【事件の表示】
　特許第２８６３３５８号「セラミック多層基板」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８６３３５８号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第2863358号は、平成３年11月15日に出願され、平成10年12月11日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立が株式会社村田製作所及び京セラ株式会社よりそれぞれなされ、当審より取消理由が通知され、その通知書で指定した期間内の平成12年４月７日付で訂正請求がなされ、当審より訂正拒絶理由が通知されたものである。
　
II．訂正の適否
　上記訂正請求は、願書に添付した明細書を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。
　これに対して、上記のとおり、当審より、「本件訂正は、特許法第120条の４第３項で準用する同第126条第４項の規定に適合しない」旨の訂正拒絶理由が通知されたが、その通知書で指定された期間内に特許権者から何らの応答もなかった。そして、上記訂正拒絶理由は妥当なものと認められるから、上記訂正は認められない。
　
III．特許異議申立についての判断
１．本件発明
　上記のとおり、訂正請求は認められないので、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）は、願書に添付した明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】セラミック多層基板の最外層の同一平面上に、半導体素子が搭載されるダイスボンドパッドと、前記半導体素子をワイヤーボンド接続するための電極とが形成されるとともに、前記半導体素子の裏面の電位を固定するために、前記ダイスボンドパッドがビア導体に接続されてなるセラミック多層基板であって、前記ダイスボンドパッドとビア導体とは、前記半導体素子の投影面ではなく、前記電極の形成されていない位置にて接続されるよう、ダイスボンドパッドの一部が前記位置まで延在させていることを特徴とするセラミック多層基板。」
　
２．取消理由の概要
　本件発明１は、下記刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は特許法第29条第２項の規定に違反してなされたものである。
　刊行物１：特開昭62-150870号公報（特許異議申立人株式会社村田製作所提出の甲第１号証）
　
３．刊行物１に記載された事項
　イ．「ペレット取付基板のペレット取付部に突出部が連続形成され、該突出部に該ペレット取付基板に貫通形成されたスルーホール配線が電気的に接続されてなる半導体装置。」（特許請求の範囲１）
　ロ．「スルーホール配線がペレット取付基板の製造工程におけるめっき用電極に導通されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。」（特許請求の範囲４）
　ハ．「本実施例の半導体装置は、セラミックパッケージからなる、いわゆるピングリッドアレイ型半導体装置である。
　すなわち、第２図に示すように、アルミナ（Ａl２Ｏ３）からなるペレット取付基板１のほぼ中央には、ペレット取付部２が形成されており、該取付部２には半導体ペレット３が金−シリコン共晶４を介して接合されている。上記ペレット取付部２の周囲には、表層配線５が形成されており、該配線５と上記半導体ペレット３の電極パッドとは金等のワイヤ６を介して電気的に接続されている。」（２頁左下欄8〜19行）
　ニ．「本実施例の半導体装置では、前記ペレット取付部２の平面形状が、第１図に示すように、突出部２aを有する四角形からなる。その四角形部分には半導体ペレット３が接合されており、突出部２aの下方には、タングステン13にその一端が電気的に接続するスルーホール配線11aが形成され、該スルーホール配線11aの他端は内層配線10aに電気的に接続されている。」（３頁左上欄3〜10行）
　ホ．「本実施例においては、前記内層配線10aを上記めっき用電極に接続させることにより、容易にペレット取付部について電気めっきを行うことができるものである。しかも、スルーホール配線11aとの電気的接続を突出部２aで行っているため、ペレット接合面は極めて平坦な形状に形成可能である。もし、上記突出部２aを形成せず、ペレット接合面下方にスルーホール配線を形成する場合は、該スルーホール配線の接続部が凸形状になり、めっき後においても半導体ペレット２の接合を正確に行うことができず、場合によっては半導体ペレットに割れが生じることも考えられる。」（３頁右上欄13行〜左下欄4行）
　ヘ．「〔背景技術〕…(中略）…ところで、ペレット取付部にグランド用リードを連結することも考えられ、この場合は、該グランド用リードを前記めっき用電極に接続することにより、ペレット取付部のめっきをも行うことができた。」（１頁右欄3行〜２頁左上欄8行）
　なお、上記イ〜ホの記載から、刊行物１には、上記へに記載された如き従来技術のほかに、次の発明（以下、これを「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　セラミック多層基板の最外層の同一平面上に、半導体素子が搭載されるペレット取付部と、前記半導体素子をワイヤーボンド接続するための電極とが形成されるとともに、電気めっきを行うために前記ペレット取付部がスルーホール配線に接続されてなるセラミック多層基板であって、前記ペレット取付部とスルーホール配線とは、前記半導体素子の投影面ではなく、前記電極の形成されていない位置にて接続されるよう、ペレット取付部の一部が前記位置まで延在させているセラミック多層基板。
　
４．対比・判断
　本件発明１と刊行物１に記載された上記引用発明を対比すると、後者における「ペレット取付部」、「スルーホール配線」は、それぞれ、前者における「ダイスボンドパッド」、「ビア導体」に相当するから、結局、両者は、
　セラミック多層基板の最外層の同一平面上に、半導体素子が搭載されるダイスボンドパッドと、前記半導体素子をワイヤーボンド接続するための電極とが形成されるとともに、前記ダイスボンドパッドがビア導体に接続されてなるセラミック多層基板であって、前記ダイスボンドパッドとビア導体とは、前記半導体素子の投影面ではなく、前記電極の形成されていない位置にて接続されるよう、ダイスボンドパッドの一部が前記位置まで延在させているセラミック多層基板、
である点で一致し、次の点で相違する。
　ダイスバンドパッドに接続されるビア導体が、本件発明１では、半導体素子の裏面の電位を固定するためのものであるのに対し、引用発明では、電気めっきを行うためのものである点。
　そこで、この相違点について検討すると、上記刊行物１には、上記３．ヘにみるように、従来技術として、ペレット取付部にグランド用リードを連絡すること、また、そのような場合に、該グランド用リードをめっき用電極に接続してめっきを行うこともあることが記載されているから、引用発明において、その電気めっき用のスルーホール配線をグランド用に利用ないし兼用して本件発明１の如く構成することは、これによる本件発明１の効果が「半導体素子の裏面の電位を固定する」というものであって、上記従来技術のグランド用リードが当然に奏する効果の域を出ないものであることをも考慮すれば、当業者が格別の困難なく想到し得たことと認められる。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第29条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、平成６年改正特許法附則第14条の規定に基づく、同法の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第205号）第４条第２項の規定により、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月２５日（２０００．９．２５）