【事件の表示】
　特許第３０４８８５８号「導電性薄膜を有する基板の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０４８８５８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　本件特許第３０４８８５８号の手続の経緯は、次のとおりである。
　特許出願　　　　平成　６年１１月　２日
　設定登録　　　　平成１２年　３月２４日
　特許公報発行　　平成１２年　６月　５日
　特許異議申立　　平成１２年１２月　１日
　取消理由通知　　平成１３年　６月２５日付
　特許異議意見書　平成１３年　９月　４日
（２）特許異議申立についての判断
　ア．本件発明
　本件発明は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１（以下、「本件発明」という）に記載された下記のとおりのものである。
　「【請求項１】Ａ．基板上に下地用のクロム薄膜を形成し、
Ｂ．このクロム薄膜上に銅とクロムとからなる薄膜を形成し、
Ｃ．これらクロム薄膜及び銅とクロムとからなる薄膜を所定の形状にパターニングした後、
Ｄ．銅を多く含む層とクロムを多く含む層とに分離すべく上記銅とクロムとからなる薄膜を熱処理することを特徴とする
Ｅ．導電性薄膜を有する基板の製造方法。」
（上記のＡ〜Ｅの記号は、便宜上付与したものである。）
　イ．特許異議申立理由の概要
　本件発明に対して、特許異議申立人井上信好は、甲第１号証：特開平６−２３２１２８号公報（以下、「甲１」という）、甲第２号証：「ＳＴＲＵＣＴＵＲＡＬ　ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＺＡＴＩＯＮ　ＯＦ　Ｃｕ−Ｃｒ　ＦＩＬＭＳ」、ＭＡＴＥＲＩＡＬ　ＬＥＴＴＥＲＳ、Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　１９８７、Ｖｏｌ．６　Ｎｏ．１，２、ｐ．４１−４４（以下、「甲２」という）、甲第３号証：特開昭５８−２２２５３３号公報（以下、「甲３」という）及び甲第４号証：特開平５−２１６３９号公報（以下、「甲４」という）を挙示して、本件発明は、甲１〜甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　ウ．甲各号証に記載された発明
　甲１には、「半導体装置およびその製造方法」に関する発明が記載されており、
（１−１）「本発明の目的は、電気伝導性，耐熱性，耐エレクトロマイグレーション性および、耐酸化性や耐食性に優れた配線材料を用いることにより、高速応答性と信頼性に優れた半導体装置を提供することにある。」（第２頁右欄３５〜３８行）、
（１−２）【課題を解決するための手段】の項には、「上記目的は、銅の表面上に耐酸化性あるいは耐食性に優れた銅合金または化合物を形成し、かつ銅と合金化元素または化合物との組成比が配線または電極の内部に向かって連続的に変化させた配線材料を用いた半導体装置により達成される。」（第２頁右欄４０〜４４行）、
（１−３）特許請求の範囲の請求項２には、「半導体チップ内の回路配線および／または電極の材料が、銅または銅合金である半導体装置において、銅よりも高い耐食性を有する元素または化合物がその表面に被設され、その元素または化合物濃度が配線および／または電極の内部に向かって連続的に減少することを特徴とする半導体装置」、
（１−４）請求項３には、「…銅よりも高い耐食性を有する元素または化合物を形成する元素の成分が、Ａｇ，Ｂｅ，Ｃｒ，Ｆｅ…（中略）…の少なくとも一種類であること…」、
（１−５）請求項５には、「半導体膜と銅合金とのオーミックコンタクト用の金属膜と、銅あるいは銅合金に対するバリア金属と、銅あるいは銅合金とを順次重ねて形成する工程と、各膜上にホトレジストにより回路を描写し、その描写パターンに従ってドライエッチングする工程と、ホトレジストを除去する工程を有する半導体装置の製造方法において、銅あるいは銅合金中に銅よりも高い耐食性を有する元素または化合物を銅あるいは銅合金を形成するときに分散させ、その後に熱処理を施すことにより、銅よりも高い耐食性を有する元素または化合物を回路配線または電極の表面に拡散させその濃度を高めることにより、回路配線または電極の耐食性の向上を図ることを特徴とする半導体チップ内の回路配線および／または電極の形成方法」、
（１−６）【実施例】の項には、前記請求項２の発明に関連する実施例として、「図２から配線表面には銀の濃度が高く、内部になるに従って銅の濃度が増加し、かつ銀の濃度は減少していることがわかる。このように形成された銅−銀組成傾斜合金層の組成比は配線内部で銅の濃度が高く、配線表面では銀の濃度が高いため、電気的特性は純銅配線の特性と同等でありかつ耐食性は銀と同程度になる。本発明により耐食信頼性に優れて、銅と同様の電気伝導性，耐熱性，耐エレクトロマイグレーション性を有する半導体装置を堤供することができる。」（第３頁右欄１２〜２１行）、
（１−７）【００１７〜１８】の段落には、前記請求項５の発明に関連する実施例として、図６のフローチャートに基づいて説明されており、「バリアメタル層の上に組成傾斜層を形成するのに必要な元素を添加した銅合金を形成する。銅合金の形成されたシリコンウエハを非酸化性の雰囲気中で所定の温度プロファイルの熱処理を行う。この熱処理により特定の元素を銅合金表面に拡散させ組成傾斜層を形成する。続いてホトレジストにより配線パターンを描写し、そのパターンに従ってドライエッチングにより回路を形成する。…（中略）…以上の工程により銅配線の表面は耐酸化性に優れる組成傾斜層で覆われるているために、続く酸素プラズマによるホトレジストの除去や水洗時の、銅の酸化や腐食は抑制される。」（第４頁左欄２６行〜同頁右欄７行）、といった記載がなされている。
　甲２には、下記の記載がある。
（２−１）要旨部分：「Ｃｕ８０Ｃｒ２０薄膜は…６７３Ｋ以上の加熱により、表面にＣｒ層およひ残余バルクにＣｕ層の、２層の構成をもたらす、層分離が起こった。」、
（２−２）結論部分：「３つの異なった条件で蒸着されたＣｕ８０Ｃｒ２０薄膜の特殊化は・・・さらに、６７３Ｋ以上において相分離が起こることと、２つの層すなわち表面に酸素を含んでいるＣｒ層およひ残余バルクにＣｕ層が形成されること；これは酸化物の構成に伴うＣｕとＣｒ間の自由エネルギー変換の違いにより引き起こされる。」
　甲３には、電極基板について、
（３−１）液晶表示素子への適用例を示した第１図及び第２図の一実施例には、Ｃｒ，Ｃｕ，Ｃｒの３層からなる電極配線（＝Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ３層電極）が示され、それら３つの層の役割について、「第１層としてＣｒ１１，１４を用いているので、ガラス基板２及び透明電極１０との密着性が良くなる。また、第２層としてＣｕ１２，１５を用いているので、低抵抗となり、電圧降下が生じなく、かつ、はんだ付性が良い。また、第３層としてＣｒ１３，１６を用いているので、第２層のＣｕ１２，１５が酸化されない。」（第３頁上段右欄５〜１２行）、「第１層のＣｒ１１及び１４は基板との密着性をとる役目である」（第３真下段左欄１４〜１５行）、「第２層のＣｕ１２及び１５は、電気抵抗を小さくする役目を持っており」（第３頁下段右欄３〜４行）、「第３層のＣｒ１３及び１６は、第２層のＣｕを保護する役目」（第３頁下段右欄８〜９行）と、それぞれ記載されている。
　甲４には、半導体装置用の銅を主体とした合金膜の金属配線及びその形成方法について、
（４−１）「従来のＡｌを用いた金属配線では、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションによる断線不良があった。そこで銅を用いた金属配線が検討されたが、酸化により配線表面の品質が低下したり、配線抵抗が大きくなるという問題があった。・・・本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、酸化による配線表面の劣化や配線抵抗の増大を防止できる、エレクトロマイグレーション耐性，ストレスマイグレーション耐性に優れた金属配線及びその形成方法を提供することにある。」（第２欄２５〜３８行）、
（４−２）「基板上に主たる配線材料からなる第１の金属膜と、この主たる配線材料と金属間化合物を形成しない配線材料からなる第２の金属膜との積層膜を形成する工程と、この積層膜を熱処理し、且つパターニングする工程とを有する…金属配線の形成方法。」（【請求項２】）、
（４−３）「図１は本発明の第１の実施例に係る金属配線の形成工程断面図である。【００１９】最初、図１（ａ）に示すように、所望の素子が形成された半導体基板１上に、層間絶縁膜３を形成する。次いでこの半導体基板１を周知のマグネトロンスパッタリング装置のチェンバー内にセットした後、…減圧する。…【００２０】次に図１（ｂ）に示すように、アルゴンプラズマによってニオブ（Ｎｂ）のターゲットをスパッタし、層間絶縁膜３上に、銅（Ｃｕ）と金属間化合物を形成しない金属層として、厚さ５０ｎｍ程度のニオブ層５を堆積する。【００２１】次に図１（ｃ）に示すように、銅のターゲットをスパッタし、ニオブ層５上に銅層７を…堆積する。…次いで銅／ニオブ積層膜が形成された半導体基板１を赤外線イメージ炉内にセットした後、この炉内を…排気する。しかる後、上記炉内に水素１０体積％，アルゴン９０体積％からなる混合ガスを１気圧，３００ｃｍ３／ｍｉｎの流量で導入する。【００２２】次に炉内の温度を６０度／ｍｉｎの昇温速度で、例えば、７５０℃まで上昇させる。そして炉内を７５０℃の温度に３０分間保持した後、６０℃／ｍｉｎの昇温速度で冷却する。【００２３】上記熱処理により、図１（ｄ）に示すように、銅ニオブ積層合金層９が形成された。・・・【００２４】この図から銅ニオブ積層合金層９の表面には厚さ約５ｎｍのニオブ層５が形成されていることが分かる。・・・【００２５】また、銅ニオブ積層合金層９の結晶粒界１１にはニオブからなる析出物１３が析出していた。・・・最後に、図１（ｅ）に示すように、銅ニオブ積層合金層９をパターニングして、銅ニオブ積層合金配線１５が完成する。【００２６】以上の方法で得られた銅ニオブ積層合金配線１５は、上述したように銅／ニオブ積層膜より比抵抗が小さいのは勿論のこと、銅表面がニオブで被覆されているので、酸化銅の生成が防止され、且つ層間絶縁膜やパッシベーション膜との密着性も改善される。」（第３欄２９行〜第４欄３４行）、
（４−４）「【００３３】図４には本発明の第２の実施例に係る金属配線の形成工程断面図が示されている。…本実施例の形成方法が第１の実施例のそれと異なる点は、銅ニオブ積層合金層９のパターニング後に、熱処理を行なったことにある。先ず、図４（ａ）に示すように、第１の実施例と同様な方法で、半導体基板１上に層間絶縁膜３，ニオブ層５，銅層７を順次形成する。【００３４】次に図４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法，反応性イオンエッチング法を用いて、ニオブ層５と銅層７との積層膜を配線幅０．５の配線パターン状に加工する。…【００３５】最後に、図４（ｃ）に示すように、半導体基板１に熱処理を施して、銅層７の表面を厚さ５ｎｍニオブ層５で覆うと共に、結晶粒界にニオブからなる析出物を形成する。このような方法でも、銅と金属間化合物を形成しないニオブを用いているので、先の実施例と同様な効果が得られる。」（第５欄２９〜４８行）、という記載があり、
（４−５）また、ニオブ層をクロム層と変更できることについても記載されている。（第６欄下から５行〜第７欄２行）
　エ．対比・判断
　本件発明と甲１〜甲４に記載の各発明とを対比する。
　本件発明は、Ａｌ以上に低抵抗で導電性に優れた材質である銅を配線材料とする場合において、Ｃｕは、ドライエッチングが困難であるため、配線を高解像度で正確にパターニングできず、かつ、耐腐蝕性に劣る等の欠点を有していた｛【０００５】参照｝ことに鑑みてなされたものであって、大規模集積回路や大面積のアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用できる低抵抗で、耐腐食性に優れ、高解像度で正確にパターニングされた導電性薄膜を形成することを目的として、基板上に下地用のクロム薄層を形成し、該クロム薄層上に銅とクロムからなる混合物の薄層を形成し、これをパターニングし（銅とクロムからなる混合物の薄層をパターニングすることにより、高解像度で正確なものとすることができる。）、次いで熱処理をする（熱処理により、耐腐蝕性に優れたものにすると同時に基板との間に密着性が得られる。）ことにより、導電性薄膜を有する基板を製造するという上記Ａ〜Ｅに係る構成を有するものである。
　これに対して、甲１発明は、上記（１−１）に記載されたように電気伝導性，耐熱性，耐エレクトロマイグレーション性および、耐酸化性や耐食性に優れた配線材料を用いることにより、高速応答性と信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的として、上記（１−２）〜（１−５）に記載された構成を有するものであって、シリコンウエハ（＝基板）上にオーミックコンタクト用金属膜、バリア金属層、銅とを順次重ねて形成する工程（＝積層膜形成工程）、次いで各膜上にホトレジストにより回路を描写し、その描写パターンに従ってドライエッチングし、ホトレジストを除去する工程（＝パターニング工程）により半導体装置は製造されており、上記積層膜形成工程において、銅中に銅よりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）を分散させて後、熱処理を施すことにより、銅よりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）を回路配線又は電極の表面に拡散させその濃度を高めることにより、回路配線又は電極の耐食性の向上を図るものである。
　そうすると、両者は、銅を配線材料とする場合において、低抵抗（＝高速応答性）で、耐腐食性（＝耐酸化性や耐食性）に優れたものとする点で、目的の一部に共通性が見られるとしても、本件発明では、高解像度で正確にパターニングされた導電性薄膜を有する基板の製造を目的としている点で、半導体装置の提供を目的としている甲１発明とは、相違が認められる。
　そして、両者の構成を対比してみると、本件発明の導電性薄膜は、甲１発明における回路配線又は電極と、共通した技術であるが、本件発明の導電性薄膜は、図３の（ｄ）からも解るように、基板上に順に形成されたクロム薄膜（＝下地層）、Ｃｕを多く含む層、Ｃｒを多く含む層（＝表面層）という３層からなっているのに対して、甲１発明における回路配線又は電極は、上記（１−４）〜（１−７）の記載、及び図２を含む全記載から解るように、半導体装置に用いるためのものであるため、シリコンウエハ（＝基板）上にまずオーミックコンタクト用金属膜やバリア金属層を形成し、その上に順に形成されたＣｕを多く含む層、Ｃｕよりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）を多く含む層（＝表面層）という２層からなっているため、本件発明の必須の構成である基板上に下地用のクロム薄膜を有するもの（＝本件発明の上記構成Ａ）とはなっていないし、しかも、本件発明の目的物である上記３層からなる導電性薄膜を有する基板（＝本件発明の上記構成Ｅ）についても、記載も示唆もない。
　また、甲１発明における回路配線又は電極を有する半導体装置の製造方法をみても、｛基板上にオーミックコンタクト用金属膜やバリア金属層の形成｝→｛バリア金属層上に配線材料又は電極材料としてＣｕとＣｕよりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）の分散物の形成｝→｛Ｃｕよりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）を回路配線又は電極の表面に拡散させてその濃度を高める、即ちＣｕを多く含む層とＣｕよりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）を多く含む層とに分離する、ための熱処理｝→｛パターニング｝の各工程を順次行うことが記載されているにすぎないため、本件発明の導電性薄膜を有する基板の製造方法である、｛基板上にクロム薄膜（＝下地層）の形成｝→｛クロム薄膜上にＣｕとＣｒからなる混合物の薄膜の形成｝→｛パターニング｝→｛Ｃｕを多く含む層とＣｒを多く含む層とに分離するための熱処理｝の各工程を順次行う方法と比べると、甲１発明には、基板上にクロム薄膜（＝下地層）の形成工程（＝本件発明の上記構成Ａ）も、クロム薄膜上にＣｕとＣｒからなる混合物の薄膜の形成工程（＝本件発明の上記構成Ｂ）もなく、さらに、甲１発明では、熱処理をして、Ｃｕを多く含む層とＣｒを多く含む層とに分離した後に、パターニングを行っていることからも明らかなように、本件発明のようにクロム薄膜上に形成された銅とクロムからなる混合物の薄層をパターニングするもの（＝本件発明の上記構成Ｃ）とはなっていない。
　したがって、甲１には、本件発明の目的と共通する部分に対応した構成に相当する、ＣｕとＣｕよりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）の分散物（＝混合物）の薄膜を熱処理して、Ｃｕよりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）を回路配線又は電極の表面に拡散させてその濃度を高める、即ちＣｕを多く含む層とＣｕよりも高い耐食性を有する元素（ＡｇやＣｒ等々）を多く含む層とに分離するという部分（＝本件発明の上記構成Ｄ）でのみ共通しているにすぎず、その他の部分（＝本件発明の上記構成Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｅ）については、記載も示唆もするところがない。
　また、甲２には、上記（２−１）、（２−２）からも解るように、Ｃｕ８０Ｃｒ２０からなる薄膜は、６７３Ｋ（＝４００℃）以上の加熱により、酸化物の構成に伴うＣｕとＣｒ間の自由エネルギー変換の違いによって表面にＣｒが移動し、Ｃｕは残余バルク層にと、２層の構成をもたらすように層分離が起こることが記載されているにすぎないから、本件発明の銅を多く含む層とクロムを多く含む層とに分離するために銅とクロムからなる混合物の薄膜に対して行う熱処理（＝本件発明の上記構成Ｄ）を断片的に記載しているにすぎない。
　甲３には、上記（３−１）を含む全記載から明らかなように、ガラス基板上に、順にＣｒ層（＝第１層）、Ｃｕ層（＝第２層）、Ｃｒ層（＝第３層）からなる３層電極を形成していて、これら３層の果たす作用は、第１層のＣｒ層は基板との密着性を良好にするため、第２層のＣｕ層は低抵抗とするため、第３層のＣｒ層はＣｕを保護するためであるから、それぞれ本件発明におけるクロム薄膜（＝下地層）、Ｃｕを多く含む層、Ｃｒを多く含む層（＝表面層）に該当している｛本件明細書の【００１２】、【００１５】を参照｝ことになるので、甲３発明の３層から成る電極基板は、本件発明の３層から成る導電性薄膜を有する基板に略該当している（＝本件発明の上記構成Ｅ）と認められる。
　しかしながら、甲３には、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの３層から成る電極基板の製造方法については、単に各層を順次エッチングを行ってパターニングする工程が記載されているにすぎないから、本件発明の導電性薄膜を有する基板の製造方法である、｛基板上にクロム薄膜（＝下地層）の形成｝→｛クロム薄膜上にＣｕとＣｒからなる混合物の薄膜の形成｝→｛パターニング工程｝→｛Ｃｕを多く含む層とＣｒを多く含む層とに分離するための熱処理｝の各工程を順次行う方法（＝本件発明の上記構成Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）については、記載も示唆もするところはない。
　そして、甲４発明では、上記（４−１）に記載されているように、その目的中に、銅を用いた配線材料において、配線表面の酸化による劣化の防止（＝耐食性）や配線抵抗の増大を防止（＝低抵抗）することを含んでいる点で、本件発明の目的の一部と共通性があるとしても、本件発明では、高解像度で正確にパターニングされた導電性薄膜を有する基板の製造を主たる目的としている点で、エレクトロマイグレーション耐性，ストレスマイグレーション耐性に優れた金属配線及びその形成方法の提供を主たる目的としている甲１発明とは、相違が認められる。
　また、本件発明と甲４発明の構成を対比しても明らかなように、甲４発明では、上記（４−５）に記載があるように、Ｎｂに代えてＣｒを用いて、上記（４−２）〜（４−４）の記載にしたがって実施例を踏襲した場合には、｛半導体基板上に層間絶縁膜，Ｃｒ層，銅層を順次形成｝→｛Ｃｒ層と銅層との積層膜を配線パターン状に加工｝→｛半導体基板に熱処理を施して、銅層の表面を厚さ５ｎｍＣｒ層で覆うと共に、結晶粒界にＣｒからなる析出物を形成｝するという各工程を順次行う金属配線の形成方法の発明が記載乃至は示唆されていることになるが、甲４発明では、半導体基板とＣｒ層の間には層間絶縁膜が形成されているから、本件発明における、基板上に下地用のクロム薄膜を直接形成する工程（＝本件発明の上記構成Ａ）がないし、さらに甲４発明では、Ｃｒ層の上には銅層を被覆しているから、本件発明における、クロム薄膜（＝下地層）上に銅とクロムとからなる混合物の薄膜を形成する工程（＝本件発明の上記構成Ｂ）もない。
　さらに、本件発明と甲４発明では、基板上に形成された配線材料のパターニング、次いで熱処理の各工程に付すという順序の点では概略同じであるとしても、該処理に付される配線材料からなる基板が、本件発明では、基板−クロム薄膜（＝下地層）−銅とクロムとからなる混合物の薄膜であるのに対して、甲４発明では、半導体基板−層間絶縁膜−Ｃｒ−銅層であって、相互に相違している以上、甲４発明は、クロム薄膜及び銅とクロムとからなる混合物の薄膜をパターニングするもの（＝本件発明の上記構成Ｃ）ではないし、クロム薄膜上の銅とクロムからなる混合物の薄膜を熱処理するもの（＝本件発明の上記構成Ｄ）でもなく、最終的にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの３層から成る導電性薄膜を有する基板を製造するもの（＝本件発明の上記構成Ｅ）でもない。
　そして、甲４のどこにも、Ｃｒ層に積層する銅層に代えて銅とクロムとからなる層にしても良いという記載も示唆もない。
　そうすると、本件発明と甲４発明とは、両者の目的に共通する部分があるとしても、その目的を達成する手段である構成（＝本件発明の上記構成Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）については、記載するところは全くない。
　したがって、甲１〜甲４に記載の事項をいかに組み合わせてみても、甲１〜甲４には、本件発明の主要な目的の一つである銅を用いた配線材料において、高解像度で正確にパターニングされた導電性薄膜を形成するという課題認識がどこにもなく、しかも、該目的を達成するための手段（＝構成）についても、甲１〜甲４には、本件発明の上記構成のうち、Ｄ、及びＥが、断片的に記載されているにすぎず、上記構成Ａ、Ｂ及びＣについては、記載も示唆もない以上、本件発明は、これらに記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認めることはできない。
　オ．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許異議申立人の挙示した証拠方法及び理由によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月４日（２００１．１０．４）