【事件の表示】
　特許第２７９０６０６号「ペンタフルオロベンゼンより調製したペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を用いたテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７９０６０６号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２７９０６０６号の請求項１〜２に係る発明は、平成５年１２月１４日に出願（優先権主張　平成４年１２月２８日　日本）され、平成１０年６月１２日にその特許の設定登録がなされたものである。
　その後、旭硝子株式会社より特許異議の申立があったので、取消理由を通知したところ、その指定期間内である平成１１年１０月１３日に特許異議意見書と共に訂正請求書が提出されている。
［２］訂正の適否についての判断
〔訂正の内容〕
　訂正事項は次のとおりである。
１．特許請求の範囲を次のとおりに訂正する。
【請求項１】次の式［I］
　　　　　Ｃ６ＨＦ５　　　　　　　　　［I］
で表されるペンタフルオロベンゼン１当量に対して、０．５〜１．５当量の一般式［II］
　　　　　ＲＭ　　　　　　　　　　　［II］
（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示し、Ｒは炭素数が１から１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される有機金属化合物をエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で−１２０〜８０℃で反応させることにより、次の一般式［III］
　　　　　Ｃ６Ｆ５Ｍ　　　　　　　　　［III］（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示す。）で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて次の一般式［IV］
　　　　　ＢＸ３　　　　　　　　　　　［IV］
［式中、Ｘはハロゲンあるいは次の一般式［V］
　　　　　ＯＲ　　　　　　　　　　　［V］
（式中、Ｒは炭素数が１〜１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される置換基かあるいは次の一般式［VI］
　　　　　ＮＲＲ′　　　　　　　　　［VI］
（式中、Ｒ及びＲ′は同一のあるいは相異なる水素あるいは炭素数が１〜２０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良く、Ｒ及びＲ′がそれぞれ結合して環を形成していても良い。）で表される置換基を示し、エーテル系溶媒との１対１の錯体を形成していても良い。］で表されるホウ素化合物を１当量に対し、３．７当量以上の式［III］で表されるペンタフルオロフェニル金属化合物を反応させ次の一般式［VII］
　　　　　（Ｃ６Ｆ５）４ＢＭ 　　　　　［VII］
（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示す。）で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を５０％を超える高収率で製造する方法。
【請求項２】請求項１記載の方法と同様にして式［III］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて次の式［VIII］
　　　　　（Ｃ６Ｆ５）３Ｂ　　　　 　　［VIII］
で表されるトリスペンタフルオロフェニルボラン１当量に対し、０．８当量以上の式［III］て表されるペンタフルオロフェニル金属化合物をエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒及び芳香族系炭化水素溶媒の混合溶媒中−１００〜０℃で反応させた後、加熱蒸留によりエーテル溶媒を除き式［VII］
　　　　　（Ｃ６Ｆ５）４ＢＭ 　　　　　［VII］
で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を９０％を超える高収率で製造する方法。
２．段落【０００６】の記載を次のとおりに訂正する。
「即ち本発明の要旨とするところは式［I］で表されるペンタフルオロベンゼン１当量に対して、０．５〜１．５当量の式［II］で表される有機金属化合物をエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で−１２０〜８０℃で反応させることにより、式［III］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて式［IV］で表されるホウ素化合物を１当量に対し、３．７当量以上の式［III］で表されるペンタフルオロフェニル金属化合物を反応させ式［VII］で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を５０％を超える高収率で製造する方法あるいは式［I］で表されるペンタフルオロベンゼン１当量に対して０．５〜１．５当量の式［II］で表される有機金属化合物をエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で−１２０〜８０℃で反応させることにより、式［III］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて式［VIII］で表されるトリスペンタフルオロフェニルボラン１当量に対し、０．８当量以上の式［III］で表されるペンタフルオロフェニル金属化合物をエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒および芳香族系炭化水素溶媒の混合溶媒中−１００〜０℃で反応させた後、加熱蒸留によりエーテル溶媒を除き式［VII］で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を９０％を超える超高収率で製造する方法に関する。」
〔訂正の目的の適否〕
　訂正事項１による訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項２による訂正は、訂正事項１による訂正に伴って明細書の記載が不明瞭になることの釈明を目的とするものである。
　従って、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書に規定する要件を満たすものである。
〔訂正の範囲の適否、拡張・変更の存否〕
　訂正事項１及び２による訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　従って、本件訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１２６条第２項及び第３項に規定する要件を満たすものである。
〔独立特許要件の判断〕
　訂正後の発明：
　訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明は、訂正明細書の特許請求の範囲請求項１及び２に記載された前記のとおりのものである。
　刊行物の記載事実：
「旭硝子工業技術賞例会研究報告」４２（１９８３年発行、特許異議申立人が提示した甲第１号証、以下、刊行物１という。）第１３７頁〜１４５頁には次の記載がなされている。
「１．緒言　テトラフェニルホウ酸アニオン（１）（以下ＴＰＢと略記する）は・・・有機アニオンの一種であり・・・。」
（第１３７頁左欄第１行〜右欄第３行）
「２．結果と考察　・・・　ペルフルオロＴＰＢ（２）はトリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（３）を中間体とする合成法がすでに報告されているが・・・。三フッ化ホウ素に対して４倍モルのフェニルリチウム試薬を用いて、同一容器中でボラン（３）を単離することなく直接にペルフルオロＴＰＢ（２）に誘導した。」
（第１３８頁右欄下から１１行〜下から３行）
「３．実験　３．１　テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩（２）の合成　ペンタフルオロ臭化ベンゼン（９．８４ｇ，４０ｍｍｏｌ）の無水エーテル溶液（４０ｍｌ）を窒素雰囲気下で−７８℃に冷却し、このものに当量のブチルリチウムのエーテル溶液（４０ｍｌ）を４５分間で滴下した。同じ温度でさらに１０分間かきまぜた後、三フッ化ホウ素エーテル溶液（１．４ｇ，９．８ｍｍｏｌ、エーテル２０ｍｌ）を滴下し、１．５時間、−７８℃でかきまぜ続けた。反応液を室温に戻して一夜放置した後、エーテルを蒸留で除き、水（２００ｍｌ）を加えてペンタン（５０ｍｌ）で洗浄した。水相に塩化トリメチルアンモニウム水溶液（６ｇ、水３０ｍｌ）を加え、生成した沈殿を濾取し、水洗した後、五酸化リン上で乾燥した。収量１．９４ｇ（収率２７％）。ｍｐ（分解）１０４〜１０５℃。」（第１４２頁右欄第３０行〜第１４３頁左欄第１行）
　ＴＨＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＶＯＬ．３１，Ｎｏ．３，ＭＡＲＣＨ　１９６６（特許異議申立人が提示した甲第２号証、以下、刊行物２という。）第７４３頁〜第７４５頁には次の記載がなされている。
「１，４−ジ置換テトラフルオロベンゼン化合物からのオルガノリチウム中間体の合成」（表題）
「アリールオルガノリチウム試薬は、金属−ハロゲン相互交換反応によって簡便に調製され、金属−水素相互交換反応によって、より少ない頻度で調製されている。　ＡｒＢｒ（Ｈ）＋　　　　　ｎ−Ｃ４Ｈ９Ｌｉ→ＡｒＬｉ＋Ｃ４Ｈ９Ｂｒ（Ｈ）　これら２つの反応は、最近はリチウム−臭素相互交換反応を経るペンタフルオロフェニルリチウムの合成、それに遅れてリチウム−水素相互交換反応を経るペンタフルオロフェニルリチウムの合成に適用されてきた。我々は、最近、後者の反応について報告し、これらの反応の性質に関する以下の見解を報告した。；（ａ）金属−水素相互交換反応は、エチルマグネシウムブロミドよりも、ｎ−ブチルリチウムにおいてより速くかつより完全に起こる。；（ｂ）金属−水素相互交換反応は、ジエチルエーテル溶媒中よりも、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶媒中で速く進む。」
（第７４３頁左欄第１行〜第１５行）
「大部分の場合において、金属化の程度は、オルガノリチウム中間体をフルオロ安息香酸に炭酸化することにより測定された。」
（第７４３頁左欄第２７行〜第２９行）
「ペンタフルオロフェニルリチウムは、リチウム−臭素相互交換反応、または、リチウム−水素相互交換反応のいずれかにより、簡便に調製されうる。」（第７４３頁左欄第３３行〜第３６行）
　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＯＲＧＡＮＯＭＥＴＡＬＬＩＣ　ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ　２　１９６４（特許異議申立人が提示した甲第４号証、以下、刊行物３という。）第２４５頁〜第２５０頁には次の記載がなされている。
「−７８℃で、ブチルリチウム（ヘキサン溶液中）を、ペンタフルオロフェニルブロミドのペンタン溶液の激しく撹拌された中に添加することにより、ペンタフルオロフェニルリチウムは純度の高い懸濁液として調製された。」
（第２４５頁下から８行〜下から６行）
「リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート　ＬｉＢ（Ｃ６Ｆ５）４　　２３ミリモルのペンタフルオロフェニルリチウム（ブチルリチウムのヘキサン溶液１４ｍｌと、１００ｍｌエーテル中の６ｇのペンタフルオロフェニルブロミドから調製）の、トリスペンタフルオロフェニルボロン（２０ミリモル）のペンタン溶液への添加は、６．３ｇのリチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート（収率４３％）の沈殿を生成させた。」（第２４８頁第１７行〜第２１行）
「ペンタン中では、エーテル中と同様に、ペンタフルオロフェニルリチウムは大気温度で不安定である。」（第２４９頁第３行〜第４行）
　ＴＨＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＶＯＬ．２９，Ｎｏ．８，ＡＵＧＵＳＴ　１９６４（特許異議申立人が提示した　甲第３号証、以下、刊行物４という。）第２３８５頁〜第２３８９頁には次の記載がなされている。
「アルキルリチウムとペンタフルオロベンゼンとの反応はへキサン−エーテル、エーテルまたはエーテル−テトラハイドロフラン中で完全に進行するように思われる。なぜならば、炭酸化反応後、粗ペンタフルオロ安息香酸がほぼ定量的に得られたからである。しかし、へキサン−エーテルを溶媒として使用した揚合には約２時間が必要である、一方、エーテルまたはエーテル−テトラハイドロフラン混合溶媒中では、反応は５分以内に完結する。精製ペンタフルオロ安息香酸の収率は、６７〜８３％の間で変動したが、この収率の差は、反応自体によるのではなく、用いた精製法に依存すると考えている。アルキルリチウムをフルオロ芳香族に加えても、或いは逆にフルオロ芳香族をアルキルリチウムに加えても大きな差異はないようである。また、ペルフルオロアリルリチウムは以前の報告とは逆にエーテル中或いはテトラハイドロフラン中で容易に炭酸化されるようである。」（第２３８６頁右欄第２２行〜第３７行）
　刊行物４には更に、ペンタフルオロベンゼンにアルキルリチウムを反応させてペンタフルオロフェニルリチウムを生成する化学反応式が記載されており（第２３８５頁右欄）、その具体例として、ペンタフルオロベンゼンのジエチルエーテル溶液に−７０℃でｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液を加えて−５５℃を超えないようにして反応させることとが記載されている（第２３８８頁右欄）。
　訂正後の請求項１に係る発明について：
　刊行物１には、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩の製造方法の発明が記載されているといえる。
　訂正後の請求項１に係る発明と刊行物１記載のテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩の製造方法の発明（以下、刊行物１記載の発明という。）とを対比する。
　これらの発明は、Ｃ６Ｆ５−基を有する化合物に一般式ＲＭ（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示し、Ｒは炭素数が１から１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される有機金属化合物をエーテルを含む溶媒中で−１２０〜８０℃で反応させることにより、一般式Ｃ６Ｆ５Ｍで表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて一般式ＢＸ３　［式中、Ｘはハロゲンあるいは一般式ＯＲ（式中、Ｒは炭素数が１〜１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される置換基かあるいは一般式ＮＲＲ′（式中、Ｒ及びＲ′は同一のあるいは相異なる水素あるいは炭素数が１〜２０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良く、Ｒ及びＲ′がそれぞれ結合して環を形成していても良い。）で表される置換基を示し、エーテル系溶媒との１対１の錯体を形成していても良い。］で表されるホウ素化合物に対し、ペンタフルオロフェニル金属化合物を反応させ一般式（Ｃ６Ｆ５）４ＢＭ （式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示す。）で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を製造する方法の発明である点で軌を一にするものであるが、次の点で相違する。
１．訂正後の請求項１に係る発明がＣ６Ｆ５−基を有する化合物としてペンタフルオロベンゼンを用いているのに対して、刊行物１記載の発明は、　Ｃ６Ｆ５−基を有する化合物としてペンタフルオロ臭化ベンゼンを用いている点、
２．訂正後の請求項１に係る発明がエーテルを含む溶媒としてエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒を用いているのに対して、刊行物１記載の発明は、エーテルを含む溶媒として無水エーテルを用いている点、
３．訂正後の請求項１に係る発明がテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率が５０％を超えることを規定しているのに対して、刊行物１記載の発明は、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率が２７％であることしか示していない点、
　ここでは、相違点２及び３について検討する。
　刊行物２には、ペンタフルオロフェニルリチウムは、リチウム−臭素相互反応又はリチウム−水素相互反応のいずれかによって調製されることが記載されているものの、リチウム−水素相互反応の際にエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒を用いることは示唆していない。
　刊行物４の記載によれば、アルキルリチウムとペンタフルオロベンゼンとの反応はへキサン−エーテル中であっても、エーテル中であっても完全に進行することがわかる。
　一方、刊行物１では、次の反応、即ち、三フッ化ホウ素との反応でテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩を収率２７％で得ている。
　これに対して、訂正後の請求項１に係る発明は、溶媒としてエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒を用いることにより、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率が５０％を超える結果を得ているといえる。
　これは、三フッ化ホウ素との反応では、溶媒としてエーテル系溶媒を用いた場合と比較して、エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒を用いた場合には、優れた結果が得られるという効果を示すものであり、このような効果は予測し得るものではない。
　そのため、刊行物２及び４の記載を以てしても、溶媒としてエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒を用いて、収率を５０％を超えるようにすることは容易にできることではないというべきである。
　してみれば、相違点１について検討するまでもなく、訂正後の請求項１に係る発明が刊行物１、２及び４に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　訂正後の請求項２に係る発明について：
　刊行物３には、リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを製造する方法の発明が記載されているといえる。
　訂正後の請求項２に係る発明と刊行物３記載のリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを製造する方法の発明（以下、刊行物３記載の発明という。）とを対比する。
　これらの発明は、式（Ｃ６Ｆ５）３Ｂ で表されるトリスペンタフルオロフェニルボランに対し、ペンタフルオロフェニル金属化合物を反応させ、式（Ｃ６Ｆ５）４ＢＭで表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を製造する方法の発明である点で軌を一にするものであるが、次の点で相違する。
１．訂正後の請求項２に係る発明がペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩として、式Ｃ６ＨＦ５で表されるペンタフルオロベンゼンに対して、一般式ＲＭ（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示し、Ｒは炭素数が１から１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される有機金属化合物を反応させることにより発生させたものを用いているのに対して、刊行物３記載の発明は、ペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩として、ペンタフルオロフェニルブロミドとブチルリチウムを反応させて得られたものを用いている点、
２．訂正後の請求項２に係る発明がトリスペンタフルオロフェニルボランにペンタフルオロフェニル金属化合物を反応させる際の溶媒としてエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒及び芳香族系炭化水素溶媒の混合溶媒を用い、反応後、加熱蒸留によりエーテル溶媒を除いているのに対して、刊行物３記載の発明は、トリスペンタフルオロフェニルボロンにペンタフルオロフェニルリチウムを反応させる際の溶媒としてエーテルとヘキサン及びペンタンの混合溶媒を用いている点、
３．訂正後の請求項２に係る発明がテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率が９０％を超えることを規定しているのに対して、刊行物３記載の発明は、リチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの収率が４３％であることしか示していない点、
　ここでは、相違点２及び３について検討する。　刊行物２及び４には、ペンタフルオロフェニル金属化合物を合成することは記載されているが、トリスペンタフルオロフェニルボランとペンタフルオロフェニル金属化合物とを反応させることは記載されていない。
　そのため、刊行物２及び４の記載を以てしても、
エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒及び芳香族系炭化水素溶媒の混合溶媒を用いて、反応後、加熱蒸留によりエーテル溶媒を除いて、収率を９０％を超えるようにすることは容易にできることではないというべきである。
　してみれば、相違点１について検討するまでもなく、訂正後の請求項２に係る発明が刊行物２、３及び４に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　従って、訂正後の請求項１及び２に係る発明は、出願の際独立して特許を受けることができるものであり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１２６条第４項に規定する要件を満たすものである。
〔結び〕
　以上のとおりであるから、本件訂正を認める。
［３］特許異議の申立についての判断
〔申立の理由の概要〕
　特許異議申立人は甲第１号証〜甲第４号証（刊行物１〜４）を提出し、訂正前の請求項１〜２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許された旨の主張をしている。
〔判断〕
　しかしながら、訂正後の請求項１〜２に係る発明は、前記独立特許要件の判断の項に示したとおり、刊行物１〜４記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることができない。
〔結び〕
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張および挙証によっては本件の請求項１〜２に係る発明（訂正後の請求項１〜２に係る発明）の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１〜２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月６日（２０００．３．６）
【訂正の要旨】
１．特許請求の範囲を、特許請求の範囲の減縮を目的として、次のとおりに訂正する。
　【請求項１】次の式［Ｉ］
　　　　　Ｃ６ＨＦ５　　　　　　　　　　［Ｉ］
で表されるペンタフルオロベンゼン１当量に対して、０．５〜１．５当量の一般式［ＩＩ］
　　　　　ＲＭ　　　　　　　　　　　［ＩＩ］
（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示し、Ｒは炭素数が１から１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される有機金属化合物をエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で−１２０〜８０℃で反応させることにより、次の一般式［ＩＩＩ］
　　　　　Ｃ６Ｆ５Ｍ　　　　　　　　　　　［ＩＩＩ］
（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示す。）で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて次の一般式［ＩＶ］
　　　　　ＢＸ３　　　　　　　　　　［ＩＶ］
［式中、Ｘはハロゲンあるいは次の一般式［Ｖ］
　　　　　ＯＲ　　　　　　　　　　　　［Ｖ］
（式中、Ｒは炭素数が１〜１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される置換基かあるいは次の一般式［ＶＩ］
　　　　　ＮＲＲ′　　　　　　　　　［ＶＩ］
（式中、Ｒ及びＲ′は同一のあるいは相異なる水素あるいは炭素数が１〜２０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良く、Ｒ及びＲ′がそれぞれ結合して環を形成していても良い。）で表される置換基を示し、エーテル系溶媒との１対１の錯体を形成していても良い。］で表されるホウ素化合物を１当量に対し、３．７当量以上の式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニル金属化合物を反応させ次の一般式［ＶＩＩ］
　　　　　（Ｃ６Ｆ５）４ＢＭ　　　　　　［ＶＩＩ］
（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示す。）で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を５０％を超える高収率で製造する方法。
　【請求項２】請求項１記載の方法と同様にして式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて次の式［ＶＩＩＩ］
　　　　　（Ｃ６Ｆ５）３Ｂ　　　　　　　　［ＶＩＩＩ］
で表されるトリスペンタフルオロフェニルボラン１当量に対し、０．８当量以上の式［ＩＩＩ］て表されるペンタフルオロフェニル金属化合物をエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒及び芳香族系炭化水素溶媒の混合溶媒中−１００〜０℃で反応させた後、加熱蒸留によりエーテル溶媒を除き式［ＶＩＩ］
　　　　　（Ｃ６Ｆ５）４ＢＭ　　　　　　［ＶＩＩ］
で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を９０％を超える高収率で製造する方法。
２．段落【０００６】の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、次のとおりに訂正する。「即ち本発明の要旨とするところは式［Ｉ］で表されるペンタフルオロベンゼン１当量に対して、０．５〜１．５当量の式［ＩＩ］で表される有機金属化合物をエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で−１２０〜８０℃で反応させることにより、式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて式［ＩＶ］で表されるホウ素化合物を１当量に対し、３．７当量以上の式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニル金属化合物を反応させ式［ＶＩＩ］で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を５０％を超える高収率で製造する方法あるいは式［Ｉ］で表されるペンタフルオロベンゼン１当量に対して０．５〜１．５当量の式［ＩＩ］で表される有機金属化合物をエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で−１２０〜８０℃で反応させることにより、式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて式［ＶＩＩＩ］で表されるトリスペンタフルオロフェニルボラン１当量に対し、０．８当量以上の式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニル金属化合物をエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒および芳香族系炭化水素溶媒の混合溶媒中−１００〜０℃で反応させた後、加熱蒸留によりエーテル溶媒を除き式［ＶＩＩ］で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を９０％を超える超高収率で製造する方法に関する。」
（５４）【発明の名称】
ペンタフルオロベンゼンより調製したペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を用いたテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　次の式［Ｉ］
　　　　　　　　　Ｃ６ＨＦ５　　　　　　　　　　　　［Ｉ］
で表されるペンタフルオロペンゼン１当量に対して、０．５〜１．５当量の一般式［ＩＩ］
　　　　　　　　　ＲＭ　　　　　　　　　　　　　　［ＩＩ］
（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示し、Ｒは炭素数が１から１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される有機金属化合物を
エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒
　　　　　　　　　Ｃ６Ｆ５Ｍ　　　　　　　　　［ＩＩＩ］
（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示す。）で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて次の一般式［ＩＶ］
　　　　　　　　　ＢＸ３　　　　　　　　　　　［ＩＶ］
［式中、Ｘはハロゲンあるいは次の一般式［Ｖ］
　　　　　　　　　ＯＲ　　　　　　　　　　　　　　［Ｖ］
（式中、Ｒは炭素数が１〜１０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。）で表される置換基かあるいは次の一般式［ＶＩ］
　　　　　　　　　ＮＲＲ′　　　　　　　　　　　　　［ＶＩ］
（式中、Ｒ及びＲ′は同一のあるいは相異なる水素あるいは炭素数が１〜２０の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良く、Ｒ及びＲ′がそれぞれ結合して環を形成していても良い。）で表される置換基を示し、エーテル系溶媒との１対１の錯体を形成していても良い。］で表されるホウ素化合物を１当量に対し、３．７当量以上の式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニル金属化合物を反応させ次の一般式［ＶＩＩ］
　　　　　　　　　（Ｃ６Ｆ５）４ＢＭ　　　　　　　　［ＶＩＩ］
（式中、Ｍはアルカリ金属イオンを示す。）で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を
５０％を超える高収率で
　　【請求項２】　請求項１記載の方法と同様にして式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させて次の式［ＶＩＩＩ］
　　　　　　　　　（Ｃ６Ｆ５）３Ｂ　　　　　　　［ＶＩＩＩ］
で表されるトリスペンタフルオロフェニルボラン１当量に対し、　０．８当量以上の式［ＩＩＩ］て表されるペンタフルオロフェニル金属化合物を
エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒及び芳香族系炭化水素溶媒の混合溶媒中一１００〜０℃で
た後、加熱蒸留によりエーテル溶媒を除き
　　　　　　　　　（Ｃ６Ｆ５）４ＢＭ　　　　　　　　［ＶＩＩ］
で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を
９０％を超える高収率で
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明はペンタフルオロベンゼンを用いたテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の新規な製造方法に関する。
　本発明で得られるホウ素誘導体はカチオン錯体重合の助触媒の中間体として極めて有用な物質である。
　　　【０００２】
　　【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
　近年、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体とシクロペンタジエニル遷移金属錯体いわゆるメタロセン誘導体を使用してカチオン錯体を発生させ、これを触媒とした重合反応の研究の学術文献あるいは特許が著しく増えている。例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｒａｐｉｄ　Ｃｏｍｍｕｎ．，　
２
　　　【０００３】
　その方法は臭化ペンタフルオロベンゼンをブチルリチウム等の有機金属化合物を用いて臭素−金属交換反応をさせペンタフルオロフェニルリチウムを発生させホウ素源の出発原料として三塩化ホウ素あるいは三フッ化ホウ素等と反応させ直接合成するかペンタフルオロブロモベンゼンをマグネシウムと反応させ臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウム等のグリニャール反応剤を発生させ同じくホウ素源の出発原料として三塩化ホウ素あるいは三フッ化ホウ素等と反応させることによりトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランを合成した後さらにべンタフルオロフェニルリチウムと反応させることによりテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の製造を行なっていた（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ　Ｃｈｅｍ．，
２
　　　【０００４】
　臭化ペンタフルオロベンゼンはペンタフルオロベンゼンを臭素化することによって得られるが、ペンタフルオロベンゼンから直接テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体が製造できれば製造工程を１工程削減することができるので入手も容易となりかつ出発原料の価格も下がる。またペンタフルオロベンゼンを出発原料としてペンタフルオロフェニルリチウムあるいは臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウムを発生させて反応させる文献は既に発表されているが（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１６６（１９５９）、Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　Ｆｌｕｏｒｏｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ　ｐ．１４１、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，
２９，
３１
　　　【０００５】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは上記の状況に鑑み、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の製造に出発物質として臭化ペンタフルオロベンゼンが使用されていたものをペンタフルオロペンゼンに変更することにより、ペンタフルオロベンゼンの臭素化工程を削除することにより比較的高価な臭化ペンタフルオロベンゼンを出発原料として用いずに合成する方法を種々検討することによって本発明に到達した。
　　　【０００６】
　即ち本発明の要旨とするところは式［Ｉ］で表されるペンタフルオロペンゼン１当量に対して、０．５〜１．５当量の式［ＩＩ］で表される有機金属化合物を
エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒
５０％を超える高収率で
エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒
エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒および芳香族系炭化水素溶媒の混合溶媒中−１００〜０℃で
た後、加熱蒸留によりエーテル溶媒を除き
９０％を超える超高収率で
　　　【０００７】
　　【作用】
　以下に本発明を具体的に説明する。
　本発明でいうエーテル系溶媒とはジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、ジ−２−メトキシエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサン等を示す。
　　　【０００８】
　次に、本発明でいう炭化水素系溶媒とはペンタン、イソペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ｎ−パラフィンあるいは石油エーテル等の飽和炭化水素とベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，２，５−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、エチルベンゼン、プロピルベンゼンあるいはブチルベンゼン等の芳香族系炭化水素とこれらの混合物を示す。
　　　【０００９】
　次に、この発明でいう式［ＩＩ］の中で反応に影響を及ぼさない官能基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、プロペニル基、２−イソプロペニル基、アリル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−イソペンチル基、ヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−イソヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、２−ジメチルアミノエチル基、ｏ−アニス基、ｍ−アニス基、ｐ−アニス基、トリメチルシリルメチル基等を示し、式［ＩＩ］で表される有機金属化合物の例としてメチルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム、イソプロピルリチウム、ブチルリチウム、イソブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ペンチルリチウム、イソペンチルリチウム、ｓｅｃ−ペンチルリチウム、ｔｅｒｔ−ペンチルリチウム、ｓｅｃ−イソペンチルリチウム、ヘキシルリチウム、イソヘキシルリチウム、ｓｅｃ−ヘキシルリチウム、シクロヘキシルリチウム、フェニルリチウム、ｏ−トリルリチウム、ｍ−トリルリチウム、ｐ−トリルリチウム、トルメチルシリルリチウム、フェニルナトリウム、ｏ−トリルナトリウム、ｍ−トリルナトリウム、ｐ−トリルナトリウム、ブチルリチウム／カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドあるいはブチルリチウム／ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等があり、望ましくは、塩基性が強く、反応に影響を及ぼしにくいイソプロピルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ペンチルリチウム、ｔｅｒｔ−ペンチルリチウム、ｓｅｃ−イソペンチルリチウム、ｓｅｃ−ヘキシルリチウムあるいはシクロヘキシルリチウム等である。
　　　【００１０】
　次にこの発明でいう式［Ｖ］で表されるホウ素化合物の例として、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、三ヨウ化ホウ素、トリメチルホウ酸、トリエチルホウ酸、トリプロピルホウ酸、トリイソプロピルホウ酸、トリブチルホウ酸、トリメチレンボレート、トリス（ジメチルアミノ）ホウ素、トリス（ジエチルアミノ）ホウ素、トリピロリジノホウ素、トリピペリジノホウ素あるいはトリモルホリノホウ素等が挙げられる。更に三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、三フッ化ホウ素ジブチルエーテル錯体、三フッ化ホウ素ジメチルスルフィド錯体、三塩化ホウ素ジエチルエーテル錯体あるいは三塩化ホウ素ジブチルエーテル錯体等の錯体もこの範疇に入る。
　　　【００１１】
　製造の具体的な方法として以下順次説明する。
　式［Ｉ］で表されるペンタフルオロベンゼンをエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒あるいはこれらの混合溶媒に溶解する。この溶液にペンタフルオロベンゼン１当量に対して０．５〜１．５当量の式［ＩＩ］で表される有機金属化合物を−１２０〜８０℃の範囲で反応させる。
　　　【００１２】
　この反応では式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を発生させる際に、式［Ｉ］で表されるペンタフルオロベンゼンより式［ＩＩ］で表される有機金属化合物が少なすぎると未反応のペンタフルオロベンゼンが大量に残ってしまい、過剰に使用すると生成する式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニル金属塩のフッ素ともハロゲン−金属交換反応する恐れがあるため０．８〜１．２０当量の式［ＩＩ］で表される有機金属化合物を使用するのが望ましく、反応温度は−８０℃より低すぎると反応の進行が極めて遅く、０℃より高すぎると副反応の進行が極めて速くなりいずれの場合も収率が非常に低くなる。そのため−８０〜０℃の範囲で反応させるのが望ましい。反応混合物は、同温度で５分から１２０分間反応させることにより式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を調製する。
　　　【００１３】
　ここで生成する式［ＩＩＩ］で表されるペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩は、Ｃ６Ｆ５Ｌｉ、Ｃ６Ｆ５、Ｎａ、Ｃ６Ｆ５Ｋである。
　　　【００１４】
　ペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩の使用量は、式［ＩＶ］で表されるホウ素化合物を反応に用いる場合理論量としては４当量であるがここに示した３．７当量未満の場合テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレード誘導体の収率の低下が顕著なため３．７当量以上の使用が望ましい。
　　　【００１５】
　また、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランをホウ素化合物として反応に用いる場合理論量としては１当量であるがここに示した０．７当量未満の場合テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の収率の低下が顕著なため０．７当量以上の使用が望ましい。
　　　【００１６】
　ペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩とホウ素化合物の混合温度は−１００℃より低い温度では反応の進行が極めて遅くなるためこれ以上の温度が望ましく、０℃より高すぎると副反応の進行が極めて速くなりいずれの場合も収率が非常に低くなるためこれ以下の温度が望ましい。
　　　【００１７】
　また、反応温度は−１００℃より低いと反応の進行が極めて遅く０℃より高いと未反応のペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩が分解するため−１００〜０℃で反応させるのが望ましい。
　　　【００１８】
　　【発明の効果】
　【発明の効果】
　本発明は、カチオン錯体重合触媒を調製する際の助触媒の重要な中間体であるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を臭化ペンタフルオロベンゼンでなくより安価なペンタフルオロベンゼンよりペンタフルオロフェニルアルカリ金属塩を経てテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体を高収率で製造する方法を提供できる点で発明の効果は甚大である。
　　　【００１９】
　　【実施例】
　以下実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが本発明はその要旨を越えないがきり、以下の実施例により何等の限定も受けるものでなはい。
　　　【００２０】
　反応の収率は、ペンタフルオロトルエンを内部標準物質として生成したテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート誘導体の量を１９Ｆ−ＮＭＲによって定量するかあるいは塩化Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムあるいは塩化トリブチルアンモニウムによって対陽イオン交換してＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムあるいはトリブチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートに誘導した後、結晶の乾燥重量を基に算出し、ペンタフルオロトルエンを内部標準物質として１９Ｆ−ＮＭＲによって純度を測定した。
　　　【００２１】
（実施例１）
　１００ｍｌのガラス製三ツ口フラスコに、５０ｍｌガラス製滴下ロート、温度抵抗体及びセプタムラバーを装着し、系内を十分窒素置換する。フラスコ内にペンタフルオロベンゼン５９（２９．８ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル３０ｍｌを装入し溶液を−６５℃に冷却する。
　その後、滴下ロートに装入した１６．１ｗｔ％のｔｅｒｔ−ブチルリチウムのペンタン溶液（１２．３ｇ，２９．８ｍｍｏｌ）を内温が−５５℃を越えないようにしながら滴下する。滴下終了後−６５〜−５５℃で攪拌しペンタフルオロフェニルリチウムを調製する。
　調製したペンタフルオロフェニルリチウムの溶液に−６５〜−５５℃で１ｍｏｌ／Ｌの三塩化ホウ素のヘキサン溶液（７．４５ｍＬ，７．４５ｍｍｏｌ）を加え、同温度で３０分攪拌した後室温まで昇温し反応混合物よりジエチルエーテルを蒸留して除去し有機層を２０ｍＬの水で３回水洗する。水層を合わせた後、水層にホウ素源に対し１．１当量の塩化Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムの水溶液を反応させると白色結晶が析出する。得られた結晶を濾過・水洗した後に真空乾燥することによりＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを収率９２．３％で得た。１Ｈ及び１９Ｆ−ＮＭＲでペンタフルオロトルエンを内部標準物質として純度を測定したところ９８ｗｔ％以上だった。
　　　【００２２】
（実施例２）
　ペンタフルオロベンゼン（４．４０ｇ，２６．２ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（５０ｍｌ）の溶液に２０ｗｔ％のｔｅｒｔ−ブチルリチウム／ペンタン溶液（７．９８ｇ，２５．０ｍｍｏｌ）を反応液の温度を−５５〜−６５℃に保ちながら滴下し、滴下終了後反応液の温度を−２５〜−５０℃に保ちながら約０．５時間攪拌する。その後、２０．０ｗｔ％のトリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン／トルエン溶液（６３．８ｇ，２５．０ｍｍｏｌ）を反応液の温度を−２５〜−４０℃に保ちながら混合し同温度で３０分攪拌した後室温まで昇温し得られたリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの溶液よりジエチルエーテルを蒸留して除去し有機層を２０ｍＬの水で３回水洗する。水層を合わせた後、水層にホウ素源に対し１．１当量の塩化Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムの水溶液を反応させると白色結晶が析出する。得られた結晶を濾過・水洗した後に真空乾燥することによりＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを収率９７．３％で得た。１Ｈ及び１９Ｆ−ＮＭＲでペンタフルオロトルエンを内部標準物質として純度を測定したところ９８ｗｔ％以上だった。
　　　【００２３】
（実施例３）
　ペンタフルオロペンゼン（４．４０ｇ，２６．２ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（５０ｍｌ）の溶液に２０ｗｔ％のｓｅｃ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（７．９８ｇ，２５．０ｍｍｏｌ）を反応液の温度を−５５〜−６５℃に保ちながら滴下し、滴下終了後反応液の温度を−２５〜−５０℃に保ちながら約０．５時間攪拌する。その後、２０．０ｗｔ％のトリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン／トルエン溶液（６３．８ｇ，２５．０ｍｍｏｌ）を反応液の温度を−２５〜−４０℃に保ちながら混合し同温度で３０分攪拌した後室温まで昇温し得られたリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの溶液よりジエチルエーテルを蒸留して除去し有機層を２０ｍＬの水で３回水洗する。水層を合わせた後、水層にホウ素源に対し１．１当量の塩化Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムの水溶液を反応させると白色結晶が析出する。得られた結晶を濾過・水洗した後に真空乾燥することによりＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを収率９６．１％で得た。１Ｈ及び１９Ｆ−ＮＭＲでペンタフルオロトルエンを内部標準物質として用いて純度を測定したところ９８ｗｔ％以上であった。
　　　【００２４】
（実施例４）
　１００ｍｌのガラス製三ツ口フラスコに、５０ｍｌガラス製滴下ロート、温度抵抗体及びセプタムラバーを装着し、系内を十分窒素置換する。フラスコ内にペンタフルオロベンゼン５ｇ（２９．８ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル３０ｍｌを装入し溶液を−６５℃に冷却する。
　その後、滴下ロートに装入した１６．１ｗｔ％のｔｅｒｔ−ブチルリチウムのぺンタン溶液（１２．３ｇ，２９．８ｍｍｏｌ）の内温が−５５℃を越えないようにしながら滴下する。滴下終了後−６５〜−５５℃で攪拌しペンタフルオロフェニルリチウムを調製する。
　調製したペンタフルオロフェニルリチウムの溶液に−６５〜−５５℃で１ｍｏｌ／Ｌの三塩化ホウ素のヘキサン溶液（７．４５ｍＬ，７．４５ｍｍｏｌ）を加え、同温度で３０分攪拌した後室温まで昇温し副生した塩化リチウムを濾過した後、得られたリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの溶液を１９Ｆ−ＮＭＲでペンタフルオロトルェンを内部標準物質として定量した収率は９４．３％であった。
　　　【００２５】
（実施例５）
　ペンタフルオロベンゼン（１５．８ｇ，１００．０ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（１００ｍｌ）の溶液を−４０℃に冷却後、２５ｗｔ％のｔｅｒｔ−ブチルリチウム／ペンタン溶液（２２．５ｇ，８８．０ｍｍｏｌ）を加えて−３０〜−４０℃で２２時間攪拌する。その後、１．０ｍｏｌ／Ｌの三塩化ホウ素／ヘキサン溶液（２１．０ｍｌ，２１．０ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え２時間かけて室温に昇温する。得られたリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの溶液よりジエチルエーテルを蒸留して除去し有機層を３０ｍＬの水で３回水洗する。水層を合わせた後、水層にホウ素源に対し１．１当量の塩化トリブチルアンモニウムの水溶液を反応させると白色結晶が析出する。得られた結晶を濾過・水洗した後に真空乾燥することによりトリブチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを収率９５．２％で得た。１Ｈ及び１９Ｆ−ＮＭＲでペンタフルオロトルエンを内部標準物質として用いて純度を測定しところ９８ｗｔ％以上であった。
　　　【００２６】
（実施例６）
　ペンタフルオロベンゼン（１４．８ｇ，８８．０ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（１００ｍｌ）の溶液を−４０℃に冷却後、２０ｗｔ％のブチルリチウム／ヘキサン溶液（２８．１ｇ，８７．７ｍｍｏｌ）を加えて−３０〜−４０℃で１０時間攪拌する。その後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２．８４ｇ，２０．０ｍｏｌ）を−４０℃で加え２時間かけて室温に昇温する。室温で一晩攪拌後トルエン（２００ｍｌ）を加えた後、ジエチルエーテル及びヘキサンを加熱留去後更にトルエンも投入した量の約３０％を回収する程度に加熱留去する。沈殿したフッ化リチウムを濾過した後にトルエンを濃縮乾固するとリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートが収率５１％で得られた。
　　　【００２７】
（実施例７）
　ペンタフルオロベンゼン（１４．８ｇ，８８．０ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（１００ｍｌ）の溶液を−４０℃に冷却後、２４ｗｔ％のｔｅｒｔ−ブチルリチウム／ペンタン溶液（２３．４ｇ，８７．７ｍｍｏｌ）を加えて−３０〜−４０℃で１０時間攪拌する。その後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２．８４ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え２時間かけて室温に昇温する。室温で一晩攪拌後トルエン（２００ｍｌ）を加えて、ジエチルエーテル及びヘキサンを加熱留去後更にトルエンも投入した量の約３０％を回収する程度に加熱留去する。沈殿したフッ化リチウムを濾過した後にトルエンを濃縮乾固するとリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートが収率６８％で得られた。
　　　【００２８】
（実施例８）
　ペンタフルオロペンゼン（１５．１ｇ，９０．０ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（１００ｍｌ）の溶液を−４０℃に冷却後、２０ｗｔ％のｓｅｃ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（２８．２ｇ，８８．０ｍｍｏｌ）を加えて−３０〜−４０℃で１０時間攪拌する。その後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２．８４ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え２時間かけて室温に昇温する。室温で一晩攪拌後トルエン（２００ｍｌ）を加えて、ジエチルエーテル及びヘキサンを加熱留去後更にトルエンも投入した量の約３０％を回収する程度に加熱留去する。沈殿したフッ化リチウムを濾過した後にトルエンを濃縮乾固するとリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートが収率６５％で得られた。
　　　【００２９】
（実施例９）
　ペンタフルオロベンゼン（１４．８ｇ，８８．０ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（１００ｍｌ）の溶液を−４０℃に冷却後、１５ｗｔ％のブチルナトリウム／ヘキサン溶液（４７．０ｇ，　８８．０ｍｍｏｌ）を加えて−３０〜−４０℃で１時間攪拌する。その後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２．８４ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え２時間かけて室温に昇温する。得られたナトリウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの溶液よりジエチルエーテルを蒸留して除去し有機層２０ｍしの水で３回水洗する。水層を合わせた後、水層にホウ素源に対し１．１当量の塩化Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムの水溶液を反応させると白色結晶が析出する。得られた結晶を濾過・水洗した後に真空乾燥することによりＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを収率８６．１％で得た。ｌＨ及び１９Ｆ−ＮＭＲでペンタフルオロトルエンを内部標準物質として用いて純度を測定したところ９８ｗｔ％以上であった。
　　　【００３０】
（実施例１０）
　ペンタフルオロベンゼン（１６．８ｇ，１００．０ｍｍｏｌ）とジブチルエーテル（１００ｍｌ）の溶液を−４０℃に冷却後、２０ｗｔ％のｓｅｃ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（２８．２ｇ，８８０ｍｍｏｌ）を加えて−３０〜−４０℃で２時間攪拌する。その後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２．８４ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え２時間かけて室温に昇温する。室温で一晩攪拌後オクタン（２００ｍｌ）を加えて、ジエチルエーテル及びヘキサンを加熱留去後更にオクタンも投入した量の約３０％を回収する程度に加熱留去する。沈殿したフッ化リチウムを濾過した後にオクタンを濃縮乾固するとリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートが収率６７．３％で得られた。
　　　【００３１】
（実施例１１）
　ペンタフルオロベンゼン（１４．８ｇ，８８．０ｍｍｏｌ）とジイソプロピルエーテル（１００ｍｌ）の溶液を−４０℃に冷却後、１８ｗｔ％のｓｅｃ−ブチルリチウム／へキサン溶液（３１．３ｇ，８８．０ｍｍｏｌ）を加えて−３０℃から−４０℃で０．５時間攪拌する。その後、１ｍｏｌ／Ｌの三塩化ホウ素／ヘキサン溶液（２０ｍＬ，２０．０ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え２時間かけて室温に昇温する。得られたリチウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートの溶液よりジイソプロピルエーテルを蒸留して除去し有機層を２０ｍＬの水で３回水洗する。水層を合わせた後、水層にホウ素源に対し１．１当量の塩化Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムの水溶液を反応させると白色結晶が析出する。得られた結晶を濾過・水洗した後に真空乾燥することによりＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを収率９５．１％で得た。１Ｈ及び１９Ｆ−ＮＭＲでペンタフルオロトルェンを内部標準物質として用いて純度を測定したところ９８ｗｔ％以上であった。
　　　【００３２】
（実施例１２）
　ペンタフルオロベンゼン（１４．８ｇ，８８．０ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル（１００ｍｌ）の溶液を−４０℃に冷却後、１５ｗｔ％のｔｅｒｔ−ブチルリチウム／ペンタン溶液を加えて−３０〜−４０℃で３０時間攪拌する。その後、トリメチルホウ酸（２．０８ｇ，２０．０ｍｍｏｌ）を−４０℃で加え２時間かけて室温に昇温する。室温で一晩攪拌後オクタン（２００ｍｌ）加えた後、ジエチルエーテルを蒸留して除去し有機層を２０ｍＬの水で３回水洗する。水層を合わせた後、水層にホウ素源に対し１．１当量の塩化Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムの水溶液を反応させると白色結晶が析出する。得られた結晶を濾過・水洗した後に真空乾燥することによりＮ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを収率８３．２％で得た。１Ｈ及び１９Ｆ−ＮＭＲでペンタフルオロトルエンを内部標準物質として用いて純度を測定したところ９８ｗｔ％以上であった。