【事件の表示】
　特許第２９７１８４７号「高温、腐食性、プラズマ環境下でのクリーニングプロセスのための方法及び装置」の請求項１乃至１２、１４乃至２５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９７１８４７号の請求項１乃至１２、１４乃至２５に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２９７１８４７号の請求項１乃至２５に係る発明についての特許は、平成１０年１月２６日に特許出願（優先権主張　米国１９９７年１月２４日、同年２月１２日、同年８月２２日）がなされ、平成１１年８月２７日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされたものである。
（２）本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２５に記載されたとおりのもの（以下「本件第１乃至第２５発明」という）であり、そのうち独立請求項は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　ヒータ及び該ヒータから離間して配置されたシャワーヘッドを有する形式の処理チャンバ内の表面に処理温度で形成された望ましくない堆積物を洗浄するための方法であって、
　前記ヒータを前記処理温度に維持するステップと、
　前記ヒータと前記シャワーヘッドとの間の熱の伝達を低減するステップと、
　塩素含有ガスを前記処理チャンバに導入するステップと、
　前記処理チャンバにプラズマを形成するためにエネルギを加えるステップと、
を含む方法。（以下「本件第１発明」という）
【請求項１５】　基板処理装置であって、
　所定の容積部分及びシャワーヘッドを有するチャンバと、
　少なくとも一つがハロゲン含有ガスを供給し、別の一つがプラズマ支援ガスを供給する複数のガスソース含み、前記シャワーヘッドと流通している、前記チャンバ内で使用される流量で前記ハロゲン含有ガスを送出するためのガス送出装置と、
　前記シャワーヘッドと対置された、基板を支持し得る表面を有するヒータペデスタルを含む加熱装置と、
　前記容積部分と流通しているプラズマ装置と、
　前記チャンバと流通している真空装置と、
　前記ガス送出装置、前記加熱装置、前記プラズマ装置及び前記真空装置とデータ通信が可能であり、内部に組み込まれたコンピュータ読み取り可能プログラムを有するコンピュータ読取り可能プログラムを備えた制御装置と、を含み、
前記コンピュータ読取り可能プログラムが、
　　（ｉ）前記プロセッサによって操作される、前記ヒータペデスタルを第１の温度に加熱及び維持するための第１のセットの命令と、
　　（ｉｉ）前記プロセッサによって操作される、第１の流量で前記ハロゲン含有ガスを送出し且つ前記プラズマ支援ガスを送出するための第２のセットの命令と、
　　（ｉｉｉ）前記プロセッサによって操作される、前記ハロゲン含有ガスと前記プラズマ支援ガスから前記プラズマを形成して、前記チャンバ内で実行される堆積プロセスから望ましくない堆積物を洗浄するための第３のセットの命令と、
　　（ｉｖ）前記プロセッサによって操作される、前記ヒータアセンブリと前記シャワーヘッドとの間の熱的な伝達を低減するための第４のセットの命令と、
を含む基板処理装置。（以下「本件第１５発明」という）
【請求項２３】　内部に存在する内部スペースを有するタイプのペデスタルが内部に設けられた（「設けれらた」とあるは、「設けられた」の誤記と認定した。）、堆積チャンバを洗浄するための方法であって、
　前記内部スペースに無反応性ガスを導入するステップと、
　反応性ガスを、洗浄処理を行う圧力で前記堆積チャンバに流入するステップと、
　前記内部スペースと前記堆積チャンバとの間に圧力差を設けるステップであって、前記無反応性ガスが前記内部スペースから出ていき、前記内部スペースへの前記反応性ガスの侵入を最小にするようにするステップと、
を含む方法。（以下「本件第２３発明」という）
（３）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人本橋俊弘は、証拠として甲第１乃至第９号証を提出し、次のように主張している。
　本件第１及び第１５発明は、甲第１号証に記載された発明であり、また本件第２３乃至第２５発明は、甲第７又は第８号証に記載された発明であるから特許法第２９条の２の規定に該当し、特許を受けることができないものである。
　本件第１乃至第１２発明及び本件第１４乃至第２２発明は、甲第２乃至第６及び第９号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本件第１乃至第１２発明及び本件第１４乃至第２２発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許を受けることができないものである。
（４）甲各号証記載の発明
　甲第１号証として提出された、特開平９−２３２２９８号公報には、プラズマＣＶＤ装置およびそのクリーニング方法が図面とともに記載されている。そして同公報段落０００３には、「しかし、図４の温度の時間変化に示すように、ヒータ温度を４００℃に設定した場合、通常シャワーヘッド１の表面温度は３３０℃から３４０℃であるのに対し、チャンバークリーニング時にはプラズマエネルギによって、シャワーヘッド１の表面温度はクリーニング時間とともに上昇していた。」と記載され、段落０００９乃至００１３には、
「また、本発明のプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法において、前記処理室に前記クリーニングガスを冷却または加熱して前記シャワーヘッドに直接導入することにより、前記処理室内をクリーニングすることを特徴とし、また、クリーニングガスの温度が、成膜ガスの温度よりも低く設定されることにより、シャワーヘッドの温度上昇を抑制したことを特徴とする。
【発明の実施の形態】
　次に本発明の一実施の形態を、図１の模式的断面図により説明する。この実施形態の平行平板型プラズマＣＶＤ装置は、サセプタ（下部電極）２とシャワーヘッド（上部電極）１とを有し、シャワーヘッド１にＲＦパワー（１３．５６ＭＨｚ）を導入し、サセプタ２に試料をのせ、これら両電極間でプラズマを発生させ成膜を行うものであるサセプタ２は、サセプタ下部のブロック４にヒータを内蔵し、４００℃で温度コントロールをしている。
　この装置により、成膜とチャンバークリーニングを１枚ごとに交互に行い、その成膜時間は４０秒、クリーニング時間は９０秒間プラズマを発生させる。また、成膜ガスはＴＥＯＳとＯ２ガスを使用し、そのガス温度はＴＥＯＳを気化させるため６５℃で保たれシャワーヘッド１を通してチャンバ内に導入して酸化膜を成膜する。
　また、チャンバークリーニング時のクリーニングガスとしては、ＣＦ４とＯ２ガスを使用し、これらＣＦ４とＯ２ガスのそれぞれをＭＦＣ（マスフローコントローラ）により流量コントロールした後、ガスの温度コントロール可能な装置６に通し、クリーニングガス温度をコントロールした後チャンバ内のシャワーヘッド１に導入される。
　このガスの温度は成膜ガス温度と異なり、クリーニング時のＲＦパワー導入とともに、室温から−２０℃まで下げられるような温度コントロールを行い、チャンバ内に導入してシャワーヘッド１の温度コントロールを行う。」と記載されている。
　甲第２号証として提出された、特開平６−７７１４３号公報には、プラズマＣＶＤ装置及びそのクリーニング方法が図面とともに開示されている。そして同公報の段落０００８乃至０００９には、
「【実施例】以下、添附図面を参照して本発明の実施例について説明する。図１には本発明によるインターバック型の縦形プラズマＣＶＤ装置を概略的に示し、仕込み取り出し室１と、二つの反応室２、３とから成る三室構造に構成されている。各室間及び仕込み取り出し室１の一端にはそれぞれゲートバルブ４が設けられている。各反応室２、３内にはそれぞれ成膜すべき基板の装着されるトレイ５、基板を加熱するヒータ６及びカソード電極７が配置され、カソード電極７はトレイ５に対向して位置決めされ、そして図示してない整合器を介して高周波電源（図示してない）に接続されている。また、各トレイ５は適当な搬送手段（図示してない）により各室間を搬送できるようにされている。また、カソード電極７にはトレイ５との距離を調整する電極間距離調整装置８が設けられている。電極間距離調整装置８は図２に示すように中空の中央支持棒９と複数の支持棒（図２にはその内の一本だけを符号１０で示す）とを有し、これらの支持棒９、１０は、反応室のカソード電極取付け開口部の外側縁部１１に環状のテフロン板１２を介して密封的に固着されたカソード電極取付け板１３を貫通して伸び、そして摺動軸受部材１４、１５によりこのカソード電極取付け板１３に軸方向に摺動自在に支持されている。支持棒９、１０の一端はカソード電極７の裏面に固定され、他端は外周にねじが切られ、回転駆動端子１６、１７にねじ係合している。回転駆動端子１６の回転軸１６ａは継手１８を介して駆動モータ１９の出力軸１９ａに連結されている。また、駆動モータ１９の出力軸１９ａには伝動機構２０を介して回転駆動端子１７の回転軸１７ａが連結されている。従って、駆動モータ１９の一方向または他方向の駆動により、支持棒９、１０を軸方向に変位させてカソード電極７をトレイ５に対して近付けたり遠ざけたりすることができる。また支持棒９、１０の一端の周囲はベローズ２１、２２で囲まれており、反応室を密封的に保持している。中空の中央支持棒９の内部は成膜工程時には反応ガスをまたクリーニング時にはエッチングガスを通し、これらのガスはカソード電極７内に導入され、そしてカソード電極７に設けたシャワープレート７ａを通って反応室中に放出される。なお、中央支持棒９の内部通路は図示してない適当なガス導入機構を介して外部の反応ガス源及びエッチングガス源に選択的に接続される。
　図３には図示装置を用いてトレイ５に装着された基板上のａ−Ｓｉ膜についてのエッチングレートと電極間距離との関係を示す。エッチング条件は、エッチングガスとしてＣＦ４１０００ｓｃｃｍ、Ｏ２１００ｓｃｃｍ、反応室内の圧力０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力３００Ｋｗ（１３．５６ＭＨｚ）、カソード電極７の寸法５００ｍｍ×５００ｍｍである。駆動モータ１９を作動させてカソード電極７をトレイ５から離れる方向に変位させて電極間距離を増加させていくと、エッチングレートは増加し、電極間距離が７０ｍｍの近傍において極大値を示し、その後は減少している。このグラフから認められるように、高速クリーニング（エッチング）を実現するためには、プラズマＣＶＤの成膜時の電極間距離（一般に２０〜３０ｍｍ程度）を７０ｍｍ程度に増加することが有効である。これによりエッチングレートは、８５０オングストローム／分から５８００オングストローム／分まで増加できる。図３において電極間距離の増加と共にエッチングレートが増加するのは上述のようにプラズマ中のラジカルが増加するためと考えられる。一方、電極間距離が７０ｍｍ以上に増加させるとエッチングレートが減少するのは、プラズマが不安定なになることとプラズマ空間が広くなり過ぎるためにラジカルが基板に到達する前に多重散乱によりエネルギを失ってしまうためである。」と記載され、段落００１２には、
「ところで、図示実施例ではインライン型のプラズマＣＶＤ装置について説明してきたが、トレイを使用しない枚葉式のプラズマＣＶＤ装置にも応用することができる。また、カソード電極構造としては図示装置のような外部電極型だけでなく、高周波電極を導入部を除いて全て反応室内に配置する内部電極型にも等しく適用することができる。」と記載されている。
　甲第３号証として提出された、特開平７−９４４８７号公報には、処理装置及びそのクリーニング方法が図面とともに開示されている。そして同公報の段落００３５には、
「一方、上記クリーニンガス供給系５６は、シャワーヘッド４０に接続されたクリーニングガス導入ポート７６を有しており、このポート７６にはクリーニングガスポート開閉弁７６Ａが介設されている。このクリーニングガス導入ポート７６に接続されるクリーニングガス導入通路７８は途中に流量調整弁としての第５のマスフローコントローラ６６Ｅ及び第５の開閉弁６８Ｅを介してクリーニングガス源８０に接続されており、クリーニングガスとしてＣｌＦ系のガス、例えばＣｌＦ３　ガスを気化させて供給し得るようになっている。上記クリーニングガス導入通路７８は途中で分岐路７２Ｃが形成されており、この分岐路７２Ｃには第６のマスフローコントローラ６６Ｆ及び第６の開閉弁６８Ｆを介して第２の窒素源７４Ｂが接続され、必要に応じてクリーニングガスを希釈して濃度を制御し得るように構成される。
　そして、上記各マスフローコントローラ、開閉弁等は、例えばマイクロプロセッサ等よりなる制御部８２により予め記憶されたプログラムに基づいて制御される。」と記載され、段落００６０には
「そこで、ＣｌＦ３ガスの壁面への付着を防止するために各部分は加熱される。すなわち、シャワーヘッド４０に設けたヘッド加熱手段９４の媒体通路９６及び処理容器２４の壁部に設けた媒体通路１０４に例えば８０℃程度の温水よりなる熱媒体を流し、シャワーヘッド４０や処理容器２２を加熱する。この場合、更に加熱する時にはヘッドに設けたセラミックヒータ９８や処理容器の壁部に設けたセラミックヒータ１０６に通電し、クリーニング温度を高く設定する。また、ウエハ載置台２６及びこの近傍はウエハを加熱するのに用いるハロゲンランプ３４を駆動することにより、載置台２６及びこの近傍を所定の温度まで加熱することができる。この時のクリーニング温度は、例えばＣｌＦ３ガスの沸点温度である＋１７℃〜＋７００℃の範囲内で設定する。また、ウエハ載置台２６をクリーニング時に加熱する場合には、載置台自体及び静電チャック３０は、表１等に示すようなＣｌＦ３ガスに対して耐腐食性の大きな材料により構成され、且つ耐腐食性を発揮する範囲内の温度に設定されるので、腐食の問題は生ずることがない。」と記載されている。
　甲第４号証として提出された、特開平６−２８３４８４号公報には、プラズマ装置のクリーニング方法が図面とともに開示されている。そして特許請求の範囲の請求項１には、
「反応容器内にハロゲン系ガスを導入して０．３Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下の圧力領域においてプラズマを発生させ、前記反応容器内に付着した反応生成物を除去することを特徴とするプラズマ装置のクリーニング方法」と記載され、同公報の段落００１７には、「なお、ハロゲン系ガスとしてはフッ素系ガス、塩素系ガス、臭素系ガス及びヨウ素系ガスを用いることが可能であり、その中でもフッ素系ガス及び塩素系ガス等を用いるのが望ましい。」と記載されている。
　甲第５号証として提出された、特開平８−８５８８５号公報には、マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法が図面とともに開示されている。そして同公報の特許請求の範囲には、
「【請求項１】
　処理ガスが供給されると共に、所定圧力が保持されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室に、マイクロ波を導入するマイクロ波発生源を有する導波管と、プラズマ発生室を減圧状態に保つ排気機構とを具備し、前記プラズマを利用して試料を処理する毎に、プラズマ発生室をＯ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｃｌ、ＳＦ６、ＮＦ３ガスでプラズマクリーニングすることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法。」と記載されている。
　甲第６号証として提出された、特開平８−１１５８８６号公報には、処理装置及びドライクリーニング方法が図面とともに開示されている。そして同公報の段落００４２には、
「以上のように、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）又は三フッ化窒素（ＮＦ３）を含むクリーニングガスによりまずドライクリーニングを行った場合には、例えば反応式
（６ＴｉＮ＋８ＮＦ３→６ＴｉＦ４＋７Ｎ２）で表される化学反応により反応生成物としてフッ化物（ＴｉＦ４）が生成する。このフッ化物、例えば四フッ化チタン（ＴｉＦ４）は、上述のように沸点が２８４℃であるため、そのままでは気相化し難い物質であり、処理室２の側壁２ａなどに付着した場合にはパーティクルの原因となり、問題であった。この点、この実施例では、ドライクリーニング後に、後処理として、アルコール類、例えばイソプロピルアルコールを、排気手段１５により、例えば０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気に調整した上記処理室２内に、例えば１０〜２００ｓｃｃｍの流量で導入する。その結果、フッ化物は蒸気圧の高いアルコキシドに変換される。例えば反応式（ＴｉＦ４＋ＩＰＡ→Ｔｉ（−ＯＲ）４＋４ＨＦ）で表される化学反応により、沸点が２８４℃の四フッ化チタン（ＴｉＦ４）は、沸点が５８℃のテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４に変換される。このように、本実施例によれば、従来のドライクリーニングではパーティクルの原因となっていたフッ化物をアルコキシドに変換することにより、容易に気相化させ、処理室外に排気することが可能である。」と記載されている。
  甲第７号証として提出された、特開平９−５０９６５号公報には、枚葉式の熱処理装置が図面とともに記載されている。そして同公報の特許請求の範囲の請求項４には、「断熱性支柱の上に支持された載置台に載置した被処理体を、その下方の加熱ランプにより間接加熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置において、前記載置台の裏面側に、これに前記処理ガスが回り込むことを防止するために不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を設けるように構成したことを特徴とする枚葉式の熱処理装置。」と記載され、段落００３８には、「また、これと同時に不活性ガス供給手段８８からは載置台２８の裏面側空間には窒素ガスが供給されて、処理室内側と比較して余圧状態となっているので、上述のように間隙１０２を流入してきた処理ガスは、余圧状態の窒素ガスにより押し戻されて侵入が防止される。このガス侵入阻止手段８６と不活性ガス供給手段８８は、少なくともいずれか一方を設ければ良いが、両者を併用することにより処理ガスの侵入阻止を一層確実に行なうことができる。」と記載され、段落００４９には、
「【発明の効果】以上説明したように、本発明の枚葉式の熱処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。第１の発明によれば、載置台の裏面側にガス侵入阻止部材を設けたので、裏面側空間に侵入しようとする処理ガスが、この阻止部材の表面に成膜が付着することにより消費されてしまい、結果的に載置台裏面側への処理ガスの侵入或いは回り込みを防止することができる。従って、載置台の裏面や透過窓等に成膜が付着することを防止することができるので、熱線に対する放射率等が変動することを防止して熱処理の再現性を高く維持することができるのみならず、被処理体の面内温度の均一性及び成膜の膜厚の均一性を高めることができる。」と記載されている。
　甲第８号証として提出された、特開平９−９２４９４号公報には、ＣＶＤ装置の電極装置が図面とともに記載されている。そして同公報の特許請求の範囲の請求項１には、
「反応容器と、この反応容器の内部を排気する排気手段と、前記反応容器内に基板を配置するための基板保持体と、この基板保持体に熱を与える加熱手段と、前記基板保持体の周囲に配置され、パージガスを前記基板の周囲に吹き出すためのパージガス通路を形成するシールド部材と、前記パージガス通路に前記パージガスを供給するパージガス供給手段と、前記反応容器内に反応ガスまたはクリーニングガスを供給するガス供給部を備え、前記ガス供給部から前記反応ガスを供給し、前記基板の前面空間に成膜用放電を発生して前記基板の表面に薄膜を形成すると共に、定期的に前記ガス供給部から前記クリーニングガスを供給し、クリーニング用放電を発生して前記基板保持体と前記シールド部材に付着した膜を除去するＣＶＤ装置において、
　前記基板保持体および前記シールド部材は高周波電力供給機構に接続され、前記ガス供給部はアースに接続され、前記ガス供給部に、前記膜の周囲の空間に前記クリーニング用放電を集中して発生する補助電極を設けることを特徴とするＣＶＤ装置の電極装置。」と記載され、段落００３３には、「基板保持体１３の周囲には、リング板部２１ａと筒部２１ｂからなる導電性の上記シールド部材２１が配置され、このシールド部材２１は、反応容器１１の底壁に設けられたリング状絶縁部材２２の上に設けられる。反応容器１１の下壁、シールド部材２１、基板保持体１３によって、パージガス供給機構２３とパージガス導入部２４で導入されるパージガス（アルゴン等の不活性ガス）を流す通路が形成される。パージガスは、リング板部２１ａと基板保持体１３との間に形成された隙間を通過し、基板１４の周囲から反応容器１１内に吹き出される。これによって、反応ガスが上記隙間内に侵入し、基板保持体１３の周囲や石英窓１６等に成膜されるのを防止する。」と記載され、段落００３６には、「上記構成によって、基板保持体１３に配置された基板１４に対しガス供給板１２から反応ガスが導入され、ガス供給板１２と基板保持体１３およびシールド部材２１との間に放電が生成され、基板１４上に所望の薄膜が形成される。未反応ガスや副生成ガスは排気部２０から排気される。成膜の間、パージガスが供給され、反応ガスがリング板部２１ａと基板保持体１３の間の隙間に侵入するのを防いでいる。通常の成膜条件は、従来の技術の箇所で説明した通りである。」と記載されている。
　甲第９号証として提出された、「Programmable Full-Automatic Plasma CVD System TOSHIBA REVIEW NO.156 SUMMER 1986 PP33-36」には、プラズマＣＶＤ装置のコンピュータ自動化に関する技術が開示されている。
（５）対比・判断
＜本件第１及び第１５発明について＞
（その１）特許法第２９条の２違反について
　特願平８−３３８７７号（特開平９−２３２２９８号：甲第１号証、以下「第１先願」という）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と本件第１及び第１５発明とを対比すると、第１先願には本件第１発明の構成要件である、「ヒータと前記シャワーヘッドとの間の熱の伝達を低減するステップ」及び「塩素含有ガスを前記処理チャンバに導入するステップ」について記載されておらず、また第１先願には、本件第１５発明の構成要件である、「ガス送出装置、加熱装置、プラズマ装置及び真空装置とデータ通信が可能であり、内部に組み込まれたコンピュータ読み取り可能プログラムを有するコンピュータ読取り可能プログラムを備えた制御装置」及び前記プログラムが「ヒータアセンブリとシャワーヘッドとの間の熱的な伝達を低減するための第４のセットの命令」を有する点について記載されていない。（第１先願発明における「クリーニングガスの温度が、成膜ガスの温度よりも低く設定されることにより、シャワーヘッドの温度上昇を抑制」することが、直ちにヒータ若しくはヒータアセンブリとシャワーヘッドとの間の熱的な伝達を低減するものとはいえない）
　よって、本件第１及び第１５発明は、第１先願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明であるとすることはできない。
（その２）特許法第２９条第２項違反について
　本件第１及び第１５発明と甲第２号証記載の発明とを対比すると、甲第２号証には、成膜時とクリーニング時とで最適の電極間距離に可変設定することにより、クリーニング時にエッチングレートを最大にすることは開示されているが、本件第１及び第１５発明の必須の構成要件である、シャワーヘッドへのダメージを低減し、汚染されたヒータ周辺を洗浄するために、「ヒータとシャワーヘッドとの間の熱の伝達を低減する」点については記載も示唆もない。
　また甲第３乃至６及び第９号証も、上記の点を示唆するものではない。
　そして、本件第１及び第１５発明は、上記の点を備えることにより、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件第１及び第１５発明が甲第２乃至６及び第９号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件第２乃至１２及び１４、第１６乃至２２発明について＞
　本件第２乃至１２及び１４、第１６乃至２２発明は、本件第１、１５発明の構成を前提とするものであるから本件第１、１５発明と同様の理由により、本件第２乃至１２及び１４、第１６乃至２２発明が、甲第２乃至６及び第９号証に記載された発明に基いて、容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件第２３発明について＞
　特願平７−２１９６６９号（特開平９−５０９６５号：甲第７号証、以下「第２先願」という）及び特願平７−２６４８３３号（特開平９−９２４９４号：甲第８号証、以下「第３先願」という）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と本件第２３発明とを対比すると、第２及び第３先願の願書に最初に添付した明細書又は図面には、無反応ガスとしての不活性ガス（第２先願）或いはパージガス（第３先願）の導入を成膜中に行う点は記載されているが、本件第２３発明のように「内部に存在する内部スペースを有するタイプのペデスタルが内部に設けられた、堆積チャンバを洗浄する」際に無反応ガスとしての不活性ガス（第２先願）或いはパージガス（第３先願）を導入することについては記載されていない。
　よって、本件第２３発明は、第２先願或いは第３先願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明であるとすることはできない。
＜本件第２４乃至２５発明について＞
　本件第２４乃至２５発明は、本件第２３発明の構成を前提とするものであるから本件第２３発明と同様の理由により、第２先願或いは第３先願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明であるとすることはできない。
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至１２、１４乃至２５に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至１２、１４乃至２５に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月１３日（２００１．８．１３）