(57)【要約】本発明は、所定の方位角（α１，α２）を持ったアマグネティック(amagnetic)ヘッドギャップ（ｅ１，ｅ２）によってそれぞれ分離された極性部分の対（３０．１〜３０．４，３１．１〜３１．４）を備えた複数の磁気ヘッドを有し、磁気トラック（３６）を備えた磁気メディア（３５）を記録および／または読取するためのデバイスに関する。極性部分（３０．１〜３０．４，３１．１〜３１．４）の対は、複数の固定サポート（１００１、１００２）に分配され、特定のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップはすべて同じ方位角を持つ。少なくとも２つのサポートは異なる方位角を持った極性部分の対を有し、それぞれのサポートは磁気トラック（３６）から所定の傾斜角（θ）を持つ。
2008519385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の方位角（α１，α２）を持ったアマグネティックヘッドギャップ（ｅ１，ｅ２）によって分離された極性部分（３０．１〜３０．４，３１．１〜３１．４）の対をそれぞれ備えた複数の磁気ヘッドを有し、磁気トラック（３６）を備えた磁気メディア（３５）を記録および／または読取するためのデバイスであって、
前記極性部分（３０．１〜３０．４，３１．１〜３１．４）の対は、複数の固定されたサポート（１００１，１００２）に分配され、特定のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップはすべて同じ方位角を持ち、そして、
少なくとも２つのサポートは異なる方位角をヘッドギャップが持つような極性部分の対を有し、それぞれのサポートは磁気トラック（３６）から所定の傾斜角（θ）を持つことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
特定のサポート（１００１，１００２）に位置する極性部分のすべての対は、同じ幅（Ｐ１，Ｐ２）を持つことを特徴とする請求項１に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項３】
少なくとも２つのサポート（４５．１，４５．２）は、異なる傾斜角（θ１、θ２）を持つことを特徴とする請求項１または２に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項４】
連続したサポート（１００１，１００２）は極性部分間の距離（ｄ）を規定し、この距離（ｄ）は、連続したサポート（１００１，１００２）上に位置する極性部分（３０．１，３１．１）に直面する平面間の距離であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項５】
磁気シールド（５０）および／または磁気抵抗性読取手段が、極性部分間の距離に対応するスペースで配置されることを特徴とする請求項４に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項６】
２つの連続したサポートが平行である時、極性部分間の距離（ｄ）は
ｄ＝［ｔａｎ（θ）・（Ｔ＋Ｄ）］−（Ｐ１＋Ｐ２）
により与えられ、ここに、θはトラック（３６）に対するサポート（１００１，１００２）の傾斜角、Ｔは特定のサポート（１００１）上に位置する極性部分（３０．１，３０．２）の対のヘッドギャップの長手方向のピッチ、Ｄは２つの連続したサポート（１００１，１００２）上に配置された２対の連続した極性部分（３０．１，３１．１）の間のサポートからの長手方向のオフセット、Ｐ１は第１のサポート（１００１）上の極性部分（３０．１〜３０．４）の対の幅、Ｐ２は第１のサポート（１００１）に連続した第２のサポート（１００２）上の極性部分（３１．１〜３１．４）の幅であることを特徴とする請求項４または５に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項７】
異なるサポート（１００１，１００２）に属している２対の極性部分（３０．３，３１．３）は、２つの連続した磁気トラック（３６）と協働して、それらを読取またはそれらを記録することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項８】
以下の関係
Ｐ１・ｃｏｓ（α１−θ）／ｃｏｓ（α１）＝Ｐ２・ｃｏｓ（α２＋θ）／ｃｏｓ（α２）
が検証され、ここに、Ｐ１は第１のサポート上の極性部分の対の幅、α１はこの第１のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップの方位角、Ｐ２は第２のサポート上の極性部分の幅、α２はこの第２のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップの方位角、θは磁気トラックからのサポートの傾斜角であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項９】
α１＝α２＋２θ
であることを特徴とする請求項８に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１０】
α１＝−α２
の場合であることを特徴とする請求項８に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１１】
２つの連続したサポートは共通のサポート（４５）を形成し、極性部分（４１，４２）の２連の対が、共通のサポート（４５）における電気絶縁層（４８）のそれぞれの側の上に配置されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１２】
２つの連続したサポートは共通のサポート（４５）を形成し、極性部分（４１，４２）の２連の対が、極性部分間の距離（ｄ）を正確に与えることのできる電気絶縁層（４８）のそれぞれの側の上に配置されることを特徴とする請求項４から７のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１３】
前記サポートの極性部分の対は、磁気記録または読取ヘッドに属することを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１４】
記録のためのサポートの少なくとも１つのブロック（Ｂ１）と、読取のためのサポートの少なくとも１つのブロック（Ｂ２）とを有し、これらブロックは磁気トラックの方向に順々に位置することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１５】
記録のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロック（Ｂ１）と、読取のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロック（Ｂ２）とを有し、これらブロックに対するサポートはお互いに固定されることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１６】
シールドスクリーン（４３）によって、読取のためのブロック（Ｂ１）が記録のためのブロック（Ｂ２）から分離されることを特徴とする請求項１４または１５のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１７】
読取のためのブロック（Ｂ１）のサポート（４５．１，４５．２）が、記録のためのブロック（Ｂ２）のサポート（４６．１，４６．２）と交互になっていることを特徴とする請求項１５に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１８】
磁気シールドおよび／または磁気抵抗性読取手段が、極性部分間の距離に対応するスペースで配置されたサポート間層（４８）に収容され、このサポート間層が記録ブロック（Ｂ２）のサポート（４６．１）から読込ブロック（Ｂ１）のサポート（４５．１）を分離することを特徴とする請求項１５または１７のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１９】
それぞれの磁気ヘッドに対して、１対の極性部分（４１．１，４１．２）をまとめる磁気回路と、場合に応じて磁束ガイド（ｃ１）とを有し、この磁気回路は記録および／または読取手段（ｓ１．１，ｓ１．２、ｂｍ１，ｂｍ２）と協働することを特徴とする請求項１から１８のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項２０】
記録および／または読取手段と、それぞれの磁気ヘッドのために必要に応じた磁束ガイド（ｃ１）とは、磁気ヘッドの極性部分の対のサポートに対して組み立てられる追加のサポート（１３０）上にあることを特徴とする請求項１９に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項２１】
記録および／または読取手段は誘導性または磁気抵抗性であることを特徴とする請求項１９または２０のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項２２】
信号処理手段（３０２）が記録および／または読取手段と協働することを特徴とする請求項１から２１のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項２３】
磁気トラックを備えた磁気メディア上の記録および／または読取デバイスを作るための方法であって、以下の段階：
第１の基板（１００）上で、第１の磁気ヘッドの極性部分（１０６，１０８）の複数の第１の対を製造し、これらの極性部分が特定の第１の方位角（α１）を持ったアマグネティックヘッドギャップ（ｅ１）によって分離されるようにする段階と；
第２の基板（１１０）上で、第２の磁気ヘッドの極性部分（１１６，１１９）の複数の第２の対を製造し、これらの極性部分が特定の第２の方位角（α２）を持ったアマグネティックヘッドギャップ（ｅ２）によって分離されるようにする段階と；
第１の基板（１００）を第２の基板（１１０）に対して組み立てて第１の方位角（α１）と第２の方位角（α２）が組み立て後に異なるようにそれらを位置させるようにする段階と、
記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３）と、場合に応じて極性部分の第１の対、および／または、極性部分の第２の対の極性部分の対とそれぞれ協働することができる磁束ガイド（１３７）を製造する段階と；
磁気トラックに対する所定の傾斜角（θ）をそれらに提供するように基板（１００，１１０）を処理する段階と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記第１および第２の基板（１００，１１０）は、前記処理の前または後に組み立てることができることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
電気絶縁材料の層（５０）が２つの基板（１００，１１０）の間に挿入される段階を有することを特徴とする請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】
電気絶縁材料から作られたシム（４９）が２つの基板（１００１，１００２）の間に差し込まれる段階を有することを特徴とする請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３）と、必要に応じた磁束ガイド（１３７）は、第１の基板（１００）および／または第２の基板（１１０）に対して配置されかつ組み立てられる少なくとも第３の基板（１３０）上に配置されることを特徴とする請求項２３から２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
第１の基板（１５０）は、一方の第３の基板（１７０）に対して、２つのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられ、第２の基板（１６０）は、他方の第３の基板（１８０）に対して、２つのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられ、前記第１の基板が前記第２の基板に対して組み立てられることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３）と、必要に応じた磁束ガイド（１３７）は、前記第１または第２の基板（１００，１１０）のいずれか、または両方の上に作られることを特徴とする請求項２３から２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
処理は、組み立ての前または後に基板をグラインディングすることから成ることを特徴とする請求項２３から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
前記処理は、特定の機械的サポート（３５０）において、基板、あるいは、１つまたは複数の基板の対を組み立てることから成ることを特徴とする請求項２３から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
第１の基板（１００）の傾斜角は第２の基板（１１０）の傾斜角と異なることを特徴とする請求項２３から３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
記録および／または読取手段のそれぞれ、または第１の基板（１００）における極性部分（１０６，１０８）の対に対する磁束ガイドと磁気的に接続するよう設計された、第２の基板（１１０）における磁気接続パッド（１２０）の対を作ることから成る段階を有することを特徴とする請求項２３から３２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３４】
２つの第３の基板（１７０，１８０）が存在する時、第１の基板における極性部分の対は、一方の第３の基板における記録および／または読取手段、または磁束ガイドに結合され、第２の基板における極性部分の対は、他方の第３の基板における記録および／または読取手段、または磁束ガイドに結合されることを特徴とする請求項２７から３３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３５】
第１および第２の基板（１００，１１０）は、２つのうちの１つをひっくり返した後で、お互いに組み立てられることを特徴とする請求項２３から３４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３６】
組み立ての前および／または後に基板（１００，１１０，１３０）の少なくとも１つを薄くする段階が含まれることを特徴とする請求項２３から３５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３７】
配置する段階は、基板の位置決めとともに行なわれることを特徴とする請求項２３から３６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３８】
極性部分（１０６，１０８，１１６，１１９）の第１または第２の対を得る１つの方法は、第１または第２の基板（１００，１１０）上にアマグネティック層（１０５）を形成するために、第１または第２の基板（１００，１１０）に異方性エッチングによって第１のケーソン（１０４，１１４）を作ることであり、第１のケーソン（１０４，１１４）は磁性材料で充填され、第１のケーソン（１０４，１１４）に隣接する第２のケーソン（１０７，１１７）は等方性エッチングによって作られ、第２のケーソン（１０７，１１７）は磁性材料で充填されることを特徴とする請求項２３から３７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３９】
磁気パッド（１２０）の対は、第２の基板（１１０）における極性部分（１１６，１１９）の２つの対の間で、第２の基板（１１０）にケーソン（１１８）の対を等方性エッチングすることによって得られ、前記ケーソンの対は磁性材料で充填されることを特徴とする請求項３３から３８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４０】
いずれか１つの磁性材料充填段階がなされた後に、表面が平坦化されることを特徴とする請求項３８または３９に記載の方法。
【請求項４１】
第１の基板（１００）および／または第２の基板（１１０）は、２つの層（１０１，１０３，１１１，１１３）の間に位置した電気絶縁材料（１０２，１１２）から形成され、１つの層（１０３、１１３）が単結晶であるケーソン（１０４，１０７，１１４，１１７）を有し、他の層（１０１，１１１）が場合に応じて後で除去されることを特徴とする請求項２３から４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４２】
第１の基板（１００）および／または第２の基板（１１０）は、耐摩耗材料の層とケーソンを有する単結晶材料の層との間に位置する電気絶縁材料から形成されることを特徴とする請求項２３から４０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４３】
組み立ては、接着剤での貼りつけ、直接接着、陽極接着、または溶融バンプによって成されることを特徴とする請求項２３から４２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４４】
内部に記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３）と、場合に応じた磁束ガイド（１３７）が位置する第３の基板（１３０）は、場合に応じて電気的絶縁材料の層（１３２）を備えた多層基板であることを特徴とする請求項２７から４３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４５】
内部に記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３）と、場合に応じた磁束ガイド（１３７）が位置する第３の基板（１３０）は、場合に応じて電気絶縁材料（１３２）によって被覆された耐摩耗材料層（１３１）から作られた多層基板であることを特徴とする請求項２７から４３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４６】
記録および／または読取手段と協働する信号処理手段を作ることから成ることを特徴とする請求項２７から４５のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の目的は、多数の磁気ヘッドと方位制御されたヘッドギャップとを備えた記録および／または読取デバイス、およびそのようなデバイスを作る方法である。
【０００２】
多数の磁気ヘッドを備えたこのデバイスは、磁気的または磁気−光学的な何らかの記録メディア上、またとりわけ磁気テープ上でデータを磁気読取および／または磁気記録する用途に使われる。磁気メディアという用語は、本願明細書の残りの部分において磁気メディアまたは磁気−光学メディアを含むものとして使用される。同様に、磁気トラックという用語が使われる時は、この用語は磁気メディア上のトラックまたは磁気−光学メディアのトラックを含むべきものである。
【背景技術】
【０００３】
現在のところ、磁気テープが、大量の情報、典型的には、テラバイト（１テラバイト＝１０１２バイト＝８×１０１２ビット）かそれ以上のオーダーであるような情報をコンパクトに蓄積するための最も適切な情報メディアであること、が注目される。磁気テープ上への蓄積の最終用途としては、通常、コンピュータデータ、一層一般的にはデジタルデータのアーカイブ（保管）およびバックアップがある。例えば、これらのデータとしては、データベースからのデータ、デジタル化した動画、しばしばコンピュータ、あるいはキャムコーダー、ＶＣＲ、またはサーバのようなデジタル設備からのオーディオおよびコンピュータファイルを含みうる。これらのデータはしばしば<<マルチメディア>>と呼ばれ、また、工業的に、専門的に、または一般大衆によって使用されうる。
【０００４】
いくつかのタイプの磁気メディア上への記録は以下を含む：
・固定された多数の磁気ヘッドのセットが、直線的にスクロールする磁気テープ上の並列な複数の磁気トラックを書き込んで読み取る線形記録
・高速で回転する円筒状のドラムに取り付けた１つまたは複数の対の磁気ヘッドが、ゆっくり進行および巻き取ってドラム周りにスライドする磁気テープ上において、らせんの部分の形態で磁気トラックに書き込んで読み取るらせん形記録
・磁気ヘッドのセットが、磁気メディア上の磁気トラックを書き込む磁気光学記録であって、カー(Kerr)またはファラデー効果によって前に書き込まれたビットの磁化を直接的または間接的に検出するレーザー光線によって読取が行なわれるもの
【０００５】
以下では、線形記録を中心に説明することにするが、本発明は、線形記録、らせん形記録、または磁気光学記録に適用できる。
【０００６】
図１は、この記録タイプの図式的な図を示す。ピッチＤの間隔にある磁気ヘッド３のストリップ１が、固定された円筒状のサポート２（ドラム）上の生成ラインに沿って配置される。それぞれの磁気ヘッド３は、アマグネティック(amagnetic)ヘッドギャップ３．３により分割された２つの極性部分３．１、３．２を有する。以下では、１対の極性部分に対するヘッドギャップ、という用語は、対における２つの極性部分を分離するヘッドギャップのことをいう。読込または記録される磁気記録メディア４は、ストリップ１に近接して直線的に動く。このタイプの記録手段は比較的機械的に単純であるという利点（固定またはわずかに可動する磁気ヘッド）を持ち、その多数の磁気ヘッドに起因して、高速のデータフローを運ぶことができる。
【０００７】
しかしながら、記録密度の観点からは最適化されない。磁気回路と記録および／または読取手段の大きさに起因して標準的形状における磁気ヘッド３の間に比較的大きなピッチＤを持っているという事実が、以下のことを必要にしている：
・第一に、<<巻き取り>>記録、換言すれば、ピッチＤより小さなピッチＴ’でトラック５を備えた全ての磁気メディア４を記録するために非常に多数の行ったり来たりの動き、を有する必要がある。
・第二に、次のトラック５による問題と生じうる温度変動を考慮して、トラック５の間に大きなスペースＩを持つ必要があり、それによってスペースの損失をもたらす。
【０００８】
さらに、一回のパスで記録されたトラック５は比較的大きな距離にあり、その結果、比較的大きなギャップにあるこれらのトラック５を同時に読み取ることは、これらのトラック上の劣悪なビットの配列に対して読取エラーを起こしうる磁気記録メディア４の機械的柔軟性によって、不利益をもたらす。
【０００９】
特許文献１はこれらの困難のいくつかを克服している。図２を参照すると、磁気ヘッド１３．１、１３．２は、磁気記録メディア１４上のトラック１５の長手方向のｘ軸から角θ（傾斜角（チルト角）と呼ばれる）だけ傾斜した長手軸ｘ’（一連の磁気ヘッドの長手軸と呼ばれる）に沿って方向付けられた、同一のサポート１２（ストリップ）に沿って順々に配置される。
【００１０】
磁気ヘッド１３．１、１３．２は、反対の方位角度＋αと−αだけ傾斜した複数の隣接トラック１５上の情報ビットを、１つの磁気ヘッドから他の磁気ヘッドへと、同時に記録および／または読取することができる。これらの方位角は、ヘッド１３．１または１３．２の長手軸ｘ’に対する垂直方向から測られる。２つの連続した磁気ヘッド１３．１、１３．２は、それぞれ、磁気ヘッドの一般のｘ’方向に垂直な平面からそれぞれ＋αまたは−αだけオフセットした（ずれた）ヘッドギャップ１３．ａ、１３．ｂを持つ。もしこれらの方位角が異なるならば、それらは２つの連続したトラック間のクロストーク（混信）を最小にする。
【００１１】
この形状はトラックの間の距離を、隣接または実質的に隣接させるように短縮する。
【００１２】
磁気ヘッド間の距離Ｄは、記録および／または読取手段に応じてソレノイド形状の巻き取り（図示せず）を採用することによって短縮する。ソレノイド形状の巻き取りは、従来の平面巻き取りに比較してトラック間距離を短縮する。
【００１３】
このアプローチ（手法）は満足の行くものであるが、この構造は重要な不利点を招来する。ストリップ１２上に反対の方位角度＋αと−α、および所定の傾斜角θを持つという事実は、例えば同一のトラック幅１５が隣接トラック上で決して得られず、そのためにそれらのトラック上では異なった値の電気信号が常に存在する。これらのトラック上に書き込まれた情報ビットは、極性部分の対の傾斜角と方位角に依存するトラックに対する垂直方向から測った最終的な方位角を持つ。
【００１４】
磁気ヘッド１３．１と協働するトラック１５の幅をＴ１で示し、磁気ヘッド１３．２と協働するトラック１５の幅をＴ２で示す。
【００１５】
Ｔ１＝Ｐｃｏｓ（α−θ）／ｃｏｓ（α）
【００１６】
および、
【００１７】
Ｔ２＝Ｐｃｏｓ（α＋θ）／ｃｏｓ（α）
【００１８】
の関係がある。従って、一般的なケースではＴ１≠Ｔ２である。ここに、Ｐはそれぞれの磁気ヘッドの極性部分の幅を表す。すべての磁気ヘッドの極性部分の幅についても同じであると想定される。
【００１９】
もう１つの問題は、工業的にこのような磁気ヘッドを製造することが非常に困難である、ということである。特定のストリップにおける磁気ヘッドは同時に作られる。方位角は非常に高い精度で作られなければならない。例えば新型のいわゆるＤＶＣ（デジタルビデオカセット）標準に対しては、方位角は２０°（絶対値）プラスマイナス０．１５°である。一括生産によりこのような精度でこれらの反対の方位角を作ることは非常に難しい。１つの磁気ヘッドから他の１つへと、ヘッドギャップ長さと極性部分の幅について良好な制御を達成することも難しい。
【００２０】
この構造の重要な問題は、パラメータ、すなわち方位角αと極性部分Ｐ幅にいくつかの自由度を与えるということである。書き込まれたトラックの幅は上述の式で与えられる。しかしながら、例えばトラック幅が等しいような、または方位角が特許文献１に記載の堆積技術に合わないような、そういう標準に適合させることは不可能である。ヘッドギャップの傾斜は容易に制御可能ではない。
【００２１】
特許文献２も、方位制御された多数の磁気ヘッドを持った記録および／または読取デバイスを開示している。このデバイスは、上部に磁気ヘッドを分配した複数の組み立てサポートを有する。このデバイスは、上記サポートがトラックからの傾斜角を持つことを許容しない。そのために、<<大規模並列>>の磁気ヘッドを作るように使うことができない。というのは、ｎ個のトラックを読取または書込するための磁気ヘッドを製造することは、ｎ個の組み立てサポートを必要とするからであり、そのサポートは、実際には効率の理由からｎを２、３、または４に制限する。組み立て時の制約は記録および／または読取デバイスの弱体化をもたらす。
【００２２】
さらにこのデバイスは、当産業で現在行われているように、重なったトラックと協働する磁気ヘッドをいくつか含まない。なぜなら、２つの連続したサポートに属する極性部分の２対の間の、サポートに垂直な距離は、零かそれ以上であるからである。この形態は、記録および／または読取デバイスを様々な記録標準に適合させることを可能にしない。
【特許文献１】米国特許第Ａ−５，４５２，１６５号明細書
【特許文献２】フランス特許第Ａ−２，７７４，７９７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
本特許の主な目的は、特許文献１および特許文献２によって解決されない問題を解決することである。
・様々な記録標準：すなわち調整可能な方位角、トラック幅、トラック間の幅に適合される「大規模並列」磁気ヘッドを作るための解決策を提案する。特に、本デバイスは、同じ幅で隣接した、実際には隣接またはインデント（字下げ）されたトラックを作るのに使うことができる；
・方位角のより高い精度を与え、２以上のヘッドが存在する場合でも多数のヘッドに対してより優位なコストを持ち、非常に効率的で現実的な工業生産方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
従来の技術ではトラック幅が一定にできなかったので、本特許でトラック幅問題を解決するために採用するアプローチは（特許文献１と異なり）、磁気ヘッドを、一つを他の後ろになるように置き、また、複数のサポート上でヘッドギャップによって分離される極性部分のそれらの対を分配し、特定のサポート上における極性部分の対のヘッドギャップが同じ方位角を持ち、また特定のサポート上における極性部分の対が同じ厚さを持ち、それぞれサポートが磁気トラックに所定の傾斜角を作るようにすることである。
【００２５】
一層正確には、本発明は、所定の方位角を持ったアマグネティック(amagnetic:非磁性)ヘッドギャップによって分離された極性部分の対をそれぞれ備えた複数の磁気ヘッドを有し、磁気トラックを備えた磁気メディアを記録および／または読取するためのデバイスに関する。前記極性部分の対は、複数の固定されたサポート上で分配され、特定のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップはすべて同じ方位角を持つ。
【００２６】
従って、２つのサポートおよび組立体は、それぞれのサポート上にｎ個の磁気ヘッドがある状態で、実質的に無制限の磁気ヘッドの数を得るのには十分であり、その結果、２ｎ個の磁気ヘッドを備えたデバイスとなる。
【００２７】
少なくとも２つのサポートは異なる方位角をヘッドギャップが持つような極性部分の対を有し、それぞれのサポートは磁気トラックからの所定の傾斜角を持つ。
【００２８】
これは、特定のサポート上に位置した極性部分のすべての対が同じ幅を持つ場合に有利である。
【００２９】
少なくとも２つのサポート、例えば２つの連続したサポートの上の傾斜角は等しいように、または異なるようにすることができる。
【００３０】
それらが平行な場合、連続するサポートは、該連続するサポート上に位置した極性部分に直面する平面間の距離であるところの極性部分間の距離を規定する。
【００３１】
磁気シールドおよび／または磁気抵抗性読取手段が、極性部分間の距離に対応するスペースで配置されうる。
【００３２】
傾斜角θが２つの連続したサポートに対して同じである時、換言すればサポートが平行である時、極性部分間の距離は、
ｄ＝［ｔａｎ（θ）・（Ｔ＋Ｄ）］−（Ｐ１＋Ｐ２）
により与えられ、ここに、θはトラックに対するサポートの傾斜角、Ｔは特定のサポート上に位置する極性部分の対のヘッドギャップの長手方向のピッチ、Ｄは２つの連続したサポート上に配置された２対の連続した極性部分の間のサポートからの長手方向のオフセット、Ｐ１は第１のサポート上の極性部分の対の幅、Ｐ２は第１のサポートに連続した第２のサポート上の極性部分の幅である。
【００３３】
異なるサポート、例えば連続したサポートに属している２対の極性部分は、２つの連続した磁気トラックと協働して、それらを読取またはそれらを記録する。
【００３４】
磁気メディアのトラックの幅が等しいならば、以下の関係が満足されなければならない： 
Ｐ１・ｃｏｓ（α１−θ）／ｃｏｓ（α１）＝Ｐ２・ｃｏｓ（α２＋θ）／ｃｏｓ（α２）
ここに、Ｐ１は第１のサポート上の極性部分の対の幅、α１はこの第１のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップの方位角、Ｐ２は第２のサポート上の極性部分の幅、α２はこの第２のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップの方位角、θは磁気トラック対するサポートの傾斜角である。
【００３５】
方位角の１つの有利な選択は、α１＝α２＋２θとすることである。その結果、反対の方位角を持った２つの連続した磁気トラック上への書込となる。これはＤＶＣ標準（＋／−２０°）のような最も古典的な標準に対するケースである。
【００３６】
他の有利な選択は、α１＝−α２＝α（絶対値として）とすることである。同じ結晶学的方向を持ったサポートを、磁気ヘッドを生産するのに使うことができる。第１のエッチング角が＋αである場合に、その平面において１８０°だけサポートを回転させることで角度−αでのエッチングを可能にする。そして必要なことのすべては、磁気記録のトラックの同じ幅を得るために、幅Ｐ２＝Ｐ１・ｃｏｓ（α−θ）／ｃｏｓ（α＋θ）を選ぶことである。
【００３７】
連続したサポートは、極性部分の２連の対が、共通のサポートにおける電気絶縁層のそれぞれの側の上に配置されるような、共通のサポートを形成することができる。例えば、ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）タイプの基板が共通のサポートとして使用できる。
【００３８】
サポートの極性部分の対は磁気読取または記録ヘッドの対でありうる。
【００３９】
記録および／または読取デバイスは、記録のためのサポートの少なくとも１つのブロックと、読取のためのサポートの少なくとも１つのブロックとを有することができ、これらブロックは磁気トラックの方向に順々に位置することができる。
【００４０】
変形として、記録のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロックと、読取のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロックとを有することができ、これらブロックに対するサポートはお互いに固定されうる。
【００４１】
クロストーク問題を防ぐために、読取のためのブロックはシールドスクリーンによって記録のためのブロックから分離される。
【００４２】
読取のための１のブロックのサポートは、記録のための１のブロックのサポートと交互になることができる。従って、読取と記録のために使われるヘッドギャップを位置決めすることは容易である。
【００４３】
磁気シールドおよび／または磁気抵抗性読取手段は、極性部分間の距離に対応するスペースで配置されたサポート間層に収容されることが可能で、このサポート間層は記録ブロックのサポートから読込ブロックのサポートを分離する。
【００４４】
それぞれの磁気ヘッドに対して、読取および／または記録ヘッドは、１対の極性部分をまとめる磁気回路と、場合に応じて磁束ガイドとを有し、この磁気回路は記録および／または読取手段と協働する。この状況では、磁束ガイドは複数の部分を有することができる：すなわち、ソレノイド巻きのコア、パッド、後部の磁気部分、および磁気抵抗センサ磁束ガイドである。
【００４５】
記録および／または読取手段は誘導性または磁気抵抗性とすることができる。
【００４６】
信号処理手段は記録および／または読取手段と協働することができる。
【００４７】
本発明は、磁気トラックを備えた磁気メディア上の記録および／または読取デバイスを作るための方法にも関する。それは以下の段階：
第１の基板上で、第１の磁気ヘッドの極性部分の複数の第１の対を製造し、これらの極性部分が特定の第１の方位角を持ったアマグネティックヘッドギャップによって分離されるようにする段階と；
第２の基板上で、第２の磁気ヘッドの極性部分の複数の第２の対を製造し、これらの極性部分が特定の第２の方位角を持ったアマグネティックヘッドギャップによって分離されるようにする段階と；
第１の基板を第２の基板に対して組み立てて第１の方位角と第２の方位角が組み立て後に異なるようにそれらを位置させるようにする段階と；
記録および／または読取手段と、場合に応じて極性部分の第１の対、および／または、極性部分の第２の対の極性部分の対とそれぞれ協働することができる磁束ガイドを製造する段階と；
磁気トラックに対する所定の傾斜角をそれらに提供するように基板を処理する段階と、
を有する。
【００４８】
前記第１および第２の基板は、処理の前または後に組み立てることができる。
【００４９】
電気絶縁材料の層を２つの基板の間に挿入することができる。
【００５０】
電気絶縁材料から作られたシム（くさび状のもの）を２つの基板の間に差し込む段階を有する。
【００５１】
前記記録および／または読取手段と、必要に応じた磁束ガイドは、第１の基板および／または第２の基板に対して配置されかつ組み立てられる少なくとも第３の基板上に配置することができる。組み立ての前に基板の少なくとも１つの厚みを薄くするための段階を提供することができる。
【００５２】
第１の基板が、一方の第３の基板に対して、２つのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられ、第２の基板が、他方の第３の基板に対して、２つのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられるようにでき、前記第１の基板が前記第２の基板に対して組み立てられるようにできる。組み立ての前に基板の少なくとも１つの厚みを薄くするための段階を提供することができる。シムおよび／または極性部分間の層を挿入するための段階をも提供することができる。
【００５３】
変形として、前記記録および／または読取手段と、必要に応じた磁束ガイドは、前記第１または第２の基板のいずれか、または両方の上に作ることができる。これは組み立ての前または後に行うことができる。
【００５４】
処理は、組み立ての前または後に基板をグラインディングすることから成るか、または基板を傾ける特定の機械的サポートにおいて、基板、あるいは、１つまたは複数の基板の対を組み立てることから成る。
【００５５】
第１の基板の傾斜角は第２の基板の傾斜角と異なりうる。
【００５６】
この方法は、記録および／または読取手段のそれぞれ、または第１の基板における極性部分の対に対する磁束ガイドと磁気的に接続するよう使われることになる、第２の基板における磁気接続パッドの対を作ることから成る段階を有することができる。
【００５７】
２つの第３の基板が存在する時、第１の基板における極性部分の対は、一方の第３の基板における記録および／または読取手段、または磁束ガイドに結合され、第２の基板における極性部分の対は、他方の第３の基板における記録および／または読取手段、または磁束ガイドに結合される。
【００５８】
第１および第２の基板は、２つのうちの１つをひっくり返した後で、お互いに組み立てられうる。
【００５９】
組み立ての前および／または後に基板の少なくとも１つを薄くする段階が含まれうる。
【００６０】
配置する段階は、基板の位置決めとともに行なわれることを特徴とする。
【００６１】
極性部分の第１または第２の対を得る１つの方法は、第１または第２の基板に異方性エッチングによって第１のケーソン(caisson)を作り、第１または第２の基板上にアマグネティック層を形成することであり、第１のケーソンは磁性材料で充填され、第１のケーソンに隣接する第２のケーソンは等方性エッチングによって作られ、第２のケーソンは磁性材料で充填されうる。
【００６２】
このアマグネティック層は概ね均一な厚さで第１のケーソンの側面を覆う。アマグネティック材料は好都合に第１または第２の基板の表面酸化によって形成することができる。
【００６３】
磁気パッドの対は、第２の基板における極性部分の２つの対の間で、第２の基板にケーソンの対を等方性エッチングすることによって得ることができ、前記ケーソンの対は磁性材料で充填できる。
【００６４】
いずれか１つの磁性材料充填段階がなされた後に、表面を平らにできる。
【００６５】
第１の基板および／または第２の基板は、２つの層の間に位置した電気絶縁材料から形成することができ、１つの層が単結晶であるケーソンを有し、他の層は場合に応じて後で除去することができる。
【００６６】
変形として、第１の基板および／または第２の基板は、耐摩耗材料の層とケーソンを有する単結晶材料の層との間に位置する電気絶縁材料の層から形成されうる。
【００６７】
組み立ては、接着剤での貼りつけ、直接接着、陽極堆積、または溶融バンプによって成されうる。
【００６８】
内部に記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドが位置する第３の基板は、場合に応じて電気的絶縁材料の層を備えた多層基板でありうる。
【００６９】
変形として、内部に記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドが位置する第３の基板は、場合に応じて電気絶縁材料によって被覆された耐摩耗材料層から作られた層を含む。
【００７０】
さらに、この方法は、記録および／または読取手段と協働する（例えばプリアンプ（前置増幅器）、マルチプレクサ、デマルチプレクサのような）信号処理手段を作る段階を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７１】
本発明は、純粋に情報として与えられ、そして決して限定的ではない、添付された図面を参照した実施形態の説明を読んだ後で、より良く理解されるであろう。
【００７２】
異なった図面における同一の、類似の、または同等の部材は、１の図面から次の図面への進行を容易にするように同じ参照符号を有する。
【００７３】
図面に示された異なる部分は、図を一層容易に理解させるために、必ずしも全てが同じ縮尺ではない。
【００７４】
さて、図３を参照しながら、本発明による磁気ヘッドを備えたデバイスを説明する。
【００７５】
このデバイスは、磁気メディアに搭載された磁気トラック上の情報を記録および／または読取するために使われることになる。この磁気メディアはテープとして示されているが、他の形態、例えばディスクも可能である。今、説明する例は、線形の磁気的または磁気光学的な記録に適用できるが、このような記録および／または読取デバイスは、らせん形記録の枠組みで使うことができる。
【００７６】
磁気ヘッドが、従来的に、アマグネティック(amagnetic：非磁性)ヘッドギャップによって分離された極性部分の対の上で終端する磁束の閉磁気回路を有する、ということを思い出されたい。この磁気回路は、極性部分の対と、また磁束ガイドをも含みうる。いくつかの形態では磁束ガイドを欠いていて、極性部分の対の形状は、この磁束ガイドの機能を達成するのに適切なものとなっている。
【００７７】
記録および／または読込手段は磁気回路と協働する。場合に応じて、磁束ガイドが１つならばそれを取り巻く少なくとも１つの巻回部から成り立っており、それは誘導性の記録および／または読取ヘッドのためのもので、もしくは磁気読取ヘッドのための磁気抵抗である。この磁気抵抗は、磁束ガイド上のヘッドギャップにおいて、磁束ガイドに挿入することができ、そしてそれは、好都合に、巨大磁気抵抗(Giant Magnetoresistance：ＧＭＲ)またはトンネル効果磁気抵抗(ＴＭＲ)特性を持つ材料から作られたロッドの形態とすることができる。磁束ガイドがない場合は、磁気抵抗は極性部分の対と直接協働する。
【００７８】
本発明によるデバイスは、アマグネティックヘッドギャップｅ１、ｅ２で分離された極性部分の対によってそれぞれ実現された複数の磁気ヘッド３０．１から３０．４、３１．１から３１．４を有する。このデバイスは複数の固定サポート１００１、１００２をも有し、磁気ヘッドの極性部分の対は、これらのサポート１００１、１００２上で順々に分配されている。このデバイスはまた、２つのサポート１００１、１００２の間に少なくとも１つのサポート間層３３、３４をも有し、それは良好に調整された距離ｄによって極性部分の対のレベル（平面）を分離する。この距離ｄは、連続したサポート上に位置した極性部分に直面する平面を分離する。それは上記のサポートに垂直である。例として、２つのサポート１００１、１００２のみが存在し、またそれらが平行で、磁気ヘッド３０．１から３０．４の極性部分の第１の対はサポート１００１に保持され、磁気ヘッド３１．１から３１．４の極性部分の第２の対はサポート１００２に保持される。明らかに、サポート間層３３、３４間の位置決め後に組み立てられる２つを超えるサポートを使うことが考えられるであろう。２つ以上のサポートがある場合、２つの最初のサポートのうち１つを、第３のサポートを後述のように組み立てる前に、薄くすることができる。
【００７９】
サポート１００１、１００２は概ね平面であって、対応するサポートの主面の上に保持された磁気ヘッドの極性部分３０．１から３０．４、３１．１から３１．４の対は概ね平面である。例として、磁気ヘッドの極性部分の対はサポートに直面する２つの面上に配置される。他の形態も可能である。
【００８０】
磁気ヘッドは方位制御される。これは、それぞれのヘッドギャップｅ１、ｅ２が、サポート１００１、１００２の主面への垂線に対して所定の方位角を持つことを意味する。特定のサポート１００１、１００２上に配置された極性部分３０．１から３０．４、または３１．１から３１．４の対は、すべて同じ方位角を持つ。この方位角は、サポート１００１の極性部分の対に対してα１で参照され、サポート１００２の極性部分の対に対してα２で参照される。この方位角はサポートへの垂線から極限を除いて＋９０°と−９０°の間にある。
【００８１】
極性部分のそれぞれの対に対して、磁束ガイドおよび／または磁気抵抗素子（図３では図示しないが、図１６では図示する）がサポート１００１または１００２の主面上に保持でき、関係する極性部分の対に影響を及ぼす。本発明による記録および／または読取デバイスにおいて、サポート組立体は、極性部分の機能面、換言すれば、磁気記録メディアと接触される初期のサポートの主面と垂直な面を現出するために切断されることになる。
【００８２】
それぞれの磁気ヘッドは、極性部分の機能面にほぼ平行な向き、従ってサポート１００１、１００２の主面にほぼ垂直な向きの磁気記録メディア３５と協働するよう設計される。
【００８３】
この磁気メディア３５は、情報を書込または読取するよう設計され多数の磁気記録のトラック３６を有する。これらのトラック３６は磁気記録ヘッドによって作られる。図３に示した例においては、トラック３６は、サポート１００１、１００２の主面からの、または磁気ヘッドの長手方向に対する傾斜角θを持っている。換言すれば、サポート１００１、１００２は、磁気記録トラック３６の一般的な方向に対して同じ傾斜角θを持つ。従って、サポートのエッジはトラック３６の方向と平行ではない。傾斜角θは零ではなく、±９０°の間にある。
【００８４】
明らかに、図４に示すように、少なくとも２つの連続したサポートが異なる傾斜角を持つことができる。
【００８５】
一般に、Ｐ１を、第１のサポート１００１上に位置するすべての極性部分３０．１から３０．４の幅とする。この幅はサポート間層３３が位置したサポート１００１の主面に対して垂直に測られる。
【００８６】
Ｐ２を、第２のサポート１００２上に位置するすべての極性部分３１．１から３１．４の幅とする。この幅Ｐ２はサポート間層３４が位置したサポート１００２の主面に対して垂直に測られる。
【００８７】
同じサポート上に位置した極性部分はすべて同じ幅である。
【００８８】
ｄを極性部分間の距離とすると、この距離ｄは、連続したサポート上に位置した極性部分の対に直面した平面間の距離である。この距離は零ではない。この距離ｄは、トラック間距離を調整するための他の自由度、あるいは読み取られたトラックを重ね合わせるための他の自由度さえをも与える。
【００８９】
Ｄを、連続したサポート１００１、１００２上に配置された２対の連続した極性部分３０．１、３１．１の間のサポートからの長手方向のオフセット（ずれ）とする。この長手方向のオフセットは、ｏｘ’軸に沿ったヘッドギャップの中心の横座標の間で定義される。Ｐ１、Ｐ２を、ｏｙ’軸に沿って測ったサポートの極性部分の幅とする。
【００９０】
磁気ヘッドの極性部分３０．１から３０．４、３１．１から３１．４の対のヘッドギャップｅ１、ｅ２は、ｏｘ’軸に沿って測った長手方向の同じピッチＴで、サポート１００１、１００２上に均一に分配されると仮定する。これらのサポート１００１、１００２は、トラックの一般的な方向から測った同じ傾斜角θを有する。傾斜角θは、例えばサポートの機械加工を使って得ることができる。
【００９１】
コンパクトな蓄積のための有利で特別なケースであるところの、隣接したトラックによる形態を得るために、以下の値が傾斜角に割り当てられる：
【００９２】
ｔａｎ（θ）＝（Ｐ１＋Ｐ２＋ｄ）／（Ｔ＋Ｄ）
【００９３】
極性部分間の距離ｄの値は以下のように与えられる：
【００９４】
ｄ＝［ｔａｎ（θ）・（Ｔ＋Ｄ）］−（Ｐ１＋Ｐ２）
【００９５】
極性部分間の距離ｄは、ある標準（あるサポートを隣接したサポートに対して協働させるトラックの配置）を満足することのできる値に長手方向のオフセットＤを調整するために特に役立ち、２つの連続したサポートの磁気ヘッドのコンパクトさを最適化することによって容易な技術的製造を可能にする。極性部分の対に適合する磁気回路、並びに、読取および／または記録手段は、幾何学的な制約条件を強いる。
【００９６】
Ｔ１を、第１のサポート１００１上に位置した極性部分３０．１から３０．４の対と協働するトラック３６の幅とし、Ｔ２を、第２のサポート１００２上に位置した極性部分３１．１から３１．４の対と協働するトラック３６の幅とする。トラックの幅はｏｘ軸に垂直に測られる。
【００９７】
幾何学的に、トラックの幅は以下のようになる：
【００９８】
Ｔ１＝Ｐ１・ｃｏｓ（α１−θ）／ｃｏｓ（α１）
【００９９】
Ｔ２＝Ｐ２・ｃｏｓ（α２＋θ）／ｃｏｓ（α２）
【０１００】
この新しい配置により、第１のサポート上の磁気ヘッドの極性部分の幅Ｐ１の値、第２のサポート上の極性部分の幅Ｐ２の値、方位角α１、α２の値、の選択が無限であることに起因して、Ｔ１＝Ｔ２であるような配置構成が容易となる。
【０１０１】
２つの形態が特に興味深い。第１の形態においては、トラック上の最終的な方位角を、絶対値が等しく符号が反対になるよう決定することができ、そしてそれは、α１−θ＝α２＋θ、すなわちα１＝α２＋２θを意味する。Ｔ１＝Ｔ２も要求されるならば、次のように選択することができる：
【０１０２】
Ｐ２＝Ｐ１・ｃｏｓ（α２）／ｃｏｓ（α２＋２θ）
【０１０３】
第２の形態においては、両方位角を、サポート上で等しいが、反対符号であるα１＝−α２＝α（絶対値として）とすることができるであろう。Ｐ１とＰ２は以下によって関係付けられるよう選ばれる：
【０１０４】
Ｐ２＝Ｐ１・ｃｏｓ（α−θ）／ｃｏｓ（α＋θ）
【０１０５】
これらの選択により、Ｔ１＝Ｔ２となる。
【０１０６】
従って、トラック３６は隣接することができ、同じ幅を持つことができる。明らかに、あらゆるケースにおいて隣接したトラックを持つことと同じ幅までも持つことが必須というわけではない。本発明の目的は、異なる標準に適合できる磁気ヘッドの製造を可能にすることである。従って本発明は、非隣接のトラック、および／または、異なる幅を持ったトラックと協働する磁気ヘッドを作るのに使うことができる。
【０１０７】
隣接したトラック３６（トラック間の距離なし）は、最大の記録密度を与えることができる。この場合、以下のパラメータが以下を満足するように関係付けられる：
【０１０８】
ｔａｎ（θ)・（Ｔ＋Ｄ）＝Ｐ１＋Ｐ２＋ｄ
【０１０９】
しかし、トラック間の距離を、どんな理由のために、例えば標準を重要視するために導入することが必要であっても、磁気ヘッドの配置と、記録および／または読込デバイスを作り上げる異なった要素のサイズとを考慮に入れる必要があるだけである。
【０１１０】
サポート１００１、１００２は物理的に分離することができ、そして、それらを積み重ねることによって組み立てることができ、あるいは、例えば図７のようにそれらを同時に行なうことができる。この場合、サポートは多層であって、例えばＳＯＩ（セミコンダクタ・オン・インシュレータ：semiconductor on insulator）タイプの基板、または、より一般的には、ＸＯＩタイプの基板とすることができる。ここに、Ｘは単結晶材料を指す。極性部分は絶縁層のそれぞれの側に位置する。共通のサポートの外側層は、お互いに組み立てられた２つのサポートのように扱われる。
【０１１１】
記録および／または読取デバイスを作ることが必要な場合、性能上の理由で、読取を専門とする磁気ヘッドから記録を専門とする磁気ヘッドを分離することが望ましい。読取を専門とする磁気ヘッドは、磁気抵抗ＭＲタイプ、巨大磁気抵抗ＧＭＲタイプ、およびトンネル磁気抵抗ＴＭＲタイプの中から選ばれることが好ましいが、その一方で、磁気書込ヘッドは磁気誘導性ヘッドであることが好ましい。
【０１１２】
図４を参照する。
【０１１３】
記録および／または読取デバイスは、磁気記録ヘッド４１を有する第１のブロックＢ１と、磁気読取ヘッド４２を有する第２のブロックＢ２とを有することができ、これらの２つのブロックＢ１、Ｂ２は磁気記録メディア４４のトラック４７の軸方向に沿って順々に位置し、この例では磁気シールドスクリーン４３によって分離される。ブロックの１つ（例えばＢ１）は磁気記録メディア４４上に情報を書き込むことを専門とし、他の１つ（例えばＢ２）は情報を読み取ることを専門とする。
【０１１４】
これらのそれぞれのブロックＢ１、Ｂ２は、アマグネティックヘッドギャップによって一連の極性部分の対が分離されるよう配列される複数のサポート４５．１、４５．２、４６．１、４６．２をそれぞれ有し、それぞれのヘッドギャップが図に示す磁気ヘッド４１、４２を実現している。従って、各ブロックおよびシールドスクリーンの組み立て後の結果は、ＲＷＷ(Read While Write)デバイスと称する書込および読み込みデバイスである。このようなデバイスは、記録されたデータの完全性が書込の間にチェックできるので、非常に魅力的である。
【０１１５】
図４は、すべてのサポートが磁気トラック４７からの同じ傾斜角を必ずしも持つわけではない、ということを示すよう意図している。サポート４５．１の傾斜角をθ１で表し、サポート４５．２の傾斜角をθ２で表す。また、極性部分間の距離ｄが電気絶縁シム４９によって固定できる、ということをも示す。この特定のケースでの距離ｄは一定ではない。
【０１１６】
図５を参照する。書込ブロックＢ１と読取ブロックＢ２が、磁気記録メディア４４のトラック４７の軸方向に沿って順々に存在する代わりに、それらは積み重ねられる。複数の隣接した、重ね合わせたサポート４５．１、４５．２から形成された書込ブロックＢ１は、やはり複数の隣接した、重ね合わせたサポート４６．１、４６．２から形成された読取ブロック４６．１、４６．２と組み合わせることができる。このように、２つのブロックＢ１、Ｂ２が重ね合わせられる。書込ブロックＢ１のサポート４５．１、４５．２は磁気書込ヘッド４１の極性部分の対を搭載し、読取ブロックＢ２のサポート４６．１、４６．２は磁気読取ヘッド４２の極性部分の対を搭載する。図５において、記録および読取デバイスはＷＷＲＲ（書込のＷと読取のＲ）デバイスである。
【０１１７】
この実施形態では、ブロックＢ１、Ｂ２の磁気ヘッド４１、４２の方位角は、１のブロックと次のブロックとで協働するように同一である。特定のブロックにおいてそれらは１のサポートと次のサポートとで異なっている。
【０１１８】
同じブロックＢ１またはＢ２に属する磁気ヘッド４１または４２は、隣接したサポート４５．１、４５．２または４６．１、４６．２上に配置された極性部分のそれらの対を持つ。図５の例では、特定のブロックにおいて、極性部分の対が第１のサポートに搭載される磁気ヘッドは第１の方位角を持ち、極性部分の対が他のサポートに搭載される磁気ヘッドは上記第１の方位角と異なる他の方位角を持つ、ということが見て取れる。
【０１１９】
この場合、異なるサポート４５．１、４５．２、４６．１、４６．２は、お互いからの正確な距離においてサポートを機械的に保持する厚さｄを持ったサポート間層４８によってすべてお互いに分離される。
【０１２０】
図５のケースにおいては、サポート４５．１、４５．２および４６．１、４６．２は２つの別々の記録および読取ブロックＢ１、Ｂ２に分配され、またブロックＢ１、Ｂ２の間のサポート間分離層４８ブロックは、クロストーク（混信）を低減するための磁気シールドおよび／または磁気抵抗性読取手段を好都合に有することができる。
【０１２１】
図６は他の変形例を示し、そこではサポート４５．１、４５．２、４６．１、４６．２は常に重ね合わされる。しかしこのケースでは、ブロックＢ１またはＢ２のサポート４５．１、４５．２または４６．１、４６．２は、もはや隣接していない。このスタックにおいては、ブロックＢ１のサポート４５．１、４５．２とブロックＢ２のサポート４６．１、４６．２とは交互になっている。隣接したサポート４５．１、４６．１上に極性部分の対を配置した磁気ヘッドの方位角は同一である。これらの磁気ヘッドは異なるブロックＢ１、Ｂ２に属する。特定のブロックに属する各サポート上に極性部分の対を配置した磁気ヘッドの方位角は異なっている。サポート４５．１、４６．１、４５．２、４６．２はサポート間層４８によって分離される。これらの層のそれぞれは、この例では、好都合に磁気シールドを有することができる。
【０１２２】
図６は、上部から開始して作られた書込、読込、書込、読込ヘッドであるＷＲＷＲスタックを示す。
【０１２３】
本発明による記録および／または読取デバイスは、記載した図面のみで示されるような、記録が直線的に行なわれる磁気記録メディアによる動作に限定されない。
【０１２４】
このような記録および／または読取デバイスは、図７に示すように記録がらせん状に行なわれる磁気メディアに適用することもできる。例えば、これは、記録および／または読取を専門に行なう４重磁気ヘッドを備えるデバイスである。この図に示された異なる要素は、図５および図６で上述したのと同じ参照符号を有する。参照符号４５．１および４５．２は異なる結晶方向を持つ層であることが想定される。これら２つの層は電気絶縁層４８によって分離される。この記録および／または読取デバイスは、上述のような２つの積み重ねられたサポートの組み立てによって作ることができるが、共通のサポート４５、例えばＳＯＩタイプサポート、またはさらに一般的には２つの単結晶層の間にサンドイッチした電気絶縁層を有するサポート上で行なうこともできる。
【０１２５】
今、４７と参照番号を付けた異なる磁気記録トラックは、磁気記録メディア４４の一般的な方向から傾斜している（このらせん形タイプのケースにおいて）。これらトラック４７は図４から図６における磁気記録メディア４４（線形タイプ）の一般的な方向と平行である。
【０１２６】
サポート間層３３、３４、４８は絶縁体、例えば酸化ケイ素（Ｓｉ０２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、アルミナ（Ａｌ２０３）、ジルコニア（Ｚｒ０２）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ＡｌＳｉＣ（アルミナとシリコンカーバイドの混合物）、チタンカーバイド（ＴｉＣ）、ＡｌＴｉＣ（アルミナとチタンカーバイドの混合物）、または他の良好な耐摩耗性を備えた何らかの絶縁体など、で構成することができる。この層は、１つまたは複数の段階、例えばマイクロエレクトロニクス設備、または陰極スパッタリング（ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤなど）のようなナノテクノロジー設備を使った堆積方法で作ることができる。ＳＯＩ／ＸＯＩ基板の絶縁層がサポート間層として使用されるならば、その厚さは、このタイプの産業で使われる何らかの方法による基板製造業者によって調整すべきである。図３におけるサポート１００１および１００２を組み立てることを容易にするために、サポート間層３３、３４のそれぞれの側において、サポート間層は、例えば組立体を後で正確な配置で作ることができるような機械的化学的平坦化段階および適切な表面準備処理を使って、サポート１００１、１００２のいずれか一方または両方の上に作ることができる。次に、サポート間の距離ｄは、明らかにそれぞれのサポート１００１および１００２の上に堆積される厚さの合計となる。これらのそれぞれの厚さは、場合に応じて１つまたは複数の磁気シールドおよび／または磁気抵抗性要素（ＧＭＲまたはより一般的にはＸＭＲ）で、絶縁体３３、３４に埋め込まれた（適切なマイクロ技術設備によって堆積、および／または、エッチングされた）ものを含むことができる。
【０１２７】
さて、本発明による記録および／または読取デバイスの実施形態を説明する。磁気ヘッドは集合的に作られ、極性部分の対は複数のサポート上に分配される。断面を含んだ図における断面部分は極性部分の対において切断したものである。磁気ヘッドは基板上に作られ、そしてそれらは上述のサポートに対応する。
【０１２８】
図８Ａおよび図８Ｂに示したのと類似の記録および／または読取デバイスの第１の実施形態を記載した図９Ａから図９Ｄを参照する。図８Ａには磁気ヘッドが側面図で示されており、それぞれに対して見ることのできるすべては、ヘッドギャップｅ１、ｅ２によって分離された極性部分のその対４１、４２の機能面である。これは磁気記録メディア（図示せず）の上を進んで行くことになる面である。
【０１２９】
この例において、記録および／または読取デバイスは２つのサポートを有し、それぞれが３つの磁気ヘッドを搭載している。実際のデバイスでは、丸型または正方形のウェハ上などに２次元のマトリックス配置で順々にストリップ状に分配された例えば数百の規模の、多くのさらなる磁気ヘッドが存在することになるであろう。
【０１３０】
図８Ｂに示されているのは３次元のものであって、ヘッド４１、４２の２つの極性部分４１．１、４１．２、４２．１、４２．２に接続された磁束ガイドｃ１、ｃ２を備えたそれぞれの磁気ヘッドに対する磁気回路を見ることができる。この磁束ガイドｃ１、ｃ２は、第一に極性部分４１．１、４１．２、４２．１、４２．２に磁気的に接続され、第二に一つの後部の磁気終端部ａ１、ａ２に磁気的に接続された２つの脚ｊ１．１、ｊ１．２、ｊ２．１、ｊ２．２を有することができる。脚ｊ１．１、ｊ１。２、ｊ２．１、ｊ２．２と極性部分４１．１、４１．２、４２．１、４２．２は、磁気ヘッドの極性部分が位置するサポートに応じて、直接、または磁気接続パッドｐ２．１、ｐ２．２を介して作ることができる。
【０１３１】
変形として、磁気回路は、極性部分によって終端部が形成された概ね馬蹄形またはその類似の形状のモノリシック磁気回路であり得る。
【０１３２】
図８Ｂは、磁束ガイドｃ１、ｃ２の脚ｊ１．１、ｊ１。２、ｊ２．１、ｊ２．２と協働するソレノイド巻回物ｓ１．１、ｓ１．２、ｓ２．１、ｓ２．２の形態にある記録および／または読込手段をも示している。
【０１３３】
図９Ａを参照する。出発点は、２つの外側層１０１、１０３の間にサンドイッチされた電気絶縁層１０２を備えた第１の基板１００であり、その少なくとも１つの外側層１０３が単結晶材料から作られる。
【０１３４】
それは、例えばＳＯＩタイプ（シリコン・オン・インシュレータ）タイプの基板のような絶縁体タイプ基板上の半導体であり得る。このような基板が２つの半導体層１０１、１０３の間にサンドされた電気絶縁層１０２から成ることに注意すべきである。一般に、半導体層のうちの１つは他の層よりも厚い。絶縁体基板上のこのような半導体は絶対に必要ではない。
【０１３５】
他方の外側層１０１は、好都合に耐摩耗材料で作ることができ、場合に応じてこの材料は半導体でも単結晶でもない。それは例えば、ジルコニアＺｒ０２、シリコンカーバイドとアルミナＡｌＳｉＣ、チタンカーバイドとアルミナＡｌＴｉＣ、アルミナＡｌ２０３、その他から作ることができる。この外側層１０１は、好都合に、単結晶層より厚い。
【０１３６】
外側層の１つが単結晶であるという事実は、ヘッドギャップの方位角を制御するエッチングを行なうために使われることになる。従ってその結晶学的方向は、要求される方位角の関数として選ばれることになる。
【０１３７】
この第１の基板上に位置する極性部分のそれぞれの対における極性部分の１つを保持することになる広がった第１のケーソン１０４(caisson)が、外側の単結晶層１０３にエッチングされる（図９Ａ）。例えば、シリコンの場合、このエッチングは、例えばカリウムバスＫＯＨ内の湿式異方性化学エッチングから成る。それぞれの第１のケーソンの側面の１つにおける傾斜は方位角の値を制御する。この傾斜は、基板の単結晶特性を利用し、異方性エッチングが基板の結晶面に従う。シリコンでは、<１１１>系の平面がエッチングエッジを限定する。これらの基板はすぐに入手可能である。例えば、この方法はフランス特許第Ａ１−２，６６４，７２９号明細書に記載されている。
【０１３８】
基板１００の電気絶縁材料１０２の層は、第１のケーソン１０４をエッチングする際に停止層として使用される。基板１００の単結晶層１０３の厚さは、この第１の基板上に位置する対の極性部分の幅を制御する。それに応じてその厚さが選択される。
【０１３９】
アマグネティック材料の層１０５が、第１の基板１００上に形成され、そして概ね均一厚さで第１のケーソン１０４の側面を覆う。第１のケーソンがシリコンから作られるならば、このように処理された第１の基板１００の表面熱酸化を行なうことができる（図９Ａ）。変形として、第１のケーソンの側面上に、アマグネティック材料の必要な厚さを堆積させることも可能である。
【０１４０】
第１のケーソン１０４のそれぞれの広がった側面の１つを覆う、例えば酸化ケイ素から成るアマグネティック材料の層１０５は、基板１００上に位置する極性部分の第１の対のそれぞれにおける方位制御されたヘッドギャップｅ１を形成することになる。
【０１４１】
例えば電解法によって磁性材料１０６が第１のケーソン１０４内に堆積される。この磁性材料はラミネートされるように、またはそのようにされないようにできる。例えばそれは、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、またはＣｏＦｅＸの合金でありうる。ここに、ＸはＣｒ、Ｃｕ、その他の適切な材料を表す。
【０１４２】
このように処理された基板１００の表面は、酸化物がその表面と同一平面となり、磁性材料が要求される厚さ（図９Ｂ）を持つように平坦化される。この磁性材料は、極性部分のそれぞれの第１の対の第１の極性部分１０６を形成する。
【０１４３】
次の段階は、第１の基板１００上に位置するようになる極性部分のそれぞれの第１の対において、他の極性部分を保持することになる第２のケーソン１０７を等方性エッチングすることである（図９Ｃ）。これら第２のケーソン１０７は第１のケーソン１０４と隣接し、それら第１のケーソン１０４と同じ側にすべて位置する。この例では、それらは第１のケーソン１０４の左側にある。それらを右側にすることも可能である。方位角はその時異なることになり、それは他の＜１１１＞系の平面に存在することになるだろう。ヘッドギャップに近接した外側層１０３の単結晶材料はエッチングによって取り除かれる。ヘッドギャップｅ１のアマグネティック材料は、これら第２のケーソン１０７の側面として使用される。これら第２のケーソンの深さは概ね第１のケーソンの深さと同じである。なぜならば、絶縁層１０２が停止層として使用されるからである。
【０１４４】
これら第２のケーソン１０７は、例えば電解法によって磁性材料１０８で充填される、最終段階で上述のように平坦化段階が行なわれる（図９Ｄ）。この磁性材料１０８は、極性部分のそれぞれの第１の対における第２の極性部分を形成する。この平坦化段階は極性部分の幅の最終調整に役立つ。それは極性部分の対の上面（図の上面）に非常に良好な位置合わせを与える。
【０１４５】
図１０Ａを参照する。２つの外側層１１１、１１３のうち少なくとも外側層１１３の方が単結晶（例えばＳＯＩ基板）であるような構成の間に埋め込まれた絶縁層１１２を有する第２の基板１１０から開始する。第１の基板およびその単結晶層の厚さの選択に関する説明は、第２の基板に対しても適用可能である。
【０１４６】
第２の基板１１０上に位置するようになる極性部分の第２の対を作ることになる。第１のケーソン１１４は異方性エッチングによって単結晶層１１３内に作られ、磁性材料１１６で充填されるが、例えば図９Ａおよび図９Ｂで説明したように充填および平坦化の前にシリコンに形成される第１のケーソン１１４の場合における表面熱酸化によるアマグネティック層１１５の形成のための段階を含む。第１のケーソン１１４の広がった側面の１つにおけるアマグネティック材料１１５の部分は、極性部分の第２の対のヘッドギャップｅ２を形成することになる。
【０１４７】
第２のケーソン１１７は、図９Ｃで説明したように等方性エッチングによって作られる。第２のケーソン１１７は第１のケーソン１１４に隣接し、この例では図９Ｃのように、これら第１のケーソン１１４の同じ側、つまり左側にすべてが隣接する。それらを右側にすることも可能であり、それは特に第２の基板上に位置する極性部分の対の最終的な方位角に依存する。第２のケーソン１１７の位置は、特に、組み立て時に基板の１つが他の基板に対してひっくり返される時に行なわれる相対的移動に依存する。従って、方位角の符号は、第１の基板を、使われる反転のタイプに応じて第２の基板に対して組み立てる次の段階の時に変えることができる。
【０１４８】
第１の基板上に位置する極性部分の第１の対の極性部分を、後で完成される磁気回路にそれぞれ磁気的に接続することになる、磁気接続パッド１２０の対を保持するよう設計された第３のケーソン１１８の対は、第１および第２のケーソン１１４、１１７のグループの間で、例えば第２のケーソン１１７と同時に作られる。これら第３のケーソン１１８は、第１の基板１００および第２の基板１１０が、２つのうちの１つをひっくり返した後に互いに位置決めされ、組み立てられる時、１つの対の磁気パッドが極性部分の第１の対の極性部分１０８、１０６に磁気的に接続されるように配置される。基板を横断する軸の周りの１８０°の反転を、２つの基板上で要求される方位角が得られるように導入することができる。
【０１４９】
後部の磁気終端部１２２を保持するよう設計された第４の後部ケーソン１２１も、第２および第３のケーソン１１７および１１８と同じ段階で、または同時に、やはり第２の基板１１０の単結晶層１１３の等方性エッチングによって作ることができ、これらの後部の磁気終端部のそれぞれは記録および／または読取デバイスの磁気ヘッドの磁束ガイドの一部である。これら第４のケーソン１２１は、後部の磁気終端部１２２が極性部分の第１および第２の対に直面するように配置される。従って、それらは、極性部分の第２の対として同じレベル（平面）において好都合に作ることができる。
【０１５０】
磁気パッド１２０と後部の磁気終端部１２２の対に関する部分的な平面図を示した図１０Ｂを参照する。図１０Ｂにおいて、第１および第２の基板（図示せず）は適切な方法によって組み立てられ、位置決めされると想定される。
【０１５１】
磁気回路が２つの磁気的な脚と後部の磁気終端部を備えた磁束ガイドを有する場合、これら第４のケーソン１２１を作ることは特に重要である。この段階は、磁気回路がモノリシックである場合には余分なものである。
【０１５２】
これら第２のケーソン１１７、第３のケーソン１１８、および第４のケーソン１２１は、図９Ｄを参照して説明したような磁性材料で充填され、表面平坦化が行なわれる。磁性材料は、極性部分の第２の対の第２の極性部分１１９と接続パッド１２０を形成することになる。
【０１５３】
極性部分の第１および第２の対のヘッドギャップｅ１、ｅ２の方位角は、単結晶層１０３、１１３の結晶学的方向の選択に起因した要求される方法で調整された。これらの方位角は、基板の組み立て後の最終状態でそれらが反対となるべきことが要求されるならば、反対でありうる。極性部分の幅は異なる基板において必ずしも等しくないが、要求される通りに調整された。
【０１５４】
次の段階は、第１の基板１００および第２の基板１１０を、２つのうちの１つをひっくり返し、場合に応じて前記基板を横断する軸の周りに基板の１つの１８０°反転を行なった後に、それらの動作面で位置決めし、組み立てることである。それぞれの磁気パッド１２０を第１の基板の極性部分１０８、１０９と位置決めするように置く際には、注意が払われる。例えば、この位置決めは赤外線照準またはＸ線の下で行なうことができる。
【０１５５】
組み立ては、マイクロ技術の分野における当業者に知られた何らかの技術によって、また特にマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）によって行なうことができる。
【０１５６】
有利な組み立て方法は、特許文献２に記載された接着剤での貼りつけ、陽極接着、直接接着、またはフリップチップボンディングを含む。場合に応じた機械的化学的平坦化を含めた組み立てのための表面の準備は、選択される組み立てタイプに応じて必要となりうる。上記の平坦化は特に直接接着の場合において行なわれる。
【０１５７】
図１０Ｃは、組み立てられる直前の２つの基板１００、１１０を示す。平坦化された酸化物１０５、１１５が表面上に部分的に残っているのが見られ、直接接着に貢献する。この酸化物は磁性材料で充填されたケーソンの間に残っているのみである。
【０１５８】
組立の前に、絶縁層５０（例えば酸化ケイ素）、および／または、基板１００、１１０のうち少なくとも１つの表面上の磁気シールド層を、極性部分間の距離ｄを調整するように堆積することは有利である。絶縁層５０は、記録および／または読取デバイスの摩耗を制限するように、好都合に耐摩耗材料から作ることができる。この選択は基板の組み立てを容易にすることもできる。
【０１５９】
シールド層が基板のうちの１つまたは他の１つの上に位置しているか、両方の上に位置しているかどうかにかかわらず、磁気パッド１２０のところのシールド層中に開口が残ることもある。
【０１６０】
基板１００または１１０をひっくり返すことで、その基板上に位置した極性部分の対の方位角の符号を変えることができる。これは作業の方法に依存する。
基板がひっくり返されて、同時に横断する軸の周りの１８０°回転させられるならば、符号は変わることになる。
【０１６１】
次に第２の基板１１０の加工されない層１１１が除去できる。この除去は、水酸化カリウムＫＯＨなどを使った例えば化学エッチングによって、または埋め込み絶縁層１１２上で停止する機械的化学的攻撃手法によって選択的に行うことができる（図１０Ｄ）。必要ならば、埋め込み絶縁層１１２は、極性部分１１６、１１９の第２の対および磁気パッド１２０の対を出現させるか、またはほぼ出現させるために、薄くすることができる。
【０１６２】
それぞれの磁気ヘッドの磁束ガイドの残り、換言すれば、この例では磁気的な脚と、記録および／または読取手段とが、ここで作られることになる。図１０Ａにおける後部の終端磁気部が作られなければ、磁束ガイドは概ね馬蹄形のような形状になるであろう。使われた方法はフランス特許第Ａ−２，７４５，１１１号明細書に記載された方法に基づいている。
【０１６３】
この例では、記録および／または読込手段が馬蹄形の脚または枝の磁気回路を囲むソレノイドタイプの巻回物である、ということを思い出されたい。図１１Ａから図１１Ｅを参照する。図１１Ａから図１１Ｄは磁気回路の脚に沿った断面である。
【０１６４】
電気的絶縁材料層１３２によって覆われたベース層１３１（例えば半導体層）を持った第３の基板１３０が存在する。バルク基板、または場合に応じ絶縁材料によって覆われた耐摩耗材料が層１３１として良好に使われうる。第１の段階は、極性部分と後部の磁気終端部の間、または馬蹄形の枝に沿って延在することになるそれぞれのソレノイドのための導電体の第１の層を形成することである。
【０１６５】
これは、ソレノイドの磁気コアの軸に対してほぼ垂直な第１の平行なグルーブ１３４をソレノイドが位置すべき場所における絶縁層１３２に形成することによって行なわれる。これらのコアは図８Ｂに示した脚ｊ１．１、ｊ１．２、ｊ２．１、ｊ２．２に対応する。
【０１６６】
これらの第１のグルーブ１３４は、銅をベースとする導電性材料１３５を、例えば電解法によって堆積することによって埋め込まれる（図１１Ａ）。この導電性材料１３５は導電体の第１の層における導電部分を形成する。
【０１６７】
次の段階は、グルーブ１３４の上側の余分な導電性材料１３５を除去するための、例えば機械的な、好ましくは機械的化学的な平坦化である。
【０１６８】
例えば酸化ケイ素から作られた電気絶縁層１３６が、例えばＰＥＣＶＤにより、平坦化された全表面にわたって、脚に必要とされる厚さよりも厚い厚さで堆積される。絶縁層１３６は、作られる磁気回路の脚のところにおいてケーソン１３３が現われるようにエッチングされる。これらのケーソン１３３の底の厚さは、導電体の第１の層における導体を磁気回路から電気的に絶縁するのに十分なものである。場合に応じて上述のようにラミネートされた磁性材料１３７が、極性部分を作るためにこれらのケーソン１３３に堆積される（図１１Ｂ）。得られた表面は上述のように平坦化される。
【０１６９】
さて、ソレノイドの横の導体を作る。電気絶縁層１３８が平坦化された表面上に堆積される（例えばＰＥＣＶＤによる酸化ケイ素）。シンク１３９（くぼみ）が絶縁層１３８および１３６中に、導電体の第１の層における導体１３５の終端に達するまでエッチングされる。これらのシンク１３９は導電性材料１４０、例えば銅をベースとする材料で、例えば電解法によって充填される。得られた表面は上述のように平坦化される。この導電性材料はソレノイドの横の導体１４０を形成する。
【０１７０】
図１１Ｄに示された次の段階は、終端がこのように作られた横の導体１４０を露出するような、その材料中の第２のグルーブ１４２をエッチングすることによって得られた構造の表面上に、電気絶縁材料１４１の層を堆積して、ソレノイド導電体から第２の水平な層（図の上での）を作ることである。第２のグルーブは第１のグルーブ１３４と完全に平行ではなく、それらの終端の１つはソレノイドを作るような距離だけオフセットしている。第２のグルーブ１４２は、銅をベースとする材料１４３で、例えば電解法によって充填される。得られた表面は平坦化される。導電性材料１４３はソレノイド導電体の第２の層における導電体を形成する。導電性材料１４３は電気絶縁材料１４４の層で覆われる。ソレノイド導電体の終端でのコンタクト（図示せず）が計画される。
【０１７１】
図１１Ｃおよび図１１Ｄにおいてケーソン１３３は、シンク１３９と同じ断面にないことを示すために破線で示されている。実際には、これらのシンクはケーソン１３３の＜＜前に＞＞存在し、ケーソンを充填した磁性材料１３７を貫通しないが、絶縁層１３６の材料を貫通する。グルーブ１３４はケーソン１３３の軸と完全に垂直ではない。
【０１７２】
図１１Ｅは、第１の基板１００と第２の基板１１０とから形成される構造に組み立てられる直前の第３の基板１３０の、図１１Ｄの縮尺とは異なる縮尺で且つこの図の側面での形態を示す。
【０１７３】
第３の基板は、出力されたかまたは磁気ヘッドによって得られた信号を処理する信号処理手段を、場合に応じて保持することができる。
【０１７４】
第３の基板１３０と図１０Ｄに示した構造は位置決めにより配置され、２つのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられる。組み立ては上述の方法の１つを使って行なうことができる。
【０１７５】
図１２Ａでは、第３の基板１３０が、それぞれの磁気回路１３７が極性部分１０６、１０８、１１６、１１９の対と磁気的に接続されるような位置決めにより、直接または他の接着によって組み立てられ、この接続は磁気パッド１２０を介して直接的または間接的に行なわれる。唯一残っている段階は、場合に応じて、例えば絶縁層１３２上で停止するこのベース層１３１の材料を完全エッチングまたは局所的選択エッチングすることにより、全般的または部分的に、第３の基板１３０のベース層１３１を除去するということである（図１２Ｂ）。次に、記録および／または読込手段に電源を提供したり、またはそこから信号を検出するためのコンタクトを層１３２の絶縁材料を通して作ることができる。（この特定の場合にはソレノイドが１３５、１４０、１４３によって形成される。）
【０１７６】
第１の基板１００の非動作層１０１を保持しておくことは有用でありうる。この場合、それは好都合に、例えばＡｌＴｉＣ、Ｚｒ０２、ＡｌＳｉＣから成る耐摩耗材料から作ることができる。
【０１７７】
特定の基板上のそれぞれの磁気ヘッドと記録および／または読込手段のための磁束ガイドの残りを作る代わりに、図１０Ｄで説明した組立体上でそれらを作って図１１Ａから図１１Ｅで説明した段階を続けたり、または第１および第２の基板１００、１１０のうち少なくとも１つの上でそれらを作ることが可能である。このようにして得られた構造は図１２Ｂに示した構造に類似するであろう。故に、このような構造をもたらす異なった段階を示すことは必要以上のことであり、必要なすべては、図１１Ａから図１１Ｅにおける説明を参照することであって、図１０Ｄで説明したスタックの電気絶縁層１１２上に電気絶縁層１３２が堆積されるようになるということが唯一異なるということである。
【０１７８】
次の段階は図１２Ｂで得られた構造を、磁気記録メディアの磁気トラックから所定の傾斜角θを基板に持たせるように処理することである。
【０１７９】
この処理は、共通の機械的サポート上の磁気ヘッドの１つまたは複数のブロック（ストリップまたはチップ）をまとめることから成りうる。従って、機械的サポートは特にストリップ、チップなどを包含する。図１３を参照する。まず、磁気ヘッドがテストされ、そして図１２Ｂの構造がブロック３００、３０１（ストリップまたはチップ）に切断される。上述のように、数百個の磁気ヘッドが集合的に作られる。１つまたは複数のこれらブロック３００、３０１が所定の機械的サポート３５０上にマウントされる。この段階は＜＜バックエンド(back-end)＞＞または＜＜パッケージング＞＞という用語として知られている。機械的サポート３５０は、好都合に、現在、線形磁気ヘッドの製造業者に使われている例えばＡｌＴｉＣ（チタンカーバイドとアルミナ）などの耐摩耗材料から作られることになる。
【０１８０】
次の段階は、機械的サポート３５０の輪郭を、基板１００、１１０が磁気記録メディア４４のトラック４７に対して要求される傾斜角θを有することができるように、例えばその面３５１においてグラインドすることである。
【０１８１】
明らかに、機械的サポートは必ずしも必要ではない。図１２Ａに示した構造物は、それが特に小さい場合には、基板１００および１１０の外面上において傾斜角θを作るようにチップに切断する前または後で直接グラインドされうる。この場合、電気的コンタクトは、局所的エッチングによって好都合に作られることになる。
【０１８２】
本発明による記録および／または読取デバイスの第２の実施形態を説明する。この形態では磁気接続パッドの対がない。
【０１８３】
図９Ａから図９Ｄで説明した手順に続いて、第１の基板１５０（少なくとも１つが単結晶であるような例えば半導体層１５１、１５３と、例えば２つの外側層の間にサンドイッチされた第１の電気絶縁層１５２によるスタックから形成されたもの（図１４Ａ参照））の上に極性部分１０６、１０８の第１の対を作る。基板１５０はＳＯＩタイプが可能である。後部の磁気終端部を、図１０Ａ、１０Ｂで説明したように場合に応じて作ることができる。
【０１８４】
図９Ａから図９Ｄで説明した手順に続いて、第２の基板１６０（少なくとも１つが単結晶であるような例えば半導体層１６１、１６３と、例えば２つの外側層の間にサンドイッチされた第１の電気絶縁層１６２によるスタックから形成されたもの（図１４Ａ参照））の上に極性部分１１６、１１９の第２の対を作る。第２の基板１６０はＳＯＩタイプが可能である。後部の磁気終端部を、図１０Ａ、１０Ｂで説明したように場合に応じて作ることができる。
【０１８５】
第１の基板１５０および第２の基板１６０は、２つのうちの１つをひっくり返した後で、それらの動作面で位置決めされ、および組み立てられ、極性部分１０６、１０８の第１の対と極性部分１１６、１１９の第２の対とを縦方向に交互に置くことによってそれらを位置決めするように置く際に、注意が払われる（図１４Ｃ）。組み立てと位置決めは図１０Ｃで前述したように行なうことができる。絶縁層５０は、場合に応じて磁気シールドスクリーンを含んだ２つの基板の間に作ることができる。それは少なくとも１つの基板上に堆積される。
【０１８６】
無垢の外側層１６１および埋め込み（少なくとも一部）電気絶縁層１６２は、１つの基板１６０、例えば第２の基板から除去することができる（図１４Ｃ）。例えば、外側層１６１は、化学エッチング（例えば水酸化カリウムＫＯＨを使って）、または機械的化学エッチングによって除去ることができ、また埋め込み絶縁層１６２は、例えばイオン機械加工(ionic machining)、またはその他のドライエッチングによって除去することができる。
【０１８７】
薄い絶縁層が残留しうるが、その適度な厚さは磁気連続性を可能にする。この電気絶縁層は特に、いくつかのケースで有利でさえある。というのは、それは異なった要素間の磁気的結合を可能にし、渦電流に起因した影響を低減するからである。
【０１８８】
図１４Ｄを参照する。例えば図１１Ａから１１Ｅで説明したようなソレノイドタイプの、第１の磁気回路磁束ガイド１７３と第１の記録および／または読込手段１７４が、第３の基板１７０（ベース層１７１、電気絶縁層１７２で被覆された例えば半導体および／または耐摩耗層から形成されたもの）の上に作られ、これら第１の磁束ガイド１７３と、これら第１の記録および／または読込手段１７４とが、極性部分の第１の対または極性部分の第２の対と協働するよう設計される。説明した例は極性部分１１６、１１９の第２の対に関連する。従って、この第３の基板１７０には前の実施形態よりも少ない磁束ガイドが提供される。
【０１８９】
図１４Ｅでは、第３の基板１７０は、２つのうちの１つをひっくり返した後で、図１４Ｃに示す構造と位置決めされ、および組み立てられ、それらの位置決めに注意が払われる。この組み立ては図１２Ａで説明したように行なうことができる。
【０１９０】
そして第３の基板１７０上に配置された第１の磁束ガイド１７３は、第２の基板１６０上に位置した極性部分１１６、１１９の第２の対の１つとそれぞれ磁気的に接続される。
【０１９１】
明らかに、前の実施形態の記載において説明したように第３の基板なしで成し遂げることが可能である。磁束ガイドと記録および／または読取手段は、作業した基板１５０、１６０の１つの上に直接堆積されることとなる。２つの基板は、加工されないサポート層の除去の後に好都合にスーパーストレート(superstrate)を使って、図１４Ｃに示したように組み立てることができる。
【０１９２】
次の段階は、材料１５１の加工されない層、および第１の基板１５０の埋め込み絶縁層１５２（少なくとも一部）を除去することである。層１５１は、化学エッチング（例えば水酸化カリウムＫＯＨを使って）、または機械的化学エッチングによって除去することができ、また埋め込み絶縁層１５２は、例えばイオン機械加工(ionic machining)、またはその他のドライエッチングによって除去することができる（図１４Ｆ）。
【０１９３】
図１４Ｇは、第３の基板上での方法と同じ方法でベース層１８１から形成された第４の基板１８０（例えば半導体および／または耐摩耗層）から作られ、電気絶縁層１８２で被覆された、例えば図１１Ａから図１１Ｅで説明したようなソレノイドタイプの、第２の磁束ガイド１８３と第２の記録および／または読込手段１８４を示す。これら第２の磁気回路１８３およびこれら第２の記録および／または読込手段１８４は、極性部分１０６、１０８の第１の対を備えた例において、極性部分の他の対と協働することになる。
【０１９４】
図１４Ｈでは、第４の基板１８０と図１４Ｆに示した構造が、２つのうちの１つをひっくり返した後に、位置決めされ、組み立てられる。この配置は、例えば図１２Ａで説明したような位置決めにより行われた。そして、第４の基板１０８上に配置された第２の磁気回路１８３のそれぞれは、第１の基板１５０上に位置した極性部分１０６、１０８の第１の対の１つに磁気的に接続される。
【０１９５】
例えば機械的サポート３５０上にまとめる前に、または、補足的なサポートなしでの使用のために、化学的、機械的化学的、またはグラインディングなどの機械的方法によりベース層１７１、１８１を薄くすることまたはエッチングによって、あるいはそれらの両方によって、組立体の厚さを薄くすることもできるであろう。
【０１９６】
記録および／または読込手段の電気的コンタクト（図示せず）を、内部接続技術を使って、または例えば局所的エッチング（ドライまたは湿式）によって作ることができる。
【０１９７】
そして、多数の磁気ヘッドの１つまたは複数のチップは、図１３に記載のように機械的サポート上にマウントできる。そして機械的サポートは、この図１３を参照して説明したようにグラインドすることもできる。
【０１９８】
さて、本発明による記録および／または読取デバイスの第３の実施形態を説明する。
【０１９９】
極性部分１０６、１０８の第１の対および場合に応じた後部の磁気部分が、例えば図９Ａから図９Ｄ、図１０Ａおよび図１０Ｂで説明したように第１の基板１５０上に作られる。そして、磁気回路の第１の磁束ガイド１８３と第１の記録および／または読込手段１８４が、例えば図１４Ｇを参照しながら説明したように第２の基板１８０の上に作られる。
【０２００】
第１の基板１５０および第２の基板１８０は、２つのうちの１つをひっくり返した後で、それぞれの第１の磁束ガイド１８３が極性部分１０６、１０８の第１の対の１つに磁気的に接続されるように配置され、位置決めされ、組み立てられる。このような第１の構造を図１５Ａに示す。
【０２０１】
そして、類似の、極性部分１１６、１１９の第２の対および場合に応じた後部の磁気部分が第３の基板１６０上に作られ、第２の磁束ガイド１７３および第２の記録および／または読取手段１７４が、同じ方法で第４の基板１７０上に作られる。第３の基板１６０および第４の基板１７０は、図１５Ａに示したものと類似の第２の構造を得るように２つのうちの１つをひっくり返した後で、配置され、位置決めされ、組み立てられる。
【０２０２】
加工されない層１５１、１６１および誘電体材料１５２、１６２の層は、第１の基板１５０および第３の基板１６０から少なくとも部分的に除去される。
【０２０３】
２つの構造は、２つのうちの１つをひっくり返した後に加工直後のそれらの面を介して配置され、位置決めされ、組み立てられ、極性部分の第１の対および極性部分の第２の対を千鳥配置となるよう配置するのに注意が払われる（図１５Ｂ）。組み立てと位置決めは図１０Ｃを参照して上述したように行うことができる。加工されない層１７０、１８０の１つは除去することができ、および／または、第２の層は例えば化学エッチングによって部分的に除去することができる。
【０２０４】
記録および／または読込手段のコンタクト（図示せず）を、内部接続技術を使って、または例えば局所的エッチング（ドライまたは湿式）によって作ることができる。
【０２０５】
次の段階は、多数の磁気ヘッドの１つまたは複数のチップを、図１３に記載のような所定の機械的サポート上で組み立てることである。そして図１３の記載において説明したようにグラインドすることもできる。
【０２０６】
さて、本発明による読取デバイスを作るための方法を説明する。ここでは、読取手段は磁気抵抗性である。それぞれの磁気回路がソレノイドの代わりに巨大磁気抵抗を備えたロッドｂｍ１、ｂｍ２に協働すること以外は、図８Ｂに類似した図１６を参照する。
【０２０７】
出発点は、第１および第２の基板１００、１１０それぞれの上に配置された極性部分１０６、１０８、１１６，１１９の第１および第２の対を備えた図１０Ｄに示したような構造であり、これら２つの基板１００、１１０はお互いに対して組み立てられたものである。磁気接続パッド１２０の対および場合に応じた後部の磁気終端部（図示せず）は、やはり基板１１０の１つの上に作られている（図１７Ａ）。
【０２０８】
図１１を参照しながら上述したのとほぼ同じ方法で、磁気回路の磁束ガイド２００が少なくとも部分的に第３のサポート１３０上に作られうる。ヘッドギャップｅｇを、これらの磁束ガイドに脚ｊ２．２、ｊ１．２において提供することができる。読取手段２０１は、例えば磁気抵抗、巨大磁気抵抗（または場合に応じて少し異なる方法によるトンネル磁気抵抗）を備えたロッドから形成され、絶縁材料の上に適切な磁気抵抗層を堆積し、次に要求される輪郭にエッチングし、余分な材料を除去して、最終的に絶縁層を堆積することによって、磁気回路のそれぞれに対して作られる。それぞれのロッド２０１は場合に応じて磁束ガイドのヘッドギャップ（図１７Ｂでは図示しないが図１６では見られる）に近接する。ヘッドギャップは図１６では見られる。
【０２０９】
変形として、磁束ガイド２００は除去することができ、磁気抵抗ロッド２０１は完全な磁気回路を形成するために極性部分の対と協働させることができる。
【０２１０】
第３の基板１３０と図１７Ａの構造は、２つのうちの１つをひっくり返した後で、それぞれの磁気回路が極性部分の第１の対または極性部分の第２の対に磁気的に接続されるように配置され、位置決めされ、組み立てられる。
【０２１１】
第３の基板１３０の加工されない層１３１は、巨大磁気抵抗ロッド２０１に電力を供給するためのコンタクトを作るように、例えば化学的または機械的化学的エッチングによって少なくとも部分的に除去される。
【０２１２】
誘導性の記録および／または読込手段に関するのと同様に、第１の基板１００の層１０３および／または第２の基板１１０の層１１３の上に直接、上述の読取手段を作ることもでき、そしてこれらは、第３の基板を貫通せずに図１７Ａの層５０に埋め込まれる。
【０２１３】
次の段階は、多数の磁気ヘッドの１つまたは複数のチップ（組み立てられた基板の１つまたは複数の対）を、図１３に記載のものと同じ機械的サポート上で組み立てることである。そして図１３の記載の際に説明したようにグラインドすることもできる。
【０２１４】
明らかに、誘導性の記録および／または読込デバイスについて上述した変形例の１つに従って、磁気抵抗を備えた読取デバイスを作ることは可能であろう。
【０２１５】
図１７Ｃは、本発明による読取デバイスの他の変形例の断面図を示す。読取手段は磁気抵抗タイプのものであって、磁気抵抗を備えたロッドの形態にある。それらは２０１の参照符号であり、またそれらは層５０の中と層１３００の中に分配される。磁気接続パッドの対に関する必要性はもはやない。というのは、層５０における磁気抵抗ロッド２０１は第１の基板１００の極性部分１０６，１０８の対と直接協働する一方で、層１３００における磁気抵抗ロッド２０１は第２の基板１１０の極性部分１１６、１１９の対と直接協働するからである。信号処理手段３０２、例えばプリアンプ（前置増幅器）、マルチプレクサ、デマルチプレクサなどが、読取手段２０１と協働する。それらは、スタックの上にある基板４００、またはそのスタックの層１３００に作られた層に作られる。それらは層１３００上のスタックの表面上にマウントされうる。それらは読取手段２０１に配置され、位置決めされる。それらは、第２の基板１１０を貫通する接続ビア３０３を通して読取手段２０１に電気的に接続される。類似の構造を、記録手段、または記録読込手段と協働する信号処理手段で得ることができるであろう。これらの形態は、何も追加することにならないので、図面の数を不必要に増やすことを避けるために示していない。
【０２１６】
上記のすべての説明は、接着剤での貼りつけ、直接接着、または陽極接着による組み立てに基づいているが、基板を共に組み立てる他の方法を使うことができる。１つはフリップチップボンディングまたはボールボンディングによる組み立てである。図１８は本発明による書込および読込デバイスを図式的に示し、そこでは、磁気ヘッドの極性部分２１１の第１の対を搭載した第１の基板２１０が、可融性の合金から作られたバンプ２３０によって、磁気ヘッドの極性部分２２１の第２の対を搭載した第２の基板２２０に組み立てられる。
【０２１７】
この解決策は、非常に正確な（サブミクロン級の）Ｘ−Ｙの位置決めを与え、また異なる基板の間の電気的接続を作ることができる。フランス特許第Ａ−２，８０７，５４６号明細書は特にプリンタヘッドのためのこの組み立て方法を記載しており、これがこれ以上の詳細な説明をここで与えていない理由である。
【０２１８】
本発明のいくつかの実施形態を示し詳細に説明してきたが、様々な変更と改良を、本発明の範囲を逸脱することなく成すことができる、ということが理解されるべきである。
【０２１９】
例えば、これらの方法における段階は、互いに組み合わせることができる。磁気回路と記録および／または読込手段に関する本発明に従って、説明した形態の２つまたは３つ、すなわち極性部分の対に協働する磁気抵抗ロッド、磁束ガイドに協働する磁気抵抗ロッド、および巻回物に囲まれた磁束ガイドを、一つのデバイスに組み合わせることが想定されうるであろう。読取ヘッドと記録ヘッドは同じ基板上に組み合わせられうる。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】（すでに説明した）従来技術による線形記録および／または読込デバイスを示す。
【図２】（すでに説明した）特許文献１に示されたような記録および／または読込デバイスを示す。
【図３】本発明による記録および／または読込デバイスの複数の変形例を示す図である。
【図４】本発明による記録および／または読込デバイスの複数の変形例を示す図である。
【図５】本発明による記録および／または読込デバイスの複数の変形例を示す図である。
【図６】本発明による記録および／または読込デバイスの複数の変形例を示す図である。
【図７】本発明による記録および／または読込デバイスの複数の変形例を示す図である。
【図８Ａ】製造方法を明細書において説明する記録および／または読込デバイスの側面図である。
【図８Ｂ】製造方法を明細書において説明する記録および／または読込デバイスの透視図である。
【図９Ａ】第１の基板上で、本発明による記録および／または読込デバイスの極性部分の第１の対を製造する段階を示す。
【図９Ｂ】第１の基板上で、本発明による記録および／または読込デバイスの極性部分の第１の対を製造する段階を示す。
【図９Ｃ】第１の基板上で、本発明による記録および／または読込デバイスの極性部分の第１の対を製造する段階を示す。
【図９Ｄ】第１の基板上で、本発明による記録および／または読込デバイスの極性部分の第１の対を製造する段階を示す。
【図１０Ａ】第２の基板上で、本発明による記録および／または読込デバイスの極性部分の第２の対と、磁気接続パッドの後部の磁気部分の対と、を製造する段階を示す。
【図１０Ｂ】第２の基板上で、本発明による記録および／または読込デバイスの極性部分の第２の対と、磁気接続パッドの後部の磁気部分の対と、を製造する段階を示す。
【図１０Ｃ】第１および第２の基板の組み立てを示す。
【図１０Ｄ】第１および第２の基板の組み立てを示す。
【図１１Ａ】第３の基板上で、磁気回路（一部）、並びに本発明による記録および／または読込デバイスの記録手段および／または読込手段を製造する段階を示す。
【図１１Ｂ】第３の基板上で、磁気回路（一部）、並びに本発明による記録および／または読込デバイスの記録手段および／または読込手段を製造する段階を示す。
【図１１Ｃ】第３の基板上で、磁気回路（一部）、並びに本発明による記録および／または読込デバイスの記録手段および／または読込手段を製造する段階を示す。
【図１１Ｄ】第３の基板上で、磁気回路（一部）、並びに本発明による記録および／または読込デバイスの記録手段および／または読込手段を製造する段階を示す。
【図１１Ｅ】図１１Ｄの側面図である。
【図１２Ａ】図１０Ｄの構造に第３の基板を組み立てる階段を示す図である。
【図１２Ｂ】図１０Ｄの構造に第３の基板を組み立てる階段を示す図である。
【図１３】同じ機械的サポート上に磁気ヘッドの２つのグループをまとめる状況を示し、これらの磁気ヘッドのグループは磁気記録メディア上のトラックから同じ傾斜角を持っている。
【図１４Ａ】組み立ての際に両方の軸の周りに１８０°の反転が行われた、本発明による記録および／または読込デバイスの変形例を生産する段階を示す。
【図１４Ｂ】組み立ての際に両方の軸の周りに１８０°の反転が行われた、本発明による記録および／または読込デバイスの変形例を生産する段階を示す。
【図１４Ｃ】組み立ての際に両方の軸の周りに１８０°の反転が行われた、本発明による記録および／または読込デバイスの変形例を生産する段階を示す。
【図１４Ｄ】組み立ての際に両方の軸の周りに１８０°の反転が行われた、本発明による記録および／または読込デバイスの変形例を生産する段階を示す。
【図１４Ｅ】組み立ての際に両方の軸の周りに１８０°の反転が行われた、本発明による記録および／または読込デバイスの変形例を生産する段階を示す。
【図１４Ｆ】組み立ての際に両方の軸の周りに１８０°の反転が行われた、本発明による記録および／または読込デバイスの変形例を生産する段階を示す。
【図１４Ｇ】組み立ての際に両方の軸の周りに１８０°の反転が行われた、本発明による記録および／または読込デバイスの変形例を生産する段階を示す。
【図１４Ｈ】組み立ての際に両方の軸の周りに１８０°の反転が行われた、本発明による記録および／または読込デバイスの変形例を生産する段階を示す。
【図１５Ａ】本発明による記録および／または読込デバイスの他の変形例を生産する段階を示す。
【図１５Ｂ】本発明による記録および／または読込デバイスの他の変形例を生産する段階を示す。
【図１６】読取手段が磁気抵抗バーから形成されている、本発明による読取デバイスの変形例の透視図である。
【図１７Ａ】図１６に示した読取デバイスを生産する段階を示す。
【図１７Ｂ】図１６に示した読取デバイスを生産する段階を示す。
【図１７Ｃ】本発明による読取デバイスの他の変形例を示す。
【図１８】基板の正確な配列を可能にする溶融ボールによって組み立てる直前に、極性部分の対を搭載する２つの基板を示す。
【符号の説明】
【０２２１】
３０．１〜３０．４、３１．１〜３１．４  極性部分
３５  磁気メディア
３６  磁気トラック
４１  磁気記録ヘッド
４１．１、４１．２  極性部分
４２  磁気読取ヘッド
４３  磁気シールドスクリーン
４５  共通のサポート
４５．１、４５．２、４６．１、４６．２  サポート
４８  サポート間層
４９  電気絶縁シム
５０  絶縁層（磁気シールド）
１００  第１の基板
１０２、１１２  電気絶縁層
１０４、１１４  第１のケーソン
１０６、１０８  極性部分
１０７、１１７  第２のケーソン
１１０  第２の基板
１１１、１１３  外側層
１１６、１１９  極性部分
１１８  第３のケーソン
１２０  磁気接続パッド
１３０  第３の基板（追加のサポート）
１３２  絶縁層
１３５、１４０、１４３  導電性材料（記録および／または読取手段）
１３７  磁性材料（磁束ガイド）
１５０  第１の基板
１６０  第２の基板
１７０  第３の基板
１８０  第４の基板
３０２  信号処理手段
１００１、１００２  サポート
α１  第１のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップの方位角
α２  第２のサポート上の極性部分の対のヘッドギャップの方位角
θ  磁気トラックからのサポートの傾斜角
θ１、θ２  傾斜角
ｄ  極性部分間の距離
ｅ１、ｅ２  ヘッドギャップ
Ｐ１  第１のサポート上の極性部分の対の幅
Ｐ２  第２のサポート上の極性部分の対の幅
Ｂ１  第１のブロック
Ｂ２  第２のブロック
ｓ１．１、ｓ１．２、ｓ２．１、ｓ２．２  ソレノイド巻回物
ｂｍ１、ｂｍ２  ロッド
ｃ１、ｃ２  磁束ガイド
【図１】
2008519385.tif 000003
【図２】
2008519385.tif 000004
【図３】
2008519385.tif 000005
【図４】
2008519385.tif 000006
【図５】
2008519385.tif 000007
【図６】
2008519385.tif 000008
【図７】
2008519385.tif 000009
【図８Ａ】
2008519385.tif 000010
【図８Ｂ】
2008519385.tif 000011
【図９Ａ】
2008519385.tif 000012
【図９Ｂ】
2008519385.tif 000013
【図９Ｃ】
2008519385.tif 000014
【図９Ｄ】
2008519385.tif 000015
【図１０Ａ】
2008519385.tif 000016
【図１０Ｂ】
2008519385.tif 000017
【図１０Ｃ】
2008519385.tif 000018
【図１０Ｄ】
2008519385.tif 000019
【図１１Ａ】
2008519385.tif 000020
【図１１Ｂ】
2008519385.tif 000021
【図１１Ｃ】
2008519385.tif 000022
【図１１Ｄ】
2008519385.tif 000023
【図１１Ｅ】
2008519385.tif 000024
【図１２Ａ】
2008519385.tif 000025
【図１２Ｂ】
2008519385.tif 000026
【図１３】
2008519385.tif 000027
【図１４Ａ】
2008519385.tif 000028
【図１４Ｂ】
2008519385.tif 000029
【図１４Ｃ】
2008519385.tif 000030
【図１４Ｄ】
2008519385.tif 000031
【図１４Ｅ】
2008519385.tif 000032
【図１４Ｆ】
2008519385.tif 000033
【図１４Ｇ】
2008519385.tif 000034
【図１４Ｈ】
2008519385.tif 000035
【図１５Ａ】
2008519385.tif 000036
【図１５Ｂ】
2008519385.tif 000037
【図１６】
2008519385.tif 000038
【図１７Ａ】
2008519385.tif 000039
【図１７Ｂ】
2008519385.tif 000040
【図１７Ｃ】
2008519385.tif 000041
【図１８】
2008519385.tif 000042
【国際調査報告】
2008519385.tif 000043
2008519385.tif 000044
2008519385.tif 000045
2008519385.tif 000046
2008519385.tif 000047
2008519385.tif 000048