【事件の表示】
　特許第２８８０７２６号「半導体装置の製造装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８０７２６号の特許を維持する。
【理　由】
 I．手続の経緯
　本件特許第２８８０７２６号発明（請求項の数１）は、平成１年５月８日に出願され、平成１１年１月２９日に特許の設定の登録がなされたところ、その発明の特許に対し、鈴木俊孝（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、当審において取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１２年４月４日に訂正請求がなされた。
　
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）について次の訂正をしようとするものである。（なお、訂正があった記載の対応個所には下線を施した。）
（１）訂正事項ａ
　特許明細書の「特許請求の範囲」に
　「
真空処理室と排気ポンプ
真空処理室と前記排気管
　「【請求項１】
排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室
排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室と
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の第２頁第１１〜１５行（特許公報第２欄第１０〜１３行）に
　「本発明の半導体装置の製造装置は、
真空処理室と排気ポンプ
真空処理室と排気管
　「本発明の半導体装置の製造装置は、
排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室
排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室と
　
２．訂正の目的、新規事項禁止、拡張・変更禁止の各要件についての判断
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書に記載された「真空処理室」を「リーク用ガス導入口を備えた真空処理室」と限定しようとするものであり、また、「真空処理室」と「排気ポンプ」及び「真空処理室」と「排気管」の語順を入れ替えたのは、「リーク用ガス導入口」を備えているのが「真空処理室」であることを明確にして、記載が不明確になることを避けるためであるから、この訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、特許明細書の発明の詳細な説明の欄の第１の実施例についての説明部分には、「リーク用Ｎ２ガス導入口２を持ち半導体基板７を入れる真空処理室としての炉心管１」（特許公報第３欄第１〜２行）との記載があり、また、第１図又は第２図には、「リーク用Ｎ２ガス導入口２」が真空処理室としての「炉心管１」又は「エッチング室８」に接続されていることが示されている。
　従って、訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであり、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、上記訂正事項ａによって、特許請求の範囲を減縮することに伴って、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、この訂正は願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
３．独立特許要件について
３−１．訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室とを接続する排気管の途中に遮断バルブを有する半導体装置の製造装置において、前記排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室との接合部に第２の遮断バルブを設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。」（以下、「訂正発明」という。）
３−２．当審が通知した取消理由の概要
　請求項１に係る発明は、特開昭６１−１２４１２４号公報（特許異議申立ての甲第３号証に相当する。以下、「引用例」という。）に記載された発明であるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである。
３−３．引用例の記載事項
（１）　第１頁左下欄第１９行〜同頁右下欄第１行
　「本発明は水素化された非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと略）の製造装置ならびにその方法に関するものである。」
（２）　第２頁左上欄第１１行〜同頁右上欄第６行
　「第１図は本発明による非晶質シリコン製造装置の要部断面図である。真空容器１中に基板加熱ヒータ２を内蔵し基板３を支持した基板側電極４と、これに対向するように放電電力供給側電極５が配されている。…（中略）…真空容器１の排気は配管１０によって行なわれ接続部品１１によって排気系（図示せず）と接続されている。まず基板３を電極４に取り付けバルブ２０、２１を開けて真空にしながらヒータ２によって基板３を加熱し脱ガスを行なう。その後バルブ２０、２１を閉じリークバルブ２２を開けて接続部品１１によって容器１と排気系とを切り離す。」
（３）　第２頁左下欄第１〜６行
　「一定時間放電させた後、ＰＨ３かＰＨ３とＳｉＨ４の混合ガスまたはＢ２Ｈ６かＢ２Ｈ６とＳｉＨ４の混合ガスを真空容器１内に導入して放電を続けると前工程でｉ型のａ−Ｓｉ膜が形成されているのでｉ型／ｎ型またはｉ型／Ｐ型の膜構成が実現される。」
（４）　第２頁左下欄第７〜１２行
　「放電完了後、ヒータ電源３０および放電電源６から真空容器１を切り離し、接続部品１１によって再び排気系と接続する。この時は排気されるガスは有毒または可燃性ガスであるためガス処理装置に接続された排気系でなければならない。十分に排気し基板温度を下げて基板を取り出す。」
（５）　第３頁第１図
　第１図には、バルブ２０を有する排気用配管１０を備えた真空容器１と、リークバルブ２２及びバルブ２１を備えた排気系配管とを配管接続部品１１によって接続した非晶質シリコン製造装置が示されている。
３−４．対比・判断
（１）訂正発明と引用例に記載された発明との対比
（１−１）一致点
　上記「II．３−３」で示した引用例の摘記事項（以下、「摘記事項」という。）の（３）によると、引用例の非晶質シリコン製造装置は「半導体装置の製造装置」であるといえる。
　引用例における「真空容器１」は、訂正発明における「真空処理室」に相当する。
　また、引用例に記載のものにおいては、真空処理室を排気するための「排気ポンプ」が設けられることは明らかであり、そして、引用例記載のものにおける「バルブ２１」は「真空容器１」（真空処理室）と前記「排気ポンプ」とを接続する排気管の途中に設けられているものと認める。
　そうすると、訂正発明と引用例に記載の発明とは次の構成の点で一致する。
  「排気ポンプと真空処理室とを接続する排気管の途中に遮断バルブを有する半導体装置の製造装置において、前記排気管と真空処理室との接合部に第２の遮断バルブを設けた半導体装置の製造装置。」
（１−２）相違点
　訂正発明においては、「リーク用ガス導入口」が「真空処理室」に備えられているのに対し、引用例に記載のものは、摘記事項（２）、（５）によると、「リーク用ガス導入口」は接続部品１１とバルブ２１との間に設けられている点
（２）相違点についての検討
　引用例に記載のものは、摘記事項（２）に「バルブ２０、２１を閉じリークバルブ２２を開けて接続部品１１によって容器１と排気系とを切り離す。」とあるように、そのリークバルブは、真空容器１と排気系とを切り離す際にバルブ２０と２１との間の空間を大気圧に戻すために設けられているものである。
　従って、引用例記載のものにおいて、リークバルブを真空容器に直接設けることは記載されていないし、また、引用例記載のものにおいて、リークバルブを真空容器に直接設けるようにすることが自明のことであるとも認められない。
（３）まとめ
  上記のとおりであるから、訂正発明は引用例に記載された発明であるとすることはできず、訂正発明の特許が、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものとすることはできない。
　したがって、訂正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
４．訂正の認否
　以上のとおりであるから、上記訂正は平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成六年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立について
　
１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、訂正明細書が本件特許明細書であり、また、本件請求項１に係る発明は、前記「II．３−１」において摘記したとおりの「訂正発明」である（以下、「本件発明」という。）。
　
２．特許異議申立の理由の概要
　申立人は、甲１〜５号証刊行物を証拠方法として提出して、次の理由１〜３により請求項１に係る発明の特許は取り消されるべきであると主張している。
（１）理由１
　請求項１に係る発明は、甲第１、２、３号証に記載された発明であるから、該発明に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。（２）理由２
　請求項１に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）理由３
　請求項１に係る発明の特許は、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　
３．証拠方法
（１）甲第１号証：実願昭５７−８８７４９号（実開昭５８−１９２９４５号）のマイクロフィルム
（２）甲第２号証：特開昭６３−１９３５１８号公報
（３）甲第３号証：特開昭６１−１２４１２４号公報
（４）甲第４号証：特開昭５５−１３１１７５号公報
（５）甲第５号証：特開昭６１−１００９２６号公報
　
４．甲第１〜５号証の記載事項
（１）甲第１号証
（１−１）　第１頁第５行〜第２頁第７行
　「チエンバー内で少なくともＳｉを含むガスによるプラズマ状態を生じさせることにより導電性基体にアモルファスシリコン感光体を成膜する成膜装置において、前記チエンバーと連通して設けられ前記チエンバー内の少なくともＳｉを含むガスを排気させるための排気系統と前記チエンバーとの間に連通して設けられ前記排気系統の排気力により前記チエンバー内に生成される粉状Ｓｉを吸引回収するダクトトラツプと、このダストトラップに付設され前記ダストトラップ内部に高圧ガスを導入させるためのリーク弁と、前記ダストトラップに第１のバルブを介して連結され前記ダストトラップ内に回収される粉状Ｓｉを吸引除去する電動吸引清浄器とを具備して成り、アモルファスシリコン感光体の導電性基体への成膜中は前記リーク弁及び前記第１のバルブが閉じており、アモルファスシリコン感光体の導電性基体への成膜後に前記リーク弁及び前記第１のバルブが開いて前記ダストトラップ内に高圧ガスを導入するとともに前記電動吸引清浄器により前記ダストトラップ内の粉状Ｓｉを吸引除去することを特徴とするアモルファスシリコン感光体の成膜装置」
（１−２）　第２頁第９〜１３行
　「前記ダストトラツプと前記チェンバーとの間の管状部材及び前ダストトラップと前記排気系統との間の管状部材にはそれぞれ第２のバルブ及び第３のバルブが付設されており、」
（１−３）　第７頁２０行〜８頁１８行
　「一方チエンバー台（３）の開口部は、バルブ（３１）を介して円錐形の排気管（１２）により、チェンバー（２）の下方に配置されているダストトラツプ（１３）と連通されている。このダストトラツプ（１３）は、チエンバー（２）内に溜る粉状Ｓｉを回収するためのものでその側壁には高圧Ｎ２ガスを導入するためのリーク弁（３２）が付設されており、その内部には粉状Ｓｉを捕獲するためのメッシュ（１４）が敷設されている。…（中略）…さらにダストトラツプ（１３）はバルブ（２０）を介して排気管（１８）により、メカニカルブースターポンプ（１５）及びロータリーポンプ（１６）とからなる排気系統（１７）と連結されており、チエンバー（２）内のＳｉＨ４ガスはこの排気系統（１７）により大気中に排気されるようになっている。」
（１−４）第１１頁第３〜１７行
　「成膜中チエンバー（２）内で生成される粉状Ｓｉは、成膜後チエンバー（２）内には残存せず、ダストトラツプ（１３）内のメッシュ（１４）に付着した状態で回収されている。ここで第４図に示すようにバルブ（１９）、（２０）及び（３１）が閉じられ、リーク弁（３２）及びバルブ（３３）が開かれると、リーク弁（３２）からダストトラツプ（１３）内へ高圧Ｎ２ガスが噴射され、ダストトラツプ（１３）内のメッシュ（１４）に付着する粉状Ｓｉがメッシュ（１４）から離れて撹乱状態にされる。このとき電動吸引清浄装置（３４）も動作され、この吸引清浄装置（３４）によりダストトラツプ（１３）内の粉状Ｓｉが吸引除去されてダストトラツブ（１３）が清浄される。この際バルブ（３１）が閉じているため粉状Ｓｉがチエンバー（２）内へ逆流することがない。」
（２）甲第２号証
（２−１）　特許請求の範囲第３項
　「反応ガスを含むガスを封入した反応容器内の試料に形成する薄膜の膜厚制御方法において、反応容器と、該反応容器内の圧力を測定する圧力計と、反応ガス供給源およびガス排気装置と、反応ガスの供給・停止バルブと、排気バルブと、上記各部を接続する配管とを備えたことを特徴とする薄膜の膜厚制御装置。」
（２−２）　第２頁左上欄第２〜５行
「本発明は、ＣＶＤ法による薄膜形成時に、薄膜形成反応に消費された反応ガスの量を知り、形成する膜厚を制御する薄膜の膜厚制御方法及び膜厚制御装置に関するものである。」
（２−３）　第２頁右下欄１１行〜１３行
   「上記反応容器３には、バルブ５を介して排気配管６と真空排気ポンプ７とが接続され、」
（２−４）　第１図
　反応容器３に排気バルブ５を介して排気配管６、ガス排気装置７が接続されていること
（３）甲第３号証
  前記「３−３（１）〜（５）」参照
（４）甲第４号証
（４−１）　第１頁右下欄第１７行〜１９行
　「この発明はマイクロ波放電によりプラズマを生成し、これを特に金属の表面処理に用いるマイクロ波プラズマ表面処理装置に関する。」
（４−２）　第２頁左下欄第１７行〜同頁右下欄９行
　「５は導波管２より大きな直径を有するプラズマ生成室即ちステンレス製の密閉容器（内径３０ｃｍ、長さ５０ｃｍ）で…（中略）…密閉容器５は排気口６、ガス導入口７を有する。排気口６にはバルブ９を介して拡散ポンプ８ａ、ロータリポンプ８ｂ、コールドトラツプ８ｃをもつ排気装置８が連結され、」
（４−３）　第４頁の図
　密閉容器５と拡散ポンプ８ａ、ロータリポンプ８ｂ等とを接続する系路の途中に第１のバルブ（図中８ａ、８ｂの上に図示されているバルブ）を有するマイクロ波プラズマ表面処理装置において、前記密閉容器から排気装置８に到る系路に遮断用の前記第１のバルブとは別のバルブ９を設けること
（５）甲第５号証
（５−１）　第１頁左下欄１４〜１５行
　「本発明はＳｉＨ４、ＮＨ３等の可燃性ガスを反応ガスとして用いるプラズマＣＶＤ装置に関する。」
（５−２）　第２頁左上欄第２行〜同頁右上欄第１３行
　「図は反応室１と予備室２とから構成される連続式プラズマＣＶＤ装置の排気系統を示すもので、図中３は反応ガス排気系を示し、４は荒引及び高真空排気系である。…（中略）…荒引及び高真空排気系４は前段の油拡散ポンプ４ｂと後段の油回転ポンプ４ａからなるもので、反応室１を荒引排気する場合は油回転ポンプ４ａにより排気ライン４ｃを通じて排気し、反応室１を高真空排気する場合は油拡散ポンプ４ｂにより排気ライン４ｄを通じて排気するように構成されている。…（中略）…また上記反応室１には不活性ガス導入ライン７が不活性ガス導入弁７ａを介して接続されており、このガス導入ライン７を通じて不活性ガスが反応室１の室内に導入されるようになっている。なお、図中４ｆ〜４ｉおよび５ｂは仕切弁である。」
（５−３）　第３頁の図
　反応室１と荒引及び高真空排気系４等とを接続する系路の途中に仕切弁４ｆ及び４ｉを設けること。
　
５．対比  ・判断
５−１．理由１、２について
（１）本件発明の構成について
　本件発明は、「リーク用ガス導入口を備えた真空処理室」にリーク用ガスを導入する際に排気管内に蓄積されたごみ粒子等が真空処理室内に吹き戻されて浮遊して半導体基板表面に付着するのを防止するために「排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室との接合部に第２の遮断バルブを設け」るという構成を採用したものである。
　以下では、本件発明の上記の構成に着目して、甲１〜５号証に記載の発明と対比する。
（２）本件発明と甲第１〜５号証記載の発明との対比
（２−１）甲第１号証
　甲第１号証に記載のものは、排気ポンプと真空処理室とを接続する排気管の途中に第１の遮断バルブ（３１）と第２の遮断バルブ（２０）とを備えることが記載されている。
　しかるに、甲第１号証記載のものは、この第１と第２の遮断バルブの間に「ダストトラップ（１３）」を設けており、これは、このようなダストトラップを設けていない本件発明とは構成を異にする。
　また、甲第１号証記載のものにおいては、リーク弁（３２）をこの「ダストトラップ（１３）」に設けており、これは「リーク用ガス導入口」を「真空処理室」に設けている本件発明とは構成を異にする。
　従って、本件発明は甲第１号証に記載された発明ではない。
（２−２）甲第２号証
　甲第２号証には、「反応容器３」（本件発明の「真空容器」に相当する。）と「ガス排気装置７」（本件発明の「排気ポンプ」に相当する。）とを「排気配管６」（本件発明の「排気管」に相当する。）で接続し、「反応容器３」と「排気配管６」との接続部に「バルブ５」を設けた膜厚制御装置（本件発明の「半導体製造装置」に相当する。）が記載されている。
　しかるに、甲第２号証には、真空処理室にリーク用ガス導入口を設ける点及び排気管と真空処理室との接合部に遮断バルブを設けるだけでなく、排気管の途中にも遮断バルブを設ける点の何れについても記載がない。
　従って、本件発明は甲第２号証に記載された発明ではない。
（２−３）甲第３号証
　本件発明が甲第３号証に記載された発明でないことは前記「II．３−４」で述べたとおりである。
（２−４）甲第４号証
　甲第４号証には、「マイクロ波プラズマ表面処理装置」において、「密閉容器５」に「ガス導入口７」と「排気口６」とを設けること、この「排気口６」から「排気装置８」に至る系路の途中に「バルブ９」を設けること及び排気系路と「拡散ポンプ８ａ、ロータリーポンプ８ｂ」との接続部にバルブを設けることがそれぞれ記載されている。
  そして、甲第４号証における、「密閉容器５」、「ガス導入口７」、「排気口６から排気装置８に至る系路」、「拡散ポンプ８ａ及びロータリーポンプ８ｂ」及び「バルブ９」は、本件発明の「真空処理室」、「リーク用ガス導入口」、「排気管」、「排気ポンプ」、「遮断バルブ」にそれぞれ相当する。
　また、甲第４号証記載のものは特に半導体装置の製造装置である旨の記載はないが、その用途として「エッチング」への適用が記載されていることからして、一応これは「半導体装置の製造装置」としての適用が示唆されているとすることができる。
　上記のことを勘案すると、本件発明と甲第４号証に記載の発明とは次の構成の点で一致する。
　「排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室とを接続する排気管の途中に遮断バルブを有する半導体装置の製造装置」
　しかるに、甲第４号証に記載のものは、その図に見られるようにバルブは排気管の途中及び排気ポンプ側の末端部に設けられており、本件発明のように排気管と真空処理室との接合部にバルブを設けているものではない。
　従って、本件発明と甲第４号証に記載のものとは、次の点で相違する。
　「本件発明は、「排気管の途中に遮断バルブ」を設けるという構成と、『排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室との接合部に第２の遮断バルブを設ける』という構成とを併せ備えているのに対して、甲第４号証には、この構成の点については記載及び示唆がない点。」
（２−５）甲第５号証
　甲第５号証には、「反応室１」（本件発明の「真空処理室」に相当する。）と油拡散ポンプ４ｂ及び油回転ポンプ４ａ（本件発明の「排気ポンプ」に相当する。）とを排気ライン４ｄ、排気ライン４ｃ（本件発明の「排気管」に相当する。）によって接続すること及び前記排気ライン４ｄ、４ｃに不活性ガス導入ラインを不活性ガス導入弁７ａを介して接続することがそれぞれ記載されている。
　しかるに、甲第５号証には、反応室１にリーク用ガス導入口を備えることについては記載がない。
　また、甲第５号証には、不活性ガス導入ライン７を不活性ガス導入弁７ａを介して設けることが記載されており、この不活性ガス導入ラインは、反応室にも連通している。しかるに、この不活性ガス導入ライン７は排気ライン４ｄ、４ｃにも連通していることから、この不活性ガス導入ラインによって不活性ガスを反応室に導入して反応容器を真空状態から大気圧に戻した場合には、排気ライン４ｄ、４ｃの排気管内に蓄積されたごみの粒子が反応容器内に吹き戻されて浮遊することが予測される。
　従って、甲第５号証に記載のものにおける不活性ガス導入ラインが連通している反応容器は、本件発明における「リーク用ガス導入口を備えた真空処理室」とは異なるものである。
（３）甲第１〜５号証記載の発明を組み合わせる点について
　以下では、甲第４号証に記載の発明を主たる引用例として対比検討する。
  本件発明と甲第４号証に記載の発明とは、次の点で相違することは前記「III．５（２−４）」で述べたところである。
　相違点：「本件発明は、「排気管の途中に遮断バルブ」を設けるという構成と、『排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室との接合部に第２の遮断バルブを設ける』という構成とを併せ備えているのに対して、甲第４号証には、この構成の点については記載及び示唆がない点。」
　そこで甲第１〜３、５号証について検討する。
　甲第１号証には、円錐形の排気管１２の下端部にバルブ３１を設けることが記載されているのみであって、排気管と真空処理室との接合部に遮断バルブを設けることについては示唆がない。
　甲第２号証には、「反応容器３」と「排気配管６」との接続部に「バルブ５」を設けることについての記載はある。しかるに、甲第２号証記載のものは、バルブを一つしか有しないものであるから、これを甲第４号証に記載のものに適用した場合には、甲第４号証記載のものにおいて、排気管の途中に設けた「バルブ９」を「密閉容器５」と「排気管」との接続部に設ける（すなわち配設位置を変える）ようにすることについての示唆を得ることはできても、「バルブ９」に加えて更に新たなバルブを「密閉容器５」と「排気管」との接続部に付加することについての示唆までは得ることはできないとするべきである。
　甲第３号証に記載のものにおいて、リークバルブ２２は真空容器１と排気系とを切り離す際にバルブ２０と２１との間の空間を大気圧に戻すために設けられているものである。従って、甲第４号証に記載の発明に甲第３号証に記載の発明を適用した場合には、甲第４号証に記載のものにおける排気系において、「バルブ９」のみを設けた排気系に代えて、「バルブ２０」、「バルブ２１」及び「リークバルブ２２」からなる排気系を採用することについての示唆を得ることはできるが、このような排気系は、排気管に「リークバルブ２２」を備えない本件発明装置における排気系とは異なるものである。
　上記のとおりであるから、甲第１〜５号証に記載の発明を相互に勘案することによっても、本件発明の構成に当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
（４）まとめ
　従って、本件発明は、甲第１〜３号証に記載された発明であるとすることはできないし、甲第１〜５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
５−２．理由３について
　本件特許明細書の【請求項１】の記載は次のとおりである。
　「排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室とを接続する排気管の途中に遮断バルブを有する半導体装置の製造装置において、前記排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室との接合部に第２の遮断バルブを設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。」
　そして、本件特許明細書には、上記の請求項１に係る発明の目的、構成及び効果が、当業者が容易に実施することができる程度に記載されている。
　従って、本件特許明細書は特許法第３６条第３項に規定する要件を満たしている。
　請求項１に係る発明は、本件特許明細書の〔実施例〕の項の記載及び図面の記載によって開示されている。
　また、本件発明は、「排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室とを接続する排気管の途中に遮断バルブを有する半導体装置の製造装置」においては、「リーク用ガス導入口を備えた真空処理室」にリーク用ガスを導入する際に排気管内に蓄積されたごみ粒子等が真空処理室内に吹き戻されて浮遊して半導体基板表面に付着する」という欠点があり、この欠点は「前記排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室との接合部に第２の遮断バルブを設ける」ことによって解消することができるという知見に基づいてなされたものであるところ、請求項１には、この目的を達成するために欠くことのできない事項が明確に記載されているものと認める。
　申立人は、「請求項１には、真空処理室と排気管との接合個所につき、『前記真空処理室と前記排気管の接合部』と記載されているだけで、『第２の遮断バルブ』が設けられる『接合部』が真空処理室との関係においてどこまでの範囲に及ぶのか、きわめて不明瞭である。」（特許異議申立書第１８頁第２５〜２８行）旨主張している。
　しかるに、排気管内に蓄積したごみ粒子の浮遊を避けるという本件発明の目的からすれば、本件発明は、「第２の遮断バルブ」と「真空処理室」とを可及的に近接して設けること、従って、「接合部」と「真空処理室」とを可及的に近接して設けるようにすることを前提としているといえる。
　そして、真空処理室と排気管とを接合するために、真空処理室に接合用の配管部分を設ける必要があるとしても、本件発明においては、そのような配管部分を設けること自体は発明の構成に欠くことのできないで事項あるとは認められないから、請求項１の「真空処理室との接合部に第２の遮断バルブを設ける」という記載は、本件発明に欠くことのできない事項を明確に記載しているとするべきである。
　また、申立人は、「請求項１には、『遮断バルブ』と『第２の遮断バルブ』とが記載されているだけで、管内のごみがリーク時に真空処理室内に戻ることを防ぐといった本件特許発明の効果を達成するために不可欠なこれら遮断バルブと第２の遮断バルブとを操作するための具体的な構成手段が構成要件として特定されていないので、極めて不明瞭である。」（特許異議申立書第１９頁第７〜１２行）旨主張している。
　しかるに、「遮断バルブ」及び「第２の遮断バルブ」には、バルブを開閉するために必要な開閉手段が設けられることは自明のことであり、このような自明の手段については発明の詳細な説明中に具体的に記載する必要はないし、また、請求項に発明に欠くことのできない事項として記載する必要もない。
　また、本件発明は「装置」に係る発明であって、「方法」に係る発明ではないから、操作方法に係る構成を発明の構成に欠くことのできない事項として請求項に記載する必要があるとは認められない。
　以上のとおりであるから、本件特許明細書は特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしている。
　
IV．むすび
　上記のとおりであるから、本件発明の特許は、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１日（２０００．６．１）
【訂正の要旨】
　　　訂正の要旨
１．特許請求の範囲の減縮を目的として次の訂正を行う。
「特許請求の範囲」に
「
真空処理室と排気ポンプ
真空処理室と前記排気管
「【請求項１】
排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室
排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室と
２．明りょうでない記載の釈明を目的として、次の訂正を行なう。
　特許明細書の第２頁第１１〜１５行（特許公報第２欄第１０〜１３行）に
「本発明の半導体装置の製造装置は、
真空処理室と排気ポンプ
真空処理室と排気管
「本発明の半導体装置の製造装置は、
排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室
排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室と
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室
排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室と
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は半導体装置の製造装置に関する。
〔従来の技術〕
　半導体装置の製造に用いられるドライエッチング装置や減圧ＣＶＤ装置は、真空処理室と排気ポンプとを接続する排気管の途中に設けられた遮断バルブを閉じることにより、真空処理室と排気ポンプとを遮断し、次でＮ２ガス等を導入させて処理室を真空状態から大気圧に戻していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、上述した従来の半導体装置の製造装置の構造では、真空処理室を真空状態から大気圧に戻す際に、排気管内に蓄積された種々のごみの粒子等が真空処理室内に吹き戻されて浮遊して半導体基板表面に付着するため、半導体装置の歩留りを低下させるという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明の半導体装置の製造装置は、
排気ポンプとリーク用ガス導入口を備えた真空処理室
排気管と前記リーク用ガス導入口を備えた真空処理室と
〔実施例〕
　第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
　リーク用Ｎ２ガス導入口２を持ち半導体基板７を入れる真空処理室としての炉芯管１は、排気管３により排気ポンプ５に接続されている。そしてこの排気管３には、真空排気を遮断するバルブ４の外に炉芯管との接合部に第２の遮断バルブ６が設けられている。
　このように構成された第１の実施例においては、炉芯管１内を大気圧に戻す場合、真空排気を遮断する遮断バルブ４を閉じ、同時に炉芯管１と接合する第２の遮断バルブ６を閉じることにより、リーク用Ｎ２ガスがごみの蓄積された排気管３内に入ることが防止されるため、排気管３内のごみが炉芯管に入り半導体基板７に付着することはなくなる。
　第２図は本発明の第２の実施例の断面図であり、本発明をドライエッチング装置に適用した場合を示している。
　リーク用Ｎ２ガス導入口２を持つエッチング室８と排気ポンプ５とをつなぐ排気管３は真空排気を遮断するバルブ４を持ち、さらにエッチング室１との接合部に第２の遮断バルブ６が設けられている。
　このように構成された第２の実施例においては、エッチング室８を大気圧に戻す場合、真空排気を遮断するバルブ４を閉じ同時にエッチング室８と接合する第２の遮断バルブ６を閉じることにより、リーク用Ｎ２ガスがごみの蓄積された排気管３内に入ることが防止されるため、第１の実施例と同様に電極９に支持された半導体基板の排気管内のごみによる汚染は防止される。
〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明は、真空処理室と排気管の接合部に第２の遮断用バルブを設けることにより、真空状態の処理室内を大気圧に戻す時に、真空排気を遮断するバルブと同時にこの第２の遮断バルブを閉じることにより、リーク用のＮ２等のガスがごみの蓄積された排気管内に入り、ごみを巻き上げることを防止出来る。このため、歩留り低下の原因となる半導体基板表面へのごみの付着を防止出来ると共に、後工程へのごみの持ち込みによる２次汚染を防ぐことが出来る。従って半導体装置の歩留りを向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
　第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断面図である。
１……炉芯管、２……リーク用Ｎ２導入口、３……排気管、４遮断バルブ、５……排気ポンプ、６……第２の遮断バルブ、７……半導体基板、８……エッチング室、９Ａ，９Ｂ……電極。