【事件の表示】
　特許第２９７０８１３号「スパッタリングターゲットおよびその製造方法，およびそのターゲットを用いて形成された記録薄膜，光ディスク」の請求項１、２、４及び５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９７０８１３号の請求項１、２、４及び５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第２９７０８１３号（平成１年１１月２０日出願、平成１１年８月２７日設定登録）の請求項１、２、４及び５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１、本件発明２、本件発明４及び本件発明５」という）は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２、４及び５に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
２．特許異議申立ての理由の概要
（申立ての理由）
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証を提出して、本件請求項１、２、４及び５に係る発明は、この証拠に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
（証拠の記載内容）
　特許異議申立人が提出した甲第１号証には、次の事項が記載されている。
甲第1号証：特開昭６３−６０２７３号公報
（イ）「テルルを５０ｗｔ％以上含むスパッタリングターゲットであって、ターゲットを加熱した時に生ずる不可逆的膨張率が３３０℃で５時間加熱した時の線膨張率で０．１％であり、相対密度が９０％以上である事を特徴とするテルル系スパッタリングターゲット。」（第１頁左欄第６行乃至第１１行）
（ロ）「テルル系スパッタリングターゲットは、光ディスク用のテルル系光記録媒体薄膜層の製造に用いられる。」（第２頁左上欄第１０行乃至第１２行）
（ハ）「本発明者らは、上述したようなテルル系スパッタリングターゲットの問題点を解決する為に、鋭意研究した結果、割れ、剥離、局部的溶融等の主原因がターゲット材の加熱による不可逆的な膨張にある事を発見した。」（第２頁左下欄第８行乃至第１２行）
（ニ）「本発明に於いて使用する原料は、５０ｗｔ％以上のテルルを含有する粉末であり、目的組織のテルル合金粉末、又は、最終的に目的組織になるように配合した混合粉末のどちらでもよい。原料粉末を構成するテルル以外の添加元素としては、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、セレン、銀、インジウム、スズ、アンチモン、鉛などが用いられる。粉末の粒度、ホットプレス条件は各々の目的組織に対して最適の条件を選べばよい。本発明の方法に於いては、混合粉末を原料として用いた場合でも、充分な熱処理を行う為、組織は安定な均一組織となり上述したような問題を起こさずにスパッタリングする事ができる。」（第３頁左上欄第１７行乃至右上欄第９行）
（ホ）「ターゲットの相対密度が９０％未満の場合には、この不可逆的膨脹は非常に小さいが、ターゲットの強度、吸湿性等の点から９０％未満のものはターゲットとして不適当である。」（第２頁右下欄第１９行乃至第３頁左上欄第２行）
（当審の判断）
　甲第１号証には、上記（イ）及び（ハ）の記載から「テルル系のスパッタリングターゲット」に関し、スパッタリングターゲットの割れ、剥離、局部的溶融等の主原因がターゲット材の加熱による不可逆的な膨張にある事を発見したため、その解決手段として、「テルルを５０ｗｔ％以上含むスパッタリングターゲットであって、ターゲットを加熱した時に生ずる不可逆的膨張率が３３０℃で５時間加熱した時の線膨張率で０．１％であり、相対密度が９０％以上である事を特徴とするテルル系スパッタリングターゲット」（以下、「甲第１発明」という）が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第１発明とを対比すると、両者は、共に「テルル系のスパッタリングターゲット」であって、その密度比も重複している部分があるから、少なくとも次の点で相違していると云える。
相違点：本件発明１は「スパッタリングターゲットの（ｉ）密度比のばらつきを±１．０％以内、および（ｉｉ）組成比のばらつきを±０．０５％以内に設定」しているのに対し、甲第１発明は、これらの物理的・化学的性質を特定していない点
　次に、これら相違点について検討する。
　特許異議申立人は、これら相違点について、特許異議申立書において「一般に使用される光ディスク用記録薄膜を形成するために必要なターゲットの条件を考えることが必要であるが、ターゲットの密度や組成のばらつきを生ずるようにターゲットを製造することはあり得ない。当然のことながら、密度比のばらつきを０％とし、組成比のばらつきを０％にするものであり、すくなくともそれが目標値である。請求項１の発明は、このような当然実施されている又は目標値を単に数値で表現したに過ぎないのである。」（特許異議申立書第４頁第２８行乃至第５頁第５行）また、甲第１号証の上記（ニ）を根拠に、「溶解鋳造材や仮焼結体を使用せずに、テルルと合金を形成する元素との、それぞれの単体の粉末を混合し焼結してターゲットを製造する技術はすでに知られた技術である。このような技術においては、上記本件特許出願人の従来技術の認識からすれば、当然ながら「密度のばらつきを±１．０％以内および組成比のばらつきを±０．５％以内」は達成されていたと考えるべきものである。また、このような本件特許出願人の従来技術の認識から離れて考えてみても、少なくともこの程度のことは、一般にターゲットの均一性を図ることを常識としている当業者ならば容易になし得たことである。」（特許異議申立書第５頁第２８行乃至第６頁第７行）と主張している。
特許異議申立人の上記主張は、要するところ、スパッタリングターゲットは、一般に均質なものが求められているのであり、本件発明と同様な製造方法で単体の粉末原料から得られる甲第１発明もそのターゲットは均質なものであるか、あるいは、ターゲットの材質の均質化を図ることは当業者であれば容易になし得ることであるというものである。。
　そこで、検討するに、本件発明１のスパッタリングターゲットの密度比の設定理由については、特許明細書に次のとおり記載されている。
（ａ）「ターゲットの密度比は、ターゲット中のポアの数に逆比例する。そしてポアの存在はターゲットを構成する複数の成分がスパッタ面に拡散・移動する際の、各成分の移動速度をそれぞれ制御する。したがってターゲットの密度比を増減することによって、記録薄膜の組成を所望の比率に制御することができる。」（本件特許公報第３頁右欄第２行乃至第８行）（ｂ）「そしてターゲットの密度比は、要求される組成割合に従って６０〜９５％の範囲に設定される。・・・一方密度比が９５％を超えるとターゲット組成を変えても所望の膜組成の制御が困難になるからである。好ましくは６５−９０％、さらに好ましくは７０〜８５％である。」（本件特許公報第３頁右欄第９行乃至第１７行）
また、ターゲットの密度比及び組成比のばらつきについては、「ターゲットの密度比および組成比のばらつきは、そのまま薄膜組成の変動や膜形成操作の安定性に大きく影響されるため・・・上記範囲外になると所望の均一な膜組成が得られにくくなり、」（本件特許公報第３頁右欄第１８行乃至第２５行）と記載されている。
　これら記載に徴すれば、本件発明１において、「密度比６０〜９５％」及び「密度比のばらつき±１．０％以内および組成比のばらつき±０．０５％以内」と限定する技術的な意味は、「スパッタリングターゲット自体」の材質の均質性をねらいとするというよりは、このターゲットを使って成膜される「記録薄膜」の組成比の制御や変動のない均一な組成比の確保等をねらいとするものであり、しかも、これらねらいは、上記構成が相俟って実現されることは明らかであるから、ターゲット自体の均質性の点だけから、甲第１号証以外の証拠もなく本件発明１の進歩性を否定する特許異議申立人の上記主張は、採用することができない。
　因みに、このような観点で甲第１号証についてさらに検討すると、甲第１発明の「相対密度比９０％以上」の限定理由は、甲第１号証の上記（ホ）から明らかな如く、ターゲット自体の強度等のためのみであり、本件発明１の如き「記録薄膜の組成比の制御」のためではない。また甲第１号証には、ターゲットの密度比と記録薄膜の組成比の制御との相関関係を示す何らの記載もなく、ターゲットの「均一組織」について記載されている内容も「充分な熱処理を行う為、組織は安定な均一組織となり」という熱処理に関するものである。
　してみると、本件発明１と甲第１発明とは、ターゲットの密度比の点で形式上重複する範囲が存在するものの、本件発明１の「密度比」の限定理由や効果が、上述のとおり甲第１発明のものと技術上別異のものであり、しかも甲第１号証には、「密度比や組成比のばらつき」について、さらにはターゲットの「密度比」と「記録薄膜の組成比の制御」との相関関係についても何ら示唆されていないから、このような甲第１号証の記載に基づいて、本件発明１の如くその密度比や組成比のばらつきを設定することは当業者といえど容易にできることではないと云うべきである。
　そして、本件発明１は、スパッタリングターゲットの密度比に加え上記密度比や組成比のばらつきを特定することにより、特許明細書に記載されたような所望組成の記録薄膜を安定して連続的に形成するスパッタリングターゲットを提供することができるという効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、上記甲第１号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　また、本件発明２、４及び５は、少なくとも請求項１を引用するものであるから、本件発明１と同様、上記甲第１号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
３．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月１５日（２００１．３．１５）