【事件の表示】
　特許第２６００４５０号「半導体封止用エポキシ組成物」の請求項に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２６００４５０号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
  本件特許第２６００４５０号は、平成２年６月１８日に出願され、平成９年１月２９日に設定の登録がなされたものであって、その後に特許異議の申立てがあり、それに基づく特許取消の理由通知に対し、意見書が提出されたものである。
２．本件発明
　本件の請求項に係わる発明は、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものと認める。
  「【請求項１】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、溶融シリカ（Ｃ）、ハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）、臭素化合物（Ｅ）およびアンチモン化合物（Ｆ）からなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（Ｉ）
（ただしＲ１ 〜Ｒ８ は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
で表される骨格を有するエポキシ樹脂（ａ）を必須成分として含有し、前記溶融シリカの割合が７９〜９０重量％であり、ハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）の割合が全体の０．０１〜１０重量％である半導体封止用エポキシ組成物。
【請求項２】溶融シリカ（Ｃ）が平均粒径１０μｍ以下の破砕溶融シリカ９９〜５０重量％と平均粒径４０μｍ以下の球状溶融シリカ１〜５０重量％からなる請求項（１）に記載の半導体封止用エポキシ組成物。
【請求項３】請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂で封止された半導体装置。」
（なお、特許明細書における、請求項１の「半導体不使用エポキシ組成物」は特許明細書全体の記載からして「半導体封止用エポキシ組成物」の誤記と認められ、請求項２の「請求項（１１）に記載」は明らかに「請求項（１）に記載」の誤記と認められるから、上記のとおり認定した。）
３．引用刊行物の記載事項
  本件発明に対して平成１１年７月２９日付けで通知された特許取消理由における引用刊行物である、本件の出願前国内において頒布された特開平２−９９５５１号公報（特許異議申立てにおける甲第１号証：以下、「引用例１」という。）には、［イ］「（１）エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、ポリスチレン系ブロック共重合体（Ｃ）および平均粒径２０μｍ以下の溶融シリカ（Ｄ）７０〜８５重量％からなるエポキシ系樹脂組成物であって、前記溶融シリカ（Ｄ）が平均粒径１２μｍ以下の破砕溶融シリカ（Ｄ′）４０重量％以上と平均粒径４０μｍ以下の球状溶融シリカ（Ｄ″）６０重量％以下からなるエポキシ系樹脂組成物。
（２）エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（Ｉ）
（ただしＲ１ 〜Ｒ８ は水素原子、Ｃ１  〜Ｃ４  の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂（Ａ′）を必須成分として含有する請求項１記載のエポキシ系樹脂組成物。」（特許請求の範囲）、［ロ］「本発明の目的は、高温の半田付け工程で生じるクラックの問題を解消し、リードフレームとの接着性が高く信頼性の高いエポキシ系樹脂組成物を提供することにあり、表面実装ができる樹脂封止半導体装置を可能にすることにある。」（第３頁左上欄）、［ハ］「本発明のエポキシ系樹脂組成物には・・・ハロゲン化合物・・・などの難燃剤、三酸化アンチモンなどの難燃助剤・・・を任意に添加することができる。」（第６頁左上欄〜右上欄）、［ニ］「信頼性：前記の半田耐熱性試験を行なった４４ｐｉｎＱＦＰを用い、１２１℃、１００％ＲＨで加湿処理し、ピン不良発生率５０％になる時間を求めた。」（第６頁左下欄）と記載されている。
  また、同引用刊行物である、本件の出願前国内において頒布された特開平１−２０６６５６号公報（特許異議申立てにおける甲第２号証：以下、「引用例２」という。）には、［ホ］「下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。　（Ａ）エポキシ樹脂。　（Ｂ）フェノール樹脂。　（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。　（Ｄ）・・・酸化アンチモン粉末。　（Ｅ）・・・溶融シリカ粉末。　（Ｆ）・・・ハイドロタルサイト類化合物。」（特許請求の範囲）、［ヘ」「この発明は・・・高温雰囲気中に長時間放置しても優れた信頼性を保持し・・・半導体装置の提供をその目的とする。」（第２頁左下欄）、［ト］「エポキシ樹脂組成物のＡ成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するものではなく、・・・従来より用いられている各種のエポキシ樹脂をあげられる。・・・上記Ｂ成分のフェノール樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり」（第３頁左上欄〜右上欄）と記載されている。
４．対比と判断
  上記した引用刊行物１の記載事項の［イ］からみて、引用例１には、「式（Ｉ）で表される骨格を有するエポキシ樹脂、硬化剤、溶融シリカ７０〜８５重量％からなるエポキシ組成物」の発明が記載され、当組成物には、同記載事項の［ハ］からみて、ハロゲン化合物とアンチモン化合物も添加され（ハロゲン化合物として表１（第６頁）などに臭素化合物が例示されている。）、同記載事項の［ロ］からみて、当組成物は半導体封止用のものであるので、本件請求項１に係わる発明（以下、「本件発明１」という。）と引用例１に記載された発明（以下、「引用発明１」という。）とを対比すると、両発明は、「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、溶融シリカ（Ｃ）、臭素化合物（Ｅ）およびアンチモン化合物（Ｆ）からなる樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）が下記式（Ｉ）
（ただしＲ１ 〜Ｒ８ は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）
で表される骨格を有するエポキシ樹脂（ａ）を必須成分として含有し、前記溶融シリカの割合が８０〜８５重量％である半導体封止用エポキシ組成物。」の発明として一致し、本件発明１がハイドロタルサイト系化合物（Ｄ）を含有し、その割合が全体の０．０１〜１０重量％であるのに対して、
引用発明１にはハイドロタルサイト系化合物が含有されない点において、両発明は相違している。
　なお、記載事項の［イ］からみて、引用発明１はポリスチレン系ブロック共重合体をも必須成分とするものであるが、本件発明１も、特許明細書第１９頁（特許公報第９欄１１〜１８行）に記載のとおり、当共重合体の使用を排除するものではなく任意に添加使用するものであって、この点においては両発明は相違しない。
　当相違点を検討すると、上記した引用刊行物２の記載事項の［ホ］および［ト］からみて、引用例２には、「エポキシ樹脂、硬化剤、溶融シリカ、ハイドロタルサイト系化合物、臭素化合物およびアンチモン化合物からなる樹脂組成物である、半導体封止用エポキシ組成物。」の発明が記載され（これを以下、「引用発明２」という。）、この発明は半導体エポキシ組成物においてハイドロタルサイト系化合物を使用するものであり、全体に対する該化合物の使用割合は実施例の第２表（第６頁）から計算すると、０．４２〜５．０重量％である。なお、充填剤のシリカや難燃剤が配合された半導体封止用エポキシ組成物においてハイドロタルサイト系化合物を使用することは、特許異議申立てにおいて提示された甲第３〜４号証にも記載され、周知技術というべきものである。
　そして、引用発明１と引用発明２は、組成成分がほぼ一致する半導体封止用エポキシ組成物であり、記載事項の［ニ］および［ヘ］からみて、共に、半導体封止組成物として高温雰囲気中においても優れた信頼性を実現することを発明の課題としているから、当業者が引用発明１と引用発明２とを結びつけることを阻害する要因はなく、また、引用発明２におけるハイドロタルサイト系化合物の、組成物全体に対する使用割合も本件発明１におけるものと重複するものである。
　さらに、引用発明１は、記載事項の［ロ］および［ニ］からみて、半田耐熱性および高温信頼性に優れ、引用発明２は、記載事項の［ヘ］からみて、高温信頼性に優れ、共に難燃剤による難燃性をも示す発明であって、一方、本件特許明細書の表３に要約された本件発明１の奏する効果も、難燃性の向上と共に、エポキシ樹脂や溶融シリカあるいはハイドロタルサイト系化合物などの各成分により半田耐熱性が向上し、高温寿命が向上するものであり、これらは各引用発明が示す効果と同等のものにすぎず、各成分による格別の相乗的効果も特に認められない。
　結局、以上のことからして、本件発明１は、引用発明１および引用発明２を組み合わせて当業者が容易に発明をすることができたものであるといわざるをえない。
　次に、本件請求項２に係わる発明（以下、「本件発明２」という。）は、本件発明１の半導体封止用エポキシ組成物を主要な構成とし、溶融シリカの粒径を特定しただけのものであり、また、当粒径の特定は上記の記載事項の［イ］のとおり、引用発明１における当粒径の特定と重複するものであるから、本件発明１における上述の理由と同じ理由により、本件発明２も引用発明１および引用発明２を組み合わせて当業者が容易に発明をすることができたものであるといわざるをえない。
  また、本件請求項３に係わる発明も、本件発明１および２に係わる半導体封止用エポキシ組成物を主要な構成とし、その組成物で封止された半導体装置としただけのものであるから、本件発明１における上述の理由と同じ理由により、引用発明１および引用発明２を組み合わせて当業者が容易に発明をすることができたものであるといわざるをえない。
５．むすび
  以上のとおりであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定に該当するので、同法第１１４条第２項の規定により本件特許は取り消すべきものである。
  よって、結論のとおり決定する。
  平成１２年１０月１２日
  審判長  特許庁審判官  吉村  康男
          特許庁審判官  柿崎  良男
          特許庁審判官  小島    隆
【異議決定日】
平成１２年１０月１７日（２０００．１０．１７）