【事件の表示】
　特許第２７８０５３９号「液晶表示装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７８０５３９号の特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７８０５３９号の請求項１に係る発明についての出願は、平成３年１０月２５日に出願され、平成１０年５月１５日にその発明について特許が設定登録され、その後、その特許について、異議申立人シャープ株式会社より特許異議の申し立てがなされ、平成１１年４月２６日付で取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月９日に訂正請求がなされ、平成１１年８月１９日付で訂正拒絶理由通知がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
　ア．訂正請求の趣旨及び訂正発明
　本件訂正請求は、特許請求の範囲の減縮と、明細書の明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　本件訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。。
「【請求項1】　同一基板上で走査配線と信号配線が絶縁層を介して交差し、TFT素子によりスイッチングするアクティブマトリクス液晶表示装置において、走査配線と信号配線の交差部にTFT素子の半導体層と同じ工程で形成され、かつ信号配線よりも広い幅を有する交差部半導体層を有し、さらに隣接する交差部半導体層どうしが信号配線に沿って、信号線よりも狭い幅を有して連結し、かつ連結された交差部半導体層はTFT素子の半導体層とは分離していることを特徴とする液晶表示装置。」
　イ．引用刊行物記載の発明
　これに対して、当審が訂正拒絶理由通知において示した刊行物（異議申立人が提出した甲第1号証(特開昭63-257782号公報)）には、以下の如く記載されている。
　刊行物の3頁右下欄3行〜7行には、
「なお、第1図の平面図では非晶質Si層ASを信号線SD1より大き目にして、はみ出しを防ぐようにしているが、両者の幅は同じか又は信号線SD1の方をやや大きめにしても良い。」ということが、
　更に、その4頁左上欄8行〜11行には、
「本発明は以上説明した実施形態以外に第3図の平面図及びその断面図（第4図）に示すように、非晶質Si層ASを配線部AS3とTFT形成部AS4とに独立して形成しても良い。」ということが、それぞれ図面と共に記載されている。
　ウ．訂正発明との対比、判断
　刊行物の第３図及びそれに関する記載に記載された発明（以下、「刊行物記載発明」という。）の「画素電極ITO1」、「走査信号配線GT」、「映像信号配線SD1」、「液晶表示装置」、「TFT形成部AS4」及び「非晶質Si層AS3」は、訂正発明の「画素電極８」、「走査配線２」、「信号配線１」、「液晶表示装置」、「TFT素子」及び「交差部半導体層」に対応し、それぞれの対応に格別の差異がない。
　そこで、訂正発明と刊行物記載発明とを比較すると、両者は、「同一基板上で走査配線と信号配線が絶縁層を介して交差し、TFT素子によりスイッチングするアクティブマトリクス液晶表示装置において、走査配線と信号配線の交差部に形成される交差部半導体層を有し、さらに隣接する交差部半導体層どうしが信号配線に沿って連結し、かつ連結された交差部半導体層はTFT素子の半導体層とは分離していることを特徴とする液晶表示装置。」であるという点で一致し、以下の２つの点（以下、「相違点１」及び「相違点２」という。）で相違している。
　相違点１：訂正発明では、交差部半導体層はTFT素子の半導体層と同じ工程で形成しているのに対して、刊行物記載発明では、交差部半導体層をTFT素子の半導体層と同じ工程で形成することは記載されていないという点。
　相違点２：訂正発明では、”交差部半導体層は、信号配線と走査配線との交差部において信号配線よりも広い幅を有し、信号配線に沿って信号配線よりも狭い幅を有している”のに対して、刊行物記載発明では、”交差部半導体層は、信号配線と走査配線との交差部において信号配線よりも広い幅を有し、信号配線に沿って信号配線よりも広い幅を有している”という点。
　そこで、上記相違点１及び相違点２について検討する。
　相違点１について。
　液晶表示装置において、信号線SD1（信号配線）をTFT素子のソース電極及びドレイン電極と同じ工程で形成することは、当業者に周知又は自明のことである。
　してみると、甲第１号証記載発明の非晶質Si層（交差部半導体層）上に信号線SD1（信号配線）を形成するものにおいて、TFT素子の半導体層と同じ工程で非晶質Si層（交差部半導体層）を形成することは、当業者には自明のことである。
　したがって、相違点１は格別の相違ではない。
　相違点２について。
　刊行物の第3頁右下欄第3行目から第7行目には、
「なお、第1図の平面図では非晶質Si層ASを信号線SDIより大き目にして、はみ出しを防ぐようにしているが、両者の幅は同じか又は信号線SDIの方をやや大きめにしてよい。」ということが記載されている。
　してみると、刊行物記載発明において、非晶質Si層（交差部半導体層）の幅を、非晶質Si層（交差部半導体層）とゲート線GT（走査配線）との交差部で信号線SD1（信号配線）の幅よりも大きくし、信号線SD1（信号配線）に沿っては信号線SD1（信号配線）の幅より狭くすることは、当業者であれば適宜になし得ることである。
　なお、出願人は、平成１１年８月９日付けで提出した特許異議意見書の第２頁第１９行〜第２２行において、上記相違点２に関連して「甲第１号証のように非晶質Si層ASを信号線ＳＤ1より大き目にすると非晶質層と画素電極間で寄生容量が形成されるため、画素電極と非晶質層とを離して形成する必要があり、結果として画素電極が小さくなり開口率が減少するという欠点を有しております。一方、非晶質層より信号線SD1の方をやや大きめにした場合、走査配線と信号配線の交差部において、両者間に非晶質層が形成されない部分が生じるために、静電気に対する耐性を向上するという効果を得ることができないという欠点も有しております。これは、本特許のような信号配線と走査配線との間の耐圧を向上する思想と逆行するものです。」と主張している。
　ところが、訂正発明の”交差部半導体層は、信号配線と走査配線との交差部において信号配線よりも広い幅を有し、信号配線に沿って信号配線よりも狭い幅を有している”ことは、本件特許明細書に添付された図面の第１図において図示された事項のみを根拠として訂正したものであって、本件特許明細書には記載も示唆もされていない事項である。
　また、訂正発明の”交差部半導体層は、信号配線と走査配線との交差部において信号配線よりも広い幅を有し、信号配線に沿って信号配線よりも狭い幅を有している”ことの作用効果も、本件特許明細書又は図面のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、前記主張の「甲第１号証のように非晶質Si層ASを信号線ＳＤ1より大き目にすると非晶質層と画素電極間で寄生容量が形成されるため、画素電極と非晶質層とを離して形成する必要があり、結果として画素電極が小さくなり開口率が減少する」こと、及び、「非晶質層より信号線SD1の方をやや大きめにした場合、走査配線と信号配線の交差部において、両者間に非晶質層が形成されない部分が生じるために、静電気に対する耐性を向上するという効果を得ることができない」ことは、本件特許明細書又は図面のいずれにも記載も示唆もされておらず、また、当業者に周知又は自明のことでもない。
　してみると、前記主張は、本件特許明細書又は図面の記載又は示唆に基づいたものでなく、また、当業者に周知又は自明のことでもないから、当を得ないものである。
　エ．むすび
　以上のとおり、本件訂正発明は、上記刊行物記載の発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、当該訂正は認められない。
３．特許異議申立についての判断
　ア．本件発明
　本件の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、本件特許明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項1】　同一基板上で走査配線と信号配線が絶縁層を介して交差し、TFT素子によりスイッチングするアクティブマトリクス液晶表示装置において、走査配線と信号配線の交差部にTFT素子の半導体層と同じ工程で形成される交差部半導体層を有し、さらに隣接する交差部半導体層どうしが信号配線に沿って連結し、かつ連結された交差部半導体層はTFT素子の半導体層とは分離していることを特徴とする液晶表示装置。」
　イ．引用刊行物記載の発明
　上記”２．ウ．（引用刊行物記載の発明）”を参照。
　ウ．本件発明との対比・判断
　上記”２．ウ．（訂正発明との対比・判断）”（相違点２については除くものとする。）を参照。
　エ．むすび
　以上のとおり、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
　したがって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月７日（２０００．２．７）