【事件の表示】
　特許第２９２８３６２号「電子回路用セラミック及びその製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９２８３６２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
  本件特許第２９２８３６２号の請求項１ないし６に係る発明についての出願は、平成２年９月１１日に特許出願されたものであって、平成１１年５月１４日にその発明について特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、京セラ株式会社より本件請求項１ないし６に係る発明について特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内に訂正請求がなされ、その後訂正拒絶理由通知がなされ、意見書が提出された後再度取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年１月１９日に上記訂正請求が取り下げられ、新たに訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否
２−１．訂正の内容
  本件訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち訂正事項ａないしｌのとおりに訂正しようとするものである。
（１）訂正事項a　  
　請求項１中の「脱バインダー中にＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物」を、「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　請求項２を削除する。これに伴い、請求項３を請求項２とし、請求項２とした請求項中の「請求項１または２記載」を、「請求項１記載」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　請求項４を請求項３とし、請求項３とした請求項中の「前記粉末に炭酸化合物を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記炭酸化合物の脱炭酸温度付近において昇温速度を遅くするか、脱炭酸温度あるいは当該温度付近において一定時間保持して脱バインダーを行った後、焼成すること」を、「前記粉末に低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記グリーンシートの脱バインダー温度から焼成温度未満の温度において、脱バインダー温度までの昇温速度に比較して昇温速度を遅くするか、該温度範囲で一定時間保持して、炭酸化合物からＣＯ２ガスを放出し、グリーンシート中の残留炭素を飛散させ、次いで焼成を行うこと」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　請求項５を削除する。これに伴い、特許請求の範囲の請求項６を請求項４とし、請求項４とした請求項中の「請求項４または５記載」を、「請求項３記載」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書中の「脱バインダー中にＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物」（本件特許掲載公報第４欄第２０〜２１行）を、「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書中の「前記粉末に炭酸化合物を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記炭酸化合物の脱炭酸温度付近において昇温速度を遅くするか、脱炭酸温度あるいは当該温度付近において一定時間保持して脱バインダーを行った後、焼成すること」（本件特許掲載公報第４欄第２７〜３１行）を、「前記粉末に低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記グリーンシートの脱バインダー温度から焼成温度未満の温度において、脱バインダー温度までの昇温速度に比較して昇温速度を遅くするか、該温度範囲で一定時間保持して、炭酸化合物からＣＯ２ガスを放出し、グリーンシート中の残留炭素を飛散させ、次いで焼成を行うこと」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　明細書中の「なお、前記電子回路用セラミックおよび電子回路用セラミックの製造方法で用いる炭酸化合物としてはＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣｏＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＰｂＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＦｅＣＯ３のうちの一種または２種以上を用いたもの、」（本件特許掲載公報第４欄第３３〜３６行）を、「なお、」と訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　明細書中の「添加する炭酸化合物としては、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣｏＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＰｂＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＦｅＣＯ３が使用できる。添加の形態としては一種のみ添加する場合と二種以上添加する場合が可能である。」（本件特許掲載公報第４欄第４３〜４６行）を、「添加する炭酸化合物としては、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３が使用できる。添加の形態としては一種のみ添加する場合と二種添加する場合が可能である。」と訂正する。
（９）訂正事項ｉ
　明細書中の「昇温速度を遅くして脱バインダーを行う。」（本件特許掲載公報第５欄第３〜４行）を、「昇温速度を遅くしてセラミック中に炭素が残留しないようにする。」と訂正し、明細書中の「グリーンシートから効率的にバインダーを飛散させるためである。」（本件特許掲載公報第５欄第１８〜１９行）を、「グリーンシートから効率的にバインダーと炭素を飛散させるためである。」と訂正し、明細書中の「確実に脱バインダー行うことができる。」（本件特許掲載公報第５欄第２０〜２１行）を、「確実に脱バインダーとセラミック中に炭素が残留しないようにして焼成することができる。」と訂正し、明細書中の「なお、実施例では脱バインダーのために、」（本件特許掲載公報第５欄第４８行）を、「なお、実施例では」と訂正する。
（１０）訂正事項ｊ
　明細書中の「８００℃〜９００℃までは」（本件特許掲載公報第５欄第４２行）を、「８００℃〜９８０℃までは」と訂正する。
（１１）訂正事項ｋ
　明細書中の「脱炭酸温度付近の昇温を」（本件特許掲載公報第５欄第４８〜４９行、なお、該公報中では「温度を」となっているが、「昇温」の誤植である。）を、「脱炭酸温度付近の昇温速度を」と訂正する。
（１２）訂正事項ｌ
　明細書中の「以下にガラス系材料および非ガラス系材料の実施例を示す。・・・アルミナポット中でボールミルして混合し、スラリーを作製した。」（本件特許掲載公報第６欄第２６〜４９行、なお、該公報中では「実施例に」となっているが、「実施例を」の誤植である。）を削除する。
　なお、訂正請求では、「（１）明細書中の「焼成時にまず」（本件特許掲載公報第５欄第２行）を、「焼成時にはまず」と訂正する。（２）明細書中の「しやすく、」（本件特許掲載公報第５欄第１４行）を、「しやすくし、」と訂正する。（３）明細書中の「焼成温度は」（本件特許掲載公報第６欄第１１行）を、「焼成密度は」と訂正する。」という訂正事項が挙げられているが、いずれも、公報印刷時の誤植と認められ、本件特許明細書の記載は、既にこれらの訂正事項どおりとなっている。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張変更の存否
　上記訂正事項ａは、炭酸化合物を「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種」と限定するものである。　また、訂正事項ｃは炭酸化合物を上記のように限定するとともに、「脱炭酸温度あるいは当該温度付近」を「焼成する際、グリーンシートの脱バインダー温度から焼成温度未満の温度」に限定し、「昇温速度を遅くする」を「脱バインダー温度までの昇温速度に比較して昇温速度を遅くする」と限定し、この昇温速度を遅くしたり、一定時間保持している間の「脱バインダー」を「炭酸化合物からＣＯ２ガスを放出し、グリーンシート中の残留炭素を飛散」と限定するものであり、訂正事項ｂ、ｄは請求項を削除するものであるから、訂正事項ａ〜ｄは特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　そして、上記訂正事項ａは、特許明細書の「発明の概要」の欄の中のＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３の記載（本件特許掲載公報第２頁第４欄第３３〜３６行）に記載されている。また、上記訂正事項ｃは上記記載に加えて、ＣａＣＯ３が「６００℃〜８００℃でＣＯ２を放出しやすい」という記載（本件特許掲載公報第３頁第５欄第６行）や、第１図の昇温方法を示す図における５００℃前の昇温速度が５℃／ｍｉｎであるのに対して、５００〜８００℃の昇温速度が０．５℃／ｍｉｎであることや、「Ｂｏｕｄｏａｒｄ反応は残留炭素をガス化して飛散を容易にしてセラミック中に炭素が残留しないようにする」という記載（本件特許掲載公報第３頁第５欄第１４〜１６行）から、明細書に記載された事項であるものと認められる。　
　したがって、上記訂正事項ａ、ｃは、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また、上記訂正によって別個の新たな目的及び効果をもたらすものではないから実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　そして、上記訂正事項ｅ〜ｉ、ｋ、ｌは、特許請求の範囲の減縮を目的とする上記訂正事項ａないしｄの訂正に伴うものであり、減縮された特許請求の範囲の記載と明細書の記載を整合させるために、明りょうでない記載の釈明を行うことを目的とする訂正に該当するものであり、しかも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、上記訂正事項ｊは、明細書中に焼成時の温度が９８０℃と記載されており（本件特許掲載公報第３頁第５欄第４３行）、第１図において焼成時の９８０℃までは８００℃から昇温速度が２℃／ｍｉｎとなっていることから、９００℃でなく９８０℃まで昇温することは誤記の訂正を目的とする訂正であるものと認められる。しかも、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−３．まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
　特許権者が請求した上記訂正は、上述したとおり、認容することができるから本件請求項１ないし４に係る発明は上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりのものである（以下、本件発明１ないし４という。）。
「【請求項１】低温焼成セラミックを焼成するための粉末に、低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を添加した原料粉末を用いて焼成して成ることを特徴とする電子回路用セラミック。
【請求項２】導体金属として銅を用いたことを特徴とする請求項１記載の電子回路用セラミック。
【請求項３】低温焼成セラミックを焼成するための粉末に有機バインダー等を添加してスラリーを作製し、グリーンシートを形成した後、グリーンシートに導体ペーストにより導体パターンを形成し、所定温度で焼成する電子回路用セラミックの製造方法において、前記粉末に低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記グリーンシートの脱バインダー温度から焼成温度未満の温度において、脱バインダー温度までの昇温速度に比較して昇温速度を遅くするか、該温度範囲で一定時間保持して、炭酸化合物からＣＯ２ガスを放出し、グリーンシート中の残留炭素を飛散させ、次いで焼成を行うことを特徴とする電子回路用セラミックの製造方法。
【請求項４】導体ペーストとして銅ペーストを用いることを特徴とする請求項３記載の電子回路用セラミックの製造方法。
３−２．特許異議の申立ての理由の概要
  特許異議申立人京セラ株式会社は、証拠方法として甲第１、２号証を提出し、請求項１ないし６（訂正後の本件請求項１ないし４）に係る発明の特許は下記の理由（イ）、（ロ）により取り消されるべきものである旨主張している。
（イ）請求項１〜３（訂正後の本件請求項１、２に対応）に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明であるか、甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項４〜６（訂正後の本件請求項３、４に対応）に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜６（訂正後の本件請求項１〜４に対応）に係る発明の特許は特許法第２９条第１項第３号、第２項の規定に違反してされたものである。
（ロ）本件明細書及び図面は、記載が不備であるから、請求項１〜６（訂正後の本件請求項１〜４に対応）に係る発明の特許は特許法第３６条第３項乃至第５項に規定に違反してされたものである。
３−３．理由（イ）について
（１）甲号各証の記載内容
甲第１号証：特開昭６３−１９８３９８号公報
（ａ）「本発明は、内部（Ｉｎｔｅｒｎａｌ）銅導体を有する多層セラミック装置の製造に向けられている。多層セラミック装置は、能動電子コンポーネント例えば集積回路を載せるための基体であることができ、また組入れられた受動コンポーネント例えばキャパシタ又は抵抗を含むことができ、・・・」（第３頁左下欄第１〜６行）
（ｂ）「多層セラミック構造体で銅電極を使用する主な困難は、セラミック焼結前の有機バインダの除去である。これは、カーボンエントラップメントによる転位およびセラミックの不完全なち密化又は不均一又は剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｅ）された電極をもたらすことができる。」（第４頁左上欄第２〜７行）
（ｃ）「第１の見地において、本発明は内部銅導体を有する気密フラックス焼結された（ｈｅｒｍｅｔｉｃ　ｆｌｕｘ−ｓｉｎｔｅｒｅｄ）セラミック多層素子の製造方法であって、・・・（ｄ）該複合構造体を、酸素分圧を有機物の除去に充分でありしかし銅を酸化しないように維持する乾燥したバッファされたガスを包含する雰囲気で加熱する工程、を包含する方法に向けられている。第２の見地において、本発明は、上記方法において使用するための厚膜導体組成物であって、非セルロース系バインダおよび有機溶媒の溶液中に分散された金属銅の微細分割粒子を包含し、該有機溶媒は隣接するグリーンシートの有機バインダのための溶媒ではない、組成物に向けられている。
　詳細な説明　　電極ペーストのエチルセルロースが適当なアクリル系バインダにより置き換えられると、各々２５ミクロンのセラミックで分離された２５層もの銅層を有する多層構造においても、良好な電極連続性および均一性が得られることが見出された。」（第５頁右上欄第２行〜左下欄第１６行）
（ｄ）「内部銅導体を有する多層セラミック装置を製造するための本発明の方法は、新規な銅電極ペーストを、焼結の間に有機バインダの充分な除去をもたらし多層装置において高導電性のある薄くて連続的および均一な電極を製造する乾燥焼成プロセスと共に使用することを包含する。」（第５頁右下欄第９〜１４行）
（ｅ）「便利な加熱速度は２５Ｃ／分で７５０Ｃまで、１０Ｃ／分に下げて１０５０Ｃまでである。」（第７頁左下欄第３〜５行）
（ｆ）「例１　共焼成される（ｃｏｆｉｒｅｄ）多層セラミック構造体の内部電極に適した銅電極ペーストを以下のようにして製造した。・・・バリウムチタネートセラミックグリーンテープが以下の粉体（重量部）をＤｕ　Ｐｏｎｔ５２００アクリル系バインダ混合物と混合することにより製造された懸濁物から製造された。：８５．０バリウムチタネート、１０．０バリウムジルコネート、２．０ネオジム酸化物、０．５炭酸リチウム、および２．８３マンガンドープされたバリウム−亜鉛　ボレートフリット。６６重量部のバインダ混合物が１００部の粉体とともに使用された。」（第７頁右下欄第４行〜第８頁左上欄第７行）
（ｇ）「多層セラミックキャパシタが、各層に電極がスクリーン印刷された２５層のグリーンテープ、および上および底の８層のグリーンテープのカバープレートで製造された。電極は上記の銅ペーストおよび４００メッシュスクリーンを使用して印刷された。」（第８頁左上欄第１６行〜右上欄第１行）
（ｈ）「ほとんどの有機バインダは窒素中での４００Ｃの１時間の前加熱によって多層から除去されることができるが、ＭＬＣは窒素、水素および二酸化炭素中での加熱により予めのバインダ除去なしで焼成された。水素は窒素中４％混合物であり、二酸化炭素／水素の割合　５０／１が使用された。全窒素水準は二酸化炭素の量の約３倍であった。炉は３０分で７５０Ｃに、さらに３０分で１０５０Ｃに加熱された。最高温度１０５０−１０６５Ｃが１５０分間維持され、・・・」（第８頁右上欄第３〜１２行）
甲第２号証：特関昭６１−１１７８１９号公報
（ｉ）「本発明の基板金属電極材料は、約９５０℃以上の融点を有する金属類又はこれらの合金、・・・好適には銅を含む。銅は安価でありかつ優れた電気的性質のため好適である」（第４頁左下欄第１６〜１９行）
（ｊ）「下記第２表に示す処方を有する誘電体組成物は次のようにして調製
した：ＢａＣＯ３．ＴｉＯ２およびＬｉＦを１００ｇのＢａＴｉＯ３に５０ｃｃの蒸留水と共に添加した。」（第４頁右下欄第１９行〜第５頁左上欄第２行）
（ｋ）第５頁第２表には、実施例４〜７としてＢａＴｉＯ３にＢａＣＯ３、ＬｉＦを添加した組成物が示されている。
（ｌ）「円板を少量のアルミナ層の上に置き８５０〜１０００℃の温度で２〜５時間大気中にて焼成した。」（第５頁右上欄第７〜９行）
（ｍ）第６頁第４表の実施例１１には、ＢａＴｉＯ３にＬｉＦ、ＭｎＣＯ３を添加した組成物が示されている。
（ｎ）「銅と純銀の内部電極を使用した実施例も行われ比較のため評価された。」（第６頁右上欄４〜５行）
（ｏ）「ＭＬＣユニットは、次に減圧酸素分圧（ＰＯ２）下に８５０℃〜９５０℃にて焼成した。」（第６頁右上欄第１２〜１３行）
（ｐ）第６頁右下欄の第５表には、実施例１１の電極としてＣｕを用いたことが記載されている。
（２）対比・判断
（２−１）本件発明１ないし２について
  本件発明１ないし２は、電子回路用セラミックに関する発明である。本件訂正明細書によれば、低温焼成セラミックにおいて、従来「脱バインダーが不十分のまま焼成した場合は、バインダーが炭素成分として残り、焼結体の電気的絶縁性などの電気的特性が低下するという問題が生じ、残留炭素が多い場合には焼結体が黒化する」（本件訂正明細書段落【０００４】）という問題点があった。
　本件発明１は、「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物としてＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種」を添加した原料粉末を用いることにより、「この炭酸化合物によるＣＯ２ガスの放出は、グリーンシート中に有機バインダーを飛散させるためのチャンネルを形成するという作用と、ＣＯ２ガスとグリーンシート中の残留炭素とがＣＯ２＋Ｃ→２ＣＯの反応（Ｂｏｕｄｏａｒｄ反応）によって、残留炭素をガス化して飛散させる作用を行う」（本件訂正明細書段落【０００８】）ということにより「脱バインダーが容易にでき、セラミックに炭素を残留させずに焼成することができる」（本件訂正明細書段落【００１３】）という明細書記載の効果を奏するというものである。
  これに対して、甲第１号証には、電子コンポーネントを載せるための基体である多層セラミック装置に関し、原料粉末の一部に炭酸リチウムを使用することが記載されている。
　しかしながら、甲第１号証には、上記（ｃ）、（ｄ）に記載されたように、焼結の間に有機バインダの充分な除去をもたらす乾燥焼成プロセスと新規な銅電極ペーストが開示されているものであって、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を低温焼成セラミックの原料粉末に用いることは記載されていないし、ましてや、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３が「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する」ことや、ＣＯ２ガスの放出によってチャンネル形成やＢｏｕｄｏａｒｄ反応が起こるということは記載も示唆もされていない。
  次に甲第２号証には、多層基板の原料として、ＢａＣＯ３、ＭｎＣＯ３を添加することは記載されているが、甲第１号証と同様にＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を低温焼成セラミックの原料粉末に用いることは記載されていないし、ましてやＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３が「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する」ことや、ＣＯ２ガスの放出によってチャンネル形成やＢｏｕｄｏａｒｄ反応が起こるということは記載も示唆もされていない。
　してみると、本件発明１は、甲第１号証か甲第２号証に記載された発明とすることはできないし、甲第１、２号証に記載された発明を組み合わせても当業者が容易に想到することができない。
　本件発明２は、請求項１に係る発明を引用しさらに限定した発明であるから、上述した理由と同じ理由で、甲第１号証か甲第２号証に記載された発明とすることはできないし、また、甲第１、２号証に記載された発明を組み合わせても当業者が容易に想到することができない。
（２−２）本件発明３、４について
  上記３−３．（２−１）で述べたように、甲第１号証には、電子回路用セラミックの製造方法において、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を低温焼成セラミックの原料粉末に用いることは記載されていないし、ましてやＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３が「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する」ことや、ＣＯ２ガスの放出によってチャンネル形成やＢｏｕｄｏａｒｄ反応が起こるということは記載も示唆もされていないから、本件発明３は、甲第１号証に記載された発明とすることはできないし、甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に想到することができない。
　本件発明４は、請求項３に係る発明を引用しさらに限定した発明であるから、上述した理由と同じ理由で、甲第１号証に記載された発明とすることはできないし、甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に想到することができない。
３−４．理由（ロ）について
　特許異議申立人は具体的には「（あ）請求項４（訂正前）に記載された脱炭酸温度が不明である。（い）請求項４（訂正前）に記載された昇温速度がどこの昇温速度に対して遅くしたのか不明である。（う）実施例の５００℃での５時間保持が請求項４（訂正前）の脱バインダーに相当するか不明である。。（え）特許明細書第３頁右欄第２８〜４９行の実施例には炭酸化合物が用いられていない。」と主張している。
  そこで、検討する。
　（あ）：訂正後の請求項３（訂正前の請求項４に対応）には、脱炭酸温度の記載はなく、「脱バインダー温度から焼成温度未満の温度において」と訂正されたことにより温度範囲は不明ではない。（い）：訂正によって「脱バインダー温度までの昇温速度」に比較して遅い昇温速度になったのであるから比較対象が明りょうになり不明ではない。（う）：訂正後の請求項３（訂正前の請求項４に対応）における「一定時間保持」は、脱バインダー温度からの温度において一定時間保持するわけであるから、実施例の５００℃での５時間保持とは別であることは明らかである。（え）：当該箇所は訂正により削除された。
  以上のとおり、訂正により記載不備は解消されたので、特許異議申立人の主張は採用することができない。
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
 また、他に本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
 したがって、本件請求項１ないし４に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月１６日（２００１．２．１６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２９２８３６２号発明の明細書を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち、
（１）訂正事項ａ
　請求項１中の「脱バインダー中にＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物」を、「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　請求項２を削除する。これに伴い、請求項３を請求項２とし、請求項２とした請求項中の「請求項１または２記載」を、「請求項１記載」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　請求項４を請求項３とし、請求項３とした請求項中の「前記粉末に炭酸化合物を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記炭酸化合物の脱炭酸温度付近において昇温速度を遅くするか、脱炭酸温度あるいは当該温度付近において一定時間保持して脱バインダーを行った後、焼成すること」を、「前記粉末に低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記グリーンシートの脱バインダー温度から焼成温度未満の温度において、脱バインダー温度までの昇温速度に比較して昇温速度を遅くするか、該温度範囲で一定時間保持して、炭酸化合物からＣＯ２ガスを放出し、グリーンシート中の残留炭素を飛散させ、次いで焼成を行うこと」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　請求項５を削除する。これに伴い、特許請求の範囲の請求項６を請求項４とし、請求項４とした請求項中の「請求項４または５記載」を、「請求項３記載」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書中の「脱バインダー中にＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物」（本件特許掲載公報第４欄第２０〜２１行）を、「低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書中の「前記粉末に炭酸化合物を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記炭酸化合物の脱炭酸温度付近において昇温速度を遅くするか、脱炭酸温度あるいは当該温度付近において一定時間保持して脱バインダーを行った後、焼成すること」（本件特許掲載公報第４欄第２７〜３１行）を、「前記粉末に低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する炭酸化合物として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種を添加した原料粉末を用い、焼成する際、前記グリーンシートの脱バインダー温度から焼成温度未満の温度において、脱バインダー温度までの昇温速度に比較して昇温速度を遅くするか、該温度範囲で一定時間保持して、炭酸化合物からＣＯ２ガスを放出し、グリーンシート中の残留炭素を飛散させ、次いで焼成を行うこと」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　明細書中の「なお、前記電子回路用セラミックおよび電子回路用セラミックの製造方法で用いる炭酸化合物としてはＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣｏＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＰｂＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＦｅＣＯ３のうちの一種または２種以上を用いたもの、」（本件特許掲載公報第４欄第３３〜３６行）を、「なお、」と訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　明細書中の「添加する炭酸化合物としては、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣｏＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＰｂＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＦｅＣＯ３が使用できる。添加の形態としては一種のみ添加する場合と二種以上添加する場合が可能である。」（本件特許掲載公報第４欄第４３〜４６行）を、「添加する炭酸化合物としては、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３が使用できる。添加の形態としては一種のみ添加する場合と二種添加する場合が可能である。」と訂正する。
（９）訂正事項ｉ
　明細書中の「昇温速度を遅くして脱バインダーを行う。」（本件特許掲載公報第５欄第３〜４行）を、「昇温速度を遅くしてセラミック中に炭素が残留しないようにする。」と訂正し、明細書中の「グリーンシートから効率的にバインダーを飛散させるためである。」（本件特許掲載公報第５欄第１８〜１９行）を、「グリーンシートから効率的にバインダーと炭素を飛散させるためである。」と訂正し、明細書中の「確実に脱バインダー行うことができる。」（本件特許掲載公報第５欄第２０〜２１行）を、「確実に脱バインダーとセラミック中に炭素が残留しないようにして焼成することができる。」と訂正し、明細書中の「なお、実施例では脱バインダーのために、」（本件特許掲載公報第５欄第４８行）を、「なお、実施例では」と訂正する。
（１０）訂正事項ｊ
　明細書中の「８００℃〜９００℃までは」（本件特許掲載公報第５欄第４２行）を、「８００℃〜９８０℃までは」と訂正する。
（１１）訂正事項ｋ
　明細書中の「脱炭酸温度付近の昇温を」（本件特許掲載公報第５欄第４８〜４９行、なお、該公報中では「温度を」となっているが、「昇温」の誤植である。）を、「脱炭酸温度付近の昇温速度を」と訂正する。
（１２）訂正事項ｌ
　明細書中の「以下にガラス系材料および非ガラス系材料の実施例を示す。・・・アルミナポット中でボールミルして混合し、スラリーを作製した。」（本件特許掲載公報第６欄第２６〜４９行、なお、該公報中では「実施例に」となっているが、「実施例を」の誤植である。）を削除する。
　なお、訂正請求では、「（１）明細書中の「焼成時にまず」（本件特許掲載公報第５欄第２行）を、「焼成時にはまず」と訂正する。（２）明細書中の「しやすく、」（本件特許掲載公報第５欄第１４行）を、「しやすくし、」と訂正する。（３）明細書中の「焼成温度は」（本件特許掲載公報第６欄第１１行）を、「焼成密度は」と訂正する。」という訂正事項が挙げられているが、いずれも、公報編纂時の誤植と認められるので、訂正の必要はない。
（５４）【発明の名称】
電子回路用セラミック及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　低温焼成セラミックを焼成するための粉末に、
低温焼成セラミックの
温度以上焼成温度未満の温度において
として、
　　　
ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３
のうちの一種または二種
　　【請求項２】　導体金属として銅を用いたことを特徴とする請求項
１
　　【請求項３】　低温焼成セラミックを焼成するための粉末に有機バインダー等を添加してスラリーを作製し、グリーンシートを形成した後、グリーンシートに導体ペーストにより導体パターンを形成し、所定温度で焼成する電子回路用セラミックの製造方法において、
　前記粉末に
低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する
として、
　　　
ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３
のうちの一種または二種
　焼成する際、前記
グリーンシートの脱バインダー温度から焼成温度未満の温度において、脱バインダー温度までの昇温速度に比較して
、該温度範囲で
、炭酸化合物からＣＯ２ガスを放出し、グリーンシート中の残留炭素を飛散させ、次いで
を行う
　　【請求項４】　導体ペーストとして銅ペーストを用いることを特徴とする請求項
３
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は電子回路用セラミック及びその製造方法に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　電子回路用セラミックには１０００℃程度の低温で焼成される低温焼成セラミックと呼ばれるセラミックがある。これら低温焼成セラミックは金、銀、銅といった低抵抗金属を導体として使用し得るセラミックであり、優れた電気的特性を有するという特徴がある。金、銀、銅等の金属は低融点であるから、低温焼成セラミックはこれら金属の融点以下に焼成温度を設定しており、焼成温度は８００℃〜１１００℃程度である。
　低温焼成セラミックにはアルミナ等のセラミック粉末に、セラミック粉末よりも溶融温度の低いホウケイ酸ガラス等のガラス粉末を混合した原料粉末を用いたガラスーセラミック複合系のもの、結晶化ガラス粉末を原料粉末に用いたガラス系のもの、コーディエライト粉末などを原料粉末に用いた非ガラス系のものなどがある。セラミック粉末としてはアルミナの他にムライト、コーディエライト、窒化アルミニウム等の種々の材料が用いられる。
　　　【０００３】
　　【発明が解決しようとする課題】
　電子回路用セラミックの製造においては、原料粉末に有機バインダー等を添加してスラリーを作製し、スラリーからグリーンシートを形成した後、グリーンシートに導体ペーストをプリントして焼成する。
　焼成工程では、グリーンシートから有機バインダーを飛散させる脱バインダーを行った後、所定の焼成温度まで昇温させて焼成する。
　脱バインダーはセラミックが緻密化する以前に行う必要があることから、低温焼成セラミックでは数百℃程度の温度で脱バインダーせざるを得ず、したがってバインダーが飛散しにくく焼結体中にバインダー成分が残留し易いといった問題点がある。アルミナ等の高温焼成セラミックの場合は焼成温度が高いことから高温で脱バインダーができバインダーが分解、飛散しやすく、セラミックが緻密化する以前にバインダーが飛散するから上記のようなバインダー成分の残留といった問題は生じない。
　　　【０００４】
　低温焼成セラミックのうち、導体ペーストとして銅または銅を主成分とするメタライズペースト（以下、銅ペーストという）を用いたものは電気的特性の面から有用である。しかし、この銅ペーストを用いる場合は、銅が酸化されやすいため非酸化雰囲気中で脱バインダーを行わざるを得ず、さらに脱バインダーが困難になるという問題点がある。
　このため、従来は昇温速度をきわめて遅く設定して時間をかけて脱バインダーを行ったり、アクリル系バインダーのように分解しやすいバインダーを用いて飛散しやすくしている。
　脱バインダーが不十分のまま焼成した場合は、バインダーが炭素成分として残り、焼結体の電気的絶縁性などの電気的特性が低下するという問題が生じる。さらに残留炭素が多い場合には、焼結体は黒化する。たとえば、グリーンシートでは中央部付近のバインダーが飛散しにくいから、中央部付近が特に黒化し易い。
　　　【０００５】
　そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたものであり、その目的とするところは、低温焼成セラミックの製造において脱バインダーを好適に行うことができ、セラミックの焼成を容易にすることができると共に、電気的特性等の優れた焼結体を得ることのできる電子回路用セラミックの製造方法及びこれによって得られた電子回路用セラミックを提供しようとするものである。
　　　【０００６】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえる。
　すなわち、電子回路用セラミックとしては、低温焼成セラミックを焼成するための粉末に、
低温焼成セラミックの
温度以上焼成温度未満の温度において
として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種
　また、低温焼成セラミックを焼成するための粉末に有機バインダー等を添加してスラリーを作製し、グリーンシートを形成した後、グリーンシートに導体ペーストにより導体パターンを形成し、所定温度で焼成する電子回路用セラミックの製造方法において、前記粉末に
低温焼成セラミックの脱バインダー温度以上焼成温度未満の温度においてＣＯ２ガスを放出する
として、ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３のうちの一種または二種
グリーンシートの脱バインダー温度から焼成温度未満の温度において、脱バインダー温度までの昇温速度に比較して
、該温度範囲で
、炭酸化合物からＣＯ２ガスを放出し、グリーンシート中の残留炭素を飛散させ、次いで
を行う
　なお
、導
　　　【０００７】
　　【発明の概要】
　本発明では、低温焼成セラミックの原料粉末に炭酸化合物を添加したものを用いて焼成することを特徴とする。
　添加する炭酸化合物としては、
ＣａＣＯ３、ＭｇＣＯ３
種添
　製造にあたっては、炭酸化合物を添加した原料粉末に有機バインダー等を添加してスラリーを作製し、グリーンシートを形成し、導体ペーストをプリントした後、昇温させて焼成する。
　　　【０００８】
　焼成時に
は
セラミック中に炭素が残留しないようにする
　この炭酸化合物によるＣＯ２ガスの放出は、グリーンシート中に有機バインダーを飛散させるためのチャンネルを形成するという作用と、ＣＯ２ガスとグリーンシート中の残留炭素とがＣＯ２＋Ｃ→２ＣＯの反応（Ｂｏｕｄｏａｒｄ反応）によって、残留炭素をガス化して飛散させる作用を行う。
　ＣＯ２ガスの放出で形成されたチャンネルはグリーンシート中の有機バインダーがそのチャンネルを通って飛散しやすく
し
　上記の脱炭酸温度付近で温度を維持するのは、このＣＯ２がさかんに放出される温度でグリーンシートから効率的にバインダー
と炭素
とセラミック中に炭素が残留しないようにして焼成する
　　　【０００９】
　　【実施例】
　以下、本発明の好適な実施例を比較例とともに説明する。
〔実施例〕
　アルミナ粉末５００ｇ、ホウけい酸ガラス粉末５００ｇに対してＣａＣＯ３を１０ｇ（１重量％）添加して混合し原料粉末とする。
　この原料粉末に有機バインダーとしてアクリル系バインダー１００ｇ、可塑剤としてヂブチルフタレート３０ｍｌ、分散剤としてソルビタン系分散剤１５ｍｌ、溶媒としてメチルエチルケトン３５０ｍｌを添加した後、アルミナポット中で４８時間ボールミルして混合しスラリーを作製した。
　次に、ドクターブレード法によってグリーンシートを形成し、銅ペーストを用いて導体回路、ビア導体などの導体パターンをプリントし多層に積層した。全体の厚さは５ｍｍである。
　上記方法で作製した多層のグリーンシートを窒素雰囲気中で焼成して焼結体を得た。
　　　【００１０】
　第１図は焼成時の昇温方法を示す。図のように、室温から５００℃まで昇温させたところで温度を一定に５時間保持して脱バインダーを行った。その後、８００℃まで０．５℃／ｍｉｎと徐々に温度を上昇させ、８００℃〜
９８０
　得られた焼結体には黒化がみられず、導体パターン部分の銅の酸化、セラミック中への拡散もみられなかった。焼結体の焼成密度は９８％以上であった。
　なお、実施例で
はＣ
速度
　　　【００１１】
〔比較例〕
　原料粉末にＣａＣＯ３を添加しないことを除いて、上記実施例と同一条件、すなわち、アルミナ粉末５００ｇ、ホウけい酸ガラス粉末５００ｇ、アクリル系バインダー１００ｇ、ヂブチルフタレート３０ｍｌ、ソルビタン系分散剤１５ｍｌ、メチルエチルケトン３５０ｍｌからなるスラリーからグリーンシートを形成して積層し、同一条件で焼成して焼結体を観察した。
　得られた焼結体は中央部が残留炭素によって黒化し、導体パターン部の銅は酸化してセラミック中に拡散していた。焼結体の焼成
密度
　なお、セラミックの黒化は、上記焼成条件の場合２ｍｍ厚以上のものでみられた。
　　　【００１２】
　上記実施例および比較例の結果から、原料粉末にＣａＣＯ３を添加することにより、グリーンシートからの脱バインダーが効果的になされ、セラミック中に炭素を残留させずに焼成できることが確かめられた。
　また、実施例では積層したセラミックについて述べたが単層のセラミックの場合にも実施例と同様の結果が得られた。
　なお、前記実施例は低温焼成セラミックとしてガラス−セラミック複合系の材料を用いた例であるが、これ以外のガラス系、非ガラス系の材料を原料粉末に用いた場合も前記実施例と同様な結果が得られることが確認できた。
　以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのはもちろんのことである。
　　　【００１３】
　　【発明の効果】
　本発明に係る電子回路用セラミック及びその製造方法によれば、上述したように、低温焼成セラミックの製造においてグリーンシートからの脱バインダーが容易にでき、セラミックに炭素を残留させずに焼成することができる。これにより、導体ペーストとして銅ペーストを容易に使用することができ、優れた電気的特性を有する電子回路用セラミックを得ることができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例でセラミックを焼成した際の昇温方法を示すグラフである。