【事件の表示】
　特許第３０４１８０２号「フォトマスクブランク及びフォトマスク」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０４１８０２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第３０４１８０２号は、平成２年４月２７日に特許出願され、平成１２年３月１０日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人荒井純子から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年３月２１日に意見書が提出されたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人荒井純子は、甲第１号証（特公昭６４−６４４９号公報）、甲第２号証（特開昭６１−１０７３５０号公報）、甲第３号証（特公昭６２−３７３８５号公報）、甲第４号証（特公昭６２−３２７８２号公報）及び甲第５号証（特開昭５７−１０４１４１号公報）を提出し、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証に記載された各発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人荒井純子が提出した甲第１〜５号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証には、特許請求の範囲に、「１　透光性基板上に被着した、この透光性基板側に位置する第１遮光性膜と、この第１遮光性膜上に接して位置する第２遮光性膜とを具備するフォトマスクブランクにおいて、前記第１遮光性膜の成膜材料がＣｒ、又は酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも１つを含有したＣｒであり、前記第２遮光性膜の成膜材料がＦｅ，Ｎｉ，Ｔａ及びＷのうち少なくとも１つを含有したＣｒであることを特徴とするフォトマスクブランク。
２　透光性基板上に被着した、この透光性基板側に位置する第１遮光性膜と、この第１遮光性膜上に接して位置する第２遮光性膜とを具備するフォトマスクブランクの前記第１遮光性膜と前記第２遮光性膜を選択的にパターン化してなるフォトマスクにおいて、前記第１遮光性膜の成膜材料がＣｒ、又は酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも１つを含有したＣｒであり、前記第２遮光性膜の成膜材料がＦｅ，Ｎｉ，Ｔａ及びＷのうち少なくとも１つを含有したＣｒであることを特徴とするフォトマスク。」と記載されている
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証には、特許請求の範囲に、「（１）石英ガラスからなる基体の少なくとも一主表面上に、Ａｌ，Ｂのうち少なくとも一方とＳｉとＯとを含む透明薄膜を積層した基板と、前記基体の一主表面に積層された前記透明薄膜上に積層したクロム薄膜とからなることを特徴とするフオトマスクブランク。
（２）石英ガラスからなる基体の少なくとも一主表面上に、Ａｌ，Ｂのうち少なくとも一方とＳｉとＯとを含む透明薄膜を積層した基板と、前記基体の一主表面に積層された前記透明薄膜上にクロム薄膜を積層し、前記クロム薄膜を選択的にパターン化したことを特徴とするフォトマスク。」と記載されている。
　第３頁左下欄第１４行〜第２０行には、「本発明のクロム薄膜は，金属クロム膜、クロム酸化物膜、窒化クロム膜、炭化クロム膜、クロム酸化窒化物膜、クロム炭化窒化物膜、金属クロム膜中に窒化クロム，炭化クロム，炭素，窒素，酸素等を含有した膜、クロム酸化物膜中に窒化クロム，炭化クロム，炭素，窒素等を含有した膜も含み、かつこれら２層以上積層されたものも含む。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証には、特許請求の範囲に、「１　透明基板上に、クロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜と、クロム膜と、クロム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物膜とを順次積層していることを特徴とするフォトマスクブランク。
２　特許請求の範囲第１項記載において、前記クロム膜がクロム炭化物を含有することを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されいる。
　第２欄第２２行〜第２９行には、「本発明は、上記のような従来の欠点を除去するためになされたものであり、裏面反射防止膜としてクロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜を、表面反射防止膜としてクロム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物膜を成膜することにより、安定した特性を有する両面反射防止用のフォトマスクブランクを提供することを目的としている。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第４号証には、特許請求の範囲に、「１　透明基板上に表面被覆を施したフォトマスクブランクにおいて、前記表面被覆はクロム炭化物を含有するクロム膜を遮光膜として備えていることを特徴とするフォトマスクブランク。
２　透明基板上に表面被覆を施したフォトマスクブランクにおいて、前記表面被覆は遮光膜と、該遮光膜上に形成された表面反射防止膜とを有し、前記遮光膜はクロム炭化物を含有するクロム膜によって形成され、他方、前記表面反射防止膜はクロム窒化物を含有するクロム酸化物層によって形成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第３欄第６行〜第２６行には、「本発明はアンダーカット量が小さく、表面分光反射率が広い波長域で平坦で安定した表面反射防止用の膜を製造する製造方法を提供することを目的としている。
　アンダーカットの発生を防止する１つの方法として、低反射クロムブランクに適したエッチング時間範囲内で、金属クロム膜及びクロム酸化物膜のエッチング液に対する溶解速度をより小さくすることが考えられるが、本発明者等は金属クロム膜の溶解速度をその上のクロム酸化物膜の溶解速度に比べて同じか、遅くすることによって、上述した問題を解決した。
　本発明の特徴は、スパッタリングにより、クロム膜中にクロム炭化物を含有させ、従来の方法によるクロム膜に比べエッチング液による溶解速度を遅くすることによりアンダーカットの量を減少させる製造方法、及びスパッタリングにより、表面反射防止用としてのクロム酸化物膜にクロム窒化物を含有させることにより、広い波長域（３５０〜６００ｎｍ）にわたって表面分光反射率を平坦に低くする製造方法である。」と記載されている。
　第４欄第３５行〜第３９行には、「表１に示すように、実施例に係る炭化物含有のクロム膜は金属クロム膜に比して溶解速度が遅いことがわかる。また、アルゴンとメタンとの混合比を変えることによって溶解速度の異なる遮光膜を形成できる。」と記載されている。
　また、第５欄第１９行〜第６欄第２行には、「以上のように本発明によれば表１より明らかなように、クロム膜中にクロムの炭化物を含有することによって従来の金属クロム膜よりも溶解速度が遅くなり、アルゴンとメタンとの混合比によりエッチング時間も調節可能となる。このため、サイドエッチ量が従来の方法では約０．２０μ／ｌ０ｓｅｃであったが、本発明では０．０６μ／ｌ０ｓｅｃと大幅に改良された。」と記載されている。
１．２．５　甲第５号証の記載内容
　甲第５号証には、特許請求の範囲に、「１　透明基板上にクロムからなる薄膜層と、その上に積層された酸化クロム、窒化クロムの２種を主成分としてなる薄膜層とからなる多層遮光膜を設けてなることを特徴とするフォトマスク基板。
２　透明基板上にクロムからなる薄膜層と、その上に積層された酸化クロム、窒化クロムの２種を主成分としてなる薄膜層とからなるパターン化された多層遮光膜を設けてなることを特徴とするフォトマスク。」と記載されている。
　第２頁左上欄第８行〜第１７行に、従来の問題点として、「通常の場合、酸化クロム層のエッチング速度がクロム層に比して数倍遅い。このため、２層構造の片面低反射クロムマスク及び３層構造両面低反射クロムマスクの場合、第１図にそれぞれ（ａ），（ｂ）で示すように、最上部の酸化クロム層１より、その下層のクロム層２の方がエッチ速度が早いため、クロム層２のアシダーカット量が大きくなり、両層間の断面形状に段差を生じ、画像周囲に酸化クロム層からなるひさしを生じることになる。」と記載されている。
　また、第３頁左上欄第５行〜同頁右上欄第３行に、「また、酸化度が低すぎると屈折率が高くなり、本来の反射防止の効果も損われてしまう。上記中間酸化状態の膜の形成は反応性蒸着の場合はさらに制御が困難である。
　本発明者は、以上のような従来技術における問題点を解決するため、反射防止層としての酸化クロム膜に代わり、従来のクロムマスク特性を損わない材料を種々検討、研究した結果、窒化クロム、酸化クロムの混合組成膜を反射防止層としてクロム膜上に積層すれば、上記の問題点を解決することができ、著しく優れた特性と高い生産性のマスクが得られることを見出し、本発明に到達したものである。
　その理由は窒化クロム膜が酸化クロム膜とは逆にエッチング速度がクロム膜に対して早いためであり、酸化クロムと窒化クロムの組成比を適当に変化させることによって、かなり広い範囲にエッチング速度を制御することが可能となることによるものである。」と記載されている。
２．特許請求の範囲
請求項１
「遠光性基板上に、反射防止膜と遮光性薄膜とが順次積層されたフォトマスクブランクに於いて、前記反射防止膜は、クロム炭化物、クロム窒化物及びクロム酸化物を含み、該反射防止膜の酸化度が、その厚さ方向において前記透光性基板から前記遮光性薄膜に向かって減少することを特徴とするフォトマスクブランク。」
請求項２
「請求項１記載のフォトマスクブランクにおける前記反射防止膜及び前記遮光性薄膜を選択的にエッチングしてなるフォトマスク。」
請求項３
「前記遮光性薄膜上に、クロム窒化物及びクロム酸化物を含む第２反射防止膜を形成させたことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクブランク。」
請求項４
「請求項３記載のフォトマスクブランクにおける前記反射防止膜、前記遮光性薄膜及び前記第２反射防止膜を選択的にエッチングしてなるフォトマスク。」
３．特許異議申立てについての判断
３．１　本件請求項１〜４に係る発明
　上記２．に記載のとおり。
３．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
３．２．１　本件請求項１〜４に係る発明と甲各号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明及び請求項１を引用する請求項２〜４に係る発明（以下、「本件発明」という。）が、「遠光性基板上に、反射防止膜と遮光性薄膜とが順次積層されたフォトマスクブランクに於いて、前記反射防止膜は、クロム炭化物、クロム窒化物及びクロム酸化物を含み、該反射防止膜の酸化度が、その厚さ方向において前記透光性基板から前記遮光性薄膜に向かって減少する」構成（以下、「本件発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、甲第１〜甲第５号証記載の発明にはいずれも上記構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　本件発明は、上記本件発明の構成を有することにより、「以上の説明より明らかなように、本発明によれば、透光性基板上に形成した反射防止膜を、クロム炭化物、クロム窒化物及びクロム酸化物を含むクロム炭化窒化酸化物とし、その反射防止膜の酸化度を、透光性基板から遮光性薄膜へ厚さ方向に小さくしたので、オーバーハング的断面形状になることを防止し、サイドエッチング速度を遅くすることにより、微細パターンのコントロールが容易になり、マスク洗浄によるパターンの欠損を防止することができる。」（特許明細書【発明の効果】の項）という上記甲第１号証〜甲第５号証記載の発明にはない効果を有する。
　従って、本件発明は、甲第１号証〜甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
４．むすび
 上記のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月２４日（２００１．４．２４）