【事件の表示】
　特許第２９６７７８４号「堆積膜形成方法及びその装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９６７７８４号の請求項１、２、３、５に係る特許を取り消す。
　同請求項４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９６７７８４号の発明は、平成１年１２月１１日に出願され、平成１１年８月２０日にその発明について特許が設定登録され、その後、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年９月２２日に意見書が提出されたものである。
２．本件発明
　本件特許の請求項１〜５に係る発明は、それぞれその特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】成膜室と、成膜時に該成膜室の内壁面への膜付着を防ぐために該成膜室の内部に設けた防着板と、を有する堆積膜形成装置において、該防着板の温度を制御するために、該防着板の温度を低下するための冷却手段と、該冷却手段とは別に該防着板の温度を昇温するためのヒーターと、を備えたことを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】前記防着板の温度を制御するため該防着板の温度を測定する熱電対を有することを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】成膜室と、成膜時に該成膜室の内壁面への膜付着を防ぐために該成膜室の内部に設けた防着板と、を有する堆積膜形成装置を用いて成膜を行うに際し、該防着板の温度を低下するための冷却手段と、該冷却手段とは別に該防着板の温度を昇温するためのヒーターと、をそれぞれ制御して該防着板の温度を所定の温度範囲に保って成膜を行うことを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項４】前記防音板の温度は、室温から５０℃の温度範囲であることを特徴とする請求項３に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】前記防着板の温度の変動幅が、±５℃以内であることを特徴とする請求項３又は４に記載の堆積膜形成方法。」
３．申立の理由の概要
　特許異議申立人セイコーエプソン株式会社は、下記の甲第１号証ないし甲第３号証を提出して、本件の請求項１ないし５に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１ないし５に係る特許は取り消されるべきものであると主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平１−１５２２７１号公報
甲第２号証：特開平１−１４７０６１号公報
甲第３号証：特開昭６３−２３８２６６号公報
４．取消理由の概要
　当審で通知した取消理由の概要は、本件の請求項１、２、３、５に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である特開平１−１５２２７１号公報（以下「刊行物１」という）（前記甲第１号証と同一）、特開平１−１４７０６１号公報（以下「刊行物２」という）（前記甲第２号証と同一）及び特開昭６３−２３８２６６号公報（以下「刊行物３」という）（前記甲第３号証と同一）の記載に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができないというものである。
５．刊行物の記載内容
　刊行物１には以下の事項が記載されている。
（ａ）「基板上へ薄膜を形成するマグネトロン・スパッタ装置において、主な前記基板以外のスパッタ膜付着部分を、スパッタ時に前記スパッタ膜付着部分が到達する温度付近に温度コントロールしておく手段を具備したことを特徴とするスパッタ装置」（特許請求の範囲第（１）項）
（ｂ）「基板以外のスパッタ膜付着部分を、連続スパッタ時に前記スパッタ膜付着部分が到達安定する温度付近に常時、温度コントロールしておくことにより、上記スパッタ膜付着部分と付着スパッタ膜の間の温度変化による伸縮ずれを防止（低減）して付着スパッタ膜の剥がれを抑制し、チャンバー内パーティクル数を低減する」（第２頁左下欄第１４行〜右下欄第１行）
（ｃ）「防着板１５及び基板ホルダー１８を加熱保持可能なヒーター・ユニット２１及び２２を持つ事にある。」（第２頁右下欄第１６〜１８行）
（ｄ）「スパッタ時の防着板の到達温度は、ターゲットと基板間距離、チャンバ形状、ターゲット電力等により異なる為、防着板の最適保持加熱温度は、装置毎に異なる。その装置の防着板のスパッタ時の安定温度に設定すればよい。」（第３頁右上欄第９〜１３行）
（ｅ）第１図にはチャンバー内に防着板を設けることが図示されている。
（ｆ）第３図には防着板の温度変化とパーティクル数変化の関係が図示されている。
　刊行物２には以下の事項が記載されている。
（ｇ）「スパッタリングによる薄膜形成は、…基板がプラズマにさらされるということ等も相俟って基板温度が上昇するという欠点を有しており、…プラスチック基板上にスパッタリングで膜を形成する必要が増してきた。…エンジニアリング・プラスチックは…その熱変形温度は１５０℃程度である。従って、スパッタリングにて前記プラスチック基板に薄膜を形成する場合には、この熱変形温度以下に温度上昇を抑えなければならない。」（第１頁左下欄第１２行〜第２頁左上欄第９行）
（ｈ）「このため防着板ｅ、ｆの温度は放電時間とともに急激に上昇し、防着板ｅ、ｆ表面からの輻射熱が近傍を通過移動するパレットｃ上の基板（請求項１に係る発明の「基体」に相当）ｄの温度を著しく上昇させてしまうことがわかった。本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、スパッタリング時の基板温度の上昇を低減する新規なパレット移動型スパッタリング装置を提供することを目的とするものである。」（第２頁左下欄第１５行〜右下欄第３行）
（ｉ）「防着板専用の冷却機構を設け、防着板に冷却効果をもたせることにより、防着板のスパッタリングによる温度上昇が低減され、防着板の表面からの輻射熱が抑えられる。これによって、防着板の近傍を通過移動するパレット上の基板の温度を上昇させるおそれがなくなる。」（第２頁右下欄第１３〜１８行）
　刊行物３には以下の事項が記載されている。
（ｊ）「プラズマシールドに付着した膜は、ターゲットに一番近いため、膜の付着量が多い。そのため、膜の剥離が早く、その落下によりターゲットとプラズマシールドが電気的なショートを起こしたり、落下した膜が再度基板へ付着して、膜質を悪くするという問題点を有していた。本発明は上記問題点に鑑み、プラズマシールドに工夫を施すことにより、電気的なショートを防ぎ、膜質を向上させることを目的とするものである。」（第２頁左上欄第７〜１６行）
（ｋ）「プラズマシールド４内のヒーター６は温度調整機構にて常にプラズマシールド４が１００〜４００℃の領域の一部分で一定温度となるように調整されている。」（第２頁右下欄第３〜６行）
（ｌ）第１図にはスパッタリング装置の断面図が記載され、プラズマシールド４に冷却手段５とヒーター６を設けることが図示されている。
６．当審における判断
（本件発明について）
　本件明細書には、「次の２つの問題が生じることを本発明者は知見した。１（○付数字）連続的な成膜の実施によりスパッタ粒子や蒸着材粒子に曝された防着板はその小さな熱容量の為に容易に昇温し、その結果昇温した防着板からの熱輻射を受けて次第にその成膜室での基体温度が上昇する。２（○付数字）成膜を短時間でも停止すると防着板温度はやはりその小さな熱容量のために容易に低下し、防着板内壁面に付着堆積していた膜と防着板構成材（Ａｌ、ＳＵＳ等）である金属との膨張率の差により堆積膜は熱応力を受け、膜ワレ、膜剥れを起こして基体を汚染する発塵源となる。」（特許公報第３欄第１５〜２４行）及び「該防着板の温度を制御するために、該防着板の温度を低下するための冷却手段と、該冷却手段とは別に該防着板の温度を昇温するためのヒーターと、を備えたことにより、成膜時、非成膜時にかかわらず、常に防着板の温度を一定に保つことができる。これによって、基体を汚染する防着板からの膜剥がれを防止し、また最適な設定温度の選択によって、基板を昇温させる防着板からの輻射熱を最小限に抑えることが可能となる。」（同第４欄第７〜１５行）と記載されている。
　これらの記載から判断して、本件発明においては、１つには、冷却手段を設けることにより、昇温した防着板からの熱輻射を受けて次第にその成膜室での基体温度が上昇するという問題を解決するとともに、もう１つには、ヒーターを設けることにより、防着板の温度低下に基づく付着したスパッタ膜の膜剥がれを起こすという問題を解決するものである。
（請求項１に係る発明について）
　刊行物１には上記５．（ａ）〜（ｅ）の記載から「チャンバーと、成膜時に該チャンバーの内壁面への膜付着を防ぐために該チャンバーの内部に設けた防着板と、を有する堆積膜形成装置において、該防着板の温度をコントロールするために該防着板の温度を昇温するためのヒーター・ユニットを備えた堆積膜形成装置」が記載されていると云える。
　そこで、請求項１に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「チャンバー」は請求項１に係る発明の「成膜室」、同じく「コントロール」は「制御」、「ヒーター・ユニット」は「ヒーター」に相当する。
　そして、刊行物１記載の発明は、上記５．（ｂ）の記載から明らかなように、防着板の温度を所定範囲に制御することにより、防着板に付着したスパッタ膜の温度変化による膜剥がれを抑制するものであって、その防着板の温度制御を、ヒーターを設けることによりおこなうものである。
　してみれば、刊行物１に記載された発明と本件の請求項１に係る発明とでは、「成膜室と、成膜時に該成膜室の内壁面への膜付着を防ぐために該成膜室の内部に設けた防着板と、を有する堆積膜形成装置において、該防着板の温度を制御するために該防着板の温度を昇温するためのヒーターを備えた堆積膜形成装置」である点で一致し、膜剥がれの防止という課題、及びそのための、防着板のヒーターによる温度制御という解決手段においても、両者は異なるものではなく、両者の相違点は、請求項１に係る発明のもう１つの課題及びその解決手段、即ち、昇温した防着板からの熱輻射を受けて次第にその成膜室での基体温度が上昇するという問題を冷却手段を設けることにより解決する点については、刊行物１には記載がない点にある。（以下、相違点（１）という。）
　そこで上記相違点（１）について検討する。
　刊行物２には上記５．（ｈ）に摘記したように、「このため防着板ｅ、ｆの温度は放電時間とともに急激に上昇し、防着板ｅ、ｆ表面からの輻射熱が近傍を通過移動するパレットｃ上の基板（請求項１に係る発明の「基体」に相当）ｄの温度を著しく上昇させてしまうことがわかった。本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、スパッタリング時の基板温度の上昇を低減する新規なパレット移動型スパッタリング装置を提供することを目的とするものである。」と記載され、その解決手段として、防着板専用の冷却機構（請求項１に係る発明の「冷却手段」に相当）を設けることが記載されている。
  該刊行物２記載の装置は、パレット移動型スパッタリング装置に関するものであるが、防着板の加熱による基板温度の上昇は、パレット移動型に限らず、それ以外のスパッタリング装置においても発生する問題であることは、当業者であれば当然に予期しうるところである。
　してみれば、刊行物１記載の堆積膜形成装置において、刊行物２に記載された防着板に冷却手段を設けるという技術手段を適用し、刊行物１に記載されたヒーターに加えて、さらに冷却手段を備えるように構成することは、当業者が容易に想到しうるものと認められる。
　請求項１に係る発明は、「該防着板の温度を制御するために、該防着板の温度を低下するための冷却手段と、該冷却手段とは別に該防着板の温度を昇温するためのヒーターと、を備えたことにより、成膜時、非成膜時にかかわらず、常に防着板の温度を一定に保つことができる。」という明細書記載の効果を奏するものであるが、一般的に温度制御において、加熱手段と冷却手段の双方を併用して温度制御をより確実にすることは、本件出願前にすでに周知の技術的事項にすぎない。
　よって、本件の請求項１に係る発明の効果については、刊行物１及び刊行物２の記載から、当業者であれば容易に予期しうる範囲内のものであって、予期しえぬ格別な効果であるとは認められない。
（請求項２に係る発明について）
　請求項２に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、請求項２は請求項１を引用して記載されているから、上記した請求項１に係る発明についての一致点と相違点（１）に加えて、（２）請求項２に係る発明は防着板の温度を制御するため該防着板の温度を測定する熱電対を有するのに対し、刊行物１記載の発明は防着板の温度を測定する熱電対を有していない点で相違する。
　相違点（１）についての判断は上記のとおりであるので、相違点（２）について検討すると、上記４．（ｆ）より刊行物１記載の発明も防着板の温度を測定する手段を有していることは明らかであり、更に、温度測定手段として熱電対は本件出願前周知であるから、刊行物１記載の発明の防着板の温度測定手段として本件出願前周知の熱電対を用いることは、当業者が容易に想到し得るものと認める。
（請求項３に係る発明について）
　刊行物１には上記５．（ａ）〜（ｅ）の記載から「チャンバーと、成膜時に該チャンバーの内壁面への膜付着を防ぐために該チャンバーの内部に設けた防着板と、を有する堆積膜形成装置を用いて成膜を行うに際し、該防着板の温度を昇温するためのヒーター・ユニットをコントロールして該防着板の温度を成膜時に到達する温度付近に常時保って成膜を行う堆積膜形成方法」が記載されていると云える。
　　そこで、請求項３に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１記載の発明の「チャンバー」は請求項３に係る発明の「成膜室」、同じく「コントロール」は「制御」、「ヒーター・ユニット」は「ヒーター」に相当する。
　そして、刊行物１記載の発明は、防着板の温度を成膜時に到達する温度付近に常時保つことにより、防着板に付着したスパッタ膜の温度変化による膜剥がれを抑制するものであって、その防着板の温度制御をヒーターのオン−オフのみで行うものであるが、５．（ｂ）の記載より膜剥がれを抑制するためには防着板の温度を所定の温度範囲に保てばよく、成膜時に到達する温度としたのはヒーターのオンーオフのみで一定温度に制御するためと解される。
　してみれば、刊行物１に記載された発明と本件の請求項３に係る発明とでは、「成膜室と、成膜時に該成膜室の内壁面への膜付着を防ぐために該成膜室の内部に設けた防着板と、を有する堆積膜形成装置を用いて成膜を行うに際し、該防着板の温度を昇温するためのヒーターを制御して該防着板の温度を所定の温度範囲に保って成膜を行うことを特徴とする堆積膜形成方法。」である点で一致し、膜剥がれの防止という課題、及びそのための、防着板のヒーターによる温度制御という解決手段においても、両者は異なるものではなく、両者の相違点は、請求項３に係る発明のもう１つの課題及びその解決方法、即ち、昇温した防着板からの熱輻射を受けて次第にその成膜室での基体温度が上昇するという問題を冷却手段を制御することにより解決する点については、刊行物１には記載がない点にある。（以下、相違点（３）という。）
　そこで上記相違点（３）について検討する。
　刊行物２には上記５．（ｈ）に摘記したように、「このため防着板ｅ、ｆの温度は放電時間とともに急激に上昇し、防着板ｅ、ｆ表面からの輻射熱が近傍を通過移動するパレットｃ上の基板（請求項１に係る発明の「基体」に相当）ｄの温度を著しく上昇させてしまうことがわかった。本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、スパッタリング時の基板温度の上昇を低減する新規なパレット移動型スパッタリング装置を提供することを目的とするものである。」と記載され、その解決手段として、防着板専用の冷却機構（請求項３に係る発明の「冷却手段」に相当）により防着板を温度制御することが記載されている。
  該刊行物２記載の方法は、パレット移動型スパッタリング方法に関するものであるが、防着板の加熱による基板温度の上昇は、パレット移動型に限らず、それ以外のスパッタリング方法においても発生する問題であることは、当業者であれば当然に予期しうるところである。
　してみれば、刊行物１記載の堆積膜形成方法において、刊行物２に記載された防着板を冷却手段により温度制御するという技術手段を適用し、刊行物１に記載されたヒーターによる温度制御に加えて、さらに冷却手段により温度制御するように構成することは、当業者が容易に想到しうるものと認められる。
　請求項３に係る発明は、「該防着板の温度を制御するために、該防着板の温度を低下するための冷却手段と、該冷却手段とは別に該防着板の温度を昇温するためのヒーターと、をそれぞれ制御することにより、成膜時、非成膜時にかかわらず、常に防着板の温度を一定に保つことができる。」という明細書記載の効果を奏するものであるが、一般的に温度制御において、加熱手段と冷却手段の双方をそれぞれ制御して温度制御をより確実にすることは、本件出願前にすでに周知の技術的事項にすぎない。
　よって、本件の請求項３に係る発明の効果については、刊行物１及び刊行物２の記載から、当業者であれば容易に予期しうる範囲内のものであって、予期しえぬ格別な効果であるとは認められない。
（請求項４に係る発明について）
　請求項４に係る発明の構成である「防音板の温度は、室温から５０℃の温度範囲である」点については、刊行物１〜３のいずれにも記載ないし示唆されていない。そして、請求項４に係る発明は、この点により「室温未満では防着板、ターゲット交換時成膜室を大気開放する際に防着板及び防着板支持（接触）部に大気中の水分が凝縮していわゆる水分による成膜室の汚染が起こる。また、５０℃を越えると防着板と基体の位置関係にも依るが、防着板からの輻射熱により基体の昇温が起こる。」（本件特許公報第２頁右欄第１７〜２２行）という刊行物１〜３の記載から予期し得ない効果を奏するものであるから、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
（請求項５に係る発明について）
　請求項５に係る発明の請求項３を引用した部分と刊行物１記載の発明とを対比すると、上記した請求項３に係る発明についての一致点と相違点（３）に加えて、（４）請求項５に係る発明は防着板の温度の変動幅が±５℃以内であるのに対し、刊行物１記載の発明は温度の変動幅は特定されていない点で相違する。
　相違点（３）についての判断は上記のとおりであるので、相違点（４）について検討すると、防着板の温度変動によって付着膜の剥離が起こるものであるから、温度変動幅は小さい方が望ましいことは自明の事項である。また、請求項５に係る発明は防着板の温度の変動幅が±５℃以内と特定した点に望ましい以上の臨界的意義は認められない。よって、この点は所望される膜の品質、膜形成コスト等を考慮して当業者が適宜設定できる程度のものと認める。　
７．むすび
   以上のとおりであるから、本件の請求項１、２、３、５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、特許を取り消すべきものである。
　また、本件の請求項４に係る特許については、特許異議申立人の主張および証拠方法によっては取消すことはできず、他に特許を取消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。                            　
【異議決定日】
平成１２年１２月２２日（２０００．１２．２２）