【事件の表示】
　特許第２９３８８１１号「半導体装置の製法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９３８８１１号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯　
　特許第２９３８８１１号に係る発明についての出願は、昭和６３年９月２９日に出願された特願昭６３−２４４８８０号の一部を新たな特許出願として、平成８年７月２２日に出願され、平成１１年６月１１日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、小野尚純により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月１２日付けで訂正請求がなされたものである。　
　
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のａ〜ｃのとおりである。
ａ．特許明細書【００３４】の【表１】（特許公報第５頁上段）のシリコーン化合物Ａの欄の記載を削除する。
ｂ．特許明細書【００３４】の【表１】（特許公報第５頁上段）の「シリコーン化合物Ｂ」を「シリコーン化合物Ａ」と、「シリコーン化合物Ｃ」を「シリコーン化合物Ｂ」と訂正する。
ｃ．特許明細書【００３３】（特許公報第８欄第４６〜４８行）の「【実施例１〜９】を「【実施例１〜６】」と、「シリコーン化合物Ａ〜Ｃ」を「シリコーン化合物Ａ〜Ｂ」と訂正する。
ｄ．特許明細書【００３５】（特許公報第９欄表下第１行〜第１０欄表下第１行）の「シリコーン化合物Ａ〜Ｃ」を「シリコーン化合物Ａ〜Ｂ」と訂正する。　
ｅ．特許明細書【００３６】の【表２】（特許公報第６頁上段）のシリコーン化合物Ａの欄の記載及び実施例１，４，７を削除し、「シリコーン化合物Ｂ」を「シリコーン化合物Ａ」と、「シリコーン化合物Ｃ」を「シリコーン化合物Ｂ」と訂正する。
また、同表の、「実施例２」、「実施例３」、「実施例５」、「実施例６」、「実施例８」及び「実施例９」を、それぞれ「実施例１」、「実施例２」、「実施例３」、「実施例４」、「実施例５」及び「実施例６」と訂正する。
ｆ．特許明細書【００３７】（特許公報第１１欄式下第１〜６行）の「実施例１〜９」を「実施例１〜６」と訂正する。
ｇ．特許明細書【００３８】の【表３】（特許公報第６頁下段）の「シリコーン化合物Ｂ」を「シリコーン化合物Ａ」と訂正する。
ｈ．特許明細書【００４０】の【表４】（特許公報第１３欄）の実施例１，４，７を削除し、「実施例２」、「実施例３」、「実施例５」、「実施例６」、「実施例８」及び「実施例９」を、それぞれ「実施例１」、「実施例２」、「実施例３」、「実施例４」、「実施例５」及び「実施例６」と訂正する。
　
イ．訂正の目的の適否、訂正範囲の適否及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、訂正前の特許明細書において、請求項１の（２）式の要件を満たしていない実施例記載の「シリコーンＡ」について、これを削除して実施例の記載を請求項１の記載と整合させようとするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲をこえるものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、上記訂正事項ｂ乃至ｈは、訂正事項ａに対応してシリコーン化合物の識別記号（Ａ〜Ｃ）及び実施例番号を整理するための、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲をこえるものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成六年法律第百十六号。以下、「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断　
　
ア．申立ての概要
　特許異議申立人小野尚純は、下記甲第１〜１３号証を提出して、本件の請求項１及び２に係る特許は、次の理由により取り消されるべきである旨主張している。
（ｉ）請求項１及び２に係る本件発明は、分割の原出願である特願昭63-244880号（特開平2-91965号（甲第１２号証）、特公平7-76257号（甲第１３号証））に係る発明と同一であり、本件出願と分割の原出願とは、同一の発明について同一の日にされた二以上の特許出願であるから、請求項１及び２に係る特許は、特許法第３９条第２項の規定に違反してされたものである。
（ｉｉ）訂正前の本件明細書には、請求項１及び２に係る本件発明の「素子サイズ」および「素子上のＡｌ配線の幅」に関する構成について実施例で実証されていないので、これらは未完成発明であり、請求項１及び２に係る特許は、特許法第２９条柱書の規定に違反してされたものである。
（ｉｉｉ）訂正前の本件明細書には、請求項１及び２に係る本件発明の「素子サイズ」および「素子上のＡｌ配線の幅」に関する構成について、【発明の効果】の項以外のいずれにも記載がなく、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載されたものではないので、請求項１及び２に係る本件発明の特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たしていない出願についてされたものである。
（ｉｖ）分割の原出願の明細書には、「素子サイズが１６ｍｍ2 以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下」という請求項１及び２に係る本件発明の構成について、【発明の効果】の項に効果として記載されているのみであって製法の発明の構成としては開示されておらず、本件出願は適法な分割出願ではないので、出願日の遡及は認められない。
　そして、請求項１及び２に係る本件発明は、本件の現実の出願時（平成８年７月２２日）以前に頒布された第１２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１及び２に係る本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（ｖ）上記出願日の遡及が認められるとしても、請求項１及び２に係る本件発明は、遡及出願日以前に頒布された甲第１〜１１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１及び２に係る本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
〈証拠方法〉　
甲第　１号証：特開昭63-251419号公報
甲第　２号証：特開昭63- 41527号公報
甲第　３号証：特開昭61- 47725号公報
甲第　４号証：特開昭61- 98726号公報
甲第　５号証：特開昭61-259552号公報
甲第　６号証：特開昭60- 30157号公報
甲第　７号証：特開昭62- 50324号公報
甲第　８号証：特開昭60- 36527号公報　
甲第　９号証：特開昭62-192423号公報
甲第１０号証：特開昭62- 84147号公報
甲第１１号証：特開昭60- 17937号公報
甲第１２号証：特開平 2- 91965号公報　
甲第１３号証：特公平 7- 76257号公報
　
イ．判断
（１）訂正後の本件発明
　本件の請求項１及び２に係る発明（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、訂正明細書の請求項１及び２に記載された下記の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて、素子サイズが１６ｍｍ2 以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の半導体素子を封止する半導体装置の製法。（Ａ）下記の一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂が１０重量％以上含有されているエポキシ樹脂。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１）
［式（１）中、ＲはＨまたはＣＨ３である。］
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。
（Ｃ）下記の一般式（２）で表されるシリコーン化合物。
　　　　　　　　　　　　　　　　　（２）
［式（２）中、Ｒは１価の有機基であり、相互に同じであっても異なっていてもよい。ただし、１分子中において、上記Ｒのうちの少なくとも２個はアミノ基置換有機基，エポキシ基置換有機基，水酸基置換有機基，ビニル基置換有機基，メルカプト基置換有機基およびカルボキシル基置換有機基からなる群から選択された基である。ｍは０〜５００の整数である。］
【請求項２】 Ｃ成分のシリコーン化合物の含有割合が、エポキシ樹脂組成物中のＡ成分であるエポキシ樹脂，Ｂ成分であるノボラック型フェノール樹脂およびＣ成分であるシリコーン化合物の合計量に対して、５０重量％以下に設定されている請求項１記載の半導体装置の製法。」
　
（２）分割の適否及び出願日の遡及について
　特許異議申立人は、「分割の原出願の明細書には、「素子サイズが１６ｍｍ２ 以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下」という本件発明１及び２の構成について、【発明の効果】の項に効果として記載されているのみであって製法の発明の構成としては開示されておらず、本件出願は適法な分割出願ではないので、出願日の遡及は認められない」旨主張している。
　これについて検討すると、原出願の明細書の特許請求の範囲１には、
「（１）下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。（Ａ）下記の一般式（Ｉ）で表される４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフエニルが１０重量％以上含有されているエポキシ樹脂。
　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ）
［式（Ｉ）中、ＲはＨまたはＣＨ３である。］
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。
（Ｃ）下記の一般式（ＩＩ）で表されるシリコーン化合物。
　　　　　　　　　　　　　　　　（ＩＩ）
［式（ＩＩ）中、Ｒは１価の有機基であり、相互に同じであっても異なっていてもよい。ただし、１分子中において、上記Ｒのうちの少なくとも２個はアミノ基置換有機基，エポキシ基置換有機基，水酸基置換有機基，ビニル基置換有機基，メルカプト基置換有機基およびカルボキシル基置換有機基からなる群から選択された基である。ｍは０〜５００の整数である。］−略−
（３）Ｃ成分のシリコーン化合物の含有割合が、エポキシ樹脂組成物中のＡ成分であるエポキシ樹脂，Ｂ成分であるノボラック型フェノール樹脂およびＣ成分であるシリコーン化合物の合計量に対して、５０重量％以下に設定されている請求項（１）または（２）記載の半導体装置。−略−」が記載されている。
　また、原出願の明細書には、
「・・上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、超ＬＳＩ等の封止に充分対応でき、素子サイズが１６ｍｍ２ 以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の特殊な半導体装置において、上記のような高信頼度が得られるようになるのであり、これが大きな特徴である。」（甲第１２号証第５頁左上欄第１０〜１６行）と記載されており、
「以上の実施例および比較例によって得られた粉末状のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形でモールドすることにより半導体装置を得た。このようにして得られた半導体装置について、電圧印加状態におけるプレッシャー釜による１０００時間の信頼性テスト（以下「ＰＣＢＴテスト」と略す）および−５０℃／３０分〜１５０℃／３０分の３００回の温度サイクルテスト（以下「ＴＣＴテスト」と略す）の測定を行った。」（甲第１２号証右下欄第１〜１０行）との実施例が示されている。
　そうすると、原出願の明細書には、本件発明１における「（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物」と同様の組成物を、「素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の特殊な半導体装置」の封止に用いることが記載されており、また、このようなエポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置を製造する実施例も記載されているのであるから、同明細書には、本件発明１における「（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物」を用いて、素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の半導体を封止する半導体装置の製法、及びその製法において「Ｃ成分のシリコーン化合物の含有割合が、エポキシ樹脂組成物中のＡ成分であるエポキシ樹脂，Ｂ成分であるノボラック型フェノール樹脂およびＣ成分であるシリコーン化合物の合計量に対して、５０重量％以下に設定」（請求項３）すること、即ち本件発明１及び２の構成が、記載されているものというべきである。
　したがって、出願の分割は適法なものであるから、本件の出願日は、原出願の出願日である昭和６３年９月２９日まで遡及が認められる。
　
（３）特許法第３９条第２項違反について
　本件発明１と分割の原出願の請求項１に係る発明とは、ともに、本件発明１における「（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物」を用いる点で共通するものの、本件発明１が、該組成物を用いて、「素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の半導体素子を封止する半導体装置の製法」であるのに対して原出願の請求項１に係る発明は、該組成物を用いて「半導体素子を封止してなる半導体装置」である点で両者は相違している。
　そして、このような発明のカテゴリーの相違及び封止対象の特定の有無には十分な技術的意味が認められるので、これらの発明が同一であるとすることはできない。
　また、本件発明２と原出願の請求項３に係る発明についても同様に、これらの発明が同一であるとすることはできない。
　
（４）特許法第２９条柱書違反について
　訂正後の本件明細書には、本件発明１及び２の構成要件である「素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下」の半導体素子を樹脂封止することは実施例には記載されていないが、実施例を参照しなければこのような寸法の半導体素子の樹脂封止は実施し得ないというものではなく、同明細書の、
「・・上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、超ＬＳＩ等の封止に充分対応でき、素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の特殊な半導体装置において、上記のような高信頼度が得られるようになるのであり、これが大きな特徴である。」（【００３１】）との記載にしたがって、当業者が通常の技術手段により上記寸法の半導体素子の樹脂封止は十分実施可能であると認められるので、本件発明１及び２が未完成であるとはいえない。
　ゆえに、特許法第２９条柱書違反に関する特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（５）特許法第３６条第６項第１号違反について
　訂正後の本件明細書の発明の詳細な説明には、上記のように「素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下」の半導体素子を樹脂封止すること（【００３１】）が記載されており、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載されたものではないとすることはできないので、特許法第３６条第６項第１号（昭和６２年改正特許法における第３６条第４項第１号）違反に関する特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（６）特許法第２９条第２項違反について
６−１．甲第１号証について
　上記のとおり、本件出願の出願日は原出願の出願日（昭和６３年９月２９日）まで遡及が認められ、昭和６３年１０月１８日に出願公開された甲第１号証は、本件の遡及出願日以後に頒布された刊行物であるから、特許法第２９条第２項違反を理由とする特許異議申立の証拠としては採用できない。
　なお、甲第１号証には、本件発明１の（Ａ）及び（Ｂ）に相当する成分及び官能基変性されたシリコーンゴムを含有する半導体封止用樹脂組成物について開示されているものの、本件発明１及び２の構成要件である（２）式で示される置換基を有するシリコーン化合物を含有する点、及び「素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の半導体素子を封止する」点については記載されておらず、本件発明１及び２が、その先願である甲第１号証に係る出願（特願昭62-84849号）の願書に最初に添付した明細書に記載された発明と同一であるとすることもできない。
　
６−２．甲２〜１１各号証に記載された発明
　甲第２〜１１号証には、次の事項が記載されている。
　甲第２号証には、
「（１）Ａ；下記一般式で表わされるビスヒドロキシビフエニル系エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示し、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フエニル基、クロル原子又はブロム原子より選ばれた同一もしくは異なる基を示す。また、ｎは０〜５の整数を示す。）
Ｂ；フエノール類と１分子中に２個のアルデヒド基を有する化合物及び／又は共役不飽和アルデヒドとを酸性触媒存在下縮合反応させて得られる多価フエノール化合物
Ｃ；硬化促進剤
Ｄ；無機充填材
前記Ａ〜Ｄ成分を含み、Ａ成分のエポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対し、Ｂ成分の多価フエノール化合物のＯＨ基が０．５〜１．５当量になる割合で、又、Ａ+Ｂ成分の合計１００重量部に対し、Ｃ成分が０．０１〜１０重量部、Ｄ成分が１００〜１０００重量部の割合で配合されてなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）が記載されており、「この他少量の可撓性付与の為の樹脂（シリコン等）を加えてもさしつかえない。」（第５頁右下欄第１０〜１１行）と記載されている。
　甲第３号証には、
「（１）（ａ）一般式
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示し、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フエニル基、クロル原子又はブロム原子からなる群より選ばれた同一若しくは異なる基を示す。また、ｎは０〜５の整数を示す。）で表わされるビスヒドロキシビフエニル系エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂１００重量部
（ｂ）ノボラック型エポキシ樹脂２０〜４００重量部
（ｃ）フエノールノボラック樹脂硬化剤
（ｄ）硬化促進剤
（ｅ）無機質充填剤
から成ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　甲第４号証には、
「１．（ａ）一般式
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基を示し、また、ｎは０〜６の整数を示す。）で表わされるエポキシ樹脂、
（ｂ）硬化剤
（ｃ）無機質充填剤
からなることを特徴とする電子部品封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）が記載されており、
「本発明の（ｂ）成分として用いられる硬化剤あるいは硬化促進剤としては・・例えば下記のものが挙げられる。・・（ｉｉｉ）・・ノボラックフエノール類・・」（第４頁左上欄第７行〜同頁右上欄第５行）と記載されている。
　甲第５号証には、
「（１）結晶性エポキシ樹脂、無機質充填剤及び硬化剤を含有して成る組成物により被覆されていることを特徴とする半導体封止装置。
（２）結晶性エポキシ樹脂１００重量部に対し、無機質充填剤が１００〜３００重量部の配合されてなる特許請求の範囲第１項記載の半導体封止装置。
（３）結晶性エポキシ樹脂が、下記構造式
（但しＲはＨまたはＣＨ３を示す）で表わせる４，４’−ビス（２”，３”−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフエニルである特許請求の範囲第１、２項記載の半導体封止装置。」（特許請求の範囲）が記載されており、「本発明に於いて用いられる硬化剤としては・・ノボラック型フェノール系樹脂等である。」（第２頁右下欄第１６〜２０行）と記載されている。
　甲第６号証には、
「１　半導体素子を次の（Ａ）〜（Ｄ）を必須成分とする樹脂組成物で封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。
（Ｃ）分子内にエポキシ基、アミノ基、カルボキシル基及びシアノ基のうちから選ばれた１種又は２種以上の基を有するオルガノポリシロキサン。
（Ｄ）無機質充填剤。」（特許請求の範囲）が記載されており、また、「本発明者らは・・特定のオルガノポリシロキサンを添加した樹脂組成物を使用すれば密着性及び耐湿性の優れた樹脂封止型半導体装置を得ることを見い出したものである。」（第２頁左上欄第７〜１１行）及び「本発明に使用する（Ａ）エポキシ樹脂は、その分子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である限り、分子構造、分子量などに特に制限はなく、一般に使用されているものを広く包含することができる。」（第２頁右上欄第４〜８行）と記載されている。
　甲第７号証には、
「１（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物とフェノール性水酸基と反応し得る官能基を有する有機ケイ素化合物との反応物および
（Ｃ）無機質充填剤
を必須成分とすることを特徴とする電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料。」（特許請求の範囲）が記載されており、また、「本発明に用いられる（Ａ）のエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物である限り、特に制限はなく、例えば・・グリシジルエーテル型エポキシ樹脂・・」（第２頁右上欄末行〜同頁左下欄第８行）、「本発明に用いる成分（Ｂ）を合成するための原料となる１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物は、・・例えば・・フェノールノボラック樹脂・・」（第２頁左下欄第１６〜２０行）、と記載されており、フェノール性水酸基と反応し得る官能基を有する有機ケイ素化合物として、「ＯＨ、ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ」等の置換基を有するオルガノポリシロキサンを用いること（第２頁右下欄第６行〜第３頁左上欄下から４行）が記載されている。更に、その効果について、「このように有機ケイ素化合物を硬化剤に固定することで、単に混合したものと比べ、弾性率低減の効果が大きく現れ、熱処理によって発生する熱応力を小さくでき、また、応力緩和が効率的に行われるということに基づいて、本発明が見出された。」（第３頁左下欄第１２〜１７行）、及び「本発明によって得られる電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて電子部品を封止すれば、高信頼性を要求される半導体装置においても半田処理後の耐湿性に優れた装置が得られる。」（第６頁左下欄第２〜５行）と記載されている。
　甲第８号証には、
「１（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂
（Ｃ）分子内に不飽和炭素結合を有する合成ゴム又はその誘導体
（Ｄ）分子内にエポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基及びシアノ基のうちから選ばれた１種又は２種以上の基を有するオルガノポリシロキサン
（Ｅ）無機質充填材
を必須成分とし、かつ樹脂組成物に対して前記（Ｅ）無機質充填材を３０〜９０重量％含有させることを特徴とする封止用樹脂組成物。」（特許請求の範囲）が記載されており、「本発明の封止用樹脂組成物は、密着性がよく耐湿性に優れ、しかも半導体素子ペレットに加わる応力が小さいため、高集積化に伴う大型ペレットや高密度実装化した素子ペレットの封止用等に用いた場合、十分な信頼性を得ることができる。」（第４頁左上欄第１４〜１８行）と記載されている。
　甲第９号証には、
「１（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂
（Ｃ）分子内に、ビニル基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基及びシアノ基から選ばれた１種又は２種以上の基を有するオルガノポリシロキサン、及び
（Ｄ）シリカ粉末
を必須成分とし、前記（Ｄ）シリカ粉末を樹脂組成物に対して６８〜８５重量％含有することを特徴とする封止用樹脂組成物。」（特許請求の範囲）が記載されており、また、「本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、その分子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である限り、分子構造、分子量などに特に制限はなく、一般に使用されているものを広く包含することができる。」（第２頁右上欄第８〜１２行）及び「このオルガノポリシロキサンを用いると、封止用樹脂と半導体チップとの密着性や、封止用樹脂とリードフレームとの密着性が向上し、半田浴に浸漬しても耐湿性の劣化が少ない。」（第３頁左上欄第８〜１１行）と記載されている。
　甲第１０号証には、エポキシ樹脂組成物の発明についての実施例の項に、「耐クラック性」及び「アルミニウム電極の変形量」を測定するシリコンチップとして、「９．０×４．５×０．５ｍｍ」及び「３．４×１０．２×０．３ｍｍ」のサイズのものを用いること（第７頁左上欄第１０行〜同頁右上欄第６行）が記載されている。
　甲第１１号証には、メモリー用半導体のアルミ回路幅について、メモリー容量（ビット）６４Ｋ及び２５６Ｋのものの回路幅（ミクロン）がそれぞれ「２〜３」及び「１〜２」であること（第２頁右下欄第８行〜下から４行）が記載されている。
　
６−３．対比、判断
　本件発明１と甲第２号証に記載された発明とを以下に対比、検討する。
　上記のように同号証には、Ａ：ビスヒドロキシビフエニル系エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂、Ｂ：フエノール類と１分子中に２個のアルデヒド基を有する化合物及び／又は共役不飽和アルデヒドとを酸性触媒存在下縮合反応させて得られる多価フエノール化合物、Ｃ：硬化促進剤及びＤ：無機充填材が配合されてなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が記載されており、ビスヒドロキシビフエニル系エポキシ樹脂として構造式で示されている化合物は、ｎ＝０で、Ｒ，Ｒ２，Ｒ４，Ｒ５及びＲ７を水素、かつＲ１，Ｒ３，Ｒ６及びＲ８を水素又はメチル基とした場合、本件発明１における（１）式の結晶性エポキシ樹脂に該当するので、このような樹脂を主成分（通常は５０％以上と解される。）とするＡのエポキシ樹脂は、本件発明１における「（Ａ）一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂が１０重量％以上含有されているエポキシ樹脂」に相当するものであり、また、Ｂの多価フエノール化合物はその製法からみて本件発明１の「ノボラック型フェノール樹脂」に相当するものである。
　そして、甲第２号証に記載されたような「半導体封止用エポキシ樹脂組成物」を用いて半導体素子を封止し、半導体装置を製造することは自明であるから、本件発明１と甲第２号証に記載された発明とは、ともに、
「（Ａ）下記の一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂が１０重量％以上含有されているエポキシ樹脂。
　　　　　　　　　　　　　　　　　（１）
［式（１）中、ＲはＨまたはＣＨ３である。］
及び
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。
を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する半導体装置の製法」である点で一致するが、同号証には、本件発明１の構成要件である下記（イ）及び（ロ）の点が記載されていない点でこれらの間には相違が認められる。
（イ）エポキシ樹脂組成物を用いて「素子サイズが１６ｍｍ2 以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下」の半導体素子を封止する点、及び
（ロ）エポキシ樹脂組成物が「一般式（２）で表されるシリコーン化合物。
　　　　　　　　　　　　　　　　　（２）
［式（２）中、Ｒは１価の有機基であり、相互に同じであっても異なっていてもよい。ただし、１分子中において、上記Ｒのうちの少なくとも２個はアミノ基置換有機基，エポキシ基置換有機基，水酸基置換有機基，ビニル基置換有機基，メルカプト基置換有機基およびカルボキシル基置換有機基からなる群から選択された基である。ｍは０〜５００の整数である。］」を含有する点
　これらの内、（ロ）の点について検討すると、甲第２号証には、上記組成物に加えて「少量の可撓性付与の為の樹脂（シリコン等）を加えてもさしつかえない。」と記載されているが、このシリコン樹脂として（ロ）のような有機基で置換した化合物を用いることは記載されておらず、同号証以外に、ビスヒドロキシビフエニル系エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂とを含有するエポキシ樹脂組成物が開示されている甲第３〜５号証には、シリコーン化合物を配合すること自体が記載されていない。
　一方、甲第６〜９号証には、エポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂とともに、密着性あるいは耐湿性を改良するために（ロ）に該当するシリコーン化合物を配合した樹脂組成物が記載されているが、これらにはいずれも、エポキシ樹脂として本件発明１の（Ａ）成分のようなものを用いることは記載されていない。
　そして、「エポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂に併用するシリコーン化合物である」との共通点に基いて、甲第６〜９号証に記載された（ロ）に該当するシリコーン化合物を上記甲第２号証に記載された発明に付加したとしても、予測される効果は、樹脂組成物の密着性及び耐湿性の向上にとどまるものというべきである。
　なお、甲第７号証には「熱処理によって発生する熱応力を小さくできる、また、応力緩和が効率的に行われる」（第３頁左下欄第１４〜１１６行）との記載があるが、これはそれに先立つ記載から明らかなように、「有機ケイ素化合物を硬化剤に固定することで」生ずる効果であって、有機ケイ素化合物を「単に混合した」ことによりこのような効果がもたらされることを開示するものではない。
　しかるに本件発明１は上記（ロ）の点により、訂正後の明細書の実施例に記載されたように、これら甲各号証に記載された可撓性、密着性及び耐湿性とは直接結び付かない高い信頼性（ＰＣＢＴテスト）及び耐熱性（ＴＣＴテスト）が得られるという効果を生ずるものであり、この点を、当業者が容易になし得たものとすることはできない。
　したがって、（イ）の点が甲第１０及び１１号証に開示されていたとしても、（ロ）の点により、本件発明１が甲第２〜１１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本件発明２についてみると、本件発明２は本件発明１において更に技術的に限定を加えたものであるから、上記と同様、甲第２〜１１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件発明１及び２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１及び２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成六年法律第百十六号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成七年政令第二百五号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月１９日（２０００．７．１９）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２９３８８１１号発明の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち、
ａ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００３４】の【表１】（特許公報第５頁上段）のシリコーン化合物Ａの欄の記載を削除する。
ｂ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００３４】の【表１】（特許公報第５頁上段）の「シリコーン化合物Ｂ」を「シリコーン化合物Ａ」と、「シリコーン化合物Ｃ」を「シリコーン化合物Ｂ」と訂正する。
ｃ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００３３】（特許公報第８欄第４６〜４８行）の「【実施例１〜９】を「【実施例１〜６】」と、「シリコーン化合物Ａ〜Ｃ」を「シリコーン化合物Ａ〜Ｂ」と訂正する。
ｄ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００３５】（特許公報第９欄表下第１行〜第１０欄表下第１行）の「シリコーン化合物Ａ〜Ｃ」を「シリコーン化合物Ａ〜Ｂ」と訂正する。
ｅ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００３６】の【表２】（特許公報第６頁上段）のシリコーン化合物Ａの欄の記載及び実施例１，４，７を削除し、「シリコーン化合物Ｂ」を「シリコーン化合物Ａ」と、「シリコーン化合物Ｃ」を「シリコーン化合物Ｂ」と訂正する。
また、同表の、「実施例２」、「実施例３」、「実施例５」、「実施例６」、「実施例８」及び「実施例９」を、それぞれ「実施例１」、「実施例２」、「実施例３」、「実施例４」、「実施例５」及び「実施例６」と訂正する。
ｆ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００３７】（特許公報第１１欄式下第１〜６行）の「実施例１〜９」を「実施例１〜６」と訂正する。
ｇ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００３８】の【表３】（特許公報第６頁下段）の「シリコーン化合物Ｂ」を「シリコーン化合物Ａ」と訂正する。
ｈ．明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書【００４０】の【表４】（特許公報第１３欄）の実施例１，４，７を削除し、「実施例２」、「実施例３」、「実施例５」、「実施例６」、「実施例８」及び「実施例９」を、それぞれ「実施例１」、「実施例２」、「実施例３」、「実施例４」、「実施例５」及び「実施例６」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて、素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の半導体素子を封止する半導体装置の製法。
　（Ａ）下記の一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂が１０重量％以上含有されているエポキシ樹脂。
　【化１】
〔式（１）中、ＲはＨまたはＣＨ３である。〕
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。
（Ｃ）下記の一般式（２）で表されるシリコーン化合物。
　【化２】
　【請求項２】　Ｃ成分のシリコーン化合物の含有割合が、エポキシ樹脂組成物中のＡ成分であるエポキシ樹脂，Ｂ成分であるノボラック型フェノール樹脂およびＣ成分であるシリコーン化合物の合計量に対して、５０重量％以下に設定されている請求項１記載の半導体装置の製法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、信頼性に優れた半導体装置の製法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は、通常セラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等により封止され、半導体装置化されている。上記セラミックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、耐湿性にも優れているため、温度，湿度に対して強く、しかも中空パッケージのため機械的強度も高く信頼性の高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比較的高価なものであることと、量産性に劣る欠点があるため、最近ではプラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成績を収めている。
　【０００３】
　上記エポキシ樹脂組成物としては、特に、エポキシ樹脂と、硬化剤としてのフェノール樹脂と、その他、硬化促進剤としての２−メチルイミダゾール，弾性補強用併用樹脂としての末端カルボン酸ブタジエン−アクリロニトリル共重合体，無機質充▲填▼剤としての溶融シリカ等の組成系で構成されるものが、封止作業性（特にトランスファー成形時の作業性）等に優れたものとして賞用されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、半導体分野の技術革新はめざましく、最近では、集積度の向上とともに、素子サイズの大形化，配線の微細化が進む反面、パッケージ形状の小形化，薄形化が進むようになっており、これに伴って、半導体素子の封止材料においても、従来以上の低応力性，耐熱性，耐湿性が要求されるようになっている。これまでの封止用エポキシ樹脂組成物では、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子の封止材料としては充分優れているが、超ＬＳＩ等の半導体素子の封止材料としては、充分に満足できるものではない。
　【０００５】
　本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、耐熱性，耐湿性および低応力性に優れた半導体装置の製法の提供をその目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製法は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて、素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の半導体素子を封止するという構成をとる。
　【０００７】
　（Ａ）下記の一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂が１０重量％以上含有されているエポキシ樹脂。
　【化５】
〔式（１）中、ＲはＨまたはＣＨ３である。〕
　【０００８】
　（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。
　【０００９】
　（Ｃ）下記の一般式（２）で表されるシリコーン化合物。
　【化６】
　【００１０】
　すなわち、本発明者らは、上記エポキシ樹脂組成物硬化物からなる封止樹脂の耐熱性，耐湿性および低応力性を向上させることを目的として一連の研究を重ねた。その結果、従来から用いられている通常のエポキシ樹脂に代えて前記一般式（１）で表される特殊な結晶性エポキシ樹脂を単独で用いるか、または通常のエポキシ樹脂に特定の割合で上記特殊なエポキシ樹脂を加えて主剤成分として用い、さらに特殊なシリコーン化合物を含有したものを用いると耐熱性，耐湿性および低応力性に優れた封止樹脂が得られるようになることを見出し本発明に到達した。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　つぎに、本発明の実施の形態について説明する。
　【００１２】
　本発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、前記一般式（１）で表される特殊なエポキシ樹脂が特定の割合で含有されているエポキシ樹脂（Ａ成分）と、ノボラック型フェノール樹脂（Ｂ成分）と、特殊なシリコーン化合物（Ｃ成分）とを用いて得られるものであって、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状になっている。
　【００１３】
　上記Ａ成分となるエポキシ樹脂としては、下記の一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂が通常のエポキシ樹脂中１０重量％（以下「％」と略す）以上含有されているものが用いられる。
　【００１４】
　【化７】
　〔式（１）中、ＲはＨまたはＣＨ３である。〕
　【００１５】
　なお、ここでいう「結晶性エポキシ樹脂」とは、Ｘ線回折により多数の結晶のピークが表れる固形エポキシ樹脂であって、物理的にはシャープな融点を示しかつ溶融時には分子間相互作用が殆どなくなるため極端に粘度が低下する性質を有するものである。
　【００１６】
　上記通常のエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば、特に限定するものではない。すなわち、従来から半導体装置の封止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂、例えばノボラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好適に用いられ、その他のビスフェノールＡ型のジグリシジルエーテルやその多量体であるエピビス型エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂，レゾルシン型エポキシ樹脂，脂環式エポキシ樹脂等も好適なエポキシ樹脂として使用可能である。上記ノボラック型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量１６０〜２１０，軟化点５０〜１３０℃のものが用いられ、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１０，軟化点６０〜１１０℃のものが一般に用いられる。
　【００１７】
　上記Ｂ成分のノボラック型フェノール樹脂は、上記Ａ成分である特殊なエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、なかでも軟化点が５０〜１３０℃、好ましくは７０〜９０℃、水酸基当量が１００〜１３０のものを用いることが好ましい。
　【００１８】
　上記エポキシ樹脂組成物中のＡ成分である特殊なエポキシ樹脂とＢ成分であるノボラック型フェノール樹脂との配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基と上記フェノール樹脂中の水酸基の当量比が０．８〜１．２となるように配合することが好適である。この当量比が１に近いほど好結果が得られる。
　【００１９】
　上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられるＣ成分の特殊なシリコーン化合物は、下記の一般式（２）で表されるものが用いられる。
　【００２０】
　【化８】
　【００２１】
　上記Ｃ成分のシリコーン化合物を用いることにより得られる封止樹脂は、特に耐湿性，耐熱衝撃性，内部応力の低減効果に優れ、その結果、封止樹脂の熱衝撃および熱応力に起因する微細な割れ，▲剥▼離（これが水分の浸入路となる）の発生が防止される。そして、大きな熱衝撃等を繰り返し受ける等の苛酷な使用条件下における耐湿信頼性の改善に優れた効果を奏する。
　【００２２】
　このようなＣ成分のシリコーン化合物の含有量は、上記Ａ，Ｂ，Ｃ成分の合計量の５０％以下、好ましくは５〜３０％に設定することが好適である。Ｃ成分の含有量が５０％を超えると、封止樹脂の樹脂強度に著しい低下傾向がみられるようになるからである。
　【００２３】
　なお、本発明に用いる、エポキシ樹脂組成物の上記Ｃ成分は、Ａ成分である特殊なエポキシ樹脂もしくはＢ成分であるノボラック型フェノール樹脂と反応した状態、あるいは独立した状態、さらにはこれらが混合した状態のいずれの状態でも含有される。
　【００２４】
　また、本発明では、上記Ａ成分，Ｂ成分およびＣ成分以外に必要に応じて硬化促進剤，充▲填▼剤，離型剤等を用いることができる。
　【００２５】
　上記硬化促進剤としては、フェノール硬化エポキシ樹脂の硬化反応の触媒となるものは全て用いることができ、例えば、２，４，６−トリ（ジメチルアミノメチル）フェノール、２−メチルイミダゾール等をあげることができる。
　【００２６】
　上記充▲填▼剤としては、石英ガラス粉，珪石粉，タルク等を用いることができる。
　【００２７】
　上記離型剤としては、従来公知のステアリン酸，パルミチン酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン亜鉛，ステアリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、カルナバワックス，モンタンワックス等のワックス類等を用いることができる。
　【００２８】
　本発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えばつぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ〜Ｃ成分原料ならびに必要に応じて上記その他の添加剤を適宜配合する。そして、この混合物をミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却したのち公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製造することができる。この場合、上記配合に先立って特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）もしくはノボラック型フェノール樹脂（Ｂ成分）とシリコーン化合物（Ｃ成分）とを予備溶融混合して用いてもよい。
　【００２９】
　このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えばトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができる。
　【００３０】
　このようにして得られる半導体装置は、低応力性，耐熱性，耐湿性に優れており、熱衝撃試験における耐パッケージクラック性が著しく改善されている。
　【００３１】
　【発明の効果】
　以上のように、本発明の半導体装置の製法は、特殊なエポキシ樹脂が特定の割合に含有されているエポキシ樹脂（Ａ成分）と、シリコーン化合物（Ｃ成分）を含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて封止することにより、その封止プラスチックパッケージが、従来のエポキシ樹脂組成物製のものとは異なることとなるため、得られる半導体装置は内部応力が小さく耐熱信頼性が高くなり、特に、苛酷な使用条件下における耐湿信頼性が先願に比べて一層高くなる。そして、上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、超ＬＳＩ等の封止に充分対応でき、素子サイズが１６ｍｍ２以上、素子上のＡｌ配線の幅が２μｍ以下の特殊な半導体装置において、上記のような高信頼度が得られるようになるのであり、これが大きな特徴である。
　【００３２】
　つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
　【００３３】
　【実施例１〜
６
　下記の表１に示すシリコーン化合物Ａ〜
Ｂ
　【００３４】
　【表１】
　【００３５】
　つぎに、上記シリコーン化合物Ａ〜
Ｂ
　【００３６】
　　【表２】
　【００３７】
　【比較例１〜３】
　下記の表３に示す原料を用い、これらの原料をミキシングロール機（ロール温度１００℃）で１０分間混練し、得られたシート状組成物を用い、実施例１〜
６
　【００３８】
　【表３】
　【００３９】
　以上の実施例および比較例によって得られた粉末状のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形でモールドすることにより半導体装置を得た。このようにして得られた半導体装置について、電圧印加状態におけるプレッシャー釜による１０００時間の信頼性テスト（以下「ＰＣＢＴテスト」と略す）および−５０℃／３０分〜１５０℃／３０分の３００回の温度サイクルテスト（以下「ＴＣＴテスト」と略す）の測定を行った。その結果を下記の表４に示した。
　【００４０】
　【表４】
　【００４１】
　上記表４の結果から、実施例品は比較例品に比べてＰＣＢＴテストおよびＴＣＴテストの結果がよいことから内部応力が小さくかつ耐湿信頼性が著しく向上していることがわかる。