【事件の表示】
　特許第２８６５４９６号「マルチチップモジュ−ル」の請求項１〜３に係る発明についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８６５４９６号の請求項１〜３に係る発明についての特許を取り消す。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２８６５４９６号（平成４年８月２４日出願、平成１０年１２月１８日設定登録。）は、特許異議申立人日本電気株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１２年３月２７日に訂正請求がなされ、さらに訂正拒絶理由が通知されたものである。
　
［２］訂正の適否
　上記訂正請求は、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。
　これに対して、当審は、平成１２年６月２０日付けで、「本件訂正発明１、２は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は認められない。」旨の訂正拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは何らの応答もない。
　そして、上記訂正拒絶理由は妥当なものと認められる。
　したがって、上記訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第３項に適合しないので、当該訂正は認められない。
　
［３］本件発明
　本件発明１〜３は、特許明細書の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】ＬＳＩチップ端子の接続用電極パッドと外部回路接続用の入出力端子とをそれぞれ同一面上に領域を分けて配設された多層セラミック配線基板と、前記配線基板上にベアチップ状態で搭載されると共にボンディングワイヤで前記電極パッドに接続された複数個のＬＳＩチップと、前記基板に封止材を介して前記各ＬＳＩチップ全体を気密封止するキャップと、前記ＬＳＩチップ搭載面とは反対側の基板面に熱的に接続、配設されたヒートシンクとを有して成るマルチチップモジュール。
【請求項２】上記ＬＳＩチップが搭載された直下の配線基板に、サーマルビアをその断面方向に設けて成る請求項１記載のマルチチップモジュール。
【請求項３】上記ヒートシンクと配線基板の接着面及びキャップと配線基板の接着面は、それぞれ互いにメタライズ層を有しており、配線基板への接続は同材質の半田で構成して成る請求項１もしくは２記載のマルチチップモジュール。」
　
［４］引用刊行物の記載事項
　先の取消理由通知において引用した引用刊行物１の特開昭６０−２５４７５７号公報には、セラミック配線基板上に複数の集積回路チップを実装した高密度実装回路部品に関する発明が第１、２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
（ａ）「第２図は、・・・従来の高密度実装回路部品の横断面図である。
　同図において、セラミック多層配線基板１の上面には、複数の集積回路チップ２が実装されている。この高密度実装回路部品の入出力ピン３はセラミック多層配線基板１に外周部に上方に向けて突設され、集積回路チップ２はメタルキャップ４によって気密に覆われている。一方、セラミック多層配線基板１の下面には、全面にわたってアルミ合金製の放熱用フィン５が、ハンダあるいは良熱伝導性エポキシ樹脂等の接着剤６により固着されている。７は集積回路チップ２とアウターリードボンディングパッド８とを接続するボンディングワイヤである。」（１頁右下欄８行〜２頁左上欄１行）
（ｂ）「第１図において、セラミック多層配線基板１０の上面には複数の集積回路チップ１１が実装され、アウターリードボンディングパッド１２とボンディングワイヤ１３により接続されている。このセラミック多層配線基板１０の下面にはピングリッドアレータイプ（ＰＧＡ）の多数の入出力ピン１４が突設されており、その上面には集積回路チップ１１をとり囲むように封止用メタライズ部１５が形成されている。この封止用メタライズ部１５にはメタルキャップ１６がハンダ等の接着剤１７によって固着され、ハーメチックシールされている。
  このメタルキャップ１６の上面には、予めアルミ合金製の放熱フィン１８がハンダあるいは良熱伝導性エポキシ樹脂等の接着剤１９により接合されている。」（２頁右上欄１０行〜左下欄５行）
　
［５］対比・判断
＜本件発明１について＞
　本件発明１と引用刊行物１の第２図に記載された高密度実装回路部品とを対比すると、引用刊行物１の上記高密度実装回路部品における「集積回路チップ２」、「アウターリードボンディングパッド８」、「入出力ピン３」、「セラミック多層配線基板１」、「ハンダ等の接着剤」、「ハーメチックシール」、「メタルキャップ４」、及び「放熱用フィン５」は、それぞれ本件発明１における［ＬＳＩチップ」、「接続用電極パッド」、「外部回路接続用の入出力端子」、「多層セラミック配線基板」、「封止材」、「気密封止」、「キャップ」、及び「ヒートシンク」に相当する。
　そして、引用刊行物１の第１図に記載された集積回路チップ１１はメタルキャップ１６によりハーメチックシールされているから、従来技術を示す第２図に記載された集積回路チップ２もメタルキャップ４によりハーメチックシール、すなわち気密封止されていることは明らかであり、また、引用刊行物１の第２図の記載からみて、セラミック多層配線基板１上のアウターリードボンディングパッド８と入出力ピン３とは同一平面上に分離配置されているとともに、集積回路チップ２はベアチップ状態で配置されていることも明らかである。
　してみると、本件発明１と引用刊行物１の第２図に記載された高密度実装回路部品とは、本件発明１の構成に沿って記載すると、「ＬＳＩチップ端子の接続用電極パッドと外部回路接続用の入出力端子とをそれぞれ同一面上に領域を分けて配設された多層セラミック配線基板と、前記配線基板上にベアチップ状態で搭載されると共にボンディングワイヤで前記電極パッドに接続された複数個のＬＳＩチップと、前記基板に封止材を介して前記各ＬＳＩチップ全体を気密封止するキャップと、前記ＬＳＩチップ搭載面とは反対側の基板面に熱的に接続、配設されたヒートシンクとを有して成るマルチチップモジュール。」で一致するから、本件発明１と引用刊行物１の第２図に記載された高密度実装回路部品との間に相違は認められない。
　したがって、本件発明１は引用刊行物１に記載された発明である。
　
＜本件発明２について＞
　本件発明２は、本件発明１を引用するとともに、さらに、「上記ＬＳＩチップが搭載された直下の配線基板に、サーマルビアをその断面方向に設けて成る」構成を付加したものである。
　しかしながら、ＬＳＩチップを搭載した直下の配線基板の断面方向にサーマルビアを設けることは、例えば、特開平３−２８６５９０号公報に記載された「放熱用スルーホール７、１４」、特開平２−２１９２９８号公報に記載された「熱伝導ビア（８）」のように、この出願前周知の事項である。
  してみると、引用刊行物１に記載されたセラミック多層配線基板に上記周知のサーマルビアを適用することは、当業者が容易に想到することができたものである。
　したがって、本件発明２は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
＜本件発明３について＞
　本件発明３は、本件発明１を引用するとともに、さらに、「上記ヒートシンクと配線基板の接着面及びキャップと配線基板の接着面は、それぞれ互いにメタライズ層を有しており、配線基板への接続は同材質の半田で構成して成る」構成を付加したものである。
　しかしながら、引用刊行物１の第１図に、セラミック多層配線基板１０の上面に封止用メタライズ部１６が形成され、この封止用メタライズ部１５にメタルキャップ１６が半田１７によって固着されている構成が記載され（（３−３）の（ｂ）参照）、また、引用刊行物１の第２図に、放熱用フィン５が半田により固着されていることが記載され（（３−３）の（ａ）参照）、さらに、異種の材料を半田付けする際にその表面をメタライズすることは常套手段であるから、本件発明３のように、ヒートシンクと配線基板の接着面及びキャップと配線基板の接着面が、それぞれ互いにメタライズ層を有して、同材質の半田で配線基板へ接続するようなことは容易に想到することができたものである。
　したがって、本件発明３は、引用刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１は特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないし、本件発明２、３は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月３日（２００１．８．３）