【事件の表示】
　特許第２９１５７７９号「薄膜形成用高純度チタン材の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１５７７９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２９１５７７９号の請求項１〜３に係る発明についての出願は、平成６年３月２４日に特許出願がなされ、平成１１年４月１６日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、東邦チタニウム株式会社より特許異議の申立てがなされたものである。
（２）本件発明
　本件特許第２９１５７７９号の請求項１〜３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】クロール法で製造されたスポンジチタンの重量6Ton以上の円筒状バッチの底部から厚さがバッチ高さの25％以上の部分と頂部から厚さがバッチ高さの10％以上の部分とを切断除去し、かつバッチの円周部から厚さがバッチ直径の20％以上の円周部分を切断除去してのち、前記バッチ重量の20％未満に相当する中心部分のスポンジチタンを採取し、切断プレスで粒径10〜300mmに切断したのち消耗電極に圧縮成形することを特徴とする薄膜形成用高純度チタン材の製造方法。（以下、「本件第１発明」という。）。
【請求項２】クロール法で製造されたスポンジチタンの重量6Ton以上の円筒状バッチの底部から厚さがバッチ高さの25％以上の部分と頂部から厚さがバッチ高さの10％以上の部分とを切断除去し、かつバッチの円周部から厚さがバッチ直径の20％以上の円周部分を切断除去してのち、前記バッチ重量の20％未満に相当する中心部分のスポンジチタンを採取し、切断プレスで粒径200〜300mmに切断したのち消耗電極に圧縮成形することを特徴とする薄膜形成用高純度チタン材の製造方法。（以下、「本件第２発明」という。）
【請求項３】前記の高純度チタン材が酸素含有量：300ppm以下、Fe、Ni、Cr、Al、Siの各元素の含有量：10ppm以下であって、残部がチタンおよび不可避不純物からなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の薄膜形成用高純度チタン材の製造方法。(以下、「本件第３発明」という。)」
（３）申立ての理由の概要
  申立人東邦チタニウム株式会社は、証拠として甲第１乃至第３号証を提出し、本件第１乃至第３発明は、甲第１乃至第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件第１乃至第３発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであって取り消されるべきである旨、主張している。
（４）申立人が提出した甲各号証の記載事項
　甲第１号証(「Light　Metals　1988　REACTIVE　METALS　II」Metallurgical　Society，Inc. p.759-768)には、クロール法によるスポンジチタンの製造方法（762頁右欄5〜6行）に関し、
　「還元工程と分離工程の間でケーキが空気に曝露されることのない一体化した工程を用いることにより、ケーキへの水分、酸素、水素の吸収は排除された。バッチサイズの大型化は、ケーキ底部及び周囲の不純物の多い部分のケーキ全重量に対する比率を大幅に減少させ、その全体的品質を向上させた。図5、6・・・は、それぞれ2、5、7及び10トンバッチの断面におけるFe、酸素・・・の分布を表している。これら図面から、バッチサイズの増大につれて、中心部の高純度な部分が広がっていくことが明らかである。（図５及び６によれば、バッチの底部、頂部及び円周部にFe及び酸素が高い濃度で偏在し、中心部にいくにつれてFe及び酸素の濃度が低下していることも読みとれる。）・・・スポンジチタンを採取することが可能になった。」（763頁右欄下から24〜9行）ことが記載され、
　そのスポンジチタンを採取する手段について、
　「スポンジケーキの底部の小さな汚染された部分が削り取られた後、そのケーキは切断機で厚切れに切断される。その後、その厚切れはジョークラッシャーで粒径20メッシュ〜1/2インチに破砕される。スポンジチタンの１ロットは1.5〜2.5トンの重さである。・・・これらの数ロットを組み合わせて・・・ブレンダーで混合する。」（763頁右欄の図4の下3〜11行）と記載され、
　そのスポンジチタンから高純度チタンを得る目的について、
　「最近では、エレクトロニクスのような高度な専門分野への超高純度チタンの需要が出始めた。現在、我々は、この市場に一体化した工程で製造された前述の大型バッチのケーキ中心部から高純度チタンを提供することができる。」（765頁左欄下から8〜３行）と記載され、
　そのスポンジチタンから高純度チタンを得る手段について、
　「チタンインゴットは、スポンジチタンから通常の消耗電極溶解によって作製された。」（765頁左欄の図10の下3〜5行）と記載されている。
　甲第２号証（「チタニウム・ジルコニウム」Vol.41　No.4　Octover　1993、チタニウム協会、p.226-229）は、スポンジチタンの粒度拡大に関する試験報告であって、
　「1.目的
　スポンジチタンの規格として、日本ではJIS H 2151があり、サイズを0.84mm（20メッシュ）〜12.7mm（1/2インチ）と規定している。スポンジチタンのサイズ上限を12.7mmより19mmまで拡大することで問題はないか調査した。」（226頁左欄24〜29行）、
　「3.調査項目と結果
　国内のスポンジメーカー3社で0.84-19mm（以下3/4インチと略）のスポンジチタンを製造して、従来の0.84-12.7mm（以下1/2インチと略）スポンジチタンとの品質比較を行った。
　・・・
　3.1　粒度分布
　3/4インチスポンジチタンと1/2インチスポンジチタンの粒度分布を表3，4に示す。
結果：(1) 3メッシュ以下の細かいものは1/2インチスポンジチタンで約35％あるのに対し、3/4インチスポンジチタンでは26.4％と少ない。
　　　(2) 3/4インチスポンジチタンの方が1/2インチスポンジチタンより細かいものが少ない。
　3.2  粒度別品質
　スポンジチタンの硬度と化学成分を粒度別に測定した。3/4インチの例を図１に示す。
結果：(1) 同一ロットでも粒度が細かくなると鉄、酸素、硬度が高い。
　・・・
　　　(2) 同一ロットから製造した場合、3/4インチスポンジチタンは、表3，4に示すように細かいものが少ない。従って、3/4インチスポンジチタンは1/2インチスポンジチタンより不純物は少ない。」（226頁右欄19行〜228頁右欄下から7行）
　「5.　まとめ
　スポンジチタンのサイズの上限を12.7mm（1/2インチ）から19mm（3/4インチ）に拡大しても使用上問題のないことを確認した（229頁左欄24〜27行）。」と記載され、
　また、図１には、スポンジチタンの粒度が大きくなるほど、酸素及びFeといった不純物の含有量が減少していることが示され、
　更に、表３には、スポンジメーカーＢ社の3/4インチスポンジチタンの粒度分布の例として、3/4〜1/2インチの粒度が32.2wt%、1/2インチ〜3メッシュの粒度が41.4wt%、3〜5メッシュの粒度が13.0wt%、5〜10メッシュの粒度が10.8wt%、10〜20メッシュの粒度が2.6wt%であることが示されている。
　甲第３号証（特開平４−３５８０３０号公報）には、
　「【請求項１】チタン・・・からなる高純度金属材であって、Al含有量が10ppm以下であることを特徴とする高純度金属材。
【請求項２】請求項１記載の高純度金属材において、酸素含有量が250ppm以下、Fe、NiおよびCrの各元素の含有量が10ppm以下、NaおよびKの各元素の含有量が0.1ppm以下であることを特徴とする高純度金属材。」（特許請求の範囲）が記載され、
　その製造方法について、
　「【請求項３】チタン・・・を主とする粗金属材をヨウ化物分解法によって精製する工程と、この精製された金属材を高真空下で電子ビーム溶解する工程とを有することを特徴とする高純度金属材の製造方法。」（特許請求の範囲）と記載され、
　該製造方法における粗金属材について、
　「ヨウ化物分解法で原料として使用する粗Ti材としては、クロール法・・・によって得られたTi材を適用する」（【００２５】欄の1〜4行）と記載され、
　また、高純度金属材の用途について、
　「【請求項９】Al含有量が10ppm以下のチタン・・・からなる高純度金属材から半導体基板上に薄膜を形成する工程と、所望の配線形状に応じて、前記薄膜の不要部分をエッチング除去する工程とを有することを特徴とする配線網の形成方法。」（特許請求の範囲）と記載されている。
（５）対比・判断
　＜本件第１発明について＞
　本件第１発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された発明における「7及び10トンバッチ」、「ケーキ中心部」及び「チタンインゴット」は、それぞれ本件第１発明における「円筒状バッチ」、「重量6Ton以上の円筒状バッチ」、「中心部分のスポンジチタン」及び「高純度チタン材」に相当し、また、消耗電極がスポンジチタンを圧縮成形して作製されることは、本件出願前よく知られていることを考慮すると、甲第１号証に記載された発明における「消耗電極」は、スポンジチタンを圧縮成形して作製されたものと認められるから、両者は、「クロール法で製造されたスポンジチタンの重量6Ton以上の円筒状バッチの底部の部分と頂部の部分とを切断除去し、かつバッチの円周部の円周部分を切断除去してのち、中心部分のスポンジチタンを採取し、破砕処理したのち消耗電極に圧縮成形する高純度チタン材の製造方法」である点で一致し、本件第１発明における高純度チタン材の用途は、薄膜形成用となっているのに対して、甲第１号証には、そのような用途が記載されていない点（以下、「相違点１」という。）、本件第１発明においては、切断除去する厚さの寸法割合を、「円筒状バッチの底部から厚さがバッチ高さの25％以上の部分と頂部から厚さがバッチ高さの10％以上の部分」で、「かつバッチの円周部から厚さがバッチ直径の20％以上の円周部分」とし、採取される中心部分の重量割合を、「バッチ重量の20％未満」としているのに対して、甲第１号証に記載された発明においては、そのような数値限定は記載されていない点（以下、「相違点２」という。）、更に、破砕処理が、本件第１発明においては、「切断プレスで粒径10〜300mmに切断」するものであるのに対して、甲第１号証に記載された発明においては、「切断機で厚切れに切断し、その後、ジョークラッシャーで粒径20メッシュ〜1/2インチに破砕する」ものである点（以下、「相違点３」という。）で両者は相違する。
　上記相違点１〜３について検討する。
i)相違点１について
　甲第３号証には、「Al含有量が10ppm以下のチタン・・・からなる高純度金属材（本件第１発明における「高純度チタン材」に相当する。）から半導体基板上に薄膜を形成する」と記載されており、これは、高純度チタン材が薄膜形成に用いられることを示したものであって、本件第１発明における高純度チタン材の用途と同じであるから、甲第１号証に記載された高純度チタン材を薄膜形成に用いることは、当業者が適宜なし得ることである。
ii)相違点２について
　甲第１号証の図５及び６によれば、クロール法で製造されたスポンジチタンは、その中心部分になるほど不純物が少ないことが認められること、及びケーキ中心部（中心部分のスポンジチタン）から高純度チタンを提供する旨記載されていることを併せ考慮すれば、その中心部分のスポンジチタンを得るに際し、円筒状バッチの高さ及び直径に対する切断除去する厚さの寸法割合と円筒状バッチの重量に対する採取される中心部分の重量割合を、本件第１発明におけるように特定化することは、当業者が実験により適宜決定し得る程度のものにすぎず、格別の困難性を要することとはいえない。
iii)相違点３について
　本件特許明細書の記載によれば、上記相違点３に示した本件第１発明の構成は、「ジョークラッシャーでの細粒化の工程とブレンダーでの混合工程を省略して、スポンジチタンの粒径が大きいままで圧縮成形して消耗電極を作製することを特徴としている。これによって、消耗電極の成形には問題を生じることなく、スポンジチタンの比表面積を小さくし、チタンインゴットの汚染を防止することができることとなった。具体的には、スポンジチタンの処理は切断プレスでの切断のみとし、その粒径は10〜300mmとした。」（【００２９】欄）という知見に基いてなされたものであるのに対して、甲第１号証には、切断機で厚切れに切断し、その後、ジョークラッシャーで粒径20メッシュ〜1/2インチに破砕したスポンジチタンをブレンダーで混合することが示されているだけで、上記知見は開示されていないし、示唆するところもない。
　この点について、申立人は、甲第２号証には、スポンジチタンのサイズ（本件第１発明における「粒径」に相当する。）を従来の0.84〜12.7mm（以下1/2インチと略）から0.84〜19mm（以下3/4インチと略）まで拡大しても、3/4インチスポンジチタンは1/2インチスポンジチタンより、不純物は少ないから、使用上問題がないことが記載されており、この粒径は、本件第１発明における粒径と重複しているから、スポンジチタンの切断を粒径10〜300mmとすることは当業者なら容易に行える旨、主張している。
　しかしながら、甲第２号証に記載された3/4インチスポンジチタン、換言すれば、0.84〜19mmのスポンジチタンは、表３の記載によれば、0.84mm〜19mmの範囲内で粒度（粒径）の異なるスポンジチタンが分布していることを示したものと認められる。これに対して、本件第１発明における粒径10〜300mmのスポンジチタンは、10mm〜300mmの範囲内で粒径の異なるスポンジチタンが分布していることを示したものと認められるから、本件第１発明における粒径10〜300mmは、甲第２号証に記載された粒径0.84〜19mmより全体的にみて粒径が大きいことは明らかである。したがって、本件第１発明における粒径と甲第２号証に記載された粒径とは大きさにおいて全く異なったものである。
　また、甲第２号証の図１は、粒度（粒径）を大きくすれば、不純物が少なくなることを示唆しているとしても、スポンジチタンの破砕処理を切断プレスによる切断のみとし、ジョークラッシャーでの細粒化の工程とブレンダーでの混合工程を省略してチタンインゴットの汚染を防止するという本件第１発明における上記知見については、甲第２号証全体の記載をみても、開示されていないし、示唆もされていないから、申立人の上記主張は、採用できない。
　更に、甲第３号証にも、「切断プレスで粒径10〜300mmに切断」することは、何ら記載乃至示唆されていない。
　してみると、相違点３については、甲第２号証及び甲第３号証の記載を参照しても、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものとすることはできず、そして、本件第１発明は、相違点３をその構成として備えることにより、「クロール法で製造したスポンジチタンから、不純物の含有量が極めて少なく、LSI用配線材料の薄膜形成用として優れた特性を発揮する高純度チタン材を提供することができる。」（【００４５】欄）という効果を奏するものである。
　したがって、本件第１発明は、甲第１乃至第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　＜本件第２発明について＞
　本件第２発明は、本件第１発明を更に限定したものであるから、上記本件第１発明について示した理由と同様の理由により、甲第１乃至第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
  ＜本件第３発明について＞
　本件第３発明は、本件第１発明を更に限定したものであるが、甲第３号証に記載された高純度チタン材の成分組成と本件第３発明における高純度チタン材の成分組成とは、酸素、Fe、Ni、Cr、Alにおいて一致しており、Siの有無において異なっている。しかしながら、甲第１号証に、スポンジチタンのバッチは、中心部にいくほど純度が高いことが記載されていることを考慮すると、甲第３号証に記載された高純度チタン材も、本件第３発明と同程度の量のSiを含有しているものと認められるから、甲第３号証に記載された高純度チタン材の成分組成は、本件第３発明における高純度チタン材の成分組成を示唆しているといえるものの、上記のとおり、甲第３号証には、「切断プレスで粒径10〜300mmに切断」することは、何ら記載乃至示唆されていない。
　したがって、本件第３発明は、上記本件第１発明について示した理由と同様の理由により、甲第１乃至第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件第１乃至第３発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１乃至第３発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１２日（２００１．１．１２）