【事件の表示】
　特許第２９９８６３９号「積層セラミックコンデンサ」の請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９９８６３９号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第２９９８６３９号の請求項１〜３に係る発明（平成８年６月２０日出願、平成１１年１１月５日設定登録）は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
２．特許異議申立て理由の概要
　申立人ティーディーケイ株式会社は、請求項１に係る発明は、甲第１号証（特開平６−２２７８６１号公報）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３項の規定により、また請求項１に係る発明は、甲第１号証をもとに容易に、あるいは甲第１号証、甲第２号証（「粉体および粉末冶金」　第４０巻第４号　１９９３年４月発行　第４５５〜４６０頁）、甲第３号証（特開平６−８４６９２号公報）、甲第４号証（特開平７−２０１６４４号公報）、甲第５号証（特開平８−３１２３２号公報）をもとに容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、さらに請求項２〜３に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証、甲第４号証をもとに容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり取り消されるべき旨主張している。
　なお、申立人ティーディーケイ株式会社は、異議申立書の「（３）申立の根拠」で、「本件の請求項１に係る特許発明は、 ……… あるいは下記甲第１号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるから特許法第２９条第２項に規定により特許を受けることはできず」と記載されているが、「（４−３）本件特許発明と甲第３号証記載の発明との対比（第２の拒絶理由）」の項の４−３−４の記載、「（４−４）本件特許発明と甲第３号証記載の発明との対比（第２の拒絶理由）」の項の記載、「（５）結論」の項の記載からして上記のように認定した。
　
３．甲各号証の記載
３−１．甲第１号証（特開平６−２２７８６１号公報）
　「【請求項１】　不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量％以下のＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2 Ｏ3 ，Ｄｙ2 Ｏ3 ，Ｈｏ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2 Ｏ3 ）と、ＮｉＯとの配合比が、
　ＢａＴｉＯ3 　９２．０〜９９．４モル％、
　Ｒｅ2 Ｏ3 　　０．３〜４．０モル％、および
　ＮｉＯ　　　　０．３〜４．０モル％
の範囲内にある主成分１００モル％に対し、
　副成分として、
　ＭｇＯ　０．２〜５．０モル％、および
　ＭｎＯ　０．０５〜１．０モル％
を含有する、誘電体磁器組成物。
　　【請求項２】　さらに副成分として、ＳｉＯ2 を３．０モル％以下含有する、請求項１の誘電体磁器組成物。」（請求項１、２）、
　「【産業上の利用分野】この発明は誘電体磁器組成物に関し、特にたとえば、薄膜対応の積層コンデンサなどの誘電体材料として用いられる、誘電体磁器組成物に関する。」（段落番号【０００１】）、
　「【発明の効果】この発明によれば、ＢａＴｉＯ3 ，希土類酸化物およびＮｉＯを主成分とする誘電体材料にＭｇＯ，ＭｎＯを添加することによって、３５００以上の高誘電率を有し、容量の温度変化率が小さく、さらに１０μｍ以下の薄層化に対応可能で、二次相が存在せず、組織が均一で、高温における信頼性に優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。さらに、ＳｉＯ2 あるいは酸化物ガラスを添加することによって、焼成温度の低下および焼成コストの削減が可能である。
　したがって、この誘電体磁器組成物を、たとえば積層セラミックコンデンサの誘電体材料として用いれば、従来の組成系では不可能であった１０μｍ以下の薄層化への展開が可能となり、積層セラミックコンデンサのこれまで以上の小型大容量化を容易に達成することが可能となる。」（段落番号【００１２】〜段落番号【００１３】）、
　「【実施例】出発原料として、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 ，希土類酸化物，ＮｉＯ，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＳｉＯ2 ，酸化物ガラスを準備した。これらの原料を表１に示す組成割合となるように秤量して、秤量物を得た。なお、試料番号１〜２１については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０３重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２２については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号２３については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０７重量％のＢａＴｉＯ3 を使用した。
　【表１】
　得られた秤量物を分散媒とともに、ＰＳＺボールを用いたボールミルで混合し、原料スラリを調製した。次に、この原料スラリに有機系バインダ，可塑剤を添加し、十分に攪拌した後、ドクターブレード法によってシート成形して、セラミックグリーンシートを得た。なお、このときのセラミックグリーンシートの厚さは１２μｍであった。
　次いで、このようにして得られたセラミックグリーンシートの一面に、内部電極形成用導電ペーストを塗布し、乾燥後複数枚のセラミックグリーンシートを積層したのち、厚み方向に圧着することによって積層体を得、この積層体から切り出すことによって、積層コンデンサ生ユニットを得た。このユニットに３２０℃で５時間保持の条件で脱バインダを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 の体積比率が３／１００の還元雰囲気ガス気流中において、表２に示す温度で２時間焼成し、焼結体を得た。このとき、焼成後のユニットの誘電体素子厚は８μｍであった。
　【表２】
　得られた焼結体に、外部電極用銀ペーストを塗布して、焼き付けることによって、積層セラミックコンデンサとした。」（段落番号【００１５】〜段落番号【００２０】）、
と記載されている。
３−２．甲第２号証（「粉体および粉末冶金」　第４０巻第４号　１９９３年４月発行　第４５５〜４６０頁）
　「高誘電率系積層セラミックコンデンサは、従来、内部電極に貴金属であるＰｄが用いられてきた。このため、原材料コストが高く、市場の低価格化要求に応えることが難しかったが、近年、Ｎｉ内部電極品が実用化されるに到り、コストの問題を解決するものとして期待されている。」（第４５５頁左欄下から第１４〜９行目）、
　試料として「以下の組成を選んだ。
［（Ｂａ１−ＸＣａＸ）Ｏ］ｍ［ＴｉｙＺｒ１−ｙＯ２］＋ａＳｉＯ２＋ｂＭｎＯ…(１)
（ｘ＝０.００４、ｙ＝０.１８、ｍ＝１.００４、ａ＝０.１ｗｔ％、ｂ＝０.１−０.４ｗｔ％）」（第４５６頁左欄第８〜１１行目）、
　「そこで、ＭｎイオンとＹイオンの添加量について検討を行った。結果をＦｉｇ.５に示す。ＭｎＯ　０.２ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３　０.３２ｗｔ％（原子比Ｍｎ／Ｙ＝１）添加のときに加速寿命が最も長いことが分かる。このように、ＭｎとＹの添加量の比が寿命に強く影響する」（第４６０頁左欄第１〜５行目）、
と、記載されている。
３−３．甲第３号証（特開平６−８４６９２号公報）
　「【請求項３】　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ3 に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化イットリウムをＹ2 Ｏ3 に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ2 にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ3 　１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　　ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、
　　Ｙ2 Ｏ3 ：１モル以下、
　　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
　　ＳｉＯ2 ：２〜１２モル
であることを特徴とする積層型セラミックチップコンデンサ。」（請求項３）、
　「【請求項５】　前記内部電極層に含まれる導電材が、ＮｉまたはＮｉ合金である請求項１ないし４のいずれかの積層型セラミックチップコンデンサ。」（請求項５）、
　「図１に示されるように、本発明の積層型セラミックチップコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体１０を有し、このコンデンサチップ体１０表面に、内部電極層３と導通する外部電極４を有する。」（段落番号【００１４】）、
と記載されている。
３−４．甲第４号証（特開平７−２０１６４４号公報）
　「誘電体磁器組成物が１００．０重量部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成したものからなり、該基本成分が、(1−α){(Ｂａ1-v-w-xＣａvＳｒwＭｇx)Ｏ}k(Ｔｉ1-yＺｒy)Ｏ2+α(Ｒ1-zＲ'z)Ｏ3/2 + βＭ1+ γＭ2（但し、ＲはＬａ〜Ｅｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ′はＳｃ〜Ｌｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又はＶ、Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選択された１種又は２種以上の元素）で表わされる物質からなり、該添加成分がＬｉ2 Ｏ又はＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種又は２種以上の酸化物）とからなる。」（【要約】の【構成】）、
　「【産業上の利用分野】本発明は、１又は２以上の誘電体磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々挟持させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその製造方法に関するものである。」（段落番号【０００１】）、
　「なお、Ｒ成分のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕはほゞ同様に働き、これ等から選択された１つを使用しても、または複数を使用しても同様な結果が得られる。また、Ｒ′成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕもほゞ同様に働き、これ等から選択された１つを使用しても、または複数を使用しても同様な結果が得られる。（段落番号【００２５】）、
　「ここで、外部電極１６は、前記側面に亜鉛とガラスフリット(glass frit)とビヒクル(vehicle) とからなる導電性ペーストを塗布し、この導電性ペーストを、乾燥後、大気中において５５０℃の温度で１５分間焼き付けて亜鉛電極層１８とし、更にこの亜鉛電極層１８の上に無電解メッキ法で銅層２０を形成し、更にこの銅層２０の上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を設けることによって形成した。」（段落番号【００６２】）、
と記載されている。
３−５．甲第５号証（特開平８−３１２３２号公報）
　「金属元素のモル比による組成式を１００ＢａＴｉＯ3 ＋ａＲＥ2 Ｏ3 ＋ｂＭｎＯ＋ｃＭｇＯと表した時（ＲＥは、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹｂのうち少なくとも１種）、式中のａ，ｂ，ｃが　０．２５≦ａ≦３、０≦ｂ≦８、１≦ｃ≦９、１≦ｂ＋ｃ≦１１．２、１．０≦ｃ／ａ≦１１．０を満足するものである。」（【要約】の【構成】）、
 「【産業上の利用分野】本発明は、磁器コンデンサ、特にニッケル，銅等の卑金属を主成分とする内部電極を有する積層型磁器コンデンサに適した非還元性誘電体磁器組成物に関するものである。」（段落番号【０００１】）、
　「また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物は、金属元素のモル比による組成式を、１００ＢａＴｉＯ3 ＋ａＲＥ2 Ｏ3 ＋ｂＭｎＯ＋ｃＭｇＯ＋ｄＬｉ2 Ｏ＋ｅＳｉＯ2 （ＲＥは、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹｂのうち少なくとも１種）と表した時、式中のａ，ｂ，ｃ，ｄ及びｅが、０．２５≦ａ≦２．５０、０．０５≦ｂ≦０．５０、０．５０≦ｃ≦８．００、１．５０≦ｄ≦４．５０、０．７５≦ｅ＜２．００を満足するものである。」（段落番号【００１５】）、
と記載されている。
　
４．対比・判断
４−１．第２９条第１項第３項について
　そこで本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載のものを対比すると、甲第１号証には、本件請求項１に係る発明の構成要件である
　「（１−α−β）｛ＢａＯ｝m・ＴｉＯ2＋αＲｅ2Ｏ3＋β（Ｍｎ1-xＮｉx）Ｏ
（ただし、Ｒｅ2Ｏ3は、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種類、α、β、ｍ、ｘは、
　　　　　０．００２５≦α≦０．０２０、
　　　　　０．００２５≦β≦０．０４、
　　　　　　　　　　β／α≦４、
　　　　　　　　　　０≦ｘ＜１．０、
　　　　　　１．０００＜ｍ≦１．０３５）
で表される主成分１００モルに対して、
　副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して０．５〜３．０モル、酸化珪素をＳｉＯ2に換算して０．２〜５．０モル添加含有し、前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構成される」積層セラミックコンデンサにおいて、「１．０００＜ｍ≦１．０３５」なる構成要件を欠いている。
　そして、本請求項１に係る発明のように「１．０００＜ｍ≦１．０３５」とする構成により、本件明細書記載のように「ｍを１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲に限定したのは、試料番号３及び試料番号４のように、チタン酸バリウムのモル比ｍが１．０００以下の場合には、還元性雰囲気で焼成したとき誘電体セラミックが還元され、半導体化して絶縁抵抗が低下してしまったり（試料番号３）、絶縁抵抗が低下し、平均寿命時間も短くなるため、セラミック積層体の厚みの薄層化に十分に対応できない（試料番号４）からである。」なる作用効果を奏するものであり、そして本件請求項１に係る発明のような組成により、本件明細書記載の「本発明の積層セラミックコンデンサを用いれば、誘電体セラミック層が還元性雰囲気中で焼成しても還元されず、半導体化しない誘電体セラミック材料から構成されているので、電極材料として卑金属であるニッケル及びニッケルを合金を用いることができ、１３００℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層セラミックコンデンサのコストダウンを図ることが可能である。また、この誘電体セラミック材料を用いた積層セラミックコンデンサは、電率が３０００以上あり、しかもこのように高誘電率であるにもかかわらず誘電率の温度変化が小さい。さらに、絶縁抵抗も高く、高温下、高湿下での特性劣化のない優れた特性を示す。また、結晶粒径が1μｍ以下と小さく、誘電体層を薄層化しても、従来の積層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、しかも小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ることができる。」なる顕著な効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるとは認めらない。
４−２．第２９条第２項について
　本件請求項１に係る発明と、甲各号証記載のものを対比すると、甲各号証には、本件請求項１に係る発明の構成要件である
　「（１−α−β）｛ＢａＯ｝m・ＴｉＯ2＋αＲｅ2Ｏ3＋β（Ｍｎ1-xＮｉx）Ｏ
（ただし、Ｒｅ2Ｏ3は、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種類、α、β、ｍ、ｘは、
　　　　　０．００２５≦α≦０．０２０、
　　　　　０．００２５≦β≦０．０４、
　　　　　　　　　　β／α≦４、
　　　　　　　　　　０≦ｘ＜１．０、
　　　　　　１．０００＜ｍ≦１．０３５）
で表される主成分１００モルに対して、
　副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して０．５〜３．０モル、酸化珪素をＳｉＯ2に換算して０．２〜５．０モル添加含有し、前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構成される」積層セラミックコンデンサにおいて、「１．０００＜ｍ≦１．０３５」なる構成要件を欠いている。
　なお、甲第２号証には「ｍ＝１．０００４」とすることが記載されているが、本件請求項１に係る発明の組成と甲第２号証記載の組成とは異なっており、甲第１号証のものと甲第２号証のものとから、本件請求項１に係る発明のように構成することは容易になし得るものとすることはできない。
　そして、本請求項１に係る発明のように「１．０００＜ｍ≦１．０３５」とする構成により、本件明細書記載のように「ｍを１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲に限定したのは、試料番号３及び試料番号４のように、チタン酸バリウムのモル比ｍが１．０００以下の場合には、還元性雰囲気で焼成したとき誘電体セラミックが還元され、半導体化して絶縁抵抗が低下してしまったり（試料番号３）、絶縁抵抗が低下し、平均寿命時間も短くなるため、セラミック積層体の厚みの薄層化に十分に対応できない（試料番号４）からである。」なる作用効果を奏するものであり、そして本件請求項１に係る発明のような組成により、本件明細書記載の「本発明の積層セラミックコンデンサを用いれば、誘電体セラミック層が還元性雰囲気中で焼成しても還元されず、半導体化しない誘電体セラミック材料から構成されているので、電極材料として卑金属であるニッケル及びニッケルを合金を用いることができ、１３００℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層セラミックコンデンサのコストダウンを図ることが可能である。また、この誘電体セラミック材料を用いた積層セラミックコンデンサは、電率が３０００以上あり、しかもこのように高誘電率であるにもかかわらず誘電率の温度変化が小さい。さらに、絶縁抵抗も高く、高温下、高湿下での特性劣化のない優れた特性を示す。また、結晶粒径が1μｍ以下と小さく、誘電体層を薄層化しても、従来の積層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、しかも小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ることができる。」なる顕著な効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１〜５号証をもとに容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、本件請求項２、３に係る発明は、本件請求項１に係る発明を引用しており、上述した理由により、本件請求項２、３に係る発明は、甲第１〜５号証をもとに容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月１２日（２０００．１２．１２）