【事件の表示】
　特許第２９４８０１９号「スパッタ用ターゲット」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９４８０１９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
  本件特許第２９４８０１９号の請求項１に係るに発明についての出願は、平成４年５月１４日に特許出願され、平成１１年７月２日にその発明について特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、西田良幸より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内に意見書が提出されたものである。
２．本件発明
　本件請求項１に係る発明は、特許明細書及び図面の記載から、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
「【請求項１】絶縁性物質と導電性物質の混合物を焼結してなるスパッタ用ターゲットにおいて、前記絶縁性物質の粒子を前記導電性物質からなる相中に散在させ、焼結後の前記絶縁性物質の粒径を２０μｍ以下としたことを特徴とするスパッタ用ターゲット。」
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠方法として下記の甲第１号証を提出し、本件請求項１に係る発明は甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第１項第３号、第２項の規定により特許を受けることができない旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭６１−２１６４４５号公報
４．当審における取消理由通知の概要
　本件請求項１に係る発明は、下記の刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり取り消されるべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開昭６１−１７２３０３号公報
刊行物２：特開昭６１−２１６４４５号公報（甲第１号証と同一）
５．甲第１号証、刊行物１記載の発明
　甲第１号証（刊行物２と同一）には、半導体装置に関し次の事項が記載されている。
（ａ）「アルミニウム電極配線を具備した半導体装置において、前記電極配線としてアルミニウム中に炭化ケイ素を含有させたものを用いることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲第１項）
（ｂ）「しかしながら、前述した樹脂封止型半導体装置においてＡｌやＡｌ−Ｓｉの金属配線４やボンデイングパット部５を用いると、樹脂封止の温度変化により生じる応力がボンデイングパット部５の段差付近のパッシベーション膜６に加わった場合、環境の急激な温度変化によって該パッシベーション膜６にクラックが発生し易く、素子の特性劣化や耐湿性を損なう。これはパッシベーション膜６が硬く脆い性質を有するのに対し、ＡｌやＡｌ−Ｓｉの金属配線等は軟いことに起因するもので、・・・。本発明は樹脂封止時における応力によるパッシベーション膜のクラック発生を防止した半導体装置を提供しようとするものである。・・・炭化ケイ素をアルミニウム膜中に含有させると、アルミニウム膜の特性のうち硬度を向上させる効果がもたらされる。」（第２頁左上欄第７行〜右上欄第１６行）
（ｃ）「なお、この配線４，ボンデイングパット部５は１０μｍ程度の炭化ケイ素微粉末をアルミニウム中に均一分散し、粉末焼結法によりスパッタターゲットとし、・・・」（第２頁右下欄第１１〜１４行）
　刊行物１には、薄膜抵抗用スパッタリング焼結体ターゲットに関し次の事項が記載されている。
（ｄ）「（１）ＴａとＳｉＯ２とを混合して焼成したことを特徴とする薄膜抵抗用スパッタリング焼結体ターゲット。（２）前記薄膜抵抗用スパッタリング焼結体ターゲットのうち、前記Ｔａ比が６３モル％乃至５５モル％の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜抵抗用スパッタリング焼結体ターゲット。」（特許請求の範囲第１、２項）
（ｅ）「Ｔａ粉末とＳｉＯ２粉末を第１表の如く５種類の異なった比率で混合し、それぞれをホットプレスにより圧力２００ｋｇ／ｃｍ２、温度１２００℃で１０分間焼成した。」（第２頁右上欄第１７〜２０行）
６．対比・判断
（１）特許法第２９条第１項第３号違反について
　甲第１号証には、上記（ａ）〜（ｃ）の記載から、「炭化ケイ素微粉末とアルミニウム粉末の混合物を焼結してなるスパッタ用ターゲットにおいて、炭化ケイ素微粉末をアルミニウム中に均一分散させ、焼結後の炭化ケイ素微粉末の粒径を１０μｍ程度としたスパッタ用ターゲット。」という発明が記載されていると云える（以下、甲１発明という。）。
　本件請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）と甲１発明とを対比すると、甲１発明のアルミニウムは本件発明の導電性物質に相当するが、一般に炭化ケイ素は電気抵抗が大きい物質と云えるので、甲１発明の炭化ケイ素微粉末は絶縁性物質とは云えないから、両者は、本件発明では、絶縁性物質と導電性物質の混合物を焼結してなるスパッタ用ターゲットにおいて、絶縁性物質の粒子を導電性物質からなる相中に散在させ、焼結後の絶縁性物質の粒径を２０μｍ以下としているのに対して、甲１発明では、炭化ケイ素微粉末と導電性物質の混合物を焼結してなるスパッタ用ターゲットにおいて、炭化ケイ素微粉末を導電性物質中に均一分散させ、焼結後の炭化ケイ素微粉末の粒径を１０μｍ程度としている点で相違している。
　そして、本件発明は上記相違点を具備することによって、明細書記載の「ターゲットの表面にスパッタを阻害するようなアーキングが生じないようにでき、これにより、アーキングの発生による異物不良や放電停止といった不都合の生じるおそれがなく、安定的にスパッタを行うことができる」という効果を奏すると云える（本件特許公報段落【００２７】）。
　したがって、本件発明は甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
（２）特許法第２９条第２項違反について　
　本件特許明細書によれば、サーメットの焼結体からなるターゲット中の絶縁性物質の粒径は、通常５０〜２００μｍ程度の大きさになっているが、このターゲットをスパッタすると、ターゲットの表面でアーキングと称する異常放電が頻発するという問題があった（本件特許公報第２頁第３欄第３４〜４７行参照。）。
　本件発明はこの問題点を克服し、ターゲットの表面にスパッタを阻害するようなアーキングが生じないようにしたスパッタ用ターゲットを提供することを目的としている（本件特許公報第２頁第４欄第２５〜２８行参照。）。
  これに対して、上記（ｂ）には、炭化ケイ素はスパッタ後のアルミニウム膜の硬度を向上させるために含有させていることが記載されている。
　してみると、甲第１号証には、スパッタを阻害するアーキングを生じないようにするという技術的課題も記載されていないし、加えて上記（１）で述べたように炭化ケイ素微粉末は絶縁性物質とは云えないから、上記（１）で述べた相違点における本件発明の構成は当業者が容易に推考できる程度のことであるとすることはできない。
　したがって、本件発明は甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　次に、上記刊行物１には、上記（ｄ）、（ｅ）の記載から、「Ｔａ粉末とＳｉＯ２粉末を混合し焼結してなるスパッタリング用ターゲット」が記載されていると云える（以下刊行物１発明という。）。
　本件発明と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「ＳｉＯ２粉末」、「Ｔａ粉末」は本件発明の「絶縁性物質」、「導電性物質」に相当するから、両者は「絶縁性物質と導電性物質の混合物を焼結させたスパッタ用ターゲット。」で一致はしているが、本件発明では、焼結後の絶縁性物質の粒子を導電性物質からなる相中に散在させ、焼結後の絶縁性物質の粒径を２０μｍ以下としているのに対して、刊行物１発明では、その点に触れられていない点で相違している。
　そこで検討する。
　上述のように刊行物２（甲第１号証）において、炭化ケイ素微粉末はスパッタされた膜の硬度を向上させる目的で含有させるものであるから、刊行物２には、スパッタされた膜の硬度を向上させる目的で１０μｍ程度の炭化ケイ素微粉末を混合するという技術的思想が記載されていると云えるが、スパッタを阻害するようなアーキングが生じないようにするために、通常５０〜２００μｍ程度の絶縁性物質の粒径を２０μｍ以下とすることは記載も示唆もされていない。
  したがって、本願発明は刊行物１、２に記載された発明を組み合わせても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
７．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
 また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
 よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月２０日（２０００．９．２０）