【事件の表示】
　特許第２８２６２３２号「非晶質太陽電池」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８２６２３２号の特許を維持する。
【理　由】
１．本件の経緯
　本件特許第２８２６２３２号は、平成４年６月２３日に出願され、平成１０年９月１１日に設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１１月１日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正請求の適否についての判断
（１）訂正事項
　（訂正事項ａ）
　特許請求の範囲の請求項１、
「アモルファスシリコンおよびその合金材料を主たる原料とし、ｉ層にバンドギャッププロファイルを設けた、ｐｉｎ構造を有する非晶質太陽電池において、高光吸収層をｐ層側から８０ｎｍ以内のｉ層中に設けたことを特徴とする非晶質太陽電池。」
を
「アモルファスシリコンおよびその合金材料を主たる原料とし、ｉ層のバンドギャップが連続的に変化してｐ層及びｎ層側で広くなると共にｐ層よりに極小部分をとるバンドギャッププロファイルを設けた、ｐｉｎ構造を有する非晶質太陽電池において、周囲のｉ層のバンドギャップより狭いバンドギャップを有する高光吸収層をｐ層側から８０ｎｍ以内のｉ層中であって前記極小部分との間に設けたことを特徴とする非晶質太陽電池。」
と訂正するものである。
　（訂正事項ｂ）
　明細書の【０００７】段落における、
「本発明のアモルファスシリコンおよびその合金材料を主たる原料とし、ｉ層にバンドギャッププロファイルを用いた、ｐｉｎ構造を有する非晶質太陽電池は高光吸収層をｐ層側から８０ｎｍ以内のｉ層中に設けたことを特徴とする。ここで高光吸収層とはバンドギャップがその周囲のｉ層のバンドギャップよりも狭く、所定の厚さを持つｉ型の層のことである。」
を
「本発明の非晶質太陽電池は、アモルファスシリコンおよびその合金材料を主たる原料とし、ｉ層のバンドギャップが連続的に変化してｐ層及びｎ層側で広くなると共にｐ層よりに極小部分をとるバンドギャッププロファイルを設けた、ｐｉｎ構造を有する非晶質太陽電池において、周囲のｉ層のバンドギャップより狭いバンドギャップを有する高光吸収層をｐ層側から８０ｎｍ以内のｉ層中であって前記極小部分との間に設けたことを特徴とする。ここで高光吸収層とは、所定の厚さを持つｉ型の層のことである。」
と訂正するものである。
　（訂正事項ｃ）　　
　明細書の【００１１】段落における、
「高光吸収層７の両端はバンドギャッププロファイルとなめらかに接続された構造となっている。」
を
「高光吸収層７の両端はバンドギャッププロファイルと接続された構造となっている。」
と訂正するものである。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１において、
　（ｉ）「バンドギャププロファイル」を「ｉ層のバンドギャップが連続的に変化してｐ層及びｎ層側で広くなると共にｐ層よりに極小部分をとるバンドギャッププロファイル」に、
　（ｉｉ）「高光吸収層」を「周囲のｉ層のバンドギャップより狭いバンドギャップを有する高光吸収層」に、
　（ｉｉｉ）「高光吸収層をｐ層側から８０ｎｍ以内のｉ層中に設けた」を「高光吸収層をｐ層側から８０ｎｍ以内のｉ層中であって前記極小部分との間に設けた」に、それぞれ限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。また、上記訂正事項ｂは、本件明細書の発明の詳細な説明中の特許請求の範囲に関連する記載を、上記訂正事項ａの訂正に伴いそれに合わせて訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に伴って生じた明瞭でない記載の釈明に相当する。また、上記訂正事項ｃは、明細書の【００１１】段落における「なめらかに」の文言が不明瞭であるためこれを削除するものであり、明瞭でない記載の釈明に相当する。
　上記訂正事項ａの（ｉ）の訂正は、明細書の【０００２】段落及び図３に、同（ｉｉ）の訂正は、【０００７】段落及び図２に、同（ｉｉｉ）の訂正は、【００１１】段落及び図２に、それぞれ記載されているものであり、また、上記訂正事項ｂ，ｃの訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　また、上記上記訂正事項ａ〜ｃの訂正は、その内容からみて、実質上特許請求の範囲を拡張したり変更したりするものではないことは明らかである。
（３）独立特許要件の判断
　訂正後の請求項１に係る発明（以下、訂正発明という。）の独立特許要件について検討する。
（訂正発明）
訂正発明は、上記２の（１）の（訂正事項ａ）に記載したとおりのものである。
（引用刊行物）                                  
　刊行物１（特開平３−２５２１７１号公報）には、ｐｉｎ構造を有する非晶質太陽電池において、ｉ層中に光学的バンドギャップが比較的大きな部分的層のみならず比較的小さな部分的層を設けたものである非晶質太陽電池の構成に関する技術が開示されており（特許請求の範囲参照）、
　（ｉ）第２頁左下欄１１〜１７行には、「第１図を参照して、本発明の第１の実施例による非晶質シリコン・カーボンアロイ太陽電池が示されている。導電性基板１上には、非晶質シリコンのｎ層２、非晶質シリコン・カーボンアロイの真性層３ａ、および非晶質シリコンのｐ層４が順次積層されており、ｐ層４上には透明導電膜５が形成されている。」と記載され、
　（ｉｉ）第２頁右下欄１９行〜第３頁左上欄１０行には、「第３図を参照して、第２図に示されたガス流量比の変化の下に形成された真性層３ａ中の光学的バンドギャップの変化を示している。横軸は真性層３ａの厚さｄｉ（Å）を表わし、縦軸は光学的バンドギャップＥg opt  （ｅＶ）を表わしている。第２図と第３図からわかるように、ガス流量比ＣＨ4 ／（ＣＨ4+ＳｉＨ4）が５０％であったｎ層との界面およびｐ層との界面において、真性層３ａはＥg opt ＝１．９５ｅＶの大きな光学的バンドギャップを有しているが、ガス流量比ＣＨ4 ／（ＣＨ4+ＳｉＨ4）の低下に比例して光学的バンドギャップは減少している。」と記載され、第３図には真性層３ａの厚さ方向における光学的バンドギャップの分布が示され、
　（ｉｉｉ）３頁左上欄１０〜１４行には、「そして、ｎ層２との界面から１２００Åの距離にあってガス流量比ＣＨ4 ／（ＣＨ4+ＳｉＨ4）が０％であった位置に対応して、光学的バンドギャップはＥg opt ＝１．７５ｅＶの極小値を有していることがわかる。」と記載され、第４頁右上欄３〜５行には、「小さな光学バンドギャップの部分的層が長波長光の有効利用によって短絡電流の低下を防止するとともに曲線因子の低下をも防止する。」と記載され、３頁左下欄２０行〜右下欄４行には、「第６図に示されたような光学的バンドギャップＥg opt の分布を有する真性層３ａを含む第２実施例による太陽電池も、第４図中の曲線４Ａと同様の改善された光電変換特性を有することがわかった。」と記載され、第６図には真性層３ａの厚さ方向における光学的バンドギャップの分布が示され、
　（ｉｖ）第２頁右上欄１８行〜左下欄９行、第３頁右上欄２〜５行および第４頁右上欄１〜７行には、刊行物１記載の発明に係る非晶質太陽電池は上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の構成に基づき、解放電圧を高く維持し、短絡電流の低下を防止するとともに曲線因子の低下をも防止し、結果として改善された光電変換効率を有するという、効果を奏するものであることが記載されている。
　刊行物２（特開平４−４４３６６号公報）には、ｐｉｎ層よりなる太陽電池素子が積層されており、その中の少なくとも１つのｉ層は両側のｐ層とｎ層の中間の領域のバンドギャップが前記のｐ層及びｎ層に近い部分のバンドギャプよりも狭いものである非晶質半導体太陽電池の構成に関する技術が開示されており（特許請求の範囲参照）、
　（ｉ）第２頁右上欄１８行〜左下欄１５行には、「第１図は本発明の第１の実施例の構成を模式的に示す略断面図である。導電性基板１の表面に、膜厚約１０００Åのｎ型ａ−Ｓｉ層１１，膜厚約３０００Åのバンドギャップの狭い領域を設けたｉ型ａ−ＳｉＧｅ層１２、膜厚約１００Åのｐ型ａ−ＳｉＣ層１３をプラズマＣＶＤ法によって順次堆積する。・・・（中略）・・・光は透明導電膜４側から入射し、３層のｐｉｎ構造によって光電変換される。」と記載され、
　（ｉｉ）第２頁右下欄７行〜第３頁左上欄２行には、「第３図は第２図に示されたようなガス流量比の変化の下に形成されたｉ型ａ−ＳｉＧｅ層１２を有する、第１図に示されるような三層積層型太陽電池のバンドギャップを示す模式図である。ｉ型ａ−ＳｉＧｅ層１２の左方のｎ型ａ−Ｓｉ層１１側ではＧｅＨ4の流量が０であるから、そのバンドギャップ（Ｅｇ）は１．７５ｅＶであり、その後ＧｅＨ4 の流量が増加するのに伴って、次第にＥｇは低下し、膜厚２５００Åの達した時点で、ＧｅＨ4 の流量とＳｉＨ4 とＧｅＨ4 の流量の和との比が２０％であるのに対応してＥｇ＝１．４５ｅＶとなる。次いで、ＧｅＨ4 の流量の低下に伴って、Ｅｇは次第に増加しｐ型ａ−ＳｉＣ層１３に接する部分では、Ｅｇ＝１．７５ｅＶとなる。このように、ｐ層とｎ層の間のｉ層のバンドギャップは均一でなく、その間にバンドギャップの狭い領域が形成されている。」と記載され、第３図にはバンドギャップの分布が示され、
　（ｉｉｉ）第２頁右上欄第１１〜１４行には、「また、ｉ層にａ−ＳｉＧｅ等のａ−Ｓｉよりバンドギャップの狭い材料を使用した場合には、ａ−ＳｉＧｅのｉ層中のバンドギャプの狭い領域で、長波長光の吸収を有効に行うことができる。」と記載され、また、第４頁左上欄１３行〜左下欄１５行には別の実施例に係る記載があり、この中で第４頁右上欄１４〜２０行には、「第９図（ｃ）は光入射側のｉ型ａ−ＳｉＣ層３２の形成の際のＣＨ4 の流量のＳｉＨ4 とＣＨ4 との合計の流量に対する比の変化を示すグラフである。膜厚が６２５Åから８７５Åに達する期間のＣＨ4の流量は０であるが、その他の期間はＣＨ4 の流量とＳｉＨ4 とＣＨ4 との合計との流量との比を５０％とする。」と記載されており、第９図及び第１０図には夫々、この実施例に係るｉ層の形成時におけるガス流量の変化を示すグラフ及びバンドギャップの分布が示され、
　（ｉｖ）第３頁左上欄３〜１３行、第３頁右上欄８〜９行および第４頁右下欄下から６〜３行には、刊行物２に記載の発明に係る非晶質太陽電池は上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の構成に基づき、正孔の走行距離を短くし、短絡電流と曲線因子が向上し、光電変換効率を高めるという、効果を奏するものであることが記載されている。
　刊行物３（特開平３−２０８３７６号公報）には、ｐｉｎ構造を少なくとも１組有する太陽電池であって、ｉ層の少なくとも一方のドープ層側端部のバンドギャップが、該ドープ層のバンドギャップより広く、また、前記ｉ層中に、該ｉ層のドープ層両端部のバンドギャップよりも狭い領域を有するものである非晶質太陽電池の構成に関する技術が開示されており（特許請求の範囲請求項１参照）、
　（ｉ）第３頁右上欄第４〜１１行には、「第１図は本発明の一実施例として非晶質半導体太陽電池の構造を模式的に示す断面図である。第１図において、１はステンレス基板である。このステンレス基板上にＮ型ａ−Ｓｉ層２を膜厚１０００Å程度堆積し、その上に真性層３として組成を次第に変えたａ−ＳｉＧｅ層、ａ−ＳｉＣ層を３０００Å程度堆積しさらにその上にＰ型ａ−ＳｉＣ層４を膜厚１００Å程度堆積してＰＩＮ構造を形成する。」と記載され、
　（ｉｉ）第３頁右上欄第１３行〜左下欄１８行には、「この時真性層３の形成においては、まずＮ／Ｉ界面ではａ−Ｓｉを形成し次第に膜中のＧｅの組成を増やし膜厚２２００Åまで堆積し、次いで膜中のＧｅの組成を減らし膜厚２６００Åの時点でＧｅの組成を０とし次いでカーボンの組成を０から次第に増やして膜厚３０００Åまで形成するように構成している。・・・（中略）・・・このようにＳｉＨ4 とＧｅＨ4 あるいはＳｉＨ4 とＣＨ4 の流量比を変えることでＩ層のバンドギャップを第３図のごとく勾配をつけて形成することが可能である。」と記載され、第３図にはバンドギャップの分布が示され、
　（ｉｉｉ）第３頁左上欄第１３〜１６行には、「また、Ｉ層にａ−ＳｉＧｅ等ａ−Ｓｉよりバンドギャップの狭い材料を適用した場合には、バンドギャップの狭い領域で長波長光の吸収を有効に行うことができる。」と記載され、また、４頁左上欄４〜１２行には、「Ｉ層のＮ／Ｉ界面側の半分をａ−Ｓｉとし、Ｐ／Ｉ界面側では、ＧｅＨ４／（ＧｅＨ４+ＳｉＨ４）＝７．５％から１５％に増やし次いでＧｅＨ４の流量比を次第に減らし膜厚２６００Åの時点でＳｉＨ４のみとして、次いでＣＨ４の流量を０から次第に増やして膜厚３０００Åの時点でＣＨ４／（ＣＨ４+ＳｉＨ４）＝５０％となるように形成する。この時のバンドギャップは第６図のごとくなっている。」と記載され、第６図にはバンドギャップの分布が示され、
　（ｉｖ）４頁右上欄下から１０〜６行には、刊行物３の発明に係る非晶質太陽電池は、高い効率が得られるという、効果を奏するものであることが記載されている。
　刊行物４（特開昭６４−７１１８２号公報）には、ｐｉｎ構造を少なくとも１組有する太陽電池であって、ｉ層に少なくとも１つのバンドギャップ調整元素を含有させることにより、ｉ層のバンドギャップにその全体の実質的部分に亘って空間的に勾配をつける、非晶質太陽電池の構成に関する技術が開示されており（特許請求の範囲請求項１参照）、
　（ｉ）第１４頁右下欄１５行〜第１５頁左上欄第１２行には、「発明者らの実験記録では試料２１６９号と称した第２のｎ−ｉ−ｐ形太陽電池試料を、実施例１に関連して上に記録した製法と本質的に同じ製法で製造した。・・・（中略）・・・この例ではｎ形非晶質シリコン合金材料層を２分間だけ堆積して、その厚さをほぼ１００〜１５０Åに制限するようにした。前節でも述べた通り、電池の構成における主な変化は、真性非晶質シリコン・ゲルマニウム材料から成る狭いバンドギャップ層の構成であった。」と記載され、
　（ｉｉ）第１５頁右上欄下から２行〜左下欄３行には、「この具体例で概説する工程において本発明者らはｎ層界面に隣接する約１．７ｅＶの最大値からｐ層界面に隣接する約１．５ｅＶの最小値まで前記光電池装置の真性層（厚さ約３０００Åに亘って）のバンドギャップに勾配をつけた。」と記載され、
　（ｉｉｉ）４頁右上欄２〜６行には、「比較的バンドギャップの大きい半導体材料が短波長で強力な光のみを吸収するのに対し、それより下層の電池では、材料のバンドギャップが順次小さくなり、第１電池を通過して来た長波長で低強度の光をそれぞれ吸収する。」と記載され、第８頁右上欄５〜７行には、「すなわち最大数の入射光子を捕集するためには、狭いバンドギャップの材料を使用しなければならない」と記載され、
　（ｉｖ）第８頁右下欄６〜１６行には、刊行物４の発明に係る非晶質太陽電池は、効率の向上及び電荷担体の捕集促進という、効果を奏するものであることが記載されている。
　刊行物５（特開昭６１−１２０４８０号公報）には、ｐｉｎ構造を有する太陽電池のｉ層をａ−Ｓｉとａ−ＳｉＧｅの超薄膜の積層で構成する、非晶質太陽電池の構成に関する技術が開示されており（実施例２参照）、
　（ｉ）２頁左下欄１７行〜右下欄１０行には、「ガラス基板上にＳｂドープのＳｎＯ２ 透明電極を形成し、この上にｐｉｎ型太陽電池を形成した。・・・（中略）・・・透明電極上にａ−ＳｉＣのｐ層９を１００Å形成した。次にａ−Ｓｉの超薄膜ｉ層１０とａ−ＳｉＧｅの超薄膜ｉ層１１〜１６を交互に８０Åずつ全体で５０００Åになるように形成した。このときａ−Ｓｉは同一形成条件で作製した。ａ−ＳｉＧｅは１１から順に１６までＧｅの比率を増加させ、バンドギャップにして１．６５ｅＶから１．４ｅＶまで変化させた。次に微結晶Ｓｉのｎ層１７を形成し、最後に、図では省略したが、Ａｌの電極を真空蒸着法で形成した。」と記載され、
　（ｉｉ）第２図には、上記（ｉ）のようにして形成したｐｉｎ層のバンド構造が示され、ｉ層のバンドギャップの分布が示され、
　（ｉｉｉ）第３頁左上欄１〜４行には、刊行物５に記載された発明に係る非晶質太陽電池は、光導電特性が良く、かつ光吸収波長範囲が広く、光電変換効率を飛躍的に高めるという、効果を奏するものであることが記載されている。
　（対比・判断）
　刊行物１〜５には、訂正発明の「ｉ層のバンドギャップが連続的に変化してｐ層及びｎ層側で広くなると共にｐ層よりに極小部分をとるバンドギャッププロファイルを設けた、ｐｉｎ構造を有する非晶質太陽電池において、周囲のｉ層のバンドギャップより狭いバンドギャップを有する高光吸収層を、前記極小部分とｐ層との間に設けたこと」は、刊行物１〜５の何れにも記載も示唆もされておらず、また、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして訂正発明は、「太陽電池の効率および信頼性を向上することができる」という明細書に記載された特有の効果を奏するものと認められる。
　したがって、訂正発明は、刊行物１〜５に記載された発明であるということはできず、また、同発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　（記載不備について）
　当審が通知した取消理由は、本件特許の請求項１における「バンドギャッププロファイル」及び「高光吸収層」の各意味するところが不明瞭であり、よって、本件特許明細書及び図面の記載は不明瞭であるので、特許法第３６条第４項又は第５項に規定する要件を満たしていないというものであるが、今回の訂正で、前記明細書の記載不備は解消した。
　（むすび）
　したがって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立についての判断
　（１）本件請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）は、訂正後の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１（上記２の（１）の（訂正事項ａ）を参照。）に記載されたとおりのものである。
　（２）特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人佐藤正は、甲第１号証（上記刊行物１）、甲第２号証（上記刊行物２）、甲第３号証（上記刊行物３）、甲第４号証（上記刊行物４）及び甲第５号証（上記刊行物５）を提出するとともに、本件発明は、甲第１号証乃至甲第５号証に記載された発明であるか、または、同発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると共に、明細書の記載が不備であり、特許法第３６条第４項又は第５項の規定に違反して特許されたものであるから、その特許は取り消されるべき旨主張している。
　（３）判断
　本件発明（訂正後の発明）は、上記２の（３）の「独立特許要件の判断」の項に示したとおり、甲第１号証乃至甲第５号証に記載された発明であると認めることができないばかりでなく、同発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認めることができない。また、今回の訂正で、前記明細書の記載不備についても、解消した。
　（４）むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月９日（２０００．５．９）