【事件の表示】
　特許第２８０３７４２号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８０３７４２号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
  本件特許第２８０３７４２号に係る出願は、平成５年４月２８日に出願され、平成１０年７月１７日にその設定登録がなされ、その後、渡部賢一、シャープ株式会社及び青木衛より特許異議の申立てがなされたが、同特許発明に対し、別途無効審判が請求され、該無効審判事件の中で訂正請求がなされ、該訂正が確定したものである。
２．特許異議申立てについて
（請求項に係る発明）
　本件特許第２８０３７４２号の請求項１に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔより選択された２種を含む合金からなる、透光性の電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
（特許異議申立人の主張の概要）
  これに対して、特許異議申立人渡部賢一は、甲第１号証として「Thermal Annealing Effects on P‐Type Mg‐Doped GaN Films」、Shuji NAKAMURA、Takashi MUKAI、Masayuki SENOH and Naruhito IWASA、Jpn．J．Appl．Phys．Vol．31(1992)pp．L139‐L142、Part2、NO．2B、15 February I992、甲第２号証として特開平５−１３８１２号公報、甲第３号証として特開平４−２１３８７８号公報を提示して、本件請求項１ないし請求項３に係る発明（訂正により請求項の数は１になっているが訂正前の請求項に対する異議の申立である、以下同様）は、甲第１号証ないし甲第３号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、旨主張している。
　また、特許異議申立人シャープ株式会社は、甲第１号証として特開平５−１３８１２号公報、甲第２号証として応用物理第６０巻第２号（１９９１）第１６３頁〜第１６６頁「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」、甲第３号証として特開平４−６８５７９号公報を提示して、本件請求項１ないし請求項３に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、旨主張している。
　さらに、特許異議申立人青木衛は、甲第１号証として電気学会電子・情報・システム部門第２回大会講演論文集　第３９頁〜第４２頁「ＧａＮ青色ＬＥＤ」、甲第２号証として特開昭６２−１０１０８９号公報、甲第３号証として特願平５−２３４６８５（出願日平成５年９月２１日）の平成９年１１月５日付け拒絶理由通知、甲第４号証として特開昭４９−１２２２９４号公報、甲第５号証として特開平５−１３８１２号公報、甲第６号証の１として応用物理第６０巻第２号（１９９１）第１６３頁〜第１６６頁「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」、甲第６号証の２として特開平４−６８５７９号公報、甲第７号証として特開昭６１−８７３８１号公報、甲第８号証として特開平３−１８３１７３号公報、甲第９号証として平成９年異議第７１５５８号の特許異議意見書を提示して、本件請求項１ないし請求項３に係る発明は、甲第１号証ないし甲第７号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項１及び請求項２に係る発明は、甲第８号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、本願明細書には当業者が容易に実施できる程度に特許発明が説明されていないから、特許法第３６条第４項の規定に違反している、旨主張している。
　
（引用例）
　特許異議申立人渡部賢一の提示した甲第１号証には、
「７００℃以上の温度域におけるＮ２雰囲気中サーマル・アニーリングにより、低抵抗Ｍｇドープｐ型ＧａＮ薄膜が初めて得られた。サーマル・アニーリング前のＭｇドーブｐ型ＧａＮ薄膜の抵抗値は約１×１０６Ω・ｃｍであったが、７００℃以上の温度域でサーマル・アニーリングを行うと、抵抗値は２Ω・ｃｍ、正孔キャリア濃度は３×１０１７／ｃｍ３、正孔移動度は１０ｃｍ２／Ｖ・ｓとなった。」（Ｌ１３９頁要約部第１行〜第４行）、
「§３．結果と考察
　アニーリング温度の関数として表した抵抗率の変化を図１に示す。このサンプルの抵抗率は、アニーリング前は１×１０６Ω・ｃｍであり、室温から４００℃までの間でアニーリングした限りでは、変化はみられなかった。しかし、アニーリング温度を５００℃に上げると、抵抗率は急激に低下し始め、７００℃では抵抗率は５Ω・ｃｍに低下した。９００℃では、抵抗率、正孔キャリア濃度、および正孔移動度はそれぞれ２Ω・ｃｍ、３×１０１７／ｃｍ３、１０ｃｍ２／Ｖ・ｓとなった。７００℃より上の温度域では、抵抗率は２Ω・ｃｍから８Ω・ｃｍの間でほぼ一定していた。サーマル・アニーリングのみで低抵抗のｐ型ＧａＮ薄膜が得られることを示した報告は、本報が初である。」（Ｌ１４０頁、左欄第４行〜第１８行）、
「フォトルミネッセンス測定およびホール測定の結果から、４００℃を超える温度域において、ＭｇドーブＧａＮ薄膜にはサーマル・アニーリングに起因する未知の過程が存在することが示唆される。４００℃を超える温度域におけるサーマル・アニーリングの作用機構を解明するには、さらに研究を要する。（中略）我々は、この過程におけるＧａＮ薄膜の温度を未だ測定していないが、ｐ型ＧａＮ薄膜の低抵抗性がＬＥＥＢＩ処理中のサーマル・アニーリング効果に由来するのか否かを解明することは重要である。（中略）真空雰囲気中でアニーリングを行うと、抵抗率は１×１０６Ω・ｃｍから２Ω・ｃｍへ減少した。したがって、ＬＥＥＢＩ処理中にＭｇドープＧａＮ薄膜の温度が７００℃を超えた場合には、ｐ型ＧａＮ薄膜の抵抗率がサーマル・アニーリング効果によって著しく減少しても何ら不思議ではない。（中略）ＬＥＥＢＩ処理前のこのサンプルの抵抗率は、約１×１０６Ω・ｃｍであった。ＬＥＥＢＩ処理後の抵抗率、正孔キャリア密度、及び正孔移動度は、それぞれ３Ω・ｃｍ、３×１０１７／ｃｍ３および６ｃｍ２／Ｖ・ｓであった。（中略）これらの結果より、ｐ型ＧａＮ薄膜の低抵抗性は、ＬＥＥＢＩ処理中のサーマル・アニーリング効果に起因している可能性が極めて高い。」（Ｌ１４１頁左欄第３３行〜右欄第３８行）、
「本報をまとめる。７００℃を超える温度域にて、Ｎ２雰囲気中または真空雰囲気中でサーマル・アニーリングを行い、低抵抗ｐ型ＧａＮ薄膜を初めて作製した。サーマル・アニーリング前のＭｇドープＧａＮ薄膜の抵抗率は約１×１０６Ω・ｃｍであった。７００℃を超える温度城でサーマル・アニーリングを行うと、抵抗率、正孔キャリア濃度、および正孔移動度はそれぞれ２Ω・ｃｍ、３×１０１７／ｃｍ３および１０ｃｍ２／Ｖ・ｓとなった。ｐ型ＧａＮ薄膜の低抵抗性は、ＬＥＥＢＩ処理中のサーマル・アニーリング効果に起因している可能性が高い。この可能性を検討するには、更に研究を要する。」（Ｌ１４２頁左欄第１行〜第１２行）と記載されており、Ｌ１４０頁左欄下部の「Ｆｉｇ．１」には、ＭｇドープＧａＮの抵抗率のアニーリング温度による変化が示されている。
　同じく甲第２号証には、
「【請求項１】ｎ型炭化珪素基板の上にｎ型炭化珪素層及びｐ型炭化珪素層がこの順に形成され、該炭化珪素基板側から該ｐ型炭化珪素層へ向かって発光し、かつ、ｐ型炭化珪素層に対して形成したオーム性電極が光透過性のある金属膜からなる発光ダイオード。
【請求項２】前記金属膜がチタン膜とアルミニウム膜との積層膜である請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】前記チタン膜の膜厚が３ｎｍ以上で２００ｎｍ以下、アルミニウム膜の膜厚が１０ｎｍ以上で２００ｎｍ以下である請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項４】前記金属膜の上に、該金属膜より面積の小さい第２の金属膜が形成された請求項１、請求項２又は請求項３のいずれか１つに記載の発光ダイオード。」（特許請求の範囲）、
「【００１６】一方、ｐ型炭化珪素層３の上面には、下側をチタン膜、上側をアルミニウム膜として積層された金属膜７がほぼ全面に形成され、この金属膜７の上の中央部にはアルミニウム電極８が設けられている。」（段落番号１６）、
「【００２４】次いで、ｐｎ接合部の形成された基板１を反応管２１から取り出し、ｐ型炭化珪素層３上に、例えば真空蒸着法によりチタン（Ｔｉ）膜を３０ｎｍ、アルミニウム（Ａｌ）膜を５０ｎｍ堆積して金属膜７を形成した。この金属膜７はｐ側オーム性電極であり、ｐ型炭化珪素層３との良好なオーム性を得るために、形成後に１０００℃のアルゴン雰囲気中で５分の熱処理を行った。」（段落番号２４）、
「【００２７】また、ｐ型炭化珪素層３の上に形成したオーム性電極が光透過性を有する金属膜７からなっているので、このオーム性電極の形成面積を広くすることにより、チップ内を通る電流をチップ全域へ広げることができる。このとき、図５の場合に用いた低抵抗ｐ型炭化珪素層４５の半導体材料では抵抗率は１０−１〜１０−２Ωｃｍ台であり、この層４５の厚みを最小限必要な３０μｍとしてもシート抵抗はせいぜい３Ω／口程度の値にしか下がらない。これに対して、チタンやアルミニウムなどの金属材料の抵抗率は１０−６Ωｃｍ台程度であり、厚みを薄くしても半導体材料と同程度のシート抵抗を得ることができる。特に、チタン膜とアルミニウム膜とを積層した金属膜７の場合には、半導体材料の１／３０００の厚みの１０ｎｍもあれば充分である。
【００２８】なお、金属膜７の各膜の厚みとしては、チタン膜については３ｎｍ以上２００ｎｍ以下とし、アルミニウム膜については１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とする。その理由は、下限を下回るとシート抵抗の確保が困難となり、上限を上回ると光の透過性が悪化するためである。従って、このような薄い金属膜７を用いることにより電流のチップ全域への広がを確保でき、また金属膜７を通しての光取り出しも可能となって、従来必要であった厚肉の低抵抗ｐ型炭化珪素層を不要にできる。」（段落番号２７〜２８）と記載されている。
　同じく甲第３号証には、
「導電性ＺｎＯ基板と、前記基板上に形成したＩｎＸＧａＹＡｌ1−Ｘ−ＹＮ（０≦ｘ、ｙ；ｘ＋ｙ≦１）半導体発光層と、前記半導体発光層上の金属膜からなることを特徴とした半導体発光素子。」（特許請求の範囲請求項１）、
「【００１６】〔実施例３〕図５は、本発明の実施例３を説明する図である。本実施例は、ｐｎ接合を有する発光ダイオードに関する例で、電流の流れる方向に平行な切断した発光ダイオードの断面図である。この素子の構造はダブルヘテロ構造である。この素子は、厚さ３５０μｍのＩｎをドープした導電性ＺｎＯ基板３７、膜厚３μｍのＳｎドープＩｎＧａＡｌＮクラッド層３６、膜厚０．５μｍのノンドープＩｎＧａＮ活性層３４、膜厚２μｍのＺｎドープＩｎＧａＡｌＮ層クラッド層３３、ｐ型クラッド層のオーミック電極Ａｕ−Ｚｎ−Ｎｉ４７、ＳｉＯ２電流狭窄層４６、金メッキ層３２、及びｎ型クラッド層のオーミック電極Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ３５から構成される。ＺｎＯ基板３７と上記各層の格子整合条件を満たし、かつ、クラッド層のバンドギャップエネルギを活性層より０．３ｅＶ高くなるようクラッド層と活性層の組成を、それぞれ、Ｉｎ０．２８Ｇａ０．３９Ａｌ０．３３Ｎ、Ｉｎ０．２３Ｇａ０．７２Ｎとした。」（段落番号１６）と記載されている。
　次に特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第１号証は、特許異議申立人渡部賢一の提示した甲第２号証であるから前記のとおり記載されており、
　同じく甲第２号証には、
「最近、われわれはマグネシウム（Ｍｇ）ドープ高抵抗ＧａＮ（ＧａＮ：Ｍｇ）に電子線を照射すると電気的特性が変化し、比抵抗数十Ω・ｃｍ程度のｐ型結晶となることを見いだした。さらにこれを利用して、３．ｐｎ接合の形成にも初めて成功した。」（第１６３頁右欄第８行〜第１２行）、
「ＧａＮ：Ｍｇを約０．５μｍ育成したのち、表面から電子線照射処理する。ＧａＮ中への電子線の侵入長は電子線加速電圧によって決まる。もし、電子線照射によりバルクＧａＮ：Ｍｇが改質されているのであれば、本実験で行った１５ｋＶの加速電圧では、電子線はＧａＮ中に表面から約１μｍ程度侵入するため、ＧａＮ：Ｍｇは深さ方向に対して全体が処理されていると考えられる。」（第１６５頁右欄第２行〜第８行）、
「ｎ層の電極は、Ａｌ、ｐ層の電極は金（Ａｕ）によりオーム性接触を形成する。　」（第１６５頁右欄第９行〜第１０行）と記載されている。
　同じく甲第３号証には、
「本発明の第１の実施例を第１図に示す。・・・５はＧａＮエピタキシャル層（ｐ型）、膜厚１μｍ、６はＡｌ正電極、そして７はＡｌ負電極である。このようにして構成されたｐｎ接合型発光素子は電極６，７間に電圧を印加されることにより発光ダイオードとして動作する。」（公報第４頁右下欄第１０行〜第５頁左上欄第１０行）、
「本発明の第２の実施例を第２図に示す。・・・ＧａＮ：Ｍｇ層１３は発光層１２とほぼ同様の真空条件、分子ビーム条件と、不純物としてのＭｇ分子ビーム強度３×１０−１０Ｔｏｒｒにて成膜した２μｍ厚、ｐ型抵抗率１０Ω・ｃｍ、キャリヤ濃度６×１０１６ｃｍ−３の低抵抗ｐ型エピタキシャル膜である。」（公報第６頁左上欄第７行〜左下欄第１行）、
「また、ＧａＮ、ＩｎＧａＮについては・・・ｐ型不純物元素としては、IIａ族、ならびにIIｂ族元素のＢｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｍｇ、Ｍｎ等が適用され得ることは明らかである。電極形成用の金属元素としてはＡｌに限って説明したがその他Ｉｎ、Ｇａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であることは明らかである。」（公報第８頁左下欄第４行〜第１５行）と記載されており、第２図には、ＧａＮ：Ｍｇ層１３の上に第１図と同様のＡｌ正電極６が形成されている様子が図示されている。
　さらに特許異議申立人青木衛の提示した甲第１号証には、
「４．Ｐ型ＧａＮ膜の成長
　Ｐ型ＧａＮ膜を得るためＭｇドープＧａＮ膜の成長を行った。成長直後のＭｇドープＧａＮ膜の抵抗率は、約１０３Ω・ｃｍ〜約１０６Ω・ｃｍをの間でばらついた。最も低いもので３２０Ω・ｃｍであり、キャリアー濃度も２×１０１５／ｃｍ３、移動度９ｃｍ２／Ｖ・ｓで明らかなＰ型を示した。成長直後のＭｇドープＧａＮが何の処理もせずにＰ型を示した報告は、これが最初である。次に、さらに低抵抗のＰ型ＧａＮを得るために加速電圧５ＫＶの電子線照射をＭｇドープＧａＮの表面に行った。電子線照射後、抵抗率は約２Ω・ｃｍ近くまで下がった。これを低抵抗なＰ型層の厚さを表面から約０．３５μｍとしてキャリアー濃度、抵抗率、移動度を求めると、抵抗率の低いもので、３×１０１８／ｃｍ３、０．２Ω・ｃｍ、９ｃｍ２／Ｖ・ｓが得られた。これらの値は、Ｐ型ＧａＮで報告された値では、キャリアー濃度は最高値であり、抵抗率は、最小値である。」（第４０頁下から第３行〜第４１頁第１６行）と記載されている。
　同じく甲第２号証には、
　第２図に、ＭＩＳ型構造の青色発光素子の断面構造図として、Ｓｉ基板上に、ＺｎＳＸＳｅ１−Ｘ層、ｎ−ＺｎＳｅを積層し、一部を切り欠いた部分にｎ型オーミック電極及び金リード線を設置し、他の部分の全面に絶縁層、金電極を積層して金リード線を接続した構造が示されている。
　同じく甲第３号証には、
「透光性電極を用いることは本願出願前に公知（引用例ｂ参照）であり、引用例ａに記載されている窒化ガリウム係化合物半導体発光素子に当該構成を適用することは当業者であれば容易に想到し得ることである。」と記載されている。
　同じく甲第４号証には、
「ＧａＮに対する他の型の透明コンタクトも同様に錫添加酸化インジウムと同一光放出性を生じ得る事に注意されたい。例えば、この様な薄膜は酸化インジウム、酸化錫、酸化銅、極めて薄いＡｕもしくはＡｌの如き半透明金属で形成され得」（公報第３頁左上欄第２行〜第６行）と記載されている。
　同じく甲第５号証は、特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第１号証及び特許異議申立人渡部賢一の提示した甲第２号証であるから前記のとおり記載されており、
　同じく甲第６号証の１は、特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第２号証であるから前記のとおり記載されており、
　同じく甲第６号証の２は、特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第３号証であるから前記のとおり記載されており、
　同じく甲第７号証には、
「第１図において・・・３に表す層には亜鉛と酸素を、そして６に示す層には亜鉛をそれぞれ適当な量イオン注入法により選択的にドーピングしたｐ形りん化ガリウム層である。・・・９は前記ｎ形硫化亜鉛上に連続成長させたｐ形硫化亜鉛エピタキシャル層である。４、７および１０はそれぞれ３、６および９に示したｐ形りん化ガリウムおよびｐ形硫化亜鉛層からオーミックコンタクトがとれるように形成した透明導電膜である。オーミックコンタクトをとるためには、例えば、ｐ型りん化ガリウム又はｐ形硫化亜鉛上に選択的に亜鉛、金、ニッケルをスパッタ法又は蒸着法で付着させ、高温にてシンタリングした後、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）透明膜等を形成すればよい。」（公報第３頁右上欄第１１行〜左下欄第１６行）と記載されている。
　同じく甲第８号証には、
「第１図は本発明の発光素子の概念的模式図である。本発明の発光素子１００は、下部より基体１０１、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極１０７、１０９及びリード線１０８、１１０が設けられている。」（公報第２頁左上欄第１３行〜右上欄第３行）、
「本発明において使用される第一導電層１０２及び第二導電層１０６の材質としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばＩｎ２Ｏ３、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３十ＳｎＯ２）等が挙げられる。」（公報第２頁左下欄第７行〜第１２行）、
「本発明において使用される第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５は窒化ガリウムで構成され、各々異なる不純物が添加されており、その結果として電荷注入機能を有している。本発明において第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５を構成する窒化ガリウム膜は、膜中の欠陥が極めて少ないために電荷注入効率が高いという特徴を有している。」（公報第２頁左下欄第２０行〜右下欄第７行）、
「本発明において第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Ｂｅ）、マグネシウム原子（Ｍｇ）、亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム原子（Ｃｄ）、炭素原子（Ｃ）、ケイ素原子（Ｓｉ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ）等の単独、あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられる。」（公報第３頁左上欄第２行〜第９行）、
「本発明において使用される第二導電層は、基体１０１側に光を放出する場合には透光性であっても、非透光性であってもよい。第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましい。」（公報第４頁右下欄第１９行〜第５頁左上欄第３行）と記載されており、第１図には、第二電荷注入層１０５の全面に第二導電層１０６が形成されている様子が図示されている。
　同じく甲第９号証には、
「単にある温度状態にあれば本件発明のアニーリングに相当するものでなく、アンモニアなどｐ型不純物を水素化する水素を実質的に含まない雰囲気でｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体から水素を追い出す効果を伴う温度での熱処理することを意味している。」と記載されている。
　
ｉ）特許法第２９条について
（対比・判断）
　本件の請求項１に係る発明と各異議申立人の提示した甲各号証に記載された発明とを対比すると、甲各号証には、本件の請求項１に係る発明の構成要件である「窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に透光性の電極が形成されている」点は記載されていない。
　そして、本件の請求項１に係る発明は、上記構成要件を具備することにより、明細書に記載の、発光素子の外部量子効率を低下させることなく発光を取り出すことができる、１チップサイズを小さくできる、という作用効果を奏するものと認められる。
　
　これに対して特許異議申立人渡部賢一は、甲第２号証には、ほぼ全面に、オーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下の金属よりなる透光性の電極が形成されており、透光性の電極を全面に形成すること自体は、ｐ型ＳｉＣにおいてもｐ型ＧａＮにおいても何ら変わりがないから、甲第１号証のＭｇがドープされたｐ型ＧａＮ層上に、透光性の電極をほぼ全面に形成せしめることは、甲第１号証と甲第２号証を組み合わせることにより、容易に想到することができる、旨主張している。
　しかしながら、甲第２号証記載の発光ダイオードは、ｎ型炭化珪素基板の上にｎ型炭化珪素層、ｐ型炭化珪素層をこの順に形成した発光ダイオードであり、基板に直接電極を形成できる点、低抵抗のｐ型層を容易に形成できる点など、ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とは異なるものであり、炭化珪素系の発光ダイオードにおいて、透光性の電極を設けることが知られていても、窒化ガリウム系化合物半導体においても、ｐ層のほぼ全面に透光性の電極を設ける必要があることを示す証拠はないので、上記炭化珪素系発光ダイオードにおける技術を窒化ガリウム系化合物に応用することが、当業者にとって容易であるとは認められない。
　また、特許異議申立人シャープ株式会社は、甲第１号証には、ｐ型層のほぼ全面にオーミック性接触、かつ、透光性の金属電極を用いることが記載されており、甲第２号証には、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子におけるＭｇドープされたｐ型ＧａＮ層のオーミック性電極としてＡｕ電極が記載されているから、甲第１号証のｐ型炭化珪素層を甲第２号証に記載のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に置換することは容易である、旨主張している。
　しかしながら、上記主張は特許異議申立人渡部賢一の主張と同趣旨であり、前記した理由により、これを採用することはできない。
　さらに、特許異議申立人青木衛は、甲第１号証には、Ｍｇドープされたｐ型ＧａＮ層が記載されており、甲第２号証には、電極１９は発光を取り出せる程度の厚さの部分を発光素子の絶縁層のほぼ全面に形成することが記載されており、甲第３号証によれば、透光性電極を窒化ガリウム係化合物半導体発光素子に適用することが当業者にとって容易に想到し得ることは特許庁も認めるところであり、ＧａＮ層上に透光性金属電極を接続することは甲第４号証に記載されているので、上記構成要件は前記甲各号証により容易である、旨主張し、また、上記構成要件は、甲第８号証に記載されている、旨主張している。
　上記主張を検討するに、
　まず、甲第３号証は、他の出願に対する拒絶理由通知であって、何ら本件に対し拘束力を有するものではないし、また、引用例ａ及び引用例ｂは、甲第１号証及び甲第２号証と異なる文献であるから、甲第１号証に甲第２号証を適用することが容易であることの根拠にはならない。
　次に、甲第２号証は、ＭＩＳ型のＺｎＳｅ系の青色発光素子に関する発明であり、絶縁層の上に薄い金電極を形成するものであって、ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関する発明ではないし、ｐ型層のほぼ全面に透光性の電極を形成するものでもない。また、甲第４号証は、ｐ型ケイ素基板上に高抵抗のＧａＮを積層し、その上に、ＳｉＯ２薄膜及び酸化インジウムを積層するものであり、ｐ型ＧａＮ層上に透明電極を形成するものではないし、ＧａＮ層のほぼ全面に透明電極を形成するものでもない。
　よって、甲第１号証、甲第２号証及び甲第４号証に基づいて、ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に透光性の電極を形成する、という構成要件を想到することは、当業者といえども容易ではない。
　さらに、甲第８号証は、炭化シリコン系の発光素子に係る発明であり、また、電荷注入層に導入される不純物として、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ、Ｓｅの単独、あるいは２種以上を混合したものが挙げられているが、実施例では、Ｓｉ及びＳを導入したものしか記載されていないから、ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に透光性の電極が形成する、上記構成要件が甲第８号証に記載されていると認めることはできない。
　
（結論）
　以上のとおり、各特許異議申立人の主張は採用することができず、本件の請求項１に係る発明は、各特許異議申立人の提示した甲各号証記載の発明と同一の発明ではなく、また、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
ii）特許法第３６条について
　特許異議申立人青木衛は、本件特許明細書には、ＧａＮ層中のｐ型不純物を水素化する水素を含まない雰囲気について何ら開示若しくは示唆をしていないので、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層とこれとオーミック接触する電極が如何にして得られるのか理解できない、旨主張している。
　これについて検討するに、特許明細書には、アニーリングに関し、次のような記載がある。
「【０００６】【課題を解決するための手段】
　・・・本発明の発光素子の電極形成方法は、ＭｇをドープしたＧａＮ層に、０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下の膜厚で金属を蒸着した後、５００℃以上でアニーリングすることにより、前記金属を透光性にすると共に、前記窒化ガリウム系化合物半導体と前記金属とをオーミック接触させることを特徴とする。
【０００７】
　・・・金属を蒸着するにあたり、蒸着膜厚は特に問うものではないが、蒸着後５００℃以上のアニーリングを行った後、その金属電極の膜厚が０．００１μｍ〜１μｍの範囲になるように蒸着することが好ましい。前記アニーリングにより、蒸着された金属はｐ層内部に拡散すると共に、一部外部に飛散して膜厚が薄くなる。アニーリング後に最終的な電極膜厚を０．００１μｍ〜１μｍの範囲に調整することにより、電極を好ましく透光性とすることができる。
【０００８】
　アニーリングは５００℃以上で行う必要がある。なぜなら、この温度以下であると、金属電極とｐ層とのオーミック接触が得られにくく、金属電極も透光性になりにくいからである。温度の上限は特に限定しないが、窒化ガリウム系化合物半導体が分解する温度以下（１１００℃前後）で行うことは当然である。
【００１２】
　蒸着後、アニーリング装置で、ウエハーを５００℃で１０分間アニーリングすることによりＮｉとＡｕとを合金化すると共に、透光性にする。アニーリング後ウエハーを取り出すと、ｐ型ＧａＮ層の電極膜厚は０．０７μｍであり、透光性となっていた。」
　これら記載によれば、本件明細書中に記載されているアニーリングは、金属を透光性にすると共に、窒化ガリウム系化合物半導体と金属とをオーミック接触させることを目的としたものであり、ＧａＮ層中のｐ型不純物を水素化してｐ型化することを目的としたものではない。
　そして、金属を透光性にすると共に、窒化ガリウム系化合物半導体と金属とをオーミック接触させることを目的としたアニーリングは、本件明細書の記載に基づき、当業者が容易に実施できるものと認められる。
　なお、本件明細書に記載されている、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層については、アニーリングによりｐ型化するものであるとしても、ＧａＮ層中のｐ型不純物を水素化してｐ型化するアニーリングに関しては、特許異議申立人青木衛の提示した甲第１号証及び特許異議申立人渡部賢一の提示した甲第１号証に記載されいるように、本件出願前よく知られているので、明細書中にその条件等を記載しなくても実施可能要件違反とはいえない。
　
（結論）
　したがって、本件特許明細書は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしている。
　
（むすび）
  以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月２８日（２０００．８．２８）