(57)【要約】      （修正有）【課題】ワークピースをエッチングするためのプラズマリアクタ用のリフトピンを提供する。【解決手段】リフトピンは、丸い第１の端部と丸い第２の端部とを含む円形断面を有する長手方向本体と、第２の端部に形成された切欠き領域であって、プラズマチャンバに配置されたリフトプレートに取り外し可能に結合されるように用いられる切欠き領域とを含み、本体が第１の直径領域を有し、切欠き領域がショルダにより分離された、それよりも小さな直径を有する少なくとも２つの直径領域を含む。【選択図】図２７Ａ
0003138694.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
円形断面を有する長手方向本体を含むプラズマチャンバ用リフトピンであって、前記本体は丸い第１の端部と丸い第２の端部と、前記第２の端部に形成された切欠き領域を有し、前記切欠き領域はプラズマチャンバに配置されたリフトプレートに取り外し可能に結合されるように用いられ、前記本体が第１の直径領域を有し、前記切欠き領域がショルダにより分離された第１の直径領域より小さな直径を有する少なくとも２つの直径領域を含むプラズマチャンバ用リフトピン。
【請求項２】
前記丸い第１の端部及び丸い第２の端部が、２つの半径を含む請求項１記載のリフトピン。
【請求項３】
前記丸い第１の端部及び前記丸い第２の端部が、第１の半径と第２の半径とを有し、前記第２の半径が、前記第１の半径より約４倍大きい請求項１記載のリフトピン。
【請求項４】
前記ショルダの直径が、前記第１の直径領域と実質的に等しく、前記少なくとも２つの直径領域が、前記ショルダの直径より小さな直径を有する請求項１記載のリフトピン。
【請求項５】
前記本体が、セラミック材料を含む請求項１記載のリフトピン。
【請求項６】
前記本体が、アルミニウム材料を含む請求項１記載のリフトピン。
【請求項７】
前記本体が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）材料を含む請求項１記載のリフトピン。
【請求項８】
前記少なくとも２つの直径領域が、第２の直径領域と、第３の直径領域とを有し、各領域が異なる長さを持つ請求項１記載のリフトピン。
【請求項９】
前記少なくとも２つの直径領域が夫々、ある長さとある直径とを有し、前記直径が実質的に等しく、前記長さが異なる請求項１記載のリフトピン。
【請求項１０】
円形断面と、第１の端部と、第２の端部とを有する長手方向シャフトを含み、前記第２の端部が、第２の直径セクションと第３の直径セクションとを含み、前記第２の直径セクションと前記第３の直径セクションが、第１の直径セクションより小さい直径を有し、前記第１の直径セクションに実質的に等しい直径を有するショルダセクションにより分離されているプラズマチャンバ用リフトピン。
【請求項１１】
前記第２の直径セクションと前記第３の直径セクションが、切欠き領域を画定している請求項１０記載のリフトピン。
【請求項１２】
前記シャフトが、アルミニウム材料を含む請求項１０記載のリフトピン。
【請求項１３】
前記シャフトが、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）材料を含む請求項１０記載のリフトピン。
【請求項１４】
前記第１の端部及び第２の端部の夫々が丸い請求項１０記載のリフトピン。
【請求項１５】
前記第１の端部及び第２の端部の夫々が２つの半径を有する請求項１４記載のリフトピン。
【請求項１６】
前記丸い第１の端部及び前記丸い第２の端部が、第１の半径と第２の半径とを有し、前記第２の半径が、前記第１の半径より約４倍大きい請求項１４記載のリフトピン。
【請求項１７】
前記第２の直径セクションと前記第３の直径セクションが夫々、ある長さとある直径とを有し、前記直径が実質的に等しく、前記長さが異なる請求項１０記載のリフトピン。
【考案の詳細な説明】
【考案の背景】
【０００１】
超大規模集積（ＵＬＳＩ）半導体ウエハの処理に用いるフォトリソグラフィーマスクの製造には、半導体ウエハ処理よりも、さらに高度のエッチング均一性が必要とされる。単一マスクパターンは、通常、水晶マスク上に４インチ平方の面積を占めている。マスクパターンの画像は、ウエハ上の単一ダイ（１インチ平方）の面積まで集束されて、ウエハ全体にステップが形成されて、各ダイに単一画像が形成される。マスクパターンを水晶マスクへエッチングする前に、マスクパターンは、フォトレジストに走査電子ビームにより書き込まれる。これは、時間のかかるプロセスでマスクのコストを非常に高いものにする。マスクエッチングプロセスは、マスク表面全体に均一でない。更に、ｅ−ビーム書込みフォトレジストパターン自身は均一でなく、ウエハで４５ｎｍフィーチャーサイズの場合には、全マスクにわたって限界寸法（例えば、線幅）において２〜３ｎｍもの変動を示す。（この変動は、例えば、測定された線幅全ての３σの相違である。）フォトレジスト限界寸法におけるかかる不均一性は、一般的に、異なるマスク源又はカスタマーによって異なる。現在の要件を満たすために、マスクエッチングプロセスでは、この変動を１ｎｍより増やしてはならないため、エッチングマスクパターンの変動は３〜４ｎｍを超えることはできない。これらの厳しい要件は、ウエハに鮮明な画像を得るために、水晶マスクパターンに回折効果を用いることにより生じている。現在の技術では、かかる要件を満たすことは困難である。２２ｎｍのウエハフィーチャーサイズを含むであろう将来の技術には、これではさらに困難である。この問題は、エッチングバイアスの現象により悪化し、マスクエッチング中のフォトレジストパターンの消耗によって、水晶マスク上のエッチングパターンにおける線幅（限界寸法）が減少する。これらの問題は、マスクエッチングプロセスに固有である。一般的なマスク材料（水晶、クロム、ケイ化モリブデン）のフォトレジストに対するエッチング選択性は、一般的に１未満で、マスクフォトレジストパターンが、マスクエッチングプロセス中にエッチングされるからである。
【０００２】
マスクパターンの中には、精密に定義された深さで、周期的な開口部を水晶マスクにエッチングすることが必要なものがある。これは、マスクを通したウエハの露光中に、干渉光ビームの非常に細かい位相位置合せを達成するのに重要である。例えば、位相シフトマスクの１つのタイプにおいて、各線は、クロム線により定義され、薄い水晶線がクロム線の各側で露出していて、片側の水晶線が、精密な深さまでエッチングされて、クロム線のもう一方の側のエッチングされていない水晶線を通過する光に対して、１８０度の位相シフトを与える。水晶におけるエッチング深さを精密に制御するために、エッチングプロセスは、水晶におけるエッチング深さを測定するために、周期的に中断して、綿密にモニターされなければならない。かかる各検査には、マスクをマスクエッチングリアクタチャンバから除去し、フォトレジストを除去し、エッチング深さを測定してから、残りのエッチングプロセス時間を推定して、経過したエッチングプロセス時間に基づいてターゲット深さに達し、新たなフォトレジストを堆積し、レジスト上のマスクパターンにｅ−ビーム書込みをし、マスクエッチングチャンバへマスクを再導入し、エッチングプロセスを再開する必要がある。所望の深さに達するための残りのエッチング時間の推定によって、エッチングレートが安定で均一なままと推測されるため、信頼性のない推測である。かかる煩雑な手順の問題としては、生産性が低いこと、高コストであること、フォトレジストパターンの汚染又は欠陥導入の可能性が増大することが挙げられる。しかしながら、正確に制御されたエッチング深さについての要件のために、かかる問題を回避する方法はないと考えられる。
【０００３】
限界寸法変動における狭い許容度は、マスク表面全体へのエッチングレートの非常に均一な分布を必要とする。水晶材料に精密なエッチング深さを必要とするマスクにおいては、２つの限界寸法がある。１つは線幅であり、もう１つはエッチング深さである。限界寸法の両方のタイプに対する均一性には、マスク全体の均一なエッチングレート分布が必要とされる。エッチングレート分布における不均一性は、ウエハの上を覆う内側及び外側コイルアンテナからなる誘導電源印加装置等、プラズマイオン密度の動径分布を変えることのできる電源印加装置を用いることにより、ある程度減じることができる。しかしながら、かかるやり方は、対称である、すなわち、中心が高い、又は中心が低いエッチングレート分布である不均一性に対処できるだけである。実際、エッチングレート分布の不均一性は、例えば、マスクの１つの隅が高エッチングレートである等、非対称であり得る。より基本的な制限は、マスクエッチングプロセスは、エッチングレートの中心が非常低い分布を有する傾向があることである。内側及び外側コイルを有する誘導電力印加装置等の調整可能なフィーチャーは、中心が低い領域外にエッチングレート分布を変換することはできない。
【０００４】
不均一なエッチングレート分布による他の問題は、エッチングレート分布は、同じ設計の異なるリアクタで大きく異なる傾向があり、カソードの交換等、主要部分又は消耗コンポーネントを交換するときは常に同じリアクタ内で大きく異なる可能性があるということである。エッチングレート分布は、交換した部分のフィーチャーにおける小さな変動に非常に感度が高いらしく、消耗品の交換の際に予測できない変化が生じる。
【０００５】
他の問題は、リフトピンが損傷を受けたり、その他使用に不適な時に、リアクタ内でリフトピンを交換することである。従来のリフトピンは、深さゲージ及び／又はファスナを用いずに容易に交換できない。これは、リアクタの制限のために、アクセスや取外しが困難であることを証明するものである。
従って、リアクタを大幅に分解することなく、容易に取外し又は交換されるリフトピンが必要とされている。
【考案の概要】
【０００６】
ワークピースをエッチングするためのプラズマリアクタ用取外し可能なリフトピンが記載されている。一実施形態において、リフトピンは、丸い第１の端部と丸い第２の端部とを含む円形断面を有する長手方向本体と、第２の端部に形成された切欠き領域であって、プラズマチャンバに配置されたリフトプレートに取り外し可能に結合されるように適合された切欠き領域とを含み、本体が、第１の直径領域を有し、切欠き領域が、ショルダにより分離された、第１の直径領域よりも小さな直径を有する少なくとも２つの直径領域を含む。
【０００７】
他の実施形態において、リフトピンは、円形断面と、第１の端部と、第２の端部とを有する長手方向シャフトを含み、第２の端部は、第２の直径セクションと第３の直径セクションとを含み、第２の直径セクションと前記第３の直径セクションは、第１の直径セクションより小さい直径を有し、第１の直径セクションに実質的に等しい直径を有するショルダセクションにより分離されている。
【考案の詳細な説明】
【０００８】
改善されたＲＦ均一性を備えたカソード
マスクエッチングプロセスにおいて不均一なエッチングレート分布の１つの原因は、マスクエッチングプロセスが実行されるプラズマリアクタにおいて、マスクを保持するサポート台座又はカソードにおけるＲＦ電気不均一性の存在であることを知見した。ＲＦバイアス電力は、台座に印加されて、マスク表面でプラズマイオンエネルギーを制御する。一方、ＲＦ電源は、オーバーヘッドコイルアンテナに印加されて、例えば、プラズマイオンを生成する。ＲＦバイアス電力は、イオンエネルギーに影響するマスク表面で電界を制御する。マスク表面のイオンエネルギーは、エッチングレートに影響するため、台座におけるＲＦ電気不均一性によって、マスク表面全体のエッチングレートの分布が不均一になる。台座におけるＲＦ不均一性にはいくつかの原因があることを知見した。１つは、アルミニウム台座（カソード）とアルミニウム設備プレートを併せて固定するチタンネジである。ネジは、台座表面全体（従って、マスク表面全体）に電界パターンのノードを作成する。電気的特性が、アルミニウムカソードとは異なるからである。もう１つは、カソードと設備プレートの間の導電性の不均一な分布である。設備プレートとカソードの間の電気伝導は、主に、プレートとカソードの周囲に限定される。真空圧により誘導されるプラズマ処理中のカソードの湾曲が、少なくとも一部のこの原因であり得る。この周囲の伝導は、チタンネジの一様でない締結及び／又はプレートか台座のいずれかの周囲の表面仕上げの変動等の数多くの因子のために不均一である可能性がある。台座全体のＲＦ電気均一性を向上するいくつかの特徴を導入することにより、これらの問題を解決した。まず、アルミニウムカソードにチタンネジがあることにより生じるＲＦ場の不均一性又は不連続性は、連続チタンリングを提供することにより対処される。このリングは、全てのチタンネジの頭部を含むカソードの上部表面周囲に延在している。チタンネジの表面差異又は不均一な締結による伝導性の変動は、高導電性ニッケルプレートを、設備プレートとカソードの対向する周囲表面に提供し、設備プレートとカソードの間に、それらの周囲で、それらの間で圧縮されるＲＦガスケットを導入することにより対処される。
【０００９】
図１を参照すると、マスクでパターンをエッチングするプラズマリアクタは、側壁１２と上を覆うシーリング１４に囲まれた真空チャンバ１０を含み、チャンバ圧を制御する真空ポンプ１５により排気されている。チャンバ１０内側のマスクサポート台座１６は、マスク１８をサポートする。本明細書に後述してある通り、マスクは、一般的に、水晶基板からなり、ケイ化クロムやモリブデン等の水晶基板の上表面に追加のマスク薄膜層を更に含めることができる。更に、パターン画定層が存在していて、これは、クロム層から形成されたフォトレジスト又はハードマスクであってもよい。他の種類のマスクでは、水晶基板には、フォトレジストパターン以外に上を覆う層はない。
【００１０】
プラズマ電源は、各ＲＦインピーダンス整合回路２８、３０を通して、各ＲＦ電源ジェネレータ２４、２６により駆動される内側及び外側コイルアンテナ２０、２２を上に置くことにより印加される。側壁１２は、接地に結合されたアルミニウム又はその他金属であってよいが、シーリング１４は、一般的に、絶縁材料で、コイルアンテナ２０、２２からチャンバ１０へＲＦ電力の誘導結合を可能とする。プロセスガスは、ガスパネル３６からガスマニホルド３４を通って、側壁１２の上部の均一間隔の注入ノズル３２から導入される。ガスパネル３６は、各バルブ又はマスフローコントローラ４０を通して、マニホルド３４に結合された出力バルブ又はマスフローコントローラ４２に結合された異なるガス供給部３８からなっていてよい。
【００１１】
マスクサポート台座１６は、金属（例えば、アルミニウム）設備プレート４６にサポートされた金属（例えば、アルミニウム）カソード４４からなっている。カソード４４は、内部冷却剤又は加熱流体流路（図示せず）を有し、これらは、設備プレート４６の供給及び排液ポート（図示せず）により供給及び排出される。ＲＦバイアス電力は、ＲＦインピーダンス整合回路５０を通して、ＲＦバイアスジェネレータ４８により設備プレートに印加される。ＲＦバイアス電力は、設備プレート４６とカソード４４の間の界面を超えて、カソード４４の上面に伝導される。カソード４４は、中央プラトー４４ａを有しており、その上に四角形水晶マスク又は基板１８がサポートされている。プラトーの寸法は、通常、マスク１８の寸法と合っているが、プラトー４４ａはやや小さく、マスク周囲の小さな部分又は縁１８ａが、プラトー４４ａを超えて短い距離延在するようにする。これについては後述する。プラトー４４ａを囲む台座リング５２は、リング５２の約２／５を形成するカバーリング５２ａと、リング５２の残りの３／５を形成する捕捉リング５２ｂに分割される（図２Ｂ又は図７に示すウェッジ又はパイ断面で）。捕捉リング５２ｂは、シェルフ５４を有しており、この上にマスク１８の縁１８ａが載る。３つのリフトピン５６（図１にはそのうち１つのみが目視される）が、捕捉リング５２ｂをリフトし、マスク１８をサポート台座１６から除去したい時はいつでも、マスク１８を縁１８ａで持ち上げる。台座リング５２は、バイアスジェネレータ４８の周波数で、水晶マスク１８とアルミニウムプラトー４４ａの組み合わせにより与えられるＲＦインピーダンスを整合するために選択される異なる電気特性の材料層５３、５５からなる。（カバーリング５２ａと捕捉リング５２ｂの両方とも異なる層５３、５５からなる。）更に、捕捉リング５２の上面は、マスク１８の上面と同一平面にあり、マスク１８の端部を超えて広がる広い均一表面によって、プラズマ処理中、マスク１８表面全体にわたって均一な電界及びシース電圧が促進される。一般的に、下のリング層５５が水晶で、上のリング層５３がアルミナ等のセラミックの場合に、これらの条件は満たされる。プロセスコントローラ６０は、ガスパネル３６、ＲＦジェネレータ２４、２６、４８及びウエハ取扱い装置６１を制御する。ウエハ取扱い装置には、チャンバ１０の側壁１２にリフトピン５６に結合したリフトサーボ６２、ロボットブレードアーム６３、及びスリットバルブ６４を含めることができる。
【００１２】
一連の均一間隔のチタンネジ７０で、カソード４４と設備プレート４６をその周囲に沿って併せて固定する。アルミニウムカソード／設備プレート４４、４６とチタンネジ７０の間の電気的な相違のために、ネジ７０は、カソード４４の上面のＲＦ電場に別々の不均一性を与える。カソード４４と設備プレート４６の対向する表面における変動によって、カソード４４と設備プレート４６の間の導電性に、その周囲に沿って、不均一性が形成される。対応の不均一性がＲＦ電場に与えられる。カソード４４は、プラズマ処理中、その中心で持ち上がる傾向があるため（チャンバ真空のために）、カソード４４と設備プレート４６の間の主な電気的接触は、その周囲に沿っている。（ａ）様々なチタンネジ７０における締まりの変動及び（ｂ）表面特性における変動につながるカソード４４と設備プレート４６の間の電気伝導の感度を減じるために、ニッケル等の高伝導材料の環形薄膜７２を、カソード４４の下面４４ｂの周囲に堆積する。一方、ニッケル（例えば）の整合環形薄膜７４を、設備プレート４６の上面４６ａの周囲に堆積する。ニッケルフィルム７２、７２は相互に位置合せされており、２枚の環形ニッケル薄膜７２、７４は、台座４４と設備プレート４６の対向する接触表面を構成して、それらの間に電気伝導性が非常に均一に分布されるようにする。均一な電気伝導性における更なる改善は、カソード４４の下面の周囲に沿って環形溝７６を提供し、溝７６内に導電性ＲＦガスケット８０を配置することにより実現される。任意で、設備プレート４６の上面に、溝７６と位置合せされた同様の環形溝７８を提供してもよい。カソード４４及び設備プレート４６は一緒にプレスされて、ネジ７０が締結されるため、ＲＦガスケット８０は、圧縮された薄金属螺旋等、好適な従来の種類のものであってよい。チタンネジ７０の頭部で生じる傾向のある電場分布における点不均一性を減少又は排除するために、連続チタンリング８２を、カソード４４の上面の周囲の環形溝８４に配置する。
【００１３】
図２Ａに、マスクサポート台座１６及びその下にあるリフトアセンブリ９０を示す。リフトアセンブリ９０は、空気圧式アクチュエータ又はリフトサーボ９４により駆動されるリフトスパイダー９２と、リフトスパイダー９２に載った３つのリフトピン５６とを含む。リフトピン５６は、非常に滑らかで略摩擦のない動きのために（摩耗により生じる汚染を減じるために）、転がり軸受け９８を含むリフトふいご９６により導かれる。図２Ｂに、捕捉リング５２ｂ及びマスク１８が上昇位置にあるカソード４４を示す。マスクを上昇すると、カバーリング５２ａと捕捉リング５２ｂの分離により形成されるボイドによって、ロボットブレードがマスク１８と接触できる。
【００１４】
マスク１８の表面全体にわたる非常に低い中心のエッチングレート分布という問題は、カソードプラトー４４ａの電気的特性（例えば、電気的誘電率）の分布を変えることにより解決される。これは、一実施形態において、プラトー４４ａの上面に、中心インサート１０２及び周囲の外側インサート１０４を提供することにより達成される。２つのインサートは、台座リング５２と連続した平坦面を形成し、電気的に異なる材料でできている。例えば、エッチングレート分布が、中心で非常に低いという傾向を減じるために、中心インサート１０２は、導電性材料（例えば、アルミニウム）とし、外側インサート１０４は、絶縁材料（例えば、アルミナ等のセラミック）とする。中心インサート１０２をこのように導電性とすることによって、ＲＦ電流のためのインピーダンス経路が遥かに低くなり、マスク１８の中心でのイオンエネルギー及びエッチングレートを押し上げる。一方、絶縁外側インサート１０４は、高いインピーダンスを呈し、これによって、マスク１８周囲でエッチングレートが減少する。この組み合わせによって、エッチングレート分布が改善されて、より均一とさせる。この特徴があると、内側及び外側コイルアンテナ２０、２２に印加される相対ＲＦ電力レベルを調整することにより、エッチングレート分布の微調整を行うことができる。均一なエッチングレート分布を達成するのに必要なプラズマイオン密度の動径分布における変化が、非常に少ない量まで減じ、内側と外側コイル２０、２２の間のＲＦ電力配分の能力内にあり、均一なエッチングレート分布が達成される。図３は、内側インサート１０２と外側インサート１０４の平面図である。変形実施形態において、インサート１０２、１０４は、異なる誘電率（電気的誘電率）を有する絶縁体であってよい。図４及び５に、この概念による詳細を示す。徐々に異なる電気的特性の４つの同心リング１０２、１０４、１０６、１０８を用いて、エッチングレート分布をより均一にしている。図６及び７に、カソード４４のＲＦ電気的特性の分布のリアルタムでの調整を行う変形実施形態を示す。プランジャ１１０は、カソード４４の中心内部の中空シリンダ１１４内の可動アルミニウムプレート１１２の軸位置を調整する。アルミニウムプレート１１２は、アルミニウムプラトー４４ａの残部と電気的に接触する。絶縁体（例えば、セラミック）上フィルム１１６で、カソード４４の上部をカバーすることができる。アルミニウムプレート１１２を、シリンダ１４の上部近くに押すと、カソード４４の中心領域を通る電気的インピーダンスが減少して、マスク１８の中心でのエッチングレートが上昇する。逆に、アルミニウムプレート１１２を、マスク１８から離れるように、シリンダ１１４の下方に動かすと、マスク中心でのエッチングレートは減少する。プランジャ１１０の軸方向の動きを制御するアクチュエータ１１８は、プロセスコントローラ６０（図１）により管理されて、エッチングレート分布を調整して、均一性を最大化する、又は不均一性を補うことができる。
【００１５】
エッチングレートモニタリング及びマスク裏側からの終点検出
マスクのエッチング深さ又は限界寸法を測定するために、エッチングプロセスを周期的に中断するという高い製造コストを、カソード４４を通した、且つマスク又は基板１８の裏側を通した光学的センシングを用いることにより、減らす、又は排除する。かかる周期的測定を実施するには、フォトレジストに対するエッチング選択性が乏しいために、エッチングプロセスの中断が必要とされてきた。通常、マスク材料は、フォトレジストよりも遅くエッチングされる。この問題は、一般的に、フォトレジストの厚い層をマスクに堆積することにより対処されているが、レジストの高レートのエッチングは、フォトレジスト表面をランダムに不均一又は粗いものとさせる。この粗さは、フォトレジストを通過する光に影響して、限界寸法又はエッチング深さの光学測定にノイズを招く。従って、フォトレジストは、各周期測定のために一時的に取り除いて、確実にノイズフリーの光学測定をする。中断されたマスクエッチングプロセスを再スタートする前に、フォトレジストの再堆積及びフォトレジストへのレチクルパターンの再描画が必要となる。
【００１６】
図８に示すマスクエッチングプラズマリアクタは、これらの問題を排除して、全エッチングプロセス中、限界寸法の連続測定又はエッチング深さの測定を可能とする。一方、マスク又は基板１８は、カソード４４内に提供された裏側光学測定装置を用いて、マスクサポート台座１６の適所に配置されたままである。裏側測定装置は、一般的に水晶であるマスク基板１８の光学的に透明な性質を利用している。その上に堆積される薄膜（ケイ化クロム又はモリブデン等）は不透明であってよいが、マスク１８のレチクルパターンを画定するパターン化開口部の形成は、光学的にセンシングすることができる。かかる層により反射される、又はかかる層を通って伝わる光強度の変化は、カソード４４を通したマスク裏側で測定される。この測定を用いて、エッチングプロセス終点検出を実施してよい。水晶材料をエッチングする時は、カソード４４を通してマスク裏側で測定される光学干渉をセンシングして、エッチングプロセス中、リアルタイムでエッチング深さ測定を実施してよい。１つの利点は、マスク裏側からセンシングされた画像又は光信号が、フォトレジストノイズに影響されない、又は、かかる測定をマスク１８の上面（フォトレジスト側）から実施しようとするのに比べて、少なくとも影響が非常に少ないということである。
【００１７】
これらの目的のために、図８のリアクタは、カソード４４の上面内にリセス１２０を有しており、そこには、レンズ１２２が収容されていて、光軸がマスク又は基板１８の裏側に向いている。レンズ１２２に対して小さな直径を有する一対の光ファイバー１２４、１２６は、レンズ１２２近傍又はそれに接触する端部１２４ａ、１２６ａを有しており、両方共、レンズ１２２の光軸で互いに隣に並んでいる。図８に示した光ファイバー１２４、１２６は、夫々、実際には、光ファイバーの小束であってよい。光ファイバー１２４は、光源１２８に結合した他端１２４ｂを有している。光源は、マスク１８が透明である波長、一般的に、水晶マスクについては、可視波長の光を放出する。干渉深さ測定の場合には、光源１２８の波長スペクトルを選択して、マスク１８のレチクルパターンの局所コヒーレンスを促進する。約４５ｎｍのエッチングされたマスク構造における周期的フィーチャー（又は１ミクロン未満の周期フィーチャーサイズ）については、光源１２８が可視光スペクトルを放射する場合に、この要件が満たされる。光ファイバー１２６は、光受信器１３０に結合した他端１２６ｂを有する。単純な終点検出の場合には、光受信器１３０は単に光強度を検出すればよい。限界寸法（例えば、線幅）測定の場合には、光受信器１３０は、レンズ１２２の視野内のエッチングされた線の画像をセンシングしてよい。これから、線幅が求められる。エッチング深さ測定の場合には、光受信器１３０は、干渉パターン又は干渉フリンジを検出してよい。これから、エッチング深さが求められる（すなわち、干渉又は回折パターンから推論される、又は干渉フリンジの計数から計算される）。他の実施形態において、光受信器１３０は、多波長干渉測定を実施するためのスペクトロメータを含んでいてよい。これから、エッチング深さが推論又は計算される。かかる判定のために、プロセスコントローラ６０は、光受信器からの光学信号を処理可能な光学信号プロセッサ１３２を含む。かかる光学信号処理は、周囲光強度変化から各プロセス終点検出を実施する、光受信器１３０によりセンシングされた二次元画像から限界寸法を測定する、干渉フリンジの計数によりエッチング深さを計算する、多波長干渉スペクトルからエッチング深さを判定する（この場合は、光受信器１３０はスペクトロメータからなる）のうち１つを含む（特定の実施に応じて）。或いは、かかるスペクトロメータを用いて、ウエハ裏側から発光分析により、プラズマにより放出され、透明マスク１８を通して伝達された光を用いて、エッチングプロセス終点検出を実施してよい。この場合には、光源１２８は用いない。
【００１８】
プロセスコントローラ６０は、光学信号プロセッサ１３２からのプロセス終点検出情報（又はエッチング深さ測定情報）に反応して、ＲＦジェネレータ２４、２６、４８及びウエハ取扱い装置６１をはじめとするプラズマリアクタの様々な構成要素を制御する。一般的に、プロセスコントローラ６０は、エッチングプロセスを停止して、エッチングプロセス終点に達したら、マスク１８を台座１６から除去する。
【００１９】
図９は、クロムエッチングプロセス中、時間の関数として、マスクの上（フォトレジストコート）側からセンシングされた周囲反射光強度を示すグラフである（水晶マスク表面のクロム薄膜が、マスクレチクルパターンに従ってエッチングされる）。図９のグラフに示した強度の大きな振れは、フォトレジスト層の上面の粗さにより誘導されるノイズを表している。破線は、ノイズ内に隠れたステップ関数信号を表している。ステップ関数は、クロムエッチングプロセス終点と一致している。図１０は、図８のリアクタのカソード４４を通して、ウエハ裏側から行った同じ測定のグラフである。光受信器１３０が反射光レベルをセンシングしている。フォトレジスト誘導ノイズは大幅に減じ、終点定義ステップ関数が、光学データにおいて明らかに表れている。ステップ関数の端部は、エッチングプロセスがクロム薄膜の底部に達した際に、反射光強度が降下する遷移点を示している。この点で、クロムの反射表面積が急に減少する。
【００２０】
図１１及び１２は、経時での（又は、同じく、間隔をあけた）光強度のグラフであり、図１２においては、光受信器１３０によりセンシングされている。光強度の周期ピークは、干渉フリンジに対応しており、その間隔が、エッチング深さ、又は、透明水晶マスク基板１８でエッチングされた近接した間隔の周期的なフィーチャーの異なる表面間の厚さの差を決める。図１１は、干渉フリンジ検出を損なう激しいフォトレジスト誘導ノイズコンポーネントのある、マスクの上側からフォトレジストを通してセンシングされた強度を示す。図１２は、図８の光学受信器１３０によりマスク裏側を通してセンシングされた強度を示す。フォトレジスト誘導ノイズは殆んどない。
【００２１】
図１３は、光受信器１３０がスペクトロメータからなり、光源１２８が波長のスペクトルを生成する場合の、波長の関数としての光強度を表すグラフである。図１３のグラフの強度スペクトルの挙動は、透明マスク１８で周期的に間隔のあいたサブミクロンフィーチャーにおいて異なる深さの表面から反射した光間に、干渉の影響が生じている場合に特有である。低波長では、ピークはかなり周期的で、均一な間隔である。顕著な光学的影響は干渉である。高波長では、マスク１８の周期的フィーチャー間の局所コヒーレンスは強くなく、回折の影響が、波長の増加により益々大きくなる。これによって、高波長での強度挙動が、図１３に示す通り、あまり均一な間隔でなく、より複雑になる。図１３のピークの間隔は、特に低波長では、エッチング深さの関数であり、ピーク間の間隔から推察される。
【００２２】
図１４は、図８のリアクタの実施形態を示す。光受信器１３０は、周囲光強度検出器であり、光学信号プロセッサ１３２はプログラムされて、図１０の終点検出グラフに対応する、全体の反射光強度における大きな湾曲（ステップ関数）を探す。本実施形態の光源１２８は、任意の好適な光源とすることができる。或いは、光源１２８は省くことができ、光センサ１３０が、透明マスク又は基板１８を通して伝達されるプラズマからの光に単純に応答するようにする。
【００２３】
図１５は、光受信器１３０が、干渉フリンジを決定するために、レンズ１２２により十分に集光された干渉フリンジ検出器であり、光学信号プロセッサ１３２は、干渉フリンジを計数するようプログラムされていて（例えば、図１２に示すタイプの強度対時間データから）、透明水晶マスク１８におけるエッチング深さが計算される。この計算によって、殆んど瞬間的なエッチング深さが得られる。これを、ロジック２００により、メモリ２０２にストアされたユーザー定義のターゲット深さと比較する。ロジック２００は、従来の数値整合又は最小ルーチンを用いて、ストアされた値と測定された深さ値の間の整合性を検出する。整合によって、ロジック２００が、プロセスコントローラ６０にエッチング終点のフラグをたてる。
【００２４】
図１６は、透明水晶マスク又は基板１８におけるエッチング深さを測定又は求めるために、図１３の干渉分光技術を用いた図８のリアクタの実施形態を示す。この場合、光源１２８は、可視範囲の多波長又はスペクトルを放出する（約数百ナノメートル以下の周期マスクフィーチャーサイズについて）。光受信器１３０はスペクトロメータである。信号調節器とアナログ−デジタルコンバータ２２０が、スペクトロメータ１３０により集められたスペクトル情報（図１３のグラフに対応する）を、光学信号プロセッサ１３２が処理可能なデジタルデータに変換する。終点検出を実施することのできる１つのモードは、上述した通り、図１３に示したデータの低波長範囲において周期ピーク間の間隔からエッチング深さを計算することである。比較ロジック２００は、瞬間的に測定したエッチング深さを、メモリ２０２にストアされたユーザー定義のターゲット深さと比較して、エッチングプロセス終点に達しているかどうか判断することができる。他のモードにおいて、比較ロジック２００は、スペクトロメータ１３０の瞬間的な出力を表すデジタル的に表された波長スペクトル（図１３のグラフに対応する）を、所望のエッチング深さに対応する既知のスペクトルと比較するのに十分に強固なものである。この既知のスペクトルは、メモリ２０２にストアされていてもよい。比較ロジック２００により検出された、測定されたスペクトルと、ストアされたスペクトル間の整合、又は近似の整合により、エッチングプロセス終点フラグがプロセスコントローラ６０に送信される。
【００２５】
図１７は、図８のリアクタの実施形態を示し、光学受信器１３０が、チャンバ内のプラズマにより放出された光学放射線から放出線を区別することのできる発光スペクトロメータであり、発光分析（ＯＥＳ）が実施される。プロセッサ１３２は、エッチングされている層の材料を示す化学種に対応する選択した光学線の強度を追跡する（又は消失を検出する）ようプログラムされたＯＥＳプロセッサである。所定の遷移（例えば、クロムエッチングプロセス中のＯＥＳスペクトルにおけるクロム波長線の消失）の際、プロセッサ１３２は、エッチングプロセス終点検出フラグをプロセスコントローラ６０に送信する。
【００２６】
図１８は、カソード４４の表面に各間隔のあいたリセス２３１、２３３に一対のレンズ２３０、２３２を有するようにして構築した実施形態を示す。レンズ２３０、２３２は集光されて干渉フリンジを決定し、集光された光は、各レンズ２３０、２３２に対向又は接触する各光ファイバー２３４、２３６により伝えられる。光ファイバー２３４、２３６は、干渉検出器２３８（フリンジ検出器又はスペクトロメータのいずれかであってよい）に結合されている。検出器２３８は、プロセスコントローラ６０に結合された出力を有している。レンズ２３０、２３２は、光ファイバー２４２、２４４を通して、光源２４０から光を受ける。この光は、マスク１８の上面からレンズ２３０、２３２へ反射して戻り、光ファイバー２３４、２３６により検出器２３８に伝えられる。更に、図１８の実施形態は、光ファイバー２５２を通して、ＯＥＳスペクトロメータ２５４の入力に結合された第３のレンズ２５０を収容する第３のリセス２４９をカソード表面に有している。ＯＥＳプロセッサ２５６は、ＯＥＳスペクトロメータ２５４の出力を処理して、終点検出を実施し、プロセスコントローラ６０に結果を伝達する。図１８の実施形態のカソード４４を図１９に示す。各レンズ２３０、２３２、２５０を収容する３つのリセス２３１、２３３、２４９が示されている。図２０に、レンズ２３０、２３２、２５０をサポートする設備プレート４６光学装置（図示せず）内に収容するための対応の穴２６０、２６１、２６２を示す。図２１は、光ファイバーを台座１６内側のレンズに結合するのを示す断面図である。
【００２７】
図１６、１７及び１８のリアクタは、スペクトロメータ１３０（図１６及び１７）及び２５４（図１８）を用いるとして説明してきたが、スペクトロメータ１３０又は２５４は、所定の波長まで調整された１本以上の光波長フィルタに代えてもよい。かかる光波長フィルタを夫々、光電子増倍管と組み合わせて、信号振幅を向上してもよい。
【００２８】
裏側終点検出マスクエッチングプロセス
図２２Ａ及び２２Ｂは、マスクの水晶材料においてレチクルパターンをエッチングするプロセスを示す。図２２Ａでは、水晶マスク基板２１０が、間隔のあいた線２１４の周期構造とフォトレジスト層２１２に画定された開口部２１６とを有するフォトレジスト層２１２でカバーされている。図１５又は１６のリアクタにおいて、ＣＨＦ３＋ＣＦ４＋Ａｒの水晶エッチングプロセスガスがチャンバ１０に導入され、電力は、ＲＦジェネレータ２４、２６及び４８により印加され、水晶材料は、フォトレジスト層２１２に形成された開口部２１６内でエッチングされる。水晶のエッチング深さは、水晶基板２１０のエッチングされた上表面から反射した光２１８と、エッチングされていない上表面から反射した光２１９の間の干渉により連続的に測定される。エッチングプロセスは、所望のエッチング深さに達すると直ぐに停止される（図２２Ａ）。次に、フォトレジストを除去して、所望のマスクを作成する（図２２Ｂ）。
【００２９】
図２３Ａ〜２３Ｅは、下にある水晶マスク基板２１０、ケイ化モリブデン層２６０、（オキシ窒化ケイ素モリブデンを含有）、クロム層２６２、酸化クロム反射防止コーティング２６４及び開口部２６８が形成されたフォトレジスト層２６６からなる３層マスク構造をエッチングするプロセスを示す（図２３Ａ）。図２３Ｂのステップにおいて、クロム層２６２及び反射防止コーティング２６４は、単純な反射率終点検出（図１４のチャンバ）又はＯＥＳ終点検出（図１７のチャンバ）を有するプラズマリアクタチャンバで、Ｃｌ２＋Ｏ２＋ＣＦ４等のクロムエッチングプロセスを用いてエッチングされる。フォトレジスト層２６６を除去する（図２３Ｃ）。ケイ化モリブデン層２６０を、ＣＦ６＋Ｃｌ２等のケイ化モリブデンのエッチング液であるプロセスガスを用い、ハードマスクとしてクロム層２６２を用いて、図２３Ｄに示すようにエッチングする。このステップを、図１４又は図１７のチャンバ等、単純な周囲反射率により、又はＯＥＳ終点検出により、終点検出器を有するプラズマリアクタで実施する。図２３Ｅにおいて、クロム層２６２及び酸化クロム反射防止コーティング２６４は、ＣＨ３＋ＣＦ４＋Ａｒ等のクロムエッチングプロセスを用いて除去される。このステップは、エッチング深さ測定なしで、単純な終点検出器を有する図１４又は１７のリアクタを用いて実施することができる。これによって、レチクルパターンを画定するケイ化モリブデンの上を覆う層を備えた水晶マスク基板が残る。
【００３０】
図２４Ａ〜２４Ｅは、露出した水晶の透明水晶マスク側面周期間隔に周期クロム線からなるバイナリマスクを製造するプロセスを示す。露出した水晶間隔が交互に、透過光が所望の角度（例えば、１８０度）により位相シフトされる深さまでエッチングされる。図２４Ａは、水晶マスク基板３００、クロム層３０２、酸化クロム反射防止コーティング３０４及びフォトレジスト層３０６からなる初期構造を示す。図２４Ｂのステップにおいて、クロム及び酸化クロム層３０２、３０４は、図１４又は１７のチャンバのようなリアクタチャンバにおいて、Ｃｌ２＋Ｏ２＋ＣＦ４のプロセスガス中でエッチングされる。図２４Ｃのステップにおいて、フォトレジスト層３０６は除去され、その後、水晶マスク基板３００の露出部分が、図２４Ｄに示す通り、ＣＨＦ３＋ＣＦ４＋Ａｒの水晶エッチングプロセスガスにおいてエッチングされる。図２４Ｄの水晶エッチングステップは、図１５又は１６のチャンバのような、水晶マスク基板３００のエッチング深さをセンシング又はモニタリングすることのできるリアクタチャンバにおいて実施される。エッチングプロセス中、瞬間のエッチング深さが連続的にモニターされ、マスク３００でターゲットエッチング深さに達すると直ぐにエッチングプロセスが停止される。最終結果を図２４Ｅに示す。
【００３１】
マスク表面全体のエッチングレート分布の連続モニタリング
図２５及び２６は、図１のウエハサポート台座１６の実施形態を示す。カソード４４の上面に、裏側エッチング深さセンシング要素（レンズ及び光ファイバー）のマトリックスを備えている。エッチングプロセスを中断したり、その他マスク基板を妨げることなく、エッチングプロセス中、マスク又は基板の全表面にわたって、エッチングレート分布又はエッチング深さ分布の瞬時の画像又はサンプルが連続的に提供される。アルミニウムプラトー４４ａは、その上面に開口部３２０のマトリックスを有しており、各開口部は、マスク基板３００の裏側に向いているレンズ３２２を保持している。光源３２４は、各レンズ３２２に結合した出力光ファイバー３２６を通して光を提供する。レンズ３２２は、干渉フリンジを決定する十分な集光を提供する。フリンジ計数を促進するセンサか、スペクトロメータのいずれかであってよい干渉検出器３２８は、各レンズ２３２に結合した入力光ファイバー３３０に結合している。スイッチ又はマルチプレクサ３３２は、各入力光ファイバー３３０から連続的に検出器３２８へ光を入れる。図２５及び２６の装置が動作する３つのモードがある。第１のモードでは、レンズ３２２のうちの１つの視界におけるエッチング深さを、干渉フリンジ間の間隔から計算する。第２のモードでは、検出器３２８はスペクトロメータであり、レンズ３２２のうちの１つの視界におけるエッチング深さは、多波長干渉スペクトル（図１３に対応）の低波長ピーク間隔から計算される。第３のモードでは、多波長干渉スペクトルを、瞬間で検出し、対応のエッチング深さが既知のスペクトルのライブラリ３４０と比較する。エッチングレート分布は、エッチング深さ及び経過時間から計算される。この分布が、プロセスのエッチング不均一性を記録し、プロセスコントローラ１３２に提供される。コントローラ１３２は、リアクタの調整可能な特徴を調整することにより応答して、エッチングレート分布における不均一性を減少することができる。
【００３２】
図２５及び２６の実施形態は、プラトー４４ａの上面においてエッチング深さセンサ又はレンズ３２２の３×３のマトリックスを有するものとして示されているが、かかるセンサの任意の数の行と列を用いて、マトリックスをｎ×ｍマトリックスとしてよい。ここで、ｍ及びｎは好適な整数である。
【００３３】
一実施形態において、プロセスコントローラ１３２をプログラミングして、エッチングレート分布が中心が高いか、中心が低いか推定してよい（スペクトロメータ又はセンサ１３０により提供されるエッチングレート分布情報から）。プロセスコントローラ６０は、リアクタの特定の調整可能な特徴を調整することによってこの情報に応答して、不均一性を減少することができる。例えば、プロセスコントローラ６０は、内側と外側コイル２０、２２の間のＲＦ電力配分を変えてもよい。或いは、又は、これに加えて、プロセスコントローラ６０は、図６及び７のリアクタにおいて、可動アルミニウムプレート１１２の高さを変えてもよい。プラトー４４ａのエッチング深さセンシング要素のアレイ又はマトリックスからのフィードバックによって、プロセスコントローラ６０は、リアクタ調整可能要素の連続的な試行錯誤によりエッチングレート分布の均一性を改善することができる。
【００３４】
図２７Ａは、リフトピン５６の一実施形態の側面図である。リフトピン５６は、第１の端部２７１０と第２の端部２７１５とを有する本体２７０５を含む。本体２７０５は、特に、ステンレス鋼、アルミニウム、セラミックス等のプロセスと適合した材料で作成してよい。一実施形態において、本体２７０５は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）材料から形成される。一実施形態において、本体２７０５は、円形断面を有するシャフトを含み、第１の直径領域２７２５等の少なくとも１つの外径と、第２の直径領域２７３０Ａ及び第３の直径領域２８３０Ｂ等の１つ以上のこれより小さな外径領域とを有する。第２の直径領域２７３０Ａ及び第３の直径領域２７３０Ｂは、ショルダ２７３５により分離されていてよく、ショルダ２７３５は、第１の直径領域２７２５に実質的に等しい外径を有していてよい。一実施形態において、第２の端部２７１５は、第１の直径領域２７２５と、第２の直径領域２７３０Ａ及び第３の直径領域２７３０Ｂのうち少なくとも１つとの界面により画定される切欠き領域２７０８を有する。ある実施形態において、切欠き領域２７０８は、第１の直径領域２７２５と、ショルダ２７３５により分離された第２及び第３の直径領域２７３０Ａ、２７３０Ｂの界面を有する。
【００３５】
切欠き領域２７０８は、図２Ａのリフトアセンブリ９０及び／又はリフトふいご９６との結合を促す。切欠き領域２７０８はまた、インジケータ又はゲージとして機能することにより交換も促して、リフトピン５６をリフトアセンブリ９０に配置する時を決める。単一直径を有する他のリフトピンは、モニタリング及び／又は周囲ゲージ機構を必要とし、それによって、交換中、リフトピンを正確に配置及び位置付けする。更に、他のリフトピンでは、リフトアセンブリ９０の結合を促すのに、周囲締結装置を必要とする。従って、ある用途において、切欠き領域２７０８は、リフトピン５６を交換する時、停止指示を与える。例えば、リフトピン５６をリフトアセンブリ９０に結合する時の触覚等である。他の実施形態において、切欠き領域２７０８は、リフトピン５６をリフトアセンブリ９０及び／又はリフトふいご９６に締結するための更なる機能を与える。
【００３６】
図２７Ｂは、図２７Ａからとった第２の端部２７１５の一部の分解側面図である。上述した通り、ショルダ２７３５は、第１の直径領域２７２５と実質的に等しい外径を有していてよく、第２及び第３の直径領域２７３０Ａ、２７３０Ｂは、第１の直径２７２５及びショルダ２７３５より僅かに小さい。一実施形態において、第２及び第３の直径領域２７３０Ａ、２７３０Ｂは実質的に等しいが、他の実施形態においては、第２及び第３の直径領域２７３０Ａ、２７３０Ｂは互いに僅かに異なる。第２の端部２７１５はまた、丸い端部を含み、これは、第１の半径２７４０Ａと第２の半径２７４０Ｂ等、２つの半径により画定される。一実施形態において、第２の半径２７４０Ｂは、第１の半径２７４０Ａより約４倍大きい。ある実施形態において、第１の端部２７１０と第２の端部２７１５の両方が、第１の半径２７４０Ａと第２の半径２７４０Ｂ等の２つの半径を有する。
【００３７】
上述したのは、本考案の実施形態に係るものであるが、本考案のその他及び更なる実施形態を、その基本的な範囲から逸脱することなく考案してよく、その範囲は実用新案登録請求の範囲に基づいて定められる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
本考案の上に挙げた特徴が詳細に理解できるように、上に簡単にまとめた本考案を、添付図面に図解された実施形態を参照してより具体的に説明する。しかしながら、添付図面は本考案の代表的な実施形態のみを例示しており、その範囲を制限するものとは考えられず、本考案は他の同様に有効な実施形態も認めることに留意すべきである。
【００３９】
【図１】マスクエッチングプロセスを実施するためのプラズマリアクタを示す図である。
【図２Ａ】図１のリアクタの低部を示す図である。
【図２Ｂ】上昇位置にある図１のリアクタのマスクサポート台座を示す図である。
【図３】図１のリアクタのカソードの平面図である。
【図４】〜
【図５】カソードの一変形実施形態の平面図及び側面図である。
【図６】〜
【図７】カソードの他の変形実施形態の平面図及び側面図である。
【図８】裏側終点検出装置を有するプラズマリアクタの簡略図である。
【図９】〜
【図１０】マスクの前側と裏側から得られた光学終点検出信号のグラフである。
【図１１】〜
【図１２】マスクの前側と裏側から得られた干渉フリンジ光学信号のグラフである。
【図１３】図８のリアクタの一実施形態で得られた多波長干渉スペクトル信号のグラフである。
【図１４】図１０に対応する全体の反射光強度に基づく裏側終点検出による、図８のリアクタの一実施形態を示す図である。
【図１５】図１２に対応する干渉フリンジ計数に基づく裏側終点検出による、図８のリアクタの一実施形態を示す図である。
【図１６】多波長干渉分光分析に基づく裏側終点検出による、図８のリアクタの一実施形態を示す図である。
【図１７】発光分析（ＯＥＳ）に基づく裏側終点検出による、図８のリアクタの一実施形態を示す図である。
【図１８】ＯＥＳと干渉の両方に基づく裏側終点検出の実施例を示す図である。
【図１９】〜
【図２０】図１８の実施形態のカソードと設備プレートの等角図である。
【図２１】図１９のカソードの断面図である。
【図２２Ａ】〜
【図２２Ｂ】裏側終点検出を用いる水晶マスクエッチングプロセスにおける一連の工程を示す図である。
【図２３Ａ】〜
【図２３Ｅ】裏側終点検出を用いるクロム−モリシリサイド−水晶マスクエッチングプロセスにおける一連の工程を示す図である。
【図２４Ａ】〜
【図２４Ｅ】裏側終点検出を用いるクロム−水晶マスクエッチングプロセスにおける一連の工程を示す図である。
【図２５】〜
【図２６】リアルタイムエッチングレート分布がマスク裏側から連続的に測定される実施形態の側面図及び平面図である。
【図２７Ａ】リフトピンの一実施形態の側面図である。
【図２７Ｂ】図２７Ａからとったリフトピンの第２の端部の一部の分解側面図である。
【００４０】
理解を促すために、図面で共通の同一の構成要素を示すのに、可能な場合は、同一の参照番号を用いている。一実施形態の構成要素及び特徴は、特に挙げていないが、他の実施形態にも有利に組み込まれるものと考えられる。しかしながら、添付図面は本考案の例示的な実施形態を例示するだけであり、その範囲を制限するものとは考えられず、本考案は他の同様に有効な実施形態も含むことに留意すべきである。
【図１】
0003138694.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２３Ｄ】
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【図２３Ｅ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２４Ｄ】
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【図２４Ｅ】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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