【事件の表示】
　特許第２７４６８９６号「光学記録媒体」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７４６８９６号の特許を維持する。
【理　由】
　　　　　　　　
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７４６８９６号は、昭和６３年２月１７日に特許出願され、平成１０年２月１３日にその特許の設定登録がなされ、その後、三菱化学株式会社及び松井敬二よりそれぞれ特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年５月１８日に訂正請求がなされ、該訂正請求に対して平成１１年９月６日付補正指令がなされ、その指定期間内の平成１１年１０月１４日に訂正請求の補正がなされ、さらに、該訂正請求に対して平成１１年１１月１８日付補正指令がなされ、その指定期間内の平成１１年１２月２８日に訂正請求の補正がなされたものである。
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
ａ．特許請求の範囲の【請求項２】を削除する。
ｂ．平成９年３月２４日付手続補正書により補正された明細書第５頁第２行〜第６頁第１０行の中の「か、あるいは一般式〔(TeｘSb1-ｘ)1-yGey〕1-zAgz　(式中のx,y及びzは、それぞれ0.3≦x≦0.9、0＜y＜0.2及び0＜z≦0.2　の範囲の数である)で表わされ、かつGeTe-Ag2Te-Sb2Te3の擬三元系状態図において、(Ge7Sb6Te16)、(AgGe7Sb7Te16)、(AgGe3Sb15Te27)及び(Ge3Sb14Te24)の4点を結ぶ四角形領域外にある組成を有する」（本件特許公報第４欄第２０〜３０行）と、「又はＡｇ」（同公報第４欄第３０行）と、「るか、あるいは一般式〔(TeｘSb1-ｘ)1-yGey〕1-zAgz　　(式中のx,y及びzは、前記と同じ範囲の数である)で表わされ、かつGeTe-Ag2Te-Sb2Te3の擬三元系状態図において、(Ge7Sb6Te16)、(AgGe7Sb7Te16)、(AgGe3Sb15Te27)及び(Ge3Sb14Te24)の4点を結ぶ四角形領域外にあ」（同公報第４欄第４４〜５０行）を削除する。
　また、平成９年３月２４日付手続補正書により補正された明細書第８頁第５〜７行の中の「又はＡｇ」（同公報第５欄第３１〜３２行）と、「ただし、本発明において第４成分としてAgを添加した組成物においては、その組成はさらにGeTe-Ag2Te-Sb2Te3の擬三元系状態図において、(Ge7Sb6Te16)、(AgGe7Sb7Te16)、(AgGe3Sb15Te27)及び(Ge3Sb14Te24)の4点を結ぶ四角形領域外にある。」（同公報第５欄第３１〜３５行）を削除する。
ｃ．明細書第８頁第１７行「一般式（１）」（同公報第５欄第４４行）を「一般式」と訂正する。
ｄ．明細書第１１頁第５行「評価は、」（同公報第６欄第３９行）を「結晶化速度の評価は、」と、明細書第１１頁第１２行「記録パルスのパルス巾は、」（同公報第６欄第４５行）を「記録パワーの評価において、パルス巾は」と訂正する。
ｅ．明細書第１４頁第７行「結晶化速度は大きくなる。」（同公報第７欄第４１行）を「結晶化速度は速くなる。」と訂正する。
　また、明細書第１４頁第１９行「結晶化速度が大きくなる。」（同公報第８欄第２行）を「結晶化速度は速くなる。」と訂正する。
ｆ．明細書第１５頁第７行「効果」（同公報第８欄第９行）を「硬化」と訂正する。
ｇ．明細書第１６頁第１２〜１３行「Ｐｄ及びＢｉ」（同公報第８欄第３１行）を「Ｐｂ及びＢｉ」と訂正する。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正ａは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項２を削除して、請求項１に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正ａに伴って生じた、特許請求の範囲と、発明の詳細な説明の欄との不整合部分を整合させるためのものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｃは、発明の詳細な説明の欄に、「一般式（Ｉ）」で示される化学式は無く「一般式」で示される化学式があるのみで不整合となっている部分を整合させるためのものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｄは、参考例として示される記録膜の特性評価が、レーザービームの発光時間を変化させた結晶化速度の評価と、レーザービームによる記録パルスの発光パルス巾を２００ｎｍに固定して行われた記録パワーの評価との２種類の評価からなることを明確にするためのものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｅは、実施例１及び実施例３の実験結果を示す第３図、第５図において、Au及びPdの添加量の増加とともに結晶化速度が速くなり、結晶化に要する時間が短縮されることを明確にするためのものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｆは、明らかな誤字の訂正であって、出願当初の明細書に記載の事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｇは、Te−Sb−Ge系に、実施例１〜３で例示されるAuやPdの添加に換えて、一般式Mに相当する他の元素を添加しても、同様の効果が得られることを記述する箇所で、重複して記載される「Pd」の一方が、一般式Mに相当する元素のうち記載漏れの「Pb」の誤記であることは明らかであるから、明らかな誤記の訂正であって、出願当初の明細書に記載の事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
３．独立特許要件の判断
（１）訂正明細書の特許請求の範囲に記載された発明
　訂正明細書の特許請求の範囲に記載された発明（以下、単に「本件発明」という。）は、下記のとおりのものである。
「基板上に、レーザービームを照射することにより相変化を誘起する材料から成る光学記録膜を設け、該相変化によって生じる光学定数の変化により情報を記録及び消去する光学記録媒体において、該光学記録膜が、一般式
〔(TeｘSb1-ｘ)1-yGey〕1-zMz　
(式中のMはAu,Pd,Ni,Pt,Cu,Co,Pb及びBiの中から選ばれた少なくとも1種の元素を示し、x,y及びzは、それぞれ0.3≦x≦0.9、0＜y＜0.2及び
0＜z≦0.2の範囲の数である)で表わされる組成を有することを特徴とする光学記録媒体。」
（２）取消理由の趣旨
　当審が通知した取消理由の概要は、「ア．本件特許の請求項２の発明に係る「GeTe-Ag2Te-Sb2Te3 の擬三元系状態図における(Ge7Sb6Te16)、(AgGe7Sb7Te16)、(AgGe3Sb15Te27)及び(Ge3Sb14Te24)の4点を結ぶ四角形領域」が特定できず、光学記録媒体の成分組成の具体的な技術内容が不明であり、本件特許明細書には記載不備があるから、本件特許は、特許法第３６条第３項、第４項の規定に違反して特許されたものである。イ．本件特許の請求項１及び請求項２の発明は、刊行物１（特開昭６２−１５２７８６号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項に違反してされたものである。」というものである。
（３）引用刊行物の記載
　刊行物１には、「１．基板上に直接もしくは無機物および有機物のうちの少なくとも一者からなる保護層を介して形成された記録用ビームの照射を受けて原子配列変化を生ずる情報記録用薄膜において、上記情報記録用薄膜はその膜厚方向の平均組成が一般式AＸBＹCＺGeαTeβ　　
（ただし、X,Y,Zはそれぞれ原子パーセントで0≦X＜40,0≦Y≦30,0≦Z≦65,0≦α≦65,10＜Z＋α＜65，35≦β≦60の範囲の値であり、CはSb,Sn,As,Pb,Bi,Zn,Cd,Si,Al,Ga,Inの少なくとも一元素、BはTl,Iなどのハロゲン元素、およびNaなどのアルカリ金属元素のうちの少なくとも一元素、AはB,Cで表される元素およびGa,Te以外の元素）で表されることを特徴とする情報記録用薄膜。」（特許請求の範囲第１項）、「〔発明が解決しようとする問題点〕上記従来技術に示された薄膜はいずれも一回書き込み可能あるいは書き換え可能な相転移記録膜として用いる場合に結晶化の速度が遅い、半導体レーザ光の吸収が少なく感度が悪い、再生信号強度が十分でない、あるいは非晶質状態の安定性が悪い、耐酸化性が不十分であるなどの欠点が有り、実用化が困難である。したがって本発明の目的は上記した従来技術の欠点を無くし、記録・再生特性が良好で感度が高く、安定性の良い情報記録用相変化記録媒体を提供することに有る。」（第２頁左上欄第１６行〜同頁右上欄第７行）（記載事項ア）、「〔問題点を解決するための手段〕上記の目的を達成するために本発明の情報の記録用部材においては、情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成を一般式AＸBＹCＺGeαTeβで表されるものとする。ただし、X,Y,Zはそれぞれ原子パーセントで0≦X＜40,0≦Y≦30,0≦Z≦65,0≦α≦65,
10＜Z＋α＜65，35≦β≦60の範囲の値であり、CはSb,Sn,As,Pb,Bi,Zn,Cd,Si,Al,Ga,Inの少なくとも一元素であって非晶質状態の安定性を高める効果を持つ。」（第２頁右上欄第８〜１９行）（記載事項イ）、「BはTl,Iなどのハロゲン元素、およびNaなどのアルカリ金属元素のうちの少なくとも一元素である。これらの元素は、Teを含む材料中でＴｅの鎖状原子配列を切断し、結晶化速度を速くする効果をもつ。」（第２頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第３行）（記載事項ウ）、「AはTe,GeおよびC,およびBで表される元素以外の元素、たとえばCu,Ag,Au,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Pd,Hf,Ta,W,Ir,Pt,Hg,B,C,N,P,O,S,Se,ランタニド元素、アクチニド元素、アルカリ土類金属元素、不活性ガス元素などのうちの少なくとも一元素である。ただし、Ge,TeおよびBおよびCで表される元素のうちの一元素または複数元素も、各群の別の元素が既に使われている場合、A群の元素と考えることができる。」（第２頁左下欄第６〜１７行）（記載事項エ）、「Aで表される元素のうちCo等の遷移金属元素は、半導体レーザ光などの長波長光の吸収を容易にして記録感度を高め、また、結晶化温度の高温化、すなわち非晶質状態の安定性を増す効果を持ち、かつそれ自身が600℃以上の高融点であるか高融点の化合物を作るものであって、レーザ光によって結晶化させる際高温にしても融解しないので高速結晶化が可能なものである。」（第２頁右下欄第７〜１５行）（記載事項オ）、「Ge、およびCで表されるSb等の元素とTeとは適当な比率で共存することによって非晶質状態を安定に保持できるようにする。」（第３頁右上欄第１６〜１８行）（記載事項カ）、「GeとTeの含有量の比が１：１付近では、記録・消去を繰り返すことにより偏析が起こり、書き換え可能回数が少ない。ここに、Co,TiなどのAで表される元素を加えることによって偏析が起こりにくくなり、書換可能回数が増加する。（第３頁左下欄第７〜１１行）（記載事項キ）、「Aで表される元素のうち、特に好ましいものはCo,次いで好ましいものはTi,Ni次いで好ましいものはV,Cr次いで好ましいものはPd,Zr,Nb,Mn,である。…（中略）…この他SeおよびSは耐酸化性を向上させるという点で好ましい。」（第３頁左下欄第１２行〜同頁右下欄第２行）（記載事項ク）と記載されている。
（４）対比・判断
《特許法第３６条第３項、第４項違反について》
　本件特許の請求項２の発明に関する明細書の記載不備に係る取消理由は、特許請求の範囲の請求項２及び発明の詳細な説明欄の関連記載を削除する上記訂正により解消された。
《特許法第２９条第２項違反について》
　請求項２を削除する訂正後の本件発明は、TeとSbとGeの３元素を必須成分とし、さらにMで表される少なくとも１元素を加えた、合計で少なくとも４元素からなる光学記録膜の組成に特徴を有する相変化型の光学記録媒体であって、記録・消去が可能な感材であるTe−Sb２元系をベースとする合金の非晶質の安定性の悪さをGeの添加で解消し、さらに、第４成分Mの添加で結晶化速度を速めて、記録膜の結晶化速度が速く、情報を高速、高密度に記録することができ、かつ記録、消去感度に優れる上、非晶質の安定性が良い等の特長を有するものである。（本件特許公報第３頁第５欄第１〜３１行、同頁第６欄第２３〜２６行参照）
　これに対して、刊行物１には、TeとGeとの２元素を必須成分とし、Cで表される少なくとも１元素を加え、さらに場合により、Bで表される少なくとも１元素、Aで表される少なくとも１元素を加えた、合計で少なくとも３元素からなり、一般式
AＸBＹCＺGeαTeβで表される光学記録膜の組成に特徴を有する相変化型の光学記録媒体であって、Te−Ge２元系合金をベースとし（特許請求の範囲、記載事項カ,キ参照）、C成分の添加で非晶質の安定性を高め（記載事項イ,カ参照）、B成分の添加で結晶化速度を速め（記載事項ウ参照）、A成分の添加で、記録感度の向上（記載事項オ参照）、偏析の防止（記載事項キ参照）、耐酸化性の向上（記載事項ク参照）をはかったものが、記載されている。
　
　刊行物１記載の一般式AＸBＹCＺGeαTeβで表される記録膜組成の光学記録媒体は、Te、Ge２元素に、数十あるA成分元素の幾つかと、１２あるB成分元素の幾つかと、１１あるC成分元素の幾つかとを組み合わせた夥しく多種多様な元素系の記録膜組成のものを包括しており、形式的には本件発明の光学記録媒体をも包含している。しかし、刊行物１には、C成分元素の内からSbを選択し、B成分元素は全く選択せず、さらに、A成分元素の内のAu,Pd,Ni,Pt,Cu,CoとC成分元素の内のPb,Biとからなる特定の８元素の幾つかを選択してTe、Ge２元素に組み合わせて、本件発明のような元素系の記録膜を構成することについては、何ら具体的な記載も示唆もなく、又、Te−Sb−Ge合金系に対する特定の８元素の添加が、結晶化速度を速めて、情報を高速、高密度に記録することができるとの上述の効果を奏することを示唆する記載もない。
　してみると、本件発明が、刊行物１に記載された発明であるとすることはできず、また、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
III．特許異議の申立てについての判断
１．特許異議申立の概要
　特許異議申立人　三菱化学株式会社は、証拠方法として、甲第１号証（特開昭６２−１５２７８６号公報：上記刊行物１に同じ）、甲第２号証（特開昭６２−２２２４４２号公報）を提示して、訂正前の本件請求項１及び請求項２に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから（以上、理由−１）、また、本件明細書には記載不備があり、特許法第３６条第３項、第４項の規定に違反して特許されたものであるから（以上、理由−２）、特許を取り消すべき旨主張している。
  特許異議申立人　松井敬二は、証拠方法として、甲第１号証（特開昭６２−１５２７８６号公報：上記刊行物１に同じ）を提示して、本件請求項１及び請求項２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであるから（以上、理由−３）、また、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから（以上、理由−１）、特許を取り消すべき旨主張している。
２．証拠の検討
　申立人三菱化学株式会社の提示した甲第１号証に記載されたものは、上記「独立特許要件欄」に摘示したとおりである。
  同甲第２号証には、「一般式：(Mv1-xTex)1-yMy　で表される組成の合金膜を記録層に有することを特徴とする書換型光記録媒体。  ただし、一般式におけるx、yはそれぞれ、55at.%≦x≦65at.%、
y≦20at.%であり、MvはＶ族元素であり、MはAg、Al、As、Au、Bi、Cu、Ga、Ge、In、Pb、Pd、Pt、Sb、Se、Si、SnおよびZnからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表わす。」（特許請求の範囲第５項）、「本発明者等は、Bi-Te合金の次に列挙する如き光記録特性を改善するために、第３の元素を少量添加することが有効であることを発見したものである。ア.さらに結晶化温度を上げ、非晶質状態を安定化すること、イ．さらにレーザ結晶化を高速化し、高速消去性を向上すること、ウ．さらに結晶状態と非晶質状態の間の反射率差を広げ、信号コントラストを増すこと、エ．相分離などの不可逆変化をさらに抑制し、多数回のレーザ書きこみと消去を繰返しても、Bi2Te3としての単相結晶化を達成すること…（中略）…以上の理由から、第３元素Mとして、Ag、Al、Au、As、Bi、Cu、Ga、Ge、In、Pb、Pd、Pt、Sb、Se、Si、SnおよびZnのうちからなる群から選んだ少なくとも１種を添加することにより、さらに高性能の記録媒体が得られた。ここで、第３元素の添加量yは20at.%以下である。これらの添加元素のうち、金属結合性の強いものは、上記イの作用をなし、共有結合性の強いものは上記アとウの作用をなすと考えられる。これまで述べた(Bi1-xTex)1-yMy 合金膜は、Biにかえて、他のＶ族元素、例えばSb、As、IV族元素、例えばGe、Sn、Pb、III族元素、例えばInのいずれかを用いても同様の効果が得られる。」（第７頁左下欄第６行〜第８頁右上欄第１４行）（なお、原典の「丸数字の１，２，３，４」の標記箇所は、文書処理上の制約から、「ア、イ、ウ、エ」にて転記した。）と記載され、また、実施例３として、一般式(Sb1-xTex)1-yMy で表され、第３元素MがAg、Al、As、Au、Bi、Cu、Ga、Ge、In、Pb、Pd、Pt、Se、Si、SnおよびZnの１つである３元素合金の組成からなる光記録媒体を種々作製して評価を行うと、第３元素Mの添加により、書きこみと消去の繰返し記録性が向上したことが示されている。
３．当審の判断
理由−１について
　甲第１号証は、上記「II．訂正の適否についての判断　３．独立特許要件の検討」の欄で検討したものであり、そこで検討したとおり、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が本件発明を容易に発明することができたものとはいえない。
　甲第２号証記載の一般式(Mv1-xTex)1-yMy　で表される記録膜組成の光記録媒体は、Teに周期律表第V族元素１つを組み合わせた合金系に、１６あるM成分元素の少なくとも１つを添加した、夥しく多種多様な元素系の記録膜組成のものを包含しており、形式的には本件発明の光学記録媒体をも包含している。しかし、甲第２号証には、周期律表第V族元素の内からSbを選択し、M成分元素の内からGeを選択し、さらに同じくM成分元素の内から、Au、Bi、Cu、Pb、Pd、Pt、Cuのいずれかの元素を選択してTeに組み合わせて、本件発明のような元素系の記録膜を構成することについては、何ら具体的な記載も示唆もなく、又、Te−Sb−Ge合金系に対する特定の８元素の添加が、結晶化速度を速めて、情報を高速、高密度に記録することができるとの上述の効果を奏することを示唆する記載もない。
　してみると、本件発明が、甲第２号証に記載された発明であるとすることはできず、また、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　さらに、甲第１号証ないし甲第２号証に記載された発明を組み合わせたところで、上記本件発明の記録膜の元素系構成や効果を導き出すことはできず、本件発明を当業者であれば容易に発明することができたものとすることはできない。
理由−２について
　特許異議申立人　三菱化学株式会社の主張の趣旨は、ア.明細書には、本件発明の第４成分として添加する元素８種のうち、AuとPdの２種を用いた実施例が示されるのみであり、他の６種の元素を用いる場合については効果が確認できない、イ．請求項２の発明に係る「GeTe-Ag2Te-Sb2Te3の擬三元系状態図における(Ge7Sb6Te16)、(AgGe7Sb7Te16)、(AgGe3Sb15Te27)及び(Ge3Sb14Te24)の4点を結ぶ四角形領域」が特定できず、光学記録媒体の成分組成の具体的な技術内容が不明である、というものである。
アについて
　明細書の実施例欄には、参考例（第４成分未添加の記録膜への記録に要するレーザパワーと結晶化速度の関係を示す。）、実施例１（Te49Sb33Ge18の組成にAu又はPdを添加、添加量の増加に伴い結晶化速度が速くなることを示す。）、実施例２（Te64Sb17Ge19の組成にAu又はPdを添加、添加量の増加に伴い結晶化速度が速くなることを示す。）、実施例３（回転中の(Te49Sb33Ge18)90Au10又は(Te49Sb33Ge18)90Pd10の組成の記録膜をもつ記録媒体に対して、低レーザパワーで記録でき、高感度に信号再生できることを示す。）という一連の系統的な実験による具体的な記載（特許公報第３頁右欄第２７行〜第４頁右欄第２９行）に続いて、AuとPdの２種以外の６種の元素を添加した場合についてもほぼ同様の結果が得られた旨が明記されている。（第４頁右欄第３０〜３２行）
　してみると、本件明細書には、他の６種の元素を添加した事例の具体的実験データが示されてはいないものの、第４成分の元素８種のすべてについて添加の効果を確認できる記載があるといえる。
イについて
　特許請求の範囲の請求項２及び発明の詳細な説明欄の関連記載を削除する平成１１年５月１８日付訂正により解消されている。
　結局、上記ア、イの点から、本件明細書に記載不備があり、特許法第３６条第３項、第４項の規定を満たしていないとはいえない。
理由−３について
　甲第１号証は、上記「II．訂正の適否についての判断　３．独立特許要件の検討」の欄で検討したものであり、そこで検討したとおり、甲第１号証には、本件発明のような特定の元素系の記録膜組成の光学記録媒体が何ら記載も示唆もされていない。
　したがって、本件発明が、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するとはいえない。
４．むすび
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
 また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由
を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月２０日（２０００．４．２０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２７４６８９６号発明の特許明細書を下記のとおり訂正する。
訂正事項ａ．
　特許請求の範囲の【請求項２】を、特許請求の範囲の減縮を目的として削除する。
訂正事項ｂ．
　平成９年３月２４日付手続補正書により補正された明細書第５頁第２行〜第６頁第１０行の中の「か、あるいは一般式〔（ＴｅｘＳｂ１−ｘ）１−ｙＧｅｙ〕１−ｚＡｇｚ（式中のｘ，ｙ及びｚは、それぞれ０．３≦ｘ≦０．９、０＜ｙ＜０．２、及び０＜ｚ≦０．２　の範囲の数である）で表わされ、かつＧｅＴｅ−Ａｇ２Ｔｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３の擬三元系状態図において、（Ｇｅ７Ｓｂ６Ｔｅ１６）、（ＡｇＧｅ７Ｓｂ７Ｔｅ１６）、（ＡｇＧｅ３Ｓｂ１５Ｔｅ２７）及び（Ｇｅ３Ｓｂ１４Ｔｅ２４）の４点を結ぶ四角形領域外にある組成を有する」と、「又はＡｇ」と、「るか、あるいは一般式〔（ＴｅｘＳｂ１−ｘ）１−ｙＧｅｙ〕１−ｚＡｇｚ（式中のｘ，ｙ及びｚは、前記と同じ範囲の数である）で表わされ、かつＧｅＴｅ−Ａｇ２Ｔｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３の擬三元系状態図において、（Ｇｅ７Ｓｂ６Ｔｅ１６）、（ＡｇＧｅ７Ｓｂ７Ｔｅ１６）、（ＡｇＧｅ３Ｓｂ１５Ｔｅ２７）及び（Ｇｅ３Ｓｂ１４Ｔｅ２４）の４点を結ぶ四角形領域外にあ」を、不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
　また、平成９年３月２４日付手続補正書により補正された明細書第８頁第５〜７行の中の「又はＡｇ」と、「ただし、本発明において第４成分としてＡｇを添加した組成物においては、その組成はさらにＧｅＴｅ−Ａｇ２Ｔｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３の擬三元系状態図において、（Ｇｅ７Ｓｂ６Ｔｅ１６）、（ＡｇＧｅ７Ｓｂ７Ｔｅ１６）、（ＡｇＧｅ３Ｓｂ１５Ｔｅ２７）及び（Ｇｅ３Ｓｂ１４Ｔｅ２４）の４点を結ぶ四角形領域外にある。」を、不明瞭な記載の釈明を目的として削除する。
訂正事項ｃ．
　明細書第８頁第１７行「一般式（１）」を、誤記の訂正を目的として「一般式」と訂正する。
訂正事項ｄ．
　明細書第１１頁第５行「評価は、」を「結晶化速度の評価は、」と、明細書第１１頁第１２行「記録パルスのパルス巾は、」を「記録パワーの評価において、パルス巾は」と、不明瞭な記載の釈明を目的としてそれぞれ訂正する。
訂正事項ｅ．
　明細書第１４頁第７行「結晶化速度は大きくなる。」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「結晶化速度は速くなる。」と訂正する。
　また、明細書第１４頁第１９行「結晶化速度が大きくなる。」を、不明瞭な記載の釈明を目的として「結晶化速度は速くなる。」と訂正する。
訂正事項ｆ．
　明細書第１５頁第７行「効果」を、誤記の訂正を目的として「硬化」と訂正する。
訂正事項ｇ．
　明細書第１６頁第１２〜１３行「Ｐｄ及びＢｉ」を、誤記の訂正を目的として「Ｐｂ及びＢｉ」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光学記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　基板上に、レーザービームを照射することにより相変化を誘起する材料から成る光学記録膜を設け、該相変化によって生じる光学定数の変化により情報を記録及び消去する光学記録媒体において、該光学記録膜が、一般式〔（ＴｅｘＳｂ１−ｘ）１−ｙＧｅｙ〕１−ｚＭｚ
（式中のＭはＡｕ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｐｂ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種の元素を示し、ｘ，ｙ及びｚは、それぞれ０．３≦ｘ≦０．９、０＜ｙ＜０．２及び０＜ｚ≦０．２の範囲の数である）で表わされる組成を有することを特徴とする光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
　本発明は新規な光学記録媒体に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、基板上に設けられる光学記録膜にレーザービームを照射し、照射部分の光学定数の変化を利用して、例えば画像や音声などのアナログ情報、あるいは電子計算機などのデータやデジタルオーディオ信号などのデジタル情報を高速、高密度に記録し、かつ高速で消去することのできる光学記録媒体に関するものである。
従来の技術
　レーザービームの照射によって、記録膜に情報の記録を行う方法については、種々の方法が知られているが、その中でも記録膜の相変化を利用する方法は、１つのビームによって同時消録できる、いわゆる単ビームのオーバライト（重ね書き）が可能であり、かつ磁気記録方式に比べて高密度記録ができ、記録容量の点でも有利である上に、開孔やバブルなどの形状変化を伴わず、また記録、消去に際して磁場を用いる必要がなく、さらに２枚のディスク単板を直接貼り合わせた全面接着型ディスクが可能であるなど、多くの長所を有している。
　このような記録膜の相変化を利用しで情報の記録や消去を行う光学記録媒体においては、その多くが記録膜の非晶質と結晶の間の相変化を利用するために、該記録膜としては、非晶質半導体が多く用いられており、例えばＴｅ−Ｇｅ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｔｌ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎなどのカルコゲン系材料が主流を占めている。
　ところで、ディスクの線速度をｖ、レーザービームの径をｄとした場合、記録膜のある場所がレーザービームに照射されている時間はｄ／ｖであるので、記録膜としては該ｄ／ｖよりも短い結晶化時間を有することが重要である。
　しかしながら、前記材料から成る従来の記録膜は、いずれも記録・消去可能な相変化記録膜として用いる場合には、結晶化の速度が遅いという問題がある。また、情報の記録は非晶質を形成することによって行われるため、記録膜は低融点でかつ非晶質になりやすい材料から成るものが有利であるが、従来の材料では、非晶質になりやすいものは結晶化速度が遅く、かつ耐酸化性が不十分であるなどの欠点を有していた。
発明が解決しようとする課題
　本発明は、このような従来の記録膜の相変化を利用しで情報の記録や消去を行う光学記録媒体が有する欠点を克服し、記録膜の結晶化速度が速く、情報を高速、高密度に記録することができ、かつ記録・消去感度に優れ、非晶質の安定性の良好な光学記録媒体を提供することを目的としてなされたものである。
課題を解決するための手段
　本発明者らはこのような優れた特徴を有する光学記録媒体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、光学記録膜に特定の組成を有する材料を用いることにより、前記目的を達成しうることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明は、基板上に、レーザービームを照射することにより相変化を誘起する材料から成る光学記録膜を設け、該相変化によって生じる光学定数の変化により情報を記録及び消去する光学記録媒体において、該光学記録膜が、一般式〔（ＴｅｘＳｂ１−ｘ）１−ｙＧｅｙ〕１−ｚＭｚ
（式中のＭはＡｕ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｐｂ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種の元素を示し、ｘ，ｙ及びｚは、それぞれ０．３≦ｘ≦０．９、０＜ｙ＜０．２及び０＜ｚ≦０．２の範囲の数である）で表わされる組成を有す
るこ
　以下、本発明を詳細に説明する。
　本発明の光学記録媒体における光学記録膜は、前記ＭすなわちＡｕ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｐｂ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種の元
素と
れる
　前記記録膜に用いられるＴｅとＳｂについて説明すると、Ｓｂ−Ｔｅ２元系合金は記録・消去が可能な感材であり、第１図にその平衡状態図を示す。この図から、該２元系合金はＴｅ濃度が２９原子数％と８９原子数％のところで共晶点を有し、低融点であって、記録感度が高いことが分かる。しかしながら、このＳｂ−Ｔｅ２元系合金は非晶質の安定性が悪いという欠点を有している。
　このような欠点は、Ｓｂ−Ｔｅ２元系合金にＧｅを添加することによって克服できる。すなわち、Ｇｅは結晶化温度を上昇させ、非晶質を安定にするという効果を有している。第２図に、このＴｅ，Ｓｂ及びＧｅの３元系の組成図を示す。第２図は、（Ｓｂ１００Ｔｅ０Ｇｅ０）、（Ｓｂ０Ｔｅ１００Ｇｅ０）及び（Ｓｂ０Ｔｅ０Ｇｅ１００）を頂点とする三角座標図であって、Ｓｂ−Ｔｅ２元系合金の共晶点、すなわち（Ｓｂ７１Ｔｅ２９）及び（Ｓｂ１１Ｔｅ８９）の２点と（Ｓｂ０Ｔｅ０Ｇｅ１００）の点を線分Ａ，Ｂ，Ｃで結んだ三角形の内側の領域で表わされる組成のものは、感度がよく、かつ非晶質が安定であると考えられる。しかし、Ｇｅはそれ自体融点が高い（９４０℃）ために、多量に添加すると融点が高くなって感度が低下するので、感度の点から、Ｇｅの添加量は２０原子数％未満であることが必要である。すなわち、Ｇｅの含有量は線分ＤよりＧｅが少ない領域で選ばれる。したがって、第２図において、線分Ａ，Ｂ，ＣおよびＤで囲まれた四角形の領域内の組成のものは、高感度でかつ非晶質が安定である。
　しかしながら、この領域の組成のものは、結晶化速度が遅く、高速記録や消去が不可能であるという欠点を有している。したがって、前記領域の組成において、結晶化速度を向上させるために、本発明においては、前記３元系組成に、さらに第４成分として、Ａｕ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｐｂ及びＢｉの中から選ばれた少なくとも１種の元
素が
。こ
　以上のことから、前記一般
式で
　本発明の光学記録媒体においては、前記光学記録膜の少なくとも方の側に、記録膜の酸化などの経時変化を防ぐために、保護膜を設けることが好ましい。この保護膜の材料としては、金属又は半金属の酸化物、フッ化物、窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化物や金属などの無機物、あるいは有機物、さらにはこれらの混合物や複合材料などが挙げられる。
　また、該光学記録膜には、その光入射側に反射防止膜を設けてもよいし、光入射の反対側に反射膜を設けてもよい。
　前記の光学記録膜、保護膜、反射防止膜及び反射膜の形成方法については特に制限はなく、公知の方法、例えば真空蒸着、スパッタリング、イオンビームスパッタリング、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、プラズマ重合などの方法を、目的、材料などに応じて適宜用いることができる。本発明における光学記録膜の最適膜厚は、その組成により異なるが、通常３００〜１５００Åの範囲で十分なコントラストが得られる。
　本発明の光学記録媒体において、光学記録膜が設けられる基板としては、例えばガラス板やガラス板上に光硬化性樹脂層を設けたもの、あるいはポリカーボネート、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどのプラスチック基板、アルミニウム合金などの金属板などが用いられる。
発明の効果
　本発明の光学記録媒体は、記録膜の結晶化速度が速く、情報を高速、高密度に記録することができ、かつ記録、消去感度に優れる上、非晶質の安定性が良いなどの優れた特徴を有している。
実施例
　次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
参考例
　直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に、次表に示す組成の記録膜を真空共蒸着法により形成した。真空蒸着装置としては、３つの蒸着源が配置され、これらのうちの２つは抵抗加熱法により、残り１つは電子ビーム法により蒸着が可能なものを用いた。
　このようにして形成された基板上の記録膜に、基板が静止した状態でレーザービームを照射することにより、記録膜の特性を評価した。
結晶化速度の
　該表は、種々の組成の記録膜（ＴｅｘＳｂ１−ｘ）１−ｙＧｅｙの組成と記録パワー及び結晶化速度関係を示したものである。なお、記録パ
ワーの評価において、
は２
　この表から、Ｇｅ及びＳｂの含有量が増えるに伴い、大きな記録パワーを必要とすることが分かる。したがって、高感度化の点から、Ｇｅの含有量は２０原子数％未満、Ｓｂの含有量は７０原子数％以下であることが望ましいことが分かる。
　また、Ｔｅはその含有量が増加すると共に記録パワーが小さくなり、高感度化の点では好都合であるが、含有量が、９０原子数％を超えると記録時に開孔しやすいので、９０原子数％以下の含有量が望ましいことが分かる。
　さらに、この表から、この領域の組成のものは結晶化速度が遅いことが分かる。ここで、結晶化速度とは、最初、非晶質状態にレーザービームの連続光を照射し、完全に結晶化させたのち、記録パルスを照射することによって、記録ピットを形成し、その記録ピットを完全に消去できる、すなわち反射率が最初に結晶化させた状態と同じレベルに戻るのに要する時間のことである。
実施例１
　参考例と同様にしてＴｅ４９Ｓｂ３３Ｇｅ１８の組成にさらにＡｕ又はＰｄを添加した試料を調製し、その結晶化速度を測定した。第３図は、このようにして測定されたＡｕ又はＰｄの添加量（原子％）と結晶化速度（μｓ）との関係を示すグラフであって、Ａｕの場合を実線、Ｐｄの場合を破線で示す。
　この図から明らかなように、Ａｕ及びＰｄの添加量が増加するとともに結晶化速度は
速く
　次に、上記の試料について、その信号振幅の変化を測定し、その結果をグラフとして第４図に示す。この図から明らかなように、Ａｕ又はＰｄの添加量が増加するとともに信号振幅は小さくなる。
実施例２
　参考例と同様にしてＴｅ６４Ｓｂ１７Ｇｅ１９の組成に、さらにＡｕ又はＰｄを添加した試料を調製し、添加量と結晶化速度の関係を調べた。その結晶を第５図に示す。実線はＡｕの場合、破線はＰｄの場合である。
　この図から明らかなように、Ａｕ及びＰｄの添加量が増加するとともに結晶化速度は
速く
実施例３
　あらかじめ溝及びピットを設けてあるポリカーボネート基板上に、実施例１と同様の作成法により、まず保護膜として厚さ１００ｎｍのＳｉＯ２膜を形成したのち、その上に記録膜を形成し、次いでその上に変形防止兼保護膜である厚さ２００ｎｍのＳｉＯ２膜を形成した。以上の層構成をもつ蒸着膜に紫外線
硬化
　このようにして作成された光学記録媒体を回転させながら、レーザービームを照射することにより、記録膜の評価を行った。評価は、回転数１８００ｒｐｍ、レーザービームのパワーは０ｍＷから２０ｍＷまで変化させて行った。また、評価した記録膜の組成は、（Ｔｅ４９Ｓｂ３３Ｇｅ１８）９０Ａｕ１０及び（Ｔｅ４９Ｓｂ３３Ｇｅ１８）９０Ｐｄ１０である。
　まず、基板上の線速約８ｍ／ｓの所で評価を行った。最初にレーザービームを８ｍＷのパワーで、基板一周分連続発光させて、完全に結晶化させた。このようにして結晶化させたのちに、この部分に２ＭＨｚの信号を記録した。第６図は、記録パワーを変えた場合の再生信号Ｃ／Ｎの変化を示すグラフである。
　実線はＡｕの場合、破線はＰｄの場合である。
　この図から、記録膜は、１４ｍＷという低パワーで記録でき、高感度であることが分かる。次に、ここに８ｍＷの連続光を照射すると、いずれの記録パワーにおいてもＣ／Ｎが約１０ｄＢ程度により、記録信号が消去されていることが確認できた。したがって、該記録膜は、高感度で、かつ高速消去が可能な特性を有するものである。
　以上ＡｕとＰｄを添加した場合を例として示したがその外Ｎｉ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐ
ｂ
【図面の簡単な説明】
　第１図はＳｂ−Ｔｅ２元系合金の平衡状態図、第２図は、本発明の光学記録媒体の記録膜を構成する元素のうち、Ｔｅ，Ｓｂ及びＧｅの組成範囲を示す三角座標図、第３図は本発明の実施例１におけるＡｕまたはＰｄの添加量と、結晶化速度との関係を示すグラフ、第４図は同じ例の信号振幅の変化を示すグラフ、第５図は本発明の実施例２におけるＡｕ又はＰｄの添加量と結晶化速度との関係を示すグラフ、第６図は、本発明の実施例３のＡｕ又はＰｄを添加した場合のレーザーパワーと信号出力との関係を示すグラフである。