(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と互いに対向する第２基板と、
前記第１基板の前記第２基板に対向する面に設けられた第１反射膜と、
前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜と所定のギャップを介して対向する第２反射膜と、
前記第１基板の前記第２基板に対向する面に設けられ、非透光性の材質で形成された第１電極と、を備え、
前記第１電極の一部と、前記第１反射膜の外周縁の少なくとも一部とが積層されて構成され、前記第１基板及び前記第２基板の基板厚み方向に見る平面視において、前記第１反射膜及び前記第２反射膜を透過する入射光の光透過領域を規定するリング状に設けられた第１積層ストッパー部を有する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第２基板の前記第１基板に対向する面に設けられた第２電極を備え、
前記第２電極の一部と、前記第２反射膜の外周縁の少なくとも一部とが積層された第２積層ストッパー部を有する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項３】
請求項２に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第２積層ストッパー部は、前記平面視において、前記第１積層ストッパー部とは重ならない位置に設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第２基板には、前記第１電極と対向する第２電極が設けられ、
前記第１電極及び前記第２電極は、電圧が印加されることで、前記ギャップの寸法を変更させる駆動電極である
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第２基板には、前記第１電極と対向する第２電極が設けられ、
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１電極及び前記第２電極の間で保持される静電容量を測定する静電容量測定用電極である
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第１電極は、前記第１反射膜の帯電を除去する帯電除去用電極である
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第１積層ストッパー部は、前記第１基板側から前記第１反射膜、及び前記第１電極の順に積層された
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第１積層ストッパー部は、前記第１基板側から前記第１電極、及び前記第１反射膜の順に積層された
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第２基板の前記第１基板に対向する面には、第２電極が設けられ、
前記第２電極の一部は、前記第２反射膜の外周縁に積層されて、リング状の第２積層ストッパー部を構成し、
前記第１基板及び前記第２基板を前記第１基板及び前記第２基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第１積層ストッパー部の内径寸法は、前記第２積層ストッパー部の内径寸法よりも小さい
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光部とを備えた
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光モジュールと、
前記光モジュールの前記受光部により受光された光に基づいて、前記検査対象光の光特性を分析する分析処理部とを備えた
ことを特徴とする光分析装置。
【請求項１２】
第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置される第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置される第１反射膜と、
前記第１反射膜と前記第２基板との間に配置され、前記第１反射膜と所定のギャップを介して対向する第２反射膜と、
前記第１基板及び前記第２基板の基板厚み方向に見る平面視において、前記第１反射膜の外周縁と重なるように配置される第１電極と、を含み、
前記第１反射膜と前記第１電極とが重なる領域は、前記第１反射膜の外周縁を周回するように配置される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長可変干渉フィルター、この波長可変干渉フィルターを備える光モジュール、及びこの光モジュールを備える光分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ反射膜を所定のギャップを介して対向配置した可変干渉装置（波長可変干渉フィルター）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターでは、ギャップを調整するために、一対の反射膜の互いに対向する面に、電極が対向配置されており、各電極に駆動電圧を印加することで、静電引力によりギャップを調整することが可能となる。これにより、波長可変干渉フィルターは、当該ギャップに応じた特定波長の光のみを透過させることが可能となる。すなわち、波長可変干渉フィルターは、入射光を一対の反射膜間で光を多重干渉させ、多重干渉により互いに強め合った特定波長の光のみを透過させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１−９４３１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このような波長可変干渉フィルターの製造工程で基板同士を接合する工程において、反射膜同士が貼り付くおそれがある。また、ギャップを調整する際に、反射膜同士が貼り付いたり、外力が加わった際の衝撃等により反射膜同士が貼り付いたりするおそれがある。このような反射膜同士の貼り付きが生じると、反射膜の表面が損傷するため、反射膜の光学特性（透過率や反射率）が低下する。
そこで、反射膜同士の貼り付きを防止するために、反射膜の近傍に突起部を設けることが考えられる。
しかしながら、このような突起部を設ける場合、波長可変干渉フィルターの製造工程において、別途、突起部を設ける工程が必要となるとともに、構成が複雑化するという課題がある。
【０００６】
本発明の目的は、簡素な構成で反射膜同士の貼り付きを防止できる波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の波長可変干渉フィルターは、第１基板と、前記第１基板と互いに対向する第２基板と、前記第１基板の前記第２基板に対向する面に設けられた第１反射膜と、前記第２基板に設けられ、前記第１反射膜と所定のギャップを介して対向する第２反射膜と、前記第１基板の前記第２基板に対向する面に設けられ、非透光性の材質で形成された第１電極と、を備え、前記第１電極の一部と、前記第１反射膜の外周縁の少なくとも一部とが積層されて構成され、前記第１基板及び前記第２基板の基板厚み方向に見る平面視において、前記第１反射膜及び前記第２反射膜を透過する入射光の光透過領域を規定するリング状に設けられた第１積層ストッパー部を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、第１電極の一部と、第１反射膜の外周縁の少なくとも一部とを積層して構成される第１積層ストッパー部を有する。これにより、反射膜間のギャップの寸法よりも第１積層ストッパー部と第２反射膜との間の寸法の方が小さくなる。このため、反射膜間のギャップ寸法が小さくなった場合に、第１積層ストッパー部と第２反射膜とが接触するので、反射膜同士の貼り付きを防止できる。
また、本発明によれば、第１積層ストッパー部は、第１電極及び第１反射膜を積層して形成されるため、上述した突起部を反射膜に別途設ける必要がなく、第１反射膜及び第１電極を形成する工程を実施することで設けることができるため、製造工程を簡略化でき、簡素な構成にできる。
【０００９】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第２基板の前記第１基板に対向する面に設けられた第２電極を備え、前記第２電極の一部と、前記第２反射膜の外周縁の少なくとも一部とが積層されて構成される第２積層ストッパー部を有することが好ましい。
また、本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第２積層ストッパー部は、前記平面視において、前記第１積層ストッパー部とは重ならない位置に設けられたことが好ましい。
【００１０】
本発明によれば、第２基板に第２積層ストッパー部が形成される。このような構成では、第２基板側にも反射膜同士の接触を防止する第２積層ストッパーが設けられているので、より確実に反射膜同士の接触を防止することができる。
ここで、第１基板及び第２基板を基板厚み方向から見た平面視において、第２積層ストッパー部は、第１積層ストッパー部に重なる位置に形成されている場合、第１積層ストッパー部と第２積層ストッパー部とが当接することで、第１及び第２反射膜の接触を防止できる。この場合、第１積層ストッパー部の厚み寸法と第２積層ストッパー部の厚み寸法との合計分だけ、第１基板と第２基板との間に隙間が生じる。したがって、例えば第１積層ストッパー部のみにより、反射膜同士の接触を防止した場合よりも、反射膜間のギャップ寸法を大きくでき、反射膜同士の接触、貼り付きをより確実に防止できる。
一方、前記平面視において、第１積層ストッパー部と第２積層ストッパー部とが全く重ならない位置に設けられる構成としてもよい。この場合、第１積層ストッパー部のみにより反射膜同士の接触、貼り付きを防止する場合に比べて、第２積層ストッパー部が設けられる分、反射膜同士の接触、貼り付きを防止するストッパー部の面積が増大し、より強い応力に対しても抗することができる。
【００１１】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第２基板には、前記第１電極と対向する第２電極が設けられ、前記第１電極及び前記第２電極は、電圧が印加されることで、前記ギャップの寸法を変更させる駆動電極であることが好ましい。
【００１２】
本発明によれば、第１電極及び第２電極は、駆動電極であるため、ギャップの寸法を変更させるギャップ変更部を兼ねることができる。すなわち、波長可変干渉フィルターの製造工程において、上述した突起部を別途設ける工程を不要にでき、第１反射膜を形成する工程と、駆動電極を形成する工程により、容易に第１積層ストッパー部を形成することができ、製造工程を簡素にでき、構造を簡素化できる。
【００１３】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第２基板には、前記第１電極と対向する第２電極が設けられ、前記第１電極及び前記第２電極は、前記第１電極及び前記第２電極の間で保持される静電容量を測定する静電容量測定用電極であることが好ましい。
【００１４】
本発明によれば、第１電極及び第２電極は、静電容量測定用の電極として機能する。このような静電容量測定量の電極が設けられた波長可変干渉フィルターでは、第１電極及び第２電極に保持された電荷量を測定することで、第１反射膜及び第２反射膜間のギャップを算出することができる。したがって、波長可変干渉フィルターにより取り出される光の波長を正確に求めることができ、この静電容量に基づいて、第１反射膜及び第２反射膜間のギャップを設定することで、反射膜間ギャップを所望のギャップに正確に設定することができる。
そして、波長可変干渉フィルターの製造工程において、第１反射膜を形成する工程と、静電容量測定用電極を形成する工程により、容易に第１積層ストッパー部を形成することができる。
【００１５】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第１電極は、前記第１反射膜の帯電を除去する帯電除去用電極であることが好ましい。
【００１６】
本発明によれば、第１電極は、第１反射膜の帯電を除去する帯電除去用電極として機能する。また、反射膜間のギャップの寸法が小さくなって、第１積層ストッパー部と第２反射膜とが接触した際、第２反射膜に保持された電荷も第１積層ストッパー部の帯電除去用電極から逃がすことができる。従って、第１反射膜及び第２反射膜のそれぞれに保持された電荷により、静電引力が発生したりすることがなく、反射膜間のギャップを所望のギャップ寸法に正確に設定できる。
【００１７】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第１積層ストッパー部は、前記第１基板側から前記第１反射膜、及び前記第１電極の順に積層されたことが好ましい。
【００１８】
一般に、基板に成膜された反射膜は、外周端部が比較的剥がれ易く、劣化し易いという問題がある。しかし、本発明によれば、第１積層ストッパー部は第１反射膜上に第１電極が積層される構成であるため、第１反射膜の端部を第１電極が確実に保護し、第１反射膜の劣化を防止できる。
【００１９】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第１積層ストッパー部は、前記第１基板側から前記第１電極、及び前記第１反射膜の順に積層されたことが好ましい。
【００２０】
本発明によれば、第１積層ストッパー部は、第１基板側から第１電極、及び第１反射膜の順に積層される。これによれば、第１電極を第１基板に成膜した後に、第１反射膜を成膜するため、第１反射膜の形成工程をより後工程にでき、製造工程中に第１反射膜が損傷を受けることをより防止できる。
また、第１反射膜が、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の絶縁層を積層した誘電体多層膜であり、第２基板に、第１電極と対向する第２電極が設けられている場合、第１電極のうち、第２電極に対向する領域全体を第１反射膜で覆って第１積層ストッパー部を構成することで、第１反射膜を絶縁層として用いることができる。この場合、第１積層ストッパー部により、反射膜同士の接触、貼り付きを防止できるとともに、第１電極及び第２電極間の放電やリーク等の不都合をも防止することができる。
【００２１】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第１電極は、非透光性の材質で形成され、前記第１積層ストッパー部は、前記第１基板及び前記第２基板の基板厚み方向に見る平面視において、前記第１反射膜及び前記第２反射膜を透過する入射光の光透過領域を規定するリング状に設けられたことを特徴とする。
ここで、本発明で述べる非透光性の材料とは、波長可変干渉フィルターにおいて測定対象となる波長域の光を透過しない材質を指す。したがって、測定対象となる波長域が可視光である場合、第１電極として、赤外光を透過可能で、Ｓｉのような可視光域を透過しない金属材料を用いてもよい。
【００２２】
本発明によれば、非透光性の材質の第１電極と、第１反射膜とを積層してリング状の第１積層ストッパー部が形成されるので、非透光性の第１積層ストッパー部の内側に露出した第１反射膜の領域が入射光の光透過領域となり、第１積層ストッパー部をアパーチャとして用いることができる。このような波長可変干渉フィルターを用い、波長干渉フィルターにより取り出された光の光量を測定することで、正確な光量測定を実施することができる。
【００２３】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第２基板の前記第１基板に対向する面には、第２電極が設けられ、前記第２電極の一部は、前記第２反射膜の外周縁に積層されて、リング状の第２積層ストッパー部を構成し、前記第１基板及び前記第２基板を前記第１基板及び前記第２基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第１積層ストッパー部の内径寸法は、前記第２積層ストッパー部の内径寸法よりも小さいことが好ましい。
【００２４】
本発明によれば、第１積層ストッパー部の内径寸法は、第２積層ストッパー部の内径寸法よりも小さく形成される。すなわち、第１積層ストッパー部の内径寸法により光透過領域が規定される。
一般に、同一内径寸法を有する２つのアパーチャーを、内径部分が完全に一致するようにアライメントすることは困難であり、アライメントのずれが生じると、光の透過量も変化してしまう。これに対して、上記のように、第１積層ストッパー部の内径寸法が第２積層ストッパー部の内径寸法よりも小さく形成しておけば、第１積層ストッパー部の内径と第２積層ストッパー部の内径とを完全に一致させる場合に比べ、第１積層ストッパー部の内径部分が第２積層ストッパー部の内周側に位置するように設置することは容易となる。また、内径寸法が小さい第１積層ストッパー部により、光透過領域が規定されるので、光透過領域を容易に精度良く規定できる。これにより、光透過領域を透過した光の透過光量を所望の値に容易に設定できる。
【００２５】
本発明の光モジュールは、上述の波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光部とを備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、上述したように、波長可変干渉フィルターにおいて、簡素な構成で反射膜同士の貼り付きを防止でき、反射膜の光学性能の低下を防止して分解能を高精度に維持することができる。このため、このような波長可変干渉フィルターを備えた光モジュールにおいても、受光部により精度の高い光量測定を実施することができる。
【００２７】
本発明の光分析装置は、上述の光モジュールと、前記光モジュールの前記受光部により受光された光に基づいて、前記検査対象光の光特性を分析する分析処理部とを備えることを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、上述した波長可変干渉フィルターを有する光モジュールを備えるので、精度の高い測定を実施でき、この測定結果に基づいて光分析処理を実施することで、正確な分光特性を実施することができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターは、第１基板と、前記第１基板と対向するように配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される第１反射膜と、前記第１反射膜と前記第２基板との間に配置され、前記第１反射膜と所定のギャップを介して対向する第２反射膜と、前記第１基板及び前記第２基板の基板厚み方向に見る平面視において、前記第１反射膜の外周縁と重なるように配置される第１電極と、を含み、前記第１反射膜と前記第１電極とが重なる領域は、前記第１反射膜の外周縁を周回するように配置されることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る第１実施形態の測色装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】前記第１実施形態のエタロンの第１基板の平面図。
【図３】前記第１実施形態のエタロンの第２基板の平面図。
【図４】前記第１実施形態のエタロンの概略構成を示す断面図。
【図５】前記第１実施形態の第１変形例のエタロンの要部を示す部分断面図。
【図６】前記第１実施形態の第２変形例のエタロンの要部を示す部分断面図。
【図７】前記第１実施形態の第２変形例のエタロンの要部を示す部分断面図。
【図８】前記第１実施形態の第３変形例のエタロンの要部を示す部分断面図。
【図９】前記第１実施形態の第４変形例のエタロンの要部を示す部分断面図。
【図１０】前記第１実施形態の第５変形例のエタロンの要部を示す部分断面図。
【図１１】本発明に係る第２実施形態のエタロンの第１基板の平面図。
【図１２】前記第２実施形態のエタロンの第２基板の平面図。
【図１３】前記第２実施形態のエタロンの要部を示す部分断面図。
【図１４】本発明に係る第３実施形態のエタロンの要部を示す部分断面図。
【図１５】本発明に係る第４実施形態のエタロンの第１基板の平面図。
【図１６】前記第４実施形態のエタロンの第２基板の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
［第１実施形態］
以下、本発明に係る第１実施形態を図面に基づいて説明する。
〔１．測色装置の概略構成〕
図１は、本実施形態の測色装置１（光分析装置）の概略構成を示すブロック図である。
測色装置１は、図１に示すように、検査対象Ａに光を射出する光源装置２と、測色センサー３（光モジュール）と、測色装置１の全体動作を制御する制御装置４とを備える。そして、この測色装置１は、光源装置２から射出される光を検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー３にて受光し、測色センサー３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Ａの色を分析して測定する装置である。
【００３１】
〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置２を備える測色装置１を例示するが、例えば検査対象Ａが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置２が設けられない構成としてもよい。
【００３２】
〔３．測色センサーの構成〕
測色センサー３は、図１に示すように、エタロン５（波長可変干渉フィルター）と、エタロン５を透過する光を受光する受光素子３１（受光部）と、エタロン５で透過させる光の波長を可変する電圧制御部６とを備える。また、測色センサー３は、エタロン５に対向する位置に、検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー３は、エタロン５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を受光素子３１にて受光する。
受光素子３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。
【００３３】
（３−１．エタロンの構成）
図２は、エタロン５の第１基板５１の平面図であり、図３は、エタロン５の第２基板５２の平面図である。図４は、図２及び図３の矢視IV-IV線で示す位置でのエタロン５の断面図である。なお、図１では、エタロン５に検査対象光が図中下側から入射しているが、図４では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。
第１基板５１及び第２基板５２は、図２及び図３に示すように、平面視正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば１０ｍｍに形成されている。このエタロン５は、図４に示すように、第１基板５１及び第２基板５２を備え、これらの基板５１，５２が、プラズマ重合膜を用いたシロキサン接合などにより接合層５３を介して互いに接合されて一体的に構成される。これらの２枚の基板５１，５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。
【００３４】
また、第１基板５１と第２基板５２との間には、図２から図４に示すように、径寸法Ｒ１を有する固定ミラー５４（第１反射膜）、及び径寸法Ｒ２を有する可動ミラー５５（第２反射膜）が設けられる。ここで、固定ミラー５４は、第２基板５２の第１基板５１に対向する面に形成され、可動ミラー５５は、第１基板５１の第２基板５２に対向する面に形成される。また、これらの固定ミラー５４及び可動ミラー５５は、ミラー間ギャップＧ１を介して対向配置されている。
さらに、第１基板５１と第２基板５２との間には、各ミラー５４，５５の間のミラー間ギャップＧ１の寸法を調整するための静電アクチュエーター５６が設けられている。この静電アクチュエーター５６は、各ミラー５４，５５の外周縁を覆うようにそれぞれ形成され、基板厚み方向に見る平面視（以下、エタロン平面視）において、リング状に形成されている。なお、静電アクチュエーター５６の構成の詳細については、後述する。
【００３５】
（３−１−１．第１基板の構成）
第１基板５１は、厚みが例えば５００μｍのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。この第１基板５１には、図２及び図４に示すように、エッチングにより電極形成溝５１１及びミラー固定部５１２が形成される。
【００３６】
電極形成溝５１１には、図２及び図４に示すように、ミラー固定部５１２の外周縁から、電極形成溝５１１の内周壁面までの間に、エタロン平面視でリング状の電極固定面５１１Ａが形成される。
ミラー固定部５１２は、図２及び図４に示すように、電極形成溝５１１と同軸上で、電極形成溝５１１よりも小さい径寸法となる略円柱状に形成され、第２基板５２に対向する側の面にミラー固定面５１２Ａを備える。
そして、ミラー固定面５１２Ａには、分光可能な波長域として可視光全域をカバーできる円形状のＡｇＣ合金単層により形成された固定ミラー５４が固定されている。なお、本実施形態では、固定ミラー５４として、ＡｇＣ合金単層のミラーを用いる例を示すが、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２系の誘電体多層膜や、ＡｇＣ合金以外のＡｇ合金や、Ａｇ合金及び誘電体膜の積層膜のミラーを用いる構成としてもよい。
【００３７】
第１基板５１には、電極固定面５１１Ａからミラー固定面５１２Ａの外周縁に向けて延出し、かつ、ミラー固定面５１２Ａ上に形成された固定ミラー５４の外周縁を覆う第１電極５６１が形成される。
第１電極５６１は、エタロン平面視でリング状に形成される。そして、第１基板５１側から順に固定ミラー５４の外周縁、及び第１電極５６１の内周縁が積層され、エタロン平面視でリング状に形成される第１積層ストッパー部６０（図２に示す斜線部分）が構成される。すなわち、第１積層ストッパー部６０は、固定ミラー５４の中心点Ｃ１（図２参照）を中心とした仮想円の周方向に沿って形成される。
【００３８】
第１積層ストッパー部６０は、固定ミラー５４の外周縁に設けられるため、固定ミラー５４のうち、光透過領域Ａｒ１（図２参照）が露出する。そして、この第１積層ストッパー部６０と、可動ミラー５５との間のギャップＧ２は、ミラー間ギャップＧ１よりも小さくなる。このため、静電アクチュエーター５６によりミラー間ギャップギャップＧ１が小さくなった際に、可動ミラー５５が第１積層ストッパー部６０に当接し、各ミラー５４，５５が近接した場合でも、ミラー５４，５５同士が貼り付くことが防止される。
【００３９】
また、第１電極５６１の上面には、図４に示すように、第１電極５６１及び第２基板５２の後述する第２電極５６２の間の放電等によるリークを防止するために絶縁膜５６３が形成される。すなわち、絶縁膜５６３は、第１積層ストッパー部６０も覆っている。
この絶縁膜５６３としては、ＳｉＯ２やＴＥＯＳ（TetraEthoxySilane）などを用いることができ、特に第１基板５１を形成するガラス基板と同一光学特性を有するＳｉＯ２が好ましい。なお、絶縁膜５６３として、ＳｉＯ２を用いる場合には、第１基板５１及び絶縁膜の間での光の反射等がないため、第１基板５１上に第１電極５６１を形成した後、第１基板５１の第２基板５２に対向する側の面の全面に絶縁膜を形成することが可能となる。
なお、第１電極５６１は、導電性及び非透光性を有し、第２基板５２の後述する第２電極５６２との間で電圧を印加することで、第１電極５６１及び第２電極５６２間に静電引力を発生させることが可能なものであれば、特に限定されないが、本実施形態では、Ａｕ／Ｃｒの金属積層体を用いている。
また、後述する第２電極５６２上にも第１電極５６１と同様に、絶縁膜を形成してもよい。
【００４０】
第１電極５６１の外周縁の一部からは、図２に示す平面視において、第１基板５１の対角線に沿うように、右上方向に向かって、１本の第１電極線５６１Ｌが延出して形成される。
第１電極線５６１Ｌの先端には、第１電極パッド５６１Ｐが形成され、第１電極パッド５６１Ｐが電圧制御部６（図１参照）に接続される。そして、静電アクチュエーター５６を駆動時には、電圧制御部６（図１参照）により、第１電極パッド５６１Ｐに電圧が印加される。
【００４１】
ここで、第１基板５１において、電極形成溝５１１及びミラー固定部５１２が形成されていない部分が第１基板５１の接合面５１３となる。この接合面５１３には、図４に示すように、接合用の接合層５３が形成されている。この接合層５３には、主材料としてポリオルガノシロキサンが用いられたプラズマ重合膜などを用いることができる。
【００４２】
（３−１−２．第２基板の構成）
第２基板５２は、厚みが例えば２００μｍのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。この第２基板５２には、図３に示すエタロン平面視で基板中心点を中心とした円形の変位部５２１が形成される。この変位部５２１は、図３及び図４に示すように、第１基板５１に向けて進退可能に移動する円柱状の可動部５２２と同軸であり、エタロン平面視で円環状に形成されて可動部５２２を第２基板５２の厚み方向に移動可能に保持する連結保持部５２３を備える。
【００４３】
変位部５２１は、第２基板５２の形成素材である平板状のガラス基材をエッチングにより溝を形成することで形成される。すなわち、変位部５２１は、第２基板５２の第１基板５１に対向しない入射側面に、連結保持部５２３を形成するための円環状の円環溝部５２３Ａをエッチング形成することで形成されている。
【００４４】
可動部５２２は、連結保持部５２３よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第２基板５２の厚み寸法と同一寸法である２００μｍに形成されている。この可動部５２２の径寸法は、第１基板５１のミラー固定部５１２の径寸法よりも大きく形成されている。
可動部５２２の第１基板５１に対向する面には、第１基板５１のミラー固定面５１２Ａに平行な可動面５２２Ａを備え、この可動面５２２Ａには、固定ミラー５４と対向する可動ミラー５５と、第１電極５６１に対向する第２電極５６２とが形成されている。ここで、第２電極５６２と前述の第１電極５６１とにより、静電アクチュエーター５６が構成される。
【００４５】
可動ミラー５５は、固定ミラー５４と同一材質で形成され、固定ミラー５４の径寸法Ｒ１よりも大きい径寸法Ｒ２で形成されている。そして、可動ミラー５５は、エタロン平面視で、固定ミラー５４に重なるように設けられている。
第２電極５６２は、第１電極５６１と同一材質で形成され、かつ、エタロン平面視でリング状に形成されて、内周縁が可動ミラー５５の外周縁を覆うように形成される。そして、第２基板５２側から順に可動ミラー５５の外周縁及び第２電極５６２の内周縁が積層され、エタロン平面視でリング状に形成される第２積層ストッパー部７０（図３に示す斜線部分）が構成される。すなわち、第２積層ストッパー部７０は、可動ミラー５５の中心点Ｃ２（図３参照）を中心とした仮想円の周方向に沿って形成される。
【００４６】
第２積層ストッパー部７０は、可動ミラー５５の外周縁に設けられるため、可動ミラー５５のうち、光透過領域Ａｒ２（図３参照）を露出させている。可動ミラー５５は、固定ミラー５４よりも大きく形成されているため、可動ミラー５５の光透過領域Ａｒ２は、固定ミラー５４の光透過領域Ａｒ１よりも大きくなるように設定される。すなわち、第２積層ストッパー部７０の内径寸法は、第１積層ストッパー部６０の内径寸法よりも大きく形成されている。このため、第２基板５２の上面側から入射する検査対象光のエタロン５を透過する透過光量は、第１積層ストッパー部７０の内径寸法、つまり固定ミラー５４の光透過領域Ａｒ１で規定される。
なお、第２電極５６２は、第１電極５６１と同一材質のＡｕ／Ｃｒの金属積層体を用いたが、透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）を用いてもよい。
また、第２積層ストッパー部７０の内径寸法は、第１積層ストッパー部６０の外形寸法Ｒ１よりも大きく形成されている。すなわち、エタロン５を基板厚み方向から見た平面視において、第１積層ストッパー部６０は、第２積層ストッパー部７０と重ならない位置に設けられている。
【００４７】
連結保持部５２３は、可動部５２２の周囲を囲うダイヤフラムであり、厚み寸法が例えば５０μｍに形成されている。
【００４８】
第２電極５６２の外周縁の一部からは、図３に示すエタロン平面視において、第２基板５２の対角線に沿うように左下方向に向かって、１本の第２電極線５６２Ｌが延出して形成される。
第２電極線５６２Ｌの先端には、第２電極パッド５６２Ｐが形成され、第２電極パッド５６２Ｐが電圧制御部６（図１参照）に接続される。そして、静電アクチュエーター５６を駆動時には、電圧制御部６（図１参照）により、第２電極パッド５６２Ｐに電圧が印加される。
【００４９】
ここで、第２基板５２の第１基板５１に対向する面において、第１基板５１の接合面５１３と対向する領域が、第２基板５２における接合面５２４となる。この接合面５２４には、第１基板５１の接合面５１３と同様に、主材料としてポリオルガノシロキサンを用いた接合層５３が設けられている。
【００５０】
（３−２．電圧制御部の構成）
電圧制御部６は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６の第１電極５６１及び第２電極５６２に印加する電圧を制御する。
【００５１】
〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、測色装置１の全体動作を制御する。この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、測色センサー制御部４２、及び測色処理部４３（分析処理部）などを備えて構成されている。
【００５２】
光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４２は、測色センサー３に接続されている。そして、測色センサー制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー３に出力する。これにより、測色センサー３の電圧制御部６は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーター５６への印加電圧を設定する。
測色処理部４３は、測色センサー制御部４２を制御して、エタロン５のミラー間ギャップを変動させて、エタロン５を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部４３は、受光素子３１から入力される受光信号に基づいて、エタロン５を透過した光の光量を取得する。そして、測色処理部４３は、上記により得られた各波長の光の受光量に基づいて、検査対象Ａにより反射された光の色度を算出する。
【００５３】
〔５．第１実施形態の作用効果〕
上述の第１実施形態に係るエタロン５によれば、以下の効果を奏する。
（１）リング状の第１電極５６１及び第２電極５６２の内周縁と、円形状の固定ミラー５４及び可動ミラー５５の外周縁とを積層して積層ストッパー部６０，７０が構成される。これにより、ミラー間ギャップＧ１の寸法よりも積層ストッパー部６０，７０と各ミラー５４，５５との間のギャップＧ２の寸法の方が小さくなるため、ミラー間ギャップＧ１の寸法が小さくなった場合でも、積層ストッパー部６０，７０が対向するミラー５４，５５に接触する。従って、ミラー５４，５５同士が貼り付くことがなく、ミラー５４，５５同士の貼り付きを防止できる。
また、積層ストッパー部６０，７０は、電極５６１，５６２及びミラー５４，５５を積層して形成されるため、上述した従来の構成の突起部をミラー５４，５５に別途設ける必要がなく、製造工程を簡略化でき、簡素な構成にできる。すなわち、電極５６１、５６２を形成する工程と、ミラー５４，５５を形成する工程を実施するだけで、第１積層ストッパー部６０を容易に形成することができる。
【００５４】
（２）第１電極５６１及び第２電極５６２は、駆動電極であるため、ミラー間ギャップＧ１の寸法を変更させる静電アクチュエーター５６を兼ねることができる。すなわち、エタロン５の製造工程において、上述した従来の構成の突起部を別途設ける工程を不要にでき、製造工程を簡素にでき、構造を簡素化できる。
（３）積層ストッパー部６０，７０は、ミラー５４，５５の上に電極５６１，５６２が積層された構成であるため、各ミラー５４，５５の端部を電極５６１，５６２が確実に保護し、ミラー５４，５５の劣化を防止できる。
【００５５】
（４）非透光性の材質の電極５６１，５６２及びミラー５４，５５を積層して積層ストッパー部６０，７０が形成されるので、非透光性の積層ストッパー部６０，７０の内側に露出したミラー５４，５５の領域のうち、小さい方の領域が入射光の光透過領域となる。そして、本実施形態では、固定ミラー５４の径寸法Ｒ１が可動ミラー５５の径寸法Ｒ２よりも小さく形成されているため、固定ミラー５４の露出した光透過領域Ａｒ１が入射光の光透過領域となる。このため、製造工程上、各ミラー５４，５５の径寸法Ｒ１，Ｒ２を同一寸法に形成することが難しい場合でも、積層ストッパー部６０，７０を形成することで、光透過領域Ａｒ１を容易に精度良く規定できる。これにより、光透過領域Ａｒ１を透過した光の透過光量を所望の値に容易に設定できる。
【００５６】
（５）第１積層ストッパー部７０の外形寸法Ｒ１は、第２積層ストッパー部７０の内径寸法よりも小さく形成され、エタロン５を基板厚み方向から見た平面視において、第１積層ストッパー部６０と第２積層ストッパー部７０とが重なり合わない。このため、エタロン５の基板厚み方向に大きい応力が加わった際、第１積層ストッパー部７０のみが形成される場合、または第１積層ストッパー部６０と第２積層ストッパー部７０とが互いに接触する場合に比べて、接触部位の面積が大きくなり、圧力を分散されることができる。したがって、応力によりこれらの第１積層ストッパー部６０及び第２積層ストッパー部７０の破損を防止できる。
【００５７】
［第１実施形態の第１変形例］
図５は、第１実施形態の第１変形例に係るエタロン５の要部を示す部分断面図である。
前記第１実施形態では、エタロン５の平面視において、第１積層ストッパー部６０と第２積層ストッパー部７０とは、互いに重ならない位置に設けられる構成としたが、この変形例として、図５に示すような構成としてもよい。つまり、平面視において、第１積層ストッパー部６０の一部と第２積層ストッパー部７０の一部とが重なり合う位置に設けられており、第１積層ストッパー部６０と第２積層ストッパー部７０とが当接することで、ミラー５４，５５の接触、貼り付きを防止する。
このような構成においても、第１積層ストッパー部６０の内周縁は、第２積層ストッパー部７０の内周縁よりも径寸法が小さく、かつ第２積層ストッパー部の内周縁の内側に設けられることで、エタロン５を透過する検査対象光の光透過領域を規定することができる。
また、本変形例では、エタロン平面視で、第１積層ストッパー部６０と第２積層ストッパー部７０とが重なるように形成されるため、ギャップＧ２は、各積層ストッパー部６０，７０間の寸法である。
本変形例によれば、ミラー間ギャップＧ１の寸法が小さくなった場合に、各積層ストッパー部６０，７０同士が接触する。この場合、積層ストッパー部６０，７０同士が接触して可動部５２２の移動が規制された状態で、上記第１実施形態よりもミラー５４，５５同士の間隔が大きくなる。したがって、より確実にミラー５４，５５同士の接触、貼り付きを防止できる。
なお、前記第１実施形態と同様に、本変形例でも絶縁膜が第１電極５６１を覆うように形成してもよく、また、第２電極５６２のみに覆うように形成してもよい。さらに、絶縁膜が第１電極５６１及び第２電極５６２の双方を覆うように形成してもよい。
【００５８】
［第１実施形態の第２変形例］
図６は、第１実施形態の第２変形例に係るエタロン５の要部を示す部分断面図である。
前記第１実施形態での各積層ストッパー部６０，７０は、各基板５１，５２側から順にミラー５４，５５、及び電極５６１，５６２が積層された構成であったが、この変形例として、図６に示すように、各基板５１，５２側から順に電極５６１，５６２、及びミラー５４，５５が積層された構成にしてもよい。
このような構成のエタロン５は、製造工程において、各電極５６１，５６２を成膜した後に、各ミラー５４，５５を成膜することになる。このため、環境温度等の要因により、透過率や反射率等の光学特性が劣化しやすいミラー５４，５５の形成工程をより後工程にでき、製造工程中にミラー５４，５５が損傷を受けることをより確実に防止できる。
また、例えば、固定ミラー５４を誘電体多層膜として形成した場合に、当該誘電体多層膜の一部または全部を、第１電極５６１及び第２電極５６２上に形成し、絶縁層として用いてもよい。このような構成であれば、絶縁層を形成するための工程をも省略でき、製造工程をより簡略化できる。
【００５９】
なお、図６では、前記第１変形例と同様に、第１積層ストッパー部６０と第２積層ストッパー部７０とが当接することで各ミラー５４，５５同士の接触、貼り付きを防止する構成としたが、前記第１実施形態のように、エタロン５の平面視において、第１積層ストッパー部６０と第２積層ストッパー部７０とが重ならない位置に設けられる構成としてもよい。
【００６０】
また、図７に示すように、上述した構成において、ミラー保護膜５９を各ミラー５４，５５、及び各積層ストッパー部６０，７０を覆うように形成してもよい。このミラー保護膜５９としては、ケイ素（Ｓｉ）の酸化膜が用いられている。この他に、アルミニウム（Ａｌ）の酸化膜や、マグネシウム（Ｍｇ）のフッ化膜などを用いることができる。
このような構成によれば、ミラー間ギャップＧ１が小さくなって、第１積層ストッパー部６０と第２積層ストッパー部７０とが接触した場合、各ミラー５４，５５をミラー保護膜５９が覆っているので、各ミラー５４，５５の損傷を確実に防止できる。また、ミラー５４，５５のうち、劣化や剥離が進行しやすい外周縁をミラー保護膜５９で覆っているため、ミラー５４，５５の劣化、剥離を防止することができる。
【００６１】
［第１実施形態の第３変形例］
図８は、第１実施形態の第３変形例に係るエタロン５の要部を示す部分断面図である。
前記第１実施形態では、絶縁膜５６３が第１電極５６１を覆って形成されていたが、絶縁性を有するミラー保護膜５９が各ミラー５４，５５、及び各電極５６１，５６２を覆って形成されていてもよい。
このような構成によれば、ミラー保護膜５９により、ミラー５４，５５の劣化を抑えることができ、かつ第１電極５６１及び第２電極５６２間の放電やリークをも防止することができる。
【００６２】
［第１実施形態の第４変形例］
図９は、第１実施形態の第４変形例に係るエタロン５の要部を示す部分断面図である。
前記第１実施形態の第３変形例では、ミラー保護膜５９が各ミラー５４，５５、及び各積層ストッパー部６０，７０を覆うように形成されていたが、ミラー保護膜５９を各積層ストッパー部６０，７０において、各電極５６１，５６２と各ミラー５４，５５との間に形成し、各ミラー５４，５５を覆うように形成してもよい。
本変形例によれば、ミラー保護膜５９により、ミラー５４，５５の劣化を抑えることができる。
【００６３】
［第１実施形態の第５変形例］
図１０は、第１実施形態の第５変形例に係るエタロン５の要部を示す部分断面図である。
前記第１実施形態では、第１基板５１及び第２基板５２の双方に積層ストッパー部６０，７０を形成したが、第１基板５１にのみ第１積層ストッパー部６０を設ける構成としてもよい。
なお、図１０では、前記第１変形例と同様に各ミラー５４，５５の径寸法が同一寸法に形成された場合を例示したが、前記第１実施形態のように、各ミラー５４，５５の径寸法が異なる構成に適用してもよい。
また、本変形例でも、ミラー保護膜が各ミラー５４，５５を覆うように設けてもよい。さらに、絶縁膜が第１電極５６１を覆うように形成してもよく、第２電極５６２にのみ覆うように形成してもよい。また、絶縁膜が第１電極５６１及び第２電極５６２の双方を覆うように形成してもよい。
さらに、第１基板５１に第１積層ストッパー部６０を設けずに、第２基板５２にのみ第２積層ストッパー部７０を設ける構成としてもよい。
【００６４】
［第２実施形態］
以下、本発明に係る第２実施形態について、図１１から図１３を参照して説明する。
図１１は、本実施形態におけるエタロン５Ａの第１基板５１Ａの平面図であり、図１２は、第２基板５２Ａの平面図である。なお、図１１及び図１２では、図示の都合上、各基板５１Ａ，５２Ａに形成される各電極５６１Ａ，５６２Ａ、及び各ミラー５４，５５のみを図示している。図１３は、図１１及び図１２の矢視XIII-XIII線で示す位置でのエタロン５Ａの要部を示す部分断面図である。
本実施形態のエタロン５Ａは、前記第１実施形態のエタロン５と同様の構成を備えるが、本実施形態のエタロン５Ａでは、第１電極５６１Ａ及び第２電極５６２Ａの他に、第１駆動電極５７１及び第２駆動電極５７２を備え、この第１駆動電極５７１及び第２駆動電極５７２が静電アクチュエーター５６を構成する点で相違する。
なお、以下の説明では、前記第１実施形態と同一構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００６５】
本実施形態での各ミラー５４，５５の径寸法Ｒ１，Ｒ２は、同一寸法に形成されて、各ミラー５４，５５の光透過領域Ａｒ１，Ａｒ２（図１３中の一点鎖線から各ミラー５４，５５側の領域）を同一サイズに形成してもよい。この場合には、エタロン５Ａを透過する検査対象光の光透過領域は、各ミラー５４，５５の光透過領域Ａｒ１，Ａｒ２で規定される。
第１積層ストッパー部６０Ａは、図１３に示すように、第１基板５１Ａ側から順に第１電極５６１Ａ、及び固定ミラー５４が積層されて構成される。
また、第２積層ストッパー部７０Ａは、図１３に示すように、第２基板５２Ａ側から順に第２電極５６２Ａ、及び可動ミラー５５が積層されて構成される。
なお、各積層ストッパー部６０Ａ，７０Ａは、前記第１実施形態と同様に、各基板５１，５２側から順に各ミラー５４，５５、及び各電極５６１Ａ，５６２Ａが積層された構成であってもよい。
【００６６】
第１電極５６１Ａ及び第２電極５６２Ａは、電荷を保持させるものであり、静電容量測定用電極として機能する。このため、第１電極５６１Ａ及び第２電極５６２Ａには、図１３に示すように、絶縁膜５６３が設けられて、電極５６１Ａ，５６２Ａ間のリークを防止している。この絶縁膜５６３は、固定ミラー５４及び可動ミラー５５にも形成されて、ミラー保護膜としての機能も兼ねる。すなわち、ミラー間ギャップＧ１が小さくなって、各積層ストッパー部６０Ａ，７０Ａが接触した場合でも、各ミラー５４，５５の損傷が防止される。
また、第１電極５６１Ａは、ミラー固定部５１２のミラー固定面５１２Ａにのみ形成され、第２電極５６２Ａは、可動部５２２の可動面５２２Ａにのみ形成される。
【００６７】
第１電極５６１Ａの電荷保持量は、第１電極パッド５６１Ｐ（図１１参照）を介して電圧制御部６（図１参照）により検出される。また、第２電極５６２Ａの電荷保持量は、第２電極パッド５６２Ｐ（図１２参照）を介して電圧制御部６（図１参照）により検出される。そして、電圧制御部６（図１参照）は、検出された静電容量に基づいて、ギャップを算出し、所望のギャップにミラー間ギャップＧ１を設定するための電圧を第１駆動電極５７１及び第２駆動電極５７２に印加する。すなわち、ミラー間ギャップＧ１は、所望のギャップに正確に設定される。
【００６８】
第１駆動電極５７１及び第２駆動電極５７２は、図１１及び図１２に示すように、エタロン平面視でＣ字状にそれぞれ形成される。第２駆動電極５７２は、連結保持部５２３の第１基板５１に対向する面に形成され、第１駆動電極５７１は、第１基板５１の第１駆動電極５７２に対向する面に形成される。
【００６９】
第１駆動電極５７１は、図１１に示すように、固定ミラー５４の中心点Ｃ１を中心として第１電極５６１Ａと同心円状で、第１電極５６１Ａの外側に形成される。そして、第１駆動電極５７１の外周縁の一部からは、図１１に示す平面視において、第１基板５１の対角線に沿うように、左上方向に向かって、１本の第１駆動電極線５７１Ｌが延出して形成される。
第１駆動電極線５７１Ｌの先端には、第１駆動電極パッド５７１Ｐが形成され、第１駆動電極パッド５７１Ｐが電圧制御部６（図１参照）に接続される。そして、静電アクチュエーター５６を駆動時には、電圧制御部６（図１参照）により、第１駆動電極パッド５７１Ｐに電圧が印加される。
【００７０】
第２駆動電極５７２は、図１２に示すように、可動ミラー５５の中心点Ｃ２を中心として第２電極５６２Ａと同心円状で、第２電極５６２Ａの外側に形成される。そして、第２駆動電極５７２の外周縁の一部からは、図１２に示す平面視において、第２基板５２の対角線に沿うように、左下方向に向かって、１本の第２駆動電極線５７２Ｌが延出して形成される。
第２駆動電極線５７２Ｌの先端には、第２駆動電極パッド５７２Ｐが形成され、第２駆動電極パッド５７２Ｐが電圧制御部６（図１参照）に接続される。そして、静電アクチュエーター５６を駆動時には、電圧制御部６（図１参照）により、第２駆動電極パッド５７２Ｐに電圧が印加される。
【００７１】
上述の第２実施形態に係るエタロン５Ａによれば、前記第１実施形態の効果の他、以下の効果を奏する。
本実施形態によれば、第１電極５６１Ａ及び第２電極５６２Ａは、静電容量測定用の電極として機能する。そして、電圧制御部６は、検出した静電容量に基づいて、ギャップを算出して、ミラー間ギャップＧ１を所望のギャップに設定するための電圧を第１駆動電極５７１及び第２駆動電極５７２に印加する。これにより、ミラー間ギャップＧ１を所望のギャップに正確に設定することができる。
そして、エタロン５Ａの製造工程において、各ミラー５４，５５を形成する工程と、第１電極５６１Ａ及び第２電極５６２Ａ（静電容量測定用電極）を形成する工程により、容易に各積層ストッパー部６０Ａ，７０Ａを形成することができる。
【００７２】
［第３実施形態］
以下、本発明に係る第３実施形態について、図１４を参照して説明する。
図１４は、本実施形態に係るエタロン５Ｂの要部を示す部分断面図である。
本実施形態のエタロン５Ｂでも、前記第２実施形態と同様に、第１電極５６１Ｂ及び第２電極５６２Ｂの他に、第１駆動電極５７１及び第２駆動電極５７２を備え、この第１駆動電極５７１及び第２駆動電極５７２が静電アクチュエーター５６を構成する。
なお、以下の説明では、前記第１実施形態と同一構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。また、第１駆動電極５７１及び第２駆動電極５７２は、前記第２実施形態と同様の構成であるため、以下での説明を省略する。
【００７３】
本実施形態の第１積層ストッパー部６０Ａ及び第２積層ストッパー部７０Ａは、前記第２実施形態と同様に、各基板５１Ａ，５２Ａ側から順に各電極５６１Ｂ，５６２Ｂ、及び各ミラー５４，５５が積層された構成である。
なお、各積層ストッパー部６０Ａ，７０Ａは、前記第１実施形態と同様に、各基板５１Ａ，５２Ａ側から順に各ミラー５４，５５、及び各電極５６１Ｂ，５６２Ｂが積層された構成であってもよい。
【００７４】
第１電極５６１Ｂ及び第２電極５６２Ｂは、ミラー５４，５５に帯電した電荷を除去する帯電除去用電極として機能する。このため、本実施形態では、前記第１実施形態で形成されていた第１電極線５６１Ｌ及び第２電極線５６２Ｌは、ＧＮＤに接続されており、第１電極５６１Ｂ及び第２電極５６２Ｂの電位差が０となるように設定されている。
なお、第１電極５６１Ｂ及び第２電極５６２Ｂのいずれか一方を帯電除去用電極としてもよい。
【００７５】
上述の第３実施形態に係るエタロン５Ｂによれば、前記第１実施形態の効果の他、以下の効果を奏する。
本実施形態によれば、第１電極５６１Ｂ及び第２電極５６２Ｂは、各ミラー５４，５５の帯電を除去する帯電除去用電極として機能する。また、ミラー間ギャップＧ１の寸法が小さくなって、各積層ストッパー部６０Ａ，７０Ａ同士が接触した際、各ミラー５４，５５に保持された電荷も各積層ストッパー部６０Ａ，７０Ａの第１電極５６１Ｂ及び第２電極５６２Ｂ（帯電除去用電極）から逃がすことができる。従って、各ミラー５４，５５のそれぞれに保持された電荷により、静電引力が発生したりすることがなく、ミラー間ギャップＧ１を所望のギャップ寸法に正確に設定できる。
【００７６】
［第４実施形態］
以下、本発明に係る第４実施形態について、図１５及び図１６を参照して説明する。
図１５は、本実施形態に係るエタロン５Ｃの第１基板５１Ｂを示す平面図であり、図１６は、エタロン５Ｃの第２基板５２Ｂを示す平面図である。なお、図１５及び図１６においても、図１１及び図１２と同様に、図示の都合上、各基板５１Ｂ，５２Ｂに形成される各電極５６１Ｃ，５６２Ｃ、及び各ミラー５４，５５のみを図示している。
前記第１実施形態での各積層ストッパー部６０，７０は、リング状に形成されていたが、本実施形態のエタロン５Ｃでは、各積層ストッパー６０Ｂ，７０Ｂが各ミラー５４，５５の中心点Ｃ１，Ｃ２を中心とした仮想円の周方向に沿って等間隔で形成されている点で相違する。
なお、以下の説明では、前記第１実施形態と同一構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７７】
本実施形態に係るエタロン５Ｃの第１電極５６１Ｃには、図１５に示すように、当該第１電極５６１Ｃの第１リング部５６１Ｃ１の周方向において、９０度間隔で延出する４つの第１延出部５６１Ｃ２が形成されている。具体的に、第１延出部５６１Ｃ２は、第１リング部５６１Ｃ１から第１基板５１Ｂの対角線に沿って、固定ミラー５４の中心点Ｃ１に向けて延出している。そして、この４つの第１延出部５６１Ｃ２の先端側が固定ミラー５４の外周縁に積層されることで、４つの第１積層ストッパー部６０Ｂが形成される。
すなわち、この第１積層ストッパー部６０Ｂは、図１５に示すように、固定ミラー５４の中心点Ｃ１を中心とした仮想円（第１電極５６１Ｃの第１リング部５６１Ｃ１）の周方向に沿って９０度間隔で設けられている。換言すれば、４つの第１積層ストッパー部６０Ｂは、固定ミラー５４の中心点Ｃ１を対称中心として、点対称に形成される。
【００７８】
第２電極５６２Ｃには、図１６に示すように、当該第２電極５６２Ｃの第２リング部５６２Ｃ１の周方向において、９０度間隔で延出する４つの第２延出部５６２Ｃ２が形成されている。具体的に、第２延出部５６２Ｃ２は、第２リング部５６２Ｃ１から第２基板５２Ｂの中心線（図１６中の一点鎖線）に沿って、可動ミラー５５の中心点Ｃ２に向けて延出している。そして、この４つの第２延出部５６２Ｃ１の先端側が可動ミラー５５の外周縁に積層されることで、４つの第２積層ストッパー部７０Ｂが形成される。
すなわち、この第２積層ストッパー部７０Ｂは、図１６に示すように、可動ミラー５５の中心点Ｃ２を中心とした仮想円（第２電極５６２Ｃの第２リング部５６２Ｃ１）の周方向に沿って９０度間隔で設けられている。換言すれば、４つの第２積層ストッパー部７０Ｂは、可動ミラー５５の中心点Ｃ２を対称中心として、点対称に形成される。
また、この第２積層ストッパー部７０Ｂは、エタロン平面視で、各ミラー５４，５５の中心点Ｃ１，Ｃ２を中心として、第１積層ストッパー部６０Ｂをそれぞれ４５度回転させた位置に形成されるため、第１積層ストッパー部６０Ｂに重ならない位置に形成される。
【００７９】
以上のような構成において、ミラー間ギャップＧ１（図４参照）が小さくなると、第２積層ストッパー部７０Ｂが固定ミラー５４に接触し、また、第１積層ストッパー部６０Ｂが可動ミラー５５に接触することで、各ミラー５４，５５同士の接触が防止される。
【００８０】
なお、本実施形態の各電極５６１Ｃ，５６２Ｃに絶縁膜を設ける構成としてもよい。また、本実施形態においても、前記第１実施形態の第３変形例及び第４変形例を適用してもよい。
また、本実施形態の各積層ストッパー部６０Ｂ，７０Ｂは、前記仮想円の周方向に沿って９０度間隔で設けられていたが、例えば、１８０度間隔に設けてもよく、等間隔に設けられていればよい。
さらに、本実施形態の各積層ストッパー部６０Ｂ，７０Ｂは、エタロン平面視で重ならない位置に形成されていたが、各積層ストッパー部６０Ｂ，７０Ｂが重なるように形成されていてもよい。
また、本実施形態の各積層ストッパー部６０Ｂ，７０Ｂの積層順を、前記第１実施形態の第１変形例、前記第２実施形態、及び第３実施形態の各積層ストッパー部６０Ａ，７０Ａの積層順としてもよい。この場合には、各ミラー５４，５５にミラー保護膜を設ける構成とすれば、各積層ストッパー部６０Ｂ，７０Ｂがミラー５４，５５にそれぞれ接触した場合でも、各ミラー５４，５５の損傷を防止できる。
【００８１】
さらに、本実施形態の各ミラー５４，５５をＡｇ合金で形成することで、各ミラー５４，５５に駆動電極としての機能を持たせて、第１電極５６１Ｃ及び第２電極５６２Ｃ、第１電極線５６１Ｌ及び第２電極線５６２Ｌを各ミラー５４，５５に接続される電極線としての機能を持たせてもよい。この場合には、各電極パッド５６１Ｐ，５６２Ｐから印加された電圧が前記電極線を介して、各ミラー５４，５５に印加され、各ミラー５４，５５間に静電引力が発生させることができ、ミラー間ギャップを変更できる。
【００８２】
上述の第４実施形態に係るエタロン５Ｃによれば、前記第１実施形態の効果の他、以下の効果を奏する。
本実施形態によれば、各積層ストッパー部６０Ｂ，７０Ｂが各ミラー５４，５５の中心点Ｃ１，Ｃ２を中心とした仮想円の周方向に沿って、等間隔に設けられるため、積層ストッパー部６０Ｂ，７０Ｂ、及び当該積層ストッパー部６０Ｂ，７０Ｂに対向するミラー５４，５５が接触することとなり、前記第１実施形態での接触面積に比べて小さくできる。これによれば、接触部分での吸着を防止でき、ミラー５４，５５間ギャップＧ１を所望のギャップ寸法に正確に設定できる。
【００８３】
［実施形態の変形］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
前記各実施形態では、各基板５１，５２に第１、第２積層ストッパー部６０，７０を設けたが、第１実施形態の第５変形例のように、いずれか一方の基板にのみ積層ストッパー部を設ける構成としてもよい。
前記第１実施形態から第３実施形態では、各積層ストッパー部６０，７０はリング状に形成されていたが、前記第４実施形態のように、各積層ストッパー部を各ミラー５４，５５の中心点Ｃ１，Ｃ２を中心とする仮想円の周方向に沿って、等間隔に形成してもよい。
前記第３実施形態では、第１電極５６１Ｂ及び第２電極５６２Ｂの電位差が０となるように設定されていたが、ミラー５４，５５が互いに接触することで、ミラー５４，５５が導通して同電位となるようにしてもよい。
【００８４】
前記各実施形態では、ミラー間ギャップＧ１を変更する構成として、静電アクチュエーター５６を例示したが、電流が通流される電磁コイルと、電磁力により電磁コイルに対して移動する永久磁石とを備える電磁アクチュエーターを用いてもよい。このような構成によれば、電磁コイルに電流を通流し、永久磁石からの磁束とこの磁束と電流との相互作用による電磁力により、永久磁石が電磁コイルに向けて移動するので、変位部が変動する。また、電圧印加により伸縮可能な圧電素子を基板間に設ける構成としてもよい。
【００８５】
前記実施形態において、接合面５１３，５２４は、接合層５３により接合されるとしたが、これに限られない。例えば、接合層５３が形成されず、接合面５１３，５２４を活性化し、活性化された接合面５１３，５２４を重ね合わせて加圧することにより接合する、いわゆる常温活性化接合により接合させる構成などとしてもよく、いかなる接合方法を用いてもよい。
【００８６】
また、上記各実施形態において、ミラー固定部５１２の可動基板５２に対向するミラー固定面５１２Ａが、電極固定面５１１Ａよりも可動基板５２に近接して形成される例を示したが、これに限らない。電極固定面５１１Ａおよびミラー固定面５１２Ａの高さ位置は、ミラー固定面５１２Ａに固定される固定ミラー５４、および可動基板５２に形成される可動ミラー５５の間のギャップの寸法、第１電極５６１および第２電極５６２の間の寸法、固定ミラー５４や可動ミラー５５の厚み寸法等により適宜設定される。したがって、例えば、電極固定面５１１Ａとミラー固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極固定面５１１Ａの中心部に、円筒凹溝上のミラー固定溝が形成され、このミラー固定溝の底面にミラー固定面が形成される構成などとしてもよい。
【００８７】
前記実施形態では、本発明の光モジュールとして、測色センサー３を例示し、光分析装置として、測色センサー３を備えた測色装置１を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光モジュールとして用いてもよく、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の光分析装置としてもよい。さらに、光分析装置は、このような光モジュールを備えた分光カメラ、分光分析器などであってもよい。
また、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光モジュールに設けられたエタロン５により特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光モジュールを備えた光分析装置により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
【符号の説明】
【００８８】
１…測色装置（光分析装置）、３…測色センサー（光モジュール）、５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ…エタロン（波長可変干渉フィルター）、３１…受光素子（受光部）、４３…測色処理部（分析処理部）、５１，５１Ａ，５１Ｂ…第１基板、５２，５２Ａ，５２Ｂ…第２基板、５４…固定ミラー（第１反射膜）、５５…可動ミラー（第２反射膜）、６０，６０Ａ，６０Ｂ…第１積層ストッパー部、７０，７０Ａ，７０Ｂ…第２積層ストッパー部、５６１，５６１Ａ，５６１Ｂ，５６１Ｃ…第１電極、５６２，５６２Ａ，５６２Ｂ，５６２Ｃ…第２電極、５６３…絶縁膜、Ａｒ１，Ａｒ２…光透過領域、Ｇ１…ミラー間ギャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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