【事件の表示】
　特許第３０９６２３５号「プローブ構造およびその製造方法」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０９６２３５号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０９６２３５号の請求項１〜８に係る発明についての出願は、平成７年１１月８日に出願され、平成１２年８月４日に設定登録され、その後、異議申立人　上野　恭市より特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．特許異議申立てについて
（１）本件発明
　特許第３０９６２３５号の請求項１〜８に係る発明（以下、「本件発明１〜８」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　
「【請求項１】 絶縁性基板の一方の面に設けられたバンプ接点と、該絶縁性基板のいずれかの面または内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有し、前記バンプ接点は、基本形状部分と、この基本形状部分の表面に１以上形成された微小突起とからなるものであり、少なくとも基本形状部分の表層と微小突起とは、互いに同じ接点材料をめっきで析出させることによってのみ形成され、微小突起は、基本形状部分の表層の表面から局部的に突起するようにめっき電流密度を制御されて形成されたものであって、基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるものであることを特徴とするプローブ構造。
【請求項２】 微小突起の表面の硬度が、７００Ｈｋ以上１２００Ｈｋ以下である請求項１記載のプローブ構造。
【請求項３】 基本形状部分が、滑らかな半球状に突起した形状であって、硬度１００Ｈｋ以上７００Ｈｋ以下である深層と、深層上に設けられ硬度１０Ｈｋ以上３００Ｈｋ未満である中層と、中層上に設けられ硬度７００Ｈｋ以上１２００Ｈｋ以下である表層とを有するものである請求項１記載のプローブ構造。
【請求項４】 基本形状部分と微小突起とからなるバンプ接点の表面上に、さらに、めっきによって他の接点材料からなる１以上の層が、微小突起による凹凸が消滅しないようにバンプ接点の表面形状に沿って形成されたものである請求項１記載のプローブ構造。
【請求項５】 基本形状部分と微小突起とからなるバンプ接点全体が、硬度１００Ｈｋ以上７００Ｈｋ以下の接点材料からなるものであり、該バンプ接点の表面上に、さらに、硬度１０Ｈｋ以上３００Ｈｋ未満の接点材料からなる層と、硬度７００Ｈｋ以上１２００Ｈｋ以下の接点材料からなる層とが順に形成されたものである請求項４記載のプローブ構造。
【請求項６】 基本形状部分と微小突起とからなるバンプ接点の表面上に、さらに、該微小突起の接点材料と同一または異なる接点材料をめっきによって析出させ、微小突起の表面上に該微小突起よりも微小な突起を形成するものである請求項１記載のプローブ構造。
【請求項７】 絶縁性基板の面上のバンプ接点を形成すべき位置の内部または裏面を通過するよう導電性回路を設け、絶縁性基板に対してバンプ接点を形成すべき位置に穴加工を施し該穴の底部に導電性回路を露出させ、導電性回路を負極とする電解めっきにて穴内に接点材料を析出させて充填し、さらに前記接点材料と同一または異なる接点材料を析出させて絶縁性基板の表面から滑らかな半球状に突起させてバンプ接点の基本形状部分を形成し、電解めっきの電流密度を制御することによって、少なくとも基本形状部分の表層と同じ接点材料を、該表層との材料組織上の境界がないように析出させ、該表層の表面から局部的に突起した微小突起を１以上形成することを特徴とするプローブ構造の製造方法。
【請求項８】 微小突起を形成する接点材料がロジウムであって、電解めっきの電流密度が１．０Ａ／ｄｍ2〜４．０Ａ／ｄｍ2 である請求項７記載のプローブ構造の製造方法。」
　
（２）特許異議申立の理由の概要
　申立人　上野　恭市　は、次の甲第１〜４号証を提出し、請求項１〜８に係る発明の特許は、甲第１号証より特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨、甲第１〜４号証より特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨主張している。
　また、請求項２，３，５に係る発明の特許は、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨主張している。
　
甲第１号証：特開昭６３−１２９６３５号公報
甲第２号証：特開平３−２３７３６９号公報
甲第３号証：特開平７−２３１０１９号公報
甲第４号証：特開平４−３３０７４９号公報
　
（３）第２９条第１項第３号および第２９条第２項について
　
Ａ．異議申立人提出刊行物に記載された発明
異議申立人　上野　恭市　提出甲第１〜４号証にはそれぞれ次のとおりの発明が記載されている。
　
ａ．甲第１号証：特開昭６３−１２９６３５号公報
「前記バンプの表面の面粗度をメッキによって拡大増長させたことを特徴とするバンプ付基板。」（第１頁左下欄第９〜１１行）
「ＩＣチップのアルミパッドとフィンガーのバンプとを熱圧着もしくは超音波を併用した熱圧着により接合しようとしても、アルミパッドと接触するバンプ表面が平滑なためアルミパッド表面に形成されている酸化膜を破壊除去することができず、接合が不安定で接合強度が確保できないという問題点を有していた。」（第１頁右下欄第１１〜１８行）
「ＩＣチップのアルミパッドと安定して接合可能なバンプ付基板を提供するところにある。」（第１頁右下欄第２０行〜第２頁左上欄第２行）
「第１図は本発明の実施例におけるバンプ付基板の断面図であり、１はポリイミドやガラエポ等の基板、２は接着剤、３は導体パターン、４はフィンガー、５はバンプである。バンプ５はフィンガー４の中程をハーフエッチングすることにより形成されており、またバンプ５の表面は下層にニッケル、上層に金メッキを施し、下地の面粗度を拡大増長している。」（第２頁左上欄第１２〜１９行）
「基板のバンプ表面の粗い凸部がアルミパッド表面にくい込みつつ変形することにより、アルミパッド表面の酸化膜を破壊し、アルミパッド内部の正常な金属面と基板バンプ金属とが合金を形成し、強固な接合を得ることができる。従ってバンプ５の表面の面粗度が、接合強度に大きく影響し、面粗度が適度に粗い方が接合強度は大きく、後述するように最大表面粗さ（以下Ｒmaxという）が５〜２０μｍであることが望ましい。尚このときのバンプの表面状態は梨地状でもすじ目状でもかまわない。」（第２頁左上欄第２０行〜同頁右上欄第１０行）
「バンプ表面となる銅箔裏面は接着剤２を介して基材１との密着性を上げるため、銅箔製造時に電解銅メッキの析出粒子により粗化されて面粗度はＲmax５〜１２μｍ程度となっている。」（第２頁右上欄欄第１３〜１６行）
「第２図はバンプ部分を拡大した断面図で、銅箔6の表面にニッケル８と金９がメッキされており、その厚みは凸部７に電流が集中するため凸部７で厚くその周囲では薄くなっており、バンプ５の表面の面粗度が大きくなっている。この現象はメッキ条件における電流密度が高くなる程顕著となるため、メッキヤケが出ない範囲でできるだけ高くする。本実施例のバンプ付基板ではニッケルを０．５〜１μｍに薄メッキした後、金を電流密度２．５Ａ／ｄm2時間１分でメッキすることにより、平均金メッキ厚１．５μｍ、バンプ表面ではＲmaxにおいて２〜６μｍの面粗度拡大を得ている。」（第２頁左下欄第２〜１３行）
「素地の面粗度が小さい場合、特にメッキによる面粗度の拡大増長が有効である。」（第３頁左上欄第８〜１０行）
と記載されている。
　
ｂ．甲第２号証：特開平３−２３７３６９号公報
「上記絶縁性フィルム２の片面に形成されるリード１は、例えば金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルトなどの各種金属、またはこれらを主成分とする各種合金などの導電性材料によって形成される。」（第２頁左下欄第３〜６行）
「上記絶縁性フィルム２に設ける貫通孔３は、リード１と基板５上の配線パターン６との電気的接続を果たすために重要であり、絶縁性フィルム２のリード１当接領域内もしくは該領域とその近傍領域にリード１の幅よりも小さな孔間ピッチにて、少なくとも１個の微細な貫通孔がフィルム２の厚み方向に設けられている。」（第２頁左下欄第１４〜２０行）
「上記のようにして設けた貫通孔３のうち、リード１当接領域内の貫通孔には、金属物質４によって導通路が形成される。導通路は金属物質４を電解メッキなどの手段によって充填したり、孔壁面にチューブ状に設けたりすることによって形成される。
さらに、導通路が形成されている貫通孔３のリード当接面と反対面の絶縁性フィルム２の開口部には、０．１〜数百μｍの高さでバンプ状の金属突出物７を形成させることで本発明のテストヘッド構造とすることができる。」（第２頁右下欄第１１行〜第３頁左上欄第１行）
と記載されている。
　
ｃ．甲第３号証：特開平７−２３１０１９号公報
「【００５３】まず、図４（ａ）に示すように、厚さ約１８μｍの銅箔１１２にポリイミド（又はポリイミド前駆体）をキャスティングした後、ポリイミドを加熱して乾燥及び硬化させてポリイミド層１１１を形成する。硬化後のポリイミド層１１１の厚さは約２５μｍである。ポリイミドの熱膨張率は銅の熱膨張率（１６×１０−６／℃）と略同じであるので、熱履歴による２層フレキシブルプリント基材の反りは殆ど発生しない。
【００５４】次に、図４（ｂ）に示すように、ポリイミド層１１１に直径約３０μｍのスルーホール１１３を形成する。その後、銅箔１１２の表面（ポリイミド層１１１が形成されていない面）にレジストを塗布した後、銅箔１１２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気メッキを行なう。銅箔１１２の表面はレジストに覆われているためＮｉはメッキされない。メッキはスルーホール１１３を埋めるようにして進んだ後、ポリイミド層１１１の表面に達すると、等方的に拡がって半球状に進みバンプ１０４が形成される。この場合、バンプ１０４の高さが約２５μｍになるまでメッキを行なう。その後、バンプ１０４と半導体チップのパッドとの間のコンタクト抵抗を安定させるため、バンプ１０４の表面に約２μｍのＡｕからなる電気メッキ層１１５を形成する（図４（ｃ）を参照）。
【００５５】次に、銅箔１１２の表面に塗布されたレジストを除去した後、図４（ｃ）に示すように、周知の方法により銅箔１１２に対してエッチングを行なって回路パターン１１６を形成する。」（第６頁右欄第２１〜４７行）
と記載されている。
　
ｄ．甲第４号証：特開平４−３３０７４９号公報
「【００１４】上記導通部およびバンプ状金属製突出部の形成材料としては、銅，金，ニッケル等各種金属またはこれらを主成分とする各種合金等があげられる。これらのなかでも、特に銅が好適に用いられる。」（第３頁第３欄第２６〜２９行）
「【００２４】さらに、図７に示すように、バンプ状金属製突出部６表面上に、コーティング層１０を設けてもよい。上記コーティング層１０形成材料としては、クロム，タングステン，ロジウム等があげられる。このように、コーティング層１０を設けることにより、バンプ状金属製突出部6の寿命を大幅に向上させることができる。」（第４頁第５欄第５〜１１行）
と記載されている。
　
Ｂ．対比・判断
ａ．本件発明１について
　本件発明１と上記甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　上記甲第１号証は、「１はポリイミドやガラエポ等の基板、２は接着剤、３は導体パターン、４はフィンガー、５はバンプである。バンプ５はフィンガー４の中程をハーフエッチングすることにより形成され」と記載されているから、上記甲第１号証の「バンプ５」は本件発明１の「絶縁性基板の一方の面に設けられたバンプ接点」に相当し、第２図にバンプの断面図が示されると共に「第２図はバンプ部分を拡大した断面図で、銅箔6の表面にニッケル８と金９がメッキされており、その厚みは凸部７に電流が集中するため凸部７で厚くその周囲では薄くなっており、バンプ５の表面の面粗度が大きくなっている。この現象はメッキ条件における電流密度が高くなる程顕著となる」と記載されているから、上記甲第１号証の「バンプ５」は本件発明１の「前記バンプ接点は、基本形状部分と、この基本形状部分の表面に１以上形成された微小突起とからなるものであり、少なくとも基本形状部分の表層と微小突起とは、互いに同じ接点材料をめっきで析出させることによってのみ形成され、微小突起は、基本形状部分の表層の表面から局部的に突起するようにめっき電流密度を制御されて形成されたものであって、基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるもの」に相当する。
　したがって両者は、
「絶縁性基板の一方の面に設けられたバンプ接点を有し、前記バンプ接点は、基本形状部分と、この基本形状部分の表面に１以上形成された微小突起とからなるものであり、少なくとも基本形状部分の表層と微小突起とは、互いに同じ接点材料をめっきで析出させることによってのみ形成され、微小突起は、基本形状部分の表層の表面から局部的に突起するようにめっき電流密度を制御されて形成されたものであって、基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるものであることを特徴とするバンプ構造。」で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　相違点１：本件発明１のものは、「絶縁性基板の一方の面に設けられたバンプ接点と、絶縁性基板のいずれかの面または内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造を有」するものであるのに対して、上記甲第１号証には、その旨記載されていない点。
　相違点２：本件発明１のバンプは、「微小な被検査物に対して電気的な接触を行うための」「プローブ構造」に関するものであるのに対し、上記甲第１号証のバンプは「ＩＣチップのアルミパッド」に熱圧着されるものである点。
　
　よって、本件発明１は、異議申立人提出の甲第１号証に記載された発明と認められないから、異議申立人が主張するように特許法第２９条第１項第３号の規定に違反したものとすることができない。
　
　次に、上記相違点を検討する。
　
　相違点１について
　上記甲第２号証には、「導通路が形成されている貫通孔３のリード当接面と反対面の絶縁性フィルム２の開口部には、０．１〜数百μｍの高さでバンプ状の金属突出物７を形成させることで本発明のテストヘッド構造とする」と記載され、上記甲第３号証には、「図４（ｂ）に示すように、ポリイミド層１１１に直径約３０μｍのスルーホール１１３を形成する。その後、銅箔１１２の表面（ポリイミド層１１１が形成されていない面）にレジストを塗布した後、銅箔１１２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気メッキを行なう。銅箔１１２の表面はレジストに覆われているためＮｉはメッキされない。メッキはスルーホール１１３を埋めるようにして進んだ後、ポリイミド層１１１の表面に達すると、等方的に拡がって半球状に進みバンプ１０４が形成される。」、「銅箔１１２の表面に塗布されたレジストを除去した後、図４（ｃ）に示すように、周知の方法により銅箔１１２に対してエッチングを行なって回路パターン１１６を形成する。」と記載されているから、上記甲第２号証および上記甲第３号証には「絶縁性基板の一方の面に設けられたバンプ接点と、絶縁性基板のいずれかの面または内部に設けられた導電性回路とが導通されてなる構造」が記載されている。
　
　相違点２について
　本件発明１は、「従来における、バンプ接点の表面に微小突起を設ける方法は、めっき法などによって、金属微粒子をバンプ接点の表面上に分散させて付着させているだけである」ため「金属微粒子のバンプ表面に対する付着力は非常に弱いものであるため、微小突起は、バンプ接点と接触対象部との開閉の繰り返しによって、バンプ接点表面から容易に欠落し、接触抵抗も変化するという問題があった。さらに、微小突起の大きさ・数・密度などを常に一定させて形成することが困難であったため、バンプ接点毎に接触抵抗がばらつくという問題があった。」（【０００４】段落）という、繰り返し開閉される「プローブ」特有の課題を解決するために「基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるものであることを特徴とするプローブ構造」（【０００６】段落）としたものである。
　上記甲第１号証は、「ＩＣチップのアルミパッドとフィンガーのバンプとを熱圧着もしくは超音波を併用した熱圧着により接合」するものであり、繰り返し開閉される「プローブ」のバンプとは異なるバンプに係るものである。
　そのことにより、本件発明１の上記課題はそもそも存在しないものである。
　また、上記甲第２，３号証は、「プローブ」に係るものであるが、「金属微粒子をバンプ接点の表面上に分散させて付着させているだけ」の「プローブ」の上記課題は記載も示唆もされていない。
　更に、上記甲第４号証にも、「金属微粒子をバンプ接点の表面上に分散させて付着させているだけ」の「プローブ」の上記課題は記載も示唆もされていない。
　そして、この問題点を解決するために本件発明１は「基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるものであることを特徴とするプローブ構造」としたものであり、「プローブ」のバンプに係るものではなく、本件発明１の上記課題の存在しない上記甲第１号証に、同じく上記課題のない上記甲第２，３号証を組み合わせること自体困難性を有するものである。
　
　よって、本件発明１は、異議申立人提出の各刊行物に記載された発明から容易に発明し得るものと認められないから、特許法第２９条第２項の規定に違反したものとすることができない。
　
ｂ．本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は何れも、本件発明１を引用するものである。
　したがって、本件発明２〜６と異議申立人提出の各刊行物との対比・判断は、上記「本件発明１について」と同様である。
　
　よって、本件発明２〜６は、異議申立人提出の甲第１号証に記載された発明と認められないから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反したものとすることができない。
　また、本件発明２〜６は、異議申立人提出の各刊行物に記載された発明から容易に発明し得るものと認められないから、特許法第２９条第２項の規定に違反したものとすることができない。
　
ｃ．本件発明７について
　本件発明７と上記甲第１号証に記載された発明とを対比する。
　上記甲第１号証は、「１はポリイミドやガラエポ等の基板、２は接着剤、３は導体パターン、４はフィンガー、５はバンプである。バンプ５はフィンガー４の中程をハーフエッチングすることにより形成され」と記載されているから、上記甲第１号証の「バンプ５」は本件発明７の「絶縁性基板の一方の面に設けられたバンプ接点」に相当し、第２図にバンプの断面図が示されると共に「第２図はバンプ部分を拡大した断面図で、銅箔6の表面にニッケル８と金９がメッキされており、その厚みは凸部７に電流が集中するため凸部７で厚くその周囲では薄くなっており、バンプ５の表面の面粗度が大きくなっている。この現象はメッキ条件における電流密度が高くなる程顕著となる」と記載されているから、上記甲第１号証の「バンプ５」は本件発明７の「前記バンプ接点は、基本形状部分と、この基本形状部分の表面に１以上形成された微小突起とからなるものであり、少なくとも基本形状部分の表層と微小突起とは、互いに同じ接点材料をめっきで析出させることによってのみ形成され、微小突起は、基本形状部分の表層の表面から局部的に突起するようにめっき電流密度を制御されて形成されたものであって、基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるもの」に相当する。
　したがって両者は、
「電解めっきの電流密度を制御することによって、少なくとも基本形状部分の表層と同じ接点材料を、該表層との材料組織上の境界がないように析出させ、該表層の表面から局部的に突起した微小突起を１以上形成することを特徴とするプローブ構造の製造方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　相違点１：本件発明７のものは、「絶縁性基板の面上のバンプ接点を形成すべき位置の内部または裏面を通過するよう導電性回路を設け、絶縁性基板に対してバンプ接点を形成すべき位置に穴加工を施し該穴の底部に導電性回路を露出させ、導電性回路を負極とする電解めっきにて穴内に接点材料を析出させて充填し、さらに前記接点材料と同一または異なる接点材料を析出させて絶縁性基板の表面から滑らかな半球状に突起させてバンプ接点の基本形状部分を形成」するものであるのに対して、上記甲第１号証には、その旨記載されていない点。
　相違点２：本件発明７のバンプは、「微小な被検査物に対して電気的な接触を行うための」「プローブ構造」に関するものであるのに対し、上記甲第１号証のバンプは「ＩＣチップのアルミパッド」に熱圧着されるものである点。
　
　よって、本件発明７は、異議申立人提出の甲第１号証に記載された発明と認められないから、異議申立人が主張するように特許法第２９条第１項第３号の規定に違反したものとすることができない。
　
　次に、上記相違点を検討する。
　
　相違点１について
　上記甲第２号証には、「導通路が形成されている貫通孔３のリード当接面と反対面の絶縁性フィルム２の開口部には、０．１〜数百μｍの高さでバンプ状の金属突出物７を形成させることで本発明のテストヘッド構造とする」と記載され、上記甲第３号証には、「図４（ｂ）に示すように、ポリイミド層１１１に直径約３０μｍのスルーホール１１３を形成する。その後、銅箔１１２の表面（ポリイミド層１１１が形成されていない面）にレジストを塗布した後、銅箔１１２にメッキ用電極の一方を接続してＮｉの電気メッキを行なう。銅箔１１２の表面はレジストに覆われているためＮｉはメッキされない。メッキはスルーホール１１３を埋めるようにして進んだ後、ポリイミド層１１１の表面に達すると、等方的に拡がって半球状に進みバンプ１０４が形成される。」、「銅箔１１２の表面に塗布されたレジストを除去した後、図４（ｃ）に示すように、周知の方法により銅箔１１２に対してエッチングを行なって回路パターン１１６を形成する。」と記載されているから、上記甲第２号証および上記甲第３号証には「絶縁性基板の面上のバンプ接点を形成すべき位置の内部または裏面を通過するよう導電性回路を設け、絶縁性基板に対してバンプ接点を形成すべき位置に穴加工を施し該穴の底部に導電性回路を露出させ、導電性回路を負極とする電解めっきにて穴内に接点材料を析出させて充填し、さらに前記接点材料と同一または異なる接点材料を析出させて絶縁性基板の表面から滑らかな半球状に突起させてバンプ接点の基本形状部分を形成」した構造が記載されている。
　
　相違点２について
　本件発明７は、「従来における、バンプ接点の表面に微小突起を設ける方法は、めっき法などによって、金属微粒子をバンプ接点の表面上に分散させて付着させているだけである」ため「金属微粒子のバンプ表面に対する付着力は非常に弱いものであるため、微小突起は、バンプ接点と接触対象部との開閉の繰り返しによって、バンプ接点表面から容易に欠落し、接触抵抗も変化するという問題があった。さらに、微小突起の大きさ・数・密度などを常に一定させて形成することが困難であったため、バンプ接点毎に接触抵抗がばらつくという問題があった。」（【０００４】段落）という、繰り返し開閉される「プローブ」特有の課題を解決するために「基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるものであることを特徴とするプローブ構造」（【０００６】段落）としたものである。
　上記甲第１号証は、「ＩＣチップのアルミパッドとフィンガーのバンプとを熱圧着もしくは超音波を併用した熱圧着により接合」するものであり、繰り返し開閉される「プローブ」のバンプとは異なるバンプに係るものである。
　そのことにより、本件発明７の上記課題はそもそも存在しないものである。
　また、上記甲第２，３号証は、「プローブ」に係るものであるが、「金属微粒子をバンプ接点の表面上に分散させて付着させているだけ」の「プローブ」の上記課題は記載も示唆もされていない。
　更に、上記甲第４号証にも、「金属微粒子をバンプ接点の表面上に分散させて付着させているだけ」の「プローブ」の上記課題は記載も示唆もされていない。
　そして、この問題点を解決するために本件発明７は「基本形状部分の表層と微小突起とが互いに境界のない材料組織からなるものであることを特徴とするプローブ構造」としたものであり、「プローブ」のバンプに係るものではなく、本件発明７の上記課題の存在しない上記甲第１号証に、同じく上記課題のない上記甲第２，３号証を組み合わせること自体困難性を有するものである。
　
　よって、本件発明７は、異議申立人提出の各刊行物に記載された発明から容易に発明し得るものと認められないから、特許法第２９条第２項の規定に違反したものとすることができない。
　
ｄ．本件発明８について
　本件発明８は、本件発明７を引用するものである。
　したがって、本件発明８と異議申立人提出の各刊行物との対比・判断は、上記「本件発明７について」と同様である。
　
　よって、本件発明８は、異議申立人提出の甲第１号証に記載された発明と認められないから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反したものとすることができない。
　また、本件発明８は、異議申立人提出の各刊行物に記載された発明から容易に発明し得るものと認められないから、特許法第２９条第２項の規定に違反したものとすることができない。
　
（４）第３６条第６項第２号について
　「単位の辞典　改訂４版」、編集発行ライテス株式会社、昭和５６年７月３１日、ｐ．２２４には、「ヌープかたさすう−かたさ数　（種）硬度（個体）　（記）Hk　（英）knoop hardness number　押込みかたさの１種で、１９３９年に設定された。圧子には対稜（りょう）角が172°30′と130°のダイヤモンド製の四角すいが用いられ、この圧子を試料に押しこんだときに生ずるくぼみの投影面積で加えた荷重を除した商の数値で表される。ひし形のくぼみの長手方向の対角線の長さをlmm、加えた荷重をPkbとすると、Hk＝14.22P/l2で表される。同じ大きさの荷重でつくられるビッカースかたさ試験のくぼみにくらべると、長いほうの対角線の長さは2.5倍、深さは約1/2で、試料表面の状態の変化を敏感に検出することができる。」と記載されており、本件発明２，３，５記載の単位は周知のヌープ硬度を単位とした記載であり、明確である。
　
よって、本件発明２，３，５は、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反したものとすることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、各特許異議の申立ての理由および、証拠によっては、本件請求項１〜８の特許を取り消すことはできない。　
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月１８日（２００１．６．１８）