【事件の表示】
　特許第２９６４７２５号「セラミック基板用組成物」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６４７２５号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件の経緯
　本件特許第２９６４７２５号は、平成３年９月１９日に出願し、平成１１年８月１３日に設定登録され、同年１０月１８日に特許公報に掲載されたところ、平成１２年４月１７日に三浦次郎から、平成１２年４月１８日に小野尚純、京セラ株式会社および日本特殊陶業株式会社からそれぞれ特許異議の申立を受けたものであって、その後平成１２年１１月３０日付で取消理由通知（平成１２年１２月１５日発送）がなされ、その指定期間内である平成１３年２月１３日に訂正請求がなされたものである。
２．設定登録時の本件発明
　設定登録時の本件発明は、特許公報に掲載されたとおりの次のものである。
［請求項１］重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５％とチタン酸塩５〜４０％からなることを特徴とするセラミック基板用組成物。
［請求項２］前記チタン酸塩がＳｒＴｉＯ３である請求項１記載のセラミック基板用組成物。
［請求項３］前記チタン酸塩がＣａＴｉＯ３である請求項１記載のセラミック基板用組成物。
［請求項４］前記ガラスフリットが重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％、ＰｂＯ　７．８〜８．３％、ＣａＯ　３．３〜３．８％、Ｂ２Ｏ３　２．５〜３．０％、ＭｇＯ　１．１〜１．５％、Ｎａ２Ｏ　１．１〜１．５％、Ｋ２Ｏ　０．８〜１．１％で構成される請求項１乃至３いずれかに記載のセラミック基板用組成物。
３．特許異議申立人の主張
３−１．三浦次郎の主張
　特許異議申立人三浦次郎は、甲第１〜３号証を提出して次のような主旨の主張をしている。
（イ）本件請求項１〜３に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１〜３号証に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当するか、もしくは、同条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（ロ）本件請求項４に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
３−２．小野尚純の主張
　特許異議申立人小野尚純は、甲第１〜５号証を提出して次のような主旨の主張をしている。
（ハ）本件請求項１に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１〜４号証に記載された発明と同一であり、また、本件請求項２に係る発明は、甲第２号証に記載された発明と同一であり、さらに、本件請求項３に係る発明は、甲第１〜２号証に記載された発明と同一であるから、本件請求項１〜３に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
（ニ）本件請求項４に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
３−３．京セラ株式会社の主張
  特許異議申立人京セラ株式会社は、甲第１〜４号証を提出して次のような主旨の主張をしている。
（ホ）本件請求項１に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１〜３号証に記載された発明と同一であるか、もしくは、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に該当するか、もしくは、同条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
（ヘ）本件請求項２及び３に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号の規定に該当するか、或いは、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
３−４．日本特殊陶業株式会社の主張
　特許異議申立人日本特殊陶業株式会社は、甲第１〜２号証を提出して次のような主旨の主張をしている。
（ト）本件請求項１〜３に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（チ）本件請求項１〜３に係る発明は、本件特許の出願の日前に出願し、本件特許の出願後に出願公開された甲第２号証に係る先願の出願当初の明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の発明者は先願の発明者と同一ではないし、また、本件特許の出願の時に、本件特許の出願人は先願の出願人と同一ではないから、本件請求項１〜３に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
（リ）本件明細書の［００１９］〜［００２８］段落及び［表１］には、本発明の実施例についての説明がなされており、表１中では（１）〜（４）が実施例で、（５）〜（８）は請求範囲外であって、従来の組成物であるとしているが、上記（１）〜（４）の実施例は、いずれもガラスフリットの組成が請求項４に規定される範囲内にあり、一方、（５）および（６）は、ガラスフリットの組成が請求項４に規定される範囲外であるため、絶縁破壊強度、曲げ強度、ＴＣＣ、焼成温度等が本発明の目的および作用効果を満足しないことが示されている。そうすると、本件明細書の発明の詳細な説明によれば、ガラスフリットの組成を特定の範囲内としたとき初めて本件発明は効果を奏するのであるから、ガラスフリットの組成を特定していない本件請求項１〜３に係る発明は、本件明細書に記載されたものとはいえない。したがって、本件明細書の記載は不備であるから、本件請求項１〜３に係る特許は、その明細書が特許法第３６条の規定を満たしていない出願に対してなされたものである。
４．訂正の要旨
　平成１３年２月１３日付訂正請求における訂正の要旨は次のとおりである。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１の「からなる」と「ことを特徴とするセラミック基板用組成物」の間に、「セラミック基板用組成物であって、前記ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含む」を挿入する。
（ｂ−１）特許請求の範囲の請求項４の「前記ガラスフリットが重量％表示で、・・・で構成される請求項１乃至３いずれかに記載のセラミック基板用組成物」を、「重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５％とチタン酸塩５〜４０％からなるセラミック基板用組成物であって、前記ガラスフリットが重量％表示で、・・・で構成されることを特徴とするセラミック基板用組成物。」と訂正する。
（ｂ−２）特許請求の範囲の請求項４の「Ｂ２Ｏ３」を、「Ｂ２Ｏ３」と訂正する。
（ｃ−１）本件明細書の［０００４］段落の「Ａｌ２Ｏ３」を、「Ａｌ２Ｏ３」と訂正する。
（ｃ−２）本件明細書の［０００８］段落の「Ｂ２Ｏ３」を、「Ｂ２Ｏ３」と訂正する。
（ｃ−３）本件明細書の［００１０］段落の「ＳｉＯ２」を、 「ＳｉＯ２」と訂正する。
（ｃ−４）本件明細書の［００１５］段落の「Ｎａ２Ｏ」を、 「Ｎａ２Ｏ」と訂正する。
（ｃ−５）本件明細書の［００１６］段落の「Ｋ２Ｏ」を、 「Ｋ２Ｏ」と訂正する。
５．訂正の適否についての検討
５−１．訂正の目的
　上記（ａ）の訂正は、特許請求の範囲の請求項１において、ガラスフリットの主成分を規定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　上記（ｂ−１）の訂正は、特許請求の範囲の請求項４において、請求項１，２および３の引用を外して独立形式の請求項とし、併せて引用していた訂正前の請求項１の「重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５％とチタン酸塩５〜４０％からなることを特徴とするセラミック基板用組成物」という内容を文章として書き起こしたものであって、請求項２および３の引用を外し、また、訂正前の請求項１の内容は引き継いでいるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　上記（ｂ−２）、（ｃ−１）〜（ｃ−５）の訂正は、化学式中の右下小文字が大文字に誤っていたものを直すものであるから、誤記の訂正である。
５−２．新規事項
　上記（ａ）の訂正は、本件明細書の［０００８］段落や［００１０］段落や「００１７」段落等の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　上記（ｂ−１）〜（ｂ−２）、（ｃ−１）〜（ｃ−５）の訂正は、その内容からみて、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであることは明らかである。
５−３．拡張・変更
　上記（ａ）、（ｂ−１）〜（ｂ−２）、（ｃ−１）〜（ｃ−５）の訂正は、その内容からみて、実質上特許請求の範囲を拡張したり、変更したりするものでないことは明らかである。
５−４．訂正の認否
　上記５−１，５−２および５−３の項で検討したように、上記訂正は、特許法第１２０条の４の第２項の第１号および第２号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第３項で準用する同法第１２６条第２項および第３項の規定に適合するものであるから、上記訂正は認める。
６．訂正後の本件発明
　訂正後の本件発明は、上記訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲に記載された次のものである。
［請求項１］重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５％とチタン酸塩５〜４０％からなるセラミック基板用組成物であって、前記ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むことを特徴とするセラミック基板用組成物。
［請求項２］前記チタン酸塩がＳｒＴｉＯ３である請求項１記載のセラミック基板用組成物。
［請求項３］前記チタン酸塩がＣａＴｉＯ３である請求項１記載のセラミック基板用組成物。
［請求項４］重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５％とチタン酸塩５〜４０％からなるセラミック基板用組成物であって、前記ガラスフリットが重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％、ＰｂＯ　７．８〜８．３％、ＣａＯ　３．３〜３．８％、Ｂ２Ｏ３　２．５〜３．０％、ＭｇＯ　１．１〜１．５％、Ｎａ２Ｏ　１．１〜１．５％、Ｋ２Ｏ　０．８〜１．１％で構成されることを特徴とするセラミック基板用組成物。
７．特許異議申立人の主張についての検討
７−１．三浦次郎の主張について
７−１−１．上記（イ）の主張について
　甲第１号証（特開平３−４５５５６号公報）には、「ＣａＴｉＯ３　５〜３５ｗｔ％　Ａｌ２Ｏ３　１５〜４５ｗｔ％　ホウケイ酸亜鉛系ガラス　４０〜６０ｗｔ％を主成分とするセラミック回路基板用誘電体組成物。」（特許請求の範囲第１項）等が記載されており、その実施例では、ホウケイ酸亜鉛系ガラスの一例としてＳｉＯ２　３５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３　１５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３　５ｗｔ％、ＺｎＯ　２０ｗｔ％、ＰｂＯ　２０ｗｔ％、ＣａＯ　５ｗｔ％を用いたことが記載されている（第２頁左下欄８〜１１行を参照）。
　そして、本件発明でいうガラスフリットは、本件明細書の「００２０」段落の「まずガラスフリットは、重量％でＳｉＯ２　２７％、ＰｂＯ　８．１％、ＣａＯ　３．５％、Ｂ２Ｏ３　２．７％、ＭｇＯ　１．３％、Ｎａ２Ｏ　１．３％、Ｋ２Ｏ　１．１％の組成になるように、通常の方法により各原料を調合し、１４００〜１５００℃の温度にて撹拌しながら溶融し、溶融後、水砕又は、フレーク状とし、これにＡｌ２Ｏ３　５５重量％を添加し、ガラスフリットを作製した。」と記載されていることからして、ガラス粉末にＡｌ２Ｏ３を添加したものである。
　そうすると、甲第１号証に記載された発明におけるＡｌ２Ｏ３とホウケイ酸亜鉛系ガラスとを合わせたものが、本件発明でいうガラスフリットに対応するので、Ａｌ２Ｏ３とホウケイ酸亜鉛系ガラスの合計の組成について考察すると、甲第１号証に記載のものは、訂正後の本件請求項１でいうＡｌ２Ｏ３　５０〜６０重量％という規定を満たそうとして、Ａｌ２Ｏ３とホウケイ酸亜鉛系ガラスとの比率を５０：５０にすると、Ａｌ２Ｏ３の重量％は、Ａｌ２Ｏ３に由来する５０％と、ホウケイ酸亜鉛系ガラス中のＡｌ２Ｏ３（５％）に由来する５％×０．５０＝２．５％との合計で、５２．５％となり、確かに、訂正後の本件請求項１でいうＡｌ２Ｏ３　５０〜６０重量％という規定を満たすものの、その場合のＳｉＯ２の重量％は、３５％×０．５０＝１７．５％となってしまい、訂正後の本件請求項１でいうＳｉＯ２　２５〜３０重量％という規定を満たすことができない。
　また、訂正後の本件請求項１でいうＳｉＯ２　２５〜３０重量％という規定を満たそうとして、ＳｉＯ２を含有しているホウケイ酸亜鉛系ガラスの比率を上げ、Ａｌ２Ｏ３とホウケイ酸亜鉛系ガラスとの比率を４７：５３にすると、Ａｌ２Ｏ３の重量％は、Ａｌ２Ｏ３に由来する４７％と、ホウケイ酸亜鉛系ガラス中のＡｌ２Ｏ３（５％）に由来する５％×０．５３＝２．６５％との合計で、４９．６５％となり、訂正後の本件請求項１でいうＡｌ２Ｏ３　５０〜６０重量％という規定を既に外れてしまうし、しかも、その場合でさえ、ＳｉＯ２の重量％は、３５％×０．５３＝１８．５５％にしかならず、訂正後の本件請求項１でいうＳｉＯ２　２５〜３０重量％という規定に遥かに及ばない。
　したがって、甲第１号証に記載された発明において、Ａｌ２Ｏ３とホウケイ酸亜鉛系ガラスとを合わせたものの組成が、Ａｌ２Ｏ３が５０〜６０重量％、ＳｉＯ２が２５〜３０重量％となることはないから、甲第１号証には、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むものである本件請求項１に係る発明は記載されていない。
　甲第２号証（特開昭５６−３７２７４号公報）には、「Ａｌ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｓｉがこれ等の化合物であるＡｌ２Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２に換算した状態で、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３、ＭｇＯ＋ＳｉＯ２の三元図における、
　Ａｌ２Ｏ３　９６重量％、ＳｒＴｉＯ３　２重量％、ＭｇＯ＋ＳｉＯ２　２重量％を示す点（Ａ）と、
　Ａｌ２Ｏ３　８０重量％、ＳｒＴｉＯ３　１０重量％、ＭｇＯ＋ＳｉＯ２　１０重量％を示す点（Ｂ）と、
  Ａｌ２Ｏ３　４０重量％、ＳｒＴｉＯ３　１０重量％、ＭｇＯ＋ＳｉＯ２　５０重量％を示す点（Ｃ）と、
  Ａｌ２Ｏ３　４０重量％、ＳｒＴｉＯ３　５８重量％、ＭｇＯ＋ＳｉＯ２　２重量％を示す点（Ｄ）と、
を順次に結ぶ直線で囲まれた範囲に含まれ且つＭｇＯとＳｉＯ２とのモル比がＭｇＯ／ＳｉＯ２≧２となる範囲に含まれ且つＳｉＯ２が０．５重量％以上の範囲に含まれるような割合で混合されたものを焼結した磁器組成物。」（特許請求の範囲）が記載されており、その第１頁右下欄７〜１２行には、「本発明は、コンデンサを形成することが可能な絶縁回路基板を形成するのに好適な酸化物磁器組成物に関し、更に詳細には、コンデンサを形成する時に要求される特性を有していると共に、ＩＣ等の回路基板を作る時に要求される特性も有している磁器に関するものである。」と記載されているが、甲第２号証に記載された発明の磁器組成物は、原料のＡｌ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｓｉの化合物を混合して焼結し、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３、ＭｇＯ＋ＳｉＯ２の三元系のセラミックスを直接製造するものであって、ガラスフリットを使用するものではない。
　甲第３号証（特開昭６３−２９１３０７号公報）には、「チタン酸ストロンチウム若しくはチタン酸鉛をχとし、フッ素金雲母若しくはフッ素四ケイ素雲母を（１−χ）としたとき、
　重量比で０．１≦χ≦０．２５となるように前記２物質を調合した混合物に、
　酸化ホウ素−二酸化ケイ素−酸化アルミニウムからなるガラス粉末を２０〜４０ｗｔ％添加したことを特徴とする高周波用誘電体材料。」（特許請求の範囲）が記載されているものの、これは、高周波用誘電体材料であって、基板用ではないし、また、フッ素金雲母やフッ素四ケイ素雲母を使用するものであるから、本件発明と明らかに相違している。
　なお、特許異議申立人三浦次郎は、特許異議申立書第９頁１５〜１７行で、「雲母は、同号証（甲第３号証）第１頁右下欄４行の「マイカ結晶化ガラス」の記載から明らかなようにガラス成分と考えることができるので、雲母とガラスの合計をガラスフリットと見なすことができる。」と主張しているが、例えば、「セラミックス辞典　第２版」（社団法人日本セラミクス協会編、丸善（株）、平成９年３月２５日発行、ｐ．６９９）に、マイカ結晶化ガラスについて、「ガラスを加熱して、フッ素金雲母または四ケイ素雲母を析出させた結晶化ガラス。普通の旋盤やのこぎりで容易に穿孔、切削などの機械加工ができる。例えば、Ｋ２Ｏ　９．５、ＭｇＯ　１４．５、Ａｌ２Ｏ３　１６．７、Ｂ２Ｏ３　８．７、ＳｉＯ２　４７．２、Ｆ　６．３［ｍａｓｓ％］の組成のガラスを１０５０℃まで加熱し、ガラス中にアスペクト比が１０程度のフッ素金雲母ＫＭｇ３ＡｌＳｉ３Ｏ１０Ｆ２の平板状結晶（大きさ数μｍ）を析出させるとマイカ結晶化ガラスが得られる。機械加工が容易で、電気絶縁性の高い材料として市販されている。」と記載されているように、マイカ結晶化ガラスは、特殊な組成のガラスを加熱してフッ素金雲母や四ケイ素雲母を析出させた特殊な結晶化ガラスであるし、また、甲第３号証の第２頁３〜１３行に、「このようにして得られたフッ素金雲母の試料粉末、ＳｒＴｉＯ３の試料、ＰｂＴｉＯ３の試料粉末及びＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３からなるガラス粉末を、以下に記した第１表中に示した割合で調合し、坩堝内で混合して１４５０℃で溶融した後、２０φ×２０ｔの内容積を持つグラファイト坩堝に流し込んで急冷し、円柱状のガラスを作成した。この円柱状ガラスを焼きなまし温度（１０００℃）で再加熱し、ガラス中に雲母とＳｒＴｉＯ３やＰｂＴｉＯ３の結晶を析出させ、円柱状の試料を得た。」と記載されているように、甲第３号証に記載された高周波用誘電体材料におけるフッ素金雲母やフッ素四ケイ素雲母は、ガラス中に雲母を析出させるための成分である。
　そして、本件明細書には、ガラスフリットを加熱してフッ素金雲母またはフッ素四ケイ素雲母を析出させることは全く記載されておらず、そのようなことを意図していないことは明らかであるから、甲第３号証に記載された高周波用誘電体材料におけるフッ素金雲母やフッ素四ケイ素雲母は、本件発明でいうガラスフリットの成分に当たるものではない。
　してみると、訂正後の本件請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明と同一であるとは認められないし、また、請求項１を引用している訂正後の本件請求項２および３に係る発明も、甲第１〜３号証に記載された発明と同一であるとは認められない。
　そして、本件明細書の実施例の組成例（１）〜（６）によれば、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％という範囲に含まれる組成例（１）〜（４）が、その範囲を外れた組成例（５）〜（６）に対し、総合特性において優れていることは明らかであるから、訂正後の本件請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められないし、また、請求項１を引用している訂正後の本件請求項２および３に係る発明も、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　したがって、上記（イ）の主張は理由がない。
７−１−２．上記（ロ）の主張について
　甲第１号証（特開平３−４５５５６号公報）については、上記７−１−１の項で既に検討したところであり、また、本件明細書の実施例の組成例（１）〜（６）によれば、ガラスフリットが重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％、ＰｂＯ　７．８〜８．３％、Ｂ２Ｏ３　２．５〜３．０％、ＭｇＯ　１．１〜１．５％、Ｎａ２Ｏ　１．１〜１．５％、Ｋ２Ｏ　０．８〜１．１％という範囲に含まれる組成例（１）〜（４）が、その範囲を外れた組成例（５）〜（６）に対し、総合特性において優れていることは明らかであるから、本件請求項４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
  したがって、上記（ロ）の主張も理由がない。
７−２．小野尚純の主張について
７−２−１．上記（ハ）の主張について
　甲第１号証（特開平３−４５５５６号公報）は、特許異議申立人三浦次郎の提出した甲第１号証と同じであって、上記７−１−１の項で既に検討したところである。
　甲第２号証（特開昭４９−７６１００号公報）には、「重量基準で（ａ）チタン酸カルシウム１〜４０％と（ｂ）下記成分すなわち２５〜４０％ＳｉＯ２、５〜１５％ＴｉＯ２，７〜１２％Ａｌ２Ｏ３，１０〜３０％ＢａＯ、１０〜２６％ＺｎＯ、２〜１０％ＣａＯおよび２〜８％Ｂ２Ｏ３そして場合により２％までのＭｇＯおよび４％までのＢｉ２Ｏ３よりなりしかもＢａＯとＺｎＯとの和がそのガラスの３０〜４０％であるようなガラスフリット６０〜９９％とより本質的になることを特徴とする、印刷回路中における誘電体層を形成するに有用な粉末組成物。」（第７頁右下欄の特許請求の範囲）が記載されているが、その第２頁左下欄１５〜１７行に、「本組成物は、乾燥時かまたは不活性液体ベヒクル中の分散液として基材上に印刷（通常スクリーン印刷）することができる。」と記載されているように、それは、基材上に印刷して印刷回路中における誘電体層を形成するものであるから、基板用のものではなく、しかも、Ａｌ２Ｏ３を７〜１２重量％しか含まないから、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むものである訂正後の本件請求項１に係る発明と明らかに相違しており、また、請求項１を引用している訂正後の本件請求項２および３の発明とも明らかに相違している。
　甲第３号証（特開平２−２２５３３９号公報）には、「ガラス組成物粉末に、このガラス組成物粉末よりも強度の高い高強度粉末と、ガラス組成物粉末よりも熱膨張率の小さな低熱膨張率粉末とを添加したものを焼成してなるとともに、前記ガラス組成物粉末の焼成後の結晶構造における主結晶がα−コージエライトであるガラスセラミック焼結体。」（特許請求の範囲第１項）等が記載されており、その第１頁右下欄１０〜１５行には、「この発明は、ガラスセラミック焼結体に関し、詳しくは、各種半導体部品を搭載したり、電気信号の入出力用端子ピン等を取り付けたりして機能モジュールを構成するためのセラミック配線基板等として利用されるガラスセラミック焼結体に関するものである。」と記載されている。
　そして、特許異議申立人小野尚純は、第２表の実施例８を指摘しているが、その第２表の実施例８のＧ−３（ガラス組成物粉末）７０％、アルミナ粉末１５％、チタン酸アルミニウム粉末１５％（いずれも体積％）および第１表のＧ−３（ガラス組成物）−ＳｉＯ２　５４．５％、Ａｌ２Ｏ３　１８．２％、ＭｇＯ　１８．２％、Ｂ２Ｏ３　９．１％（いずれも重量％）からみて、本件発明でいうガラスフリットに対応する甲第３号証のガラスセラミック焼結体の原料のＧ−３（ガラス組成物粉末）とアルミナ粉末の合計の中のＡｌ２Ｏ３の割合は、体積％であるとしてもアルミナ粉末の配合割合が１５％と小さいこと、および、Ｇ−３（ガラス組成物粉末）中のＡｌ２Ｏ３の含有割合が１８．２重量％と小さいことからして、Ａｌ２Ｏ３が５０重量％以上となるようなことはなく、また、Ｇ−３（ガラス組成物粉末）中のＳｉＯ２の含有割合が５４．５重量％と大きく、しかも、体積％であるとしてもＧ−３（ガラス組成物粉末）の配合割合が７０％と大きいから、本件発明でいうガラスフリットに対応する甲第３号証のガラスセラミック焼結体の原料のＧ−３（ガラス組成物粉末）とアルミナ粉末の合計の中のＳｉＯ２が３０重量％以下となるようなことはない。
　したがって、甲第３号証にも、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むものである訂正後の本件請求項１に係る発明は記載されていない。
　甲第４号証（特開平２−２２５３４０号公報）には、「ガラス組成物粉末に、このガラス組成物粉末よりも熱膨張率の小さな低熱膨張率粉末を添加したものを焼成してなるとともに、前記ガラス組成物粉末の焼成後の結晶構造における主結晶がα−コージエライトであるガラスセラミック焼結体。」（特許請求の範囲第１項）、「ガラス組成物粉末が、ＳｉＯ２　４８〜６３重量％、Ａｌ２Ｏ３　１０〜２５重量％、ＭｇＯ　１０〜２５重量％、Ｂ２Ｏ３４〜１０重量％からなる組成を有する粉末である請求項１記載のガラスセラミック焼結体。」（特許請求の範囲第２項）、「低熱膨張率粒子が、コージエライト、石英ガラス、チタン酸アルミニウム、β−スポジュメン、β−ユークリプタイトの中から選ばれた少なくとも１種以上の粉末である請求項１または２記載のガラスセラミック焼結体。」（特許請求の範囲第３項）が記載されており、その第１頁右下欄５〜１０行には、「この発明は、ガラスセラミック焼結体に関し、詳しくは、各種半導体部品を搭載したり、電気信号の入出力用端子ピン等を取り付けたりして機能モジュールを構成するためのセラミック配線基板等として利用されるガラスセラミック焼結体に関するものである。」と記載されているものの、甲第４号証に記載された発明では、ガラス組成物中以外にＡｌ２Ｏ３は使用していないし、しかも、ガラス組成物粉末中のＡｌ２Ｏ３は１０〜２５重量％と少なく、また、ＳｉＯ２は４８〜６３重量％と多いものである。
　したがって、甲第４号証にも、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むものである訂正後の本件請求項１に係る発明は記載されていない。
　なお、甲第５号証（「電子材料」、１９８６年５月、ｐ．５９−６６）には、内海和明外２名の「ＣＲ内蔵形低温焼成多層セラミック基板」についての技術紹介記事が掲載されており、その図２には、ＣＲ内蔵形多層セラミック基板の断面構造が示されており、また、第６０頁右欄２３〜２８行には、絶縁材料として、「ＣＲ複合基板の基板および小容量の容量素子を形成する材料としては、アルミナとホウケイ酸鉛ガラスの混合粉末を用いた。この材料の組成はアルミナ５５ｗｔ％、ホウケイ酸鉛ガラス４５ｗｔ％で、９００℃の温度で焼結でき、焼結体の抗折強度は３，０００ｋｇ／ｃｍ２以上と通常のアルミナ程度の値を示す。」と記載されているが、その絶縁材料はチタン酸塩を含むものではない。
　してみると、訂正後の本件請求項１に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明と同一であるとは認められないし、また、請求項１を引用している訂正後の本件請求項２に係る発明も、甲第２号証に記載された発明と同一であるとは認められないし、さらに、請求項１を引用している訂正後の本件請求項３に係る発明も、甲第１〜２号証に記載された発明と同一であるとは認められない。
　したがって、上記（ハ）の主張は理由がない。
７−１−４．上記（ニ）の主張について
　甲第１号証（特開平３−４５５５６号公報）については、上記７−１−１の項で既に検討したところである。
　したがって、上記（ニ）の主張も理由がない。
７−３．京セラ株式会社の主張について
７−３−１．上記（ホ）の主張について
　甲第１号証（特開平３−４５５５６号公報）は、特許異議申立人三浦次郎の提出した甲第１号証と同じであり、上記７−１−１の項で既に検討したところである。
　甲第２号証（特開平２−２２５３４０号公報）は、特許異議申立人小野尚純の提出した甲第４号証と同じであり、上記７−２−１の項で既に検討したところである。
　甲第３号証（特開昭５２−１２５７９９号公報）には、「ガラスおよび結晶性物質の混合物であり、而して重量基準で
（ａ）７００℃以上の軟化点およびアルミナのそれよりも低い熱膨張係数を有する１種またはそれ以上のガラス６５〜９０％、および
（ｂ）全組成物重量基準で
　（１）０〜２５％のＭｇＴｉＯ３および／または
　（２）０〜３５％のＭｇＴｉＯ３を形成しうる前駆体酸化物ＭｇＯとＴｉＯ２の混合物のものである結晶性充填剤１０〜３５％を包含ししかも粉末組成物中のＭｇＴｉＯ３の重量が１０％以下である場合には前駆体結晶性酸化物（２）の相対比率は焼成誘電体層中に全部で少なくとも１０％のＭｇＴｉＯ３を存在させるのに充分な量でありそして更に前駆体結晶性酸化物の相対比率は焼成誘電体層中に２５％を越えないＭｇＴｉＯ３を存在させるような量であることを特徴とする、アルミナ基材上の伝導体および誘電体層の多層エレクトロニクス構造体中の誘電体層形成に有用な微細分割無機粉末組成物。」（特許請求の範囲第１項）等が記載されているものの、その第３頁左上欄１３〜１５行には、「本発明によれば、多層エレクトロニクス構造体中の誘電体層を印刷するのに有用な組成物が提供される。」と記載されているように、それは、誘電体層を印刷するための組成物にすぎず、しかも、その組成物は、後記ガラス組成の他にＡｌ２Ｏ３を使用しないし、また、その実施例で使用しているガラスは、ＳｉＯ２　４０％、ＢａＯ　１８％、ＣａＯ　５％、Ｂ２Ｏ３　６％、Ａｌ２Ｏ３　１０％、ＭｇＯ　５％、ＺｎＯ　８％、ＰｂＯ　８％の組成であり、その「％」については特段の断りないことからガラス組成で通常使用される重量％と解されるが、ＳｉＯ２の割合が大きく、Ａｌ２Ｏ３の割合が小さいものであるから、甲第３号証には、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むものである訂正後の本件請求項１に係る発明は記載されていない。
　そして、既に上記７−１−１の項で記載したように、本件明細書の実施例の組成例（１）〜（６）によれば、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％という範囲に含まれる組成例（１）〜（４）が、その範囲を外れた組成例（５）〜（６）に対し、総合特性において優れていることは明らかである。
　してみると、訂正後の本件請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明と同一であるとは認められないし、また、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとも認められない。
　したがって、上記（ホ）の主張も理由がない。
７−３−２．上記（ヘ）の主張について
　甲第１〜３号証については、上記７−１−１，７−２−１および７−３−１の項で既に検討したところであり、また、甲第４号証（岡崎清著、「セラミック誘電体工学　第３版」、（株）学献社、１９８３年６月１０日第３版１刷発行、ｐ．２７６−２７７）には、温度補償用磁器コンデンサ材料（７．２．１の項）に関して、ＳｒＴｉＯ３の添加はＣａＴｉＯ３よりも温度係数を負にする効果が大きい旨（第２７７頁２０〜２３行を参照）等が記載されているにすぎない。
　そして、既に上記７−１−１等の項で述べたように、本件明細書の実施例の組成例（１）〜（６）によれば、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％という範囲に含まれる組成例（１）〜（４）が、その範囲を外れた組成例（５）〜（６）に対し、総合特性において優れていることは明らかである。
　結局、請求項１を引用している本件請求項２及び３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないし、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということもできない。
　したがって、上記（ヘ）の主張も理由がない。
７−４．日本特殊陶業株式会社の主張について
７−４−１．上記（ト）の主張について
　甲第１号証（特開平３−４５５５６号公報）は特許異議申立人三浦次郎の提出した甲第１号証と同じであり、上記７−１−１の項で既に検討したところである。
　したがって、上記（ト）の主張も理由がない。
７−４−２．上記（チ）の主張について
　甲第２号証（特開平５−２１１００６号公報）に係る先願（特願平４−２３１３９０号、平成３年８月９日に出願した特願平３−２２４９７９号に基づいて国内優先権を主張）の出願当初の明細書および図面には、「ガラスと、誘電率の温度係数τεが正の酸化物骨材と、誘電率の温度係数τεが負の酸化物骨材とを含有（ただし、酸化アルミニウムと酸化チタンとをともに含有することはない）する高周波誘電体材料。」（特許請求の範囲の請求項１）等が記載されており、その表２には、ガラスとτε＜０の酸化物骨材とτε＞０の酸化物骨材を含有するサンプルが挙げられている。そのＮｏ．１１，１，１２，１３は、τε＞０の酸化物骨材としてＡｌ２Ｏ３を含有させるものの、τε＜０の酸化物骨材として、ＴｉＯ２を含有させるものであって、チタン酸塩を使用していないから、その点で訂正後の本件請求項１〜３に係る発明と相違しているし、また、τε＞０の酸化物骨材としてＡｌ２Ｏ３を含有させるＮｏ．２１，２２，４１，４２のサンプルは、τε＜０の酸化物骨材としてチタン酸塩を含有させているものの、Ａｌ２Ｏ３の含有割合は３６．０Ｖｏｌ％が最大で、しかも、ガラスの含有割合は最小で６０Ｖｏｌ％であり、その［００５６］段落に示されているように、ガラス粒子の組成は、ＳｉＯ２：６２モル％、Ａｌ２Ｏ３：８モル％、Ｂ２Ｏ３：３モル％、ＳｒＯ：２０モル％、ＣａＯ：４モル％、ＭｇＯ：３モル％であり、ＳｉＯ２が圧倒的に多くＡｌ２Ｏ３は少ないから、Ａｌ２Ｏ３やガラスの含有割合がＶｏｌ％で、ガラス粒子の組成がモル％で表されており、それらを重量％で具体的に表示することはともかく、本件発明でいうガラスフリットに対応するものであるＡｌ２Ｏ３とガラスを合わせたものの内の、Ａｌ２Ｏ３が５０重量％以上で、しかもＳｉＯ２が３０重量％以下であるようなものではないといえる。
　してみると、甲第２号証に係る先願の出願当初の明細書や図面に、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むものである訂正後の本件請求項１に係る発明、および、請求項１を引用している訂正後の本件請求項２および３に係る発明が記載されているとすることはできない。
　したがって、上記（チ）の主張も理由がない。
７−４−３．上記（リ）の主張について
　上記訂正により、訂正後の本件請求項１には、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むことが規定された。
　そして、上記７−１−１等の項で既に述べたように、本件明細書の実施例の組成例（１）〜（６）によれば、ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％という範囲に含まれる組成例（１）〜（４）が、その範囲を外れた組成例（５）〜（６）に対し、総合特性において優れていることは明らかであるから、訂正後の本件請求項１〜３と本件明細書の発明の詳細な説明の記載は充分対応している。
　してみると、上記（リ）の主張に関する本件明細書の記載不備は、上記訂正により解消した。
８．むすび
　訂正後の本件請求項１〜４に係る特許は、特許異議申立の理由および証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件請求項１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月２０日（２００１．４．２０）
【訂正の要旨】
　特許第２９６４７２５号の明細書中、特許請求の範囲の減縮を目的として、
（ａ）特許請求の範囲の請求項１の「からなる」と「ことを特徴とするセラミック基板用組成物」の間に、「セラミック基板用組成物であって、前記ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含む」を挿入し、
（ｂ−１）特許請求の範囲の請求項４の「前記ガラスフリットが重量％表示で、・・・で構成される請求項１乃至３いずれかに記載のセラミック基板用組成物」を、「重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５％とチタン酸塩５〜４０％からなるセラミック基板用組成物であって、前記ガラスフリットが重量％表示で、・・・で構成されることを特徴とするセラミック基板用組成物。」と訂正し、
誤記の訂正を目的として、
（ｂ−２）特許請求の範囲の請求項４の「Ｂ２Ｏ３」を、「Ｂ２Ｏ３」と訂正し、
（ｃ−１）本件明細書の［０００４］段落の「Ａｌ２Ｏ３」を、「Ａｌ２Ｏ３」と訂正し、
（ｃ−２）本件明細書の［０００８］段落の「Ｂ２Ｏ３」を、「Ｂ２Ｏ３」と訂正し、
（ｃ−３）本件明細書の［００１０］段落の「ＳｉＯ２」を、「ＳｉＯ２」と訂正し、
（ｃ−４）本件明細書の［００１５］段落の「Ｎａ２Ｏ」を、「Ｎａ２Ｏ」と訂正し、
（ｃ−５）本件明細書の［００１６］段落の「Ｋ２Ｏ」を、「Ｋ２Ｏ」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
　セラミック基板用組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５％とチタン酸塩５〜４０％からなる
セラミック基板用組成物であって、前記ガラスフリットが主成分として、重量％表示で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％を含むことを特徴とするセラミック基板用組成物。
　【請求項２】前記チタン酸塩がＳｒＴｉＯ３である請求項１記載のセラミック基板用組成物。
　【請求項３】前記チタン酸塩がＣａＴｉＯ３である請求項１記載のセラミック基板用組成物。
　【請求項４】
重量％表示で、ガラスフリット６０〜９５％とチタン酸塩５〜４０％からなるセラミック基板用組成物であって、
Ｂ２Ｏ３
ことを特徴とするセラミック基板用組成物。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基板に良好なセラミック基板用組成物に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、多層に回路を形成する電子部品としては、焼成したアルミナ基板上に回路、絶縁層を交互に印刷し、これを焼成することによって製造する第１の方法と、未焼成のセラミック基板に回路を印刷し、互いに回路が接触しないようにこれを積層し、プレスした後、焼成して製造する第２の方法がある。
　【０００３】
　第１の方法のものは、回路の影響によってその上に形成する絶縁層に凹凸が生じ、それは上層ほど大きくなる。この凹凸が大きくなると、この上に次の回路を印刷することは難しくなり、通常１０層前後が限度とされている。
　【０００４】
　これに対し、第２の方法のものは、回路の印刷は常に平面に近い状態の基板に対して行うために、積層数の多いものを製造することができ、高密度の集積回路形成が行える。この第２の方法の基板に使用するセラミック基板組成物としては、Ａｌ２Ｏ３粉末と１５重量％以下のガラス粉末を無機バインダーで固定したものや、
Ａｌ２Ｏ３
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記従来の第２の方法のＡｌ２Ｏ３粉末と１５重量％以下のガラス粉末を無機バインダーで固定したものは、焼成温度が１４５０〜１６００℃と極めて高いので、回路を構成する材料もこの焼成温度で劣化しないＭｏ、Ｗ等の高価なものを使用し、又、還元雰囲気で焼成する必要があるので作業性が劣った。
　【０００６】
　Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系にＰｂやＢを１０ｗｔ％以上混入させ低温で焼成したものは、温度変化に対する静電容量の変化率（以下、ＴＣＣと記す）が大きいという問題点があった。
　【０００７】
　本発明の課題は、上記従来の問題点を解決し、極めて低い温度、すなわち７５０〜９５０℃で焼成でき、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等のペーストを内部電極として使用することが可能な、しかも体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基板としての諸特性を充足し、さらに、ＴＣＣが±０ｐｐｍ／℃〜１００ｐｐｍ／℃と調整可能なセラミック基板用組成物を提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　この課題を解決した本発明のセラミック基板用組成物は、重量％表示で、ガラスフリット　６０〜９５％、チタン酸塩　５〜４０％、とからなる。前記チタン酸塩としては、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、がある。又、前記ガラスフリットとしては、重量％で、Ａｌ２Ｏ３　５０〜６０％、ＳｉＯ２　２５〜３０％、ＰｂＯ　７．８〜８．３％、ＣａＯ　３．３〜３．８％、
Ｂ２Ｏ３
　【０００９】
　ガラスフリットが６０重量％より少ないと、焼成温度が高くなり、本発明の課題である低温度での焼成を行うことが困難である。一方、ガラスフリットが、９５重量％より多いと、焼成体の曲げ強度、及び耐湿性が低下し好ましくない。又、ＴＣＣの調整も困難となる。
　【００１０】
　
ＳｉＯ２
　【００１１】
　ＰｂＯは、ガラスの溶解性を向上させるために、７．８重量％以上の添加が望ましい。８．３重量％より多いと、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、焼成時に大きな変形を生じやすく、好ましくない。
　【００１２】
　ＣａＯは、ガラスフリット製造時の、溶融性の向上、及びガラスの熱膨張係数を調整する目的で添加する。３．３重量％より少ないと、上記溶融性が向上せず、フリット製造時に失透を生じやすい。３．８重量％より多いと、熱膨張係数が大きくなり過ぎ、いずれも好ましくない。
　【００１３】
　Ｂ２Ｏ３はフラックスであり、２．５重量％より少ないと、焼成温度が高くなり過ぎ３．０重量％より多いと、ガラスの化学的安定性が低下し、いずれも好ましくない。
　【００１４】
　ＭｇＯは、ガラスフリット製造時の、溶融性の向上、及びガラスの熱膨張係数を調整する目的で添加する。１．１重量％より少ないと、上記溶融性が向上せず、フリット製造時に失透を生じやすい。１．５重量％より多いと、熱膨張係数が大きくなり過ぎ、いずれも好ましくない。
　【００１５】
　
Ｎａ２Ｏ
　【００１６】
　
Ｋ２Ｏ
　【００１７】
　Ａｌ２Ｏ３は、セラミックの機械的強度を向上させるために、５０重量％以上の添加が望ましい。６０重量％以上の添加では、焼成温度が高くなり過ぎ、好ましくない。
　【００１８】
　【作用】
　この構成によって、従来に比べ極めて低い温度、すなわち７５０℃〜９５０℃で焼成でき、厚膜技術で広く使用されているＡｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等のペーストを内部電極として適用を可能とし、又、その焼成体は、曲げ強度が大きく、熱伝導率に優れ、誘電率が比較的小さく、絶縁抵抗が大きく、耐熱性に優れており、特に、正のＴＣＣ特性を持つガラスフリットと負のＴＣＣ特性を持つチタン酸塩系の焼成反応により、ＴＣＣの調整を容易にすることができる。
　【００１９】
　【実施例】
　以下に本発明の実施例について説明する。
　【００２０】
　まずガラスフリットは、重量％でＳｉＯ２　２７％、ＰｂＯ　８．１％、ＣａＯ　３．５％、Ｂ２Ｏ３　２．７％、ＭｇＯ　１．３％、Ｎａ２Ｏ　１．３％、Ｋ２Ｏ　１．１％の組成になるように、通常の方法により各原料を調合し、１４００〜１５００℃の温度にて撹拌しながら溶融し、溶融後、水砕又は、フレーク状とし、これにＡｌ２Ｏ３　５５重量％を添加し、ガラスフリットを作製した。
　【００２１】
　次に、このガラスフリットとチタン酸塩のＳｒＴｉＯ３が、それぞれ９０重量％、１０重量％になるように秤量し、ボールミルにて粉砕、混合し本発明の組成物を得た。この粉砕混合した組成物に、バインダーを１０重量％添加し造粒、成形後、９００℃にて１５分焼成した。この焼成体の相対密度を測定したところ、９９．９８％であったので、直径３０ｍｍ、厚み０．３５ｍｍに加工後、Ａｇ電極を焼き付け、ＴＣＣを測定したところ、−２５℃〜＋８５℃にて±０ｐｐｍ／℃であった。
　【００２２】
　そこで、この粉砕混合した組成物に種々のバインダーや可塑剤、溶剤を添加、混練して粘度１０ｐｓ〜３０ｐｓのペーストを作製した。このペーストを常法のドクターブレード法により、厚み０．１ｍｍのグリーンシートとした。このグリーンシートを５０枚重ね、その後、３５℃にて約５０トンの圧力にて熱圧着させ、９００℃にて１５分焼成した。焼成したシートの各種特性を測定したところ、体積固有抵抗率１０１４〜１６Ω、誘電率８〜１１、誘電正接≦５×１０−４、絶縁破壊強度７００〜９００ＫＶ／ｃｍ、曲げ強度２０００〜２５００ｋｇ／ｃｍ２、ＴＣＣ（−２５℃〜＋８５℃）±０ｐｐｍ／℃であった。即ち、導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラミック基板の特性を満足する結果を得た。
　【００２３】
　さらに、上記ガラスフリットとＳｒＴｉＯ３が、それぞれ９４重量％、６重量％になるように秤量し、ボールミルにて粉砕、混合し、上記方法にてグリーンシートの焼成体を得た。この場合の焼成温度は、８００℃であった。焼成したシートの各種特性を測定したところ、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣは、＋５０ｐｐｍ／℃であった。
　【００２４】
　ガラスフリットとＣａＴｉＯ３が、それぞれ７０重量％、３０重量％の場合は、焼成温度８７０℃にて、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣは、−２０ｐｐｍ／℃であった。
　【００２５】
　ガラスフリットとＣａＴｉＯ３が、それぞれ６０重量％、４０重量％の場合は、焼成温度９２０℃にて、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、上記と同等の値を得た。ＴＣＣは、−３０ｐｐｍ／℃であった。
　【００２６】
　さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の、ペーストを内部電極とし積層した、焼成体についても同様の結果を得た。以上の結果を表１に示す。
　【００２７】
　【表１】
　【００２８】
　本発明は表１から分かるように、従来の組成物と比較して極めて低い温度で焼成が実現できるようになり、ＴＣＣの調整が容易である。
　【００２９】
　【発明の効果】
　以上の様に、本発明によれば、極めて低い温度、すなわち７５０〜９５０℃で焼成が実現できるようになり、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等のペーストを内部電極として使用することが可能となった。更に、焼成体の各種要求特性、すなわち、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、また導体、抵抗体等の電子回路を多層に形成する多層配線基板としての特性を満足し、更に、ＴＣＣも±０ｐｐｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調整が容易なセラミック基板用組成物を実現できるものである。