(57)【要約】   基板ＳＢＳＴＲ上の磁気センサＭＳの伝達関数を校正するための方法であって、センサＭＳにおいて、磁化可能な物体ＳＰＢの存在は、磁場発生器WR1及びWR2によって出力される磁場Ｈにより物体ＳＰＢを磁化することによって検出されることが可能であると共に、前記伝達関数は、磁化されるときに物体ＳＰＢによって放射される磁気浮遊場ＳＦを介して、磁場Ｈを発生させるための電気入力信号Iinから、センサＭＳによって出力される電気出力信号Ioutへの伝達として規定される方法において、−サンプル流体を基板ＳＢＳＴＲ上に置き、前記サンプル流体は多くの磁化可能な物体を有するステップと、−磁化可能な物体ＳＰＢの部分を磁気センサＭＳの方に引き付けるステップと、−電気入力信号Iinを活性化させ、それによって磁場Ｈを発生させるステップと、−電気入力信号Iinに対する応答として電気出力信号Ioutを測定するステップと、−電気入力及び出力信号Iin及びIoutから伝達関数を計算するステップとを有する方法が記載される。また、磁化可能な物体ＳＰＢの存在が、磁場発生器WR1及びWR2によって出力される磁場Ｈにより物体ＳＰＢを磁化することによって電気出力信号Ioutによりもたらされ得ると共に検出され得る、基板ＳＢＳＴＲ上の磁気センサＭＳであって、前記方法を実行するために、磁化されるときに物体ＳＰＢによって放射される磁気浮遊場ＳＦを介して、磁場Ｈを発生させるための電気入力信号Iinから電気出力信号Ioutへの伝達として規定される伝達関数を校正するための校正手段を有する磁気センサが記載される。
2008522149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の磁気センサの伝達関数を校正するための方法であって、前記センサにおいて、磁化可能な物体の存在は、磁場発生器によって出力される磁場により前記物体を磁化することによって検出されることが可能であると共に、前記伝達関数は、磁化されるときに前記物体によって放射される磁気浮遊場を介して、前記磁場を発生させるための電気入力信号から、前記センサによって出力される電気出力信号への伝達として規定される方法において、
−サンプル流体を前記基板上に置き、前記サンプル流体は前記磁化可能な物体を有するステップと、
−前記磁化可能な物体の部分を前記センサの方に引き付けるステップと、
−前記電気入力信号を活性化させ、それによって前記磁場を発生させるステップと、
−前記電気入力信号に対する応答として前記電気出力信号を測定するステップと、
−前記電気入力及び出力信号から前記伝達関数を計算するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記磁場における勾配によってもたらされる前記磁化可能な物体に作用する力により前記磁化可能な物体の部分を引き付けることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記更なる磁場における勾配によってもたらされる前記磁化可能な物体に作用する力をもたらす更なる磁場を加えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
電流が、前記センサの近く、又は前記センサに組み込まれるワイヤを通じて流れ、それによって前記更なる磁場は発生させられることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記磁化可能な物体の部分を前記センサの方に引き付ける前記ステップの後に追加のステップを有し、前記追加のステップは、
−前記物体の自由移動部分を一掃するステップ
であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記物体の自由移動部分を一掃するステップは、前記物体の自由移動部分を磁気的に一掃することによって実行されていることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
基板上の磁気センサの伝達関数を校正するための方法であって、前記センサにおいて、磁化可能な物体の存在は、磁場発生器によって出力される磁場により前記物体を磁化することによって検出されることが可能であると共に、前記伝達関数は、磁化されるときに前記物体によって放射される磁気浮遊場を介して、前記磁場を発生させるための電気入力信号から、前記センサによって出力される電気出力信号への伝達として規定される方法において、
−前記磁化可能な物体の部分を前記センサに向けて射つステップと、
−前記電気入力信号を活性化させ、それによって前記磁場を発生させるステップと、
−前記電気入力信号に対する応答として前記電気出力信号を測定するステップと、
−前記電気入力及び出力信号から前記伝達関数を計算するステップと
を有する方法。
【請求項８】
基板上の基準磁気センサの伝達関数を校正するための方法であって、前記基準センサの製造プロセスの間、磁化可能な物体が付けられ、前記基準センサにおいて、前記磁化可能な物体の存在が、磁場発生器によって出力される磁場により前記物体を磁化することによって検出されることが可能であると共に、前記伝達関数は、磁化されるときに前記物体によって放射される磁気浮遊場を介して、前記磁場を発生させるための電気入力信号から、前記基準センサによって出力される電気出力信号への伝達として規定される方法において、
−前記電気入力信号を活性化させ、それによって前記磁場を発生させるステップと、
−前記電気入力信号に対する応答として前記電気出力信号を測定するステップと、
−前記電気入力及び出力信号から前記伝達関数を計算するステップと
を有する方法。
【請求項９】
前記磁化可能な物体の存在が、磁場発生器によって出力される磁場により前記物体を磁化することによって電気出力信号によりもたらされ得ると共に検出され得る、基板上の磁気センサであって、請求項１乃至８の何れか一項に規定される前記方法ステップを実行するために、磁化されるときに前記物体によって放射される磁気浮遊場を介して、前記磁場を発生させるための電気入力信号から前記電気出力信号への伝達として規定される伝達関数を校正するための校正手段を有する磁気センサ。
【請求項１０】
複数の磁気センサを有するバイオチップであって、前記センサの少なくとも一つが、請求項９において規定されるセンサであるバイオチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁場発生器によってもたらされる磁場により物体を磁化することによって磁化可能な物体（対象物）の存在が検出され得ると共に、磁化されるときに物体によって放射される磁気浮遊場（magnetic stray field）を介して磁場を発生させるための電気入力信号から、センサによって出力される電気出力信号への伝達（トランスファ）として伝達関数が規定される磁気センサ（検出器）の伝達関数を校正（キャリブレート）するための方法に関する。
【０００２】
本発明は更に、前記校正を実行する磁気センサと、例えば分子診断、生物学的サンプル（検体）分析、及び化学的サンプル分析のためのバイオチップ（biochip）におけるこのようなセンサの使用とに関する。
【背景技術】
【０００３】
バイオチップ又はマイクロアレイ（micro-array）の導入は、ＤＮＡ（デオキシリボ核酸（desoxyribonucleic acid））、ＲＮＡ（リボ核酸（ribonucleic acid））、核酸、蛋白質（プロテイン）、細胞（セル）及び細胞断片（フラグメント）、並びに組織要素等のためのサンプルの分析を変革している。適用例は、例えば、（例えば病院における、又は個別の医師若しくは看護師による）人間遺伝子解析（human genotyping）、医療選別（メディカルスクリーニング）、生物学及び薬学研究、並びに唾液における薬物の検出にある。バイオチップの目的は、サンプル、通常溶液における生物学的（生体）分子の存在を検出すると共に定量することにある。
【０００４】
バイオセンサ、バイオセンサチップ、生物学的マイクロチップ、ジェネ（遺伝子）チップ（genechip）、又はＤＮＡチップとも称されるバイオチップは、解析されるべき分子又は分子断片は、それらが一致する場合に結合し得るバイオチップ上の正確に境界付けられた領域上に多くの異なるプローブ分子が付けられている基板の最も簡単な形態でもたらされる。例えば、ＤＮＡ分子の断片は、一つの特有の相補型ＤＮＡ（c-DNA（complementary DNA））分子断片に結合する。結合反応の発生は、例えば解析されるべき分子に結合される蛍光マーカを使用することによって検出され得る。蛍光マーカの代わりに、磁化可能な物体が、解析されるべき分子に結合される磁気マーカとして使用され得る。本発明が扱っているマーカは後者のマーカの型になる。バイオチップにおいて、前記磁化可能な物体は通常、いわゆる超常磁性粒子（superparamagnetic beads）によって実現される。これは、多くの異なる分子又は分子断片の少量を並列に短時間で解析する能力を提供する。一つのバイオチップは、１０乃至１０００又はそれより多くの異なる分子断片に対する検査（分析評価）を維持し得る。人ゲノムプロジェクト（Human Genome Project）のようなプロジェクト並びに蛋白質及び遺伝子の機能に関する追跡研究の結果、バイオチップの使用から利用可能になる情報の有用性は次の十年間に急激に増大することが予想される。バイオチップの機能の概略的な説明は、国際特許出願第ＷＯ 03/054523 A2号公報として開示されている本願の国際特許出願において既に記載されている。
【０００５】
超常磁性粒子の検出に基づいて（例えば１００の）センサのアレイから構成されるバイオチップが、サンプル（試料）流体（例えば血液又は唾液のような溶液）における多くの異なる分子（例えば蛋白質、ＤＮＡ、乱用薬物、及びホルモン）の濃度を同時に測定するために使用されてもよい。サンプル流体は、標的（ターゲット）分子種又は抗原を有する。磁気ラベル（マーカ）を有し得るいかなる生物学的分子も使用される可能性がある。測定は、超常磁性粒子を標的に付け、加えられた磁場で当該粒子を磁化させ、（例えば）磁化粒子の浮遊場を検出するために巨大磁気抵抗（Giant Magneto Resistance(GMR））センサを使用することによって実現されてもよい。
【０００６】
本願において、超常磁性ナノ粒子の（集積された）励磁（エキサイテーション）に基づくバイオチップが注目される。しかしながら、異方性磁気抵抗（Anisotropic Magneto Resistance(AMR））及びトンネル磁気抵抗（Tunnel Magneto Resistance(TMR））のような他の磁気抵抗センサにおける適用も本発明の部分である。磁場発生器が、磁場を発生させるワイヤ（配線）において流れる電流を有しており、それによって超常磁性粒子が磁化されてもよい。超常磁性粒子からの浮遊場は、ＧＭＲにおいて面内磁化成分を導き、これにより、結果として抵抗変化がもたらされる。
【０００７】
ＧＭＲセンサからの検出信号と移動不能な粒子の数との間の明確な関係を得るため、バイオチップの全伝達関数は校正されるべきである。前記伝達関数は、デバイス幾何学的形状、超常磁性粒子の特性、並びにＧＭＲセンサ及び信号処理電子機器（例えばプリアンプ（前置増幅器））の特性に依存する。
−幾何学的形状許容誤差
−超常磁性粒子の磁気特性
−例えば厚さ及び磁気特性のようなＧＭＲスタック許容誤差
−外部磁場
−信号処理回路におけるＩＣ（集積回路）許容誤差
−エージング効果
−温度
のようなパラメータが伝達関数に強い影響をもたらしてもよい。更に、校正のために校正流（動）体（通常液体）を加える通常の処理は、バイオチップの設計、特に微小流体部分の設計を複雑化させるであろう。校正流体は例えば、（実際の）血液サンプルの分析の間に他のセンサに対する基準（レファレンス）センサとしての役割を果たし得るバイオチップ上のセンサの一つを校正するために必要とされるまで冷蔵庫又はフリーザにおいて保存されるべき人工血液である。更に、校正流体は、バイオセンサカートリッジに組み込まれる専用容器において保存されてもよい。実際の検査に先行して、校正流体はセンサ表面に渡って導かれる（ガイドされる）。このことは、複雑なカートリッジ設計を必要とする。従って、実際の測定に先行する校正流体の使用は複雑になると共に高価になる。それ故に、校正流体として機能する更なる流体の必要性なしにサンプル流体を分析するための方法を開発する一般的な必要性が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
それ故に、本発明の目的は、校正流体の必要性なしに磁気センサを校正するための方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
当該目的を達成するため、本発明は、基板上の磁気センサの伝達関数を校正するための方法であって、前記センサにおいて、磁化可能な物体の存在は、磁場発生器によって出力される磁場により前記物体を磁化することによって検出されることが可能であると共に、前記伝達関数は、磁化されるときに前記物体によって放射される磁気浮遊場を介して、前記磁場を発生させるための電気入力信号から、前記センサによって出力される電気出力信号への伝達として規定される方法において、
−サンプル流体を前記基板上に置き、前記サンプル流体は磁化可能な物体を有するステップと、
−前記磁化可能な物体の（少なくとも）部分を前記センサに引き付けるステップと、
−前記電気入力信号を活性化させ、それによって前記磁場を発生させるステップと、
−前記電気入力信号に対する応答として前記電気出力信号を測定するステップと、
−前記電気入力及び出力信号から前記伝達関数を計算するステップと
を有する方法を提供する。
【００１０】
サンプル流体は例えば、前記標的粒子に結合する磁化可能な物体、例えば超常磁性粒子によって補充される人体又は動物の体から採取される、標的粒子（分子）を有する血液又は唾液サンプルである。通常、単一のバイオチップの同じ基板上に組み込まれる複数のセンサが存在する。可能ではあるが、上記方法によってこれら全てのセンサを校正することは必要とされない。基本的に、単一の（基準）磁気センサを校正することのみが必要とされる。それから、当該基準（参照）センサのこのように必要とされる伝達関数は、他のセンサのための伝達関数としても使用され得る。このことは、全てのセンサが同じ基板上に製造され、それ故にセンサの電子パラメータは互いに一致するという事実による。代わりに、複数のセンサの伝達関数を決定すると共に、複数のセンサの平均伝達関数を決定するために結果を使用することも可能であり、そのとき前記平均伝達関数は、残っているセンサに対する伝達関数としての役割も果たし得る。これによって、校正の全体の精度（同一基板上の全センサの平均精度）は増大させられる。当然のことながら、この状態において、引き付けられた磁化可能な物体の部分（量）は、複数の磁気センサの活性領域（プローブ領域）を少なくとも部分的にカバーするのに十分に大きくなるべきである。前記伝達関数は、校正の後に実行されるべき生体測定のための基準として使用される。本発明の方法、すなわちサンプル流体の使用によって最初に校正される単一のセンサを使用することのみも可能であり、校正の後、結合している標的分子は（例えば磁気的に一掃することによって）開放され、それから（同じサンプル流体バッチからもたらされ得る（従って、更なる人間の介入は必要とされない））サンプル流体が単一のセンサ上に置かれる。
【００１１】
従って、伝達関数は、校正流体の使用なしに実際の生体測定の間、又は先行して校正される。容量性クロストーク、粒子特性（磁化（帯磁）率χ、弛緩時間τneel
、及び回転パラメータ）、並びにプリアンプゲイン等のような完全なバイオチップシステムを特徴付けるために、伝達関数が、広い周波数範囲（帯域）に対して校正されてもよい。
【００１２】
実施例において粒子は、明確な態様で、センサ表面に付けられる。このために、バイオチップ上のセンサのアレイにおける（ＧＭＲ及び場生成ワイヤを有する）少なくとも一つの基準センサの表面が（対照的に図１及び４において示されているように）抗体によってカバーされることはなく、それ故に一つの標的分子も前記基準センサに対して固定されないことはないであろう。磁気粒子がサンプル流体に加えられた後、前記粒子は、基準センサの近くの場生成ワイヤによって明確な態様で基準センサの方に引き付けられる。基準センサからのＧＭＲ応答は、センサシステムの伝達関数を示す。基準センサ表面が粒子によって十分にカバーされる場合、基準センサは、自由移動粒子（free moving bead）、すなわち伝達関数の測定に影響を及ぼし得る、センサの近くで引き付けられない粒子からシールド（遮蔽）される。代わりに、基準センサ上の自由移動粒子が（磁気的に）一掃されてもよい。この実施例において、ＧＭＲスタック、幾何学的形状且つ磁気粒子はバイオチップ上の全てのセンサに対して等しくなることが仮定される。本方法の利点は、実際の生体測定のためのものと同じ'マイクロバッチ（micro-batch）'からの粒子が、校正のために使用されるという事実にある。
【００１３】
他の実施例において、高親和性結合（affinity binding）が、サンプル体積における粒子と少なくとも一つのセンサ表面との間にもたらされる。このように、センサを飽和させる高面積粒子密度（areal bead density）がセンサ表面において実現される。
例として、センサ表面上のビオチン（biotine）及びストレプトアビジン（steptavidine）被覆（コート）粒子がある。
【００１４】
他の実施例において、製造の間、超常磁性粒子が基準センサに加えられる。これは、例えば粒子の明確な表面密度濃度又は粒子の明確な体積密度の何れかを（インクジェットスポッティングのように）スポッティングすることによって実現され得る。
【００１５】
これらの粒子が、伝達関数の校正のために利用されてもよい。センサがサンプル流体において自由移動粒子に対してシールドされる場合、すなわち粒子カバレジが十分に大きくなる場合、伝達関数は、実際の生体測定の間、安定化されてもよい。
【００１６】
本発明は、添付図面を参照して更に明らかにされるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図面は概略的であり、限定を目的とするものではない。図面において、いくつかの要素の大きさは強調されており、寸法通りに記載されておらず、図示の目的のみに対する役割を果たす。図に対する記載は、本発明の基本原理を説明する役割のみを果たすものであり、本発明を当該記載及び／又は図に限定することを意図するものではない。
【００１８】
図２は、基板ＳＢＳＴＲ上の磁気センサＭＳの実施例を示す。図１に概略的に示されているようにバイオチップＢＣＰを形成するために、単一又は複数のこのようなセンサが同じ基板ＳＢＳＴＲ上に集積されてもよい。磁気センサＭＳは、好ましくは、例えば第一の電流導通ワイヤ（current conducting wire）ＷＲ１によって基板ＳＢＳＴＲに集積される磁場発生器を有する。当該磁気センサは、第二の（又は更に多くの）電流導通ワイヤＷＲ２も有する。更に、電流導通ワイヤの代わりの他の手段が、磁場Ｈを発生させるために適用されてもよい。磁場発生器が、基板ＳＢＳＴＲの外側（外部励磁）に位置されてもよい。バイオチップＢＣＰによって収集される情報を読み出すため、従って磁化可能な物体を介して標的粒子ＴＲの存否を読み出し、それによって標的粒子ＴＲの面積密度を決定するか、又は見積るため、磁気抵抗要素（素子）、例えば巨大磁気抵抗ＧＭＲが基板ＳＢＳＴＲに集積される。磁化可能な物体は、好ましくは、いわゆる超常磁性粒子ＳＰＢによって実現される。標的ＴＲを選択的に結合し得る結合部位ＢＳがプローブ要素ＰＥに付けられる。プローブ要素ＰＥは基板ＳＢＳＴＲのトップ上に付けられる。
【００１９】
磁気センサＭＳ、又はより一般的にはバイオチップＢＣＰの機能は以下のようになる。各々のプローブ要素ＰＥはある種類の結合部位ＢＳを備える。標的サンプルＴＲは、プローブ要素ＰＥにもたらされるか、又はプローブ要素ＰＥ上を横切らされ、結合部位ＢＳと標的サンプルＴＲとが合致する場合、互いに結合する。超常磁性粒子ＳＰＢは標的サンプルＴＲに直接的又は間接的に結合される。超常磁性粒子ＳＰＢはバイオチップＢＣＰによって収集される情報を読み出すことを可能にする。超常磁性粒子は、磁化測定の時間スケールで頻繁に起こる、熱的に誘導された磁気モーメント反転のためにゼロ印加磁場において時間平均磁化がゼロになる（ポリマ（重合体））バインダ（結合剤）又は基材（マトリックス）において浮遊させられる。平均反転周波数は、
【数１】
2008522149.tif 000003
によって与えられ、ＫＶ（Ｋは磁気異方性エネルギ密度であり、Ｖは粒子体積である。）は、超えられなければならないエネルギ障壁であり、ν０は反転試行周波数（reversal attempt frequency）（通常の値：109s-1）である。
【００２０】
磁場Ｈは、ＧＭＲによって検出され得る浮遊場ＳＦを応答として発生させる超常磁性粒子ＳＰＢを磁化させる。必ずしも必要とされないが、ＧＭＲは、好ましくは、ＧＭＲを通過する磁場Ｈの部分が、ＧＭＲの層の感度の高い方向と垂直になる態様で位置されるべきである。ＧＭＲが感度を高くする全外部（すなわちＧＭＲにおいて内部でない）場は、図２においてHextで示されている。
【００２１】
バイオチップＢＣＰが水平に（従って、重力と垂直に）位置されるという仮定により、ＧＭＲは、水平成分を有する磁場に対してのみ、又は主に水平成分を有する磁場に対して感度が高くなる態様で位置される。それ故に、磁場ＨがＧＭＲに対して垂直に伝わり、従って水平成分を有さないため、ＧＭＲは磁場Ｈに対して感度が高くならない。逆に、浮遊場ＳＦは水平成分を有さず、従ってＧＭＲの抵抗値における差をもたらすであろう。これによって、（例えば、ＤＣ電圧によってバイアスされるとき、ＧＭＲを通じた電流変化によって生成される（図示略））電気出力信号が、標的ＴＲの量のための手段になるセンサＭＳによって出力され得る。
【００２２】
図３は、磁場成分Hext関数としてのＧＭＲの抵抗を示す。ＧＭＲ感度
【数２】
2008522149.tif 000004
が一定でなく、Hextに依存することは注意されるべきである。
【００２３】
図２において示されているセンサＭＳにおいて、巨大磁気抵抗ＧＭＲの代わりに、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）又は異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）のようなある種の抵抗といった磁場に依存する特性（パラメータ）を有するいかなる他の手段も適用され得る。ＡＭＲ、ＧＭＲ、又はＴＭＲ材料において、一つ又はそれよりも多くの層の磁化方向が、磁場の印加の結果として変化するとき、電気抵抗は変化する。ＧＭＲは、いわゆるスイッチング磁気層の間に導体中間層を備える層構造のための磁気抵抗であり、ＴＭＲは、磁気金属電極層及び誘電中間層を有する層構造のための磁気抵抗である。
【００２４】
ＧＭＲ技術において、二つの非常に薄い磁気膜が互いに極近くにもたらされている構造体は開発されてきた。第一の磁気膜はピンで固定され、これは、通常交換バイアス層（exchange bias layer）、すなわち第一の磁気膜の磁気方向を固定する反強磁性（antiferromagnetic）物質の層の近傍に当該磁気膜を保持することによって当該磁気膜の磁気方向が固定されることを意味している。第二の磁気層又は自由層は、自由可変な磁気方向を有する。本例において超常磁性粒子ＳＰＢの磁化における変化からもたらされる、磁場における変化は、ＧＭＲ構造体の抵抗を増大させるか、又は減少させる自由磁気層の磁気方向の回転をもたらす。センサ及びピン固定された層が同じ方向に磁気的に方向付けられるとき、概して低抵抗が発生する。センサ及びピン固定された層（膜）の磁気方向が互いに反対になるとき、より高い抵抗が発生する。
【００２５】
ＴＭＲは、絶縁分離（トンネル）障壁（バリア）によって分離される二つの強磁性電極層から形成されるシステム（系）において観測され得る。当該障壁は非常に薄く、すなわち1nmのオーダでなければならない。そのときにのみ、電子は当該障壁を通じてトンネルし得る。これは、量子力学的伝達プロセスである。一つの層の磁気アライメント（配向）は、交換バイアス層を使用することによって他の層に影響を及ぼすことなく変化させられ得る。本例において超常磁性粒子ＳＰＢの磁化における変化からもたらされる、磁場における変化は、ＴＭＲ構造体の抵抗を増大させるか、又は減少させるセンサ膜の磁気方向の回転をもたらす。
【００２６】
強磁性物質のＡＭＲは、電流が磁化方向と成す角度で抵抗に依存する。この現象は、強磁性物質の電子散乱断面における非対称性による。
【００２７】
図４は、磁気センサ（ＭＳ）の伝達関数を校正するための方法を示す。サンプル流体は基板ＳＢＳＴＲ上に置かれる。サンプル流体は、超常磁性粒子ＳＰＢを有する。校正が、サンプル流体を使用することにのみ適用され得ること、すなわち例えば校正流体としての人工血液の使用の必要性がないことは本発明の方法の適用の主な利点になる。従って、同じバッチからのサンプル流体が、校正と校正後の生体測定との両方に対して使用され得る。
【００２８】
例えば超常磁性粒子ＳＰＢの非常に薄い層で磁気センサＭＳの完全活性領域を完全にカバーするために大量のサンプル流体を配置することによって正確な校正が達成され得る。超常磁性粒子ＳＰＢは、例えば第一及び第二のワイヤWR1及びWR2によって発生させられる磁場によりもたらされる磁力によって、センサＭＳの活性領域（プローブ要素ＰＥ）に磁気的に付けられる。代わりに、更なる磁場（図４において図示略）によって当該力を発生させることも可能である。超常磁性粒子ＳＰＢの正確な量は知られる必要がないことは注意されるべきである。このことは、センサＧＭＲによりセンス（検知）される検出浮遊場ＳＦの量が、前記表面に近い超常磁性粒子ＳＰＢのみによってほぼ影響されることによる。このことは、より高く位置された粒子ＳＰＢからの距離がより長くなり、従って前記影響はより小さくなることによる。この効果は、より高く位置された超常磁性粒子ＳＰＢの磁気浮遊場ＳＦが、より低く（それ故に基板ＳＢＳＴＲに最も近く）位置された超常磁性粒子ＳＰＢによって磁気的にシールドされるという事実によって更に強化される。
【００２９】
正確な校正を得るための他の方法は、超常磁性粒子ＳＰＢの量を制御することにある。粒子体積密度が知られているという仮定の下、前記制御は、固定された（且つ知られている）量の時間の間に粒子の磁気的な誘引を実行することによってなされ得る。代わりに、制御された量の超常磁性粒子ＳＰＢが、堆積作用によって達せられ得る。後者の場合、堆積が発生する固定された（且つ知られている）量の時間は待たれるべきである。更に後者の場合、粒子堆積密度は知られていることが仮定される。
【００３０】
センサＭＳは、自身の抵抗、及びより特定されることに、抵抗における自身の変化を測定するため、ＧＭＲに結合される電子回路ＣＲＴを有する。例示によって、当該回路ＣＲＴは、第一のワイヤWR1を通じて、又は第一のワイヤWR1において（及び更に可能なことに、第二のワイヤWR2を通じて、又は第二のワイヤWR2において）、電流又は電圧であってもよい電気入力信号も出力する。この例において、電気入力信号は、入力電流Iinによって表される。入力電流Iinは、他の手段、例えばバイオチップＣＨＰの外側に位置される手段によって供給されてもよい。入力電流Iinは磁場Ｈ（図４に示されていないが、図２参照）を発生させる。（下側における）前記非常に薄い層の超常磁性粒子ＳＰＢは、図２に示されている浮遊場ＳＦとほぼ同じ浮遊場（図４に示されていない）を発生させる。従って、当該浮遊場（図２におけるHext参照）の水平成分はＧＭＲの抵抗における変化をもたらす。この変化は、回路ＣＲＴによって測定される。これに対する応答として、回路ＣＲＴは、出力信号Ioutの形態で電気出力信号を出力することによって応答する増幅器Ｇに信号を供給する。入力電流Iinの値によって除される出力電流Ioutの値は、センサの基準伝達関数として使用されてもよい。しかしながら、増幅器Ｇのゲインが適切な量で低下させられるか、又は上昇させられるように、あるゲイン調整値ＧＡＶを増幅器Ｇに供給することによって、（ある周波数に対して）１に等しくなるように当該伝達関数を調整するために、回路ＣＲＴが使用されてもよい。これは、入力信号Iinの一つよりも多くの周波数、例えば周波数の範囲（帯域）に対して実行されてもよい。この場合、校正は完了される。
【００３１】
校正の完了後、超常磁性粒子ＳＰＢが標的分子ＴＲに付けられる少量のサンプル流体、例えば１滴の血液は、磁気センサＭＳ上に置かれ、入力電流Iinが活性化され、出力信号Ioutが生成されると共に測定システムＭＲＳによって測定され、それによって移動不能超常磁性粒子ＳＰＢの量、従って標的分子ＴＲの量が測定される。出力信号Ioutは、ボンディングパッドＰＢを介して測定システムＭＲＳに供給され得る。基本的に、自身の増幅器Ｇに対するゲイン調整値ＧＡＶを全てロードしている（読み込んでいる）、同一の基板ＳＢＳＴＲ上（すなわち同一のバイオチップＢＣＰ内）の多数のセンサ（図示略）が使用され得る。従って基本的に、先行して校正されたセンサＭＳは同一のバイオチップＢＣＰにおける全ての他のセンサＭＳに対して基準センサとしての役割を果たす。
【００３２】
上記の実施例が、本発明を限定するものではなく、当業者が、従属請求項によって規定される本発明の範囲から逸脱することなく、代わりの実施例を設計し得ることは注意されるべきである。請求項において、括弧内に置かれるいかなる参照符号も当該請求項の保護範囲を限定するものではない。単語"有する"等は、何れの請求項又は本願全体にも記述される構成要素以外の構成要素の存在を排除するものではない。構成要素の単数表示は、当該構成要素の複数表示を排除するものではない。ある手段が相互に異なる従属請求項において再び引用されるという事実は、これらの手段の組み合わせが使われ得ないことを示すものではないということに過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】基板及び複数の磁気センサを有するバイオチップを示す。
【図２】集積磁場励起を伴う磁気センサの実施例を示す。
【図３】ＧＭＲの層が磁場に対して感度の高い方向での磁場成分の関数としてのＧＭＲの抵抗を示す。
【図４】図２に示されている磁気センサの伝達関数を校正するための方法を示す。
【図１】
2008522149.tif 000005
【図２】
2008522149.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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