【事件の表示】
　特許第２８５４４５３号「半導体ウェハ保持装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８５４４５３号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本件特許第２８５４４５３号は、平成４年３月２７日に特許出願され、平成１０年１１月２０日に設定登録されたものであり、その後、桑田勉、在原友栄、旭硝子株式会社から特許異議の申立てがなされ、平成１２年８月３日付けで取消理由の通知がなされ、その指定期間内の平成１２年１０月１６日付けで特許異議意見書及び訂正請求書が提出され、平成１２年１２月８日付けで訂正拒絶理由の通知がなされ、その指定期間内の平成１３年２月１４日に意見書が提出されたものである。
【２】訂正請求の要旨
　上記訂正請求は、願書に添付した明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものであるが、その要旨は以下の１）〜８）のとおりのものと認める。
　１）特許請求の範囲の「【請求項１】セラミックで形成した半導体ウェハ保持装置において、少なくとも半導体ウェハの保持面を体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下のセラミック硬質薄膜で成膜被覆したことを特徴とする半導体ウェハ保持装置。」を、「【請求項１】セラミックスで形成した半導体ウエハ保持装置において、少なくとも半導体ウエハの保持面を、体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下で、かつ純度が９９％以上であるセラミック硬質薄膜で成膜被覆したことを特徴とする半導体ウエハ保持装置。」と訂正する。
　２）発明の詳細な説明の段落【０００７】、【０００９】を削除する。
　３）発明の詳細な説明の段落【０００６】、【０００８】、【００１０】、【００２３】及び【００２４】にある「第一発明」を「本発明」と訂正する。
　４）発明の詳細な説明の段落【０００６】に「…その保持面に炭化ケイ素などの体積固有抵抗１０５Ω・ｃｍ以下の硬質薄膜で被覆するようにした。」とあるのを「…その保持面に炭化ケイ素などの体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下で、かつ純度が９９％以上であるセラミック硬質薄膜で被覆するようにした。」と訂正し、段落【００２３】に「…半導体ウェハの保持面を炭化ケイ素などの体積固有抵抗１０５Ω・ｃｍ以下の硬質薄膜で被覆した…」とあるのを「…半導体ウェハの保持面を炭化ケイ素などの体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下で、かつ純度が９９％以上であるの硬質薄膜で被覆した…」と訂正する。
　５）発明の詳細な説明の段落【００１６】に「また、この硬質薄膜は、ＰＶＤ法によるイオンプレーティング（蒸着）法や、…（中略）…半導体ウエハ上での発熱に対して熱を逃がすことができる。次に、第二発明について述べる。体積固有抵抗値が１０５Ω・ｃｍ以下のセラミックスは、導電性を有し静電気を帯電しない。それには、次のようなものがある。」とあるのを「また、この硬質薄膜は、ＰＶＤ法によるイオンプレーティング（蒸着）法や、…（中略）…半導体ウエハ上での発熱に対して熱を逃がすことができる。また、体積固有抵抗値が１０５Ω・ｃｍ以下のセラミックスは、導電性を有し静電気を帯電しない。それには、次のようなものがある。」と訂正する。
　６）発明の詳細な説明の段落【００２５】に「よって、第一発明によって半導体ウエハを搬送および固定する半導体ウエハ保持装置として優れた特性の製品が提供できる。第二発明は、上述のように、体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下の抵抗を有するセラミックを素材としたので、従来のアルミナなどの導電性を有しないセラミックチャックの場合、…（中略）…静電気がチャックに蓄えられることがないため、静電吸着されることがなく行程が止まることがない。」とあるのを「よって、本発明によって半導体ウェハを搬送および固定する半導体ウェハ保持装置として優れた特性の製品が提供でき、従来のアルミナなどの導電性を有しないセラミックチャックの場合、検査の前行程の状況によっては１００枚程度の半導体ウェハを検査しただけで半導体ウェハの静電吸着が起こり、行程がストップしてしまうが、本発明の真空チャックを使うことにより、静電気がチャックに蓄えられることがないため、静電吸着されることがなく行程が止まることがない。」と訂正する。
　７）発明の詳細な説明の段落【００２６】に「また、従来、スピンドライなど半導体ウエハに静電気が溜まりやすい行程の後の半導体ウエハは、しばしば半導体ウエハ上の回路が静電破壊されることがあったため、その防止が必要であったが、第二発明によりその必要がなくなった。さらに、露光工程のように、パーティクルを好まない工程では、特に半導体ウエハ裏面のパーティクルを避けねばならないが、従来の半導体ウエハ保持装置では静電気により保持装置上にパーティクルを吸着してしまうことがあったが、第二発明ではそれがなくなり、パーティクルの減少に役立つ。」とあるのを「また、従来、スピンドライなど半導体ウエハに静電気が溜まりやすい工程の後の半導体ウエハは、しばしば半導体ウエハ上の回路が静電破壊されることがあったため、その防止が必要であったが、その必要がなくなった。さらに、露光工程のように、パーティクルを好まない工程では、特に半導体ウエハ裏面のパーティクルを避けねばならないが、従来の半導体ウエハ保持装置では静電気により保持装置上にパーティクルを吸着してしまうことがあったが、それがなくなり、パーティクルの減少に役立つ。」と訂正する。
　８）【図面の簡単な説明】を、「【図１】本発明の半導体ウエハ搬送アームの平面図である。【図２】図１の縦断面図である。【図３】本発明の真空チャックの平面図である。【図４】図３の縦断面図である。【図５】本発明の半導体ウエハ保持装置の斜視図である。【図６】本発明の他の半導体ウエハ保持装置の斜視図である。」と訂正する。
【３】訂正の適否
１．訂正拒絶理由の概要
　平成１２年１２月８日付けで通知した訂正拒絶理由の概要は、以下のとおりのものと認める。
　１） 上記特許請求の範囲の訂正は、請求項１に係る発明の「セラミック硬質薄膜」について、「純度が９９％以上である」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　２）願書に添付した明細書には、「そのアルミナセラミック７・17の表面には硬質薄膜としてCVD法で純度99％以上の炭化ケイ素(ＳｉＣ)の薄膜８・18を形成した。」（段落［0011］参照）との記載があり、「セラミック硬質薄膜」を炭化ケイ素(ＳｉＣ)の薄膜とする場合の実施例として「純度99％以上の炭化ケイ素(ＳｉＣ)」とする点が記載されているものと認められる。
 　しかしながら、願書に添付した明細書には、「なお、硬質薄膜として、炭化ケイ素(ＳｉＣ)の他、炭化チタン(ＴｉＣ)、窒化チタン(ＴｉＮ)を用いることができ、」（段落［0015］参照）と記載された「炭化チタン(ＴｉＣ)、窒化チタン(ＴｉＮ)」については、「純度99％以上」との記載はないものと認められる。
　また、願書に添付した明細書の段落【0017】〜【0022】に記載された物質についても、「純度99％以上」との記載はないもの認められる。
　したがって、願書に添付した明細書は、「純度が９９％以上であるセラミック硬質薄膜」としては「炭化ケイ素(ＳｉＣ)」を用いる場合についてのみ記載したものであり、上記段落【0015】に記載された炭化チタン(ＴｉＣ)、窒化チタン(ＴｉＮ)、段落【0017】〜【0022】に記載されたセラミックを用いる場合については、「純度が９９％以上である」ことを記載したものとは認めることはできないばかりか、あらゆるセラミック硬質薄膜を対象として「純度が９９％以上」と記載したものとは認められない。
 　一方、訂正後の請求項１は、セラミック硬質薄膜の成膜物質を特定していないから、あらゆるセラミック硬質薄膜を対象として「純度が９９％以上であるセラミック硬質薄膜」としているから、前記訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正と認めることはできない。
　３）訂正明細書の請求項１の「純度が９９％以上であるセラミック硬質薄膜」との記載は、硬質薄膜の成膜物質の９９％以上がセラミック物質であるのか、硬質薄膜の成膜物質の９９％以上が単一のセラミック物質であるのか、成膜物質の全物質がセラミック物質であってそのうち単一物質が９９％以上であるのか、不明瞭であるから、訂正明細書の請求項１に係る発明は、その構成が不明瞭であり、特許請求の範囲は、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものとは認められないので、明細書の記載は、特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていない。
　よって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものと認める。
　４）　以上２）〜３）のとおりであるから、本件訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第３項の規定に適合しない。
２．意見書の概要
  特許権者が提出した平成１３年２月１４日付け意見書の主張の概要は、次のとおりのものと認める。
　１）願書に添付した明細書第４頁段落［００１５］（特許掲載公報第３頁段落［００１５］）に、「なお、硬質薄膜として、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の他、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を用いることができ、…」と記載してあるように、セラミック硬質薄膜が、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）からなることが明確に記載されている。
　一方、セラミック硬質薄膜の「薄膜」とは、参考資料として添付した、１９８２年３月２０日第１版第１刷発行発行所株式会社アグネの「セラミックスを知る事典」第１０３頁において、「…現在の「薄膜」とは膜の原料を一度原子や分子のレベルまで分解し、目的の基板上に原子や分子を再構築した膜を指すというのが通説となっている。従って、薄膜は単に薄いだけでなく、１）高密度で空孔のない薄膜、２）単結晶に近い高安定、高信頼性薄膜であることの要求があり、真空を利用したＰＶＤ法、高温反応を使うＣＶＤ法などが時代のニーズに応えたものといえる。」と記載され、セラミック硬質薄膜を得る場合、膜の原料を一度原子や分子のレベルまで分解し、目的の基板上に原子や分子を再構築した単結晶に近い膜であると言える。
　つまり、炭化ケイ素（ＳｉＣ）以外のセラミック硬質薄膜である、炭化チタン（ＴｉＣ）や窒化チタン（ＴｉＮ）もまた、一度分子のレベルまで分解され、目的の基板上にＴｉＣやＴｉＮの分子を再構築された単結晶に近い膜であり、炭化チタン（ＴｉＣ）や窒化チタン（ＴｉＮ）は当然に高純度を有するものであり、これらのセラミック硬質薄膜もまた純度９９％以上であることを包含していると言える。
　よって、願書に添付した明細書には、炭化チタン（ＴｉＣ）や室化チタン（ＴｉＮ）についても実質的に純度９９％以上であることが開示されていると言える。
　２）段落［００１７］乃至［００２２］に示されたセラミックスは、母材となる焼結されたセラミックスであって、セラミック薄膜ではない。
　よって、この点については今回の訂正拒絶理由通知書とは何ら関係ない。
　３）本件特許発明のセラミック硬質薄膜が、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を指すことが既に明白である。しかも、本件特許発明は、あらゆるセラミック硬質薄膜を対象とするものではなく、「体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ（「１０５Ω・ｃｍ以下」の誤りと思われる。）のセラミックスであるセラミック硬質薄膜」をさらに「体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ（「１０５Ω・ｃｍ以下」の誤りと思われる。）であり、かつ純度が９９％以上のセラミック硬質薄膜」に訂正したものであり、前述したように、願書に添付した明細書中における、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）は、純度９９％以上のセラミック硬質薄膜であることから、平成１２年１０月１６日付け訂正請求書における訂正は適正なものであり、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
　４）本件特許発明のセラミック硬質薄膜とは、願書に添付した明細書第４頁段落［００１５］（特許掲載公報第３頁段落［００１５］）に、「なお、硬質薄膜として、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の他、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を用いることができる」と記載してあるように、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）のことであり、このセラミック硬質薄膜は、一度分子のレベルまで分解され、目的の基板上に分子を再構築された単結晶に近い膜であるから、硬質薄膜の殆ど全てが単一のセラミックスからなるものであり、例えば、セラミック硬質薄膜として炭化ケイ素を用いた場合の例を特許掲載公報第３頁段落［００１６］に記載するように、その硬質薄膜はＳｉＣ含有量が９９．９％さらには９９．９９９９％以上の高純度であることが記載されていることからも、本件特許発明のセラミック硬質薄膜は、成膜物質の全物質がセラミック物質であってそのうち単一物質が９９％以上のものであることは明白である。
　よって、訂正明細書の請求項１の「純度が９９％以上であるセラミック硬質薄膜」との訂正は、特許を受けようとする発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載したものであり、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
３．当審の判断                                   
　１）「薄膜」とは、一般的意味として「単に薄いだけの膜」の意味をもつものであり、また、願書に添付した明細書に、「セラミックの薄膜」が、「膜の原料を一度原子や分子のレベルまで分解し、目的の基板上に原子や分子を再構築した膜」であることを、直接的かつ一義的に示す記載はない。
　加えて、本件特許の願書に添付した明細書に、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）による薄膜が、その「純度が９９％以上」となるような炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を原料として選択し、これを一度分子のレベルまで分解し目的の基板上に分子を再構築したことを直接的かつ一義的に示す記載は、存在しない。
　また、特許権者が「薄膜」についての「通説」と主張して引用する「現在の「薄膜」とは膜の原料を一度原子や分子のレベルまで分解し、目的の基板上に原子や分子を再構築した膜を指すというのが通説となっている。従って、薄膜は単に薄いだけでなく、１）高密度で空孔のない薄膜、２）単結晶に近い高安定、高信頼性薄膜であることの要求があり、真空を利用したＰＶＤ法、高温反応を使うＣＶＤ法などが時代のニーズに応えたものといえる。」との記述にも、一義的に「純度が９９％以上」を意味する事項は存在しない。
　更に、願書に添付した明細書の段落【００１５】には「なお、硬質薄膜として、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の他、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を用いることができ、その物性は次のとおりである。」として、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）について「体積固有抵抗」と「ビッカース硬度」を示すものの、硬質薄膜の「純度」について記載しないばかりか、願書に添付した明細書には、硬質薄膜の「純度」と作用効果との関連を示す記載も存在しない。     
 　したがって、願書に添付した明細書又は図面には、「セラミック硬質薄膜」に用いられる炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）について、「純度が９９％以上」であることを直接的かつ一義的に示す記載は存在しない。
　２）訂正明細書の発明の詳細な説明の段落【００１３】には「なお、硬質薄膜として、炭化ケイ素（ＳｉＣ）の他、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を用いることができ」として、「セラミック硬質薄膜」を構成するセラミック物質として、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を記載し、特許請求の範囲の請求項１には、セラミック薄膜を構成する物質についてその特性を、「体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下」、「純度が９９％以上」、「硬質」と記載するものの、物質名については特定されていない。
　しかしながら、願書に添付した明細書には、前説示のとおり「 炭化ケイ素（ＳｉＣ）」についてのみ「純度が９９％以上」と記載されるのみで、「 炭化ケイ素（ＳｉＣ）」を除くセラミックについて「純度が９９％以上」のものに限定されることは、願書に添付した明細書に記載されていたとすることはできないから、請求項１において「純度が９９％以上である」とした訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正とは認めることはできない。
　３）以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書きの規定に適合しない。
   よって、平成１２年１０月１６日付け訂正請求による明細書についての訂正は、認められない。
【４】取消理由の概要
   平成１２年８月３日付けで通知した取消理由の概要は、以下の理由１及び理由２のとおりのものと認める。
 　〈理由１〉
　１）本件特許の出願前に頒布された刊行物として、
刊行物１：特開平３−２０２２４６号公報
刊行物２：特開平４−３５８２７号公報
刊行物３：特開平４−８３３２８号公報
刊行物４：「ＭＵＨＳＩＣ−ＣＯＡＴ」三井造船株式会社発行（１９８８年印刷発行）
刊行物５：宗宮重行、猪股吉三編「新素材シリーズ炭化珪素セラミックス」株式会社内田老鶴圃発行（１９８８年９月１５日発行）第５５〜７２頁
刊行物６：特開昭６２−２５９４３１号公報
刊行物７：通商産業省ファインセラミックス室編「ファインセラミックス　ハンドブック」株式会社オーム社発行（昭和６１年７月１０日発行）第１６９〜１７７頁
刊行物８：「ファインセラミックス　カタログ集」社団法人日本ファインセラミックス協会発行（昭和６１年１２月１日発行）第２１７頁
刊行物９：「石油代替電源用新素材の試験・評価方法の標準化に関する調査研究報告書」社団法人日本ファインセラミックス協会発行（平成元年３月発行）第１８０、１８１、１９５頁
刊行物10：特開昭６１−１９９０６７号公報
刊行物11：物理学辞典編集委員会編「物理学辞典」株式会社培風館発行（昭和５９年９月３０日発行）第３５４〜３５５頁
を引用し、
　上記刊行物１〜６のそれぞれには、いずれも、本件請求項１に係る発明の構成に欠くことができない事項である「セラミックで形成した半導体ウェハ保持装置において、少なくとも半導体ウェハの保持面をセラミック薄膜で成膜被覆した半導体ウェハ保持装置。」が記載されているものと認められる。
　２）そして、刊行物１〜６に記載されたものにおいて、保持面を被覆するセラミック薄膜は、ＴｉＣ，ＴｉＮ，ＳｉＣ等で構成されており、ＴｉＣ，ＴｉＮが導電性を有することは刊行物１，２に、また、ＳｉＣが導電性を有することは刊行物１，２，４，５，８に記載され、刊行物５，８にはＳｉＣの体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下であることが記載されているものと認められる。
　更に、本件請求項１に係る発明において、保持面を被覆するセラミック薄膜の体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下の場合と１０５Ω・ｃｍを越える場合とで臨界的な作用効果の差が存在するものとも認められないから、保持面を被覆するセラミック薄膜の体積固有抵抗を１０５Ω・ｃｍ以下とした点は、刊行物１，２，４，５，８等に記載された事項により、当業者が容易に想到し得たものである。
　３）ＴｉＣ，ＴｉＮ，ＳｉＣ等が硬質であることは、技術常識と認められる。
　４）そして、本件請求項１に係る発明の作用効果は、上記刊行物１〜６にそれぞれ記載されたもの、及び刊行物１，２，４，５，８に記載された知見ならびに技術常識から予測し得る程度のものと認められる。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物１〜６にそれぞれ記載されたもの、及び刊行物１，２，４，５，８に記載された知見に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
 　５）以上のとおりであるから、本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものである。
　〈理由２〉
　発明の詳細な説明の段落【0006】，【0008】，【0010】，【0023】，0024】，【0025】，【図面の簡単な説明】に「第一発明」と記載され、段落【0007】，【0009】，【0016】，【0025】，【0026】，【図面の簡単な説明】に「第二発明」と記載されているが、特許請求の範囲の請求項の数は１であるから、請求項１に記載された発明と上記「第一発明」及び「第二発明」との関係が不明瞭であり、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載が整合していない。
　したがって、明細書の記載が、特許法第３６条第４項及び第５，６項に規定する要件を満たしていないので、本件請求項１に係る特許は、特許を受けることができない出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものである。
【５】取消理由に対する意見書における主張
　特許権者は、上記取消理由に対して、概略次のように主張する。
　１）本件特許発明は、セラミック硬質薄膜として、体積固有抵抗値が１０５Ω・ｃｍ以下であるだけでなく、その純度が９９％以上であるセラミック硬質薄膜を用いたことを特徴とする。
　２）その為、本件特許発明によれば、セラミック硬質薄膜の主成分以外の成分、例えば金属成分が殆ど含まれていないため、コンタミネーション等による半導体ウェエの汚染を防止することができるとともに、セラミック硬質薄膜の主成分以外の成分として、主成分より硬度の低い成分が殆ど含まれていないため、優れた耐摩耗性を有し、半導体ウェハとの脱着を繰り返したとしても摩耗を大幅に低減し、合わせてパーティクルの発生を防止することができ、さらには、セラミック硬質薄膜の主成分以外の成分として、腐食を受け易い成分が殆ど含まれていないため、耐触性に優れているといった優れた作用効果を奏することができる。しかも、本件特許発明のセラミック硬質薄膜は導電性又は半導電性を有することから、半導体ウェハに静電気が蓄積されることがなく、上述したように、半導体ウェハと接する表面が硬質であることと相まってパーティクルの発生を大幅に低減することができるとともに、静電気による静電吸着を防ぎ、離脱性を高めることができ、さらには半導体ウェハ上の回路が絶縁破壊することを効果的に防止することができるといった格段に優れた作用効果を奏することができる。
　３）これに対し、刊行物４には不純物が少ないＳｉＣのセラミック硬質薄膜を用いることが開示され、また、刊行物８には、セラミック硬質薄膜として高純度のＳｉＣからなるセラミック硬質薄膜を用いることが開示されている。
　しかしながら、いずれの刊行物にもセラミック硬質薄膜を形成する主成分量については全く開示しておらず、これらの記載より当業者と言えども本件特許発明を容易に想到することはできない。なぜなら、セラミック硬質薄膜には、主成分以外に不純物や他の副成分等が含まれるからで、上記不純物や副成分が多くなると、セラミック硬質薄膜の耐摩耗性や耐食性が低下したり、あるいは半導体ウェハを汚染してしまうからで、これらの課題を解決するためにはセラミック硬質薄膜の主成分量が重要なのである。
　このように、刊行物１乃至刊行物１１は、いずれも本件特許発明の重要な構成要件である、少なくとも半導体ウェハの保持面に、純度が９９％以上のセラミック硬質薄膜を成膜被覆する点を備えておらず、それ故、本件特許発明のように優れた作用効果を奏することができない。
　なお、本件特許発明の願書に添付された明細書の記載不備の点については、訂正により解消したものと思料する。
【６】当審の認定及び判断
１．本件特許発明
　前説示のとおり、明細書についての訂正は認められないから、本件特許発明は、願書に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
  「セラミックで形成した半導体ウェハ保持装置において、少なくとも半導体ウェハの保持面を体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下のセラミック硬質薄膜で成膜被覆したことを特徴とする半導体ウェハ保持装置。」
２．引用刊行物に記載された事項
　１）刊行物１
  前記取消理由において引用した刊行物１（特開平３−２０２２４６号公報）には、
　（あ）「被加工物を載置する表面に真空源につながる吸引溝を形成した真空チャックにおいて、この真空チャックはセラミック原料を成形して焼成したチャック本体の被加工物を載置する表面にポアの無いセラミック薄膜を形成したことを特徴とする真空チャック。」（第１頁特許請求の範囲）
　（い）「本発明はシリコンウエハーなどの被加工物を吸引固定する真空チャックに関する。」（第１頁下左欄第１３〜１４行）
　（う）「真空チャック１はチャック本体４と前記被加工物Ｗを載置する表面に形成されたセラミック薄膜５とからなり、チャック本体４内には微小なポア６…が粒界などに存在しているが、セラミック薄膜５はポアが存在しない緻密な組織となっている。ここで、チャック本体４及びセラミック薄膜５の構成材料としてはＴｉＣ、ＴｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３N４、ＳｉＣ等とする。」（第２頁上右欄第３〜１０行）
　（え）「研削した表面にポアのないセラミック薄膜５を形成する。形成の方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、熱CVD或いはプラズマCVDなどによる。」  （第２頁下左欄第４〜７行）
　（お）「セラミック薄膜としてＴｉＣ、ＴｉＮ、ＳｉＣのように導電性或いは半導電性の材料を使用すれば、静電気を容易に逃がすことができる。」（第２頁下右欄第１０〜１３行）、
　（か）「真空チャックをチャック本体とこのチャック本体の被加工物を載置する表面に形成したポアのないセラミック薄膜とで構成したので被加工物の載置面に汚れが付着することがなく、またチャック全体がセラミックからなるため、被加工物を載置する面の平坦度を高精度に出すことができ且つ熱による変形を抑えられる。」（第３頁上左欄第２〜９行）
等の記載があり、
　また、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＳｉＣのセラミック薄膜が、硬質であることは当業者にとって技術常識であるから、
　これらの記載及び図面等を参照すると、刊行物１には、
“セラミックで形成したシリコンウエハーの真空チャック１において、シリコンウエハーを載置する表面をスパッタリング、イオンプレーティング、熱CVD或いはプラズマCVDなどによるＴｉＣ、ＴｉＮ、ＳｉＣのような導電性或いは半導電性のセラミック硬質薄膜で成膜被覆したシリコンウエハーの真空チャック．”
が記載されているものと認める。
　２）刊行物４
　前記取消理由において引用した刊行物４（MUHSIC-COAT）には、半導体関連部材にも用いられる、焼結ＳｉＣ基板にCVD技術によるＳｉＣコーティングを施した製品「ＭＵＨＳＩＣ−ＣＯＡＴ」に関する事項が記載され、
　（あ）「ＭＵＨＳＩＣ−ＣＯＡＴは、厳選された等方性黒鉛や焼結ＳｉＣ基板に三井造船が開発したCVD技術によるＳｉＣコーティングを施した製品です。」（第１頁左欄第１〜３行）              
　（い）「・不純物が極めて少ない（ppbレベル）
　　　　　・極めて緻密である
　　　　　・耐摩耗性が高い
　　　　　・基板との密着性に優れている」（第１頁右欄「特徴」）
　（う）ＣＶＤ‐ＳｉＣについて、硬さ（Ｈｋ）が３５００ｋｇｆ／ｍｍ２、比抵抗がｌ０２Ω・ｍである点（第２頁「特性」）
　（え）「半導体用　エピタキシャル成長用サセプター」に使用される点（第３頁「用途例」）
等の記載があるものと認められる。
　３）刊行物５
   前記取消理由において引用した刊行物５（新素材シリーズ炭化珪素セラミックス）には、
　（あ）「図１１はサセプターの例である。……黒鉛に数１０μｍ〜約１００μｍの厚さにＳｉＣをコーティングしたものが使用されている……基材として黒鉛の他に種々のセラミックスも用いられる。」（第６４頁第１〜５行）と記載され、
　（い）図１１（第６５頁）には、黒鉛にＣＶＤ・ＳｉＣをコーティングしたサセプターにＳｉウエハを載置した状況が示され、
　（う）CVD・ＳｉＣの諸性質について、「固有抵抗／１０−２Ω・ｍ」が「１−１４」、「硬度／GPa」が「カタログ値２７−３４（ＨＫ）」、「文献値３１（ＨＶ）」であること（第６１頁）が記載されているものと認められる。
　４）刊行物８
　前記取消理由に引用した刊行物８（ファインセラミックス　カタログ集）には、東芝セラミックス株式会社製の商品名「クリアーカーボン」という黒鉛基材表面にＳｉＣ被膜をコーティングした製品について、
　（あ）「１）ＳｉＣ被膜の物理特性
　　　　　硬さ　Knoop　　２８００〜３５００
　　　　　電気比抵抗　Ω・cm　　ｌ〜１０」（第２１７頁左欄）
と記載されている。
３．対比・判断
　本件特許発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比すると、
　両者は、
　セラミックで形成した半導体ウェハ保持装置において、少なくとも半導体ウェハの保持面を導電性のセラミック硬質薄膜で成膜被覆した半導体ウェハ保持装置．
である点で一致し、
　「セラミック硬質薄膜」の導電性の程度が、本件特許発明は、「体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下」であるのに対して、上記刊行物１に記載された発明では、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＳｉＣの薄膜の体積固有抵抗が明示されたものでない点．
で相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、ＳｉＣのセラミック薄膜の「体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下」であることが刊行物４，５，８等に記載されており、また、本件特許発明において、セラミック薄膜の体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下の場合と１０５Ω・ｃｍを越える場合とで臨界的な作用効果の差が存在するものとも認めることはできないから、本件特許発明において、「体積固有抵抗が１０５Ω・ｃｍ以下」としたことは、当業者が容易に想到し得たこととするのが相当である。
  そして、本件特許発明は、上記意見書で主張するような「純度が９９％以上」を構成要件とするものではなく、本件特許発明の作用効果は、上記刊行物に記載されたものから予測し得る程度のものと認められる。
   したがって、本件特許発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物４，５，８に記載された如き知見に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
【７】むすび
　以上のとおりであるから、本件特許発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月２３日（２００１．４．２３）