【事件の表示】
　特許第２９４２８９９号「プラズマＣＶＤ装置用電極装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９４２８９９号の特許を維持する。
【理　由】
１．本件の経緯
　本件特許は、平成２年２月２３日に出願し、平成１１年６月２５日に設定登録され、同年８月３０日に特許公報に掲載されたところ、平成１２年２月２９日に佐藤正から特許異議の申立を受けたものである。
２．本件発明
　本件発明は、本件明細書の特許請求の範囲に記載された次のものである。
［請求項１］真空室内に互いに対向した一対の放電電極を設け、該放電電極間に供給された分解性の原料ガスを該放電電極間で発生するプラズマにより分解して一方の放電電極に取り付けた基板上に薄膜を堆積させるプラズマＣＶＤ装置に於て、該基板を取り付けた放電電極と対向するもう一方の放電電極の表面に、５ｍｍ以下の間隔で周期的に繰り返されるＵ字又はＶ字状の凹溝を多数形成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置用電極装置。
３．特許異議申立人の主張
　特許異議申立人佐藤正は、甲第１〜３号証および参考資料を提出して、次の（１）、（２）、（３）および（４）のような主旨の主張をしている。
（１）本件発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当するか、そうでないとしても、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（２）本件発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当するか、そうでないとしても、甲第１号証および甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（３）本件発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第３号証に記載された発明、または、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（４）本件請求項１の記載は、効果を奏さない部分を含むものであるから、本件特許は、その明細書の記載が特許法第３６条第４〜６項に規定する要件を満たしていない出願に対してなされたものである。
４．特許異議申立人の主張についての検討
４−１．上記（４）の主張について
　特許異議申立人佐藤正は、上記（４）の主張において、具体的には次の（ａ）、（ｂ）および（ｃ）のような趣旨の主張をしている。
（ａ）本件請求項１においてはＵ字又はＶ字状の凹溝の間隔を「５ｍｍ以下」と限定しているだけであるから、凹溝の間隔が限りなく０に近い場合を含むものであるが、このような場合は、凹溝が実質的には存在しないから、本件発明は効果を奏し得ない。
（ｂ）本件特許権者（出願人）は、平成１０年９月３日付の意見書において、「図１の側面図に示すような放電電極を垂直方向に配置することで基板までフレークが大きいため飛散しにくくなるから基板の膜に欠陥を生じさせることも少なくなる。」（同書第２頁１８〜２０行）と主張しているものの、本件請求項１には「放電電極を垂直方向に配置する」ことが規定されていない。
　そうすると、本件発明は、放電電極を基板の上部に水平に設けた場合も含むこととなるが、そのような場合に「大きなフレーク」が剥離すれば、基板上に落下してしまい、従来よりも重大な欠陥を基板上の堆積膜に形成する結果となり、「基板に堆積する膜の欠陥数が減少する」という効果は奏し得ない。
（ｃ）本件特許権者（出願人）は、平成１０年９月３日付の意見書において、「引用文献１のものでは、剥離が生じる場合は、ランダムな凹部の角部に応力が集中して小さなフレークが多数発生して基板に付着しやすくなり、」（同書第３頁１〜３行）と主張しているが、そうであれば、本件発明において凹溝がＶ字状である場合には角部が頂部と底部とに存在するために、小さなフレークが多数発生するはずであり、凹溝の間隔が０に近づくほど、この現象が顕著になるから、凹溝がＶ字状である場合には、たとえ凹溝の間隔を５ｍｍ以下の間隔で周期的に繰り返し形成したとしても、「大きなフレーク」が生じることはなく、本件発明は効果を奏し得ない。
　そこで、上記（ａ）の主張について先ず検討すると、本件発明における凹溝とは、単なる切れ目等ではなく、Ｕ字又はＶ字状のものであって、凹溝の間隔が限りなく０に近くなったときには、Ｕ字又はＶ字状の凹溝が実質的に存在しない状態となり、本件発明は、そのような場合を含むものでないから、上記（ａ）の主張は理由がない。
　次に、上記（ｂ）の主張について検討すると、前記意見書の主張の前に、「ＣＶＤ薄膜の剥離の原因の一つには、薄膜への応力の集中があり、このような応力集中は凹溝の稜線に生じるが、本願発明の場合、凹溝の面内では応力が緩和されて応力集中部分の間隔は稜線間に拡がり、そのため剥離発生するフレークは大きくなり発生個数が減少する」（同書１５〜１８行）と説明されており、これによれば、本件発明の場合は、剥離発生するフレークは大きくなり発生個数が減少するのであるから、放電電極を基板の上部に水平に設けた場合に剥離した「大きなフレーク」が基板上に落下することはあり得るとしても、剥離発生するフレークの発生個数自体が減少すれば、基板に堆積する膜の欠陥数が減少するのは当然である。
　そうすると、本件発明が、「基板に堆積する膜の欠陥数が減少する」という効果を奏し得ないということはないから、上記（ｂ）の主張は理由がない。
　最後に、上記（ｃ）の主張について検討すると、原審の引用例（特開昭６２−１４２７５８号公報）には、「真空容器内部に構成される構造物の蒸着源と対向する表面にサンドブラスト処理により粗面を形成したことを特徴とする薄膜形成装置。」（特許請求の範囲第１項）等が記載されているが、サンドブラスト処理により粗面を形成した場合は、その粗面は吹き付けられた砂により微少な凹部が無数に形成されるから、その無数の凹部の角部に応力が集中して剥離するフレークが微少なものとなり、また、剥離するフレークの数も多くなることは充分理解できるものである。
　そして、上記（ａ）の主張についての検討で既に述べたように、本件発明における凹溝とは、単なる切れ目等ではなく、凹溝の間隔が限りなく０に近く凹溝が実質的に存在しない場合は、本件発明の凹溝ではないものであり、本件発明の凹溝の一つの面積は、サンドブラスト処理により形成された無数の凹部の一つの面積より大きいというべきである。
　そうすると、本件発明において凹溝がＶ字状である場合でも、同意見書第２頁１５〜１８行において「・・・そのため剥離発生するフレークは大きくなり発生個数が減少する」と説明している効果を奏することは充分理解し得るものであるから、上記（ｃ）の主張は理由がない。
　結局、本件発明は、その構成によって、本件明細書の（作用）の欄や（発明の効果）の欄に記載された効果を奏するものと認められるから、上記（４）の主張は理由がない。
４−２．上記（１）の主張について
　甲第１号証（特開昭５３−７４３７２号公報）には、「その間に励起用電圧が印加される一対の対向電極間の間隔を部分的に異ならせることによりプラズマが不均一に発生するようにしたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。」（特許請求の範囲）が記載されており、その第２図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）には電極形状の部分断面図が示されており、それらの図には、断面が下向きにＶ字状や略Ｕ字状の電極の例が示されている。。
　しかしながら、甲第１号証には、そのＶ字状部や略Ｕ字状部が５ｍｍ以下の間隔で周期的に繰り返されることを示す記載はされていない。
　そして、甲第１号証に記載された発明において、そのような形状の電極を使用する目的は、その第１頁右下欄３行から１５行に、「ところがこの種の従来装置では、電極の対向面がほぼ平坦で且つ平行になっているため、生ずるプラズマが均一になる。このため、被膜形成面に凹凸など段差があった場合、その段差部の膜質が良好でない（ちみつでなくポーラスである）という問題点があった。・・・本発明の特徴の１つは、一対の対向電極間の間隔を部分的に異ならせた点にある。この特徴によると、生ずるプラズマが不均一になるため段差部における膜質が改善される。」と記載されているように、プラズマを不均一に発生させるようにするためであり、真空室内に発生するフレークを少なくすることを目的としている本件発明と全く異なるものである。
　ところで、特許異議申立人は、本件明細書には、凹溝の間隔を５ｍｍ以下とすることの臨界的意義について何ら記載していないし、また、５ｍｍ以下なる限定には、凹溝の間隔が限りなく０に近い、即ち凹溝が実質的に存在しない場合も含むから、凹溝の間隔が５ｍｍ以下なる要件は、当業者が通常任意に選択し得る範囲にすぎない旨（特許異議申立書第６頁下から４行から第７頁２行）を主張しているが、上記４−１の項で既に述べたように、凹溝の間隔が限りなく０に近くなり、凹溝が実質的に存在しない場合は、もはや凹溝を形成したとはいえず、本件発明は、そのような場合を含むものでないことは当然のことであるし、また、プラズマＣＶＤ装置用電極装置に係る本件発明において、凹溝の間隔をやたらと大きくすれば、電極間に形成される電界が凹凸により不均一になり、プラズマの発生が不均一になることは明らかである。このことは、甲第１号証に記載された発明では、一対の対向電極間の間隔を部分的に異ならせることによりプラズマが不均一に発生するようにしていることからも分かるものであるから、本件発明において凹溝の間隔を５ｍｍ以下としている技術的理由は、当業者であれば理解できるものであるのに対して、甲第１号証に記載された発明は、プラズマを不均一に発生することを目的としていることからして、それに示される電極のＶ字状部や略Ｕ字状部の間隔はかなり大きいと考えられるものである。
　結局、甲第１号証には、断面が下向きにＶ字状や略Ｕ字状の電極の例が示されているものの、そのＶ字状部や略Ｕ字状部が５ｍｍ以下の間隔で周期的に繰り返されることを示す記載はないし、特許異議申立人は、甲第１号証に示される電極のＶ字状部や略Ｕ字状部が、５ｍｍ以下の間隔で周期的に繰り返される溝であるとする理由を示していないから、本件発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるとは認められないし、また、それに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認められない。
　したがって、上記（１）の主張は理由がない。
４−３．上記（２）の主張について
　甲第２号証（実願昭５８−１６７６７２号（実開昭６０−７５４６０号）のマイクロフィルム）には、「凹凸のある粗面からなる試料対向面を有する電極が設けられていることを特徴とするプラズマ気相成長装置。」（実用新案登録請求の範囲）に関する記載があり、凹凸のある粗面は記載されているが、周期的に繰り返される「凹溝」は設けられていない。
　また、甲第１号証については、上記４−２の項で既に検討したところであり、甲第１号証に記載された発明は本件発明と目的が全く異なるものである。
　してみると、本件発明は、甲第２号証に記載された発明と同一であるとは認められないし、また、甲第１号証と甲第２号証の記載を組み合わせても、本件発明は、それらに記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、上記（２）の主張も理由がない。
４−４．上記（３）の主張について
　甲第３号証に（特開昭５６−１３５９３４号公報）には、「一対の平行平板電極を備えこれらの電極間の放電プラズマにより被エッチング物をエッチングするドライエッチング装置において、前記被エッチング物のエッチング面に対向する前記電極の表面に複数の突起物を規則的に、且つ面一状に設けたことを特徴とするドライエッチング装置。」（特許請求の範囲）が記載されているが、それはドライエッチング装置であって、甲第３号証の第１頁左下欄１６行から同頁右下欄５行に「近年、ＩＣやＬＳＩ等の製造時において、ウェハ上のシリコン酸化膜に微細な蝕刻パターンを形成する等の工程に、反応性イオンエッチング法を利用したドライエッチング装置が用いられている。このドライエッチング装置は、一対の平行平板電極を備えたエッチング室内にハロゲンを含む反応性ガスを導入し、上記各電極間の高周波放電により生成したプラズマによってエッチングを行うもので、パターン寸法の細かい制御を行うことができる。」と記載されていることからも分かるように、既に形成された被膜の一部をプラズマによってエッチングし、除去するものであるから、被膜形成物質をプラズマにより化学蒸着するいわゆるプラズマＣＶＤ法とは異なるものであり、当然のことながら、甲第３号証に記載された発明では、本件発明のような課題や目的は存在しない。
　また、甲第１号証や甲第２号証については、上記４−２や上記４−３の項で既に検討したところである。
　なお、特許異議申立人は、参考資料（特開昭６２−２８２４３４号公報）を挙げ、同一電極がプラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置のいずれにも適用し得ることが記載されている（特許異議申立書第８頁１３〜１５行）としているが、そうであるからといって、プラズマエッチング装置に使用した電極が常にプラズマＣＶＤ装置に好適に使用できるというものではないし、また、プラズマＣＶＤ装置に特有の「フレークの発生を大幅に減少でき、基板に堆積する膜の欠陥数が減少する」等の作用効果についてはプラズマエッチング装置の記載からは予測できないのであるから、甲第３号証のプラズマエッチング装置における電極を甲第１，２号証記載の電極に適用して、そのような作用効果を達成しようとすることが当業者にとって容易に想到できるものではない。
　してみると、甲第１〜３号証の記載や参考資料の記載を総合したところで、本件発明がそれらに記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　したがって、上記（３）の主張も理由がない。
５．結び
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由および証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月１日（２０００．８．１）