【事件の表示】
　特許第２９４０３２８号「電力用半導体素子」の請求項１、３、４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４０３２８号の請求項１、３に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２９４０３２８号（平成５年２月５日出願、平成１１年６月１８日設定登録）は、異議申立人依田昌三により特許異議の申立てがなされ、
取消理由が通知され、その指定期間内である平成１２年１１月２８日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）願書に添付した明細書及び図面（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された「半導体基板の・・・加圧接触する」を、「半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触し、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力である」と訂正する。
　また、特許明細書の段落【０００９】に「一実施例」とあるのを「一参考例」と訂正し、同段落【００１０】に「別の実施例」とあるのを「一実施例」と訂正し、同段落【００１１】に「さらに別の実施例」とあるのを「別の参考例」と訂正する。
　さらに、特許明細書の【図面の簡単な説明】の【図１】に「一実施例」とあるのを「一参考例」と訂正し、【図５】に「別の実施例」とあるのを「一実施例」と訂正し、【図７】に「さらに別の実施例」とあるのを「別の参考例」と訂正する。
　
（１−２）同請求項２を、「【請求項２】容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の主面上に絶縁して設けられ、制御電極と導線によって接続された中継電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触することを特徴とする電力用半導体素子。」と訂正する。
　
（１−３）同請求項４を削除する。
　
（１−４）同段落【０００７】、【０００８】、および【００１２】を、
　「【０００７】【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するために、本発明は、一容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触し、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力であるものとする。あるいは、半導体基板の主面上に絶縁して設けられ、制御電極と導線によって接続された中継電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触するものとする。そして、制御電極と同一主面上に存在する主電極のための接触板の制御電極引き出し端子に対向する部分に凹部あるいは切り欠き部を有することが有効である。」、　　「【０００８】【作用】制御電極と制御電極引き出し端子との接続も直接あるいは中継電極を介しての加圧接触によることにより、導線のボンディングによる場合に比してボンディングツールのためのスペースが必要でなく、また引き出し端子の位置などに対する制約もなくなるので、容器の寸法が小さくなる。そして、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力であることから、皿ばねが不要になる。また、主電極接触板制御電極引き出し端子に対向して切り欠き部あるいは凹部を形成することにより、一層の小形化が可能になる。」、および
　「【００１２】【発明の効果】本発明によれば、制御電極と制御電極引き出し端子とを加圧接触によって接続することにより、導線のボンディングによって接続する場合に比して各種の制約がなくなり、容器寸法の小形化が可能となった。また、半導体基板の周縁部で制御電極と引き出し端子を加圧接触させ、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力であることにより、接触板および上端子板の形状が簡単となり、容器組み立ても簡単になる効果が生ずる。」
と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）上記訂正事項（１−１）は、特許明細書の請求項１に記載された「半導体基板の・・・加圧接触する」を、より下位概念である「半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触し、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力である」に限定したものであり、この訂正は特許明細書の段落【００１１】に記載されている。
　したがって、この訂正は特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、特許明細書の段落【０００９】〜【００１１】、および【図面の簡単な説明】における訂正は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−２）上記訂正事項（１−２）は、同請求項２を独立項としたものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−３）上記訂正事項（１−３）は、同請求項４を削除したものであり、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−４）上記訂正事項（１−４）は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項（１−１）〜（１−４）は、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものでもない。
　
（３）独立特許要件
　上記訂正事項（１−２）における請求項２に係る訂正は、異議申立てがされていない請求項についての訂正である。しかしながら、この訂正は請求項１を引用する請求項２を独立項とする訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当するものの、引用する請求項１に係る訂正が特許請求の範囲の減縮に該当するから、訂正後の請求項２に係る発明について独立特許要件を検討する。
　
（３−１）本件発明２
　訂正後の明細書（以下、「訂正明細書」という。）の請求項２に係る発明
（特許明細書の請求項２に対応する。以下、「本件発明２」という。）は、特許請求の範囲の請求項２に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項２】容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の主面上に絶縁して設けられ、制御電極と導線によって接続された中継電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触することを特徴とする電力用半導体素子。」
　
（３−２）先願明細書の記載事項
　　本件特許に係る出願日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された特願平４−１５６２１号の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、圧接型半導体素子のゲート電極の圧接構造に関する発明が図１〜８とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　産業上の利用分野について
　「本発明は、圧接型半導体素子に係り、特に圧接型半導体素子のゲート電極の圧接構造に関するものである。」（段落【０００１】）
　
　図５に記載された構造について
　「１０はアルミニウム等の材質からなりゲート電極５に圧接される円筒状のゲートリング、１１は金属等の材質からなる平板状の座金、１２は皿バネ、１３は金属等の材質からなる平板状の座金、・・・１５はゲートリング１０に溶接またはろう付けされ、コバール等の材質からなるシール部１９を通して外部へ接続されるゲートリードである。」（段落【０００３】）
　
　図１に記載された構造について
　「本実施例においては、銅ポスト１Ａとアノード電極２３との間に熱緩衝板２２が介設されており、カソード側の銅ポスト８の外周面に円筒状の絶縁体９を介してゲートリング１０、座金１１、皿ばね１２、座金１３および絶縁リング１４を嵌挿して第１のゲート圧接部３０Ａを形成するとともに、アノード側の銅ポスト１の外周面に円筒体２４を介して同じく座金１１、皿バネ１２、座金１３およびゲートリング１０と同形状の円筒体２５を嵌挿して第２のゲート電極圧接部３０Ｂが形成されている。」（段落【００１５】）
　
　実施例について
　「本発明の各実施例による圧接型半導体素子は、ゲートターンオフサイリスタと同様に圧接により外部電極に接続される半導体素子であるダイオード、サイリスタ、静電誘導サイリスタ、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）および絶縁ゲート付きサイリスタにも適用できる。」（段落【００２４】）
　
　さらに、図１〜８及びその関連する記載からみて、以下の事項が認められる。
　図１〜図８のそれぞれには、圧接型ゲートターンオフサイリスタの断面構造が記載されている。すなわち、絶縁筒体１６を有する容器状構造体に収納されたシリコンウエハ３の上面にカソード電極６が設けられ、その上方に銅ポスト８が熱緩衝板７を介してカソード電極６に加圧接触可能に配置されている。同様にシリコンウエハ３の下面にはアノード電極２３が設けられ、その下方に銅ポスト１Ａが熱緩衝板２２を介してアノード電極２３に加圧接触可能に配置されている。そして、シリコンウエハ３の上面周緑部にはゲート電極５が設けられ、該電極５に対してゲートリング１０が銅ポスト８の外周凹部に収納された皿バネ１２によって熱緩衝板７の外周囲において加圧接触可能に配置され、該ゲートリング１０は外部接続されるゲートリード１５の先端に接続されている。
　
（３−３）対比・判断
　本件発明２と上記先願明細書に記載された発明とを対比すると、先願明細書に記載された「絶縁筒体１６」、「シリコンウエハ３」、「カソード電極６、アノード電極２３」、「ゲート電極５」、「銅ポスト１Ａ、８」、「熱緩衝板７、２２」、および「ゲートリング１０、ゲートリード１５」は、それぞれ本件発明２の「容器」、「半導体基板」、「主電極」、「制御電極」、「端子板」、「接触板」、および「制御電極引き出し端子」に相当し、かつ、先願明細書には「ＩＧＢＴ（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）および絶縁ゲート付きサイリスタ」への適用が記載されており、また、前記の「ゲート電極５」が「シリコンウエハ３（半導体基板）」と絶縁されていることは明らかである。
　してみると、本件発明２と先願明細書に記載された発明とは、「容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在する電力用半導体素子。」の点で一致する。
　しかしながら、本件発明２が、「半導体基板の主面上に絶縁して設けられ、制御電極と導線によって接続された中継電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触する」構成を有するのに対し、先願明細書に記載された発明は、このような構成を有していない点で相違する。
　そこで、上記相違点についてみると、本件発明２の上記構成については周知の技術ではないし、先願明細書に記載された「ゲートリング１０、ゲートリード１５」に替えて本件発明２の上記構成を採用することは、適宜にできる単なる設計的事項であるとすることもできない。
　したがって、本件発明２は、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の同法第１２６条第１項ただし書、および第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての概要
　申立人依田昌三は、証拠として甲第１号証（上記先願明細書に対応する。）を提出して、特許明細書の請求項１、３、４に係る発明は、上記甲第１号証に記載された発明と同一であるから特許法第２９条の２第１項の規定により同請求項１、３、４に係る発明についての特許を取り消すべき旨主張している。
　
（２）本件発明１、３
　訂正明細書の請求項１、３に記載された発明（特許明細書の請求項１、３に対応する。以下、「本件発明１、３」という。）は、それぞれ特許請求の範囲の請求項１、３に記載された、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触し、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力であることを特徴とする電力用半導体素子。
　【請求項３】制御電極と同一主面上に存在する主電極のための接触板の制御電極引き出し端子に対向する部分に凹部あるいは切り欠き部を有する請求項１あるいは２のいずれかに記載の電力用半導体素子。」
　
（３）甲第１号証の記載事項
　上記甲第１号証の記載事項については、上記［２］（３−２）において開示したとおりである。
　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証の
「絶縁筒体」、「シリコンウエハ３」、「カソード電極６、アノード電極２３」、「ゲート電極５」、「銅ポスト１Ａ、８」、「熱緩衝板７、２２」、および「ゲートリング１０、ゲートリード１５」は、それぞれ本件発明１の「容器」、「半導体基板」、「主電極」、「制御電極」、「端子板」、「接触板」、および「制御電極引き出し端子」に相当し、かつ、甲第１号証には「ＩＧＢＴ（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）および絶縁ゲート付きサイリスタ」への適用が記載されており、また、前記の「ゲート電極５」が「シリコンウエハ３（半導体基板）」と絶縁されていることは明らかである。
　してみると、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とは、「容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触する電力用半導体素子。」の点で一致する。
　しかしながら、本件発明１が、「加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力である」構成を有するのに対し、甲第１号証に記載された発明では、「ゲートリング１０、ゲートリード１５」は「皿バネ１２，圧縮バネ２９」により「ゲート電極５」に加圧接触している点で相違する。
　そこで、上記相違点についてみると、本件発明１の上記構成については周知の技術ではないし、甲第１号証に記載された「ゲートリング１０、ゲートリード１５」を加圧接触させる手段として、本件発明１のように「ゲートリング１０、ゲートリード１５」の弾性力によりゲート電極５に加圧接触させる手段を採用することは、適宜にできる単なる設計的事項であるとすることもできない。
　したがって、本件発明１は甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（４−２）本件発明３について
　本件発明３は、請求項１あるいは２のいずれかを引用する請求項３に係る発明であって、上記［２］（３−３）及び［３］（４−１）において説示したように、本件発明１、２は甲第１号証に記載された発明と同一ではないから、本件発明３についても甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明１、３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月７日（２００１．３．７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、願書に添付した明細書及び図面（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された「半導体基板の・・・加圧接触する」を、「半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触し、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力である」と訂正する。
　また、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【０００９】に「一実施例」とあるのを「一参考例」と訂正し、同段落【００１０】に「別の実施例」とあるのを「一実施例」と訂正し、同段落【００１１】に「さらに別の実施例」とあるのを「別の参考例」と訂正する。
　さらに、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の【図面の簡単な説明】の【図１】に「一実施例」とあるのを「一参考例」と訂正し、【図５】に「別の実施例」とあるのを「一実施例」と訂正し、【図７】に「さらに別の実施例」とあるのを「別の参考例」と訂正する。
（２）明りょうでない記載の釈明を目的として、同請求項２を、「【請求項２】容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の主面上に絶縁して設けられ、制御電極と導線によって接続された中継電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触することを特徴とする電力用半導体素子。」と訂正する。
（３）特許請求の範囲の減縮を目的として、同請求項４を削除する。
（４）明りょうでない記載の釈明を目的として、同段落【０００７】、【０００８】、および【００１２】を、　　「【０００７】【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するために、本発明は、一容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触し、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力であるものとする。あるいは、半導体基板の主面上に絶縁して設けられ、制御電極と導線によって接続された中継電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触するものとする。そして、制御電極と同一主面上に存在する主電極のための接触板の制御電極引き出し端子に対向する部分に凹部あるいは切り欠き部を有することが有効である。」、
　「【０００８】【作用】制御電極と制御電極引き出し端子との接続も直接あるいは中継電極を介しての加圧接触によることにより、導線のボンディングによる場合に比してボンディングツールのためのスペースが必要でなく、また引き出し端子の位置などに対する制約もなくなるので、容器の寸法が小さくなる。そして、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力であることから、皿ばねが不要になる。また、主電極接触板制御電極引き出し端子に対向して切り欠き部あるいは凹部を形成することにより、一層の小形化が可能になる。」、および
　「【００１２】【発明の効果】本発明によれば、制御電極と制御電極引き出し端子とを加圧接触によって接続することにより、導線のボンディングによって接続する場合に比して各種の制約がなくなり、容器寸法の小形化が可能となった。また、半導体基板の周縁部で制御電極と引き出し端子を加圧接触させ、加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力であることにより、接触板および上端子板の形状が簡単となり、容器組み立ても簡単になる効果が生ずる。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電力用半導体素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触し、
加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力である
　【請求項２】
容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の主面上に絶縁して設けられ、制御電極と導線によって接続された中継電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触することを特徴とする電力用半導体素子
　【請求項３】制御電極と同一主面上に存在する主電極のための接触板の制御電極引き出し端子に対向する部分に凹部あるいは切り欠き部を有する請求項１あるいは２のいずれかに記載の電力用半導体素子。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、主電流制御用のゲート電極をもち、ゲート電圧によりオン・オフ動作をする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（以下ＩＧＢＴと略す）、ＭＯＳ型電界効果トランジスタなどの電力用半導体素子に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　上記のような電力用の半導体素子は、半導体チップを金属などの基板上に固定し、主電極と絶縁されたゲート電極とゲート端子とは、その電極面に設けられたゲートパッド部にボンディングされる導線により接続される。通常、半導体チップの固定基板側は、ドレイン電極（あるいはコレクタ電極）となっており、半導体チップの表面側、すなわち固定基板側と反対の側の主電極は、ソース電極（あるいはエミッタ電極）となっている。ソース電極への接続は、導線によるボンディング方法が用いられることが多い。
　【０００３】
　しかし、ソース電極側も金属などの固定基板を接触させる構造のものが考えられている。ドレイン電極およびソース電極の両面に固定基板を接触させることで、素子の放熱効率をよくすることができ、チップあたりの電流容量を向上させることができる。また、従来のボンディング配線による電圧低下がなくなり、その分飽和電圧を低くすることができる。同時に、ボンディング配線によるインダクタンス成分もなくなり、電圧の跳ね上がり等も抑えることができる。さらに、チップが破壊した場合の爆発をボンディング方法よりも小さく抑えることができる。
　【０００４】
　図２（ａ）、（ｂ）は両面加圧接触構造のＩＧＢＴ素子を示し、ＩＧＢＴチップ１の上面のソース電極２にソース接触板３が、下面の図示しないコレクタ電極にコレクタ接触板４が接合され、上、下端子板５１、５２および絶縁性側壁５３からなる容器内に収容されている。接触板３、４および端子板５１、５２はいずれも金属よりなる。チップ１上のゲート電極の縁部に設けられたゲートパッド電極６は、側壁５３を貫通するゲート端子７１の端部と導線７２により接続されている。上、下端子板５１、５２と接触板３、４との間の電気的、熱的導通は、外部からの圧力による接触によって行われる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　図２のようなＩＧＢＴ素子を組み立てるには、チップ１のドレイン電極側とソース電極２とにコレクタ接触板４およびソース接触板３をはんだ付けなどで接着したのち、チップを容器に入れる。その後、チップ１のゲートパッド電極６にゲート引き出し導線７２をゲート端子７１へとボンディング法により接続する。容器側壁５３は、金属線よりなるゲート端子７１を貫通させる必要があり、またそのゲート端子の位置もボンディングの関係からチップ１の近傍で、しかもチップと同程度の高さにする必要がある。また、チップのゲートパッド電極６にゲート引き出し導線７２をゲート端子７１と接続のためボンディングするために、ボンディングツールがはいるだけのスペースが必要である。このような理由から、容器の寸法が大きくなる。また、ボンディングツールがはいるようにソース接触板３をゲートパッド電極６の部分だけかなり削らなければならないなどの制約がある。
　【０００６】
　本発明の目的は、このような観点から、ゲートパッド電極とゲート端子の接続構造を工夫することにより、コンパクトな容器寸法の電力用半導体素子を提供することにある。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成するために、本発明は、一容器に収容される半導体基板の両主面上にそれぞれ主電極、一主面上に半導体基板と絶縁された制御電極を有し、主電極と容器両面の端子板との間に接触板が介在するものにおいて、半導体基板の周縁部で制御電極に制御電極引き出し端子の先端部が加圧接触し、
加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力である
　【０００８】
　【作用】
　制御電極と制御電極引き出し端子との接続も直接あるいは中継電極を介しての加圧接触によることにより、導線のボンディングによる場合に比してボンディングツールのためのスペースが必要でなく、また引き出し端子の位置などに対する制約もなくなるので、容器の寸法が小さくなる。そして、
加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力であることから、皿ばねが不要になる。また、主電極接触板制御電極引き出し端子に対向して切り欠き部あるいは凹部を形成することにより、一層の小形化が可能になる。
　【０００９】
　【実施例】
　図１（ａ）、（ｂ）は本発明の一
参考例
　【００１０】
　図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の
一実施例
　【００１１】
　図７は本発明の
別の参考例
　【００１２】
　【発明の効果】
　本発明によれば、制御電極と制御電極引き出し端子とを加圧接触によって接続することにより、導線のボンディングによって接続する場合に比して各種の制約がなくなり、容器寸法の小形化が可能となった。また、半導体基板の周縁部で制御電極と引き出し端子を加圧接触させ、
加圧接触するための圧力が制御電極引出し端子の弾性力である
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一
参考例
　【図２】
　従来のＩＧＢＴ素子を示し、（ａ）が横断面図、（ｂ）が縦断面図
　【図３】
　図１の素子のソース接触板の斜視図
　【図４】
　図１のゲート引き出し端子の斜視図
　【図５】
　本発明の一実施例のＩＧＢＴ素子を示し、（ａ）はチップ平面図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は（ｂ）と垂直の縦断面図
　【図６】
　図５の素子のゲート配線中継板の斜視図
　【図７】
　本発明の
別の参考例
　【符号の説明】
　　１ＩＧＢＴチップ
　　２ソース電極
　　３ソース接触板
　３１穴
　　４コレクタ接触板
　５１上端子板
　５２下端子板
　５５凹部
　　６ゲートパッド電極
　　７ゲート引き出し端子
　７１銅線
　７２導線
　７３ゲート引き出し端子先端部
　７４絶縁物
　７５弾力性金属線
　　８皿ばね
　　９ゲート配線中継板