【事件の表示】
　特許第３０２３７２９号「液晶表示装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０２３７２９号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第３０２３７２９号の請求項１ないし４に係る発明についての出願は、平成４年２月２８日に出願され、平成１２年１月２１日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、鈴木玉緒より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１月３０日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者は、以下の訂正を求めるものである。
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の【請求項１】を、「薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続させて配置した画素電極を備えた第１の基板、該画素電極に対して対向させて配置した透明電極を備えた第２の基板、並びに第１の基板と第２の基板との間隙に配置した液晶を有する液晶表示装置において、前記第１の基板は、前記薄膜トランジスタの上に絶縁膜を介して金属膜よりなる第１の遮光層が設けられているとともに、該第１の遮光層とは非接続で、且つ、前記画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなる第２の遮光層が設けられ、該第１の遮光層と該第２の遮光層とで画素部を除いて配置されてなり、光を第２の基板側より入射させ、第１の基板側に透過させるようにしたことを特徴とする液晶表示装置。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　【０００６】に係る記載を、「【０００６】【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続させて配置した画素電極を備えた第１の基板、該画素電極に対して対向させて配置した透明電極を備えた第２の基板、並びに第１の基板と第２の基板との間隙に配置した液晶を有する液晶表示装置において、前記第１の基板は、前記薄膜トランジスタの上に絶縁膜を介して金属膜よりなる第１の遮光層が設けられているとともに、該第１の遮光層とは非接続で、且つ、前記画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなる第２の遮光層が設けられ、該第１の遮光層と該第２の遮光層とで画素部を除いて配置されてなり、光を第２の基板側より入射させ、第１の基板側に透過させるようにしたことを特徴とする液晶表示装置である。」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、明細書の段落【００１２】、および図１、図４の記載に基づき特許請求の範囲を減縮するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　訂正事項ｂは、訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについての判断
　ア．本件発明
　訂正明細書の請求項１ないし４に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明４」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続させて配置した画素電極を備えた第１の基板、該画素電極に対して対向させて配置した透明電極を備えた第２の基板、並びに第１の基板と第２の基板との間隙に配置した液晶を有する液晶表示装置において、前記第１の基板は、前記薄膜トランジスタの上に絶縁膜を介して金属膜よりなる第１の遮光層が設けられているとともに、該第１の遮光層とは非接続で、且つ、前記画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなる第２の遮光層が設けられ、該第１の遮光層と該第２の遮光層とで画素部を除いて配置されてなり、光を第２の基板側より入射させ、第１の基板側に透過させるようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記画素電極と前記第２の遮光層とは、互いに、接続させて配置したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記画素電極と前記第２の遮光層とは、絶縁膜を間にして配置してなり、該画素電極と該第２の遮光層との間で蓄積容量を形成してなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記第２の基板は、カラーフィルターが配置されていることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の液晶表示装置。」
イ．申し立て理由の概要
　申立人鈴木玉緒は、証拠として、甲第１号証（特願平３−５０３４号（特開平４−２３７０２７号公報））、甲第２号証（特願平２−２０３３６７号（特開平４−８６８０９号公報））、甲第３号証（特願平３−２９４９６８号（特開平５−１０７５５０号公報））を提出して、訂正前の請求項１及び２に係る発明は特許法第２９条の２の規定に違反しており、さらに、甲第４号証（特開平３−２３９２２９号公報）、甲第５号証（特開平３−３７６２５号公報）、甲第６号証（特開平２−３０８１３１号公報）、甲第７号証（特開平２−２３４１２７号公報）を提出して、訂正前の請求項１〜４に係る発明は特許法２９条２項の規定に違反しているから、特許を取り消すべき旨主張している。
ロ．本件発明１〜４について
　これに対して、当審が、平成１２年１１月２１日付けで通知した取消理由において引用した刊行物１：特開平３−２３９２２９号公報には以下の事項が記載されている。
「本発明を実施例について以下に説明する。以下の実施例では、スイッチング素子としてＴＦＴを用いているが、他の例えばＭＩＭ（金属−絶縁層−金属）等を用いることができる。第１図に本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いられる、アクティブマトリクス基板の平面図を示す。・・・また、本実施例では絵素電極４の外周及び周縁部に重なるように、付加容量用電極５が形成されている。そして、後述するように、付加容量用電極５は絵素電極４の周縁部と、ゲート絶縁膜８を挟んで対向している。付加容量用電極５は不透明金属層から形成されているので、遮光膜としても機能し得る。」（第３頁右下欄第１８行〜第４頁右上欄第５行）
　上記の記載事項によると、刊行物１には以下の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「不透明金属層から形成され、遮光膜としても機能し得る付加容量用電極が絵素電極の外周及び周縁部に重なるように、絵素電極の周縁部と、ゲート絶縁膜を挟んで対向して形成されているアクティブマトリクス液晶表示装置」
　同じく引用された刊行物２：特開平３−３７６２５号公報には以下の事項が記載されている。
「本発明を実施例について以下に説明する。第１図に本発明を構成するアクティブマトリクス基板の一実施例の平面図を示す。第１図のIII−III線に沿った断面図を第３図に示す。透明基板上にＴａから成るゲートバスライン１４が平行して設けられ、ゲートバスライン１４に直交して、Ｔｉから成るソースバスライン１３が設けられている。ゲートバスライン１４と、ソースバスライン１３との交点近傍のゲートバスライン１４上には、スイッチング素子としＴＦＴ１５が形成されている。ＴＦＴ１５のソース電極３０及びドレイン電極３１は、ソースバスライン１３と同時に形成される。ドレイン電極３１には絵素電極１２が接続されている。更に、ドレイン電極３１に接して、液晶配向の乱れが発生した領域の遮光を行うための、遮光膜３３が形成されている。・・・ドレイン電極３１の形成時に、前述の遮光膜が同時にパターン形成される。本実施例では遮光膜３３は、ドレイン電極３１に電気的に接続された状態で形成される。遮光膜３３上には、ゲート絶縁膜２７上に形成された絵素電極１２の一部が重畳されている。・・・アクティブマトリクス基板１０に対向する対向基板２０では、透明基板２１上にブラックマスク２５及びカラーフィルタ２２が形成され、更に、対向電極２３及びカラーフィルタ２２が形成され、更に、対向電極２３及び配向膜２４が全面に形成されている。アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０との間には、液晶３５が封入され、本実施例のアクティブマトリクス表示装置が得られる。」（第３頁右上欄第第５行〜右下欄第１４行）
「第４図〜第６図に、本発明の表示装置に用いられる遮光膜３３の他の形状を示す。・・・本実施例では遮光膜３３をソース電極３０及びドレイン電極３１と同じ材料で形成したが、ゲート電極と同じ材料で形成してもよい。」（第４頁左上欄第１２行〜第２０行）
　これらの記載事項によると、刊行物２には以下の発明（以下「刊行物２記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「絵素電極の周囲の重畳する位置に、ＴＦＴの電極と同じ材料よりなる遮光膜を設けたアクティブマトリクス液晶表示装置」
　同じく引用された刊行物３：特開平２−３０８１３１号公報には以下の事項が記載されている。
「課題を解決するための手段
本発明は、一方の基板上に形成された半導体スイッチング素子を介して絵素電極に、一方電位を与え、他方の透光性基板上に前記絵素電極に対応して形成した対向電極に他方電位を与え、両基板間に液晶が充填され、前記他方基板上には、半導体スイッチング素子に対応して遮光膜が配置される液晶表示装置において、前記一方基板上の半導体スイッチング素子上に、もう１つの遮光膜が形成されることを特徴とする液晶表示装置である。
作用
　本発明に従えば、半導体スイッチング素子に対応して前記他方基板上に遮光膜が形成され、これによって半導体スイッチング素子への光が直接に入射することが防がれる。また前記一方基板上では、その半導体スイッチ素子上に、もう一つの遮光膜が形成される。したがって、前記他方基板上の遮光膜を通して漏れた光は、この半導体スイッチング素子上の遮光膜で遮断され、また本件液晶表示装置内に入射して多重反射した光が、この半導体スイッチング素子上の遮光膜によって遮光される。したがって、半導体スイッチング素子上に光が入射されることがなくなる。そのため特性の劣化が防がれ、表示品位の向上を図ることができる。前記一方基板上の半導体スイッチング素子上に、上述のようにもう１つの遮光膜を形成し、この遮光膜は、前記一方基板上で絵素電極以外の領域にもまた形成するようにしてもよく、これによって前記一方基板上に形成された絵素電極と、ソースバス電極およびゲートバス電極などのような導体との間からの光漏れを防止することができるのは勿論、その遮光膜の開口面積を可及的に大きくして、開口率の低下を防止することができる。」（第２頁左下欄第２行〜右下欄第１８行）
「本発明のさらに他の実施例として、薄膜トランジスタ１０上に電気絶縁性保護膜を形成し、その上に遮光膜１１として金属材料から成る層を形成してもよい。本発明は透過型液晶表示装置に関連して実施することができるだけでなく」（第４頁左下欄第１８行〜第４頁右下欄第３行）
　これらの記載事項によると、刊行物３には以下の発明（以下「刊行物３記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「一方の基板上に形成された半導体スイッチング素子を介して絵素電極に、一方電位を与え、他方の透光性基板上に前記絵素電極に対応して形成した対向電極に他方電位を与え、両基板間に液晶が充填され、前記他方基板上には、半導体スイッチング素子に対応して遮光膜が配置され、光を前記他方基板から入射させ、前記他方基板側に透過させる液晶表示装置において、前記一方基板上の半導体スイッチング素子である薄膜トランジスタ上に電気絶縁性保護膜を形成し、その上に遮光膜として金属材料から成る層を形成し、さらに、前記一方基板上で絵素電極以外の領域にもまた遮光膜を形成した透過型液晶表示装置」
　
　本件発明１について
　本件発明１と引用刊行物３記載の発明とを対比すると、引用刊行物３記載の発明の「一方の基板」、「他方の基板」、「遮光膜」、「絵素電極」は、本件発明１の「第１の基板」、「第２の基板」、「遮光層」、「画素電極」に相当するので、本件発明１と引用刊行物３記載の発明とは、「薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続させて配置した画素電極を備えた第１の基板、該画素電極に対して対向させて配置した透明電極を備えた第２の基板、並びに第１の基板と第２の基板との間隙に配置した液晶を有する液晶表示装置において、前記第１の基板は、前記薄膜トランジスタの上に絶縁膜を介して金属膜よりなる第１の遮光層が設けられているとともに、前記画素電極の周囲に、第２の遮光層が設けられ、該第１の遮光層と該第２の遮光層とで画素部を除いて配置されてなり、光を第２の基板側より入射させ、第１の基板側に透過させるようにした液晶表示装置。」において一致するが、以下の点で相違する。
 本件発明１は、第２の遮光層が第１の遮光層とは非接続で、且つ、画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなるものであるのに対して、引用刊行物３記載の発明はそのような構成を有していない点。
　上記相違点について検討すると、アクティブマトリクス液晶表示装置において、画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなるなる遮光層を設けることは刊行物１および２に記載されている。また、刊行物３記載の発明において、第１の遮光層と第２の遮光層を非接続となるように別々に形成することも当業者が適宜なし得ることである。
　したがって、引用刊行物３記載の発明に、刊行物１または２記載の公知技術を付加して、第２の遮光層が第１の遮光層とは非接続で、且つ、画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなるものとすることに何ら困難性はない。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１ないし３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　本件発明２について
　本件発明２は本件発明１において、画素電極と第２の遮光層とを、互いに、接続させて配置したものである。
　しかしながら、刊行物２記載の発明の画素電極と第２の遮光層とは、第３図にも記載されているように、互いに、接続させて配置したものである。
　したがって、本件発明２は、本件発明１と同様の理由により、刊行物１ないし３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　本件発明３について
　本件発明３は本件発明１において、画素電極と第２の遮光層とを、絶縁膜を間にして配置し、画素電極と第２の遮光層との間で蓄積容量を形成したものである。
  しかしながら、刊行物１記載の発明は、画素電極と第２の遮光層とを、絶縁膜を間にして配置し、画素電極と第２の遮光層との間で蓄積容量を形成したものである。
　したがって、本件発明３は、本件発明１と同様の理由により、刊行物１ないし３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１〜本件発明３いずれかにおいて、第２の基板に、カラーフィルターを配置したものである。
　しかしながら、アクティブマトリクス液晶表示装置において、対向基板（第２の基板）に、カラーフィルターを配置したものは刊行物２にも記載されるように周知である。
　そして、本件発明１〜本件発明３において、上記周知技術を付加することによる格別の効果も認められない。
　したがって、本件発明４は、本件発明１〜本件発明３と同様の理由により、刊行物１ないし３記載の発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし４についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１３年３月１４日（２００１．３．１４）
【訂正の要旨】
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の【請求項１】を、「薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続させて配置した画素電極を備えた第１の基板、該画素電極に対して対向させて配置した透明電極を備えた第２の基板、並びに第１の基板と第２の基板との間隙に配置した液晶を有する液晶表示装置において、前記第１の基板は、前記薄膜トランジスタの上に絶縁膜を介して金属膜よりなる第１の遮光層が設けられているとともに、該第１の遮光層とは非接続で、且つ、前記画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなる第２の遮光層が設けられ、該第１の遮光層と該第２の遮光層とで画素部を除いて配置されてなり、光を第２の基板側より入射させ、第１の基板側に透過させるようにしたことを特徴とする液晶表示装置。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　【０００６】に係る記載を、「【０００６】【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続させて配置した画素電極を備えた第１の基板、該画素電極に対して対向させて配置した透明電極を備えた第２の基板、並びに第１の基板と第２の基板との間隙に配置した液晶を有する液晶表示装置において、前記第１の基板は、前記薄膜トランジスタの上に絶縁膜を介して金属膜よりなる第１の遮光層が設けられているとともに、該第１の遮光層とは非接続で、且つ、前記画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなる第２の遮光層が設けられ、該第１の遮光層と該第２の遮光層とで画素部を除いて配置されてなり、光を第２の基板側より入射させ、第１の基板側に透過させるようにしたことを特徴とする液晶表示装置である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続させて配置した画素電極を備えた第１の基板、該画素電極に対して対向させて配置した透明電極を備えた第２の基板、並びに第１の基板と第２の基板との間隙に配置した液晶を有する液晶表示装置において、前記第１の基板は、前記薄膜トランジスタの上に絶縁膜を介して金属膜よりなる第１の遮光層が設けられているとともに、該第１の遮光層とは非接続で、且つ、前記画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなる第２の遮光層が設けられ、該第１の遮光層と該第２の遮光層とで画素部を除いて配置されてな
り、光を第２の基板側より入射させ、第１の基板側に透過させるようにした
　【請求項２】前記画素電極と前記第２の遮光層とは、互いに、接続させて配置したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
　【請求項３】前記画素電極と前記第２の遮光層とは、絶縁膜を間にして配置してなり、該画素電極と該第２の遮光層との間で蓄積容量を形成してなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
　【請求項４】前記第２の基板は、カラーフィルターが配置されていることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、液晶表示装置、特にそれぞれ電極が形成されてなる一対の基板間に挟持されてなる液晶層及び複数のカラーフィルターを有してなる液晶表示装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、カラーフィルターを有する液晶表示装置では、表示部分以外を遮光する必要がある。従来、この遮光層を設ける手段として、特開平２−１１８５１９号公報には、カラーフィルター側の基板のカラーフィルター間の境界部分に遮光層を設けることが、特開昭６０−２４３６３８号公報には、やはりカラーフィルター側の基板の画素部以外にダミーのカラーフィルターを設け、これを遮光層とすることが開示されている。
　【０００３】
　しかし、前者の場合には、上下基板を貼り合わせるセル組み時に上下の画素を正確に合わせないと、表示品位が低下したり、さらには、色ズレを起こしてしまうため、高精度な貼り合わせ装置が必要であった。また、表示ムラを防止するため、遮光層の開口部の大きさより下電極の画素の大きさを小さくしなければならないという問題もあった。
　【０００４】
　更に、後者の場合にはカラーフィルターのみで遮光するため、斜め入光、迷光等により画質が低下するという問題があった。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、カラーフィルタ基板とＴＦＴ基板の貼り合わせ精度を緩和した、光利用率が高く、しかも表示ムラのない液晶表示装置を提供することを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　即ち、本発明は、薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタに接続させて配置した画素電極を備えた第１の基板、該画素電極に対して対向させて配置した透明電極を備えた第２の基板、並びに第１の基板と第２の基板との間隙に配置した液晶を有する液晶表示装置において、前記第１の基板は、前記薄膜トランジスタの上に絶縁膜を介して金属膜よりなる第１の遮光層が設けられているとともに、該第１の遮光層とは非接続で、且つ、前記画素電極の周囲の重畳する位置に、金属膜よりなる第２の遮光層が設けられ、該第１の遮光層と該第２の遮光層とで画素部を除いて配置されてなり
、光を第２の基板側より入射させ、第１の基板側に透過させるようにした
　【０００７】
　【実施例】
　以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
　【０００８】
　（実施例１）
　図１は本実施例の液晶表示装置の概略断面図、図２は図１の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。
　【０００９】
　図１において、ＴＦＴ基板１１とカラーフィルター基板１２間に液晶層１０が挟持されている。ＴＦＴ基板１１は、石英ガラス、コーニング＃７０５９（コーニング社製）等に代表される低アルカリガラスより成るガラス基板１上にポリシリコン、アモルファスシリコン等でＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２が形成されている。遮光層４はＴＦＴ２を形成するプロセスで、例えばＣｒ、Ａｌ等の金属膜により画素電極（画素部）３以外を覆う様に形成する。ＴＦＴ２を形成後、ＴＦＴ２上に保護膜５を形成する。
　【００１０】
　カラーフィルター基板１２は、ガラス基板９上に複数のカラーフィルター８、保護膜７、透明（画素）電極６を形成してなる。
　【００１１】
　図２に示す様にＴＦＴ基板１１上のＴＦＴは、ソース電極２２、ゲート電極２３、ドレイン電極２４、絶縁膜２５、半導体層２６よりなり、遮光層４は画素電極３上（第２の遮光層）及びＴＦＴ上（第１の遮光層）の２層に形成される。
　【００１２】
　本実施例では、入射光はカラーフィルター１２側より入射し、ＴＦＴ基板１１側に透過する。
　【００１３】
　本実施例によれば、カラーフィルター基板に遮光層を設けた場合より遮光層と画素電極の重なり部分が狭くなり、光の利用率が向上する。
　【００１４】
　（実施例２）
　図４は本実施例の液晶表示装置の概略断面図、図５は図４の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。
　【００１５】
　ＴＦＴ基板１１としてＳｉウエハを使用し、第２の遮光層と画素電極間に絶縁膜を配置した以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を製造した。尚、画素部のＳｉウエハは裏面からエッチングにより除去し、光透過可能とした。
　【００１６】
　ＴＦＴ基板１１に用いたＳｉウエハの作成方法は以下に示す通りである。
　【００１７】
　３００ミクロンの厚みを持ったＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基板にＨＦ溶液中において陽極化成を施し、多孔質Ｓｉ基板を形成した。
　【００１８】
　陽極化成条件は以下のとおりであった。
　【００１９】
印加時間：　　　　　２．６　（Ｖ）
電流密度：　　　　　３０　（ｍＡ・ｃｍ−２）
陽極化成溶液：　　　ＨＦ：Ｈ２Ｏ：Ｃ２Ｈ５ＯＨ＝１：１：１
時間：　　　　　　　２．４　（時間）
多孔質Ｓｉの厚み：　３００　（μｍ）
Ｐｏｒｏｓｉｔｙ：　５６　（％）
　こうして得られたＰ型（１００）多孔質Ｓｉ基板上に減圧ＣＶＤ法により、Ｓｉエピタキシャル層を１．０ミクロンの層厚で成長させた。堆積条件は、以下のとおりである。
　【００２０】
ソースガス：　　　ＳｉＨ４
キヤリヤーガス：　Ｈ２
温度：　　　　　　８５０℃
圧力：　　　　　　１×１０−２Ｔｏｒｒ
成長速度：　　　　３．３ｎｍ／ｓｅｃ
　次に、このエピタキシャル層の表面に１０００オングストロームの酸化層を形成し、その酸化表面に、表面に５０００オングストロームの酸化層、１０００オングストロームの酸化層、１０００オングストロームの窒化層を形成したもう一方のＳｉ基板を重ね合せ、窒素雰囲気中で８００℃、０．５時間加熱することにより、２つのＳｉ基板を強固に貼り合わせた。
　【００２１】
　その後、該貼り合わせた基板を４９％弗酸とアルコールと３０％過酸化水素水との混合液（１０：６：５０）中で攪拌することなく選択エッチングした。６５分後には、非多孔質Ｓｉ層だけがエッチングされずに残り、単結晶Ｓｉをエッチ・ストップの材料として、多孔質Ｓｉ基板は選択エッチングされ、完全に除去された。非多孔質Ｓｉ単結晶の該エッチング液に対するエッチング速度は、極めて低く６５分後でもエッチング層は５０オングストローム以下であり、多孔質層のエッチング速度との選択比は十の５乗以上にも達し、非多孔質層におけるエッチング量（数十オングストローム）は実用上無視できる程度のものであった。こうしたところ、２００ミクロンの厚みをもった多孔質化されたＳｉ基板は除去され、ＳｉＯ２上に１．０μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。ソースガスとして、ＳｉＨ２Ｃｌを用いた場合には、成長温度を数十度上昇させる必要があるが、多孔質基板に特有な増速エッチング特性は維持された。
　【００２２】
　以上の方法で作成したＳｉウエハは、経済性に優れ、大面積に亙り均一平坦な極めて優れた結晶性を有する。
　【００２３】
　本実施例によれば、遮光層金属の電位を画素配列の周囲部で取ることで、第２の遮光層を共通電極線とし、遮光金属層と画素電極の間に蓄積容量を形成できる。
　【００２４】
　（実施例３）
　図３は本実施例の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面構造図である。図３に示す様に、遮光層４をテーパーエッチした以外は実施例２と同様にして液晶表示装置を製造した。
　【００２５】
　本実施例によれば、画素部及びその周辺の段差３０が小さくなるため、液晶の配向乱れを防止でき、良好な画質が得られる。
　【００２６】
　【発明の効果】
　以上説明の様に、本発明によれば、ＴＦＴ側に遮光層を設けるため、カラーフィルター基板とＴＦＴの貼りあわせ精度が緩和され、高精度ではなく普通の貼り合わせ機での貼り合わせが可能である。
　【００２７】
　また、遮光層をＴＦＴと同様なフォトプロセスで形成することが可能となり、画素と遮光層の合わせ精度が格段に向上した。そのため、画素に対する遮光層の開口部が広がり、液晶パネルの光利用率が向上し、表示品位の高い液晶表示装置が得られた。
　【００２８】
　更に、高精度な遮光が可能なためカラーフィルター間の色調が干渉しあうことがなく、鮮明なコントラストの優れた液晶表示装置が得られた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　実施例１の液晶表示装置の概略断面図。
　【図２】
　図１の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面構造図。
　【図３】
　実施例３の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面構造図。
　【図４】
　実施例２の液晶表示装置の概略断面図。
　【図５】
　図４の液晶表示装置におけるＴＦＴ基板の断面構造図。