【事件の表示】
　特許第２９５１８７６号「基板処理方法および基板処理装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９５１８７６号の特許請求の範囲１及び５に記載された発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９５１８７６号の発明についての出願は、昭和５８年１１月９日に特許出願した特願昭５８−２０８９５７号の一部を平成７年１１月１０日に新たな特許出願としたものであって、平成１１年７月９日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人大森巌より特許異議の申立てがなされたものである。
　　
２．本件発明
　特許第２９５１８７６号の発明は、その特許請求の範囲１．及び５．に記載された次のとおりのものである。
　「１．所定の圧力に排気された処理室内でプラズマを発生させて基板を処理する基板処理方法であって、表面を絶縁膜で被覆して温度制御された支持台の前記支持台を被覆する絶縁膜の表面に静電気力により前記基板を前記支持台を被覆する絶縁膜の表面に前記基板のほぼ全面にわたって沿わせて支持する工程と、前記支持台を被覆する絶縁膜の表面と該絶縁膜の表面にほぼ全面にわたって沿わせた前記基板との間に熱伝達ガスを介在させる工程と、前記処理室内にプラズマを発生させて該プラズマにより前記基板の処理を行なう工程とを有し、該基板の処理を行なう工程において、表面が前記介在させる熱伝達ガスの平均自由工程以下の面粗さに形成された前記絶縁膜の表面に前記基板を前記静電気力で前記基板のほぼ全面にわたって沿わせて支持した状態で、前記基板と前記支持台を被覆する絶縁膜の表面との間に介在させた前記熱伝達ガスにより前記温度制御された支持台を被覆する絶縁膜と前記基板との間で前記基板のほぼ全面にわたって熱伝達を行うことを特徴とする基板処理方法。」（以下「第１発明」という。）
　「５．所定の圧力に排気された処理室内で基板を処理する基板処理装置であって、表面が絶縁膜で被覆され該絶縁膜の表面に前記基板を載置する支持台と、前記被覆した絶縁膜の表面に静電気力を発生させる静電気力発生手段と、前記支持台に載置した基板と前記被覆した絶縁膜の表面との間に熱伝達ガスを供給するガス供給手段とを備え、表面が前記介在させる熱伝達ガスの平均自由工程以下の面粗さに形成された前記絶縁膜の表面に前記基板を前記静電気力発生手段により発生させた静電気力で前記基板のほぼ全面にわたって沿わせて支持した状態で前記熱伝達ガスを前記基板と前記被覆した絶縁膜の表面との間に介在させることにより前記支持台を被覆した絶縁膜と前記基板との間で前記基板のほぼ全面にわたって熱伝達を行なうことを特徴とする基板処理装置。」（以下「第２発明」という。）
　　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人大森巌（以下「申立人」という。）は、甲第１号証として特開昭５８−３２４１０号公報を提示して、本件の第１及び第２発明は、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易になし得た程度の発明であって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明に該当するから、当該各発明の特許は取り消されるべきである旨を主張している。
　　
４．対比・検討
イ）証拠に記載された内容
　上記甲第１号証には、「ガス状減圧環境下で構造物を処理する方法及び装置」が、かかる装置の構造を示す第１図〜第３図とともに記載されている。
　そして、第１図についての説明（第３頁右上欄第１６行〜第４頁右下欄第１５行「第１図は、ガス熱伝達によりスパッタリング系統の簡素化された変法を示し・・・・又はウエファー表面を処理する他の装置に置き換えることができるものと解すべきである。」）及び第２図についての説明（第４頁右下欄第２０行〜第５頁右下欄第１５行「次には、構造物１６の裏側と、ブロック３２との間にガス室５６を形成する締付装置の別の実施態様を詳説する第２図を研究する。第２図中で・・・・ｄ＝１．３４×１０−３×１０−２／１０＝１．３４×１０−２ｃｍ」）を参照しながら第１図及び第２図をみると、甲第１号証には、「真空ポンプ系統２６に通じる排気管３０を有する真空室１４（所定の圧力に排気された処理室）内でウエファー１６（基板）を処理する処理装置であって、表面が非伝導性材料の薄い多孔質膜５２ａ（絶縁膜）で被覆され該多孔質膜５２ａの表面にウエファー１６を載置する金属ブロック３２（支持台）と、多孔質膜５２ａの表面に静電気力を発生させるＤＣ電力供給装置９０（静電気力発生手段）と、金属ブロック３２に載置したウエファー１６と多孔質膜５２ａの表面との間に熱伝導性ガス（熱伝達ガス）を供給するガス供給装置８２（ガス供給手段）とを備え、熱伝導性ガスをウエファー１６と多孔質膜５２ａの表面との間に介在させることにより多孔質膜５２ａとウエファー１６との間で熱伝達を行なわせるウエファー処理装置」及び「かかる装置を用いるウエファー処理方法」が記載されているものと認められる。
　　
ロ）対比
　本件の第１発明に係る方法と甲第１号証記載の方法、及び、本件の第２発明に係る装置と甲第１号証記載の装置とをそれぞれ対比すると、第１及び第２発明ともに、甲第１号証記載のものとの間に以下の相違点を有している。
　相違点：基板と絶縁膜との位置関係（実質的には「距離」）及び絶縁膜の表面状態について、第１及び第２発明が「表面が介在させる熱伝達ガスの平均自由工程以下の面粗さに形成された絶縁膜の表面に基板を静電気力発生手段により発生させた静電気力で基板のほぼ全面にわたって沿わせて支持した状態」と規定しているのに対し、甲第１号証記載のものは、かかる規定をしていない点。
　なお、以下では、第１及び第２発明を「本件各発明」としてまとめた上で、上記相違点について検討判断することとする。
　　
ハ）判断
　上記相違点は、実質的に、「絶縁膜と基板との距離」に関連する事項及び「絶縁膜表面の面粗さ」に関連する事項を含むので、以下、これらを分けて検討する。
　まず、絶縁膜と基板との距離（以下「距離ｄ」という。）について検討する。
　熱伝達ガスとしてヘリウムを用いる本件各発明の実施例をみると、本件各発明で採用する具体的な距離ｄは「７００Ｐａ圧下で、ヘリウムガスの平均自由工程である３０μｍ以下」であるとされている。
　一方、熱伝達ガスとして同じくヘリウムを用いる甲第１号証の実施例では、距離ｄを「約１／８気圧下で、１３４μｍ」としている。
　甲第１号証における上記「１３４μｍ」は、それ自体で本件各発明の「３０μｍ」よりもかなり大きな数値であるのみならず、「７００Ｐａ」及び「約１／８気圧（約１．２７×１０４Ｐａ）という気圧差をも考慮すると、甲第１号証における「１３４μｍ」という距離ｄは、ヘリウムガスの平均自由工程よりもはるかに大きなものとなる。
　してみれば、申立人の主張するとおり「絶縁膜と基板との距離ｄをできるだけ小さくして熱伝達効率を上げる」という指向性が甲第１号証に開示されているとしても、この甲第１号証の記載からは、距離ｄを、その実施例で採用している１３４μｍよりもはるかに小さい「平均自由工程以下とする」ことが明りょうに示唆されているとは認めがたい。
　次に、絶縁膜表面の面粗さについて検討する。
　上述のとおり、ガスの平均自由工程という数値は極めて小さいものなので、かかる平均自由工程以下という距離ｄをどのような手段で確保するかが技術的課題となる。
　本件各発明では、「絶縁膜表面の面粗さ」に着目し、平均自由工程以下の距離ｄを確保する手段としてこれを利用した点に特徴を有するものである。
　即ち、絶縁膜表面の面粗さ（凹凸度）を研磨によって調整し、凹部と凸部の高低差をガスの平均自由工程以内に収めるようにする。このようにすれば、静電気力によって基板を絶縁膜（凸部）に沿わせるように吸着したとき、必然的にガスの平均自由工程以下の距離ｄが再現性よく確保される（構成に基づく顕著な効果が奏せられる）ことになる。
　これに対して、甲第１号証には、絶縁膜表面の面粗さについて触れるところがなく、まして、かかる面粗さを距離ｄを確保するための手段として利用することについては記載も示唆もされていない。
　してみれば、仮に、距離ｄを平均自由工程以下とすることが甲第１号証の記載から示唆されるとしても、かかる距離ｄを「絶縁膜表面の面粗さの調整によって確保する」ことまでは、当業者にとって容易に想到しうるものではない。
　したがって、本件各発明は、甲第１号証記載のものから当業者が容易になし得た程度の発明であるとは認められない。
　　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件各発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件各発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月８日（２０００．６．８）