【事件の表示】
　特許第２９３３８７９号「透過型液晶表示装置およびその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９３３８７９号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第２９３３８７９号の請求項１〜１０に係る発明（平成８年８月９日出願、平成７年８月１１日国内優先権主張、平成１１年５月２８日設定登録、以下、本件発明１〜１０という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものと認める。
２．異議申立の理由の概要
　特許異議申立人 根岸 茂は、証拠として甲第１号証（特開平6-160902号公報）、甲第２号証（特開平6-208137号公報）、甲第３号証（特開平7-146491号公報）及び甲第4号証(特開平4一335617号公報)を提出し、請求項１〜１０に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
３．異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明
　甲第1号証(特開平6-160902号公報)の段落0003の7行から31行には、
「液晶表示装置の一例を図3、及び図3のＸ−Ｘ’間における断面図である図4に示す。ガラス、石英、サフイアなどの基板31上に不純物を添加した多結晶シリコンなどのＮ＋シリコン薄膜からなるソース領域32・ドレイン領域33が形成されている。これらのソース領域32・ドレイン領域33の上側に接して、この両者を結ぶ様に多結晶シリコンなどのシリコン薄膜からなるチャネル領域34が設けられている。これら全体をシリコン酸化膜などの絶縁膜からなるゲート絶縁膜35が被覆しており、この上に金属、透明導電膜などからなるゲート電極、兼走査線36が形成されている。この上に、シリコン酸化膜などの絶縁膜からなる層間絶縁膜37が被膜しており、コンタクト・ホール38を介して、金属、透明導電膜などからなる信号線39がソース領域32と接続されている。この上に、第2の層間絶縁膜40が堆積され、第2のコンタクト・ホール41を介して、画素電極42がドレイン領域33と接続されている。この時、画素電極20は前段の走査線に重なって、保持容量を形成するとともに、信号線上にも伸びて開口率を向上させている。信号線と画素電極を重ね合わせた場合、クロストークの発生が危倶されるが、信号線上に堆積する絶縁膜を充分厚くすることで回避できる。その理由から、この絶縁膜には、膜厚を厚くでき、又比較的誘電率の大きいポリイミドが用いられる。」ことが記載されている。
　更に、その段落0004の8行から12行には、
「図5、及び図5のＸ−Ｘ’間における断面図である図6に示す様に、保持容量を得る為に透明導電膜からなる電極51を設けるなどの提案も成されている。」ことが記載されている。
　甲第2号証(特開平6-208137号公報)の段落0004から0005には、
「図4はTFTマトリクスの平面図である。TFTマトリクス型液晶パネルは、X,Y方向に交差して、マトリクス状に配置された多数のゲートバスライン41とドレインバスライン42に駆動電圧を印加して、両バスライン交差部に接続されたTFT43を選択駆動することにより、対応する所望の画素をドット表示する様に構成されている。この様なTFTマトリクスの構造は、例えば透明絶縁性のガラス基板上に多数のゲートバスラインとドレインバスラインとが窒化シリコン（SiN）等からなる層間絶縁膜を介してX,Y方向に交差した形に配置され、両バスラインの交差部にTFTが接続されている。また、TFTの動作半導体層にアモルファスシリコン(a-Si)層を用いる場合には、ゲート絶縁膜にプラズマ気相成長(P-CVD）法による窒化シリコン膜(SiN)あるいは窒化シリコンオキシナイトライド（SiNO）が用いられている。
　なお、図中、8DはTFTのドレイン電極、8SはTFTのソース電極、8Cは蓄積容量上部電極(補助容量バスライン)を示す。図5(A)〜(F)は従来のTFT素子の製造工程を説明する断面図である。」ことが記載されている。
　更に、その段落0017から段落0026に、
「図1(A)において、透明絶縁性基板としてガラス基板1上にスパッタリングにより厚さ1000ÅのAI膜と厚さ1000ÅのCr膜を連続し成膜し、フォトリソグラフィによりレジスト膜をパターニングした後、レジスト膜をマスクにしてエッチングしてゲート電極2と蓄積容量下部電極3を形成する。
　次いで、レジスト膜を剥離し、P-CVD法により第1層目絶縁膜であるゲート絶縁膜および蓄積容量誘電体膜として厚さ1000Åの窒化シリコン（SiN）膜4、動作半導体層として厚さ150Åのa-Si膜5、チャネル保護膜として厚さ1200ÅのSiN膜6を連続成長する。ここで、第1層目絶縁膜は、SiN膜4の代わりにAlD法によるアルミナ膜を用いてもよい。
　図1(B)において、ゲート電極2に直上のチャネル保護膜6を残すようにパターニングする。図1(C)において、基板上にコンタクト層として厚さ600Åのn+型a-Si層7と厚さ1500Åのクロム(Cr)膜からなるソースドレイン電極用金属膜8を連続成膜する。
　図1(D)において、コンタクト層7としてソースドレイン電極用金属膜8をパターニングして、ドレイン電極8Dと、ソース電極8Sと、蓄積容量上部電極8Cを形成する。
　図1(E)において、第2層目絶縁膜9として、透明の熱硬化性樹脂膜を塗布し、キュア(熱処理)を行なう。熱硬化性樹脂は、例えばシリコン系またはエポキシ系熱硬化性樹脂を用い、回転塗布または印刷法により塗布し、キュア後所定の厚さ0.4μｍにする。印刷法の場合は基板上の接続端子に樹脂を付着しないようにいてもよい。
　次いで、フォトリソグラフイにより、ソース電極と蓄積容量上に開口部を持つレジスト膜10を基板上に形成する。図1(F)において、レジスト膜10をマスクにして、熱硬化性樹脂膜をエッチングしてコンタクト孔を形成し、レジスト膜10を除去する。この際同時に接続端子上の樹脂もエッチング除去する。
　次に、樹脂上に画素電極膜として厚さ700Å(70nm)のITO膜を成膜して、蓄積容量上部電極8Cとソース電極8Sとにコンタクトを取り、バターニングして画素電極11とし、TFTマトリクスを形成する。
　実施例(2)：実施例(1)では、第2層目絶縁膜9として透明の熱硬化性樹脂膜を用いたが、これの代わりに光硬化性樹脂、例えば、UV樹脂を用い、実施例(1)と同様に成膜してもよい。
　実施例(3)：図2は本発明の実施例(3)の断面図である。2層目絶縁膜9として感光性樹脂、例えば感光性ボリイミド樹脂を用い、フォトマスク12を用いて、感光性ボリイミド樹脂をバターニングしてソース電極8Sと蓄積容量上部電極8C上にコンタクト孔を形成する。」ことが記載されている。
　甲第3号証(特開平7-146491号公報)の段落0014の4行から13行には、
「本例では平坦化層5は写真食刻加工可能な透明樹脂材料を用いている。例えば感光性を有するアクリル系樹脂もしくはスチレン系樹脂を用いる事ができる。具体的には、例えば日本合成ゴムのHRC-21,HRC-28,HRC-26,JSS等を用いる事ができる。あるいは東ソーのS010,S1OOなどを用いる事ができる。写真食刻加工可能な透明樹脂材料を用いるとフォトマスクを介した光露光という簡便な加工処理により,平坦化層5にトレンチ6を形成する事ができる。」ことが記載されている。
　甲第4号証(特開平4一335617号公報)の段落0016には、
「基板上の全面に、厚さ200nmのMo金属層をスパッタリング法によって形成し、このMo金属層のパターニングを行って、ソース電極6、ドレイン電極8、及びソースバス配線7を形成する。以上により、TFT13が完成する。更に、TFT13を覆って基板1上の全面に、100nmの厚さのITO膜を形成し、パターニングを行って第1絵素電極11aを形成する。本実施例では第1絵素電極11aと付加容量電極17との間に付加容量19が形成される」ことが記載されている。
４．本件発明と異議申立人が提出した甲各号証記載の記載の発明との対比・判断
　本件発明１〜６の「層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して画素電極とドレインとを、遮光性のゲート配線または付加容量配線上部で接続する電極を有する」こと、及び本件発明７〜１０の「層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して画素電極とドレインとを、遮光性のゲート配線または付加容量配線上部で接続する電極を形成する工程」は、甲第１〜４号証のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１〜６は「層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して画素電極とドレインとを、遮光性のゲート配線または付加容量配線上部で接続する電極を有する」ことにより、そして、本件発明７〜１０は「層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して画素電極とドレインとを、遮光性のゲート配線または付加容量配線上部で接続する電極を形成する工程」により、TFTが小さくなった場合であっても、層間絶縁膜を貫くコンタクトホールなどによる接続部を容易に取ることが可能となり、TFTの大きさを小さくすることができるので開口率を向上させることができるという明細書記載の作用効果を呈するものである。
　なお、異議申立人は、異議申立書において、「甲第1号証の図6に記載された構造と、特許明細書の図4に記載された構造とを対比すると、両者共画素電極が中間の接続電極を介して薄膜トランジスタのドレインに接続している構造は同一であります。しかも、画素電極と接続電極とが中間の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続している点も同一であります。ただ、コンタクトホールの位置が異なっております。甲第1号証の構造ではコンタクトホールがドレイン上に位置するのに対し、本発明ではコンタクトホールが付加容量線上にあります。しかしながら、凡そコンタクトホールの位置は単なる設計的な事項に過ぎず、個々の製品について必要に応じ最適な部位にコンタクトホールが配されるものであります。コンタクトホールの位置は、単に半導体装置を作成する為に用いるマスクの設計事項に関するものであり、何等創作的な工夫を要する部分ではありません。甲第1号証の図6に示した構造で、コンタクトホールの位置をドレイン上から付加容量線上に変えることは、当業者に取って全く発明的な努力を要さぬものであります。この点に関し、例えば、甲第2号証には図1(F)に教示があります。即ち、画素電極(11)は層間絶縁膜(9)に形成されたコンタクトホールを介して下側の保持容量電極(8C)に接続されています。このコンタクトホールは丁度保持容量配線(3)の上に位置しています。従って、甲第2号証は明白に画素電極(11)用のコンタクトホールを遮光性の保持容量配線(3)の上に形成する点を教示しています。従って、甲第2号証の教示に基づき甲第1号証に記載された発明に設計変更を加えて本特許発明を創案することは当業者に取って容易なことであります。」と主張している。
　ところが、甲第2号証の図1(F)には、”画素電極(11)は層間絶縁膜(9)に形成されたコンタクトホールを介して下側の保持容量電極(8C)に接続され、このコンタクトホールは丁度保持容量配線(3)の上に位置する”ことが図示されているが、この甲第2号証の図1(F)のコンタクトホールは画素電極(11)とドレイン電極(8D）とを接続するものではない。
　してみると、甲第2号証の図1(F)の”コンタクトホールにより画素電極(11)とドレイン電極(8D）とを接続するものではない”保持容量電極(8C)を、甲第1号証の図6に記載された上記構造に適用して、本件発明１〜１０の如く「層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して画素電極とドレインとを、遮光性のゲート配線または付加容量配線上部で接続する電極」を形成することは当業者といえども容易に想到し得ることではない。
　したがって、本件発明１〜１０は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
５．むすび
  したがって、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜１０に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１〜１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月８日（２０００．５．８）