(57)【要約】  処理装置（１）、例えば、イオン注入装置において用いられるガスベアリングスピンドル（２）である。スピンドル（２）は、鋼製のベアリング面（２３）、及び、クロム（３ａ）または他の硬い材料にて被覆されたシャフト（３）を備えている。
2008536073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルであって、
前記スピンドルは、前記スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、
前記シャフトは、前記真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、
前記シャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料からなるガスベアリングスピンドル。
【請求項２】
当該ガスベアリングスピンドルは、前記スリーブ部に対する前記シャフトの軸方向の運動及び回転運動が可能となるように配置され、
前記ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料は、鋼及びセラミック材料のうちの１つであり、
前記ガスベアリングスリーブ部内を走る前記シャフトの少なくとも一部は、前記ガスベアリングスリーブ部の表面の材料よりも硬い材料で被覆される請求項１に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項３】
前記シャフトに対向する前記ガスベアリングスリーブ部の表面全体は、ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料からなる請求項１または請求項２に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項４】
前記ガスベアリングスリーブ部全体は、ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料からなる請求項１または請求項２に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項５】
前記本体の少なくとも一部は、前記真空チェンバの外部に配置されるように構成される前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項６】
前記シャフトは、前記真空チェンバの外部から内部に貫通するように配置される請求項５に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項７】
前記シャフトの自由端は、前記基板を支持するように配置される請求項６に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項８】
前記被覆は、前記シャフト上にめっきされた材料を含む、請求項２、または、請求項２に従属する請求項３〜７の何れか１つに記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項９】
前記ガスベアリングスリーブ部内を走る前記シャフトの少なくとも一部は、クロム、シンデンスクロムめっき、及び、ニッケルのうちの１つにてめっきされる請求項８に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１０】
前記シンデンスクロムめっきは、Ａｒｍｏｌｌｏｙ（登録商標）クロムめっきである請求項９に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１１】
前記クロムめっきは、前記シンデンスクロムめっきの場合には、略９００ＨＶ（ビッカース硬度）、または、略１４００ＨＶ（ビッカース硬度）の硬度を備える請求項９または請求項１０に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１２】
前記シャフトは、鋼製である前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１３】
当該ガスベアリングスピンドルは、前記真空チェンバ内の真空状態の維持を可能とする非接触の密閉手段を備える前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１４】
前記ベアリングスリーブ部の表面には、軸方向に間隔を空けて配置される複数の周状溝が設けられ、前記複数の周状溝は、少なくとも１つの真空ポンプに接続可能である前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１５】
処理装置であって、
真空チェンバと、
前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドルと、
を備え、
前記スピンドルの本体は、前記真空チェンバの外部に取り付けられており、前記シャフトは、前記チェンバの壁を、前記チェンバの外部から内部に貫通する処理装置。
【請求項１６】
前記シャフトの１つの端部は、前記チェンバの内部に配置される請求項１５に記載の処理装置。
【請求項１７】
当該処理装置は、ウェハ処理装置である請求項１５または請求項１６に記載の処理装置。
【請求項１８】
当該処理装置は、イオン注入装置である請求項１５〜１７の何れか１項に記載の処理装置。
【請求項１９】
前記請求項１５〜１８の何れか１項による処理装置の処理方法であって、銅ウェハ基板が作動される処理方法。
【請求項２０】
真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルであって、
前記スピンドルは、軸方向の運動及び回転運動のために前記スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、
前記シャフトは、前記真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、
前記シャフトに対向する前記ガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、鋼製であり、
前記ガスベアリングスリーブ部内を走るシャフトの少なくとも一部は、前記ガスベアリングスリーブ部の表面の材料よりも硬い材料で被覆されるガスベアリングスピンドル。
【請求項２１】
真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルであって、
前記スピンドルは、軸方向の運動及び回転運動のために前記スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、
前記シャフトは、前記真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、
前記シャフトに対向する前記ガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、セラミック材料製であるガスベアリングスピンドル。
【請求項２２】
真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルであって、
前記スピンドルは、軸方向の運動及び回転運動のために前記スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、
前記シャフトは、前記真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、
前記シャフトに対向する前記ガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、シリコン窒化物製であるガスベアリングスピンドル。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、ガスベアリングスピンドル、具体的には、高真空イオン注入装置において基板の位置調整をするためのスピンドルに関する。
状況により、このようなスピンドルは、高真空注入チェンバ内の基板の軸方向の運動を提供する必要がある。一方、他の状況においては、基板の回転運動、または、軸方向の運動及び回転運動の両方を提供する必要がありうる。これらの異なるタイプのスピンドルは、それぞれのスピンドル毎に異なる要求を伴い、本願は、回転よりもむしろ軸方向の運動、または、少なくとも低速回転運動のみを提供するために配置されるスピンドルに最適となりうる。
【０００２】
高真空イオン注入装置にて用いるスピンドルは、解決しなければならない特別な要求及び／または問題を有する。チェンバ内が真空であることにより、スピンドル内の摩耗により発生した粒子は全て高真空チェンバに吸い込まれる傾向がある。一端、このような粒子が高真空チェンバの中に入ると、粒子は、チェンバ内環境の汚染につながることがあり、また、イオン注入工程の妨げとなりうる。
【０００３】
これは、高真空イオン注入装置に用いられるスピンドルの性能及び特徴に関して、特別に考慮される必要があることを意味する。
既存のシステムにおいては、従来の青銅製のベアリングがスピンドル内で用いられ、摩耗によりこれらの青銅製のベアリングから発生する粒子が、チェンバ内のイオン注入工程の妨げとなるとき、問題が発生する。
【０００４】
本発明の目的は、従来技術に関連する少なくともいくつかの問題を緩和することである。
本発明の１つの局面によれば、真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルが提供される。スピンドルは、スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、シャフトは、真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、シャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料からなる。
【０００５】
ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料は、例えば、鋼及びセラミック材料のうちの１つとしてもよく、例えば、シリコン窒化物としてもよい。このような材料を用いることは、技術的手法と逆行するが、真空チェンバ内における処理の妨げとなる汚染物質の発生が削減されうるような本発明においては、非常に効果的であり好ましいことが見いだされた。
【０００６】
鋼の使用は、コスト及び製造の容易性の面において好ましい。以下の“硬い材料”という表現は、表現を簡潔にするために用いられており、少なくとも１５０ＨＶのビッカース硬度を有する材料を意味する。
【０００７】
シャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面全体は、硬い材料にて形成されてもよい。ガスベアリングスリーブ部全体が、硬い材料にて形成されてもよい。シャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面全体が、鋼にて形成されてもよい。ガスベアリングスリーブ部全体が、鋼にて形成されてもよい。
【０００８】
本体の少なくとも一部が、真空チェンバの外部に配置されるように構成されてもよい。シャフトは、真空チェンバの外部から内部に貫通するように配置されてもよい。
ガスベアリングスリーブ部内を走るシャフトの少なくとも一部は、ガスベアリングスリーブ部の表面の材料よりも硬い材料にて被覆されることが好ましい。被覆は、シャフト上にめっきされた材料を含んでいてもよい。ガスベアリングスリーブ部内を走るシャフトの少なくとも一部は、クロム、Ａｒｍｏｌｌｏｙクロムめっき、及び、ニッケルのうちの１つにてめっきされることが好ましい。
【０００９】
シャフトは鋼製であることが好ましい。上述したように、鋼製のシャフトが被覆されうることは言うまでもない。クロムまたはシンデンスクロムめっきにてめっきされた鋼製のシャフトを用いることが最も好ましい。シンデンスクロムめっきは、微細な節を有し（micronodular）、低摩擦となりうる。シンデンスクロムめっきは、Ａｒｍｏｌｌｏｙ（登録商標）クロムめっきとしてもよい。クロムめっきは、シンデンスクロムめっきの場合には、略９００ＨＶ（ビッカース硬度）、または、略１４００ＨＶ（ビッカース硬度）の硬度を有しうる。
【００１０】
ガスベアリングスピンドルは、スリーブ部に対するシャフトの軸方向の運動を可能とするように配置されてもよい。ガスベアリングスピンドルは、スリーブ部に対するシャフトの回転運動を可能とするように配置されてもよい。
【００１１】
ガスベアリングスピンドルは、真空チェンバ内の真空状態の維持を可能とする非接触の密閉手段を備えていてもよい。
少なくとも１つの真空ポンプに接続可能であり、軸方向に間隔を空けて配置される複数の周状溝を、ベアリングスリーブ部の表面に設けてもよい。このような構成は、真空チェンバを密閉状態にすることを支援しうる。
【００１２】
本発明の他の１つの局面によれば、処理装置が提供される。処理装置は、真空チェンバと、上記で規定されるガスベアリングスピンドルと、を備えている。スピンドルの本体は、真空チェンバの外部に取り付けられており、シャフトは、チェンバの壁を、チェンバの外部から内部に貫通する。
【００１３】
処理装置は、ウェハ処理装置としてもよい。処理装置は、イオン注入装置としてもよい。
本発明のさらなる局面によれば、上記に規定されたような処理装置の処理方法が提供される。この処理方法では、銅ウェハ基板が作動される。
【００１４】
本発明のさらなる局面によれば、真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルが提供される。スピンドルは、スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、シャフトは、真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、シャフト及びシャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は硬い材料からなる。
【００１５】
本発明のさらなる局面によれば、真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルが提供される。スピンドルは、スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、シャフトは、真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、シャフト及びシャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、少なくとも鋼と同等に硬い材料からなる。
【００１６】
本発明のさらなる局面によれば、真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルが提供される。スピンドルは、スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、シャフトは、真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、シャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は鋼製である。
【００１７】
本発明のさらなる局面によれば、真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルが提供される。スピンドルは、スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、シャフトは、真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、シャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部はセラミック材料製である。
【００１８】
本発明のさらなる局面によれば、真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルが提供される。スピンドルは、スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、シャフトは、真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、シャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部はシリコン窒化物製である。
【００１９】
本発明の実施形態が、ほんの一例として、イオン注入装置に導入されたガスベアリングスピンドルを図式的に示す添付の図面を参照しつつ、以下に説明される。
イオン注入装置１は、一般的に標準的な注入機器を備えている。この注入機器は、本発明の核心部分では無いために、図面に詳細が示されておらず、また、本願に詳細な説明もされていない。
【００２０】
しかしながら、重要なのは、イオン注入装置が、チェンバ壁１２（図面には一部分のみが示される）により規定される高真空チェンバ１１（図面には一部分のみが示される）を備えることである。スピンドル２は、チェンバ壁１２に取り付けられる。
【００２１】
リニアガスベアリングスピンドル２は、本体２１を備えている。本体２１は、本体部２２と、この本体部２２の内部に取り付けられるガスベアリングスリーブ部２３と、を備えている。
【００２２】
軸方向の運動のために本体２１内に配置され、ガスベアリングスリーブ部２３により支持されるシャフト３が、本体２１に取り付けられた状態で設けられる。
シャフト３は、高真空チェンバ１１の外部から高真空チェンバ１１の内部を通り、それゆえに、高真空チェンバ１１の壁１２を通り抜ける（または、貫通する）。高真空チェンバ１１内に配置されるシャフト３の端部には取付部３１が設けられており、取付部３１の上に、イオン注入工程が適用される基板が取り付けられうる。
【００２３】
シャフト３は、一端がベアリングにより支持される。つまり、シャフト３は、ベアリングにて片持ち支持される。
典型的な実装形態においては、シャフト３は、本体２１、本体部２２、及びスリーブ部２３を含み、全体として略環状であるスピンドル２と同様に略環状であることが好ましい。
【００２４】
シャフトにより支持されるサンプルが、軸方向の移動だけでなくチェンバ１１内で回転されうるように、このような構成が、少なくとも原則として、本体２１に対するシャフト３の回転を可能とすることが注意すべき点である。しかしながら、本実施形態では、シャフト３の直線的な運動が、要求される全てである。
【００２５】
チェンバ１１内が高真空であると共に、リニアガスベアリングスピンドル２が、チェンバ１１の外部からチェンバ１１の内部への定在的なガス流路を提供するとき、スピンドル２を介して、ガスがチェンバ１１内に漏れる傾向が発生しうる。
【００２６】
しかしながら、ガスベアリングスリーブ部２３が、そのような漏れを最小とするために配置される。具体的には、環状スリーブ部２３の内側の曲面上に複数の円周溝２４が設けられ、これらの複数の円周溝２４は、スピンドル２の一端における大気圧から、スピンドル２の他端におけるチェンバ１１内の高真空までの圧力の緩やかな減少をもたらすために、それぞれの真空ポンプ（図示なし）に接続される。スピンドル２内に適切な密閉状態を提供するためのこのような配置の詳細は、例えば、ＵＳ４７２６６８９に見られうる。
【００２７】
はじめに触れたように、上述されたタイプの標準的なスピンドル（例えば、ＵＳ４７２６６８９において説明されたスピンドル）においては、ベアリングの表面を青銅のような柔らかい材料で形成することが通常となりうる。この場合、ベアリングがガスベアリングでも、適切に、機能不良なく作動された場合には、シャフト３とベアリングスリーブ部２３との間の接触は起こらない。このような場合、鋼製のシャフト３またはクロムめっきされた鋼製のシャフト３が用いられることもまた標準的である。それゆえに、シャフト３とベアリング２３とが接触する場合、ベアリング２３は、予測可能な形で段階的に、より硬い鋼及び／またはクロムにて摩耗しうる。摩耗が生じた場合、突発的な故障が引き起こされるよりは、むしろ、粒子の青銅への埋め込みが生じる。
【００２８】
通常、このような摩耗は許容可能であるが、ベアリングの摩耗により生じた粒子がチェンバ１１内に吸い込まれた場合には、現在の状況下において問題が生じうる。チェンバ１１において、粒子はイオン注入工程の妨げとなりうる。
【００２９】
このような問題が、あるタイプのイオン注入工程が実行される場合におけるＵＳ４７２６６８９に見られるようなスピンドルの使用に、重大な問題を引き起こした。これらの問題を解決する１つの可能な方法は、通常の柔らかさに該当すると共に、また、一般的にイオン注入工程に導入される性質を有するような代替のベアリング材料として、グラファイトを用いることである。チェンバに投入されるいかなるグラファイトも、それ自体が、工程を妨げる傾向はない。
【００３０】
しかしながら、グラファイトは、製造上の処理が困難であり、構造上脆弱なので、グラファイトの使用は好ましくない。
それゆえに、異なる代替案が望まれる。本実施形態においては、ガスベアリングスリーブ部２３は、鋼製（具体的には、この場合、オーステナイト系ステンレス鋼、例えば、磁性を有さず、１８３ＨＶ（ビッカース硬度）の硬度を有する３０３Ｓ２１（ＢＳ９７０））であり、実際には、本体２１の残材である。これは、柔らかいベアリング材料が選択されるべきである通常の技術的手法と正反対である。しかしながら、驚くべきことに、この設計により、十分な結果が実現された。
【００３１】
本実施形態においては、シャフトの移動のある時点で、スリーブ部２３を通り抜けるシャフト３、または、少なくともシャフト３の一部は、クロム３ａにてめっきされている。代替のシャフト３は、シンデンスクロムめっき（例えば、Ａｒｍｏｌｌｏｙ（登録商標）クロムめっき）にて被覆されうる。クロムめっきは、スリーブ部２３内で生じるいかなる摩耗をも最小にすることを支援する正確で滑らかな仕上げをシャフト３にもたらす。鋼の選択が、ベアリング材料として技術的手法に反している一方、摩耗が生じ、鋼の粒子がチェンバ１１に入り込む場合、鋼の粒子が、銅基板が用いられた場合のイオン注入工程を妨げることがないので、有利である。これは、青銅のベアリング材料が用いられる場合の状況とは対照的である。
【００３２】
シリコン窒化物または他のセラミック材料のような他の標準的でないベアリング材料を用いることも可能である。非常に硬く、一方、非常に滑らかなシャフトの被覆及び硬いベアリング材料を用いることにより、摩耗により生成される粒子の量を削減しうる。
【００３３】
本実施形態にて許容されるシャフト３の運動の軸方向の速度については、およそいくつかの制限がある。また同様に、シャフト３が本体２１に対して回転駆動されるように設定される場合に、限界となる回転速度も制限される。これらの速度に関する制限は、直接的な試験を実行することにより十分に容易に決定しうる。
【００３４】
代替案においては、シャフトと対向するベアリングの表面もまた、クロムまたはＡｒｍｏｌｌｏｙクロムめっきにて被覆されうる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】リニアガスベアリングスピンドル２を内蔵するイオン注入装置１の一部を図式的に示している。
【図１】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年2月9日(2007.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルであって、
前記スピンドルは、前記スピンドルの本体の一部である略環状のガスベアリングスリーブ部内にて支持される略環状のシャフトを備え、
前記シャフトは、前記真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、
前記シャフトに対向するガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料からなり、
当該ガスベアリングスピンドルは、前記スリーブ部に対する前記シャフトの軸方向の運動及び回転運動が可能となるように配置され、前記ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料は鋼であり、前記ガスベアリングスリーブ部内を走る前記シャフトの少なくとも一部は、前記ガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部の材料よりも硬い材料で被覆されるガスベアリングスピンドル。
【請求項２】
前記シャフトに対向する前記ガスベアリングスリーブ部の表面全体は、ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料からなる請求項１に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項３】
前記ガスベアリングスリーブ部全体は、ビッカース硬度が少なくとも１５０ＨＶの材料からなる請求項１に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項４】
前記本体の少なくとも一部は、前記真空チェンバの外部に配置されるように構成される前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項５】
前記シャフトは、前記真空チェンバの外部から内部に貫通するように配置される請求項４に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項６】
前記シャフトの自由端は、前記基板を支持するように配置される請求項５に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項７】
前記被覆は、前記シャフト上にめっきされた材料を含む、前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項８】
前記ガスベアリングスリーブ部内を走る前記シャフトの少なくとも一部は、クロム、シンデンスクロムめっき、及び、ニッケルのうちの１つにてめっきされる請求項７に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項９】
前記シンデンスクロムめっきは、Ａｒｍｏｌｌｏｙ（登録商標）クロムめっきである請求項８に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１０】
前記クロムめっきは、前記シンデンスクロムめっきの場合には、略９００ＨＶ（ビッカース硬度）、または、略１４００ＨＶ（ビッカース硬度）の硬度を備える請求項８または請求項９に記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１１】
前記シャフトは、鋼製である前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１２】
当該ガスベアリングスピンドルは、前記真空チェンバ内の真空状態の維持を可能とする非接触の密閉手段を備える前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１３】
前記ベアリングスリーブ部の表面には、軸方向に間隔を空けて配置される複数の周状溝が設けられ、前記複数の周状溝は、少なくとも１つの真空ポンプに接続可能である前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドル。
【請求項１４】
処理装置であって、
真空チェンバと、
前記いかなる請求項にも記載のガスベアリングスピンドルと、
を備え、
前記スピンドルの本体は、前記真空チェンバの外部に取り付けられており、前記シャフトは、前記チェンバの壁を、前記チェンバの外部から内部に貫通する処理装置。
【請求項１５】
前記シャフトの１つの端部は、前記チェンバの内部に配置される請求項１４に記載の処理装置。
【請求項１６】
当該処理装置は、ウェハ処理装置である請求項１４または請求項１５に記載の処理装置。
【請求項１７】
当該処理装置は、イオン注入装置である請求項１４〜１６の何れか１項に記載の処理装置。
【請求項１８】
前記請求項１４〜１７の何れか１項による処理装置の処理方法であって、銅ウェハ基板が作動される処理方法。
【請求項１９】
真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルであって、
前記スピンドルは、軸方向の運動及び回転運動のために前記スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、
前記シャフトは、前記真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、
前記シャフトに対向する前記ガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、鋼製であり、
前記ガスベアリングスリーブ部内を走るシャフトの少なくとも一部は、前記ガスベアリングスリーブ部の表面の材料よりも硬い材料で被覆されるガスベアリングスピンドル。
【請求項２０】
真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルであって、
前記スピンドルは、軸方向の運動及び回転運動のために前記スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、
前記シャフトは、前記真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、
前記シャフトに対向する前記ガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、セラミック材料製であるガスベアリングスピンドル。
【請求項２１】
真空チェンバ内における処理工程中に、基板を移動するためのガスベアリングスピンドルであって、
前記スピンドルは、軸方向の運動及び回転運動のために前記スピンドルの本体の一部であるガスベアリングスリーブ部内にて支持されるシャフトを備え、
前記シャフトは、前記真空チェンバの内部に配置された基板の作動のために配置され、
前記シャフトに対向する前記ガスベアリングスリーブ部の表面の少なくとも一部は、シリコン窒化物製であるガスベアリングスピンドル。
【国際調査報告】
2008536073.tif 000004
2008536073.tif 000005
2008536073.tif 000006