【事件の表示】
　特許第２９７５４７３号「半導体レーザ素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９７５４７３号の請求項１ないし５に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９７５４７３号の請求項１乃至５に係る発明は、、平成４年３月６日に特許出願され、平成１１年９月３日にその特許の設定の登録がなされ、その後、松下電器産業株式会社により特許異議の申立がなされたものである。
２．特許異議申立人の主張
　特許異議申立人松下電器産業株式会社は、甲第１号証乃至甲第３号証を提出し、本件の請求項１乃至５に係る発明は甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明の特許は取り消されるべきものである旨主張している。
３．本件発明
　本件の請求項１乃至５に係る発明は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体基板上に、下部クラッド層、下部光ガイド層、活性層、上部光ガイド層、及び上部クラッド層が順次積層され、
　前記下部クラッド層、上部クラッド層の少なくとも一方が、少なくとも2層からなって、その、前記活性層に近い層の屈折率がより小さく、
　該クラッド層のより屈折率の小さい層の屈折率＜前記光ガイド層の屈折率＜前記活性層の屈折率、という関係を充たすと共に、
　前記光ガイド層は、前記クラッド層のより屈折率の大きい層よりも屈折率の高い部分を含んでなることを特徴とする半導体レーザ素子。
　【請求項２】　前記光ガイド層の、前記クラッド層のより屈折率の大きい層よりも屈折率の高い部分が、直接遷移半導体で形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
　【請求項３】　請求項1又は2に記載の半導体レーザ素子は、主としてAlGaAs系の半導体材料で形成され、
　前記光ガイド層の、前記クラッド層のより屈折率の大きい層よりも屈折率の高い部分がAl組成比0.42以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
　【請求項４】　前記活性層は、Al組成比が0.14であるAlGaAsからなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
　【請求項５】　請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体レーザ素子は、上部クラッド層の上にさらにキャップ層が積層され、かつ前記クラッド層のより屈折率の大きい層は、その厚さが1.0μm以上1.5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。」
４．甲各号証記載の発明
　特許異議申立人の提出した本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証：1991年（平成３年）秋季第５２回応用物理学会学術講演会　講演予稿集第３分冊第972頁中段、講演番号９ａ−ＺＭ−１１には、
「［序］半導体レーザのビーム広がり角を低減することは光学系との効率的な結合を実現する上で重要である。水平広がり角（θｈ）がストライプ幅制御により容易に１０°いかにできるのに対し、垂直広がり角（θｖ）は活性層厚・クラッド層Ａｌ組成の低減により小さくすることができるもののこれに伴う光閉じ込め係数Γｖの著しい低下により閾値電流が急激に上昇するため約２０°以下にすることは困難である。
［計算］図１に示すようにクラッド層内の活性層近傍に低屈折率部分を導入することにより通常ＤＨ構造では実現できなかった高Γｖと小θｖを同時に実現することが可能である。（図２）これは低屈折率部分により抑圧された光分布が活性領域とクラッド層に押し出される結果、前者は高いΓｖを提供し、後者は広い近視野分布を実現することによるものである。」と記載されている。
　上記によれば、甲第１号証には、「クラッド層、活性層、クラッド層が順次積層され、該クラッド層の活性層の近傍部分の屈折率が小さい半導体レーザ」の発明が記載されている。
　同じく甲第２号証：アイ・イー・イー・イー　ジャーナル　オブ　カンタム　エレクトロニクス第９巻（１９７３年２月）第３１１ページ〜３１８ページ（再掲書２４３頁〜２５０頁）には、異議申立人の訳文によれば、図５に関し、
「図５に、キャリア閉じ込め領域の幅Ｄに対する５層構造の有効光学キャビティ幅Ｓをプロットしたものを示す。比較のために３層構造の曲線についても示してある。Ｄが１以下に減少するにつれ、光学エネルギーの広がりを押さえる上で余分な２層の効果が重要となる。」と記載されている。そして、図５には、活性層の厚さが小さくなると、活性層とクラッド層との間に、誘電率が活性層とクラッド層とのちょうど中間の値である層を挿入して５層構造としたレーザと比べて３層構造のレーザでは光分布が大きくなるということが記載されている。
　同じく甲第３号証：アイ・イー・イー・イー　ジャーナル　オブ　カンタム　エレクトロニクス第１１巻（１９７５年７月）第４０２ページ〜４０８ページには、表１及び図３並びに図４及び図５からみて、活性層両側のクラッド層とその外側の層の屈折率が外側の層＞活性層＞クラッド層であるものにおいて、クラッド層へ光がしみ出すことにより遠視野像にサイドピークが生じることが記載されていると認める。
５．当審の判断
［請求項１について］
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と上記甲第１号証記載の発明（以下「引用発明１」という。）とを比較すると、両者は、「半導体基板上に、下部クラッド層、活性層、及び上部クラッド層が順次積層され、前記下部クラッド層、上部クラッド層の少なくとも一方が、少なくとも2層からなって、その、前記活性層に近い層の屈折率をより小さくした半導体レーザ素子。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点：本件発明１は、上部、下部光ガイド層を有し、クラッド層のより屈折率の小さい層の屈折率＜前記光ガイド層の屈折率＜前記活性層の屈折率、という関係を充たすと共に、前記光ガイド層は、前記クラッド層のより屈折率の大きい層よりも屈折率の高い部分を含んでなるのに対し、引用発明１はこの構成を有しない点。
  上記相違点について検討する。
  先ず、甲第３号証記載のものは、上記相違点の本件発明１の構成は全く備えていない。しかも、活性層両側のクラッド層とその外側の層の屈折率が、外側の層＞活性層＞クラッド層の関係にあり、本件発明１とは前提とする屈折率の分布が全く異なるものであるから、甲第３号証の記載をもって本件発明の課題が周知であるということはできない。
　又、甲第２号証記載のものは、上記相違点の本件発明１の構成を備えていない。仮に、５層構造のものの活性層とクラッド層との間の中間の誘電率の層が光ガイド層に相当するとしても、これを引用発明１に適用し、光ガイド層がクラッド層のより屈折率の大きい層よりも屈折率の高い部分を含んでなるようにすることまでは当業者といえども容易に想到し得るものではない。　そして、本件発明１は、上記相違点の構成を一体不可分に具備することにより、明細書記載の格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
［請求項２〜５について］
　本件の請求項２〜５に係る各発明は、本件発明１（請求項１）の構成を全て引用し、その構成の一部をさらに具体的に限定したものである。
　そして、本件発明１が上記のとおり、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない以上、本件の請求項２〜５に係る各発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
６．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１乃至５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件請求項１乃至５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月６日（２０００．７．６）