【事件の表示】
　特許第２９０５３１４号「半導体装置の製造方法」の請求項に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０５３１４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．経緯
　本件特許は、平成３年７月８日に出願され、平成１１年３月２６日に特許第２９０５３１４号として設定登録されたところ、平成１１年１２月３日に特許異議申立人友野宏から、特許異議の申立があったものである。
　そして、平成１２年３月１７日付けで取消理由通知が出され、平成１２年６月５日に権利者から、特許異議意見書が提出された。
　
２．申立理由及び取消理由の概要
　特許異議申立人友野宏は、甲第１号証：特開６４−４０４８号公報、甲第２号証：半導体基礎用語辞典　工学図書株式会社平成２年４月２０日発行、甲第３号証：特開昭６０−１２８６４２号公報、甲第４号証：米国特許第４，４６６，１７２号公報、甲第５号証：特開平３−１６１７１号公報、甲第６号証：特公昭６１一４１９９号公報を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は、上記甲第１号証記載の発明に基づいて、甲第３号証記載の発明に基づいてまたは甲第５号証記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けられないものであるから取り消すべきであると主張する。
　上記取消理由は、異議申立人主張のとおりであるというものである。
　
３．本件特許発明
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、本件特許発明という）は、その特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりの次のものである。（便宜上項分けの符号を付す。）
「Ａ：半導体基板上にソース、ドレイン領域と、上記ソース、ドレイン領域の間の領域上に設けられ、少なくとも上面が絶縁膜で覆われたゲート電極を形成する工程と、
Ｂ：上記基板上にシリコン窒化膜を堆積する工程と、
Ｃ：上記シリコン窒化膜上に、このシリコン窒化膜に対して選択的に異方性エッチング可能な材料からなる層間絶縁膜を堆積する工程と、
Ｄ：上記基板上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィを行って、上記レジストの上記ソース、ドレイン領域上の箇所に開口を設ける工程と、
Ｅ：上記開口を通して、上記シリコン窒化膜に対して選択的に上記層間絶縁膜を異方性エッチングして、上記層間絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、
Ｆ：上記コンタクト孔の底部に露出した上記シリコン窒化膜を除去して、上記ゲート電極を露出させることなく、上部配線を上記ソース、ドレイン領域に導通させるためのコンタクト孔を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
４．引用例記載の発明
　引用例１（甲第１号証：特開６４−４０４８号公報）には半導体装置の技術が記載され、上記工程Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｆが記載されている。しかしながら、引用例１の第３頁左下欄第４行目乃至第９行目及び第１５行目乃至第２８行目には「ＳｉＯ２膜からなる前記側壁１０及び絶縁膜９に対して選択エッチング可能な材料であるシリコン窒化膜のような絶縁膜１３」或いは「前記絶縁膜１３は、前記側壁１０及び絶縁膜９に対して選択エッチング可能であること」は記載されているが、「シリコン窒化膜に対して選択的に上記層間絶縁膜を異方性エッチングすること」についてはなんら記載されていない。
  引用例２（甲第２号証：半導体基礎用語辞典ｐｌ９一２０）には、エッチング技術について記載されており、異方性エッチング、等方性エッチングについて説明しているが、「シリコン窒化膜に対して選択的に上記層間絶縁膜を異方性エッチングすること」についてはなんら記載されていない。
　引用例３（甲第３号証：特開昭６０一１２８６４２号公報）について、引用例３の実施例Ｉには、工程 Ａ、Ｂ、Ｆ の工程が記載されている。本件特許発明の工程Ｃに相当する記載として、引用例３の実施例Ｉでは「ＳｉＮ膜上に、シリコン窒化膜に対してウエットエッチングによって選択的にエッチングできる絶縁膜を堆積する工程」が記載されている。また、本件特許発明の工程Ｄに相当する記載として、引用例３には「所定の半導体領域７の上部の絶縁膜９を選択的に除去し、導電層との電気的な接続のための接続孔を形成する工程」が記載されている。また、本件特許発明の工程Ｅに相当する記載として、引用例３の実施例Ｉでは「窒化シリコン膜からなる絶縁膜９とフォスフォシリケートガラス膜からなる絶縁膜９とをフッ素系ウエットエッチングで接続孔を形成すること」が記載されている。しかしながら、「フッ酸系（ＨＦ）ウエットエッチング」はウエットエッチングであり異方性エッチングではない。
　引用例４（甲第４号証：米国特許第４，４６６，１７２号公報）には、本件特許発明の工程Ａ、Ｂと同じ工程が記載されている。また、引用例４では、工程Ｅに近い工程として、「窒化層上に、フオスフオシリケート膜（ＰＶＸ層）を形成し、ソースドレイン領域におけるＰＶＸ層を弗化水素酸緩衝剤で除去し、弗化水素酸緩衝剤は窒化膜に影響を及ぼさないこと」が記載されている。しかしながら、ＰＶＸ層に対して、弗化水素酸緩衝剤でエッチングを行うことはウエットエッチングであり異方性エッチングではない。
　引用例５（甲第５号証：特開平３一１６１７１号公報）には、本件特許発明の工程Ａが記載され、本件特許発明の工程Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅに近い工程として、「基板にシリコン窒化膜１０を形成する工程と、シリコン窒化膜上に多結晶シリコン膜１１を形成する工程と、多結晶シリコン膜１１からなるエッチングストッパ層を用いて、層間絶縁膜１３を選択的に反応性イオンエッチングする工程と、シリコン窒化膜１０からなるストッパ層を用いて、多結晶シリコン膜１１を等方性ドライエッチングを行い窒化シリコン膜１０を露出する工程と、酸化雰囲気中で９００℃の熱処理を行いコンタクト側壁に露呈した多結晶シリコン膜を酸化する工程と、窒化シリコン膜１０及びその下の薄い酸化膜を異方性エッチングなど行ってコンタクト孔を形成する工程」が記載されている。しかしながら、「シリコン窒化膜に対して選択的に上記層間絶縁膜を異方性エッチングすること」についてはなんら記載されていない。
　引用例６（甲第６号証：特公昭６１一４１９９号公報）では、Ｓｉ３Ｎ４膜１１をエッチングストッパー膜として、選択的に低温酸化膜１３をエッチングし、コンタクトホール９を形成している。しかしながら、コンタクトのエッチングに関しては、異方性なのか、等方性なのか、一切の記述はなされていない。ただし、１ページの右段落に、「この距離Ｌは理論的にはマスク合わせずれ余裕（例えば１μｍ）とコンタクトホールのサイドエッチの量（例えば１μｍ）によってきまり」や、２頁の右段落に、「コンタクトエッチのサイドエッチは１μｍ以下」や、３頁の左段落に、「Ｐ＝１μｍ（マスク合わせずれ）＋１μｍ（サイドエッチ）＝２μｍ」との記載があるように、サイドエッチの生ずる等方性エッチングを前提にしている。尚、引用例６には、Ｓｉ３Ｎ４膜が低温酸化膜に対して選択性を有することは記載されているが、層間絶縁膜が、シリコン窒化膜に対して選択性を有する異方性エッチングされることはなんら記載されていない。
　
５．本件特許発明と引用例記載の発明との対比
　本件特許発明と引用例記載の発明とを対比すると、いずれの引用例にも「シリコン窒化膜に対して選択的に上記層間絶縁膜を異方性エッチングすること」についてはなんら記載されていない。そして、このことにより、ウエットエッチングの欠点であるサイドへのエッチングは起きず、分離マージンが全くない場合でも、ゲート電極がコンタクト孔の内面に露出することはないという顕著な効果を奏する。また、シリコン窒化膜に対して選択性を有する異方性エッチングであるから、層間絶縁膜をエッチングする際にオーバーエッチングすることもないので、リーク電流を抑制できるという顕著な効果を奏する。
　してみると、本件特許発明は、上記いずれの引用例を組み合わせても当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
６．まとめ
　異議申立人主張の取消理由および取消理由通知の理由はいずれも理由がないものであり、また、他に取り消すべき理由がない。従って、本件特許発明（本件特許の特許請求の範囲請求項１に係る発明）の特許を維持する。
　よって、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月８日（２０００．１１．８）