【事件の表示】
　特許第２７９７３２６号「磁気記録媒体」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７９７３２６号の特許を維持する。
【理由】
　（１）手続の経緯
　特許第２７９７３２６号の請求項１に係る発明についての出願は、昭和６３年７月２２日の出願（国内優先日、昭和６２年１０月５日）であって、平成１０年７月３日にその発明について特許の設定登録がされ、その後、異議申立人荒木義一により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１６日に訂正請求がなされたものである。
　（２）訂正の適否に関する判断
イ．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のａ，ｂ，ｃのとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項１「基板上にコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にクロムを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体。」を「基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にクロムを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体。」に訂正する。
ｂ．発明の詳細な説明中の「すなわち、本発明の要旨は、基板上にコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にＣｒを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体に存する」（明細書第２頁第２０行〜同第３頁第５行）を「すなわち、本発明の要旨は、基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にＣｒを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体に存する」に訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明中の「本発明では、基板上にコバルトを含む下引き層を設ける。具体的には、基板上にコバルトを含む膜を５００Å〜５０００Å、好ましくは５００Å〜３０００Åの膜厚に成膜する。」（明細書第３頁第１４〜２０行）を「本発明では、基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設ける。好ましくは５００Å〜３０００Åの膜厚に成膜する。」に訂正する。
ロ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記ａの訂正事項に関連する記載として、特許明細書の発明の詳細な説明には「本発明では、基板上にコバルトを含む下引き層を設ける。具体的には、基板上にコバルトを含む膜を５００Ａ〜５０００Å、好ましくは５００Å〜３０００Åの膜厚に成膜する。」（特許明細書第３頁第１４〜２０行）と記載されていることから、コバルトを含む下引き層の膜厚を５００Å〜５０００Åとすることは特許明細書に記載されているものと認める。
　そうすると、上記ａの訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、コバルトを含む下引き層の膜厚を５００Å〜５０００Åに限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、新規事項の追加に該当しない。また、上記ｂ、ｃの訂正は、発明の詳細な説明の欄の記載を訂正後の特許請求の範囲の記載と一致させるためになされた付随的な訂正に過ぎないから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当しない。また、上記ａ〜ｃの何れの訂正も実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
ハ．独立特許要件の判断
（訂正明細書の請求項１に係る発明）
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）は、訂正明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された前記（（２）イ．ａ）のとおりのものである。
（引用例）
　これに対して、当審が通知した取消理由で引用した刊行物（特開昭６０−８３２１８号公報）には、「従来の垂直磁気記録用媒体は、基体上にスパッタリング法、真空蒸着法などでＣｏ−Ｃｒを０．２〜５μｍ程度形成することで作製されていた。一般にこれらの方法で薄膜を形成すると膜厚が大きくなるに従い、結晶粒径も大きくなり、そのため特に１５０ｋＢＰＩ程度の高記録密度を達成しようとする場合にはＣｏ−Ｃｒ膜厚が０．２μｍ程度と薄い場合にでも、本媒体に記録を行うと再生時に大きなノイズが発生し出力ノイズが劣化してしまうという欠点があった。」（第１頁左下欄第１９行〜同頁右下欄第９行）、「本発明者らは、媒体の垂直配向性をそこなうことなく結晶粒径を微細な状態に保つ膜形成方法について鋭意検討した結果、垂直磁気異方性を有する薄膜を非磁性層を介して積層することで上記目的を達成できることが明らかになった。」（第１頁右下欄第１５〜１９行）、「さらに、本薄膜を高透磁率磁性層で裏打ちすることで出力ノイズ比の観点からさらに特性の優れた膜が得られ、特にこの効果は、上記垂直磁気異方性を有する薄膜はＣｏもしくはＣｏを主体とした磁性金属である場合により顕著であった。」（第２頁左上欄第２〜６行）、「以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。１１はガラス、Ａｌ、ポリエステル、ポリイミド、ＰＥＴなどより成る基板、１２，１２’はＣｏ−Ｚｒ−Ｍｏ，Ｎｉ−Ｆｅなどから成る高透磁率磁性金属合金薄膜、１３，１３’はＣｒ，Ｔｉ，Ａｌ２Ｏ３などからなる非磁性層、１４，１４’はＣｏ，Ｃｏ−Ｃｒなどから成る垂直磁気異方性を有する薄膜、１５，１５’はＣｒ，Ｔｉ，Ａｌ２Ｏ３，ＣｒＯなどからなる非磁性層、１６，１６’はＣｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｏなどからなる垂直磁気異方性を有する薄膜である。」（第２頁左下欄第１６行〜同頁右上欄第６行）、「同図には、膜厚が０．５μｍのＣｏ−Ｃｒ単層膜のΔθ５０、ノイズも示すが、同図からＴｉを介してＣｏ−Ｃｒを積層した場合には、Ｃｏ−Ｃｒ単層膜の場合に比べてノイズが低減していることが分かる。」（第２頁左下欄第７〜１１行）、「実際、膜厚０．１μｍのＣｏ−Ｃｒと膜厚０．００５μｍのＡｌ２Ｏ３とをそれぞれ２層積層して形成した垂直方向保磁力４５０Ｏｅ、飽和磁束密度３５０ｅｍｕ／ｃｃのＣｏ−Ｃｒ積層膜を、膜厚１μｍのＣｏ−Ｚｒ−Ｍｏ非晶質磁性合金で裏打した第１図に示した構造の媒体を用いて、垂直磁気記録再生を行つたところ、第５図５１に示すように高密度の記録再生特性が得られた。」（第２頁左下欄第１６行〜同頁右下欄第３行）、「本構成の媒体に膜厚１．５μｍのＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ非晶質高透磁率層を裏打ちすると、さらに出力ノイズ比は約２倍向上した。」（第３頁左上欄第５〜８行）と記載されている。
（対比・判断）
　本件発明と上記刊行物に記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、引用発明は、本件発明の構成要件である「膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層」を備えていない。そして、本件発明は、当該構成要件を備えることによって「本発明によると、磁性金属層の結晶粒を微細化することができるため、高純度記録に適した磁気記録媒体を提供することができる」（［発明の効果］の欄）という顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明は引用発明でないばかりでなく、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　又、他に本件発明を、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とするにたる理由を発見しない。
　したがって、本件発明は特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
ニ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）異議申立についての判断
イ．申立の理由の概要
　申立人荒木義一は、本件特許発明は、甲第１号証（特開昭６０−８３２１８号公報）に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、本件発明の特許は特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものであると主張している。
ロ．判断
　本件発明は、上記（２）ハで示したように、取消理由で示した刊行物（甲第１号証に同じ）に記載された発明ではない。
ハ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月１０日（１９９９．９．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
▲１▼特許請求の範囲の請求項１「基板上にコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にクロムを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にクロムを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体。」に訂正する。
▲２▼発明の詳細な説明中の「すなわち、本発明の要旨は、基板上にコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にＣｒを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体に存する」（明細書第２頁第２０行〜同第３頁第５行）を、明りょうでない記載の釈明を目的として「すなわち、本発明の要旨は、基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にＣｒを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体に存する」に訂正する。
▲３▼発明の詳細な説明中の「本発明では、基板上にコバルトを含む下引き層を設ける。具体的には、基板上にコバルトを含む膜を５００Å〜５０００Å、好ましくは５００Å〜３０００Åの膜厚に成膜する。」（明細書第３頁第１４〜２０行）を、明りょうでない記載の釈明を目的として「本発明では、基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設ける。好ましくは５００Å〜３０００Åの膜厚に成膜する。」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
磁気記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にクロムを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、磁気記録等に用いられる磁気ディスクなどの磁気記録媒体に関するものである。
〔従来技術およびその課題〕
　近年、磁気記録媒体はますます高密度記録となる傾向にあり、保磁力とＳ／Ｎ比を高くする必要がある。
　基板上に非磁性金属下地層（例えばＣｒ）をスパッタ法により成膜し、引き続き磁性金属層（例えばＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系）を同様の方法で成膜した多層膜からなる磁気記録媒体は、一般によく知られている。このような層構成からなる磁気記録媒体の保磁力を高くするには、非磁性金属下地層を厚くするか、あるいは磁性金属層を薄くすれば良い。しかし、非磁性金属下地層を厚くすると結晶粒が粗大化し、その上にエピタキシャル成長する磁性金属層の結晶粒も粗大化してＳ／Ｎ比が低下する。又、磁性金属層を薄くすると残留磁束密度（Ｂｒ）が低下し、出力が不足する問題がある。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明者らは鋭意検討した結果、基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設けることによって、非磁性金属層の結晶粒が微細化し、連続してスパッタされる磁性金属層の結晶粒も微細化して、高密度記録に適した磁気記録媒体が得られることを見出し、本発明に到達した。
　すなわち、本発明の要旨は、基板上にコバルトを含む下引き層を設け、該下引き層の上にＣｒを含む中間層を設け、該中間層の上に磁性層を設けてなる磁気記録媒体に存する。
　以下、本発明を詳細に説明する。
　本発明で使用する基板は、ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板である。ＮｉＰメッキ皮膜は公知の無電解メッキ法により、アルミニウム合金基板上に２０μｍ〜２５μｍの膜厚に成膜する。その後、基板表面を機械研磨により、Ｒａ（中心線平均粗さ）で２０Å〜３０Åに仕上げる。
　本発明では、基板上に膜厚５００Å〜５０００Åのコバルトを含む下引き層を設ける。好ましくは５００Å〜３０００Åの膜厚に成膜する。
　その成膜は、通常行われているスパッタ法により行われる。例えば、直流式スパッタ装置又は交流式スパッタ装置を使用して行い、基板を装着した装置内を予め１×１０−５ｔｏｒｒ以下に排気し、スパッタリング用ガスとしてアルゴンを分圧３×１０−３〜４×１０−２ｔｏｒｒ装入し、基板を室温から２００℃までの範囲で加熱する。
　コバルトターゲットは高純度であるほうが望ましいが、他の金属を０〜５０原子％含んでもよい。この下引き層は、中間層、磁性金属層の結晶粒を微細化させる為に重要であり、その成膜面は緻密であることが望ましい。
　次に、該下引き層の上にクロムを含む中間層を上記スパッタ法と同一条件において５００Å〜１００００Åの膜厚で成膜するが、高密度記録に使用するためには、１０００Å〜５０００Åの膜厚が望ましい。ターゲットはクロムを主成分としたものであり、他の金属を０〜５０原子％含んでいてもよい。
　次に該中間層の上に磁性金属層を上記スパッタ法と同一条件において２００Å〜２０００Åの膜厚で成膜する。磁性金属層はコバルトを主成分としたものであり、ニッケル、クロム、白金等の他の金属を含んでいてもよい。ターゲットとしては、例えば、Ｃｏ８０原子％−Ｎｉ２０原子％、Ｃｏ７４原子％−Ｎｉ１８原子％−Ｃｒ８原子％、Ｃｏ６２．５原子％−Ｎｉ３０原子％−Ｃｒ７．５原子％のものが一般的に使用される。
　このようにして製造された磁性記録媒体は、下引き層のない媒体に比べ、磁性金属層の結晶粒を微細化することができる。
〔実施例〕
　以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により限定されるものではない。
実施例１
　直流式マグネトロンスパッタ装置によりＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金板上に、下引き層、中間層、磁性金属層をアルゴン雰囲気下次の条件で連続スパッタした。
　初期排気　　　　　　　　　１〜２×１０−６ｔｏｒｒ
　アルゴン分圧　　　　　　　　　１×１０−２ｔｏｒｒ
　基板加熱　　　　　　　　　なし（室温）
　下引き層用ターゲット　　　Ｃｏ（純度９９．９％以上）
　中間層用ターゲット　　　　Ｃｒ（純度９９．９％以上）
　磁性金属層用ターゲット　　Ｃｏ７４原子％−Ｎｉ１８原子％−Ｃｒ８原子％
　下引き層膜厚　　約１０００Å
　中間層膜厚　　　約３０００Å
　磁性金属層膜厚　約６００Å
　結果を第１表に示した。
比較例１
　下引き層を成膜しなかった以外は実施例１と同様に行った。結果を第１表に示す。Ｓ／Ｎ比は３１．５ｄＢであった。
　第１表に示したように、下引き層を有した場合の磁性金属層の結晶粒は、下引き層がない場合に比べ微細化している。
〔発明の効果〕
　本発明によると、磁性金属層の結晶粒を微細化することができるため、高密度記録に適した磁気記録媒体を提供することができる。