【事件の表示】
　特許第２８２７１１５号「樹脂封止型半導体装置」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８２７１１５号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。
【理　由】
 ［Ｉ］．本件発明
　本件特許第２８２７１１５号（特願平４−９２３７５号の分割出願に係り、平成４年３月１９日に出願したものとみなされ、平成１０年９月１８日に設定登録。）の請求項１ないし９に係る発明は、特許査定時の明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された次のとおりのものである。
『【請求項１】半導体素子の電極とリードが電気的に接続され、少なくとも素子の回路形成面を、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）硬化促進剤及び（ｄ）無機質充填剤を必須成分とする樹脂組成物で封止した樹脂封止型半導体装置において、上記樹脂組成物を構成する（ａ）のエポキシ樹脂はビフェニル骨格あるいはナフタレン骨格を有する２官能型のエポキシ樹脂から選ばれる成分を含み、該（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤からなる樹脂成分は１５０℃における粘度が３ポイズ以下であり、（ｄ）の無機質充填剤はその９５％以上が粒径０．１から１００μｍの範囲にあり、平均粒径が２から２０μｍの実質的に球状の粉末であり、かつ、当該無機質充填剤は組成物全体に対して７５から９２．５ｖｏｌ％の範囲で配合され、しかも、上記樹脂組成物は加圧成形過程における最低溶融粘度が３０００ポイズ以下、加圧成形後は熱膨張係数が１．０×１０−５／℃以下の樹脂組成物であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項２】上記（ｂ）硬化剤は、分子内にフェノール性水酸基を２個以上含むフェノール系化合物であることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項３】上記（ｃ）硬化促進剤は、（ａ）エポキシ樹脂及び（ｂ）硬化剤からなる樹脂成分に０．１から５ｗｔ％の範囲で配合され、加圧成形温度の１５０から２００℃で硬化反応を促進させた場合に、硬化反応の活性化エネルギーが１７ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の値を示すリン系又は含窒素系の化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項４】上記（ｄ）無機質充填剤は、その粒度分布をＲＲＳ粒度線図にプロットした場合に最大粒径及び最小粒径部分を除いた少なくとも残りの７０重量％以上の無機充填剤が存在する粒径部分が実質的に直線性を示し、かつ、その勾配が０．６から１．０の範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項５】上記（ｄ）無機質充填剤は、溶融シリカであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項６】上記（ｄ）無機質充填剤は、あらかじめその表面がシラン、アルミキレート又はチタネート系のカップリング剤の単分子層以上の厚みで被覆処理されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項７】上記（ａ）エポキシ樹脂及び（ｂ）硬化剤からなる樹脂成分は、その０．１から２０ｗｔ％をシリコーン系化合物、ポリブタジエン系ゴム、熱可塑性エラストマーあるいは熱可塑性樹脂で変性又は改質されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項８】樹脂組成物での封止は、半導体素子の回路形成面のみとし素子の裏面側を露出させ、全体の厚さを０．５ｍｍ以下にしたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項９】半導体素子の電極とリード間の電気的接続は、電極又はリード上に形成したバンプを介して行なうことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置。』
（以下、請求項１ないし９に係る発明を、それぞれ、本件発明１ないし９という。）。
［ＩＩ］．申立の理由の概要
　特許異議申立人：岡本綾子（以下、申立人という。）は、証拠として、甲第１号証（特開平２−２０９９４９号公報）、甲第２号証（特開昭６２−９６５３８号公報）、甲第３号証（特開昭６３−１０８０２１号公報）、甲第４号証（特開昭６４−１１３５５号公報）、甲第５号証（特開平２−２２４３６０号公報）、甲第６号証（特開平４−５５４２５号公報）、甲第７号証（特開昭６３−１７８１２１号公報）を提出し、本件発明１ないし９は、甲第１ないし７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１ないし９係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり取り消されるべきものである旨を主張している。
［ＩＩＩ］．甲各号証の記載内容
　甲第１号証には、
（あ）「エポキシ樹脂と硬化剤と充填剤とを含有してなるエポキシ樹脂組成物において、充填剤として、平均粒径が５〜３５μｍで・・・である球状シリカを含有すると共に、粒径７５μｍ以上の粒子の含有量が充填剤全体の１重量％以下である充填剤を使用することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲１．参照）、
（い）「エポキシ樹脂としては、従来から知られている種々のものを使用することができ、例えば、エポキシ化オルソクレゾールノボラック樹脂、エポキシ化フェノールノボラック樹脂、・・・、エポキシ化ビスフェノール樹脂、・・・等を挙げることができる。」（２頁左下欄７〜１４行参照）、
（う）「なお、本発明では、・・・各種硬化促進剤、例えば・・・などを併用することが望ましい。」（２頁右下欄１２〜１６行参照）、
（え）「充填剤の配合量は、エポキシ樹脂と硬化剤との合計量１００部に対して２５０〜７００部、特に３５０〜５００部とすることが好ましい。」（３頁左下欄１３〜１５行）、
（お）「［実施例１〜４，比較例１〜５］・・・エポキシ化クレゾールノボラック樹脂５８部、・・・臭素化エポキシ化フェノールノボラック樹脂６部、・・・フェノールノボラック樹脂３６部、トリフェニルホスフィン０．７部、・・・を混合したベースに、・・・第１表に示すシリカを第２表に示す量で配合し、・・・組成物を得た。」（４頁右上欄３〜１７行参照）、
（か）平均粒径が８〜１６μｍの球状シリカを３２０部配合した実施例２〜４が、平均粒径が３μｍの球状シリカを３２０部配合した比較例４、及び、平均粒径が１２μｍの非球状シリカを４００部配合した比較例５に比べて、成型時の充填不良やワイヤ−流れがほとんどなく、成形性に優れ、耐湿性の良好な硬化物を与えること（５頁第１，２表、同頁左下欄１〜６行参照）、
（き）「［実施例５〜１１］・・・エポキシ化クレゾールノボラック樹脂１００部、・・・臭素化エポキシ化フェノールノボラック樹脂６部、・・・フェノールノボラック樹脂３３部、・・・反応生成物２５部、トリフェニルホスフィン０．６５部、・・・を混合したベースに、第３表に示す種類及び量のシリカを配合し、実施例１と同様に組成物を得た。組成物の試験結果を第３表に併記する。」（５頁左下欄１１行〜銅頁右下欄１２行参照）、
（く）平均粒径が２０μｍの球状シリカを１９０〜５００部配合した実施例５〜１１が、成型時の充填不良やワイヤ−流れがほとんどなく、成形性に優れ、耐湿性の良好な硬化物を与えること、および、硬化物の膨張係数を１．０×１０−５／℃以下とすることもできること（６頁第３表及び同頁右上欄１〜１２行参照）、
が記載されている。
甲第２号証には、
（け）「球状品２０〜１００重量％と破砕品８０〜０重量％との混合物であって、球状品の粒度構成は平均粒径が３０μ以下で、かつ、篩下累積重量％で２５重量％の粒径Ｄ２５と７５重量％の粒径Ｄ７５の比（Ｄ２５／Ｄ７５）が１．２〜３である無機質充填材を６５〜９０重量％含有させてなることを特徴とする樹脂組成物」（特許請求の範囲第２項）、
（こ）「無機質充填剤がシリカのような酸化物であれば、・・・溶融して得られた球状品を分級して微粉を除去することによって得られる。」（３頁左上欄５〜１１行参照）、
（さ）「樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂及び・・・などの熱可塑性樹脂が使用できる。」（３頁１〜４行参照）、
（し）「本発明は・・・樹脂組成物に関し、特に半導体及び電子部品の封止用として内部応力が少なく、優れたサーマルショック性を有し、良好な成形性と耐湿信頼性を有する半導体封止用樹脂組成物・・・に関するものである。」（１頁の産業上の利用分野の欄参照）、
（す）本発明品である球状シリカを、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、トリフェニルホスフィン等を混合したベースに配合し、前記球状シリカ含有率が８０．６〜８７．７重量％の樹脂組成物とすること（３頁及び４頁の実施例６〜１０に係る記載と第２表参照）、
が記載されている。
甲第３号証には、
（せ）「エポキシ樹脂に変性剤としてシリコーン重合体、充填材として球状の溶融石英粉を配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、充填材の９０重量％以上が０．５〜１００μｍの粒径をもち、その粒度分布をＲＲＳ粒度線図で示した場合に、勾配ｎが０．６〜１．５の範囲で直線性を示す球状の溶融石英粉であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項）、
（そ）球状シリカを、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂、トリフェニルホスフィンを含むベースに配合し、前記球状シリカの含有率が７９重量％としたとき、１８０℃における最低溶融粘度が２２０〜３６０ｐｏｉｓｅであること（４頁及び５頁の実施例１〜３に係る記載と第１表の参照）、
が記載されている。
甲第４号証には、
（た）「平均粒径が５〜１５μｍの範囲内にあり、かつ最大粒径が１００μｍ以下、粒度分布をＲＲＳ粒度線図で表示した場合に粗粒及び紬粒部分を除いた中間粒径の少なくとも６０重量％以上が直線性を示しその勾配ｎが１．０以下、……の球状の溶融シリカを８０重量％以上配合した熱硬化性樹脂成形材料で封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲）、
（ち）「本発明は上記の球状の溶融シリカをエポキシ樹脂やポリイミドまたはポリアミノビスマレイミド系の熱硬化性樹脂に８０重量％以上配合して得られる成形材料で半導体装置を封止するものである。」（２頁右下欄９〜１３行）、
（つ）「本発明におけるエポキシ樹脂は現在半導体封止用成形材料に広く用いられているビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂を始め各種の多官能エポキシ化合物が用いられている。」（３頁左上欄１９行〜同頁右上欄４行）、
（て）前記球状シリカを、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂（硬化剤）、テトラフェニルホスホニウム（硬化促進剤）を含むベースに配合し、前記球状シリカの含有率を７０〜８５重量％とすると、成型品の熱膨張係数を１．０×１０−５／℃とすることもできること（３頁及び４頁の実施例に係る記載と第１表及び第２表参照）、
が記載されている。
甲第５号証には、
（と）「（１）下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含み、（Ｃ）成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の６０〜８０重量％に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて厚み１０〜２５０ｍｍ２　の半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）結晶性エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機質充填剤。
（２）Ａ成分の結晶性エポキシ樹脂が４，４′−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３′、５，５′−テトラメチルビフェニルである請求項（１）記載の半導体装置。」（特許請求の範囲）、
（な）「特に好ましい結晶性エポキシ樹脂としては、下記の一般式（ＩＩ）で表されるものがあげられ・・・・上記一般式（ＩＩ）において，ＲがＣＨ３　であ結晶性エポキシ樹脂の場合、例えば１５０℃で０．０２ポイズ以上となり非常に低い粘度を示す。」（３頁左下欄９〜１９行）、
（に）「無機充填剤としては、・・・があげられ、・・・特に好適なのは、シリカ粉末、アルミナである。・・・無機質充填剤の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の６０〜８０％（第１表よりみて重量％と認める。）の範囲になるように設定する必要がある。すなわち、・・・６０％を下回ると線膨張率が高くなり、・・・逆に６０％（８０％の誤記と認める。）を上回ると・・・流動性が低下し、・・自重封止により素子を封じするような場合の封止材料に適さなくなるからである。」（４頁左上欄２０行〜同頁右上欄１７行参照）、
（ぬ）「この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物には、・・・必要に応じて硬化促進剤・・・を適宜添加配合することもできる。・・・芳香族アミン硬化剤に対する硬化促進剤としては・・・があげられる。」（４頁右上欄１８行〜同頁左下欄１０行参照）、
が記載されている。
甲第６号証には、
（ね）ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ）およびジシクロぺンタジエン・フェノール重合体（Ｂ）を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法において、全成分を混合する前にあらかじめ全成分のうちの少なくとｔも（Ａ）成分の５０〜１００重量％と（Ｂ）成分の５０〜１００重量％とを、無機フィラーおよび硬化促進剤を加えずに溶融混合しておくことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法（特許請求の範囲参照）、
（の）「（Ａ）および（Ｂ）の両者を予め溶融混合した場合、融点が下がり、その結果としてエポキシ樹脂組成物の溶融粘度が低下する。・・・ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ）は溶解すると一般に用いられるノボラック系エポキシ樹脂と比較して非常に粘度が低いため、最終的にエポキシ樹脂組成物の溶融粘度が低下する。」（５頁右上欄２０行〜同頁左下欄９行）
が記載されている。
甲第７号証には、
（は）「エポキシ樹脂と充填材およびその他の添加剤からなり、その硬化物の線膨張率が１．５×１０−５／℃〜０．８×１０−５／℃である樹脂組成物において、使用する充填材の最大粒径が１４９μｍで粒径が１０〜３０μｍの粒子の含有量が２〜２０重量％であるとともに、粒径が４４μｍ以上の大型粒子のうち５０重量％以上の粒子が球形であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。」（特許請求の範囲）、
（ひ）「本発明においては粒径が３０〜１０μｍの粒子の含有量が２〜２０重量％であるとともに、粒径が４４μｍ以上の大型粒子のうち５０重量％以上の粒子が球形である球状充填材を用いることにより、充填材料を増やしても流動性が低下しないようにして充填性の向上を図った。この場合、流動性が低下しない理由は明確ではないが、一般の充填材は３０〜１０μｍの粒子の含有量が３０重量％程度であり、この量を減らすことが流動性の低下防止に極めて有効である。」（２頁右上欄１０〜１９行）、
（ふ）「本発明に用いることができる充填剤としては線膨張率を小さくする目的から溶融シリカおよびアルミナが好適であり、その配合量は６５〜８５ｖｏｌ％とすることが好ましい。」（２頁左下欄１３〜１７行）、
が記載されている。
［ＩＶ］．申立人の主張の検討
　本件発明２〜９は、いずれも、本件発明１を引用するものであるから、本件発明１ないし９は、それらのいずれも、次の（１）〜（７）を構成とするものである。
（１）半導体素子の電極とリードが電気的に接続され、少なくとも素子の回路形成面を、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）硬化促進剤及び（ｄ）無機質充填剤を必須成分とする樹脂組成物で封止した樹脂封止型半導体装置であること、
（２）樹脂組成物を構成するエポキシ樹脂が、ビフェニル骨格あるいはナフタレン骨格を有する２官能型のエポキシ樹脂から選ばれる成分を含むものであること、
（３）エポキシ樹脂と硬化剤からなる樹脂成分の１５０℃における粘度が３ポイズ以下であること、
（４）無機質充填剤が、その９５％以上が粒径０．１から１００μｍの範囲にあり、平均粒径が２から２０μｍであり、実質的に球状である粉末であること、
（５）無機質充填剤が、組成物全体に対して７５から９２．５ｖｏｌ％の範囲で配合されること、
（６）樹脂組成物の加圧成形過程における最低溶融粘度が３０００ポイズ以下であること、
（７）樹脂組成物の加圧成形後の熱膨張係数が１．０×１０−５　／℃以下の樹脂組成物であること。
　そして、本件発明１ないし９は、前記構成（１）〜（７）を兼ね備えることにより、以下の（８）という、特許査定時の明細書に記載されたとおりの効果を奏したものである。
（８）充填剤を多量に入れて樹脂の熱膨張係数を半導体素子の熱膨張係数に近づけても流動性が低下せず、トランスファプレスを用いて半導体素子を樹脂封止した際に、剥離、クラック等が発生しない。
　そこで、本件発明１なし９と甲各号証に記載の発明とを比較する。
　甲第１号証には、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｄ）無機質充填剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物が記載され［前記（あ）参照］、（ｃ）硬化促進剤を併用することが記載され［前記（う）参照］、半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、半導体装置半導体素子の電極とリードが電気的に接続され、その素子の回路形成面を樹脂組成物で封止する樹脂封止型半導体装置に用いられることは自明であるから、また、エポキシ樹脂としてビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂であることが明らかであるエポキシ化ビスフェノール樹脂を用いうることが記載され［前記（い）参照］、硬化物の膨張係数を１．０×１０−５　／℃以下とすることもできることが記載されている［前記（く）参照］から、甲第１号証には、本件発明１〜９の（１）、（２）、（７）の構成が記載されていると認められ、また、充填剤の配合量としてエポキシ樹脂と硬化剤との合計量１００部に対して２５０〜７００部が好ましいと記載され［前記（え）参照］、平均粒径が８〜２０μｍの球状シリカを用いることが記載されている［前記（か）、（く）参照］から、甲第１号証には、本件発明１〜９の（４）、（５）と重複する構成が記載されていると認められるものの、エポキシ樹脂と硬化剤からなる樹脂成分の１５０℃における粘度や樹脂組成物の加圧成形過程における最低溶融粘度を示す記載はなく、本件発明１〜９の（３）、（６）の構成を示す記載があるとすることはできない。
　また、甲第１号証には、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を用いて具体的に半導体封止用エポキシ樹脂組成物とした例の記載も、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂に、９５％以上が粒径０．１から１００μｍの範囲にあり平均粒径が２から２０μｍであり実質的に球状である無機質充填剤を配合して半導体封止用エポキシ樹脂組成物とした例の記載もなく、さらに、エポキシ樹脂として本件発明１〜９と異なるものを用いた例では、シリカの平均粒径又は形状が本件発明１〜９におけると同じであっても、成型時の充填不良やワイヤ−流れが生じ、成形性や耐湿性の良好な硬化物を得ることができないことが示されている［前記（か）の比較例４、５に係る記載参照］のであるから、甲第１号証に、本件発明１〜９の（２）〜（７）の構成を兼ね備えること、それにより（８）の効果を奏することができることについて示唆する記載があるとすることはできない。
　甲第２号証には、そこに記載されたフェノールノボラック樹脂、トリフェニルホスフィン［前記（す）参照］が、それぞれ、硬化剤、硬化促進剤に相当することは明らかであるから、本件発明１〜９の（１）および（５）の構成が記載されていると認められ、球状シリカを用いることが記載されているという点で本件発明１〜９の（４）の構成に類似した構成が記載されていると認められるものの、ビフェニル骨格あるいはナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を用いること、すなわち、本件発明１〜９の（２）の構成、を具体的に示す記載はなく、エポキシ樹脂と硬化剤からなる樹脂成分の１５０℃における粘度や、樹脂組成物の加圧成形過程における最低溶融粘度や、樹脂組成物の加圧成形後の熱膨張係数を１．０×１０−５／℃以下とすることについて、すなわち、本件発明１〜９の（３）、（６）、（７）の構成を示す記載もなく、さらに、本件発明１〜９の（２）〜（７）の構成を兼ね備えること、それにより（８）の効果を奏することができることを示唆する記載もない。
　甲第３号証には、そこに記載されたフェノールノボラック樹脂、トリフェニルホスフィン［前記（そ）参照］が、それぞれ、硬化剤、硬化促進剤に相当することは明らかであり、１８０℃における最低溶融粘度が本件発明１〜９の樹脂組成物の加圧成形過程における最低溶融粘度に相当するものであることも明らかであるから、甲第３号証には、本件発明１〜９の（１）および（６）の構成が記載されていると認められ、球状石英粉、球状シリカを用いること、及び、その含有率を７９重量％とすることが記載されている［前記（せ）、（そ）参照］から、本件発明１〜９の（４）および（５）の構成に類似した構成が記載されていると認められるものの、ビフェニル骨格あるいはナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を用いること、すなわち、本件発明１〜９の（２）の構成、を具体的に示す記載はなく、エポキシ樹脂と硬化剤からなる樹脂成分の１５０℃における粘度や、樹脂組成物の加圧成形後の熱膨張係数を１．０×１０−５　／℃以下とすることについて、すなわち、本件発明１〜９の（３）、（７）の構成を示す記載はなく、さらに、本件発明１〜９の（２）〜（７）の構成を兼ね備えること、それにより（８）の効果を奏することができることを示唆する記載もない。
　甲第４号証には、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機質充填剤からなる樹脂組成物が記載され［前記（て）参照］、前記樹脂組成物を用いて樹脂封止型半導体装置とすることが記載され［前記（た）参照］、エポキシ樹脂としてビフェニル骨格を有することが明らかなビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが記載され［前記（つ）参照］、成型品の熱膨張係数を１．０×１０−５／℃とすることもできることが記載され［前記（て）参照］ているから、甲第４号証には、本件発明１〜９の（１）、（２）および（７）について記載されていると認められ、甲第４号証には、球状シリカを７０〜８５重量％用いることが記載され［前記（た）、（ち）、（て）参照］ているから、本件発明１〜９の（４）および（５）の構成に類似した構成が記載されていると認められるものの、エポキシ樹脂と硬化剤からなる樹脂成分の１５０℃における粘度や樹脂組成物の加圧成形過程における最低溶融粘度を示す記載、すなわち、本件発明１〜９の（３）、（７）の構成を示す記載はなく、さらに、本件発明１〜９の（２）〜（７）の構成を兼ね備えること、それにより（８）の効果を奏することができることを示唆する記載もない。
　甲第５号証には、エポキシ樹脂、硬化剤、及び無機質充填剤からなる樹脂組成物を用いて半導体素子を封止した半導体装置とすること、および、エポキシ樹脂としてビフェニル骨格を有することが明らかな４，４′−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３′、５，５′−テトラメチルビフェニルを用いることが記載され［前記（と）参照］、必要に応じて硬化促進剤を適宜添加配合することもできると記載され［前記（ぬ）参照］ているから、甲第５号証には、本件発明１〜９の（１）および（２）について記載されていると認めら、シリカ粉末等の無機質充填剤を６０〜８０重量％用いることが記載され［前記（に）参照］ているから、本件発明１〜９の（５）の構成に類似した構成が記載されていると認められるものの、本件発明１〜９の（３）、（４）、（６）、（７）についても、また、（２）〜（７）の構成を兼ね備えること、それにより（８）の効果を奏することができることについても示唆するところがない。（なお、甲第５号証の「１５０℃で０．０２ポイズ以上となり非常に低い粘度を示す。」なる記載は、エポキシ樹脂自体に関する記載であり、エポキシ樹脂と硬化剤からなる成分の粘度に関するものでないので、前記（３）が示されているとすることはできない。）
　甲第６号証には、半導体封止用エポキシ樹脂組成物において用いるビフェニル型エポキシ樹脂は、それ自体、粘度が低く、ジシクロぺンタジエン・フェノール重合体と溶融混合してエポキシ樹脂組成物とすると、樹脂組成物の溶融粘度を低下できることが記載されているにすぎず［前記（ね）、（の）参照］、本件発明１〜９の（１）、（３）〜（７）の構成について具体的に示すところがなく、さらに、本件発明１〜９の（１）〜（７）の構成を兼ね備えること、それにより（８）の効果を奏することができることについても示唆するところがない。
　甲第７号証には、充填材の配合量を６５〜８５ｖｏｌ％とすることが記載され［前記（ふ）参照］、本件発明１〜９の（５）の構成が記載されていると認められ、さらに、硬化物の線膨張率が１．５×１０−５／℃〜０．８×１０−５／℃である樹脂組成物が記載され［前記（は）参照］、本件発明１〜９の（７）の構成に類似した構成が記載されていると認められるものの、前記配合量は特定の充填材組成において使用可能となったとされるものであり［前記（は）、（ひ）参照］、他の充填材組成においてその配合量が可能であることを示しているわけでなく、また、本件発明１〜９の（１）〜（４）、（６）の構成についても具体的に示す記載はなく、本件発明１〜９の（２）〜（７）の構成を兼ね備えること、それにより（８）の効果を奏することができることを示唆する記載もない。
　してみると、甲第１ないし７号証には、いずれにも、本件発明１〜９の（２）〜（７）の構成を兼ね備えること、および、それにより（８）の効果を奏することについて示唆する記載が認められない。
　したがって、甲第１ないし７号証を総合しても、本件発明１ないし９が、甲第１ないし７号証に記載された発明に基づいても当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできず、申立人の主張は採用することができない。
［Ｖ］．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１乃至９に係る発明の特許は、申立人の特許異議申立の理由および証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に本件発明１ないし９の特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月７日（２００１．２．７）