(57)【要約】  本発明は、カルボン酸を含有するモノマーを少なくとも５０ｍｏｌ％含有し得るフォトレジストの現像を改善するために界面活性剤を含有する、現像剤として用いられる組成物に関する。本発明はまた、この組成物の使用方法である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性剤０．１〜１０重量パーセントと、カーボネート溶液、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液、および水酸化テトラメチルアンモニウム溶液よりなる群から選択される現像溶液とを含んでなる組成物。
【請求項２】
界面活性剤がアニオン系である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
界面活性剤がノニオン系である請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
界面活性剤がアニオン系界面活性剤とノニオン系界面活性剤との混合物である請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
界面活性剤がジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、アルキルジフェニルエーテル二スルホン酸ナトリウム、アルキルジフェニルエーテル二スルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸のカリウム塩、アルカンスルホン酸ナトリウム、および２，２’，２”−ニトリロトリス（エタノール）を対カチオンとして含有する上記のいずれかの誘導体よりなる群から選択される請求項２に記載の組成物。
【請求項６】
界面活性剤がグリセロールエステル、アミンオキシド、アセチレン系アルコール誘導体、シリコーン、フッ素化合物、および炭水化物誘導体よりなる群から選択される請求項３に記載の組成物。
【請求項７】
コーティングを請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物に曝すことを含んでなるコーティング中のコーティング材料の溶解方法。
【請求項８】
コーティングが電子装置における保護層を含んでなる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
コーティングがフォトレジスト材料を含んでなる請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
フォトレジスト材料が、
【化１】
2008500588.tif 000009
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３は水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の直鎖状または環状炭素原子を有するアルキル基を包含する〕および
【化２】
2008500588.tif 000010
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３およびＲ４は独立に水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を包含し、そしてＲ１とＲ２は結合して、またはＲ１とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、またはＲ２とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、５−、６−または７−員環を形成する〕および
【化３】
2008500588.tif 000011
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３およびＲ４は独立に水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を包含し、そしてＲ１とＲ２は結合して、またはＲ１とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、またはＲ２とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、５−、６−または７−員環を形成する〕
よりなる群から選択される構造を有するモノマーを少なくとも５０モルパーセント含有するポリマーを含んでなる請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、全ての目的のために本明細書の一部としてその全体が援用されている、２００４年５月２７日出願の米国特許仮出願第６０／５７５，００７号の利益を請求する。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、組成物およびその使用方法に関する。この組成物は、厚膜ペーストから製造される電子装置の製作における保護層に、適用され得る現像剤である。
【背景技術】
【０００３】
本発明は、組成物、および電子装置の製作における保護層と共に用いるその使用方法に関する。この組成物は現像剤として用いられる。
【０００４】
種々の電子装置製作方法においては、基材が、引き続き厚膜ペーストでコートされる導電層でコートされる。厚膜ペーストは、ガラスフリット、導電体、光−像形成性（ｐｈｏｔｏ−ｉｍａｇｅａｂｌｅ）ポリマーおよび通常は、溶剤などの物質を含有し得る。これらの装置の製作においては、光−像形成性保護層が、光−像形成性厚膜フィルム蒸着物を、これらの電子装置における、電極として用いられる導電層などの他のエレメントから隔離するために用いられ得る。
【０００５】
厚膜ペーストにおいて用いられる溶剤（通常はエステルまたはエーテル系溶剤）は多くの場合にポリマー保護層に対して攻撃的であり、短絡をもたらす場合があるという、問題がこれらの装置のいくつかについて生じている。これは、保護層が厚膜ペーストに曝された場合の基材からのこの層の剥がれまたは溶解などの、基材の表面上における問題に発展する可能性がある。
【０００６】
この問題に対する一つの解決策が、以前、特許文献１において提示されており、これには５０モルパーセントを超えるメタクリル系モノマーをベースとするポリマーから調製された厚膜ペーストを用いる系が開示されている。この種類の系に頻繁に用いられる現像剤は、稀釈された炭酸ナトリウムまたは水酸化テトラメチルアンモニウム溶液である。
【０００７】
本発明においては、現像剤に対する少量の界面活性剤の追加が、現像時間および現像されたイメージの清浄度を改善する。本発明は、カルボン酸を高レベルで含有するフォトレジスト材料から調製される保護層の現像に、特に有用である。
【０００８】
【特許文献１】国際出願第ＰＣＴ／ＵＳ０３／３６５４３号明細書
【発明の開示】
【０００９】
発明の概要
本発明の一実施態様は、界面活性剤０．１〜１０重量パーセントと、カーボネート溶液、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液および水酸化テトラメチルアンモニウム溶液よりなる群から選択される現像溶液とを含んでなる組成物である。
【００１０】
本発明の他の実施態様は、上記の組成物にコーティングを曝すことによる、コーティング中のコーティング材料の溶解方法である。コーティングは、フォトレジスト材料から調製された保護層の形態であり得る。フォトレジスト材料は、
【００１１】
【化１】
2008500588.tif 000002
【００１２】
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３は水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の直鎖状または環状炭素原子を有するアルキル基を包含する〕および
【００１３】
【化２】
2008500588.tif 000003
【００１４】
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３およびＲ４は独立に水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を包含し、そしてＲ１とＲ２は結合して、またはＲ１とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、またはＲ２とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、５−、６−または７−員環を形成する〕および
【００１５】
【化３】
2008500588.tif 000004
【００１６】
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３およびＲ４は独立に水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を包含し、そしてＲ１とＲ２は結合して、またはＲ１とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、またはＲ２とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、５−、６−または７−員環を形成する〕
よりなる群から選択される構造を有するモノマーを少なくとも５０モルパーセント含有するポリマーからさらに調製され得る。
【００１７】
発明の詳細な記述
本発明は、カルボン酸を高レベルで含有するフォトレジスト材料から調製される保護層などの保護層を現像するために好適な組成物およびその使用方法を提供する。これらのフォトレジスト材料は、厚膜ペースト印刷技術も用いられる電子装置の製作に関連する保護層に用いることが可能である。
【００１８】
この種類の電子装置の製作に好適な現像剤としては、典型的にはナトリウムカーボネート溶液などのカーボネート溶液、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液または水酸化テトラメチルアンモニウム溶液が挙げられる。現像剤中の少量の界面活性剤が現像時間および現像されたイメージの清浄度を向上させる。
【００１９】
「ノバラック系（Ｎｏｖａｌａｃ−ｔｙｐｅ）」フェノール系ホルムアルデヒド高分子材料は、フォーデル（Ｆｏｄｅｌ）（登録商標）銀ペースト（デラウェア州ウィルミントンのデュポン製（ＤｕＰｏｎｔ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ  ＤＥ））などの光−像形成性厚膜ペーストからの電子装置の製作方法において、典型的には保護層中のフォトレジスト材料として用いられる。このような保護層のロールは、厚膜フィルム蒸着物と他の基材構造との間に間隙を保持して、厚膜ペーストによる底部基材の汚染を防止するためのものである。上述したように、いくつかの場合においては、底部基材の汚染は短絡をもたらし得る。保護層は、最終的には、イメージ化されなかった厚膜フィルム材料と共に溶解により除去される。しかしながら、これらの保護層は、ペースト材料を保護層の上部に塗布するプロセスの間に破損されることが頻繁に見出されている。破損の原因は、ペーストの乾燥処理中に生成される溶剤蒸気による保護層の溶解、またはこれらの蒸気による可塑化に起因するフォトレジスト材料の可塑的変形のいずれかによる。ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ジブチルカルビトール、フタル酸ジブチル、テキサノール（ｔｅｘａｎｏｌ）およびテルピネオールが、厚膜ペースト処方において最近用いられている溶剤の例である。
【００２０】
好適な、および多々好ましいフォトレジスト材料としては、ポリマー中の少なくとも５０モルパーセントのモノマーが、
【００２１】
【化４】
2008500588.tif 000005
【００２２】
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３は水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の直鎖状または環状炭素原子を有するアルキル基を包含する〕および
【００２３】
【化５】
2008500588.tif 000006
【００２４】
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３およびＲ４は独立に水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を包含し、そしてＲ１とＲ２は結合して、またはＲ１とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、またはＲ２とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、５−、６−または７−員環を形成する〕および
【００２５】
【化６】
2008500588.tif 000007
【００２６】
〔式中、Ｒ１は水素または低級アルキルであり、Ｒ２は低級アルキルであり、そしてＲ３およびＲ４は独立に水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を包含し、そしてＲ１とＲ２は結合して、またはＲ１とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、またはＲ２とＲ３もしくはＲ４のいずれかは結合して、５−、６−または７−員環を形成する〕
よりなる群から選択される構造を含んでなるポリマーが挙げられる。
【００２７】
フォトレジスト材料は、典型的には、光−酸開始剤および／または光酸発生成分も包含する。光開始剤は、リンフッ化芳香族スルホニウム塩またはフッ化アンチモン、または類似のアニオンを備えた芳香族ヨードニウム塩などの従来の光酸発生成分から選択することができる。その他の好適な光酸発生成分が、Ｊ．Ｖ．クリベロ（Ｃｒｉｖｅｌｌｏ）による論文、「光酸発生化合物の化学（Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｐｈｏｔｏａｃｉｄ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）」ポリメリックマテリアルズサイエンスアンドエンジニアリング（Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）、第６１巻、アメリカンケミカルソサエティーミーティング（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｍｅｅｔｉｎｇ）、フロリダ州マイアミ（Ｍｉａｍｉ  ＦＬ）、セクション１１〜１５、１９８９年、第６２〜６６頁および本論文中の参考文献に記載されている。選択された光酸発生成分は、現像工程の最中において分解または溶解を起こすべきではない。好適なノニオン系光酸発生成分としては、ＰＩ−１０５（日本国東京のみどり化学株式会社）などのもの、またはシラキュア（Ｃｙｒａｃｕｒｅ）ＵＶＩ６９７６（ウィスコンシン州ミッドランドのダウケミカル（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ，Ｍｉｄｌａｎｄ  ＭＩ））、またはＣＤ−１０１２（ウィスコンシン州ミルウォーキーのアルドリッチケミカル（Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ  ＷＩ））などの高分子量光酸発生成分が挙げられる。
【００２８】
電子装置を製作するための本発明の方法の使用においては、フォトレジスト材料の０．５〜５ミクロン厚のコーティングが基材に塗布されて、保護層として供される。フォトレジスト材料は、反応活性酸側基および光活性剤を備えたポリマーから調製される。このようなコーティングは、適切な有機溶剤中においてブレードを用いてスピン−コーティングまたはテーブル−コーティングすることにより得ることが可能である。コーティングを塗布するために好ましい有機溶剤は、プロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）またはシクロヘキサノンである。次に、溶剤を、基材をホットプレート上で約７０〜１００℃に、典型的には約１〜３分間加熱することにより除去する。
【００２９】
これで、このコーティングは、マスクを介したＵＶ光照射によるパターン化が可能となる。ＵＶ照射とこれに続く熱処理によって、酸反応活性側基が開裂されてエステルが酸に転化される。２４８ｎｍより長い波長については、フォトレジスト材料中に、ＵＶ光の吸収率を増加させる少量（１０〜１０００ｐｐｍ）の光増感剤が含有されることが望ましい。好適な光増感剤としては、イソプロピルチオキサントン（ＩＴＸ）、２，４−ジエチル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン（ＤＥＴＸ）、ベンゾフェノンを挙げることもできる。ＵＶ照射量は５０〜３０００ｍＪ／平方センチメートルである。
【００３０】
次いで、後露光焼成が行われるが、これに係る条件は、典型的には約１２０〜１４０℃で約１〜３分間である。この処理は、水性塩基現像液中に可溶性の保護層の露光領域をもたらす。好適な塩基性現像溶剤としては、カーボネート溶液または低濃度ナトリウムまたは水酸化カリウム溶液を挙げることもできる。好ましくは、クラリアントコーポレーション（Ｃｌａｒｉａｎｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）（ニュージャージー州サマービルのＡＺエレクトロニックマテリアルズ（ＡＺ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ  ＮＪ））製のＡＺ３００などの市販の水性塩基現像剤を用いることが可能である。
【００３１】
現像後、保護層がパターン化テンプレートとして機能する。しかしながら、保護層の残留領域が未だ有機溶剤に可溶性であるため、これらの領域と厚膜ペーストとの適合性が制限されている。保護層は、ＵＶ光に露光されることによりおよびこれに続く熱処理により、厚膜ペーストで採用される通例の有機溶剤に不溶性である、ポリカルボン酸を高レベルで含有するフィルムに転化されることが可能である。ＵＶ照射量は典型的には約５０〜３０００ｍＪ／平方センチメートルである。後露光焼成条件は、典型的には約１２０〜１４０℃で１〜３分間である。
【００３２】
次いで、厚膜ペーストが保護層上に蒸着される。好ましい厚膜ペーストは、フォーデル（Ｆｏｄｅｌ）（登録商標）銀ペースト（デラウェア州ウィルミントンのデュポン製（ＤｕＰｏｎｔ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ  ＤＥ））などの、水性塩基によって現像され得る、ネガティブにイメージ化可能な厚膜ペーストである。厚膜ペーストとしては、電界放出ディスプレイ用途向けのカーボンナノチューブを挙げることもできる。厚膜ペーストは、光現像によって保護層に形成されたパターン化テンプレートの空孔にペーストが充填されるよう、スクリーン印刷などの方法により転化された保護層上に塗布される。続いて、厚膜ペーストは、ガラスなどの透明基材を介して光照射される。保護層が感光により除去されたパターン化テンプレートに位置するペーストが、優先的にイメージ化されるであろう。
【００３３】
照射に際してペーストはネガティブに現像されるため、ペーストは現像溶剤に対して不溶性となる。典型的には、これらの厚膜ペーストは、緩やかな水性塩基溶液の噴霧により現像される。イメージ化されていないペーストは、クリア時間（ＴＴＣ）として称される一定の時間内に洗い流される。典型的には、噴霧はＴＴＣの約１．５〜約３．０倍続けられるであろう。照射された保護層は水性塩基溶液に可溶性であるため、これは、噴霧現像されるにつれてイメージ化されていない厚膜ペーストが除去される間、除去される。
【００３４】
この方法において用いるために好適な現像剤は、典型的にはナトリウムカーボネート溶液、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液などのカーボネート溶液または水酸化テトラメチルアンモニウム溶液である。現像剤中への少量の界面活性剤の添加は、現像時間および現像されるイメージの清浄度を改善する。現像剤および界面活性剤の組成物には、すべての組成物の重量において、界面活性剤は約０．１〜１０重量パーセント界面活性剤の量で存在する。
【００３５】
界面活性剤は、反対の溶解度傾向の基、すなわち、分子またはイオンが溶解している相に対する親和性を有する１つもしくはそれ以上の基と、その媒体に対して両親媒性である１つもしくはそれ以上の基とにより組成される分子である。界面活性剤は、界面活性な部位の電荷に基づいて類別される。アニオン系界面活性剤において、この部位は負の電荷を有し、カチオン性界面活性剤において、電荷は正であり、ノニオン系界面活性剤において、分子上に電荷はなく、可溶化効果は例えば、ヒドロキシル基またはエチレンオキシド基の長鎖によって供され得、および両性界面活性剤において、可溶化効果は分子中の正および負の電荷の両方によって提供される。アニオン系界面活性剤に対する親水性、可溶化基としては、カルボキシレート、スルホネート、硫酸塩（硫酸化アルコールおよび硫酸化アルキルフェノールを包含する）、リン酸塩（リン酸エステルを包含する）、Ｎ−アシルサルコシン、およびアシル化タンパク質加水分解物が挙げられる。カチオン性のものは、アミンおよびアンモニウム基によって可溶化されている。ポリオキシエチレンに追加して、ノニオン系界面活性剤としては、カルボン酸エステル、無水ソルビトールエステル、脂肪酸のグリコールエステル、アルキルポリグリコシド、カルボン酸アミド、および脂肪酸グルカミドが挙げられる。これらの界面活性剤の混合物もまた効果的である。
【００３６】
好適なアニオン系界面活性剤の例としては、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、アルキルジフェニルエーテル二スルホン酸ナトリウム、アルキルジフェニルエーテル二スルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸のカリウム塩、アルカンスルホン酸ナトリウム、または２，２’，２”−ニトリロトリス（エタノール）を対カチオンとして含有する上記のいずれかの誘導体が挙げられる。
【００３７】
ノニオン系界面活性剤は、それらの電気的な中性により薬品ブレンドおよび混合物において非常に有用である。これらの界面活性剤は、調製および構造に対して高い程度で柔軟性を供する。これは、親水性基の疎水性基に対するサイズおよび比を重合の最中に慎重に制御することにより、達成可能である。通例知られているエトキシレートに追加して、最近、グリセロールエステル、アミンオキシド、アセチレン系アルコール誘導体、シリコーン、フッ素化合物、および炭水化物誘導体などのノニオン系界面活性剤もまた有用であることが見出されてきた。エトキシレート界面活性剤の典型的な実施例は、同一の分子中のエチレンオキシド（ＥＯ）、プロピレンオキシド（ＰＯ）、および／またはブチレンオキシド（ＢＯ）を重合することにより製造される、ダウファックス（ＤＯＷＦＡＸ）（ウィスコンシン州ミッドランドのダウケミカル製（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ，Ｍｉｄｌａｎｄ  ＭＩ））である。オキシド付加の比および位数が、開始剤の選択と共に化学的および物理的特性を制御する。ノニオン系界面活性剤の他の周知の種類は、ポリ（オキシ−１，２−エタンジイル）−αウンデシルω（トマプロダクトインク（Ｔｏｍａｈ  Ｐｒｏｄｕｃｔ  Ｉｎｃ．））である。
【００３８】
または、アニオン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤の混合物を用いることが可能である。マイクロ（Ｍｉｃｒｏ）−９０、緩アルカリ性水溶液（ニュージャージー州バーリントンのインターナショナルプロダクツコープ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  Ｃｏｒｐ．，Ｂｕｒｌｉｎｇｔｏｎ  ＮＪ））が本発明に対して特に効果的である。種々の濃度のナトリウムカーボネートに対する少量のマイクロ（Ｍｉｃｒｏ）−９０溶液の添加が、少なくとも５０−モルパーセントの、カルボン酸基を備えたモノマーから形成される高分子性保護層の現像に効果的である。
【００３９】
本発明の有利な効果が、以下に記載される一連の実施例によって実証される。実施例が基づく本発明の実施態様は、単なる例示であり、添付の特許請求の範囲の範囲を限定しない。
【実施例】
【００４０】
実施例１〜１５
８９５．４０グラムのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中の透明溶液に下記の成分を溶解した
４９１グラムのポリ（エトキシトリエチレングリコールアクリレート−ランダム−ｔ−ブチルメタクリレート）のコポリマー［モノマーの７０：３０のモル比を有し、Ｍｎ＝１０，４００および多分散性（ＰＤ）＝２．８である］、
１０５グラムのシラキュア（Ｃｙｒａｃｕｒｅ）（登録商標）ＵＶＩ−６９７６光酸発生成分（ウィスコンシン州ミッドランドのダウケミカル（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ，Ｍｉｄｌａｎｄ  ＭＩ））、
０．２６グラムの、メチルエチルケトン中の１％クオンティキュア（Ｑｕａｎｔｉｃｕｒｅ）ＩＴＸ光増感剤（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））、
１．０２１５グラムの２，３−ジアザビシクロ［３．２．２］ノン−２−エン、１，４，４−トリメチル−，２，３−ジオキシド（コネチカット州ストラトフォードのハンプフォードリサーチ社（Ｈａｍｐｆｏｒｄ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｉｎｃ．，Ｓｔｒａｔｆｏｒｄ  ＣＴ）、
７．３６４グラムのトリトン（Ｔｒｉｔｏｎ）（登録商標）Ｘ１００ノニオン性界面活性剤、および
０．４３グラムの２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾ−トリアゾール。
【００４１】
２ｍｉｌのドクターブレードを用いて、溶液がガラスプレート上に流延されおよび１０分間空気乾燥される。このフィルムが、次いで、７０℃のホットプレート上で２分乾燥される。フィルムが２０ミクロンフォトマスクを用いて約２．２５Ｊ／ｃｍ２の広帯域ＵＶ光に露光され、次いで、ホットプレート上で１２０℃で２分熱処理される。イメージ化部分が、表１に示される時間、また表１に示されるカーボネートおよびマイクロ（Ｍｉｃｒｏ）９０成分を含有する現像溶液を吹付けることにより現像される。フィルムは、次いで脱イオン水で１分洗浄され、次いでホットプレート上で９０℃で３０秒乾燥される。残ったフィルムは約１．５Ｊ／ｃｍ２ＵＶ光に大量照射で露光され、次いで１２０℃で２分熱処理される。残ったフィルムが、表１に示されるものと同一の現像剤で洗浄されることが可能である。
【００４２】
【表１】
2008500588.tif 000008
【国際調査報告】
2008500588.tif 000012
2008500588.tif 000013
2008500588.tif 000014