【事件の表示】
　特許第２９４２１６７号「レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９４２１６７号の請求項１ないし１４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第２９４２１６７号（平成７年２月１４日出願、平成１１年６月１８日設定登録。)の請求項１ないし１４に係る発明（以下、「本件発明１ないし１４」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載されたとおりのものである。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　一般式［１］
［式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２及びＲ３は夫々独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基又は炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のハロアルキル基を表し（但し、Ｒ２及びＲ３が共に水素原子の場合は除く。）、また、Ｒ２とＲ３で炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く、Ｒ４は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、アセチル基、又はアラルキル基を表し、Ｒ５は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメトキシ基、又はアセチルオキシ基を表し、ｋ、ｒ及びｍは夫々独立して自然数を表す（但し、０．１０≦（ｋ＋ｍ）／（ｋ＋ｒ＋ｍ）≦０．９０で且つ０．０１≦ｍ／（ｋ＋ｒ＋ｍ）≦０．２５である。］で示されるポリマーと、下記一般式［２］で示される感光性化合物、一般式［６］で示される感光性化合物、一般式［９］で示される感光性化合物及び一般式［１２］で示される感光性化合物から成る群より選ばれた１種以上の感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤とを主成分とする３００ｎｍ以下の遠紫外線用レジスト材料。
［式中、Ｒ６は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基又は炭素数１〜１０のハロアルキル基を表し、Ｒ７は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基又はフェネチル基を表し、Ｚはスルホニル基又はカルボニル基を表す。］
［式中、Ｒ１３は一般式［７］
｛式中、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は夫々独立して水素原子又はハロゲン原子を表し、ｐは０又は１〜３の整数を表す。｝で示される基、又は一般式［８］
｛式中、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜５の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、トリフルオロメチル基、水酸基、トリフルオロメトキシ基又はニトロ基を表す。｝で示される基を表す。］
［式中、Ｒ１３は前記と同じであり、Ｒ２２は水素原子、水酸基又は一般式［１０］
　　　Ｒ１３ＳＯ２Ｏ−　　　　　　　　　　　　　　　　［１０］
｛式中、Ｒ１３は前記と同じである。｝で示される基を表し、Ｒ２３は炭素数１〜５の直鎖状又は分枝状のアルキル基又は一般式［１１］
｛式中、Ｒ２４及びＲ３０は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜５の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、又は前記一般式［１０］を表す。｝で示される基を表す。］
［式中、Ｒ２５は炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状のアルキル基、フェニル基、置換フェニル基、又はアラルキル基を表し、Ｒ２６は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し、Ｒ２７は炭素数１〜８の直鎖状又は分枝状のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜８の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１０−カンファー基、フェニル基、トリル基、２，５−ジクロルフェニル基、１，３，４−トリクロルフェニル基、又はトリフルオロメチルフェニル基を表す。］
　【請求項２】　露光により酸を発生する感光性化合物が一般式［２］で示される感光性化合物１種以上、又は一般式［２］で示される感光性化合物１種以上と、一般式［６］で示される感光性化合物、一般式［９］で示される感光性化合物及び一般式［１２］で示される感光性化合物から成る群より選ばれた１種以上との組合せである請求項１に記載のレジスト材料。
　【請求項３】　露光により酸を発生する感光性化合物が一般式［２］で示される感光性化合物１種以上と、一般式［９］で示される感光性化合物及び一般式［１２］で示される感光性化合物から成る群より選ばれた１種以上との組合せである請求項２に記載のレジスト材料。
　【請求項４】　紫外線吸収剤を更に含んで成る、請求項１〜３の何れかに記載のレジスト材料。
　【請求項５】　一般式［１］で示されるポリマーのＲ１が水素原子であり、Ｒ２が水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基であり、Ｒ３が炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基であり、Ｒ４が炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基であり、Ｒ５が水素原子、炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメトキシ基、又はアセチルオキシ基である請求項１〜４の何れかに記載のレジスト材料。
　【請求項６】　一般式［１］で示されるポリマーのＲ１が水素原子であり、Ｒ２が水素原子又はメチル基であり、Ｒ３がメチル基又はエチル基であり、Ｒ４が炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状のアルキル基であり、Ｒ５が水素原子、炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状のアルキル基又は炭素数１〜４の直鎖状又は分枝状のアルコキシ基、又はアセチルオキシ基である請求項５に記載のレジスト材料。
　【請求項７】　一般式［１］で示されるポリマーの（ｋ＋ｍ）／（ｋ＋ｒ＋ｍ）の範囲が０．２〜０．７であり、且つ重量平均分子量が３０００〜５００００である請求項１〜６の何れかに記載のレジスト材料。
　【請求項８】　露光により酸を発生する感光性化合物が下記一般式［２］
［式中、Ｒ６は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基又は炭素数１〜１０のハロアルキル基を表し、Ｒ７は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基又はフェネチル基を表し、Ｚはスルホニル基又はカルボニル基を表す。］で示される化合物である、請求項１〜７の何れかに記載のレジスト材料。
　【請求項９】　一般式［２］に於て、Ｒ６が炭素数３〜１０の分枝状又は環状のアルキル基であり、Ｒ７が炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基であり、Ｚがスルホニル基である、請求項８に記載のレジスト材料。
　【請求項１０】　一般式［２］に於て、Ｒ６及びＲ７が夫々独立して炭素数３〜１０の分枝状又は環状のアルキル基である、請求項９に記載のレジスト材料。
　【請求項１１】　一般式［２］で示される化合物が、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタンである、請求項９に記載のレジスト材料。
　【請求項１２】　一般式［２］で示される化合物が、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンである、請求項９に記載のレジスト材料。
　【請求項１３】　一般式［２］で示される化合物が、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタンである、請求項９に記載のレジスト材料。
　【請求項１４】　請求項１に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理の後、マスクを介して３００ｎｍ以下の遠紫外線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と、から成るパターン形成方法。」
　
２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人三菱化学株式会社（以下、「異議申立人」という。）は、証拠として甲第１号証（特開平４−２１１２５８号公報）、甲第２号証（特開平２−１６１４３６号公報）、甲第３号証（特開平６−１９４８４２号公報）、甲第４号証（特開平５−２８１７４５号公報）、甲第５号証（Journal of Photopolymer Science and Technology vol.6(1993), no.4 p.457-469）、甲第６号証（特開平５−１８１２７９号公報）を提出し、本件発明１ないし１４は、甲第１〜６号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであること、また、本件明細書の発明の詳細な説明の記載には不備があり、特許法３６条４項に規定する要件を満たしていないこと、さらに、平成９年１２月１５日付の手続き補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないことから、本件の請求項１ないし１４に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　
３．引用刊行物記載の発明
　異議申立人が提出した甲第１〜６号証には、以下の発明が記載されている。
［甲第１号証］特開平４−２１１２５８号公報
　「化学増幅型レジスト材料」に関する。
(1)【請求項４】；「下記化２
【化２】
［式中、Ｒ３及びＲ５は夫々独立して水素原子又はメチル基を表わし、Ｒ４は水素原子、カルボキシル基、シアノ基又は化３
【化３】
［式中、Ｒ７は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル基を表わす。）を表わし、Ｒ６は水素原子、シアノ基又は−ＣＯＯＲ８（但し、Ｒ８は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表わす。）を表わし、ｋ′、ｌ′及びｍは夫々独立して自然数｛但し、０．１≦ｋ′／（ｋ′＋ｌ′）≦０．９、且つ０．０５≦ｍ／（ｋ′＋ｌ′＋ｍ）≦０．５０｝である。）を表わす。Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。］で示される重合体と、露光により酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料。」
(2)【請求項５】；「化２で示される重合体のＲ１がｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基又はトリメチルシリル基であり、Ｒ４が水素原子又はシアノ基であり、Ｒ６がシアノ基又はｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であり、Ｒ２、Ｒ３及びＲ５が水素原子である、請求項４に記載のレジスト材料。」
(3)【請求項１４】；「露光により酸を発生する感光性化合物が、化６
【化６】
［式中、Ｒ９及びＲ１０は夫々独立して炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基又は化７
【化７】
（式中、Ｒ１１及びＲ１２は夫々独立して水素原子、炭素数１〜５の低級アルキル基又は炭素数１〜５のハロアルキル基を表わし、ｎは０又は自然数を表わす。）で示される基を表わし、Ｘはカルボニル基、カルボニルオキシ基又はスルホニル基を表わす。］で示される化合物である、請求項１〜１３の何れかに記載のレジスト材料。」
(4)第５欄３７〜４０行；「詳しくは露光エネルギー源として３００ｎｍ以下の遠紫外光、例えば２４８．４ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光等を用いてポジ型のパターンを形成する際のレジスト材料に関する。」
(5)第６欄４３〜４８行；「本発明は上記した如き状況に鑑みなされたもので、遠紫外光、ＫｒＦエキシマレーザー光等に対し高い透過性を有し、これら光源による露光や電子線．Ｘ線照射に対し高い感度を有し、且つ耐熱性及び基板との密着性が極めて優れた重合体を使用したポジ型のレジスト材料を提供することを目的とする。」
(6)１０欄１６〜２１行；「本発明で用いられる酸発生剤としては、文字通り露光により酸を発生する感光性化合物でフォトレジストパターン形成に悪影響を及ぼさないものであれば何れにても良いが、本発明に於て特に好ましい酸発生剤としては、例えば下記化６、化１１、化１３又は化１４で表される化合物が挙げられる。」
(7)第１１欄１６〜２２行；「本発明に於て好ましい酸発生剤の具体例としては例えば…ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルジアゾメタン」
(8)第１２欄３〜１７行；「本発明に係るレジスト材料を用いてパターン形成を行なうには、例えば以下の如く行なえば良い。本発明に係る化合物を含むレジスト材料をシリコンウエハー等の基板の上に厚みが０．５〜２μｍ程度となるように塗布し（３層の上層として用いる場合には０．１〜０．５μｍ程度）、これをオーブン中で７０〜１３０℃、１０〜３０分間、若しくはホットプレート上で７０〜１３０℃、１〜２分間プレベークする。次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、３００ｎｍ以下の遠紫外光を露光量（ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｄｏｓｅ）１〜１００ｍＪ／ｃｍ２程度となるように照射した後、０．１〜５％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液等の現像液を用い、０．５〜３分程度、浸漬法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー法等の常法により現像すれば、基板上に目的のパターンが形成される。」
［甲第２号証］特開平２−１６１４３６号公報
　「フォトレジスト組成物及びその使用方法」に関する。
(1)特許請求の範囲；「（１）下記の一般式（Ｉ）で表わされるポリ（ｐ−ビニルフェノール）残基のアセタール
（但し、式中、Ｒ１はテトラヒドロピラニル基、１−（メトキシエチル）基、１−（エトキシエチル）基またはテトラヒドロフラニル基のうちのいずれかを表わす。）
と、下記の構造式（ＩＩ）で表わされるポリ（ｐ−ビニルフェノール）残基
とを繰り返し単位として含むベース樹脂と、
　下記の一般式（ＩＩＩ）〜（Ｖ）のうちのいずれかで表わされるｓ−トリアジン誘導体
　（省　略）
または、下記の一般式（ＶＩ）で表わされるポリハロアセタミド類
　（省　略）
または、下記の一般式（ＶＩＩ）で表わされるポリハロ酢酸類
　（省　略）
のうちのいずれか１種類または２種類以上のポリハロゲン化合物からなる感光剤と、
トリｎ−アルキルアミン類またはトリ（ω−ヒドロキシ）アミン類からなる水素供与剤と
を含んで成ることを特徴とするフォトレジスト組成物」
(2)第２頁右下欄５〜９行；「この発明は、半導体装置等の製造に用いられるフォトレジスト組成物と、この組成物を用いたレジストパターン形成技術に関し、特に、波長が２００〜３００（ｎｍ）の遠紫外線に対して感度を有するフォトレジスト組成物とその使用方法に関する。」
(3)第５頁右下欄３〜９行；「このうち、ベース樹脂中に含有せしめたポリ（ｐ−ビニルフェノール）残基のアセタールは、ポリ（ｐ−ビニルフェノール）のフェノール性水酸基の位置の一部に前述のＲ１で表わされる一連の官能基のうちのいずれかをエーテル結合させて構成したものであり、遠紫外線領域における光吸収係数は、０．２５（μｍ−１）程度と小さい。」
［甲第３号証］特開平６−１９４８４２号（平成６年７月１５日公開）
　「微細パターン形成材料及びパターン形成方法」に関する。
(1)【請求項１】；「一般式［Ｉ］
【化１】
［式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２及びＲ３は夫々独立して水素原子又は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し（但し、Ｒ２及びＲ３が共に水素原子の場合は除く。）、又、Ｒ２とＲ３で炭素数２〜５のメチレン鎖を形成していても良く、Ｒ４は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、Ｒ５は水素原子又はシアノ基を表し、Ｒ６は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ７は水素原子、シアノ基、−ＣＯＯＹ（但し、Ｙは炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表す。）又は下記一般式［ＩＩ］
【化２】
（但し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鏡状、分枝状又は環状のアルコキシ基を表す。）を表し、又、Ｒ５とＲ７は互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−となっていても良く、ｋとｌは夫々独立して自然数を表し｛但し、０．１≦ｋ／（ｋ＋ｌ）≦０．９である。｝、ｍは０又は自然数を表す ｛但し、ｍが自然数の場合、０．０５≦ｍ／（ｋ＋ｌ＋ｍ）≦０．５０である。｝ 。］で示される重合体と、電子ビームの照射によって酸を発生する事ができる酸発生剤と、これ等を溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料。」
(2)第１３欄２９行〜第１４欄３２行；「【００３６】本発明に係る重合体の具体例としては例えば…（中略）…ポリ（ｐ−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン‐ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン）、ポリ（ｐ−１−メトキシエトキシスチレン−ｐ−ヒドロキシスチレン−ｐ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−１−エトキシエトキシスチレン−ｐ‐ヒドロキシスチレン−ｐ−クロルスチレン）…（中略）等が挙げられるが、勿論これらに限定されるものではない。」
(3)第１６欄３６〜第１９欄１１行；「本発明に於て特に好ましい酸発生剤としては例えば下記一般式［Ｖ］、一般式［ＶＩ］、一般式［ＶＩＩ ］、一般式［ＶＩＩＩ］、一般式［Ｘ］又は一般式［ＸＩ］で表される化合物が挙げられる。
【化２３】
　［省　略］
【化２４】
　［省　略］
【化２５】
　［省　略］
【化２６】
［式中、Ｒ１７及びＲ１８は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表し、Ｒ１９は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、又は一般式 ［ＩＸ］
【化２７】
（但し、Ｒ２０及びＲ２１は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表す。）を表す。］
【化２８】
　［省　略］
【化２９】
　［省　略］」
(4)第２０欄３１〜３６行；「又、本発明のレジスト材料は、通常上記の三成分（重合体、酸発生剤、溶剤）を主たる構成成分とするが、必要に応じてフルオレノン誘導体、アントラセン誘導体、アクリジン化合物、ピレン誘導体等の染料や、ポリピロール、ＴＣＮＱ錯体等の導電性化合物、或は界面活性剤等を添加しても良い。」
(5)第２２欄１７〜２５行；「【００６８】一般式［Ｖ］、［ＶＩ］、［ＶＩＩ］、［ＶＩＩＩ］ 、［Ｘ］又は［ＸＩ］ で示される酸発生剤を含んで成る本発明のレジスト材料は電子線照射はもとより、ＫｒＦエキシマレーザ光（２４８．４ｎｍ）露光やＸ線照射でも酸が発生し、化学増幅作用することが確認されている。従って、本発明のレジスト材料は化学増幅法を利用して低ドーズ量の電子線照射やＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光露光或いはＸ線照射法によりパターン形成可能なレジスト材料である。」
(6)第３１欄１８〜４３行；「【０１０２】製造例１２．ポリ［ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチしン‐ｐ‐ヒドロキシスチレン］の合成
　（中　略）
　得られた重合体のｐ−（１−エトキシエトキシスチレン）単位とｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン単位とｐ−ヒドロキシスチレン単位の構成比は１ＨＮＭＲ測定により約２５：１０：６５であった。重量平均分子量　約１００００（ＧＰＣ法：ポリスチレン標準）。」
［甲第４号証］特開平５−２８１７４５号公報
　「放射線感応性混合物及びレリーフ構造の製造方法」に関する。
(1)【請求項１】；「本質的に、
（ａ）水に不溶性の結合剤又は結合剤混合物及び
（ｂ）照射すると強酸を形成する化合物
からなる放射線感応性混合物において、成分（ａ）がフェノール樹脂であり、該フェノール樹脂のフェノール系ヒドロキシル基の５〜１００％が一般式（ＩＡ）
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は相互に同じか又は異なっており、かつそれぞれ１〜１６個の炭素原子を有する直鎖状又は枝分れ鎖状アルキル基、（省略）］で示される基、又は一般式（ＩＢ）：
【化２】
［式中、Ｒ１は前記のものを表し、かつｐ＝１〜６、ｑ＝１〜６、Ｘ＝（ＣＨ２）、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２ 又はＮＲ４（該式中、Ｒ４＝１６個までの炭素原子を有するアルキル、アリール、置換されたアリールまたはアルアルキルである）を表す］
で示される基によって置換されていることを特徴とする、放射線感応性混合物。」
(2)第１２欄９〜３６行；「【００４６】（ｂ）放射線に曝らされると強酸を形成する適当な化合物としては、原則的に、この特性を有し、従って酸供与体として有効である全ての化合物が該当する。しかしながら、短波長ＵＶ光線に露光するにはヨードニウム及び特にスルホニウム塩が有利である。これらは一般式（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）：
【００４７】
【化１６】
【００４８】［式中、Ｒα、Ｒβ及びＲγは同じか又は異なっており、かつそれぞれ例えば１〜５個の炭素原子を有するアルキル基、有利にはメチル又はエチル、アリール基、例えばフェニル、又はアルアルキル基、例えばベンジル、又は式：
【００５０】（式中、Ｒδ、Ｒε及びＲζは同じか又は異なっており、かつそれぞれ水素原子、ＯＨ、ハロゲン原子、例えば塩素又は臭素、アルキル基、例えば１〜４個の炭素原子を有するもの、有利にはメチル又はｔ‐ブチル、又はアルコキシ基、例えば１〜４個の炭素原子を有するもの、有利にはメトキシ又はｔ−ブトキシを表す）であり、かつ
【００５１】
【化１８】
Ｘ−はＡｓＦ６−、ＳｂＦ６−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、ＣｌＯ４−又はＣＦ３ＳＯ３−である］を有する。
【００５２】適当な成分（ｂ）の例は、トリフェニルスルホニウム塩及びジフェニルヨードニウム塩、トリス（４−ヒドロキシフェニル）スルホニウム塩及びトリス（４−エトキシカルボニルオキシフェニル）スルホニウム塩であり、これらのいずれの場合も反対イオン
【００５３】
【化１９】
Ｘ−は、ＣｌＯ４−、ＡｓＦ６−、ＳｂＦ６−、ＢＦ４−又はＣＦ３ＳＯ３−である。」
(3)第１３欄６〜７行；「（ｂ）に列記した化合物の混合物を使用することができる。」
［甲第５号証］Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｖｏｌ．６，Ｎｏ．４（１９９３）４５７〜４６９頁
　４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン（ＴＢＳ）を構成単位とするポリマーを含むレジストに関する報文である。
(1)４６９頁９〜１２行；「要約　　４一ブトキシカルボニルオキシスチレンと二酸化硫黄の共重合体は、ＴＢＳ、ＳＯ２ 及びアセトキシスチレンとの三元重合体と同様に、遠紫外線、Ｘ線及び電子線リソグラフィーの有効なマトリックス樹脂として役立つ。」
［甲第６号証］特開平５ −１８１２７９号
　「パターン形成用レジストおよびパターン形成方法」に関する。
(1)【請求項１】；「（Ａ）下記化１に示す一般式（Ｉ）で表される酸により分解する　置換基を有する化合物と、
（Ｂ）光照射により酸を発生する化合物と、
を含むことを特徴とするパターン形成用レジスト。
【化１】
　ただし、式（Ｉ）中のＲ１は１価の有機基、ｍは０または１以上の正の数、ｎは正の数を示す。」
(2)【請求項３】；「（ａ）酸により分解する置換基を有する化合物と、
（ｂ１）光照射により強酸を発生する化合物と、
（ｂ２）光照射により弱酸を発生する化合物と
を含むことを特徴とするパターン形成用レジスト。」
　
４．対比・判断
　本件発明１と甲第１号証記載の発明とを対比すると、両者はともに３元ポリマーと感光性化合物と溶剤とを主成分とする３００ｎｍ以下の遠紫外線用レジスト材料であり、甲第１号証記載の発明における露光により酸を発生する感光性化合物【化６】（【請求項１４】）は本件発明１の感光性化合物のうち一般式［２］で示される感光性化合物と同一であると認められるし、またポリマーについても、３元ポリマーの３種の構成単位のうち２番目に記載されているフェノール性水酸基を有するモノマー単位と３番目に記載されている他のスチレン誘導体モノマー単位の２つの構成単位は同一であると認められるが、３元ポリマーの３種の構成単位のうち初めに記載されている構成単位であるヒドロキシスチレン誘導体の構成単位において、甲第１号証記載の発明では、その置換基がｔｅｒｔ−ブチル基、テトラヒドロピラニル基又はトリメチルシリル基であるのに対し、本件発明１では、その置換基が−ＣＲ２Ｒ３−ＯＲ４で表されるアルコキシアルキル基である点で、異なっている。
　一方、本件発明１と甲第３号証記載の発明とを対比すると、両者はともに３元ポリマーと感光性化合物と溶剤とを主成分とするレジスト材料であって、その３元ポリマーは両者同一のものであるが、本件発明１の感光性化合物に対応する成分が甲第３号証記載の発明では、「電子ビームの照射によって酸を発生することができる酸発生剤」であり（ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外光露光やＸ線照射でも酸が発生しパターン形成は可能である旨の記載がある）、特に好ましい酸発生剤として具体的に挙げられている一般式［Ｖ］、［ＶＩ］、［ＶＩＩ ］、［ＶＩＩＩ］、［Ｘ］又は［ＸＩ］で表される化合物は、本件発明１において一般式［２］、［６］、［９］及び［１２］で示される感光性化合物とは異なる点で、本件発明１と相違している。
　ところで、異議申立人は、甲第２号証の記載によれば、ポリ（ｐ−ビニルフェノール）の水酸基の１部と「Ｒ１」をエーテル結合させたアセタールを構成単位とするポリマーを含有するレジストにおいて「Ｒ１」として（甲第１号証記載の）「テトラヒドロピラニル基」と共に（本件発明１における−ＣＲ２Ｒ３−ＯＲ４に該当する）「１−（メトキシエチル）基、１‐（エトキシエチル）基」が示されていること、また、「Ｒ１」がテトラヒドロピラニル基、１−（メトキシエチル）基、１−（エトキシエチル）基のポリマーは、遠紫外線の照射により発生する酸により、同様に「Ｒ１」が脱離して可溶性のポリマーとなること、及びこれらのアセタールを有するポリマーは、遠紫外線領域における光吸収係数が小さく、微細なしジストパターン形成に好ましいことからして、甲第２号証は、化学増幅型レジストのポリマーの保護基として、テトラヒドロピラニル基と１−（メトキシエチル）基、１−（エトキシエチル）基はアセタールを形成する基として同種の基であり、且つ、遠紫外線用レジストのポリマー保護基として好ましい基であることを教えているとし、それ故、甲第１号証記載のポリマーの保護基をテトラヒドロピラニル基から１−（メトキシエチル）基或いは１−（エトキシエチル）基に変えてみることは当業者が容易に想到し得るところであると主張している。そして、甲第１号証のポリマーのテトラヒドロピラニル基の代わりに、１−（メトキシエチル）基或いは１−（エトキシエチル）基を導入したポリマーは、甲第３号証により、既に遠紫外線レジスト材料として知られていた（記載(5)）とも、指摘している。
　また、異議申立人は、甲第３号証には、本件発明１と同じポリマーを成分とするレジスト材料が記載されており、酸発生剤が「電子線の照射によって酸を発生する化合物」である点で、本件発明１と相違しているが、同じポリマーを用いて、遠紫外線、Ｘ線、電子線等のレジストとしての使用可能性を検討することは当業者の常套手段であり（例えば甲第５号証参照）、又、甲第３号証自体、同じレジスト材料が電子線のみならず、ＫｒＦエキシマレーザーのような遠紫外光用として使用可能であることを示している（記載(5)）し、一方、甲第４号証には、短波長ＵＶ光線に露光する酸発生剤として特にスルホニウム塩が有利であることが記載されている（記載(2)）点、甲第４号証のレジストのポリマーは保護基が環状或いは非環状アセタールである点で、甲第３号証のレジストのポリマーと共通している点を指摘し、当業者であれば、甲第３号証記載のポリマーを用いてＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線用レジストを検討する際、酸発生剤として甲第４号証記載のスルホニウム塩（甲第４号証の一般式（ＩＶ）で示されるスルホニウム塩のＸ−がＣＦ３ＳＯ３−の化合物は、本件発明１の感光性化合物のうち一般式［１２］で示される感光性化合物にあたる。）を使用してみること、或いは、遠紫外光用の酸発生剤として甲第１号証記載の酸発生剤（甲第１号証の化６の感光性化合物は、本件発明１の感光性化合物のうち一般式［２］で示される感光性化合物にあたる。）を組み合わせることは容易になしえるところであるとも主張している。
　しかし、本件発明１は、本件発明１の特定の３元ポリマーと選択された感光性化合物とを組み合わせた構成を採用することにより、「ディレイタイムの問題の解消、貯蔵安定性、広いフォーカスマージン、良好なマスクリニアリティー、スカムや裾引きのないパターン」等の本件発明１の作用効果を奏する点に発明が存するものであって、本件発明１の特定の３元ポリマーと選択された感光性化合物とを組み合わせた構成は甲第１〜６号証には記載されていない（なお、甲第６号証は酸発生剤を組み合わせて使用する例として引用されている。）し、本件発明１の特定の３元ポリマーと選択された感光性化合物とを組み合わせた構成を採用することにより上記のような作用効果を奏することは、甲第１〜６号証の存在によっても予期し得ないことであるので、本件発明１は甲第１号証記載の発明においてポリマーの保護基をテトラヒドロピラニル基から１−（メトキシエチル）基或いは１−（エトキシエチル）基に変えてみることで甲第３号証記載のポリマーとすることにより当業者が容易に発明し得たものであるとの異議申立人の主張は採用できないし、また、甲第３号証記載のポリマーを用いてＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線用レジストを検討する際、公知の酸発生剤を使用して組み合わせることは容易になしえるとの異議申立人の主張は採用できない。
　したがって、本件発明１は甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、本件発明２〜１４は本件発明１を引用するものであるから、同様に甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
５．記載不備について
　異議申立人は、「本件特許権者の出願に係わる明細書の実施例を伴わない記載は、『単なるら列』であって、当業者が容易にその発明を実施し得ないことは明らかである。本件特許明細書においても、ポリマー、感光剤は１〜数種についての実施例があるのみで、一般式Ｒ１ 〜Ｒ２７に亘る規定の大部分は『単なるら列』である。例えばＲ２、Ｒ３がハロアルキル基の場合、Ｒ２とＲ３がメチレン鎖を形成している場合の効果は確認されていない。更に、一般式［６］、［９］、［１２］の感光剤を単独で使用した組成物の効果は確認されていない。」として、明細書の記載不備を主張しているが、異議申立人が指摘した例について実施例が記載されていないとしても、明細書には本発明のレジスト材料の効果が記載されており、それらも本発明のレジスト材料の効果を奏するものと考えられるものであり、一方でそれらが実際にその効果を奏さないとする証拠も特にないので、明細書の記載不備についての異議申立人の主張は採用できない。
　
６．補正について
　異議申立人は、「本件特許発明の出願時の明細書には、感光性化合物として、一般式［２］、［３］、［５］、［６」、［９］及び［１２］の６個の化学式の化合物が記載され、これらは単独で使用する場合、全て同等の感光剤として記載されていた（請求項２、【０１０８】参照）。また、一般式［２］の感光剤と組み合わせて使用する場合は、一般式［３］は他の４種と同等乃至は特に好ましい感光剤の１つとして記載されていた（請求項３、【０１０８】及び【０１０９】参照）。」と指摘し、平成９年１２月１５日付の手続補正書によって補正された特許公報の感光性化合物の組み合わせの記載（請求項１；「一般式［２］で示される感光性化合物、一般式［６］で示される感光性化合物、一般式［９］で示される感光性化合物及び一般式［１２］で示される感光性化合物から成る群より選ばれた１種以上の感光性化合物」、請求項２；「感光性化合物が一般式［２］で示される感光性化合物１種以上、又は一般式［２］で示される感光性化合物１種以上と、一般式［６］で示される感光性化合物、一般式［９］で示される感光性化合物及び一般式［１２］で示される感光性化合物から成る群より選ばれた１種以上との組合せ」、請求項３；「感光性化合物が一般式［２］で示される感光性化合物１種以上と、一般式［９］で示される感光性化合物及び一般式［１２］で示される感光性化合物から成る群より選ばれた１種以上との組合せ」）は、出願時の明細書には記載されていなかったものであると主張し、「たとえ実施例が示されていなかったとしても、一般式［２］との組み合わせが特に好ましいとされた一般式［３］の化合物を削除した組み合わせは、出願時の明細書の範囲内の補正ではあり得ない。」として、感光性化合物として特に一般式［３］の化合物を削除した補正は、出願時の明細書の範囲内の補正ではない旨主張している。
　しかし、補正後の請求項１に記載された一般式［２］、［６］、［９］、［１２］で示される感光性化合物は、補正前の請求項２に記載された一般式［２］、［３］、［５］、［６］、［９］、［１２］で示される感光性化合物に含まれて記載されているし、補正後の請求項２に記載された一般式［２］と［６］、［９］、［１２］から選ばれたものとの組み合わせは、補正前の請求項３に記載された一般式［２］と［３］、［５］、［６］、［９］、［１２］から選ばれたものとの組み合わせに含まれて記載されているし、補正後の請求項３に記載された一般式［２］と［９］、［１２］から選ばれたものとの組み合わせは、補正前の請求項４に記載された一般式［２］と［３］、［９］、［１２］から選ばれたものとの組み合わせに含まれて記載されているから、平成９年１２月１５日付の手続補正書によるこれらの補正は出願時の明細書の範囲内のものであると認められるので、異議申立人の主張は採用できない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜１４についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月２９日（２０００．９．２９）