【事件の表示】
　特許第３０８８４３５号「半導体装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０８８４３５号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯
　本件特許第３０８８４３５号（以下「本件特許」という。）は、平成２年６月１５日に特許出願され、特許権の設定登録の後、特許異議申立人　加藤巨奈江及び小野尚純より、その請求項１〜６に係る発明について特許異議の申立がなされたものである。
　　
II．本件発明
　本件請求項１〜６に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は、願書に添付した明細書及び図面（以下単に「明細書等」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）下記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂。
　　
　　
〔上記式（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4は炭素数１〜４のアルキル基である。〕
（Ｂ）下記の一般式（II）で表されるフエノールアラルキル樹脂。
　　
　　
〔上記式（II）において、ｍは０または正の整数である。〕
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）下記の（d1）成分および（d2）成分の少なくとも一方。
（d1）下記の一般式（III）で表されるハイドロタルサイト類化合物。
　　
　MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3)z・mH2O・・・・・（III）
　　
［上記式（III）において、ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ０＜ｙ／ｘ≦１，０≦ｚ／ｙ＜１.５なる関係を有し、ｍは整数を示す。］
（d2）ビスマスの水酸化物，ビスマスの酸化物，アルミニウムの水酸化物およびアルミニウムの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの化合物であつて塩素イオン，ブロムイオン，硝酸イオン含有量がそれぞれ５ppm以下の化合物。
【請求項２】（Ｃ）成分である臭素化エポキシ樹脂の使用量が、エポキシ樹脂組成物の樹脂成分（Ａ＋Ｂ＋Ｃ成分）中、１〜１０重量％の範囲に設定されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】（d1）成分であるハイドロタルサイト類化合物の平均粒径が５μｍ以下で、かつその最大粒径が３０μｍ以下である請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】（d2）成分であるビスマスの水酸化物，ビスマスの酸化物，アルミニウムの水酸化物およびアルミニウムの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの化合物の平均粒径が０.５〜３０μｍの範囲内で、かつその最大粒径が７４μｍ以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）下記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂。
　　  
　　
　〔上記式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基である。〕
（Ｂ）下記の一般式（II）で表されるフエノールアラルキル樹脂。
　　
　　
　　〔上記式（II）において、ｍは０または正の整数である。〕
（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。
（Ｄ）下記の（d1）成分および（d2）成分の少なくとも一方。
（d1）下記の一般式（III）で表されるハイドロタルサイト類化合物。
　　
　MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3)z・mH2O・・・・・（III）
　　
［上記式（III）において、ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ０＜ｙ／ｘ≦１，０≦ｚ／ｙ＜１.５なる関係を有し、ｍは整数を示す。］
（d2）ビスマスの水酸化物，ビスマスの酸化物，アルミニウムの水酸化物およびアルミニウムの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの化合物であつて塩素イオン，ブロムイオン，硝酸イオン含有量がそれぞれ５ppm以下の化合物。
【請求項６】エポキシ樹脂組成物中の総イオン量が１００ppm以下である請求項（５）記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」
　　　　
III．特許異議申立について
(III-a)加藤巨奈江による特許異議申立について
（１ａ）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　加藤巨奈江は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開昭６３−２５１４１９号公報）、甲第２号証（特開平１−２０６６５５号公報）、甲第３号証（特開平１−２０６６５６号公報）、甲第４号証（特開昭６１−１９６２５号公報）、甲第５号証（特開昭６４−７３７４８号公報）、甲第６号証（特開昭６２−１８１３２２号公報）、甲第７号証（特開昭５７−２１２２２４号公報）、甲第８号証（特開昭６２−５９６２６号公報）、及び甲第９号証（「機能材料」（株）シーエムシー（昭和５７年９月５日）第１１〜２１頁）を提示して、本件発明１〜６は甲第１〜９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、その特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
（２ａ）証拠の記載事実
甲第１号証（特開昭６３−２５１４１９号公報）
(a1-1)「エポキシ樹脂と充填材とを主成分とする半導体封止用樹脂組成物において、下記式（Ｉ）　
　　
　　
(ただし、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂とゴムとを必須成分として含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。」（特許請求の範囲（１））
(a1-2)「本発明におけるエポキシ樹脂の好ましい具体例としては、・・・4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニル、・・・・4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラエチルビフェニル、4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラブチルビフェニルなどが挙げられる。」（第２頁右下欄下から第６行〜第３頁左上欄第９行）
(a1-3)「本発明の組成物は、通常、硬化剤を含有する。硬化剤としてはエポキシ樹脂と反応して硬化させるものであれば特に限定されない。たとえば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、下記式（III）で表わされるノボラック樹脂、
　　
　　
（ただし、ｎは０以上の整数を示す。）・・・・などが挙げられるが、特に限定されるものではない。」（第３頁右上欄第１３行〜左下欄第９行）
(a1-4)「本発明における充填剤としてはたとえば・・・アルミナ・・・などを用いることができ」（第４頁右上欄第８〜１４行）
(a1-5)「実施例１〜１０、比較例１〜３」として、「エポキシ樹脂Ａ」（4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニル）、「エポキシ樹脂Ｂ」（オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂」、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂、難燃剤として臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いて樹脂組成物を得、その物性を測定したこと、及びその結果。（第５頁左上欄第８行〜第８頁左上欄第１６行）
　　
甲第２号証（特開平１−２０６６５５号公報）
(a2-1)「（１）下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する・・・エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）・・・臭素化エポキシ樹脂。（Ｄ）下記の一般式（Ｉ）で表されるハイドロタルサイト類化合物。
　　
　MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3)z・mH2O・・・・・（Ｉ）
　　
［式（Ｉ）中、ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ０＜ｙ／ｘ≦１，０≦ｚ／ｙ＜１.５なる関係を有し、ｍは整数を表す。］」（特許請求の範囲（１））
(a2-2)「難燃剤としての臭素化エポキシ樹脂の熱分解の際に発生するハロゲンイオンガスを、上記一般式（Ｉ）で表される特殊なハイドロタルサイト類化合物が捕捉トラップし、高温雰囲気下の信頼性を効果的に保持させることをつきとめた。」（第２頁左下欄第９〜１５行）
(a2-3)「上記エポキシ樹脂組成物のＡ成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するものではなく、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等、従来より用いられている各種のエポキシ樹脂があげられる。・・・上記エポキシ樹脂の中でも好適なエポキシ樹脂としては、・・・ノボラック型エポキシ樹脂あり、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等があげられる。」（第２頁右下欄第９〜２０行）
(a2-4)「このハイドロタルサイト類化合物は、エポキシ樹脂組成物中における分散性の観点から平均粒径が０.５〜３０μｍ、最大粒径が７４μｍ以下であることが好適である。」（第３頁右下欄第１３〜１６行）
　　　
甲第３号証（特開平１−２０６６５６号公報）
(a3-1)「（１）下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。（Ｄ）・・・酸化アンチモン粉末。（Ｅ）・・・溶融シリカ粉末。（Ｆ）下記の一般式（Ｉ）で表されるハイドロタルサイト類化合物。
　　
　MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3)z・mH2O・・・・・（Ｉ）
　　
［式（Ｉ）中、ｘ，ｙおよびｚはそれぞれ０＜ｙ／ｘ≦１，０≦ｚ／ｙ＜１.５なる関係を有し、ｍは整数を示す。］」（特許請求の範囲（１））
(a3-2)「上記エポキシ樹脂組成物のＡ成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するものではなく、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等、従来より用いられている各種のエポキシ樹脂があげられる。・・・上記エポキシ樹脂の中でも好適なエポキシ樹脂としては、・・・ノボラック型エポキシ樹脂であり、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等があげられる。」（第３頁左上欄第１７行〜右上欄第８行）
(a3-3)「上記Ｆ成分は、前記一般式（Ｉ）で表される特殊なハイドロタルサイト類化合物である。この化合物は、エポキシ樹脂組成物中のハロゲンイオンおよび有機酸イオンを自己のＣＯ3−−イオンと置換するか配位結合することによって上記不純イオンを捕捉し、臭素化エポキシ樹脂の熱分解に起因する臭化水素の発生を防止する作用を奏するものと考えられる。・・・・このような化合物は、エポキシ樹脂組成物中における分散性の観点から平均粒径が５μｍ以下で、最大粒径が３０μｍ以下であることが好適である。」（第４頁右上欄第１３行〜左下欄第７行）
　　
甲第４号証（特開昭６１−１９６２５号公報）
(a4-1)「半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂および該樹脂の硬化剤の総量に対し、
　　
　MgxAly(OH)2x+3y-2z(CO3)z・mH2O
　　
（式中、ｘ，ｙ及びｚはそれぞれ０＜ｙ／ｘ≦１，０≦ｚ／ｙ＜１.５なる関係を有し、ｍは整数を表わす。）
で示されるハイドロタルサイト系化合物を０.０５〜２０重量％添加してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
　　
甲第５号証（特開昭６４−７３７４８号公報）
(a5-1)「下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。（Ｄ）・・・酸化アンチモン粉末。（Ｅ）・・・溶融シリカ粉末。（Ｆ）Ｂiの水酸化物、Ｂiの酸化物、Ａlの水酸化物およびＡlの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの化合物。」（特許請求の範囲（１））
(a5-2)「上記Ｆ成分は・・・このような化合物は、エポキシ樹脂組成物中における分散性の観点から平均粒径が０.５〜３０μｍ最大粒径が７４μｍ以下であることが好適である。」（第４頁右上欄第１０〜１６行）
　　
甲第６号証（特開昭６２−１８１３２２号公報）
(a6-1)「(a)エポキシ樹脂　１００重量部、(b)ノボラック型フェノール樹脂　１０〜５０重量部、(c)フェノールアラルキル樹脂　１０〜５０重量部であって、・・・(d)ポリウレタンエラストマー　２〜４０重量部からなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
(a6-2)「本発明に係る組成物中の一成分であるエポキシ樹脂（ａ）は１分子中にエポキシ基を少なくとも２個以上有するものであればいかなるものでもよく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂が挙げられ」（第２頁右上欄第７〜１２行）
　　
甲第７号証（特開昭５７−２１２２２４号公報）
(a7-1)「（１）常温常圧下水またはこれと有機溶剤とを用いて検出されるアルカリ金属イオン含量および加水分解性ハロゲンイオン含量が共にそれぞれ１０ppm以下である下記の三成分；ａ）ノボラック型エポキシ樹脂を主成分とする塩素含量が０.１重量％以下のエポキシ樹脂、ｂ）・・・・ノボラック樹脂、ｃ）・・・溶融シリカ粉末および／または結晶性シリカ粉末、を必須成分とし、かつプレツシャークッカー状態（１２１℃、２気圧、１００％R.H）下で抽出される硬化物のアルカリ金属イオン含量が１０ｐｐｍ以下、ハロゲンイオン含量が１００ｐｐｍ以下・・・となるような配合組成とされた半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（２）ａ成分のエポキシ樹脂の一部としてブロム化エポキシ樹脂を含む特許請求の範囲第（１）項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
　　
甲第８号証（特開昭６２−５９６２６号公報）
(a8-1)「１．エポキシ樹脂と、硬化剤としてフェノール樹脂と、硬化促進剤と、無機充填剤とを含有するエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として有機酸の含有量が１００ｐｐｍ以下、塩素イオンの含有量が２ｐｐｍ以下、加水分解性塩素の総含有量が５００ｐｐｍ以下で、かつα，β−クロルヒドリン基として存在する加水分解性塩素の含有量が４０ｐｐｍ以下、エポキシ当量が１８０〜２３０のクレゾールノボラックエポキシ樹脂を使用し、フェノール樹脂として・・・有機酸の含有量が１００ｐｐｍ以下、遊離のＮａ、Ｃｌが２ｐｐｍ以下、フリーのフェノールが１％以下のノボラック型フェノール樹脂を使用する・・・・・ことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項）
　　
甲第９号証（「機能材料」（株）シーエムシー（昭和５７年９月５日）第１１〜２１頁）
　甲第９号証は、「半導体用封止材料の最新動向」と題する報文であって、以下の記載がなされている。
(a9-1)水、イオン性不純物によるＡｌ配線腐食のメカニズムとして、イオン性不純物の存在等により腐食が進行すること。
　　
（３ａ）対比・判断
(3a-1)本件発明１について
　本件発明１については、実装時のパッケージクラックの発生防止には、特定の樹脂骨格を有するエポキシ樹脂を用い、また、高温放置時の信頼性の保持については、難燃剤の臭素化エポキシ樹脂の熱分解の際に発生するハロゲン化合物ガスを、上記一般式（III）で表わされるハイドロタルサイト類化合物及びビスマス、アルミニウムの水酸化物、酸化物により効果的に捕捉トラップさせるというものである（発明の詳細な説明［作用］の欄参照。）。
　本件発明１と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証には、エポキシ樹脂と充填材とを主成分とする半導体封止用樹脂組成物において、下記式（Ｉ）
　　
　　
（ただし、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂とゴムとを必須成分として含む半導体封止用樹脂組成物（摘記a1-1）の発明が記載されると共に、併せて、上記エポキシ樹脂の好ましい具体例として、4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニル、4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラエチルビフェニル、及び4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラブチルビフェニルが挙げられること（摘記a1-2）、硬化剤として、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂のほか、本件発明１の（Ｂ）成分のフェノールアラルキル樹脂に相当する、下記式（III）で表わされるノボラック樹脂、
　　
　　
（ただし、ｎは０以上の整数を示す。）が挙げられること（摘記a1-3）、アルミナなどを充填剤として用いることができること（摘記a1-4）、及び、難燃剤として臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いた例（摘記a1-5）が記載されており、また、上記のアルミナはアルミニウムの酸化物に該当し、そして、半導体封止用樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置が構成されることは自明である。
　したがって、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とは、エポキシ樹脂を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置において、当該エポキシ樹脂が、一般式（Ｉ）
　
　　
〔上記式（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4は炭素数１〜４のアルキル基である。〕で表わされるエポキシ樹脂、一般式（II）
　
　　
〔上記式（II）において、ｍは０または正の整数である。〕で表わされるフエノールアラルキル樹脂、臭素化エポキシ樹脂、及び、アルミニウムの酸化物を含有する点で軌を一にするものといえる。しかし、
（イ）本件発明１では、エポキシ樹脂の骨格を構成する成分として、特定のエポキシ樹脂（Ａ）とフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて併用するものであるのに対して、甲第１号証にはエポキシ樹脂として上記エポキシ樹脂（Ａ）、及び硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）が、それぞれの化合物の例として挙げられているものの、それらの化合物群から、上記特定のエポキシ樹脂（Ａ）とフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて用いることの記載がない点、及び（ロ）本件発明１では、付加的成分として、難燃剤として機能する臭素化エポキシ樹脂（Ｃ）とハロゲン化合物ガスを捕捉トラップする（Ｄ）成分との双方を併用するものであるのに対して、甲第１号証には、上記（Ｃ）成分に相当する臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びアルミナを充填剤とすることの記載がなされているものの、それら両者を組み合わせて用いた記載はなく、また、甲第１号証の記載においては、アルミナは充填剤の例とされているものであって、本件発明１のようなハロゲン化合物ガスの捕捉トラップ剤とすることの記載はなく、また、甲第１号証の記載では、アルミナ中の塩素イオン、ブロムイオン及び硝酸イオンの含有量も不明である点の各点で、本件発明１は甲第１号証に記載された発明と相違していると認められる。
　そこで、上記相違点（イ）及び（ロ）について、以下検討する。
　　
相違点（イ）について
　本件発明１では、上記のとおり、一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂（Ａ）と、一般式（II）で表されるフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて特定の樹脂骨格を有するエポキシ樹脂とし、半田実装時の加熱に耐えうる低応力性を備え、（発明の詳細な説明［発明が解決しようとする課題］の欄参照。）実装時のパッケージクラックの発生を防止する（発明の詳細な説明［作用］の欄参照。）ものであり、そして、その効果については、実施例、及びエポキシ樹脂としてｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂を用いた比較例により、対比して説明されている。
　一方、甲第１号証には、上記のとおり、エポキシ樹脂（Ａ）とフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて用いた具体的な記載はなく、そして、エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂（Ａ）に相当する4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニルを用いた例（摘記a1-5）における硬化剤は、本件明細書で効果の劣る比較例として示されているフェノールノボラック樹脂である。
　また、他の証拠である甲第２〜９号証の記載を見ても、上記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂（Ａ）と、一般式（II）で表されるフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて、特定のエポキシ樹脂とした具体的な記載は見当たらない。
　そして本件発明１は、当該相違点（イ）に係る構成を含む、前記認定のとおりの構成を有することにより、電子機器への実装に際して前処理を要することなく半田実装時の加熱に耐えうる低応力性を備え、高温雰囲気中の保存安定性に優れた半導体装置を提供し（特許掲載公報第６欄第２５〜２９行参照。）、封止樹脂の吸湿が抑制され、半導体実装におけるパッケージクラックが生じることなく、優れた耐湿信頼性を備え、加えて、高温雰囲気下での長時間の放置によって発生するハロゲン化化合物が効果的に捕捉されて、屋外使用機器のような高温雰囲気下での使用においても優れた信頼性を有する（［発明の効果］の欄参照。）という、明細書に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　してみれば、上記相違点（ロ）について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１〜９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
(3a-2)本件発明２〜６について
　本件発明２〜４は、請求項１又はその下位の請求項を引用して本件発明１を更に具体的に特定して限定したもの、本件発明５は、請求項１に記載されたエポキシ樹脂組成物について「半導体封止用エポキシ樹脂組成物」の発明としたもの、本件発明６は請求項５を引用して本件発明５を更に具体的に特定して限定したものであるから、上記の「(3-1)本件発明１について」の欄に記載したと同様、本件発明２〜６は、甲第１〜９号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　  
(III-ｂ)小野尚純による特許異議申立について
（１ｂ）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　小野尚純は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開昭６３−２５１４１９号公報。特許異議申立人　加藤巨奈江による甲第１号証に同じ。）、甲第２号証（特開平２−１０２２１７号公報）、甲第３号証（特開昭６０−１４７１４１号公報）、甲第４号証（特開平１−２０６６５５号公報。特許異議申立人　加藤巨奈江による甲第２号証に同じ。）、甲第５号証（特開平１−１５７５５８号公報）、甲第６号証（特開昭６３−２５２４５１号公報）、甲第７号証（特開平１−１０８２５６号公報）、甲第８号証（特開昭６４−７３７４９号公報）、甲第９号証（特公昭６２−７２１２号公報。特許異議申立人　加藤巨奈江による甲第７号証（公開公報）に対応する公告公報。）、甲第１０号証（特開昭５３−２９９号公報）、及び甲第１１号証（特開昭５９−６７６６０号公報）を提示して、本件発明１〜６は甲第１〜１１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、その特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
（２ｂ）証拠の記載事実
　甲第１号証（特許異議申立人　加藤巨奈江による甲第１号証に同じ。）、甲第４号証（同上、甲第２号証に同じ。）、及び甲第９号証（同上、甲第７号証（公開公報）に対応する公告公報に該当する。）には、上記「(III-1)加藤巨奈江による特許異議申立について」の「（２ａ）証拠の記載事実」に摘記した事項が記載されており、また、これ以外の証拠には以下の記載がある。
甲第１号証（上記のとおり、特許異議申立人　加藤巨奈江による甲第１号証に対応し、摘記省略。）
甲第２号証（特開平２−１０２２１７号公報）
(b2-1)「（１）Ａ．下記一般式（Ｉ）
　　
　　
（ただし、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂、Ｂ．硬化剤、Ｃ．両末端にカルボン酸基を含有するオルガノポリシロキサンとノボラック型エポキシ樹脂との反応物、Ｄ．シリカ、からなるエポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲（１））
(b2-2)「本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は、上記式（Ｉ）で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂（以下、エポキシ樹脂（Ａ’）と称する）を必須成分として含有することが重要である。・・・・本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ’）の好ましい具体例としては、・・・4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニル、・・・・4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラエチルビフェニル、4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラブチルビフェニルなどが挙げられる。」（第３頁左下欄下から第６行〜右下欄第１７行）
(b2-3)「本発明における硬化剤（Ｂ）はエポキシ樹脂と反応して硬化されるものであれば特に限定されない。たとえば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、下記式（III）で表わされるノボラック樹脂、
　　
　　
（ただし、ｎは０以上の整数を示す。）・・・・などが挙げられるが、特に限定されるものではない。」（第４頁左下欄第１〜下から第４行）
(B2-4)「実施例」において、エポキシ樹脂Ａ１〜Ａ５、及び硬化剤としてフェノールノボラック樹脂を用いてエポキシ樹脂組成物を得た例、及びその試験結果。（第６頁左下欄第４行〜第１２頁末行）
　　
甲第３号証（特開昭６０−１４７１４１号公報）
(b3-1)「１．少なくとも、一般式［Ｉ］
　　
［Ｍ２＋１−ｘＭ３＋ｘ（ＯＨ）ｍ］＋ｘ・ＸＲ−・ｎＨ２Ｏ　　　［Ｉ］
　　
［式中、Ｍ２＋はＭg２＋、Ｚn２＋、Ｎi２＋、Ｍ３＋はＡl３＋、Ｆe３＋、Ｃr３＋、Ｒ−はＣl−、ＮＯ３−、ＣlＯ４−、ＣＯ３２−、ＳＯ４２−、Ｆe（ＣＮ）６４−、Ｘは１／６≦Ｘ＜１／３、ｍ，ｎは正の整数で表わされる］で表わされるハイドロタルサイド類化合物を含む樹脂組成物により、少なくとも半導体素子及びリードフレームの一部を封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲）
(b3-2)「上記、ハイドロタルサイド類化合物は、・・・アニオンによってイオン交換する作用を有する。このため、エポキシ樹脂・・・中の加水分解性Ｃlを始め、シラン系カップリング剤などより生成する有機酸の捕捉に極めて有効であり・・・。このため・・・高温高湿下に於ける樹脂封止型半導体装置の信頼性向上に大きな効果を発揮する。」（第２頁右上欄第７〜１９行）
(b3-3)「ベース樹脂としては、例えばエポキシ樹脂・・・などが挙げられる。」（第２頁左下欄第１〜６行）
　　
甲第４号証（上記のとおり、特許異議申立人　加藤巨奈江による甲第２号証に対応し、摘記省略。）
甲第５号証（特開平１−１５７５５８号公報）
(b5-1)「（１）少なくとも一部が下記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂主剤成分と、少なくとも一部が下記の一般式（II）で表されるフェノール樹脂からなるフェノール樹脂硬化剤成分と、無機質充填剤を主成分とし、ハイドロタルサイト類化合物および水酸化ビスマス、五酸化アンチモン化合物の少なくとも一方を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
・・・・一般式（Ｉ）、（II）略・・・・」（特許請求の範囲）
　　
甲第６号証（特開昭６３−２５２４５１号公報）
(b6-1)「（１）下記（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂。（Ｃ）ハイドロタルサイト類化合物。（Ｄ）Ｓb２Ｏ５・４Ｈ２Ｏ。」（特許請求の範囲）
　　
甲第７号証（特開平１−１０８２５６号公報）
(b7-1)「１．（Ａ）構造式
　　
　　
（式中、ｎは繰り返し単位の数を示す０〜１．０の数）で示されるエポキシ樹脂および、（Ｂ）・・・クレゾールノボラック樹脂を必須成分として含有することを特徴とする電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料。」（特許請求の範囲）
　　
甲第８号証（特開昭６４−７３７４９号公報）
(b8-1)「（１）下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）臭素化エポキシ樹脂。（Ｄ）Ｂiの水酸化物、Ｂiの酸化物、Ａlの水酸化物およびＡlの酸化物からなる群から選択された少なくとも一つの化合物であって、塩素イオン、ブロムイオン、硝酸イオンの含有量がそれぞれ５ｐｐｍ以下の化合物。」（特許請求の範囲（１））
(b8-2)「Ｄ成分の化合物は、平均粒径が０.５〜３０μｍで、最大粒径が７４μｍ以下の微粒子であることが好ましい。」（第３頁右下欄第１９行〜第４頁左上欄第１行）
(b8-3)「Ｄ成分が、高温雰囲気中における長時間放置において発生するハロゲン化合物を捕捉するため、高温放置に優れた信頼性を保つことができると同時に、耐湿性の低下をも招くことがない。」（第４頁左下欄第５〜８行）
　　
甲第９号証（上記のとおり、特許異議申立人　加藤巨奈江による甲第７号証（公開公報）に対応する公告公報に該当し、摘記省略。）
甲第１０号証（特開昭５３−２９９号公報）
(b10-1)「１．エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤とよりなる半導体装置封止用樹脂組成物において、硬化剤として一般式
　　
　　
（式中、Ｒはフェニル基、ジフェニル基、ジフェニルエーテル基、ジフェニルメタン基、ジフェニルスルホン基、ジフェニルケトン基、ジフェニルイソプロピル基またはそれらの基に置換基として炭素数４個以下のアルキル基で、ｎが０〜５である。）
で示される少なくとも１種のフェノール樹脂で、未反応のフェノールが５％以下のものを使用することを特徴とする半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
(b10-2)実施例１及び２においては、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、及び前記一般式のＲがフェニル基、Ｒ’が水素、ｎが１のフェノール系樹脂を用い、実施例３においては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、及び前記一般式でＲがフェニル基，Ｒ’が水素、ｎが１であるフェノール系樹脂を用いたこと。（第３頁右上欄第９行〜第４頁左上欄第３行）
　　
甲第１１号証（特開昭５９−６７６６０号公報）
(b11-1)「（１）半導体装置をエポキシ樹脂組成物で封止して成る樹脂封止型半導体装置において、該エポキシ樹脂組成物が、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）フェノールアラルキル樹脂および（ｃ）有機ホスフィン化合物を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲（１））
(b11-2)「本発明において用いられるエポキシ樹脂は通常知られているものであり、特に限定されない。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などグリシジルエーテル型エポキシ樹脂・・・・など一分子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂が挙げられる。本発明において用いられる更に好ましいエポキシ樹脂は・・・ノボラック型エポキシ樹脂であって」（第３頁左上欄第１７行〜右上欄第１１行）
(b11-3)「本発明においてエポキシ樹脂の硬化剤として用いられるフェノールアラルキル樹脂は一般式［Ｉ］で示すことができる。
　　
　　
ただしｎは１以上の整数である。」（第３頁左下欄第１〜５行）
　　
（３ｂ）対比・判断
(3b-1)本件発明１について
　本件発明１と、甲第１号証（即ち、特許異議申立人　加藤巨奈江による甲第１号証。）に記載された発明とを対比すると、特許異議申立人　加藤巨奈江による特許異議申立につき、上記「(3a-1)本件発明１について」の欄に記載したと同様、甲第１号証には、エポキシ樹脂と充填材とを主成分とする半導体封止用樹脂組成物において、下記式（Ｉ）
　　
　　
（ただし、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂とゴムとを必須成分として含む半導体封止用樹脂組成物（摘記a1-1）の発明が記載されると共に、併せて、上記エポキシ樹脂の好ましい具体例として、4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニル、4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラエチルビフェニル、及び4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラブチルビフェニルが挙げられること（摘記a1-2）、硬化剤として、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂のほか、本件発明１の（Ｂ）成分のフェノールアラルキル樹脂に相当する、下記式（III）で表わされるノボラック樹脂、
　　
　　
（ただし、ｎは０以上の整数を示す。）が挙げられること（摘記a1-3）、アルミナなどを充填剤として用いることができること（摘記a1-4）、及び、難燃剤として臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いた例（摘記a1-5）が記載されており、また、上記のアルミナはアルミニウムの酸化物に該当し、そして、半導体封止用樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置が構成されることは自明である。
　したがって、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とは、エポキシ樹脂を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置において、当該エポキシ樹脂が、一般式（Ｉ）
　
　　
〔上記式（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ4は炭素数１〜４のアルキル基である。〕で表わされるエポキシ樹脂、一般式（II）
　
　　
〔上記式（II）において、ｍは０または正の整数である。〕で表わされるフエノールアラルキル樹脂、臭素化エポキシ樹脂、及び、アルミニウムの酸化物を含有する点で軌を一にするものといえる。しかし、
（イ）本件発明１では、エポキシ樹脂の骨格を構成する成分として、エポキシ樹脂（Ａ）とフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて併用するものであるのに対して、甲第１号証にはエポキシ樹脂として上記エポキシ樹脂（Ａ）、及び硬化剤としてフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）が、それぞれの化合物の例として挙げられているものの、それらの化合物群から、上記特定のエポキシ樹脂（Ａ）とフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて用いることの記載がない点、及び（ロ）本件発明１では、付加的成分として、難燃剤として機能する臭素化エポキシ樹脂（Ｃ）とハロゲン化合物ガスを捕捉トラップする（Ｄ）成分との双方を併用するものであるのに対して、甲第１号証には、上記（Ｃ）成分に相当する臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びアルミナを充填剤とすることの記載がなされているものの、それら両者を組み合わせて用いた記載はなく、また、甲第１号証の記載においては、アルミナは充填剤の例とされているものであって、本件発明１のようなハロゲン化合物ガスの捕捉トラップ剤とすることの記載はなく、また、甲第１号証の記載では、アルミナ中の塩素イオン、ブロムイオン及び硝酸イオンの含有量も不明である点の各点で、本件発明１は甲第１号証に記載された発明と相違していると認められる。
　そこで、上記相違点（イ）及び（ロ）について、以下検討する。
　　
相違点（イ）について
　本件発明１では、上記のとおり、一般式（Ｉ）で表される特定のエポキシ樹脂（Ａ）と、一般式（II）で表されるフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて特定の樹脂骨格を有するエポキシ樹脂とし、半田実装時の加熱に耐えうる低応力性を備え、（発明の詳細な説明［発明が解決しようとする課題］の欄参照。）実装時のパッケージクラックの発生を防止する（発明の詳細な説明［作用］の欄参照。）ものであり、そして、その効果については、実施例、及びエポキシ樹脂としてｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂を用いた比較例により、対比して説明されている。
　一方、甲第１号証には、上記のとおり、エポキシ樹脂（Ａ）とフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて用いた具体的な記載はなく、そして、エポキシ樹脂としてエポキシ樹脂（Ａ）に相当する4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニルを用いた例（摘記a1-5）における硬化剤は、本件明細書で効果の劣る比較例として示されているフェノールノボラック樹脂である。
　他方、甲第２号証には、「（１）Ａ．下記一般式（Ｉ）
　　
　　
（ただし、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂、Ｂ．硬化剤、Ｃ．両末端にカルボン酸基を含有するオルガノポリシロキサンとノボラック型エポキシ樹脂との反応物、Ｄ．シリカ、からなるエポキシ樹脂組成物。」（摘記b2-1）が記載されると共に、併せて、上記エポキシ樹脂の好ましい具体例として、4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニル、4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラエチルビフェニル、及び4,4'-ビス（2,3-エポキシプロポキシ）-3,3',5,5'-テトラブチルビフェニルなどが挙げられること（摘記b2-2）、硬化剤として、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂のほか、下記式（III）で表わされるノボラック樹脂、
　　
　　
（ただし、ｎは０以上の整数を示す。）などが挙げられること（摘記b2-3）が記載されているが、本件発明１との対比関係においては、上記甲第１号証を越える開示があるとは認められない。
　そして、他の証拠である甲第３〜１１号証の記載を見ても、上記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂（Ａ）と、一般式（II）で表されるフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）とを組み合わせて、特定のエポキシ樹脂とした具体的な記載は見当たらない。
　そして本件発明１は、当該相違点（イ）に係る構成を含む、前記認定のとおりの構成を有することにより、電子機器への実装に際して前処理を要することなく半田実装時の加熱に耐えうる低応力性を備え、高温雰囲気中の保存安定性に優れた半導体装置を提供し（特許掲載公報第６欄第２５〜２９行参照。）、封止樹脂の吸湿が抑制され、半導体実装におけるパッケージクラックが生じることなく、優れた耐湿信頼性を備え、加えて、高温雰囲気下での長時間の放置によって発生するハロゲン化化合物が効果的に捕捉されて、屋外使用機器のような高温雰囲気下での使用においても優れた信頼性を有する（［発明の効果］の欄参照。）という、明細書に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　してみれば、上記相違点（ロ）について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１〜１１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
(3b-2)本件発明２〜６について
　本件発明２〜４は、請求項１又はその下位の請求項を引用して本件発明１を更に具体的に特定して限定したもの、本件発明５は、請求項１に記載されたエポキシ樹脂組成物について「半導体封止用エポキシ樹脂組成物」の発明としたもの、本件発明６は請求項５を引用して本件発明５を更に具体的に特定して限定したものであるから、上記の「(3b-1)本件発明１について」の欄に記載したと同様、本件発明２〜６は、甲第１〜１１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人　加藤巨奈江及び小野尚純の主張する理由及び提示した証拠によっては、本件発明１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月１７日（２００１．７．１７）