(57)【要約】【課題】半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、中心から縁に至るまで放射方向への磁界偏差が発生しないようにし、中心と縁でのＣＤの調節と均一なエッチング率の獲得を容易にする。【解決手段】反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個のソースコイルと、を備える構成とした。【選択図】図３
2008516461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、
前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個のソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項２】
前記複数コイルは、相互対称に配置されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマソース。
【請求項３】
前記各複数コイルは、前記ブシングと連結される部分から縁に至るまで厚さが一定でないことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマソース。
【請求項４】
前記反応チャンバの上部縁で前記ブシングと一定間隔を維持しながら前記ブシングを取り囲み、前記複数個の単位コイルを全て連結するように円形に配置される縁部ソースコイルをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマソース。
【請求項５】
前記ブシングと前記縁部ソースコイルとの間で前記ブシングと一定間隔を維持しながら前記ブシングを取り囲むように円形に配置され、前記複数個の単位コイルを全て連結する中間ソースコイルを少なくとも１つさらに備えることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマソース。
【請求項６】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、
前記ブシングを取り囲む第１領域内で前記ブシングから延びて前記第１領域の縁に至るまで径方向に沿って配置され、上部に向かって曲がる形状にされる複数個の第１ソースコイルと、
前記第１領域を取り囲む第２領域内で前記第１ソースコイルから延びて前記第２領域の縁に至るまで螺旋状に配置される複数個の第２ソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項７】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、
前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個のソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項８】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中心点から前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個のソースコイルと、
前記反応チャンバの上部縁で前記複数個のソースコイルの端部を全て連結する円形の縁部ソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項９】
前記縁部ソースコイル内で前記縁部ソースコイルと一定の距離を維持しながら円形に配置
されて前記ソースコイルを全て連結する中間ソースコイルを少なくとも１つさらに備えることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマソース。
【請求項１０】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央に配置され、相対的に広い面積を持ちながら下部に配置される第１部分と、前記第１部分の上部面で相対的に狭い面積を持つ第２部分とからなる導電性材質のブシングと、
前記ブシングの第１部分から延びて前記反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個のソースコイルと、
前記反応チャンバの上部縁で前記ソースコイルの端部を全て連結する円形の縁部ソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項１１】
前記ブシングの第１部分は、底から前記第２部分と接する部分に向かって面積が次第に減少することを特徴とする、請求項１０に記載のプラズマソース。
【請求項１２】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、前記ブシングを取り囲む少なくとも１つの中間ソースコイルと、前記ブシングから延びて前記中間ソースコイルに至るまで線状に配置される複数個の第１線状ソースコイルと、前記中間ソースコイルを取り囲む縁部ソースコイルと、前記第１線状ソースコイルから延びて前記縁部ソースコイルに至るまで線状に配置される複数個の第２線状ソースコイルとを備えてなり、前記中間ソースコイル及び第１線状ソースコイルと、前記縁部ソースコイル及び第２線状ソースコイルとの材質が異なることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項１３】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、前記ブシングを取り囲む縁部ソースコイルと、前記ブシングから延びて前記縁部ソースコイルに至るまで線状に配置される複数個の線状ソースコイルを備えてなり、前記ブシングの材質と、前記縁部ソースコイル及び線状ソースコイルとの材質が異なることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項１４】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、
前記ブシングから延び、前記ブシングと第１間隔で離れて前記ブシングを取り囲む第１領域に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の第１ソースコイルと、
前記第１ソースコイルから延び、前記第１領域と第２間隔で離れて前記第１領域を取り囲む第２領域に至るまで螺旋状に配置される複数個の第２ソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項１５】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央で垂直方向に配置されて、前記反応チャンバと相対的に遠く離れて配置される上部面と、前記反応チャンバと相対的に近くに配置される下部面を持つ柱状の導電性ブシングと、
前記ブシングの上部面と同平面上で、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に
至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の上部ソースコイルと、
前記ブシングの下部面と同平面上で、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の下部ソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項１６】
前記ブシングの上部面と同平面上で、前記上部ソースコイルの端部を連結する上部縁部ソースコイルと、
前記ブシングの下部面と同平面上で、前記下部ソースコイルの端部を連結する下部縁部ソースコイルと、
前記上部縁部ソースコイルと前記下部縁部ソースコイルとを垂直方向に連結する垂直ソースコイルと、
をさらに備えることを特徴とする、請求項１５に記載のプラズマソース。
【請求項１７】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバの上部中央で垂直方向に配置されて、前記反応チャンバと相対的に遠く離れて配置される上部面と、前記反応チャンバと相対的に近くに配置される下部面とを持つ柱状の導電性ブシングと、
前記ブシングの上部面と同平面上で、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個の上部ソースコイルと、
前記ブシングの下部面と同平面上で、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個の下部ソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項１８】
前記ブシングの上部面と同平面上で、前記上部ソースコイルの端部を全て連結するように円形に配置される上縁部ソースコイルと、
前記ブシングの上部面と同平面上で、前記ブシングと前記上縁部ソースコイルとの間に配置される少なくとも１つの中間上部ソースコイルと、
前記ブシングの下部面と同平面上で、前記下部ソースコイルの端部を全て連結するように円形に配置される下縁部ソースコイルと、
前記ブシングの下部面と同平面上で、前記ブシングと前記下縁部ソースコイルとの間に配置される少なくとも１つの中間下部ソースコイルと、
前記上縁部ソースコイル及び前記下縁部ソースコイルを垂直方向に相互連結する垂直ソースコイルと、
をさらに備えることを特徴とする、請求項１７に記載のプラズマソース。
【請求項１９】
半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
前記反応チャンバから相対的に遠く離れた上部平面上に配置される導電性の上部ブシングと、
前記上部ブシングから延び、前記上部ブシングから第１間隔で離れた第１領域に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の第１上部ソースコイルと、
前記上部平面上で前記第１上部ソースコイルから延び、前記第１領域と第２間隔で離れて前記第１領域を取り囲む第２領域に至るまで螺旋状に配置される複数個の第２上部ソースコイルと、
前記上部平面上で前記第２上部ソースコイルの端部を相互連結する上縁部ソースコイルと、
前記反応チャンバと相対的に近くに位置する下部平面上に配置される導電性の下部ブシングと、
前記下部ブシングから延び、前記下部ブシングから第３間隔で離れた第３領域に至るま
で屈曲を持つ波状に配置される複数個の第１下部ソースコイルと、
前記下部平面上で前記第１下部ソースコイルから延び、前記第３領域と第４間隔で離れて前記第３領域を取り囲む第４領域に至るまで螺旋状に配置される複数個の第２下部ソースコイルと、
前記下部平面上で前記第２下部ソースコイルの端部を相互連結する下縁部ソースコイルと、
前記上縁部ソースコイル及び前記下縁部ソースコイルを垂直方向に相互連結する垂直ソースコイルと、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項２０】
プラズマチャンバの上部に配置されて前記プラズマチャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
中央に配置されるブシングと、
前記ブシングから放射方向にストライプ型に長く配置される複数個の導電体と、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項２１】
前記導電体は、相互対称に配置されることを特徴とする、請求項２０に記載のプラズマソース。
【請求項２２】
前記ブシングは、導電性材質からなることを特徴とする、請求項２０に記載のプラズマソース。
【請求項２３】
前記導電体は、前記ブシングから遠ざかるほど厚さが次第に増加することを特徴とする、請求項２０に記載のプラズマソース。
【請求項２４】
前記導電体は、前記ブシングから遠ざかるほど厚さが次第に減少することを特徴とする、請求項２０に記載のプラズマソース。
【請求項２５】
プラズマチャンバの上部に配置されて前記プラズマチャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースにおいて、
中央に配置されるブシングと、
前記ブシングから放射方向に長く曲がったストライプ型に配置される複数個の導電体と、
を備えることを特徴とする、プラズマソース。
【請求項２６】
前記導電体は、相互対称に配置されることを特徴とする、請求項２５に記載のプラズマソース。
【請求項２７】
前記ブシングは、導電性材質からなることを特徴とする、請求項２５に記載のプラズマソース。
【請求項２８】
前記導電体は、Ｓ字形またはＷ字形の形状を持つことを特徴とする、請求項２５に記載のプラズマソース。
【請求項２９】
前記導電体は、前記ブシングから遠ざかるほど厚さが次第に増加することを特徴とする、請求項２５に記載のプラズマソース。
【請求項３０】
前記導電体は、前記ブシングから遠ざかるほど厚さが次第に減少することを特徴とする、請求項２５に記載のプラズマソース。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマチャンバに係り、より詳細には、プラズマチャンバでの均一なプラズマ形成のためのプラズマソースに関する。
【背景技術】
【０００２】
超高集積（ＵＬＳＩ）回路素子の製造技術は、過去２０数年間目覚ましい発展を遂げてきた。これは、極限の技術が要求される工程技術を後押しする半導体製造設備の発展に負うところが大きい。これらの半導体製造設備の一つであるプラズマチャンバは、主に使用されてきたエッチング工程の他、デポジッション工程などでも使用される等、その適用範囲を益々広げている。
【０００３】
プラズマチャンバは、その内部にプラズマを形成させ、このプラズマを用いてエッチング、デポジッションなどの工程を行う半導体製造設備である。このようなプラズマチャンバは、プラズマ発生ソースによって、電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）プラズマソース、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＥＰ）ソース、容量性結合プラズマ（ＣＣＰ）ソース、誘導性結合プラズマ（ＩＣＰ）ソース等、様々な形態に分類される。最近では、容量性結合プラズマソースと誘導性結合プラズマソースの利点を全て活かす適応型プラズマ（ＡＰ）ソースが提案された。
【０００４】
図１は、従来のプラズマソースを備えるプラズマチャンバを概略的に示す断面図であり、図２は、図１のプラズマソースを示す平面図である。
図１及び図２を参照すると、プラズマチャンバ１００は、チャンバ外壁１０２とドーム１１２によって一定大きさに限定される内部の反応空間１０４を有する。この反応空間１０４の一定領域では、一定条件下でプラズマ１１０が形成される。同図では、まるでプラズマチャンバ１００の下部で反応空間１０４が開放されたかのように示されているが、これは、図示の簡略化のためのもので、実際にはプラズマチャンバ１００の下部も外部と遮断されているため、プラズマチャンバ１００の内部は真空状態を維持できる。プラズマチャンバ１００の下部には、ウエハ受け台１０６が配置され、処理すべき半導体ウエハ１０８がウエハ受け台１０６の上部面の上に安置される。ウエハ受け台１０６は、外部のＲＦ電源１１６と接続される。図示してはいないが、ウエハ受け台１０６内にはヒータが配置されても良い。
【０００５】
ドーム１１２の外側表面には、プラズマ１１０の形成のためのプラズマソース２００が配置される。このプラズマソース２００は、図２に示すように、複数個、例えば、４個の第１乃至第４単位コイル１３１，１３２，１３３，１３４と、ブシング１２０とを備えて構成される。具体的に、ブシング１２０が中心に配置され、第１乃至第４単位コイル１３１，１３２，１３３，１３４がブシング１２０から延びてブシング１２０の外周を螺旋状に巻く。ここでは４個の単位コイルが例示されたが、４個に限定されず、より少なくしても多くしても良いことは当然である。ブシング１２０の中央には、ブシング１２０の上部面から垂直方向に突出する支持棒１４０が配置される。支持棒１４０は、ＲＦ電源１１４の一端子に接続される。ＲＦ電源１１４の他端子は接地される。ＲＦ電源１１４からのパワーは、支持棒１４０及びブシング１２０を通ってそれぞれ第１乃至第４単位コイル１３１，１３２，１３３，１３４に供給される。
【０００６】
このような従来のプラズマソース２００は、ブシング１２０から延びてブシング１２０の外周を取り囲む円形の構造を持つ。このような円形の構造から、下記の数学式１によって示される強度の磁界を形成する。
【０００７】
【数１】
2008516461.tif 000003
上記の数学式１において、Ｂは磁束密度を、∇はデル演算子を、Ｅは電界の強度を表す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このようなマクスウェル方程式による磁界の形成は、円形構造の大部分のプラズマソースに適用されるが、このようなプラズマソースは、中心から縁部に至るまで径方向への磁界偏差が発生し、その結果、特に中心と縁部でのＣＤ（限界寸法）の調節と均一なエッチング率の獲得が困難であるという問題があった。
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するためのもので、その目的は、方位角の電界分布及び放射状の電界分布がいずれも対称となるようにすることによって、プラズマチャンバ内で均一なプラズマ分布が形成されるようにするプラズマソースを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個のソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００１１】
前記複数コイルは、相互対称に配置されることが好ましい。
前記各複数コイルは、前記ブシングと連結される部分から縁に至るまで厚さが一定でなくても良い。
【００１２】
前記反応チャンバの上部縁で前記ブシングと一定間隔を維持しながら前記ブシングを取り囲み、前記複数個の単位コイルを全て連結するように円形に配置される縁部ソースコイルをさらに備えることができる。
【００１３】
この場合、前記ブシングと前記縁部ソースコイルとの間で前記ブシングと一定間隔を維持しながら前記ブシングを取り囲む円形に配置され、前記複数個の単位コイルを全て連結する中間ソースコイルを少なくとも１つさらに備えても良い。
【００１４】
本発明の他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、前記ブシングを取り囲む第１領域内で前記ブシングから延びて前記第１領域の縁に至るまで径方向に沿って配置され、上部に向かって曲がる形状にされる複数個の第１ソースコイルと、前記第１領域を取り囲む第２領域内で前記第１ソースコイルから延びて前記第２領域の縁に至るまで螺旋状に配置される複数個の第２ソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個のソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中心点から前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個のソースコイルと、前記反応チャンバの上部縁で前記複数個のソースコイルの端部を全て連結する円形の縁部ソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００１７】
本実施例において、前記縁部ソースコイル内で前記縁部ソースコイルと一定の距離を維持しながら円形に配置されて前記ソースコイルを全て連結する中間ソースコイルを少なくとも１つさらに備えることが好ましい。
【００１８】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央に配置され、相対的に広い面積を持ちながら下部に配置される第１部分と、前記第１部分の上部面で相対的に狭い面積を持つ第２部分とからなる導電性材質のブシングと、前記ブシングの第１部分から延びて前記反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個のソースコイルと、前記反応チャンバの上部縁で前記ソースコイルの端部を全て連結する円形の縁部ソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００１９】
前記ブシングの第１部分は、底から前記第２部分と接する部分に向かって面積が次第に減少することが好ましい。
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、前記ブシングを取り囲む少なくとも１つの中間ソースコイルと、前記ブシングから延びて前記中間ソースコイルに至るまで線状に配置される複数個の第１線状ソースコイルと、前記中間ソースコイルを取り囲む縁部ソースコイルと、前記第１線状ソースコイルから延びて前記縁部ソースコイルに至るまで線状に配置される複数個の第２線状ソースコイルとを備えてなり、前記中間ソースコイル及び第１線状ソースコイルと、前記縁部ソースコイル及び第２線状ソースコイルとの材質が異なることを特徴とする。
【００２０】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、前記ブシングを取り囲む縁部ソースコイルと、前記ブシングから延びて前記縁部ソースコイルに至るまで線状に配置される複数個の線状ソースコイルを備えてなり、前記ブシングの材質と、前記縁部ソースコイル及び線状ソースコイルとの材質が異なることを特徴とする。
【００２１】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシングと、前記ブシングから延び、前記ブシングと第１間隔で離れて前記ブシングを取り囲む第１領域に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の第１ソースコイルと、前記第１ソースコイルから延び、前記第１領域と第２間隔で離れて前記第１領域を取り囲む第２領域に至るまで螺旋状に配置される複数個の第２ソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央で垂直方向に配置されて、前記反応チャンバと相対的に遠く離れて配置される上部面と、前記反応チャンバと相対的に近くに配置される下部面を持つ柱状の導電性ブシングと、前
記ブシングの上部面と同平面上で、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の上部ソースコイルと、前記ブシングの下部面と同平面上で、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の下部ソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００２３】
本実施例において、前記ブシングの上部面と同平面上で、前記上部ソースコイルの端部を連結する上部縁部ソースコイルと、前記ブシングの下部面と同平面上で、前記下部ソースコイルの端部を連結する下部縁部ソースコイルと、前記上部縁部ソースコイルと前記下部縁部ソースコイルとを垂直方向に連結する垂直ソースコイルと、をさらに備えることを特徴とする。
【００２４】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバの上部中央で垂直方向に配置されて、前記反応チャンバと相対的に遠く離れて配置される上部面と、前記反応チャンバと相対的に近くに配置される下部面とを持つ柱状の導電性ブシングと、前記ブシングの上部面と同平面上で、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個の上部ソースコイルと、前記ブシングの下部面と同平面上で、前記ブシングから延びて前記反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個の下部ソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００２５】
本実施例において、前記ブシングの上部面と同平面上で、前記上部ソースコイルの端部を全て連結するように円形に配置される上縁部ソースコイルと、前記ブシングの上部面と同平面上で、前記ブシングと前記上縁部ソースコイルとの間に配置される少なくとも１つの中間上部ソースコイルと、前記ブシングの下部面と同平面上で、前記下部ソースコイルの端部を全て連結するように円形に配置される下縁部ソースコイルと、前記ブシングの下部面と同平面上で、前記ブシングと前記下縁部ソースコイルとの間に配置される少なくとも１つの中間下部ソースコイルと、前記上縁部ソースコイル及び前記下縁部ソースコイルを垂直方向に相互連結する垂直ソースコイルと、をさらに備えることが好ましい。
【００２６】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、半導体ウエハが処理される反応チャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、前記反応チャンバから相対的に遠く離れた上部平面上に配置される導電性の上部ブシングと、前記上部ブシングから延び、前記上部ブシングから第１間隔で離れた第１領域に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の第１上部ソースコイルと、前記上部平面上で前記第１上部ソースコイルから延び、前記第１領域と第２間隔で離れて前記第１領域を取り囲む第２領域に至るまで螺旋状に配置される複数個の第２上部ソースコイルと、前記上部平面上で前記第２上部ソースコイルの端部を相互連結する上縁部ソースコイルと、前記反応チャンバと相対的に近くに位置する下部平面上に配置される導電性の下部ブシングと、前記下部ブシングから延び、前記下部ブシングから第３間隔で離れた第３領域に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の第１下部ソースコイルと、前記下部平面上で前記第１下部ソースコイルから延び、前記第３領域と第４間隔で離れて前記第３領域を取り囲む第４領域に至るまで螺旋状に配置される複数個の第２下部ソースコイルと、前記下部平面上で前記第２下部ソースコイルの端部を相互連結する下縁部ソースコイルと、前記上縁部ソースコイル及び前記下縁部ソースコイルを垂直方向に相互連結する垂直ソースコイルと、を備えることを特徴とする。
【００２７】
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、プラズマチャンバの上部に配置されて前記プラズマチャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、中央に配置されるブシングと、前記ブシングから放射方向にストライプ型に長く配置される複数個の導電体と、を備えることを特徴とする。
【００２８】
前記導電体は、相互対称に配置されることが好ましい。
前記ブシングは、導電性材質からなることが好ましい。
前記導電体は、前記ブシングから遠ざかるほど厚さが次第に増加することが好ましい。
【００２９】
前記導電体は、前記ブシングから遠ざかるほど厚さが次第に減少することが好ましい。
本発明のさらに他の実施例に係るプラズマソースは、プラズマチャンバの上部に配置されて前記プラズマチャンバ内にプラズマを形成させるプラズマソースであって、中央に配置されるブシングと、前記ブシングから放射方向に長く曲がったストライプ型に配置される複数個の導電体と、を備えることを特徴とする。
【００３０】
前記導電体は、相互対称に配置されることが好ましい。
前記ブシングは、導電性材質からなることが好ましい。
前記導電体は、Ｓ字形またはＷ字形の形状を持つことが好ましい。
【００３１】
前記導電体は、前記ブシングから遠ざかるほど厚さが次第に増加することが好ましい。
前記導電体は、前記ブシングから遠ざかるほど厚さが次第に減少することが好ましい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によるプラズマソースは、非円形構造、すなわち、線状構造のソースコイルを備えるため、中心から縁に至るまで径方向への磁界偏差が発生しないようにすることができ、その結果、中心と縁でのＣＤ（限界寸法）の調節と均一なエッチング率の獲得が容易になる。また、中央のブシングから放射方向に延在する導電体が、ストライプ型（ライン型）に配置される、または、曲がったストライプ型（ライン型）に配置されるため、円形に誘起される磁界が形成され、これにより、方位角の電界分布及び放射状の電界分布を均一にすることができ、結果として方位角の均一な電界分布及び放射状の均一な電界分布によって向上した選択比及び均一なＣＤ分布を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図３は、本発明の第１実施例によるプラズマソースを示す平面図であり、図４は、図３のプラズマソースを切断して示す断面図である。
図３及び図４を参照すると、本発明の第１実施例によるプラズマソース２１０は、ブシング２１１と、中間ソースコイル２１３、縁部ソースコイル２１４、及び複数個の線状ソースコイル２１２で構成される。ブシング２１１は導電性材質からなり、図示してはいないが、反応チャンバの上部中央に配置される。ブシング２１１の中央には、突出部２１１−１が配置され、外部のＲＦ電源（図示せず）からのＲＦパワーをブシング２１１に伝達する。線状ソースコイル２１２は、ブシング２１１の外周から延びて反応チャンバの上部縁に至るまで線状に配置される。ブシング２１１と線状ソースコイル２１２が電気的に相互接続されているので、ブシング２１１を通って伝達されるＲＦパワーは、線状ソースコイル２１２にも伝達される。線状ソースコイル２１２は、相互対称に配置されるが、場合によって、すなわち、プラズマの分布変化のためには対称にしなくても良い。縁部ソースコイル２１４は、反応チャンバの上部縁でブシング２１１と一定間隔を維持しながらブシング２１１を取り囲むように配置される。この縁部ソースコイル２１４は、放射ソースコイル２１２の端部を全て連結し、このため、円形に配置されるのが一般的である。そして、中間ソースコイル２１３は、ブシング２１１と縁部ソースコイル２１４との間に配置され、縁部ソースコイル２１４と同様に、ブシング２１１と一定間隔を維持しながらブシング２１１を取り囲む円形に配置される。この中間ソースコイル２１３も同様に、線状単位コイル２１２を全て連結する。したがって、線状単位コイル２１２は中間ソースコイル２１３によって連結されると同時に、縁部ソースコイル２１２によって連結される。
【００３４】
このような本実施例によるプラズマソース２１０は、ブシング２１１から延びて縁部に至るまで線状の構造を持つ線状ソースコイル２１２を備える。このような線状の構造によって下記の数学式２による磁界の強度が形成される。
【００３５】
【数２】
2008516461.tif 000004
上記数学式２で、Ｂは磁束密度を、・O は透磁率を、Ｉは電流を、ｒは単位ベクトルを、Ｒは距離をそれぞれ表す。
【００３６】
このような線状構造による磁界の形成は、中心から縁に至るまで径方向への磁界偏差の発生を防止することができ、その結果、中心と縁でのＣＤ（限界寸法）の調節と均一なエッチング率の獲得が容易となる。
【００３７】
図５は、本発明の第２実施例によるプラズマソースを示す平面図であり、図６は、図５のプラズマソースを切断して示す断面図である。
図５及び図６を参照すると、本発明の第２実施例によるプラズマソース２２０は、ブシング２２１と、第１ソースコイル２２２，２２３，２２４と、第２ソースコイル２２５，２２６，２２７と、縁部ソースコイル２２８とから構成される。ブシング２２１は、反応チャンバの上部中央に配置される。本実施例によるプラズマソース２２０においても、ブシング２２２は導電性材質からなり、これは、以降の他の実施例においても同様に適用される。第１ソースコイル２２２，２２３，２２４は、ブシング２２１を取り囲む円形の第１領域Ａ内に配置され、第２ソースコイル２２５，２２６，２２７は、第１領域Ａとこの第１領域Ａを取り囲む円形の縁部ソースコイル２２８との間に配置される。具体的に、第１ソースコイル２２２，２２３，２２４は、第１領域Ａ内においてブシング２２１から延びて第１領域Ａに至るまで径方向に配置され、また、上部に向かって曲がる形状とされる。第２ソースコイル２２５，２２６，２２７は、第１領域Ａと縁部ソースコイル２２８との間で第１ソースコイル２２２，２２３，２２４から延びて縁部ソースコイル２２８に至るまで螺旋状に配置される。縁部ソースコイル２２８は、第２ソースコイル２２５，２２６，２２７の端部を全て連結する。
【００３８】
このような本実施例によるプラズマソース２２０も、ブシング２２１から延びて第１領域Ａに至るまで線状の構造を持つ第１ソースコイル２２２，２２３，２２４を備え、このような線状の構造によって上記数学式２による磁界の強度が形成される。このような線状の構造による磁界の形成は、中心から少なくとも第１領域Ａに至るまでは径方向への磁界偏差が発生しないようにすることができ、その結果、第１領域Ａの大きさを調節することによって中心と縁間の一定領域でのＣＤ（限界寸法）の調節と均一なエッチング率の獲得が容易になる。
【００３９】
図７は、本発明の第３実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図７を参照すると、本発明の第３実施例によるプラズマソース２３０は、ブシング２３１を持つバー形状のソースコイル２３２を備えてなる。具体的に、反応チャンバの上部中央にブシング２３１が配置され、縁部ソースコイル２３３がブシング２３１から一定間隔離れて円形に配置される。ここでは、ブシング２３１と縁部ソースコイル２３３とも円形にしたが、他の形状にしても良いことは当然である。複数個のソースコイル２３２は、ブシング２３１から分枝されて縁部ソースコイル２３３に至るまで線状に配置されるバー形状を持つ。
【００４０】
図８は、本発明の第４実施例によるプラズマソースを示す平面図であり、図９は、図８
のプラズマソースの中心からの距離によるコイル厚の変化を示すグラフである。図８において、図７と同一の参照符号は同一の要素を表す。
【００４１】
まず、図８を参照すると、ブシング２３１から縁部ソースコイル２３３に至るまで線状に配置される複数個のソースコイル２３２の厚さは、ブシング２３１と連結される部分から縁部ソースコイル２３３に至るまで一定でない。例えば、ブシング２３１に近付くほど厚さが増加し、ブシング２３１から遠ざかるほど、すなわち、縁部ソースコイル２３３に近付くほど厚さが次第に減少する。すなわち、図９に示すように、複数個のソースコイル２３２の厚さは、中心からの距離に関らずに一定であっても良く（４１０参照）、中心からの距離が大きくなるほど厚さが増加しても良く（４２０参照）、中心からの距離が大きくなるほど厚さが減少しても良い（４３０参照）。ソースコイル２３２の厚さ変化は電流密度を変化させ、結果としてプラズマ密度にも影響する。したがって、ソースコイル２３２の厚さを変化させることによって希望する大きさのプラズマ密度を得ることができ、プラズマ密度の不均一性を解消できる。
【００４２】
図１０は、本発明の第５実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図１０を参照すると、本発明の第５実施例によるプラズマソース２４０は、反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシング２４１と、このブシング２４１から延びて反応チャンバの縁に至るまで、屈曲を持つ波状に配置される複数個の放射ソースコイル２４３とを備える。この場合、放射ソースコイル２４３の端部は縁部ソースコイル２４２によって相互連結される。ブシング２４１から縁部ソースコイル２４２に至るまで、放射ソースコイル２４３は整数倍の波長を持つ波状に配置されることが好ましい。
【００４３】
図１１は、本発明の第６実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図１１を参照すると、本発明の第６実施例によるプラズマソース２５０は、反応チャンバの上部中心点から反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個の放射ソースコイル２５３と、反応チャンバの上部縁で放射ソースコイル２５３の端部を全て連結する円形の縁部ソースコイル２５２と、を備える。また、中心点と縁部ソースコイル２５２との間で複数個のソースコイル２５３を全て連結する円形の中間ソースコイル２５１も備える。中心点から中間ソースコイル２５１までの距離は、中間ソースコイル２５１から縁部ソースコイル２５２までの距離よりも小さくする。
【００４４】
図１２は、本発明の第７実施例によるプラズマソースを示す平面図であり、図１３は、図１２のプラズマソースを切断して示す断面図である。
図１２及び図１３を参照すると、本発明の第７実施例によるプラズマソース２６０は、反応チャンバの上部中央に配置されるブシング２６１と、このブシング２６１を取り囲む円形の縁部ソースコイル２６２と、ブシング２６１と縁部ソースコイル２６２との間に配置される複数個の放射ソースコイル２６３とを備えてなる。ブシング２６１は、相対的に広い面積を持ちながら下部に配置される第１部分２６１ａと、第１部分２６１ａの上部面で相対的に狭い面積を持つ第２部分２６１ｂとからなる。特に、下部に配置される第１部分２６１ａの断面は一定でなく変化されるが、一例として、中央でのプラズマ密度を減少させるためには、下部から上部へ行くほど断面積が次第に減少ようにする。放射ソースコイル２６３は、ブシング２６１の第１部分２６１ａから延びて縁部ソースコイル２６３に至るまで屈曲を持つ波状に配置され、特にブシング２６１の中心点から縁部ソースコイル２６３に至って線状に配置される線（点線）を中心軸とする一定波長の波状に配置される。これらの放射ソースコイル２６３の端部は、縁部ソースコイル２６３によって相互連結される。
【００４５】
図１４は、本発明の第８実施例によるプラズマソースを示す平面図であり、図１５は、図１４のプラズマソースを切断して示す断面図である。
図１４及び図１５を参照すると、本発明の第８実施例によるプラズマソース２７０は、図１２及び図１３に示すプラズマソース２６０と略同様である。具体的には、ブシング２７１の形態と複数個の放射ソースコイル２７３の波長数のみが異なり、縁部ソースコイル２７２の配置などの他の構成は第８実施例と同様である。本実施例によるプラズマソース２７０において、ブシング２７１は、中央に突出部２７１−１が配置されて外部のＲＦ電源（図示せず）からのＲＦパワーをブシング２７１に伝達し、垂直方向への断面積の変化はない。また、本実施例によるプラズマソース２７０において、放射ソースコイル２７３の波長は３／２波長で、１波長である図１２のプラズマソース２６０の放射ソースコイル２６３とは異なる波長を持つ。
【００４６】
図１６は、本発明の第９実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図１６を参照すると、本発明の第９実施例によるプラズマソース２８０は、反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシング２８１と、このブシング２８１を取り囲む少なくとも１つの中間ソースコイル２８２と、ブシング２８１から延びて中間ソースコイル２８２に至るまで線状に配置される複数個の第１線状ソースコイル２８４ａと、中間ソースコイル２８２を取り囲む縁部ソースコイル２８３と、第１線状ソースコイル２８４ａから延びて縁部ソースコイル２８３に至るまで線状に配置される複数個の第２線状ソースコイル２８４ｂとを備える。
【００４７】
ブシング２８１、中間ソースコイル２８２、縁部ソースコイル２８３、第１線状ソースコイル２８４ａ及び第２線状ソースコイル２８４ｂはいずれも導電性材質からなるが、完全同一な材質からなるのではない。すなわち、中間ソースコイル２８２及び第１線状ソースコイル２８４ａは第１導電性物質からなり、縁部ソースコイル２８３及び第２線状ソースコイル２８４ｂは第２導電性物質からなる。このように、第１導電性物質と第２導電性物質の相異なる伝導度によって反応チャンバの中心部と縁におけるプラズマ密度が変化可能である。したがって、希望するプラズマの分布に応じて第１導電性物質及び第２導電性物質を具体的に決定すれば良い。
【００４８】
図１７は、本発明の第１０実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図１７を参照すると、本発明の第１０実施例によるプラズマソース２９０は、反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシング２９１と、ブシング２９１を取り囲む縁部ソースコイル２９２と、ブシング２９１から延びて縁部ソースコイル２９２に至るまで線状に配置される複数個の線状ソースコイル２９３とを備える。ブシング２９１は第１導電性材質からなり、縁部ソースコイル２９２及び線状ソースコイル２９３は第２導電性材質からなる。この場合にも、希望するプラズマの分布に応じて第１導電性物質及び第２導電性物質を具体的に決定すれば良い。
【００４９】
図１８は、本発明の第１１実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図１８を参照すると、本発明の第１１実施例によるプラズマソース３００は、反応チャンバの上部中央に配置される導電性材質のブシング３０１と、このブシング３０１と第１間隔で離れてブシング３０１を取り囲む円形の第１領域Ｂに至るまでブシング３０１から延在する複数個の第１ソースコイル３０２と、第１領域Ｂを取り囲む縁部ソースコイル３０３と、第１領域Ｂから縁部ソースコイル３０３に至るまで第１ソースコイル３０２から延在する複数個の第２ソースコイル３０４とを備えてなる。第１ソースコイル３０２は波状に配置され、第２ソースコイル３０４は螺旋状に配置される。
【００５０】
図１９は、本発明の第１２実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図１９を参照すると、本発明の第１２実施例によるプラズマソース３１０は、反応チャンバの上部中央で垂直方向に配置され、反応チャンバから相対的に遠く離れて配置される上部面３１１ａと、反応チャンバと相対的に近くに配置される下部面３１１ｂを持つ柱状
の導電性ブシング３１１を備える。このブシング３１１の上部面３１１ａと同平面上には、ブシング３１１から延びて反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の上部ソースコイル３１３ａが備えられる。これら複数個の上部ソースコイル３１３ａの端部は、上縁部ソースコイル３１２ａによって相互連結される。ブシング３１１の下部面３１１ｂと同平面上にも、ブシング３１１から延びて反応チャンバの縁に至るまで屈曲を持つ波状に配置される複数個の下部ソースコイル３１３ｂが備えられる。これら複数個の下部ソースコイル３１３ｂの端部も下縁部ソースコイル３１２ｂによって相互連結される。上縁部ソースコイル３１３ａと下縁部ソースコイル３１３ｂは、反応チャンバの上部面に対して垂直方向に配置される垂直ソースコイル３１４によって相互連結される。
【００５１】
図２０は本発明の第１３実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図２０を参照すると、本発明の第１３実施例によるプラズマソース３２０は、反応チャンバの上部中央で垂直方向に配置され、反応チャンバと相対的に遠く離隔される上部面３２１ａと、反応チャンバと相対的に近くに配置される下部面３２１ｂとを持つ柱状の導電性ブシング３２１を備える。このブシング３２１の上部面３２１ａと同平面上には、ブシング３２１から延びて反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個の上部線状ソースコイル３２４ａが備えられる。複数個の上部線状ソースコイル３２４ａの端部は、反応チャンバの上部縁に配置される円形の上縁部ソースコイル３２３ａによって相互連結される。また、複数個の上部線状ソースコイル３２４ａは、ブシング３２１と上縁部ソースコイル３２３ａとの間に配置される円形の中間上部ソースコイル３２２ａによっても相互連結される。
【００５２】
ブシング３２１の下部面３２１ｂと同平面上には、ブシング３２１から延びて反応チャンバの縁に至るまで線状に配置される複数個の下部線状ソースコイル３２４ｂが備えられる。複数個の下部線状ソースコイル３２４ｂの端部も、反応チャンバの下部縁部に配置される円形の下縁部ソースコイル３２３ｂによって相互連結される。また、複数個の下部線状ソースコイル３２４ｂは、ブシング３２１と下縁部ソースコイル３２３ｂとの間に配置される円形の中間下部ソースコイル３２２ｂによっても相互連結される。上縁部ソースコイル３２３ａと下縁部ソースコイル３２３ｂは、反応チャンバの上部面に対して垂直方向に配置される垂直ソースコイル３２５によって相互連結される。
【００５３】
図２１は、本発明の第１４実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
図２１を参照すると、本発明の第１４実施例によるプラズマソース３３０は、反応チャンバから相対的に遠く離れた上部平面上に配置される導電性の上部ブシング３３１ａと、反応チャンバから相対的に近くに位置する下部平面上に配置される導電性の下部ブシング３３１ｂとを備える。すなわち、上部ブシング３３１ａと下部ブシング３３１ｂは垂直方向に相互隔たって配置される。
【００５４】
上部ブシング３３１ａの配置される上部平面上には、上部ブシング３３１ａから延びる複数個の第１上部ソースコイル３３２ａが配置され、これらの第１上部ソースコイル３３２ａは、上部ブシング３３１ａから第１間隔で離れる第１領域Ｃ１に至るまで、屈曲を持つ波状に配置される。また、上部平面上には、複数個の第２上部ソースコイル３３４ａが、第１上部ソースコイル３３２ａから延びて、第１領域Ｃ１と第２間隔で離れて第１領域Ｃ１を取り囲む第２領域に至るまで螺旋状に配置される。上縁部ソースコイル３３３ａは、上部平面上で第２上部ソースコイル３３４ａの端部を相互連結するように周縁に沿って配置される。
【００５５】
下部ブシング３３１ｂの配置される下部平面上には、下部ブシング３３１ｂから延びる複数個の第１下部ソースコイル３３２ｂが配置され、これらの第１下部ソースコイル３３２ｂは、下部ブシング３３１ｂから第３間隔で離隔される第３領域Ｃ２に至るまで屈曲を
持つ波状に配置される。また、下部平面上には、複数個の第２下部ソースコイル３３４ｂが第１下部ソースコイル３３２ｂから延びて、第３領域Ｃ２と第４間隔で離れて第３領域Ｃ２を取り囲む第４領域に至るまで螺旋状に配置される。下縁部ソースコイル３３３ｂは、下部平面上で第２下部ソースコイル３３４ｂの端部を相互連結するように周縁に沿って配置される。上縁部ソースコイル３３３ａと下縁部ソースコイル３３３ｂは、反応チャンバの上部面に対して垂直方向に配置される垂直ソースコイル３３５によって相互連結される。
【００５６】
図２２乃至図２７は、本発明の第１５実施例によるプラズマソースの様々な例を示す平面図である。本実施例によるプラズマソースは、縁部ソースコイルが存在しない点が、上記の第１乃至第１４実施例によるプラズマソースと異なる。
【００５７】
まず、図２２を参照すると、本例によるプラズマソース３４０は、中央に配置されるブシング３４１及びブシング３４１から放射方向に長く延在される複数個の導電体３４２を備えてなる。ブシング３４１は導電性材質からなり、図示してはいないが、外部のＲＦ電源（図示せず）と連結される。導電体３４２はそれぞれ放射方向にストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）型に配置され、一定の厚さ（ｄ１）を持つ。これらの導電体３４２は相互対称に配置されることが好ましく、この場合、導電体３４２の個数は偶数とするが、必ずしもこれに限定されるわけではない。また、図示してはいないが、導電体３４２の断面形状は特に限定されず、例えば、円形や多角形の形状にすると良い。
【００５８】
このような構造のプラズマソース３４０は、コイルを採用する従来のプラズマソースとは違い、円形に誘起される磁界を形成し、これにより、方位角の電界分布及び放射状の電界分布を均一にすることができる。方位角の均一な電界分布及び放射状の均一な電界分布によって、向上した選択比及び均一なＣＤ分布を得ることができる。
【００５９】
次に、図２３に示す例によるプラズマソース３５０は、中央に配置されるブシング３５１と、ブシング３５１から放射方向に長く延在する複数個の導電体３５２とを備えてなる。図２２のプラズマソース３４０と違い、このプラズマソース３５０は、導電体３５２の厚さ（ｄ２）が一定でない。すなわち、ブシング３５１から放射方向に遠ざかるほど導電体３５２の厚さ（ｄ２）が次第に増加する。これは、導電体３５２の厚さ（ｄ２）変化によって形成される電界の強度を変化させることによって、プラズマ密度も変化させるための工夫で、厚さの変化度合は、本例によるプラズマソース３５０を採用するプラズマチャンバ内で行われる工程応用分野によって決定される。例えば、ブシング３５１に隣接する部分から相対的に薄い厚さ（ｄ２）を有し、ブシング３５１から遠ざかるほど相対的に厚い厚さ（ｄ２）を持つので、ブシング２１０から遠ざかるほど電界の強度は減少し、したがって、中心部よりも周縁部におけるプラズマ密度の減少が要求される工程で採用可能である。
【００６０】
次に、図２４を参照すると、本例によるプラズマソース３６０は、中央に配置されるブシング３６１と、ブシング３６１から放射方向に長く延在される複数個の導電体３６２とを備えてなる。図２２のプラズマソース３４０と違い、このプラズマソース３６０は、導電体３６２の厚さ（ｄ３）が一定でない。すなわち、図２３のプラズマソース３５０がブシング３５１から放射方向に遠ざかるほど導電体３５２の厚さ（ｄ２）が次第に増加したのに対し、このプラズマソース３６０は、ブシング３６１から放射方向に遠ざかるほど導電体３６２の厚さ（ｄ３）が次第に減少する。これは、導電体３６２の厚さ（ｄ３）変化によって形成される電界の強度を変化させることによって、プラズマ密度も変化させるための工夫で、厚さの変化度合は、本例によるプラズマソース３６０を採用するプラズマチャンバ内で行われる工程応用分野によって決定される。例えば、ブシング３６１と近接した部分で相対的に厚い厚さ（ｄ３）を有し、ブシング３６１から遠ざかるほど相対的に薄
い厚さ（ｄ３）を持つので、ブシング３６１から遠ざかるほど電界の強度は増加し、したがって、周縁部よりは中心部でのプラズマ密度の減少が要求される工程で採用可能である。
【００６１】
次に、図２５乃至図２７を参照すると、本例によるプラズマソース３７０，３８０，３９０は、中央に配置されるブシング３７１，３８１，３９１と、ブシング３７１，３８１，３９１から放射方向に延在する複数個の導電体３７２，３８２，３９２とそれぞれ備えてなる。図２２乃至図２４のプラズマソース３４０，３５０，３６０では導電体３４２，３５２，３６２がストライプ型またはライン型に配置されるのに対し、本実施例によるプラズマソース３７０，３８０，３９０では導電体３７２，３８２，３９２が湾曲したストライプ型または湾曲したライン型に配置される。
【００６２】
図２５のプラズマソース３７０は、導電体３７２が４個である場合、図２６のプラズマソース３８０は、導電体３８２が６個である場合、図２７のプラズマソース３９０は導電体３９２が８個である場合である。これに限定されず、より多い数の導電体が相互対称に配置されても良い。導電体３７２，３８２，３９２の曲がる度合も限定されることはなく、例えば、図面に例示されているように、Ｓ字状またはＷ字状に配置される。
【００６３】
本例によるプラズマソースら３７０，３８０，３９０において、導電体３７２，３８２，３９２の厚さは一定であっても、一定でなくても良い。一定でない場合、ブシング３７１，３８１，３９１から遠ざかるほど次第に厚さが増加しても良く、逆に、ブシング３７１，３８１，３９１から遠ざかるほど次第に厚さが減少しても良い。これは、上述したように、行おうとする工程応用分野に応じて決定すれば良い。
【産業上の上利用可能性】
【００６４】
本発明は、プラズマを用いるプラズマチャンバを使用する半導体及びこれに類似する分野の装置及び工程に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】従来のプラズマソースを備えるプラズマチャンバを概略的に示す断面図である。
【図２】図１の従来のプラズマソースを示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図４】図３のプラズマソースを切断して示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図６】図５のプラズマソースを切断して示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図８】本発明の第４実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図９】図８のプラズマソースの中心からの距離によるコイル厚さの変化を示すグラフである。
【図１０】本発明の第５実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図１１】本発明の第６実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図１２】本発明の第７実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図１３】図１２のプラズマソースを切断して示す断面図である。
【図１４】本発明の第８実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図１５】図１４のプラズマソースを切断して示す断面図である。
【図１６】本発明の第９実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図１７】本発明の第１０実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図１８】本発明の第１１実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図１９】本発明の第１２実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図２０】本発明の第１３実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図２１】本発明の第１４実施例によるプラズマソースを示す平面図である。
【図２２】本発明の第１５実施例によるプラズマソースの様々な例を示す平面図である。
【図２３】本発明の第１５実施例によるプラズマソースの様々な例を示す平面図である。
【図２４】本発明の第１５実施例によるプラズマソースの様々な例を示す平面図である。
【図２５】本発明の第１５実施例によるプラズマソースの様々な例を示す平面図である。
【図２６】本発明の第１５実施例によるプラズマソースの様々な例を示す平面図である。
【図２７】本発明の第１５実施例によるプラズマソースの様々な例を示す平面図である。
【図１】
2008516461.tif 000005
【図２】
2008516461.tif 000006
【図３】
2008516461.tif 000007
【図４】
2008516461.tif 000008
【図５】
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【図６】
2008516461.tif 000010
【図７】
2008516461.tif 000011
【図８】
2008516461.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【国際調査報告】
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