【事件の表示】
　特許第２８２０１４８号「異方性導電膜および異方性導電膜を用いた半導体素子の実装方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８２０１４８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．本件手続の経緯
　本件特許第２８２０１４８号についての出願は、平成１年１月２０日（優先権主張昭和６３年４月２０日）に出願した特願平１−１１６１３号の一部を平成９年１０月６日に新たな出願としたものであって、平成１０年８月２８日に設定登録され、平成１０年１１月５日に特許公報に掲載され、その請求項１ないし３に係る特許について平成１１年４月２０日に北野　光代から特許異議の申立がなされ、取消理由通知に対してその指定期間内である平成１１年１２月１４日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知に対してその指定期間内である平成１２年４月２０日に訂正請求書の補正がなされたものである。
ＩＩ．訂正請求書の補正について
ＩＩ−１．補正の内容
　訂正請求書の訂正事項の欄を以下のように補正するとともに、その内容と整合するように同書の請求の原因の欄を補正し、かつその内容のとおりに全文訂正明細書の記載を補正する。
　訂正事項（訂正の要旨）
ａ．特許請求の範囲の請求項１を、「実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄いシート状異方性導電膜と、前記シート状異方性導電膜上に載置され、前記シート状異方性導電膜と２層構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される絶縁樹脂付き異方性導電膜。」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の請求項２を、「請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を半導体素子能動表面に載置する工程、前記半導体素子と、前記半導体素子が実装される絶縁基板とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板を圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する半導体素子の実装方法。」と訂正する。
ｃ．特許請求の範囲の請求項３を、「請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を絶縁基板に載置する工程、前記絶縁基板と、前記絶縁基板に実装される前記半導体素子とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板とを圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する半導体素子の実装方法。」と訂正する。
ＩＩ−２．補正の適否
　ＩＩ−１に記載の補正内容は、訂正請求書の要旨を変更するものでないから、上記訂正請求書の補正は、特許法第１３１条第２項の規定に適合するものである。
ＩＩＩ．訂正請求について
ＩＩＩ−１．訂正事項
（ａ）請求項１を、「実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄いシート状異方性導電膜と、前記シート状異方性導電膜上に載置され、前記シート状異方性導電膜と２層構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される絶縁樹脂付き異方性導電膜。」と訂正する。
（ｂ）請求項２を、「請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を半導体素子能動表面に載置する工程、前記半導体素子と、前記半導体素子が実装される絶縁基板とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板を圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する半導体素子の実装方法。」と訂正する。
（ｃ）請求項３を、「請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を絶縁基板に載置する工程、前記絶縁基板と、前記絶縁基板に実装される前記半導体素子とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板とを圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する半導体素子の実装方法。」と訂正する。
（ｄ）段落番号【０００９】、【００１０】、【００１１】の記載を上記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に整合させたものに訂正する。
ＩＩＩ−２．訂正の適否
ＩＩＩ−２−１．目的、新規事項、拡張変更の適否
　訂正事項（ａ）は、請求項１に記載された「シート状の異方性導電膜」を、特許明細書の記載（特許公報第２頁第４欄５０行〜第３頁第５欄第１行、第３頁第５欄２０〜２１行、第３頁第５欄４１〜４２行参照）に基づいて、「実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄い」ものに限定するとともに、同じく請求項１に記載された「シート状の異方性導電膜」及び請求項１の末尾の「異方性導電膜」を、それぞれ、「シート状異方性導電膜」及び「絶縁樹脂付き異方性導電膜」と訂正し、請求項１に記載された明りょうでない表現を明りょうなものとしたものであるから、訂正事項（ａ）は特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的とするものに相当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　訂正事項（ｂ）及び（ｃ）は、請求項２及び３の「請求項１に記載の異方性導電膜」及び「前記異方性導電膜」という記載を、それぞれ、「請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜」及び「前記絶縁樹脂付き異方性導電膜」と訂正し、請求項２及び３に記載された明りょうでない表現を明りょうなものとしたものであるから、訂正事項（ｂ）及び（ｃ）は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに相当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項（ｄ）は、訂正事項（ａ）〜（ｃ）の訂正に伴い必要となる特許明細書中の記載の訂正であり、明りょうでない記載の釈明に相当するものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
ＩＩＩ−２−２．独立特許要件
ＩＩＩ−２−２−１．訂正後の本件発明
　訂正後の本件発明は、全文訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄いシート状異方性導電膜と、前記シート状異方性導電膜上に載置され、前記シート状異方性導電膜と２層構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される絶縁樹脂付き異方性導電膜（以下、本件発明１という。）。
【請求項２】請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を半導体素子能動表面に載置する工程、前記半導体素子と、前記半導体素子が実装される絶縁基板とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板を圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する半導体素子の実装方法（以下、本件発明２という。）。
【請求項３】請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を絶縁基板に載置する工程、前記絶縁基板と、前記絶縁基板に実装される前記半導体素子とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板とを圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する半導体素子の実装方法（以下、本件発明３という。）。
ＩＩＩ−２−２−２．引用例の記載内容及び本件発明との比較・検討
　当審が取消理由通知において示した引用例１（特開昭６１−１９５１７９号公報、甲第１号証）及び引用例２［特願昭６２−１４６３７１号の願書に最初に添付された明細書及び図面（特開昭６３−３１０５８１号公報、甲第２号証参照）］には以下の内容が記載されている。
　引用例１には、「離型効果を有する柔軟性フィルムの一主面に、絶縁性の第１の合成樹脂層と、この第１の合成樹脂層の上に導電性粉体を含む上記第１の合成樹脂層よりも軟化点の高い第２の合成樹脂層を形成したことを特徴とする異方導電性接着シート。」（特許請求の範囲）が第２図を用いて記載されている。
　引用例２には、「熱溶融性で、且つ絶縁性の第１フィルムと熱溶融性で且つ異方導電性の第２フィルムとを接合させた積層体構造を有することを特徴とする電気的接続のっためのフィルム体。」（特許請求の範囲）が記載され、第２フィルムの乾燥後の厚みは１〜２５μｍ、好ましくは５〜１５μｍ程度に設定され、ＦＰＣ基板に形成されている銅箔パターンの膜厚は、一般に１０〜５０μｍが適していること（第３頁左上欄１〜３行、第３頁右下欄２０行〜第４頁左上欄２行）、「本実施例では、ＦＰＣ基板２１と配線基板２３との接続について詳述したが、ＩＣチップの接続など部品接続の高分解能、高信頼性に対しても本発明が有用であることはいうまでもない。」（第３頁右下欄９〜１２行）と記載されている。
　そこで、引用例１、２の記載内容と本件発明１〜３とを比較検討する。
　本件発明１〜３はいずれも、その構成として「実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄いシート状異方性導電膜」という構成（以下、構成Ａという。）を有し、この構成により、半導体素子能動面とその直下の配線パターンの間に絶縁樹脂が確実に存在するようになり半導体素子と配線パターンとの間の電気的短絡が生じないという特許明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　これに対し、引用例１には、「シート状異方性導電膜と、該シート状異方性導電膜上に載置され、シート状異方性導電膜と２層構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される絶縁樹脂付き異方性導電膜」が開示されていると解されるものの、前記構成Ａについては記載も示唆もなく、引用例２には、「シート状異方性導電膜と、該シート状異方性導電膜上に載置され、シート状異方性導電膜と２層構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される絶縁樹脂付き異方性導電膜」が開示され、銅箔パターンの膜厚をシート状異方性導電膜の膜厚よりも大きくすることも可能である旨の記載はあるが、半導体素子の金属突起の大きさを具体的に示す記載はなく、半導体素子の金属突起の大きさとシート状異方性導電膜の厚さとの関係を製品の電気的短絡との関係で記載するところもないから、引用例２に前記構成Ａが開示されているとすることもできない。
　してみると、本件発明１〜３が引用例１に記載された発明であるとすることも、本件発明１〜３が引用例２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　したがって、訂正後の本件発明１〜３が、特許法第2 ９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであるとも、同法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるともすることができない。
　また、他に、訂正後の本件発明１〜３が特許出願の際に独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　以上のとおりであるから、訂正後の本件発明１〜３は、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
ＩＩＩ−２−３．訂正の認否
　上記の訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するものであるから、上記訂正は認める。
ＩＶ．特許異議申立てについて
ＩＶ−１．特許異議申立人の主張
　特許異議申立人・北野　光代は、証拠として、甲第１号証（上記引用例１）、甲第２号証（上記引用例２）、甲第３号証（特開昭６０−１１６１５７号公報）を提出し、
　イ）訂正前の本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第2 ９条第１項第３号に該当する発明であり、特許を受けることができないものである、
　ロ）訂正前の本件請求項1に係る発明は、甲第２号証に記載された発明と同一であるから特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである、
　ハ）訂正前の請求項２及び３に係る発明は、甲第１号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、
　との理由で、訂正前の本件請求項１〜３に係る発明の特許は取り消されるべきである旨を主張する。
ＩＶ−２．特許異議申立人の主張の適否の検討
　訂正前の本件請求項１に係る発明は、上記訂正により、本件発明１としてＩＩＩ−２−２−１に記載したとおりのものとなった。
　そして、訂正後の本件発明１が、甲第１号証に記載された発明でなく、甲第２号証に記載された発明と同一でなく、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明でも同法第２９条の２の規定により特許を受けることができないとされる発明でもないことはＩＩＩ−２−２−２に記載したとおりである。
　また、甲第３号証には、半導体素子表面に異方性導電膜を載置することが記載されているものの、訂正後の本件発明２，３の上記構成Ａについて記載も示唆もないから、甲第１号証と甲第３号証に記載された発明を総合しても訂正後の本件発明２，３の上記構成Ａに想到することは当業者にとって容易でなく、訂正後の本件発明２，３が甲第１号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないから、訂正後の本件発明２，３が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　したがって、訂正後の本件発明１〜３に係る特許が（イ）〜（ハ）の理由により取り消されるべきであるとの特許異議申立人の主張は採用できない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、訂正後の本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の本件発明１〜３に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１９日（２０００．６．１９）
【訂正の要旨】
訂正事項
（ａ）請求項１を、「実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄いシート状異方性導電膜と、前記シート状異方性導電膜上に載置され、前記シート状異方性導電膜と２層構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される絶縁樹脂付き異方性導電膜。」と訂正する。
（ｂ）請求項２を、「請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を半導体素子能動表面に載置する工程、前記半導体素子と、前記半導体素子が実装される絶縁基板とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板を圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する半導体素子の実装方法。」と訂正する。
（ｃ）請求項３を、「請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を絶縁基板に載置する工程、前絶縁基板と、前記絶縁基板に実装される前記半導体素子とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板とを圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する半導体素子の実装方法。」と訂正する。
（ｄ）段落番号【０００９】の記載を、「【課題を解決するための手段】本発明の異方性導電膜は、実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄いシート状異方性導電膜と、前記シート状異方性導電膜上に載置され、前記シート状異方性導電膜と２層構造をなすシート状の絶縁樹脂と、から構成される。」と訂正する。
（ｅ）段落番号【００１０】の記載を、　「そして、本発明の半導体素子の実装方法は、請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を半導体素子能動表面に載置する工程、前記半導体素子と、前記半導体素子が実装される絶縁基板とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板を圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する。」と訂正する。
（ｆ）段落番号【００１１】の記載を、　「また、本発明の半導体素子の実装方法は、請求項１に記載の絶縁樹脂付き異方性導電膜を絶縁基板に載置する工程、前記絶縁基板と、前記絶縁基板に実装される前記半導体素子とを位置合わせした後、前記半導体素子と前記絶縁基板とを圧接することにより、前記半導体素子を前記絶縁樹脂付き異方性導電膜を介して前記絶縁基板に実装する工程、を有する。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
異方性導電膜および異方性導電膜を用いた半導体素子の実装方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄い
膜
シート状
絶縁樹脂付き
　【請求項２】　請求項１に記載の
絶縁樹脂付き
絶縁樹脂付き
　【請求項３】　請求項１に記載の
絶縁樹脂付き
絶縁樹脂付き
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、異方性導電膜の構造と、この異方性導電膜を用いて絶縁基板に実装される半導体素子の実装方法に関する。
　　　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、半導体装置の実装構造に関しては、例えば特公昭５７−３４６５７号公報や特開昭６１−１９４７６９号公報に記載され、図２に示すような構造が知られていた。図２において、２１はガラス基板であり、２２はガラス電極でありＩＴＯで形成されることが多い。２２のガラス電極は、ＩＣチップ２７上に形成された電極２６に相対するように形成されている。電極２６上には、さらに金属突起であるバンプ２５が形成されており、バンプ２５はＡｕで形成されることが多い。ＩＣチップ２７の能動面には耐湿性を向上させるために、パッシベーション膜がかかっていることが多い。
　　　【０００３】
　ＩＣチップ２７と、ガラス基板２１の間には導電粒子２８を含んだ異方性導電膜２４が充填されている。ガラス基板２１上のガラス電極２２とＩＣチップ２７上の電極２６、さらに電極２６上に形成されたバンプ２５とは、この異方性導電膜２４中に含まれた導電粒子２８によって電気的に接続されている。異方性導電膜は従来からよく知られているように、基本的には絶縁接着剤と導電粒子とから成っている。絶縁接着剤はＳＢＲ系や、エポキシ系であることが多く、ＩＣチップとガラス基板はこの絶縁接着剤によって接着されている。導電粒子は、低融点ハンダ、Ｎｉ粒子、Ｎｉメッキを施したプラスチック粒子である場合が多い。
　　　【０００４】
　さらに、接続の信頼を向上させるために、絶縁樹脂２３でＩＣ実装部全体を封止することが多く、このような構造によって高い接続信頼性を得ていた。
　　　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、従来の半導体装置の実装構造では以下の問題点を有していた。
　　　【０００６】
　異方性導電膜は、前述したように、絶縁樹脂中に導電粒子を分散した構造であるため、部分的に導電粒子の集中が起こってしまう。図２に示されるように、異方性導電膜２４がＩＣチップ２７と、ガラス基板２１に充填される構造であるために、異方性導電膜２４中に分散している導電粒子２８の集中が起こってしまい、２９のガラス電極間短絡部や３０のＩＣチップ〜ガラス電極間短絡部で、本来絶縁が保たれていなければならない、ガラス電極間同士や、ＩＣチップの能動面〜ガラス電極間で短絡が起こってしまい、ＩＣチップが正常に動作しなくなってしまうのである。
　　　【０００７】
　これは、導電粒子分散型の異方性導電膜を用いる場合、避けては通れない本質的な問題である。すなわち、導電粒子の分散濃度を下げると、上記の短絡現象の確率は少なくなるものの、バンプ〜ガラス電極間に存在する粒子の確率も少なくなるため、接続そのものの信頼性が低下する。また、導電粒子の分散濃度を上げれば、接続信頼性は向上するが、短絡現象の確率も上がり、やはり半導体装置の実装構造として機能しなくなるのである。一般的に導電粒子の分散濃度は上記条件を鑑みて決定されるが、確率現象である以上、短絡現象による半導体装置の実装不良は０にはなり得なかった。また、導電粒子の粒子径を小さくして少しでも短絡現象の可能性を下げる試みも公知であるが、これとて問題の本質的解決にはなっていないのである。
　　　【０００８】
　このような問題点を解決するため、本発明ではガラス電極間の短絡、半導体素子〜ガラス電極間の短絡を本質的に防止し得る異方性導電膜および半導体素子の実装方法を提供することを目的としている。
　　　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の異方性導電膜は、
実装に用いられるべく半導体素子の金属突起よりも薄い
膜
シート状
　　　【００１０】
　そして、本発明の半導体素子の実装方法は、請求項１に記載の
絶縁樹脂付き
絶縁樹脂付き
　　　【００１１】
　また、本発明の半導体素子の実装方法は、請求項１に記載の
絶縁樹脂付き
絶縁樹脂付き
記絶縁基板に実装する工程、を有する。
　　　【００１２】
　【作用】
　本発明では半導体素子能動素子形成面と絶縁基板上に形成された配線パターンの問に絶縁樹脂が存在する構造としたので、絶縁樹脂が電気的絶縁層になり、半導体素子と配線パターンとの間に短絡は起こらない。
　　　【００１３】
　【発明の実施の形態】
　以下に、本発明の実施例を図面に基づき、詳細に説明する。
　　　【００１４】
　図１は、本発明の半導体素子の実装構造の断面図である。１は基板であり、ガラス、セラミックス、樹脂等で形成されていることが多く、少なくとも表面が絶縁されている。半導体素子７の電極６に、例えばＣｒ−Ｃｕ、Ｔｉ−Ｐｄ等の金属を被着した後、金属突起５を形成する。金属突起５は、Ａｕ、Ｃｕ、ハンダ等の金属であり、電気メッキ、スパッタ、蒸着等で数μｍ〜数１０μｍの厚さに形成されることが多い。基板１上には、半導体素子７の金属突起５と対応した位置に配線パターン２が形成されている。配線パターンは、金属もしくは金属酸化物を用いるのが一般的であり、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ又はＩＴＯ等で形成すれば良く、必要に応じてメッキ処理を施せば良い。それらの配線パターンを重ねて、さらに低抵抗化しても良い。異方性導電膜１０は、シート状または液状であり、絶縁樹脂Ｂ４と、導電粒子９との混合物から成る。金属突起５と配線パターン２とは、導電粒子９を通して電気的導通が行われている。絶縁樹脂Ｂは、ＳＢＲ系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等である場合が多い。導電粒子は、低融点ハンダ粒子、Ｎｉ粒子、Ｎｉ、Ａｕ等のメッキを行ったプラスチック粒子等がよく用いられる。異方性導電膜１０は金属突起５より薄く、半導体素子７の能動素子形成面と、配線パターン２との間には結果として空隙８が生じ、これが絶縁層となる。さらに、耐湿環境下での接続信頼性を向上させるために、半導体素子実装部分の周囲、半導体素子上全面に絶縁樹脂Ａ３が塗布されることが多い。絶縁樹脂Ａは、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂等であることが多く、絶縁樹脂Ｂと同一でも良い。半導体素子７と基板１とは、基本的には絶縁樹脂Ｂで接着している。金属突起５は、配線パターン２上に、半導体素子７の電極６の位置に相対するように形成されている場合もあり、また、前述の導電粒子を印刷等の方法で電極６と、配線パターン２との位置に相対するように設置するようにしても良い。
　　　【００１５】
　図３は、本発明の半導体素子の実装構造を基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金属突起５と電気的に接続している。半導体素子７と基板１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着している。半導体素子７と基板１との間には、異方性導電膜１０が金属突起５より薄いため空隙８が生じており、基板１と半導体素子７との間の電気的絶縁は保たれている。また、半導体素子７直下の配線パターン２の間にも異方性導電膜１０は存在せず、空隙８のため電気的絶縁が保たれている。このため、半導体素子と配線パターン間、配線パターン問での短絡は起こらない。３は耐湿環境下での信頼性を向上させるための絶縁樹脂Ａである。
　　　【００１６】
　図４は、本発明による半導体素子の実装構造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線パターン２との間には図１で示される実施例よりさらに広い空隙８が得られ、絶縁性能がさらに向上する。その他の構造は図１の実施例と同様である。さらに選択的に、金属突起５の直下のみに異方性導電膜１０を存在させても良い。
　　　【００１７】
　図１の構造を得るための半導体装置の実装方法を図８を用いて説明する。図８（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けする。異方性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に基板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置になるように位置合わせを行い、次に半導体素子７と基板１を圧接する。すると、金属突起５と配線パターン２によって異方性導電膜中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導通が生じる。（図８（ｂ））この状態で、あるいは圧接と同時に、異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現するように、熱、光等のエネルギーを加える。すると、半導体素子と基板との間に空隙８が保たれたまま接着が完了する。
　　　【００１８】
　また、図４の構造を得るための実装方法を図９を用いて説明する。図９（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５上に選択的に異方性導電膜１０を載置する。載置する方法としては、あらかじめ金属突起５に合わせて型抜きしてある異方性導電膜を、金属突起５に位置合わせして仮圧着する方法や、金属突起５に相対するように液状の異方性導電膜を印刷、転写等で付着する方法などがある。その後、図８の実施例で説明したのと同様に、基板１上の配線パターン２と、半導体素子７上の金属突起５を位置合わせした後、圧着を行う。すると、図９（ｂ）で示されるように、半導体素子７と、その能動面直下の基板１上の配線パターン２との間には、空隙８のみが存在することになる。
　　　【００１９】
　図５は、本発明の半導体素子の実装構造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５と、基板１上に形成されている配線パターン２との間と、半導体素子７の能動面上に存在している。異方性導電膜と配線パターン２との間には絶縁樹脂Ｃが存在している。この絶縁樹脂Ｃ１１は、エポキシ系、アクリル系、シリコーン系等絶縁性を有する樹脂であれば何でも良く、液状又はシート状であることが多く耐湿性向上のための絶縁樹脂Ａ、異方性導電膜中の絶縁樹脂Ｂと同じでも良い。この絶縁樹脂Ｃによって、半導体素子と配線パターン間、配線パターン同士での短絡は起こらない。その他の構成は、図１で説明したのと同一である。絶縁樹脂Ａと異方性導電膜１０にかこまれた部分の絶縁樹脂Ｃ１１は存在しなくともよい。
　　　【００２０】
　図６は、本発明の半導体素子の実装構造を基板側から見た正面図である。１の基板上に形成された配線パターン２は、１０の異方性導電膜中に含まれる導電粒子９を通して、半導体素子７上に形成されている金属突起５とは電気的に接続している。半導体素子７と基板１とは異方性導電膜１０中の絶縁樹脂Ｂ４で接着している。半導体素子７と基板１との間には、絶縁樹脂Ｃ１１が充填されており、基板１と半導体素子７との間の電気的絶縁が保たれている。また、半導体素子７直下の配線パターン２の問にも絶縁樹脂Ｃ１１が充填されているため、電気的絶縁が保たれている。このため、半導体素子と配線パターン間、配線パターン間での短絡は起こらない。３は、耐湿環境下での信頼性を向上させるための絶縁樹脂Ａである。
　　　【００２１】
　図７は、本発明による半導体素子の実装構造の他の実施例を示す断面図である。異方性導電膜１０が、半導体素子７の電極６上に形成された金属突起５と、基板１上に形成されている配線パターン２との間に選択的に存在している。このため、半導体素子７と配線パターン２との間には、図６で示される実施例よりさらに広い絶縁樹脂Ｃ１１の充填層が得られ、絶縁性能がさらに向上する。その他の構造は、図６の実施例と同様である。さらに選択的に、金属突起５の真下のみに異方性導電膜１０を存在させても良い。
　　　【００２２】
　図５の構造を得るための半導体装置の実装方法を図１０を用いて説明する。図１０（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けする。異方性導電膜１０は金属突起５よりも薄い。次に、基板１上の配線パターン上に絶縁樹脂Ｃ１１を塗布又は、設置する。さらに、基板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置になるように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を圧接する。すると、金属突起５と配線パターン２によって異方性導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導通が生じる。（図１０（ｂ））この状態で、あるいは圧接と同時に、少なくとも異方性導電膜中の絶縁樹脂が接着力を発現するように、熱・光等のエネルギーを加える。すると、半導体素子と基板との間に絶縁樹脂Ｃ１１が充填されたまま、接着が完了する。絶縁樹脂Ｃは、異方性導電膜の接着力が発現されるのと同時に接着力が発現するようにしても良いし、最初に基板上に塗布、又は設置する時に基板との接着を行っておいても良い。
　　　【００２３】
　また、図５の構造を得るための半導体装置の他の実装方法を図１４を用いて説明する。図１４（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５側の半導体素子表面に異方性導電膜１０を仮付けする。異方性導電膜１０は、半導体素子７の金属突起５よりも薄い。異方性導電膜１０は、はじめから絶緑樹脂Ｃ１１と２層の構造となっていても良いし、異方性導電膜１０を半導体素子表面に仮付けした後、絶縁樹脂Ｃ１１をその上に塗布又は、設置しても良い。また、金属突起５に相対するようなマスク・版で、導電粒子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を圧接する。すると、金属突起５と配線パターン２によって、まず絶縁樹脂Ｃ１１が押しのけられ、続いて異方性導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導通が生じる。（図１４（ｂ））以後の実装の手順・メカニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同様である。
　　　【００２４】
　次に、図７の構造を得るための半導体装置の実装方法を図１１を用いて説明する。図１１（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く先端部のみに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。選択的に仮付する方法は、図９の実施例中で説明した方法と同様である。基板１上には、半導体素子７の金属突起５に少なくとも相対するように配線パターン２が形成されているが、基板１上で、前述の金属突起５とは相対せず、半導体素子７の能動面に相対する部分に、絶縁樹脂Ｃ１１を塗布又は設置する。次に金属突起５と配線パターン２とを位置合わせし、半導体素子７と基板１を圧接する。すると、金属突起５と配線パターン２によって、異方性導電膜１０中の絶縁樹脂が押しのけられ、導電粒子９が金属突起５と配線パターン２とに直接接触し、電気的導通が生じる。（図１１（ｂ））以後の実装の手順・メカニズムは、図１０の実施例中で説明したのとまったく同様である。
　　　【００２５】
　さらに、図７の構造を得るための半導体装置の別の実装方法を図１２を用いて説明する。図１２（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５に相対する、基板１上に形成された配線パターン２の部分に選択的に異方性導電膜１０を、基板１上のその他の半導体素子能動面直下に相対する部分には絶縁樹脂Ｃ１１を設置又は塗布して仮付けする。異方性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ、前述のような位置関係になっているシート状一体のものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ基板１上に載置しその後異方性導電膜１０を前述の位置に載置しても良いし、逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１１を載置しても良い。異方性導電膜１０を選択的に仮付けする方法としては、図９の実施例中で説明した方法と同様である。次に金属突起５と配線パターン２を位置合わせするが、これ以後の実装の手順・メカニズムは図１１の実施例中で説明した方法と同様である。
　　　【００２６】
　次に、図７の構造を得るための半導体装置の別の実装方法を図１３を用いて説明する。図１３（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く先端部のみに選択的に異方性導電膜１０を仮付けする。選択的に仮付けする方法は図９の実施例中で説明したのと同様である。異方性導電膜１０を仮付けした部分以外の半導体素子７の能動素子形成面上には絶縁樹脂Ｃ１１を塗布又は設置して仮付けする。異方性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ前述のような位置関係になっているようなシート状一体のものでも良いし、絶縁樹脂Ｃをあらかじめ半導体素子７の能動素子形成面上に載置しその後異方性導電膜１０を前述の位置に裁置しても良いし、逆に異方性導電膜１０を載置した後絶縁樹脂Ｃ１１を載置しても良い。次に、金属突起５と配線パターン２とを位置合わせするが、これ以後の実装の手順・メカニズムは図１１の実施例中で説明した方法と同様である。
　　　【００２７】
　また、図７の構造を得るための半導体装置のさらに他の実装方法を図１５を用いて説明する。図１５（ａ）のように、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５付近、あるいは金属突起５の側面を除く先端部のみに選択的に異方性導電膜１０が載置されている。半導体素子７の能動素子形成面上と、前述の異方性導電膜１０上全面には絶縁樹脂Ｃ１１が載置されている。異方性導電膜１０を選択的に載置、仮付けするためには、図９の実施例中で説明した方法と同じ方法を用いれば良く、その後、絶縁樹脂Ｃ１１を全面に塗布又は設置すれば良い。もしくは、絶縁樹脂Ｃ１１上に前述の位置関係になるようにあらかじめ異方性導電膜１０を載置した２層シート状物質を、半導体素子７上の金属突起５と異方性導電膜１０の存在場所とを位置合わせした後、半導体素子７と２層シート状物質を仮付けしても良い。異方性導電膜１０を選択的な位置に存在させ２層シート状物質とするためには、あらかじめ金属突起５に合わせて型抜きしてある異方性導電膜をその位置関係を保ったまま、絶縁樹脂Ｃ１１上に設置する方法や、金属突起５に相対するように液状の異方性導電膜を印刷、転写等で絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させる方法、あるいは、導電粒子９のみを金属突起５に相対するようなマスク、版等で絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねてしまう方法等がある。次に、金属突起５と配線パターン２とを位置合わせするが、これ以後の実装の手順・メカニズムは図１４の実施例中で説明した方法と同様である。
　　　【００２８】
　次に、図５の構造を得るための別の実装方法を図１６を用いて説明する。図１６（ａ）のように、基板１上の配線パターン２上、少なくとも半導体素子３に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載置され、さらにその上に異方性導電膜１０を載置する。異方性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１はあらかじめ２層の構造をなすシート状一体のものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ配線パターン２側へ塗布又は設置した後、異方性導電膜１０をその上に塗布又は設置しても良い。また、導電粒子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を圧接する（図１６（ｂ））が、以後の実装の手順・メカニズムは、図１４の実施例中で説明したものとまったく同様である。
　　　【００２９】
　また、図７の構造を得るための半導体装置の他の実装方法を図１７を用いて説明する。図１７（ａ）のように、基板１上の配線パターン２上、少なくとも半導体素子３に相対する部分全面に絶縁樹脂３が載置され、さらにその上、半導体素子７の電極６上に形成されている金属突起５に相対する部分に異方性導電膜１０を載置する。異方性導電膜１０と絶縁樹脂Ｃ１１は、絶縁樹脂Ｃ１１上に金属突起５に相対する部分にのみに異方性導電膜１０が存在する２層構造のシート状一体のものでも良いし、絶縁樹脂Ｃ１１をあらかじめ配線パターン２側へ塗布、又は設置した後、異方性導電膜１０を金属突起５に相対する部分のみに印刷、転写、転着等の方法で絶縁樹脂Ｃ１１上へ塗布、又は設置しても良い。また、金属突起５に相対するようなマスク、版で導電粒子９のみを絶縁樹脂Ｃ１１上に付着させ、異方性導電膜の絶縁樹脂を絶縁樹脂Ｃ１１で兼ねても良い。次に、基板１上の配線パターン２と金属突起５とが所定の位置に来るように位置合わせを行い、半導体素子７と基板１を圧接する（図１７（ｂ））が、以後の実装の手順・メカニズムは、図１５の実施例中で説明したものとまったく同様である。
　　　【００３０】
　以上の実装方法で実装を行った後、半導体素子の外周部、あるいは半導体素子すべてをさらに絶縁樹脂で覆い、通電耐湿性を向上させることが多い。
　　　【００３１】
　以上、述べてきたように、本発明の実施例による半導体装置の実装構造では、半導体素子の能動素子形成面と配線パターンの間に少なくとも空隙を設ける構造としたため、以下の効果を有する。
　　　【００３２】
　（１）半導体素子能動面とその直下の配線パターンの間には空隙があり、そこが電気的絶縁層となるため、半導体素子能動面とその直下の配線パターンとの間で電気的短絡は起こらない。
　　　【００３３】
　（２）半導体素子能動面直下の配線パターンの間にも空隙があり、そこが電気的絶縁層となるため、配線パターン同士で電気的短絡は起こらない。
　　　【００３４】
　上記（１）、（２）の相乗効果により実装時の電気的短絡が防止できるため、実装歩留まりは向上する。
　　　【００３５】
　（３）金属突起部のみに異方性導電膜を存在させるか、半導体素子能動面全面に薄い異方性導電膜を存在させる構造としたため、異方性導電膜を仮付けした後の位置合わせ時に、半導体素子の位置認識が行いやすくなる（半導体素子が見やすくなる）ので、位置合わせ作業の能率が向上する。
　　　【００３６】
　（４）上記（３）で述べた様に異方性導電膜の実体積が少なくてすむため、異方性導電膜の接着力発現に必要なエネルギー量も少なくてすむ。そのため、半導体素子、基板等には、悪影響を及ぼさない。また、同上の理由によって、半導体素子と基板にエネルギーを加える装置も小型化することができ、装置への投資を少なくすることもできる。
　　　【００３７】
　（５）異方性導電膜を半導体素子側へ仮付けすれば、基板側配線パターンヘの異方性導電膜の付着は最少限で済む。一般的に半導体素子の能動素子形成面にはパッシベーション膜が形成されており問題は無いが、配線パターン側にはパッシベーション膜が形成されておらず、異方性導電膜中に含まれる不純物イオンによる腐蝕が問題となる。しかし、本発明によれば、配線パターンの腐蝕の問題は、実用上問題なくなる。
　　　【００３８】
　さらに本願実施例による半導体素子の実装構造では、金属突起と配線パターンの部分のみに異方性導電膜を存在させる構造としたので、次の効果を有する。
　　　【００３９】
　（６）導電粒子が、金属突起と配線パターンの部分のみに存在するため、半導体素子の能動素子形成面と配線パターン間、配線パターン同士の電気的短絡の可能性は、さらに減少する。
　　　【００４０】
　（７）半導体素子の能動素子形成面が基板側から直接見ることができるため、半導体素子と基板との位置合わせ作業の能率はさらに向上する。
　　　【００４１】
　さらに本発明による半導体素子の実装構造では、半導体素子の能動素子形成面側全面に金属突起より薄い異方性導電膜を設置する構造としたので、以下の効果を有する。
　　　【００４２】
　（８）半導体素子の能動素子形成面へ異方性導電膜を仮付けする際、位置をあまり気にする必要なく仮付けできるため、仮付け作業の効率が著しく向上する。
　　　【００４３】
　（９）半導体素子の能動素子形成面全面に異方性導電膜が存在するため、半導体素子の耐湿性が向上する。
　　　【００４４】
　また、本実施例による半導体素子の実装構造では、半導体素子の能動素子形成面と配線パターンの間に少なくとも前述の空隙の代わりに絶縁樹脂を設ける構造としたため、前述の（１）、（２）と同様の効果を有するとともに、さらに以下の効果を有する。
　　　【００４５】
　（１０）半導体素子能動素子形成面と、基板上配線パターンとの間は樹脂の完全な充填構造となるため、湿度環境下で湿度の侵入を極端に押さえることができる。このため、耐湿環境下での信頼性を向上することができる。
　　　【００４６】
　（１１）半導体素子の金属突起と配線パターンの部分だけではなく、半導体素子能動面とそれに相対する基板とも、半導体素子と基板の接着に寄与し、接着面積を増加することができる。このため、半導体素子と基板との接続信頼性はさらに向上する。
　　　【００４７】
　さらに本発明による半導体素子の実装構造では、半導体素子の金属突起と配線パターンの部分のみに異方性導電膜を存在させる構造としたので、次の効果を有する。
　　　【００４８】
　（１２）圧接時に、導電粒子が半導体素子の金属突起と配線パターン部分以外の部分へは、絶縁樹指が存在するため、動きにくくなり、より半導体素子の能動素子形成面と配線パターン間、配線パターン問同士での電気的短絡の可能性はさらに低下する。
　　　【００４９】
　（１３）半導体素子の能動素子形成面とそれに対向する基板との間には絶縁樹脂という１材料のみしか存在しないため、半導体素子実装の際問題になる材料の熱膨張係数の差による信頼性低下について、絶縁樹脂材料の材料特性さえ考えれば良いので、材料選定が容易に行える。
　　　【００５０】
　さらに、本発明による半導体素子の実装構造では、半導体素子能動素子形成面全面に異方性導電膜を存在させ、さらに絶縁樹脂を存在させる構造としたので、次の効果を有する。
　　　【００５１】
　（１４）異方性導電膜および絶縁樹脂を仮付けする際、位置合わせをあまり気にする必要がなく、仮付け作業の効率が向上する。
　　　【００５２】
　【発明の効果】
　本願発明の構成によれば、半導体素子能動面とその直下の配線パターンの間には絶縁性樹脂があり、そこが電気的絶縁層となるため、半導体素子能動面とその直下の配線パターンとの間で電気的短絡は起こらない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面図。
　【図２】従来の半導体装置の実装構造を示す断面図。
　【図３】本発明による半導体装置の実装構造を基板側から見た正面図。
　【図４】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面図。
　【図５】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面図。
　【図６】本発明による半導体装置の実装構造を基板側から見た正面図。
　【図７】本発明による半導体装置の実装構造を示す断面図。
　【図８】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図９】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図１０】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図１１】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図１２】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図１３】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図１４】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図１５】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図１６】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【図１７】（ａ），（ｂ）本発明による半導体装置の実装方法を示す断面模式図。
　【符号の説明】
１…基板
２…配線パターン
３…絶縁樹脂Ａ
４…絶縁樹脂Ｂ
５…金属突起
６…電極
７…半導体素子
８…空隙
９…導電粒子
１０…異方性導電膜
１１…絶縁樹脂Ｃ
２１…ガラス基板
２２…ガラス電極
２３…絶縁樹脂
２４…異方性導電膜
２５…バンプ
２６…電極
２７…ＩＣチップ
２８…導電粒子
２９…ガラス電極問短絡部
３０…ＩＣチップ〜ガラス電極間短絡部