【事件の表示】
　特許第２７０８１７９号「レジンモールド型高周波用半導体装置およびその製造方」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７０８１７９号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７０８１７９号の請求項１乃至７に係る発明は、昭和６３年７月６日に出願され、平成９年１０月１７日にその特許権の設定の登録がなされ、その後、松下電器産業株式会社により特許異議の申立がなされ、平成１１年３月２日に取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年５月１０日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　訂正事項ａ−１
　特許明細書の特許請求の範囲の【請求項３】の全記載を、「高周波領域で用いられるダイオードであって、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたことを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオード。」と訂正する。
　訂正事項ａ−２
　特許明細書の特許請求の範囲の【請求項１】の全記載を、「前記半導体ペレットおよび前記リードのインナーリード部がレジンモールドパッケージ内にモールドされて封入され、前記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、前記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のレジンモールド型高周波用ダイオード。」と訂正する。
　訂正事項ａ−３
　特許明細書の特許請求の範囲の【請求項２】の全記載を、「相互に対向し合う前記インナーリード部どうしの間の距離が０．２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２記載のレジンモールド型高周波用ダイオード。」と訂正する。
　訂正事項ｂ−１
　特許請求の範囲の【請求項４】の全記載を、「高周波領域で用いられるダイオードの製造方法であって、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とをワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入することを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法。」と訂正する。
　訂正事項ｂ−２
　特許請求の範囲の【請求項５】の記載中の「半導体装置」を「ダイオード」と訂正する。
　訂正事項ｂ−３
　特許請求の範囲の【請求項６】の記載中の「半導体装置」を「ダイオード」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の【請求項７】の全記載を、
「高周波領域で用いられるダイオードの製造方法であって、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモードパッケージ内にモールドして封入することを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　明細書の第２頁第１７行及び第１９行、第４頁第６〜７行、第６頁第１１〜１２行及び第２０行、第７頁第１２行、及び第１３〜１４行、第８頁第１８〜１９行、第１０頁第７行及び第１９行、第１１頁第１２行、第１２頁第１５〜１６行、第１３頁第１４〜１５行、第１４頁第７行の「半導体装置」を、「ダイオード」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　明細書第４頁第１４行〜第５頁第８行を、「本発明によるレジンモールド型高周波用ダイオードは、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたことを特徴とする。また、本発明によるレジンモールド型高周波ダイオードは、前記パッケージのレジン厚が0.7mm以下、前記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が0.2mm以下となるよう構成されているものである。さらに、本発明によるレジンモールド型高周波ダイオードは、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置して構成される。
　また、本発明によるレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法は、リードのインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とをワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入するものである。そして、本発明のレジンモールド型高周波ダイオードの製造方法は、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入するものである。」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　第５頁第１０〜１７行を、「前記した本発明のレジンモールド型高周波用ダイオードによれば、相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットが配置されているので、半導体ペレットの電極部とインナーリード部との間に接続されるワイヤの延長方向はリードの延在方向となり、高周波特性が良好となる。また、パッケージのレジン厚およびリードのインナーリード線の実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が前記の如くそれぞれ0.7mm以下および0.2mm以下とされていることにより、レジンモールドされたパッケージを用いているにもかかわらず、高周波特性としても所要の特性を備えているものである。」と訂正する。
　訂正事項ｇ
　発明の名称を「レジンモールド型高周波用ダイオードおよびその製造方法」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ−１は、
「レジンモールド内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置するようにしたことを特徴とするレジンモールド型高周波用半導体装置」を、レジンモールド型高周波用ダイオードであって、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたものに限定するものであり、
また、上記レジンモールド型高周波用ダイオードは、本件特許明細書又は図面に記載されているから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ａ−２は、
「半導体ペレットおよびリードのインナーリード部がレジンモールドパッケージ内にモールドされて封入され、前記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、前記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下であることを特徴とするレジンモールド型高周波用半導体装置」を、「レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたレジンモールド型高周波用ダイオード」であって、上記半導体ペレットおよび上記リードのインナーリード部が、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入され、上記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、上記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下であるものに限定するものであり、
また、上記レジンモールド型高周波用ダイオードは、本件特許明細書又は図面に記載されているから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ａ−３は、
「相互に対向し合う前記インナーリード部どうしの間の距離が０．２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２記載のレジンモールド型高周波用ダイオード」を、「レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたレジンモールド型高周波用ダイオード」であって、上記半導体ペレットおよび上記リードのインナーリード部が、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入され、上記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、上記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下、相互に対向し合う前記インナーリード部どうしの間の距離が０．２５ｍｍ以下であるものに限定するであり、
またレジンモールド型高周波用ダイオードであって、上記相互に対向し合う前記インナーリード部どうしの間の距離が０．２５ｍｍ以下であるものは、本件特許明細書又は図面に記載されているから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｂ−１は、
製造対象物をレジンモールド型高周波用ダイオード、及び「リードのうち相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とを導電材で接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、および導電材をレジンモールドパッケージ内にモールドして封入する」を「リードのうち相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とをワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入する」と限定するものであり、
また、レジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法であって、「リードのうち相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とをワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入する」ものは、本件特許明細書又は図面に記載されているから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｂ−２及びｂ−３は、
特許請求の範囲の請求項４の訂正に対応した訂正であり、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｃは、
製造対象物をレジンモールド型高周波用ダイオードダイオード、及び「リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモードパッケージ内にモールドして封入する」を「リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモードパッケージ内にモールドして封入する」と限定するものであり、
またレジンモールド型高周波用半導体装置の製造方法であって、「リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモードパッケージ内にモールドして封入する」ものは、本件特許明細書又は図面に記載されているから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、
特許請求の範囲の訂正に対応した訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
（３）独立特許要件
　訂正後における特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された発明（以下、「本件の請求項１乃至７に係る発明」という。）は、次の「３．特許異議申立についての判断」において示すように特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。
（４）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項の規定、及び同条第３項で準用され、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされることにより適用される、この改正する法律による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２〜３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立についての判断
（１）本件の請求項１乃至７に係る発明
　本件の請求項１乃至７に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載よりみて、請求項１乃至７に記載された次の事項により特定されるものである。
【請求項１】　高周波領域で用いられるダイオードであって、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたことを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオード。
【請求項２】　前記半導体ペレットおよび前記リードのインナーリード部がレジンモールドパッケージ内にモールドされて封入され、前記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、前記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のレジンモールド型高周波用ダイオード。
【請求項３】　相互に対向し合う前記インナーリード部どうしの間の距離が０．２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２記載のレジンモールド型高周波用ダイオード。
【請求項４】　高周波領域で用いられるダイオードの製造方法であって、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とをワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入することを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法。
【請求項５】　前記リードのインナーリード部と前記半導体ペレットとが略同一高さに位置していることを特徴とする請求項４記載のレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法。
【請求項６】　レジンモールド前の前記半導体ペレットが、該半導体ペレットの電極部と前記相互に対向し合う前記インナーリード部それぞれとの間に張設されたボンディングワイヤで吊持されることを特徴とする請求項４記載のレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法。
【請求項７】　高周波領域で用いられるダイオードの製造方法であって、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモードパッケージ内にモールドして封入することを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法。
（２）申立理由の概要。
　異議申立人の松下電器産業株式会社は、甲第１号証として特開昭６３−７９３５３号公報、甲第２号証として特開昭６２−２８１４５８号公報及び甲第３号証として特開昭６１−１４８８４９号公報を提出して、次の理由により本件請求項１乃至７に係る発明は、取り消されるべきである旨主張する。
　理由１
　本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載されたものであるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
　理由２
　本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　理由３
　本件請求項２に係る発明は、甲第１号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　理由４
　本件請求項３に係る発明は、甲第１号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　理由５
　本件請求項３に係る発明は、甲第１乃至３号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　理由６
　本件請求項４乃至６に係る発明は、甲第１乃至３号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　理由７
　本件請求項７に係る発明は、甲第１号証に記載されたものであるから、その特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
　理由８
　本件請求項７に係る発明は、甲第１号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（３）甲各号証に記載の事項
　甲第１号証には、
「取付基体に取り付けらたれたペレットを樹脂封止してなる半導体装置であって、前記樹脂の少なくとも一部に多数の微小中空体を混入したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲１）、
「前記半導体装置がガリウム・ヒ素ショットキダイオードであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲２）、
「本発明は、樹脂封止型の半導体装置、とりわけ高周波用ないしは超高周波用の樹脂封止型半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。」（１頁下左欄１８〜２０行）、
「上述した構成からなるＧａＡｓショットキダイオードの製法を簡単に説明すれば、下記の通りである。
　まず、Ａｇペーストなどの接着剤を使用してリードフレーム２の一方のリードにペレット１を取付け、次いで、このペレット１と他方のリードとの間にＡｕワイヤ３をボンディングする。
　その後、あらかじめ前記ガラス微小中空球５を混入させたエポキシ樹脂をディスペンサなどでポッティングし、これを加熱・硬化することにより、半導体ペレット１やワイヤ３の封止を行う。
　次にトランスファモールド法によりエポキシ樹脂からなる矩形のパッケージ４を形成し、最後にリードフレーム２のリードを所定の長さに切断して外部リード成形を行えば、半導体装置の製造は完了する。」（２頁下左欄１９行〜右欄１４行）、
「ポッティング樹脂中に絶縁物であるガラスを成形加工した多数のガラス微小中空球が混入されていることにより、樹脂の密度が大幅に小さくなるため、その比誘電率が実効的に低減する。従って、パッケージの浮遊容量が低減し、高周波特性の良好な樹脂封止型ＧａＡｓショットキダイオードが得られる。」（２頁下右欄１７行〜３頁上左欄３行）と記載されている。
　甲第２号証には、「長手方向の一方の側を出力端子とし他方の側の端部に半導体素子チップを搭載する第１のリードと、長手方向の一方の側を入力用端子とする第２のリードと、中央部からそれぞれ反対方向に延在する両方の側のうち少なくとも１つを入力及び出力の共通端子とする第３のリードと、前記チップ上に形成される半導体素子の電極パッドと第２及び第３のリードとをそれぞれ電気接続する金属細線とを有し、第１のリードと第２のリードとが第３のリードの中央部を挟んで十字形に配置されて成る樹脂封止型の高周波トランジスタにおいて、第１のリードのチップ搭載端と対向する第３のリード部分に凹形の切り欠き部を設け、この切り欠き部によって前記チップをほぼ３方向から囲み、前記チップ上の共通電極パッドと第３のリードとを少なくとも２本の異なる方向の金属細線で接続して成る」もの（特許請求の範囲１）が記載されている。
　甲第３号証には、「複数のリードと、リード上面より低位に釣り下げられたタブを有し、このタブ上に半導体チップが接続され、半導体チップとその周辺のリードとが封止体によって封止されてなる半導体装置であって、上記タブ面にくぼみが形成され、このくぼみの面に半導体チップが接続されていることを特徴とする半導体装置」（特許請求の範囲１）、
「〔実施例１〕
　第１図は、本発明の一実施例を示すものであって、小型樹脂封止半導体装置の縦断面図である。
　１は厚さｔ１＝０．２５ｍｍのリードで、これをプレス等で折り曲げてｄ１＝０．３ｍｍタブ下げしたタブ２を形成してある。このタブ２のチップ取付け面に深さｄ２＝０．１６ｍｍのくぼみ（凹部又は溝）６を掘ってある。このくぼみ６の形成はリードフレームの打抜きのプレス金型のスタンピングによりチップ厚が増加した分だけタブ全面にくぼみを形成する。または、フレーム加工時にグラインダ、放電加工技術、あるいは、ホトエッチング技術により凹部を形成することができる。このようにしてできたフレームを用いて現在の方法と同様にタブ下げを行う。第２図はくぼみ６の掘られたタブ２及びリード１を拡大斜面図をもって示すものである。このあとタブ下げ、ペレット付け、ボンディング、及びレジンモールドを行うことにより、第１図に示す構造が得られる。同図において、３は厚さｔ５　＝０．４ｍｍの半導体チップで、上記タブの上面に取付けられるが、くぼみ６があることにより、レジン体４で封止した場合に、チップ上面上のレジンの幅は、くぼみ６の深さ分だけ補われて、幅ｔ７　＝１．０１を確保することができる。」（２頁上右欄１５行〜下左欄１８行）と記載されている。
（４）対比・判断
ア．本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明を甲第１号証に記載のものと対比し検討する。
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載のものは、共にレジンモールド型高周波用ダイオードに関し、レジンモールド内にモールドされて封入されるリードのうちのインナーリード部の一方に半導体ペレットが配置されている点及び前記半導体ペレットの電極部と「前記インナーリード部」つまり半導体ペレットが配置されていないインナーリード部の他方とがワイヤにより接続されている点で一致する。
　しかし、インナーリード部の一方とインナーリード部の他方との配置の状態は、本件請求項１に係る発明では、「相互に対向」し、延在方向がワイヤの延長方向となっているそれであるのに対し、甲第１号証に記載のものでは、それぞれの先端は相互に対向せず側面において平行に位置する部分があるようなそれである点で相違する。
　そして、本件請求項１に係る発明における上記インナーリード部の一方と他方の配置の状態は、甲第１号証に記載のものにおけるそれにより示唆されるものでもない。
　そして、本件請求項１に係る発明のダイオードは所要の高周波特性を備えるものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載されたものであるとも、甲第１号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるともすることができない。
イ．本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明を甲第１号証に記載のものと対比し検討する。
　本件請求項２に係る発明と甲第１号証に記載のものは、共にレジンモールド型高周波用ダイオードに関し、レジンモールド内にモールドされて封入されるリードのうちのインナーリード部の一方に半導体ペレットが配置されている点及び前記半導体ペレットの電極部と「前記インナーリード部」つまり半導体ペレットが配置されていないインナーリード部の他方とがワイヤにより接続されている点で一致する。
　しかし、インナーリード部の一方とインナーリード部の他方との配置の状態は、本件請求項２及び３に係る発明では、「相互に対向」し、延在方向がワイヤの延長方向となっているそれであるのに対し、甲第１号証に記載のものでは、それぞれの先端は相互に対向せず側面において平行に位置する部分があるようなそれである点で相違する。
　そして、本件請求項２に係る発明における上記インナーリード部の一方と他方の配置の状態は、甲第１号証に記載のものにおけるそれにより示唆されるものでもない。
　そして、本件請求項２に係る発明のダイオードは所要の高周波特性を備えるものである。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、甲第１号証に記載されたものであるとも、甲第１号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるともすることができない。
ウ．本件請求項３に係る発明について
　本件請求項３に係る発明を甲第１号証に記載のものと対比し検討する。
　本件請求項３に係る発明と甲第１号証に記載のものは、共にレジンモールド型高周波用ダイオードに関し、レジンモールド内にモールドされて封入されるリードのうちのインナーリード部の一方に半導体ペレットが配置されている点及び前記半導体ペレットの電極部と「前記インナーリード部」つまり半導体ペレットが配置されていないインナーリード部の他方とがワイヤにより接続されている点で一致する。
　しかし、インナーリード部の一方とインナーリード部の他方との配置の状態は、本件請求項２及び３に係る発明では、「相互に対向」し、延在方向がワイヤの延長方向となっているそれであるのに対し、甲第１号証に記載のものでは、それぞれの先端は相互に対向せず側面において平行に位置する部分があるようなそれである点で相違する。
　そして、本件請求項３に係る発明における上記インナーリード部の一方と他方の配置の状態は、甲第１号証に記載のものにおけるそれにより示唆されるものでもない。
　また本件請求項３に係る発明における上記インナーリード部の一方と他方の配置の状態は、甲第２号証に記載の、リード配置が第１のリードと第２のリードとが第３のリードの中央部を挟んで十字形になっている構成、甲第３号証に記載の、リード上面より低位に釣り下げられたタブ面にくぼみが形成され、このくぼみの面に半導体チップが接続されている構成により、示唆されるものでもない。
　そして、本件請求項３に係るに係る発明のダイオードは所要の高周波特性を備えるものである。
　したがって、本件請求項３に係る発明は、甲第１号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとも、甲第１乃至３号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるともすることができない。
エ．本件の請求項４乃至６に係る発明について
　本件請求項４乃至６に係る発明を甲第１号証に記載のものと対比し検討する。
　甲第１号証に記載の「ダイオードの製法」は、本件の請求項４乃至６にに係る発明と同様にダイオードの製法に関するものであるが、レジンモールド内にモールドされて封入されるリードのうちのインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置するもので、本件発明におけるように「相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させる」ものでない。
　また甲第２号証に記載のものの製造技術は、「第１のリード」、「第２のリード」及び「第３のリード」の配置を「第１のリードと第２のリードとが第３のリードの中央部を挟んで十字形に配置」するトランジスタの製造に関するもので、ダイオードの製法に関するものでなく、しかも「第１のリードのチップ搭載端と対向する第３のリード部分に凹形の切り欠き部を設け、この切り欠き部によって前記チップをほぼ３方向から囲み、前記チップ上の共通電極パッドと第３のリードとを少なくとも２本の異なる方向の金属細線で接続する」もので、本件請求項４乃至６に係る発明におけるように「相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させる」ものでない。
　更に、甲第３号証に記載のものの製造技術は、複数のリード及びタブを一体化したリードフレームの状態でタブ上に半導体チップを接続するものにおいて、タブ面にくぼみを形成し、このくぼみの面に半導体チップを接続するもので、本件請求項４乃至６に係る発明におけるように「相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させる」ものでない。
　そして、本件請求項４乃至６に係る発明における「相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させる」ことは、上記甲第１乃至３号証に記載のものの製造技術により示唆されるものでない。
　そして、本件請求項４乃至６に係る発明はその構成により所要の高周波特性を備えるダイオードを提供し得るものである。
　したがって、本件請求項４乃至６に係る発明は、甲第１乃至３号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとすることができない。
オ．本件の請求項７に係る発明について　
　本件の請求項７に係る発明は、本件の請求項１に係る発明のレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法に関するものであるから、上記請求項７に係る発明は、本件の請求項１に係る発明について述べたと同様の理由により、甲第１号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１乃至７に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月１４日（２０００．２．１４）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２７０８１７９号の明細書を以下のとおり訂正する。
［訂正事項ａ−１］
　特許明細書の特許請求の範囲の【請求項３】の全記載を、「高周波領域で用いられるダイオードであって、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたことを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオード。」と訂正する。
［訂正事項ａ−２］
　特許明細書の特許請求の範囲の【請求項１】の全記載を、「前記半導体ペレットおよび前記リードのインナーリード部がレジンモールドパッケージ内にモールドされて封入され、前記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、前記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のレジンモールド型高周波用ダイオード。」と訂正する。
［訂正事項ａ−３］
　特許明細書の特許請求の範囲の【請求項２】の全記載を、「相互に対向し合う前記インナーリード部どうしの間の距離が０．２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２記載のレジンモールド型高周波用ダイオード。」と訂正する。
［訂正事項ｂ−１］
　特許請求の範囲の【請求項４】の全記載を、「高周波領域で用いられるダイオードの製造方法であって、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とをワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入することを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法。」と訂正する。
［訂正事項ｂ−２］
　特許請求の範囲の【請求項５】の記載中の「半導体装置」を「ダイオード」と訂正する。
［訂正事項ｂ−３］
　特許請求の範囲の【請求項６】の記載中の「半導体装置」を「ダイオード」と訂正する。
［訂正事項ｃ］
　特許請求の範囲の【請求項７】の全記載を、「高周波領域で用いられるダイオードの製造方法であって、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモードパッケージ内にモールドして封入することを特徴とするレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法。」と訂正する。
［訂正事項ｄ］
　明細書の第２頁第１７行及び第１９行、第４頁第６〜７行、第６頁第１１〜１２行及び第２０行、第７頁第１２行、及び第１３〜１４行、第８頁第１８〜１９行、第１０頁第７行及び第１９行、第１１頁第１２行、第１２頁第１５〜１６行、第１３頁第１４〜１５行、第１４頁第７行の「半導体装置」を、「ダイオード」と訂正する。
［訂正事項ｅ］
　明細書第４頁第１４行〜第５頁第８行を、「本発明によるレジンモールド型高周波用ダイオードは、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたことを特徴とする。また、本発明によるレジンモールド型高周波ダイオードは、前記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、前記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下となるよう構成されているものである。さらに、本発明によるレジンモールド型高周波ダイオードは、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置して構成される。
　また、本発明によるレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法は、リードのインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とをワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入するものである。そして、本発明のレジンモールド型高周波ダイオードの製造方法は、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入するものである。」と訂正する。
［訂正事項ｆ］
　第５頁第１０〜１７行を、「前記した本発明のレジンモールド型高周波用ダイオードによれば、相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットが配置されているので、半導体ペレットの電極部とインナーリード部との間に接続されるワイヤの延長方向はリードの延在方向となり、高周波特性が良好となる。また、パッケージのレジン厚およびリードのインナーリード線の実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が前記の如くそれぞれ０．７ｍｍ以下および０．２ｍｍ以下とされていることにより、レジンモールドされたパッケージを用いているにもかかわらず、高周波特性としても所要の特性を備えているものである。」と訂正する。
［訂正事項ｇ］
　発明の名称を「レジンモールド型高周波用ダイオードおよびその製造方法」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
レジンモールド型高周波用ダイオードおよびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
ダイオード
パッケージ
し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続する
ダイオード
　【請求項
２
前記
前記
請求項１記載の
ダイオード
　【請求項
３
請求項２記載の
ダイオード
　【請求項４】　高周波領域で用いられる
ダイオード
ワイヤ
ワイヤ
ダイオード
　【請求項５】　前記リードのインナーリード部と前記半導体ペレットとが略同一高さに位置していることを特徴とする請求項４記載のレジンモールド型高周波用
ダイオード
　【請求項６】　レジンモールド前の前記半導体ペレットが、該半導体ペレットの電極部と前記相互に対向し合うインナーリード部それぞれとの間に張設されたボンディングワイヤで吊持されることを特徴とする請求項４記載のレジンモールド型高周波用
ダイオード
　【請求項７】　高周波領域で用いられる
ダイオード
延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤ
ワイヤ
ダイオード
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明はダイオードおよびその製造方法に関し、特に、高周波領域で用いられるレジンモールド型ダイオードに適用して効果のある技術に関するものである。
〔従来の技術〕
　一般に、たとえばＢＳコンバータ、レーダ探知機などの高周波機器に用いられている半導体装置、たとえばガリウム−ヒ素（ＧａＡｓ）ショットキダイオードなどにおいては、高周波領域での使用による寄生キャパシタンスや寄生リアクタンス等に起因する誘電損および（または）雑音を抑制するため、セラミックで作られたパッケージが使用されている。
　なお、高周波用ショットキダイオードのような高周波用半導体装置については、電波新聞社、昭和５９年５月２０日発行、「総合電子部品ハンドブック」Ｐ１７４〜１７７，Ｐ２７５〜２７８に記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　ところが、前記の如くセラミックで作られたパッケージを用いた半導体装置においては、セラミックのコストが高いために、半導体装置自体のコストが上昇してしまうという大きな問題がある。
　そこで、本発明者等は、セラミックに代わる低コストのパッケージ材料としてレジンを用いることに着目し、鋭意研究を重ねた結果、本発明をなすに至ったものである。
　本発明の目的は、レジンモールド材を用いたパッケージ構造でありながら、高周波領域での使用によっても、所要の特性を得ることのできるダイオードおよびその製造技術を提供することにある。
　本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
〔課題を解決するための手段〕
　本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
　本発明によるレジンモールド型高周波用ダイオードは、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうちの相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、前記半導体ペレットの電極部と前記インナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤにより接続するようにしたことを特徴とする。また、本発明によるレジンモールド型高周波ダイオードは、前記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、前記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下となるよう構成されているものである。さらに、本発明によるレジンモールド型高周波ダイオードは、レジンモールドパッケージ内にモールドされて封入されるリードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置して構成される。
　また、本発明によるレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法は、リードのインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とをワイヤで接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入するものである。そして、本発明のレジンモールド型高周波ダイオードの製造方法は、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置し、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とを延長方向が前記リードの延在方向となるワイヤで接続した後、半導体ペレット、リードのインナーリード部、およびワイヤをレジンモールドパッケージ内にモールドして封入するものである。
〔作用〕
　前記した本発明のレジンモールド型高周波用ダイオードによれば、相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットが配置されているので、半導体ペレットの電極部とインナーリード部との間に接続されるワイヤの延長方向はリードの延在方向となり、高周波特性が良好となる。また、パッケージのレジン厚およびリードのインナーリード部の実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が前記の如くそれぞれ０．７ｍｍ以下および０．２ｍｍ以下とされていることにより、レジンモールドされたパッケージを用いているにもかかわらず、高周波特性としても所要の特性を備えているものである。
　すなわち、パッケージの材料としてレジンモールド材を用いる場合、たとえば誘電損はレジンモールド材の体積に依存する。その原因は、リードの両端から見た場合、パッケージのレジンモールド材は等価的にコンデンサとみなすことができ、その体積が増大すると、面積が増大することになるからである。したがって、レジン厚を薄くすることにより、寄生キャパシタンスを減少させることができ、誘電損を低減させることが可能となる。
　また、パッケージの半導体ペレットと実装基板の実装面との間の距離を小さくすることにより、寄生リアクタンスを減少させることができ、それによって誘電損が低減する。
　さらに、本発明のレジンモールド型高周波用ダイオードにおいては、リードのインナーリード部におけるタブとポストとの間の距離を０．２５ｍｍ以下にすることにより、半導体ペレットの電極部とタブおよびポストとの間を接続するボンディングワイヤの如き導電材の張設距離を短くすることができるので、寄生リアクタンスの低減、ひいては誘電損、雑音を減少させることができる。
　また、本発明によるレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法によれば、半導体ペレットがリードのインナーリード部どうしの間、すなわちタブとポストとの間に介設された状態でレジンモールドされるので、半導体ペレットの電極部とタブおよびポストとが互いに接近し、また互いに略同じ高さになることになり、これらを接続するボンディングワイヤなどの導電材はこれらを最短距離で接続することができる。したがって、寄生リアクタンスの低減による誘電損の減少などを実現することができる。
〔実施例１〕
　第１図は本発明の一実施例であるレジンモールド型高周波用ダイオードの断面図である。
　本実施例のレジンモールド型高周波用ダイオードは一例としてＧａＡｓショットキダイオードに適用されたものである。
　すなわち、このＧａＡｓショットキダイオードにおいては、第１図に示すように、リード１のうち相互に対向し合うインナーリード部１ａの一方をタブとしても利用し、これの上に、ダイオード素子としての半導体ペレット２がボンディングされている。そして、この半導体ペレット２の電極とインナーリード部１ａの他方（ポスト）と、たとえば金ワイヤよりなるボンディングワイヤ３でボンディングして接続してなる。
　また、前記インナーリード部１ａと、半導体ペレット２と、ボンディングワイヤ３とは、たとえばエポキシ樹脂あるいはシリコーン樹脂などのレジンモールド材よりなるパッケージ４の中にレジンモールドされて封入されている。
　パッケージ４の両側の外方には、リード１のアウターリード部１ｂが突出し、かっその先端は略し形に曲げられ、その下面（第１図で見て）において実装基板５の上に面実装されるようになっている。
　本実施例において、レジンモールドされたパッケージ４の厚さ、すなわちレジン厚ｌ１は０．７ｍｍ以下に構成されている。
　本発明者等が実験したところ、第３図に示すように、本実施例のレジンモールド型高周波ダイオードをＢＳコンバータに搭載した場合において、レジン厚ｌ１を０．７ｍｍ以下にすることにより、電力利得が大きくなり、寄生キャパシタンスやリアクタンスによる誘電損がなくなって、高効率の周波数変換動作が可能となる。一方、ｌ１が０．７ｍｍよりも大きいと、電力利得が低下し、変換ロスが発生し、高周波用のダイオードとして実用に耐えなくなってしまう。
　また、本実施例においては、半導体ペレット２の実装基板５側の面と該実装基板５の実装面との間の距離、すなわちペレット高さｌ２が０．２ｍｍ以下になっている。
　これについても、本発明者等が実験したところ、第４図に示すように、ペレット高さｌ２が０．２ｍｍ以下の時には電力利得が大きく、寄生キャパシタンスやリアクタンスに起因する誘電損を生じることなく、効率の良い周波数変換が可能となる。ところが、ペレット高さｌ２が０．２ｍｍを超えると、電力利得が低下し、変換ロスの増大によって実用できなくなる。
　さらに、本実施例においては、リード１のインナーリード部１ａの両方（タブとポスト）の内端どうしの間の距離ｌ３を０．２５ｍｍ以下にすることにより、ボンディングワイヤ３の長さを極力短くしている。その結果、寄生リアクタンスが低減され、誘電損の減少や雑音の減少が図られる。
〔実施例２〕
　第２図は本発明によるレジンモールド型高周波用ダイオードの他の実施例を示す断面図である。
　本実施例２においては、半導体ペレット２はリード１のうち相互に対向し合うインナーリード部１ａどうしの間に、該インナーリード部１ａと略同一高さとなるよう介設されている。
　したがって、本実施例２では、半導体ペレット２とインナーリード部１ａの両方とを接続する２本のボンディングワイヤ３が必要であるが、両ボンディングワイヤ３の総長さは実施例１などに比べても非常に短くなるので、寄生キャパシタンスやリアクタンスの低減による誘電損の減少、さらには雑音の減少などの利点が得られる。
　ここで、実施例２のダイオードの製造方法について説明すると、半導体ペレット２をリード２のインナーリード部１ａどうしの間に絶縁状態で位置させ、半導体ペレット２、特にその電極部とインナーリード部１ａ、特にそのワイヤボンディング面とが同一高さとなるように、図示しない支持手段で支持した後、半導体ペレット２の電極部と両インナーリード部１ａとをそれぞれボンディングワイヤ３で接続する。
　その後、半導体ペレット２を両ボンディングワイヤ３で張設して接続し、吊持した状態で、図示しないモールド金型を用いてレジンモールドすることにより、第２図に示すレジンモールド型高周波用ダイオードが得られる。
　以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
　たとえば、レジンモールド材としては、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂以外の樹脂を用いてもよい。
　また、ボンディングワイヤ３として金ワイヤ以外に、他の導電材を用いたものでもよい。
　以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその利用分野であるＧａＡｓショットキダイオードに適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ＧａＡｓ以外にシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）を用いたダイオード等の高周波用ダイオードに広く適用できる。
〔発明の効果〕
　本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）．本発明のレジンモールド型高周波用ダイオードによれば、高周波領域で用いられるダイオードであって、半導体ペレットおよびリードのインナーリード部がレジンモールドパッケージ内にモールドされて封入され、前記パッケージのレジン厚が０．７ｍｍ以下、前記半導体ペレットの実装基板側の面と該実装基板への実装面との間の距離が０．２ｍｍ以下であることにより、寄生キャパシタンスや寄生リアクタンスが減少し、誘電損が低減される。
　その結果、高周波領域で用いても、特性が低下せず、高効率の周波数変換などが可能となり、セラミックパッケージと実質的に同様な高周波特性が得られる。
（２）．前記（１）により、雑音が低減される。
（３）．リードのインナーリード部どうしの間の距離が０．２５ｍｍ以下であることにより、ボンディングワイヤなどの接続用導電材の長さが短縮され、寄生リアクタンスの減少により、誘電損を低減できる。
（４）．本発明のレジンモールド型高周波用ダイオードの製造方法によれば、リードのインナーリード部どうしの間に半導体ペレットを絶縁状態で位置させ、該半導体ペレットの電極部とインナーリード部とを導電材で接続した後、前記半導体ペレット、リードのインナーリード部、および導電材をレジンモールドパッケージ内にモールドして封入することにより、ボンディングワイヤなどの導電材の短縮化が図られ、寄生リアクタンスやキャパシタンスをさらに減少させ、誘電損をより低減することができる。
（５）．また、本発明にあっては、リードのうち相互に対向し合うインナーリード部の一方に半導体ペレットを配置するようにしたことから、インナーリード部は半導体ペレットを支持する部材としても利用され、タブが不要となり、リードを簡単な構造とすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例であるレジンモールド型高周波用ダイオードの断面図、
　第２図は本発明の他の実施例の断面図、
　第３図は本発明におけるレジン厚と電力利得との関係を示す図、
　第４図は同じく本発明によるペレット高さと電力利得との関係を示す図である。
　１・・・リード、ｌａ・・・インナーリード部、１ｂ・・・アウターリード部、２・・・半導体ペレット、３・・・ボンディングワイヤ、４・・・パッケージ、５・・・実装基板、ｌ１・・・レジン厚、ｌ２・・・ペレット高さ、ｌ３・・・距離。