【事件の表示】
　特許第２９２５５４２号「磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９２５５４２号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．　本件発明　
　特許第２９２５５４２号は平成１０年７月２３日（優先権主張平成１０年３月１２日）に特許出願され、平成１１年５月７日設定登録されたもので、請求項１〜請求項１６に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜請求項１６に記載された以下のとおりである。　
　
「【請求項１】　非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために、強磁性層の非磁性金属層と接する面と反対側の面に形成された反強磁性層と、反強磁性層の強磁性層と接する面と反対側の面に形成された反強磁性化プロモート層と、を有する多層膜を備えてなるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜であって、　
　前記反強磁性層は、ＣｕＡｕ−Ｉ型の規則結晶構造をもつＭｎ含有化合物からなり、当該反強磁性層は、前記強磁性層との交換結合を生じさせるために、熱処理操作を必要とする特性を有し、かつ、当該熱処理操作後の前記反強磁性層は、（１１１）結晶配向面に配向されており、　
　前記反強磁性層の（１１１）結晶配向面内の格子定数Ｌａに対する、前記反強磁性化プロモート層の最密面内の格子定数Ｌｐの比Ｌｐ／Ｌａが、０．９〜１．１の範囲内にあることを特徴とする磁気抵抗効果膜。　
　【請求項２】　前記（１１１）結晶配向面に配向された反強磁性層は、ＰｔＭｎあるいはＰｔＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含む合金であり、前記反強磁性化プロモート層は、Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ａｌ，Ｃｕ，ＡｕおよびＡｇの中から選定された少なくとも１種からなる請求項１に記載の磁気抵抗効果膜。　
　【請求項３】　前記反強磁性化プロモート層は、Ｐｄ，Ｐｔ，ＲｈおよびＲｅの中から選定された少なくとも１種からなる請求項２に記載の磁気抵抗効果膜。　
　【請求項４】　前記（１１１）結晶配向面に配向された反強磁性層は、ＮｉＭｎあるいはＮｉＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含む合金であり、前記反強磁性化プロモート層は、Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，ＲｅおよびＯｓの中から選定された少なくとも１種からなる請求項１に記載の磁気抵抗効果膜。　
　【請求項５】　前記反強磁性化プロモート層は、Ｐｄ，ＩｒおよびＲｈの中から選定された少なくとも１種からなる請求項４に記載の磁気抵抗効果膜。　
　【請求項６】　前記反強磁性化プロモート層の厚さが、０．１〜１０ｎｍである請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の磁気抵抗効果膜。　
　【請求項７】　基板の上に直接または下地層を介して、前記反強磁性化プロモート層、前記反強磁性層、前記強磁性層、前記非磁性金属層、および前記軟磁性層が順次、積層された構造を有してなる請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の磁気抵抗効果膜。　
　【請求項８】　基板の上に下地層を設け、この下地層の上に、前記反強磁性化プロモート層、前記反強磁性層、前記強磁性層、前記非磁性金属層、および前記軟磁性層が順次、積層された構造を有し、前記下地層が、Ｔａ，Ｈｆ，ＺｒおよびＴｉの中から選定された少なくとも１種からなる請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の磁気抵抗効果膜。　
　【請求項９】　磁気抵抗効果膜と、導体膜と、電極部とを含む磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記導体膜は、前記電極部を介して前記磁気抵抗効果膜と導通しており、前記磁気抵抗効果膜は、非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために、強磁性層の非磁性金属層と接する面と反対側の面に形成された反強磁性層と、反強磁性層の強磁性層と接する面と反対側の面に形成された反強磁性化プロモート層とを有する多層膜を備えてなるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜であり、　
　前記反強磁性層は、ＣｕＡｕ−Ｉ型の規則結晶構造をもつＭｎ含有化合物からなり、当該反強磁性層は、前記強磁性層との交換結合を生じさせるために、熱処理操作を必要とする特性を有し、かつ、当該熱処理操作後の前記反強磁性層は、（１１１）結晶配向面に配向されており、前記反強磁性層の（１１１）結晶配向面内の格子定数Ｌａに対する、前記反強磁性化プロモート層の最密面内の格子定数Ｌｐの比Ｌｐ／Ｌａが、０．９〜１．１の範囲内にあることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。　
　【請求項１０】　前記（１１１）結晶配向面に配向された反強磁性層は、ＰｔＭｎあるいはＰｔＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含む合金であり、前記反強磁性化プロモート層は、Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ａｌ，Ｃｕ，ＡｕおよびＡｇの中から選定された少なくとも１種からなる請求項９に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。　
　【請求項１１】　前記反強磁性化プロモート層は、Ｐｄ，Ｐｔ，ＲｈおよびＲｅの中から選定された少なくとも１種からなる請求項１０に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。　
　【請求項１２】　前記（１１１）結晶配向面に配向された反強磁性層は、ＮｉＭｎあるいはＮｉＭｎを少なくとも８０ａｔ％以上含む合金であり、　前記反強磁性化プロモート層は、Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，ＲｅおよびＯｓの中から選定された少なくとも１種からなる請求項９に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。　
　【請求項１３】　前記反強磁性化プロモート層は、Ｐｄ，ＩｒおよびＲｈの中から選定された少なくとも１種からなる請求項１２に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。　
　【請求項１４】　前記反強磁性化プロモート層の厚さが、０．１〜１０ｎｍである請求項９ないし請求項１３のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。　
　【請求項１５】　前記磁気抵抗効果膜は、基板の上に直接または下地層を介して、前記反強磁性化プロモート層、前記反強磁性層、前記強磁性層、前記非磁性金属層、および前記軟磁性層が順次、積層された構造を有してなる請求項９ないし請求項１４のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。　
　【請求項１６】　基板の上に下地層を設け、この下地層の上に、前記反強磁性化プロモート層、前記反強磁性層、前記強磁性層、前記非磁性金属層、および前記軟磁性層が順次、積層された構造を有し、前記下地層が、Ｔａ，Ｈｆ，ＺｒおよびＴｉの中から選定された少なくとも１種からなる請求項９ないし請求項１４のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。　
　
　
２．　申立ての理由の概要　
　特許異議申立人 友野 宏は、本件特許の請求項１〜請求項１６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであるか、または、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができなかったものであり、このために、特許法第１１３条第１項第２号に該当し、取り消すべきものである旨主張し、以下の証拠方法を提出している。　
　
　甲第１号証：特開平９−２３７４１０号公報　
　甲第２号証：特開平６−３１４６１７号公報　
　
　参考資料　
　参考資料１：Jpn．J．Appl．Phys．，Vol．33(1994)　pp．133−137　
　参考資料２：J．Magnetism　and　Magnetic　Materials，173　(1997)　
　　　　　　　pp．321−330　
　参考資料３：IEEE　Trans．Magnetics，Vol．30　NO．6(1994)　
　　　　　　　pp．4878−4880　
　参考資料４：J．Appl．Phys．，81(8)(1997)　pp．4906−4908　
　参考資料５：J．Appl．Phys．，75(10)(1994)　pp．5800　
　参考資料６：Jpn．J．Appl．Phys．，Vol．36(1997)　
　　　　　　　pp．L1161−L1164　
　
　
３．　甲第第１，甲第２号証に記載された発明
　
甲第１号証
「【０００５】　
　本発明の目的は、上述の磁気抵抗効果型ヘッド用の高磁気抵抗効果多層膜における交換バイアス磁界の不釣合の解決方法を提供することにある。」と、　
　
第３頁段落３には、　
「【０００８】　
　【発明の実施の形態】　
　［実施例］　
　多層膜の作製にはイオンビームスパッタリング法を用いた。到達真空度は、３／１０5Ｐａ、スパッタリング時のＡｒ圧力は０．０２Ｐａである。また、膜形成速度は、０．０１〜０．０２ｎｍ／ｓである。形成した多層膜の断面構造を図１に示す。基板１１にはＳｉ（１００）単結晶を用いた。また、結晶性制御層１２として、厚さ３ｎｍのＨｆを用いた。結晶系制御層１３としては、厚さ３ｎｍのＣｕを用いた。反強磁性層１４および２０には、厚さ１０ｎｍのＦｅ−４０ａｔ％Ｍｎ合金を用いた。磁性層１５および１９には、厚さ３ｎｍのＮｉ−１６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏ合金を用いた。非磁性層１６および１８には、厚さ３ｎｍのＣｕを用いた。磁性層１７には、種々の厚さのＮｉ−１６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏ合金を用いた。多層膜の最上部には、保護層２１として厚さ３ｎｍのＨｆ層を形成した。」と、　
　
　第４頁段落１６〜１８に、　
　「【００１６】　
　また、本実施例では、Ｍｎを含む反強磁性層として、Ｆｅ−Ｍｎ系合金層を用いたが、他のＭｎ系合金を用いても良い。他のＭｎ系合金としては、Ｍｎ−Ｉｒ系合金層、Ｃｏ−Ｍｎ系合金層、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｐｔ系合金層、Ｃｒ−Ｍｎ系合金層、Ｃｒ−Ｍｎ系合金に貴金属を添加した合金層から選ばれる合金層などが好ましい。　
　【００１７】　
　また、本実施例では、結晶系制御層１３としてＣｕを用いたが、面心立方構造を有し、格子定数がＭｎ系反強磁性層とほぼ等しければ、Ｍｎ系反強磁性層を面心立方構造とすることができ、Ｍｎ系反強磁性層が室温で反強磁性層を示す。　
　【００１８】　
　また、本実施例では、結晶性制御層１２としてＨｆを用いたが、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａから選ばれる金属、あるいは、上記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ相互の合金、あるいは、上記金属を主成分とする合金を用いても、結晶系制御層の結晶配向性が（１１１）となり、結晶系制御層上に形成したＭｎ系反強磁性層を面心立方構造とすることができる。」と、　
　
　第４頁段落２１に、　
「【００２１】　
　［実施例３］　
　実施例２で述べた磁気抵抗効果素子を用い、磁気ヘッドを作製した。磁気ヘッドの構造を以下に示す。図７は、記録再生分離型ヘッドの一部分を切断した場合の斜視図である。多層磁気抵抗効果膜７１をシールド層７２、７３で挾んだ部分が再生ヘッドとして働き、コイル７４を挾む下部磁極７５、上部磁極７６の部分が記録ヘッドとして働く。また、電極７８には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を用いた。」と記載されている。　
　
　
　　
甲第２号証
「【０００５】　
　【発明が解決しようとする課題】　
　上述したように、たとえば磁気抵抗効果素子のバルクハウゼンノイズの低減等、強磁性体膜との交換結合を得るために用いられてきた従来の反強磁性体膜は、その耐食性、熱安定性や強磁性体膜との交換結合力等に問題があった。　
　【０００６】　
　本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、良好な交換結合力を有し、かつ耐食性に優れた反強磁性体膜を備えた交換結合膜およびこの交換結合膜を具備してなり、安定した出力を長期間に亘って得ることのできる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。　
　【０００７】　
　【課題を解決するための手段および作用】　
　上記目的を達成するために本発明は、組成がＮ100-ｚMnｚ（ＮはCu,Ru,Rh,Re,Ag,Au,Os,Irのうちから選ばれた少なくとも１種で24≦ｚ≦75、あるいはＮはPd,Ptのうちから選ばれた少なくとも１種で24≦ｚ＜35または40＜ｚ≦75）で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜と、この反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備える交換結合膜、および組成がCr100-ｘＭｘ（Ｍは周期律表３ｂ族元素、Cu,Ru,Rh,Re,Pt,Pd,Ag,Au,Os,Ir,Mn,Fe,Co,Vのうちから選ばれた少なくとも１種で0＜ｘ＜30で表される反強磁性体膜と、この反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備えることを特徴とする交換結合膜、さらにはこれら交換結合膜と前記交換結合膜のうち少なくとも強磁性体膜に電流を通電するための電極とが基板上に形成された磁気抵抗効果素子を提供する。」と記載されている。　
　
　
４．　対比判断　
　本件請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。）と本件請求項９に係る発明（以下「本件発明９」という）を甲第１号証，甲第２号証に記載された発明と対比する。　
　
　本件発明１および本件発明９は、反強磁性層としてＮｉＭｎやＰｔＭｎを用いた場合において、反強磁性層の規則化温度を低下せしめ、スピンバルブ膜特性（例えばＭＲ変化率）に悪影響を及ばさないようにできるだけ低い熱処理温度（例えば２５０℃以下）で交換結合を生じさせることができる磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的として、反強磁性化プロモート層を設けたもので、反強磁性層は、強磁性層との交換結合を生じさせるために、熱処理操作を必要とする特性を有し、かつ、当該熱処理操作後の前記反強磁性層は、（１１１）結晶配向面に配向されており、前記反強磁性層の（１１１）結晶配向面内の格子定数Ｌａに対する、反強磁性化プロモート層の最密面内の格子定数Ｌｐの比Ｌｐ／Ｌａが、０．９〜１．１の範囲内にあることを特徴とするものである。　
　これに対して、　
　甲第１号証は高磁気抵抗効果多層膜における交換バイアス磁界の不釣合の解決方法を提供するものであり、　
　甲第２号証は良好な交換結合膜を得ることを目的としたもので、　
　本件発明１および本件発明９の熱処理後の反強磁性層が（１１１）結晶配向面に配向されており、前記反強磁性層の（１１１）結晶配向面内の格子定数Ｌａに対する、反強磁性化プロモート層の最密面内の格子定数Ｌｐの比Ｌｐ／Ｌａが、０．９〜１．１の範囲内にある点について、甲１号証および甲第２号証の何れにも記載も示唆もされていない。　
　そして、請求項１および請求項９に係る発明は、熱処理後の反強磁性層が（１１１）結晶配向面に配向されており、前記反強磁性層の（１１１）結晶配向面内の格子定数Ｌａに対する、反強磁性化プロモート層の最密面内の格子定数Ｌｐの比Ｌｐ／Ｌａが、０．９〜１．１の範囲内とすることにより、熱処理温度を低くできスピンバルブ膜特性の劣化を少なくする効果を奏するものである。　
　したがって、請求項１および請求項９に係る発明は、甲第１号証，甲第２号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。また、甲第１号証と甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。　
　そして、本件特許の請求項２〜８および請求項９〜１６に係る発明は、同請求項１および請求項９に係る発明を更に限定したものであるから、上記と同様に甲第１号証，甲第２号証に記載された発明と同一とすることできないし、甲第１号証と甲２号証に記載の発明から容易に発明をすることができたとすることはできない。　
　さらに、参考資料を検討してみても、請求項１〜１６に係る発明は、甲第１号証，甲第２号証に記載された発明と同一であるとすることはできないし、甲第１号証と甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたとすることもできない。　
　
　
５．　むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。　
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月１３日（２０００．１０．１３）