【事件の表示】
　特許第２９０９０６１号「断面観察装置」の請求項１、２、３、６、７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０９０６１号の請求項１、２、３、６、７に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　特許第２９０９０６１号に係る発明についての出願は、昭和６３年１月１２日に特許出願した特願昭６３−３０６２号の一部を平成１０年５月１５日に新たな特許出願とし、平成１１年４月２日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人日本電子株式会社より特許異議の申立てがなされたものである。
　
（２）異議申立てについて
　ア．本件発明
　特許第２９０９０６１号の請求項１ないし９に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１、２、３、６、７に係る発明は次のとおりである。
【請求項１】 集束したイオンビームを用いて被加工物を加工して該加工された部分の断面を観察する断面観察装置であって、処理室手段と、該処理室手段を真空に排気する真空排気手段と、前記処理室手段の内部で前記被加工物を載置し移動させるテーブル手段と、該テーブル手段上に載置された前記被加工物の被加工領域に集束させたイオンビームを照射走査するイオンビーム照射走査手段と、該イオンビーム照射走査手段のイオンビーム光学系の軸方向に対して傾いた電子光学系の軸方向を有して該電子光学系の軸方向から前記イオンビーム照射走査手段により加工された領域の側面を含む領域に前記被加工領域よりも径が細く絞られた電子ビームを照射走査する電子ビーム照射走査手段と、前記電子ビームにより照射走査される前記加工された領域の側面を臨む位置に配置されて前記イオンビームの照射走査、または前記電子ビームの照射走査による前記被加工物からの２次荷電粒子を検出する２次荷電粒子検出手段と、該２次荷電粒子検出手段からの２次荷電粒子検出信号に基づいて前記イオンビームで加工された領域の側面を含む前記被加工物の２次荷電粒子像を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする断面観察装置。
【請求項２】 集束したイオンビームを用いて被加工物を加工して該加工された部分の断面を観察する断面観察装置であって、処理室手段と、該処理室手段を真空に排気する真空排気手段と、前記処理室手段の内部で前記被加工物を載置し移動させるテーブル手段と、該テーブル手段上に載置された前記被加工物の被加工領域に集束させたイオンビームを照射走査するイオンビーム照射走査手段と、該イオンビーム照射走査手段のイオンビーム光学系の軸方向に対して傾いた電子光学系の軸方向を有して該電子光学系の軸方向から前記イオンビーム照射走査手段により加工された領域の側面を含む領域に前記被加工領域よりも径が細く絞られた電子ビームを照射走査する電子ビーム照射走査手段と、前記イオンビームの照射走査、または前記電子ビームの照射走査による前記被加工物からの２次荷電粒子を検出する２次荷電粒子検出手段と、前記イオンビームの照射走査、または前記電子ビームの照射走査による前記被加工物からの２次荷電粒子の軌道を前記２次荷電粒子検出手段の方向に偏向する２次荷電粒子軌道偏向手段と、前記２次荷電粒子検出手段からの２次荷電粒子検出信号に基づいて前記イオンビームで加工された領域の側面を含む前記被加工物の２次荷電粒子像を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする断面観察装置。
【請求項３】 処理室手段は、被加工領域の近傍にノズルからガスを供給するガス供給手段を備えていることを特徴とする請求項１，２の何れかに記載の断面観察装置。
【請求項６】 電子ビームの照射走査により得られるＳＥＭ像、または該ＳＥＭ像とイオンビームの照射走査により得られるＳＩＭ像とに基づいて被加工領域での加工深さを算出する加工深さ算出手段が更に備えられていることを特徴とする請求項１，２の何れかに記載の断面観察装置。
【請求項７】 イオンビーム照射走査手段には、液体金属イオン源が備えられていることを特徴とする請求項１，２の何れかに記載の断面観察装置。
　
　イ．申立ての理由の概要  　
　申立人日本電子株式会社は、証拠として甲第１号証（特開昭５２−１０２７９２号公報）、甲第２号証（特開昭５８−２１２０４７号公報）、甲第３号証（特開昭６２−１７４７６５号公報）、甲第４号証（特開昭５５−７６２５号公報）、甲第５号証（特開昭５３−２６１９０号公報）、甲第６号証（「図説走査電子顕微鏡」（株式会社朝倉書店１９８０年１１月１日初版第２刷発行）の第６頁および第７頁）を提出し、請求項１，２，３，６，７に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１，２，３，６，７に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　
　ウ．申立人が提出した甲各号証の説明
　申立人が提出した甲第１号証には、次の事項が第５図、第６図、第７図、第８図及び第９図とともに記載されている。
（１）「本発明はイオンプローブによる固体分析装置に係り、深さ方向の成分濃度と深さ位置とを正確に対応づけることを特徴とした固体試料の深さ方向濃度分析装置に関する」（第１頁左欄第１７行〜同第２０行）
（２）「第２図において、１はイオン源、２は一次イオン、３は一次イオン集束系、４は分析対象試料、６は二次イオン質量分析計、７は二次イオン検出器、８は増幅器、９は二次イオン強度表示部である。イオン源１で生成された一次イオン２は一次イオン集束系３によって細いビームに絞られ、…試料表面に照射される。…固体表面はスパッタリングにより削り取られて行く。すなわちイオンエッチングを受ける。このイオンエッチングを利用して、ＩＭＡは深さ方向の成分の分布分析を行う。」（第１頁右欄第９行〜第２頁左上欄第１行）
（３）「試料のイオンによりエッチングされた部分を、イオンプローブ照射方向と所定角度をなす方向から走査電子顕微鏡的に観察して、エッチング深さを測定できるようにした。この様にして被分析試料は分析装置の載物台にのせたまま、分析雰囲気もそのままで試料のエッチングされた深さが測定できるようになった。」（第２頁右上欄第１１行〜同第１７行）
（４）「この時のエッチング深さを測定するためには、第２図に示した従来のＩＭＡに走査形電子顕微鏡（以下ＳＥＭと略記）を組合わせて第５図に示す様な装置とすればよい。追加組合わせた部分は、電子源１０、電子ビーム集束系１１、偏向電極１２、走査回路１３、二次電子検出器１４、増幅器１５、二次電子像表示器１６である。なお、第５図中１７は一次電子、１８は二次電子である。…第６図に示すように一次電子ビームを試料に対し入射角θで照射し、試料エッチ部を走査させ、第７図に示すような二次電子像を得たものとする。この二次電子像における二重像の部分の長さｌを測定することによって、エッチング深さｈを知ることができる。」（第２頁右下欄第５行〜同第１９行）
（５）「エッチング部分の形状が第８図に示した様な台形の場合には、その側壁部分の傾きαも考慮に入れて深さｈを算出すべきである。…その場合には、ＳＥＭによる観察を入射角の相異なる２方向から行う必要があり、第９図に示すようにＩＭＡに２台のＳＥＭを組合わせるか、…第８図においてエッチング部分の側壁の傾きをα、前述のＳＥＭの２方向の電子プローブの入射角をそれぞれθ１  、θ２  、エッチング部分の側壁の長さをＳとし、またこの長さＳが第７図に示したと同様に平面にあらわされたＳＥＭの二次電子像において、電子プローブ入射角θ１ の場合にｌ１ 、θ２ の場合にｌ２ になるものとする。…二次電子像からｌ１ 、ｌ２ を測定することによって、エッチング部分の側壁の傾きαが式（７）から求められ、したがってエッチング深さｈは式（９）によって求めることができる。」（第３頁左上欄第１４行〜同左下欄第１４行）
　
　この記載事項によると、甲第１号証には、
「１次イオン集束系３によって集束したイオンビームを用いて分析対象試料４をエッチングして該エッチングされた部分の断面を観察する深さ方向濃度分析装置であって、前記分析対象試料４をのせる載物台と、該載物台上にのせられた前記分析対象試料４の試料エッチ部に集束させたイオンビームを照射する（イオン源１及び１次イオン集束系３）と、該（イオン源１及び１次イオン集束系３）の１次イオン集束系３の軸方向に対して傾いた電子ビーム集束系１１の軸方向を有して該電子ビーム集束系１１の軸方向から前記（イオン源１及び１次イオン集束系３）によりエッチングされた領域の側壁を含む領域に前記試料エッチ部よりも径が細く絞られた一次電子ビームを照射走査する（電子源１０及び電子ビーム集束系１１及び偏向電極１２）と、前記一次電子ビームにより照射走査されない前記エッチングされた領域の側壁を臨む位置に配置されて、前記一次電子ビームの照射走査による前記試料４からの二次電子１８を検出する二次電子検出器１４と、該二次電子検出器１４からの二次電子検出信号に基づいて前記イオンビームでエッチングされた領域の側壁を含む前記分析対象試料４の二次電子像を画面上に表示する二次電子像表示器１６とを備え、エッチング深さｈを測定算出ができることを特徴とする深さ方向濃度分析装置。」
が記載されていると認められる。
　
　申立人が提出した甲第２号証には、次の事項が第３図及び第４図とともに記載されている。
（１）「本発明は、二次イオン質量分析装置におけるクレータ深さの測定方法に関し、特に、深さ方向プロファイル分析におけるクレータ深さをモニターする手段を備えるための新規な改良に関するものである。
　二次イオン質量分析装置は、細く絞られた…一次イオンを固体試料表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析するものである。…この特徴から半導体のドーピング不純物の深さ方向の濃度分布（深さ方向プロファイル）分析等に広く使用されている。」（第１頁左欄第１３行〜同右欄第８行）
（２）「本発明は、…分析中にクレータ深さを随時モニターする手段を備えることにより、…正確な深さ方向プロファイル分析を行なえるようにするものである。
　次にクレータ深さモニターの具体的方法について述べる。深さ方向プロファイル分析は通常、一次イオンビーム径を数十μｍ、ラスターサイズを数百μｍとして行なうので第３図に示すようなクレータができる。第３図でＩＢは一次イオンビーム、Ｚ１はクレータ深さを示し、数μｍ程度である。」（第２頁左上欄第９行〜同第２０行）
（３）「第４図で…１〜３は数十Å〜数百Å程度に細く絞つた走査電子ビーム４を得るためのものでそれぞれ、電子銃、電子ビーム集束系、電子ビーム走査系である。集束電子ビーム４を斜め上方から照射し、クレータのエッジ７周辺を走査することにより、二次電子または反射電子のラインプロファイルを得る。図中、５は二次電子、または反射電子、６は二次電子検出器または反射電子検出器である。クレータエッジ部と平坦部とで二次電子強度が異なることを利用して、クレータエッジ部の幅Ｗを測定することができる。この幅はクレータ深さＺ１に比例するので、あらかじめ校正しておくことにより、クレータ深さＺ１を測定することができる。」（第２頁右上欄第１行〜同第１７行）
　
　この記載事項によると、甲第２号証には、
「二次イオン質量分析装置において、
数十μｍ径に集束したイオンビームを用いて固体試料をスパッタリングして該スパッタリングされたクレータのラインプロファイルを得る二次イオン質量分析装置におけるクレータ深さを随時モニタする手段であって、前記固体試料のクレータに集束させたイオンビームを照射ラスタ走査するイオンビーム照射走査手段と、該イオンビーム照射走査手段のイオンビーム光学系の軸方向に対して傾いた電子ビーム集束系２の軸方向を有して該電子ビーム集束系２の軸方向から前記イオンビーム照射走査手段によりスパッタリングされた領域の側面を含む領域に前記クレータよりも径が細く絞られた電子ビーム４を照射走査する（電子銃１及び電子ビーム集束系２及び電子ビーム走査系３）と、前記電子ビーム４により照射走査される前記スパッタリングされた領域の側面を臨む位置に配置されて、前記電子ビーム４の照射走査による前記固体試料からの二次電子５を検出する二次電子検出器６と、該二次電子検出器６からの二次電子検出信号に基づいて前記イオンビームでスパッタリングされた領域の側面を含む前記個体試料の二次電子のラインプロファイルを得るクレータ深さを随時モニタする手段。」
が記載されていると認められる。
　
　申立人が提出した甲第３号証には、次の事項が第１図とともに記載されている。
（１）「本発明は半導体素子製造用のホオトマスクやレチクル（以下単にマスクという）の…、パターン余剰部にイオンビームを繰り返し照射し、スパッタエッチングにより黒色欠陥部を補修する装置（以下黒色欠陥部という）に関する。」（第１頁右欄第５行〜同第１５行）
（２）「黒色欠陥部にイオンビームを繰り返し照射し、スパッタリングエッチングにより黒色欠陥部を補修するマスクリペア装置において、」（第１頁右欄第２０行〜第２頁左上欄第２行）
（３）「第１図は…。１はイオン源であってイオンビーム２を発する。例えばガリウム液体金属イオン源が用いられる。８は走査電極であってＸ及びＹ電極からなりイオンビームスポットをＸＹ平面内で所定範囲内に渡り走査するものである。１４は対物レンズであってイオンビーム２のスポットを被照射物であるマスク１５の表面に結像させる。」（第３頁左上欄第７行〜同第１３行）
（４）「１６はＸＹステージであってマスク１５を載置しＸＹ方向に移動する。」（第３頁左上欄第１９行〜同右上欄第１行）
　
　この記載事項によると、甲第３号証には、
「イオンビームを照射走査し、黒色欠陥部をスパッタエッチングにより除去するマスクリペア装置において、
マスク１５を載置し移動させるＸＹステージ１６と、該ＸＹステージ１６上に載置された前記マスク１５の黒色欠陥部に集束させたイオンビームを照射走査する、イオン源１として例えばガリウム液体金属イオン源を備えたイオンビーム照射走査手段」
が記載されていると認められる。
　
　申立人が提出した甲第４号証には、次の事項が第２図とともに記載されている。
（１）「固体を衝撃する放射線としてイオンを用い、発生する二次放射線を利用する表面分析装置としては、…、ＳＣＡＮＩＩＲがある。」（第２頁左上欄第５行〜同第７行）
（２）「一般にＳＩＭＳ、ＳＣＡＮＩＩＲでは活性ガス雰囲気で分析を行う場合、不活性ガス雰囲気での分析に比較して試料の二次放射線効率を著しく増加させることができる。特に酸素ガスの導入につれて二次放射線は安定し再現性は向上する。」（第２頁左下欄第１１行〜同第１５行）
（３）「以下、本発明をＳＣＡＮＩＩＲに適用した実施例を示す第２図を参照して説明する。
　第２図において、１はイオン銃、２は引出し電極、…。４ａ、４ｂはアインツエルレンズ、５は試料台、６は試料、…IVは排気路である。
　試料室１４には、…試料６上に局部的に活性ガスを吹付けるためのノズル１６が設けてある。」（第２頁右下欄第３行〜同第１２行）
（４）「さらにビーム照射周辺部…にガス照射を行う場合には…ノズル１６の先端より試料６上に局部的にガスを吹きつける。この方法では試料室の圧力は高真空に保たれる。」（第３頁左上欄第１２行〜同第１６行）
　
　この記載事項によると、甲第４号証には、
「表面分析装置において、
試料室１４と、該試料室１４を高真空に排気する排気路IVと、前記試料室１４の内部で試料６を載置する試料台５と、該試料台５上に載置された前記試料６のビーム照射部に集束させたイオンビームを照射する（イオン銃１及び引き出し電極２及びアインツエルレンズ４ａ，４ｂ）と、試料６の二次放射線効率を増加させるために試料室１４に備えられた試料６のビーム照射部周辺にノズル１６から活性ガスを吹き付けるノズル１６」
が記載されていると認められる。
　
　申立人が提出した甲第５号証には、次の事項が第１図及び第２図とともに記載されている。
（１）「イオンマイクロアナライザを用いる分析法の形態観察にはこれまで一次イオン照射によって発生する二次電子、二次イオンを信号として顕微像を得てきた。」（第１頁左欄第１９行〜同右欄第２行）
（２）「第１図、第２図において、１はイオン源、２，４はイオン源から発生した一次イオンを試料表面上に集束させるための集束レンズ、…、５は一次イオンを試料表面上に２次元的に走査させるための偏向電極、」（第１頁右欄第１６行〜第２頁左上欄第１行）
（３）「…一次イオンを細束化して個体試料７に照射すると試料表面がスパッタされる。」（第２頁左上欄第１９行〜第２頁右上欄第１行）
　
　この記載事項によると、甲第５号証には、
「イオンマイクロアナライザにおいて、
試料の形態観察のために、一次イオン照射により得られる顕微像を用いること」及び
「イオンマイクロアナライザにおいて、
試料表面をスパッタするために、一次イオンを試料表面上に２次元的に走査させること」
が記載されている。
　
　申立人が提出した甲第６号証には、次の事項が図８とともに記載されている。
走査電子顕微鏡の二次電子検出器に関して、
「ＳＥＭ試料から発生する二次電子を集め、…
試料から発生した二次電子は、…、試料近くに位置する数１００Ｖ（正電圧）を印加したグリッドに向かう。」（第６頁２６行〜同第３１行）
　
　この記載事項によると、甲第６号証には、
「走査電子顕微鏡の二次電子検出器において、試料からの二次電子を集めるグリッド」
が記載されている。
　
（４）対比・判断
（請求項１に係る発明について）
　請求項１に係る発明と申立人が提出した甲第１号証記載の発明とを対比すると、甲第１号証の「深さ方向濃度分析装置」は、請求項１に係る発明のように加工のためではなく、深さ方向の濃度分析のためにエッチング部分の側壁の深さを観察するものではあるが、断面観察を行っていることから、「断面観察装置」といいうるものである。
　したがって、両者は、
「集束したイオンビームを用いて試料をエッチングして該エッチングされた部分の断面を観察する断面観察装置であって、前記試料を載置するテーブル手段と、該テーブル手段上に載置された前記試料の被エッチング領域に集束させたイオンビームを照射するイオンビーム照射手段と、該イオンビーム照射手段のイオンビーム光学系の軸方向に対して傾いた電子光学系の軸方向を有して該電子光学系の軸方向から前記イオンビーム照射手段によりエッチングされた領域の側面を含む領域に前記被エッチング領域よりも径が細く絞られた電子ビームを照射走査する電子ビーム照射走査手段と、前記エッチングされた領域の側面を臨む位置に配置されて前記イオンビームの照射、または前記電子ビームの照射走査による前記試料からの２次荷電粒子を検出する２次荷電粒子検出手段と、該２次荷電粒子検出手段からの２次荷電粒子検出信号に基づいて前記イオンビームでエッチングされた領域の側面を含む前記試料の２次荷電粒子像を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする断面観察装置。」
で一致し、
　
（Ａ）請求項１に係る発明では、エッチングは試料（被加工物）の加工のためのものであるのに対して、甲第１号証記載の発明では、エッチングは試料（被分析対象物）の分析のためのものである点、
（Ｂ）請求項１に係る発明は、処理室手段、及び、処理室手段を真空に排気する手段を具備しているのに対して、甲第１号証記載の発明は、これらの手段を具備しているかどうか不明である点、
（Ｃ）請求項１に係る発明では、テーブル手段が処理室手段の内部で被加工物を移動させるのに対して、甲第１号証に記載の発明には、テーブル手段が移動するとの記載がない点、
（Ｄ）請求項１に係る発明では、イオンビーム照射手段が、イオンビームを走査するのに対して、甲第１号証に記載の発明には、イオンビーム照射手段（イオン源１及び１次イオン集束系３）が、イオンビームを走査するとの記載がない点、
（Ｅ）請求項１に係る発明では、２次荷電粒子検出手段が、電子ビームにより照射走査
される
されない
で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、
甲第１号証に記載の発明は、分析対象試料の分析のための断面観察装置であり、甲第２号証に記載の発明は、固体試料の質量分析装置のための断面観察装置であり、甲第４号証に記載の発明は、試料の表面分析のためのノズルであり、甲第５号証に記載の発明は、試料の分析のためのものであり、甲第６号証に記載の発明は、走査電子顕微鏡の二次電子を集めるグリッドに関するものであって、いずれも被加工物の加工を目的としたものではない。
　また、甲第３号証には、黒色欠陥部をスパッタリングエッチングにより除去するマスクリペア装置のイオン照射走査手段の記載はあるが、この発明を分析対象試料の分析のために断面観察を行う装置である甲第１号証に記載の発明に適用し、請求項１に係る発明を構成できるとの示唆はない。
　そして、請求項１に係る発明は、試料（被加工物）を加工するためにエッチング手段を用いるものであって、そのために相違点（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の技術的事項を備えているものであるから、分析装置並びにマスクリペア装置に関する個々の技術的事項が甲第２〜６号証に記載され、これを甲第１号証に記載の断面観察装置に適用したとしても、その結果得られる発明は分析のための断面観察装置であって、請求項１に係る発明のような加工のための断面観察装置とはなり得ない。
　したがって、請求項１に係る発明は、上記甲各号証に記載のものから当業者が容易に推考しうるものではない。
　
（請求項２、３、６、７に係る発明について）　
　請求項２、３、６、７に係る発明は、請求項１に係る発明と同様に、試料（対象物）の加工のための断面観察装置であるから、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記甲各号証に記載されたものから当業者が容易に推考しうるものではない。
　
　そして、請求項１、２、３、６、７に係る発明は、その技術的事項により明細書記載の効果を奏するものと認められる。
　
　以上のとおり、請求項１、２、３、６、７に係る発明は、特許異議申立人が提出した甲各号証に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１、２、３、６、７に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１、２、３、６、７に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１４日（２０００．６．１４）