【事件の表示】
　特許第２８０９０３８号「環境制御方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８０９０３８号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８０９０３８号の特許請求の範囲に係る発明は、平成５年３月２５日（優先権主張、平成４年３月２５日）に特許出願され、平成１０年７月３１日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人磯部法子（以下「申立人１」という。）および横田貞則（以下「申立人２」という。）より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月６日に訂正請求がなされたものであるが、さらに当該訂正請求について訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年３月１４日に当該訂正請求書に係る手続補正書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正請求書の補正の適否
　上記訂正請求書の補正は、訂正請求書の（３）の訂正の要旨における（ロ）訂正事項２の特許請求の範囲に係る記載内容を発明の構成に欠くことができない事項を付加し、さらに限定しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮ないし明りょうでない記載の釈明を意図するものであり、そして、当該補正が、訂正に係る全文訂正明細書に記載された事項の範囲内で行われていることは明らかであるから、訂正の要旨を変更するものではない。
　
（２）訂正の内容
　上記補正された訂正請求は、以下の点について訂正を求めるものである。
（イ）訂正事項１
　本件請求人に係る平成５年特許願第６６５１２号の願書に添付した明細書の発明の名称（特許第２８０９０３８号の公報に掲載された明細書の発明の名称）に記載の、「環境制御装置および環境制御方法」を「環境制御方法」に訂正する。
（ロ）訂正事項２
　本件請求人に係る平成５年特許願第６６５１２号の願書に添付した明細書の特許請求の範囲（特許第２８０９０３８号の公報に掲載された明細書の特許請求の範囲）に記載の、
「【請求項１】　半導体ウェハの露光を行う縮小投影露光装置と、
前記装置内の半導体ウェハ処理領域に、外部環境から取り込んだ空気を供給する空調装置と、
前記空調装置の内部もしくは、空調装置と外部環境との間に配置されており、
前記外部環境から取り込んだ空気からアミン系、酸系、有機系の不純物ガスを除去する除去装置あるいは、
前記半導体ウェハ処理領域に対して、Ｎ２，Ａｒ等の不活性ガスを供給する装置とを備えており、
前記縮小投影露光装置のウェハ処理領域の雰囲気のアミン系、酸系、有機系の不純物ガス濃度が１ｎｇ／ｌ以下となることを特徴とする環境制御装置。
【請求項２】　半導体ウェハの露光を行う縮小投影露光装置において、
半導体ウェハ処理領域に対して外部環境から取り込んだ空気を供給する工程と、
前記外部環境から取り込んだ空気からアミン系、酸系、有機系の不純物ガスを除去する工程か、あるいは半導体ウェハ処理領域に対して、Ｎ２，Ａｒ等の不活性ガスを供給する工程とを備え、
前記縮小投影露光装置のウェハ処理領域の雰囲気のアミン系、酸系、有機系の不純物ガスが１ｎｇ／ｌ以下となることを特徴とする環境制御方法。」を、
「【請求項１】　エネルギー線により酸を発生する酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布した半導体ウエハの露光を行う縮小投影露光装置において、
前記装置内の半導体ウエハ処理領域に対して外部環境から取り込んだ空気を供給する工程と、
前記外部環境から取り込んだ空気からアミン系の不純物ガスを除去する工程とを備え、
　露光中および露光後の、前記装置内の前記ウエハ処理領域の雰囲気のアミン系の不純物ガス濃度が１ｎｇ／ｌ以下となるよう制御する、縮小投影露光装置内の環境制御方法。」に訂正する。
（ハ）訂正事項３
　明細書の【０００１】に記載の、
「【産業上の利用分野】
　本発明は、縮小投影露光装置の環境制御装置及び環境制御方法に関するものである。」を
「【産業上の利用分野】
　本発明は、縮小投影露光装置の環境制御方法に関するものである。」に訂正する。
（ニ）訂正事項４
　明細書の【００１４】に記載の、
「本発明は、化学増幅型レジストを用いて微細なパターンを形成する際に用いることができる縮小投影露光装置の環境制御方法及び装置を提供することを目的とする。」を
「本発明は、化学増幅型レジストを用いて微細なパターンを形成する際に用いることができる縮小投影露光装置の環境制御方法を提供することを目的とする。」
に訂正する。
（ホ）訂正事項５
　明細書の【００１５】に記載の、
「【課題を解決するための手段】
　本発明は上記問題点を解決するため、縮小投影露光装置チャンバの空気供給系に、化学増幅型レジストの反応を阻害するようなアミン系、酸系、有機系の不純物を除去する化学吸着剤を、チャンバの空気中の上記不純物濃度が１ｎｇ／ｌ以下となるように設置すること、またはＮ２，Ａｒ等の不活性ガスを露光チャンバー内に供給することにより、露光が行なわれるチャンバ内空気が化学増幅型レジストの反応を阻害しない不純物濃度に制御されているようにしたものである。」を
「【課題を解決するための手段】
　本発明は上記問題点を解決するため、縮小投影露光装置チャンバの空気供給系に、化学増幅型レジストの反応を阻害するようなアミン系の不純物を除去する化学吸着剤を、チャンバの空気中の上記不純物濃度が１ｎｇ／ｌ以下となるようにすることにより、露光が行なわれるチャンバ内空気が化学増幅型レジストの反応を阻害しない不純物濃度に制御されているようにしたものである。」に訂正する。
（へ）訂正事項６
　明細書の【００１６】に記載の、
「【作用】
　本発明は上記した構成によって、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気はアミン系、酸系、有機系の不純物が１ｎｇ／ｌ以下に制御され，化学増幅型レジストの露光後、空気中の不純物によって反応が阻害および増進されることがないため、所望のパターン形状を得ることができる。」を
「【作用】
　本発明は上記した構成によって、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気はアミン系の不純物が１ｎｇ／ｌ以下に制御され、化学増幅型レジストの露光後、空気中の不純物によって反応が阻害されることがないため、所望のパターン形状を得ることができる。」に訂正する。
（ト）訂正事項７
　明細書の【００３３】に記載の、
「【発明の効果】
　以上のように本発明は、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気のアミン系、酸系、有機系の不純物を１ｎｇ／ｌ以下に制御することにより、化学増幅型レジストの露光後、空気中の不純物によって反応が阻害および必要以上に増進されることがないため、所望のパターン形状を得ることができる。」を
「【発明の効果】
　以上のように本発明は、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気のアミン系の不純物を１ｎｇ／ｌ以下に制御することにより、化学増幅型レジストの露光後、空気中の不純物によって反応が阻害されることがないため、所望のパターン形状を得ることができる。」に訂正する。
　
（３）訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項を一部削除し、発明の構成に欠くことができない事項を付加して、さらに不純物ガスの種類を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮あるいは明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　また、訂正事項１、３ないし７は、それぞれ、特許請求の範囲の訂正に伴い、明細書の発明の名称あるいは発明の詳細な説明の欄の記載内容を、特許請求の範囲の記載内容に単に整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明に該当するものである。
　そして、上記各訂正事項は本件の訂正前の特許明細書に実質上記載されている事項のみであるから、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（４）独立特許要件に係る判断
（本件異議申立に係る各甲号証に記載の発明）
（Ａ）訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載の発明（以下「本件発明」という。）に対して、当審が通知した取消理由で引用した甲第１号証（特開昭５７−１７７１４４号公報）には、半導体ウェハの露光を行う縮小投影露光装置において、前記露光装置を含む恒温室の空調を行うと共に、露光処理領域に特定条件の空気あるいは窒素ガスを吹き付ける露光装置ないしは制御方法が記載され、空気に含まれる酸素等の影響によりレジスト膜が化学変化する点も記載されている。
（Ｂ）次に、上記取消理由で引用した甲第２号証（実願平１−３９３４７号（実開平２−１３１１４３号）のマイクロフィルム）には、露光装置が設置されているクリーンルームの環境制御方法が記載され、クリーンルームに対して外部からの空気を取り入れる空調装置が設置されており、当該空調装置の内部あるいは空調装置と外部環境との間に不純物ガスを除去する除去装置が設けられる点も記載されている。
（Ｃ）また、当審が通知した取消理由で引用した甲第３号証（SPIE、Vol．1466、Advances in Resist Technology and Processing VIII、(1991)p．2〜p.12）には、以下の事項が記載されている。
（ａ）１．緒言
　１９８０年代初期に、フレヒエ、伊藤、及びウィルソンは光によって生成された酸を用いて高感度ネガ極性ＤＵＶレジストができることを発表した。この系の化学作用の原理は（化学増幅作用として知られているが）図１に示されており、二つの別個のステップからなっている。即ち、１）オニウム塩を光分解して酸を生成するステップと、２）酸を触媒としたｔ−ブチルカーボネートの熱分解によるフェノール性水酸基の生成ステップとである。化学増幅作用の背後にある基本的概念は、爾後、幾つかの像形成系に拡大適用され、現在では、最近のＤＵＶ／電子ビーム／Ｘ線レジストの主要な設計手法となっている。化学増幅型レジストは現在、レジスト開発グループによって研究されているのみならず、半導体素子の製造・開発グループによって使用されてもいる。・・（中略）・・
　ｔ−ＢＯＣ／オニウム塩レジスト系の製造ラインでの使用評価をする中で、レジスト塗布直後のウエハを用いた場合のリソグラフイー特性と、レジスト塗布後８、１２、及び２４時間空気中に晒されたウエハを用いた場合のリソグラフィー特性とは異なることが観察された。ネガ極性で処理された場合には、このリソグラフィー特性の変化は、現象的には、ＤＵＶ露光感度の低下として現れた。即ち、ＤＵＶ光による露光前に空気中に曝される時間が長くなればなるほど、所望の像サイズを得るのにより大きなドーズ量が必要となる。同じことだが逆にいうと、ＤＵＶドーズ量を一定に保つ場合には、空気中に曝される時間が長くなればなるほど、像サイズの変化が大きくなる。この曝す時間に対する線幅の変化は、図２(●)で示されているように、大きなものとなることもある（３０分間で０．４μｍ）。ポジ極性で処理された場合にも、レジストが塗布されたウエハがＤＵＶ露光前に空気中に曝される時間があると、像に変化が生ずることが観測された。ポジ極性の系で、レジスト塗布とＤＵＶ光による露光との間の遅延時間が短い場合には、断面形状の頂上部に「Ｌｉｐ」が形成されることが観測される。この遅延時間が長くなると、レジストと空気との境界面に薄い表皮が形成される。この薄い表皮は、図３に示されている。
　図１に示されているこのレジスト系の化学作用の原理をみれば、上記しジストの性能劣化理由の合理的説明がつく。総ての化学増幅型レジストの特徴の核心は、光によって生成された少数の酸分子を触媒作用を開始させるために利用することにある。・・（中略）・・しかしながら、この触媒の連鎖が長いからこそ、光によって生成された酸分子の活性を抑制する何らかの塩基性不純物が存在すると、それがリソグラフィー性能を劣化させることになる。こう考えると、図２（●）で示されているデータは、塗布されたレジスト膜には光によって生成された酸分子の活性を抑制する塩基性不純物が含まれていたことによるものとして説明できる。更に、図２（●）で示されている続幅の変化は空気中に晒される時間が長くなると大きくなることから、レジスト膜中の塩基性抑制物質の濃度も時間と共に増加するものと考えられる。この増加は、レジスト膜が周囲の環境から塩基性抑制物質を吸収していくものと考えると説明しやすい。
　本稿では、典型的なクリーンルームの空気中に塗布されたレジスト膜を置いておくことがリソグラフィー性能を劣化させることを示す。また、高効率炭素フィルターを通過させたクリーンルームの空気中に塗布されたレジスト膜を置いておくことにより、リソグラフィー性能を維持し、安定した製造プロセスが得られることも示す。我々は、この炭素フィルターがクリーンルームの空気中の揮発性有機塩を除去しているものと考えており、この理論を裏付けるデータを記載する。
（第２頁下から第１２行〜第３頁第２８行）
（ｂ）２．２　炭素濾過された空気の影響
　水だけが空気中に一般的にある塩基性物質ではない。窒素を含む揮発性化合物も各種ある。
　例えば、低分子量のアルキルアミン類（腐った魚のエキス）は多くの屋外の魚市場で容易に人間の臭覚によって感知される。半導体素子の製造工程では、揮発性塩基性物質を生成する可能性のある窒素を含む各種の試薬が使われている。例えば、よく使用される金属イオンを含まない現像薬である水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液は、アルキルアミンに起因する独特の「生臭い」香りがする。従って、空気中の有機塩基性物質が線幅変動の原因ではないかと考えても不自然ではない。
　この可能性を調査するために、不純物を含まない空気の生成源として高効率炭素フィルターを使用した。この炭素フィルターユニットは、ファン、活性炭フィルター層、およびＨＥＰＡフィルターによって構成した。工場内の空気はこのフィルター箱に取り込まれ、有機成分を除去するために特別設計された低漏洩活性炭フィルター層を通過させ、最後に、一連の微粒子フィルターを通過させる。炭素フィルターされた空気中に置かれたレジストが塗布されたウエハと、典型的なクリーンルームの空気中に置かれたレジストが塗布されたウエハとでは異なった挙動を示した。本実験では、１２５ｍｍシリコンウエハ複数にｔ−ＢＯＣ／Ｐｈ３Ｓ−ＳｂＦ６レジストを塗布し、ベークした。一方の群のレジストが塗布されたウエハは層流フード内に置かれた。これと約１ｍ離れた開放容器中に、他方の群のレジストが塗布されたウエハを置いた。この容器は炭素フィルターされたクリーンルームの空気で連続的にパージされた（図４参照）。異なった時間間隔を置いて、それぞれの試験環境下にあった各群のレジストが塗布されたウエハから一枚づつ取り出し、標準的なりソグラフィー工程にて処理した。ＳＥＭを用いて現像後の線幅測定を行い（１ウエハあたり５個所）、図２に集約された結果が得られた。図２のデータは、上記二つの試験環境は本質的に異なっていることを示している。層流フード内に置かれたウエハの線幅は置かれた時間と共に急速に変化している。一方、炭素フィルターされた空気中に置かれたウエハの線幅は一定である。図２のデータは、緒言で提示した空気中の有機汚染物質が観察された線幅シフトの原因であるとの理論と整合している。
２．３　人工汚染空気の影響
　２．２節のデータは、炭素フィルターユニットが空気中の何らかの有機汚染物質を除去していることを示してはいるが、その物質の化学的性質を特定してはいない。我々は、有機物質の蒸気を意図的に含ませた空気中にレジストが塗布されたウエハを置く手法によって、この問題に対応した。各種の化合物を静的汚染試験容器を用いてスクリーニングした。この実験では、レジストが塗布された１２５ｍｍウエハを被検試薬１０μｌを入れた２ｌの密閉容器の中に３０分間置いた。その後に標準的なリソグラフイー工程にて処理し、線幅変化を検査した。結果は明瞭なものであった。アセトン、エチルアセテート、ペンタン等の一般的な溶剤は線幅変化を引き起こさない。これに対し、トリエチルアミン、ビリジン、N‐メチルモルフオリン等のアミン類は、劇的な線幅変化を引き起こした。つまり、アミン蒸気に晒されたレジストが塗布されたウェハでは、標準的なＵＶ光ドーズ量での露光で全く像が形成されなかったのである。
・・（中略）・・
　ｐｐｂレンジの汚染物質濃度を実現するために、この動的システムを用いた。この低レンジの濃度でもアミン類は、レジストが塗布されたウエハに対して相当な影響を与えている。図６は、１５ｐｐｂ濃度のＮ，Ｎ−ジメチルアニリンを含む空気中にｔ−ＢＯＣ／Ｐｈ３Ｓ−ＳｂＦ６レジストを塗布した１２５ｍｍウエハを置いたときの結果を示している。この実験では、レジストが塗布されたウエハを汚染された空気流中に、１５および３０分間曝した。その後ウエハは動的試験容器から取り出され、IX U1traStep X‐248B(2.8mJ/cm2) で露光され、ベークされ、アニソールで現像された。図６のＳＥＭ写真は、これらのウエハ上の線幅シフトが大きいことを示している。汚染濃度を２８ｐｐｂまで上げると、線幅シフト量が増大する。図６は、１５および２８ｐｐｂ濃度のＮ，Ｎ−ジメチルアニリンを含む空気中に３０分間レジストを塗布したウエハを置いたときのＳＥＭ写真を示している。２８ｐｐｂ、３０分間の条件下では像サイズが非常に変化していることに注目されたい。図６中のデータは、緒言で提示した空気中の有機汚染物質が観察された線幅シフトの原因であるとの理論と整合している。
・・（中略）・・
２．５　局所空気濾過の効果
　前節まででクリーンルームの空気を炭素濾過すれば、おそらくは揮発性の有機塩基物質が除去されることによって、線幅が維持されることを証明した。この結果を製造ラインに適用する一つの手は、クリーンルーム中の総ての空気を炭素濾過することである。しかしながら、殆どの製造ラインの規模を考えると、このシンプルな手法は現実的ではない。より現実的な解決手法は、レジストが塗布されたウエハの周囲の空気のみを濾過する手法である。
　マルタベスが発表している１メガビットＤＲＡＭ工程５中には、レジストが塗布されたウエハに炭素濾過された雰囲気が必要な工程は二つしかない。第一には、レジストが塗布されべ一クされ、PE‐500 での露光待機中のウエハは炭素濾過された雰囲気を必要とする。第二には、PE‐500 のインプットカセットの中のウエハが炭素濾過された雰囲気を必要とする。したがって、この工程は局所空気濾過に馴染みやすい。この工程に適合した局所空気濾過を実現するため、「保管箱」（約１ｍ×１ｍ×１ｍ）を用意し、炭素濾過に取り付けた。これによって、ＵＶ露光待機中のレジストが塗布されたウエハの汚染物質のない保管環境ができる。PE‐500 のインプットカセット領域は、標準２５枚ウエハカセットより僅かに大きなポリカーボネート製の箱で覆った。このポリカーボネット製の箱は炭素濾過ユニットに取り付けられ、連続的に汚染物質のない空気でパージされた。これら二つの箇所での空気濾過によって、リソグラフィー工程の性能が劇的に向上した。具体的に言えば、この濾過プロセスを用いた場合の線幅シフトは２４時間後のウエハで僅か０．０７μｍであった。これに対し、２．２節で述べたように、濾過プロセスを用いないと、線幅シフトは３０分間後のウエハで０．４μｍにも成る場合がある。
　１メガビットＤＲＡＭのsemirecessed oxide levelをｔ−ＢＯＣ／Ｐｈ３Ｓ−ＳｂＦ６レジストおよび局所空気濾過プロセスを用いて製造した。このときのレジスト像形成ステップに関する要求は、１．６μｍ厚のレジスト層に（ＰＥ−５００を使用して）０．９μｍの線幅を形成することであった。このプロセスのスループットは、１００ウエハ／時間であった。一方、ＰＥ−５００の正味のサイクルタイムは、約２０秒／ウエハであった。したがって、６００ウエハ処理／日／PE‐500 が実現でき、製造システムへのしわ寄せをなくすことができた。手直し率は１．５％に抑えられ、（ＫＬＡの定義による）露光工程律速収率は９７％であった。
（第４頁第１６行〜第７頁第８行）
　以上の記載事項からみて、甲第３号証には、「化学増幅型レジストを塗布した半導体ウエハの露光を行う露光装置使用の縮小投影露光方法において、前記装置を含む半導体ウエハ処理クリーンルームに対して外部環境から取り込んだ空気を供給する工程と、前記外部環境から取り込んだ空気から濾過によってアミン系のものを含む有機不純物ガスを除去する工程とを備え、前記ウエハ処理クリーンルームの雰囲気の不純物ガス濃度を低減化せしめて解像線幅の変動を防止することを特徴とする縮小投影露光環境の制御方法。」に係る発明（以下「甲第３号証記載の発明」という。）が記載されている。
（Ｄ）当審が通知した取消理由通知で引用した甲第４号証（日立評論、第７４巻、平成４年１２月、ｐ．５３〜５８）には、縮小投影露光装置が設置されたクリーンルームにおいて、微粒子とともにイオン状物質等の汚染物質除去のためのケミカルフィルタを空調装置等の環境制御装置に設ける点が記載されている。
（Ｅ）当審が通知した取消理由通知で引用した甲第５号証（日立プラント技報、第１３巻、（１９９２）、ｐ．４〜８）には、空調機やクリーンルーム内に不純物ガス等を除去可能なガス除去フィルタを設置することにより、１次側濃度１ｎｇ／ｌにおいて除去率９０％が達成できる点が記載されている。
（Ｆ）当審が通知した取消理由通知で引用した甲第６号証（第１１回空気清浄とコンタミネーションコントロール研究大会予稿集、平成４年４月、第１６５〜１６８頁、第１９７〜２２８頁）には、空気中の不純物ガスの内、亜硫酸ガス（二酸化イオウ）とアンモニアガスあるいは有機ガスについて、９０％以上の除去効率を有する不純物除去手段が記載されている。
（Ｇ）当審が通知した取消理由通知で引用した甲第７号証（日立評論、第７３巻、第９号、平成３年９月、ｐ．８３〜９０）には、クリーンルーム内の汚染ガスのデバイスへの影響が大きく、ｐｐｔレベルの制御が必要である点が記載され、ケミカルフィルタをクリーンルームの空調装置に取り付けることにより、２０ｐｐｔ以下の超清浄環境が達成できる点も記載されている。
（Ｈ）当審が通知した取消理由通知で引用した甲第８号証（第１０回空気清浄とコンタミネーションコントロール研究大会予稿集、平成３年４月、第１１９〜１２２頁、第１６１〜１６８頁）には、空調装置に取り付けられたＨＥＰＡフィルタから揮発するＤＯＰ（ジオクチルフタレート）のクリーンルーム内の空気中濃度が０．１ｐｐｂレベルでは将来問題となる旨記載されている。
（Ｉ）当審が通知した取消理由通知で引用した甲第９号証（特開平３−１７３１１４号公報）には、半導体製造設備に供給する空気を浄化するガス状不純物除去手段が記載されている。
（Ｊ）当審が通知した取消理由通知で引用した甲第１０号証（米国特許第５１６６５３０号明細書）には、露光装置に供給される空気からヘキサメチルジシラザンを除去する活性炭フィルタが記載されている。
（Ｋ）当審が通知した取消理由通知で引用した甲第１１号証（特開平４−８１２９０号公報）には、不活性ガスを処理領域に供給して、不要物質を除去する点が記載されている。
（Ｌ）申立人２が「甲第８号証」として提示した甲第１２号証（特開平４−１３９４５３号公報）には、露光装置に供給されるガスからイオン粒子を除去する点が記載されている。
（Ｍ）申立人２が「甲第１１号証」として提示した甲第１３号証（玉虫文一ら編「岩波理化学辞典（第３版）」昭和４６年５月２０日、株式会社岩波書店発行、第３７〜３８頁）には、「アミン」に係る定義が記載されている。
（対比・判断）
　そこで、本件発明と上記各甲号証記載の発明とを対比すると、次の点で明らかに相違している。
　本件発明は、露光中および露光後の縮小投影露光装置内の環境制御方法に係るものであるのに対して、上記各甲号証記載の発明では、露光中および露光後の縮小投影露光装置内の環境制御に係る記載がない点。
　そこで、上記相違点について検討すると、本件発明は、当該相違点に係る構成事項を有することにより、本件特許明細書に記載の所期の優れた効果を奏するものであり、当該相違点は、実質的なものと認められる。
　してみると、本件発明は、上記甲第１号証ないし甲第１３号証の各甲号証に記載の発明から当業者が容易に発明し得たものではないから、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものではない。
　したがって、本件特許に係る明細書の特許請求の範囲に記載の発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号、以下「平成６年法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項ないし第３項の訂正についての規定に適合するものであるから、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
（１）申立の理由の概要
　各申立人は、証拠として上記２．（４）で示した甲第１号証ないし甲第１３号証を提示し、本件特許に係る明細書の特許請求の範囲に記載の発明が、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない旨主張し、さらに本件特許明細書には記載不備がある点をもって、特許法（平成２年法律第３０号）第３６条第４項ないし第５項に規定の要件を満たさず、特許を取り消すべきものである旨主張している。
（２）判断
（ａ）特許法第２９条第２項に係る取消理由
　本件特許に係る明細書の特許請求の範囲に記載の発明は、上記２．（４）で示した理由により、申立人が提示した特許異議申立の理由および証拠方法によって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものとすることができない。
（ｂ）特許法第３６条に係る取消理由
　各申立人が各人提示の特許異議申立書で主張している明細書の記載不備は、上記補正された訂正請求に係る訂正により、下記の点を除き、解消されている。
　各申立人が主張する「本件明細書には、不純物ガスの除去手段が、外部環境と空調装置との間に存する場合に係る具体的記載がない」点に起因する記載不備。
　そこで、上記の点につき検討すると、不純物ガスの除去手段は、空気ないしは不活性ガス等の導入ガスを外部環境から空調装置を経て環境制御領域に送入する際、除去手段が、外部環境と環境制御領域との間のいかなる位置に設けても実質的に同一の効果を奏することは、本件特許明細書あるいは上記各甲号証の記載内容等からみても、当業者に自明であるから、本件特許に係る請求項における除去手段の設置位置に係る規定は、当該当業者に自明な事項に基づき、単に「空調装置の内部もしくは外部環境と空調装置との間」に限定したものに過ぎず、記載不備であるとは言えない。
　したがって、本件特許に係る明細書等に対する特許法第３６条に係る各申立人の主張は採用することができない。
（ｃ）むすび
　以上のとおりであるから、各特許異議申立人が提示した証拠方法または理由では、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月３０日（２０００．３．３０）
【訂正の要旨】
（イ）訂正事項１
　本件請求人に係る平成５年特許願第６６５１２号の願書に添付した明細書の発明の名称（特許第２８０９０３８号の公報に掲載された明細書の発明の名称）に記載の、「環境制御装置および環境制御方法」を「環境制御方法」に訂正します。
（ロ）訂正事項２
　本件請求人に係る平成５年特許願第６６５１２号の願書に添付した明細書の特許請求の範囲（特許第２８０９０３８号の公報に掲載された明細書の特許請求の範囲）に記載の、
「【請求項１】半導体ウェハの露光を行う縮小投影露光装置と、
前記装置内の半導体ウェハ処理領域に、外部環境から取り込んだ空気を供給する空調装置と、
前記空調装置の内部もしくは、空調装置と外部環境との間に配置されており、
前記外部環境から取り込んだ空気からアミン系、酸系、有機系の不純物ガスを除去する除去装置あるいは、
前記半導体ウェハ処理領域に対して、Ｎ２，Ａｒ等の不活性ガスを供給する装置とを備えており、
前記縮小投影露光装置のウェハ処理領域の雰囲気のアミン系、酸系、有機系の不純物ガス濃度が１ｎｇ／ｌ以下となることを特徴とする環境制御装置。
　【請求項２】半導体ウェハの露光を行う縮小投影露光装置において、
半導体ウェハ処理領域に対して外部環境から取り込んだ空気を供給する工程と、
前記外部環境から取り込んだ空気からアミン系、酸系、有機系の不純物ガスを除去する工程か、あるいは半導体ウェハ処理領域に対して、Ｎ２，Ａｒ等の不活性ガスを供給する工程とを備え、
前記縮小投影露光装置のウェハ処理領域の雰囲気のアミン系、酸系、有機系の不純物ガスが１ｎｇ／ｌ以下となることを特徴とする環境制御方法。」を、
「【請求項１】エネルギー線により酸を発生する酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布した半導体ウエハの露光を行う縮小投影露光装置において、前記装置内の半導体ウエハ処理領域に対して外部環境から取り込んだ空気を供給する工程と、
前記外部環境から取り込んだ空気からアミン系の不純物ガスを除去する工程とを備え、
　露光中および露光後の、前記装置内の前記ウエハ処理領域の雰囲気のアミン系の不純物ガス濃度が１ｎｇ／ｌ以下となるよう制御する、縮小投影露光装置内の環境制御方法。」に訂正します。」と補正します。
（ハ）訂正事項３
　明細書の【０００１】に記載の、
「【産業上の利用分野】
　本発明は、縮小投影露光装置の環境制御装置及び環境制御方法に関するものである。」を
「【産業上の利用分野】
　本発明は、縮小投影露光装置の環境制御方法に関するものである。」に訂正します。
（ニ）訂正事項４
　明細書の【００１４】に記載の、
「本発明は、化学増幅型レジストを用いて微細なパターンを形成する際に用いることができる縮小投影露光装置の環境制御方法及び装置を提供することを目的とする。」を
「本発明は、化学増幅型レジストを用いて微細なパターンを形成する際に用いることができる縮小投影露光装置の環境制御方法を提供することを目的とする。」に訂正します。
（ホ）訂正事項５
　明細書の【００１５】に記載の、
「【課題を解決するための手段】
　本発明は上記問題点を解決するため、縮小投影露光装置チャンバの空気供給系に、化学増幅型レジストの反応を阻害するようなアミン系、酸系、有機系の不純物を除去する化学吸着剤を、チャンバの空気中の上記不純物濃度が１ｎｇ／ｌ以下となるように設置すること、またはＮ２，Ａｒ等の不活性ガスを露光チャンバー内に供給することにより、露光が行なわれるチャンバ内空気が化学増幅型レジストの反応を阻害しない不純物濃度に制御されているようにしたものである。」を
「【課題を解決するための手段】
　本発明は上記問題点を解決するため、縮小投影露光装置チャンバの空気供給系に、化学増幅型レジストの反応を阻害するようなアミン系の不純物を除去する化学吸着剤を、チャンバの空気中の上記不純物濃度が１ｎｇ／ｌ以下となるようにすることにより、露光が行なわれるチャンバ内空気が化学増幅型レジストの反応を阻害しない不純物濃度に制御されているようにしたものである。」に訂正します。
（ヘ）訂正事項６
　明細書の【００１６】に記載の、
「【作用】
　本発明は上記した構成によって、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気はアミン系、酸系、有機系の不純物が１ｎｇ／ｌ以下に制御され，化学増幅型レジストの露光後、空気中の不純物によって反応が阻害および増進されることがないため、所望のパターン形状を得ることができる。」を
「【作用】
　本発明は上記した構成によって、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気はアミン系の不純物が１ｎｇ／ｌ以下に制御され、化学増幅型レジストの露光後、空気中の不純物によって反応が阻害されることがないため、所望のパターン形状を得ることができる。」に訂正します。
（ト）訂正事項７
　明細書の【００３３】に記載の、
「【発明の効果】
　以上のように本発明は、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気のアミン系、酸系、有機系の不純物を１ｎｇ／ｌ以下に制御することにより、化学増幅型レジストの露光後、空気中の不純物によって反応が阻害および必要以上に増進されることがないため、所望のパターン形状を得ることができる。」を
「【発明の効果】
　以上のように本発明は、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気のアミン系の不純物を１ｎｇ／ｌ以下に制御することにより、化学増幅型レジストの露光後、空気中の不純物によって反応が阻害されることがないため、所望のパターン形状を得ることができる。」に訂正します。
（５４）【発明の名称】
環境制御方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
エネルギー線により酸を発生する酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布した
　
前記装置内の
　前記外部環境から取り込んだ空気から
アミン系の
　
露光中および露光後の、前記装置内の
アミン系の
なるよう制御する、縮小投影露光装置内の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、
縮小投影露光装置の環境制御方法
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、半導体装置の微細化に伴い、露光工程においては光の短波長化が進み、それに伴い新しいレジスト材料が開発され、酸発生による化学増幅を利用した化学増幅型レジストが有望視されている（例えば、Ｏ．Ｎａｌａｍａｓｕ　ｅｔ　ａｌ．，Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．１４６６，ｐ．２３８（１９９１））。
　【０００３】
　図２は化学増幅型レジストのパターン形成方法の工程断面図を示すものである。ウエハ８に化学増幅型レジスト９を１μｍ厚に形成する（図２（ａ））。通常のクリーンルーム内で、マスク１０を介してＫｒＦエキシマレーザースッテパー（ＮＡ０．４２）にて２５ｍＪ／ｃｍ２の露光１１を行い（図２（ｂ））、この後、９５℃９０秒の加熱１２を行う（図２（ｃ））。そして、２．３８％のアルカリ水溶液６０秒にて現像を行い、ポジ型のパターン９Ａを形成する（図２（ｄ））。
　【０００４】
　化学増幅型レジストはエネルギー線により酸を発生する酸発生剤、酸によりアルカリ可溶性となる高分子、および溶媒よりなっている。パターン形成エ程において、露光によりレジスト中の酸発生剤から酸が発生し、その酸がアルカリ不溶性であった高分子と反応し、アルカリ可溶性となる。次の加熱工程によりこの反応がレジスト底部まで拡散し、さらにアルカリ現像工程により、露光部では高分子が溶解し未露光部では高分子が溶解しないことにより、ポジ型パターンが形成される。
　【０００５】
　しかし露光の行われる縮小投影露光装置のチャンバー内雰囲気にガス状不純物が存在すると、図２（ｅ）の９Ｂや図２（ｆ）の９Ｃに示すような不良パターンとなり、所望のパーターンが得られないことがある。
　【０００６】
　上記の化学増幅型レジストを露光する、従来の露光装置としては、例えば、特開昭６１−１０１０１８号公報に記載されるものがあった。
　【０００７】
　図３は、係る従来の縮小投影装置の環境制御装置の概略図である。この図に示すように、縮小投影装置のチャンバ２内には給気口３から空気が送り込まれている。上記空気は、まず空気取り込み口４から取り込まれ、温湿度制御システム６で温度、湿度が調整され、フィルタ７で塵埃を除去された後チャンバ内に送り込まれている。
　【０００８】
　また、近年は半導体装置の製造雰囲気を清浄に保つ技術として、特開平３−１７３１１４号公報に示すような半導体製造設備に作業雰囲気を清浄化するガス状不純物除去を具備するようなものが開発された。
　【０００９】
　図４はかかる従来例の一実施例であるレジスト加熱を行うべーク炉である。図４において、１３はガス状不純物除去手段、５は加圧送風機、８はウエハ、１５はヒータ、１６は排気口である。べーク炉内に導入される空気は加圧送風機５によってガス状不純物除去手段１３を通過する間に空気中のガス状不純物が除去される。べーク処理に伴ってべーク炉１８内に発生した溶剤は、ガス状不純物除去手段により供給された空気に置換され、排気口１６から排出される。従って、べーク炉１４内は高度に清浄化され、ウエハ８のレジスト面に不純物を付着させることがない。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記構成の従来の露光装置では、縮小投影露光装置チャンバ内の空気は、温度、湿度、塵埃、気圧については制御されているが、フィルタで除去できないガス状不純物については制御されておらず、空気取り込み口の空気中にガス状不純物が存在する場合、ガス状不純物はフィルターでは除去されないため、露光チャンバー内はガス状不純物で汚染されたままとなっている。
　【００１１】
　このようなチャンバー雰囲気中で、化学増幅型レジストの露光を行なうと、次のような問題を生じる。
　【００１２】
　化学増幅型レジストは露光によりレジスト中の酸発生剤から酸が発生し、その酸がアルカリ不溶性であった高分子と反応し、アルカリ可溶性となる。次の加熱工程によりこの反応がレジスト底部まで拡散し、さらにアルカリ現像工程により、露光部では高分子が溶解し未露光部では高分子が溶解しないことにより、ポジ型パターンが形成される。しかし露光の行われるチャンバー内に、アミン系や有機系のガスが存在する場合、露光によりレジスト中で発生した酸がこれらのガスと反応し、酸が消滅あるいは効力を失い、化学増幅型レジストの反応が阻害され、図２（ｅ）の９Ｂに示すようなパターン上部が現像されないパターン形状になり、所望のパターンが得られないという問題点があった。また縮小投影露光装置のチャンバー内雰囲気に酸系のガスが存在している場合、雰囲気中の酸とレジスト中の高分子と反応し、露光部以外の部分でもアルカリ可溶性となり、図２（ｆ）の９Ｃに示すようなオーバー露光したようなパターン形状になり、所望のパターン形状が得られないという問題点があった。
　【００１３】
　また、上記構成の従来の不純物除去装置を縮小投影露光装置に用いる場合においても、除去すべき対象不純物ガスが特定されておらず、また除去すべき不純物の許容濃度が限定されていないため、実際の半導体製造環境の空気中にはＮ２とＯ２以外のガス状不純物の種類は多数存在しているのに対し、不純物除去方法が限定できず、また必要とされる不純物除去能力が不明であり、実際の不純物制御装置の設計が不可能であるという問題点があった。
　【００１４】
　本発明は、化学増幅型レジストを用いて微細なパターンを形成する際に用いることができる縮小投影露光装置の
環境制御方法
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は上記問題点を解決するため、縮小投影露光装置チャンバの空気供給系に、化学増幅型レジストの反応を阻害するような
アミン系の
なるようにすることにより
　【００１６】
　【作用】
　本発明は上記した構成によって、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気は
アミン系の
阻害される
　【００１７】
　【実施例】
　以下本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
　【００１８】
　図１は、本発明の実施例を示す縮小投影露光装置の環境制御装置の概略構成図である。
　【００１９】
　図１において、１は吸着剤ユニット、２は露光が行なわれるチャンバ、６は温湿度制御システム、７はＨＥＰＡフィルタである。
　【００２０】
　加圧送風機５により空気取り込み口４から取り込まれた空気は、温湿度制御システム６で温湿度を制御された後、吸着剤ユニット１、次にＨＥＰＡフィルタ７を通り、チャンバ２内に流れ込む。吸着剤ユニットは化学増幅型レジストの反応を阻害するアミン系、有機系のガスを除去する市販の化学吸着剤および、化学増幅型レジストの反応を必要以上に促進する酸系のガスを除去する市販の化学吸着剤からなっている。アミン系ガスを除去する吸着剤としては活性炭に還元剤を添着したものを、有機系ガスを除去するものとしては活性炭を、酸性ガスを除去するものとしては活性アルミナに過マンガン酸カリウムを添着した化学吸着剤を用いた。空気取り入れ口の不純物濃度を考慮して、吸着剤ユニットを通過した後の露光チャンバー内の空気中の不純物濃度が１ｎｇ／ｌ以下となるように吸着剤量、風速、湿度などは最適値に設定されている。
　【００２１】
　これによりチャンバ内空気は、化学増幅型レジストの反応を阻害および必要以上に増進する不純物は１ｎｇ／ｌ以下の濃度に制御されており、空気中の不純物の影響を受けずに有効なパターンを得ることができる。
　【００２２】
　以下、本発明を用いた場合と従来の場合のパターン寸法の比較の実験について説明する。
　【００２３】
　ウエハに各々化学増幅型ポジレジストを１μｍ塗布し、一方は本発明を用いた上記不純物を１ｎｇ／ｌ以下に制御したチャンバ内で、もう一方は従来のような不純物制御を行なわないチャンバ内でそれぞれ露光し、その雰囲気中で３０分間放置した。マスクは０．５μｍの線幅の繰り返しパターンを用いた。露光量、フォーカス等の条件は同じに行なった。その後、９５℃で９０秒の加熱を行ない２．３８％のアルカリ水溶液６０秒にて現像を行なった。その後それぞれのウエハについてパターン寸法の測長を行なった結果を（表１）に示す。
　【００２４】
　【表１】
　【００２５】
　（表１）に示すように、従来のチャンバ内で露光を行なった場合、露光によりレジスト中に発生した酸がチャンバー内空気中に存在するアミン系、有機系不純物と反応することにより、減少する。そのためアルカリ可溶性高分子生成反応が少なくなり、本来溶媒に対して可溶性となるべきところが不溶性となり、目標寸法に対して線幅は太くなる。
　【００２６】
　これに対し、本発明を用いて露光を行なった場合、空気中の上記不純物は吸着剤により１ｎｇ／ｌ以下に制御されているため目標寸法どおりのパターンが得られ、微細なパターンを精度良く形成することができる。
　【００２７】
　また本発明を用いた実施例の場合のＮＨ３濃度と、本発明を用いない場合でＮＨ３濃度を変化させた場合の、ＮＨ３濃度とパターン寸法の測長結果を（表２）に示す。実験方法は、ウエハに化学増幅型ポジレジストを１μｍ塗布し、本発明を用いたＮＨ３濃度をを１ｎｇ／ｌ以下に制御したチャンバ内、およびＮＨ３濃度を１０ｎｇ／ｌ、１７０ｇ／ｌに調整したチャンバ内でそれぞれ露光し、その雰囲気中で３０分間放置した。マスクは０．５μｍの線幅の繰り返しパターンを用いた。露光量、フォーカス等の条件は同じに行なった。その後、９５℃で９０秒の加熱を行ない２．３８％のアルカリ水溶液６０秒にて現像を行なった。その後それぞれのウエハについてパターン寸法の測長を行なった。
　【００２８】
　【表２】
　【００２９】
　（表２）の結果により露光雰囲気中のＮＨ３濃度を１ｎｇ／ｌ以下にすることにより、化学増幅型レジストの反応は妨げられることなく、目標どおりのパターン寸法を得ることができる。
　【００３０】
　なお、本実施例ではＮＨ３濃度について述べたが、そのほかの酸系不純物、有機系不純物についても同様である。
　【００３１】
　また、本実施例では、マスクパターン寸法として、０．５０μｍを用いたが、マスクのパターン寸法及びパターン形状はどのようなものでも良いことは言うまでもない。また、化学増幅型ネガレジスト及び従来の光反応型レジストを用いた場合でも有効であり発明のもたらす効果は図り知れない。
　【００３２】
　また、本実施例ではチャンバー内不純物を制御する方法として化学吸着剤を用いたが、チャンバー内をＮ２，Ａｒ等の不活性ガスで満たすことにより、上記不純物を１ｎｇ／ｌ以下に制御する場合も有効であることはいうまでもない。
　【００３３】
　【発明の効果】
　以上のように本発明は、化学増幅型レジストの露光が行なわれるチャンバ内空気の
アミン系の
阻害される
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例における縮小投影露光装置の環境制御装置の概略図
　【図２】
　化学増幅型レジストの反応工程図
　【図３】
　従来の縮小投影露光装置の環境制御装置の概略図
　【図４】
　従来のガス状不純物除去装置の概略図
　【符号の説明】
１　吸着剤ユニット
２　チャンバ
３　給気口
４　空気取り込み口
５　加圧送風機
６　温湿度制御システム
７　ＨＥＰＡフィルタ
８　ウエハ
９　化学増幅型レジスト
１０　マスク
１１　ＫｒＦエキシマレーザー
１２　加熱
１３　ガス状不純物除去手段
１４　べーク炉
１５　ヒーター
１６　排気口