【事件の表示】
　特許第２８６８１６６号「ガーネット結晶膜およびその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８６８１６６号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１、手続の経緯
　本件特許第２８６８１６６号は、平成４年５月２９日に特許出願され、平成１０年１２月２５日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがあり、取消理由が通知されたところ、その指定期間内である平成１２年２月８日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正事項
訂正事項ａ．特許請求の範囲の請求項１において「液晶エピタキシャル法」とあるのを「液相エピタキシャル法」と訂正する。
訂正事項ｂ．特許請求の範囲の請求項２において「液晶エピタキシャル法」とあるのを「液相エピタキシャル法」と訂正する。　
訂正事項ｃ．
　特許明細書の段落２５（特許公報第５頁左欄下１２行）において「液晶エピタキシャル法で育成された」とあるのを「液相エピタキシャル法で育成された」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許明細書の発明の詳細な説明において、「液相エピタキシャル法」、「液相エピタキシャル条件」の記載がされているのに対して、液晶に関する説明はなく、その技術的意味から見ても上記訂正事項ａ〜ｃ中の「液晶」の記載は「液相」と記載すべきことが明らかであるから、上記訂正事項ａ〜ｃは誤記の訂正を目的とするものといえる。
　また、上記訂正事項ａ〜ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであるし、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではないし、全文訂正明細書に記載された請求項１〜３に係る発明は、後記３に記載したものから明らかなように独立して特許を受けることができるものである。
　したがって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
ア、請求項１に係る発明
  訂正明細書の請求項１〜２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「請求項１　液相エピタキシャル法で育成された膜厚５０μｍ以上のガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差△ａの値が、ガーネット結晶膜内外の全ての点−０．００１Å＞△ａ＞−０．００４Åであることを特徴とするガーネット結晶膜。
請求項２　液相エピタキシャル法により基板結晶上に膜厚５０μｍ以上のガーネット結晶膜を製造するに際し、結晶育成の前に基板結晶の格子定数を測定し、ガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数の差△ａ値がガーネット結晶膜内外の全ての点で−０．００１Å＞△ａ＞−０．００４Åとなるように、液相エピタキシャル条件を制御することを特徴とするガーネット結晶膜の製造方法。」
イ、申立ての理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１号証（「機能材料」、１９８７年１０月号、１３〜２０頁）を提出して、本件請求項１〜２に係る発明は、甲第１号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると主張をしている。
ウ、対比・判断
ウ−１、本件請求項１について 
　甲第１号証には、液相エピタキシャル成長法を利用した、光アイソレータの主要構成材料であるファラデー回転子用ガーネット厚膜の製造に関する記載があり、具体的には、「２００μｍ以上のガーネット厚膜育成の際大型ピットを排除するのには以下のことに留意すればよいことがわかった。・・・ＬＰＥ法によって厚膜を育成する場合、育成温度における膜と格子定数差による格子の歪が原因と考えられる反りや割れといった現象がみられる。」（第１５頁左欄１３〜２１行）、「室温で薄膜と基板の格子定数がマッチングするような温度で育成しても厚膜にすると室温にもどっても反る現象が見られる。薄膜でΔａ＝１．５〜３．０×１０−３Å（Δａ＝ａｓ−ａｆ：ａｓ，ａｆはそれぞれ基板、膜の室温での格子定数）となる条件で育成すると室温で反りのない厚膜が得られることがわかった。Δａ＝０の状態で厚膜を育成すると基板側に反ってしまう。これらのことを考慮して育成の最適化を行ない、反りのない結晶性のよい厚膜が得られる。」（第１５頁右欄下１０〜下２行）ことが記載されている。
　そこで、本件請求項１に係る発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者は、「液相エピタキシャル法で育成されたガーネット結晶の厚膜」である点で一致するが、本件請求項１に係る発明では、その膜厚を５０μｍ以上に特定すると共に、膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差△ａの値について、「ガーネット結晶膜内外の全ての点−０．００１Å＞△ａ＞−０．００４Åである」ものに限定しているのに対して、甲第１号証では、「薄膜でΔａ＝１．５〜３．０×１０−３Å（Δａ＝ａｓ−ａｆ：ａｓ，ａｆはそれぞれ基板、膜の室温での格子定数）となる条件で育成」された厚膜であることを特定している点で相違している。
　以下、上記相違点について検討する。
　甲第１号証記載の上記「Δａ＝１．５〜３．０×１０−３Å（Δａ＝ａｓ−ａｆ：ａｓ，ａｆはそれぞれ基板、膜の室温での格子定数）」とは、格子定数と基板結晶の格子定数との差△ａの値としては、本件請求項１における「−０．００１Å＞△ａ＞−０．００４Å」に含まれるから、この数値自体は相違しないものである。しかし、甲第１号証では、「薄膜で」その数値となる条件で育成されたとしているにとどまり、該Δａの特定は、厚膜中の任意の点での格子定数と基板結晶の格子定数との差を規定するものではない点で本件請求項１に係る発明の上記特定とは実質的に相違するものである。
　そして、薄膜を育成するときに、その薄膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差△ａが−０．００１５Å＞△ａ＞−０．００３Åであるとしても、厚膜に育成されたときの最終部分のΔａが如何なる値であるかを示すものではない。より具体的にみると、薄膜中の任意の点で−０．００１５Å＞△ａ＞−０．００３Åの範囲内であれば、順次育成された膜中の任意の点についても、上記格子定数の差Δａはほとんど変化しないものであるとか、結果的に−０．００１Å＞△ａ＞−０．００４Åの範囲内であると予測できる、といえるような事実は甲第１号証に示されていない。
　また、基板に薄膜を育成したもの全体を基板としてみて、さらに薄膜の育成を多数回繰り返すことにより、結果的に厚膜が育成されるといえるものの、薄膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差が−０．００１５Å＞△ａ＞−０．００３Åの関係を保持しつつ、順次、薄膜の育成を繰り返すときには、その差が繰り返し形成累積されるのであるから、２〜３回の上記薄膜の育成で「−０．００１Å＞△ａ＞−０．００４Åである」という要件を満たさないことになってしまい、結局、５０μｍ以上の膜厚で、且つ、膜内外の全ての点で−０．００１Å＞△ａ＞−０．００４Åであるものは得られないことになる。
　これに対して、本件請求項１に係る発明は、上記相違点に係る構成を備えることにより、クラックの発生が防止される等の本件明細書に記載された優れた効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
ウ−２、本件請求項２について
　本件請求項２に係る発明は、上記ウ−１、で述べた請求項１に係る発明と甲第１号証との相違点である「ガーネット結晶膜内外の全ての点で−０．００１Å＞△ａ＞−０．００４Å」を特定し、該△ａとなるように制御する、膜厚５０μｍ以上のガーネット結晶膜の製造方法の発明であるから、上記ウ−１で述べた理由と同様の理由により、甲第１号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）むすび
　以上のとおり、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜２に係る特許を取り消すことができない。
　また、請求項１〜２に係る特許について、他に取消理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月２３日（２０００．８．２３）
【訂正の要旨】
　特許第２８６８１６６号の明細書中、誤記の訂正を目的として、
訂正事項ａ．特許請求の範囲の請求項１において「液晶エピタキシャル法」とあるのを「液相エピタキシャル法」と訂正し、
訂正事項ｂ．特許請求の範囲の請求項２において「液晶エピタキシャル法」とあるのを「液相エピタキシャル法」と訂正し、
訂正事項ｃ．
　特許明細書の段落２５（特許公報第５頁左欄下１２行）において「液晶エピタキシャル法で育成された」とあるのを「液相エピタキシャル法で育成された」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ガーネット結晶膜およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
液相
　【請求項２】　
液相
　【請求項３】　結晶成長温度の降温パターンとして結晶成長の全時間の２割の時間内に炉温を全降温幅の４割以上下げて結晶成長温度を制御する請求項２に記載したガーネット結晶膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はガーネット結晶膜、特には液相エピタキシャル法で製造されるガーネット構造をもつ結晶膜で、光アイソレーターの構成材料、マイクロ波帯の通信部品である静磁波素子の構成材料として有用とされるガーネット結晶膜およびその製造方法に関するものである。
　　【０００２】
　【従来の技術】
　膜厚が数十ミクロン以上のガーネット膜を液相エピタキシャル法で非磁性ガーネット基板上に成長させると、基板結晶とガーネットエピタキシャル膜の格子定数が異なるために歪が生じ、ガーネットエピタキシャル膜に複屈折の生じることが知られており、この歪の発生を避けるためには基板結晶と磁性ガーネット膜との格子定数差Δａを０．００１Å以下とすることが提案されている（特開昭５７−１６０１０５号公報参照）。
　　【０００３】
　また、この場合に液相エピタキシャル法でガーネット膜を非磁性ガーネット基板結晶上に成長させると、溶液の組成変化が生じ、それに伴なって成長温度とエピタキシャル結晶の格子定数との関係が変化することから、これについてはエピタキシャル結晶の格子定数を基板結晶の格子定数と等しくなるように変化させることが提案されている（特開昭６２−１４３８９３号公報参照）。
　　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、この公知の方法にもとづいて非磁性ガーネット基板結晶上に磁性ガーネットエピタキシャル膜を育成するときに、非磁性ガーネット基板結晶の格子定数とエピタキシャル結晶の格子定数を一致させると基板結晶とエピタキシャル膜の両方にクラックが入るし、成長温度を時間に対し直線的に変化させると、特にウエーハの大きさが１．５インチ以上のときにクラックが起り易いという不利のあることが判った。
　　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明はこのような不利を解決したガーネット結晶膜およびその製造方法に関するもので、このガーネット結晶膜は液相エピタキシャル法で育成された膜厚５０μｍ以上のガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａ（本発明ではガーネット結晶膜の格子数値−基板結晶の格子数値をΔａと定義する）の値が、ガーネット結晶膜内外の全ての点で‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åであることを特徴とするものであり、この製造方法は液相エピタキシャル法により基板結晶上に膜厚５０μｍ以上のガーネット結晶膜の製造方法において、結晶育成の前に基板結晶の格子定数を測定し、ガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａの値がガーネット結晶膜内外の全ての点で‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åとなるように液相エピタキシャル条件を制御することを特徴とするものである。
　　【０００６】
　すなわち、本発明者らはクラックの発生しないガーネット結晶膜およびその製造方法を開発すべく種々検討した結果、非磁性ガーネット結晶の格子定数を精密格子定数測定装置（ボンド法）により予め測定し、この格子定数が既知の基板結晶上にエピタキシャル膜を成長させたのち、この膜についても格子定数を前記のボンド法で測定すると共に、エピタキシャル膜にみられるクラックを調べることで、基板と膜との格子定数の差とクラックの程度との厳密な関係を実験的に求めたところ、液相エピタキシャル法で膜厚５０μｍ以上のガーネット膜を製造するときにはガーネット膜と基板結晶との格子定数の差Δａを‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åの範囲とすればクラックの発生を防止できることを見出し、この製造方法についての検討を行なって本発明を完成させた。
　以下にこれをさらに詳述する。
　　【０００７】
　【作用】
　本発明はガーネット結晶膜およびその製造方法に関するもので、このガーネット結晶膜はガーネット結晶膜の内外の全ての点にわたってこの格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａが‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åであることを特徴とするものであり、この製造方法は結晶育成の前に基板結晶の格子定数を測定し、この値とガーネット結晶膜の格子定数との差にもとづいて液相エピタキシャル条件を制御することを特徴とするものであり、これによればクラック発生のないガーネット膜を得ることができるという有利性が与えられる。
　　【０００８】
　本発明のガーネット結晶膜は前記したようにこのガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａがその内外の全ての点で‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åであるものであるが、これはこのガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａとエピタキシャル膜におけるクラック発生との関係を実験的にくらべた結果にもとづくものであり、この格子定数の差Δａが‐０．００１Åより大きいとき、またこれが‐０．００４Åより小さいときにはクラックが発生するという不利が発生するが、これを‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åとすればこのような不利なく、クラック発生のないガーネット結晶膜の得られることが確認された。
　　【０００９】
　また、このガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａが‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åとされるガーネット結晶膜の製造はこの液相エピタキシャル条件を制御することによって行なわれるが、これにはまず結晶育成の前に基板結晶の格子定数を精密格子定数測定装置（ボンド法）で測定する必要がある。
　　【００１０】
　すなわち、この基板結晶の格子定数にはかなりのばらつきがあり、たとえばガドリニウム・ガリウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）では格子定数が１２．３８２２Åから１２．３８４０Åでばらつき、この間に０．００１８Åの差があるし、このＧＧＧの陽イオンの一部をＣａ、Ｍｇ、Ｚｒで置換したＮＯＧ［信越化学工業（株）製商品名］では１２．４９２Åから１２．４９９Åでばらつき、この間に０．００７Åの差があるので、ガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａを上記した‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åとするということから、この結晶基板の格子定数は液相エピタキシャルする前に精密にこれを測定する必要がある。
　　【００１１】
　本発明によるガーネット結晶膜の製造はここに育成するガーネット結晶膜の格子定数とこの測定された基板結晶の格子定数との差Δａにもとづいてその液相エピタキシャル条件を制御するものであるが、この液相エピタキシャル条件はこの結晶育成の前にガーネット結晶膜を育成する基板結晶の格子定数を精密格子定数測定装置（ボンド法）で測定し、この値とここに育成するガーネット結晶膜の格子定数との差にもとづいて制御すればよい。
　　【００１２】
　この液相エピタキシャル条件としてはここに育成すべきガーネット結晶膜を形成するための原料の組成、融液の温度、降温パターン、基板の回転数、基板の回転を逆方向とするまでの時間等が例示され、これらはここに育成すべきガーネット結晶膜の種類およびその格子定数によってここに定めればよいが、これがビスマス置換鉄ガーネットである場合にはＢｉ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ｆｅ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏとフラックス成分としてのＰｂＯとＢ２Ｏ３の所定量を秤取して１，１００℃で溶融させ、結晶成長温度である７９０℃まで降温し、図１のＡ線に示したような降温パターンでエピタキシャル成長させればよい。
　　【００１３】
　なお、この降温パターンについては時間に対して炉温を直線的に下げる方法ではガーネット結晶膜の格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａを‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åの範囲とすることが出来ず、育成の終わりの格子定数が所望の範囲より小さくなるということが分かった。
　ガーネット結晶膜の格子定数は融液の組成、つまりルツボにいれた原料の組成が決まると融液温度を変えることで制御できることから、５０μ以上の膜厚を持つガーネット結晶膜については融液の組成変化などによる格子定数の変化を炉温を変化させることで所望の範囲とすることができ、数時間以上に亘る育成時間に対応した炉温の変化、すなわち炉温の降温パターンを実験的に求めた。
　この結果、結晶成長の初期の段階に大きく炉温を下げれば良いこと、具体的には結晶成長の全時間の２割の時間に炉温を全降温幅の４割以上の温度幅で降温させることが必要とされる。
　　【００１４】
　【実施例】
　つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例１
　ガーネット基板単結晶として厚さが１，２００μｍであるが、異なるロットから選択した直径１．５インチのＮＯＧ（前出）を５０枚用意し、その格子定数を格子定数精密測定装置・ＡＰＬ２［理学電機（株）製商品名］を用いて（８８８）面の面間隔から求めたところ、この格子定数は１２．４９２Åから１２．４９９Åの範囲でばらついていたので、この中から格子定数が１２．４９６Åであるものを基板結晶として選択した。
　　【００１５】
　ついでガーネットエピタキシャル膜を形成させる金属酸化物としてＢｉ２Ｏ３３，０２５．２１ｇ、Ｅｕ２Ｏ３４．０６ｇ、Ｔｂ４Ｏ７４３．１１ｇ、Ｆｅ２Ｏ３３７８．７９ｇ、Ｇａ２Ｏ１６．３２ｇと、フラックス成分としてのＰｂＯ２，８９８．２７ｇとＢ２Ｏ３１２９．１４ｇとを白金ルツボに仕込み、１，１００℃に加熱して溶融し、結晶成長温度である７９０℃まで温度を下げ、この融液に上記したＮＯＧウエーハを液面上から１０ｍｍの位置で３０分間保持したのち、液面下２０ｍｍの位置まで浸漬し、図１のＡに示した初期１０時間での降温幅６０％の降温パターンで５０時間にわたって基板結晶を回転、反転させて膜厚５５０μｍの酸化物ガーネットエピタキシャル膜を基板結晶の両面に成長させた。
　　【００１６】
　つぎに、このようにして得たビスマス含有ガーネットエピタキシャル単結晶を観察したところ、このエピタキシャルウエーハにはクラックが認められず、このガーネットエピタキシャル膜についての格子定数を表面層から順次研摩で落としながら測定したところ、表１に示したとおりの結果が得られ、このものの格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａは‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åであった。
　　【００１７】
実施例２
　ガーネット基板単結晶として厚さが５００μｍであるが、異なるロットから選択した直径３インチのＧＧＧを５０枚用意し、その格子定数を格子定数精密測定装置・ＡＰＬ２（前出）を用いて（８８８）面の面間隔から求めたところ、この格子定数は１２．３８２Åから１２．３８４Åの範囲でばらついていたので、この中から格子定数が１２．３８３０Åのものを基板結晶として選択した。
　　【００１８】
　ついでガーネットエピタキシャル膜を形成させる金属酸化物としてＢｉ２Ｏ３９５７．６ｇ、Ｙ２Ｏ３３４８．３ｇ、Ｆｅ２Ｏ３８５３．２ｇとフラックス成分としてのＰｂＯ７，９８１．３ｇとＢ２Ｏ３１５９．６ｇとを白金ルツボに仕込み、１，１００℃に加熱して溶融し、結晶成長温度である９２０℃まで温度を下げ、この融液に上記したＧＧＧウェーハを液面上から１０ｍｍの位置で３０分間保持したのち、液面下２０ｍｍの位置まで浸漬し、図２のＣ線に示した初期０．９５時間での降温幅４４％の降温パターンで６時間にわたって基板結晶を回転、反転させて膜厚１３０μｍの酸化物ガーネットエピタキシャル膜を基板結晶の両面に成長させた。
　　【００１９】
　つぎに、このようにして得たビスマス含有ガーネットエピタキシャル単結晶を観察したところ、このエピタキシャルウエーハにはクラックが認められず、このガーネットエピタキシャル膜についての格子定数を表面層から順次研摩で落としながら測定したところ、表２に示したとおりの結果が得られ、このものの格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａは‐０．００１Å＞Δａ＞‐０．００４Åであった。
　　【００２０】
比較例１
　ガーネット単結晶基板とガーネットエピタキシャル膜を形成させる金属酸化物の種類、組成を実施例１と同じものとし、エピタキシャル膜成長時における降温パターンを図１に示されているように、初期１１時間における降温幅２０％のＢ線のようなものとしたほかは実施例１と同じ方法でエピタキシャル膜の成長を行なったところ、この場合は育成中に結晶が割れてしまったので、この割れた結晶を白金製の網ですくいとってその膜厚を測定したところ、これは５３０μｍであり、この割れたガーネットエピタキシャル膜の格子定数を表面層から順次研摩で落としながら測定した結果として表１に示したとおりの結果が得られ、このものの格子定数と基板結晶の格子定数の差Δａは最小値で‐０．００６５Åであった。
　　【００２１】
比較例２
　ガーネット単結晶基板とガーネットエピタキシャル膜を形成させる金属酸化物の種類、組成を実施例２と同じものとし、エピタキシャル膜成長時における降温パターンを図２の初期０．８５時間における降温幅２９％のＤ線のようなものとしたほかは実施例２と同じ方法でエピタキシャル膜の成長を行なったところ、この場合には育成中に結晶が割れてしまったので、この割れた結晶を白金製の網ですくい取ってその膜厚を測定したところ、これは１１０μｍであり、この割れたガーネットエピタキシャル膜の格子定数を表面層から順次研摩で落としながら測定した結果について表２に示したとおりの結果が得られ、このものの格子定数と基板結晶の格子定数の差Δａは最小値で‐０．００４５Åであった。
　　【００２２】
比較例３
　結晶成長温度を７８５℃、また液相エピタキシャル法の降温パターンを図１のＡ線に示したパターンから５℃だけずらしたものとしたほかは実施例１と同じ方法で液相エピタキシャル膜の成長を行なったところ、この場合には育成中に結晶が割れてしまったので、この割れた結晶を白金製の網ですくいとってその膜厚を測
定した結果、これは４，９００μｍであり、この割れたガーネットエピタキシャル膜の表面層の格子定数は１２．４９５５Åであった。このものの格子定数と基板結晶との格子定数の差Δａは‐０．０００５Åであった。
　　【００２３】
比較例４
　格子定数が１２．４９３Åである基板を用いたほかは実施例１と同じ方法で液相エピタキシャル膜の成長を行なったところ、この場合には育成中に結晶が割れてしまったので、この割れた結晶を白金製の網ですくい取ってその膜厚を測定した結果、これは４５０μｍであり、この割れたガーネットエピタキシャル膜の表面層の格子定数の測定結果は１２，４９４２Åであった。このものの格子定数と基板結晶との格子定数の差Δａは０．００１２Åであった。
　　【００２４】
　【表１】
　【表２】
　　【００２５】
　【発明の効果】
　本発明はガーネット結晶膜およびその製造方法に関するもので、前記したようにこのガーネット結晶膜は
液相
　　【００２６】
　すなわち、本発明のガーネット結晶膜はこの格子定数と基板結晶の格子定数との差Δａを−０．００１Å＞Δａ＞−０．００４Åとしたものであるが、このようにするとクラックの発生が防止できるので、このものは光アイソレーターの構成材料として、またマイクロ波帯の通信部品である静磁波素子の構成材料として、有用とされるという有利性が与えられ、この製造方法によれば目的とするガーネット結晶膜をクラックの発生なしに容易に得ることができるという有利性が与えられる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の実施例１、比較例１におけるガーネットエピタキシャル膜形成時の降温パターン図を示したものであり、Ａ線は実施例１、Ｂ線は比較例１の降温パターンである。
　【図２】　本発明の実施例２、比較例２におけるガーネットエピタキシャル膜形成時における融液の降温パターン図を示したもので、Ｃ線は実施倒２、Ｄ線は比較例２の降温パターンである。