【事件の表示】
　特許第３０３３１０４号「エッチング方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０３３１０４号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
一．手続の経緯
　特許第３０３３１０４号の請求項１及び２に係る発明についての特許出願は、平成１年１１月１７日になされ、平成１２年２月１８日にその出願について特許の設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人高柳馨により特許異議の申立てがなされたものである。
　　　
二．本件発明
　特許第３０３３１０４号の請求項１及び２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】シリコン化合物膜上にパターン化したマスク層を形成する工程と、
水素を含有しないフッ化炭素系ガスを主成分とするガスにより、シリコン化合物膜の深さ方向の一部をパターンエッチングする工程と、
水素を含有するフッ化炭素系ガスを主成分とするガスにより、シリコン化合物膜の深さ方向の残部をパターンエッチングする工程と
を有することを特徴とする磁場印加によりエッチングを行うエッチング方法。」（以下、「第１発明」という。）
　「【請求項２】請求項１において、カソードカップリング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置を用いることを特徴とするエッチング方法。」（以下、「第２発明」という。）
　　　
三．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人高柳馨は、下記の甲第１、２及び３号証を提示して、本件第１及び第２発明は、甲第１ないし３号証記載の発明に基づいて当業者が容易になし得た程度の発明であって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件各発明の特許は取り消されるべきである旨を主張している。
　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭５９−１４４１３５号公報
甲第２号証：特開昭６４−４９２３０号公報
甲第３号証：特開昭５７−１９０３２０号公報
　　　
四．甲各号証に記載された事項
１．甲第１号証の記載事項
　イ）「シリコン化合物のドライエッチング方法」について、以下の事項が記載されている。
　（１ａ）「シリコンまたは多結晶シリコンの基板上に形成されたシリコン化合物層に所要パターンのレジスト層をマスクとして４フッ化炭素（ＣＦ４）と水素（Ｈ２）との混合気体雰囲気中でプラズマエッチングを施して上記基板に達する開孔を形成するに際して、初期には上記混合気体の水素濃度を低くし、後期には上記混合気体の水素濃度を高くして上記プラズマエッチングを施し・・・・シリコン化合物のドライエッチング方法。」（特許請求の範囲１）、
　（１ｂ）「混合気体の水素濃度を段階的に増加させる・・・・ドライエッチング方法。」（特許請求の範囲２）、
　（１ｃ）「混合気体の水素濃度を連続的に増加させる・・・・ドライエッチング方法。」（特許請求の範囲３）、
　（１ｄ）「第１図は先に説明したが、この発明では、（ロ）に示す付近のＨ２濃度（０〜２０％）を使用する。」（第２頁右上欄第１２〜１３行）、
　（１ｅ）「次に、この発明の一実施例における操作について説明する。ＣＦ４＋Ｈ２混合ガスの場合、エッチング特性は、第１図のようになるので、まず、一段階目は、（ロ）付近のＨ２濃度でエッチングする。・・・・開口部のエッチングがＳｉ基板に到達する前に、２段階目のエッチングに移りＨ２濃度を第１図（イ）付近の濃度に増加させ、基板（１）に到達するまでこの濃度でエッチングすれば、被加工材料（２）のエッジはテーパー状に形成され、かつ、ＳｉまたはＰｏｌｙ　Ｓｉの基板（１）に対する被加工材料（２）のエッチング選択性の大きい状態でエッチングを完了することができる。」（第２頁左下欄第２〜１９行）。
　（１ｆ）以上の他、「ＣＦ４とＨ２との混合ガスによる各種材料のエッチング特性のＨ２濃度との関係を示す特性図」として第１図が図示されている。
　　　
　ロ）上記記載事項をまとめると、甲第１号証には、
　「所要パターンのレジスト層をマスクとして、シリコン化合物層をプラズマエッチングする際に、その途中で水素濃度を変えることによって、エッチング終点付近ではシリコン基板に対するシリコン化合物層の選択性の高いエッチングを行い得ること」（摘記（１ａ）、（１ｅ）参照。）、
　「水素濃度の変え方としては、ＣＦ４で１段階目のエッチングを行い、次にＣＦ４＋Ｈ２混合ガスで２段階目のエッチングを行う態様も包含されること」（摘記（１ｂ）、（１ｄ）、（１ｅ）参照。）
が、実質的に記載されているものと認められる。
　　　
２．甲第２号証の記載事項
　「半導体装置の製造方法」について、以下の事項が記載されている。
　（２ａ）「半導体基板上に形成されたシリコン窒化膜をフォトレジストをマスクとして反応性イオンエッチングを行う際、最初のエッチングをＣＦ４／Ｈ２系ガスで行い、その後、ＣＦ４／Ｏ２系ガスを用いてエッチングする・・・・半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲１）、
　（２ｂ）「ＣＦ４／Ｈ２系ガスは、Ｈ２を５０％以下添加した・・・・半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲２）、
　（２ｃ）「ＣＦ４／Ｏ２系ガスは、Ｏ２を０〜１２％添加した・・・・半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲３）、
　（２ｄ）「従来、この種のエッチングには、ＣＦ４にＯ２を３〜１０％程添加したガスが用いられていた。このとき、Ｏ２の添加量を上げると、ＳｉＮ膜２のエッチング速度は増すが、フォトレジスト３との選択比・・・・が落ちる。また、逆にＯ２を減らすと、ＳｉＮ膜２のエッチング速度が低下し、所望の厚さのＳｉＮ膜２をエッチングする際に長時間を要する。つまり、プラズマ照射時間が長くなる。このため、半導体基板１に与えるダメージが増加する。・・・・この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、半導体基板へのダメージを低減させ・・・・」（第２頁左上欄第６行〜右上欄第１０行）、
　（２ｅ）「このため、この発明ではＣＦ４／Ｈ２系ガスでのＳｉＮ膜２のエッチングは半導体基板１にダメージを与えない程度の深さまでＣＦ４／Ｈ２系ガスでエッチングし、残りの部分をダメージの比較的少ないＣＦ４／Ｏ２系ガスでエッチングを行うことにより、ＣＦ４／Ｏ２系ガスのエッチング量が少ないため、サイドエッチングやフォトレジスト３の膜べりが少なく、しかも、ダメージの少ないエッチングが可能となる。」（第２頁右下欄第８〜１６行）。
　　　　
３．甲第３号証の記載事項
　「ドライエッチング方法」について、以下の事項が記載されている。
　（３ａ）「放電電極に電力を供給して減圧容器内に導入ガスからガスプラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンにより前記放電電極に置かれた試料をエッチングする方法に於いて、前記放電電極に置かれた試料上に電界と直交する磁界を形成し、導入ガスとして少なくとも分子内にＦとＨを有するガスを用いる・・・・ドライエッチング方法。」（特許請求の範囲１）、
　（３ｂ）「ＣＨＦ３＋Ｈ２ガスを用いる・・・・ドライエッチング方法。」（特許請求の範囲２）、
　（３ｃ）「本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、ＣＨＦ３等分子内にＦとＨを有するガスを用いることにより、ＳｉＯ２膜等を極めて選択性良く良好に高速エッチングできるようにしたドライエッチング方法を提供するものである。」（第２頁左下欄第１３〜１７行）、
　（３ｄ）「ステンレス製の減圧容器（１）は、減圧容器（１）壁と対向して非磁性材料であるステンレス製の第１の電極を備え、陽極である前記減圧容器（１）と平行平板電極を構成している。第１の電極は陰極（放電電極）（２）である。陰極（２）はマッチング回路（高周波整合回路）（３）を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源（４）に接続されている。・・・・陰極（２）の裏面には、これと非接触の状態で磁気手段が設けられている。・・・・従って試料（１２）のエッチング面全面が前記直交領域に生じた導入ガスのマグネトロン放電（磁界と電界による放電）領域下を通り抜ける様に相対移動する。」（第２頁右下欄第２行〜第３頁左上欄第１１行）。
　（３ｅ）以上の他、マグネトロン放電を利用したドライエッチング装置の実施例（カソードカップリング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置）を示す第１図が図示されている。
　　　
五．対比・検討
１．第１発明について
　イ）第１発明は、シリコン化合物膜のエッチング方法において、特に、以下の３点を特徴点とするものである。
　特徴点１：１段階目（途中まで）のエッチングを「水素を含有しないフッ化炭素系ガスを主成分とするガス」で行う点。
　特徴点２：２段階目（残部）のエッチングを「水素を含有するフッ化炭素系ガスを主成分とするガス」で行う点。
　特徴点３：エッチングを「磁場印加」下に行う点。
　上記特徴点１〜３を備えることにより、第１発明は、エッチングの高速化を図ると共に、下地に対するダメージを低減することができ、かつ、面内均一性の向上も図ることができるという顕著な効果を奏し得るものである（特許掲載公報第４欄第１５〜２６行、同第８欄第５〜１０行、同第９欄第２０〜２５行、同第１２欄第２〜５行参照。）。
　　　
　ロ）これに対して、甲第１号証には、シリコン化合物層のエッチング方法において、ＣＦ４で１段階目のエッチングを行い、次にＣＦ４＋Ｈ２混合ガスで２段階目のエッチングを行うことが記載されているから、上記特徴点１及び２が記載されているものと認められる。
　しかしながら、第１号証には、エッチングを磁場印加下に行う点、つまり「特徴点３」が記載されていない。　　　
　　　
　ハ）一方、甲第３号証には、水素を含有するフッ化炭素系ガスを主成分とするガス（ＣＨＦ３等分子内にＦとＨを有するガス）を用いてシリコン化合物（ＳｉＯ２）膜をエッチングする際に、「エッチングを磁場印加下に行う点」つまり「特徴点３」を備えるエッチング方法が記載されている（摘記（３ａ）、（３ｃ）参照。）。
　そして、かかるエッチング方法によれば、ＳｉＯ２膜等を極めて選択性よく良好に高速エッチングできることも開示されている（摘記（３ｃ）参照。）。
　　　
　ニ）甲第１号証記載の発明及び甲第３号証記載の発明は、いずれも、「フッ化炭素系ガスを主成分とするガスを用いて行うシリコン化合物膜のエッチング方法」である点で共通する。
　しかしながら、甲第１号証記載の発明において、甲第３号証記載の「エッチングを磁場印加下に行う点」つまり「特徴点３」を適用すべき根拠となるような記載は、これら各号証のいずれにも見あたらない。
　以下、この点について詳述する。
　　　　
　ホ）本件第１発明が特徴点３を具備することの効果としては、「面内均一性の向上」が挙げられる（特許掲載公報第１２欄第２〜５行参照。）。
　さらにいえば、特徴点３は、特徴点１と相まってエッチングの高速化に寄与し（特許掲載公報第４欄第１５〜１７行、同第９欄第２０〜２４行参照。）、また特徴点２と相まってダメージの低減に寄与しており（特許掲載公報第４欄第１７〜２１行、同第５欄第２０〜２２行参照。）、したがって、第１発明では、特徴点１ないし３の全てを備えることによる顕著な相乗効果が達成されている。
　これに対して、甲第３号証には、エッチングを磁場印加下に行うと面内均一性が向上するという認識が示されていない。
　つまり、甲第１号証記載の発明に甲第３号証記載の特徴点３を適用すれば面内均一性が向上するであろうとは、当業者といえども予測できるものではない。
　してみれば、特徴点３を備えることにより面内均一性の向上という予測できない効果に加えて上記相乗効果をも奏し得ている第１発明については、甲第１号証記載の発明に甲第３号証記載の発明を適用することによって当業者が容易に想起できた程度のものであるとすることはできない。
　　
　ヘ）なお、甲第２号証には、エッチングの途中でガス種を変えることにより、高速かつダメージを少なくしてシリコン化合物膜（ＳｉＮ膜）のエッチングを行い得ることが開示されている（摘記（２ｅ）参照。）ものの、甲第２号証記載の発明では、１段階目及び２段階目で用いるガス種が第１発明のものと逆順であり、かつ、エッチングを磁場印加下に行うものでもない。
　つまり、甲第２号証には、特徴点１ないし３のいずれについても記載がない。
　また、この甲第２号証記載の発明を、甲第１号証記載の発明または甲第３号証記載の発明に適用すべき根拠を見出すこともできない。
　　　
　ト）したがって、本件第１発明については、甲第１〜３号証記載のものから当業者が容易になし得た程度の発明であるとは認められない。
　　　
２．第２発明について
　第２発明は、第１発明の構成を全て備えた上で、さらに「カソードカップリング平行平板型マグネトロンＲＩＥ装置を用いる」という構成が直列的に付加されたものである。
　してみれば、上記「１．第１発明について」の項で述べた理由と同様な理由で、本件第２発明については、甲第１〜３号証記載のものから当業者が容易になし得た程度の発明であるとすることはできない。
　　　
六．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件第１及び第２発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１及び第２発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１６日（２００１．１．１６）