【事件の表示】
　特許第３００８７４８号「露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００８７４８号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第３００８７４８号は、平成５年９月２４日に特許出願され、平成１１年１２月３日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人株式会社ニコンから特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月２６日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人株式会社ニコンは、甲第１号証（　実願昭５７−１７１５４号（実開昭５８−１２１０１７号公報）のマイクロフイルム　）、甲第２号証（特開平１−２９８７１９号公報）及び甲第３号証（特開昭６２−１９３１２５号公報）を提出し、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、本件請求項１〜４に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、従って、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、本件請求項１〜４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件請求項１〜４に係る特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人株式会社ニコンが提出した甲第１号証〜甲第３号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証第１頁第１３行から第２頁第７行には「ミラー反射型プロジェクションアライナの投影光学系原理図を第１図に示す。マスク上の一点０を出た光は凹面鏡１である第１のミラーで２回、凸面鏡２である第２のミラーで１回と計３回の反射を受けて、ウェハ上に１：１の倍率で結像する。収差の小さな半径ｒ０の円弧上スリットの範囲のみ投影結像するものである。ウェハ３全面を露光する為には、露光用のスリット位置はｒ０に固定したまま、ウェハ３とマスク４を反対方向にスキャンさせればよい。次に露光用の紫外光を発生する露光光学系について（第２図）説明する。超高圧水銀灯光源５から発生した紫外光は、コンデンサレンズ６を通り、スリットプレート７に光源像を投影結像された後レンズ８によりマスク上に投影結像される。」と記載されている。
　甲第１号証第３頁第１２行から第４頁第１２行には「光源５よりの光を集光するコンデンサレンズ６の投影結像面に位置するスリット交換保持部７′、これより先光は従来技術と同じく、露光光学系及び投影光学系１０を通り、マスクパターン像をウェハ３表面へと結像する構成となっている。本考案であるスリット交換保持部７′は、複数個のスリットを有するプレート１５を、ガイドプレート１６を案内として、モータ１７により移動させるものである。この時、任意のスリット選択用として、スリット検出用フォトスイッチ１８が設けられている。まず、マスク面に当る紫外光の露光エネルギーの測定を行う。現状の露光エネルギーの変動率は±１０％程度ある。これをなるべく均一にするため、各々のスリット１９を交換しながら最適なスリットを選択する。例えば第５図に示す様に超高圧水銀ランプ５の両側電極部は照度が不足している為、スリット両側の巾ｗｌ＞スリット中央部の巾ｗ′としてやることにより、露光エネルギーの変動率は、従来より改善されて±２〜３％へと向上する。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証第２頁左下欄第１６行から第３頁右上欄第７行には、「以下．図面に従い詳細に説明する。第１図において、１５は超高圧水銀ランプなどの光源であり、この光源１５から発した散乱光は、楕円ミラー１６により一定方向に集められ、複数のミラー，コンデンサレンズ等の照明光学機構１７（本実施例では模式的に示している）により、平行かつ一様な光束１８ａとなる。この光束１８ａを自動可変スリット１９に照射する。スリット１９を通過した光は半透鏡２０により、一方の光束１８ｂはセンサーアレイ２１に、他方の光束１８ｃは表面に遮光膜パターンが形成されたハ−ドマスク２２へ導びかれる。このハ−ドマスク２２を通過した光、すなわち投影像２３は投影光学機構２４（台形ミラー２５，凸面鏡２６，凹面鏡２７等）を介して表面にホトレジストが塗布されているウエハ２８に転写されるようになっている。
　第２図は前述した自動可変スリット１９の一部断面図である。２９はステンレス等で形成されたベースであり、開口部３０が設けられている。…３２はスリット開口幅を可変にするための駆動手段、…３４は前記スライドバー３３の進行動作（図面右方向への移動）により移動する移動ブロックであり、弾性体３１ａを押し出して開口幅Ｄをせばめられるようになっている。逆に、スライドバー３４を退行動作（図面左方向への移動）させると、弾性体３１はその復元力により開口幅Ｄを拡げる方同に移動できるようになっている。前記アクチュエータ３２及び移動ブロック３４は、弾性体３１ａの延在方向に一定間隔で複数個配置されており、各アクチュエ−タ３２へスリット制御部３５から制御信号Ｑが伝達されている。ところで、センサ−アレイ２１には、光電変換素子であるセンサー３６が規則性をもって多数個配設されている。本実施例においてはスリット１９を通過した光、すなわちスリット光３７において実効的に露光に関与する光のあたる全面にセンサー３６をアレイ状に配置している。そして、行ごとに１ブロックとしてスリット光３７を分割している。すなわち、センサーアレイ２１は行方向にｎ個のブロックに分割され、各ブロックからＳ１〜Ｓｎという照度に対応した信号がスリット制御部３５に伝達される。スリット制御部３５では前記信号Ｓ１〜Ｓｎを受けて信号処理し、スリット光３７の照度分布が一様となるように制御信号Ｑ１〜Ｑｎをアクチュエ−タ３２にそれぞれ伝達して駆動し、スリット１９の開口幅Ｄを弾性体３１ａを部分的に変形させることにより光がスリット３０を通過する領域を補正できるようになっている。」と記載されている。
　甲第２号証の第４頁左上欄第１８行から第２０行には「参照電位を比較回路ごとそれぞれ設定でき、ウエハ上に塗布したレジスト膜厚に対応させて露光できる」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証には、光源１より出射された光はスリット２のスリット穴２ｄを通って円弧状光束となり、反射投影露光ユニット３中のマスク面位置４及び投影光学系を経由してウエハ面位置５へ入射する半導体用パターン焼付装置の露光むら補正装置において、スリットの幅をスリット通過光束の照度状態を検出して補正する旨記載されている。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ１
　特許請求の範囲の請求項１における「照明系からの露光光を」を、「照明系からの露光光で」と訂正する。
訂正事項ａ２
　特許請求の範囲の請求項１における「ウエハ面上に」を、「ポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正する。
訂正事項ａ３
　特許請求の範囲の請求項１における「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正する。
訂正事項ｂ１
　特許請求の範囲の請求項３における「照明系からの露光光を」を、「照明系からの露光光で」と訂正する。
訂正事項ｂ２
　特許請求の範囲の請求項３における「ウエハ面上に」を、「ボジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正する。
訂正事項ｂ３
　特許請求の範囲の請求項３における「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正する。
訂正事項ｃ
　段落番号【００１２】の「与えなければならないという問題点がある。」を、「与えなければならない。」と訂正する。
訂正事項ｄ
　段落番号【００１３】の「従来、ミラー投影光学系はパターン領域、」を、「従来、パターン領域、」と訂正する。
訂正事項ｅ
　段落番号【００１４】の「本発明は、…円弧スリット開口の両端部」を、「本発明は、マスク面上を照明するスリット開口形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い周辺部」と訂正する。
訂正事項ｆ１
　段落番号【００１５】の「照明系からの露光光を」を、「照明系からの露光光で」と訂正する。
訂正事項ｆ２
　段落番号【００１５】の「ウエハ面上に」を、「ポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正する。
訂正事項ｆ３
　段落番号【００１５】の「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正する。
訂正事項ｇ１
　段落番号【００１６】の「照明系からの露光光を」を、「照明系からの露光光で」と訂正する。
訂正事項ｇ２
　段落番号【００１６】の「ウエハ面上に」を、「ポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正する。
訂正事項ｇ３
　段落番号【００１６】の「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正する。
訂正事項ｈ
　段落番号【００２２】の「基板５面上に投影露光している。」を、「基板５面上のパターン領域に投影露光している。」と訂正する。
訂正事項ｉ
　段落番号【００２４】の「基板５の中央部の幅１３ａに比べて両端部」を、「基板５のパターン領域に対応する中央部の中１３ａに比べてパターン領域周辺の周辺部に対応する両端部」と訂正する。
訂正事項ｊ
　段落番号【００２５】の「基板５の中心部」を、「基板５の中心部（パターン領域）」と訂正する。
訂正事項ｋ
　段落番号【００２８】の「中央部に比べて両端部」を、「パターン領域に対応する中央部に比べて周辺部に対応する両端部」と訂正する。
訂正事項ｌ
　段落番号【００３９】の「本発明によれば以上のように、ミラー投影光学系においてマスク面上を照明する円弧スリット開口の形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い円弧スリット開口の両端部」を、「本発明によれば以上のように、スリット開口形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い周辺部」と訂正する。
２．２．訂正後の請求項
請求項１
「照明系からの露光光でスリットを介してマスク面上をスリット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上のパターンを投影光学系によりポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に投影する際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを該ウエハに投影するようにした露光装置において、該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていることを特徴とする露光装置。」
請求項２
「前記スリットは走査方向に円弧を向けた円弧スリット開口より成っていることを特徴とする請求項１の露光装置。」
請求項３
「照明系からの露光光でスリットを介してマスク面上をスリット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上のパターンを投影光学系によりポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に投影露光する際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを該ウエハに投影露光した後に該ウエハを現像処理工程を介して半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法において、該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
請求項４
「前記スリットは走査方向に円弧を向けた円弧スリット開口より成っていることを特徴とする請求項３の半導体デバイスの製造方法。」
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
３．１．１　訂正事項ａ１及びｂ１
　上記訂正事項ａ１及びｂ１については、マスク面上を照明するのは「露光光で」あるので、明らかな誤記の訂正である。
　また、上記訂正事項ａ１及びｂ１については、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．２　訂正事項ａ２及びｂ２
　上記訂正事項ａ２及びｂ２については、特許請求の範囲の請求項１及び請求項３における「ウエハ面上に」を、下位概念である「ポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　また、上記訂正事項ａ２及びｂ２については、特許明細書の段落番号【００１０】及び【００１１】の記載から直接的かつ一義的に導き出せる事項であるから、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．３　訂正事項ａ３及びｂ３
　上記訂正事項ａ３及びｂ３については、特許請求の範囲の請求項１及び請求項３における「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、下位概念である「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　また、上記訂正事項ａ３及びｂ３については、特許明細書の段落番号【００１０】〜【００１４】及び段落番号【００２４】〜【００２５】の記載から直接的かつ一義的に導き出せる事項であるから、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．４　訂正事項ｆ及びｇ
　上記訂正事項ｆ及びｇについては、訂正事項ａ１〜ａ３及びｂ１〜ｂ３の訂正に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、上記訂正事項ｆ及びｇについては、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．１．４　訂正事項ｃ〜ｅ及びｈ〜ｌ
　これらの訂正事項ｃ〜ｅ、ｈ〜ｌはいずれも技術内容を明りょうにしたものであり、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　また、上記訂正事項ｃ〜ｅ、ｈ〜ｌについては、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ１〜ｌは、上記３．１．１〜３．１．４のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜４に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１〜４に係る発明と甲第１号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「スリット状に照明されたマスク面上のパターンを投影光学系によりポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に投影する際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを該ウエハに投影するようにした露光装置において、該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」（以下、「本件請求項１に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、甲第１号証に記載された発明は、本件請求項１に係る発明の特徴的構成について記載又は当該記載を示唆をするものではない。
　また、本件請求項１に係る発明が、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成により、「本発明によれば以上のように、スリット開口形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い周辺部も完全にレジストが除去でき」（「発明の効果」の項）るという甲第１号証にはない効果を有する。
　そうすると、本件請求項１に係る発明が、甲第１号証記載の発明と同一であるとすることができない。
　また、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたとすることができない。
　さらに、異議の証拠としてその理由が示されていない甲第２号証及び甲第３号証を参照しても、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたとすることができない。
　なお、甲第２号証の第４頁左上欄第１８行から第２０行の「参照電位を比較回路ごとそれぞれ設定でき、ウエハ上に塗布したレジスト膜厚に対応させて露光できる」との記載について付言すると、甲第２号証は、ポジ型レジストのレジスト膜の厚い周辺部についての技術的課題の記載又は示唆がされておらず、また、甲第２号証の上記記載は単にレジスト膜厚に対する露光量を調整することにすぎないから、甲第２号証の上記記載から、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成が容易に想到し得たとすることができない。
　本件請求項１に係る発明を引用する本件請求項２に係る発明についても、上記本件請求項１に係る発明と甲第１号証との対比、判断と同様に、甲第１号証に記載された発明と同一であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたとすることができない。
　また、異議の証拠としてその理由が示されていない甲第２号証及び甲第３号証を参照しても、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたとすることができない。
　本件請求項１に係る発明の「露光装置」を「半導体デバイスの製造方法」とした本件請求項３に係る発明及び本件請求項３に係る発明を引用する本件請求項４に係る発明についても、本件請求項１に係る発明及び本件請求項２に係る発明についての上記対比、判断と同様に、甲第１号証に記載された発明と同一であるとも、甲第１号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたとすることができない。
　また、異議の証拠としてその理由が示されていない甲第２号証及び甲第３号証を参照しても、本件請求項３及び４に係る発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜請求項４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜請求項４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜請求項４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月２日（２００１．５．２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ２、ａ３、ｂ２およびｂ３は、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ａ１及びｂ２は、誤記の訂正を目的とし、訂正事項ｃ〜１は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ１
　特許請求の範囲の請求項１における「照明系からの露光光を」を、「照明系からの露光光で」と訂正する。
訂正事項ａ２
　特許請求の範囲の請求項１における「ウエハ面上に」を、「ポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正する。
訂正事項ａ３
　特許請求の範囲の請求項１における「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正する。
訂正事項ｂ１
　特許請求の範囲の請求項３における「照明系からの露光光を」を、「照明系からの露光光で」と訂正する。
訂正事項ｂ２
　特許請求の範囲の請求項３における「ウエハ面上に」を、「ボジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正する。
訂正事項ｂ３
　特許請求の範囲の請求項３における「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正する。
訂正事項ｃ
　段落番号【００１２】の「与えなければならないという問題点がある。」を、「与えなければならない。」と訂正する。
訂正事項ｄ
　段落番号【００１３】の「従来、ミラー投影光学系はパターン領域、」を、「従来、パターン領域、」と訂正する。
訂正事項ｅ
　段落番号【００１４】の「本発明は、…円弧スリット開口の両端部」を、「本発明は、マスク面上を照明するスリット開口形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い周辺部」と訂正する。
訂正事項ｆ１
　段落番号【００１５】の「照明系からの露光光を」を、「照明系からの露光光で」と訂正する。
訂正事項ｆ２
　段落番号【００１５】の「ウエハ面上に」を、「ポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正する。
訂正事項ｆ３
　段落番号【００１５】の「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正する。
訂正事項ｇ１
　段落番号【００１６】の「照明系からの露光光を」を、「照明系からの露光光で」と訂正する。
訂正事項ｇ２
　段落番号【００１６】の「ウエハ面上に」を、「ポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に」と訂正する。
訂正事項ｇ３
　段落番号【００１６】の「該スリットの走査方向の開口形状は、中央部に比べて両端部で広くなっていること」を、「該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていること」と訂正する。
訂正事項ｈ
　段落番号【００２２】の「基板５面上に投影露光している。」を、「基板５面上のパターン領域に投影露光している。」と訂正する。
訂正事項ｉ
　段落番号【００２４】の「基板５の中央部の幅１３ａに比べて両端部」を、「基板５のパターン領域に対応する中央部の中１３ａに比べてパターン領域周辺の周辺部に対応する両端部」と訂正する。
訂正事項ｊ
　段落番号【００２５】の「基板５の中心部」を、「基板５の中心部（パターン領域）」と訂正する。
訂正事項ｋ
　段落番号【００２８】の「中央部に比べて両端部」を、「パターン領域に対応する中央部に比べて周辺部に対応する両端部」と訂正する。
訂正事項ｌ
　段落番号【００３９】の「本発明によれば以上のように、ミラー投影光学系においてマスク面上を照明する円弧スリット開口の形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い円弧スリット開口の両端部」を、「本発明によれば以上のように、スリット開口形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い周辺部」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　照明系からの露光光でスリットを介してマスク面上をスリット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上のパターンを投影光学系によりポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に投影する際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを該ウエハに投影するようにした露光装置において、該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていることを特徴とする露光装置。
　【請求項２】　前記スリットは走査方向に円弧を向けた円弧スリット開口より成っていることを特徴とする請求項１の露光装置。
　【請求項３】　照明系からの露光光でスリットを介してマスク面上をスリット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上のパターンを投影光学系によりポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に投影露光する際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを該ウエハに投影露光した後に該ウエハを現像処理工程を介して半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法において、該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
　【請求項４】　前記スリットは走査方向に円弧を向けた円弧スリット開口より成っていることを特徴とする請求項３の半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体その他の回路基板の製造に用いられる露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法に関し、特に露光装置を構成するミラー投影光学系に対してマスクと基板（ウエハ）とを一体的に走査し、マスクに形成されているパターンの像をミラー投影光学系により基板（ウエハ）上に転写し、大型の液晶表示パネル等を製造する際に好適なものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より半導体製造用の露光装置として凸面鏡と凹面鏡を用いたミラー投影光学系が多く用いられており、例えば特開昭５８−１０８７４５号公報，特開昭６２−１８７１５号公報，特開昭６３−１２８７１３号公報等で提案されている。
　【０００３】
　特に最近では液晶表示パネル、特にパソコン向けの大市場が期待される１０インチ前後の液晶表示パネルを製造する為に用いられる露光装置として、解像力が良く、生産性が高いという利点からミラー投影光学系が多く用いられるようになっている。
　【０００４】
　このミラー投影光学系を用いた露光装置では、照明系からの光束でマスク面上をスリット状に照明し、該マスク面上のパターンをウエハ面上にミラー投影光学系を用いて投影している。そしてミラー光学系に対してマスクと基板（ウエハ）を一体的に走査することによりマスクに形成されているパターンの像を基板（ウエハ）上に転写するタイプの一括露光装置が使用されている。
　【０００５】
　この露光装置は前述した各公報にも開示されているように非常に高い面精度に研磨された台形ミラー，凸面鏡そして凹面鏡の３つの光学部材を有する周知のミラー投影光学系を備えている。
　【０００６】
　このミラー投影光学系では円弧スリット開口の良像域を用いてマスクに形成されているパターンの全体の像を基板上に転写する為にマスクと基板を一体でミラー投影光学系に対して走査露光している。
　【０００７】
　この露光装置で露光できる領域の大きさは走査方向（Ｙ方向）はミラー投影光学系に対してマスクと基板を走査する距離により決定され、走査方向に直交する方向（Ｘ方向）はミラー投影光学系により結像される円弧スリット開口のＸ方向の巾により決定される。
　【０００８】
　又ミラー投影光学系は円弧スリット開口のＹ方向の巾を広げると解像力は劣化するが高い照明光が得られるという特徴がある。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　液晶表示パネルはマスクのパターンが基板上のレジストに転写されると共にＩＣやＬＳＩのような半導体デバイスを製造するプロセスと同様なプロセスを経ることにより製造されている。該基板は液晶の駆動を制御する為の画素駆動回路として利用される。
　【００１０】
　ところで液晶表示パネル用の基板サイズは、理論的には画素パターンと電極パターンをカバーする大きさであれば良いが、レジストを塗布する際、多くの場合基板の周辺部のみレジストが厚く塗布されてしまう傾向がある。その為、通常パターン領域より片側で１０ｍｍ程度大きな基板が使用されている。
　【００１１】
　通常、液晶表示パネルの製造の為に基板を露光する際、使用されるレジストはポジ型であり、周辺部に光が十分当たらないとレジスト膜が残り工程層が積層されていく。積層された層は露光装置内で基板を搬送用のカセットから搬出入するときカセットのスロット部と接触して剥離し、ゴミとなり又基板をスクライブする際にもゴミとなって発生する。このゴミが基板表面に付着したままパターン転写が行われると、液晶パネルの歩留りは極端に落ちてしまうという問題がある。
　【００１２】
　この問題を解消する方法として、基板上の液晶表示パネル部の周辺部にも光を当てて、工程膜が積層されないようにする方法がある。又液晶表示パネル部の周辺部のレジスト膜厚はパターン領域に対し、２〜３倍厚い。従って、パターン領域を露光するのに必要な露光量より２〜３倍の露光量を与えなければならない。
　【００１３】
　従来、パターン領域、周辺部ともスリットのＹ方向の巾は同じであった。その為周辺部のレジスト膜厚の厚い部分はレジストが十分感光できず、上述の問題が発生してくる傾向があった。
　【００１４】
　本発明は、マスク面上を照明するスリット開口形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い周辺部も完全にレジストが除去でき、しかもゴミによる悪影響を防止し、液晶表示パネル等の大型の基板面上にマスク面上のパターンを高精度に投影露光することのできる露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法の提供を目的とする。
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の露光装置は、照明系からの露光光でスリットを介してマスク面上をスリット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上のパターンを投影光学系によりポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に投影する際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを該ウエハに投影するようにした露光装置において、該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていることを特徴としている。
　【００１６】
　本発明の半導体デバイスの製造方法は、照明系からの露光光でスリットを介してマスク面上をスリット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上のパターンを投影光学系によりポジ型のレジストが塗布されたウエハ面上に投影露光する際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを該ウエハに投影露光した後に該ウエハを現像処理工程を介して半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法において、該ウエハは、該マスク全面のパターンが投影されるパターン領域と該パターン領域の周辺の周辺部とを有し、該スリットの走査方向の開口形状は、該パターン領域に対応する中央部に比べて該周辺部に対応する両端部で広くなっていることを特徴としている。
　【００１７】
　【実施例】
　図１は本発明の実施例１の要部概略図である。
　【００１８】
　図１において１は照明系であり、後述するように露光光によりマスク４面上を円弧スリット状に照明している。２は光源であり、例えば超高圧水銀灯より成っている。３はＹ方向に円弧を向けた円弧スリット開口を有するスリットである。光源２とスリット３は照明系１の一要素を構成している。
　【００１９】
　４はマスクであり、その面上には回路パターンやアライメントマーク等が形成されている。５は基板（ウエハ）である。７はミラー投影光学系であり、円弧スリット状に照明されたマスク４面上のパターンを基板５上に等倍結像している。６はキャリッジであり、マスク４と基板５とを載置している。
　【００２０】
　８，８′は静圧ガイジ、９はリニアモーターであり、これらの要素８，８′，９により駆動手段を構成している。駆動手段はミラー投影光学系７に対してキャリッジ６をＹ方向に駆動している。１０は基盤、１１，１１′は防振足である。
　【００２１】
　ミラー投影光学系７は高い精度で研磨された反射面７ａ１，７ａ２より成る台形ミラー７ａと凹面鏡７ｂそして凸面鏡７ｃより成っている。そしてマスク４面上のパターンからの光束を順にミラー面７ａ１，凹面鏡７ｂ，凸面鏡７ｃ，凹面鏡７ｂ，そしてミラー面７ａ２を介して基板５面上に導光し、その面上にパターン像を等倍結像している。
　【００２２】
　そして駆動手段によりキャリッジ６をＹ方向に移動させて円弧スリット開口で照明されたマスク４面上の全パターンを順次基板５面上のパターン領域に投影露光している。そして該基板１５を公知の現像処理工程を介して半導体デバイスを製造している。
　【００２３】
　図２は本発明に係るスリット３の拡大説明図である。
　【００２４】
　同図においてはスリット３の円弧スリット開口１３に対して円弧スリット開口１３を通過した光束で照明されたマスク４面上のパターンをミラー投影光学系７で投影する基板５を対応させて示している。円弧スリット開口１３のＹ方向の開口形状は基板５のパターン領域に対応する中央部の巾１３ａに比べてパターン領域周辺の周辺部に対応する両端部の一部の巾１３ｂが２〜３倍広くなるようにしている。
　【００２５】
　これにより基板５の中心部（パターン領域）に対して周辺部に当たる露光光量が２〜３倍多くなるようにしている。その結果、基板５のレジスト膜厚の厚い周辺部には十分な露光光量が得られ完全に感光ができ、レジスト膜は残らないようにし、これにより周辺部に工程膜が積層されず液晶パネルの歩留りの低下を防止している。
　【００２６】
　尚本実施例においてスリット３の円弧スリット開口１３の形状は中央部から両端部にかけて図２に示すように断続的に広くなる形状の他、連続的に広くなるようにしても良い。
　【００２７】
　図３は従来のスリット３３の円弧スリット開口３２の説明図である。従来のスリット３３の円弧スリット開口３２は基板５の中心部・両端部とも同じ巾であった。この為基板５の中心部と周辺部とも同じ露光光量となる。その結果、基板５のレジスト膜厚の厚い周辺部は十分な露光光量が得られず、完全に感光せずレジスト膜が残ってしまい、その為周辺部に工程膜が積層され液晶パネルの歩留りを大幅に低下させてしまうという問題があった。
　【００２８】
　これに対して本発明ではスリットのＹ方向（走査方向）の円弧スリット開口を図２に示す如くパターン領域に対応する中央部に比べて周辺部に対応する両端部を広くすることにより基板５面上のレジスト全面を効果的に照明し、良好なるパターン像の投影露光が行えるようにしている。
　【００２９】
　次に上記説明した露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
　【００３０】
　図４は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフローを示す。
　【００３１】
　ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
　【００３２】
　一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
　【００３３】
　次のステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。
　【００３４】
　ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
　【００３５】
　図５は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
　【００３６】
　ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
　【００３７】
　ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
　【００３８】
　本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
　【００３９】
　【発明の効果】
　本発明によれば以上のように、スリット開口形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い周辺部も完全にレジストが除去でき、しかもゴミによる悪影響を防止し、液晶表示パネル等の大型の基板面上にマスク面上のパターンを高精度に投影露光することのできる露光装置を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の実施例１の要部概略図
　【図２】　図１のスリットの拡大説明図
　【図３】　従来の露光装置に用いられるスリットの拡大説明図
　【図４】　本発明の半導体デバイスの製造方法のフローチャート
　【図５】　本発明の半導体デバイスの製造方法のフローチャート
　【符号の説明】
　１　　照明系
　２　　光源
　３　　スリット
　４　　マスク
　５　　基板（ウエハ）
　６　　キャリッジ
　７　　ミラー投影光学系
　９　　リニアモーター
１３　　円弧スリット開口