【事件の表示】
　特許第２９１５６２９号「光起電力素子」の請求項１ないし請求項１１に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１５６２９号の請求項１ないし請求項１１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
  本件特許第２９１５６２９号に係る出願は、平成３年６月２８日に出願され、平成１１年４月１６日にその設定登録がなされ、その後、日本板硝子株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月１３日に特許異議意見書が提出されたものである。
２．特許異議申立てについて
（請求項に係る発明）
　本件特許第２９１５６２９号の請求項１ないし請求項１１に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】　導電性基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｐ型層、ｉ型層及びｎ型層を含む非単結晶シリコン系半導体層が設けられており、該非単結晶シリコン系半導体層上にそれに接して透明電極が積層されている光起電力素子において、前記透明電極は、１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の含有量でアルカリ金属を含有する導電性酸化物で形成されていることを特徴とする光起電力素子。
【請求項２】　前記導電性酸化物はインジウム酸化物、スズ酸化物及びインジウム−スズ酸化物から選択される材料である請求項１記載の光起電力素子。
【請求項３】　前記導電性基板は絶縁性材料の支持体上に導電性の薄膜を設けた基板である請求項１記載の光起電力素子。
【請求項４】　前記透明電極の厚さは５００Å〜３０００Åである請求項１記載の光起電力素子。
【請求項５】　前記アルカリ金属は導電性酸化物の膜厚方向に不均一に分布している請求項１記載の光起電力素子。
【請求項６】　透明基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｐ型層、ｉ型層及びｎ型層を含む非単結晶シリコン系半導体層が設けられており、その上に導電層が積層されている光起電力素子において、前記透明基板と前記非単結晶シリコン系半導体層との間にそれらに接して透明電極が設けられており、該透明電極は、１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の含有量でアルカリ金属を含有する導電性酸化物で形成されていることを特徴とする光起電力素子。
【請求項７】　前記導電性酸化物はインジウム酸化物、スズ酸化物及びインジウム−スズ酸化物から選択される材料である請求項６記載の光起電力素子。
【請求項８】　前記透明電極の厚さは５００Å〜３０００Åである請求項６記載の光起電力素子。
【請求項９】　前記アルカリ金属は導電性酸化物の膜厚方向に不均一に分布している請求項６記載の光起電力素子。
【請求項１０】　請求項１記載の光起電力素子の作製方法において、前記アルカリ金属を含むターゲットを用いたスパッタリング法または前記アルカリ金属を含む蒸着源を用いた真空蒸着法により前記導電性酸化物を形成する光起電力素子の作製方法。
【請求項１１】　請求項６記載の光起電力素子の作製方法において、前記アルカリ金属を含むターゲットを用いたスパッタリング法または前記アルカリ金属を含む蒸着源を用いた真空蒸着法により前記導電性酸化物を形成する光起電力素子の作製方法。」
　
（特許異議申立人の主張の概要）
  これに対して、特許異議申立人日本板硝子株式会社は、甲第１号証として本件特許出願の願書に最初に添付された明細書及び図面、甲第２号証として特開平５−１３７９３号公報、甲第３号証として特開昭６３−３１０５０５号公報、甲第４号証として特開昭５７−４２１７３号公報、甲第５号証として特開昭６０−２３９０６９号公報、甲第６号証として特開昭５９−１４７４６９号公報、甲第７号証として特開昭６０−２１１９８７号公報を提示して、本件の平成１０年７月６日付け手続補正書は明細書の要旨を変更するものであるから、本件の出願日は手続補正書提出時の平成１０年７月６日に繰り下がり、本件請求項１ないし請求項１１に係る発明は、本件出願の公開公報である甲第２号証に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項１ないし請求項１１に係る発明は、甲第３号証ないし甲第７号証に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、旨主張している。
　
（１）平成１０年７月６日付け手続補正書に関する検討
　特許異議申立人が、平成１０年７月６日付け手続補正書は、明細書の要旨を変更するものであるとする理由は以下の２点である。
ｉ）請求項１及び請求項６において「１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の含有量でアルカリ金属を含有する」と補正した点、
ii）請求項６において「透明基板」と特定した点。
　上記２点について検討する。
ｉ）出願当初の明細書の【００２０】には、
「本発明の光起電力素子に用いる透明電極中に含有されるアルカリ金属の含有量は、おおむね１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下が好ましい範囲として挙げられる。さらに、透明電極中に１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下のアルカリ金属を含有させるために前記ターゲット中に含有されるアルカリ金属の含有量は、スパッタリング条件によって大きく依存するもののおおむね１００ｐｐｍが好ましいものある。」と記載されており、「おおむね１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下」が好ましい範囲として挙げられているのであるから、「１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下」と限定することは、何ら要旨変更には該当しない。
ii）出願当初の明細書の【従来の技術】【０００３】には、近年の光起電力素子と透明電極との間の関係を検討した文献が２件挙げられており、また、【０００４】には、インジウム酸化物膜とスズ酸化物膜とを積層した透明電極が記載されている公開公報が挙げられている。
　上記２件の文献には、ガラス基板の上に透明電極を成膜し、その上にｐｉｎ半導体を成膜した太陽電池が記載されており、また、上記公開公報には、ガラス板の上に形成された透明電極が記載されている。
　続いて、出願当初の明細書には、
「【０００５】【発明が解決しようとする課題】　上記した従来の光起電力素子は、優れた特性を有するものであるが、より一層の特性の向上が望まれている。
　本発明の目的は、従来の光起電力素子よりさらに優れた特性を有する光起電力素子を提供することにある。
【０００６】　本発明の目的は、従来の光起電力素子よりさらに優れた特性を有する光起電力素子を提供することにある。
　すなわち、本発明の目的は、より低抵抗化したインジウム酸化物、スズ酸化物、インジウム?スズ酸化物からなる透明電極を有する光起電力素子を提供することにある。」
と記載されており、本件発明は、従来の光起電力素子の透明電極を改良することを目的とした発明であるものと認められる。
　そして、出願当初の明細書の実施例１に関する表１及び実施例８に関する表６には、基板としてバリウム硼珪酸ガラス（【００５９】には、コーニング（株）製７０５９と記載されている。）が掲載されており、特許権者が特許異議意見書に添付して提出した「最新アモルファスＳｉハンドブック」の第２４１頁には、
「一口にｐｉｎ形といっても数種類の構造が知られているが、良く用いられている構造は図−１（ａ）に示すＡｌ／ｎｉｐ／ＩＴＯ／ガラス基板太陽電池、および同図（ｂ）のＩＴＯ／ｎｉｐ／金属基板太陽電池である。」と記載されており、
第２７５頁〜の「第８節透明導電膜被覆ガラス基板上の太陽電池」の、表−１透明導電膜の製法−化学的製法（ＳｎＯ２）、表−２透明導電膜の製法−化学的製法（ＩＴＯ）及び表−３透明導電膜の製法−物理的製法（Ｉｎ２Ｏ３ＩＴＯ）には、基板材料として石英、硼珪酸ガラス等の各種ガラスが掲載されており、Ｃ♯７０５９と表記して、本件発明の実施例に使用されているコーニング（株）製７０５９も掲載されている。
　してみれば、本件発明が前提としている従来の光起電力素子は、基板としてバリウム硼珪酸ガラス等の透明基板を使用するものを含むことは、出願当初の明細書の記載から明らかであり、請求項６に、基板として「透明基板」と特定した発明を記載する補正は、明細書の要旨の変更には該当しない。
　
　以上のとおりであるから、本件の平成１０年７月６日付け手続補正書は明細書の要旨を変更するものには該当せず、本件の出願日は繰り下がることはない。
　
（２）特許法第２９条第２項について
　上記の如く、本件出願の出願日は繰り下がることはないので、本件出願の公開公報である甲第２号証は、本件出願に対する公知文献ではない。
　
（引用例）
　特許異議申立人の提示した甲第３号証には、
「基板上に形成された後所定形状にパターニングされて透明電極として用いられる酸化錫膜において、上記基板と接する側にアルカリ金属を含む領域を形成したことを特徴とする透明電極用酸化錫膜。」（特許請求の範囲）、
「ＳｎＯ２は上述のように化学的に安定であるため、エッチングによるパターニングを行なった際、除去すべき部分に若干のＳｎＯ２が基板（１）上に残存してしまう場合がある。従って、光起電力装置にあっては、不所望な短絡状態が生じ、出力特性の劣化を生ぜしめる虞れがある。そこで、本発明の目的はＳｎＯ２のパターニング時におけるＳｎＯ２の不所望な残存による悪影響を防止することにある。」
（公報第２頁左上欄第１０行〜第１９行）、
「アルカリ金属を含む酸化錫膜は非常に大きな抵抗を持つ。従って、パターニングの際に残存した酸化錫膜は短絡等の電気悪影響を及ぼさない。」（公報第２頁右上欄第６行〜第８行）、
「本発明の特徴は酸化錫（ＳｎＯ２）膜から成る透明電極（２０ａ）〜（２０ｃ）にあり、該透明電極は基板（１）側に形成されたナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）等のアルカリ金属を１〜数％程度含むＳｎＯ２から成る第１領域（２１ａ）〜（２１ｃ）とＳｎＯ２のみから成る第２領域（２２ａ）〜（２２ｃ）から成る。」（公報第２頁右上欄第１４行〜第１９行）と記載されている。
　よって、甲第３号証には、
「基板上に透明電極として酸化錫膜、アモルファスシリコン活性層及び金属電極を形成し、酸化錫膜の基板と接する側にアルカリ金属１〜数％含む領域を形成した光起電力装置」
の発明（以下、引用発明という。）が記載されている。
　同じく甲第４号証には、
「アモルファス太陽電池の製造方法について説明する。まず、金属サブストレート（１）上にグロー放電法などによってｎ＋アモルファスシリコン層（２）、ｉアモルファスシリコン層（３）、およびｐ＋アモルファスシリコン層（４）を順に堆積し、次に蒸着法によって、ＩＴＯ（酸化インジュウムと酸化錫の混合物）を蒸着して透明電極（５）を形成し、そしてＡｌなどの金属を部分的に蒸着して電極（６）を形成する。そして表面を高分子フィルム（７）でコーティングする。」（公報第２頁左上欄第６行〜第１５行）と記載されている。
　同じく甲第５号証には、
「図中１は透明絶縁基板、２は透明電極膜、３はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層、４は裏面電極膜を示している。透明絶縁基板１はガラス板等にて構成されており、その主面上に透明電極膜２、ａ−Ｓｉ層３、裏面電極膜４をこの順序で積層形成してａ−Ｓｉ太陽電池を構成してある。そして本発明品にあってはＩＴＯ、ＳｎＯ２等を素材として透明電極膜２を形成するに際し、これに添加物として例えばＴｉを１０ｐｐｍ〜１０％均一に（又はａ−Ｓｉ層側に接近するに従って添加量を漸増し、ａ−Ｓｉ層との界面で最大の添加量を呈するようにしてもよい）加えて作製してある。」（公報第２頁右上欄第１４行〜左下欄第５行）と記載されている。
　同じく甲第６号証には、非晶質シリコン太陽電池において、
「Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２をスパッタリング法により膜厚約８００Åの透光性上部電極５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅをそれぞれ被着形成する。」（公報第２頁右下欄第１６行〜第１８行）と記載されている。
　同じく甲第７号証には、多層構造シリコン太陽電池において、
「ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）８を１８００Åの厚さ形成し」（公報第２頁右下欄第１７行〜第１８行）と記載されている。
　
ｉ）請求項１に係る発明について
（対比）
　本件の請求項１に係る発明と引用発明とを対比すると、アモルファスシリコンを使用した光起電力装置はｐｉｎ構造であるのが普通であるから、両者は、
「基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｐ型層、ｉ型層及びｎ型層を含む非単結晶シリコン系半導体層が設けられており、透明電極が積層されている光起電力素子において、透明電極はアルカリ金属を含有する導電性酸化物で形成されている光起電力素子」
である点で一致しており、
ａ）基板が、本件の請求項１に係る発明では、導電性基板であるのに対し、引用発明では、透明絶縁基板である点、
ｂ）透明電極が、本件の請求項１に係る発明では、非単結晶シリコン系半導体層上にそれに接して設けられているのに対し、引用発明では、基板上に設けられている点、
ｃ）アルカリ金属の含有量が、本件の請求項１に係る発明では、１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるのに対し、引用発明では、１〜数％である点
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点ｃについて検討する。
　本件明細書には、前記【０００５】【発明が解決しようとする課題】の記載、【０００６】の「本発明の目的は、従来の光起電力素子より低抵抗化した透明電極を有する光起電力素子を提供することにある」旨の記載、さらに、【０００７】〜【０００９】にかけて、本発明の課題・目的が記載されており、
また、【００１３】には、
「本発明の光起電力素子において、スズ酸化物、インジウム酸化物、インジウム?スズ酸化物にアルカリ金属を含有させた透明電極は、透明電極を構成する前記酸化物の結晶粒径が増加し、また該結晶粒径の分散が小さくなる。さらに、透明電極にアルカリ金属がドーパントとして作用するために、透明電極の歪を小さくすることができる。このようなことによって、透明電極の比抵抗または直列抵抗を小さくする（低抵抗化する）ことができ、且つ透明電極の透過率を向上させることができる。」と記載され、さらに、【００１４】〜【００１５】にかけて、透明電極にアルカリ金属を含有させることによる、種々の効果が記載されており、
【００２０】には、
「本発明の光起電力素子に用いる透明電極中に含有されるアルカリ金属の含有量は、おおむね１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下が好ましい範囲として挙げられる。　さらに、透明電極中に１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下のアルカリ金属を含有させるために前記ターゲット中に含有されるアルカリ金属の含有量は、スパッタリング条件によって大きく依存するもののおおむね１００ｐｐｍが好ましいものある。」と、アルカリ金属の含有量の好ましい範囲が記載され、実施例においては、表１、表２及び表６によれば、アルカリ金属の含有量は、２０〜１００ｐｐｍの範囲である。
　これらの記載から、本件発明では、透明電極中にアルカリ金属を１００ｐｐｍ以下の少量だけ含有させることにより、透明電極の低抵抗化、透過率の向上等の課題を解決し、作用効果を奏するものであると認められる。
　これに対して、引用発明では、パターニングの際、基板上に残存した酸化錫膜による短絡状態を防止するため、基板に接する第１領域の酸化錫膜に非常に大きな抵抗を持たせるべく、アルカリ金属を１〜数％程度含ませたものであり、アルカリ金属の含有量は、透明電極に大きな抵抗を持たせるように多量である必要があるものと認められる。
　してみれば、本件の請求項１に係る発明では、１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下という数値限定が臨界的意義を有さないとしても、その達成すべき課題が引用発明とは異なり、また、その作用効果も引用発明とは異質のものであり、さらに、透明電極中にアルカリ金属を含有させることによる前記課題や作用効果が公知であるとの証拠もないから、相違点ｃに係る構成要件は、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到することができたものではない。
　
（結論）
　したがって、本件の請求項１に係る発明は、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
ii）請求項２ないし請求項５に係る発明について
　本件の請求項２ないし請求項５に係る発明は、本件の請求項１に係る発明を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件の請求項１に係る発明と同様に、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
iii）請求項６に係る発明について
（対比）
　本件の請求項６に係る発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「透明基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるｐ型層、ｉ型層及びｎ型層を含む非単結晶シリコン系半導体層が設けられており、その上に導電層が積層されている光起電力素子において、前記透明基板と前記非単結晶シリコン系半導体層との間にそれらに接して透明電極が設けられており、該透明電極はアルカリ金属を含有する導電性酸化物で形成されている光起電力素子」
である点で一致しており、
　アルカリ金属の含有量が、本件の請求項６に係る発明では、１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるのに対し、引用発明では、１〜数％である点
で相違している。
　
（当審の判断）
　本件の請求項１に係る発明について、相違点ｃについての検討で示した如く、上記相違点に係る構成要件は、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到することができたものではない。
　
（結論）
　したがって、本件の請求項６に係る発明は、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
iv）請求項７ないし請求項９に係る発明について
　本件の請求項７ないし請求項９に係る発明は、本件の請求項６に係る発明を引用し、さらに構成要件を付加したものであるから、本件の請求項６に係る発明と同様に、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
ｖ）請求項１０及び請求項１１に係る発明について
　本件の請求項１０及び請求項１１に係る発明は、各々請求項１及び請求項６に係る発明の光起電力素子の作製方法に係る発明であり、請求項１及び請求項６に係る発明の、「透明電極は、１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の含有量でアルカリ金属を含有する導電性酸化物で形成されている」という構成要件を作製する方法を含むものと認められ、該構成要件は、特許異議申立人の提示した甲各号証には記載されておらず、また、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到することができたものでもないのであるから、該構成要件を作製する方法が、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到することができたものとすることはできない。
　
　よって、本件の請求項１０及び請求項１１に係る発明は、引用発明及びその他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（むすび）
  以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１ないし請求項１１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし請求項１１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月２７日（２０００．６．２７）