【事件の表示】
　特許第２８９８１２１号「導体ぺーストおよび配線基板」の請求項１ないし７、９ないし１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８９８１２１号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第2898121号に係る発明についての出願は、平成３年５月１日の出願であって、平成１１年３月１２日にその発明について特許の設定登録がなされた後、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月１０日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
ａ．訂正事項ａ
　特許請求項の範囲請求項１を削除し、請求項２を「【請求項１】ＡｇとＰｄおよび／またはＰｔとを含有する導体と、Ｂｉ酸化物と、Ｂ酸化物と、Ｓｉ酸化物と、Ｐｂ酸化物とＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＡＩから選ばれる１種以上の金属酸化物とを含有し、前記Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で１５〜２．５％であり、前記Ｂ酸化物、Ｓｉ酸化物およびＰｂ酸化物全体の前記導体に対する含有量が体積比で０，５〜６％であり、前記金属酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で５００ｐｐｍ〜８％であり、実質的にＺｎ酸化物を含有しないことを特徴とする導体ペースト。」と訂正する。
ｂ．訂正事項ｂ
　請求項６（訂正後の【請求項５】）のＣｕを削除する。
ｃ．訂正事項ｃ
　【請求項３】の「請求項１または２」を「請求項１」と、【請求項４】の「請求項１ないし３」を「請求項１または２」と、【請求項５】の「請求項１ないし４」を「請求項１ないし３」と、【請求項６】の「請求項１ないし４」を「請求項１ないし３｝と、【請求項７】の「請求項１ないし６」を「請求項１ないし５」と、【請求項８】の「請求項１ないし７」を「請求項１ないし６」と、【請求項９】の「請求項１ないし８」を「請求項１ないし７」と、【請求項１０】の「請求項９」を「請求項８」と、【請求項１１】の「請求項９または１０」を「請求項８または９」と、それぞれ訂正する。
ｄ．訂正事項ｄ
　請求項３ないし１１を１項ずつ繰上げ、請求項２ないし１０とする。
ｅ．訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明において、【００１１】「（１）〜（１１）」を「（１）〜（１０）」と訂正する。
ｆ．訂正事項ｆ
　【００１２】第５行「金属酸化物とを含有し、」と「前記Ｂ酸化物」との間に、「前記Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で１５〜２５％であり、」を挿入する。
ｇ．訂正事項ｇ
　【００１３】全体を削除する。
ｈ．訂正事項ｈ
　【００１４】ないし【００２２】各段冒頭の（３）ないし（１１）を（２）ないし（１０）と訂正する。
ｉ．訂正事項ｉ
　【００１４】の「（１）または（２）」を「（１）」と、【００１５】の「（１）ないし（８）」を「（１）または（２）」と、【００１６】の「（１）ないし（４）」を「（１）ないし（３）」と、【００１７】の「（１）ないし（４）」を「（１）ないし（３）」と、【００１８】の「（１）ないし（６）」を「（１）ないし（５）」と、【００１９】の「（１）ないし（７）」を「（１）ないし（６）」と、【００２０】の「（１）ないし（８）」を「（１）ないし（７）」と、【００２１】の「上記（９）」を「上記（８）」と、【００２２】の「（９）または（１０）」を「（８）または（９）」と、それぞれ訂正する。
ｊ．訂正事項ｊ
　【００４４】の「体積比で…好ましい」を「体積比で１５〜２５％である」と訂正する。
ｋ．訂正事項ｋ
　【００１２】【００１７】【００２３】【００３７】【００４７】【００５９】【０１１４】の「Ｃｕ」と、【００４１】の「Ｃｕ酸化物としてはＣｕ０、」をいずれも削除する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａの訂正は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載の金属酸化物のうちＣｕを削除し、Ｂｉ酸化物の導体に対する含有量を体積比１５〜２５％に限定するものであって、特許明細書に記載された事項の範囲内における特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
  訂正事項ｂないしｋの訂正は、特許請求の範囲の請求項１の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるためのものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記いずれの訂正も、新規事項の追加に該当しないし、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）独立特許要件
ａ．請求項１に係る発明について
　(a)当審が通知した取消理由で引用した特開昭６２−５５８０５号公報（以下、「引用例」という。）には、(a)「（１）金属粉末７０〜９８．５重量％と、ガラス微粒子０．５〜１０重量％と、三酸化ビスマス微粒子８重量％以下と、酸化銅微粒子０．２〜１５重量％とからなる導体組成物。」（特許請求の範囲参照）にあっては、酸化銅は基板とガラス成分との結合を強化する作用を有すること、酸化ビスマスは、フラックスとしての作用を有するので組成物中の各成分の濡れを促進し、特に酸化銅の反応性を高め、導体金属微粒子の焼結を容易にする」との記載（２頁左下欄５行ないし１２行参照）、「添加物としての三酸化ビスマス微粒子および酸化銅微粒子（添加物）は、導体組成物の接着強度を向上するもので」（２頁左下欄１４行ないし右下欄１行参照）あるとの記載、「三酸化ビスマス微粒子は、これを添加することにより・・・導体組成物が焼成される際に融解して、基板の表面および導体組成物中の金属粉末、ガラス微粒子を濡らし、フラックスとして作用する。そのうえ、本発明の導体組成物において三酸化ビスマスは、焼成時、同時に添加された酸化銅・・・と反応してこの酸化銅の融点を低下させる。このため酸化銅は、一般的な焼成温度である８５０℃程度で融解し、酸化銅は基板表面、ガラス微粒子および金属粉末と良好に焼結する。そして、酸化銅は、焼成時、高い反応性を発揮し、金属粉末などの導体組成物とホーロー被覆された基板表面との接着強度を著しく向上せしめる。」（２頁右下欄４行ないし１７行）との記載がある。
　これらの記載によれば、引用例の発明では、導体組成物中のガラス成分と基板との接着力強化のため、導体組成物中に添加物として酸化銅と三酸化ビスマスとをともに含有させることを必須の要件としていることが認められる。
　(b)さらに、引用例には、三酸化ビスマスの添加量に関し、「三酸化ビスマスの添加量が８重量％を越えると、形成される回路の接着強度が著しく低下するうえ、半田付け性の低下を招く場合があるので好ましくない。」（３頁左上欄７行ないし１０行）との記載がある。
　そこで、訂正後の本件請求項１に係る発明と引用例に記載の発明とを対比すると、訂正後の本件請求項１に係る発明では、Ｃｕの酸化物を導体組成物の必須成分としていないのに対し、引用例の発明では、酸化銅を導体組成物の必須成分としている点及び訂正後の本件請求項１に係る発明では、Ｂｉ酸化物の導体に対する含有量が体積比で１５〜２５％であるのに対し、引用例の発明では、三酸化ビスマスの含有量が８重量％以下である点において相違している。
　そして、引用例の発明においては、酸化銅の存在下でも「三酸化ビスマスの添加量が８重量％を越えると、形成される回路の接着強度が著しく低下するうえ、半田付け性の低下を招く場合があるので好ましくない。」（３頁左上欄７行ないし１０行）が、訂正後の本件請求項１に係る発明は、酸化銅の不存在下であっても、Ｔｉ、Ｚｒ，Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｌから選ばれる１種以上の金属酸化物の存在下、Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で１５〜２５％であれば、外部導体の接着強度、特にエージング後の接着強度が向上し、しかもブリードアウト現象を防止できる。」（訂正明細書【００４８】参照）ことが記載されている。
　してみれば、訂正後の請求項１に係る発明は、上記相違点により訂正明細書に記載の作用効果を奏することが認められ、引用例の発明とは作用効果おいても相違していることが認められる。
　したがって、請求項１に係る発明は、上記引用例に記載の発明と同一ではないし、また、上記発明に基づいて当業者が容易に推考しうるものでもない。
ｂ．請求項２ないし８に係る発明について
　請求項２ないし８に係る発明は、請求項１に係る発明を更に限定したものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記引用例に記載の発明と同一ではないし、また、上記発明に基づいて当業者が容易に推考しうるものでもない。
ｃ．請求項９ないし１０に係る発明について
　請求項９ないし１０に係る発明は、請求項１に係る発明を更に限定したものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記引用例及び甲第２号証に記載の発明とに基づいて当業者が容易に推考しうるものではない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する１２６条第２項ないし第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
（１）請求項１ないし１０に係る発明
　上記２．において記載したように、上記訂正が認められるから、請求項１ないし１０に係る発明は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（２）特許異議申立の理由の概要
ａ．特許異議申立人　雨山範子は、「本件特許発明の請求項１，２，３，４，５，６，７，９に係る発明と甲第１号証の発明は同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、また、本件特許発明の請求項１０，１１に係る発明は甲第１号証に技術と周知の技術の組み合わせにより当業者であれば容易に推考しうるものであるから、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであ」る旨主張する。
　証拠方法
(a-1)甲第１号証：特開昭６２−５５８０５号公報（以下、「引用例」という。）
(a-2)甲第２号証：化学大辞典、共立出版、１９８９年８月１５日縮刷版、第２巻、第３巻、第６巻、第７巻
(3)対比・判断
ａ．第２９条第１項及び第２項違反について
(1)本件請求項１に係る発明について
(a)本件請求項１に係る発明と引用例とを対比すると、2.(3)に記載したように、訂正後の本件請求項１に係る発明では、金属酸化物がＣｕの酸化物を含まないのに対し、引用例の発明では、酸化銅を導体組成物の必須成分としている点及び訂正後の本件請求項１に係る発明では、Ｂｉ酸化物の導体に対する含有量が体積比１５〜２５％であるのに対し、引用例の発明では、三酸化ビスマスの含有量が８重量％以下である点において相違している。
　そして、引用例の発明においては、酸化銅の存在下でも「三酸化ビスマスの添加量が８重量％を越えると、形成される回路の接着強度が著しく低下するうえ、半田付け性の低下を招く場合があるので好ましくない。」（３頁左上欄７行ないし１０行）が、訂正後の本件請求項１に係る発明においては、酸化銅の不存在下であっても、Ｔｉ、Ｚｒ，Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｌから選ばれる１種以上の金属酸化物の存在下、Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で１５〜２５％であれば、外部導体の接着強度、特にエージング後の接着強度が向上し、しかもブリードアウト現象を防止できる。」（訂正明細書【００４８】参照）ことが記載されている。
　してみれば、訂正後の請求項１に係る発明は、上記相違点により訂正明細書に記載の作用効果を奏することが認められ、引用例の発明とは作用効果おいても相違していることが認められる。
　したがって、請求項１に係る発明は、上記引用例に記載の発明と同一ではないし、また、上記引用例及び甲第２号証記載のものに基づいて当業者が容易に推考しうるものでもない。
(2)請求項２ないし８に係る発明について
　請求項２ないし８に係る発明は、請求項１に係る発明を更に限定したものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記引用例に記載の発明と同一ではないし、また、上記引用例及び甲第２号証記載のものに基づいて当業者が容易に推考しうるものでもない。
(3)請求項９ないし１０に係る発明について
　請求項９ないし１０に係る発明は、請求項１に係る発明を更に限定したものであるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記引用例及び甲第２号証記載のものに基づいて当業者が容易に推考しうるものではない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月２２日（２０００．１１．２２）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
ａ．訂正事項ａ
　特許請求項の範囲請求項１を削除し、請求項２を「【請求項１】ＡｇとＰｄおよび／またはＰｔとを含有する導体と、Ｂｉ酸化物と、Ｂ酸化物と、Ｓｉ酸化物と、Ｐｂ酸化物とＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＡＩから選ばれる１種以上の金属酸化物とを含有し、前記Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で１５〜２．５％であり、前記Ｂ酸化物、Ｓｉ酸化物およびＰｂ酸化物全体の前記導体に対する含有量が体積比で０，５〜６％であり、前記金属酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で５００ｐｐｍ〜８％であり、実質的にＺｎ酸化物を含有しないことを特徴とする導体ペースト。」
と訂正する。
ｂ．訂正事項ｂ
　請求項６（訂正後の【請求項５】）のＣｕを削除する。
ｃ．訂正事項ｃ
　【請求項３】の「請求項１または２」を「請求項１」と、【請求項４】の「請求項１ないし３」を「請求項１または２」と、【請求項５】の「請求項１ないし４」を「請求項１ないし３」と、【請求項６】の「請求項１ないし４」を「請求項１ないし３｝と、【請求項７】の「請求項１ないし６」を「請求項１ないし５」と、【請求項８】の「請求項１ないし７」を「請求項１ないし６」と、【請求項９】の「請求項１ないし８」を「請求項１ないし７」と、【請求項１０】の「請求項９」を「請求項８」と、【請求項１１】の「請求項９または１０」を「請求項８または９」と、それぞれ訂正する。
ｄ．訂正事項ｄ
　請求項３ないし１１を１項ずつ繰上げ、請求項２ないし１０とする。
ｅ．訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明において、【００１１】「（１）〜（１１）」を「（１）〜（１０）」と訂正する。
ｆ．訂正事項ｆ
　【００１２】第５行「金属酸化物とを含有し、」と「前記Ｂ酸化物」との間に、「前記Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で１５〜２５％であり、」を挿入する。
ｇ．訂正事項ｇ
　【００１３】全体を削除する。
ｈ．訂正事項ｈ
　【００１４】ないし【００２２】各段冒頭の（３）ないし（１１）を（２）ないし（１０）と訂正する。
ｉ．訂正事項ｉ
　【００１４】の「（１）または（２）」を〔（１）〕と、【００１５】の「（１）ないし（８）」を「（１）または（２）」と、【００１６】の「（１）ないし（４）」を「（１）ないし（３）」と、【００１７】の「（１）ないし（４）」を「（１）ないし（３）」と、【００１８】の「（１）ないし（６）」を「（１）ないし（５）」と、【００１９】の「（１）ないし（７）」を「（１）ないし（６）」と、【００２０】の「（１）ないし（８）」を「（１）ないし（７）」と、【００２１】の「上記（９）」を「上記（８）」と、【００２２】の「（９）または（１０）」を「（８）または（９）」と、それぞれ訂正する。
ｊ．訂正事項ｊ
　【００４４】の「体積比で…好ましい」を「体積比で１５〜２５％である」と訂正する。
ｋ．訂正事項ｋ
　【００１２】【００１７】【００２３】【００３７】【００４７】【００５９】【０１１４】の「Ｃｕ」と、【００４１】の「Ｃｕ酸化物としてはＣｕ０、」をいずれも削除する。
（５４）【発明の名称】
導体ペーストおよび配線基板
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　ＡｇとＰｄおよび／またはＰｔとを含有する導体と、Ｂｉ酸化物と、Ｂ酸化物と、Ｓｉ酸化物と、Ｐｂ酸化物と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ
前記Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で１５〜２５％であり
　　【請求項
２
１
　　【請求項
３
または２
　　【請求項
４
３
　　【請求項
５
ｉ
３
　　【請求項
６
５
　　【請求項
７
６
　　【請求項
８
７
　　【請求項
９
　　【請求項
１０
８
９
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体集積回路等の素子を実装する配線基板に外部導体を形成するための導体ペーストと、この導体ペーストによって外部導体を形成した配線基板とに関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　近年、基板材料と導体とを約１０００℃以下の低温で同時焼成して得られる配線基板の開発が進められている。このような低温焼成配線基板の基板材料は、アルミナーガラス複合体を主成分としたものである。一方、導体材料は、従来のＷやＭｏに代り、導通抵抗が低いＡｇ系の材料の使用が可能となっている。
　　　【０００３】
　このような配線基板の内部導体としてはＡｇが用いられているが、外部導体は実装部品と半田付けされるので、外部導体には半田濡れ性が良好であることが要求され、主にＡｇ合金系材料が用いられている。
　　　【０００４】
　また、半田後の接着強度は、初期においても経時後においても十分高いことが必要である。一般にエージング劣化は、半田中のＳｎのＡｇ中への拡散が原因であるとされているが、長時間にわたり、高温にさらされるような場合にも、十分な装着強度を示すエージング特性に優れたものであることが必要とされる。
　　　【０００５】
　ところで、導体ペーストは一般に、Ａｇ系等の導体金属粉末とガラスフリットを含む無機結合剤とをビヒクル中に分散して得られている。
　　　【０００６】
　そこで、半田濡れ性と接着強度とを向上させるために、外部導体用の導体組成物における無機結合剤に対し種々の提案がなされている（特公昭６２−３２５６２号、特開昭６３−２０７００１号、特開昭６４−８６４０４号、特開平１−２９８０９０号等）。
　　　【０００７】
　ところで、このような配線基板は、通常、基板材料のグリーンシートに内部導体パターンを形成後、これを積層して焼成したのち、外部導体パターンを形成して焼成し、さらに抵抗体パターンを形成して焼成して作製される。そして、抵抗体パターンは、導電体ないし抵抗体粒子とガラスフリットを含む無機結合剤とをビヒクル中に分散した抵抗体組成物を印刷して形成されている。
　　　【０００８】
　このように、焼成後の外部導体パターンに抵抗体パターンを印刷、焼成すると、導体中のガラスと抵抗体中のガラスとが反応して、導体のガラスが押し出されるブリードアウト現象が生じてしまい、抵抗体の電気特性に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。特に、配線パターンを微細にし、かつ膜厚を薄くした高密度配線基板では、このブリードアウト現象によりショートが生じやすい。
　　　【０００９】
　さらには、ブリードアウトにより導体内のガラスの組成ずれが生じ、導体の接着強度が低下する。また、エージングないし負荷エージングにより、導体の接着強度が低下し、使用中に接点不良等を起こす危険性があり、信頼性が低下する。
　　　【００１０】
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、ブリードアウト現象が防止され、接着強度、特にエージング後の接着強度が高く、しかも半田濡れ性に優れる導体ペーストと、このような導体ペーストを用いた配線基板とを提供することにある。
　　　【００１１】
　　【課題を解決するための手段】
　このような目的は、下記（１）〜（
１０
　　　【００１２】
　　（１）　ＡｇとＰｄおよび／またはＰｔとを含有する導体と、Ｂｉ酸化物と、Ｂ酸化物と、Ｓｉ酸化物と、Ｐｂ酸化物と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ
前記Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量が体積比で１５〜２５％であり
　　　【００１３】
削除
　　　【００１４】
　（
２
）
　　　【００１５】
　（
３
２
　　　【００１６】
　（
４
３
　　　【００１７】
　（
５
ｉ
３
　　　【００１８】
　（
６
５
　　　【００１９】
　（
７
６
　　　【００２０】
　（
８
７
　　　【００２１】
　（
９
８
　　　【００２２】
　（
１０
８
９
　　　【００２３】
　　【作用】
　本発明の導体ペーストは、Ｂｉ酸化物と、Ｂ酸化物と、Ｓｉ酸化物と、Ｐｂ酸化物と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ
　　　【００２４】
　このような導体ペーストは、基板中のアルカリ土類金属酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３等と反応し、基板と外部導体との界面近傍の基板構成成分を結晶化させる。この結果、基板と外部導体間に、例えばＳｒＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８等の結晶を有する針状結晶物が形成され、基板と外部導体間の接着強度、特にエージング後の接着強度が向上する。
　　　【００２５】
　また、本発明の導体ペーストは、所定の金属酸化物を所定量含むことにより、針状結晶物の析出を促進するため、外部導体中のガラスのブリードアウト現象の発生が防止される。また、外部導体のパターンを例えば２００μｍ以下の細線パターンとしてその膜厚も薄くした高密度配線基板においてもショートの発生を有効に防止できる。
　　　【００２６】
　また、本発明の導体ペーストは、ガラスフリット等の無機結合剤が基板成分と過不足なく反応するため、外部導体表面の無機結合剤の浮きが無くなり、半田濡れ性が向上する。
　　　【００２７】
　　【具体的構成】
　以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
　　　【００２８】
　本発明の導体ペーストは、導体の基本組成となるＡｇとＰｄおよび／またはＰｔと、無機結合剤と、ビヒクルとを含有する。すなわち、導体として、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔのいずれかの合金を含有する。
　　　【００２９】
　このように、Ａｇ合金を用いることによって、Ａｇ単独とするよりも、Ｐｄの場合、耐マイグレーション性、耐半田喰われ性が向上する効果が得られ、Ｐｔの場合は、少量の添加より半田濡れ性が向上する効果が得られる。
　　　【００３０】
　このようなＡｇ合金におけるＡｇ、Ｐｄ、Ｐｔの割合は、目的に応じて適宜決定されるが、Ａｇ−Ｐｄ合金では、Ｐｄの含有率を５〜３０重量％とすることが好ましい。Ｐｄ含有率が５重量％未満であると、Ｐｄ添加の効果が得られず、また３０重量％を超えると導体の導電性が悪くなるからである。
　　　【００３１】
　また、Ａｇ−Ｐｔ合金では、Ｐｔの含有率を０．５〜５重量％とすることが好ましい。Ｐｔ含有率が０．５重量％未満であると、Ｐｔ添加の効果が得られず、また５重量％を超えると導体の導電性が悪くなるからである。
　　　【００３２】
　また、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔ合金では、Ｐｄの含有率を５〜３０重量％とし、Ｐｔの含有率を０．５〜５重量％とすることが好ましい。このような含有率とすることによってＰｄ、Ｐｔ添加の効果を得ることができ、導体の導電性も十分とすることができる。
　　　【００３３】
　本発明の導体ペーストは、ペーストないしスラリー状であり、このような状態ではＡｇとＰｄおよび／またはＰｔとが別個に存在していてもよい。この場合、後の焼成によりＡｇ合金となる。
　　　【００３４】
　このようなＡｇ合金、あるいは、上記のようにＡｇ合金となる金属は、通常、ペースト中に粒子として存在する。
　　　【００３５】
　Ａｇ合金粒子の平均粒径は、０．０１〜１０μｍ程度とするのが好ましい。その理由は、平均粒径が０．０１μｍ未満であると導体の収縮率が大きくなりすぎ、また１０μｍを超えると導体ペーストの印刷性、分散性が悪くなるからである。
　　　【００３６】
　また、Ａｇ合金となる金属の粒子では、Ａｇ粒子、Ｐｄ粒子、Ｐｔ粒子ともに、平均粒径は０．０１〜１０μｍ程度とするのが好ましい。その理由は、平均粒径が０．０１μｍ未満であると上記Ａｇ合金粒子の場合と同様、収縮率の点で不十分となり、また１０μｍを超えるとＰｄの添加による耐マイグレーション性の改善効果等が小さくなるからである。
　　　【００３７】
　本発明の導体ペーストの無機結合剤には、Ｂｉ酸化物と、Ｂ酸化物と、Ｓｉ酸化物と、Ｐｂ酸化物と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ
　　　【００３８】
　この場合、Ｚｎ酸化物は、ガラスフリットとしても酸化物粒子としても実質的に含有されない。Ｚｎ酸化物が含まれていると針状結晶物の析出が妨げられ、接着強度、特にエージング後の接着強度が低下し、しかも半田濡れ性が悪くなり、さらには半田喰われが生じる。
　　　【００３９】
　なお、実質的に含有しないとは、全く含有しない場合のほか、不可避的不純物等として入ってくる場合を含むものとする。
　　　【００４０】
　導体ペーストの無機結合剤中の酸化物全体（ガラスフリット＋酸化物粒子）に対するガラスフリットの体積比は酸化物換算で５〜２５％、特に１０〜２０％が好ましい。前記範囲未満では外部導体の接着強度、特にエージング後の接着強度が低下し、前記範囲を超えるとブリードアウト現象が生じ、また半田濡れ性が悪くなる。
　　　【００４１】
　前記酸化物が酸化物粒子として含有される場合、Ｂｉ酸化物としてはＢｉ２Ｏ３、Ｂ酸化物としてはＢ２Ｏ３、Ｓｉ酸化物としてはＳｉＯ２、Ｐｂ酸化物としてはＰｂＯ、Ｔｉ酸化物としてはＴｉＯ２、Ｚｒ酸化物としてはＺｒＯ２、Ｖ酸化物としてはＶ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ酸化物としてはＮｂ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｃｒ酸化物としてはＣｒＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｎ酸化物としてはＭｎＯ、ＭｎＯ２、Ｆｅ酸化物としてはＦｅ２Ｏ３、Ｃｏ酸化物としてはＣｏＯ、Ｎｉ酸化物としてはＮｉＯ
、
　　　【００４２】
　また、酸化物粒子の平均粒径は０．１〜１０μｍ程度が好ましい。前記範囲未満では、粉砕時の不純物の混入が著しくなり、前記範囲を超えると印刷性が悪化する傾向にある。
　　　【００４３】
　また、前記酸化物がガラスフリットとして含有される場合、ガラスフリットの平均粒径は０．１〜１０μｍ程度が好ましい。前記範囲未満では粉砕時の不純物混入が著しくなり、前記範囲を超えると印刷性が悪くなる傾向にある。
　　　【００４４】
　Ｂｉ酸化物の前記導体に対する含有量は体積比で
１５〜２５％がである。
　　　【００４５】
　前記範囲未満では、外部導体と接している基板の表層部の結晶化が十分でなく、外部導体の接着強度、特にエージング後の接着強度が不十分である。前記範囲を超えると、ブリードアウト現象が発生し、また半田濡れ性が悪くなる。
　　　【００４６】
　Ｂｉ酸化物は酸化物粒子として含有されることが好ましい。
　　　【００４７】
　Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ
　　　【００４８】
　このような金属酸化物を添加することにより、外部導体の接着強度、特にエージング後の接着強度が向上し、しかもブリードアウト現象を防止できる。この場合、含有量が前記範囲未満では、前記の添加による効果が得られず、前記範囲を超えるとエージング後の接着強度が低下し、また半田濡れ性が悪くなる。
　　　【００４９】
　なお、前記金属酸化物の中ではＭｎ酸化物および／またはＡｌ酸化物が好適であり、Ｍｎ酸化物はガラスフリットとして含有されることが好ましい。
　　　【００５０】
　Ｂ酸化物、Ｓｉ酸化物およびＰｂ酸化物全体の前記導体に対する含有量は体積比で０．５〜６％、好ましくは１〜５％である。
　　　【００５１】
　含有量が前記範囲未満では外部導体と接している基板の表層部の結晶化が十分でなく、外部導体の接着強度、特にエージング後の接着強度が不十分である。前記範囲を超えると、ブリードアウト現象が発生し、また半田濡れ性が悪くなる。
　　　【００５２】
　この場合、Ｂ酸化物の導体に対する含有量は体積比で０．２〜２．５％．、特に０．４〜２．０％が好ましい。前記範囲未満では結晶化が不十分であり、前記範囲を超えるとブリードアウト現象を助長する。
　　　【００５３】
　また、Ｓｉ酸化物の導体に対する含有量は体積比で０．１〜１．５％、特に０．３〜１．５％が好ましい。前記範囲未満では、結晶化が不十分であり、前記範囲を超えるとブリードアウト現象を助長する。
　　　【００５４】
　また、Ｐｂ酸化物の導体に対する含有量は体積比で０．２〜２．０％、特に０．３〜１．５％が好ましい。前記範囲未満では、基板内への十分な拡散が得られず、高い強度が得られない。前記範囲を超えると、ブリードアウト現象を助長する。
　　　【００５５】
　Ｂ酸化物、Ｓｉ酸化物およびＰｂ酸化物は、通常、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスのガラスフリットとして含有される。
　　　【００５６】
　この場合、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系ガラスのガラスフリットの前記導体に対する体積比は酸化物換算で０．５〜６％、特に１〜５％が好ましい。
　　　【００５７】
　また、ガラスはブリードアウト現象の防止効果が高い等の点で軟化点が４５０℃以上、特に５００℃以上、例えば４５０〜６００℃程度のものが好ましく、主成分となる酸化物の割合は下記のものが好ましい。
　　　【００５８】
　ＰｂＯ：５０〜７０重量％、特に、５５〜６５重量％
　Ｂ２Ｏ３：１５〜２８％重量％、特に、１８〜２５重量％
　ＳｉＯ２：９〜１６重量％、特に、１１〜１５重量％
　　　【００５９】
　また、前記金属酸化物がガラスフリットして含有される場合、通常ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−α系ガラスのガラスフリットとして含有される。この場合αは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＡｌから選ばれる１種以上の金属酸化物である。
　　　【００６０】
　ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−α系ガラスのガラスフリットの前記導体に対する体積比は酸化物換算で０．５〜６％、特に１〜５％が好ましい。
　　　【００６１】
　また、ガラスはブリードアウト現象の防止効果が高い等の点で、軟化点が５００℃以上、例えば５００〜６００℃程度のものが好ましく、主成分となる酸化物の割合は下記のものが好ましい。
　　　【００６２】
　ＰｂＯ：５０〜７０重量％、特に、５５〜６５重量％
　Ｂ２Ｏ３：１５〜２８％重量％、特に、１８〜２５重量％
　ＳｉＯ２：９〜１６重量％、特に、１１〜１５重量％
　α：０，１〜２０重量％、特に４〜１５重量％
　　　【００６３】
　本発明に用いるビヒクルとしては、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル系樹脂等のバインダー、テルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤、その他分散剤、活性剤等が挙げられ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜添加される。なお、一般に、ペースト中の上記ビヒクルの含有率は、１０〜７０重量％程度である。
　　　【００６４】
　本発明の導体ペーストは、前記Ａｇ合金粒あるいはＡｇ粒とＰｄ粒および／またはＰｔ粒の金属粒と、前記の無機結合剤とを混合し、これにバインダー、溶剤等のビヒクルを加え、これらを混練してスラリー化することにより得ることができる。ここで、ペースト組成物の粘度は、３万〜３０万ｃｐｓ程度に調製しておくのがよい。
　　　【００６５】
　本発明の導体ペーストは、基板上に所定のパターンに印刷されて焼成するなどして使用される。
　　　【００６６】
　このように、本発明の導体組成物を用いて外部導体とした多層配線基板の一構成例が図１に示されている。図１は、多層配線基板の部分断面図である。
　　　【００６７】
　同図に示すように、多層配線基板１は、複数の層を積層し、焼成により一体化した絶縁体の基板４を有し、この基板４の内部には、所定パターンの内部導体２が形成され、この内部導体２が基板４の表面に露出した部分に外部導体３が形成されている。
　　　【００６８】
　基板４の構成材料としては、内部導体２等とともに同時焼成可能なものとして、アルミナ−ホウケイ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸ガラス、アルミナ−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸カルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸ストロンチウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネシウムガラス等の酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料が好ましい。
　　　【００６９】
　そして特に主成分となる酸化物の割合が下記のとおりのガラスを含むものが好ましい。
　　　【００７０】
　ＳｉＯ２：４６〜６５重量％
　Ｂ２Ｏ３：０．５〜８％重量％
　アルカリ土類金属酸化物、特にＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの１種以上：２５〜４５重量％
　　　【００７１】
　このような基板材料において、ガラスの含有率は５０〜７０重量％程度が好ましい。
　　　【００７２】
　内部導体２は、通常多層配線され、基板４の厚さ方向に形成されたスルーホール５を介して互いに導通されている。
　　　【００７３】
　外部導体３は、基板４の表面に形成され、チップインダクタ、チップコンデンサ等のチップ部品や半導体集積回路素子、ダイオード等の素子等の表面実装部品７を半田６により半田付けするためのパッドとして用いられ、あるいは抵抗体８への導通用として用いられる。なお、表面を覆うように絶縁被覆層が形成されていてもよい。
　　　【００７４】
　本発明の導体ペーストは、上記外部導体３を形成するのに適用される。
　　　【００７５】
　なお、内部導体２は、導電性が良いことを優先させる点でＡｇを主体とする導体、特にＡｇとするのが好ましい。内部導体用ペーストは、導体と、導体に対し、５〜１０重量％程度のガラスフリットとを含有する。
　　　【００７６】
　また、内部導体２の膜厚は、通常５〜２０μｍ程度、外部導体３の膜厚は、通常５〜２０μｍ程度とされる。そして、内部導体および外部導体の導通抵抗は、その組成にもよるが、一般的に、前者は２〜１０ｍΩ／□、後者は、１０〜３０ｍΩ／□程度とするのがよい。
　　　【００７７】
　さらに、抵抗体８は、酸化ルテニウム、鉛ルテニウムパイロクロア等の抵抗体とガラスフリットとを含有する。抵抗体粒子の粒径は、０．０５〜０．５μｍ程度とし、この抵抗体８に対し、ガラスフリットの含有量は３５〜９５重量％程度である。
　　　【００７８】
　ガラスフリットは、一般にＰｂＯ４５〜６０重量％、Ｂ２Ｏ３１０〜２０重量％、ＳｉＯ２２０〜３０重量％、ＺｎＯ０〜８重量％程度、軟化点４５０〜６００℃程度とし、ガラスフリット中、非晶質ガラスが９０重量％以上含有される。そして、このような抵抗体中のガラスフリットに対し、本発明に従い、ブリードアウト現象が良好に防止されるものである。
　　　【００７９】
　このような多層配線基板は、例えば以下のようにして製造する。
　　　【００８０】
　まず、基板材料となるグリーンシートを作製する。
　　　【００８１】
　このグリーンシートは、基板の原材料であるアルミナ粉末等の骨材とガラス粉末（例えば、ホウケイ酸ガラス）とを所定量混合し、これにバインダー樹脂、溶剤等を加え、これらを混練してスラリー化し、例えばドクターブレード法により０．１〜０．３ｍｍ程度の厚さのグリーンシートを所定枚数作製する。
　　　【００８２】
　次いで、グリーンシートにパンチングマシーンや金型プレスを用いてスルーホール５を形成し、その後、内部導体用ぺーストを各グリーンシート上に例えばスクリーン印刷法により印刷し、所定パターンの内部導体を形成するとともにスルーホール５内に充填する。
　　　【００８３】
　次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱プレス（約４０〜１２０℃、５０〜１０００Ｋｇｆ／ｃｍ２）を加えてグリーンシートの積層体とし、必要に応じて脱バインダー処理、切断用溝の形成等を行なう。
　　　【００８４】
　その後、グリーンシートの積層体を通常空気中で８００〜１０００℃程度の温度で焼成、一体化し、基板４に内部導体が形成された多層配線基板を得る。
　　　【００８５】
　そして、外部導体用ペーストをスクリーン印刷法等により印刷し、焼成して外部導体３を形成する。さらに、抵抗体材料ペーストを印刷して焼成し、抵抗体８を形成する。なお、これら外部導体３や抵抗体８は基板４と一体同時焼成して形成してもよい。ただし、基板を焼成後、基板上に印刷、焼成するときには、接着強度が低いものとなるが、本発明の適用により接着強度はきわめて高いものとなる。
　　　【００８６】
　その後、所定の表面実装部品７を外部導体３に半田付けし、必要に応じ、絶縁被覆層を形成して図１に示す多層配線基板１が得られる。
　　　【００８７】
　なお、基板も上記グリーンシート法に代り印刷法により作製してもよい。
　　　【００８８】
　以上では、本発明を多層配線基板に適用した場合の例を説明したが、本発明は、これに限らず、同時焼成配線基板のような単層の基板等にも適用することができる。
　　　【００８９】
　　【実施例】
　以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
　　　【００９０】
　（１）
導体ペーストの作製
　平均粒径１０μｍのＡｇ：８６重量部と、平均粒径１μｍのＰｄ：１４重量部と、ビヒクルとしてエチルセルロース系樹脂および高沸点溶剤（テルピネオール）：２０〜４０重量部と、前記ＡｇおよびＰｄに対し体積比で下記の配合比の組成物とを混練して導体ペーストＮｏ．１〜４を得た。
　　　【００９１】
　　導体ペーストＮｏ．１（本発明）
　Ｂｉ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：２０体積％
　Ａｌ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：４体積％
　ガラスフリット（平均粒径８μｍ）：３体積％
　ガラスフリットの軟化点は５３０℃であり、ガラス組成は、ＰｂＯ：６０重量％、Ｂ２Ｏ３：２０重量％、ＳｉＯ２１２重量％、ＭｎＯ：８重量％とした。
　　　【００９２】
　　導体ペーストＮｏ．２（比較）
　Ｂｉ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：１６体積％
　Ａｌ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：１体積％
　ガラスフリット（平均粒径８μｍ）：１９体積％
　ガラスフリットの軟化点は５３０℃であり、ガラス組成は、ＰｂＯ：６０重量％、Ｂ２Ｏ３：２０重量％、ＳｉＯ２１２重量％、ＭｎＯ：８重量％とした。
　　　【００９３】
　　導体ペーストＮｏ．３（比較）
　Ｂｉ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：２０体積％
　ガラスフリット（平均粒径８μｍ）：３体積％
　ガラスフリットの軟化点は４６０℃であり、ガラス組成は、ＰｂＯ：６５重量％、Ｂ２Ｏ３：２２重量％、ＳｉＯ２：１３重量％とした。
　　　【００９４】
　　導体ペーストＮｏ．４（比較）
　Ｂｉ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：２０体積％
　Ａｌ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：８体積％
　ガラスフリット（平均粒径８μｍ）：３体積％
　ガラスフリットの軟化点は５７０℃であり、ガラス組成は、ＰｂＯ：５１重量％、Ｂ２Ｏ３：１７重量％、ＳｉＯ２１１重量％、ＭｎＯ：２１重量％とした。
　　　【００９５】
　　導体ペーストＮｏ，５（比較）
　Ｂｉ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：２０体積％
　Ａｌ２Ｏ３（平均粒径３μｍ）：４体積％
　ガラスフリット（平均粒径８μｍ）：３体積％
　ガラスフリットの軟化点は５８０℃であり、ガラス組成は、ＰｂＯ：５０重量％、Ｂ２Ｏ３：２０重量％、ＳｉＯ２１１重量％、ＭｎＯ：１０重量％、ＺｎＯ：９重量％とした。
　　　【００９６】
　前記各導体ペースト中のガラスフリットの含有量は、ガラスそのもののＡｇおよびＰｄに対する体積比であるため、酸化物粒子およびガラスフリットの酸化物換算でのＡｇおよびＰｄに対する体積比を表１に示す。
　　　【００９７】
　【表１】
　　　【００９８】
（２）グリーンシートの作製
　Ａｌ２Ｏ３：４０重量％、ガラス粉末：６０重量％の組成で厚さ１００〜３００μｍのグリーンシートを作製した。この場合、ガラス組成は、ＳｉＯ２：５９重量％、Ｂ２Ｏ３：４重量％、ＳｒＯ：３１重量％、ＣａＯ：４重量％、ＭｇＯ：２重量％とした。
　　　【００９９】
（３）抵抗体ペーストの作製
　平均粒径０．１μｍのＲｕＯ２：９．１重量％、ガラス粉末７７．８重量％、添加剤としてＺｒＳｉＯ４：４．１重量％、ＴＣＲ調整剤としてＣｕＯとＭｎＯとＮｂ２Ｏ５とを合計で９重量％を用いて抵抗体ペーストを作製した。ガラス組成は、ＰｂＯ：４７．８重量％、Ｂ２Ｏ３：１６．７重量％、ＳｉＯ２：２７．８重量％、ＺｎＯ：５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５．２重量％の非晶質ガラスを用いた。
　　　【０１００】
（４）配線基板の作製
　前記のグリーンシートにＡｇ内部導体形成後、熱プレスにより積層してグリーンシート積層体を得た。その後、この積層体を脱脂後、空気中で温度９００℃で同時焼成した配線基板を得た。
　　　【０１０１】
　この配線基板にスクリーン印刷により、導体ペーストを、縮率１５％にて、焼成後の寸法が２ｍｍ×２ｍｍ、膜厚１２±２μｍのパッドになるように印刷し、空気中で８５０℃で焼成し外部導体を形成した。
　　　【０１０２】
　得られた各基板について、外部導体の初期およびエージング後の接着強度、外部導体の半田濡れ性を以下のようにして調べた。
　　　【０１０３】
　（ａ）接着強度試験
　デュポン社の剥離試験に準じた。被着した導体膜の横方向に直径０．８ｍｍの銅線をのばし導体膜に重なる部分について半田付けし、その半田付けの終わる一端からのびた銅線を導体膜被着面にほぼ垂直でかつ導体膜を剥離する方向に引っ張り試験機を用いて引っ張り、剥離した時の荷重を読んだ。エージングは、１５０℃の恒温槽に７２時間放置し、同様に荷重を読んだ。
　　　【０１０４】
　（ｂ）半田濡れ性
　各サンプルを２３０℃の溶融半田に約５秒間浸漬し、パッドの濡れ面積率により評価した。
　　　【０１０５】
　また、上記と同じ配線基板上に導体ペーストを印刷し焼成し、巾２００μｍ、厚さ１５μｍの細線パターンの外部導体層を形成した。この後、さらにこの外部導体層上の先端部に前記の抵抗体ペーストを用いて外部導体層より広巾に印刷し、上記と同様に焼成した。
　　　【０１０６】
　この配線基板を用いてブリードアウト現象の発生の有無を以下のようにして調べた。
　　　【０１０７】
　（ｃ）ブリードアウト現象の発生の有無
　光学顕微鏡により、抵抗体近傍の細線導体パターン端部を観察し、下記の４段階で評価した。この評価については◎、△、×、××で示す。
　　　【０１０８】
　◎　　ブリードアウト全くなし
　△　　１０μｍ以下の距離にブリードアウト観察
　×　　５０μｍ以下の距離にブリードアウト観察
　××　５０μｍを超える距離にブリードアウト観察
　　　【０１０９】
　これらの結果は表２に示されるとおりである。なお、表２には外部導体の抵抗値も併記する。
　　　【０１１０】
　【表２】
　　　【０１１１】
　表２に示される結果から本発明の効果が明らかである。
　　　【０１１２】
　なお、各サンプルの外部導体と接している基板の界面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察したところＮｏ．１には長さ１０〜２０μｍの針状結晶物が析出しており、Ｘ線回折によりＳｒＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の結晶物であることが分かった。
　　　【０１１３】
　Ｎｏ．２、Ｎｏ．４にも針状結晶物が析出していたが、Ｎｏ．２の場合、ブリードアウトが激しく、Ｎｏ．４は、半田濡れ不良が生じた。また、Ｎｏ．５には少量の針状結晶物が析出していたが、結晶化が不十分であるためエージング後の接着強度が低い。一方、Ｎｏ．３は、そのような針状結晶物は確認されなかった。
　　　【０１１４】
　また、この他サンプルＮｏ．１においてＡｇおよびＰｄをＡｇ：９９重量部およびＰｔ：１重量部、またはＡｇ：８５．１重量部、Ｐｄ：１３．９重量部およびＰｔ：１．０重量部にかえた各サンプル、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭｎＯガラスのガラスフリットをＰｂＣ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２ガラス（ＰｂＯ：６５重量％、Ｂ２Ｏ３：２２重量％、ＳｉＯ２：１３重量％、軟化点４６０℃）のガラスフリットにかえ、ＭｎＯを酸化物粒子で添加した各サンプル、さらにはＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＡｌから選ばれる１種以上の金属酸化物を、金属酸化物粒子として添加した各サンプル、ガラスフリットとして添加した各サンプルを作製し、前記と同様の評価を行なったところ同等の結果が得られた。
　　　【０１１５】
　　【発明の効果】
　本発明の外部導体は、半田濡れ性が良好で、かつ初期およびエージング後の基板との接著強度が高い。またブリードアウト現象の発生を防止することができ、配線間のショートや電気特性の劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の導体ペーストを用いて作製した多層配線基板の部分断面図である。
　　【符号の説明】
　１　多層配線基板
　２　内部導体
　３　外部導体
　４　基板
　５　スルーホール
　６　半田
　７　表面実装部品
　８　抵抗体