【事件の表示】
　特許第２９５６６４０号「プラズマ処理装置」の請求項１乃至４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９５６６４０号の請求項１乃至４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．経緯
　本件特許２９５６６４０号は次の経緯を有する。
  平成　９年　２月１４日　出願
　平成１１年　７月２３日　設定登録
　平成１２年　４月　３日　特許異議申立人吉成迪夫より特許異議の申立
　
２．本件発明
　本件特許２９５６６４０号の請求項１乃至４に係る発明は、明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次の事項により特定されるものである。
　
【請求項１】
　マイクロ波発振器と、
　マイクロ波を伝送する導波管と、
　前記導波管に接続された誘導体線路に対向配置されるマイクロ波導入窓を有する反応容器と、
　前記反応容器内に処理すべき試料基板を載置するために設けられた試料保持部と、
　前記試料保持部に高周波電界または直流電界を印加する手段と、
　試料と対向に配置されたマイクロ波が通過できる窓が設けられ、プラズマの均一性制御に有効なマイクロ波分散板を備えたプラズマ処理装置において、
　前記試料保持部の周囲に配設され誘電体で形成されてなる第１、第２の下部電極カバーよりなる２分割型下部電極カバーを備え、前記第１下部電極カバーと、前記第１下部電極カバーの上方に配置される前記第２下部電極カバーとがそれぞれ外周部で重なり合って、前記第１および第２下部電極カバーの間に、プラズマが回り込まないような構造を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
　
【請求項２】
　前記第１下部電極カバーの上方に配置される前記第２下部電極カバーが、その外周端に側壁部を備え、前記第１下部電極カバーの一部又は全体が前記第２下部電極カバーに覆われている、ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
　
【請求項３】
　前記第１下部電極カバーの上方に配置される第２下部電極カバーが外周端に沿って設けられた側壁部を備え、前記第１下部電極カバーが、前記第２下部電極カバーの前記側壁部の開放端と対向する肩部を外周に備え、前記第１下部電極カバーの前記肩部よりも上側の部分が前記第２下部電極カバーの側壁部内に収容される、ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
　
【請求項４】
　前記第１下部電極カバーの上方に配置される前記第２下部電極カバーが、その外周端に側壁部を備え、前記側壁部の開放端側は前記第１下部電極カバーの外周を囲繞するまで延在されており、前記第１下部電極カバーの全体が前記第２下部電極カバーに覆われている、ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
　
３．特許異議申立の概要
　特許異議申立人吉成迪夫は、申立ての証拠として、下記の甲第１乃至４号証を提出し、請求項１乃至４に係る発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１乃至４に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　　　　　　　　　　記
甲第１号証：実願平３−２８６３４号（実開平４−１１７４３７号）のマイクロフィルム
甲第２号証：特開昭６３−３１１７２６号公報
甲第３号証：特開平２−１３０８２３号公報
甲第４号証：実願昭６３−１５８２０４号（実開平２−７９０２７号）のマイクロフィルム
　
４．特許異議申立人の提出した証拠の開示
　
甲第１号証：実願平３−２８６３４号（実開平４−１１７４３７号）のマイクロフィルム
　甲第１号証には、
　「図１は本考案に係るマイクロ波プラズマ装置の模式的正面断面図であり、図中１は中空直方体形の反応器を示している。反応器１は上部壁を除く全体が金属製であり、・・・また上部の耐熱性誘電体板１２によって気密状態に封止され、更にこの耐熱性誘電体板１２の上方に誘電体被覆線路２が設置されている。・・・誘電体被覆線路２の側部には導波管３を介してマイクロ波発振器４が連結され、マイクロ波発振器４から発振されたマイクロ波は導波管３、誘電体被覆線路２を経て反応器１内のプラズマ室５内に導入し、反応器１の内部に電界を形成するようにしてある。耐熱性誘電体板１２はマイクロ波の透過が可能な誘電損失の小い材料、例えば石英ガラス又はパイレックスガラスあるいはアルミナ等にて形成され、また誘電体層２ｂは、例えばフッ素樹脂，ポリスチレン，ポリエチレン等にて形成されている。」（第【０００８】段落）、
　「一方反応器１の内部は上部壁寄りの位置で耐熱性誘電体板１２と平行に配した多数の孔１３ａを備える仕切壁１３にて上，下に区分され、これにより仕切壁１３の上部のプラズマ室５と仕切壁１３の下部の試料処理室６とに分離されている。前記プラズマ室４には周囲壁を貫通してガス供給管７が連結され、更に試料処理室６内の下部には排気管６ａが連結されると共に試料処理室６内の仕切壁１３寄りの中央部には図示しない支持台上に試料Ｓが載置されるようにしてある。」（第【０００９】段落）、
　「そして本考案装置にあっては前記耐熱性誘電体板１２の上面（下面であってもよい）に平行に金属板１４を配設してある。金属板１４は前記耐熱性誘電体板１２に密接して設けることは望ましいが、必ずしも密接する必要はない。図２は金属板１４の平面図であり、該金属板は短形状の金属板の長手方向の中央部から両側に左、右対称的に夫々複数のスリット状をなすマイクロ波透過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃが設けられている。」（第【００１０】段落）、
　「而してこのような本考案装置にあっては、ガス供給管７を通じてプラズマ室５内にガスを導入すると共に、マイクロ波発振器４から発せられたマイクロ波を誘電体被覆線路２、マイクロ波導延室２ｃを経て拡大させ、金属板１４のマイクロ波透過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び耐熱性誘電体板１２を通じてプラズマ室５内に導入する。
　これによってプラズマ室５内にプラズマを生じさせ、仕切壁１３の孔１３ａを通じて試料５周辺に導く。」（第【００１１】段落）、及び
　「なお、誘電体被覆線路２の誘電体層２ｂからマイクロ波導延室２ｃに進入したマイクロ波は拡大されて金属板１４に達するが、面積を限定されたマイクロ波透過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃを経て均一な強度分布でプラズマ室５に導入される結果、プラズマ室５内でのプラズマ密度が均一化され、試料Ｓに対する処理も均一化される。」（第【００１２】段落）
　が図面とともに記載されている。
　
　これらの記載からみて甲第１号証には、以下の発明が記載されている。
　「マイクロ波発信器４と、
　マイクロ波を伝送する導波管３と、
　前記導波管３に接続された誘電体層２ｂに対向配置される耐熱性誘電体板１２を有する反応器１と、
　前記反応器１内に処理すべき資料Ｓを載置するために設けられた支持台と、
　資料Ｓと対向に配置されたマイクロ波が通過できる窓が設けられ、プラズマの均一性制御に有効なマイクロ波通過窓１４ａ、１４ｂ、１４ｃを備えたプラズマ処理装置」
　
甲第２号証：特開昭６３−３１１７２６号公報
　甲第２号証には、
　「［従来の技術］この種のマイクロ波プラズマ処理装置の従来例としては添付図面の第３図に示すような電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置が知られており、この装置は、図示したように電子サイクロトロン共鳴イオン源Ａとこのイオン源Ａに対向して配置された基板電極Ｂとを有し、イオン源Ａはマイクロ波電源Ｃに接続され、また基板電源Ｂはバイアス電源Ｄに接続され、基板電源Ｂに高周波バイアスを印加してバイアスエッチングやバイ アスデポジションを行なうように構成されている。」（公報第２頁左上欄第５行乃至第１５行）、
　「[問題点を解決するための手段］上記の目的を構成するために、基板または基板をのせたトレーを基板電極上に載置し、基板電極に高周波電力を印加してプラズマ処理を行なうようにした本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置は、基板または基板をのせたトレーの背面全体を導電性面状部材を介して基板電極に電気的に接続したことを特徴としている。」（公報第２頁左下欄第１１行乃至第１８行）、
　「第１図には本発明を実施しているマイクロ波プラズマ処理装置の基板電極部分の構成を概略的に示し、１は基板電極であり、この基板電極１は図示してない高周波電源に接続される。基板電極１はその内部に冷却水の循環路２を備え、外部から供給される冷却水によって冷却するように構成されている。また基板電極１上面には基板または基板をのせたトレー３を受ける被処理物受け面１ａとその周囲の段部１ｂとを備え、基板電極１の被処理物受け面１ａ上には、シラスコンシートから成り得る冷却シート４および導電性面状部材を成すアルミ箔５が設けられ、冷却シ−ト４は丁度基板電極１の被処理物受け面１ａの周縁部で終端しているが、アルミ箔５の周縁部は第２図に拡大して示すように基板電極１の被処理物受け面１ａの周縁部を越えてその周囲の段部１ｂまでのび、押さえ部材６によって基板電極１の段部１ｂ上に圧接されている。さらに基板電極１の周囲には絶縁シールド部材７が設けられている。アルミ箔５上にのせられる基板またはトレー３のクプンブ部材８はアルミナ、Ｓｉ０２等のような絶縁物質で構成され、クランブ昇降機構９によりクランブ位置と開放位置との間で移動できるようにされている。このように構成することにより、基板電極１から基板またはトレ−３への高周波電力の印加は、基板電極１からアルミ箔５を介して基板またはトレー３の背面全域から行われ、それにより被処理面上に均一な電界を形成することができる。」（公報第２頁右下欄第１８行乃至第３頁右上欄第５行）、
　「このように構成した図示実施例装置を第３図に示すような従来の電子サイクロトロン共鳴プラズマ処理装置に適用してＳｉＯ２のエッチングを行った」（公報第３頁右上欄第１４行乃至第１７行）、及び
　「[発明の効果］以上説明してきたように、本発明のマイクロ波プラズマ装置においては、高周波電極を成す基板電極からの高周波電力を、基板または基板をのせたトレーの背面に設けられた導電性面状部材を介して基板またはトレ−の背面全体から供給するように構成しているので、基板またはトレーの表面に有効なバイアスを均一に印加でき、その結果エッチング分布やデポジション分布の均−性が大幅に改善できるだけなく、エッチングやデボジション等の処理速度も高めることができ、装置の処理能力および処理特性の両上が期待でさる。」（公報第３頁左下欄下から第４行乃至右下欄第８行）
　が図面とともに記載されている。
　
　これらの記載から見て甲第２号証には、以下の発明が記載されている。
「基板３をアルミ箔５を介して載置した基板電極１と、
　前記基板電極１に高周波電界を印加する手段と、
　前記基板電極１の周囲に配設されてなる絶縁シールド部材７を備え、絶縁シールド部材７と、絶縁シールド部材７の上方に配置されてアルミ箔５の周縁部を基板電極１に圧接するクランプ部材８とがそれぞれ外周部で重なり合っているプラズマ処理装置」
　
甲第３号証：特開平２−１３０８２３号公報
　甲第３号証には、
　「第３図に示すような反応室構造を用いることにより、エッチングの際の電界に乱れが小さくなり、エッチングの均一性が向上した。また、フッ素樹脂にリング８が電極６を覆っているため、電極６は直接プラズマにさらされないので、プラズマにおいて生成するガスイオンやラジカル等がスパッタリングすることがなくなり、電極６の寿命を向上することができた。さらに、フッ素樹脂リング８はプラズマ発生中に、フッ素ラジカルを生成するので、エッチング速度の向上もはかることができ、特に被エッチング物の試料５がシリコン酸化膜の場合、その効果は大なるものがある。発明が解決しようとする課題　しかしながら、上記のような反応室構造では、プラズマ発生中フッ素樹脂リング８は、フッ素ラジカルを生成することによりフッ素樹脂リング８自身が第４図に示すように消耗してしまう。」（公報第１頁右欄第１５行乃至第２頁左上欄第１２行）、及び
　「第１図は本発明の実施例である反応室構造を示すものである。同図において、１２は試料、１３はテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂リング、１４はガスイオンやラジカルによりエッチングされ難いアルミナリング、１５は電極、１６は電極とチャンバーを分離するアルミナリングを示している。前記アルミナリング１４は電極１５とフッ素樹脂リング１３の間に介在するように配設されている。本実施例によれば、アルミナリング１４はプラズマにおいて生成されるガスイオンやラジカルにエッチングされることがないので、長期にわたりエッチングの均一性は保たれ、フッ素樹脂リングの交換サイクルは長くなったにもかかわらず、エッチングの再現性は保たれ、異常放電も起こらなかった。」（公報第２頁右上欄第１５行乃至左下欄第１０行）
　が図面とともに記載されている。
　
　これらの記載から見て甲第３号証には、以下の発明が記載されている。
「反応室内に処理すべき試料１２を載置するために設けられた電極１５と、
　前記電極１５に高周波電界を印加する手段と、
　前記電極１５の周囲に配設されたアルミナリング１４と、アルミナリング１４の上方に配設されるフッ素樹脂リング１３とがそれぞれ外周部で重なり合って、アルミナリング１４がフッ素樹脂リング１３の消耗を防ぐようにしたプラズマ処理装置」
　
甲第４号証：実願昭６３−１５８２０４号（実開平２−７９０２７号）のマイクロフィルム
　甲第４号証には、
　「［実施例］以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。図中１２はドライエッチング処理室の底板を示しており、該底板１２には装着孔１３が設けられ、該装着孔１３の室内側には環座１４が突設されている。該環座１４に外側ホルダ１５を固着し、該外側ホルダ１５には電気的絶縁材料で成形された内側ホルダ１６を嵌装し、該内側ホルダ１６に冷却盤１７、１８を嵌着する。該冷却盤１７の上面に静電チャックを兼ねる電極１９を載置し、リング状の押板２０で固定する。電極１９部分を残し、押板２０、外側ホルダ１５の周面を耐熱、絶縁材、例えば石英からなるカバー２１によって覆う。」（明細書第５頁第７行乃至第６頁第２行）、及び
　「第１図、第２図はウエーハ１１が電極１９に静電チャックによって密着された状態を示してあり、電極１９は導電端子３８を介して静電チャック用の電源と通電している。又、導電端子３９、冷却盤１７、１８ を介し、電極１９には高周波電圧が印加されてある。」（明細書第７頁下から第４行乃至第８頁第２行）
　が図面ととに記載されている。
　
　これらの記載から見て甲第４号証には、以下の発明が記載されている。
　「ドライエッチング処理室に処理すべきウエーハ１１を載置するために設けられた電極１９と、
　前記電極１９に高周波電界を印加する手段と、
　前記電極１９の周囲に配設され絶縁体（誘電体）で形成される内部ホルダ１６とカバー２１を備え、
　内部ホルダ１６は冷却盤１７、１８を嵌着し、外部ホルダ１５に嵌装され、　外部ホルダ１５と、外部ホルダ１５の上方に配設されるカバー２１とがそれぞれ外周部で重なり合ったプラズマ装置」
　
５．当審の判断
５−１．請求項１に係る発明に対して
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載された発明とを比較すると、本件請求項１に係る発明においては、「試料保持部に高周波電界を印加する手段」及び「試料保持部の周囲に配設され誘電体で形成されてなる第１、第２の下部電極カバーよりなる２分割型下部電極カバーを備え、前記第１下部電極カバーと、前記第１下部電極カバーの上方に配置される前記第２下部電極カバーとがそれぞれ外周部で重なり合って、前記第１および第２下部電極カバーの間に、プラズマが回り込まないような構造」を有している点で甲第１号証の発明と相違している。
　
　また、甲第２号証、甲第３号証、及び甲第４号証には、いずれにも、上記相違点のうち、「試料保持部に高周波電界を印加する手段」が記載されているものの、「第１、第２の下部電極カバーよりなる２分割型下部電極カバーを備え、前記第１下部電極カバーと、前記第１下部電極カバーの上方に配置される前記第２下部電極カバーとがそれぞれ外周部で重なり合って、前記第１および第２下部電極カバーの間に、プラズマが回り込まないような構造」については記載はなく、また、それを示唆する記載もない。
　すなわち、甲第２号証は、その図面において、クランプ部材８と絶縁シールド部材７とが外周部で重なり合っていることが記載されているに止まり、このことをもって、直ちに、それらの間にプラズマが回り込まないことを想起させるものでもないし、そのための手段として捉えることができるものでもない。
　また、甲第３号証においても、アルミナリング１４はフッ素樹脂リング１３の消耗を防ぐために設けられたものであって、アルミナリング１４が電極カバーに相当するものとは把握できず、かつ、アルミナリング１４とフッ素樹脂リング１３との間がプラズマが回り込まないよう構成されているものである、とは把握することはできない。
　甲第４号証については、内部ホルダ１６は外部ホルダ１５や冷却盤１７、１８に覆われており、そのため電極１９に接していない内部ホルダ１６が電極カバーに相当するものとは把握できないし、ましてや、内部ホルダ１６とカバー２１が２分割型電極カバーを構成するものであるとも把握できない。
　
  そして、本件請求項１に係る発明は請求項１で特定された事項により明細書記載の効果を奏するものである。
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、特許異議申立人の提出した甲各号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
５−２．請求項２乃至４に係る発明に対して
　本件請求項２乃至４に係る発明は、請求項１に係る発明の構成を引用して更に限定した構成を含むものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由で、特許異議申立人の提出した甲各号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張及び証拠によっては、本件請求項１乃至４に係る特許を取り消すことができない。
　
　また、他に本件請求項１乃至４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月１４日（２０００．１１．１４）