【事件の表示】
　特許第２８１０５５１号「半導体パッケージ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８１０５５１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２８１０５５１号（平成３年２月２８日出願、平成１０年７月３１日設定登録）は、京セラ株式会社により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１月２５日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年２月２５日に手続補正書が提出されたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正請求に対する補正の適否について
１）補正の内容（２）、（３）
　この補正の内容（２）、（３）は、特許明細書の段落００１７及び特許図面の図１、２の記載に基づいて、訂正明細書の請求項１を「・・・、前記パッケージ本体には、前記第２の段差の下端部から前記メタライズ面に上に向って、前記第２の段差の高さより薄い厚さを有する絶縁層が前記メタライズ面全周にわたって形成され、前記第２の段差の下端部と前記絶縁層とは前記第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。」と補正するものであり、また、請求項２を「・・・、前記カバー部材とパッケージ本体の前記接着面の間に介在していると同時に、前記カバー部材と前記絶縁層の間にも介在し、それぞれを接着していることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。」と補正するものである。
　
２）補正の内容（４）〜（７）及び（８）〜（１５）
　この補正の内容（４）〜（７）は、上記補正の内容（２）、（３）による訂正明細書の請求項１、２の補正にともない、訂正明細書の発明の詳細な説明及び図面の簡単な説明の記載をその補正と整合させるために補正するものである。
　
３）補正の内容（１）
　この補正の内容（１）は、上記補正の内容（２）、（３）による訂正明細書の請求項１、２の補正にともない、訂正明細書の発明の名称の「半導体装置及びその製造方法」を、その補正と整合させるために「半導体パッケージ」に補正するものである。
　そして、上記補正の内容（１）〜（１５）は、いずれも、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するから、以下、補正された訂正請求書に基づいて検討する。
　
（２）訂正の要旨
１）訂正事項ａ、ｂについて
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２を以下のように訂正する。
　「【請求項１】半導体チップが固着される収納面と、該収納面の周囲に第１の段差を介して連続し、該半導体チップと外部とを接続する電極パターンが形成されたメタライズ面と、該メタライズ面と第２の段差を介して連続し、カバー部材が接着される接着面とを有するパッケージ本体の該接着面上周縁部にガラス材から成るシール材が塗布された該カバー部材を重ねたのち、該シール材を溶解させることにより該カバー部材をパッケージ本体に固着して、該半導体チップを該パッケージ本体内に封止する半導体パッケージにおいて、
前記パッケージ本体には、前記第２の段差の下端部から前記メタライズ面に上に向って、前記第２の段差の高さより薄い厚さを有する絶縁層が前記メタライズ面全周にわたって形成され、前記第２の段差の下端部と前記絶縁層とは前記第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
　【請求項２】前記シール材は、前記カバー部材をパッケージ本体に接着した状態において、
前記カバー部材とパッケージ本体の前記接着面の間に介在していると同時に、前記カバー部材と前記絶縁層の間にも介在し、それぞれを接着していることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。」
　
２）訂正事項ｃ〜ｆについて
　特許明細書の段落０００８（２〜１１行）に記載の「本発明は・・・設けられている。」を、「本発明は上記課題を解決するために、半導体チップが固着される収納面と、該収納面の周囲に第１の段差を介して連続し、該半導体チップと外部とを接続する電極パターンが形成されたメタライズ面と、該メタライズ面と第２の段差を介して連続し、カバー部材が接着される接着面とを有するパッケージ本体の該接着面上周縁部にガラス材から成るシール材が塗布された該カバー部材を重ねたのち、該シール材を溶解させることにより該カバー部材をパッケージ本体内に固着して、該半導体チップを該パッケージ本体内に封止する半導体パッケージにおいて、前記パッケージ本体には、前記第２の段差の下端部から前記メタライズ面に上に向かって、前記第２の段差の高さより薄い厚さを有する絶縁層が前記メタライズ面全周にわたって形成され、前記第２の段差の下端部と前記絶縁層とは前記第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられている。」と訂正し、同明細書の段落００２２（１行）に記載の「本発明の他の実施例」を「本発明の参考例」と訂正し、同明細書の段落００２４を削除し、さらに、同明細書の図面の簡単な説明の図４に記載の「本発明の他の実施例の要部断面図である。」を「本発明の参考例の要部断面図である。」と訂正する。
　
３）訂正事項ｇについて
　訂正事項として特許明細書の発明の名称を訂正する旨の明示はないが、手続補正書の上記補正の内容（１）には、誤記の訂正を目的として、発明の名称の「半導体装置及びその製造方法」を「半導体パッケージ」と補正する記載があり、さらに、補正された訂正明細書の発明の名称も「半導体パッケージ」に訂正されていることからみて、特許明細書の発明の名称を「半導体パッケージ」に訂正する訂正事項が設けられているものと認め、新たに訂正事項ｇを追加した。
　
（３）訂正の目的の適否・新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１）訂正事項ａ，ｂについて
　上記訂正事項ａ，ｂは、特許明細書の請求項１に記載の「シール材」が「ガラス材から成る」とした点については特許明細書の段落００１７に記載され、絶縁層と第２の段差との位置関係を「前記第２の段差の下端部と前記絶縁層とは前記第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられている」とした点については、特許図面の図１、２に示されており、また、同請求項２に記載の「パッケージの本体」を「パッケージ本体の前記接着面」と限定したものであり、いずれも特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
２）訂正事項ｃ〜ｆについて
　上記訂正事項ｃ〜ｆは、いずれも上記訂正事項ａ，ｂによる特許明細書の請求項１、２の訂正にともない、その訂正に特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の簡単な説明の記載を整合させるためのものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
３）訂正事項ｇについて
　上記訂正事項ｇは、上記訂正事項ａ，ｂによる特許明細書の請求項１、２の訂正にともない、その訂正に特許明細書の発明の名称を整合させるためのものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　したがって、上記訂正事項ａ〜ｆ及び訂正事項ｇは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した範囲内であって、また実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　
（４）独立特許要件
１）本件発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記［２］（２）１）参照）。
　
２）引用刊行物
　訂正前の請求項１に記載の発明（本件発明に対応する。）に対し、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（特開昭６４−２５４４２号公報）には、シール材によりキャップが接着されて内部が気密封止される半導体装置用パッケージに関する発明が、第１、２図とともに記載され、さらに、
　「従来の半導体装置では、加熱によって溶融したシール材がパッケージとキャップとの間から流れ出すことがあり、パッケージの外側に流れ出た場合には半導体装置の外観が劣化して商品価値が低下している。また、パッケージの内部に流れ落ちた場合には、シール材がパッケージ内の半導体チップ、インナーリードあるいはボンデイングワイヤなどに接触して、不良品となる。・・・
　そこで本発明は、溶融したシール材が内部に流れ出ても不良の原因とならず、望ましくは外部への洩出をも抑制した半導体装置用パッケージを提供することを目的とする。」（第２頁左上欄第３行〜右上欄第１行）、
　「第１図は実施例に係る半導体装置の断面図であり、第２図はそのパッケージを一部断面にて示す斜視図である。半導体装置は例えばセラミックスで形成されたパッケージ１と半導体チップ２と、パッケージ１に接着されるキャップ３とを備えている。パッケージ１はセラミックス板が複数積層されて所定形状に形成されており、半導体チップ２がダイボンデイングされるパッケージベース４と、パッケージ４に積層される枠ブロック８とからなっている。このうち、パッケージベース４は半導体チップ２がダイボンデイングされる底板９と、底板９上に積層されるインナーリード形成板１２からなり、このインナーリード形成板１２の上面には半導体チップ２の電極パッドとボンデイングワイヤ１０によって接続されるインナーリード１１が配設されている。
　一方、枠ブロック８はインナーリード形成板１２上に積層される下部ブロック６と、下部ブロック６に積層される上部ブロック７の２層構造となっており、上部ブロック７上には合金、ガラス、樹脂などからなる熱溶融性のシール材１３が載置され、このシール材１３上にキャップ３が載置されている。従って、ヒータ（図示せず）でキャップ３またはパッケージベース４に熱を加えると、シール材１３が溶融してキャップ３が上部ブロック７に接着される。
　このようなパッケージ１において、枠ブロック８における下部ブロック６は上部ブロック７よりも幅広に形成されて、下部ブロック６の内側部分は上部ブロック７よりもパッケージ１の内方（キャビテイの方向）に延びている。この延出部分の形成により、枠ブロック８は内側に段部１４が形成されており、段部１４が溶融したシール材１３のインナーリード形成板１２への落下を防止する落下防止部となっている。すなわち、加熱によって溶融してパッケージ１の内部に流れ出たシール材１３は段部１４上に落下し、段部１４で冷却されて固まるのでインナーリード形成板１２まで達することがなくなるようになっている。
　これにより、インナーリード１１、ボンデイングワイヤ１０さらには半導体チップ２へのシール材の付着が防止され、付着に起因する不良品の発生率が低減される。また、段部１４によりシール材のインナーリード形成板１２上への落下が防止できるので、一定以上の接着力を維持しながらシール材１３の外側寸法を上部ブロック７の外側寸法より小さくすることができ、かつ上部ブロック７の外周縁にはシール材１３のないクリアランスを形成することができる。従って、シール材１３が溶融してもパッケージ１の外側に流れ出ないようにすることが簡単に実現できるので、シール材の正確な位置決めや加熱条件及び印加荷重条件の厳密な管理を必要とせず、半導体装置の外観をも向上させることが容易である。
　この場合、段部１４はパッケージの全周に形成してもよいが、パッケージの隅部にのみ形成してもよい。」（２頁左下欄３行〜３頁右上欄１９行）
が、それぞれ記載されている。
　
３）対比・判断
　本件発明と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載の「底板９の上面」、「インナーリード形成板１２」、「インナーリード１１」、「上部ブロック７」、「キャップ３」、「シール材１３」及び「上部ブロック７」は、それぞれ本件発明の「収納面」、「第１の段差」、「電極パターン」、「第２の段差」、「カバー部材」、「シール材」及び「絶縁層」に相当し、また、刊行物１に記載のインナーリード形成板１２の、インナーリード１１が形成された面が、本件発明の電極パターンが形成されたメタライズ面に相当することは明らかであり、さらに、刊行物１に記載の上部ブロック７の、キャップ３が接着される面が、本件発明のパッケージ本体の、カバー部材が接着される接着面に相当することも明らかである。
　そうしてみると、本件発明と刊行物１に記載の発明とは、「半導体チップが固着される収納面と、該収納面の周囲に第１の段差を介して連続し、該半導体チップと外部とを接続する電極パターンが形成されたメタライズ面と、該メタライズ面と第２の段差を介して連続し、カバー部材が接着される接着面とを有するパッケージ本体の該接着面上周縁部にガラス材から成るシール材が塗布された該カバー部材を重ねたのち、該シール材を溶解させることにより該カバー部材をパッケージ本体に固着して、該半導体チップを該パッケージ本体内に封止する半導体パッケージにおいて、前記パッケージ本体には、絶縁層が前記メタライズ面全周にわたって形成されている半導体パッケージ。」の点で一致し、絶縁層について、本件発明では、「第２の段差の下端部からメタライズ面に上に向かって、第２の段差の高さより薄い厚さを有し、第２の段差の下端部と絶縁層とは第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられている」構成であるのに対し、刊行物１に記載の発明では、下部ブロック６はこのような構成ではない点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物１に記載の下部ブロック６は、インナーリード形成板１２に積層され、下部ブロック６の上には上部ブロック７が積層して２層構造になっており、下部ブロック６の内側部分が上部ブロック７よりもパッケージ１の内方にのび、この延出部分の形成により、段部１４が形成され、この段部１４が溶融したシール材のインナーリード形成板１２への落下を防止する落下防止部となっているものであり、この段部１４は、本件発明のシール材の垂れ下がりを受け止めるための絶縁層と、その作用が共通している。
　しかしながら、刊行物１に記載の下部ブロック６の上には上部ブロック７が積層しており、しかも、刊行物１には下部ブロック６の材料、厚さについては何らの言及もされていない。一方、本件発明の絶縁層は、第２の段差の下端部からメタライズ面に上に向かって、第２の段差の高さより薄い高さを有し、第２の段差の下端部と絶縁層とは第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられていから、絶縁層の厚さが厚いと、電極パターンが形成されたメタライズ面とカバー部材の接着面との間が狭くなり、その間に介在するシール材の収納内部のガスの内圧に対する耐性が弱まり封止時にボイドが生じやすくなるのを防止し、かつ、絶縁層とすることにより、絶縁層表面に付着したシール材がチップ側に流れ出しにくく、シール材が電極パターンのワイヤボンデイング部まで流れ出すことがなく、絶縁層上に制限されるものであり、このような作用を有する構成は、刊行物１に記載のものから容易に想到することはできない。
　そして、本件発明は、上記した絶縁層を形成することによりシール材の塗布量を多くすることができるため、シール材にボイドを発生させずに済む等の明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、上記刊行物に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）まとめ
　よって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項の規定、及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の規定にそれぞれ適合するので、当該訂正を認める。
 　
［３］特許異議の申立て
（１）異議申立ての理由の概要
　異議申立人京セラ株式会社は、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証または甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができないし、また、甲第１号証または甲第２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨主張している。
　
（２）甲第１、２号証
　甲第１号証に記載の発明は、上記［２］（４）２）に示した刊行物（特開昭６４−２５４４２号公報）に記載の発明に対応する。
　甲第２号証（特公昭５２−２８５４７号公報）には、チップを受けるためのスペースを設ける担体とこの担体内でそのスペースを気密に密封するための蓋とを具備するＬＳＩパッケージに関する発明が、第２、９〜１４、１７〜１９、２０、２１図とともに開示され、さらに、
　「本発明のパッケージ２１はＬＳＩチップを収納するようになっているスペース２３を有する担体２２から成っている。
　・・・
蓋３１がＬＳＩチップ２４を含むスペースを封止する為に備えられている。
　・・・
第１図に示す如く上記担体は３つの部分即ち９４％のアルミナの様な適当な型のグリーンセラミックの小片３７、３８、３９から構成されるセラミックベース３６から形成されている。・・・四角形の開口４８が小片３８の中央に形成されてＬＳＩチップ２４の収納用スペース２３を形成する為に設けられている。・・・又開口４８よりも実質的に大きい四角形の開口４９をも備えている。
　小片３７、３８と３９が形成された後、タングステンペイントの様な金属化ペイントが上記小片上或いは部分上にスクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）される。即ち第２図に示される如く、タングステンペイントが小片３７の上面の中央におけるダイボンド（ｄｉｅ　ｂｏｎｄ）面或５１の上にスクリーンされる。・・・リードパターン５３が部分３８の上側にスクリーンされる。・・・部分３９の上面は第２図に示されている様にタングステンペイント５４で覆われている。
　・・・
　タングステンペイントのスクリーンがすべて完成されると、セラミックスラリ（泥状物）５９が部分３７、３８と３９上にスクリーンされリードパターン５３のリード間の空間を満たす。それからこれらの別々の部分３７、３８、３９は一つの単一構造に積層されて第１、第２部分６１、６２は有するプレス中に載置される。・・・該単一構造にあってハーメチックシールが上記部分間に形成される。高温に熱せられている間タンスステンがセラミック材料中に焼成される。セラミックスラリは有機物でないから燃えずに上記リード間の空間を満たして前述の如くハーメチックシールを形成する。」（第２頁第３欄第３６行〜第３頁第５欄第３０行）、
　「ダイ即ちチップ２４は・・・プレフォーム７６とダイボンド面域５１に結合する。
　・・・
チップ２４はその外周に隣接して複数箇のパッド８１をもちこれらはこのダイ即ちチップに於けるデバイスに接続される。リード８２が第１７図に示す様にパッド８１にボンドされ、リードパターン５３の最内端に接続される。」（第４頁７欄第２〜３１行）
が、それぞれ記載されている。
　さらに、第９、１３、１４、１８、２１図の記載からみて、小片３８の上面にはスクリーンされたリードパターン５３の上と小片３９の下面との間にスクリーンされたセラミックスラリ５９は、小片３９の下端部から上に向かって、小片３９の高さより薄い厚さを有し、リードパターン５３の全周にわたって形成されている絶縁層が開示されている。
　
（３）対比・判断
１）特許法第２９条第１項第３号違反について
　本件発明が甲第１号証に記載の発明ではないことについては、上記［２］（４）３）より明らかである。
　本件発明と甲第２号証に記載の発明とを対比すると、甲第２号証に記載の発明では、セラミックスラリ５９（本件発明の「絶縁層」に相当する。）の上に小片５９（本件発明の「第２の段差」に相当する。）が積層しているから、本件発明の「第２の段差の下端部からメタライズ面に上に向かって、第２の段差の高さより薄い厚さを有し、第２の段差の高さの下端部と絶縁層とは第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられている」構成と相違する。
　したがって、本件発明は甲第２号証に記載の発明ではない。
　
２）同法第２９条第２項違反について
　本件発明と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、上記［２］（４）３）において論証しているように、本件発明は、甲第１号証に記載のものから容易に想到することはできない。
　また、甲第２号証に記載のセラミックスラリ５９についての作用は明らかではないから、セラミックスラリ５９が小片３９の高さより薄い厚さを有し、リードパターン５３の全周にわたって形成されているにしても、甲第１号証に記載の下部ブロック６に甲第２号証に記載のセラミックスラリ５９の構成を適用する動機付けはないし、仮に適用できたとしても本件発明の絶縁層のような構成となすことはできない。
　そして、本件発明は、上記した絶縁層を形成することによりシール材の塗布量を多くすることができるため、シール材にボイドを発生させずに済む等の明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、甲第１、２号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることはできない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認められない。
　
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月３０日（２０００．５．３０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２を以下のように訂正する。
　「【請求項１】半導体チップが固着される収納面と、該収納面の周囲に第１の段差を介して連続し、該半導体チップと外部とを接続する電極パターンが形成されたメタライズ面と、該メタライズ面と第２の段差を介して連続し、カバー部材が接着される接着面とを有するパッケージ本体の該接着面上周縁部にガラス材から成るシール材が塗布された該カバー部材を重ねたのち、該シール材を溶解させることにより該カバー部材をパッケージ本体に固着して、該半導体チップを該パッケージ本体内に封止する半導体パッケージにおいて、
前記パッケージ本体には、前記第２の段差の下端部から前記メタライズ面に上に向って、前記第２の段差の高さより薄い厚さを有する絶縁層が前記メタライズ面全周にわたって形成され、前記第２の段差の下端部と前記絶縁層とは前記第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
　【請求項２】前記シール材は、前記カバー部材をパッケージ本体に接着した状態において、
前記カバー部材とパッケージ本体の前記接着面の間に介在していると同時に、前記カバー部材と前記絶縁層の間にも介在し、それぞれを接着していることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。」
（２）明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落０００８（２〜１１行）に記載の「本発明は・・・設けられている。」を、「本発明は上記課題を解決するために、半導体チップが着される収納面と、該収納面の周囲に第１の段差を介して連続し、該半導体チップと外部とを接続する電極パターンが形成されたメタライズ面と、該メタライズ面と第２の段差を介して連続し、カバー部材が接着される接着面とを有するパッケージ本体の該接着面上周縁部にガラス材から成るシール材が塗布された該カバー部材を重ねたのち、該シール材を溶解させることにより該カバー部材をパッケージ本体内に風刺する半導体パッケージにおいて、前記パッケージ本体には、前記第２の段差の下端部から前記メタライズ面に上に向かって、前記第２の段差の高さより薄い厚さを有する絶縁層が前記メタライズ面全周にわたって形成され、前記第２の段差の下端部と前記絶縁層をは前記第１の段差のメタライズ面上で同一面上に設けられている。」と訂正し、同明細書の段落００２２（１行）に記載の「本発明の他の実施例」を　「本発明の参考例」と訂正し、同明細書の段落００２４を削除し、さらに、同明細書の図面の簡単な説明の図４に記載の「本発明の他の実施例の要部断面図である。」を
「本発明の参考例の要図断面図である。」と訂正する。
（３）訂正事項として特許明細書の発明の名称を訂正する旨の記載はないが、手続補正書の「７．補正の内容（１）」には、誤記の訂正を目的として、発明の名称の「半導体装置及びその製造方法」を「半導体パッケージ」と補正する記載があり、さらに、補正された全文訂正明細書の発明の名称も「半導体パッケージ」に訂正されていることからみて、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の発明の名称を「半導体パッケージ」に訂正するものと認める。
（５４）【発明の名称】
半導体
パッケージ
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　半導体チップが固着される収納面と、該収納面の周囲に第１の段差を介して連続し、該半導体チップと外部とを接続する電極パターンが形成されたメタライズ面と、該メタライズ面と第２の段差を介して連続し、カバー部材が接着される接着面
と
　前記パッケージ本体には、前記第２の段差
の
の下端部
のメタライズ面
　　【請求項２】　前記シール材は、前記カバー部材をパッケージ本体に接着した状態において、
　前記カバー部材とパッケージ本体
の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体パッケージに係り、特にフリットシールタイプの半導体パッケージに関する。
　【０００２】
　集積回路（ＩＣ）等の半導体装置のパッケージの組立におけるシール方法としてはメタルシール、ガラスシール、樹脂封止等がある。特にセラミックＰＧＡ（ＰｉｎＧｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）等の半導体パッケージにおいてはメタルシールが主流であったが、最近コストダウン及び低温封止用ガラスの開発が進んだ点からシールリングやシールメタライズのないフリットシール等のガラスシール化が進められている。
　【０００３】
　フリットシールではＩＣの収納部分からの内圧によりボイドが発生しやすいため、ボイドが発生しにくい構成とする必要がある。
　【０００４】
　　【従来の技術】
　図５に従来の半導体パッケージの断面図を示す。同図中、１は半導体チップで、セラミック製の材料を積層したパッケージ本体１５の収納部１５ａ内に収納され、ボンディングワイヤ７により、電極パターン３及び導電ペーストを埋め込んでなる。Ｖｉａホール１１を介してピン１２に接続されている。１３はカバー部材で、その周縁部にはガラス等のシール材１４が塗布されている（図５（Ａ））。
　【０００５】
　半導体チップ１をパッケージ本体１５内に封止する際にはカバー部材１３をパッケージ本体１５に押し当てつつ、加熱することによりシール材１４を溶解させ、パッケージ本体１５にカバー部材１３を固着していた（図５（Ｂ））。
　【０００６】
　　【発明が解決しようとする課題】
　図６（Ａ）は図５に対応する従来の半導体パッケージの要部断面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）をＡ−Ａ方向から見た平面図をそれぞれ示している。又、図７は押出しボイドが生じた半導体パッケージの要部断面図を示している。まず、図５（Ａ）に示すごとく、カバー部材１３のうちパッケージ本体１５と接着される領域のみにシール材１４を設けた場合、封止時には、パッケージ本体１５は４００℃程度に加熱されるため収納部１５ａ内のガスが膨張し、この膨張よるシール材１４への内圧により、図７に示すようにカバー部材１３のシール時ボイド１７が生じやすくなる。このため、このボイド１７により半導体パッケージが熱衝撃などを受けると、カバー部材１３がはがれたり、シール材１４が破損してしまう等の問題点があった。このボイド１７の発生を防止するための一方法として、カバー部材１３に塗布するガラス材を多めにする方法がある。すなわちガラス材の塗布幅をカバー部材１３とパッケージ本体１５の接着部から内側へ０．３ｍｍ以上延在させると良い。このようにすれば、シール材１４は、図６（Ａ）に示すごとくカバー部材１３とパッケージ本体１５の接着面との間のせまいすき間だけでなく、カバー部材１３と電極パターン３が形成されているメタライズ面との間の広いすき間にも介在することになり、ガラス材の内圧に対する耐性が大きくなるので、ボイドは生じにくくなる。しかしながら、この構成であるとシール材１４が電極パターン３上に垂れてしまう。このように、シール材１４が電極パターン３及びその間に垂れてしまうと電極パターン３間に大きな容量が接続された状態となり、半導体チップ１上の回路の動作に悪影響を及ぼす。又、この構成で低温シール材としてより高融電率のガラス材を用いようとすると、電極パターン３間に形成される容量が大きくなってしまい半導体チップ１の特性が劣化してしまう。
　さらに電極パターン３と、その間に表示しているセラミックパッケージ本体１５表面とは、ガラス材に対する濡れ性が異なっている。これにより、ガラス材１４が電極パターン３の面まで垂れ下がった時、図６（Ｂ）に示すように垂れ下がったガラス材側面には不連続点が形成され、かつその間にくぼみ１６ａ，１６ｂが生ずる。そしてこのくぼみ１６ａ，１６ｂの部分には前記内圧が集中してかかようになる。従って、せっかくガラス材の塗布幅を広くしてカバー部材１３とメタライズ面との間に広いすき間にシール材１４を設けるようにしたとしても、前記くぼみ１６ａの部分においてボイドが生じてしまう。さらに、垂れ下がったガラス材が電極パターンとワイヤ１０とのボンディング部まで達すると、それがワイヤに対して応力を与え、ワイヤーが曲がったり（いわゆるワイヤーフロー）、ボンディングの強度が低下する等の問題が生ずる。
　【０００７】
　本発明では上記の点に鑑みなされたもので、シール材にボイドが発生しにくく、電極パターン間に容量が形成されず、且つ、ワイヤーフローの生じにくい半導体
パッケージを提供することを目的とする。
　【０００８】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明は上記課題を解決するために、半導体チップが固着される収納面と、該収納面の周囲に第１の段差を介して連続し、該半導体チップと外部とを接続す電極パターンが形成されたメタライズ面と、該メタライズ面と第２の段差を介て連続し、カバー部材が接着される接着面
と
の
の下端部
のメタライズ面
　【０００９】
　　【作用】
　電極パターンの周縁部分に耐熱性を有する絶縁層を形成することにより、この絶縁層によりシール材を受け止めることができると共に、シール材に働く表面張力を均一にできる。従って従来のごとく垂れ下がったシール材側面に不連続部やくぼみが生ずることがなく、封止時には収納部のガスによる内圧は、シール材側面に均一にかかるようになるので、押出しボイドができにくい。又、垂れ下がったシール材は本願発明の絶縁層表面に付着し、その下の電極パターンに付着することがないので、従来のような電極パターン間に容量を形成することがなく、導体チップの特性を劣化させることがない。さらに、絶縁層はシール材に対し濡れ性が良く、かつ表面は均一の濡れ性を有しているので、絶縁層表面に付着したシール材がさらにチップ側に流れ出しにくく、シール材が電極パターンのワイヤボンディング部まで流れ出すことがなく、絶縁層上に制限される。従って、ワイヤーフローが生じることがない。尚、前記絶縁層の厚さは、電極パターンが形成されたメタライズ面と接着面との間の段差の高さより薄くなくてはいけない。これは、絶縁層の厚さを厚くすると、カバー部材と前記絶縁層との間のすき間がせまくなり、その間に介在するシール材の収納部内部のガスの内圧に対する耐性が弱まり封止時にボイドが生じやすくなってしまうからである。言いかえると、封止時にシール材にボイドが生じないためには、単にパッケージの接着面を大きくしただけでは不充分で、シール材の厚みを厚くする必要がある（図７（Ａ））。
　【００１０】
　　【実施例】
　図１は本発明の一実施例の要部の断面図を示す。図１（Ａ）は封止前の状態、図１（Ｂ）は封止後の状態を示す。同図中、１は半導体チップで、１つのシリコン結晶の基板上または基板内に多数の素子を形成し、ある回路機能を持たせたものである。
　【００１１】
　半導体チップ１はパッケージ本体２の収納面２ａ上に導電性の接着剤等により固定される。パッケージ本体２はセラミック製の板材２ｂ〜２ｄを積層してなる。板材２ｂは正方形の平板状をなし、板材２ｃ，２ｄは板材２ｂの中央部分を正方形に打ち抜いた形状に形成され、板材２ｃはその内周が板材２ｄの内周より小さく形成されている。このため、パッケージ本体２には第１の段差２ｃ１及び第２の段差２ｄ１が形成されることになる。
　【００１２】
　半導体チップ１は導電性の接着剤等により収納に固定される。また第１の段差２ｃ１部分の板材２ｃ上には複数の電極パターン３が形成されたメタライズ面２ｃ２を形成している。この電極パターン３は板材２ｄ〜２ｇ上に形成された導電パターン（図示せず）及び、板材２ｂ，２ｃを貫通しいるＶｉａホールを介してピン８に接続されている。
　【００１３】
　また、第１の段差２ｃｌに連続したメタライズ面２ｃ２上部分に露出した電極パターン３は半導体チップ１上に形成された電極部１ａとボンディングワイヤ７により接続される。
　【００１４】
　図２は図１（Ａ）に対応する半導体パッケージをＡ−Ａ方向から見た平面図を示している。
　【００１５】
　図２に示すようにメタライズ面となる電極パターン３の露出部分の周縁部分には全周にわたって約０．３ｍｍの幅で絶縁性及び耐熱性を有する材料であるアルミナペーストよりなる耐熱性の絶縁層６が形成される。なお、絶縁層６の幅は０．３ｍｍに限ることはなく、電極パターン３上にボンディングワイヤ７の接続部分が残されていればよい。
　【００１６】
　図１（Ａ）において４はカバー部材でセラミック製の平板状の板材よりなり、その周縁部分にはシール材５が塗布される。
　【００１７】
　シール材５は低温化の要求から低融点のガラス材が用いられる。一般に低融点のガラス材は誘電率が高く、したがって高誘電率のガラス材となる。シール材５の幅は従来のものに比し、内周方向に約０．３ｍｍ以上広く塗布されている。また、シール材５の厚みは約０．３ｍｍ程度で従来とほぼ同等に塗布される。
　【００１８】
　　図３は、本発明の一実施例の半導体パッケージを封止する工程を示す要部工程断面図である。
　【００１９】
　次にカバー部材４のシール過程について第３図と共に説明する。
　図３（Ａ）に示すようにこの周囲にシール材５が多めに塗布されたカバー部４を半導体チップ１がその収納面２ａに固着され、ボンディングワイヤ７による接続も完了したパッケージ本体２の開口部に押し当て、熱を加える。すると、まず図３（Ｂ）に示すようにシール材５が溶解し始め、シール材５はカバー部材４の外周部に押し出されると共に、メタライズ面２ｃ２方向にたれ始める。
　【００２０】
　シール材５がさらに溶解すると図３（Ｃ）に示すように電極パターン３の露出部分の周縁部分に形成されたアルミナペーストよりなる耐熱性の絶縁層６上に接触する。絶縁層６はメタライズ面２ｃ２の全周を取り囲むように一体的に形成されているため、絶縁層６上にたれたシール材５には絶縁層６の縁にそって略均一に表面張力が働き、その側面の形状はいずれの部分をとってもほぼ均一となる。
又，アルミナはシール材（ガラス）５に対して非常に良好な濡れ性を有するので、シール材５は電極パターン３方向へたれることがなく、図３（Ｄ）に示す如く、シールが完了する。
　【００２１】
　このように、電極パターン３の露出部分の周縁部分にアルミナペーストの絶縁層６を設けることにより、シール材５に略均一の表面張力を働かせることができ、シール材５の電極パターン３へのたれを防止できるため、高誘電率のガラス材をシール材５として使用できると共にシール材５の塗布量を多くでき、したがって、シール時の内圧により生じるボイドの発生を防止できる。また、このような構成とすることにより組立工程を変えることなく、ボイドを防止できる。
　【００２２】
　図４は本発明
の参考例
　【００２３】
　本
参考例
　【００２４】
　　【発明の効果】
　上述の如く、本発明によれば、電極パターンの周縁部分に絶縁性及び耐熱性を有する材料よりなる絶縁層を形成することによりシール材の塗布量を多くすることができるため、シール材にボイドを発生させずに済む等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の実施例の要部の断面図で、（Ａ）は封止前の状態、（Ｂ）は封止後の状態である。
　　【図２】
　図１（Ａ）に対応する半導体パッケージをＡ−Ａ方向から見た平面図である。
　　【図３】
　本発明の一実施例の半導体パッケージを封止する工程を示す要部工程断面図で、（Ａ）はカバー部材をパッケージに押し当てた状態、（Ｂ）はシール材が溶解し始めた状態、（Ｃ）はシール材が溶解しパッケージ内にたれた状態、（Ｄ）は封止が完了した状態である。
　　【図４】
　本発明の参考例の要部断面図である。
　　【図５】
　従来の半導体パッケージの要部断面で、（Ａ）は封止前の状態、（Ｂ）は封止後の状態である。
　　【図６】
　従来の半導体パッケージの要部断面図及び要部平面図で、（Ａ）は要部断面図、（Ｂ）は要部平面図である。
　　【図７】
　従来の半導体パッケージの要部断面図である。
　　【符号の説明】
　１　半導体チップ
　２　パッケージ
　２ａ　収納部
　３　電極パターン
　４　カバー部材
　５　シール部材
　６，１０　絶縁層