【事件の表示】
　特許第２８５９４７８号「発光デバイス用の窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８５９４７８号の特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第2859478号については、平成3年12月12日に出願され、平成10年12月4日にその設定の登録がなされ、その後、多田悦子、川上恒治及び奥田誠（以下それぞれ「申立人Ａ」、「申立人Ｂ」及び「申立人Ｃ」という。）より請求項１に係る特許について異議の申立てがなされ、その後、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成12年1月31日に訂正請求がなされたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の要旨
訂正事項ａ
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における「基板の厚さを200μｍ以下に研磨する」なる記載を「基板の厚さを100〜200μｍに研磨する」と訂正する。
訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の段落【0008】における「基板の厚さを200μｍ以下に研磨する」なる記載を「基板の厚さを100〜200μｍに研磨する」と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の存否および拡張変更の有無
訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１の基板の厚さに関し、「200μｍ以下」なる記載を「100〜200μｍ」としたものである。そして、基板の厚さを100〜200μｍとすることは特許明細書に記載されている。
　したがって上記訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項を追加するものでもなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、訂正事項ａの訂正に伴い、発明の詳細な説明の項の記載を、特許請求の範囲に記載に整合させることを目的とする訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、新規事項を追加するものでもなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
３　独立特許要件の判断
(1)訂正後の発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下「訂正発明」という。）は、訂正された明細書および願書に添付された図面の記載からみて、訂正明細書の請求項１に記載の次のとおりのものであると認める。
「【請求項１】サファイア基板上に、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体を積層する工程と、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体を積層してなるサファイア基板を、鏡面均一に研磨すると共に、基板の厚さを100〜200μｍに研磨する工程と、切断したチップのサファイア基板の最短辺の長さが、基板の厚さよりも長くなるように、窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの表面をスクライブして、スクライブラインに沿ってウエハーを分離してチップに分離する工程とからなる発光デバイス用窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。」
(2)取消しの理由の通知の概要
　当審において通知した取消しの理由の概要は次の通りである。
「理由
　本件請求項１に係る発明は平成８年９月２４日付手続補正及び平成９年２月１７日手続補正により、サファイア基板の厚さが、出願当初における「100〜250μｍ」から「200μｍ以下」となった。
　しかるに基板の厚さが200μｍ以下の範囲のものには、基板の厚さが出願当初の範囲外のものも含まれるから、これらの補正は発明の要旨を変更するものと認められる。したがって本件特許出願は手続補正書を提出した時に出願がされたとみなされるので、本件特許出願前に日本国内において頒布された下記の刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る発明については、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平5-166923号公報（本件特許出願の公開公報）」
(3)当審の判断
　そこで、上記取消しの理由を検討すると、上記の訂正により、サファイ基板の厚さは100〜200μｍにされた結果出願当初におけるサファイア基板の厚さの範囲内のものとなった。したがって、本件特許出願は手続補正書を提出した時にされたとみなすことはできないから、上記取消しの理由は妥当でない。
　また、他に、本件訂正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由もない。
　したがって、本件訂正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
４　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議申立の理由
　申立人Ａは、甲第１号証（特開平5-166923号公報）を提出し、平成９年２月１７日付け手続補正は、出願当初のサファイア基板の厚さ「100〜250μｍ」を「200μｍ以下」としたためサファイア基板の厚さが出願当初の範囲外のものも含むことになり、同手続補正が明細書の要旨を変更するものであるから本件特許の出願は、同手続補正書が提出された日になされたものとみなされる。
　したがって、請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された甲第１号証に記載された発明であるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消すべきであると主張（「主張A1」という。）し、また、請求項１に係る発明は、同号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができるものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消すべきであると主張（「主張A2」という。）している。
　申立人Ｂは、甲第１号証（特公昭58-15480号公報）、甲第２号証（特開昭55-95334号公報）、甲第３号証（特開昭64-64811号公報）、甲第４号証（特開昭61-29175号公報）及び甲第５号証（特開昭57-143879号公報）を提出し、請求項１に係る発明は、甲第１号証乃至第５号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消すべきであると主張（「主張B1」という。）している。
　さらに、申立人Ｂは、（イ）請求項１における「窒化ガリウム系化合物半導体ウエハー」なる用語が具体的に何を特定するのか不明であり、（ロ）同請求項の「窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの表面をスクライブして」なる記載は、発明の詳細な説明の項に記載のない「サファイア基板側のみからスクライブする」態様を含むものであるから、請求項１の発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとは言えない。したがって、本件特許は、特許法第３６条第５項の規定を満たさない特許出願に対してなされたから、取り消すべきであると主張（「主張B2」という。）している。
　申立人Ｃは、甲第１号証（特開平5-166923号公報）、甲第２号証（特開昭60-144985号公報）及び甲第３号証（特開昭64-64811号公報）、参考資料１（本件特許に係る出願当初の明細書）、参考資料２（本件特許に係る平成８年９月２４日付け手続補正書）、参考資料３（本件特許公報）、参考資料４（特開昭56-60076号公報）、参考資料５（特開昭63-144966号公報）、参考資料６（超格子ヘテロ構造デバイスの第274頁〜第276頁1988年9月10日発行）並びに参考資料７（本件特許に係る平成9年2月17日付審判理由補充書）を提出し、平成８年９月２４日付け手続補正は、明細書の要旨を変更するものであるから本件特許の出願は、同手続補正書が提出された日になされたものとみなされる。
　したがって、請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された甲第１号証に記載された発明であるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消すべきであると主張（「主張C1」という。）し、また、請求項１に係る発明は、甲第１号証又は、甲第２号証及び第３号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができるものであるから請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消すべきであると主張（「主張C2」という。）し、
　さらに、出願当初の明細書中には、研磨すると基板が鏡面均一になることにより、窒化ガリウム層から入れたスクライブラインが視察でき、基板側から入れるスクライブラインと一致させることができるという作用・効果が記載されており、また、審判請求理由補充書には、サファイア基板の表面をスクライブするとき、ウエハーの表面に積層したチップパターンを確認して、スクライブラインの位置を調整できるという作用・効果が記載されている。
　このような作用・効果を奏するためには、スクライブラインを窒化ガリウム系化合物半導体層およびサファイア基板の両面または少なくともサファイア基板の表面に形成する必要がある。すなわち、スクライブラインを少なくともサファイア基板の表面に形成することは、発明に必須の構成要件である。
　しかし、請求項１には、スクライブラインを少なくともサファイア基板の表面に形成することが記載されていないから、請求項１の記載は、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものでなく、本件特許は、特許法第３６条第５項の規定を満たさない特許出願に対してなされたものであり、取り消すべきであると主張（「主張C3」という。）している。
２　当審の判断
　そこで、これらの特許異議申立の理由につき検討する。
(1)主張A1及び主張A2について
　特許明細書に記載されたサファイアの厚さは適法に訂正された結果、「100〜200μｍ」と訂正され、出願当初に記載された範囲内のものとなった。したがって本件特許出願が平成９年２月１７日付け手続補正が提出された日になされたとみなすことはできないので、上記主張A1及びA2は理由がなくなった。
(2)主張B1について
（イ）本件発明
　本件請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は適法に訂正された結果、上記「第２」の３の(1)において認定した通りのものである。
（ロ）申立人Ｂ提出の甲号証記載事項
甲第１号証：サファイア基板上に、２層の窒化ガリウム系化合物半導体を積層する方法。
甲第２号証：厚いサファイア基板のスクライブは困難であること、サファイア基板の裏面をたとえば250μｍ程度まで研磨によって薄くした後スクライブすること（２頁下左欄１〜１２行）。
甲第３号証：厚いサファイア基板のスクライブが困難であるため、サファイア基板の厚さを0.2mmとすること（２頁下左欄18行〜下右欄4行）。
　ガスセンサチップの大きさが2.0mm四方であること（３頁下左欄６〜９行）。
甲第４号証：ダイヤモンドペースト等を用いた通常の裏面研磨法により、サファイア基板を50μｍ程度まで研磨すること（２頁下左欄１〜３行）。
甲第５号証：基板を裏面から研磨し、所定のピッチにスクライブし、分離すること（２頁上右欄８〜１２行）。
（ハ）対比・判断
　本件発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者は、「サファイア基板上に、２層の窒化ガリウム系化合物半導体を積層する工程により２層の窒化ガリウム系化合物半導体を積層してなるサファイア基板」である点で一致し、本件発明においては、「サファイア基板を、鏡面均一に研磨すると共に、基板の厚さを100〜200μｍに研磨する工程」と「切断したチップのサファイア基板の最短辺の長さが、基板の厚さよりも長くなるように、窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの表面をスクライブして、スクライブラインに沿ってウエハーを分離してチップに分離する工程とからなる発光デバイス用窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法」なる構成を有しているのに対して、甲第１号証記載の発明においてはそれに対応する構成を欠いている点において相違している。
　そこで、これらの相違点について検討する。
　甲第２号証には、「サファイア基板の裏面をたとえば250μｍ程度まで研磨によって薄くした後スクライブすること」が記載されているが本件発明の必須の構成である「サファイア基板を、鏡面均一に研磨する」という構成（以下「構成Ａ」という。）について記載がない。
　甲第３号証には、「サファイア基板の厚さを0.2mm即ち200μｍとすること」及び「チップの大きさを2.0mm四方として、その基板の厚さより長くする」事が記載されているがやはり本件発明の必須の構成である「構成Ａ」について記載がない。
　甲第４号証には、「通常の裏面研磨法により、サファイア基板を50μｍ程度まで研磨すること」が記載されているが、本件発明の必須の構成である「構成Ａ」について記載がない。
　甲第５号証には、「基板を裏面から研磨し、所定のピッチにスクライブし、分離すること」が記載されているが本件発明の必須の構成である「構成Ａ」について記載がない。
　すなわち、申立人Ｂの提出した上記甲号証のいずれにも、本件発明の必須構成である「構成Ａ」を具備せしめることにつき記載がない。
　そして、本件発明は、同構成により、「さらに基板を研磨することにより、研磨面が鏡面均一になるため、両面からスクライブする場合に、窒化ガリウム系化合物半導体層側のスクライブラインと、基板側からのスクライブラインとを一致させることが容易にできる。」という明細書記載の効果を奏するものである。
　そうすると、本件発明が、甲第１号証乃至甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。したがって、主張B1は理由がない。
(3)主張B2について
　「窒化ガリウム」及び「化合物半導体ウエハー」はいずれも常用されている技術用語であり、それらから合成された「窒化ガリウム系化合物半導体ウエハー」なる用語が具体的になにを特定しているか不明であるとする理由はない。
　また、「窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの表面をスクライブして」なる記載は、訂正明細書の全記載（実施例１，２，３、段落【0020】における「ウエハー表面、裏面から傷を付けて」なる記載）及び図面を参酌すれば、窒化ガリウム系化合物半導体層側からスクライブすることであることは明白である。
　したがって、該記載は、発明の詳細な説明の項に記載のない「サファイア基板側のみからスクライブする」態様を含むものであるから、請求項１の発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとは言えないと主張する理由B2は理由がない。
(4)主張C1について
　特許明細書に記載されたサファイアの厚さは適法に訂正された結果、「100〜200μｍ」と訂正され、出願当初の明細書に記載された範囲内のものとなった。したがって本件特許出願が平成８年９月２４日付け手続補正が提出された日になされたとみなすことはできないので、上記主張C1は理由がない。
(5)主張C2について
（イ）申立人Ｃが提出した甲第１号証、甲第２号証及び甲第３号証記載事項
甲第１号証：本件特許出願の公開公報（平成５年７月２日出願公開）
甲第２号証：ウエハ状半導体結晶を研磨して約100μｍの厚さにすること、ウエハーの表面をスクライブして、スクライブラインに沿ってウエハーを分離してチップにして半導体発光素子を製造すること（２頁上右欄第２〜９行、同上右欄第１１行〜１７行、２頁上右欄第１８行〜下左欄２行）。
甲第３号証：申立人Ｂ提出の甲第３号証に同じ。
参考資料４：サファイア基板上にｎ型及びｐ型の窒化ガリウム系半導体ウエハーをスクライブによりチップ化すること（第３頁上右欄１〜９行、同上左欄６〜１５行）。
参考資料５：III−Ｖ族化合物半導体ウエハーにおいて、放熱性を向上させるためその裏面を鏡面に研磨すること（特許請求の範囲）及びアズカットウエハーの厚みをそろえるためにウエハーの片面又は両面を鏡面に研磨すること（２頁上左欄７〜９行）。
（ロ）対比・判断
　特許明細書に記載されたサファイアの厚さは適法に訂正された結果、「100〜200μｍ」と訂正され、出願当初の明細書に記載された範囲内のものとなった。したがって本件特許出願が平成８年９月２４日付け手続補正が提出された日になされたとみなすことはできないので、甲第１号証に基づく主張C2は理由がない。
　そこで、甲第２号証及び甲第３号証に基づく主張について検討する。
　本件発明（前者）と甲第２号証に記載のもの（後者）とを対比すると、両者は「基板上に半導体を積層する工程と半導体を積層してなる基板を約100μｍに研磨する工程と、半導体ウエハーの表面をスクライブして、スクライブラインに沿ってウエハーを分離してチップに分離する工程とからなる発光デバイス用窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。」において一致しており、次の点において相違がある。
相違点１：基板が前者においては、サファイアであるのに対して、後者においては、不明である。
相違点２：半導体層が、前者においては、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体であるのに対して、後者においては、特に言及されていない。
相違点３：前者においては、「基板を鏡面均一に研磨する」構成（既述の「構成Ａ」に同じ）を有しているのに対して、後者においては、その構成を欠いている。
相違点４：切断したチップの基板の最短辺の長さが、前者においては、基板の厚さよりも長くなるようにスクライブするのに対して、後者においては、特に規定されていない。
　そこで、先ず上記相違点３につき検討する。
甲第３号証には、すでに、上記第３の２の(2)の「（ハ）対比・判断」において述べたように、構成Ａを有していない。
　したがって、他の相違点を検討するまでもなく、甲第２号証記載のもの及び甲第３号証記載のものを寄せ集めても本件発明の構成のようにすることはできない。
　申立人Ｃは、ウエハー裏面を鏡面に仕上げることが参考資料５に示めされるように一般的であるから、甲第２号証に記載された一般的な半導体発光素子のチップ化の方法を窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーに適用することは当業者が容易に想到し得る程度のものに過ぎないと主張している。
　しかし、ウエハーの片面又は両面を鏡面にすることが本件出願前において周知の技術であるとしても、それは、ウエハーの厚さをそろえるか、放熱性を向上させるという目的を果たすためであり、本件発明のように、窒化ガリウム層から入れたスクライブラインが観察できるようにするという目的を果たさせるものではないから、参考資料５に示されるような鏡面研磨の周知技術を甲第２号証、甲第３号証または、参考資料４に適用して本件発明のようにすることが当業者とって容易にできたと言うことはできない。
　以上のとおりであるから主張C2は理由があるとは言えない。
(6)主張C3について
　「サファイア基板を鏡面均一に研磨する」という構成（既出の「構成Ａ」に同じ）は、化合物半導体ウエハの表面をスクライブした後サファイア基板側からスクライブするという、本件発明の窒化ガリウム系半導体ウエハの切断方法の一実施態様を実施する場合に、窒化ガリウム層から入れたスクライブラインが観察でき、基板側から入れるスクライブラインと一致させることができるという効果をもたらすものであるが、構成Ａを有するからといって本件発明の切断方法が実施できない訳ではなく、本件発明の一実施態様を実施する場合に効果を有する構成は発明の構成に欠くことができない事項であるといえる。
　したがって、請求項１の記載は、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものでなく、本件特許は、特許法第３６条第５項の規定を満たさない特許出願に対してなされたものであり、取り消すべきであるとする主張C3は理由がない。
３　結び
　以上の通りであるから、本件特許異議のいずれの申立も理由があるとは言えない。
　また、他に本件発明に対してなされた特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月２９日（２０００．５．２９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における「基板の厚さを２００μｍ以下に研磨する」なる記載を「基板の厚さを１００〜２００μｍに研磨する」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の段落【０００８】における「基板の厚さを２００μｍ以下に研磨する」なる記載を「基板の厚さを１００〜２００μｍに研磨する」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
発光デバイス用の窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　サファイア基板上に、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体を積層する工程と、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体を積層してなるサファイア基板を、鏡面均一に研磨すると共に、基板の厚さを１００〜２００μｍに研磨する工程と、切断したチップのサファイア基板の最短辺の長さが、基板の厚さよりも長くなるように、窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの表面をスクライブして、スクライブラインに沿ってウエハーを分離してチップに分離する工程とからなる発光デバイス用窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は青色発光ダイオード、青色レーザーダイオード等の発光デバイスに使用される窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法に係り、特に、サファイア基板上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップに切り出すための切断方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】一般に発光ダイオード、レーザダイオード等の発光デバイスにはステム上に発光源である半導体チップが設けられている。半導体チップを構成する材料として、赤色、燈色、黄色、緑色ダイオードの場合ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等が知られており、また青色ダイオードであればＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＣが知られている。
　【０００３】従来、それらの材料が積層されたウエハーをチップに切り出す方法としては一般にダイサー、またはスクライバーが使用されている。ダイサーとは一般にダイシングソーとも呼ばれ、刃先をダイヤモンドとする円盤の回転運動により、ウエハーを直接カットするか、または刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後、外力によってカットする装置である。一方、スクライバーとは同じく先端をダイヤモンドとする針の往復直線運動によりウエハーに極めて細いスクライブライン（罫書線）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってカットする装置である。
　【０００４】前記ＧａＰ、ＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶はへき開性が「１１０」方向にあるため、この性質を利用してスクライバーで、この方向にスクライブラインを入れることによりチップ状に簡単に分離できる。しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体はサファイアの上に積層されており、そのサファイアは六方晶系という結晶の性質上、方形状に切断できるへき開性を有していないのでスクライバーで切断することは不可能であった。また窒化ガリウム系化合物半導体を青色発光素子としたダイオードは未だ実用化されておらず、工業的にウエハーをチップに分離する手段は開発されていないのが実状である。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーは、その基板にサファイアという非常に硬い材料が使用されており、またその上に積層された窒化ガリウム系化合物半導体の結晶もサファイアと同じく非常に硬い物質であるため、ダイサーで切断すると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすくなり、綺麗に切断できなかった。
　【０００６】従って本発明はサファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状にカットするに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形、サイズにカットする方法を提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】本発明の発光デバイス用の窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法は、サファイア基板上に、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体を積層してなる窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーを、チップ状に切断する方法を改良したものである。
　【０００８】本発明の切断方法は、ｐ型およびｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体を積層してなるサファイア基板を、鏡面均一に研磨すると共に、基板の厚さを１００〜２００μｍに研磨する工程と、切断したチップのサファイア基板の最短辺の長さが、基板の厚さよりも長くなるように、窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの表面をスクライブして、スクライブラインに沿ってウエハーを分離してチップに分離する工程とからなる。なお、スクライブ（Ｓｃｒｉｂｅ）とは罫書針で線を刻みつけること、即ち、罫書線を入れることをいう。
　【０００９】窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーは、基本的に、サファイア基板の上にｎ型ＧａｘＡｌ１−ｘＮ（０≦Ｘ≦１）層、その上にｐ型のＧａｘＡｌ１−ｘＮ（０≦Ｘ≦１）層が積層された構造を有している。全体の厚さは、基板で３００〜５００μｍ、窒化ガリウム系化合物半導体層はせいぜい数μｍ〜数十μｍでしかなく、そのほとんどがサファイア基板の厚さでしめられている。サファイア基板に、シリコン等の半導体層を積層してなるウエハーは、半導体層に比較して相当に厚いサファイア基板に、薄膜のシリコン半導体層を積層する場合、スクライブして、サファイア基板とシリコン半導体層の両方を、正確な位置で綺麗に切断できる。とくに、シリコン半導体層の切断位置が、サファイア基板の切断位置からずれることがない。薄膜の半導体層が、サファイア基板に密着しているので、シリコン半導体層がサファイア基板と一緒に同じ位置で確実に切断されるからである。しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーは、サファイア基板をスクライブして正確な位置で切断しても、窒化ガリウム系化合物半導体を正確な位置で切断できない。それは、窒化ガリウム系化合物半導体が、シリコン半導体層等に比較して極めて特異な物性を示すからである。窒化ガリウム系化合物半導体は、モース硬度がシリコンの７に比較して９と極めて硬く、サファイア基板がスクライブ位置に沿って切断されても、切断位置で弓のように湾曲して、クラックやチッピングが発生し、あるいは、切断位置からずれた部分で破損して切断させる性質がある。さらに、窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーは、極めて硬いことに加えて、方形状に切断できるへき開性のないことも、正確な位置での切断を難しくしている。窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーは、半導体層を正確な位置で切断できないことによって、発光デバイスの歩留を向上させることが極めて難しい。本発明の切断方法は、サファイア基板を２００μｍ以下にすると共に、切断されるチップの最短辺の長さを、サファイア基板の厚さよりも長くする独得の方法で、スクライブして、窒化ガリウム系化合物半導体層を正確な位置で切断することに成功したものである。
　【００１０】基板を２００μｍ以下にするには研磨機を用いて研磨することにより実現できる。研磨して基板を薄くする時期は、窒化ガリウム層を厚さの厚いサファイア基板に成長させた後に行うのが良い。研磨後の基板の厚さが１００μｍよりも薄いと、ウエハー全体が割れ易くなる。サファイア基板が２００μｍよりも厚いと、正確な位置で切断できなくなって歩留が低下する。さらに、サファイア基板が厚いと、発光チップの放熱性が悪くなる傾向にある。さらに基板を研磨することにより、研磨面が鏡面均一になるため、両面からスクライブする場合に、窒化ガリウム系化合物半導体層側のスクライブラインと、基板側からのスクライブラインとを一致させることが容易にできる。
　【００１１】スクライブラインの深さは基板の厚さの１０％以上であることが好ましい。上記したようにスクライブラインを引くには、一般的にはスクライバーと呼ばれる自動機器を使用するが、ＧａＡｓ等の材料の場合、例えば５００μｍ角以下のサイズのチップを得る場合においても、スクライブラインの深さ（即ち、スクライブの深さ）は通常ウエハー全体の厚みに対しせいぜい１％以下、多くても数％しか入れる必要はなく、それで十分切断できる。しかしながら、サファイアに窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーは、５００μｍ角以下のチップにおいては、基板を研磨しその厚みを薄くした後、スクライブの深さを基板の厚みより１０％以上深くする方が好ましく切断できる。
　【００１２】また、切断しようとする所望のチップのサファイア基板の最短辺をその基板の厚さよりも長くする。図１は本発明の切断方法の一実施例によって得られた窒化ガリウム系化合物半導体チップの断面構造を示す斜視図であり、１はサファイア基板、２はｎ型ＧａＮ層、３はｐ型ＧａＮ層である。この図に示すように、例えば所望とするチップを短辺ａ１、長辺ａ２、厚さｄ１の基板を有する直方体とした場合、そのチップの基板の最短辺ａ１を基板の厚さｄ１よりも長くなるように調整する。ａｌがｄ１よりも短いと、スクライブラインを引いた後、外力により切断する際、その断面、ＧａＮ層にクラック、チッピングが入りやすくなる。好ましくは最短辺はｄ１に対し３０％以上、さらに好ましくは５０％以上長くする方が、確実に切断でき収率が向上する。
　【００１３】
　【作用】本発明の切断方法において、前記したようにサファイア基板を研磨して２００μｍ以下にすることにより、スクライブで歩留まり良く切断できるようになる。さらに研磨すると基板が鏡面均一になることにより、窒化ガリウム層から入れたスクライブラインが観察でき、基板側から入れるスクライブラインと一致させることができる。好ましくはスクライブラインの深さを基板の厚さの１０％以上とすることにより、５００μｍ以下のチップサイズでもスクライブにより切断できる。さらに、窒化ガリウム系化合物半導体のような発光デバイスは、発光により発熱を伴う。チップが発熱することにより、チップ寿命が短くなるという欠点を有している。本発明では、サファイアを２００μｍ以下に研磨して薄くしているのでチップの発熱を速やかにステム等の支持体に逃がすことができ、発光デバイスの寿命を長くすることができる。
　【００１４】
　【実施例】以下本発明の切断方法を実施例で詳説する。
［実施例１］
▲１▼　厚さ３５０μｍ、大きさ２インチφのサファイア基板上に、ｎ型ＧａＮ層とｐ型ＧａＮを合わせて５μｍの厚みで成長させた発光ダイオード用のＧａＮウエハーの基板を、研磨器により研磨して１２０μｍとする。さらに、基板側に粘着テープを貼付し、スクライバーのテーブル上に張り付け、真空チャックで固定する。テーブルはｘ軸（左右）、ｙ軸（前後）に動き、１８０度水平に回転可能な構造となっている。
▲２▼　次に、スクライバーのダイヤモンド刃でＧａＮ層をスクライブすることにより、テーブルに張り付けたＧａＮウエハーのＧａＮ層に３５０μｍピッチのスクライブラインを引く。ダイヤモンド刃が設けられたバーはＺ軸（上下）、ｙ軸（前後）方向に移動可能な構造となっている。ダイヤモンド刃の刃先への加重は１００ｇとし、スクライブラインの深さを深くするため、同一のラインを５回スクライブすることにより、２０μｍの深さにする。
▲３▼　スクライブラインを引いた後、テーブルを９０度回転させ、＜ＧＡＩ　ＩＤ＝０００２＞と同様にして３５０μｍピッチで、先ほど引いたスクライブラインと直行するラインを２０μｍの深さで引く。
▲４▼　碁盤目状にスクライブラインを引いたＧａＮウエハーをテーブルから剥し取り、サファイア基板側からローラーにより圧力を加えて、押し割ることにより３５０μｍ角のＧａＮチップを得た。このようにして得られた３５０μｍ角のＧａＮチップより外形不良によるものを取り除いたところ、歩留は９５％以上であった。
　【００１５】［実施例２］
▲１▼　実施例１に同じ。
▲２▼　実施例１と同様にしてＧａＮ層から１５０μｍピッチのスクライブラインを入れる。但しスクライブ回数は２回とし、深さは８μｍとする。
▲３▼　実施例１と同様にテーブルを回転させ、スクライブ回数２回で、直行するスクライブラインを引く。以上のようにしてＧａＮ層にスクライブラインを引き終えた後、サファイア基板に貼付した粘着テープを溶剤により取り去った後、再びスクライブラインの入ったＧａＮ層に粘着テープを貼付し、同様にスクライバーのテーブルに設置する。この際スクライバーの刃先の軌跡が先ほど引いたＧａＮ層のスクライブラインと一致するように刃先を一致させる。後は▲２▼〜▲３▼の工程と同様にして、基板側にも碁盤目状のスクライブラインを引く。
▲４▼　実施例１と同様にしてＧａＮウエハーを１５０μｍ角のチップに切断したところ、同じく歩留は９５％以上であつた。
　【００１６】［実施例３］
▲１▼　厚さ３５０μｍのサファイア基板を予め研磨して厚さ２００μｍとした後、ＧａＮ層を５μｍの厚みで成長させた発光ダイオード用のＧａＮウエハーを用いる他は実施例１と同様にしてテーブル上に固定する。
▲２▼〜▲４▼　実施例１と同様にして３５０μｍ角のチップにしたところ、歩留は同じく９５％以上であった。
　【００１７】［比較例１］
▲１▼　実施例１のサファイア基板を研磨して２５０μｍとする他は同様にしてスクライバーのテーブルに設置する。
▲２▼〜▲３▼　ＧａＮ層に３５０μｍピッチで、２回スクライブして、８μｍの深さのスクライブラインを碁盤目状に入れる他は実施例１に同じ。
▲４▼　実施例１と同様にして、３５μｍ角のチップにしたところ、歩留は９０％であった。
　【００１８】［比較例２］
▲１▼　実施例１と同一の３５０μｍのＧａＮウエハーを研磨して３００μｍとする他は実施例と同様にしてスクライバーのテーブルに設置する。
▲２▼〜▲３▼　実施例１と同様にしてＧａＮ層に３５０μｍピッチで、５回スクライブして碁盤目状のスクライブラインを入れる。
▲４▼　同様にして、３５０μｍ角のチップにしたところ、スクライブラインとは別のところがら不規則に割れ、さらにスクライブラインのところから割れたものと割れなかったものとか混在し、歩留は４０％でしかなかった。
　【００１９】［比較例３］
実施例１と同一の３５０μｍのＧａＮウエハーをダイサーを用い、ブレード回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度０．３ｍｍ／ｓｅｃの条件で、３５０μｍ角のチップに切断したところ、切断線に対し無数のクラックが生じ、歩留は２０％以下であった。
　【００２０】
　【発明の効果】以上述べたように、本発明の切断方法によると、従来、ダイサーでしか切断できなかった窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーを歩留良く切断できる。また、ダイサーで切断するのと比較して、ダイサーは刃の回転によりウエハーを削り取って切断するのに対し、スクライバーはウエハー表面、裏面等から傷をつけて、その箇所から押し割るだけであるので作業工程の時間が短くて済み、しかもスクライバーの刃はダイサーの刃に比較して非常に細いため、切断した際に削り取る体積が少なくて済むことにより、小さいサイズのチップを得る場合、単位面積あたりの収率も向上する。
　【００２１】このように基板の厚さを２００μｍ以下にすることにより、スクライブで、歩留９５％以上でチップに切断でき、さらに基板の厚さに対して１０％以上スクライブラインを入れることによりその歩留率をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例により得られたチップの概略の断面を示す斜視図。
　【符号の説明】
１……サファイア基板
２……ｎ型ＧａＮ層
３……ｐ型ＧａＮ層