【事件の表示】
　特許第２９９２６８２号「集積回路の断面観察方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
 １．手続きの経緯
　本件特許第２９９２６８２号に係る発明についての出願は、平成１年１１月２７日に特許出願した特願平１−３０８４２７号の一部を平成８年１１月２６日に新たな特許出願とし、平成１１年１０月２２日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人株式会社日立製作所より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月２８日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書を平成１２年１１月２８日付けの訂正請求書に添付された明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
（１−１）訂正事項１
　請求項１〜７を削除する訂正を行う。
（１−２）訂正事項２
　請求項８、９を繰上げて１、２項とする訂正を行う。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、および拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　そして訂正後の請求項１、２については実質的な変更はなされていない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法１２０条の４第２項および同条第３項で準用する同法第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
　特許異議の対象とされた請求項１〜７に係る発明は、前記の如く訂正の結果削除され、特許異議の申立ての対象が存在しないので、この特許異議の申し立ては不適法な申し立てであって、その補正をすることができないものである。
　したがって、本件特許異議申し立ては、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定により却下すべきものである。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月２８日（２０００．１２．２８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１．特許請求の範囲の減縮を目的として
「【請求項１】イオンビーム電流値を切替える手段を備え、集束イオンビームを発生する集束イオンビーム鏡筒と、試料を載置する試料ステージと、前記集束イオンビーム照射により発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器を備えた集束イオンビーム装置を用いて試料の任意位置の断面観察する方法において、前記集束イオンビームを、その入射方向が前記試料表面上に線状部分を形成する断面加工位置の線方向に対して傾斜角を持たせて照射し断面形成を行い、前記イオンビーム電流値を切り替え、前記形成された断面に前記集束イオンビームを照射し、前記試料の断面を分析して観察することを特徴とする集積回路の断面観察方法。
　【請求項２】前記断面を形成する前に、前記加工位置の試料表面に、予め穴あげを行う穴あげ工程が挿入されることを特徴とする請求項１記載の集積回路の断面観察方法。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
集積回路の断面観察方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項
１
　前記集束イオンビームを、その入射方向が前記試料表面上に線状部分を形成する断面加工位置の線方向に対して傾斜角を持たせて照射し断面形成を行い、前記イオンビーム電流値を切り替え、前記形成された断面に前記集束イオンビームを照射し、前記試料の断面を分析して観察することを特徴とする集積回路の断面観察方法。
　　【請求項
２
１
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、不良解析などのために半導体デバイスの特定位置を断面出し加工し、観察する方法に関する。
　【０００２】
　　【従来の技術】
　ＬＳＩ（大規模集積回路）等の高集積化、微細化に伴い、開発工程や製造工程におけるＬＳＩの断面加工、断面観察を集束イオンビーム装置で実施する技術が
示されている。
　【０００３】
　これは、走査イオン顕微鏡機能により断面加工部を位置出しし、さらにマスクレスエッチング機能により断面加工部を一面として、角形に穴あけし、所望の断面部を露出させた後、試料を傾斜させて、断面部をイオンビーム照射方向に向けさせ、再び、走査イオン顕微鏡機能により断面加工部を観察する技術である。
　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　この方法では、試料表面の凹凸部が切断断面に影響を与え、縦筋が走る現象が生じ、正確な断面像が得難い欠点があった。
　この解決手段の一つとして、断面切断の前に予め試料の表面をＦＩＢＣＶＤ（集束イオンビーム化学的気相成長）法により処理し平坦化することで解決できるが、この場合、試料表面が平坦化されるため、配線パターンが走査イオン顕微鏡像上では見にくくなり加工場所がわかりにくくなる場合がある。
　【０００５】
　本発明の目的は、上記欠点を解決した断面加工法を提供することにある。
　【０００６】
　　【課題を解決するための手段】
　本願において開示される発明の概要を説明すれば、次のとおりである。
　▲１▼試料の断面形成部を走査イオン顕微鏡機能を用いて、位置出しを行う。
　▲２▼場合により、次に、マスクレスエッチング機能によって、断面加工位置を含む領域に局所的に膜付けを行う。
　【０００７】
　▲３▼次に、マスクレスエッチング機能によって、角形の穴あけ加工を行い、その際、加工穴の側壁の一つが観察した断面位置となるようにする。
　▲４▼次に、試料を必要に応じ回転した後傾斜し、所望観察断面が現れるように断面加工を行う。
　【０００８】
　▲５▼観察したい断面を観察できる方向に試料を回転、傾斜し、走査イオン顕微鏡機能を用いて、前記加工穴の断面観察（計測、分析を含む）を行う。
　尚、加工順序として上記▲４▼に記した試料の回転、傾斜を上記▲２▼の後（上記▲２▼を実行しない場合は上記▲１▼の後）に行い、次に角形に穴あけ加工を行い、その際、加工穴の一つが観察したい断面位置になるように加工する順序でも解決の手段となる。
　【０００９】
　この構成により、試料の任意位置の断面加工時に、試料を傾斜させ、その傾斜軸を含む面に対し垂直方向に断面形成することにより、表面の凹凸部の影響が断面へ縦筋となって現れるのを防ぐことができるので、正確な断面が得られる。
　【００１０】
　　【発明の実施の形態】
　図１は本発明の一実施例であるイオンビームによるＬＳＩのミクロ断面加工方法を説明するための図で、図１（ａ）はＬＳＩの観察したい断面位置２を一点鎖線示した図、図１（ｂ）は上記観察断面位置２を含む領域をＦＩＢＣＶＤ法で膜付けしたところをハッチングで示した図、図１（ｃ）は図１（ｂ）の試料を試料ステージの回転機構により時計方向に９０°回転した後を示した図、図１（ｄ）は試料ステージを傾斜（右側をアップ）させた図、図１（ｅ）はエッチング機能により観察位置を１辺とした角形の穴あけをした図、図１（ｆ）は試料ステージを傾斜したまま反時計方向に９０°回転した後を示した図、図１（ｇ）はさらに試料ステージを傾斜（例えば６０°に）させて、断面をイオンビーム照射方向へ観察可能の位置に向けた図である。
　【００１１】
　図２（ａ）は従来の加工方法で断面を形成した一例を示した図、図２（ｂ）は本発明を実施して断面を形成した一例を示した図である。
　図３は本発明が使用する集束イオンビーム装置および画像処理回路図である。ここに、１はＬＳＩ，２は断面加工位置、３はＦＩＢＣＶＤによる膜付け部分、４は穴あけ部、５は断面、６は絶縁膜、７は上層配線、８は下層配線、９はＳｉ基板、１０は縦筋、１１はわずかな斜め筋、２１はイオン鏡筒、２２は試料ステージ、２３は試料ホルダー、２４は試料、２５は二次荷電粒子検出器、２６はガス銃、２７は真空チャンバー、２８は集束イオンビーム、３１は走査制御部、３２は画像取込み・再構成制御部、３３は画像メモリ部、３４は増幅器、３５は表示部を示す。
　【００１２】
　図１（ａ）に示すように観察したい試料ＬＳＩのコンタクトを走査イオン顕微鏡像により位置出しを行う。次に図１（ｂ）に示すようにコンタクトを含む領域３をＦＩＢＣＶＤ法で膜付けする。
　ＦＩＢＣＶＤ法はガス銃２６により試料表面に原料ガスを吸着させ、２０．３０ＫｅＶのエネルギーで加速したイオンビーム２８を局所的に照射することにより、照射領域のみに選択的に膜を形成する方法で、本実施例では原料ガスにＷ（ＣＯ）６を用いタングステン膜を形成している。勿論、ガスを変えて他の金属膜形成によっても本発明は実施可能である。この膜付けを長時間施すと、試料の膜付け領域表面が平坦化されるため、配線パターンが走査イオン顕微鏡像上では見にくくなるので、平坦化される前に膜付けを終了したぼうが断面形成は容易になる。この膜付け後、図１（ｃ）に示すように、断面形成する部分の試料表面上の方向が傾斜軸に対して９０°になるよう試料ステージを回転させ、次に、試料ステージを適当角度（例えば４５°）傾斜させて、エッチング機能により観察したい断面位置２を一辺として、角形形状の穴あけ４を行う。この断面加工時にはＦＩＢが試料に斜めに照射されるので、図２（ａ）の１０で示すように表面の急峻な凹凸による切断断面の縦筋は出なくなり、影響が出たとしても、図２（ｂ）の１１で示すように斜めの筋が僅かに残る程度である。したがって、より正確な断面形状が得られる。
　【００１３】
　この穴あけは、まず、視野確保のための粗い穴あけを行い、仕上げ加工と２段階に行うことにより、早く、かつ正確な断面加工がなされる。粗い穴あけは高電流ビーム（例えば２ｎＡ．６ｎＡ）でなされ、また、仕上げ加工は中電流ビーム（例えば２ｎＡ．３０ｎＡ）で観察したい断面位置２に照射することにより行われ、急傾斜の側壁断面５が形成される。
　【００１４】
　上記実施例は試料を傾斜させてから断面形成した例だが、粗い穴あけを行った後に試料を傾斜させ仕上げ加工を行っても同様な端面が得られる。次に、図１（ｆ）に示すように、イオンビーム照射方向に試料の加工断面が露呈するように試料ステージを回転させ、断面部分の視野が確保できる範囲内でさらに試料ステージを傾斜させる。この断面を比較的低電流ビーム（例えば２ｎＡ．３０ｎＡ）で走査イオン顕微鏡により観察する。
　【００１５】
　尚、断面観察したい異物などの異状部分が小さい場合などは、膜付けしないで断面形成を実施することもある。このような場合にも上述の操作を行うことで、より正確な断面形状が得られる。
　【００１６】
　　【発明の効果】
　本発明によれば、上記のように断面形成時に試料を傾斜させることにより、試料表面の凹凸部の影響が断面部へ縦筋となって現れるのを防止できる。したがって、より正確な断面像が得られる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の方法をＬＳＩの上層配線と下層配線間のコンタクト部の断面を観察する場合に適用した実施例の上面説明図で、（ａ）はＬＳＩの観察したい断面位置２を一点鎖線で示した図、（ｂ）は上記観察位置２を含む領域をＦＩＢＣＶＤ法で膜付けしたところをハッチングで示した図、（ｃ）は試料ステージの回転機構により試料を時計方向に９０°回転した後を示した図、（ｄ）は試料ステージを傾斜（右側をアップ）させた図、（ｅ）はエッチング機能により観察位置を一辺とした角形の穴あけをした図、（ｆ）は試料ステージを反時計方向に９０°回転した後を示した図、（ｇ）はさらに試料ステージを傾斜（例えば６０°）させて、断面をイオンビーム照射方向へ観察可能の位置に向けた図である。
　　【図２】
　（ａ）は従来の加工方法で断面を形成した一例を示した図、図２（ｂ）は本発明を実施して断面を形成した一例を示した図である。
　　【図３】
　本発明が使用する集束イオンビーム装置および画像処理回路図である。
　　【符号の説明】
　　１　ＬＳＩ
　　２　断面加工位置
　　３　ＦＩＢＣＶＤによる膜付け部分
　　４　穴あけ部
　　５　断面
　　６　絶縁膜
　　７　上層配線
　　８　下層配線
　　９　Ｓｉ基板
　　１０　縦筋
　　１１　わずかな斜め筋
　　２１　イオン鏡筒
　　２２　試料ステージ
　　２３　試料ホルダー
　　２４　試料
　　２５　二次荷電粒子検出器
　　２６　ガス銃
　　２７　真空チャンバー
　　２８　集束イオンビーム
　　３１　走査制御部
　　３２　画像取込み・再構成制御部
　　３３　画像メモリ部
　　３４　増幅器
　　３５　表示部