【事件の表示】
　特許第２６６６０４９号「ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６６６０４９号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２６６６０４９号発明に係る出願は、平成２年１月８日に出願した特願平２−１２１０号の一部を特許法第４４条第１項の規定により平成７年２月８日に新たな特許出願としたものであり、その請求項１に係る発明について平成９年６月２７日に特許の設定の登録がなされたところ、平成１０年４月２０日に三井金属鉱業株式会社（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、当審において取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１１年７月１６日に訂正請求がなされた。
ＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の明細書及び図面を訂正請求書に添付した訂正明細書及び訂正図面のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
（１）訂正事項▲１▼
　明細書の【００１３】の「（理論密度の９７〜９９％）」という記載を「（理論密度の９４〜９９％）」と訂正する。
（２）訂正事項▲２▼
　願書に添付した図面【図１】中の「比較例（従来技術）」という記載を「比較例」と訂正する。
２．訂正の目的、新規事項禁止、拡張・変更禁止の各要件についての判断
（１）訂正事項▲１▼について
　この訂正は、本発明の製造方法によって得られるＩＴＯターゲットの密度が「理論密度の９７〜９９％」であるという記載を「理論密度の９４〜９９％」に訂正するものである。
　そこで検討するに、明細書の実施例欄（【００１５】）には、製造されたＩＴＯターゲット製品の密度が６．７５ｇ／ｃｍ３であったことが示されている。そして、この６．７５ｇ／ｃｍ３という密度はＩＴＯターゲット製品の理論密度（７．１５ｇ／ｃｍ３）の９４．４％であるから、実施例においては相対密度が９４％程度のものが得られている。
　そうすると、本発明の製造方法によって得られるＩＴＯターゲットの密度が「理論密度の９７〜９９％」であるという前記の明細書の記載には誤記があったとするべきであり、訂正事項▲１▼は誤記の訂正を目的とするものである。
　そして、この訂正は願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではないことは
（２）訂正事項▲２▼について
　訂正事項▲２▼は、【図１】中に「比較例（従来技術）」として示されている工程が、本件特許に係る出願前に公知の技術に属する工程ではなく、本発明の構成を備えない方法によってなされた「比較例」であることを明確にするものであるから、この訂正は明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、この訂正は実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
３．独立特許要件について
３−１．当審が通知した取消理由の概要
（１）特許法第２９条第２項違反について
　請求項１に係る発明は、下記の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである。
　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特公平１−２１１０９号公報
　刊行物２：米国特許第４，８３３，３０２号明細書
（２）特許法第３６条第３項違反について
　請求項１に係る発明の特許は、特許法第３６条第３項（昭和６２年特許法）に規定する要件を満たしていない特許出願についてされたものであり、特許を受けることができない。
３−２．刊行物の記載事項
（１）刊行物１
　▲１▼「本発明における酸化インジウム及び酸化錫を含む焼結体は、ＩＴＯ膜の形成に一般に使用されている焼結体であり、その酸化錫の含有量はＳｎとしてＩｎ１モル当たり好ましくは０．００１〜０．３モル、より好ましくは０．０１〜０．１５モル、最も好ましくは０．０５〜０．１モルである。」（第５欄第７〜１２行）
　▲２▼「本発明の酸化インジウム系焼結体は、前記した出発材料の粉末を前記した量割合で混合し、常温圧縮して得られた圧粉体を、必要に応じて▲か▼焼した後、焼成するか又はホットプレスにより製造することができるが、本発明の酸化インジウム系焼結体を製造する場合には、該圧粉体を単に高温下に付することよりなる焼成工程を経るのみで、焼結性に優れ且つ気孔率の極めて低い緻密質の焼結体を得ることができる。焼成温度は、所望する焼結体の組成等に応じて適宜選択することができるが、通常は１４００〜１５００℃であり、又焼成に用いる雰囲気は、酸素を含有する雰囲気、例えば空気雰囲気、Ｏ２とＣＯ，ＣＯ２，Ｎ２，Ａｒ，Ｈ２，Ｈ２Ｏ等との混合気体雰囲気、酸素を含有しない雰囲気、例えば真空中、Ａｒ，Ｎ２等の雰囲気とすることができる。また、用いる雰囲気中の酸素分圧を調節することにより、酸素欠陥量をコントロールして、キャリヤ電子密度ひいては焼結体の導電性を制御することができるし、また逆に雰囲気中にＨ２，ＣＯなどの還元性ガスを導入することにより、酸素欠陥量をコントロールして焼結体の導電性を制御することもできる。」（第５欄第１９〜４０行）
　▲３▼「実施例１　純度９９．９９％以上のＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２及びＳｉＯ２の各粉末を用い、混合粉末におけるＳｎＯ２の含有量を５重量％に固定し、残余をＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との任意の混合割合とした数種の混合粉末を調製し、それぞれの混合粉末を圧力５００ｋｇ／ｃｍ２でプレス成形を行ったものを、空気中１４５０℃で２時間焼成して、直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状のＩＴＯ膜形成用焼結体を得た。これらの焼結体の相対密度を測定した。その結果は、Ｓｉ含有量を横軸、相対密度を縦軸とした第１図中の曲線１の通りであった。」（第６欄第５行〜１５行）
　▲４▼「実施例４　ＳｉＯ２の代わりにＧｅＯ２を用いた以外は実施例１と同様にして焼結体を作製し、次いで透明導電膜を作製した。かくして得られた焼結体の相対密度（第１図中の曲線２）…（中略）…は、実施例１と同様に良好なものであった。」（第７欄第１２行〜第８欄第１行）
　▲５▼ＳｉＯ２を添加したＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２焼結体が相対密度８０％程度を、ＧｅＯ２を添加したＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２焼結体が相対密度９０％程度をそれぞれ示すこと（第４頁第１図参照）
（２）刊行物２
　「セラミックス材料は、８００〜１６００℃、好ましくは１３００〜１５００℃の温度で第６図および第７図に示す焼成炉中で焼成される。焼成炉４０で焼成されるセラミックス材料は，例えば１９８７年５月１５日に出願された米国特許出願第０４９，９８４号に開示された材料…（中略）…又は他の当業者によく知られた普通のセラミック材料であってよい。焼成炉４０での酸素分圧は、ゲージ圧で少なくとも１／２気圧、好ましくは約１気圧である。もし、必要があればより高い酸素分圧を採用することもできるが、より高い圧力は通常は炉壁４０に非常な高圧を及ぼすので、操業上の理由から酸素分圧はゲージ圧２気圧を超えることはまれである。この結果得られるセラミックス製品は、理論密度の９８％、好ましくは少なくとも９９％の焼成密度を有する。焼成工程が完了し、焼成品が焼成炉４０から取り出された後、製品は普通に空気中で冷却され、次いでコンベヤー４３から取り除かれる。」（第６欄第３１〜５３行）
３−３．特許法第２９条第２項違反について
（１）本件発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「酸化インジウムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼結してＩＴＯスパッタリングターゲットを製造するに際し、前記焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行うことを特徴とする、高密度ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。」
（２）本件発明の特徴
　本件発明は、従来の、酸化インジウムと酸化錫の粉末混合体からＩＴＯターゲットを製造する方法である、▲１▼粉末混合体を常温でプレス成形し、該成形体を更に大気中にて１２５０〜１６５０℃で焼結する方法及び▲２▼粉末混合体をホットプレス成形する方法では、前者においては、得られるＩＴＯターゲットは密度が４．２〜５．０ｇ／ｃｍ３と理論密度の精々６０〜７０％程度にしかならず、また後者においては、設備のイニシャルコストが非常に高くなる上、設備の大型化も困難となり、金型等も高価なものを必要としてランニングコストが高くなる等の問題があった（【０００３】〜【０００６】参照）との認識に立って、上記の問題を解決するべく研究を重ねた結果、ＩＴＯ焼結ターゲットの製造に当って、「圧縮成形した酸化物粉末混合体の焼結を特定の高目の酸素分圧雰囲気中で実施すると、前記酸化物粉末混合体の圧縮成形にコールドプレス法を適用した場合であっても得られるＩＴＯ焼結品は非常に高い密度となり、スパッタリングターゲットとして十分に満足できる性能を発揮する」（【０００８】）との新しい知見を得たものであり、この知見に基づいて、発明の構成として、「焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行う」という構成を採用したものである。
（２）各刊行物との対比
　▲１▼刊行物１について
　　刊行物１には、酸化インジウムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼結してＩＴＯスパッタリングターゲットを製造すること及び焼成雰囲気が酸素を含有する雰囲気であることがそれぞれ記載されている。
　しかるに、刊行物１には、焼成温度については「通常は１４００〜１５００℃」であると記載されており、本件発明におけるように焼成温度を「１６００〜１７００℃」とする点については記載がない。
　また、焼成雰囲気については、刊行物１には、「用いる雰囲気中の酸素分圧を調節することにより、酸素欠陥量をコントロールして、キャリヤ電子密度ひいては焼結体の導電性を制御することができる」と記載されているが、この記載は焼成雰囲気を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で焼成することを直接的に示唆する記載ではなく、また、実施例を参照しても、空気中１４５０℃で２時間焼成した例が示されているのみであって、得られた焼結体も第１図によると相対密度が９０％を僅かに超えるものが得られているのみで、本件発明の方法によって得られる相対密度９４％よりも低いものである。
　上記のとおりであるから、刊行物１は本件発明の上記「焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行う」という構成については何らの示唆を与えるものではない。
　▲２▼刊行物２について
　　刊行物２には、セラミック材料を製造するに際して、焼成温度を「８００〜１６００℃、好ましくは１３００〜１５００℃」とし、焼成雰囲気中の酸素分圧を「ゲージ圧で少なくとも１／２気圧、好ましくは約１気圧」とすることによって「理論密度の９８％、好ましくは少なくとも９９％の焼成密度」のセラミック製品が得られることが記載されている。
　しかるに、刊行物２には、刊行物２に記載されている製造方法の適用対象は、「米国特許出願第０４９，９８４号」に開示された材料（これは、特許権者が特許異議意見書に添付した前記出願の特許明細書である参考資料１の米国特許第４，９４２，１４５号明細書の記載によると、一般式「Ｍｇｘ　Ａｌｙ　Ｔｉｚ０４」で表される絶縁材料であることが認められる。）又は通常のセラミック材料とされており、ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造に適用することについては記載がなく、また、その焼成温度も「８００〜１６００℃、好ましくは１３００〜１５００℃」とされているのであって、本件発明における「１６００〜１７００℃」とは異なるものであり、また、加圧酸素雰囲気も「ゲージ圧で少なくとも１／２気圧、好ましくは約１気圧」とされているのであって、本件発明における「１気圧以上３気圧未満」とは異なるものである。
　上記のとおりであるから、刊行物２には、「ＩＴＯスパッタリングターゲット」の製造に際して、上記「焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行う」という構成を採用することについては記載及び示唆がないとせざるを得ない。
（３）刊行物１、２に記載の発明を組合せる点について
　刊行物１には、焼成条件について、焼成雰囲気を「１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気」とする点及び焼成温度を「１６００〜１７００℃」とする点のいずれについても記載がないことは前述のとおりである。
　また、刊行物２には、ＩＴＯの焼結については記載がないばかりか、好ましい焼成条件としては、焼成温度については「１３００〜１５００℃」が、また、焼成雰囲気については「約１気圧」の加圧酸素雰囲気が挙げられているのであって、これは、本件発明のこれは本件発明の「１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気」及び「１６００〜１７００℃」の焼成温度とは異なるものである。
　上記のとおりであるから、刊行物１、２の記載を相互に勘案しても、「ＩＴＯスパッタリングターゲット」の製造に際して、「焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行う」という構成の点については当業者が容易に想到することができたものとすることはできない。
　従って、本件発明は刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできず、本件発明の特許が、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
３−４．特許法３６条第３項違反について
（１）取消理由の概要
　取消理由の概要は、本件発明は、焼結を「１６００〜１７００℃」の温度で行う点を発明の構成要件としているが、発明の詳細な説明中には上記焼結温度が本件発明の効果に及ぼす影響については明確に記載されていないから、本件明細書の発明の詳細な説明には、当業者が容易に発明を実施することが出来る程度に発明の目的、構成及び効果が記載されていない、というものである。
（２）検討
　焼結温度については、本件訂正明細書には、「【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的を達成すべく、種々の観点に立って数多くの実験を繰り返しながら研究を重ねたところ、「ＩＴＯ焼結ターゲットの製造に当って“圧縮成形した酸化物粉末混合体の焼結”を特定の高目の酸素分圧雰囲気中で実施すると、前記酸化物粉末混合体の圧縮成形にコールドプレス法を適用した場合であっても“得られるＩＴＯ焼結品”は非常に高い密度となり、スパッタリングターゲットとして十分に満足できる性能を発揮する」との新しい知見を得ることができた。本発明は、上記知見事項等に基づいてなされたものであり、「酸化インジウムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼結してＩＴＯターゲットを製造するに際し、前記焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行うことによって、理論密度に近い高密度のＩＴＯターゲットを生産性良く低コストで製造し得るようにした点」を特徴を有している。」（【０００８】、【０００９】）との記載及び「【作用】さて、ＩＴＯターゲットを製造する際の焼結工程を加圧酸素雰囲気とすることで性能の良好な高密度製品が得られる理由は、現在のところ未だ明確ではない。しかし、焼結をＮ２やＡｒの如き不活性なガスの雰囲気中で実施した場合にはＩＴＯの分解が生じて焼結体の密度低下を来すとの事実が確認されたことからして、ＩＴＯは高温に加熱されると酸素を解離し易い性質を有するものと考えられる。従って、これらの事実を踏まえれば、焼結時に酸素加圧することで高温加熱によるＩＴＯの解離が効果的に防止されると共に、酸素が焼結助剤的な働きをして密度向上に寄与しているのではないかと推測される。」（【００１０】）との記載がそれぞれあり、この記載からすると、「１６００〜１７００℃」という焼結温度は、１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気条件と相まって、ＩＴＯの解離を防いで緻密化するために必要な焼結条件として開示されていることが認められ、その技術的意味は明確であるといえる。
　そして、発明の詳細な説明には、１６００〜１７００℃の中間の温度である「１６５０℃」の焼結温度を採用した実施例によって、所期の効果が達成されていることが示されており、また、上記温度範囲の境界温度である１６００℃又は１７００℃では所期の効果が奏され得ないとする根拠はない。
　上記のとおりであるから、本件訂正明細書の発明の詳細な説明中には、当業者が本件発明を容易に実施し得る程度に発明の目的、構成及び効果が記載されているとするべきであり、本件特許は特許法第３６条第３項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたとすることはできない。
３−５．まとめ
　以上のとおりであるから、本件発明は特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
４．訂正の認否
　上記のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議申立について
１．本件発明及び本件明細書
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件の願書に添付した明細書は訂正請求書に添付した訂正明細書である。（以下、本件「訂正明細書」を「本件明細書」という。）
２．特許異議申立ての理由の概要
　申立人は次の主張をしている。
（１）本件発明は、下記の甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである。
　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特公平１−２１１０９号公報
　甲第２号証：米国特許第４，８３３，３０２号明細書
（２）本件発明の特許は、特許法（昭和６２年法）第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきである。
（申立人は、「特許法第３６条第４項、６項」違反を主張しているが、本件特許に係る出願（分割出願）の出願日は平成２年１月８日とされるので、明細書の記載不備に関して適用される法律は昭和６２年特許法であり、申立人の主張の趣旨は昭和６２年特許法の「特許法第３６条第３項及び４項違反」にあると解されるので、上記のように認定した。）
２．対比・判断
（１）特許法第２９条第２項違反について
　申立人の主張する特許異議申立ての理由及び証拠方法は、当審が取消理由通知において示した取消理由及び証拠方法と同一のものである。
　従って、上記「ＩＩ．３−３」で述べたと同じ理由により、申立人の主張する理由及び証拠方法によっては、本件発明の特許が、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
（２）特許法第３６条第３項違反について
　この点については、上記「ＩＩ．３−４」で述べたとおりであり、本件明細書は特許法第３６条第３項に規定する要件を満たしていないとすること
はできない。
（３）特許法第３６条第４項違反について
　上記「ＩＩ．３−４（２）」で摘示した本件明細書の記載部分（【０００９】）には、「酸化インジウムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼結してＩＴＯターゲットを製造するに際し、前記焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行うことによって、理論密度に近い高密度のＩＴＯターゲットを生産性良く低コストで製造し得るようにした点」を特徴を有している。」との記載があり、また、本件明細書の【０００１】には「この発明は、スパッタリングによってＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ膜）を形成させる際に使用する″高密度焼結ターゲット″の製造方法に関するものである。」との記載があることから、本件特許請求の範囲に記載された発明は本件明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであるし、また、特許請求の範囲には、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されていると認められる。
　従って、本件明細書は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないとすることはできない。
ＩＶ．むすび
　上記のとおりであるから、本件発明の特許は、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月３０日（１９９９．９．３０）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２６６６０４９号発明の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正図面のとおりに訂正する。
　その訂正の内容は次のとおりである。
１．誤記の訂正を目的として次の訂正を行う。
　　　明細書の【００１３】の「（理論密度の９７〜９９％）」という記載を「（理論密度の９４〜９９％）」と訂正する。
２．明りょうでない記載の釈明を目的として次の訂正を行う。
　　願書に添付した図面【図１】中の「比較例（従来技術）」という記載を「比較例」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】　酸化インジウムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼結してＩＴＯスパッタリングターゲットを製造するに際し、前記焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行うことを特徴とする、高密度ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　この発明は、スパッタリングによってＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ膜）を形成させる際に使用する“高密度焼結ターゲット”の製造方法に関するものである。
　　　【０００２】
　　【従来技術とその課題】
　ｎ型導電性の半導体特性を示す“ＩＴＯ膜”と呼ばれるＩｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２酸化物膜は、高い導電性の他に可視光透過性をも有していることから、最近では液晶表示装置，薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置，放射線検出素子，端末機器の透明タブレット，窓ガラスの結露防止用発熱膜，帯電防止膜或いは太陽光集熱器用選択透過膜等、その用途は非常に多岐に亘っている。そして、このＩＴＯ膜の形成手段としては化合物の熱分解を利用したスプレイ法やＣＶＤ法等の化学的製膜法、或いは真空蒸着法やスパッタリング法等の物理的製膜法等が知られているが、中でも、「大面積で製膜することが可能でかつ低抵抗膜を再現性良く形成できる」との利点が着目されてスパッタリング法の採用が広まってきている。
　　　【０００３】
　ところで、スパッタリング法にてＩＴＯ膜を形成する場合には酸化インジウムと酸化錫から成るスパッタリングターゲット（以降“ＩＴＯターゲット”と略称する）が使用されるが、このＩＴＯターゲットとしては、酸化インジウムと酸化錫の粉末混合体、或いはこれにドーパントを添加した粉末混合体を常温でプレス成形し、該成形体を更に大気中にて１２５０〜１５００℃で焼結したものが一般に用いられてきた。
　　　【０００４】
　しかし、酸化インジウム粉末や酸化錫粉末は焼結性が悪く、そのため上記方法（コールドプレス大気焼結法）にて製造されたＩＴＯターゲットは密度が４．２〜５．０ｇ／ｃｍ３と理論密度の精々６０〜７０％程度にしかならない上、「大型のターゲットを工業的に安定して製造するためには到達密度を５．０ｇ／ｃｍ３程度に抑える必要がある」といった“密度の再現性に起因する高密度化への制約”もあった。しかるに、このような密度の低いＩＴＯターゲットには
　　　　ａ）スパッタレート（成膜速度）が小さい，
　　　　ｂ）ターゲット寿命が短い，
　　　　ｃ）ＩＴＯ特有の表面の黒色化が顕著となる，
　　　　ｄ）基板上のゴミ（パーティクル）が増加する，
等の不都合が指摘されており、スパッタリング作業性の向上や形成されるＩＴＯ膜の品質向上の観点から、より密度の高いＩＴＯターゲットが強く要求されていたのである。
　　　【０００５】
　そこで、ＩＴＯターゲットの密度改善を目指して、一連のターゲット製造工程のうちの“粉末原料の成形工程”においてホットプレス法を適用することも試みられた。その結果、この方法により比較的容易にＩＴＯターゲットの密度を６．７ｇ／ｃｍ３程度（理論密度の９４％程度）にまで上昇させ得ることが分かり、ホットプレス法を適用して高密度品（６．０〜６．７ｇ／ｃｍ３）を製造することも行われるようになってきた。
　　　【０００６】
　しかしながら、ＩＴＯターゲットの製造に上記ホットプレス法を適用した場合には
　　（ａ）設備のイニシャルコストが非常に高くなる上、設備の大型化も困難となる，
　　（ｂ）金型等も高価なものを必要としてランニングコストが高くなる，
　　（ｃ）精々１日１〜２バッチ程度の操業しか行うことができず、量産性が低くなる，
等の新たな問題が生じ、これらが結局はターゲット価格に影響することから、やはり工業的に十分満足できる手段とは言い難かった。
　　　【０００７】
　このようなことから、本発明が目的としたのは、格別に高価な新規設備を必要とすることなく、高密度のＩＴＯターゲットを高い生産性の下で安定生産し得る手段を確立することである。
　　　【０００８】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、上記目的を達成すべく、種々の観点に立って数多くの実験を繰り返しながら研究を重ねたところ、「ＩＴＯ焼結ターゲットの製造に当って“圧縮成形した酸化物粉末混合体の焼結”を特定の高目の酸素分圧雰囲気中で実施すると、前記酸化物粉末混合体の圧縮成形にコールドプレス法を適用した場合であっても“得られるＩＴＯ焼結品”は非常に高い密度となり、スパッタリングターゲットとして十分に満足できる性能を発揮する」との新しい知見を得ることができた。
　　　【０００９】
　本発明は、上記知見事項等に基づいてなされたものであり、
「酸化インジウムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼結してＩＴＯターゲットを製造するに際し、前記焼結を１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気中で１６００〜１７００℃の温度にて行うことによって、理論密度に近い高密度のＩＴＯターゲットを生産性良く低コストで製造し得るようにした点」を特徴を有している。
　ここで、「１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気」とは１気圧（ゲージ圧）以上３気圧（ゲージ圧）未満に加圧された純酸素ガス雰囲気は勿論、Ｏ２分圧が１気圧以上３気圧未満である混合ガス雰囲気をも意味するものである。
　　　【００１０】
　以下、本発明をその作用及び効果と共により詳細に説明する。
　　【作用】
　さて、ＩＴＯターゲットを製造する際の焼結工程を加圧酸素雰囲気とすることで性能の良好な高密度製品が得られる理由は、現在のところ未だ明確ではない。しかし、焼結をＮ２やＡｒの如き不活性なガスの雰囲気中で実施した場合にはＩＴＯの分解が生じて焼結体の密度低下を来すとの事実が確認されたことからして、ＩＴＯは高温に加熱されると酸素を解離し易い性質を有するものと考えられる。従って、これらの事実を踏まえれば、焼結時に酸素加圧することで高温加熱によるＩＴＯの解離が効果的に防止されると共に、酸素が焼結助剤的な働きをして密度向上に寄与しているのではないかと推測される。
　　　【００１１】
　ただ、焼結雰囲気のＯ２分圧が１気圧（ゲージ圧）を下回ると焼結体の密度向上効果が小さく、十分に満足できる性能を有したＩＴＯターゲットを得ることができない。
　ところで、ＩＴＯターゲットの焼結に際しては、アルミナ板等のような耐熱性材料から成る台に載せて焼結しているが、高温の加熱によりＩＴＯとアルミナの反応が起き、高圧の加圧酸素雰囲気下ではこの反応が加速される。勿論、焼結後にＩＴＯターゲットの反応表面部分は切削除去されるものの、焼結雰囲気のＯ２分圧が高すぎると前記反応部分が多量に生じて歩留りが悪くなり、またアルミナ板自体も消耗が激しくなるという問題が生じる。更に、高圧の酸素雰囲気焼結条件を維持しようとすると、当然のことながら酸素の使用量が増えてコスト増になる上、使用する炉の設計も難しくなる。そこで、研究を行った結果、焼結雰囲気のＯ２分圧が３気圧未満であれば上述のような不都合が顕著とはならず、特に超高密度性を要求されない場合にはＯ２分圧が３気圧未満でも満足できるＩＴＯターゲットを得られることが確認された。
　従って、本発明では焼結雰囲気を“１気圧以上３気圧未満の加圧酸素雰囲気”と限定した。
　　　【００１２】
焼結雰囲気としては出来れば純酸素加圧雰囲気が望ましく、従って純酸素ガスの１気圧以上３気圧未満の加圧雰囲気が良いが、酸素ガスと“酸素と反応しない不活性なガス”との混合ガス雰囲気であっても、Ｏ２分圧が１気圧以上３気圧未満のものであれば十分に適用できることは先に述べた通りである。勿論、Ａｉｒ雰囲気でもＯ２分圧を１気圧以上３気圧未満とすれば本発明法への適用はできるものの、この場合にはＮＯｘが生成して設備の腐食が起こる虞れがあるので注意を要する。
　なお、加圧酸素雰囲気中での焼結温度は１６００〜１７００℃程度が適当であり、また焼結時間は３時間以上とするのが望ましい（焼結時間は長いほど好結果が得られる）。
　　　【００１３】
　上述のように、本発明に係るＩＴＯターゲットの製造法では、従来の“コールドプレス−大気焼結法”に比較して一段と高密度（理論密度の
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　　　【００１４】
　続いて、実施例に基づき、本発明の効果を比較例と対比しながら更に具体的に説明する。
　　【実施例】
　図１に示した工程でＩＴＯターゲットの製造を試みた。
　即ち、まず平均粒径が２μｍの酸化インジウム粉と同じ粒度の酸化錫粉を重量比で９５：５となるように混合し、これに成形用のバインダーを加えてから、金型（１６５Ｗ×５２０Ｌ）へ均一に充填し、油圧プレスにて７５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧し成形した。なお、この時の成形体の密度は４．０９ｇ／ｃｍ３であった。
　続いて、上記成形体を８０℃に加熱し、バインダー中の水分を蒸発させて乾燥した。
　　　【００１５】
　次いで、加圧焼結炉を用い、上記乾燥成形体を１．０気圧（ゲ−ジ圧：真圧力は２気圧）の純酸素ガス雰囲気中にて１６５０℃で９時間焼結した後、得られた焼結体の表面を平面研削盤で削り、更に側辺をダイヤモンドカッターで切断してターゲット製品とした。
　このようにして製造されたＩＴＯターゲット製品の密度を体積と重量から算出したところ、６．７５ｇ／ｃｍ３と極めて高い値となっていることを確認した。
　　　【００１６】
　一方、比較例として、次の条件に従ったＩＴＯターゲットの製造試験も実施した。
　即ち、乾燥工程までは上記本発明例と全く同じ条件で乾燥成形体を得たが、その後の焼結雰囲気を従来の“大気雰囲気”とし、この大気中において１６５０℃で９時間の焼結を行ってから機械加工しＩＴＯターゲットを製造した。そして、この比較例によって得られたＩＴＯターゲットの密度を測定したところ、５．６０ｇ／ｃｍ３という値を示した。
　　　【００１７】
　上記実施例での結果からも明らかなように、１気圧加圧下の酸素雰囲気中での焼結によってＩＴＯターゲットの焼結体密度の向上に十分な効果が得られることが分かる。
　　　【００１８】
　　【効果の総括】
　以上に説明した如く、この発明によれば、性能の優れた高密度ＩＴＯターゲットを生産性良く低コストで量産することが可能となるなど、産業上極めて有用な効果がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の実施例及び比較例に係るＩＴＯターゲットの製造工程図である。
【図面】