【事件の表示】
　特許第２９１５６２８号「光起電力素子」の請求項１ないし請求項７に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１５６２８号の請求項１ないし７に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
  本件特許第２９１５６２８号に係る出願は、平成３年６月２８日に出願され、平成１１年４月１６日にその設定登録がなされ、その後、日本板硝子株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月１３日に特許異議意見書が提出されたものである。
２．特許異議申立てについて
（請求項に係る発明）
　本件特許第２９１５６２８号の請求項１ないし請求項７に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項７に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】　導電性基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｐ型層、ｉ型層及びｎ型層を含む非単結晶シリコン系半導体層が設けられており、該非単結晶シリコン系半導体層上にそれに接して透明電極を積層して構成されている光起電力素子において、前記透明電極は、インジウム酸化物、スズ酸化物およびインジウム−スズ酸化物から選択される導電性酸化物で形成され、前記導電性酸化物は窒素原子を含有することを特徴とする光起電力素子。
【請求項２】　前記導電性基板は絶縁性材料の支持体上に導電性の薄膜を設けた基板である請求項１記載の光起電力素子。
【請求項３】　前記透明電極の厚さは５００Å〜３０００Åである請求項１記載の光起電力素子。
【請求項４】　前記導電性酸化物はさらに炭素原子を含む請求項１記載の光起電力素子。
【請求項５】　透明基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｐ型層、ｉ型層及びｎ型層を含む非単結晶シリコン系半導体層が設けられており、その上に導電層を積層して構成されている光起電力素子において、前記透明基板と前記非単結晶シリコン系半導体層との間にそれらに接して透明電極が設けられており、該透明電極は、インジウム酸化物、スズ酸化物およびインジウム−スズ酸化物から選択される導電性酸化物で形成され、前記導電性酸化物は窒素原子を含有することを特徴とする光起電力素子。
【請求項６】　前記透明電極の厚さは５００Å〜３０００Åである請求項５記載の光起電力素子。
【請求項７】　前記導電性酸化物はさらに炭素原子を含む請求項５記載の光起電力素子。」
　
（特許異議申立人の主張の概要）
  これに対して、特許異議申立人日本板硝子株式会社は、甲第１号証として本件特許出願の願書に最初に添付された明細書及び図面、甲第２号証として特開平５−１３７９１号公報、甲第３号証として特開昭６０−８９５７３号公報、甲第４号証として特開昭６０−２１１９８７号公報、甲第５号証として特開昭６０−２３９０６９号公報、甲第６号証として特開昭５９−１４７４６９号公報を提示して、本件の平成１０年７月６日付け手続補正書は明細書の要旨を変更するものであるから、本件の出願日は手続補正書提出時の平成１０年７月６日に繰り下がり、本件請求項１ないし請求項７に係る発明は、本件出願の公開公報である甲第２号証に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項１ないし請求項７に係る発明は、甲第３号証ないし甲第６号証に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、旨主張している。
　
（１）平成１０年７月６日付け手続補正書に関する検討
　特許異議申立人が、平成１０年７月６日付け手続補正書は、明細書の要旨を変更するものであるとする理由は、特許請求の範囲に請求項５及びその従属項を追加し、請求項５において基板を「透明基板」と特定した点にある。
　これについて検討する。
　出願当初の明細書の【従来の技術】【０００３】には、近年の光起電力素子と透明電極との間の関係を検討した文献が２件挙げられており、また、【０００４】には、インジウム酸化物膜とスズ酸化物膜とを積層した透明電極が記載されている公開公報が挙げられている。
　上記２件の文献には、ガラス基板の上に透明電極を成膜し、その上にｐｉｎ半導体を成膜した太陽電池が記載されており、また、上記公開公報には、ガラス板の上に形成された透明電極が記載されている。
　続いて、出願当初の明細書には、
「【０００５】【発明が解決しようとする課題】　上記した従来の光起電力素子は、優れた特性を有するものであるが、より一層の特性の向上が望まれている。
　本発明の目的は、従来の光起電力素子よりさらに優れた特性を有する光起電力素子を提供することにある。
【０００６】　本発明の目的は、従来の光起電力素子よりさらに優れた特性を有する光起電力素子を提供することにある。
　すなわち、本発明の目的は、より低抵抗化したインジウム酸化物、スズ酸化物、インジウム?スズ酸化物からなる透明電極を有する光起電力素子を提供することにある。」
と記載されており、本件発明は、従来の光起電力素子の透明電極を改良することを目的とした発明であるものと認められる。
　そして、出願当初の明細書の実施例１に関する表１及び実施例８に関する表６には、基板としてバリウム硼珪酸ガラス（【００６４】には、コーニング（株）製７０５９と記載されている。）が掲載されており、特許権者が特許異議意見書に添付して提出した「最新アモルファスＳｉハンドブック」の第２４１頁には、
「一口にｐｉｎ形といっても数種類の構造が知られているが、良く用いられている構造は図−１（ａ）に示すＡｌ／ｎｉｐ／ＩＴＯ／ガラス基板太陽電池、および同図（ｂ）のＩＴＯ／ｎｉｐ／金属基板太陽電池である。」と記載されており、
第２７５頁〜の「第８節透明導電膜被覆ガラス基板上の太陽電池」の、表−１透明導電膜の製法−化学的製法（ＳｎＯ２）、表−２透明導電膜の製法−化学的製法（ＩＴＯ）及び表−３透明導電膜の製法−物理的製法（Ｉｎ２Ｏ３ＩＴＯ）には、基板材料として石英、硼珪酸ガラス等の各種ガラスが掲載されており、Ｃ♯７０５９と表記して、本件発明の実施例に使用されているコーニング（株）製７０５９も掲載されている。
　してみれば、本件発明が前提としている従来の光起電力素子は、基板としてバリウム硼珪酸ガラス等の透明基板を使用するものを含むことは、出願当初の明細書の記載から明らかであり、請求項５に、基板として「透明基板」と特定した発明を記載する補正は、明細書の要旨の変更には該当しない。
　
　以上のとおりであるから、本件の平成１０年７月６日付け手続補正書は明細書の要旨を変更するものには該当せず、本件の出願日は繰り下がることはない。
　
（２）特許法第２９条第２項について
　上記の如く、本件出願の出願日は繰り下がることはないので、本件出願の公開公報である甲第２号証は、本件出願の公知文献ではない。
　
（引用例）
　特許異議申立人の提示した甲第３号証には、
「１．周期律表III族とIV族のどちらか一方又は両方から選択される元素と、窒素またはイオウまたは炭素とから構成されることを特徴とする透明導電膜。
２．上記第１項において、前記III族元素がインジウムまたはタリウムであることを特徴とする透明導電膜。
３．上記第１項において、前記IV族元素がスズまたは鉛であることを特徴とする透明導電膜。」（特許請求の範囲第１項〜第３項）、
「従来、太陽電池、光センサ、液晶ディスプレイパネル等の光関連デバイスにおいては、ガラスまたはポリマー等の透明基板上にＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２に代表される様な酸化物系の透明導電膜を透明電極として被着形成したものが広く用いられている。一方、近年ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）系材料を使用する光関連デバイスの研究、開発が極めて盛んであり、ａ−Ｓｉ太陽電池をはじめａ−Ｓｉ光センサ、ａ−Ｓｉ材料を発光材料とするディスプレイ装置等に於いて一部商品化もすすめられている。しかし、ａ−Ｓｉ系の材料を使用した場合、従来の透明導電膜では界面状態の悪化等の問題が発生する。即ち、ａ−Ｓｉの製法としては、原料にモノシラン（ＳｉＨ４）を使用するグロー放電分解法が用いられるのが一般的であるが、その際、基板上の透明電極である前記酸化物系の透明導電膜中に含まれるＯ（酸素）原子が、プラズマ中に発生するＨ（水素）ラジカルと反応してＨ２Ｏを発生する。このＨ２Ｏはａ−Ｓｉ材料の付着性や表面準位に影響を与え、その結果界面状態が極めて悪くなる可能性が大きい。」（公報第１頁右欄第２行〜第２頁左上欄第２行）、
「透明性を持たせる為には光学的バンドギャップを広げる必要があるから、前記周期律表の第１、２、３周期の元素であるＮ、Ｃ、Ｓの中からどれかを選択する。」（公報第２頁左上欄第１８行〜右上欄第１行）、
「透明導電膜中に酸素を含まないから、界面での不必要な化学結合や拡散がなくなり、特性劣化を防止する効果がある。」（公報第２頁左下欄第１１行〜第１４行）と記載されている。
　よって、甲第３号証には、
「ガラス等の透明基板上に透明電極、アモルファスシリコン等を形成したａ−Ｓｉ太陽電池において、前記透明電極は酸素を含まないインジウム、スズ等の透明導電膜で形成され、前記透明導電膜は窒素を含有するａ−Ｓｉ太陽電池」
の発明（以下、引用発明という。）が記載されている。
　同じく甲第４号証には、
「本発明の目的はｐｉｎｐｉｎ接合を含む多層構造（アモルファス）シリコン太陽電池において、ｎ層とｐ層の間に金属、酸化物あるいはシリサイド等の中間層を設けることにより、光電変換特性の秀れた（アモルファス）シリコン太陽電池を提供することにある。」（公報第１頁右欄第１６行〜第２頁左上欄第２行）、
「ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）８を１８００Åの厚さ形成し」（公報第２頁右下欄第１７行〜第１８行）と記載されている。
　同じく甲第５号証には、
「図中１は透明絶縁基板、２は透明電極膜、３はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、４は裏面電極膜を示している。透明絶縁基板１はガラス板等にて構成されており、その主面上に透明電極膜２、ａ−Ｓｉ層３、裏面電極膜４をこの順序で積層形成してａ−Ｓｉ太陽電池を構成してある。そして本発明品にあってはＩＴＯ、ＳｎＯ２等を素材として透明電極膜２を形成するに際し、これに添加物として例えばＴｉを１０ｐｐｍ〜１０％均一に（又はａ−Ｓｉ層側に接近するに従って添加量を漸増し、ａ−Ｓｉ層との界面で最大の添加量を呈するようにしてもよい）加えて作製してある。」（公報第２頁右上欄第１４行〜左下欄第５行）と記載されている。
　同じく甲第６号証には、非晶質シリコン太陽電池において、
「Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２をスパッタリング法により膜厚約８００Åの透光性上部電極５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅをそれぞれ被着形成する。」（公報第２頁右下欄第１６行〜第１８行）と記載されている。
　
ｉ）請求項１に係る発明について
（対比）
　本件の請求項１に係る発明と引用発明とを対比すると、ａ−Ｓｉ太陽電池はｐｉｎ構造であることが普通であるから、両者は、
「基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｐ型層、ｉ型層およびｎ型層を含む非単結晶シリコン系半導体層が設けられており、透明電極を積層して構成されている光起電力素子において、前記透明電極は、インジウム、スズおよびインジウム−スズから選択される導電性物で形成され、前記導電性物は窒素原子を含有する光起電力素子」
である点で一致しており、
ａ）基板が、本件の請求項１に係る発明では、導電性基板であるのに対し、引用発明では、透明絶縁基板である点、
ｂ）透明電極が、本件の請求項１に係る発明では、非単結晶シリコン系半導体層上にそれに接して設けられているのに対し、引用発明では、基板上に設けられている点、
ｃ）導電性物が、本件の請求項１に係る発明では、インジウム酸化物、スズ酸化物およびインジウム−スズ酸化物から選択される酸化物であるのに対し、引用発明では、酸素を含まない物である点
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点ｃについて検討する。
　本件明細書には、【０００６】に、
「本発明の目的は、従来の光起電力素子よりさらに優れた特性を有する光起電力素子を提供することにある。すなわち、本発明の目的は、より低抵抗化なインジウム酸化物、スズ酸化物、インジウム?スズ酸化物からなる透明電極を有する光起電力素子を提供することにある。」
と記載され、また、【００１３】には、
「本発明の光起電力素子において、スズ酸化物、インジウム酸化物、インジウム?スズ酸化物に窒素原子を含有させた透明電極は、透明電極を構成する前記酸化物の結晶粒径が増加し、また結晶粒径の分散が小さくなる。さらに、透明電極に窒素原子を含有させることで、透明電極の歪を小さくすることができる。このようなことによって、透明電極の比抵抗または直列抵抗を小さくする（低抵抗化する）ことができ、且つ透明電極の透過率を向上させることができる。」と記載されている。
　これらの記載から、本件発明では、透明電極である導電性酸化物中に窒素原子を含有させることにより、透明電極の低抵抗化、透過率の向上等の課題を解決し、作用効果を奏するものであると認められる。
　これに対して、引用発明では、ａ−Ｓｉを作製する際、透明導電膜中に酸素原子が含まれていると、プラズマ中に発生する水素ラジカルと反応してＨ２Ｏを発生して付着性や表面準位に影響を与えるため、透明電極が酸素を含まないようにするものと認められる。
　してみれば、引用発明は、透明電極から酸素を排除することを目的とするものであるから、本件の請求項１に係る発明の如く、透明電極を、インジウム酸化物、スズ酸化物およびインジウム−スズ酸化物から選択される導電性酸化物で形成することは考えられず、透明電極である導電性酸化物が周知であるとしても、相違点ｃに係る構成要件を採用することは、当業者が容易に想到できたことではない。
　
　よって、本件の請求項１に係る発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　また、その他の甲各号証に記載された発明には、透明電極に窒素を含有させる技術思想は開示されておらず、透明電極から酸素を排除することを目的とする引用発明と、その他の甲各号証に記載された発明とを組み合わせても、本件の請求項１に係る発明の構成要件である、透明電極である導電性酸化物に窒素を含有させる構成を想到することが容易とはいえない。
　
（結論）
　したがって、本件の請求項１に係る発明は、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
ii）請求項２ないし請求項４に係る発明について
　本件の請求項２ないし請求項４に係る発明は、本件の請求項１に係る発明を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件の請求項１に係る発明と同様に、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
iii）請求項５に係る発明について
（対比）
　本件の請求項５に係る発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「透明基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｐ型層、ｉ型層及びｎ型層を含む非単結晶シリコン系半導体層が設けられており、その上に導電層を積層して構成されている光起電力素子において、前記透明基板と前記非単結晶シリコン系半導体層との間にそれらに接して透明電極が設けられており、該透明電極は、インジウム、スズおよびインジウム−スズから選択される導電性物で形成され、前記導電性物は窒素原子を含有することを特徴とする光起電力素子」
である点で一致しており、
　導電性物が、本件の請求項５に係る発明では、インジウム酸化物、スズ酸化物およびインジウム−スズ酸化物から選択される酸化物であるのに対し、引用発明では、酸素を含まない物である点
で相違している。
　
（当審の判断）
　本件の請求項１に係る発明について、相違点ｃについての検討で示した如く、引用発明が上記相違点に係る構成要件を採用することは、当業者が容易に想到することができたことではなく、また、引用発明と、その他の甲各号証に記載された発明とを組み合わせても、透明電極である導電性酸化物に窒素を含有させる構成を想到することが容易とはいえない。
　
（結論）
　したがって、本件の請求項５に係る発明は、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
iv）請求項６及び請求項７に係る発明について
　本件の請求項６及び請求項７に係る発明は、本件の請求項５に係る発明を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件の請求項５に係る発明と同様に、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（むすび）
  以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１ないし請求項７に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし請求項７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月２８日（２０００．６．２８）