【事件の表示】
　特許第２７９８２８９号「電荷転送素子およびその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７９８２８９号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　平成　２年　３月　９日
　設定登録（第２７９８２８９号）
　　　　　　　　　　　　　　平成１０年　７月　３日
　特許異議申立（牧田美樹）　平成１１年　３月１７日
　取消理由通知　　　　　　　平成１１年　６月１４日
　特許異議意見書　　　　　　平成１１年　８月２５日
　訂正請求　　　　　　　　　平成１１年　８月２５日
　訂正拒絶理由通知　　　　　平成１２年　２月１７日
　
２．訂正の可否についての判断
（訂正請求の趣旨）
　上記訂正請求は、次のように訂正しようとするものである。
　訂正事項ａ
特許請求の範囲第１項中の「電荷転送素子において」の前に、特許請求の範囲の減縮を目的として、「２相」を挿入する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲第１項中の「複数の異なる」を特許請求の範囲の減縮を目的として「二つの異なる」と訂正する。
　訂正事項ｃ
特許請求の範囲第１項中の「不純物層からなり、この不純物濃度によって前記第１の部分と異なるポテンシャルを有する第２の部分を備えた」を特許請求の範囲の明りようでない記載の釈明を目的として、「不純物層からなる第２の部分を備え、前記ポテンシャルの一方を有する前記第１の部分は電荷蓄積部となり、前記ポテンシャルの他方を有する前記第１の部分および前記第２の部分はバリア部となる」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　訂正事項ａないしｃに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りようでない記載の釈明を目的として、明細書第５頁第１行目〜第１８行目を訂正する。
　訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りようでない記載の釈明を目的として、明細書第９頁第７行〜第１７行を訂正する。
（訂正拒絶理由の概要）
　上記の訂正に対して通知された拒絶理由の概要は次のとおりである。
訂正事項ｂについて
　権利者は、訂正事項ｂの請求の原因として、「当該訂正は、特許明細書第８頁１４行〜１５行に記載された「一つのゲート電極下にバリア部と電荷蓄積部をもつ」および第１図に基づくものである。」と主張する。
  訂正事項ｂは、前後の文章を参照すると、「一つのゲート電極下で複数の異なるポテンシャルを有する第１の部分」を「一つのゲート電極下で二つの異なるポテンシャルを有する第１の部分」と訂正しようとするものである。特許明細書では、一つのゲート電極下にバリア部と電荷蓄積部をもつことは記載されているが、二つの異なるポテンシャルを有することは記載されていない。第１図のポテンシャルの図は、模式図であり、二つの異なるポテンシャルを直接かつ一義的に示すものではない。
　してみると、訂正事項ｂは、特許明細書に記載されていない事項に訂正しようとするものであり、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項の規定に違反する。
訂正事項ｃについて
　権利者は、訂正事項ｃの請求の原因として、「当該訂正は、特許明細書第６頁６行〜第８行に記載された「Ａ−Ａ’線間でのＣＣＤのチャネルポテンシャルを第１図（ｂ）に示す。４は２相ＣＣＤ特有のバリア部である。」および第１図に基づくものである。」と主張する。特許明細書では、「Ａ−Ａ’線間でのＣＣＤのチャネルポテンシャルを第１図（ｂ）に示す」とは記載されているが、「不純物層からなる第２の部分を備え、前記ポテンシャルの一方を有する前記第１の部分は電荷蓄積部となり、前記ポテンシャルの他方を有する前記第１の部分および前記第２の部分はバリア部となる」という記載はない。第１図のポテンシャルの図は、模式図であり、不純物層からなる第２の部分を備え、前記ポテンシャルの一方を有する前記第１の部分は電荷蓄積部となり、前記ポテンシャルの他方を有する前記第１の部分および前記第２の部分はバリア部となることを直接かつ一義的に示すものではない。
　してみると、訂正事項ｃは、特許明細書に記載されていない事項に訂正しようとするものであり、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項の規定に違反する。
訂正事項ｄ、ｅについて
　訂正事項ｄ、ｅは、訂正事項ｂ、ｃを含むものであるから、訂正事項ｄ、ｅは、特許明細書に記載されていない事項に訂正しようとするものであり、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項の規定に違反する。
訂正された請求項１について
　上記訂正請求により請求項１は次のように訂正された。
「（１）　主表面を有する半導体基板と、
　この半導体基板の主表面上に形成された絶縁膜と、
　この絶縁膜上に互いに上下に重なり合わずに形成され、それぞれクロックパルス供給源に接続された複数のゲート電極と、
　前記半導体基板の主表面に形成され、電荷を転送するチャネルとを有する２相電荷転送素子において、
　前記チャネルは、前記ゲート電極下に形成され、一つのゲート電極下で二つの異なるポテンシャルを有する第１の部分と、
　前記ゲート電極間に形成され、前記第１の部分と同一導電型の不純物層からなる第２の部分を備え、
　前記ポテンシャルの一方を有する前記第１の部分は電荷蓄積部となり、前記ポテンシャルの他方を有する前記第１の部分および前記第２の部分はバリア部となることを特徴とする電荷転送素子。」（以下、訂正発明１という）
　訂正発明１は、特許請求の範囲の減縮に相当し、訂正発明１は、下記引用例１〜４記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反し、独立として特許を受けることができないものである。したがって、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第３項の規定に違反する。
記
引用例１　「単層ポリサイドゲートＣＣＤ」、前川繁登　他、電子情報通信学会技術研究　報告、１９９０年２月２７日発行（甲第１号証）
引用例２　特開昭５７‐　１７７７１号公報（甲第２号証）
引用例３　特開昭５８−２００５７４号公報（審査時の引用例）
引用例４　実開昭５９−４４０５６号のマイクロフィルム（審査時の引用例）
（権利者の対応）
　上記訂正拒絶理由に対して、期間を指定して意見を述べる機会を与えたが、権利者からは何の意見もなかった。
（まとめ）
　そして、上記訂正拒絶理由は妥当なものである。従って、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項の規定に違反するものであるから、訂正は認められない。
　
３．特許異議申立についての判断
（異議申立理由の概要）
　異議申立人牧野美樹は、甲第１号証「「単層ポリサイドゲートＣＣＤ」、前川繁登　他、電子情報通信学会技術研究報告、１９９０年２月２７日発行」（以下、引用例１という）、甲第２号証「特開昭５７‐　１７７７１号公報」（以下、引用例２という）を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は、引用例１および２から容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから取り消されるべきであるというものである。
（取消理由の概要）
　上記取消理由の概要は、上記異議申立理由と同趣旨および本件特許の請求項１に係る発明において、「前記ゲート電極間に形成され、前記第１の部分と同一導電型の不純物からなり、この不純物濃度によって前記第１の部分と異なるポテンシャルを有する第２の部分」としているが、第１図（ｂ）の符号４の波形と異なっている。第１のポテンシャルは複数の異なるポテンシャルを有しており、第２の部分のポテンシャルは、第１の部分のどのポテンシャルと異なるのか不明確である。従って、記載不備があり、特許法第３６条第５項の規定に違反して特許されたものであるというものである。
（本件特許発明）
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、特許発明１という）は特許されたときの特許請求の範囲請求項１記載されたとおりの次のものである。
「（１）　主表面を有する半導体基板と、
　この半導体基板の主表面上に形成された絶縁膜と、
　この絶縁膜上に互いに上下に重なり合わずに形成され、それぞれクロックパルス供給源に接続された複数のゲート電極と、
　前記半導体基板の主表面に形成され、電荷を転送するチャネルとを有する電荷転送素子において、
　前記チャネルは、前記ゲート電極下に形成され、一つのゲート電極下で複数の異なるポテンシャルを有する第１の部分と、
　前記ゲート電極間に形成され、前記第１の部分と同一導電型の不純物層からなり、この不純物濃度によって前記第１の部分と異なるポテンシャルを有する第２の部分を備えたことを特徴とする電荷転送素子。」
（引用例に記載された発明）
  引用例１には、「我々は図１（ｂ）に示すように単層のポリサイドをエッチング加工することによりＣＣＤの電極を構成する方法を採用した。…この方法であれば、層間の絶縁の問題は回避でき、層の重なりが全く無くなるため、電極間の結合容量は大幅に低減できる。」、「電極間のギャップはその下のチャネルに、ギャップ長に応じたポテンシャルの変位を発生させるので、ギャップの広がりはＣＣＤ特性を劣化させると考えられる。」、「ギャップ下でポテンシャルが深くなるのであれば、ボロンを注入して実効的なＮ型不純物濃度を下げてポテンシャルを持ち上げることが考えられる。ボロンは電極を形成した後で注入することによりギャップにセルフアラインメントで注入できる。まずシュミレーションによりこの効果を調べたのが図５である。ボロンを注入していくとギャップ下のポテンシャルディップが解消されるが、それ以上の注入では逆にポテンシャルの障壁が発生する。」、「図１４は、駆動クロックのハイレベルの電圧ＶＨによる最大転送電荷量と全転送効率の変化を示したものである。」と記載されている。
　そして、図１（ｂ）に、単層ポリサイドゲートＣＣＤの構造が示され、Ｐ基板、ＳｉＯ２膜、複数のゲート電極（ＷＳｉ２／Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、転送チャネルであるＮ型領域が示されている。ＳｉＯ２膜（絶縁膜であると認められる）は主表面上に形成され、複数のゲート電極は、離間していて、上下に重なっていない。Ｎ型領域は主表面に形成されている。
　即ち、引用例１には、Ｐ基板と、Ｐ基板の主表面上に形成された絶縁膜であるＳｉＯ２膜と、ＳｉＯ２膜上の上下に重なり合わずに形成された複数のゲート電極、主表面に形成されたＮ型領域（転送チャネル）を有する電荷転送素子が示され、転送チャネルはゲート電極下に形成され、ギャップ下にボロンを注入してポテンシャルディップが解消した領域が示される。
　引用例２には、「そして、通常の２相クロック型ＣＣＤは、その各電極（７）下に非対称のポテンシャル井戸を生成する手段として、第３図に示すように各電極（７）下の誘電体層（６）の厚さを、電荷の転送方向に関して先端側と後端側とで異ならしめるとか、各電極（７）の基体表面の不純物濃度をその先端側と後端側とで異ならしめるとかの構成が採られている。」と記載されている。
（本件特許と引用例との対比）
　特許発明１と引用例１とは次の点で一致する。
　「主表面を有する半導体基板と、
　この半導体基板の主表面上に形成された絶縁膜と、
　この絶縁膜上に互いに上下に重なり合わずに形成され、それぞれクロックパルス供給源に接続された複数のゲート電極と、
　前記半導体基板の主表面に形成され、電荷を転送するチャネルとを有する電荷転送素子」であること、
　「前記チャネルは、前記ゲート電極下に形成され」、「ゲート電極間に形成され、前記第１の部分と同一導電型の不純物層からなる第２の部分を備え」ること、
　そして、特許発明１と引用例１とは次の点で異なる。
　訂正発明１は、「一つのゲート電極下で複数の異なるポテンシャルを有する第１の部分」を有するのに対して、引用例１のものは、明記されていない点。
（相違点の検討）
　一つのゲート電極下で異なるポテンシャルを形成することで、転送方向を決定することは引用例２に示され、それを引用例１記載の電荷転送素子に適応することは、当業者が容易に想到できたことである。
（まとめ）
　特許発明１は、引用例１および２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める平成７年政令第２０５号第４条に該当するので、特許発明１は取り消されるべきである。
　
４．まとめ
　よって、上記結論どおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月６日（２０００．９．６）