【事件の表示】
　特許第３００８０６９号「光磁気記録媒体の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００８０６９号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３００８０６９号の請求項１乃至請求項３に係る発明は、平成７年２月１５日に出願されたものであって、平成１１年３月１６日に早期審査請求とともに事情説明書が提出され、拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月９日に手続補正がなされた後、平成１１年１２月３日に特許の設定登録がなされ、その後、ソニー株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１月５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否
ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は次の事項Ａ、Ｂで示される通りのものである。
　Ａ．特許請求の範囲の不明瞭な記載の釈明乃至は減縮を目的として、
　「【請求項１】　樹脂製基板を射出成形する基板成形工程と、真空槽内で薄膜を形成する真空薄膜形成法によって前記樹脂製基板上に少なくとも光磁気記録膜を成膜する成膜工程とを含む光磁気記録媒体の製造方法において、基板成形工程において成形した樹脂製基板を金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
　　【請求項２】　前記基板成形工程において成形した樹脂製基板の複屈折が−５０〜＋５０ｎｍである請求項１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
　　【請求項３】　前記樹脂製基板が、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ４−メチル−１−ペンテン、アモルファスポリオレフィンからなる群より選ばれる１種の樹脂からなる請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。」を、
　「【請求項１】　樹脂製基板を射出成形する基板成形工程と、真空槽内で薄膜を形成する真空薄膜形成法によって前記樹脂製基板上に少なくとも光磁気記録膜を成膜する成膜工程とを含む光磁気記録媒体の製造方法において、基板成形工程において成形した樹脂製基板を金型から取り出した後真空槽内に搬入し、アニール処理を行うことなく金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
　　【請求項２】　前記基板成形工程において成形した樹脂製基板の複屈折が−５０〜＋５０ｎｍである請求項１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
　　【請求項３】　前記樹脂製基板が、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ４−メチル−１−ペンテン、アモルファスポリオレフィンからなる群より選ばれる１種の樹脂からなる請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。」とする訂正。
　Ｂ．請求項１の訂正に伴い、対応する明細書の記載箇所の整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書の段落［０００４］，［０００６］，［００１０］中の「金型取り出しから６分以内に」を「アニール処理を行うことなく金型取り出しから６分以内に」とする訂正。
　
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項Ａ及びＢは、「アニール処理を行うことなく」との限定を付加することを求めるものであり、これに関連する記載として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の発明の詳細な説明には、「本発明では、真空槽内に搬入されて成膜工程が行われる樹脂製基板は、アニール処理が施されていない。」（段落［０００７］）との記載があることから、「アニール処理を行うことなく」との構成を付して限定した発明は特許明細書に記載されているものと認められる。
　そうすると、上記訂正事項Ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、及び、上記訂正事項Ｂは、上記訂正事項Ａに付随的に生じる記載の不備を解消するものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、いずれも新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
ハ．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合しているので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
　ア．申立ての理由の概要
　　特許異議申立人ソニー株式会社は、本件発明についての特許に対して、次の（１）乃至（３）の点で取り消されるべきであることを主張している。
（１）特許を受けるに際して、（ｉ）「金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始する」と補正した点、及び（ii）特許請求の範囲から「アニール処理を行わない」ことを削除して、文言上「アニール処理を行う場合を含む」ように補正した点が、新規事項に相当するものであるから、特許法第１７条第２項の規定に違反してなされたものであること、
（２）本件の特許出願は、その特許明細書が、（ｉ）請求項１における「６分以内」なる規定の根拠が不明確である点、（ii）何をもって成膜工程の開始とするのか不明確である点、（iii）請求項２において規定される「複屈折が−５０〜＋５０ｎｍ」の根拠が不明確である点、で不備と認められるから、本件特許は、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものであること、
（３）本件の請求項１〜３に係る発明についての特許に対して、甲第１号証（特開平６−７６３８８号公報）と、甲第２号証（特開昭６０−１５５４２４号公報）、甲第３号証（特公平６−１０３５４７号公報）を提出し、刊行物１記載の発明と同一の発明であり、また、刊行物１〜３に記載の発明から当業者が容易に想到し得た発明であるから、本件特許は、特許法第２９条第１項第３号および第２９条第２項の規定に違反してなされたものであること。
　
イ．当審の判断
　そこで、当審が平成１２年１０月２５日付けで通知した取消の理由の１つである「金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始する」との補正が特許法第１７条第２項に違反するとした点（上記３．（１）（ｉ）参照）について検討する。
　金型から取り出しから６分以内に行うことに関して、平成１１年８月９日付け手続補正により、次のような補正がなされている。
（１）本件の願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）の特許請求の範囲第１項の記載において、「・・・成形した樹脂製基板を成形金型から取り出した後、アニール処理を行うことなく６分以内に真空槽内に搬入し成膜工程を行う・・・」を、「・・・成形した樹脂製基板を金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始する・・・」と補正している。
　それに伴い、発明の詳細な説明の記載も、次のように補正している。
（２）段落［０００４］において、当初明細書の「・・・金型から取り出した後、６分以内に真空槽内に搬入して光磁気記録膜などを成膜・・・」を、「・・・金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しから６分以内に光磁気記録膜などを成膜・・・」と補正、
（３）段落［０００６］において、当初明細書の「・・・金型から取り出した後、アニール処理を行うことなく６分以内に真空槽内に搬入し成膜工程を行う・・」を、「・・・金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始する・・・」と補正、
（４）段落［００１０］，［００１８］において、当初明細書の「・・・金型から取り出した後、アニール処理を行うことなく６分以内に真空槽内に搬入して光磁気記録膜などを成膜・・・」を、「・・・金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始し・・・」と補正、
（５）段落［００１３］において、当初明細書の「・・・射出成形後得られた樹脂製基板を成形金型から取り出し、６分以内に真空槽内に搬入して樹脂製基板上に光磁気膜を形成して・・・」を、「・・・金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始し・・・」と補正、
（６）段落［００１５］において、当初明細書の「・・・成形金型から取り出した後、６分以内、好ましくは５分以内、より好ましくは１分以内に真空槽内に搬入され光磁気記録膜などが成膜される。」を、「・・・金型から取り出した後真空槽内に搬入され、金型取り出しから６分以内、好ましくは５分以内、より好ましくは１分以内に光磁気記録膜などの成膜工程が開始される。」と補正、
（７）段落［００１６］において、当初明細書の「成形された樹脂性基板を成形金型から取り出した後、真空槽内に搬入されるまでの時間が６分を越えると、樹脂性基板上に光磁気記録膜などを成膜して光磁気記録媒体を製造しても充分なＣ／Ｎ比が得られない場合がある。」を、「成形された樹脂性基板を成形金型から取り出した後真空槽内に搬入し、樹脂性基板上に光磁気記録膜などを成膜して光磁気記録媒体を製造しても、成膜工程が開始されるまでの時間が金型取り出しから６分を越えると、充分なＣ／Ｎ比が得られない場合がある。」と補正、
（８）段落［００２９］実施例１において、当初明細書の「・・１分後に薄膜形成装置の真空槽内に搬入して、・・・・順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。」を、「・・・金型から取り出した後薄膜形成装置の真空槽内に搬入し、アニール処理を行うことなく金型取り出しから１分後に成膜工程を開始し、・・・・順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。」と補正。
　なお、（９）実施例２の段落［００３６］における「・・１分後に薄膜形成装置の真空槽内に搬入して、・・・・順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。」との記載と、（１０）比較例１の段落［００３９］における「・・・２時間後に薄膜形成装置の真空槽内に搬入して、・・・順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。」との当初明細書の記載は補正されていない。
　これらの当初明細書の記載を検討すると明らかなように、「金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始する」ことを明確に示す記載は、当初明細書に見いだすことができず、また自明なことでもない。　むしろ、摘示（７）〜（１０）、特に段落［００１６］の摘示（７）の当初明細書の記載を勘案すれば、「金型取り出しから６分以内に」行うことは、成膜工程の開始ではなく、真空槽内への搬入を意図していたというべきである。
　ところで、特許権者は、平成１１年３月１６日付け早期審査に関する事情説明書や平成１１年８月９日付け意見書、平成１３年１月５日付け特許異議意見書において、上記補正に関して縷々釈明しているが、畢竟、当初明細書から適切に解釈できることから逸脱して、その補正が「記載内容をより明確にした」ものと解することは妥当ではない。　なぜなら、本件当初明細書の段落［００１６］において「成形金型から取り出した後、真空槽内に搬入されるまでの時間が６分を越える」と充分なＣ／Ｎ比が得られないと明記されていることを無視して、「アニール処理を行うことなく６分以内に真空槽内に搬入し成膜工程を行う」ことの解釈に際して、金型取り出しから６分以内に行うことについては、前記のごとく明確にされていた真空槽内に搬入することではなく、成膜工程の開始であると解釈すべき理由はないといえる。
　なお、平成１３年１月５日付け特許異議意見書において、乙第１号証（今村修武監修「光磁気ディスク製造技術ハンドブック」１９９１年６月３０日、株式会社サイエンスフォーラム発行、第１８４頁）を引用して、「・・・成膜工程は、・・脱ガスなどの前処理工程を含めて成膜工程と言われているものの、一方、・・・具体的に成膜が行われる工程のみを成膜工程という場合もあることは従来から知られていることです。」と主張（第４頁１３〜１９行）していることからして、かかる従来技術の文献を持ってしては成膜工程とは何を指すか確定できないから、「真空槽内への搬入」が「成膜工程の開始」と一義的に同一のことであるということができない。
　したがって、特許を受けるに際して、平成１１年８月９日付け手続補正により補正された「金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始する」ことは、願書に最初に添付した明細書に記載されておらず、かつ、これらから、当業者が直接かつ一義的に導き出せる事項でもないので、このような補正は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものに該当しない。
　そうであるから、平成１１年８月９日付け手続補正による補正は、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてしたものではなく、特許法平成５年改正法第１７条の２第２項において準用する第１７条第２項の規定の規定に違反してなされたものといえる。
　なお、上記３．ア．（１）（ｉｉ）の「アニール処理を行わない」点は、平成１３年１月５日付け訂正により、構成として付加され限定されたことから、実質的に当初明細書の記載に減縮されているので、この点についての異議申立人の主張は解消している（上記２．も参照）。
　よって、上記３．ア．（２）の特許法第３６条第４項違反並びに上記３．ア．（３）の特許法第２９条第１項第３号および第２９条第２項違反について検討するまでもなく、本件請求項１乃至請求項３に係る発明は、特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　したがって、本件請求項１乃至請求項３に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認められる。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２６日（２００１．１．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
Ａ．特許請求の範囲の不明瞭な記載の釈明乃至は減縮を目的として、
　「【請求項１】　樹脂製基板を射出成形する基板成形工程と、真空槽内で薄膜を形成する真空薄膜形成法によって前記樹脂製基板上に少なくとも光磁気記録膜を成膜する成膜工程とを含む光磁気記録媒体の製造方法において、基板成形工程において成形した樹脂製基板を金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しがら６分以内に成膜工程を開始することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。」を、
　「【請求項１】　樹脂製基板を射出成形する基板成形工程と、真空槽内で薄膜を形成する真空薄膜形成法によって前記樹脂製基板上に少なくとも光磁気記録膜を成膜する成膜工程とを含む光磁気記録媒体の製造方法において、基板成形工程において成形した樹脂製基板を金型から取り出した後真空槽内に搬入し、
アニール処理を行うことなく
　Ｂ．請求項１の訂正に伴い、対応する明細書の記載箇所の整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書の段落［０００４］，［０００６］，［００１０］中の「金型取り出しから６分以内に」を「
アニール処理を行うことなく
（５４）【発明の名称】
光磁気記録媒体の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　樹脂製基板を射出成形する基板成形工程と、真空槽内で薄膜を形成する真空薄膜形成法によって前記樹脂製基板上に少なくとも光磁気記録膜を成膜する成膜工程とを含む光磁気記録媒体の製造方法において、
　基板成形工程において成形した樹脂製基板を金型から取り出した後真空槽内に搬入し、
アニール処理を行うことなく
　【請求項２】　前記基板成形工程において成形した樹脂製基板の複屈折が−５０〜＋５０ｎｍである請求項１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
　【請求項３】　前記樹脂製基板が、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ４−メチル−１−ペンテン、アモルファスポリオレフィンからなる群より選ばれる１種の樹脂からなる請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の技術分野】
　本発明は、樹脂製基板のアニール処理を行わない光磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【発明の技術的背景】
　従来から光磁気記録媒体の製造工程においては、樹脂製基板を成形した後、エンハンス膜、光磁気記録膜などを成膜する前にアニール処理が行われている。この樹脂製基板のアニール処理は、樹脂製基板の脱水、応力緩和などを目的とし、たとえば樹脂製基板をクリーンオーブン内において８０℃の温度に１２時間以上保持することにより行われている。また、樹脂製基板のアニール処理を省略した場合、得られる光磁気記録媒体の記録特性が劣るなどの問題を生じるため、光磁気記録媒体の製造工程においては樹脂製基板のアニール工程は必須であるとされていた。
　【０００３】
　しかしながら樹脂製基板のアニール処理は、通常１２時間以上の時間がかかり、しかもクリーンルームなどの設備が必要であるため、アニール処理を行うことは、製造工程が煩雑化したり、設備費が増大するなどの問題がある。したがって、もし樹脂製基板のアニール処理を省略することができれば製造工程、製造設備などの大幅な合理化が可能となる。
　【０００４】
　本発明者らはこのような現状に鑑みて鋭意検討した結果、複屈折が−５０〜＋５０ｎｍの範囲にある樹脂製基板を成形し、この樹脂製基板を成形金型から取り出した後真空槽内に搬入し、
アニール処理を行うことなく
　【０００５】
　【発明の目的】
　本発明は、上記のような状況のもとなされたものであって、樹脂製基板のアニール処理を省略しても従来品と同等のＣ／Ｎ比を有する光磁気記録媒体を製造しうるような光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。
　【０００６】
　【発明の概要】
　本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、樹脂製基板を射出成形する基板成形工程と、真空槽内で薄膜を形成する真空薄膜形成法によって前記樹脂製基板上に少なくとも光磁気記録膜を成膜する成膜工程とを含む光磁気記録媒体の製造方法において、
　基板成形工程において成形した樹脂製基板を金型から取り出した後真空槽内に搬入し、
アニール処理を行うことなく
　【０００７】
　本発明では、真空槽内に搬入されて成膜工程が行われる樹脂製基板は、アニール処理が施されていない。
　本発明では、前記基板成形工程において成形した樹脂製基板の複屈折が−５０〜＋５０ｎｍであることが好ましい。
　【０００８】
　また、前記樹脂製基板が、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ４−メチル−１−ペンテン、アモルファスポリオレフィンからなる群より選ばれる１種の樹脂からなることが好ましい。
　【０００９】
　本発明は、生産性に優れ、かつ従来品と同等のＣ／Ｎ比を有する光磁気記録媒体はが得られる。
　【００１０】
　【発明の具体的説明】
　以下、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について具体的に説明する。
　本発明の光磁気記録媒体の製造方法では、樹脂製基板を成形し、得られた樹脂製基板を成形金型から取り出した後真空槽内に搬入し、
アニール処理を行うことなく
　【００１１】
　樹脂製基板を射出成形する方法としては、従来公知の射出形成法を用いることができる。ここで用いられる樹脂材料としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ４−メチル−１−ペンテン、ポリカーボネートとポリスチレンのポリマーアロイ、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミド、アモルファスポリオレフィンなどを挙げることができる。
　【００１２】
　本発明の方法は、ＡＳＴＭ　Ｄ５７０で測定した吸水率が０．００１〜０．５％の範囲にある樹脂を基板材料として用いる場合に特に有効であり、このような樹脂として具体的にはポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリ４−メチル−１−ペンテン、アモルファスポリオレフィンなどが挙げられる。これらの中では、特にポリカーボネートが好ましい。
　【００１３】
　本発明では、前記のような樹脂材料を用いて複屈折が−５０〜＋５０ｎｍ、好ましくは−１０〜＋１０ｎｍの範囲にある樹脂製基板を成形することが好ましい。なお、樹脂製基板の複屈折は、市販の複屈折率測定装置〔たとえば日本電子光学（株）製〕によって測定する。複屈折が前記範囲から外れる場合には、射出成形後得られた樹脂製基板を成形金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始し樹脂製基板上に光磁気記録膜を形成して光磁気記録媒体を製造しても充分なＣ／Ｎ比が得られない場合がある。
　【００１４】
　複屈折が−１０〜＋１０ｎｍの範囲にある樹脂製基板を射出成形するには、たとえば樹脂材料としてポリカーボネートを用いる場合、樹脂温度３００〜３３０℃、金型温度１１０〜１３０℃、サイクルタイム１５秒で成形する。
　【００１５】
　このような樹脂製基板の厚みは特に限定されないが、通常０．０１〜５ｍｍ、好ましくは０．１〜３ｍｍである。
　このようにして成形された樹脂製基板は、成形金型から取り出した後真空槽内に搬入され、金型取り出しがら６分以内、好ましくは５分以内、より好ましくは１分以内に光磁気記録膜などの成膜工程が開始される。樹脂製基板を成形金型から取り出すときの、成形金型の温度は１１０〜１３０℃の範囲であることが好ましい。また、真空槽内に搬入される直前の樹脂製基板が含有する水の割合は、樹脂製基板重量の０．０５重量％以下、好ましくは０．０１重量％以下であることが望ましい。
　【００１６】
　成形された樹脂製基板を成形金型から取り出した後真空槽内に搬入し、樹脂製基板上に光磁気記録膜などを成膜して光磁気記録媒体を製造しても、成膜工程が開始されるまでの時間が金型取り出しがら６分を超えると、充分なＣ／Ｎ比が得られない場合がある。
　【００１７】
　成膜工程では、スパッタリング法（高周波スパッタリング法あるいは直流スパッタリング法）、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの真空薄膜形成法により前記樹脂製基板上に少なくとも光磁気記録膜が成膜される。
　【００１８】
　このように樹脂製基板を成形金型から取り出した後真空槽内に搬入し、金型取り出しから６分以内に成膜工程を開始して光磁気記録膜などを成膜すると、樹脂製基板のアニール処理を行わなくても従来品と同等のＣ／Ｎ比を有する光磁気記録媒体を製造することができる。
　【００１９】
　本発明によって製造される光磁気記録媒体は、少なくとも樹脂製基板と光磁気記録膜とを有していれば、膜構成は特に限定されない。このような光磁気記録媒体の一例としては、たとえば樹脂製基板上に、第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハンス膜および反射膜がこの順序で積層された光磁気記録媒体が挙げられる。
　【００２０】
　以下、各膜について具体的に説明する。
　第１エンハンス膜は、たとえばＳｉＮｘ膜（０＜ｘ≦４／３）、ＡｌＮ膜、ＺｎＳｅ膜、ＺｎＳ膜、Ｓｉ膜、ＣｄＳ膜、ＳｉｘＣｙＯｚ膜（２０≦ｘ≦４５、５≦ｙ≦２０、２０≦ｚ≦７５〔原子％〕）、ＳｉｘＣｙＯｚＮｐ膜（２０≦ｘ≦４５、５≦ｙ≦２０、２０≦ｚ≦７５、０．０１≦ｐ≦２．０〔原子％〕）からなる群より選ばれる１種の膜または２種以上の膜からなる積層膜である。
　【００２１】
　このような第１エンハンス膜の膜厚は、通常４００〜２０００Å、好ましくは８００〜１５００Åである。
　光磁気記録膜としては、従来から光磁気記録膜として用いられる希土類−遷移金属合金膜が広く用いられる。希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｐｒなどが挙げられ、遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄなどが挙げられる。具体的には、たとえばＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金膜、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ合金膜、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ合金膜などが挙げられる。
　【００２２】
　このような光磁気記録膜の膜厚は、通常１００〜５００Å、好ましくは１５０〜３００Åである。
　第２エンハンス膜としては、前記第１エンハンス膜と同様の膜または積層膜を挙げることができる。
　【００２３】
　このような第２エンハンス膜の膜厚は、通常５０〜４００Å、好ましくは１５０〜３００Åである。
　反射膜としては、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜が用いられ、具体的には、Ａｌ−Ｃｒ合金膜、Ａｌ−Ｔｉ合金膜、Ａｌ−Ｃｒ−Ｔｉ合金膜、Ａｌ−Ｎｉ合金膜、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｉ合金膜などが挙げられる。
　【００２４】
　前記アルミニウム合金膜におけるアルミニウム以外の金属は、アルミニウム合金膜中に０．２〜１０原子％の量で含有されていることが好ましい。
　このような反射膜の膜厚は通常、１００〜１２００Å、好ましくは５００〜７００Åである。
　【００２５】
　【発明の効果】
　本発明は、樹脂製基板のアニール処理を行わなくても従来品と同等のＣ／Ｎ比を有する光磁気記録媒体を製造することができる。
　【００２６】
　本発明によれば、樹脂製基板のアニール処理を省略することができるので、生産性に優れ、かつ製造工程、製造設備などの大幅な合理化が可能となる。
　【００２７】
　【実施例】
　以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　【００２８】
　【実施例１】
　ポリカーボネート（ＰＣ）を樹脂温度３２０℃、金型温度１２３／１１８℃（固定側／可動側）で射出成形して厚さ１．２ｍｍの基板を成形した。この基板の複屈折は＋１０ｎｍであった。
　【００２９】
　このポリカーボネート基板を成形金型から取り出した後薄膜形成装置の真空槽内に搬入し、アニール処理を行うことなく金型取り出しから１分後に成膜工程を開始し、以下のように第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハンス膜および反射膜を順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。
　【００３０】
　Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で、周波数１２．５６ＭＨｚの高周波スパッタ法を用いてＳｉＮからなる第１エンハンス膜を８００Åの膜厚に成膜した。この際のアルゴンガス流量は１００ｓｃｃｍであり、窒素ガス流量は８．０ｓｃｃｍであった。
　【００３１】
　次に、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でＴｂＦｅＣｏ合金からなる光磁気記録膜を２５０Åの膜厚に成膜した。
　次に、Ｓｉターゲットを用いて、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で、周波数１２．５６ＭＨｚの高周波スパッタ法によりＳｉＮからなる第２エンハンス膜を２００Åの膜厚に成膜した。この際のアルゴンガス流量は１００ｓｃｃｍであり、窒素ガス流量は６．０ｓｃｃｍであった。
　【００３２】
　最後にＡｌターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中でアルミニウムからなる反射膜を５００Åの膜厚で成膜して光磁気記録媒体とした。
　各成膜条件および層構成を下記に示す。
　【００３３】
　【表１】
　【００３４】
　得られた光磁気記録媒体について、線速１．４ｍ／ｓｅｃ．、記録周波数７２０ｋＨｚの条件にて、磁界変調方式によって記録再生特性の評価を行ったところＣ／Ｎ比は４８．０ｄＢであった。
　【００３５】
　【実施例２】
　ポリカーボネートを樹脂温度３２０℃、金型温度１２５／１２８℃（固定側／可動側）で射出成形して厚さ１．２ｍｍの基板を成形した。この基板の複屈折は＋１０ｎｍであった。
　【００３６】
　このポリカーボネート基板を成形金型から取り出した後、アニール処理を行うことなく１分後に薄膜形成装置の真空槽内に搬入して、実施例１と同様にして第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハンス膜および反射膜を順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。
　【００３７】
　得られた光磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところＣ／Ｎ比は４８．０ｄＢであった。
　【００３８】
　【比較例１】
　ポリカーボネートを樹脂温度３３０℃、金型温度１２３／１１８℃（固定側／可動側）で射出成形して厚さ１．２ｍｍの基板を成形した。この基板の複屈折は＋２０〜＋３０ｎｍであった。
　【００３９】
　このポリカーボネート基板を成形金型から取り出した後、アニール処理を行うことなく２時間後に薄膜形成装置の真空槽内に搬入して、実施例１と同様にして第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハンス膜および反射膜を順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。
　【００４０】
　得られた光磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところＣ／Ｎ比は４７．２ｄＢであった。
　【００４１】
　【参考例１】
　ポリカーボネートを樹脂温度３２０℃、金型温度１２３／１１８℃（固定側／可動側）℃で射出成形して厚さ１．２ｍｍの基板を成形した。この基板の複屈折は−１０〜＋１０ｎｍであった。
　【００４２】
　このポリカーボネート基板を８０℃で１２時間アニール処理をした後、実施例１と同様にして第１エンハンス膜、光磁気記録膜、第２エンハンス膜および反射膜を順次スパッタリング法によって成膜して、光磁気記録媒体を製造した。
　【００４３】
　得られた光磁気記録媒体について、実施例１と同様に記録再生特性の評価を行ったところＣ／Ｎ比は４８．６ｄＢであった。