【事件の表示】
　特許第２８６２１７４号「太陽電池用基板」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８６２１７４号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2862174号の請求項1〜4に係る発明は、昭和63年5月20日に国際特許出願（国際出願番号PCT/US88/01675、優先権主張1987年5月22日米国）され、平成10年12月11日に設定登録がなされ、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間である平成12年2月25日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間である平成12年7月3日に意見書が提出されたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正内容
　訂正事項a
　請求の範囲の全文(請求項1〜4)
「(1)少なくとも1つの表面を有する透明ガラス基板と、その上に常圧化学的気相蒸着法によって形成された透明電導性材料からなる電導膜を有する太陽電池用基板であって、上記電導膜は、直径が0.1μｍ〜0.3μmで、高さ/直径の比が0.7〜1.2で、基板の上記1つの表面と反対の方向に延びている凸部を多数含む表面地形を有することを特徴とする太陽電池用基板。
　(2)透明電導性材料が酸化錫、フッ素がドープされた酸化錫、アンチモンがドープされた酸化錫、インジウム錫酸化物のうち1種からなるものであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池用基板。
　(3)透明電導膜のシート抵抗が4〜10Ω/□であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池用基板。
　(4)透明電導膜のへイズ値が8〜30%であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池用基板。」
を
「(1)少なくとも1つの表面を有する透明ガラス基板と、その上に常圧化学的気相蒸着法によって形成された透明電導性材料からなる電導膜を有する太陽電池用基板であって、上記透明電導性材料がフッ素がドープされた酸化錫であり、
　上記電導膜は、直径が 0.1μm〜0.3μmで、高さ/直径の比が 0.7〜1.2 で、
　基板の上記1つの表面と反対の方向に延びている凸部を多数含む表面地形を有し、かつ上記電導膜のへイズ値が8〜30%であることを特徴とする太陽電池用基板。」
と訂正する。
　訂正事項b
　明細書第3頁第23行〜第4頁第3行の「ガラス基板上に…これらの中でも、」という記載を「ガラス基板上に形成される透明電導膜は、フッ素が酸化錫に対し、好ましくは0.1〜5重量%ドープされた酸化錫からなり所望の電気伝導度を有するものを用いる。この」
と訂正する。
　訂正事項c
　明細書第7頁第21行の「5」を「3」と訂正する。
　訂正事項d
　明細書第7頁第22行の「6、7、8及び9」を「4〜9」と訂正する。
　訂正事項e
　明細書第7頁第25行の「5」を「3」と訂正する。
　訂正事項f
　明細書第9頁表1の「サンプルNo.」の欄中の「4」、「5」の下にそれぞれ「比較例」を挿入する。
　訂正事項g
　明細書第10頁表2の「サンプルNo.」の欄中の「4」、「5」の下にそれぞれ「比較例」を挿入する。
　訂正事項h
　明細書第11頁表2(つづき)のサンプルNo.「4」、「5」の下にそれぞれ「比較例」を挿入する。
　訂正事項i
　明細書第13頁第1行の「5」を「3」と訂正する。
　訂正事項j
　明細書第13頁第2行の「6,7,8,9」を「4〜9」と訂正する。
　訂正事項k
　明細書第13頁第4行の「約lmA/cm2」及び同頁第5行の「約0,5%」を削除する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ウ．独立特許要件について
　（訂正発明）
　訂正後の本件発明（以下、「訂正発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載された次のとおりのものである。
「(1)少なくとも1つの表面を有する透明ガラス基板と、その上に常圧化学的気相蒸着法によって形成された透明電導性材料からなる電導膜を有する太陽電池用基板であって、上記透明電導性材料がフッ素がドープされた酸化錫であり、
　上記電導膜は、直径が 0.1μm〜0.3μmで、高さ/直径の比が 0.7〜1.2 で、
　基板の上記1つの表面と反対の方向に延びている凸部を多数含む表面地形を有し、かつ上記電導膜のへイズ値が8〜30%であることを特徴とする太陽電池用基板。」
　（引用刊行物）
　取消理由通知に引用した刊行物1（特開昭61-288473号公報、甲第1号証）の特許請求の範囲には、
「透光性支持基板の平坦面に受光面電極、半導体光活性層及び背面電極をこの順序で積層した光起電力装置であって、上記受光面電極は平均粒径約500〜2000Åの透光性導電酸化物からなると共に、この受光面電極は半導体活性層との界面側に高低差約1000〜5000Å、凸部と凸部との間隔約2000〜10000Åの凹凸面を備えた光起電力装置」が記載されている。。
　更に、その第1頁右欄2〜7行には、
「通常上記受光面電極として電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、スパッタ法、CVD法、スプレー等によって形成される酸化インジウムスズ(ITO)、酸化スズ(SnOx)等に代表される透光性導電酸化物膜(以下TOCと称す)の単層或いは積層構造が用いられる。」ことが記載されている。
　更に、その第1頁右欄下から2行〜第2頁左上欄4行には、
「昭和60年春季応用物理学会予稿集第439頁29p-U-14に開示された先行技術は、受光面電極と光活性層との界面に於ける反射特性が、界面形状に著しく影響される点に鑑み受光面電極の光活性層側界面を凹凸状となし光活性層に入射する光量の増大を図ることを提案している。」ことが記載されている。
　同じく刊行物2（特開昭61-96775号公報、甲第2号証）の第1頁右欄3〜8行には、
「第44回応用物理学会学術講会(昭和58年9月25日〜28日)予稿集25P-L-2第351頁等に開示されたように、光入射側の透光性電極層の表面に0.1μm以上2.5μm以下の凹凸を設けテクスチュア化し、入射側の光路長を長くする試みがある。」ことが記載されている。
　更に、その第2頁右上欄5〜12行には、
「(2)は、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウムスズ等の透光性導電酸化物からなる最大膜厚約4000Å程度の透光性電極層で、その表面には高さ1000Å〜3000Å、ピッチ1000Å〜3000Å程度の三角錐、或いは四角錐を分散させたか若しくは平均粒径が1000Å〜3000Å程度の表面が付与されている。」ことが記載されている。
　更に、その第3頁左上欄14〜18行には、
「透光性電極層(2)の凹凸表面にP型白金族酸化物層(3)を介在せしめることなく直接上記凹凸表面にP型非晶質シリコンカーバイド層(4P)を被着せしめた従来例とを光電変換効率について比較するためのものである。」ことが記載されている。
　更に、その第2図には、上記従来例の光電変換効率として9.1%が挙げられている。
　同じく刊行物3（特開昭60-175465号公報、甲第3号証）の第1頁右欄6行〜第2頁左欄3行には、
「非晶質シリコン(a-Si)を用いた太陽電池が低コストで製造可能な光電変換装置の一つとして注目を浴びている。しかしかかるa-Si太陽電池においては、その光電変換効率が他の結晶半導体(結晶Si、GaAsなど)に比べ極めて低いことが問題となり、これを解決するため作製方法や電池の構造に対し種々の対策が考案されている。特に電池の表面における光反射損失を低減し短絡電流を増大させることは重要であり、このため太陽電池を凹凸構造にして、入射光を電池内で多重反射屈折させることにより長波長光に対する収集効率を向上させることが考えられている。しかしながら凹凸の度合いが大き過ぎるとピンホール等の欠陥が発生したり膜厚が不均一になりやすく、かえって太陽電池の特性(特に開放電圧・良品率)が低下する。従ってこの様な凹凸構造を有する太陽電池においては、凹凸の程度を最適化する必要があった。」ことが記載されている。
　同じく刊行物4（特開昭59-61973号公報、甲第4号証）の第2頁右下欄3〜7行には、
「Sn02の層20(透孔静電気接触)は約350℃以上、通常約450〜550℃に加熱した基板上に錫、酸素、水素および弗素またはアンチモンのような適当な導電度変更用ドーピング剤を含む雰囲気から化学蒸着(CVD)によって被着することができる。」ことが記載されている。
　更に、その第5頁左上欄4〜6行には、
「第3組はガラス上に吹付法により被着した商用生産Sn02電気接触で、面抵抗約10Ω/口であった。」ことが記載されている。
　同じく刊行物5（特開昭59-161882号公報、甲第5号証）の第2頁左下欄3〜13行には、
「第1図において、入射光(10)はガラス基板(1)上にCTF(透明導電膜)(2)とさらにその上面に積層して設けられたP型Sic半導体-I型Si半導体(4)（約5000Å）-N型微結晶Si半導体(5)よりなる1つのPIN接合を有する半導体(6)と、更にその上面に形成された裏面電極(7)よりなっている。かかる構造を有せしめることにより、従来構造においてAM1(100mW/cm2)にて面積を3mm×3.5mm(1.05cm2)において9.2%の最大変換効率を得ることができた。」ことが記載されている。
　更に、その第5頁左欄の(表)には9.2%以上の変換効率が示されている。
　同じく刊行物6（特開昭58-115025号公報、甲第6号証）の第１頁右下欄第4行〜第6行には、
「更にはその可視光透過率と赤外線反射率が大なるところから太陽熱集熱器のカバーガラスとしても極めて有用である。」ことが記載されている。
　更に、その第１頁右下欄第14行〜第17行には、
「酸化錫膜は一般にヘーズと呼ばれる曇りを有するものが多く、特に被膜厚みを厚くした場合ヘーズが悪化し、著しく美観を損なうのが最大の難点であった。」ことが記載されている。
　更に、その第2頁左下欄(表)の比較例の方法の下から3段目に、ヘイズ率8.1%が開示されている。
　更に、その第2図の比較例の方法で酸化錫膜を形成すると、膜厚2500Åあたりでへイズ率が8%を超えることが分る。
　更に、その第3頁左上欄第14行〜第17行には、
「透明導電膜として用いられる少量のドーピング剤、例えば弗素(F)、アンチモン(Sb)、インジウム(In)などを含む酸化錫膜にも適用できることはいうまでもない。」ことが記載されている。
　（対比・判断）
　訂正発明の”太陽電池用基板の電導膜は、直径が 0.1μm〜0.3μmで、高さ/直径の比が 0.7〜1.2 で、基板の1つの表面と反対の方向に延びている凸部を多数含む表面地形を有し、かつ電導膜のヘイズ値が8〜30％である”ことは、上記刊行物1〜6のいずれにも記載も示唆もされておらず、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして、訂正発明は、”太陽電池用基板の電導膜は、直径が 0.1μm〜0.3μmで、高さ/直径の比が 0.7〜1.2 で、基板の1つの表面と反対の方向に延びている凸部を多数含む表面地形を有し、かつ電導膜のヘイズ値が8〜30％である”ことにより、変換効率を向上させることができるという作用効果を呈するものである。
　なお、刊行物6に記載のヘイズ値8.1％の錫化合物導電膜は、従来の太陽熱集熱器に使用されていたものであって、従来の欠点をなくすためにヘーズ値を小さくすることを目的とするものであり、可視域における高透過性と赤外域の高反射性が要求される点で、全域で効果的な光の散乱を必要とする訂正発明の太陽電池用基板の電導膜とは、その目的及び作用効果が異なるものであるから、刊行物1及び2に記載の電導膜として、ただちには採用することができないものである。
　したがって、訂正発明は、刊行物1〜6に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、特許法第29条第2項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることができない。
　エ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第120条の4第2項及び同条第3項で準用する第126条第2〜4項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明
　上記「２．エ．独立特許要件について（訂正発明）」の記載を参照。
　イ．異議申立の理由の概要
　異議申立人 日本板硝子株式会社は、証拠として甲第1〜6号証（刊行物1〜6）を提出し、本件発明は、特許法第29条第2項に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明
　上記「２．エ．（引用刊行物）」の記載を参照。
　エ．本件発明と甲各号証に記載の発明との対比・判断
　上記「２．エ．（対比・判断）」の記載を参照。
　したがって、本件発明は、甲各号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許法第29条第2項に違反して特許されたものとすることができない。
　オ．むすび
  以上のとおりであるから、異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月２４日（２０００．７．２４）
【訂正の要旨】
訂正事項
ａ．請求の範囲の全文（請求項１〜４）、
「（１）　少なくとも１つの表面を有する透明ガラス基板と、その上に常圧化学的気相蒸着法によって形成された透明電導性材料からなる電導膜を有する太陽電池用基板であって、上記電導膜は、直径が０．１μｍ〜０．３μｍで、高さ／直径の比が０．７〜１．２で、基板の上記１つの表面と反対の方向に延びている凸部を多数含む表面地形を有することを特徴とする太陽電池用基板。
　（２）　透明電導性材料が酸化錫、フッ素がドープされた酸化錫、アンチモンがドープされた酸化錫、インジウム錫酸化物のうち１種からなるものであることを特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。
　（３）　透明電導膜のシート抵抗が４〜１０Ω／□であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。
　（４）　透明電導膜のヘイズ値が８〜３０％であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。」
を減縮を目的として、
「（１）少なくとも１つの表面を有する透明ガラス基板と、その上に常圧化学的気相蒸着法によって形成された透明電導性材料からなる電導膜を有する太陽電池用基板であって、上記透明電導性材料がフッ素がドープされた酸化錫であり、上記電導膜は、直径が０．１μｍ〜０．３μｍで、高さ／直径の比が０．７〜１．２で、基板の上記１つの表面と反対の方向に延びている凸部を多数含む表面地形を有し、かつ上記電導膜のヘイズ値が８〜３０％であることを特徴とする太陽電池用基板。」
と訂正する（請求項１〜請求項３を削除して請求項４を新請求項１とし、新請求項１には更に透明電導性材料がフッ素がドープされた酸化錫である要件を挿入して減縮する。）
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として以下の訂正を行う。
ｂ．明細書第３頁第２３行〜第４頁第３行の「ガラス基板上に・・・これらの中でも、」という記載を「ガラス基板上に形成される透明電導膜は、フッ素が酸化錫に対し、好ましくは０．１〜５重量％ドープされた酸化錫からなり所望の電気伝導度を有するものを用いる。この」と訂正する。
ｃ．明細書第７頁第２１行の「５」を「３」と訂正する。
ｄ．明細書第７頁第２２行の「６、７、８及び９」を「４〜９」と訂正する。
ｅ．明細書第７頁第２５行の「５」を「３」と訂正する。
ｆ．明細書第９頁表１の「サンプルＮｏ．」の欄中の「４」、「５」の下にそれぞれ「比較例」を挿入する。
ｇ．明細書第１０頁表２の「サンプルＮｏ，」の欄中の「４」、「５」の下にそれぞれ「比較例」を挿入する。
ｈ．明細書第１１頁表２（つづき）のサンプルＮｏ．「４」、「５」の下にそれぞれ「比較例」を挿入する。
ｉ．明細書第１３頁第１行の「５」を「３」と訂正する。
ｊ．明細書第１３頁第２行の「６，７，８，９」を「４〜９」と訂正する。
ｋ．明細書第１３頁第４行の「約１ｍＡ／ｃｍ２」及び同頁第５行の「約０．５％」を削除する。
（５４）【発明の名称】
太陽電池用基板
【発明の詳細な説明】
技術分野
　本発明は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）太陽電池の製造に有用な太陽電池用基板に関するものである。
背景技術
　第１図に示されるように、従来のアモルファスシリコン太陽電池は８で図示されており、透明絶縁性基板１、透明導電膜２、ｐ型ａ−Ｓｉ層３、ｉ型ａ−Ｓｉ層４およびｎ型ａ−Ｓｉ層５からなる光導体光電変換層６と、裏面電極として働くアルミニウム電極７とを有している。この構成は、比較的低コストで製造可能な光電変換装置の一つとして実用的に使用されている。かかるアモルファス太陽電池８は、光９が透明絶縁性基板１側から入射し、主としてｉ型ａ−Ｓｉ層４内で吸収されるように設計されている。起電力は透明電導膜２とアルミニウム電極７の２つの電極間で発生し、導線１０を通して太陽電池から電気が取り出される。
　このようなアモルファスシリコン太陽電池においては、光電変換効率の向上が最も重要な課題である。光電変換効率の向上を達成する方法として、透明電導膜の表面を凹凸化する方法が知られている。この凹凸化により、入射光が透明電導膜とａ−Ｓｉ半導体層との界面で散乱される。この光学的な散乱効果により、入射光の表面反射損失の低減、及びｉ型ａ−Ｓｉ層における吸収の増大が得られる。ａ−Ｓｉ半導体層内での多重反射や屈折によって、光路長が増大し、ｉ型ａ−Ｓｉ層内での光閉じ込め効果によりアモルファスシリコン太陽電池の長波長光に対する収集効率の向上が期待される。短絡電流密度が増大し、それにより、発電効率及び光電変換効率が向上される。
　この様な表面凹凸化の具体的な方法として、特開昭５８−５７７５６号においては、透明電導膜の表面の平均粒径を０．１μｍ〜２２．５μｍとすること、又特開昭５９−２０１４７０号においては、透明電導膜を平均粒径０．１μｍ〜０．９μｍの結晶粒からなる様にすること、又特開昭５９−１０３３８４号においては、透明電導膜を構成する微結晶の平均粒径を３００Å以上とすること、又特開昭６０−１７５４６５号においては透明電導膜を形成する太陽電池基板として、基板面にヘイズ率が１％以上であり、直径が３００〜５０００Å、高さが２００〜３０００Åの多数の凸部を持つ酸化珪素被膜を形成することが提案されている。
　しかしながら、上記した様な形状、構造の太陽電池用基板では、光電変換効率をある程度高めることはできても、更に高効率化を図る上では不充分であった。
発明の概要
　本発明は、更に一層高い光電変換効率が得られる最適凹凸面を有する透明電導性酸化物が形成された太陽電池用基板を提供することを目的とするものである。
　本発明は、ガラス基板とその上に形成された透明電導膜を有する太陽電池用基板を提供するものである。透明電導膜は、直径が０．１μｍ〜０．３μｍであり、高さ／直径の比が０．７〜１．２の多数の多角形状の凸部を有するものである。
図面の簡単な説明
　第１図はアモルファスシリコン太陽電池の断面図；そして
　第２図は本発明の太陽電池用基板の透明電導膜の表面性状を示す部分拡大断面図である。
発明を実施するための最良の形態
　本発明において使用される基板としては、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス、その他の各種ガラスからなる透明ガラス板を用いることができる。基板は、３５０〜８００μｍの波長域において高い透過率、例えば８０％以上の透過率を有することが好ましい。又、十分絶縁性で、かつ化学的、物理的耐久性が高く、かつ光学的特性が良好であることが望ましい。なお、ソーダライムシリケートガラスなどのナトリウムを含有するガラスからなるガラス基板、又は低アルカリ含有ガラスからなるガラス基板の場合には、ガラスからその上面に形成される透明電導膜へのイオンの拡散を最小限にするために、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜などのアルカリバリヤーコートをガラス基板面に施してもよい。
　ガラス基板上に形成される透明電導膜は
、フ
、好ましくは
からなり所望の電気伝導度を有するものを用いる。この
　第２図には、表面全体に渡って凸部を有する透明電導膜が形成された太陽電池用基板が示されている。即ち、透明電導膜２２は、直径Ｄが０．１〜０．３μｍであり、かつ凸部２４の高さ／直径の比（Ｈ／Ｄ）が０．７〜１．２である凸部２４を多数有している。かかる凸部の高さＨは０．１〜０．６μｍ、特に、０．２５μｍ以下であることが好ましい。さらに、多数の凸部２４は、０．１〜０．５μｍのピッチＰ（頂点と頂点の間の距離）を持って形成されていることが好ましい。というのは、かかる凸部が互いにあまり距離をおいて形成されていると透明電導膜が効果的に光を散乱しないためである。又、凸部の形状は任意である。代表的な例としては、凸部の底面の形状が四角形ないしそれ以上の多角形のものが挙げられる。常圧化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）により凹凸を有する酸化物が自動的に形成される。凸部の形状は、膜の化学的構成に依存する。
　本発明において、直径が０．１〜０．５μｍの範囲外、又は、高さ／直径の比が０．６以上という範囲外である凸部は、表面地形の８０％以上が望ましい範囲内にある限り、ある程度存在しても良い。
　透明電導膜は３０Ω／□未満、特に４〜１０Ω／□のシート抵抗値を有することが好ましい。この範囲は、大型基板におけるオーム損失を避けるという観点で特に望ましい。本発明においてヘイズ率は、太陽電池の光電変換効率を高めるのに必要とされる、前述の粒子形状と光学的性質との関係の点から、８〜３０％とするのが最適である。
　本発明の透明電導膜は従来から利用されている種々のコーティング方法、例えば、化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）、熱分解スプレー法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、浸漬法など各種方法により作成できる。これらの方法の中でも、上記した様な直径、高さ、高さ／直径を持った凸部がコントロールされて容易に得られる為、ＣＶＤ法やスパッタリング法が最適である。
　本発明は、次に挙げる実施例によって例証されるが、その詳細に限定されるように意図されたものではない。
実施例
（１）ＳｎＯ２膜の作成
　透明電導膜の表面性状がそれぞれ異った９種類の太陽電池用基板のサンプルを作成した。
　各基板はソーダライムシリケートガラス板（４インチ×３．５インチ×厚さ１．１ｍｍ）と、その上に形成された膜厚８００ÅのＳｉＯ２膜を有していた。
　ＳｎＯ２からなる透明電導膜の作成は、Ｎ２ガスに同伴されたＳｎＣｌ４，Ｈ２Ｏ，ＣＨ３ＯＨ，そしてＨＦを反応ガスとして用いて行った。
　ＳｎＯ２膜は、ベルト搬送式の、加熱部及び冷却部を両方有する常圧ＣＶＤ炉の中で作成した。加熱部は反応ガスを導入するための４インチ幅のノズルを有していた。
　このノズルは、５つの細いスリット状吐出口を有する。即ち、ＳｎＣｌ４及び希釈用Ｎ２ガスが３番目の中央のスリットより吐出し、Ｈ２Ｏ，ＣＨ３ＯＨ，ＨＦ及び希釈用Ｎ２ガスが１番目及び５番目の最外層の２つのスリットより吐出し、反応ガスのグループを分離するＮ２ガスが２番と４番のスリットより吐出する。さらに、吐出口とガラス基板との距離は調整可能な構造をしている。
サンプルＮｏ．１
　ＳｉＯ２膜を８００Åの厚さでコーティングしたガラス基板を前述のＣＶＤ炉内にベルト搬送速度０．２０ｍ／ｍｉｎで導入し、基板温度６００℃まで加熱した。前述のガス導入ノズルより反応ガスを基板上に吹きつけて、基板のＳｉＯ２膜上にフッ素のドープされたＳｎＯ２膜を形成した。供給ガス導入量は、中央スリットからＳｎＣｌ４　０．０２５ｌ／ｍｉｎ、Ｎ２　１．６ｌ／ｍｉｎ、中央スリットに隣接する分離スリットからＮ２　１．５ｌ／ｍｉｎ、最外スリットからＨ２Ｏ　０．９３ｌ／ｍｉｎ、ＨＦ　０．０１５ｌ／ｍｉｎ、ＣＨ３ＯＨ　０．０１７ｌ／ｍｉｎ、Ｎ２　１．５ｌ／ｍｉｎであった。
　さらに、サンプルＮｏ，２からＮｏ．９までを、前述のＣＶＤ炉を用いて、表１に示した作成条件により作成した。
（２）表面性状の測定
（Ｉ）凸部の高さ基板上に作成した透明電導膜の全膜厚ｔ０をあらかじめ触針式膜厚計（Ｔａｌｙ−Ｓｔｅｐ；Ｔａｉｌｏｒ−Ｈｏｂｓｏｎ　Ｃｏ．，針の先端は直径１２．５μｍ）により測定した。次に０．５μｍのダイアモンドペーストを用い、５００ｇ／ｃｍ２の荷重下で研磨を行なった。研磨の過程で、膜厚およびヘイズ値を測定し、ヘイズ値が２％以下となる時点での膜厚ｔ１を測定した。当初の膜厚ｔ０と膜厚ｔ１との差、即ちｔ０−ｔ１を凸部の高さとした。
（ＩＩ）凸部の直径
　基板上に作成した透明電導膜の走査型電子顕微鏡写真を撮影し、この顕微鏡写真より、直径を測定した。
（ＩＩＩ）各サンプルの透明電導膜のＨ（高さ），Ｄ（直径），及びＨ／Ｄ（高さ／直径）の実測値を表２に示す。
　各サンプル上に作成した太陽電池の光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクターの測定値も示す。
　サンプルＮｏ．１〜
３
４〜９
３
　太陽電池は、各サンプルの透明電導膜，ｐ型ａ−Ｓｉ層（膜厚約１００Å），ｉ型ａ−Ｓｉ層（膜厚約４０００Å），ｎ型ａ−Ｓｉ層（膜厚１０００Å）及び金属電極層（膜厚１００００Ａ）を有するものであった。
　本発明において、透明電導膜内に入射した光は、透明電導膜とａ−Ｓｉの界面をへて、ａ−Ｓｉ層に入射する。その際、電導膜表面が凹凸構造を有していると光は散乱されて散乱光がａ−Ｓｉ層内にとり込まれる。Ｓｉ層内でのオプティカルパス（光路長）が長くなり光の吸収効率が高まる。この効果は、シリコンの吸光係数が小さい長波長領域では特に大きい。この長波長領域における光の散乱性を高めるためには、ある程度以上の大きさの直径、高さが必要となる。
　本発明における透明電導膜は０．１〜０．３μｍの直径と、０．７〜１．２の高さ／直径の比を有する凸部を多数有している。
　直径が０．１μｍ未満、かつ／又は、高さ／直径の比が０．７未満であると、凸部が小さく、かつ／又は平たくなりすぎ、効果的に光を散乱できないため、凸部の直径や高さ／直径の比はある程度大きいことが好ましい。
　しかしながら、直径が０．３μｍを超え、かつ／又は高さ／直径の比が１．２を超える場合には結果的に凸部の高さが大きくなりすぎ、透明電導膜上にａ−Ｓｉ層を均一に積層することが困難となる。この点で凸部の直径や高さ／直径の比はａ−Ｓｉ層の膜厚や、良好な電気特性を保持しつつ均一に膜を形成するａ−Ｓｉ形成システムにより制約を受ける。
　又、直径が０．３μｍを超える凸部を有する透明電導膜を形成する為には基板温度をかなり高くする必要があり、かかる高温はガラス基板を変形させる恐れがあり好ましくない。
　上記した本発明の実施例（サンプル１〜
３
４〜９
　（１）短絡電流密
度の
　（２）光電変換効
率の
　以上のように、発明を実施するための最良の形態を詳細に述べたが、本発明に関連する技術を熟知している者は、次の請求の範囲によって規定される発明を実施するための様々な代替手段や形態がわかるだろう。
（５７）【特許請求の範囲】
（１）少なくとも１つの表面を有する透明ガラス基板と、その上に常圧化学的気相蒸着法によって形成された透明電導性材料からなる電導膜を有する太陽電池用基板であって、
上記透明電導性材料がフッ素がドープされた酸化錫であり、
かつ上記電導膜のヘイズ値が８〜３０％である