【事件の表示】
　特許第２６０５５０２号「パッケージ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６０５５０２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　特許第２６０５５０２号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成３年５月１４日に出願され、平成９年２月１３日にその発明について特許の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人京セラ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取り消し理由通知がなされた後、その指定期間内である平成１２年６月１日に訂正請求がなされたものである。
　
（２）訂正の適否についての判断
　ア．訂正明細書の請求項１に係る発明
 訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「パッケージ基板と、このパッケージ基板上に装着されたパッケージ側壁と、前記パッケージ側壁により囲まれて形成されたキャビティを封止するフタと、前記キャビティ内に設けられた半導体集積回路チップを実装するダイボンディング領域と、前記キャビティ内に設けられた誘電体基板の表面上に金属薄膜からなる内部高周波伝送線路を有し、前記パッケージ基板の底面部に金属薄膜により形成したリード端子をなす外部コプレーナ線路と、前記内部高周波伝送線路と前記外部コプレーナ線路を電気的に接続する金属からなるバイアホールとから構成されたパッケージにおいて、前記キャビティ内に形成される前記内部高周波伝送線路を、コプレーナ線路で構成し、前記内部高周波伝送線路と外部コプレーナ線路のそれぞれの接地金属間を金属からなる複数のバイアホールにより接続し、前記ダイボンディング領域に面する一辺について前記コプレーナ線路で構成された内部高周波伝送線路を２対以上有することを特徴とするパッケージ。」
　
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
特許権者が求めている訂正の内容は以下のａ〜ｆのとおりである。
　訂正事項ａ
　請求項１の「接続した」を「接続し、前記ダイボンディング領域に面する一辺について前記コプレーナ線路で構成された内部高周波伝送線路を２対以上有する」に訂正するとともに、請求項２，３を削除する。
　訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の【０００５】段落を削除するとともに、【０００４】段落の「メタライズ５と内部高周波伝送線路７よりなるマイクロストリップ線路上を介し、ＲＦ信号がＩＣチップ１２のマイクロストリップ線路１５に伝送される。マイクロストリップ線路１５の線路幅が通常７０〜１１０μｍであるのに比較し、パッケージの内部高周波伝送線路７の線路幅が約３００〜５００μｍと太いため、金ワイヤ１４による接続部において高周波的な不整合を生じ、損失が増大し、定在波比（以下、ＶＳＷＲと略す）が劣化する」を「一辺に複数のＲＦ信号入出力用のパッドを有するＩＣチップ１２（以下、多ポートＩＣチップと称す）を実装する場合、複数の内部高周波伝送線路７を伝送されるＲＦ信号が相互に電磁界的な結合を発生し，ＲＦ信号ポート間のアイソレーションが低下するとともに、集積化の点で不利である。」に訂正する。
　訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明の【０００６】段落の「で、高周波的な不整合を抑止し、低損失、かつ低ＶＳＷＲのパッケージを実現するとともに、多ポート」を「で、多ポート」に訂正する。
　訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明の【０００８】、【０００９】、【００１０】段落を削除するとともに、【０００７】段落の「係る請求項１に記載のパッケージは、キャビティ内に複数の金属薄膜からなる内部高周波伝送線路をコプレーナ線路として構成」を「係るパッケージは、ダイボンディング領域に面する一辺につき少なくとも２対のコプレーナ線路を有する構造と」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明の【００１２】、【００１３】段落を削除するとともに、【００１１】段落の「係る請求項１に記載の発明においては、内部高周波伝送線路をコプレーナ線路として構成したので、その信号線と接地金属との間隔を適切に選択することにより、信号線の線路幅をＩＣチップ上のマイクロストリップ線路の線路幅と適合させることが可能となり、損失を低く抑え、ＶＳＷＲも下げることができる。」を「係る発明においては、内部高周波伝送線路として一辺につき少なくとも２対のコプレーナ線路を有するので、多ポートＩＣチップを実装する場合でもＲＦ信号ポート間の電磁界的な結合を抑制し、アイソレーションを向上させることが可能であるとともに、パッケージ内の高集積化を図ることも可能となる。」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　発明の詳細な説明の【００１９】、【００２０】段落を削除するとともに、【００１８】段落の「請求項１に記載の発明によれば、パッケージのキャビティ内の内部高周波伝送線路をコプレーナ線路で構成したので、その信号線の線路幅をＩＣチップ上のマイクロストリップ線路の線路幅と適合させることが可能となり、損失を低く抑え、ＶＳＷＲも下げることができる。」を「この発明によれば、内部高周波伝送線路として、一辺につき２対以上のコプレーナ線路を配設したので、多ポートＩＣチップを実装する場合でも、各ＲＦ信号ポートを伝送するＲＦ信号の電磁界が、対応する内部コプレーナ線路に集中して伝送され、他のポートへの漏洩、結合を抑制し、高いアイソレーションを有するとともに、集積化を高めることが可能となるという効果がある。」と訂正する。
　　　そこで、特許権者が求めている訂正の内容について検討すると、
　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａに関する記載として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項３に「請求項１に記載のパッケージにおいて、前記ダイボンディング領域に面する一辺について２対以上のコプレーナ線路を有することを特徴とするパッケージ。」（特許明細書第１頁右欄第６行ないし９行）の記載があり、その発明の詳細な説明に「上記実施例においては、・・・また、ダイボンディング領域に面する一辺につき２対の内部コプレーナ線路を有する場合について述べたが、多ポートＩＣに対応させて、３対以上の内部コプレーナ線路を配設する構造としても同様の効果が得られる。」（同第３頁右欄第１４行ないし２２行）の記載があることから、請求項１の「接続した」を「接続し、前記ダイボンディング領域に面する一辺について前記コプレーナ線路で構成された内部高周波伝送線路を２対以上有する」に訂正してなる発明は特許明細書に記載されているものと認められる。
　そうすると、上記請求項ａの訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、請求項１に請求項３に記載された内容を包含し、「コプレーナ線路」を限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、叉は変更するものではない。
　訂正事項ｂについて
　特許明細書の「また、一辺に複数のＲＦ信号入出力用のパッドを有するＩＣチップ（以下、多ポートＩＣチップと称す）を実装する場合、複数の内部高周波伝送線路７を伝送されるＲＦ信号が相互に電磁界的な結合を発生し、ＲＦ信号ポート間のアイソレーションが低下するとともに、集積化の点で不利であるという問題点があった。」（同第２頁第８行ないし１３行）の記載に照らせば、上記訂正事項ｂの訂正は、【０００５】段落の記載を【０００４】段落に繰上げ記載したものと認められ、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正であって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、叉は変更するものではない。
　訂正事項ｃ〜ｆについて
　特許明細書の記載に照らせば、特許請求の範囲の訂正に伴ってこの訂正と整合させるためのものと認められ、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正であって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、叉は変更するものではない。
　ウ．独立特許要件
　（引用刊行物）
　訂正明細書の請求項１に係る発明の特許に対して、当審が平成１２年３月２９日付けで通知した取消事由で引用した特開昭６３−２１９１４２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「絶縁体の上面やその内部に、半導体素子等を取着するボンディング用回路パターン、半導体素子等の各回路パターンと接続する各入出用回路パターン及び封止キャップを封着するシール層を備え、上記絶縁体の下面に各入出力用回路パターン及び接地用回路パターンを備えた電子部品用パッケージにおいて、該パッケージの上記絶縁体中に、導体を充填した複数個のヴィアホールを設けて、上記ボンディング用回路パターンとシール層と絶縁体の下面の接地用回路パターンとを上記絶縁体中に設けたヴィアホールを介して導通すると共に、上記半導体素子等の各回路パターンと接続する各入出力用回路パターンと絶縁体の下面の各入出力用回路パターンとを上記絶縁基体中に設けた各ヴィアホールを介してそれぞれ導通したことを特徴とする電子部品用パッケージ」（公報第１頁左欄第５行ないし末行）と記載され、特開昭６１−２５１０５９号公報（以下、「刊行物２」という。」には、その第４図に、一辺について２対以上のコプレーナ線路を有するマイクロ波集積回路パッケージが示されている。
（対比・判断）
訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と刊行物１、２に記載された発明と対比すると、刊行物１，２のいずれにも、本件発明を特定する事項である「コプレーナ線路で構成された内部高周波伝送線路を２対以上有する」事項が記載されていない。そして、当該事項により、本件発明の特許は、「多ポートＩＣチップを実装する場合でも、各ＲＦ信号ポートを伝送するＲＦ信号の電磁界が、対応する内部コプレーナ線路に集中して伝搬され、他のポートへの漏洩、結合を抑制し、高いアイソレーションを有するとともに、集積化を高めることが可能となる」という顕著な作用効果を奏するものであり、本件発明は、上記刊行物１，２記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、当審が通知した平成１２年３月２９日付け取消理由通知に記載した理由によっても、本件発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
　
　エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下、「平成６年法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立について
　ア．本件請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　「パッケージ基板と、このパッケージ基板上に装着されたパッケージ側壁と、前記パッケージ側壁により囲まれて形成されたキャビティを封止するフタと、前記キャビティ内に設けられた半導体集積回路チップを実装するダイボンディング領域と、前記キャビティ内に設けられた誘電体基板の表面上に金属薄膜からなる内部高周波伝送線路を有し、前記パッケージ基板の底面部に金属薄膜により形成したリード端子をなす外部コプレーナ線路と、前記内部高周波伝送線路と前記外部コプレーナ線路を電気的に接続する金属からなるバイアホールとから構成されたパッケージにおいて、前記キャビティ内に形成される前記内部高周波伝送線路を、コプレーナ線路で構成し、前記内部高周波伝送線路と外部コプレーナ線路のそれぞれの接地金属間を金属からなる複数のバイアホールにより接続し、前記ダイボンディング領域に面する一辺について前記コプレーナ線路で構成された内部高周波伝送線路を２対以上有することを特徴とするパッケージ。」
　
　イ．申立ての理由の概要
　特許申立人京セラ株式会社は、甲第１号証（上記刊行物１と同じ）及び甲第２号証（上記刊行物２）を提出し、特許明細書の請求項１及び２に係る発明は、上記甲第１号証に記載された発明と同一であって、特許法第２９条第１項３号に違反して特許されたものであり、また、請求項３に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づき当業者が容易になし得た発明であって、特許法第２９条第２項に違反して特許されたものであるから、上記発明にかかる特許は特許法第１１３条第１項２号に該当するので取り消されるべきものである旨主張している。
　
  ウ．判断
特許明細書の請求項１及び２に係る発明は訂正により削除され、特許明細書の請求項３に係る許発明が、本件請求項１に係る発明となった。
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記（２）ウ．（対比・判断）で述べたように、当審が取消理由通知で示した刊行物１，２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　エ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月１３日（２０００．７．１３）