【事件の表示】
　特許第２８４４２８７号「積層コンデンサの製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８４４２８７号の特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本件特許第２８４４２８７号「積層コンデンサの製造方法」の発明は、平成４年１２月２２日に特許出願（特願平４−３４２７３１号）されたものであって、平成１０年１０月３０日にその特許（請求項の数１）について設定登録がなされ、平成１１年１月６日に特許公報が発行され、その後、その特許（全請求項）について平成１１年７月５日にティーディーケイ株式会社より特許異議の申立てがなされたものである。
【２】本件特許発明
　本件特許第２８４４２８７号発明は積層コンデンサの製造方法に係るものであって、その発明を特定するために必要な事項は、本件特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１（以下、「本件発明」という。）に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】内部電極用ニッケル導電層が形成された未焼成セラミックシートを複数枚積層し、圧着して成る積層状の未焼成のコンデンサ素体を焼成した後、コンデンサ素体の両端面およびそれに連なる周端縁部に外部電極用導電層を形成する積層コンデンサの製造方法において、未焼成のコンデンサ素体を焼成する際の焼成を温度1000℃までの昇温過程を脱脂ゾーンとし、それ以降最高温度での焼結過程を焼結ゾーンとし、最高温度以降の常温までの降温過程を酸素欠陥補充ゾーンに区分し、脱脂ゾーンはO２分圧が10−１３〜10−１５atmとした雰囲気とし、焼結ゾーンはO２分圧が10−１６〜10−１８atmとした雰囲気とし、酸素欠陥補充ゾーンはO２分圧が10−１０〜10−１３atmとした雰囲気で焼成を行うことを特徴する積層コンデンサの製造方法。」
【３】特許異議の申立てについて
（１）異議申立ての理由の概要
　異議申立人ティーディーケイ株式会社は、証拠方法として、
　(i)甲第１号証(1992年7月発行「粉体および粉体冶金」第39巻第7号)、
　(ii)甲第２号証(1990年11月発行「セラミックス」第25巻、第11号)、
　(iii)甲第３号証(1987年発行「CERAMIC　BULLETIN」VOL.66 NO.9)、
を提出し、本件特許発明は、本件出願前国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきである。また本件特許明細書の記載は、特許法第３６条第４項及び第５項の規定に反し同法第１１３条第１項第４号の規定により取り消されるべきである、旨主張している。
（２）異議申立人の主張（具体的理由）の概要
（2-I）本件発明
　前記【２】記載のとおりである。
（なお、便宜上、符号Ａ〜Ｆを用いて各構成に分説すると、次のとおりである。
【Ａ】内部電極用ニッケル導電層が形成された未焼成セラミックシートを複数枚積層し、圧着して成る積層状の未焼成のコンデンサ素体を焼成した後、コンデンサ素体の両端面およびそれに連なる周端縁部に外部電極用導電層を形成する積層コンデンサの製造方法において、
【Ｂ】未焼成のコンデンサ素体を焼成する際の焼成を温度1000℃までの昇温過程を脱脂ゾーンとし、それ以降の最高温度での焼結過程を焼結ゾーンとし、最高温度以降の常温までの降温過程を酸素欠陥補充ゾーンに区分し、
【Ｃ】脱脂ゾーンはO２分圧が10−１３〜10−１５atmとした雰囲気とし、
【Ｄ】焼結ゾーンはO２分圧が10−１６〜10−１８atmとした雰囲気とし、
【Ｅ】酸素欠陥補充ゾーンはO２分圧が10−１０〜10−１３atmとした雰囲気で焼成を行う
【Ｆ】ことを特徴とする積層コンデンサの製造方法。）
　そして、本件発明はこの構成により、脱脂ゾーン、焼結ゾーン、酸素欠乏補充ゾーンの各ゾーンの焼成時における Ｏ２分圧を特定範囲でコントロールして、脱脂を速やかに行うことが出来るため、焼成中にＣの残留による焼緒不足を補うことが出来て、クラックがなく、また、酸素欠陥を補うことが出来て、高温負荷試験を行っても絶縁抵抗の劣化がなく信頼性の高い積層コンデンサを極めて容易に製造することが出来る等の効果を奏するものである。
　なお、本件発明の上記構成のうち「内部電極用ニッケル導電層が形成された未焼成セラミックシートを複数枚積層し、圧着して成る積層状の未焼成のコンデンサ素体を焼成した後、コンデンサ素体の両端面およびそれに連なる周端綾部に外部電極用導電層を形成する積層コンデンサの製造方法」(A)は本件特許公報【0002】〜【0006】に【従来の技術】として記載されているように、本件出願前慣用の技術にすぎない。
（2-II）証拠（甲第１号証乃至甲第３号証）の説明
(ア)甲第１号証：粉末および粉体冶金第39巻第7号
　甲第１号証の第591頁左欄第14〜23行には「…誘電体ペーストを得た。これをいわゆる印刷法で市販の Niペーストと共に印刷した後、切断、乾燥してグリーンチップを得た…得られたグリーンチップを空気中で300℃にて２時間加熱してバインダーを除去した後、1200-1400℃の所定の温度で２時間焼成した。なお、気圏の酸素分圧はN２-H２-H２O混合ガスを用いて10−９-10−１４MPaに制御した。焼成後、誘電体の再酸化を目的として、N２-H２O気流中で所定の温度で熱処理を施した。」と記載されている。そしてグリーンチップが本件発明における未焼成のコンデンサ素体と同義であることは明らかである［から、甲第1号証には、未焼成のコンデンサ素体を焼成する際の焼成を温度1000℃までの昇温過程を脱脂ゾーンとし、それ以降の最高温度での焼結過程を凝結ゾーンとし、最高温度以降の常温までの降温過程を酸素欠陥補充ゾーンに区分する(B)ことが開示されている。］
(イ)甲第２号証：セラミックス第25巻(1990)第11号
　甲第２号証の第1027頁には図２酸素還元平衡図(エリンガム図)が示され、この図の説明として第1028頁左欄第９〜15行に「エリンガム図の左側にはＯ、H及びCで表される点を有する直線が描かれ、更に図の周りにはPo2、CO/CO２比及びH２/H２O比などと示す目盛りが描かれている。個々の反応について、ある温度におけるその直線上の点と○点とを結び、Po2軸に外挿して得られた値が、その温度での平衡酸素分圧を与えている。」と記載されている。［そして本件発明では電極としてNi を用い、焼結温度は1150℃〜1350℃(本件公報【0015】○2参照)であるから、上記の図の 2Ni＋O２⇔2NiOの線が1150℃の線と1350℃の線とそれぞれ交わる点と原点を結ぶ線(赤線で示す)を外挿してPo2(酸素分圧)の線との交点を求めれば、それぞれ10−９及び10−４atmが得られる。即ち焼成時におけるNiの酸化を防ぐには、10−９〜10−４atm以下の酸素分圧下で焼成しなければならず、かつ酸素分圧が低い程Ni が安定することが示されている。］
(ウ)甲第３号証：CERMIC　BULLETIN、VOL.66、NO.9、1987
　甲第３号証は、BaTiO３系誘電体にTable 1に示すような種々の電極を設け、焼成時における酸素分圧の影響を解明したものである。即ち第1339頁右欄の第５図の説明に
「The resistivity at room temperature vs sintering Po2 is shown in Fig.5, The developed composition A yielded high resistivity(10１２Ω-cm)at the Po2 regions＞3×10−１３MPa. However, at the Po2 regions＜10−１４MPa, the Samples were converted to dark-colored semiconductors.」
(訳文)室温における抵抗値と焼成雰囲気の酸素分圧との関係を第５図に示す。組成A({(Ba0.82Sr0.08Ca0.10)O}1.005（Ti0.82Zr0.18)O２+0.1at.%MnO２)の抵抗値は、酸素分圧＞3×10−１３MPaの条件下では10１２Ωcmであるが、酸素分圧＜10−１４MPaの条件下では暗色の半導体に変る。(なおMPaは本件発明のatmと同義である。)
と記載されている。［即ち酸素分圧が10−１４MPa以下では、BaTiO３系セラミックスが半導体化し誘電体として使用不可能であることが開示されている。］
　また第1340頁第６図には、第５図と同一のセラミックス材料に、Ni電極を設けた場合と設けない場合とのそれぞれについて、誘電率と焼成雰囲気の酸素分圧との関係が示されている。［この図によれば、本件発明と同じくNi電極を設けた場合、焼成時酸素分圧が10−１１MPa以上においては誘電率が低下することが明らかである。］即ち同図の説明として、
「At the Po2 regions＞10−１１Mpa, the dielectric constant of the Ni-electrodfed disk was decreased with increasing Po2. This decrease, shown in Fig.6, was caused by the diffusion of nickel oxide from the elecrode.
　The samples sintered in the Po2 region from 10−１３　to 10−１１　MPa showed a very high dielectric constant(14000), low dissipation factor(1.5%), and high insulation resistance.」
(訳文)酸素分圧＞10−１１MPaの領域では、Ni電極を具えたディスクの誘電率は酸素分圧の増加につれ減少する。第６図に示すように、この減少は電極からのNi酸化物の拡散が原因である。
　酸素分圧が10−１３〜10−１１MPaの条件下で焼成された資料は、非常に高い誘電率(14000)と低い消失率(1.5%)と高い絶縁抵抗を示す。
と記載されている。
［即ち甲第３号証には、BaTiO３系セラミックスが焼成時酸素分圧＜10−１４MPaの条件下では、誘電体として機能しないこと、及び Ni 電極を具えるBaTi0３系セラミックは、焼成時酸素分圧を10−１３〜10−１１MPaとすることが好ましいこと開示されている。］
（2-III）本件発明と証拠との対比
　本件発明の構成要件のうち、Aは本件特許権者自身が認めているように本件出願前慣用の技術であり、Bについても甲第１号証に開示されている。
　そして甲第２号証によれば焼成時酸素分圧を低くすることにより NI電極が安定すること、甲第３号証によれば、酸素分圧＜10−１４MPaでは誘電体として機能しないこと及び Ni電極を具えたとき10−１３〜10−１１MPaとすることが好ましいことが明らかにされている。
　そしてこれらの技術が開示されている以上、甲第１号証に記載されている脱脂、焼結、酸素欠乏補充ゾーンの焼成雰囲気の酸素分圧の最適条件は、試行錯誤により容易に得られる。
（2-IV）本件明細書の記載不備
　甲第３号証によれば、焼成雰囲気の酸素分圧＜10−１４MPaの条件下ではBaTi0３系セラミックスは誘電体として使用できない。本件発明は脱脂ゾーンにおいては10−１３〜10−１６atm(C)、焼結ゾーンにおいては10−１６〜10−１８atm(D)であるから、本発明の方法をもってしてはコンデンサが製造できない。尤も甲第３号証は専ら BaTiO３系誘電体に関する議論であるから、本件発明が他の材料を使用し、そのため誘電体として充分機能していることも考えられる。しかしながらそれが事実とするならば、本件発明の対象とするセラミックスの組成を明細書中に明らかにしなければならない。このことを欠いた本件明細書は記載不備のそしりを免れない。
　一歩譲って甲第３号証の議論が正しくないとしても、材料が変れば製造条件も当然変るのであるから、セラミックスの組成を明らかにしていなし、本件明細書の記載によって、本件発明を実施することはできない。
　これを更に詳述する。コンデンサ用セラミックスとして多用されているBaTiO３は、焼成時に半導体化し易いため、(Ba1-xCax)TiO３, (Ba1-x-yCaxZry)TiO３等の形で実用化されている。このことは同一焼成条件でも材料の如何により還元の程度が異ることに起因する。即ち材料によって焼成雰囲気の酸素分圧を変えなければならないのはこの分野における常識である。
　次に本件明細書の特許請求の範囲と発明の詳細な説明に記載された実施例との間に重大な矛盾がある。即ち本件公報第２頁第３欄【0013】に、「未焼成のコンデンサ素体を大気中で、温度300℃で、15時間保持して脱脂工程を行った資料コンデンサを作成した」とあるように、脱脂工程は大気中で行っている。このことは本件発明の脱脂工程は先に引用した甲第１号証の「得られたグリーンチップを空気中で300℃にて２時間加熱してバインダを除去し…」と加熱時間の長短以外は全く同一である。そして【0014】には「このようにして作成された試料コンデンサをジルコニアセッター上に平面に並べ、密閉型のバッチ炉内で焼成を行ってコンデンサ素体(焼成済み)を作成した。試料コンデンサに焼成処理を施す際の各ゾーンにおける O２分圧は表１に示す分圧となるように調整した。」
と記載されているから、上記大気中温度300℃、15時間の脱脂工程によりコンデンサ素体は焼成されていることは明らかである。【0015】ではこの焼成済コンデンサ素体を更に脱脂ゾーンに送っている。（なお【0014】に焼成済みとあるので上記のように焼成としたが、実体は脱脂である）しかるに特許請求の範囲には「未焼成のコンデンサ素体を焼成する際の焼成を温度1000℃までの昇温過程を脱脂ゾーンとし、」
と記載されており、両者は明らかに矛盾している。要するに本件発明で脱脂ゾーンと称しているものは、脱脂ではなく、焼結の一部にすぎない。そして既に脱脂されてバインダは含まれていないのであるから、先に引用した甲第２号証のエリンガム図が適用可能となり、O２分圧の調整は同号証に基づき容易に行い得ることにすぎない。
【４】当審の判断
（１）本件明細書の記載要件について
　異議申立人は、本件明細書の記載不備（特許法第３６条第４項及び第５項の規定違反）を主張するものであるから、まずこの点について検討する。
（1-1）検討
(i)異議申立人は、甲第３号証に基づけば、特定の誘電体は特定の雰囲気条件においてのみセラミックスが製造できるものであることから、本件発明の対象とするセラミックスの組成を明細書中に明らかにしなければならないところ、この点の記載が何らなされていない旨主張している。
　しかしながら、本件発明においては、特に誘電体を構成するセラミックス組成乃至その材料（以下、「誘電体組成」という。）を特定することが積層コンデンサの製造方法に必須のものとは認められず、またこの誘電体組成が明らかでないことにより「積層コンデンサの製造方法」を実施することができないとまではいえない。
　なお、この点について、異議申立人が主張するように、仮に、特定の誘電体組成においては本件明細書に開示された範囲の程度ではその製造が不能である誘電体組成が存在する場合があったとしても、本件発明では規定されないその余の特定の製造条件をさらに付加することによって特定の誘電体組成においても製造が可能となることがあり得るものであることから、本件発明の構成の開示要件（実施可能性乃至は再現性）として全ての誘電体組成における実質的な製造方法とその製造物の特性（作用効果）の開示を要するとまではいえないのであって、このような全ての誘電体組成に係る実施例の開示がないことのみから直ちに本件明細書の記載が明確でないとは認めることができない。
　したがって、この点における明細書の記載について、明細書の記載が不備であるとの異議申立人の主張は理由があるものとはいえない。
(ii)また、異議申立人は、本件発明の「脱脂ゾーン」において特許請求の範囲と発明の詳細な説明に記載された実施例との間に重大な矛盾がある、と主張している。
　しかしながら、この脱脂ゾーン等に係わる「コンデンサ素体」は焼成前及び焼成済みのいずれをも指すものであり、そのいずれであるかはカッコ書き等として本件明細書において明示するところであるから、この点に係る記載は明瞭であって前記主張のような矛盾があるものとはいえない。
（1-2）まとめ
　以上のとおりであって、異議申立人が主張する本件明細書の記載不備（特許法第３６条第４項及び第５項の規定違反）の理由によっては、本件特許を取り消すことはできない。
（２）本件特許請求の範囲の請求項１について
　異議申立人は、本件請求項１に係る発明（本件発明）は、刊行物に記載された発明に基づいて容易に発明をするこができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し、その特許は取り消されるべきであると主張しているので、以下に検討する。
［2-1］引用刊行物
(i)異議申立人が提出した甲第１号証乃至甲第３号証を援用する。
（各甲号証における記載事項は、前記【３】（２）(2-II)「証拠（甲第１乃至３号証）の説明」のとおりである。ただし、［　］書き内は除く。）
(ii)また、本件発明の出願当時には、以下のような構成及び周知の技術的事項が認められる。
　本件特許明細書において先行技術として引用し例示する本件出願前公知の特公昭60-20851号公報を参酌すると、これには前記構成Ａである「内部電極用ニッケル導電層が形成された未焼成セラミックシートを複数枚積層し、圧着して成る積層状の未焼成のコンデンサ素体を焼成した後、コンデンサ素体の両端面およびそれに連なる周端縁部に外部電極用導電層を形成する積層コンデンサの製造方法」に係る構成、及び「未焼成のコンデンサ素体を焼成する際、焼成の前処理として脱脂処理を行い、その後非酸化性雰囲気で焼結し、常温まで降温させる」技術的事項が開示されている。（以下、これらに係る構成等について「周知発明」という。なお、この周知発明については異議申立人も異議申立ての理由において主張しているところである。）
［2-2］本件発明と前記周知発明との対比・判断
　本件発明と前記周知発明とを対比すると、両者は、以下のとおりの一致点及び相違点１乃至２を有するものと認められる。
（一致点）
「【Ａ】内部電極用ニッケル導電層が形成された未焼成セラミックシートを複数枚積層し、圧着して成る積層状の未焼成のコンデンサ素体を焼成した後、コンデンサ素体の両端面およびそれに連なる周端縁部に外部電極用導電層を形成する積層コンデンサの製造方法において、
　【B'】未焼成のコンデンサ素体を焼成する際、焼成の前処理として脱脂処理を行い、その後非酸化性雰囲気で焼結し、常温まで降温させる
　【Ｆ】積層コンデンサの製造方法。」
（相違点１）
　未焼成のコンデンサ素体を焼成する際、本件発明にあっては「【Ｂ】焼成を温度1000℃までの昇温過程を脱脂ゾーンとし、それ以降の最高温度での焼結過程を焼結ゾーンとし、最高温度以降の常温までの降温過程を酸素欠陥補充ゾーンに区分し」たものであるのに対し、周知発明にあっては各ゾーンとなる具体的構成が明らかでない点。
（相違点２）
　各ゾーンを構成する雰囲気において、本件発明にあっては「【Ｃ】脱脂ゾーンはO２分圧が10−１３〜10−１５atmとした雰囲気とし、【Ｄ】焼結ゾーンはO２分圧が10−１６〜10−１８atmとした雰囲気とし、【Ｅ】酸素欠陥補充ゾーンはO２分圧が10−１０〜10−１３atmとした雰囲気で焼成を行う」ものであるのに対し、周知発明にあってはこの構成が明らかでない点。
［2-3］検討
　以下、相違点１及び２について検討する。
(i)相違点１について
　相違点１は、焼成する際に各ゾーンの区分をどのように規定するかに係わるものであって、この区分は相違点２に係る構成と関連するものであるから、以下の相違点２において併せて検討する。
(ii)相違点２について
　本件発明は、焼成・焼結を行う際の焼成・焼結に係わる全工程について、焼成・焼結の雰囲気の加熱温度に基づいてそれぞれゾーンとして３区分とすること、及びその雰囲気を特定の状態として規定すること、となしている。
　そして、この３区分したゾーンについて、本件発明の焼成・焼結の雰囲気の加熱温度に基づく具体的構成は、前記構成【Ｂ】として具体的温度により区分して規定されるものであって、第１区分である「脱脂ゾーン」が1000℃まで、第２区分である「焼結ゾーン」がそれ（1000℃）以降の最高温度まで、第３区分である「酸素欠陥補充ゾーン」が最高温度以降の常温まで、とするものである。
　そこで、このゾーンの３区分について検討すると、この３区分における区分の根拠とする焼成・焼結の雰囲気の加熱温度（具体的温度）は、本件発明の出願時に公知乃至は周知であると認め得る証拠は見当たらず、したがってこの区分する温度に係わる技術的意義が開示されたものも見当たらない。
　すなわち、甲第１号証に開示されたものは「焼成後、誘電体の再酸化を目的として、N２-H２O気流中で所定の温度で熱処理を施した」もので焼成・焼結の際の一部分であって、焼成・焼結の全工程に係わる温度関連構成が開示されておらず、また甲第２号証に開示されたものは、単に「酸素還元平衡図（エリンガム図）」が開示されるものにとどまるものであり、さらに甲第３号証に開示されたものは、焼成時の酸素分圧に係わる構成として「酸素分圧が10−１３〜10−１１MPaの条件下」で焼成されるものであって「酸素分圧＜10−１４Mpaの条件下」で焼成されるものが好適であるとの開示がなされているにとどまるものであるから、異議申立人が提出した上記甲第１号証乃至甲第３号証の何れにも、前記したゾーンの３区分について、その根拠とする焼成・焼結の雰囲気の加熱温度（具体的温度）に基づいた技術的意義が開示されているものではなく、また該甲第１号証乃至甲第３号証から自明乃至は周知・慣用される技術的事項であるとも認められない。
　さらに、前記した相違点２においては、加熱温度に基づいて３区分された各ゾーンにおける加熱雰囲気の酸素分圧を数値範囲として構成【Ｃ】乃至【Ｅ】により規定するものであって、これらの構成【Ｃ】乃至【Ｅ】も、前記同様に甲第１号証乃至甲第３号証の何れにも開示されておらず、またこれから自明乃至は周知・慣用される技術的事項であるとも認められない。
　そして、このような構成（本件発明における構成【Ｂ】乃至【Ｅ】）を採用することにより、本件特許明細書に記載されているような、前記相違点１及び２に係る構成に基づく作用効果が認められるのであるから、この構成【Ｂ】乃至【Ｅ】が単なる設計的事項（すなわち、異議申立人が主張する「脱脂、焼結、酸素欠乏補充ゾーンの焼成雰囲気の酸素分圧の最適条件は、試行錯誤により容易に得られる」）であるとも認められない。
(iii)まとめ
　したがって、本件発明における相違点１及び２に係る構成【Ｂ】乃至【Ｅ】は、甲第１号証乃至甲第３号証によっても当業者が容易になし得るものとは認められない。
［2-4］異議申立人の主張について
(i)甲第１号証について
　異議申立人は、甲第１号証において「未焼成のコンデンサ素体を焼成する際の焼成を温度1000℃までの昇温過程を脱脂ゾーンとし、それ以降の最高温度での焼結過程を凝結ゾーンとし、最高温度以降の常温までの降温過程を酸素欠陥補充ゾーンに区分する(B)ことが開示されている。」旨主張している。
　しかしながら、このような記載は甲第１号証に何ら明示されておらず、また示唆されているものとも認められないこと、また「温度1000℃までの昇温過程」の開示に係る主張の根拠も明らかでないことから、当該主張は採用することができない。
(ii)甲第２号証について
　異議申立人は、甲第２号証には「焼成時におけるNiの酸化を防ぐには、10−９~10−４atm以下の酸素分圧下で焼成」しなければならないとの開示がなされている旨主張している。
　しかしながら、このような開示は甲第２号証に記載のものから雰囲気の加熱温度が「1150℃〜1350℃」である場合として類推することができるものではあるが、その加熱温度（1150℃〜1350℃）を選定する根拠は本件発明の特許明細書から逆に導き出しているものであって甲第２号証に特定され明示されているものではなく、また示唆されているものとも認められないから、当該主張は採用することができない。
　なお、この甲第２号証には、前記判断において記載したように、単に「酸素還元平衡図（エリンガム図）」が開示されているにとどまるものである。
(iii)甲第３号証について
　異議申立人は、甲第３号証には「BaTiO３系セラミックスが焼成時酸素分圧＜10−１４MPaの条件下では、誘電体として機能しない」こと、及び「Ni 電極を具えるBaTi0３系セラミックは、焼成時酸素分圧を10−１３〜10−１１MPaとすることが好ましい」こと、が開示されている旨主張している。
　しかしながら、甲第３号証において、仮にこの記載のような趣旨が示唆されているものとしても、この構成は本件発明の構成（焼成・焼結時の雰囲気である酸素分圧の構成が「焼結ゾーンはO２分圧が10−１６〜10−１８atmとした」もの）と相違するものであって、相違点２に係る構成を開示するものではないのであるから、当該主張は採用することができない。
(iv)対比について
　異議申立人は、異議申立ての理由において「脱脂、焼結、酸素欠乏補充ゾーンの焼成雰囲気の酸素分圧の最適条件は、試行錯誤により容易に得られる」と主張している。
　しかしながら、前記判断においても記載したように、試行錯誤により容易に得られる設計的事項といえるためには、その技術的意義、すなわち焼成・焼結の全工程を所定の各ゾーンに３区分する技術的意義が本件発明の出願時に明らかであることが必要であるものと認められるところ、この技術的意義の開示が認められないのであるから、相違点２に係る本件発明の前記構成【Ｃ】乃至【Ｅ】としての最適条件が試行錯誤により得られるものとはいえず、したがってこの点に係る異議申立人の主張も採用することができない。
［2-5］まとめ
　以上のとおりであるから、本件発明に係る特許は特許異議の申立ての理由及び証拠方法によってはこれを取り消すことはできない。
【５】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立てのいずれの理由及び証拠方法によっても本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月２７日（２０００．６．２７）