【事件の表示】
　特許第３０４６７１９号「基板処理装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０４６７１９号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第３０４６７１９号（平成６年６月２８日出願、平成１２年３月１７日設定登録）の請求項１乃至４に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
２．特許異議申立ての理由の概要
（申立ての理由）
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証乃至甲第４号証を提出して、本件請求項１乃至４に係る発明は、これら証拠に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
（証拠の記載内容）
　特許異議申立人が提出した甲第１号証乃至甲第４号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
甲第１号証：特開平４−４２５３１号公報
（イ）「以上の各従来の洗浄方法では洗浄液を次から次へと移行させていく際に、半導体基板７の一部又は全部が一度大気に触れることになる。このような半導体基板７の大気への暴露は、洗浄された基板表面への大気からの汚染吸着の増大を招く。即ちダスト、反応生成物が付着する。・・・基板表面に洗浄液が残っている部分の液−固の界面と、残っていない部分の気−固の界面の両者が混在し、次の洗浄液に浸漬した場合を含め、混在部分でエッチングむらが生じヘイズの発生を見ることになる。・・・この界面の移動により、界面部に存在する汚染物質が基板表面に付着し、汚染するという問題が残る。」（第２頁下段左欄第１０行乃至右欄第７行）
（ロ）「上記のような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところは半導体基板を洗浄するに際し、洗浄途中で基板を大気に暴露することが無く、また洗浄液を変更する度に洗浄液の液面が基板表面を通過することが無いために、ヘイズの発生がなく、付着する汚染物質が少ない、高集積化した半導体装置の実現を可能とする半導体基板の洗浄方法を提供することにある。」（第２頁下段右欄第９行乃至第１６行）
（ハ）「このように構成したものにおいて半導体基板７を洗浄するに際し、まず第２乃至第４の供給弁３９〜４１を閉止しておき、第１の供給弁３３を開き、第１の流量調節器３４で流量を調節しながら洗浄槽３０に純水を溢流するように供給する。このようにしておきながら洗浄槽３０の棚５上に、基板搬送器６に載せたままの半導体基板７をその全面が浸漬するように置き、純水による洗浄を行う。」（第３頁下段左欄第１行乃至第８行）
（ニ）「続いて第２の供給弁３９を開き、第１の供給支管３６を介して第２の供給源５から弗化水素を、純水が通流する供給管３２に送給する。弗化水素は供給管３２を通流する間に純水と混合し、希釈されて洗浄槽３０に溢流するように供給されるが、弗化水素の送給量は洗浄槽３０で所定の弗化水素の濃度になるように、第２の流量調節弁４２を調節して行う。弗化水素による洗浄を所定時間行った後、第２の供給弁３９を閉止し、洗浄槽３０中を純水のみにする。」（第３頁下段左欄第８行乃至第１７行）
（ホ）第１図には、半導体基板７を収納する洗浄槽３０、純水供給源３５、弗化水素供給源４５等からなる「半導体基板洗浄装置」が図示されている。
甲第２号証：特開平５−２９２９７号公報
（イ）「図４は従来のウエットエッチング装置の全体構成図である。図４において、１はエッチング槽外槽である。２はエッチング槽内槽、３は温度検出器、４はフィルタ、５は温調器、６はエッチング液を循環させるためのポンプ、７は循環系を構成する配管である。」（第２頁第１欄段落【０００２】参照）
（ロ）「しかしながら上記の従来の構成では、一般にエッチング液は水溶液を用いるため時間の経過と共に水分が蒸発してエッチング液の濃度が変化し、一定温度であってもエッチング速度が変化するという課題を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、エッチング速度を任意の値に制御するウエットエッチング装置を提供することを目的とする。」（第２頁第１欄【０００４】、【０００５】参照）
（ハ）「図１は本発明の一実施例におけるウエットエッチング装置の全体構成図である。図１において、図４に示す従来例と同一箇所には同一符号を付して、詳細説明を省略する。なお、８はエッチング液の濃度を測定するセンサ、９はセンサ８からの出力を受けてエッチング液の濃度を算出する濃度測定器、１０は濃度測定器９および温度検出器３からの信号を受けてエッチング速度を演算し、温調器５へ信号を出力する演算処理装置である。」（第２頁第２欄段落【０００８】参照）
（ニ）「以下にその動作について説明する。まず温度検出器３でエッチング液の温度を測定し、その結果を演算処理装置１０へ入力する。同様に、センサ８および濃度測定器９でエッチング液の濃度を測定し、その結果を演算処理装置１０へ入力する。演算処理装置１０では、使用するエッチング液に対して予めその温度と濃度とエッチング速度の関係式が入力されており、この関係式と温度検出器３と濃度測定器９からの入力信号とを比較し、演算して温調器５へ温度制御用の信号を出力する。その結果エッチング液の濃度の変化は温度で補正されることになり、所定のエッチング速度が保持される。」（第２頁第２欄段落【０００９】参照）
甲第３号証：特開昭６０−１６３４３５号公報
（イ）「従来、処理槽２を恒温槽１に入れて常温に保持する必要があり、この場合処理槽２内の温度検出はオペレータが温度計６を目視することにより行っていた。
しかしながら、このような従来方法では、温度検出をオペレータが行っているため、読取り誤差が生じ易く、このためエッチング量にばらつきが生じていた。」（第２頁上段左欄第１行乃至第８行）
（ロ）「本発明は上記実状に鑑みてなされたもので、その目的は、処理槽の温度変化に対してエッチング時間を自動的に補正することができ、エッチング量を均一化することのできる半導体ウエハ洗浄装置を提供することにある。」（第２頁上段左欄第１０行乃至第１４行）
（ハ）「処理槽１１内の希釈フッ酸液１２の温度は温度センサ１９により検出されるようになっている。・・・このマイクロコンピュータ２０には処理槽１１内の温度に対するエッチング処理時間の適正値が記憶されており、上記検出信号に基づいてエッチング処理時間を補正するための補正信号を出力する。この補正信号は排水栓１７等の電磁弁に送られ、その結果、処理槽１１では補正された時間までエッチング処理が行われる。」（第２頁上段右欄第２０行乃至下段左欄第１１行）
（ニ）「そして、エッチングが終了すると、排水栓１７が自動的に開き、処理後の希釈フッ酸液１２が排出される。その後、処理槽１１内には水洗給水口１５１〜１５３を通して純水が流れ込み、１５〜２０分間オーバーフローによる水洗が行われる。」（第２頁下段左欄第１３行乃至第１６行）
甲第４号証：特表平６−５０１１１２号公報
（イ）「コンタクトレンズの衛生状態の問題を解決するために、私の発明はコンタクトレンズの消毒にオゾン洗浄を応用する。」（第３頁下段右欄「背景」の項参照）
（ロ）「図１のシステムは、スイッチ４９とタイマー４８を含む制御装置５０により好適に操作される。使用者は、スイッチ４９を操作することにより洗浄洗浄サイクルを好適に開始し、洗浄処理の期間、タイマー４８により制御される。・・・簡単で好適な方法は予じめ決めておいた間隔にタイマー４８をセットすることであり、その結果、一旦スイッチ４９が始動したなら、ポンプ１１と発生装置１５とが決められた間隔時間操作し、停止する。この間隔は、液２５が洗浄され、レンズ３０が適当にオゾンと接触しこれらの洗浄を確実にすることを確信するように確立されるべきである。発生装置１５のオゾン発生速度に依存して、２〜１０分で充分である。」（第８頁左欄参照）
（当審の判断）
（１）請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という）について
　甲第１号証は、「半導体基板の洗浄方法」に関するものであるが、その第１図には、半導体基板７を収納する洗浄槽３０、純水供給源３５及び弗化水素薬液供給源４５等からなる「半導体基板洗浄装置」が図示されていると云える。
　そして、甲第１号証の上記（ハ）及び（ニ）の記載から、この基板洗浄装置では、
（ａ）純水が純水供給源３５から洗浄槽３０にオーバーフローするように供給されること、
（ｂ）その後、洗浄液の弗化水素薬液が供給源４５から供給管３２に送給され、純水で希釈された弗化水素洗浄液が洗浄槽３０にオーバーフローするように供給されること、
（ｃ）弗化水素による基板の洗浄が終了した後に、洗浄槽３０は純水のみにされること、
が明らかである。
　そうすると、甲第１号証に図示された「半導体基板洗浄装置」も、純水供給手段と洗浄液供給手段とにより、純水と洗浄液との供給および供給停止を図り、洗浄槽を純水で満たした後に洗浄槽から槽内液がオーバーフローするように洗浄槽における純水を洗浄液で置換して、洗浄液を希釈調製するという手段を有しているは明らかである。
　そして、甲第１号証の「基板洗浄」は、本件発明１の「基板処理」の一つに含まれるもの（特許明細書段落【０００１】及び【０００２】参照）であり、甲第１号証の上記「半導体基板洗浄装置」の「洗浄槽」は、基板を収納し希釈洗浄液に基板を浸漬して洗浄するものと云えるから、本件発明１の「処理槽」に相当するし、また甲第１号証の装置の「弗化水素薬液供給源」は、「基板処理液供給手段」に相当するから、甲第１号証には、「基板を収納し、純水と基板処理液の供給を受けて該基板処理液の希釈溶液に前記基板を浸漬して処理するための処理槽と、該処理槽に純水を供給する純水供給手段と、前記処理槽に基板処理液を供給する基板処理液供給手段と、該基板処理液供給手段と前記純水供給手段とにより、前記純水と基板処理液との前記処理槽への供給および供給停止を図り、前記処理槽を純水で満たした後に前記処理槽から槽内液がオーバーフローするように前記処理槽における純水を前記基板処理液で置換して、前記基板処理液を希釈調製する手段とを有する基板処理装置」の発明（以下、「甲第１号証発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明１と甲第１号証発明とを対比すると、本件発明１は、該基板処理液供給手段と前記純水供給手段とを制御して、基板処理液を希釈調製する「制御手段」を有するものであり、その具体的な制御手段は、
「前記基板処理液供給手段により供給された基板処理液による前記処理槽における純水の置換が開始されてからの経過時間を計時する計時部と、
前記基板処理液の濃度と前記処理槽での基板の基板浸漬時間とを対応付けて記憶する記憶部と、
前記基板処理液の濃度を検出する基板処理液濃度検出部と、
該基板処理液濃度検出部の検出した前記基板処理液の希釈調製時における基板処理液濃度と前記記憶部の記憶結果とに応じて、前記希釈調製済みの基板処理夜による基板浸漬時間を決定する浸漬時間決定部と、
前記計時部が該決定した基板浸漬時間の経過を計時すると、前記希釈調製済みの基板処理液での基板浸漬を中止する基板浸漬中止部とを備える」というものであるが、甲第１号証発明は、このような制御手段を有しておらず、また、甲第１号証には、「基板処理液を希釈調製する手段」については、「弗化水素の送給量は洗浄槽３０で所定の弗化水素の濃度になるように、第２の流量調節弁４２を調節して行う」（上記（ニ）参照）と記載されているだけであり、基板処理液の希釈調製のために基板処理液供給手段と純水供給手段とを制御するという技術思想についても何ら示唆するところがないから、両者は、上記「制御手段」の点で大きく相違していると云える。
　次に、この相違点について検討すると、甲第２号証に記載の「半導体基板のウエットエッチング装置」や甲第３号証に記載の「半導体ウエハ洗浄装置」では、処理槽に充填される「基板処理液」は、予め処理槽外においてある濃度に希釈調製されたものであり、本件発明１の如く、「処理槽を純水で満たした後に前記処理槽から槽内液がオーバーフローするように前記処理槽における純水を前記基板処理液で置換して希釈調製」されたものではないから、これら証拠に記載の制御手段は、その一部に濃度検出手段や濃度と基板浸漬時間を対応付ける記憶部等共通する手段を有するものの、本件発明１の「基板処理液を希釈調製する制御手段」とは云えない別異のものであり、具体的には「計時部」やこの計時部と連動する「基板浸漬中止部」等の点でも相違するものである。
　また、甲第４号証も、「コンタクトレンズ洗浄システム」に係るものであり、本件発明１の「基板処理液を希釈調製する制御手段」について何ら示唆するものではない。
　してみると、上記相違点は、甲第２号証乃至甲第４号証にも何ら示唆されていないと云えるから、本件発明１は、上記甲第１号証乃至甲第４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
（２）本件請求項２乃至４に係る発明について
　これら発明は、請求項１を引用するものであるから、本件発明１と同様、上記甲第１号証乃至甲第４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　したがって、特許異議申立人の上記主張は採用することができない。
３．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月１５日（２００１．２．１５）