【事件の表示】
　特許第３０４７２４８号「クリーニング方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０４７２４８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
　【１】　手続きの経緯 
　特許出願　　　　　　平成２年１０月１９日
　特許権設定登録　　　平成１２年３月２４日
　特許異議の申立て　　平成１２年１１月２９日
　取消理由通知　　　　平成１３年３月１日
　訂正請求　　　　　　平成１３年５月１４日
　【２】　訂正の適否について
　［１］　訂正事項
　１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に係る記載の「前記処理容器内を、４５０°Ｃ以上の処理温度に保った状態で、該処理容器内に希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給し、」を「前記処理容器内を、４５０°Ｃ〜６５０°Ｃの処理温度に保った状態で、該処理容器内に１０〜５０体積％に希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給し、」に訂正する。
　２　訂正事項２
　明細書第４頁第２０行〜第５頁第１５行の「（課題を解決するための手段）……（作用）」を、「（課題を解決するための手段）
すなわち本発明のクリーニング方法は、被処理物を収容し、該被処理物に成膜処理を施す石英製の処理容器の内部をクリーニングするに際し、 前記処理容器内を、４５０°Ｃ〜６５０°Ｃの処理温度に保った状態で、該処理容器内に１０〜５０体積％に希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給し、 前記処理温度及び前記クリーニングガスのガス流量を調整することによって、前記処理容器内が、２Ｔｏｒｒより低い圧力で、かつ、該処理容器内に付着したポリシリコン被膜のエッチングレートが前記処理容器を構成する石英のエッチングレートより大きくなる状態として、該処理容器内に付着したポリシリコン被膜を除去することを特徴とする。
　また、請求項２の発明は、請求項１記載のクリーニング方法において、 前記希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを前記処理容器内にパルス状に供給することを特徴とする。
　また、請求項３の発明は、請求項１記載のクリーニング方法において、 前記希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスの供給期間に、前記処理容器に超音波を印加することを特徴とする。
（作用）
」と訂正する。
　［２］　訂正の目的の適正、新規事項の有無及び拡張、変更の存否    
　１　訂正事項１による訂正について
　処理温度について、「４５０°Ｃ以上」を「４５０°Ｃ〜６５０°Ｃ」と限定し、希釈の程度について、「１０〜５０体積％」と限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この訂正事項は、願書に添付した明細書の明細書第５頁第１６０行〜第６頁第１０行の記載に基づくものである。
　２　訂正事項２による訂正について
　訂正事項１による訂正に伴なって生じる請求項１の記載と発明の詳細な説明の項との記載との不整合の解消を図るためのものであり、明細書の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、訂正事項１及び訂正事項２による訂正は、明らかに新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　［３］　むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　【３】　特許異議申立人よりの特許異議の申立てについての判断
　［１］　特許異議申立人が掲げている特許異議の申立ての理由の概要は、次のとおりである。
　本件請求項１に係る発明が、下記の甲第１号証刊行物に記載された発明に基づいて、又は、甲第１号証刊行物及び甲第２号証刊行物（甲第３号証刊行物ないし甲第６号証刊行物は、周知慣用例）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　甲第１号証刊行物：特開平１−２３１９３６号公報
　甲第２号証刊行物：特開平２−９７６７９号公報
　甲第３号証刊行物：特開平２−７７５７９号公報
　甲第４号証刊行物：特開平２−１８５９７７号公報
　甲第５号証刊行物：特開平１−９２３８５号公報
　甲第６号証刊行物：特開昭６２−１２７３９７号公報
　［２］　前記理由について検討する。
　１　本件特許の請求項１に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認める。
　「【請求項１】　被処理物を収容し、該被処理物に成膜処理を施す石英製の処理容器の内部をクリーニングするに際し、前記処理容器内を、４５０°Ｃ〜６５０°Ｃ以上の処理温度に保った状態で、該処理容器内に１０〜５０体積％に希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給し、前記処理温度及び前記クリーニングガスのガス流量を調整することによって、前記処理容器内が、２Ｔｏｒｒより低い圧力で、かつ、該処理容器内に付着したポリシリコン被膜のエッチングレートが前記処理容器を構成する石英のエッチングレートより大きくなる状態として、該処理容器内に付着したポリシリコン被膜を除去することを特徴とするクリーニング方法。」
　２　本件請求項１に係る発明は、処理容器内に付着したポリシリコン被膜のエッチングレートが前記処理容器を構成する石英のエッチングレートより大きくなる状態として、ポリシリコン被膜を除去することを必須の構成とするするものであって、４５０°Ｃ〜６５０°Ｃの高温の処理温度に保ったものにおいて、この状態とするための必要条件として、処理容器内の圧力を２Ｔｏｒｒより低い圧力とするばかりでなく、ＣｌＦ３の希釈率を１０〜５０体積％とし、流量についても調整することを必須の構成要件として具備している。
　ところで、特許請求の範囲の請求項１に記載された「４５０°Ｃ〜６５０°Ｃ以上の処理温度に保った状態」とは、特許異議意見書の第５頁第１４行ないし第１７行において「高温下（成膜処理の温度と同様な温度下）で処理容器にダメージを与えることなく、処理容器内部のクリーニングをできるようにしたものであり、これによって、成膜処理時とクリーニング時における昇温、降温処理を不要とし、」と記載されていること及び訂正明細書の第６頁第１７行ないし第２０行において「反応容器２内温度を４５０°Ｃ〜６５０°Ｃという処理温度に設定しているため、成膜工程およびクリーニング工程間での移行の際に、反応容器２内の温度を昇降温する必要がなく、」と記載されていることからして、被処理物に成膜処理を施す処理温度に保った状態を記載したものであるとすることができる。
　これに対して、甲第１号証刊行物に記載された発明におけるクリーニング時の温度は、被処理物に成膜処理を施す処理温度から降温させた温度であり、本件請求項１に係る発明における温度とは相違する。
　以上のとおりであるから、甲第１号証刊行物ないし甲第６号証刊行物には、前記した必須の構成要件については記載されていない。
　そして、本件請求項１に係る発明は前記した必須の構成要件を具備していることにより、処理温度近傍の高温に処理容器内を保った状態で、処理容器へのダメージを抑制しつつ、被膜を効率よく除去することが可能であり、処理容器内温度をほとんど変更することなく、成膜等の処理工程とクリーニング工程とを連続して行うことが可能となるという明細書記載の作用効果を奏し、所期の目的を達成できるものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は甲第１号証刊行物ないし甲第６号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　【４】　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１に係るを特許を取り消すことができない。
　また、他に本件特許の請求項１に係るを特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月８日（２００１．６．８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　【１】　訂正事項
　１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に係る記載の「前記処理容器内を、４５０°Ｃ以上の処理温度に保った状態で、該処理容器内に希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給し、」を「前記処理容器内を、４５０°Ｃ〜６５０°Ｃの処理温度に保った状態で、該処理容器内に１０〜５０体積％に希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給し、」に訂正する。
　２　訂正事項２
　明細書第４頁第２０行〜第５頁第１５行の「（課題を解決するための手段）……（作用）」を、「（課題を解決するための手段）
すなわち本発明のクリーニング方法は、被処理物を収容し、該被処理物に成膜処理を施す石英製の処理容器の内部をクリーニングするに際し、前記処理容器内を、４５０°Ｃ〜６５０°Ｃの処理温度に保った状態で、該処理容器内に１０〜５０体積％に希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給し、前記処理温度及び前記クリーニングガスのガス流量を調整することによって、前記処理容器内が、２Ｔｏｒｒより低い圧力で、かつ、該処理容器内に付着したポリシリコン被膜のエッチングレートが前記処理容器を構成する石英のエッチングレートより大きくなる状態として、該処理容器内に付着したポリシリコン被膜を除去することを特徴とする。
　また、請求項２の発明は、請求項１記載のクリーニング方法において、前記希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを前記処理容器内にパルス状に供給することを特徴とする。
　また、請求項３の発明は、請求項１記載のクリーニング方法において、前記希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスの供給期間に、前記処理容器に超音波を印加することを特徴とする。
（作用）
（５４）【発明の名称】
クリーニング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　被処理物を収容し、該被処理物に成膜処理を施す石英製の処理容器の内部をクリーニングするに際し、前記処理容器内を、４５０℃
〜６５０℃
１０〜５０体積％に
　【請求項２】　請求項１記載のクリーニング方法において、前記希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを前記処理容器内にパルス状に供給することを特徴とするクリーニング方法。
　【請求項３】　請求項１記載のクリーニング方法において、前記希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスの供給期間に、前記処理容器に超音波を印加することを特徴とするクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
　本発明は、クリーニング方法に関する。
（従来の技術）
　従来から、半導体デバイスの製造工程において、半導体ウエハ等の被処理基板へのポリシリコン膜やシリコンエピタキシャル成長膜等のＳｉ系被膜を減圧ＣＶＤや常圧ＣＶＤ等によって成膜することが行われている。
　このようなＳｉ系被膜の成膜工程では、石英等からなる反応容器の周囲に加熱用ヒータを配置して構成された熱処理装置が一般的に用いられており、例えば所定温度に保持された反応容器内にウエハボートに収納された多数枚の半導体ウエハをローディングした後、ＳｉＨ４やＳｉＨ２Ｃｌ２、ＨＣｌ、Ｈ２等の反応性ガスを反応容器内に導入することによって、Ｓｉ系被膜の成膜処理が行われる。なお、半導体ウエハのロード・アンロードは、通常、処理温度近傍の温度に保持された反応容器に対して行われる。
　ところで、上記したような成膜工程を実施すると、熱処理装置の反応容器やその他石英治具類等にもＳｉ系被膜が被着する。この反応容器等に被着したＳｉ系被膜は、膜厚が増加すると剥離して飛散し半導体ウエハに付着して、半導体ウエハの歩留り低下要因等となるため、通常は、ある頻度で反応容器内の温度を常温付近まで降温した後、反応容器や石英治具類等を取り外し、ウェット洗浄することによってＳｉ系被膜を除去することが行われている。
（発明が解決しようとする課題）
　しかしながら、上述したようなウェット洗浄による熱処理装置のクリーニング法では、反応容器内温度の昇降温や反応容器等の取り外し等に伴う装置停止時間が非常に長いため、熱処理装置の稼働効率を低下させてしまうという問題があった。
　また、熱処理装置においてもロードロックシステムのように、反応容器内やローディング部を常に真空保持することが考えられており、このような場合には、クリーニング対象物を容易に取り外すことができなくなるという問題がある。また、半導体ウエハの大口径に伴い装置が大型化した場合、同様な問題を有する。
　一方、最近になって装置内にエッチングガスを流してクリーニングを行う方法が用いられ始めており、特にＣｌＦ３を用いるとプラズマ状態にしなくてもクリーニングを行えることが報告されている。しかしながら、ＣｌＦ３は反応性が高いため、４００℃以上で使用することは考えられておらず、通常クリーニングは４００℃以下で行われている。従って、４００℃以上特に６００℃以上で成膜を行う工程においては、ＣｌＦ３クリーニングを行うためには装置内の温度を４００℃以下まで降温しなければならず、長期間のクリーニングとなっていた。
　本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、処理容器内に付着した被膜のクリーニングを、短時間で効率よくかつ安全に実施することを可能にしたクリーニング方法を提供することを目的としている。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　すなわち本発明のクリーニング方法は、被処理物を収容し、該被処理物に成膜処理を施す石英製の処理容器の内部をクリーニングするに際し、
　前記処理容器内を、４５０℃
〜６５０℃
１０〜５０体積％に
　前記処理温度及び前記クリーニングガスのガス流量を調整することによって、前記処理容器内が、２Ｔｏｒｒより低い圧力で、かつ、該処理容器内に付着したポリシリコン被膜のエッチングレートが前記処理容器を構成する石英のエッチングレートより大きくなる状態として、該処理容器内に付着したポリシリコン被膜を除去することを特徴とする。
　また、請求項２の発明は、請求項１記載のクリーニング方法において、
　前記希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスを前記処理容器内にパルス状に供給することを特徴とする。
　また、請求項３の発明は、請求項１記載のクリーニング方法において、
　前記希釈されたＣｌＦ３を含むクリーニングガスの供給期間に、前記処理容器に超音波を印加することを特徴とする。
（作用）
　本発明のクリーニング方法においては、例えば４５０℃〜６５０℃という処理温度近傍の温度に処理容器内を保った状態で、ＣｌＦ３を含むクリーニングガスを導入することによって、処理容器内のクリーニングを行うため、被膜を効率よく除去することが可能であると共に、処理容器内温度をほとんど変更することなく、成膜等の処理工程とクリーニング工程とを連続して行うことが可能となる。よって、クリーニングに伴う装置停止時間を大幅に低減することが可能となる。また、ＣｌＦ３が例えば１０〜５０体積％の範囲で含まれるクリーニングガスを使用するため、上記したような温度状態の処理容器内にＣｌＦ３を含むクリーニングガスを供給しても、エッチング効果を維持した上で処理容器等へのダメージを抑制することができる。
（実施例）
　以下、本発明方法をバッチ式縦型熱処理装置のクリーニングに適用した実施例について、図面を参照して説明する。
　第１図に示すように、縦型熱処理装置１は処理容器例えば２重管構造の反応容器２を有しており、この反応容器２は、例えば石英によって形成された外筒３と、この外筒３内に同心的に所定の間隔を設けて収容された、例えば石英からなる内筒４とから構成されている。また、反応容器２の周囲には、この反応容器２を囲繞する如く加熱ヒータ５および図示を省略した断熱材等が配置されている。
　上記反応容器２下方の開口部２ａは、円盤状のキャップ部６により密閉されるよう構成されており、このキャップ部６上に設置された保温筒７の上方に、被処理物である複数の半導体ウエハ８が所定のピッチで積層収容された例えば石英からなるウエハボート９が搭載される。これらウエハボート９、保温筒およびキャップ部６は、図示を省略した昇降機構によって、一体となって反応容器２内にローディングされる。
　また、反応容器２の下端部には、ガス導入管１０がガス吐出部１０ａを内筒４内に直線的に突出させて設けられている。上記ガス導入管１０には、反応ガス供給系１１とクリーニングガス供給系１２とが接続されており、これらの切替えはバルブ１３、１４で行われる。
　上記クリーニングガス供給系１２は、エッチングガス源であるＣｌＦ３ガス供給部１５と、希釈用のキャリアガス例えばＮ２ガス供給部１６とを有しており、それぞれマスフローコントローラ１７、１８およびバルブ１９、２０等を介してガス導入管１０に接続されている。そして、上記マスフローコントローラ１７、１８で、ＣｌＦ３ガスおよびＮ２ガスそれぞれの供給流量を調節することによって、ＣｌＦ３濃度が所定濃度に希釈されたクリーニングガスがガス導入管１０側に供給される。また、ＣｌＦ３ガス供給部１５側の配管系２１には、テープヒータ２２が巻装されており、ＣｌＦ３ガスが配管内で再液化することを防止している。
　また、反応容器２内にガス導入管１０を介して導入されたガスは、反応容器２の下端部の外筒３と内筒４との間隙に開口された排気管２３を介して真空ポンプ２４へと排出される。
　なお、上記真空ポンプ２４としては、オイルフリーのドライポンプを用いることが好ましい。これは、クリーニングガスとしてＣｌＦ３を用いているため、ポンプオイルの劣化やオイル中に混入した塩素やフッ素によるポンプ本体の劣化を招く可能性が高いためである。
　また、ポンプ２４から排出されたＣｌＦ３を含むガスは、有害、危険なガス成分を除害装置２５により取り除き排気される。除外装置２５には、有害、危険なガスを吸着または分解する薬剤の入った筒２６が収納されている。
　次に、上記縦型熱処理装置を用いたポリシリコン膜の成膜工程と、反応容器内のクリーニグ工程について説明する。
　まず、成膜工程を説明する。処理温度例えば４５０℃〜６５０℃程度の温度に加熱された反応容器２内に、多数枚の８インチ径の半導体ウエハ８を収容したウエハボート９をローディングし、キャップ部６によって反応容器２を密閉する。次いで反応容器２内を例えば１×１０−３Ｔｏｒｒ程度に減圧した後、ＳｉＨ４等の処理ガスをガス導入管１０から所定流量供給し、例えば１．０Ｔｏｒｒ程度の真空度に保持しながら、半導体ウエハ８への成膜処理を行う。この際、クリーニングガス供給系１２側の切替えバルブ１４は、閉状態とされている。
　上記成膜処理を終了した後は、水素パージや窒素パージ等を行って、反応容器２内の処理ガスを除去し、無害な雰囲気で常圧状態とした後、ウエハボート９を上記反応容器２からアンローディングする。この際、反応容器２内の温度は、上記成膜処理温度を維持する。
　次に、キャップ部６によって反応容器２を密閉し、上記処理温度すなわち４５０℃〜６５０℃の温度に加熱された反応容器２内に、クリーニングガスをガス導入管１０から供給し、圧力１．２Ｔｏｒｒで反応容器２内に付着したＳｉ系被膜の除去処理を行う。
　このクリーニング処理に先立って、予めクリーニングガス中のＣｌＦ３濃度が１０〜５０体積％となるように、ＣｌＦ３ガスおよびＮ２ガスそれぞれの供給流量をマスフローコントローラ１７、１８で調節しておく。上記クリーニングガス中のＣｌＦ３濃度が１０体積％未満では、上記したような高温下での処理によってもエッチングレートが小さすぎ、また５０体積％を超えると、反応容器２等に対するダメージが大きくなりすぎる。第２図にポリ−ＳｉとＳｉＯ２のエッチングレートの温度依存性を示す。第３図および第４図はそれぞれポリ−Ｓｉと石英のエッチングレートのガス流量依存性と圧力依存性を示す。第４図において、ポリ−Ｓｉと石英のエッチングレートが等しくなる圧力をクロスポイント圧力とし、それの温度依存性とガス流量依存性をそれぞれ第５図および第６図に示す。従って、温度、ガス流量によりクロスポイントがずれるため、温度とガス流量によって圧力を調整し、ポリ−Ｓｉのエッチングレートが石英のエッチングレートよりも大きい圧力でクリーニングを行うことが望ましい。
　また、反応容器２内の圧力は、５．０Ｔｏｒｒ以下、好ましくは３．０Ｔｏｒｒ以下の範囲に設定することが望ましい。これは、反応容器２内の圧力が高いほど反応容器２等に対するダメージが大きくなる反面、Ｓｉのエッチングレートが小さくなるためである。そこで、上記反応容器２内の温度およびクリーニングガス中のＣｌＦ３濃度や真空ポンプ２４の排気能力を考慮した上で、反応容器２内の圧力は、上記した範囲とすることが好ましい。
　このように、４５０℃〜６５０℃の温度に加熱された反応容器２内に、ＣｌＦ３濃度が１０〜５０体積％のクリーニングガスを導入し、反応容器２内のクリーニングを行うことによって、反応容器２等に対してダメージを与えることなく、十分なエッチングレートで付着したポリシリコン膜を除去することができる。また、反応容器２内温度を４５０℃〜６５０℃という処理温度に設定しているため、成膜工程およびクリーニンング工程間での移行の際に、反応容器２内の温度を昇降温する必要がなく、クリーニングに要する時間を大幅に短縮することができる。よって、熱処理装置の稼働効率の向上が図れる。また、プラズマレスでクリーニング処理することが特徴である。
　また、装置構造は、ガス導入管１０のガス吐出部１０ａを内筒４４内に直線的に突出させているため、保温筒８にクリーニングガスが当たり、反応容器２内でクリーニングガスの乱流が起こり、ガス導入管１０と対向する部分のクリーニングも十分に行うことができる。
　次に、上記したクリーニング方法による反応容器等に対するダメージや成膜処理に対する影響を評価した結果について説明する。
　まず、模擬的にポリシリコン膜を１０μｍの膜厚で成膜した石英治具に対して、６３０℃に加熱した１．３Ｔｏｒｒの炉内で、ＣｌＦ３濃度を２０体積％に調整したクリーニングガス（キャリアガス：Ｎ２）で１２０分のクリーニングを実施したところ、ポリシリコン膜はほぼ完全に除去でき、かつ石英治具の厚さ減少量は６〜１０μｍであった。また、石英治具表面の粗さもほとんど増加せず、上記クリーニングを実施しても反応容器等に対してほとんどダメージを与えることがないことが判明した。
　次に、上記クリーニングによるダストの増加量を測定した。測定方法は、まずウェット洗浄した反応容器内に、清浄な８インチウエハを下部、中央部および上部の３箇所にセットしたウエハボートをローディングし、Ｎ２ガスによる空処理（処理温度：６３０℃、容器内圧力：１．３Ｔｏｒｒ、処理時間：３０分、Ｎ２流量：１ＳＣＭ）を行った。このＮ２ガス処理前のウエハ上の０・３μｍ以上のパーティクル数（３枚のウエハの平均値）を初期値とし、この値からの増加量を各処理後に測定した。処理は、まず膜厚０．６μｍでボリシリコン膜を成膜し、次いで膜厚１０μｍでボリシリコン膜を成膜した後、処理温度６３０℃で、容器内圧力１．３Ｔｏｒｒ、処理時間１２０分、流量３．５ＳＣＭ、ＣｌＦ３濃度２０体積％の条件でクリーニングを実施し、以上のサイクルを複数回繰り返し行った。なお、パーティクル数の測定は、成膜後には各２回、クリーニング後には各４回づつ行った。その結果を第７図に示す。
　第７図から明らかなように、Ｓｉ膜成膜後とクリーニング後とを比較しても特別優位差はなく、上記ＣｌＦ３によるクリーニングが反応容器内の清浄度に悪影響を及ぼすことがないことが分る。
　また、上記クリーニングのコンタミネーションに対する影響を以下に示す方法によって評価した。まず、上記ダスト測定時と同様な条件でクリーニングを実施前と実施後に、清浄な半導体ウエハ上に形成したＳｉ系被膜の不純物量（Ｃ１、Ｆ、Ｆｅ）を微量分析機（ＳＩＭＳ）にて測定し、膜中の不純物量を比較した。その結果を第８図および第９図に示す。
　第８図および第９図から明らかなように、処理前のウエハ中の不純物量と、クリーニング後に成膜した膜中の不純物量とを比較しても特別優位差はなく、上記ＣｌＦ３によるクリーニングが成膜処理に対するコンタミネーションに悪影響を及ぼすことがないことが分る。
　これら評価結果からも明らかなように、本発明のクリーニング方法によれば、反応容器等や成膜処理に対して悪影響を及ぼすことなく、短時間にかつ効率よく反応容器等に付着したＳｉ系被膜を除去することが可能であることが分る。
　なお、上記実施例において、クリーニングガスの供給は、パルス的（間欠的）に供給してもよいし、適宜処理容器内で乱流が生じるように供給してもよい。
　さらに、上記実施例において、処理容器内への少なくともクリーニングガス供給期間、処理容器に超音波を印加するとさらに迅速に処理できる。この超音波の印加も強弱をつけると、さらに高速クリーニングが可能になる場合がある。
［発明の効果］
　以上説明したように、本発明のクリーニング方法によれば、４５０℃以上の高温下で処理容器等に対してダメージを与えることなく、例えば成膜処理に対して悪影響を及ぼすことなく、短時間にかつ効率よく処理容器内部のクリーニングを実施することができる。よって、装置の稼働効率の大幅な向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明方法を適用した縦型熱処理装置の概要を示す図、第２図はポリ−ＳｉとＳｉＯ２のエッチングレートの温度依存性を示す図、第３図はポリ−Ｓｉと石英のエッチングレートのガス流量依存性を示す図、第４図はポリ−Ｓｉと石英のエッチングレートの圧力依存性を示す図、第５図はポリ−Ｓｉと石英のエッチングレートが等しくなる圧力の温度依存性を示す図、第６図はポリ−Ｓｉと石英のエッチングレートが等しくなる圧力のガス流量依存性を示す図、第７図は本発明の実施例で測定したクリーニング後のダスト量をクリーニング前のダスト量と比較して示すグラフ、第８図および第９図はそれぞれ本発明の一実施例で測定したクリーニング後に成膜した膜中の不純物量をクリーニング前の不純物量と比較して示すグラフである。
　１……縦型熱処理装置、２……反応容器、５……加熱ヒータ、８……半導体ウエハ、９……ウエハボート、１０……ガス導入管、１０ａ……ガス吐出部、１１……反応ガス供給系、１２……クリーニングガス供給系、１３、１４……切替えバルブ、１５……ＣｌＦ３ガス供給部、１６……Ｎ２ガス供給部、１７、１８……マスフローコントローラ、２３……排気管、２４……真空ポンプ。