【事件の表示】
　特許第３０１０１１０号「半導体装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１０１１０号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
 （Ｉ）手続きの経緯
　本件特許第３０１０１１０号の請求項１、２，３，および４に係る発明は、平成５年１１月４日に特許出願され、平成１１年１２月３日に設定登録され、平成１２年８月１１日に小野尚純（以下、申立人という。）から特許異議の申立がなされ、その後の取消理由通知に対し、その指定期間内である平成１３年１月９日付けで訂正請求がなされたものである。
（ＩＩ）訂正請求について
（ＩＩ−１）訂正事項
（１）特許請求の範囲の【請求項１】の記載を、
「【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであり、かつプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度か７０μＳ／ｃｍ以下となるよう設定されていることを特徴とする半導体装置。
（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノールアラルキル樹脂
（Ｃ）無機質充填剤。」
と訂正する。
（２）特許請求の範囲の【請求項２】の記載を削除する。
（３）特許請求の範囲の【請求項３】を、【請求項２】とするとともに、その記載を、
「【請求項２】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ボイスであり、かつプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍ以下となるような配合組成とされた半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノールアラルキル樹脂。
（Ｃ）無機質充填剤。」
　と訂正する。
（４）特許請求の範囲の【請求項４】の記載を削除する。
（５）明細書の段落番号【０００６】の１２行目の「（Ｂ）硬化剤。」を、「（Ｂ）フェノールアラルキル樹脂。」と訂正する。
（６）明細書の段落番号【０００７】の４行目の「硬化剤〔（Ｂ）成分〕」を、「フェノールアラルキル樹脂〔（Ｂ）成分〕」と訂正する。
（７）明細書の段落番号【０００９】の２行目の「硬化剤（Ｂ成分）と」を、「フェノールアラルキル樹脂（Ｂ成分）と」と訂正する。
（８）明細書の段落番号【００１３】の１行目の「硬化剤（Ｂ成分）は、」を、「フェノールアラルキル樹脂（Ｂ成分）は、」と訂正する。
（９）明細書の段落番号【００１３】の２〜４行の「り、上記硬化剤としては、特に限定するものではなく従来公知のものがあげられる。なかでも、下記の一般式（２）で表されるフェノールアラルキル樹脂を用いることが好ましい。」を、「り、下記の一般式（２）で表されるフェノールアラルキル樹脂が用いられる。」と訂正する。
（１０）明細書の段落番号【００１５】の１５〜１６行の「上記硬化剤（Ｂ成分）の配合割合」を、「上記フェノールアラルキル樹脂（Ｂ，成分）の配合割合」と訂正する。
（１１）明細書の段落番号【００１５】の１７行目の「硬化剤（Ｂ成分）中の水酸基」を、「フェノールアラルキル樹脂（Ｂ成分）中の水酸基」と訂正する。
（１２）明細書の段落番号【００１６】の１〜２行の「および硬化剤に関して」を、「およびフェノールアラルキル樹脂に関して」と訂正する。
（ＩＩ−２）訂正の適否            
　訂正事項（１）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された「硬化剤」という記載を、特許請求の範囲の請求項２および段落番号【００１３】、【００１５】の記載を根拠として、下位概念である「フェノールアラルキル樹脂」という記載に訂正するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当し、明細書に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　訂正事項（２）および（４）は、請求項２，４を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明に該当し、明細書に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　訂正事項（３）は、特許請求の範囲の請求項３に記載された「硬化剤」という記載を、特許請求の範囲の請求項４および段落番号【００１３】、【００１５】の記載を根拠として、下位概念である「フェノールアラルキル樹脂」という記載に訂正するとともに、訂正事項（２）に整合させるべく、【請求項３】という記載を、【請求項２】という記載に訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明に該当し、明細書に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　訂正事項（５）〜（１２）は、いずれも、「硬化剤」という記載を、下位概念である「フェノールアラルキル樹脂」という記載に訂正するものであり、訂正事項（１）および（３）と整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、明細書に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　したがって、本件の訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合するものであり、適法なものと認める。
（ＩＩＩ）特許異議申立について
（ＩＩＩ−１）本件発明
　上記（ＩＩ）で示したように上記訂正は認められるから、本件の請求項１及び２に係る発明（以下、「本件発明１」および「本件発明２」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１および２に記載されたとおりのものである［上記（ＩＩ−１）の（１）および（３）参照］。
（ＩＩＩ−２）取消理由通知の概要
　本件の訂正前の請求項１〜４に係る発明は、その出願前に国内において頒布された刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する分野における通常の知識を有するものが、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件の訂正前の請求項１〜４に係る発明の特許は取り消すべきものである。
（ＩＩＩ−３）刊行物に記載された発明
　ア．刊行物１：特公昭６２-７２１２号公報（甲第２号証）
　常温常圧下水またはこれと有機溶剤とを用いて検出されるアルカリ金属イオン含量および加水分解性ハロゲンイオン含量が共にそれそれｌ０ｐｐｍ以下である下記の三成分；
（ａ）ノボラック型エポキシ樹脂を主成分とする全塩素含量が０．１重量％以下のエポキシ樹脂、
（ｂ）上記ａ成分のエポキシ基に対して水酸基当量で０．７〜１．２当量を占めるノボラック樹脂、
（ｃ）全組成物中６０〜８０重量％を占める溶融シリカ粉末および／または結晶性シリカ粉末、
を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を、プレッシャークッカー状態（１２１℃、１００％ＲＨ、２気圧、２０ｈｒ）下で抽出される硬化物のアルカリ金属イオン含量が１０ｐｐｍ以下（実施例では６〜８ｐｐｍ）、ハロゲンイオン含量が１００ｐｐｍ以下（実施例では６５〜７４ｐｐｍ）、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が１００μν／ｃｍ以下（実施例では６１〜７９μν／ｃｍ）となるように設定することにより高度の耐湿性を備えたＬＳＩ、ＩＣ、トランジスタなどの半導体を得ることができること（特許請求の範囲、３欄２３〜４０行、４欄２〜９行、８欄１６〜１７行、１１〜１２欄の第２表参照）、
アルカリ金属やハロゲンなどがイオン性不純物となって、半導体の耐湿性を低下させるものであることはすでに知られていたことであり、これらの不純物を微量にすることによって耐湿性が向上してくること（３欄２３〜３０行参照）、
トランスファーモールド法が、エポキシ樹脂組成物を用いて半導体を樹脂封止するのに一般に採用されている方法であること（２欄２〜１４行参照）、
　が記載されている。
イ．刊行物２：特開昭６３-８１９５７号公報（甲第１号証）
「樹脂中の不純物が、その樹脂を用いて成形封止した半導体製品の少なくとも実際の試験温度以上の抽出条件で濃度レベル管理されていることを特徴とする半導体封止用成形材」（特許請求の範囲）に関し、不純物量を、１６０℃×２０ｈｒという、不純物量および電気電導度が１２１℃におけるＰＣＴ試験より高めに検出される、抽出条件下で測定した場合、電気伝導度：９０μｖ／ｃｍ以下（具体例では、５８，６１，６７μｖ／ｃｍ）、ナトリウムイオン含量：１０ｐｐｍ以下（具体例では、５ｐｐｍ）、塩素と臭素イオン含量：６５ｐｐｍ以下（具体例では、３８，４８ｐｐｍ）となるように管理すると、Ａｌ配線の腐食を防止し半導体の耐湿性レベルを向上させうること（２頁左上欄４〜５行、２頁右上欄１９行〜同頁右下欄下から４行、２頁下欄の表１および表２、２頁右下欄下から３行〜３頁左上欄１行、３頁左上欄の表３、３頁右上欄２〜５行、３頁左下欄２〜７行参照）、
　が記載されている。
ウ．刊行物３：特開昭５５-９３２４１号公報
（ａ）エポキシ樹脂及ひ臭素化エポキシ樹脂、（ｂ）へキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸及ひエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸よりなる群から選はれた酸無水物硬化剤、（ｃ）硬化促進剤並びに（ｄ）三酸化アンチモンを含み、かつ（ｅ）全エポキシ樹脂成分に対する臭素の含有率は５〜１４重量％、三酸化アンチモンの含有率は１〜７重量％である封止用エポキシ樹脂組成物（特許請求の範囲参照）、
及び、半導体を上記エポキシ樹脂組成物により１６０℃のトランスファーモールド法で樹脂封止するに際し、樹脂組成物の溶融粘度が高いとモールドレジンとリード線との密着性不良が生じ耐湿性不良をもたらすとの知見に基づいて、封止時における成形性及び封止後の耐湿性を改善するとの目的で、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスター使用、１５０℃）が４０〜１００ポイズという低い状態で樹脂封止を行ったこと（２頁右上欄３行〜同頁右下欄３行、３頁左下欄１９行〜同頁右下欄３行、４頁左上欄１２行〜同頁右上欄３行、４頁下欄の表参照）、
　が記載されている。
エ．刊行物４：特開平４-３２５５１７号公報（甲第３号証）
　ビフェニル型エポキシ樹脂とフェノールアラルキル樹脂硬化剤と無機質充填剤とからなるエポキシ樹脂組成物を、半導体封止用樹脂組成物として用いること、
及び、その組成物が半田耐熱性に優れていること（特許請求の範囲、１０頁の【発明の効果】の欄、６〜９頁の実施例２を参照）
　が記載されている。
（ＩＩＩ−４）比較・検討
（ＩＩＩ−４−１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物４に記載された発明とを比較すると、
　後者における「半導体封止用樹脂組成物」という表現は、その樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して半導体装置とすることをも示すものであるから、
　両者は、ともに、ビフェニル型エポキシ樹脂とフェノールアラルキル樹脂と無機質充填剤とを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に関する点で一致し、次の点で相違する。
（ａ）本件発明１では、「上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであ」る点、
（ｂ）本件発明１では、「プレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で抽出されるエポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍ以下となるよう設定されている」点。
　上記相違点について検討する。
（ａ）について
　エポキシ樹脂組成物を用いて半導体を樹脂封止する際にトランスファーモールド法を用いることは、一般に行われていることである［（ＩＩＩ−３）のア参照］。
　また、刊行物３には、半導体をエポキシ樹脂組成物により１６０℃のトランスファーモールド法で樹脂封止するに際し、樹脂組成物の溶融粘度が高いとモールドレジンとリ−ド線との密着性不良が生じ耐湿性不良をもたらすとの知見に基づいて、封止時における成形性及び封止後の耐湿性を改善するとの目的で、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスター使用、１５０℃）が４０〜１００ポイズという低い状態で樹脂封止を行ったことが記載されている［（ＩＩＩ−３）のウ参照］。
　そして、本件発明１における「１７５℃で測定した溶融粘度」という規定は、成形温度近傍で測定した溶融粘度である旨を明示した程度のものであり格別のものでない。
　したがって、（ａ）の相違点は、当業者が容易になし得ることである。
（ｂ）について
　半導体製品に耐湿性に優れることが要求され、該要求を満足させるために封止に用いるエポキシ樹脂組成物に含まれるアルカリ金属やハロゲンなどのイオン性不純物の量を微量にすることが必要であることは、既に周知の事実である（例えば、刊行物１等参照）。
　刊行物１には、半導体の耐湿性を向上させるために、その封止に用いるエポキシ樹脂中の不純物量を、プレッシャークッカー状態（１２１℃、２０ｈｒ、１００％ＲＨ、２気圧）下で抽出される硬化物のアルカリ金属イオン含量が１０ｐｐｍ以下（実施例では６〜８ｐｐｍ）、ハロゲンイオン含量が１００ｐｐｍ以下（実施例では６５〜７４ｐｐｍ）、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が１００μν／ｃｍ以下（実施例では６１〜７９μν／ｃｍ）となるようにすることが記載され、
　刊行物２（刊行物１より後に発行）には、半導体封止用成形材について、１６０℃×２０ｈｒという、不純物量および電気電導度が１２１℃におけるＰＣＴ試験より高めに検出される、抽出条件下で測定した場合、電気伝導度：９０μｖ／ｃｍ以下（具体例では、５８，６１，６７μｖ／ｃｍ）、ナトリウムイオン含量：１０ｐｐｍ以下（具体例では、５ｐｐｍ）、塩素と臭素イオン含量：６５ｐｐｍ以下（具体例では、３８，４８ｐｐｍ）となるように管理して、半導体の耐湿性を向上させうることが記載されているところ、
　刊行物１，２に記載された電気電導度の単位「μν／ｃｍ」および「μｖ／ｃｍ」は、いずれも「μＳ／ｃｍ」を示すものであるから、
　刊行物２には、封止に用いるエポキシ樹脂中の不純物量を、プレッシャークツカー状態（１２１℃、２０ｈｒ、１００％ＲＨ、２気圧）下で抽出される硬化物のアルカリ金属イオン含量、ハロゲンイオン含量、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度に関して、刊行物１に記載されたものよりさらに少なくなるように管理して、半導体の耐湿性を向上させることが記載されていると認められ、
　（ｂ）の相違点は、当業者が容易になし得ることである。
　そして、本件発明１により奏される効果も格別のものでない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜４に記載のもの及び周知の事実に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
（ＩＩＩ−４−２）本件発明２について
　本件発明２について検討すると、本件発明２は、本件発明１の「エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置であって、」という表現を単に「エポキシ樹脂組成物であって、」という表現に代えた構成を有するものであるから、本件発明２と刊行物４に記載された発明との相違点は前記相違点（ａ）と（ｂ）のみであり、本件発明２は、本件発明１に対して前記したと同様の理由で、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（ＩＩＩ−５）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１および２は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明であり、本件発明１および２に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月１日（２００１．３．１）
【訂正の要旨】
訂正事項
（１）特許請求の範囲の【請求項１】の記載を、
「【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであり、かつプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度か７０μＳ／ｃｍ以下となるよう設定されていることを特徴とする半導体装置。
（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノールアラルキル樹脂
（Ｃ）無機質充填剤。」
と訂正する。
（２）特許請求の範囲の【請求項２】の記載を削除する。
（３）特許請求の範囲の【請求項３】を、【請求項２】とするとともに、その記載を、
「【請求項２】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ボイスであり、かつプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍ以下となるような配合組成とされた半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノールアラルキル樹脂。
（Ｃ）無機質充填剤。」
と訂正する。
（４）特許請求の範囲の【請求項４】の記載を削除する。
（５）明細書の段落番号【０００６】の１２行目の「（Ｂ）硬化剤。」を、「（Ｂ）フェノールアラルキル樹脂。」と訂正する。
（６）明細書の段落番号【０００７】の４行目の「硬化剤〔（Ｂ）成分〕」を、「フェノールアラルキル樹脂〔（Ｂ）成分〕」と訂正する。
（７）明細書の段落番号【０００９】の２行目の「硬化剤（Ｂ成分）と」を、「フェノールアラルキル樹脂（Ｂ成分）と」と訂正する。
（８）明細書の段落番号【００１３】の１行目の「硬化剤（Ｂ成分）は、」を、「フェノールアラルキル樹脂（Ｂ成分）は、」と訂正する。
（９）明細書の段落番号【００１３】の２〜４行の「り、上記硬化剤としては、特に限定するものではなく従来公知のものがあげられる。なかでも、下記の一般式（２）で表されるフェノールアラルキル樹脂を用いることが好ましい。」を、「り、下記の一般式（２）で表されるフェノールアラルキル樹脂が用いられる。」と訂正する。
（１０）明細書の段落番号【００１５】の１５〜１６行の「上記硬化剤（Ｂ成分）の配合割合」を、「上記フェノールアラルキル樹脂（Ｂ，成分）の配合割合」と訂正する。
（１１）明細書の段落番号【００１５】の１７行目の「硬化剤（Ｂ成分）中の水酸基」を、「フェノールアラルキル樹脂（Ｂ成分）中の水酸基」と訂正する。
（１２）明細書の段落番号【００１６】の１〜２行の「および硬化剤に関して」を、「およびフェノールアラルキル樹脂に関して」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであり、かつプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍ以下となるよう設定されていることを特徴とする半導体装置。
（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。
（Ｂ）
フェノールアラルキル樹脂
（Ｃ）無機質充填剤。
　【請求項２】　下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであり、かっプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍ以下となるような配合組成とされた半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。
（Ｂ）
フェノールアラルキル樹脂
（Ｃ）無機質充填剤。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、成形作業性，高温高湿度雰囲気下での保存信頼性および半田実装時の耐クラック性等に優れた半導体装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は、通常、セラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等により封止され、半導体装置化されている。上記セラミックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、耐透湿性にも優れているため、湿度，温度に対して強く、信頼性の高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比較的高価なものであることと、量産性に劣る欠点があるため、最近では上記プラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。この種のプラスチックパッケージ材料には、従来からエポキシ樹脂組成物が用いられている。上記エポキシ樹脂組成物は、電気的特性，機械特性，耐薬品性等に優れているため信頼性が高く、半導体装置の樹脂封止に広く用いられている。このようなエポキシ樹脂組成物としては、特に、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂と、硬化剤であるフェノールノボラック樹脂、その他、添加剤である三級アミン等の硬化促進剤、充填剤であるシリカ粉末等で構成されるものが封止作業性（特にトランスファー成形時の作業性）に優れているとして賞用されている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、半導体分野の技術革新はめざましく、最近では素子の集積度の向上とともに、素子サイズの大形化，配線の微細化が進む反面、パッケージ形状の小形化、薄形化が進むようになっており、封止材料に対してより以上の特性の向上が望まれている。すなわち、従来からのエポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止された半導体装置は、パッケージが吸湿し易く、半田実装時に水分の蒸気圧により、膨れやパッケージクラックを生じるという問題があった。
　【０００４】
　このパッケージクラックの防止には、エポキシ樹脂組成物の低吸湿化を図ることが最も有効な対策であり、上記低吸湿化を図る方法として、低吸湿性の骨格構造を有する樹脂の適用とともに、エポキシ樹脂組成物中の無機質充填剤含有量を増加させるという方法が試みられている。しかし、無機質充填剤の含有量を増加させることは、溶融粘度の著しい増加を引き起こし、その結果、成形性が劣ることになる。このため、用いる樹脂自身の溶融粘度を低減させる必要が生じる。こうした低粘度の樹脂を用いると、低粘度の樹脂は、モノマー含有量が多く、その結果、エポキシ樹脂組成物の硬化体から検出される不純物イオン量が増加し、樹脂封止された半導体装置の高温高湿度雰囲気下での保存信頼性を低下させるという問題が生じる。
　【０００５】
　この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、成形作業性，半田実装時の耐クラック性とともに、高温高湿度雰囲気下での保存信頼性に優れた半導体装置の提供をその目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度（高化式フローテスターを用い１７５℃で測定した最低溶融粘度）が１０〜１５０ポイズであり、かつプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下、抽出水（１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の水を使用）の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍ以下となるよう設定されているという構成をとる。
（Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂。
（Ｂ）
フェノールアラルキル樹脂
（Ｃ）無機質充填剤。
　【０００７】
　【作用】
　すなわち、本発明者らは、成形作業性に優れ、しかも半田実装時の耐クラック性と実装後の耐湿信頼性に優れた封止樹脂を得るために一連の研究を重ねた。その結果、上記特定のエポキシ樹脂〔（Ａ）成分〕，
フェノールアラルキル樹脂
　【０００８】
　つぎに、この発明について詳しく説明する。
　【０００９】
　この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、特定のエポキシ樹脂（Ａ成分）と、
フェノールアラルキル樹脂
　【００１０】
　上記特定のエポキシ樹脂（Ａ成分）は、ビフェニル型エポキシ樹脂であって、例えば、下記の一般式（１）で表される。
　【００１１】
　【化１】
　【００１２】
　上記ビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）は、グリシジル基を有するフェニル環に低級アルキル基（好ましくはメチル基）が付加されたものであり、このような骨格構造から撥水性を有するようになる。そして、上記特定のエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）のみでエポキシ樹脂成分を構成してもよいし、それ以外の通常用いられるエポキシ樹脂と併用するようにしてもよい。前者の場合には、Ａ成分の全部が上記ビフェニル型エポキシ樹脂のみで構成され、後者の場合にはＡ成分の一部がビフェニル型エポキシ樹脂で構成されることとなる。上記通常用いられるエポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック型，フェノールノボラック型，ノボラックビスＡ型やビスフェノールＡ型等の各種エポキシ樹脂があげられる。上記ノボラック型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点５０〜１３０℃のものが用いられ、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１０、軟化点６０〜１１０℃のものが一般に用いられる。このように、特定のエポキシ樹脂と通常用いられるエポキシ樹脂の両者を併用する場合には、上記特定のエポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分全体の２０重量％（以下「％」と略す）以上に設定することが好ましく、特に好ましくは５０％以上である。
　【００１３】
　上記Ａ成分とともに用いられる
フェノールアラルキル樹脂
、下
が用いられる
　【００１４】
　【化２】
　【００１５】
　上記フェノールアラルキル樹脂は、例えばアラルキルフェノールとフェノールとをフリーデルクラフツ触媒で反応させることにより得られる。一般に、α，α´−ジメトキシ−Ｐ−キシレンとフェノールモノマーの縮合重化合物が知られている。そして、上記フェノールアラルキル樹脂としては、軟化点５０〜１１０℃、水酸基当量１５０〜２２０を有するものを用いるのが好ましい。また、フェノールアラルキル樹脂は、それ自体で硬化剤成分を構成することがより好ましいが、それ以外の通常用いられるフェノール樹脂と併用してもよい。前者の場合には、硬化剤成分の全部が上記フェノールアラルキル樹脂で構成され、後者の場合は硬化剤成分の一部が上記フェノールアラルキル樹脂で構成されることとなる。上記通常用いられるフェノール樹脂としては、フェノールノボラック，クレゾールノボラック等があげられる。これらノボラック樹脂としては、軟化点５０〜１１０℃、水酸基当量７０〜１５０のものを用いることが望ましい。上記フェノールアラルキル樹脂と、通常用いられるフェノール樹脂とを併用する場合には、上記フェノールアラルキル樹脂を硬化剤成分全体の５０％以上の割合に設定することが好ましく、特に好ましくは７０％以上である。そして、上記
フェノールアラルキル樹脂
フェノールアラルキル樹脂
　【００１６】
　そして、上記特定のエポキシ樹脂（通常用いるエポキシ樹脂を含む）および
フェノールアラルキル樹脂
　【００１７】
　上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｃ成分）としては、結晶性および溶融性フィラーはもちろん、酸化アルミニウム，酸化ベリリウム，炭化珪素，窒化珪素等があげられる。これら無機質充填剤（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の８０〜９５％の範囲に設定することが好ましい。すなわち、無機質充填剤の含有量が８０％未満では半田実装時の耐クラック性が損なわれ、逆に９５％を超えると流動性の低下が生じ、成形作業性が低下する傾向がみられるからである。
　【００１８】
　なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分以外に必要に応じて硬化促進剤，難燃剤，カップリング剤，ワックス等の添加剤があげられる。
　【００１９】
　上記硬化促進剤としては、アミン系，リン系，ホウ素系，リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられ、これらは単独でもしくは併せて用いられる。
　【００２０】
　上記難燃剤としては、例えばノボラック型ブロム化エポキシ樹脂もしくはビスＡ型エポキシ樹脂，五酸化アンチモン等の化合物があげられ、これを適宜単独でもしくは併せて使用することが行われる。
　【００２１】
　上記カップリング剤としては、グリシジルエーテルタイプ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウレアタイプ等のメトキシないしはエトキシシランがあげられ、適宜に単独でもしくは併せて用いられる。そして、その使用方法としては、前記無機質充填剤に対してドライブレンドする方法もしくは予備加熱反応させる方法、さらに有機成分原料に対して予備混合する方法等があげられ、適宜に選択することができる。
　【００２２】
　上記ワックスとしては、高級脂肪酸，高級脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、これらは単独でもしくは併せて用いられる。
　【００２３】
　さらに、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物には、上記添加剤以外に、低応力化を図るためにシリコーンオイルおよびシリコーンゴム，合成ゴム等のゴム成分を配合したり、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的としてハイドロタルサイト等のイオントラップ剤を配合してもよい。
　【００２４】
　この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、上記Ａ〜Ｃ成分および他の添加剤を用いて例えばつぎのようにして製造することができる。すなわち、各成分および添加剤を適宜に配合し予備混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけて加熱状態で溶融混合する。そして、この混合物を室温に冷却した後、公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製造することができる。
　【００２５】
　このようにして得られるエポキシ樹脂組成物としては、１７５℃での溶融粘度を１０〜１５０ポイズの範囲に設定する必要がある。すなわち、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を上記範囲に設定すると、金型内に溶融圧入させる際の流動抵抗が低く、封止される半導体素子の移動（変位）量が小さくなり、封止後パッケージ表面に半導体素子が露出するという成形不良の発生が生じない。そして、溶融粘度（１７５℃）が１０ポイズ未満では、金型内への溶融圧入時に空気の巻き込みが多くなり、封止後のエポキシ樹脂組成物硬化体の内部や表面にボイドが多く発生するようになる。また、１５０ポイズを超えると、粘度が高過ぎて成形作業性に劣るからである。なお、この発明において、エポキシ樹脂組成物の１７５℃での溶融粘度とは、高化式フローテスター（ノズル直径１ｍｍ，ノズル長さ１０ｍｍ、荷重１０ｋｇ／ｃｍ２）を用いて１７５℃で測定した最低溶融粘度を意味する。
　【００２６】
　そして、上記エポキシ樹脂組成物の１７５℃におけるスパイラルフロー（ＳＦ）値は、１００〜２００ｍｍに設定されることが好ましい。すなわち、ＳＦ値を上記範囲に設定することにより、ボイド，未充填，ばり等において実用上問題のない良好なトランスファー成形が可能となるからである。なお、上記スパイラルフロー値は、図１に示すような、中心部に樹脂充填部５を有し、これを起点とした渦巻き曲線状の溝１が設けられた下型４と、樹脂注入口２を有する上型３からなるスパイラルフロー試験金型（図２参照）を用いる。そして、上記金型の樹脂注入口２にエポキシ樹脂組成物を注入して金型内の溝１を流れたエポキシ樹脂組成物の距離を測定しスパイラルフロー値とした。また、上記エポキシ樹脂組成物の１７５℃におけるゲルタイム（ＧＴ）は、１０〜４０秒に設定されることが好ましい。このような値に設定することにより、成形性において問題がなく、また成形サイクル時間も短縮可能となり、封止作業効率を極めて高くすることができる。
　【００２７】
　さらに、上記エポキシ樹脂組成物は、これを完全に硬化させた後プレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下に放置したときに抽出されるアルカリ金属イオン含量が５ｐｐｍ以下で、かつハロゲンイオン含量が５０ｐｐｍ以下であることが必要である。すなわち、上記条件下で抽出されるアルカリ金属イオン含量およびハロゲンイオン含量が上記範囲を逸脱すると、高度の耐湿信頼性を得ることができないからである。
　【００２８】
　なお、ここで検出されるアルカリ金属イオンは、前記Ａ〜Ｃ成分から検出，内在されるアルカリ金属イオンはもちろん、他の添加剤からもたらされるアルカリ金属イオンをも含む。また、上記検出されるハロゲンイオンも、前記Ａ〜Ｃ成分から検出，内在されるハロゲンイオンはもちろん、他の添加剤からもたらされるハロゲンイオンをも含む。
　【００２９】
　つぎに、上記硬化物のアルカリ金属イオンおよびハロゲンイオンの検出について説明する。まず、エポキシ樹脂組成物を完全に硬化（例えば１７５℃で５時間加熱）したのち、ミルで１００メッシュパスに粉砕し、その硬化粉に対して１０重量倍の精製水を加え、所定のプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）に放置したのち、アルカリ金属イオンは原子吸光法で、ハロゲンイオンは硝酸銀水溶液を用いた電位差滴定で定量することによりそれぞれ検出する。
　【００３０】
　このように、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、その溶融粘度および硬化物のアルカリ金属イオン含量およびハロゲンイオン含量が上記に示す値に設定されることが必要であるが、さらに、所定のプレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）に放置したとき、すなわち上記１００メッシュパス硬化粉に対して１０重量倍の精製水を用いてプレッシャークッカー状態に放置したときの抽出水の電気伝導度が７０μＳ／ｃｍ以下となるよう設定されていなければならない。すなわち、電気伝導度が７０μＳ／ｃｍを超えるような樹脂組成物では、遊離されるアルカリ金属イオン，ハロゲンイオンが多くなり、それにより封止された半導体素子の耐湿信頼性が著しく低下するからである。上記電気伝導度は、プレッシャークッカー状態で放出されるアルカリ金属イオン，ハロゲンイオンの他、上記Ａ〜Ｃ成分および他の添加剤中に含まれる微量成分によって影響される。このことから、この発明では、上記硬化物の各イオン含量および電気伝導度の設定値を満足させるように各種成分の種類，純度，組み合わせを考慮しなければならない。
　【００３１】
　このような特殊なエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができる。
　【００３２】
　【発明の効果】
　以上のように、この発明の半導体装置は、前記Ａ〜Ｃ成分を含有し、しかも上記各成分の組み合わせを必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物から抽出されるアルカリ金属イオン含量ならびにハロゲンイオン含量、抽出水の電気伝導度をそれぞれ特定の値以下に設定した特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止して構成されている。このため、低吸湿化が図られ、優れた耐熱性ならびに耐湿性を有している。したがって、半田実装時にパッケージクラックを生ずることがなく、高温高湿度雰囲気下での優れた保存性を備えている。しかも、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が特定範囲に設定されているため、優れた成形性を備えており、パッケージにボイドが生じる等の成形不良の発生を防止することができる。このように、上記エポキシ樹脂組成物を用いて得られる半導体装置は、半導体素子の大形化とともに、パッケージの小形化および薄形化の進む現状において有効である。
　【００３３】
　つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
　【００３４】
　まず、下記に示す各種エポキシ樹脂およびフェノール樹脂を準備した。
　【００３５】
〔ビフェニル型エポキシ樹脂〕
　下記に示す式（３）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂であって、エポキシ当量１９５、融点１０５℃である。
　【化３】
　【００３６】
〔クレゾールノボラック型エポキシ樹脂〕
エポキシ当量１９５、軟化点７５℃
　【００３７】
〔フェノールアラルキル樹脂Ａ〕
　前記一般式（２）において、繰り返し数ｎは０〜２、水酸基当量１７５、軟化点７０℃である。
　【００３８】
〔フェノールアラルキル樹脂Ｂ〕
　前記一般式（２）において、繰り返し数ｎは０〜１、水酸基当量１７０、軟化点５２℃である。
　【００３９】
　【実施例１〜７、比較例１〜６】
　下記の表１および表２に示す各原料を同表に示す割合で配合し、この配合物を９０〜１１０℃に加熱したロール混練機にかけて３分間溶融混合した。ついで、この溶融混合物を冷却したのち粉砕し、さらに打錠することによりタブレット状のエポキシ樹脂組成物を得た。
　【００４０】
　【表１】
　【００４１】
　【表２】
　【００４２】
　このようにして得られた実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、高化式フローテスター（ノズル直径１ｍｍ，ノズル長さ１０ｍｍ、荷重１０ｋｇ／ｃｍ２）を用いて１７５℃における最低溶融粘度を測定しこれを各エポキシ樹脂組成物の溶融粘度とした。この結果を上記表１および表２に示した。また、上記エポキシ樹脂組成物の１７５℃におけるスパイラルフロー値（ＳＦ値）をつぎのようにして測定した。すなわち、図１に示すような、中心部に樹脂充填部５を有し、これを起点とした渦巻き曲線状の溝１が設けられた下型４と、樹脂注入口２を有する上型３からなるスパイラルフロー試験金型（図２参照）を準備した。そして、上記金型の樹脂注入口２にエポキシ樹脂組成物を注入して金型内の溝１を流れたエポキシ樹脂組成物の距離を測定した。また、エポキシ樹脂組成物の１７５℃におけるゲルタイムを測定した。これらＳＦ値およびゲルタイムを上記表１および表２に併せて示した。
　【００４３】
　さらに、上記各エポキシ樹脂組成物の硬化物（硬化条件：１７５℃×５時間）を作製し、その硬化物についてのアルカリ金属イオン含量，ハロゲンイオン含量およびその抽出水の電気伝導度を測定した。これらの測定は、まず、上記硬化物を粉砕した後、１００メッシュの節を通過した粉末を、その１０重量倍のイオン交換水中に入れた。そして、プレッシャークッカー状態（１６０℃×２０時間×１００％ＲＨ）下で放置した後、イオン交換水中に抽出されたアルカリ金属イオン含量は原子吸光法により、ハロゲンイオンは硝酸銀水溶液を用いた電位差滴定により定量してそれぞれの含量を検出した。さらに、上記抽出水の電気伝導度を併せて測定した。これらの結果を上記表１および表２に示した。
　【００４４】
　また、上記実施例および比較例のタブレット状のエポキシ樹脂組成物を用い、金線をワイヤーボンドした半導体素子を、トランスファー成形（成形条件：設定温度１７５℃，注入圧力８０ｋｇ／ｃｍ２，硬化時間１２０秒）し半導体装置を作製した。この半導体装置は、８０ピンクワッドフラットパッケージ（８０ｐｉｎ−ＱＦＰ）（２０ｍｍ×１４ｍｍ×厚み１．５ｍｍ）で６×６ｍｍのチップを有するものである。このトランスファー成形によりパッケージを各２０個製造し、得られたパッケージに不良部分の生じた個数をカウントした。そして、この半導体装置を用いて、８５℃／８５％ＲＨ雰囲気下、４８時間放置したものと、７２時間放置したものについて、２６０℃×１０秒間の条件で半田浸漬をそれぞれ行った。そして、半田浸漬後のパッケージクラックの発生数を測定した。これら成形時の不良パッケージ数，半田浸漬後のパッケージクラック発生数を後記の表３〜表６に併せて示した。
　【００４５】
　さらに、上記半導体装置について、各１０個を３０Ｖのバイアス電圧をかけた状態でプレッシャークッカー槽（１２１℃×２気圧）内で２００時間放置した。その結果、半導体素子上のアルミニウム配線の腐食による導通不良が発生した半導体装置数を測定した（ＰＣＢＴ試験）。これらの結果を下記の表３〜表６に併せて示した。
　【００４６】
　【表３】
　【００４７】
　【表４】
　【００４８】
　【表５】
　【００４９】
　【表６】
　【００５０】
　上記表３〜表６の結果から、比較例１および２品は、成形性面では問題がなく、半田浸漬時の耐クラック性も優れていたが、ＰＣＢＴ試験では全てにおいて不良が発生した。また、比較例３および４品は、溶融粘度が高く成形時に不良が発生した。このように、比較例品は、半田時の耐クラック性，耐湿信頼性，成形性のいずれかに劣っている。これに対して、実施例品は、全ての評価結果において高い評価が得られた。このことから、実施例品は、半田実装時の耐クラック性，高温高湿度雰囲気下での保存信頼性および成形性の全てに優れていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　スパイラルフロー試験金型の下型を示す平面図である。
　【図２】
　スパイラルフロー試験金型を示す断面図である。