【事件の表示】
　特許第３０１０４１２号「半導体発光素子」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０１０４１２号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０１０４１２号の請求項１ないし８に係る発明についての出願は、平成６年９月１４日に出願され、平成１１年１２月１０日に特許の設定登録がなされ、その後、請求項１ないし８に係る発明について、異議申立人西島一により特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．本件発明
　特許第３０１０４１２号の請求項１ないし８に係る発明は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
【請求項1】「n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなるp型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有し、前記活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することが出来る程度に、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、電子の前記活性層への注入が低電圧で行えるように、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる値だけ小さくして、前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、無効電流を増大させないようにしたことを特徴とする半導体発光素子。」
【請求項２】「n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなるp型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにしたことを特徴とする半導体発光素子。」
【請求項３】「基板と、前記基板上に設けられるn型GaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられるn型AlxGa1-zN（0≦x≦0．5）からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられるInyGal-yN（O≦y≦1）からなる活性層と、前記活性層上に設けられるp型AlzGal-zN（0＜z≦1、2x≦z）からなるp型クラッド層とを有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにしたダブルヘテロ接合型の発光ダイオード。」
【請求項４】「 n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型AlzGa1-zN（0＜z≦1、2x≦z）からなるp型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにし、かつ活性層の膜厚がレーザ発振が可能となる程度であることを特徴とする半導体レーザ。」
【請求項５】「前記サンドイッチ構造は基板上に設けられると共に、前記サンドイッチ構造と前記基板とのあいだに少なくともＧａＮからなるバッファ層が設けられてなる請求項４記載の半導体レーザ。」
【請求項６】「前記サンドイッチ構造は基板上に設けられると共に、前記サンドイッチ構造の前記基板と反対側の表面側に少なくともＧａＮからなるキャップ層が設けられてなる請求項４または５記載の半導体レーザ。」
【請求項７】「前記キャップ層および前記サンドイッチ構造の一部がエッチングされてメサ形状にされてなる請求項６記載の半導体レーザ。」
【請求項８】「サファイア基板と、前記サファイア基板上に設けられるn型GaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、n型AlxGa1-zN（0≦x≦0．5）からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられ、InyGal-yN（O≦y≦1）からなる活性層と、前記活性層上に設けられるp型AlzGal-zN（0＜z≦1）からなるp型クラッド層と、前記p型クラッド層上に設けられ、ｐ型ＧａＮからなるキャップ層とを有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにしたことを特徴とする半導体レーザ。」
　
３．異議申立ての理由の概要
異議申立人西島一は、本件請求項１、２、３、４、８に記載の発明の特許は、その明細書が特許法第３６条第４項、第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものであり、また、本件請求項１に記載の発明及び明細書の段落【０００４】について、本件出願経過でなされた補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものではないではないので、特許法平成５年改正法第１７条の２第２項において準用する第１７条第２項（特許異議申立書に記載の「特許法第１７条の２第３項」は適用条文の誤りと認められる）の規定に違反してなされたものであるから取り消されるべきものであり、さらに、下記の甲第１〜１０号証を提出し、本件請求項１ないし８に係る発明は、甲第１、２号証より、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、また、甲第３〜１０号証より、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消されるべきものである旨を主張している。
甲第１号証：特願平５−７９０４６号（特開平６−２６８２５９号公報参照）
甲第２号証：特願平６−１１３４８４号（特開平７−３１２４４５号公報参照）
甲第３号証：Jpn.J.Appl.Phys.Part2 32[1A/B](1993)P.L8-L11
甲第４号証：Appl.Phys.Lett.64[13](1994)P.1687-1689
甲第５号証：IEEE.J.Quantum Electronics 17[9](1981)P.1954-1963
甲第６号証：特開平１−２１７９８６号公報
甲第７号証：特開平４−８７３７８号公報
甲第８号証：赤崎勇編「アドバンスト　エレクトロニクスシリーズＩ−１　III-Ｖ族化合物半導体」（１９９４−５−２０、初版）、（株）培風館、Ｐ．３４５−３４７
甲第９号証：特開平２−２２９４７５号公報
甲第１０号証：特開平４−１２７５９５号公報
　
４．甲第１〜１０号証に記載の発明
（ａ）甲第１号証（特願平５−７９０４６号（特開平６−２６８２５９号公報参照））について
　窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関し、「［実施例３］
　実施例１において、ＴＭＡの流量を多くして、ｐ型クラッド層６のＡｌ混晶比をＧａ0.55Ａｌ0.45Ｎとする他は、同様にして発光ダイオードを得たところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは６Ｖとオーミック接触が得られているほぼ限界値を示し、発光波長は同一で、発光出力は４００μＷ、発光効率０．２％であった。」（明細書【００２７】段落）こと、「［実施例４］
　実施例１において、ｎ型クラッド層４を成長しない他は実施例１と同様にして発光ダイオードを得たところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは５Ｖであったが、発光出力は２００μＷ、発光効率０．２％であった。」（明細書【００２８】段落）こと、【発明の効果】として、「さらに、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層、ｎ型ＩｎＧａＮ層を積層し、前記ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層、前記ｐ型ＧａＮコンタクト層を積層することにより発光出力、発光効率に優れた発光素子を実現でき、るため、未だ実現されていないレーザー素子の構造のヒントとして、その産業上の利用価値は大きい。」（明細書【００３３】段落）ことが記載されている。
（ｂ）甲第２号証（特願平６−１１３４８４号（特開平７−３１２４４５号公報参照）について
　３族窒化物半導体発光素子に関し、「【００３３】
　
第４実施例
　　　　【００３４】
　図１０において、発光ダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上に500 ÅのAlN のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約4.0 μｍ、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層４、膜厚約0.5 μｍ、亜鉛及シリコンドープのGaN から成る発光層５、膜厚約0.5 μｍ、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープのAl0.1Ga0.9N から成るｐ層６１、膜厚約0.5 μｍ、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るコンタクト層６２が形成されている。そして、コンタクト層６２に接続するニッケルで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ+ 層４に接続するニッケルで形成された電極８が形成されている。電極７と電極８とは、溝９により電気的に絶縁分離されている。（明細書【００３３】〜【００３４】段落）こと、「【００４２】
　
第６実施例
　尚、発光層５は半絶縁性、ｐ伝導型、ｎ伝導型のいずれでも良い。
　　　　【００４３】
  図１３において、発光ダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上に500 ÅのAlN のバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約4.0 μｍ、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層４、膜厚約0.5 μｍ、亜鉛及シリコンドープのGa0.94In0.06N から成る発光層５、膜厚約0.5 μｍ、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープのAl0.1Ga0.9N から成るｐ層６１、膜厚約0.5 μｍ、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るコンタクト層６２が形成されている。そして、コンタクト層６２に接続するニッケルで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ+ 層４に接続するニッケルで形成された電極８が形成されている。電極７と電極８とは、溝９により電気的に絶縁分離されている。」（明細書【００４２】〜【００４３】段落）ことが記載されている。
（ｃ）甲第３号証（Jpn.J.Appl.Phys.Part2 32[1A/B](1993)P.L8-L11）について
　「Ｐ型ＧａＮ／Ｎ型ＩｎＧａＮ／Ｎ型ＧａＮダブル−ヘテロ構造の青色発光ダイオード」（論文タイトル）に関し、「第１図。Ｐ型ＧａＮ層／Ｎ型ＩｎＧａＮ層／Ｎ型ＧａＮ層からなるダブル−ヘテロ構造の青色ＬＥＤの構造。」（ｐ．Ｌ９左欄第１図下の説明部分）が記載され、第１図には、さらに、「ＧａＮバッファ層とサファイア基板」が記載されている。
（ｄ）甲第４号証（Appl.Phys.Lett.64[13](1994)P.1687-1689）について
　「カンデラ級高輝度ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮダブル−ヘテロ構造の青色発光ダイオード」（論文タイトル）に関し、「第１図。ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮダブル−ヘテロ構造の青色ＬＥＤの構造。」（ｐ．１６８８左欄第１図下の説明部分）が記載され、第１図には、「ｐ型ＧａＮ層、ｐ型ＡｌＧａＮ層、ＺｎドープＩｎＧａＮ層、ｎ型ＡｌＧａＮ層、ｎ型ＧａＮ層、ＧａＮバッファ層、サファイア基板」からなる発光ダイオードが記載されている。
（ｅ）甲第５号証（IEEE.J.Quantum Electronics 17[9](1981)P.1954-1963）について
　「ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰダブル−ヘテロ接合レーザ・・・」（論文タイトル）に関し、「活性領域から閉じ込め層へのキャリアの漏れが詳細の中で説明される。」（ｐ．１９５４左欄「Abstract」の８〜９行）こと、「注入されたキャリアを有効に閉じ込めるのに必要な障壁の高さと活性領域の中の有効なキャリアの質量が検討される。」（同「Abstract」の１２〜１４行）ことが記載されている。
（ｆ）甲第６号証（特開平１−２１７９８６号公報）について
　「（１）発光及びレーザ発振に寄与する活性層が、これよりも禁制帯幅が広く、一方がｐ−型他の一方がｎ−型の導電性を有する上下２つのクラッド層で挟まれた二重ヘテロ接合構造の半導体レーザ素子において、上記２つのクラッド層が異なる化合物半導体により形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
（２）２つのクラッド層のうちｐ−型の導電性を有するクラッド層と活性領域との伝導帯不連続が２つのクラッド層のうちｎ−型の導電性を有するクラッド層と上記活性領域との伝導帯不連続よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
（３）２つのクラッド層のうちｎ−型の導電性を有するクラッド層と活性領域との価電子帯不連続が２つのクラッド層のうちｐ−型の導電性を有するクラッド層と上記活性領域との価電子帯不連続よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。」（１頁、特許請求の範囲）であり、「通常の構造の半導体レーザ素子では活性領域を挟むｎ−型半導体層とｐ−型半導体層の材料が同一物質であるために、活性領域とｐ−型半導体層の伝導帯不連続と活性領域とｎ−型半導体層の伝導帯不連続は同一であり、活性領域とｎ−型半導体層の価電子帯不連続と活性領域とｐ−型半導体層の価電子帯不連続は同一であった。このため活性領域からｐ−型半導体層へ電子のオーバーフローあるいは活性領域からｎ−型半導体層へ正孔のオーバーフローが起こり活性層への電流閉じ込め効率が悪かった。」（１頁右欄最終行〜２頁左上欄１１行）こと、「本発明は以上述べたような活性層からｐ−型半導体層へ電子のオーバーフロー或は活性領域からｎ−型半導体層への正孔のオーバーフローを減らし、活性領域へ正孔と電子と光を効率よく閉じ込め集中行える良好な半導体レーザ素子の提供を目的としている。」（２頁左上欄１６〜同ぺーｊ右上欄１行）こと、「またＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系以外の材料系についても本発明の適用が可能である。」（３頁右上欄１４〜１６行）ことが記載されている。
（ｇ）甲第７号証（特開平４−８７３７８号公報）について
　「第１０図はＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系発光素子の構成例（ａ図）と発光領域近傍のバンド構造（ｂ図実線）を示したものであ」る（１頁右欄１４〜１６行）こと、「ＧａＩｎＡｓＰ−ＩｎＰの２重ヘテロ構造では電子のキャリアオーバーフローが起こり易く、温度特性低下の要因になっている」（３頁右上欄７〜９行）こと、「この半導体発光素子は、第１図（ａ）に示すようにＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層（例えば発光波長１．３μｍの組成）３、ｐ型ＡｌＩｎＡｓクラッド層（ＩｎＰに格子整合）４、ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層（例えば発光波長１．３μｍの組成）５が順次形成されている。」（５頁右上欄最終行〜同頁左下欄５行）こと、「本発明によれば有効質量の小さな電子の注入がＩｎＰ側から行われ、そのＧａＩｎＡｓＰ活性層におけるヘテロバリアがＡｌＩｎＡｓとなるため、電子注入の基底エネルギーと対向するヘテロバリアエネルギーとの間にエネルギーオフセットを生じ、電子のＧａＩｎＡｓＰ活性層への注入効率が改善されるという利点がある。即ち、ｐ型、ｎ型のクラッド層を両方ともＩｎＰ又はＡｌＩｎＡｓとした場合に比べて　ＧａＩｎＡｓＰ活性層でキャリア緩和せずに通過するキャリアを前記エネルギーオフセット分だけ減少させることが可能となる。」（５頁右下欄最終行〜６頁左上欄１０行）ことが記載されている。
（ｈ）甲第８号証（赤崎勇編「アドバンスト　エレクトロニクスシリーズＩ−１　III-Ｖ族化合物半導体」（１９９４−５−２０、初版）、（株）培風館、Ｐ．３４５−３４７）について
　「Nakamuraらは、発光層にＩｎＧａＮを用いたｐ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ／ｎ−ＧａＮ　ＤＨ構造で室温の量子効率０．２２％，ピーク波長４４０ｎｍの青色ＬＥＤを開発した。図１３．１４（Ａ）に、そのＩ−Ｌ特性を示す。また、同図（Ｂ）に示すように，ＥＬスペクトルの半値幅は１８０ｍｅＶと従来のＧａＮ系青色ＬＥＤの中で最も狭い。
　今後，ＤＨを含む，多層構造はもとより，ＧａＡｓ系やＺｎＳｅ系で開発された種々の技術が応用されていくであろう。」（３４７頁４〜９行）ことが記載されている。
（ｉ）甲第９号証（特開平２−２２９４７５号公報）について
　第１３図に、ＡｌＧａＮのＡｌの組成比を小さくするほどバンドギャップエネルギーが小さくなることが記載されている。
（ｊ）甲第１０号証（特開平４−１２７５９５号公報）について
　「第３図の従来構造について製造工程を簡単に述べる。先ず、１回目のＭＯＶＰＥ成長によってｎ−ＧａＡｓバッファー層２からｐ−ＧａＩｎＰキャップ層６までの５層構造を順次形成する。続いて、キャップ層６上に写真食刻により幅５μｍのストライプ状のＳｉＯ２膜マスクを形成し、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５の途中までエッチングして、ストライプ状のメサ部を形成する。次いで２回目のＭＯＶＰＥ成長によってストライプ状のＳｉＯ２膜マスクを除くメサ部にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７を選択的に形成する。その後、ＳｉＯ２膜マスクを除去した後、３回目のＭＯＶＰＥ成長によって全面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層８を成長形成」する（２頁左上欄９行〜同頁右上欄２行）ことが記載されている。
　
５．対比・判断
１）特許法第３６条について
（ａ）特許異議申立人は、「正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して」という要件は、請求項２、３、４及び８には規定されているが、請求項１には記載されておらず、請求項１は特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものではないと主張している。
　しかしながら、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことは、自明であるから、「正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して」という要件が記載されていないからといって、請求項１に記載の発明が特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものではないということはない。
（ｂ）特許異議申立人は、請求項１において、文理上、「無効電流を増大させないようにした」は、「ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、電子の前記活性層への注入が低電圧で行えるように、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる値だけ小さくして、前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし」たことによる作用と読めるが、技術的には、請求項２、３、４及び８のように「正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層からｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにし」たことによる作用であるから、不明瞭であると主張している。
　しかしながら、上記（ａ）に記載したように、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことは、自明であるから、「正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して」という要件が記載されていないからといって、請求項１に記載の「無効電流を増大させないようにした」部分の記載が不明瞭であるということはない。
（ｃ）特許異議申立人は、請求項２において、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、」部分と「前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにしたこと」部分の関係が不明瞭であり、また、請求項３、４及び８においても、同様な部分の関係が不明瞭であると主張している。
　しかしながら、請求項２の記載において、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにしたこと」部分の記載において、「前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにしたこと」部分は「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、」部分をさらに限定するものである。
　そして、その根拠は、本件の実施例に示されているので、特に不明瞭ということはない。
　また、請求項３、４及び８における同様な部分の記載においても、上記請求項２の記載と同様に、不明瞭ということはない。
（ｄ）特許異議申立人は、請求項１、２、３、４及び８において、「InyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層」でＧａＮ（ｙ＝０の場合）のときに、「n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層」でＧａＮ（ｘ＝０の場合）であったとすると、そのときにも活性層からｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することができるのかどうか、不明瞭であると主張している。
　しかしながら、請求項１においては、活性層、ｎ型クラッド層の他に、「前記活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することが出来る程度に、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、電子の前記活性層への注入が低電圧で行えるように、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる値だけ小さくして、前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、無効電流を増大させないようにしたこと」という構成要件があり、この構成要件に基づき、上記活性層がＧａＮ（ｙ＝０の場合）のときに、上記ｎ型クラッド層がＧａＮ（ｘ＝０の場合）である場合を含め、ｎ型クラッド層のＡｌ比率を定めれば良いので、特に不明瞭であるということはない。
２）特許法平成５年改正法第１７条の２第２項において準用する第１７条第２項について
（ａ）本件は、平成１１年６月４日付けの手続補正により、請求項１の記載が、「前記活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することが出来る」と補正されたが、この部分の記載は、願書に最初に添付された明細書の【００１９】段落の「活性層に注入された正孔のｎ型クラッド層側への逃げは少ない。」という記載、【００２５】段落の「活性層からの正孔の漏れを防止できるようにしたものである。」という記載から、直接的かつ一義的に導き出せたものであり、補正による新規事項の追加ではない。
（ｂ）本件は、平成１０年９月２日付けの手続補正により、明細書の【０００４】段落が、出願当初の「Ｇａの一部がＡｌ、Ｉｎなど他のIII族元素と置換したもの」から、「Ｇａの一部または全部がＡｌ、Ｉｎなど他のIII族元素と置換したもの」と補正されたが、願書に最初に添付された本件明細書の【請求項２】には「前記活性層がInyGa1-yN（0≦y≦1）からなり、前記p型クラッド層p型AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなり」と記載されており、ｙ＝１又はｚ＝１の場合には、Ｇａの全部がＡｌ、Ｉｎなど他のIII族元素と置換したものとなるので、前記「Ｇａの一部または全部がＡｌ、Ｉｎなど他のIII族元素と置換したもの」という補正は、願書に最初に添付された本件明細書の【請求項２】の記載から直接的かつ一義的に導き出せたものであり、補正による新規事項の追加ではない。
３）特許法第２９条の２について
（ａ）請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証又は第２号証に記載の発明とを対比すると、両者は「n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなるp型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる値だけ小さくして、前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）としたことを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　しかしながら、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる値だけ小さくして、前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）としたこと」により、本件請求項１に係る発明が、「前記活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することが出来る程度に、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、電子の前記活性層への注入が低電圧で行えるように」し、「無効電流を増大させないようにした」のに対して、甲第１号証又は第２号証に記載の発明は、活性層からｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することが出来る程度に、ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、電子の前記活性層への注入が低電圧で行えるようにしておらず、かつ、無効電流を増大させないようにもしていない点で相違する。
　そして、上記相違点は、課題解決のための具体的手段における微差とは認められない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載の発明と同一ではない。
　なお、特許異議申立人は、上記相違点について、「ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーが小さくなることは、Ａｌの組成比を小さくしたことによる結果的作用であるとともに、この作用は甲第９号証に示されているように周知事項にすぎない。」し、「活性層からｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することは、Ａｌの組成比を小さくしたことによる結果的作用であるとともに、この正孔の漏れ防止の作用は、甲第５〜７号証に示されているように周知事項にすぎない。」と主張しているが、甲第５〜７及び９号証の記載が周知事項であるとしても、本件請求項１に係る発明の構成要件である「前記活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することが出来る程度に、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、電子の前記活性層への注入が低電圧で行えるように」し、「無効電流を増大させないようにした」ことは、単に、Ａｌの組成比を小さくしたことによる結果的作用であるということはできないので、上記申立人の主張は採用できない。。
（ｂ）請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明と甲第１号証又は第２号証に記載の発明とを対比すると、両者は「n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなるp型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有し、  前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）としたことを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　しかしながら、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし」たことにより、本件請求項２に係る発明が、「前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにした」のに対して、甲第１号証又は第２号証に記載の発明は、このような記載がない点で相違する。
　そして、上記相違点は、課題解決のための具体的手段における微差とは認められない。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、甲第１号証又は第２号証に記載の発明と同一ではない。
　なお、特許異議申立人は、上記相違点についても、上記５．３）（ａ）と同様な主張をしているが、上記５．３）（ａ）と同様に採用できない。
（ｃ）請求項３に係る発明について
　本件請求項３に係る発明と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、両者は「基板と、前記基板上に設けられるn型GaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられるn型AlxGa1-zN（0≦x≦0．5）からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられるInyGal-yN（O≦y≦1）からなる活性層と、前記活性層上に設けられるp型AlzGal-zN（0＜z≦1、2x≦z）からなるp型クラッド層とを有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）としたダブルヘテロ接合型の発光ダイオード。」の点で一致する。
　また、本件請求項３に係る発明と甲第２号証に記載の発明とを対比すると、両者は「基板と、前記基板上に設けられるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられるn型AlxGa1-zN（0≦x≦0．5）からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられるInyGal-yN（O≦y≦1）からなる活性層と、前記活性層上に設けられるp型AlzGal-zN（0＜z≦1、2x≦z）からなるp型クラッド層とを有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）としたダブルヘテロ接合型の発光ダイオード。」の点で一致する。
　しかしながら、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし」たことにより、本件請求項３に係る発明が、「前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにした」のに対して、甲第１号証又は第２号証に記載の発明は、このような記載がない点、及びバッファ層として、本件請求項３に係る発明が、「n型GaNからなる層」を有するのに対して、甲第２号証に記載の発明は、「ＡｌＮからなる層」を有する点で相違する。
　そして、上記相違点は、いずれも課題解決のための具体的手段における微差とは認められないので、本件請求項３に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載の発明と同一ではない。
　なお、特許異議申立人は、上記相違点についても、上記５．３）（ａ）と同様な主張をしているが、上記５．３）（ａ）と同様に採用できない。
（ｄ）請求項４に係る発明について
　本件請求項４に係る発明と甲第１号証又は甲第２号証に記載の発明とを対比すると、両者は「 n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型AlzGa1-zN（0＜z≦1、2x≦z）からなるp型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）としたことを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　しかしながら、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし」たことにより、本件請求項４に係る発明が、「前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにし」ているのに対して、甲第１号証又は甲第２号証に記載の発明は、このような記載がない点、及び本件請求項４に係る発明が、「活性層の膜厚がレーザ発振が可能となる程度である」のに対して、甲第１号証又は甲第２号証に記載の発明は、このような記載がない点で相違する。
　そして、上記相違点は、いずれも課題解決のための具体的手段における微差とは認められないので、本件請求項４に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載の発明と同一ではない。
　なお、特許異議申立人は、上記相違点についても、上記５．３）（ａ）と同様な主張をしているが、上記５．３）（ａ）と同様に採用できない。
（ｅ）請求項５〜７に係る発明について
　本件請求項５〜７に係る発明は、本件請求項４に係る発明の構成をさらに限定するものであるので、本件請求項４に係る発明と同様に、甲第１号証又は甲第２号証に記載の発明と同一ではない。
（ｆ）請求項８に係る発明について
　本件請求項８に係る発明と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、両者は「 サファイア基板と、前記サファイア基板上に設けられるn型GaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、n型AlxGa1-zN（0≦x≦0．5）からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられ、InyGal-yN（O≦y≦1）からなる活性層と、前記活性層上に設けられるp型AlzGal-zN（0＜z≦1）からなるp型クラッド層と、前記p型クラッド層上に設けられ、ｐ型ＧａＮからなるキャップ層とを有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）としたことを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　また、本件請求項８に係る発明と甲第２号証に記載の発明とを対比すると、両者は「 サファイア基板と、前記サファイア基板上に設けられるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、n型AlxGa1-zN（0≦x≦0．5）からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられ、InyGal-yN（O≦y≦1）からなる活性層と、前記活性層上に設けられるp型AlzGal-zN（0＜z≦1）からなるp型クラッド層と、前記p型クラッド層上に設けられ、ｐ型ＧａＮからなるキャップ層とを有し、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）としたことを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　しかしながら、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし」たことにより、本件請求項８に係る発明が、「前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにし」ているのに対して、甲第１号証または第２号証に記載の発明は、このような記載がない点、本件請求項８に係る発明が、「半導体レーザ」であるのに対して、甲第１号証または第２号証に記載の発明は、このような記載がない点、及びバッファ層として、本件請求項８に係る発明が、「n型GaNからなる層」を有するのに対して、甲第２号証に記載の発明は、「ＡｌＮからなる層」を有する点で相違する。
　そして、上記相違点は、いずれも課題解決のための具体的手段における微差とは認められないので、本件請求項８に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載の発明と同一ではない。
　なお、特許異議申立人は、上記相違点についても、上記５．３）（ａ）と同様な主張をしているが、上記５．３）（ａ）と同様に採用できない。
　
４）特許法第２９条第２項について
（ａ）請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明と甲第３号証に記載の発明とを対比すると、甲第３号証に記載のＮ−ＩｎＧａＮ層、Ｎ型ＧａＮ層は、それぞれ本件請求項１に係る発明のInyGa1-yN （0≦y≦1）からなる活性層、n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層に相当するので、両者は、「n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有していることを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　しかしながら、本件請求項１に係る発明では、p型クラッド層として「AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層」を有するのに対して、甲第３号証に記載の発明は、「ＧａＮ層」を有する点、及び本件請求項１に係る発明が、「前記活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することが出来る程度に、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、電子の前記活性層への注入が低電圧で行えるように、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる値だけ小さくして、前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、無効電流を増大させないようにした」のに対して、甲第３号証に記載の発明は、このようなものではない点で相違する。
　上記相違点に関し、甲第４〜１０号証に記載の発明を検討すると、甲第４号証に記載の発明には、本件請求項１に係る発明と同様に、p型クラッド層としてAlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層を有するものが記載されており、また、甲第５〜７号証に記載の発明には、キャリアの閉じ込めとバンドギャップエネルギーとの関係が記載されているものの、甲第４〜１０号証に記載の発明は、本件請求項１に係る発明を構成する事項である「前記活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止することが出来る程度に、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、電子の前記活性層への注入が低電圧で行えるように、前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる値だけ小さくして、前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、無効電流を増大させないようにした」点を備えておらず、また、示唆もない。
　本件請求項１に係る発明は、当該事項により、無効電流が少なく、かつ、低い動作電圧で高輝度の発光をさせることができ、発光効率に高い半導体発光素子をうることができるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第３〜１０号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ｂ）請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明と甲第３号証に記載の発明とを対比すると、甲第３号証に記載のＮ−ＩｎＧａＮ層、Ｎ型ＧａＮ層は、それぞれ本件請求項２に係る発明のInyGa1-yN （0≦y≦1）からなる活性層、n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層に相当するので、両者は、「n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有したことを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　しかしながら、本件請求項２に係る発明では、p型クラッド層として「AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層」を有するのに対して、甲第３号証に記載の発明は、「ＧａＮ層」を有する点、及び本件請求項２に係る発明が、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにした」のに対して、甲第３号証に記載の発明は、このようなものではない点で相違する。
　上記相違点に関し、甲第４〜１０号証に記載の発明を検討すると、甲第４号証に記載の発明には、本件請求項２に係る発明と同様に、p型クラッド層としてAlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層を有するものが記載されており、また、甲第５〜７号証に記載の発明には、キャリアの閉じ込めとバンドギャップエネルギーとの関係が記載されているものの、甲第４〜１０号証に記載の発明は、本件請求項２に係る発明を構成する事項である「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにした」点を備えておらず、また、示唆もない。
　本件請求項２に係る発明は、当該事項により、無効電流が少なく、かつ、低い動作電圧で高輝度の発光をさせることができ、発光効率に高い半導体発光素子をうることができるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第３〜１０号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ｃ）請求項３に係る発明について
　本件請求項３に係る発明と甲第３号証に記載の発明とを対比すると、甲第３号証に記載のＮ−ＩｎＧａＮ層、Ｎ型ＧａＮ層は、それぞれ本件請求項３に係る発明のInyGa1-yN （0≦y≦1）からなる活性層、n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層に相当するので、両者は、「基板と、前記基板上に設けられるGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられるn型AlxGa1-zN（0≦x≦0．5）からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられるInyGal-yN（O≦y≦1）からなる活性層と、前記活性層上に設けられるp型クラッド層とを有したダブルヘテロ接合型の発光ダイオード。」の点で一致する。
　しかしながら、本件請求項３に係る発明では、p型クラッド層として「AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層」を有するのに対して、甲第３号証に記載の発明は、「ＧａＮ層」を有する点、本件請求項３に係る発明では、GaNからなるバッファ層としてｎ型の層を有するのに対して、甲第３号証に記載の発明では、ｎ型か否かの記載がない点、及び本件請求項３に係る発明が、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにした」のに対して、甲第３号証に記載の発明は、このようなものではない点で相違する。
　上記相違点に関し、甲第４〜１０号証に記載の発明を検討すると、甲第４号証に記載の発明には、本件請求項３に係る発明と同様に、p型クラッド層としてAlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層を有し、GaNからなるバッファ層としてｎ型の層を有するものが記載されており、また、甲第５〜７号証に記載の発明には、キャリアの閉じ込めとバンドギャップエネルギーとの関係が記載されているものの、甲第４〜１０号証に記載の発明は、本件請求項３に係る発明を構成する事項である「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにした」点を備えておらず、また、示唆もない。
　本件請求項３に係る発明は、当該事項により、無効電流が少なく、かつ、低い動作電圧で高輝度の発光をさせることができ、発光効率に高い半導体発光素子をうることができるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項３に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第３〜１０号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ｄ）請求項４に係る発明について
　本件請求項４に係る発明と甲第３号証に記載の発明とを対比すると、甲第３号証に記載のＮ−ＩｎＧａＮ層、Ｎ型ＧａＮ層は、それぞれ本件請求項４に係る発明のInyGa1-yN （0≦y≦1）からなる活性層、n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層に相当するので、両者は、「n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層と、p型クラッド層とでInyGa1-yN（0≦y≦1）からなる活性層をはさんだサンドイッチ構造を有することを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　しかしながら、本件請求項４に係る発明では、p型クラッド層として「AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層」を有するのに対して、甲第３号証に記載の発明は、「ＧａＮ層」を有する点、及び本件請求項４に係る発明が、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにし、かつ活性層の膜厚がレーザ発振が可能となる程度であることを特徴とする半導体レーザ」であるのに対して、甲第３号証に記載の発明は、このようなものではない点で相違する。
　上記相違点に関し、甲第４〜１０号証に記載の発明を検討すると、甲第４号証に記載の発明には、本件請求項４に係る発明と同様に、p型クラッド層としてAlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層を有するものが記載されており、また、甲第５〜７号証に記載の発明には、キャリアの閉じ込めとバンドギャップエネルギーとの関係及び半導体レーザについて記載されているものの、甲第４〜１０号証に記載の発明は、本件請求項４に係る発明を構成する事項である「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにし」た点を備えておらず、また、示唆もない。
　本件請求項４に係る発明は、当該事項により、無効電流が少なく、かつ、低い動作電圧で高輝度の発光をさせることができ、発光効率に高い半導体レーザをうることができるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項４に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第３〜１０号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ｅ）請求項５〜７に係る発明について
　本件請求項５〜７に係る発明は、本件請求項４に係る発明の構成をさらに限定するものであるので、本件請求項４に係る発明と同様に、本件出願前に頒布された刊行物である甲第３〜１０号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ｆ）請求項８に係る発明について
　本件請求項８に係る発明と甲第３号証に記載の発明とを対比すると、甲第３号証に記載のＮ−ＩｎＧａＮ層、Ｎ型ＧａＮ層は、それぞれ本件請求項３に係る発明のInyGa1-yN （0≦y≦1）からなる活性層、n型AlxGa1-xN（0≦x≦0.5）からなるｎ型クラッド層に相当するので、両者は、「サファイア基板と、前記サファイア基板上に設けられるGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、n型AlxGa1-zN（0≦x≦0．5）からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に設けられ、InyGal-yN（O≦y≦1）からなる活性層と、前記活性層上に設けられるp型クラッド層とを有したことを特徴とする半導体発光素子。」の点で一致する。
　しかしながら、本件請求項８に係る発明では、p型クラッド層として「AlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層」を有するのに対して、甲第３号証に記載の発明は、「ＧａＮ層」を有する点、本件請求項８に係る発明では、GaNからなるバッファ層としてｎ型の層を有するのに対して、甲第３号証に記載の発明では、ｎ型か否かの記載がない点、本件請求項８に係る発明では、「ｐ型ＧａＮからなるキャップ層」を有するのに対して、甲第３号証に記載の発明では、キャップ層がない点、及び本件請求項８に係る発明が、「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにしたことを特徴とする半導体レーザ」であるのに対して、甲第３号証に記載の発明は、このようなものではない点で相違する。
　上記相違点に関し、甲第４〜１０号証に記載の発明を検討すると、甲第４号証に記載の発明には、本件請求項８に係る発明と同様に、p型クラッド層としてAlzGa1-zN（0＜z≦1）からなる層、GaNからなるバッファ層としてｎ型の層、及びｐ型ＧａＮからなるキャップ層を有するものが記載されており、また、甲第５〜７号証に記載の発明には、キャリアの閉じ込めとバンドギャップエネルギーとの関係及び半導体レーザについて記載されているものの、甲第４〜１０号証に記載の発明は、本件請求項８に係る発明を構成する事項である「前記ｎ型クラッド層のＡｌ比率を低減させて、前記活性層のバンドギャップエネルギーにより定まる前記ｐ型クラッド層のＡｌ比率の半分以下（２ｘ≦ｚ）とし、前記ｎ型クラッド層のバンドギャップエネルギーを低くして、前記活性層への電子の注入が低電圧で行えるようにすると共に、正孔の有効質量が電子の有効質量よりも大きいことを利用して活性層から前記ｎ型クラッド層への正孔の漏れを防止できるようにして、無効電流を増大させないようにした」点を備えておらず、また、示唆もない。
　本件請求項８に係る発明は、当該事項により、無効電流が少なく、かつ、低い動作電圧で高輝度の発光をさせることができ、発光効率に高い半導体発光素子をうることができるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項８に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第３〜１０号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１ないし８に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に同発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月１３日（２０００．１２．１３）