(57)【要約】  シミュレートされた形状（１０６）が生成された後で、シミュレートされた形状（１０６）が予測された結果としての形状（１０８）を生成するために変更されてもよい。予測された結果としての形状（１０８）は、フォトマスク（５２）が、フォトマスク（５２）を作製するために使用されるフォトマスク・ブランクのレジスト層に結像する入力として変更された形状（１０２）を使用して処理された場合はフォトマスク（５２）のパターン層（５８）に形成されることになる形状の予測を含む。言い換えれば、予測された結果としての形状（１０８）は、エッチング・プロセスがシミュレートされた形状（１０６）により定義されたパターン層（５８）のエリア上で実行された場合はパターン層（５８）に形成されることになる形状の予測を含む。
2008516272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクの形状を分析する方法であって、
フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を受け取ること、
変更された形状を生成するために前記オリジナル形状を変更し、前記変更された形状は少なくとも１つの方向の前記オリジナル形状からの形状のオフセットを含むこと、
シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいてシミュレーションを行い、前記シミュレートされた形状は、前記変更された形状がレジスト層に結像する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層上に結像されることになる形状のシミュレートされた予測を含むこと、および、
予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更し、前記予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスが前記シミュレートされた形状により定義された前記吸収層のエリア上で行われた場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含むこと
を含む方法。
【請求項２】
前記オリジナル形状は第１の周辺を含み、
前記変更された形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第２の周辺が前記第１の周辺の内側に位置するように前記オリジナル形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされる、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の周辺は、前記第１の周辺全体で前記オリジナル形状の前記第１の周辺から前記特定の距離だけオフセットされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の周辺と前記第１の周辺との間の前記オフセットの前記特定の距離は、フォトマスク形成中に使用されるエッチング・プロセスに関連するオーバーエッチングの知られている距離に基づいて決定される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいて前記シミュレーションを行うことは、１つまたは複数のガウス関数を使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいて前記シミュレーションを行うことは、前記変更された形状を前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層に結像することに関連する形状のひずみに近似させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更することは、前記シミュレートされた形状から少なくとも１つの方向にオフセットされる形状を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シミュレートされた形状は第１の周辺を含み、前記予測されたオリジナル形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第１の周辺が前記第２の周辺の内側に位置するように前記シミュレートされた形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記予測されたオリジナル形状の前記第２の周辺は、前記第１の周辺全体で前記シミュレートされた形状の前記第１の周辺から前記特定の距離だけオフセットされる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の周辺と前記第１の周辺との間の前記オフセットの前記特定の距離は、前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層の処理中に使用されるエッチング・プロセスに関連するオーバーエッチングの知られている距離に基づいて決定される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記オリジナル形状は第１の周辺を含み、
前記変更された形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第２の周辺が前記第１の周辺の内側に位置するように前記オリジナル形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされ、
前記シミュレートされた形状は第３の形状を含み、
前記予測されたオリジナル形状は第４の周辺を含み、前記第４の周辺は、前記第３の周辺が前記第４の周辺の内側に位置するように前記シミュレートされた形状の前記第３の周辺から前記特定の距離だけオフセットされる、
請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記オリジナル形状は、内側の角および外側の角を有する特定の部分を含み、前記外側の角は前記内側の角に関して対称であり、
前記予測されたオリジナル形状は、前記オリジナル形状の前記特定の部分に対応する曲線部分を含み、前記予測されたオリジナル形状の前記曲線部分は前記内側の角および前記外側の角に関して非対称である、
請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記オリジナル形状は第１の直線部分を含み、
前記予測されたオリジナル形状は前記オリジナル形状の前記第１の直線部分に対応し、それと実質的に同じ位置にある第２の直線部分を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記決定された予測されたオリジナル形状に基づいて前記オリジナル形状の少なくとも一部分を改変することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層は実質的に不透明である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記シミュレートされた形状は、前記変更された形状がパターン結像ツールにより入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層上に結像されることになる形状のシミュレートされた予測を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記予測されたオリジナル形状は、前記変更された形状が前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層にパターン層を形成する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
フォトマスクの形状を分析する方法であって、
フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を定義するデータを受け取ること、
前記オリジナル形状に基づいて変更された形状を生成するために前記受け取られたデータを自動的に処理し、前記変更された形状は前記オリジナル形状から少なくとも１つの方向にオフセットされた形状を含むこと、
シミュレートされた形状を決定するために前記変更され形状に基づいてコンピュータ化されたシミュレーションを行い、前記シミュレートされた形状は、前記変更された形状が前記レジスト層に結像する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクのレジスト層上に結像されることになる形状のシミュレートされた予測を含むこと、および
予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を自動的に変更し、前記予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスが前記シミュレートされた形状により定義された前記吸収層のエリア上で行われた場合は前記フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されることになる形状の予測を含むこと
を含む方法。
【請求項１９】
フォトマスクを形成する方法であって、
フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を受け取ること、
変更された形状を生成するために前記オリジナル形状を変更し、前記変更された形状は前記オリジナル形状から少なくとも１つの方向にオフセットされた形状を含むこと、
シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいてシミュレーションを行い、前記シミュレートされた形状は前記変更された形状が前記レジスト層に結像する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクのレジスト層に描き込まれることになる形状のシミュレートされた予測を含むこと、
予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更し、前記予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスが前記シミュレートされた形状により定義された前記吸収層のエリア上で実行された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含むこと、
前記生成された予測されたオリジナル形状に基づいて前記オリジナル形状の少なくとも一部分を改変すること、
前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層の１つまたは複数の部分を露光する入力として前記改変されたオリジナル形状を使用すること、
前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層の１つまたは複数の部分の被覆物を取り除くために前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層の１つまたは複数の露光された部分を現像すること、および
パターン層を形成するために前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層の１つまたは複数の被覆物を取り除かれた部分を除去するエッチング・プロセスを実行すること
を含む方法。
【請求項２０】
吸収層に形成されたフォトマスクのパターンを含むフォトマスクであって、前記フォトマスクのパターンの少なくとも一部分は、
フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を受け取ること、
変更された形状を生成するために前記オリジナル形状を変更し、前記変更された形状は前記オリジナル形状から少なくとも１つの方向にオフセットされた形状を含むこと、
シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいてシミュレーションを行い、前記シミュレーションは、前記変更された形状が前記レジスト層に結像する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクのレジスト層に描き込まれることになる形状のシミュレートされた予測を含むこと、
予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更し、前記予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスが前記シミュレートされた形状により定義された前記吸収層のエリア上で実行された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含むこと、
前記生成された予測されたオリジナル形状に基づいて前記オリジナル形状の少なくとも一部分を改変すること、
変更された改変された形状を生成するために前記改変されたオリジナル形状を変更し、前記変更された改変された形状は前記改変された形状から少なくとも１つの方向にオフセットされる形状を含むこと、
前記変更された改変されたオリジナル形状を、前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層の１つまたは複数の部分を露光する入力として使用すること、
前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層の１つまたは複数の部分の被覆物を取り除くために前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層の前記１つまたは複数の露光された部分を現像すること、および
パターン層を形成するために前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層の前記１つまたは複数の被覆物を取り除かれた部分を除去するエッチング・プロセスを実行すること
により形成されるフォトマスク。
【請求項２１】
プロセッサを有するコンピュータ・システム、および
前記コンピュータ・システムに結合されたコンピュータ読み取り可能な媒体を含む、フォトマスクの形状を分析するシステムであって、前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、前記プロセッサにより実行された場合、
フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を受け取り、
変更された形状を生成するために前記オリジナル形状を変更し、前記変更された形状は前記オリジナル形状から少なくとも１つの方向にオフセットされた形状を含み、
シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいてシミュレーションを行い、前記シミュレートされた形状は、前記変更された形状が前記レジスト層に結像する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクのレジスト層に描き込まれることになる形状のシミュレートされた予測を含み、
予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更し、前記予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスが前記シミュレートされた形状により定義された前記吸収層のエリア上で実行された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含むように
動作可能なソフトウェアを含む、システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願に対する相互参照
本出願は、参照により全体として本明細書に組み込まれる、２００４年１０月５日出願の、Ｋｅｎｔ  Ｎａｋａｇａｗａ等による、「Ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｐｒｅｄｉｃｔｉｎｇ  Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ  Ｇｅｏｍｅｔｒｉｅｓ  Ｕｓｉｎｇ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ」という名称の米国特許仮出願第６０／６１５，８８１号の優先権を主張するものである。
【０００２】
本開示は、一般に、集積回路の製造に関し、より詳細には、フォトマスク（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ  ｇｅｏｍｅｔｒｉｅｓ）の形状を分析するシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
集積回路デバイスは、通常、トランジスタ、抵抗およびコンデンサなどの様々な回路構成要素を含む。これらの集積回路構成要素は、たとえば１つまたは複数のフォトマスクを使用するリソグラフィ技法を含む様々な集積回路製造技法を使用して半導体ウェーハ（たとえばシリコン・ウェーハ）に特定の形状を形成することにより作製されてもよい。
【０００４】
フォトマスク自体は、様々なリソグラフィ・プロセスを使用してフォトマスク・ブランクから形成されてもよい。フォトマスク・ブランクの吸収層（ａｂｓｏｒｂｅｒ  ｌａｙｅｒ）に形成されるべき１つまたは複数の形状を定義するマスク・パターン・ファイルが、レーザ・システム、電子ビーム・システム、またはＸ線リソグラフィ・システムなどのパターン結像ツール（ｐａｔｔｅｒｎ−ｉｍａｇｉｎｇ  ｔｏｏｌ）により入力として使用されてもよい。パターン結像ツールは、マスク・パターン・ファイルにより定義された形状に対応するフォトマスク・ブランクの吸収層の上を覆って形成されるレジスト層の部分を露光するために使用されてもよい。
【０００５】
しかし、（マスク・パターン・ファイルにより定義された形状と比べて）レジスト層上に実際に結像された形状の正確さは、使用される特定のパターン結像ツールにより限定される可能性がある。たとえば、電子ビームまたはレーザがレジスト層にパターンを転写するために使用される場合、レジスト層に結像された特定の形状の鋭さまたはシャープさは使用される電子ビームまたはレーザ・ビームの幅により限定される可能性がある。したがって、結像ツールの物理的限界に起因するひずみのために、マスク・パターン・ファイルにより定義される特定の形状は、十分なまたは所望の正確さではフォトマスクのレジスト層に転写されない可能性がある。
【０００６】
図１はマスク・パターン・ファイルにより定義された例示的形状１０、およびフォトマスクのレジスト層に実際に結像された対応する形状１２を示し、この場合、形状１０と形状１２の差異は、使用されるパターン結像ツールの物理的限界に起因する。図１に示されているように、パターン結像ツールの限界のために、結像された形状１２の角は丸くなる。角の丸みの程度（ｄｅｇｒｅｅ  ｏｆ  ｃｏｒｎｅｒ−ｒｏｕｎｄｉｎｇ）は、使用される電子ビームまたはレーザの幅など使用されるパターン結像ツールに関連している。
【０００７】
マスク・パターン・ファイルにより定義されたパターンがフォトマスクのレジスト層に結像された後は、レジスト層の露光されたエリアがレジスト層にパターンを作成するために現像されエッチングされる。次いで、レジストにより被覆されていない、下にあるフォトマスク・ブランクの吸収層の部分（たとえば露光されたエリア）がエッチングされ、次いで、レジスト層の現像されていない部分が吸収層で所望のパターン（または所望のパターンの近似）を作成するために除去されてもよい。吸収層の露光されたエリアのエッチング中に、露光されたエリアの端を越えた吸収層の追加部分もエッチングされることがある。そのような追加のエッチングは「オーバーエッチング」と呼ばれることがある。したがって、エッチング・プロセスが特定の形状を有する吸収層の露光されたエリア上で実行された場合、エッチング・プロセスにより除去された吸収層の実際の部分は、異なる、たとえばより包括的な、形状を有することがある。たとえば、オーバーエッチングがエッチングされる吸収層の部分の形状の周辺の周囲で比較的均一である場合は、エッチング・プロセスにより除去された吸収層の実際の部分の形状は、不透明な層の露光されたエリアの形状から均一にオフセットされた周辺を有することがある。
【０００８】
図１に示されている例に続いて、図２は、フォトマスク・ブランクのレジスト層に結像された例示的形状１２および前述のエッチング・プロセスによりフォトマスク・ブランクの吸収層に形成された例示的形状１４を示す。図２に示されているように、吸収層に実際に形成された形状１４の周辺は、オーバーエッチングの影響のために、レジスト層に結像された形状１２の周辺からオフセットされる。このオーバーエッチングは、ウェット・エッチング・プロセス中のレジスト層のアンダーカット、またはドライ・エッチング・プロセス中のレジスト層の腐食など、様々な要因によって生じる可能性がある。
【０００９】
図３は図１および２に示されている形状１０、１２および１４の角領域１６におけるオーバーエッチングの例示的影響を示す。オーバーエッチングの影響に起因するオフセットは、均一な長さの矢印１８により示されているように、形状１２の端に沿って各ポイントにおける形状１２の端に対して直角の方向に全体的に均一な距離、Ｄを有することがある。図示されているように、矢印１８はそれぞれ形状１２の端に沿ってそれぞれの場所に直角の方向に延びている。端の位置における変化は形状１２の端の各ポイントに直角なので、影響は、形状１２の角およびその他の非直線部分における曲率の変化である。したがって、角領域１６における形状１４の曲率（ｃｕｒｖａｔｕｒｅ）は、角１６における形状１２の曲率と異なる。特に、形状１４の内側の角２０の曲率はよりシャープでなく（またはより鋭くなく）なることがあり、形状１４の外側の角２２の曲率はよりシャープに（またはより鋭く）なることがある。
【００１０】
パターン層（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｌａｙｅｒ）と呼ばれてもよいフォトマスクの吸収層は、半導体ウェーハ上に形成されるべき集積回路（ＩＣ）構成要素に対応する形状を有する１つまたは複数の構成要素を含んでもよい。リソグラフィ・プロセス中に、ＩＣ構成要素の形状を含むパターン層は、対応するＩＣ構成要素を形成するために半導体ウェーハの表面上に転写される。これらのＩＣ構成要素は、たとえば、抵抗、トランジスタ、コンデンサ、配線（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）、バイアス（ｖｉａｓ）、および金属線を含むが、それらに限定されない。
【００１１】
いくつかの場合に、特定のＩＣ構成要素が精密かつ／または正確に形成されることは、結果としてのＩＣの適切な動作にとって重要、またはクリティカルである。したがって、マスク・パターン・ファイルに定義された特定の形状に基づくフォトマスクの吸収層（またはパターン層）に実際に形成される結果としての形状を予測することができることは望ましいはずである。特に、そのような予測が、（１）マスク・パターン・ファイルで定義された形状と、フォトマスク・ブランクのレジスト層に実際に結像された対応する形状の差異であって、使用されるパターン結像ツールの物理的限界に起因する可能性がある差異、および（２）フォトマスクのレジスト層に結像された形状と、フォトマスクの吸収層（またはパターン層）に実際に形成された形状の差異であって、オーバーエッチングに起因する可能性がある差異の両方を考慮することは望ましいはずである。
【要約】
【００１２】
本開示の教示によって、フォトマスクの形状を予測かつ／または分析することに関連する不利な点および問題は実質的に低減あるいは排除された。
【００１３】
特定の実施形態では、フォトマスクの形状を分析する方法が提供される。フォトマスク・ブランクの吸収層で形成されるべきオリジナル形状が受け取られる。オリジナル形状は、オリジナル形状から少なくとも１つの方向にオフセットされた変更された形状を生成するように変更されてもよい。シミュレートされた形状を決定するために、変更された形状に基づいてシミュレーションが行われてもよく、この場合、シミュレートされた形状は、変更された形状がレジスト層に結像する入力として使用された場合はフォトマスク・ブランクのレジスト層に描き込まれることになる形状のシミュレートされた予測である。次いで、シミュレートされた形状は予測されたオリジナル形状を決定するために変更されてもよく、この場合、予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスがシミュレートされた形状により定義された吸収層のエリア上で実行された場合はフォトマスク・ブランクの吸収層で形成されることになる形状の予測である。
【００１４】
他の実施形態では、フォトマスクの形状を分析するシステムが提供される。当該システムは、プロセッサを有するコンピュータ・システムと、コンピュータ・システムにインターフェースされたコンピュータ読み取り可能な媒体とを含んでもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体は、プロセッサにより実行された場合、フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を受け取り、変更された形状を生成するためにオリジナル形状を変更し、変更された形状はオリジナル形状から少なくとも１つの方向にオフセットされた形状を含み、シミュレートされた形状を決定するために変更された形状に基づいてシミュレーションを行い、シミュレートされた形状は、変更された形状がレジスト層に結像する入力として使用された場合はフォトマスク・ブランクのレジスト層に描き込まれることになる形状のシミュレートされた予測を含み、予測されたオリジナル形状を生成するためにシミュレートされた形状を変更し、予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスがシミュレートされた形状により定義された吸収層のエリア上で行われた場合はフォトマスク・ブランクの吸収層に形成されることになる形状の予測を含むように動作可能なソフトウェアを含んでもよい。
【００１５】
本開示の少なくともいくつかの実施形態の１つの利点は、特定の形状がパターン層の形成のための入力として使用された場合はフォトマスクのパターン層を形成するためにフォトマスク・ブランクの吸収層で形成されることになる結果としての形状を予測するシステムおよび方法が提供されることである。マスク・パターン・ファイルにより定義された形状は、マスク・パターン・ファイルが入力として使用された場合はパターン層に形成されることになる実際のパターンを予測するために、フォトマスク上でパターン層を実際に形成する前にシミュレートされてもよい。そのようなシミュレーションの結果に基づいて、マスク・パターン・ファイルは適切な予測された実際のパターンが決定されるまで調整されてもよい。これは、パターン層を生成するために使用されるマスク・パターン・ファイルにより定義された形状とパターン層で実際に形成された形状との間の差異のために望ましくない製造用フォトマスク（ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）上でパターン層を形成する可能性を低減または排除することができる（たとえば、これらの差異は、パターン層を生成するために使用されるツールに固有の寸法的な限界および／またはオーバーエッチングの影響などの要因によるものである）。したがって、（廃棄される必要がある可能性のある）望ましくないフォトマスクを形成することに関連する時間および費用が低減あるいは排除されることができる。いくつかの実施形態では、シミュレーションはコンピュータ・システムを使用して行われてもよい。
【００１６】
これらの技術的利点の全てまたはいくつかは、本開示の様々な実施形態に存在してもよく、全然存在しなくてもよい。他の技術的利点は、以下の説明ならびに添付の図面の図および特許請求の範囲の請求項から当業者には容易に明らかになるであろう。
【００１７】
本実施形態およびそれらの利点のさらに完全で徹底的な理解は、同様の参照番号は同様の特徴を示す添付の図面に関連して行われる以下の説明を参照することにより得られることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本開示の様々な実施形態およびそれらの利点は、同様の番号が同様のかつ対応する部分を示すために使用される図４から１０を参照することにより最もよく理解される。
【００１９】
図４は、本開示のいくつかの実施形態による例示的フォトマスク・アセンブリ５０の横断面図を示す。フォトマスク・アセンブリ５０は、フォトマスク５２上にマウントされるペリクル・アセンブリ５４を含んでもよい。基板５６およびパターン層５８は、円形、長方形、正方形を含むが、それらに限定されない様々なサイズおよび形を有してもよい、マスクまたはレチクルとしても知られるフォトマスク５２を形成してもよい。フォトマスク５２はまた、ワンタイム・マスター、５インチ・レチクル、６インチ・レチクル、９インチ・レチクル、または、回路パターンの画像を半導体ウェーハ上に投影するために使用されてもよいその他の適切なサイズのレチクルを含むが、それらに限定されない様々ないかなるフォトマスク・タイプでもよい。フォトマスク５２はさらに、バイナリ・マスク、位相シフト・マスク（ＰＳＭ）（たとえばレベンソン型マスクとしても知られているＡｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ）、光近接効果補正（ＯＰＣ）マスク、または、リソグラフィ・システムで使用するのに適したその他のいかなるタイプのマスクでもよい。
【００２０】
フォトマスク５２のパターン層５８は、リソグラフィ・システム内の電磁エネルギーにさらされた場合、（明示的には示されていない）半導体ウェーハの表面上にパターンを投影する基板５６の表面５７上に形成されてもよい。基板５６は、石英、合成石英、融解シリカ、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）または、約１０ｎｍから約４５０ｎｍの間の波長を有する入射光の少なくとも７５パーセント（７５％）を通すその他のいかなる適切な材料などの透明な材料でもよい。一代替実施形態では、基板５６は、シリコン、または、約１０ｎｍから４５０ｎｍまでの間の波長を有する入射光の約５０パーセント（５０％）より多くを反射するその他のいかなる適切な材料などの反射性材料でもよい。
【００２１】
パターン層５８は、たとえば、クロム、窒化クロム、金属窒化オキシカルボ（たとえば、ＭＯＣＮ、ただし、Ｍは、クロム、コバルト、鉄、亜鉛、モリブデン、ニオブ、タンタル、チタン、タングステン、アルミニウム、マグネシウム、およびシリコンからなるグループから選択される）、または、紫外線（ＵＶ）範囲、深紫外線（ＤＵＶ）範囲、真空紫外線（ＶＵＶ）範囲、および極端紫外線（ＥＵＶ）範囲の波長を有する電磁エネルギーを吸収するその他のいかなる適切な材料などの金属材料でもよい。一代替実施形態では、パターン層５８は、部分的に、ＵＶ、ＤＵＶ、ＶＵＶおよびＥＵＶ範囲で約１パーセント（１％）から約３０パーセント（３０％）までの透過性を有する透過性材料、たとえばケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）、でもよい。
【００２２】
フレーム６０およびペリクル・フィルム６２はペリクル・アセンブリ５４を形成してもよい。フレーム６０は、通常、アルマイトで形成されるが、代替として、ステンレス鋼、プラスチック、または、リソグラフィ・システムの中で電磁エネルギーにさらされた場合に分解しない、あるいはアウトガスしないその他の適切な材料でもよい。ペリクル・フィルム６２は、たとえば、ニトロセルロース、アセチルセルロース、Ｅ．Ｉ．ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐａｎｙ製のＴＥＦＬＯＮ（登録商標）または旭硝子社製のＣＹＴＯＰ（登録商標）などのアモルファス・フッ素ポリマー、あるいは、ＵＶ、ＤＵＶ、ＥＵＶおよび／またはＶＵＶ範囲の波長に対して透明な他の適切なフィルムなどの材料で形成された薄いフィルム膜でもよい。ペリクル・フィルム６２は、たとえば、回転成形などの従来の技法により作製されてもよい。
【００２３】
ペリクル・フィルム６２は、汚染物質がフォトマスク５２から定義された距離だけ離れたままであることを保証することによりダスト粒子などの汚染物質からフォトマスク５２を保護することができる。これは、リソグラフィ・システムでは特に重要である可能性がある。リソグラフィ・プロセス中に、フォトマスク・アセンブリ５０は、リソグラフィ・システムの中で放射エネルギー源により生成された電磁エネルギーにさらされてもよい。電磁エネルギーは、様々な波長、たとえば、ほぼ水銀アークランプのＩ線およびＧ線、あるいはＤＵＶ、ＶＵＶまたはＥＵＶ光の間の波長の光を含んでもよい。実施時には、ペリクル・フィルム６２は、大きなパーセンテージの電磁エネルギーがそれを通過することができるように設計されてもよい。ペリクル・フィルム６２上に集められた汚染物質は、処理されるウェーハの表面で焦点から外れている可能性があり、したがって、ウェーハ上に露光された画像は鮮明なはずである。本開示の教示に従って形成されたペリクル・フィルム６２は、全てのタイプの電磁エネルギーで十分に使用されることができ、本出願に記載の光波に限定されない。
【００２４】
フォトマスク５２は、標準的リソグラフィ・プロセスを使用してフォトマスク・ブランクから形成されてもよい。リソグラフィ・プロセスでは、パターン層５８のデータを含むマスク・パターン・ファイルは、マスク・レイアウト・ファイルから生成されてもよい。マスク・レイアウト・ファイルは、たとえば、トランジスタ、抵抗、コンデンサ、バイアスおよび配線などの様々なＩＣ部分を表す多角形またはその他の形状を含んでもよい１つまたは複数の形状を定義してもよい。マスク・レイアウト・ファイルにより定義される形状は、半導体ウェーハ上に作製された場合、集積回路の様々な層をさらに表してもよい。たとえば、トランジスタは、拡散層およびポリシリコン層を有する半導体ウェーハ上に形成されてもよい。したがって、マスク・レイアウト・ファイルは、拡散層上に描かれた１つまたは複数の多角形およびポリシリコン層上に描かれた１つまたは複数の多角形を定義してもよい。各層の多角形は、集積回路の１つの層を表すマスク・パターン・ファイルに変換されてもよい。各マスク・パターン・ファイルは、特定の層のフォトマスクを生成するために使用されてもよい。いくつかの実施形態では、マスク・パターン・ファイルは、フォトマスクが半導体ウェーハの表面上に複数の層からの特徴を結像するために使用されてもよいように集積回路の複数の層を定義してもよい。
【００２５】
パターン層５８の所望のパターンは、マスク・パターン・ファイルを入力として使用して、レーザ、電子ビーム、Ｘ線リソグラフィ・システム、またはその他の適切なパターン結像ツールを使用してフォトマスク・ブランクのレジスト層に結像されてもよい。レジスト層の結像された部分は、「露光された」エリアと呼ばれることがある。一実施形態では、レーザ・リソグラフィ・システムは、約３６４ｎｍの波長を有する光を出すアルゴン−イオン・レーザを使用する。他の実装形態では、レーザ・リソグラフィ・システムは、約１５０ｎｍから約３００ｎｍまでの波長の光を出すレーザを使用する。
【００２６】
前述のように、１つまたは複数のマスク・パターン・ファイルにより定義された形状をレジスト層に結像する正確さは、使用される特定のパターン結像ツールにより限定される可能性がある。たとえば、電子ビームまたはレーザがパターンをレジスト層に転写するために使用される場合、レジスト層に結像されてもよい特定の形状の鋭さまたはシャープさは使用される電子ビームまたはレーザ・ビームの幅によって限定される可能性がある。したがって、結像ツールの物理的限界に起因するひずみのために、１つまたは複数のマスク・パターン・ファイルにより定義されたパターンの中の特定の形状は、十分なまたは所望の正確さでフォトマスク５２のレジスト層に転写されない可能性がある。
【００２７】
１つまたは複数のマスク・パターン・ファイルにより定義されたパターンがレジスト層に結像された後は、レジスト層の露光されたエリアは、レジスト層でパターンを作成するために現像され、エッチング除去されてもよい。次いで、レジストで被覆されていない、下にあるパターン層５８の部分がエッチングされてもよく、次いで、基板５６の上を覆うパターン層５８に所望のパターン（または所望のパターンの少なくとも近似）を作成するために、レジスト層の現像されていない部分が除去されてもよい。いくつかの場合、露光されたエリアの端を越える追加の部分もエッチングされてもよく、これは「オーバーエッチング」と呼ばれてもよい。
【００２８】
ツールの物理的限界および／またはオーバーエッチングの影響に起因するひずみを排除するために、パターン層５８で形成される実際のパターンが予測されることができるように、マスク・パターン・ファイルにより定義されたパターン（またはその部分）が、フォトマスク５２上でパターン層５８を実際に形成する前にシミュレートされてもよい。シミュレーションの結果に基づいて、１つまたは複数のマスク・パターン・ファイルが、適切な予測された実際のパターンが決定されるまで調整されてもよい。これは、（たとえば、パターン層５８を生成するために使用される機器に固有の寸法的限界、オーバーエッチングの影響などの要因のために）そのようなパターン層５８を生成するために使用される１つまたは複数のマスク・レイアウト・ファイルにより定義されたパターン内の形状と、結果として実際に生じるそのようなパターン層５８の形状との差異のために好ましくないフォトマスク５２上でパターン層５８を形成する可能性を低減または排除することができる。
【００２９】
図５Ａ〜５Ｃは、本開示の特定の実施形態に従ってマスク・パターン・ファイルにより定義された特定の形状に基づいてフォトマスク５２のパターン層５８で形成される結果としての形状を予測する例示的方法を示す。図５Ａは、マスク・パターン・ファイルにより定義された所望の形状１００を示す。所望の形状１００は、１つまたは複数の半導体ウェーハで形成されることを意図された形状であり、半導体ウェーハで形成されるべき集積回路の１つまたは複数の構成要素に対応してもよい。
【００３０】
所望の形状１００は、変更された形状１０２を生成するために所望の形状１００の周辺に延在する特定のオフセットにより変更されてもよい。オフセットの幅または距離、Ｄは、所望の形状１００の周辺で完全にまたは少なくとも実質的に均一でもよい。いくつかの実施形態では、オフセットの幅または距離、Ｄは、フォトマスク５２の形成中にパターン層５８で形状を形成するために使用されてもよい（または使用されることが予期されてもよい）エッチング・プロセスに関連するオーバーエッチングの予期される距離に基づいて決定されてもよい。たとえば、フォトマスク５２でパターン層５８を形成するために特定のエッチング・プロセスが使用されると３０ｎｍのオーバーエッチングが生じることが知られている場合は、変更された形状１０２を生成するためにＤ＝３０ｎｍのオフセットが使用されてもよい。図５Ａに示されているように、所望の形状１００の１つまたは複数の特定の特徴１０４（たとえば、比較的小さい特徴）は、変更された形状１０２の周辺に延在するオフセットのために、変更された形状１０２の生成時に失われることがある。
【００３１】
所望の形状１００からの距離Ｄのオフセットを有する変更された形状１０２を生成した後で、図５Ｂに示されているように、シミュレートされた形状１０６を決定するために、変更された形状１０２に基づいてコンピュータ化されたシミュレーションが行われてもよい。シミュレートされた形状１０６は、変更された形状１０２が、たとえばレーザ結像ツール、電子ビーム結像ツール、またはＸ線リソグラフィ・システムなどのパターン結像ツールにより入力として使用された場合はフォトマスク５２上に描かれることになる形状のシミュレートされた予測を表す。たとえば、シミュレーションは、角の丸みおよび特定の形状（この場合は、変更された形状１０２）を結像することに関連するその他の影響を予測しようと試みてもよい。シミュレーションは、１つまたは複数のガウス関数または式など、１つまたは複数のいかなる適切なアルゴリズムまたはモデリング関数を含んでもよい。いくつかの実施形態では、ガウス・スポットのサイズは、ＡＬＴＡレーザ・ライタ（たとえば、ＡＬＴＡ４０００ツール）またはＪＥＯＬ電子ビーム・ツール（ｅ−ｂｅａｍ  ｔｏｏｌ）など、特定の結像ツールに対応するように調整されてもよい。シミュレーションは、Ｍｅｎｔｏｒ  Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（商標）から入手可能なＣＡＬＩＢＲＥ（商標）モデリング・ソフトウェアなど、いかなる適切なソフトウェア・アプリケーションを使用して行われても、あるいは容易にされてもよい。
【００３２】
シミュレートされた形状１０６が生成された後で、シミュレートされた形状１０６は、予測された結果としての形状１０８を生成するために変更されてもよい。予測された結果としての形状１０８は、フォトマスク５２が、変更された形状１０２を、フォトマスク５２を作製するために使用されるフォトマスク・ブランクのレジスト層に結像する入力として使用して処理された場合はフォトマスク５２のパターン層５８で形成されることになる形状の予測を含む。言い換えれば、予測された結果としての形状１０８は、エッチング・プロセスが、シミュレートされた形状１０６により定義されたパターン層５８のエリア上で行われた場合はパターン層５８で形成されることになる形状の予測を含む。したがって、予測された結果としての形状１０８は、シミュレートされた形状１０６がパターン層５８にエッチングされた場合はオーバーエッチングによって生じると予測される形状のオフセットを考慮することができる。図５Ｃに示されているように、シミュレートされた形状１０６の周辺に延在してもよいオフセットは、均一な幅、または距離、Ｄを有してもよい。
【００３３】
図５Ｃに示されているように、予測された結果としての形状１０８の直線部分（より詳細には、所望の形状１００の角領域に隣接しない直線部分）は、所望の形状１００の対応する直線部分に実質的に一致してもよい。これは、変更された形状１０２の直線部分は所望の形状１００から内側に向かって距離Ｄだけオフセットされ、シミュレートされた形状１０４の直線部分（または少なくとも角領域に隣接しない部分）は、シミュレートされる変更された形状１０２の対応する直線部分に実質的に一致し、予測された結果としての形状１０８の直線部分は、シミュレートされた形状１０４から外側に向かって距離Ｄだけオフセットされることから生じる。したがって、距離Ｄの内側に向かうオフセットと外側に向かうオフセットは、相互に本質的に相殺し合ってもよい。
【００３４】
図６は、図５Ａ〜５Ｃに示されている方法に従って生成された予測された結果としての形状１０８と、従来の予測された形状との比較を示す。予測された結果としての形状１０８と同様に、従来の予測された形状１２０は、フォトマスク５２が（前述のように）フォトマスク５２のレジスト層に結像する入力として変更された形状１０２を使用して処理された場合はフォトマスク５２のパターン層５８で形成されることになる予測された形状を表す。しかし、従来の予測された形状１２０は、予測された結果としての形状１０８とは異なり、１つまたは複数のガウス関数または式を所望の形状１００に適用することによってなど、知られているシミュレーション・モデルまたはその他の知られている技法を使用して生成される。
【００３５】
少なくともいくつかの場合には、予測された結果としての形状１０８は、変更された形状１０２がフォトマスク５２のレジスト層に結像する入力として使用された場合はフォトマスク５２のパターン層５８に形成されることになる形状の実質的に正確なシミュレートされた近似である。少なくともいくつかの場合には、予測された結果としての形状１０８は、たとえば従来の予測された形状１２０などの前にシミュレートされた形状より、フォトマスク５２のパターン層５８で形成されることになる実際の結果としての形状のより正確な近似である。
【００３６】
図７は、図６に示されている、予測された結果としての形状１０８と、従来の予測された形状１２０との比較の第１の角領域１２２の詳細図である。図７に示されているように、角領域１２２の従来の予測された形状１２０の曲線部分は、内側の角１２４および外側の角１２６に関して少なくとも実質的に対称である。それとは対照的に、角領域１２２の予測された結果としての形状１０８の曲線部分は、内側の角１２４および外側の角１２６に関して非対称である。特に、予測された結果としての形状１０８の内側の角１２４の曲率はよりシャープでなく（またはより鋭くなく）、一方、予測された結果としての形状１０８の外側の角１２４の曲率は、従来の予測された形状１２０の対称曲線と比べて、よりシャープである（またはより鋭い）。ある場合には、この非対称曲線は、たとえば従来の予測された形状１２０などの前にシミュレートされた形状と比べて、パターン層５８のエッチングによりフォトマスク５２のパターン層５８に形成されることになる実際の形状の曲線に、より正確に近似する。
【００３７】
図８は、図６に示されている予測された結果としての形状１０８と従来の予測された形状１２０との比較の第２の角領域１３０の詳細図である。図８に示されているように、角領域１３０の予測された結果としての形状１０８の曲線部分は、角領域１３０の従来の予測された形状１２０の曲線部分よりシャープでない（または、より鋭くない）。ある場合には、角領域１３０の予測された結果としての形状１０８の曲線部分は、たとえば従来の予測された形状１２０など前にシミュレートされた形状と比べて、パターン層５８のエッチングによりフォトマスク５２のパターン層５８に形成されるこことになる実際の形状の曲線に、より正確に近似する。
【００３８】
図９は、本開示の特定の実施形態に従って、マスク・パターン・ファイルにより定義された特定の形状に基づいてフォトマスク５２のパターン層５８に形成される結果としての形状（たとえば、ここで論じられた予測された結果としての形状１０８）を予測する例示的システム２００を示す。システム２００は、プロセッサ２０２、ならびに、シミュレーション・ソフトウェア・アプリケーション２０６および／またはマスク・パターン・ファイル２０８を記憶するように動作可能でよいメモリ２０４を含んでもよい。シミュレーション・ソフトウェア・アプリケーション２０６は、図５Ａ〜５Ｃに関してここで論じられた予測された結果としての形状１０８を生成する方法など、フォトマスクのパターン層に形成される形状を予測するここで論じられた機能のいずれかまたは全てを実行するのに適したいかなるソフトウェアを含んでもよい。マスク・パターン・ファイル２０８は、フォトマスクのパターン層に形成されるべき形状を定義するデータ、および／または、シミュレーションもしくはその他のテストのためのそのような形状を定義するデータを含む１つまたは複数のいかなるコンピュータ読み取り可能なファイルを含んでもよい。
【００３９】
プロセッサ２０２は、図５Ａ〜５Ｃに関してここで論じられた予測された結果としての形状１０８を生成する方法など、フォトマスクのパターン層に形成される形状を予測するここで論じられた方法の全てまたは部分を実施するために、シミュレーション・ソフトウェア・アプリケーション２０６またはその他のコンピュータ命令を実行する１つまたは複数のいかなる適切なプロセッサを含んでもよい。たとえば、プロセッサ２０２は、そのような形状がパターン層を形成する入力として使用された場合は（たとえば、そのような形状が結像ツールにより入力として使用された場合は）実際のフォトマスクのパターン層に実際に形成されることになる結果としての形状を予測するために、１つまたは複数のマスク・パターン・ファイル２０８により定義された形状をシミュレートする、そうでなければ処理するシミュレーション・ソフトウェア・アプリケーション２０６を実行するいかなる適切なプロセッサを含んでもよい。
【００４０】
いくつかの実施形態では、プロセッサ２０２としては、中央処理装置（ＣＰＵ）またはその他のマイクロプロセッサでもよく、いかなる適切な数の協働するプロセッサでもよい。メモリ２０４としては、たとえば、１つまたは複数のランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）、ファースト・サイクルＲＡＭ（ＦＣＲＡＭ）、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的に消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、マイクロ・コントローラ、またはマイクロプロセッサなど、シミュレーション・ソフトウェア・アプリケーション２０６またはその他のコンピュータ命令の実行を容易にするのに適した１つまたは複数のデバイスでもよい。
【００４１】
図１０は、本開示の一実施形態に従ってフォトマスク５２にパターン層５８を形成する方法を示す。ステップ３００で、オリジナル形状（たとえば、所望の形状１００）を定義するマスク・パターン・ファイル２０８が受け取られてもよい。ステップ３０２で、オリジナル形状が、変更された形状（たとえば、変更された形状１０２）を生成するために、所望の形状１００の周辺に（および内側に）延在する特定のオフセットにより変更されてもよい。上記で論じられたように、オフセットの距離は、フォトマスク５２の形成中にパターン層５８に形状を形成するために使用されてもよいエッチング・プロセスに関連するオーバーエッチングの予期される距離に基づいて決定されてもよい。
【００４２】
オリジナル形状から変更された形状のオフセットを生成した後で、ステップ３０４で、シミュレートされた形状（たとえば、シミュレートされた形状１０６）を決定するために、変更された形状に基づくコンピュータ化されたシミュレーションが行われてもよい。シミュレートされた形状は、変更された形状がパターン結像ツールにより入力として使用された場合はフォトマスク５２上に描かれることになる形状のシミュレートされた予測を含んでもよい。たとえば、そのようなシミュレーションは、変更された形状を結像することに関連する角の丸みおよび／またはその他の影響を予測するように試みてもよい。上記で論じられたように、シミュレーションは、１つまたは複数のガウス関数または式など１つまたは複数のいかなる適切なアルゴリズムまたはモデリング関数を含んでもよい。
【００４３】
シミュレートされた形状が生成された後で、シミュレートされた形状は、フォトマスク５２を作製するために使用されるフォトマスク・ブランクのレジスト層に結像する入力として変更された形状を使用してフォトマスク５２が処理された場合はフォトマスク５２のパターン層５８に形成されることになる形状の予測を作成するためにステップ３０６で変更されてもよい（たとえば、予測された結果としての形状１０８）。言い換えれば、予測された結果としての形状は、エッチング・プロセスがステップ３０４で決定されたシミュレートされた形状により定義されるパターン層５８のエリア上で実行された場合はパターン層５８に形成されることになる形状の予測を含んでもよい。したがって、予測された結果としての形状は、シミュレートされた形状がパターン層５８にエッチングされた場合はオーバーエッチングにより生じると予測される形状のオフセットを考慮することができる。
【００４４】
ステップ３０８で、ステップ３０６で決定された予測された結果としての形状が十分かどうか決定されてもよい。たとえば、特定の特徴が、たとえば角の丸みなどのために、カット・オフされるかあるいは受け入れられないほど不適切な形になる（ｍｉｓｓｈａｐｅｄ）かどうか決定されてもよい。ステップ３０６で決定された予測された結果としての形状が不十分な場合は、マスク・パターン・ファイル２０８内に定義されているオリジナル形状の少なくとも一部分が、ステップ３０６で決定された予測された結果としての形状に基づいてステップ３１０で改変されてもよい。たとえば、予測された結果としての形状が、特定の特徴が（たとえば角の丸みなどのために）カット・オフされるかあるいは受け入れられないほど不適切な形になることを示す場合は、オリジナル形状がしかるべく改変されてもよい。次いで、ステップ３０２〜３０８が、ステップ３１０で決定された改変された形状に応じて、予測された結果としての形状を決定するために繰り返される。このプロセスは、予測された結果としての形状が十分であることがステップ３０８で決定されるまで、反復して繰り返されてもよい。
【００４５】
予測された結果としての形状がステップ３０８で十分であることが決定された後で、（上記で議論されたように１つまたは複数の改変が行われた場合）十分な予測された結果としての形状に対応するオリジナル形状または改変されたオリジナル形状が、フォトマスク５２のパターン層５８を形成するために使用されてもよい。この議論では、十分な予測された結果としての形状に対応するこのオリジナル形状または改変されたオリジナル形状は、「選択された形状」と呼ばれることがある。ステップ３１２では、選択された形状は、変更された選択された形状を生成するために選択された形状の周辺に（および内側に）延在する特定のオフセットにより変更されてもよい。さらに、オフセットの距離は、エッチング・プロセスに関連するオーバーエッチングの予期された距離に基づいて決定されてもよい。したがって、選択された形状がマスク・パターン・ファイル２０８内に定義されているオリジナル形状である場合（たとえば、オリジナル形状がステップ３１０で改変されなかった場合）、変更された選択された形状は、ステップ３０２で決定された変更された形状と同じでもよい。
【００４６】
ステップ３１４で、結像プロセスが、変更された選択された形状を、フォトマスク５２を作製するために使用されるフォトマスク・ブランクのレジスト層のエリアを露光する入力として使用して実行されてもよい。いくつかの場合には、露光されたエリアの形状は、ステップ３０４で決定されたシミュレートされた形状と実質的に同様であってもよい。ステップ３１６で、レジスト層の露光されたエリアが、下にあるフォトマスク・ブランクの吸収層のエリアの被覆物を取り除く（ｕｎｃｏｖｅｒ）ために現像され除去されてもよい。吸収層の被覆物を取り除かれたエリアの形状は、ステップ３１４で結像プロセスにより露光された形状と実質的に同様でもよい。ステップ３１８で、１つまたは複数のエッチング・プロセスが、フォトマスク５２のパターン層５８を形成するために、吸収層のエリアを除去するために（たとえば、吸収層の被覆物を取り除かれたエリアの上方のレジスト層のオープン・エリアを通して）吸収層の被覆物を取り除かれたエリア上で実行されてもよい。オーバーエッチングの影響のために、エッチング・プロセスにより除去された吸収層の実際のエリアは、ステップ３１６で被覆物を取り除かれた吸収層のエリアより大きくてもよい。いくつかの場合には、エッチング・プロセスにより除去された吸収層の実際のエリアの形状は、ステップ３０８で十分であると決定された予測された結果としての形状と実質的に同様でもよい。
【００４７】
開示された諸実施形態が詳細に説明されてきたが、諸実施形態に対してそれらの主旨および範囲から逸脱することなく、様々な変更、代替および改変が行われることができることが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】マスク・パターン・ファイル内に定義されている例示的形状、およびマスク・パターン・ファイルを入力として使用してフォトマスク・ブランクのレジスト層に実際に結像された対応する形状を示す図である。
【図２】マスク・パターン・ファイル内に定義されている例示的形状、図１に示されているようにレジスト層に実際に結像された対応する形状、およびエッチング・プロセスが行われた後でフォトマスク・ブランクの吸収層で実際に形成された例示的形状を示す図である。
【図３】図１および２に示されている形状の特定の角おけるオーバーエッチングの例示的影響を示す図である。
【図４】本開示のいくつかの実施形態に従って形成された例示的フォトマスク・アセンブリの横断面図である。
【図５Ａ】本開示の特定の実施形態に従って、マスク・パターン・ファイルにより定義された特定の形状に基づいてフォトマスクのパターン層を形成するために使用される結果としての形状を予測する例示的方法を示す図である。
【図５Ｂ】本開示の特定の実施形態に従って、マスク・パターン・ファイルにより定義された特定の形状に基づいてフォトマスクのパターン層を形成するために使用される結果としての形状を予測する例示的方法を示す図である。
【図５Ｃ】本開示の特定の実施形態に従って、マスク・パターン・ファイルにより定義された特定の形状に基づいてフォトマスクのパターン層を形成するために使用される結果としての形状を予測する例示的方法を示す図である。
【図６】図５Ａ〜５Ｃに示されている方法に従って生成された予測された結果としての形状と従来の予測された形状との比較を示す図である。
【図７】図６に示されている予測された結果としての形状と従来の予測された形状との比較の第１の角領域の詳細図である。
【図８】図６に示されている予測された結果としての形状と従来の予測された形状との比較の第２の角領域の詳細図である。
【図９】本開示の特定の実施形態に従って、マスク・パターン・ファイルにより定義された特定の形状に基づいてフォトマスクのパターン層を形成するために使用される結果としての形状を予測する例示的システムを示す図である。
【図１０】本開示の一実施形態に従ってフォトマスク上でパターン層を形成する方法の流れ図である。
【図１】
2008516272.tif 000003
【図２】
2008516272.tif 000004
【図３】
2008516272.tif 000005
【図４】
2008516272.tif 000006
【図５Ａ】
2008516272.tif 000007
【図５Ｂ】
2008516272.tif 000008
【図５Ｃ】
2008516272.tif 000009
【図６】
2008516272.tif 000010
【図７】
2008516272.tif 000011
【図８】
2008516272.tif 000012
【図９】
2008516272.tif 000013
【図１０】
2008516272.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月30日(2007.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクの形状を分析する方法であって、
フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を受け取ること、
変更された形状を生成するために前記オリジナル形状を変更し、前記変更された形状は少なくとも１つの方向の前記オリジナル形状からの形状のオフセットを含むこと、
シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいてシミュレーションを行い、前記シミュレートされた形状は、前記変更された形状がレジスト層に結像する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層上に結像されることになる形状のシミュレートされた予測を含むこと、および、
予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更し、前記予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスが前記シミュレートされた形状により定義された前記吸収層のエリア上で行われた場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含むこと
を含む方法。
【請求項２】
前記オリジナル形状は第１の周辺を含み、
前記変更された形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第２の周辺が前記第１の周辺の内側に位置するように前記オリジナル形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされる、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の周辺は、前記第１の周辺全体で前記オリジナル形状の前記第１の周辺から前記特定の距離だけオフセットされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の周辺と前記第１の周辺との間の前記オフセットの前記特定の距離は、フォトマスク形成中に使用されるエッチング・プロセスに関連するオーバーエッチングの知られている距離に基づいて決定される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいて前記シミュレーションを行うことは、１つまたは複数のガウス関数を使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいて前記シミュレーションを行うことは、前記変更された形状を前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層に結像することに関連する形状のひずみに近似させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更することは、前記シミュレートされた形状から少なくとも１つの方向にオフセットされる形状を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シミュレートされた形状は第１の周辺を含み、前記予測されたオリジナル形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第１の周辺が前記第２の周辺の内側に位置するように前記シミュレートされた形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記予測されたオリジナル形状の前記第２の周辺は、前記第１の周辺全体で前記シミュレートされた形状の前記第１の周辺から前記特定の距離だけオフセットされる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の周辺と前記第１の周辺との間の前記オフセットの前記特定の距離は、前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層の処理中に使用されるエッチング・プロセスに関連するオーバーエッチングの知られている距離に基づいて決定される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記オリジナル形状は第１の周辺を含み、
前記変更された形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第２の周辺が前記第１の周辺の内側に位置するように前記オリジナル形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされ、
前記シミュレートされた形状は第３の形状を含み、
前記予測されたオリジナル形状は第４の周辺を含み、前記第４の周辺は、前記第３の周辺が前記第４の周辺の内側に位置するように前記シミュレートされた形状の前記第３の周辺から前記特定の距離だけオフセットされる、
請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記オリジナル形状は、内側の角および外側の角を有する特定の部分を含み、前記外側の角は前記内側の角に関して対称であり、
前記予測されたオリジナル形状は、前記オリジナル形状の前記特定の部分に対応する曲線部分を含み、前記予測されたオリジナル形状の前記曲線部分は前記内側の角および前記外側の角に関して非対称である、
請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記オリジナル形状は第１の直線部分を含み、
前記予測されたオリジナル形状は前記オリジナル形状の前記第１の直線部分に対応し、それと実質的に同じ位置にある第２の直線部分を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記決定された予測されたオリジナル形状に基づいて前記オリジナル形状の少なくとも一部分を改変することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記シミュレートされた形状は、前記変更された形状がパターン結像ツールにより入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層上に結像されることになる形状のシミュレートされた予測を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記予測されたオリジナル形状は、前記変更された形状が前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層にパターン層を形成する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
フォトマスクを形成する方法であって、
フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を受け取ること、
変更された形状を生成するために前記オリジナル形状を変更し、前記変更された形状は前記オリジナル形状から少なくとも１つの方向にオフセットされた形状を含むこと、
シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいてシミュレーションを行い、前記シミュレートされた形状は前記変更された形状が前記レジスト層に結像する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクのレジスト層に描き込まれることになる形状のシミュレートされた予測を含むこと、
予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更し、前記予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスが前記シミュレートされた形状により定義された前記吸収層のエリア上で実行された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含むこと、
前記生成された予測されたオリジナル形状に基づいて前記オリジナル形状の少なくとも一部分を改変すること、
前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層の１つまたは複数の部分を露光する入力として前記改変されたオリジナル形状を使用すること、
前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層の１つまたは複数の部分の被覆物を取り除くために前記フォトマスク・ブランクの前記レジスト層の１つまたは複数の露光された部分を現像すること、および
パターン層を形成するために前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層の１つまたは複数の被覆物を取り除かれた部分を除去するエッチング・プロセスを実行すること
を含む方法。
【請求項１８】
プロセッサを有するコンピュータ・システム、および
前記コンピュータ・システムに結合されたコンピュータ読み取り可能な媒体を含む、フォトマスクの形状を分析するシステムであって、前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、前記プロセッサにより実行された場合、
フォトマスク・ブランクの吸収層に形成されるべきオリジナル形状を受け取り、
変更された形状を生成するために前記オリジナル形状を変更し、前記変更された形状は前記オリジナル形状から少なくとも１つの方向にオフセットされた形状を含み、
シミュレートされた形状を決定するために前記変更された形状に基づいてシミュレーションを行い、前記シミュレートされた形状は、前記変更された形状が前記レジスト層に結像する入力として使用された場合は前記フォトマスク・ブランクのレジスト層に描き込まれることになる形状のシミュレートされた予測を含み、
予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更し、前記予測されたオリジナル形状は、エッチング・プロセスが前記シミュレートされた形状により定義された前記吸収層のエリア上で実行された場合は前記フォトマスク・ブランクの前記吸収層に形成されることになる形状の予測を含むように
動作可能なソフトウェアを含む、システム。
【請求項１９】
前記オリジナル形状は第１の周辺を含み、
前記変更された形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第２の周辺が前記第１の周辺の内側に位置するように前記オリジナル形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされる、
請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更することは、前記シミュレートされた形状から少なくとも１つの方向にオフセットされる形状を生成することを含み、
前記シミュレートされた形状は第１の周辺を含み、
前記予測されたオリジナル形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第１の周辺が前記第２の周辺の内側に位置するように前記シミュレートされた形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされる、
請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記オリジナル形状は第１の周辺を含み、
前記変更された形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第２の周辺が前記第１の周辺の内側に位置するように前記オリジナル形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされる、
請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
前記ソフトウェアは、前記シミュレートされた形状から少なくとも１つの方向にオフセットされる形状を生成することにより前記予測されたオリジナル形状を生成するために前記シミュレートされた形状を変更し、
前記シミュレートされた形状は第１の周辺を含み、
前記予測されたオリジナル形状は第２の周辺を含み、前記第２の周辺は、前記第１の周辺が前記第２の周辺の内側に位置するように前記シミュレートされた形状の前記第１の周辺から特定の距離だけオフセットされる、
請求項１８に記載のシステム。
【請求項２３】
前記決定された予測されたオリジナル形状に基づいて前記オリジナル形状の少なくとも一部分を改変するように動作可能な前記ソフトウェアをさらに含む請求項１８に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
関連出願に対する相互参照
本出願は、参照により全体として本明細書に組み込まれる、２００５年１０月５日出願の、Ｋｅｎｔ  Ｎａｋａｇａｗａ等による、「Ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｐｒｅｄｉｃｔｉｎｇ  Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ  Ｇｅｏｍｅｔｒｉｅｓ  Ｕｓｉｎｇ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ」という名称の米国特許仮出願第６０／６１５，８８１号の優先権を主張するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図８は、図６に示されている予測された結果としての形状１０８と従来の予測された形状１２０との比較の第２の角領域１３０の詳細図である。図８に示されているように、角領域１３０の予測された結果としての形状１０８の曲線部分は、角領域１３０のありきたりの予測された形状１２０の曲線部分よりシャープでない（または、より鋭くない）。ある場合には、角領域１３０の予測された結果としての形状１０８の曲線部分は、たとえば従来の予測された形状１２０など前にシミュレートされた形状と比べて、パターン層５８のエッチングによりフォトマスク５２のパターン層５８に形成されるこことになる実際の形状の曲線に、より正確に近似する。
【国際調査報告】
2008516272.tif 000015