【事件の表示】
　特許第２９００９２８号「発光ダイオード」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９００９２８号の特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
  本件特許第２９００９２８号に係る出願は、平成３年１１月２５日に出願された特願平３年３３６０１１号の一部を特許法第４４条第１項の規定により、平成９年１０月２０日に特許出願されたものであって、平成１１年３月１９日にその設定登録がなされ、その後、ルナライト株式会社、アジレント・テクノロジー株式会社、シャープ株式会社及び西島一より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年５月９日に訂正請求がなされたものである。
　
（２）訂正請求の適否についての判断
ｉ）訂正請求の内容
　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の請求項１、
「メタル上の発光素子(11)と、この発光素子(11)全体を包囲する樹脂モールド中に発光素子(11)からの波長により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出す蛍光染料又は蛍光顔料が添加された発光ダイオードにおいて、前記記蛍光染料又は蛍光顔料(5)は、発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出すと共に、前記発光素子は、サファイア基板上に青色の可視光を発光するｎ型およびｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体を備え、この窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子(11)は、メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続しており、一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極であることを特徴とする発光ダイオード。」
を、
「メタル上の発光素子(11)と、この発光素子(11)全体を包囲する樹脂モールド中に発光素子(11)からの波長により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出す蛍光染料又は蛍光顔料が添加された発光ダイオードにおいて、前記蛍光染料又は蛍光顔料(5)は、発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くすると共に、前記発光素子は、サファイア基板上に青色の可視光を発光するｎ型およびｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体を備え、この窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子(11)は、メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続しており、一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極であることを特徴とする発光ダイオード。」
と訂正するものである。
　
ii）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、請求項１に係る発明を、「発光ダイオードの視感度を良くする」と限定し、さらに、明らかな誤記を訂正するものであり、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正に該当し、新規事項の追加や、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものには該当しない。
　
iii）独立特許要件の検討
（引用例）
　取消理由通知に引用した、本件出願前公知である実願昭４８−１３５８４９号（実開昭５０−７９３７９号）のマイクロフィルム（以下、引用例という。）には、
「半導体発光素子と該半導体発光素子を離間して覆う透明覆蓋体とを具え、該透明覆蓋体の前記半導体発光素子に対向する側の表面に蛍光材料層を有することを特徴とする半導体発光装置。」（実用新案登録請求の範囲）、
「本考案は蛍光材料を用いて可視光発光を得る半導体発光装置に関するものである。・・・例えば比較的安価な材料である砒化ガリウムを用いた発光ダイオードの発光波長は赤外線領域にあるため、高い発光効率を示すにもかかわらず、そのままでは表示素子として用いることはできない。そのため、係る赤外線発光ダイオードの表面に可視光変換蛍光材料を塗布した半導体発光装置が製作されている。」（明細書第１頁第９行〜第２０行）、
「第１図においてＴＯ−５型の金属ステム１にはガラス２によってリード３が固着されている。このステム１には半導体発光素子４が導電的に接着されており、一方、半導体発光素子の他方の電極とり一ド３の１つとがリード線５により電気的に接続されている。」（明細書第３頁第１４行〜第１９行）、
「このステム１には本考案による透明覆蓋体６が固着される。この透明覆蓋体６の内面には半導体発光素子４からの輻射線を可視光に変換する蛍光材料を分散させた結合剤が塗布されて、蛍光材料層７が設けられている。透明覆蓋体６はガラス或はエボキシ樹脂等の材料で構成されるものであり、気密封止用のキャップの役割を兼ねてステム１に固着されるのが好ましい。」（明細書第３頁第１９行〜第４頁第６行）、
「係る本考案の半導体発光装置は、半導体発光素子４から輻射された赤外線或は紫外線が蛍光材料層７にて可視光に変換されて、ランダムな方向に輻射されるため大面積で均一な強度の発光が可能であり、しかも使用する蛍光材料は比較的少量でよいため安価である。本考案の他の実施例の半導体発光装置を第２図に示す。この実施例はモールド型の半導体発光装置に本考案を適用したときの例である。」（明細書第４頁第７行〜第１５行）、
「本考案の半導体発光装置は上記実施例に示される構造及び材料に限定されることなく、例えばＧａＮ等を用いた近紫外線発光素子を用い、蛍光材料として通常の紫外線−可視光変換蛍光材料を使用することもできることは言うまでもない。」（明細書第６頁第８行〜第１２行）と記載されている。
　
（対比）
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、訂正発明という。）と、引用例に記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、両者は、
「メタル上の発光素子と、この発光素子全体を包囲する樹脂モールドと、発光素子からの波長により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出す蛍光染料又は蛍光顔料が添加された層を有する発光ダイオードにおいて、前記蛍光染料又は蛍光顔料は、発光素子からの光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出すと共に、前記発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体を備えている発光ダイオード。」
である点で一致しており、
ア）訂正発明では、樹脂モールド中に蛍光染料又は蛍光顔料が添加されているのに対し、引用発明では、モールドとは別に蛍光材料層がある点、
イ）蛍光染料又は蛍光顔料が、訂正発明では、可視光により励起されて、発光ダイオードの視感度を良くするのに対し、引用発明では近紫外線により励起され、視感度については何ら記載がない点、
ウ）窒化ガリウム系化合物半導体が、訂正発明では、サファイア基板上にｎ型およびｐ型に積層されてなるのに対し、引用発明では、積層構造に関する記載はない点、
エ）発光素子が、訂正発明では、メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続しており、一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極であるのに対し、引用発明ではこのような構成を有していない点、
オ）発光素子が、訂正発明では、「青色の可視光を発光する」のに対し、引用発明では、近紫外線を発光するとは記載されているが、可視光を発光するとは記載されていない点、
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
　
ａ）相違点イ及び相違点オについて
　訂正発明では、青色の可視光を発光する発光ダイオードの視感度を良くすることを目的とし、蛍光染料又は蛍光顔料が、発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出すものであるのに対し、引用発明では、赤外線又は近紫外線等の非可視光を可視光に変換する蛍光材料を使用するものであり、可視光の視感度を良くする、という技術的課題は記載されていない。
　また、他に、発光素子からの青色の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す蛍光染料又は蛍光顔料を用いて、発光ダイオードの視感度を良くすることが公知であることを示す証拠はないから、引用発明に基づいて、上記相違点イ及びオに関する構成要件を想到することが、当業者にとって容易とはいえない。
　
ｂ）相違点エについて
　一般の発光ダイオードにおいて、電極を金線によりワイヤボンドして接続することは周知の技術といえる。
　しかしながら、金の分光反射率が、青色の可視光においてきわめて低く、青色可視光を吸収することを考慮すれば、訂正発明の如く青色の可視光を発光する発光ダイオードにおいて、単に、周知技術を適用して、その電極を金線によりワイヤボンドして接続することが、容易に想到し得ることということはできない。
　訂正発明においては、発光素子全体を包囲する樹脂モールド中に、青色可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す染料又は蛍光顔料を添加するという、青色可視光の吸収を防止する手段を講じることにより、電極を金線によりワイヤボンドして接続することが可能になったものと認められる。
　よって、相違点エに係る構成要件は、訂正発明の他の構成要件（相違点ア、相違点イ及び相違点オに係る構成要件）と関連した構成要件であり、これらとの関連において、電極を金線によりワイヤボンドして接続することが公知であるとの証拠はないから、引用発明に基づいて、相違点ア、相違点イ、相違点オ及び相違点エに関する構成要件を想到することが、当業者にとって容易とはいえない。
　
  よって、訂正発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（結論）
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、独立特許要件を満足するものである。
　
iv）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許第２９００９２８号の請求項１に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
（特許異議申立人の主張の概要）
  特許異議申立人ルナライト株式会社は、甲第１号証として特開昭５７−１２７５号公報、甲第２号証として実公昭５４−４１６６０号公報、甲第３号証として実願昭４８−１３５８４９号（実開昭５０−７９３７９号）のマイクロフィルム、甲第４号証として特開昭６２−１８９７７０号公報及び甲第５号証として「エレクトロニクス」１９９１年３月号を提示して、本件発明は甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件明細書には、本件発明を実施する上での必須事項が開示されていないので、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない旨、主張している。
　同じく特許異議申立人アジレント・テクノロジー株式会社は、甲第１号証として実公昭５４−４１６６０号公報、甲第２号証として「応用物理」第６０巻第２号第１６３〜１６６頁（１９９１年）、甲第３号証として特開平１−２６０７０７号公報、甲第４号証として実願昭４８−１３５８４９号（実開昭５０−７９３７９号）のマイクロフィルム、甲第５号証として「蛍光体ハンドブック」第１版第２３３〜２４０頁（昭和６２年）、甲第６号証として特開昭６１−５６４７４号公報、甲第７号証として実願昭５４−１３７３４号（実開昭５５−１１５０６９号）のマイクロフィルム、甲第８号証として実願昭５７−１３９９１０号（実開昭５９−４４０５９号）のマイクロフィルム、甲第９号証として「半導体ハンドブック」（第２版）第１７３〜１７６頁（昭和５２年）及び甲第１０号証として「金属学ハンドブック」第１３版第１４２〜１４３頁（昭和４５年）を提示して、本件発明は甲第１号証ないし甲第１０号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨、主張している。
　同じく特許異議申立人シャープ株式会社は、甲第１号証として実願平１−８４４４３号（実開平３−２４６９２号）のマイクロフィルム、参考資料１として、《電子科学シリーズ》４２「固体発光素子とその応用」中村哲郎・内丸清著１９７６年１１月１日発行第４章固体発光素子、参考資料２として、「化合物半導体デバイスハンドブック」昭和６１年９月２０日発行５１４〜５１６頁、参考資料３として、「発光ダイオードとその応用」昭和６３年４月１４日発行６６〜６９頁ＬＥＤランプの製作プロセス、参考資料４として、「物理定数表」昭和４４年１０月１０日発行第１１８頁５．５．２金属の光学定数５．５．２．１金属の屈折率、消衰係数、反射率、を提示して、本件発明は甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨、主張している。
　同じく特許異議申立人西島一は、甲第１号証として特開昭４９−１３４２８８号公報、甲第２号証として特開昭６１−５６４７４号公報、甲第３号証として「応用物理」第６０巻第２号第１６３〜１６６頁（１９９１年）、甲第４号証として特開平１−１７９４７１号公報、甲第５号証として特開平３−１５２８９７号公報、甲第６号証として実願昭４８−１３５８４９号（実開昭５０−７９３７９号）のマイクロフィルム、甲第７号証として実開昭５４−４１６６０号公報、甲第８号証として特開昭５１−３８８４号公報、甲第９号証として特開昭５４−９７３８８号公報、甲第１０号証として特開平５−１５２６０９号公報及び甲第１１号証として本件出願経過における平成１０年１１月２７日付の意見書を提示して、本件発明は甲第１号証ないし甲第９号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件発明は甲第１０号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、さらに、本件明細書には記載不備があり、特許法第３６条第４項、第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない旨、主張している。
　
（甲各号証の記載内容）
　特許異議申立人ルナライト株式会社の提示した甲第１号証には、
「以下その一実施例を第４図を用いて説明するとステムのｉ側リード６４の頂面の構造を凹型反射面とし、その一部ｎ側リード２４に面した部分が開いた形とし、また、このｉ側リード６４の頂の凹みの底面と同一面に平坦なｎ側リード７４の頂面があるように構成する。」（公報第２頁右上欄第４行〜第９行）、
「第４図に示す形で、銀をメッキしたステムを用い、ＧａＮ発光素子チップをボンディングして光の指向性のよい青色発光ダイオードランプを作ることができた。」（公報第２頁左下欄第２行〜第５行）と記載されている。
　同じく甲第２号証には、
「トランジスタ、ヘッダなどのへッダ１にＧａＡｓＰＮ接合発光素子ペレット２をマウントし、端子ピン３、３と所定のリード接続を行う。樹脂モールド用の透明樹脂に赤外光を可視光に変換する蛍光体を適当量添加し、均一に混入した樹脂をへッダ１上に置いたペレット２に滴下し、レンズ状に硬化させ、図に示す如くペレット２全体を直接覆う樹脂層４を形成する。端子ピン３、３間に順方向電圧を印加し、電流を流すと、発光素子ペレット２から赤外光が放射される。この時放射された赤外光は樹脂層４内にに一様に分布する蛍光体に吸収され可視光に変換される。」（公報第２頁第３欄第１７行〜第２８行）、
「電流によって赤外光を放射する赤外発光素子ペレットをヘッドにマウントし、前記赤外発光素子ペレットを覆うように、赤外光を可視光に変換する蛍光体を均一に混入した樹脂モールド用の透明樹脂をヘッド上に滴下して形成した凸形樹脂レンズを設け、上記赤外発光素子ペレットから放射される赤外光を上記樹脂レンズ中の蛍光体に吸収せしめ、上記樹脂レンズを介して可視光を発生することを特徴とする発光半導体装置。」（実用新案登録請求の範囲）と記載され、図面に、一対の電極のうち、化合物半導体からなる発光素子２のヘッド１に対向する面の反対側に位置する面側にある電極が、ワイヤにより、端子ピン３にリード接続されていることが示されている。
　同じく甲第３号証は、取消理由通知に引用した引用例であるから、上記（２）iii）（引用例）に示した発明が記載されている。
　同じく甲第４号証には、
「本発明の接合型半導体発光素子に用いる発光材料としては、III−Ｖ族化合物であるＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡＩＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＮ、　ＩｎＡｓＰ、ＩｎＡｓＳｂ等、II−IV族化合物半導体であるＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ等、IV−VI族化合物半導体であるＰｂＴａ、ＰｂＳｎＴａ、ＰｂＳｎＳｅ等、更にIV−IV族化合物半導体であるＳｉＣ等があり、それぞれの材料の長所を活かして適用することが可能である。」（公報第４頁左下欄第５行〜第１３行）、
「上記により明らかなように、本発明の接合型半導体発光素子は、平板部に対して垂直方向に延在するｐｎ接合を有する柱状突起の頂上面に露出するｐｎ接合を含む発光部の少なくとも一部分を覆う蛍光層を該頂上面に設けたことにより、発光部からの発光の波長を他の波長に変換することができ、たとえば発光を可視光に変換する蛍光体からなる蛍光層を設けた場合には発光を視覚化できるので、アレイ構造とすることにより精密なディスプレイ装置等を提供することができ、実用上極めて有用なものである。」（公報第４頁左下欄第１５行〜右下欄第５行）と記載されている。
　同じく甲第５号証には、
青色ＬＥＤに関し、第６５頁の第３図（ａ）に、サファイア基板上にＡｌＮのバッファ層を介してｎ型ＧａＮを積層し、その上の一部に電子線照射処理したＭｇドープのｐ型ＧａＮを積層し、その同一面側に一対の電極を接続し、その一方の電極はｐ型ＧａＮ上に、他方の電極は表面を露出させたｎ型ＧａＮの部分に接続することが示されている。
　また、特許異議申立人アジレント・テクノロジー株式会社の提示した甲第１号証は、特許異議申立人ルナライト株式会社の提示した甲第２号証であるから、上記の発明が記載されている。
　同じく甲第２号証には、
「ＬＥＤの作製方法について示す。サファイヤ基板上にＡｌＮ緩衝層を堆積の後、ｎ型ＧａＮを約３μｍ育成していったん成長炉から取り出し、表面の一部にＳｉＯ２マスクを堆積する。ＧａＮはＳｉＯ２上に堆積せず、露出したＧａＮ表面にのみ選択的に成長するため、ｎ層の電極はプロセス終了後、マスクであるＳｉＯ２をはく離することにより、ウエハー上部から容易に取ることができる。次に、ウエハーを成長炉に戻し、ＧａＮ：Ｍｇを約０．５μｍ育成したのち、表面から電子線照射処理する。」（第１６５頁左欄第２４行〜右欄第３行）、
「ｎ層の電極は、Ａｌ、ｐ層の電極は金（Ａｕ）によりオーム性接触を形成する。」（第１６５頁右欄第９行〜第１０行）、
「電子線照射処理したｐｎ接合型ＬＥＤは強い発光を示す。またｐｎ接合型ＬＥＤからは、主に二つの発光ピークが観測される。一つはピークエネルギー約３．３５ｅＶの紫外発光（ただし、この発光は電流の増加とともに低エネルギー側へシフトする。）およびピークエネルギー約２．９ｅＶの青色発光である。」（第１６５頁右欄第２２行〜第２７行）と記載されている。
　同じく甲第３号証には、
「加色混合の三原色のうちの二色のそれぞれに発色する積層配置された二つのＬＥＤと、加色混合の三原色の残る一色の染料を表面から浸透させた染料浸透性かつ高透光性の透明ガラス体の封止体と、から構成したことを特徴とする白色発光装置」（特許請求の範囲請求項３）と記載されており、第４図には、ＬＥＤ４２ａ、４２ｂがメタルステム上にマウントされていることが示されており、第５図には、ＬＥＤ４１ａ、４１ｂがステム上に直接マウントされていることが示されている。
　同じく甲第４号証は、特許異議申立人ルナライト株式会社の提示した甲第３号証及び取消理由通知に引用した引用例であるから、上記（２）iii）（引用例）に示した発明が記載されている。
　同じく甲第５号証には、
「（ｆ）Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋（ＹＡＧ：Ｃｅ３＋）
（１）発光特性　発光スペクトルを図３・２・６６に示す。発光ピークは室温で約５４０ｎｍにあるが、高温では長波長側へ移動する。この蛍光体は、２５４ｎｍや３６５ｎｍの紫外線ではほとんど励起されず、４３６ｎｍの可視水銀ラインによって強く励起される。」（第２３７頁右欄第４行〜第１０行）と記載されている。
　同じく甲第６号証には、
「ＧａＮは、青色発光素子の半導体材料として有望視されているが、大きな単結晶がなかなか実現できず、通常、電気的に絶縁性のサファイア基板上に気相法でエピタキシャル成長させたものが用いられる。」（公報第１頁右欄第４行〜第８行）、
「ＧａＮ結晶は化学的に安定性の高い物質で、薬品による化学的なエッチングが困難であるため、通常は、第１図示のように、ｎ型ＧａＮ層２の側面にインジウム電極部６を設け、他方の電極部７との間を針状細線８により、金属ステム９に電気的に接続する方策が用いられる。」（公報第２頁左上欄第９行〜第１５行）と記載されており、第３図には、ＧａＮ発光素子として、金属ステム９上のサファイア基板１の上に形成された窒化ガリウム半導体からなる発光素子の金属ステム９に対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極４及び１１が設けられ、それぞれ金属細線５でワイヤボンドされ、一方の電極１１は、ｎ型窒化ガリウム半導体２の表面を露出させた部分に接続された電極であることが示されている。
　同じく甲第７号証には、
「ＧａＰを基板として上記したような混晶を形成させるには、第２図に示すようにＮ型ＧａＰ基板（１１）上に気相成長法により、ＧａＰから徐々にＧａＡｓが多く含有されるようになってついにＧａＡｓ０．１５Ｐ０．８５となる層（１２）を形成し、次いでＧａＡｓとＧａＰとの割合のかわらないＧａＡｓ０．１５Ｐ０．８５層（１３）を成長させる。次に徐々に含有割合が変化し、ＧａＡｓが増えてＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５にまでなる層（１４）を形成し、次いでＧａＡｓとＧａＰの割合のかわらないＧａＡｓ０．３５Ｐ０．６５層（１５）を成長させる。」（明細書第３頁第６行〜第１５行）、
「このように形成されたのち主面からたとえばエッチングによって一部を除去し（図の点線部分）、主面（１６）、（１７）から亜鉛を拡散させてＰ型ＧａＡｓＰ領域（１８）と（１９）とを互に連続しないように形成する。さらにＮ型オーミック電極（２０）とＰ型オーミック電極（２１）とを真空蒸着法と写真食刻法とによって形成する。」（明細書第３頁第２０行〜第４頁第６行）と記載されている。
　同じく甲第８号証には、
「段部（１０）の表面にオーミック電極（１１）を設けてある。（１３）（１４）は金線又はアルミニウム線等からなる金属細線で、金属細線（１３）は第２の発光ダイオード（７）の表面のオーミック電極（１２）と一方の端の基板（２）とを配線し、金属細線（１４）は後部（１０）のオーミック電極（１１）と第１の発光ダイオード（１）のオーミック電極（５）と他方の端の基板（２）とを配線している。」（明細書第３頁第１８行〜第４頁第５行）と記載されている。
　同じく甲第９号証には、
「１・１・５　配線用金属材料　表４・１の電気伝導度からみると、金属単体で使用できるのは、Ａｌ、Ａｕ等で、その他の金属はＡｌ、Ａｕと組み合わせて用いられる。」（第１７５頁左欄第４行〜６行）と記載されている。
　同じく甲第１０号証には、
　第１４３頁の８・１１図に、金の光の吸収係数と波長の関係について、可視光領域において、波長が長くなるほど吸収が小さくなることが開示されている。
　また、特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第１号証には、
「ディスプレイ板にルミネッセンス層が設けられており、その背面に紫外線を出すＬＥＤが配置されていることを特徴とするディスプレイ装置。」（実用新案登録請求の範囲請求項１）、
「ルミネッセンス層２は、紫外線が照射されることによって蛍光あるいは燐光を発光する発光部となる。」（明細書第４頁第１４行〜第１６行）、
「紫外線を発光するＬＥＤ４としては、放出された波長域が４００ｎｍ以下のものを使用する。たとえば、周期律表III−IV族化合物であるＧａＮやＺｎＳを半導体材料とするものを使用するとよい。」（明細書第５頁第６行〜第１０行）と記載されており、
　参考資料１には、「ボンディングには直径２５〜３０ミクロンのＡｕ線の熱圧接が多く用いられます」（第８７頁第１７行〜第１８行）と記載されており、第７５頁図４．９「赤外→可視変換蛍光体を用いた発光ダイオードの構造例」に、電極をワイヤボンディングにより行うことが示されており、参考資料２には、第５１４頁の図−５「ランプ用発光ダイオードパッケージ」に、樹脂モールド中に配置された発光素子への電気的接続手段として、Ａｕ細線を用いることが示されており、参考資料３には、第６７頁図４・１「ＬＥＤの製作プロセス」のボンディングの図に、Ａｕワイヤを用いることが示されており、参考資料４には、第１１８頁５．５．２金属の光学定数５．５．２．１金属の屈折率、消衰係数、反射率の項に、金Ａｕの反射率は、波長４００ｎｍで３６．０％、波長４２０ｎｍで３６．２％、波長４４０ｎｍで３６．２％、波長４６０ｎｍで３５．８％、波長４８０ｎｍで３６．４％、波長５００ｎｍで４１．５％、波長５２０ｎｍで６０．０％、波長５４０ｎｍで７１．０％、波長５８０ｎｍで８２．７％、波長６２０ｎｍで８８．９％、波長６６０ｎｍで９１．０％、波長７００ｎｍで９３．０％であることが示されている。
　また、特許異議申立人西島一の提示した甲第１号証には、
「実施例１　鏡面研磨したサファイア単結晶・・・これを基板１として・・・基板１上に最初に成長したＧａＮ層２は、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３のｎ型導電性を示し、引き続きその上に成長したＧａＮ層３は、キャリア濃度７×１０１７ｃｍ−３のｐ型導電性を示すことがわかった。・・・第１図に示したように、このウェファーを超音波カッターで１×ｌｍｍ２の大きさに切り出し、中央部に０．６ｍｍφの金マスクをかけてメサエッチし、ｎ層側にはＳｎ合金４をつけ、ｐ層側にはＡｕ線５をボンディングして抵抗性電極とし、ステム６上に組立ててダイオードにした。・・・順方向に１０〜３０ｍＡ電流を流したときの発光スペクトルを第２図に示した。発光強度は電流密度に比例し、青色発光の外部量子効率は約３％であった。」（公報第２頁左下欄第６行〜右下欄第１７行）と記載されている。
　同じく甲第２号証及び甲第３号証は、特許異議申立人アジレント・テクノロジー株式会社の提示した甲第６号証及び甲第２号証であるから、上記の発明が記載されている。
　同じく甲第４号証には、
「第１図に示すように、ｐ−ｎ接合を挟むｐ型部とｎ型部に銀ペーストの電極４をつけ、ｐ型側を正ｎ型側を負にして７０ボルトの順バイアス電圧をかけると、ｐ型からｎ型に２ミリアンペアの電流が流れた。・・・２ミリアンペアの電流を通電中に実体顕微鏡でｐ−ｎ接合素子を観察したところ、ｐ−ｎ接合部に沿ってその近くのｎ型側に青白い発光が観察された。・・・数ミリアンペア流せば肉眼でも発光を検知し得られる。・・・２０００オングストロームの紫外域から青色にかけても発光することが確認された。・・・実施例１のｐ−ｎ接合部、またはｎ側表面に、銀ドープ硫化亜鉛、銅ドープ硫化亜鉛、ユーロピウムドープイットリウムオキシサルファイドの蛍光体をそれぞれ塗布し、ｐ−ｎ接合に順方向の電流を流したところ、それぞれ青色、緑色、赤色の発光が得られた。」（公報第２頁右下欄第２行〜第３頁右上欄第１行）と記載されている。
　同じく甲第５号証には、
「有機エレクトロルミネッセンス材料部が青色発光をするものであり、蛍光材料部がその発光を吸収し青緑色から赤色までの可視光を発光するものである請求項１のエレクトロルミネッセンス素子。」（特許請求の範囲請求項３）と記載されている。
　同じく甲第６号証は、特許異議申立人ルナライト株式会社の提示した甲第３号証、特許異議申立人アジレント・テクノロジー株式会社の提示した甲第４号証及び取消理由通知に引用した引用例であるから、上記（２）iii）（引用例）に示した発明が記載されている。
　同じく甲第７号証は、特許異議申立人ルナライト株式会社の提示した甲第２号証及び特許異議申立人アジレント・テクノロジー株式会社の提示した甲第１号証であるから、上記の発明が記載されている。
　同じく甲第８号証には、
　第１図に、従来の発光ダイオードの概略斜視図として、半導体層の電極に接続するリード線として直径２５μｍ程度の金線を使用することや、樹脂モールドで包囲することが示されている。
　同じく甲第９号証には、
　第２図に、ＧａＡｓ赤外ＬＥＤの組立状態を示す縦断面図として、半導体層の電極に接続するリード線として直径２５μｍ程度の金線を使用することや、樹脂モールドで包囲することが示されている。
　同じく甲第１０号証は、本件特許に係る出願の原出願の公開公報であるから、本件特許明細書と同内容の記載があり、
　同じく甲第１１号証は、本件出願経過における平成１０年１１月２７日付の意見書であり、本件発明の特徴と引用例との差違が記載されている。
　
（Ａ）特許法第２９条第１項第３号について
　特許異議申立人西島一は、本件出願は適法な分割出願ではないから、出願日の遡及は認められず、本件発明は、原出願の公開公報に記載された発明と同一の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものである旨、主張している。
　特許異議申立人西島一の主張する、本件出願が適法な分割出願ではない理由は以下の４点である。
（ａ）原出願の出願当初の明細書又は図面には、視感度が悪い４２０〜４４０ｎｍ付近に発光ピークがある紫色に近い色（又は３７０ｎｍの紫外）を、視感度が良い４８０ｎｍ付近に発光ピークがある青色（又は数々の波長の光）に変換することを主旨とする発明しか記載されていないのに、平成１０年１１月２７日付の手続補正書と意見書により、視感度が良い４５０ｎｍ付近に発光ピークがある青色を、５５０ｎｍの緑色（又は長波長の光）に変換して、金線の表面における反射率を向上させることを主旨とする発明にすり替わった。
（ｂ）本件発明の「蛍光染料又は蛍光顔料(5)は、発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す」という事項は、原出願の出願当初明細書に記載されておらず、自明な事項でもない。
（ｃ）本件発明の、「一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極である」という事項は、原出願の出願当初明細書に記載されておらず、自明な事項でもない。
（ｄ）本件発明の、「メタル上の発光素子」という事項は、原出願の出願当初明細書に記載されておらず、自明な事項でもない。
　
　上記各理由について検討する。
（ａ）理由ａについて
　本件の訂正された特許明細書（以下、単に特許明細書という。）の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載事項を精査するも、「視感度が良い４５０ｎｍ付近に発光ピークがある青色を、５５０ｎｍの緑色（又は長波長の光）に変換して、金線の表面における反射率を向上させる」旨の記載は見当たらず、本件特許発明が、これを主旨とするものとは認められないので、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（ｂ）理由ｂについて
　特許異議申立人の主張は、上記記載は、蛍光染料又は蛍光顔料が、発光素子からの「波長を限定しない可視光」により励起されることを意味している、との前提に立つものであるが、請求項１には、「前記発光素子は、サファイア基板上に青色の可視光を発光するｎ型およびｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体を備え」と記載されており、「発光素子からの可視光」は、「青色の可視光を発光するｎ型およびｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体を備えた発光素子からの可視光」であることは明らかであり、「波長を特定しない可視光」ではないから、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（ｃ）理由ｃについて
　原出願の明細書の実施例では、エッチングにより、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させ、その部分にオーミック電極を付けているが、オーミック電極は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面の露出部分に付ければよいのであって、露出させる手段はエッチングに限らずどのような手段でもよいことは自明であるから、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（ｄ）理由ｄについて
　請求項１の記載中「メタル上の発光素子」のメタルは、メタルステムを指していることは、明細書全体の記載からみて明らかであるから、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
　以上のとおり、本件出願が適法な分割出願ではないという理由は、いずれも採用できないから、本件出願は適法な分割出願であり、原出願の公開公報は公知文献とはならないので、本件発明は、原出願の公開公報に記載された発明と同一の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものである旨、の主張は採用できない。
　
（Ｂ）特許法第３６条について
　特許異議申立人ルナライト株式会社及び特許異議申立人西島一は、本件明細書には記載不備があり、特許法第３６条第４項、第５項及び第６項に規定する要件を満たしていない旨、主張している。
　特許異議申立人ルナライト株式会社の主張は、本件明細書の「さらに樹脂モールド４には４２０〜４４０ｎｍ付近の波長によって励起されて４８０ｎｍに発光ピークを有する波長を発光する蛍光染料５が添加されている。」の記載では、蛍光染料の具体的構成が不明であるというものであるが、蛍光染料は発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出すものであればよく、例えば、特許異議申立人アジレント・テクノロジー株式会社の提示した甲第５号証である「蛍光体ハンドブック」第１版第２３３〜２４０頁（昭和６２年）に記載されている、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋（ＹＡＧ：Ｃｅ３＋）等の公知の蛍光染料を用いればよいことは明らかであるから、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
　また、特許異議申立人西島一は、記載不備に関して次の３点を指摘している。
（ａ）本件発明の「メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続しており」という事項は、発明の必須要件を記載したものではなく、それによる効果も認められない。
（ｂ）本件発明の「一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極である」という事項は、発明の必須要件を記載したものではなく、それによる効果も認められない。
（ｃ）本件発明の「一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極である」という事項は、「エッチング」という本件発明の必須要件を欠落している。
　
　上記３点について検討する。
（ａ）（ｂ）について
　特許法第３６条第５項第２号には、「特許を受けようとする発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載した項に区分してあること」と規定されており、これは、発明の詳細な説明に開示した「発明」のうち、出願人自らの判断で特許を受けようとする発明について、発明を明確に把握できるように記載すべきことを規定したものであり、請求項に記載されている構成要件のすべてが顕著な作用効果を奏することを求められてはいない。
　そして、上記（ａ）（ｂ）の構成要件は、それ自体明確な構成要件であり、また請求項に記載されている発明を不明確にするものでもない。
　よって、上記（ａ）（ｂ）の構成要件が顕著な作用効果を奏するか否かには関係なく、上記記載に不備があるとすることはできない。
　
（ｃ）について
　本件発明が「エッチング」するものに限定されないことは、上記（Ａ）（ｃ）に示したとおりであるから、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
　以上のとおりであるから、本件明細書に記載不備があるとの特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（Ｃ）特許法第２９条第２項について
　
（対比）
　本件の請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）と、引用例に記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、両者は、
「メタル上の発光素子と、この発光素子全体を包囲する樹脂モールドと、発光素子からの波長により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出す蛍光染料又は蛍光顔料が添加された層を有する発光ダイオードにおいて、前記蛍光染料又は蛍光顔料は、発光素子からの光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出すと共に、前記発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体を備えている発光ダイオード。」
である点で一致しており、
ア）本件発明では、樹脂モールド中に蛍光染料又は蛍光顔料が添加されているのに対し、引用発明では、モールドとは別に蛍光材料層がある点、
イ）蛍光染料又は蛍光顔料が、本件発明では、可視光により励起されて、発光ダイオードの視感度を良くするのに対し、引用発明では近紫外線により励起され、視感度については何ら記載がない点、
ウ）窒化ガリウム系化合物半導体が、本件発明では、サファイア基板上にｎ型およびｐ型に積層されてなるのに対し、引用発明では、積層構造に関する記載はない点、
エ）発光素子が、本件発明では、メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続しており、一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極であるのに対し、引用発明ではこのような構成を有していない点、
オ）発光素子が、本件発明では、「青色の可視光を発光する」のに対し、引用発明では、近紫外線を発光するとは記載されているが、可視光を発光するとは記載されていない点、
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
　
ａ）相違点イ及び相違点オについて
　本件発明では、青色の可視光を発光する発光ダイオードの視感度を良くすることを目的とし、蛍光染料又は蛍光顔料が、発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出すものであるのに対し、引用発明では、赤外線又は近紫外線等の非可視光を可視光に変換する蛍光材料を使用するものであり、可視光の視感度を良くする、という技術的課題は記載されていない。
　また、その他の各特許異議申立人の提示した甲各号証にも、発光素子からの青色の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す蛍光染料又は蛍光顔料を用いて、発光ダイオードの視感度を良くすることが公知であることを示す証拠はない。
　すなわち、発光素子からの青色の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す蛍光染料又は蛍光顔料を用いることが明示されているのは、特許異議申立人西島一の提示した甲第５号証のみであるが、この発光素子はエレクトロルミネッセンス素子であって、発光ダイオードとは発光原理や構造が異なり、また、青色ないし赤色の発光を得、さらに白色発光素子として使用できるＥＬ素子を開発することが目的であって、青色の可視光を発光する発光素子の視感度を良くすることを目的とするものでもない。
　よって、引用発明及びその他の各特許異議申立人の提示した甲各号証に基づいて、上記相違点イ及びオに関する構成要件を想到することが、当業者にとって容易とはいえない。
　
ｂ）相違点エについて
　一般の発光ダイオードにおいて、電極を金線によりワイヤボンドして接続することは周知の技術といえる。
　しかしながら、金の分光反射率が、青色の可視光においてきわめて低く、青色可視光を吸収することを考慮すれば、本件発明の如く青色の可視光を発光する発光ダイオードにおいて、単に、周知技術を適用して、その電極を金線によりワイヤボンドして接続することが、容易に想到し得ることということはできない。
　本件発明においては、発光素子全体を包囲する樹脂モールド中に、青色可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す染料又は蛍光顔料を添加するという、青色可視光の吸収を防止する手段を講じることにより、電極を金線によりワイヤボンドして接続することが可能になったものと認められる。
　よって、相違点エに係る構成要件は、本件発明の他の構成要件（相違点ア、相違点イ及び相違点オに係る構成要件）と関連した構成要件であり、これらとの関連において、電極を金線によりワイヤボンドして接続することが公知であるとの証拠は、その他の各特許異議申立人の提示した甲各号証にもないから、引用発明及びその他の各特許異議申立人の提示した甲各号証に基づいて、相違点ア、相違点イ、相違点オ及び相違点エに関する構成要件を想到することが、当業者にとって容易とはいえない。
　
（結論）
  よって、本件発明は、引用発明及びその他の各特許異議申立人の提示した甲各号証に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（むすび）
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１２日（２０００．６．１２）
【訂正の要旨】
訂正事項
　特許請求の範囲の請求項１、
「メタル上の発光素子（１１）と、この発光素子（１１）全体を包囲する樹脂モールド中に発光素子（１１）からの波長により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出す蛍光染料又は蛍光顔料が添加された発光ダイオードにおいて、前記記蛍光染料又は蛍光顔料（５）は、発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出すと共に、前記発光素子は、サファイア基板上に青色の可視光を発光するｎ型およびＰ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体を備え、この窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子（１１）は、メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続しており、一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極であることを特徴とする発光ダイオード。」
を、
「メタル上の発光素子（１１）と、この発光素子（１１）全体を包囲する樹脂モールド中に発光素子（１１）からの波長により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出す蛍光染料又は蛍光顔料が添加された発光ダイオードにおいて、前記蛍光染料又は蛍光顔料（５）は、発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くすると共に、前記発光素子は、サファイア基板上に青色の可視光を発光するｎ型およびＰ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体を備え、この窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子（１１）は、メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続しており、一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極であることを特徴とする発光ダイオード。」
と訂正する
（５４）【発明の名称】
発光ダイオード
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　メタル上の発光素子（１１）と、この発光素子（１１）全体を包囲する樹脂モールド中に発光素子（１１）からの波長により励起されて、励起波長と異なる波長の蛍光を出す蛍光染料又は蛍光顔料が添加された発光ダイオードにおいて、
　
前記
して発光ダイオードの視感度を良くする
　前記発光素子はサファイア基板上に青色の可視光を発光するｎ型およびｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体を備え、
　この窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子（１１）は、メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に、一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続しており、一方の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極であることを特徴とする発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は発光素子を樹脂モールドで包囲してなる発光ダイオード（以下ＬＥＤという）に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　一般に、ＬＥＤは図１に示すような構造を有している。１はｌｍｍ角以下に切断された例えばＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等よりなる発光素子、２はメタルステム、３はメタルポスト、４は発光素子を包囲する樹脂モールドである。発光素子１の裏面電極はメタルステム２に銀ペースト等で接着され電気的に接続されており、発光素子１の表面電極は他端子であるメタルポスト３から伸ばされた金線によりその表面でワイヤボンドされ、さらに発光素子１は透明な樹脂モールド４でモールドされている。
　　　【０００３】
　通常、樹脂モールド４は、発光素子の発光を空気中に効率よく放出する目的で、屈折率が高く、かつ透明度の高い樹脂が選択されるが、他に、その発光素子の発光色を変換する目的で、あるいは色を補正する目的で、その樹脂モールド４の中に着色剤として無機顔料、または有機顔料が混入される場合がある。
　　　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来、樹脂モールドに着色剤を添加して波長を変換するという技術はほとんど実用化されておらず、着色剤により色補正する技術がわずかに使われているのみである。なぜなら、樹脂モールドに、波長を変換できるほどの非発光物質である着色剤を添加すると、ＬＥＤそのもの自体の輝度が大きく低下してしまうからである。
　　　【０００５】
　ところで、現在、ＬＥＤとして実用化されているのは、赤外、赤、黄色、緑色発光のＬＥＤであり、青色または紫外のＬＥＤは未だ実用化されていない。青色、紫外発光の発光素子はＩＩ−ＶＩ族のＺｎＳｅ、ＩＶ−ＩＶ族のＳｉＣ、ＩＩＩ−Ｖ族のＧａＮ等の半導体材料を用いて研究が進められ、最近、その中でも一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０≦Ｘ≦１である。）で表される窒化ガリウム系化合物半導体が、常温で、比較的優れた発光を示すことが発表され注目されている。また、窒化ガリウム系化合物半導体を用いて、初めてｐｎ接合を実現したＬＥＤが発表されている（応用物理、６０巻、２号、ｐ１６３〜ｐ１６６、１９９１）。それによるとｐｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を有するＬＥＤの発光波長は、主として４３０ｎｍ付近にあり、さらに３７０ｎｍ付近の紫外域にも発光ピークを有している。その波長は上記半導体材料の中で最も短い波長である。しかし、そのＬＥＤは発光波長が示すように紫色に近い発光色を有しているため視感度が悪いという欠点がある。
　　　【０００６】
　本発明はこのような事情を鑑みなされたもので、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合物半導体材料よりなる発光素子を有するＬＥＤの視感度を良くし、またその輝度を向上させることにある。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の発光ダイオードは、発光素子１１と、この発光素子１１からの波長により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す蛍光染料又は蛍光顔料５とを有する。さらに、本発明の発光ダイオードは、蛍光染料又は蛍光顔料５が、メタル上の発光素子１１を包囲するよう配置されると共に、発光素子が、ｎ型およびｐ型に積層されてなる青色の可視光を発光する窒化ガリウム系化合物半導体を備える。窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子１１は、メタルに対向する面の反対側に位置する同一面側に一対の電極を金線によりワイヤボンドして接続している。一方の電極は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面を露出させた部分に接続されたオーミック電極である。
　　　【０００８】
　　【発明の実施の形態】
　図２は本発明のＬＥＤの構造を示す一実施例である。１１はサファイア基板の上にＧａＡｌＮがｎ型およびｐ型に積層されてなる青色発光素子、２および３は図１と同じくメタルステム、メタルポスト、４は発光素子を包囲する樹脂モールドである。発光素子１１の裏面はサファイアの絶縁基板であり裏面から電極を取り出せないため、ＧａＡｌＮ層のｎ電極をメタルステム２と電気的に接続するため、ＧａＡＩＮ層をエッチングしてｎ型層の表面を露出させてオーミック電極を付け、金線によって電気的に接続する手法が取られている。また他の電極は図１と同様にメタルポスト３から伸ばした金線によりｐ型層の表面でワイヤボンドされている。さらに樹脂モールド４には４２０〜４４０ｎｍ付近の波長によって励起されて４８０ｎｍに発光ピークを有する波長を発光する蛍光染料５が添加されている。
　　　【０００９】
　　【発明の効果】
　本発明の発光ダイオードの蛍光染料、蛍光顔料は、可視光の光によって励起され、励起波長よりも長波長光を発光する。逆に長波長の光によって励起されて短波長の光を発光する蛍光顔料もあるが、それはエネルギー効率が非常に悪く微弱にしか発光しない。前記したように窒化ガリウム系化合物半導体はＬＥＤに使用される半導体材料中で最も短波長側にその発光ピークを有するものであり、しかも紫外域にも発光ピークを有している。そのためそれを発光素子の材料として使用した場合、その発光素子を包囲する樹脂モールドに蛍光染料、蛍光顔料を添加することにより、最も好適にそれら蛍光物質を励起することができる。したがって青色ＬＥＤの色補正はいうにおよばず、蛍光染料、蛍光顔料の種類によって数々の波長の光を変換することができる。さらに、可視光の光を長波長に変え、エネルギー効率がよい為、添加する蛍光染料、蛍光顔料が微量で済み、輝度の低下の点からも非常に好都合である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　従来の一ＬＥＤの構造を示す模式断面図
　【図２】　本発明のＬＥＤの一実施例の構造を示す模式断面図
　【符号の説明】
１１・・・発光素子　　　　２・・・メタルステム
　３・・・メタルポスト　　４・・・樹脂モールド
　５・・・蛍光染料