【事件の表示】
　特許第２８０９９９１号「光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法」の請求項１ないし２１、２５ないし２８、３１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８０９９９１号の請求項１ないし１８、２０、３１に係る特許を取り消す。
　同請求項１９、２１、２５ないし２８に係る特許を維持する。
【理　由】
理　　由
１．手続の経緯
　本件特許第２８０９９９１号発明は、平成６年９月５日（国内優先日　平成６年１月１４日、平成６年３月１日）に出願されたものであって、平成１０年７月３１日にその特許の設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月２０日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由が通知され、平成１３年２月１６日に訂正請求に対する手続補正書が提出されたものである。
２．訂正請求について
（１）補正について
  上記手続補正書による補正は、訂正請求により訂正された全文訂正明細書の特許請求の範囲の欄の請求項１、請求項１８、請求項２０、請求項２１、の
「Ｔt＜Ｔcomp１≦Ｔc２＜Ｔc１の関係」を「Ｔt＜Ｔcomp１で、かつＴc２＜Ｔc１の関係」と補正するとともに、全文訂正明細書の所定箇所、及びこれらの訂正と関連する訂正請求書の訂正事項ア、ソ、・・・等を同様に補正しようとするものである。
　しかしながら、４つの温度値に対する、補正前の４つの温度値間の大小関係を表す不等式と補正後の２つの温度値間の大小関係についてのそれぞれ独立した２つの不等式とは、その意味するところが異なることは明らかである。
　即ち、これらの補正は、新たに訂正事項を加えるか、あるいは訂正事項を変更するものであり、訂正請求書の要旨の変更に該当し、採用できない。
（２）訂正請求について
ア．訂正の内容
　訂正の内容は、以下のとおりである。
（ア）訂正事項ア
　特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】透明基板と、
　該透明基板上に積層された、室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、
　該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、
　該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録圏とを具備し、
　前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さであり、かつ磁性再生層が面内磁化から垂直磁化になる温度をＴt 、磁性再生層の補償温度をＴcompl、磁性再生層のキュリー温度をＴcl、磁性記録層のキュリー温度をＴc2としたとき、Ｔt＜Ｔcompl≦Ｔc2＜Ｔclの関係を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（イ）訂正事項イ
　特許請求の範囲の請求項5を、
「【請求項５】透明基板と、
　該透明基板上に積層された、室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、
　該磁性再生層上に積層された面内に磁化容易方向を有する磁性中間層と、
　該磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、かつ前記磁性中間層がＮd27Ｃo73からなることを特徴とする光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（ウ）訂正正事項ウ
　特許請求の範囲の請求項８〜１３を特許請求の範囲の滅縮を目的として削除する。
（エ）訂正事項エ
　特許請求の範囲の請求項１４を、
「【請求項８】透明基板と、
　該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生補助層と、
　該磁性再生補助層上に積層された室温で面内に磁化容易方向を有する磁性再生層と、
　該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、
　前記磁性再生補助層、磁性再生層及び磁性記録層のキュリー温度をそれぞれＴcl，Ｔc2，Ｔc3とするとき、Ｔc3＜Ｔcl及びＴc3＜Ｔc2の関係を満
たし、
　前記磁性再生補助層及び磁性記録層の保磁力をそれぞれＨcl，Ｈc3とするとき、Ｈc3＞Ｈclの関係を満たすとともに、前記磁性再生層はＧd含有量が２９〜４０at％のＧdＦeＣo膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（オ）訂正事項オ
　特許請求の範囲の請求項１５を、
「【請求項9】前記磁性再生補助層、前記磁性再生層及び前記磁性記録層は、
　希土類−遷移金属非晶質合金膜からそれぞれ構成される請求項８記載の光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（カ）訂正事項カ
　特許請求の範囲の請求項１６を、
「【請求項１０】前記磁性再生補助層は2 5ｎｍ〜６０ｎｍの膜厚及び室温において６００エルステッド以下の保磁力を有しており、前記磁性再生補助層の組成はＧd，Ｆe及びＣoから構成され、Ｇdの含有量が２０at％〜２７at％の間に設定されている請求項８記載の光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（キ）訂正事項キ
　特許請求の範囲の請求項１７を、
「【請求項１１】前記磁性再生層は１ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚を有している請求項8記載の光磁気記録媒体。」と訂正する。
（ク）訂正事項ク
　特許請求の範囲の請求項１８を、
「【請求項１２】前記磁性記録層は６０ｎｍ以下の膜厚と、２５０℃以下のキュリー温度を有している請求項８記載の光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（ケ）訂正事項ケ
　特許請求の範囲の請求項１９を、
「【請求項１３】透明基板と、
　該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生補助層と、
　該磁性再生補助層上に積層された室温で面内に磁化容易方向を有する磁性再生層と、
　該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、
　前記磁性再生補助層、磁性再生層及び磁性記録層のキュリー温度をそれぞれＴcl，Ｔc2，Ｔc3とするとき、Ｔc3＜Ｔcl及びＴc3＜Ｔc2の関係を満
たし、
　前記磁性再生補助層及び磁性記録層の保磁力をそれぞれＨcl，Ｈc3とするとき、Ｈc3＞Ｈclの関係を満たし、
　かつ、前記磁性再生層と前記磁性記録層との間に介在された厚さ０．５ｎｍ〜２０ｎｍの非磁性中間層をさらに具備した光磁気記録媒体。」
（コ）訂正事項コ
　特許請求の範囲の請求項２０を特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
（サ）訂正事項サ
　特許請求の範囲の請求項２１を、
「【請求項１４】前記中間層は、ＡI，Ｓi，Ｔi，Ｃu，Ｃr及びこれらの
窒化物からなる群から選択される物質から構成される請求項１３記載の光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（シ）訂正事項シ
　特許請求の範囲の請求項２２を、
「【請求項１５】前記磁性再生補助層と前記磁性再生層が同一組成の材料から構成され、前記磁性再生補助層は前記磁性再生層の膜厚より厚い膜厚を有している請求項１３の光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（ス）訂正事項ス
　特許請求の範囲の請求項２３を、
「【請求項１６】前記磁性再生補助層は使用される膜厚を有する単層膜の場合に、それ単層では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有している請求項１３の光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（セ）訂正事項セ
　　特許請求の範囲の請求項２４を、
「【請求項１７】前記磁性再生層は使用される膜厚を有する単層膜の場合に、
　それ単層では面内に磁化容易方向を有している請求項１６記載の光磁気記録媒体。」
と訂正する。
（ソ）訂正事項ソ
　特許請求の範囲の請求項２５を、
「【請求１８】透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し、所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さであり、かつ磁性再生層が面内磁化から垂直磁化になる温度をＴt、磁性再生層の補償温度をＴcompl、磁性再生層のキュリー温度をＴcl、磁性記録層のキュリー温度をＴc2としたとき、Tt ＜Ｔcompl≦Ｔc2＜Ｔclの関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
　前記再生層の保磁力をＨc、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨsとするとき、
　Ｈrの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレ-ザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記再生層の磁化が面内方向を向く低温領域と、Ｈr≦Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈr＞Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイアス磁界方向に揃えられる高温領域とからなる温度分布を形成することことを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」
と訂正する。
（タ）訂正事項タ
　特許請求の範囲の請求項２６を、
「【請求項１９】前記磁性記録層は遷移金属リッチの希土類−遷移金属非晶質合金膜から構成される請求項１８記載の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」
と訂正する。
（チ）訂正事項チ
　特許請求の範囲の請求項２７を、
「【請求項２０】透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し、所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さであり、かつ磁性再生層が面内磁化から垂直磁化になる温度をＴt、磁性再生層の補償温度をＴcompl、磁性記録層のキュリー温度をＴc2、磁性再生層のキュリー温度をＴclとしたとき、Ｔt＜Tcoml≦Ｔc2＜Ｔclの関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
前記再生層の保磁力をＨc、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨsとするとき、
前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記再生層の磁化が面内方向を向く低温領域と、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、前記再生層に転写された磁化が高温になることによって自然に消滅して再生層の磁化が消去方向の磁化方向と同一方向に揃えられる高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」
と訂正する。
（ツ）訂正事項ツ
　特許請求の範囲の請求項２８を、
「【請求項２１】透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し、所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さであり、かつ磁性再生層が面内磁化から車直磁化になる温度をＴt、磁性再生層の補償温度をＴcompl、磁性再生層のキュリー温度をＴcl、磁性記録層のキュリー温度をＴc2としたとき、Ｔt＜Ｔcompl≦Ｔc2＜Ｔclの関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
　前記再生層の保磁力をＨc、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨsとするとき、
　Ｈrの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、
 ビームスポット内にＨr＞Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイアス磁界方向を向く低温領域と、Ｈr≦Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈr＞Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記再生層の磁化が前記バイアス磁界方向を向く高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」
と訂正する。
（テ）訂正車項テ
　特許請求の範囲の請求項２９を、
「【請求項２２】透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有し、かつ希土類リッチの希土類−遷移金属非晶質合金膜から構成される磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
　前記再生層の保磁力をＨc、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨsとするとき、
　Ｈrの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、
　ビームスポット内にＨr＞Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイアス磁界方向を向く低温領域と、Ｈr≦Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈr＞Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記再生層の磁化が前記バイアス磁界方向を向く高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」
と訂正する。
（ト）訂正事項ト
　特許請求の範囲の請求項３０を、
「【請求項２３】透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し、所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
　光へッドに設けられた対物レンズアクチュエータの永久磁石からの漏洩磁場を再生用のバイアス磁界として利用し、
　前記再生層の保磁力をＨc、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨsとするとき、
　Ｈrの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記再生層の磁化が面内方向を向く低温領域と、Ｈr≦Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈr＞Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイアス磁界方向に揃えられる高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」
と訂正する。
（ナ）訂正事項ナ
　特許請求の範囲の請求項３０を、
「【請求項２４】透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
　光へッドに設けられた対物レンズアクチュエータの永久磁石からの漏洩磁場を再生用のバイアス磁界として利用し、
　前記再生層の保磁力をＨc、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨsとするとき、
　Ｈrの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビ-ムを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、
　ビームスポット内にＨr＞Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイアス磁界方向を向く低温領域と、Ｈr≦Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈr＞Ｈs＋Ｈcの関係を満たし、前記再生層の磁化が前記バイアス磁界方向を向く高温領域からなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」
と訂正する。
（ニ）訂正事項ニ
　特許請求の範囲の請求項３１を、
「【請求項２５】透明基板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生補助層と、該磁性再生補助層上に積層された室温で面内に磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記磁性再生補助層、磁性再生層及び磁性記録層のキュリー温度をそれぞれＴcl，Ｔc2，Ｔc3とするとき、Ｔc3＜Ｔcl及びＴc3＜Ｔc2の関係を満たし、前記磁性再生補助層及び磁性記録層の保磁力をそれぞれＨcl，Ｈc3とするとき、Ｈc3＞Ｈclの関係を満たし、かつ前記磁性再生層はＧd含有量が２９〜４０at％のＧdＦeＣo膜からなる光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
　Ｈrの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記磁性再生補助層の磁化がバイアス磁界方向を向く低温領域と、前記記録層の磁化が交換結合によって前記再生補助層に転写される高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。」
と訂正する。
　
　更に、以上の請求項の訂正に対応して、訂正事項ヌ〜訂正事項モで明細書の各対応箇所を訂正するものである。
　
イ．訂正の適否
（ア）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
Ａ．訂正事項ア、ソ、タ、チ、ツについて
　上記各訂正事項は、いずれも、特許時の特許請求の範囲の請求項１（請求項１を引用する請求項２，３，４も同じ）、請求項２５（訂正後の請求項１８）、請求項２６（訂正後の請求項１９であって、訂正後の請求項１８を引用している）、請求項２７（訂正後の請求項２０）、請求項２８（訂正後の請求項２１）に、「かつ磁性再生層が面内磁化から垂直磁化になる温度をＴt、磁性再生層の補償温度をＴcomp１、磁性再生層のキュリー温度をＴc１、磁性記録層のキュリー温度をＴc２としたとき、Ｔt＜Ｔcomp１≦Ｔc２＜Ｔc１の関係を満たす」なる事項（なお、訂正事項チでは、「かつ磁性再生層が面内磁化から垂直磁化になる温度をＴt、磁性再生層の補償温度をＴcomp１、磁性記録層のキュリー温度をＴc２、磁性再生層のキュリー温度をＴc１としたとき、Ｔt＜Ｔcomp１≦Ｔc２＜Ｔc１の関係を満たす」となっているが、訂正明細書の特許請求の範囲の該当請求項では、いずれも上記のようになっているので、訂正事項チについても上記のように認定した）を追加しようとするものであるが、各訂正事項中の不等式に関しては、本件特許出願の出願当初の明細書又は図面には、【０１２６】〜【０１２８】、【０１３３】、【０１３４】、【０２５３】、【０２５６】、図１６及び図１８の記載及び他の箇所の記載のいずれにも、直接的記載はない。
　そして、【０２５３】及び【０２５６】記載の各温度についての具体的数値例では、上記不等式を満たす例が一応認められるとしても、上記各図面の記載では、Ｔc２とＴcomp１との高低関係は逆の関係にあり、前記具体的数値例の高低関係が、直ちに、上記不等式のような各温度間の高低関係を一般的に示しているとはいえない。
　とすると、出願当初の明細書等の記載からは、上記各温度の高低関係が、必然的に上記不等式の関係にあるとすることはできない。
　結局、上記訂正事項の不等式に関する事項は、出願当初の明細書又は図面には記載された範囲内のものとはいえない。
　又、特許時の明細書等にも、上記各温度の高低関係が必然的に上記不等式を満たす関係にあるとする記載はなく、上記不等式に関する事項は、特許時の明細書又は図面に記載された範囲内のものとはいえず、したがって、このような事項に基づく請求項の訂正は、特許請求の範囲を実質上変更するものである。
Ｂ．訂正事項ヌ、ヒ、ヘ、ホ、メ、モについて
　上記各訂正事項は、上記Ａの特許請求の範囲の記載の訂正に対応すべく、発明の詳細な説明を訂正しようとするものであって、いずれも、上記不等式に関する事項を追加しようとするものであり、上記Ａに記載したと同じ理由で、出願当初の明細書等の範囲内のものとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、前記訂正請求は、特許法第120条の４第３項で準用する第126条第２項及び第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認めない。
３.特許異議の申立について
（１）取消理由の概要
　申立人は、以下の証拠を提示して、請求項１〜４に係る各発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に、請求項５に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定、及び特許法第２９条の２の規定に、請求項６、７に係る各発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に、請求項８に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２規定、及び特許法第３６条第５、６項の規定に、請求項９〜１３に係る各発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に、請求項１４〜１８に係る各発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定及び特許法第２９条の２の規定に、請求項１９に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に、請求項２０に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定及び特許法第３６条第５，６項の規定に、請求項２１に係る発明、及び、請求項２５〜２８に係る各発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に、請求項３１に係る各発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定及び特許法第２９条の２の規定に、それぞれ違反してなされたものであり、いずれも取り消されるべきであると主張している。
　［申立人の提示した証拠］
　甲第１号証：特願平４−２９７４２３（特開平６−１５０４１８号公報）（以下、先願１という）の明細書等
　甲第２号証：特開平５−２０５３３６号公報（以下、刊行物１という）
　甲第３号証：特願平４−２３４４８６（特開平６−８４２１２号公報）
（以下、先願２という）の明細書等
　甲第４号証：特願平５−９８０２５（特開平６−３０９７１６号公報）
（以下、先願３という）の明細書等
　甲第５号証：特願平５−２９１６７３（特開平７−１４１７０９号公報）
（以下、先願４という）の明細書等
　甲第６号証：JAPAN ANNUAL REVIEWS IN ELECTRONICS,
（２）本件各請求項に係る発明
　本件各請求項に係る発明は、特許査定時の特許明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の欄の各請求項に記載された以下のとおりのものである。
【請求項１】　透明基板と、
  該透明基板上に積層された、室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、
  該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、
  該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、
  前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気記録媒体。
【請求項２】　前記非磁性中間層は１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下の厚さを有す
る請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】　前記磁性再生層及び前記磁性記録層は、希土類?遷移金属非晶質合金膜からそれぞれ構成される請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】　前記非磁性中間層はＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ及びこれらの酸化物、窒化物からなる群から選択される物質から構成される請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】　透明基板と、
  該透明基板上に積層された、室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、
  該磁性再生層上に積層された面内に磁化容易方向を有する磁性中間層と、
  該磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備した光磁気記録媒体。
【請求項６】　前記磁性中間層のキュリー温度をＴｃ、再生パワー照射時の前記磁性再生層の温度をＴreadとするとき、Ｔread＜Ｔｃである請求項５記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】　前記磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層との交換結合により垂直方向に磁化され、前記磁性再生層と前記磁性記録層とが該磁性中間層を介して交換結合される請求項６記載の光磁気記録媒体。
【請求項８】　前記磁性中間層は、ＲXＦｅYＣｏ1-X-Y （Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ）
　　０＜Ｘ＜０．５
　　０≦Ｙ＜０．５
で表される軽希土類−遷移金属非晶質合金膜から構成される請求項７記載の光磁気記録媒体。
【請求項９】　透明基板と、
  該透明基板上に積層された面内に磁化容易方向を有し、透過率が６０％以上の磁性開口部分制御層と、
  該磁性開口部分制御層上に積層された、室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、
  該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備した光磁気記録媒体。
【請求項１０】　前記磁性開口部分制御層、磁性再生層及び磁性記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とし、室温をＴroom、再生パワー照射時の前記磁性再生層の温度をＴreadとしたとき、
　　Ｔｃ２＞Ｔｃ３＞Ｔｃ１＞Ｔroom、且つ開口部分においてＴread＞Ｔｃ１である請求項９記載の光磁気記録媒体。
【請求項１１】　前記磁性開口部分制御層、磁性再生層及び磁性記録層が、希土類−遷移金属非晶質合金膜から構成される請求項１０記載の光磁気記録媒体。
【請求項１２】　前記磁性開口部分制御層の透過率が７５％以上である請求項１０記載の光磁気記録媒体。
【請求項１３】　前記磁性開口部分制御層が１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下の厚さを有している請求項１０記載の光磁気記録媒体。
【請求項１４】　透明基板と、
  該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生補助層と、
　該磁性再生補助層上に積層された室温で面内に磁化容易方向を有する磁性再生層と、
　該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、
　前記磁性再生補助層、磁性再生層及び磁性記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ３＜Ｔｃ１及びＴｃ３＜Ｔｃ２の関係を満たし、
　前記磁性再生補助層及び磁性記録層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とするとき、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体。
【請求項１５】　前記磁性再生補助層、前記磁性再生層及び前記磁性記録層は、希土類−遷移金属非晶質合金膜からそれぞれ構成される請求項１４記載の光磁気記録媒体。
【請求項１６】　前記磁性再生補助層は２５ｎｍ〜６０ｎｍの膜厚及び室温において６００エルステッド以下の保磁力を有しており、前記磁性再生補助層の組成はＧｄ，Ｆｅ及びＣｏから構成され、Ｇｄの含有量が２０ａｔ％〜２７ａｔ％の間に設定されている請求項１４記載の光磁気記録媒体。
【請求項１７】　前記磁性再生層は１ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚を有しており、前記磁性再生補助層の組成はＧｄ，Ｆｅ及びＣｏから構成され、Ｇｄの含有量が２９ａｔ％〜４０ａｔ％の間に設定されている請求項１４記載の光磁気記録媒体。
【請求項１８】　前記磁性記録層は６０ｎｍ以下の膜厚と、２５０°Ｃ以下のキュリー温度を有している請求項１４記載の光磁気記録媒体。
【請求項１９】　前記磁性再生層と前記磁性記録層との間に介在された厚さ
０．５ｎｍ〜２０ｎｍの非磁性中間層をさらに具備した請求項１４記載の光磁気記録媒体。
【請求項２０】　前記磁性再生層と前記磁性記録層との間に介在された厚さ
０．５ｎｍ〜２０ｎｍの常磁性中間層をさらに具備した請求項１４記載の光磁気記録媒体。
【請求項２１】　前記中間層は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｃｒ及びこれらの窒化物からなる群から選択される物質から構成される請求項１９又は２０記載の光磁気記録媒体。
【請求項２２】　前記磁性再生補助層と前記磁性再生層が同一組成の材料から構成され、前記磁性再生補助層は前記磁性再生層の膜厚より厚い膜厚を有している請求項１９又は２０記載の光磁気記録媒体。
【請求項２３】　前記磁性再生補助層は使用される膜厚を有する単層膜の場合に、それ単層では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有している請求項１９又は２０記載の光磁気記録媒体。
【請求項２４】　前記磁性再生層は使用される膜厚を有する単層膜の場合に、それ単層では面内に磁化容易方向を有している請求項２３記載の光磁気記録媒体。
【請求項２５】　透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し、所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
  前記再生層の保磁力をＨｃ、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨｓとするとき、
　Ｈｒの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記再生層の磁化が面内方向を向く低温領域と、Ｈｒ≦Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイアス磁界方向に揃えられる高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
【請求項２６】　前記磁性記録層は遷移金属リッチの希土類?遷移金属非晶質合金膜から構成される請求項２５記載の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
【請求項２７】　透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し、所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
  前記再生層の保磁力をＨｃ、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨｓとするとき、
　前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記再生層の磁化が面内方向を向く低温領域と、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、前記再生層に転写された磁化が高温になることによって自然に消滅して再生層の磁化が消去方向の磁化方向と同一方向に揃えられる高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
【請求項２８】　透明基板と、該透明基板上に積層された室温では面内に磁化容易方向を有し所定温度以上では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記非磁性中間層は前記所定温度以上で前記磁性記録層と前記磁性再生層の間の静磁結合を許容するのに十分な薄さである光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
  前記再生層の保磁力をＨｃ、前記再生層と前記記録層との間の静磁結合力をＨｓとするとき、
　Ｈｒの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、
　ビームスポット内にＨｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記再生層の磁化がバイアス磁界方向を向く低温領域と、Ｈｒ≦Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記記録層の磁化が静磁結合によって前記再生層に転写される中間温度領域と、Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、前記再生層の磁化が前記バイアス磁界方向を向く高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
【請求項２９】　前記磁性記録層は希土類リッチの希土類?遷移金属非晶質合金膜から構成される請求項２８記載の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
【請求項３０】　光ヘッドに設けられた対物レンズアクチュエータの永久磁
石からの漏洩磁場を前記再生用のバイアス磁界として利用する請求項２５又は請求項２８に記載の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
【請求項３１】　透明基板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生補助層と、該磁性再生補助層上に積層された室温で面内に磁化容易方向を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層とを具備し、前記磁性再生補助層、磁性再生層及び磁性記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ３＜Ｔｃ１及びＴｃ３＜Ｔｃ２の関係を満たし、前記磁性再生補助層及び磁性記録層の保磁力をそれぞれＨｃ１，Ｈｃ３とするとき、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満たす光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法であって、
　Ｈｒの強さのバイアス磁界を印加しながら前記記録媒体にレーザビームを照射して、前記記録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビームスポット内に前記磁性再生補助層の磁化がバイアス磁界方向を向く低温領域と、前記記録層の磁化が交換結合によって前記再生補助層に転写される高温領域とからなる温度分布を形成することを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
　
（３）刊行物等の記載
　刊行物等の記載は、それぞれ、以下のとおりである。
ア．先願１の出願当初の明細書等
・「【請求項２０】透光性のある基体と、基体上に形成され、室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化状態を示す一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態に移行する読み出し層と、読み出し層上に形成され、情報を光磁気記録する記録層とを有しており、上記読み出し層と記録層の間には、非磁性膜からなる中間層が設けられていることを特徴とする光磁気記録媒体。」
・「【００３６】
【作用】請求項１の構成によれば、再生動作時に、読み出し層に光ビームが照射されると、照射された部位の温度分布は、ほぼガウス分布になるので、光ビームの径より小さい中心近傍領域のみの温度が上昇する。
【００３７】この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。この時、読み出し層及び記録層の２層間の交換結合力により、記録層の磁化の向きに読み出し層の磁化の向きが従う。
【００３８】温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、温度上昇部位のみが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射光に基づいて情報が再生される。
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
【００４０】以上のように、所定温度以上に昇温された領域のみを再生に関与されるので、従来より小さい記録ビットの再生を行うことが可能になり、記録密度が著しく向上する。」
・「【０３９７】本発明の第６実施例を図４４ないし図４６に基づいて説明すれば、・・・
【０３９８】本実施例の光磁気ディスクは、図４４に示すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、非磁性膜からなる中間層３０、記録層４、保護膜５、オーバーコート層６がこの順に積層された構成を有している。
【０４００】中間層３０としては、具体的には例えば、５ｎｍの膜厚のＡｌＮが使用される。中間層３０は、記録層４と読み出し層３の交換結合が働かないように形成されているので、ＡｌＮが記録層４と読み出し層３の間の単分子層以上形成されておればよい。中間層があまり厚くなり過ぎると、記録層４から発生し読み出し層３の磁化を揃えるための磁界が弱くなる。このため、中間層３０の膜厚は５０ｎｍ以下が適当である。
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
【０４０３】透明誘電体層２上に、読み出し層３として、希土類遷移金属合金薄膜であるＧｄＦｅＣｏが、厚さ５０ｎｍで形成されている。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ０．２６（Ｆｅ０．８２Ｃｏ０．１８）０．７４であり、そのキュリー温度は約３００℃である。
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
【０４０６】中間層３０上に、記録層４として、希土類遷移金属合金薄膜であるＤｙＦｅＣｏが、厚さ５０ｎｍで形成されている。ＤｙＦｅＣｏの組成は、・・・・であり、そのキュリー温度は約２００℃である。
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
【０４１０】ＡｌＮ以外の中間層３０の材料としては、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、・・・、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、・・・、ＴｉＯ２、・・・等の誘電体材料をしようできる。
【０４１１】また、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、・・・等の非磁性金属材料、または、それらの合金材料を使用することができる。
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
【０４１３】上記の光磁気ディスクの他のバリエーションとして、図４６に示すように、基板１、透明誘電体層２、・・・
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
この光磁気ディスクは、上記光磁気ディスクの記録層４とオーバーコート層６の間に第２誘電体層２１および反射層２２を設けたものであり、第２誘電体層２１および反射層２２については、前記第１実施例で詳述した通りである。」
　結局、先願１の出願当初の明細書等には、以下のとおりの発明が記載されているものと認める。　
「透光性のある基体と、
　基体上に形成され、室温で面内磁気異方性が優位な面内磁化状態を示す一方、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態に移行する希土類遷移金属合金薄膜からなる読み出し層と、
　読み出し層上に形成され、情報を光磁気記録する希土類遷移金属合金薄膜からなる記録層とを有しており、
　読み出し層と記録層の間には、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＴｉＯ２等の非磁性膜等からなり、
記録層から発生し読み出し層の磁化を揃えるための磁界が弱くならない程度の厚さ５０ｎｍ以下の中間層が設けられている光磁気記録媒体。」（以下、先願１の発明という）
イ．刊行物１
・「【００２８】
【実施例】
　スイッチング層基本構成（ＲＡＤ）
　以下、本発明の第１の実施例の光磁気記録媒体について、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施例における光磁気記録媒体の構成を示すもので、図１（ｂ）（ｃ）はその再生動作原理を示し、（ｂ）は断面図，（ｃ）は上面図である。図１（ａ）に於いて、１０１は再生ビーム、１０２は基板、１０３及び１０４はＺｎＳｅ膜からなる保護層、１０５はＴｂＦｅＣｏ膜からなる第１磁性層、１０６はＧｄＦｅＣｏ膜からなる第２磁性層、である。
　ここで、第２磁性層１０６を設けることが本発明の新規なところであり、それ以外の基本構成は従来の構成と同一である。　　・・・
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
　また、第２磁性層１０６のＧｄＦｅＣｏ膜は、室温で面内磁化膜、再生ビームの温度上昇で垂直磁化膜となるように、その組成をＧｄ＝２６％、Ｆｅ＝３８％、Ｃｏ＝３６％とした。
【００２９】第２磁性層１０６のＧｄＦｅＣｏ膜の温度に対する飽和磁化の依存性を図２に示す。この時の補償温度は１８０℃であり、キュリー温度は３５０℃であり、図２に斜線で示した部分がＧｄＦｅＣｏ膜が外部磁界ゼロの状態で垂直磁化膜となる領域となる。本実施例では、図２に示す通り、８０℃以上で垂直磁化膜となっているが、ＧｄＦｅＣｏ膜が垂直磁化膜となる温度は、ＧｄとＦｅＣｏの組成比で簡単に換えることができ、　・・・
最適化が図れることは言うまでもない。」
・「【００３０】つぎに、図１（ｂ）を参照しながら、再生原理について説明する。第１磁性層には、従来の記録方式によって記録マークが形成されている。
【００３１】ところで、線速度４ｍ／ｓ以下の比較的遅い線速度で再生すると、記録媒体はビーム照射領域１０７の中心付近で温度が最大となり、周辺部に行くに従って記録媒体の温度は低下する。従って図１（ｂ）及び（ｃ）に示す如く、ビーム照射によって、８０℃以上になる斜線領域１０８では、第２磁性層１０６が垂直磁化膜となり、交換結合力により第２磁性層に記録された記録マークが転写する。以下領域１０８を転写領域と呼ぶ。
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
　・・・ために、中心部である高温の転写領域１０８でのみ信号が得られる。この転写領域１０８は、ビームスポット径よりも格段に小さくできるため、高密度に記録された信号の再生が可能となる。」
・「【００３９】つぎに、図４（ａ）及び（ｂ）を参照しながら、再生原理について説明する。第１磁性層には、従来の記録方式によって記録マークが形成されている。
【００４０】ところで、線速度６ｍ／ｓ以上の比較的速い線速度で再生すると、記録媒体はビームの中心より後方で温度が最大となり、そこから周辺部に行くに従って記録媒体の温度は低下する。従って図４（ａ）に示す如く、ビーム照射によって、１５０℃以上になる領域４０３では、第３磁性層４０１の磁化が消失し、第１磁性層１０５と第２磁性層１０６相互間で交換結合が作用しなくなる。したがって、遮断領域４０３に面した第２磁性層１０６は交換結合が作用していないために、弱い外部磁界４０２と同一の向きに磁化される。また、ビーム照射によって８０℃以上１５０℃以下になる領域１０８では、第１磁性層１０５の記録マークが第３磁性層４０１に転写され、さらに第２磁性層１０６に転写される。　・・・　」
・「【００７７】次に、第７の実施例として、第１の実施例と同様な構成で第２磁性層が面内磁化膜から垂直磁化膜となるスイッチング温度が異なる光磁気記録が媒体を作成した。その作成方法は第７の実施例と同様、ＧｄＦｅＣｏのＧｄ組成を変えることによって実現している。
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
【００８１】そこで、第１磁性層に記録されたデータを破壊することなく、エラーが・・・以下となる再生パワーを求めた。　・・・
なお、本実施例に用いた第１磁性層のキュリー点は、いづれも２００℃である。　　　・・・　。」
・「【００９４】以上、第１の実施例によれば、第１の磁性層と第２の磁性層で構成され、第２の磁性層は
（１）室温時には面内磁化膜、再生ビーム照射による昇温時には垂直磁化膜という温度変化に対する磁気異方性のスイッチング機能、
（２）再生ビームに対し、再生信号を与える再生機能
という２つの機能を持っている。しかしながら、上記２つの機能を別個の磁性層に担わせることができる。その場合、図１８（ｂ）に示される如く、第１磁性層１０５、第２磁性層１０６に加えて光投入側に第４の磁性層１８０２を設ける必要がある。この場合、・・・第３の磁性層として、大きな再生信号を得るためにＲθｋが大きく、且つ保磁力が小さいことが望ましい。これは、
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
　これらを満足する磁性材料として、ＧｄＦｅ，ＧｄＣｏ，ガーネット系，ＭｎＢｉ系などが好適である。」（なお、この欄の記載において、第４の磁性層と第３の磁性層とはいずれかが誤記であって、同一の磁性層を意味しているものと認める。）
・「【００９５】また、第１の実施例は、第１磁性層１０５、第２磁性層１０６の磁性膜２層構造としたが、交換結合力の制御を容易にするため、第１磁性層１０５と第２磁性層１０６の間に交換結合力制御層を設けることも有効である。この交換結合力制御層としては、単体では希土類／遷移金属を室温からキュリー点に至るまで面内磁化膜である組成とし、その膜厚を１０ｎｍ以下にすることが望ましい。」
　結局、刊行物１には、以下のとおりの発明１、発明２が記載されているものと認める。
［発明１］
「透明基板上に、ビーム入射側からＧｄＦｅＣｏ膜からなる再生層としての第２磁性層と、ＴｂＦｅＣｏ膜からなる記録層としての第１磁性層を形成し、第１磁性膜と第２磁性膜の間に、単体では希土類／遷移金属を室温からキュリー温度に至るまで面内磁化膜である組成とし、その膜厚を１０ｎｍ以下とした交換結合力制御層を設けた光磁気記録媒体。」（以下、刊行物１の発明１という）
［発明２］
「透明基板上に、ビーム入射側から、垂直磁化膜であるＲθｋ（カー回転角）が大きく、保磁力の小さい、ＧｄＦｅ，ＧｄＣｏ，ガーネット系，ＭｎＢｉ系などからなる第３の磁性層、室温時には面内磁化膜、昇温時には垂直磁化膜となる再生層としてのキュリー温度が３５０℃のＧｄＦｅＣｏ膜からなる第２磁性層、記録層としてのキュリー温度が２００℃のＴｂＦｅＣｏ膜からなる第１磁性層を形成した光磁気記録媒体。」（以下、刊行物１の発明２という）
ウ．先願２の出願当初の明細書等
・「【００４０】本発明の第２の実施例について図１１ないし図２６に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００４１】本実施例の光磁気メモリー素子は、図１１に示すように、ガラスまたは、ポリカーボネート等の透光性樹脂からなる基板２１（基体）上に誘電体層２２，磁性層２３（第１磁性層）、磁性層２４（第２磁性層）、磁性層２５（第３磁性層）、誘電体層２６，反射層２７がこの順に形成された構造を有しており、磁性層２３〜２５が記録再生層を構成している。
【００４２】磁性層２３には、室温で面内磁化膜であり、室温以上の所定温度領域では垂直磁化膜になる磁性材料が用いられる。磁性層２４には、キュリー温度が室温以上にある磁性材料が用いられる。磁性層２５には、室温からキュリー温度に至るまで垂直磁化膜である磁性材料が用いられる。磁性増２４のキュリー温度は磁性層２５のキュリー温度よりも低く設定されている。
【００４３】光磁気メモリー素子の一例として、５種類の光磁気ディスクＡ〜Ｅを試作した。この内、光磁気ディスクＣ〜Ｅは比較例である。
【００４４】光磁気ディスクＡ、Ｂ、Ｄ、Ｅは、図１２に示すように、スパイラル状の案内溝３８・・・を有する基板３１（基体）上に誘電体層３２、磁性層３３（第１磁性層）、磁性層３４（第２磁性層）、磁性層３５（第３磁性層）、誘電体層３６、反射層３７がこの順に形成された構造を有しており、磁性層３３〜３５が記録再生層を構成している。」
・「【００４８】ここで、　・・・
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
　磁性膜ａは１３０℃以上２８０℃以下の温度範囲で垂直磁化となるように設定されており、再生時には再生光ビーム中心・・・の１３０℃以上の温度を有する領域を再生に関与させるようにしている。これにより、第１の実施例での再生に関与する領域（７０℃以上の温度領域）より狭い領域が垂直磁化となり再生に関与するようになる。よって、本第２の実施例の方が第１の実施例より狭いビットを再生できるようになり、高密度再生に適するように設計されたためである。」
・「【００５０】光磁気ディスクＡ〜Ｅの磁性層３３〜３５に用いられた磁性膜ａ〜ｆを表１にまとめて示し、各磁性膜ａ〜ｆの組成および磁気特性を表２にまとめて示す。・・・
【００５１】
【表１】　　省　略
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
【００５５】
【表２】　　省　略」
・「【００５９】本発明の光磁気メモリー素子は、以上のように、室温で面内磁化膜であり室温以上の所定温度領域で垂直磁化膜になる第１磁性層と、キュリー温度が室温以上である第２磁性層と、室温からキュリー温度まで垂直磁化膜である第３磁性層が基体上に順次積層されており、第２磁性層のキュリー温度は、第３磁性層のキュリー温度よりも低い温度に設定されているので、再生時には、第１と第２と第３磁性層間の交換結合力により、第３磁性層に高密度記録された情報、すなわち、再生時の光スポットよりも小さい部分に書かれた情報を読み出し層の初期化のための補助磁界発生装置なしに再生できる。」
　
　上記記載において、特に、【表１】、【表２】及び図１２を参照し、光磁気ディスクＡに着目すると、結局、先願２の出願当初の明細書等には、以下のとおりの発明が記載されているものと認める。
　「ガラス又は透光性樹脂からなる基板上に、誘電体層を介して、室温で面内磁化膜であり、室温以上の所定温度領域では垂直磁化膜になる第１磁性層と、面内磁化膜であり、キュリー温度が、第３磁性層のキュリー温度よりも低い室温以上（１６０℃）で、Ｇｄ０．２８（Ｆｅ０．９０Ｃｏ０．１０）０．７２なる組成を有する第２磁性層と、室温からキュリー温度（２３０℃）に至るまで垂直磁化膜である第３磁性層がこの順に積層形成され、再生時には、第１と第２と第３磁性層間の交換結合力により、第３磁性層に高密度記録された情報、すなわち、再生時に再生光ビーム中心付近の１３０℃以上の温度を有する領域部分に書かれた情報を再生できるようにした光磁気記録媒体。」（以下、先願２の発明という）
エ．先願3の出願当初の明細書等
・「【００１４】図１（ａ），（ｂ）は本発明の膜構成を示す模式図、図２は、本発明の光磁気再生方法を示す説明図、図３は、本発明の光磁気記録媒体の一例に記録した後の磁化状態を示す図、図４は、第二の磁性層の反磁界エネルギー２πＭｓ２と垂直磁気異方性エネルギーｋｕの温度変化を示した図、図５（ａ）は、　　・・・
　　　　　　　　　　　・・・　途　中　省　略　・・・
　　　・・・　、本発明の光磁気記録媒体は、面内磁化膜である第一の磁性層と、キュリー温度が第一層より高く室温では面内磁化膜であって昇温すると垂直磁化膜となる第二の磁性層と、垂直磁化膜からなる第三の磁性層とを少なくとも有する光磁気記録媒体とし、その第三の磁性層に記録された微小磁区を、第二の磁性層に転写して読み出すことにより、前記課題が達成される。」
・「【００１５】＜媒体の構成及び組成＞図１（ａ）に示すように、第一、第二及び第三の磁性層を次の通り作成した。
【００１６】第一の磁性層としては、キュリー温度に達するまで面内磁気異方性を安定に有するもの、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，・・・　などが望ましい。キュリー温度は再生時の媒体温度付近にあるものなどが好ましい。
【００１７】第二の磁性層としては、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，・・・　などが望ましい。室温とキュリー温度の間に補償温度があるものが好ましいものの例として挙げられる。
【００１８】第三の磁性層としては、垂直磁気異方性が大きく安定に磁化状態が保持できるもの、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，・・・　など、もしくはガーネット、あるいは、白金族−鉄族周期構造膜、例えば、Ｐｔ／Ｃｏ，・・・　，ＰｄＣｏなどが望ましい。」
・「【００３２】本発明の光磁気記録媒体は、記録層に加えて、更に補助層が再生層に直接もしくは中間層を介して積層されている。この補助層は室温からキュリー温度まで面内磁化のままであるので、媒体が補助層のキュリー温度に達するまでは、補助層からの交換結合力により再生層の磁化方向は安定に面内に配向する。
【００３３】そのため補助層のキュリー温度を、再生層の磁化方向が転移する温度にほぼ等しくなるように設定すれば、再生層の検出領域は補助層からの面内磁化配向を促進する交換結合力が作用しないため、より垂直に磁化配向しやすくなる。
【００３４】この補助層は、記録層と反対側すなわち光入射側に配置するため、光の吸収により再生出力が劣化しない程度に膜厚を薄くし（２００オングストローム以下が望ましい。・・・最も望ましくは、６０オングストローム以下が望ましい。）、再生層への交換力が劣化しない程度に厚い（２０オングストローム以上が望ましい）ことが必要である。」
・【００４２】〜【００４５】に、キュリー温度について、補助層が１４０℃付近、再生層が３５０℃以上、記録層が２２０℃となるように設定した旨
・各層の膜厚及び組成の組合せ例（表１）
　上記記載を特に図２を参照して整理すると、結局、先願３の出願当初の明細書等には、以下のとおりの発明が記載されているものと認める。
　「基板と、室温からキュリー温度の１４０℃まで面内磁化膜である補助層としての第一の磁性層と、キュリー温度が３５０℃であって、室温では面内磁化膜で、昇温すると垂直磁化膜となる再生層としての第二の磁性層と、キュリー温度が２２０℃であって、垂直磁化膜からなる記録層としての第三の磁性層とを有し、第一〜第三の各磁性層は、いずれも、例えば、希土類−鉄族非晶質合金で形成され、補助層は、光の吸収により再生出力が劣化しない程度（最も望ましくは、６０オングストローム以下）に膜厚を薄くし、再生層への交換力が劣化しない程度（２０オングストローム以上）に厚く、各磁性層には、交換結合力又は静磁結合力が作用する光磁気記録媒体。」（以下、先願３の発明という）
　
オ．先願4の出願当初の明細書等
・「【００１６】
【実施例】以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
　図１は、本発明の第１の構成の光磁気記録媒体を示すものであり、高いキュリー温度と低い保磁力を有し、垂直磁化状態である読み出し磁性層１と、この読み出し磁性層に比べて相対的に低いキュリー温度と高い保持力を有し、垂直磁化状態である記録磁性層３と、これら読み出し磁性層と記録磁性層の間に設けられ、室温では面内磁化状態であり、温度が上昇すると垂直磁化状態となる中間磁性層２とで構成されている。
【００１７】第１の構成においては、集光された光ビーム４の光強度分布がガウシアン分布であるため、光磁気記録媒体の温度分布も同様にガウシアン分布となる。中間磁性層２は室温で面内磁化状態であり、温度上昇により垂直磁化状態となるため、光ビーム４の中心部分の温度が十分に上昇した部分のみ垂直磁化状態となる。この中間磁性層２の垂直磁化状態となった部分のみの記録磁性層３の磁化情報が、強い交換結合力により読み出し磁性層１へと転写される。
　一方、中間磁性層２の光ビーム４の中心部分以外の温度が十分に上昇していない部分は、面内磁化状態となる。この中間磁性層２の面内磁化状態である部分の記録磁性層３の磁化情報は、交換結合力が弱いため、読み出し磁性層１へと転写されず、読み出し磁性層１の磁化方向は、外部から印加された磁界Ｈｒｅａｄの方向を向くことになる。」
・「【００２６】以上のことより、本発明における中間磁性層２として、特開平５−８１７１７号の読み出し層５と同一材料を使用することが可能であることがわかる。
【００２７】例えば、Ｇｄ０．２６Ｆｅ０．６１Ｃｏ０．１３の組成のＧｄＦｅＣｏ（ＲＥｒｉｃｈ）を使用することが可能である。
【００２８】次に、読み出し磁性層１の材料として、同じＧｄＦｅＣｏを使用することもできる。ただし、この読み出し磁性層１は室温において面内磁化状態であり、温度上昇にともない垂直磁化状態とする必要はない。
【００２９】図３は、ＧｄＸ（Ｆｅ０．８２Ｃｏ０．１８）１−Ｘのキュリー温度Ｔｃと補償温度ＴＣＯＭＰの組成依存性を示したものであり、補償温度を境にして、Ｇｄの含有量が多い部分がＲＥｒｉｃｈとなり、ＦｅＣｏの含有量が多い部分がＴＭｒｉｃｈとなる。この図から、ＴＭｒｉｃｈ側のＧｄＦｅＣｏの方がキュリー温度が高いことがわかる。さらに、図４は、希土類遷移金属合金薄膜のキュリー温度とカー回転角の関係を示すものである。この図から、希土類遷移金属合金薄膜においては、キュリー温度が高い方がカー回転角が大きいことがわかる。図３、図４とから、ＧｄＦｅＣｏにおいては、ＴＭｒｉｃｈ側の材料の方が、カー回転角、すなわち再生出力が大きいことがわかる。」
・「【００３７】図６は、本発明に係る光磁気記録媒体８を使用した光ディスクの構成を示している。基板６、透明誘電体層７、光磁気記録媒体８、保護層９、バックコート層１０からなっており、レーザ光４が光磁気録媒体８に集光され、記録再生が行われる。」
・「【００４２】（実施例１）読み出し磁性層１として、希土類遷移金属合金薄膜であるＴＭｒｉｃｈ組成のＧｄＦｅＣｏを厚さ５０ｎｍで形成した。このＧｄＦｅＣｏ膜は、垂直磁化状態であり、その組成は、Ｇｄ０．１８（Ｆｅ０．８２Ｃｏ０．１８）０．８２で、そのキュリー温度は約３４０℃であった。
【００４３】次に、中間磁性層２として、希土類遷移金属合金薄膜であるＲＥｒｉｃｈ組成のＧｄＦｅＣｏを厚さ５０ｎｍで形成した。ＧｄＦｅＣｏの組成は、Ｇｄ０．２６（Ｆｅ０．７８Ｃｏ０．２２）０．７４で、そのキュリー温度は約３００℃であり、約１００℃の温度で面内磁化状態から垂直磁化状態に移行した。
【００４４】次に、記録磁性層３として、希土類遷移金属合金薄膜であるＴＭｒｉｃｈ組成のＤｙＦｅＣｏを厚さ５０ｎｍで形成した。ＤｙＦｅＣｏの組成は、Ｄｙ０．２３（Ｆｅ０．７８Ｃｏ０．２２）０．７７で、そのキュリー温度は約２００℃であった。」
　
　上記記載において、基板１が透明であることは自明であり、図面の記載を参照して、以上の記載を整理すると、先願４の出願当初の明細書等には、以下のとおりの発明が記載されているものと認める。
「透明基板と、
　垂直磁化状態で、キュリー温度が３４０℃のＧｄ０．１８（Ｆｅ０．８２Ｃｏ０．１８）０．８２　の組成を有する厚さ５０ｎｍの読み出し磁性層と、
　約１００℃で面内磁化状態から垂直磁化状態に移行し、キュリー温度が約３００℃のＧｄ０．２６（Ｆｅ０．７８Ｃｏ０．２２）０．７４の組成を有する厚さ５０ｎｍの中間磁性層と、
　垂直磁化状態で、キュリー温度が約２００℃であって、読み出し磁性層より相対的に高い保磁力を有するＤｙ０．２３（Ｆｅ０．７８Ｃｏ０．２２）０．７７　の組成を有する厚さ５０ｎｍの記録磁性層を
　基板上にこの順で積層形成した光磁気記録媒体。」（以下、先願４の発明という）
カ．刊行物2
・室温でのカー回転角とキュリー温度の関係（p.93）
・希土類遷移金属合金で、希土類の割合ｘがｘ＜０．３０においては、カー回転角は、希土類の種類には独立で、キュリー温度により決定されることがわかる旨（p.94）
　
（４）対比・判断
ア．請求項１〜４に係る発明について
  前記先願１の発明は、本件請求項１〜４に係る各発明が備える磁性記録層と磁性再生層の間に非磁性の中間層を備える点、非磁性中間層の厚さ・材料に関する要件を、すべて備えており、本件請求項１〜４に係る各発明は、前記先願１の発明と同一と認められ、上記各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
イ．請求項５〜７に係る発明について
（ア）前記刊行物１の発明１における室温からキュリー温度に至るまで面内磁化膜である交換結合力制御層、及び、前記先願２の発明における第２磁性層が、共に、本件請求項５に係る発明における磁性中間層に相当することは明らかである。
　そして、前記刊行物１の発明１及び前記先願２の発明は、請求項５に係る発明の要件を、すべて備えており、請求項５に係る発明と同一の発明と認める。
　結局、請求項５に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反し、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
（イ）前記先願２の発明において、再生時のビーム中心付近の温度１３０℃に対して、磁性中間層に相当する第２磁性層のキュリー温度は、１６０℃であり、本件請求項６に係る発明の要件を満たしていることは明らかである。
　請求項６、７に係る各発明の要件は、すべて、前記先願２の発明も備えており、上記各請求項に係る発明は、前記先願２の発明と同一と認められ、結局、請求項６、７に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
ウ．請求項９〜１３に係る各発明について
（ア）前記先願３の発明における室温からキュリー温度の１４０℃まで面内磁化膜である補助層としての第一の磁性層は、再生時にキュリー温度以上となる領域において、再生層の検出領域での垂直磁化状態を読みとるようにしており、本件請求項９に係る発明の磁性開口部分制御層に相当することは明らかである。又、補助層の厚さについても、光の吸収により再生出力が劣化しない程度に膜厚を薄くするとされており、本件請求項９、１２に係る各発明の透過率６０％以上、透過率７５％以上とは、いずれも、光の吸収による再生出力の劣化をしないようにするための自明の範囲とみることができることから、実質的な差異は見いだせない。　
  更に、各層のキュリー温度の数値範囲、厚さの数値範囲など、請求項９〜１３に係る各発明の要件は、すべて、前記先願３の出願当初の明細書等に記載された発明も備えており、結局、上記各請求項に係る各発明は、前記先願３の発明と同一と認められ、請求項９〜１３に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
エ．請求項１４〜１８に係る各発明について
（ア）前記刊行物１の発明２における第３の磁性層、第２磁性層及び第１磁性層がそれぞれ、上記各請求項に係る各発明における磁性再生補助層、磁性再生層及び磁性記録層に相当することは明らかである。
　又、前記刊行物１の発明２において、第３の磁性層は保磁力が小さいとされており、この第３の磁性層の磁化の方向で記録層としての第１磁性層の磁化の方向が反転することはなく、したがって、両層の保磁力について、
　記録層の保磁力＞補助層の保磁力の関係が成り立つことは明らかである。
　結局、請求項１４に係る発明と前記刊行物１の発明２とは、各層のキュリー温度について、磁性再生層のキュリー温度＞磁性記録層のキュリー温度の関係にあること、保磁力について、記録層の保磁力＞補助層の保磁力の関係が成り立つことで一致し、磁性記録層と磁性再生補助層とのキュリー温度の関係においての相違が認められる。
　しかしながら、刊行物２記載のカー回転角とキュリー温度の関係から、キュリー温度が高いほどＲθｋ（カー回転角）が大きいことが示されており（この点については、前記先願４の出願当初の明細書【００２９】、図４にも記載されており、このような関係は希土類遷移金属合金薄膜の一般的性質ということができる）、しかも、刊行物１の発明２の第３の磁性層は、大きな再生信号を得るためには、Ｒθｋが大きいことが望ましいとされていることからみて、キュリー温度の高い材料を選択することは、ごく自然に採用し得ることであり、その際、磁性再生補助層のキュリー温度＞磁性記録層のキュリー温度のように選択することは、格別の困難性を要するとも認められない。
　又、請求項１５〜請求項１８に係る各発明における、磁性材料の組合せ、Ｇｄ含有量、膜厚等の数値範囲は、いずれも、格別の困難性もなく、適宜に選択し得る範囲内ものと認める。
　結局上記請求項１４〜１８に係る各発明は、いずれも、刊行物１及び刊行物２記載のものから容易に発明し得たものと認められ、各請求項に係る各発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（イ）先願４の発明における読み出し磁性層は、垂直磁化状態であり、中間磁性層は、室温において面内磁化状態であり、それぞれ、請求項１４に係る発明の磁性再生補助層、磁性再生層の各磁性層に相当することは明らかである。
　そして、先願４の発明の磁性記録層を含めた各磁性層のキュリー温度の大小関係及び読み出し磁性層（本件発明の磁性再生補助層）と磁性記録層の各保磁力の大小関係は、本件請求項１４に係る発明の大小関係と異なるところはない。
　又、請求項１５に係る発明は、各磁性層の材料において、先願４の発明と差異はなく、請求項１６及び１７に係る発明における各数値範囲も、単なる設計事項の範囲内のものと認める。
　結局、請求項１４〜１８に係る各発明は、先願４の出願当初の明細書等に記載された発明と同一の発明であり、したがって、上記各請求項に係る発明に対する特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
オ．請求項１９、２１に係る各発明について
　請求項１９に係る発明は、膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性再生補助層を有する請求項１４に係る発明に対して、更に、磁性再生層と磁性記録層の間に非磁性中間層を設けて、技術的に限定したものである。
　刊行物１記載の発明２とは、非磁性中間層を有するか否かでの相違が認められ、磁性再生層と非磁性記録層の間に非磁性中間層を設ける点については、いずれにも見いだせないことから、請求項１９に係る発明を刊行物１記載のものに基づいて容易に発明し得たとすることはできない。
　請求項２１に係る発明は、請求項１９に係る発明を更に限定したものであり、
同じく、容易に発明し得たとすることはできない。
　又、異議申立人は、請求項１９、２１に係る各発明は、甲第１号証（先願１）に記載された発明と同一である旨主張するが、先願１の出願当初の明細書等に記載された発明（先願１の発明）は、前記したとおり、磁性再生補助層を有するものではなく、又、磁性再生補助層を設けることが先願１の当初の明細書等において自明のものともいえず、結局、この主張は採用できない。
カ．請求項２５〜２８に係る各発明について
　請求項２５〜２８に係る各発明は、いずれも、請求項１に係る発明の光磁気記憶媒体に記録された情報の再生方法に関する発明である。
　前記先願１の出願当初の明細書等には、再生方法について、記録時に使用する低いレーザパワーより、さらに低いレーザパワーのレーザ光を照射することにより、読み出し層の光ビームの中心近傍領域の高温領域のみを垂直磁化状態に移行させ、記録層の磁化の向きに読み出し層の磁化の向きを従わせ、記録層の情報を読み出すと記載されてはいるが（【００３６】〜【００４０】、【００７０】、【００７１】等）、本件請求項２５に係る発明が備える、再生層の保磁力をＨｃ、再生層と記録層との間の静磁結合力をＨｓとするとき、
　Ｈｒの強さのバイアス磁界を印加しながら記録媒体にレーザビームを照射して、記録層のキュリー温度以下に記録媒体を加熱し、ビームスポット内に再生層の磁化が面内方向を向く低温領域と、Ｈｒ≦Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、記記録層の磁化が静磁結合によって再生層に転写される中間温度領域と、Ｈｒ＞Ｈｓ＋Ｈｃの関係を満たし、再生層の磁化がバイアス磁界方向に揃えられる高温領域とからなる温度分布を形成する点については、いずれにも記載されていない。
  この点について、異議申立人は、甲第２号証、即ち、前記刊行物１に、光ビームスポット内の高温、中温、低温の３つの温度領域中、中間の温度領域で記録情報を読みとる技術が記載されているとしているが、刊行物１記載のものは、本件請求項２５に係る発明、及び先願１の発明とは、記憶媒体の層構造が、特に中間層において異なるものであり、しかも、この技術が先願１の出願当初の明細書等の記載において、自明のものともいうことができず、したがって、本件請求項２５に係る発明、及び、更に限定を付した請求項２６に係る発明を先願１の出願当初の明細書等に記載された発明と同一の発明であるとすることはできない。
　請求項２７〜２８に係る各発明についても、高温、中温、低温の３つの温度領域での磁化特性の差を利用している点では請求項２５に係る発明と共通するものであり、同様に先願１の出願当初の明細書等に記載された発明と同一の発明とすることはできない。
　又、他に、請求項２５〜２８に係る発明についての特許を取り消すべき理由は発見できない
キ．請求項３１に係る発明について
　請求項３１に係る発明は、請求項１４に係る発明の光磁気記録媒体の再生方法に関する発明である。
　先願４の出願当初の明細書の再生方法についての【００１７】の記載をみると、光ビームが集光された光磁気記録媒体の温度分布はガウシアン分布であって、光ビームの中心部分の温度が十分上昇し、高温となり、中間磁性層（本件請求項３１に係る発明の磁性再生層に相当することは明らかである）が、面内磁化状態から垂直磁化状態に移行すると、この垂直磁化状態の部分で記録磁性層の磁化情報が読み出し層（請求項３１に係る発明の再生補助層に相当することは明らかである）へ転写されることにより読み出しが行われるとされている。
　一方、光ビームの中心部以外の温度上昇が十分でない部分では、中間磁性層は面内磁化状態のままで、記録磁性層の磁化情報は、読み出し磁性層へ転写されず、読み出し磁性層の磁化方向は、外部から印加された磁界の方向を向くとされている。
　請求項３１に係る発明における再生時の各磁性層の挙動となんら代わるところはなく、しかも、先願４の発明が請求項１４に係る発明と同一の発明であることも前記したとおりである。
　結局、請求項３１に係る発明は、先願４の出願当初の明細書等に記載された発明と同一であるということができ、請求項３１に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
（５）明細書の不備について
  発明の詳細な説明には、特許を受けようとする特許請求の範囲の請求項８及び請求項２０に係る各発明について記載されてなく、特許請求項８及び請求項２０に係る各発明についての特許は、特許法第３６条第５項第１号の規定を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
４．むすび
　以上のとおりであるから、請求項１〜請求項４に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に、請求項５〜７に係る各発明についての特許は、特許法第２９条第１又は２項の規定に、又、特許法第２９条の２の規定に、請求項８に係る発明についての特許は、特許法第３６条第５項第１号の規定に、請求項９〜請求項１３に係る各発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に、請求項１４〜請求項１８に係る各発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に、又、特許法第２９条の２の規定に、請求項２０に係る発明についての特許は、特許法第３６条第５項第１号の規定に、請求項３１項に係る発明については特許法第２９条の２の規定に、それぞれ違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。
　又、請求項１９、２１に係る各発明、請求項２５〜請求項２８に係る各発明についての特許は、他に取り消しの理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月２７日（２００１．６．２７）