【事件の表示】
　特許第２７９３３８３号「有機エレクトロルミネッセンス素子」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７９３３８３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２７９３３８３号に係る発明についての出願は、平成３年６月２４日に特許出願（特願平３−１５１４８６号）され、平成１０年６月１９日にその発明についての特許の設定登録がなされ、その後、パイオニア株式会社より請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年５月１２日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下の（ａ）および（ｂ）のとおりである。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１に記載の、「との間に、」と「エネルギーギャップ」との間に、「真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された」を挿入する。
（ｂ）明細書の段落番号【０００６】に記載の、「との間に、」と「エネルギーギャップ」との間に、「真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された」を挿入する。
　
 イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　（ａ）の訂正事項は、「金属酸化物」を、「真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された」もの限定したもので、この訂正は特許請求の範囲の減縮に該当する。
　（ｂ）の訂正事項は、上記請求項１の訂正に整合させるためのもので、この訂正は明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記（ａ）および（ｂ）のいずれの訂正も、願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであると認められ、さらに、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
 ウ．独立特許要件の判断
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）に対して、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（Elsevier Sequaia 発行　Thin Solid Film 誌 1982年第94号第171〜183頁）には、発光層と陰極との間に、酸化アルミニウムを挿入してなる有機ＥＬ素子が記載されている。
　また、同刊行物２（昭和47年5月115日 共立出版(株)発行「分光学的性質を主とした基礎物性図表」第190〜191頁、第196〜197頁）には、酸化アルミニウムの面心菱面体格子結晶体であるサファイアのエネルギーギャップが約７ｅＶであることが記載されている。
　
（対比・判断）
　本件発明と上記刊行物１に記載の発明とを対比すると、上記刊行物１には、「金属酸化物」が「真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された」ものである点、および、「金属酸化物」が「４．０ｅＶ以上の絶縁性」を有している点が記載されていない（上記刊行物２で示されているエネルギーギャップの数値は「サファイア」のものであり、同一成分ではあるものの結晶構造が異なる「アルミニウム」の電極が「大気中にさらされる」ことにより形成された「金属酸化物」が、同様の数値を示すとする根拠もない。）。
　そして、これらの点が、当業者にとって自明なことであるものとも認められないから、本件発明が上記刊行物１に記載された発明と同一であるものとはいえない。
　また、他に特許出願の際に独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　したがって、本件発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
 ア．申立ての概要
　申立人パイオニア株式会社は、証拠として甲第１号証（平成１２年３月６日付け取消理由通知で示した刊行物１）および甲第２号証（同刊行物２）を提出し、請求項１に係る発明は甲第１号証および甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定に該当し、本件発明に係る特許は同法第１１３条第１項第２号の規定により取消されるべきものである旨主張している。
　
イ．判断
　請求項１に係る発明は、上記のとおりの理由で訂正が認められたので、次のとおりのものである。
『【請求項１】　発光層と陰極との間に、真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成されたエネルギーギャップが４．０ｅＶ以上の絶縁性の金属酸化物を挿入してなる有機エレクトロルミネッセンス素子。』（以下、「訂正明細書の請求項１に係る発明」という。）
　
　これに対し、甲第１号証（Elsevier Sequaia 発行　Thin Solid Film 誌 1982年第94号第171〜183頁）には、発光層と陰極との間に、酸化アルミニウムを挿入してなる有機ＥＬ素子が記載されている。
　また、甲第２号証（昭和47年5月115日 共立出版(株)発行「分光学的性質を主とした基礎物性図表」第190〜191頁、第196〜197頁）には、酸化アルミニウムの面心菱面体格子結晶体であるサファイアのエネルギーギャップが約７ｅＶであることが記載されている。
　
（対比・判断）
　訂正明細書の請求項１に係る発明と、甲第１号証に記載された発明を比較すると、訂正明細書の請求項１に係る発明の「金属酸化物」が「真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された」ものであるのに対し、甲第１号証に記載された発明の「金属酸化物」は「大気中にさらされる」ことにより形成されたものである点、および、訂正明細書の請求項１に係る発明の「金属酸化物」が「４．０ｅＶ以上の絶縁性」を有しているのに対し、甲第１号証に記載された発明の「金属酸化物」はその絶縁性の数値が明らかでない（甲第２号証で示されている数値は「サファイア」のものであり、同一成分ではあるものの結晶構造が異なる「アルミニウム」の電極が「大気中にさらされる」ことにより形成された「金属酸化物」が、同様の数値を示すとする根拠はない。）点で相違する。
　そして、このことにより、「耐電圧性を向上させ、陰極に用いる金属の付着性を改善させ均一発光を可能にし、さらに広いエネルギーギャップ（４．０ｅＶ以上）の効果により正孔障壁性を有し、電子と正孔の再結合性を高め、発光効率を落とさず高効率の有機ＥＬ素子を得ることができる。」という格別の効果を奏するものである。　
　そうすると、訂正明細書の請求項１に係る発明が甲号各証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
ウ．むすび
　以上のとおりであって、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月３０日（２０００．１１．３０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（ａ）特許請求の範囲の請求項１に記載の、「との間に、」と「エネルギーギャップ」との間に、「真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された」を挿入する。
（ｂ）明細書の段落番号【０００６】に記載の、「との間に、」と「エネルギーギャップ」との間に、「真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された」を挿入する。
（５４）【発明の名称】
有機エレクトロルミネッセンス素子
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　発光層と陰極との間に、
真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された
　　【請求項２】　金属酸化物が、ＭｇＯである請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　　【請求項３】　発光層が、芳香族メチリディン化合物である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、詳しくは耐電圧性にすぐれると共に、電極の付着性がよく、発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記す。）は、有機発光体を対向電極で挟んで構成されており、一方の電極からは電子が注入され、もう一方の電極からは正孔が注入される。この注入された電子と正孔が、発光層内で再結合するときに発光が生じる。
　このような素子には、発光体として、例えば単結晶物質が用いられていたが、単結晶物質では製造費が高く、機械的強度の点からも問題が多かった。さらに、発光体の厚さを薄くすることが容易でなく、１ｍｍ程度の厚さの発光体では発光が微弱であり、また、１００Ｖ以上の駆動電圧が必要な場合があり、実用の域には達していなかった。
　　　【０００３】
　そこで、例えばアントラセンの１μｍ以下の膜を得ようとする試みが、蒸着法（Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，９４，１７１，１９８２）やラングミュアーブロジェット法（ＬＢ法：Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，９９，２８３，１９８３）により行われている。しかし、充分な性能を得るには、厳しく管理された成膜条件下で、数千オングストロームの薄膜を形成する必要があった。また、発光層は、高精度の薄膜として形成されるものの、電子や正孔の移動や再結合などによる機能分子の励起確率が低いため、効率のよい発光が得られず、特に消費電力や輝度の点で満足できるものではない。
　また、陽極と発光層との間に正孔注入層を設け、正孔の密度を挙げることにより高い発光効率を得られることが知られている（特開昭５７−５１７８１号公報，同５９−１９４３９３号公報参照）。しかし、高輝度を得ようとして高電界を印加すると素子が壊れてしまう問題があった。
　　　【０００４】
　さらに、絶縁層としては、有機物層（特にＬＢ膜を用いて作成したもの）、あるいはＳｉＯ２を用いて有機層と電極の間に挿入した有機ＥＬ素子が開示されている（特開昭６１−３７８７３号公報，同６１−３７８８２号公報，同６１−３７８８３号公報，同６１−３７８８４号公報参照）。しかし、有機物を絶縁層として用いた場合、Ｍ　ｇ電極との接着性が乏しく、長時間有機ＥＬ素子を駆動させると、有機物とＭｇ電極の界面が破壊される問題があった。また、均一発光を得ることができなかった。ＳｉＯ２を有機層と電極の間に挿入した場合には、成膜方法としてスパッタリングやＣＶＤ（化学気相蒸着法）など比較的エネルギーの高い方法（高温，加速粒子）を用いる必要があった。この方法を用いると、有機ＥＬ素子を構成している発光層や正孔注入層に用いられている有機物を溶融あるいは結晶化させ、有機物の性能が低下するという問題があった。また、スパッタ粒子が有機物を攻撃し、界面を変質させ電子や正孔の注入特性を喪失させるという悪影響を及ぼす問題があった。実際、ＳｉＯ２を絶縁層として用いた発明において、ＳｉＯ２はＩＴＯ上でしか成膜していない。
　ところで、コダック社のＴａｎｇらは、Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒ，５１巻，１２号，Ｐ９１３．「Ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ　ｄｉｏｄｅｓ」において、発光層として電子伝達性の化合物である８−ヒドロキシキノリン誘導体、正孔注入層としてジアミン誘導体を用いることにより、電子及び正孔の障壁性が高効率の有機ＥＬ素子を実現する上で重要であることを指摘している。しかし、これを実現するための満足ができる材料は見出されていない。
　また、ピンホール防止の目的で発光と電子注入化物による機能を分離し、微結晶性の発光層を用い、発光層と陰極の間に電子注入層を設けたものも試みられている（Ｊａｐａｎｅａｓｅ　Ｊｏｕｍａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，２７，２，Ｌ２６９，１９８８及び２７，４，Ｌ７１３，１９８８）が、発光効率の向上がみられない。発光効率の向上を目的として、電子注入層の代わりに発光層よりイオン化エネルギーの大きな正孔障壁層を設けたものも検討されている（特開平２−１９５６８３号公報）。しかし、正孔障壁層として有機物しか用いていないため正孔障壁性が不充分であった。
　さらに、発光均一性の目的で陰極と発光層の接着性を高めるため、電子注入層や正孔障壁層を陰極と発光層の間に設ける技術も挙げられている（特開平２−１９５６８３号公報，特開平２−２５５７８８号公報）。しかし、素子の寿命，微細加工等の実用化に問題があった。
　そこで、本発明者らは上記の問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた。
　　　【０００５】
　　【課題を解決するための手段】
　その結果、本発明者らは、発光層と陰極の間に絶縁性（４．０ｅＶ以上）の金属酸化物層を挿入した有機ＥＬ素子が、耐電圧性を向上させ、陰極に用いる金属の付着性を改善させ均一発光を可能にし、さらに広いエネルギーギャップ（４．０ｅＶ以上）の効果により正孔障壁性を有し電子と正孔の再結合性を高め、発光効率を落とさず高効率であることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
　　　【０００６】
　すなわち、本発明は、発光層と陰極との間に、
真空蒸着法、スパッタ法又はＣＶＤ法で形成された
　　　【０００７】
　上記の如く、本発明の有機ＥＬ素子は、発光層と陰極との間にＥｇが４．０ｅＶ以上の絶縁性の金属酸化物を挿入してなるものである。耐電圧性を向上させる場合は、通常の素子構成のどの位置にこの金属酸化物を挿入してもよく、特に発光層と陰極との間にこの金属酸化物を挿入すると、広いＥｇのためイオン化エネルギーも大きくなり、正孔障壁層として作用し有効に発光効率を向上させることができる。また、陰極と発光層との付着性も改善することができる。
　ところで、絶縁性を有するものとしては、金属酸化物以外にも例えば有機物，ＳｉＯ２などが挙げられる。しかし、有機物は金属酸化物に比べ耐電圧性に劣り、ＳｉＯ２は薄膜作成時に表面温度が上昇し有機ＥＬ素子の構成要素としては不適格である。それらに対し、金属酸化物は耐電圧性が高く、薄膜作成時の表面温度を低く抑えることができ、本発明において有効に利用することができる。
　ここで、本発明において用いられる金属酸化物とは、Ｅｇが４．０ｅＶ以上、好ましくは４．５ｅＶ以上のものである。Ｅｇが４．０ｅＶ未満の場合は半導体となり、絶縁性の上で好ましくなく、耐電圧性も不充分である。
　　　【０００８】
　本発明で用いられるＥｇが４．０ｅＶ以上の金属酸化物としては、例えばＭｇＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，ＮｉＯ等が挙げられる。これら金属酸化物は、半導体に比べ応用範囲が限られており、Ｅｇが詳しく測定された例は少ない。本発明者らが調査した上記金属酸化物のＥｇを、以下に示す。
　ＭｇＯ：４．５ｅＶ以上（光吸収スペクトルを測定し、得られた結果を外挿した。）
　ＢａＯ：４．２ｅＶ以上（Ｒ．Ｈ．Ｂｕｂｅ，”Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ｏｆ　Ｓｏｌｉｄｓ”．．Ｐ２３３，Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ　＆　Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．（１９６０））．
　ＣａＯ：７．０３ｅＶ以上（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｐ１３８０，１９６９年）
　ＮｉＯ：４．０ｅＶ（Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ，１９７２）３ｒｄ．９−１９）
　　　【０００９】
　本発明の有機ＥＬ素子における金属酸化物は、上記化合物を、例えば真空蒸着法（抵抗加熱法，電子ビーム蒸着法，高周波誘導加熱法，反応性蒸着法，分子線エキタピシー法，ホットウォール蒸着法，イオンプレーティング法，クラスターイオンビーム法，イオンアシスト蒸着法等），スパッタ法（２極スパッタ法，２極マグネトロンスパッタ法，３極及び４極プラズマスパッタ法，反応スパッタ法，イオンビームスパッタ法等），ＣＶＤ（熱ＣＶＤ，プラズマＣＶＤ，レーザーＣＶＤ，有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）等）等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。この中で好ましいものとしては、下地の有機物に悪影響を及ぼすことの少ない電子ビーム蒸着法や反応性蒸着法が挙げられる。
　金属酸化物の層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は１ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは２ｎｍ〜２５ｎｍである。膜厚を１ｎｍ未満にした場合は均一な薄膜が得られず、５００ｎｍを超えると電力の消費が大きくなる。
　　　【００１０】
　金属酸化物の成膜条件は、成膜に用いる蒸着法及び金属酸化物によって異なる。例えば、金属酸化物としてＭｇＯ，蒸着法として電子ビーム蒸着法を用いた場合は、真空チャンバーの蒸着前の真空度を１×１０−２Ｐａ以下、好ましくは６×１０−３Ｐａ以下とし、蒸着速度を５０ｎｍ／秒以下、好ましく１ｎｍ／秒以下として、蒸着原料であるＭｇＯに電子線（約４ｋＶで加速）を当て２６００℃以上に加熱し蒸気を飛ばして成膜する。このときの基板温度は、２００℃以下、好ましくは１００℃以下である。
　また、金属酸化物としてＭｇＯ，蒸着法として反応性蒸着法を用いた場合は、真空チャンバーの蒸着前の真空度を１×１０−２Ｐａ以下、好ましくは６×１０−３Ｐａ以下とし、真空チャンバー内に酸素及び／又は水蒸気を導入する。そのとき、真空チャンバー内の圧力を７×１０−３Ｐａ以上、好ましくは１×１０−２Ｐａ以上にした後、蒸着原料である金属Ｍｇを１０００℃以下、好ましくは８００℃以下に加熱し、蒸着速度を５０ｎｍ／秒以下、好ましく１ｎｍ／秒以下とする。このときの基板温度は、２００℃以下、好ましくは１００℃以下である。
　　　【００１１】
　本発明の有機ＥＬ素子は、上記のＥｇが４．０ｅＶ以上の絶縁性の金属酸化物を発光層と陰極との間に、挿入することを特徴とし、その他の素子の構成，形状，大きさ等は、有機ＥＬ素子として機能する限り限定されない。
　　　【００１２】
　また、本発明で用いる有機ＥＬ素子の有機材料としては、種々のものがある。
　例えば、発光材料として使用可能な有機化合物としては、特に限定はないが、ベンゾチアゾール系，ベンゾイミダゾール系，ベンゾオキサゾール系等の螢光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物等を挙げることができる。具体的に化合物名を示せば、例えば、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載のものがあげられる。その代表例としては、２，５−ビス（５，７−ジーｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール；４，４′−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン；４，４′−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン；２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−ビス〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン；２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；４，４′−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル；５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル；２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾールなどのべンゾオキサゾール系、２，２′−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールなどのべンゾチアゾール系、２−〔２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル〕ベンゾイミダゾール；２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾールなどのべンゾイミダゾール系などの螢光増白剤が挙げられる。さらに他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ１９７１，６２８〜６３７頁及び６４０頁に列挙されている。前記金属キレート化オキシノイド化合物としては、例えば特開昭６３−２９５６９５号公報記載のものを用いることができる。その代表例としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム；ビス（８−キノリノール）Ｍｇ；ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛；ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド；トリス（８−キノリノール）Ｉｎ；トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム；８−キノリノールリチウム；トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム；ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム；ポリ〔亜鉛（ＩＩ）−ビス　（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕などの８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオンなどが挙げられる。
　　　【００１３】
　また、スチリルベンゼン系化合物としては、例えば欧州特許第０３１９８８１号明細書や欧州特許第０３７３５８２号明細書に記載のものを用いることができる。その代表例としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン；１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン；１，４−ビス−（４−メチルスチリル）ベンゼン；ジスチリルベンゼン；１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン；１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン；１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン；１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等が挙げられる。
　　　【００１４】
　また、特開平２−２５２７９３号公報に記載のジスチリルピラジン誘導体を発光材料として用いることができる。その代表例としては、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン；２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン；２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン；２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン；２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン；２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジンなどが挙げられる。
　その他のものとして、例えば欧州特許第０３８７７１５号明細書に記載のポリフェニル系化合物も発光材料として用いることもできる。
　　　【００１５】
　さらに、前記化合物以外に、例えば１２−フタロペリノン（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，第２７巻，Ｌ７１３（１９８８年））；１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン；１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））；ナフタルイミド誘導体（特開平２−３０５８８６号公報）；ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報）；オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報、また第３８回応用物理学関係連合演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体）；アルダジン誘導体（特開平２−２２０３９３号公報）；ピラジリン誘導体（特開平２−２２０３９４号公報）；シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）；ピロロピロール誘導体（特開平２−２９６８９１号公報）；スチリルアミン誘導体（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））あるいはクマリン系化合物（特開平２−１９１６９４号公報）を用いることができる。
　さらに、発光材料としては特願平２−２４８７４９号明細書及び特願平２−２７９３０４号明細書で示された二量体化合物も挙げられる。
　発光材料としては、さらに、国際特許ＷＯ９０／１３１４８や、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物も好ましい。
　本発明では、特に発光材料として、芳香族ジメチリディン系化合物（欧州特許０３８８７６８号明細書に記載のもの）を用いることが好ましい。具体例としては、１，４−フェニレンジメチリディン；４，４’−フェニレンジメチリディン；２，５−キシリレンジメチリディン；２，６−ナフチレンジメチリディン；１，４−ビフェニレンジメチリディン；１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン；９，１０−アセトラセンジイルジメチリディン等及びそれら誘導体が挙げられる。
　　　【００１６】
　上記発光材料を用いた発光層の形成方法としては、例えば蒸着法，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法などの公知の方法により薄膜化することにより形成することができるが、特に分子堆積膜であることがより好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜はＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは、凝集構造，高次構造の相異や、それに起因する機能的な相異により区分することができる。
　また、該発光層は、特開昭５７−５１７８１号公報などに開示されているように、樹脂などの結着剤と該化合物とを溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化し、形成することができる。
　このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、通常５ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
　　　【００１７】
　本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、電界印加時に、陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、かっ陰極又は電子注入層より電子を注入することができる注入機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる発光機能などを有している。なお、正孔の注入されやすさと、電子の注入されやすさには違いがあっても構わない。また、正孔と電子の移動度で表される輸送機能に大小があってもよいが、どちらか一方を移動することが好ましい。
　　　【００１８】
　この有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ２，ＺｎＯなどの誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作製することができる。この電極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
　さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ，好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
　　　【００１９】
　一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ｎａ，Ｎａ−Ｋ合金，Ｍｇ，Ｌｉ，Ｍｇ／Ｃｕ混合物，Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３混合物，Ｉｎなどが挙げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０〜５００ｎｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、この有機ＥＬ素子においては、該陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合である。
　　　【００２０】
　本発明において、正孔注入層，電子注入層は特に必要な有機ＥＬ素子の構成要素ではなく、用いても用いなくてもよい。ここで、正孔注入材料として使用可能な化合物としては、特に制限はないが、前記の好ましい性質を有するものであればよく、従来、光導伝材料において、正孔注入材料としで慣用されているものや有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意、のものを選択して用いることができる。この正孔注入材料は、正孔の注入，電子の障壁性のいづれかを有するものであり、有機物あるいは無、機物どちらでもよい。
　該正孔注入材料としては、例えばトリアゾール誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明細書等参照），オキサジアゾール誘導体（米国特許第３，１８９，４４７号明細書等参照、），イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照），ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３，６１５，４０２号明細書，同３，８２０，９８９号明細書，同３，５４２，５４４号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同５１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５３号公報，同５６−３６６５６号公報等参照），ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書，同４，２７８，７４６号明細書，特開昭５５−８８０６４号公報，同５５−８８０６５号公報，同４９−１０５５３７号公報，同５５−５１０８６号公報，同５６−８００５１号公報，同５６−８８１４１号公報，同５７−４５５４５号公報，同５４−１１２６３７号公報，同５５−７４５４６号公報等参照），フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書，特公昭５１−１０１０５号公報，同４６−３７１２号公報，同４７−２５３３６号公報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５４−１１０５３６号公報，同５４−１１９９２５号公報等参照、），アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書，同３，１８０，７０３号明細書，同３，２４０，５９７号明細書，同３，６５８，５２０号明細書，同４，２３２，１０３号明細書，同４，１７５，９６１号明細書，同４，０１２，３７６号明細書，特公昭４９−３５７０２号公報，同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−１４４２５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同５６−２２４３７号公報，西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照），アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照），オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書などに記載のもの），スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照），フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照），ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同５５−５２０６３号公報，同５５−５２０６４号公報，同５５−４６７６０号公報，同５５−８５４９５号公報，同５７−１１３５０号公報，同５７−１４８７４９号公報，特開平２−３１１５９１号公報等参照），スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４５１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２２５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３６６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−３０２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０−９４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同６０−１７５０５２号公報等参照）などを挙げることができる。
　さらに、正孔注入輸送材料としては、シラザン誘導体（米国特許第４９５０９５０号明細書），ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報），アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、また特願平１−２１１３９９号明細書で示された導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。
　　　【００２１】
　本発明においては、これらの化合物を正孔注入材料として使用することができるが、次に示すポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報などに記載のもの）及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書，特開昭５３−２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公報，同５６−ｌ１９１３２号公報，同６１−２９５５５８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５６９５号公報等参照），特に該芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
　　　【００２２】
　該ポルフィリン化合物の代表例としては、ポルフィン；１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（ＩＩ）；１，１０，１５，２０−テトラフェニル２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜銅（ＩＩ）；５，１０，１５，２０−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウムフタロシアニンオキシド；Ｍｇフタロシアニン；銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
　また、該芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤＡ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾールなどが挙げられる。
　また、発光材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物も使用可能できる。
　　　【００２３】
　本発明の有機ＥＬ素子における正孔注入層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。正孔注入層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
　この正孔注入層は、これらの正孔注入輸送材料一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、あるいは、前記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
　　　【００２４】
　また、電子注入材料として使用可能な化合物は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。このような電子注入材料については、特に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
　例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、特開昭５７−１４９２５９号，同５８−５５４５０号，同６３−１０４０６１号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導体、Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ　Ｖｏｌ．３７，Ｎｏ．３（１９８８），ｐ．６８１等に記載されているジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、Ｊａｐａｎｅａｓｅ　Ｊｏｕｍａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，２７，Ｌ２６９（１９８８）、特開昭６０−６９６５７号，同６１−１４３７６４号，同６１−１４８１５９号公報等に記載されているフレオレニリデンメタン誘導体、特開昭６１−２２５１５１号，同６１−２３３７５０号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導体及びアントロン誘導体、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５５，１５，１４８９や前述の第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されている一連の電子伝達性化合物等が挙げられる。この公報では該物質は発光層を形成する材料として開示されているが、我々は検討の結果、本発明の電子注入層を形成する材料として用いることができることがわかった。
　　　【００２５】
　また、８−キノリノール誘導体の金属錯体で具体的には次に挙げる化合物、即ち、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム，トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム，トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ならびにアルミニウム，Ｉｎ以外のＭｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｐｂ錯体等がある。
　メタルフリーあるいはメタルフタロシアニン，またはそれらの末端がアルキル基，スルホン酸基等で置換されているものも望ましい。
　また、発光材料として示したジスチリルピラジン誘導体も電子注入材料として挙げられる。
　　　【００２６】
　電子注入層として使用可能な有機化合物としては、上記化合物を、例えば真空蒸着法，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。電子注入層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
　この電子注入層は、これらの電子注入材料１種又は２種以上からなる一層で構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合物からなる電子注入層を積層したものであってもよい。
　さらに無機物であるＰ型−Ｓｉ，Ｐ型−ＳｉＣによる正孔注入輸送材料、ｎ型−Ｓｉ，ｎ型−ＳｉＣによる電子注入輸送材料を電子注入輸送材料として用いることができる。例えば、国際公開公報ＷＯ９０／０５９９８に開示されている無機半導体等が挙げられる。
　　　【００２７】
　次に、本発明の方法において有機ＥＬ素子を作製する好適な例を説明する。本発明の素子構成としては、陽極／発光層／ＭｇＯ層／陰極，陽極／正孔注入層／発光層／ＭｇＯ層／陰極，陽極／発光層／電子注入層／ＭｇＯ層／陰極，陽極／発光層／ＭｇＯ層／電子注入層／陰極，陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／ＭｇＯ層／陰極，陽極／正孔注入層／発光層／ＭｇＯ層／電子注入層／陰極等が挙げられるが、ここでは、例えば、陽極／正孔注入層／発光層／ＭｇＯ層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。なお、ＭｇＯに代えて他の金属酸化物、例えばＢａＯ，ＣａＯ，ＮｉＯ等を用いることもできる。
　まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に正孔注入輸送材料からなる薄膜を形成し、正孔注入層を設ける。該正孔注入輸送材料の薄膜化の方法としては、前記のごとくスピンコート法，キャスト法，蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、かっピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法が好ましい。該正孔注入材料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類，分子堆積膜の目的とする結晶構造，再結合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃，真空度１０−５〜１０−３Ｐａ，蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ，基板温度−５０〜３００℃，膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次に発光層の形成後、前述のＭｇＯ層を形成し、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１０〜５００ｎｍ好ましくは　５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。なお、この有機ＥＬ素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極，ＭｇＯ層，発光層，正孔注入層，陽極の順に作製することも可能である。
　このようにして得られた有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋，陰極を−の極性として電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋，陰極が−の状態になったときのみ均一な発光をする。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
　　　【００２８】
　　【実施例】
　次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例１
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのサイズの白板ガラス基板上にＩＴＯ電極を１００ｎｍの厚さで作製したものを透明電極基板とした。
　この基板をイソプロピルアルコールにて３０分間超音波洗浄した後、純水で３０分間超音波洗浄し、さらにイソプロピルアルコールで３０分間超音波洗浄した。この透明電極基板を市販の蒸着装置（日本真空技術社製）の基板ホルダに固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤＡ）を２００ｍｇ入れ、また別のモリブデン製のボートに４，４’−（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空層を１×１０−４Ｐａまで減圧した。
　その後、ＴＰＤＡ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透明電極基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜した。この時の基板温度は室温であった。これを真空層より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＰＶＢｉを発光層として６０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２５０℃で蒸着速度が０．１〜０．２ｎｍ／秒、基板温度は室温であった。
　次にモリブデン製の抵抗加熱ボートにＭｇリボン１ｇを入れ、また別のモリブデン製の抵抗加熱ボートにインジウム（Ｉｎ）５００ｍｇを装着した。その後、真空層を２×１０−４Ｐａまで減圧してから、真空槽内に酸素ガスを８×１０−２Ｐａになるように導入し、Ｍｇを入れたボートを加熱してＭｇ蒸気を発生させ蒸着速度０．０５ｎｍ／秒で発光層上に蒸着して、膜厚１０ｎｍの酸化物層を製膜した。
　さらに、再び真空層を２×１０−４Ｐａまで減圧してから、Ｉｎの入ったボートを５００℃まで加熱して、Ｉｎを蒸着速度０．０３〜０．０８ｎｍ／秒で蒸着させ、同時に抵抗加熱法により、もう一方のボートからＭｇの入ったボートを８００℃まで加熱して、Ｍｇを蒸着速度１．７〜２．８ｎｍ／秒で蒸着した。以上の条件で、ＩｎとＭｇの混合金属電極を発光層上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。
　得られた有機ＥＬ素子のＩＴＯを陽極、Ｍｇ／Ｉｎ混合電極を陰極として、印加電圧３０Ｖ，電流密度３００ｍＡ／ｃｍ２で３０００ｃｄ／ｍ２の輝度の均一な青色発光を観察した。また、この有機ＥＬ素子は印加電圧３２．５Ｖで破壊した。
　　　【００２９】
実施例２
　発光層に２，５−ビス−（２，２’−ジパラトリルビニル）キシレンを用い、ＭｇＯ膜厚を２０ｎｍにした以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作成した。
　この有機ＥＬ素子のＩＴＯを陽極、Ｍｇ／Ｉｎ混合電極を陰極として、印加電圧３５Ｖ，電流密度３６０ｍＡ／ｃｍ２で１７２２ｃｄ／ｍ２の輝度の均一な青緑色発光を観察した。また、この有機ＥＬ素子は印加電圧４０Ｖで破壊した。
　　　【００３０】
実施例３
　発光層にトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いた以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作成した。
　この有機ＥＬ素子のＩＴＯを陽極、Ｍｇ／Ｉｎ混合電極を陰極として、印加電圧３０Ｖ，電流密度４００ｍＡ／ｃｍ２で５０００ｃｄ／ｍ２の輝度の均一な青緑色発光を観察した。また、この有機ＥＬ素子は印加電圧３５Ｖで破壊した。
　　　【００３１】
実施例４
　実施例１と同様にして発光層まで作成し、ＭｇＯのペレットを同じ真空槽内にある電子ビーム蒸着器に取付け４ｋＶの加速電圧で電子をＭｇＯのペレットにあて表面を加熱し、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒で蒸着させ、膜厚１０ｎｍの酸化物層を製膜した。
　この有機ＥＬ素子のＩＴＯを陽極、Ｍｇ／Ｉｎ混合電極を陰極として、印加電圧３０Ｖ，電流密度３００ｍＡ／ｃｍ２で２０００ｃｄ／ｍ２の輝度の均一な青色発光を観察した。また、この有機ＥＬ素子は印加電圧３５Ｖで破壊した。
　　　【００３２】
実施例５
　Ｍｇの代わりにバリウム（Ｂａ）を用いた以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作成した。即ち、ＭｇＯの代わりにＢａＯを、陰極と発光層の間に挿入した。このＢａＯは、モリブデンのボートを８００℃に加熱し、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒で蒸着させて得られた。膜厚は１０ｎｍであった。
　この有機ＥＬ素子のＩＴＯを陽極、Ｍｇ／Ｉｎ混合電極を陰極として、印加電圧３０Ｖ，電流密度２５０ｍＡ／ｃｍ２で１２００ｃｄ／ｍ２の輝度の均一な青色発光を観察した。また、この有機ＥＬ素子は印加電圧３２．５Ｖで破壊した。
　　　【００３３】
比較例１
　ＭｇＯ膜を設けなかった以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作成した。
　この有機ＥＬ素子のＩＴＯを陽極、Ｍｇ／Ｉｎ混合電極を陰極として、印加電圧１２．５Ｖ，電流密度１５００ｍＡ／ｃｍ２で１５００ｃｄ／ｍ２の輝度の直径１００μｍ程度のリング状の形状の青色発光を観察した。また、この有機ＥＬ素子は印加電圧１５Ｖで破壊した。
　　　【００３４】
参考例（ＭｇＯ膜生成の確認）
　実施例１と同じ条件で、真空チャンバーに酸素を導入し、金属Ｍｇを抵抗加熱して蒸発させ、チャンバー内で酸化し、Ａｕを蒸着させた（ＭｇＯの酸素とガラス基板の酸素との測定混同を避けるため、ガラス基板と酸化物層の間にＡｕを挿入した。）ガラス基板上に蒸着させ膜厚３０ｎｍの膜を作成した。この膜をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で分析した結果、Ｍｇのピークのシフトと膜内のＭｇと酸素の量の割合から、この膜はＭｇＯであることを確認した。
　　　【００３５】
　　【発明の効果】
　上述の如く、本発明によれば、発光層と陰極の間に絶縁性（４．０ｅＶ以上）の金属酸化物層を挿入してなる有機ＥＬ素子は、耐電圧性を向上させ、陰極に用いる金属の付着性を改善させ均一発光を可能にし、さらに広いエネルギーギャップ（４．０ｅＶ以上）の効果により正孔障壁性を有し、電子と正孔の再結合性を高め、発光効率を落とさず高効率の有機ＥＬ素子を得ることができる。
　従って、本発明は、化学工業、特に表示素子の分野で有効に利用することが期待できる。