【事件の表示】
　特許第２９７０３４４号「プラズマ装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７０３４４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
  本件特許第２９７０３４４号の請求項１に係る発明についての出願は、平成５年１０月１９日に特許出願されたものであって、平成１１年８月２７日にその発明について特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、佐藤正より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内に平成１２年９月２５日付けで訂正請求書が提出されたものである。
２．訂正の適否
２−１．訂正の内容
  本件訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち訂正事項ａのとおりに訂正しようとするものである。
（１）訂正事項a　  
　請求項１の「【請求項１】真空中で移動する導電性の基体を対向電極として、基本上に薄膜を形成する放電室を複数有するプラズマ装置において、各々の放電室に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上あることを特徴とするプラズマ装置。」を「【請求項１】真空中に配置された複数の放電室を有し、前記複数の放電室にまたがって連続した導電性の基体が対向電極として真空中で移動することにより前記基体上に少なくとも２層以上の薄膜を形成するプラズマ装置であって、前記複数の放電室は各々陽極を有し、前記陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下であることを特徴とするプラズマ装置。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張変更の存否
　上記訂正事項ａは、（１）放電室が真空中に配置されている、（２）導電性の基体が複数の放電室にまたがって連続している、（３）プラズマ装置が導電性の基体上に少なくとも２層以上の薄膜を形成するプラズマ装置である、（４）複数の放電室が各々陽極を有している、（５）陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下である点を限定する訂正と、（６）基本上を基体上と訂正した訂正である。上記（１）〜（５）は、放電室、基体、薄膜、放電室、周波数を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、上記（１）〜（４）は図１に記載されており、上記（５）は表１の実施例の数値範囲であるから、結局、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書に記載されている。したがって、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、また、上記訂正によって別個の新たな目的及び効果をもたらすものではないから実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、上記（６）は誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
２−３．まとめ
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立ての理由の概要
  特許異議申立人は、証拠方法として甲第１号証（特開昭６３−２６２４７２号公報）、甲第２号証（特開平５−９０１７６号公報）、甲第３号証（特開昭５８−１８２２２０号公報）、甲第４号証（特開平４−１９２４１４号公報）、参考資料（アステック株式会社「プラズマ用高周波電源ＲＦシリーズ」カタログ）を提出し、請求項１に係る発明は甲第１〜４号証に記載された発明であるか、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるか、または請求項１の記載は記載不備であるから、請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号、第２項、特許法第３６条第４〜６項の規定に違反したものであり取り消されるべきものである旨主張している。
３−１．特許法第２９条第１項第３号、第２項違反の主張について
（ア）本件請求項１に係る発明
  上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】真空中に配置された複数の放電室を有し、前記複数の放電室にまたがって連続した導電性の基体が対向電極として真空中で移動することにより前記基体上に少なくとも２層以上の薄膜を形成するプラズマ装置であって、前記複数の放電室は各々陽極を有し、前記陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下であることを特徴とするプラズマ装置。」
（イ）甲号各証の記載内容
　甲第１号証は膜形成方法に関し次の事項が記載されている。
（ａ）「反応室内に配された複数の放電電極に、夫々異なる周波数の電力を供給し、グロー放電を発生させて膜形成用原料ガスを分解し、上記反応室内の支持体面に膜を形成することを特徴とする膜形成方法。」（請求項１）
（ｂ）「太陽電池を製造するに際しては、平行平板電極の一方に高周波電力を付与し、接地されている他方の平行平板電極との間にグロー放電を生起することによって、他方の平行平板電極上に配置された基板表面にアモルファスシリコン膜を形成する。また、電子写真感光体の製造方法は、・・・複数の電極の夫々に単一の電源から分岐して高周波電力を供給している。・・・こうした構成にあっては、複数の電極からの高周波どうしに干渉が生じてグロー放電が不均一となり、また、各電極に印加される高周波電力を個別に制御することができず、各電極の面積が異なると、電極の電力密度が不均一となる。従って、形成される膜の特性が劣悪化する。」（第１頁左欄第１９行〜右欄第１４行）
（ｃ）「先ず、アルミニウム製の外周表面が超仕上げされた８本の円筒状支持体（３ａ）〜（３ｈ）を、ターンテーブル（４）上に・・・隔てて植立した保持部材（９）に装着する。・・・反応ガスを導入して、圧力を０．５〜２Ｔｏｒｒに保持する。・・・１３．５６ＭＨｚの第１高周波電源（２０ａ）により第１放電電極（２ａ）と円筒状支持体（３ａ）〜（３ｈ）との間に、また、４００ＫＨｚの第２高周波電源（２０ｂ）により第２放電電極（２ｂ）と円筒状支持体（３ａ）〜（３ｈ）との間に、夫々２０Ｗ〜２ＫＷ程度の高周波電力を付与し、プラズマを励起することによって上記反応ガスの分解を行なう。この時円筒状支持体（３ａ）〜（３ｈ）はモー夕（５）の稼働によりターンテーブル（４）と共にその回転軸（６）周りに・・・公転しているのみならず、自転機構（８）の作用によって各支持体（３ａ）〜（３ｈ）自身の中心周りにも自転している。」（第２頁右下欄第１６行〜第３頁右上欄第６行）
（ｄ）「なお、高周波の周波数の差は１ＭＨｚ〜１００ＧＨｚが好ましく、更に１ＫＨｚ〜１ＭＨｚが最適である。また１Ｈｚ〜１ＫＨｚでも可能である。」（第３頁左下欄第２行〜第４行）
　甲第２号証には、機能性堆積膜の連続的製造装置に関し次の事項が記載されている。
（ｅ）「図１に示した装置を用い、本発明の方法により、以下に示す操作によって帯状基体上にｎ、ｉ、ｐのアモルファスシリコン膜を連続的に形成した。・・・帯状ステンレス基体１０７を、供給室１０４から巻き出され、１０１〜１０３の三つの成膜室を通過して、巻き取り室１０５で巻き取られるようにセットした。・・・次に各室の真空チャンバーをそれぞれの排気管１１１，１１５で十分に排気した後、引続き排気しながら各成膜室へガス導入管１１０から、ぞれぞれの成膜ガスを導入し、圧力計１１６を確認しつつ排気量を調節して各成膜室を所定の圧力に調整した。・・・放電電極１１２からＲＦ電力を、導波管１１３からマイクロ波電力を導入して各成膜室内にプラズマ放電を生起し、帯状基体を一定速度で搬送して帯状基体上にｎ、ｉ、ｐ型のアモルファスシリコン膜を連続的に形成した。各成膜室での作製条件を表２に示す。」（第６頁右欄第９〜３１行）
  甲第３号証には、タンデムアモルファス光起電力セルを連続的に製造する為の方法及び装置に関し次の事項が記載されている。
（ｆ）「第２図に、夕ンデム又はカスケード型の光起電力セルを連続的に製造する、多重グロー放電チヤンバー沈積装置を、参照番号２６によって模式的に示す。装置２６は本発明の原理に基いて、隔離した沈積専用チヤンバーを多数有している。ここで用いる”隔離した”という言葉は、隣接の沈積チヤンバーの反応ガスが、互いに他を汚染し合うことを実質的に防止しているということを意味する。」（第１５頁右上欄下から第２行〜左下欄第７行）
（ｇ）「本装置は、連続的に供給される基板材料の沈積表面上に、ｐ−ｉ−ｎ型の構成を有する、大面積、アモルフアス、光起電力重層セルを大量に作ることに用いられる。」（第１５頁右下欄第２〜５行）
（ｈ）「実施例においては基板（材料）は連続した導電性のウエブである」（第１６頁左上欄第１２〜１３行）
（ｉ）「繰り出し方向付けチヤンバー４２の直上に位置し、物理的に接触してクリーニングチヤンバー４６が設けられている」（第１６頁左下欄第２〜４行）
（ｊ）「実施例においてはラジオ周波数電力源９２ｂ〜９２ｈとチューナー９０ｂ〜９０ｎは、約１３（１３．５６）メガヘルツの周波数の電力を沈積チヤンバー中のカソード８８ｂ〜８８ｈに供給し、チューナー９０ａと電力源９２ａは、約１０ｋＨｚのパワーをクリーニングチヤンバー４６内の力ソード８８ａに供給する。」（第２９頁右下欄第１２〜１８行）
（ｋ）「・・・必要な真空圧力まで装置２６を吸引する」（第３８頁右上欄第１〜２行）
　甲第４号証には、非単結晶半導体薄膜の形成方法に関し次の事項が記載されている。
（ｌ）「本発明においては、可撓性基板を移動させて非単結晶半導体薄膜を形成できる構造を有する装置、例えば、ロール・ツー・ロール方式を採用した連続プラズマＣＶＤ装置において、」（第２頁右下欄第１５行〜第１８行）
（ｍ）「本発明の成膜方法を実現するための構造を有した非単結晶半導体薄膜の成膜装置の一例を第５図に示す。・・・第５図において、可撓性長尺基板５０６として、厚さ０．２ｍｍのステンレス板を用いた。５０１，５０２及び５０３は成膜容器であるが、・・・可撓性長尺基板５０６とＲＦ印加電極５１０、５１１及び５１２との間を通って不図示の真空排気ポンプ及び不図示のコンダクタンス調整バルブにつながった排気管５１３、５１４および５１５から排気される。各成膜容器はガス・ゲート５２２〜５２５によって互いに分離され、このガス・ゲートによりある成膜容器内の成膜ガスが他の成膜容器内に侵入するのが防止される。同図において、成膜容器５０１ではｎ型半導体薄膜層４０２を、成膜容器５０２ではｉ型半導体薄膜層４０３を、成膜容器５０３においてｐ型半導体層４０４をそれぞれ成膜させた。」（第５頁右上欄第１２行〜左下欄第１８行）
（ｎ）「成膜容器内圧力は１Ｔｏｒｒ」（第５頁右下欄第３表）
（ウ）対比・判断
  甲第１号証には、上記（ａ）〜（ｄ）の記載から「減圧排気された反応室内に配された複数の放電電極に、夫々異なる周波数の電力を供給し、グロー放電を発生させて膜形成用原料ガスを分解し、上記反応室内の支持体面に膜を形成することを特徴とする膜形成方法。」が記載されていると云える（以下、甲１発明という）。
  本件発明と甲１発明を対比すると、甲１発明の「反応室」は本件発明の「放電室」に相当するが、両者は、本件発明では、陽極毎の複数の放電室を有しているのに対して、甲１発明では、複数の放電電極を有する一つの反応室である点、また、本件発明の基体が複数の放電室にまたがって連続した導電性の基体であるのに対して、甲１発明では、その点が記載されていない点、また本件発明では少なくとも２層以上の薄膜を形成しているのに対し、甲１発明ではその点が記載されていない点で相違している。
　したがって、本件発明は甲第１号証に記載された発明であるとは云えない。
　次に、甲第２号証には、上記（ｅ）の記載から、「真空中で移動する帯状ステンレス基体上にプラズマ放電により薄膜を形成する成膜室を複数有する機能性堆積膜の連続的製造装置において、一つの成膜室には放電電極からＲＦ電力を、他の成膜室には導波管からマイクロ波電力を導入してそれぞれプラズマ放電を生起させる機能性堆積膜の連続的製造装置。」が記載されていると云える（以下、甲２発明という）。
  本件発明と甲２発明を対比すると、甲２発明の「成膜室」、「帯状ステンレス基体」、「放電電極」は、本件発明の「放電室」、「導電性の基体」、「陽極」に相当するが、両者は、本件発明では各放電室は陽極を有しているのに対し、甲２発明では、成膜室にマイクロ波電力を導入する場合は成膜室に「陽極」が存在しない点、また、本件発明では、陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下であるのに対して、甲２発明では、ＲＦ電力とマイクロ波電力に使用される交流電圧の周波数の差は５ｋＨｚよりはるかに大きい点（特許異議申立人の提出した参考資料によればＲＦ電力の周波数は１３．５６ＭＨｚであり、また一般にマイクロ波は１０００ＭＨｚ〜１０００ｋＭＨｚであるから周波数差は５ｋＨｚよりはるかに大きい）で相違している。
　したがって、本件発明は甲第２号証に記載された発明であるとは云えない。
　次に、甲第３号証には、上記（ｆ）〜（ｋ）の記載から、甲第３号証には「真空中で移動する導電性のウエブを対向電極として、ウエブ上に薄膜を沈積させるアモルファス光起電力セルの連続的製造装置において、クリーニングチャンバーには１０ｋＨｚの電力を、沈積チャンバーには１３．５６メガヘルツの電力を供給するアモルファス光起電力セルの連続的製造装置。」が記載されていると云える（以下、甲３発明という）。
  本件発明と甲３発明とを対比すると、甲３発明の「沈積チャンバー」は、本件発明の「放電室」に相当するが、甲３発明の「クリーニングチャンバー」は、文言どおりクリーニングで沈積しないから、両者は、本件発明では、陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下であるのに対して、甲３発明では、沈積チャンバーの陽極に印加する交流電圧の周波数は１３．５６メガヘルツで一定である点で相違している。なお、沈積しないクリーニングチャンバーと沈積チャンバーとの陽極に印加する交流電圧の周波数の差をみても５ｋＨｚよりはるかに大きい。
  したがって、本件発明は甲第３号証に記載された発明であるとは云えない。
  甲第４号証には、上記（ｌ）〜（ｎ）の記載から「成膜容器がＲＦ印加電極を有するロール・ツー・ロール方式を採用した連続プラズマＣＶＤ装置。」が記載されていると云える（以下、甲４発明という）。
　本件発明と甲４発明とを対比すると、甲４発明では成膜容器がＲＦ印加電極を有するから、両者は、本件発明では、陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下であるのに対して、甲４発明の成膜容器の陽極に印加する交流電圧の周波数はＲＦで一定である点で相違している。
  したがって、本件発明は甲第４号証に記載された発明であるとは云えない。
　ところで、本件発明は、少なくとも２層以上の多層薄膜を形成するプラズマ装置において「放電室内のプラズマに印加される電圧は陽極印加電圧と基体の電位の差となり、第一の陽極印加波形と第二の陽極印加波形の周波数と位相によってビートが生じ、実際にプラズマに印加される電圧は印加電圧とは大きな違いを生じる。特に第一と第二の電源の周波数が近い場合はビートの周期が長くなり実効印加電圧が低くなると放電が不安定になったり、放電が止まったりして、成膜された薄膜の特性が劣化したりばらつきを生じる」（本件特許公報第２頁第３欄第２２〜２９行）という従来技術における課題を解決しようとすることを目的とするものであって、その課題を「複数の放電室は各々陽極を有し、前記陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下である」ことにより解決するものである。
  ここで甲第１号証には、複数の電極からの高周波どうしに干渉が生ずる旨の記載があるが、これはあくまで一つの反応室に複数の放電電極を有する場合である。してみると、少なくとも２層以上の多層薄膜を形成するために各々陽極を有する複数の放電室を使用する場合に、上記の課題が甲第１号証に示唆されているとは云えない。
　さらに、甲第１号証には「陽極に印加する交流電圧の周波数の差」を特定の「５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下である」ことに選択することを示唆する記載もない。
　また甲第２〜４号証には、「陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下である」点については何も記載されていないし、示唆もされていない。
　本件発明は、上記解決手段の構成を具備することにより、明細書記載の「それぞれの放電電圧のビートによるプラズマの不安定が解消され、安定で均一な膜を提供する」という効果を奏する。
  したがって、本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
３−２．特許法第３６条第４〜６項違反の主張について
  特許異議申立人は、（１）プラズマが完全に分離された放電室を複数有する場合には、プラズマが不安定になる本件発明の課題が生じないので、請求項１の記載は効果を奏さない部分をも含むものである、（２）高周波電力を用いた場合、５０Ｈｚは誤差範囲内であって制御不能な領域であるから、請求項１の記載は効果を奏さない部分をも含むものである、（３）周波数差が大きくなった場合、請求項１の記載は効果を奏さない部分をも含むものである旨の主張をしている。
  そこで検討すると、上記訂正の結果、「真空中に配置された複数の放電室」となり、ガスゲートで完全に分離された放電室は含まなくなったので、（１）の主張は採用することができない。次に（２）の主張については、本件特許明細書において、２００５０Ｈｚ以内の周波数の高周波電力では制御可能であることが実施例で示されており、高周波電力を用いた場合、５０Ｈｚは誤差範囲内であって制御不能という立証もないので、請求項１の記載をもって記載不備であるとまでは云えない。また、（３）の主張については、上記訂正の結果、周波数差の上限が定まったことにより採用することができない。
　また、当審の取消理由通知の理由２（１）で指摘した「請求項１の記載が第１の放電室と第２の放電室における基体が別々の場合を含む」という取消理由は、上記訂正の結果、基体は「複数の放電室にまたがって連続した」となったので解消された。
４．むすび
  以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月２４日（２０００．１０．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２９７０３４４号発明の明細書を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち、
（１）訂正事項ａ
　請求項１の「【請求項１】真空中で移動する導電性の基体を対向電極として、基本上に薄膜を形成する放電室を複数有するプラズマ装置において、各々の放電室に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上あることを特徴とするプラズマ装置。」を「【請求項１】真空中に配置された複数の放電室を有し、前記複数の放電室にまたがって連続した導電性の基体が対向電極として真空中で移動することにより前記基体上に少なくとも２層以上の薄膜を形成するプラズマ装置であって、前記複数の放電室は各々陽極を有し、前記陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下であることを特徴とするプラズマ装置。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
真空中に配置された複数の放電室を有し、前記複数の放電室にまたがって連続した導電性の基体が対向電極として真空中で移動することにより前記基体上に少なくとも２層以上の薄膜を形成するプラズマ装置であって、前記複数の放電室は各々陽極を有し、前記陽極に印加する交流電圧の周波数の差が５０Ｈｚ以上５ｋＨｚ以下であることを特徴とするプラズマ装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、真空中において基体上に薄膜を形成するプラズマ装置に関し、特に多層薄膜の形成に優れたプラズマ装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、真空を利用したプラズマ装置は半導体分野や記録メディアの分野でそれぞれ高集積化、高密度化を目的として広く用いられている。これらの装置では一般に、真空槽内に放電室と基体（基体ホルダに取り付けられ固定されている場合や基体搬送系の働きで移動する場合などがある）を有しており、これによりプラズマ化した材料を基体表面に付着させ、薄膜形成や保護膜形成に利用している。さらに薄膜を多層化しそれぞれの層に機能分担させ総合的な薄膜の高性能化を図る取り組みがなされている。
　【０００３】
　以下に従来のプラズマ装置について説明する。
　図１はプラズマ装置の概略を示す図である。図１において、１は基体、２は巻だし軸、３は巻き取り軸、４は第一の放電室、８は第二の放電室、５、９は陽極、６、１０は交流電源、７、１１はモノマーガス供給パイプ、１２は真空槽、である。
　【０００４】
　以上のように構成されたプラズマ装置について、以下その動作について説明する。まず、基体１を巻だし軸２に取り付け巻き取り軸３に巻き回し、真空槽１２を真空ポンプ（図示せず）で１０−５ｔｏｒｒ程度まで排気する。次にモノマーガスを供給パイプ７を通して第一の放電室４に供給し、交流電源６により陽極５に電圧を印加して基体１との間にグロー放電を生じさせ放電室内をプラズマ状態にすることにより、モノマーガスは基体上に第一の重合膜として堆積する。同様に第二の放電室８にもモノマーガスを供給パイプ１１を通じ供給し電圧を印加することにより基体上に第二の重合膜として堆積する。基体１を巻きだし軸２から巻き取り軸３に順次巻き取ることにより連続的にそれぞれ機能の異なる薄膜を多層形成することができる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら上記の従来の構成では、対向電極として導電性の基体１を使用しているためにグロー放電電流は基体１を流れアースに落ち、このときオームの法則により電圧効果が生じ基体１の放電室に対向する位置の電位がアース電位より上昇する。すなわち基体１の電位はアース電位で一定ではなく第一の放電電流と第二の放電電流によって生じる電圧降下の合成された交流電位を持っていることになる。つまり放電室内のプラズマに印加される電圧は陽極印加電圧と基体の電位の差となり、第一の陽極印加波形と第二の陽極印加波形の周波数と位相によってビートが生じ、実際にプラズマに印加される電圧は印加電圧とは大きな違いを生じる。特に第一と第二の電源の周波数が近い場合はビートの周期が長くなり実効印加電圧が低くなると放電が不安定になったり、放電が止まったりして、成膜された薄膜の特性が劣化したりばらつきを生じるという問題点を有していた。
　【０００６】
　本発明は上記従来の問題点を解決するもので、安定で均一な膜を提供するとともに、効率的に多層薄膜を成膜できるプラズマ装置を提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　この目的を達成するために本発明のプラズマ装置は、第一の放電室の陽極に印加する電源の周波数に対して、第二の放電室の陽極に印加する電源の周波数は５０Ｈｚ以上異なっている構成を有している。
　【０００８】
　【作用】
　この構成によって、第一と第二の電源の周波数のビート周波数は、５０Ｈｚ以上となり常に安定な放電が得られる。
　【０００９】
　【実施例】
　以下本発明の一実施例について、金属磁性薄膜を真空蒸着法によって形成した磁気テープの保護膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する場合を例にとって説明する。
　【００１０】
　図２は金属薄膜テープの断面図であり、１３はポリエステルフィルムなどの高分子フィルムやアルミニューム薄膜などの非磁性金属薄膜からなる基板である。１４は強磁性金属薄膜からなる磁気記録層でコバルト、ニッケル、鉄またはそれらを主成分とする合金を電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの真空蒸着法によって、基板１３の上に形成されている。１５ａ、１５ｂはプラズマＣＶＤ法によって形成された硬質炭素膜からなる保護膜層で、１６はカルボン酸やフッ素系潤滑剤からなる潤滑剤層、１７はバックコート層でポリウレタンなどの樹脂中にカーボンブラックなどの充填剤を分散させた塗膜からなっている。保護膜層１５ａ、１５ｂはそれぞれ金属薄膜、潤滑剤と密着性のよい性質になるよう適宜原料ガスが選択される。
　【００１１】
　本実施例では第一の放電室では、メタンガスとアルゴンガスを等量放電室に供給し放電室内の真空度を０．１Ｔｏｒｒに保ち、陽極には交流電圧を実効値で６５０Ｖ印加して保護膜を約５ｎｍ形成し、さらに第二の放電室では、メタンガスとアルゴンガスをそれぞれ３：７の割合で放電室に供給し放電室内の真空度を０．３Ｔｏｒｒに保ち、陽極には交流電圧を実効値で９００Ｖ印加して保護膜を約１０ｎｍ形成した。それぞれの電源の周波数を変えて保護膜を形成し磁気テープを作製した。保護膜の出来映えは磁気テープをＶＴＲで繰り返し走行し、その出力変化を調べ評価した。
　【００１２】
　その結果を（表１）に示す。
　【００１３】
　【表１】
　【００１４】
　繰り返し耐久性は、２３℃１５％の環境で２００パス繰り返し走行を行い、初期出力と２００パス後の出力を比較した。試料はそれぞれの実験水準でテープ原反の長手方向で５０巻について測定した。
　【００１５】
　（表１）から明らかなように、本発明によって形成された保護膜を有する磁気テープは、繰り返し走行後の出力低下が少ない値を示している。しかしながら、電源周波数が近い時は、出力低下の大きいものがありばらつきが大きくなっている。
　【００１６】
　なお、本実施例ではプラズマに電圧を印加する電源として交流電源を使用したが公知の直流バイアスを付加した交流電源でもよい。
　【００１７】
　また本実施例では、金属テープの保護膜用のプラズマ装置について説明したが導電性の基体を対向電極とするプラズマ装置においても同様の作用効果を有するものである。
　【００１８】
　【発明の効果】
　以上のように、本発明のプラズマ装置によれば、それぞれの放電電圧のビートによるプラズマの不安定が解消され、安定で均一な膜を提供するとともに、効率的に多層薄膜を成膜できるものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のプラズマ装置の概略図
　【図２】
　本発明の実施例で作製した磁気テープの断面図
　【符号の説明】
　１　　基体
　２　　巻きだし軸
　３　　巻き取り軸
　４　　第一の放電室
　８　　第二の放電室
　５、９　陽極
　６、１０　交流電源
　７、１１　モノマーガス供給パイプ
　１２　真空槽
　１３　基板
　１４　金属磁性薄膜層
　１５ａ、１５ｂ　保護膜層
　１６　潤滑剤層
　１７　バックコート層