【事件の表示】
　特許第２８８８８２３号「バンプ付基板の検査装置、検査方法及びバンプ付基板の製造方法」の請求項１、１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８８８８２３号の請求項１、１２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．出願の経緯・本件発明
　本件特許第２８８８８２３号の出願は、平成１０年３月３１日に出願したものであって、平成１１年２月２９日に設定登録され、その後、その特許について特許異議申立人小塚浩より請求項１及び請求項１２に係る特許について特許異議の申立てがなされたものである。
　そしてその請求項１及び請求項１２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置であって、
前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に検査光を照射する光源と、
前記検査光に基づく前記検査面からの反射光を受光する受光部と、
前記検査光を前記検査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、
前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報を生成する高さ情報生成手段と、
前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位置における前記反射光の輝度情報を生成する反射光輝度情報生成手段と、
その生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面において所定の閾値以上の反射光輝度を示す領域（以下、高輝度領域という）を特定する高輝度領域特定手段と、
その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以上のものを、前記各バンプの要部が存在するバンプ要部存在領域として識別するバンプ要部存在領域識別手段と、
その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を生成する検査情報生成手段と、
その生成した検査情報を出力する検査情報出力手段と、
を備えたことを特徴とするバンプ付基板の検査装置。」（以下、「本件発明１」という。）
「【請求項１２】基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査方法であって、
前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に前記検査光を照射するとともに、前記検査面からの前記検査光に基づく反射光を受光部にて受光しつつ、その検査光を前記検査面内にて二次元的に走査し、
そのときの受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報を生成し、
他方、前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位置における前記反射光の輝度情報を生成し、その生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面において所定の閾値以上の反射光輝度を示す領域（以下、高輝度領域という）を特定し、
その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以上のものを、前記各バンプの要部が存在するバンプ要部存在領域として識別し、
その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を得るようにしたことを特徴とするバンプ付基板の検査方法。」（以下、「本件発明１２」という。）
　
２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人小塚浩は、下記甲第１，２号証及び参考資料１を提出し、本件発明１及び１２は、甲第１号証あるいは甲第２号証と同一であるか、または甲第１号証または甲第２号証に基づいて、あるいは甲第１号証、甲第２号証を組み合わせることによって、必要であれば、参考資料１を参酌して甲第１号証、甲第２号証を組み合わせることによって、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、または特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張している。
記
甲第１号証：特開平６−１６７３２２号公報
甲第２号証：特開平９−１９６６２５号公報
参考資料１：特開平８−２７２９６１号公報
　
３．異議申立人が提出した甲各号証記載の発明
　甲第１号証（特開平６−１６７３２２号公報）には、次のことが図面とともに記載されている。
「【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成されたバンプ電極の形状を検査する立体電極外観検査装置に関する。」（【０００１】）
「【作用】上記のように、バンプ高さの検査にあたっては、光走査手段によりスポット光で基板全面を光走査することにより、バンプを含む基板上の全面の高さデータを入力し、バンプ電極頂点の高さと基板面との高さとからバンプ高さを算出するとともに、光走査手段による照射タイミングより位置補正してバンプの高さの検査を行う。
【００２８】すなわち、光走査手段によるスポット光がバンプ頂点付近に照射されたときのバンプ頂点の高さと、基板の高さとの差よりバンプ電極の高さの検査を行なうものである。」（【００２７】〜【００２８】）、
「一方、バンプ電極の寸法、表面光沢の検査にあっては第１の照明手段の同軸落射照明でバンプ電極の寸法を検査し、第２の照明手段のドーム状照明によってバンプ電極部分の明るさの階調値より表面光沢を検査する。」（【００３２】）、
「【実施例】図１に、本発明の第１実施例の構成図を示す。図１は、立体電極外観検査装置としてのバンプ外観検査装置４１の高さ検知系を示したものである。なお、検査対象については図１８と同一の符号を付す。
【００３５】図１において、バンプ電極１２が二次元配列で形成された基板であるＬＳＩチップ１１が１軸ステージ４２上に載置され、矢印方向に移動される。
【００３６】ＬＳＩチップ１１の上方には、光源として半導体レーザ光源４３が配設され、半導体レーザ光源４３から出射されたレーザ光がコリメータレンズ４４を介してポリゴンミラー４５に入射する。ポリゴンミラー４５が回転することによりｆ・θレンズ４６には振られたレーザ光が入射し、光路変更ミラー４７によりＬＳＩチップ１１上に、レーザ走査光が照射される。なお、４８はホトダイオードであり、ポリゴンミラー４５のポリゴン面を検出するものである。これらポリゴンミラー４５、ｆ・θレンズ４６、光路変更ミラー４７及びホトダイオード４８により光走査手段を構成する。
【００３７】一方、光路変更ミラー４７によりＬＳＩチップ１１上照射されたレーザ走査光の正反射位置に対向して結像レンズ４９が配置され、その光路上に光検出器としてＰＳＤ（Position Sensitiue Detector）５０が配置される。この結像レンズ４９及びＰＳＤ５０により検知手段を構成する。また、ＰＳＤ５０からの検知信号は高さ検査手段５１に送出される。
【００３８】高さ検査手段５１は、ＰＳＤ５０の検知信号よりバンプ電極の高さを算出すると共に、ポリゴンミラー４５による照射タイミングより位置補正を行うものである（図２において詳述する）。
【００３９】ところで、主走査を光走査とし、副走査を１軸ステージ４２の１軸移動とした場合、副走査の１ピッチは主走査ライン分の時間であることから低速でもよいが１、主走査は高速に行われなければならない。また、ＰＳＤ５０の電極長さＬは、光走査幅Ｗに結像レンズ４９の倍率Ｍを乗じた以上となるように設定される（Ｌ≧Ｍ・Ｗ）。
【００４０】ここで、図２に図１の処理を説明するためのブロック図を示し、図３に、図１の高さ検査の原理を説明するための図を示す。なお、図２は高さ検査手段５１の処理ブロック図である。
【００４１】図２及び図３において、ＰＳＤ電極Ａ，Ｂの電流値をそれぞれＩＡ，ＩＢとすると、高さ演算回路５２でＰＳＤ５０上に結像された位置Ｌが出力される。高さ演算回路５２では、入力したＩＡ，ＩＢを電流−電圧変換して、ｖＡ，ｖＢとし、プリアンプで増幅してそれぞれＶＡ，ＶＢとする。それぞれの電圧値は、差，和をとり（ＶＡ−ＶＢ），（ＶＡ＋ＶＢ）とすると、高さｈ＝（ＶＡ−ＶＢ）／（ＶＡ＋ＶＢ）を算出し、出力する。
【００４２】一方、ホトダイオード４８の出力から、クロック発生回路５３により、ライン・クロックとドット・クロックが生成される。そして、高さ補正回路５４では、バンプの高さｈと補正位置ｂを求める。
【００４３】図３に示すように、高さｈをｆ（ｘ＋ｂ，ｙ）の関数とした場合、ｈ＝ｆ（ｘ＋ｂ，ｙ）＝Ｌ・ｓｉｎθ／ｓｉｎαで表わされ、補正位置ｂはｂ＝Ｌ・ｃｏｓθ／ｓｉｎαで表わされる。なお、α＝１８０°−２θである。
【００４４】そして、高さ補正回路５４では、ラインクロック、ドットクロックより補正したアドレス（バンプ電極１２の頂点付近のアドレス）とバンプ高さｈを高さデータメモリ５５に格納する。
【００４５】これをＬＳＩチップ１１上の全ラインについて行い、高さデータメモリ５５に格納されたデータに基づいて、バンプ高さ検査回路５６において総てのバンプ電極１２の各高さが一致しているか否かを求めるものである。
【００４６】次に、図４に、本発明の寸法、表面光沢計測の構成図を示す。図４は、バンプ外観検査装置４１における寸法、表面光沢計測のための光学系を示したものである。
【００４７】図４において、バンプ電極１２が二次元配列で形成されたＬＳＩチップ１１の上方に、ハロゲンランプ６１及びハーフミラー６２により構成された同軸落射照明の第１の照明手段６３が配置されると共に、ハロゲンランプ６４、光ファイバ束６５及びドーム状投光部６６ａより構成されたドーム状照明の第２の照明手段６７が配置される。
【００４８】この場合、同軸落射照明の光軸と、ドーム状投光部６６ａの中心及び後述する結像レンズ６８の光軸は同一直線上に設けられる。
【００４９】また、ハーフミラー６２の上方には結像レンズ６８が配置され、その上方に、移動手段である１軸ステージ６９に搭載された撮像手段であるラインセンサ７０が配置される。そして、ラインセンサ７０の検出信号は、寸法・光沢検査手段７１に送出される。この寸法・光沢検査手段７１は、第１の照明手段６３による撮像データに基づいてバンプ電極１２の寸法を検査し、第２の照明手段６７による撮像データに基づいて表面光沢を検査する。なお、１軸ステージ６９及びラインセンサ７０に代えてＣＣＤが二次元配列されたＣＣＤカメラを用いてもよい。この場合、バンプ電極１２はその表面が比較的光拡散性の高いものが使用される。まず、寸法検査においては、第１の照明手段６３のみを使用する。同軸落射照明によるライン状のバンプ電極１２からの反射光がハーフミラー６２及び結像レンズ６８を介してラインセンサ７０により撮像される。ラインセンサ７０は１軸ステージ６９により移動されて、ＬＳＩチップ１１の全ラインの総てのバンプ電極１２が撮像される。
【００５０】この場合、バンプ電極１２は球状のために反射光が結像レンズ６８に殆ど入射せず、ＬＳＩチップ１１の表面が明るく、バンプ電極１２部分が暗いシルエット像として撮像される。
【００５１】寸法・光沢検査手段７１では、撮像データよりバンプ電極１２部分を２値化し、２値化データより当該バンプ電極１２の径が求められる。径が求められると重心が求められ、これによりバンプ電極１２の大きさが求められる。そして、前述の高さｈと大きさにより各バンプ電極１２の体積（寸法）が求められるものである。
【００５２】一方、表面光沢検査においては、第２の照明手段６７のみを使用してドーム状照明を行う。ドーム状照明による反射光は、上述と同様にハーフミラー６２及び結像レンズ６８を介してラインセンサ７０により、全領域で撮像される。そして、寸法・光沢検査手段７１では、撮像データよりバンプ電極１２部分の明るさの階調値における平均値、総和、標準偏差の少くともいずれかの統計量、又は最大値及び半値幅と、良品の基準値とを比較することにより、表面光沢の良否を検査するものである。
【００５３】また、図５に、図４の他の構成図を示す。図５は、バンプ電極１２の表面の鏡面度が高い場合であり、図４のドーム状投光部６６ａに代えて、リング状投光部６６ｂとしたもので、他は図４と同様である。
【００５４】そこで、図６に、図５の光沢計測を説明するための図を示す。図６（Ａ）において、バンプ電極１２の表面の鏡面度が高い場合、撮像画像は、暗部１２Ａの中のドーナツ状の明部１２Ｂが表われる。これを明るさの階調値でプロファイルすると、光沢度があるものについては図６（Ｂ）のグラフに示すように、幅Ｗ１の明るさＢ１として示される。また、表面酸化等で光沢度のないものについては図６（Ｃ）のグラフに示すように、幅Ｗ２の明るさＢ２として示される。
【００５５】すなわち、幅Ｗと明るさＢとが基準値を越えた場合には良品とし、基準値以下の場合は欠陥とする検査を行うものである。」（【００３４】〜【００５５】）、
「一方、制御処理手段である制御処理回路７９では、例えば全バンプ最大径の標準変化を算出すると共に、高さ、寸法表面光沢の計測量より工程能力指数（Ｃｐ：高さ、寸法、表面光沢のバラツキの大きさによりフィードバックをかけるときの指数）等の生産管理統計量を算出してバンプ電極１２の良、不良を判定する。判定結果は表示部８０により表示され、出力部８１より出力され、通信等が行われる。」（【００６１】）、
「次に、図９に、第１実施例の他の実施例の構成図を示す。図９は、第１実施例における図２に示すバンプ高さ検査回路５６に、新たに明るさ演算回路８２，明るさメモリ８３，マスク処理部８４を設けたものである。
【００６５】図９において、ＰＳＤ５０からの出力信号より明るさ演算回路８２で各バンプ１電極１２の明るさデータが求められて明るさメモリ８３に格納され、この明るさデータがマスク処理部８４に送られる。マスク処理部８４は、収縮処理回路８５及び膨脹処理回路８６により各バンプ電極１２の明るさデータを加工し、これにより頂点検出回路８７において当該バンプ電極１２の頂点を検出する。そして、頂点検出データをマスクメモリ８８に格納し、これをバンプ高さ検査回路５６に送る。バンプ高さ検査回路５６は、高さデータメモリ５５からの高さデータを、マスクメモリ８８からの頂点検出データによりマスキングして、バンプ電極１２の頂点付近だけの高さを検査するものである。
【００６６】ここで、図１０に、図９の検査原理の説明図を示す。図１０（Ａ）に示すように、バンプ電極１２が形成されたＬＳＩチップ１１に照明光を照射し、その反射光がＰＳＤ５０で受光されると、その出力信号ＶＡ，ＶＢより明るさ演算回路８２において、前述のように（ＶＡ＋ＶＢ）から明るさデータが得られる。この明るさデータが図１０（Ｂ）に示される。
【００６７】また、高さデータメモリ５５には、前述のように（ＶＡ−ＶＢ）／（ＶＡ＋ＶＢ）で得られた高さを補正位置ｂで補正した高さデータｈとアドレスが格納され、この場合の高さデータが図１０（Ｃ）に示される。
【００６８】すなわち、図１０（Ｂ）の明るさデータから頂点検出データを作成し、これを図１０（Ｃ）の高さデータにマスキングしてバンプ電極１２の頂点付近だけの高さ情報を得るものである。
【００６９】そこで、図１１及び図１２に、図９の動作説明図を示す。まず、明るさ演算回路８２で求められ、明るさメモリ８３に格納された明るさデータ（図１１（Ａ））は、マスク処理部８４の収縮処理回路８５に画像データとして送られる。
【００７０】収縮処理回路８５では、明るさデータの画像を画像処理により明るさを全面的に暗くさせつつ収縮させ（図１１（Ｂ））、さらに頂点部分の明るさが平坦にな１るまで収縮させる（図１１（Ｃ））。そして、頂点部分の明るさが平坦になった画像データが膨脹処理回路８６に送られる。
【００７１】膨脹処理回路８６では、逆に、頂点部分の明るさが平坦になった画像データを前面的に明るくさせつつ膨脹させ（図１１（Ｄ））、バンプ電極１２の外側が当初の明るさデータ（図１１（Ａ））と同じになるまで膨脹させる（図１１（Ｅ））。この明るさデータ（図１１（Ｅ））が頂点検出回路８７に送られる。
【００７２】頂点検出回路８７では、図１２において、図１１（Ａ）の明るさデータと、図１１（Ｅ）の明るさデータから、バンプ電極１２の頂点部分のみの明るさデータを取り出し（図１２（Ｆ））、所定の明るさしきい値ＴＨで２値化する。２値化された明るさデータは、図１２（Ｇ）に示すように、バンプ電極１２の頂点付近での値が「１」となり、他の値が「０」となる。この２値化データ（図１２（Ｇ））がマスクメモリ８８に頂点検出データとして格納される。マスクメモリ８８はこの頂点検出データをバンプ高さ検査回路５６に送る。
【００７３】バンプ高さ検査回路５６では、マスクメモリ８８からの頂点検出データと、高さデータメモリ５５から送られた高さデータ（図１２（Ｇ））とを比較し、２値化データが「０」である位置に高さデータを「０」とすることにより、バンプ電極１２の頂点部分だけの高さ情報を得る（図１２（Ｉ））。
【００７４】このように、ＰＳＤ５０から得た明るさ情報に基づいて、バンプ電極１２の頂点付近を限定することにより、多重反射等の影響を除外することができ、高精度に高さ計測を行うことができるものである。
【００７５】上記実施例は、図７及び図８の適用例に適用てきることは勿論である。」（【００６４】〜【００７５】）
　
　甲第２号証（特開平９−１９６６２５号公報）には、次のことが図面とともに記載されている。
「【発明の属する技術分野】
本発明はコプラナリティ検査装置、特にＩＣチップの各バンプ間の高さの差を検査するコプラナリティ検査装置に関する。」（【０００１】）
「図１は本発明の一実施形態を示すブロック図である。
【００１０】図１に示すコプラナリティ検査装置は、検査対象基板１の周囲に配置された照明２によりバンプ３の斜面部を光らせる。カメラ４は、検査対象基板１を撮像しアナログ画像データａを出力する。ＡＤ変換手段５は、アナログ画像データを入力しＡＤ変換し濃淡画像データｂを出力する。二値化手段６は、濃淡画像データｂを入力し反射光量が多いバンプ斜面部のみが”１”となるように予め設定された二値化レベルで二値化し二値化画像データｃを出力する。検査位置算出手段７は、二値化画像データｃを入力しラベリング処理により各ラベルの重心位置を算出しバンプ高さ検査位置としてバンプ高さ検査位置データｄを出力する。ＸＹステージ駆動手段８は、バンプ高さ検査位置データｄを入力しバンプ高さ検査位置とレーザ変位計９の計測位置が一致するようにＸＹステージ１０を駆動し位置合わせ終了信号ｅを出力する。高さ測定手段１１は、位置合わせ終了信号ｅを入力しレーザ変位計９によるバンプの高さ測定を行い、測定終了信号ｆとバンプ高さデータｇを出力する。ＸＹステージ駆動手段８は測定終了信号ｆを入力しラベル数分だけバンプ高さの測定を行い、全ラベル数分測定終了後、全バンプ測定終了信号ｈを出力する。コプラナリティ算出手段１２は、バンプ高さデータｇを順次入力し全バンプ測定終了信号ｈの入力後、コプラナリティの計算を行いコプラナリティｉを出力する。良不良判定手段１３は、コプラナリティｉと予め設定されたコプラナリティ良品最大値との比較を行いコプラナリティ良品最大値より算出されたコプラナリティが大きい場合は不良、同じか小さい場合は良品と判定する。
【００１１】以下に、具体的な検出例を図２（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は本発明のコプラナリティ検査装置の原理を示すための図である。検査対象基板１上のバンプ３の斜面部からの反射光量が最も大きく真上に反射するように照明２を検査対象基板１の周囲に配置する。カメラ４は、検査対象基板１を撮像しアナログ画像データａを出力する。ＡＤ変換手段５は、アナログ画像データを入力しＡＤ変換し濃淡画像データｂを出力する。図２（ａ）は検査対象基板１の濃淡画像データｂのパターン図である。図２（ａ）においてバンプ斜面部は濃度値の大きな部分である。二値化手段６は、濃淡画像データｂを入力し濃度値の大きいバンプ斜面部のみが”１”となるように予め設定された二値化レベルで二値化し二値化画像データｃを出力する。図２（ｂ）は二値化画像データｃのパターン図で、バンプの斜面部が二値化後の”１”の領域である。図２（ｂ）において基板とボール頂上部は反射光量が低く濃度値が小さいため二値化後は”０”の領域となる。検査位置算出手段７は、二値化画像データｃを入力しラベリング処理により各ラベルの重心位置を算出しバンプ高さ検査位置としてバンプ高さ検査位置データｄを出力する。図２（ｃ）は位置検査手段７により算出された各ラベルの重心位置である。ＸＹステージ駆動手段８は、バンプ高さ検査位置データｄを入力しバンプ高さ検査位置とレーザ変位計９の計測位置が一致するようにＸＹステージ１０を駆動し位置合わせ終了信号ｅを出力する。高さ測定手段１１は、位置合わせ終了信号ｅを入力後レーザ変位計９によるバンプの高さ測定を行い、測定終了信号ｆとバンプ高さデータｇを出力する。
【００１２】また、バンプ高さ測定の手段としては、図２（ｄ）に示すように各ラベルの重心座標が中心になるように予め設定した大きさの検査範囲を発生させバンプ高さ測定範囲とし、バンプ高さ測定範囲内を予め設定したピッチで測定し、測定されたバンプ高さの最大値をバンプ高さデータとすることで、バンプのピークが重心位置から少し外れた位置にある場合でもバンプの高さを測定する方法も考えられる。
【００１３】ＸＹステージ駆動手段８は測定終了信号ｆを入力しラベル数分だけバンプ高さの測定を繰り返し、全てのラベル数分だけ測定終了後全バンプ測定終了信号ｈを出力する。コプラナリティ算出手段１２は、バンプ高さデータｇを順次入力し全バンプ測定終了信号ｈを入力後、コプラナリティの計算を行いコプラナリティｉを出力する。コプラナリティの計算方法としては、例えば全バンプの高さデータから最小誤差自乗法により平面を求め、平面から最も離れた低いバンプと高いバンプの差をコプラナリティとする方法がある。良不良判定手段１３は、コプラナリティｉと予め設定されたコプラナリティ良品最大値との比較を行いコプラナリティ良品最大値より算出されたコプラナリティｉが大きい場合は不良、同じか小さい場合は良品と判定する。
【００１４】なお、図１のブロック図ではカメラとレーザ変位計が固定で検査対象基板側がＸＹ移動する構成となっているが、検査対象基板側が固定でカメラとレーザ変位計がＸＹ移動する構成も考えられる。また、レーザ変位計以外の光スキャン型の変位測定装置を利用することもできる。」（【０００９】〜【００１４】）
　
　参考資料１（特開平８−２７２９６１号公報）には、次のことが図面とともに記載されている。
「【産業上の利用分野】本発明は画像処理方法に関し、詳細には画像のうち、異常陰影等の特定の画像部分だけを強調処理する画像処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、種々の画像取得方法により得られた画像を表す画像信号に対して、階調処理や周波数処理等の画像処理を施し、画像の観察読影性能を向上させることが行われている。特に人体を被写体とした放射線画像のような医用画像の分野においては、医師等の専門家が、得られた画像に基づいて患者の疾病や傷害の有無を的確に診断する必要があり、その画像の読影性能を向上させる画像処理は不可欠なものとなっている。・・・
【００２７】本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、ノイズ成分等の画像読影に不要な成分を強調することなく、注目する特定の画像部分だけを効率よく強調処理し、アーチファクトの発生を抑制した画像処理方法を提供することを目的とするものである。」（【０００１】〜【００２７】）
　
４．本件発明と特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明との対比・判断
＜本件発明１について＞
　本件発明１と異議申立人が提出した甲第１号証を対比する。
（１）甲第１号証の「バンプ電極１２が二次元配列で形成された基板であるＬＳＩチップ１１」「立体電極外観検査装置」「半導体レーザ光源４３」「ＰＳＤ５０」「ポリゴンミラー４５、ｆ・θレンズ４６、光路変更ミラー４７及びホトダイオード４８」「高さ演算回路５２」「表示部８０、出力部８１」が、それぞれ本件発明１の「バンプ付基板」「検査装置」「検査面に検査光を照射する光源」「受光部」「光走査手段」「高さ情報生成手段」「検査情報出力手段」に相当することは明らかである。
（２）甲第１号証には、「ここで、図２に図１の処理を説明するためのブロック図・・・図２は高さ検査手段５１の処理ブロック図である。
【００４１】図２及び図３において、ＰＳＤ電極Ａ，Ｂの電流値をそれぞれＩＡ，ＩＢとすると、高さ演算回路５２でＰＳＤ５０上に結像された位置Ｌが出力される。・・・これをＬＳＩチップ１１上の全ラインについて行い、高さデータメモリ５５に格納されたデータに基づいて、バンプ高さ検査回路５６において総てのバンプ電極１２の各高さが一致しているか否かを求めるものである。」（【００４０】〜【００４５】）と記載されている。そして、本件発明１の特許明細書には、「【発明が解決しようとする課題】上記公報に開示された装置では、球状バンプを有する半導体シリコン基板が検査対象であり、明るさデータによりマスキングを行うことで各バンプの頂点付近からの反射光を用いて高さを求めるようにしている。ところが、この方法を頂面が平坦な形状のバンプ（以下、平バンプという）の高さ測定に流用した場合、次のような問題が生ずる。すなわち、バンプ表面が球状の場合は、その頂点付近に限定された形で反射輝度の大きい領域（以下、高輝度領域という）が現われるので、個々の高輝度領域がどのバンプに対応するものであるかを比較的容易に判別することができる。・・・高さデータがどのバンプに由来するかについての混同を生ずる心配はなかった。」（【０００５】）、「ところが平バンプの場合、表面が平坦であるため１つのバンプに由来する高輝度領域は拡がりを持つこととなり・・・その結果、発生した高さデータとバンプとの間には一対一の対応関係はもはや存在せず・・・バンプ高さを正確に決定できなくなる欠点が生ずる。」（【０００６】）と記載されていることから、先行技術である甲第１号証のものは単に「高さに関する情報」は得ているものの、本件発明１のような「反射光の輝度情報」を生成するものではなく、したがって本件発明の「頂面が平坦な形状のバンプ（以下、平バンプという）の高さ測定に流用した場合、次のような問題が生ずる」との課題を解決することはできないものである。
（３）本件発明１のものが、光走査手段により走査して得られた受光部の検知出力に基づいて、反射光輝度情報、生成された反射光輝度情報に基づき高輝度領域を特定し、該反射光輝度情報に基づきバンプ頂面領域を特定し、該高輝度領域のうち基準面積以上のものをバンプ要部存在領域として識別し、その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を生成しているのに対し、甲第１号証のものは、バンプ電極の高さの検査については、スポット光の光走査手段により行い、またバンプ電極の寸法については、第１の照明手段の同軸落射照明による撮像データに基づいて行い、さらに表面光沢については、第２の照明手段のドーム状照明による撮像データに基づいて検査するものであって、それぞれ異なる走査手段あるいは照明手段により異なるデータを得て、該データを処理するものであって、データの取得手段が相違し、したがってデータの処理の仕方についても相違している。
　上記（１）〜（３）の考察から、両者は「基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置であって、前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に検査光を照射する光源と、前記検査光に基づく前記検査面からの反射光を受光する受光部と、前記検査光を前記検査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報を生成する高さ情報生成手段と、その生成した検査情報を出力する検査情報出力手段と、を備えたバンプ付基板の検査装置」である点で一致し、次の点で相違する。
　相違点：
本件発明１のものが、「前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位置における前記反射光の輝度情報を生成する反射光輝度情報生成手段と、その生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面において所定の閾値以上の反射光輝度を示す領域（以下、高輝度領域という）を特定する高輝度領域特定手段と、その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以上のものを、前記各バンプの要部が存在するバンプ要部存在領域として識別するバンプ要部存在領域識別手段と、その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を生成する検査情報生成手段」との技術的事項を有しているのに対し、甲第１号証には、上記技術的事項について記載がない点。
　
　甲第２号証には、ＩＣチップの各バンプ間の高さの差を検査するコプラナリィ検査装置に関し、「二値化手段６は、濃淡画像データｂを入力し反射光量が多いバンプ斜面部のみが”１”となるように予め設定された二値化レベルで二値化し二値化画像データｃを出力する」ことは記載されているものの、処理している濃淡画像データは、「照明２」により得られた画像であって、本件発明１のような光走査手段（甲第１号証のレーザ変位計９が相当する）により得られたデータを処理するものでないばかりか、その後のデータ処理についても相違する（甲第２号証のものは、光走査手段により得られたデータから、バンプ要部存在領域識別することも、バンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を生成する検査情報生成することも行っていない）から、甲第２号証のものは上記相違点の事項を有するものではなく、本件発明１を示唆するものでもない。
　
　なお異議申立人は参考資料１を提出しているが、該資料は単に「本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、ノイズ成分等の画像読影に不要な成分を強調することなく、注目する特定の画像部分だけを効率よく強調処理し、アーチファクトの発生を抑制した画像処理方法を提供する」との記載に見られるように、単に、不要な成分強調せず特定の画像部分だけを効率よく強調処理する画像処理方法を開示するものであって、本件発明の上記相違点のようなデータ処理を行うものではなく、したがって本件発明１を示唆するものではない。よって、特許異議申立人の参考資料１に関する主張は採用するに足らないものである。
　
＜本件発明１２について＞
　本件発明１２と異議申立人が提出した甲第１号証を対比すると、両者は、「基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査方法であって、前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に前記検査光を照射するとともに、前記検査面からの前記検査光に基づく反射光を受光部にて受光しつつ、その検査光を前記検査面内にて二次元的に走査し、そのときの受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報を生成するようにしたバンプ付基板の検査方法」である点で一致し、次の点で相違する。
　相違点：
本件発明１２のものが、「他方、前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位置における前記反射光の輝度情報を生成し、その生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面において所定の閾値以上の反射光輝度を示す領域（以下、高輝度領域という）を特定し、その特定された個々の高輝度領域のうち基準面積以上のものを、前記各バンプの要部が存在するバンプ要部存在領域として識別し、その識別されたバンプ要部存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、該バンプ要部存在領域に対応するバンプの高さ情報を少なくとも含んだ検査情報を得」ているとの技術的事項を有しているのに対し、甲第１号証には、上記技術的事項について記載がない点。
　
　上記相違点についての判断は、上記＜本件発明１について＞で述べたとほぼ同様である。
　
　また、甲第２号証のものが、本件発明１２を示唆するものではないこと、並びに、参考資料１が本件発明１２を示唆するものではないことも、上記＜本件発明１について＞で述べたと同様である。
　
そして、本件発明１及び１２は、上記相違点の構成により明細書記載の格別の作用効果を奏するものである。
　
５．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１及び請求項１２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１及び請求項１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月７日（２０００．８．７）