【事件の表示】
　特許第２９８７７５４号「高純度ガスの配管路での不動態化処理方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９８７７５４号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯
　本件特許第２９８７７５４号（以下「本件特許」という。）は、平成８年１月１７日に特許出願され、特許権の設定登録の後、特許異議申立人　中西綾及び石神慶司より、請求項１及び２に係る発明について特許異議の申立がなされたものである。
　　
II．本件発明
　本件請求項１及び２に係る発明（以下「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、願書に添付した明細書及び図面（以下単に「明細書等」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】高純度ガス供給源と高純度ガス使用装置とを接続する配管路を接続配管した後、配管内部に高濃度オゾンガスを封入して高純度ガス配管路の内面での接ガス面を不動態化処理するようにした高純度ガスの配管路での不動態化処理方法。
【請求項２】オゾン／酸素比５０％以上の高濃度オゾンを使用して、２０℃〜６０℃の温度範囲で処理するようにした請求項１に記載した高純度ガスの配管路での不動態化処理方法。」
　　　　
III．特許異議申立について
(III-1)中西綾による特許異議申立について
（１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　中西綾は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平５−３３１５６号公報）、甲第２号証（特開平６−２３５０５８号公報）、甲第３号証（電子技術総合研究所編「電子技術総合研究所彙報　第５７巻第４号」（株）オーム社発行（１９９３年４月２０日）第３００〜３１３頁）、及び甲第４号証（ステンレス協会編「ステンレス鋼便覧−第３版−」日刊工業新聞社発行（１９９５年１月２４日）第１２３８〜１２４３頁）を提示して、本件発明１及び２は甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、その特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
（２）証拠の記載事実
甲第１号証
(1-1)「電解複合研磨により表面粗度が１μｍ以下となるようにしたステンレス鋼部材を、濃度10％以上の硝酸またはこれに酸化性酸を添加した液中で、40〜70℃で５〜180分間浸漬して酸化処理をすることにより、ステンレス鋼部材表面に酸化皮膜を形成することを特徴とするステンレス鋼部材の表面処理方法。」（請求項１）
(1-2)「本発明は電子機器・半導体製造装置の構成部材として用いられるステンレス鋼部材の表面処理方法に関し、詳細には高品質・高性能製品を製造するために必要なイオン溶出性、平滑性および清浄性に優れたステンレス鋼部材の製造方法に関するものである。」（段落【0001】）
(1-3)「近年、電子機器業界においては、電子部品の高集積化、高性能化が進み、最小加工寸法が、サブミクロンオーダーの超ＬＳＩが製造される今日では、シリコン基板・ガス・洗浄水そのものの超高純度化はもちろん、原料供給系、すなわちガス・純水製造貯留装置、配管およびその部材などのシステムから混入する微細な粒子や部材表面から溶出する不純物、バクテリアなどの繁殖が基板加工を不完全なものとしている。・・・・。
　したがって、電子機器、半導体の製造段階で使用される原料や純水も超高純度であることが必要とされ、これらを製造・移送する配管部材の品質についても厳格な規制が設けられ、例えば管材内面については清浄度および平滑度の高い製品が望まれている。」（段落【0002】〜【0003】）
(1-4)「本発明の表面処理方法は、研磨部材表面に付着した不純物の酸洗溶解除去作用を兼ね備えた処理法を採用することにより、部材表面に酸化皮膜を形成するものである。」（段落【0012】）
(1-5)「【実施例】・・・・ステンレス鋼管（両端フランジ付き）内面に20％ＮａＮＯ3 水溶液を用いて電解電流密度を１Ａ／cm2の条件で、電解複合研磨した結果、粗さが２〜0.1 μｍ（Ｒmax）の部材表面が得られた。次に・・・・浸漬酸化処理を行った。浸漬酸化処理にあたっては、各種濃度の硝酸溶液、それにさらに酸化剤として20ｇ／リットルの重クロム酸ソーダを添加したものをそれぞれ鋼管内に封入し、全体をリボンヒータで昇温保持した。酸化処理済みの試料は十分に純水洗浄を施し、表面に付着する酸化剤の除去を行った。」（段落【0020】）
(1-6)「本発明のステンレス鋼部材の表面処理方法によると・・・・また加温水溶液を用いた方法であるので、パイプ、タンクなどの連続した容器内面に簡単に適用でき、しかも浸漬循環法により温度むらも少なく処理できる利点がある。例えば、容器・配管内部に溶接部、加工による変質層などがあって直接外部から表面処理補修できない場合でも、この表面処理方法によれば容易に表面を改質することができる。」（段落【0030】）
　　　
甲第２号証
(2-1)「【請求項１】所定の温度下で金属部材にオゾンを含む酸素ガスを接触させて、その表面に酸化皮膜を形成する際に、温度が低い部分ではオゾンの濃度を高めるとともに、温度が高い部分ではオゾンの濃度を低くすることを特徴とする金属表面酸化処理方法。
【請求項２】所定の温度下で金属部材にオゾンを含む酸素ガスを接触させて、その表面に酸化皮膜を形成する際に、酸素ガスの供給吹出し口を、金属部材の被処理面に沿って順次移動させることを特徴とする金属表面酸化処理方法。
【請求項３】所定の温度に加熱した状態で金属部材にオゾンを含む酸素ガスを接触させて、その表面に酸化皮膜を形成する際に、金属部材の加熱部分を順次移動させることを特徴とする金属表面酸化処理方法。
【請求項４】所定の温度下で金属部材にオゾンを含む酸素ガスを接触させて、その表面に酸化皮膜を形成する際に、酸素ガスの供給方向を、その途中で逆方向に切り換えることを特徴とする金属表面酸化処理方法。」（特許請求の範囲）
(2-2)「本発明は、金属表面の酸化処理方法に関し、特に超高真空応用機器、超クリーンガスライン、バイオ医薬品原料製造装置、フロン代替洗浄などの超純水製造装置などの構成部材に使用される金属部材の表面処理方法に関する。」（段落【0001】）
(2-3)「ステンレス鋼の場合でも、電解研磨などの従来の表面加工を行った場合には、精練中に溶解したガス成分や、表面加工中および保存中に吸着・吸蔵したダスト、ガスなどを放出することがある。特に、水中で加工する電解研磨方式では、電気分解に伴う原子状のガス成分が金属に溶解吸蔵されることと、水中で形成されるステンレス鋼の不動態膜に水分が取り込まれることにより、その後の使用中においては、いつまでも水分の放出が続き超高真空が達成できず、クリーンなプロセスガスが水分で汚染されるなどの問題がある。
　このような不都合を解決するため、ステンレス鋼部材を、オゾンが所定量含有された乾燥酸素ガス雰囲気中で、所定の温度（例えば、150〜300 ℃程度）で所定の時間（例えば、１〜10時間程度）加熱して酸化処理を行い、ステンレス鋼部材の表面に酸化皮膜を形成する表面処理方法が、既に提案されている。
　そして、具体的には、ステンレス鋼部材を加熱室内にてできるだけ均一に加熱しておき、この加熱室内にオゾンを含む酸素ガスを供給してその被処理面にこの酸素ガスを接触させることにより、酸化処理が行われていた。」（段落【0003】〜【0005】）
(2-4)「しかし、上述したように、ステンレス鋼部材をオゾンを含む酸素ガスで酸化をする際に、加熱室内で均一に加熱されたステンレス鋼部材に酸素ガスを接触させることにより、被処理面に酸化皮膜が形成されているが、最初に、酸素ガスと接触する部分でオゾンが分解してその部分が強く酸化されてしまい、したがって全体的に不均一な酸化になってしまうという問題がある。例えば、配管部材の内壁面の酸化処理を行う場合には、配管部材を均一に加熱しておき、一端側からオゾンを含む酸素ガスが供給されるが、この場合、入口付近でオゾンが分解して、この部分だけが強く酸化され、他端側ではオゾンが無い状態となり、オゾン酸化が行われなくなる。そこで、本発明は被処理面全体を均一に酸化処理し得る金属表面酸化処理方法を提供することを目的とする。」（段落【0007】〜【0009】）
(2-5)「図１に示すように、ステンレス鋼製の配管部材１の一端側から、所定量のオゾンを含む酸素ガスａを、他端側に向かって供給する。・・・・なお、オゾン濃度は、配管部材１の入口側から出口側に行くにしたがって、すなわち時間の経過とともに温度に応じて自己分解が進むため、自然に濃度が低下する。したがって、上述したように、加熱温度を入口側から出口側に向かって順次高くすることにより、オゾン濃度が逆に低下し、全体的に見ると、配管部材１の内壁面に形成される酸化皮膜の膜厚が均一になる。」（段落【0019】〜【0021】）
(2-6)「本第２の実施例においては、図７に示すように、ステンレス鋼製の配管部材１１を所定温度に均一に加熱しておき、その内壁面にオゾンの供給パイプ１２を挿入して、その先端部から所定濃度のオゾンを含む酸素ガスａを吹き出すとともに、その供給パイプ１２を内壁面に沿って矢印ｂにて示すように順次移動させる処理方法である。
　このように、オゾンを含んだ酸素ガスａを配管部材１１の内壁面に供給する供給パイプ１２を、内壁面に沿って移動させるようにしたので、内壁面に吹き出されたオゾンの濃度が一定となり、したがって内壁面に形成される酸化皮膜の膜厚も均一になる。」（段落【0027】〜【0028】）
(2-7)「本第３の実施例では、図８に示すように、配管部材２１を部分的に加熱するリングヒータ２２を、所定速度でもって例えば矢印ｃ方向に移動させ、すなわち加熱箇所を移動させるようにしたものである。勿論、加熱中においては、配管部材２１内に、所定濃度のオゾンを含む酸化ガスが流されている。」（段落【0031】〜【0032】）
(2-8)「本第４の実施例では、図９に示すように、配管部材３１内に供給するオゾンを含む酸化ガスａの供給方向、すなわち流す方向をその途中で切り換えるようにしたものである。・・・・すなわち、最初は、図９の実線にて示すように、酸化ガスａを一端側から他端側に向かって流しながら酸化処理を行い、所定時間経過した後は、破線にて示すように、酸化ガスａを他端側から一端側に所定時間だけ流しながら酸化処理を行う。」（段落【0033】〜【0034】）
(2-9)「具体例について説明すると、ステンレス鋼製の配管部材・・・の内壁面に、酸化皮膜を形成する場合、濃度が50000ppmのオゾンを含む酸素ガスを１リットル／分の割合で流すとともに、加熱温度を、入口側では200℃に、出口側では250℃に保持すると、管内壁面に形成される酸化皮膜の膜厚のばらつきを10％以内に納めることができた。」（段落【0025】）
　　
甲第３号証
　甲第３号証は「オゾンを利用したホット粒子の発生と酸化物薄膜形成への応用」と題する報文であって、以下の記載がある。
(3-1)「粒子ビームと試料固体との相互作用を表層プロセスに応用するこれまでの研究は、比較的高いエネルギー領域に主眼が置かれている。例えば、イオン注入やイオンビームエッチングなど、材料表層の機能化や加工のために粒子と固体との直接的な相互作用を利用する場合には、粒子のエネルギーはｋｅＶ〜数百ｋｅＶ領域にあるのが一般的である。・・・本研究では、次の特徴、すなわち、１）粒子の持つ運動エネルギーは小さい、２）電気的に中性である、３）反応活性度が高い、を有する粒子ビーム源の開発と利用を目標とした。これらの特徴は・・・・原子層オーダーの積層制御を目指す分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を利用した薄膜形成の際に必要と考えられる。開発対象とするホット粒子として・・・オゾンを選んだ。・・・オゾンは・・・爆発の危険性が常に問題となっており・・・問題も指摘されていた。そこで本研究では、安全性・制御性が高く、高濃度のオゾンが供給できる装置の開発と応用を目的とした。」（第３００頁下から第１１行〜第３０１頁第１０行）
(3-2)「濃度の高いオゾンを得るため、工業用のオゾナイザーで発生したオゾンを（液相・固相に）凝縮させてオゾン濃度を高める方式を検討した。・・・・しかしこれまでの方法は・・・爆発の危険性が高いことが問題である。オゾンの熱的な分解確率は低温（液体窒素温度程度）では無視できる程度に低く、爆発（オゾン分解の連鎖反応）の主たる誘引は、(1)熱浸入（局所的な加熱、急激な温度上昇等）、(2)触媒作用の存在、(3)機械的なショック、などと考えられる。そこで、次の諸点に配慮して、高濃度のオゾン供給を高い安全性・制御性で実現できる装置を試作した。すなわち、１）オゾン貯蔵容器を冷却能力の高い温度制御器でコントロールする、２）オゾン貯蔵容器はステンレス製とし、溶接部も含めて内部を電解研磨処理して器壁表面を安定化する。」（第３０１頁第１２行〜第３０２頁第８行）
(3-3)「オゾン室を９０Ｋ以上に保って液化した液体オゾンを使うと、約７０％のオゾン（他の成分は酸素）を含むビームが得られることが判る。」（第３０６頁本文第１〜２行）
(3-4)「オゾン容器の作成直後ではバルブ締切後非常に早い圧力上昇を示していた。従って、長時間の装置の使用により、容器内壁がオゾンで安定化されオゾン分解の確率が低下したことが考えられる。実際、オゾン容器を大気に曝した後はオゾンの純度・分解までの寿命がどちらも低下すること、そしてオゾン容器を液体オゾンの生成と消費を繰り返して”洗う”ことで純度・寿命共に改善されることを経験している。」（第３０７頁本文下から第４行〜第３０８頁第１行）
(3-5)「§４　オゾンビーム発生装置の応用
　４.１　オゾンビームによるＣｕ基板の酸化　超伝導酸化物薄膜の作成では、構成元素中最も酸化され難いＣｕの酸化（ＣｕＯの形成）の成否が鍵を握る。そこで試作したオゾン装置を用いてＣｕ基板の酸化実験を行い、その酸化力を評価した。図１０に、オゾン導入パイプの直前に配置したＣｕ薄板・・・から反射されてきたオゾンフラックスの質量分析結果を示す。基板温度が室温の場合には、十分な強度のオゾンが観測できているが、基板温度が３００℃になると、オゾンの強度は著しく低下し、Ｃｕ基板表面でオゾンの分解・酸化が進んでいることが予想される。実際、この条件（オゾンフラックス：１×１０１６分子／秒程度）でオゾンを３０分間照射した場合には、Ｃｕ基板表面に黒色を示す酸化物層が形成される。」（第３０８頁本文下から第６行〜第３０９頁本文第３行）
(3-6)「MBE法によるＣｕの酸化と超伝導酸化物薄膜作成への応用」として、「オゾンと同時に分子線法によるＣｕの原子を一定の堆積速度で加熱したＳｉ基板上（６００℃）に供給し、酸化物薄膜を堆積させた。」（第３１０頁第１０〜１２行）
　　
甲第４号証
　甲第４号証は「ステンレス鋼便覧」と題する刊行物であって、その「iv)ステンレス鋼の表面処理」の欄に、以下の記載がある。
(4-1)「(2)不働態化処理　・・・硝酸単独や硝酸・ふっ酸混酸で不働態化処理を行い、耐食性を増すことが考えられる。電解研磨を実施した場合は、その方法によっては同時に不働態化処理を行っていることもあるが、配管などは現場溶接部もかなりの数にのぼるため、設備のある場所で強酸を循環させ、不働態化処理するケースもある。」（第１２４３頁右欄本文第１１〜２０行）
　　　　　
（３）対比・判断
(3-1)本件発明１について
　本件発明１と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証には、ステンレス鋼部材表面に酸化皮膜を形成するステンレス鋼部材の表面処理方法に係る発明が記載されるとともに（摘記1-1）、併せて、電子機器・半導体製造装置の構成部材として用いられるステンレス鋼部材の表面処理方法に関するものであること（摘記1-2）、配管などの原料供給系から混入する微細な粒子や部材表面から溶出する不純物、バクテリアなどの繁殖が基板加工を不完全なものとしており、配管部材の品質についても厳格な規制が設けられ、管材内面については清浄度および平滑度の高い製品が望まれていること（摘記1-3）、浸漬酸化処理剤を鋼管内に封入して浸漬酸化処理を行ったこと（摘記1-5）、及び、容器・配管内部に溶接部、加工による変質層などがあって直接外部から表面処理補修できない場合の表面を改質に適用できること（摘記1-6）が記載されている。また、本件発明１における「不働態化」は、酸化膜の形成によるものであるので（本件明細書段落【0004】、【0006】参照）、本件発明１における「不働態化処理」と、甲第１号証に記載された「酸化皮膜の形成」とは、実質的に区別し得ないものである。
　してみれば、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明と、高純度ガス供給源と高純度ガス使用装置とを接続する配管路を接続配管した後、酸化処理剤を封入して高純度ガス配管路の内面での接ガス面を不動態化処理するようにした高純度ガスの配管路での不動態化処理方法、の点で一致し、そして、（Ａ）本件発明１では、上記の不働態化に用いる酸化処理剤が高濃度オゾンガスであるのに対して、甲第１号証に記載の発明における酸化処理剤は、「濃度10％以上の硝酸またはこれに酸化性酸を添加した液」である点で、両者の発明は相違する。
　　
　そこで、この相違点（Ａ）について検討する。
　甲第２号証には、「オゾンを含む酸素ガス」を用いた金属表面酸化処理方法が記載されており、具体的には、所定の温度下で金属部材にオゾンを含む酸素ガスを接触させてその表面に酸化皮膜を形成する際に、温度が低い部分ではオゾンの濃度を高めるとともに、温度が高い部分ではオゾンの濃度を低くすること（請求項１）、酸素ガスの供給吹出し口を、金属部材の被処理面に沿って順次移動させること（請求項２）、金属部材の加熱部分を順次移動させること（請求項３）、又は、酸素ガスの供給方向を、その途中で逆方向に切り換えること（請求項４）、よりなる４種の酸化処理方法が記載されており（摘記2-1）、これらは、ステンレス鋼部材をオゾンを含む酸素ガスで酸化をすると、オゾンによる不均一な分解・酸化のために、全体的に不均一な酸化になってしまうという従前の問題点に対して、被処理面全体を均一に酸化処理し得る金属表面酸化処理方法を提供するものである。
　一方、本件発明１における「高濃度オゾンガス」のオゾン濃度については、発明の詳細な説明における「高濃度オゾンガスとは、オゾン／酸素比５０vol％以上の濃度を有するオゾンガスをいい」（段落【0010】）との記載からみて、当該オゾン濃度相当と解釈することができる。これに対して、甲第２号証には、上記「オゾンを含む酸素ガス」のオゾン濃度については、50000ppm（摘記2-9）と、より低いオゾン濃度の例が示されているにとどまり、高濃度オゾンガスについての記載はなく、また、オゾン濃度の変化、特に、高濃度とした場合における金属表面の酸化処理に及ぼす影響乃至効果についての記載も見当たらない。また、甲第２号証に記載された上記４種の酸化処理方法は、いずれも、処理中に酸化処理ガスを流通させるものであって（摘記2-1、2-4〜2-9参照）、本件発明１の如く、ガスを封入した状態で処理を行うことの記載はない。
　また、上記の酸化処理剤を封入して処理する点についてさらに検討すると、甲第１号証には、前述のとおり、酸化剤を封入して処理することの記載が認められるが（摘記1-5）、甲第１号証の発明における酸化処理剤は、硝酸またはこれに酸化性酸を添加した液体であって、ガス状のものではない。そして、液体の酸化処理剤とガス状の酸化処理剤とは、その形態（液状、ガス状）の相違に基いて、その使用方法についても自ずと差異があると認められるので、甲第１号証に液体の酸化処理剤を封入して処理することの記載があるからといって、これが直ちに、ガス状の酸化処理剤についても、同じく封入して処理することを開示すると言うことはできない。
　次いで、甲第３号証についてみると、甲第３号証には、安全性・制御性が高く、高濃度のオゾンが供給できるオゾンビーム発生装置の開発と応用を目的とし（摘記3-1）、約７０％のオゾンを含むビームが得られることが記載され（摘記3-3）、また、長時間の装置の使用により、容器内壁がオゾンで安定化されることが記載されており（摘記3-4）、このオゾン濃度及び内壁の安定化は、本件発明の処理方法におけるオゾンの濃度及び作用と共通するものである。しかし、甲第３号証には、当該オゾンを不働態処理の酸化処理剤として利用することの記載は認められない。また、甲第４号証には、ステンレス鋼を硝酸単独や硝酸・ふっ酸混酸で不働態化処理を行うこと、及び、配管などは設備のある場所で強酸を循環させ不働態化処理するケースがあることが記載されているが（摘記4-1）、甲第１号証と同様、液体の処理剤についてのものであって、ガス状の処理剤ないしオゾンガスを用いた場合についての記載は見当たらない。
　　そして、本件発明１は、上記の相違点（Ａ）に係る構成を含む、上記認定のとおりの構成を有することにより、高純度ガス供給源と高純度ガス使用装置とを接続する配管路を接続配管した後、配管内部に高濃度オゾンガスを封入して高純度ガス配管路の内面での接ガス面を不動態化処理するようにしていることから、配管系を形成した後その配管系内に高濃度オゾンを封入することにより、溶接部を含む配管系の内面(接ガス面)に酸化膜を形成して、不動態化することができることになり、また、高濃度オゾンを配管系内に封入するものであるから、流通処理するものとは違って、配管内部に封入したガス濃度は全体が均一であるから、酸化皮膜の厚さにムラが生じることもない（段落【0006】）、との明細書に記載された効果を奏したものと認められる。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
(3-2)本件発明２について
　本件発明２は、請求項１を引用して本件発明１を更に具体的に特定し、限定したものであるから、上記の「(3-1)本件発明１について」の欄に記載したと同様、本件発明２は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　  
(III-2)石神慶司による特許異議申立について
（１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　石神慶司は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平５−２８７４９６号公報）、及び甲第２号証（電子技術総合研究所編「電子技術総合研究所彙報　第５７巻第４号」（株）オーム社発行（１９９３年４月２０日）第３００〜３１３頁。中西綾による特許異議申立の甲第３号証。）を提示して、本件発明１及び２は甲第１〜2号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり（理由１；発明の進歩性）、また、本件発明１及び２に係る特許は、明細書の記載が特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるので（理由２；明細書の記載不備）、その特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
（２）証拠の記載事実
　甲第２号証（中西綾による特許異議申立の甲第３号証）には、上記「(III-1)中西綾による特許異議申立について」の「（２）証拠の記載事実」に摘記した事項が記載されており、また、それ以外の証拠には以下の記載がある。
甲第１号証
(1-1)「表面粗度が１μｍ以下となるように研磨されたステンレス鋼部材を、オゾンの含有量が0.5〜10容量％である乾燥酸素雰囲気中において、150〜300℃の温度で１〜10時間加熱酸化処理をすることにより、ステンレス鋼部材表面に酸化皮膜を形成することを特徴とするステンレス鋼部材の表面処理方法。」（特許請求の範囲）
(1-2)「本発明は電子機器薄膜製造・表面分析装置など超高真空応用機器、バイオ・医薬品原料製造、フロン代替洗浄などの超純水製造装置の構成部材として用いられるステンレス鋼部材の表面処理方法に関し、詳細には高品質製品、高精度測定、無菌工程、廃棄物無公害化作業を達成する上で必要なガス放出性、イオン溶出性、平滑性および清浄性に優れたステンレス鋼部材の表面処理方法に関する。」（段落【0001】）
(1-3)「電子機器、半導体の製造段階で使用される原料や純水も超高純度であることが必要とされ、これらを製造・移送する配管部材の品質についても厳格な規制が設けられ、例えば管材内面については清浄度および平滑度の高い製品が望まれている。このような観点から、真空容器、ガス配管などにおいては溶接が可能な金属材料が採用され、中でも耐熱性、耐食性およびガス放出性が他の材料より良好なステンレス鋼が広く使用されている。」（段落【0003】〜【0004】）
(1-4)「オゾン含有量が0.5容量％未満の場合はオゾン濃度が十分でなく、良好な酸化皮膜の形成が困難となり、・・・・10％を超える高濃度オゾンは市販のオゾン発生装置では効率的ではない。」（段落【0018】）
(1-5)「【実施例】・・・ステンレス鋼管（両端フランジ付き）内面に各種番手のバフ研磨を行うとともに・・・電解複合研磨した結果、粗さが５〜0.1μｍ(Rmax)の部材表面が得られた。次に、下記の［表１］の中欄に示す種々の条件の下で加熱酸化処理を行った。加熱酸化処理にあたっては、上下分割型マッフル炉内に試験鋼管を設置し、純度99.9％以上の高純度酸素ボンベ（露点?40℃以下）から、無声放電式オゾン発生装置（高周波沿面放電型オゾナイザー）を用いて種々のオゾン含有量の雰囲気ガスをそれぞれ鋼管内に導入し、空気を完全に置換するとともに酸化処理中、ガスの流量を１リットル／minの割合で流した。」（段落【0021】）
　　
（３）対比・判断
(3-1)理由１（発明の進歩性）について
（ｉ）本件発明１について
　本件発明１と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証には、ステンレス鋼部材を、オゾンの含有量が0.5〜10容量％である乾燥酸素雰囲気中において加熱酸化処理をすることにより、ステンレス鋼部材表面に酸化皮膜を形成するステンレス鋼部材の表面処理方法に係る発明が記載されるとともに（摘記1-1）、併せて、電子機器薄膜製造・表面分析装置など超高真空応用機器、バイオ・医薬品原料製造、フロン代替洗浄などの超純水製造装置の構成部材として用いられるステンレス鋼部材の表面処理方法に関するものであること（摘記1-2）、電子機器、半導体の製造段階で使用される原料や純水も超高純度であることが必要とされ、これらを製造・移送する配管部材の品質についても厳格な規制が設けられ、例えば管材内面については清浄度および平滑度の高い製品が望まれており、このような観点から、真空容器、ガス配管などにおいては溶接が可能な金属材料が採用され、中でも耐熱性、耐食性およびガス放出性が他の材料より良好なステンレス鋼が広く使用されていること（摘記1-3）が記載されているので、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明と、高純度ガス供給源と高純度ガス使用装置とを接続する配管内部にオゾンガスで高純度ガス配管路の内面での接ガス面を不動態化処理するようにした高純度ガスの配管路での不動態化処理方法、の点で一致し、そして、（Ａ）本件発明１では前記不働態化処理を「配管路を接続配管した後」に行う「配管路での」不働態化処理方法であるのに対して、甲第１号証に記載のものではその記載がない点、（Ｂ）本件発明１では、「高濃度オゾンガス」を不働態化処理用ガスとして用いているのに対して、甲第１号証に記載された発明において用いられている「オゾンの含有量が0.5〜10容量％である乾燥酸素雰囲気」、特にその最大値である１０容量％近辺の場合が、本件発明１でいう「高濃度オゾンガス」に該当するのか否かが明らかでない点、及び（Ｃ）本件発明１では前記の不働態化処理用ガスを配管内部に「封入」して処理するものであるのに対して、甲第１号証には、ガスを流して酸化処理をすることが記載されており（摘記1-5）、ガスを封入して処理することの記載がない点、の各点において本件発明１は甲第１号証に記載されて発明と相違している。
　　
　そこで、これら相違点（Ａ）〜（Ｃ）について、以下検討する。
相違点（Ａ）について
　甲第２号証（即ち、前記中西綾による特許異議申立書の甲第３号証）は「オゾンを利用したホット粒子の発生と酸化物薄膜形成への応用」について記載した報文であって、同号証には、オゾンビームによるＣｕ基板の酸化において、超伝導酸化物薄膜の作成では、構成元素中最も酸化され難いＣｕの酸化（ＣｕＯの形成）の成否が鍵を握り、試作したオゾン装置を用いてＣｕ基板の酸化実験を行いその酸化力を評価したこと（摘記3-5）、及び、長時間の装置の使用により、容器内壁がオゾンで安定化されオゾン分解の確率が低下したことが考えられ、オゾン容器を大気に曝した後はオゾンの純度・分解までの寿命がどちらも低下すること、そしてオゾン容器を液体オゾンの生成と消費を繰り返して”洗う”ことで純度・寿命共に改善されることを経験していること（摘記3-4）が記載されており、特許異議申立人は甲第２号証のこれらの記載からみて、オゾンを配管内に導入する前に、オゾンによって不働態処理を行う目的で、高純度ガス供給源と高純度ガス使用装置とを接続する配管路を接続配管することは自明であると主張している。
　しかし、甲第２号証には、オゾンをホット粒子ビームとして分子線エピタキシー法等の表層プロセスに利用すること、爆発防止のためにオゾン貯蔵容器の器壁表面を安定化させることが必要であること、及び、長時間の装置の使用により、容器内壁がオゾンで安定化されオゾン分解の確率が低下したことが考えられ、オゾン容器を大気に曝した後はオゾンの純度・分解までの寿命がどちらも低下すること、そしてオゾン容器を液体オゾンの生成と消費を繰り返して”洗う”ことで純度・寿命共に改善されることが記載されているが、オゾンを配管の不働態化処理の処理剤として利用することの記載は見当たらない。したがって、甲第２号証が、オゾンによる配管路での配管路内面の不働態化処理方法を開示するものとは言えず、したがって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　　
相違点（Ｃ）について
　甲第２号証は、上記「相違点（Ａ）について」に記載したとおり、オゾンを利用したホット粒子の発生と酸化物薄膜形成への応用と題する報文であって、当該甲第２号証には、不働態化処理用ガスを配管内部に「封入」して処理する点の記載は見当たらない。
　そして、本件発明１は、当該相違点（Ａ）及び（Ｃ）に係る特定事項を構成として含む前記認定のとおりの構成を有することにより、上記「(III-1)中西綾による特許異議申立について」の欄に示したとおり、明細書に記載したとおりの効果を奏したものと認められる。
　したがって、上記相違点（Ｂ）についてあらてめて検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１及び２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
（ii）本件発明２について
　本件発明２は、請求項１を引用して本件発明１を更に具体的に特定し、限定したものであるから、上記の「(ｉ)本件発明１について」の欄に記載したと同様、本件発明２は、甲第１及び２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
(3-2)理由２（明細書の記載不備）について
　特許異議申立人は、(a)請求項１に処理雰囲気のオゾン濃度と温度が規定されていない、及び(b)請求項２で規定するオゾン濃度と処理温度の範囲のとおりに規定する根拠が乏しい、として明細書の記載不備を主張している。
　そこで、これらの主張について、以下検討する。
主張(a)について
　請求項１に係る発明（本件発明１）は、「配管内部に高濃度オゾンガスを封入して高純度ガス配管路の内面での接ガス面を不働態化処理する」ことを構成要件とする発明であって、そして明細書全体の記載をみても、数値的に限定された特定のオゾン濃度及び処理温度でのみしか本件発明１が実施し得ないものと認めるべき特段の根拠は見当たらない。したがって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　　
主張(b)について
　請求項２に係る発明（本件発明２）におけるオゾン濃度及び処理温度については、発明の詳細な説明中、特に段落【0007】、及び【0009】〜【0010】に説明されており、併せてその条件を満たす実施例が示されているので、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人　中西綾及び石神慶司の主張する理由及び提示した証拠によっては、本件発明１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月１０日（２００１．７．１０）