【事件の表示】
　特許第２８０１５３４号「パワー半導体モジュールおよびそれに使用する絶縁金属基板」の請求項１、１１〜１６、１８についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８０１５３４号の請求項１、７〜１０、１２についての特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第２８０１５３４号（平成６年９月１４日出願、平成１０年７月１０日設定登録）は、異議申立人吉成迪夫より特許異議の申立てがなされ、取消理由（第１回）を通知し、その指定期間内である平成１２年６月１６日に訂正請求がなされた後、新たに取消理由（第２回）を通知し、その指定期間内である平成１２年８月９日に新たな訂正請求がなされたものである。
　なお、平成１２年６月１６日付け訂正請求は取り下げられた。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）特許請求の範囲の請求項１に請求項２及び４の構成を追加し、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」の「平行に」という語を削除する。
（１−２）同請求項２、４、５及び６を削除する。
（１−３）同請求項１１に請求項１３の構成を追加し、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」の「平行に」という語を削除する。
（１−４）同請求項１３及び１４を削除する。
（１−５）同請求項１８に同請求項３５、３６及び３８の構成を追加し、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」の「平行に」という語を削除する。
（１−６）同請求項１９〜３６、３８及び３９を削除する。
（１−７）同請求項３、７〜１２、１５〜１８、３７及び４０〜４２の項数を繰り上げ、「２、３〜８、９〜１２、１３、及び１４〜１６」と訂正する。この訂正とともに、引用形式の同請求項３、７〜１０、１２、１５〜１７、３７、４０〜４２については、引用先の番号も訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び拡張・変更の存否
（２−１）上記訂正事項１）は、訂正前の請求項（以下、「旧請求項」という。）１における「相対的に厚い伝導性材料の底板」、「放熱板を構成する少なくとも一つの伝導プレート」及び「複数の半導体チップ」を、より下位概念である「上記相対的に厚い底板および上記伝導プレートがアルミニユームである」及び「複数の半導体チップがＩＧＢＴチップを含む」と限定するものであり、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」を「中心に沿う線に配置され」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
（２−２）上記訂正事項２）は、旧請求項２、４、５及び６を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−３）上記訂正事項３）は、旧請求項１１における「複数の半導体チップ」を、より下位概念である「複数の半導体チップがＩＧＢＴチップからなる」と限定するものであり、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」を「中心に沿う線に配置され」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−４）上記訂正事項４）は、旧請求項１３及び１４を削除するものであるから、特許請求の範囲の削除に該当する。
（２−５）上記訂正事項５）は、旧請求項１８における「熱伝導基板」を、「上記熱伝導板が・・・伝達されるよう構成されており」と限定するとともに、「複数の半導体チップ」及び「伝導プレート」を、「複数の半導体チップがＩＧＢＴチップを含む」及び「アルミニユームの伝導プレート」と限定するものであり、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」を「中心に沿う線に配置され」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−６）上記訂正事項６）は、旧請求項１９〜３６、３８及び３９を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
（２−７）上記訂正事項７）は、旧請求項３、７〜１２、１５〜１８、３７及び４０〜４２の項数を繰り上げるとともに、引用形式の旧請求項３、７〜１０、１２、１５〜１７、３７、４０〜４２の引用先の番号を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項１）〜７）は、いずれも願書に添付した明細書又は図面（以下、「特許明細書」という。）に記載した事項の範囲内であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものでもない。
　
（３）独立特許要件
（３−１）本件発明
　上記訂正明細書の請求項１〜１６に係る発明（以下、「本件発明１〜１６」という。）は、それぞれ特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】絶縁外装と、該外装内で相互接続されて所定の電気回路を形成する、ＩＧＢＴチップを含む複数の半導体チップと、上記外装により一つの表面上にて包囲されるとともに該一つの表面上に上記複数の半導体チップを支持する熱伝導性を有する基板と、上記半導体チップにより形成された上記電気回路に一端が接続されて、上記外装の外部回路への接続のために上記外装を介して延在する複数の端子とを含み、上記熱伝導性を有する基板が平坦で相対的に厚い伝導性材料のアルミニユームの底板と、該底板の上部の相対的に薄い絶縁材料層と、該絶縁材料層の上に配置されるとともに上記絶縁材料層の上に所定の幾何学的形状を有する相対的に薄い伝導性材料層とを含み、実質的に全底面にわたって上記相対的に薄い伝導性材料層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つのアルミニユームの伝導プレートからなり、少なくとも選択された個数の上記半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて、上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートの全領域へ伝達されるように構成したことおよび上記絶縁外装内に囲われるとともに上記熱伝導性基板の上方に配置された端子支持板を備え、該端子支持板は間隔をあけた複数の開口を有し、上記複数の端子は複数の開口を貫通して受合われるとともに、上記端子を互いに平行に隔てられ絶縁された関係に支持するため上記端子の長さ方向に沿って中間部が固定されたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】請求項１記載のパワー半導体モジュールであって、上記伝導プレートが長方形で、かつ上記相対的に厚い底板の全幅に近い幅を有してなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項３】請求項１記載のパワー半導体モジュールであって、上記複数の半導体チップがさらに上記ＩＧＢＴチップの各々のものと並列に接続されている高速リカバリダイオードを含むことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項４】請求項３記載のパワー半導体モジュールであって、上記高速リカバリダイオードチップが互いに間隔をおいて上記ＩＧＢＴの線に平行な線に沿って配置されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項５】請求項１記載のパワー半導体モジュールであって、上記ＩＧＢＴチップがそのゲート電極と直列にゲート抵抗を有しており、上記ゲート抵抗が各ＩＧＢＴチップにそれぞれ集積されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項６】請求項５記載のパワー半導体モジュールであって、上記複数の半導体チップがさらに上記ＩＧＢＴチップのそれぞれのものと並列に接続されている高速リカバリダイオードを含むことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項７】ＩＧＢＴチップからなる複数の半導体チップを装着するための絶縁金属基板であって、該絶縁金属基板は、伝導性材料からなる平坦で相対的に厚い底板と、該底板の上部の相対的に薄い絶縁材料層とを有し、該絶縁材料層の上に配置されるとともに上記絶縁材料層の上に所定の幾何学的形状を有する相対的に薄い伝導性材料層を有することを特徴とし、さらに、実質的に全底面にわたって伝導性材料の上記相対的に薄い層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つの伝導プレートを有することを特徴とし、少なくとも選択された個数の前記複数の半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートおよび上記伝導性の相対的に薄い層の全体へ伝達されるように構成してなり、熱が上記伝導プレートおよび上記伝導性の相対的に薄い層から上記相対的に薄い絶縁材料層を通して上記相対的に厚い底板に、上記伝導性の相対的に薄い層と上記相対的に厚い底板との間の電気伝導を伴うことなしに、伝導されることを特徴とする絶縁金属基板。
【請求項８】請求項７記載の絶縁金属基板であって、上記伝導プレートが長方形で上記相対的に厚い底板の全幅に近い幅を有してなることを特徴とする絶縁金属基板。
【請求項９】請求項７記載の絶縁金属基板であって、上記複数の半導体チップがさらに上記ＩＧＢＴチップのそれぞれのものと並列に接続されている高速リカバリダイオードを含むことを特徴とする絶縁金属基板。
【請求項１０】請求項９記載の絶縁金属基板であって、上記高速リカバリダイオードが互いに間隔を有して上記ＩＧＢＴチップの線に平行な線に平行に配置してなることを特徴とする絶縁金属基板。
【請求項１１】請求項７記載の絶縁金属基板であって、各々のＩＧＢＴチップがそのゲート電極と直列のゲート抵抗を有しており、このゲート抵抗が各ＩＧＢＴチップにそれぞれ集積されてなることを特徴とする絶縁金属基板。
【請求項１２】底部閉口を有する絶縁外装キャップと、該外装キャップ内で相互接続されて予め定められた電気回路を構成する、ＩＧＢＴチップよりなる複数の半導体チップと、上記外装キャップの上記底部開口を横断して伸びるとともに上記底部開口に横断して固定され、かつ上記複数の半導体チップを支持する熱伝導基板であって、上記熱伝導基板が伝導性材料からなる平坦で相対的に厚いアルミニュームの底板と、該底板上の相対的に薄い絶縁材料層と、該絶縁材料層上に配置されてその上に所定の幾何学形状のパターンを有する相対的に伝導性材料の薄い層とを含み、実質的にその底面全体で伝導性材料の上記相対的に薄い層の領域に接続された少なくとも一つの平坦な放熱板を構成するアルミニュームの伝導プレートとからなり、少なくとも選択された個数の上記複数の半導体チップが互いに近接して間隔をおいて上記伝導プレートの上面に半田付けされるとともに、ほぼ上記伝導プレートの中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートの全体に効率的に伝達されるように構成されており、互いに絶縁されるとともに上記熱伝導基板の表面からほぼ直交方向に伸びる複数の端子とを有しており、互いに間隔をおいて平行かつ絶縁状態に上記端子を支持するために上記複数の端子の長さの中間点で受けて固定する間隔を有する開口を備えてなる端子支持板を有することを特徴とし、各々の上記端子が長手方向に第１および第２端部領域を有し、上記端子の上記第１端部領域が上記熱伝導基板の上面とほぼ同じ面にある共通の面に配置されており、上記熱伝導基板の上面が上記複数の端子のそれぞれの第１端部領域と整列する間隔を有する伝導結合領域を有していて、上記端子の上記第１端部が上記熱伝導基板上の伝導結合領域の選択されたいずれか一つに機械的に固定されており、上記端子支持板の底部が上記熱伝導基板の上面で間隔を有して上記熱伝導基板の第１膨張空間を構成しており、上記外装キャップには上記複数の端子の挿通用の開口が形成されていて、該開口を介して外部に延在する上記複数の端子は外部接続されるようになっており、上記端子支持板が上記外装キャップの内部に嵌合されるとともに上記熱伝導基板の上方に配置されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項１３】請求項１２記載のパワー半導体モジュールであって、上記複数の半導体モジュールがＩＧＢＴチップを含むことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項１４】請求項１２記載のパワー半導体モジュールであって、上記複数の半導体チップがさらに上記ＩＧＢＴチップの各々のものと並列に接続された高速リカバリダイオードを含むことを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項１５】請求項１４記載のパワー半導体モジュールであって、上記第１高速リカバリダイオードチップが互いに間隔をおいてかつ上記ＩＧＢＴチップの線に平行に配置されてなることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１６】請求項１５記載のパワー半導体モジュールであって、各々の上記ＩＧＢＴチップがそのゲート電極に直列にゲート抵抗を有しており、上記ゲート抵抗が各ＩＧＢＴチップにそれぞれ集積されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。」
　
（３−２）取消理由（第１回）の概要
　取消理由（第１回）の概要は、訂正前の請求項１１、１２に係る発明は刊行物１に記載の発明に基づいて、同請求項１３〜１６に係る発明は刊行物１、２に記載の発明に基づいて、及び同請求項１、１８に係る発明は刊行物１、３に記載の発明に基づいて、それぞれ当業者が容易に発明をすることができたというものである。
　
（３−３）引用刊行物の記載事項
１）刊行物１
　刊行物１の特開昭６３−７０４４４号公報には、パワーモジュール等に利用するパッケージング技術に関する発明が第１〜４図とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
＜実施例について＞
　「本実施例において、このパワーモジュール１はベースと、ケースと、キャップとを備えている。」（第２頁右上欄第１０行〜第１１行）
＜ベースについて＞
　「ベース２は銅やアルミニューム等のような熱伝導性の良い導電材料を用いて、プレス加工等のような適当な手段により略矩形の板形状に形成されている。ベース２の主面（以下、上面とする。）には絶縁層３が被着されており、絶縁装置３上には第３図に示されているようなパターンに形成された銅箔４がはんだ付けや接着等のような適当な手段により固着されている。この銅箔４には縦横に配列されている複数の搭載部５と、この搭載部５群の両脇にそれぞれ配されている２本のインナリード部６と、搭載部５およびインナリード部６にそれぞれ電気的に接続されて横並びに数列配されている複数個の端子片接続部（以下、接続部という。）７とが設けられている。」（第２頁右上欄第１２行〜左下欄第５行）
＜ヒートシンクについて＞
　「各搭載部５にはヒートシンク８がはんだ付け等のような適当な手段によりそれぞれ固着されており、このヒートシンク８は銅等のような熱伝導性の良い導電材料を用いて、プレス加工等のような適当な手段により略矩形の薄板形状に形成されている。」（第２頁左下欄第６行〜第１１行）
＜ヒートシンク上の半導体ペレットについて＞
　「各ヒートシンク８上にはＦＥＴやダイオード等をそれぞれ作り込まれたペレット９が適宜に配されて、はんだ付け等のような適当な手段によりそれぞれ固着されている。」（第２頁左下欄第１２行〜第１５行）
＜キャップと端子片について＞
　「キャップ１５はポリ・フェニレン・サルファイド（ＰＰＳ）等のような熱可塑性樹脂を用いて、ケース１１の枠部１２に嵌入し得る略正方形の板形状に一体成形されており、キャップ１５には端子片１６が複数本、前記ベース２における銅箔４の各接続部７に対応するようにそれぞれ配されて、上下方向に貫通するように一体的に植設されている。」（第２頁右下欄第１１行〜第１８行）
＜組み付けについて＞
　「このように構成されているキャップ１５は前記のようにケース１１が被せられたベース２に、ケース１１の枠部１２に嵌入されて組み付けられる。」（第３頁左上欄第５行〜第７行）
　「ケースはキャップをベースに組み付け端子片と接続部とをはんだ接続させた後、ベースに被せてもよい。」（第３頁右下欄第１行〜第３行）
　
２）刊行物２
　刊行物２の特開平３−３２６４号公報には、電力用デバイスと、その電力用デバイスを制御するための制御回路部とを有する半導体装置に関する発明が第１、２図とともに開示され、さらに、以下の事項が開示されている。
　放熱板を構成するＡｌ基板２１上に第１絶縁層２２が形成され、第１絶縁層２２上に金属パターンが形成されて、その金属パターンの一領域２９上には、銅ブロック３０が半田付けされるとともに、銅ブロック３０上にＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＭＣＴ等を構成する半導体チップの電力用デバイス３２が半田３３により取り付けられ、電力用デバイスに発生する熱は銅ブロック３０を介して効率よくＡｌ基板２１に伝熱されること（第１頁左欄下から第５行〜第３行、第２頁左下欄第１４行〜右下欄第７行、第３頁左上欄第１６行〜第１８行及び第３頁左下欄第５行〜第１０行及び第１図参照）。
　
３）刊行物３
　刊行物３の実願平３−７０１３０（実開平５−１５４５０号公報）のＣＤ−ＲＯＭには、製造時に熱によるケースの歪みを防止した電力用半導体モジュールに関する発明が、図１、２とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
＜電力用半導体モジュールの実施例について＞
　「図において１はメタライズ処理層５ａ，５ｂを有する絶縁板３を上面に半田付けした金属基板である。そして絶縁板３上の一方のメタライズ層５ａ上には半導体チップ４が半田付けされている。また他方のメタライズ層５ｂ上には耐熱樹脂よりなる端子支持枠１０と一体成形された端子部材７の下端折曲部７ａが半田付けまたはその他の方法で取付けられ、その先端はケース２の上方へ引き出される。
　これにより、端子部材７と一体成形された端子支持枠も所定の部位にセットされる。端子支持枠１０の上部には絶縁基板１１が積層される。
　・・・中略・・・
　次に、金属基板１にケース２を載せ、ゲル状のシリコーンゴムをケース２の上部開口部２ａから注入して加熱炉で１５０℃程度で加熱硬化させてシリコーンゴム層８を形成する。次いでシリコーンゴム層８上に同じケース開口部２ａからエポキシ樹脂を注入し、約１３５℃で加熱してエポキシ樹脂層９を形成し、これによって半導体チップ４を封止する。封止されたケース２の上部に引出された端子部材７はケース２の上部で折り曲げられ、ケース２上部の肉厚部分のナット挿入用穴１２に埋込まれたナット１３とともに外部配線と接続される。
　・・・中略・・・
　この考案において、端子部材７と一体成形にて得た格子状または梯子状の端子支持枠１１をケース内の所要の部位にセットしたのち、この支持枠１１上に絶縁基板１２を載置して端子支持板内部を空間１４とするが、このような絶縁基板１２としては、半導体チップの駆動回路、スナバ回路、電気配線などを搭載したプリント基板であってもよく、またこのようなプリント基板を絶縁基板上に設けてもよい。」（第５頁第２行〜第６頁第１０行、段落【０００９】〜【０１３】）　
　
（３−４）対比・判断
１）本件発明７
　刊行物１に記載の「ペレット９」、「ベース２」、「絶縁層３」、「銅箔４」及び「ヒートシンク８」は、それぞれ本件発明７の「半導体チップ」、「底板」、「絶縁材料層」、「伝導性材料層」ないし「伝導性材料の相対的に薄い層」、「伝導プレート」に相当し、また、刊行物１の第３図には、各ペレット９が、その底面が互いに近接して搭載部５を介してヒートシンク８上面にはんだ付けされて、ヒートシンク８のほぼ中心に沿う線に平行に配置されていることが示されている。そして、ペレット９からの熱は、搭載部５、良熱伝導性のヒートシンク８、銅箔４から絶縁層３を通して良熱伝導性の厚いベース２に、銅箔４と厚いベースとの間に電気伝導を伴うことなしに、伝導されることは明らかである。
　そうすると、本件発明７と刊行物１に記載の発明とは、「複数の半導体チップを装着するための絶縁金属基板であって、該絶縁金属基板は、伝導性材料からなる平坦で相対的に厚い底板と、該底板の上部の相対的に薄い絶縁材料層とを有し、該絶縁材料層の上に配置されるとともに上記絶縁材料層の上に所定の幾何学的形状を有する相対的に薄い伝導性材料層を有し、熱が上記チップから上記伝導プレートおよび上記伝導性の相対的に薄い層の全体へ伝達されるように構成してなり、熱が上記伝導プレートおよび上記伝導性の相対的に薄い層から上記相対的に薄い絶縁材料層を通して上記相対的に厚い底板に、上記伝導性の相対的に薄い層と上記相対的に厚い底板との間の電気伝導を伴うことなしに、伝導される、絶縁金属基板」の点で一致する。
　しかしながら、
　本件発明７は、「少なくとも選択された個数の前記複数の半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されてい」るのに対し、刊行物１に記載の発明はそのような構成を備えていない点（１）
　本件発明７は、「実質的に全底面にわたって伝導性材料の上記相対的に薄い層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つの伝導プレートを有する」のに対し、刊行物１に記載の発明は、第３図及びその説明を参照すると、ヒートシンク８は、その全底面にわたって銅箔４に接続されているのか否か明らかではない点（２）
　本件発明７は、複数の半導体チップが「ＩＧＢＴチップからなる」ものであるのに対し、刊行物１に記載のペレット９はどのようなものか明らかではない点（３）
で、両者は相違する。
　そこで、上記相違点（１）について検討すると、刊行物１に記載の発明は、「半田付け状態を確認すること」に関するものであり、第３図から明かなように、「ヒートシンク８」に「ペレット９」を配置する際に考慮することは、ペレット９とインナリード６とを橋絡する「ボンデイングワイヤ１０」の長さを短くすることであり、そのためには、ペレット９とインナリード６寄りに配置することになる。この配置はペレット９がヒートシンク８上のインナリード６寄りの位置に配置されるため、インナリード６の反対側位置におけるヒートシンク８の放熱効率は悪く、ヒートシンク８の全領域から均一に放熱できないことが予想される。
　そうすると、ヒートシンク８の全領域からペレット９の熱を放散するために、ペレット９をヒートシンク８のほぼ中心に沿う線に配置する構成を容易に想到することはできない。
　そして、本件発明７は、互いに近接した複数の半導体チップから熱が伝導プレートの全領域へ伝達され、全領域から均一に放熱できるので、最も効率の良い放熱が可能となる、という顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明７は、相違点（２）、（３）については検討するまでもなく、刊行物１に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
２）本件発明８〜１０
　本件発明８、９は本件発明７を引用し、本件発明１０は本件発明９を引用して、さらに、それぞれ構成を付加して限定した発明であるから、本件発明８〜１０は、刊行物２に，ＩＧＢＴを構成する半導体チップの電力用デバイスに発生する熱を、銅ブロック３０を介してＡｌ基板２１に伝熱するすることが開示されているにしても、本件発明７と同じ理由により、刊行物１、２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
３）本件発明１
　本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比すると、本件発明１は、「少なくとも選択された個数の上記半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて、上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されてい」るのに対し、刊行物１に記載の発明はそのような構成を備えていない点（１）、本件発明１は、「実質的に全底面にわたって上記相対的に薄い伝導材料層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つのアルミニュームの伝導プレートからな」るのに対し、刊行物１に記載の発明は、第３図及びその説明を参照すると、ヒートシンク８は、その全底面にわたって銅箔４に接続されているのか否か明らかではない点（２）、本件発明１は、複数の半導体チップが「ＩＧＢＴチップを含む」ものであるのに対し、刊行物１に記載のペレット９はどのようなものか明らかではない点（３）、及び本件発明１は、「上記絶縁外装内に囲われるとともに上記熱伝導性基板の上方に配置された端子支持板を備え、該端子支持板は間隔をあけた複数の開口を有し、上記複数の端子は複数の開口を貫通して受合われるとともに、上記端子を互いに平行に隔てられ絶縁された関係に支持するため上記端子の長さ方向に沿って中間部が固定され」ているのに対し、刊行物１に記載の発明はそのような構成を備えていない点（４）で、両者は相違する。
　そこで、上記相違点（１）〜（４）について検討すると、件発明１は、本件発明７と刊行物１に記載の発明との相違点（１）〜（３）と同様の相違点を有する以上、刊行物３に、相違点（４）における本件発明１の「端子支持板」に相当する「端子支持枠１０及び絶縁基板１１」が記載されているにしても、本件発明７と同様の理由により、刊行物１、３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
４）本件発明１２
　本件発明１２と刊行物３に記載の発明とを対比すると、
　刊行物３に記載の「ケース２」、「金属基板１」、「絶縁板３」、「メタライズ層５ｂ」、「端子部材７」、「端子支持枠１０」、端子部材７の「下端折曲部７ａ」及び「空間１４」は、それぞれ本件発明１２の「絶縁外装キャップ」、「底板」、「絶縁材料層」、「伝導性材料の薄い層」、「端子」、「端子支持板」、「第１端子部領域」及び「第１の膨張空間」に相当する。また、刊行物３に記載の端子支持枠１０及びケース２に端子部材７が貫通しているので、本件発明１２の「開口」に相当するものをそれぞれ備えていることは明らかであり、また、刊行物３に記載の端子部材７の下端折曲部７ａが金属基板１上の絶縁板３のメタライズ処理面に取り付けられているから、本件発明１２の熱伝導基板の上面の「伝導結合領域」に相当するものを有することは明らかであり、さらに、刊行物３に記載の「端子部材７」が複数であることは、図２の平面図に２つの「端子部材７」が記載されていることからみて、明らかである。
　そうすると、本件発明１２と刊行物３に記載の発明とは、「底部閉口を有する絶縁外装キャップと、該外装キャップ内で相互接続されて予め定められた電気回路を構成する、ＩＧＢＴチップよりなる半導体チップと、上記外装キャップの上記底部開口を横断して伸びるとともに上記底部開口に横断して固定され、かつ上記半導体チップを支持する熱伝導基板であって、上記熱伝導基板が伝導性材料からなる平坦で相対的に厚いアルミニュームの底板と、該底板上の相対的に薄い絶縁材料層と、該絶縁材料層上に配置されてその上に所定の幾何学形状のパターンを有する相対的に伝導性材料の薄い層とを含み、互いに絶縁されるとともに上記熱伝導基板の表面からほぼ直行方向に伸びる複数の端子とを有しており、互いに間隔をおいて平行かつ絶縁状態に上記端子を支持するために上記端子の長さの中間点で受けて固定する間隔を有する開口を備えてなる端子支持板を有し、端子が長手方向に第１および第２端部領域を有し、上記端子の上記第１端部領域が上記熱伝導基板の上面とほぼ同じ面にある共通の面に配置されており、互いに絶縁されるとともに上記熱伝導基板の表面からほぼ直交方向に伸びる複数の端子とを有して上記熱伝導基板の上面が上記複数の端子のそれぞれの第１端部領域と整列する間隔を有する伝導結合領域を有していて、上記端子の上記第１端部が上記熱伝導基板上の伝導結合領域の選択されたいずれか一つに機械的に固定されており、上記端子支持板の底部が上記熱伝導基板の上面で間隔を有して上記熱伝導基板の第１膨張空間を構成しており、上記外装キャップには上記複数の端子の挿通用の開口が形成されていて、該開口を介して外部に延在する上記複数の端子は外部接続されるようになっており、上記端子支持板が上記熱伝導基板の上方に配置されてなるパワー半導体モジュール」の点で一致する。
　しかしながら、
　本件発明１２は、「実質的にその底面全体で伝導性材料の上記相対的に薄い層の領域に接続された少なくとも一つの平坦な放熱板を構成するアルミニュームの伝導プレートとからなり、少なくとも選択された個数の上記複数の半導体チップが互いに近接して間隔をおいて上記伝導プレートの上面に半田付けされるとともに、ほぼ上記伝導プレートの中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートの全体に効率的に伝達されるように構成されて」いるのに対し、刊行物３に記載の発明はそのような構成を備えていない点（１）
　本件発明１２が「上記端子支持板が上記外装キャップの内部に嵌合される」のに対し、刊行物３に記載の発明はそのような構成を備えていない点（２）
で、両者は相違する
　そこで上記相違点（１）、（２）について検討すると、本件発明１２は、本件発明７と刊行物１に記載の発明との相違点（１）と同様の上記相違点（１）を有する以上、パワー半導体モジュールにおいて複数の半導体チップを設けることが、例えば刊行物１に記載されているように周知のことであるにしても、また、刊行物１に、複数の端子片１６を上下方向に貫通するように一体的に支持したキャップ１５を、絶縁外装であるケース１１内部に嵌合して組み付けることが記載されているにしても、本件発明７と同様の理由により、刊行物１、３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の同法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）申立ての理由の概要
　異議申立人吉成迪夫は、証拠として甲第１〜５号証を提出して、訂正前の請求項１に係る発明は甲第１、２号証に記載された発明に基づいて、訂正前の請求項１１に係る発明は甲第１、４号証に記載された発明に基づいて、訂正前の請求項１２〜１６に係る発明は甲第１、３、４号証に記載された発明に基づいて、さらに、訂正前の請求項１８に係る発明は甲第２、５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、訂正前の請求項１、１１〜１６、１８に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきである旨主張している。
　
（２）甲第１〜５号証の記載事項
（２−１）甲第１、４号証
　甲第１、４号証は、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１、２に対応する。
　
（２−２）甲第２号証
　甲第２号証の実願平３−６８８５３号（実開平５−１５４４４号）のＣＤ−ＲＯＭには、組立工数の削減と蓋体外の主端子の導出を確実に行うことができる複合半導体装置に関する発明が、第１〜１０図とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
＜実施例の図２の説明として＞
　「【００１０】
　・・・放熱板１上には、絶縁基板２が半田により固着されている。この絶縁基板２上には導体パターン３が形成され、導体パターン３上には、半導体べレット１６や図示を省略した各種の電子部品が搭載・固着されている。・・・
　【００１１】
　・・・この蓋体２６は３つのブロック２７，２８，２９を備え、各ブロック２７，２８，２９の上面略中央部には、それぞれナット収納溝３０が形成されている。各ブロック２７，２８，２９は、連結部３１，３２により互いに連結され、ブロック２７，２８間及びブロック２８，２９間には、空隙部３３がそれぞれ形成されている。この空隙部３３は、後に封止樹脂の充填により閉塞される。
　ブロック２７の側面には、一対の張出部３４が設けられ、この張出部３４に信号端子８０が挿入・仮固定される４個の角孔３５が形成されている。
上記各ブロック２７，２８の幅方向の一端及びブロック２９の幅方向の他端には、板状の主端子４０が挿入される貫通孔３６をそれぞれ有し、該貫通孔３６と連通して角溝３７が形成されている。
　【００１２】
　・・・貫通孔３６と連通する角溝３７は、図７及び図８の断面図から分かるように、貫通孔３６と水平方向で連通する狭幅部３８及び該貫通孔３６と同じ大きさの段付広幅部３９とを有している。これらの狭幅部３８及び段付広幅部３９の大きさは、図９に示した主端子４０の狭幅部４１及び広幅部４２の大きさよりも若干大きく形成されている。
　主端子４０は板材により形成され、上記のように狭幅部４１及び広幅部４２とを有し、また、狭幅部４１に連続して、その下端に脚部４３が折曲げ形成されている。この脚部４３は、図２に示した導体パターン３の所定の位置に半田固着されるものである。
　・・・
　【００１５】
　・・・蓋体２６の角孔３６に下方から主端子４０の上端部を挿通し、上方に引き上げる。主端子４０の狭幅部４１が蓋体２６の上面より上に出たところで、図２の矢印で示すように角溝３７側に主端子４０を水平に移動させる。この場合、角孔３６と角溝３７とは、狭幅部３８で連通しているので、この狭幅部３８を水平方向に通過して角溝３７側に主端子４０が移動できる。
次に、角溝３７側に移動したところで、主端子４０を手放すと、該主端子４０は下方に落下するが、段付広幅部３９の段部３９ａ（図７参照）に主端子４０の肩部４２ａ（図９参照）がひっ掛かり、それ以上は下方に落下しない。同様にして、他の主端子４０も角溝満３７に落とすことにより３個の主端子４０が遊嵌する。
　・・・
　【００１７】
　・・・蓋体２６の裏面側には、第１支柱部５０と第２支柱部５１とが形成され、第１支柱部５０の端面は、放熱板１の表面と当接するため、蓋体２６の高さ位置が定められる。・・・
　各主端子４０は、角溝３７に遊嵌しており、該主端子４０の下端に設けた脚部４３が絶縁基板２の導体パターン３の所定の位置に板状半田を挟んで当接する。・・・
　【００１８】
　・・・蓋体２６の各ブロック２７，２８，２９の上面に設けたナット収納孔３０にナット（図示せず）を収納した後、主端子４０がナット収納孔３０を覆うように略直角折曲げて図１の外観のような複合半導体装置を完成する。」
　
（２−３）甲第３号証
　甲第３号証の特開平２−１５４４５７号公報には、パワーモジュールなどの半導体装置の構造に関する発明が、第１〜８図とともに記載され、さらに、以下の事項が記載されている。
＜従来技術の図７、８の説明として＞
　「半導体チップ（１）はあらかじめモリブデン板（２）に水素炉等により炉付されたものである。（３）は信号用電極端子にあらかじめ半田付けされたスピードアップダイオードチップ、（４）は銅ブロック、（５）はあらかじめ銅ブロック（４）の上に炉付されたフライホイルダイオードチップである。」（第１頁右欄９〜１５行）、
＜この発明の半導体装置について＞
　「金属ベース板状に絶縁層または絶縁基板を設け、その上に複数の電極板および半導体チップを搭載し、これとは別体に上記電極板に接続される主電流用電極端子及び信号用電極端子を樹脂ケースにあらかじめインサート又はアウトサートしておき、この樹脂ケースを前記金属ベース板にかぶせて接着する際にクリーム半田により樹脂ケース側の複数の電極端子を金属ベース板側の複数の電極板に半田付けしたことを特徴とする。」（第２頁右上欄１８行〜左下欄７行）、
＜実施例の説明として＞
　「金属ベース板（６）上に厚銅箔付絶縁基板（７Ａ）を搭載しその上に半導体チップ（１）及びフライホイルダイオードチップ（５）、スピードアップダイオードチップ（３）を同時に半田付けした後アルミワイヤー（１４）によりボンデイングしたものを示している。」（第２頁左下欄１８行〜右下欄３行）                        .
　
（２−４）甲第５号証
　甲第５号証の特開昭６０−１７８６５０号公報には、樹脂封止型の電力用半導体装置の外囲器構造に関する発明が第１〜５図とともに記載され、さらに以下の事項が記載されている。
＜公知の樹脂封止型の電力用半導体装置の外囲器構造の説明として＞
　「第１図において、１は合成樹脂製の側壁のみから成る無底箱体上のケースであり、該ケース１の底板として金属製の放熱板２が嵌着されている。放熱板２上には絶縁基板３が半田層４を介して接着され、該絶縁基板３上にはジャイアントトランジスタの如き半導体素子（図示せず）が搭載される」（第１頁右下欄末行〜第２頁左上欄６行）、
＜本発明の半導体装置の説明として＞
　「第４図に示すようにケース１Ａ内に密封用樹脂を注入せずに、リード支持部材６Ａの外周縁部とケース１Ａの頂端部内周縁との間に存する間隙ｇを絶縁被膜９もしくは溶融樹脂などで密封し、ケース１Ａ内には無充填空間１０を残存させたことを特徴とする。」（第２頁右下欄末行〜第３頁左上欄４行）
　
（３）当審の判断
　訂正請求により、訂正前の請求項１に係る発明は本件発明１に訂正され、訂正前の請求項１１、１２に係る発明は本件発明７、８に訂正され、訂正前の請求項１３、１４は削除され、訂正前の請求項１５、１６は本件発明９、１０に訂正され、さらに、訂正前の請求項１８は本件発明１２に訂正されたので、以下、本件発明１、７〜１０及び１２について検討する。
（３−１）本件発明１
　本件発明１については、［２］（３−４）３）において述べたように、本件発明１と甲第１号証（刊行物１）に記載の発明とは相違点（１）〜（４）を有し、しかも、甲第２号証には、相違点（１）における本件発明１の、「少なくとも選択された個数の上記半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて、上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されてい」る構成は記載されていないし、示唆もされていない。
　したがって、本件発明１は、相違点（２）〜（４）については検討するまでもなく、甲第１、２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
（３−２）本件発明７
　本件発明７については、［２］（３−４）１）において述べたように、本件発明７と甲第１号証（刊行物１）に記載の発明とは相違点（１）〜（３）を有し、しかも、甲第４号証（刊行物２）には、相違点（１）における本件発明７の、「少なくとも選択された個数の前記複数の半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されてい」る構成は記載されていないし、示唆もされていない。
　したがって、本件発明７は、相違点（２）、（３）については検討するまでもなく、甲第１、４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められないから、その特許は同法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　
（３−３）本件発明８〜１０
　本件発明８〜１０については、［２］（３−４）２）において述べたように、本件発明８、９は本件発明７を引用し、本件発明１０は本件発明９を引用して、さらに、それぞれ構成を付加して限定した発明であるから、本件発明８〜１０と甲第１号証（刊行物１）に記載の発明とは少なくとも相違点（１）〜（３）を有し、しかも、甲第３号証には、相違点（１）における本件発明７の、「少なくとも選択された個数の前記複数の半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されてい」る構成は記載されていないし、示唆もされていない。
　したがって、本件発明８〜１０は、相違点（２）、（３）については検討するまでもなく、甲第１、３、４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
（３−４）本件発明１２
　本件発明１２については、甲第２、５号証のいずれにも、本件発明１２の、「少なくとも選択された個数の上記複数の半導体チップが互いに近接して間隔をおいて上記伝導プレートの上面に半田付けされるとともに、ほぼ上記伝導プレートの中心に沿う線に配置されてい」る構成は記載されていないし、示唆もされていない。
　したがって、本件発明１２は、甲第２、５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められないから、その特許は同法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件発明１、７〜１０及び１２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、７〜１０及び１２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、７〜１０及び１２についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものとは認められない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月６日（２０００．９．６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１、３、７〜１２、１５〜１８、３７及び４０〜４２の項数を繰り上げ、「１、２、３〜８、９〜１２、１３、及び１４〜１６」と訂正する。この訂正とともに、引用形式の同請求項３、７〜１０、１２、１５〜１７、３７、４０〜４２については、引用先の番号も訂正する。
（２）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１に請求項２及び４の内容を追加し、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」の「平行に」という語を削除して、以下のように訂正する。
　「【請求項１】絶縁外装と、該外装内で相互接続されて所定の電気回路を形成する、ＩＧＢＴチップを含む複数の半導体チップと、上記外装により一つの表面上にて包囲されるとともに該一つの表面上に上記複数の半導体チップを支持する熱伝導性を有する基板と、上記半導体チップにより形成された上記電気回路に一端が接続されて、上記外装の外部回路への接続のために上記外装を介して延在する複数の端子とを含み、上記熱伝導性を有する基板が平坦で相対的に厚い伝導性材料のアルミニユームの底板と、該底板の上部の相対的に薄い絶縁材料層と、該絶縁材料層の上に配置されるとともに上記絶縁材料層の上に所定の幾何学的形状を有する相対的に薄い伝導性材料層とを含み、実質的に全底面にわたって上記相対的に薄い伝導性材料層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つのアルミニユームの伝導プレートからなり、少なくとも選択された個数の上記半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて、上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートの全領域へ伝達されるように構成したことおよび上記絶縁外装内に囲われるとともに上記熱伝導性基板の上方に配置された端子支持板を備え、該端子支持板は間隔をあけた複数の開口を有し、上記複数端子は複数の開口を貫通して受合われるとともに、上記端子を互いに平行に隔てられ絶縁された関係に支持するため上記端子の長さ方向に沿って中間部が固定されたことを特徴とするパワー半導体モジュール。」
（３）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項２、４、５及び６を削除する。
（４）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項１１に請求項１３の内容を追加し、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」の「平行に」という語を削除して、以下のように訂正する。
　「【請求項７】　ＩＧＢＴチップからなる複数の半導体チップを装着するための絶縁金属基板であって、該絶縁金属基板は、伝導性材料からなる平坦で相対的に厚い底板と、該底板の上部の相対的に薄い絶縁材料層とを有し、該絶縁材料層の上に配置されるとともに上記絶縁材料層の上に所定の幾何学的形状を有する相対的に薄い伝導性材料層を有することを特徴とし、さらに、実質的に全底面にわたって伝導性材料の上記相対的に薄い層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つの伝導プレートを有することを特徴とし、少なくとも選択された個数の前記複数の半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートおよび上記伝導性の相対的に薄い層の全体へ伝達されるように構成してなり、熱が上記伝導プレートおよび上記伝導性の相対的に薄い層から上記相対的に薄い絶縁材料層を通して上記相対的に厚い底板に、上記伝導性の相対的に薄い層と上記相対的に厚い底板との間の電気伝導を伴うことなしに、伝導されることを特徴とする絶縁金属基板。」
（５）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項１３及び１４を削除する。
（６）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項１８に同請求項３５、３６及び３８の内容を追加し、さらに、「中心に沿う線に平行に配置され」の「平行に」という語を削除して、以下のように訂正する。
　「【請求項１２】底部閉口を有する絶縁外装キャップと、該外装キャップ内で相互接続されて予め定められた電気回路を構成する、ＩＧＢＴチップよりなる複数の半導体チップと、上記外装キャップの上記底部開口を横断して伸びるとともに上記底部開口に横断して固定され、かつ上記複数の半導体チップを支持する熱伝導基板であって、上記熱伝導基板が伝導性材料からなる平坦で相対的に厚いアルミニュームの底板と、該底板上の相対的に薄い絶縁材料層と、該絶縁材料層上に配置されてその上に所定の幾何学形状のパターンを有する相対的に伝導性材料の薄い層とを含み、実質的にその底面全体で伝導性材料の上記相対的に薄い層の領域に接続された少なくとも一つの平坦な放熱板を構成するアルミニュームの伝導プレートとからなり、少なくとも選択された個数の上記複数の半導体チップが互いに近接して間隔をおいて上記伝導プレートの上面に半田付けされるとともに、ほぼ上記伝導プレートの中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートの全体に効率的に伝達されるように構成されており、互いに絶縁されるとともに上記熱伝導基板の表面からほぼ直交方向に伸びる複数の端子とを有しており、互いに間隔をおいて平行かっ絶縁状態に上記端子を支持するために上記複数の端子の長さの中間点で受けて固定する間隔を有する開口を備えてなる端子支持板を有することを特徴とし、各々の上記端子が長手方向に第１および第２端部領域を有し、上記端子の上記第１端部領域が上記熱伝導基板の上面とほぼ同じ面にある共通の面に配置されており、上記熱伝導基板の上面が上記複数の端子のそれぞれの第１端部領域と整列する間隔を有する伝導結合領域を有していて、上記端子の上記第１端部が上記熱伝導基板上の伝導結合領域の選択されたいずれか一つに機械的に固定されており、上記端子支持板の底部が上記熱伝導基板の上面で間隔を有して上記熱伝導基板の第１膨張空間を構成しており、上記外装キャップには上記複数の端子の挿通用の開口が形成されていて、該開口を介して外部に延在する上記複数の端子は外部接続されるようになっており、上記端子支持板が上記外装キャップの内部に嵌合されるとともに上記熱伝導基板の上方に配置されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。」
（７）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項１９〜３６、３８及び３９を削除する。
（５４）【発明の名称】
パワー半導体モジュールおよびそれに使用する絶縁金属基板
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　絶縁外装と、該外装内で相互接続されて所定の電気回路を形成する、ＩＧＢＴチップを含む複数の半導体チップと、上記外装により一つの表面上にて包囲されるとともに該一つの表面上に上記複数の半導体チップを支持する熱伝導性を有する基板と、上記半導体チップにより形成された上記電気回路に一端が接続されて、上記外装の外部回路への接続のために上記外装を介して延在する複数の端子とを含み、上記熱伝導性を有する基板が平坦で相対的に厚い伝導性材料のアルミニユームの底板と、該底板の上部の相対的に薄い絶縁材料層と、該絶縁材料層の上に配置されるとともに上記絶縁材料層の上に所定の幾何学的形状を有する相対的に薄い伝導性材料層とを含み、実質的に全底面にわたって上記相対的に薄い伝導性材料層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つのアルミニユームの伝導プレートからなり、少なくとも選択された個数の上記半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて、上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートの全領域へ伝達されるように構成したことおよび上記絶縁外装内に囲われるとともに上記熱伝導性基板の上方に配置された端子支持板を備え、該端子支持板は間隔をあけた複数の開口を有し、上記複数の端子は複数の開口を貫通して受合われるとともに、上記端子を互いに平行に隔てられ絶縁された関係に支持するため上記端子の長さ方向に沿って中間部が固定されたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項２】　請求項１記載のパワー半導体モジュールであって、上記伝導プレートが長方形で、かつ上記相対的に厚い底板の全幅に近い幅を有してなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項３】　請求項１記載のパワー半導体モジュールであって、上記複数の半導体チップがさらに上記ＩＧＢＴチップの各々のものと並列に接続されている高速リカバリダイオードを含むことを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項４】　請求項３記載のパワー半導体モジュールであって、上記高速リカバリダイオードチップが互いに間隔をおいて上記ＩＧＢＴの線に平行な線に沿って配置されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項５】　請求項１記載のパワー半導体モジュールであって、上記ＩＧＢＴチップがそのゲート電極と直列にゲート抵抗を有しており、上記ゲート抵抗が各ＩＧＢＴチップにそれぞれ集積されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項６】　請求項５記載のパワー半導体モジュールであって、上記複数の半導体チップがさらに上記ＩＧＢＴチップのそれぞれのものと並列に接続されている高速リカバリダイオードを含むことを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項７】　ＩＧＢＴチップからなる複数の半導体チップを装着するための絶縁金属基板であって、該絶縁金属基板は、伝導性材料からなる平坦で相対的に厚い底板と、該底板の上部の相対的に薄い絶縁材料層とを有し、該絶縁材料層の上に配置されるとともに上記絶縁材料層の上に所定の幾何学的形状を有する相対的に薄い伝導性材料層を有することを特徴とし、さらに、実質的に全底面にわたって伝導性材料の上記相対的に薄い層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つの伝導プレートを有することを特徴とし、少なくとも選択された個数の前記複数の半導体チップの底面が互いに近接して上記伝導プレートの上面に半田付けされて上記伝導プレートのほぼ中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートおよび上記伝導性の相対的に薄い層の全体へ伝達されるように構成してなり、熱が上記伝導プレートおよび上記伝導性の相対的に薄い層から上記相対的に薄い絶縁材料層を通して上記相対的に厚い底板に、上記伝導性の相対的に薄い層と上記相対的に厚い底板との間の電気伝導を伴うことなしに、伝導されることを特徴とする絶縁金属基板。
　　【請求項８】　請求項７記載の絶縁金属基板であって、上記伝導プレートが長方形で上記相対的に厚い底板の全幅に近い幅を有してなることを特徴とする絶縁金属基板。
　　【請求項９】　請求項７記載の絶縁金属基板であって、上記複数の半導体チップがさらに上記ＩＧＢＴチップのそれぞれのものと並列に接続されている高速リカバリダイオードを含むことを特徴とする絶縁金属基板。
　　【請求項１０】　請求項９記載の絶縁金属基板であって、上記高速リカバリダイオードが互いに間隔を有して上記ＩＧＢＴチップの線に平行な線に平行に配置してなることを特徴とする絶縁金属基板。
　　【請求項１１】　請求項７記載の絶縁金属基板であって、各々のＩＧＢＴチップがそのゲート電極と直列のゲート抵抗を有しており、このゲート抵抗が各ＩＧＢＴチップにそれぞれ集積されてなることを特徴とする絶縁金属基板。
　　【請求項１２】　底部開口を有する絶縁外装キャップと、該外装キャップ内で相互接続されて予め定められた電気回路を構成する、ＩＧＢＴチップよりなる複数の半導体チップと、上記外装キャップの上記底部開口を横断して伸びるとともに上記底部開口に横断して固定され、かつ上記複数の半導体チップを支持する熱伝導基板であって、上記熱伝導基板が伝導性材料からなる平坦で相対的に厚いアルミニュームの底板と、該底板上の相対的に薄い絶縁材料層と、該絶縁材料層上に配置されてその上に所定の幾何学形状のパターンを有する相対的に伝導性材料の薄い層とを含み、実質的にその底面全体で伝導性材料の上記相対的に薄い層の領域に接続された少なくとも一つの平坦な放熱板を構成するアルミニュームの伝導プレートとからなり、少なくとも選択された個数の上記複数の半導体チップが互いに近接して間隔をおいて上記伝導プレートの上面に半田付けされるとともに、ほぼ上記伝導プレートの中心に沿う線に配置されていて、熱が上記チップから上記伝導プレートの全体に効率的に伝達されるように構成されており、互いに絶縁されるとともに上記熱伝導基板の表面からほぼ直交方向に伸びる複数の端子とを有しており、互いに間隔をおいて平行つ絶縁状態に上記端子を支持するために上記複数の端子の長さの中間点で受けて固定する間隔を有する開口を備えてなる端子支持板を有することを特徴とし、各々の上記端子が長手方向に第１および第２端部領域を有し、上記端子の上記第１端部領域が上記熱伝導基板の上面とほぼ同じ面にある共通の面に配置されており、上記熱伝導基板の上面が上記複数の端子のそれぞれの第１端部領域と整列する間隔を有する伝導結合領域を有していて、上記端子の上記第１端部が上記熱伝導基板上の伝導結合領域の選択されたいずれか一つに機械的に固定されており、上記端子支持板の底部が上記熱伝導基板の上面で間隔を有して上記熱伝導基板の第１膨張空間を構成しており、上記外装キャップには上記複数の端子の挿通用の開口が形成されていて、該開口を介して外部に延在する上記複数の端子は外部接続されるようになっており、上記端子支持板が上記外装キャップの内部に嵌合されるとともに上記熱伝導基板の上方に配置されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項１３】　請求項１２記載のパワー半導体モジュールであって、上記複数の半導体モジュールがＩＧＢＴチップを含むことを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項１４】　請求項１２記載のパワー半導体モジュールであって、上記複数の半導体チップがさらに上記ＩＧＢＴチップの各々のものと並列に接続された高速リカバリダイオードを含むことを特徴とするパワー半導体モジュール。
　　【請求項１５】　請求項１４記載のパワー半導体モジュールであって、上記第１高速リカバリダイオードチップが互いに間隔をおいてかつ上記ＩＧＢＴチップの線に平行に配置されてなることを特徴とする半導体モジュール。
　　【請求項１６】　請求項１５記載のパワー半導体モジュールであって、各々の上記ＩＧＢＴチップがそのゲート電極に直列にゲート抵抗を有しており、上記ゲート抵抗が各ＩＧＢＴチップにそれぞれ集積されてなることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　この発明は、半導体装置の新規なモジュール構造体に関するものであり、より詳しくは、新規で信頼性のある態様で、全ての部品の完全な電気絶縁を保証する新規な外装構造内に完全な絶縁金属基板（ＩＭＳ：ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　ｍｅｔａｌ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を使用した新規なモジュール構造体に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　半導体モジュールは周知であり、複数の相互接続された半導体チップを収容するために使用されている。上記チップは、同じ種類のものであっても又、異なった種類のものであってもよく、共通の外装から伸びる端子電極を有する外装内にてヒートシンクに取着される。たとえば、半導体モジュールは、半波整流ブリッジ回路、全波整流ブリッジ回路、倍電圧整流回路等のような、種々の所定回路に接続され、電気的に相互に接続されたダイオード、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴもしくはバイポーラトランジスタのための外装を構成することができる。比較的、寸法的に大きい端子がユーザによる電気接続のために絶縁外装から伸びている。本発明の目的は、改善された伝熱制御および製造の容易化並びに改善された信頼性を有するモジュール構造を提供することである。
　　　【０００３】
　　【発明の要旨】
　本発明にかかるモジュールは、溶接、半田付けなどの加熱により取着された半導体チップ（ｃｈｉｐ）もしくはダイ（ｄｉｅ）を有するＩＭＳ基板の上に組み立てられる。以下、チップ（ｃｈｉｐ）、ダイ（ｄｉｅ）およびウェハ（ｗａｆｅｒ）なる用語を用いるが、これらの用語は、裸の、薄い、平坦な半導体素子を表すものとして互いに置換できるものとする。上記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＭＯＳ制御サイリスタ等のような金属酸化物のゲートを有するパワー素子や、ダイオードのような所望のタイプのものであってもよい。
　　　【０００４】
　上記ＩＭＳ基板は、非常に薄い絶縁層により覆われた比較的厚いアルミニュームのボディ（底板）を有しており、上記絶縁層は上記アルミニュームから電気的に絶縁された銅のパターンを支持している。上記チップは、装置の動作中にチップにより発生される熱の管理を改善するために、その中央部にて１個以上の放熱板を構成する伝導プレートに取着される。
　　　【０００５】
　上記ＩＭＳ基板は、ボンディングワイヤおよび主装置端子を好適に受けるためのパターンも有している。したがって、上記チップは、平行なリードワイヤのスティッチボンディングによりＩＭＳ基板上で互いに内部的に相互接続されている。これらのワイヤは、最終的に上記外装の外部に伸びる垂直端子に接続されている。
　　　【０００６】
　本発明の重要な特徴によれば、上記装置の端子は、モールドされた絶縁性端子支持板に支持されるとともに、装置の組立を簡単にするために基板のスロットを通してスナップ嵌合により接続される。各端子は、上記ＩＭＳ基板に適正に配置された半田付けパッドに都合よく半田付けすることができる平坦な端子延長部として作用する凹状に湾曲した端部を有する。上記端子は、共通面のＩＭＳ基板および端部に対してあらかじめ位置決めされ、それらは組立の間に直接半田付けすることができる。
　　　【０００７】
　組立の間に、上記ＩＭＳ基板の取着開口に配置される上記端子支持板の反対端に折り取りピンを設けることにより、新規な位置決め取着体が端子支持板により与えられる。上記ピンは、上記ＩＭＳ基板に主端子が半田付けされた後に折り取られる。本発明の他の特徴によれば、上記端子支持板の底部と上記ＩＭＳ基板の上部との間には、ソフトシリコン充填材のための膨張空間として機能する空間が残され、上記ソフトシリコン充填材は、上記半田付け作業が完了した後、上記キャップが上記モジュール上に組み立てられる前に、端子支持板の開口を通して上記空間内に充填される。充填後に、上記空間は上記端子支持板の単一の中央充填開口をシールすることによりシールされる。
　　　【０００８】
　本発明のさらに他の特徴として、上記端子支持板の上面が延在するボス部を有しており、これらボス部を通して上記端子が伸びている。上記上部キャップの内部は、上記頂部が組み立てられると、上記端子支持板の上で上記ボス部に入れ子となるとともに、囲繞する全体的なリブを形成する。上記外装キャップの組立に先だって、上記端子支持板の上面全体は適当な接着材で満たされ、上記外装キャ
ップが所定位置に組み立てられると、上記端子を囲繞している全空間は、上記外装キャップの内部および主端子の短絡回路へ導くことができる種々の端子リード内および端子リード間に空気および不純物が侵入するのを防止するために、接着材でシールされる。
　　　【０００９】
　　【実施例】
　本発明の特徴および利点は、添付の図面を参照して行う以下の本発明の実施例の説明から明らかとなろう。
　　　【００１０】
　図１から図４には、ＩＭＳ基板５１に取着された絶縁モールド型キャップ５０からなる新規なモジュール構造体が開示されており、以下に、その各々についてより詳細に説明する。
　　　【００１１】
　キャップ５０は、その上面から突出する３つの突起５２，５３，５４を有しており、これら突起５２，５３，５４は装置の３つの主端子をなす下方に折れ曲がったセグメント５５，５６，５７を有している。図１にはまた、各制御端子６０，６１と２つの補助パワー端子６２，６３が示されている。
　　　【００１２】
　図２，図３および図４に示すように、モジュール構造体を製作する途中の工程において、キャップ５０とＩＭＳ基板５１と端子支持板（後述）とを仮り組みした状態である副組立体が組み立てられたときおよびそれが使用に供される前に、上記端子５５，５６，５７は上方へ伸びているから六角形のナット受け開口７０，７１，７２（図２参照）が現れている。これら開口７０，７１，７２は、端子５５，５６，５７の端部が下方へ押されたときに覆われる。これら開口は、電気端子を外装に接続するために通常使用されている六角ナットを受けることができる。
　　　【００１３】
　上記ＩＭＳ基板５１はまた、図２に示されているように、取付孔７３，７４を備えている。これら取付孔７３，７４は、上記ＩＭＳ基板と上記副組立体、即ちモジュール構造体をヒートシンクヘねじ止めする際に、取付けねじを受けるようになっている。以下に説明する上記装置により形成される回路は、図５に図式的に示されている絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）７５，７６から形成されるハーフブリッジ（ｏｎｅ−ｈａｌｆ　ｂｒｉｄｇｅ）回路である。ＩＧＢＴ７５，７６は、各々の高速リカバリダイオード７７，７８と並列に接続されている。図５に示されたハーフブリッジ回路の電気端子は、図１に示したものに対応する。
　　　【００１４】
　なお、本発明のモジュール構造体には、単相および三相の全波整流ブリッジ、倍電圧整流器等、図５に示されたもの以外に種々の回路装置が使用できる。ダイオード、サイリスタ、バイポーラトランジスタおよびＭＯＳトランジスタ等の種々の半導体チップを単独でもまた並列にも配置することもできる。後述するように、上記ＩＧＢＴ７５，７６は４つの並列接続されたチップからなる。
　　　【００１５】
　上記外部外装ないしキャップ５０が図７，図８および図９により詳細に示されている。上記キャップ５０の内部には開口８０，８１，８２ａが形成されていて、前記端子５５，５６，５７はこれらの開口８０，８１，８２ａを介してキャップ５０の内側に挿入されるようになっている。開口８０，８１，８２ａは上記外装の内側から下方へ伸びる突条により囲繞されている。突条８２，８３，８４，８５，８６として図７，図８および図９に種々に示されている他の突条が、上記キャップ５０の全内周にわたって伸びる主内部延伸突条８７と協働している。キャップ５０が内部の端子支持板の上に配置されると、後述するように、確実かつ容易に上記端子を互いに絶縁するために、当該端子はシリコンゲル等を充填することができる環状絶縁空間に囲繞される。
　　　【００１６】
　本発明にかかる新規な端子支持板構造体９０について説明すると、この端子支持板構造体９０はスナップ式に主端子５５，５６，５７並びに制御端子６０，６３を保持するようになっている。上記端子支持板９０はその上面に複数の間隔を有するボス９１〜９４を有するモールドされたプラスチックボディである。後述するように、これらのボスは、入れ子となるとともに、上記外装キャップ５０の内側に突出するリブにより囲繞されている。上記ボスの間および上記ボスを囲繞している部分は、図６に示すように、上記外装キャップ５０が上記端子支持板９０に取着される前に、シリコン接着材で満たされていてもよい。上記外装キャップ５０のリブは接着材の内部に突出するとともに、上記接着材を充填すると、上記端子は、端子間で漏洩経路が形成されないように良好にシールされるようになる。
　　　【００１７】
　端子支持板９０は、長いスロット９５，９６，９７をも備えており、図２１および図２２を参照しながら後述するように、これらスロット９５，９６，９７を介して、上記端子５５，５６，５７が伸長するとともに保持されるようになっている。上記端子支持板の下側には、スロット９７の反対側に上記端子支持板の底部の長さに沿って伸びる延伸された完全なプラスチック製のスカート部がある。同様の延伸されたスカート部１０２，１０３がスロット９５，９６の反対側に伸びている。スカート部１００−１０１，１０２−１０３間の空間は、上記端子５５，５６，５７の延伸部を受けて上記端子支持板に上記端子をスナップ式に接続するとともに強固に固定できるようにし、かつまた上記端子を膨張空洞内に隔離する。
　　　【００１８】
　上記端子支持板９０には、貫通孔１１０も形成されている。後述するように、この貫通孔１１０は、外装キャップの組立の前にＩＭＳ基板５１と上記端子支持板の底部との間の空間に高い膨張係数を有するソフトシリコンを充填する際の注入口となる。プラスチックプラグないしボール状ストッパ１１１（図２２）を充填作業の後に開口１１０内に圧入し、所定位置に接着して上記空間をシールすることができる。
　　　【００１９】
　上記端子支持板９０は、端子６０，６２，６３，６１をそれぞれ受ける４つの平行に配置された開口１２０〜１２３（図１０）を有している。これらの端子は、上記端子支持板に圧入されるとともに端子５５，５６，５７とともに副組立体として保持されている。
　　　【００２０】
　上記種々の端子は、所望の構成とすることができるが、図１３ないし図２０は本発明の好ましい実施例において使用される端子の形状を示している。したがって、全端子６０〜６３は、図３および図１４に示された端子６０の構成を有している。端子６０〜６３は、単に開口１２０〜１２３内に押し込んで上記スロットの反対側に圧入し，上記端子を所定位置に保持する湾曲面もしくはテーパ面によって圧着によりその中に保持されるようにしてもよい。上記端子６０の下部は、図１４に示す下部１３０にて上方に湾曲していて、後述するように、ＩＭＳ基板５１の適当な領域へ半田付けすることができる平坦部を有している。
　　　【００２１】
　上記端子５５は、図１５および図１６に示された構造を有するとともに、テーパ面１３１，１３２を有している。これらテーパ面１３１，１３２は、上記スロット９５に端子５５が挿入された後、上記端子支持板内の所定位置に摩擦により保持するために、上記スロット９５の反対側の端部に喰い込む寸法を有している。上記端子の突出端部分１３３は、図１６に点線で示すように、上方に湾曲していて平坦な端子底部１３４を形成しており、この端子底部１３４は後述するように、ＩＭＳ基板上の適当なパッドに半田付けすることができる。上記端子のボディ部分１３５は、上記端子５５が端子支持板内に挿入されたときに図１２のスカート部１０２と１０３との間に合致する。
　　　【００２２】
　図１７および図１８は、伸長下部ボディ１４０および下方に突出する端子部分１４１を有する端子５６を示しており、端子部分１４１は図１８に示すように湾曲部１４２となっており、この湾曲部１４２は上記ＩＭＳ基板へ半田付けされる平坦部を有する。
　　　【００２３】
　図１９および図２０はボディ部分１４２ａおよび図２０に点線で示された形状部１４４に湾曲することができる端子延長部１４３を有する。端子５７が上記端子支持板に取り付けられると、それは上記スロット９７内に圧入されて、上記端子の端部１４４が外向きにかつ下方に突出して、摩擦により、その中に保持される。
　　　【００２４】
　図２１および図２２に示すように、全ての端子は上記端子支持板９０内に摺動可能に挿入されるとともに、挿入行程端で摩擦もしくはスナップ嵌合により端子支持板９０に固定される。各制御端子の底部１３０および端子５５，５６，５７の底部１３４，１４２，１４４は、端子支持板９０に上記端子が組み付けられると、共通の平面に配置される。これらの底面は適当な半田パッドに半田付けされ、これらパッドは、次に説明するように、ＩＭＳ基板の上に適当に配置されている。
　　　【００２５】
　チップが取り付けられていないＩＭＳ基板５１が図２３，図２４に示されている。上記基板５１は基本的に、上部に薄い絶縁層を有する厚肉のアルミニューム板である。この絶縁層の上には、銅のパターンが形成される。ＩＭＳ基板については周知である。上記絶縁層は非常に薄いので、それは上記銅のパターンから上記アルミニューム基板への良好な熱伝達を行う一方、両者の間の良好な電気絶縁を与える。
　　　【００２６】
　図２３は、上記アルミニューム基板から絶縁されるとともに、互いに絶縁されているＩＭＳ基板の銅の領域１５０〜１５６を示している。これらの銅領域の一部に施したハッチングは、リードワイヤに超音波接続できるクラッドアルミニュームがメッキされていることを示している。メッキされていない銅領域は他の部品に半田接続するのに適している。
　　　【００２７】
　拡大領域１５４，１５５は、各々延長部１６０，１６１をそれぞれ有しており、図２５，図２６に示した放熱器１７０の如くの放熱器を受けるのに適しており、放熱器は、上記モジュールの半導体回路を形成するために採用される種々のチップが半田付けされたアルミニューム板であってもよい。図２５，図２６の放熱器１７０の場合、４つの並列接続１ＧＢＴチップ１７２〜１７４および高速リカバリダイオード１７５〜１７８がそれに半田付けされ、全てが並列に接続される。これらの部品は一般に、図５のＩＧＢＴ７５および高速リカバリダイオード７７に対応している。
　　　【００２８】
　それぞれの放熱器上の２つのかかる組立体が図２７に示すように使用されており、この図２７において、上記放熱器１７０は図２５，図２６に示されたものであり、一方、図５のＩＧＢＴ７６およびダイオード７８に対応する同じ組立体１８０が図２７の銅領域１５５に半田付けされる。
　　　【００２９】
　各チップの裏面はそれぞれの放熱器１７０，１８０に半田付けされる一方、上記チップの上面の端子は、周知のように、適当なワイヤとステイッチボンディングを使用して超音波ボンディングされる。図２７には、一本のスティッチワイヤだけが示されているが、実際には、各々の接続には、４本の平行なスティッチボンディングワイヤが使用される。
　　　【００３０】
　図２７では、制御端子１５０は、ＩＭＳ基板上の経路を経由して、放熱器１７０上の各ＩＧＢＴのゲート接点に接続されている。放熱器１７０の各チップのエミッタ接点は、最初にそれぞれのファーストリカバリダイオードの電極に接続され、その後、上記経路１５５の延長部１９０に接続される。制御端子１５３は、最初に上記放熱器１７０に対して図示しない手法で絶縁されている導体パッド１９１，１９２に接続され、上記放熱器１８０のＩＧＢＴチップの制御電極にスティッチボンドされる。
　　　【００３１】
　放熱器１８０上のＩＧＢＴの上面の主電極はステイッチボンドされ、最初に各々のファーストリカバリダイオードに結合されて、それから上記ＩＭＳ基板の導体パッド１５６に結合される。制御電極１５１，１５２を電源端子５６，５７に接続するために、点線２００，２０１により図式的に示された絶縁ワイヤがそれぞれこれらの電極をパッド延長部１６１および上記パッド１５６に接続する。
　　　【００３２】
　図２２，図２７および図２８においては、接点１３４，１４２，１４４がそれぞれ端子の銅露出部分１６０，１５６，１６１の上に配置されて接触するように、種々の端子が上記端子支持板内に物理的に支持されてなる図２２の副組立体を図２７のＩＭＳ表面上に簡単に当接させている。領域１５０〜１５３と一直線をなす制御端子６０〜６３の底部を含む副組立体の全体は、一操作で完全な副組立体として半田付けすることができる。
　　　【００３３】
　半田付け中に、上記ＩＭＳ基板に対して図２２の上記副組立体を配置するのを容易にするために、一対の取り外し可能なペグが上記端子板９０のモールド部に設けられていてもよい。したがって、たとえば図２１に示され、図２８には点線で示され、また、図３０，図３１に示されているように、ペグ２１０，２１１は基板９０の反対側の端部の切り欠きに一体的に固定されるとともに、それから容易に取り外すことができる。これらの位置決め用ペグ２１０，２１１は、上記ＩＭＳ基板５１の装着開口７３に密着するペグ２１０について図２９に示されている端部２１２のような、径が縮小する端部を有する。同様にして、上記反対のペグ２１１はＩＭＳ基板５１の上記開口７４内に合致し、上記端子の底部を含む図２２の全組立体は、ＩＭＳ基板のそれぞれの銅のパッド領域に対して正確に配置されて上記半田付け作業が行われる。
　　　【００３４】
　一旦、組立半ばの端子支持板が所定位置に半田付けされると、上記端子支持板の底部は、図６に最もよく示されているように、上記ＩＭＳ基板の上面の上にスペースが形成されて上記チップおよびワイヤボンドの上に膨張スペースが形成される。上記チップやリードワイヤを含む領域を、温度により膨張自在な、たとえばソフトシリコンのような活性化環境体（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ　ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ）で満たして、上記チップおよびボンドワイヤの熱による移動を吸収するとともにまた、湿気もしくは不純物の侵入に対してモジュールを完全にシールし、また種々の端子間の完全な絶縁を確保するようにすることが好ましい。
　　　【００３５】
　本発明では、上記端子支持板９０の底部と上記ＩＭＳ構造体５１の上部との間の空間は、端子支持板９０の充填開口１１０を通して、種々のチップと接続ボンドの高さを越える高さにソフトシリコンで充たされる。小さい膨張スペースが、図６に最もよく示されているように、端子支持板９０の底部に残るようにすることができる。図６は、上記ソフトシリコンが上記ＩＭＳ基板５１と外装９０との間の内部空間を満たすことができるレベルを点線で示している。ソフトシリコンで上記空間を充填した後、上記空間は、所定場所に接着されるプラスチックボールのようなもので、開口１１０を塞ぐことによりシールされる。
　　　【００３６】
　次に、端子５５，５６，５７の折曲線が図１のボス５５，５６，５７の頂部と面一となるまで、上記外装キャップ５０が開口８０，８１，８２等に嵌合して上記端子５５，５６，５７を上下方向にスライドさせることにより装着され、上記端子は組立完了後に容易に折り曲げることができる。
　　　【００３７】
　上記外装の底部と端子支持板９０の上部との間の領域での端子間の良好な絶縁性を確保するため、上記端子支持板が上方に突出するボス９１，９２，９３，９４を備え、これらボスは、リブ８２，８３，８４，８５，８６のような延在するリブおよび上記外装キャップの底部の囲繞された領域と入れ子となっているかまたは囲繞されてなる新規な構成を有する。これらの領域が入れ子となっていると、端子間の絶縁が容易に達成される。好ましくは、端子支持板９０の突条２２０で区画された領域（図１０および図２１参照）は、適当な接着材等でその高さのほぼ半分まで満たされる。この接着材は、図２の端子５５，５６，５７を囲繞する。その後、上記外装キャップ５０が組み立てられ、種々のリブがボス９１〜９４とこれらのボスの周りとの間の空間内および上記接着材の中に突出し、上記端子を効果的にシールするとともに外装全体を湿気の侵入に対してシールしている。同時に、接着剤等がまた上記ＩＭＳ基板５１のエッジの周りや、そのエッジと図６に示された外装の底部の溝部との間をシールするために使用される。したがって、互いに非常によく絶縁された端子を有するとともに、自由に膨張および収縮するシリコンにより確実に活性化された外装内に半導体部品を収容する、完全にシールされた外装が提供される。
　　　【００３８】
　本発明の上記説明においては、特定の形状を有する好ましい実施例を説明したが、図示の形状は、本発明の範囲内で実施例に応じて変えることができる。たとえば、装置の幅を２倍にして、放熱器１７０，１８０の半導体部品と並列に接続される半導体部品を有する第３および第４放熱器のための空間を形成することができる。したがって、ＩＭＳ基板５１は幅が２倍になると、全ての部品がこの寸法に合致するように大きくされる。
　　　【００３９】
　　【発明の効果】
　一般に、本発明では、最大寸法の放熱器を使用して外装から最大の熱的性能を得ることができる。本発明における端子のシール方法は、シリコンゲルの膨張により信頼性のあるシールを提供するとともに、モールドされ／あらかじめ組み立てられた端子支持板は、外装をより組み立て易くする。これらの３つの改善は、よりよい」性能、信頼性および製造の容易さを有する完全なＩＭＳ外装を提供する。
　　　【００４０】
　大電流のスイッチを得るためには、並列ＩＧＢＴチップを使用することにより、性能が大幅に改善される。ゲート抵抗は上記チップに集積されていて、上記ゲートを共にスティッチボンドすることができ、上記ＩＭＳ基板導体および抵抗の領域をなくすことができる。これにより、上記放熱器を大きくして上記ＩＭＳ基板のエポキシ絶縁体を介してパワー消費が最大となる。上記ＩＭＳ基板は、典型的な金属／セラミック型モジュール以上の領域を要求するとともにその要求に応じることができる。放熱器が大きくなればなるほどますます、装置の熱抵抗（シーターｊｃ）が小さくなり、個々のＩＧＢＴチップが熱的に結合され、並列チップのスイッチングが改善される。
　　　【００４１】
　湿気や他の外部環境要因から半導体チップを保護するシリコンゲルにより信頼性が改善される。大型の銅製端子を外装の上部に必要とするハイパワーのモジュールでは、当業者は、シリコンゲルの上部に、比較的固いエポキシを充填することを余儀なくされていた。このことは、シリコンゲルを密封してしまい、そのためしばしば外装の破裂を引き起こし、それにより上記シリコンゲルを漏洩させたり、上記シリコンシールに損傷を与えたりすることになる。外装ケースヘの改善された基板上にて、機械的な支持および端子のシールを与える端子支持板は、シリコンゲルの上に膨張空間を有する。この膨張空間は、高い温度では上記シリコンゲルが膨張して上記外装が破裂するのを防止する。
　　　【００４２】
　上記モールド端子支持板は、製造が容易で、端子のために高精度の支持部を提供し、それらが上記基板のパターンに整列することができるようにするとともに、単一のあらかじめ組み立てられたユニットとしてのケースに整列できるようにする。これにより、リフロー半田、部品配置および外装閉鎖のための製造に必要なものや複雑な配置システムが不要となる。
　　　【００４３】
　本発明は好ましい実施例について説明してきたが、多くの他の変形および改変並びに他の用法は、当業者にとっては明かである。したがって、本発明は、以上の特定の開示によって限定されるべきものではなく、添付の特許請求の範囲によってのみ規定されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】　本発明により構成される外装の斜視図である。
　　【図２】　図１の外装の上面図である。
　　【図３】　図２の正面図である。
　　【図４】　図３の側面図である。
　　【図５】　図１ないし図４の外装内に形成される内部回路の回路図である。
　　【図６】　図２の６−６線に沿う断面図である。
　　【図７】　図１〜図４および図６の組立体の外装キャップの内部を見た内面図である。
　　【図８】　図７の８−８線に沿う断面図である。
　　【図９】　図７の９−９線に沿う断面図である。
　　【図１０】　以上の図面の端子支持板の構成の上面図である。
　　【図１１】　図１０の１１−１１線に沿う断面図である。
　　【図１２】　図１１の１２−１２線から見た底面図である。
　　【図１３】　以上の図面の一つの制御端子のためのゲート接点部の正面図である。
　　【図１４】　底部が半田付け位置に折り曲げられた後の図１３の端子の側面図である。
　　【図１５】　図１の組立体の一つの主端子の正面図である。
　　【図１６】　半田付け位置へ端子が曲げられた状態を点線で示している図１５の端子の側面図である。
　　【図１７】　図１の組立体の２番目の主端子の正面図である。
　　【図１８】　図１７の側面図である。
　　【図１９】　本発明にかかる組立体の３番目の主端子の正面図である。
　　【図２０】　図１９の端子の側面図である。
　　【図２１】　上記端子支持板に挿入された図１３ないし図２０の種々の端子を有する図１０の端子支持板の分解斜視図である。
　　【図２２】　スナップ式に所定の位置に挿入されて保持された端子を有する図２１の端子支持板の説明図である。
　　【図２３】　放熱器およびリードを取着する前に本発明により使用されるＩＭＳ基板の上面図である。
　　【図２４】　図２３の側面図である。
　　【図２５】　選択されたＩＧＢＴを有するとともに、それに半田付けされた高速リカバリダイオードを有する放熱器の上面図である。
　　【図２６】　図２５の放熱器の側面図である。
　　【図２７】　放熱器がＩＭＳ基板の所定位置に半田付けされるとともにリードが種々のチップと端子との間で相互接続された後の図２３のＩＭＳ基板の上面図である。
　　【図２８】　図２２の端子支持板の側面図であって、図２７の端子位置に配置された主端子半田付けパッドもしくは底部を示すとともに、さらに半田付け作業の間にＩＭＳ基板に関して端子支持板および端子を位置決めするのを補助する折取位置決め突起を仮想線で示している。
　　【図２９】　上記ＩＭＳ基板の装着開口に対して位置決めされた図２８の一つの折取りエレメントを示す説明図である。
　　【図３０】　上記上部キャップ、端子板およびＩＭＳ基板を完全に組み立てる前に互いに配置されたこれら部品を図式的に示す断面図である。
　　【図３１】　３１−３１線に沿う図３０の断面図である。
　　【符号の説明】
５０　絶縁モールド型外装キャップ
５１　絶縁金属基板
５２　突起
５３　突起
５４　突起
５５　セグメント
５６　セグメント
５７　セグメント
６０　制御端子
６１　制御端子
６２　補助パワー端子
６３　補助パワー端子
７０　ナット受け開口
７１　ナット受け開口
７２　ナット受け開口
７３　取付孔
７４　取付孔
７５　ＩＧＢＴ
７６　ＩＧＢＴ
７７　高速リカバリダイオード
７８　高速リカバリダイオード
８０　開口
８１　開口
８２ａ　開口
８２　突条
８３　突条
８４　突条
８５　突条
８６　突条
８７　主内部延伸突条
９０　端子支持板構造体
９１　ボス
９２　ボス
９３　ボス
９４　ボス
９５　スロット
９６　スロット
９７　スロット
１００　スカート部
１０１　スカート部
１０２　スカート部
１０３　スカート部
１１０　貫通孔
１１１　ボール状ストッパ
１２０　開口
１２１　開口
１２２　開口
１２３　開口
１３０　下部
１３１　テーパ面
１３２　テーパ面
１３３　突出端部分
１３４　端子底部
１３５　ボデイ部分
１４０　伸長下部ボディ
１４１　端子部分
１４２　湾曲部分
１４２ａボデイ部分
１４３　端子延長部
１４４　形状部
１５０　銅領域
１５１　銅領域
１５２　銅領域
１５３　銅領域
１５４　銅領域
１５５　銅領域
１５６　銅領域
１６０　延長部
１６１　延長部
１７０　放熱器
１７２　ＩＧＢＴチップ
１７３　ＩＧＢＴチップ
１７４　ＩＧＢＴチップ
１７５　高速リカバリダイオード
１７６　高速リカバリダイオード
１７７　高速リカバリダイオード
１７８　高速リカバリダイオード
１７９　高速リカバリダイオード
１８０　組立体
１９０　延長部
１９１　導体パッド
１９２　導体パッド
２１０　ペグ
２１１　ペグ
２１２　端部
２２０　突条