【事件の表示】
　特許第２９０９１０８号「ターゲット部材およびその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０９１０８号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２９０９１０８号の請求項１及び２に係る発明についての出願は、平成元年１０月２４日に出願され、平成１１年４月２日にその発明についての特許の設定の登録がなされ、その特許公報が平成１１年６月２３日に発行されたところ、平成１１年１２月２４日付で高橋喜美夫から特許異議の申立がなされたものである。
II．申立の理由の概要
　特許異議申立人高橋喜美夫（以下、「申立人」という。）は、下記の甲第１号証ないし甲第３号証を提出して、本件の請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件の請求項１及び２に係る特許は取り消されるべきものであると主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平１−１３３２１７号公報
甲第２号証：特開昭６３−１７１８７７号公報
甲第３号証：特開昭６１−１２４５６４号公報
III．当審の判断
(１)本件発明
　本件の請求項１及び２に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された以下のとおりである。
「【請求項１】原子％でＣｒ８〜１８％、Ｔａ２〜８％、残部実質的にＣｏよりなり、Ｔａが均一に分布しかつ相対密度が９８％以上である焼結体であることを特徴とするターゲット部材。
【請求項２】請求項１記載のターゲット部材の製造法であって、原子％でＣｒ８〜１８％、Ｔａ２〜８％、残部実質的にＣｏよりなる粒径３２メッシュ以下の急冷凝固法により製造された合金粉末を金属製容器に充填封入した後、加圧焼結することを特徴とするターゲット部材の製造方法。」
(２)甲号各証に記載された発明
甲第１号証：
　磁気記録体に関し、
ア．「非磁性基材面上にＣｒ層を介して磁性金属層を形成してなる磁気記録　体において、前記磁性金属層は、Ｘ、Ｙを原子％としたときＣｏ１００−（ｘ＋　　　ｙ）ＣｒｘＴａｙで表され１≦Ｘ≦１８、２≦Ｙ≦９の組成比をもち面内方向　に磁気異方性を有することを特徴とする磁気記録体。」（特許請求の範囲　）
イ．「１５cm（６inch）のターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ　リング法により磁気記録体を形成したものである。この磁気記録体はＮＩ　Ｐ非磁性基材１の面上に下地層として１，０００ÅのＣｒ層４を形成し、　その上に、ＣｏＣｒ１２原子％にＴａチップ（５mm×５mm）の個数を　変化させてＴａの添加量を変化させながら６００Åの磁性金属層５を成膜　する」（第２頁右上欄第５〜１２行）
ウ．「Ｃｒ層４を１，０００ÅとしＣｏＣｒ１６Ｔａ６原子％で６００Åの　磁性金属層５を成膜した」（第２頁左下欄第８〜９行）
と記載されている。
甲第２号証：
　複合ターゲット材に関し、
エ．「光磁気ディスク用複合ターゲット材において、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄ　ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＴｍからなる群から選択された希土類金属並びにＦｅ　、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された遷移金属とよりなるマトリック　ス中に、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｍｏ　、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｈ及びＲｅからなる群から選択された金属と　マトリックスを構成する一種又は二種以上の金属との、金属間化合物及び　／又は固溶体を均一分散してなる複合ターゲット材」（特許請求の範囲の　請求項１）
オ．「本発明は光磁気記録用薄膜をスパッタにより製造するに適した複合タ　ーゲット材に関するものである。」（第１頁右欄第４〜６行）
カ．「マトリックスは希土類金属と遷移金属とから所望の組成となるように　形成すれば、その金属組織は特に限定されない。例えば、・・・。更に、　共晶組織を含む組織にする場合は、平衡状態図より希土類元素と遷移金属　との共晶組成を調べ、該共晶組成となるように配合、鋳造する。この場合　、均一・微細な共晶組織を得るには、鋳造時の冷却速度が０．０１℃／秒　、特には０．１℃／秒以上のアーク・メルター法で塊を得ることが好まし　い。こうして得られた各金属塊の粉砕は通常の機械的粉砕法でよい。機械　的粉砕が困難な場合は、ガス噴霧等で直接溶湯から粉末を得ることも可能　である。」（第３頁左上欄第１２行〜右上欄第１０行）」
キ．「粉砕後の粉末の粒径は５００μｍ以下。特に耐食性向上金属を含む金　属間化合物及び／又は固溶体は均一分散を計るため、１００μｍ以下がよ　い。」（第３頁左下欄第５〜８行）
ク．「得られた各粉末等を所望の組成になるように配合し、均一に混合する　。次いで該粉末を焼結成形して複合夕−ゲツト材を得るが、これは一般的　方法でよい。」（第３頁左下欄第９〜１２行）
ケ．「焼結成形法として熱間等方圧プレス法を行なう場合は、例えば該粉末　をアルゴンガスなどの不活性雰囲気下で、炭素鋼、ステンレス鋼あるいは　ガラスの容器に充頃後、真空引きしながら封じ、それをヒップ装置にて加　圧焼結する。・・・加圧力は該温度で容器の変形が追随出来れば、特に制　限はないが通常２０００ｋｇ／ｃｍ２　以下とする。小さすぎると変形が不　充分となり、高い密度が得られないため１０００〜１５００ｋｇ／ｃｍ２　が好ましい。」（第３頁左下欄第９行〜右下欄第１６行）
コ．「実施例３　Ｔｂ：Ｃｏ：Ｃｒ＝２５：６５：１０（原子％）の複合タ　ーゲット材を製造した。即ち、まずＣｒ−Ｃｏの金属間化合物を形成させ　るためＣｒ−Ｃｏ＝３：２（原子比）の組成でアーク・メルター法で鋳造　、金属間化合物の塊を得た。一方、マトリックスとして、Ｔｂ金属、Ｃｏ　金属を所望の組成になるようにアーク・メルター法で鋳造塊を得た。各々　の金属塊をジョークラッシャー、カッター・ミルによりアルゴンガス雰囲　気中で粉砕し、１００μｍ以下の粉末を得た。最終的に上記の組成となる　よう各粉末を配合、混合し、鋼製カプセルに充填後、１０００℃、１００　０気圧の熱間等方圧プレスで焼結した」（第５頁右上欄第５〜１０行）
と記載されている。
甲第３号証：
　薄膜の形成方法に関し、
サ．「１）２種以上の構成元素を含む薄膜を形成するスパッタリング法にお　いて、該構成元素を含む物質を溶融し均質な融体とし、該融体を移動する　冷却面に供給して急冷凝固させて均一な組織とした超急冷材料をターゲッ　ト材料として使用することを特徴とする均質な薄膜の形成方法」（特許請　求の範囲第１項）
シ．「この発明は、プラズマスパッタリング法あるいはイオンビームスパッ　タリング法などの物理蒸着法により、二種以上の構成元素を含み且つ均質　である薄膜を形成する方法に関する。」（第１頁右欄第１５〜１８行）
ス．「近年、プラズマスパッタリング法あるいはイオンビームスパッタリン　グ法等の物理蒸着法による薄膜形成技術が、磁気バルブ、光磁気デスクメ　モリー、磁気転写素子、垂直磁気記録など電子工業分野を中心に発展して　きている。この種の蒸着薄膜を工業的に利用する場合には、その薄膜の微　小領域での組織の不均一はそのまま薄膜の特性に影響するため、高純度で　あり特に均質な薄膜が要求される。」（第１頁左下欄第２０行〜右下欄第　８行）」
セ．「本発明では、二種以上の元素を構成元素として含む合金薄膜を物理蒸　着法によって形成するに用いられるターゲット材は、溶融されて均一な融　体とされた溶融合金を、移動する冷却面に供給して急冷凝固させる所謂液　体急冷法によって製造される材料でなっている。上記の液体急冷法で得ら　れた材料は、融体からの冷却速度が１０５〜１０６℃／sec 以上であるため　、非晶質合金あるいは非平衡状態の結晶質合金となり極めて均質なものと　なる。即ち、非晶質状態となった場合は、各構成原子が等方的にランダム　に均一混合した状態となっており、また、非平衡状態の結晶質となった場　合においてもその結晶粒度は従来の溶製方法による場合に較べて格段に微　細なものとなり偏析の極めて少ない均質なものとなっている。」（第２頁　左上欄第１６行〜右上欄第１０行）」
ソ．「液体急冷材は、通常、粉末あるいはリボン状として得られるが、これ　らをターゲット材として使用する場合、コールドプレス法、ホットプレス　法、ＨＩＰ、ＣＩＰあるいは衝撃圧着法等の任意の方法により成形して使　用することができる。」（第２頁右上欄第１６行〜左下欄第１行）
タ．「（実施例−２）　原子％で、Ｇｄ２５％、残Ｃｏよりなる組成の合金　を溶融して均一な融体とし、これを高速回転するロ一ル面に供給して急冷　凝固させる液体急冷法により厚さ０．０４mm、巾３０mmのリボン状薄　材を得た。これを積層して固着し、径２０mm、厚さ２５mmのターゲッ　ト材を作成した。このターゲット材を用いて、高周波スパッタリング装置　で、電極間距離６ｃｍ、出力２００Ｗ、雰囲気２×１０‐２Ｔｏｒｒのアル　ゴンガスの条件でガラス基板上に厚さ１０，０００Åのスパッター膜を形　成した。得られた蒸着膜は、Ｘ線回折の結果、均質な非晶質であった。」　（第２頁　右下欄第１２行〜第３頁左上欄第４行）
と記載されている。
(３)対比・判断
(ｉ)本件発明の目的・効果について
　本件発明は、「Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金の磁性膜を製作するために使用されるスパッタリングターゲット部材の従来の製造法は溶融・鋳造した鋼塊を加工することによって行われていた」（特許公報第２欄末行〜第３欄第２行）が、「しかし、工業的な熔解・鋳造においては、平衡状態図からのズレを生じる。現象的には鋳造に接して最初に凝固する鋼塊の外周部はＴａが固溶された組織を示すが、最終凝固に近い部分はＴａが合金全体の平均値より富化し、共晶温度でLiq→α−Ｃｏ＋Ｃｏ２　Ｔａの共晶反応を生じる。すなわち、鋼塊の中心部はＴａ富化のＣｏ２　Ｔａがミクロ的に偏析する。このような鋼塊を熱間加工で薄板したターゲット部材は、厚さ方向にＴａ量が異なる不均質なターゲット部材となる。」（特許公報第３欄第９〜１７行）という従来技術における問題を解決することを課題とするものであって、「Ｃｒ８／１８−Ｔａ２／８−残部Ｃｏターゲット部材を粉末法で作製した場合、従来の溶製法で作製したターゲット部材に比較して、ターゲット部材内での組成変動が少なく、スパッタ時の経過に伴う生成膜の磁性変動も小さい結果が得られた。」という効果を奏するものである。（特許公報第５欄下から第４行〜第６欄下から５行）
(ii)請求項１に係る発明について
　本件の請求項１に係る発明と、甲第１号証に記載された発明とを比較する。
　甲第１号証あるいは本件明細書に記載されているように、原子％でＣｒ８〜１８％、Ｔａ２〜８％、残部実質的にＣｏよりなるターゲット材は、本件出願前に既に公知である。
　しかしながら、甲第１号証には、「ＣｏＣｒ１２原子％にＴａチップ（５mm×５mm）の個数を変化させてＴａの添加量を変化させ」と記載されており（上記イ）、該記載から明らかなように、甲第１号証に記載されたターゲット材は、「Ｔａが均一に分布」しているとは認められないうえ、甲第１号証には「相対密度が９８％以上である焼結体である」点についても記載がない。そして、上述の本件発明の課題及び効果を示唆する記載もない。
　また、甲第２号証に記載されたターゲット材は、「金属間化合物及び／又は固溶体を均一に均一分散してなる複合ターゲット材」であると記載されてはいるが、上記エの記載から明らかなように、「Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＴｍからなる群から選択された希土類金属」を必須成分とする複合ターゲット材であって、本件の請求項１に係る発明のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系ターゲット材については何ら記載されていない。
　さらに、甲第３号証には、「２種以上の構成元素を含む物質を溶融し均質な融体とし、該融体を移動する冷却面に供給して急冷凝固させて均一な組織とした超急冷材料をターゲット材料として使用する」（上記サ参照）ことが記載されているが、２種以上の構成元素を含む物質として「Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系」は記載されていない。
　前述のように、本件発明は、ＣｏＣｒＴａ系ターゲット特有の、Ｃｏ２Ｔａの晶出によるＴａ量の分布の不均一という問題を解決するものであるから、甲第１号証に記載された発明のターゲット材と異なるターゲット材について記載された甲第２号証或いは甲第３号証に記載された発明を如何に組みあわせたところで、原子％でＣｒ８〜１８％、Ｔａ２〜８％、残部実質的にＣｏよりなるターゲット材において、「Ｔａが均一に分布した」という構成を導き出すことはできない。
　したがって、本件の請求項１に係る発明が、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
(iii)請求項２に係る発明について
　本件の請求項２に係る発明は、「請求項１記載のターゲット部材の製造方法」であるが、本件の請求項１に記載されたターゲット部材については、甲第１号証乃至甲第３号証のいずれにも記載されていないことは、前項に記載したとおりであり、さらに、甲第１号証には、ターゲット部材の製造方法についても何の記載もない。　
　ターゲット部材の製造方法について記載があるのは、甲第２、３号証であるので、以下該号証について検討する。
　甲第２号証には、「均一・微細な共晶組織を得るには、鋳造時の冷却速度が０．０１℃／秒、特には０．１℃／秒以上のアーク・メルター法で塊を得ることが好ましい。こうして得られた各金属塊の粉砕は通常の機械的粉砕法でよい。機械的粉砕が困難な場合は、ガス噴霧等で直接溶湯から粉末を得ることも可能である」と記載され、後者の「ガス噴霧等で直接溶湯から得られた粉末」は、本件の請求項２に係る発明における「急冷凝固法により製造された合金粉末」に相当する。しかし、該号証に記載された実施例は、すべて、アーク・メルター法で得た鋳造塊を機械的に粉砕する方法、すなわち、本件明細書における従来の方法ばかりで、このような従来の方法よりも、急冷凝固法により製造されたものの方が好ましいとする記載はなく、まして、本件発明の課題や本件発明の効果を示唆する記載もない。
　前述のように、本件発明は、ＣｏＣｒＴａ系ターゲット特有の、Ｃｏ２Ｔａの晶出によるＴａ量の分布の不均一という問題を、急冷凝固法により製造された粉末を用いることにより解決するものであるから、甲第１号証に記載されたターゲット部材の製造方法として、甲第２号証において単に可能であるとだけ記載されていて何の実施例もない「急冷凝固法による粉末の製造方法」を採用することが容易になし得ることであるとすることはできない。
　また、甲第３号証には、「２種以上の構成元素を含む物質を溶融し均質な融体とし、該融体を移動する冷却面に供給して急冷凝固させて均一な組織とした超急冷材料をターゲット材料として使用すること」（上記サ）が記載されてはいるものの、該号証には「該超急冷材料をターゲット材として使用する場合、コールドプレス法、ホットプレス法、ＨＩＰ、ＣＩＰあるいは衝撃圧着法等の任意の方法により成形して使用することができる。」（上記ソ）と記載され、実施例においても、「リボン状薄材を得た。これを積層して固着し、」（上記タ）とあるように、該号証に記載された方法は、本件の請求項２に係る発明のように「金属製容器に充填封入した後、加圧焼結する」ことを要件とするものではない。さらに、前項に記載したとおり、該号証には、「２種以上の構成元素を含む物質」として「Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系」は記載されていない。
　よって、甲第１号証に記載されたターゲット材の製造方法として、甲第３号証に記載された方法を採用する動機が存在しないばかりでなく、たとえ甲第１号証に記載されたターゲット材の製造方法として、甲第３号証に記載された方法を採用したとしても、本件の請求項２に係る発明の「金属製容器に充填封入した後、加圧焼結する」という構成を導き出すことはできない。
　したがって、本件の請求項２に係る発明が、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
IV．むすび
  以上のとおりであるから、本件の請求項１及び２に係る特許は、特許異議申立の主張および提出された証拠方法によっては、取消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１及び２に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。                            　
【異議決定日】
平成１２年７月１２日（２０００．７．１２）