【事件の表示】
　特許第２９３７９４２号「アクティブマトリックス形液晶表示素子の製造方法およびその装置」の請求１および７に記載された発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９３７９４２号の請求１および７に記載された発明の特許を取り消す。
【理　由】
１．本件特許第２９３７９４２号（昭和６０年１１月２１日に出願された特願昭６０−２６１６６９号の分割出願として出願された特願平７−２６１５４３号のさらに分割出願として、平成９年５月６日出願）は、平成１１年６月１１日に設定登録がされたものであって、その後、異議申立人株式会社ニコンより特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月２５日に意見書が提出され、その後、再度取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１０月１７日に意見書が提出されたものである。
２．異議申立ての概要
　異議申立人株式会社ニコンは、甲第１号証（特開昭５７−１９２９２９号公報）、甲第２号証（特開昭６０−１８６８４５号公報）、甲第３号証（電子材料別冊「超ＬＳＩの注目基礎技術」Ｐ．６０〜Ｐ．６５及び裏表紙）、甲第４号証（特公昭４６−３４０５７号公報）、甲第５号証（特開昭５５−１４９９２９号公報）、甲第６号証（特開昭５５−１２９３３３号公報）、甲第７号証（特開昭６０−２００５２５号公報）、甲第８号証（特開昭５５−１３２０３９号公報）、甲第９号証（特開昭５９−１１３４２６号公報）、甲第１０号証（ＳＥＭＩＣＯＮ ＮＥＷＳ 別冊 Ｂｕｙｅｒｓ’Ｇｕｉｄｅ ８５　Ｐ．２５５〜Ｐ．２５７）、甲第１１号証（特開昭６０−１９１４３号公報）、甲第１２号証（ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ ｌ９８４．５　６０〜６１頁）、甲第１３号証（特開昭５６−１１１２１８号公報）、甲第１４号証（特開昭６０−２１８６５０号公報）、甲第１５号証（特開昭６０−１８０１２０号公報）及び甲第１６号証（電子材料　１９８４年４月号　第１７５頁−第１８４頁）を提出し、本件請求項１に記載された第１発明及び本件請求項７に記載された第２発明は、甲第１及び２号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるから、本件第１及び第２発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
２．平成１２年８月７日付取消理由通知の概要
「本件特許第２９３７９４２号の請求項１（以下、「本件第１発明」という。）及び７（以下、「本件第２発明」という。）に係る発明は、甲第１６号証及び慣用手段に基いて当業者が容易に発明することができたものであるので、本件第１及び第２発明の特許は取り消すべきものである。」旨の取消理由を通知した。
３．甲各号証の記載内容
３．１　甲第１号証
　甲第１号証の第３図には、マスク２を通過した露光光Ｐは光学系１を介してウエハ８に到達し、マスク２とウエハ８を移動させる移動架台４の移動方向（水平方向）は、露光光Ｐに対して垂直な方向であることが示されており、マスク２はマスク台３によって、露光光Ｐに対して垂直に位置決めされるとともに、ウエハ８は平面位置出し装置７、ウエハチャック９によって、露光光Ｐに対して垂直に位置決めされることが開示されている。
　甲第１号証の第４頁右下欄第１６行から第１９行には「以上の実施例は倍率１：１の投影式マスクアライナについて述べたが、・・・拡大投影式のマスクアライナについても同様にして本発明を適用することができる。」と記載されている。
３．２　甲第２号証
　第２頁左上欄第１行から同欄第６行には、「本発明は、・・・半導体素子を製造するための露光装置に関し、特に１枚の被露光基板（半導体ウエハ）上に形成された・・・回路パターンにマスクの回路パターンを・・・重ね合せて露光する」と記載され、第１７頁右下欄第１２行から同欄第１４行には、「本発明によれば、１枚の被露光基板（ウエハ）にマスク（レチクル）のパターンを繰り返し重ね合せ露光する」と記載されている。
３．３　甲第５号証
　第２頁右上欄第１８行から第２頁右下欄第１１行には、「第１図はこの発明にかかる方法を実施するための拡大投影複写装置における露光ヘッド部分の斜視図、第２図はその主要部の模式説明図である。図において、（１）はプレートホルダーで支持および支持フレーム（ともに図示せず）に固定され、その面上に印刷版材などの感光材料（２）がテープ貼りまたは真空吸着、あるいは両者の併用で保持される。（３）は露光ヘッドキャリアで、図示されていないが、感光材料（２）の前後方向（以下Ｙ軸方向という。）案内をなすＹ軸方向レールおよび感光材料（２）の左右方向（以下Ｘ軸方向という。）案内をなすＸ軸方向レールにそれぞれ移動可能なように係合されている。…（４）は感光ヘッドキャリア（３）の底部に感光材料（２）とたとえば２ｍｍ程度の間隔をもって取付けられたしゃ光用マスクで、中央部に拡大投影された原画の有効画像領域に相当する開口部（Ｂ）が設けられる。・・・（７）は光源で、アームに支持されたリフレクタ（８）内に配置され、原板ホルダー（９）と光源との距離を変化しうるように保持されている。（１０）はコンデンサーレンズ、（１１）は原板ホルダー（９）の下方に光軸にそって上下に移動しうるように配置された投影レンズである。」と記載されている。
３．４　甲第１１号証
　甲第１１号証には、レンズ８、ミラー９を介して原稿の像を被露光物体である印刷原版上に露光することが記載されている。
　第２頁右下欄第５行から第３頁左下欄第２行には、レンズ８とミラー９の位置を調整して投影倍率を可変とすることで、原稿像を印刷原版上に一度に拡大または縮小露光する旨記載されている。
３．５　甲第１６号証
　甲第１６号証には、ＴＦＴ方式アクティブマトリックス形の液晶表示素子をホトリソグライ法を用いて製造することが記載され、第１８０頁右欄第１９行〜第１８０頁第２５行には、「最近、・・・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の開発が・・・活発化している。その主要な理由は、ＴＦＴアクティブマトリックス駆動がこれからのマトリックス表示ＬＣＤに強く要請される、・・・からである。」と記載されている。
　第１８２頁左欄第２行〜第９行には、「ＣｄＳｅ形ＴＦＴは、・・・Ｘｅｒｏｘ社は、シャドウマスク法とホトリソグラフィ法のハイブリッド技術で・・・ＬＣＤ用ＴＦＴの開発に成功している。」と記載されている。
４．異議申立に対する判断
４．１　本件第１発明及び本件第２発明
請求項１
「薄膜トランジスタをマトリックス状に配設した基板を複数回露光して形成するアクティブマトリックス形液晶表示素子の製造方法であって、
パターンを描いたマスク及びフォトレジストを塗布した前記基板を離間させた状態で光源からの光の光軸に対してそれぞれほぼ垂直に位置決めし、対応する前記マスクのパターン全体を前記基板のフォトレジストに等倍を越える倍率で光学系により面状に一度で拡大投影して露光し、
この露光されたフォトレジストのパターンに基づいてエッチングすることを特徴とするアクティブマトリックス形液晶表示素子の製造方法。」
請求項７
「光を照射する光源と、
薄膜トランジスタをマトリックス状に配設するためのパターンを描いたマスクおよびフォトレジストが塗布された基板を離間させた状態で前記光源からの光の光軸に対してそれぞれほぼ垂直に位置決めする位置決め手段と、
前記光源からの光を前記マスクを介して前記基板に照射し、対応する前記マスクのパターン全体を前記基板のフォトレジストに等倍を越える倍率で面状に一度で拡大投影して前記フォトレジストを露光する光学系と、
この露光されたフォトレジストのパターンに基づいてエッチングするエッチング手段とを具備したことを特徴とするアクティブマトリックス形液晶表示素子の製造装置。
４．２　本件第１及び第２発明と上記取消理由に示した引用例との対比
４．２．１　本件第１発明と引用例との対比
　本件第１発明と、引用例に記載された発明とを対比すると、上記甲第１６号証の１８２頁には、ホトリソグラフィ法をＬＣＤ用のＴＦＴの製造に用いることが示されている。
　甲第１６号証記載の「ＬＣＤ」及び「ＴＦＴ」は、同号証第１８１頁を参照すると、本件第１発明の「薄膜トランジスタをマトリックス状に配設した基板を露光して形成するアクティブマトリックス液晶表示素子」及び「薄膜トランジスタ」にそれぞれ相当し、甲第１６号証記載の「ホトリソグラフィ法」は、本件第１発明の「パターンを描いたマスク及びフォトレジスト」及び「露光されたフォトレジストのパターンに基づいてエッチングすること」を必然的に伴うから、両者は、「薄膜トランジスタをマトリックス状に配設した基板を露光して形成するアクティブマトリックス形液晶表示素子の製造方法であって、
　パターンを描いたマスク及びフォトレジストを塗布した前記基板を露光し、
　この露光されたフォトレジストのパターンに基づいてエッチングするアクティブマトリックス形液晶表示素子の製造方法。」である点で一致し、本件第１発明が、「複数回露光して形成」する構成（以下、「本件第１発明の構成１」という。）、「パターンを描いたマスク及びフォトレジストを塗布した前記基板を離間させた状態で光源からの光の光軸に対してそれぞれほぼ垂直に位置決め」する構成（以下、「本件第１発明の構成２」という。）及び「対応する前記マスクのパターン全体を前記基板のフォトレジストに等倍を超える倍率で光学系により面状に一度で拡大投影して露光」する構成（以下、「本件第１発明の構成３」という。）を有するのに対し、甲第１６号証には本件第１発明の構成１〜３の記載がない点で相違する。
　上記相違点について検討する。
　本件第１発明の構成１については、甲第２号証に記載されているようにホトリソグラフィ法において慣用手段にすぎないから、本件第１発明の構成１は当業者が容易になし得たものである。
　本件第１発明の構成２については、ホトリソグラフィ法においては、甲第１号証に示されるように、投影露光においては、当然配慮する慣用手段にすぎないから、本件第１発明の構成２は当業者が容易になし得たものである。
　本件第１発明の構成３について検討する。
　原版を面状に１度に転写することは、甲第５及び１１号証に見られるように投影露光技術として慣用手段であり、
また原版を拡大して転写することも甲第１、５及び１１号証に見られるように投影露光技術として慣用手段である。
　してみると、本件第１発明の構成３は、前記慣用手段に基づいて、ホトリソグラフィ法を用い半導体露光する当業者が容易になし得たものである。
　よって、本件第１発明は、甲第１６号証記載の発明に慣用手段を単に付加することにより当業者が容易に発明できたものと認める。
４．２．２　本件第２発明と引用例との対比
　本件第２発明は、本件第１発明の製造方法を単に製造装置としたものであるから、本件第１発明と同様に、甲第１６号証記載の発明に慣用手段を単に付加することにより当業者が容易に発明できたものと認める。
  よって、本件第２発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件第１及び第２発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本件第１及び第２発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
  よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１６日（２００１．１．１６）