【事件の表示】
　特許第２８５４８４６号「半導体回路の製造方法」の請求項１乃至２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８５４８４６号の請求項１乃至２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８５４８４６号に係る出願は、昭和５９年２月７日に出願された特願昭５９−１９３３７号の一部を特許法第４４条第１項の規定により、平成８年９月２０日に特許出願したものであり、平成１０年１１月２０日に特許の設定登録がなされ、その後、日立金属株式会社より異議申立がなされ、取消理由通知が通知され、その指定期間内である平成１２年３月１６日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１２年１０月２０日に訂正請求の補正がなされたものである。
　
２．訂正請求の補正の適否
　平成１２年１０月２０日付け訂正請求の補正による補正事項（１）は、訂正明細書の特許請求の範囲請求項１および請求項２を特許請求の範囲の減縮を目的としてそれぞれ
【請求項１】Ｎｉ，Ｍｎ，Ｎｂから選ばれる少なくとも１種を１５ａｔ％以下含有したＣｏ−Ｆｅ系非晶質磁性合金を
【数１】
（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０（ここでｔは最大板厚、ｔ’は平均板厚）
の表面粗さを有するリボン状薄板とする工程と、前記リボン状薄板を巻回してトロイダルコアを形成する工程と、前記トロイダルコアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとする工程と、前記半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入する工程と、を有することにより１００ｋＨｚにおける効率が７４％以上であることを特徴とする半導体回路の製造方法。
【請求項２】Ｃｒを１５ａｔ％以下含有したＣｏ−Ｆｅ系非晶質磁性合金を
【数１】
（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０（ここでｔは最大板厚、ｔ’は平均板厚）
の表面粗さを有するリボン状薄板とする工程と、前記リボン状薄板の表面に層間絶縁のための酸化マグネシウム粉末を設ける工程と、前記層間絶縁を行ったリボン状薄板を巻回してトロイダルコアを形成する工程と、前記トロイダルコアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとする工程と、前記半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入する工程と、を有することにより１００ｋＨｚにおける効率が７４％以上であることを特徴とする半導体回路の製造方法。
　（なお、アッパ−ライン付きｔをｔ’と表記した。これ以降についても同様に表記する。）と補正するものである。
　しかし前記請求項１に係る補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正事項を特許請求の範囲をさらに減縮する目的で補正しようとするものであり、訂正事項を変更するものである。
　また、請求項２に係る補正は、訂正請求において指摘していなかった事項の補正を目的とするものであり、訂正事項の追加である。
　すなわち、本訂正請求の補正は、訂正事項の変更と追加を目的とするものであり、請求書の要旨を変更するものであるから、特許法第１３１条第２項の規定に違反してなされたものであり、認めることができない。
　
３．訂正の適否
　３−１．訂正明細書の請求項１乃至２に係る発明
　平成１２年３月１６日付けで提出された訂正明細書の請求項１乃至２に係る発明 は、その特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された以下のとおりのものである（以下、それぞれ、「請求項１の発明」、「請求項２の発明」という。）。
【請求項１】非晶質磁性合金を
【数１】
（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０（ここでｔは最大板厚、ｔ’は平均板厚）の表面粗さを有するリボン状薄板とする工程と、前記リボン状薄板を巻回してトロイダルコアを形成する工程と、前記トロイダルコアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとする工程と、 前記半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入する工程と、を有することにより１００ｋＨｚにおける効率が７４％以上であることを特徴とする半導体回路の製造方法。
【請求項２】非晶質磁性合金が５μｍ以上４０μｍ以下の板厚の薄板であるこ とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体回路の製造方法。
（なお、アッパ−ライン付きｔをｔ’と表記した。これ以降についても同様に表記する。）
　３−２．引用刊行物記載の発明
刊行物１：特開昭５８−４４７０２号公報
刊行物２：伊藤健一、“マグアンプ方式スイッチング電源の雑音端子電圧（ 上）”、電子技術第２４巻第９号、１９８２年８月
刊行物３：沢孝雄、外２名、東芝レビュ−、３７巻１０号、ｐ．８１６−８１９、昭和５７年
　上記刊行物１には、次のような記載がある。
　ａ．非晶質磁性合金薄帯からなる磁心であって、式：（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０〔式中、ｔ，ｔ’はそれぞれ該 薄帯の厚み最大値、厚み平均値を表し、かつ、ｔ’は式：ｔ’＝Ｗ／ｄ・ｌ・ρ（ただし、Ｗ，ｄ，ｌ，ρはそれぞれ該薄帯の重量、幅、長さ、密度を表す。）として表わされる。〕で示される表面粗さを満足する高周波用非晶質磁性合金の磁心。
　ｂ．ｔが５μｍ≦ｔ≦３０μｍを満足する厚みである特許請求の範囲第１項記載の高周波用非晶質磁性合金の磁心。（特許請求の範囲）、「この（ｔ−ｔ’）／ｔの値が、０．３０を超えると該薄帯の表面凹凸の状態が顕著になり（表面が粗くなり）、高周波領域での鉄損が著しく大きくなって使用に適さなくなる。また、該薄帯であって、厚み最大値（ｔ）が５μｍ未満の場合には、得られた磁心の巻回時において層間絶縁体を大量に必要とするためその占積率が著しく低下し実用的でなくなる。更に、ｔが３０μｍを超えると表面粗さに関係なく高周波領域における鉄損が著しく増大する。したがって、本発明の磁心にあっては、その 薄帯の厚み最大値が５μｍ≦ｔ≦３０μｍの範囲に設定することが好ましい。」（第２頁右下欄第８乃至１９行）、「実施例１　表に示した各種組成の非晶質磁性 合金の薄帯を溶湯急冷法で作製した。すなわち、高速回転する単ロ−ルの上に石 英管ノズルから各種組成の溶融合金をアルゴンガス圧で噴出せしめて急冷し、幅５ｍｍ、長さ１００ｍの薄帯試料を作製した。このとき、ロ−ル回転数、ガス 圧、ノズルとロ−ル間の距離を種々に変動せしめて、厚み最大値、表面粗さを変化させた。薄帯試料から長さ１４ｍを切り取り、それを直径２０ｍｍのアルミナ製ボビンに巻きつけ」（第３頁左上欄第１０乃至２０行）。
　これらの記載から、上記刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる（以下「刊行物１の発明」という。）。
「非晶質磁性合金を
【数１】
（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０（ここでｔは最大板厚、ｔ’は平均板厚）                    の表面粗さを有するリボン状薄板とする工程と、前記リボン状薄板を巻回してコアを形成する工程と、を有するコアの製造方法。」
 　次に、上記刊行物２には、スイッチング電源にマグアンプコイル（可飽和リアクトル）をダイオ−ドに直列に挿入した半導体回路が記載され（第６３頁図４参照）、第６２頁の表２を参照すると、該マグアンプコイルの磁心材料としてアモ ルファスが１００ｋＨｚ以上の高周波領域で良好な特性を示すことが記載され、 第６２頁の写真２を参照すると、トロイダルコアの周囲を導線で巻いてマグアンプを構成することが記載されていると認められる。
 　次に、上記刊行物３には、スイッチング電源用の可飽和リアクトルのコアとして非晶質合金を用いること、（Ｃｏ０．９０Ｆｅ０．０６Ｎｂ０．０４）７５Ｓｉ１５Ｂ１０なる組成のＣｏ基非晶質合金を可飽和リアクトルのコアとして用いたスイッチング電源の１００ｋＨｚでの効率ηが８０．２％であること、が記載 されている（第８１９頁左欄第５行乃至同頁右欄第１２行「〔５〕ＳＰＳへの適用結果…小形軽量になる。」の記載及び表１の記載参照）。
　３−３.対比・判断
（１）請求項１の発明
　請求項１の発明と刊行物１の発明とを比較すると、両者は、「非晶質磁性合金を
【数１】
（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０（ここでｔは最大板厚、ｔ’は平均板厚）
の表面粗さを有するリボン状薄板とする工程と、
前記リボン状薄板を巻回してコアを形成する工程と、を有する製造方法である点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：請求項１の発明が「トロイダルコアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとする工程と、前記半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入する工程とを有する半導体回路の製造方法」であるのに対し、刊行物１の発明はコアの製造方法であり、これらの工程を有していない点。
相違点２：請求項１の発明では半導体回路の１００ｋＨｚにおける効率が７４％以上であるのに対し、刊行物１の発明ではそのような限定がない点。
相違点１について：
　コアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとし、前記半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入した半導体回路が上記刊行物２に記載されている。
　該半導体回路を製造する際には、「コアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとする工程」と「半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入する工程」を当然有しているものと認められる。そして、刊行物１の発明のように巻回し磁心を製造する際に磁心形状をトロイダル形状とすることは普通に行われていることに過ぎないことを考慮すれば、刊行物１の発明に上記刊行物２に記載された工程を付加して、請求項１の発明の半導体回路の製造方法を構成することは当業者が容易に想到し得るものと認められる。
相違点２について：
　上記刊行物３には、非晶質合金を可飽和リアクトルのコアとして用いたスイッチング電源の１００ｋＨｚでの効率ηが８０．２％であることが記載されているから、請求項１の発明の「１００ｋＨｚにおける効率が７４％以上」なる限定は格別のものと言うことはできない。
　また、上記構成を採用することによる効果も当業者が容易に相当しうる程度のものであるから、本願請求項１に記載された発明は、前記刊行物１乃至３に記載された事項から当業者が容易に発明できたものである。
（２）請求項２の発明
 刊行物１には、「ｔ（最大板厚）が５μｍ≦ｔ≦３０μｍを満足する厚みである高周波用非晶質磁性合金の磁心」が記載されているから、この記載に基づけば、請求項２の発明のように「非晶質磁性合金が５μｍ以上４０μｍ以下の板厚の薄板である」とする程度のことは当業者が容易に想到し得るものと認められる。
　３−４．むすび
  以上のとおりであるから、訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、いずれも上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条第４第３項で準用する同第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
　
４．異議申立についての判断
　４−１．本件特許発明
　本件特許の請求項１乃至２に係る発明は、特許明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された次のとおりのものであると認める。
【請求項１】非晶質磁性合金を
【数１】
（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０（ここでｔは最大板厚、ｔ’は平均板厚）
の表面粗さを有するリボン状薄板とする工程と、前記リボン状薄板を巻回してトロイダルコアを形成する工程と、前記トロイダルコアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとする工程と、前記半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入する工程と、を有することを特徴とする半導体回路の製造方法。
【請求項２】非晶質合金が５μｍ以上４０μｍ以下の板厚の薄板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体回路の製造方法。
　４−２．刊行物
刊行物１：伊藤健一、“マグアンプ方式スイッチング電源の雑音端子電圧（ 上）”、電子技術第２４巻第９号、１９８２年８月
刊行物２：特開昭５８−４４７０２号公報
　上記刊行物１には、次のような記載がある。
ａ．スイッチング電源にマグアンプコイル（可飽和リアクトル）をダイオ−ドに直列に挿入した半導体回路（第６３頁図４参照）
ｂ．「マグアンプコイルの磁心材料としてアモ ルファスが１００ｋＨｚ以上の高周波領域で良好な特性を示すこと」（第６２頁の表２）
ｃ． 「トロイダルコアの周囲を導線で巻いてマグアンプを構成すること」（第６２頁の写真２を参照）
　次に、上記刊行物２には、 次の記載がある。
ｄ． 「１．非晶質磁性合金薄帯から成る磁心であって、式：（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０〔式中、ｔ，ｔ’はそれぞれ該 薄帯の厚み最大値、厚み平均値を表し、かつ、ｔ’は式：ｔ’＝Ｗ／ｄ・ｌ・ρ（ただし、Ｗ，ｄ，ｌ，ρはそれぞれ該薄帯の重量、幅、長さ、密度を表す。）として表わされる。〕で示される表面粗さを満足する高周波用非晶質磁性合金の磁心。
２．ｔが５μｍ≦ｔ≦３０μｍを満足する厚みである特許請求の範囲第１項記載の高周波用非晶質磁性合金の磁心。」（特許請求の範囲の記載。）
ｅ．「この（ｔ−ｔ’）／ｔの値が、０．３０を超えると該薄帯の表面凹凸の状態が顕著になり（表面が粗くなり）、高周波領域での鉄損が著しく大きくなって使用に適さなくなる。また、該薄帯であって、厚み最大値（ｔ）が５μｍ未満の場合には、得られた磁心の巻回時において層間絶縁体を大量に必要とするためその占積率が著しく低下し実用的でなくなる。更に、ｔが３０μｍを超えると表面粗さに関係なく高周波領域における鉄損が著しく増大する。したがって、本発明の磁心にあっては、その 薄帯の厚み最大値が５μｍ≦ｔ≦３０μｍの範囲に設定することが好ましい。」（第２頁右下欄第８乃至１９行）
ｆ．「実施例１　表に示した各種組成の非晶質磁性 合金の薄帯を溶湯急冷法で作製した。すなわち、高速回転する単ロ−ルの上に石 英管ノズルから各種組成の溶融合金をアルゴンガス圧で噴出せしめて急冷し、幅５ｍｍ、長さ１００ｍの薄帯試料を作製した。このとき、ロ−ル回転数、ガス 圧、ノズルとロ−ル間の距離を種々に変動せしめて、厚み最大値、表面粗さを変化させた。薄帯試料から長さ１４ｍを切り取り、それを直径２０ｍｍのアルミナ製ボビンに巻きつけ」（第３頁左上欄第１０乃至２０行）。
４−３．対比、判断
【請求項１】に記載された発明について
　  刊行物１に記載された「アモ ルファス」及び「磁心材料」は、本願請求項１に記載された「非晶質磁性合金」及び「コア」に相当する。
　また、刊行物１には、コアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとし、前記半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入した半導体回路が記載されており、該半導体回路を製造する際には、「コアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとする工程」と「半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入する工程」を当然有しているものと認められる。そして、刊行物１に記載されたもののようにアモルフォスを用いてコアを製造する際に磁心形状をトロイダル形状とすることは普通に行われていることに過ぎないことを考慮すれば、実質的に両者は、「非晶質磁性合金を用いてトロイダルコアを形成する工程と、前記トロイダルコアと導体とを組合わせて半導体回路用リアクトルとする工程と、前記半導体回路用リアクトルを半導体に直列に挿入する工程と、を有する半導体回路の製造方法。」である点で一致し、本願請求項１に記載された発明においては、「【数１】（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０（ここでｔは最大板厚、ｔ’は平均板厚）の表面粗さを有するリボン状薄板とする工程と、前記リボン状薄板を巻回」する工程を備えている点で刊行物１に記載されたものと相違する。
　該相違点につき検討する。
　前記刊行物２の記載ｄ及びｅによれば、非晶質磁性合金薄帯において「【数１】（ｔ−ｔ’）／ｔ≦０．３０（ここでｔは最大板厚、ｔ’は平均板厚）の表面粗さを有するリボン状薄板とする工程と、前記リボン状薄板を巻回」して磁心（本願請求項１に記載された「コア」に相当。）を形成する工程は、本願出願前公知の技術である。
　したがって、前記刊行物１に記載された半導体回路の製造方法において刊行物２に記載された技術を採用することにより、本願請求項１に記載された製造方法を構成するに格別の創意を要するものではない。
　また、該構成を採用することによる効果も刊行物１の記載ｂ及び刊行物２の記載ｅを考慮すれば、当業者が予測しうる程度のものである。
　よって、本願請求項１に記載された発明は、刊行物１乃至２に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
【請求項２】に記載された発明について
　本願請求項２に係る発明は、請求項１に記載された発明において「非晶質合金が５μｍ以上４０μｍ以下の板厚の薄板である」点を付加したものであるが、前記刊行物２の記載ｄによれば、「非晶質磁性合金薄帯（本願請求項２に記載された「薄板」に相当。）の厚さｔが５μｍ≦ｔ≦３０μｍを満足する厚み」である点は本願出願前公知技術である。
　したがって、前記刊行物１に記載された半導体回路の製造方法において刊行物２に記載された技術を採用することにより、本願請求項２に記載された製造方法を構成するに格別の創意を要するものではない。
　また、該構成を採用することによる効果も刊行物１の記載ｂ及び刊行物２の記載ｅを考慮すれば、当業者が予測しうる程度のものである。
　よって、本願請求項２に記載された発明は、刊行物１乃至２に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
４−４．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許の請求項１乃至２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月２０日（２００１．２．２０）