【事件の表示】
　特許第２９３６１２９号「防食構造」の請求項１ないし５、７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９３６１２９号の請求項１ないし４、６に係る特許を維持する。
【理　由】
（Ｉ）手続きの経緯
　本件特許第２９３６１２９号の請求項１、２，３，４，５および７に係る発明は、平成７年４月１２日に特許出願され、平成１１年６月１１日に設定登録され、平成１１年８月２３日に特許公報に掲載されたところ、平成１２年２月２３日に大阪瓦斯株式会社（以下、申立人という。）から特許異議の申立がなされ、その後の取消理由通知に対し、その指定期間内である平成１２年１０月２日付けで訂正請求がなされたものである。
（ＩＩ）訂正請求について
ＩＩ−１．訂正事項
（１）特許請求の範囲を、
「【特許請求の範囲】
　【請求項1】　アルミ合金部品の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜を設け、
　この第１のメッキ膜の上に、Ｎｉ−Ｐ系合金中に重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下のポリテトラフルオロエチレン微粒子を分散折出させてなる第２のメッキ膜を設け、
　上記ポリテトラフルオロエチレン微粒子が第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールを塞ぎ、ピンホールを分断した
　ことを特徴とする防食構造。
　【請求項２】　第１および第２のメッキ膜の膜厚が、それそれ８μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の防食構造。
　【請求項３】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とするタ一ボ分子ポンプ。
　【請求項４】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置のガス排気に用いるドライポンプ。
　【請求項５】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置へのガス供給・排気に用いる配管。
　【請求項６】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置へのガス供給・排気に用いるバルブ。
　【請求項７】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置のチャンバ。
　【請求項８】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置。」
　と訂正する。
（２）明細書の段落番号【００１８】の記載を、
「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、請求項１記載の発明はアルミ合金部品の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜を設け、この第１のメッキ膜の上に、Ｎｉ−Ｐ系合金中に重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下のポリテトラフルオロエチレン微粒子を分散折出させてなる第２のメッキ膜を設け、上記ポリテトラフルオロエチレン微粒子が第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールを塞ぎ、ピンホールを分断したことを特徴とする。」
　と訂正する。
（３）明細書の段落番号【００２０】の記載を削除する。
（４）明細書の段落番号【００２１】の記載を、
「請求項３ないし８記載の発明は、請求項１または２に記載の防食構造を、ターボ分子ポンプ、あるいは、半導体製造装置、特に半導体製造装置のガス排気に用いるドライポンプ、半導体製造装置のガス供給・排気に用いる配管、バルブ、半導体製造装置のチャンバに用いるものである。」
　と訂正する。
（５）明細書の段落番号【００２９】の記載を、
「【作用】
　この発明では、塩素イオンがアルミ合金部品の素地に到達侵入するのを確実に防護でき、孔食の発生を防止できる。これは第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールを微粒子が塞ぐ、あるいは第２のメッキ膜の成長中にピンホールができ始めても、このピンホールが微粒子により直ちに塞がれ、ピンホールの成長が微粒子により分断されることから、アルミ合金部品部品に向かってまっすく貫通するピンホールがなくなることによるものと推察される。」
　と訂正する。
（６）明細書の段落番号【００５４】の記載を削除する。
（７）明細書の段落番号【００５６】の記載を、
「【発明の効果】
　この発明に係る防食構造にあっては、アルミ合金部品の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜を設け、その上に、さらにＮｉ−Ｐ系合金中に重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下のポリテトラフルオロエチレン微粒子を分散折出させてなる第２のメッキ膜を設けたものである。このため下記（イ）（口）の見地より、塩素イオンがアルミ合金部品の素地に到達侵入するのを確実に防護でき、孔食か起こらず、アルミ合金部品に好適な防食構造であり、金属部品の長寿命化を図れる。」
　と訂正する。
（８）明細書の段落番号【００５７】の記載を、
「（イ）第２のメッキ膜の形成開始時に、第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールがあるとしても、このピンホールを微粒子が塞ぐものと推察され、このピンホールへの塩素イオンの侵入を防護する。またこのように塞がれたピンホールはそこで成長が止まる。つまり微粒子がピンホールの成長を妨げ、母材（アルミ合金部品）に向かってまっすく貫通するピンホールがなくなる。」
　と訂正する。
（９）明細書の段落番号【００５８】の記載を、
「（口）第２のメッキ膜の成長中にピンホールができ始めても、このようなピンホールは微粒子により直ちに塞がれ、ピンホールの成長が微粒子により分断されることから、母材（アルミ合金部品）に向かってまっすく貫通するピンホールがなくなり、その結果、塩素イオンの侵入箇所が広い範囲に分散し、局所的な激しい孔食が起き難くなる。」
　と訂正する。
（１０）明細書の段落番号【００１８】以降の段落番号を、削除した段落番号を除いて段落番号が連続するように、段落番号【００１８】〜【００４８】と訂正する。
ＩＩ−２．訂正の適否            
　訂正事項（１）は、
（１−１）請求項１の「金属部品」という表現を、特許査定時の明細書（以下、特許明細書という。）の請求項３の記載及び段落番号【００３４】、【００４８】の記載に基づいて「アルミ合金部品」という表現に訂正し、
（１−２）請求項１の「約１０ｗｔ％」という表現を、段落番号【００４１】および【００４６】の記載に基づいて「６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下」という表現に訂正し、
（１−３）請求項３を削除し、
（１−４）請求項４以降の請求項番号を繰り上げ、
（１−５）請求項４以降の「請求項１，２または３記載の防食構造」という表現を、「請求項１または２に記載の防食構造」という表現に、それぞれ訂正したものであり、
　訂正事項（２）〜（１０）は、特許明細書の発明の詳細な説明の欄の記載を、訂正事項（１）の内容と整合させるとともに、段落番号が番号順になるように訂正したものである。
　そして、（１−１）及び（１−３）が特許請求の範囲の減縮に該当し、（１−２）、（１−４）、（１−５）及び（２）〜（１０）が明瞭でない記載の釈明に該当し、（１）〜（１０）の訂正が特許明細書に記載した事項の範囲内であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは、特許明細書の記載からみて明らかである。
　また、（１−５）の訂正のうち、特許異議の申立てがされていない請求項６，８，９に係る訂正は、上記のとおり、「請求項１，２または３記載の防食構造」という表現を「請求項１または２に記載の防食構造」という表現に訂正したものであるところ、訂正後の発明は、以下の（ＩＩＩ）に示す理由と同様の理由で、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
　したがって、本件の訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するものであり、適法なものと認める。
（ＩＩＩ）特許異議申立について
ＩＩＩ−１．特許異議申立の理由
　申立人は、甲第１号証（特開平４−３４１６６７号公報）、甲第２号証（ウエムラ・テクニカルレポート第２１号、上村工業株式会社発行、１９９０年４月、ｐ．１〜２０）および甲第３号証（表面技術協会第８０回講演大会要旨集、１９８９年、ｐｐ２００〜２０１）を提示し、
（Ａ）訂正前の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、
（Ｂ）訂正前の請求項１〜５および７に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、
（Ｃ）訂正前の請求項１〜３に係る発明は、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、
（Ｄ）訂正前の請求項１に係る発明を規定する「約１０ｗｔ％」という表現内容は、その外延が不明確であるとともに、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものでなく、
（Ｅ）訂正前の請求項２に係る発明を規定する「８μｍ以上」という表現は、上限の記載がなく、不明確である、
との理由で、
　訂正前の請求項１、２，３，４，５および７に係る発明の特許は、特許法第１１４条第２項の規定により取り消されるべきものである旨を主張する。
ＩＩＩ−２．本件発明
　訂正前の請求項１、２，３，４，５および７は、上記訂正請求により、請求項３は削除され、訂正前の請求項１、２，４，５および７は、それぞれ、訂正後の請求項１〜４および６に訂正された。
　そして、訂正後の請求項１〜４および６に係る発明は、その明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
【請求項1】　アルミ合金部品の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜を設け、
　この第１のメッキ膜の上に、Ｎｉ−Ｐ系合金中に重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下のポリテトラフルオロエチレン微粒子を分散折出させてなる第２のメッキ膜を設け、
　上記ポリテトラフルオロエチレン微粒子が第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールを塞ぎ、ピンホールを分断した
　ことを特徴とする防食構造。
【請求項２】　第１および第２のメッキ膜の膜厚が、それぞれ８μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の防食構造。
【請求項３】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とするタ一ボ分子ポンプ。
【請求項４】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置のガス排気に用いるドライポンプ。
【請求項６】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置へのガス供給・排気に用いるバルブ。
ＩＩＩ−３．甲各号証の記載事項
　甲第１号証には、鋳鉄製のガスコック本体又は栓体の表面に、Ｎｉ‐Ｐ合金メッキからなる厚さ５〜３０μｍの下地メッキ被膜を設け（【００２３】、【００２４】、【００２９】参照）、この下地メッキ被膜の上に、Ｎｉ−Ｐ合金マトリックス中に３〜５０容量％のＰＴＦＥ微粒子を共析分散した厚さ０．５〜３０μｍの複合メッキ被膜を形成した（【００２２】、【００２９】参照）ガスコックが記載され、該ガスコックが、ＪＩＳ−Ｓ−２１２０に規定する塩水噴霧試験において、十分な耐食性を発揮すること（【００３２】参照）、および、「機械加工等が施されていない鋳肌部分に直接複合めっき被膜を形成した場合、この鋳肌部分の耐食性が十分でない場合が生じ、この部分の耐食性を高めるためには複合めっき被膜をかなり厚く形成する必要が生じる。従って、かかる点から下地めっき被膜を形成することが推奨される。」こと（【００２３】参照）が記載されている。
　甲第２号証には、「ニムフロンめっき皮膜は一般の無電解ニッケルめっき皮膜に比らべ硬度が低いので、めっき皮膜全体の硬度を硬化させる目的で、ニムフロンめっきの下地に一般の無電解ニッケル−リンめっき（ニムデンＳＸ）を処理すると、その効果をみることができる。」としたうえで、軟鋼板上に無電解Ｎｉ−Ｐ下地めっき（ニムデンＳＸ）皮膜を形成し、その上にＰＴＦＥ微粒子分散無電解Ｎｉ−Ｐ（ニムフロン）皮膜を形成すること（第４頁左欄の４−４の欄、図５、および，図１０と図１１の素材の項参照）が記載され、ニムフロンの皮膜組成として、ＰＴＦＥ粒子を７±２ｗｔ％分散させたものが例示され、ニムフロンの耐食性が一般の無電解ニッケル‐リンメッキ皮膜と同等に優れていること（第５頁、ニムフロンの物性の欄参照）が記載され、ニムフロンは、成形用金型、自動車ならびに関係の摺動部品、バルブやポンプ類の各種の摺動部品などの潤滑性を必要とするものへの応用が検討されていること（第６頁右欄参照）が記載されている。
　甲第３号証には、磨き鋼板上にＮｉ‐Ｐめっき皮膜とＮｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合めっき皮膜を形成し、ＪＩＳ　Ｚ　２３７１に基づく塩水噴霧試験を行った結果が報告され、耐食性が通常の無電解Ｎｉ−Ｐめっきと同等に優れていることが記載されている。
ＩＩＩ−４．比較・検討
ＩＩＩ−４−１．申立の理由（Ａ）〜（Ｃ）について：
　本件の請求項１〜４および６に係る発明は、そのいずれも、以下に記載の着眼と考察のもとになされ、「アルミ合金部品の表面」と「防食構造」を構成とするものである。
　すなわち、「最近開発されるに至ったアルミ合金用の反応性イオンエッチング装置（ＲＩＥ）のように、Ｃｌ2　 ，ＣＣｌ4　 ，ＢＣｌ3　 等の腐食作用の強い塩素系ガスを使用する装置においては、従来の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ処理やアルマイト処理による被膜ではアルミ合金を防護できず、アルミ合金が腐食するという事例」（段落番号【０００８】）に着眼し、「無電解メッキ処理の対象がアルミの場合には、アルミ表面からメッキ表面までの間を貫通するピンホールが生じることもあると考えられる。そして、このような貫通のピンホールを現在のメッキ技術で完璧になくすことは困難であり、そのままでは塩素イオンがメッキ表面から当該ピンホールを経てアルミ素地まで到達し、これによりアルミの腐食が生じることは避けられない。」（段落番号【００１６】）との考察のもとになされたものである。
　これに対し、甲第１〜３号証には、アルミ合金部品の表面の防食について記載も示唆もない。
　すなわち、甲第１号証には、鋳鉄製のガスコック本体又は栓体の表面に、Ｎｉ‐Ｐ合金メッキからなる下地メッキ被膜を設け、この下地メッキ被膜の上に、Ｎｉ−Ｐ合金マトリックス中に３〜５０容量％のＰＴＦＥ微粒子を共析分散した複合メッキ被膜を形成すること、及び、それにより、ＪＩＳ−Ｓ−２１２０に規定する塩水噴霧試験において十分な耐食性を発揮するガスコックを得ることができる旨が記載されているものの、それらは、鋳鉄製のガスコックにおいて、機械加工等が施されていない鋳肌部分に直接複合めっき被膜を形成した場合、この鋳肌部分の耐食性が十分でない場合が生じ、複合めっき被膜をかなり厚く形成する必要が生じるという欠点を避けるためになされたものである旨が示されていることを考慮すると、甲第１号証には、鋳鉄製のガスコックの防食について記載されているにすぎず、アルミ合金部品の表面の防食についてまでの示唆があるとすることはできない。
　甲第２号証には、軟鋼板上に無電解Ｎｉ−Ｐ下地めっき皮膜を形成し、その上にＰＴＦＥ微粒子を７ｗｔ％程度分散した無電解Ｎｉ−Ｐ皮膜（ニムフロンめっき皮膜）を形成することが記載されているものの、それは、めっき皮膜全体の硬度を硬化させるためになされたとされるものであるうえに、耐食性及び応用に関する記載も、ニムフロン自体に関するものであり、前記軟鋼板をアルミ合金部品とすることを示唆するものでないから、結局、甲第２号証にも、アルミ合金部品の表面の防食についてまでの示唆があるとすることはできない。
　甲第３号証には、磨き鋼板上にＮｉ‐Ｐめっき皮膜とＮｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合めっき皮膜を形成したものが、ＪＩＳ　Ｚ　２３７１に基づく塩水噴霧試験において通常の無電解Ｎｉ−Ｐめっきと同等に優れていることが記載されているにすぎず、磨き鋼板以外の材料を使用することについて記載するところはないから、甲第３号証にも、アルミ合金部品の表面の防食についてまでの示唆があるとすることはできない。
　してみると、本件の請求項１〜４および６に係る発明の「アルミ合金部品の表面」という構成は、甲第１号証に記載された構成であるとも、甲第２号証または甲第３号証に記載された発明から当業者が容易に想到することができた構成であるともすることができない。
　そして、本件の請求項１〜４および６に係る発明は、前記構成を採用することにより、明細書に記載されたとおりの、アルミ合金部品の耐食性を向上させることができるという効果を奏するものである。
　してみれば、本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明でなく、本件の請求項１〜４および６に記載された発明は甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもなく、本件の請求項１、２に係る発明は甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　したがって、申立人の（Ａ）〜（Ｃ）の主張は、採用することができない。
ＩＩＩ−４−２．申立の理由（Ｄ）〜（Ｅ）について：
　訂正前の請求項１に係る発明を規定する「約１０ｗｔ％」という表現は、前記訂正により、願書に添付された明細書に記載された範囲内であり、「重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下」という明確な表現に訂正され、訂正後の請求項１には存在しない。
　また、請求項２に記載された「８μｍ以上」という表現は、「以上」という表現を含みその上限を明示するものでないが、請求項１に係る発明における第１および第２のメッキ膜の膜厚の下限値が何であるかを明確に規定するものであり、その技術的意義は、次のとおり、訂正後の明細書の段落番号【００２８】および【００２９】に記載されている。
　訂正後の明細書の段落番号【００２８】および【００２９】の記載：
「Ｎｉ−Ｐ合金メッキ膜はＰ濃度を８ｗｔ％程度とし、少なくともねらい値（目標値）として１０μｍ厚以上とする。なお公差バラツキを考慮すると、その膜厚は８μｍ以上としてもよい。　なお、このＮｉ−Ｐ合金メッキ膜を厚く着けるほど、前述のピンホールは塞がる傾向にある。つまり厚く形成すると、メッキ表面に開口するピンホールの数が減り、メッキ表面から素地への塩素イオンの侵入量が減少することから、耐食性能の向上が図れる。したがって、経済性も考慮に入れると、第１のメッキ膜２として形成するＮｉ−Ｐ合金メッキ膜は２０μｍ厚程度とするのが好適である。」
　してみれば、請求項２に記載された「８μｍ以上」という表現が不適切な表現であるとすることはできない。
　したがって、申立人の（Ｄ）〜（Ｅ）の主張は、採用することができない。
（ＩＶ）むすび
　以上のとおりであるから、申立人の主張する理由および証拠によっては、本件の請求項１〜４および６に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１〜４および６に係る発明の特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月１５日（２００１．１．１５）
【訂正の要旨】
訂正事項
（１）特許請求の範囲を、
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】　アルミ合金部品の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜を設け、
　この第１のメッキ膜の上に、Ｎｉ−Ｐ系合金中に重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下のポリテトラフルオロエチレン微粒子を分散折出させてなる第２のメッキ膜を設け、
　上記ポリテトラフルオロエチレン微粒子が第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールを塞ぎ、ピンホールを分断したことを特徴とする防食構造。
　【請求項２】　第１および第２のメッキ膜の膜厚が、それそれ８μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の防食構造。
　【請求項３】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とするターボ分子ポンプ。
　【請求項４】　請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置のガス排気に用いるドライポンプ。
　【請求項５】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置へのガス供給・排気に用いる配管。
　【請求項６】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置へのガス供給・排気に用いるバルブ。
　【請求項７】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置のチャンバ。
　【請求項８】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置。」
と訂正する。
（２）明細書の段落番号【００１８】の記載を、
「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、請求項１記載の発明はアルミ合金部品の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜を設け、この第１のメッキ膜の上に、Ｎｉ−Ｐ系合金中に重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下のポリテトラフルオロエチレン微粒子を分散折出させてなる第２のメッキ膜を設け、上記ポリテトラフルオロエチレン微粒子が第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールを塞ぎ、ピンホールを分断したことを特徴とする。」
と訂正する。
（３）明細書の段落番号【００２０】の記載を削除する。
（４）明細書の段落番号【００２１】の記載を、
「請求項３ないし８記載の発明は、請求項１または２に記載の防食構造を、ターボ分子ポンプ、あるいは、半導体製造装置、特に半導体製造装置のガス排気に用いるドライポンプ、半導体製造装置のガス供給・排気に用いる配管、バルブ、半導体製造装置のチャンバに用いるものである。」
と訂正する。
（５）明細書の段落番号【００２９】の記載を、
「【作用】
　この発明では、塩素イオンがアルミ合金部品の素地に到達侵入するのを確実に防護でき、孔食の発生を防止できる。これは第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールを微粒子が塞ぐ、あるいは第２のメッキ膜の成長中にピンホールができ始めても、このピンホールが微粒子により直ちに塞がれ、ピンホールの成長が微粒子により分断されることから、アルミ合金部品部品に向かってまつすく貫通するピンホールかなくなることによるものと推察される。」
と訂正する。
（６）明細書の段落番号【００５４】の記載を削除する。
（７）明細書の段落番号【００５６】の記載を、
「【発明の効果】
　この発明に係る防食構造にあっては、アルミ合金部品の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜を設け、その上に、さらにＮｉ−Ｐ系合金中に重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下のポリテトラフルオロエチレン微粒子を分散折出させてなる第２のメッキ膜を設けたものである。このため下記（イ）（ロ）の見地より、塩素イオンがアルミ合金部品の素地に到達侵入するのを確実に防護でき、孔食か起こらず、アルミ合金部品に好適な防食構造であり、金属部品の長寿命化を図れる。」
と訂正する。
（８）明細書の段落番号【００５７】の記載を、
「（イ）第２のメッキ膜の形成開始時に、第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールがあるとしても、このピンホールを微粒子が塞ぐものと推察され、このピンホールヘの塩素イオンの侵入を防護する。またこのように塞がれたピンホールはそこで成長が止まる。つまり微粒子かピンホールの成長を妨げ、母材（アルミ合金部品）に向かってまっすぐ貫通するピンホールがなくなる。」
と訂正する。
（９）明細書の段落番号【００５８】の記載を、
「（ロ）第２のメッキ膜の成長中にピンホールができ始めても、このようなピンホールは微粒子により直ちに塞がれ、ピンホールの成長が微粒子により分断されることから、母材（アルミ合金部品）に向かってまつすく貫通するピンホールがなくなり、その結果、塩素イオンの侵入箇所が広い範囲に分散し、局所的な激しい孔食が起き難くなる。」
と訂正する。
（１０）明細書の段落番号【００１８】以降の段落番号を、削除した段落番号を除いて段落番号が連続するように、段落番号【００１８】〜【００４８】と訂正する。
（５４）【発明の名称】
防食構造
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】
アルミ合金部品
　この第１のメッキ膜の上に、Ｎｉ−Ｐ系合金中に重量比で
６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下
　上記ポリテトラフルオロエチレン微粒子が第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールを塞ぎ、ピンホールを分断した
　ことを特徴とする防食構造。
　　【請求項２】第１および第２のメッキ膜の膜厚が、それぞれ８μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の防食構造。
　　【請求項３】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とするターボ分子ポンプ。
　　【請求項４】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置のガス排気に用いるドライポンプ。
　　【請求項５】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置へのガス供給・排気に用いる配管。
　　【請求項６】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置へのガス供給・排気に用いるバルブ。
　　【請求項７】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置のチャンバ。
　　【請求項８】請求項１または２に記載の防食構造を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　この発明は半導体製造装置、特にドライエッチング装置のガス排気に用いる真空ポンプ等の金属部品の防食構造に関する。
　　【０００２】
　　【従来の技術】
　半導体製造装置の中には腐食性の強いガスを使用するものがあることから、その装置のチャンバ内、バルブ、配管類は言うに及ばず、チャンバ内のガス排気を行う真空ポンプに至るまで、腐食性ガスが触れる場所は耐食性に優れた材料で製作する必要がある。
　　【０００３】
　一般に、この種の耐食材料としては、ＳＵＳ３０４に代表されるオーステナイト系ステンレス鋼が用いられている。
　　【０００４】
　つまり、腐食性ガスが触れる場所は、オーステナイト系ステンレス鋼から形成されるのが一般的であるが、真空ポンプの回転体のように高速で回転する部品については、軽量かつ高強度が要求されるため、高力アルミ合金で作製される。
　　【０００５】
　このようなアルミ合金にあっては表面に酸化被膜が自然に形成され、これが不働態被膜として機能することから、ある程度は耐食性を有する。しかし、アルミ合金の耐蝕性はステンレス鋼の不働態被膜に比しかなり劣るため、アルミ合金が排気の腐食性ガスに晒されると、表面の酸化被膜が破壊され、ここに腐食が起きる。それ故、アルミ合金の表面には自然の酸化被膜以外に何らかの防食処理を施す必要がある。
　　【０００６】
　このような観点から、従来より、アルミ合金の表面には防食処理として、無電解のＮｉ−Ｐ系合金メッキ処理、または陽極酸化処理（アルマイト処理）を施すものとしている。
　　【０００７】
　Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ処理は、通常の電気メッキと異なり、無電解メッキ法を用い、これによりアルミ合金製の部品全表面にＮｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ等のＮｉ−Ｐ系合金を１０〜２５μｍの厚みで付着形成するものであり、また陽極酸化処理は、通常の処理で酸化膜中にできる細孔を塞ぐ、いわゆる封孔処理を行うものである。
　　【０００８】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、最近開発されるに至ったアルミ合金用の反応性イオンエッチング装置（ＲＩＥ）のように、Ｃｌ２，ＣＣｌ４，ＢＣｌ３等の腐食作用の強い塩素系ガスを使用する装置においては、従来の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ処理やアルマイト処理による被膜ではアルミ合金を防護できず、アルミ合金が腐食するという事例が出てきた。その腐食のメカニズムは次の通りである。
　　【０００９】
　アルミ合金のエッチングは、塩素系ガスをイオン化し、その塩素イオンをシリコン基板上のアルミ膜に衝突させ、これによりエッチングを実行するが、その際大量に発生する反応生成物（ＡｌＣｌ３）の蒸気が、排気の途中で温度が低く圧力が高くなる場所、すなわち排気ポンプの内面に付着折出する。このような付着生成物（ＡｌＣｌ３）の昇華温度は１ａｔｍでは１７８℃、０．３Ｔｏｒｒでは約４０℃である。
　　【００１０】
　それ故、この種の付着生成物（ＡｌＣｌ３）は、ポンプの停止、リーク等によって大気中の水分と反応し、ＨＣｌ、すなわち塩素イオンを生成する。また、定期的なメンテナンスの際、洗浄除去を行うときにも、水分と反応して塩素イオンを生成することがある。
　　【００１１】
　塩素イオンはアルミ合金やステンレス鋼の不働態被膜を簡単に破壊し孔食を引き起こし、一度孔食が起きると、そこは局部電池となるため加速的に腐食が進行する。
　　【００１２】
　また、このような装置では、Ｃｌ２やＢＣｌ３のような腐食作用の強い原料ガスについても一部がそのまま排気ポンプを通じて排気されるので、これがそのまま当該排気ポンプの内面に吸着し、上記と同様に塩素イオンを生成する場合もある。
　　【００１３】
　以上のように塩素イオンが大量に発生するのであるが、このような大量の塩素イオンの存在に対しては、従来の防食処理として施していた２０μｍ厚の無電解Ｎｉ−Ｐ系合金メッキ膜、またはアルマイト処理被膜では、腐食を完壁に防護することができない。
　　【００１４】
　つまり、メッキ膜中に存在する細孔（ピンホール）から塩素イオンが容易に侵入し、アルミ素地まで達した所で孔食が起きる訳であり、このようにして孔食が起きると、メッキ膜中に存在するＮｉ合金との関係から、局部電池作用がより一層増幅され、これにより激しく孔食が進行し、そして腐食生成物がメッキ膜を押し上げ、メッキ膜の剥離が生じる。
　　【００１５】
　なお、上記のような無電解メッキ処理は、通常の電気メッキ処理と異なり、凹部や穴の内側にも平坦部と同一の厚みで膜を成長させることができる点では防食用被膜の形成処理としては好ましく、もちろんＮｉ−Ｐ合金自身も塩素イオンに犯されることはない。
　　【００１６】
　しかし、無電解メッキ処理とはいえ、被膜中のピンホールを完全になくすことはできず、特に機械加工面あるいは放電加工面の凹部や、アルミ組織の不均一な箇所にはメッキが着かない場所がある。この点から見ると、無電解メッキ処理の対象がアルミの場合には、アルミ表面からメッキ表面までの間を貫通するピンホールが生じることもある。そして、このような貫通のピンホールを現在のメッキ技術で完壁になくすことは困難であり、そのままでは塩素イオンがメッキ表面から当該ピンホールを経てアルミ素地まで到達し、これによりアルミの腐食が生じることは避けられない。
　　【００１７】
　この発明は上述の事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところはアルミ合金、鉄等からなる金属部品に好適な防食構造を提供することにある。
　　【００１８】
　　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は
アルミ合金部品
重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下
　　【００１９】
　請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、第１および第２のメッキ膜の膜厚が、それぞれ８μｍ以上であることを特徴とする。
　　【００２０】
　
請求項３ないし８記載の発明
請求項１または２に
　　【００２１】
　　【作用】
　この発明では、塩素イオンが
アルミ合金部品
アルミ合金部品
　　【００２２】
　　【実施例】
　以下、この発明に係る防食構造について図１ないし図１４を用いて詳細に説明する。
　　【００２３】
　この防食構造は図１に示す如く金属部品１の表面に、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜２を有し、さらに第１のメッキ膜２の上に、第２のメッキ膜３としてＮｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合メッキ膜を備える。
　　【００２４】
　Ｎｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合メッキ膜はＮｉ−Ｐ合金のみでなく、このＮｉ−Ｐ系合金中に微粒子としてポリテトラフルオロエチレン（以下「ＰＴＦＥ微粒子」という。）を分散折出させてなるものである。
　　【００２５】
　このような上下２層のメッキ膜２，３は、次の処理を経て作成することができる。
　　【００２６】
（１）処理の第１段階
　ターボ分子ポンプのアルミ合金部品として周知の回転翼や固定翼等、その他の金属部品１の表面に、公知の無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ処理を施し、これによりＮｉ−Ｐ合金の第１層（第１のメッキ膜２）を形成する。
　　【００２７】
　すなわち、金属部品１につき所定の前処理を行った後、規定の浴組成のメッキ浴中に当該金属部品１を浸漬し、これにより金属部品１の表面にＮｉ−Ｐ合金メッキ膜を形成する。
　　【００２８】
　Ｎｉ−Ｐ合金メッキ膜はＰ濃度を８ｗｔ％程度とし、少なくともねらい値（目標値）として１０μｍ厚以上とする。なお公差バラツキを考慮すると、その膜厚は８μｍ以上としてもよい。
　　【００２９】
　なお、このＮｉ−Ｐ合金メッキ膜を厚く着けるほど、前述のピンホールは塞がる傾向にある。つまり厚く形成すると、メッキ表面に開口するピンホールの数が減り、メッキ表面から素地への塩素イオンの侵入量が減少することから、耐食性能の向上が図れる。したがって、経済性も考慮に入れると、第１のメッキ膜２として形成するＮｉ−Ｐ合金メッキ膜は２０μｍ厚程度とするのが好適である。
　　【００３０】
（２）処理の第２段階
　上記のようにして第１層（第１のメッキ膜２）を形成した後、さらにこの第１層の上に、第２層（第２のメッキ膜３）としてＮｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合メッキ膜を形成する。
　　【００３１】
　Ｎｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合メッキ膜は、ねらい値として１０μｍ厚とする。この場合にも上記と同じく公差バラツキの考慮から、その膜厚は８μｍ以上としてもよい。
　　【００３２】
　Ｎｉ−Ｐ／ＰＴＦＥ複合メッキ膜は、上記Ｎｉ−Ｐ合金メッキ処理と略同一の浴に、粒径１μｍ以下程度のＰＴＦＥの微粉末、および界面活性剤を混入し、これを激しく撹拌しながらメッキを折出させて形成したもの、つまりＮｉ−Ｐ合金メッキ膜中にＰＴＦＥ微粒子を同時に分散折出させたものである。
　　【００３３】
　Ｎｉ−Ｐ合金メッキ膜中のＰＴＦＥ含有量は、体積比で２０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下、または重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下となるように配合調整する。
　　【００３４】
　すなわち、本実施例の防食構造にあっては、金属部品１の表面にＮｉ−Ｐ系合金からなる第１のメッキ膜２を設け、その上に、さらにＮｉ−Ｐ系合金中にＰＴＦＥ微粒子４を分散折出させてなる第２のメッキ膜３を設けたものである。このため下記（イ）および（ロ）の見地より、塩素イオンが金属部品１の素地に到達侵入するのを確実に防護でき、孔食が起こらず、金属部品に好適な防食構造である。
　　【００３５】
（イ）図１（ａ）に示すように、第２のメッキ膜３の形成開始時に、第１のメッキ膜２の表面に開口しているピンホールＨがあるとしても、このピンホールＨを第２のメッキ膜３中の２０ｖｏｌ％以上のＰＴＦＥ微粒子４が塞ぎ、このピンホールＨへの塩素イオンの侵入を防護する。また、このように塞がれたピンホールＨはそこで成長が止まる。つまりＰＴＦＥ微粒子４がピンホールＨの成長を妨げ、母材（金属部品１）に向かってまっすぐ貫通するピンホールがなくなる。
　　【００３６】
（ロ）図１（ｂ）に示すように、第２のメッキ膜３の成長中にピンホールＨができ始めても、このようなピンホールはＰＴＦＥ微粒子により直ちに塞がれ、ピンホールの成長がＰＴＦＥ微粒子により分断されることから、母材に向かってまっすぐ貫通するピンホールがなくなり、その結果、塩素イオンの侵入箇所が広い範囲に分散し、局所的な激しい孔食が起き難くなる。
　　【００３７】
　なお、以上のような塩素イオンの侵入防止効果は、第２のメッキ膜３中のＰＴＦＥ含有量が少ないと、十分に発揮できない。たとえば体積比で５〜１５ｖｏｌ％（重量比では１．５〜５ｗｔ％）程度のＰＴＦＥ含有量では、塩素イオンの侵入を防護できない訳ではないが、その防護力が低下する。したがって、ＰＴＦＥ含有量は前述の通り、体積比で２０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下、または重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下であることが必要とされる。
　　【００３８】
　以上の作用効果は実験によって確認されている。次にその実験について説明する。
　　【００３９】
　この実験は、金属部品１としてターボ分子ポンプの回転翼（２０００番系高力アルミ合金）を用い、これに下記（１）〜（５）の処理を施して本願発明品、従来品Ａ，Ｂ、比較試料Ａ，Ｂを作成し、これらの実験試料をデシケー夕内に並べ、そしてデシケー夕の底部には水で希釈した塩酸を入れておく。このようにして上記実験試料を塩酸の蒸気中に暴露したものであり、このとき塩酸濃度は１８ｐｐｍ以上、暴露時間は１４８時間とした。
　　【００４０】
（１）無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ（１０μｍ厚）と、その後の無電解Ｎｉ−Ｐ／ＰＴＦＥメッキ（１０μｍ厚、ＰＴＦＥ含有量１０ｗｔ％）・・・本願発明品
（２）無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ（２０μｍ厚）・・・従来品Ａ
（３）アルマイト処理（８μｍ厚）・・・従来品Ｂ
（４）無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ（５０μｍ厚）・・・比較試料Ａ
（５）無電解Ｎｉ−Ｐ合金メッキ（１０μｍ厚）と、その後の無電解Ｎｉ−Ｐ／ＰＴＦＥメッキ（１０μｍ厚、ＰＴＦＥ含有量５ｗｔ％）・・・比較試料Ｂ
　そして、この実験後の各実験試料の一部、具体的には回転翼先端部を断面し、これを金属顕微鏡で観察し写真撮影したところ、本発明品については図２ないし図４に示す如く、どれをみても塩素イオンの侵入が完壁に防護され、まったく孔食が起きていないことが分かる。
　　【００４１】
　これに対し、従来品Ａは図５および図６に、また従来品Ｂは図７および図８に示すように、いずれもその全面で激しい孔食が起きる。
　　【００４２】
　比較試料Ａのように、Ｎｉ−Ｐ合金メッキの膜厚を２０μｍでなく５０μｍにすると、図９ないし図１１に示すようにピンホールが塞がるため孔食の起きる箇所は多少減るが、この場合でも孔食が起きることには変わりがなく、孔食の発生を完全に阻止することはできない。また比較試料Ｂのように、２層メッキを施してもＰＴＦＥの量が少ないと、図１２ないし図１４に示す如く塩素イオンの侵入を防ぐことができず、孔食が発生することが分かる。
　　【００４３】
　つまり、Ｎｉ−Ｐ合金メッキの膜厚を２０μｍから５０μｍに厚くするのみ、またはＰＴＦＥを入れずＮｉ−Ｐ合金メッキを単に２層重ねたのみでは、塩素イオンの侵入を完壁に防護できず、孔食の発生は避けられない。
　　【００４４】
　また、Ｎｉ−Ｐ／ＰＴＦＥメッキ（ＰＴＦＥ含有量１０ｗｔ％）でも、その単層のみでは、孔食の発生は避けられないと推察できる。
　　【００４５】
　本実施例の防食構造は例えば次のような金属部品に適用できる。もちろんその他の金属部品にも適用できる。
　▲１▼半導体製造装置のガス排気に用いるターボ分子ポンプのアルミ合金部、またはアルミ合金部とその他の金属材料部
　▲２▼同装置のガス排気に用いるドライポンプのアルミ合金部、またはアルミ合金部とその他の金属材料部
　▲３▼同装置へのガス供給若しくは同装置からのガス排気に用いる配管の内面、または内外両面
　▲４▼同装置からのガス排気に用いるバルブの、少なくとも可動部
　▲５▼同装置のチャンバ内の、少なくとも可動部および摺動部
　　【００４６】
　　【発明の効果】
　この発明に係る防食構造にあっては、
アルミ合金部品
重量比で６ｗｔ％以上１２ｗｔ％以下
アルミ合金部品
アルミ合金部品
アルミ合金部品
　　【００４７】
　（イ）第２のメッキ膜の形成開始時に、第１のメッキ膜の表面に開口しているピンホールがあるとしても、このピンホールを微粒子が塞ぎ、このピンホールヘの塩素イオンの侵入を防護する。またこのように塞がれたピンホールはそこで成長が止まる。つまり微粒子がピンホールの成長を妨げ、母材（
アルミ合金部品
　　【００４８】
　（ロ）第２のメッキ膜の成長中にピンホールができ始めても、このようなピンホールは微粒子により直ちに塞がれ、ピンホールの成長が微粒子により分断されることから、母材（
アルミ合金部品
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
この発明に係る防食構造の説明図。
　　【図２】
本願発明品の一断面を示す金属組織の写真。
　　【図３】
本願発明品の他の断面を示す金属組織の写真。
　　【図４】
本願発明品の他の断面を示す金属組織の写真。
　　【図５】
従来品Ａの一断面を示す金属組織の写真。
　　【図６】
従来品Ａの他の断面を示す金属組織の写真。
　　【図７】
従来品Ｂの一断面を示す金属組織の写真。
　　【図８】
従来品Ｂの他の断面を示す金属組織の写真。
　　【図９】
比較試料Ａの一断面を示す金属組織の写真。
　　【図１０】
比較試料Ａの他の断面を示す金属組織の写真。
　　【図１１】
比較試料Ａの他の断面を示す金属組織の写真。
　　【図１２】
比較試料Ｂの一断面を示す金属組織の写真。
　　【図１３】
比較試料Ｂの他の断面を示す金属組織の写真。
　　【図１４】
比較試料Ｂの他の断面を示す金属組織の写真。
　【符号の説明】
１　金属部品
２　第１のメッキ膜
３　第２のメッキ膜
４　ＰＴＦＥ微粒子