(57)【要約】  温度測定に基づきＤＲＡＭセルアレイのリフレッシュサイクルを制御するためのシステムに関する。アクティブモード中、測定された温度に基づくリフレッシュリクエスト指示がＤＲＡＭコントローラ（例えば、別の集積回路ダイの）へ供給される。これに応答して、このＤＲＡＭコントローラ（１２１）は、ＤＲＡＭセルアレイ（１０５）のリフレッシュサイクルを開始させる。自己リフレッシュモードでは、ＤＲＡＭコントローラはリフレッシュサイクルを開始しないが、アレイの集積回路ダイ上のコントローラによって、温度測定に基づきリフレッシュサイクルが実行される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の集積回路ダイと、第２の集積回路ダイとを含む電子システムであって、
第１の集積回路ダイは、
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイと、
温度センサと、
アレイのＤＲＡＭセルをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、
温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表すリフレッシュリクエスト指示を供給する外部出力と、を含むことと、
第２の集積回路ダイは、
制御回路と、
リフレッシュリクエスト指示を受信するように接続されている入力と、
第２の集積回路ダイの制御回路は受信したリフレッシュリクエスト指示を利用して、アレイのリフレッシュサイクルを開始させることと、を含むことと、からなる電子システム。
【請求項２】
自己リフレッシュモードの動作中、第１の集積回路ダイの制御回路はリフレッシュ回路によるアレイの自己リフレッシュサイクルを開始させる請求項１に記載の電子システム。
【請求項３】
アクティブモードの動作中、第１の集積回路ダイはアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、
第１の集積回路ダイは温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、を含む請求項２に記載の電子システム。
【請求項４】
アクティブモードの動作中、第２の集積回路ダイはアレイに書き込まれるデータを第１の集積回路ダイに供給する請求項３に記載の電子システム。
【請求項５】
自己リフレッシュモードの動作中、第１の集積回路ダイはリフレッシュサイクルの実行をリクエストするリフレッシュリクエスト指示を供給しない請求項１に記載の電子システム。
【請求項６】
第２の集積回路ダイはプログラム可能なレジスタを備えることと、レジスタの内容は第２の集積回路ダイの制御回路がリフレッシュリクエスト指示に応答するか否かを表すことと、を含む請求項１に記載の電子システム。
【請求項７】
外部出力は第１の集積回路ダイの端子を含むことと、リフレッシュリクエスト指示は同端子によって供給される信号をアサートすることを含むことと、を含む請求項１に記載の電子システム。
【請求項８】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルの第２のアレイと、
第２の温度センサと、
第２のアレイのＤＲＡＭセルをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、
第２のリフレッシュリクエスト指示を供給する第２の外部出力と、第２のリフレッシュリクエスト指示は第２の温度センサの測定した温度に基づき第２のアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表すことと、を含む第３の集積回路ダイを含む請求項１に記載の電子システム。
【請求項９】
リフレッシュリクエスト指示は第１のライン上で搬送され、第２のリフレッシュリクエスト指示は第２のライン上で搬送されることと、第１のライン及び第２のラインはワイヤードＯＲ構成により一体に有線接続されていることと、を含む請求項８に記載の電子システム。
【請求項１０】
ＤＲＡＭセルをリフレッシュするための方法であって、
アクティブモードにて動作する工程と、同工程は、
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイと同じ集積回路ダイに位置する温度センサを用いて温度を感知する工程と、
リフレッシュサイクルを開始させる第１の指示を第１の制御回路へ供給する工程と、第１の指示は温度センサによって測定された温度に基づくことと、
第１の制御回路によって、第１の指示に基づきアレイのリフレッシュサイクルを開始させる第２の指示を供給する第２指示供給工程と、
第１の制御回路からの第２の指示によってアレイをリフレッシュする第１アレイリフレッシュ工程と、を含むことと、
自己リフレッシュサイクルモードにて動作する工程と、同工程は、
温度センサを用いて温度を感知する温度感知工程と、
温度センサによって測定された温度に基づき第２の制御回路によるアレイのリフレッシュを開始させるリフレッシュ開始工程と、
リフレッシュ開始工程によってアレイをリフレッシュする第２アレイリフレッシュ工程と、を含むことと、を含む方法。
【請求項１１】
第２の制御回路はアレイ及び温度センサと同じ集積回路ダイに位置することと、第１の制御回路は第２の集積回路ダイに位置することと、を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第２指示供給工程はアレイのリフレッシュサイクルを始動させる機会に基づく請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記機会はアレイに対し読出アクセス又は書込アクセスが行われていない時間である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第２指示供給工程はリフレッシュ命令を供給する工程を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
リフレッシュ命令はアレイと同じ集積回路ダイ上の回路によって受信されることと、第１の制御回路は異なる集積回路ダイ上にあることと、を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１アレイリフレッシュ工程及び第２アレイリフレッシュ工程はアレイと同じ集積回路ダイに位置するアドレス生成器を用いて実行される請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
第１の制御回路及び第２の制御回路は同じＩＣパッケージに位置する請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
第１の制御回路及び第２の制御回路は同じ集積回路ダイに位置する請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
アクティブモード中、アレイに対するデータ読出アクセス及びデータ書込アクセスは可能であることと、リフレッシュモード中、アレイに対するデータ読出アクセス及びデータ書込アクセスは不可能であることと、を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
第１アレイリフレッシュ工程は自動リフレッシュサイクルを実行する工程を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項２１】
第１の制御回路によって、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルの第２のアレイのリフレッシュサイクルを開始させる指示を供給する工程と、
第１の制御回路からの指示によって第２のアレイをリフレッシュする工程と、
アレイをリフレッシュする工程は第１のアドレス生成器を用いて実行されることと、
第２のアレイをリフレッシュする工程は第２のアドレス生成器を用いて実行されることと、を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項２２】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイと、
温度センサと、
制御回路と、
アレイのＤＲＡＭセルをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、
リフレッシュリクエスト指示を供給する外部出力と、リフレッシュリクエスト指示は温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表すことと、からなる集積回路ダイ。
【請求項２３】
タイマと、リフレッシュリクエスト指示はタイマに基づきリフレッシュリクエストを指示するために供給されることと、を含む請求項２２に記載の集積回路ダイ。
【請求項２４】
リフレッシュリクエスト指示を供給してリフレッシュリクエストをリクエストするレートは温度センサの測定した温度に基づく請求項２２に記載の集積回路ダイ。
【請求項２５】
外部出力は外部端子を含むことと、
リフレッシュリクエスト指示はリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表す第１の状態によりアサートされる不連続な信号を含むことと、
不連続な信号はリフレッシュサイクルを実行するリクエストがないことを表す第２の状態を有することと、を含む請求項２２に記載の集積回路ダイ。
【請求項２６】
自己リフレッシュモードの動作中、制御回路はリフレッシュ回路によるアレイの自己リフレッシュサイクルを開始させる請求項２２に記載の集積回路ダイ。
【請求項２７】
アクティブモードの動作中、外部出力はアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、
外部出力は温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、を含む請求項２２に記載の集積回路ダイ。
【請求項２８】
自己リフレッシュモードの動作中、外部出力はリフレッシュサイクルの実行をリクエストするリフレッシュリクエスト指示を供給しない請求項２７に記載の集積回路ダイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメモリに関する。より詳細には、本発明は温度に基づくＤＲＡＭセルのリフレッシュに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）はセルにデータを記憶するタイプのメモリ技術である。通常、各ＤＲＡＭセルは、セルに記憶されている論理値を表す電荷を記憶するための容量性素子を含む。容量性素子に記憶されている電荷は、時間を通じてリークする場合がある。したがって、アレイのメモリセルをリフレッシュする必要が存在する。リフレッシュ動作の一例では、容量性素子上に記憶される高電荷に相当する論理値をセルが記憶しているか否か、或いは容量性素子上に記憶される低電荷（若しくは、無電荷）に相当する論理値をセルが記憶しているか否かに関して、判定が行われる。高電荷が記憶される場合、リフレッシュ回路はセルのキャパシタに全電荷をリストアする。
【０００３】
しかしながら、リフレッシュ動作には、ＤＲＡＭアレイへのデータの書込又はＤＲＡＭアレイからのデータの読出を防止するリフレッシュサイクルを実行するための時間が必要である。また、リフレッシュサイクルは電力を消費する。
【０００４】
ＤＲＡＭをリフレッシュするための改良されたシステムが所望される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下に述べるのは本発明を実施するための１つのモードの詳細な説明である。この説明は本発明の例示を意図するものであり、限定と取られるものではない。
図１は電子システム１０１のブロック図である。電子システム１０１は、ＤＲＡＭセルのアレイ１０５を有する集積回路ダイ１０３と、ＤＲＡＭコントローラを有する集積回路ダイ１２１と、プロセッサ１３４とを備える。一実施形態では、システム１０１は、例えば、パーソナルコンピュータ、サーバ、又はラップトップコンピュータなど、コンピュータシステムである。他の実施形態では、システム１０１は携帯電話である。さらに他の実施形態では、システム１０１は、例えば、携帯情報端末（ＰＤＡ）、カムコーダ、又は電子カメラなど、他のタイプの電子システムであってよい。
【０００６】
ダイ１０３は、ＤＲＡＭセルのアレイ１０５を備える。他の実施形態では、ダイ１０３はＤＲＡＭセルの複数のアレイを備える。ダイ１０３は、アレイ１０５へのアクセスその他の動作を制御する、制御回路１１５を備える。
【０００７】
ダイ１０３はリフレッシュコントローラ１０９を備える。リフレッシュコントローラ１０９は、タイマ１１１と、アドレス生成器１１３（例えば、行アドレス計数機）とを備える。アドレス生成器１１３は、アレイ１０５のリフレッシュサイクル用のアドレスを生成する。リフレッシュコントローラは、これもダイ１０３にある、温度センサ１０７へ接続されている。一実施形態では、温度センサ１０７は、測定した温度を表す電圧を有する信号を供給する。一実施形態では、温度センサ１０７は順方向バイアスダイオード（図示せず）であるが、他の実施形態では他のタイプの温度感知デバイスであってよい。
【０００８】
リフレッシュコントローラ１０９は、温度センサ及びタイマ１１１の出力を利用して、アレイ１０５のリフレッシュサイクルを開始させるための内部リフレッシュリクエスト（ＩＲＲ）信号を生成する。一実施形態では、ＩＲＲ信号の生成されるレートはセンサ１０７によって測定される温度に基づく。
【０００９】
この温度が高いほどアレイ１０５のキャパシタのリーク電流は大きいため、より大きなリフレッシュレートが必要とされる。低い温度では、データ保全性を維持するのに必要なリフレッシュサイクルは少ない。したがって、コントローラ１０９は、より高い温度が測定されるときにはより高いレートで、より低い温度が測定されるときにはより低いレートでリフレッシュするリクエストを指示するＩＲＲを生成する。一実施形態では、ＩＲＲ信号は温度に対して一次のレートで生成される。他の実施形態では、測定される温度の特定の範囲に対して特定のレートが生成される（例えば、参照テーブルを用いてなど）。一例では、ＩＲＲ信号は４つの異なるレートのうちの任意の１つで生成される。
【００１０】
温度に基づき４つのレートのうちの１つを指示するＩＲＲ信号が供給される一実施形態では、コントローラ１０９は、異なる温度設定値を各々有する４つの比較器（図示せず）を備える。４つの比較器の出力は、タイマ１１１において異なるタップを選択し、ＩＲＲ信号を供給する異なるレートを選択するために用いられる。しかしながら、他の実施形態では、ＩＲＲ信号は異なる回路、異なる方法、又はその両方によって供給されてよい。
【００１１】
ダイ１０３の回路は少なくとも２つのモードのうちの１つにより動作し得る。アクティブモードでは、アレイ１０５は、データを記憶するため又はアレイ１０５からデータを読み取るためにアクセスされる（例えば、データ書込又はデータ読出など）。これらのアクセスはダイ１２１のＤＲＡＭコントローラによって生成され、プロセッサ１３４によって開始される。プロセッサ１３４は、ダイ１２１へ供給されるＰＤＡＴＡ，ＰＡＤＤＲＥＳＳ，ＰＣＯＮＴＲＯＬの信号を用いてアレイ１０５へのデータアクセスを開始する。
【００１２】
ＤＲＡＭ制御回路１２７は、インタフェース回路（Ｉ／Ｆ）１２９を介してそれらの信号を受信する。Ｉ／Ｆ回路１２９は、バッファ、トランシーバ、マルチプレクサ及び他のインタフェース回路のうちの１つ以上を含み得る。プロセッサ１３４からの命令に応答して、ＤＲＡＭ制御回路１２７は、Ｉ／Ｆ回路１３１を介してダイ１０３へ供給される信号（例えば、ＡＤＤＲＥＳＳ，ＤＡＴＡ，ＲＡＳ，ＣＡＳ，ＣＬＫ，ＷＥ，ＣＬＫ＿ＥＮ，ＤＱＭ，ＤＱＳ，ＣＳ）を用いて送信される命令によって、アレイ１０５へのデータアクセスを生成する。それらの命令に応答して、制御回路１１５はアレイ１０５のうちの指定されたセルにアクセスし、それらのセルへの値の書込／それらのセルからの値の読出を行う。他の実施形態では、例えば、実装されているＤＲＡＭメモリのタイプ、利用されているアドレッシング構成のタイプ、又はその両方に応じて、他のタイプのアドレス、データ、及び制御の信号が利用されてもよい。例えば、一部の非ＤＤＲ（データレート２倍）タイプのＤＲＡＭメモリは、ＤＱＳ信号を利用しない。
【００１３】
アクティブモード中、ＤＲＡＭ制御回路１２７はリフレッシュサイクルを開始させる。幾つかの実施形態では、このリフレッシュサイクルは、例えば、命令を送信することによって、自動リフレッシュサイクルとして参照される場合がある。一実施形態では、ＤＲＡＭ制御回路１２７は制御回路１１５に自動リフレッシュ命令を送信し、リフレッシュサイクルを開始させる。制御回路１１５はリフレッシュコントローラ１０９へ信号を送り、リフレッシュサイクル用のアドレスを生成させる。他の実施形態では、制御回路１１５は他の方法によってリフレッシュサイクルを開始してよい。
【００１４】
アクティブモードでは、制御回路１１５は、ＩＲＲ信号に応答して、制御回路１２７へのライン１３３上でリフレッシュリクエスト信号（ＲＲＥＱ）をアサートし、リフレッシュサイクルの開始をリクエストする。一実施形態では、ライン１３３へ接続されているダイ１０３の出力端子を、リフレッシュサイクルを開始させるリクエストを表す電圧状態とすることによって、ＲＲＥＱ信号がアサートされる。
【００１５】
図２は、アクティブモード中に制御回路１２７によって実行される動作を示すフローチャートである。アクティブモード中、動作２０３にて、制御回路１２７はＲＲＥＱ信号を検査する。動作２０５においてＲＲＥＱがアサートされていると検出される場合、次いで２０７にて、制御回路１２７は、アレイ１０５のリフレッシュサイクルを始動させる機会（リフレッシュウィンドウ）が存在するか否かを判定する。一実施形態では、プロセッサが進行中の読出サイクル又は書込サイクルをリクエストしたとき、リフレッシュサイクルを始動させることは不可能である。したがって、リフレッシュサイクルの開始前に動作２０７にて判定されるように、リフレッシュウィンドウが「開く」（例えば、読出サイクル又は書込サイクルが完了する）まで、制御回路１２７は待機する。
【００１６】
ＩＲＲ信号は測定された温度に基づき生成されるので、同様に、リフレッシュサイクルをリクエストするＲＲＥＱ信号によって開始されるリフレッシュサイクルのレートも、測定された温度に基づく。したがって、アクティブモードにおいて制御回路１２７がリクエストを開始するレートは、測定された温度に基づく。
【００１７】
温度に基づくと、測定された温度がより低いときには、（温度によって）リフレッシュサイクルが始動されることは少ないので、アクティブモードにおいてリフレッシュサイクルが始動されるレートによって、システム１０１により消費される電力の削減が可能となり得る。また、温度に基づくと、リフレッシュサイクルがより少ないためにより多くのデータアクセスが始動され得るので、リフレッシュサイクルが始動されるレートによって、プロセッサによるデータアクセス時間が増加する。
【００１８】
ダイ１０３の回路が自己リフレッシュモードとされるとき、リフレッシュサイクルはセンサ１０７によって測定される温度に基づくレートでＩＲＲ信号により開始される。タイマ１１１はＩＲＲを生成する際に計数を供給する。示した実施形態では、制御回路１１５はＩＲＲ信号を用いてアレイ１０５のセルをリフレッシュする。リフレッシュサイクル中、アドレス生成器１１３はリフレッシュサイクル用のアドレスを供給する。
【００１９】
自己リフレッシュモード中、アレイ１０５に対して、プロセッサ１３４によるデータアクセスは行われない（例えば、データ読出アクセス又はデータ書込アクセスは行われない）。一実施形態では、ＤＲＡＭ制御回路１２７からダイ１０３の回路へは、リフレッシュモード退出命令以外の命令は送信されない。
【００２０】
図３は、アクティブモードとリフレッシュモードとの間を遷移するための制御回路１１５によって実装される状態図である。状態３０３，３０５はアクティブモード状態であり、状態３０７，３０９は自己リフレッシュモード状態である。データ読出アクセス及びデータ書込アクセスのためにアレイ１０５がアクセスされ得るアクティブ状態３０３では、リフレッシュコントローラ１０９からのＩＲＲ信号の受信に応答して、制御回路１１５は状態３０５に入り、ダイ１２１のＤＲＡＭコントローラに対するＲＲＥＱ信号をアサートし、リフレッシュサイクルを開始する。ＲＲＥＱ信号をアサートすると、制御回路１１５は遷移してアクティブ状態３０３へ戻る。
【００２１】
アクティブ状態３０３から、Ｉ／Ｆ回路１３１を介して制御回路１２７によって送信される自己リフレッシュ命令に応答して、制御回路１１５は自己リフレッシュモードの自己リフレッシュ状態３０７に遷移する。一実施形態では、自己リフレッシュ命令は、所定時に制御信号（例えば、ＲＡＳ，ＣＡＳ，ＷＥ，ＣＳ，ＣｌＫ＿ＥＮ）を特定の状態とすることによって送信される。
【００２２】
自己リフレッシュ状態３０７では、ＩＲＲ信号の受信に応答して、制御回路１１５は状態３０９へ遷移し、リフレッシュサイクルを始動させる。リフレッシュサイクルの完了後、制御回路１１５は状態３０７に戻る。
【００２３】
Ｉ／Ｆ回路１３１を介して制御回路１２７から退出命令を受信することに応答して、制御回路１１５はアクティブモードのアクティブ状態３０３へ戻る。
戻って図１を参照すると、ダイ１２１はＲＲＥＱ信号に対するＤＲＡＭ制御回路１２７の応答性をプログラム可能に制御する回路を備える。制御レジスタ１２８は、制御回路１２７にＲＲＥＱ信号を無視させ、リフレッシュタイマ１２５によってリフレッシュサイクルを開始させる値を用いてプログラムされ得る。幾つかの実施形態では、制御レジスタ１２８は、ＲＲＥＱ信号が無視されるときに制御回路１２７がリフレッシュサイクルを開始させるレートを設定する値を用いてプログラムされてもよい。このレジスタ１２８の値は、製造中、初期化中、又はシステム１０１の動作中（プロセッサ１３４による）にプログラムされ得る。
【００２４】
一実施形態では、ダイ１０３と、ダイ１２１と、プロセッサ１３４を含むダイとは、独立したＩＣパッケージに実装され、次いで、例えば回路基板のバスを介して、一体に接続される。他の実施形態では、ダイ１０３，１２１は、単一のＩＣパッケージに実装される（例えば、幾つかの実施形態では、プロセッサ１３４を含むダイに加えて）。他の実施形態では、ダイ１２１の回路のうちの一部又は全部がダイ１０３へ組み込まれる。さらに、幾つかの実施形態では、ダイ１０３と、ダイ１２１と、プロセッサ１３４を含むダイとの回路は、１つのダイ、２つのダイ、又は３つより多くのダイに実装される。
【００２５】
また、他の実施形態では、制御回路１２７は、ＤＲＡＭセルの１つ以上のアレイを各々含む、ダイ１０３と同様の複数のダイ（ＤＲＡＭアレイダイ）へ接続される。一実施形態では、ＡＤＤＲＥＳＳ、ＤＡＴＡ、及び制御の信号の各々は、複数のＤＲＡＭアレイダイへ接続されているバスにより伝達される。戻って図１を参照すると、ダイ１７１はダイ１０３と同様であり、ＤＲＡＭセルのアレイ１７２を備える。また、ダイ１７１はダイ１０３の回路と同様に、タイマ、アドレス生成器、制御回路、及び温度センサを備える。ダイ１７１は、ＤＡＴＡ、ＡＤＤＲＥＳＳ、及び制御の信号を伝達するライン（例えば、バス）へ接続されている。
【００２６】
一実施形態では、各ＤＲＡＭアレイダイからのＲＲＥＱ信号は、ＤＲＡＭアレイダイのうちの任意の１つからのＲＲＥＱ信号が全てのＤＲＡＭアレイダイの全てのアレイのリフレッシュサイクルを開始させるように、ワイヤードＯＲ接続される。例えば、ダイ１７１によって供給されるＲＲＥＱ信号を搬送するライン１７３は、ライン１３３へワイヤードＯＲ接続される。そうした一実施形態では、各ＤＲＡＭアレイダイの各リフレッシュタイマ（例えば、ダイ１０３のタイマ１１１）は、リフレッシュサイクルが開始するとリセットされる。一実施形態では、ＲＲＥＱ信号はダイ１０３のオープンドレイン端子１６２によって供給される不連続な信号である。
【００２７】
別の実施形態では、ダイ１２１は、各ＤＲＡＭアレイダイからの各ＲＲＥＱ信号に対する入力を備える。別の実施形態では、各ＤＲＡＭアレイダイからのＲＲＥＱ信号は一意なデジタル値として実装される。例えば、７つのＤＲＡＭアレイダイを備えるそうしたシステムでは、各ＤＲＡＭアレイダイは、符号化されたＲＲＥＱ信号を伝達するための３つの外部端子を備える出力を有する。
【００２８】
戻って図１を参照する。図１では、コントローラ１０９及び制御回路１１５を独立した制御回路として示す。しかしながら、他の実施形態では、コントローラ１０９の回路のうちの少なくとも一部又は全部は、制御回路１１５へ組み込まれる。
【００２９】
図１にはダイ１０３，１２１の端子間に接続されているラインを示すが、他の実施形態では、ダイ間の信号を伝達するために調停回路を備えてもよい。そうした調停回路には、バッファ、レベルシフタ、インバータ、エンコーダ、及びマルチプレクサのうちの１つ以上が含まれる。したがって、１つのダイが１つの形態で供給するリフレッシュリクエスト指示を、別のダイが別の形態で受信する場合がある。
【００３０】
一実施形態では、電子システムは第１の集積回路ダイを備える。第１の集積回路ダイは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイ、温度センサ、及びリフレッシュ回路を備える。リフレッシュ回路は、アレイのＤＲＡＭセルをリフレッシュする。また、第１の集積回路ダイは外部出力を備える。外部出力はリフレッシュリクエスト指示を供給する。リフレッシュリクエスト指示は、温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表す。また、電子システムは第２の集積回路ダイを備える。第２の集積回路ダイは、制御回路および入力を備える。入力はリフレッシュリクエスト指示を受信するように接続されている。第２の集積回路ダイの制御回路は、受信したリフレッシュリクエスト指示を利用して、アレイのリフレッシュサイクルを開始させる。
【００３１】
別の実施形態は、ＤＲＡＭセルをリフレッシュするための方法を含む。この方法は、アクティブモードにて動作する工程を含む。この方法は、アクティブモードにおいて、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイと同じ集積回路ダイに位置する温度センサを用いて温度を感知する工程と、リフレッシュサイクルを開始させる第１の指示を第１の制御回路へ供給する工程と、を含む。第１の指示は、温度センサによって測定された温度に基づく。また、この方法は、アクティブモードにおいて、第１の制御回路による第２の指示を供給し、第１の指示に基づきアレイのリフレッシュサイクルを開始させる工程と、第１の制御回路からの第２の指示によってアレイをリフレッシュする工程と、を含む。また、この方法は自己リフレッシュサイクルモードにて動作する工程を含む。この方法は、自己リフレッシュサイクルモードにおいて、温度センサを用いて温度を感知する工程と、温度センサによって測定された温度に基づき第２の制御回路によるアレイのリフレッシュを開始させる工程と、開始させる工程によってアレイをリフレッシュする工程と、を含む。
【００３２】
別の実施形態では、集積回路ダイは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）セルのアレイ、温度センサ、制御回路、及びリフレッシュ回路を備える。リフレッシュ回路は、アレイのＤＲＡＭセルをリフレッシュする。また、集積回路ダイは外部出力を備える。外部出力はリフレッシュリクエスト指示を供給する。リフレッシュリクエスト指示は、温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表す。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による電子システムの一実施形態のブロック図。
【図２】本発明によるＤＲＡＭコントローラを動作させるための一実施形態のフローチャート。
【図３】本発明によるＤＲＡＭメモリ制御回路の動作の一実施形態を示す状態図。
【図１】
2008522345.tif 000003
【図２】
2008522345.tif 000004
【図３】
2008522345.tif 000005
【国際調査報告】
2008522345.tif 000006