(57)【要約】本発明の目的は、アマグネティック(amagnetic)ヘッドギャップ（ｅ）によって分離された極性部分の対をそれぞれ含む複数の磁気ヘッド（３０．１から３０．４）を有し、磁気トラック（３６）を備えた磁気メディア（３５）の記録および／または読取デバイスである。これらの極性部分の対は、トラックから±９０°の間の０でない傾斜角（θ）で、少なくとも１つのサポート（１０００）上にグループ化され、サポート（１０００）における極性部分の対のすべてのヘッドギャップ（ｅ）は、サポート（１０００）に垂直な方向から極限を除いて±９０°の間の同じ方位角（α）を持つ。
2008519384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アマグネティックヘッドギャップ（ｅ）によって分離された極性部分の対をそれぞれ含む複数の磁気ヘッド（３０．１から３０．４）を有し、磁気トラック（３６）を備えた磁気メディア（３５）の記録および／または読取デバイスであって、
これらの極性部分の対は、トラックから±９０°の間の０でない傾斜角（θ）で、複数の重ね合わせられたサポート（１０００，１００１）上にグループ化され、サポート（１０００）における極性部分の対のすべてのヘッドギャップ（ｅ）は、サポート（１０００）に垂直な方向から極限を除いて±９０°の間の同じ方位角（α）を持ち、
少なくとも２つの連続したサポート（１００１，１００１）は０でない極性部分間の距離（ｄ）を規定し、この距離（ｄ）は、前記２つの連続したサポート上に位置する極性部分に直面する平面間の距離であることを特徴とする記録および／または読取デバイス。
【請求項２】
極性部分間の距離（ｄ）を正確に定義することのできる層（３３）を介して重ね合わせが行なわれることを特徴とする請求項１に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項３】
極性部分間の距離は：
Ｐ＋ｄ＝（Ｄ＋ｎＴ）ｔａｎ（θ）
を満たすようなものであり、ここに、θはトラックに対するサポートの傾斜角、Ｔは所定のサポート上に位置する極性部分の対のヘッドギャップの長手方向のピッチ、Ｄは２つの連続したサポート上に配置された２対の連続した極性部分の間のサポートに対する長手方向のオフセット、Ｐは極性部分の幅、そしてｎは整数であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項４】
磁気シールド（６００）および／または磁気抵抗性読取手段（ｇ）が、極性部分間の距離（ｄ）に対応するスペースで２つのサポート（１０００，１００１）の間に配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項５】
方位角（α）と傾斜角（θ）は絶対値が等しいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項６】
方位角（α）と傾斜角（θ）は異なることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項７】
異なる傾斜角（θ１、θ２）にある少なくとも２つの連続したサポートを有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項８】
一方のサポートの極性部分の対のヘッドギャップの方位角（α１）は、他方のサポートの極性部分の対のヘッドギャップの方位角（α２）と異なることを特徴とする請求項７に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項９】
異なるサポート（１００１，１００１）に属している２対の極性部分（４０ｗ，４０ｒ）は、２つの連続した磁気トラック（４７）と協働して、それらを読取またはそれらを記録することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１０】
記録のためのサポート（１０００）の少なくとも１つのブロック（Ｂ１）と、読取のためのサポート（１００１）の少なくとも１つのブロック（Ｂ２）とを有し、これらブロックは磁気トラック（４７）の方向に順々に位置することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１１】
記録のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロック（Ｂ１）と、読取のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロック（Ｂ２）とを有し、これらブロックのサポートはお互いに固定されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１２】
それぞれのトラック（４７）は極性部分（４０ｗ，４０ｒ）の対によって記録および読取され、記録のための極性部分の対と読取のための極性部分の対は異なるサポート（４５，４６）に属することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１３】
シールドスクリーン（４８）によって、読取のためのブロック（Ｂ２）が記録のためのブロック（Ｂ１）から分離されることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１４】
それぞれの磁気ヘッドに対して、１対の極性部分（ｐｐ１１，ｐｐ１２）をまとめる磁気回路と、場合に応じて磁束ガイド（ｃ１）とを有し、この磁気回路は記録および／または読取手段（ｓ１．１，ｓ１．２，ｇ）と協働することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１５】
記録および／または読取手段（ｓ１．１，ｓ１．２，ｇ）と、それぞれの磁気ヘッドのために場合に応じた磁束ガイドとは、磁気ヘッドの極性部分の対を保持するサポートと組み立てられる追加のサポート（１３０）上にあることを特徴とする請求項１４に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１６】
記録および／または読取手段は誘導性または磁気抵抗性であることを特徴とする請求項１４または１５のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１７】
信号処理手段（３０２）が記録および／または読取手段（ｓ１．１，ｓ１．２，ｇ）と協働することを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１８】
磁気トラックを備えた磁気記録メディア上の記録および／または読取のためのデバイスを作る方法であって、以下の段階：
複数の基板（１０００，１００１）上で、磁気ヘッドの複数の対または極性部分（１０８，１０６）を製造し、これらの極性部分がアマグネティックヘッドギャップ（ｅ）によって分離され、特定の基板上の極性部分のこれらの対のヘッドギャップ（ｅ）すべてが、その基板に垂直な方向から極限を除いて±９０°の間の同じ方位角（α）を持つようにする段階と；
２つの連続した基板の間に０でない極性部分間の距離（ｄ）を定義するようにそれらを重ね合わせることによって基板を組み立て、この極性部分間の距離（ｄ）が２つのサポート上に位置した極性部分に直面する平面間の距離であるようにする段階と；
記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３）と、場合に応じて極性部分の対と協働することができる磁束ガイド（１３７）を製造する段階と；
±９０°の間の角に等しい磁気トラックからの０でない傾斜角（θ）を持つように基板（１０００，１００１）を処理する段階と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１９】
記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３，ｇ）と、場合に応じた磁束ガイド（１３７）とは、協働する極性部分の対を基板（１０００，１００１）が保持する状態で配置された後に組み立てられる少なくとも１つの追加のサポート（１３０）上に作られることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドとは、極性部分の対を保持する基板の上に作られることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記処理は、１つ以上の基板をグラインディングすることから成ることを特徴とする請求項１８から２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記処理は、所定の機械的サポート（３５０）に、１つ以上またはすべての基板（１０００，１００１）の１つまたは複数の部分を取り付けることから成ることを特徴とする請求項１８から２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
極性部分の対を保持する基板（１０００，１１００）は位置決めの後に組み立てられることを特徴とする請求項１８から２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
電気絶縁材料の層（５００）が、極性部分の対を保持する２つの連続した基板の間に挿入され、この層は場合に応じて磁気抵抗性の読取手段（ｇ）および／または磁気シールドスクリーン（６００）を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
シム（４９）が極性部分の対を保持する２つの連続した基板の間に挿入されることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
磁束ガイド、あるいは記録手段および／または読取手段を、同一または異なる基板上に保持された極性部分の対に磁気的に接続するためにそれぞれ使われる磁気接続パッド（ｐ１．１，ｐ１．２）の対を、基板の１つの上に作ることから成ることを特徴とする請求項１８から２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
２つの基板（１０００、１１００）は、それらのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられることを特徴とする請求項１９または２３に記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも１つの基板（１１００）が薄くされることを特徴とする請求項１８から２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
極性部分の対を保持する基板は異なる傾斜角を持つことを特徴とする請求項１８から２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
一方の基板の極性部分の対のヘッドギャップの方位角は、他方の基板の極性部分の対のヘッドギャップの方位角と異なることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
極性部分（ｐｐ１１，ｐｐ１２）の対は、基板に第１のケーソン（１００４）を異方性エッチングし、基板上にアマグネティック層（１００５）を形成し、第１のケーソンを磁性材料で充填し、第１のケーソンに隣接する第２のケーソン（１００７）を等方性エッチングし、第２のケーソンを磁性材料で充填することによって作られることを特徴とする請求項１８から３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
磁気パッド（ｐ１．１，ｐ１．２）の対を得るために、磁気パッドの対を保持することになる基板に等方性エッチングによってケーソンの対が作られ、ケーソンの対が磁性材料で充填されることを特徴とする請求項２６に係る請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
いずれか１つの磁性材料充填段階がなされた後に、表面が平坦化されることを特徴とする請求項３１または３２に記載の方法。
【請求項３４】
極性部分（ｐｐ１１，ｐｐ１２）の対を保持する基板（１０００）は、２つの層（１００１，１００３）の間に位置した電気絶縁材料（１００２）から形成され、その状況で、ケーソンを保持する層は単結晶であり、他の層が場合に応じて後で部分的または全般的に除去されることを特徴とする請求項３１から３３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３５】
極性部分の対を保持する基板は、耐摩耗材料の層とケーソンを有する単結晶材料の層との間に位置する電気絶縁材料から形成されることを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
組み立ては、接着剤での貼りつけ、直接接着、陽極接着、または溶融バンプによって成されることを特徴とする請求項１９から３５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３７】
内部に記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドが位置する追加の基板は、電気絶縁材料の層を備えた多層基板であることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項３８】
内部に記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドが位置する追加の基板は、場合に応じて電気絶縁材料によって被覆された耐摩耗材料層から作られた層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項３９】
記録および／または読取手段（ｇ，ｓ２．１，ｓ２．２）と協働する信号処理手段（３０２）を作る段階を有することを特徴とする請求項１８から３８のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の目的は、多数の磁気ヘッドと方位制御されたヘッドギャップとを備えた記録および／または読取デバイス、およびそのようなデバイスを作る方法である。
【０００２】
多数の磁気ヘッドを備えたこのデバイスは、磁気的または磁気−光学的な何らかの記録メディア上、またとりわけ磁気テープ上でデータを磁気読取および／または磁気記録する用途に使われる。磁気メディアという用語は、本願明細書の残りの部分において磁気メディアまたは磁気−光学メディアを含むものとして使用される。同様に、磁気トラックという用語が使われる時は、この用語は磁気メディア上のトラックまたは磁気−光学メディアのトラックを含むべきものである。
【背景技術】
【０００３】
現在のところ、磁気テープが、大量の情報、典型的には、テラバイト（１テラバイト＝６３２バイト＝８×６３２バイト）かそれ以上のオーダーであるような情報をコンパクトに蓄積するための最も適切な情報メディアであること、が注目される。磁気テープ上への蓄積の最終用途としては、通常、コンピュータデータ、一層一般的にはデジタルデータのアーカイブ（保管）およびバックアップがある。例えば、これらのデータとしては、データベースからのデータ、デジタル化した動画、しばしばコンピュータ、あるいはキャムコーダー、ＶＣＲ、またはサーバのようなデジタル設備からのオーディオおよびコンピュータファイルを含みうる。これらのデータはしばしば<<マルチメディア>>と呼ばれ、また、工業的に、専門的に、または一般大衆によって使用されうる。
【０００４】
いくつかのタイプの磁気メディア上への記録は以下を含む：
・固定された多数の磁気ヘッドのセットが、直線的にスクロールする磁気テープ上の並列な複数の磁気トラックを書き込んで読み取る線形記録。
・高速で回転する円筒状のドラムに取り付けた１つまたは複数の対の磁気ヘッドが、ゆっくり進行および巻き取ってドラム周りにスライドする磁気テープ上において、らせんの部分の形態で磁気トラックに書き込んで読み取るらせん形記録。
・磁気ヘッドのセットが、磁気メディア上の磁気トラックを書き込む磁気光学記録であって、カー(Kerr)またはファラデー効果によって前に刻み込まれたビット（２進数）の磁化を直接的または間接的に検出するレーザー光線によって読取が行なわれるもの。
【０００５】
本発明は、線形記録、らせん形記録、または磁気光学記録に適用できる。
【０００６】
図１は、従来技術による記録および／または読取デバイスを図式的に示す。ピッチＤの間隔にある磁気ヘッド３のストリップ１が、固定された円筒状のサポート２（ドラム）上の生成ラインに沿って配置される。それぞれの磁気ヘッド３は、アマグネティック(amagnetic)ヘッドギャップ３．３により分割された２つの極性部分３．１、３．２を有する。以下では、１対の極性部分に対するヘッドギャップ、という用語は、対における２つの極性部分を分離するヘッドギャップのことをいう。読取または記録される磁気記録メディア４は、ストリップ１に近接して直線的に動く。このタイプの記録手段は比較的機械的に単純であるという利点（固定またはわずかに可動する磁気ヘッド）を持ち、その多数の磁気ヘッドに起因して、高速のデータフローを運ぶことができる。
【０００７】
しかしながら、記録密度の観点からは最適化されない。磁気回路と記録および／または読取手段の大きさに起因して標準的形状における磁気ヘッド３の間に比較的大きなピッチＤを持っているという事実が、以下のことを必要にしている：
・第一に、<<巻き取り>>記録、換言すれば、ピッチＤより小さなピッチＴ’でトラック５を備えた全ての磁気メディア４を記録するために非常に多数の行ったり来たりの動き、を有する必要がある。
・第二に、次のトラック５による問題と生じうる温度変動を考慮して、トラック５の間に大きなスペース６（トラック間距離と呼ばれる）を持つべきであり、それによってスペースの損失をもたらす。
【０００８】
さらに、一回のパスで記録されたトラック５は比較的大きな距離にあり、その結果、比較的大きな間隔にあるこれらのトラック５を同時に読み取ることは、これらのトラック上の劣悪なビットの配列に対して読取エラーを起こしうる磁気記録メディア４の機械的柔軟性によって、不利益をもたらす。
【０００９】
特許文献１は磁気トラックを備えた磁気メディアを記録および／または読取するためのデバイスを開示している。複数対の極性部分が所定のサポート上に保持される。２対の任意の連続した極性部分は、極限を除いて±９０°の間の０でない、等しくて反対の方位角を持つ。サポートはトラックからの所定の傾斜角（０でなく、９０°に等しくない）を持つ。さらに、トラック幅は等しくなく、そのため連続したトラックに記録される電気信号の振幅は異なる。読取エラーが発生しうる。
【００１０】
方位角を決定するためにこの特許文献で提案された方法はこの角度の完全な定義と再現性を可能にしないが、本発明で可能である。
【００１１】
特許文献２も、方位制御された多数の磁気ヘッドを持った記録および／または読取デバイスを開示している。このデバイスは、上部に磁気ヘッドを分配した複数の組み立てサポートを有する。このデバイスは、上記サポートがトラックからの傾斜角を持つことを許容しない。そのために、<<大規模並列>>の磁気ヘッドを作るように使うことができない。というのは、ｎ個のトラックを読取または書込するための磁気ヘッドを製造することは、ｎ個の組み立てサポートを必要とするからであり、そのサポートは、実際には効率の理由からｎを２、３、または４に制限する。組み立て時の制約は記録および／または読取デバイスの弱体化をもたらす。
【００１２】
さらにこのデバイスは、当産業で現在行われているように、重なったトラックと協働する磁気ヘッドをいくつか含まない。なぜなら、２つの連続したサポートに属する極性部分の２対の間の、サポートに垂直な距離は、零かそれ以上であるからである。この形態は、記録および／または読取デバイスを様々な記録標準に適合させることを可能にしない。
【特許文献１】米国特許第Ａ−５，４５２，１６５号明細書
【特許文献２】フランス特許第Ａ−２，７７４，７９７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、上述のような不利点を持たない記録および／または読取するための多数の磁気ヘッドを備えたデバイスを説明することである。
【００１４】
本発明の１つの目的は、デバイスにおける多数の磁気ヘッドの高い平行度に因って限定された数のパスで磁気記録メディアを記録および／または読取することである。
【００１５】
本発明の他の目的は、読取の間に起こる問題を排除するためにトラックに対する磁気ヘッドの良好な位置決め精度を得ること、また、大量生産による工業的生産の際に正確な幅と配置で磁気トラック上への記録および読取を制御する、極性部分の方位角と幅の良好な精度を与えることである。
【００１６】
本発明のさらに他の目的は、記録密度を増やす一方で、トラック、およびトラック間幅を減らすことである。
【００１７】
本発明のさらに他の目的は、磁気記録メディア上のトラックの追随を容易にすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この製造方法は、大量生産における記録および／または読取デバイスの主要パラメータの、既存の方法で可能なよりも良好な制御を可能にする。
【００１９】
従って、特にそれは、並列で動作させることのできる磁気ヘッドの数を増やして、良好な効率を持った優位なコストにおいてそれらを生産することができる。
【００２０】
これを達成するために本発明は、磁気トラックを備えた磁気メディアの記録および／または読取のためのデバイスに関する。それはアマグネティックヘッドギャップによって分離された極性部分の対をそれぞれ含む複数の磁気ヘッドを有する。これらの極性部分の対は、トラックに対して±９０°の間の０でない傾斜角で、少なくとも１つのサポート上にグループ化され、サポート上の極性部分の対のすべてのヘッドギャップは、サポートに垂直な方向から極限を除いて±９０°の間の同じ方位角を持つ。
【００２１】
このデバイスは少なくとも２つの連続したサポートを有し、それらが平行の場合に、２つの連続したサポート上に位置する極性部分に直面する平面間における、極性部分間の距離ｄを規定するようにするならば、有利である。
【００２２】
この極性部分間の距離ｄは：
Ｐ＋ｄ＝（Ｄ＋ｎＴ）・ｔａｎ（θ）
を満たすようなものであり、ここに、θはトラックに対するサポートの傾斜角、Ｔは同じサポート上に位置する極性部分の対のヘッドギャップの長手方向のピッチ、Ｄは２つの連続したサポート上に配置された２対の連続した極性部分の間のサポートに対する長手方向のオフセット、Ｐは極性部分の幅、そしてｎは整数である。
【００２３】
磁気シールドおよび／または磁気抵抗性読取手段が、極性部分間の距離に対応するスペースで２つのサポートの間に配置されうる。
【００２４】
刻み込まれた信号ビットがトラックに垂直である場合の変形として、方位角と傾斜角は絶対値が等しい。
【００２５】
他の実施の態様においては方位角と傾斜角は異なり、それにより方位角ビットが磁気メディア上に記録および／または読取されうる。
【００２６】
デバイスが複数のサポートを有する場合、これらのサポートは重ね合わせることができる。
【００２７】
それが少なくとも２つの連続したサポートを有する場合、それらは異なる傾斜角にありうる。
【００２８】
一方のサポートの極性部分の対のヘッドギャップの方位角は、他方のサポートの極性部分の対のヘッドギャップの方位角と異なりうる。
【００２９】
好都合に、異なるサポート、例えば連続したサポートに属している２対の極性部分は、２つの連続した磁気トラックと協働して、それらを読取またはそれらを記録する。
【００３０】
デバイスは、記録のための少なくとも１つのサポートの少なくとも１つのブロック、および読取のための少なくとも１つのサポートの少なくとも１つのブロックを有することができ、それらのブロックはトラックの方向に順々に位置する。
【００３１】
変形として、デバイスは、記録のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロックと、読取のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロックとを有することができ、これらブロックのサポートはお互いに固定される。
【００３２】
それぞれのトラックを極性部分の対によって記録および読取することができ、記録のための極性部分の対と読取のための極性部分の対は異なるサポートに属する。
【００３３】
クロストーク問題を防ぐために、シールドスクリーンによって、読取のためのブロックが記録のためのブロックから分離されうる。
【００３４】
このデバイスは、それぞれの磁気ヘッドに対して、１対の極性部分をまとめる磁気回路と、場合に応じて磁束ガイドとを有し、この磁気回路は記録および／または読取手段と協働する。この状況では、磁束ガイドは複数の部分を有することができる：すなわち、ソレノイド巻きのコア、パッド、後部の磁気部分、および磁気抵抗センサ磁束ガイドである。
【００３５】
記録および／または読取手段は誘導性または磁気抵抗性とすることができる。
【００３６】
信号処理手段が記録および／または読取手段と協働することができる。
【００３７】
本発明は、磁気トラックを備えた磁気記録メディア上の記録および／または読取のためのデバイスを作るための方法であって、以下の段階：
少なくとも１つの基板上で、磁気ヘッドの複数の対または極性部分を製造し、これらの極性部分がアマグネティックヘッドギャップによって分離され、極性部分のこれらの対のヘッドギャップすべてが、その基板に垂直な方向から極限を除いて±９０°の間の同じ方位角を持つようにする段階と；
記録および／または読取手段と、場合に応じて極性部分の対と協働することができる磁束ガイドを製造する段階と；
±９０°の間の角に等しい磁気トラックからの０でない傾斜角を持つように基板を処理する段階と、
を有することを特徴とする方法にも関する。
【００３８】
記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドとは、極性部分の対を基板が保持する状態で配置された後に組み立てられる少なくとも１つの追加の基板上に作られうる。
【００３９】
変形として、記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドとは、極性部分の対を保持する基板の上に作られうる。
【００４０】
上記処理は、基板をグラインディングすることから成ることができる。
【００４１】
変形として、上記処理は、所定の機械的サポートに、基板の１つまたは複数の部分、あるいは基板を取り付けることから成ることができる。
【００４２】
極性部分の対を保持する複数の基板がある場合、これらの基板は位置決めの後に組み立てられる。
【００４３】
電気絶縁材料の層またはシムが、極性部分の対を保持する２つの連続した基板の間に挿入されることができ、この層は場合に応じて磁気抵抗性の読取手段および／または磁気シールドスクリーンを含むことができる。
【００４４】
この方法は、磁束ガイド、あるいは記録手段および／または読取手段を、同一または異なる基板上に保持された極性部分の対に磁気的に接続するためにそれぞれ使われる磁気接続パッドの対を、基板の上に作ることから成ることができる。
【００４５】
２つの基板は、加工面がお互いに直面するように、それらのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられる。
【００４６】
組み立ての前または後に、少なくとも１つの基板を薄くすることを含むことができる。
【００４７】
基板は異なる傾斜角を持つことができ、そしてこの場合、一方の基板の極性部分の対のヘッドギャップの方位角は、他方の基板の極性部分の対のヘッドギャップの方位角と異なる。
【００４８】
極性部分の対は、基板に第１のケーソンを異方性エッチングし、基板上にアマグネティック層を形成し、第１のケーソンを磁性材料で充填し、第１のケーソンに隣接する第２のケーソンを等方性エッチングし、第２のケーソンを磁性材料で充填することによって作られうる。
【００４９】
極性部分の対を保持する複数の基板がある場合、磁気パッドの対を保持することになる基板に等方性エッチングによってケーソンの対が作られ、ケーソンの対が磁性材料で充填され、磁気パッドの対が作られうる。
【００５０】
いずれか１つの磁性材料充填段階がなされた後に、表面が平坦化される。
【００５１】
極性部分の対を保持する基板は、２つの層の間に位置した電気絶縁材料から形成され、その状況で、ケーソンを保持する層は単結晶であり、他の層が場合に応じて後で部分的または全般的に除去されうる。
【００５２】
変形として、極性部分の対を保持する基板は、耐摩耗材料の層とケーソンを有する単結晶材料の層との間に位置する電気絶縁材料から形成されうる。
【００５３】
組み立ては、接着剤での貼りつけ、直接接着、陽極接着、または溶融バンプによって成されうる。
【００５４】
内部に記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドが位置する追加の基板は、電気絶縁材料の層を備えた多層基板でありうる。
【００５５】
変形として、内部に記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドが位置する追加の基板は、場合に応じて電気絶縁材料によって被覆された耐摩耗材料層から作られた層を含みうる。
【００５６】
さらにこの方法は、記録および／または読取手段と協働する信号処理手段（例えばプリアンプ（前置増幅器）、マルチプレクサ、デマルチプレクサ）を作る段階を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
本発明は、純粋に情報として与えられ、そして決して限定的ではない、添付された図面を参照した実施形態の説明を読んだ後で、より良く理解されるであろう。
【００５８】
異なった図面における同一の、類似の、または同等の部材は、１の図面から次の図面への進行を容易にするように同じ参照符号を有する。
【００５９】
図面に示された異なる部分は、図を一層容易に理解させるために、必ずしも全てが同じ縮尺ではない。
【００６０】
さて、図２を参照しながら、本発明による記述および／または読取デバイス磁気ヘッドの一例を説明する。
【００６１】
このデバイスは、磁気記録メディア３５に搭載されたトラック３６上の情報を記録および／または読取するために使われることになる。この磁気記録メディア３５はテープとして示されているが、他の形態、例えばディスクも可能である。
【００６２】
磁気ヘッドが、従来的に、アマグネティック(amagnetic：非磁性)ヘッドギャップによって分離された極性部分の対の上で磁束を閉じ、終端する磁気回路を有する、ということに注意すべきである。この磁気回路は、極性部分の対に加えて、磁束ガイドを含みうる。いくつかの形態では磁束ガイドを欠いていて、極性部分の対の形状は、この磁束ガイド機能を得るのに適切なものとなっている。
【００６３】
記録および／または読取手段は磁気回路と協働する。場合に応じて、誘導性の記録および／または読取ヘッド、もしくは磁気読取ヘッドの磁気抵抗のための、磁気回路を取り巻く少なくとも１つの巻回部が存在する。この磁気抵抗は、この回路内のヘッドギャップにおいて、磁気回路に挿入することができる。それは、好都合に、巨大磁気抵抗(Giant Magnetoresistance：ＧＭＲ)またはトンネル効果磁気抵抗(ＴＭＲ)から作られたロッドの形態とすることができる。磁束ガイドがない場合は、磁気抵抗は極性部分の対と協働する。
【００６４】
本発明によるデバイスは、アマグネティックヘッドギャップｅで分離された極性部分の対によって図２にそれぞれ実現された複数の磁気ヘッド３０．１から３０．４を有する。このデバイスは少なくとも１つのサポート１０００をも有し、磁気ヘッド３０．１から３０．４の極性部分の対は、このサポート１０００上で順々に分配され、位置決めされている。図４で後ほど説明する例においては、２つのサポート１０００、１００１が示され、お互いに組み立てられる。明らかに、２つを超えるサポートを、正確な位置決め後にお互いに組み立てることが考えられるであろう。
【００６５】
サポート１０００は概ね平面であって、磁気ヘッド極性部分３０．１から３０．４の対は、概ね平面であるサポートの主面の上に保持される。
【００６６】
本発明によるデバイスが図４に示すように少なくとも２つの平行なサポート１０００、１００１を有する場合、良好に調整された距離ｄによって極性部分の対のレベル（平面）を分離する少なくとも１つのサポート間層３３が存在する。この距離ｄは、２つの連続したサポート上の極性部分に直面する平面の間で測られる。このサポート間層３３は、異なるサポート上に位置する磁気ヘッドの間のクロストーク（混信）問題を回避するための磁気シールドを好都合に提供することができる。それは磁気抵抗性の読取手段を含むことができる。
【００６７】
磁気ヘッド（または極性部分の対）の方位は制御され、そして所定のサポート上で、すべての極性部分の対は、サポート１０００に垂直な方向から極限を除いて±９０°の間の同じ方位角αを持ったヘッドギャップｅを持っている
【００６８】
０の方位角αは、サポート１０００の主面に垂直であり、±９０°に等しい方位角αはサポート１０００の主面に平行することになる。通常は、方位角αは＋４５に等しいかそれ未満である。
【００６９】
極性部分のそれぞれの対に対して、磁束ガイドおよび／または磁気抵抗素子（図２では図示しないが、図１０では図示する）がサポート１０００の主面上に、場合に応じて関係する極性部分の対に近接する絶縁層３３に保持できる。本発明による記録および／または読取デバイスにおいて、極性部分の機能面（初期のサポートの主面と垂直）は磁気記録メディアと接触するようになり、サポートにおけるチップ（またはブロック）を切断された後で現出することになる。
【００７０】
それぞれの磁気ヘッドは、極性部分の機能面にほぼ平行な、従ってサポート１０００の主面にほぼ垂直な磁気記録メディア３５と協働するようになる。
【００７１】
この磁気メディア３５は、磁気記録ヘッド３０．１から３０．４が一連のビットの形態にある情報を書込または読取することになる多数の平行な磁気記録トラック３６を有する。これらのトラック３６は、一般的な方向ｘと、サポート１０００の主面からの（または磁気ヘッド３０．１から３０．４の長手方向に対する）傾斜角θを持つ。換言すれば、サポート１０００はトラック３６に対して傾斜角θで存在する。この傾斜角θは０ではなく、±９０°の間にある。
【００７２】
記録および／または読取デバイスが複数の組み立てられたサポート１０００、１００１を有する場合、これらのサポートは、磁気記録トラック３６の一般的な方向ｘから同じ傾斜角θを持つことができる。この傾斜角θは例えばサポート１０００の適切な機械加工によって得ることができる。
【００７３】
しかしながら、図３Ｃに示すように、異なる傾斜角θ１、θ２を持った少なくとも２つの連続したサポートを含んだ、複数のサポートの組み立て体を提供することが可能である。
【００７４】
トラック３６は必ずしも隣接しておらず、それらはトラック間距離３７によって分離することができる。
【００７５】
一般に、サポート１０００上の極性部分３０．１から３０．４の対の幅をＰと表し、サポート１０００上の極性部分の対のヘッドギャップの長手方向のピッチをＴと表す。Ｌをトラック３６の幅とし、ｉをトラック間距離３７の幅とする（ｘ方向に垂直に測られる）。
【００７６】
傾斜角θは以下のように表される：
【００７７】
ｓｉｎ（θ）＝（Ｌ＋ｉ）／（Ｔ）
【００７８】
記録されたトラックの幅は以下で与えられる：
【００７９】
Ｌ＝Ｐ・ｃｏｓ（α−θ）／ｃｏｓ（α）
【００８０】
さて、現実的な数値の適用を行なってみる。Ｔ＝２００μｍ、Ｌ＝５μｍ、およびｉ＝０．１μｍ（可能性のある最小のトラック間距離）ならば、以下が推定できる：
【００８１】
ｓｉｎ（θ）＝（Ｌ＋ｉ）／（Ｔ）＝５．１／２００）＝０．０２５５
それゆえ、θ≒１．５°である。
【００８２】
図２に示すように、方位角αが傾斜角θの値と異なる値に等しいことが可能である。刻み込まれたビットは、記録されたトラックの一般的な方向ｘをもったある角度α−θにあることになる。変形例として、図３Ａ、図３Ｂに示すように、方位角αと傾斜角θが等しい：つまりα＝θであることが可能である。この場合は、ビットはトラックの一般的な方向と垂直に刻み込まれることになる。この変形例は既存の記録標準に対応する。
【００８３】
そして我々は以下を得る：
【００８４】
Ｌ＝Ｐ・ｃｏｓ（α−θ)／ｃｏｓ(α）＝Ｐ／ｃｏｓ(α）
または
【００８５】
Ｐ＝Ｌ・ｃｏｓ（α）
【００８６】
上の数値適用による値を使うことによって、α＝θかつα≒１．５°ならば、Ｐ≒５μｍを得る。
【００８７】
さて、このような小さな方位角αを得ることができるこのような記録および／または読取デバイスを生産するための方法を説明する。
【００８８】
記録および／または読取デバイスを作ることが必要な場合、性能上の理由で、読取を専門とする磁気ヘッドから記録を専門とする磁気ヘッドを分離することが望ましい。読取を専門とする磁気ヘッドは、磁気抵抗ＭＲタイプ、巨大磁気抵抗ＧＭＲタイプ、およびトンネル磁気抵抗ＴＭＲタイプの中から選ばれることが好ましいが、その一方で、磁気書込ヘッドは磁気誘導性ヘッドであることが好ましい。
【００８９】
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃを参照する。
【００９０】
記録および／または読取デバイスは、磁気記録ヘッド（極性部分４０ｗのそれらの対とそれらのヘッドギャップｅによって実現された）を有する少なくとも１つのサポート４５の１個または複数の第１のブロックＢ１、磁気読取ヘッド（極性部分４０ｒのそれらの対とそれらのヘッドギャップｅによって実現された）を有する少なくとも１つのサポート４６の１個または複数の第２のブロックＢ２を有することができ、これら第１および第２のブロックＢ１、Ｂ２は、磁気記録メディア４４のトラック４７の一般的な軸方向ｘに沿って順々に位置する。トラック間距離は４１という参照番号である。
【００９１】
図３Ａにおいては、書込（記録）を専門とするただ１つの第１のブロックＢ１が存在し、続いて読取を専門とする１つの第２のブロックＢ２が存在する。第１および第２のブロックＢ１、Ｂ２のそれぞれは、読取ヘッド４０ｒと同じ数の書込ヘッド４０ｗを有し、お互いと協働するためにお互いに対して位置決めされる。
【００９２】
図３Ｂにおいて、記録および／または読取デバイスは、トラック４７の一般的な方向に順々に位置し、書込を専門とする複数の（例では２個）の第１のブロックＢ１と、トラック４７の一般的な方向に順々に位置し、読取を専門とする複数の（例では２個）の第２のブロックＢ２とを有する。すべての第１のブロックＢ１、およびすべての第２のブロックＢ２は、１つのパス（経路）に書込されることになる磁気メディア４４上のトラック４７の数と同じ数の書込ヘッド４０ｗ（および読取ヘッド４０ｒ）を有する。この最終的形状は、トラックの幅とトラック間の幅を減らすことによって、必ずしもトラック間距離を排除することなく記録密度を増やすことができる。
【００９３】
図３Ｃは、類似の記録および／または読取デバイスを示し、これは＜＜二重方位制御された＞＞トラック４７を書込および読取することができる。換言すれば、上部から開始する奇数トラック上に刻み込まれたビットの方位角がα１−θ１で、偶数トラック上に刻み込まれたビットの方位角がα２−θ２である。このタイプのデバイスは、読取時のクロストークなく０でないトラック間距離を付与することによって記録密度を最大にすることができる。
【００９４】
２つのサポート４５を有する記録ブロックＢ１において、サポート４５のうちの一方は傾斜角θ１を持ち、他方はθ１と異なりうる傾斜角θ２を持つ。サポートのうちの一方における極性部分４０ｗの対のヘッドギャップは方位角α１を持ち、他方のサポートにおける極性部分４０ｗのヘッドギャップは方位角α２を持つ。同様に、２つのサポート４６を有する記録ブロックＢ２において、サポート４６のうちの一方は傾斜角θ１を持ち、他方は、ブロックＢ１のヘッドによって書込まれた情報をブロックＢ２のヘッドが読取することができるように傾斜角θ２を持つ。サポートのうちの一方における極性部分４０ｒの対のヘッドギャップは方位角α１を持ち、他方のサポートにおける極性部分４０ｗのヘッドギャップは方位角α２を持つ。それぞれのブロック上の２つのサポートは、例えばサポートのそれぞれの傾斜角を調整することを容易にするシム４９を使って組み立てられる。
【００９５】
異なる機能を専門とするブロック間のクロストークを防ぐために、磁気シールドスクリーン４８が第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２の間に配置されうる。
【００９６】
当技術分野における当業者に知られた適切な手段を、記録および読取の機能を組み合わせるために提供することができる。例えば、すべてのブロックＢ１、Ｂ２は、機械的組み立てによって固定することができうる。ブロックＢ１、Ｂ２とシールドスクリーン４８（１つの場合）の組み立ての後の結果は、ＲＷＷ(Read While Write：書込しながらの読取)と表される書込および読取デバイスとなる。このようなデバイスの利点は、記録されたデータの完全性が書込の間に検証できるということである。読取の前に書き込みが行われる。
【００９７】
図４を参照する。書込ブロックＢ１と読取ブロックＢ２が、磁気記録メディア４４上のトラック４７の軸方向に沿って順々に存在する代わりに、それらは１つのものが他ものの上に積み重ねられる。少なくとも１つのサポート１０００上に配置された複数の書込ヘッド４０ｗから形成された書込ブロックＢ１は、少なくとも１つのサポート１００１上に配置された複数の読取ヘッド４０ｒから形成された読取ブロックＢ２組み合わせられる。読取ヘッド４０ｒおよび記録ヘッド４０ｗはそれらの極性部分の対とそれらのヘッドギャップｅによって表される。
【００９８】
図４において、ブロックＢ１またはＢ２は、それぞれ一つのサポート１０００または１００１を有する。サポート１０００、１００１は最初は異なっていて、極性部分間の距離ｄを制御するスペース３３を形成することによって組み立てられる。スペース３３は磁気シールドおよび／または電気絶縁を含むことができる。それは磁気抵抗性の読取手段をも含むことができる。このスペース３３は、その厚さｄを使った磁気書込ヘッドと磁気読取ヘッドの間に位置決めするためのパラメータを設定するために使うことができる。
【００９９】
変形例として、２つのサポートは１つのサポートに組み合わせることができ、そこで、磁気書込ヘッドと磁気読取ヘッドが、図５Ｂに示したようにサポート６３の絶縁層３３のそれぞれの側に配置される。この場合、サポートは多層であり、そしてそれは例えば、ＳＯＩ（セミコンダクタ・オン・インシュレータ：semiconductor on insulator）タイプの基板、または、より一般的には、ＸＯＩタイプの基板とすることができる。ここに、Ｘは単結晶材料を指す。極性部分は絶縁層のそれぞれの側に位置する。共通のサポートの外側層は、お互いに組み立てられた２つのサポートのように考えることができる。
【０１００】
図４に示した実施形態において、記録または読取磁気ヘッドのすべての方位角αは等しい。２つのサポート１０００および１００１は同じ傾斜角θを持つ。
【０１０１】
図４、および図３Ａ、図３Ｂに示したこのような記録および／または読取デバイスの１つの利点は、書込ヘッド４０ｗに対する読取ヘッド４０ｒの配置を容易にするということである。４１の参照番号を付したトラック間距離は、何らかのずれの問題、すなわちトラック追従の問題を考慮するために、または、異なる方位角を持った他のヘッドまたは他の類似のデバイスによって書込されるトラックを挿入するために維持される。
【０１０２】
図４において、示された記録および／または読取デバイスはＲＷＷ(Read While Write)デバイスである。磁気書込ヘッド４０ｗおよび磁気読取ヘッド４０ｒは、次のパラメータが以下の式を満足する場合に有利な位置決めを持つことができる：
【０１０３】
Ｐ＋ｄ＝（Ｄ＋ｎＴ）ｔａｎ（θ）
ここに、θはトラック４７からのサポート１０００、１００１の傾斜角、Ｔは所定のサポート上に位置する極性部分の対のヘッドギャップの長手方向のピッチ、Ｄは２つの連続したサポート上に配置された２対の連続した極性部分の間のサポートからの長手方向のオフセット、Ｐは極性部分の幅、そしてｎは整数である。これらの磁気ヘッドの技術的−経済的最適化は、この式に対するパラメータの選択に影響することになるであろう。
【０１０４】
図４では整数ｎは１に等しい。距離ｄは何らかの厳しい技術的制約条件なしに調整することができる。磁気ヘッドの大きさ、および読取ヘッドギャップと書込ヘッドギャップの間の距離を制限するために、ｎ≦２を選択することは好都合である。
【０１０５】
図５Ａ、図５Ｂは従来の記録および／または読取デバイスの３次元的な図を示し、図５Ｂは本発明の記録および／または読取デバイスの類似の図を示し、トラック間距離６２によって分離されたほぼ平行な線形トラック６１を備える磁気記録メディア６４と関連付けられている。トラック間距離６２の幅は図５Ａではｗ０であり、図５Ｂではｗ１である。トラックに垂直な一連のビットの形態にある記録された情報が、２つのトラック６１上に表現されている。
【０１０６】
これら両方の場合において、記録デバイスは一連の磁気記録および／または読取ヘッド６０を有し、それに対して極性部分の対が同じほぼ平面のサポート６３上に保持される。
【０１０７】
磁気ヘッド６０はこれらの図上に完全に示されている。それぞれは、アマグネティックヘッドギャップ５２によって分離された極性部分５０、５１の対と、１つの対における２つの極性部分５０、５１と、極性部分５０、５１および磁束ガイド５３で構成された磁気回路と協働する記録および／または読取手段５４とを磁気的に結合する磁束ガイド５３をも有する。
【０１０８】
記録および／または読取手段は誘導性または磁気抵抗性でありうる。図５Ａ、図５Ｂにおける例では、記録および／または読取手段５４は誘導性であり、それぞれの磁気ヘッド６０に対して、磁束ガイド５３を囲む少なくとも１つのソレノイドの形態にある。
【０１０９】
図５Ａにおいて、磁気回路はサポート６３に垂線な平面にあり、それは概ね馬蹄形をしており、対の状態にある極性部分５０、５１のうちの１つによりその終端のそれぞれにおいて終わっている。ヘッドギャップ５２はサポート６３の平面に平行に方向付けられている。これらの磁気ヘッド６０は方位角α＝９０°を持ち、この方位角αはサポートに対する垂直方向から測られる。磁気記録メディア６４は、矢印によって指示された方向に沿って磁気記録および／または読取ヘッド６０の前を進行する。サポート６３の平面はトラック６１の一般的なｘの方向にほぼ垂線である。傾斜角θは９０°に等しく、この傾斜角θはサポートとトラックの一般的な方向との間の角度である。
【０１１０】
一方、図５Ｂにおいて、磁束ガイド５３は、第一に極性部分５０、５１に磁気的に接続され、第二に一つの後部の磁気終端部５３．３に磁気的に接続された２つの脚５３．１、５３．２を有する。記録および／または読取手段５４は、磁束ガイド５３の脚５３．１、５３．２と協働するソレノイド５４の形態にある。本発明による記録および／または読取デバイスの磁気ヘッドにモノリシック磁気回路構造を使うことができる。
【０１１１】
図５Ｂでは、サポート６３は２連の磁気ヘッドに対して共通である。それらはサポート６３の絶縁層３３のそれぞれの側に配置される。このように、この構造は、２つの連続したサポート６３．１、６３．２が共通のサポート６３を形成し、そのサポート６３上で極性部分の２つの連続した対が共通のサポート６３の電気絶縁層３３のそれぞれの側に配置される構造のように考えることができる。
【０１１２】
磁気ヘッドは方位制御され、それらのヘッドギャップ５２は磁気回路の平面（図５Ｂにおけるサポート６３の平面）に垂直な方向から測られた方位角αを持つ。この方位角は、極限を除いて±９０°の間にある。磁気回路の平面（図５Ｂにおけるサポート６３の平面）は、磁気記録トラック３６の一般的な方向ｘから±９０°の間の０でない角度θで傾斜する。
【０１１３】
図５Ａの構造と比較して、図２および図５Ｂの構造は近い間隔で、換言すれば小さなトラック間幅（ｗ１＜ｗ０）で、または０のトラック間幅さえによっても、容易にトラックをもたらすことができ、必要なことのすべては、十分に小さな傾斜角θを選定することである。しかも、αをθと等しいように選定する場合には、記録されたビットはトラックの一般的な方向に垂直である。
【０１１４】
サポート間層３３は絶縁体、例えば酸化ケイ素（Ｓｉ０２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、アルミナ（Ａｌ２０３）、ジルコニウム（Ｚｒ０２）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ＡｌＳｉＣ（アルミナとシリコンカーバイドの混合物）、チタンカーバイド（ＴｉＣ）、ＡｌＴｉＣ（アルミナとチタンカーバイドの混合物）、または他の良好な耐摩耗性を備えた何らかの絶縁体など、で構成することができる。この層は、１つまたは複数の段階、例えばマイクロエレクトロニクス設備、または陰極スパッタリング（ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤなど）のようなナノテクノロジー設備を使った堆積方法で作ることができる。ＳＯＩ／ＸＯＩ基板の絶縁層がサポート間層３３として使用されるならば、その厚さは、このタイプの産業で使われる何らかの方法による基板製造業者によって調整すべきである。サポート間層３３のそれぞれの側において図４におけるサポート１０００および１００１を組み立てることを容易にするために、サポート間層は、例えば組立体を後で正確な配置で作ることができるような機械的化学的平坦化段階および適切な表面準備処理を使って、サポート１０００、１００１のいずれか一方または両方の上に作ることができる。次に、サポート間の距離ｄは、明らかにそれぞれのサポート１０００および１００１の上に堆積される厚さの合計となる。これらのそれぞれの厚さは、場合に応じて１つまたは複数の磁気シールドおよび／または磁気抵抗性要素（ＧＭＲまたはより一般的にはＸＭＲ）で、絶縁体３３に埋め込まれた（適切なマイクロ技術設備によって堆積、および／または、エッチングされた）ものを含むことができる。
【０１１５】
さて、図５Ｂで示されたものに類似する本発明による記録および／または読取デバイスの実施形態を、図６Ａから図６Ｅを参照しながら説明する。この方法は、本質的に、本件出願人によるフランス特許第Ａ１−２，６６４，７２９号明細書およびフランス特許第Ａ１−２，７４５，１１１号明細書に記載された情報に基づいている。磁気ヘッドは集合的に作られ、この例ではそれらが誘導性のヘッドであることが想定される。磁気ヘッドは基板上に作られ、それらは上述のサポートに対応する。
【０１１６】
この例では、記録および／または読取デバイスは２つの基板を有し、それぞれが３つの磁気ヘッドを保持する。実際のデバイスにおいては、例えば数百の規模の、多くのさらなる磁気ヘッドが存在することになるであろう。
【０１１７】
出発点は、２つの外側層１０１、１０３の間にサンドイッチされた電気絶縁層１０２を備えた基板１００であり、その少なくとも１つ１０３が単結晶材料から作られる。
【０１１８】
それは、例えばＳＯＩタイプ（シリコン・オン・インシュレータ）タイプの基板のような絶縁体タイプ基板上の半導体であり得る。このような基板が２つの半導体層１０１、１０３の間にサンドされた電気絶縁層１０２から成ることを念頭においておくべきである。一般に、半導体層のうちの１つは他の層よりも厚い。絶縁体基板上のこのような半導体は絶対に必要ではない。
【０１１９】
好都合に、他方の外側層１０１は耐摩耗材料で作ることができ、この材料は半導体でも単結晶でもない。例えばそれは、ジルコニウムＺｒ０２、シリコンカーバイドとアルミナＡｌＳｉＣ、チタンカーバイドとアルミナＡｌＴｉＣ、アルミナＡｌ２０３、その他から作ることができる。この外側層１０１は、好都合に、単結晶層より厚い。
【０１２０】
外側層の少なくとも１つが単結晶であるという事実は、ヘッドギャップの方位角を制御するエッチングを行なうために使われることになる。従ってその結晶学的方向は、要求される方位角の関数として選ばれることになる。
【０１２１】
第１の段階は、それぞれの磁気ヘッドの極性部分１０６、１０８の対、ヘッドギャップｅ、並びに、記録および／または読取デバイスの磁気ヘッドのそれぞれの磁気回路の磁束ガイドの一部であるところの後部の磁気終端部５５．３を作ることである。
【０１２２】
この第１の基板上に位置する極性部分のそれぞれの対における極性部分の１つを保持することになる広がった第１のケーソン１０４(caisson)が、外側の単結晶層１０３にエッチングされる（図６Ａ）。例えば、シリコンの場合、このエッチングは、例えばカリウムバスＫＯＨ内の湿式異方性化学エッチングから成る。それぞれの第１のケーソンの側面の１つにおける傾斜は方位角αの値を制御する。この傾斜角は、基板の単結晶特性を利用し、異方性エッチングが基板の結晶面に従う。シリコンでは、<１１１>系の平面がエッチングエッジを限定する。これらの基板はすぐに入手可能である。例えば、この方法はフランス特許第Ａ１−２，６６４，７２９号明細書に記載されている。
【０１２３】
基板１００の電気絶縁材料１０２の層は、第１のケーソン１０４をエッチングする際に停止層として使用される。基板１００の単結晶層１０３の厚さは、この第１の基板上に位置する対の極性部分の幅を制御する。
【０１２４】
次の段階は、第１のケーソン１０４の側面に概ね均一厚さでアマグネティック材料の層１０５を形成することである。第１のケーソンがシリコンから作られるならば、それらには、このように処理された第１の基板の表面熱酸化が行なわれる（図６Ａ）。変形として、第１のケーソンの側面上に、アマグネティック材料が堆積されうる。
【０１２５】
第１のケーソン１０４のそれぞれの広がった側面の１つを覆うアマグネティック材料の層１０５は、基板１００上に位置する極性部分の対のそれぞれの方位角ヘッドギャップｅを形成することになる。
【０１２６】
磁性材料が第１のケーソン１０４内に、例えば電解法によって堆積される。この磁性材料はラミネートされるように、またはそのようにされないようにできる。例えばそれは、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、またはＣｏＦｅＸの合金でありうる。ここに、ＸはＣｒ、Ｃｕ、その他の適切な材料を表す。
【０１２７】
このように処理された基板１００の表面は、酸化物がその表面と同一平面となり、磁性材料が要求される厚さを持つように平坦化される（図６Ｂ）。この磁性材料は、極性部分のそれぞれの対の第１の極性部分１０６を形成する。
【０１２８】
次の段階は、第１の基板１００上に位置するようになる極性部分のそれぞれの対において、他の極性部分を保持することになる第２のケーソン１０７を等方性エッチングすることである（図６Ｃ）。これら第２のケーソン１０７は第１のケーソン１０４と隣接し、それら第１のケーソン１０４と同じ側にすべて位置する。この例では、それらは第１のケーソン１０４の左側にある。それらを右側にすることも可能である。その時方位角は異なることになり、それは他の＜１１１＞系の平面に存在することになるだろう。ヘッドギャップｅに近接した外側層１０３の単結晶材料はエッチングによって取り除かれる。ヘッドギャップｅのアマグネティック材料は、これら第２のケーソン１０７の側面として使用される。
【０１２９】
後で終端される磁気回路における、後部の磁気終端部分を保持することになる第３のケーソン１２８も、この段階の間にエッチングすることができる。これら第３のケーソン１２８は極性部分１０６、１０８の対のそれぞれに向かい合って位置する。極性部分１０６、１０８の対、および後部の磁気終端部分５５．３の平面図を示した図６Ｅを参照されたい。
【０１３０】
これら第２のケーソンおよび第３のケーソンの深さは、２回のエッチングを制限する停止層１０２に起因して、概ね第１のケーソンの深さと同じである。
【０１３１】
これら第２のケーソン１０７および第３のケーソン１２８は磁性材料で充填され、その作業は上述のような平坦化段階で終結する（図６Ｄ）。この磁性材料は、それぞれの対の第２の極性部分１０８と後部の磁気終端部分５５．３を形成する。この平坦化段階は極性部分の対の幅Ｐを最終的に調整する。それはまた、それぞれの対の極性部分の領域を均等化し、それらに対し、上面に非常に良好な位置合わせを与え（図６Ｄ）、絶縁層１０２上に保持された下側の面はすでに平面となっていて、そして非常に良好な位置決めを有している。
【０１３２】
デバイスの磁気ヘッドのそれぞれに対する磁気回路磁束ガイドの残り、換言すれば、この例の場合、後部の磁気終端部分の対の２つの極性部分を磁気的に接続する磁気的な脚と、記録および／または読取手段とが、ここで作られることになる。使われた方法はフランス特許出願第Ａ１−２，７４５，１１１号明細書で提供された情報に基づいている。
【０１３３】
この例では、記録および／または読取手段が馬蹄形の脚または枝の磁気回路を囲むソレノイドである、ということに注意すべきである。図７Ａから図７Ｅを参照する。図７Ａから図７Ｄは磁気回路の脚に沿った断面である。
【０１３４】
電気絶縁材料１３２から作られた層によって覆われたベース層１３１（例えば半導体層）を持った追加の基板と呼ばれる第２の基板１３０が存在する。バルク基板が、場合に応じ耐摩耗性のベース層１３１として非常に良好に使われうる。
【０１３５】
第１の段階は、極性部分と後部の磁気終端部の間、または馬蹄形磁気回路の枝に沿って延在することになるそれぞれのソレノイドのための導電体の第１の層を形成することである。
【０１３６】
これは、ソレノイドの磁気コアの軸に対してほぼ垂直な第１の平行なグルーブ１３４をソレノイドが位置すべき場所における絶縁層１３２に形成することによって行なわれる。これらのコアは図５Ｂに示した脚５３．１、５３．２に対応する。
【０１３７】
これらの第１のグルーブ１３４は、銅をベースとする導電性材料１３５を、例えば電解法によって堆積することによって充填される（図７Ａ）。この導電性材料１３５は導電体の第１の層における導電部分を形成する。
【０１３８】
次の段階は、グルーブ１３４の上側の余分な導電性材料１３５を除去するための、例えば機械的な、好ましくは機械的化学的な平坦化である。
【０１３９】
例えば酸化ケイ素から作られた電気絶縁層１３６が、例えばＰＥＣＶＤにより、平坦化された全表面にわたって、脚に必要とされる厚さよりも厚い厚さで堆積される。絶縁層１３６は、作られる磁気回路の脚においてケーソン１３３が現われるようにエッチングされる。これらのケーソン１３３の底の厚さは、導電体の第１の層における導体を磁気回路から電気的に絶縁するのに十分なものである。場合に応じて上述のようにラミネートされた磁性材料１３７が、極性部分を作るためにこれらのケーソン１３３に堆積される（図７Ｂ）。得られた表面は上述のように平坦化される。
【０１４０】
さて、ソレノイドの横の導体を作る。電気絶縁層１３８が平坦化された表面上に堆積される（例えばＰＥＣＶＤによる酸化ケイ素）。シンク１３９（くぼみ）が絶縁層１３８および１３６中に、導電体の第１の層における導体１３５の終端に達するまでエッチングされる。これらのシンク１３９は導電性材料１４０、例えば銅をベースとする材料で、例えば電解法によって充填される（図７Ｃ）。得られた表面は平坦化される。この導電性材料はソレノイドの横の導体１４０を形成する。
【０１４１】
図７Ｄに示した次の段階は、終端がこのように作られた横の導体１４０を露出するような、その材料中の第２のグルーブ１４２をエッチングすることによって得られた構造の表面上に、電気絶縁材料１４１の層を堆積して、ソレノイド導電体から第２の水平な層（図の上での）を作ることである。第２のグルーブ１４２は、銅をベースとする材料１４３で、例えば電解法によって充填される。得られた表面は平坦化される。導電性材料１４３はソレノイド導電体の第２の層における導電体を形成する。導電性材料１４３は電気絶縁材料１４４の層で覆われる。ソレノイド導電体の終端でのコンタクト（図示せず）が計画される。
【０１４２】
図７Ｃおよび図７Ｄにおいてケーソン１３３は、シンク１３９と同じ断面にないことを示すために破線で示されている。実際には、これらのシンクはケーソン１３３の＜＜前に＞＞存在し、ケーソンを充填した磁性材料１３７を貫通しないが、絶縁層１３６の材料を貫通する。グルーブ１３４はケーソン１３３の軸と完全に垂直ではない。
【０１４３】
図７Ｅは、第１の基板１００に組み立てられる直前の第２の基板１３０の、図７Ａから図７Ｄの縮尺とは異なる縮尺で且つ図７Ｄの側面での形態を示す。
【０１４４】
第２の基板１３０は、出力されたかまたは磁気ヘッドによって得られた信号を処理する信号処理手段を、場合に応じて保持することができる。
【０１４５】
図７Ｅにおける第２の基板１３０と図６Ｄに示した第１の基板は位置決めにより配置され、それらのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられる。第一に磁気回路の脚と極性部分の対との間に磁気的な連絡を作るために、第二に磁気回路の脚と後部の磁気終端部分との間に磁気的な連絡を作るために、特別な注意が払われる。
【０１４６】
組み立ては、マイクロ技術の分野における当業者に知られた何らかの技術によって、また特にマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）によって行なうことができる。
【０１４７】
有利な組み立て方法は、特許文献２に記載された接着剤での貼りつけ、陽極接着、直接接着、またはフリップチップボンディングを含む。
【０１４８】
図８Ａでは、第２の基板１３０が、それぞれの磁気回路１３７が極性部分１０６、１０８の対と磁気的に接続されるような位置決めにより、直接または他の接着によって組み立てられ、この接続は直接的に行なわれる。例えば、この位置決めは赤外線照準または下位Ｘ線(sub-X ray)によって行なうことができる。
【０１４９】
唯一残っている段階は、場合に応じて、例えば絶縁層１３２上で停止するこのベース層１３１の材料を完全エッチングまたは局所的選択エッチングすることにより、全般的または部分的に、第２の基板１３０のベース層１３１を除去するということである（図８Ｂ）。このように、記録および／または読取手段に電源を提供するために、層１３２の絶縁材料を通してコンタクトを作ることができる。（この特定の場合にはソレノイドが１３５、１４０、１４３によって形成される。）
【０１５０】
第１の基板１００の非動作層１０１を保持しておくことは有用でありうる。この場合、それは好都合に、例えばＡｌＴｉＣ、Ｚｒ０２、ＡｌＳｉＣから成る耐摩耗材料から作ることができる。
【０１５１】
追加の基板上にそれぞれの磁気ヘッドと記録および／または読取手段のための磁束ガイドの残りを作る代わりに、図６Ｄに示した状態の第１の基板上でそれらを作って図７Ａから図７Ｅで説明した段階を続けることが可能であろう。このようにして得られた構造は図８Ｂに示した構造に類似するであろう。そして、このような構造をもたらす異なった段階を示すことは必要以上のことであり、必要なすべては、図７Ａから図７Ｅにおける説明を参照することであって、図６Ｄに示した状態の第１の基板１００上に電気絶縁層１３２が堆積されるようになるということが唯一異なるということである。例えば、酸化ケイ素はＰＥＣＶＤによって堆積することができうる。
【０１５２】
次の段階は図８Ｂで得られた構造を、磁気記録メディアの磁気トラックから所定の傾斜角θを基板に持たせるように処理することである。
【０１５３】
この処理は、共通の機械的サポート上の磁気ヘッドの１つまたは複数のブロック（またはチップ）をまとめることから成りうる。図９を参照する。まず、磁気ヘッドがテストされ、そして図８Ｂの構造がブロック３００、３０１（またはチップ）に切断される。上述のように、数百個の磁気ヘッドが集合的に作られる。１つまたは複数のこれらブロック３００、３０１が所定の機械的サポート３５０上にマウントされる。この段階は＜＜バックエンド(back-end)＞＞または＜＜パッケージング＞＞という用語として知られている。機械的サポート３５０は、好都合に、現在、線形磁気ヘッドの製造業者に使われている例えばＡｌＴｉＣ（チタンカーバイドとアルミナ）などの耐摩耗材料から作られることになる。
【０１５４】
次の段階は、機械的サポート３５０の輪郭を、基板１００が磁気記録メディア４４のトラック４７に対して要求される傾斜角θを有することができるように、例えばその面３５１においてグラインドすることである。
【０１５５】
明らかに、機械的サポートは必ずしも必要ではない。図８Ａに示した構造物は、それが特に小さい場合には、基板１００および１１０の外面上において傾斜角θを作るようにチップに切断する前または後で直接グラインドされうる。この場合、電気的コンタクトは、局所的エッチングによって好都合に作られることになる。
【０１５６】
本発明による記録および／または読取デバイスの第２の実施形態を説明する。このデバイスを図１０に示す。これは、書込しながらの読取デバイス(ＲＷＷ：Read While Write）と呼ばれる。このデバイスは、記録されたデータの完全性が書込の間に検証できるので、非常に魅力的である。
【０１５７】
本発明によるデバイスは書込を専門とする第１の磁気ヘッド９０と読取を専門とする第２の磁気ヘッド９１とを有する。これら第１および第２の磁気ヘッドは交互の列を形成する。換言すれば、列の第１の磁気ヘッド９０は第２の磁気ヘッド９１に隣接している。
【０１５８】
第１の磁気ヘッドの極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２の第１の対は基板９３上に分配され、第２の磁気ヘッドの極性部分ｐｐ２１、ｐｐ２２の第２の対は他の基板９４上に分配され、２つの基板は積み重ねられる。第１および第２の磁気ヘッド９０、９１は方位制御され、それらは共に上述のように規定された同じ方位角αにある。
【０１５９】
第１の磁気記録ヘッド９０の記録手段はソレノイドｓ１．１、ｓ２．２の形態にある一方、第２の磁気読取ヘッド９１の読取手段は磁気抵抗タイプであって、例えばＧＭＲ材料から作られた少なくとも１つのロッドｇの形態にある。
【０１６０】
第１および第２の磁気ヘッド９０、９１それぞれの磁気回路の磁束ガイドｃ１、ｃ２は、ヘッド９０、９１の極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２、ｐｐ２１、ｐｐ２２を磁気的に接続する。この磁束ガイドｃ１、ｃ２は、第一に極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２、ｐｐ２１、ｐｐ２２に磁気的に接続され、第二に後部の磁気終端部分ａ１、ａ２に磁気的に接続された２つの脚ｊ１．１、ｊ１．２、ｊ２．１、ｊ２．２を有することができる。脚ｊ１．１、ｊ１．２、ｊ２．１、ｊ２．２および極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２、ｐｐ２１、ｐｐ２２の間の接続は、直接行うか、または磁気ヘッドの極性部分が位置する基板に応じ磁気接続パッドｐ１．１、ｐ１．２を介して行うことができる。
【０１６１】
変形として、磁気回路の磁束ガイドは、極性部分にそれぞれの終端部が磁気的に接続された概ね馬蹄形のような、またはその類似の形状のモノリシックであり得る。
【０１６２】
図１１Ａから図１１Ｄを参照する。
【０１６３】
２つの外側層１００１、１００３の間にサンドイッチされた電気絶縁層１００２を備えた第１の基板１０００から出発するが、その少なくとも１つの外側層１００３は単結晶材料から作られる。
【０１６４】
それは、例えばＳＯＩタイプの基板のような絶縁体タイプ基板上の半導体であり得る。しかしながら、絶縁体基板上のこのような半導体は絶対に必要ではない。
【０１６５】
好都合に、他方の外側層１００１は、耐摩耗材料で作ることができ、この材料は半導体でも単結晶でもない。例えばそれは、ジルコニウムＺｒ０２、ＡｌＳｉＣ（シリコンカーバイドとアルミナ）、ＡｌＴｉＣ（チタンカーバイドとアルミナ）、アルミナＡｌ２０３、その他から作ることができる。この外側層１００１は、好都合に、単結晶層より厚い。
【０１６６】
そして、第１の磁気ヘッド９０の極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２の第１の対が作られる。次に、この第１の基板１０００上に位置する極性部分のそれぞれの第１の対における極性部分の１つを保持することになる広がった第１のケーソン１００４(caisson)が、単結晶層１００３にエッチングされる（図１１Ａ）。図６において説明した例のように、単結晶層１００３の厚さと結晶学的方向は、第１の極性部分が要求される厚さと要求される方位角を持つように選択される。このエッチングは、図６Ａを参照して説明したものと類似する異方性エッチングであり、そのため、これ以上は説明しない。
【０１６７】
次の段階は、例えばこのように加工された第１の基板１０００を、表面熱酸化することによって、アマグネティック材料の層１００５を形成することである（図１１Ａ）。これは、その層１００３がシリコンから作られる場合である。基板１０００はシリコン層１００３のみから成ることができる。第１のケーソンのそれぞれの広がった側面の１つを覆うアマグネティック材料の層１００５は、この基板１０００上に位置した極性部分の第１の対のそれぞれの方位制御されたヘッドギャップｅを形成することになる。
【０１６８】
磁性材料（ラミネートされるか、またはラミネートされないもの）は、例えば電解法によって第１のケーソン１００４内に堆積される。例えば、この磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、またはＣｏＦｅＸの合金でありうる。ここに、ＸはＣｒ、Ｃｕ、その他の適切な材料を表す。
【０１６９】
このように処理された基板１００の表面は、酸化物がその表面上にあり、かつ磁性材料が要求される厚さを持つように平坦化される（図１１Ｂ）。この磁性材料は、極性部分のそれぞれの対の第１の極性部分ｐｐ１１を形成する。
【０１７０】
次の段階は、第１の基板１０００上に位置するようになる極性部分のそれぞれの対の、他の極性部分ｐｐ１２を保持することになる第２のケーソン１００７を等方性エッチングすることである（図１１Ｃ）。これら第２のケーソン１００７は第１のケーソン１００４と隣接し、それら第１のケーソン１００４と同じ側にすべて位置する。この例では、それらは第１のケーソン１００４の右側にある。それらを左側にすることも可能である。
【０１７１】
ヘッドギャップｅに隣接した外側層１００３の単結晶材料はエッチングによって取り除かれる。ヘッドギャップｅのアマグネティック材料は、これら第２のケーソン１００７の側面として使用される。これら第２のケーソンの深さは概ね第１のケーソンの深さと同じである。それは、絶縁層１００２が停止層として使用されることに起因する。
【０１７２】
これら第２のケーソン１００７は、電解法によって磁性材料（ラミネートされるか、またはラミネートされないもの）で充填され、最終段階で上述のように平坦化段階が行なわれる（図１１Ｄ）。この磁性材料は、極性部分のそれぞれの第１の対における第２の極性部分ｐｐ１２を形成する。この平坦化段階は極性部分の幅の最終調整に役立ちそれらのエッジの位置合わせをする。
【０１７３】
次の段階は、第２の磁気ヘッド９１の極性部分ｐｐ２１、ｐｐ２２の第２の対を作ることである。図１２Ａを参照する。出発点は、２つの外側層１１１０、１１３０の間に埋め込まれた絶縁層１１２０を有する第２の基板１１００であり、その少なくとも１つ１１３０が単結晶材料から作られる（例えばＳＯＩ基板）。第１の基板とその単結晶層の厚さの選択に関する説明は第２の基板に対して適用可能である。
【０１７４】
第１のケーソン１１４０は異方性エッチングによって単結晶層１１３０内に作られ、磁性材料（ラミネートされるか、またはラミネートされないもの）で充填されるが、図１１Ａおよび図１１Ｂを参照して説明したように充填および平坦化の前に（例えばシリコンの場合での表面熱酸化によって）アマグネティック材料層が形成される段階を含む。アマグネティック材料の層は１１５０と参照番号が付けられ、第２の極性部分の１つはｐｐ２２と参照番号が付けられる。第１のケーソン１１４０の側面の１つにおけるアマグネティック材料１１５０部分は、極性部分の第２の対のヘッドギャップｅを形成することになる。
【０１７５】
第２のケーソン１１７０は、図１１Ｃを参照して説明したように等方性エッチングによって作られる。第２のケーソン１１７０は第１のケーソン１１４０に隣接し、これら第１のケーソン１１４０の同じ側に共に位置する。この例では、それらは、第１の基板１０００上に極性部分の第１の対を作る場合に、上述のように第１のケーソン１１４０の右側にある。それらの組み立て時に１つの基板が他のものに対してひっくり返される時に特に要求される相対的移動に依存して、それらを左側にすることも可能である。第２のケーソン１１７０の位置は、第２の基板上に位置する極性部分の対の最終的な方位角にも依存する。従って、その符号は、第２の基板に対して第１の基板を組み立てる次の段階の際に変わりうる。
【０１７６】
第３のケーソン１１８０の対は、第１および第２のケーソン１１４０、１１７０のグループの間で同時に作ることができ、それらは磁気接続パッドｐ１．１、ｐ１．２の対を保持することになり、そのそれぞれが、第１の基板１０００上に位置した極性部分の第１の対における極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２を、後ほど完成させられる磁気回路に磁気的に接続することになる。これら第３のケーソン１１８０は、第１の基板１０００および第２の基板１１００が、それらのうちの１つをひっくり返した後に互いに組み立てられる時、一対の磁気パッドが極性部分の第１の対の極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２に磁気的に接続されるように配置される。基板を横断する軸の周りの１８０°の反転を、２つの基板上で要求される方位角が得られるように導入することができる。
【０１７７】
記録および／または読取デバイスの第１および第２の磁気ヘッドそれぞれの磁気回路の一部であるところの後部の磁気終端部ａ１、ａ２を保持するようになる、第４の後部ケーソン１２１０は、この局面でやはり等方性エッチングによって作ることができる。この後部の部分は、平面図で示した図１２Ｂで見られる。これら第４のケーソン１２１０は、後部の磁気終端部ａ１、ａ２が極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２、ｐｐ２１、ｐｐ２２の第１および第２の対に直面するように配置される。それらは、極性部分ｐｐ２１、ｐｐ２２の第２の対と同じレベル（平面）にあるが、極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２の第１の対とは同じレベル（平面）にない。磁気パッドｐ１．１、ｐ１．２の対と後部の磁気終端部ａ１、ａ２に関する部分的な平面図を示した図１２Ｂを参照する。磁気回路が２つの磁気的な脚と後部の磁気終端部を有する場合、これら第４のケーソン１２１０を作ることは特に重要である。この段階は、磁気回路がモノリシックである場合には余分なものである。
【０１７８】
これら第２のケーソン１１７０、第３のケーソン１１８０、および第４のケーソン１２１０は、図１１Ｄで説明したような磁性材料（ラミネートされるか、またはラミネートされないもの）で充填され、表面平坦化が行なわれる。最終的に、磁性材料は、第１には極性部分の第２の対の第２の極性部分ｐｐ２１を、第２には接続パッドｐ１．１、ｐ１．２１２０を形成することになる。
【０１７９】
極性部分の第１および第２の対のヘッドギャップｅの方位角が要求される通りに調整された。これらの方位角は、最終的に、基板１０００および１１００の組み立て後には方位角はすべて等しなるはずで、それらはすべて同じ符号をもつはずであるので、それらの製造時点で等しくなるであろう。２つの基板について必ずしも等しくない極性部分の幅も、要求される通りに調整された。磁気読取トラックは頻繁に書込トラックの部分のみを読み取る。
【０１８０】
２つの基板を組み立てる前に、基板１０００、１１００のうち少なくとも１つの表面上の絶縁層５００（例えば酸化ケイ素）、および／または、磁気シールド層を、極性部分間の距離ｄを調整するような表面の準備のために堆積することは有利である。このように絶縁層５００は、基板の組み立てを、最適化するのに使われる。絶縁層が作られる元の材料は、記録および／または読取デバイスの摩耗を制限するように、好都合に耐摩耗材料から作ることができる。これを選択することは基板の組み立てを容易にすることもできる。
【０１８１】
好都合に、磁気パッドｐ１．１、ｐ１．２のところのシールド層５００内に開口部が残され、そのシールド層は基板の一方および／または他方の上に位置する。
【０１８２】
読取ヘッドの側面上の絶縁層５００は磁気抵抗性の読取手段をも含むことができ、極性部分に直接結合された磁気抵抗性ロッド（ＭＲ，ＧＭＲ）のために特に有用である。これらを図１４Ｃに示す。
【０１８３】
次の段階では、第１の基板１０００および第２の基板１１００を、それらのうちの１つをひっくり返した後に、配置および位置決めし、それらの動作面でそれらを組み立てることになる。それぞれの磁気パッドｐ１．１、ｐ１．２を第１の基板の極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２と位置決めされるように、注意が払われる。この位置決めは、例えば赤外線照準またはＸ線によって行なうことができる。基板１０００または１１００をひっくり返すことで、その基板上に位置した極性部分の対の方位角の符号が変わりうる。これは作業の方法に依存する。基板がひっくり返されて、同時に横断する軸の周りに１８０°回転させられるならば、符号は変わることになる。
【０１８４】
組み立ては、この技術分野における当業者に知られたマイクロ技術で使われる何らかの技術によって、または前の実施形態で説明したような直接接着組み立てにより行なわれうる。特に魅力的な他の組み立て方法はフリップチップボンディングによる組み立てである。図１２Ｃは、可融性の合金から成るバンプ２３０によって組み立てられる直前の、図１０Ｄおよび図１１Ａにそれぞれ示すような２つの基板１０００、１１００を図式的に示す。
【０１８５】
この解決策は、非常に正確な（サブミクロン級の）Ｘ−Ｙの位置決めを与え、また異なる基板の間の電気的接続を作ることができる。フランス特許第Ａ−２，８０７，５４６号明細書は特にプリンタヘッドに使われるこの組み立て方法を記載しており、これがこれ以上の詳細な説明をここで与えていない理由である。
【０１８６】
次に第２の基板１００１の加工されない層１１１０が除去できる。この除去は、水酸化カリウムＫＯＨなどを使った例えば化学エッチングによって、または埋め込み絶縁層１１２上で停止する機械的化学的攻撃手法によって選択的に行うことができる（図１２Ｄ）。必要ならば、埋め込み絶縁層１１２０は、極性部分ｐｐ２１、ｐｐ２２の第２の対および磁気パッドｐ１．１、ｐ１．２の対を出現させるか、またはほぼ出現させるために、薄くすることができる。
【０１８７】
図１３Ａおよび図１３Ｂを参照する。それぞれの磁気ヘッドの磁束ガイドの残り、換言すれば、この例では磁気的な脚ｊ１．１、ｊ１．２、ｊ２．１、ｊ２．２と、第１の磁気ヘッド９０のためのソレノイドのｓ１１、ｓ１２の形態、および第２の磁気ヘッドのための例えばＧＭＲ材料から作られたロッドｇの形態にある記録および／または読取手段が、ここで作られることになる。図１２Ａにおける後部の終端磁気部が作られなければ、モノリシック磁気回路は概ね馬蹄形のような形状になるであろう。使われた方法はフランス特許第Ａ１−２，７４５，１１１号明細書に記載された方法に基づいている。
【０１８８】
脚およびソレノイドの製造は図７Ａから図７Ｅを参照して説明してきたものと類似しており、これが再度詳細な説明をしない理由である。電気絶縁層１３２０で被覆されたベース層１３１０を備える、第３のいわゆる追加の基板１３００（例えば半導体または耐摩耗層）が存在する。電気絶縁性のバルク基板、または絶縁材料によって覆われたバルク基板を使うことが全く可能であろう。手順は図７から図７Ｃで説明したものと同じである。しかしながら、導電体１３４、１３９が位置することになるケーソンは、ＧＭＲ材料のロッドｇと協働することになる脚１３７の位置においてエッチングされない。
【０１８９】
一方、例えば当技術分野の状況において既知の何らかの手段で、絶縁層１３６内に１つのケーソンを作る代わりに、例えば２つの隣接したサブケーソン１３３’を作ることによって、ヘッドギャップｅｇが、関係する脚ｊ２．２のそれぞれに作られる。これらのサブケーソンを図１３Ａに示す。サブケーソン１３３’は磁性材料（ラミネートされるか、またはラミネートされないもの）で充填され、平坦化される。図７Ｃにおける絶縁層１３８が複数の段階で堆積されることになる。薄い絶縁サブ層１３８（通常は数ナノメートル厚さ）が、例えばスパッタリングによって平坦化された表面上に堆積されることになる。次の段階は、ＧＭＲ材料の層を堆積することになる。この層は、ＧＭＲ材料が排除されるべき場所においてエッチングされる。残ったＧＭＲ材料はｇの参照符号である。それは例えば乾式エッチングによって行うことができる。次の段階は、絶縁体１３８ｂの他のサブ層を堆積して層１３８を完成することである。ソレノイドの巻回を図７Ｃ、図７Ｄで説明したように続けることができる。これらの段階を説明する必要はない。類似の方法を、脚ｊ２．２の下におけるＧＭＲ材料のロッドｇを作るために使うことができるであろう。
【０１９０】
ベース層１３１０（例えば半導体層）が、磁気的な脚ｊ１．１、ｊ１．２、ｊ２．１、ｊ２．２、ソレノイドｓ１１、ｓ１２、およびＧＭＲ材料から作られたロッドｇを保持する電気絶縁材料１３２０の層によって覆われた状態の、第３の基板１３００を、図７Ｅにおけるのと同じようにして図１３Ｂに示す。
【０１９１】
図１４Ａでは、第３の基板１３００と、図１２Ｄで示した構造とが、それらのうちの１つをひっくり返した後で、位置決めされ、配置され、組み立てられる。組み立ては上述の方法の１つを使って行なうことができる。絶縁層１１２０は部分的または全般的に排除することができる。層１１２０と１３２０の性質は同じであり、従って層１１２０を排除することは必ずしも必要でない。というのは、直接ボンディングのためにそれが有用でありうるからである。機械的化学研磨は層の一部を排除することができる。
【０１９２】
図１４Ａでは、第３の基板１３００が位置決めされ、直接ボンディングまたはその他の手段によって組み立てられる。このように、磁気回路ｊ１．１、ｊ１．２のそれぞれが、磁気パッドｐ１．１、ｐ１．２を介して極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２の対に磁気的に接続され、両者は磁気終端部分ａ１に接続される。同様に、磁気回路ｊ２．１、ｊ２．２のそれぞれが、極性部分ｐｐ２１、ｐｐ２２の対に磁気的に接続され、両者は磁気終端部分に接続される。そして最後の段階は、例えば絶縁層１３２０上で停止する半導体材料の選択的エッチングによって、第３の基板１３００からベース層１３１０を部分的または全般的に排除することである（図１４Ｂ）。従って、層１３２０の絶縁材料、並びに記録および／または読取手段（ソレノイドｓ１．１、ｓ１．２、およびＧＭＲ材料から作られたロッドｇ）に電源を提供するための次の層を通して、コンタクトを作ることができる。図１３Ａと、図１３Ｂおよび図１４Ａ、図１４Ｂとは、異なる平面における断面であって、これがヘッドギャップｅｇが図１３Ａのみで見えている理由である。
【０１９３】
次の段階は、多数の磁気ヘッドの１つまたは複数のチップを、図９に記載のような所定の機械的サポート上で組み立てることである。そしてこの図９の記載において説明したようにグラインドすることもできる。
【０１９４】
図１４Ｃは、例えば図１４Ａ、図１４Ｂに由来する本発明による記録および／または読取デバイスの他の例を示す。この例では、極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２の第１の対は読取を専門とし、極性部分ｐｐ２１、ｐｐ２２の第２の対は書込を専門とする。第１の基板１０００と第２の基板１１００との間に挿入された層５００は磁気シールドスクリーン６００を含む。磁気抵抗性の読取手段ｇは、極性部分ｐｐ１１、ｐｐ１２の第１の対と協働する。それらは例えばＭＲ材料またはＧＭＲ材料から作られたロッドの形態にあり、シールドスクリーン６００に対して第１の基板１００と同じ側の層５００に位置している。
【０１９５】
図７で説明したものに類似した磁気回路ｊ２．１、ｊ２．２は、極性部分ｐｐ２１、ｐｐ２２の第２の対に磁気的に接続する。それらは第３の基板１３００の絶縁層１３２０に位置している。図７で説明したものと類似した誘導タイプの記録手段ｓ２．１、ｓ２．２は極性部分ｐｐ２１、ｐｐ２２の第２の対と協働する。それらも第３の基板１３００の絶縁層１３２０内に位置している。
【０１９６】
図１４Ａおよび図１４Ｂの例と異なり、磁気接続パッドｐ１．１、ｐ１．２を欠いている。
【０１９７】
信号処理手段３０２、例えばプリアンプ（前置増幅）回路、マルチプレクサ、デマルチプレクサなどが、読取手段ｇ、及び／または、記録手段ｓ２．１、ｓ２．２と協働する。それらは、第３の基板１３００上にある基板４００、または多層である場合には第３の基板１３００の１つの層に作られる。それらは第３の基板１３００の表面上にマウントされうる。それらは読取手段および記録手段に配置され、位置決めされる。それらは、第３および第２の基板１３００および１１００を貫通する接続ビア３０３を通して読取手段および記録手段に電気的に接続される。明らかに、このような信号処理手段は、読取のみのデバイスの場合には読取手段と協働し、記録のみのデバイスの場合には記録手段と協働するであろう。
【０１９８】
変形として、極性部分の対が複数の基板上に分配される場合に、記録および／または読取手段は複数の基板上に作ることもできる。図１５を参照する。極性部分１０６０、１０８０の第１の対は、例えば図６Ａから図６Ｄで説明したように第１の基板１５００上に作られる。磁気回路の第１の磁束ガイドｊ１．１、ｊ１．２は、第２のいわゆる追加の基板１８００上に、例えば図７または図１３Ａで説明したように第１の記録および／または読取手段ｓ１．１、ｓ１．２と共に、少なくとも部分的に作られる。
【０１９９】
第１の基板１５００および第２の基板１８００は、第１の磁束ガイドｊ１．１、ｊ１．２のそれぞれが極性部分１０６０、１０８０の第１の対の１つに磁気的に接続されるように、それらのうちの１つをひっくり返した後で、配置、位置決め、および組み立てられる。
【０２００】
極性部分１１６０、１１９０の第２の対は第３の基板１６００上に同じようにして作られ、第２の磁束ガイドｊ２．１、ｊ２．２および第２の記録および／または読取手段ｓ２．１、ｓ２．２は、第４のいわゆる追加の基板１７００上に作られる。第３の基板１６００および第４の基板１７００は、それらのうちの１つをひっくり返した後で、第１の磁束ガイドｊ２．１、ｊ２．２のそれぞれが極性部分１１６０、１１９０の第１の対の１つに磁気的に接続されるように配置され、位置決めされ、組み立てられる。
【０２０１】
加工されない層１５１０、１６１０および誘電体材料１５２０、１６２０の層は、第１の基板１５００から、および第３の基板１６００から少なくとも部分的に除去される。
【０２０２】
絶縁材料５００の少なくとも１つの層は、前に得られた２つの構造の極性部分の対を保持する表面上に堆積される。この層はシールドスクリーンを含むことができる。
【０２０３】
２つの構造は、それらのうちの１つをひっくり返した後で、直前に加工されたそれらの面で配置され、位置決めされ、組み立てられ、極性部分の第１の対および極性部分の第２の対を千鳥配置となるよう注意が払われる。組み立てと位置決めは図１０Ｃを参照して上述したように行うことができる。加工されない層１７００、１８００の１つは要求に応じて除去することができ、および／または、第２の層は例えば化学エッチングによって部分的に除去することができる。
【０２０４】
記録および／または読取手段の電気的コンタクト（図示せず）を、内部接続技術を使って、または例えば局所的エッチング（ドライまたは湿式）によって作ることができる。
【０２０５】
明らかに、磁束ガイドと記録および／または読取手段を、必要ならば薄くした後に第１の基板１５００上、および第３の基板１６００上にそれぞれ直接作ることによって、上述のような第２の基板および／または第４の基板（換言すれば追加の基板）なしで成し遂げることが可能である。
【０２０６】
本発明のいくつかの実施形態を示し詳細に説明してきたが、様々な変更と改良を、本発明の範囲を逸脱することなく成すことができる、ということが理解されるべきである。
【０２０７】
説明した様々な異なった実施形態は、互いに排他的でない、ということが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１】（すでに説明した）従来技術による線形記録および／または読取デバイスを示す。
【図２】本発明に従った記録および／または読取デバイスの一例を示す。
【図３Ａ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの他の３つの例の１つを示す。
【図３Ｂ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの他の３つの例の１つを示す。
【図３Ｃ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの他の３つの例の１つを示す。
【図４】本発明に従った記録および／または読取デバイスの他の例であって、極性部分の対がサポートの絶縁層のそれぞれの側に分配されることを示す。
【図５Ａ】従来の技術による記録および／または読取デバイスの３次元的な図を示す。
【図５Ｂ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの３次元的な図を示す。
【図６Ａ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの極性部分の対と後部の終端部分を製造する階段を示す。
【図６Ｂ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの極性部分の対と後部の終端部分を製造する階段を示す。
【図６Ｃ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの極性部分の対と後部の終端部分を製造する階段を示す。
【図６Ｄ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの極性部分の対と後部の終端部分を製造する階段を示す。
【図６Ｅ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの極性部分の対と後部の終端部分を製造する階段を示す。
【図７Ａ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの磁気回路の残りの部分と記録および／または読取手段を製造する階段を示す。
【図７Ｂ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの磁気回路の残りの部分と記録および／または読取手段を製造する階段を示す。
【図７Ｃ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの磁気回路の残りの部分と記録および／または読取手段を製造する階段を示す。
【図７Ｄ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの磁気回路の残りの部分と記録および／または読取手段を製造する階段を示す。
【図７Ｅ】本発明に従った記録および／または読取デバイスの磁気回路の残りの部分と記録および／または読取手段を製造する階段を示す。
【図８Ａ】図６Ｄおよび図７Ｅにおける構造に対する組み立てと仕上げの段階を示す。
【図８Ｂ】図６Ｄおよび図７Ｅにおける構造に対する組み立てと仕上げの段階を示す。
【図９】所定の機械的サポート上の磁気ヘッドの２つのグループをグループ化すること示し、これらの磁気ヘッドのグループが磁気記録メディアのトラックに対して同じ傾斜角を持つことを示す。
【図１０】交互に置かれた記録ヘッドと読取ヘッドを有する、本発明による記録および／または読取デバイスを示す。
【図１１Ａ】図１０における記録ヘッドの極性部分の対を製造する段階を示す。
【図１１Ｂ】図１０における記録ヘッドの極性部分の対を製造する段階を示す。
【図１１Ｃ】図１０における記録ヘッドの極性部分の対を製造する段階を示す。
【図１１Ｄ】図１０における記録ヘッドの極性部分の対を製造する段階を示す。
【図１２Ａ】図１０における読取ヘッドの極性部分の対を製造し、極性部分のこれらの対と図１１Ｄに示されたものとを組み立てて仕上げる段階を示す。
【図１２Ｂ】図１０における読取ヘッドの極性部分の対を製造し、極性部分のこれらの対と図１１Ｄに示されたものとを組み立てて仕上げる段階を示す。
【図１２Ｃ】図１０における読取ヘッドの極性部分の対を製造し、極性部分のこれらの対と図１１Ｄに示されたものとを組み立てて仕上げる段階を示す。
【図１２Ｄ】図１０における読取ヘッドの極性部分の対を製造し、極性部分のこれらの対と図１１Ｄに示されたものとを組み立てて仕上げる段階を示す。
【図１３Ａ】本発明による記録および／または読取デバイスの磁気回路と記録および／または読取手段を製造する段階を示す。
【図１３Ｂ】本発明による記録および／または読取デバイスの磁気回路と記録および／または読取手段を製造する段階を示す。
【図１４Ａ】図１２Ｄにおける構造と図１３Ｂにおける構造を組み立てて仕上げる段階を示す。
【図１４Ｂ】図１２Ｄにおける構造と図１３Ｂにおける構造を組み立てて仕上げる段階を示す。
【図１４Ｃ】本発明による読取デバイスの他の変形例を示す。
【図１５】本発明によるデバイスの他の変形例を示す。
【符号の説明】
【０２０９】
３０．１〜３０．４  磁気ヘッド
３３  サポート間層
３５  磁気メディア
３６  磁気トラック
４０ｗ、４０ｒ  極性部分
４５、４６  サポート
４７  磁気トラック
４８  シールドスクリーン
４９  シム
１０８、１０６  極性部分
１３０  追加のサポート
１３５、１４０、１４３  記録および／または読取手段
１３７  磁束ガイド
３０２  信号処理手段
３５０  機械的サポート
５００  電気絶縁材料の層
６００  磁気シールドスクリーン（磁気シールド）
１０００、１００１  サポート
１０００、１１００  基板
１００２  絶縁層
１００４  第１のケーソン
１００５  アマグネティック層
１００７  第２のケーソン
ｐｐ１１、ｐｐ１２  極性部分
ｓ１．１、ｓ１．２  記録および／または読取手段
Ｂ１、Ｂ２  ブロック
ｃ１  磁束ガイド
ｐ１．１、ｐ１．２  磁気接続パッド
ｇ  磁気抵抗性読取手段
ｅ  アマグネティックヘッドギャップ
α  方位角
α１、α２  方位角
θ  傾斜角
θ１、θ２  傾斜角
ｄ  極性部分間の距離
Ｔ  ヘッドギャップの長手方向ピッチ
Ｄ  オフセット
Ｐ  極性部分の幅
【図１】
2008519384.tif 000003
【図２】
2008519384.tif 000004
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2008519384.tif 000007
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
2008519384.tif 000014
【図６Ｅ】
2008519384.tif 000015
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2008519384.tif 000017
【図７Ｃ】
2008519384.tif 000018
【図７Ｄ】
2008519384.tif 000019
【図７Ｅ】
2008519384.tif 000020
【図８Ａ】
2008519384.tif 000021
【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３Ａ】
2008519384.tif 000033
【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
2008519384.tif 000036
【図１４Ｃ】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月6日(2006.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アマグネティックヘッドギャップ（ｅ）によって分離された極性部分の対をそれぞれ含む複数の磁気ヘッド（３０．１から３０．４）を有し、磁気トラック（３６）を備えた磁気メディア（３５）の記録および／または読取デバイスであって、
これらの極性部分の対は、トラックから±９０°の間の０でない傾斜角（θ）で、複数のスタックされたサポート（１０００，１００１）上にグループ化され、サポート（１０００）における極性部分の対のすべてのヘッドギャップ（ｅ）は、サポート（１０００）に垂直な方向から極限を除いて±９０°の間の同じ方位角（α）を持ち、
前記スタックの少なくとも２つの連続したサポート（１００１，１００１）は０でない極性部分間の距離（ｄ）を規定し、この距離（ｄ）は、前記２つの連続したサポート上に位置する極性部分に直面する平面間の距離であることを特徴とする記録および／または読取デバイス。
【請求項２】
極性部分間の距離（ｄ）を正確に定義することのできる層（３３）が、前記サポート（１０００，１００１）の間のスタックに挿入されることを特徴とする請求項１に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項３】
極性部分間の距離は：
Ｐ＋ｄ＝（Ｄ＋ｎＴ）ｔａｎ（θ）
を満たすようなものであり、ここに、θはトラックに対するサポートの傾斜角、Ｔは所定のサポート上に位置する極性部分の対のヘッドギャップの長手方向のピッチ、Ｄは２つの連続したサポート上に配置された２対の連続した極性部分の間のサポートに対する長手方向のオフセット、Ｐは極性部分の幅、そしてｎは整数であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項４】
磁気シールド（６００）および／または磁気抵抗性読取手段（ｇ）が、極性部分間の距離（ｄ）に対応するスペースで２つのサポート（１０００，１００１）の間に配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項５】
方位角（α）と傾斜角（θ）は絶対値が等しいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項６】
方位角（α）と傾斜角（θ）は異なることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項７】
異なる傾斜角（θ１、θ２）にある少なくとも２つの連続したサポートを有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項８】
一方のサポートの極性部分の対のヘッドギャップの方位角（α１）は、他方のサポートの極性部分の対のヘッドギャップの方位角（α２）と異なることを特徴とする請求項７に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項９】
異なるサポート（１００１，１００１）に属している２対の極性部分（４０ｗ，４０ｒ）は、２つの連続した磁気トラック（４７）と協働して、それらを読取またはそれらを記録することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１０】
記録のためのサポート（１０００）の少なくとも１つのブロック（Ｂ１）と、読取のためのサポート（１００１）の少なくとも１つのブロック（Ｂ２）とを有し、これらブロックは磁気トラック（４７）の方向に順々に位置することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１１】
記録のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロック（Ｂ１）と、読取のための１個または数個のサポートの少なくとも１つのブロック（Ｂ２）とを有し、これらブロックのサポートはお互いに固定されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１２】
それぞれのトラック（４７）は極性部分（４０ｗ，４０ｒ）の対によって記録および読取され、記録のための極性部分の対と読取のための極性部分の対は異なるサポート（４５，４６）に属することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１３】
シールドスクリーン（４８）によって、読取のためのブロック（Ｂ２）が記録のためのブロック（Ｂ１）から分離されることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１４】
それぞれの磁気ヘッドに対して、１対の極性部分（ｐｐ１１，ｐｐ１２）をまとめる磁気回路と、場合に応じて磁束ガイド（ｃ１）とを有し、この磁気回路は記録および／または読取手段（ｓ１．１，ｓ１．２，ｇ）と協働することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１５】
記録および／または読取手段（ｓ１．１，ｓ１．２，ｇ）と、それぞれの磁気ヘッドのために場合に応じた磁束ガイドとは、磁気ヘッドの極性部分の対を保持するサポートと組み立てられる追加のサポート（１３０）上にあることを特徴とする請求項１４に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１６】
記録および／または読取手段は誘導性または磁気抵抗性であることを特徴とする請求項１４または１５のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１７】
信号処理手段（３０２）が記録および／または読取手段（ｓ１．１，ｓ１．２，ｇ）と協働することを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の記録および／または読取デバイス。
【請求項１８】
磁気トラックを備えた磁気記録メディア上の記録および／または読取のためのデバイスを作る方法であって、以下の段階：
複数の基板（１０００，１００１）上で、磁気ヘッドの複数の対または極性部分（１０８，１０６）を製造し、これらの極性部分がアマグネティックヘッドギャップ（ｅ）によって分離され、特定の基板上の極性部分のこれらの対のヘッドギャップ（ｅ）すべてが、その基板に垂直な方向から極限を除いて±９０°の間の同じ方位角（α）を持つようにする段階と；
２つの連続した基板の間に０でない極性部分間の距離（ｄ）を定義するようにそれらを重ね合わせることによって基板を組み立て、この極性部分間の距離（ｄ）が２つのサポート上に位置した極性部分に直面する平面間の距離であるようにする段階と；
記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３）と、場合に応じて極性部分の対と協働することができる磁束ガイド（１３７）を製造する段階と；
±９０°の間の角に等しい磁気トラックからの０でない傾斜角（θ）を持つように基板（１０００，１００１）を処理する段階と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１９】
記録および／または読取手段（１３５，１４０，１４３，ｇ）と、場合に応じた磁束ガイド（１３７）とは、協働する極性部分の対を基板（１０００，１００１）が保持する状態で配置された後に組み立てられる少なくとも１つの追加のサポート（１３０）上に作られることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
記録および／または読取手段と、場合に応じた磁束ガイドとは、極性部分の対を保持する基板の上に作られることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記処理は、１つ以上の基板をグラインディングすることから成ることを特徴とする請求項１８から２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記処理は、所定の機械的サポート（３５０）に、基板の１つまたは複数の部分、もしくは基板（１０００，１００１）を取り付けることから成ることを特徴とする請求項１８から２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
極性部分の対を保持する基板（１０００，１１００）は位置決めの後に組み立てられることを特徴とする請求項１８から２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
電気絶縁材料の層（５００）が、極性部分の対を保持する２つの連続した基板の間に挿入され、この層は場合に応じて磁気抵抗性の読取手段（ｇ）および／または磁気シールドスクリーン（６００）を含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
シム（４９）が極性部分の対を保持する２つの連続した基板の間に挿入されることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
磁束ガイド、あるいは記録手段および／または読取手段を、同一または異なる基板上に保持された極性部分の対に磁気的に接続するためにそれぞれ使われる磁気接続パッド（ｐ１．１，ｐ１．２）の対を、基板の１つの上に作ることから成ることを特徴とする請求項１８から２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
２つの基板（１０００、１１００）は、それらのうちの１つをひっくり返した後に組み立てられることを特徴とする請求項１９または２３に記載の方法。
【請求項２８】
少なくとも１つの基板（１１００）が薄くされることを特徴とする請求項１８から２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
極性部分の対を保持する基板は異なる傾斜角を持つことを特徴とする請求項１８から２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
一方の基板の極性部分の対のヘッドギャップの方位角は、他方の基板の極性部分の対のヘッドギャップの方位角と異なることを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
極性部分（ｐｐ１１，ｐｐ１２）の対は、基板に第１のケーソン（１００４）を異方性エッチングし、基板上にアマグネティック層（１００５）を形成し、第１のケーソンを磁性材料で充填し、第１のケーソンに隣接する第２のケーソン（１００７）を等方性エッチングし、第２のケーソンを磁性材料で充填することによって作られることを特徴とする請求項１８から３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
磁気パッド（ｐ１．１，ｐ１．２）の対を得るために、磁気パッドの対を保持することになる基板に等方性エッチングによってケーソンの対が作られ、ケーソンの対が磁性材料で充填されることを特徴とする請求項２６に係る請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
いずれか１つの磁性材料充填段階がなされた後に、表面が平坦化されることを特徴とする請求項３１または３２に記載の方法。
【請求項３４】
極性部分（ｐｐ１１，ｐｐ１２）の対を保持する基板（１０００）は、２つの層（１００１，１００３）の間に位置した電気絶縁材料（１００２）から形成され、その状況で、ケーソンを保持する層は単結晶であり、他の層が場合に応じて後で部分的または全般的に除去されることを特徴とする請求項３１から３３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３５】
極性部分の対を保持する基板は、耐摩耗材料の層とケーソンを有する単結晶材料の層との間に位置する電気絶縁材料から形成されることを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
組み立ては、接着剤での貼りつけ、直接接着、陽極接着、または溶融バンプによって成されることを特徴とする請求項１９から３５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３７】
内部に記録および／または読取手段が位置する追加の基板と、場合に応じた磁束ガイドとは、場合に応じて電気絶縁材料によって被覆された耐摩耗材料層から作られた層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項３８】
内部に記録および／または読取手段が位置する追加の基板と、場合に応じた磁束ガイドとは、場合に応じて電気絶縁材料によって被覆された耐摩耗材料層から作られた層を含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項３９】
記録および／または読取手段（ｇ，ｓ２．１，ｓ２．２）と協働する信号処理手段（３０２）を作る段階を有することを特徴とする請求項１８から３８のいずれか１項に記載の方法。
【国際調査報告】
2008519384.tif 000039
2008519384.tif 000040
2008519384.tif 000041
2008519384.tif 000042
2008519384.tif 000043
2008519384.tif 000044
2008519384.tif 000045
2008519384.tif 000046
2008519384.tif 000047
2008519384.tif 000048