【事件の表示】
　特許第２５６５３１４号「電子写真感光体」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２５６５３１４号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯と本件発明
　本件特許第２５６５３１４号は、昭和６１年９月２６日の出願であって、平成８年１０月３日に特許登録がなされ、その特許掲載公報が平成８年１２月１８日に発行されたところ、平成９年６月１８日付で山口雅行より特許異議の申立がなされ、当審において発した取消理由通知に対して、その応答期間内である平成９年１２月１５日付で訂正請求書が提出されたものである。
ＩＩ．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正請求書に記載された訂正事項は次のとおりである。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の、「【請求項１】導電性基板上に少なくともキャリア輸送層とキャリア発生層を形成した電子写真感光体において、前記キャリア輸送層及びキャリア発生層が０乃至１０，０００ｐｐｍの周期律表第Ｖａ族元素を含むアモルファスシリコンカーバイドから成り、前記キャリア発生層の周期律表第Ｖａ族元素添加量が前記キャリア輸送層よりも少ないことを特徴とする負極性に帯電可能な電子写真感光体。」との記載を、「【請求項１】周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ１が０＜Ｓ１≦１０，０００ｐｐｍで、層厚が１〜１００μｍのアモルファスシリコンカーバイドより成るキャリア輸送層と、周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ２が０≦Ｓ２＜Ｓ１であるアモルファスシリコンカーバイドより成るキャリア発生層の少なくとも２層を導電性基板上に積層して、キャリア発生層に生じた電子が両層の界面でエネルギー的障壁がないようにキャリア輸送層へ移動せしめるようにしたことを特徴とする負極性に帯電可能な電子写真感光体。」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　願書に添付された明細書第８頁第３行（本件特許公報第４欄第２５行参照）の、「０乃至１０，０００ｐｐｍ」との記載を、「含有量Ｓ１として１０，０００ｐｐｍ以下」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　同明細書第１２頁第６行（同公報第５欄第３８行参照）の、「周期律表第Ｖａ族元素の量は１０，０００ｐｐｍ以下」との記載を、「周期律表第Ｖａ族元素の量Ｓ１は１０，０００ｐｐｍ以下」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　同明細書第１２頁第９行（同公報第１２欄第４１行参照）の、「重要である。」との記載を、「重要である（０≦Ｓ２＜Ｓ１）。」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　同明細書第１０頁第１４行（同公報第５欄第１５行参照）の、「−６００Ｖ以上の」との記載を、「−６８０Ｖを越える」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　同明細書第２３頁第４行（同公報第９欄第１７行参照）の、「−６８０Ｖの優れた」との記載を、「−６８０Ｖの」と訂正する。
　訂正事項ｇ
　同明細書第２５頁第４行（同公報第９欄第３５行参照）の、「−約６５０Ｖの優れた」との記載を、「−約６５０Ｖの」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否
　訂正事項ａは、本件訂正前の特許請求の範囲には、（イ）キャリア輸送層の層厚に関して、特に規定していなかったものを、「層厚１〜１００μｍ」の範囲に限定するとともに、（ロ）キャリア発生層及びキャリア輸送層の周期律表第Ｖａ族元素の添加量について、「キャリア発生層の周期律表第Ｖａ族元素添加量がキャリア輸送層よりも少ない」としていたものを、キャリア輸送層中の周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ１と、キャリア発生層中の周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ２とが、関係式「０≦Ｓ２＜Ｓ１」の関係を満たすものであると限定し、さらに、（ハ）キャリア発生層とキャリア輸送層との関係に関して、「キャリア発生層に生じた電子が両層の界面でエネルギー的障壁がないようにキャリア輸送層へ移動せしめるようにした」という機能的限定を加えるものであるから、訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項ａの（イ）は、願書に添付された明細書の第８頁第９〜１１行（本件特許公報第４欄第３１〜３３行参照）に、「キャリア輸送層の厚みは１乃至１００μｍ、好適には５乃至５０μｍの範囲に設定するのがよく、１μｍ未満であれば」と記載されていたものであり、（ロ）は、明細書第２５頁第６行〜第２７頁第７行（同公報第９欄３７行〜第１１欄第２行参照）の例４に、キャリア発生層中に周期律表第Ｖａ族元素を含まない例が示されており、明細書において「キャリア発生層の周期律表第Ｖａ族元素添加量がキャリア輸送層よりも少ない」としていた点と併せて、キャリア発生層の組成範囲を限定、明確化するものであり、さらに、（ハ）については、明細書第１２頁第５〜１８行（同公報第５欄第３７〜４９行参照）に、「キャリア発生層中の周期律表第Ｖａ族元素の量は１０，０００ｐｐｍ以下、特に１０００ｐｐｍの範囲で配合し得るが、キャリア輸送層中の周期律表第Ｖａ族元素添加量と比較して、少ないことが重要である。キャリア発生層への添加量がキャリア輸送層への添加量を上回ると、励起キャリアのキャリア発生層からキャリア輸送層への注入が阻害されて感度が低下し、残留電位が増大する。これはキャリア発生層とキャリア輸送層のエネルギーバンドにおいて、キャリア発生層のエネルギーレベルがキャリア輸送層よりも低エネルギー側に移行するため、電子のキャリア輸送層への注入に際し、界面にエネルギー的障壁が形成されるためである。」と明記されていた事項に限定し、明確化するものであり、いずれもの明細書に裏付けのあった事項であって、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上、特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　さらに、訂正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明は、後記「（３）独立特許要件」に示すとおり、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
　訂正事項ｂ乃至ｄは、上記の特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合性をとるための訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、いずれも、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であって、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　訂正事項ｅ乃至ｇは、特許査定以前の平成８年４月５日付の手続補正書により、例１乃至例３が比較例となった際に、当然に補正されるべきところをそのままされたために、明細書全体の記載とそぐわない状態となっていたものを、訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、いずれも、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内の訂正であって、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
（３）独立特許要件
　本件特許発明の要旨は、訂正明細書の特許請求の範囲（上記訂正事項ａ参照）に記載された、電子写真感光体に係るものと認める。
　これに対して、平成９年９月２６日付取消理由の趣旨は、本件発明は、刊行物１（特開昭６１−２０１２５７号公報）、刊行物２（特開昭５９−１３１９４１号公報）、刊行物３（特開昭５６−６４３４６号公報）、刊行物４（特開昭５６−６２２５５号公報）および刊行物５（特開昭６１−１２６５５７号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、特許を受けることができない、また、本件特許明細書には、記載上の不備があるから、特許法第３６条の規定に違反して特許されたものであり、特許を受けることができない、とするものである。
　特許法第２９条第２項違反について
　刊行物１には、「導電性基板上に、周期律表第Ｖａ族元素を含む非晶質水素化シリコンからなる光導電層を設けた光導電体において、上記光導電層中の上記Ｖａ族元素及び水素の含有量を上記光導電層の断面において導電性基板との界面付近または上記光導電体の表面付近において、その他の部分よりも大としたことを特徴とする光導電体。」（特許請求の範囲第１項）、「第１図の第１実施例ではＶａ族元素及び水素の含有量の多い、即ち濃度が大である非晶質水素化シリコンの光導電層３が導電性基板１との界面近くに設けた場合を示し、第２図の第２実施例では・・・・・第１図の場合には負の帯電電圧、第２図の場合には正の帯電電圧を増大させることができる。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄１１行）こと、
「実施例２
　次に第４図に示すように、Ａｌ基板８を２５０℃に保持し、装置内を２×１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気した。次いで装置内にＡｒを４×１０−３Ｔｏｒｒ、Ｐ２Ｈ６５％を含むＨ２を１×１０−３Ｔｏｒｒになるように導入し、放電電力１００Ｗで第１のＳｅ含有非晶質水素化シリコンの光導電層９を０．２μｍの厚さで形成した。次にＡｒを４．５×１０−３Ｔｏｒｒ、５０ｐｐｍのＰ２Ｈ６を含むＨ２を０．５×１０−３Ｔｏｒｒに変え、放電電力３００Ｗにして第２のＳｅ含有非晶質水素化シリコンの光導電層１０を６〜７μｍの厚さで形成した。光導電層１０のＰ／Ｓｉを原子吸光法で測定すると２×１０−３であった。また、光導電層９のＰ／Ｓｉの平均値は５×１０−５であった。・・・・・上記非晶質水素化シリコンの光導電層をコロトロンで帯電させると−３５０Ｖに帯電し、暗中での半減衰時間は１５秒であった。タングステンランプ３ルックスで照射すると１秒以下で表面電位は０になった。」（第３頁右下欄第１２行〜第４頁右上欄第２行）こと、「以上説明した実施例では非晶質水素化シリコンからなる例を示したが、これは非晶質水素化シリコンを主成分とした層、例えばＧｅ、Ｓｎ、Ｃ等を含有する層も使用できる。」（第６頁左上欄第１〜４行）ことが記載されている。
　刊行物２には、「導電性基板の表面に形成された、少なくともアモルファスシリコンを有するアモルファスシリコン感光層中に、アモルファスシリコン感光層の少なくとも価電子制御の可能な第１の元素と、アモルファスシリコン感光層の少なくとも光学的禁制帯幅および誘電率を可変する第２の元素とを、前記アモルファスシリコン感光層の厚み方向において、濃度勾配をもって含有することを特徴とするアモスファスシリコン感光体。」（特許請求の範囲第１項）、「第１の元素は、アモルファスシリコン感光層の価電子制御を可能とするためにドープされる元素であり、たとえば、Ｂ、Ｇａ等の第ＩＩＩＢ族元素および、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等の第ＶＢ族元素が挙げられる。第１の元素は、アモルファスシリコン感光層と導電性基板との界面近傍でその含有率が高く、導電性基板より離れるに従ってその含有量が減少するような濃度勾配をもって第１の元素をアモルファスシリコン感光層中に含有せしめるのが好ましい。このような濃度勾配をもって第１の元素をアモルファスシリコン感光層中に含めると、アモルファスシリコン感光層に整流性を与え、アモルファスシリコン感光層表面に正負いずれかの帯電を可能とし、かつ、アモルファスシリコン感光層を露光した場合に発生する電荷担体の導電性基板への移動が妨げられることがない。たとえば、・・・・・Ｐ、Ｓｂ、Ａｓ等の第ＶＢ族元素を使用するアモルファスシリコン感光体は負帯電用感光体となる。」（第２頁左下欄第３行〜右下欄第３行）こと、「第２の元素は、アモルファスシリコン感光層の光学的禁制帯幅および誘電率を可変し、さらにアモルファスシリコン感光層の歪を低下し、かつ外界雰囲気に対する化学的安定性を向上させるためにドーピングされる元素であり、たとえばＣ、Ｎ、Ｏ等が挙げられる。」（第３頁左上欄第１２〜１７行）こと、ならびに、実施例１及び２では、２４０℃に加熱した導電性基板上に、ＳｉＨ４ガス、ＣＨ４ガス、水素ガスで希釈したＢ２Ｈ６ガスを用いて２４０分間の放電により、厚さ２１．５μｍまたは２１．０μｍの感光層を形成したこと、ＣＨ４ガス及びＢ２Ｈ６ガスの流量を変化させることにより、厚み方向でＣ及びＢの元素濃度が変化している層が形成されたこと、アモルファスシリコン感光体層中の、厚み方向におけるＢおよびＣそれぞれの濃度変化は、供給したガスの経時的流量変化に対応していたこと、得られたアモルファスシリコン感光体に、＋５ＫＶの電圧でコロナ放電したところ、表面電位＋５２０Ｖ、コロナ放電後１５秒経過時の暗抵抗減衰率が２８％、表面電位を半減するためのハロゲンランプの露光量が０．８ｌｕｘ・ｓｅｃであったこと（実施例１）、同じく＋５５０Ｖ、２２％、０．８ｌｕｘ・ｓｅｃであったこと（実施例２）が記載されている。
　刊行物３には、「導電性支持体上にシリコン１に対して４０原子％乃至１５０原子％の炭素を含む炭素とシリコンを主体とする非晶質材料からなる光導電層を設けたことを特徴とする電子写真感光体。」（特許請求の範囲第１項）、「本発明における電荷輸送層とは所謂機能分離型電子写真感光体における光励起担体の輸送層であり、暗比抵抗１０１０Ω・ｃｍ以上でそれ自体可視光及び赤外光に対してほとんど光導電性を有しない、電子または正孔担体に対する良導体である。結晶質若しくは非晶質の無機半導体材料又は有機半導体材料からなるものであって、例えばこの電荷輸送層側から画像露光を行なう場合には光導電層に対して光学的に窓効果（ｗｉｎｄｏｗ　ｅｆｆｅｃｔ）を有し、光学的吸収端が１．５ｅＶ以上の例えば無機半導体においては酸化物半導体、カルコゲナイト半導体若しくは、有機半導体からなるものである。・・・・・ここで酸化物半導体はＩｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＰｂＯ等を含むものであり、カルコゲナイド半導体とには結晶質の場合にはＣｄＳ、ＺｎＳ、Ｚｎ−Ｃｄ−Ｓを含む材料、非晶質の場合にはＳ、Ｔｅ、Ｓｅを含む材料が含まれる。」（第５頁左上欄第８行〜右上欄第１２行）ことが記載されている。
　刊行物４には、「導電性支持体上にシリコン１に対して５原子％乃至４０原子％の炭素を含むシリコンと炭素を主体とする非晶質材料からなる光導電層を設けたことを特徴とする電子写真感光体。」（特許請求の範囲第１項）、「本発明における電荷輸送層とは所謂機能分離型電子写真感光体における光励起担体の輸送層であり、暗抵抗が１０１０Ω・ｃｍ以上でそれ自体可視光及び赤外光に対してほとんど光導電性を有しない電子または正孔担体に対する良導体である。結晶質若しくは非晶質の無機半導体材料又は有機半導体材料からなるものであって、例えばこの電荷輸送層側から画像露光を行なう場合には光導電層に対して光学的に窓効果（ｗｉｎｄｏｗ　ｅｆｆｅｃｔ）を有し、光学的吸収端が１．５ｅＶ以上の例えば無機半導体においては酸化物半導体からなるものである。・・・・・ここで酸化物半導体はＩｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＰｂＯ等を含むものであり、カルコゲナイド半導体とは結晶質の場合にはＣｄＳ、ＺｎＳ、Ｚｎ−Ｃｄ−Ｓを含む材料、非晶質の場合にはＳ、Ｔｅ、Ｓｅを含む材料が含まれる。」（第５頁左上欄第３行〜右上欄第６行）ことが記載されている。
　刊行物５には、「導電性支持体上に電荷注入防止層と光導電性層とを積層した光導電部材において、上記電荷注入防止層は周期律表ＩＩＩａ族元素もしくはＶａ族元素のいずれか一方を１×１０−４以上１．０ａｔｏｍｉｃ％以下を含む非晶質炭化シリコンから成り、上記光導電性層は周期律表ＩＩＩａ族元素もしくはＶａ族元素のいずれか一方を１×１０−８以上１×１０−４ａｔｏｍｉｃ％以下を含む膜厚が５μｍ以上４０μｍ以下の非晶質炭化シリコンと０．１μｍ以上５μｍ以下の非晶質シリコンを、この順序で積層して成ることを特徴とする光導電部材。」（特許請求の範囲第１項）が記載されている。
　刊行物１に記載された「光導電層中のＶａ族元素の含有量を、光導電層の断面において導電性基板との界面付近において、その他の部分におけるよりも大とした」部分、及び「その他の光導電層」部分は、その機能からみて、それぞれ、本件特許発明における「キャリア輸送層」及び「キャリア発生層」に相当する。
　一方、本件特許明細書において、「キャリア発生層に生じた電子が両層の界面でエネルギー的障壁がないようにキャリア輸送層へ移動せしめるように」するためには、「キャリア発生層中の周期律表第Ｖａ族元素の量は１０，０００ｐｐｍ以下、特に１０００ｐｐｍの範囲で配合し得るが、キャリア輸送層中の周期律表第Ｖａ族元素添加量と比較して、少ないことが重要である。キャリア発生層中への添加量がキャリア輸送層への添加量を上回ると、励起キャリアのキャリア発生層からキャリア輸送層への注入が阻害されて感度が低下し、残留電位が増大する。これはキャリア発生層とキャリア輸送層のエネルギーバンドにおいて、キャリア発生層のエネルギーレベルがキャリア輸送層よりも低エネルギー側へ移行するため、電子のキャリア輸送層への注入に際し、界面にエネルギー的障壁が形成されるためである。」（明細書第１２頁第５乃至８行；本件特許公報第５欄第３７〜４９行参照）との記載より、キャリア発生層中の周期律表第Ｖａ族元素の添加量Ｓ２と、キャリア輸送層中の周期律表第Ｖａ族元素添加量Ｓ１との関係が、０≦Ｓ２＜Ｓ１でありさえずれば、達せられるものと認められる。
　これらのことから、刊行物１の実施例２には、本件特許明細書の記載に倣って表現すれば、「周期律表第ＩＩＩａ族元素の含有量Ｓ１が２０００ｐｐｍで、層厚が６〜７μｍのアモルファスシリコンより成るキャリア輸送層と、周期律表第ＩＩＩａ族元素の含有量Ｓ２が５０ｐｐｍであるアモルファスシリコンより成るキャリア発生層の少なくとも２層を導電性基板上に積層して、キャリア発生層に生じた電子が両層の界面でエネルギー的障壁がないようにキャリア輸送層へ移動せしめるようにした電子写真感光体。」が記載されているものと認められる。
　更に、刊行物１には、周期律表第ＩＩＩａ族元素は、周期律表第Ｖａ族元素で置き換えることにより、負帯電性の感光体が得られること、アモルファスシリコン中に炭素原子を添加してもよいことが記載されているから、刊行物１の実施例２における周期律表第ＩＩＩａ族元素を、同じく第Ｖａ族元素に置き換えるとともに、アモルファスシリコンをアモルファスシリコンカーバイドに置き換えれば、形式的には、本件特許発明の構成に類するものになるものと認められる。
　しかしながら、刊行物１の実施例２で得られた感光体は、帯電量が−３５０Ｖにすぎず、近赤外に対して感度を有することは、全く記載されていない。そのため、「以上説明した実施例では非晶質水素化シリコンからなる例を示したが、これは非晶質水素化シリコンを主成分とした層、例えばＧｅ、Ｓｎ、Ｃ等を含有する層も使用できる。」との記載だけから、実施例２におけるアモルファスシリコンを、アモルファスシリコンカーバイドに置き換えても、本件特許発明における、−６８０Ｖを越えるほどの感光体表面の負帯電能が得られることも、帯電１０秒後でも−６００Ｖ以上の暗電位を保持し得ること（第９図・第１０図）も、近赤外に光感度を有することも、刊行物１に記載された事項から予測できるものはない。
　したがって、本件特許発明が刊行物１に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　刊行物２の実施例１、２には、周期律表第ＩＩＩａ元素であるＢを、導電性基板から離れるに従ってその含有量が減少するような濃度勾配をもってアモルファスシリコンカーバイド感光層中に含有させてなる感光体が記載されており、該感光層における作用からして、導電性基板近くのＢ濃度が高い部分は、本件特許発明の感光体におけるキャリア発生層に、それより離れたＢ濃度がより低い部分は、キャリア発生層に、それぞれ相当するものと認められる。
　そして、アモルファスシリコン感光層中のＢ濃度変化は、供給したガスの経時的流量変化に対応していたことが記載されているから、各濃度層の厚さは、本件特許発明のＳ１、Ｓ２に規定される関係を満たしているものと推定される。また、価電子制御の可能な第１の元素である、周期律表第ＩＩＩａ族元素を、同じく第Ｖａ族元素に置き換えれば、負荷電性の感光体となることが記載されているから、刊行物２の実施例１、２に記載された感光体におけるＢを、Ｐすなわち、周期律表第Ｖａ属元素に置き換えることにより、形式的には、本件特許発明の構成に類するものになるものと認められる。しかしながら、刊行物２における感光体の帯電能として確認されているのは、高々＋５２０Ｖであり、本件特許発明における、−６８０Ｖを越えるほどの感光体表面の負帯電能が得られることも、近赤外領域にも優れた感度を有することも、刊行物２に記載された事項から予測できるものではない。
　このため、本件特許発明が刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　次に、刊行物３及び刊行物４に記載された感光体は、キャリア発生層に非晶質シリコンカーバイドを使用しているものの、キャリア輸送層には、シリコン系以外の物質を使用している点で、積層構造の構成が相違する。そして、刊行物３及び刊行物４の感光体のキャリア輸送層は、そのような本件特許発明とは異なるキャリア発生層との組合わせの上に、その効果を奏するものであるから、キャリア輸送層だけに注目して、刊行物１あるいは刊行物２に記載された感光体に適用する動機が存在しない。
　さらに、刊行物５に記載された感光体は、キャリア発生層に非晶質シリコンカーバイドを使用しているが、キャリア輸送層は、非晶質シリコンを用いるものである点で、本件発明とは異なる。そのため、かかる層構成を刊行物１あるいは刊行物２に記載された感光体に適用したところで、本件特許発明の構成を導き出すことはできない。
　そして、刊行物１乃至刊行物５のいずれにも、近赤外領域の光に対する感度を高めることについて記載がなく、−６８０Ｖを越える高い負帯電能を有する感光体が得られることについて予測させるものはない。そしてまた、本件特許発明は、その効果によって、レーザープリンター用に適する感光体が得られるものである。
　したがって、訂正後の本件特許発明は、刊行物１乃至刊行物５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　特許法第３６条違反について、
　明細書の記載が不備であるとする点は、
　［イ］訂正前の特許請求の範囲の記載には、「キャリア輸送層及びキャリア発生層が０乃至１０，０００ｐｐｍの周期律表第Ｖａ族元素を含む」との記載があり、「０」すなわち、キャリア発生層中に周期律表第Ｖａ族元素を含まない場合も包含するから、特許請求の範囲の記載は不当に広い、
　［ロ］訂正前の特許請求の範囲の記載には、「キャリア発生層の周期律表第Ｖａ族元素添加量が前記キャリア輸送層よりも少ない」との記載があるが、両層の濃度差が極めて少ない場合も含み、その場合には、両層を区別することができないから、特許請求の範囲には、発明の構成に欠くことのできない事項が記載されていない、及び、
　［ハ］例２、例３として示されている比較例においても、「−６８０Ｖの優れた負帯電性を示した。」（例２）、「−６５０Ｖの優れた負帯電性を示した。」（例３）として、優れた効果を奏するように記載しているから、本件特許発明の効果が不明である、とするものである。
　［イ］について
　上記の訂正により、特許請求の範囲の当該部分が、「周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ２が０≦Ｓ２＜Ｓ１であるアモルファスシリコンカーバイドより成るキャリア発生層」となったことにより、キャリア発生層中には必らず周期律表第Ｖａ族元素を含有することとなったので、記載不備は解消された。
　［ロ］について
　本件発明の目的からして、キャリア発生層中の周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ２と、キャリア輸送層中の周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ１とが、その効果を奏しないほどの近接した濃度の値をとることは意味がなく、発明の効果を奏する範囲で濃度差を選択すれば良いことは、本件明細書の記載に基づいて、当業者が容易に推測できることであるから、形式的に濃度差が僅少の場合を含む記載となっているからといって、明細書の記載が不備であるとすることはできない。
　［ハ］について
　上記の訂正により、例２、例３ともに、「優れた」との記載が削除され、実施例である例４、例５との効果の差異が明確となったので、本件発明の効果が不明である点は解消された。
　したがって、本件明細書の記載が上記［イ］〜［ハ］の点で記載が不備であるとすることはできない。
　よって、本件発明に係る特許は、特許法第２９条第２項ならびに、同法第３６条第３項及び第４項の規定に違反するものではないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記の訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項ないし第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断
（１）本件特許発明と特許異議申立人の主張
　本件発明の要旨は、全文訂正明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりの電子写真感光体（上記、訂正事項ａ参照）に係るものと認める。これに対して、特許異議申立人は、
　甲第１号証　特開昭６１−２０１２５７号公報
　甲第２号証　特開昭５９−１３１９４１号公報
　甲第３号証　特開昭５６−６４３４６号公報
　甲第４号証　特開昭５６−６２２５５号公報
　甲第５号証　特開昭６１−１２６５５７号公報
を提示して、本件発明は、甲第１号証乃至甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、あるいは、本件特許明細書には、記載上の不備が存在し、特許法第３６条の規定に違反して特許されたものであるから、その特許は取り消されるべき旨、主張する。
（２）当審における判断
　特許異議申立人の提示する証拠方法である甲第１号証乃至甲第５号証は、上記の刊行物１乃至刊行物５に示したものと同一であり、その主張は、上記取消理由の内容と全く同一である。
　したがって、それに対する当審の判断も、上記「（３）独立特許要件」の欄に示したとおりである。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月１３日（１９９９．１０．１３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２５６５３１４号発明の明細書を、下記のとおり訂正する。
訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の、「【請求項１】導電性基板上に少なくともキャリア輸送層とキャリア発生層を形成した電子写真感光体において、前記キャリア輸送層及びキャリア発生層が０乃至１０，０００ｐｐｍの周期律表第Ｖａ族元素を含むアモルファスシリコンカーバイドから成り、前記キャリア発生層の周期律表第Ｖａ族元素添加量が前記キャリア輸送層よりも少ないことを特徴とする負極性に帯電可能な電子写真感光体。」との記載を、
　特許請求の範囲の減縮を目的として、
　「【請求項１】周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ１が０＜Ｓ１≦１０，０００ｐｐｍで、層厚が１〜１００μｍのアモルファスシリコンカーバイドより成るキャリア輸送層と、周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ２が０≦Ｓ２＜Ｓ１であるアモルファスシリコンカーバイドより成るキャリア発生層の少なくとも２層を導電性基板上に積層して、キャリア発生層に生じた電子が両層の界面でエネルギー的障壁がないようにキャリア輸送層へ移動せしめるようにしたことを特徴とする負極性に帯電可能な電子写真感光体。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　明細書第８頁第３行（特許公報第４欄第２５行参照）の、
　「０乃至１０，０００ｐｐｍ」との記載を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
　「含有量Ｓ１として１０，０００ｐｐｍ以下」と訂正する。
訂正事項ｃ
　明細書第１２頁第６行（特許公報第５欄第３８行参照）の、
　「周期律表第Ｖａ族元素の量は１０，０００ｐｐｍ以下」との記載を、
　明瞭でない記載の釈明を目的として、
　「周期律表第Ｖａ族元素の量Ｓ１は１０，０００ｐｐｍ以下」と訂正する。
訂正事項ｄ
　明細書第１２頁第９行（特許公報第１２欄第４１行参照）の、
　「重要である。」との記載を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
　「重要である（０≦Ｓ２＜Ｓ１）。」と訂正する。
訂正事項ｅ
　明細書第１０頁第１４行（特許公報第５欄第１５行参照）の、
　「−６００Ｖ以上の」との記載を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
　「−６８０Ｖを越える」と訂正する。
訂正事項ｆ
　明細書第２３頁第４行（特許公報第９欄第１７行参照）の、
　「−６８０Ｖの優れた」との記載を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
　「−６８０Ｖの」と訂正する。
訂正事項ｇ
　明細書第２５頁第４行（特許公報第９欄第３５行参照）の、
　「−約６５０Ｖの優れた」との記載を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
　「−約６５０Ｖの」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電子写真感光体
（５７）【特許請求の範囲】
（１）周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ１が０＜Ｓ１≦１０，０００ｐｐｍで、層厚が１〜１００μｍのアモルファスシリコンカーバイドより成るキャリア輸送層と、周期律表第Ｖａ族元素の含有量Ｓ２が０≦Ｓ２＜Ｓ１であるアモルファスシリコンカーバイドより成るキャリア発生層の少なくとも２層を導電性基板上に積層して、キャリア発生層に生じた電子が両層の界面でエネルギー的障壁がないようにキャリア輸送層へ移動せしめるようにしたことを特徴とする負極性に帯電可能な電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は負帯電能を有し、長期間に亘って安定した電子写真特性を維持すると共に耐久性に優れた電子写真感光体に関するものである。
〔従来技術及びその問題点〕
　近年、超高速複写機やレーザービームプリンタなどの開発が活発に進められており、これに伴ってこの機器に搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性及び耐久性が要求されている。
　この要求に対して水素化アモルファスシリコンが耐摩耗性、耐熱性、無公害性並びに光感度特性等に優れているという理由から注目されている。
　かかるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）から成る電子写真感光体には第３図に示す通りの積層型感光体が提案されている。
　即ち、第３図によれば、アルミニウムなどの導電性基板（１）上にａ−Ｓｉキャリア注入阻止層（２）、ａ−Ｓｉ光導電層（３）及び表面保護層（４）を順次積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（１）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を低下させるために形成されており、そして、表面保護層（４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。
　ところが、このａ−Ｓｉ感光体によれは、ａ−Ｓｉ光導電層（３）自体が有する暗抵抗率が１０１１Ω・ｃｍ以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率が大きくなると共にそれ自体の帯電能を高めることが難しくなり、その結果、この感光体を高速複写用に用いた場合には光メモリ効果により先の画像が完全に除去されずに残留し、次の画像形成に伴って先の画像が現れる（ゴースト現象）という問題がある。
　この問題を解決するために第１図に示すような機能分離型感光体が提案されている。
　即ち、第１図および第２図によれば、基本的構成としては導電性基板（１）上にキャリア輸送層（５）およびキャリア発生層（３ａ）を順次積層したもので、所望により導電性基板（１）とキャリア輸送層（５）との間にキャリア注入阻止層（２ａ）を、あるいはキャリア発生層（３ａ）上に表面保護層（４）を設けたものである。キャリア輸送層（５）は暗抵抗及びキャリア移動度のそれぞれが大きい材料で形成し、これによって表面電位が高く光感度に優れ且つ残留電位が小さい高性能な感光体が得られる。
　このキャリア輸送層（５）については高抵抗且つ広いバンドギャップ並びに半導体特性を具備した水素化アモルファスシリコンカーバイドを用いることが特開昭５８−１９２０４６号公報などに提案されている。
　しかしながら、前述した先行技術では正極性あるいは負極性の帯電能については十分に研究されておらず、負帯電能での電子写真特性上ほとんど実用化することはできないものである。
〔発明の目的〕
　従って、本発明の目的は優れた負帯電能と電子写真特性、即ち、優れた暗減衰、光減衰特性を有し耐久性のある電子写真感光体を提供するにある。
　本発明の他の目的は近赤外領域の波長に対する分光感度のあるレーザープリンタ用として適した電子写真感光体を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
　即ち、本発明によれば、導電性基板上に少なくともキャリア輸送層とキャリア発生層を形成した電子写真感光体において、前記キャリア輸送層及びキャリア発生層が０乃至１０，０００ｐｐｍの周期律表第Ｖａ族元素を含むアモルファスシリコンカーバイドから成り、前記キャリア発生層の周期律表Ｖａ族元素添加量が前記キャリア輸送層よりも少ないことを特徴とする負極性に帯電可能な電子写真感光体が提供される。
　以下、本発明を詳述する。
　本発明の電子写真感光体は第１図及び第２図に示す構造を基本とする機能分離型積層感光体である。
　本発明によれば、上記構造のうち、キャリア輸送層をアモルファスシリコンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣと略す）を主要構成元素とし、ＳｉとＣのダングリングボンドを終端させるために、例えばＨやＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ等のハロゲン元素を含有させ、更に周期律表第Ｖａ族元素を所定の範囲内で含有させることによって感光体としての優れた負帯電能を付与することができる。即ち、周期律表第Ｖａ族元素の添加によって、キャリア輸送層はｎ型半導体となる。
　これを第１図の構成の感光体を例にとってその電子写真特性を第４図（ａ）および（ｂ）をもとに説明すると、コロナ放電等の帯電手段により負帯電を施す（第４図（ａ）参照）。次に露光を行うと、キャリア発生層（３ａ）に電子と正孔が発生し、正孔は感光体表面の負電荷と中和し、電子は輸送層を移行して基板側に注入接地され、露光部の全体としての電荷は零となる。（第４図（ｂ）参照）。
　本発明の電子写真感光体におけるキャリア輸送層は前述した通り、基本的にａ−ＳｉＣから成るものであるが、具体的には下記式（１）
Ｓｉ（１−Ｘ）ＣＸ・・（１）
で表わされ、式中０．０１≦Ｘ≦０．９特に０．０５≦Ｘ≦０．５に設定することによって暗抵抗１０１１Ω・ｃｍ以上とすることができる。
　また、添加する周期律表第Ｖａ族元素としてはＰ，Ｎ，Ａｓ，Ｓｂが上げられ特にＰが望ましい。これらはキャリア輸送層中に含有量Ｓ１として１０，０００ｐｐｍ以下、特に０．１乃至１０００ｐｐｍの量で含有させる。
　なお、キャリア輸送層のａ−ＳｉＣのダングリングボンドを終端させるためのＨやハロゲン元素の含有量は全組成中５乃至４０原子％、好適には１０乃至３０原子％の範囲内が好ましい。
　更にこのキャリア輸送層の厚みは１乃至１００μｍ、好適には５乃至５０μｍの範囲内に設定するのがよく、１μｍ未満であれば電荷保持能力に劣って画像形成が困難になり、１００μｍを越えると画像の分解能が劣化すると共に残留電位が大きくなる傾向にある。
　また、キャリア注入阻止層（２ａ）はキャリア輸送層（５）へのキャリア注入を阻止するために設けられており、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４，非晶質カーボンの他、ａ−Ｓｉまたはａ−ＳｉＣに水素、フッ素、酸素あるいは窒素等をドープして抵抗値を制御した無機材を用いて形成される。Ｓｉ系又はＳｉＣ系を用いた場合にはホウ素等の周期律表第ＩＩＩａ族元素やＰ等の第Ｖａ族元素を５０乃至５０００ｐｐｍの範囲内で添加してキャリアの注入阻止を一段と高めることができる。なお、本発明の電子写真感光体については前述した組成のキャリア輸送層が十分に大きな暗抵抗を得ることができるので、このキャリア注入阻止層を必ず形成しなくてはならぬというものではなく、本発明者等が繰り返し行った実験によれば、キャリア輸送層の暗抵抗率が１０１３Ω・ｃｍ以上であれはキャリア注入阻止層を形成しなくても電子写真感光体として十分実用に供することができることを確認した。
　また、表面保護層（４）にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及び高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いることができ、例えば前記のキャリア注入阻止層に用いたのと同様な無機材料や有機材料を用いることができ、これにより、感光体の耐久性及び耐環境性を高めることができる。
　なお、キャリア輸送層以外の各層の層厚はキャリア注入阻止層が０．１乃至１０μｍ、キャリア発生層を０．１乃至１０μｍ、表面絶縁層を０．１乃至１０μｍに設定するのが望ましい。
　上述した構成により本発明の機能分離型電子写真感光体はその表面をコロナ放電によって有利に負極性にすることができ、本発明者等の実験によれば、−６８０Ｖを越える帯電能が得られており、これによって実用上支障のない感光体が提供できる。
　次に、本発明者等は前述した組成のキャリア輸送層に対して適合し得るキャリア発生層としてアモルファスシリコンカーバイドを選択することによって負帯電能をさらに向上し得ることを知見した。
　キャリア発生層（３ａ）に用いられるａ−ＳｉＣは下記式（２）
Ｓｉ（１−Ｙ）ＣＹ・・（２）
で表わされ、式中０．０１≦Ｙ≦０．９、特に０．０５≦Ｙ≦０．５であることが望ましい。
　このキャリア発生層を生成するに当たってもａ−ＳｉＣのダングリングボンドを終端させるのに前述したようにＨやハロゲン元素を用いる必要があり、これらの元素の含有量は全組成中５乃至４０原子％、好適には１０乃至３０原子％の範囲内になるようにすればよい。
　以上、前述した本発明の感光体は光波長３００乃至９００ｎｍの範囲に対して光感度を有するが、本発明によれば、前述したａ−ＳｉＣから成るキャリア発生層中に周期律表第Ｖａ族元素を添加することによって特に近赤外領域における光感度を高めることができ、それによりレーザープリンタ用感光体としての応用が可能となる。キャリア発生層中の周期律表第Ｖａ族元素の量Ｓ２は１０，０００ｐｐｍ以下、特に１０００ｐｐｍの範囲で配合し得るが、キャリア輸送層中の周期律表第Ｖａ族元素添加量と比較して、少ないことが重要である（０≦Ｓ２＜Ｓ１）。キャリア発生層中への添加量がキャリア輸送層への添加量を上回ると、励起キャリアのキャリア発生層からキャリア輸送層への注入が阻害されて感度が低下し、残留電位が増大する。これはキャリア発生層とキャリア輸送層のエネルギーバンドにおいて、キャリア発生層のエネルギーレベルがキャリア輸送層よりも低エネルギー側に移行するため、電子のキャリア輸送層への注入に際し、界面にエネルギー的障壁が形成されるためである。
　用いられる周期律表第Ｖａ族元素としてはキャリア輸送層の場合と同等、Ｐ，Ｎ，Ａｓ，Ｓｂ等が挙げられ、特にＰが好ましい。
　本発明の感光体を製造するに際して、無機質の感光体の生成にはグロー放電分解法、イオンプレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成技術を用いることができる。
　例えば本発明の感光体のうち前述したようなキャリア輸送層を形成する際は、グロー放電分解法が望ましく、用いられる気体原料としてＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，ＳｉＦ４，ＳｉＣｌ４，ＳｉＨ２Ｃｌ２などのＳｉ系ガス、ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ２，Ｃ２Ｈ６，Ｃ３Ｈ８，ＣＦ４，ＣＣｌ４などのＣ系ガスを用いればよく、更にＨ２，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒなどをキャリアーガスとして用いてもよい。周期律表第Ｖａ族元素含有ガスとしてはＰＨ３，Ｎ２，ＮＨ３，ＡｓＨ３，ＡｓＦ３，ＳｂＨ３等が挙げられる。本発明者等の実験によれば、前述したガスのうちＣ含有ガスとしてＣ２Ｈ２を用いると極めて大きな成膜速度（約５乃至２０μｍ／ｈ）が得られることを知見した。よってキャリア輸送層形成時の好ましい反応ガスとしては少なくともＣ２Ｈ２ガス、Ｓｉ含有ガス及び１０−６乃至１モル％の周期律表第Ｖａ族元素含有ガスを選択する。反応ガスの具体的組成は（Ｃ２Ｈ２ガス：Ｓｉ含有ガス）組成比が０．０５：１乃至３：１であることが望ましい。
　本発明によれば、さらに負帯電能を向上させることを目的としてキャリア発生層としてａ−ＳｉＣを用いるがこのキャリア発生層の形成にあっても、少なくともＣ２Ｈ２ガス、Ｓｉ含有ガスを選択し、これをキャリア輸送層形成時と同様な組成比で用い、この反応ガスをグロー放電分解してキャリア輸送層上に形成すれば良い。
　さらに本発明によれば、近赤外光に対する分光感度を向上させることを目的としてキャリア発生層として周期律表第Ｖａ族元素を含有するａ−ＳｉＣを用いるが、このキャリア発生層の形成にあたっても、キャリア輸送層の形成時と同様、Ｃ２Ｈ２ガス、Ｓｉ含有ガス、周期律表第Ｖａ族元素含有ガスを用い、周期律表第Ｖａ族元素含有ガスは１モル％以下の割合で配合されるが、前述した理由から、キャリア発生層形成時の反応ガス中の周期律表第Ｖａ族元素含有ガスの占める割合がキャリア輸送層形成時に比べて少ないことが重要である。
　本発明の感光体のうち第１図あるいは第２図に示したようにキャリア注入阻止層や、表面保護層を設ける場合、その材質としてＳｉＣ，ａ−Ｓｉ；Ｈ，ａ−ＳｉＣ、非晶質カーボンあるいはこれらに不純物をドープしたものを用いる場合には同じ成膜装置を用いて連続的に形成でき、且つその成膜時間を著しく小さくすることができる。
　なお、本発明の感光体における層構成中、有機材料を用いる場合はいずれも周知の手段によって形成することができ、具体的には、高分子材料あるいは有機顔料、有機染料等を揮発性溶媒中に溶解又は分散した塗布液を用いて、浸漬法、ドクターブレード法等によって設けることができる。
　次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装置を第５図により説明する。
　なお周期律表第Ｖａ族元素含有ガスとしてＰＨ３ガスを用いて例示する。
　図中、第１，第２，第３，第４，第５タンク（６）（７）（８）（９ａ）（９ｂ）にはそれぞれＳｉＨ４，Ｃ２Ｈ２，ＰＨ３（Ｈ２ガス中にＰＨ３が３３ｐｐｍ希釈されている）、Ｈ２，ＮＯガスが密封されており、Ｈ２はキャリアーガスとしても用いられる。これらのガスは対応する第１，第２，第３，第４，第５調整弁（１０）（１１）（１２）（１３ａ）（１３ｂ）を開放することにより放出され、その流量がマスフローコントローラ（１４）（１５）（１６）（１７ａ）（１７ｂ）により制御されてメインパイプ（１８）へ送られる。尚、（１９）は止め弁である。
　メインパイプ（１８）を通じて流れるガスは反応管（２０）へと送り込まれるが、この反応管内部には容量結合型放電用電極（２１）が設置されており、これに印加され電力は５０Ｗ乃至３ｋＷが、その周波数は１ＭＨｚ乃至１０ＭＨｚが適当である。反応管（２０）の内部には、アルミニウムから成る筒状の成膜用導電性基板（２２）が試料保持台（２３）の上に載置されており、この保持台（２３）はモーター（２４）により回転駆動されるようになっており、そして、基板（２２）は適当な加熱手段により約５０乃至４００℃好ましくは約１５０乃至３００℃の温度に均一に加熱される。更に、反応管（２０）の内部はａ−Ｓｉ膜又はａ−ＳｉＣ膜等の形成時に高度の真空状態（放電圧０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ）を必要とすることにより拡散ポンプ（２５）と回転ポンプ（２６）に連結される。
　以上のように構成されたグロー放電分解装置において、例えばＰがドーピングされたａ−ＳｉＣ膜を基板（２２）上に形成するに当たって、第１，第２，第３，第４調整弁（１０）（１１）（１２）（１３ａ）を開放して第１，第２，第３，第４タンク（６）（７）（８）（９ａ）よりそれぞれＳｉＨ４ガス、ＣＨ２Ｈ２ガス、ＰＨ３ガス及びＨ２ガスを放出し、これらの放出量はマスフローコントローラ（１４）（１５）（１６）（１７ａ）により規制されてメインパイプ（１８）を介して反応管（２０）へと送り込まれ、そして、反応管（２０）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒの真空状態、基板温度が５０乃至４００℃、容量型放電用電極（２１）に周波数１ＭＨｚ乃至１０ＭＨｚの高周波電力が５０Ｗ乃至３ｋＷ印加されるのに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解してＰ含有のａ−ＳｉＣ膜が基板上に高速で形成される。
〔実施例〕
　以下、（例１）、（例２）及び（例３）により比較例を、（例４）及び（例５）により本発明の実施例を説明する。
（例１）
　ダイヤモンドバイドを用いた超精密旋盤により鏡面に仕上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って洗浄し、第５図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管（２０）内に設置した。
　そして、第１タンク（６）よりＳｉＨ４ガスを１００ｓｃｃｍ、第２タンク（７）よりＣ２Ｈ２ガスを２０ｓｃｃｍ、第３タンク（８）よりＰＨ３ガスを１００ｓｃｃｍ，第４タンク（９ａ）よりＨ２ガスを３００ｓｃｃｍおよび第５タンク（９ｂ）よりＮＯガスを２．５ｓｃｃｍの流量で放出し、ガス圧を０．５Ｔｏｒｒ、高周波電力を１００Ｗに基板温度３００℃に設定して前述したグロー放電分解法に基づいてａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｐ：Ｎ：Ｏからなるキャリア注入阻止層を形成した。
　さらに同一の装置を用いて第１表に示す条件により順次ａ−ＳｉＣからなるキャリア輸送層（５）、ａ−Ｓｉからなるキャリア発生層（３ａ）及びＳｉＣからなる表面保護層（４）を形成し、厚み３０μｍの感光体を得た。
　かくして得られた電子写真感光体について表面電位、暗減衰及び光減衰の特性を測定したところ、第６図に示す通りの結果が得られた。これは暗中で−５．６ｋＶのコロナ放電で負帯電し、暗中での表面電位の経時変化と６５０ｎｍの単色光（露光量０．３μＷ′／ｃｍ２）照射直後の表面電位の経時変化を追ったものである。尚、図中、Ａは暗減衰曲線であり、Ｂは光減衰曲線である。
　第６図から明らかな通り、帯電２秒後の表面電位が約−６００Ｖと実用的なまでに高くなっており、光減衰の結果より露光より瞬時にして表面電位が小さくなって残留電位も著しく小さくなっている。
　因に同感光体に対し＋５．６ｋＶの正帯電を施したところ、＋７０Ｖの帯電能しかなく実用的ではなかった。
（例２）
　次に例１と同様にしてＳｉＨ４，Ｈ２，Ｃ２Ｈ２，ＰＨ３およびＮＯの各々のガスを用いて、第２表に示す流量でａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｐ：Ｎ：Ｏからなるキャリア注入阻止層、ａ−ＳｉＣ（Ｘ≒０．３）からなるキャリア輸送層（５）、ａ−ＳｉＣ（Ｙ≒０．１５）からなるキャリア発生層（３ａ）及びＳｉＣからなる表面保護層（４）を形成し、厚さ３０μｍの感光体を得た。
　得られた感光体に対し（例１）と同様に−５．６ｋＶのコロナ放電で帯電し、暗減衰、光減衰の測定を行い、第７図の結果を得た。
　第７図から明らかなように−６８０Ｖの負帯電性を示した。
（例３）
　次に例１と同様にしてＳｉＨ４，Ｈ２，Ｃ２Ｈ２，ＰＨ３およびＮＯの各々のガスを用いて、第３表に示す流量でａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｐ：Ｎ：Ｏからなるキャリア注入阻止層、約２０ｐｐｍのＰがドープされたａ−ＳｉＣからなるキャリア輸送層（５）、約１０ｐｐｍのＰがドープされたａ−Ｓｉからなるキャリア発生層（３ａ）及びＳｉＣからなる表面保護層（４）を形成し、厚さ３０μｍの感光体を得た。
　得られた感光体に対し（例１）と同様に−５．６ｋＶのコロナ放電で帯電し、暗減衰、光減衰の測定を行い、第８図の結果を得た。
　第８図から明らかなように−６５０Ｖの負帯電性を示した。
（例４）
　例１と同様な方法でＳｉＨ４，Ｈ２，Ｃ２Ｈ２，ＰＨ３およびＮＯの各々のガスを用いて、第４表に示す流量でａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｐ：Ｎ：Ｏからなるキャリア注入阻止層、約２０ｐｐｍのＰがドープされたａ−ＳｉＣからなるキャリア輸送層（５）ａ−ＳｉＣからなるキャリア発生層（３ａ）及びＳｉＣからなる表面保護層（４）を形成し、厚さ３０μｍの感光体を得た。
　得られた感光体に対し（例１）と同様に−５．６ｋＶのコロナ放電で帯電し、暗減衰、光減衰の測定を行い第９図の結果を得た。
　第９図からも明らかなように−７５０Ｖの優れた負帯電性を示し、キャリア発生層としてａ−ＳｉＣを用いることにより負帯電能が向上することが確認された。
（例５）
　例１と同様な方法でＳｉＨ４，Ｈ２，Ｃ２Ｈ２，ＰＨ３およびＮＯの各々のガスを用いて、第５表に示す流量でａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｐ：Ｎ：Ｏからなるキャリア注入阻止層、約２０ｐｐｍのＰがドープされたａ−ＳｉＣからなるキャリア輸送層（５）、約１０ｐｐｍのＰがドープされたａ−ＳｉＣからなるキャリア発生層（３ａ）及びＳｉＣからなる表面保護層（４）を形成し、厚さ３０μｍの感光体を得た。
　得られた感光体に対し（例１）と同様に−５．６ｋＶのコロナ放電で帯電し、暗減衰、光減衰の測定を行い第１０図の結果を得た。
　第１０図からも明らかなように−７６０Ｖの優れた負帯電性を示した。
　次に、（例１）乃至（例５）にて製造した感光体に対して、７７０ｎｍの波長の光で分光感度を求めたところ、（例１）が０．１８ｃｍ２／ｅｒｇ、（例２）が０．１５ｃｍ２／ｅｒｇ、（例３）が０．２０ｃｍ２／ｅｒｇ、（例４）が０．１６ｃｍ２／ｅｒｇ、（例５）が０．２６ｃｍ２／ｅｒｇであった。この結果から（例５）の層構成において顕著な感度向上が確認された。
〔発明の効果〕
　以上、詳述した通り、本発明の電子写真感光体はキャリア輸送層として周期律表第Ｖａ族元素をドープさせたアモルファスシリコンカーバイド、さらにはキャリア発生層として、アモルファスシリコンカーバイドあるいはこれに周期律表第Ｖａ族元素を特定の関係でドープすることにより実用的に優れた負帯電能および電子写真特性を示し、さらには近赤外領域に対しても優れた感度を有することからレーザープリンタ用等としても応用を拡げることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に用いられる感光体の層構成を示す断面図、第２図は本発明の他の実施例に用いられる感光体の層構成を示す断面図、第３図は感光体の一般的な層構成を示す断面図、第４図（ａ）及び（ｂ）は本発明の電子写真感光体の電子写真特性を説明するための図、第５図は本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装置の説明図、第６図、第７図、第８図及び第９図、第１０図は本発明の電子写真感光体の暗減衰曲線および光減衰曲線をそれぞれ示した図である。
１……基板
２，２ａ……キャリア注入阻止層
３，３ａ……キャリア発生層
４……表面保護層
５……キャリア輸送層