【事件の表示】
　特許第２９７３９７１号「熱処理装置及び薄膜の形成方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９７３９７１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第２９７３９７１号は、平成９年６月５日に特許出願され、平成１１年９月３日にその特許の設定登録がなされ、その後、大森　巌　より請求項１乃至４に係る発明に対して特許異議の申立てがなされたものである。
　
（２）特許異議申立てについて
ア．本件発明
　本件特許の請求項１乃至４に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】炉心管１、該炉心管内に配置された基板７を多数支持するための基板支持ボート２、プロセスガスを前記基板に向かって噴出させるための多数の吹き出し孔を有するプロセスガスインジェクター管３からなり、前記支持ボート２は、前記基板の一主面の中心を通る法線を回転軸として回転する機構を有する熱処理装置において、前記プロセスガスインジェクター管３に対し、前記回転軸の中心線に対して略線対称の位置に、不活性ガスまたは窒素ガスを噴出させるための吹き出し孔を有する不活性ガスインジェクター管４を設けることとを特徴とする熱処理装置。
　【請求項２】炉心管１，該炉心管内に配置された基板７を多数支持するための基板支持ボート２，プロセスガスを前記基板に向かって噴出させるための多数の吹き出し孔を有するプロセスガスインジェクター管３，および前記プロセスガスインジェクター管３に対し前記基板の一主面の中心を通る法線の略線対称の位置に不活性ガスまたは窒素ガスを噴出させるための吹き出し孔を有する不活性ガスインジェクター管４を有し、前記支持ボート２は、前記法線を回転軸として回転する機構を有する熱処理装置を用い、プロセスガスインジェクター管の吹き出し孔からプロセスガスを、不活性ガスインジェクター管の吹き出し孔からは不活性ガスまたは窒素ガスを回転させた基板支持ボート上の基板に向かって同時に供給して基板上に薄膜を形成させることを特徴とする熱処理装置による薄膜の形成方法。
　【請求項３】基板の主面の中心を通る法線を回転軸として自転している基板に対して、不活性ガスまたは窒素ガスとプロセスガスとを前記回転軸の中心線に対して互いに略線対称の位置から同時に供給することを特徴とする薄膜の形成方法。
　【請求項４】同時に供給する不活性ガスまたは窒素ガスと、プロセスガスとが、同量であることを特徴とする請求項２または３記載の薄膜の形成方法。」
　
イ．申立ての理由の概要
　申立人　大森　巌　は、上記請求項１乃至４に係る本件各発明は、特開平３−２５５６１８号公報（甲第１号証）、特開平１−２５８４１６号公報（甲第２号証）、特開平８−３３０２３７号公報（甲第３号証）、特開平５−２３４９０６号公報（甲第４号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきと主張している。
　
ウ．判断
（刊行物に記載された発明）
　特開平３−２５５６１８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、
「第１図は本発明による一実施例の縦型ＣＶＤ装置を示す図であり、図に示すように石英からなる処理室１の周囲にはＲＦコイル２が配設されており、ウエーハ７を搭載して支持棒６ａで連結された炭化シリコンで表面がコーティングされたカーボンからなるサセプタ６は処理室１の中央部に回転可能に配設されている。サセプタ６の周囲には石英からなる供給ノズル３と石英からなる排気ノズル４とが、吹き出し孔３ａと排気孔４ａとを対向して処理室１の内壁近傍に設けられており、炭化シリコンで表面がコーティングされたカーボンからなる希釈ガス供給ノズル５がサセプタ６の周囲に配設されている。この希釈ガス供給ノズル５には、希釈ガスの流れが均等に通過する孔を備えた分配板５ｂが設けられており、この分配板５ｂと吹き出し孔５ａとの間に希釈ガスが均等に供給されるから、各々のウエーハ７に均等に希釈ガスを供給することが可能となる。図示しない高周波電源によってＲＦコイル２に高周波電流が流されるとサセプタ６が加熱され、その上に搭載されたウエーハ７の温度が９００℃に上昇する。供給ノズル３に設けた吹き出し孔３ａから希釈ガス（水素３０ｌ／分）と反応ガス、例えばモノシラン（ＳｉＨ４　１００ｃｃ／分）とが混合したガスが吹き出してウエーハ７の表面に供給されると同時に、両側の希釈ガス供給ノズル５の吹き出し孔５ａからは、各々希釈ガス（水素１０ｌ／分）が供給される。加熱されたウエーハ７の表面に希釈ガスと混合した反応ガスが供給されると、この反応ガスに含まれているシリコンがこのウエーハ７の表面にＣＶＤ膜として堆積する。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁右上欄第１０行）が、第１図と共に記載されている。そして、第１図（その１）には、供給ノズル３に対し、前記回転の軸に対して略線対称の位置に、排気孔４ａを有する排気ノズル４が存在することが示されている。
　すなわち、刊行物１には、
「処理室１、該処理室１の中央部に配設されているウエーハ７を搭載して支持棒６ａで連結されたサセプタ６、吹き出し孔３ａから希釈ガス（水素３０ｌ／分）と反応ガス、例えばモノシラン（ＳｉＨ４　１００ｃｃ／分）とを混合したガスを吹き出す供給ノズル３からなり、前記ウエーハ７を搭載して支持棒６ａで連結されたサセプタ６は回転可能に配設されている縦型ＣＶＤ装置において、前記供給ノズル３に対し、前記回転の軸に対して略線対称の位置に、排気孔４ａを有する排気ノズル４を設け、さらに、希釈ガス（水素１０ｌ／分）が供給される希釈ガス供給ノズル５がサセプタ６の周囲に配設されている縦型ＣＶＤ装置。」
が記載されていると認められる。
　
　特開平１−２５８４１６号公報（以下、「刊行物２」という。）には、
「〔従来の技術〕従来、この種の気相成長方法は、Ｓｉの原料ガスであるシラン系ガス（・・・）をＳｉウェハー表面に均一に供給するため、大量の水素（Ｈ２）ガスをキャリアーガスとして用いるものとなっていた。これは、塩素を含むシラン（・・・）では、Ｈ２による還元反応がエピタキシャル反応の主反応である事、また、望ましくない反応を生じさせない事が、その主な選択理由となっていた。」（第２頁右下欄第５行〜第１５行）、
「第１図は本発明の気相成長方法を適用したＳｉ気相エピタキシャル成長装置の縦断面図である。反応管は外管１と内管２からなる２重管構造であり、内管２には排気のための複数の細孔３が設けられている。内管２の内部には、Ｓｉウェハー４をほぼ水平に保持する回転可能な基板ホルダー５が設けられている。また外管１には排気口６が設けられている。反応に関与するガスを供給するためにはノズル管７，８が設けられ、各ノズル管には、Ｓｉウェハー４保持されている位置に対応する細孔が開孔している。外管１は外部から気密を保つように架台９に固定されている。Ｓｉウェハーの加熱は、抵抗加熱炉１０を用いて行なわれる。次に、以上説明したＳｉ気相エピタキシャル成長装置を用い、本発明によるＳｉ気相エピタキシャル成長の一例を示す。基板ホルダー５に、直径１５０ｍｍのＳｉウェハー４を７５枚、８ｍｍ間隔で保持し１０ｒｐｍで回転させ、ノズル管７よりＨ２２５ｌ／ｍｉｎ、ノズル管８よりＮ２３０ｌ／ｍｉｎを流し、反応管内の圧力を１０Ｔｏｒｒ、温度を９５０℃とした。その後、Ｈ２、Ｎ２はそのままの状態で流し続け、ノズル管８よりＳｉＨ２Ｃｌ２を５００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｂ２Ｈ４を０．０１ｍｌ／ｍｉｎ流し、圧力は１０Ｔｏｒｒに維持してＳｉの気相エピタキシャル成長を行なった。その結果、７５枚全てのＳｉウェハーに１０μｍの膜厚のエピタキシャル膜が形成され、膜厚分布は±５％以内、電気抵抗分布は±６％以内と良好であった。」（第２頁右下欄第８行〜第３頁左上欄第１７行）が、第１図と共に記載されている。そして、第１図には、ノズル管８に対し、前記回転の軸に対して略線対称の位置にノズル管７が存在することが示されている。
　すなわち、刊行物２には、
「反応管、該反応管の内部に設けられたＳｉウェハー４を保持する基板ホルダー５、反応に関与するガスを供給するたにめのノズル管７，８からなり、各ノズル管にはＳｉウェハー４が保持されている位置に対応する細孔が開孔しており、前記基板ホルダー５は回転可能であるＳｉ気相エピタキシャル成長装置において、ノズル管８に対し、前記回転の軸に対して略線対称の位置にノズル管７が設けられ、前記ノズル管７よりＨ２２５ｌ／ｍｉｎ、ノズル管８よりＮ２３０ｌ／ｍｉｎを流し、その後、Ｈ２、Ｎ２はそのままの状態で流し続け、ノズル管８よりＳｉＨ２Ｃｌ２を５００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｂ２Ｈ４を０．０１ｍｌ／ｍｉｎ流すＳｉ気相エピタキシャル成長装置。」
が記載されているものと認められる。
　
　特開平８−３３０２３７号公報（以下、「刊行物３」という。）には、
「図１，図２において本発明の実施例１に係る半導体装置は、成膜処理を行うための石英等からなる成膜処理室１の外周に抵抗加熱等によるヒーター２が配設されており、成膜処理室１内の中央部にボート等（図示せず）を介して保持されたウェハ３を膜種にあった所要のプロセス温度（約６００〜８００℃）に加熱可能なようになっている。また、ウェハ３の外周部近傍全周にわたって、ウェハ３へ反応ガスを供給する供給ノズル４が配設されている。この供給ノズル４は、ウェハ３の中心に向かって反応ガスを均等に供給すべく、例えば図のように円周を４５°で８分割し、且つウェハ３の中心部から等間隔の位置に複数個（図では８ケ所）の噴射孔４ａが、ウェハのボート等による保持間隔と同一間隔で水平に複数具備されている。」（【００２３】〜【００２４】）が、図１，図２と共に記載されている。
　
　特開平５−２３４９０６号公報（以下、「刊行物４」という。）には、
「この反応容器１の底部はフランジ６上に設置され、該フランジ６には反応後の不要な原料ガスを排気するための排気管７が設置されている。そしてこの反応容器１内には、基板２を載置し、該基板２を回転しながら加熱するカーボン製の基板支持台３が設置されている。そしてこの反応容器１内に原料ガスを導入するためのガス導入管１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄが、反応容器１の容積が変化する箇所の側壁より、そのガス導入管１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄの各々の先端部のガス導入口９から延びる延長線が、基板２上に到達するように斜め方向に複数本配置されている。また前記ガス導入管１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄの各々のガス導入口９が、基板２の中心Ｏに対して点対称の位置と成るように反応容器１の側壁に配置され、基板２の中心Ｏより半径方向側の位置の基板２上に沿って原料ガスが供給されるので、各々のガス導入管のガス導入口９より供給される原料ガスが、互いに衝突することが無くなり、基板上に沿って、然も基板の回転方向に対して順方向に流れるように成り、ガスの流れが安定した状態で基板上に原料ガスが供給される。また基板２は回転しており、その基板２上に沿って基板２の中心Ｏを境界にして原料ガスが、基板２上の半径方向と直角に沿って矢印Ａ、およびＢ方向に示すようにガス流の方向を互いに変えた状態で、基板の全領域に均一に供給されるので、均一な組成、および厚さの結晶が気相成長できる。」（【００１９】〜【００２２】）が、図１と共に記載されている。
　
（対比・判断）
・請求項１に係る発明について
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件第１発明」という。）と、刊行物１に記載された発明を対比すると、本件第１発明の「炉心管１」、「該炉心管内に配置された基板７を多数支持するための基板支持ボート２」、「プロセスガスを前記基板に向かって噴出させるための多数の吹き出し孔を有するプロセスガスインジェクター管３」は、それぞれ刊行物１に記載された発明の「処理室１」、「該処理室１の中央部に配設されているウエーハ７を搭載して支持棒６ａで連結されたサセプタ６」、「吹き出し孔３ａから希釈ガス（水素３０ｌ／分）と反応ガス、例えばモノシラン（ＳｉＨ４　１００ｃｃ／分）とを混合したガスを吹き出す供給ノズル３」に相当する。
　また、刊行物１に記載された発明において、サセプタ６の回転は、ウエーハ７の一主面の中心を通る法線を回転軸として回転する機構によって行われるものと認められる。
　さらに、刊行物１に記載された発明の「縦型ＣＶＤ装置」は、本件第１発明の「熱処理装置」の一種であると認められる。
　従って、本件第１発明と刊行物１に記載された発明は、
「炉心管１、該炉心管内に配置された基板７を多数支持するための基板支持ボート２、プロセスガスを前記基板に向かって噴出させるための多数の吹き出し孔を有するプロセスガスインジェクター管３からなり、前記支持ボート２は、前記基板の一主面の中心を通る法線を回転軸として回転する機構を有する熱処理装置。」である点で一致する。
　一方、本件第１発明が「前記プロセスガスインジェクター管３に対し、前記回転軸の中心線に対して略線対称の位置に、不活性ガスまたは窒素ガスを噴出させるための吹き出し孔を有する不活性ガスインジェクター管４を設ける」という構成を備えるのに対して、刊行物１に記載された発明は該構成を備えておらず、他方、該刊行物１に記載された発明は「前記プロセスガスインジェクター管３に対し、前記回転軸の中心線に対して略線対称の位置に、」「排気孔４ａを有する排気ノズル４」を有し、さらに、サセプタ６の周囲に設けられた希釈ガス供給ノズル５から希釈ガスである水素が供給される点において相違する。
　
　ところで、刊行物２に記載された発明においては、本件第１発明の「プロセスガスインジェクター管３」に対応する「ノズル管８」に対し、回転軸の中心線に対して略線対称の位置にノズル管７が設けられている。
　しかしながら、「ノズル管８」と「ノズル管７」は、共に「反応に関与するガスを供給するたにめのノズル管」であり、「ノズル管７」からは「Ｈ２２５ｌ／ｍｉｎ」が供給されるのであって、本件第１発明の「不活性ガスインジェクター管４」のように「不活性ガスまたは窒素ガス」を噴出するものではない。
　同様に、刊行物３及び刊行物４にも、「不活性ガスまたは窒素ガスを噴出させるための吹き出し孔を有する不活性ガスインジェクター管」は記載されていない。
　
　また、刊行物１乃至４のいずれにも、「前記プロセスガスインジェクター管３に対し、前記回転軸の中心線に対して略線対称の位置に、不活性ガスまたは窒素ガスを噴出させるための吹き出し孔を有する不活性ガスインジェクター管４を設ける」という構成を示唆する記載も認められない。
　
　そして、本件第１発明は、従来のプロセスガスインジェクター管から噴出するプロセスガスに対抗するように、不活性ガスまたは窒素ガスを噴出させることのできる不活性ガスインジェクター管を設けたことにより、基板上に形成される薄膜の膜厚を均一にすることが可能になったという、明細書記載の顕著な効果を奏するものと認められる。
　従って、本件第１発明が、刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
・請求項２に係る発明について
　本件の請求項２に係る発明（以下、「本件第２発明」という。）と、刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は「炉心管１，該炉心管内に配置された基板７を多数支持するための基板支持ボート２，プロセスガスを前記基板に向かって噴出させるための多数の吹き出し孔を有するプロセスガスインジェクター管３を有し、前記支持ボート２は、前記法線を回転軸として回転する機構を有する熱処理装置を用い、プロセスガスインジェクター管の吹き出し孔からプロセスガスを回転させた基板支持ボート上の基板に向かって供給して基板上に薄膜を形成させることを特徴とする熱処理装置による薄膜の形成方法。」である点で一致するが、
　本件第２発明が「前記プロセスガスインジェクター管３に対し前記基板の一主面の中心を通る法線の略線対称の位置に不活性ガスまたは窒素ガスを噴出させるための吹き出し孔を有する不活性ガスインジェクター管４を有し」且つ「プロセスガスインジェクター管の吹き出し孔からプロセスガスを、不活性ガスインジェクター管の吹き出し孔からは不活性ガスまたは窒素ガスを回転させた基板支持ボート上の基板に向かって同時に供給して基板上に薄膜を形成させる」という構成を有するのに対して、刊行物１に記載された発明は、該構成を有さない点で相違する。
　そして、上記「請求項１に係る発明について」で検討したように、刊行物１乃至４には、「前記プロセスガスインジェクター管３に対し前記基板の一主面の中心を通る法線の略線対称の位置に不活性ガスまたは窒素ガスを噴出させるための吹き出し孔を有する不活性ガスインジェクター管４を有し」という構成について、記載も示唆もない。
　また、刊行物１乃至４には「プロセスガスインジェクター管の吹き出し孔からプロセスガスを、不活性ガスインジェクター管の吹き出し孔からは不活性ガスまたは窒素ガスを回転させた基板支持ボート上の基板に向かって同時に供給して基板上に薄膜を形成させる」という構成についての記載も示唆も認められない。
　そして、本件第２発明は、前記構成を有することにより、基板上の形成される薄膜の膜厚を均一にすることが可能になったという顕著な効果を奏するものと認められる。
　従って、本件第２発明が、刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
・請求項３に係る発明について
　本件の請求項３に係る発明（以下、「本件第３発明」という。）と、刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は「基板の主面の中心を通る法線を回転軸として自転している基板に対して、プロセスガスを供給することを特徴とする薄膜の形成方法。」である点で一致するが、
　本件第３発明が「不活性ガスまたは窒素ガスとプロセスガスとを前記回転軸の中心線に対して互いに略線対称の位置から同時に供給する」という構成を有するのに対して、刊行物１に記載された発明は該構成を有さない点で相違する。
　また、刊行物１乃至４には「不活性ガスまたは窒素ガスとプロセスガスとを前記回転軸の中心線に対して互いに略線対称の位置から同時に供給する」という構成についての記載も示唆も認められない。
　そして、本件第３発明は、前記構成を有することにより、基板上の形成される薄膜の膜厚を均一にすることが可能になったという顕著な効果を奏するものと認められる。
　従って、本件第３発明が、刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
・請求項４に係る発明について
　本件の請求項４に係る発明は、請求項２または３を引用したものである。
　そして、請求項２及び請求項３に係る発明は既に検討したように、刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　従って、本件第４発明も、刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
（むすび）
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１乃至４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　
　また、他に本件請求項１乃至４に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月１４日（２０００．８．１４）