【事件の表示】
　特許第３０３２６００号「光情報記録媒体」の請求項１に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０３２６００号の請求項１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０３２６００号の出願は、平成３年２月２１日に出願され、平成１２年２月１０日に設定登録されたものであり、その後、田中圭子より、特許異議の申立がなされ、これに基づいて、取消理由通知がなされ、特許権者よりその指定期間内である平成１３年３月１３日に明細書の訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否
（1）訂正事項
　本件明細書につき、訂正請求書に添付された訂正明細書に記載される次のの訂正を求めるものである。
特許請求の範囲における、
「基板上に記録層が形成されており、その記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス層を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することを特徴とする光情報記録媒体。」を、
「基板上に記録層が形成されており、その記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することを特徴とする光情報記録媒体。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否
　上記訂正は、「・・・記録層が・・・記録時に一様なアモルファス層を形成し・・・」と記載されるものを、「・・・記録層が・・・記録時に一様なアモルファス相を形成し・・・」と訂正するものであるが、この種の金属化合物から成る記録層において、記録時に、突然、アモルファス層のような、別の層が形成されることは、技術常識上、想定することができないものであり、したがって、ここでの「アモルファス層を形成し」との記載は、記録層がアモルファス状態のもの、すなわち、結晶学上の用語でいえば、アモルファス相のものを形成することを規定すると解されるものである。
　一方、本件明細書の詳細な説明によれば、
「・・・【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に記録層が形成されたものであって、記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ2相が相分離して結晶化する事を特徴としている。・・・」（段落０００６）と、記録時に形成されるのはアモルファス相であることが示され、
　また、
「ところで、記録パワー(Pw)のレーザービームを照射した場合、記録層のＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相は溶融後急冷されて一様なアモルファス状態になる。つぎにこのアモルファス状態の記録部に消去パワー(Pe)のレーザービームを照射すると初期化の場合と同様にＡｇＳｂＴｅ2相とＸ相に相分離してＡｇＳｂＴｅ2の結晶化が起こる（消去）。この様に消去時に一様なアモルファス相からの相分離でＡｇＳｂＴｅ2相ができ、これが結晶化することにより、ディスクの反射率が変化して、ここに記録、消去が行われると共に、著しく高い消去比が得られるようになる。」（段落０００８）と、記録パワーのレーザービームを照射した場合、記録層の相は一様なアモルファス状態となることが示されるものであり、この他、本件明細書の発明の詳細な説明の項中では、アモルファス層という用語が記載されることは皆無であり、これらのことからみても、該記録層に形成されるアモルファスは、アモルファス相に他ならないものである。
　そうすると、特許請求の範囲における上記訂正は、「アモルファス相」につき、誤って記載したことが明らかなその「アモルファス層」という表現を正すものであって、特許請求の範囲の誤記の訂正を目的とするものに該当するものである。
（３）新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、上記したとおり、明細書（願書に最初に添付した明細書を含む）に記載した事項の範囲内の訂正であって、新規事項には該当せず、また、上記訂正はその内容を変えるものではないから実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（４）訂正の適否の結論
　よって、上記訂正請求は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
（１）本件発明
　本件特許第３０３２６００号の請求項に係る発明は、平成１３年３月１３日付で訂正請求がなされ、その請求どおり訂正された明細書の特許請求の範囲に記載される次のとおりのものである。
「基板上に記録層が形成されており、その記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することを特徴とする光情報記録媒体。」
（２）特許異議申立の概要
　特許異議申立人 は、証拠として、
甲第１号証（特開平３−９８８０号公報）、
甲第２号証（特開平１−２５１３３２号公報）、
甲第３号証（特開平３−１６７８３号公報）、
甲第４号証（特開平１−２７７３３８号公報）、
甲第５号証（特開平４−７８０３１号公報）、
　を提示し、本件請求項に係る発明は、甲第1、２、又は４号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであり《以上、理由−１》、また、本件請求項に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり《以上、理由−２》、更に、本件請求項に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項、第５項及び６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり《以上、理由−３》、したがって、本件請求項に係る発明の特許は取り消されるべきである、旨主張する。
（３）証　拠
　甲第１号証には、
（イ）「基板上に、下記一般式で示される四次元化合物より成る記録層を設けたことを特徴とする相変化型情報記録媒体。
一般式
　Ｘ・（ＹＩ，ＹＩＩ）Ｚ２（但しＸは周期律表第Iｂ族元素から選ばれた元素、
　　　ＹＩは第IIIｂ族元素から選ばれた元素、
　　　ＹＩIは第Vb族元素から選ばれた元素、
　　　Ｚは第VIｂ族元素から選ばれた元素を表わす。）」（特許請求の範囲第１項）、
（ロ）「本発明の目的は従来技術における上記問題点を解消し高速消去、記録感度、消去感度の向上、記録部の安定性等の特性を全て満足する新規な相転移性四次元化合物を用いたオーバーライト可能な相変化型情報記録媒体を提供しようとするものである。」（第２頁左上欄第９〜１４行）、
（ハ）「具体的にはＸとしてはＣｕ，Ａｇ，Ａｕが、ＹＩとしてはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎが、ＹＩＩとしてはＳｂ，Ｂｉが、ＺとしてはＳｅ，Ｔｅなどを挙げることができる。
　本発明の記録層に用いられる前記一般式の四元化合物はＸ又は（ＹＩ，ＹＩＩ）又はＺの各々の元素比をかえることにより融点、結晶化温度、活性化エネルギー及びその光学定数等を任意に変化させることが可能である。すなわち本発明の基礎をなすIbIIIbVIb2化合物、あるいはIbVbVIb2化合物は融点が約５００〜８００℃前後にあり、又、そのエネルギーギャップも現在多く使用されている（ＧａＡｌ）Ａｓ系半導体レーザに対して効率的に吸収可能な範囲にあるため、感度の向上及び高速消去が可能となる。
　本発明はこれら三元系化合物の有する各種物性の幅を四元素とすることにより大きく拡大することができるため現在相変化型光記録媒体が有する前記問題点を解消したものである。・・・・。以上のような本発明の新規な相転移性四元化合物の具体的な例としては、Ａｇ（ＩｎＸ・Ｓｂ１−Ｘ）Ｔｅ２、・・・・等が挙げられる。」（第２頁右上欄第７行〜右下欄第５行）、
（ニ）「実施例１
　Ａｇ２５（Ｉｎ１２．５Ｓｂ１２．５）Ｔｅ５０の組成を有するスパッタ用ターゲットを作成し、・・・ガラス基板上にスパッタ法により１０００Å厚の記録層を形成した後、保護相層として窒化ケイ素を・・・同じくスパッタ法で形成した。
　得られた記録層は非晶質であるため記録層の初期化（結晶化）をほどこした。・・・・。本記録層の融点は〜６２０℃であり、結晶化温度は〜１３０℃前後であった。又非晶質と初期化後（結晶化）の間の反射率変化は〜１８％程度であった（測定波長７８０ｎｍ）。・・・・。次に初期化後の記録媒体を１８００ｒｐｍの速度で回転させながらビーム径を１μmφ程度に絞った半導体レーザー光（発振波長λ＝７８０ｎｍ）を照射することにより、記録、再生及び消去を行った。
　なお、記録出力は記録最小パワー１１ｍＷ、再生出力は２ｍＷ、消費出力は消去最小パワー５ｍＷである。又この出力／消去条件で記録後、さらに２ＭＨｚでオーバーライト試験を行った。
　その結果、初期記録のＣ／Ｎ比は５２ｄＢでオーバーライト後も５１ｄＢと殆ど変わらなかった。又この時の消去率は３１ｄＢであり消去残りが若干認められるが、充分使用可能な段階であることが確認された。又１０，０００回の記録、消去のくり返し実験を行ったが、信号レベルの低下はほとんど認められず、くり返し特性も良好であることが確認された。」（第３頁右上欄第１９行〜右下欄第１７行）ことが記載されている。
　甲第２号証には、
（ホ）「光ビームの照射により原子配列の変化を生じさせることにより、情報が記録，消去される記録層を有する情報記録媒体において、前記記録層の平均組成がＡｇＳｂＴｅ２であることを特徴とする情報記録媒体。」（特許請求の範囲）、
（ヘ）「本発明では、上記欠点を解消し、記録，消去特性に優れた情報記録媒体を提供することを目的とする。」（第２頁左上欄第１１〜１３行）、
（ト）「（作用）
　本発明の情報記録媒体の記録層は、ＡｇＳｂＴｅ２からなる合金である。この組成の金属間化合物を形成する組成である。金属間は合金の成分元素の原子数が一定の整数比を保ち、それらの成分原子が単位となって結晶格子中で特定の位置を占めている合金である。このため、この組成の結晶は単一層となり非晶質から結晶質への相転移が起こる際、短距離の原子移動で結晶化するため、結晶化速度が極めて速い。
　またこの合金は、カルコゲン元素であるＳｅを含むため、非晶質状態を安定に保持させることができる。」（第２頁左上欄第１９行〜右上欄第１１行）、
（チ）「−実験例３−
　実験例１に示した方法により記録層組成ＡｇＳｂＴｅ２膜厚１０００Ａｎｇｓｔｒｏｍの試料を作成した（未照射部）。・・・。次いでこの記録部と未記録部の結晶状態を比較するため、透過型電子顕微鏡を用いて回折パターンを観察した。・・・回折パターンから観察したところ、レーザ光未照射部に特有のハローパターンが認められた。また記録部では、未記録部に近い非晶質特有のハローパターンが認められた。さらに未記録部では、結晶構造を示す回折リングとスポットができていることが観察された。」（第３頁右上欄第１５行〜左下欄第１３行）ことが記載されている。
　甲第３号証には、
（リ）「本発明はレーザービームなどの照射により記録材料の相変化を利用して情報を記録・消去する光記録媒体に関する。」（第１頁左下欄第１４〜１６行）、
（ヌ）「本発明の目的は、長期にわたって安定した記録状態を維持でき、かつ高速で記録・消去ができる光記録媒体を提供することにある。」（第２頁左上欄第１２〜１４行）、
（ル）「実施例３
　記録層として、ＡｇＩｎＴｅ２の代わりに、ＡｇＳｂＴｅ２を用いた以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製した。・・・・。次に、記録情報を含む出力１６ｍＷ、パルス幅４５ｎｓのレーザービームを照射し、急速冷却して記録膜を非晶質化し、記録ピットを形成して情報の書き込みを行った。その後、記録膜に出力６ｍＷ、パルス幅４５ｎｓのレーザーを照射してその結晶化温度以上に加熱することにより、容易かつ高速に情報を消去することができた。」（第３頁左下欄第１５行〜右下欄第８行）ことが記載されている。
　甲第４号証には、
（ヲ）「（１）式：（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙＭｙ〔ここで、ｘは、０．４≦ｘ＜０．７の数であり、ｙは、ｙ≦０．２の数であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素である。〕で表される組成の合金からなる記録層を有する光記録媒体。」（特許請求の範囲）、
（ワ）「本発明の目的は、・・・。特に、記録の長期保存性と記録の高速消去性を兼ね備えた書換型レーザー光記録媒体を提供することにある。」（第２頁右上欄第５〜９行）、
（カ）「また、元素Ｍの添加により、合金膜の結晶化温度が高まり非晶質状態の安定性が向上し（特に、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｅ及びＳｉが効果的で、中でもＡｓ、Ｇｅが好ましい。）、またレーザー光照射による結晶化ひいては消去の一層の高速化が達成される（特に、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｎ及びＺｎが効果的で、中でもＧｅ，Ｉｎが好ましい。）が、この元素Ｍの割合を示すｙが０．２を超えると、書込と消去の安定した繰り返し性が損なわれる。」（第２頁左下欄第１６行〜右下欄第５行）、
（ヨ）「実施例２
　式（１）における元素Ｍとして、Ｇｅの代わりにＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ又はＺｎを使用した以外は、実施例１と同様にして記録媒体を製造し評価した。実施例１と同等の性能が確認された。中でも、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｎ及びＺｎは高速消去性の向上に特に有効であり、Ａｓ、Ｓｅ及びＳｉは書込状態の安定性向上に特に有効であることがわかった。」（第４頁右下欄第８〜１６行）ことが記載されている。
　甲第５号証には、
（タ）「次にＡｇＳｂＴｅ２系の相をＭ相とする場合を例にして説明すると、本発明にかかる記録層はＡｇＳｂＴｅ２系の相（Ｍ相）と、Ｌ系の相とが混相の状態で存在している。」（第４頁右下欄第１３〜１６行）ことが記載されている。
　
（３）対比、判断
　ここでは、前記訂正後の請求項に係る発明について、対比、判断する。
《理由−１について》
その−１
　本件請求項に係る発明（以下、「本件発明」という）と、甲第１号証に記載のものとを対比する。
　甲第１号証に記載のものは、前記（イ）で示されるとおり、基板上に一般式で示される四元化合物よりなる記録層を設けた相変化型情報記録媒体に関するものであって、その一般式の化合物として、前記（ニ）で示されるとおり、Ａｇ２５（Ｉｎ１２．５Ｓｂ１２．５）Ｔｅ５０を用いるものであり、また、その記録層は、前記（ニ）で示されるように、レーザー光により記録、消去を行なうものである。そして、甲第１号証のこの記録層は、前記（イ）で示されるとおり、相変化型のものとして用いられ、且つ、前記（ニ）で示されるとおり、非晶質（非晶質状態）と結晶化（結晶状態）の複数の状態となるものであって、他に、第三の状態を採りうることが示されず、更に、その初期化においては結晶化されるのであるから、結局、甲第１号証の記録層は、記録時には非晶質を形成し、また、消去時には、結晶化をなすものと解され、この場合、甲第１号証でいう非晶質と、本件発明でいうところのアモルファスと同様な意味で用いられているものであると解される。
　よって、両者は、
「基板上に記録層が形成されており、その記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎを含有し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時に結晶化する光情報記録媒体」である点で、軌を一にする。
　しかし、本件発明は、該記録層において、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化するという構成を、更に、具備するものであるが、甲第１号証のものは、結晶化するとしても、記録層の層全体が一様に結晶化するのか、ないしは、一部が結晶化するのか等、その結晶化の詳細が示されず、したがって、本件発明のように、ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することまでについては示されないものである。
　
　この点に関し、特許異議申立人は、甲第１号証には、前記（ハ）で示されるとおり、その発明の四元化合物は、IbIIIbVIb2化合物、あるいはIbVbVIb2化合物を基礎となす化合物であることを指摘するが、そもそも、その基礎となす化合物としては、当該「ＡｇＳｂＴｅ２相」のＡｇＳｂＴｅ２を包含し得ないIbIIIbVIb2化合物であることも考えられるのであって、そのものが、ＡｇＳｂＴｅ２を包含しうるIbVbVIb2化合物であると限定的に解することなどとてもできるものではなく、その上、甲第１号証には結晶化の詳細が示されないのであるから、甲第１号証の記載からは、消去時に、四元化合物よりなる記録層から三元化合物相が結晶化すること、及び、三元化合物相としてＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することが甲第１号証の記載からは導き出せないものである。
　また、甲第１号証には、その四元の元素比をかえることができる旨記載されることを指摘するが、甲第１号証では、具体的には、その実施例１〜３に示されるように、四元の元素の内のＩｎとＳｂの含有量を僅かに変更する例が示されるだけで、四元の元素を広範囲に変えることまでが実際に示されるものでなく、そもそも、そのように元素比を変えることから、結晶状態を推定するには無理がある。
　この他、特許異議申立人は、通常安定な結晶は、含有元素が簡単な整数比となる旨、指摘するものであり、このことに加え、甲第２及び３号証には、ＡｇＳｂＴｅ２からなる記録層が示されるとしても、これらのことから、甲第１号証の四元化合物よりなる記録層から三元化合物相が結晶化すること、及び、三元化合物相としてＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することが導き出せないものである。
　また、以上のことを総合しても、上記相違点に関する構成を導き出すことができない。
　
　してみれば、本件発明は、記録層において、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化するのに対し、甲第１号証のものではこのことが示されず、この点で、両者は相違する。
　そして、本件明細書によれば、本件発明は、上記相違点に関する構成を採択することにより、その余の構成と相俟って、特に、オーバーコート時の消去比が飛躍的に向上し、記録感度の点で高感度化が達成されるという、顕著な効果を奏したものである。
　したがって、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるということができない。
　
その−２
　本件発明と甲第２号証に記載のものとを対比する。
　甲第２号証のものは、前記（ホ）に示されるとおり、光ビームの照射により、情報が記録，消去される記録層を有する情報記録媒体において、記録層の平均組成がＡｇＳｂＴｅ２である情報記録媒体に関するものであり、また、前記（ト）で示されるように、記録層に非晶質から結晶質への相転移が起こるものであって、前記（チ）で示されるように、未記録部では結晶構造を示すものであるから、この記録層は、本件発明と同じように、記録時に一様なアモルファス層を形成し、消去時には結晶化するものであると解される。また、記録層を形成する場合、基板を用いることは当然のことである。
　したがって、両者は、
「基板上に記録層が形成されており、その記録層が記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時に結晶化する光情報記録媒体」である点で軌を一にするものである。
　しかし、本件発明は、記録層が、「 Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有」し、消去時には、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化するものであるが、甲第２号証に記載のものは、記録層の平均組成がＡｇＳｂＴｅ２であるだけであって、本件発明のように上記特定の元素からなる四元元素につき示されず、また、当然のこととして、上記相分離についても示されないものである。
　特許異議申立人は、甲第２号証には、前記（ト）で示されるように、「またこの合金は、カルコゲン元素であるＳｅを含むため、非晶質状態を安定に保持させることができる」ことが記載される旨、更に主張する。確かに、ここでは、Ｓｅ元素が表示されるものの、この箇所の記載は、特許請求の範囲に関する構成の作用を説明するところであるところ、その特許請求の範囲においては、Ｓｅ元素につき規定するものでなく、また、この甲号証の他の箇所においても、Ｓｅ元素につき、記載されることは皆無であり、このことからみると、該Ｓｅ元素の記載は、そこでの発明の記録層の平均組成であるところの、ＡｇＳｂＴｅ２中の、カルゴゲン元素のＴｅをＳｅと書き誤ったものであると解するのが相当である。してみれば、上記主張に合理性はない。
　そして、本件発明は、上記その−１で説明したように、かかる構成を採択することにより、顕著な効果を奏したものである。
　してみれば、本件発明は、記録層が、「 Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有」し、消去時には、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化するものである点で、甲第２号証に記載のものに対して、別異の発明を構成する。
　したがって、本件発明は、甲第２号証に記載された発明であるということができない。
　
その−３
　本件発明と甲第４号証に記載のものとを対比する。
　甲第４号証のものは、前記（ヲ）で示されるとおり、式：（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙＭｙ〔ここで、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素である。〕で表される組成の合金からなる記録層を有する光記録媒体に関する発明であるが、そこでは、記録層が、ＳｂとＴｅとＭの三元化合物の合金からなる記録層が示されるだけであって、本件発明のように、記録層が、「 Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有」し、消去時には、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」することにつき記載されることころはなく、これらの点で、両者は相違する。
　ただし、甲第４号証では、上記式のＭが少なくとも一種の元素を選択しうる旨の示されるが、そこでは、Ｍの元素として、実際に複数の元素を用いた例がなく、また、複数の元素を選ぶことに関し何らの説明もなく、結局、甲第４号証に記載のものでは、実際には、記録層の合金をＳｂＴｅＭの三元化合物から構成することが示されているだけで、本件発明のような特定の元素の組合わせからな四元化合物についてまで示唆するものでない。
　そして、本件発明は、上記その−１で説明したように、上記相違点に関する構成を採択することにより、顕著な効果を奏したものである。
　してみれば、本件発明は、記録層が、「 Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有」し、消去時には、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化する点で、甲第４号証に記載されたものに対して、別異の発明を構成するものである。
　したがって、本件発明は、甲第４号証に記載された発明であるということができない。
　
《理由−２について》
　本件発明と甲第１号証の記載を対比すると、上記《理由−１について》その−１で示したとおり、本件発明は、該記録層において、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化するという構成を、更に、具備するものであるが、甲第１号証では、結晶化するとしても、記録層の層全体が結晶化するのか、ないしは、一部が結晶化するのか等、その結晶化の詳細が示されず、したがって、ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することについては何も記載されないものであり、この点で、両者は相違する。
　以下、この相違点が当業者の容易に想到できるか否かにつき検討する。
　本件明細書の記載によれば、本件発明は、記録層において、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化するという構成を具備することにより、その余の構成と相俟って、特に、オーバーコート時の消去比が飛躍的に向上し、記録感度の点で高感度化が達成されるという、顕著な効果を奏したものであり、このことは、《理由−１について》その−１において記載したとおりである。
　これに対して、甲第１号証においては、その記録層に、Ａｇ（ＩｎＳｂ）Ｔｅの四元化合物を用いるものの、消去時の結晶化に際しては、その四元元素よりなる記録層において、四元化合物からＡｇＳｂＴｅの三元素系のものが独立した挙動を示すこと、三元系化合物としてＡｇＳｂＴｅ２が形成されること、そして、ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離することが何も示唆されず、したがって、甲第１号証のものから、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化し、そのことにより、オーバーコート時の消去比、及び、記録感度の高感度化を改善することにつき、教示されるものは何もない。
　次に、甲第２〜４号証の記載をみると、甲第２及び４号証には、《理由−１について》その−２及びその−３で示したとおり、上記相違点に関す構成は記載されず、また、示唆されないのであり、そして、甲第３号証においては、ＡｇＳｂＴｅ２等の三元化合物からなる記録層が示されるだけであって、消去時に、四元化合物からＡｇＳｂＴｅ２の三元化合物相が相分離することが何も示されない。
　してみれば、甲第１〜４号証の記載からは、上記相違点にかかる構成であって、オーバーコート時の消去比、及び、記録感度の高感度化を改善するところの、記録層において、「ＡｇＳｂＴｅ２相が相分離」して結晶化することが容易に想到することができない。
　したがって、本件発明は、甲第１〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるということができない。
　
《理由−３について》
　特許異議申立人のここでの主張は、（ａ）本件請求項１に「一様なアモルファス」との記載があり、このことが、発明の詳細な説明において、当業者が容易に実施できる程度に記載されていない、（ｂ）本件請求項１に「アモルファス層」との記載があるが、それを支持する記載が発明の詳細な説明中に全くみられず、特許請求の範囲の記載が、発明の詳細な説明に記載したものではない、というものである。
　以下、上記の主張につき検討する。
（ａ）について
　一様なアモルファスについては、本件明細書に、
「オーバーライトした記録層の記録部、消去部のそれぞれに電子線回析を行ったところ、記録部についてはアモルファス特有のブロードなリングパターンが観察された。これに対して消去部については記録部と似たリングパターンに加え、明確な回析斑点が見られた。この回析斑点はＡｇＳｂＴｅ2の面間隔と一致しており、消去時にＡｇＳｂＴｅ2が相分離していることが確認された。また記録部のリング径と消去部のリング径とは異なっており、違ったアモルファス状態になっていることがわかる。したがって、実施例１のディスクでは本発明の特徴であるアモルファス(Ag-In-Te-Sb)←→ＡｇＳｂＴｅ2＋アモルファス(In-Te-Sb)なる相分離が記録←→消去でおこっていることがわかる。」（段落００１７）と記載され、記録層において、記録時において、アモルファス特有のブロードなリングパターンが観察され、一方、消去時には、これと似たリングパターンに加え、ＡｇＳｂＴｅ2の回折点がみられると記載され、このように、記録時の一様なアモルファス状態が説明され、消去の状態とは、区別できる程度に説明されるものである。
　勿論、明細書において、これ以上の、詳細かつ具体的な説明があれば、より容易に本件発明を実施できるものであるが、上記するように、明細書には、一様なアモルファス状態が説明され、また、消去時の状態とは区別できる程度に説明されているのであるから、一様なアモルファスに関し、本件明細書（発明の詳細な説明）には、容易に実施できる程度に発明が記載されていないとまでいえるものではない。
　また、この点に関し、特許異議申立人は、本件発明と同一の出願人に係る出願であって、発明者の一部が同一である発明の出願につき、その公開公報に相当する甲第５号証に、本件と同様にＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、及び、Ｉｎからなる情報記録媒体の記録層が記載され、その記録層では、ＡｇＳｂＴｅ２と他の相（ＩｎＳｂＴｅ）とが混晶となり、一様なアモルファスになるとは記載されていない旨、指摘する。
　しかし、甲第５号証においては混晶と記載されているとしても、本件明細書では、記録時のものを一様なアモルファスというものであって、その記録時の状態を、上記したとおり、アモルファス特有のブロードなリングパターンを観察することにより確認するものであり、他に、技術常識からみてそのことが不明瞭であるとまでいえるものでなく、したがって、本件発明の記載に基づけば、一様なアモルファスに関し、本件発明を実施することが格別困難とはいえないものである。
　してみれば、甲第５号証に、仮に、特許異議申立人のいうような事項が記載されているとしても、一様なアモルファスに関し、本件明細書（発明の詳細な説明）に、容易に実施できる程度に発明が記載されていないとまでいえるものではない。
（ｂ）について
　前記２．の箇所で記載したとおり、本件請求項１の「アモルファス層」は、誤記の訂正を目的として、「アモルファス相」と訂正されたものであり、したがって、アモルファスに関し、結果的には、特許請求の範囲の記載が、発明の詳細な説明に記載したものではないとはいえない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する
【異議決定日】
平成１３年４月２６日（２００１．４．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件特許第３０３２６００号の明細書について、下記のとおり訂正する。
特許請求の範囲における、
「基板上に記録層が形成されており、その記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス層を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することを特徴とする光情報記録媒体。」を、誤記の訂正を目的として、
「基板上に記録層が形成されており、その記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することを特徴とする光情報記録媒体。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光情報記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に記録層が形成されており、その記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化することを特徴とする光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は光情報記録媒体に関し、詳しくは、光ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ、書換えが可能ないわゆる相変化型光情報記録媒体に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　電磁波、特にレーザービームの照射による情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一つとして、結晶−非晶質層間あるいは結晶−結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化型記録媒体がよく知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純であることなどから最近その研究開発が活発になっている。その代表的な記録材料としては、ＵＳＰ３，５３０，４４１に開示されているような、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげられる。又、安定性、高速結晶化などの向上を目的にＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０）等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８）の提案などもなされている。しかしながら、そのいずれもが相変化型書換え可能光メモリー媒体として要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえない。
　【０００３】
　また、特開昭６３−２５１２９０号公報には、結晶状態が実質的に三元以上の多元化合物単相からなる記録層を形成した光情報記録媒体（以降「光記録媒体」と略記することがある）が提案されている。ここでの“実質的に三元以上の多元化合物単相”とは、三元以上の化学量論組成をもった化合物（例えばＩｎ３ＳｂＴｅ２など）を記録層中に９０原子％以上含むものとされている。そして、このような記録層を用いることにより、高速記録、高速消去が可能となるとしている。だが、このものでは記録、消去に要するレーザーパワーは未だ充分ではなく、消去比も低い（消し残りが大きい）等の欠点を有している。
　【０００４】
　更に、特開平１−２７７３３８号公報には（ＳｂａＴｅ１−ａ）１−Ｙ　ＭＹ（ここで０．４≦ａ＜０．７、Ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群がら選ばれる少なくとも１種である。）で表される組成の合金からなる記録層を有する光記録媒体が提案されている。この系の基本はＳｂ２Ｔｅ３であり、Ｓｂ過剰にすることにより、高速消去、繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により高速消去を促進させている。加えて、ＤＣ光による消去率も大きいとしている。しかし、この文献にはオーバーライト時の消去率は示されておらず（本発明者らの検討結果では消し残りが認められた）、記録感度も不十分である。
　【０００５】
　同様に、特開昭６０−１７７４４６号公報では記録層に（Ｉｎ１−Ｘ　ＳｂＸ）１−Ｙ　ＭＹ（０．５５≦Ｘ≦０．８０、０≦Ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、また、特開昭６３−２２８４３３号公報では記録層にＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いているが、いずれも感度、消去比等の特性を満足するものではない。
　これまでみてきたように、光記録媒体においては、特に記録感度、消去感度の向上、オーバーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となっている。
　中でも、レーザー光照射時間が１００ｎｓｅｃ以下という条件下で光記録媒体面でのレーザー書き込みパワーについては、現在までの報告例のいずれもが、１５ｍＷ程度以上のパワーを必要としており、転送速度向上のためには大きな障壁となっている。それに加え、記録、消去の繰返し時に発生する熱により、記録層、耐熱保護層等が損傷を受け、特性劣化を招来することから、繰返し性能向上に対しても大きな障害となっている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、上記のような欠点、不都合を解消し、良質の相変化型光情報記録媒体を提供するものである。
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板上に記録層が形成されたものであって、記録層がＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅと共に、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を含有し、記録時に一様なアモルファス相を形成し、消去時にＡｇＳｂＴｅ２相が相分離して結晶化する事を特徴としている。
　本発明者らは、記録層材料として前記のような相変化を行うものを用いれば前記課題を達成しうることを確かめた。本発明はそれによりなされたものである。
　【０００７】
　本発明をさらに詳細に説明すると、本発明に係る記録層は構成元素としてＡｇ、Ｓｂ、Ｔｅを含むものである。これらに加えてＩｎ、Ｇｅ、Ｓｅの少なくとも一種を構成元素としている。これらの元素は記録時には一様なアモルファス相を形成している。一方、消去時にはＡｇＳｂＴｅ２相とＸ相に分相して結晶化する。この場合ＡｇＳｂＴｅ２相は結晶化するが、Ｘ相は結晶化してもアモルファス状態でもよい。Ｘ相は単相でもよいし、複数の相でもよい。Ｘ相としては、Ａｇ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎなどの単元素からなるものや、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅなどの多元素からなるものがある。Ｘ相としては光吸収係数が１０２ｃｍ−１以上のものが望ましい。また、記録層には他の不純物（例えば酸素など）が微量（１原子％以下）含まれていてもよい。
　この様な記録層はスパッタリング、蒸着などの薄膜製膜法によって基板上に製膜する。基板上に堆積した膜はアモルファス状態であることが多いが、これを熱処理してＡｇＳｂＴｅ２相とＸ相に相分離させることにより初期化する。熱処理方法としてはレーザービームによる方法、ヒーターによる方法などがある。レーザービームによる場合、レーザービーム強度、基板（ディスク）回転数を制御することにより熱処理条件を任意に選択できるため好適である。
　【０００８】
　ところで、記録パワー（Ｐｗ）のレーザービームを照射した場合、記録層のＡｇＳｂＴｅ２相とＸ相は溶融後急冷されて一様なアモルファス状態になる。つぎにこのアモルファス状態の記録部に消去パワー（Ｐｅ）のレーザービームを照射すると初期化の場合と同様にＡｇＳｂＴｅ２相とＸ相に相分離してＡｇＳｂＴｅ２の結晶化が起こる（消去）。この様に消去時に一様なアモルファス相からの相分離でＡｇＳｂＴｅ２相ができ、これが結晶化することにより、ディスクの反射率が変化して、ここに記録、消去が行われると共に、著しく高い消去比が得られるようになる。
　【０００９】
　高い消去比が得られるメカニズムは必ずしも明確にはなっていないが、つぎのように考えることができる。ＡｇＳｂＴｅ２は元々結晶化しやすい物質であるため、相分離によってＡｇＳｂＴｅ２を得ることで高消去率が期待できる。逆に結晶化しやすいために記録時（アモルファス状態）での安定性に問題があった。ところが本発明の記録層では記録部の状態はＡｇＳｂＴｅ２（アモルファス）とは異なった状態（例えばＡｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ）であるため、安定性を改善することができる。つまりこの系では記録、消去の過程が単純な結晶化過程ではなくて、結晶化スピードの速いＡｇＳｂＴｅ２相の相分離過程になっているために、結晶化スピードが速く（つまり高い消去比が得られる）なおかつ記録状態が安定になっていると思われる。ここでの相分離の起こり易さはアモルファス状態の組成、従って相分離で生じるＸ相に依存する。前述のようにＸ相としてはいろいろな系を用いることができるが、高消去率の点でＩｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどが好適である。またＸ相は記録層の熱伝導率にも影響を与えるため、Ｘ相の組成を選択することによりオーバーライトモードでのＣ／Ｎ、消去率を改善することができる。
　【００１０】
　本発明に係る記録層によれば、（１）光吸収率が大きくなり、記録、消去感度が向上する。
　（２）転移前後の光学的コントラストが大きくなりＣ／Ｎが向上する。
　（３）オーバーライト時の消去比が飛躍的に向上する。
等も認められた。
　本発明の光情報記録媒体は、基本的には、かかる記録層が２００〜１００００Å厚、好ましくは５００〜３０００Å厚、更に好ましくは７００〜２０００Å厚で基板上に形成されたものからなっている。
　本発明で用いられる基板は通常、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト等の点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等があげられるが、加工性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。又、基板の形状としてはディスク状、カード状あるいはシート状であってもよい。
　【００１１】
　本発明の光情報記録媒体には、必要に応じて、耐熱保護層、表面保護層、反射層、放熱層、接着層等の補助層が設けられてもよい。
　耐熱性保護層の材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物があげられる。必要に応じては、不純物を含んでいてもよい。このような耐熱性保護層は各種気相成膜法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成できる。
　【００１２】
　耐熱性保護層の膜厚としては２００〜５０００Å、好適には５００〜３０００Åとするのがよい。２００Åより薄くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、逆に５０００Åより厚くなると、感度低下をきたしたり、界面剥離を生じやすくなる。又、必要に応じて保護層を多層化することもできる。
　反射層と放熱層を兼ねるものとして、Ａｌ、Ａｕなどの薄膜（２００〜２０００Å厚くらい）が用いられる。
　本発明における相変化材料は単層のみならず、多層膜あるいは超微粒子状の相変化物質を耐熱性マトリックス中に分散せしめたようなものであってもよい。
　記録層の製膜法としては、前記気相成膜法以外にゾル−ゲル法のような湿式プロセスも適用可能である。
　【００１３】
　気相成膜法の中では、膜の特性、成膜の容易さ等の点で高周波（ｒｆ）スパッタ法が好適な方法である。
　ｒｆスパッタ法の代表的な記録層作製条件としては、
　ターゲット：（ＡｇＳｂＴｅ２）（Ｉｎ１−５Ｓｂ３−５Ｔｅ）
　スパッタ（反応）時圧力：０．５〜２０Ｐａ
　ｒｆパワー：２０Ｗ〜１ＫＷ
　スパッタガス：Ａｒ＋（Ｏ２：膜中酸素量制御時）
　スパッタ時間：１０秒〜２０分等が挙げられるが、製膜法及び条件については何ら限定されるものではない。
　記録、再生及び消去に用いる電磁波としては、レーザー光、電子線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波等種々のものが採用可能であるが、ドライブに取り付ける際、小型でコンパクトな半導体レーザーのビームが最適である。
　【００１４】
　【実施例】
　以下、実施例および比較例によって本発明を具体的に説明する。
　実施例１、比較例１及び２
　ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付きで、厚さ１．２ｍｍの８６ｍｍφのポリカーボネート基板上にｒｆスパッタリング法により下部（基板側）耐熱保護層、記録層、上部耐熱保護層、反射層を順次積層し、３種類の評価用光ディスクを作製した。各層に用いた材料と膜厚とを下記表１に示した。なお共通して、下部耐熱保護層としてはＳｉ３Ｎ４、（約２０００Å厚）、上部耐熱保護層としてはＳｉ３Ｎ４、（約１０００Å厚）、反射層としてはＡｌ（約５００Å厚）とした。光ディスクの評価は８３０ｎｍの半導体レーザー光をＮＡ０．５のレンズを通して記録層面で約１μｍφのスポット径にしぼり込み基板側から照射することにより行った。
　成膜後の記録膜は非晶質であったが、測定に際し最初に記録層面で４〜１０ｍＷのＤＣ光でディスク全面を十分に結晶化させ、それを初期（未記録）状態とした。ディスクの線速度は７ｍ／ｓｅｃとした。
　記録の書き込み条件は、線速度７ｍ／ｓ、周波数４ＭＨｚ一定とし、レーザーパワー（Ｐｗ）を７〜１４ｍＷまで変化させた。
　読み取りパワー（Ｐｒ）は１．０ｍＷとした。Ｃ／Ｎ（キャリア対ノイズ比）値が飽和もしくは最大となった時のレーザーパワー（Ｐｗ）と最適消去パワー（Ｐｅ）、並びに、得られたＣ／Ｎ値及び消去比をも併せて表１に示す。
　【００１５】
　【表１】
　続いて、オーバーライト特性を評価した。方法は２つの書き込み周波数ｆ１＝４ＭＨｚ、ｆ２＝５ＭＨｚで交互にオーバーライトを実施した。また、オーバーライト時の書き込みパワー（Ｐｗ）及び消去パワー（Ｐｅ）はディスク７によって最適な値を選択した。その他の条件は書き込みテスト時と同様にした。表２にその結果を示す。
　【００１６】
　【表２】
　【００１７】
　また、オーバーライトした記録層の記録部、消去部のそれぞれに電子線回析を行ったところ、記録部についてはアモルファス特有のブロードなリングパターンが観察された。これに対して消去部については記録部と似たリングパターンに加え、明確な回析斑点が見られた。この回析斑点はＡｇＳｂＴｅ２の面間隔と一致しており、消去時にＡｇＳｂＴｅ２が相分離していることが確認された。また記録部のリング径と消去部のリング径とは異なっており、違ったアモルファス状態になっていることがわかる。したがって、実施例１のディスクでは本発明の特徴である
　　　アモルファス←→ＡｇＳｂＴｅ２−アモルファス
　　　（Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ）　　　（Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ）
なる相分離が記録←→消去でおこっていることがわかる。
　【００１８】
　【発明の効果】
　実施例の記載からも明らかなように、本発明は相変化型光記録媒体として優れた性能を有し、特にオーバーライト時の消去比が飛躍的に向上しており、更に、記録感度の点で高感度化が達成される。