(57)【要約】【課題】  相対的に大きなサイズであると同時に、平坦性特性が良好であり、製造特性が良好であり、かつプローブカードの予測される動作温度範囲にわたり良好な位置公差を維持できるプローブカードおよび基板を提供すること。【解決手段】  半導体ダイのテスト用のプローブカードが提供される。このプローブカードは、実装板と、実装板によって支持されている複数の基板セグメントとを含んでいる。【選択図】  図４
2008522194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装板と、
前記実装板によって支持されている複数の基板セグメントと、
を備えている、プローブカード。
【請求項２】
前記複数の基板セグメントが、フレームによって前記実装板により支持されている、請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
前記フレームが、
基板セグメントのそれぞれを前記フレームに対する第一位置に付勢するためと、前記基板セグメントの熱膨張および熱収縮を弾性的に吸収するための、少なくとも1つの付勢部材、
を含んでいる、請求項２に記載のプローブカード。
【請求項４】
前記付勢部材が、エポキシベースの材料を含んでいる、請求項３に記載のプローブカード。
【請求項５】
前記付勢部材が、ばね要素を含んでいる、請求項３に記載のプローブカード。
【請求項６】
前記フレームが、約2.5*10-6 inch/inch/゜F以下の熱膨張係数を有する材料から作製されている、請求項２に記載のプローブカード。
【請求項７】
前記フレームが、前記複数の基板セグメントのうちの少なくとも1つの基板セグメントの縁部分を受け入れるように構成されている切欠、を画成している、請求項２に記載のプローブカード。
【請求項８】
プリント基板をさらに備えており、
前記実装板が、前記プリント基板と前記複数の基板セグメントとの間に配置されている、
請求項１に記載のプローブカード。
【請求項９】
前記実装板がプリント基板である、請求項１に記載のプローブカード。
【請求項１０】
前記実装板と前記基板セグメントとの間に配置されているインターポーザ、
をさらに備えている、請求項１に記載のプローブカード。
【請求項１１】
前記複数の基板セグメントが、第一基板セグメントと第二基板セグメントとを含んでおり、
（1）前記第一基板セグメントによって支持されているプローブ素子の第一グループと、（2）前記第二基板セグメントによって支持されているプローブ素子の第二グループと、の間に画成されている隙間が、（3）前記第一基板セグメントによって支持されているプローブ素子の前記第一グループと、（4）前記第一基板セグメントによって支持されているプローブ素子の第三グループと、の間に画成されている別の隙間に実質的に等しい、
請求項１に記載のプローブカード。
【請求項１２】
複数の導電パッドを含んでいるプリント基板と、
複数のプローブ素子を支持しているプローブ基板であって、複数の基板セグメントを含んでおり、前記プローブ素子が前記複数の導電パッドのうちのそれぞれの導電パッドに導電的に結合されている、前記プローブ基板と、
を備えている、プローブカード。
【請求項１３】
前記複数の基板セグメントが、フレームによって前記プリント基板により支持されている、請求項１２に記載のプローブカード。
【請求項１４】
前記フレームが、
基板セグメントのそれぞれを前記フレームに対する第一位置に付勢するためと、前記基板セグメントの熱膨張および熱収縮を弾性的に吸収するための、少なくとも1つの付勢部材、
を含んでいる、請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１５】
前記付勢部材が、エポキシベースの材料を含んでいる、請求項１４に記載のプローブカード。
【請求項１６】
前記付勢部材が、ばね要素を含んでいる、請求項１４に記載のプローブカード。
【請求項１７】
前記フレームが、約2.5*10-6 inch/inch/゜F以下の熱膨張係数を有する材料から作製されている、請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１８】
前記フレームが、前記複数の基板セグメントのうちの少なくとも1つの基板セグメントの縁部分を受け入れるように構成されている切欠、を画成している、請求項１３に記載のプローブカード。
【請求項１９】
前記プリント基板と前記複数の基板セグメントとの間に配置されている実装板、
をさらに備えている、請求項１２に記載のプローブカード。
【請求項２０】
前記プリント基板と前記複数の基板セグメントとの間に配置されているインターポーザ、
をさらに備えている、請求項１２に記載のプローブカード。
【請求項２１】
前記複数の基板セグメントが、第一基板セグメントと第二基板セグメントとを含んでおり、
（1）前記第一基板セグメントによって支持されているプローブ素子の第一グループと、（2）前記第二基板セグメントによって支持されているプローブ素子の第二グループと、の間に画成されている隙間が、（3）前記第一基板セグメントによって支持されているプローブ素子の前記第一グループと、（4）前記第一基板セグメントによって支持されているプローブ素子の第三グループと、の間に画成されている別の隙間に実質的に等しい、
請求項１２に記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本出願は、米国仮特許出願第60／632,414号明細書（出願日：2004年12月2日）の利益を享受し、この文書は本文書に参照文献として組み込まれている
【技術分野】
【０００２】
本発明は、集積回路をテストする機器に関する。より詳細には、本発明は、半導体集積回路のウェハテストのためのプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体集積回路の製造においては、正しい動作を確保するため、出荷前の製造時に集積回路（「IC」）をテストすることが慣習となっている。ウェハテストは、ウェハに実装される半導体IC（または「ダイ」）の製造テストにおいて一般的に使用されている周知のテスト手法であり、それらICの正しい性能を確認するため、自動テスト装置（ATE）と、ウェハ上の各IC（または「ダイ」）との間に一時的な電流を確立する。ウェハテストに使用される例示的なコンポーネントは、ATEとプローブカードとの間でテスト信号を往復させるATEテスト基板（例：ATEに接続されている多層プリント基板）を含んでいる。
【０００４】
例示的なプローブカードは、ICウェハ上の一連の接続端子（またはダイ接点）との電気接触を確立するように配置されている、一般的には数百本のプローブ針を含んでいるプリント基板を含んでいる。公知のプローブカードは、プローブとプリント基板とを電気的に接続する基板、またはいわゆるスペーストランスフォーマ(space transformer)も含んでいることができる。スペーストランスフォーマは、多層セラミック基板、多層有機基板などを含んでいることができる。複数のフレキシブルプローブのそれぞれをスペーストランスフォーマの取付面に取り付けることが公知である。一般には、プローブは、導電性のボンディングパッド、好ましくは、半導体製造の分野における通常の技術を有する者に周知である従来のめっき手法またはエッチング手法によって基板上に形成されている金属ボンディングパッド、に取り付けられている。
【０００５】
プローブカードの製造における1つの課題として、IC接続端子と接続されるプローブ先端の位置の望ましくない変動が最小になるように、スペーストランスフォーマ基板の取付面が、平坦度の厳しい公差内に維持されることが望ましい。プローブアセンブリ内のすべてのプローブ先端の位置の厳しい公差は、個々のプローブ先端と、テストされるチップの端子との間に同一の接触条件を確立して維持するうえで非常に重要である。位置の公差は、対応する端子に対するプローブ先端の位置と、プローブとIC接続端子との間に良好な電気接続を確立するのに必要な力の両方に影響する。プローブ先端の位置公差を厳しく制御するためには、複数のプローブの取付面が可能な限り平らであることが望ましい。
【０００６】
大きなプローブカードは、より多数の半導体ダイの同時のテスト、または、より大きな単一の半導体ダイのテストに対応することができ、従ってテスト工程の効率が高まることにおいて望ましい。しかしながら、プローブカードおよび基板のサイズが大きくなるにつれて、良好な平坦特性を有する基板を効率的に製造することが難しくなる。例えば、基板材料をラッピングして所望の形状にするとき、残留応力が形成される、あるいは解放されることがある。基板材料の応力状態が変化すると、それによって基板が反ることがあり、その結果として、基板のサイズが大きいほど平坦度の偏差の大きさが増大する傾向にある。さらに、相対的に大きな基板片(substrate work piece)に修復不能な欠陥が生じると、歩留りが同じであり相対的に小さな基板片を製造する製造工程において生じるよりも破棄量が多く、従って効率が下がる。さらには、基板は温度変動にさらされ、基板材料の熱膨張係数に従って膨張および収縮が生じるため、プローブカードおよび基板のサイズが大きいほど、所望の公称位置からのプローブ先端の位置の変動も増大する。
【０００７】
従って、相対的に大きなサイズであると同時に、平坦性特性が良好であり、製造特性が良好であり、かつプローブカードの予測される動作温度範囲にわたり良好な位置公差を維持できるプローブカードおよび基板を提供することは望ましいであろう。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の例示的な実施例によると、半導体ダイのテスト用のプローブカードが提供される。このプローブカードは、実装板と、前記実装板によって支持されている複数の基板セグメント(substrate segment)とを含んでいる。
【０００９】
本発明の別の例示的な実施例によると、プローブカードが提供される。このプローブカードは、複数の導電パッドを含んでいるプリント基板を含んでいる。このプローブカードは、複数のプローブ素子を支持しているプローブ基板も含んでいる。プローブ素子は、前記複数の導電パッドのうちのそれぞれの導電パッドに導電的に結合されている。プローブ基板は、複数の基板セグメントを含んでいる。
【００１０】
本発明を説明する目的で、図面には、現時点において好ましい本発明の形態が示されている。しかしながら、本発明は、示されているとおりの配置構成および手段に制限されないことを理解されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の例示的な実施例によると、半導体ダイのテスト用のプローブカードが提供される。このプローブカードは、実装板と、フレームによって実装板に結合されている複数の基板セグメントとを含んでいる。例えば、フレームは、基板セグメントのそれぞれをフレームに対する第一位置に付勢するためと、基板セグメントの熱膨張および熱収縮を弾性的に吸収するための、少なくとも1つの付勢部材を含んでいる。さらに、フレームは、低い熱膨張係数を有する材料から作製することができる。
【００１２】
図面を参照し、最初に図1、図1A、および図2を参照する。先行技術においては、複数の半導体ダイ22を有する半導体ウェハ20のテストに使用するようにされているプローブカード10を提供することが公知である。半導体ダイ22のそれぞれには複数のダイ接点24が設けられている（図1Aには少数の接点が示されているが、ダイ22には任意の数のダイ接点を含めることができることを理解されたい）。先行技術のプローブカード10は、実装板30と、フレーム50によって実装板30に結合されている基板40とを備えている。ウェハテストの分野においては、基板40は、例えば「スペーストランスフォーマ」と称されることもある。実装板30は、例えば、基板40と電気的に通信するプリント基板とすることができる。
【００１３】
本文書に記載されている特定の図においては、基板（例：基板40）が、対応する実装板および／またはプリント基板（例：実装板30）と比較して相対的に大きなサイズとして示されているが、これは図をわかりやすくするためであることを理解されたい。なお、図示されているコンポーネントのそれぞれのサイズは本発明には関連せず、特定のプローブカードにおいては、基板（例：スペーストランスフォーマ）がプリント基板よりも大幅に小さいことを理解されたい。
【００１４】
基板40には、その取付面44上に複数のプローブ42が取り付けられている。プローブ42は、例えば、導電性金属（例：アルミニウム、銅）から作製されている。半導体ウェハ20のテスト時、ウェハ20とプローブカード10とを相対的に動かすことによって、プローブ42の先端と、テストする半導体ダイ22のダイ接点24とが電気的に接触する。ウェハテスト手順中にプローブカード10を正しく動作させるためには、プローブ42の先端が互いに極めて正確に配置されていることが重要である。
【００１５】
基板40は、例えば、多層セラミック材料、多層有機材料などを有することができる。基板40は、幅がd1、長さがd2である。そのような先行技術の基板における取付面44には、基板40の製造工程または基板40の以降の工程のいずれかに起因しうる起伏が生じる。平坦ではない取付面44にプローブ42が取り付けられている場合、取付面44のその起伏によって、ダイ接点24に対するプローブ先端の配置精度が低下する傾向にある。起伏の大きさは、基板40の全体的なサイズの関数となる傾向にある。例えば、基板40における残留応力に起因して、基板40の中心軸線に沿って0．5度の反りが生じるならば、取付面44が理想的な平面位置からずれる距離は、中心軸線からの距離に伴って増大する。
【００１６】
一般には、プローブ42が損傷しない範囲内で吸収できる反りの程度は限られている。従って、プローブカードのサイズが大きくなると、一般には、プローブ42のたわみによって吸収されることが望ましい基板の起伏も、プローブ42が吸収できるたわみのレベルを超える大きさまで増大する。さらに、基板40のサイズが大きくなるにつれて破棄量も増し、なぜなら、製造公差からはずれている基板40は一般には破棄されるためである。
【００１７】
取付面44の起伏に加えて、基板40と半導体ウェハ20とで熱膨張が異なることも、ダイ接点24に対するプローブ先端の不正確な配置につながりうる。熱膨張が異なることによる、所望の公称位置からのプローブ先端の最大変位は、基板40のサイズが大きくなるにつれて増大し、この理由として、例えば、ウェハが一般にはシリコンを有し、基板がセラミック材料などの材料を有することが多いためである。そのようなシリコンとセラミック材料とでは熱膨張特性が異なり、基板40のサイズが大きくなるにつれて、ウェハ20に対する基板40の熱膨張の全体としての差も大きくなる。
【００１８】
次に図3〜図6を参照し、基板のサイズの増大に関連付けられる問題を考慮する一方で、より大きな基板を提供する結果としてテストの能力および効率が高まるという恩恵も認識することにより、本発明の例示的な実施例によると、実装板130と、フレーム150によって実装板130により支持されている（例：結合されている）複数の基板セグメント140と、を備えている、半導体ダイ22のテスト用のプローブカード100、が提供される。実装板130は、先行技術の実装板30に類似するものとすることができる。（プローブ142を支持している）複数の基板セグメント140は、フレーム150の中に組み立てられたとき、全体の幅がd1、全体の長さがd2であり、これらは先行技術の基板40の幅d1および長さd2に等しくすることができる。複数の基板セグメント140は、先行技術の基板40とほぼ同じように動作することができるが、個々の基板セグメント140の幅および長さを先行技術の基板40よりも大幅に小さくすることができる。
【００１９】
フレーム150は、幅広い範囲の温度にわたってプローブカード100の中に基板セグメント140のそれぞれを正確に配置するように機能することが望ましい。例えば、フレーム150は、セラミック基板の相対的に低い熱膨張係数（CTE）（例：約3.3*10-6 inch/inch/゜F （約6.0*10-6 cm/cm/℃））にほぼ一致するように、相対的に低い熱膨張係数（例：約2.5*10-6 inch/inch/゜F （約4.5*10-6 cm/cm/℃）以下）を有する材料から作製されている。望ましい特性を有する例示的な材料としては、さまざまな割合のニッケルを含んでいる鋼などの金属が挙げられ、具体的な例として、商標INVARおよびNILOとして販売されている。さらなる例示的な材料としては、モリブデン、モリブデン合金、ステンレス鋼が挙げられる。フレーム150の材料は、基板140の熱膨張係数とほぼ一致する熱膨張係数を持つように選択できるが、テスト工程中においてフレーム150と基板140とでは熱成長がやや異なる。従って、フレーム150は、フレーム150と基板140の異なる熱成長も吸収する一方で、基板セグメント140を正確に配置するように機能することが望ましい。
【００２０】
この機能は、さまざまな方法によって達成することができる。例えば、特に図5を参照し、最大処理温度における使用に適している弾性エポキシ160を使用して、基板140をフレーム150に入れることができる。弾性エポキシ160は、基板セグメント140のそれぞれをフレーム150に対する第一位置に付勢するようにと、基板セグメント140の熱膨張および熱収縮を弾性的に吸収するように動作する。
【００２１】
本発明の別の例示的な実施例によると、図6を参照し、フレーム150は、基板セグメント140のそれぞれをフレーム150に対する第一位置に付勢するようにと、基板セグメント140の熱膨張および熱収縮を弾性的に吸収するように動作するばね要素170を含んでいることができる。例えば、ばね要素170は、基板セグメント140のそれぞれを実装板150の中央部分172の方に付勢するように構成することができる。
【００２２】
図7は、本発明の例示的な実施例による2つの隣接する基板セグメント700および702を示している。本発明によると、基板セグメント上のプローブ704を、テストするウェハ上のダイ接点位置に一致するような配置編成に整列させることが望ましいことがある。より具体的には、ウェハの実用的な数のダイ接点を接触させることによってテストサイクルを向上させることが望ましいことがある。図7に示されているように、基板700および702のそれぞれは、8列のプローブを含んでいる。基板セグメント700においては、隙間G1によって左側のプローブグループ（4列）と右側のプローブグループ（4列）とが隔てられている。同様に、基板セグメント702においては、隙間G3によって左側のプローブグループ（4列）と右側のプローブグループ（4列）とが隔てられている。さらに、基板セグメント700の右側のプローブグループ（4列）と基板セグメント702の左側のプローブグループ（4列）との間に隙間G2が存在するように、プローブ704が基板セグメント700および702上に配置されている。隙間G2は、隙間G1およびG2に実質的に同様であるように構成されていることが望ましい。当然ながら、この方法論（隣接する基板セグメント上のプローブレイアウトを最適化する）は、与えられた配置構成にある任意の数の基板セグメントに適用することができる。
【００２３】
基板セグメントを支持するためのさまざまな異なる支持構造が考えられる。図8〜図11は、4つの例示的な構造を示している。図8〜図11は2つのみの基板セグメントを示しているが、さまざまな数の基板セグメントが考えられることが明らかである。
【００２４】
図8は、プリント基板802と、実装板804と、フレーム806とを含んでいるプローブカード800を示している。フレーム806は、基板セグメント808aおよび808bを支持しており、基板セグメント808aおよび808bはプローブ素子812を支持している。基板セグメント808aおよび808bの間にはエポキシ810が設けられている。実装板804と基板セグメント808a／808bとの間にはインターポーザ814（例：スプリングピンインターポーザ(spring pin interposer)、ポゴピンインターポーザ(pogo pin interposer)、平面接点配列インターポーザ(planar contact array interposer)）が設けられており、このインターポーザは複数のインターポーザを備えていることができる。従って、プリント基板802から、実装板804を通り、インターポーザ814を通り、基板セグメント808aおよび808bを通り、プローブ812に至る電気経路が形成されている。
【００２５】
フレーム806には、基板セグメント808aおよび808bの縁部分と係合する切欠806aが画成されている。
【００２６】
図9は、プリント基板902と、実装板904と、フレーム906とを含んでいるプローブカード900を示している。フレーム906は、基板セグメント908aおよび908bを支持しており、基板セグメント908aおよび908bはプローブ素子910を支持している。実装板904と基板セグメント908a／908bとの間にはインターポーザ914 （例：スプリングピンインターポーザ、ポゴピンインターポーザ、平面接点配列インターポーザ）が設けられており、このインターポーザは複数のインターポーザを備えていることができる。
【００２７】
フレーム906には、基板セグメント908aおよび908bの縁部分と係合する切欠906aが画成されている。
【００２８】
特定の配置構成においては、図8〜図9に示されている切欠を備えたフレーム構造は、実用的ではない。例えば、基板セグメントによって支持されているプローブ素子が、このような構造に対応できない高さ（基板セグメントの表面からの高さ）であることがある。
【００２９】
図10は、プリント基板1002と、実装板1004と、フレーム1006とを含んでいるプローブカード1000を示している。フレーム1006は、基板セグメント1008aおよび1008bを支持しており、基板セグメント1008aおよび1008bはプローブ素子1012を支持している。図10には示されていないが、実装板1004と基板セグメント1008a／1008bとの間にインターポーザ（例：スプリングピンインターポーザ、ポゴピンインターポーザ、平面接点配列インターポーザ）を設けることができ、このインターポーザは複数のインターポーザを備えていることができる。
【００３０】
エポキシ1010は、図10に示されているようにさまざまな位置に設けられている。
【００３１】
図11は、プリント基板1102と、実装板1104と、フレーム1106とを含んでいるプローブカード1100を示している。フレーム1106は、基板セグメント1108aおよび1108bを支持しており、基板セグメント1108aおよび1108bはプローブ素子1112を支持している。図11には示されていないが、実装板1104と基板セグメント1108a／1108bとの間にインターポーザ（例：スプリングピンインターポーザ、ポゴピンインターポーザ、平面接点配列インターポーザ）を設けることができ、このインターポーザは複数のインターポーザを備えていることができる。エポキシ1110は、図11に示されているようにさまざまな位置に設けられている。
【００３２】
プローブカード1100のフレーム1106は、追加の支持を提供する複数のリブ1106aを含んでいる。例えば、リブ1106aは、直線パターンとして構成することができ、または、望ましい場合には格子として構成することができる。
【００３３】
このように、本発明は、大きな基板の利点（例：テスト効率が高い）を提供する一方で、より小さな基板の利点（例：製造性(manufacturability)が高い、熱膨張の影響を受けにくくプローブ先端の配置の精度が高い）も提供する、分割された基板（例：分割されたスペーストランスフォーマ）を提供する。
【００３４】
本発明は、本文書に示されている特定の単純化されているプローブデザインを用いて示されているが、本文書はこのデザインに限定されない。任意のタイプのプローブを本発明と組み合わせて使用することができる。さらに、プローブは、複数の向きのうちのいずれかに構成することができ、例えば、プローブは、（1）基板表面に対して実質的に垂直に延びている、（2）基板表面に対して曲がっている経路または蛇行している経路に沿って延びている、および／または、（3）基板表面に対して実質的に水平に延びている梁を含んでいる、ことができる。
【００３５】
本発明の教示は、幅広いプローブカードデザイン、例えば、カンチレバー型のプローブカード、梁先端に支柱を備えたプローブカード(post-beam-tip style probe cards)、プローブヘッド（中にプローブが浮いている）を利用するプローブカード、プローブがめっき仕上げされている(plated-up probes)プローブカード、ピック・アンド・プレイス式にプローブが取り付けられているプローブカード(probe cards with pick-and-place attached probes)に適用することができる。
【００３６】
本発明の特定の例示的な実施例は、実装板に関連して説明されている。そのような実装板は、プローブカードアセンブリのプリント基板とすることができるが、個別の実装板を利用することもできる（例：図8〜図11に示されている実装板）。
【００３７】
本発明の特定の例示的な実施例は、プローブが取り付けられている、および／または、プローブを支持している基板に関連して説明されている。例示的な基板は、多層セラミック基板、あるいは多層有機基板を含んでいる。基板はスペーストランスフォーマとすることができ、ただしこれに限定されない。
【００３８】
本発明の特定の例示的な実施例を、（1）エポキシ材料、（2）ばね要素などの弾性機構に関連して説明した。しかしながら、本発明はこれらに限定されない。多数の弾性機構のうち任意の機構を利用することができる。
【００３９】
本発明の特定の例示的な実施例は、基板セグメントが結合されている（または基板セグメントを支持している）フレームに関連して説明されている。そのようなフレームは、単一構造、複数の個別の構造、または互いに結合されている複数の構造、とすることができる。例えば、図11に示されているフレーム1106は、（リブ1106aを含めて）単一構造（例：単体材料から作製されている）とすることができる。これに代えて、リブ1106aと、フレーム1106の残りとを個別にすることができる。
【００４０】
本発明は、その精神または本質的な特質から逸脱することなく、別の特定の形態に具体化することができる。本発明は、その例示的な実施例に関連して説明および図解されているが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、上述した変更および別のさまざまな変更、省略、および追加を本発明に行うことができることが、当業者には理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】複数の半導体ダイを含んでいる先行技術の半導体ウェハの平面図である。
【図１Ａ】図1の半導体ウェハの半導体ダイの拡大詳細図である。
【図２】先行技術のプローブカードの一部の概略平面図であり、フレームによって実装板に結合されている基板の上面を示している。
【図３】本発明の例示的な実施例によるプローブカードの一部の概略平面図である。
【図４】図3の線3−3に沿って切断したときの、図3のプローブカードの概略断面図であり、フレームに取り付けられている基板セグメントの組立てを示している。
【図５】図3および図4のフレームの拡大詳細図であり、弾性エポキシを使用してフレーム内に基板セグメントが配置されている。
【図６】図3および図4のフレームの概略上面図であり、付勢ばね部材を使用してフレーム内に基板セグメントが配置されている。
【図７】本発明の例示的な実施例による2つの隣接する基板セグメントの上面図である。
【図８】本発明の例示的な実施例によるプローブカードの概略断面図である。
【図９】本発明の例示的な実施例による別のプローブカードの概略断面図である。
【図１０】本発明の例示的な実施例によるさらに別のプローブカードの概略断面図である。
【図１１】本発明の例示的な実施例によるさらに別のプローブカードの概略断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
10  プローブカード
20  半導体ウェハ
22  半導体ダイ
24  ダイ接点
40  基板
42  プローブ
44  取付面
50  フレーム
100  プローブカード
130  実装板
140  基板セグメント
142  プローブ
150  フレーム
160  弾性エポキシ
170  ばね要素
172  中央部分
700、702  基板セグメント
704  プローブ
G1、G2、G3  隙間
800  プローブカード
802  プリント基板
804  実装板
806  フレーム
808a，808b  基板セグメント
810  エポキシ
812  プローブ素子
814  インターポーザ
900  プローブカード
902  プリント基板
904  実装板
906  フレーム
908a、908b  基板セグメント
910  プローブ素子
914  インターポーザ
1000  プローブカード
1002  プリント基板
1004  実装板
1006  フレーム
1008a、1008b  基板セグメント
1010  エポキシ
1012  プローブ素子
1100  プローブカード
1102  プリント基板
1104  実装板
1106  フレーム
1108a、1108b  基板セグメント
1110  エポキシ
1112  プローブ素子
【図１】
2008522194.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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