【事件の表示】
　特許第２６６０８９１号「固体撮像素子パッケージ用窓ガラス」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２６６０８９１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続きの経緯
　本件特許第２６６０８９１号に係る出願は、平成４年１１月６日に特許出願（国内優先権主張、平成４年１月８日）され、平成９年６月１３日にその発明についての特許権の設定の登録がなされ、平成９年１２月１７日に特許掲載公報が発行された。
 　これに対し、平成１０年３月５日付けで石田禎一（以下、「申立人１」という。）より、平成１０年４月７日付けで日本電気硝子株式会社（以下、「申立人２」という。）より、平成１０年４月８日付けで上野恭一（以下、「申立人３」という。）より、それぞれ特許異議の申立てがなされ、平成１１年９月２日、本件特許を取り消すとする決定がなされたところ、東京高等裁判所において決定を取り消すという判決（平成１１年(行ケ)第３３７号、平成１３年５月１５日判決言渡）があったので、本件についてさらに審理する。
　
II．本件特許に係る発明
　特許権者より、平成１２年１月２６日付けで、明細書及び図面の訂正を求める審判が請求され（訂正審判２０００−３９０１０号）、平成１３年２月２日付で、訂正を認める旨の審決がなされ、それが確定したので、本件特許に係る発明（以下、「本件発明」という）は、該訂正審判請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「熱膨張係数が４８〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなり、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下で、ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下であることを特徴とする固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」
　
III．特許異議の申立ての理由の概要
(１)申立人１は、下記の甲第１ないし６号証及び参考資料１を提出し、本件発明は、甲第１ないし６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１に係る特許は、取り消されるべきものである旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭６２−６５９５４号公報（後述する申立人２が甲第１号　　　　　　証として提出した特公平２−１００９９号公報の公開公報であ　　　　　　り、実質的に異なるものではないので、以下、特公平２−１０　　　　　　０９９号公報を「引用例１」という）
甲第２号証：日本電気硝子株式会社カタログ、「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｇ　　　　　　ｌａｓｓ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」（英語版）及び「電子部品用　　　　　　ガラス」（日本語版）、１９８９年１０月印刷、（以下、「引　　　　　　用例２」という）
甲第３号証：日本電気硝子株式会社カタログ、ＮＥＧ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　　　　　　ＧＬＡＳＳ（１９８７年１０月印刷頒布）（以下、「引用例３　　　　　　」という）
甲第４号証：実開平１−１０４７４７号（以下、「引用例４」という）
甲第５号証：「日経エレクトロニクス」１９７９年８月６日、第５８〜７２　　　　　　頁（以下、「引用例５」という）
甲第６号証：特開昭５９−１６９９５５号公報(以下、「引用例６」という)
　
　(２)申立人２は、下記の甲第１ないし５号証を提出し、本件発明は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１に係る特許は、取り消されるべきものである旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特公平２−１００９９号公報（上記引用例１）
甲第２号証：特開平１−１７３６３９号公報（以下、「引用例７」という）
甲第３号証：「インスペック」、１９８５年春号Ｎｏ．３、第８３〜８８頁
　　　　　　（以下、「引用例８」という）
甲第４号証：特開昭５９−１６９９５５号公報（上記引用例６と同一）
甲第５号証：「日経エレクトロニクス」１９７９年発行、第５８〜７２頁　　　　　　　（上記引用例５と同一）
　
(３)申立人３は、下記の甲第１ないし６号証を提出し、本件発明は、甲第１ないし６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１に係る特許は、取り消されるべきものである旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：「ガラス組成データブック　１９９１」、１９９１年３月２５　　　　　　日、社団法人日本硝子製品工業会発行、第２０１頁（以下、　　　　　　　「引用例９」という）
甲第２号証：特開平１−３２０２３６号公報(以下、「引用例１０」という)
甲第３号証：「インペックス」、１９８５年春号Ｎｏ．３、第８３〜８８頁
　　　　　　（上記引用例８と同一）
甲第４号証：特開平１−１７３６３９号公報(上記引用例７と同一)
甲第５号証：特開昭６１−４０８３８号公報(以下、「引用例１１」という)
甲第６号証：特開昭６３−３５４１１号公報(以下、「引用例１２」という)
　
IV．各引用例に記載された発明
　上記各引用例には、それぞれ次の事項についての記載がある。
引用例１（特公平２−１００９９号公報）
（１−１）特許請求の範囲第１項
　「重量百分率で、ＳｉＯ２　６５〜７５％、Ａ１２Ｏ３　４〜８％、Ｂ２Ｏ　３８〜１５％、ＢａＯ　０．５〜５％、ＺｎＯ　０．５〜２．５％、Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　９．９〜１４％、Ｌｉ２Ｏ　０〜３％、ＭｇＯ　０〜３％、ＣａＯ　０〜３％からなる基本組成を有し、熱膨張係数が６０〜７０×１０−７／℃であるアルミナ封着用硼珪酸ガラス。」
（１−２）第１欄第２２〜２６行
　「本発明は、ＣＣＤ等の固体撮像素子を収納するアルミナパッケージの窓ガラス及びアルミナ基板上に設置される固体撮像素子ないし薄膜撮像素子のキャップガラスの用途に特に適したアルミナ封着用硼珪酸ガラスに関するものである。」
（１−３）第２欄第２７行〜第３欄第３行
　「アルミナセラミツクとフリットシールを行なうためには、ガラスの熱膨張係数αがアルミナセラミックの熱膨張係数α＝約７０×１０−７／℃と適合しなけばならない。そのため、ガラスの熱膨張係数αは６０〜７０×１０−７／℃である必要がある。」
（１−４）第４欄第４〜１１行
　「本発明は、イメージセンサの窓ガラスあるいはキャップガラスとして用いられるガラスとして、アルミナとの封着性がよく（熱膨張係数６０〜７０×１０−７／℃）、溶融が容易で（１０２．５　ｐｏｉｓｅ温度、１４００℃以下）、溶融時にガラス表面からの蒸発が少なく（蒸発率２％未満）、かつ耐風化性に優れた（アルカリ溶出量０．１ｍｇ以下）ガラスを得ることを目的とするものである。」
　
引用例２
（２−１）第３４頁
　「縮小型イメージセンサ・カバーガラス　　超精密加工されたホウケイ酸ガラス（ＢＬＣ、ＢＤ−６５）は、ＣＣＤなどの固体撮像素子のカバーグラスに用いられています。」
（２−２）第３４頁の「特性」と題する表
　ＢＬＣ及びＢＤ−６５の熱膨張係数（３０〜３８０℃、×１０−７／℃）がそれぞれ「５１．０」及び「６５．５」であること
　
引用例３
（３−１）第３０頁
　「日本電気ガラスの硼珪酸ガラス（ＢＤ−６５、ＢＬＣ）による薄板ガラスは、縮小型イメージセンサ窓用（肉厚０．５〜１．０ｍｍ）、密着型イメージセンサ窓・基板用（０．６〜１．６ｍｍ）及び密着型イメージセンサ用キャップ（０．４〜０．７ｍｍ）に使用されます。
・・・
ＢＤ−６５は膨張係数が６５．５×１０−７／℃で、アルミナ封着用に適しており、キャップ・フレーム（枠）がアルミナのイメジセンサ窓に用いられます。・・・ＢＤ−６５とＢＬＣ材質は、いずれも水、酸、アルカリに対する化学的耐久性が優れ、フリットシール時の耐熱性も充分です。」
　
引用例４
（４−１）第１頁第１５行〜第２頁第２行
　「この考案は、固体撮像装置において、所定の厚みを有し、且つ着色したプラスチックよりなるフレア防止板を、シールガラスとＣＣＤイメージヤーチツプとの間に介在させてパッケージングしたことにより、コストの低廉化を期すると共に、α線の悪影響を大幅に減少させたものである。」
（４−２）第２頁第３行〜第３頁第６行
　「［従来の技術］従来、この種の固体撮像装置としては、パッケージ内のダイパット上にＣＣＤイメージャーチツプを載置し、該ＣＣＤイメージャーチツブを所定の電極に接続した後、金属薄板にクロムメッキを施してなる、反射によるフレアを防ぐためのフレア防止板を装着し、さらに、シールガラスで前記ＣＣＤイメージャーチツプ及びフレア防止板を封止したものが知られている。
［考案が解決しようとする問題点］このような従来例にあっては、フレア防止板が金属薄板にクロムメッキを施してできているため、コストが高くなる問題点を有している。そのため、最近ではこのフレア防止板を用いない傾向となっている。しかしながら、フレア防止板を用いない場合、シールガラスやパッケージに含まれているα線放出核（放射性物質等）に起因して発生するα線のエネルギーでＣＣＤイメージャーチップに正孔・電子対が誘起され、これが信号源となって、画像に瞬間的な輝点や白線を生じたり、永久損傷として微少で不安定な白線（暗信号時）を生じるといった問題点を有している。」
（４−３）第３頁第１７行〜第４頁第５行
　「［作用］シールガラスとＣＣＤイメージャーチップとの間に介在させたフレア防止板は、プラスチックで形成されているため、シールガラスより放出されるα線の一部と、パッケージより放出されるα線の略全部を遮断し、ＣＣＤイメージャーチップに入射するα線の粒子数を減少させる。」
（４−４）第７頁第６〜９行
　「プラスチック製のフレア防止板でα線の影響を低下させたことにより、パッケージ材料にα線放出核の少ないものを採用しなければならないという制約を緩和出来る効果がある。」
　
引用例５
（５−１）第５８頁右欄第４〜３１行
　「ＣＣＤの方が、ＭＯＳＲＡＭよりずっとアルファ線に弱い（図１）。…（中略）…アルファ線が半導体にあたるとキャリヤ（電子−正孔対）が発生する。このキャリヤがデバイスの誤動作の原因となるのである。アルファ線はパッケージ材料に含まれる微量のウラン（Ｕ）またはトリウム（Ｔｈ）から出る。」
（５−２）第６２頁左欄第９行〜同頁中欄第３行
　「表１でもわかるように、アルファ線束が従来とりわけ大きかったのはガラスである。…（中略）…ガラスのアルファ線束が従来大きかった理由の一つは、成分としてジルコニア（Ｚｒ）を添加することが多かったことである。しかし、Ｚｒを取り除くことも可能で、材料の組合せを変えればアルファ線量は十分下げられるという。」
（５−３）第６３頁左欄第２２〜２９行
　「原材料の選択、別の充頃剤への切り替えなどである程度アルファ線束を下げることが可能とされている。結局どのタイプのパッケージでも、アルファ線束を０．０１〜０．１αｃｍ−２ｈｒ−１にすることは、値上げをしなくてもできるようだ。」
　
引用例６
（６−１）第１頁右下欄第２０行〜第２頁左上欄第１８行
　「半導体装置の気密封着用の低融点ガラスとしては、若干量のＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＰｂＦ２等が添加され、通常ＰｂＯ：７０〜８５重量％およびＢ２Ｏ３：１０〜１３重量％を主成分とするホウ酸鉛系ガラスが従来用いられているが、…（中路）…このように半導体装置のアッセンブリーには、外部雰囲気の遮断性にすぐれた封着剤としてホウ酸鉛系の低融点ガラスが使用されているが、このような従来のガラスを封着剤として使用した半導体装置では半導体メモリーが一過性の誤動作を起こす現象があり、そのメモリーエラーのために装置の信頼性に難点があった。」
（６−２）第２頁左上欄第１９行〜同頁右上欄第９行
　「そこで、本発明者は、上記のような観点から、半導体装置のメモリーエラーの発生を防止すべく種々研究を重ねた結果、このメモリーエラーの発生は低融点ガラス中に不可避不純物として含まれる放射性同位元素に起因することを見出すとともに、その含有量を２０ｐｐｂ（ｌｐｐｂは１億分の１）未満とすれば放射性α粒子のカウント数を０．１ＣＰＨ（カウント／時）／ｃｍ２以下に抑えることが可能となり、以ってメモリーエラーの発生がなく、きわめて信頼性の高い半導体装置を得ることができるという知見を得た。」
（６−３）第２頁左下欄第１５行〜第３頁左下欄第２行
　「実施例　原料として放射性同位元素の含有量を低く調製した酸化鉛とホウ酸鉛、およびホウ酸、水酸化アルミニウム、珪砂、フッ化鉛、亜鉛華を用意し、所定量を第１表に示される配合組成に配合し、混合して白金るつぼに装入し、８００〜９００℃にて約３０分間溶融させた後冷却して板状に成形し、粉砕して、それぞれ配合組成と実質的に同一の組成をもち、かつ放射性同位元素の含有量が２０ｐｐｂ未満である本発明低融点ガラス１〜３の１５０メッシュ以下の粉末を製造し、さらに、酸化鉛とホウ酸鉛として、それぞれ放射性同位元素の含有量が高い通常の酸化鉛とホウ酸鉛を使用する以外は、同一の条件で放射性同位元素の含有量が本発明の範囲から外れて高い比較低融点ガラス１〜３の粉末を製造した。…（中略）…このようにして得られた各パッケージにおける封着用低融点ガラスの放射性同位元素含有量およびα粒子カウント数を測定すると共に、パッケージのメモリーエラーの有無も観察した。これらの結果を第１表に合せて示した。第１表に示される結果から、放射性同位元素の含有量が２０ｐｐｂ未満である本発明低融点ガラス１〜３を用いた場合にはいずれもα粒子のカウント数が０．１ＣＰＨ／ｃｍ２以下であって、メモリーエラーの発生が認られず…（中略）…この発明の低融点ガラスは、α粒子を放射する放射性同位元素を２０ｐｐｂ未満しか含まないので、半導体装置の封着用ガラスとして使用した場合、そのα粒子に起因するメモリーエラーの発生を著しく低減することができる。」
　
引用例７
（７−１）第１頁右下欄第１０行〜第２頁左上欄第１９行
　「［従来の技術］従来、この種の固体撮像装置としては、アルミナ製のセラミックパッケージ内にＣＣＤイメージャーチップを載置し、さらに、ケイ酸塩ガラスよりなるシールガラスをもって前記チップを封入した構造のものがある。
［発明が解決しようとする問題点］しかしながら、このような従来例にあっては、以下に示すような問題点を有している。即ち、シールガラスに含まれるα線放出核に起因してα線が、ＣＣＤイメージャーチップの受光部分、垂直・水平転送レジスタに入射することによって、正孔・電子対が誘起され、これが信号源となり瞬間的に画像に輝点や白線を生じさせる問題点がある。また、α線が入射することにより、ＣＣＤイメージャーチップ側に永久損傷が発生し、例えば暗信号時に、微小で不安定な白点が生じる等の問題点がある。そこで、このような問題点を解消するためにα線放出核の少ない高純度石英ガラスでなるシールガラスを用いた場合、パッケージを形成するアルミナの熱膨張率７×１０−７／℃に対して高純度石英ガラスの熱膨張率が５０×１０−７／℃と、その差が大き過ぎるため、これらを組合わせた場合にシールガラスに割れ等の損傷が生ずる問題点があり、高純度石英ガラスをシールガラスとして使用出来ないものであった。」（但し、上記下線部は「７×１０−６の誤記と認められる。）
（７−２）第２頁右上欄第５〜１２行
　「［問題点を解決するための手段］そこで、本発明は、ＣＣＤイメージャーチツプをガラスセラミックスからなるパッケージに載置すると共に、該パッケージに高純度石英ガラスよりなるシールガラスを接着し、前記パッケージの熱膨張率が、前記ＣＣＤイメージャーチツプの熱膨張率と前記シールガラスの熱膨張率との中間の値であることを、その構成としている。」
（７−３）第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第２行
　「このように、シールガラス３に高純度石英ガラスを用いることを可能としたことにより、シールガラス３からＣＣＤイメージヤーチツプ２へと入射するα線の数を、従来の硼ケイ酸アルカリ土類ガラスでシールガラスを形成したものに比して１／１０〜１／１００に減少させることが出来る。」
　
引用例８
（８−１）第８３頁左欄第２〜１１行
　「ＩＣやＬＳＩの信頼性にかかわる故障の原因については、種々の発生メカニズムが解明されているが、ＩＣチップ周辺やパッケージ材料から放出されるα線も故障の原因の一つである。パッケージ等の材料中にｐｐｍ（またはｐｐｂ）単位で存在するウラニウム（Ｕ）やトリウム（Ｔｈ）がα崩壊する際、α線が放出されるが、このα線（α粒子）は、チップ表面の記憶ノード付近を透過する際、多くの電子−正孔対を生成し、これがロジカル“１”と“０”とを逆転させて、いわゆるシングル・ビット・エラーの原因をつくる。」
（８−２）第８３頁左欄１４〜１７行
　「ＭＯＳダイナミックＲＡＭやＣＣＤの大容量化とともに、種々のソフト・エラーを抑える対策が請じられてきたが、本質的には、ＩＣを構成する素材として、α線発生の、より少ない材料を用いることが不可欠となってくる。」
（８−３）第８６頁右欄第２行〜第８７頁左欄第２行
　「現在サーディップ等のパッケージ用として大量に使用されているアルミナは、主としてボーキサイト鉱からバイヤー法（カセイソーダにアルミナ分のみを抽出して分離精製する方法）で製造されている。天然のボーキサイト鉱中には、ＵおよびＴｈがそれぞれ５〜１０ｐｐｍ、２０〜４０ｐｐｍ程度含有されているが、バイヤー法で普通に精製されたアルミナは、ＵおよびＴｈがそれぞれ０．０５〜ｌｐｐｍ、０．０１〜０．１ｐｐｍ程度にまで減少している。…（中略）…低α線アルミナは、さらに特殊な処理をしてＵおよびＴｈを除去することにより、α線を０．０１ｃ／ｃｍ２・ｈ以下に減らしたアルミナである。…（中略）…さらに０．００１ｃ／ｃｍ２・ｈのアルミナの製造も技術的には可能である。」
（８−４）第８７頁右欄第１９〜２７行
　「ＩＣの高集積化が、ますます進行するにつれて、アルミナに限らず、ＩＣを構成する素材すべてについて、低Ｕ（Ｔｈ）化がのぞまれるようになった。すなわち、セラミック・パッケージを低α化するためには、主原料のアルミナ以外に、焼結体をつくるための鉱化剤（カオリン、タルク等）、有機バインダ、顔料等にいたるまで、低Ｕ（Ｔｈ）の原材料が必要となる。またＩＣチップ近傍で使用される素材、たとえばボンディング・ワイヤや封止用ガラス等についても同様である。」
（８−５）第８７頁右欄第２８行〜第８８頁第１５行
　「一方、それぞれの材料や製品において、低Ｕ（Ｔｈ）化を実現するためには、それぞれの製造工程での品質管理が重要な課題である。…（中略）…セラミックパッケージとしては、現段階では、０．０２ｃ／ｃｍ２・ｈ以下のものが低αＩＣパッケージとして製造されており、次段階として０．０１ｃ／ｃｍ２・ｈ以下が目標と思われる。鉱化剤は一般に天然品が多く、添加量は少量でもパッケージのα線量に著しく影響を与える。このため、主原料であるアルミナのα線量は、０．０１ｃ／ｃｍ２・ｈでは不足であり、さらに一桁低いものが要求されるようになる。」
　
引用例９
（９−１）第２０１頁
　ＣＣＤカバー用ガラスとして、重量百分率で、ＳｉＯ２　７１％、Ａ１２Ｏ３　６％、Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　７％、Ｂ２Ｏ３　１３％、ＣａＯ＋ＢａＯ　３％からなり、熱膨張係数が５１．０×１０−７／℃であるもの、及び６５．５×１０−７／℃であるものが記載されている。　
　
引用例１０
（１０−１）特許請求の範囲
　「少なくとも重量百分率で、ＳｉＯ２　５０〜７０％、Ｂ２Ｏ３　５〜２０％、Ａｌ２Ｏ３　０．２〜１６％、Ｆｅ２Ｏ３　５０〜２００ｐｐｍを含有するガラスであって、屈折率（ｎｄ）が１．５２以下、アッべ数（νｄ）が５５以上、平均線膨張係数が３５〜６５×１０−７／℃の範囲内にあり、かつ波長３００ｎｍにおける透過率が肉厚２ｍｍで３０％以上であることを特徴とする固体撮像素子用カバーガラス。」
（１０−１）第２頁右下欄第１１〜１３行
　「平均線膨張係数は、アルミナセラミックパッケージとの封着性を良好に保つために３５〜６５×１０−７／℃の範囲内にあることが必要である。」
（１０−３）第３頁左上欄第６〜１６行
　「以上のような構成成分を含有するガラスでは、Ｆｅ２Ｏ３が２００ｐｐｍを越えると紫外線透過率が低下し、蛍光発生が顕著となりノイズの発生が増加する。一般にＦｅ２Ｏ３含有量が少ない程、紫外線透過率は改善されることが知られている。しかしながら、微量でガラスの特性に大きな影響を与える不純物成分を完全に除去するのは非常に困難である。このためＦｅ２Ｏ３が５０ｐｐｍ未満というような高純度なガラスを得るためには、原料・設備にかかるコストの著しい上昇を招くので好ましくない。」
　
引用例１１
（１１−１）特許請求の範囲
　「ホウ素含有率がＢ２Ｏ３として１〜１０重量％、α−放射体がガラス全量に対し、Ｕ＋Ｔｈとして１０ｐｐｂ以下、ガラスを煮沸浸出した抽出水の電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下にあるホウ素含有ガラスであることを特徴とするＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス。」
（１１−２）第２頁左上欄第４〜１１行
「本発明は、高純度の溶融球状シリカガラス用原料およびこれを用いた溶融球状シリカガラスの製造方法に関する。更に詳しくは、半導体の樹脂封止用の充填材、研摩材、基板、パッケージ材料等の高純度、高機能を有する電子材料の中間原料として適用できる、高純度の水和シリカおよび無水シリカの製法に関するものである。」
　
引用例１２
（１２−１）第１頁右下欄第１５行〜第２頁左上欄第５行
　「すなわち天然産の石英粉末には、各種の重金属不純物が含まれており、これらの不純物は、電子部品の特性を低下させることが知られており、特にＬＳＩの封止剤用充填物としては、充填物中に含まれる微量ウランあるいはトリウムから放射されるα線が、デバイスの作動誤差を引き起こす原因となることが認めれている。このためウランあるいはトリウムの含有量の低い高純度石英粉末が要望され、特に超ＬＳＩ用封止剤の充填物としては、不純物であるウランの濃度が１００ｐｐｂ以下の高純度品が必要とされてきている。」
　
Ｖ．対比
　本件発明と上記引用例１に記載された発明とを対比する。
　引用例１記載の「アルミナ封着用硼珪酸ガラス」は、その熱膨張係数が６０〜７０×１０−７／℃であって、これは本件発明における硼珪酸系ガラスの熱膨張係数４８〜７５×１０−７Ｋ−１と重複する部分を有すること及び引用例１には、引用例１記載の「アルミナ封着用硼珪酸ガラス」が、固体撮像素子を収納するアルミナパッケージの窓ガラスとして使用されることが記載されていることをそれぞれ勘案すると、両者は「熱膨張係数４８〜７５×１０−７Ｋ−１の硼珪酸系ガラスからなる固体撮像素子パッケージ用窓ガラス。」の構成の点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：
　本件発明は、「ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下である」としているのに対し、引用例１には上記の要件については記載がない点
相違点２：
　本件発明は、硼珪酸ガラスが、「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２が各々１００ｐｐｍ以下」であるとしているのに対し、引用例１には、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２をガラスの構成成分とすることについては記載がなく、これらの成分が具体的にどの程度含まれているかについては明らかでない点。
　
VI．相違点についての判断
（１）相違点１について
　引用例４には、従来の、パッケージ内のダイパット上にＣＣＤイメージャーチップを載置し、これにフレアを防ぐためのフレア防止板を装着し、さらに、シールガラスで前記ＣＣＤイメージャーチップ及びフレア防止板を封止した固体撮像装置に関して、このフレア防止板を用いない場合には、シールガラスやパッケージに含まれているα線放出核（放射性物質等）に起因して発生するα線のエネルギーでＣＣＤイメージャーチップに正孔・電子対が誘起され、これが信号源となって、画像に瞬間的な輝点や白線を生じたり、永久損傷として微少で不安定な白線（暗信号時）を生じるといった問題点が生じることが記載されている。
　また、引用例７には、固体撮像装置としては、アルミナ製のセラミックパッケージ内にＣＣＤイメージャーチップを載置し、さらに、珪酸塩ガラスよりなるシールガラスによって前記チップを封入した構造のものがあるところ、このシールガラスに含まれるα線放出核に起因してα線が、ＣＣＤイメージヤーチップの受光部分、垂直、水平転送レジスタに入射することによって、正孔・電子対が誘起され、これが信号源となり瞬間的に画像に輝点や白線を生じさせる問題点があることが記載されており、この問題点を解決するためにα線放出核の少ない高純度石英ガラスをシールガラスとして用いるようにしたことが記載されており、これにより、シールガラスからＣＣＤイメージヤーチップへと入射するα線の数を、従来の硼ケイ酸アルカリ土類ガラスでシールガラスを形成したものに比して１／１０〜１／１００に減少させることができたことが記載されている。
　上記引用例４、７の記載を勘案すると、固体撮像素子パッケージ用窓ガラスの材料からα線が放出されると、このα線が素子に悪影響を生じるため、このα線の影響をなくす必要があることは周知の技術課題であったといえる。
　そして、このようなα線の影響を防ぐには、窓ガラスの材料としてα線を放出しないものを採用するか、α線の放出があっても素子がその影響を受けないようにすればよいことは当業者には自明のことである（因みに、引用例７記載のものでは、α線放出核が少ない材料である高純度石英ガラスをガラス窓の材料として採用し、引用例４記載のものでは、ガラスから放出されるα線を遮蔽するという方法を採用している。）。
　一方、引用例５、８には、ＣＣＤ等のデバイスにおいて、ＩＣやＬＳＩの信頼性にかかわる故障の原因については、種々の発生メカニズムが解明されているところ、ＩＣチップ周辺やパッケージ材料から放出されるα線も故障の原因の一つであること、そして、ソフト・エラーを抑えるためには、本質的には、ＩＣを構成する素材として、α線発生の、より少ない材料を用いることが不可欠であること、アルミナに限らず、デバイスを構成する素材すべてについて、低Ｕ（Ｔｈ）化が望まれるようになり、セラミック・パッケージについてはこれを低α化するためには、主原料のアルミナ以外に、焼結体をつくるための鉱化剤（カオリン、タルク等）、有機バインダ、顔料等にいたるまで、低Ｕ（Ｔｈ）の原材料が必要であり、これはＩＣチップ近傍で使用される素材、例えば封止用ガラスについても同様であることが記載されている。
　また、引用例６及び１１にも、固体撮像素子についての直接的な記載はないが、半導体装置のメモリーエラーを防ぐために、半導体装置を構成する低融点ガラスの原料中の放射性同位元素の含有量を低くすることによってガラスのα線放出量を低減することが記載されている。
　すなわち、引用例５、６、８及び１１には、装置を構成する部材からのα線による影響を防ぐために、原材料自体の放射性同位元素量を低減させて、この原材料から部材を製造し、これによって部材からのα線の放出量を低減することが記載されている。
　そして、引用例７によって、「硼ケイ酸アルカリ土類ガラス」（これは、「硼珪酸系ガラス」に相当する。）はα線を放射することが知られていることをも勘案すれば、引用例１記載の発明の硼珪酸系ガラスにおいても、その原材料中のα線放出核を低減することによって、部材としてのガラスのα線放出量を少なくすることは、引用例４、６〜８、及び１１の記載を相互に勘案することによって当業者が容易に想到し得たものであるとするべきである。
　更に、このα線の放出量はできるだけ少なくすることが望ましいことは自明のことであるが、製造コストの観点及び品質管理の観点からその許容値を確認することは当業者が適宜に行うべきものであるところ、その許容値は、当業者が、α線放出量（α線放出核数）と素子に生じるノイズとの関係を調べる単なる試験を行うことにより格別の技術的創作力を要することなく決定できることであるから、本件発明におけるように、放射性同位元素の合計量を１００ｐｐｂ以下と、また、ガラスからのα線放出量を０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下とそれぞれ設定することは当業者が容易になし得たものとせざるを得ない。
　上記のとおりであるから、前記相違点１は格別のものではなく、引用例１記載の発明において、「ガラス中の放射性同位元素の含有量の合計が１００ｐｐｂ以下であり、ガラスからのα線放出量が０．０５ｃ／ｃｍ２・ｈ以下」とすることは、引用例４〜８の記載に基づいて当業者が容易に想到し得たことと認める。
  
（２）相違点２について
  引用例１に記載がないことは、前述のとおりである。
  引用例２ないし１２のうち、固体撮像素子パッケージ用窓ガラスに用いる硼珪酸系ガラスに関し、その組成について記載があるのは、引用例２、３、９及び１０であるので、まずこれらの引用例について検討する。
　引用例２、３及び９のいずれにも、ＣＣＤカバー用ガラスとして用いられている硼珪酸系ガラスとして、熱膨張率（×１０−７／℃）が「５１」のものと、「６５．５」であるものとがあることが記載されており、これらの値は、本件発明の「熱膨張係数が４８〜７５×１０−７Ｋ−１」の範囲に含まれるが、「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２」の含有量に関する記載はない。また、引用例１０には、「少なくとも重量百分率で、ＳｉＯ２　５０〜７０％、Ｂ２Ｏ３　５〜２０％、Ａｌ２Ｏ３　０．２〜１６％、Ｆｅ２Ｏ３　５０〜２００ＰＰｍを含有するガラスであって、屈折率（ｎｄ）が１．５２以下、アッべ数（νｄ）が５５以上、平均線膨張係数が３５〜６５×１０−７／℃の範囲内にあり、かつ波長３００ｎｍにおける透過率が肉厚２ｍｍで３０％以上であることを特徴とする固体撮像素子用カバーガラス」に関し、「一般にＦｅ２Ｏ３含有量が少ない程、紫外線透過率は改善されることが知られている。しかしながら、微量でガラスの特性に大きな影響を与える不純物成分を完全に除去するのは非常に困難である。このためＦｅ２Ｏ３が５０ｐｐｍ未満というような高純度なガラスを得るためには、原料・設備にかかるコストの著しい上昇を招くので好ましくない。」（摘記事項（２−３）参照）と記載されているので、本件発明とその目的が異なるものの、固体撮像素子用カバーガラスにおいて、「Ｆｅ２Ｏ３」の量を減らすことについては示唆されているといえる。しかしながら、その他の「ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２」については記載がない。
　前項「（１）相違点１について」に記載したように、固体撮像素子におけるα線放出の影響について記載されているのは、引用例４、５、７及び８であるので、次にこれらの引用例について検討する。
　前述のとおり、引用例４，７には、固体撮像素子パッケージ材料からα線が放出されると、このα線が素子に悪影響を生じるため、このα線の影響をなくす必要があることが記載されているが、引用例４記載のものでは、ガラスから放出されるα線をフレア防止板を介在させることにより遮蔽するという方法を採用しており、また、引用例７記載のものでは、硼珪酸系ガラスを用いずに、α線放出核が少ない材料である高純度石英ガラスをガラス窓の材料として採用しており、いずれの引用例にも、α線の放出を防ぐための、硼珪酸系ガラスの組成に関する記載はない。
　また、引用例８には、アルミナに限らず、デバイスを構成する素材すべてについて、低Ｕ（Ｔｈ）化が望まれるようになり、セラミック・パッケージを低α化するためには、主原料のアルミナ以外に、焼結体をつくるための鉱化剤（カオリン、タルク等）、有機バインダ、顔料等にいたるまで、低Ｕ（Ｔｈ）の原材料が必要であり、またＩＣチップ近傍で使用される素材、例えばボンディング・ワイヤや封止用ガラス等についても同様であることが記載されているが、α線の放出を防止するための、硼珪酸系ガラス中の「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２」の量については、記載がない。
　さらに、引用例５には、α線の放出と、ガラス成分の関係について記載されており、特に、上記摘記事項（５−２）に示すように、ガラスのアルファ線束が従来大きかった理由の一つは、成分としてジルコニア（Ｚｒ）を添加することが多かったことであり、そのＺｒを取り除くことも可能で、材料の組合せを変えればアルファ線量は十分下げられることが記載されているから、該引用例５の記載から、硼珪酸系ガラス中の「ＺｒＯ２」の使用を避けることが示唆されているということはできるが、その他の「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、およびＰｂＯ」については記載がない。
　
　さらに上記以外の、引用例６、１１及び１２は、いずれも固体撮像装置に関するものではないが、半導体装置におけるα線の影響について記載するものであるので、これらの引用例についても検討する。
　引用例６（上記摘記事項（６−３）参照）には、通常の酸化鉛（ＰｂＯ）は放射性同位元素の含有率が高い事を教示する記載があるが、その他の「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、およびＺｒＯ２ 」については記載がないうえ、封止用低融点ガラスに関するものであって、硼珪酸系ガラスに関するものではない。
よって、引用例６の記載には、「ＰｂＯ」の使用を避けることが示唆されているということができても、硼珪酸系ガラス中の「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、およびＺｒＯ２」を１００ｐｐｍ以下にするという技術思想を導くことはできない。
　また、引用例１１及び１２は、α線による影響を防ぐために、放射性同位元素であるＵ及びＴｈの量を低減させた原材料から部材を製造し、これによって部材からのα線の放出量を低減することが記載されているが、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯ、あるいはＺｒＯ２の含有量とα線放出量の関係に関する記載はない。
　以上、引用例１ないし１２に記載された事項についての検討をまとめると、α線の放出量を減らすために、硼珪酸系ガラス中の「ＰｂＯ」及び「ＺｒＯ２」の量を減らすことについては、それぞれ引用例６及び引用例５に、示唆する記載があり、目的が異なってはいるものの、硼珪酸系ガラス中の「Ｆｅ２Ｏ３」の量を減らすことについては、引用例１０に示唆する記載があるが、硼珪酸系ガラス中の「ＴｉＯ２」の含有量について、あるいは「ＴｉＯ２」の含有量とα線の放出量との関係については、いずれの刊行物にも記載がないから、これらの刊行物の記載から、「ＴｉＯ２」を１００ｐｐｍ以下にするという構成を導き出すことはできない。
　そして、本件発明では、「Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＰｂＯおよびＺｒＯ２」を「各々１００ｐｐｍ以下」にすることにより、本件明細書の段落【００１２】に記載された「これらの成分が各々１００ｐｐｍを越えて含有されるとα線放射性元素の濃度が１００ｐｐｂを越え、α線放出量が急激に増大する」という問題を回避しうるものである。
　よって、本件発明は、引用例１ないし１２に記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　
VII．むすび
　以上のとおりであるから、各特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件の請求項１についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項に規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月２日（１９９９．９．２）