【事件の表示】
　特許第３００８５７７号「化学気相成長方法および装置」の請求項１、４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３００８５７７号の請求項１、４に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３００８５７７号（以下「本件特許」という。）は、平成３年８月７日に特許出願され、特許権の設定の登録がなされた後、特許異議申立人　関戸美千代より、請求項１及び４に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、平成１２年１１月１０日付けで審判官合議体より取消理由の通知がなされたものである。
　
II．本件発明
　本件特許の請求項１及び４に係る発明（以下「本件発明１」、「本件発明４」という。）は、願書に添付した明細書及び図面（以下「特許明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び４に記載されたとおりの下記のものと認める。
「【請求項１】反応ガスとしてモノシラン（ＳiＨ4）と一酸化化二窒素（Ｎ2Ｏ）を用いて，反応管内に載置され且つ加熱された基板上に二酸化シリコン（ＳiＯ2）膜を減圧化学気相成長（ＣＶＤ） するに際し，ＳiＨ4とＮ2Ｏを該反応管から離れた位置で混合した後，該反応管に導入することを特徴とする化学気相成長方法。」及び、
「【請求項４】複数の反応ガスを混合した後バルブＶ9を経由して反応管(1) に接続する反応ガス供給ラインと，窒素をバルブＶ８を経由して該バルブＶ9と該反応管との中間位置に接続する窒素パージラインと，該反応ガス供給ラインの反応ガス供給側と該バルブＶ9との中間位置よりバルブＶ10を経由して該反応管の排気口に接続する反応ガスパージ用のベントラインとを有し，該バルブＶ８と該バルブＶ9と該バルブＶ10とが相互に近接して配置したことを特徴とする化学気相成長装置。」
　　
III．取消理由
　一方、上記通知した取消理由の概要は、以下のとおりである。
　　
「本件の請求項1及び4に係る特許は、合議の結果、以下の理由によって取り消すべきものと認める。これについて意見があれば、この通知の発送の日から６０日以内に意見書の正本１通及びその副本２通を提出されたい。　　
　　　　　　　　　　　　　　理由
１）本件出願の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された刊行物である引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２）本件出願の請求項１及び４に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された刊行物である引用例１及び２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１．特開平２−２９８０３４号公報(下記特許異議申立の甲第１号証)
引用例２．特開昭６３−１１８０７３号公報(同、甲第３号証)
　　
（備考）
（Ａ）手続の経緯
　本件特許第３００８５７７号は、その設定の登録後、特許異議申立人　関戸美千代より、請求項１及び４に係る特許について、特許異議の申立がなされたものである。
　　
（Ｂ）引用例の記載事実
（１）引用例１
(1-1)「ウェーハ処理室と・・・真空予備室とを備え、・・・半導体製造用のＣＶＤ装置において、ウェーハ処理室・・・の排気系とは別系統の排気系を備え、この排気系に、所定の流量の反応ガスを連続して流しておき、ウェーハ処理室でのウェーハ処理の準備が完了次第、この反応ガスをウェーハ処理室へ導入することを特徴とする半導体製造用のＣＶＤ装置。」（特許請求の範囲）
(1-2)「本発明の課題は、ウェーハが真空予備室からウェーハ処理室に移送してから、膜形成開始までの時間を短縮した半導体製造用のＣＶＤ装置を提供することにある。」（第２頁左上欄第１２〜１５行)
(1-3)「［実施例］第１図は本発明の枚葉・ロードロック方式の半導体製造用のＣＶＤ装置の一実施例の系統図で、５はウェーハ処理室・・・７及び８はそれぞれ前記室の排気系である。９は本発明で新しく設けられた排気系である。・・・本発明では、バルブ１を開きＳiＨ４、Ａr、Ｎ2等の反応ガスを排気系９で排気を行っている。この反応ガスの排気は連続して行っており、常にマスフローコントローラにより所定の流量に調整されている。従ってウェーハ処理室５への移送、ウェーハ処理室５の真空排気、Ｎ2パージ再度の真空排気が完了次第、バルブ１を閉じ、バルブ２を開いて反応ガスをウェーハ処理室５に導入し、直ちに、膜形成が開始される。」（第２頁左下欄第６行〜右下欄第７行)
　この記載とともに、「第１図」（第３頁）には、、反応ガス（１０）としてＮ２Ｏ及びＳiＨ4が記載され、これら複数の反応ガスの管が、ウェーハ処理室（５）から離れた位置で一つに合流した後、バルブ２を経て、ウェーハ処理室に導入されることが示されている。また、上記バルブ２の下流では、Ｎ2ガス（１２）の管が、反応ガス管との接続点近くに配したバルブ４を経て接続され、また、バルブ４の上流では、排気系（９）の管が、反応ガス管との接続点近くに配したバルブ１を経て接続されることが示されている。
(1-4)「第２図は従来の枚葉・ロードロック方式の半導体製造用のＣＶＤ装置の一例の系続図で、５はウェーハ処理室、６・・・真空予備室（ロードロック室）であり、７及び８はそれぞれ前記室の排気系である。」（第１頁右下欄第４〜９行)の記載とともに、「第２図」（第３頁）に、ウェーハ処理室（５）を出てバルブ（３）を経由した排気ラインと、バルブ（１）を経由したバイパスラインとが、排気系（７）の手前で合流し、その後、排気系（７）に導かれることが示されている。
　　
（２）引用例２
(2-1)「気相反応装置の反応炉へ反応ガスを送入するパイプに各反応ガス供給パイプがバルブを介して接続されており、この反応ガスのうち供給パイプ内に残留することが好ましくないガスの供給パイプについて、前記バルブの手前において残留ガス排出パイプを結合し、このパイプを排気ポンプに接続したことを特徴とする反応ガスパージシステム。」（特許請求の範囲(1)）
(2-2)「実施例」の記載において、「第１図」（第５頁）と対応して、以下の記載がなされている。
「第１図は本発明の反応ガスパージシステムの一例を示すフローシートである。第１図に示されるように、反応ガス送入パイプ１０にはＮ２ガス供給パイプ２０とＳiＨ４ガス供給パイプ３０とが接続され、反応ガス送入パイプ４０にはＮ２Ｏガス供給パイプ５０・・・が接続されている。・・・ＳiＨ４ガス供給パイプ３０はエアベローズバルブ３２とマスフローコントローラ３３との間に残留ガス排出パイプ３４が結合されている。同様に、Ｎ２Ｏガス供給パイプ５０には排出パイプ５４が・・・接続されている。これらの排出パイプは排出管８０に合流され、この排出管８０は排気ポンプ２に接続されている。この排気ポンプ２は反応炉の排気用としても兼用することができるので・・・排出管８０はこのエアベローズバルブ４とポンプ２との間で排気パイプ３に接続される。」（第３頁左上欄第１６行〜左下欄第１９行）
　　
（Ｃ）対比・判断
（１）請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明(以下、「本件発明１」という。)と、引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１には、反応ガスとしてモノシラン(ＳiＨ４)及び一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）を用いたＣＶＤが記載され、また、本件発明１における「反応管」は、引用例１に記載された「ウエーハ処理室」に相当する。そして、引用例１の「第１図」の記載によれば、ＳiＨ４とＮ２Ｏは、ウェーハ処理室から離れた位置で合流・混合され、その後、ウェーハ処理室に導入されていることが認められる。
　してみれば、本件発明１の構成は全て引用例１に記載され、なおかつ、発明の構成が同じである以上、それにより奏される効果も同等と認められる。
　なお、引用例１の「第１図」には、反応ガス（１０）として、ＳiＨ４、Ｎ２Ｏに加えて、Ａrも記載されているが、これを、ＳiＨ４とＮ２Ｏのみを反応ガスとする場合に適用することに、格別の困難性があるとは認められない。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、引用例１に記載された発明であり、又は、引用例１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
（２）請求項４に係る発明について
　本件請求項４に係る発明（以下、「本件発明４」という。)と、引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１には、本件発明４における、反応ガス供給ライン、窒素ガスパージライン、及び反応ガスパージ用のベントラインに対応する構成が記載されており、そして、引用例１の「第１図」の記載からみて、本件発明４におけるバルブＶ８、Ｖ９、Ｖ１０にそれぞれ対応する、バルブ４、２、１は、互いに近接して配置されることが認められ、これらの点で、本件発明４は、引用例１に記載された発明と一致している。
　しかし、本件発明４では、ベントラインは「反応管の排気口に接続」するのに対して、引用例１の記載では、排気系（９）は「別系統の排気系」（摘記1-1）とされており、この点で両者の発明は相違している。
　そこで、この相違点について検討する。
　引用例１に記載された発明では、処理時間の短縮のため、別系統の排気系（９）を設けているが（摘記1-2参照）、一方、引用例１の「第２図」及び、引用例２の「第１図」に示されるとおり、ベントライン乃至バイパス管を反応管の出口側で接続合流してのち排気することは、本願出願前から従前、周知の事項である。したがって、上記のような別系統の排気系を特段必要としない場合には、反応ガスパージ用のベントラインを、従前どおり反応管の排気口側に接続し、もって本件発明４のとおりの構成とすることに格別の困難性があるとは認められず、なおかつ、そうしたことによる効果は、当業者が予期し得なかったほど格別に顕著と認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件発明４は、引用例１及び２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができた発明である。」
　　
IV．その後の経過、及び結論
　これに対し、特許権者からは上記の指定期間内に何らの手続がなされず、そして、上記の取消理由は妥当なものと認められる。
　以上のとおりであるから、本件発明１は引用例１に記載された発明であり、また本件発明１及び４は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　したがって、本件発明１及び４に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号、又は同条第２項の規定に違反して特許を受けたものであるから、同法第１１３条第１項第２号の規定に該当し、同法第１１４条第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月２６日（２００１．２．２６）