【事件の表示】
　特許第３００９０７６号「金属薄板への微細透孔形成方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３００９０７６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第３００９０７６号の請求項１に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「金属薄板の両面に、表裏両面で互いに対応したパターン状画像を有するレジスト膜をそれぞれ被着形成する工程と、
前記金属薄板の表面の、前記レジスト膜で被覆されていない露呈部分を両面側からもしくは片面側からエッチングして、金属薄板の両面もしくは片面に微細凹窩部を形成する第１のエッチング工程と、
前記金属薄板の、前記微細凹窩部が形成された片面を、前記レジスト膜の表面を含めてエッチング抵抗層によって被覆する工程と、
前記金属薄板の、前記エッチング抵抗層で被覆されていない片面側からエッチングして、その片面側から他方面側の前記微細凹窩部まで貫通した微細透孔を形成する第２のエッチング工程と、
この第２のエッチング工程後に前記金属薄板の表面から前記エッチング抵抗層およびレジスト膜をそれぞれ剥離する工程とを備えてなる、金属薄板への微細透孔形成方法において、
前記エッチング抵抗層の被覆工程に先立ち、エッチング抵抗層によって被覆しようとする金属薄板の片面側に、高圧流動体を噴出流として金属薄板表面に対し吹き付け、前記微細凹窩部の周縁より凹窩部中心方向へ張り出した部分の前記レジスト膜の庇を、前記噴出流による衝撃力によって庇の根元部分から折って除去する庇の除去工程と、
この庇の除去工程で切除されたレジスト膜の切片を排除する水洗工程とを含むことを特徴とする、金属薄板への微細透孔形成方法。」
２．異議申立理由の概要
　特許異議申立人水野敦は、甲第１号証（特開昭５９−７３８３４号公報）、甲第２号証（特開昭６１−１３０４９２号公報）、甲第３号証（特開昭５９−７１２３９号公報）、甲第４号証（特開昭６３−２８６５８８号公報）、甲第５号証（特開平１−２５２７８７号公報）、甲第６号証（特開平２−２２４８４号公報）、甲第７号証（特開昭５５−８０３１９号公報）及び甲第８号証〔「ウオタージェット」第５巻第１号（１９８８年３月）日本ウオタージェット学会発行　ｐ．２〜７〕を提出し、本件請求項１に係る発明は、甲第１乃至８号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである旨主張している。
３．上記甲各号証に記載の事項
　甲第１号証には、「第５図に示すような所定の電子ビーム通過孔部（９）が穿設されたシャドウマスク（実際にはフラットマスク）」の製造方法であって、
「先ず（中略）シャドウマスク素材（１）の両主面に感光膜（２）（３）をそれぞれ被着形成したのち、大孔用ネガパターン、小孔用ネガパターンを有するネガ原板を密着させ、露光工程、現像工程を経て第１図に示すように感光膜（２）に直径（ｄ１）の小孔形成部（４）と、感光膜（３）に直径（ｄ２）の大孔形成部（５）との感光膜（２）（３）を除去し、小孔形成部（４）と大孔形成部（５）を除き光硬化された感光膜（２）（３）を残存させる」こと、
「次に第２図に示すようにシャドウマスク素材（１）の両主面からエッチング液ををスプレイ方法により吹きつけ小孔部（６）の開口部径が（Ｄ１）になる迄エッチングする」こと、
「次に第３図に示すように小孔部（６）内も含めて感光膜（２）上にエッチング液の抵抗層（８）を形成する」こと、
「次に第４図に示すように主として浅い大孔部（４１）側よりエッチング液をスプレイ方法により吹きつけ小孔部（６）内に形成された抵抗層（８）に達し、かつ小孔部（６）の開口部径（Ｄ１）を乱すことがないように拡大した大孔部（７）を開口部径（Ｄ２）になるまでエッチングし、水洗、乾燥後抵抗層（８）及び感光膜（２）（３）を除去する」ことを含むものが記載されている。（２頁上左欄第１２行〜上右欄第１６行等参照）
　甲第２乃至４号証には、シャドウマスク素材への微細透孔形成方法に関する発明が記載されている。
　甲第５号証には、被腐蝕物表面を腐蝕した後、該腐蝕物を水洗浴中に浸漬させた後に前記被腐蝕物を水洗浴から排出させ、しかる後に水洗液を前記被腐蝕物に吹き付けることにより、供給することにより行われる水洗方法が記載されている。
　甲第６号証には、被エッチング金属材料を水平に支持し、かつ搬送するための搬送手段と、該金属材料の上方および下方に配置されたエッチング液噴射用ノズルと、該金属材料の上方を水平方向に往復自在に設けられた洗浄用ノズルとを具備する腐食装置が記載されている。
　甲第７号証には、半導体装置の製造工程中に形成された積層膜パターンにおける上層膜（酸化シリコン膜）パターンの庇状突出部に流体を噴射せしめて該突出部を除去する工程を含む半導体装置の製造方法が記載されている。
　甲第８号証には、ウオタージェットの半導体分野への応用について記載されている。
４．対比・判断
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載のものとを対比する。
　本件請求項１に係る発明でいう「金属薄板」、「レジスト膜」及び「エッチング抵抗層」はそれぞれ、甲第１号証に記載のものでいう「シャドウマスク素材」、「感光膜」及び「抵抗層」に相当するから、
両者は、共に金属薄板への微細透孔形成方法に関し、
金属薄板の両面に、表裏両面で互いに対応したパターン状画像を有するレジスト膜をそれぞれ被着形成する工程と、
前記金属薄板の表面の、前記レジスト膜で被覆されていない露呈部分を両面側からもしくは片面側からエッチングして、金属薄板の両面もしくは片面に微細凹窩部を形成する第１のエッチング工程と、
前記金属薄板の、前記微細凹窩部が形成された片面を、前記レジスト膜の表面を含めてエッチング抵抗層によって被覆する工程と、
前記金属薄板の、前記エッチング抵抗層で被覆されていない片面側からエッチングして、その片面側から他方面側の前記微細凹窩部まで貫通した微細透孔を形成する第２のエッチング工程と、
この第２のエッチング工程後に前記金属薄板の表面から前記エッチング抵抗層およびレジスト膜をそれぞれ剥離する工程を備える点で一致し、次の点で相違する。
　本件請求項１に係る発明は、前記金属薄板の、前記微細凹窩部が形成された片面を、前記レジスト膜の表面を含めてエッチング抵抗層によって被覆する工程、つまり「前記エッチング抵抗層の被覆工程」に先立ち、エッチング抵抗層によって被覆しようとする金属薄板の片面側に、高圧流動体を噴出流として金属薄板表面に対し吹き付け、微細凹窩部の周縁より凹窩部中心方向へ張り出した部分のレジスト膜の庇を、前記噴出流による衝撃力によって庇の根元部分から折って除去する庇の除去工程と、この庇の除去工程で切除されたレジスト膜の切片を排除する水洗工程をも有するのに対して、甲第１号証に記載のものは、庇部分のみを除去する庇の除去工程を有しない点。
　上記相違点について検討する。
　甲第２号証に記載のシャドウマスク素材（本件請求項１に係る発明でいう「金属薄板」に相当する。）への微細透孔形成方法は、「オーバーハング状になったレジスト膜部分」（本件請求項１に係る発明で言う「庇」に相当する。）のみを除去する工程を有するが、甲第２号証に記載の上記工程は、「オーバーハング状になったレジスト膜部分」を超音波振動子を並べた超音波浴内で取り除くもの（３頁上右欄１１〜１７行）であり、また、甲第３、４号証に記載のシャドウマスク素材（本件請求項１に係る発明でいう「金属薄板」に相当する。）への微細透孔形成方法は、庇部分のみを除去する庇の除去工程を有するものでなく、また、甲第５、６号証には、シャドウマスク素材（本件請求項１に係る発明でいう「金属薄板」に相当する。）への微細透孔形成方法に関する記載はなく、甲第７号証に記載のものは、半導体装置の製造方法に関するものであって、金属薄板への微細透孔形成方法に関するものでなく、しかも、流体を噴射せしめて除去する対象も半導体装置の製造工程中に形成された積層膜パターンにおける上層膜（酸化シリコン膜）パターンの庇状突出部であり、また、甲第８号証に記載のものは、具体的には、ＩＣのバリとり（例えば、ウオタージェットを用いたもの）についてのものであるに過ぎない。
　つまり、甲第１号証に記載のような金属薄板への微細透孔形成方法において、「前記エッチング抵抗層の被覆工程」に先立ち、エッチング抵抗層によって被覆しようとする金属薄板の片面側に、高圧流動体を噴出流として金属薄板表面に対し吹き付け、微細凹窩部の周縁より凹窩部中心方向へ張り出した部分の感光膜つまりレジスト膜の庇を、前記噴出流による衝撃力によって庇の根元部分から折って除去する庇の除去工程を有するようになすことは、甲第２乃至８号証に記載のものにより示唆されるものでもない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、微細凹窩部の周縁より凹窩部中心方向へ張り出した部分のレジスト膜の庇を、噴出流による衝撃力によって庇の根元部分から折って除去する庇の除去工程、及びこの庇の除去工程で切除されたレジスト膜の切片を排除する水洗工程を有することにより、「第２のエッチング工程において、エッチング側でない面がエッチングされることを有効に防止することができる」という効果（【００４５】及び【００１２】における記載参照。）を奏するものと認める。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１乃至８号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月２５日（２０００．１２．２５）