【事件の表示】
　特許第２８３０８６９号「回路素子製造方法」の請求項１ないし３特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８３０８６９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　　本件特許第２８３０８６９号発明は、平成３年３月６日出願の特願平３−３９８７４号の一部を平成９年１月２３日に新たに出願され、平成１０年９月２５日にその発明の特許がなされ、その後、キヤノン　株式会社より特許異議の甲立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１０月１８日に訂正請求がなされ（その後、取り下げられた。）、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年２月９日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ｉ）特許請求の範囲の訂正
ア.訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許請求の範囲に特定された、次のとおりのものである。
「【請求項１】マスクに形成された回路パターンの一部分を縮小投影系を通して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを縮小率に応じた速度比で前記縮小投影系の投影視野に対して１次元走査させて前記基板上の所定領域に前記回路パターンの全体像を走査露光するリソグラフィ工程を含む回路素子の製造方法において、前記基板上に投影される前記回路パターンの部分像を前記１次元走査の方向と直交した方向に細長く延び、且つ前記１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する矩形状又はスリット状に制限した状態で、前記マスクの回路パターンと前記基板の所定領域との相対位置関係が所定のアライメント誤差内に抑えられるように前記マスクと前記基板とを前記縮小率に応じた速度比で前記１次元走査方向に相対走査する段階と、前記相対走査の間は、前記基板上で矩形状又はスリット状に制限された前記回路パターンの部分像の前記１次元走査方向に関する両端付近の各々での最良像面位置と該両端付近に対応した前記基板の表面位置との各フォーカス差が前記縮小投影系の焦点深度の幅内に維持されるように、前記回路パターンの部分像が投影される前記基板上の照射領域のほぼ中心が最良像面に位置するよう前記基板のフォーカス状態を制御するとともに前記基板の傾斜状態を制御する段階とを含むことを特徴とする回路素子製造方法。」
ｉｉ）詳細な説明の訂正
ア.明細書の段落【００１０】(特許掲載公報第５欄第４１〜４３行)の「各フォーカス差が縮小投影系（ＰＬ）の焦点深度の幅内に維持されるように基板（Ｗ）のフォーカス又はレベリングの状態を制御する段階」を「各フォーカス差が縮小投影系（ＰＬ）の焦点深度の幅内に維持されるように、その回路パターンの部分像が投影される基板（Ｗ）上の照射領域（ＡＰ’）のほぼ中心が最良像面に位置するよう基板（Ｗ）のフォーカス状態を制御するとともに基板（Ｗ）の傾斜状態を制御する段階」と訂正する。
ｉｉｉ）訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否等
　上記訂正ｉ）は、訂正前明細書の請求項１に記載された発明を、技術的に限定して、請求項１としたものであり、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではなく、新規事項の追加もない。また、上記訂正ｉｉ）は、特許請求の範囲の訂正に対応したものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではなく、新規事項の追加もない。
ｉｖ）独立特許要件の判断
(引用刊行物に記載された発明)
訂正前明細書の請求項１に係る発明に対して、当審が通知した取消理由で引用した特公平２−５７３３３号公報(以下、「第１引用例」という。)には、「以上の如くにして未露光のウエハ８を焦点面Ｓに揃えてウエハチヤツク９によつて吸着保持し、移動架台４を第２図の如く右方へ水平に移動させる。光源６によつて露光光Ｐを照射しつつ移動架台４を一定速度で動かすと、露光光Ｐがマスク２を通過する点Ｐ１およびウエハ８を通過する点Ｐ２は同じ速度で走査され、パターンを備えたマスク２の像に従ってウエハ８の表面に同形状のパターンが露光される。」（第４欄第１６行乃至第２４行）、「・・・次いで移動架台４を右方に移動させつつ、・・・、エアーマイクロメータ１８で距離ｈ２を測定し、・・・。演算処理装置２３は予め与えられたプログラムに距離ｈ３をインプツトして焦点面Ｓの位置を算定し、これをｈ２の値と比較して、ウエハ８の面が焦点面Ｓに比して上下いずれの方向に偏っているかを算出し、その結果を電気信号としてモータ制御部２２に送る。・・・実測した距離ｈ２が、算出した焦点面Ｓまでの距離よりも大きいときは、上下駆動手段２６を上昇動せしめる方向にモータ１２を回転させる。以上の如くして、・・・、ウエハ８は自動的に正しく焦点面Ｓに合わされる。」（第７欄第１０行乃至第３１行）、「前述のエアーマイクロメータ１８付近の詳細な平面図を第４図に示す。斜線を付したＤ区域は露光範囲を表わし、この露光範囲Ｄの中をウエハ８は下方向に通過してゆく。」（第８欄第６行乃至第９行）、「これにより、ウエハ８の表面に極微小な凹凸があつても、露光範囲内にその凹凸差が焦点深度以内であれば、ウエハ８の全面を焦点Ｓの許容深度範囲ｓ内に収めて鮮明な投影を行うことができる。」（第８欄第３５行乃至第３９行）及び「以上の実施例は倍率１：１の投影式マスクアライナについて述べたが、縮小投影式又は拡大投影式のマスクアライナについても同様にして本発明を適用することができる。また、光を用いた投影装置に限らず、電子ビーム又はイオンビームを用いた投影装置についても同様に適用することができる。」（第９欄第３１行乃至第１０欄第５行）との記載があり、結局、マスク２に形成された回路パターンの一部分を縮小投影系を通して感応性のウエハ８上に投影しつつ、前記マスク２と前記ウエハ８とを縮小率に応じた速度比で前記縮小投影系の投影視野に対して１次元走査させて前記ウエハ８上の所定領域に前記回路パターンの全体像を走査露光するリソグラフィ工程を含む回路素子の製造方法において、前記ウエハ８上に投影される前記回路パターンの部分像を前記１次元走査の方向と直交した方向に細長く延び、且つ前記１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する矩形状又はスリット状に制限した状態で、前記マスク２と前記ウエハ８とを前記縮小率に応じた速度比で前記１次元走査方向に相対走査する段階を含むことを特徴とする回路素子製造方法、が記載されている。
　同じく引用した特開平２−２２９４２３号公報(以下、「第２引用例」という。)には、「いくつかの個別レンズエレメント２８からなる投影レンズ組立体２６はマスク上の六角形照射領域内の高解像度精密イメージを、ある縮小率Ｍで、基板１０上へ形成する。・・・投影レンズ組立体２６はできるだけ大きな円型イメージに対して設計されており（第２図の符号３１参照）、基板上の露光領域は前記円型フィールド内に描画することのできる最大六角形・・・として定義される。」（第６頁右下欄第１行乃至第１３行）及び「マスク及び基板ステージが所望の同期で走査及びリピート運動を行い、基板全体の露光を通して照射システムが所望の照射特性を維持する」（第７頁左上欄第１７行乃至第１９行）との記載があり、同じく引用したＳＰＩＥ、Ｖｏｌ.９２２　Ｏｐｔｉｃａｌ/Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（１９８８）/ｐ.２５６〜２６９(以下、「第３引用例」という。)には、「縮小ステップアンドスキャン露光が実現できるならば、高ＮＡリング視野系の光学的な複雑さは、図１７に示した様なスロット状視野での走査露光によって緩和することができる。スロット状視野は、円状視野系の不要部分を遮断することによって得られる。その長所は、屈折レンズあるいはその他の反射屈折固定視野系が走査露光に使用できる点にある。いくつかの反射屈折系において、ビームスプリッタを省略することができる。収差とディストーションの平均化効率はリング状視野系ほどよくないが、スロット視野系によって走査された像は、走査方向における像の均一性を考慮すると、同じレンズでの固定視野露光系によって得られる像よりは良い。」（第２６５頁右欄第３０行乃至第２６６頁左欄第３行）及び「・・・スロット状視野は、円状視野系の不要部分を遮断することによって得られる。・・・」旨の記載があり、同じく引用した特開平２−５４１０３号公報(以下、「第４引用例」という。)には、「パターン領域ＰＡを通って照明光１Ｌは、例えば両側（片側でもよい）テレセントリックな投影レンズＰＬに入射し、ウエハＷに達する。」（第４頁右下欄第８〜１１行）との記載がある。
(請求項１に係る発明についての対比・判断)
　本件請求項１に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明の「マスク」、「基板」は、それぞれ第１引用例記載の発明の「マスク２」、「ウエハ８」に相当するから、両者は、マスクに形成された回路パターンの一部分を縮小投影系を通して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを縮小率に応じた速度比で前記縮小投影系の投影視野に対して１次元走査させて前記基板上の所定領域に前記回路パターンの全体像を走査露光するリソグラフィ工程を含む回路素子の製造方法において、前記基板上に投影される前記回路パターンの部分像を前記１次元走査の方向と直交した方向に細長く延び、且つ前記１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する矩形状又はスリット状に制限した状態で、前記マスクと前記基板とを前記縮小率に応じた速度比で前記１次元走査方向に相対走査する段階を含むことを特徴とする回路素子製造方法、で一致し、
Ａ本件請求項１に係る発明は、前記マスクの回路パターンと前記基板の所定領域との相対位置関係が所定のアライメント誤差内に抑えられるように
との記載があるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点、
Ｂ本件請求項１に係る発明は、前記相対走査の間は、前記基板上で矩形状又はスリット状に制限された前記回路パターンの部分像の前記１次元走査方向に関する両端付近の各々での最良像位置と該両端付近に対応した前記基板の表面位置との各フォーカス差が前記縮小投影系の焦点深度の幅内に維持されるようにとの記載があるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点、
Ｃ本件請求項１に係る発明は、前記回路パターンの部分像が投影される前記基板上の照射領域のほぼ中心が最良像面に位置するよう前記基板のフォーカス状態を制御するとともに前記基板の傾斜状態を制御する段階とを含むとの記載があるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点で相違する。
　そこで、これらの構成が、第２引用例乃至第４引用例に記載ないし示唆されているか否かを検討すると、各引用例には、本件請求項１に係る発明の構成の一部である上記Ａ、Ｂ、Ｃの構成が記載されていない。
　本件請求項１に係る発明は、上記Ａ、Ｂ、Ｃの構成を有することによって、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件請求項１に係る発明が各引用例に記載された発明であるとも、各引用例に基づいて容易に推考された発明であるともいえない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
　(請求項２〜３に係る発明についての対比・判断)
　請求項２〜３に係る発明は、本件請求項１に係る発明の構成の一部をさらに限定したものであるから本件請求項１に係る発明と同様の判断となる。
　したがって、本件請求項２〜３に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（記載不備）
　請求項１〜３に係る発明は、累進焦点露光方法を実施することを必須の要件としていないから、発明の構成に欠くことができない事項が記載されていないとの主張は、累進焦点露光方法を実施することが必須であるとは認められないから採用できない。
ｖ）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特
許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号)附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア.申立ての理由の概要
　　甲立人キヤノン　　株式会社は、証拠として甲第１号証　(特公平２−５７３３３号公報、上記第１引用例に同じ)、甲第２号証(特開平２−２２９４２３号公報、上記第２引用例に同じ)、甲第３号証(ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ.９２２　Ｏｐｔｉｃａｌ/Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（１９８８）/ｐ.２５６〜２６９、上記第３引用例に同じ)及び甲第４号証(特開平２−５４１０３号公報、上記第４引用例に同じ)を提出し、訂正前の請求項１に記載された発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張し、また、訂正前の請求項１〜３に記載された発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張し、さらに、訂正前の請求項１〜３に記載された発明は、特許法第３６条第５項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
イ.判断
〔本件請求項１〜３に係る発明〕
　本件請求項１〜３に係る発明は、上記（２）ｉｖ）で述べた通りである。
ウ.むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月３日（２０００．３．３）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
特許請求の範囲の減縮を目的として、下記（１）のように特許請求の範囲を訂正する。また、特許請求の範囲の訂正に応じて、発明の詳細な説明についても、適合性を持たせるために、下記（２）のように訂正する。
（１）特許請求の範囲を次のとおり訂正する。
「【請求項１】マスクに形成された回路パターンの一部分を縮小投影系を通して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを縮小率に応じた速度比で前記縮小投影系の投影視野に対して１次元走査させて前記基板上の所定領域に前記回路パターンの全体像を走査露光するリングラフィ工程を含む回路素子の製造方法において、前記基板上に投影される前記回路パターンの部分像を前記１次元走査の方向と直交した方向に細長く延び、且つ前記１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する矩形状又はスリット状に制限した状態で、前記マスクの回路パターンと前記基板の所定領域との相対位置関係が所定のアライメント誤差内に抑えられるように前記マスクと前記基板とを前記縮小率に応じた速度比で前記１次元走査方向に相対走査する段階と、前記相対走査の間は、前記基板上で矩形状又はスリット状に制限された前記回路パターンの部分像の前記１次元走査方向に関する両端付近の各々での最良像面位置と該両端付近に対応した前記基板の表面位置との各フォーカス差が前記縮小投影系の焦点深度の幅内に維持されるように、前記回路パターンの部分像が投影される前記基板上の照射領域のほぼ中心が最良像面に位置するよう前記基板のフォーカス状態を制御するとともに前記基板の傾斜状態を制御する段階とを含むことを特徴とする回路素子製造方法。」
（２）明細書の段落【００１０】（特許掲載公報第５欄第４１〜４３行）の「各フォーカス差が縮小投影系（ＰＬ）の焦点深度の幅内に維持されるように基板（Ｗ）のフォーカス又はレベリングの状態を制御する段階」を「各フォーカス差が縮小投影系（ＰＬ）の焦点深度の幅内に維持されるように、その回路パターンの部分像が投影される基板（Ｗ）上の照射領域（ＡＰ’）のほぼ中心が最良像面に位置するよう基板（Ｗ）のフォーカス状態を制御するとともに基板（Ｗ）の傾斜状態を制御する段階」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
回路素子製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　マスクに形成された回路パターンの一部分を縮小投影系を通して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを縮小率に応じた速度比で前記縮小投影系の投影視野に対して１次元走査させて前記基板上の所定領域に前記回路パターンの全体像を走査露光するリングラフィ工程を含む回路素子の製造方法において、
　前記基板上に投影される前記回路パターンの部分像を前記１次元走査の方向と直交した方向に細長く延び、且つ前記１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する矩形状又はスリット状に制限した状態で、前記マスクの回路パターンと前記基板の所定領域との相対位置関係が所定のアライメント誤差内に抑えられるように前記マスクと前記基板とを前記縮小率に応じた速度比で前記１次元走査方向に相対走査する段階と、
　前記相対走査の間は、前記基板上で矩形状又はスリット状に制限された前記回路パターンの部分像の前記１次元走査方向に関する両端付近の各々での最良像面位置と該両端付近に対応した前記基板の表面位置との各フォーカス差が前記縮小投影系の焦点深度の幅内に維持されるように
、前記回路パターンの部分像が投影される前記基板上の照射領域のほぼ中心が最良像面に位置するよう前記基板のフォーカス状態を制御するととともに前記基板の傾斜状態
　　【請求項２】　前記縮小投影系は、屈折素子と反射素子の組合わせ、或いは屈折素子のみで構成された両側テレセントリットな縮小投影光学系であり、光軸中心の円形投影視野を持つことを特徴とする請求項第１項に記載の方法。
　　【請求項３】　前記基板上に投影される前記回路パターンの部分像を矩形状又はスリット状にするために、矩形状又はスリット状に分布する露光エネルギーを前記マスクに照射するとともに、該露光エネルギーの分布が前記縮小投影光学系の円形投影視野内で光軸中心を通るように配置されることを特徴とする請求項第２項に記載の方法。
　　【請求項４】　マスクに形成された回路パターンの一部分を投影系を通して感応性の基板上に投影しつつ、前記マスクと前記基板とを投影倍率に応じた速度比で前記投影系の投影視野に対して１次元走査させて前記基板上の所定領域に前記回路パターンの全体像を走査露光するリソグラフィ工程を含む回路素子の製造方法において、
　前記基板上に投影される前記回路パターンの部分像を前記１次元走査の方向と直交した方向に細長く延び、且つ前記１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する矩形状又はスリット状に制限した状態で、前記マスクを載置するマスクステージと前記基板を載置する基板ステージとを前記投影倍率に応じた速度比で前記１次元走査方向に相対走査する段階と、
　前記相対走査の間は、前記基板ステージの走査位置若しくは走査速度に応じて前記基板を前記投影系の結像面と垂直な方向に連続的又は離散的に微動させる段階とを含むことを特徴とする回路素子製造方法。
　　【請求項５】　前記投影系は、屈折素子と反射素子の組合わせ、或いは屈折素子のみで構成された両側テレセントリットな縮小投影光学系であり、光軸中心の円形投影視野を持つことを特徴とする請求項第４項に記載の方法。
　　【請求項６】　前記基板上に投影される前記回路パターンの部分像の矩形状又はスリット状の分布を、前記縮小投影光学系の円形投影視野内で光軸中心を含む範囲内に制限したことを特徴とする請求項第５項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体素子、液晶表示素子等の製造過程中のリソグラフィー工程で使用される投影露光装置を用いた回路素子の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　　【従来の技術】
　従来、この種の投影露光装置には大別して２つの方式があり、１つはマスク（レチクル）のパターン全体を内包し得る露光フィールドを持った投影光学系を介してウェハやプレート等の感光基板をステップアンドリピート方式で露光する方法であり、もう１つはマスクと感光基板とを投影光学系を挟んで対向させて円弧状スリット照明光のマスク照明の下で相対走査して露光するスキャン方法である。
　【０００３】
　前者のステップアンドリピート露光方式を採用したステッパーは、最近のリソグラフィー工程で主流をなす装置であり、後者のスキャン露光方式を採用したアライナーに比べて、解像力、重ね合わせ精度、スループット等が何れも高くなってきており、今後も暫くはステッパーが主流であるものと考えられている。
　このステップアンドリピート露光方式では、投影光学系の見かけ上の焦点深度を大きくするため、１つの露光領域の露光中に感光基板と投影光学系を投影光学系の光軸方向に相対移動させる露光方法（累進焦点露光方法と呼ぶことにする）を併用することも提案されている。この累進焦点露光方法における光軸方向の移動量は投影光学系の本来の焦点深度や感光基板上の微小な凹凸を考慮したものであり、移動中には感光基板上の凹凸の少なくとも上部と下部とに投影光学系の最良結像面がくるようになっている。
　【０００４】
　ところで、最近スキャン露光方式においても高解像力を達成する新たな方式がＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１０８８　Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ＩＩ（１９８９）の第４２４頁〜４３３頁においてステップアンドスキャン方式として提案された。ステップアンドスキャン方式とは、マスク（レチクル）を１次元に走査しつつ、ウエハをそれと同期した速度で１次元に走査するスキャン方式と、走査露光方向と直交する方向にウエハをステップ移動させる方式とを混用したものである。
　【０００５】
　図１１は、ステップアンドスキャン方式の概念を説明する図であるが、ここではウエハＷ上のＸ方向のショット領域（１チップ、又はマルチチップ）の並びを円弧状スリット照明光ＲＩＬで走査露光し、Ｙ方向についてはウエハＷをステッピングする。同図中、破線で示した矢印がステップアンドスキャン（以下、Ｓ＆Ｓとする）の露光順路を表し、ショット領域ＳＡ１，ＳＡ２，…，ＳＡ６の順にＳ＆Ｓ露光を行い、次にウエハＷの中央にＹ方向に並んだショット領域ＳＡ７，ＳＡ８，…，ＳＡ１２の順に同様のＳ＆Ｓ露光を行う。
　【０００６】
　上記文献に開示されたＳ＆Ｓ方式のアライナーでは、円弧状スリット照明光ＲＩＬで照明されたレチクルパターンの像が１／４倍の縮小投影光学系を介してウエハＷ上に結像されるため、レチクルステージのＸ方向の走査速度はウエハステージのＸ方向の走査速度の４倍に精密に制御される。また、円弧状スリット照明光ＲＩＬを使うのは、投影光学系として屈折素子と反射素子とを組み合わせた縮小系を用い、光軸から一定距離だけ離れた像高点の狭い範囲（輪帯状）で各種収差がほぼ零になるという利点を得るためである。そのような反射縮小投影系の一例は、例えばＵＳＰ．４，７４７，６７８に開示されている。
　【０００７】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら上記文献に開示のステップアンドスキャン装置にステップアンドリピート方式と同様の累進焦点露光方法をそのまま適用することは不可能である。つまりステップアンドリピート方式の場合は、レチクルと照明光束／ウェハと露光光束とが投影光学系の光軸に垂直な方向（ウェハの面内方向）に相対移動しない構成となっているため、露光中にウエハと投影光学系とを光軸方向（Ｚ方向）に相対移動させることで転写領域内を複数の焦点位置で多重露光することができる。
　【０００８】
　それに対して上記のステップアンドスキャン装置の場合は、レチクルと照明光束／ウェハと露光光束とが投影光学系の光軸に垂直な方向（Ｘ又はＹ方向）に相対移動する構成となっているため、露光中にウェハと投影光学系とを単純に光軸方向に相対移動させると転写領域内の位置によって合焦する部分と合焦しない部分とが混在することになる。従ってステップアンドリピート方式と同様の累進焦点露光方法を単純に適用しただけでは、焦点深度拡大の効果が期待できないばかりでなく、かえって像の解像度が低下する。
　【０００９】
　そこで本発明は、従来の累進焦点露光方法が容易に適用し得るステップアンドスキャン方式等の走査露光による回路素子の製造方法を提供することを第１の目的とし、さらに累進焦点露光方法を適用した走査露光の場合は従来よりもスループットを向上させ得る回路素子の製造方法を提供することを第２の目的とする。
　【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　そこで請求項１に記載の発明は、マスク（レチクルＲ）に形成された回路パターンの一部分を縮小投影系（ＰＬ）を通して感応性の基板（ウェハＷ）上に投影しつつ、マスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを縮小率に応じた速度比で縮小投影系（ＰＬ）の投影視野（ＩＦ）に対して１次元走査させて基板上の所定領域に回路パターンの全体像を走査露光するリソグラフィー工程を含む回路素子の製造方法に適用される。そして本発明においては、基板（Ｗ）上に投影される回路パターンの部分像を１次元走査の方向と直交した方向に細長く延び、且つ１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する矩形状又はスリット状に制限した状態で、マスク（Ｒ）の回路パターンと基板（Ｗ）の所定領域との相対位置関係が所定のアライメント誤差内に抑えられるようにマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを縮小率に応じた速度比で１次元走査方向に相対走査する段階と、その相対走査の間は、基板（Ｗ）上で矩形状又はスリット状に制限された回路パターンの部分像の１次元走査方向に関する両端付近の各々での最良像面位置と該両端付近に対応した基板の表面位置との各フォーカス差が縮小投影系（ＰＬ）の焦点深度の幅内に維持されるように
、その回路パターンの部分像が投影される基板（Ｗ）上の照射領域（ＡＰ’）のほぼ中心が最良像面に位置するよう基板（Ｗ）のフォーカス状態を制御するととともに基板（Ｗ）の傾斜状態
　【００１１】
　さらに請求項２に記載の発明では、請求項１に規定した縮小投影系を、屈折素子と反射素子の組合わせ、或いは屈折素子のみで構成された両側テレセントリットな縮小投影光学系とし、光軸中心の円形投影視野（ＩＦ）を有するものとした。さらに請求項３に記載の発明では、請求項２に規定された矩形状又はスリット状の回路パターンの部分像を得るために、矩形状又はスリット状の分布を有する露光エネルギーをマスク（Ｒ）に照射するようにし、その露光エネルギーの分布が縮小投影光学系（ＰＬ）の円形投影視野（ＩＦ）内で光軸（ＡＸ）中心を含むように配置した。
　【００１２】
　また請求項４に記載の発明は、マスク（レチクルＲ）に形成された回路パターンの一部分を投影光学系（ＰＬ）を通して感応性の基板（ウェハＷ）上に投影しつつ、マスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを投影倍率に応じた速度比で投影光学系（ＰＬ）の投影視野（ＩＦ）に対して１次元走査させて基板（Ｗ）上の所定領域に回路パターンの全体像を走査露光するリソグラフィー工程を含む回路素子の製造方法に適用される。そして本発明においては、基板（Ｗ）上に投影される回路パターンの部分像を１次元走査の方向と直交した方向に細長く延び、且つ１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する矩形状又はスリット状に制限した状態で、マスク（Ｒ）を載置するマスクステージ（１４）と基板（Ｗ）を載置する基板ステージ（１６〜１８）とを投影倍率（例えば１／５）に応じた速度比で１次元走査方向に相対走査する段階と、その相対走査の間は、基板ステージ（１６〜１８）の走査位置に応じて基板（Ｗ）を投影光学系の結像面（ＢＦ）と垂直な方向に連続的に微動させる段階とを実施する。
　【００１３】
　さらに請求項５に記載の発明では、請求項４に規定された投影光学系（ＰＬ）を屈折素子と反射素子の組合わせ、或いは屈折素子のみで構成された両側テレセントリットな縮小投影光学系とし、光軸（ＡＸ）中心の円形投影視野（ＩＦ）を有するものとした。さらに請求項６に記載の発明では、請求項５に規定された矩形状又はスリット状分布の回路パターンの部分投影像を縮小投影光学系（ＰＬ）の円形投影視野（ＩＦ）内で光軸（ＡＸ）中心を含む範囲内に制限した。
【００１４】
　　【発明の実施の形態】
　本発明によれば、マスクと基板とを投影光学系に対して相対移動させて走査露光する際に、投影光学系により基板上に投影される回路パターンの一部の像を、投影光学系の円形視野内で１次元走査方向と交差した方向に延びるとともに、１次元走査方向にほぼ一定の幅を有する直線的な１つのスリット領域内、又は複数の平行なスリット領域内に制限するように構成したため、投影光学系の最良結像面と基板上の被露光領域の表面とを必要に応じて相対的に１次元走査方向に関して傾けて走査露光することが可能となり、見かけ上の焦点深度を拡大する累進焦点露光法を容易に適用した回路素子の製造が実現できる。
　【００１５】
　また累進焦点露光法を実施する場合は、投影光学系の円形視野内で制限されたスリット領域内の像面と基板上の被露光領域の表面との相対的な傾きが投影光学系の焦点深度の幅内に維持されるように１次元走査時の基板の移動に連動してレベリング状態とフォーカス状態とを制御するだけで、スリット領域の長手方向（非走査方向）に関してほぼ均一な焦点深度拡大効果が得られることになる。そこで、リソグラフィ工程において走査露光方式で回路素子を製造するのに好適な投影露光装置の構成とその動作について、以下に図面を参照して説明する。
　【００１６】
　図１は本発明の実施に好適な縮小投影型露光装置の構成を示し、本装置では屈折素子のみ、或いは屈折素子と反射素子との組み合わせで構成された１／５縮小の両側テレセントリックな投影光学系ＰＬを使うものとする。水銀ランプ１からの露光用照明光は楕円鏡２で第２焦点に集光される。この第２焦点には、モータ４によって照明光の遮断と透過とを切り替えるロータリーシャッター３が配置される。シャッター３を通った照明光束はミラー５で反射され、インプットレンズ６を介してフライアイレンズ系７に入射する。
　【００１７】
　フライアイレンズ系７の射出側には、多数の２次光源像が形成され、各２次光源像からの照明光はビームスプリッタ８を介してレンズ系（コンデンサーレンズ）９に入射する。レンズ系９の後側焦点面には、レチクルブラインド機構１０の可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４が図２のように配置されている。４枚のブレードＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４は夫々駆動系５０によって独立に移動される。本装置例ではブレードＢＬ１，ＢＬ２のエッジによってＸ方向（走査露光方向）の開口ＡＰの幅が決定され、ブレードＢＬ３，ＢＬ４のエッジによってＹ方向（ステッピング方向）の開口ＡＰの長さが決定されるものとする。また、４枚のブレードＢＬ１〜ＢＬ４の各エッジで規定された開口ＡＰの形状は投影光学系ＰＬの円形イメージフィールド（視野）ＩＦ内に包含されるように定められる。
　【００１８】
　さて、ブラインド機構１０の位置で照明光は均一な照度分布となり、ブラインド機構１０の開口ＡＰを通過した照明光は、レンズ系１１，ミラー１２、及びメインコンデンサーレンズ１３を介してレチクルＲを照射する。このとき、ブラインド機構１０の４枚のブレードＢＬ１〜ＢＬ４で規定された開口ＡＰの像がレチクルＲ下面のパターン面に結像される。さて、開口ＡＰで規定された照明光を受けたレチクルＲは、コラム１５上を少なくともＸ方向に等速移動可能なレチクルステージ１４に保持される。
　【００１９】
　コラム１５は、投影光学系ＰＬの鏡筒を固定する不図示のコラムと一体になっている。レチクルステージ１４は駆動系５１によってＸ方向の１次元走査移動、ヨーイング補正のための微小回転移動等を行う。またレチクルステージ１４の一端にはレーザ干渉計３０からの測長ビームを反射する移動鏡３１が固定され、レチクルＲのＸ方向の位置とヨーイング量がレーザ干渉計３０によってリアルタイムに計測される。尚、レーザ干渉計３０用の固定鏡（基準鏡）３２は投影光学系ＰＬの鏡筒上端部に固定されている。
　【００２０】
　レチクルＲに形成されたパターンの像は投影光学系ＰＬによって１／５に縮小されてウェハＷ上に結像される。ウエハＷは微小回転可能、且つ任意の角度に傾斜可能なウェハホルダー１６に基準マーク板ＦＭとともに保持される。ホルダー１６は投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）に微小移動可能なＺステージ１７上に設けられる。そしてＺステージ１７はＸ，Ｙ方向に２次元移動するＸＹステージ１８上に設けられ、このＸＹステージ１８は駆動系５２で駆動される。
　【００２１】
　またＸＹステージ１８の座標位置とヨーイング量とはレーザ干渉計３３によって計測され、そのレーザ干渉計３３のための固定鏡（基準鏡）３４は投影光学系ＰＬの鏡筒下端部に、移動鏡３５はＺステージ１７の一端部に夫々固定される。本装置例では投影倍率を１／５としたので、スキャン露光時のＸＹステージ１８のＸ方向の移動速度Ｖｗｓは、レチクルステージ１４の速度Ｖｒｓの１／５である。
　【００２２】
　さらに本装置例では、レチクルＲと投影光学系ＰＬとを介してウェハＷ上のアライメントマーク（又は基準マークＦＭ）を検出するＴＴＲ（スルーザレチクル）方式のアライメントシステム４０と、レチクルＲの下方空間から投影光学系ＰＬを介してウェハＷ上のアライメントマーク（又は基準マークＦＭ）を検出するＴＴＬ（スルーザレンズ）方式のアライメントシステム４１とを設け、Ｓ＆Ｓ露光の開始前、或いはスキャン露光中にレチクルＲとウェハＷとの相対的な位置合わせを行うようにした。
　【００２３】
　また図１中に示した光電センサー４２は、基準マークＦＭを発光タイプにしたとき、その発光マークからの光を投影光学系ＰＬ、レチクルＲ、コンデンサーレンズ１３、レンズ系１１，９、及びビームスプリッタ８を介して受光するもので、ＸＹステージ１８の座標系におけるレチクルＲの位置を規定する場合や、各アライメントシステム４０，４１の検出中心の位置を規定する場合に使われる。但し、これらのアライメントシステムは本発明を達成するためにことさら必須の要件ではない。
　【００２４】
　ところでブラインド機構１０の開口ＡＰは、走査方向（Ｘ方向）と直交するＹ方向に関して極力長くすることによって、Ｘ方向の走査回数、即ちウエハＷのＹ方向のステッピング回数を少なくすることができる。但し、レチクルＲ上のチップパターンのサイズや形状、配列によっては、開口ＡＰのＹ方向の長さをブレードＢＬ３，ＢＬ４の各エッジで変更した方がよいこともある。
　【００２５】
　例えばブレードＢＬ３，ＢＬ４の対向するエッジがウェハＷ上のショット領域を区画するストリートライン上に合致するように調整するとよい。このようにすれば、ショット領域のＹ方向のサイズ変化に容易に対応できる。また１つのショット領域のＹ方向の寸法が開口ＡＰのＹ方向の最大寸法以上になる場合は、特開平２−２２９４２３号公報にみられるように、ショット領域の内部でオーバーラップ露光を行って、露光量のシームレス化を行う必要がある。この場合の方法については本発明の必須要件ではないのでこれ以上の説明は割愛する。
　【００２６】
　ここで、任意の角度に傾斜可能なウェハホルダー１６、及びその周辺の構成について図３（ａ）を参照して説明する。ＸＹステージ１８上のＺステージ１７にはモータ２１が設けられ、Ｚステージ１７を光軸ＡＸ方向に駆動する。ウェハホルダー１６は、そのほぼ中心を支持されてＺステージ１７上に載置される。またウェハホルダー１６はその周縁部にレベリング駆動部２０Ａ，２０Ｂが設けられ、ホルダー１６上のウェハＷを任意の角度に傾斜可能となっている。
　【００２７】
　このウェハＷの傾斜角度を制御するために、非露光波長の光束ＢＰＬを照射する投光部１９Ａと、光束ＢＰＬがウェハ面で反射した光束ＢＲＬを受光する受光部１９Ｂとで構成されたフォーカス及びレベリングセンサが設けられている。このフォーカス及びレベリングセンサからの光束ＢＰＬの焦点は、ウェハＷ上において投影光学系ＰＬの光軸ＡＸが通過する点を含む線上にほぼ一致している。
　【００２８】
　レベリング駆動部２０Ａ，２０Ｂは、受光部１９Ｂからのレベリング情報と主制御部１００からの情報とに基づいてウエハホルダー１６の傾き量を決定するレベリング制御系５３からの指令によって駆動される。また、受光部１９Ｂからのレベリング情報を常にフィードバックすることによって適正なウエハＷの傾斜角度を維持することもできる。
　【００２９】
　さらに、フォーカス及びレベリングセンサからの情報により、ウエハＷ上の光軸ＡＸと交わる位置を常に投影光学系の最良結像面に位置させるためのフォーカス情報を得ることもできる。この場合、受光部１９Ｂで得られた位置情報に基づいたＺステージ制御系５４からの指令によってモータ２１を駆動することにより、Ｚステージ１７を光軸ＡＸの方向に駆動する。
　【００３０】
　尚、光束ＢＰＬは図３（ｂ）に示すようにブラインドの開口ＡＰで規定される矩形の照射領域ＡＰ’に対して例えば４５°程度傾斜したスリット状の光ＳＬＩとしてウェハＷ上に照射される。このことにより、ウェハＷ上に既に形成されたチップ領域ＣＰ１〜ＣＰ４内の回路パターンの方向性に影響されることなくウェハＷの傾斜を制御することができる。レベリング駆動部は便宜上２点のみ図示したが、３点で駆動した方がより良いことは言うまでもない。
　【００３１】
　次に本装置例の動作を説明するが、そのシーケンスと制御は図１に示すように主制御部１００によって統括的に管理される。主制御部１００の基本的な動作は、レーザ干渉計３０，３３からの位置情報、ヨーイング情報の入力、駆動系５１，５２内のタコジェネレータ等からの速度情報の入力等に基づいて、スキャン露光時にレチクルステージ１４とＸＹステージ１８とを所定の速度比を保ちつつ、レチクルパターンとウエハパターンとの相対位置関係を所定のアライメント誤差内に抑えたまま相対移動させることにある。
　【００３２】
　そして本装置例の主制御部１００は、その動作に加えて累進焦点露光法を実施するために、投影光学系ＰＬの最良結像面とウェハＷ上の転写領域とを相対的に傾け、且つ転写領域内のほぼ中央部が投影光学系Ｐ　しの最良結像面、若しくはその近傍に位置させて照射領域内の１次元走査方向の位置に応じてレチクルのパターン像のフォーカス状態を連続的、若しくは離散的に変化させたまま走査露光を行うように、レベリング制御系５３、及びＺステージ制御系５４を連動制御することを大きな特徴としている。
　【００３３】
　図４は、本装置例を用いた露光方法を概略的に示す図である。レチクルＲ上の回路パターンＩＲ内の位置１〜９は夫々ウェハＷ上の位置１〜９に対応しており、パターンＩＲに対してウエハＷは相対的に傾斜している。尚、ここでは便宜上ウェハＷの直上に回路パターンＩＲを表示し、回路パターンＩのウェハＷ上への投影倍率は１として示した。また、単一の開口ＡＰで規定された露光光束のうちＬＲ，ＬＣ，ＬＬの３光束を示してある。
　【００３４】
　これら３光束のうちの光束ＬＲ，ＬＬは、夫々図２に示すブレードＢＬ１，ＢＬ２のエッジで規定されるものであり、スキャン露光方向に関して光軸ＡＸを中心にほぼ対称に位置する。光束ＬＲとＬＬとの幅は開口ＡＰのＸ方向の幅に対応しており、露光光束の走査方向の照射範囲を表している。この照射範囲内では露光光束の強度分布はほぼ一様となっている。光束ＬＣは露光光束の照射範囲のほぼ中心を通る主光線を有し、この主光線は投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致しているものとする。
　【００３５】
　さらに、投影光学系ＰＬの最良結像面は破線ＢＦで示してある。この走査露光は、ＸＹステージ１８をＸ方向に駆動すると同時にＺステージ１７を光軸ＡＸの方向に駆動して、ウェハＷの照射領域内のほぼ中心（露光光束の照射範囲のほぼ中心と一致）が常に投影光学系ＰＬの最良結像面ＢＦに位置するように制御される。
　【００３６】
　尚、このとき走査露光の走査方向に関するウェハＷ上の照射領域（被露光領域）ＡＰ’の幅をＤａｐ、ウェハＷ上の照射領域ＡＰ’と最良結像面ＢＦとの傾き角をθ１、投影光学系ＰＬの焦点深度の光軸方向の幅（ＤＯＦ）を△Ｚ１として、Ｄａｐ・ｓｉｎθ１≧△Ｚ１の関係を満たすように、照射領域の幅Ｄａｐと傾き角θ１との少なくとも一方を調整するようにする。尚、一般的に理論上の焦点深度幅は△Ｚ１＝λ／ＮＡ２（λ：露光波長，ＮＡ：投影光学系の開口数）である。
　【００３７】
　さて、走査露光が開始された直後のウェハＷとパターンＩＲとの露光光束に対する位置関係は図４（ａ）に示すような状態であり、回路パターンＩＲ内の位置２に着目すると、この位置２は露光光束の照射範囲内に入ったところである。しかし、この状態では対応するウェハＷ上の位置２の像は最良結像面ＢＦからずれたデフォーカス状態であり、投影像の強度分布はピークの緩やかな状態となっている。
　【００３８】
　さらに走査露光が進んだ状態が図４（ｂ）であり、ウェハＷ上の位置２は最良結像面ＢＦに位置している。この状態では位置２の像はべストフォーカス状態であり、像の強度分布のピークは鋭くなっている。ウェハＷが図４（ｃ）に示す位置まで移動すると、位置２は図４（ａ）の状態とは反対の最良結像面ＢＦからずれたデフォーカス状態となり、像の強度分布のピークは緩やかな状態となる。
　【００３９】
　以上の走査露光（等速スキャン）によってウェハＷ上の位置２に照射される露光量の光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）の分布は図５に示すようになる。つまり位置２での露光量は、Ｚ方向のＤａｐ・ｓｉｎθ１の範囲（焦点深度の幅ＤＯＦ）でほぼ均一となっている。また、その結果位置２に与えられた像の強度分布を図６に示す。強度分布ＥＲ，ＥＣ，ＥＬは、夫々光束ＬＲ，ＬＣ，ＬＬによって得られる像強度を表すものであり、強度分布Ｅは光束ＬＲ，ＬＣ，ＬＬを含めた露光光束によって得られる像強度の積算値を表すものである。
　【００４０】
　この場合、位置２は露光光束の照射範囲内にある間中、光束を照射されている（光エネルギーを受けている）ため、積算された強度分布Ｅはピークの緩やかな分布となる。よって、ウェハＷ上のフォトレジストを感光（完全に除去）する露光量Ｅｔｈ以上の強度を持つ幅Ｗは、図示するように比較的広くなる。この幅Ｗを狭くするためには、矩形状の照明光束の強度分布が走査露光の１次元走査方向に関して少なくとも２ヶ所で極大となるようにすればよい。
　【００４１】
　このため、例えば図７に示すように開口ＡＰの中央部を遮光した構造（ダブルスリット状の開口）のレチクルブラインド機構を用いるようにする。これは、ブラインド機構１０の４枚のブレードのうちのブレードＢＬ４を、開口ＡＰの中央部をＸ方向に所定の幅で遮光するようにＹ方向に伸びた遮光片を有するような形状としたものである。
　【００４２】
　このようなブラインド機構を用いた場合、走査露光（等速スキャン）によってウェハＷ上の位置２に照射される露光量の光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）の分布は図８に示すようになる。つまり位置２での露光量は、Ｚ方向のＤａｐ・ｓｉｎθ１の範囲（焦点深度の幅ＤＯＦ）の両端付近の２ヶ所に同程度の強度を有する状態となっている。よって、図４に示す露光光束のうちの光束ＬＲ，ＬＬに相当する部分のみに強度を持たせることが可能となる。
　【００４３】
　この光束を用いて前述の走査露光（等速スキャン）を行った場合にウェハＷ上の任意の位置（例えば前述の位置２）で得られる像の強度分布は、図９に示すようになる。強度分布ＥＲ′，ＥＬ′は夫々、光束ＬＲ，ＬＬで与えられる像の強度分布であり、強度分布Ｅ′は強度分布ＥＲ′，ＥＬ′を積算したものである。このとき、強度分布Ｅ′は図６に示す強度分布Ｅよりも鋭いピークを有しており、ウェハＷ上のフォトレジストを感光（完全に除去）する露光量Ｅｔｈ以上の強度を持つ幅Ｗ′は、図６に示す幅Ｗよりも狭くすることができる。
　【００４４】
　さらに、矩形状の照明光束の強度分布が走査露光の１次元走査方向に関して３ヶ所で極大となるようにしてもよい。そのためには、図７に示すものと同様に開口部が３つのスリットとなるようなブレードを有するレチクルブラインド機構を用いる。この場合、同様に走査露光によってウェハＷ上の位置２に照射される露光量の光軸ＡＸ方向の分布は図１０に示すようになる。つまり位置２での露光量は、最良結像面ＢＦ付近とＺ方向のＤａｐ・ｓｉｎθ１の範囲（焦点深度の幅ＤＯＦ）の両端付近の２ヶ所との合計３ヶ所で夫々同程度の強度を有する状態となっている。
　【００４５】
　よって、ウェハＷに達する露光光束は図４に示す光束ＬＲ，ＬＣ，ＬＬに相当する光束のみとなる。また光束ＬＲ，ＬＬは、投影光学系の光軸ＡＸと同一の光軸を有する光束ＬＣに対してほぼ対称となるようにする。この様な照射範囲内の３ヶ所で強度分布が極大となる光束で走査露光した場合も、ウェハＷ上に投影される像の強度分布は、図６に示す強度分布Ｅより鋭いピークを有することになる。よって投影される像の幅は図６に示す幅Ｗよりも狭くすることができる。
　【００４６】
　尚、照明光束の光強度がほぼ同じ場合に矩形状の照明光束の強度分布が走査露光の１次元走査方向に関して２ヶ所の場合と３ヶ所の場合とを比較すると、３ヶ所の場合の方がＸＹステージの移動速度を速くすることができ、スループットが高い。即ち、従来のＵＳＰ．４，８６９，９９９等で知られている累進焦点露光方法とは逆の効果が得られることになる。
　【００４７】
　また上記の例では、ブラインド機構のブレードに遮光片を持たせた例を示したが、その他、光路中において回路パターンＩＲとほぼ共役な位置に遮光したい領域に応じた大きさ及び形状のＮＤフィルター等の減光部材を設ける構成としても同様の効果が得られる。
　【００４８】
　　【発明の効果】
　以上のように本発明によれば、感光性の基板上に投影される回路パターンの一部の像を投影光学系の投影視野内で１次元走査方向と交差した方向に延びた直線状のスリット領域（矩形領域）内に制限して走査露光するようにしたので、焦点深度を拡大させる累進焦点露光方法を実施する場合は、単に投影光学系の結像面と基板上の被露光領域内の表面とを相対的に１次元走査の方向について所定量だけ傾けるといった極めて簡単な操作を加えるだけで、基板上の１つのショット領域内の全体に対してほぼ均一な焦点深度拡大効果を伴って回路パターンを転写することが可能となる。
　【００４９】
　また本発明によれば、回路パターンの部分像の直線的なスリット領域（矩形領域）の１次元走査方向に関する幅を最適化したり、そのスリット領域内の部分像の１次元走査方向に関する強度分布を最適化（２〜３ヶ所の極大化）したりすることによって、所望の解像力を達成しつつスループットを向上させた回路素子製造が可能になるといった顕著な効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
本発明の実施に好適な投影露光装置の構成を示す図である。
　　【図２】
レチクルブラインドを構成するブレードの配置を示す平面図である。
　　【図３】
（ａ）はウェハホルダー周辺の概略的な構成を示す図、（ｂ）はレベリングセンサからの光束のウェハ上への照射状態を示す図である。
　　【図４】
本発明に好適な投影露光装置を用いた露光方法を概略的に示す図である。
　　【図５】
走査露光によってウエハ上の任意の位置に照射される露光量の光軸方向の分布を示す図である。
　　【図６】
本発明の走査露光方法によって累進焦点露光法を行った場合にウエハ上の任意の位置に与えられる像の強度分布を示す図である。
　　【図７】
レチクルブラインドを構成するブレードの他の例を示す平面図である。
　　【図８】
走査露光によってウェハ上の任意の位置に照射される露光量の光軸方向の分布を示す図である。
　　【図９】
他のブレード例を使って走査露光を行った場合にウェハ上の任意の位置に与えられる像の強度分布を示す図である。
　　【図１０】
走査露光によってウェハ上の任意の位置に照射される露光量の光軸方向の分布を示す図である。
　　【図１１】
従来のステップアンドスキャン露光方式の概念を説明する図である。
　【符号の説明】
　１４　…　マスクステージ
　１６　…　基板ホルダー
　１７　…　Ｚステージ
　１８　…　ＸＹステージ
　２０Ａ，２０Ｂ　…　レベリング駆動部
　２１　…　モータ
　５３　…　レベリング制御系
　５４　…　Ｚステージ制御系
　ＰＬ　…　投影光学系
　Ｒ　…　　レチクル（マスク）
　ＩＲ　…　回路パターン
　Ｗ　…　　感光基板