【事件の表示】
　特許第２９８７５２６号「ポジ型フオトレジスト組成物」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９８７５２６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９８７５２６号の請求項１に係る発明についての出願は、平成３年１月９日に出願され、平成１１年１０月８日に設定登録がなされ、その後、特許異議申立人 東京応化工業株式会社（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月５日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
(1)訂正の内容
ａ．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載について、
「キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー（Ａ）の量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフパターンの面積比でノボラツク樹脂全体の２〜６％、トリマー（Ｂ）の量が１０〜２０％であり、且つトリマーとダイマーの比（Ｂ／Ａ）が２．０〜１０．０であることを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。」を
「キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー（Ａ）の量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフパターンの面積比でノボラツク樹脂全体の２〜６％、トリマー（Ｂ）の量が１０〜２０％であり、且つトリマーとダイマーの比（Ｂ／Ａ）が２．０〜１０．０であることを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物
（但し、下記構造で示される化合物をトリマーとして添加されたものは除く）
【化１】
」と訂正する。
ｂ．訂正事項ｂ
　上記請求項１の訂正に対応して、発明の詳細な説明の記載について
【０００６】を
「【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、上記諸特性に留意し、鋭意検討を重ねた結果、キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するポジ型フオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー含量とトリマー含量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ（ＧＰＣ）パターンの面積比で特定の範囲になるようにコントロールすることにより、現像不良を無くし、高解像力を得るのに有用であることを見いだし、本発明を為すに至った。
　即ち、本発明の目的は、キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、
該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、
（但し、下記構造で示される化合物をトリマーとして添加されたものは除く）
【化２】
により達成された。
　以下に、本発明を詳細に説明する。」と訂正する。
(2)訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、「ポジ型フォトレジスト組成物」を限定するものであるから、特許請求の範囲の滅縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、これらの訂正は、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
(3)むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
(1)申立ての理由の概要
　申立人は、本件特許出願の請求項１に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特願平１−３４２１９１号の願書に最初に添付された明細書（以下、「先願明細書」という。特開平３−２００２５１号公報参照）に記載された発明と同一であり、しかもこの出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記発明をした者と同一ではなく、またこの出願のときにおいて、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件特許は特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるから、本件特許は取り消されるべきものである旨主張している。
(2)訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲に記載された以下のとおりのものである。（以下、「本件発明」という。）
「【請求項１】　キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー（Ａ）の量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフパターンの面積比でノボラツク樹脂全体の２〜６％、トリマー（Ｂ）の量が１０〜２０％であり、且つトリマーとダイマーの比（Ｂ／Ａ）が２．０〜１０．０であることを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物
（但し、下記構造で示される化合物をトリマーとして添加されたものは除く）
【化１】
」
(3)先願明細書（甲第１号証：特開平３−２００２５１号公報参照）に記載された発明
　第１ページ左下欄第５〜１４行には、アルカリ可溶性フェノール樹脂、キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤及び一般式
　（式中のＲ１〜Ｒ６は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はアルコキシ基、Ｒ７，Ｒ８は水素原子、アルキル基又はヒドロキシアルキル基、ｎは１，２，３又は４である）
で表わされる化合物を含有するポジ型レジスト組成物が記載されている。
 第３ページ左下欄第１０行〜第６ページ左上欄第１行に、増感剤として用いられる前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物が例示されており、その中に
（３）
（１４）
（１６）
及び
（２５）
が示されている。
　第７ページ左下欄下より５行〜右下欄下より３行に、実施例３〜７及び比較例２として、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールと３，５−キシレノールをモル比で５０：２０：３０の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂１００重量部、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノンの９５％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物２８重量部、表１に示す増感剤５重量部を乳酸エチル３６０重量部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルターでろ過してレジスト溶液を調製したこと、及びこのレジスト溶液をシリコンウエハー上に塗布し、露光、現像してポジ型パターンを得たことが記載されている。
　第９ページ右上欄の表１に、増感剤として実施例３では化合物（３）を、実施例５では化合物（１４）を、実施例６では化合物（１６）を、実施例７では化合物（２５）をそれぞれ用いたことが記載されている。
　第９ページ右上欄下より３〜１行に、この発明のポジ型レジスト組成物は、感度、解像度、残膜率、耐熱性、保存安定性が優れ、１μｍ以下の微細加工用に適していることが記載されている。
　なお、宮城賢氏の実験成績報告書（甲第３号証）には、先願明細書の実施例３及び５〜７で用いたアルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成を追試し、レジスト組成物の調製に用いられたアルカリ可溶性ノボラック樹脂に含有されるダイマーとトリマーの量をゲルパーミエーションクロマトグラフパターンの面積比で求めたところ、４．４２８６％、５．５９２７％であったと記載されており、この数値と、実施例３及び５〜７で増感剤を５重量部用いていることから計算した、ダイマー（Ａ）の量、トリマー（Ｂ）の量、トリマーとダイマーの比（Ｂ／Ａ）は、４．２％、１０．１％、２．４であると記載されている。
(4)本件発明と先願明細書に記載された発明との対比・判断
　先願明細書に記載された発明では、「ノボラック樹脂」と「２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノンの９５％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物」と「表１に示す増感剤」を溶解しフィルターでろ過して「レジスト溶液」を調製しているので、本件発明の「キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物」が開示されており、また、先願明細書に記載された発明における「ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールと３，５−キシレノールをモル比で５０：２０：３０の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂」は本件発明の「ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし」た「アルカリ可溶性ノボラック樹脂」に相当しているので、
本件発明と先願明細書に記載された発明は、「キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とするフオトレジスト組成物」である点で一致している。
　しかし、宮城賢氏の実験成績報告書でダイマー（Ａ）の量、トリマー（Ｂ）の量、トリマーとダイマーの比（Ｂ／Ａ）を計算する上でトリマー（Ｂ）の量に組み入れた、先願明細書に記載された発明における増感剤（３）（１４）（１６）（２５）については、本件発明の「フオトレジスト組成物」からは、上記増感剤（３）（１４）（１６）（２５）に相当する化合物をトリマーとして添加されたものは除かれることが訂正により明らかにされているので、先願明細書に記載された発明は、この点で、本件発明とは一致しない。
　したがって、本件発明と先願明細書に記載された発明とは、同一のものではないので、特許法第２９条の２の規定によっては、請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
(5)特許法第３６条について
　申立人は、公知技術である特開平１−２７６１３１号公報（甲第２号証）によれば、ポジ型フォトレジスト組成物の物性は、ノボラック樹脂中のダイマーの量が２〜９重量％の範囲にあればよく、トリマーの量には関係がないとされていること、本件特許明細書における比較例１は、ダイマーの量が１２．７％と公知のポジ型フォトレジスト組成物（甲第２号証）の場合よりもはるかに多くのダイマーを含むノボラック樹脂を用いているので、物性が劣化するのは当然であり、これをもって優れた効果を発揮していると認めることはできないし、本件特許発明の効果はダイマーの量が２〜９重量％ノボラック樹脂を用いることによる効果であり、トリマーの量を１０〜２０％、トリマーとダイマーの比を２．０〜１０．０にするという構成は、その効果からみて技術上無意味なものであると主張する。また、何等かの技術的意義を有するとしても、所期の効果を奏するには、本件特許発明の構成のみでは不完全であり、トリマー含量以外に何等かの特定が必要であるにもかかわらず、これが記載されていないので、本件特許出願は特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていないと主張している。
　しかし、本件特許発明は、アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有するダイマー量ばかりでなく、トリマー量及びトリマー量とダイマー量の比を特定の範囲にすることで、甲第２号証記載の効果と同様の効果を保持しつつ、更に未露光部の残膜率、レジスト形状が優れたものとなるというものである。本件特許明細書の中の比較例２においては、ダイマー量が４．７％、トリマー量が６．３％であり、トリマーとダイマーの比率が１．３であるノボラック樹脂ｂを用いており、このノボラック樹脂ｂは、ダイマー量としては、甲第２号証の２〜９％の範囲に入り、トリマー量及びトリマーとダイマーの比が本件特許発明の範囲に入らないものである。この比較例２と本件特許発明の実施例２（上記比較例２と同じキノンジアジド化合物を用いている）とを評価結果で比較すると、実施例２のレジスト形状が「８９」に対して、比較例２が「８３」であり、実施例２がレジスト形状において著しく優れている。このことは、本件特許明細書の【００２２】に「トリマー含量が１０重量％未満の場合、解像力、耐熱性、現像性は良好であるが、レジスト形状は殆ど改善されない」（特許公報５頁右欄１３〜１６行目）との記載とも対応し、この記載は、本件特許発明の実施例２と比較例２との構成上の差異とそれによる効果上の差異を裏付ける記載である。
　したがって、本件特許発明において、トリマー量及びトリマーとダイマーの比を特定の範囲にすることは、甲第２号証に記載の発明の効果と比較しても著しい効果を示すものであって、技術上明確な意味があり、本件特許発明の構成に欠くことができないものである。すなわち、本件出願は、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていると認められる。
(6)むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、訂正された本件の請求項１に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件の請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２６日（２００１．１．２６）
【訂正の要旨】
ａ．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の記載について、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１の
「キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフォトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー（Ａ）の量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフパターンの面積比でノボラツク樹脂全体の２〜６％、トリマー（Ｂ）の量が１０〜２０％であり、且つトリマーとダイマーの比（Ｂ／Ａ）が２．０〜１０．０であることを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。」を
「キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー（Ａ）の量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフパターンの面積比でノボラツク樹脂全体の２〜６％、トリマー（Ｂ）の量が１０〜２０％であり、且つトリマーとダイマーの比（Ｂ／Ａ）が２．０〜１０．０であることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物
（但し、下記構造で示される化合物をトリマーとして添加されたものは除く）
　
【化１】
」と訂正する。
ｂ．訂正事項ｂ
　上記請求項１の訂正に対応して、発明の詳細な説明の記載について、明りょうでない記載の釈明を目的として、
【０００６】を
「【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、上記諸特性に留意し、鋭意検討を重ねた結果、キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するポジ型フオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー含量とトリマー含量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ（ＧＰＣ）パターンの面積比で特定の範囲になるようにコントロールすることにより、現像不良を無くし、高解像力を得るのに有用であることを見いだし、本発明を為すに至った。
　即ち、本発明の目的は、キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、
該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ‐クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、
（但し、下記構造で示される化合物をトリマーとして添加されたものは除く）
　
【化２】
により達成された。
　以下に、本発明を詳細に説明する。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ポジ型フォトレジスト組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー（Ａ）の量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフパターンの面積比でノボラツク樹脂全体の２〜６％、トリマー（Ｂ）の量が１０〜２０％であり、且つトリマーとダイマーの比（Ｂ／Ａ）が２．０〜１０．０であることを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物
（但し、下記構造で示される化合物をトリマーとして添加されたものは除く）
　
【化１】
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は輻射線に感応するポジ型フオトレジストに関するものであり、特に高い解像力と感度、更に良好なパターンの断面形状をそなえた微細加工用フオトレジスト組成物に関するものである。
　本発明によるポジ型フオトレジストは半導体ウエハー、またはガラス、セラミツクス、金属等の基板上にスピン塗布法またはローラー塗布法で０．５〜３μｍの厚みに塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介して回路パターン等を紫外線照射などにより焼き付け、現像してポジ画像が形成される。更にこのポジ画像をマスクとしてエッチングする事により基板上にパターン状の加工を施す事ができる。代表的な応用分野はＩＣなどの半導体製造工程、液晶、サーマルヘッドなどの回路基板の製造、更にその他のフオトフアブリケーシヨン工程である。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　ポジ型フオトレジスト組成物としては、一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例えば、「ノボラツク型フエノール樹脂／ナフトキノンジアジド置換化合物」としてＵＳＰ−３，６６６，４７３号、ＵＳＰ−４，１１５，１２８号及びＵＳＰ−４，１７３，４７０号等に、また最も典型的な組成物として「クレゾールーホルムアルデヒドより成るノボラツク樹脂／トリヒドロキシベンゾフエノン−１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・トゥー・マイクロリソグラフィー」（Ｌ．Ｆ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ「Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」）（ＡＣＳ出版、Ｎｏ．２１９号、Ｐ１１２〜１２１）に記載されている。
　結合剤としてのノボラツク樹脂は、膨潤することなくアルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成した画像をエツチングのマスクとして使用する際に特にプラズマエッチングに対して高い耐性を与えるが故に本用途に特に有用である。また、感光物に用いるナフトキノンジアジド化合物は、それ自身ノボラツク樹脂のアルカリ溶解性を低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射を受けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろノボラツク樹脂のアルカリ溶解度を高める働きをする点で特異であり、この光に対する大きな性質変化の故にポジ型フオトレジストの感光物として特に有用である。
　これまで、かかる観点からノボラツク樹脂とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポジ型フオトレジストが開発、実用化され、１．５μｍ〜２μｍ程度までの線幅加工においては充分な成果をおさめてきた。
　　　【０００３】
　しかし、集積回路はその集積度を益々高めており、超しＬＳＩなどの半導体基板の製造においては１μｍ以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要とされる様になってきている。かかる用途においては、特に高い解像力、露光マスクの形状を正確に写しとる高いパターン形状再現精度及び高生産性の観点からの高感度を有するフオトレジストが要求されている。
　また、集積回路の集積度を高めるために、エツチング方式が従来のウエツトエツチングからドライエツチングに移行しているが、ドライエツチングの際にはレジストの温度が上昇するため、熱変形を起こさないよう、レジストには高い耐熱性が要求されている。
　耐熱性を改善するために重量平均分子量が２０００以下の成分を含まない樹脂を用いる技術（特開昭６０−９７３４７）、モノマーからトリマーまでの含量合計が１０重量％以下の樹脂を用いる技術（特開昭６０−１８９７３９）が公開されている。
　しかし、上記の、低分子量成分を除去あるいは減少させた樹脂を用いた場合、通常感度が低下し、デバイス製造におけるスループツトが低下するという問題があつた。
　　　【０００４】
　レジスト組成物に特定の化合物を配合することによりレジストの感度や現像性を改善することも試みられている。例えば、特開昭６１−１４１４４１にはトリヒドロキシベンゾフエノンを含有するポジ型フオトレジスト組成物が開示されている。このトリヒドロキシベンゾフエノンを含有するポジ型フオトレジストでは感度及び現像性が改善されるが、トリヒドロキシベンゾフエノンの添加により耐熱性が悪化するという問題があった。
　特開昭６４−４４４３９、特開平１−１７７０３２、同１−２８０７４８、同１−１０３５０には、トリヒドロキシベンゾフエノン以外の芳香族ポリヒドロキシ化合物を添加することにより耐熱性を悪化させないで高感度化する技術が開示されているが、現像性の改良については必ずしも十分なものとは言えない。
　　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、特に半導体デバイス等の製造において有用な、高感度で、解像力、現像性、レジスト形状、耐熱性に優れたレジストパターンが得られるポジ型フオトレジスト組成物を提供することにある。
　　　【０００６】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、上記諸特性に留意し、鋭意検討を重ねた結果、キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するポジ型フオトレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂に含有されるダイマー含量とトリマー含量が、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ（ＧＰＣ）パターンの面積比で特定の範囲になるようにコントロールすることにより、現像不良を無くし、高解像力を得るのに有用であることを見いだし、本発明を為すに至った。
　即ち、本発明の目的は、キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有するフオトレジスト組成物において、
該アルカリ可溶性ノボラツク樹脂はｍ‐クレゾール、ｐ‐クレゾール及びキシレノール類をモノマーの主成分とし、
（但し、下記構造で示される化合物をトリマーとして添加されたものは除く）
　
【化２】
により達成された。
　以下に、本発明を詳細に説明する。
　　　【０００７】
　本発明に於て、ダイマーとは、所定のフエノール類を酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られるノボラツク樹脂のダイマー成分、及び／又は下記一般式（Ｉ）で表される化合物を意味する。
　　　【０００８】
　【化３】
　一般式（Ｉ）
　　　【０００９】
ここで、
　Ｒ１，Ｒ２：同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基もしくはアルコキシ基、
　Ｒ３，Ｒ４：同一でも異なっても良く、水素原子もしくはアルキル基、
　ａ，ｂ，ｃ，ｄ：それぞれ１〜３の整数であり、ａ＋ｃ＝ｂ＋ｄ＝５、を表す。
　　　【００１０】
　一般式（Ｉ）のＲ１，Ｒ２において、ハロゲン原子としては塩素原子・臭素原子もしくはヨウソ原子が、アルキル基としてはメチル基・エチル基・プロピル基・ｎ−ブチル基・イソブチル基・ｓｅｃ−ブチル基もしくはｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４のアルキル基が、アルコキシ基としてはメトキシ基・エトキシ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキシプロポキシ基・イソプロポキシ基・ｎ−ブトキシ基・イソブトキシ基・ｓｅｃ−ブトキシ基もしくはｔ−ブトキシ基の様な炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましい。
　一般式（Ｉ）のＲ３，Ｒ４において、アルキル基としてはメチル基・エチル基・プロピル基・ｎ−ブチル基・イソブチル基・ｓｅｃ−ブチル基もしくはｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
　　　【００１１】
　一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、２，２’−メチレンビス（４−メチルフエノール）、２，２’−メチレンビス（４−メトキシフエノール）、メチレンビス（３−メチルフエノール）、メチレンビス（２−メチルフエノール）、４，４’−エチリデンビスフエノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシフエニル）プロパン、２，４’−エチリデンビスフエノール、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフエノール）、２，２’−メチレンビス（４−クロロフエノール）、２，２’−メチレンビス（３，４−ジメチルフエノール）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフエノール）、２，２’−メチレンビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフエノール）、４，４’−メチレンビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフエノール）等が挙げられる。
　　　【００１２】
　本発明に於て、トリマーとは、所定のフエノール類を酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られるノボラツク樹脂のトリマー成分及び／又は下記一般式（ＩＩ）で表される化合物（ノボラツク樹脂のトリマー成分とは異なる）を意味する。
　　　【００１３】
　【化４】
　一般式（ＩＩ）
　　　【００１４】
ここで、
　Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７：同一でも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基もしくはアルコキシ基、
　Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１：同一でも異なっていても良く、水素原子もしくはアルキル基、
　１，ｍ，ｎ，ｐ，ｑ，ｒ：それぞれ１〜３の整数であり、１＋ｐ＝ｎ＋ｒ＝５ｍ＋ｑ＝４、
を表す。
　一般式（ＩＩ）のＲ５〜Ｒ１１におけるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基は、一般式（Ｉ）における具体例と同じ物が好ましい。
　以下に、一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例を挙げる。
　　　【００１５】
　【化５】
　　　【００１６】
　【化６】
　　　【００１７】
　【化７】
　　　【００１８】
　【化８】
　　　【００１９】
　本発明に用いるアルカリ可溶性ノボラツク樹脂としては、所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と縮合させることにより得られる。
　所定のモノマーとしては、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及び、２，５−キシレノール・３，５−キシレノール・３，４−キシレノール・２，３−キシレノール等のキシレノール類を使用する。
　　　【００２０】
　アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フエニルアルデヒド、α−フエニルプロピルアルデヒド、β−フエニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｏ‐ニトロベンズアルデヒド、ｍ−二トロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使用することができるが、これらの中でホルムアルデヒドが好ましい。
　これらのアルデヒド類は、単独もしくは２種以上組み合わせて用いられる。
　酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシユウ酸等を使用することができる。
　こうして得られたノボラック樹脂の重量平均分子量は、２０００〜３００００の範囲であることが好ましい。２０００未満では未露光部の現像後の膜減りが大きく、３００００を越えると現像速度が小さくなってしまう。特に好適なのは６０００〜２００００の範囲である。
　ここで、重量平均分子量はゲルパーミエーシヨンクロマトグラフイーのポリスチレン換算値をもって定義される。
　　　【００２１】
　ダイマー成分を調整する方法としては、例えば、常法に従ってノボラツク樹脂を合成した後、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン・テトラヒドロフラン等の極性溶媒に溶解し、ついで水又は水ー極性溶媒混合物に入れて樹脂分を沈澱させる方法がある。
　他の方法としては、アルカリ可溶性樹脂の合成の際、所定時間反応後、通常は１５０〜２００℃で減圧留去を行って、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、修酸を除いているのに対し、２３０℃、好ましくは２５０℃以上で１０ｍｍＨｇ以下の減圧留去を行うことにより、ダイマー成分を効率よく留去できる。更に、特開平２−６０９１５に開示されている方法を用いても良い。
　本発明で用いるノボラツク樹脂のダイマー含量は、樹脂全体の２〜６％（ＧＰＣの面積比）の範囲であるが、上記操作によりノボラツク樹脂のダイマー成分を調整することができる。また、一般式（Ｉ）で表されるダイマーを添加して全ダイマー量が２〜６重量％になる様に調整しても良い。
　　　【００２２】
　本発明で用いるノボラツク樹脂のトリマー含量は、樹脂全体の１０〜２０重量％の範囲（ＧＰＣの面積比）であるが、上記減圧留去と同様の方法で調整することができる。更に、減圧留去操作を行った後、一般式（ＩＩ）で表されるトリマーを添加し、全トリマー量が１０〜２０重量％の範囲になる様に調整しても良い。
　以上の操作によって、トリマー（Ｂ）とダイマー（Ａ）の割合（Ｂ／Ａ）が２．０〜１０．０の範囲にある様に調整する。
　特開平１−２７６１３１に開示されている様に、ダイマーの含量が少ない方が現像不良を無くし、解像力を高める上で好ましいが、２重量％未満に減少させるとアルカリ水溶液への溶解性が悪化して感度が低下するのみならず、本発明の主目的の１つである解像力も低下してしまう。更に、シリコン基板との密着性が悪くなるという欠点を生じ、好ましくない。
　一方、ダイマー含量が６重量％を越えると現像不良を起こし易くなり、また耐熱性も低下するので好ましくない。
　更に、ダイマー含量は２〜６重量％の範囲であるが、トリマー含量が１０重量％未満の場合、解像力、耐熱性、現像性はかなり良好であるが、レジスト形状は殆ど改善されない。
　他方、ダイマー含量は２〜６重量％の範囲であるが、トリマー含量が２０重量％を越えると、レジスト形状は良好であるが、現像不良を起こし易くなり、また保存安定性に問題が生じる。
　　　【００２３】
　即ち、ダイマー含量が２〜６重量％の範囲であり、トリマー含量が１０〜２０重量％の範囲であり、かつ、トリマー（Ｂ）とダイマー（Ａ）の割合（Ｂ／Ａ）が２．０〜１０．０の範囲にあるときに限り、解像力、感度、耐熱性、現像性、レジスト形状が極めて優れていることが判った。
　ダイマー含量とトリマー含量の割合が何故フオトレジストの解像力、現像性、レジスト形状とし関係するのか定かではないが、ノボラツク樹脂の他の低分子成分、即ち残存モノマーを調整してもこの様な効果は得られないことから、ダイマーとトリマーが上記特定範囲の割合で存在するときのみ生じる特異な効果であるものと推定される。
　　　【００２４】
　本発明で用いられる感光物は、以下に示すポリヒドロキシ化合物の１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド及び／又は１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリドとのエステル化物を用いることができる。
　該ポリヒドロキシ化合物としては、例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン、２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフエノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４−トリヒドロキシ−２’−メチルベンゾフエノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフエノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフエノン、２，４，６，３’，４’−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，２’，４’−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，２’，５’−ペンタヒドロキシベンゾフエノン、２，４，６，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン等のポリヒドロキシベンゾフエノン類、２，３，４−トリヒドロキシアセトフエノン、２，３，４−トリヒドロキシフエニルペンチルケトン、２，３，４−トリヒドロキシフエニルヘキシルケトン等のポリヒドロキシフエニルアルキルケトン類、ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）メタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）プロパン−１、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）プロパン−１、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス（（ポリ）ヒドロキシフエニル）アルカン類、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸フエニル、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸フエニル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル類、ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）メタン、ビス（３−アセチル−４，５，６−トリヒドロキシフエニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ビス（２，４，６−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アルカン又はビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アリール類、エチレングリコール−ジ（３，５−ジヒドロキシベンゾエート）、エチレングリコール−ジ（３，４，５−トリヒドロキシベンゾエート）等のアルキレン−ジ（ポリヒドロキシベンゾエート）類、２，３，４−ビフエニルトリオール、３，４，５−ビフエニルトリオール、３，５，３’，５’−ビフエニルテトロール、２，４，２’，４’−ビフエニルテトロール、２，４，６，３’，５’−ビフエニルペントール、２，４，６，２’，４’，６’−ビフエニルヘキソール、２，３，４，２’，３’，４’−ビフエニルヘキソール等のポリヒドロキシビフエニル類、４，４’−チオビス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシ）スルフイド類、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシジフエニルエーテル等のビス（ポリヒドロキシフエニル）エーテル類、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシジフエニルスルフオキシド等のビス（ポリヒドロキシフエニル）スルフオキシド類、２，２’，４，４’−ジフエニルスルフオン等のビス（ポリヒドロキシフエニル）スルフオン類、４，４’，３’’，４”−テトラヒドロキシ−３，５，３’，５’−テトラメチルトリフエニルメタン、４，４’，２’’，３’’，４’’−ペンタヒドロキシ−３，５，３’，５’−テトラメチルトリフエニルメタン、２，３，４，２’，３’，４’−ヘキサヒドロキシ−５，５’−ジアセチルトリフエニルメタン、２，３，４，２’，３’，４’，３’’，４”−オクタヒドロキシ−５，５’−ジアセチルトリフエニルメタン、２，４，６，２’，４’，６，−ヘキサヒドロキシ−５，５，−ジプロピオニルトリフエニルメタン等のポリヒドロキシトリフエニルメタン類、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビーインダン−５，６，５’，６’−テトロール、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ−インダン−５，６，７，５’，６’，７’−ヘキソオール、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン−４，５，６，４’，５’，６’−ヘキソオール、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ−インダン−４，５，６，５’，６’，７’−ヘキソオール等のポリヒドロキシスピロビ−インダン類、３，３−ビス（３，４−ジヒドロキシフエニル）フタリド、３，３−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）フタリド、３’，４’，５’，６’−テトラヒドロキシスピロ［フタリド−３，９’−キサンチン］等のポリヒドロキシフタリド類、２−（３，４−ジヒドロキシフエニル）−３，５，７−トリヒドロキシベンゾピラン、２−（３，４，５−トリヒドロキシフエニル）−３，５，７−トリヒドロキシベンゾピラン、２−（３，４−ジヒドロキシフエニル）−３−（３，４，５−トリヒドロキシベンゾイルオキシ）−５，７−ジヒドロキシベンゾピラン、２−（３，４，５−トリヒドロキシフエニル）−３−（３，４，５−トリヒドロキシベンゾイルオキシ）−５，７−ジヒドロキシベンゾピラン等のポリヒドロキシベンゾピラン類、あるいはモリン、ケルセチン、ルチン等のフラボノ色素類等を用いることができる。
　又、ノボラツク樹脂等フエノール樹脂の低核体を用いることもできる。
　これらのポリヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジドエステル感光物は単独で、もしくは２種以上の組合せで用いられる。
　感光物とアルカリ可溶性樹脂の使用比率は、樹脂１００重量部に対し、感光物５〜１００重量部、好ましくは１０〜５０重量部である。この使用比率が５重量部未満では残膜率が著しく低下し、他方１００重量部を越えると感度及び溶剤への溶解性が低下する。
　　　【００２５】
　本発明の組成物には、更に現像液への溶解促進のために、ポリヒドロキシ化合物を含有させることができる。好ましいポリヒドロキシ化合物としてはフエノール類．、レゾルシン、フロログルシン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフエノン、２，３，４，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフエノン、アセトン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルシド、２，４，２’，４’−ビフエニルテトロール、４，４’−ちおびす（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシジフエニルエーテル、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシジフエニルスルフオキシド、２，２’，４，４’−ジフエニルスルフオン等を挙げることができる。
　これらのポリヒドロキシ化合物は、本発明のダイマー及びトリマーの送料１００重量部に対して、５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下の割合で配合することができる。
　　　【００２６】
　本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を溶解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、４−エトキシ−２−ブタノン、４−メトキシ−４−メチル−２−ペンタンノ等のケトエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブエステル類、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどの脂肪酸エステル類、１，１，２−トリクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の高極性溶剤を例示することができる。これら溶剤は単独で、あるいは複数の溶剤を混合して使用することもできる。
　　　【００２７】
　本発明のポジ型フオトレジスト組成物には、ストリエーシヨン等の塗布性を更に向上させるために、界面活性剤を配合することができる。
　界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマ一類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガフアツクＦ１７１，Ｆ１７３（大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフツ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）やアクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性樹脂及びキノンジアジド化合物１００重量部当たり、通常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下である。
　これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
　　　【００２８】
　本発明のポジ型フオトレジスト組成物には、必要に応じ、染料、可塑剤、接着助剤等を配合することができる。その具体例としては、メチルバイオレツト、クリスタルバイオレツト、マラカイトグリーン等の染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フエノキシ樹脂、アルキツド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシラザン、クロロメチルシラン等の接着助剤がある。
　上記ポジ型フオトレジスト組成物を、精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コー夕ー等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像することにより良好なレジスト像を得ることができる。
　　　【００２９】
　本発明のポジ型フオトレジスト組成物の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
　　　【００３０】
　　【実施例】
　以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、％は他に指定の無い限り重量％を示す。
　また、重量平均分子量及びモノマー、ダイマーもしくはトリマーの含量は、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフイー（ＧＰＣ）を用い、４０℃、流速１ｍｌ／ｍｉｎ、ＴＨＦ溶媒、検出波長２８２ｎｍにて測定した。
　用いたカラムは東洋曹達工業製ＴＳＫｇｅｌＧＭＬＸＬ、Ｇ４０００ＨＸＬ、Ｇ３０００ＨＸＬ、Ｇ２０００ＨＸＬをそれぞれ各１本づつ接続し、単分散ポリスチレンを標準とする重量平均分子量を算出した。モノマー、ダイマー、トリマーの含量も同様の条件で測定・算出した。
　　　【００３１】
［ノボラツク樹脂の合成及び／又は調整］
合成例１　ノボラツク樹脂ａの合成
　ｍ−クレゾール４５ｇ、ｐ−クレゾール５５ｇ、３７％ホルマリン水溶液５３ｇ及びシユウ酸０．１ｇを３つ口フラスコに仕込み、撹拌しながら１００℃まで昇温し、１５時間反応させた。その後温度を２００℃まで上げ、徐々に５ｍｍＨｇまで減圧にして、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、蓚酸等を留去した。次いで溶融したアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を室温に戻して回収した。得られたノボラツク樹脂（ａ）は平均分子量８３００（ポリスチレン換算）であり、モノマー、ダイマー、トリマーの含量は各々０．５％、１２．７％、７．１％（計２０．３％）であった。
　　　【００３２】
調整例１　ノボラツク樹脂ｂの調整
　合成例１で得られたノボラツク樹脂（ａ）２０ｇをメタノール６０ｇに関間善に溶解した後、これに水３０ｇを撹拌しながら徐々に加え樹脂分を沈澱させた。
　上層をデカンテーシヨンにより除去し、沈澱した樹脂分を回収して４０℃に加熱し、減圧下で２４時間乾燥させてアルカリ可溶性ノボラツク樹脂ｂを得た。得られたノボラツク樹脂は重量平均分子量９１１０（ポリスチレン換算）であり、モノマー、ダイマー、トリマーの含量は各々０％、４．７％、６．３％（計１１．０％）であった。
　　　【００３３】
調整例２〜４　ノボラツク樹脂ｃ〜ｅの調整
　調整例１で得られたノボラツク樹脂（ｂ）に、表１に示すトリマーをそれぞれ添加し、ノボラツク樹脂のトリマー成分の調整を行い、ノボラツク樹脂ｃ〜ｅを得た。調整後のモノマー、ダイマー、トリマーの含量を表１に示す。
　　　【００３４】
調整例５　ノボラツク樹脂ｆの調整
　ｍ−クレゾール３８ｇ、ｐ−クレゾール６２ｇ、３７％ホルマリン水溶液４７ｇ及びシユウ酸０．１ｇを３つ口フラスコに仕込み、撹拌しながら１００℃まで昇温し、１５時間反応させた。その後温度を２５０℃まで上げ、徐々に１ｍｍＨｇまで減圧にして、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、蓚酸及びダイマー成分等を留去した。ついで、溶融したアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を室温に戻して回収した。得られたノボラツク樹脂は平均分子量７２００（ポリスチレン換算）であった。ここで得られたノボラツク樹脂に更に表１に示すトリマーを添加してトリマー成分の調整を行い、ノボラツク樹脂ｆを得た。調整後ＧＰＣにより求めたモノマー、ダイマー、トリマーの含量は各々０％、４．１％、１８．６％（計２２．７％）であった。
　　　【００３５】
調整例６　ノボラツク樹脂ｇの調整
　ｍ−クレゾール２５ｇ、ｐ−クレゾール５０ｇ、３，５−キシレノール２８ｇ、３７％ホルマリン水溶液５３ｇ及びシユウ酸０．１ｇを３つ口フラスコに仕込み、撹拌しながら１００℃まで昇温し、１５時間反応させた。その後温度を２５０℃まで上げ、徐々に１ｍｍＨｇまで減圧にして、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、蓚酸及びダイマー成分等を留去した。ついで、溶融したアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を室温に戻して回収した。得られたノボラツク樹脂は平均分子量４７００（ポリスチレン換算）であった。ここで得られたノボラツク樹脂に更に表１に示すトリマーを添加してトリマー成分の調整を行い、ノボラツク樹脂ｇを得た。調整後ＧＰＣにより求めたモノマー、ダイマー、トリマーの含量は各々０．５％、４．８％、１７．３％（計２２．６％）であった。
　　　【００３６】
調整例７　ノボラツク樹脂ｈの調整
　合成例１で得られたノボラツク樹脂（ａ）に、表１に示すトリマーを添加してトリマー成分の調整を行い、ノボラツク樹脂ｈを得た。調整後ＧＰＣにより求めたモノマー、ダイマー、トリマーの含量は各々０．５％、１１．９％、１３．６％（計２６．０％）であった。
　　　【００３７】
合成例２　感光物Ａの合成
　２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン１１．５ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド３０．２ｇ及びアセトン３００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝１１．４ｇ／５０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥（４０℃）を行い、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル（感光物Ａ）２９．８ｇを得た。
　　　【００３８】
合成例３　感光物Ｂの合成
　２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフエノン１２．３ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド４０．３ｇ及びアセトン３００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解した。次いでトリエチルアミン／アセトン＝１５．２ｇ／５０ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させた。反応混合液を１％塩酸水溶液１５００ｍｌ中に注ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥（４０℃）を行い、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフエノンの１・２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル（感光物Ｂ）
３９．７ｇを得た。
　　　【００３９】
［ポジ型フオトレジスト組成物の調製と評価］
　上記合成例１及び調整例１〜７で得られたノボラツク樹脂ａ〜ｈ、合成例２，３で得られた感光物Ａ，Ｂを表２に示す割合でエチルセロソルブアセテート１５ｇに溶解し、０．２μｍのミクロフィルターを用いて濾過し、フオトレジスト組成物を調製した。
　このフオトレジスト組成物をスピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布し、窒素雰囲気下の対流オーブンで９０℃、３０分間乾燥して膜厚１．２μｍのレジスト膜を得た。この膜にキヤノン社製縮小投影露光装置ＦＰＡ−１５５０を用いてテストチャートマスクを介して露光した後、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキシド水溶液で１分間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。
　このようにして得られたシリコーンウエハー上のレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストを評価した。その結果を表３に示す。
　　　【００４０】
　感度は０．７０μｍのマスクパターンを再現する露光量の逆数をもって定義し、比較例１の感度との相対値で示した。
　残膜率は未露光部の現像前後の比の百分率で表した。
　解像力は０．７０μｍのマスクパターンを再現する露光量における限界解像力を表す。
　レジストの形状は、０．７０μｍのレジストパターン断面におけるレジスト壁面とシリコンウエハーの平面のなす角（θ）で表した。
　現像性は表層剥離及び膜残渣を観察し、○はこれらが観察されず良好な場合、△は少し観察された場合、×は多く観察された場合、を表す。
　耐熱性は、レジストがパターン形成されたシリコンウエハーを対流オーブンで３０分間べークし、そのパターンの変形が起こらない温度を示した。
　表３から判る様に、本発明に成るノボラツク樹脂を用いたレジストは、感度、残膜率、解像力、耐熱性、レジスト形状、現像性のいずれも優れていた。
　　　【００４１】
　【表１】
　　　【００４２】
　【表２】
　　　【００４３】
　【表３】
　　　【００４４】
　【表４】
　　　【００４５】
　【表５】
　　　【００４６】
　　【発明の効果】
　本発明のポジ型フオトレジストは感度、残膜率、解像力、耐熱性、レジスト形状及び現像性に優れ、微細加工用フオトレジストに好適に用いられる。