【事件の表示】
　特許第３１０５９６２号「固体潤滑性を有する非晶質薄膜およびその製造方法」の請求項１、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１０５９６２号の請求項１、３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３１０５９６２号（平成３年９月２０日特許出願、平成１２年９月１日設定登録）の請求項１、３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１、３に記載された次のとおりのものである（以下、本件発明１、３という）。
「【請求項１】珪素（Ｓｉ）と、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）および水素（Ｈ）とからなる固体薄膜であって、該薄膜の組成が、Ｓｉｘ（Ｏｍ，Ｃｎ，Ｈ１−ｍ−ｎ）１−ｘで、かつ、ｘ＝０．０３〜０．２０、ｍ＝０．０５〜０．５、ｎ＝０．１〜０．９、０．６≦ｍ＋ｎ≦０．９５であることを特徴とする固体潤滑性を有する非晶質薄膜。
【請求項３】被処理材料を真空容器に配設し、珪素化合物ガスと，酸素化合物ガス，炭素化合物ガスおよび水素化合物ガスとを主体とした薄膜形成ガス雰囲気中で放電させることにより、前記被処理材料表面に非晶質薄膜を形成することを特徴とする固体潤滑性を有する非晶質薄膜の製造方法。」
２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人山口雅行は、証拠方法として甲第１、２号証を提出し、（イ）本件請求項１、３に係る発明は、甲第１号証或いは甲第２号証に記載されたいずれかの発明であるか、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて容易に想到し得る発明であるから、本件請求項１、３に係る発明の特許は特許法第２９条第１項第３号、第２項の規定に違反してなされたものであり取り消されるべきものである旨、（ロ）本件請求項１、３に係る発明は発明の詳細な説明の開示範囲を超え広い範囲を包含しているので、本件請求項１、３に係る発明の特許は特許法第３６条第４項、第５項及び第６項の規定に違反してなされたものであり取り消されるべきものである旨それぞれ主張している。
３．上記（イ）の主張について
３−１．甲号各証の記載内容
　甲第１号証：特開平３−１３１５０９号公報
(ａ)「１．ある組成の硬さ、潤滑性、耐摩耗性、原子密度、質量密度、導電率、応力、付着力或は結晶度の特性の何れかを制御する方法であって：下地を室内に配置し；基本となる炭素及び水素、及び弗素、シリコン、硼素、酸素、アルゴン及びヘリウムから選択された任意選択元素を含む生成ガスを制御可能なように室内に導入し；前記下地上のエネルギが約３０乃至２００ｅＶの範囲を有するように前記ガスを制御可能なように付勢し；付勢されたガスから、純ダイヤモンドの原子密度と少なくとも０．１８ｇ原子／ｃｍ３との間の原子密度を有し、且つ　０≦ｚ＋ｗ≦０．１５、０≦ｗ≦０．０５、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ＜１．５及びＡを硼素或は酸素として　Ｃ１−ｚ−ｗＳｉｘＡｗ（Ｈ１−ｘＦｘ）ｙなる基本式を有する組成を前記下地上に生成させる方法。」（請求項１）
（ｂ)「２．室が高周波プラズマ室であり、前記室内の合計ガス圧力が５乃至１００ミリトルの範囲内であり、エネルギが下地への衝突エネルギであり、付勢が高周波バイアス電圧を約１００乃至１５００Ｖの範囲内で制御することによって制御される請求項１記載の方法。」（請求項２）
（ｃ）「１６．組成内の弗素の量を制御することによって潤滑性を制御する請求項１記載の方法。」（請求項１６）
（ｄ）「１７．組成のグラファイト状結晶度を制御することによって潤滑性を制御する請求項１記載の方法。」（請求項１７）
（ｅ）「１８．生成ガス内のＨｅ或はＡｒの量を制御することによって潤滑性を制御する請求項１記載の方法。」（請求項１８）
（ｆ）「３５．下地が磁気記録媒体であり、組成が潤滑性保護被膜である請求項１記載の方法。」（請求項３５）
（ｇ）「別の特色は、組成内の弗素の量を制御することによって、或は組成の結晶度を制御することによって、潤滑性を制御できることである。潤滑性は、生成ガス内のＨｅ或はＡｒの量によっても制御可能である。」（第５頁右上欄第１７行〜左下欄第１行）
（ｈ）「別の特色は、ガスのエネルギを制御することによって、或は組成内の硼素、シリコン、或は水素の量を制御することによって結晶度を制御できることである。結晶度は、生成ガス内のＨｅ或はＡｒの量を制御することによっても制御可能である。」（第５頁右下欄第５〜９行）
（ｉ）「我々は、望ましい特性を有する若干の非晶質、炭素質の物質の組成を生産できることを発見した。」（第７頁左上欄第８〜９行）
（ｊ）第９頁左上欄表Ｉには、向上させる特性の項が潤滑性の場合、薄膜組成パラメタの項が「弗素制御」であるとき、プロセスパラメタの項が「生成ガス内の弗素含有成分の制御」であり、薄膜組成パラメタの項が「グラファイト結晶度領域の増加」であるとき、プロセスパラメタの項が「ＲＦプラズマ内のＨｅ或いはＡｒの制御」であることが記載されている。
（ｋ）「組成の潤滑性は、薄膜内の弗素の量の制御（一般的には増加）、或はグラファイト状結晶度領域の増加によって向上させ得る。潤滑性を向上させるプロセスパラメタは、生成ガス内の弗素含有化合物の制御（一般的には増加）、及びＲＦプラズマ内の生成ガスにヘリウム或はアルゴンの含有の両方或いは何れか一方を含む。」（第９頁右上欄第８〜１４行）
（ｌ）「外側の露出層１２は、例えば中間（５００Ｖ）バイアス電圧でプラズマに弗素含有ガスを添加して低摩擦表面を得るように（表１）沈積させることによって、向上した潤滑性を提供する。」（第１０頁左下欄第第６〜１０行）
（ｍ）第１２頁右下欄表ＩＩの例におけるガス組成は、ａ）がＣＨ４、ｂ）がＣＨ４、ｃ）がＣＨ４、ｄ）がＣＨ４／ＣＦ２、ｅ）がＣＨ４／ＣＦ２、ｆ）がＣＨ４／ＳｉＨ４、ｇ）がＣＨ４／ＣＯ２、ｈ）がＣＨ４／ジボラン、ｉ）がＣＨ４／Ｈｅ或はＣＨ４／Ａｒであることが記載されている。このうち組成特性が「高目の潤滑性」とされているのは、ｄ）、ｅ）、ｉ）であり、「滑らか」とされているのは、ｃ）、ｄ）、ｅ）、ｆ）である。
（ｎ）第１４頁右上欄表ＩＩＩの例におけるイオンビーム組成は、ｊ）がＡｒ／ＣＨ４、ｋ）がＡｒ／ＣＨ４＋２％ＣＨＦ３、ｌ）がＡｒ／ＣＨ４＋１％シラン、ｍ）がＡｒ／ＣＨ４であることが記載されている。このうち「高目の潤滑性」とされているのはｋ）であり、「高潤滑性」とされているのはｊ）である。
（ｏ）第１４頁右下欄表ＩＶの例におけるガス組成は、ｎ）がＡｒ、ｏ）がＡｒ，ＣＨ４、ｐ）がＡｒ，ＣＦ４、ｑ）がＡｒ，Ｆであることが記載されている。
　甲第２号証：特開平２−３０７６４号公報
（ｐ）「３．第１の層上に沈着された第２の層を有してなり、この第２の層は式ＳｉＣｘ’Ｎｙ’Ｏｚ’Ｈｔ’（式中ｘ’は０〜５であり、ｙ’は０．３〜０．８であり、ｚ’は１．３〜２．５であり、ｔ’は０．５〜１．２である）を有する請求項１記載の被覆。」（請求項３）
（ｑ）「ケイ素、炭素、窒素、酸素及び水素より本質的になる多層被覆の蒸着により基材を保護する方法において、次の工程即ち基材をマイクロ波プラズマにより予備処理し；ケイ素のガス状前駆体の存在下で予備処理済み基材の表面をマイクロ波プラズマに暴露して第１の層を沈着させ；プラズマ及び後放電の何れか一方で選択的にケイ素と窒素とのガス状前駆体の存在下で第１の層を備えた基材をマイクロ波プラズマにかけて第２の層を沈着させることからなる、基材の保護方法。」（請求項６）
（ｒ）「本発明者が示した所によれば、熱変化及び湿気に耐性で帯電防止性である透明で硬質な被覆を製造できる。」（第２頁左下欄第１〜３行）
（ｓ）「沈着したフィルムは無機の非晶質重合体である。」（第３頁左下欄第２０行〜右下欄第１行）
（ｔ）「得られる被覆は基材に接着しており（接着紙試験）且つ帯摩耗性である。」（第３頁右下欄第７、８行）
（ｕ）「本発明の被覆は保護した基材の表面に基材の硬度特性よりも高い硬度特性を付与できる。」（第４頁左上欄第５、６行）
（ｖ）「実施例１・・・１）Ａｒプラズマ次いで１０％のＮＨ３含有Ａｒプラズマでの予備処理。２）次のガス相；ＳｉＨ４＝０．７％；Ｈｅ＝２２．６％；Ａｒ＝７６．７％・・・３）次の組成；ＳｉＨ４＝０．６％；Ａｒ＝６９％；Ｈｅ＝２０．４％；Ｎ２＝１０％のガス相・・・」（第５頁右上欄第１７行〜左下欄第１０行）
（ｗ）「実施例３・・・１）Ａｒプラズマ次いで１０％ＮＨ３を含有するＡｒプラズマでの予備処理。２）次のガス相Ｓｉ２Ｈ６＝０．３５％；Ｈｅ＝２２．９５％及びＡｒ＝７６．７％・・・３）次のガス相Ｓｉ２Ｈ６＝０．３％；Ｈｅ２０．７％；Ｎ２＝１０％；Ａｒ＝６９％・・・」（第６頁左上欄第４〜１６行）
３−２．対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１は、０．０１レベルの摩擦係数をＳｉＯ２をベースとした薄膜により無潤滑状態で得るために、ＳｉＯ２のみでは０．２程度の摩擦係数しか得られないので摩擦係数の低減化や安定化を図る物質としてＣおよびＨを含む組成に着眼し、すなわちＣがダイヤモンドやグラファイトのように低摩擦を示す物質であることを考慮し、またＨを予め膜中に含むことにより、表面にＳｉ−ＯＨ基を生成させ易くしＨ２Ｏの吸着の安定をさせることを考えて成された「固体潤滑性を有する非晶質薄膜」に関する発明であり（本件特許掲載公報第２頁第３欄段落【０００７】、【０００８】）、その構成はすなわち、
「珪素（Ｓｉ）と、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）および水素（Ｈ）とからなる固体薄膜であって、該薄膜の組成が、Ｓｉｘ（Ｏｍ，Ｃｎ，Ｈ１−ｍ−ｎ）１−ｘで、かつ、ｘ＝０．０３〜０．２０、ｍ＝０．０５〜０．５、ｎ＝０．１〜０．９、０．６≦ｍ＋ｎ≦０．９５であることを特徴とする固体潤滑性を有する非晶質薄膜。」である。
  これに対して、甲第１号証には、上記（ａ）、（ｆ）、（ｉ）から「潤滑性の特性を制御された、純ダイヤモンドの原子密度と少なくとも０．１８ｇ原子／ｃｍ３との間の原子密度を有し、且つ　０≦ｚ＋ｗ≦０．１５、０≦ｗ≦０．０５、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ＜１．５及びＡを硼素或いは酸素として　Ｃ１−ｚ−ｗＳｉｘＡｗ（Ｈ１−ｘＦｘ）ｙなる基本式を有する組成の非晶質の潤滑性保護被膜。」という発明（以下、甲１発明という）が記載されていると云える。
  そこで、本件発明１と甲１発明とを対比すると、両者は固体潤滑性を有する非晶質薄膜という点では軌を一にするが、本件発明１では、珪素（Ｓｉ）と、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）および水素（Ｈ）とからなるＳｉｘ（Ｏｍ，Ｃｎ，Ｈ１−ｍ−ｎ）１−ｘである薄膜であるのに対して、甲１発明では、Ｃ１−ｚ−ｗＳｉｘＡｗ（Ｈ１−ｘＦｘ）ｙである薄膜である点で相違している。
　そこで検討すると、本件発明１と甲１発明とは成分が一致しない。つまり、甲１発明でＦをゼロとするためにｘをゼロにするとＦのみならず本件発明１の必須成分であるＳｉもゼロとなり必須成分が相違してしまう。
　してみると、本件発明１は甲第１号証に記載された発明とすることはできない。
　また、上記（ｃ）〜（ｅ）、（ｇ）、（ｊ）、（ｋ）から、甲第１号証には潤滑性を制御するためには（あ）弗素の量を制御する、（い）グラファイト状結晶度を制御する、（う）Ｈｅ或はＡｒの量を制御することが記載されているが、上記（あ）と（う）はＦ、Ｈｅ、Ａｒを制御して行うことであり、これらの記載から甲１発明の成分のうちＦをゼロとしてＳｉを残すということを示唆する記載ではない。また、上記（い）は上記（ｈ）から、ガスのエネルギを制御することや、硼素、シリコン、水素、Ｈｅ、Ａｒの量を制御することによって可能であることが記載されているが、この記載も、ＦをゼロとしてＳｉを残すことを示唆する記載ではない。
　したがって、本件発明１は甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
　次に、甲第２号証には、上記（ｐ）、（ｒ）〜（ｕ）から、「式ＳｉＣｘ’Ｎｙ’Ｏｚ’Ｈｔ’（式中ｘ’は０〜５であり、ｙ’は０．３〜０．８であり、ｚ’は１．３〜２．５であり、ｔ’は０．５〜１．２である）である硬質な耐摩耗性非晶質被覆。」という発明（以下、甲２発明という）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明１と甲２発明とを対比すると、
両者は非晶質薄膜という点では軌を一にするが、甲第２号証には固体潤滑性を示唆する記載は何もなく、また、甲２発明には必須成分としてＮが含まれている点で本件発明１と相違している。なお、特許異議申立人は本件明細書の記載からＮについては相違点にはならない旨主張している（特許異議申立書第７頁第１５〜１９行）。確かに本件明細書には「Ａｒ等の希ガスや窒素、塩素等の元素が、本発明の効果を損なわない程度に混入していてもよい。」との記載はあるが、甲２発明においてＮは０．３〜０．８も入っており、「本発明の効果を損なわない程度に混入」したものであるとは云うことはできないので、特許異議申立人の主張を採用することはできない。
　したがって、本件発明１は甲第２号証に記載された発明と云うことはできず、また甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
  また、本件発明１は甲第１、２号証に記載された発明を組み合わせても当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
（２）本件発明３について
　本件発明３は、上記（１）で述べた「固体潤滑性を有する非晶質薄膜」の製造方法に関する発明であり、その構成はすなわち、
「被処理材料を真空容器に配設し、珪素化合物ガスと，酸素化合物ガス，炭素化合物ガスおよび水素化合物ガスとを主体とした薄膜形成ガス雰囲気中で放電させることにより、前記被処理材料表面に非晶質薄膜を形成することを特徴とする固体潤滑性を有する非晶質薄膜の製造方法」である。
　これに対して、甲第１号証には、上記（ａ）、（ｂ）、（ｆ）、（ｉ）から「基本となる炭素及び水素と、任意選択元素である弗素、シリコン、硼素、酸素、アルゴン及びヘリウムから選択された元素とを含む生成ガスを制御可能なように室内に導入し；下地上のエネルギが約３０乃至２００ｅＶの範囲を有するように前記ガスを制御可能なように付勢し；前記下地上に非晶質の潤滑性保護被膜を生成させる方法」という発明（以下、甲１方法発明という）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明３と甲１方法発明とを対比すると、両者は「薄膜形成ガス雰囲気中で放電させることにより、被処理材料表面に非晶質薄膜を形成する固体潤滑性を有する非晶質薄膜の製造方法」という点では軌を一にするが、本件発明３では薄膜形成ガスとして、珪素化合物ガスと，酸素化合物ガス，炭素化合物ガスおよび水素化合物ガスとを主体としているのに対して、甲１方法発明では、基本となる炭素及び水素と、任意選択元素である弗素、シリコン、硼素、酸素、アルゴン及びヘリウムから選択された元素とを含む生成ガスである点で相違している。
　そこで検討すると、甲第１号証において潤滑性をもたらすためには、上記（１）で述べたように、（あ）弗素の量を制御する、（い）グラファイト状結晶度を制御する、（う）Ｈｅ或はＡｒの量を制御することが記載されているが、上記（あ）と（う）はＦ、Ｈｅ、Ａｒを制御することであるから、このことから生成ガスとして基本となる炭素及び水素以外に任意選択元素としてのシリコンと酸素を同時に選択することを示唆しているとは云えない。上記（い）はガスのエネルギを制御することや、硼素、シリコン、水素、Ｈｅ、Ａｒの量を制御することであるから、このことから生成ガスとして基本となる炭素及び水素以外に任意選択元素としてのシリコンと酸素を同時に選択することを示唆しているとは云えない。これらのことは甲第１号証の実施例において、上記（ｍ）〜（ｏ）から明らかなように任意選択元素としてシリコンと酸素を同時に選択することが記載されていないことからも裏付けられる。
　したがって、本件発明３は甲第１号証に記載された発明とすることはできないし、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
　次に甲第２号証には、上記（ｑ）〜（ｕ）から「ケイ素、炭素、窒素、酸素及び水素より本質的になる多層被覆の蒸着により基材を保護する方法において、基材をマイクロ波プラズマにより予備処理し；ケイ素のガス状の前駆体の存在下で予備処理済み基材の表面をマイクロ波プラズマに暴露して第１の層を沈着させ；プラズマ及び後放電の何れか一方で選択的にケイ素と窒素とのガス状前駆体の存在下で第１の層を備えた基材をマイクロ波プラズマにかけて第２の層を沈着させることからなる硬質な耐摩耗性非晶質被覆の製造方法。」という発明（以下、甲２方法発明という）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明３と甲２方法発明とを対比すると、両者はガス雰囲気中で放電により非晶質薄膜を製造する方法である点では軌を一にしているが、（ｉ）本件発明３は固体潤滑性を有する非晶質薄膜の製造法であるのに対して、甲２方法発明は耐摩耗性非晶質被覆の製造方法である点、（ｉｉ）本件発明３では、薄膜形成ガスとして、珪素化合物ガスと，酸素化合物ガス，炭素化合物ガスおよび水素化合物ガスとを主体としているのに対して、甲２方法発明では、ケイ素と窒素とのガス状前駆体を使用するという点、つまり甲２方法発明では窒素を必須成分としている点で相違している。
　加えて、甲第２号証には、潤滑性について何も記載も示唆もされていないし、窒素を使用しないことも記載も示唆もされていない。逆に甲２方法発明において窒素を必須成分としていることは、上記（ｖ）、（ｗ）の実施例の記載からも裏付けられる。
　したがって、本件発明３は甲第２号証に記載された発明とすることはできないし、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
  また、本件発明３は甲第１、２号証に記載された発明を組み合わせても当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
４．上記（ロ）の主張について
　本件特許明細書には、第１実施例、第２実施例、比較例Ｃ１〜３が記載されており、このことから、本件明細書には請求項１、３に係る発明の実施の形態が記載されているものと認められるから、特許異議申立人の主張は採用することはできない。
５．むすび
 以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１、３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
 また、他に本件請求項１、３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１、３に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
 よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月３１日（２００１．７．３１）