【事件の表示】
　特許第２７８１８３８号「超電導磁石の励磁方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７８１８３８号の請求項１ないし５、７に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７８１８３８号の請求項１ないし請求項７に係る発明についての出願は、平成元年５月１５日に特許出願され、平成１０年５月２２日にその設定登録がなされ、その後、藤田耕三より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１３日に、訂正前の請求項６を削除し、訂正前の請求項７を繰り上げて請求項６とする訂正を含む訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否
ア．訂正明細書の請求項１ないし請求項６に係る発明
　訂正明細書の請求項１ないし請求項６に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載された次のとおりのものである。
「１．最大磁気遮蔽量以上の強さの磁界に晒されたときには混合状態に移行する超電導体を構成部材として含むシート状成形体若しくは該超電導体のフィルムより筒状金属芯材の周体を電気的閉環状態で被装してなる筒状成形体を、ゼロから上記混合状態領域に亘り磁界の強さを可変することの出来る磁場発生装置内に配置し、該磁場発生装置による環境磁界の強さを最大磁気遮蔽量以上で且つ最大トラップ磁束密度に対応する磁界強度より低い所定の強さにまで増加させた後環境磁界の強さを減少させ最終的にゼロとすることにより、上記成形体に最大トラップ磁束密度未満の所望密度の磁束をトラップさせるようにした超電導磁石の励磁方法。
２．上記成形体が、超電導薄膜層と金属シートとを積層一体としたシート状物である請求項１記載の励磁方法。
３．上記成形体が、環体幅が２ｍｍ以上の超電導薄膜層と熱伝導性及び電気伝導性の良い金属層との積層閉環ディスク状複合シートと、該複合シートと同形状の閉環ディスク状間隙材とを重層して成るシート状物である請求項１記載の励磁方法。
４．上記超電導薄膜が、厚みと磁気遮蔽効果との関係に於いて、その磁気遮蔽効果が厚みの増大と共に原点から急激に増大し爾後緩やかな勾配をもって漸増する如き曲線を描くものであり、且つその厚みが磁気遮蔽効果の特性曲線に於いて前記漸増状態に移行する変曲点に対応する厚み以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の励磁方法。
５．上記シート状物が、厚み方向に貫く多数の小孔を有するものである請求項１又は２記載の励磁方法。
６．上記超電導フィルムが、請求項２又は４に記載のシート体により成る請求項１記載の励磁方法。」
イ．訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　特許権者が求めている訂正の内容は以下の１）ないし７）のとおりである。
１）請求項１において、「シート状若しくは筒状成形体」とあるのを「シート状成形体若しくは該超電導体のフィルムより筒状金属芯材の周体を電気的閉環状態で被装してなる筒状成形体」と、「環境磁界の強さを増加し混合状態領域内の所定の所定の強さにまで至らしめた後」とあるのを「環境磁界の強さを最大磁気遮蔽量以上でかつ最大トラップ磁束密度に対応する磁界強度より低い所定の強さにまで増加させた後」と、「上記成形体に所望密度の磁束をトラップさせる」とあるのを「上記成形体に最大トラップ磁束密度未満の所望密度の磁束をトラップさせる」と訂正する。
２）訂正前の請求項６を削除し、訂正前の請求項７を繰り上げて請求項６と訂正する。
３）発明の詳細な説明の欄の、請求項１と同じ記載をしている個所を、請求項１の訂正に整合させる。
４）図面第１図でＢ３と表記されている磁束密度を「最大トラップ磁束密度」と定義する訂正をして、請求項１の訂正に整合させる。
５）図面第１図でＢ１と表記されている点の説明として、「Ｂ１は下部臨界磁界（Ｈｃ１）即ち最大磁気遮蔽量である。」とあるのを「Ｂ１は最大磁気遮蔽量である。」と訂正する。
６）図面第１図で符号Ｂ１に添えられた「（Ｈｃ１）」とある符号を削除する。
・訂正の内容１）について
　これらの訂正は、請求項１において、「筒状成形体」についての限定を付加する訂正、「環境磁界」についての限定を付加する訂正、およびトラップされる「所望密度の磁束」についての限定を付加する訂正であり、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であると認められる。そしてこれらの事項は、いずれも願書に最初に添付した明細書（明細書及び図面は補正されておらず、特許明細書と同一内容である）に開示されている事項である。
・訂正の内容２）について
　請求項を削除するもので特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であると認められる。
・訂正の内容３）について
　特許請求の範囲の訂正に整合すべく、発明の詳細な説明の欄の記載を訂正するもので明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正であると認められる。
・訂正の内容４）について
　第１図及びその説明に基づき、妥当な用語を用いて定義付けするものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正であると認められる。
・訂正の内容５）及び６）について
　本件発明を理解する上で、Ｂ１については「最大磁気遮蔽量である。」なる説明があれば、必要充分であり、これらの訂正は明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正であると認められる。
　したがって、上記訂正の内容１）ないし６）に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮、並びに発明の詳細な説明の欄及び図面の記載について明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項及びそれから自明な範囲の事項であり、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．独立特許要件の判断
ａ．引用刊行物
　当審は、本件請求項１に係る発明は下記刊行物１に記載された発明であるか若しくは刊行物１及び刊行物３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、訂正前の請求項２ないし請求項７に係る発明は刊行物１ないし刊行物５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとして取消理由を通知したが、当該取消理由で引用した刊行物１ないし刊行物５には次の事項が記載されている。
　刊行物１（「低温工学」Ｖｏｌ．３、Ｎｏ．４、１９６８．９．１０、第１６３〜１７０頁）
・試料の円筒軸に平行な外部磁場Ｈを磁場掃引して中空円筒の中心磁場Ｈ＊をホール素子により検出し、Ｎｂ−４０Ｚｒ−１０Ｔｉ三元合金のＨ対Ｈ＊曲線より超電導磁気遮蔽性を調べたこと、（第１６４頁左欄の「３．実験方法」の項）
・Ｆｉｇ．１に試料ＡのＨ対Ｈ＊曲線が示されていること、円筒軸方向に外部磁場ＨをＯ　ＫＯｅから毎分１００ＫＯｅの割合で掃引していくと、２．２ＫＯｅまでは中空円筒の中心磁場Ｈ＊はゼロで、さらに外部磁場を加えていくと２．２ＫＯｅのときＨ＊が現われはじめ、それ以後はＨの増加とともにＨ＊が増大していき、１０．７ＫＯｅで外部磁場を反転すると、Ｈ＊＝９．７ＫＯｅで一定のまま、Ｈが９．３ＫＯｅに達すると、Ｈの減少とともにＨ＊も降下していき、Ｈがゼロとなっても、円筒の中空の中に２．２ＫＯｅのＨｓ＊をトラップしていること、（第１６４頁左欄下から１行〜第１６５頁左欄第２行）
　刊行物２（「超電導応用技術　実際と将来」１９８８．４５、第４１〜４５頁）
・超電導体は図３・２に示す不安定サイクルが回ることにより臨界温度を超え超伝導状態が破れること、断熱的、動的安定化とはこのサイクルのどこかを断ち切ることにより安定化を図ろうとするもので、その代表的方法として、▲１▼超電導体の周囲を電気抵抗の低い金属で覆う、▲２▼超電導体を細線化（数十ミクロン以下）する、があること、（第４２頁第１７〜２５行）
・低温安定化とは、超伝導状態が一部で破れても冷媒との冷却バランスにより常電導部が拡がらないようにし超電導状態に復帰させるもので、その方法として、▲１▼安定化金属が超電導線に占める比率を多くする、▲２▼冷媒と接触する面積を増やす、▲３▼安定化材として電気抵抗の小さい金属を使う、があること、（第４３頁第４〜１３行）
・実用超電導線には安定化材を複合化することが必要であること、（第４３頁第１５行）
・実用超電導線の１つとして図３・３（２）に示すように超電導体と安定化材が積層されたテープがあり、主としてＮｂ３Ｓｎなどの化合物系超電導体にとられている構造で薄くすることにより曲げ歪みを少なくすることができること、（第４４頁下から３〜１行、図３・３（２））
　刊行物３（「ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ」Ｖｏｌ．ＭＡＧ−２１、Ｎｏ．２、Ｍａｒｃｈ　１９８５、第３２０〜３２３頁）
・Ｆｉｇ．２は、得られたＮｂ３Ｓｎ層の顕微鏡写真であり、Ｎｂ３Ｓｎの平均層厚は７５０℃及び８００℃の熱処理にそれぞれ応じてそれぞれ７及び２５μｍであること、８００℃処理は７５０℃処理よりも不規則な表面をもたらすこと、（第３２１頁左欄第１４〜１９行）
・反応後、最終的長さに加工され銅の鞘が除かれ、中央の孔が開けられたこと、最終的な大きさは、長さ７ｃｍ、内径１．１ｃｍ、外径１．５ｃｍであり、Ｎｂ３Ｓｎ層の内径外径はそれぞれ約１．２及び１．４ｃｍであること、（第３２１頁左欄第２０〜２６行）
・これらの磁気遮蔽体の中心にホール素子を置き、内部磁場をモニターした結果がＦｉｇ．５、６に示されており、外部磁場を増加した後減少させることにより、Ｆｉｇ．６では、外部磁場ゼロで磁束密度約０．５５テスラが残留している様子が示されていること、（第３２２頁左欄第２８行〜同頁右欄第３行、Ｆｉｇ．５，６）
　刊行物４（特開昭６１−１８３９７９号公報）
・単一層の厚みと磁気遮蔽効果との関係において、該磁気遮蔽効果が厚みの増大と共に原点から急激に増大し、爾後緩やかな勾配をもって漸増するごとき曲線を描く超伝導材料の薄いフィルムと、金属シートとを重積した複合体であって、上記超伝導材料フィルムの厚みが前記漸増状態に移行する変曲点以下の厚みである超電導磁気遮蔽体（特許請求の範囲の請求項１）
　刊行物５（特開昭６３−２３３５７７号公報）
・多数の小孔を有する基板と、該基板上に積層された少なくとも一層の超電導フィルムとより成り、該フィルム層の厚みが１００μｍ以下であって且つ該フィルム層が複数の場合は各フィルム層間に金属フィルム層を介在させて成る超電導磁気遮蔽体（特許請求の範囲の第１項）
・上記基板は、金属あるいは有機高分子材料から選択されること、（特許請求の範囲の第２項）
ｂ．対比・判断
　本件請求項１に係る発明（以下、本件発明１という）と上記刊行物１とを対比すると、刊行物１には、本件発明１の構成である「磁場発生装置による環境磁界の強さを最大磁気遮蔽量以上で且つ最大トラップ磁束密度に対応する磁界強度より低い所定の強さにまで増加させた後環境磁界の強さを減少させ最終的にゼロとすることにより、上記成形体に最大トラップ磁束密度未満の所望密度の磁束をトラップさせるようにした」点について記載がなく、これを示唆する記載もない。刊行物１のＦｉｇ．１において、本件図面第６図と類似の図が記載されているが、当該Ｆｉｇ．１についての説明によると、外部磁場ＨをＯ　ＫＯｅから毎分１００ＫＯｅの割合で掃引していくと、２．２ＫＯｅまでは中空円筒の中心磁場Ｈ＊はゼロで、さらに外部磁場を加えていくと２．２ＫＯｅのときＨ＊が現われはじめ、それ以後はＨの増加とともにＨ＊が増大していき、１０．７ＫＯｅで外部磁場を反転すると、Ｈ＊＝９．７ＫＯｅで一定のまま、Ｈが９．３ＫＯｅに達すると、Ｈの減少とともにＨ＊も降下していき、Ｈがゼロとなっても、円筒の中空の中に２．２ＫＯｅのＨｓ＊をトラップしていることが示されているのみであって、外部磁場をゼロから１０．７ＫＯｅまで単調に増加し、１０．７ＫＯｅで外部磁場を反転した後、ゼロまで単調に減少させたときの、中空円筒の中心磁場Ｈ＊の変化を示しているにすぎず、「環境磁界の強さを最大磁気遮蔽量以上で且つ最大トラップ磁束密度に対応する磁界強度より低い所定の強さにまで増加させた後環境磁界の強さを減少させ最終的にゼロと」したときの挙動について何ら開示されておらず、そのようにすることにより「最大トラップ磁束密度未満の所望密度の磁束をトラップさせる」ことについての開示もない。そして、刊行物２ないし刊行物５には、本件発明１の前記摘記した構成に関する記載のないことは明らかである。したがって、本件発明１は、上記刊行物１記載された発明であるとは認められず、また、刊行物１ないし刊行物５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認めることはできない。
　本件訂正後の請求項２ないし請求項６は、いずれも、直接又は間接的に請求項１を引用する請求項であり、本件発明１の前記摘記した構成を備えているから、本件発明１についてと同じ理由により、上記刊行物１ないし刊行物５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めことはできない。
　したがって、上記取消理由によっては、本件請求項１ないし請求項６に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできず、また、他に本件請求項１ないし請求項６に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとする理由を発見しない。
エ．「訂正の適否」のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２乃至４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについて
ア．本件発明
　本件請求項１ないし請求項６に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載された前記したとおりのものである。
イ．申立ての理由の概要
　申立人は、
・本件請求項１に係る発明は、いずれも甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、また、最大磁気遮蔽量を下部臨界磁界であるとしているために、当業者が請求項１に係る発明を実施することができないものであるから、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものである。
・本件請求項２、請求項３及び請求項５に係る発明は、いずれも甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
・本件請求項４に係る発明に関する記載は、甲第３号証の記載からみて誤っており、本件請求項４係る発明は実施不能であり、また、その発明に対応する実施例も記載されておらず、当業者が容易に実施をすることができないから、特許法第３６条第４項の規定に違反して特許がなされたものである。
・本件請求項６に係る発明は、甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
・本件請求項７に係る発明は、請求項２、請求項４及び請求項６を引用しており、これらの請求項についてと同様、特許法第２９条第２項の規定もしくは特許法第３６条第４項の規定に違反して特許がなされたものである。
　したがって、本件請求項１ないし請求項７に係る特許は取り消されるべきである旨主張している。
ウ．申立人が提出した甲各号証の記載事項
　申立人の提出した甲第１号証、甲第２号証及び甲第４号証は、それぞれ前記した刊行物１、刊行物２及び刊行物３であり、それぞれ前記した事項が記載されている。
　申立人の提出した甲第３号証（「電気学会大学講座　超電導工学」Ｓ５３．１０．２０、第４０〜４６頁）には以下の点が記載されている。
・キム等は、Ｎｂ−Ｚｒ合金やＮｂ３Ｓｎについて多くの実験を行ない、超電導体内部で、Ｊ（Ｂ＋Ｂ０）＝一定　なる関係が成立していることを示したこと、（第４３頁第１５〜１８行）
・２．１２図のようにｘ＞０の半無限空間を超電導体が占めているとしたとき、超電導体の壁面に沿ってｚ方向に磁界Ｈａを加えた状態では、実線のように、深さＸまで磁界が進入して、その部分に一定の電流密度Ｊｃでｙ方向に超電導電流が流れているものと考え、そのとき、ｘ＝Ｈａ／Ｊｃ　なる関係が求まること、（第４５頁第２〜６行）
エ．判断
・本件請求項１に係る発明は、上記２．ウ．で示したように、取消理由通知で引用した刊行物１に記載された発明であるとは認められない。
・本件請求項２ないし請求項６に係る発明は、上記２．ウ．で示したように、取消理由通知で引用した刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは認められない。
・図面第１図のＢ１は最大磁気遮蔽量であって、下部臨界磁界（Ｈｃ１）ではないから、当業者が本件請求項１に係る励磁方法の発明を容易に実施することができないとはいえない。
・本件特許明細書には、本件発明に係る励磁方法に用いられる成形体として、本件出願人、すなわち本件特許権者が過去に提案した超電導磁気遮蔽体とほぼ同様の構成のものが採用される旨の記載があり（特許明細書第４欄第１５〜３１行）、当該記載中に挙げられている特開昭６１−１８３９７９号公報には、本件請求項５に係る発明において特定している構成が実施例とともに具体的に開示されており、当業者が本件請求項５に係る励磁方法の発明を容易に実施することができないとはいえない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし請求項６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月１３日（１９９９．１０．１３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２７８１８３８号の明細書中
１）特許請求の範囲の請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「シート状若しくは筒状成形体」とあるのを「シート状成形体若しくは該超電導体のフィルムより筒状金属芯材の周体を電気的閉環状態で被装してなる筒状成形体」と、「環境磁界の強さを増加し混合状態領域内の所定の所定の強さにまで至らしめた後」とあるのを「環境磁界の強さを最大磁気遮蔽量以上でかつ最大トラップ磁束密度に対応する磁界強度より低い所定の強さにまで増加させた後」と、「上記成形体に所望密度の磁束をトラップさせる」とあるのを「上記成形体に最大トラップ磁束密度未満の所望密度の磁束をトラップさせる」と訂正する。
２）特許請求の範囲の減縮を目的として、訂正前の請求項６を削除し、訂正前の請求項７を繰り上げて請求項６と訂正する。
３）発明の詳細な説明の欄の、請求項１と同じ記載をしている個所を、明りょうでない記載の釈明を目的として請求項１の訂正に整合させる。
４）明りょうでない記載の釈明を目的として、図面第１図でＢ３と表記されている磁束密度を「最大トラップ磁束密度」と定義する訂正をして、請求項１の訂正に整合させる。
５）明りょうでない記載の釈明を目的として、図面第１図でＢ１と表記されている点の説明として、「Ｂ１は下部臨界磁界（Ｈｃ１）即ち最大磁気遮蔽量である。」とあるのを「Ｂ１は最大磁気遮蔽量である。」と訂正する。
６）明りょうでない記載の釈明を目的として、図面第１図で符号Ｂ１に添えられた「（Ｈｃ１）」とある符号を削除する。
（５４）【発明の名称】
　超電導磁石の励磁方法
（５７）【特許請求の範囲】
　１．最大磁気遮蔽量以上の強さの磁界に晒されたときには混合状態に移行する超電導体を構成部材として含むシート状
成形体
該超電導体のフィルムより筒状金属芯材の周体を電気的閉環状態で被装して成る
最大磁気遮蔽量以上で且つ最大のトラップ磁束密度に対応する磁界強度より低い
最大トラップ磁束密度未満の
　２．上記成形体が、超電導薄膜層と金属シートとを積層一体としたシート状物である請求項１記載の励磁方法。
　３．上記成形体が、環帯幅が２ｍｍ以上の超電導薄膜層と熱伝導性及び電気伝導性の良い金属層との積層閉環ディスク状複合シートと、該複合シートと同形状の閉環ディスク状間隙材とを重層して成るシート状物である請求項１記載の励磁方法。
　４．上記超電導薄膜が、厚みと磁気遮蔽効果との関係に於いて、その磁気遮蔽効果が厚みの増大と共に原点から急激に増大し爾後緩やかな勾配をもって漸増する如き曲線を描くものであり、且つその厚みが磁気遮蔽効果の特性曲線に於いて前記漸増状態に移行する変曲点に対応する厚み以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の励磁方法。
　５．上記シート状物が、厚み方向に貫く多数の小孔を有するものである請求項１又は２記載の励磁方法。
　
６
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明は、超電導磁石の励磁方法に関し、更に詳しくは、発生磁界の強さをコントロールすることの出来る超電導磁石の励磁方法に関するものである。
（従来の技術）
　近時、高温度で超電導状態を示す多くの超電導体が発見され、その応用研究が各方面で鋭意進められるようになった。磁気特性を利用した応用分野もその重要な一翼を担い、特に超電導磁石は発生磁界の強さが大であることから、様々な分野での実用価値が高く、その一層の技術開発が期待されている。
（発明が解決しようとする課題）
　ところで、超電導体を励磁する方法としては、超電導コイルに永久電流を流す方法と、超電導体を外部磁界に晒した後この外部磁界を取り去り超電導体に磁束をトラップさせるようにする方法とがある。後者の方法の場合、超電導体は夫々固有の磁気特性を有し、励磁後の磁束密度は各超電導体でほぼ一定であるとされていた。その為、発生磁界の強さを可変して用いたい場合は、夫々に対応した数種の超電導体を準備する必要があり、しかも所望の磁束密度に完全に一致する保証もなかった。
　本発明者等は、各種超電導体の磁気特性を探求する過程で、第１種超電導体以外の超電導体を或る定まった磁界の変化モードの中に置いた後、この環境磁界を最終的にゼロにした時に、夫々の磁界の変化モード対応した密度の磁束が超電導体にトラップされることを知見し、この知見をもとに発生磁界の強さを任意にコントロールすることが出来る新規な超電導体の励磁方法を完成するに至り、ここに本発明を提供せんとするものである。
（課題を解決するための手段）
　上記目的を達成する本発明の超電導磁石の励磁方法は、最大磁気遮蔽量以上の強さの磁界に晒されたときには混合状態に移行する超電導体を構成部材として含むシート状
成形体
筒状金属芯材の周体を電気的閉環状態で被装した超電導フィルムより成る
最大磁気遮蔽量以上で且つ最大トラップ磁束密度に対応する磁界強度以下の
最大トラップ磁束密度未満の
　上記励磁方法に採用される成形体としては、本出願人が過去に提案した（特開昭６１−１８３９７９号公報、特開昭６３−２３３５７７号公報、特願昭６３−２００７９５号、特願昭６３−１３２４４８号、特願昭６３−２５０５４６号及び特願昭６３−３０７６３０号等）いくつかの超電導磁気遮蔽体等と略同様の構成のものが採用され、具体的には、
　▲１▼超電導薄膜層と金属シートとを積層一体とした閉環シート状物、
　▲２▼環帯幅が２ｍｍ以上の超電導薄膜層と熱伝導性及び電気伝導性の良い金属層との積層閉環ディスク状複合シートと、該複合シートと同形状の閉環ディスク状間隙材とを重層して成るシート状物、
　▲３▼両端若しくは一端開放の筒状金属芯材と、該芯材の周体を被装し少なくとも該芯材の軸線の廻りに関して電気的に閉環状態とされた超電導フィルムとより成る筒状物、
等が挙げられる。
　上記▲１▼▲２▼の場合、超電導薄膜層として、厚みと磁気遮蔽効果との関係に於いて、その磁気遮蔽効果が厚みの増大と共に原点から急激に増大し爾後緩やかな勾配をもって漸増する如き曲線を描くものであり、且つその厚みが磁気遮蔽効果の特性曲線に於いて前記漸増状態に移行する変曲点に対応する厚み以下であるものが、最大磁気遮蔽量が高く望ましく採用される。この場合、超電導薄膜層と金属層とを多数交互に積層することが望ましい。亦、▲１▼▲２▼のシート状物として、厚み方向に貫く多数の小孔を有するものとすれば超電導遮蔽作用に電磁遮蔽作用が付加され、最大磁気遮蔽量が高くなることにより最
大ト
磁束
　更に、▲３▼の場合の超電導フィルムとして、▲１▼▲２▼で得られるシート体を充当させることも可能である。
　ここで▲２▼の場合に、超電導薄膜層の環帯幅を２ｍｍ以上としたのは、磁界内に置いた時に超電導薄膜層の環帯上に渦電流を発生させ、この渦電流の発生によって完全反磁性及び反磁性を惹起させんとするためである。即ち、２ｍｍ未満の場合は上記渦電流が発生しにくく、完全反磁性及び反磁性による混合状態での磁気特性が低下する傾向となり、また加工性も乏しくなる。
　上記▲１▼▲２▼及び▲３▼の成形体の一構成部材としての超電導薄膜層及び超電導フィルムの実体である超電導体は、第１種超電導体を除く超電導体であり、最大磁気遮蔽量以上の強さの磁界に晒されたときには混合状態に移行する性質を有するものである。具体的には、ニオブ金属、ニオブ系化合物〔ＮｂＮ、ＮｂＣ、Ｎｂ３Ｓｎ、Ｎｂ３Ａｌ、Ｎｂ３Ｇａ、Ｎｂ３Ｇｅ、Ｎｂ３（ＡｌＧｅ）、ＮｂＮ・ＴｉＮ混晶体等〕、ニオブ系合金（Ｎｂ−Ｔｉ合金、Ｎｂ−Ｚｒ合金等）、バナジウム系化合物及びバナジウム系合金（Ｖ３Ｇａ）、セラミック系超電導材料（Ｂａ−Ｙ−Ｃｕ−Ｏ系化合物、Ｌａ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系化合物、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系化合物等）やシェブレル超電導体（ＰｂＭｏ６Ｓ６等）などが採用される。
　斯かる超電導体の薄膜層或いはフィルムは、上述の如く金属層と積層一体とされていることが望ましいが、該金属層と超電導体層との積層一体化は、スパッタ法或いは圧延された超電導シートの表面に金属を電着し、更にこの電着複合体を多層化する場合は該複合体を低融点金属浴に浸漬した後圧着するなどの方法によってなされる。また、金属層としては銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレススチール、チタン、ニオブ及びニオブ−チタン合金等の熱伝導性及び電気伝導性の良い金属が採用される。
　その他上記成形体の変更態様としては、前記先行出願に開示されたものと略同様の構成のものが採用される。
　また、磁場発生装置としては、超電導マグネット或いは常電導マグネットが採用可能である。
（作用）
　本発明の超電導磁石の励磁方法についての作用を説明するに当り、その基本的原理を第１図及び第２図を採って説明する。第１図は、環境磁界の強さＢｏ（Ｘ軸）と、該環境磁界内に置かれた第１種超電導体以外の超電導体の近傍若しくはその内部空間で検出される磁界の強さＢｒ（Ｙ軸）との関係を表す磁気特性曲線図である。
　図に於いて、Ｂｏを増加させＢ１（Ａ点）に至る間Ｂｒはゼロである。これは上記超電導体の完全反磁性特性（マイスナー効果）によるものであり、ゼロ〜Ｂ１は該超電導体により環境磁界が完全に遮断された領域で、Ｂ１
は最
　そして、Ｂｏの増加を混合状態領域の任意のＢ２で停止、ここからＢｏを減少させんとすると、超電導体は上記同様環境磁界の変化分だけ増やそうとし、その結果Ｂｒは点Ｂから点Ｄに至る間Ｂ４に維持される。斯かる挙動は鎖交磁束不変の原理に基づくものと考えられる。そして、Ｄの位置から更にＢｏを減少させるとＤ〜Ｅの曲線に沿い、Ｂｏがゼロになったときには上記同様Ｂ３の磁束が超電導体にトラップされることになる。
　亦、環境磁界ＢｏをＢ１からＢ５の間の任意の強さａに設定すると、Ｂｒはｂとなり、この状態からＢｏを減少させると、Ｂｒはｂを維持しＢｏがゼロになった時には超電導体にｃの磁束（ｂ＝ｃで一定）がトラップされることになる。本発明者等は、上記Ｂ−Ｄ間及びｂ−ｃ間の挙動に着目し、多くの試験を繰り返した結果、Ｂ４或いはｂ（ｃ）での維持精度が１／１０１０と極めて高精度であることを知見した。従って、環境磁界ＢｏをＢ５以上に増加させた後ゼロに戻した時には、超電導体にはＢ３の磁界が確実にトラップされる。
Ｂ３は、成形体がトラップできる最大の磁束密度であるので、これを最大トラップ磁束密度という。Ｂ５は、最大トラップ磁束密度Ｂ３に対応する環境磁界であり、最大トラップ磁束密度Ｂ３を生じさせる最
　また環境磁界ＢｏをＢ１からＢ５の間の任意の強さａに設定した後ゼロにした時には、各超電導体固有の特性曲線によって規制された０から
最大トラップ磁束密度
　上記挙動を、Ｂｏ（Ｘ軸）とΔＢ（ΔＢ＝Ｂｏ−Ｂｒ…Ｙ軸）との関係を示した第２図で更に考察する。超電導状態を維持したまま上記の如く操作すると、Ｂｏ・ΔＢ曲線はＸ軸及びＹ軸に対象な略菱形の閉環ループ曲線を描く。ここで、上記の如く超電導体を極低温下（超電導状態となる条件）に置き、環境磁界Ｂｏの強さをゼロからＢ５を超えＢ２に至らしめるとΔＢは点Ａ（最大磁気遮蔽点）を経て点Ｂに至る。ここから環境磁界Ｂｏの強さを減少させると、Ｃ〜Ｅ曲線上の点Ｄに至る。Ｂ〜Ｄ間ではＢｒが一定であるので、ΔＢはＢｏに正比例し図の如く勾配１の直線を描く。更にＢｏの減少を継続させるとＤ〜Ｅ曲線に沿った後ゼロになった時にはＹ軸上の点Ｅに至る。また、環境磁界Ｂｏの強さをＢ１〜Ｂ５間のａにまで増加すると、ΔＢは点Ａを経てｂに至る。この状態から環境磁界Ｂｏの強さを減少させると、上記同様勾配１の直線を辿り、ＢｏがゼロになったときにはＹ軸上の点ｃに至る。上記点Ｅ或いはｃに於けるΔＢは、超電導にトラップされた磁束の強さであり、このトラップ磁束の強さは、環境磁界Ｂｏの強さをＢ５以上にした場合はＢ３に、Ｂ１〜Ｂ５間の任意の強さａにした場合は０〜Ｂ３間のｃとなる。
　而して、本発明は上記基本原理を利用するものであり、各超電導体を一構成部材とする成形体の第２図に示す如き磁気特性データを予め採取し、これを磁界の強さが可変出来る磁場発生装置内に配置して超電導状態（液体ヘリウム或いは液体窒素による極低温状態）に維持させた上で、環境磁界を作用させることにより上記成形体を所望の強さに励磁することが
出来る。０〜最大トラップ磁束密度Ｂ３間の所望の密度の磁束に励磁するには、
（実施例）
　次に本発明の実施例を添付図面に基づき説明する。第３図は本発明の励磁方法に採用される装置の一例を示す概略縦断説明図、第４図乃至第７図はこれに採用される成形体の種々の態様を示す斜視図である。
　第３図に於いて、低温容器１内には超電導マグネット２が配設され、該超電導マグネット２からは電流印加用のリード線２１、２１が導出されている。この超電導マグネット２の内部空間には上述の如く構成された成形体３が配置されている。低温容器１は内外二重の真空層１１、１１から成り、該真空層１１、１１間には液体窒素４が充填されまた該低温容器１内には液体ヘリウム５が満たされ、超電導マグネット２及び成形体３が超電導状態に保持されるようになされている。
　第３図では成形体３が第４図の如き円筒体であることを示し、この円筒状成形体３の筒内部にホール素子等の磁気検出器６が設置されている。
　斯くして、上記の如く整えられた装置に於いて、超電導マグネット２に電流を印加し、その内部空間に磁界を発生させ、第２図の特性曲線から読み取った所望の強さになるまで磁界の強さを増大させる。この後、環境磁界の強さを減少させてゼロにすれば、成形体には所望の磁束がトラップされ、検出器６によってこれが検出される。
　第５図乃至第７図は、成形体３の種々の態様を示し、第５図は一端が閉塞された筒状体であり、第６図は、ディスク状シート体、第７図は環状シート体であることを示す。第４図に示す両端開放の成形体３を含めこれらはいずれも前記先行出願で開示の方法と同様にして調製されるものである。第４図及び第５図に示す成形体の場合、上記検出器６はその筒内に置かれるが、図６図に示す成形体の場合、環境磁界の磁束方向と反対面の近傍に、第７図に示す成形体の場合その環内に置かれる。
（発明の効果）
　叙上の如く、本発明の超電導磁石の励磁方法に於いては、各成形体の磁気特性曲線から読み取った強さの環境磁界にした後、これをゼロにするだけで所望の強さに励磁された超電導磁石を得ることが出来る。しかもこの励磁磁界の強さは、本発明者等が知見した前記超電導体の磁気特性に基づくものである為極めて精度が高い。
　このように特筆すべき効果を有する本発明は、その有用価値は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
　第３図は本発明の励磁方法に採用される装置の一例を示す概略縦断説明図、第４図乃至第７図はこれに採用される成形体の種々の態様を示す斜視図、第１図は環境磁界の強さと該環境磁界内に置かれた超電導体の近傍若しくはその内部空間で検出される磁界の強さとの関係を表す磁気特性曲線図、第２図は環境磁界の強さと環境磁界−貫通磁界との関係を表す磁気特性曲線図である。
（符号の説明）
　１…低温容器、　２…磁場発生装置（超電導マグネット）、　３…成形体、　６…測定用検出器。
【図面】