(57)【要約】  少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（Ｉ）：Ｍ1-x-uＭ’xＭ”uＭ1-y-vＭ’yＭ”vＯ3-wで示される化合物を含む材料からなる緻密な層（ＣD1）、緻密な層（ＣD1）に隣接し、少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＩ）：Ｍ1-x-uＭ’xＭ”uＭ1-y-vＭ’yＭ”vＯ3-wで示される化合物を含む材料からなる多孔質層（ＣP1）、および緻密な層（ＣD1）に隣接し、少なくとも１０体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＩＩ）：Ｍ1-x-uＭ’xＭ”uＭ1-y-vＭ’yＭ”vＯ3-wで示される化合物を含む材料からなる触媒層（ＣC1）を備えるか、あるいは上に規定したとおりの、厚さＥC1の、緻密な層（ＣD1）、多孔質層（ＣP1）、触媒層（ＣC1）；並びに触媒層（ＣC1）と緻密な層（ＣD1）との間に介挿され、少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＶ）：Ｍ1-x-uＭ’xＭ”uＭ1-y-vＭ’yＭ”vＯ3-wで示される化合物を含む材料からなる第２の多孔質層（ＣP2）を備えることを特徴とするアセンブリであり、このアセンブリにおいて、隣接する層の化学元素うちの少なくとも２種は同じであり、１種の化学元素は異なるものである。天然ガスの酸化による合成ガスの製造のために意図された新規な反応器。
2008522801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）厚さＥD1を有し、気孔率が５体積％を超えない緻密な層（ＣD1）であって、該緻密な層（ＣD1）は、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（Ｉ）：
Ｍα1-x-uＭα’xＭα”uＭβ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉ）
（ここで、
Ｍαは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍα’は、Ｍαとは異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍα”は、ＭαおよびＭα’とは異なり、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
Ｍβは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
Ｍβ’は、Ｍβとは異なり、遷移金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
Ｍβ”は、ＭβおよびＭβ’とは異なり、遷移金属、アルカリ土類族の金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；
０≦ｖ≦０．９；０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される、使用温度において、ペロブスカイト相の酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態にあるドープされたセラミック酸化物から選ばれる化合物（Ｃ1）、
（ｉｉ）任意に、２５体積％までの、化合物（Ｃ1）とは異なり、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ストロンチウム−アルミニウム複合酸化物ＳｒＡｌ2Ｏ4またはＳｒ3Ａｌ2Ｏ6；バリウム−チタン複合酸化物（ＢａＴｉＯ3）；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）、コージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、「サイアロン」（ＳｉＡｌＯＮ）のような炭化物または窒化物から、あるいはニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）またはロジウム（Ｒｈ）；これら種々のタイプの物質の金属合金または混合物から選ばれる化合物（Ｃ2）、および
（ｉｉｉ）任意に、２．５体積％までの、式：
ｘＦC1  ＋  ｙＦC2  →  ｚＦC1-2
（この式において、ＦC1、ＦC2およびＦC1-2は、それぞれ化合物（Ｃ1）、（Ｃ2）および（Ｃ1-2）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ1-2）
を含む材料（ＡD1）からなる緻密な層、
（ｂ）厚さＥP1を有し、体積気孔率が２０％〜８０％であり、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した多孔質層（ＣP1）であって、該多孔質層（ＣP1）は、その体積１００％について、
（ｉ）少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＩ）：
Ｍγ1-x-uＭγ’xＭγ”uＭδ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩ）
（ここで、
Ｍγは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍγ’は、Ｍγとは異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍγ”は、ＭγおよびＭγ’とは異なり、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
Ｍδは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
Ｍδ’は、Ｍδとは異なり、遷移金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
Ｍδ”は、ＭδおよびＭδ’とは異なり、遷移金属、アルカリ土類族の金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；
０≦ｖ≦０．９；
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９、および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される、使用温度において、ペロブスカイト相の酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態にあるドープされたセラミック酸化物から選ばれる化合物（Ｃ3）、
（ｉｉ）任意に、２５体積％までの、化合物（Ｃ3）とは異なり、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ストロンチウム−アルミニウム複合酸化物ＳｒＡｌ2Ｏ4またはＳｒ3Ａｌ2Ｏ6；バリウム−チタン複合酸化物（ＢａＴｉＯ3）；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）、コージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、「サイアロン」（ＳｉＡｌＯＮ）のような炭化物または窒化物から、あるいはニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）またはロジウム（Ｒｈ）；これら種々のタイプの物質の金属合金または混合物から選ばれる化合物（Ｃ4）、および
（ｉｉｉ）任意に、２．５体積％までの、式：
ｘＦC3  ＋  ｙＦC4  →  ｚＦC3-4
（この式において、ＦC3、ＦC4およびＦC3-4は、それぞれ化合物（Ｃ3）、（Ｃ4）および（Ｃ3-4）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ3-4）
を含む材料（ＡP1）からなる多孔質層、および
（ｃ）ガス状酸素によるメタンの一酸化炭素および水素への部分酸化の反応を促進し得る触媒層（ＣC1）であって、該触媒層（ＣC1）は、厚さＥC1のものであり、２０％〜８０％の体積気孔率を有し、前記緻密な層（ＣD1）に隣接しており、かつその体積１００％について、
（ｉ）少なくとも１０体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＩＩ）：
Ｍε1-x-uＭε’xＭε”uＭη1-y-vＭη’yＭη”vＯ3-w      （ＩＩＩ）
（ここで、
Ｍεは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍε’は、Ｍεとは異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍε”は、ＭεおよびＭε’とは異なり、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
Ｍηは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
Ｍη’は、Ｍηとは異なり、遷移金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
Ｍη”は、ＭηおよびＭη’とは異なり、遷移金属、アルカリ土類族の金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；
０≦ｖ≦０．９；
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９、および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される、使用温度において、ペロブスカイト相の酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態にあるドープされたセラミック酸化物から選ばれる化合物（Ｃ5）、
（ｉｉ）任意に、９０体積％までの、化合物（Ｃ5）とは異なり、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはこれら金属の混合物から選ばれる化合物（Ｃ6）であって、任意に、前記金属または金属の混合物の０．１〜６０重量％の量の酸化物もしくは非酸化物セラミック支持体上に被着されており、前記セラミック支持体は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）、コージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）またはカルシウム−アルミニウム複合酸化物（ＣａＡｌ12Ｏ19）；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、「サイアロン」（ＳｉＡｌＯＮ）のような炭化物または窒化物から選ばれるところのもの、および
（ｉｉｉ）任意に、２．５体積％までの、式：
ｘＦC5  ＋  ｙＦC6  →  ｚＦC5-6
（この式において、ＦC5、ＦC6およびＦC5-6は、それぞれ化合物（Ｃ5）、（Ｃ6）および（Ｃ5-6）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ5-6）
を含む材料（ＡC1）からなる触媒層
を、３つの連続層｛（ＣC1）、（ＣD1）、（ＣP1）｝からなるアセンブリＥ1を構成するように含み、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ5）中に実際に存在する化学元素Ｍε、Ｍε’、Ｍε”、Ｍη、Ｍη’またはＭη”のうちの２つと同一であり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ5）中に実際に存在する化学元素Ｍε、Ｍε’、Ｍε”、Ｍη、Ｍη’またはＭη”のうちの１つと異なり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ3）中に実際に存在する化学元素Ｍγ、Ｍγ’、Ｍγ”、Ｍδ、Ｍδ’またはＭδ”のうちの２つと同一であり、かつ
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ3）中に実際に存在する化学元素Ｍγ、Ｍγ’、Ｍγ”、Ｍδ、Ｍδ’またはＭδ”のうちの１つと異なるものであるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）、および
（ｄ）前記触媒層（ＣC1）と前記緻密な層（ＣD1）との間に介挿され、厚さがＥP2で、体積気孔率が２０％〜８０％である第２の多孔質層（ＣP2）であって、該多孔質層（ＣP2）は、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＶ）：
Ｍθ1-x-uＭθ’xＭθ”uＭκ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶ）
（ここで、
Ｍθは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍθ’は、Ｍθとは異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍθ”は、ＭθおよびＭθ’とは異なり、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
Ｍκは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
Ｍκ’は、Ｍκとは異なり、遷移金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
Ｍκ”は、ＭκおよびＭκ’とは異なり、遷移金属、アルカリ土類族の金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；
０≦ｖ≦０．９；
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９、および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される、使用温度において、ペロブスカイト相の酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態にあるドープされたセラミック酸化物から選ばれる化合物（Ｃ7）、
（ｉｉ）任意に、２５体積％までの、化合物（Ｃ7）とは異なり、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ストロンチウム−アルミニウム複合酸化物ＳｒＡｌ2Ｏ4またはＳｒ3Ａｌ2Ｏ6；バリウム−チタン複合酸化物（ＢａＴｉＯ3）；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）、コージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、「サイアロン」（ＳｉＡｌＯＮ）のような炭化物または窒化物から、あるいはニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）またはロジウム（Ｒｈ）；これら種々のタイプの物質の金属合金または混合物から選ばれる化合物（Ｃ8）、および
（ｉｉｉ）任意に、２．５体積％までの、式：
ｘＦC7  ＋  ｙＦC8  →  ｚＦC7-8
（この式において、ＦC7、ＦC8およびＦC7-8は、それぞれ化合物（Ｃ7）、（Ｃ8）および（Ｃ7-8）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ7-8）
を含む材料（ＡD2）からなる第２の多孔質層
を、４つの連続層｛（ＣC1）、（ＣP2）、（ＣD1）、（ＣP1）、｝からなるアセンブリＥ2を構成するように含み、
化合物（Ｃ7）中に実際に存在する化学元素Ｍθ、Ｍθ’、Ｍθ”、Ｍκ、Ｍκ’またはＭκ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ5）中に実際に存在する化学元素Ｍε、Ｍε’、Ｍε”、Ｍη、Ｍη’またはＭη”のうちの２つと同一であり、
化合物（Ｃ7）中に実際に存在する化学元素Ｍθ、Ｍθ’、Ｍθ”、Ｍκ、Ｍκ’またはＭκ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ5）中に実際に存在する化学元素Ｍε、Ｍε’、Ｍε”、Ｍη、Ｍη’またはＭη”のうちの１つと異なり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ7）中に実際に存在する化学元素Ｍθ、Ｍθ’、Ｍθ”、Ｍκ、Ｍκ’またはＭκ”のうちの２つと同一であり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ7）中に実際に存在する化学元素Ｍθ、Ｍθ’、Ｍθ”、Ｍκ、Ｍκ’またはＭκ”のうちの１つと異なり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ3）中に実際に存在する化学元素Ｍγ、Ｍγ’、Ｍγ”、Ｍδ、Ｍδ’またはＭδ”のうちの２つと同一であり、かつ
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ3）中に実際に存在する化学元素Ｍγ、Ｍγ’、Ｍγ”、Ｍδ、Ｍδ’またはＭδ”のうちの１つと異なるものである
類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項２】
材料（ＡD1）、（ＡP1）、（ＡC1）および（ＡP2）中に任意に存在する化合物（Ｃ1-2）、（Ｃ3-4）、（Ｃ5-6）および（Ｃ7-8）の体積比率が、それぞれ、０に向かう請求項１に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項３】
材料（ＡD1）、（ＡP1）、（ＡC1）および（ＡP2）中に任意に存在する化合物（Ｃ2）、（Ｃ4）、（Ｃ6）および（Ｃ8）の体積比率が、それぞれ、０．１％以上、１０％以下である請求項１または２に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項４】
化合物（Ｃ1）が、
Ｍαがランタン原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉａ）：
Ｌａ1-x-uＭα’xＭα”uＭβ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉａ）
で示される化合物から、
Ｍα’がストロンチウム原子を表すところの式（ＩＩ）に対応する式（Ｉｂ）：
Ｍα1-x-uＳｒxＭα”uＭβ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｂ）
で示される化合物から、
Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｃ）：
Ｍα1-x-uＭα’xＭα”uＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｃ）
で示される化合物から、
Ｍβがチタン原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｄ）：
Ｍα1-x-uＭα’xＭα”uＴｉ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｄ）
で示される化合物から、または
Ｍβがガリウム原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｅ）：
Ｍα1-x-uＭα’xＭα”uＧａ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｅ）
で示される化合物から
選ばれる請求項１〜３のいずれか１項に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項５】
化合物（Ｃ1）が、
Ｍαがランタン原子を表し、Ｍα’がストロンチウムを表し、Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｆ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭα”uＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｆ）
で示される化合物から、
Ｍαがランタン原子を表し、Ｍα’がストロンチウムを表し、Ｍβがチタン原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｇ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭα”uＴｉ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｇ）
で示される化合物から、
Ｍαがランタン原子を表し、Ｍα’がストロンチウムを表し、Ｍβがガリウム原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｈ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭα”uＧａ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｈ）
で示される化合物から、
Ｍα”がアルミニウム原子を表し、Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉａ）に対応する式（Ｉｉ）：
Ｌａ1-x-uＭα’xＡｌuＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｉ）
で示される化合物から、
Ｍα’がカルシウム原子を表し、Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉａ）に対応する式（Ｉｊ）：
Ｌａ1-x-uＣａxＭα”uＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｊ）
で示される化合物から、または
Ｍα’がバリウム原子を表し、Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉａ）に対応する式（Ｉｋ）：
Ｌａ1-x-uＢａxＭα”uＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｋ）
で示される化合物から
選ばれる請求項４に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項６】
化合物（Ｃ1）が、式：
Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、またはＬａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物から、より特には、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる請求項５に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項７】
化合物（Ｃ3）が、
Ｍγがランタン原子を表すところの式（ＩＩ）に対応する式（ＩＩａ）：
Ｌａ1-x-uＭγ’xＭγ”uＭδ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩａ）
で示される化合物から、
Ｍα’がストロンチウム原子を表すところの式（ＩＩ）に対応する式（ＩＩｂ）：
Ｍγ1-x-uＳｒxＭγ”uＭδ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｂ）
で示される化合物から、または
Ｍδが鉄原子を表すところの式（ＩＩ）に対応する式（ＩＩｃ）：
Ｍγ1-x-uＭγ’xＭα”uＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｃ）
で示される化合物から
選ばれる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項８】
化合物（Ｃ3）が、
Ｍγ’がストロンチウム原子を表し、Ｍδが鉄原子を表すところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｄ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭγ”uＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｄ）
で示される化合物から、
Ｍγ”がアルミニウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表すところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｅ）：
Ｌａ1-x-uＭγ’xＡｌuＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｅ）
で示される化合物から、
Ｍγ’がストロンチウム原子を表し、Ｍδが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｆ）：
Ｌａ1-uＳｒuＦｅ1-yＭδ’yＯ3-w      （ＩＩｆ）
で示される化合物から、
Ｍγ’がカルシウム原子を表し、Ｍδが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｇ）：
Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＭδ’yＯ3-w      （ＩＩｇ）
で示される化合物から、
Ｍγ’がバリウム原子を表し、Ｍδが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｈ）：
Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＭδ’yＯ3-w      （ＩＩｈ）
で示される化合物から、
Ｍγ’がカルシウム原子を表すところの式（ＩＩｄ）に対応する式（ＩＩｉ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＣａ”uＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｉ）
で示される化合物から、または
Ｍγ’がバリウム原子を表すところの式（ＩＩｄ）に対応する式（ＩＩｊ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＢａ”uＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｊ）
で示される化合物から
選ばれる、請求項７に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項９】
化合物（Ｃ3）が、式：
Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＡｌyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、またはＬａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物、より特には、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ａｌ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3ＦｅＯ3-w、またはＬａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる請求項８に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１０】
化合物（Ｃ5）が、
Ｍη’がニッケル原子を表し、Ｍη”がロジウム原子を表すところの式（ＩＩＩ）に対応する式（ＩＩＩａ）：
Ｍε1-x-uＭε’xＭε”uＭη1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w      （ＩＩＩａ）
で示される化合物から、または
Ｍεがランタン原子を表し、Ｍε’がストロンチウム原子を表し、Ｍηが鉄原子を表すところの式（ＩＩＩ）に対応する式（ＩＩＩｂ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭε”uＦｅ1-y-vＭη’yＭη”vＯ3-w      （ＩＩＩｂ）
で示される化合物から
選ばれる請求項１〜９のいずれか１項に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１１】
化合物（Ｃ5）が、式：
Ｌａ1-xＣｅxＦｅ1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w、Ｌａ1-xＣｅxＦｅ1-yＮｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w、およびＬａ1-xＳｒxＦｅ1-yＮｉyＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｙ≦０．９
０≦ｖ≦０．９
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物、より特には、式：
Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.65Ｎｉ0.30Ｒｈ0.05Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.65Ｎｉ0.30Ｒｈ0.05Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-w、およびＬａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる請求項１０に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１２】
化合物（Ｃ7）が、
Ｍθがランタン原子を表すところの式（ＩＶ）に対応する式（ＩＶａ）：
Ｌａ1-x-uＭθ’xＭθ”uＭκ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶａ）
で示される化合物から、
Ｍθ’がストロンチウム原子を表すところの式（ＩＶ）に対応する式（ＩＶｂ）：
Ｍθ1-x-uＳｒxＭθ”uＭκ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｂ）
で示される化合物から、または
Ｍκが鉄原子を表すところの式（ＩＶ）に対応する式（ＩＶｃ）：
Ｍθ1-x-uＭθ’xＭθ”uＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｃ）
で示される化合物から
選ばれる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１３】
化合物（Ｃ7）が、
Ｍθ’がストロンチウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表すところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｄ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭθ”uＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｄ）
で示される化合物から、
Ｍθ”がアルミニウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表すところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｅ）：
Ｌａ1-x-uＭθ’xＡｌuＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｅ）
で示される化合物から、
Ｍθ’がストロンチウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｆ）：
Ｌａ1-uＳｒuＦｅ1-yＭκ’yＯ3-w      （ＩＶｆ）
で示される化合物から、
Ｍθ’がカルシウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｇ）：
Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＭκ’yＯ3-w      （ＩＶｇ）
で示される化合物から、
Ｍθ’がバリウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｈ）：
Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＭκ’yＯ3-w      （ＩＶｈ）
で示される化合物から、
Ｍθ”がカルシウム原子を表すところの式（ＩＶｈ）に対応する式（ＩＶｉ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＣａ”uＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｉ）
で示される化合物から、または
Ｍθ”がバリウム原子を表すところの式（ＩＶｄ）に対応する式（ＩＶｊ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＢａ”uＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｊ）
で示される化合物から
選ばれる請求項１２に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１４】
化合物（Ｃ7）が、式：
Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、またはＬａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＡｌyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、またはＬａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、またはＬａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物、より特には、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ａｌ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3ＦｅＯ3-w、またはＬａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる請求項１３に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１５】
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）
を備え、ここで、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在するＭαおよびＭβは、それぞれ、化合物（Ｃ5）中に実際に存在するＭεおよびＭηと同じであり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在するＭαおよびＭβは、それぞれ、化合物（Ｃ3）中に実際に存在するＭγおよびＭδと同じであるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）、および
（ｄ）厚さＥP2の第２の多孔質層（ＣP2）
を備え、ここで、
化合物（Ｃ7）中に実際に存在するＭθおよびＭκは、それぞれ、化合物（Ｃ5）中に実際に存在するＭεおよびＭηと同じであり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在するＭαおよびＭβはが、それぞれ、化合物（Ｃ7）中に実際に存在するＭθおよびＭκと同じであり、および
化合物（Ｃ1）中に実際に存在するＭαおよびＭβは、それぞれ、化合物（Ｃ3）中に実際に存在するＭγおよびＭδと同じである
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１６】
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）
を備え、ここで、Ｍα、ＭεおよびＭγは、それぞれ、ランタン原子を表し、Ｍβ、ＭηおよびＭδが、それぞれ、鉄原子を表すものであるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）、および
（ｄ）厚さＥP2の第２の多孔質層（ＣP2）
を備え、ここで、Ｍθ、Ｍα、ＭεおよびＭγは、それぞれ、ランタン原子を表し、Ｍκ、Ｍβ、ＭηおよびＭδは、それぞれ、鉄原子を表すものである
請求項１５に記載の、重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１７】
（ａ）上に規定したとおりの層（ＣD1）に対応し、その材料（ＡD1）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、またはＬａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ1）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ1）とは異なる化合物（Ｃ2）、および
（ｉｉｉ）任意に、０．５体積％までの、式：
ｘＦC1  ＋  ｙＦC2  →  ｚＦC1-2
（この式において、ＦC1、ＦC2およびＦC1-2は、それぞれ化合物（Ｃ1）、（Ｃ2）および（Ｃ1-2）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ1-2）
を含む緻密な層（Ｃ’D1）、
（ｂ）上に規定したとおりの層（ＣP1）に対応し、その材料（ＡP1）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、またはＬａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ3）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ3）とは異なる化合物（Ｃ4）、および
（ｉｉｉ）任意に、０．５体積％までの、式：
ｘＦC3  ＋  ｙＦC4  →  ｚＦC3-4
（この式において、ＦC3、ＦC4およびＦC3-4は、それぞれ化合物（Ｃ3）、（Ｃ4）および（Ｃ3-4）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ3-4）
を含む多孔質層（Ｃ’P1）、および
（ｃ）上に規定したとおりの層（ＣC1）に対応し、その材料（Ａc1）が、その体積１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ1-xＣｅxＦｅ1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w、Ｌａ1-xＣｅxＦｅ1-yＮｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.70Ｎｉ0.30Ｏ3-w、およびＬａ1-xＳｒxＦｅ1-yＮｉyＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｙ≦０．７
０≦ｖ≦０．５
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．８；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物（Ｃ5）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ5）とは異なる化合物（Ｃ6）、および
（ｉｉｉ）任意に０．５体積％までの、式：
ｘＦC5  ＋  ｙＦC6  →  ｚＦC5-6
（この式において、ＦC5、ＦC6およびＦC5-6は、それぞれ化合物（Ｃ5）、（Ｃ6）および（Ｃ5-6）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ5-6）
を含む触媒層（Ｃ’C1）
を備えるものであるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの緻密な層（Ｃ’D1）、
（ｂ）上に規定したとおりの多孔質層（Ｃ’P1）、
（ｃ）上に規定したとおりの触媒層（Ｃ’C1）、および
（ｄ）上に規定したとおりの層（Ｃ’P2）に対応し、その材料（ＡP2）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、またはＬａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ7）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ7）とは異なる化合物（Ｃ8）、および
（ｉｉｉ）任意に０．５体積％までの、式：
ｘＦC7  ＋  ｙＦC8  →  ｚＦC7-8
（この式において、ＦC7、ＦC8およびＦC7-8は、それぞれ化合物（Ｃ7）、（Ｃ8）および（Ｃ7-8）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ7-8）
を含む第２の触媒層（Ｃ’P2）
を備えるものである
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１８】
（ａ）上に規定したとおりの層（Ｃ’D1）に対応し、その材料（ＡD1）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ1）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ1）とは異なる化合物（Ｃ2）、および
（ｉｉｉ）任意に、０．５体積％までの式：
ｘＦC1  ＋  ｙＦC2  →  ｚＦC1-2
（この式において、ＦC1、ＦC2およびＦC1-2は、それぞれ化合物（Ｃ1）、（Ｃ2）および（Ｃ1-2）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ1-2）
を含む緻密な層（Ｃ”D1）、
（ｂ）上に規定したとおりの層（Ｃ’P1）に対応し、その材料（ＡP1）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、またはＬａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ3）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ3）とは異なる化合物（Ｃ4）、および
（ｉｉｉ）任意に、０．５体積％までの式：
ｘＦC3  ＋  ｙＦC4  →  ｚＦC3-4
（この式において、ＦC3、ＦC4およびＦC3-4は、それぞれ化合物（Ｃ3）、（Ｃ4）および（Ｃ3-4）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ3-4）
を含む多孔質層（Ｃ”P1）、および
（ｃ）上に規定したとおりの層（Ｃ’C1）に対応し、その材料（ＡC1）が、その体積１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.65Ｎｉ0.30Ｒｈ0.05Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.65Ｎｉ0.30Ｒｈ0.05Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.70Ｎｉ0.30Ｏ3-w、およびＬａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ5）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ5）とは異なる化合物（Ｃ6）、および
（ｉｉｉ）任意に０．５体積％までの、式：
ｘＦC5  ＋  ｙＦC6  →  ｚＦC5-6
（この式において、ＦC5、ＦC6およびＦC5-6は、それぞれ化合物（Ｃ5）、（Ｃ6）および（Ｃ5-6）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ5-6）
を含む触媒層（Ｃ”C1）
を備えるものであるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの緻密な層（Ｃ”’D1）、
（ｂ）上に規定したとおりの多孔質層（Ｃ”P1）、
（ｃ）上に規定したとおりの触媒層（Ｃ”C1）、および
（ｄ）上に規定したとおりの層（Ｃ’P2）に対応し、その材料（ＡP2）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、またはＬａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ7）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ7）とは異なる化合物（Ｃ8）、および
（ｉｉｉ）任意に０．５体積％までの、式：
ｘＦC7  ＋  ｙＦC8  →  ｚＦC7-8
（この式において、ＦC7、ＦC8およびＦC7-8は、それぞれ化合物（Ｃ7）、（Ｃ8）および（Ｃ7-8）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ7-8）
を含む第２の触媒層（Ｃ”P2）
を備えるものである
請求項１７に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項１９】
材料（ＡD1）、（ＡP1）、（ＡC1）および適切な場合には（ＡP2）、並びに存在するときはそれぞれの化合物（Ｃ2）、（Ｃ4）および（Ｃ8）が、互いに独立に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、ストロンチウム−アルミニウム複合酸化物ＳｒＡｌ2Ｏ4またはＳｒ3Ａｌ2Ｏ6、バリウム−チタン複合酸化物（ＢａＴｉＯ3）、カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δから選ばれる請求項１〜１７のいずれか１項に記載の、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ。
【請求項２０】
天然ガスの酸化による合成ガスの製造のために意図された、内容積Ｖの反応器であって、チューブ形態の、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにして、ガス状酸素によるメタンの一酸化炭素への酸化の反応を促進し得る触媒層（ＣC1）が、端部の一方が閉じられた前記チューブ形態のアセンブリの外側表面上に配置されているところのものを備えるか、並行に設置された複数の前記チューブ形態のアセンブリの組み合わせを備え、前記反応器内の自由体積Ｖfが、０．２５Ｖ以上であり、好ましくは０．５Ｖ以上であることを特徴とする反応器。
【請求項２１】
自由体積Ｖfの非ゼロフラクションが、スチーム改質触媒を含む請求項２０に記載の反応器。
【発明の詳細な説明】
【発明の開示】
【０００１】
本発明の主題は、固相で電気化学反応を行わせるための新規な触媒膜反応器である。
【０００２】
固相で電気化学反応を行わせるための触媒膜反応器すなわちＣＭＲは、その全体として、以下の特性を持たなければならない：
それがそのために設計された化学反応を触媒することができなければならない；
当該反応により要求される電気化学的変換を可能とするように、イオン、電子または混成伝導特性を示さなければならない；
使用した操作条件下で安定でなければならない。
【０００３】
メタンを合成ガスに改質する反応のために意図されたＣＭＲの場合、接触部分酸化すなわちＣＰＯと呼ばれる主な化学反応は、
ＣＨ4  ＋  1/2Ｏ2  →  ２Ｈ2  ＋  ＣＯ
であり、場合により、スチームメタン改質すなわちＳＭＲ副反応に関し、還元流（天然ガス）と一緒になる水分子の介入を伴う。これらの反応、すなわち主反応および副反応は、６００℃〜１１００℃、好ましくは６５０℃〜１０００℃の温度、および大気圧〜４０バール（４０×１０5Ｐａ）、好ましくは１０バール（１０4Ｐａ）〜３５バール（３５×１０5Ｐａ）の圧力で生じる。
【０００４】
ＣＭＲは、一般に、少なくとも、
（ｉ）当該系に機械的一体性を提供する多孔質支持体、
（ｉｉ）該多孔質支持体により支持され、混成電子／Ｏ2-アニオン混成伝導体である、活性膜と呼ばれる緻密な膜（Ｍ）、および
（ｉｉｉ）緻密な膜の表面上に堆積された多孔質層の形態、またはセラミック膜の間に配置されるロッドまたは球のような種々の幾何学的形状の触媒の形態、または両者の組み合わせを取る触媒相（Ｃ）
からなる。
【０００５】
そのような反応器において、厚い多孔質支持体は、十分な機械的一体性を有する完全系を提供しなければならず、緻密な膜を支持しなければならず、膜の表面までの空気のガス分子拡散を可能としなければならず、かつ可能的には空気中の酸素が種々のイオンおよび／またはラジカル種（Ｏ2-、Ｏads、Ｏ.、Ｏ-、Ｏ2-等）に解離することを確保しなければならず；薄い緻密な膜は、ガス拡散に対して完全に不透過性でなければならず、ある温度、ガス雰囲気および分圧条件下で酸化物種のイオン拡散を可能としなければならず、酸化性媒体および還元性媒体（改質触媒側）中で安定でなければならず、可能的に、酸素がＯ2-イオンに還元されおよび／またはＯ2-イオンが分子酸素に酸化されるような性質を表面上で示さなければならず；改質触媒（薄い多孔質層）は、天然ガスの接触改質反応を促進しなければならず、可能的に、イオンおよび／またはラジカル種（Ｏ2-、Ｏads、Ｏ.、Ｏ-、Ｏ2-等）の分子酸素（Ｏ2）への再結合を促進しなければならない。
【０００６】
セラミック材料から製造されるＣＭＲは、イオンの形態にある酸素の緻密なセラミック材料を通る拡散による酸素の空気からの分離、および膜の触媒表面部位での酸素およびＯ2-、Ｏａｄｓ、Ｏ.、Ｏ-またはＯ2-タイプの種の、天然ガス、主としてメタンとの化学反応を可能とする。ＧＴＬ（ガスから液へ（Gas To Liquid））プロセスによる合成ガスの液体燃料への変換は、反応物質Ｈ2／ＣＯのモル比２を必要とする。いまや、この比２は、ＣＭＲ用いるプロセスにより直接得ることができる。
【０００７】
ＣＭＲに使用するために最も有望な材料のファミリーは、ペロブスカイト由来の結晶学的構造を有する酸化物のそれである。ペロブスカイトは、単位格子が、頂点がＣａ2+カチオンにより、その中心がＴｉ4+カチオンにより、その面の中心がＯ2-酸素アニオンにより占められている立方体であるところの結晶構造を有する式ＣａＴｉＯ3の鉱物である。そのような構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により確認される。ひいては、用語「ペロブスカイト」または「ペロブスカイト型化合物」は、一般式ＡＢＯ3（ここで、ＡおよびＢは、金属カチオンを表し、その電荷の合計は、＋６に等しく、その結晶単位格子は、上記の構造を有する）のすべての化合物に適用される。
【０００８】
テラオカは、ある種のペロブスカイト物質、例えば式：Ｌａ1-xＳｒxＣｏ1-yＦｅyＯ3-δの物質の混合伝導特性、すなわち電子の伝導（電子伝導度：σe-）および酸素イオンの伝導（イオン伝導度：σO2-）をはじめて立証した［テラオカら；Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｂｕｌｌ．，２３，（１９８８）５１−５８］。式Ａ1-xＡ’xＢ1-yＢ’yＯ3-δの化合物のこの混合伝導性は、当該物質における酸素欠損に有利に働く２価元素Ａ’による３価元素Ａの置換に寄与し、元素ＢまたはＢ’の原子価状態を変更する能力による。
【０００９】
ゲリングス（Gellings）およびブーンミースター（Bouwmeester）は、ペロブスカイト構造の緻密な膜が、それらが約７００℃を超える温度で酸素分圧差に供されるとき、酸素に対して半透性であることを立証している。これらの操作条件（温度、雰囲気、圧力）は、ＣＰＯ（接触部分酸化）反応のものである。したがって、これらの膜は、ＣＭＲとして用いることができる［ゲリングスおよびブーンミースター；Ｃａｔａｌ．Ｔｏｄａｙ，１２（１９９２）１−１０５］。
【００１０】
米国特許ＵＳ６２１４７５７、ＵＳ５９１１８６０、ＵＳ６１６５４３１およびＵＳ５６４８３０４は、混合伝導性を示すペロブスカイトまたはブラウンミラーライト構造の物質、およびまたそれらの触媒膜反応器としての使用を開示している。
【００１１】
工業レベルの合成ガスの製造を達成することを希望して、触媒反応器は、酸素に対し高度に透過性でなければならない。さて、膜を通る酸素流束（oxygen flux）は、膜の厚さに逆比例する。したがって、この緻密な膜の厚さを最小化させる、典型的には３００μｍ未満、好ましくは２００μｍ未満まで減少させることが必要である。
【００１２】
その機械的な役割とは別に、ＣＭＲの多孔質支持体は、また、「活性」であり得る、すなわちそれは、ガス状酸素とイオン状酸素との間の表面交換のための動力学（kenetics）を向上させ、従って膜を通る酸素流束を向上させる混合伝導性を有し得る。この場合、多孔質支持体は、機械的機能ばかりでなく、空気中の酸素を酸化物イオン（Ｏ2-）に還元する触媒的機能をも満足する。
【００１３】
種々の（触媒、緻密および多孔質）層の配置と厚さ、それらのミクロ構造、気孔の分布および粒径によって規定されるＣＭＲのアーキテクチャー（architecture）も、酸素流束に影響を有する。ＣＭＲのアーキテクチャー／ミクロ構造は、また、操作条件下での当該系の安定性に影響を有する。用語「安定性」は、熱機械的性質、クリープおよび劣化現象、特に界面剥離などをいうものと解される。
【００１４】
米国特許ＵＳ４７９１０７９およびＵＳ４８２７０７１は、緻密な膜と結合された触媒活性を有する多孔質支持体を含むＣＭＲの概念を開示している。
【００１５】
米国特許ＵＳ５２４０４８０は、気孔の大きさが１０μｍを超えない多孔質層と結合された緻密な層を含み、この２つの層が活性であり、すなわちそれらは混合伝導特性を有する酸化物から構成されており、多孔質層は不連続のまたは連続した気孔率勾配を有し得る混合伝導体多層のいくつかのアーキテクチャーを開示している。
【００１６】
米国特許ＵＳ６３６８３８３は、膜の１つの具体的なアーキテクチャーを開示し、ここでそれは緻密な層、少なくとも１つの隣接する活性多孔質層および少なくとも１つの非活性多孔質支持体層を備える。この発明は、このタイプの膜を通る酸素流束のための最適な気孔サイズ／多孔質層厚の対を規定することにより、活性多孔質層の厚さとミクロ構造の影響を立証している。
【００１７】
米国特許は、ＵＳ５３９１４４０およびＵＳ６６３８５７５におけるようにプラズマ堆積によるか、ＵＳ５４３９７０６におけるようにＣＶＤ堆積によるか、またはＵＳ５６８３７９７におけるように多孔質体のセラミック粒子の懸濁物中への浸漬により、緻密／多孔質二層を作るための方法を開示している。
【００１８】
高い酸素流束を有することに加えて、ＣＭＲは、（ｉ）２のオーダーのＨ2／ＣＯ比と、（ｉｉ）ＣＰＯ反応に由来するＣＯ2（天然ガスの酸素による完全燃焼から生じる生成物）に対するＣＯの選択性を保証するものでなければならない。ある種の触媒は、他の反応（主として完全燃焼）に対して部分酸化反応に有利に働き得るものであり、それらは特に次の金属：白金、パラジウム、金、銀、ロジウムおよびニッケル並びにそれらのそれぞれの酸化物およびそれらのそれぞれの酸化物の混合物である。すなわち、ＣＭＲは、緻密な層上に直接被着され、またはＣＰＯ触媒と緻密な膜との間の中間の多孔質層上に被着された触媒物質の層を有する。種々のＣＭＲアーキテクチャーが、米国特許ＵＳ５５３４４７１およびＵＳ５５６９６３３に開示されている。それらの特許に開示されている膜は、一方では多孔質支持体により他方では触媒物質により取り囲まれた緻密な混合伝導体層、または一方では触媒層により他方では緻密な層により、ついで可能的には多孔質支持体により取り囲まれた多孔質混合伝導体層を備える。多孔質支持体は、また活性（酸素還元触媒として作用する）であってもよいが、それらはペロブスカイト構造である必要はない。触媒は、好ましくは、隣接する層に被着された金属または金属酸化物である。
【００１９】
他のＣＭＲアーキテクチャーが、米国特許ＵＳ５９３８８２２に開示されており、それは、表面反応速度を向上させるために、緻密な膜の１またはそれ以上の面に被着された１またはそれ以上の薄い多孔質層を備える。緻密な層は、混合伝導体からおよび当該マトリックスの機械的および触媒的性質または焼結挙動を改善する他の材料から生成された複合材料であり得る。被着された多孔質材料は、マトリックスのそれと同じである。このアーキテクチャーは、多層の構造安定性を改善するために不特定の性質の多孔質支持体で補完することができる。
【００２０】
米国特許ＵＳ６５１４３１４は、イオン伝導特性と混合伝導特性を有する多孔質支持体の特性決定をする特定の材料の選択を開示している。再び、これは、不連続の気孔率勾配を有する多孔質支持体上に被着された薄い緻密な層からなるアーキテクチャーを有する。
【００２１】
米国特許ＵＳ６５６５６３２は、（ｉ）外側の触媒多孔質層、（ｉｉ）薄い緻密な膜および（ｉｉｉ）セラミック多孔質「支柱」または多孔質支持体（骨格）により特徴付けられた内側のＣＭＲチューブを含むチューブ状の全体構造を開示している。
【００２２】
このことが、本特許出願の発明者らが、その種々の層の構成材料のほとんどがペロブスカイト型結晶構造を有するところの、気孔率勾配を有する多層膜として定義され得るＣＭＲの１つの特別のアーキテクチャーを開発しようと努めてきた理由である。この特別のＣＭＲは、化学的観点から、各層を構成するセラミック化合物の化学的連続性により特徴付けられる。用語「化学的連続性」は、直接連続する層の化合物の組成における少なくとも２つの同種のカチオンの存在を意味するものと解される。今定義したとおり、この反応器を、ＰＣＭＲ（ペロブスカイト触媒膜反応器）と呼ぶこととする。
【００２３】
したがって、本発明の主題は、
（ａ）厚さＥD1を有し、気孔率が５体積％を超えない緻密な層（ＣD1）であって、該緻密な層（ＣD1）は、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（Ｉ）：
Ｍα1-x-uＭα’xＭα”uＭβ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉ）
（ここで、
Ｍαは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍα’は、Ｍαとは異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍα”は、ＭαおよびＭα’とは異なり、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
Ｍβは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
Ｍβ’は、Ｍβとは異なり、遷移金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
Ｍβ”は、ＭβおよびＭβ’とは異なり、遷移金属、アルカリ土類族の金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；
０≦ｖ≦０．９；０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される、使用温度において、ペロブスカイト相の酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態にあるドープされたセラミック酸化物から選ばれる化合物（Ｃ1）、
（ｉｉ）任意に、２５体積％までの、化合物（Ｃ1）とは異なり、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ストロンチウム−アルミニウム複合酸化物ＳｒＡｌ2Ｏ4またはＳｒ3Ａｌ2Ｏ6；バリウム−チタン複合酸化物（ＢａＴｉＯ3）；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）、コージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、「サイアロン」（ＳｉＡｌＯＮ）のような炭化物または窒化物から、あるいはニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）またはロジウム（Ｒｈ）；これら種々のタイプの物質の金属合金または混合物から選ばれる化合物（Ｃ2）、および
（ｉｉｉ）任意に、２．５体積％までの、式：
ｘＦC1  ＋  ｙＦC2  →  ｚＦC1-2
（この式において、ＦC1、ＦC2およびＦC1-2は、それぞれ化合物（Ｃ1）、（Ｃ2）および（Ｃ1-2）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ1-2）
を含む材料（ＡD1）からなる緻密な層、
（ｂ）厚さＥP1を有し、体積気孔率が２０％〜８０％であり、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した多孔質層（ＣP1）であって、該多孔質層（ＣP1）は、その体積１００％について、
（ｉ）少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＩ）：
Ｍγ1-x-uＭγ’xＭγ”uＭδ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩ）
（ここで、
Ｍγは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍγ’は、Ｍγとは異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍγ”は、ＭγおよびＭγ’とは異なり、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
Ｍδは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
Ｍδ’は、Ｍδとは異なり、遷移金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
Ｍδ”は、ＭδおよびＭδ’とは異なり、遷移金属、アルカリ土類族の金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；
０≦ｖ≦０．９；
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９、および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される、使用温度において、ペロブスカイト相の酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態にあるドープされたセラミック酸化物から選ばれる化合物（Ｃ3）、
（ｉｉ）任意に、２５体積％までの、化合物（Ｃ3）とは異なり、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ストロンチウム−アルミニウム複合酸化物ＳｒＡｌ2Ｏ4またはＳｒ3Ａｌ2Ｏ6；バリウム−チタン複合酸化物（ＢａＴｉＯ3）；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）、コージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、「サイアロン」（ＳｉＡｌＯＮ）のような炭化物または窒化物から、あるいはニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）またはロジウム（Ｒｈ）；これら種々のタイプの物質の金属合金または混合物から選ばれる化合物（Ｃ4）、および
（ｉｉｉ）任意に、２．５体積％までの、式：
ｘＦC3  ＋  ｙＦC4  →  ｚＦC3-4
（この式において、ＦC3、ＦC4およびＦC3-4は、それぞれ化合物（Ｃ3）、（Ｃ4）および（Ｃ3-4）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ3-4）
を含む材料（ＡP1）からなる多孔質層、および
（ｃ）ガス状酸素によるメタンの一酸化炭素および水素への部分酸化の反応を促進し得る触媒層（ＣC1）であって、該触媒層（ＣC1）は、厚さＥC1のものであり、２０％〜８０％の体積気孔率を有し、前記緻密な層（ＣD1）に隣接しており、かつその体積１００％について、
（ｉ）少なくとも１０体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＩＩ）：
Ｍε1-x-uＭε’xＭε”uＭη1-y-vＭη’yＭη”vＯ3-w      （ＩＩＩ）
（ここで、
Ｍεは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍε’は、Ｍεとは異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍε”は、ＭεおよびＭε’とは異なり、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
Ｍηは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
Ｍη’は、Ｍηとは異なり、遷移金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
Ｍη”は、ＭηおよびＭη’とは異なり、遷移金属、アルカリ土類族の金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；
０≦ｖ≦０．９；
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９、および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される、使用温度において、ペロブスカイト相の酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態にあるドープされたセラミック酸化物から選ばれる化合物（Ｃ5）、
（ｉｉ）任意に、９０体積％までの、化合物（Ｃ5）とは異なり、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはこれら金属の混合物から選ばれる化合物（Ｃ6）であって、任意に、前記金属または金属の混合物の０．１〜６０重量％の量の酸化物もしくは非酸化物セラミック支持体上に被着されており、前記セラミック支持体は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）、コージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）またはカルシウム−アルミニウム複合酸化物（ＣａＡｌ12Ｏ19）；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、「サイアロン」（ＳｉＡｌＯＮ）のような炭化物または窒化物から選ばれるところのもの、および
（ｉｉｉ）任意に、２．５体積％までの、式：
ｘＦC5  ＋  ｙＦC6  →  ｚＦC5-6
（この式において、ＦC5、ＦC6およびＦC5-6は、それぞれ化合物（Ｃ5）、（Ｃ6）および（Ｃ5-6）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ5-6）
を含む材料（ＡC1）からなる触媒層
を、３つの連続層｛（ＣC1）、（ＣD1）、（ＣP1）｝からなるアセンブリＥ1を構成するように含み、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ5）中に実際に存在する化学元素Ｍε、Ｍε’、Ｍε”、Ｍη、Ｍη’またはＭη”のうちの２つと同一であり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ5）中に実際に存在する化学元素Ｍε、Ｍε’、Ｍε”、Ｍη、Ｍη’またはＭη”のうちの１つと異なり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ3）中に実際に存在する化学元素Ｍγ、Ｍγ’、Ｍγ”、Ｍδ、Ｍδ’またはＭδ”のうちの２つと同一であり、かつ
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ3）中に実際に存在する化学元素Ｍγ、Ｍγ’、Ｍγ”、Ｍδ、Ｍδ’またはＭδ”のうちの１つと異なるものであるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）、および
（ｄ）前記触媒層（ＣC1）と前記緻密な層（ＣD1）との間に介挿され、厚さがＥP2で、体積気孔率が２０％〜８０％である第２の多孔質層（ＣP2）であって、該多孔質層（ＣP2）は、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも７５体積％で、１００体積％以下の、式（ＩＶ）：
Ｍθ1-x-uＭθ’xＭθ”uＭκ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶ）
（ここで、
Ｍθは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍθ’は、Ｍθとは異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選らばれる原子を表し、
Ｍθ”は、ＭθおよびＭθ’とは異なり、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
Ｍκは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
Ｍκ’は、Ｍκとは異なり、遷移金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
Ｍκ”は、ＭκおよびＭκ’とは異なり、遷移金属、アルカリ土類族の金属、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）またはチタン（Ｔｉ）から選ばれる原子を表し、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；
０≦ｖ≦０．９；
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９、および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される、使用温度において、ペロブスカイト相の酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態にあるドープされたセラミック酸化物から選ばれる化合物（Ｃ7）、
（ｉｉ）任意に、２５体積％までの、化合物（Ｃ7）とは異なり、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ストロンチウム−アルミニウム複合酸化物ＳｒＡｌ2Ｏ4またはＳｒ3Ａｌ2Ｏ6；バリウム−チタン複合酸化物（ＢａＴｉＯ3）；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）、コージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、「サイアロン」（ＳｉＡｌＯＮ）のような炭化物または窒化物から、あるいはニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）またはロジウム（Ｒｈ）；これら種々のタイプの物質の金属合金または混合物から選ばれる化合物（Ｃ8）、および
（ｉｉｉ）任意に、２．５体積％までの、式：
ｘＦC7  ＋  ｙＦC8  →  ｚＦC7-8
（この式において、ＦC7、ＦC8およびＦC7-8は、それぞれ化合物（Ｃ7）、（Ｃ8）および（Ｃ7-8）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ7-8）
を含む材料（ＡD2）からなる第２の多孔質層
を、４つの連続層｛（ＣC1）、（ＣP2）、（ＣD1）、（ＣP1）、｝からなるアセンブリＥ2を構成するように含み、
化合物（Ｃ7）中に実際に存在する化学元素Ｍθ、Ｍθ’、Ｍθ”、Ｍκ、Ｍκ’またはＭκ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ5）中に実際に存在する化学元素Ｍε、Ｍε’、Ｍε”、Ｍη、Ｍη’またはＭη”のうちの２つと同一であり、
化合物（Ｃ7）中に実際に存在する化学元素Ｍθ、Ｍθ’、Ｍθ”、Ｍκ、Ｍκ’またはＭκ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ5）中に実際に存在する化学元素Ｍε、Ｍε’、Ｍε”、Ｍη、Ｍη’またはＭη”のうちの１つと異なり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ7）中に実際に存在する化学元素Ｍθ、Ｍθ’、Ｍθ”、Ｍκ、Ｍκ’またはＭκ”のうちの２つと同一であり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ7）中に実際に存在する化学元素Ｍθ、Ｍθ’、Ｍθ”、Ｍκ、Ｍκ’またはＭκ”のうちの１つと異なり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも２つは、化合物（Ｃ3）中に実際に存在する化学元素Ｍγ、Ｍγ’、Ｍγ”、Ｍδ、Ｍδ’またはＭδ”のうちの２つと同一であり、かつ
化合物（Ｃ1）中に実際に存在する化学元素Ｍα、Ｍα’、Ｍα”、Ｍβ、Ｍβ’またはＭβ”のうち少なくとも１つは、化合物（Ｃ3）中に実際に存在する化学元素Ｍγ、Ｍγ’、Ｍγ”、Ｍδ、Ｍδ’またはＭδ”のうちの１つと異なるものである
類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリである。
【００２４】
上に規定したアセンブリにおいて、緻密な層ＣD1の厚さＥD1は、５００μｍ以下、より特には３００μｍ以下、好ましくは２５０μｍ以下である。この厚さＥD1は、また、一般的に、１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上である。
【００２５】
多孔質層ＣP1の厚さＥP1、および適切な場合、多孔質層ＣP2の厚さＥP2は、１０4μｍ以下、好ましくは５×１０3μｍ以下である。これらの厚さは、一般的に、１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ以上である。
【００２６】
触媒層ＣC1の厚さＥC1は、１０4μｍ以下、より特には１０3μｍ以下、好ましくは５００μｍ以下である。この厚さＥC1は、一般的に、１μｍ以上、好ましくは５μｍ以上である。
【００２７】
緻密な層ＣD1の定義において、表現「５体積％以上の気孔率」は、緻密な層がガスに対して完全に不透過性であることを意味するものと解される。この場合、気孔は、「閉（closed）」（気孔間に相互接続がない）といわれる。気孔率は、相互接続された開気孔率の場合には、水銀多孔対称法（mercury porous symmetry）により測定され、閉気孔率の場合には、走査型電子顕微鏡検査を用いた画像解析によりまたは密度測定により測定される。
【００２８】
多孔質層ＣP1およびＣP2並びに触媒層ＣC1の定義において、表現「２０％〜８０％の体積気孔率」は、焼結後当該材料が水銀多孔対称法測定を受け、その結果が２０％〜８０％の気孔率値（この場合、相互接続された開気孔率）を示すことを意味するものと解される。この水銀多孔対称法分析は、走査型電子顕微鏡検査により得た顕微鏡写真の画像解析により補完される。
【００２９】
好ましくは、多孔質層ＣP1およびＣP2の合計開気孔率は、３０％〜７０％である。
【００３０】
気孔サイズ（直径）は、０．１μｍ〜５０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜２０μｍである。
【００３１】
好ましくは、触媒層ＣC1は、３０％以上で、５０％を超えない気孔率を有する。
【００３２】
触媒層ＣC1において、気孔サイズは、０．１μｍ〜５０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜２０μｍである。
【００３３】
上に規定した組織化されたアセンブリにおいて、材料（ＡD1）、（ＡP1）、（ＡC1）および（ＡP2）中にそれぞれ任意に存在する化合物（Ｃ2）、（Ｃ4）、（Ｃ6）および（Ｃ8）の粒子は、０．１μｍ〜５μｍ、好ましくは１μｍ未満の直径を持って一軸とされ（uniaxed）、材料（ＡD1）、（ＡP1）、（ＡC1）および（ＡP2）中にそれぞれ任意に存在する化合物（Ｃ1-2）、（Ｃ3-4）、（Ｃ5-6）および（Ｃ7-8）の体積比率は、より特には、１．５％以下であり、さらに特には、０．５体積％以下である。しばしば、それらは、主たる材料と分散質との間の化学反応性が低い場合、０に向かう（tend toward 0）。
【００３４】
上に規定した、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、材料（ＡD1）、（ＡP1）、（ＡC1）および（ＡP2）中に任意に存在する化合物（Ｃ2）、（Ｃ4）、（Ｃ6）および（Ｃ8）の体積比率は、より好ましくは０．１％以上、１０％以下、好ましくは１％以上、５％以下である。
【００３５】
上に規定した、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、化合物（Ｃ1）は、より特には、
Ｍαがランタン原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉａ）：
Ｌａ1-x-uＭα’xＭα”uＭβ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉａ）
で示される化合物から、
Ｍα’がストロンチウム原子を表すところの式（ＩＩ）に対応する式（Ｉｂ）：
Ｍα1-x-uＳｒxＭα”uＭβ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｂ）
で示される化合物から、
Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｃ）：
Ｍα1-x-uＭα’xＭα”uＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｃ）
で示される化合物から、
Ｍβがチタン原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｄ）：
Ｍα1-x-uＭα’xＭα”uＴｉ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｄ）
で示される化合物から、または
Ｍβがガリウム原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｅ）：
Ｍα1-x-uＭα’xＭα”uＧａ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｅ）
で示される化合物から
選ばれる。
【００３６】
これらの中で、化合物（Ｃ1）は、好ましくは、
Ｍαがランタン原子を表し、Ｍα’がストロンチウムを表し、Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｆ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭα”uＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｆ）
で示される化合物から、
Ｍαがランタン原子を表し、Ｍα’がストロンチウムを表し、Ｍβがチタン原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｇ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭα”uＴｉ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｇ）
で示される化合物から、
Ｍαがランタン原子を表し、Ｍα’がストロンチウムを表し、Ｍβがガリウム原子を表すところの式（Ｉ）に対応する式（Ｉｈ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭα”uＧａ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｈ）
で示される化合物から、
Ｍα”がアルミニウム原子を表し、Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉａ）に対応する式（Ｉｉ）：
Ｌａ1-x-uＭα’xＡｌuＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｉ）
で示される化合物から、
Ｍα’がカルシウム原子を表し、Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉａ）に対応する式（Ｉｊ）：
Ｌａ1-x-uＣａxＭα”uＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｊ）
で示される化合物から、または
Ｍα’がバリウム原子を表し、Ｍβが鉄原子を表すところの式（Ｉａ）に対応する式（Ｉｋ）：
Ｌａ1-x-uＢａxＭα”uＦｅ1-y-vＭβ’yＭβ”vＯ3-w      （Ｉｋ）
で示される化合物から
選ばれる。
【００３７】
これらの化合物の中には、例えば、式：
Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、またはＬａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物、より特には、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-wで示される化合物
がある。
【００３８】
上に規定した、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、化合物（Ｃ3）は、より特には、
Ｍγがランタン原子を表すところの式（ＩＩ）に対応する式（ＩＩａ）：
Ｌａ1-x-uＭγ’xＭγ”uＭδ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩａ）
で示される化合物から、
Ｍα’がストロンチウム原子を表すところの式（ＩＩ）に対応する式（ＩＩｂ）：
Ｍγ1-x-uＳｒxＭγ”uＭδ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｂ）
で示される化合物から、または
Ｍδが鉄原子を表すところの式（ＩＩ）に対応する式（ＩＩｃ）：
Ｍγ1-x-uＭγ’xＭα”uＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｃ）
で示される化合物から
選ばれる。
【００３９】
これらの中で、化合物（Ｃ3）は、好ましくは、
Ｍγ’がストロンチウム原子を表し、Ｍδが鉄原子を表すところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｄ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭγ”uＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｄ）
で示される化合物から、
Ｍγ”がアルミニウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表すところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｅ）：
Ｌａ1-x-uＭγ’xＡｌuＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｅ）
で示される化合物から、
Ｍγ’がストロンチウム原子を表し、Ｍδが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｆ）：
Ｌａ1-uＳｒuＦｅ1-yＭδ’yＯ3-w      （ＩＩｆ）
で示される化合物から、
Ｍγ’がカルシウム原子を表し、Ｍδが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｇ）：
Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＭδ’yＯ3-w      （ＩＩｇ）
で示される化合物から、
Ｍγ’がバリウム原子を表し、Ｍδが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＩａ）に対応する式（ＩＩｈ）：
Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＭδ’yＯ3-w      （ＩＩｈ）
で示される化合物から、
Ｍγ’がカルシウム原子を表すところの式（ＩＩｄ）に対応する式（ＩＩｉ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＣａ”uＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｉ）
で示される化合物から、または
Ｍγ’がバリウム原子を表すところの式（ＩＩｄ）に対応する式（ＩＩｊ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＢａ”uＦｅ1-y-vＭδ’yＭδ”vＯ3-w      （ＩＩｊ）
で示される化合物から選ばれる。
【００４０】
これらの化合物の中には、例えば、式：
Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＡｌyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、またはＬａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物、より特には、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ａｌ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3ＦｅＯ3-w、またはＬａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-wで示される化合物
がある。
【００４１】
上に規定した、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、化合物（Ｃ5）は、より特には、
Ｍη’がニッケル原子を表し、Ｍη”がロジウム原子を表すところの式（ＩＩＩ）に対応する式（ＩＩＩａ）：
Ｍε1-x-uＭε’xＭε”uＭη1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w      （ＩＩＩａ）
で示される化合物から、または
Ｍεがランタン原子を表し、Ｍε’がストロンチウム原子を表し、Ｍηが鉄原子を表すところの式（ＩＩＩ）に対応する式（ＩＩＩｂ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭε”uＦｅ1-y-vＭη’yＭη”vＯ3-w      （ＩＩＩｂ）
で示される化合物から選ばれる。
【００４２】
これらの中で、化合物（Ｃ5）は、好ましくは、式：
Ｌａ1-xＣｅxＦｅ1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w、Ｌａ1-xＣｅxＦｅ1-yＮｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w、およびＬａ1-xＳｒxＦｅ1-yＮｉyＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｙ≦０．９
０≦ｖ≦０．９
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物、より特には、式：
Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.65Ｎｉ0.30Ｒｈ0.05Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.65Ｎｉ0.30Ｒｈ0.05Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-w、およびＬａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-wで示される化合物
から選ばれる。
【００４３】
上に規定した、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、化合物（Ｃ7）は、より特には、
Ｍθがランタン原子を表すところの式（ＩＶ）に対応する式（ＩＶａ）：
Ｌａ1-x-uＭθ’xＭθ”uＭκ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶａ）
で示される化合物から、
Ｍθ’がストロンチウム原子を表すところの式（ＩＶ）に対応する式（ＩＶｂ）：
Ｍθ1-x-uＳｒxＭθ”uＭκ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｂ）
で示される化合物から、または
Ｍκが鉄原子を表すところの式（ＩＶ）に対応する式（ＩＶｃ）：
Ｍθ1-x-uＭθ’xＭθ”uＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｃ）
で示される化合物から選ばれる。
【００４４】
これらの中で、化合物（Ｃ7）は、好ましくは、
Ｍθ’がストロンチウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表すところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｄ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＭθ”uＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｄ）
で示される化合物から、
Ｍθ”がアルミニウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表すところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｅ）：
Ｌａ1-x-uＭθ’xＡｌuＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｅ）
で示される化合物から、
Ｍθ’がストロンチウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｆ）：
Ｌａ1-uＳｒuＦｅ1-yＭκ’yＯ3-w      （ＩＶｆ）
で示される化合物から、
Ｍθ’がカルシウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｇ）：
Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＭκ’yＯ3-w      （ＩＶｇ）
で示される化合物から、
Ｍθ’がバリウム原子を表し、Ｍκが鉄原子を表し、ｘおよびｖが０に等しいところの式（ＩＶａ）に対応する式（ＩＶｈ）：
Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＭκ’yＯ3-w      （ＩＶｈ）
で示される化合物から、
Ｍθ”がカルシウム原子を表すところの式（ＩＶｈ）に対応する式（ＩＶｉ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＣａ”uＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｉ）
で示される化合物から、または
Ｍθ”がバリウム原子を表すところの式（ＩＶｄ）に対応する式（ＩＶｊ）：
Ｌａ1-x-uＳｒxＢａ”uＦｅ1-y-vＭκ’yＭκ”vＯ3-w      （ＩＶｊ）
で示される化合物から
選ばれる。
【００４５】
これらの化合物の中には、例えば、式：
Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、またはＬａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＡｌyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、またはＬａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、またはＬａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物、より特には、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ａｌ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3ＦｅＯ3-w、またはＬａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-wで示される化合物
がある。
【００４６】
本発明の他の具体的な側面によると、本発明の主題は、
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）
を備え、ここで、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在するＭαおよびＭβは、それぞれ、化合物（Ｃ5）中に実際に存在するＭεおよびＭηと同じであり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在するＭαおよびＭβは、それぞれ、化合物（Ｃ3）中に実際に存在するＭγおよびＭδと同じであるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）、および
（ｄ）厚さＥP2の第２の多孔質層（ＣP2）
を備え、ここで、
化合物（Ｃ7）中に実際に存在するＭθおよびＭκは、それぞれ、化合物（Ｃ5）中に実際に存在するＭεおよびＭηと同じであり、
化合物（Ｃ1）中に実際に存在するＭαおよびＭβはが、それぞれ、化合物（Ｃ7）中に実際に存在するＭθおよびＭκと同じであり、および
化合物（Ｃ1）中に実際に存在するＭαおよびＭβは、それぞれ、化合物（Ｃ3）中に実際に存在するＭγおよびＭδと同じである
ことを特徴とする、上に規定したような、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリ、より特には、
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）
を備え、ここで、Ｍα、ＭεおよびＭγは、それぞれ、ランタン原子を表し、Ｍβ、ＭηおよびＭδが、それぞれ、鉄原子を表すものであるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの、厚さＥD1の緻密な層（ＣD1）、
（ｂ）上に規定したとおりの、前記緻密な層（ＣD1）に隣接した、厚さＥP1の多孔質層（ＣP1）、
（ｃ）上に規定したとおりの、厚さＥC1の触媒層（ＣC1）、および
（ｄ）厚さＥP2の第２の多孔質層（ＣP2）
を備え、ここで、Ｍθ、Ｍα、ＭεおよびＭγは、それぞれ、ランタン原子を表し、Ｍκ、Ｍβ、ＭηおよびＭδは、それぞれ、鉄原子を表すものである
ことを特徴とする、上に規定したような、重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリである。
【００４７】
本発明の主題は、また、より特には、
（ａ）上に規定したとおりの層（ＣD1）に対応し、その材料（ＡD1）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、またはＬａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ1）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ1）とは異なる化合物（Ｃ2）、および
（ｉｉｉ）任意に、０．５体積％までの、式：
ｘＦC1  ＋  ｙＦC2  →  ｚＦC1-2
（この式において、ＦC1、ＦC2およびＦC1-2は、それぞれ化合物（Ｃ1）、（Ｃ2）および（Ｃ1-2）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ1-2）
を含む緻密な層（Ｃ’D1）、
（ｂ）上に規定したとおりの層（ＣP1）に対応し、その材料（ＡP1）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、またはＬａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ3）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ3）とは異なる化合物（Ｃ4）、および
（ｉｉｉ）任意に、０．５体積％までの、式：
ｘＦC3  ＋  ｙＦC4  →  ｚＦC3-4
（この式において、ＦC3、ＦC4およびＦC3-4は、それぞれ化合物（Ｃ3）、（Ｃ4）および（Ｃ3-4）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ3-4）
を含む多孔質層（Ｃ’P1）、および
（ｃ）上に規定したとおりの層（ＣC1）に対応し、その材料（Ａc1）が、その体積１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ1-xＣｅxＦｅ1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w、Ｌａ1-xＣｅxＦｅ1-yＮｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-y-vＮｉyＲｈvＯ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.70Ｎｉ0.30Ｏ3-w、およびＬａ1-xＳｒxＦｅ1-yＮｉyＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｙ≦０．７
０≦ｖ≦０．５
０≦（ｙ＋ｖ）≦０．８；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物（Ｃ5）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ5）とは異なる化合物（Ｃ6）、および
（ｉｉｉ）任意に０．５体積％までの、式：
ｘＦC5  ＋  ｙＦC6  →  ｚＦC5-6
（この式において、ＦC5、ＦC6およびＦC5-6は、それぞれ化合物（Ｃ5）、（Ｃ6）および（Ｃ5-6）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ5-6）
を含む触媒層（Ｃ’C1）
を備えるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの緻密な層（Ｃ’D1）、
（ｂ）上に規定したとおりの多孔質層（Ｃ’P1）、
（ｃ）上に規定したとおりの触媒層（Ｃ’C1）、および
（ｄ）上に規定したとおりの層（Ｃ’P2）に対応し、その材料（ＡP2）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-xＳｒxＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＣａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-uＢａuＦｅＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＴｉyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＡｌuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、Ｌａ1-x-uＳｒxＣａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w、またはＬａ1-x-uＳｒxＢａuＦｅ1-yＧａyＯ3-w
（ここで、
０＜ｘ≦０．５；
０≦ｕ≦０．５；
（ｘ＋ｕ）≦０．５；
０≦ｙ≦０．９；および
ｗは、当該構造が電気的に中性であるようにするものである）で示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ7）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ7）とは異なる化合物（Ｃ8）、および
（ｉｉｉ）任意に０．５体積％までの、式：
ｘＦC7  ＋  ｙＦC8  →  ｚＦC7-8
（この式において、ＦC7、ＦC8およびＦC7-8は、それぞれ化合物（Ｃ7）、（Ｃ8）および（Ｃ7-8）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ7-8）
を含む第２の触媒層（Ｃ’P2）
を備える
ことを特徴とする、上に規定したような、重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリである。
【００４８】
この具体的な側面によると、上に規定したような、重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリは、好ましくは、
（ａ）上に規定したとおりの層（Ｃ’D1）に対応し、その材料（ＡD1）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ1）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ1）とは異なる化合物（Ｃ2）、および
（ｉｉｉ）任意に、０．５体積％までの式：
ｘＦC1  ＋  ｙＦC2  →  ｚＦC1-2
（この式において、ＦC1、ＦC2およびＦC1-2は、それぞれ化合物（Ｃ1）、（Ｃ2）および（Ｃ1-2）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ1-2）
を含む緻密な層（Ｃ”D1）、
（ｂ）上に規定したとおりの層（Ｃ’P1）に対応し、その材料（ＡP1）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、またはＬａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ3）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ3）とは異なる化合物（Ｃ4）、および
（ｉｉｉ）任意に、０．５体積％までの式：
ｘＦC3  ＋  ｙＦC4  →  ｚＦC3-4
（この式において、ＦC3、ＦC4およびＦC3-4は、それぞれ化合物（Ｃ3）、（Ｃ4）および（Ｃ3-4）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ3-4）
を含む多孔質層（Ｃ”P1）、および
（ｃ）上に規定したとおりの層（Ｃ’C1）に対応し、その材料（ＡC1）が、その体積１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式：
Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.65Ｎｉ0.30Ｒｈ0.05Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.65Ｎｉ0.30Ｒｈ0.05Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.70Ｎｉ0.30Ｏ3-w、およびＬａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ5）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ5）とは異なる化合物（Ｃ6）、および
（ｉｉｉ）任意に０．５体積％までの、式：
ｘＦC5  ＋  ｙＦC6  →  ｚＦC5-6
（この式において、ＦC5、ＦC6およびＦC5-6は、それぞれ化合物（Ｃ5）、（Ｃ6）および（Ｃ5-6）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ5-6）
を含む触媒層（Ｃ”C1）
を備えるか、あるいは
（ａ）上に規定したとおりの緻密な層（Ｃ”’D1）、
（ｂ）上に規定したとおりの多孔質層（Ｃ”P1）、
（ｃ）上に規定したとおりの触媒層（Ｃ”C1）、および
（ｄ）上に規定したとおりの層（Ｃ’P2）に対応し、その材料（ＡP2）が、その体積の１００％について、
（ｉ）少なくとも９５体積％で、１００体積％以下の、式Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｆｅ0.2Ｃｏ0.8Ｏ3-w、Ｌａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-w、Ｌａ0.8Ｓｒ0.2Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-w、またはＬａ0.7Ｓｒ0.3Ｆｅ0.7Ｇａ0.3Ｏ3-wで示される化合物から選ばれる化合物（Ｃ7）、
（ｉｉ）任意に、５体積％までの、上に規定したとおりの、化合物（Ｃ7）とは異なる化合物（Ｃ8）、および
（ｉｉｉ）任意に０．５体積％までの、式：
ｘＦC7  ＋  ｙＦC8  →  ｚＦC7-8
（この式において、ＦC7、ＦC8およびＦC7-8は、それぞれ化合物（Ｃ7）、（Ｃ8）および（Ｃ7-8）の実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の有理数を表す）で示される少なくとも１つの化学反応により生成する化合物（Ｃ7-8）
を含む第２の触媒層（Ｃ”P2）
を備える。
【００４９】
本発明の主題は、また、より特には、材料（ＡD1）、（ＡP1）、（ＡC1）および適切な場合には（ＡP2）、並びに存在するときはそれぞれの化合物（Ｃ2）、（Ｃ4）および（Ｃ8）が、互いに独立に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、スピネル相（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、ストロンチウム−アルミニウム複合酸化物ＳｒＡｌ2Ｏ4またはＳｒ3Ａｌ2Ｏ6、バリウム−チタン複合酸化物（ＢａＴｉＯ3）、カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δから選ばれることを特徴とする、上に規定したような、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリである。
【００５０】
本発明の他の具体的な側面によると、上に規定したような、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、層、中でも層ＣP1、ＣP2およびＣC1の１つ、複数またはすべては、不連続の気孔率勾配を有する、すなわち体積気孔率が層の厚さにわたって最大値（層の外側）と最小値（緻密な膜に近い、層の内側）との間で不連続に変化する。
【００５１】
本発明の他の具体的な側面によると、上に規定したような、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、層、中でも層ＣP1、ＣP2およびＣC1の１つ、複数またはすべては、連続の気孔率勾配を有する、すなわち体積気孔率が層の厚さにわたって最大値（層の外側）と最小値（緻密な膜に近い、層の内側）との間で連続的に変化する。
【００５２】
そのような気孔率勾配は、例えばＷＯ０２／４６１２２に記載されているような、テープ流延用懸濁物による多孔質の気孔形成基板の浸潤（infiltration）を含む方法を実施することにより達成される。
【００５３】
本発明の他の具体的な側面によると、上に規定したような、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、緻密な層、多孔質層または触媒層は、不連続の組成勾配を有する、すなわちこれらの層の化学的性質が層の厚さにわたって、または層と層との間で不連続に変化する。
【００５４】
本発明の他の具体的な側面によると、上に規定したような、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにおいて、緻密な層、多孔質層または触媒層は、隣接層の材料の表面濃度勾配を有する、そのような勾配は、例えば、平面系について、ＷＯ０３／００４３９に記載された方法を実施することにより得ることができる。
【００５５】
本発明の主題を構成する、上に規定した、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリは、主として平面またはチューブの形態である。それがチューブ形態であるとき、かくして形成されるＣＭＲは、その両端の一方が閉じられている。
【００５６】
ＰＣＭＲは、グリーンの状態で、種々の層を組み合わせ、その多層アセンブリを単一工程で焼結する（共焼結と呼ばれる）か、いくつかの工程で焼結する。
【００５７】
一般に、チューブ状ＰＣＭＲは、多孔質支持体を含み、その外側に緻密な層が被着されている。多孔質支持体は、押し出しにより、または静水圧プレス（isostatic pressing）により形成することができる。緻密な膜は、例えば浸漬塗布またはスプレー塗布のような種々の技術により、「グリーン状態で」多孔質支持体上に被着される。このアセンブリ（多孔質支持体＋緻密な膜）は、共焼結される。ついで、改質触媒を、例えば浸漬塗布またはスプレー塗布のような種々の技術により、外側（緻密な膜上）に被着した後、ＰＣＭＲの焼結温度未満の温度で焼成する。
【００５８】
好ましくは、多孔質層により支持され、外側の面が触媒層で覆われているチューブ状ＰＣＭＲは、緻密な層と多孔質層を共押し出しすることにより製造される。このアセンブリを焼結し、触媒層を、得られた２層の外側の面に適用し、そのアセンブリ（触媒層＋緻密な層／多孔質支持体）を前記焼結温度未満の温度で焼成する。第２のアプローチにおいて、触媒層は、緻密な層および多孔質層と同時に共押し出しすることができる。それゆえ、その方法は、三重押し出しプロセスであり、当該系（触媒／緻密な膜／支持体）は共焼結される。
【００５９】
共押し出し方法は、２００４年５月１２日に出願され、番号０４／０５１２４の下で登録されたフランス国特許出願に記載されている。
【００６０】
上に規定したプロセスにおいて、材料の焼結温度は、８００〜１５００℃、好ましくは１０００℃〜１３５０℃である。
【００６１】
本発明の１つの具体的な側面によると、共焼結方法は、反応混合物を取り巻くガス状雰囲気の酸素分圧（ｐＯ2）を制御しながら行われる。そのような方法は、２００３年７月１１日に出願され、番号０３／５０２３４の下で登録されたフランス国特許出願に記載されている。
【００６２】
上に規定した方法において、材料の焼結温度は、８００〜１５００℃、好ましくは１０００℃〜１３５０℃である。
【００６３】
最後の側面によると、本発明の主題は、天然ガスの酸化による合成ガスの製造のために意図された、非ゼロ内容積Ｖの反応器であって、チューブ形態の、上に規定したような、類似の化学的性質の材料の重ね合わされた層に基づく組織化されたアセンブリにして、ガス状酸素によるメタンの一酸化炭素への酸化の反応を促進し得る触媒層（ＣC1）が、端部の一方が閉じられた前記チューブ形態のアセンブリの外側表面上に配置されているところのものを備えるか、並行に設置された複数の前記チューブ形態のアセンブリの組み合わせを備え、前記反応器内の自由体積（free volume）Ｖfが、０．２５Ｖ以上であり、好ましくは０．５Ｖ以上であることを特徴とする反応器である。
【００６４】
このデバイスの１つの具体的な側面によると、上に規定した反応器において、体積Ｖfの非ゼロフラクション（non-zero fraction）は、スチーム改質触媒（steam reforming catalyst）を含む。
【００６５】
用語「スチーム改質触媒」は、酸化物もしくは非酸化物セラミック支持体上に被着された、遷移金属（Ｎｉ、Ｆｅ等）の、および／または１種またはそれ以上の貴金属（Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ等）の存在により特徴付けられる触媒をいい、量は、該金属または金属の混合物の０．１〜６０重量％にわたり、該セラミック支持体は、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化セリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのような酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）またはセリア（ＣｅＯ2）；ムライト（２ＳｉＯ2・３Ａｌ2Ｏ3）またはコージーライト（Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18）のようなアルミニウムおよび／またはマグネシウムシリケートまたはスピネル相ＭｇＡｌ2Ｏ4等；カルシウム−チタン複合酸化物（ＣａＴｉＯ3）またはＣａＡｌ12Ｏ19；ヒドロキシルアパタイトＣａ10（ＰＯ4）6（ＯＨ）2またはリン酸三カルシウムＣａ3（ＰＯ4）2のようなカルシウムホスフェートもしくはその誘導体；またはＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ、Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δまたはＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δのようなペロブスカイト型物質から、あるいは非酸化物タイプの物質から、好ましくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）またはＳｉＡｌＯＮのような炭化物または窒化物から選ばれる。ＰＣＭＲチューブ間に含まれる改質触媒の形状は、種々のサイズのロッド、押し出し物または球であり得る。
【００６６】
本発明は、化学的に類似し、構造的に同じ材料を用いることがＰＣＭＲ全体にわたっての熱機械的および熱化学的特性の連続性を可能とするので、技術の現状を改良するものである。界面における、または１の層内における剥離またはクラック発生の危険は大幅に減少する。種々の材料の膨張係数および焼結時の収縮は、同じようなものであるので（図４）、単一の工程ですべての層を焼結する（共焼結する）ことができ、それにより、ＰＣＭＲの製造コストを低減しながら、形成操作（熱処理）が制限される。以下の例は、本発明を例示するものであるが、本発明を限定するものではない。
【００６７】
例１：本発明によるアセンブリの製造
Ａ−Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ（化合物Ｃ1）の調製
化合物（Ｃ1）を、固相の前駆体の高温反応により調製した。
【００６８】
（１）１００ｇの化合物Ｃ1を合成するために、以下の質量の前駆体を、それらから残存する水またはガス状不純物を除去するための予備熱処理工程の後に、秤量した：
４４．３４ｇのＬａ2Ｏ3（アンペレ・インダストリー（Ampere Industrie）；純度＞９９．９９重量％）；
２６．７９ｇのＳｒＣＯ3（ソルベイ・バリス（Solvay Baris）；純度＞９９重量％）；
３２．６０ｇのＦｅ2Ｏ3（アルファ・イーザー（Alfa Aesar）；純度＞９９重量％）；
４．２５ｇのＧａ2Ｏ3（シグマ・アルドリッチ；純度＞９９重量％）。
【００６９】
（２）この混合物を、ポリエチレンで作られた回転刃を備えるポリエチレンジャー中で、球状イットリア化ジルコニア（ＹＳＺ）ボール、水系もしくは有機溶媒および任意に分散材の存在下に粉砕した。この磨耗粉砕操作により、比較的球状の形状と、モノモードの（monomodal）粒径分布を有するより小さな直径の粉末粒子の均一な混合物を得た。この第１の粉砕操作の後、平均粒子直径は０．３μｍ〜２μｍであった。ジャーの内容物を２００μｍスクリーンを用いてふるいにかけてボールから粉末を分離した。
【００７０】
（３）ふるいにかけた材料を乾燥した後、炉内で、空気または制御された雰囲気中でアルミナ耐火物上で焼成した。そのとき、温度は、９００℃〜１２００℃の保持温度まで上昇させ、そこに５時間〜１５時間保持した。温度の上昇速度は、典型的に、５℃／分〜１５℃／分であり、低下速度は炉の自然冷却により支配される。
【００７１】
ついで、ＸＲＤ分析は、粉末の反応の状態が実証されることを可能とした。必要なら、前駆体の反応が完了し、所望のペロブスカイト相（図３を参照）をもたらすまで、同じプロトコールを用いて再び粉末を粉砕し、および／または焼成した。こうして、化合物Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δを得た。
【００７２】
Ｂ−材料ＡD1（９８体積％のＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.9Ｇａ0.1Ｏ3-δ＋２体積％のＭｇＯ）の調製
９８体積％の、先のセクションで調製した化合物Ｃ1と、２体積％の市販の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を混合することにより、材料ＡD1を調製した。
【００７３】
Ｃ−Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ（化合物Ｃ3）の調製
化合物（Ｃ3）を、固相の前駆体の高温反応により調製した。
【００７４】
（１）１００ｇの化合物Ｃ3を合成するために、以下の質量の前駆体を、それらから残存する水またはガス状不純物を除去するための予備熱処理工程の後に、秤量した：
３８．３７ｇのＬａ2Ｏ3（アンペレ・インダストリー；純度＞９９．９９重量％）；
３４．７７ｇのＳｒＣＯ3（ソルベイ・バリス；純度＞９９重量％）；
３３．８５ｇのＦｅ2Ｏ3（アルファ・イーザー；純度＞９９重量％）；
１．８８ｇのＴｉＯ2（シグマ・アルドリッチ；純度＞９９重量％）。
【００７５】
（２）この混合物を、ポリエチレンで作られた回転刃を備えるポリエチレンジャー中で、球状イットリア化ジルコニア（ＹＳＺ）ボール、水系もしくは有機溶媒および任意に分散材の存在下に粉砕した。この磨耗粉砕操作により、比較的球状の形状と、モノモードの粒径分布を有するより小さな直径の粉末粒子の均一な混合物を得た。この第１の粉砕操作の後、平均粒子直径は０．３μｍ〜２μｍであった。ジャーの内容物を２００μｍスクリーンを用いてふるいにかけてボールから粉末を分離した。
【００７６】
（３）ふるいにかけた材料を乾燥した後、炉内で空気または制御された雰囲気中でアルミナ耐火物上で焼成した。そのとき、温度は、９００℃〜１２００℃の保持温度まで上昇させ、そこに５時間〜１５時間保持した。温度の上昇速度は、典型的に、５℃／分〜１５℃／分であり、低下速度は炉の自然冷却により支配される。
【００７７】
ついで、ＸＲＤ分析は、粉末の反応の状態が実証されることを可能とした。必要なら、前駆体の反応が完了し、所望のペロブスカイト相（図３を参照）をもたらすまで、同じプロトコールを用いて再び粉末を粉砕し、および／または焼成した。こうして、化合物Ｌａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δを得た。
【００７８】
Ｄ−Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-δ（化合物Ｃ5）の調製
上記セクションＡに示したプロトコールと同じプロトコールを用い、ただし以下の前駆体質量から出発して、化合物（Ｃ5）を調製した：
５３．６２ｇのＬａ2Ｏ3（アンペレ・インダストリー；純度＞９９．９９重量％）；
１４．１６ｇのＣｅＯ2（アルファ・イーザー；純度＞９９．９重量％）；
２３．００ｇのＦｅ2Ｏ3（アルファ・イーザー；純度＞９９重量％）；
１４．６５ｇのＮｉＣＯ3（アルファ・イーザー；純度＞９９重量％）。
【００７９】
ＸＲＤ分析は、粉末の反応の状態が実証されることを可能とした。場合により、前駆体の反応が完了し、所望のペロブスカイト相をもたらすまで、同じプロトコールを用いて再び粉末を粉砕し、および／または焼成した。こうして、化合物Ｌａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-δを得た。
【００８０】
Ｄ’−Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-δ（化合物Ｃ’5）の調製
上記セクションＡに示したプロトコールと同じプロトコールを用い、ただし以下の前駆体質量から出発して、化合物（Ｃ’5）を調製した：
６７．４１ｇのＬａ2Ｏ3（アンペレ・インダストリー；純度＞９９．９９重量％）；
４０．７３ｇのＳｒＣＯ3（ソルベイ・バリス；純度＞９９．９重量％）；
３８．５５ｇのＦｅ2Ｏ3（アルファ・イーザー；純度＞９９重量％）；
２４．５６ｇのＮｉＣＯ3（アルファ・イーザー；純度＞９９重量％）。
【００８１】
ＸＲＤ分析は、粉末の反応の状態が実証されることを可能とした。場合により、前駆体の反応が完了し、所望のペロブスカイト相をもたらすまで、同じプロトコールを用いて再び粉末を粉砕し、および／または焼成した。こうして、化合物Ｌａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-δを得た。
【００８２】
Ｅ−緻密な層ＣD1の調製
緻密な層ＣD1を、上記セクションＢで調製した材料ＡD1から作り、通常のテープ流延プロセスにより成形した。
【００８３】
Ｆ−材料ＡP1（９５体積％のＬａ0.5Ｓｒ0.5Ｆｅ0.9Ｔｉ0.1Ｏ3-δ＋５体積％のＭｇＯ）
上記セクションＣで調製した、９５体積％の化合物Ｃ3と、５体積％の市販の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を混合することにより、材料ＡP1を調製した。
【００８４】
Ｇ−多孔質層ＣP1の調製
多孔質層ＣP1を、上記セクションＦで調製した材料ＡP1から作り、セクションＥと同様の通常のテープ流延プロセスにより成形した。層中の気孔は、本セラミック材料の液体懸濁物に気孔形成剤を添加することにより焼結後に得た。用語「気孔形成剤」は、典型的には６００℃での、低温熱処理により全体的に分解し得る、制御されたサイズおよび制御された形態（morphology）の有機化合物を意味するものと解される。最終気孔率は、本セラミック材料の液体懸濁物中に導入される気孔形成剤の形状、サイズおよび含有量を選択することにより制御される。
【００８５】
Ｈ−多孔質層ＣP'1+P"1の調製
種々の気孔率Ｐ１’およびＰ１”を有する、連続のおよび／または不連続の制御された気孔率勾配を有する多孔質層ＣP'1+P"1を、上記セクションＦで調製した材料ＡP1から、
（ｉ）連続の気孔率勾配の場合には、セラミック材料ＡP1の液体懸濁物による、制御された厚さの、多孔質の気孔形成基材の浸潤により、または
（ｉｉ）異なる含有量（例えば、３０体積％および４０体積％）の気孔形成剤を有する種々の気孔率Ｐ１’およびＰ１”の材料ＡP1'およびＡP1"のテープの積み重ねにより
作った。
【００８６】
多孔質の気孔形成基板は、それ自体、気孔形成剤の液体懸濁物をテープ流延することにより作った。最終気孔率は、本セラミック材料の液体懸濁物中に導入される気孔形成剤の選定、形状、サイズおよび含有量により制御した。
【００８７】
焼結後、不連続および／または連続の気孔率勾配を得た。
【００８８】
Ｉ−多孔質層ＣC1の調製
多孔質層ＣC1を、上記セクションＤおよびＤ’でそれぞれ調製した物質Ｃ5またはＣ’5から調製し、セクションＥと同様の通常のテープ流延プロセスにより成形した。焼結後の層中の気孔は、本セラミック材料の液体懸濁物中に気孔形成剤を添加することにより作った。
【００８９】
Ｊ−多孔質支持体ＣP1中に不連続の気孔率勾配（Ｐ１およびＰ１’）を有する多層（ＣC1／ＣD1／ＣP1）平面状ＰＣＭＲの調製
平面形状の多層ＰＣＭＲを、先のセクションで調製した種々の層のテープを切断することによって作った。切断したテープは、好ましくは、同じ大きさである。ついで、このスタックを、所望のアーキテクチャーと熱圧縮結合した。
【００９０】
熱圧縮結合は、５０ＭＰａに近い圧力、およびテープの機械的一体性のために用いたポリマーのガラス転移温度よりも高い温度、典型的には８０℃で行った。熱圧縮結合の後、多層は、密着しており、割れないものでなければならなかった。
【００９１】
得られた多層を、空気または窒素中で、ゆっくりした温度上昇、典型的には０．１〜２℃／分を伴って６００℃で第１の熱処理に供した。
【００９２】
このバインダーの除去工程の後、多層（ＣC1／ＣD1／ＣP1）を１３００℃で３０分間、窒素中で共焼結した。
【００９３】
図２Ａは、それぞれ、
セクションＩで調製し、物質Ｃ5（セクションＤで調製したＬａ0.8Ｃｅ0.2Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3-δ）からなる触媒層ＣC1；
セクションＢで調製した材料ＡD1からなる緻密な層ＣD1；
セクションＨで調製し、図で領域ＣP1'およびＣＰ１”により示されるように、不連続の気孔率勾配を有する材料ＡP1からなる多孔質層ＣP1
からなるＰＣＭＲを示す。
【００９４】
Ｋ−多孔質支持体ＣP1中に単一レベルの気孔率を有する多層（ＣC1／ＣD1／ＣP1）ＰＣＭＲの調製
セクションＩで調製し、物質Ｃ’5（セクションＤ’で調製したＬａ0.6Ｓｒ0.4Ｆｅ0.7Ｎｉ0.3Ｏ3−δ）からなる触媒層ＣC1；
セクションＢで調製した材料ＡD1からなる緻密な層ＣD1；および
セクションＧで調製した材料ＡP1からなり、単一の気孔率Ｐ１を有する多孔質層ＣP1
を用い、手法は先のセクションと同じであった。
【００９５】
図２Ｂに示す多層を得た。
【００９６】
Ｌ−複雑なアーキテクチャーの平面状ＰＣＭＲの製造
種々のタイプのテープに対して行った熱圧縮結合および焼結プロトコールは、広範囲のＰＣＭＲの可能なアーキテクチャーを得ることを可能にした。多孔質層内の不連続の気孔率勾配は、異なる含有率の気孔形成剤が導入された２つの液体懸濁物から製造された２つのテープを積み重ねることにより達成することができた。これら種々の層の厚さは、テープ流延操作中にテープの厚さを変えることによるか、あるいは同じタイプの種々のテープを積み重ねることにより、調節することができた。ＰＣＭＲにおける層の分布は、熱圧縮結合前にテープの積み重ね中に選定した。最後に、連続した組成勾配は、焼結中に化学元素が１つの層から他の層へと移行することにより得ることができた。この後者の場合、化合物は、固溶するその能力で選択し、焼結熱処理は、元素を拡散させるように調節した。
【００９７】
Ｍ−チューブ形状のＰＣＭＲの製造
多孔質支持体層および緻密な層は、この２つの層の同時押し出し、すなわち共押し出しにより形成した。ついで、このチューブ状の２層を焼結した後、さらなる熱処理の前に浸漬塗布することによりチューブ上に触媒層を被着させ、該熱処理後、触媒層は特定の気孔率を有した。
【００９８】
本発明は、化学的に類似し、構造的に同じ材料を用いることがＰＣＭＲ全体にわたっての熱機械的および熱化学的特性の連続性を可能とするので、技術の現状を改良するものである。界面における、または１の層内における剥離またはクラック発生の危険は大幅に減少する。種々の材料の膨張係数および焼結時の収縮は、同じようなものであるので（図４）、単一の工程ですべての層を焼結する（共焼結する）ことができ、それにより、ＰＣＭＲの製造コストを低減しながら、形成操作（熱処理）が制限される。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１Ａ】この図は、緻密な層（ＣD1）の両側に多孔質支持体層（ＣP1）および触媒層（ＣC1）を備えるＰＣＭＲの１つの具体的なアーキテクチャーを示す。この図に示される層（ＣP1、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｂ】この図は、緻密な層（ＣD1）の両側に２つの多孔質支持体層（ＣP1、ＣP2）および支持体層の一方の上に触媒層（ＣC1）を備えるＰＣＭＲの１つの具体的なアーキテクチャーを示す。この図に示される層（ＣP1、ＣP2、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｃ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲについての１つの具体的な気孔率分布を示す。触媒層（ＣC1）および支持体層（ＣP1）は、それぞれ、それぞれの厚さ全体にわたって一定の気孔率の度合いを有する。触媒層（ＣC1）の気孔率の度合いおよび支持体層（ＣP1）のそれは、同じであっても、異なっていてもよい。この図に示される層（ＣP1、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｄ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲについての１つの具体的な気孔率分布を示す。触媒層（ＣC1）は、その厚さ全体にわたって一定の気孔率の度合いを有し、支持体層（ＣP1）、その厚さ全体にわたって、不連続に変化する気孔率の度合いを有する。この図で２つのレベル（ＣP1'、ＣP1"）を取る、支持体層（ＣP1）の気孔率は、３またはそれ以上のレベルに広がっていてもよい。触媒層（ＣC1）の気孔率の度合いおよび支持体層（ＣP1）のそれは、同じであっても、異なっていてもよい。この図に示される層（ＣP1、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｅ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲについての１つの具体的な気孔率分布を示す。触媒層（ＣC1）および支持体層（ＣP1）は、それぞれ、その厚さにわたって気孔率の度合いが不連続的に変化する。この図でそれぞれ２つのレベル（ＣP1'およびＣP1"）および（ＣC1'およびＣC1"）を取る、支持体層（ＣP1）および触媒層（ＣC1）の気孔率は、３またはそれ以上のレベルに広がっていてもよい。触媒層（ＣC1）の気孔率のレベルおよび支持体層（ＣP1）のそれは、同じであっても、異なっていてもよい。この図に示される層（ＣP1、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｆ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲについての１つの具体的な気孔率分布を示す。触媒層は、その厚さにわたって気孔率のレベルが不連続的に変化する（この図で、それぞれ２つの不連続なレベルＣC1'およびＣC1"が示されている）。支持体層（ＣP1）は、その厚さにわたって連続的に変化する気孔率のレベルを有する。この図に示される層（ＣP1、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｇ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲについての１つの具体的な気孔率分布を示す。触媒層（ＣC1）は、その厚さにわたって一定の気孔率のレベルを有する。支持体層（ＣP1）は、その外側の面での最大値から所定の深さ（ＣP1"）での最小値まで連続的に変化する気孔率のレベルを有し、気孔率のレベルは、その後、緻密な層（ＣP1'）まで一定のままである。この図に示される層（ＣP1、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｈ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲについての１つの具体的な気孔率分布を示す。触媒層（ＣC1）は、その厚さにわたって一定の気孔率のレベルを有する。支持体層（ＣP1）は、その外側の面と所定の深さ（ＣP1'）との間で一定の気孔率レベルを有し、気孔率のレベルは、その後、緻密な層（ＣP1"）まで連続的に減少する。この図に示される層（ＣP1、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｉ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲの種々の層における化合物（Ｃ1）〜（Ｃ6）の分布を示す。この図に示される層（ＣP1、ＣC1、ＣD1）の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。緻密な層（ＣD1）の化合物（Ｃ1）と、多孔質層（ＣP1）の化合物（Ｃ3）は、少なくとも２種の化学元素を共通に含有している。同様に、緻密な層（ＣP1）の化合物（Ｃ1）と、触媒層（ＣC1）の化合物（Ｃ5）は、少なくとも２種の化学元素を共通に含有している。これに対し、多孔質層（ＣP1）の化合物（Ｃ3）と、触媒層（ＣC1）の化合物（Ｃ5）は、２種の化学元素を共通に含む必要なない。
【図１Ｊ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲにおける１つの具体的なカチオン分布を示す。支持体層（ＣP1）は、緻密な層（ＣD1）と支持体層（ＣP1）との界面で連続的な化学組成勾配を有する。支持体層（ＣP1）の化合物（Ｃ3）は、所定のカチオンＭｂ’についてその外側面においてＬａ1-xＳｒxＦｅ1-vＭｂ’vＯ3-wのタイプである。緻密な層（ＣD1）の化合物（Ｃ1）は、所定のカチオンＭｂについてＬａ1-xＳｒxＦｅ1-yＭｂyＯ3-wのタイプである。緻密な層と支持体層の表面との間の中間の化合物は、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-y-vＭｂyＭｂ’vＯ3-wのタイプであり、ここでｙおよびｖは、この化合物内において当該領域の厚さにわたって連続的に変化する。この図に示される層の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図１Ｋ】この図は、図１Ａに示すアーキテクチャーを有するＰＣＭＲにおける１つの具体的なカチオン分布を示す。緻密な層は、その厚さにわたって連続的な化学組成勾配を有する。化合物（Ｃ1）、（Ｃ3）および（Ｃ5）は、Ｌａ1-xＳｒxＦｅ1-yＭｂyＯ3-wのタイプであり、Ｍｂの性質とｙの値は、層に従って変化する。ストロンチウムによるランタンの置換の程度ｘは、緻密な層の厚さにわたって連続的に変化する。緻密な層と支持体層との界面でのｘの値は、該界面の両側で同じであっても、異なっていてもよい。同様に、緻密な層と触媒層との界面でのｘの値は、該界面の両側で同じであっても、異なっていてもよい。この図に示される層の化学的性質および結晶学的性質は本発明で規定されている。
【図２Ａ】不連続な気孔率勾配を有する多孔質支持体層（ＣP1'とＣP1"を含むＣP1）と、薄い緻密な層（ＣD1）の両側上の多孔質触媒層（ＣC1）を備え、すべての層がペロブスカイト型のものであるＰＣＭＲの顕微鏡写真。これら種々の層の化合物の組成は、例に示されている。このＰＣＭＲのアーキテクチャーは、図１Ｄに記載したものに対応する。
【図２Ｂ】多孔質支持体層（ＣP1）、薄い緻密な層（ＣD1）および触媒層（ＣC1）を含み、すべての層がペロブスカイト型のものであるＰＣＭＲの顕微鏡写真。これら種々の層の化合物の組成は、例に示されている。このＰＣＭＲのアーキテクチャーは、図１Ｃに記載したものに対応する。
【図３】ペロブスカイト型の化合物の多結晶性試料についてのＸ線回折パターン。
【図４】記載なし。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図１Ｉ】
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【図１Ｊ】
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【図１Ｋ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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