【事件の表示】
　特許第２７８４３８６号「磁性多層膜」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７８４３８６号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　特許第２７８４３８６号の発明は、平成５年１月１８日（優先権主張平成４年８月１４日）の出願であって、平成１０年５月２９日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後異議申立人保田博志より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１０日に特許異議意見書が提出されたものである。
２．請求項１ないし４に係る発明
　特許第２７８４３８６号の請求項１ないし４に係る発明は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりのものと認められる。
「【請求項１】基板上に、磁性体と非磁性絶縁体とを交互に積層してなる磁性多層膜において、磁性体が磁歪を有し、前記磁性多層膜がストライプ形状に加工されることにより長辺方向と短辺方向とに応力差を生じて膜応力の異方性を有することを特徴とする磁性多層膜。
【請求項２】請求項１記載の磁性多層膜が、１本あるいは複数本の、直線状あるいは蛇行状に曲がったあるいはジグザグ状に曲がったストライプ形状を成すことを特徴とする磁性多層膜。
【請求項３】磁性体の磁歪定数の絶対値が１０−６以上であることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の磁性多層膜。
【請求項４】磁性多層膜を強磁性共鳴周波数以下の周波数帯域で使用する場合、磁性体の厚さが強磁性共鳴周波数における表皮深さ以下であり、非磁性絶縁体の厚さが前記磁性体間の電気的絶縁を保ち得る厚さ以上であることを特徴とする請求項１あるいは請求項２あるいは請求項３に記載の磁性多層膜。」
３．申立ての理由の概要
　申立人保田博志は、本件の特許請求の範囲は、特許を受けようとする発明の構成に欠くことのできない事項のみが記載されたものではないから、本件発明の特許はその明細書が特許法第３６条に規定する要件を満たしていない出願に対してなされたものであり取り消されるべきものであり、また、証拠として甲第１号証刊行物（電気学会研究会資料、１９９２年７月２３日社団法人電気学会発行、第８９〜９６頁「ＭＨｚ−ＧＨｚ帯におけるＣｏＺｒＮｂ／ＳｉＯ２多層膜の高周波磁気特性」論文）、甲第２号証刊行物（日本応用磁気学会誌、１９８３年、第７巻第２号、第９９〜１０２頁「薄膜磁気ヘッド用パーマロイ膜の透磁率と磁歪定数」論文）、甲第３号証刊行物（日本応用磁気学会誌、１９８７年、第１１巻第２号、第９１〜９４頁「薄膜磁気ヘッド用多層パーマロイ膜の磁区構造」論文）、甲第４号証刊行物（IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, Vol.MAG-20, No.3, May 1984、第４８５〜４８８頁「Patterning Effect on Easy Axis Alignment in Permalloy Thin Film（パーマロイ薄膜の容易軸配列に及ぼすパターニングの影響）」論文）を提出し、本件請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり取り消されるべきものである旨主張している。
４．引用刊行物記載の発明
　当審が通知した取消理由において引用した刊行物１（上記甲第１号証刊行物）には、高周波帯域で磁性体コアとして使用される磁性体／非磁性絶縁体多層膜が記載され、第９０頁図１に示された直線状のストライプ形状に加工された磁性多層膜を参酌すると、結局刊行物１には、「基板上に、磁性体と非磁性絶縁体とを交互に積層してなる磁性多層膜」が記載されていると認められる（以下、「刊行物１の発明」という。）。さらに、「磁性体／非磁性絶縁体多層膜の高周波磁気特性を支配するのは、（１）磁性体層における渦電流損失、（２）磁性体層における強磁性共鳴、および（３）非磁性絶縁体層における電気的絶縁破壊であった［１，２，５−８］。渦電流損失を特徴づけるパラメータである表皮深さδは、
δ＝{２ρｍ/（μｒ’(０)・μ０・２πｆ)}１／２　　　……（３）
で表され、磁性体層厚ｔｍが〜δとなるとμｒ’の低下、μｒ''の増大が顕著となる。ここで、ρｍは磁性体の抵抗率、μｒ’(０)は静的比透磁率、μ０は眞空の透磁率である。」（第９２頁第１０〜１５行）こと、「高周波化を図るためにはまず（１）の渦電流損失を回避する必要がある。渦電流損失は、ｔｍを（３）式のδより十分薄く設定することにより回避できる。…従って、ｔｍとしてはｆｋにおいて渦電流が生じない範囲でできるだけ厚い値に設定すればよいことになる。一方、ｔｎとしては（３）の絶縁破壊が起きない範囲でできるだけ薄い値が最適値ということになる。」（第９２頁第２７〜３４行）こと、「ｆｋを上げるためには、Ｈｋをできる限り大きな値に設定することが有利である。Ｈｋ制御法としては磁界中熱処理による誘導磁気異方性を利用する方法、形状磁気異方性および歪磁気異方性を積極的に利用する方法が考えられる。」（第９３頁第１５〜１８行）こと、が記載されている。
　同じく引用した刊行物２（上記甲第２号証刊行物）には、基板上にスパッタ形成した磁歪性磁性膜を直線状のストライプ形状にパターニングした磁歪性の磁性膜が示され（第９９頁の図１、右欄５〜７行）、「本実験に用いたパーマロイ膜の磁歪定数は−１．０〜＋２．５×１０−６であった」（第１００頁左欄第１９〜２１行）こと、「ストライプ状パターンに生じる応力として基板とパーマロイとの熱膨張係数差に起因する熱応力が大きく影響している」（第１００頁右欄第９〜１２行）こと、「膜厚に比べて十分に広いシート状の磁性体を幅５０μｍ程度で十分に長いストライプ状にパターニングするれば、応力誘起異方性により磁気特性が変わる」（第９９頁左欄第１２〜１４行）こと、「シート状の膜では等方的引張応力、ストライプ状の膜ではストライプ長手方向に引張応力」が作用する（第１０２頁左欄第１〜５行、図７）こと、「これらパーマロイ膜の形状の違いによる磁気特性の変化は応力誘起異方性で説明される」（第１０２頁右欄第３〜４行）こと、が記載されている。
５．対比・判断
（１）請求項１に係る発明について
　本件特許の請求項１に係る発明と上記刊行物１の発明とを比較すると、両者は「基板上に、磁性体と非磁性絶縁体とを交互に積層してなる磁性多層膜」である点で一致し、次の点で相違する。
　相違点１：
　本件特許の請求項１に係る発明が「磁性体が磁歪を有し、前記磁性多層膜がストライプ形状に加工されることにより長辺方向と短辺方向とに応力差を生じて膜応力の異方性を有する」のに対し、上記刊行物１の発明にはそのような限定がない点
　以下、相違点１につき検討する。
　基板上に形成した磁歪性磁性膜をストライプ形状に加工して長辺方向と短辺方向とに応力差を生じさせて膜応力の異方性を持たせることにより異方性磁場を生じさせる方法が上記刊行物２に記載されており、さらに、上記刊行物１には、異方性磁界Ｈｋの制御法として、磁界中熱処理による誘導磁気異方性を利用する方法以外にも形状磁気異方性および歪磁気異方性を積極的に利用する方法があることが示されているから、上記刊行物１の発明の異方性磁界Ｈｋ制御法として上記刊行物２に記載された異方性磁界を生じさせる方法を適用して本件特許の請求項１に係る発明の構成とする程度のことは当業者が容易に想到し得るものである。
　したがって、請求項１に係る発明は上記刊行物１ないし２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
（２）請求項２に係る発明について
　本件特許の請求項２に係る発明は請求項１に係る発明において、磁性多層膜の形状を「１本あるいは複数本の、直線状あるいは蛇行状に曲がったあるいはジグザグ状に曲がったストライプ形状を成す」と限定するものであるが、上記刊行物１には直線状のストライプ形状に加工された磁性体／非磁性絶縁体磁性多層膜が記載されているから、請求項２に係る発明と上記刊行物１に記載されたものとの相違は結局上記相違点１のみであり、該相違点１に対する判断は上記５．（１）に示した通りである。
　したがって、請求項２に係る発明は上記刊行物１ないし２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
（３）請求項３に係る発明について
　本件特許の請求項３に係る発明は請求項２に係る発明において、「磁性体の磁歪定数の絶対値を１０−６以上」に限定するものであり、本件特許の請求項３に係る発明と上記刊行物１の発明とは上記５．（１）の相違点１及び次の点で相違する。
　相違点２：
　本件特許の請求項３にかかる発明が磁性体の磁歪定数の絶対値を１０−６以上に限定するのに対し、上記刊行物１の発明にはそのような限定がない点。
　以下、相違点につき検討する。
　相違点１：
　相違点１に対する判断は上記５．（１）に示した通りである。
　相違点２：磁歪定数が−１．０〜＋２．５×１０−６の磁性膜を用いて応力により異方性磁場を誘起することが上記刊行物２に記載されているから、上記刊行物１の発明の磁性体として上記刊行物２に記載されたものを用いる際にその磁性体の磁歪定数の絶対値を１０−６以上に限定する程度のことは上記刊行物２の記載に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
　したがって、請求項３に係る発明は上記刊行物１ないし２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
（４）請求項４に係る発明について
　本件特許の請求項４に係る発明は請求項３に係る発明において、「磁性多層膜を強磁性共鳴周波数以下の周波数帯域で使用する場合、磁性体の厚さが強磁性共鳴周波数における表皮深さ以下であり、非磁性絶縁体の厚さが前記磁性体間の電気的絶縁を保ち得る厚さ以上である」と限定するものであるが、この点は上記４で示したように上記刊行物１に記載されているから、請求項４に係る発明と上記刊行物１に記載されたものとの相違は結局上記相違点１及び２のみであり、該相違点１に対する判断は上記５．（１）に示したとおりであり、該相違点２に対する判断は上記５．（３）に示したとおりである。
　したがって、請求項４に係る発明は上記刊行物１ないし２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１ないし４に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１ないし４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月２３日（２０００．５．２３）