【事件の表示】
　特許第２９２８３３０号「光メディア用スパッタリングターゲット溶製材」の請求項１及び２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９２８３３０号の請求項１及び２に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．本件発明
　特許第２９２８３３０号（平成２年５月１１日出願、平成１１年５月１４日設定登録）の請求項１及び２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
２．特許異議申立ての理由の概要
２−１．特許異議申立人山口正夫について
（申立ての理由）
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証乃至甲第３号証を提出して、本件請求項１及び２に係る発明は、上記甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
（証拠の記載内容）
　特許異議申立人が提出した上記甲第１号証乃至甲第３号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
甲第１号証：特開昭６３−２７７７５７号公報
（イ）「アルミニウム９０重量％以上と、ホウ素２モルと周期律表の第４Ａ族に属する金属１〜２モルとからなる合金成分１０重量％以下とを含んでなるスパッタリング蒸着用のアルミニウム合金ターゲット材料。」（第１頁左欄）
（ロ）「シリコンを１１重量％含有する９９．９９９％純度のアルミニウム合金９６重量％を母材としてジルコニウムとホウ素を原子比で１対２になるようにして全体で５重量％になるように秤量して、アーク溶解で母合金を作り真空溶解で本発明に係わる合金を作成して電子ビーム用ターゲット材料を作成した。」（第３頁下段右欄）
（ハ）「上記のごとくして得られた本発明の蒸着用ターゲット材料は、アルミニウムあるいはアルミニウム合金に周期律表ＩＶ−ａ属とホウ素を単体あるいは金属間化合物の形で含み融点がアルミニウムに比べて非常に高く、・・・非常に微細な結晶が期待される。」（第２頁下段右欄）
甲第２号証：「軽金属」Ｖｏｌ．３２、Ｎｏ．１１、１９８２年、第５９６頁及び第５９７頁
（イ）「チタン添加アルミニウムの急冷凝固組織と結晶粒微細化に関する研究」という標題の下に、「純アルミニウム（９９．９９％）とスポンジチタン（９９．８％）を用いて Ａｌ‐１０％Ｔｉ 母合金になるように真空中で溶解し、１３５０℃で４０分保ったのち金型に鋳造した。これを純アルミニウムに添加して種々のチタン含有量の鋳塊を真空溶解にて作製した。」（第５９７頁左欄）
（ロ）「３．１凝固組織
はじめに液体状態から徐冷した試料の凝固組織を観察した。Ｐｈｏｔｏ１はＡｌ‐１．２％Ｔｉ合金を約１０℃／ｓｅｃの速度で徐冷した組織である。大きな針状の晶出物および、その周りにデンドリティックセルがみられる。・・・Ｐｈｏｔｏ２はこの晶出物のＥＰＭＡのエネルギー分散分析結果で、別途に溶製したＡｌ３Ｔｉ相についての分析結果との対応から、この晶出物はＡｌ３Ｔｉ組成であると認められた。」（第５９７頁左欄乃至右欄）
甲第３号証：特開昭６２−１３７７４３号公報
（イ）「反射金属層を有する情報記録媒体において、上記反射金属層が、０．１重量％〜１０重量％のチタンを少なくとも含むアルミニウム合金より成ることを特徴とする情報記録媒体。」（第１頁左欄）
（ロ）「本発明は、書き込み、或いは読み出しにレーザー光を用いるビデオディスク、コンパクトディスク等レーザーディスク、すなわち光学式ディスク或いは光磁気ディスクのような各種ディスクに適用して好適な情報記録媒体に係わる。」（第１頁左欄）
（ハ）「第２図に示すようにポリカーボネートより成る透明基板（１）上に、Ａｌ‐Ｔｉ合金ターゲットを用いてスパッタリングによって厚さ１０００ÅのＡｌ‐Ｔｉ合金より成る反射金属層（３）を被着した。」（第２頁下段左欄）
（ニ）「第４図からも分るようにＴｉ量が０．１重量％〜１０．０重量％、より好ましくは０．３重量％〜３．０重量％のＡｌ‐Ｔｉ反射金属層による本発明による情報記録媒体は、特に耐蝕性にすぐれ、結晶化による凹凸、すなわちヒロックの発生が抑制された。したがって経時変化が小さく安定した特性を有する。」（第３頁上段右欄乃至下段左欄）
（当審の判断）
（ｉ）請求項１に係る発明について
　上記甲第１号証には、「スパッタリング蒸着などの手段に用いるアルミニウム合金ターゲット材料」に関し、「アルミニウム９０重量％以上と、ホウ素２モルと周期律表の第４Ａ族に属する金属１〜２モルとからなる合金成分１０重量％以下とを含んでなるスパッタリング蒸着用のアルミニウム合金ターゲット材料。」が記載されている。
　そこで、本件発明と上記甲第１号証に記載の発明（以下「甲第１号証発明」という）とを対比すると、甲第１号証発明は、その成分として「ホウ素」を必須とするものであり、また金属間化合物を含む場合でも「ホウ素と周期律表ＩＶａ属金属との金属間化合物」（上記（ハ）参照）であり、甲第１号証には「Ａｌと周期律表ＩＶａ属金属との金属間化合物」を含むという示唆は一切ない。
　してみると、本件発明は、上記甲第１号証発明と少なくともその成分組成の点で相違するのみならず、金属間化合物の点及び用途等多くの点で相違する別異の材料であると云うべきである。
　また、上記甲第２号証や甲第３号証を検討しても、これら証拠にも、少なくとも「光メディア用スパッタリングターゲット材」に供するものとしての本件発明の成分組成を有する「Ａｌ基溶製合金」について示唆されていないから、本件発明は、上記甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（ｉｉ）請求項２に係る発明について
　この発明は、請求項１に係る発明を引用してなるものであるから、上記（ｉ）で述べたと同様の理由により、上記甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　したがって、特許異議申立人の上記主張は採用することができない。
２−２．特許異議申立人安藤重信について
（申立ての理由）
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証乃至甲第３号証を提出して、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、次の（Ａ）及び（Ｂ）の理由により取り消されるべきものであると主張している。
（Ａ）本件請求項１及び２に係る発明は、「金属間化合物がＡｌマトリックス中に均一に分散する」点を必須の構成とするものであるが、自然に凝固させて「完全に均一」又はそれに近い状態にさせることは不可能である。
　したがって、本件請求項１及び２に係る発明は、実施することができないから産業上利用することができない発明であり、特許法第２９条柱書きに違反するものである。
（Ｂ）本件請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（証拠の記載内容）
甲第１号証：特開昭６２−１３７７４３号公報
特許異議申立人山口正夫の提出した上記甲第３号証と同じ。
甲第２号証：特開昭６３−１６１１６１号公報
（イ）「１）初晶シリコンの析出を実質上結晶粒界のみとし、結晶粒内への初晶シリコンの析出を抑制したことを特徴とするＡｌ‐Ｓｉ系合金製ターゲット。
２）Ａｌ‐Ｓｉ系合金溶湯を急速凝固させることを特徴とするＡｌ‐Ｓｉ系合金製ターゲットの製造方法。」（第１頁左欄）
（ロ）「本発明は、Ａｌ‐Ｓｉ系合金製ターゲット及びその製造方法に関するものであり、特には初晶Ｓｉの結晶粒内への析出を抑制し、全体的にＳｉ分布の均一なＡｌ‐Ｓｉ系合金製ターゲットを急速凝固法により製造する技術に関するものである。本発明に従うＡｌ‐Ｓｉ及びＡｌ‐Ｓｉ−Ｍｅ（ＭｅはＴｉ、Ｃｕ、Ａｕ、等の一種以上）合金製ターゲットは、ターゲット特性の悪化の一因となっている不均一に分布している初晶Ｓｉを実質上結晶粒界にとどめ、Ｓｉの分布の均一性を全体的に向上するので、トランジスタ、・・・等の半導体デバイスにおける回路配線の形成のためのスパッタリング源として有用である。」（第１頁左欄乃至右欄）
（ハ）「本発明者等は、Ｓｉの不均一析出を低減するターゲットの製造方法を研究するうちに急速凝固法の適用を想到し、実験を重ねた結果、好結果を得た。急速凝固法は、Ａｌ‐Ｓｉ系合金溶場をＳｉの結晶粒内への析出を実質上抑制するに充分の冷却速度で急速凝固することを骨子とする。・・・ともかくも急速凝固法によって初晶Ｓｉの析出が結晶粒界にのみとどめられ、全体としてＳｉ均一性の向上した非常に高品質のターゲットが製造しうることがここに初めて判明したものである。急冷凝固法はＡｌＴｉ３等の金属間化合物の晶出をも低減若しくは防止しうる点でも効果的である。」（第２頁上段右欄乃至下段左欄）
甲第３号証：特開昭６３−１２１６３３号公報
（イ）「本発明は蒸着用Ｍｎ−Ｓｂ基合金に係り、特に磁気記録材料として用いられる薄膜の製造に好適な蒸着用Ｍｎ−Ｓｂ基合金に関する。」（第１頁左欄）
（ロ）「この磁気記録材料の薄膜を製造する方法としては、スパッタリングや真空蒸着、イオンプレーティンク等の蒸着法が広く用いられている。特にスパッタリング法は、均一な内部組成で一定の合金元素を含んだターゲット材が得られさえすれば、スパッタリング装置内の圧力をコントロールしながら組成的に均一な薄膜を得ることができる点で有利てある。」（第１頁右欄）
（ハ）「合金中のＯ、Ｎの量が多いと、蒸着に使用した際に、蒸着雰囲気の真空度を悪化させたり、また良好な蒸着が行なえず、高特性の磁性薄膜が得られない。このため、合金中の含有量は３００ｐｐｍ以下、好ましくは２００ｐｐｍ以下、Ｎ含有量は３０ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下とする。」（第３頁上段左欄）
（当審の判断）
上記（Ａ）の主張について
　本件発明の構成要件である「金属間化合物がＡｌマトリックス中に均一に分散」の「均一に分散」の意味するところは、明細書の記載から金属間化合物がマトリックスに偏析がない状態で均一に分散していることであると云えるし、またこのような偏析のない状態を確認することも容易になし得ることである。加えて「均一に分散」という表現も当該技術分野では金属組織等の状態を表現する場合によく用いられている。
　そして、金属間化合物がＡｌマトリックス中に均一に分散した合金組織は、溶製の場合でも容易に製造することができるものであるから、特許異議申立人の上記主張は採用することができない。
上記（Ｂ）の主張について
（ｉ）請求項１に係る発明について
　上記甲第１号証には、「光学式ディスク或いは光磁気ディスクのような各種ディスクに適用して好適な情報記録媒体」に関し、「反射金属層を有する情報記録媒体において、上記反射金属層が、０．１重量％〜１０重量％のチタンを少なくとも含むアルミニウム合金より成ることを特徴とする情報記録媒体。」が記載されている。また、この反射金属層については「スパッタリングによって厚さ１０００ÅのＡｌ‐Ｔｉ合金より成る反射金属層（３）を被着した。」と記載されているから、上記甲第１号証には、「０．１重量％〜１０重量％のＴｉを少なくとも含むアルミニウム合金から成る光メディア用スパッタリングターゲット材」の発明（以下「甲第１号証発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明と上記甲第１号証発明とを対比すると、本件発明は、次の点で甲第１号証発明と相違している。
（イ）溶製合金である点
（ロ）Ａｌと周期律表ＩＶａ属金属との金属間化合物が均一に分散している点
（ハ）酸素含有量が２００ｐｐｍ以下の点
次に、これら相違点について検討する。
上記甲第２号証には、「Ａｌ‐Ｓｉ系合金溶湯を急速凝固させることを特徴とするＡｌ‐Ｓｉ系合金製ターゲットの製造方法。」が記載されているが、この急速凝固によれば、「ＡｌＴｉ３等の金属間化合物の晶出をも低減若しくは防止しうる点でも効果的である。」（上記（ハ）参照）と記載され、ＡｌＴｉ３の金属間化合物の晶出について否定的な示唆がなされているから、このような記載から上記（イ）及び（ロ）の点を想到することは当業者といえど困難である。また、上記甲第３号証には、「蒸着用Ｍｎ−Ｓｂ基合金」に係り、その酸素含有量と窒素含有量が記載されているだけであり、上記（イ）乃至（ハ）を示唆する記載もない。
　してみると、本件発明は、上記甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（ｉｉ）請求項２に係る発明について
　この発明は、請求項１に係る発明を引用してなるものであるから、上記（ｉ）で述べたと同様の理由により、上記甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　したがって、特許異議申立人の上記（Ａ）及び（Ｂ）の主張はいずれも採用することができない。
３．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月２７日（２０００．４．２７）