【事件の表示】
　特許第２８８８９５７号「水評価方法、純水製造方法及びその装置」の請求項１，３および５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８８９５７号の請求項１、３および５に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ　手続の経緯
　本件特許第２，８８８，９５７号の請求項第１ないし６項に係る発明についての出願は、平成２年１０月９日に出願され、平成１１年２月１９日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後異議申立人荒井俊之より請求項１，３および５に係る発明について特許異議の申立てがなされ、取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１２年５月１日に訂正請求書が提出されたものである。
　
II　訂正請求の適否の検討
１．　訂正事項
　本件訂正は、つぎの訂正事項からなる。
（１）　訂正事項Ａ
　　訂正前の請求項１の「次いで該溶液（８）を分析することにより」を「次いで該第１の溶液を蒸発乾固して粉状物を生成し、該粉状物を第２の溶液により溶解し、該第２の溶液を分析することにより」と訂正する。
（２）　訂正事項Ｂ
　　訂正前の請求項３の「該半導体基板と同一の半導体材料に水を接触させ」を「該半導体基板と同一の半導体材料で形成されたパイプの内部に水を通過させることにより、あるいは、該半導体基板と同一の半導体材料で形成された粒状物を詰めた通路中に水を通過させることにより、該半導体材料と水を接触させ」と訂正する。
（３）　訂正事項Ｃ
　　訂正前の請求項５の「該半導体材料部材（１８、２２）と該入口管（１１）から導入される水とが接するように該半導体材料部材（１８、２２）を設ける」を「該半導体材料部材と該入口管から導入される水とが接するように、内部を水が通過できるパイプ形状の半導体材料部材、あるいは、水の通路に詰められた粒状の半導体材料部材を設ける」と訂正する。
（４）　訂正事項Ｄ
　　訂正前の請求項２、４および６について記載形式を独立形式に書き改めて訂正する。
（５）　訂正事項Ｅ
イ）　明細書第３頁７行〜末行（特許第２８８８９５７号公報（以下、単に「特許公報」という。）第２頁第３欄第７行〜第１８行）の「半導体基板を…ように構成する。」を「半導体基板を水中に浸漬し、次いで該基板の少くとも表面近傍を第１の溶液により溶解し、次いで該第１の溶液を蒸発乾固して粉状物を生成し、該粉状物を第２の溶液により溶解し、該第２の溶液を分析することにより、該水中に含まれる不純物量を検出するようにし、また、半導体基板を予め加熱した水中に浸漬し、次いで該基板の少くとも表面近傍を溶液により溶解し、次いで該溶液を分析することにより、該水中に含まれる不純物量を検出するようにし、また、半導体基板を洗浄する純水を製造する際、該半導体基板と同一の半導体材料で形成されたパイプの内部に水を通過させることにより、あるいは、該半導体基板と同一の半導体材料で形成された粒状物を詰めた通路中に水を通過させることにより、該半導体材料と水を接触させ、該半導体材料に該水中の不純物を吸着させることにより、該水中の不純物を除去するようにし、また、半導体基板を洗浄する純水を製造する際、該半導体基板と同一の半導体材料に水を加熱しながら接触させ、該半導体材料に該水中の不純物を吸着させることにより、該水中の不純物を除去するようにし、また、入口管及び出口管と、該入口管及び該出口管の間に介装され、該出口管から排出される純水により洗浄される半導体基板と同一の半導体材料部材を内包する筒状管とを備え、該半導体材料部材と該入口管から導入される水とが接するように、内部を水が通過できるパイプ形状の半導体材料部材、あるいは、水の通路に詰められた粒状の半導体材料部材を設けるように構成し、また、入口管及び出口管と、該入口管及び該出口管の間に介装され、該出口管から排出される純水により洗浄される半導体基板と同一の半導体材料部材を内包する筒状管と、該入口管から導入される水を加熱する加熱手段とを備え、該半導体材料部材と該入口管から導入される水とが接するように該半導体材料部材を設けるように構成する。」と、
ロ）また、明細書第１０頁９行〜第１３頁１行（特許公報第３頁第５欄第３０行〜第６欄第２４行）の「本発明による…でき好ましい。」を「本発明による水評価方法と純水製造方法及びその製造装置は上記目的達成のため、半導体基板を水中に浸漬し、次いで該基板の少くとも表面近傍を第１の溶液により溶解し、次いで該第１の溶液を蒸発乾固して粉状物を生成し、該粉状物を第２の溶液により溶解し、該第２の溶液を分析することにより、該水中に含まれる不純物量を検出するようにし、また、半導体基板を予め加熱した水中に浸漬し、次いで該基板の少くとも表面近傍を溶液により溶解し、次いで該溶液を分析することにより、該水中に含まれる不純物量を検出するようにし、また、半導体基板を洗浄する純水を製造する際、該半導体基板と同一の半導体材料で形成されたパイプの内部に水を通過させることにより、あるいは、該半導体基板と同一の半導体材料で形成された粒状物を詰めた通路中に水を通過させることにより、該半導体材料と水を接触させ、該半導体材料に該水中の不純物を吸着させることにより、該水中の不純物を除去するようにし、また、半導体基板を洗浄する純水を製造する際、該半導体基板と同一の半導体材料に水を加熱しながら接触させ、該半導体材料に該水中の不純物を吸着させることにより、該水中の不純物を除去するようにし、また、入口管及び出口管と、該入口管及び該出口管の間に介装され、該出口管から排出される純水により洗浄される半導体基板と同一の半導体材料部材を内包する筒状管とを備え、該半導体材料部材と該入口管から導入される水とが接するように、内部を水が通過できるパイプ形状の半導体材料部材、あるいは、水の通路に詰められた粒状の半導体材料部材を設けるように構成し、また、入口管及び出口管と、該入口管及び該出口管の間に介装され、該出口管から排出される純水により洗浄される半導体基板と同一の半導体材料部材を内包する筒状管と、該入口管から導入される水を加熱する加熱手段とを備え、該半導体材料部材と該入口管から導入される水とが接するように該半導体材料部材を設けるように構成する。
　本件の水評価方法の発明は、特に半導体基板洗浄に用いられる純水を評価する場合に用いられるものであるが、この他に水中の例えばＮａ＋ 、Ｃａ２＋等の分析として用いてもよい。
　また、水の評価方法の発明において用いられる溶液としては、例えばＳｉ等を溶解させることができるとともに、例えばＮａ＋ 、Ｃａ２＋等、即ち、Ｓｉ等に吸着し易いために半導体基板特性劣化を引き起こし易いアルカリ金属類と化学変化を生じないＨＦ、ＨＮＯ３ 、ＨＦとＨＮＯ３ の混合液等が挙げられる。
　また、水の評価方法の発明においては、実際に基板の洗浄によく用いられる温純水と同一の温度、例えば８０℃に加熱して不純物量を検出する場合であってもよい。この場合、常温純水を用いる場合に比べて、ユースポイントでの基板洗浄効果高めることができ好ましい。
　本件の純水製造方法および純水製造装置の発明においては、不純物の吸着以前、吸着最中、吸着以後の少なくとも１つの工程段階に水を例えば８０℃に加熱する、あるいは加熱手段を有する場合であってもよい。この場合、水評価方法の発明と同様に基板洗浄効果を高めることができ好ましい。また、半導体材料、あるいは半導体材料部材に水が接するときに、水が予めユースポイントでの温度と同一の温度に加熱されると、ユースポイントでの基板吸着の可能性があるイオン等の略全てが吸着されるため、特に、吸着以前の水を加熱する、あるいは加熱手段を有する場合が最も好ましい。
　純水製造装置の発明においては、半導体材料部材としてはＳｉ等からなり、水の内部通過が可能なパイプ状ののもの、あるいは、水の通路に隙間なく詰め込まれたＳｉ等から成る小粒等を用いる場合が挙げられる。特に、Ｓｉ粒を用いる場合は、水と半導体材料部材との接触面積をより大きくすることができ好ましい。」と、それぞれ訂正する。
　
２．　訂正の目的；記載事項の範囲
（１）訂正事項Ａについて
　上記の訂正事項Ａについては、訂正前の請求項１に記載された「次いで該溶液（８）を分析することにより」を、より下位概念である「次いで該第１の溶液を蒸発乾固して粉状物を生成し、該粉状物を第２の溶液により溶解し、該第２の溶液を分析することにより」と限定しようとするものである。当該「次いで該第１の溶液を蒸発乾固して粉状物を生成し、該粉状物を第２の溶液により溶解し、該第２の溶液を分析することにより」は、明細書第１４頁１１〜１７行（特許公報第３頁第６欄第５０行〜第４頁第７欄第５行）に記載されている。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに相当する。
　　また、上記訂正事項Ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
　
（２）　訂正事項Ｂについて
　上記の訂正事項Ｂについては、訂正前の請求項３に記載された「該半導体基板と同一の半導体材料に水を接触させ」を、より下位概念である「該半導体基板と同一の半導体材料で形成されたパイプの内部に水を通過させることにより、あるいは、該半導体基板と同一の半導体材料で形成された粒状物を詰めた通路中に水を通過させることにより、該半導体材料と水を接触させ」と限定しようとするものである。当該「該半導体基板と同一の半導体材料で形成されたパイプの内部に水を通過させることにより、あるいは、該半導体基板と同一の半導体材料で形成された粒状物を詰めた通路中に水を通過させることにより、該半導体材料と水を接触させ」ることは、明細書第１６頁１５行〜第１９頁１６行（特許公報第４頁第７欄第３７行〜第８欄第４２行）に記載されている。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに相当する。
　また、上記訂正事項Ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
　
（３）　訂正事項Ｃについて
　上記の訂正事項Ｃについては、訂正前の請求項５に記載された「該半導体材料部材（１８、２２）と該入口管（１１）から導入される水とが接するように該半導体材料部材（１８、２２）を設ける」を、より下位概念である「該半導体材料部材と該入口管から導入される水とが接するように、内部を水が通過できるパイプ形状の半導体材料部材、あるいは、水の通路に詰められた粒状の半導体材料部材を設ける」 と限定しようとするものである。当該「該半導体材料部材と該入口管から導入される水とが接するように、内部を水が通過できるパイプ形状の半導体材料部材、あるいは、水の通路に詰められた粒状の半導体材料部材を設ける」ことは、上記（２）と同様、明細書第１６頁１５行〜第１９頁１６行（特許公報第４頁第７欄第３７行〜第８欄第４２行）に記載されている。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の滅縮を目的とするものに相当する。
　また、上記訂正事項Ｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
　
（４）　訂正事項Ｄについて
　　訂正前の請求項２，４および６をそれぞれ独立形式に書き改める、上記の訂正事項Ｄについては、訂正前にそれぞれ引用していた請求項１，３および５が訂正されたことに伴い、請求項２，４および６に係る発明を明確にするもので、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記訂正事項Ｄは、当然、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
　
（５）　訂正事項Ｅについて
　上記の訂正事項Ｅについては、訂正事項Ａ〜Ｄの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものである。
　したがって、この訂正は、明りようでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項Ｅは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
　
３．　拡張・変更
　訂正事項Ａ〜訂正事項Ｅは、実質上特許請求の範囲を拡張するものでなく、また、変更するものでもない。
　
４．　独立特許要件
　　訂正事項Ａ〜Ｃは、特許請求の範囲を減縮することを目的とするものであるので、これらの訂正事項による訂正後の特許請求の範囲に記載されている事項により構成される、請求項１、３および５に係る発明が、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて、以下検討する。
　
４．１　　本件訂正発明
　　本件訂正後の請求項１、３および５は、以下のとおりである。
【請求項１】
　　半導体基板を水中に浸潰し、次いで該基板の少くとも表面近傍を第１の溶液により溶解し、次いで該第１の溶液を蒸発乾固して粉状物を生成し、該粉状物を第２の溶液により溶解し、該第２の溶液を分析することにより、該水中に含まれる不純物量を検出することを特徴とする水評価方法。
　
【請求項３】
　　半導体基板を洗浄する純水を製造する際、該半導体基板と同一の半導体材料で形成されたパイプの内部に水を通過させることにより、あるいは、該半導体基板と同一の半導体材料で形成された粒状物を詰めた通路中に水を通過させることにより、該半導体材料と水を接触させ、該半導体材料に該水中の不純物を吸着させることにより、該水中の不純物を除去することを特徴とする純水製造方法。
　
【請求項５】
    入口管及び出口管と、該入口管及び該出口管の間に介装され、該出□管から排出される純水により洗浄される半導体基板と同一の半導体材料部材を内包する筒状管とを備え、該半導体材料部材と該入ロ管から導入される水とが接するように、内部を水が通過できるパイプ形状の半導体材料部材、あるいは、水の通路に詰められた粒状の半導体材料部材を設けることを特徴とする純水製造装置。
　
４．２　取消理由通知の概要
　取消理由通知の概要は、次のとおりである。
（１）請求項１に対して
　刊行物１：１９８８（昭和６３）年９月３０日〜１０月４日に札幌で開催された日本分析化学会第３７年会で発行された分析化学講演要旨集、第１０６５頁
　刊行物２：特開昭６３−７８０５７号公報
　
　請求項１に係る発明は、上記刊行物１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
（２）請求項３に対して
　刊行物３：特開昭６２−１１７６１１号公報
　
　請求項３に係る発明は、上記刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
（３）請求項５に対して
　刊行物３：特開昭６２−１１７６１１号公報
　
（３−１）請求項５に係る装置の発明は、装置として区別ができないから、刊行物３に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
（３−２）請求項５に係る発明は、上記刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
４．３　引用刊行物の記載事項
１）刊行物１の記載事項
　刊行物１は、１９８８年（昭和６３年）９月３０日〜１０月４日に北海道大学で行われた「日本分析化学会第３７年会」の講演要旨の一つであり、「全反射蛍光Ｘ線分析法を用いた定量分析」という表題の講演要旨であり、刊行物１には次の事項が記載されている。
　
（１ａ）　不純物を表面に付着させる従来法
「１．緒言
　全反射蛍光Ｘ線（Total Refrection X-ray Fluorescence）は、微量な試料中の分析に有用である。しかし、その定量性についての報告は少ない。その中で、水溶液試料１０μｌを滴下・真空乾燥させる試料作成法を用いた報告１）がなされているが、この方法では元素の偏析がみられるため測定位置により得られる蛍光Ｘ線強度が異なるという問題がある。
　不純物を表面に付着させる方法として、“水溶液への浸漬・乾燥法”、“金属破片によるこすりつけ”などの方法があるが、これらは定量的ではない。そこで、均一に汚染することができる定量汚染方法を用いて試料作成を行い定量化を試みた。」
　
（１ｂ）定量汚染方法
「２．実験
（１）定量汚染方法２）
　　シリコンウェーハ上に一定濃度・量の汚染溶液を滴下後、スピン乾燥機を用いて乾燥させる方法で、定量的にしかも面内均一に目的元素を汚染できた。不純物溶液は原子吸光用の標準溶液を希釈したものを用いた。実際の不純物量は、表面に存在する自然酸化膜をＨＦで溶解し液中に不純物で溶解し液中に不純物をとりこみ、この回収した液を原子吸光分析装置で測定することで求めた。この汚染方法をＦｉｇ．１に示す。」（なお、丸数字を括弧内数字で書き換えてある。以下同じ）
　
（１ｃ）測定、結果
　　測定には、テクノス社製全反射蛍光Ｘ線分析装置（ＴＲＥＸ６００型）を使用し、１０８〜１０１４　ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の範囲で定量汚染したシリコンウェーハについて測定を行ったことが記載され、その結果、「定量汚染法は面内均一であるため、偏析による影響なしに精度よく分析が行え、表面不純物量既知な標準物質を本法で作成できることがわかった。」との記載とともに、不純物濃度（原子／ｃｍ２）を横軸とし、強度（カウント／２００秒）を縦軸とする「Ｆｉｇ．２　Relation between Impurity Concentration and Intensity（不純物濃度と強度との関係）」が記載されている。
　
２）　刊行物２の記載事項
（２ａ）　特許請求の範囲
「（１）親水性の基板上に一定量の液体を表面張力により保持させ、乾燥し濃縮させて微小領域に染みを発生させた後、該染み内の不純物を機器分析により分析することを特徴とした不純物分析法。」
　
（２ｂ）［産業上の利用分野］の欄
「　この発明は、例えば半導体等に用いる超々純水や電子グレード薬品等に含まれる極微量不純物を分析する不純物分析法に関するものである。」
　
（２ｃ）　実施例（第２頁左上欄第１７行〜左下欄１８行）
「１は表面に鏡面研磨を施し、種々の薬品、超々純水を用いスピン乾燥により超々清浄度を保った半導体集積回路基板として用いられている直径約５インチのシリコン基板（以下基板と称する）である。この基板１を目的とする液体に浸漬し、引き上げると、液自身の表面張力により、基板１上に液体２が一面にうすく乗る。この状態で自然放置すると、約３０秒から数分以内にこの液体２は自然乾燥し、第２図に示すように基板１のどこか一点に大きさが直径数十μｍから数百μｍ、厚さが数十Å〜数百Å程度の染み３を形成する。この場合、液体２の厚さを無視しても計算上、この染み３は約１０８程度に濃縮されたことになり、また厚さを考慮すると、さらに２桁程度濃縮度が高いことになる。このようにして形成した染み３をイオンマイクロアナライザーにかけて極く微量分析を実施する。・・・なお、前述した実施例では機器分析にイオンマイクロアナライザーを用いたが、Ｘ線マイクロアナライザーもしくはオージェ電子分光法を用いても同様の分析が可能であることはいうまでもない。」
　
３）　刊行物３の記載事項
（３ａ）特許請求の範囲
「　濾過装置本体内にシリコン板を設けて成ることを特徴とする濾過装置」（なお、「濾過」の表記は書き換えたものである。以下、同様）
　
（３ｂ）［産業の利用分野］の項（第１頁左下欄）
「　本発明はシリコン板を基体とした半導体装置を製造する際に用いられる薬液中に含まれる異物粒子を除去するための濾過装置に関する。」
　
（３ｃ）除去すべき異物粒子（第１頁左下欄の［従来の技術］の項の冒頭部分）
「　半導体装置を製造する際に用いられる薬液中のたとえば構成成分の結晶、フォトレジスト残などの異物粒子が半導体に付着したばあい、たとえばパターン欠陥などの欠陥が生じるため、薬液中に含まれている異物粒子を除去する必要がある。」
　
（３ｄ）［作用］の項（第２頁左上欄）
「　本発明の濾過装置は異物粒子の大きさに関係なく、特にシリコン製半導体基体に付着しやすい異物粒子を優先的に捕捉するので、該濾過装置で濾過した半導体装置の製造に用いられる薬液を用いたばあい清浄度の高い半導体基体をうることができる。」
　
（３ｅ）実施例の記載（第２頁左上欄〜左下欄）
「　濾過装置本体（１）の上部には薬液注口（３）を有する蓋（２）が、また該濾過装置（１）の底面には薬液出口（４）が設けられている。
　濾過装置本体（１）の内部には多層に設けられたシリコン板（５）を、スリットを有するシリコン板支持部（６）で固定してなる濾過器（７）が設けられている。」
「　使用に際し、薬液注入口（３）から流出した薬液はシリコン板支持部（６）に設けられたスリットを通り、シリコン板（５）と接触する。ここで薬液中に含まれている異物粒子がシリコン板（５）に捕獲され、清浄化された薬液は濾過水路（９）を通り、薬液注出口（４）から流出する。」　
　　
４．４　対比・判断
４−１）訂正請求項１発明について
（１）　本件訂正後の請求項１に係る発明（以下、単に「訂正請求項１発明」という。他の請求項についても同様。）と刊行物１に記載された発明とを対比する。
イ）　刊行物１に記載された発明
　　刊行物１には、不純物溶液として原子吸光用の標準溶液を希釈したものを用い、シリコンウェーハ上に一定濃度・量の汚染溶液を滴下後、スピン乾燥機を用いて乾燥させる方法で、定量的にしかも面内均一に目的元素を汚染した後、それを全反射蛍光Ｘ線分析装置で測定する一方、実際の不純物量を知るために、表面に存在する自然酸化膜をＨＦで溶解し液中に不純物で溶解し液中に不純物をとりこみ、この回収した液を原子吸光分析装置で測定することで求めたことが記載されているから、シリコンウェーハ上に一定濃度・量の汚染溶液を滴下後、スピン乾燥機を用いて乾燥させる方法で、定量的にしかも面内均一に目的元素を汚染した後、表面に存在する自然酸化膜をＨＦで溶解し液中に不純物で溶解し液中に不純物をとりこみ、この回収した液を原子吸光分析装置で測定する方法が記載されている。
　　
ロ）　訂正請求項１発明と刊行物１に記載された上記方法とを対比すると、両者は次の点で一致するが、
＜一致点＞
　　半導体基板を液体試料と接触させ、次いで該基板の少なくとも表面近傍を溶液により溶解する工程を含む処理により得た溶液を分析することにより液体試料中に含まれる不純物量を検出することを特徴とする液体試料評価方法。
　
次の点で相違する。
＜相違点１＞
　　測定される液体試料が、前者においては「水」であるのに対し、後者では「汚染溶液」である点。
＜相違点２＞
　　半導体基板に後続の分析に供される液体試料中の不純物を担持させるための半導体基板の液体試料との接触が、前者では、半導体基板を液体試料中に浸漬することにより行われるのに対し、後者では、半導体基板上に一定濃度・量の液体試料を滴下して接触させ、スピン乾燥機を用い乾燥させられている点。
＜相違点３＞
　　分析に供される溶液が、前者では、該基板の少くとも表面近傍を第１の溶液により溶解し、次いで該第１の溶液を蒸発乾固して粉状物を生成し、該粉状物を第２の溶液により溶解した該第２の溶液であるのに対し、後者では、液体試料と接触、乾燥後の該基板表面に存在する自然酸化膜をＨＦで溶解し液中に不純物で溶解し液中に不純物をとりこみ回収した液である点。
　
（２）上記相違点について検討する。
　　刊行物１には、前記（１ａ）の如く、「不純物を表面に付着させる方法」として、「水溶液への浸漬・乾燥法」は定量的でないと記載され、上記相違点２のように、一定濃度・量の液体試料を半導体基板表面に滴下、乾燥する方法を採用したものであり、純水に含まれる極微量な不純物を容易に、かつ高感度に検出するために、半導体基板を液体試料中に浸漬することは、記載も示唆もされていない。また、相違点３の２種の溶液による分析に供される溶液の２段階調製についても、記載も示唆もない。
　　また、刊行物２には、親水性基板上に一定量の液体を表面張力により保持させる方法として、半導体基板を液体試料中に浸漬することが記載されているが、本件明細書の［作用］の項（特許公報第３頁第６欄２５〜３１行）に記載の如く、半導体に付着しやすい水中の不純物が十分に吸着されることは、記載も示唆もされていない。さらに、刊行物２の発明の分析は、刊行物１の全反射蛍光Ｘ線分析法同様、イオンマイクロアナライザー、Ｘ線マイクロアナライザーもしくはオージェ電子分光法という、いずれも溶液ではなく固体状態の試料を用いる機器分析による水中に含まれる不純物分析法であって、上記相違点３の溶液による分析に供するための溶液調製での濃縮もあいまって、不純物量が容易に、かつ高感度で検出されることについて、何ら教示するところはない。そして、刊行物１の記載によれば、溶液に基板表面を浸漬・乾燥して液体試料中の不純物を付着させることは定量的でないとして否定されている方法であるから、それを避ける方法を採用している刊行物１記載の発明の付着方法に代えて、刊行物２記載の方法を採用する動機付けは存在しない。
　
　　したがって、訂正請求項１発明は、上記刊行物１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
４−２）訂正請求項３発明について
（１）訂正請求項３発明と刊行物３に記載された発明とを対比する。
　　訂正請求項３記載の「純水製造方法」は、「製造方法」と表現されていても、実際には水から水中の不純物を除去し、より清浄な水を形成する方法であり、刊行物３には、記載された濾過装置により清浄化された半導体装置を製造する際用いられる薬液を形成する方法が記載されているので、清浄化された半導体を製造する際用いられる薬液を製造する方法が記載されているといえるから、訂正請求項３発明と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は次の点で一致し、
＜一致点＞
　　半導体を製造する際用いられるより清浄な液体を製造する際、該半導体基板と同一の半導体材料で形成された材料に液体を接触させることにより、該液体中の不純物を除去することを特徴とするより清浄な液体の製造方法。
　
次の点で相違する。
＜相違点１＞
　　製造するより清浄な液体が、前者では「半導体基板を洗浄する純水」であるのに対し、後者では、「半導体装置を製造する際に用いられる薬液」と記載されているだけで具体的な液体の種類が記載されていない点。
＜相違点２＞
　　半導体材料で形成された材料と液体との接触が、前者では、「該半導体基板と同一の半導体材料で形成されたパイプの内部に水を通過させることにより、あるいは、該半導体基板と同一の半導体材料で形成された粒状物を詰めた通路中に水を通過させることにより、該半導体材料と水を接触させ」るものであるのに対し、後者では、「濾過装置内に多層に設けられたシリコン板を、スリットを有するシリコン板支持部で固定してなる濾過器」のシリコン板に薬液を接触させるものである点。
＜相違点３＞
　　液体中の不純物の除去が、前者では、該半導体材料に該水中の不純物を吸着させることによるもので、水中の異物粒子を除去することを意図しているものではないのに対し、後者では、薬液中の異物粒子をシリコン板で捕捉（捕獲）する、液体から固体を分離する「濾過」による除去である点。
　
（２）上記相違点について検討する。
　　刊行物３には、薬液中のたとえば構成成分の結晶、フォトレジスト残などの異物粒子を除去することしか記載されていない。
　　一方、水中の異物粒子を濾過しただけでは「純水」とは通常呼ばれないし、「純水の製造」には、水中に溶存する不純物を除去することを要するが、刊行物３記載の濾過装置が溶存した不純物を吸着により除去できることを示す記載も、刊行物３にはない。さらに、通常もはや異物粒子は存在しないし、構成成分の結晶も存在することのあり得ないところの、訂正請求項３発明の方法の原料水である従来の純水製造装置で作られた純水中の極微量の不純物イオンを吸着除去することは何ら示唆もされていない。
　　訂正請求項３発明は、上記相違点の構成により、より純度の高い高純度純水を製造することを可能にする方法である。（特許公報第４頁８欄［発明の効果］の項等参照）
　　したがって、訂正請求項３発明は、上記刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
４−３）訂正請求項５発明について
（１）訂正請求項５発明と刊行物３に記載された発明とを対比する。
　　訂正請求項５記載の「純水製造装置」は、「製造装置」と表現されていても、実際には水から水中の不純物を除去し、より清浄な水を形成する装置であり、刊行物３には、薬液をより清浄化された薬液に形成する濾過装置が記載されているので、訂正請求項３発明と刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は次の点で一致し、
＜一致点＞
    入口管及び出口管と、該入口管及び該出口管の間に介装され、該出口管から排出される液体により洗浄される半導体基板と同一の半導体材料部材を内包する筒状管とを備え、該半導体材料部材と該入口管から導入される液体とが接するように、半導体材料部材を設けることを特徴とするより清浄な液体を形成する装置。
　
次の点で相違する。
＜相違点１＞
　　形成されるより清浄な液体が、前者では「純水」であるのに対し、後者では、「半導体装置を製造する際に用いられる薬液」と記載されているだけで具体的な液体の種類が記載されていない点。
　
＜相違点２＞
　　液体中の不純物の除去が、前者では、純水の製造を目的とし、水中の異物粒子を除去することを意図しているものではないのに対し、後者では、薬液中の異物粒子の除去、すなわち液体から固体を分離する「濾過」である点。
　
＜相違点３＞
　　半導体材料で形成された材料と液体との接触が、前者では、「内部を水が通過できるパイプ形状の半導体材料部材、あるいは、水の通路に詰められた粒状の半導体材料部材を設けること」によるものであるのに対し、後者では、「濾過装置内に多層に設けられたシリコン板を、スリットを有するシリコン板支持部で固定してなる濾過器」のシリコン板に薬液を接触させるものである点。
　
（２）上記相違点について検討する。
　　刊行物３には、薬液中のたとえば構成成分の結晶、フォトレジスト残などの異物粒子を濾過により除去することしか記載されていない。
　　一方、水中の異物粒子を濾過しただけでは「純水」とは通常呼ばれないし、「純水の製造」には、水中に溶存する不純物を除去することを要するが、刊行物３記載の濾過装置が、溶存した不純物を吸着により除去できることを示唆する記載も、刊行物３には何ら示唆もされていない。訂正請求項５発明は、上記相違点の構成により、より純度の高い高純度純水を製造することを可能にする装置である。（特許公報第４頁８欄［発明の効果］の項等参照）
　　したがって、訂正請求項５発明は、上記刊行物３に記載された発明と同一であるとも、上記刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいうことはできない。
　
４．５　独立特許要件についての検討結果
　以上検討したところによれば、訂正請求項１発明、訂正請求項３発明および訂正請求項５発明は、本件特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
５．　訂正適否の検討結果
　　したがって、本件訂正は、特許法１２０条の４第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III　特許異議の申立
１．　本件発明
　　本件請求項１，３および５に係る発明は、本件訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、３および５に記載されたとおりのものである。（前記ＩＩ　４．１参照）
２．　申立の概要
　特許異議申立人の申立の概要は、次のとおりである。
（１）　請求項１に係る発明は、上記刊行物１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
（２）　請求項３に係る発明は、上記刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
（３）　請求項５に係る発明は、上記刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
３．　申立についての検討
　　本件請求項１に係る発明が、刊行物１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができないものであること、また、本件請求項３に係る発明が刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができないものであること、さらに、本件請求項５に係る発明が、刊行物３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができないものであることは、前記II４．４で述べたとおりである。
　　そうすると、特許異議申立人の申立は、理由がない。
　
IV　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１、３および５に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１、３および５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月１３日（２０００．７．１３）