【事件の表示】
　特許第３１１６７２３号「マイクロ波プラズマ装置用の石英ガラス材料」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１１６７２３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３１１６７２３号は、平成６年６月１日に特許出願され、平成１２年１０月６日にその発明について設定登録がされ、平成１２年１２月１１日に特許公報が発行されたところ、平成１３年６月１１日に異議申立人信越石英株式会社により特許異議の申立てがなされたものである。
２．特許異議申立について
（１）本件発明
　本件特許第３１１６７２３号の請求項１に記載の発明（以下、「本件発明」という）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次の通りのものである。
「【請求項１】 気相化学反応により合成された石英ガラス材料であって、含有されるＯＨ基濃度が１３０ｐｐｍ以下であり、ＧＨｚ周波数帯域におけるＦＱ値（周波数×Ｑ値）が１０００００以上であることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置用の石英ガラス材料。」
（２）特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人は、甲第１〜４号証を提示して、本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、と主張している。
（３）甲号各証の内容
　甲第１号証：特開平５−２５４８５９号公報
　甲第２号証：「月刊Semiconductor World」、１９９０年１月号、平成元年１２　月２０日、p.66-68
　甲３号証：「化学大辞典９」縮刷版第３２刷、共立出版発行、１９８９年８月　１５日、p.358
　甲第１号証には、下記ア〜キの事項が記載され、又は示されている。
ア．「ＯＨ濃度が２０ｐｐｍ 以下、Ｃｌ濃度が２０ｐｐｍ以下、１２００℃における粘度が１．０ ×１０１３ポイズ以上の合成石英ガラスからなることを特徴とする半導体ウエハ熱処理用部材。」（【請求項１】）
イ．「珪素塩化物を酸水素火炎中で加水分解反応させて平均粒子径０．４μｍ以下のガラス粒子からなる比重０．４〜０．６ ｇ／ｃｍ３の多孔質ガラス体を形成する工程と、前記多孔質ガラス体を水素雰囲気で１０００〜１５００℃で加熱処理する工程とを具備して成ることを特徴とする半導体ウエハ熱処理用部材の製造方法。」（【請求項２】）
ウ．「合成石英ガラスの製法としては、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、モノシラン（ＳｉＨ４）のような珪素の塩化物や水素化物を酸水素火炎中で加水分解反応させ、生成したシリカ（ＳｉＯ２ ）を直接同じ火炎を熱源にして回転基板ターゲット上に溶融・堆積させる、いわゆるベルヌィ法と呼ばれる方法や、上記方法において酸水素火炎中で加水分解反応させて生成したシリカにより同じ火炎を熱源にしてまず多孔質ガラス体を作り、つぎに、この多孔質ガラス体を加熱処理して高密度化して合成石英ガラスとする、いわゆるＶＡＤ法と呼ばれる方法が知られている。」（【０００４】）
エ．「本発明者等はこのような点に着目して鋭意検討をすすめたところ、珪素塩化物を酸水素火炎中で加水分解反応させて多孔質ガラス体を形成する際に、ガラス粒子を微粒子・高密度の状態で生成させるとともに、得られた多孔質ガラス体を水素雰囲気で加熱処理して緻密化させると、緻密化の過程でＯＨやＣｌが容易に離脱してＯＨ濃度やＣｌ濃度がきわめて低い、かつ今までにない１２００℃における粘度が１．０×１０１３ポイズ以上の高粘性を有する高純度の合成石英ガラスが得られることを見出だした。」（【０００９】）
オ．「実施例１〜３の合成石英ガラス材料中、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃａ、Ａｌ等の不純物元素がそれぞれ微量（最大０．０５ｐｐｍ）しか含まれていない」点。（第４頁表１）
カ．「【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉウエハのような半導体ウエハ熱処理用の炉芯管、ボート、装入治具等に用いられる、高純度で高温下における半導体ウエハへの汚染の問題がなく、かつ耐熱性に優れ、半導体ウエハの大サイズ化、多数同時処理に適した半導体熱処理用部材およびその製造方法に関する。」
（【０００１】）
キ．「本発明は、かかる知見に基づいてなされたもので、半導体ウエハの熱処理用の炉芯管、ボート、装入治具等に用いられ、高純度で高温下における半導体ウエハの汚染の問題がなく、かつ耐熱性に優れ、半導体ウエハの大サイズ化、多数同時処理に適応させた半導体熱処理用部材およびその製造方法を提供することを目的とする。」（【００１０】）
　甲第２号証には下記クの事項が示されている。
ク．「マイクロ波プラズマ装置の観察窓、ペルジャ等の部材として石英ガラス部材が使用される」点。（第６６頁の図１）
　甲第３号証には下記ケの事項が記載されている。
ケ．「誘電体に電場を加えたとき、電気変位が電場に対して位相の遅レを示す場合には電気的エネルギーの一部が物質内で熱に変わる。」（「誘電損失」の項）
　甲第４号証には下記コの事項が示されている。
コ．「周波数１ｋＨｚにおける各種シリカガラスの誘電体損失（ｔａｎδ）の挙動に関し、シリカガラスのＯＨ基や不純物濃度が誘電体損失に影響を与え、しかも、ＯＨ基濃度が低く、不純物元素濃度が低いものほど、誘電体損失（ｔａｎδ）が低い、すなわちその逆数であるＱ値が高い傾向がある」点。（第２８頁の表と第１４４頁の図１９５）
（４）対比・判断
　本件発明と甲第１号証に記載の発明とを対比する。
　甲第１号証には、上記アのとおり、「ＯＨ濃度が２０ｐｐｍ 以下、Ｃｌ濃度が２０ｐｐｍ以下、１２００℃における粘度が１．０ ×１０１３ポイズ以上の合成石英ガラスからなることを特徴とする半導体ウエハ熱処理用部材。」という発明が記載されており、また、上記イ〜エの記載から見て、当該合成石英ガラスが「気相化学反応により合成された」ものであることは明らかである。してみると、本件発明と甲第１号証に記載の発明とは、「気相化学反応により合成された石英ガラス材料であって、含有されるＯＨ基濃度が１３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする石英ガラス材料。」の点で一致し、一方、以下の（ａ）及び（ｂ）の点で相違しているものと認められる。
（ａ）石英ガラス材料の物性が、本件発明では「ＧＨｚ周波数帯域におけるＦＱ値（周波数×Ｑ値）が１０００００以上である」と規定されているのに対し、甲第１号証に記載の発明では、その様な物性規定がなされていない点
（ｂ）石英ガラス材料の用途が、本件発明では「マイクロ波プラズマ装置用」とされているのに対し、甲第１号証に記載の発明ではその様な用途が記載されていない点
　以下、上記相違点について検討する。
　上記相違点（ａ）に関して、本件特許公報には、本件発明の「ＧＨｚ周波数帯域におけるＦＱ値」に関して、「またマイクロ波領域における前記ＦＱ値と前記石英ガラス材料に含有される前記不純物及びＯＨ基の濃度との関係について調査した結果、前記不純物濃度が低く、かつ前記ＯＨ基濃度が１３０ｐｐｍ以下の石英ガラス材料の場合、前記ＦＱ値を１０００００以上に高められることが明らかとなった。」（【００１７】）との記載があり、また、本件発明の不純物濃度に関して、「なお実施例１〜４及び比較例１〜３のものの不純物元素についてはプラズマ発光分析法、原子吸光分析法により分析をおこない、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｒ及びＮｉ等の総量がそれぞれ１ｐｐｍ以下であることを確認した。」（【００２２】）との記載がある。
　これに対して、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラス材料は、上記アのとおり、ＯＨ基濃度が２０ｐｐｍ以下とされている。また、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラス材料は、上記イ〜エのとおり、通常不純物濃度が低いとされる「気相化学反応により合成された」ものであり、さらに、上記オのとおり、「Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃａ、Ａｌ等の不純物元素が微量（最大０．０５ｐｐｍ）なもの」とされている以上、本発明の石英ガラス材料と同程度あるいはそれ以下の不純物濃度であると解される。
　以上の点を考慮すると、甲第１号証には、「ＧＨｚ周波数帯域におけるＦＱ値」に関する記載はないものの、甲第１号証の発明に係る石英ガラス材料は、「ＧＨｚ周波数帯域におけるＦＱ値（周波数×Ｑ値）が１０００００以上である」とみるのが妥当であり、この点において、両者の間に実質的な差異があるものとはいえない。
　上記相違点（ｂ）に関して、本件発明は、従来、「マイクロ波プラズマ装置用の部品として石英ガラス材料を使用した場合、ウエハの不純物汚染を生じる、プラズマ処理中に穴が開いたり破損を生じるといったトラブルが発生しやすく寿命が短い、そのためプラズマ処理を安定的に行うことが困難である」という問題点があったところ、「気相化学反応により合成された石英ガラス材料であって、含有されるＯＨ基濃度が１３０ｐｐｍ以下であり、ＧＨｚ周波数帯域におけるＦＱ値（周波数×Ｑ値）が１０００００以上であることを特徴とする」特定の石英ガラス材料を採用することにより、「ウエハの不純物汚染を生じさせず、またプラズマ処理中に穴が開くことも破損することもなく、寿命を長くすることができるとともに、プラズマ処理を安定的に行なわせることができる」ように改善したものである。
　甲第１号証には、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラスの用途として「半導体ウェハの熱処理用の炉芯管、ボート、装入治具」などの「半導体ウエハ熱処理用部材」が記載され、また、当該石英ガラスの物性に関して、「高純度で高温下における半導体ウエハへの汚染の問題がなく、かつ耐熱性に優れ、半導体ウエハの大サイズ化、多数同時処理に適した」（上記カ及びキ参照）と記載されている。しかしながら、これらの記載は、マイクロ波プラズマ処理条件下での物性等に関して何ら言及するものではないので、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラスがマイクロ波プラズマ装置用の部品として採用できることを示唆してはいない。
　特許異議申立人は、これに関して甲第２号証を提出し、甲第２号証には、上記クの通り、マイクロ波プラズマ装置の観察窓、ペルジャ等の部材として石英ガラス部材が使用されることが示されており、また、当該石英ガラス部材として、耐熱性が高く、かつ高温においても不純物の発生のないものを使用するのは自明の課題であるから、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラスを甲第２号証のマイクロ波プラズマ装置の観察窓、ペルジャ等の部材として使用することは容易である旨主張している。そして、本件発明の効果は、甲第３〜４号証の記載から当業者に予測可能であるとも主張している。
　しかしながら、「耐熱性が高く、かつ高温においても不純物の発生のない」という物性は、マイクロ波プラズマ処理条件下で使用するために必要な条件ではあるが、例えばマイクロ波を大量かつ長時間放射しても破損しない等、他にも必要不可欠な条件はあるので、マイクロ波プラズマ処理条件下で使用するために十分な条件ではない。してみると、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラスが「耐熱性が高く、かつ高温においても不純物の発生のない」物性を有するという点のみから、この石英ガラスを甲第２号証のマイクロ波プラズマ装置の観察窓又はペルジャ等の部材として使用することが当業者にとって容易に想到できるとはいえない。
　一方、甲第３〜４号証には、上記ケ及びコのとおり、「誘電体に電場を加えたとき、電気変位が電場に対して位相の遅レを示す場合には電気的エネルギーの一部が物質内で熱に変わる。」、「周波数１ｋＨｚにおける各種シリカガラスの誘電体損失（ｔａｎδ）の挙動に関し、シリカガラスのＯＨ基や不純物濃度が誘電体損失に影響を与え、しかも、ＯＨ基濃度が低く、不純物元素濃度が低いものほど、誘電体損失（ｔａｎδ）が低い、すなわちその逆数であるＱ値が高い傾向がある」ことが示されている。しかしながら、これらの記載もマイクロ波プラズマ装置において重要なＧＨｚ周波数帯域における挙動を示すものでないので、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラスが、マイクロ波プラズマ装置として使用するために必要なマイクロ波プラズマ処理条件下での優れた物性、例えばマイクロ波を大量かつ長時間放射しても破損するがない等の物性を有していることを明らかにするものではない。
　よって、甲第３〜４号証の記載を参酌したとしても、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラスを甲第２号証のマイクロ波プラズマ装置の観察窓又はペルジャ等の部材として使用することが、当業者にとって容易に想到できるものとはいえない。
　また、本件発明は、甲第１号証に記載の発明に係る石英ガラスをマイクロ波プラズマ装置用の部品として採用することにより、「ウエハの不純物汚染を生じさせず、またプラズマ処理中に穴が開くことも破損することもなく、寿命を長くすることができるとともに、プラズマ処理を安定的に行なわせることができる」という優れた効果を奏したものである。　
　したがって、本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４．むすび
　本件請求項１に係る特許は、特許異議の申立の理由および証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月１０日（２００１．８．１０）