４は４層、図５は２層配線に相当する。
　このような多層配線パターンを形成後、多面層辺部に複数種の半田バンプ（１７）を蒸着等により形成する。尚隣接する半田バンプは予め設面に形成されたＡｌ導体によって２個単位で接続されている。半田材料は９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金である。
この９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金の熱膨張係数は約２１．４×１０−６℃であり、縦弾性係数は約１５５０ｋｇｆ／ｍｍ２である。
（２）実装用回路組成
　焼成によって作成したアルミナ基板を用いた。２５×２５ｍｍ，厚さ１．５ｍｍであり、装置中央部に前記Ｓｉチップが実装される。その為装填表面には同時焼成によって形成された複数個のＷ導体端子が、前記Ｓｉチップの半田バンプと対応する位置に設けられている。上記端子はさらに半田接続を可能にするためのＡｕ薄膜が形成されている。さらに上記端子は基板外周部に設けられた端子ともＡｕ薄膜で被覆されたＷ導体によって接続されている。
（３）樹脂材料
　
表１
（４）実装構造体の説明
　図６に示すように、予め蒸着法などにより接続端子面に半田バンプが設けられたＬＳＩチップを、その接続端子面を上向きにして予熱板上に載置する。半田の組成はＰｂ−５％ｓｎ（融点約３１０℃）であり、半田には予めロジン系フラシクスを塗布した。次にチップを配線基板上に接続装填する工程を図６を参照しながら説明する。
　まず、予熱ヒータ（１９）によりＬＳＩチップ側から全体を１００℃で基板に予熱す。しかる後、赤外線ランプ（１６）により半田バンプに赤外線を照射し、半田を溶融する。直ちに赤外線ランプ及び予備ヒータを切ると共に、冷却管（２０）に冷却水を流して冷却を行う。尚、半田の溶融時間は約１秒である。
　次に、樹脂補強の工程を図７を用いて説明する。
　こうして作製した実装構造体を溶剤で洗浄した後、チップ周辺に前記した樹脂組成物（１）をマイクロディスペンサなどにより所定量載置する。表面張力を利用して該樹脂をチップ（２）と基板（５）が作る間隙に完全に充填する。充填の様子は超音波法によって検査される。
　その後、表１あるいは表２に併記された条件で加熱硬化される。
　このようなプロセスを経て樹脂補強型の実装構造体（１）が作られる。
　比較例及び実施例について、初期チェックを行なった後、上記した温度サイクル試験を実施し、基板周辺に設けられた端子を介して実装構造体の接続状態を調べた。温度サイクル条件は、−５５〜１５０℃で、−５５℃を３０ｍｍ、１５０℃を３０ｍｍの１時間１サイクルの周期である。同一の動作にある実装構造体を少なくとも１０個試験し、３種の実装構造体に断線が認められるまで試験を継続した。この時のサイクル数をＮｆ５０とした。Ｎｆ５０とはサンプル数に体して５０％のサンプルが破壊した時の寿命を示す。また、断線した実装構造体については、断面研磨などの方法により断線部位の特定を行い、断線モードを判定した。
　結果は表３に示す通りであり、実施例は総じてＮｆ５０が大きく、信頼性の高い実装構造体となっていることがわかる。
　これまでは、図１に示す実装構造体を中心に説明してきたが、図２あるいは図３等も本発明でいうところの実装構造体の実施例である。
　半田材料としては上記のほかＰｂ−６０％Ｓｎ（融点１９１℃）を用いても良く、相対的に低温で接合できるので、熱の影響を避けたいＬＳＩチップあるいは基板の場合に好適である。
　【発明の効果】
　本発明によれば、ＬＳＩチップ面に形成される熱応力に弱いアルミ薄膜の多層配線の破断を防止できるので、配線層と半田の断線が少ない半導体集積回路構造体
を用いた電子機器
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明になる半導体集積回路実装構造体をモデル化した断面図。
　【図２】本発明になる半導体集積回路実装構造体をモデル化した断面図。
　【図３】本発明になる半導体集積回路実装構造体をモデル化した断面図。
　【図４】４層導体配線のＬＳＩチップの部分断面図。
　【図５】２層導体配線のＬＳＩチップの部分断面図。
　【図６】半田接合工程の説明図。
　【図７】樹脂充填工程の説明図。
　【符号の説明】
１…実装構造体、
２…ＬＳＩチップ、
３…半田バンプ、
４…樹脂、
５…基板、
６…スルホール導体、
７…薄膜配線層、
８…薄膜内配線、
９…チップ、
１０…第一層導体、
１１…第２層導体、
１２…第３層導体、
１３…第４層導体、
１４…第１層絶縁体、
１５…第２層絶縁体、
１６…第３層絶縁体。