【事件の表示】
　特許第２８５９５９９号「光学的情報記録媒体」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８５９５９９号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
(１)手続の経緯
　
　本件特許第２８５９５９９号の請求項１〜４に係る発明は、原出願である特願昭６２−２１６４８０号（出願日昭和６２年９月１日）の分割出願として平成９年４月１日に特許出願され、平成１０年１２月４日に特許の設定登録がなされ、その後、岡部洋一より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、これに対して意見書及び訂正請求書が提出されたものである。
　
(２)訂正の適否についての判断
　
ア．訂正明細書の請求項１〜４に係る発明
　
　訂正明細書の請求項１〜に係る発明（以下、本件発明１〜４という）は、その特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　請求項１「照射される光ビームにより情報の記録、再生が可能な光情報記録媒体において、溝を有する基板上に密着形成され、前記光ビームの吸収により発熱し状態が変化する記録層を有し、前記溝が前記記録層の発熱により記録層に密着したまま変形し、再生用光ビームを照射したときの反射光量変化のうち、前記記録膜の状態変化による記録後の反射光量変化が記録前よりも減少し、かつ前記溝の変形後の反射光量変化も変形前より減少することを特徴とする光学的情報記録媒体。」
　請求項２「照射される光ビームにより情報の記録、再生が可能な光情報記録媒体において、溝を有する基板上に密着形成され、前記光ビームの吸収により発熱し状態が変化する記録層を有し、前記溝が前記記録層の発熱により記録層に密着したまま変形し、再生用光ビームを照射したときの反射光量変化のうち、前記記録膜の状態変化による記録後の反射光量変化が記録前よりも増加し、かつ前記溝の変形後の反射光量変化も変形前より増加することを特徴とする光学的情報記録媒体。」
　請求項３「前記溝は、幅及び深さ形状が変化することにより変形することを特徴とする請求項１又は２記載の光学的情報記録媒体。」
　請求項４「前記記録層は、相転移により状態が変化することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光学的情報記録媒体。」
　
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
　
  特許権者が求めている訂正の内容は次のＡ、Ｂのとおりである。
　Ａ、特許請求の範囲の請求項１〜４を、上記ア．で記載した請求項１〜４　　　とする訂正。
　Ｂ、請求項１〜４の訂正に伴い、明細書の項目【０００５】の記載を整合　　　させるための訂正。
　上記Ａの訂正は、実質的に、旧請求項１を削除し、旧請求項２に旧請求項３又は４の反射光量変化の増減に関する限定事項を加えて新請求項１、２とすると共に、新請求項１、２における溝又は記録層をさらに限定して新請求項３及び４としたものであって、特許請求の範囲の減縮に該当し、上記Ｂの訂正は、Ａの訂正に伴い、明細書の記載を整合させたものであって、明瞭でない記載の釈明に該当する。そして、上記Ａ、Ｂのいずれの訂正も、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
ウ．独立特許要件
　
（引用刊行物）
  本件発明１〜４に対して、当審が平成１２年２月９日付けで通知した取消理由において引用した引用例１（特開昭５７−６０５４３号公報）及び引用例２（特開昭５９−２２５９９３号公報）には、「基板上に密着形成された記録層を有し、レーザ光等の照射により基板と記録層とが密着したまま変形して記録が行われるタイプの光記録媒体」が記載されており、同引用例３（特開昭６２−１１４１３９号公報）には、「記録ピットの直径よりも十分小さい周期のメッシュ状凹凸を片面に有する基板上に密着形成された記録層を有し、レーザ光等の照射により基板と記録層とが密着したまま該メッシュ状凹凸が平坦化されて記録が行われるタイプの光記録媒体」が記載されている。
　　
（対比・判断）
　本件発明１〜４と引用例１〜３に記載の発明とを対比すると、引用例１〜３には、平坦な基板と記録層又はメッシュ状凹凸を有する基板と記録層とが密着したまま変形して記録が行われるタイプの光記録媒体は記載されているが、本件発明１〜４の必須の構成要件である「溝を有する基板上に記録層が密着形成され、溝の変形と記録層の状態変化とが共に起こって記録が行われる」という点については記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１〜４は、上記構成を採用することにより明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１〜４は、上記刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　
（第３６条違反について）
　特許法第３６条第３項違反についての取消理由は、上記新請求項各項が旧請求項３又は４の反射光量変化の増減に関する限定事項を規定するものとなったので解消した。
　
エ．むすび
　
　以上のとおりであって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するものであるから、当該訂正を認める。　　
　
(３)特許異議申立てについて
　
ア．申立ての理由の概要
　
　特許異議申立人岡部洋一は、甲第１〜３号証を提示して、本件発明１〜４は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから取り消されるべきである旨主張している。
　
イ．判断
　
　甲第１号証及び第３号証は、上記(２)ウ．における引用例１及び引用例３に該当する。
  また、異議申立人の提示出した甲第２号証（特開昭５８−１８９８５１号公報）には、「記録膜よりも低い熱変形温度を有する熱変形層を記録膜に接して設けた光情報記録媒体」が記載されているが、上記引用例１及び２と同様、本件発明１〜４の必須の構成要件である「溝を有する基板上に記録層が密着形成され、溝の変形と記録層の状態変化とが共に起こって記録が行われる」ことについては記載も示唆もされていない。
　したがって、本件発明１〜４は、上記(２)ウ．(対比・判断)に示したのと同様の理由により、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
ウ．むすび
　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１２日（２０００．６．１２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１〜４を次のとおりのものとする訂正
　請求項１「照射される光ビームにより情報の記録、再生が可能な光情報記録媒体において、溝を有する基板上に密着形成され、前記光ビームの吸収により発熱し状態が変化する記録層を有し、前記溝が前記記録層の発熱により記録層に密着したまま変形し、再生用光ビームを照射したときの反射光量変化のうち、前記記録膜の状態変化による記録後の反射光量変化が記録前よりも減少し、かつ前記溝の変形後の反射光量変化も変形前より減少することを特徴とする光学的情報記録媒体。」
　請求項２「照射される光ビームにより情報の記録、再生が可能な光情報記録媒体において、溝を有する基板上に密着形成され、前記光ビームの吸収により発熱し状態が変化する記録層を有し、前記溝が前記記録層の発熱により記録層に密着したまま変形し、再生用光ビームを照射したときの反射光量変化のうち、前記記録膜の状態変化による記録後の反射光量変化が記録前よりも増加し、かつ前記溝の変形後の反射光量変化も変形前より増加することを特徴とする光学的情報記録媒体。」
　請求項３「前記溝は、幅及び深さ形状が変化することにより変形することを特徴とする請求項１又は２記載の光学的情報記録媒体。」
　請求項４「前記記録層は、相転移により状態が変化することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光学的情報記録媒体。」
　（２）明瞭でない記載の釈明を目的として、上記（１）の訂正に伴い、明細書中の段落【０００５】の記載を整合させるための訂正。
（５４）【発明の名称】
光学的情報記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
１．照射される光ビームにより情報の記録、再生が可能な光学的情報記録媒体において、
　
溝を有する
　前記
溝
し、
　
再生用光ビームを照射したときの反射光量変化のうち、前記記録膜の状態変化による記録後の反射光量変化が記録前よりも減少し、かつ前記溝の変形後の反射光量変化も変形前よりも減少する
２．照射される光ビームにより情報の記録、再生が可能な光学的情報記録媒体において、
　溝を有する基板上に密着形成され、前記光ビームの吸収により発熱し状態が変化する記録層を有し、
　前記溝が前記記録層の発熱により記録層に密着したまま変形
し、
　
再生用光ビームを照射したときの反射光量変化のうち、前記記録膜の状態変化による記録後の反射光量変化が記録前よりも増加し、かつ前記溝の変形後の反射光量変化も変形前よりも増加する
３．
前記溝は、幅及び深さ形状が変化することにより変形することを特徴とする請求項１又は２記載の光学的情報記録媒体。
４．
前記記録層は、相転移により状態が変化することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光学的情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、基板上に記録膜を形成して成る情報記録媒体であって、光ビームを照射しで情報を記録し又は再生するのに用いる光学的情報記録媒体に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の光学的情報記録媒体に対する光学的情報記録方法としては、例えば、エス・ピー・アイ・イー，５２９巻，オプティカル・マス・データ・ストレイジ（１９８５年）第４０頁から第４４頁（ＳＰＩＥ，ＶｏＬ５２９，ＯｐｔｉｃａｌＭａｓｓ　Ｄａｔａ　Ｓｔｏｒａｇｅ（１９８５）Ｐ４０〜４４）に論じられているように、記録膜にレーザ光を照射して、発生する熱によって記録膜を変形させることにより情報を記録する方法がある。
　【０００３】
　即ち、記録膜としてＩｎＳｂＳｅ膜をアモルフアス（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）で形成し、これにレーザ光を照射して、レーザアニール（Ｉａｓｅｒ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ）することにより、このＩｎＳｂＳｅ膜が変形を起こし、この変形部分を記録ピットとする記録方法である。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記した従来技術は、記録膜の形状変化のみによる記録であるため、再生時におけるＣ／Ｎ（搬送波レベルとランダム雑音の実効値との比率）を、その記録膜により決定される値以上には高くすることができなかった。本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、再生時におけるＣ／Ｎを、記録膜により決定される値以上に高くすることが可能な光学的情報記録媒体を提供することにある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的達成のため、本発明では、照射される光ビームにより情報の記録、再生が可能な光学的情報記録媒体において、
溝を有する
溝
し、再生用光ビームを照射したときの反射光量変化のうち、前記記録膜の状態変化による記録後の反射光量変化が記録前よりも減少し、かつ前記溝の変形後の反射光量変化も変形前よりも減少
し、再生用光ビームを照射したときの反射光量変化のうち、前記記録膜の状態変化による記録後の反射光量変化が記録前よりも増加し、かつ前記溝の変形後の反射光量変化も変形前よりも増加
より優れた効果を得るためには、前記溝は、幅及び深さ形状が変化することにより変形するようにし、前記記録層は、相転移により状態が変化するようにする。
　【０００６】
　【作用】
　図３は、光ディスクに情報を記録または再生するピックアップを示すブロック図である。図３において、３はレーザ光、７は光ディスク（情報記録媒体）、８は対物レンズ、９は半導体レーザ、１０はフォトダイオード（デイテクタ）、１１はフォーカス制御系回路、１２はトラッキング制御系回路、１３は加算器、である。
　【０００７】
　図３において、記録時は、半導体レーザ９からレーザ光３が光ディスク７に照射され、光ディスク７に情報が記録される。また、再生時は、同じく半導体レーザ９からレーザ光３が光ディスク７に照射され、反射された光がフォトダイオード１０によって検出されて、その出力電圧が加算器１３によって加算される。従って、加算器１３の出力は、フォトダイオード１０に入射した反射光の光量に比例する。
　【０００８】
　以上の様にして、一般に、光ディスク７への情報の記録または再生が行われる。では、本発明による光学的情報記録媒体の生成にかかわる光学的情報記録方法について、詳細に説明する。
　【０００９】
　さて、今、光ディスク（光学的情報記録媒体）７として、図４に示す様に、溝（例えば、トラッキング案内溝など）１５を有する基板１上に記録膜２を形成して成る光ディスクを考える。尚、図４において、記録膜２を保護する保護膜等は省略してある。
　【００１０】
　この様な光ディスク７の溝１５にレーザ光３が照射された場合、その溝１５による反射光の回折比率は、ＤＧ／ＤＭと表される。ここで、ＤＧは、図４で実線で示した如く、レーザ光３が溝１５に照射した時の反射光量（即ち、前述したフォトダイオード１０に入射される光量）、ＤＭは、図４で一点鎖線で示した如く、レーザ光３がフラット面１７に照射した時の反射光量、である。この様な回折比率は、溝１５の形状によって決定され、その関係を測定してみると、図５に示す如くになる。
　【００１１】
　図５において、Ｗ，ｄはそれぞれ図４の符号と対応しており、即ち、Ｗは溝幅、ｄは溝深さである。尚、Ｐは溝のピッチである。図５に示す様に、溝１５の溝幅が広くなると回折比率は増加し、深くなると減少する。
　【００１２】
　さて、本発明による光学的情報記録媒体では、前述した様に、記録時にレーザ光の照射によって基板を変形させることが可能なものである。基板の変形としては以下に述べる２つが考えられる。
　【００１３】
　図１及び図２はそれぞれ本発明による光学的１青報記録媒体の生成にかかわる光学的情報記録方法を説明するための説明図である。これら図において、（ａ）は変形前の状態を示し、（ｂ）は変形後の状態を示す。即ち、第１の変形としては、図１（ａ）に示す様に、レーザ光３を基板１の溝１５に照射して、その照射で発生する熱によって溝１５を溶融させ、図１（ｂ）に示す如く変形させるのである。その結果、変形した溝１６は、溝幅が広くなり、溝深さも浅くなる。
　【００１４】
　従って、図５で説明したように、この基板１の変形、つまり溝の変形によって回折比率は増加する。回折比率が増加するということは、即ち、再生時において、この基板１の溝にレーザ光を照射させた時のフォトダイオード１０に入射される反射光量が増大することを意味する。
　【００１５】
　また、第２の変形としては、図２（ａ）に示す様に、レーザ光３を基板１のフラット面１７に照射して、その照射で発生する熱によってフラット面１７を溶融させ、フラット面１７を変形させて、図２（ｂ）に示す様なくぼみ１８を形成するのである。その結果、広い意味で、溝幅が狭くなり、溝深さも深くなったと言える。
　【００１６】
　従って、図５で説明したように、この基板１の変形、つまりフラット面の変形によって回折比率は減少する。回折比率が減少するということは、即ち、再生時において、この基板１の溝にレーザ光を照射させた時のフォトダイオード１０に入射される反射光量が減少することを意味する。
　【００１７】
　ところで、記録膜２への情報の記録は、一般に、記録膜２にレーザ光３を照射して、記録膜２の初期状態（ベース）の反射率よりも、その反射率を高く或いは低くすることによって行われる。尚、レーザ光３の照射によって反射率が変化した部分を、以下、記録ピット部と称す。
　【００１８】
　例えば、相転移型の記録膜の場合、結晶間の相転移，アモルフアスと結晶間の相転移等が一般的であるが、アモルフアスと結晶間の相転移を用いる場合は、記録・再生に用いる半導体レーザ９の波長が例えば８３０ｎｍである時、その反射率は、アモルフアスの反射率の方が結晶の反射率よりも低く設定していることが多い。そこで、以下、レーザ光３の照射により、初期状態の反射率よりも記録ピット部の反射率を低くする記録方法をアモルフアス記録、また、記録ピット部の反射率を高くする記録方法を結晶記録と呼ぶことにする。
　【００１９】
　さて、そこで、今、記録膜２として前述の相転移型の記録膜を用い、図１（ａ）に示した如く、レーザ光３を基板１の溝１５に照射して結晶記録により情報の記録を行う場合を考えて見る。
　【００２０】
　結晶記録を施す場合には、前述した如く、レーザ光３の照射により、記録膜２の記録ピット部の反射率は増加する。反射率が増加するということは、即ち、再生時において、この記録ピット部にレーザ光３を照射させた時のフォトダイオード１０に入射される反射光量が増大することを意味する。また、前述した様に、溝１５がレーザ光３により溶融されて変形すると、回折比率が増加する。
　【００２１】
　従って、基板１の溝変形による回折比率の増加と記録膜２の相転移による反射率の増加の双方の効果により、再生時において、その記録部分に再生用レーザ光を照射した時の、その反射光量は非常に増大することになり、その結果、情報の信号レベルが高くなる。即ち、この様に、基板１の変形と記録膜２の反射率変化とを同相で生じさせる、即ち、反射光量が共に増大する方向に変化させて記録することにより、記録膜２の反射率変化だけによって情報を記録した場合に比べて、より高い信号レベルが得られることになる。
　【００２２】
　さて、次に、記録膜２として前述の相転移型の記録膜を用い、図２（ａ）に示した如く、レーザ光３を基板１のフラット面１７に照射してアモルフアス記録により情報の記録を行う場合を考えて見る。アモルフアス記録を施す場合には、前述した如く、レーザ光３の照射により、記録膜２の記録ピット部の反射率は低下する。反射率が低下するということは、再生時において、この記録ピット部にレーザ光３を照射させた時のフォトダイオード１０に入射される反射光量が減少することを意味する。
　【００２３】
　また、基板１のフラット面１７にレーザ光３を照射した場合には、前述した様に、該フラット面１７はレーザ光３により溶融され変形し、回折比率が減少する。その結果、レーザ光３が散乱され、反射光量が低下する。
　【００２４】
　従って、記録膜２の相転移による反射率の低下と、基板１のフラット面変形による回折比率の減少の双方の効果により、再生時において、その記録部分に再生用レーザ光を照射した時の、その反射光量は非常に減少することになり、その結果、情報の信号レベルが高くなる。即ち、この様に、基板１の変形と記録膜２の反射率変化とを組み合わせ、反射光量が共に減少する方向に変化させて記録することにより、記録膜２の反射率変化だけによつで情報を記録した場合に比べて、より高い信号レベルが得られることになる。
　【００２５】
　【実施例】
　以下、本発明の第１の実施例について説明する。先ず、本実施例において用いられる光ディスクの構成について説明する。先ず最初、幅０．５μｍ，深さ７０ｎｍ，ピッチ１．６μｍのトラッキング用案内溝を持つ直径１３０ｃｍの円形をした射出成形ＰＣ（ポリカーボネート）基板上に、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｂｉ系記録膜を組成比３０：５１：１９で厚さ約１１０ｎｍ形成する。尚、この時の記録膜の状態はアモルフアス状態である。
　【００２６】
　次にこの記録膜上に、有機保護膜を形成して片面ディスクを構成する。そして、同様な構成をしたもうひとつの片面ディスクと、保護膜同士が互いに向い合うようにしてホットメルト系接着材により貼り合わせて、光ディスクを構成する。
　【００２７】
　次に、この様に構成された光ディスクを回転数１８００ｒｐｍで回転させ、ＮＡ（開口数）＝０．５の対物レンズを用い、記録周波数を３ＭＨｚとして、記録用レーザ光により、レーザパワを変化させながら、反射率の上昇する結晶記録を行った。そして、その後、再生用レーザ光によって信号を再生してＣ／Ｎを測定した。
　【００２８】
　この時の、記録用レーザ光のレーザパワとＣ／Ｎとの関係を図６において（１）として示す。図６に（１）として示す様に、本実施例では、Ｃ／Ｎがレーザパワ１０ｍＷで５４ｄＢと高い値となった。そこで、この時の光ディスクを分解して記録膜をＳＥＭ（電子走査型顕微鏡）で観察したところ、トラッキング案内溝が溶融変形していることを確認した。
　【００２９】
　本実施例は、記録によって反射光量が増大する組合せとして、トラッキング案内溝上への記録と結晶記録とを選定した例である。
　【００３０】
　次に、前述の第１の実施例と比較するための比較例について説明する。本比較例で用いられる光ディスクは、基板として、幅１．１μｍ，深さ７０ｎｍ，ピット１．６μｍのトラッキング用案内溝を持つ直径１３０ｃｍの円形をした射出成形ＰＣ基板を使用しており、その他の構成は前述の第１の実施例と同様である。
　【００３１】
　そして、この様にして構成された光ディスクを前述の第１の実施例と同様にして記録を行い、その後、再生してＣ／Ｎを測定した。この時の、記録用レーザ光のレーザパワとＣ／Ｎとの関係を図６において（２）として示す。
　【００３２】
　図６に（２）として示す様に、本比較例では、レーザパワ１０ｍＷでＣ／Ｎは４７ｄＢしか得られなかった。本比較例では、トラッキング案内溝の溝幅が１．１μｍと広いために、トラッキング案内溝上に記録したとしても、ほとんど基板のフラット面に記録するのと同等になってしまう。即ち、基板のフラット面への記録においては、前述した様に、基板の溶融変形により反射光量が低下するために、記録膜の反射率変化による反射光量の変化方向と基板変形による反射光量の変化方向とが一致せず、再生時における信号レベルが前述の第１の実施例よりも低下したものである。
　【００３３】
　次に、本発明の第２の実施例について説明する。先ず、本実施例において用いられる光ディスクの構成について説明する。図７は本発明の第２の実施例において用いられる光ディスクの基板表面を拡大して示した平面図である。
　【００３４】
　本実施例で用いられる光ディスクは、トラッキングを、ピットにより行う方式のものであり、図７において、１９がウォブルピット、２０がトラッキング中心のピット、２１がトラッキング中心、２２は情報記録エリアでフラットな面である。この方式は、トラッキングを、溝によらず、図７に示すピット１９により行うために、記録部はフラットな面となる。
　【００３５】
　図７に示した様なＰＣ基板上に、Ｓｂ４５Ｓｅ４５Ｂｉ１０の記録膜を厚さ約１１０ｎｍ形成する。尚、この時の記録膜の状態は、アモルフアス状態である。その後、前述した第１の実施例と同様な方法で光ディスクを構成する。次に、この様に構成され光ディスクを回転数１８００ｒｐｍで回転させ、ＮＡ＝０．５の対物レンズを用い、記録用レーザ光を、先ず１トラックに、レーザパワ３ｍＷで２秒間連続で照射し、結晶状態を得た。この時は、レーザパワが低いために基板の変形はほとんどなかった。
　【００３６】
　次に、記録周波数を３ＭＨｚとして、レーザパワを変えながら記録を行った。そして、その後、再生用レーザ光によって信号を再生してＣ／Ｎを測定した。この結果を図８に示す。
　【００３７】
　図８に示す様に、本実施例では、Ｃ／Ｎがレーザパワ１０ｍＷで５５ｄＢとなり、高Ｃ／Ｎが得られた。本実施例は、記録によって反射光量が低下する組合せとして、フラット面上への記録とアモルフアス記録とを選定することにより、高Ｃ／Ｎを得た例である。
　【００３８】
　【発明の効果】
　本発明にかかる光学的情報記録媒体では、レーザ光の照射により、記録膜の状態を変化する（例えば、記録膜の反射率が変化したり、或いは、記録膜の形状が変化したりする。）と共に、基板上の溝の幅及び深さ形状が変化し、しかも、反射光量の変化が同じ方向となるようして、情報が記録されるので、再生時におけるＣ／Ｎとしては、記録膜の状態変化のみによって記録した場合に比べて、より高いＣ／Ｎを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による光学的情報記録媒体の生成にかかわる光学的情報記録方法を説明するための説明図である。
　【図２】
　本発明による光学的情報記録媒体の生成にかかわる光学的情報記録方法を説明するための説明図である。
　【図３】
　光ディスクに情報を記録・再生するためのピックアップを示すブロック図である。
　【図４】
　回折比率の定義を説明するための説明図である。
　【図５】
　図４における基板の溝の形状と回折比率の関係を示した特性図である。
　【図６】
　本発明の第１の実施例における記録用レーザ光のレーザパワとＣ／Ｎとの関係を比較例と比較して示した特性図である。
　【図７】
　本発明の第２の実施例において用いられる光ディスクの基板表面を拡大して示した平面図である。
　【図８】
　本発明の第２の実施例における記録用レーザ光のレーザパワとＣ／Ｎとの関係を示した特性図である。
　【符号の説明】
　１…基板、２…記録膜、３…レーザ光、７…光ディスク、１０…フォトダイオード、１５…溝、１６…変形した溝、１７…フラット面、１８…くぼみ。