【事件の表示】
　特許第２６８８１６８号「フォトレジストイメージ形成プロセス」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２６８８１６８号の請求項１、２に係る特許を取り消す。
　同請求項３に係る特許を維持する。
【理　由】
　一．手続の経緯
　本件特許第２６８８１６８号は、パリ条約に基づく優先権（優先日：1992.11.3 米国）を主張する平成５年１０月８日の出願であって、平成９年８月２２日に特許の設定登録がなされた。
　本件特許公報は、平成９年１２月８日に発行され、阿形明より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年３月１７日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由の通知がなされた。
　二．訂正の適否
１．訂正の内容
　特許権者が求める訂正の内容は、特許明細書の請求項１の、「(ａ)ビニル重合体」を、「(ａ)約１２５℃以上のガラス転移温度を有するビニル重合体」と訂正するものである。
２．訂正拒絶理由
  訂正拒絶理由の趣旨は、上記の訂正において、ステップ(ａ)中の「ビニル重合体」を、「約１２５℃以上のガラス転移温度を有するビニル重合体」とすることは、その根拠が、願書に添付された明細書に記載されておらず、また、該記載事項より、直接的かつ一義的に導き出せる事項でもないから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第２項の規定に適合しないとするものである。
３．訂正の可否に対する判断
　権利者は、実例７の記載をもって、訂正後のビニル重合体のガラス転移温度の下限である１２５℃の根拠とするが、実例７は、露光前及び露光後の加熱を、共に９０℃で行っており、ステップ(ｂ)の、「ガラス転移温度より約２０℃低い温度より高い」温度で加熱するという要件にも、ステップ(ｄ)の、「約１１０℃以上の温度で加熱する」との要件にも適合しないから、少なくとも本件特許発明の対象範囲外のものである。そのような、特許を求める発明の実施例に該当しない例をもって、本件特許発明を減縮するための数値限定の根拠とすることはできない。
  そして、特許明細書において、ビニル重合体のガラス転移温度については、【0020】（「ポリｍ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン(poly m-t-butoxycarbonyloxystyrene) は約９０℃のＴｇと約１９０℃の酸不安定開裂温度を持つ。」）、【0021】（「もう１つの適した重合体はポリｔ−ブチルｐ−ビニルベンゾアート(poly t-butyl p-vinylbenzoate)で、これは約１６０℃のガラス転移温度と、約２５０℃の酸開裂温度を持つ。」）、【0024】（「ｐ−ヒドロキシスチレンとｔ−ブチルメタクリラート又はアクリラートとの共重合体のガラス転移温度は約１４０℃から約１７０℃で、」）、【0040】（「２０モル％のｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン(t-butoxycarbonyloxystyrene)を含有するポリメタt-ブトキシカルボニルオキシスチレン−コヒドロキシスチレン(poly meta-t-butoxycarbonyloxystyrene-cohydroxystyrene)(Tg＝125℃)と、・・・・重合体のパラ異性体(Tg　166℃)・・・・」）、【0041】（「２０モル％のｔ−ブチルメタクリラート単位(Tg＝166℃)を含有する重量平均分子量３６，１００のメタクリラート／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体を・・・・」）、【0042】（「ｐ−ヒドロキシスチレンとｔ−ブチルアクリラート(65:35 組成、34,600重量平均分子量 Tg 135℃)との共重合体を、・・・・」）に、それぞれ具体的な記載が認められるものの、「１２５℃」という数値は、実例７以外には、記載されていない。したがって、本件特許明細書の記載に基づいて、「１２５℃」という数値が、直接的かつ一義的に導き出せるものとは認められない。
　したがって、本件訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第２項の規定に適合しないから、該訂正請求は認められない。
　三．本件特許発明
  本件請求項１〜３に係る発明は、特許明細書の特許請求の範囲請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上にフォトレジストイメージを形成するプロセスにおいて、(ａ)ビニル重合体、感光性酸発生子、および酸不安定基を含むレジスト組成物フィルムを上記基板上に付着するステップと、(ｂ)上記フィルムを、上記重合体のガラス転移温度より約２０℃低い温度より高く、上記酸不安定基の開裂温度より低い温度で加熱するステップと、(ｃ)上記フィルムに放射線でイメージを露光し、上記感光性酸発生子から遊離酸を発生させるステップと、(ｄ)上記フィルムを約１１０℃以上の温度で加熱するステップと、および、(ｅ)上記イメージを現像するステップとを含むプロセス。
【請求項２】上記ビニル重合体は、ヒドロキシスチレン、アルキルアクリラート、およびアルキルメタクリラートからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載のプロセス
【請求項３】上記ステップ(ｂ)は、上記重合体のガラス転移温度より高く、上記酸不安定基の開裂温度より約１０℃低い温度より低い温度で加熱することを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。」     
　四、刊行物の記載と対比判断　
　１．請求項１及び２に係る発明について
　当審が取消理由通知で引用した刊行物１（特開平４−２１１２５８号公報）には、「下記化１
  ［式中のＲ１はメチル基、イソプロピル基、ｔｅｒ-ブチル基、テトラヒドロピラニル基、トリメチルシリル基又はｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基を表わし、Ｒ２は水素原子又はメチル基を表わし、ｋ及びｌは夫々独立して自然数｛但し、ｋ／（ｋ＋ｌ）＝０．１〜０．９である。｝を表わす。］で示される重合体と、露光により酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤を含んでなることを特徴とするレジスト材料。」（特許請求の範囲請求項１）、製造例６の（１）として、ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシスチレン２２ｇ（０．１モル）を用いて２，２′‐アゾビス（２，４‐ジメチルワレロニトリル）触媒存在下、トルエン中窒素気流下９０℃で５時間重合反応させた後、反応液を製造例１の（１）と同様に処理してポリ（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシスチレン）１５．２ｇを白色粉末晶として得たこと及びこのもののＧＰＣ法により測定した重量平均分子量はポリスチレン標準で約１２０００であること（第１６欄第１８〜２５行）、製造例６の（１）で得た重合体６．０ｇと、酸発生剤の２，４‐ジメチル‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）ペンタン‐３‐オン０．３ｇとジエチレングリコールジメチルエーテル１３．７ｇからなるレジスト材料を用い、半導体基板上にこのレジスト材料を塗布し、９０℃で９０秒間ソフトベーク後、得られた１．０μｍの膜厚のレジスト材料膜をＫｒＦエキシマレーザ光でパターン形成露光し、次いで１１０℃で９０秒間ホットプレート上でべ一ク後、アルカリ現像液で６０秒間現像してポジ型パターンを得たことが記載され、かつ表１中に製造例６（１）の重合体の示差熱分析測定を行って求めたガラス転移温度が１１０℃であること（第２３欄第６行〜第２４欄第７行、第２３欄第８〜２２行）が示されている。
　以上の記載から、刊行物１には、基板上にフォトレジストイメージを形成するプロセスにおいて、ポリ（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシスチレン）すなわちビニル重合体、２，４‐ジメチル‐２‐（ｐ‐トルエンスルホニル）ペンタン‐３‐オンすなわち感光性酸発生子を含むレジスト材料を用いて、これを半導体基板上に塗布し、９０℃でプリベークし、ＫｒＦエキシマレーザ光をマスクを介して選択的に露光し、１１０℃でポストベークしたのちアルカリ現像液で露光部のみを溶解除去し、ポジ型パターンを得た実験例が記載されている。
　そして、本件請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明を対比すると、刊行物１におけるポリ（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシスチレン）中のｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシ基は、本件請求項１に係る発明における酸不安定基に該当する。
　また、刊行物１の表１によると上記のポリ（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシスチレン）のガラス転移温度は１１０℃であるから、上記のプリベーク温度は、ガラス転移温度すなわち１１０℃よりも約２０℃低い温度よりも高くなっている。そして化学増幅型レジスト材料において、プリベーク温度を酸不安定基の開裂温度より低い温度にすることは当業者にとって常識であるから、刊行物１の上記実験例で用いている９０℃というプリベーク温度がｐ‐ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシ基の開裂温度よりも低いことは自明である。
　してみると、刊行物１には、本件請求項１に係る発明の構成事項のすべてを備えた発明が記載されているということができるので、本件請求項１に係る発明は特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　次に、刊行物１における、ポリ（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニルオキシスチレン）から酸不安定基を除いたビニル重合体はヒドロキシスチレンであり、本件請求項２に係る発明にいう上記ビニル重合体がヒドロキシスチレン、アルキルアクリラート及びアルキルメタクリラートからなる群から選択されたものに該当する。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。　
　五、特許異議申立人の主張　
　請求項３に係る発明について、特許異議申立人は要件であるステップ（ｂ）の「酸不安定基の開裂温度より約１０℃低い温度より低い温度で加熱する」について、本件特許明細書にはこの要件が本件発明の目的を達成するために必須であることを裏付けるデータがしめされていないので、必須でない事項が請求項に記載されている、と主張する。しかし、この要件は、本件特許明細書段落【００２７】の記載に基づくものであり、データによる裏付けがなくとも請求項３に係る発明の必須の要件であることは当業者にとって自明なことと認められるので、本件明細書に不備があるとはいえない。
　六、むすび
  以上のとおり、本件請求項１、２に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して特許されたものと認める。
　また、本件請求項３に係る発明の特許は取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により上記の通り決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月１２日（２０００．５．１２）