(57)【要約】  半導体産業において典型的に使用されるタイプの液体前駆体再充填システム。遠隔の前駆体貯槽（２１０）と二次蒸気送給システム（２２０）は、ＣＶＤ前駆体を近所の供給源に供給する。近所の供給源は、熱伝達手段（３１０）近所のＣＶＤ前駆体貯槽（３２０）を含む。送給ライン（４００）は、この遠隔の二次蒸気送給システムと近所の熱伝達手段を接続する。一定のまたは定期的操作の間に、送給ライン中には液体が存在しない。近所のＣＶＤ前駆体貯槽は、バブラーシステム内のアンプルとして作用するか、またはＣＶＤ前駆体をバブラーシステム内のアンプルに供給することができる。
2008522036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）  ｉ）遠隔の前駆体貯槽、および
ｉｉ）二次蒸気送給システム
を備えるＣＶＤ前駆体の遠隔の供給源、
ｂ）  ｉ）熱伝達手段、および
ｉｉ）近所の前駆体貯槽
を備えるＣＶＤ前駆体の近所の供給源、並びに
ｃ）送給ラインを備え、前記送給ラインは、前記二次蒸気送給システムを前記熱伝達手段に接続するところの、ＣＶＤ前駆体を一次気相堆積システムに供給するためのシステム。
【請求項２】
前記二次蒸気送給システムが、
ａ）気化器、
ｂ）バブラー、および
ｃ）固体昇華システム
からなる群の中から選ばれる請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記二次蒸気送給システムが、バブラーである請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記二次蒸気送給システムが、加熱素子をさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記二次蒸気送給システムが、
ａ）第１の二次蒸気送給システム、
ｂ）第２の二次蒸気送給システム、および
ｃ）自動切換え手段
をさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ＣＶＤ前駆体が、自然発火性、水反応性、またはその両方である請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記ＣＶＤ前駆体が、
ａ）トリメチルアルミニウム、
ｂ）トリメチルガリウム、
ｃ）トリエチルガリウム、
ｄ）トリエチル亜鉛、および
ｅ）ジメチル亜鉛
からなる群の中から選ばれる請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記送給ラインが、液体の不存在下に、キャリヤーガスと気化したＣＶＤ前駆体を移送する請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記近所の前駆体貯槽が、バブラーシステム内のアンプルを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記近所の前駆体貯槽が、バブラーシステム内のアンプルに供給する請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記近所の前駆体貯槽が、レベル検出手段をさらに備え、前記送給ラインが、流量制御手段をさらに備え、前記レベル検出手段が、前記流量制御手段とインターフェースをとる請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
ａ）遠隔の前駆体貯槽中に液体ＣＶＤ前駆体の供給を維持すること、
ｂ）前記液体ＣＶＤ前駆体をして、気化手段を通過させ、それにより蒸気ＣＶＤ前駆体を発生させること、
ｃ）前記蒸気ＣＶＤ前駆体を、送給ラインを通じて、熱伝達に定期的に移送すること、
ｄ）前記蒸気ＣＶＤ前駆体をして、前記熱伝達手段を通過させ、それにより液体ＣＶＤ前駆体を発生させること、
ｅ）前記液体ＣＶＤ前駆体を、近所の前駆体貯槽に移送すること、および
ｆ）前記蒸気ＣＶＤ前駆体の定期的な移送と移送との間に、前記送給ラインを蒸気圧下に維持すること
を含む、ＣＶＤ前駆体を一次蒸気送給システムに供給するための方法。
【請求項１３】
複数の気化手段と、１の自動切換え手段をさらに含み、工程ｂ）が、前記自動切換え手段が前記複数の気化手段のうちの選択された１つが空乏化された後これを気化したＣＶＤ前駆体の移送が前記送給ライン内に維持されるように前記複数の気化手段のうちの新たな選択された１つに切換える工程をさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記気化手段が、
ａ）気化器、および
ｂ）バブラー
からなる群の中から選ばれる請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記気化手段が、バブラーである請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記送給ラインが、液体の不存在下に、キャリヤーガスと蒸気ＣＶＤ前駆体を移送する請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記近所の前駆体貯槽が、バブラーシステム内のアンプルを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記近所の前駆体貯槽が、バブラーシステム内のアンプルに供給する請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記近所の前駆体貯槽が、レベル検出手段をさらに備え、前記送給ラインが、流量制御手段をさらに備え、前記レベル検出手段が、前記流量制御手段とインターフェースをとる請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
ａ）遠隔の前駆体貯槽中に液体ＣＶＤ前駆体の供給を維持すること、
ｂ）前記液体ＣＶＤ前駆体をして、気化手段を通過させ、それにより蒸気ＣＶＤ前駆体を発生させること、
ｃ）前記蒸気ＣＶＤ前駆体を、送給ラインを通じて、熱伝達手段に定期的に移送すること、および
ｄ）前記蒸気ＣＶＤ前駆体をして、前記熱伝達手段を通過させ、それにより固体ＣＶＤ前駆体を発生させること
を含む、ＣＶＤ前駆体を一次蒸気送給システムに供給するための方法。
【請求項２１】
前記気化手段が、
ａ）気化器、および
ｂ）バブラー
からなる群の中から選ばれる請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記気化手段が、バブラーである請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記送給ラインが、液体の不存在下に、キャリヤーガスと蒸気ＣＶＤ前駆体を移送する請求項１２に記載の方法。
【請求項２４】
ａ）前記固体ＣＶＤ前駆体を前記熱伝達手段で加熱し、それにより液体ＣＶＤ前駆体を発生させること、
ｂ）前記液体ＣＶＤ前駆体を、近所の前駆体貯槽に移送すること、および
ｃ）前記蒸気ＣＶＤ前駆体の定期的な移送と移送との間に、前記送給ラインを蒸気圧下に維持すること
をさらに含む請求項２０に記載のシステム。
【請求項２５】
前記近所の前駆体貯槽が、バブラーシステム内のアンプルに供給する請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記近所の前駆体貯槽が、レベル検出手段をさらに備え、前記送給ラインが、流量制御手段をさらに備え、前記レベル検出手段が、前記流量制御手段とインターフェースをとる請求項２４に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【発明の開示】
【０００１】
背景
半導体産業は、超純粋試薬源に非常に依存している。他の産業も、また、高純度についての要求を有するが、半導体産業における純度要求とはほとんど比較にならない。化学気相堆積（ＣＶＤ）システムは、半導体産業および他の多くの産業におけるいくらかの製造プロセスに使用されている。例えば、化学気相堆積システムは、導光板の製造に用いられている。薄膜も、時折、気相堆積システム技術により製造されている。
【０００２】
電子産業において、ＣＶＤ前駆体として用いられている多くの物質は室温および大気圧で液体である。すなわち、１５℃〜３５℃の範囲内の温度で、該物質の蒸気圧は大気圧よりも低い。これらの物質をＣＶＤプロセスに使用するためには、該物質をある方法で気化させ、その蒸気を、ＣＶＤプロセスが行われるプロセスチャンバに導入する必要がある。半導体産業において現在広く用いられている２つのプロセスがあり、気体吹き込み（bubbling）と気化とである。バブラーは、吹込みにより所定量の液体前駆体物質中へ導入されるキャリヤーガス（しばしば、窒素、ヘリウムまたはアルゴン）を用いる。重力の効果により気泡が液体の表面に上昇し、キャリヤーガスはバブラーを出る。前駆体物質の蒸気圧により、ある量の物質がキャリヤーガスにより持ち運ばれる。この持ち運びは、キャリヤーガスが、バブラーを出るとき、前駆体物質で飽和されるようになるからである。バブラー技術は、実質的な蒸気圧を有する前駆体に最も有用である。用いられている第２の技術は、気化器である。気化器は、液体供給流を供給された後、これを噴霧化または霧化により蒸気／キャリヤーガス流に変換する。気化器技術は、非常に低い蒸気圧を有する前駆体に最もしばしば用いられる。
【０００３】
伝統的に、この産業において、これらの前駆体は、アンプル中に提供される。アンプルは、一般的に、前駆体物質を収容でき、種々の材料で作られた小さな容器である。アンプルは、液体を気化器に送給するように、またはキャリヤーガスが液体中に吹き込まれるところのバブラーとして、構成することができる。アンプルは、典型的に、折り取ることができるステムを有する石英で作られるか、あるいはステンレス鋼または他の高品質非汚染性金属合金で作られる。アンプルは、前駆体物質の製造者から半導体製造者へと輸送される。アンプルは、前駆体物質の適切な貯槽を維持するために前駆体物質が利用されるにつれ、定期的に交換される。典型的に、これら材料のアンプルは、ＣＶＤプロセスチャンバに非常に近接して置かれ、またアンプルの総容積は比較的小さい（最大数リットル）。アンプルがＣＶＤプロセスチャンバに近いので、アンプルは、半導体製造設備のクリーンルーム中に配置される。
【０００４】
使用される蒸気送給方法のいかんを問わず、ＣＶＤチャンバ入口には、液体容量の前駆体物質が必要とされる。前駆体は、気化技術によりＣＶＤチャンバに供給される。実際の設計の考慮事項が、ＣＶＤチャンバ近傍に貯蔵され得る前駆体の液体体積量を制限する。その結果、液体容量は、定期的に交換されるか、再充填しなければならない。アンプルの交換は、長期にわたる煩雑な処置であり、ツールは典型的にクリーンルーム内に置かれているので、クリーンルーム内でアンプルの交換を行うことは非常に実際的ではない。アンプル交換処置のための時間の長さは、物質取り扱い部品の全体のマニホールドが、アンプルとマニホールドとの間の接続が開放され得る前に、すべての残存物質について入念にパージされていなければならないということによるものである。このパージプロセスは、マニホールドの安全と純度／汚染の両方のために必要である。
【０００５】
加えて、非常に毒性で非常に反応性である傾向にあるこれらの試薬に充填されるバブラーの物理的取り扱いは、ある種の安全についての問題を提起する。適切な注意と好適な安全についての事前注意を持てば、プロセスは非常に高い程度の安全性をもって行うことができるが、ある程度の危険は常に存在する。
【０００６】
エール・リキードのキャンディ（Candi）システムやエピケム（EpiChem）のエピフィル（EpiFill）システムのような市販のシステムは、ツールの所に配置された液体容量を自動的に再充填するように設計された液体前駆体送給システムである。これらのシステムは、クリーンルーム内でのアンプル交換の必要性を排除し、通常アンプル交換に付随する関連する中断時間をも排除する。これらのシステムは、化学前駆体の液体送給を提供することにより、およびツールと液体前駆体送給システムとの間の連通を達成することにより動作し、供給弁を開閉する。ツールでのアンプルが再充填を要する場合、信号が液体前駆体送給システムに送られ、ツールがアンプル供給弁を開く。次いで、液体前駆体送給システムがその供給弁を開き、液体前駆体がツールにおけるアンプルに、アンプルが再充填されるまで押し込まれる。アンプルが充填されると弁は遮断される。液体前駆体再充填システムについてのこれらの液体前駆体送給システムの利点は、薬品供給のための装置の中断時間が排除され、前駆体物質のより大きな供給源キャニスターを用いることができ、現場で要求される容器交換の数が有意に減少するので実質的なコストの削減と有意な労働の削減をもたらすということである。
【０００７】
これらのシステムの固有の利益は、これら製品の良好な商業的成功をもたらしている。上記プロセスについての説明から明らかなように、これらのシステムをプロセスツール（および関連する、再充填されるアンプル）に接続する配管は、再充填操作中および再充填が行われていない休止時間中の双方において、液体前駆体で満たされたままである。特に高い反応性特性を有するある種の薬品については、ライン中での液体の貯蔵は、安全性および容認性の観点からいくつかの問題を提起する。
【０００８】
システムからツールまでの距離は大きなもの（２５０〜５００フィート以上）であり得るので、ライン内に貯蔵される物質の量は大きくなり得る。自然発火性および／または水反応性である物質は、ある場にあり得る物質の量を支配する厳密な法則が存在するので、これらの問題に最も敏感である。加えて、自然発火性液体物質がライン内に貯蔵されることは、他の改修、設置等の間に、業者または労働者が不注意に液体自然発火性物質のラインに手をつけるかもしれないので、安全関心事であり得る。該ライン中に貯蔵される実質量の物質が存在するので、その結果の火事は、その場にとって厄介なものとなる。自然発火性でありまた水反応性でもあるトリメチルアルミニウムについては、ライン内の割れとその結果の火事のように、問題は複合化する。スプリンクラーシステムの始動は、火事／爆発危険をさらに悪化させる。
【０００９】
ライン内に貯蔵された液体に関する問題に対する自明の解決策は、ライン内に液体を保持しないことであり、アンプルが再充填される必要があるたびにラインを再充填し空にすることである。このアプローチの困難性は、供給源容器中への液体の「押し返し」が、物質の汚染の可能性故に、許容されないことである。エピフィルシステムは、このように動作する。
【００１０】
ライン内にある物質を廃棄するという代替解決策は、液体ＣＶＤ前駆体物質が非常に高価であり、時に＄５０／グラム以上かかるので、高価すぎるであろう。
【００１１】
したがって、これらの問題に取り組む現在の方法の種々の欠点のために、産業界において、より経済的で安全な解決策を開発する必要性が存在する。
【００１２】
概要
本発明は、半導体産業において典型的に使用されているタイプの液体前駆体再充填システムに、より具体的には、液体供給源とアンプルを接続する移送ラインが主として蒸気で満たされる、アンプルに再充填するためのシステムに関する。
【００１３】
本発明は、上記危険を低減させ、それにより、再充填プロセスの効率を向上させ、不合格率を低下させ、さらに製品の品質を向上させるように設計されている。これらの目的および他の目的は、バブラーを交換する、または手動でこれを再充填する必要性を排除するシステムを提供することによって達成される。バブラーは、最低レベルと最高レベルとの間に自動的に維持され、現存する液体前駆体送給システムのすべての利益を、送給システムとツールを接続するライン内に液体を持たずに、提供する。このことのすべては、汚染を防止し、安全を確保するための独特で有意義なプロセス工程および装置を用いる再充填貯槽により達成される。すなわち、本発明の１つの面は、充填と充填の間に送給ライン内に液体前駆体の量を維持することなく、蒸気送給システムとして用いられるバブラー等を自動的に再充填するためのシステムを提供することである。
【００１４】
また、本発明は、遠隔の前駆体貯槽とツールにおけるアンプルとの間のラインが、決して液体で充填されないという利点を提供する。バブラーまたは気化器は、遠隔の前駆体貯槽キャビネットにおいて利用され、この蒸気／キャリヤーガス混合物は、ツールに輸送される。熱伝達手段は、ツールでのアンプル中のＣＶＤ前駆体を液化または固化させ、該物質をプロセスツールに通常供給されるものとして提供する。このアプローチの追加の利益は、気体吹き込みシステムが分留の単一段階を提供し、プロセスチャンバに実際に送給される物質の純度を向上させ得るということである。
【００１５】
このアプローチの他の利益は、ＣＶＤ前駆体が近所で凝縮され、スパイキング（spiking）用途のために末端使用者に少量ずつ分配し得るということである。スパイキング技術は、すべてのプロセス中にアンプルまたはバブラー中にきわめて一定の質量の前駆体を維持し、液体レベルを実質的に変化させないためにいくつかの半導体作製設備で使用されている。アンプルまたはバブラー中に一定の液体レベルを維持することは、送給システム中に液体の熱質量（thermal mass）を維持するものであり、その結果気化プロセスにより生じる温度変化が長期にわたって減少する。記述したシステムは、はるかに迅速な応答時間で少量の液体ＣＶＤ前駆体を求める要求に応えることができる。
【００１６】
本発明の１つの側面は、ＣＶＤ前駆体を一次蒸気送給システムに供給するための方法を含む。この本発明の送給方法は、遠隔の前駆体貯槽内に液相ＣＶＤ前駆体の供給を維持することを含む。ついで、この液体ＣＶＤ前駆体は、気化手段を通過し、かくして気相ＣＶＤ前駆体を生成する。ついで、この気相ＣＶＤ前駆体は、送給ラインを経由して、熱伝達手段に定期的に移送される。ついで、この気相ＣＶＤ前駆体は、熱伝達手段を通過され、かくして液相であるか、固相のＣＶＤ前駆体を生成する。これが固相ＣＶＤ前駆体である場合、後に熱伝達手段は、そのＣＶＤ前駆体を液相に変換するために用いられる。ついで、この液相ＣＶＤ前駆体は、近所（local）の前駆体貯槽に移送される。送給ラインの圧力は、気相ＣＶＤ前駆体の定期的な移送と移送との間に一定の蒸気圧により維持される。
【００１７】
本発明の他の側面は、ＣＶＤ前駆体を一次蒸気送給システムに供給するためのシステムを含む。この本発明のシステムは、ＣＶＤ前駆体の遠隔の供給源を備える。このＣＶＤ前駆体の遠隔の供給源は、遠隔の前駆体貯槽と、二次蒸気送給システムを備える。この本発明のシステムは、また、ＣＶＤ前駆体の近所の供給源を備える。このＣＶＤ前駆体の近所の供給源は、熱伝達手段と、近所の前駆体貯槽を備える。二次蒸気送給システムを熱伝達手段に接続する送給ラインが含まれている。
【００１８】
本発明は、添付の図面とともに以下の記述を参照することにより理解することができる。
【００１９】
好ましい態様の説明
本発明の１つの態様において、ＣＶＤ前駆体を一次蒸気送給システムに供給するための方法が提供される。本発明の送給方法は、遠隔の前駆体貯槽内に液相ＣＶＤ前駆体の供給を維持することを含む。ついで、この液体ＣＶＤ前駆体は、気化手段を通過し、かくして気相ＣＶＤ前駆体を生成する。気相ＣＶＤ前駆体は、もっともしばしば、ＣＶＤ前駆体と、Ｎ2、ＡｒまたはＨｅのような気化用ガスとの混合物である。次に、この気相ＣＶＤ前駆体は、送給ラインを経由して、典型的にはＣＶＤツールの一次蒸気送給システムの近傍に配置された、熱伝達手段に定期的に移送される。ついで、この気相ＣＶＤ前駆体は、熱伝達手段を通過し、かくして液相ＣＶＤ前駆体を生成する。ついで、この液相ＣＶＤ前駆体は、近所の前駆体貯槽に移送される。送給ラインの圧力は、気相ＣＶＤ前駆体のこれら定期的な移送と移送との間に一定の蒸気圧により維持される。
【００２０】
本発明の他の態様において、ＣＶＤ前駆体を一次蒸気送給システムに供給するためのシステムが提供される。本発明のシステムは、ＣＶＤ前駆体の遠隔の供給源を備える。このＣＶＤ前駆体の遠隔の供給源は、遠隔の前駆体貯槽と、二次蒸気送給システムを備える。本発明のシステムは、また、ＣＶＤ前駆体の近所の供給源を備える。このＣＶＤ前駆体近所の供給源は、熱伝達手段と、近所の前駆体貯槽を備える。二次蒸気送給ラインを熱伝達手段に接続する送給ラインが含まれている。
【００２１】
図１は、本発明によるＣＶＤ前駆体送給システム１００の例示的態様を示す。ＣＶＤ前駆体送給システム１００は、二次システム２００と、一次システム３００を備える。二次システム２００は、遠隔の前駆体貯槽２１０と、二次蒸気送給システム２２０を備える。一次システム３００は、熱伝達手段３１０と、近所の前駆体貯槽３２０を備える。二次システム２００は、送給ライン４００により、一次システム３００と流体連通している。
【００２２】
１つの好ましい態様において、第１の加圧手段２１５は、遠隔の前駆体貯槽２１０内に第１の圧力を維持する。第２の加圧手段２２５は、二次蒸気送給システム内に第２の圧力を維持する。第１の圧力が第２の圧力よりも大きいとき、移送ライン２５０を介する遠隔の前駆体貯槽２１０から二次蒸気送給システム２２０への液体ＣＶＤ前駆体の移送が可能である。第１の加圧手段２１５または第２の加圧手段２２５は、加圧された不活性ガス源により提供され得る。液体ＣＶＤ前駆体は、自然発火性、および／または水反応性であり得る。液体ＣＶＤ前駆体は、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、ジエチル亜鉛またはトリメチル亜鉛であり得る。不活性ガスは、窒素、ヘリウムまたはアルゴンであり得る。
【００２３】
他の態様において、二次蒸気送給システム２２０は、液体ＣＣＤの温度を高め、したがってキャリヤーガス中の蒸気濃度を増加させるために、加熱素子２７０を備えることができる。加熱素子２７０は、液体ＣＶＤ前駆体の温度を、周囲温度よりも高い第１の温度まで高めることができる。周囲温度は、１５℃〜３５℃のうちのいずれかの温度である。周囲温度は、２５℃であり得る。この第１の温度は、３０℃〜５０℃であり得る。この第１の温度は、４０℃であり得る。
【００２４】
二次蒸気送給システム２２０は、気化器であっても、バブラーであってもよい。固体ＣＶＤ前駆体物質が用いられる場合、二次蒸気送給システム２２０は、昇華システムであり得る。固体ＣＶＤ前駆体システムが用いられる場合、固体ＣＶＤ前駆体は、トリメチルインジウムであり得る。
【００２５】
１つの好ましい態様において、二次蒸気送給システム２２０は、バブラー２２０である。キャリヤーガスが、第２の加圧手段２２５を経由して、この二次蒸気送給システムに導入される。キャリヤーガスは、不活性ガスであり得る。キャリヤーガスは、ヘリウム、窒素またはアルゴンであり得る。キャリヤーガスは、二次蒸気送給システムにおけるＣＶＤ前駆体の液体容量の底部で、またはその近傍で導入され得る。液体ＣＶＤ前駆体の蒸気圧のために、キャリヤーガスはある量のＣＶＤ前駆体で飽和され、そのＣＶＤ前駆体は、キャリヤーガスにより、それがバブラーを出る際に、持ち運ばれる。
【００２６】
バブラー技術は、実質的な蒸気圧を有する前駆体に最も有用である。気化器技術は、非常に低い蒸気圧を有する前駆体に最も有用である。
【００２７】
ＣＶＤ前駆体が気化されると、それは、送給ライン４００に導入される。送給ライン４００は、キャリヤーガスと気化したＣＶＤ前駆体を含むか、気化したＣＶＤ前駆体のみを含み得る。送給ライン４００は、液相にあるものを含まない。１つの態様において、送給ライン４００が、環境との不所望の熱伝達を可能とするに十分に長く、それにより、送給ライン４００内に不所望の液相の存在をもたらす場合、送給ライン４００内に液相にあるものが残存しないことを確保するために、送給ライン４００にそって周期的に液体除去装置を設置することができる。液体除去装置は、トラップ、手動弁、または当業者に既知のそのような装置であり得る。送給ライン４００は、また、必要により、ヒートトレースにより加温することができる。送給ライン４００は、また、可能的には環状領域内に真空を有する、絶縁された二重壁閉じ込め（containment）ラインとして構成することができる。
【００２８】
ついで、気化したＣＶＤ前駆体は、送給ライン４００から近所の前駆体貯槽３２０へ移送される。近所の前駆体貯槽３２０は、熱伝達手段３１０を含む。熱伝達手段３１０内では、気化したＣＶＤ前駆体は、液相への相変化を有する。存在し得るすべてのキャリヤーガスは、この相変化を受けず、気相のままである。熱伝達手段３１０は、キャリヤーガスを、いずれもの他の非凝縮性ガスとともに、逃散させるベント３３０を備えることができる。このとき、ＣＶＤ前駆体は、単一段階の分留を受けており、ＣＶＤ前駆体の純度は向上している。熱伝達手段３１０は、当業者に既知のいずれものそのような装置であり得る。熱伝達手段３１０は、ペルチェ冷却器であり得る。ベント３３０は、スクラビング手段３３５を備えることができる。スクラビング手段は、乾燥吸着剤であり得る。
【００２９】
熱伝達手段３１０の液体貯蔵領域は、近所の前駆体貯槽３２０として機能し得る。他の態様において、液体ＣＶＤ前駆体は、熱伝達手段３１０から別体（discrete）の近所の前駆体貯槽３２０に移送され得る。近所の前駆体貯槽３２０は一次蒸気送給システム５００におけるアンプルであり得る。近所の前駆体貯槽３２０は、一次蒸気送給システム内のアンプルに供給することができる。
【００３０】
好ましい態様において、近所の前駆体貯槽３２０は、レベル検出手段３２５を有し得る。近所の前駆体貯槽３２０中の液体ＣＶＤ前駆体のレベルが、第１の所定の設定点に達すると、送給ライン４００内の流量制御手段４１０が開放され得る。これにより、気化したＣＶＤ前駆体が凝縮器３１０を流通することが可能となり、それにより近所の前駆体貯槽３２０内の液体ＣＶＤ前駆体のレベルが上昇する。近所の前駆体貯槽３２０内の液体ＣＶＤ前駆体のレベルが第２の所定の設定点に達すると、送給ライン４００内の流量制御手段４１０が閉じられ得る。
【００３１】
他の態様において、気化したＣＶＤ前駆体は、送給ライン４００から近所の前駆体貯槽３２０に移送される。近所の前駆体貯槽３２０は、熱伝達手段３１０を含む。熱伝達手段内では、気化したＣＶＤ前駆体の温度は、第２の温度まで低下し、固相への相変化を有する。気化したＣＶＤの温度をそのように低い温度に低下させることの１つの利点は、そのことがキャリヤーガス中に連行されたまま排出されるＣＶＤ前駆体の損失を最小化することである。この第２の温度が低いほど、ＣＶＤ前駆体の不所望の損失が少ない。この第２の温度は、周囲温度よりも低いものであり得る。周囲温度は、１５℃〜３５℃のうちのいずれかの温度であり、好ましくは２０℃未満である。この第２の温度は、１６℃未満であり得る。
【００３２】
存在し得るいずれものキャリヤーガスも、この相変化を受けず、気相にあるままである。熱伝達手段３１０は、キャリヤーガスを、いずれもの他の非凝縮性ガスとともに、逃散させるベント３３０を備えることができる。熱伝達手段３１０は、当業者に既知のいずれものそのような装置であり得る。熱伝達手段３１０は、ペルチェ冷却器であり得る。ベント３３０は、スクラビング手段３３５を備えることができる。スクラビング手段３３５は、乾燥吸着剤であり得る。
【００３３】
熱伝達手段３１０の貯蔵領域は、近所の前駆体貯槽３２０として機能し得る。１つの態様において、熱伝達手段３１０は、固相のＣＶＤ前駆体を、それが液相への相変化を持つまで、加熱し得る。他の態様において、液体ＣＶＤ前駆体は、熱伝達手段３１０から別体の近所の前駆体貯槽３２０に移送することができる。近所の前駆体貯槽３２０は、一次蒸気送給システム内のアンプルに供給することができる。
【００３４】
図２を参照すると、好ましい態様において、二次システム２００は、２またはそれ以上の二次蒸気送給システムからなり得る。第１の二次蒸気送給システム２８０は、第１の移送ライン４５０に供給し得る。第２の二次蒸気送給システム２９０は、第２の移送ライン４６０に供給し得る。第１の二次蒸気送給システム２８０は、第１のレベル検出手段４７０を備えることができ、第２の二次蒸気送給システム２９０は、第２のレベル検出手段４８０を備えることができる。第１のレベル検出手段４７０と第２のレベル検出手段４８０は、自動切換え手段６００と連通し得る。第１のレベル検出手段４７０が第１の二次蒸気送給システム２８０において十分に低い液体ＣＶＤ前駆体のレベルを検出すると、自動切換え手段６００は、第１の二次蒸気送給システム２８０から第２の二次蒸気送給システム２９０へ切換え、それにより一次システム３００への液体ＣＶＤ前駆体の中断されない供給を可能とする。自動切換え手段６００は、当業者に既知のいずれものそのような手段であり得る。
【００３５】
本発明の例示的態様を上に記述した。本発明は、種々の修飾および代替形態が可能であるが、本発明の具体的な態様は、図面において例として示され、本明細書で詳細に区術されている。しかしながら、具体的な態様についての本明細書での記述は、本発明を、開示された形態に限定することを意図するものではなく、反対に、本発明は、添付の請求の範囲により規定される本発明の精神および範囲に含まれるすべての修飾、均等物および代替をカバーするものである。
【００３６】
いうまでもなく、かかる実際の態様の開発において、１つの実施から他の実施へと変化するシステム関連およびビジネス関連の制約との整合のような開発者の特定の目標を達成するために、多くの実施特異的決定をしなければならないことが理解されるであろう。さらに、そのような開発努力は、複雑であり、時間がかかるものであろうが、にもかかわらず、本開示を手にした当業者にとってはルーチンの仕事であろう。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の例示的態様の様式化された図。
【図２】多重トレイン操作（multiple train operation）を示す、本発明の例示的態様の様式化された図。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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