【事件の表示】
　特許第２７１７８７９号「グレースケール液晶装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７１７８７９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２７１７８７９号は、平成２年１０月２６日に出願され（優先権主張日平成１年１０月２７日）、平成９年１１月１４日にその設定登録がなされ、その後、末沢雄二より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年５月６日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
▲１▼訂正の内容
　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１乃至請求項３、
「請求項１　強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示し、液晶材料の分子配向が連続的に変化することができ、制御することができる強誘電性液晶装置。
　請求項２　装置が、装置に掛けられたバイアス電圧の変化と共にキャパシタンスの変化を示す請求項１に記載の装置。
　請求項３　装置が、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでのバイアス電圧の変化に対し少なくとも５％のキャパシタンスの変化を示す請求項１に記載の装置。」
を、
「請求項１　強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、前記強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示すことを利用して、液晶材料の分子配向を連続的に変化することができ、制御することができ、よって、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示す、強誘電性液晶装置。
　請求項２　強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有する強誘電性液晶装置であって、前記強誘電性液晶材料は、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでの装置に掛けられたバイアス電圧の変化と共に、誘電定数の少なくとも５％の変化を示し、それに基づいて装置のキャパシタンスが変化を示して、前記強誘電性液晶材料の分子配向は連続的に変化することができ、制御することができ、よって、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示す、強誘電性液晶装置。
　請求項３　強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示し、前記強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示して液晶材料の分子配向を連続的に変化することができ、制御することができ、装置が、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでのバイアス電圧の変化に対し、前記強誘電性液晶材料の誘電定数の変化によってもたらされる、少なくとも５％のキャパシタンスの変化を示す、強誘電性液晶装置。」
と訂正するものである。
▲２▼訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、請求項１では、「強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示すことを利用」と構成要件を限定し、かつ不明瞭な記載を改めたものであり、請求項２では、従属請求項を独立請求項に訂正すると共に、「強誘電性液晶材料は、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでの装置に掛けられたバイアス電圧の変化と共に、誘電定数の少なくとも５％の変化を示し、それに基づいて（装置のキャパシタンスが変化する）」と限定するものであり、請求項３では、従属請求項を独立請求項に訂正すると共に、「強誘電性液晶材料の誘電定数の変化によってもたらされる（少なくとも５％のキャパシタンスの変化）」と限定するものであって、いずれも特許請求の範囲の減縮に該当し、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではないし、新規事項の追加にも該当しない。
　以下、訂正後の請求項１乃至請求項３に係る発明の独立特許要件について検討する。
▲３▼独立特許要件の判断
（引用例）
　取消理由で通知した、本願出願前公知である特開昭６３−２３７０３５号公報（以下、第１引用例という。）には、
「電極を設けた複数の基板間に強誘電性を示すカイラルスメクチック液晶を封入したセル構造を有する強誘電性液晶素子の階調法において、極性の異なる電界を印加した際に取る基板に平行かほぼ平行な２つの配向状態のうち、どちらか片方のみを安定な状態にせしめ、安定な状態から不安定な状態へ電界により分子が移動する際に液晶に印加される電界強度を段階的に変える事によって分子の移動角度を電界強度に応じて制御し、分子の移動角度の大きさにより該液晶層を挟むように設置した偏光板を通過する光の量を段階的に変えられる事を特徴とする強誘電性液晶素子の階調法」（特許請求の範囲第（１）項）、
「本発明では、・・・選択期間に印加される電界の強度に応じ不安定化状態への分子長軸方向の振れ角を連続的に変化させる事で階調を行なう。」（公報第２頁左下欄第１３行〜第１９行）、
「第１図は本発明に使用した強誘電性液晶素子の動作基本原理を表わす模式図である。ここで１０１，１０２は電極を設けた基板を表わす。１０５，１０９はカイラルスメクチック液晶分子の長軸を表わし、電界の向き１０３，１０４に応じて自発分極１０７，１０８がそれぞれ方向を変える事により図のような双安定な状態を取る。」（公報第２頁右下欄第２行〜第８行）、
「素子が理想的な双安定性を示せば、電界パルス遮断後の光量は２０４のように立ち上がった状態で安定化する。しかし、片安定な素子においては、２０５のようにもとの配列状態に自発的にもどってしまい光量変化に立ち下がりが見られる。この様な片安定なセルは、液晶層に接する基板表面である配向層の材料の種類を変える事によって得られる。」（公報第２頁右下欄第１８行〜第３頁左上欄第５行）と記載されている。
　同じく特公昭６２−４４２４７号公報（以下、第２引用例という。）には、
「第１図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたものである。・・・基板１１と１１’上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）１４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子１３の配向方向を変えることができる。・・・さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１μ）には、第２図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子のらせん構造は、ほどけ、その双極子モーメントＰ⊥又Ｐ’は上向き２４又は下向き２４’のどちらかの状態をとる。」（公報第３頁左欄第３６行〜右欄第１５行）と記載されている。
（対比）
　訂正後の請求項１に係る発明（訂正発明１という。）と第１及び第２引用例に記載された発明とを対比すると、第１引用例に記載された発明は、「２つの配向状態のうち、片方のみを安定な状態にせしめ、安定な状態から不安定な状態へ電界により分子が移動する際に液晶に印加される電界強度を段階的に変えることによって分子の移動角度を電界強度に応じて制御」するものであり、第２引用例に記載された発明は、液晶分子の配向が双安定状態を有することを利用した２値の表示を行うものであり、グレースケール表示に関しては記載されていないのに対し、訂正発明１は、「強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示すことを利用して、液晶材料の分子配向を連続的に変化する」という構成要件を具備している点で相違している。
　そして、訂正発明１は、第１引用例に記載された発明と、グレースケール表示の動作原理が全く異なり、他に訂正発明１のグレースケール表示の動作原理が公知であることを示す証拠はないから、訂正発明１は、第１引用例に記載された発明と同一ではなく、また、第１及び第２引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　さらに、訂正後の請求項２に係る発明及び請求項３に係る発明（以下、訂正発明２及び訂正発明３という。）は、訂正発明１が、単に「強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示す」ことを利用することのみを構成要件としているのに対し、訂正発明２では、「強誘電性液晶材料は、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでの装置に掛けられたバイアス電圧の変化と共に、誘電定数の少なくとも５％の変化を示し、それに基づいて装置のキャパシタンスが変化を示す」こと、訂正発明３では、「分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでのバイアス電圧の変化に対し、前記強誘電性液晶材料の誘電定数の変化によってもたらされる、少なくとも５％のキャパシタンスの変化を示すであり、装置に掛けられたバイアス電圧の変化と共にキャパシタンスの変化を示す」こと、を構成要件としており、訂正発明１の構成要件をさらに限定したものであるから、訂正発明２及び訂正発明３は、訂正発明１と同様に、第１及び第２引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
（結論）
　よって、訂正後の請求項１乃至請求項３に係る発明は、独立して特許を受けることができるものである。
▲４▼むすび
　よって、本件訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許第２７１７８７９号の請求項１乃至請求項３に係る発明は、平成１１年５月６日付けの訂正請求書により訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至請求項３に記載されたとおりのものと認める。
（特許異議申立人の主張の概要）
　これに対して、特許異議申立人末沢雄二は、甲第１号証として特開昭６３−２３７０３５号公報、甲第２号証として特公昭６２−４４２４７号公報、甲第３号証として、特許庁編「特許・実用新案審査基準」第ＩＩ部第２章２．８数値限定を伴った発明の進歩性の考え方、を提示して、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一、あるいは甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項２及び請求項３の記載は、特許明細書の発明の詳細な説明の記載に充分に支持されるものではないから、特許法第３６条の規定に違背する、旨主張している。
（甲各号証の記載事項）
　特許異議申立人の提示した甲第１号証及び甲第２号証は、取消理由で通知した第１引用例及び第２引用例であるから、上記（２）▲３▼（引用例）に示した発明が記載されており、甲第３号証には、「なお、効果の顕著性は、数値限定の範囲内のすべての部分で満たされる必要がある。」と記載されている。
Ａ．特許法第２９条第２項について
（当審の判断）
　本件請求項１乃至請求項３に係る発明は、上記（２）▲３▼（対比・判断）に記載した理由により、甲第１号証に記載された発明と同一、あるいは甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
Ｂ．特許法第３６条について
　特許異議申立人は、
（イ）特許明細書に、本件特許発明の強誘電性液晶装置に駆動に際し如何なる駆動電圧が印加されるべきかに関し、一般的な記述はない。
（ロ）特許明細書に、どのような特性が得られているが故に、「希望の制御されたグレースケール効果」を持つと判断されているのか、を理解することができるために必要な記載がない、
（ハ）請求項２の記載は、所定のグレースケール表示特性を示さないような液晶材料を使用する装置を包含するものであり、また、請求項３の記載は、「少なくとも５％のキャパシタンスの変化を示す」というものであるが、明細書中の例１〜例６において測定された誘電定数の変化は３８％以上であり、審査基準の「効果の顕著性は、数値限定の範囲内のすべての部分で満たされる必要がある。」に照らしても、発明の詳細な説明の記載に充分に支持されるものではない、
旨主張している。
　以下、これについて検討する。
（イ）特許異議申立人の主張するように、本件特許明細書に記載されている「各実施例のセルの試験方法」（公報第５頁左欄第９行〜第２０行）と、第６図とが整合しないとしても、本件特許発明の強誘電性液晶材料が、電圧変化に対する誘電定数変化が大きいものであり、電圧変化により液晶材料の分子配向を連続的に変化することができるものであれば、駆動電圧を変化させることにより、連続グレースケール表示の可能な強誘電性液晶装置となることは明らかであり、具体的な駆動電圧を記載する必要性は認められない。
（ロ）例１〜例６（実施例）では、±１５Ｖ／μの電圧変化に対する誘電定数変化は３８％〜１２５％であるのに対し、例７〜例１０（比較例）では、誘電定数変化は０．２％〜４％である。
　そして、請求項２及び特許明細書の「本発明の　有用な装置は、±１５Ｖ／μまでのバイアス電圧の変化に対し少なくとも５％の誘電定数の変化を示す液晶材料を含んでいる。」（公報第４頁左欄第４３行〜第４５行）との記載から、本件発明では、「±１５Ｖ／μまでのバイアス電圧の変化に対し少なくとも５％の誘電定数の変化を示す」ことが、「希望の制御されたグレースケール効果」を持つ条件と判断されていることは自明である。
（ハ）請求項２及び請求項３は訂正されて、それぞれ、請求項２では、「強誘電性液晶材料は、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでの装置に掛けられたバイアス電圧の変化と共に、誘電定数の少なくとも５％の変化を示し、それに基づいて装置のキャパシタンスが変化を示す」と、請求項３では、「分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでのバイアス電圧の変化に対し、前記強誘電性液晶材料の誘電定数の変化によってもたらされる、少なくとも５％のキャパシタンスの変化を示す」となっており、共に、所定のグレースケール表示特性を示さないような液晶材料を使用する装置を包含するものではない。
　また、特許異議申立人が提示した「審査基準」は、「数値限定を伴った発明の進歩性の考え方」に関するものであり、数値限定を伴った発明が、引用発明と対比して、数値限定を除けば両者が同じ構成を有している場合の、進歩性の考え方であり、本件の如く、本件発明が、引用発明と対比して、数値限定以外に異なる構成要件を具備している場合に適用される要件ではない。
　なお、数値の「少なくとも５％」については、印加電圧、消光比等を勘案して適宜数値設定を行えばよいものと認められ、比較例が４％以下であることも考慮して、本件では、上記（ロ）に記載した如く、５％以上であれば、「希望の制御されたグレースケール効果」を持つと判断されているものである。
　よって、特許異議申立人の主張を検討しても、請求項２及び請求項３の記載が、特許法第３６条の規定に違背するものと認めることはできない。
（むすび）
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１乃至請求項３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至請求項３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月９日（１９９９．７．９）
【訂正の要旨】
訂正事項
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１乃至請求項３、
「請求項１　強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示し、液晶材料の分子配向が連続的に変化することができ、制御することができる強誘電性液晶装置。
　請求項２　装置が、装置に掛けられたバイアス電圧の変化と共にキャパシタンスの変化を示す請求項１に記載の装置。
　請求項３　装置が、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでのバイアス電圧の変化に対し少なくとも５％のキャパシタンスの変化を示す請求項１に記載の装置。」
を、
「請求項１　強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、前記強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示すことを利用して、液晶材料の分子配向を連続的に変化することができ、制御することができ、よって、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示す、強誘電性液晶装置。
　請求項２　強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有する強誘電性液晶装置であって、前記強誘電性液晶材料は、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでの装置に掛けられたバイアス電圧の変化と共に、誘電定数の少なくとも５％の変化を示し、それに基づいて装置のキャパシタンスが変化を示して、前記強誘電性液晶材料の分子配向は連続的に変化することができ、制御することができ、よって、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示す、強誘電性液晶装置。
　請求項３　強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示し、前記強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示して液晶材料の分子配向を連続的に変化することができ、制御することができ、装置が、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでのバイアス電圧の変化に対し、前記強誘電性液晶材料の誘電定数の変化によってもたらされる、少なくとも５％のキャパシタンスの変化を示す、強誘電性液晶装置。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
グレースケール液晶装置
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、
前記強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示すことを利用して、
を
　（２）
強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有する強誘電性液晶装置であって、前記強誘電性液晶材料は、分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後、±１５ボルト／μまでの
、誘電定数の少なくとも５％の変化を示し、それに基づいて装置の
が
して、前記強誘電性液晶材料の分子配向は連続的に変化することができ、制御することができ、よって、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することが
きる光透過性を示す、強誘電性液晶装
　（３）
強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性を示し、前記強誘電性液晶材料がバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示して液晶材料の分子配向が連続的に変化することができ、制御することができ、
、前記強誘電性液晶材料の誘電定数の変化によってもたらされる、
、強誘電性液晶
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、強誘電性、又は傾斜キラル　スメクチック（ｔｉｌｔｅｄ　ｃｈｉｒａｌ　ｓｍｅｃｔｉｃ）液晶表示装置に関する。
　米国特許第４，３６７，９２４号明細書〔クラーク（Ｃｌａｒｋ）その他〕には、平らな板で、それら板に平行に分子が配外するように処理した板の間にキラル　スメクチックＣ又はＨ液晶を含む電気光学的装置が記載されている。それら板は、配向場の二つの安定な状態を形成するように材料本体に典型的な螺旋をほどくことができる充分小さな距離だけ隔てられている。
　米国特許第４，５６３，０５９号明細書（クラークその他）には、板に対し特別な強誘電性分子配向が行えるように処理した板の間に入れた強誘電性液晶を含む液晶装置が記載されている。それらの液晶装置は、単独又は組合せて、非平面境界条件、極性境界条件、多重物理的状態をもつ境界、分極配向電場に固有な自然的扇形（ｓｐｌａｙ）歪み、強誘電性及び誘電性併合トルク、板に対して傾斜した層、を用いている。それら板は、新規な電気光学的性質を示す一つの安定状態、二つの安定状態、又は多様な安定状態を形成できるように材料本体に典型的な螺旋をほどくのに充分な小さい距離だけ隔てられている。
　米国特許第４，８６１，１４３号明細書（山崎その他）には、中間的水準の電圧を適用することにより惹き起こされるグレースケール（ｇｒｅｙ　ｓｃａｌｅ）を示すキラル　スメクチック液晶表示装置が記載されている。表示装置の各画素の中には、液晶層の多数のドメイン（ｄｏｍａｉｎ）が存在し、その或るものは透明であるが、他のものは画素を灰色調にする不透明性を有する。中間的電圧に呼応して、液晶層は中間的状態になり、一つの画素内で或る分子は透明状態になるが、他の分子は不透過状態になる。その中間的状態は安定化され、一つの画素内で相対する基板間の距離の変動のため、即ちそれらの上に印加された電場の変動のため、種々の透過性を実現する。換言すれば、画素は異なった閾値電圧を有する複数のドメインに区分されている。
　レイガーウォール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ），Ｓ．Ｔ．、ウォール（Ｗａｈｌ），Ｊ、及びクラーク，Ｎ．Ａ．による「表示装置のための強誘電性液晶」（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　ｆｏｒ　Ｄｉｓｐｌａｙｓ）〔１９８５年表示装置研究国際会議（１９８５　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ），ｐｐ．２１３−２２１）〕には、多数のドメインをもつ微粒セル（ｃｅｌｌ）表面構造（空間積分）、又は異なった負荷時間率によるスイッチング（時間積分）により発生するグレースケール能力を有する液晶装置が記載されている。
　ロス（Ｒｏｓｓ），Ｐ．Ｗ．による「ビデオ画面速度で作動する７２０×４００マトリックス強誘電性表示装置」（７２０×４００　Ｍａｔｒｉｘ　Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ　ａｔ　Ｖｉｄｅｏ　Ｆｒａｍｅ　Ｒａｔｅ）〔１９８８年表示装置研究国際会議（１９８８　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ），ｐｐ．１８５−１９０）〕には、グレースケールが二つの方法によって強誘電性表示装置へ導入することができることが記載されている。一つは一層小さな指定可能な領域へ画素を分割する方法である。そのような方法は微細な光りトグラフ的幾何学性を必要とし、もし走査線の数の増大が得られるならば、必要な指定速度を増大することもできる。もう一方の方法は、単純な画素構造を保持するが、画面走査時間内で反復指定を用い、画素の明から暗への作動サイクル時間を変化させる。ロスは、実際上最適グレースケール法はこれらの空間的及び時間的ディザ法の組合せになるであろうことも記述している。
　ハートマン（Ｈａｒｔｍａｎｎ），Ｗ．Ｊ．Ａ．Ｍによる「強誘電性液晶ビデオ表示装置」（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｖｉｄｅｏ　Ｄｉｓｐｌａｙ）〔１９８８年表示装置研究国際会議（１９８８　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ），ｐｐ．１９１−１９４〕には、グレースケールを発生させる多数のドメインをもつ構造を用い、それによって表面調製法により欠陥が人工的に誘発されることが記載されている。
　クラーク，Ｎ．Ａ．その他による「強誘電性液晶を用いた変調器、線形アレー及びマトリックス　アレー（Ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ，Ｌｉｎｅａｒ　Ａｒｒａｙｓ，ａｎｄ　Ｍａｔｒｉｘ　Ａｒｒａｙｓ　Ｕｓｉｎｇ　Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ）〔ソサイアティ・フォア・インフォメーション・ディスプレイ（Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）予稿集、１９８５年、第２６巻、ＰＰ．１３３−１３９〕には、グレースケールを得るための時間的ディザが記載されている。この方法は、時間量を変えるため装置画素をオン・オフし、可変性透過光エネルギーをもたらし、それがグレースケールとして観察される。この方法は装置のための駆動機構を複雑にし、最新の表示装置の速度を低下する。
　富川による「ラベリングによる擬連続色調の同定」（Ａｎ　Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｐｓｅｕｄｏ　Ｃｏｎｔｍｕｏｕｓ　Ｔｏｎｅ　ｂｙ　Ｌａｂｅｌｉｎｇ）〔１９８８年表示装置研究国際会議講演集（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　Ｒｅｃｏｒｄ　ｏｆ　１９８８　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ），ｐｐ．１４６−１５１〕には、グレースケールを得るための空間的ディザが記載されている。この方法は超画素（ｓｕｐｅｒ　ｐｉｘｅｌ）を遥かに小さな独立に指定できる領域へ分割している。これらの小さな素子の作動数を変えることによりグレースケールが得られる。この方法は指定する必要のある表示素子数を増大することにより装置を複雑化している。
　レロックスによる「グレー　レベルを有する白黒　ＦＬＣＴＶ画面」（Ｂｌａｃｋ　ａｎｄ　Ｗｈｉｔｅ　ＦＬＣ　ＴＶ　Ｐａｎｅｌ　ｗｉｔｈ　Ｇｒｅｙ　Ｌｅｖｅｌｓ）〔１９８８年表示装置研究国際会議（１９８８　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ），ｐｐ．１１−１３〕には、多数ドメインのスイッチング、時間積分及び空間積分の組合せを用いて達成されたグレー　レベルをもつ強誘電性液晶ＴＶ画面が記載されている。これは、多数の分割画素のための多数の接続器を必要とする空間的方法と、極めて速い液晶材料呼応時間を必要とする時間的方法との折衷案である。
〔本発明の要約〕
　本発明は、強誘電性液晶材料の非螺旋状配列を与えるように配置された透明基体及びそれに相対する基体、前記基体と前記基体上の電極との間に配置され、一つ又は複数の画素を定める強誘電性液晶材料を有し、前記各画素は印加した電場の関数として制御された連続的に変化することができる光透過性（連続的グレースケール）を示し、液晶材料の分子配向が連続的に変えられ、制御することができる強誘電性液晶装置に関する。
　本発明の液晶装置は、連続的に変化することができるグレースケール光透過性を与えながら、二つの安定状態をもつ装置の速い応答時間をもっことができ、その応答時間は変動灰色度の関数として変化する。本発明の液晶装置は、液晶表示装置のスイッチング素子、光学的シャッター、及び光学的シャッター　アレーを含めた種々の電気光学的用途に有用であるが、それらに限定されるものではない。本発明は、意図的であるが制御できない欠陥の含有、複雑な時間積算構造、複雑な装置構造、又は多数の分割画素のための困難な配線及び指定方式に左右されないグレースケール装置を与える。
〔本発明の詳細な記述〕
　クラークその他による米国特許第４，３６３，０５９号及び第４，３６７，９２４号明細書に記載されているような強誘電性液晶装置は、一般に二つの安定状態をもつ、即ち２レベル装置である。そのためそれらは、視覚に訴える像を生ずるための色調変化を必要とする可視表示装置又はプリンター出力の場合のような２つより多いレベルを必要とする映像情報を表示する装置に対しては不適切である。２レベル装置の欠点は、二要素の性質をもつため、各画素即ちピクセルが完全に透過性であるか又は吸収性であることである。従って、色調変化の発生は空間的又は時間的ディザの如き別の通常の対策を必要とする。
　強誘電性液晶グレースケール装置を与えようとする今までの研究は、全て色調変化を生じさせるのに２レベル装置を種々の方式で用いることに向けられていた。ネマチック液晶装置で可能になるものと同様な、入力電圧の大きさに直接比例した透過率変調を示すが、強誘電性液晶装置の速度をもつ装置を作ることは特に有利であろう。これは光の透過率が装置から得られる透過率範囲に亘って連続的に変化できるようにするものであろう。
　本発明は無限の数の色調変化水準を与えることができるそのような装置を与えるものである。どのような像に対しても透過率曲線の傾斜を一連の段階的灰色水準へ分けることができ、一般にこれらの段階は４，８，１６，３２，６４，１２８、及び２５６の倍数であることが一般に認められている。水準の数が多い程、生ずる像は正確になる。従って、無限の数の水準を有する本発明の装置は、非常に高度な正確さをもつ像を生ずることができる。更に別の方法は、本発明を空間的又は時間的ディザと組合せて用いることであろう。
　従来技術の表面安定化装置では、液晶分子はそれらの最も低いエネルギー形態の二つの状態の何れかで存在し、両方の状態共、印加電場の極性によってアクセスすることができる。これは基体（又は境界面）の一方又は両方上の配列層を用い、セルの基体の間隔を液晶分子のキラルピッチ長さよりも狭くし、表面力が完全に分子のキラル螺旋をほどくことができるようにすることにより達成される。
　固定された分子傾斜角と基体の境界面は、それら分子の二つの可能な形態が存在することを示している。一つの形態では分極ベクトルが一つの境界面の方を指し、他方の形態では分極ベクトルは他方の境界面の方へ向いている。これらの二つの状態が装置の二つの安定な状態である。装置を通って電場を印加すると、液晶分子を一方の状態から他方の状態ヘスイッチさせるが、分子はそれらの最も低いエネルギー状態を常に求めるようになるであろう。分子の螺旋がほどけると、一方の状態から他方の状態への分子の移行は、通常のスメクチック層に平行な頂点及び中心線をもつ円錐によって描かれた道に沿っている。分子の二つの安定な状態な、この円錐状のどちらかの低エネルギー部位の所にある。
　液晶装置を通って電場を印加すると、装置内の液晶材料は二つの源から電場の力を受ける。自然的分極からの一つの力は、Ｐ・Ｅに比例し、電場と共に線形であり、誘電体誘電定数、ΔεＥ２の異方性から生ずる第二力は電場と共に矩形状に変化する。上の表現で、Ｐは分極であり、Δεは液晶材料の誘電異方性であり、Ｅは印加電圧の結果として装置を通って生じた電場である。用いられた材料及び分子の幾何学性により、これら二つの項は補足的仕方で働き、互いに反するか又は一方の項が他方の項を抑制することができる。一つの極端な例は、ΔεＥ２の項だけが存在し、グレースケールが常に可能なネマチック液晶材料の場合である。これまで知られている強誘電性装置及び材料では、Ｐ・Ｅの項は優位な項でり、二つの安定な状態のスイッチングが行なわれる。
　本発明では、材料、通常Ｐ・Ｅ項がΔεＥ２項よりも分子に対する力に寄与しない材料の適当な選択により、望ましい連続的グレースケールの光学的透過性を伴った強誘電体で通常予想される高速スイッチング特性をもつ装置を与える結果が得られることが発見されている。
　強誘電性二安定装置の場合のように、配列層によって生じた表面力が分子キラル螺旋を完全にほどき、それによって非螺旋状配列を与えることができるのに充分なように本発明の装置を薄くすることが必要である。分子螺旋がほどかれると、分子の動きは、二安定装置の場合と同じように円錐によって描かれた道に沿う。しかし、本発明の場合には、分子の動きは装置を通る電場を変えることによりその円錐に沿って制御することができ、連続的にかえることができる。
　本発明の液晶装置については、その中に入っている液晶材料はバイアス電圧の変化と共に誘電定数の変化を示さなければならず、それは印加したバイアス電圧と共にキャパシタンスの変化を示す装置となって現れることが見出だされている。誘電的呼応は周波数依存性であり、グレースケール効果を示す材料と、それを示さない材料との間の区別は、１０ｋＨｚより低い周波数で通常明白になり、キラル　スメクチックＣ　材料の分極による効果が▲屡▼々見出だされている。顕著な分極を示す材料では、損失係数のピークは▲屡▼々　１０ｋＨｚより低い所で▲屡▼々見出だされている。分散係数のピークが生ずる周波数、又はそれより低い周波数を、バイアスに対する誘電体測定のために選択するのが便利である。周波数に対する誘電定数、曲線Ａ、及び損失係数、曲線Ｂが第１図に示されている。
　本発明で用いるのに最も有利であることが見出だされている液晶材料は、米国特許第４，８８６，６１９号明細書〔ジャヌリス（Ｊａｎｕｌｉｓ）〕に記載されているようなフッ素化キラル液晶材料である。これらの材料は、それ単独で、又は他のフッ素化キラル又はアキラル材料又は炭化水素材料と混合して用いることができる。
　最初グレースケールを示さない材料の誘電的挙動を調べるのが有益である。１０ｋＨｚより低い周波数で測定したバイアス電場に対する誘電定数をプロットしたものが、５ｎＣ／ｃｍ２の分極を示す液晶混合物を含む装置（第２図）と、１ｎＣ／ｃｍ２より小さな分極を示す液晶混合物を含む装置（第３図）との二つについて示されている。
　両方の材料ともバイアス電場の高い所では誘電定数に極めて僅かな変化しか示さないが、５ｎＣ／ｃｍ２の分極を示す混合物では０ボルト／μ（ボルト／ミクロン）のバイアスの近くで尖った山が見られる。誘電定数は１ボルトＡＣ信号を用いてインピーダンス　メーターで測定された。０ボルト／μのバイアスの近くでは、そのＡＣ信号は、高分極材料の場合、上述の円錐の周りで分子を再配列させるのに充分であろう。フェロエレクトリックス（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ），７６，（１９８７）ｐｐ．２２１−２３２（Ｊ．パベル、Ｍ．グロガロバ及びＳ．Ｓ．バワ）には、平面状スメクチックＣ　試料にバイアス電場を印加すると、分極変化による誘電定数への全ての影響を抑制することができ、誘電定数の減少をもたらすことが示されている。低分極材料ではどのようなバイアス電場でも誘電定数に対する分極変化の影響は殆どない。
　それとは対照的に、第４図及び第５図には、グレースケールを示す液晶材料を含む装置についてのバイアス電場に対する誘電定数のプロットが示されている。
　測定は１０ｋＨｚより低い周波数で行われ、第４図のプロットは材料の分極が約３ｎＣ／ｃｍ２である装置を示し、第５図は１ｎＣ／ｃｍ２より小さな分極を示す材料を用いた装置を示している。混合物がグレースケールを示さない装置の場合の如く、高分極材料は誘電定数対バイアスで０ボルト／μのバイアスの近くで、恐らく同じ理由から尖った山を示している。バイアスが０ボルト／μから増大すると、誘電定数は、グレースケールを示さない装置の場合と丁度同じように、最低値へ低下する。しかし、本発明の装置ではバイアスが正又は負へ更に増大すると、誘電定数に大きな変化が観察される。
　本発明の有用な装置は、±１５ボルト／μまでのバイアス電圧の変化に対し少なくとも５％の誘電定数の変化を示す液晶材料を含んでいる。測定は、キラル　スメクチックＣ　材料の分極効果が見られ易い周波数（一般に１０ｋＨｚより小さい）で行われた。更に、誘電定数の変化は、通常０ボルト／μバイアスの近くで見られる分極効果を除去するのに充分な高いバイアスを印加した後だけであると考えられている。誘電定数対バイアスの変化が大きくなる程、装置の光学的透過率又はグレースケールの変化は顕著になる。また誘電定数対バイアス曲線の変化が鋭くなる程、装置の光学的透過率は印加電場の変化に対し一層敏感になる。
　グレースケールを示さない装置は、１５ボルト／μまでのバイアス変化で誘電定数に見られる変化が５％より小さい材料を含んでいた。誘電定数の変化はバイアス領域中に存在していたとしても、０ボルト／μでの尖った山から離れた所にある。
　本発明の装置は二つの相対する基体を有し、その一つは光学的に透明である。各基体の内側に向いた表面は、希望の模様を生ずる形態をした導電性電極を含んでおり、透明基体上の電極も透明である。電極はどのような導電性材料からなっていてもよく、一般的なものはインジウム錫酸化物であり、当分野で一般に知られた方法により適用することができる。基体の少なくとも一つは、囲まれた液晶材料を配向させるための配列層を上に有する。この配列層は当分野で知られたどのような方法によって形成してもよく、それには重合体の皮膜を付けて次に擦る方法、延伸配向重合体膜を適用する方法、或は種々の無機材料を付着させる方法が含まれる。相対する基体はスペーサーによって僅かな距離を隔てて配置され、その距離によって配列層に沿って中に入っている液晶材料の非螺旋状配列が可能になる。そのように作られた装置に次に今まで述べたバイアス電圧による誘電定数の変化を示す液晶材料を満たし、その縁を密封し、電極を適当な駆動用電源に接続する。駆動用電源電圧を変化させると、装置を通る電場が変化し、この電場の変化によって連続的に変化することができる制御されたやり方で液晶分子を配列させることができる。このようにして連続的に変化することができる制御されたグレースケールを示す装置が製造される。
　本発明の装置は、例えば相対する基体が透明な場合には透過性装置の形、相対する基体が反射性の場合には反射性装置の形、またゲスト・ホスト型効果を示す強誘電性液晶材料と混合した染料を用いた装置の形にすることができ、それらの形は全て当業者によく知られている。
　次の実施例の各々で液晶セルは、厚さ０．０４８ｉｎ×幅１．１３５ｉｎ×長さ１．３７５ｉｎの２枚の硼珪酸塩ガラス板を用いて作られた。各ガラス板の一つの表面をインジウム錫酸化物の透明導電性層の４００Å被覆で被覆し、次に標準的光リトグラフ法を用いて食刻し、各ガラス板上に９．５ｍｍ×１６．５ｍｍの一つのＩＴＯ電極を作った。各セルのための電極の一つを次に４００Å厚のナイロン膜からなる配列層で被覆した。ナイロンは濃蟻酸水溶液に入れたナイロンの０．５％溶液を用いてスピン（ｓｐｉｎ）被覆により適用した。次にこの適用したナイロン被覆をベルベット布を用いて一方向にこすった。それらの板を、電極を有する表面を互いに平行に向かい合わせ、二つの電極が交差して９．５ｍｍ×９．５ｍｍの画素を形成するようなやり方で組立た。それらの板を、幅１ｍｍ×長さ４０ｍｍの標準ホトレジスト　スペーサー棒により２〜３μの距離離して維持するようにして一緒にプレスし、それによって試験材料のスメクチックＣ　相の分子の非螺旋状配列を確実に与える薄いセルを作った。次にその組立体の縁の周囲を紫外線硬化性エポキシ〔ノルランド（Ｎｏｒｌａｎｄ）＃９１〕で密封した。最終的密封の直前に、各セルに実施例の液晶材料を、毛細管作用を用いた標準的充▲填▼法により満たした。
　各実施例のセルを次の手順を用いて試験した。セルの電極を可変出力電圧を持つ５０Ｈｚ矩形波オッシレー夕ーへ接続した。光学的装置台上の２枚の交差偏光板の間に置き、その偏光板・セルの組合せを強度約９ｍＷ、直径約３ｍｍのＨｅＮｅ平行ビーム光源とシリコン光検出器との間に置き、その検出器の出力をオッシロスコープで調べた。セルを低電場で、その電場の一方の極性について最もよい消光が得られるようなやり方で配列した。光の応答がオッシロスコープに示され、透過が最大になっている間のオッシロスコープ　トリガーに対する固定点の電圧水準を調べた。矩形波電圧の大きさを変え、最大透過率を測定した。
　各装置のコンダクタンス及びサセプタンスを、フィジカル・レビュー（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ）Ａ，
３５
７６
　例で用いられたフッ素化キラル液晶化合物は、米国特許第４，８８６，６１９号に記載されたようにして製造された。例で用いられたフッ素化非キラル液晶化合物は、欧州特許公告Ｎｏ．０　３６０　５２１に記載されているようにして製造され、例で用いられた炭化水素液体材料は、「液晶及び配列液体」（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　ａｎｄ　Ｏｒｄｅｒｅｄ　Ｆｌｕｉｄｓ）〔グリフィン（Ｇｒｉｆｆｉｎ）Ａ．Ｃ．その他編集〕４（１９８４）ｐｐ．１−４２に記載されているように製造された。
　例　１
　セルを作り、４．６重量％の４−〔４−（１，１−ジヒドロペルフルオロブトキシ）ベンゾイルオキシ〕フェニル（Ｒ）−２−フルオロプロパノエート、３．２％の１，１−ジヒドロペルフルオロブチル　２−クロロ−４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾエート、７．０％の４−（１，１−ジヒドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル　６−デシルオキシ−ニコチノエート、７．１％の４−（１，１−ジヒドロペルフルオロブトキシ）フェニル　４−オクチルオキシベンゾエート、８．９％の４−（１，１−ジヒドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル　４−オクチルオキシベンゾエート、８．０％の４−オクチルオキシフェニル　４−（１，１−ジヒドロペルフルオロブトキシ）ベンゾエート、９．４％の１，１−ジヒドロペルフルオロブチル　４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾエート、２５．６％の１，１−ジヒドロペルフルオロブチル　４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾエート、及び２６．１％の４−デシルオキシフェニル　３−クロロ−４−（１，１−ジヒドロペルフルオロヘキシルオキシ）ベンゾエートの液晶多成分混合物を満たした。０．１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表１に示す。
　印加電場に対する光学的透過率は第６図に示すようになることが判明した。この透過率は印加電場によって制御出来るのでこのセルは制御されたグレースケール液晶装置の一例である。
　例　２
　装置を作り、４−（１，１−ジヒドロペルフルオロブトキシ）フェニル（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシルオキシ）ベンゾエート液晶を満たした。１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表２に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、希望の制御されたグレースケール効果を持つ装置であることを示していた。
　例　３
　装置を作り、１，１−ジヒドロペルフルオロブチル（Ｓ）−４−〔４−（４−メチルヘキシルオキシ）ベンゾイルオキシ〕ベンゾエート液晶を満たした。１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表３に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、装置が希望の制御されたグレースケール効果を持つことを示していた。
　例　４
　装置を作り、５２．８重量％の２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−デシルピリミジン、及び４７．２重量％の４−（１，１−ジヒドロペルフルオロブトキシ）フェニル（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシルオキシ）ベンゾエートの液晶混合物を満たした。１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表４に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、装置が希望の制御されたグレースケール効果を持つことを示していた。
　例　５
　装置を作り、８１．６重量％の４−（１，１−ジヒドロペルフルオロブトキシ）フェニル　４−オクチルオキシベンゾエート、及び１８．４重量％の（Ｓ）−２−メチルブチル　４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾエートの液晶混合物を満たした。０．１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表５に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、装置が希望の制御されたグレースケール効果を持つことを示していた。
　例　６
　装置を作り、９０．７重量％の４−（１，１−ジヒドロペルフルオロブトキシ）フェニル（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシルオキシ）ベンゾエート、及び９．３重量％の４−〔４−（１，１−ジヒドロペルフルオロブトキシ）ベンゾイルオキシ〕フェニル（Ｓ）−２−クロロー４−メチルペンタノエートの液晶混合物を満たした。１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表６に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、装置が希望の制御されたグレースケール効果を持つことを示していた。
　例７（比較例）
　装置を作り、（Ｓ）−２−メチルブチル　４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）ベンゾエートを満たした。０．３５５ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表７に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、装置が希望の制御されたグレースケール効果を持たないことを示していた。
　例８（比較例）
　装置を作り、英国プール（Ｐｏｏｌｅ）のＢＤＨケミカルから市販されている強誘電性炭化水素混合物ＳＣＥ１３を満たした。０．１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表８に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、装置が希望の制御されたグレースケール効果を持たないことを示していた。
　例９（比較例）
　装置を作り、ドイツ　ダルムシュタットのＥ．メルクの関連会社であるＥＭインダストリーズから市販されている強誘電性炭化水素混合物ＺＬＩ−３０４１を満たした。０．６３１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表９に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、装置が希望の制御されたグレースケール効果を持たないことを示していた。
　例１０（比較例）
　装置を作り、５重量％の（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシルオキシ）フェニル　４−ヘキシルオキシベンゾエート、及び９５重量％の２−（４−オクチルオキシフェニル）−５−デシルピリミジンの液晶混合物を満たした。１ｋＨｚでとられたバイアス電場に対する誘電定数の測定値を表１０に示す。
　印加した電場に対する光学的透過率は、装置が希望の制御されたグレースケール効果を持たないことを示していた。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明の装置についての周波数に対する誘電定数及び損失係数（ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ　ｆａｃｔｏｒ）をプロットしたものである。
　第２図及び第３図は、従来技術の装置についてのバイアス電場に対する誘電定数をプロットしたものである。
　第４図及び第５図は本発明の装置についてのバイアス電場に対する誘電定数をプロットしたものである。
　第６図は、実施例１の装置についての印加した電場に対する光学的透過率をプロットしたものである。