【事件の表示】
　特許第２９８３０２０号「ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９８３０２０号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第２９８３０２０号は、平成１０年１２月１８日に特許出願され、平成１１年９月２４日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人荒井純子から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１０月１０日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年３月６日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要　
　異議申立人荒井純子は、甲第１号証（特開平8-101493号公報）、甲第２号証（特開平8-82916号公報）、甲第３号証（特開昭63-52142号公報）、甲第４号証（特公昭62-27387号公報）、甲第５号証（特公昭62-37386号公報）、甲第６号証（特公昭62-32782号公報）、甲第７号証（特公昭62-27386号公報）、甲第８号証（特公昭61-46821号公報）、甲第９号証（特公昭62-37385号公報）、甲第１０号証（特開平3-168747号公報）、甲第１１号証（「フォトマスク技術のはなし」第84〜87頁　1997年10月20日初版第2刷発行）及び甲第１２号証（特願平9-171322号（特開平11-15135号公報参照））を提出し、以下の理由により、本件請求項１〜１０に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証記載の発明と同一であり、本件請求項１〜３に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明であるから、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証〜甲第１０号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであり、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項４〜１０に係る発明は、甲第１号証〜甲第１１号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項４〜１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項１〜１０に係る発明は、甲第１２号証記載の発明と同一であり、本件請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３９条第１項の規定に違反してなされたものである。
１．２　異議申立人荒井純子が提出した甲第１〜１２号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証には、特許請求の範囲に、「【請求項１】　透明基板と、その透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、そのハーフトーン材料膜上に積層されていてそのハーフトーン材料膜に対して選択エッチングが可能な金属膜とを有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。」、「【請求項３】　請求項１又は請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクにおいて、金属膜はＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ又はこれらを積層した複合膜によって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク。」、「【請求項５】　透明基板上に希望パターンのハーフトーン材料膜を形成して成るハーフトーン型位相シフトマスクを製造する製造方法において、（１）請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクの金属膜の上にレジスト膜を積層し、（２）レジスト膜をパターニングし、（３）パターニングされたレジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングによってパターニングし、（４）パターニングされたレジスト膜及び金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングし、さらに（５）レジスト膜及び金属膜を剥離することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」、「【請求項７】　請求項５又は請求項６記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、金属膜はＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ又はこれらを積層した複合膜によって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」及び「【請求項８】　請求項５又は請求項６記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、金属膜の最表面層はＣｒＯによって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。」と記載されている。
　甲第１号証の【００１８】段落には、「金属膜に関して「選択エッチングが可能である」ということは、ハーフトーン材料膜をエッチングによって除去することなしに、金属膜だけをエッチングによって除去できる性質を有するということである。このような選択エッチングが可能な金属としては、例えば、ハーフトーン材料膜がＭｏ・Ｓｉ系材料で形成されるとすれば、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＯ（酸化クロム）、ＣｒＮ（窒化クロム）、ＣｒＯＮ（窒化酸化クロム）又はこれらを積層した複合膜を採用できる。複合膜を採用する場合は、図４及び図５に示すような２層構造又は図６に示すような３層構造とすることができる。」と記載されている。
　図４には、金属膜としてＣｒ層、このＣｒ層上にＣｒＯ層を積層したシフトマスク用ブランク、図５には、Ｃｒ層、このＣｒ層上にＣｒＮ層を積層したシフトマスク用ブランク、図６には、Ｃｒ層、このＣｒ層上にＣｒＮ層、このＣｒＮ層上にＣｒＯ層を積層したシフトマスク用ブランクが示されている。
　また、【００２０】段落には、「金属膜は、周知の成膜方法によって形成できる。例えば、ＣｒＯに関しては、ＣｒをターゲットにしてＯ２を含む雰囲気中、例えばＡｒを主成分として若干Ｏ２を含むガス中、でスパッタリングを行う。ＣｒＮに関しては、ＣｒをターゲットにしてＮ２を含む雰囲気中、例えばＡｒを主成分として若干Ｎ２を含むガス中、でスパッタリングを行う。ＣｒＯＮに関しては、ＣｒをターゲットにしてＯ２とＮ２を含む雰囲気中、例えばＡｒを主成分として若干のＯ２とＮ２を含むガス中、でスパッタリングを行う。」と記載されている。
　【００２９】段落には、「例えば、請求項１又は請求項２記載のブランクの金属膜をハーフトーン材料膜に対して選択的にエッチングして所望パターンの金属膜をハーフトーン材料膜上に残すようにすれば、ハーフトーン材料膜上に所望パターンの遮光層を形成できる。」と記載され、その効果として【００３０】段落に、「【発明の効果】請求項１及び請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクによれば、金属膜とハーフトーン材料膜とをそれぞれ独立してエッチング処理できるので、ハーフトーン材料膜に対して種々の好ましい処理を実行できる。例えば、パターニングされた金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングすれば、ハーフトーン材料膜を所望のパターンへと高精密にパターニングできる。また、Ｃｒを含んだ金属のような遮光性を有する金属によって金属膜を形成したときには、エッチングによって所望パターンの金属膜をハーフトーン材料膜の上に残すことにより、所望パターンの遮光層を有するハーフトーン型位相シフトマスクを作製できる。【００３１】請求項５及び請求項６記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法によれば、ハーフトーン材料膜のためのエッチング剤によってはエッチングされない金属膜をマスクとしてハーフトーン材料膜をエッチングによってパターニングできるので、レジストをマスクとしてハーフトーン材料膜を直接エッチングする場合に比べて、寸法精度の高いハーフトーンパターンを得ることができる。また、ハーフトーン材料膜を金属膜で覆うので、ハーフトーン材料膜が薬品によって特性変化を生じることを防止できる。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証には、特許請求の範囲に、「【請求項１】　透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、ハーフトーン材料膜に対して選択的にエッチングが可能な遮光性を有する金属膜をメインパターンの外周部に枠状に設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」、「【請求項４】　請求項１から請求項３のうちのいずれか１つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、金属膜はＣｒ、ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ又はこれらを積層した複合膜によって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」及び「【請求項５】　請求項１から請求項３のうちのいずれか１つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、金属膜の最表面層はＣｒＯによって構成されることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」と記載されている。
　甲第２号証の【００１２】及び【００１３】段落には、「【課題を解決するための手段】　…ハーフトーン材料膜としては、例えばＭｏ・Ｓｉ系の材料、より具体的には、例えば化学記号ＭｏＳｉＯｘＮＹ（Ｘ，Ｙは整数）で表される材料を用いることができる。【００１３】　金属膜に関して「選択エッチングが可能である」ということは、ハーフトーン材料膜をエッチングによって除去することなしに、金属膜だけをエッチングによって除去できる性質を有するということである。このような選択エッチングが可能な金属としては、例えば、ハーフトーン材料膜がＭｏ・Ｓｉ系材料で形成されるとすれば、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＯ（酸化クロム）、ＣｒＮ（窒化クロム）、ＣｒＯＮ（窒化酸化クロム）又はこれらを積層した複合膜を採用できる。複合膜を採用する場合は、図１１及び図１２に示すような２層構造又は図１３に示すような３層構造とすることができる。」と記載されている。
　図１１には、金属膜としてＣｒ層、このＣｒ層上にＣｒＯ層を積層したシフトマスク用ブランク、図１２には、Ｃｒ層、このＣｒ層上にＣｒＮ層を積層したシフトマスク用ブランク、図１３には、Ｃｒ層、このＣｒ層上にＣｒＮ層、このＣｒＮ層上にＣｒＯ層を積層したシフトマスク用ブランクが示されている。
　また、【００１８】段落には、「【作用】請求項１乃至請求項５記載のハーフトーン型位相シフトマスクでは、枠状に形成された金属膜によって光の通過が確実に遮断される。よって、この位相シフトマスクを使ってウエハ等といった露光対象物に転写像を連続して形成するとき、転写像のまわりを誤って感光させることがない。また、金属膜はそれ自体が遮光性を有する材料によって形成されるので、ハーフトーン材料膜と開口部分との組み合わせによって遮光帯を形成した場合に比べて、高い遮光性を有する遮光帯を形成することができる。また、金属膜をハーフトーン材料膜に対して選択的にエッチングが可能な材料によって構成するので、金属膜及びハーフトーン材料膜は、それぞれ、個別にエッチングされる。一方の膜のエッチングの際に他方の膜がエッチングされてしまうことがないので、金属膜及びハーフトーン材料膜の両方の形状を希望の形状に正確に形成できる。」と記載されている。
　【００３３】段落には、「請求項５記載のハーフトーン型位相シフトマスク及び請求項９記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法のように、金属膜の最表面層をＣｒＯによって形成すると有利である。すなわち、位相シフトマスクが完成した後に、この位相シフトマスクを使ってウエハ等の露光対象物を露光する際には、その露光対象物と金属膜とが互いに対面することになるが、このとき、金属膜の最表面層をＣｒＯによって形成しておけば、ＣｒＯは光を反射しにくい性質を有しているので、金属膜からの散乱光の発生がほとんどなくなり、その結果、露光対象物上に精密な光像を形成できる。また、位相シフトマスクの製造過程において、金属膜の上にレジスト膜を積層し、さらにその積層したレジスト膜を電子線やレーザ等によって露光して潜像を形成する際、金属膜の最表面層をＣｒＯによって形成しておけば、金属膜の表面で光の乱反射が起こり難く、従って、レジスト膜に対して高精度な描画を行うことができる。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に形成された第１の薄膜層と第２の薄膜層とからなるパターン化された多層遮光膜を具備したフォトマスクであって、前記第１の薄膜層はクロムからなり、前記第２の薄膜層は酸化クロムと窒化クロムの２種を主成分とし、かつ、前記第１の薄膜層のエッチング速度と前記第２の薄膜層のエッチング速度とが同じになるように前記酸化クロムと窒化クロムとを配合したことを特徴とするフオトマスク。」と記載されている。
第２頁の左上欄第３行〜第１７行には、「この問題は、具体的には、その多層構造の遮光層を周知のフオトリソグラフイ一・プロセスによりエッチングしてパターン化するに際して、クロム層とその上面もしくは下面に積層された酸化クロム層とのエッチング速度が異なることに起因するものである。通常の場合、酸化クロム層のエッチング速度がクロム層に比して数倍遅い。このため、２層構造の片面低反射クロムマスク及び３層構造両面低反射クロムマスクの場合、第１図にそれぞれ（ａ），（ｂ）で示すように、最上部の酸化クロム層１より、その下層のクロム層２の方がエッチング速度が早いため、クロム層２のアンダーカット量が大きくなり、両層間の断面形状に段差を生じ、画像周囲に酸化クロム層からなるひさしを生じることになる。」と記載されている。
　第３頁左上欄第１０行〜右上欄第１４行には、「本発明者は、以上のような従来技術における問題点を解決するため、反射防止層としての酸化クロム膜に代わり、従来のクロムマスク特性を損わない材料を種々検討、研究した結果、窒化クロム、酸化クロムの混合組成膜を反射防止層としてクロム膜上に積層すれば、上記の問題点を解決することができ、著しく優れた特性と高い生産性のマスクが得られることを見出し、本発明に到達したものである。
　その理由は窒化クロム膜が酸化クロム膜とは逆にエッチング速度がクロム膜に対して早いためであり、酸化クロムと窒化クロムの組成比を適当に変化させることによって、かなり広い範囲にエッチング速度を制御することが可能となることによるものである。…このように本発明のフォトマスク基板は、遮光層としてのクロム膜からなる層に、反射防止層としての酸化クロムと窒化クロムの混合組成膜が積層された構造を有することを特徴とするものである。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第４号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に第１層として窒素を含むクロム層、第２層として炭素を含むクロム層を積層したことを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第４欄第４行〜同欄第２３行には、「この発明の目的は、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブランクを提供することである。このような目的の達成手段としては、前述したＡｒとＣＨ４の混合ガスに代えて、ＡｒとＮ２の混合ガスを使用することにより、Ｎ２ガスのモル比を多くして各層のエッチング速度を大きくすることが考えられるが、その場合アンダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困難になり、根本的な解決にはなり得ない。
　そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層した窒素を含むクロム層が従来ほぼ同一の炭化度または窒化度で構成されていたのに対して、この炭素または窒素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い第１層として窒素を含むクロム層を、第２層として炭素を含むクロム層をそれぞれ積層することにより、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。」と記載されている。
　また、第５欄第２７行〜第６欄第２３行には、「ここで、クロム層２２の積層におけるＡｒとＮ２の混合ガス中の窒化度、及びクロム層２３の積層におけるＡｒとＣＨ４の混合ガス中の炭化度に対するエッチング速度の関係はそれぞれ第６図の曲線ｊ及びｋで示されるように、エッチング速度は窒化度が大きくなるに従って増大し、炭化度が大きくなるに従って減少する傾向にある。それ故、本発明においては、クロム残り密度を所望値以下にする場合に、ジャストエッチング時間に対するエッチング時間を減少させる手段として、第１層としてエッチング速度が速い窒素を含むクロム層２２を積層し、第２層としてエッチング速度が遅い炭素を含むクロム層２３を積層していることになる。そして、クロム層２２の窒化度とクロム層２３の炭化度とをそれぞれ大きくするに従って（第４図の曲線ｇ→ｈ→ｉ）、クロム残り密度を減少させると共に、（エッチング時間）／（ジャストエッチング時間）を小さくし、１．０に近づけることができる。
　したがって、この発明によれば、従来品のように過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させることができる。・・・また、本発明は窒素を含むクロム層２２と炭素を含むクロム層２３を分離して説明したが、透明基板１０の界面付近から遠ざかるに従って連続的に窒化度を減少させ、炭化度を増大させてもよい。」と記載されている。
１．２．５　甲第５号証の記載内容
　甲第５号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に炭素を含むクロム層を積層させ、または該クロム層に更に酸化クロム層を積層させてなるフォトマスクブランクにおいて、該クロム層のうち、炭化度が該透明基板に近い層に小さく、かつ遠い層に大きいことを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第４欄第６行〜同欄第２１行には、「この発明の目的は、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブランクを提供することである。このような目的の手段としては、ＣＨ４ガスのモル比を小さくして各層のエッチング速度を大きくすることが考えられるが、その場合アンダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困難になり、根本的な解決にはなりえない。
　そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層した炭素を含むクロム層が従来ほぼ同一の炭化度で構成されていたのに対して、この炭素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い層と遠い層とに分け、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。」と記載されている。　また、第５欄第２０行〜第６欄第１５行には、「ここで、クロム層２２，２３の積層におけるＡｒとＣＨ４の混合ガス中の炭化度に対するエッチング速度の関係は第６図の曲線ｇで示されるように、エッチング速度は炭化度が大きくなるに従って減少する傾向にある。そして、クロム層２２はクロム層２３よりも炭化度を小さくするに従って（曲線ｆ→ｅ→ｄ）、クロム残り密度を少さくすると共に、（エッチング時間）／（ジャストエッチング時間）を小さくし、１．０に近づけることができる。
　したがって、この発明によれば、従来品のように過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させることができる。・・・また、この発明はクロム層２２とクロム層２３を分離して説明したが、透明基板１０の界面付近から遠ざかるに従って連続的に炭化度を増加させてもよい。」と記載されている。
１．２．６　甲第６号証の記載内容
　甲第６号証には、特許請求の範囲に、「１　透明基板上に表面被覆を施したフォトマスクブランクにおいて、前記表面被覆はクロム炭化物を含有するクロム膜を遮光膜として備えていることを特徴とするフォトマスクブランク。」及び「２　透明基板上に表面被覆を施したフォトマスクブランクにおいて、前記表面被覆は遮光膜と、該遮光膜上に形成された表面反射防止膜とを有し、前記遮光膜はクロム炭化物を含有するクロム膜によって形成され、他方、前記表面反射防止膜はクロム窒化物を含有するクロム酸化物層によって形成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第３欄第１４行〜同欄第２６行には、「本発明者等は金属クロム膜の溶解速度をその上のクロム酸化物膜の溶解速度に比べて同じか、遅くすることによって、上述した問題を解決した。本発明の特徴は、スパッタリングにより、クロム膜中にクロム炭化物を含有させ、従来の方法によるクロム膜に比べエッチング液による溶解速度を遅くすることによりアンダーカットの量を減少させる製造方法、及びスパッタリングにより、表面反射防止用としてのクロム酸化物膜にクロム窒化物を含有させることにより、広い波長城（３５０〜６００ｎｍ）にわたって表面分光反射率を平坦に低くする製造方法である。」と記載されている。
　第４欄第３５行〜同欄第３９行には、「表１に示すように、実施例に係る炭化物含有のクロム膜は金属クロム膜に比して溶解速度が遅いことがわかる。また、アルゴンとメタンとの混合比を変えることによって溶解速度の異なる遮光膜を形成できる。」と記載されている。
　また、第５欄第１９行〜第６欄１７行には、「以上のように本発明によれば表１より明らかなように、クロム膜中にクロムの炭化物を含有することによって従来の金属クロム膜よりも溶解速度が遅くなり、アルゴンとメタンとの混合比によりエッチング時間も調節可能となる。このため、サイドエッチ量が従来の方法では約０．２０μ／ｌ０ｓｅｃであったが、本発明では０．０６μ／ｌ０ｓｅｃと大幅に改良された。…したがって、　本発明のように、表面反射防止膜として、クロム酸化物にクロムの窒化物を含有させたものを使用することにより、表面分光反射率をも改善することができる。また、レジスト塗布後の反射率の変動を少なくし、パターン幅の精度の高いフォトマスクが得られる。」と記載されている。
１．２．７　甲第７号証の記載内容
　甲第７号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に窒素を含むクロム層を積層させ、または該クロム層に更に酸化クロム層を積層させてなるフォトマスクブランクにおいて、該クロム層のうち、窒化度が該透明基板に近い層に大きく、かつ遠い層に小さいことを特徴とするフオトマスクブランク。」と記載されている。
　第４欄第６行〜同欄第２１行には、「この発明の目的は、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブランクを提供することである。このような目的の達成手段としては、Ｎ２ガスのモル比を多くして各層のエッチング速度を大きくすることが考えられるが、その場合アンダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困難になり、根本的な解決にはなり得ない。
　そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層した窒素を含むクロム層が従来ほぼ同一の窒化度で構成されていたのに対して、この窒素を含むクロム層のうち、透明ガラス基板に近い層と遠い層とに分け、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。」と記載されている。
　第５欄第２１行〜第６欄第１５行には、「ここで、クロム層２２，２３の積層におけるＡｒとＮ２の混合ガス中の窒化度に対するエッチング速度の関係は第６図の曲線ｇで示されるように、エッチング速度は窒化度が大きくなるに従って増大する傾向にある。そしてクロム層２２はクロム層２３よりも窒化度を大きくするに従って（曲線ｄ→ｅ→ｆ）、クロム残り密度を小さくすると共に、（エッチング時間）／（ジャストエッチング時間）を小さくし、１．０に近づけることができる。
　したがって、この発明によれば、従来品のように過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させることができる。・・・また、本発明はクロム層２２とクロム層２３を分離して説明したが、透明基板１０の界面付近から遠ざかるに従って連続的に窒化度を減少させてもよい。」と記載されている。
１．２．８　甲第８号証の記載内容
　甲第８号証の公告後にされた手続補正書の特許請求の範囲には、「透明基板上にクロムからなる薄膜層と、その上に積層された酸化クロム、窒化クロムの２種を主成分としてなる薄膜層とからなる多層遮光膜を設けてなり、かつ、前記クロムからなる薄膜層の化学的エッチング速度と、前記酸化クロム、窒化クロムの２種を主成分としてなる薄膜層の化学的エッチング速度とが同じになるように、該酸化クロム、窒化クロムの２種を主成分としてなる薄膜層の組成を一般式ＣｒＸＮＹＯＺ〔式中ｘ，ｙ，ｚは原子比を示し、ｘ＝１、ｙ＝０．１〜０．３、ｚ＝０．８〜１．４を表す。〕で示される組成範囲として、前記酸化クロムと窒化クロムとを配合することによって、パターンエッチングした際に前記クロムからなる薄膜層と、前記酸化クロム、窒化クロムの２種を主成分としてなる薄膜層との両エッチング端面の断面形状に段差もしくはひさしが実質的に生じないことを特徴とするフォトマスク基板。」と記載されている。
　第３欄第３１行〜同欄第４３行には、「第１に、スパッタリング膜を成膜後、一たん真空外に取り出してから、再度、真空蒸着装置中で蒸着膜の積層を行なうという工程のために著しく生産性が悪い点である。さらに品質面でも、大気に一度さらされたクロム膜上に再度酸化膜形成を行なうことから、酸化膜の膜特性の再現性が悪くなること、下層のクロム層を形成後、装置の真空を大気圧に戻す際にゴミを吸い込み、クロム膜に付着させる確率が高く、上層の酸化クロム膜にピンホールを生じ易いこと、また、このため途中に洗浄工程を入れると、工程が増加すると共に洗浄に伴う品質の不安定要素が増すことなどの問題がある。」と記載されている。
　第４欄第１８行〜同欄第３２行には、「本発明者は、以上のような従来技術における問題点を解決するため、反射防止層としての酸化クロム膜に代わり、従来のクロムマスク特性を損わない材料を種々検討、研究した結果、窒化クロム、酸化クロムの混合組成膜を反射防止層としてクロム膜上に積層すれば、上記の問題点を解決することができ、著しく優れた特性と高い生産性のマスクが得られることを見出し、本発明に到達したものである。
　その理由は窒化クロム膜が酸化クロム膜とは逆にエッチング速度がクロム膜に対して早いためであり、酸化クロムと窒化クロムの組成比を適当に変化させることによって、かなり広い範囲にエッチング速度を制御することが可能となることによるものである。」と記載されている。
　第５欄第２０行〜同欄第３３行には、「混合組成膜の組成比は膜の作成条件にもよるが、同膜をＣｒＸＮＹＯＺと表現した場合、通常、ｘ＝１，ｙ＝０．１〜０．３，ｚ＝０．８〜１．４の範囲が適当である。実際には、膜の作成装置、作成条件に合わせて各膜のエッチング速度を一致させる最適ｘ，ｙ，ｚの値を選択する必要がある。…同一方法で、一度も大気中に取り出すことなく、多種マスクブランクの作製が可能となる。」と記載されている。
１．２．９　甲第９号証の記載内容
　甲第９号証には、特許請求の範囲に、「１　透明基板上に、クロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜と、クロム膜と、クロム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物膜とを順次積層していることを特徴とするフォトマスクブランク。」及び「２　特許請求の範囲第１項記載において、前記クロム膜がクロム炭化物を含有することを特徴とするフォトマスクブランク。」と記載されている。
　第２欄第２２行〜同欄第２９行には、「本発明は、上記のような従来の欠点を除去するためになされたものであり、裏面反射防止膜としてクロム炭化物及びクロム窒化物を含有するクロム炭化窒化物膜を、表面反射防止膜としてクロム酸化物及びクロム窒化物を含有するクロム酸化窒化物膜を成膜することにより、安定した特性を有する両面反射防止用のフォトマスクブランクを提供することを目的とする。」と記載されている。
　第３欄第１３行〜同欄第１８行には、「なお、後述するエッチング速度は、クロム炭化物の炭化物を増大した場合に遅くなり、クロム窒化物の窒化度を増大した場合に逆に早くなる傾向を予め考慮して、各膜のエッチング速度を同一になるように混合ガス比を選定している。」と記載されている。
　第４欄第２３行〜同欄第３２行には、「以上の通り、本発明によれば、裏面反射防止膜と中間のクロム膜において完全に酸化物を排除し、表面反射防止膜において酸化度を抑制して成膜していることから、酸化作用による成膜制御の異常を除去し、透明基板との付着力も一定にすることができる。また、両面の光反射率を広い波長にわたってほぼ一定した低い値にすることができ、膜間のアンダーカットとサイドエッチ量も低減できることから、パターン幅の精度を向上させることができる。」と記載されている。
１．２．１０　甲第１０号証の記載内容
　甲第１０号証には、特許請求の範囲に、「透明基板上に設けられた遮光パターンに炭素原子が含まれてなることを特徴とするフォトマスク。」と記載されている。
　第１図には、石英ガラス基板上にＣ含有ＣｒＯｘ膜３１、Ｃ含有Ｃｒ膜３２、Ｃ含有ＣｒＯｘ膜３３の三層を積層し、これら三層の金属層すべてに３〜１０％の炭素原子を含有させてなるフォトマスクの断面図が示されている。
１．２．１１　甲第１１号証の記載内容
　甲第１１号証の第８４頁には、クロム成膜装置として、クロム用と酸化クロム用の二つのスパッタユニットを持ち、トレイで連続移動しながら連続膜を形成することができるインライン型のスパッタリング装置が示されている。
１．２．１２　甲第１２号証の記載内容
　甲第１２号証には、特許請求の範囲に、「【請求項１】　透明基板と、この透明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された金属膜を有するハーフトーン位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜を表面側から透明基板側に向かって段階的に及び／又は連続的にエッチングレートの異なる材料で構成することによって、エッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって段階的に及び／又は連続的に速くなるように設定したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項２】請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜の表面側を高導電性の材料で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項３】請求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜の透明基板側を少なくとも窒素を含有する材料で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項４】請求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜の表面側を少なくとも炭素を含有する材料で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜をエッチングレートの異なる複数の金属膜で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項６】請求項３に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜の透明基板側の窒素含有量を５〜６０ａｔ％にしたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項７】請求項３に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜の透明基板側の窒素の含有量を１０〜４０ａｔ％にしたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項８】請求項１ないし７のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜上に反射防止膜を形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項９】請求項１ないし８のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記ハーフトーン材料膜が、モリブデン及びシリコンを主たる構成要素とし、前記金属膜がクロムを主たる構成要素とすることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項１０】請求項１ないし９のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの少なくとも前記ハーフトーン材料膜をパターニングしてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」と記載されている。
また、【００２８】段落及び【００２９】段落には、「上述の請求項１によれば、ハーフトーン材料膜上に形成した金属膜を、この金属膜表面側から透明基板側に向かうにしたがって、段階的又は連続的にエッチングレートの速い膜にすることによって、過剰なオーバーエッチングによるハーフトーン材料膜のダメージを防止し、かつ、このハーフトーン材料膜上における金属膜の金属残りを防止することができる。【００２９】これによって、高精度にハーフトーン型位相シフト量の制御が行なえ、パターン欠陥のないハーフトーン型位相シフトマスクを生成し得るハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得られる。」と記載されている。
　【００９１】段落には、「【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、高精度のパターニングが可能で、かつ耐酸性ならびに信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクを得ることができる。」と記載されている。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ１
　特許明細書の請求項１の「金属膜は、表面側から透明基板側に向かって段階的に、又は、連続的に、又は一部が段階的で他の一部が連続的に、エッチングレートが異なる材料で構成される領域が存在しており、エッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって段階的に、又は、連続的に、又は一部が段階的で他の一部が連続的に、速くなる領域が存在するように設定」を、「金属膜は、表面側から透明基板側に向かって連続的にエッチングレートが異なる材料で構成されており、パターン断面が垂直になるようにエッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって連続的に変化するとともに連続的に速くなる領域が存在するように設定」と訂正する。
訂正事項ａ２
　特許明細書の請求項１の「エッチングレートを速くする成分は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に増加する領域が存在するように前記金属膜に分布」を、「エッチングレートを速くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に増加する領域が存在するように前記金属膜に分布」と訂正する。
訂正事項ａ３
　特許明細書の請求項１の「エッチングレートを遅くする成分は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に減少する領域が存在するように前記金属膜に分布されていること」を、「エッチングレートを遅くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に減少する領域が存在するように前記金属膜に分布されているとともに、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていること」と訂正する。
訂正事項ａ４
　特許明細書の請求項６〜８を削除し請求項９及び１０を請求項６及び７にそれぞれ繰り上げ、特許明細書の請求項９の「請求項１ないし８」を「請求項１ないし５と訂正し、特許明細書の請求項１０の「請求項９に」を「請求項６に」と訂正する。
訂正事項ａ５
　特許明細書の請求項５の「金属膜は、前記表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に増加する領域、又は、炭素含有量が連続的に減少する領域、又は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に増加すると同時に炭素含有量が連続的に減少する領域、のいずれかの領域を有すること」を、「金属膜は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように炭素含有量が連続的に変化するとともに炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量及び炭素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加して炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていること」と訂正する。
訂正事項ｂ
　【００１８】段落から【００２４】段落までを「【００１８】
【課題を解決するための手段】　前述した課題を解決するために、第１の発明は、透明基板と、この透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に積層された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜は、表面側から透明基板側に向かって連続的にエッチングレートが異なる材料で構成されており、パターン断面が垂直になるようにエッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって連続的に変化するとともに連続的に速くなる領域が存在するように設定されており、また、前記金属膜は、主成分となる金属の外に１又は２以上の他の成分を含む複数の成分で構成されており、これら複数の成分のうち前記金属以外の成分は、前記金属のみで構成した膜のエッチングレートに比較して前記金属膜のエッチングレートを速くする成分であるか、又は、遅くする成分であるか、又は、速くする成分と遅くする成分とを含む複数の成分であるか、のいずれかであり、前記エッチングレートを速くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に増加する領域が存在するように前記金属膜に分布されており、前記エッチングレートを遅くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に減少する領域が存在するように前記金属膜に分布されているとともに、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
【００１９】
　第２の発明は、第１の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜は、前記ハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なる材料で構成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
【００２０】
　第３の発明は、第２の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記ハーフトーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とし、前記金属膜がクロムを主成分とするものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
【００２１】
　第４の発明は、第１〜第３の何れかの発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記エッチングレートを速くする成分が窒素であり、遅くする成分が炭素であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
【００２２】
　第５の発明は、透明基板と、この透明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記ハーフトーン材料膜は、金属及びシリコンを含有する材料で構成され、前記金属膜は、クロムを主成分とする材料で構成され、前記金属膜の透明基板側寄りの領域には窒素を含む成分が含有され、金属膜の表面側寄りの領域には炭素を含む成分が含有されており、前記金属膜は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように炭素含有量が連続的に変化するとともに炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量及び炭素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加して炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向にー体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
【００２３】
　第６の発明は、第１〜第５の発明のいずれかにかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの前記金属膜、前記反射防止膜及び前記ハーフトーン材料膜をパターニングしてハーフトーン材料膜パターンが形成されてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクである。
【００２４】
　第７の発明は、第６の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域及び前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域の双方の領域のいずれかの領域において、前記金属膜及び前記反射防止膜がハーフトーン材料膜上に形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクである。」と訂正する。
訂正事項ｃ
　【００２５】段落から【００２７】段落までを削除する。
２．２　訂正後の請求項
請求項１
「透明基板と、この透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に積層された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記金属膜は、表面側から透明基板側に向かって連続的にエッチングレートが異なる材料で構成されており、パターン断面が垂直になるようにエッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって連続的に変化するとともに連続的に速くなる領域が存在するように設定されており、　また、前記金属膜は、主成分となる金属の外に１又は２以上の他の成分を含む複数の成分で構成されており、
　これら複数の成分のうち前記金属以外の成分は、前記金属のみで構成した膜のエッチングレートに比較して前記金属膜のエッチングレートを速くする成分であるか、又は、遅くする成分であるか、又は、速くする成分と遅くする成分とを含む複数の成分であるか、のいずれかであり、
　前記エッチングレートを速くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に増加する領域が存在するように前記金属膜に分布されており、
　前記エッチングレートを遅くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に減少する領域が存在するように前記金属膜に分布されているとともに、
　前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
請求項２
「請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記金属膜は、前記ハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なる材料で構成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
請求項３
「請求項２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記ハーフトーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とし、前記金属膜がクロムを主成分とするものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
請求項４
「請求項１ないし３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記エッチングレートを速くする成分が窒素であり、遅くする成分が炭素であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
請求項５
「透明基板と、この透明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記ハーフトーン材料膜は、金属及びシリコンを含有する材料で構成され、前記金属膜は、クロムを主成分とする材料で構成され、前記金属膜の透明基板側寄りの領域には窒素を含む成分が含有され、金属膜の表面側寄りの領域には炭素を含む成分が含有されており、
　前記金属膜は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように炭素含有量が連続的に変化するとともに炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量及び炭素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加して炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、
　前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向にー体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。」
請求項６
「請求項１ないし５のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの前記金属膜、前記反射防止膜及び前記ハーフトーン材料膜をパターニングしてハーフトーン材料膜パターンが形成されてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」
請求項７
「請求項６に記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域及び前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域の双方の領域のいずれかの領域において、前記金属膜及び前記反射防止膜がハーフトーン材料膜上に形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
３．１．１　訂正事項ａ１〜ａ３
　上記訂正事項ａ１〜ａ３については、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、訂正事項ａ１〜ａ３は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．２　訂正事項ａ４
　訂正事項ａ４は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、訂正事項ａ４は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．３　訂正事項ａ５
　上記訂正事項ａ５については、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、訂正事項ａ５は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものでもない。
３．１．４　訂正事項ｂ及びｃ
　訂正事項ｂ及びｃは、
　訂正事項ａ１〜ａ３及びａ５に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、訂正事項ｂ及びｃは、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ１〜ｃは、上記３．１．１〜３．１．４のとおりであるから、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第３項までの規定に適合するので、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜７に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１に係る発明及び請求項１に係る発明を引用する請求項２〜４、６及び７に係る発明（以下、「本件第１発明」という。）と甲第１号証〜甲第１２号証との対比、判断
　本件第１発明が、「エッチングレートを速くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に増加する領域が存在するように前記金属膜に分布されており、前記エッチングレートを遅くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に減少する領域が存在するように前記金属膜に分布されているとともに、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されている」構成（以下、「本件第１発明の特徴的構成」という。）を有し、また、その効果として、「本発明によれば、高精度のパターンニングが可能」（特許明細書【発明の効果】の項）であるのに対し、甲第１号証〜甲第１２号証に記載された発明は、上記本件第１発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　従って、本件第１発明は、甲第１号証又は甲第２号証記載の発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明であるとすることができない。
　また、本件第１発明は、甲第１号証〜甲第１１号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるとすることができない。
　さらに、本件第１発明は、甲第１２号証記載の発明と同一であるとすることができない。
４．２．２　本件請求項５に係る発明及び請求項５を引用する請求項６及び７に係る発明（以下、「本件第２発明」という。）と甲第１号証〜甲第１２号証との対比、判断
　本件第２発明が、「金属膜の透明基板側寄りの領域には窒素を含む成分が含有され、金属膜の表面側寄りの領域には炭素を含む成分が含有されており、前記金属膜は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように炭素含有量が連続的に変化するとともに炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量及び炭素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加して炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向にー体になって連続する層として形成されている」構成（以下、「本件請求項５に係る発明の特徴的構成」という。）を有し、また、その効果として、「本発明によれば、高精度のパターンニングが可能」（特許明細書【発明の効果】の項）であるのに対し、甲第１号証〜甲第１２号証に記載された発明は、上記本件請求項２に係る発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　従って、本件第２発明は、甲第１号証又は甲第２号証記載の発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明であるとすることができない。
　また、本件第２発明は、甲第１号証〜甲第１１号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるとすることができない。
　さらに、本件第２発明は、甲第１２号証記載の発明と同一であるとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜７に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜７に係る発明の特許についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月１８日（２００１．４．１８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ１〜ａ３及びａ５は、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ａ４は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とし、訂正事項ｂ及びｃは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ１
　特許明細書の請求項１の「金属膜は、表面側から透明基板側に向かって段階的に、又は、連続的に、又は一部が段階的で他の一部が連続的に、エッチングレートが異なる材料で構成される領域が存在しており、エッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって段階的に、又は、連続的に、又は一部が段階的で他の一部が連続的に、速くなる領域が存在するように設定」を、「金属膜は、表面側から透明基板側に向かって連続的にエッチングレートが異なる材料で構成されており、パターン断面が垂直になるようにエッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって連続的に変化するとともに連続的に速くなる領域が存在するように設定」と訂正する。
訂正事項ａ２
　特許明細書の請求項１の「エッチングレートを速くする成分は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に増加する領域が存在するように前記金属膜に分布」を、「エッチングレートを速くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に増加する領域が存在するように前記金属膜に分布」と訂正する。
訂正事項ａ３
　特許明細書の請求項１の「エッチングレートを遅くする成分は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に減少する領域が存在するように前記金属膜に分布されていること」を、「エッチングレートを遅くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に減少する領域が存在するように前記金属膜に分布されているとともに、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていること」と訂正する。
訂正事項ａ４
　特許明細書の請求項６〜８を削除し請求項９及び１０を請求項６及び７にそれぞれ繰り上げ、特許明細書の請求項９の「請求項１ないし８」を「請求項１ないし５と訂正し、特許明細書の請求項１０の「請求項９に」を「請求項６に」と訂正する。
訂正事項ａ５
　特許明細書の請求項５の「金属膜は、前記表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に増加する領域、又は、炭素含有量が連続的に減少する領域、又は、前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に増加すると同時に炭素含有量が連続的に減少する領域、のいずれかの領域を有すること」を、「金属膜は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように炭素含有量が連続的に変化するとともに炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量及び炭素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加して炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていること」と訂正する。
訂正事項ｂ
　【００１８】段落から【００２４】段落までを
「【００１８】
　【課題を解決するための手段】　前述した課題を解決するために、第１の発明は、透明基板と、この透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に積層された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜は、表面側から透明基板側に向かって連続的にエッチングレートが異なる材料で構成されており、パターン断面が垂直になるようにエッチングレートが表面側から透明基板側に向かうにしたがって連続的に変化するとともに連続的に速くなる領域が存在するように設定されており、また、前記金属膜は、主成分となる金属の外に１又は２以上の他の成分を含む複数の成分で構成されており、これら複数の成分のうち前記金属以外の成分は、前記金属のみで構成した膜のエッチングレートに比較して前記金属膜のエッチングレートを速くする成分であるか、又は、遅くする成分であるか、又は、速くする成分と遅くする成分とを含む複数の成分であるか、のいずれかであり、前記エッチングレートを速くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に増加する領域が存在するように前記金属膜に分布されており、前記エッチングレートを遅くする成分は、パターン断面が垂直になるように前記金属膜の表面側から透明基板側に向かうにしたがってその成分含有量が連続的に変化するとともに連続的に減少する領域が存在するように前記金属膜に分布されているとともに、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００１９】
　第２の発明は、第１の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属膜は、前記ハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なる材料で構成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００２０】
　第３の発明は、第２の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記ハーフトーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とし、前記金属膜がクロムを主成分とするものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００２１】
　第４の発明は、第１〜第３の何れかの発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記エッチングレートを速くする成分が窒素であり、遅くする成分が炭素であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００２２】
　第５の発明は、透明基板と、この透明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記ハーフトーン材料膜は、金属及びシリコンを含有する材料で構成され、前記金属膜は、クロムを主成分とする材料で構成され、前記金属膜の透明基板側寄りの領域には窒素を含む成分が含有され、金属膜の表面側寄りの領域には炭素を含む成分が含有されており、前記金属膜は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように炭素含有量が連続的に変化するとともに炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、又は、パターン断面が垂直になるように表面側から透明基板側に向かうにしたがって窒素含有量及び炭素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加して炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し、前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００２３】
　第６の発明は、第１〜第５の発明のいずれかにかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの前記金属膜、前記反射防止膜及び前記ハーフトーン材料膜をパターニングしてハーフトーン材料膜パターンが形成されてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクである。
　【００２４】
　第７の発明は、第６の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域及び前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域の双方の領域のいずれかの領域において、前記金属膜及び前記反射防止膜がハーフトーン材料膜上に形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクである。」と訂正する。
訂正事項ｃ
　【００２５】段落から【００２７】段落までを削除する。
（５４）【発明の名称】
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　透明基板と、この透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に積層された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記金属膜は、表面側から透明基板側に向かって
連続的にエッチングレートが異なる材料で構成され
パターン断面が垂直になるように
連続的に変化するとともに連続的に速くなる領域が存在するように
　また、前記金属膜は、主成分となる金属の外に１又は２以上の他の成分を含む複数の成分で構成されており、
　これら複数の成分のうち前記金属以外の成分は、前記金属のみで構成した膜のエッチングレートに比較して前記金属膜のエッチングレートを速くする成分であるか、又は、遅くする成分であるか、又は、速くする成分と遅くする成分とを含む複数の成分であるか、のいずれかであり、
　前記エッチングレートを速くする成分は、
パターン断面が垂直になるように前記金属膜の
連続的に変化するとともに連続的に増加する領域が存在するように
　前記エッチングレートを遅くする成分は、
パターン断面が垂直になるように前記金属膜の
連続的に変化するとともに連続的に減少する領域が存在するように
　前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項２】　請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記金属膜は、前記ハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なる材料で構成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項３】　請求項２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記ハーフトーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とし、前記金属膜がクロムを主成分とするものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項４】　請求項１ないし３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記エッチングレートを速くする成分が窒素であり、遅くする成分が炭素であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項５】　透明基板と、この透明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記ハーフトーン材料膜は、金属及びシリコンを含有する材料で構成され、前記金属膜は、クロムを主成分とする材料で構成され、
　前記金属膜の透明基板側寄りの領域には窒素を含む成分が含有され、金属膜の表面側寄りの領域には炭素を含む成分が含有されており、
　前記金属膜は、
パターン断面が垂直になるように
窒素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加する領域が存在し
パターン断面が垂直になるように炭素含有量が連続的に変化するとともに炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し
パターン断面が垂直になるように
窒素含有量及び炭素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加して炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し
　前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項６】　請求項１ないし５のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの前記金属膜、前記反射防止膜及び前記ハーフトーン材料膜をパターニングしてハーフトーン材料膜パターンが形成されてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
　【請求項７】　請求項６に記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域及び前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域の双方の領域のいずれかの領域において、前記金属膜及び前記反射防止膜がハーフトーン材料膜上に形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにした位相シフトマスク及びその素材としての位相シフトマスクブランクに関し、特に、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体ＬＳＩ製造の際等においては、微細パターン露光の際のマスクとしてフォトマスクが用いられる。このフォトマスクの一種として、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにした位相シフトマスクが用いられている。
　【０００３】
　近年、この位相シフトマスクの一種として、ハーフトーン型位相シフトマスクが開発され、用いられるようになった。
　【０００４】
　このハーフトーン型位相シフトマスクの一つに、特に単のホール、ドット、又は、ライン等の孤立したパターン転写に適したものとして、特開平６−３３２１５２号公報に記載のハーフトーン型位相シフトマスクが知られている。
　【０００５】
　この公報記載のハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を通過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて、この光半透過部を通過した光の位相が前記光透過部を通過した光の位相に対して実質的に反転する関係となるようにすることにより、前記光透過部と半光透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして、前記境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたものである。
　【０００６】
　このようなハーフトーン型位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機能と光の位相をシフトさせる位相シフト機能との二つの機能を兼ねることになるので、遮光膜パターンと位相シフト膜パターンとを別々に形成する必要がなく、構成が単純で製造も容易であるという特徴を有している。
　【０００７】
　このハーフトーン型位相マスクの素材としてのハーフトーン型位相マスクブランクの一従来例として、図８及び図９に示すものが知られている。
　【０００８】
　図８（ａ）に示すハーフトーン型位相マスクブランクは、透明基板１上に、たとえば、モリブデン・シリコン（ＭｏＳｉ）系ハーフトーン材料膜２が形成されたものである。また、図９（ａ）に示すハーフトーン型位相マスクブランクは、透明基板１上にモリブデン・シリコン系ハーフトーン材料膜２が形成され、さらにこのハーフトーン材料膜２上に、電子線露光時に前記透明基板１が帯電して、電子線の進行経路が不安定になることを防止するためのモリブデン金属膜３が形成されたものである。
　【０００９】
　これらのハーフトーン型位相マスクブランクからハーフトーン型位相マスクを製造するには、図８（ｂ）及び図９（ｂ）に示すように、まず、それぞれハーフトーン材料膜２上にレジスト膜４を形成する。次にこのレジスト膜４に対して電子線露光及び現像を行なった後、図８（ｃ）及び図９（ｃ）に示すように、所望のレジストパターン５を形成する。ところが、このレジストパターン５をマスクとしてモリブデン金属膜３及び／又はハーフトーン材料膜２をエッチングするとき、レジストパターン５自体もそのエッジ部分からエッチングされてしまうため、ハーフトーン材料膜２の寸法制御が正確に行なわれず、その結果、ハーフトーン材料膜２を高精度にエッチングすることができないという問題があった。
　【００１０】
　また、成膜からハーフトーン型位相シフトマスクができあがるまでの各処理工程では、酸やアルカリ等の各種薬品を使用することがある。このため、これらの薬品の作用により、ハーフトーン材料膜２が特性変化を起こして、希望するハーフトーン特性が得られなくなるといった問題も生じていた。
　【００１１】
　この様な問題点を解決するために、図１０（ａ）に示すように、ハーフトーン材料膜２に対して撰択エッチング可能な金属膜６を、前記ハーフトーン材料膜２上に形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクが、特開平８−１０１４９３号公報において提案されている。
　【００１２】
　このハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透明基板１上に、ＭｏＳｉＯｘＮｙ（ｘ・ｙ：整数）ハーフトーン材料膜２を形成し、このハーフトーン材膜２上にＣｒ金属膜６を積層した構成となっている。
　【００１３】
　このような構成とすることにより、Ｃｒ金属膜６とＭｏＳｉＯｘＮｙハーフトーン材料膜２とをそれぞれ独立してエッチング処理できるので、ハーフトーン材料膜２に対して種々の好ましい処理を施すことができ、前記ハーフトーン材料膜２を高精度にパターニングすることができることが可能となった。
　【００１４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、図１０（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトブランクにおいては、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際に、前記金属膜６上にレジスト膜７を形成し、図１０（ｂ）に示すように、前記レジスト膜７に対して電子線露光を行なった後に現像を行なって、図１０（ｃ）に示すように所望のレジストパターン８を形成し、このレジストパターン８をマスクとして前記金属膜６、又は、金属膜６及びハーフトーン材料膜２をエッチングするとき、ハーフトーン材料膜２上に金属膜６中の金属が残り、その微細な金属をマスクとして前記ハーフトーン材料膜２がパターニングされてしまうので、パターンの欠陥が発生するといった問題がある。
　【００１５】
　また、ＭｏＳｉＯｘＮｙハーフトーン材料膜２上に撰択エッチング可能なＣｒ金属膜を形成して、このＣｒ金属膜６をウエットエッチングでパターニングしたときに、Ｃｒ金属膜６のエッチングレートが遅いために、ＭｏＳｉＯｘＮｙハーフトーン材料膜２に全く影響がないとはいえず、光学特性に少なからず影響を与えている。
　【００１６】
　さらに、ハーフトーン材料膜２とＣｒ金属膜６との密着強度が十分でなく、膜剥離が発生してしまうといった問題もある。
　【００１７】
　本発明は、前述した従来の問題点に鑑みてなされたもので、高精度のパターニングが可能で、かつ、耐酸性及び信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクを提供することを解決すべき課題とする。
　【００１８】
　【課題を解決するための手段】
　前述した課題を解決するために、第１の発明は、
　透明基板と、この透明基板上に積層されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に積層された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記金属膜は、表面側から透明基板側に向かって
連続的にエッチングレートが異なる材料で構成され
パターン断面が垂直になるように
連続的に変化するとともに連続的に速くなる領域が存在するように
　また、前記金属膜は、主成分となる金属の外に１又は２以上の他の成分を含む複数の成分で構成されており、
　これら複数の成分のうち前記金属以外の成分は、前記金属のみで構成した膜のエッチングレートに比較して前記金属膜のエッチングレートを速くする成分であるか、又は、遅くする成分であるか、又は、速くする成分と遅くする成分とを含む複数の成分であるか、のいずれかであり、
　前記エッチングレートを速くする成分は、
パターン断面が垂直になるように前記金属膜の
連続的に変化するとともに連続的に増加する領域が存在するように
　前記エッチングレートを遅くする成分は、
パターン断面が垂直になるように前記金属膜の
連続的に変化するとともに連続的に減少する領域が存在するように
　前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００１９】
　第２の発明は、
　第１の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記金属膜は、前記ハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なる材料で構成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００２０】
　第３の発明は、
　第２の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記ハーフトーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とし、前記金属膜がクロムを主成分とするものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００２１】
　第４の発明は、
　第１〜第３の何れかの発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記エッチングレートを速くする成分が窒素であり、遅くする成分が炭素であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００２２】
　第５の発明は、
　透明基板と、この透明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に形成された金属膜とを有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
　前記ハーフトーン材料膜は、金属及びシリコンを含有する材料で構成され、前記金属膜は、クロムを主成分とする材料で構成され、
　前記金属膜の透明基板側寄りの領域には窒素を含む成分が含有され、金属膜の表面側寄りの領域には炭素を含む成分が含有されており、
　前記金属膜は、
パターン断面が垂直になるように
窒素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加する領域が存在し
パターン断面が垂直になるように炭素含有量が連続的に変化するとともに炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し
パターン断面が垂直になるように
窒素含有量及び炭素含有量が連続的に変化するとともに窒素含有量が連続的に増加して炭素含有量が連続的に減少する領域が存在し
　前記金属膜上に反射防止膜が形成されており、前記反射防止膜は、前記金属膜を構成する金属と、少なくとも酸素とを含むものであり、前記金属膜と前記反射防止膜とが厚さ方向に一体になって連続する層として形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
　【００２３】
　第６の発明は、
　第１〜第５の発明のいずれかにかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの前記金属膜、前記反射防止膜及び前記ハーフトーン材料膜をパターニングしてハーフトーン材料膜パターンが形成されてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクである。
　【００２４】
　第７の発明は、
　第６の発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
　前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域、又は、前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されている領域及び前記ハーフトーン材料膜パターンが形成されていない領域の双方の領域のいずれかの領域において、前記金属膜及び前記反射防止膜がハーフトーン材料膜上に形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクである。
　【００２５】
　【００２６】
　【００２７】
　【００２８】
　【作用】
　上述の第１の発明によれば、ハーフトーン材料膜上に積層された金属膜を、厚さ方向基板に向かってその成分を変化させるようにし、金属膜表面側から透明基板側に向かうにしたがって、連続的にエッチングレートの速い膜にするようにした上述の構成によって、過剰なオーバーエッチングによるハーフトーン材料膜のダメージを防止し、かつ、このハーフトーン材料膜上における金属膜の金属残りを防止することを可能にしている。また、金属膜は厚さ方向に連続する層からなる膜で構成されるので、各層の間にパーティクル等が付着することがないので、ピンホール等の欠陥発生のおそれがない。
　【００２９】
　これによって、高精度にハーフトーン型位相シフト量の制御が行なえ、パターン欠陥のないハーフトーン型位相シフトマスクを生成し得るハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得られる。
　【００３０】
　前記ハーフトーン材料膜と接する金属膜のエッチングレートは、２ｎｍ／ｓｅｃ以上であることが好ましい。エッチングレートが２ｎｍ／ｓｅｃ未満であると、エッチングレートが遅いので、金属膜の材料によっては、金属膜中の金属がハーフトーン材料膜上に残ってしまうことを完全に除去する場合に、オーバーエッチングによるハーフトーン材料膜への影響が発生し好ましくない。
　【００３１】
　前記ハーフトーン材料膜としては、単層のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの場合、金属、シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とすることができ、たとえば、酸化されたモリブデン及びシリコン（以下、ＭｏＳｉＯ系材料と称す）、窒化されたモリブデン及びシリコン（以下、ＭｏＳｉＮ系材料と称す）、酸化及び窒化されたモリブデン及びシリコン（以下、ＭｏＳｉＯＮ系材料と称す）、酸化されたタンタル及びシリコン（以下、ＴａＳｉＯ系材料と称す）、窒化されたタンタル及びシリコン（以下、ＴａＳｉＯ系材料と称す）、酸化及び窒化されたタンタル及びシリコン（以下、ＴａＳｉＯＮ系材料と称す）、酸化されたタングステン及びシリコン（以下、ＷＳｉＯ系材料と称す）、窒化されたタングステン及びシリコン（以下、ＷＳｉＮ系材料と称す）、酸化及び窒化されたタングステン及びシリコン（以下、ＷＳｉＯＮ系材料と称す）、酸化されたチタン及びシリコン（以下、ＴｉＳｉＯ系材料と称す）、窒化されたチタン及びシリコン（以下、ＴｉＳｉＮ系材料と称す）、酸化及び窒化されたチタン及びシリコン（以下、ＴｉＳｉＯＮ系材料と称す）、酸化されたクロム及びシリコン（以下、ＣｒＳｉＯ系材料と称す）、窒化されたクロム及びシリコン（以下、ＣｒＳｉＮ系材料と称す）、酸化及び窒化されたクロム及びシリコン（以下、ＣｒＳｉＯＮ系材料と称す）、フッ化されたクロム及びシリコン（以下、ＣｒＳｉＦ系材料と称す）、等が挙げられる。なお、これらの物質は、ハーフトーン材料膜としての機能を損なわない範囲で、これらの化合物あるいはこれらの物質との混合物として、炭素、水素、フッ素、あるいはヘリウムなどを微量又は適量含んでもよい。
　【００３２】
　また、本発明では、たとえば、モリブデンシリサイドの酸化物、モリブデンシリサイドの窒化物、モリブデンシリサイドの酸化窒化物、タンタルシリサイドの酸化物、タンタルシリサイドの窒化物、タンタルシリサイドの酸化窒化物、タングステンシリサイドの酸化物、タングステンシリサイドの窒化物、タングステンシリサイドの酸化窒化物、チタンシリサイドの酸化物、チタンシリサイドの窒化物、チタンシリサイドの酸化窒化物、あるいは、これらの物質の１種以上と窒化ケイ素及び／又は金属窒化物との混合物などの物質も、ハーフトーン材料膜を構成する材料として使用可能である。
　【００３３】
　さらに、酸化されたモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ）、窒化されたモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＮ）、酸化及び窒化されたモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ）、酸化されたタンタルシリサイド（ＴａＳｉＯ）、窒化されたタンタルシリサイド（ＴａＳｉＯ）、酸化及び窒化されたタンタルシリサイド（ＴａＳｉＯＮ）、酸化されたタングステンシリサイド（ＷＳｉＯ）、窒化されたタングステンシリサイド（ＷＳｉＮ）、酸化及び窒化されたタングステンシリサイド（ＷＳｉＯＮ）、酸化されたチタンシリサイド（ＴｉＳｉＯ）、窒化されたチタンシリサイド（ＴｉＳｉＮ）、酸化及び窒化されたチタンシリサイド（ＴｉＳｉＯＮ）等と、従来一般的に表記されている物質もハーフトーン材料膜を構成する材料として使用可能である。
　【００３４】
　単層のハーフトーン位相シフトマスクブランクに使用する好ましいハーフトーン材料膜としては、金属、シリコン及び、窒素を主たる構成要素とする、例えば、窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ系）などが耐酸性、耐光性、導電性、屈折率、透過率、エッチング選択性などの面から優れているので好ましい。また、後述するハーフトーン材料膜上に形成される窒素を含む金属膜との密着性や、その他の相性の面から考えても、ハーフトーン材料膜としては、ＭｏＳｉＮ系等が好ましい。
　【００３５】
　以上においては、単相のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおけるハーフトーン材料膜を掲げたが、主として位相シフト機能を受け持つ高透過率膜と主として遮光機能を受け持つ低透過率膜との２層以上の膜構造を有するものであってもよい。この場合には、例えば、高透過率膜としては、ＳｉＯ２系被覆膜形用塗布液を滴下し、スピンコート法により全面に広げ、その後、焼成してバインダの有機化合物を揮発させたＳＯＧ（スピン・オン・グラス）膜などが挙げられ、低透過率膜としてはＣｒ膜が挙げられる。
　【００３６】
　本発明の金属膜の材料としては、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の金属又はこれらの金属主成分とする合金、あるいは、前記金属の酸化物、窒化物、炭化物等が使用される。但し、前述のハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なるものが好ましい。
　【００３７】
　そして、前記金属膜は、金属膜表面側から透明基板側へ向かうにしたがって、エッチングレートが速い膜にするために、たとえば、前記材料を組み合わせて積層したり、単層、または、複数層において、前記材料の酸化度、窒化度、炭化度を段階的又は連続的に変化させる。エッチングレートが段階的に変化するものとしては、例えば複数層が挙げられ、この複数層は、例えば、複数のチャンバー内でスパッタリングによって成膜することで得られる。エッチングレートが連続的に変化するものとしては、例えば連続膜が挙げられ、連続膜は、例えば、同一チャンバー内で単数又は複数のターゲットを備えたインラインスパッタリングによって成膜することで得られる。パターン断面を垂直にする点では、連続膜が好ましい。
　【００３８】
　具体的には、ハーフトーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とする材料の場合、金属膜は、ＣｒＮ／ＣｒＣ、ＣｒＮ／Ｃｒ、ＣｒＮ／ＣｒＦ、ＣｒＮ／ＣｒＯ等の組み合わせが挙げられる。なお、これらの材料の中に、各金属膜の作用効果が変わらない程度に他の元素が含んでいても構わない。また、上述した連続膜の場合、例えば、ＣｒＮ／ＣｒＣは、ＣｒＮとＣｒＣとの間で、表面側から透明基板側に向かって連続的にＣ（炭素）が減少、Ｎ（窒素）が増加している状態を意味している。
　【００３９】
　具体的には、上記金属膜は、第２の発明のように、ハーフトーン材料膜とエッチング特性が異なる材料で構成する。エッチング特性が異なるとは、金属膜をウエットエッチングやドライエッチングでパターニングする際にハーフトーン材料膜がそのウエットエッチングやドライエチングでパターニングされにくい材料をいう。
　【００４０】
　具体的膜材料としては、第３の発明のように、ハーフトーン材料膜をモリブデン及びシリコンを主成分とする材料が、金属膜をＣｒを主成分とする材料が、それぞれ挙げられる。
　【００４１】
　この場合には、金属膜（Ｃｒ）は、遮光機能をもっており、上述の効果（過剰なオーバーエッチングによるハーフトーン材料膜が受けるダメージを防止する効果、及び、このパターン形成領域内のハーフトン材料膜上における金属膜の金属残りを防止する効果）に加え、ハーフトーン型位相シフトマスクにおけるハーフトーン材料膜上に、金属膜を残すことによってハーフトーン膜パターンの露光光の洩れを防止する等の効果が得られるので好ましい。
　【００４２】
　また、第４の発明のように、エッチングレートを速くする成分を窒素、エッチングレートを遅くする成分を炭素とすることにより、透明基板側の金属膜の結晶粒が密になり、ハーフトーン材料膜との密着強度が大きくなるとともに、金属膜の反りが防止されるので好ましい。また、第４の発明において、例えば、モリブデンを含有するハーフトーン材料膜のように、膜応力が高く、基板変形を引き起こすような場合、その応力を相殺するように金属膜を構成する金属材料をクロムにすることによって、ハーフトーン材料膜の膜応力が低減され、基板変形が改善されるので、パターン位置精度を向上させることができる。尚、ハーフトーン材料膜の材料、金属膜を構成する材料は、応力低減の点から適宜選定することができる。
　【００４３】
　また、第５の発明によれば、透明基板側の金属膜の結晶粒が密になるので、ハーフトーン材料膜との密着強度が大きくなるとともに、金属膜の反りが防止される。また、金属（例えばモリブデン）及びシリコンを含有するハーフトーン材料膜の膜応力をも低減でき、それに伴い、基板変形も改善されるのでパターン位置精度を向上させることができる。
　【００４４】
　また、表面側の金属膜は導電性のよい材料となるので、レジスト膜を電子露光してパターンニングする際に、金属膜とレジスト膜との間で電荷の蓄積がなく、したがって、電子線の進行経路が安定し、高精度のパターンニングが可能となる。
　【００４５】
　導電性の善し悪しを決める評価方法の一つとして、シート抵抗があるが、前記金属膜の最上層、又は、最表面のシート抵抗値として、１ＭΩ／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．５ＭΩ／□以下が望ましい。そして、搬的に窒素を含む金属材料の方が炭素を含む金属材料よりエッチングレートが速いことから、上記構成によれば、金属膜はその表面側から透明基板側に向かって段階的及び／又は連続的にエッチングレートが速くなるように変化していることになる。この結果、ハーフトーン材料膜にダメージを与えることがなくかつ金属残りを除去してパターン欠陥のないハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得られる。具体的には、ハーフトーン材料膜が、モリブデン及びシリコンを主成分とする材料の場合、金属膜をＣｒＮ／ＣｒＣにする等が挙げられる。
　【００４６】
　なお、金属膜の透明基板側の窒素含有量は、５〜６０ａｔ％が好適であり、その含有量が５ａｔ％未満であると、結晶粒が密にならず、透明基板との密着強度が弱く、また、応力（反り）が発生しやすくなり、膜剥がれが発生するおそれが高くなる。
　【００４７】
　一方、窒素含有量が６０ａｔ％を超えると、エッチングレートが速くなり過ぎ、炭素を含む材料とのエッチングレートの差が大きくなってしまい、パターン形成がオーバーハング形状となって、垂直なパターンが得られないので、好ましくない。この場合、オーバーハング形状になると、金属膜の先端（端部）が欠けやすくなる。金属膜の先端（端部）が欠けた場合には、この欠けた金属膜が望ましくない箇所に付着して黒欠陥が発生することになる。パターン形状や生産性を考慮すると、窒素含有量の好ましい範囲は１０〜４０ａｔ％で、より好ましし範囲は１５〜３０ａｔ％である。また、垂直なパターンを得るためには、第１１の発明のように、金属膜の表面側の炭素含有量を４〜１８ａｔ％にすることが好ましい。
　【００４８】
　また、前記金属膜が、金属膜の表面側から透明基板側に向かって、炭素が連続的に減少し、及び／又は窒素が連続的に増加する領域が存在する（ＣｒＮとＣｒＣとの間）構成にすることによって、金属膜を複数層にする場合に比較して、各層との間にパーティクル等が付着することがないので、ハーフピンホール等の欠陥もなく、断面が垂直になるとともに、密着性が向上するので好ましい。
　【００４９】
　第６の発明によれば、金属膜上に反射防止膜を形成したことにより、描画の際、金属膜表面の多重反射を防止することによって、精度の高い転写をすることができる。
　【００５０】
　この反射防止膜としては、例えば、酸素を含む金属膜、酸素及び窒素を含む金属膜、あるいは、フッ素を含む金属膜等があり、具体的には、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＦ等が挙げられる。好ましくは、金属膜を構成する金属を主成分とするものがよい。これは、パターンニングする際に、同じ種類のエッチング剤を使用できるからである。さらに好ましくは、上記反射防止膜の材料として、金属膜の主成分たる金属と少なくとも酸素とを含む材料がよい。なお、反射防止膜が金属（例えばクロム）、酸素、窒素を含む場合、酸素はあ２〜６０ａｔ％、窒素は１０〜３５ａｔ％が好ましい。
　【００５１】
　また、第８の発明のように、金属膜と反射防止膜とを組成が連続的に変化する連続膜で構成することにより、金属膜と反射防止膜との間にパーティクル等が付着することがないので、ハーフピンホールなどの欠陥もなく、断面が垂直になるとともに、密着性が向上し、好ましい。
　【００５２】
　第９の発明は、透明基板上に、マスクパターンが形成されたハーフトーン材料膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記ハーフトーン材料膜に形成するマスクパターンは、上述の本発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの金属膜及びハーフトーン材料膜にマスクパターン形成処理を施して形成されたものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクである。したがって、パターン欠陥がなく、高精度にパターニングされたハーフトーン型位相シフトマスクが得られる。
　【００５３】
　第１０の発明は、ハーフトーン材料膜上であってマスクパターンが形成されている領域以外の領域、又は、マスクパターンが形成されている領域に、本発明の金属膜が形成されていることを特徴とする。マスクパターンが形成されている領域以外の領域、すなわち、マスクパターンが形成されている領域から外れた周辺領域等は、パターン転写の露光に寄与しない領域である。したがって、この領域を露光光が通過すると、パターン露光を乱すおそれがあるので、この領域を光が通過しないようにすることが望ましい。この発明は、上記金属膜をこの領域に形成しておくことによって遮光して上記効果を得るものである。
　【００５４】
　また、一方、マスクパターンが形成されている領域内にあっては、マスクパターンにおける光半透過部に本来要求される機能は、光透過部との境界部のみで位相をシフトさせた光を通過させればよく、他の大部分（端部を除く部分）は、むしろ完全に遮光することが望ましいものである。そこで、上記発明では、マスクパターンの光半透過部の端部を除く部分には金属膜を形成させておくことによって、本来は完全に遮光されることが望ましい部分の遮光をより完全にすることを可能にするものである。
　【００５５】
　【発明の実施の形態】
　以下に、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
　図１は実施例１に係わるハーフトーン型位相シフトマスクブランク、図２はハーフトーン型位相シフトマスクのそれぞれの構成を示す模擬的断面図、また、図３及び図４はハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法を説明するための模擬的断面図である。
　【００５６】
　本実施例に係わるハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、石英からなる透明基板１０上に、ＭｏＳｉＮ系材料からなるハーフトーン材料膜１１、ＣｒＮ／ＣｒＣの金属膜１２、ＣｒＯＮの反射防止膜１３を順次積層した構成となっている。なお、前記金属膜１２と反射防止膜１３とは連続膜になっている。
　【００５７】
　詳述すれば、石英基板の主表面及び側面を精密研磨して、６インチ×６インチ、厚さ０．２５インチの透明基板１０を作成し、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２　）との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：１０％、Ｎ２０％、圧力：１．５×１０−３ｔｏｒｒ）で、反応性スパッタリングにより、前記透明基板１０上に、図３（ａ）に示すように、膜厚９２５オングストロームのＭｏＳｉＮのハーフトーン材料膜１１を形成した。
　【００５８】
　ここで、前記透明基板１０は、石英以外に、蛍石、各種ガラス（たとえば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス等）などが用いられる。
　【００５９】
　このようにして得られたハーフトーン材料膜１２の組成、光学特性を測定したところ、以下の結果が得られた。
　【００６０】
　組成＝Ｍｏ：１３ａｔ％、Ｓｉ：４０ａｔ％、Ｎ：４７ａｔ％
　屈折率＝２．３４
　波長２４８ｎｍにおける光透過率＝５％
　位相シフト量＝１８０°
　【００６１】
　次に、前記ハーフトーン材料膜１１上に、同一のチャンバー内に複数のクロム（Ｃｒ）ターゲトが配置されたインラインスパッタリング装置を用い、ＣｒＮはアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２　）との混合ガス雰囲気で、ＣｒＣはアルゴンＡｒ）とメタン（ＣＨ４　）との混合ガス雰囲気で、ＣｒＯＮはアルゴン（Ａｒ）と亜酸化窒素（Ｎ２　Ｏ）との混合ガス雰囲気による反応性スパッタリングにより、図３（ｂ）に示すように、金属膜と反射防止膜との合計膜厚が１０００オングストロームのＣｒＮ／ＣｒＣの金属膜１２及びＣｒＯＮの反射防止膜１３からなる連続膜を形成し、超音波洗浄を行ってハーフトーン型位相シフトマスクブランクを得た。
　【００６２】
　得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光学特性は、波長４５０ｎｍでの光学濃度が４．０であり、波長３６５ｎｍでの表面反射率は２０％以下と良い結果が得られた。
　【００６３】
　図５はハーフトーン位相シフトマスクブランクの組成をオージェ分光法により分析した結果を示す図である。この分析結果によれば、各層の組成は以下の通りであった。なお、金属膜及び反射防止膜中のＣｒ，Ｎ，Ｏ，Ｃの各元素は、ＣｒＮとＣｒＣとの間及びＣｒＣとＣｒＯＮとの間で連続的に変化した領域が存在している。
［ＣｒＮ層］
　Ｃｒ…４８〜７２ａｔ％、Ｎ…１３〜４１ａｔ％、Ｏ…０〜１０ａｔ％、Ｃ…３〜１３ａｔ％
［ＣｒＣ層］
　Ｃｒ…６１〜７６ａｔ％、Ｃ…６〜１４ａｔ％、Ｎ…１３〜２３ａｔ％、Ｏ…０〜８ａｔ％
［ＣｒＯＮ層］
　Ｃｒ…１７〜６０ａｔ％、Ｏ…８〜５５ａｔ％、Ｎ…１５〜３０ａｔ％、Ｃ…１〜１０ａｔ％
　【００６４】
　また、６００ｇの荷重をかけて引っかき試験（１００枚）を行なったところ、ハーフトーン材料膜１１と金属膜１２との間、金属膜１２と反射防止膜１３との間での膜剥がれは発生せず、良好な膜強度が得られた。これは、ハーフトーン材料膜１１と接する金属膜１２の透明基板側ＣｒＮ膜の結晶粒が密になったことによる応力の減少と、金属膜１２におけるＣｒＮとＣｒＣとの間及び金属膜１２と反射防止膜１３との間を連続的に組成変化する領域が存在する連続膜とすることにより、各層の間にパーティクル等が付着することがなく、また、大気中にさらされることがないので、表面が酸化されずに連続成膜されることによるものである。
　【００６５】
　次に、反射防止膜１３上に、図３（ｃ）に示すようにレジスト膜１４を形成し、パターン露光及び現像によって、図４（ａ）に示すようにレジストパターン１５を形成した。
　【００６６】
　そして、前述したパターニングの後に、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇと、濃度７０％の過酸素塩４２ｍｌとに純水を加えて１０００ｍｌとしたエッチング液を、温度１９℃〜２０℃に保持し、このエッチング液によってウェットエッチングを施して、反射防止膜１３及び金属膜１２を、図４（ｂ）に示すようにパターニングした。
　【００６７】
　このようなパターニングを行なった後において、エッチング残りによるハーフトーン材料膜１１上への金属膜中の金属（Ｃｒ）の残存やオーバーハング形状による金属膜、反射防止膜の先端の欠けによる黒欠陥もなかった。
　【００６８】
　これは、金属膜１２および反射防止膜１３とハーフトーン材料膜１１とが互いに撰択エッチング可能であること、すなわち、金属膜１２及び反射防止膜１３と、ハーフトーン材料膜１１とのエッチング特性が異なることによるものであり、かつ、ハーフトーン材料膜１１に接する金属膜１２のエッチングレートが、ハーフトーン材料膜１１よりも速いこと、具体的には、ハーフトーン材料膜と接する金属膜のエッチングレートが２ｎｍ／ｓｅｃ以上であることによるものである。なお、このエッチングレートは、後述するように、Ｃｒ単体よりも速い。
　【００６９】
　次に、前記反射防止膜１３、金属膜１２のパターンをマスクにして、ＣＦ４とＯ２との混合ガスによるドライエチングによって、図４（ｃ）に示すように、ハーフトーン材料膜１１の露出部分を除去してハーフトーン材料膜パターン１１を形成した。
　【００７０】
　これにより、硫酸によって前記したレジストパターン１５を剥離し、さらに、硫酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇと濃度７０％の過塩素塩４２ｍｌとに純水を加えて１０００ｍｌにしたエッチング液を施して、反射防止膜１３金属膜１２を除去して、図４（ｄ）に示すように、所望パターンのハーフトーン材料膜パターン１１を備えたハーフトーン型位相シフトマスクを得た。
　【００７１】
　こうして得られたハーフトーン型位相シフトマスクは、そのハーフトーン材料膜パターン１１にダメージはみられず、位相シフト量も１８０°−２°の範囲内に収められており、信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスクであった。
　【００７２】
（比較例１）
　また、比較のために、前記実施例１のハーフトーン材料膜１１上に、膜厚３００オングストロームのＣｒからなる第１金属膜と、膜厚１５０オングストロームのＣｒＮからなる第２金属膜を、それぞれ異なったチャンバーで反応性スパッタリングにより形成した他は、実施例１と同様にしてハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクを作成した。
　【００７３】
　こうして得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクについて引っかき試験を行なったところ、１００枚の試験片中８枚が、第１金属膜と第２金属膜との間で剥離が発生し、密着強度が不十分であった。また、ハーフトーン型位相シフトマスク作製時において、ハーフトーン材料膜の表面にダメージが発生し、そのために所望の位相差（１８０°−２°の範囲内）が得られないという不具合を生じた。
　【００７４】
　これは、前記Ｃｒ膜とＣｒＮ膜のエッチングレートが、それぞれ１．５ｎｍ／ｓｅｃ、２．２ｎｍ／ｓｅｃであり、パターニングする際における、ハーフトーン材料膜と接するＣｒからなる第１金属膜のエッチングレートが、この第１金属膜上に形成されるＣｒＮからなる第２金属膜のエッチングレートよりも遅いことに起因するものと推定される。
　【００７５】
　また、このハーフトーン型位相シフトマスクの中には、ハーフトーン材料膜上のＣｒ膜とＣｒＮ膜とがそれぞれ異なったチャンバー内で成膜しているので、各チャンバーへの基板の搬送時にパターティクルが付着したことのよるハーフピンホール、黒欠陥のあるものもみられた。
　【００７６】
　なお、前記実施形態において示した各構成や寸法等は一例であって、設計要求等に基づき種々変更可能である。たとえば、前記実施形態においては、ハーフトーン材料膜１１上に形成した金属膜１２、反射防止膜１３を全て除去したハーフトーン型位相シフトマスクを示したが、これに限らず、ハーフトーン材料膜上の適所に金属膜や反射防止膜を形成させた金属膜等のパターンを設けて、マスクの遮光性を向上させることも可能である。このハーフトーン型位相シフトマスクの代表例を図６及び図７に示す。
　【００７７】
　図６に示す例は、マスクパターン形成領域以外の領域である周辺領域において、ハーフトーン材料膜上に金属膜及びその反射防止膜を形成したものである。この金属膜は遮光する機能を受け持つ。すなわち、この周辺領域を露光光が通過できないようにするものである。これによって、以下の問題点を解決する。すなわち、位相シフトマスクは、縮小投影露光装置（ステッパー）のマスク（レティクル）として用いられる。このステッパーを用いてパターン転写を行うときは、ステッパーに備えられた被覆部材（アパーチャー）によって位相シフトマスク転写領域のみを露出させるように周縁領域を被覆して露光を行う。しかしながら、このアパーチャーを、精度よく転写領域のみを露出させるように設置することは難しく、多くの場合、露出部が転写領域の外周周辺の非転写領域にはみでてしまう。通常、マスクの非転写領域にはこのはみだしてきた露光光を遮断するために遮光膜が設けられる。ハーフトーン型位相シフトマスクの場合は、この遮光膜として半透光膜が設けられている。しかし、この半透光膜は露光光を完全に遮断するものではなく、１回の露光によっては実質的に露光に寄与できない程度の僅かな量ではあるが露光光を通過させる。それゆえ、繰り返しのステップ時にこのはみだしによって半透光膜を通過した露光光がすでにパターン露光がなされた領域に達して重複露光がされたり、あるいは他のショットの際に同様にはみだしによる僅かな露光がされた部分に重ねて露光する場合が生ずる。この重複露光によって、それらが加算されて露光に寄与する量に達して、欠陥が発生するという問題があった。上記遮光を受け持つ金属膜はこの問題を解消するものである。
　【００７８】
　図７に示す例は、マスクパターンが形成されている領域内にあって、マスクパターンの光半透過部表面の端部を除く部分に金属膜及びその反射防止膜を形成させておくことによって、本来は完全に遮光されることが望ましい部分の遮光をより完全にするようにしたものである。すなわち、マスクパターンが形成されている領域内にあっては、マスクパターンにおける光半透過部に本来要求される機能は、光透過部との境界部のみで位相をシフトさせた光を通過させればよく、他の大部分（端部を除く部分）は、むしろ完全に遮光することが望ましいものである。
　【００７９】
　そこで、マスクパターンの光半透過部表面の端部を除く部分には金属膜を形成させておくことによって、本来は完全に遮光されることが望ましい部分の遮光をより完全にすることを可能にしたものである。また、例えば、被転写体表面に段差があって、被転写体の上に形成されているレジストの膜厚が場所によって大きく異なるような場合、レジスト膜厚の薄い部分にハーフトーン材料膜の光半透過部（本来は遮光すべき部分）を透過して僅かな露光がなされると、その薄いレジストが現像によってさらに薄くなる。すると、エッチングの際に、いわゆる膜減りが生ずる。遮光すべき部分を完全に遮光することによってこの膜減りを防止できる。
　【００８０】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、高精度のパターニングが可能で、かつ、耐酸性ならびに信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの構成を示す模擬的断面図である。
　【図２】
　本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相シフトマスクの構成を示す模擬的断面図である。
　【図３】
　本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法を説明するための模擬的断面図である。
　【図４】
　本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法を説明するための模擬的断面図である。
　【図５】
　本発明の実施例１に係わるハーフトーン型位相シフトマスクブランクのオージェ分光分析結果を示す図である。
　【図６】
　本発明の他の実施例の説明図である。
　【図７】
　本発明の他の実施例の説明図である。
　【図８】
　ハーフトーン型位相シフトマスクの従来の製造方法の一例を示す模擬的断面図である。
　【図９】
　ハーフトーン型位相シフトマスクの従来の製造方法の他の例を示す模擬的断面図である。
　【図１０】
　ハーフトーン型位相シフトマスクの従来の製造方法のさらに他の例を示す模擬的断面図である。
　【符号の説明】
　１０　透明基板
　１１　ハーフトーン材料膜
　１２　金属膜
　１３　反射防止膜
　１４　レジスト膜
　１５　レジストパターン