【事件の表示】
　特許第３００３５６４号「セラミック電子部品の焼成方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　本件特許第3003564号の請求項１〜請求項８に係る発明についての出願は、平成７年12月14日に特許出願され、平成11年11月19日にその発明について特許権の設定登録がなされたところ、その後、請求項１〜請求項４に係る発明の特許について、異議申立人寺尾健吾より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成13年２月23日に特許異議意見書が提出されるとともに訂正請求（後日取下げ）がなされた後、再度（訂正拒絶理由を兼ねた）取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成13年５月15日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
　
〔2-1〕訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は次のとおりのものである。
(1) 訂正事項ａ
　特許査定時の明細書の請求項１〜４を削除し、請求項５を請求項１とし、請求項６を請求項２とし、請求項７を請求項３とし、請求項８を請求項４とし、請求項１〜４をそれぞれ次のように訂正する。
　請求項１を「焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、前記セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、前記セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するセラミック電子部品の焼成方法。」と訂正し、
　請求項２を「サヤを回転させて焼成する請求項１に記載のセラミック電子部品の焼成方法。」と訂正し、
　請求項３を「セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質は、メッシュあるいはハニカム状であり、サヤの両端を被覆している請求項１に記載のセラミック電子部品の焼成方法。」と訂正し、
　請求項４を「サヤは側面に少なくとも一つの通気孔を有する請求項１に記載のセラミック電子部品の焼成方法。」と訂正する。
(2) 訂正事項ｂ
　明細書段落【0005】（本件特許公報第２頁第３欄第22〜33行目）の記載「この目的を達成するために本発明のセラミック電子部品の焼成方法は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するものであり、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質が焼成炉内の残留酸素及びセラミック被焼成素子中の残留酸素を反応除去するだけでなく、流入させる非酸化ガス中の酸素を反応除去できるので、焼成炉内の酸素濃度を低減することができ、安定した非酸化雰囲気中でセラミック被焼成素子を焼成することができる。」を、「この目的を達成するために本発明のセラミック電子部品の焼成方法は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するものであり、管状炉内で焼成することにより、焼成炉内の雰囲気を制御しやすく、セラミック被焼成素子を均一に焼成することができると共に、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質が焼成炉内の残留酸素及びセラミック被焼成素子中の残留酸素を反応除去するだけでなく、流入させる非酸化ガス中の酸素を反応除去できるので、焼成炉内の酸素濃度を低減することができ、安定した非酸化雰囲気中でセラミック被焼成素子を焼成することができる。」と訂正する。
(3) 訂正事項ｃ
　明細書段落【0007】（本件特許公報第２頁第３欄第39〜46行目）の記載「本発明の請求項１に記載の発明は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するセラミック電子部品の焼成方法であり、焼成炉内の酸素濃度を低減し、かつ、安定した非酸化雰囲気中となるので安定した特性のセラミック電子部品を得ることができる。」を、「本発明の請求項１に記載の発明は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するセラミック電子部品の焼成方法であり、管状炉内で焼成することにより、焼成炉内の雰囲気を制御しやすく、セラミック被焼成素子を均一に焼成することができると共に、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置することにより、焼成炉内の酸素濃度を低減し、かつ安定した非酸化雰囲気中となるので安定した特性のセラミック電子部品を得ることができる。」と訂正する。
(4) 訂正事項ｄ
　明細書段落【0008】〜【0011】（本件特許公報第２頁第３欄第47行目〜同頁第４欄第24行目）の記載を削除するとともに、明細書段落【0012】（本件特許公報第２頁第４欄第25〜26行目）の記載「請求項６に記載の発明は、サヤを回転させて焼成する請求項５に記載の」を、「請求項２に記載の発明は、サヤを回転させて焼成する請求項１に記載の」と訂正する。
(5) 訂正事項ｅ
　明細書段落【0013】（本件特許公報第2頁第４欄第29〜31行目）の記載「請求項７に記載の発明は、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質は、メッシュあるいはハニカム状でサヤの両端を被覆している請求項５に記載の」を、「請求項３に記載の発明は、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質は、
メッシュあるいはハニカム状でサヤの両端を被覆している請求項１に記載の」と訂正する。
(6) 訂正事項ｆ
　明細書段落【0014】（本件特許公報第２頁第４欄第35〜36行目）の記載「請求項８に記載の発明は、サヤは側面に少なくとも一つの通気孔を有する請求項５に記載の」を、「請求項４に記載の発明は、サヤは側面に少なくとも一つの通気孔を有する請求項１に記載の」と訂正する。
　
〔2-2〕訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
(1) 訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、明細書【特許請求の範囲】（本件特許公報第１頁第１欄第１行目〜第２頁第３欄第１行目）の請求項１〜４を削除し、より下位概念である請求項５を請求項１とし、請求項６を請求項２とし、請求項７を請求項３とし、請求項８を請求項４とするものである。
　これは、本件発明の実施の形態の中で説明されたセラミック電子部品の焼成方法に関する具体例、すなわち明細書段落【0045】〜【0070】（本件特許公報第４頁第７欄第46行目〜第５頁第10欄第13行目）の（実施の形態４）〜（実施の形態７）に基づくものであり、実施の形態でのセラミック電子部品の焼成方法に基づいて限定したものである。
　したがって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
(2) 訂正事項ｂ〜ｆについて
　上記訂正事項ｂ〜ｆは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るために訂正したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
〔2-3〕独立特許要件
　上記請求項１〜４に係る訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるから、訂正明細書の請求項１〜４に係る発明の独立特許要件について検討する。
(2-3-1) 本件発明
  訂正明細書の請求項１〜４に係る発明（以下、「訂正発明１」〜「訂正発明４」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されたとおりのものである。（上記「〔2-1〕(1)訂正事項ａ」を参照。）
　
(2-3-2) 第29条第２項違反について
　取消しの理由で示した刊行物１〜３（異議申立人の提出した甲第１〜３号証）には、それぞれ次の事項が記載されている。
　
(1) 「【請求項１】　誘電体層とNiの内部電極とを積層してなるグリーンチップをNiよりも平衡酸素分圧が低い金属と共に炉中に保持し、還元雰囲気中で焼成する工程を有することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】　Niよりも平衡酸素分圧が低い金属として、Fe、Co及びCrのうち少なくとも１つを使用することを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】　Niよりも平衡酸素分圧が低い金属粉を用い、この金属粉をグリーンチップを配置したさや内に配置してグリーンチップを焼成することを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】　Niよりも平衡酸素分圧が低い金属からなる金属板で、グリーンチップを配置したさやを覆い、グリーンチップを焼成することを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項５】　Niよりも平衡酸素分圧が低い金属からなるさや上にグリーンチップを配置して、グリーンチップを焼成することを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。」（特許請求の範囲の記載を参照。）
(2) 「本発明は、・・・焼成時に酸素分圧を低下させ、均一化することにより、Niが酸化され膨張することを抑制し、外観不良や静電容量の低下を抑制し、生産工程の歩留りの向上を図ることができる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供するものである。」（段落【0009】を参照。）
(3) 「脱脂後、図１に示すようにさや１にFe、Co、Crのみが任意の割合で存在している金属粉２をグリーンチップ３に接触しないように均一に配置した。その後、そのさや１をいくつか段積みし、箱型電気炉の中央部に配置した。」（段落【0017】を参照。）
(4) 「焼成は、グリーンガス中1250℃で行い、焼成後のチップについて外観不良率及び静電容量の測定を行った。」（段落【0018】を参照。）
　
(1) 「【請求項１】 セラミックス成形品を載置し、焼成するためのセラミック焼成用治具であって、耐火材からなる治具本体と、この治具本体のうち少なくとも前記セラミックス成形品の載置面を覆うように前記治具本体に固定された白金板とを備えたセラミック焼成用治具。」（特許請求の範囲を参照。）
(2) 「本発明の課題は、セラミックス成形品をセラミック焼成用治具に載置し、焼成するのに際し、焼成用治具の表面と、セラミックス成形品とが反応するのを防止することである。」（段落【0005】を参照。）
 　
(1) 「本発明はSrTiO３を主成分とする電圧非直線抵抗体（以下バリスタと称する）を得るための磁器組成物に関する。」（第１頁左下欄第12〜14行目を参照。）
(2) 「SRTiO３粉末（以下第１成分と呼ぶ）100モル%に対し、純度99.0%の、Nb２O５、Ta２O５、WO３、La２O３、CeO２、Nd２O３、Pr５O１１、Dy２O３、Y２O３、及びSm２O３から選択された１種以上の金属酸化物（以下第２成分と呼ぶ）の粉末と、純度97.0%のNa２O、NaF、NaCl、NaBr及びNaIから選択された１種以上のNa化合物（以下第３成分と呼ぶ）の粉末とを第１表〜第10表の(A)に示す比率となるよう秤量した。・・・これらの円板をN２(95%)+H２(5%)の還元雰囲気で約1350℃、４時間の焼成を行い、直径10mm、厚さ0.8mmの半導体磁器を得た。」（第２頁右上欄第10行目〜同頁左下欄第12行目を参照。）
　
【訂正発明１について】
　訂正発明１と上記各刊行物に記載されたものとを対比する。刊行物１の積層セラミックコンデンサは、内部電極としてのNiが酸化するのを防止することを目的として、このNiよりも平衡酸素分圧が低い、すなわちこのNiよりも酸化しやすい金属をセラミックスとともに焼成炉に入れて焼成するものであり、前記Niよりも酸化しやすい金属をグリーンチップを配置したさや内に配置したり、該金属でこのさやを覆ったり、該金属からなるさや上にグリーンチップを配置したりするものであるが、訂正発明１のように、被焼成素子であるグリーンチップ（訂正発明１における「セラミック被焼成素子」に相当）自体を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成するものではない。刊行物２は、焼成用治具の表面とセラミックス成形品とが反応するのを防止するために、この治具を白金で被覆するものであるが、訂正発明１のように、被焼成素子であるセラミックス成形品（訂正発明１における「セラミック被焼成素子」に相当）自体を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成するに際し、セラミック被焼成素子より酸化しやすい物質を非酸化ガス流入口と前記セラミック被焼成素子の間に設置するものではない。刊行物３の半導体磁器は、SrTiO３を主成分とし、副成分にNb２O５、Ta２O５などを添加して形成したバリスタ素子を還元雰囲気中で焼成するものに過ぎず、訂正発明１のように被焼成素子であるバリスタ素子（訂正発明１における「セラミック被焼成素子」に相当）自体を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成するに際し、セラミック被焼成素子より酸化しやすい物質を非酸化ガス流入口と前記セラミック被焼成素子の間に設置するものではない。結局、刊行物１〜３には、訂正発明１における「セラミック被焼成素子を円筒形のサヤに投入し、管状炉内で焼成する」ことが記載もしくは示唆されていない。また、この点をセラミック電子部品の分野において周知・慣用の技術であるとすることもできない。訂正発明１は、管状炉内で焼成することにより、焼成炉内の雰囲気を制御しやすく、セラミック被焼成素子を均一に焼成することができると共に、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置することにより、焼成炉内の酸素濃度を低減し、かつ安定した非酸化雰囲気中となるので安定した特性のセラミック電子部品を得ることができるという格別の効果を奏するものである。
　したがって、訂正発明１は、上記刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
【訂正発明２〜４について】
  訂正発明２〜４は訂正発明１を前提とするものである。訂正発明１が上記のように刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない以上、訂正発明２〜４は、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
(2-3-3) 第29条の２違反について
　取消しの理由で示した先願〔特願平7-324429号（特開平9-159374号公報（甲第４号証）参照）〕の明細書又は図面には、次の事項が記載されている。
(1) 「【発明の属する技術分野】　本発明は、積層チップコンデンサのような電子部品となるセラミック成形体の焼成時に使用される焼成用匣に関する。」（段落【0001】を参照。）
(2) 「本発明は、・・・、多段積みされた際においても堆積収容されたセラミック成形体の全体に雰囲気ガスを供給することができ、しかも、積み重ね作業が容易であるとともに、積み重ね姿勢の確実な保持を実現することができる焼成用匣の提供を目的としている。」（段落【0008】を参照。）
(3) 「この第１実施形態に係る焼成用匣８を構成する本体９は、上面部が開放された円形のケースであり、円形の底部9aと、その全周で起立する周壁9bとからなる。そして、この本体９は、全体がニッケルもしくはニッケル系合金のような耐熱金属製であり、底部9a及び周壁9bのそれぞれの一部が前記耐熱金属の網12とされていることによって通気性を有している。なお、符号Ｍは、堆積して収容されたセラミック成形体を示している。」（段落【0013】を参照。）
(4) 「そして、焼成時の匣８、・・・それぞれに対しては雰囲気ガスが供給されることになるが、雰囲気ガスは各匣８の支柱10、10間の間隔を通じて上下の匣８、８の間に流入することになり、セラミック成形体Ｍの堆積群に直接的に作用する。また、各匣８の本体周壁9bに当たった雰囲気ガスは、周壁9bの網12を通じて本体９内に流入し、セラミック成形体Ｍの堆積群に浸透する。すなわち、最下位の匣８には、炉の底壁側から供給された雰囲気ガスが底部9aの網12を通じて流入することになり、また、それより上位の匣８では、下位の匣８との間に多量に流入した雰囲気ガスの一部が、底部9aの網12を通じて吹き上がるように内部に流入してセラミック成形体Ｍの堆積群に下側から浸透する。」（段落【0017】を参照。）
(5) 「【発明の効果】　以上説明したように、本発明に係る匣によれば、内部に多量のセラミック成形体を堆積して収容した場合であっても充分の量の雰囲気ガスを供給し、堆積群の全体に雰囲気ガスを行き渡らせることができるという効果が得られる。」（段落【0024】を参照。）
　
【訂正発明１について】
  訂正発明１と上記先願明細書に記載されたものとを対比する。先願明細書には、NiまたはNi系合金のような耐熱金属で形成した円形の底部と全周で起立する周壁からなる円形のケースより構成される焼成用匣内にセラミック成形体（訂正発明１における「セラミック被焼成素子」に相当）を収容し、炉内に雰囲気ガス流を供給して焼成するセラミック成形体の焼成方法が記載されており、上記NiまたはNi合金は、被焼成素子であるセラミック成形体よりも酸化しやすい物質といえるとしても、訂正発明１のように雰囲気ガスが非酸化ガスであることは明示されておらず、また、管状炉内で焼成することは何ら示されていない。さらに、先願明細書に記載されたものはセラミック成形体に充分の量の雰囲気ガスを供給することを目的とするものであって、訂正発明１のように焼成炉内の酸素濃度を低減し、安定した非酸化雰囲気中でセラミック被焼成素子を焼成するという目的とは異なるものである。
　したがって、訂正発明１は先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
【訂正発明２〜４について】 
  訂正発明２〜４は訂正発明１を前提とするものであるから、訂正発明１が上記のように先願明細書に記載された発明と同一であるとすることができない以上、訂正発明２〜４は、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
　したがって、訂正明細書の請求項１〜請求項４に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができたものである。
　
〔2-4〕むすび
  以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第120条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第126条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
　
〔3-1〕申立ての理由の概要　
　異議申立人寺尾健吾は、甲第１号証（特開平5-74649号公報）、甲第２号証（特開平5-262571号公報）、甲第３号証（特開昭58-16504号公報）、及び、甲第４号証（特開平9-159374号公報）を提出して、請求項１〜４に係る発明は上記甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項１〜４に係る発明の特許は特許法第29条第２項の規定に違反してなされたものであるから特許を取り消すべき旨、また、請求項１〜４に係る発明は上記甲第４号証に記載された発明と実質的に同一であり、請求項１〜４に係る発明の特許は特許法第29条の２の規定に違反してなされたものであるから特許を取り消すべき旨、主張する。
　
〔3-2〕特許異議申立てについての判断
　異議申立人寺尾健吾が取消しを求めた特許第3003564号の特許査定時の請求項１〜４に係る特許は、上記「２．訂正の適否について」において示したように、訂正が認められた結果削除され、存在しないものとなった。
　
〔3-3〕むすび
  以上のとおりであるから、異議申立人寺尾健吾による特許異議の申立ては不適法な申立てであって、その補正をすることができないものであるので、特許法第120条の６第１項で準用する第135条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月４日（２００１．６．４）
【訂正の要旨】
〔訂正の要旨〕
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、特許査定時の明細書の請求項１〜４を削除し、請求項５を請求項１とし、請求項６を請求項２とし、請求項７を請求項３とし、請求項８を請求項４とし、請求項１〜４をそれぞれ次のように訂正する。
　請求項１を「焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、前記セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、前記セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するセラミック電子部品の焼成方法。」と訂正し、
　請求項２を「サヤを回転させて焼成する請求項１に記載のセラミック電子部品の焼成方法。」と訂正し、
　請求項３を「セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質は、メッシュあるいはハニカム状であり、サヤの両端を被覆している請求項１に記載のセラミック電子部品の焼成方法。」と訂正し、
　請求項４を「サヤは側面に少なくとも一つの通気孔を有する請求項１に記載のセラミック電子部品の焼成方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書段落【０００５】（本件特許公報第２頁第３欄第２２〜３３行目）の記載「この目的を達成するために本発明のセラミック電子部品の焼成方法は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するものであり、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質が焼成炉内の残留酸素及びセラミック被焼成素子中の残留酸素を反応除去するだけでなく、流入させる非酸化ガス中の酸素を反応除去できるので、焼成炉内の酸素濃度を低減することができ、安定した非酸化雰囲気中でセラミック被焼成素子を焼成することができる。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「この目的を達成するために本発明のセラミック電子部品の焼成方法は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するものであり、管状炉内で焼成することにより、焼成炉内の雰囲気を制御しやすく、セラミック被焼成素子を均一に焼成することができると共に、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質が焼成炉内の残留酸素及びセラミック被焼成素子中の残留酸素を反応除去するだけでなく、流入させる非酸化ガス中の酸素を反応除去できるので、焼成炉内の酸素濃度を低減することができ、安定した非酸化雰囲気中でセラミック被焼成素子を焼成することができる。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書段落【０００７】（本件特許公報第２頁第３欄第３９〜４６行目）の記載「本発明の請求項１に記載の発明は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するセラミック電子部品の焼成方法であり、焼成炉内の酸素濃度を低減し、かつ、安定した非酸化雰囲気中となるので安定した特性のセラミック電子部品を得ることができる。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「本発明の請求項１に記載の発明は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置するセラミック電子部品の焼成方法であり、管状炉内で焼成することにより、焼成炉内の雰囲気を制御しやすく、セラミック被焼成素子を均一に焼成することができると共に、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置することにより、焼成炉内の酸素濃度を低減し、かつ安定した非酸化雰囲気中となるので安定した特性のセラミック電子部品を得ることができる。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　明細書段落【０００８】〜【００１１】（本件特許公報第２頁第３欄第４７行目〜同頁第４欄第２４行目）の記載を削除するとともに、明細書段落【００１２】（本件特許公報第２頁第４欄第２５〜２６行目）の記載「請求項６に記載の発明は、サヤを回転させて焼成する請求項５に記載の」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項２に記載の発明は、サヤを回転させて焼成する請求項１に記載の」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書段落【００１３】（本件特許公報第２頁第４欄第２９〜３１行目）の記載「請求項７に記載の発明は、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質は、メッシュあるいはハニカム状でサヤの両端を被覆している請求項５に記載の」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項３に記載の発明は、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質は、メッシュあるいはハニカム状でサヤの両端を被覆している請求項１に記載の」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書段落【００１４】（本件特許公報第２頁第４欄第３５〜３６行目）の記載「請求項８に記載の発明は、サヤは側面に少なくとも一つの通気孔を有する請求項５に記載の」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項４に記載の発明は、サヤは側面に少なくとも一つの通気孔を有する請求項１に記載の」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
セラミック電子部品の焼成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
前記セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、
　【請求項
２
１
　【請求項
３
１
　【請求項
４
１
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、非酸化雰囲気中で焼成するセラミック電子部品の焼成方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の非酸化雰囲気中の焼成方法では、炉内に被焼成素子よりも酸化しやすい物質や触媒性のある物質を設置せずに、グリーンガスなどの非酸化ガスを流入させて焼成していた。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記焼成方法では、非酸化ガス中や炉内に残留する酸素の影響で炉内の雰囲気が不均一となり、結果として焼成後の被焼成素子の特性にバラツキが生じやすいという問題点を有していた。
　【０００４】
　そこで本発明は、焼成雰囲気を均一とし、形状、色、特性のバラツキを低減させ、常に均一なセラミック電子部品を多量に作製するための焼成方法を提供することを目的とするものである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　この目的を達成するために本発明のセラミック電子部品の焼成方法は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、
セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、
管状炉内で焼成することにより、焼成炉内の雰囲気を制御しやすく、セラミック被焼成素子を均一に焼成することができると共に、
　【０００６】
　従って、このように安定した雰囲気中で焼成することにより、形状、色、特性のバラツキを小さくし、その上、常に均一なセラミック電子部品を多量に作製することが可能となる。
　【０００７】
　【発明の実施の形態】
　本発明の請求項１に記載の発明は、焼成炉内でセラミック被焼成素子を非酸化雰囲気中で焼成する際、
セラミック被焼成素子を円筒型のサヤに投入し、管状炉内で焼成する方法であって、
管状炉内で焼成することにより、焼成炉内の雰囲気を制御しやすく、セラミック被焼成素子を均一に焼成することができると共に、セラミック被焼成素子よりも酸化しやすい物質を非酸化ガス流入孔と前記セラミック被焼成素子との間に少なくとも一つ設置することにより、
　【０００８】
　請求項
２
１
　【０００９】
　請求項
３
１
　【００１０】
　請求項
４
１
　【００１１】
　（実施の形態１）
　以下、本発明の第１の実施の形態について、図面を用いて説明する。
　【００１２】
　図４において、１は積層バリスタ素子で、その内部には複数の内部電極２がセラミックシート１ａを挟んで互いに相対向するように設けられ、その両端には外部電極３が設けられている。積層バリスタ素子１は、ＳｒＴｉＯ３を主成分とし、副成分としてＮｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，ＭｎＯ２，ＳｉＯ２などを添加して形成したものである。また、内部電極２は、Ｎｉを主成分とし、副成分としてＬｉ２ＣＯ３を添加して形成したものである。さらに、外部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成分としてＬｉ２ＣＯ３を添加して形成し、上層３ｂをＡｇ，Ａｇ−Ｐｄなどで形成したものである。
　【００１３】
　図５は製造工程を示し、（４）に示すごとく原料の混合、仮焼、粉砕、スラリー化、シート成形によりセラミックシート１ａを作製した。
　【００１４】
　次に、セラミックシート１ａと内部電極２とを積層（５）、切断（６）し積層体を得た。その後、空気中で脱バイ・仮焼（７）し、さらに面取り（８）を行った後、積層体の内部電極２の露出した端面にのみ、下層３ａとなるＮｉ外部電極ペーストを塗布（９）した。
　【００１５】
　その後、図１に示すように、外部電極３を塗布した積層体をアルミナ製のサヤ１３に詰め込み、そして、このサヤ１３を段積みにし、かつＮｉメッシュ１４でサヤの側面を覆う状態で箱型炉にて、１２００〜１３００℃の温度範囲で非酸化雰囲気焼成（１０）した。
　【００１６】
　焼成後、下層３ａの上に、上層３ｂとなるＡｇ外部電極ペーストを塗布（１１）し、空気中でＡｇ焼き付けと同時に積層バリスタ素子１の再酸化のため７００〜９００℃の温度範囲で加熱（１２）し、積層バリスタ素子１を作製した。
　【００１７】
　なお、本実施の形態では、積層バリスタ素子１の形状は、幅×長さ×高さ（Ｗ×Ｌ×Ｔ）が１．２５×２．０×１．０ｍｍの形状で、非酸化雰囲気焼成時（１０）の処理量を２〜５万個／バッチとした。
　【００１８】
　実施の形態１より得られた積層バリスタ素子１は積層バリスタ素子１間での寸法や色ムラのバラツキ、また、電気特性（バリスタ特性、コンデンサ特性）のバラツキが非常に小さかった。さらに、焼成ロット間のバラツキもほとんど無く、常に均一な積層バリスタ素子１を多量に焼成することが可能となった。
　【００１９】
　従来までの焼成方法では、
　（１）窒素、水素、不活性ガス等の非酸化雰囲気ガス中（ガスボンベ中、配管中など）や炉材（炉壁、サヤなど）に残留する酸素
　（２）被焼成素子、この場合では積層バリスタ素子１に含有される酸素などの影響で、炉内の雰囲気が乱れやすく、積層バリスタ素子１間やロット間のバラツキが発生しやすい状況にあった。特に、長期間（およそ７日以上）使用しなかった焼成炉を使用したり、ガスボンベを切り替えた直後、また、被焼成素子の処理量を増加（例えば、約１万個／バッチ以上の積層バリスタ素子１）した時など、酸素の影響を受けやすく極端な場合には、焼成後の積層バリスタ素子１の下層３ａのＮｉ外部電極が、緑色のＮｉＯに酸化していた。
　【００２０】
　しかし、本実施の形態１に示したように、段積みしたサヤ１３の側面をＮｉメッシュ１４で覆った状態で非酸化雰囲気焼成すると、焼成雰囲気の乱れの要因となっている炉内の残留酸素や被焼成素子の含有酸素がＮｉメッシュ１４と積極的に反応し、除去されるため均一な焼成雰囲気となる。
　【００２１】
　従って、本実施の形態１のような焼成方法を用いた場合では、前述したように出来上がった積層バリスタ素子１の形状、色、特性のバラツキが小さく、また、処理量を２〜５万／バッチに増加しても常に均一な積層バリスタ素子１を作製することが可能となった。
　【００２２】
　また、Ｃｕメッシュを使用した場合でも同様の効果を確認した。ただ、ここで重要な事項は、Ｎｉの融点は１４５５℃、Ｃｕの融点が１０８３℃であり、焼成条件を設定する場合これらの融点を越えないように考慮する必要がある。
　【００２３】
　（実施の形態２）
　次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
　【００２４】
　実施の形態１と同じように図５の（４）〜（９）に示す工程を経て得られた端面に下層３ａのＮｉ外部電極が塗布された積層体を図１と同じように、アルミナ製のサヤ１３に詰め込み、そして、このサヤ１３を段積みにし、かつＰｔ製のメッシュ１４でサヤ１３の側面を覆う状態で箱型炉にて非酸化雰囲気焼成（１０）した。以下図４に示す（１１）、（１２）を行い積層バリスタ素子１を作製した。
　【００２５】
　実施の形態２より得られた積層バリスタ素子１では、実施の形態１で示したのと同様に積層バリスタ素子１間や焼成ロット間において形状、色、特性のバラツキが小さく、また、処理量が増加しても常に均一な積層バリスタ素子１を多量に焼成することが可能となった。また、本実施の形態２に示したように、段積みしたサヤ１３の側面とＰｔメッシュ１４で覆った状態で非酸化雰囲気焼成（１０）をすると、焼成雰囲気の乱れの要因となっている炉内の残留酸素や積層バリスタ素子１の含有酸素が触媒性のＰｔにより除去されるため均一な雰囲気となる。
　【００２６】
　従って、本実施の形態２のような焼成方法を用いた場合では、前述したように出来上がった積層バリスタ素子１の形状、色、特性のバラツキが小さく、常に均一な積層バリスタ素子１を多量作製することが可能となった。
　【００２７】
　また、Ｐｔ製のメッシュ１４にかえてＰｄ製のメッシュを使用した場合でも同様の効果を確認した。
　【００２８】
　（実施の形態３）
　次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
　【００２９】
　実施の形態１，２と同様に図５に示す（４）〜（９）の工程を経て得られた端面に下層３ａのＮｉ外部電極が塗布された積層体を図１と同様にＮｉ製のサヤ１３に詰め込み、そしてこのサヤ１３を段積みにし、かつＮｉ製のメッシュ１４でサヤ１３の側面を覆う状態で箱型炉にて非酸化雰囲気焼成（１０）した。以下（１１）、（１２）に示す工程を行い積層バリスタ素子１を作製した。
　【００３０】
　本実施の形態３より得られた積層バリスタ素子１では、実施の形態１、２で示したのと同様に積層バリスタ素子１間や焼成ロット間の形状、色、特性のバラツキが小さく、また、処理量が増加しても常に均一な積層バリスタ素子１を多量に焼成することが可能となった。
　【００３１】
　なお、本実施の形態３でＮｉ製のメッシュ１４で覆わない状態で非酸化雰囲気焼成（１０）した場合でも、Ｎｉ製のサヤ１３を使用しているため前述したようなＮｉの効果が得られた。
　【００３２】
　以上、本実施の形態１、２ではＮｉ製のメッシュ１４やＰｔ製のメッシュ１４でサヤ１３の側面を被覆して使用したが、アルミナ製のサヤ１３の側壁上部面にＮｉ，Ｃｕ，ＺｎＯ，Ｐｄ，Ｐｔの粉末や固まりを設置しておいても同様の効果が得られることを確認した。
　【００３３】
　また、これらを設置する場所に当たっては、非酸化雰囲気ガスが流入する側（ガスの通り道）で、かつ積層バリスタ素子１に非酸化雰囲気ガスが接触する前のできるだけ温度の高いところ（積層バリスタ素子１の温度に近いところ）が望ましい。
　【００３４】
　また、箱型炉での使用上重要だと考えられる事項について記載すると、
　（Ｉ）段積みしたサヤ１３の最上、下段では特性が若干変わるため、その部分のサヤ１３には積層バリスタ素子１を投入しないほうがよい。
　【００３５】
　（ＩＩ）どちらかといえば通気性のあるポーラスなサヤ１３を使用した方が、緻密なサヤ１３を使用するよりも積層バリスタ素子１の特性が安定する。また、サヤ１３の側面または底面に少なくとも一つの通気孔を有した方が、より一層雰囲気ガスの流れが良くなり積層バリスタ素子１の特性が安定する。
　【００３６】
　（ＩＩＩ）積層バリスタ素子１の投入量はサヤ１３の容積の１／５〜１／３ほどが適量でありこれ以上増加させると積層バリスタ素子１の特性がバラツク傾向にある。
　【００３７】
　（ＩＶ）非酸化雰囲気ガスが直接積層バリスタ素子１に当たらないほうが特性上安定する。
　【００３８】
　（Ｖ）非酸化雰囲気ガスが流入する側にＮｉ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄのメッシュ１４を複数枚（２〜３枚）設置することにより、より効果がある。
　【００３９】
　（ＶＩ）Ｎｉ製のメッシュ１４は、焼成後ＮｉＯに酸化されたり、痩せたりするため、焼成毎に新品と取り替える必要がある。また、Ｎｉを含んだ金属の粉、固体を使用した場合でも同様の処置をしたほうがよい。
　【００４０】
　（実施の形態４）
　次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
　【００４１】
　実施の形態１〜３と同様に図４に示す（４）〜（９）の工程を経て得られた端面に下層３ａのＮｉ外部電極が塗布された積層体を図２、図３に示すように、アルミナ製の円筒型のサヤ１６に投入し、さらに、Ｎｉ製のメッシュ１４でフタをし、そしてアルミ製のリング１７で固定した状態で回転可能な管状炉にて、１２００〜１３００℃の温度範囲で非酸化雰囲気焼成（１０）した。以下（１１）、（１２）の工程を実施し積層バリスタ素子１を作製した。
　【００４２】
　実施の形態４により得られた積層バリスタ素子１では、実施の形態１〜３で示したのと同様に積層バリスタ素子１間や焼成ロット間において形状、色、特性のバラツキが小さく、また、処理量が増加しても常に均一な積層バリスタ素子１を多量に焼成することが可能となった。
　【００４３】
　また、本実施の形態４では管状炉を回転させた状態で非酸化雰囲気焼成を実施したが回転しない状態でも、Ｎｉ製のメッシュ１４の効果が確認された。
　【００４４】
　（実施の形態５）
　次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。
　【００４５】
　実施の形態１〜４と同様に図５に示す（４）〜（９）の工程を経て得られた端面に下層３ａのＮｉ外部電極が塗布された積層体を図２、図３に示すように、アルミナ製の円筒型のサヤ１６に投入し、さらに、Ｐｔ製のメッシュ１４でフタをし、そしてアルミ製のリング１７で固定した状態で回転可能な管状炉にて、非酸化雰囲気焼成（１０）した。以下（１１）、（１２）の工程を実施し積層バリスタ素子１を作製した。
　【００４６】
　実施の形態５により得られた積層バリスタ素子１では、実施の形態１〜４で示したのと同様に積層バリスタ素子１間や焼成ロット間において形状、色、特性のバラツキが小さく、また、処理量が増加しても常に均一な積層バリスタ素子１を多量に焼成することが可能となった。
　【００４７】
　（実施の形態６）
　次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。
　【００４８】
　実施の形態４、５で使用したアルミナ製の円筒型のサヤ１６の代わりにＮｉ製のサヤ１６を用いて実施の形態４、５と同様に積層バリスタ素子１を作製した。
　【００４９】
　この場合も、実施の形態１〜５と同様な効果が確認された。
　【００５０】
　（実施の形態７）
　次に、本発明の第７の実施の形態について説明する。
　【００５１】
　実施の形態４、５、６で使用した金属製のメッシュ１４の代わりにハニカム状のＰｔのフタを用いて同様に積層バリスタ素子１を作製した。
　【００５２】
　この場合も、実施の形態１〜６と同様な効果が確認された。即ち、Ｐｔが雰囲気の乱れの要因となっている炉内の残留酸素や積層バリスタ素子１の含有酸素がＰｔの触媒作用により除去されるため均一な雰囲気となる。
　【００５３】
　以上、実施の形態４〜７で示したように回転した状態で焼成する方法では、実施の形態１〜３の箱型炉で焼成する場合と比較して、
　（ｉ）積層バリスタ素子１にかかる温度が均一となり、回転していない状態と比較して、より一層バラツキが小さくなる。
　【００５４】
　（ｉｉ）積層バリスタ素子１のサヤ詰め作業の簡易化、サヤの段積みの作業の皆無が図れる。
　【００５５】
　（ｉｉｉ）非酸化雰囲気ガスの流れ（ガスの通り道）が、より単純で制御しやすい。
などの利点があった。
　【００５６】
　また、管状炉での使用上重要だと考えられる事項について記載すると、
　（一）回転時での下層３ａのＮｉ外部電極の剥離を防ぐために回転開始を１０００℃以上の高温域から始めることが望ましい。
　【００５７】
　（二）回転数は１〜４ｒ／ｍｉｎ．がサヤ１６内での積層バリスタ素子１の回転がスムーズに起こりやすい。
　【００５８】
　（三）積層バリスタ素子１の投入量はサヤ１６の容積の１／３〜１／２ほどが適量でありこれ以上増加させると、非酸化雰囲気ガスの流れが悪くなったり、また、積層バリスタ素子１の回転が起こりにくくなるという傾向にある。
　【００５９】
　（四）箱型炉の場合でも同様であったが非酸化雰囲気ガスが直接積層バリスタ素子１に当たらないほうが特性上安定する。
　【００６０】
　（五）非酸化雰囲気ガスが流入する側のメッシュ１４を複数枚（２〜３枚）設置することにより効果があがる。
　【００６１】
　（六）Ｎｉ製のメッシュ１４は、焼成後ＮｉＯに酸化されたり痩せたりするため、焼成毎に新品と取り替える必要がある。また、本実施の形態３、６ではＮｉ製のサヤ１３、１６を用いたが、セラミック製のサヤにＮｉをコーティングしたサヤを用いても同様の効果がある。
　【００６２】
　なお、本実施の形態１〜７において、積層バリスタ素子１を例にあげたが、本発明は、ディスク型、円筒型などにも適用できるものであり、また、コンデンサ、セラミスタなど非酸化雰囲気焼成を行う電子部品の焼成方法にも応用できるものである。
　【００６３】
　また、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔの焼成炉内の酸素濃度を下げることのできる物質は、単体でもあるいは化合物の形で用いても構わず、またこれらの中から２つ以上を組み合わせて用いても構わない。
　【００６４】
　そしてその形状も、サヤ１３、１６、粉末、固まり、メッシュ等使用状況にあわせて任意にすることができるが、表面積を大きくするほどその効果は高い。
　【００６５】
　さらに図２、図３に示すようにサヤ１６の側面に、貫通孔２０やスリット２１を設けることにより、サヤ１６内の非酸化雰囲気をより均一にすることができる。またサヤ１６の内部を仕切って複数の部屋に分割するときは、分割した部屋ごとに貫通孔２０やスリット２１を設けることが好ましい。
　【００６６】
　貫通孔２０の大きさやスリット２１の幅、被焼成素子がサヤ１６から脱落しない大きさにすればどのような大きさでも構わない。またその数も問わない。
　【００６７】
　【発明の効果】
　以上のごとく本発明は、非酸化雰囲気中で焼成するセラミック電子部品の焼成方法に関するものである。
　【００６８】
　そして、この方法によれば、焼成炉内の酸素濃度を低くすることができる物質が焼成炉内の残留酸素及びセラミック被焼成素子中の残留酸素を反応除去するだけでなく、流入させる非酸化ガス中の酸素をも反応除去できるので、焼成炉内の酸素濃度を低減することができ、安定した非酸化雰囲気中でセラミック被焼成素子を焼成することができる。従って形状、色、特性などのバラツキが小さい、均一なセラミック電子部品を多量に作製することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施の形態におけるサヤの斜視図
　【図２】
　本発明の他の実施の形態におけるサヤの分解斜視図
　【図３】
　本発明の他の実施の形態におけるサヤの分解斜視図
　【図４】
　本発明の一実施の形態における積層バリスタ素子の断面図
　【図５】
　本発明の一実施の形態における積層バリスタ素子の製造工程図
　【符号の説明】
　１　バリスタ素子
　１３　サヤ
　１４　メッシュ
　１６　円筒型のサヤ
　２０　貫通孔
　２１　スリット