(57)【要約】  本発明は、電気的絶縁層と、アモルファス層又は多結晶シリコン層とに順次覆われる可撓性支持材を備える電子回路用基板に関する。前記電気的絶縁層は、多孔性酸化層である。本発明は、可撓性支持材を含む電子回路用基板に関する。本発明は、このような基板を製造する方法にも関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的絶縁層と、多結晶シリコン層又はアモルファス層とに順次覆われる可撓性支持材を備え、
前記電気的絶縁層は、多孔性酸化層であることを特徴とする、電子回路用の基板。
【請求項２】
前記多孔性酸化層と、前記アモルファス又は前記多結晶シリコン層との間に挿入された、平滑化層をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記平滑化層は、濃密な酸化層であることを特徴とする、請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記支持材は、プラスチックシート、ペーパーシート、可撓性金属シート、及び可撓性金属ストリップからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記支持材は、ステンレス鋼で作製される、請求項４に記載の基板。
【請求項６】
前記金属シート又は前記金属ストリップは、その熱膨張係数がシリコンと同等の材料で作製されている、請求項４に記載の基板。
【請求項７】
前記支持材がプラスチック又はペーパーシートであり、前記支持材が少なくとも１つの金属トラックを有していることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項８】
前記多孔性酸化層の酸化物は、金属酸化物又は半金属酸化物のＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、及びＭｇＯから選択されることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板。
【請求項９】
前記多孔性酸化層の酸化物は、ＳｉＯ２であることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１０】
可撓性支持材を提供する段階、
ゾルゲル法によって多孔性酸化層を支持材上に堆積する段階、
前記多孔性酸化層上に、アモルファスシリコン層を堆積する段階、
を含む、ことを特徴とする、電子回路用基板を製造する方法。
【請求項１１】
前記アモルファスシリコンを多結晶シリコンに変化させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記支持材を提供する段階は、プラスチックシート、ペーパーシート、可撓性金属シート、及び可撓性金属ストリップからなる群から選択される支持材を提供する段階からなることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属シート又は前記金属ストリップは、その熱膨張係数がシリコンと同等の材料で作製されていることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記支持材がプラスチック又はペーパーシートであり、前記支持材が少なくとも１つの金属トラックを有していることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記多孔性酸化層を堆積する段階は、浸漬コーティング又はローラーコーティングの段階を含むことを特徴とする、請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記アモルファスシリコン層は、ＰＥＣＶＤ法又はスプレー法によって堆積されることを特徴とする、請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記アモルファスシリコンの多結晶シリコンへの変化はＵＶレーザービームによって行われることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記多孔性酸化層を堆積する段階と、前記アモルファスシリコン層を堆積する段階との間に、多孔性酸化層上に平滑化層を堆積する段階を含むことを特徴とする、請求項１０から請求項１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記平滑化層は、濃密な酸化層であることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記多孔性酸化層の酸化物は、金属酸化物又は半金属酸化物ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２から選択されることを特徴とする、請求項１０から請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、可撓性支持材を含む電子回路用基板に関する。この基板は、有機又は無機エレクトロニクスへの使用を意図しうる。本発明は、その製造方法にも関する。
この基板の可能な用途のうち、下記の分野が挙げられる。
・フラットパネルディスプレイスクリーン、テレビ、コンピュータ
・電話用又は遊動用電子体用、ビデオゲーム用の、フレキシブルスクリーン
・スマートタグ（コールドチェーントレーサー、マーキング、識別）
・無線ＩＣタグシステム（ＲＦＩＤ）、リモート読み出し、自動課金
・メモリカード、スマートカード、薄膜可撓性支持材
・センサ、指紋読取装置
・バイオセンサ、ＤＮＡチップ（又は“バイオチップ”）に関するエレクトロニックシステム
・光電池セル用支持材
・大表面用途の低コスト電子回路用支持材
・電子書籍又は電子ペーパー（又は“ｅ−ｂｏｏｋ”）
【背景技術】
【０００２】
大表面に亘る電子回路の提供は、ディスプレイスクリーンの製造のために特に必要である。実際、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用の、又は、有機光放射ダイオード（ＯＬＥＤ）用の、スクリーンを機能させるためには、スクリーンのピクセル（又は撮像エレメント）を制御するために背面に電子回路を有することが必要である。今日、これらの電子回路は、アモルファスシリコンが低温で堆積されるガラスへの技術を用いて製造される。この低性能のアモルファスシリコンは、スクリーンの背面上にトランジスタを製造するために使用される。この活動は、特に今日進んでおり、いわゆる多結晶シリコン技術に向けて急速に進化している。この技術は、アモルファスシリコンの電気的性質を増大させてスクリーン制御用のより高性能の回路を製造できるようにするための、アモルファスシリコンの結晶化処理で構成される。
【０００３】
多くの製造者にとって、ガラスに置き換わる可撓性基板に向かうこの技術を発展させることが目標である。安価で、脆弱でなく、出来る限り“適合した”基板、すなわち、非平面でさらに可撓性の表面に合致しうる基板を見出すことが有用であろう。
【０００４】
多くの近年の研究は、プラスチック基板に関するものである。
【０００５】
SID 01 ダイジェストにおいて出版され、157-159頁に記載された、Y.CHEN著の“A conformable Electronic Ink Display using a Foil-Based a-Si TFT Array”の論文には、薄膜トランジスタの製品及びステンレス鋼シートに堆積されたアモルファスシリコン層の静電容量が開示されている。この論文は、予備研磨した金属シート上へのパッシベーション層の堆積について述べている。この論文は、このパッシベーション層の組成又は使用した堆積技術について開示していない。
【０００６】
他の論文は、金属シート上のトランジスタの異なる製品について開示している。下記の論文が引用されうる。
・電気電子技術者協会（IEEE）、Electron Device Letterの1999年第17巻第578-580頁に記載された、S.D.THEISS及びS.WAGNER著の“Amorphous Silicon Thin Film Transistors on Steel Foil Substrates”
・SID AM-LCD 96 Tech. Dig., 1996年第365-368頁に記載された、S.D.THEISS及びS.WAGNER著の“Flexible, Lightweight Steel Foil Substrates for Amorphous Silicon Thin Film Transistors”
・2002年11月の11番49巻に記載された、Ming Wu等著の“Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Thin-Film Transistor Circuits from a High-Temperature Polycrystalline Silicon Process on Steel Foil Substrates”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
これらの論文には、アモルファス上のトランジスタの製品又はフレキシブル又はリジッド金属基板を用いた多結晶シリコンの実現可能性が記載されている。しかしながら、シリコン層及び金属シート間でのパッシベーション層の堆積は、主としてＰＥＣＶＤ(プラズマ化学気相成長法)の、真空技術によって、常に行われる。ＰＥＣＶＤは、要求される性質を有するパッシベーション層を得るために、試料に対する真空を必要とし、３００℃での加熱を必要とする。加えて、得られた層は、濃密であり、これによって、層は壊れやすくなっている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、可撓性支持材及び冷却方法によって堆積されたパッシベーション層を有する電子回路用の基板を生成する方法を提案する。
【０００９】
それ故、本発明は、電気的絶縁層、アモルファス層又は多結晶シリコン層に順次覆われる可撓性支持材を有する電子回路用の基板に関する。前記電気的絶縁層は、多孔性酸化層であることを特徴とする。
【００１０】
多孔性酸化層は、可撓性支持材に対して電気的な絶縁を提供する。この多孔性酸化層は、シリコン層に付与されうる機械的応力を減衰させるための、バッファ層としての機能を果たす。この多孔性酸化層は、製造されるスタックの機械的柔軟性をもたらすことも可能にする。多孔性構造は、その変形許容性のため、支持材の屈曲又は伸張を許容しうる。この多孔性酸化層は、下塗層としての機能も果たす。
【００１１】
前記基板は、多孔性酸化層と、アモルファス又は多結晶シリコン層との間に挿入された、平滑化層を有利に備えうる。この平滑化層は、濃密な酸化層であってもよい。この濃密な酸化物（例えば、シリカ）は、前記多孔性酸化層を通過することによる前記支持材の金属部位からの任意の汚染物に対する化学的障壁としての機能も果たす。
【００１２】
前記支持材は、プラスチックシート、ペーパーシート、可撓性金属シート、及び可撓性金属ストリップからなる群から選択されてもよい。前記支持材は、ステンレス鋼で作製されてもよい。有利な例としては、金属シート又は金属ストリップは、熱膨張係数がシリコンと同等の材料で作製されてもよい。
【００１３】
前記支持材がプラスチック又はペーパーシートである場合、少なくとも１つの金属トラックを有していてもよい。
【００１４】
多孔性金属層の酸化物は、金属酸化物又は半金属酸化物ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、及びＭｇＯから選択されてもよい。
【００１５】
本発明は、電子回路用基板の製造方法にも関し、下記の段階を含む。
・可撓性支持材を提供する段階
・ゾルゲル法によって多孔性酸化層を支持材上に堆積する段階
・前記多孔性酸化層上に、アモルファスシリコン層を堆積する段階
【００１６】
前記方法は、アモルファスシリコンを多結晶シリコンに変化させる段階を含んでいてもよい。
【００１７】
ゾルゲル法による多孔性酸化層の堆積は、本発明で想定される用途に対して特に有利である。浸漬コーティング又はローラーコーティングによって対象物上に行われうるのは、湿潤堆積法である。この技術は、真空にする必要がなく、整列状態でも回転状態によっても実施されうる。
【００１８】
前記アモルファスシリコン層は、ＰＥＣＶＤ法又はスプレー法によって堆積されてもよい。アモルファス又は多結晶シリコン層をゾルゲル法で堆積することが有利であることに留意すべきである。
【００１９】
前記アモルファスシリコンの多結晶シリコンへの変化は、好適なオーブン中でのＵＶレーザービーム又はＳＰＣ（固相結晶化“Solid Phase Crystallization”）によって行われてもよい。
【００２０】
前記方法は、前記多孔性酸化層を堆積する段階と、前記アモルファスシリコン層を堆積する段階との間に、多孔性酸化層上に平滑化層を堆積する段階を、含んでいてもよい。前記平滑化層は、有利には、濃密な酸化層である。
【００２１】
本発明は、添付された図面とともに非限定的な実施例によって与えられる下記の説明によって、より詳細に理解されうるし、他の利点及び特色はより明瞭になるであろう。この図は、本発明による電子回路用基板の横断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
添付された図面は、本発明による電子回路用基板の横断面図である。
【００２３】
前記基板は、可撓性支持材１、すなわち、少なくとも１つの曲面、例えば、可撓性金属シート、を有しうる支持材を備える。前記基板は、その曲げ特性が想定される用途に見合うように選択される。金属シートの材料は、シリコンの熱膨張係数（４．２×１０−６Ｋ−１）より低いか同程度の熱膨張係数を有するように選択されうる。この金属材料は、化学式Ｆｅ６４Ｎｉ３６の、インバール（登録商標）であってもよく、これは１．７〜２×１０−６Ｋ−１の熱膨張係数を有する。他の合金も、また好適である。ステンレス鋼は、良好な曲げ特性を有し高温に耐え得るため、有利に用いられ得る。
【００２４】
前記支持材は、金属であることが好ましい。しかしながら、前記支持材は、例えば（ポリイミドといった）プラスチック又は紙といった絶縁性材料でも作製されうるし、金属伝導トラックを有してもよく、また有さなくてもよい。この支持材は、比較的濃密であり、その後の技術的段階に耐え得るものである。この支持材は、特に、表面上で粗すぎるものであってはならない。前記支持材は、その後の技術的段階中の保護のために、必要に応じて、酸化防止層（例えば濃密なＳｉＯ２層）で覆われてもよい。
【００２５】
多孔性シリカ２といった多孔性酸化層は、支持材１上にゾルゲル法によって堆積される。これは、湿式処理によって溶液中で行われ、電気特性材料を合成する技術である。
【００２６】
ゾルゲル法中において、酸化物前駆体に関しては、化学式Ｍ（ＯＲ）ｎの本発明におけるアルコキシド化合物が参照される。ここで、Ｍは、上述のような金属元素又は半金属元素を示し、Ｒは、１〜６の炭素原子を含むアルキル基を示し、ｎは、金属元素又は半金属元素の原子価を示す。アルコキシドは、加水分解され得る、無機化合物前駆体（金属塩）又は任意の他の金属、又は半金属元素分子前駆体で置き換えられてもよい。
【００２７】
本発明によれば、前記支持材に堆積された溶液は、“ゼラチン溶液（solution-gelatine）”の省略である、“ゾル−ゲル（sol-gel）”法による重合法により得られる。
【００２８】
このゾル−ゲル法によれば、少なくとも１つの有機溶媒又は水性溶媒を含む媒体中で上述したように１又は２以上の前駆体を全体的に混合して、続いて前記前駆体を完全に又は一部加水分解して、このように加水分解された前記前駆体を凝縮することによって、上述した溶液は合成される。
【００２９】
半導体酸化物前駆体が混合される有機溶媒は、全体的にアルコール溶媒であり、特に、エタノール又はイソプロパノールといった、脂肪族アルコールである。
【００３０】
前駆体の加水分解は、混合物に水性溶媒（酸性、塩基性、又は中性）を添加することによって、全体的に得られる。いったん加水分解すると、前駆体は、凝縮段階で凝縮されうる、−ＯＨといった反応基を持ち、凝縮段階の終わりでは、溶液は、オリゴマー、ポリマー、又はコロイド形態の化学種を含有する。
【００３１】
当業者は、溶液中に、オリゴマー、ポリマー、又はコロイド形態の化学種を得るために、前駆体の性質によって、これらの前駆体の加水分解の状態（ｐＨ、添加する水の量、等）を選択しうる。
【００３２】
この技術は、当業者に知られているような、浸漬コーティング及び／又はスピンコーティング及び／又はスプレーコーティング及び／又はソークコーティング及び／又はロールツーロールコーティング処理及び／又はペイントコーティング及び／又はスクリーンコーティングといった段階を含みうる。
【００３３】
多孔性酸化層は、支持材が金属である場合に、支持材に対する電気的絶縁性を保証しうる。典型的に１μｍから５μｍの厚さを有する多孔性シリカ層によって、寄生容量現象が回避されうる。
【００３４】
多孔性層に関しては、ガスの通過しうる層、及び／又は、バブル（隙間、気体、又は液体）を含む層、を参照しうる。多孔性層によって、層に一定の可撓性を付与することが可能となる。酸化物は、例えば、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２といった、金属又は半金属酸化物であってもよい。
【００３５】
金属酸化物に関しては、本発明における、結晶又はアモルファス格子中に、１又は２以上の金属元素を有する酸化物を参照しうる。これらの金属元素は、下記で規定される、遷移金属又はランタニド金属であってもよい。金属遷移元素は、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ及びＰｔから選択されうる。ランタニド金属は、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ及びＹｂから選択されうる。金属元素は、元素周期表のＩＩＩＡ族（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ）、及び、ＩＶＡ族（Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）に属するような、いわゆるポスト遷移金属であってもよい。
【００３６】
半金属酸化物に関しては、本発明における、結晶格子中に１又は２以上の半金属元素を含む酸化物を参照しうる。前記半金属元素は、Ｓｉ，Ｓｅ及びＴｅから選択される。
【００３７】
これらの材料の全てが、ゾル／ゲル堆積に適合する。これらの材料は、耐熱性である。この層の厚さとともに、この耐熱特性を調整することで、所定の技術的段階、特に、アモルファスシリコンのレーザー再結晶化又はＳＰＣに適合する下にある支持材を作製することが可能となる。これらの材料は、絶縁性でもある。
【００３８】
多孔性酸化層２は、シリコンに対する下塗層として機能しうる。対象となる用途に応じて、出来る限りの最も平坦な表面を提供するために、平面層又は平滑化層が多孔性シリカ層上に堆積しうる。この平面層は、（可撓性を保持するために）薄膜であってもよいが、平坦性を得るためにそして孔隙をシールするために濃密であってもよい。添付図面において、参照番号３は、多孔性シリカ層２上に堆積した、百から数百ナノメータの濃密なシリカ層を示す。濃密なシリカ層３は、ＰＥＣＶＤによって堆積されてもよいが、有利にはゾル−ゲル法によって堆積されてもよい。
【００３９】
そして、アモルファスシリコン層４は、濃密なシリカ層３上に堆積される。層４は、３０ｎｍから１５０ｎｍの間の厚さであってもよい。その堆積は、１５０℃から３３０℃の間の温度でＰＥＣＶＤによって行われうる。
【００４０】
そして、アモルファスシリコンは、結晶シリコンを生成するために、例えば、典型的には９００℃の温度で好適なオーブン中でのＵＶレーザービーム又はＳＰＣによって、結晶化される。
【００４１】
この発明による基板は、ディスプレイパネルに使用されるガラス支持基板に有利に置き換わりうる。このガラス支持基板は、１００μｍよりも小さい厚さの薄いシートで利用可能な、より薄く、より安価な支持材を含む。
【００４２】
得られたスタックは、良好な機械的強度を保証する。この基板は、ガラス支持基板とは異なり、壊れない。この基板は、非平坦な表面に適合しうる。この基板は、無機ＴＦＴトランジスタの製造に対して高温で安定に保たれる。
【００４３】
本発明による基板の金属支持材は、有利には良好な熱伝導性を有し、基板上に製造された電子回路によって生じた熱量の放出を可能にする。この金属支持材は、絶縁層を介して生産物（電子回路）に接触する、基平面としても機能しうる。
【００４４】
前記スタックは、比較的低い熱膨張係数を有してもよく、これにより、シリコン層を介して回路を製造するときに任意のゆがみを防止することが可能となる。
【００４５】
少なくともシリコン堆積までの、基板を作成するための全ての段階は、材料を真空中に配置することなく、低温技術を用いたローリングによって、最先端の技術で行われうる。この堆積は、湿式処理によって行われる。全てが大気圧で行われる。
【００４６】
この基板は、多結晶又はアモルファスシリコン回路製造用の全ての技術に適合する。この技術は、平面液晶ディスプレイに対して現在使用されている。特に、前記基板は、現状では５００℃で、様々な処理の温度に耐え得る。使用される基板によっては（この基板がステンレス鋼の場合）、より高温に耐えることができ、従って、ＳＰＣ再結晶化及び熱酸化物製造といった、可能となるより高性能の処理を実行することができる。
【００４７】
前記基板は、レーザーによるシリコンの結晶化技術に適合する。
【００４８】
この基板は、有機化合物に基づいた回路を製造するための技術にも適合する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は、本発明による電子回路用基板の横断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  可撓性支持材
２  多孔性シリカ
３  濃密なシリカ層
４  アモルファスシリコン層
【図１】
2008500714.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月24日(2006.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路用の基板であって、
電気的絶縁層（２）と、多結晶シリコン層又はアモルファス層（４）とに順次覆われる可撓性支持材（１）を備え、
前記電気的絶縁層（２）は、多孔性酸化層であり、これによって前記基板に可撓性を持たせ、
前記シリコン層（４）は、自由表面を有することを特徴とする、電子回路用の基板。
【請求項２】
前記多孔性酸化層と、前記アモルファス又は前記多結晶シリコン層との間に挿入された、平滑化層（３）をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記平滑化層（３）は、濃密な酸化層であることを特徴とする、請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記支持材（１）は、プラスチックシート、ペーパーシート、可撓性金属シート、及び可撓性金属ストリップからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記支持材（１）は、ステンレス鋼で作製される、請求項４に記載の基板。
【請求項６】
前記金属シート又は前記金属ストリップは、その熱膨張係数がシリコンと同等の材料で作製されている、請求項４に記載の基板。
【請求項７】
前記支持材（１）がプラスチック又はペーパーシートであり、前記支持材が少なくとも１つの金属トラックを有していることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項８】
前記多孔性酸化層の酸化物は、金属酸化物又は半金属酸化物のＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、及びＭｇＯから選択されることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板。
【請求項９】
前記多孔性酸化層の酸化物は、ＳｉＯ２であることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１０】
電子回路用基板を製造する方法であって、
可撓性支持材（１）を提供する段階、
ゾルゲル法によって多孔性酸化層（２）を支持材（１）上に堆積して、前記堆積によって前記基板に可撓性を持たせる段階、
前記多孔性酸化層上に、自由表面を有するアモルファスシリコン層（４）を堆積する段階、
を含む、ことを特徴とする、電子回路用基板を製造する方法。
【請求項１１】
前記アモルファスシリコンを多結晶シリコンに変化させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記支持材を提供する段階は、プラスチックシート、ペーパーシート、可撓性金属シート、及び可撓性金属ストリップからなる群から選択される支持材を提供する段階からなることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属シート又は前記金属ストリップは、その熱膨張係数がシリコンと同等の材料で作製されていることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記支持材がプラスチック又はペーパーシートであり、前記支持材が少なくとも１つの金属トラックを有していることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記多孔性酸化層を堆積する段階は、浸漬コーティング又はローラーコーティングの段階を含むことを特徴とする、請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記アモルファスシリコン層は、ＰＥＣＶＤ法又はスプレー法によって堆積されることを特徴とする、請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記アモルファスシリコンの多結晶シリコンへの変化はＵＶレーザービームによって行われることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記多孔性酸化層を堆積する段階と、前記アモルファスシリコン層を堆積する段階との間に、多孔性酸化層上に平滑化層を堆積する段階を含むことを特徴とする、請求項１０から請求項１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記平滑化層は、濃密な酸化層であることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記多孔性酸化層の酸化物は、金属酸化物又は半金属酸化物ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２から選択されることを特徴とする、請求項１０から請求項１９のいずれか１項に記載の方法。
【国際調査報告】
2008500714.tif 000004
2008500714.tif 000005
2008500714.tif 000006
2008500714.tif 000007
2008500714.tif 000008
2008500714.tif 000009