【事件の表示】
　特許第２９２２６７２号「半導体装置の製法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９２２６７２号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９２２６７２号の発明についての出願は、平成３年５月８日に特許出願され、平成１１年４月３０日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人小野尚純より特許異議の申立てがなされたものである。
　　
２．本件発明
　特許第２９２２６７２号の発明は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子をトランスフアー成形により樹脂封止して半導体装置を製造する方法であつて、上記エポキシ樹脂組成物として下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含み、下記の（Ｃ）成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の７０〜８５重量％に設定されているエポキシ樹脂組成物を用い、かつエポキシ樹脂組成物による樹脂封止時に、後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法。
（Ａ）下記の一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂。
【化１】
（Ｂ）下記の一般式（２）で表されるフエノールアラルキル樹脂。
【化２】
（Ｃ）無機質充填剤。」（以下「本件発明１」という。）
　「【請求項２】　エポキシ樹脂組成物が、トランスフアー成形温度におけるゲル化時間が１０〜４０秒である請求項１記載の半導体装置の製法。」（以下「本件発明２」という。）
　なお、以下では、一般式（１）で表される結晶性エポキシ樹脂及び一般式（２）で表されるフェノールアラルキル樹脂を、それぞれ、「（１）式のエポキシ樹脂」及び「（２）式のフェノールアラルキル樹脂」という。
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人小野尚純（以下「申立人」という。）は、
　甲第１号証：特開平１−２７５６２０号公報、
　甲第２号証：特開平２−３０５４５５号公報、
　甲第３号証：特開昭６３−２５１４１９号公報、
　甲第４号証：特開昭５３−２９９号公報、
　甲第５号証：特開昭５９−６７６６０号公報、
　甲第６号証：特開昭６３−２３８１２９号公報、
　甲第７号証：特開平２−２１８７３５号公報、
　甲第８号証：「プラスチック加工技術便覧」日刊工業新聞社（昭和６２年発行）新版１０刷、第１０２〜１０３頁、
　甲第９号証：特願平３−９７６１９号の願書に最初に添付された明細書又は図面（特開平４−３２５５１７号公報参照。以下「先願明細書」という。）
の各証拠を提示して、下記の理由１ないし理由２により、本件発明１及び２の特許は取り消されるべきである旨を主張している。
　　
［理由１］
　本件発明１は、甲第２号証に記載された発明であるか、甲第１ないし７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、また、本件発明２は、甲第２号証に記載された発明であるか、甲第１ないし８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本件発明１及び２に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号または同条第２項の規定により特許を受けることができない発明に対してされたものであり、取り消されるべきものである。（なお、甲第１ないし８号証は、いずれも、本出願前に頒布された刊行物である。）
　　
［理由２］
　本件発明１及び２は、本件出願の日前の出願であって、その出願後に出願公開された甲第９号証である先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本件発明の発明者がかかる先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、本件発明１及び２に係る特許は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない発明に対してされたものであって、取り消されるべきものである。
　
４．甲各号証の記載内容
［甲第１号証］
　この刊行物には、「耐半田ストレス性、耐湿性、ヒートサイクル性に優れ、かつ低応力である半導体等の電子部品の封止用エポキシ樹脂組成物」（第１頁右下欄第３〜６行）に関し、「エポキシ樹脂として（１）式のエポキシ樹脂、硬化剤としてフェノール樹脂例えばフェノールノボラック樹脂、及び無機充填剤として例えば溶融シリカ粉末を含む樹脂組成物を、低圧トランスファー成形で成形して成形品を得る」こと（主に、特許請求の範囲、第３頁右下欄第３行〜第４頁左上欄第５行）が、実質的に記載されている。
　なお、無機充填剤の含有量の範囲は明記されていないが、実施例では、組成物全体に対する無機充填剤の含有率は、「約６４．３重量％」と算出される。
　　
［甲第２号証］
　この刊行物には、「耐湿信頼性、耐熱信頼性、耐衝撃信頼性を低下させることなく、内部応力特性に優れた半導体装置を得るための封止用エポキシ樹脂組成物」（第２頁左下欄第６〜１０行）に関し、
　「エポキシ樹脂として（１）式のエポキシ樹脂、硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂、及び無機充填剤を組成物全体の３０〜９０％の含有量で含む樹脂組成物を、トランスファー成形でモールドして半導体装置を得る」こと（主に、特許請求の範囲（１）、第２頁右下欄第１６行〜第３頁左上欄下から第８行、第３頁右上欄第１１行〜左下欄第１行、第４頁左上欄第９行〜右上欄第３行、第６頁第２表、第６頁左下欄第１〜１０行）
が、実質的に記載されている。
　　
［甲第３号証］〜［甲第７号証］
　甲第３号証の特許請求の範囲、第３頁右上欄第１３行〜左下欄第９行、
　甲第４号証の特許請求の範囲、
　甲第５号証の特許請求の範囲、第３頁左下欄第１行〜下から第８行、
　甲第６号証の特許請求の範囲、第１頁右下欄下から第１１〜４行、
　甲第７号証の特許請求の範囲、第１頁右下欄第１７〜１８行、第３頁左下欄第１６行〜末行
の各記載からみて、これらの刊行物には、いずれも、「エポキシ樹脂系の半導体封止用樹脂組成物において、（２）式のフェノールアラルキル樹脂を硬化剤として用いる」ことが開示されているものと認められる。
　　
［甲第８号証］
　この刊行物には、トランスファ成形技術に関して、「筆者の経験では、成形品の構造やとくに埋込み金具の寸法形状に応じて射出所要時間が１０〜２５秒になるように射出圧力を選ぶのが望ましい」（第１０２頁下から第９〜５行）ことが記載されている。
　　
［甲第９号証］
　この先願明細書には、「半田付け工程で生じるパッケージクラックの問題を解消する、半田耐熱性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物」（第３頁の段落番号【０００８】）に関し、「エポキシ樹脂として（１）式のエポキシ樹脂、硬化剤として（２）式のフェノールアラルキル樹脂を含み、さらに、無機充填剤として破砕状溶融シリカと球状溶融シリカとを含む無機充填剤を全体の７５〜９０重量％を含む樹脂組成物を、低圧トランスファー成形機を用いて１７５℃×１２０秒の条件で成形し、１７５℃で１２時間硬化して成形品を得る」こと（主に、特許請求の範囲、第８頁〜９頁の段落番号【００５７】〜【００５８】）が、実質的に記載されている。
　
５．［理由１］についての対比・検討
　イ−ｉ）まず、本件発明１が、甲第２号証に記載されたものかどうかを検討する。
　本件発明１を甲第２号証に記載された発明（以下「２号証発明」という。）と対比すると、両発明は以下の点で相違する。
　硬化剤として、本件発明１が「（２）式のフェノールアラルキル樹脂」を用いるのに対し、２号証発明は「ノボラック型フェノール樹脂」を用いる点。（以下「相違点Ａ」という。）
　
　イ−ii）この相違点Ａについて、申立人は、「２号証発明のノボラック型フェノール樹脂は、（２）式のフェノールアラルキル樹脂の上位概念に属するもので、しかも、甲第３〜７号証によれば、上記（２）式のフェノールアラルキル樹脂はエポキシ樹脂用硬化剤として周知であるから、２号証発明のノボラック型フェノール樹脂硬化剤の範疇には（２）式のフェノールアラルキル樹脂が包含され、両発明は実質的に同一である」旨を主張する。
　　
　イ−iii）しかしながら、一般的なノボラック型フェノール樹脂は、原料芳香族化合物として主に「フェノール類」を用いるものであって、原料芳香族化合物としてフェノール類の他に「アラルキル化合物」等をも用いるものについては、一般的なノボラック型フェノール樹脂とは区別して「フェノールアラルキル樹脂」等と特記するのが通常である。（例えば、申立人の提示した甲第５号証の第３頁左下欄〜右下欄の記載を参照されたい。）
　また、甲第２号証にも、ノボラック型フェノール樹脂の範疇に（２）式のフェノールアラルキル樹脂が当然に包含されると解釈できるような記載はない。
　　
　イ−iv）してみれば、甲第２号証における「ノボラック型フェノール樹脂」の記載をもって、「（２）式のフェノールアラルキル樹脂が記載されているに等しい」と認めることはできず、両発明は実質的に同一であるという申立人の主張は採用できない。
　　　
　ロ−ｉ）次に、本件発明１が、甲第１ないし７号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に想起しうるものかどうかについて検討する。
　本件発明１は、エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子をトランスファー成形により樹脂封止して半導体装置を製造する方法において、「硬化剤として、（２）式のフェノールアラルキル樹脂を用いること」及び「後硬化工程を省略すること」をいずれも必須構成要件とするものである。
　
　ロ−ii）これに対して、甲第１及び２号証には、後硬化工程を省略することが記載されているものの、「（２）式のフェノールアラルキル樹脂を用いる」構成が記載されていない。
　一方、甲第３〜７号証には、（２）式のフェノールアラルキル樹脂を硬化剤として用いることが記載されているものの、「後硬化工程を省略する」構成が記載されていない。
　そして、各号証のいずれにも、甲第１及び２号証に記載された「後硬化工程を省略する」構成と、甲第３〜７号証に記載された「（２）式のフェノールアラルキル樹脂を用いる」構成とを組み合わせるべき動機付けとなるような記載は見あたらない。
　まして、上記両構成の組み合わせによって、得られた成形品の曲げ強度、耐湿性及び耐半田クラック性が向上することは、各号証の記載からは全く予測できないものである。　
　　
　ロ−iii）してみれば、本件発明１を甲第１〜７号証の記載から当業者が容易に想起できたとすることはできない。
　　
　ハ−ｉ）本件発明２は、本件発明１の構成要件を全て備えた上でさらなる構成要件が付加されたものであるから、本件発明１について述べた理由と同じ理由で、甲第２号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
　ハ−ii）甲第８号証には、トランスファ成形についての一般的な技術が開示されているだけで、本件発明２の必須構成要件である「（２）式のフェノールアラルキル樹脂を用いる」構成及び「後硬化工程を省略する」構成について全く記載も示唆もない。
　してみれば、甲第１〜７号証にさらに甲第８号証を加味しても、本件発明１について述べた理由と同様な理由で、本件発明２を、甲第１〜８号証に記載された発明から容易に想到できた発明であるとすることはできない。
　　
　ニ）したがって、［理由１］によっては、本件発明１及び２の特許を取り消すべきものとすることはできない。　　
　
６．［理由２］についての対比・検討
　イ）本件発明１を甲第９号証である先願明細書に記載された発明（以下「先願発明」という。）と対比すると、両発明は以下の点で相違する。
　本件発明１が、トランスファー成形後の後硬化工程を省略するのに対し、先願発明は、トランスファー成形後に１７５℃×１２０秒の後硬化工程を設けている点。（以下「相違点Ｂ」という。）
　
　ロ）本件特許明細書の段落番号【００４０】〜【００４５】の記載に基づいて、実施例１〜５の結果（【表３】）と比較例１〜５の結果（【表４】）とを比較してみると、本件発明１では、この相違点Ｂによって、「曲げ強度、耐湿性及び耐半田クラック性の向上」という予測し得ない効果を奏し得ていることは明らかである。
　
　ハ）申立人は、上記効果について「水の沸点をはるかに越える１７５℃で５時間の後硬化工程を行った方が吸水率が高くなるとは、常識的に信じがたい」旨指摘するが、予測を越えた上記結果が、実験的に求められた具体的なデータであるからには、「このデータには信憑性がない」とする根拠は存在しない。
　
　ニ）さらに、申立人は、「先願発明は、後硬化工程を経由する前の段階では、本件発明１と同一である」旨をも指摘する。
　しかしながら、先願発明における封止工程は、あくまでも、「トランスファー成形及び引き続いての後硬化」からなるものであり、トランスファー成形だけで封止工程を終了する認識はない。
　一方、本件発明１は、トランスファー成形だけで封止工程を終了するものであり、しかも、「後硬化工程」を積極的に排除している。
　つまり、両発明における「封止工程」には、明らかに構成上の差異が認められる。
　そして、構成の一部が同一であるとしても、全体として構成が一致しないときは、二つの発明は同一ということはできないから、申立人の上記指摘は採用できない。
　
　ホ）また、本件発明２は、本件発明１の構成要件を全て備えた上でさらなる構成要件が付加されたものであるから、本件発明１について述べた理由と同じ理由で、先願発明と同一であるとは認められない。
　
　ヘ）したがって、［理由２］によっては、本件発明１及び２の特許を取り消すべきものとすることはできない。　　
　　
７．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１及び２の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月１７日（２０００．４．１７）