【事件の表示】
　特許第２９６６０２５号「気相成長装置」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６６０２５号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
一．手続の経緯　
　特許第２９６６０２５号については、平成２年３月１５日にその発明の特許出願がなされ、平成１１年８月１３日にその特許の設定登録がなされ、その後異議申立人高橋哲夫（以下、「申立人高橋」という。）及び山口雅行（以下、「申立人山口」という。）により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月２６日に訂正請求がなされたものである。　
　　
二．訂正の適否についての判断　
１．訂正の内容　
［訂正事項ａ］
　請求項１において、「・・・・この回転軸を回転駆動するための駆動手段と・・・・前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するためのカップリング手段を有していることを特徴とする・・・・」とあるのを、「・・・・この回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して設けられた第１及び第２の軸受けと、前記回転軸を回転駆動するための駆動手段と・・・・前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように前記回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するための磁気カップリング手段を有し、当該磁気カップリング手段は、第１及び第２の軸受け間の空間に配設され、前記駆動手段からの前記回転駆動力を前記回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達することを特徴とする・・・・」と訂正する。
［訂正事項ｂ］
　請求項２において、「・・・・前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設けたことを特徴とする・・・・」とあるのを、「・・・・前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設け、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記冷却手段は、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴とする・・・・」と訂正する。
［訂正事項ｃ］
　請求項３において、「・・・・前記支持軸内に前記電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の気相成長装置。」とあるのを、「・・・・前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴とするを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。」と訂正する。
［訂正事項ｄ］
　明細書の（課題を解決するための手段）（特許掲載公報第５欄第６〜４８行）において、
　「この回転軸を回転駆動するための駆動手段」（第５欄第１０行）とあるのを、「この回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して設けられた第１及び第２の軸受けと、前記回転軸を回転駆動するための駆動手段」と、
　「前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するためのカップリング手段を有していることを特徴としている。」（第５欄第１４〜１７行）とあるのを、「前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように前記回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するための磁気カップリング手段を有し、当該磁気カップリング手段は、第１及び第２の軸受け間の空間に配設され、前記駆動手段からの前記回転駆動力を前記回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達することを特徴としている。
　また、本発明は、前記気相成長装置において、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴としている。」と、
　「前記加熱手段は・・・・冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴としている。」（第５欄第２２〜３２行）とあるのを、「前記加熱手段は、前記サセプタあるいは前記回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に配設され、前記サセプタ及び前記回転軸の回転時に静止状態となると共に、前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設け、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記冷却手段は、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴としている。」と訂正する。
　　　　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　［訂正事項ａ］は、回転軸周りの機構について「回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して設けられた第１及び第２の軸受け」という構成を直列的に付加するものであり、また、カップリング手段について「第１及び第２の軸受け間の空間に配設され、駆動手段からの回転駆動力を回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達する磁気カップリング手段」である旨の限定を加えるものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。　
　なお、この訂正は、第１図から読みとることのできる「真空シール軸受８」、「玉軸受９ａ」、「玉軸受９ｂ」、「磁気カップリング従動リング１４」及び「磁気カップリング回転リング１７」の位置関係、及び、第１図の説明（特許掲載公報第６欄第２５〜４７行）を根拠とするものである。
　［訂正事項ｂ］は、回転軸及びその内部を冷却するための冷却手段について「回転軸を筒状に形成し、その中に加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、支持軸内に加熱手段に接続される電極を配設すると共に、冷却手段は、支持軸内の電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成した」旨の限定を加えるものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。　
　なお、この訂正は、第１図及び第２図から読みとることのできる「ヒータ６」、「支持軸１１」、「電極１２ａ」、「電極１２ｂ」及び「冷却室３５」の位置関係、及び、かかる図についての説明（特許掲載公報第６欄第２５〜３５行、特許掲載公報第８欄第１〜５行）を根拠とするものである。
　［訂正事項ｃ］は、冷却媒体の供給個所を限定すると共に、訂正事項ｂに係る訂正に伴い請求項２に係る発明と重複することとなった発明の部分を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する。
　［訂正事項ｄ］は、発明の詳細な説明の記載を請求項の記載と整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、上記各訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　　　
３．まとめ
　したがって、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する第１２６条第２及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　
　　　　
三．本件発明
　訂正明細書の請求項１ないし７に係る発明は、それぞれ、その請求項１ないし７に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】原料ガスが供給される反応炉内に配置され基板を載置するためのサセプタと、該サセプタを回転自在に支持するための回転軸と、この回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して設けられた第１及び第２の軸受けと、前記回転軸を回転駆動するための駆動手段と前記サセプタを加熱するための加熱手段とを具備した気相成長装置において、
前記加熱手段は、前記サセプタあるいは前記回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に配設され、前記サセプタ及び前記回転軸の回転時に静止状態となると共に、前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように前記回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するための磁気カップリング手段を有し、当該磁気カップリング手段は、第１及び第２の軸受け間の空間に配設され、前記駆動手段からの前記回転駆動力を前記回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達することを特徴とする気相成長装置。」（以下「訂正発明１」という。）
　「【請求項２】原料ガスが供給される反応炉内に配置され基板を載置するためのサセプタと、該サセプタを回転自在に支持するための回転軸と、この回転軸を回転駆動するための駆動手段と、前記サセプタを加熱するための加熱手段とを具備した気相成長装置において、
前記加熱手段は、前記サセプタあるいは前記回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に配設され、前記サセプタ及び前記回転軸の回転時に静止状態となると共に、前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設け、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記冷却手段は、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴とする気相成長装置。」（以下「訂正発明２」という。）
　「【請求項３】前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴とするを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。」（以下「訂正発明３」という。）
　「【請求項４】前記駆動手段より上方に位置する前記回転軸の部分を、その軸方向に少なくとも２分割構成とし、その分割面相互の接触部分が前記回転軸の分割されていない部分よりも熱伝導率が小さくなるように構成したことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の気相成長装置。」（以下「訂正発明４」という。）
　「【請求項５】前記加熱手段の前記サセプタに対して反対側の位置に反射板を配設したことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の気相成長装置。」（以下「訂正発明５」という。）
　「【請求項６】前記サセプタあるいは回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に、前記サセプタの加熱温度を測定する熱電対を配設すると共に、前記サセプタに前記熱電対の先端側が挿入される挿入部を形成したことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の気相成長装置。」（以下「訂正発明６」という。）
　「【請求項７】前記熱電対の周囲に沿ってパージガスが流れる流路を形成したことを特徴とする請求項６記載の気相成長装置。」（以下「訂正発明７」という。）　　　
　　　
四．特許異議の申立てについての判断　
１．申立ての理由の概要　
（イ）申立人高橋は、証拠として下記の甲第１〜１１号証を提示して、請求項１，２，３，５，６に係る各発明の特許は、以下の各申立理由により取り消されるべき旨を主張している。
［申立理由］
　ａ）請求項１，３，５，６に係る各発明は、本出願前に国内において頒布された下記の甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　ｂ）請求項１に係る発明は、本願の先願発明にあたる下記の甲第１１号証に記載された発明と同一と認められ、その発明をした者が先願発明の発明者と同一であるとも、また、この出願の時において、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　ｃ）請求項２、５に係る各発明は、本出願前に国内において頒布された下記の甲第１号証に記載された発明であるかないしはかかる発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法２９条第１項ないしは同条第２項の規定により特許を受けることができない。
［証拠］
　甲第１号証：　実願昭６１−２７００５号（実開昭６２−１４０７２１号）のマイクロフィルム（以下、「引用例１」という。）
　甲第２号証：　特開昭６０−２１９７２４号公報（申立人山口提示の甲第８号証に同じ。以下、「引用例２」という。）
　甲第３号証：　特開昭６１−２３７４１６号公報（以下、「引用例３」という。）
　甲第４号証：　特開昭６０−２４５７７６号公報（以下、「引用例４」という。）
　甲第５号証：　特開昭５８−１６１９９９号公報（以下、「引用例５」という。）
　甲第６号証：　特開昭６２−１５８１６号公報（以下、「引用例６」という。）
　甲第７号証：　特開昭５６−１３７１８号公報（以下、「引用例７」という。）
　甲第８号証：　特公昭４３−２５３７３号公報（以下、「引用例８」という。）
　甲第９号証：　特開昭６３−５８９２５号公報（以下、「引用例９」という。）
　甲第１０号証：　（社）日本半導体製造装置協会編「半導体製造装置用語辞典」日刊工業新聞社（第２版１９９１−９−２８）第１４７〜１４８頁（以下、「引用例１０」という。）
　甲第１１号証：　特願平１−４０６８号（特開平２−１８４０２０号公報）（以下、「引用例１１」という。）
　　　
（ロ）申立人山口は、証拠として下記の甲第１〜１０号証を提示して、請求項１〜７（全請求項）に係る各発明の特許は、以下の各申立理由により取り消されるべき旨を主張している。
［申立理由］
　ａ）請求項２，４に係る各発明は、本出願前に国内において頒布された下記の甲第１〜３号証に記載された発明であるから、特許法２９条第１項の規定により特許を受けることができない。
　ｂ）請求項１〜７に係る各発明は、本出願前に国内において頒布された下記の甲１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　ｃ）請求項２，５に係る各発明は、本願の先願発明にあたる下記の甲第９ないし１０号証に記載された発明と同一と認められ、その発明をした者が先願発明の発明者と同一であるとも、また、この出願の時において、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　ｄ）請求項２には、発明に必要な構成の全てが記載されておらず、したがって、本件特許は、明細書の記載が不備であって特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を具備しない特許出願に対してなされたものである。
［証拠］
　甲第１号証：　特開昭５９−２００７５２号公報（以下、「引用例１２」という。）
　甲第２号証：　特公昭６３−４６３２号公報（以下、「引用例１３」という。）
　甲第３号証：　特開昭６４−３５９１０号公報（以下、「引用例１４」という。）
　甲第４号証：　特開昭６３−１１１１７４号公報（以下、「引用例１５」という。）
　甲第５号証：　特開昭６３−１１８０８１号公報（以下、「引用例１６」という。）
　甲第６号証：　実公昭６１−４０７６９号公報（以下、「引用例１７」という。）
　甲第７号証：　特開昭６０−１８９２１９号公報（以下、「引用例１８」という。）
　甲第８号証：　特開昭６０−２１９７２４号公報（申立人高橋提示の甲第２号証（引用例２）に同じ。）
　甲第９号証：　特願平１−３０９７２号（特開平２−２１３４７３号公報）（以下、「引用例１９」という。）
　甲第１０号証：実願昭６３−４７３８９号（実開平１−１４９４７２号公報）のマイクロフィルム（以下、「引用例２０」という。）
　　　
（ハ）上記した両申立人の申立理由については、大きく以下のように整理できるものと認められる。
［申立理由Ａ］
　特許法第２９条第１項又は第２項違反
　該当請求項：１〜７　
　引用例：１〜９，１２〜１８
［申立理由Ｂ］
　特許法第２９条の２違反
　該当請求項：１，２，５　
　引用例：１１，１９，２０
［申立理由Ｃ］
　特許法第３６条違反
　該当請求項：２　　　
　　　　　
２．引用例に記載された事項
［引用例１］　
　「分子線エピタキシャル成長用基板マニピュレータ」に関して、
　「基板を加熱する際は、軸受けなどの摺動機構部が過熱しないようにしなければならない。このため、回転軸には水冷管が取付けられ流水による冷却が行なわれている。また、基板を効果的に加熱するとともに、基板回転の摺動機構部の過熱を防ぐために、熱輻射遮蔽板がタンタルヒータの裏側に設置されている。」（第３頁第１３〜１９行）、
　「第１図は分子線エピタキシー装置のマニピュレータ近傍のみの断面図である。分子線エピタキシー装置は、超高真空に排気可能な分子線結晶成長室と・・・・を有し、・・・・半導体基板１（ウエハ）は、モリブデン製のホルダ２に、Ｉｎ金属によって貼り付けられている。この状態で、分子線結晶成長室の中へ搬送され、マニピュレータのホルダ受け板１１にセットされる。」（第７頁第１〜１７行）、
　「ホルダ受け板１１は円板であるが、裏面には円胴状の胴板１２が固着してある。胴板１２の他端は、底座板１３が固着してある。」（第７頁第１８〜２０行）、
　「タンタルヒータ３は、ホルダ２を介して基板１を加熱するものである。・・・・回転円筒部１４の上方には、大径のかさ歯車５が固着してある。ホルダ受け板１１、胴板１２、底座板１３、回転円筒部１４は、鉛直軸のまわりに回転する事ができる。・・・・回転軸１５の前段には、回転導入機が設けられている・・・・」　（第８頁第４行〜第９頁第７行）、
　「前述の熱輻射遮蔽板４はヒータ支持台２７の上に置かれている。・・・・タンタルヒータ３及び熱輻射遮蔽板４は台座２０の上に固定されているので動かない。しかし、外側にあるホルダ受け板１１、胴板１２、底座板１３、回転円筒部１４はかさ歯車５、５´による駆動力によって、鉛直軸を中心にして回転する。」（第９頁第１０〜２０行）。
　「また、本考案は分子線エピタキシー装置以外にも、超高真空、高温下で使用される摺動回転機構の冷却構造として、極めて有効である。」（第１２頁第９〜１１行）
が記載されている。
　また、第１図には、「ヒータ３が、回転円筒部１４及びこの円筒部１４の上部に連なる底座板１３、胴板１２からなる回転軸の内部に形成した空間に配設され、回転円筒部１４の回転時に静止状態となること」が図示されている。　
［引用例２］　　
　「回転サセプタ支持装置」に関して、
　「磁気軸受１７ａおよび１７ｂの励磁コイル３２に通電し、同時に電磁石２５にも通電する。このとき電磁石２５と永久磁石２４の間の反発力によって回転サセプタ１５と一体の回転軸１６が浮き上がり、そして自己制御型の磁気軸受１７ａおよび１７ｂによって回転軸１６が他の部材と接触することなしにラジアル方向に支持される。・・・・同時に永久磁石２８ａおよび２８ｂで構成される磁気継手によって駆動源からのトルクを回転軸１６に伝達する。回転軸１６は他の部材から非接触で空間中に支持されているため・・・・基板上に生成される蒸着膜の均質性を保証することができる。」（第２頁左下欄第１４行〜右下欄第１１行）
が記載されている。
　また、第１〜３図に、「軸受（３ａ，３ｂ、１７ａ，１７ｂ）によって回転可能に支持される回転軸（２、１６）の下端部に、永久磁石（９ａ，９ｂ、２８ａ，２８ｂ）で構成される磁気継手を設けた回転機構を有する装置」、即ち「回転サセプタの非接触カップリング手段を有する回転サセプタ支持装置」が図示されている。　　　
［引用例３］　　
　「分子線エピタキシ装置の基板回転ホルダ」に関して、
　「真空容器Ｖの中に存在するホルダにおいて、サセプタＳ・・・・は保持枠１・・・・に保持され、前記保持枠１は複数本の支柱２・・・・により円筒状の回転軸３・・・・のフランジ３ａに取付けられて保持されている。筒状の固定軸４・・・・が固定されている。ヒータベース６・・・・にはヒータ７が取付けられ、ヒータベース６を保持しかつヒータ７に通電する部材のリード線兼支柱８・・・・例である。遮蔽板９・・・・はヒータベース６の下方にあって・・・・ヒータ７の熱が輻射によって回転軸３及び固定軸４へ伝わり、軸受け１０・・・・の温度が上昇するのを防止している。前記軸受け１０は、真空用であることが必要で、回転軸３が固定軸４の周囲を回転するために介装されている。回転軸３にはカサバ歯車１１・・・・が固定され、この歯車１１には他のカサバ歯車１２・・・・と噛み合っている。前記歯車１２には軸１３を介してホルダの外部の駆動源・・・・から回転力が伝達される。・・・・」（第２頁右上欄第１２行〜右下欄第１０行）
が記載されている。　
　また、第１図から、「円筒状の回転軸３の中に、ヒータ７を支持するための筒状の固定軸４を配設し、その筒状の固定軸４の中にリード線兼支柱８を配設すること」を読みとることができる。　　　　
［引用例４］　
　「薄膜形成装置」に関して、
　「第１図および第２図において、１は真空室、２は真空室１内に設けられる基板電極で、この基板電極２の上部側にはフィルム状の基板３が保持される。この基板電極２は加熱ヒータ４、シース熱電対５，および水冷ジャケット６を内蔵しており、モータ７により歯車８，９および回転軸１０を介して回転されるようになっている。前記水冷ジャケット６は冷却水供給用ロータリージョイント１１に接続されている。また、加熱ヒータ４は基板電極２に内蔵されているため、基板電極２を直接加熱することができる。」（第２頁左上欄第８〜１８行）、
　「基板電極２は水冷ジャケット６を内蔵しているため、冷却効率も高い。そして、シース熱電対５も基板電極２に内蔵されているため、基板電極２の表面温度を正確に測定することができ、加熱ヒータ４の加熱時間や電圧調整あるいは水冷ジャケット６内の冷却水量をコントロールすることにより、基板電極２の表面温度すなわち、基板３の温度を正確に制御することができる。」（第２頁左下欄第１〜９行）
が記載されている。
　また、第１ないし２図には、「シース熱電対５を基板電極２に内蔵する」ことが図示されている。　　　　
［引用例５］　
　「半絶縁性砒化ガリウム単結晶の製造方法」に関して、
　「るつぼ７はサセプタ回転軸１２によって回転可能に支持されたカーボンサセプター８に収容されており、その周囲はカーボンヒータ９およびカーボンフェルト１０で包囲されている。また、サセプタ回転軸１２内には熱電対１１が挿入され・・・・」（第２頁左下欄第１４〜１８行）
が記載されている。
　また、第１図には、「サセプタ内に熱電対の先端側が挿入される挿入部を形成した」ことが図示されている。
［引用例６］　　
　「赤外線加熱装置」に関して、
　「・・・・前記サセプター回転軸１９の下端外周には磁石２０が取付けられ、前記測温窓１４の下方には磁石２０との間で磁気継手を構成する磁石２１がギヤ２２と一体となって設けられており、その横手に設けた駆動モータ２３とギヤ２４により磁石２１は回転自在になっている。」（第３頁左上欄第９〜２０行）
が記載されている。　　
　また、第１図には、「気密室内の回転軸１９を、気密室外の駆動モータ２３により、磁石２０，２１からなる磁気継手を使って回転させる」ことが図示されている。
［引用例７］　
　「半導体気相成長装置」に関して、
　「第２図は・・・・回転軸６を中心にサセプタ２を・・・・磁石７により回転させ・・・・」（第３頁左上欄第９〜１５行）
が記載されている。　
　また、第２図からは、「気密室内の回転軸６を気密室外の回転駆動手段により磁石７を使って回転させる」ことを読みとることができる。　
［引用例８］　
　「半導体物質の気相成長装置」に関して、
「内軸１５および外軸１４の上端部はそれぞれ電極６を構成し、この電極には円板状の加熱保持台２を保持する支持体１０が螺着される。・・・・この加熱保持台には後述する発熱体が埋設され、内軸１５、外軸１４を経て供給される電流によって加熱しうるようにされている。・・・・他方、この外軸および内軸には冷却水導溝２７，３１がそれぞれ穿孔されており、この軸の上端に近い適宜の位置にはそれぞれ中空部２６，３０が設けられている。またこの導溝２７，３１に供給される冷却水・・・・冷却水３６は導電性液体への通電による発熱を防止し・・・・」（第２頁左欄第２行〜右欄第２２行）
が記載されている。　
　また、第１図には、「内軸１５および外軸１４の内部に冷却水を供給可能にした」ことが図示されている。　　　
［引用例９］　　
　「気相表面処理反応装置」に関して、
　「前記底板４の上面にはサセプタ２と略同型寸法の反射板９が・・・・設置されており、反射板９は上方からこれに達した赤外線をサセプタ２へ向けて反射させるようになっている。」（第３頁左上欄第１１〜１５行）が記載されている。　　　
［引用例１０］　
　種々の「エピタキシャル成長装置」（例えば、分子線エピタキシャル成長装置、ガスソース分子線エピタキシャル装置等）についての説明が記載されている。
　（なお、この引用例１０は、本出願後に頒布されたものであって、参考資料として提示されたものである。）
［引用例１１］　
　「気相成長装置」に関して、
　「・・・・反応室１は、下チャンバ２と上チャンバ３とよりなる。・・・・上チャンバ３の上頂部には、ガス導入口１６があり、反応性ガス及びキャリヤガスが導入される。・・・・ヒータ５は、円盤状のヒータである。・・・・ヒータ５は導体９によって、電力が供給される。・・・・導体９を囲むように円筒形の固定筒８が設けられる。固定筒８は、下方が密封された容器で、上端部に反射板６が設けてある。反射板６は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗなど耐熱性のある金属の板で、ヒータ５の熱をサセプタ４の方へ反射するものである。・・・・サセプタ４は、水平のウェハ載置台２０と、側円筒部２１とよりなる。サセプタ４は鉛直軸のまわりに回転しなければならない。・・・・また、サセプタ側円筒部２１の下端と固定筒８の下方との接触部には、回転導入機１２を設ける。回転導入機１１、１２は、回転軸を密封する機構である。これには、多くのものがある。・・・・非接触型のクリアランスシールやラビリンスシールなどもある。この他に磁性流体シールがある。・・・・この他に、サセプタ側円筒部２１を回転支持する軸受をいくつか設けなければならない。・・・・モータ１３の回転が駆動歯車２４に伝わり、これが従動歯車２５を回転させる。これにより、サセプタ４、ウェハ１９が回転する。」（第３頁左上欄第４行〜第４頁左上欄第７行）
が記載されている。　
　また、第１図には、「固定筒８のまわりに回転導入機１２を介して側円筒部２１を回転可能に設ける」こと及び「固定筒８の内部にヒータ加熱用の導体９を配設する」ことが図示されている。　　　
［引用例１２］　　
　「成膜部材加熱装置」に関して、
　「回転ケーシング１０は下部開放の短円筒状をなすケーシング蓋体１１ａとケーシング底体１１ｂとが組付けられてなる中空円盤状ケーシング本体１１と、前記ケーシング底板１１ｂと一体で鉛直垂下するケーシング管状部１２とからなる。・・・・管状部１２の下部はケーシング駆動部３０に連結される。即ち、ケーシング駆動部３０は・・・・モータ３２により回転付与される・・・・。ヒータ４０は、前記ケーシング本体１１内に収容された円盤状のヒータ本体４１と、該ヒータ本体４１の下部に固定された棒状のヒータ脚部４２とからなり・・・・。従って、ケーシング管状部１２はこの耐熱リング２を回転ガイドとしてヒータ脚部４２のまわりに回転自在とされている。・・・・外筒２１のネック部には、該ネック部を螺旋状にとりまく冷却水管４が設けられ、ヒータ４０による高温がベアリング２２やゴムリング２３に伝導されてグリスやゴムが劣化するのが防止されている。・・・・」（第２頁左上欄第１６行〜右下欄第４行）
が記載されている。　　
　また、かかる装置の一実施例を示す第１図が示されている。
［引用例１３］
　「タングステン　シリサイドをデポジションする装置」に関して、
　「ハウジング１１はデポジションを行なっている間ウエーハを保持する基盤タレット組み立て体１３をその中央部に有している。」（第６欄第３〜５行）、
　「この処理中、タレット組立体１３はモータによってゆっくりした一定速度で回転される。この速度は・・・・これによってデポジションの均一性を向上させる。第３図及び第４図の切断された図に図示されているように、タレット組立体１３は、固定された三列のランプ、例えばランプ２４によって、内側より加熱される。・・・・」（第８欄第４４行〜第９欄第８行）
　「プラテンとウエーハ以外のタレット組立体１３の領域のデポジションを避けるため、タレット組立体１３は、代表的に、キャップ３１とベース３５に冷却システムを備えている。冷却は・・・・水パイプ３７によって行なわれる。・・・・この配水は、二重壁のパイプ４１によって行なわれる。・・・・」（第９欄第２８行〜第１０欄第２７行）
が記載されている。　　
　また、低圧ＣＶＤシステムを示す第１Ａ図、基板タレット組立体の内部構造を示す第３図が示されている。
［引用例１４］　
　「バレル型気相成長装置」に関して、
　「・・・・ライナー（２）の下端にカーボン製サセプタ（３）が固定される。・・・・ランプハウス（４）の内部に棒状の赤外ランプ（５）が多数本配置される。そして、サセプタ（３）が回転できるように・・・・取付けられる。・・・・ランプハウス（４）の内部は赤外ランプ（５）の電極（８）が加熱されないように不活性ガスを大量に導入して冷却している。」（第２頁左上欄第４〜２０行）、
　「ライナー（１３）及び円筒体（１６）は固定であり、サセプタ（１６）は回転機構を介して回転可能となされる。カーボンヒータ（１５）はサセプタ（１４）に対向し、その電極部分（１９）・・・・がステンレス台座（１８）の内側を通って下方に導出される。電極部分（１９Ｂ）は銅パイプで形成され、水冷される。」（第３頁右上欄第７〜１４行）
が記載されている。
　また、かかる装置の一実施例を示す第１図、従来のバレル型減圧ＭＯＣＶＤ装置の例を示す第５図が図示されている。
［引用例１５］　
　「真空槽内における基板の表面処理方法及び装置」に関して、
　「第９図・・・・ウェハー（９０）をその表面にマウントしたステージ本体（８１）は・・・・回転伝達機構（９１）を介してモーター（８６）により回転駆動される。・・・・ステージ本体（８２）には加熱ヒーター、冷却水路の両方又は片方が設けられておりヒーター電力、冷却水の導入は導入部（８９）（ロータリージョイント等）により行なわれる。・・・・」（第１頁右下欄第１３行〜第２頁左上欄第１５行）
が記載されている。　　　
　また、従来のＣＶＤ装置の例を示す第９ないし１０図が図示されている。
［引用例１６］
  「真空内処理方法及びその装置」に関して、上記引用例１５に記載のものとほぼ同様な事項が記載されている。
［引用例１７］　
　「光反応蒸着装置」に関して、
　「・・・・反応蒸着槽内において回転自在に支持された基体と・・・・前記反応蒸着槽内に設けられ、前記基体に連結された、磁性体より成る回転子と・・・・前記回転子と対向するよう前記反応蒸着槽の外に設けられた、当該回転子と磁気的に結合されてこれを回転させる回転子動作機構とを具えて成る・・・・」（実用新案登録請求の範囲）
が記載されている。
　また、かかる装置の各種回転機構を示す第２図、第５〜７図が図示されている。
［引用例１８］
　「回転サセプタ支持装置」に関して、
　「３３は駆動源の回転軸、３４は回転軸３３と一体の回転軸である。３５ａおよび３５ｂはそれぞれ回転軸１６と回転軸３４に付けられた磁石で磁石３５ａと磁石３５ｂとの間に磁気継手を構成してサセプタを回転する。」（第２頁左下欄第１０〜１５行）、
　「回転サセプタ１５とそれに一体の回転軸１６をジャーナル軸受１７から支持でき、またスラスト軸受２７からも支持することができる。」（第３頁左上欄第１６〜１９行）
が記載されている。
　また、第１〜３図に、「軸受（３ａ，３ｂ、１７，２７）によって回転可能に支持される回転軸（２，１６）の下端部に、永久磁石（９ａ，９ｂ、３５ａ，３５ｂ）で構成される磁気継手を設けた回転機構を有する装置」、即ち「回転サセプタの非接触カップリング手段を有する回転サセプタ支持装置」が図示されている。　
［引用例１９］　
　「マイクロ波プラズマＣＶＤ法による機能性堆積膜の形成方法及び形成装置」に関して、
　「第２図に示す。図中・・・・回転軸２０９の内部は二重管構造になっていて・・・・冷却水導入手段２２０から冷却水を導入、循環させている。・・・・回転軸２０９は・・・・回転運動の伝達手段２１６により所定の回転速度で回転させることができる。」（第６頁左下欄第１〜１９行）
が記載されている。　
　また、第１（Ａ）図〜第２図から、「基体（１０５）を回転させるための回転軸（１０９，２０９）、回転軸を回転させる駆動手段（２１６）、ヒーター（１０７）を備え、ヒーター１０７が基体の内部空間に配設され、回転軸内部に冷却水導入手段（２２０）を設ける」ことを読みとることができる。
［引用例２０］　
　「気相成長装置のサセプタ回転軸冷却構造」に関して、
　「真空チャンバ１の中に、円筒状又は多角形筒状のサセプタ２が設けられる。サセプタ２を加熱するため、ヒータ３がその内部に設けられる。」（第４頁第１９行〜第５頁第２行）、
　「真空チャンバ１の側方に回転駆動系８があるという事が重要である。
回転力を側方から、サセプタ下軸に伝える。」（第５頁第９〜１１行）、
　「回転導入軸９の先端には、ベベルギヤ１０が固着される。これと直角をなして、サセプタ下軸６にも、ベベルギヤ１０が固着される。・・・・軸受１２、軸受１３によって、上下２箇所が回転可能に支持される。」（第６頁第１５行〜第７頁第１行）、
　「ヒータ３の内側、下側には、ヒータの輻射をサセプタの方へ反射するための熱反射板２９が設置されている。」（第８頁第３〜５行）、
　「サセプタ下軸６は、中空になっている。この中に冷却用パイプ１６が装入されている。冷却用パイプ１６は外筒３３と内筒３４よりなる二重筒体である。」（第８頁第１５〜１８行）、
　「サセプタ下軸６が冷却されるので、軸受やベベルギヤなども冷却され、高熱から防護される。」（第１１頁第１４〜１６行）
が記載されている。
　また、第１図、第２図に、かかる装置の縦断面図、及び、冷却構造を示す拡大縦断面図が示されている。
　　　　
３．訂正発明の構成、特徴点及び効果
（イ）訂正発明１及び２は、いずれも下記の基本構成を具備しているものとすることができる。
　基本構成：　原料ガスが供給される反応炉内に配置され基板を載置するためのサセプタと、サセプタを回転自在に支持するための回転軸と、回転軸を回転駆動するための駆動手段と、サセプタを加熱するための加熱手段とを具備した気相成長装置であって、加熱手段を、サセプタあるいは回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に配設し、サセプタ及び回転軸の回転時に静止状態となるようにした構成。
　　
（ロ）訂正発明１は、上記基本構成に加えて下記特徴点１を備えるものとすることができる。
　特徴点１：　回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して第１及び第２の軸受けを設けるとともに、駆動手段として回転軸を気密状態で回転させるように回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するための磁気カップリング手段を設け、当該磁気カップリング手段を、第１及び第２の軸受け間の空間に配設し、駆動手段からの回転駆動力を回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達するように構成した点。
　上記特徴点１を備えることにより、訂正発明１では、以下の顕著な効果を奏し得るものと認められる。
　効果１：　磁気カップリング手段を第１及び第２の軸受け間の空間に配設することにより、磁気カップリング特有の円滑かつ安定な回転機能をさらに高めることができるために、一層均一な厚みの結晶膜を得ることができる。
　効果２：　磁気カップリング手段を第１及び第２の軸受け間の空間を利用して納めることができるため、装置全体のコンパクト化を図ることができる。
　　　
（ハ）訂正発明２は、上記基本構成に加えて以下の特徴点２を備えるものとすることができる。
　特徴点２：　回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設け、回転軸を筒状に形成し、その中に加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、支持軸内に加熱手段に接続される電極を配設すると共に、冷却手段は、支持軸内の電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成した点。
　上記特徴点２を備えることにより、訂正発明２では、以下の顕著な効果を奏し得るものと認められる。
　効果３：　一つの冷却機構で、支持軸内の電極と支持軸を取り囲む筒状の回転軸とを、同時に効率よく冷却することができる。
　効果４：　回転軸の外部に別途冷却機構を設けるものに比べて、支持軸内の空間を冷却機構として利用することができるため、装置全体のコンパクト化を図ることができる。
　　　　
（ニ）訂正発明３ないし７は、いずれも請求項１または２を引用するものであり、上記基本構成の他上記特徴点１または２を具備するものである。
　　　　
４．対比・検討
（イ）ここでは、まず、訂正発明１及び２について検討する。
［申立理由Ａについて］
　ａ）訂正発明１と引用例１〜９，１２〜１８に記載の各発明とを対比すると、引用例記載の発明は、いずれも、訂正発明１が必須構成要件としている上記特徴点１を具備していない。
　即ち、引用例２，１８には、磁気カップリング手段及び軸受けについての記載がみられるものの、磁気カップリング手段（引用例２では９ａ，９ｂ、２８ａ，２８ｂ；引用例１８では９ａ，９ｂ、３５ａ，３５ｂ）を「第１及び第２の軸受け（引用例２では３ａ，３ｂ、１７ａ，１７ｂ；引用例１８では３ａ，３ｂ、１７，２７）間以外の箇所（回転軸の下端部）に配設する」ものが図示されているにすぎず、特徴点１のうちの「磁気カップリング手段を、第１及び第２の軸受け間の空間に配設する点」については、記載も示唆もされていない。
　また、引用例６，７，１７には、磁気カップリング手段についての記載はみられるものの、軸受けについての記載がない。
　そして、引用例１，３〜５，８〜９，１２〜１６には、磁気カップリング手段そのものについて何らの記載も示唆もない。
　してみれば、特徴点１を具備することにより上記顕著な効果１，２を奏し得ている訂正発明１については、引用例１〜９，１２〜１８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたということはできない。
　　　　
　ｂ）次に、訂正発明２と引用例１〜９，１２〜１８に記載の発明とを対比すると、引用例記載の発明は、いずれも、訂正発明２が必須構成要件としている上記特徴点２を具備していない。
　即ち、引用例１，４，８，１２〜１６には、「回転軸の内部等を冷却するための冷却手段」を具備するものが記載され、さらに「回転軸の回転時に静止状態となる中空の支持軸」を備えるもの（引用例１，１２，１４）や、「加熱手段に接続される電極」を備えるもの（引用例１２，１４）が記載されているものの、これらのいずれにも、特徴点２のうちの「支持軸内に電極を配設し、この電極の周囲に、回転軸及び電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成した点」の記載が見当たらない。
　なお、引用例１４記載のものにおいて、第１図に係る装置では、「電極部分（１９Ｂ）は銅パイプで形成され、水冷される」と記載されているものの、この記載が、冷却媒体を「電極の周囲に供給する」ことを示しているとする根拠はない。
　同じく、引用例１４記載のものにおいて、第５図に係る装置では、特徴点２で必須の「筒状の回転軸」を備えていない。
　また、引用例２〜３，５〜７，９，１７〜１８には、「回転軸の内部を冷却するための冷却手段」そのものについて何らの記載も示唆もない。
　そして、上記いずれの引用例にも、各引用例に記載されている構成の一部分ずつを取り出し、それらを組み合わせることによって特徴点２を構成するに至る動機付けとなるような記載は全く見当たらない。
　したがって、特徴点２を具備することにより上記顕著な効果３，４を奏し得ている訂正発明２については、引用例１〜９，１２〜１８に記載された発明であるかないしはかかる発明に基づいて当業者が容易に発明できた程度のものであると認めることはできない。
　　　
［申立理由Ｂについて］
　ａ）訂正発明１と引用例１１に記載の発明とを対比すると、この引用例には、上記基本構成が記載されているものの、上記特徴点１が記載されていない。
　したがって、特徴点１を具備する訂正発明１が、引用例１１に記載された発明と同一であるとは認められない。　　　
　　
　ｂ）訂正発明２と引用例１９ないし２０に記載の発明とを対比すると、これら引用例のいずれにも、特徴点２のうち「支持軸内に加熱手段に接続される電極を配設すると共に、かかる電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成した点」の記載が見当たらない。
　したがって、訂正発明２が、引用例１９ないし２０に記載された発明と同一であるとは認められない。　　　
　　
［申立理由Ｃについて］
　訂正請求にかかる訂正により、請求項２において「回転軸の内部を冷却するための冷却手段」の具体的構成が明確にされたため、明細書の記載不備は解消され、申立理由Ｃについてはその根拠がないものとなった。
　　
（ロ）以上述べたとおり、訂正発明１及び２については、申立人高橋及び申立人山口が主張するいずれの申立理由も採用することはできない。
　そして、訂正発明３〜７は、全て訂正発明１または２を引用するものであるから、訂正発明３〜７に係る異議申立てについては、上記（イ）で述べた理由と同様な理由によって、やはり、申立人高橋及び申立人山口が主張するいずれの申立理由も採用することはできない。　
　　　　
六．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の訂正発明１ないし７の特許を取り消すことはできない。　
　また、他に本件の訂正発明１ないし７の特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１３年２月１６日（２００１．２．１６）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２９６６０２５号の明細書を以下のとおり訂正する。
［訂正事項ａ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１において、「・・・・この回転軸を回転駆動するための駆動手段と・・・・前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するためのカップリング手段を有していることを特徴とする・・・・」とあるのを、「・・・・この回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して設けられた第１及び第２の軸受けと、前記回転軸を回転駆動するための駆動手段と・・・・前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように前記回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するための磁気カップリング手段を有し、当該磁気カップリング手段は、第１及び第２の軸受け間の空間に配設され、前記駆動手段からの前記回転駆動力を前記回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達することを特徴とする・・・・」と訂正する。
［訂正事項ｂ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項２において、「・・・・前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設けたことを特徴とする・・・・」とあるのを、「・・・・前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設け、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記冷却手段は、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴とする・・・・」と訂正する。
［訂正事項ｃ］
　特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、請求項３において、「・・・・前記支持軸内に前記電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の気相成長装置。」とあるのを、「・・・・前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴とするを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。」と訂正する。
［訂正事項ｄ］
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の（課題を解決するための手段）（特許掲載公報第５欄第６〜４８行）において、
　「この回転軸を回転駆動するための駆動手段」（第５欄第１０行）とあるのを、「この回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して設けられた第１及び第２の軸受けと、前記回転軸を回転駆動するための駆動手段」と、
　「前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するためのカップリング手段を有していることを特徴としている。」（第５欄第１４〜１７行）とあるのを、「前記駆動手段は、前記回転軸を気密状態で回転させるように前記回転軸に非接触で回転駆動力を伝達するための磁気カップリング手段を有し、当該磁気カップリング手段は、第１及び第２の軸受け間の空間に配設され、前記駆動手段からの前記回転駆動力を前記回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達することを特徴としている。
　また、本発明は、前記気相成長装置において、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴としている。」と、
　「前記加熱手段は・・・・冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴としている。」（第５欄第２２〜３２行）とあるのを、「前記加熱手段は、前記サセプタあるいは前記回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に配設され、前記サセプタ及び前記回転軸の回転時に静止状態となると共に、前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設け、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記冷却手段は、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴としている。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
気相成長装置
（５７）【特許請求の範囲】
（１）　原料ガスが供給される反応炉内に配置され基板を載置するためのサセプタと、該サセプタを回転自在に支持するための回転軸と、この
回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して設けられた第１及び第２の軸受けと、前記
前記
磁気
、当該磁気カップリング手段は、前記第１及び第２の軸受け間の空間に配設され、前記駆動手段からの前記回転駆動力を前記回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達する
（２）　原料ガスが供給される反応炉内に配置され基板を載置するためのサセプタと、該サセプタを回転自在に支持するための回転軸と、この回転軸を回転駆動するための駆動手段と、前記サセプタを加熱するための加熱手段とを具備した気相成長装置において、前記加熱手段は、前記サセプタあるいは前記回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に配設され、前記サセプタ及び前記回転軸の回転時に静止状態となると共に、前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設け
、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加数手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加数手段に接続される電極を配設すると共に、前記冷却手段は、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成し
（３）　前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記支持軸内
の前記電極の周囲に当該
請求項１
（４）　前記駆動手段より上方に位置する前記回転軸の部分を、その軸方向に少なくとも２分割構成とし、その分割面相互の接触部分が前記回転軸の分割されていない部分よりも熱伝導率が小さくなるように構成したことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の気相成長装置。
（５）　前記加熱手段の前記サセプタに対して反対側の位置に反射板を配設したことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の気相成長装置。
（６）　前記サセプタあるいは回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に、前記サセプタの加熱温度を測定する熱電対を配設すると共に、前記サセプタに前記熱電対の先端側が挿入される挿入部を形成したことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の気相成長装置。
（７）　前記熱電対の周囲に沿ってパージガスが流れる流路を形成したことを特徴とする請求項６記載の気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
　本発明は、例えばヘテロ構造の化合物半導体等の製造に用いられる気相成長装置に関する。
（従来の技術）
　結晶基板上に化合物半導体の膜を気相成長させて化合物半導体を製造する従来の気相成長装置は、例えば第９図に示すように構成されている。
　この図に示すように、従来の気相成長装置は、ベースプレート１００上に気密状態で固着された反応炉１０１内に、結晶基板１０２を載置するサセプタ１０３と、サセプタ１０３を着脱自在に支持する回転軸１０４と、結晶基板１０２及びサセプタ１０３を加熱するヒータ１０５が配設されている。
　反応炉１０１は、上部にガス（原料ガス、キャリアガス等）を供給する給気口１０１ａが形成され、下部には反応炉１０１内の未反応ガスを排出する排気口１０１ｂが形成されている。回転軸１０４は、ベースプレート１００を貫通して真空シール軸受１０６（例えばマグネットカップリングタイプ軸受）により気密状態で回転自在に軸支されている。また、回転軸１０４の下部にはプーリ１０７が接続されており、このプーリ１０７には、ベルト１０８、プーリ１０９を介してモータ１１０が連結されている。ヒータ１０５は、サセプタ１０３の下方で回転軸１０４の周囲に配設されている。
　従来の気相成長装置は上記のように構成されており、サセプタ１０３上に載置された結晶基板１０２をヒータ１０５の加熱によって所定温度に上昇させて、給気口１０１ａから反応炉１０１内に原料ガス（例えば、ＡｓＨ３、ＰＨ３等）をキャリヤガス（例えば、Ｈ２等）と共に供給し、結晶基板１０２上に化合物半導体の膜を気相成長させる。この時、モータ１１０を駆動しプーリ１０９、ベルト１０８を介して連結されているプーリ１０７、回転軸１０４に回転動力を伝達して、サセプタ１０３を回転させる。そして、反応炉１０１内の残留ガスを排気口１０１ｂからロータリポンプ（不図示）により排気する。
　ところで、前記した気相成長装置では、気相成長により得られる化合物半導体の膜の厚さは、均一な性能の半導体を得るために高精度な均一性が要求される。この結晶膜の均一性は気相成長を行う時の結晶基板の温度分布に負うところが大きく、結晶基板の温度分布の均一性を図ることは、均一性の良い結晶膜を得るために欠かせない条件の一つである。
　しかしながら、前記した従来の気相成長装置では、結晶基板１０２を載置するサセプタ１０３は回転軸１０４でその中央部が支持されているので、サセプタ１０３を加熱するヒータ１０５は、サセプタ１０３の下方で回転軸１０４の周囲に配置されている。このため、サセプタ１０３の周辺部と、回転軸１０４で支持される中央部の温度分布の均一化が困難であった。
　また、反応炉１０１内に供給される原料ガスの流れを改善するためにサセプタ１０３を高速回転（１０００ｒｐｍ以上）させる場合、サセプタ１０３の均一な温度分布を得るために、サセプタ１０３の下方に配置されるヒータ１０５の占める面積を大きくして回転軸１０４の径を細くすると、回転軸１０４の固有振動数が低くなって、運転時（気相成長時）の回転数の範囲に入る。このため、運転時（気相成長時）にサセプタ１０３に振動が発生して、サセプタ１０３に載置される結晶基板１０２が動いたり、結晶基板１０２が割れ易いガリゥムヒ素（ＧａＡｓ）等であれば損傷が発生する恐れがあり、また、大型のサセプタ１０３を有する気相成長装置の場合では、回転時１０４の剛性不足等により回転性能が損なわれる恐れがある。
　また、前記した従来の気相成長装置では、回転軸１０４の上部の周囲にヒータ１０５が配設されているので、回転軸１０４も輻射や伝熱によって温度が上昇し、更に回転軸１０４を回転駆動す真空シール軸受１０６の軸受けも熱が伝達されることによって温度が上昇する。真空シール軸受１０６の軸受けの温度が上昇すると、軸受けの潤滑油の潤滑不良等によって回転不良が生じ易くなり、回転軸１０４の円滑な回転性能が得られなくなって、均一な厚みの結晶膜が得られなくなる。
　また、気相成長により得られる化合物半導体の膜の厚さ、品質は成長温度に依存するところが多い。よって、結晶基板１０２を載置したサセプタ１０３の加熱中の温度を正確に測定して温度制御する必要がある。
（発明が解決しようとする課題）
　前記したように従来の気相成長装置では、サセプタ１０３を均一に加熱することができず、また、回転軸１０４の軸受けの熱による影響で回転不良が生じ、また、サセプタ１０３の加熱時の温度測定を正確に行うことができなかったので、均一な厚みの結晶膜を得ることが難しかった。
　本発明は上記した課題を解決する目的でなされ、加熱手段によって加熱されるサセプタの温度分布を均一にし、また、回転軸を円滑に回転させ、更に、加熱されるサセプタの温度を正確に測定して、均一性の良い結晶膜が得られるようにした気相成長装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　前記した課題を解決するために本発明は、原料ガスが供給される反応炉内に配置され基板を載置するためのサセプタと、該サセプタを回転自在に支持するための回転軸と、この
回転軸を回転自在に支持し当該回転軸の軸方向に離間して設けられた第１及び第２の軸受けと、前記
前記
磁気
、当該磁気カップリング手段は、前記第１及び第２の軸受け間の空間に配設され、前記駆動手段からの前記回転駆動力を前記回転軸の外周側から当該回転軸へ伝達する
　
また、本発明は、前記気相成長装置において、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成したことを特徴としている。
　また、本発明は、原料ガスが供給される反応炉内に配置され基板を載置するためのサセプタと、該サセプタを回転自在に支持するための回転軸と、この回転軸を回転駆動するための駆動手段と、前記サセプタを加熱するための加熱手段とを具備した気相成長装置において、前記加熱手段は、前記サセプタあるいは前記回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に配設され、前記サセプタ及び前記回転軸の回転時に静止状態となると共に、前記回転軸の内部を冷却するための冷却手段を設け
、前記回転軸を筒状に形成し、その中に前記加熱手段を支持するための中空の支持軸を配設して、前記支持軸内に前記加熱手段に接続される電極を配設すると共に、前記冷却手段は、前記支持軸内の前記電極の周囲に当該電極を冷却するための冷却媒体を供給可能に構成し
　
また、
　また、本発明は、前記加熱手段の前記サセプタに対して反対側の位置に反射板を配設したことを特徴としている。
　また、本発明は、前記サセプタあるいは回転軸の少なくとも一方の内部に形成した空間に、前記サセプタの加熱温度を測定する熱電対を配設すると共に、前記サセプタに前記熱電対の先端側が挿入される挿入部を形成したことを特徴としている。
　また、本発明は、前記熱電対の周囲に沿ってパージガスが流れる流路を形成したことを特徴としている。
（作用）
　本発明によれば、サセプタあるいは回転軸の少なくとも一方の内容に形成した空間に、加熱手段を配設したことにより、サセプタ全域を均一に加熱することができ、均一な結晶膜を得ることができる。
　また、サセプタ加熱時に回転軸の温度上昇が抑えられることにより、回転軸の軸受けの温度上昇を抑えられ、円滑な高速回転が可能となるので、均一な厚みの結晶膜を得ることができる。
　また、加熱手段の影響を受けることなく、サセプタの加熱温度を正確に測定することができるので、サセプタの加熱温度を原料ガスの反応温度に正確に合せることができ、良質な結晶膜を得ることができる。
（実施例）
　以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
　第１図は本発明の第１実施例に係る気相成長装置を示す断面図である。この図に示すように、ベースプレート１上に気密状態で固着された反応炉２内には、結晶基板３を載置する円板状のサセプタ４と、サセプタ４を着脱自在に支持する筒状の回転軸５と、結晶基板３及びサセプタ４を加熱する渦巻き状のヒータ６が配設されている。
　反応炉２は、上部にガス（原料ガス、キャリアガス等）を供給する給気口２ａが形成され、下部には反応炉２内の未反応ガスを排出する排気口２ｂが形成されている。
　回転軸５のサセプタ４を支持する上部領域５ａは、サセプタ４の径と略同径の筒状に形成されており、ベースプレート１に貫通している回転軸５の下側は、ベースプレート１と固定フランジ７間に設けた真空シール軸受８の玉軸受９ａ，９ｂで回転自在に支持されている。サセプタ４と回転軸５の上部５ａの間に形成される空間１０には、中空の支持軸１１で支持されたヒータ６が配設されている。支持軸１１は、固定フランジ７に嵌着されており、その内側には、ヒータ６に接続される一対の電極１２ａ，１２ｂが配設され、下端部で絶縁気密シール２１を介し外部に貫通している。
　真空シール軸受８は、上部がベースプレート１に固着され下部が固定フランジ７に固着されて回転軸５の外周に配設される軸受ハウジング１３と、軸受ハウジング１３の内周側に設けた回転軸５を回転自在に支持する玉軸受９ａ，９ｂと、回転軸５に固着した複数の磁気カップリング従動リング１４と、軸受ハウジング１３の外周側に玉軸受１５ａ，１５ｂを介して回転自在に設けたプーリ１６と、プーリ１６の内側に磁気カップリング従動リング１４と対向して設けた磁気カップリング回転リング１７とから成る気密軸受で構成されている。対向する磁気カップリング従動リング１４と磁気カップリング回転リング１７は、互いの磁力により吸引力が働くように配置されている。プーリ１６には、ベルト１８、プーリ１９を介してモータ２０が連結されており、モータ２０の駆動によって、プーリ１９、ベルト１８を介してプーリ１６、磁気カップリング回転リング１７が回転し、磁気カップリング回転リング１７の磁力によって磁気カップリング従動リング１４、回転軸５が一体に回転する。
　第２図は、支持軸１１を示す拡大断面図である。尚、この図では、ベースプレート１と固定フランジ７間に配設される真空シール軸受８は省略されている。支持軸１１内には、上部に上端栓２２と気密栓２３が配設され、下部に気密栓２４と下端栓２５が配設されており、気密栓２３，２４の間には、絶縁体２６で被覆された電極１２ａ，１２ｂをその内側に隙間２７を設けて通した管２８ａ，２８ｂが嵌着されている。上端栓２２は耐熱性の絶縁材で形成されている。下端栓２５の下部には、絶縁管２９を介装した押え板３０がボルト３１ａ，３１ｂで固着されており、下端栓２５と絶縁管２９間に設けたＯリング３２で、電極１２ａ，１２ｂの下部が下端栓２５、絶縁管２９、押え板３０に気密状態に挿通されている。
　電極１２ａ，１２ｂの上部とヒータ６間には、ねじ３３ａ，３３ｂで固着された導体部材３４ａ，３４ｂが配設されており、電極１２ａ，１２ｂ、導体部材３４ａ，３４ｂを介してヒータ６に通電される。
　気密栓２３，２４の間には、冷却水が注入される冷却室３５が形成され、また、気密栓２４と下端栓２５間には、パージガスが供給されるパージガス室３６が形成されている。パージガス室３６は、電極１２ａ，１２ｂと管２８ａ，２８ｂ間の隙間２７を通してヒータ６が配設されている空間１０に連通している。また、支持軸１１の外周面には、冷却室３５に連通した給水管３７と、パージガス室３６に連通したパージガス供給管３８が配設され、冷却室３５の略中央部には排泄管３９が配設されており、排水管３９は気密栓２４、下端栓２５及び押え板３０に嵌着されている。
　上記した支持軸１１、上端栓２２、下端栓２５、気密栓２３，２４、管２７ａ，２７ｂ、排水管３９のそれぞれの接合部は気密溶接で接合され、電極１２ａ，１２ｂの下部と下端栓２５は絶縁状態で気密に接合されている。
　次に、本発明に係る気相成長装置の動作について説明する。電極１２ａ，１２ｂの下部に接続した電源（不図示）から電極１２ａ，１２ｂ、導体部材３４ａ，３４ｂを通してヒータ６に通電し、反応炉２内を加熱してサセプタ４に載置した結晶基板３の温度を所定温度まで上昇させる。そして、パージガス供給管３８からパージガス（例えばＨ２）を、パージガス室３６、隙間２７を通してヒータ６が配設されている空間１０に供給すると共に、給気口２ａから反応炉２内に原料ガス（例えば、ＡｓＨ３、ＰＨ３等）をキャリアガス（例えば、Ｈ２）と共に供給して、結晶基板３上に化合物半導体の膜を気相成長形成させる。この時、モータ２０を駆動してプーリ１９、ベルト１８を介して連結されているプーリ１６に回転動力を伝達して回転させる。プーリ１６が回転するとその内側に設けた磁気カップリング回転リング１７が回転し、更に、磁力による吸引力で回転軸５に設けた磁気カップリング従動リング１４も一体に回転して、サセプタを回転させる。そして、反応炉２内の残留ガスを排気口２ｂからロータリポンプ（不図示）により排気する。
　また、給水管３７より支持軸１１内の冷却室３５に冷却水を供給し排水管３９から排出して循環させることにより、ヒータ６の放熱、負荷電流等によって高温になる電極１２ａ，１２ｂを空間１０に流れるパージガスを介し伝導で効率よく冷却することができる。
　また、前記した実施例では、電極１２ａ，１２ｂと管２８ａ，２８ｂ間に設けた隙間２７を通してヒータ６を配設した空間１０にパージガスを供給したが、第３図（ａ），（ｂ）に示すように、電極１２ａ，１２ｂと管２８ａ，２８ｂ間に設けた隙間２７の下部にＯリング４０ａ，４０ｂを取付けて隙間２７を密封する。そして、パージガス導入用の管４１をパージガス室３６とヒータ６を配設した空間１０に連通して配設し、管４１を通してパージガスを、ヒータ６を配設した空間１０に供給し、Ｏリング４０ａ，４０ｂで密封した隙間２７にフッ素系オイルを充填しても良い。
　更に、第４図（ａ），（ｂ）に示すように、電極１２ａ，１２ｂの外周に設けた管２８ａ，２８ｂを外して、電極１２ａ，１２ｂと気密栓２３、２４間に絶縁気密シール４２ａ，４２ｂを取付ける。そして、パージガス導入用の管４３をパージガス室３６とヒータ６を配設した空間１０に連通して配設し、管４３を通してパージガスを、ヒータ６を配設した空間１０に供給しても良い。また、前記した実施例では、加熱手段としてヒータを用いたがランプ加熱でも良く、また、真空シール軸受は磁気カップリング以外にも、磁性流体シール、または合成樹脂等で構成されるシール構造でも良い。また、真空シール軸受を複数個配設することも可能である。また、加熱手段は、サセプタ４内或いは回転軸５内の少なくとも一方の内部に配設されていれば良い。
　第５図、第６図は、本発明の第２実施例に係る気相成長装置を示す断面図である。
　本実施例においては、支持軸１１の上部にモリブデン等から成る円板状の反射板５０が、ヒータ６とその下方にある導体部材３４ａ，３４ｂ間に位置するようにして取付けられている。また、回転軸５は上部５ａと中間部５ｂと下部５ｃに３分割されており、サセプタ４を支持する上部５ａはサセプタ４の径と略同径の筒状に形成され、ベースプレート１に貫通し上部５ａより小径の下部５ｃは、ベースプレート１と固定フランジ７間に設けた真空シール軸受８の玉軸受９ａ，９ｂで回転自在に支持されている。回転軸５の上部５ａと下部５ｃは、ヒータ６の下方に位置する中間部５ｂで連結されている。
　回転軸５の上部５ａと中間部５ｂ、下部５ｃと中間部５ｂは、第６図に示すように、モリブデン等から成る小径のスペーサ５１を介在してビス５２で接合されており、それぞれ接合される相互の接触面積が小さくなるようにしている。
　他の構成（支持軸１１内の構成や回転軸５を回転駆動する真空シール軸受８の構成等）および動作は、前記第１図、第２図に示した第１実施例と同様である。
　このように本実施例においては、ヒータ６のサセプタ４に対して反対側の位置に反射板５０を設けたことにより、ヒータ６から下方（回転軸５側）に輻射される熱が反射板５０で上方（サセプタ４側）に反射されるので、回転軸５の加熱が低減される。また、回転軸５を上部５ａと中間部５ｂと下部５ｃに分割して、各接合面の接触面積が小さくなるようにスペーサ５１を介在して接合したことにより、ヒータ６で回転軸５が加熱されても各接合面で熱の伝達が低減される。
　よって、回転軸５の温度上昇が抑えられることにより、回転軸５を回転駆動する真空シール軸受８の玉軸受９ａ，９ｂの熱伝導による温度上昇も抑えられるので、玉軸受９ａ，９ｂの潤滑油の潤滑不良等が防止され、回転軸５の潤滑な回転性能が得られる。
　また、本実施例では回転軸５を３分割して接合したが、２分割あるいは４分割以上にして接合しても良く、また、各接合面の間に介在したスペーサ５１はモリブデン以外にも例えば熱伝導率の小さい部材で形成しても良い。
　第７図は、本発明の第３実施例に係る気相成長装置を示す断面図である。
　本実施例においては、真空シール軸受８の軸受ハウジング１３の上部に、回転軸５の外周を囲むようにして内部に冷却水路７０ａを形成した環状の冷却筒７０が配設されている。冷却筒７０の下部には、冷却水水路７０ａに冷却水を供給、排出する不図示の供給管と排出管が取付けられており、冷却水水路７０ａ内を冷却水が循環される。
　また、回転軸５、真空シール軸受８、支持軸１１の内部には、それぞれの下部からハージガス（例えばＨ２）が不図示のパージガス供給口より供給される。
　他の構成（支持軸１１内の構成や回転軸５を回転駆動する真空シール軸受８の構成等）および動作は、前記第１図、第２図に示した第１実施例と同様である。
　このように本実施例においては、ヒータ６でサセプタ４を加熱する際に回転軸５が輻射や伝熱によって加熱されても回転軸５の外側に設けた冷却筒７０で回転軸５を冷却することができ、更に回転軸５と冷却筒７０間の空間７１に下方から流れているパージガス（例えばＨ２）によっても回転軸５が冷却されるので、回転軸５の温度上昇を抑えることができる。
　このように、回転軸５の温度上昇で抑えられることにより、回転軸５を回転駆動する真空シール軸受８の玉軸受９ａ，９ｂの熱伝導による温度上昇も抑えられるので、玉軸受９ａ，９ｂの潤滑油の潤滑不良等が防止され、回転軸５の円滑な回転性能が得られる。
　また、本実施例では回転軸５を冷却する冷却筒７０を軸受ハウジング１３の上部に設けたが、冷却筒７０を例えばベースプレート１に設けても良く、また、他の冷却手段として回転軸５の外周に直径方向にフィンを設けても良い。
　第８図は、本発明の第４実施例に係る気相成長装置の断面図である。
　本実施例においては、支持軸１１の上部に絶縁体６０が嵌合されており、この絶縁体６０にはサセプタ６を支持する導体部材３４ａ，３４ｂに接続される電極１２ａ，１２ｂが挿通されている。また、絶縁体６０の中央部には、サセプタ４の加熱温度を測定する熱電対６１が挿通されており、熱電対６１の先端側（温度測定部）は、ヒータ６に形成した穴６ａを通してサセプタ４に形成した挿入部４ａ内に配置されている。サセプタ４に形成した挿入部４ａは、ヒータ６に形成した穴６ａの中に位置しているので、熱電対６１はヒータ６の放射熱による影響が小さくなり、また、挿入部４ａと熱電対６１間は、サセプタ４が回転したときに熱電対６１が挿入部４に接触しないように適当な間隙が形成されている。
　ヒータ６を配置した空間１０内には、絶縁体６０の電極１２ａ，１２ｂ、熱電対１６がそれぞれ挿通される穴６０ａ，６０ｂ，６０ｃを通してパージガス（例えばＨ２）が導入され、熱電対６１の周囲にはモリブデン等からなる保護筒６２が配設されている。保護筒６２の下部は絶縁体６０の穴６０ｃに固着されており、熱電対６１と保護筒６２間には熱電対６１の周囲に沿ってパージガスが流れる流路６３が形成されている。
　他の構成（支持軸１１内の構成や回転軸５を回転駆動する真空シール軸受８の構成等）および動作は、前記第１図、第２図に示した第１実施例と同様である。
　このように本実施例においては、熱電対６１の先端側（温度測定部）がサセプタ４に形成した挿入部４ａに配置されているので、ヒータ６の放射熱の影響が小さくなり、サセプタ４の加熱温度を正確に測定することができる。
　また、熱電対６１の周囲に形成した流路６３にパージガスが流れることにより、反応炉２内の圧力変動等によって回転軸５の内部に原料ガスが流入した場合でも、原料ガスが熱電対６１と直接触れることがないので、熱電対６１の被覆材の腐食を防止することができる。よって、熱電対６１の被覆材の腐食による微量なリークが発生することもないので、微量の酸素（空気）が反応炉２に流入することもなく、良質な結晶膜を得ることができる。
　また、熱電対６１は、サセプタ４の挿入部４ａと保護筒６２内に配置されているので、ヒータ６の放射熱を直接受けることが少なくなり、熱電対６１の被覆材の熱による劣化を防止することができる。
［発明の効果］
　以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明によれば、サセプタ上に載置される結晶基板を加熱する加熱手段を、サセプタとサセプタを支持する回転軸内に形成した空間に設けたことにより、サセプタの全面を均一に加熱することができるので、結晶基板の温度分布が均一になり、均一性の良い結晶膜を得ることができる。
　また、加熱手段を回転軸内に配設することによって回転軸の径を太くして剛性を高くすることができる。従って、回転軸の固有振動数を高くすることができるので、運転時（気相成長時）にサセプタに共振による振動の発生が防止され、結晶基板を安定してサセプタ上に載置することができる。
　また、請求項４，５，６に係る本発明によれば、サセプタの加熱時にサセプタを回転自在に支持する回転軸の温度上昇を抑えることができる。従って、軸受の潤滑油の潤滑不良等が防止されるので、円滑な高速回転が可能となり、均一な厚みの結晶膜を得ることができる。
　また、請求項７に係る本発明によれれば、サセプタの加熱温度を正確に測定することができるので、サセプタの加熱温度を原料ガスの反応温度に正確に合わせることが可能となり、良質な結晶膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明の第１実施例に係る気相成長装置を示す断面図、第２図は、同気相成長装置の支持軸を示す断面図、第３図（ａ），（ｂ）及び第４図（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の他の実施例に係る気相成長装置の支持軸を示す断面図、第５図は、本発明の第２実施例に係る気相成長装置を示す断面図、第６図は、同気相成長装置の要部を示す拡大断面図、第７図は、本発明の第３実施例に係る気相成長装置を示す断面図、第８図は、本発明の第４実施例にかかる気相成長装置の要部を示す拡大断面図、第９図は、従来の気相成長装置を示す断面図である。
１……ベースプレート、２……反応炉
３……結晶基板、４……サセプタ
４ａ……挿入部、５……回転軸
５ａ……上部、５ｂ……中間部
５ｃ……下部、６……ヒータ
８……真空シール軸受、１０……空間
１１……支持軸、１２ａ，１２ｂ……電極
１４……磁気カップリング従動リング
１６……プーリ
１７……磁気カップリング回転リング
２０……モータ、２２……上端栓
２３，２４……気密栓、２５……下端栓
２７……隙間、２８ａ，２８ｂ……管
３９……排水管、５０……反射板
６１……熱電対、６２……保護筒
６３……流路、７０……冷却筒