【事件の表示】
　特許第２８９６１４１号「高耐圧半導体素子」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８９６１４１号の請求項１〜３（発明の数１）に係る特許を維持する。
【理　由】
１．　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　昭和６２年１１月２０日
　特許設定登録（特許第２８９６１４１号）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年　３月　５日
　特許異議申立（申立人吉田春男）　　平成１１年１１月２６日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１２年　４月１８日
　特許異議意見書　　　　　　　　　　平成１２年　７月１７日
　
２．本件特許発明
　本件特許発明は、特許明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲１．〜３．に記載された次のとおりである。
「１．第１の半導体基板と高抵抗の第２の半導体基板が絶縁膜を介して直接接着された半導体基板と、前記第２の半導体基板に形成された素子分離溝と、この素子分離溝と前記絶縁膜とで囲まれた領域の前記第２の半導体基板の表面に形成されたｎ型で高不純物濃度の第１の半導体層と、前記第２の半導体基板の表面の前記第１の半導体層とは離れた位置に形成されたｐ型で高不純物濃度の第２の半導体層と、前記素子分離溝の側壁に形成された素子分離絶縁膜を介して前記素子分離溝内に埋め込まれた第３の半導体層とを具備し、前記第１および第２の半導体層間に逆バイアス電圧を印加した時に前記第２の半導体基板に空乏層が伸び前記絶縁膜に達することで、前記電圧の一部を前記絶縁膜が分担することを特徴とする高耐圧半導体素子。
２．前記第２の半導体基板の底部に、単位面積当たりの不純物総量が０．１〜３×１０１２／ｃｍ２の範囲である低不純物濃度のｎ型またはｐ型の第４の半導体層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高耐圧半導体素子。
３．前記第２の半導体基板の前記第１の半導体層周辺部表面に、ｎ型で低不純物濃度の第５の半導体層を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高耐圧半導体素子。」（以下、それぞれ特許発明１〜３という。）
　
３．特許異議申立理由の概要及び取消理由の概要
　特許異議申立人吉田春男は、甲第１号証（ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＤＩＧＥＳＴ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥ　ＭＥＥＴＩＮＧ　１９８６、第２１０頁〜第２１３頁）、甲第２号証（ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＤＩＧＥＳＴ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥ　ＭＥＥＴＩＮＧ　１９７７、第１７８頁〜第１８０頁）、甲第３号証（ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＤＩＧＥＳＴ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥ　ＭＥＥＴＩＮＧ　１９７９、第２３８頁〜第２４１頁）、甲第４号証（特開昭６１−５５４４号公報）及び甲第５号証（ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＤＩＧＥＳＴ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥ　ＭＥＥＴＩＮＧ　１９８３、第４１６頁〜第４１９頁）を提出し、請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、請求項１に係る発明は明細書及び図面の記載が特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていないものであるから、取り消されるべきであると主張している。
　上記取消理由は、同趣旨である。
　
４．明細書及び図面の記載不備について
  特許異議申立人吉田春男は、特許請求の範囲１の「前記素子分離溝の側壁に形成された素子分離絶縁膜を介して前記素子分離溝内に埋め込まれた第３の半導体層」は、発明の詳細な説明の欄を参照しても、いかなる構成であるのか不明確であると、主張している。
  しかしながら、第１図において、２つの半導体基板を絶縁膜を介して直接接着した半導体基板を用いているのは明らかであり、第２の半導体基板に素子分離溝が存在するのも明らかである。またこの溝内に素子分離絶縁膜３を介して多結晶シリコン膜５（第３の半導体層）が存在することが示されており、該構成は明らかである。それゆえ特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしている。
　従って、異議申立人主張する記載不備（即ち上記取消理由での記載不備）はない。
　
５．引用例記載の発明
　甲第１号証には、「ＳＤＢ（シリコン基板直接着）技術を適用した誘電体分離ホトダイオードアレイを単一基板上に形成した。典型的なデバイス形成のシーケンスを図３に示す。まず、９〜１２ｏｈｍ・ｃｍのｎ形シリコンウエハを通常の方法で熱酸化した。次に、そのウエハと他のベアなウエハを室温で密接に接触させ、１１００℃、４時間の熱処理によって結合させた（図３（ａ）と（ｂ））。
　図３（ｃ）に示すように、そのシリコンウエハの上側の部分をラップし、ＳＯＩ基板の厚さが７０μｍになるまで化学的に研磨した。新規に開発した異方性エッチング法によりＶ溝を形成し、そして全表面をカバーする酸化膜を形成した。多結晶シリコンをその酸化膜上に１００μｍの厚さまで成長した（図３（ｄ））。ラップと化学的な研磨により酸化膜上のシリコン層を５０μｍにした（図３（ｅ））。露出した表面上に酸化膜を形成した（図３（ｆ））。通常のホトリソグラフィ技術と不純物拡散技術によって、誘電体分離されたプレーナ形ｐｎ接合ホトダイオードアレイを形成した（図３（ｇ））。」と記載されている。
　甲第２号証には、「ＳＣＲのデザインのために用いた構造は、分離されたｎ形シリコン島内に形成された通常の縦形ＮＰＮトランジスタと横形ＰＮＰトランジスタ構造である。アノードと、アノードゲート、カソード、カソードゲートの４層とも表面にコンタクトがある。」、
「もしシリコン島（Ｎ−ｂａｓｅ層のこと）の電位が上昇すると、ｐ−ｂａｓｅ層からの空乏層は分離用酸化膜に到達する。このとき、ｐ−ｂａｓｅ層からの電界は空乏化したＮ−ｂａｓｅ層（シリコン島）を経由して分離用酸化膜を横切り、ｐｏｌｙ−Ｓｉ基板にまで達する。」と記載されている。
　甲第３号証には、「エピタキシャル層（Ｆｉｇ．１　Ｎ−層）が厚さが臨界値より小さくなると、この減少した表面電界（Ｆｉｇ．１のＥｓ）は高電圧下でも臨界値（Ｆｉｇ．１のＥｃｒ）に達しない。それによって、表面でのブレイクダウンが取り除かれる。ダイオード（Ｆｉｇ．１　ｐ＋層とＮ＋層で構成されるダイオード）の耐圧を水平方向の接合（Ｆｉｇ．１　Ｎ−層とｐ−層の接合）で決まるようにすれば、理想的なバルクの耐圧（Ｆｉｇ．１のＥｂで決まる耐圧）を達成することができる（Ｆｉｇ．１ｃ）。しかしながら、エピタキシャル層が完全に空乏化することにより、新しい作用が現れる。Ｎ＋層の曲率によって電界強度が大きく増加する。非常に薄いエピタキシャル層では、Ｎ＋層の拡散端に発生する電界のピークがバルクの電界強度（Ｆｉｇ．１　Ｅｂ）よりも強くなるという作用が顕著になる。
　Ｎ＋層の拡散端での耐圧値は、理想的なバルクの耐圧値よりも低くなる。２次元の数値計算では、Ｎｅｐｉ・ｄｅｐｉ＝１０１２／ｃｍ２の時に均等のとれた電界分布（Ｆｉｇ．１ｃに示された電界分布）が得られた。ここで、Ｎｅｐｉとｄｅｐｉはエピタキシャル層のドーピング濃度と厚さを示す。ここまで議論した構造に対して、エピタキシャル層の厚さに対して素子耐圧をプロットしたものを示す（Ｆｉｇ．２の結果）。」、
Ｆｉｇ．２の説明で、「エピタキシャル層の厚さを関数とした耐圧値。ＩＩの部分は水平方向の接合（Ｆｉｇ．１　Ｎ−層とｐ−層の接合）でブレイクダウンが発生している。Ｉの部分ではＮ＋層の領域、そしてＩＩＩの部分ではｐ＋層の領域でブレイクダウンが発生している。」と記載されている。
　甲第４号証には、２枚の半導体単結晶基板を絶縁膜を介して直接密着させることにより強固な基板接合体を得て、素子の耐圧に応じて素子形成する基板の厚みが選択できることが示されている。
　甲第５号証には、「高耐圧ＭＯＳＩＣの断面構造を、低耐圧ＣＭＯＳロジック回路部を含めて図１に示す。高耐圧と低耐圧の両ＮＭＯＳトランジスタとも、下側のｐ＋グランド層によって完全に覆われた上側のｎ＋ソース層からなる遮蔽ソース構造を備えている。」と記載されている。
　
６．特許発明と引用例との対比
６．１特許発明１について
　甲第１号証には、特許発明１の構成である「前記第１および第２の半導体層間に逆バイアス電圧を印加した時に前記第２の半導体基板に空乏層が伸び前記絶縁膜に達することで、前記電圧の一部を前記絶縁膜が分担すること」が、示されていない。
　甲第２号証はサイリスタの例であり、高電位を印加するｐアノードからはホールの注入があり、ｐアノードの下は空乏化していない。このため、ｐアノードの電位と絶縁膜の電位は同じとなり、絶縁膜への電圧分担はできない。　甲第３号証〜甲第５号証にも、特許発明１の構成である「前記第１および第２の半導体層間に逆バイアス電圧を印加した時に前記第２の半導体基板に空乏層が伸び前記絶縁膜に達することで、前記電圧の一部を前記絶縁膜が分担すること」が、示されていない。
　特許発明１の構成である「前記第１および第２の半導体層間に逆バイアス電圧を印加した時に前記第２の半導体基板に空乏層が伸び前記絶縁膜に達することで、前記電圧の一部を前記絶縁膜が分担すること」で、誘電体分離構造の素子の高耐圧化が図れるという効果を奏する。
　従って、特許発明１は、甲第１号証〜甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
６．２特許発明２及び３について
　特許発明２及び３は特許発明１を引用する従属形式のものであるから、上記６．１で検討したように、特許発明１が、甲第１号証〜甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、特許発明２及び３も、甲第１号証〜甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
７．特許異議申立についてのまとめ
　上述したように、特許異議申立の理由及び証拠によっては、特許発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　又、他に特許発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。従って、特許発明１〜３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　従って、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、本件特許発明に係る特許請求の範囲１．〜３．（発明の数１）を維持する。
　よって、上記結論とおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月１２日（２００１．３．１２）