【事件の表示】
　特許第２８８１１４７号「バンプ付基板の検査装置、検査方法及びバンプ付基板の製造方法」の請求項１、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８８１１４７号の請求項１、６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．出願の経緯・本件発明
　本件特許第２８８１１４７号の出願は、平成１０年３月３１日に出願したものであって、平成１１年１月２９日に設定登録され、その後、その特許について特許異議申立人小塚浩より請求項１及び請求項６に係る特許について特許異議の申立てがなされたものである。
　そしてその請求項１及び請求項６に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板本体上に、頂面がほぼ平坦な形状の複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置であって、
前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に検査光を照射する光源と、
前記検査面からの前記検査光に基づく反射光を受光する受光部と、
前記検査光を前記検査面内にて二次元的に走査する光走査手段と、
前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報を生成する高さ情報生成手段と、
前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位置における反射光輝度情報を生成する反射光輝度情報生成手段と、
その生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面内における各バンプの頂面の存在領域（以下、バンプ頂面存在領域という）を特定するバンプ頂面領域特定手段と、
そのバンプ頂面存在領域の寸法又は面積に関する情報（以下、バンプ頂面大きさ情報という）を生成するバンプ頂面大きさ情報生成手段と、前記バンプ頂面存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて、対応するバンプの高さに関する情報（以下、バンプ高さ情報という）を生成するバンプ高さ情報生成手段と、それらバンプ頂面大きさ情報とバンプ高さ情報とに基づいて、前記対応するバンプの体積に関する情報（以下、バンプ体積情報という）を生成するバンプ体積情報生成手段とを有し、少なくともそのバンプ体積情報を含んだ検査情報を生成する検査情報生成手段と、
その生成した検査情報を出力する検査情報出力手段と、
を備えたことを特徴とするバンプ付基板の検査装置。」（以下、「本件発明１」という。）
「【請求項６】基板本体上に、頂面がほぼ平坦な形状の複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査方法であって、
前記バンプ付基板の、少なくとも前記複数のバンプの配列された領域を検査面として、該検査面に前記検査光を照射するとともに、前記検査面からの前記検査光に基づく反射光を受光部にて受光しつつ、その検査光を前記検査面内にて二次元的に走査し、
そのときの受光部の検知出力に基づいて、前記検査面内の各位置の高さに関する情報を生成し、
他方、前記受光部の検知出力に基づいて、前記検査面上の各位置における前記反射光の輝度情報を生成し、
その生成された反射光輝度情報に基づき、前記検査面内における各バンプの頂面の存在領域（以下、バンプ頂面存在領域という）を特定し、
そのバンプ頂面存在領域の寸法又は面積と、前記バンプ頂面存在領域内の各位置の高さ情報に基づいて生成される対応するバンプの高さに関する情報（以下、バンプ高さ情報という）とを用いて、前記対応するバンプの体積に関する情報（以下、バンプ体積情報という）を少なくとも含んだ検査情報を生成することを特徴とするバンプ付基板の検査方法。」（以下、「本件発明６」という。）
　
２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人小塚浩は、下記甲第１，２号証及び参考資料１，２を提出し、本件発明１及び６は、甲第１号証に甲第２号証を組み合わせることによって、必要であれば、参考資料１を参酌した甲第１号証に甲第２号証を組み合わせることによって、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張している。
　　　　　記
甲第１号証：特開平６−１６７３２２号公報
甲第２号証：特開平７−　１４８４２号公報
参考資料１：特開平９−１９６６２５号公報
参考資料２：特開平５−１５７５２９号公報
　
３．異議申立人が提出した甲各号証記載の発明
　甲第１号証（特開平６−１６７３２２号公報）には、次のことが図面とともに記載されている。
「【産業上の利用分野】
本発明は、基板上に形成されたバンプ電極の形状を検査する立体電極外観検査装置に関する。」（【０００１】）
「【作用】上記のように、バンプ高さの検査にあたっては、光走査手段によりスポット光で基板全面を光走査することにより、バンプを含む基板上の全面の高さデータを入力し、バンプ電極頂点の高さと基板面との高さとからバンプ高さを算出するとともに、光走査手段による照射タイミングより位置補正してバンプの高さの検査を行う。
【００２８】すなわち、光走査手段によるスポット光がバンプ頂点付近に照射されたときのバンプ頂点の高さと、基板の高さとの差よりバンプ電極の高さの検査を行なうものである。」（【００２７】〜【００２８】）、
「一方、バンプ電極の寸法、表面光沢の検査にあっては第１の照明手段の同軸落射照明でバンプ電極の寸法を検査し、第２の照明手段のドーム状照明によってバンプ電極部分の明るさの階調値より表面光沢を検査する。」（【００３２】）、
「【実施例】図１に、本発明の第１実施例の構成図を示す。図１は、立体電極外観検査装置としてのバンプ外観検査装置４１の高さ検知系を示したものである。なお、検査対象については図１８と同一の符号を付す。
【００３５】図１において、バンプ電極１２が二次元配列で形成された基板であるＬＳＩチップ１１が１軸ステージ４２上に載置され、矢印方向に移動される。
【００３６】ＬＳＩチップ１１の上方には、光源として半導体レーザ光源４３が配設され、半導体レーザ光源４３から出射されたレーザ光がコリメータレンズ４４を介してポリゴンミラー４５に入射する。ポリゴンミラー４５が回転することによりｆ・θレンズ４６には振られたレーザ光が入射し、光路変更ミラー４７によりＬＳＩチップ１１上に、レーザ走査光が照射される。なお、４８はホトダイオードであり、ポリゴンミラー４５のポリゴン面を検出するものである。これらポリゴンミラー４５、ｆ・θレンズ４６、光路変更ミラー４７及びホトダイオード４８により光走査手段を構成する。
【００３７】一方、光路変更ミラー４７によりＬＳＩチップ１１上照射されたレーザ走査光の正反射位置に対向して結像レンズ４９が配置され、その光路上に光検出器としてＰＳＤ（Position Sensitiue Detector）５０が配置される。この結像レンズ４９及びＰＳＤ５０により検知手段を構成する。また、ＰＳＤ５０からの検知信号は高さ検査手段５１に送出される。
【００３８】高さ検査手段５１は、ＰＳＤ５０の検知信号よりバンプ電極の高さを算出すると共に、ポリゴンミラー４５による照射タイミングより位置補正を行うものである（図２において詳述する）。
【００３９】ところで、主走査を光走査とし、副走査を１軸ステージ４２の１軸移動とした場合、副走査の１ピッチは主走査ライン分の時間であることから低速でもよいが１、主走査は高速に行われなければならない。また、ＰＳＤ５０の電極長さＬは、光走査幅Ｗに結像レンズ４９の倍率Ｍを乗じた以上となるように設定される（Ｌ≧Ｍ・Ｗ）。
【００４０】ここで、図２に図１の処理を説明するためのブロック図を示し、図３に、図１の高さ検査の原理を説明するための図を示す。なお、図２は高さ検査手段５１の処理ブロック図である。
【００４１】図２及び図３において、ＰＳＤ電極Ａ，Ｂの電流値をそれぞれＩＡ，ＩＢとすると、高さ演算回路５２でＰＳＤ５０上に結像された位置Ｌが出力される。高さ演算回路５２では、入力したＩＡ，ＩＢを電流−電圧変換して、ｖＡ，ｖＢとし、プリアンプで増幅してそれぞれＶＡ，ＶＢとする。それぞれの電圧値は、差，和をとり（ＶＡ−ＶＢ），（ＶＡ＋ＶＢ）とすると、高さｈ＝（ＶＡ−ＶＢ）／（ＶＡ＋ＶＢ）を算出し、出力する。
【００４２】一方、ホトダイオード４８の出力から、クロック発生回路５３により、ライン・クロックとドット・クロックが生成される。そして、高さ補正回路５４では、バンプの高さｈと補正位置ｂを求める。
【００４３】図３に示すように、高さｈをｆ（ｘ＋ｂ，ｙ）の関数とした場合、ｈ＝ｆ（ｘ＋ｂ，ｙ）＝Ｌ・ｓｉｎθ／ｓｉｎαで表わされ、補正位置ｂはｂ＝Ｌ・ｃｏｓθ／ｓｉｎαで表わされる。なお、α＝１８０°−２θである。
【００４４】そして、高さ補正回路５４では、ラインクロック、ドットクロックより補正したアドレス（バンプ電極１２の頂点付近のアドレス）とバンプ高さｈを高さデータメモリ５５に格納する。
【００４５】これをＬＳＩチップ１１上の全ラインについて行い、高さデータメモリ５５に格納されたデータに基づいて、バンプ高さ検査回路５６において総てのバンプ電極１２の各高さが一致しているか否かを求めるものである。
【００４６】次に、図４に、本発明の寸法、表面光沢計測の構成図を示す。図４は、バンプ外観検査装置４１における寸法、表面光沢計測のための光学系を示したものである。
【００４７】図４において、バンプ電極１２が二次元配列で形成されたＬＳＩチップ１１の上方に、ハロゲンランプ６１及びハーフミラー６２により構成された同軸落射照明の第１の照明手段６３が配置されると共に、ハロゲンランプ６４、光ファイバ束６５及びドーム状投光部６６ａより構成されたドーム状照明の第２の照明手段６７が配置される。
【００４８】この場合、同軸落射照明の光軸と、ドーム状投光部６６ａの中心及び後述する結像レンズ６８の光軸は同一直線上に設けられる。
【００４９】また、ハーフミラー６２の上方には結像レンズ６８が配置され、その上方に、移動手段である１軸ステージ６９に搭載された撮像手段であるラインセンサ７０が配置される。そして、ラインセンサ７０の検出信号は、寸法・光沢検査手段７１に送出される。この寸法・光沢検査手段７１は、第１の照明手段６３による撮像データに基づいてバンプ電極１２の寸法を検査し、第２の照明手段６７による撮像データに基づいて表面光沢を検査する。なお、１軸ステージ６９及びラインセンサ７０に代えてＣＣＤが二次元配列されたＣＣＤカメラを用いてもよい。この場合、バンプ電極１２はその表面が比較的光拡散性の高いものが使用される。まず、寸法検査においては、第１の照明手段６３のみを使用する。同軸落射照明によるライン状のバンプ電極１２からの反射光がハーフミラー６２及び結像レンズ６８を介してラインセンサ７０により撮像される。ラインセンサ７０は１軸ステージ６９により移動されて、ＬＳＩチップ１１の全ラインの総てのバンプ電極１２が撮像される。【００５０】この場合、バンプ電極１２は球状のために反射光が結像レンズ６８に殆ど入射せず、ＬＳＩチップ１１の表面が明るく、バンプ電極１２部分が暗いシルエット像として撮像される。
【００５１】寸法・光沢検査手段７１では、撮像データよりバンプ電極１２部分を２値化し、２値化データより当該バンプ電極１２の径が求められる。径が求められると重心が求められ、これによりバンプ電極１２の大きさが求められる。そして、前述の高さｈと大きさにより各バンプ電極１２の体積（寸法）が求められるものである。
【００５２】一方、表面光沢検査においては、第２の照明手段６７のみを使用してドーム状照明を行う。ドーム状照明による反射光は、上述と同様にハーフミラー６２及び結像レンズ６８を介してラインセンサ７０により、全領域で撮像される。そして、寸法・光沢検査手段７１では、撮像データよりバンプ電極１２部分の明るさの階調値における平均値、総和、標準偏差の少くともいずれかの統計量、又は最大値及び半値幅と、良品の基準値とを比較することにより、表面光沢の良否を検査するものである。
【００５３】また、図５に、図４の他の構成図を示す。図５は、バンプ電極１２の表面の鏡面度が高い場合であり、図４のドーム状投光部６６ａに代えて、リング状投光部６６ｂとしたもので、他は図４と同様である。
【００５４】そこで、図６に、図５の光沢計測を説明するための図を示す。図６（Ａ）において、バンプ電極１２の表面の鏡面度が高い場合、撮像画像は、暗部１２Ａの中のドーナツ状の明部１２Ｂが表われる。これを明るさの階調値でプロファイルすると、光沢度があるものについては図６（Ｂ）のグラフに示すように、幅Ｗ１の明るさＢ１として示される。また、表面酸化等で光沢度のないものについては図６（Ｃ）のグラフに示すように、幅Ｗ２の明るさＢ２として示される。
【００５５】すなわち、幅Ｗと明るさＢとが基準値を越えた場合には良品とし、基準値以下の場合は欠陥とする検査を行うものである。」（【００３４】〜【００５５】）、
「次に、図９に、第１実施例の他の実施例の構成図を示す。図９は、第１実施例における図２に示すバンプ高さ検査回路５６に、新たに明るさ演算回路８２，明るさメモリ８３，マスク処理部８４を設けたものである。
【００６５】図９において、ＰＳＤ５０からの出力信号より明るさ演算回路８２で各バンプ１電極１２の明るさデータが求められて明るさメモリ８３に格納され、この明るさデータがマスク処理部８４に送られる。マスク処理部８４は、収縮処理回路８５及び膨脹処理回路８６により各バンプ電極１２の明るさデータを加工し、これにより頂点検出回路８７において当該バンプ電極１２の頂点を検出する。そして、頂点検出データをマスクメモリ８８に格納し、これをバンプ高さ検査回路５６に送る。バンプ高さ検査回路５６は、高さデータメモリ５５からの高さデータを、マスクメモリ８８からの頂点検出データによりマスキングして、バンプ電極１２の頂点付近だけの高さを検査するものである。
【００６６】ここで、図１０に、図９の検査原理の説明図を示す。図１０（Ａ）に示すように、バンプ電極１２が形成されたＬＳＩチップ１１に照明光を照射し、その反射光がＰＳＤ５０で受光されると、その出力信号ＶＡ，ＶＢより明るさ演算回路８２において、前述のように（ＶＡ＋ＶＢ）から明るさデータが得られる。この明るさデータが図１０（Ｂ）に示される。
【００６７】また、高さデータメモリ５５には、前述のように（ＶＡ−ＶＢ）／（ＶＡ＋ＶＢ）で得られた高さを補正位置ｂで補正した高さデータｈとアドレスが格納され、この場合の高さデータが図１０（Ｃ）に示される。
【００６８】すなわち、図１０（Ｂ）の明るさデータから頂点検出データを作成し、これを図１０（Ｃ）の高さデータにマスキングしてバンプ電極１２の頂点付近だけの高さ情報を得るものである。
【００６９】そこで、図１１及び図１２に、図９の動作説明図を示す。まず、明るさ演算回路８２で求められ、明るさメモリ８３に格納された明るさデータ（図１１（Ａ））は、マスク処理部８４の収縮処理回路８５に画像データとして送られる。
【００７０】収縮処理回路８５では、明るさデータの画像を画像処理により明るさを全面的に暗くさせつつ収縮させ（図１１（Ｂ））、さらに頂点部分の明るさが平坦にな１るまで収縮させる（図１１（Ｃ））。そして、頂点部分の明るさが平坦になった画像データが膨脹処理回路８６に送られる。
【００７１】膨脹処理回路８６では、逆に、頂点部分の明るさが平坦になった画像データを前面的に明るくさせつつ膨脹させ（図１１（Ｄ））、バンプ電極１２の外側が当初の明るさデータ（図１１（Ａ））と同じになるまで膨脹させる（図１１（Ｅ））。この明るさデータ（図１１（Ｅ））が頂点検出回路８７に送られる。
【００７２】頂点検出回路８７では、図１２において、図１１（Ａ）の明るさデータと、図１１（Ｅ）の明るさデータから、バンプ電極１２の頂点部分のみの明るさデータを取り出し（図１２（Ｆ））、所定の明るさしきい値ＴＨで２値化する。２値化された明るさデータは、図１２（Ｇ）に示すように、バンプ電極１２の頂点付近での値が「１」となり、他の値が「０」となる。この２値化データ（図１２（Ｇ））がマスクメモリ８８に頂点検出データとして格納される。マスクメモリ８８はこの頂点検出データをバンプ高さ検査回路５６に送る。
【００７３】バンプ高さ検査回路５６では、マスクメモリ８８からの頂点検出データと、高さデータメモリ５５から送られた高さデータ（図１２（Ｇ））とを比較し、２値化データが「０」である位置に高さデータを「０」とすることにより、バンプ電極１２の頂点部分だけの高さ情報を得る（図１２（Ｉ））。
【００７４】このように、ＰＳＤ５０から得た明るさ情報に基づいて、バンプ電極１２の頂点付近を限定することにより、多重反射等の影響を除外することができ、高精度に高さ計測を行うことができるものである。
【００７５】上記実施例は、図７及び図８の適用例に適用てきることは勿論である。」（【００６４】〜【００７５】）
　
　甲第２号証（特開平７−１４８４２公報）には、次のことが図面とともに記載されている。
「【産業上の利用分野】
本発明は一基板上に多数個分散配設されるバンプ（バンプ電極）の体積の分布を、所定の幅に管理するためのバンプの検査方法及び該バンプの検査方法を含む半導体装置の製造方法に関する。」（【０００１】）、「【作用】以下に本発明の原理を説明する。図１は本発明の原理説明図で、（ａ）〜（ｃ）は各工程の模式図である。
【０００８】バンプの体積を直接図ることは非常に難しい。そこで本発明においては、図１（ａ）に示すように、バンプ２の配設されている基板である例えば半導体チップ１上に上記半導体チップ１に平行な平板即ち平行板３を配置し、図１（ｂ）に示すように、前記平行板３によりバンプ２上を半導体チップ１に垂直な力４によって押圧し、バンプ２の高さｈ′を強制的に一定の高さに揃えてしまう。その際、下地の半導体チップ１にダメージを与えないように、基板加熱５によりバンプ２を融点近い温度に加熱しバンプを軟らかくしてやることがバンプ材質の種類によっては望ましい。
【０００９】このように高さを一定にすることにより、３次元的な体積の相違は、２次元的な平面積の相違に精度良く置き換えられる。従ってこのバンプ平面積を顕微鏡等を用い光学的に測定することによりバンプ体積の分布を高精度で知ることが可能になる。
【００１０】また本発明の方法においては、上記潰されたバンプの平面積の測定を、図１（ｃ）に示すように、バンプの真上からの光学的観察像を画像処理で２値化してバンプ２の部分１０２とその他の部分１０１とを区別し、バンプの部分２の画素数を計数する方法を用いて、容易且つ高速にできるようにした。
【００１１】以上により本発明によれば、基板上に分散配設される複数のバンプの体積の分布を容易に精度良く管理することが可能になる。従って、バンプを有するチップ構造の半導体装置の製造工程に上記バンプの検査方法を含めた本発明の半導体装置の製造方法を適用することにより、バンプを介し半導体チップが高密度に実装されるＬＳＩ等の製造歩留りや信頼性の向上が図れる。
【００１２】【実施例】以下本発明のバンプの検査方法を、図２に示す工程説明図を参照し、一実施例について具体的に説明する。また、本発明の半導体装置の製造方法を図３及び図２の工程説明図を参照し具体的に説明する。
【００１３】図２（ａ）参照
本発明の方法により、例えば半導体基板（チップ）１１上に、直径１００μｍ、高さ５０μｍ程度の設計寸法を有する複数個のＰｂ−５ｗｔ％Ｓｎ合金バンプ１２Ａ、１２Ｂ等が配設された試料１７を、例えば〔窒素（Ｎ２）＋水素（Ｈ２）〕からなる非酸化性雰囲気が維持されている処理室１６内に挿入する。なお、この処理室１６の試料配置部上には、試料基板即ち半導体基板の上面に平行な平面状の押圧用ガラス板１３が上下動可能に設けられ、処理室１６の例えば天井部には試料加熱用の赤外線ランプ１５が配設されている。
【００１４】図２（ｂ）参照
次いで、上記赤外線ランプ１５により前記押圧用ガラス板１３を透してＰｂ−５ｗｔ％Ｓｎ合金バンプ１２を、その融点（約３００℃）未満の融点に近い温度の例えば２８０℃に加熱し、バンプ１２の可塑性を増した状態で、前記押圧用ガラス板１３を試料の半導体基板（チップ）１１面に平行に降下させて、総てのバンプ１２Ａ、１２Ｂ等に上部から押圧を加え、総てのバンプ１２Ａ、１２Ｂ等の高さが、例えばバンプ設計寸法の高さ（ｈ）の１／２の２５μｍ程度の高さ（１／２ｈ）になるように押し潰す。
【００１５】ここで、押圧用の平行板は上記ガラス板に限られるものではなく、バンプ材料が付着しない材質で且つバンプ材料の付着しない表面状態を維持しているものであれば、金属でも絶縁物でも差支えない。
【００１６】図２（ｃ）参照
次いで、赤外線ランプ１５を切断しバンプ１２Ａ、１２Ｂ等の加熱を停止し、次いで前記押圧用ガラス板１３を上昇させ、バンプ１２Ａ、１２Ｂ等上から引き離した後、試料１７を処理室１６から取り出す。
【００１７】図２（ｄ）参照
次いで、この試料１７の表面を半導体基板１１に垂直な上部から顕微鏡を用いて観察し、この観察像を画像処理して２値化し、バンプ１２Ａ〜１２Ｆの部分１１２Ａ〜１１２Ｆとその他の基板１１の部分１１１とを区別させる。
【００１８】そして、各々のバンプ１２Ａ〜１２Ｆ等の画素数を個々に数え、各々のバンプ１２Ａ〜１２Ｆ等の体積を算出する。ここで、予めバンプ体積の管理値を所定の分布幅に決めておき、管理値から外れるバンプは不良バンプとして検出し、上記バンプを有する半導体チップの良否の判断がなされる。この実施例においては、バンプ体積が極度に小さくなっているバンプ１２Ｂが不良バンプとして容易に且つ精度良く判定される。」（【０００７】〜【００１８】）、
「【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、基板上に多数個分散配設されるバンプを一定の高さに押し潰すことにより、３次元的なバンプの体積の変動をそのまま２次元的なバンプの平面積の変動に置き換え、その平面積を測定することによって、個々のバンプの体積の変動を容易に且つ高精度に検出することが可能となる。また本発明によれば、上記平面積の測定をバンプの光学的観察像を２値化しその画素数を計数することにより高速で容易に且つ精度良く行うことができる。」（【００２６】）
　
　参考資料１（特開平９−１９６６２５号公報）には、ＩＣチップの各バンプ間の高さの差を検査するコプラナリィ検査装置が図面とと
もに記載されている。
　
　参考資料２（特開平５−１５７５２９号公報）には、はんだ付け外観検査等において、金属面等で生じるハレーション等の画像上における高輝度値領域や、似通った色を持つ領域を抽出するための画像処理方式が記載されている。
　
４．本件発明と特許異議申立人が提出した甲各号証記載の発明との対比・判断
＜本件発明１について＞
　本件発明１と異議申立人が提出した甲第１号証を対比すると、甲第１号証のものは、本件発明１において先行技術として引用しているものであって、一見類似の点を有しているように見える。
　しかしながら、以下（１）〜（３）の点から、本件発明１のものと、甲第１号証のものには、「基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査装置」との点を除き、適切に対応する事項を見いだすことができない。
（１）本件発明１は、「上記公報に開示された方法では、球状のバンプの体積は測定することはできても、頂面が平坦につぶれた形状（例えば円柱状、あるいは円錐台状のもの：以下、平バンプという）のバンプの場合は、その体積を正確に測定できない欠点がある。」（【０００５】）との従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、特許請求の範囲の記載からも明らかなように、「頂面がほぼ平坦な形状」のバンプであるが、甲第１号証のものは、「バンプ電極１２は球状」（【００５０】）のものであるから、本件発明と甲第１号証は、計測対象であるバンプの形状において相違する。
（２）本件発明１のものは、「ここで、バンプ３の表面は金属光沢を呈する一方、基板本体２の表面はプラスチック製である」（【００４２】）との記載に見られるように、バンプ３の表面が金属光沢を呈することを前提に検査を行うものであるのに対し、甲第１号証のものは、「１軸ステージ６９及びラインセンサ７０に代えてＣＣＤが二次元配列されたＣＣＤカメラを用いてもよい。この場合、バンプ電極１２はその表面が比較的光拡散性の高いものが使用される。」との記載に見られるように、比較的光拡散性の高いものが用いられている。また、甲第１号証には、「図４において、バンプ電極１２・・・の上方に、・・・同軸落射照明の第１の照明手段６３が配置されると共に、・・・ドーム状照明の第２の照明手段６７が配置される。」（【００４７】）と記載されているが、図４に示される同軸落射照明の第１の照明手段６３及びドーム状照明の第２の照明手段６７では、本件発明のような、「頂面がほぼ平坦な形状」でかつ「金属光沢を呈する」平バンプの寸法、表面光沢を適切に計測することができないことは明らかである。
（３）本件発明１のものが、受光部の検知出力に基づいて、高さ情報、反射光輝度情報を求め、該反射光輝度情報に基づきバンプ頂面領域を特定し、それらからバンプ体積情報を得ているのに対し、甲第１号証のものは、バンプ電極の高さの検査については、スポット光の光走査手段により行い、またバンプ電極の寸法については、第１の照明手段の同軸落射照明による撮像データに基づいて行い、さらに表面光沢については、第２の照明手段のドーム状照明による撮像データに基づいて検査するものであって、それぞれ異なる手段により異なるデータを得て、バンプ電極の体積を計算するものであって、データの取得手段が相違し、したがってデータの処理についても相違している。
　
　また、甲第２号証のものは、「基板上に多数個分散配設されるバンプを一定の高さに押し潰すことにより、３次元的なバンプの体積の変動をそのまま２次元的なバンプの平面積の変動に置き換え、その平面積を測定することによって、個々のバンプの体積の変動を容易に且つ高精度に検出する」ことを示すものであって、甲第１号証に記載される以外の事項を有するものではなく、また本件発明１を示唆するものでもない。
　なお異議申立人は参考資料１を提出しているが、該資料は単に「ＩＣチップの各バンプ間の高さの差を検査するコプラナリィ検査装置」を開示するものであって、本件発明の計測対象である「頂面がほぼ平坦な形状の複数のバンプ」を検査するものではなく、したがって本件発明１を示唆するものではない。
　さらに、異議申立人は「本件特許発明のように輝度除法からバンプの頂点を抽出する方法を開示するものとして・・・参考資料２）が指摘でき」と主張し、参考資料２を提出しているが、本件発明１は「輝度除法からバンプの頂点を抽出する方法」を特徴とするものではないばかりでなく、該資料は単に「はんだ付け外観検査等において、金属面等で生じるハレーション等の画像上における高輝度値領域や、似通った色を持つ領域を抽出するための画像処理方式」を開示するものにすぎないから、該参考資料２は本件発明１を示唆するものではない。
　したがって、特許異議申立人の参考資料１，２に関する主張は採用するに足らないものである。
　
＜本件発明６について＞
　本件発明６のものは、「バンプ付基板の検査方法」に関するものであるが、本件発明６のものと、甲第１号証のものが、「基板本体上に複数のバンプが二次元的に配列されたバンプ付基板の検査方法」との点を除き適切に対応する事項を見いだすことができないのは、上記＜本件発明１について＞で述べたと同様である。
　また、甲第２号証のものが、本件発明１を示唆するものではないこと、並びに、参考資料１及び２が本件発明６を示唆するものではないことも、上記＜本件発明１について＞で述べたと同様である。
　
そして、本件発明１及び６は、上記相違点の構成により明細書記載の格別の作用効果を奏するものである。
　
５．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１及び請求項６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１及び請求項６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月１日（２０００．８．１）