【事件の表示】
　特許第２９３０５１７号「反射型液晶表示装置の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９３０５１７号の特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第２９３０５１７号の請求項１に係る発明についての出願は、平成６年２月３日に特許出願され、平成１１年５月２１日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、セイコーエプソン株式会社および根岸茂より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年６月２１日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由通知に対してその指定期間内である平成１２年７月２５日に手続補正書が提出されたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正請求に対する補正の適否について
　特許権者は、訂正請求書を平成１２年７月２５日付提出の手続補正書の第２頁第１行乃至第７頁下から第３行記載のとおりに補正するものであるが、当該補正は、訂正請求書中、「光反射部材の正視角方向」とあった記載を「光反射部材の正反射方向」と補正したもので、明らかな誤記を補正したものであるので、当該訂正請求に対する補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法１３１条第２項の規定に適合する。
イ．訂正の内容
　特許権者は、以下の訂正を求めるものである。
a.　特許請求の範囲の中の『該光反射部材による反射光の下式で表される偏光度V』を、『該光反射部材に対して垂直方向から約20°の角度に光源を配置し、該光源光を偏光板と1/4波長板とで円偏光にして該光反射部材に入射させるとともに、該光反射部材の正反射方向を0°として該正反射方向から約30° ずれた角度にパワーメータを配置し、該パワーメータと該光反射部材との間に偏光板と1/4波長板とを配置して、該偏光板の透過軸と1/4波長板の光軸との向きを変化させて該光源光の反射光を測定したストークスのパラメータを用いた下式で表される反射光の偏光度V』と訂正する。
b.　明細書の(課題を解決するための手段)中の『該光反射部材による反射光の下式で表される偏光度V』を『該光反射部材に対して垂直方向から約20° の角度に光源を配置し.該光源光を偏光板と1/4波長板とで円偏光にして該光反射部材に入射させるとともに、該光反射部材の正反射方向を0°として該正反射方向から約30°ずれた角度にパワーメータを配置し、該パワーメータと該光反射部材との間に偏光板と1/4波長板とを配置して、該偏光板の透過軸と1/4波長板の光軸との向きを変化させて該光源光の反射光を測定したストークスのパラメータを用いた下式で表される反射光の偏光度V』と訂正する。
ウ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ.は、請求項１の偏光度Ｖを明細書の段落番号【0031】に記載される測定方法により測定されるものに限定するものであるので、特許請求の範囲を減縮するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　上記訂正事項ｂ.は上記訂正事項ａ.に伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合性をとるためのものであるので、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについての判断
　ア．本件発明　
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項1】　光が入射する側に配置され、電気絶縁性及び透光性を有し、一方側に透明電極が形成されている第１基板と、該第1基板と液晶層を介して対向配置され、入射光を反射する光反射部材が配置されている電気絶縁性を有する第2基板と、該第1基板に光の入射側に設けられている偏光板とを備える反射型液晶表示装置の製造方法において、該第2基板上の液晶層側に有機絶縁膜を塗布する工程と、該有機絶縁膜を露光および現像処理して複数の凹凸を形成する工程と、該複数の凹凸を熱処理して滑らかな形状の凹凸を形成する工程と、該滑らかな凹凸上に該滑らかな凹凸に沿うように有機絶縁膜を形成する工程と、該有機絶縁膜上に光反射部材を形成する工程とを有し、該光反射部材に対して垂直方向から約20°の角度に光源を配置し、該光源光を偏光板と1/4波長とで円編光にして該光反射部材に入射させるとともに、該光反射部材の正反射方向を0° として該正反射方向から約30° ずれた角度にパワーメータを配置し、該パワーメータと該光反射部材との間に偏光板と1/4波長板とを配置して、該偏光板の透過軸と1/4波長坂の光軸との向きを変化させて該光源光の反射光を測定したストークスのパラメータを用いた下式で表される反射光の偏光度V
【数2】　V=√（Ｓ1２+Ｓ2２+Ｓ3２）／Ｓ0S0、S1、S2、S3:光反射部材に円偏光を入射して得られる反射光のストークスのパラメータ。
S1:水平直線偏光成分、S2:45°直線偏光成分、S3:右円偏光成分、S0:光強度、
が、少なくとも50%以上であるように選ばれることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。」
イ．申立の理由の概要
　申立人根岸茂は、甲第１号証（特開平５−３２３３７１号公報）、甲第２号証（特開平２−２３６５２３号公報）および甲第３号証（鶴田匡夫著,「応用物理工学選書２応用光学II」,初版,株式会社培風館,１９９０年７月,p196-201）を提出して、本件発明は甲第１および第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、取り消されるべきであると主張している。
ウ．判断
（引用刊行物）
　申立人セイコーエプソン株式会社が提出した上記甲第１号証（特開平６−１１７１１号公報）には以下の事項が記載されている。
　図1において、ガラス基板3は透明電極10が形成された光の入射側の基板(第1基板)であり、ガラス基板2は液晶層13を介してガラス基板3と対向配置された光反射部材である反射金属膜が配置された基板(第2基板)であって、入射側のガラス基板3の外側に光学補償板14と偏光板15を配置している。図4の(1)はガラス基板2上に有機絶縁膜であるレジスト膜21をスピンコートする工程、同図(2)、(3)はフォトマスク22によりレジスト膜21を露光、現像してガラス基板2の表面に大突起23、小突起24を形成する工程、同図(4)は加熱処理して上記の突起23、24の頂部を円弧状に形成する工
程、同図(5)はその上に上記しジスト膜21と同一材料をスピンコートして凹凸を埋めて形成された平滑化膜6の表面を滑らかな曲面上に形成した後、その表面に反射金属薄膜7(アルミニウム)を形成する工程がそれぞれ示されている。　そして、反射光に関して以下の記載がある。
「…例として右回りの円偏光30となる。この円偏光30は反射板8で反射し左回りの円偏光31となる。」(【0050】段落)
「これに対し、液晶層13を通過して右回りの円偏光となる場合には、当該円偏光は反射板8で反射すると左回りの円偏光となる。」(【0051】段落)
「液晶層13を通過した直線偏光29が反射板8で反射しても同様な直線偏光状態を保持し、」(【0052】段落)
「すなわち、光反射部材を液晶素子の内部に構成し、しかも光反射部材の反射面の凹凸における突部を滑らかに形成できるため、多重反射がなく、偏光性を保持した明るい反射面とすることができる。このような反射部材を用いることにより、光の偏光性の保持と拡散性とを兼ね備えた反射板を得ることができる。」(【0062】段落)
 申立人セイコーエプソン株式会社が提出した上記甲第２号証（応用物理学会光学懇話会編著,「最新応用物理学シリーズ１結晶光学」第１版,森北出版株式会社,１９８６年９月,ｐ138-141）には、ストークスのパラメータを用いた偏光度の定義式が記載されている。
反射型液晶表示装置において、光反射部材が入射する光の偏光状態を乱すことなく偏光性を保持することが記載されている。
  申立人セイコーエプソン株式会社が提出した上記参考資料５（日本学術振興会第１４２委員会編著,「液晶デバイスハンドブック」,初版,日刊工業新聞社,１９８９年９月,p264-267）には、入射する直線偏光が反射後も直線偏光に良好に保持され、入射する楕円偏光が反射後も同一の楕円偏光である状態は、偏光度が100%であることが示されている。
　申立人根岸茂が提出した甲第１号証（特開平５−３２３３７１号公報）には、以下の事項が記載されている。
　反射型液晶表示装置(30)は第1基板(45)と第2基板(31)とから構成されている。第1基板(45)は、光が入射する側に配置され、電気絶縁性及び透光性を有し、一方側に透明電極(47)が形成されている。第2基板(31)は第1基板(45)と液晶層(49)を介して対向配置され、入射光を反射する光反射部材(38)が配置されてる。この反射部材(38)の形成方法が図3及び図4に示されている。まず工程S5では、TFT40を形成した基板上全面にポリイミド樹脂を2 μmの厚さに塗布し、有機絶縁膜4 2を形成する。工程S 6では、フォトリソグラフ法及びドライエッチング法を用いて有機絶縁膜42にコンタクトホール43を形成する。工程S7では、有機絶縁膜42上にフォトレジスト50を塗布し、マスク51を用いて反射電極38形成領域のフォトレジスト50に円形の凸部50aをパタニングする。更に、円形の凸部50aの角を取る為に、120℃~250℃の範囲で熱処理を行なう。図4(2)に、工程S5から工程S7までの処理終了後の基板31の断面図が示されている。工程S8では、図4(3)に示される様に、フォトレジスト50のない部分の有機絶縁膜42をエッチングして高さHが1.0μmの円形の凸部42aを形成する。この時、フォトレジスト50に熱処理を行ない、円形の凸部の角を取ってある為、円形の凸部42aも又角が取れた形に形成される。この後工程S9では有機絶縁膜42上全面にアルミニウム層を堆積し、図4(4)に示される様に、円形の凸部42aの上に反射電極38を形成する。（段落【0037】から【0039】）更に、「有機絶縁膜42上の凸部の形状は、マスク51または55の形状、フォトレジスト50の厚さ、ドライエッチングの時間によって制御することができるが、さらに他の有機絶縁膜を塗布してもよい。」という記載がある（段落【0041】）。加えて、「凸部の傾斜角度は液晶の配向を乱さない程度に緩やかにするのが望ましい。」という記載がある（段落【0051】）。
　申立人根岸茂が提出した甲第２号証（特開平２−２３６５２３号公報）には、以下の事項が記載されている。
  「対向する二枚の基板間にツイストしたネマチック液晶を挟持した反射型液晶電気光学装置において、直線偏光した入射光が入り、反射面では円偏光となり、反射後出射面では入射光と９０度偏光面が回転した直線偏光となるツイストしたネマチック液晶層を挟持したことを特徴とする反射型液晶電気光学装置。」（特許請求の範囲第１項）
　「初めに電圧が零の時を説明する。直線編光４０２が入射すると、第４図に示すように楕円偏光の軌跡が回転する。反射面ではほぼ円偏光４０１となり、位相が１８０度回転し反射される。再び液晶層を透過し、出射面ではほぼ９０度偏光面が回転した直線偏光４０３となり出射する。このため偏光素子で阻止され、反射率が低下する（オフ状態）。次に電圧が印加された場合を説明する。液晶分子は誘電率の異方性のために、電界方向に再配列する。これにより入射光に対する複屈折の異方性が消失し、入射した直線偏光がそのまま維持されて反射し、出射する。従って、反射率の低下はない。（オン状態）」（第３頁左上欄第８行〜最終行）
　申立人根岸茂が提出した甲第３号証（鶴田匡夫著,「応用物理工学選書２応用光学II」,初版,株式会社培風館,１９９０年７月,p196-201）には、強度の合計S0に対する完全偏光の強度(S12 十S22 十S32 )1/2の比を偏光度Vと定義することが記載されている。
（対比・判断）
　上記各甲号証および参考資料のいずれにも、本件発明の「光反射部材に対して垂直方回から約20°の角度に光源を配置し、該光源光を偏光板と1/4波長とで円編光にして該光反射部材に入射させるとともに、該光反射部材の正反射方向を0° として該正反射方回から約30° ずれた角度にパワーメータを配置し、該パワーメータと該光反射部材との間に偏光板と1/4波長板とを配置して、該偏光板の透過軸と1/4波長坂の光軸との向きを変化させて該光源光の反射光を測定したストークスのパラメータを用いた下式で表される反射光の偏光度V
【数2】　V=√（Ｓ1２+Ｓ2２+Ｓ3２）／Ｓ0S0、S1、S2、S3:光反射部材に円偏光を入射して得られる反射光のストークスのパラメータ。
S1:水平直線偏光成分、S2:45°直線偏光成分、S3:右円偏光成分、S0:光強度、
が、少なくとも50%以上であるように選ばれる」点についての記載ないし示唆はない。そして、この点により、本件発明は、偏光保持性にすぐれた反射部材を備え、従来にない良好なコントラストを有する反射型液晶表示装置を提供することができるという明細書記載の格別な効果を奏するものである。
　なお、申立人エプソン株式会社は、その提出した甲第１号証の【0052】、【0062】段落の記載は、反射板による反射光の偏光度が完全偏光（偏光度１００％）と同義であると主張するが、当該反射板は、鏡面ではなく凹凸面であるので、前記主張のようなことはあり得ず、前記記載からは反射板による反射光の偏光度は不明である。　
　したがって、本件発明は、申立人セイコーエプソン株式会社が提出した上記甲第１号証に記載された発明と同一または、同じく提出された甲第１および第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではなく、申立人根岸茂が提出した上記甲第１および第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月３０日（２０００．８．３０）
【訂正の要旨】
ａ．特許請求の範囲の中の『該光反射部材による反射光の下式で表される偏光度Ｖ』を、『該光反射部材に対して垂直方向から約２０°の角度に光源を配置し、該光源光を偏光板と１／４波長板とで円偏光にして該光反射部材に入射させるとともに、該光反射部材の正反射方向を０°として該正反射方向から約３０°ずれた角度にパワーメータを配置し、該パワーメータと該光反射部材との間に偏光板と１／４波長板とを配置して、該偏光板の透過軸と１／４波長板の光軸との向きを変化させて該光源光の反射光を測定したストークスのパラメータを用いた下式で表される反射光の偏光度Ｖ』と訂正する。
ｂ．明細書の（課題を解決するための手段）中の『該光反射部材による反射光の下式で表される偏光度Ｖ』を『該光反射部材に対して垂直方向から約２０°の角度に光源を配置し．該光源光を偏光板と１／４波長板とで円偏光にして該光反射部材に入射させるとともに、該光反射部材の正反射方向を０°として該正反射方向から約３０°ずれた角度にパワーメータを配置し、該パワーメータと該光反射部材との間に偏光板と１／４波長板とを配置して、該偏光板の透過軸と１／４波長板の光軸との向きを変化させて該光源光の反射光を測定したストークスのパラメータを用いた下式で表される反射光の偏光度Ｖ』と訂正する。
（５４）【発明の名称】
反射型液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　光が入射する側に配置され、電気絶縁性及び透光性を有し、一方側に透明電極が形成されている第１基板と、該第１基板と液晶層を介して対向配置され、入射光を反射する光反射部材が配置されている電気絶縁性を有する第２基板と、該第１基板に光の入射側に設けられている偏光板とを備える反射型液晶表示装置の製造方法において、
　該第２基板上の液晶層側に有機絶縁膜を塗布する工程と、
　該有機絶縁膜を露光および現像処理して複数の凹凸を形成する工程と、
　該複数の凹凸を熱処理して滑らかな形状の凹凸を形成する工程と、
　該滑らかな凹凸上に該滑らかな凹凸に沿うように有機絶縁膜を形成する工程と、
　該有機絶縁膜上に光反射部材を形成する工程とを有し、
　
該光反部材に対して垂直方向から約２０°の角度に光源を配置し、該光源光を偏光板と１／４波長板とで円偏光にして該光反射部材に入射させるとともに、該光反射部材の正反射方向を０°として該正反射方向から約３０°ずれた角度にパワーメータを配置し、該パワーメーターと該光反射部材との間に偏光板と１／４波長板とを配置して、該偏光板の透過軸と１／４波長板の光軸との向きを変化させて該光源光の反射光を測定したストークスのパラメータを用いた下式で表される反射光の偏光度Ｖ
　【数２】
　Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３：光反射部材に円偏光を入射して得られる反射光のストークスのパラメータ。
　Ｓ１：水平直線偏光成分、Ｓ２：４５°直線偏光成分、Ｓ３：右円偏光成分、Ｓ０：光強度、
が、少なくとも５０％以上であるように選ばれることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、入射された偏光した光を反射板で反射することによって表示を行う反射型液晶表示装置に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　反射型ＬＣＤ（液晶表示装置）に要求される性能の中で最も重要となるのは、周囲光をいかに有効に活用できるかどうかである。現在、電卓、ワープロ等に一般に用いられている表示モードは、２枚の偏光板と、反射板とを組み合わせたＴＮ方式（ツイステッドネマティク）方式である。
　　　【０００３】
　ところが、このような偏光板を２枚用いる方式では、入射光が反射板で反射して得られる円偏光或いは楕円偏光である反射光の一方直線偏光成分とこの直線偏光成分に直交する方向の直線偏光成分とのいずれか一方の直線偏光成分を、偏光板で遮断することになる。これにより、該偏光板によるの光のロスが大きいため、明るい表示が得られないという課題を有している。
　　　【０００４】
　そこで、偏光板を用いない表示モードとして２色性色素と液晶を組み合わせたＷＴ（ホワイトテーラー）型の表示モードを用いた反射型ＬＣＤが提案されている。しかし、この表示モードは液晶のコレステリック−ネマチック相転移を基本としているため、液晶に印加される駆動電圧が飽和電圧に達するまでの途中の電圧で、液晶中にドメインが形成され、このドメインによって光散乱を起こすために、階調表示が困難である。
　　　【０００５】
　階調表示が可能でしかも明るい表示が得られる表示モードとして、偏光板を１枚用いたＥＣＢ（電界制御複屈折）モード（中村ほか：第１８回液晶討論会３Ｄ１１０）が提案されている。
　　　【０００６】
　この表示モードの動作原理を図８に示す。図８の液晶表示装置１は、偏光板２、位相差板３、液晶層４、及び反射板５とを備えて構成される。図８（１）に示す暗状態では、液晶層４と位相差板３とを組み合わせたときの見かけ上のリタデーションΔｎ・ｄがλ／４条件となっているため、矢符Ａ１に示すように入射した直線偏光は、液晶層４、位相差板３を通過後、矢符Ａ２に示す回転方向の円偏光になり、更に、反射板５による反射後、矢符Ａ３に示すように、矢符Ａ２方向とは逆回りの円偏光となる。さらに液晶層４と位相差板３とを通過後、入射時の直線偏光方向とは９０°回転した状態の直線偏光となり、偏光板２で光が遮断される。
　　　【０００７】
　一方、図８（２）に示される明状態では、前記見かけ上のリタデーションΔｎ・ｄが０となっているため、入射した前記直線偏光は、反射板５による反射後も偏光状態が変化せず、反射光は偏光板２を通過する。このようにして、ＥＣＢモードは、表示を実現することができる。
　　　【０００８】
　　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、この表示モードに用いられる反射板として、明状態の時に入射する直線偏光が反射しても直線偏光として保持され、暗状態の時に入射する円偏光が反射しても円偏光にそれぞれ保持されていなければ、良好なコントラストが得られず、表示品位が低下してしまうことになる。従って、反射型液晶表示装置の表示品位を向上するために、前述したように、入射する直線偏光が反射後も直線偏光に良好に保持され、入射する楕円偏光が、反射後も同一の楕円偏光であるように保持される必要がある。
　　　【０００９】
　本発明はこのような問題点を解決するものであり、その目的は、反射後の偏光度を良好に保持している反射板を備えることによって、表示品位が格段に向上された反射型液晶表示装置を提供することであり、製造される反射型液晶表示装置の表示品位を格段に向上することができる反射型液晶表示装置の製造方法を提供することである。
　　　【００１０】
　　　【００１１】
　　　【００１２】
　　　【００１３】
　　　【００１４】
　　　【００１５】
　　　【００１６】
　　　【００１７】
　　　【００１８】
　　　【００１９】
　　　【００２０】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の反射型液晶表示装置の製造方法は、光が入射する側に配置され、電気絶縁性及び透光性を有し、一方側に透明電極が形成されている第１基板と、該第１基板と液晶層を介して対向配置され、入射光を反射する光反射部材が配置されている電気絶縁性を有する第２基板と、該第１基板に光の入射側に設けられている偏光板とを備える反射型液晶表示装置の製造方法において、該第２基板上の液晶層側に有機絶縁膜を塗布する工程と、該有機絶縁膜を露光および現像処理して複数の凹凸を形成する工程と、該複数の凹凸を熱処理して滑らかな形状の凹凸を形成する工程と、該滑らかな凹凸上に該滑らかな凹凸に沿うように有機絶縁膜を形成する工程と、該有機絶縁膜上に光反射部材を形成する工程とを有し、
該光反射部材に対して垂直方向から２０°の角度の光源を配置し、該光源光を偏光板と１／４波長板とで円偏光のして該光反射部材に入射させるとともに、該光反射部材の正反射方向を０°として該正反射方向から３０°ずれた角度にパワーメータを配置し、該パワーメータと該光反射部材との間に偏光板と１／４波長板とを配置して、該偏光板の透過軸と１／４波長板の光軸との向きを変化させて該光源秘価値の反射光を測定したストークスのパラメータを用いた下式で表される反射光の偏光度Ｖ
　　　【００２１】
　【数４】
　　　【００２２】
　Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３：光反射部材に円偏光を入射して得られる反射光のストークスのパラメータ。
　　　【００２３】
　Ｓ１：水平直線偏光成分、Ｓ２：４５°直線偏光成分、Ｓ３：右円偏光成分、Ｓ０：光強度
が、少なくとも５０％以上であるように選ばれることを特徴としており、そのことによって上記目的が達成される。
　　　【００２４】
　　【作用】
　反射型液晶表示装置に本発明の特徴をもつ光反射部材を用いることで、該光反射部材の前記偏光度を格段に向上でき、入射する直線偏光が該反射部材によって反射された後も直線偏光に良好に保持され、入射される楕円偏光が反射後も同一の楕円偏光であるように、良好に保持される。これにより、本発明は、従来にない良好なコントラストを有する反射型液晶表示装置を実現することができる。
　　　【００２５】
　また、特に視差が問題になる場合には、前記反射機能を有する反射部材を、第２基板の該液晶層側、即ち、液晶層とほぼ隣接する位置に配されている構成とすることができる。
　　　【００２６】
　また、前記反射機能を有する反射部材は、誘電体ミラーやコレステリック液晶を用いたノッチ型フィルターの絶縁性薄膜であってもよいが、金属薄膜としても差し支えがない。さらにこの場合には前記透光性を有する第１基板に形成された透明電極と前記液晶層を挟んで対向する電極としての機能を付与することもできる。
　　　【００２７】
　　【実施例】
　（実施例１）
　以下に、本発明の実施例１を、具体的に説明する。図５に、本発明の反射型液晶表示装置の実施例１に用いられる反射型液晶表示装置の製造工程を示す。図５（１）に示すように厚さ１．１ｍｍのガラス基板５１（商品名７０５９、コーニング社製）の一方の面に、レジスト材料として、例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）からなるレジスト層５２を、好ましくは５００ｒ．ｐ．ｍ〜３０００ｒ．ｐ．ｍの回転速度でスピンコートする。本実施例では、まず３０００ｒ．ｐ．ｍの回転速度で３０秒レジスト層５２を塗布し、レジスト層５２を１．２μｍの膜厚で成膜した。次に、１００℃で３０分プリベークした後、所定のパターンが形成されたフォトマスク５３を配置し、露光、及び現像剤（ＮＭＤ−３、２．３％　東京応化社製）で現像を行い、ガラス基板５１の表面に微細な凹凸を形成した（図５（３））。
　　　【００２８】
　ガラス基板５１上の凹凸を、好ましくは１２０〜２５０℃で熱処理すると、該凹凸の角隅部が熱で変形し、なめらかな形状の凹凸が形成される（図５（４））。本実施例では、まず１８０℃３０分熱処理を行った。更に、凹凸部を形成したガラス基５１上に有機絶縁膜５４としてポリイミド樹脂を好ましくは９２０〜３５００ｒ．ｐ．ｍの回転速度で２０秒間スピンコートする。本実施例ではまず２２００ｒ．ｐ．ｍの回転速度で２０秒塗布し、有機絶縁膜５４を１μｍの膜厚で形成し、凹凸の高低差が抑制された更に滑らかな凹凸部を形成した。更に、有機絶縁膜５４を形成した上に、金属薄膜５５を形成した（図５（５））。金属薄膜５５の材料としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ等を挙げることができる。金属薄膜５５の膜厚は、０．０１〜１．０μｍ程度が適している。好ましくは、０．１〜０．５μｍである。本実施例ではＡｌを真空蒸着することにより、金属薄膜を形成した。
　　　【００２９】
　以上述べたレジストの塗布条件、熱処理条件、ポリイミド樹脂の塗布条件以外で数種類の反射板を製作した。
　　　【００３０】
　以上により得た反射板を図２の反射板２１の位置におき、反射後の偏向光のストークスパラメータを測定した。
　　　【００３１】
　図２に反射板２１による反射光の偏光度の測定方法を示す。反射板２１に対して垂直方向から２０°の角度に光源２２を置き、その光を偏光板２３と１／４波長板２４で円偏光にし、反射板２１に入射させる。正反射方向を０°とし、パワーメータ２５を正反射からずれた角度θ（θ＝３０°）に置く。パワーメータ２５と反射板２１の間には偏光板２６と１／４波長板２７を置く。偏光板２６の透過軸と１／４波長板２７の光軸の向きを変化させてストークスのパラメータを測定する。ここで、ストークスのパラメータの表示と測定方法、偏光度については以下に示す文献に詳しく記載されている。ここで表現されている偏光度は、「最新応用物理学シリーズ１結晶光学」（編者　応用物理学会光学懇話会、発行所森北出版）の１３７ページ〜１４０ページに記載されている、ストークスのパラメータを用いた偏光度と同じものである。この文献にはストークスのパラメータの測定方法とストークスのパラメータを用いた偏光度の定義式とが詳しく記載されている。以下にストークスパラメータを示す。
　　　【００３２】
　【数５】
　Ｓ０＝＜｜Ｅｘ｜２＞＋＜｜Ｅｙ｜２＞
　　　【００３３】
　【数６】
　Ｓ１＝＜｜Ｅｘ｜２＞−＜｜Ｅｙ｜２＞
　　　【００３４】
　【数７】
　Ｓ２＝＜２ＥｘＥｙｃｏｓδ＞
　　　【００３５】
　【数８】
　Ｓ３＝＜２ＥｘＥｙｓｉｎδ＞
　　ただし、δ＝ψｙ−ψｘ
　上記数５〜数８のＳ０、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３がストークスパラメータである。変数Ｅｘ、ＥｙはＸ軸方向、Ｙ軸方向の光強度、変数φｘ、φｙはＸ軸方向、Ｙ軸方向の光波の位相である。また、ストークスパラメータそれぞれの意味はＳ１の水平直線偏光成分、Ｓ２は４５°直線偏光成分、Ｓ３は右円偏光成分、Ｓ０は光強度である。以下の数９に代表的な偏光状態の例を示す。
　　　【００３６】
　　　【００３７】
　これらの状態に直交する垂直直線偏光、−４５°直線偏光および左円偏光の各成分はそれぞれストークスパラメータＳ２、Ｓ３、Ｓ４の負の量として表される。
　　　【００３８】
　完全偏光においては、
　　　【００３９】
　【数１０】
　Ｓ０２＝Ｓ１２＋Ｓ２２＋Ｓ３２
となり、４個のパラメータのすべてが独立ではない。部分偏光に対しては、
　　　【００４０】
　【数１１】
　Ｓ０２＞Ｓ１２＋Ｓ２２＋Ｓ３２
となり、偏光度は全強度中の完全偏光分強度の比として次のように求められる。
　　　【００４１】
　【数１２】
　　　【００４２】
　自然光の状態ベクトルは時間平均的にｘ、ｙ成分の強度が等しく、かつ両成分は互いに相関がないことから、直接に
　　　【００４３】
　【数１３】
　　　【００４４】
として求められる。
　　　【００４５】
　ストークスのパラメータの測定方法は、「光学技術ハンドブック」（編集　久保田　広ら、発行所　朝倉書店）の１０６ページ〜１０７ページに、偏光板の透過軸と１／４波長板の光軸を示して図示されている。以下にその測定方法を示す。
　　　【００４６】
　ここではストークスのパラメータをＩ、Ｑ、Ｕ、Ｖという記号を用いて表している。前記文献「最新応用物理学シリーズ１　結晶光学」と記号が異なるが、特にストークスのパラメータについて対比すると下表になる。
　　　【００４７】
　【表１】
　　　【００４８】
　これらを踏まえて、測定方法を図式で表すと、次のようになる。
　　　【００４９】
　図３に測定系を示す。
　　　【００５０】
　ストークスパラメータＩ、Ｑ、Ｕ、Ｖはそれぞれが単独で測定されるのではなく、図４（ａ）〜（ｄ）のように、１／４波長板の光軸と偏光板の透過軸を変化させて光強度を測定し、下記の数１４〜数１７による連立方程式を解けばストークスパラメータが求められる。
　　　【００５１】
　【数１４】
　１／２（Ｉ＋Ｑ）＝ｉ（ａ）
　　　【００５２】
　【数１５】
　１／２（Ｉ−Ｑ）＝ｉ（ｂ）
　　　【００５３】
　【数１６】
　１／２（Ｉ＋Ｕ）＝ｉ（ｃ）
　　　【００５４】
　【数１７】
　１／２（Ｉ＋Ｖ）＝ｉ（ｄ）
　即ち、関数ｉ（ａ）〜ｉ（ｄ）は、偏光板と位相差板が図４（ａ）〜（ｂ）の状態で測定した光強度で、図４（ａ）〜（ｄ）の測定をそれぞれ行い、上記数１４〜数１７の連立方程式を解くことで、表１のストークスパラメータＩ、Ｑ、Ｕ、Ｖを求めることができる。
　　　【００５５】
　次に、上記作成方法で作成した反射板を用いた反射型液晶セルの構造と作成方法を示す。図７に、反射板７５を用いた本実施例による反射型液晶表示装置の断面図を示す。ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極７２が形成されたガラス基板７１と、前記ガラス基板５１、レジスト層５２、有機絶縁膜５４、及び金属薄膜５５を備える反射板７５とに、液晶配向膜７３としてポリイミド樹脂をそれぞれ形成し、２００℃で１時間焼成した。その後、液晶分子を配向させるために液晶配向膜７３にラビング処理を行い、平行配向セルとなるように５μｍのスペーサーを散布し貼り合わせを行った。これらの２枚のガラス基板５１、７１の間には、液晶封止層（図中略）が形成されている。この液晶風刺層は、５．５μｍのスペーサーを混入した接着性シール剤をスクリーン印刷することによって形成されている。液晶層７４は、液晶封止層（図中略）を形成した後、真空脱気することにより封入される。本実施例では液晶層には、（メルク社製、商品名　ＺＬＩ２４５９）を用いた。液晶の光学異方性Δｎは０．１１、セル厚ｄは約５μｍであるので、この液晶層のリタデーションΔｎ・ｄは５５０ｎｍである。
　　　【００５６】
　図６には、上記反射型液晶セル６１に、電圧を印加してオン状態とオフ状態を反射率の比（コントラスト比）を測定する方法を示す。入射光６２は液晶セル６１に対して垂直方向から２０°の角度で入射し、偏光板６３と位相差板６４を通過し、液晶相を通り反射板で反射され、液晶相、位相差板６７、偏光板６６を通過してパワーメータ６５で反射光の最大値（オン状態）と最小値（オフ状態）を測定する。測定角度θはθ＝３０°である。
　　　【００５７】
　図１に、数種類の反射板の偏光度と、その反射板を使用し偏光板を１枚用いたＥＣＢモード反射型ＬＣＤのコントラストの特性を示す。
　　　【００５８】
　前述したように、この表示モードでは偏光度が保たれていることがコントラスト向上のポイントとなる。第１図より、コントラストに急激な変化が現れるのは偏光度が５０％を越えてからであることがわかる。実用的な反射型ＬＣＤとしてコントラストが４以下では表示品位の低下故に実用に供することが出来ない。従って図１より偏光度は５０％以上必要である。また好ましくは、コントラスト比７以上が必要となり、偏光度は７０％以上必要となる。
　　　【００５９】
　（実施例２）
　図９に本実施例に用いるアクティブマトリクス基板の製造工程を示す。まず、ガラスからなる絶縁性基板上に、スパッタリング法により、３００ｎｍの厚さのＴａ金属層を形成し、この金属層をフォトリソグラフィ法及びエッチングによりパターニングを行って、ゲートバス配線及びゲート電極を形成した。尚、ゲートバス配線及びゲート電極の保護のため上部に例えばＴａ２Ｏ５を設けてもよい（Ｓ１）。次に、プラズマＣＶＤ（化学的気相成長法）法により、４００ｎｍの厚さのＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜（Ｓ２）と、後に半導体層となる厚さ１００ｎｍのａ−Ｓｉ層と、後にコンタクト層となる厚さ４０ｎｍのｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成した（Ｓ３）。次に、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層とａ−Ｓｉ層のパターニングを行って、コンタクト層及び半導体層を形成した（Ｓ３）。
　　　【００６０】
　次に、この基板上の全面に、厚さ２００ｎｍのＭｏ金属をスパッタ法によって形成し、このＭｏ金属層のパターニングを行って、ソース電極、ドレイン電極、及びソースバス配線を形成した（Ｓ４）。以上により、ＴＦＴが完成する、次に、ＴＦＴを形成した基板上に実施例１で示した方法、材料で凹凸を形成し（Ｓ５〜Ｓ８）、さらに、有機絶縁層をフォトリソグラフィー法により、有機絶縁層にコンタクトホールを形成した（Ｓ６）。さらに、凹凸上の全面にアルミニウムの膜を形成し（Ｓ９）、反射電極を得た。
　　　【００６１】
　図１０に本実施例による反射型アクティブマトリクス基板８１を用いて作成した反射型カラー液晶表示装置の断面図を示す。例えばマゼンダとグリーンの補色カラーフィルター９６の表面には、全面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極９７を１００ｎｍの膜厚で形成した。反射型アクティブマトリクス基板８１と補色カラフィルター基板９５の透明電極９７の表面に、それぞれ液晶配向膜９４、９８を塗布した後、焼成した。これらの２枚の基板の間には、液晶封止層（図中略）が、５μｍのスペーサーを混入した接着性シール剤をスクリーン印刷することによって形成されている。液晶層９９は液晶封止層（図中略）を形成した後、真空脱気することにより封入される。液晶は実施例１で用いた液晶と同じものを使用した。カラーフィルタには他にシアンとレッド、ブルーとイエローまた、ＲＧＢ方式を用いてもよい。
　　　【００６２】
　以上のように作成した反射型液晶表示装置を用いて、実施例１と同じ偏光度−コントラストの特性を測定したところ、図１と同じような結果になることを確認した。
　　　【００６３】
　また、本実施例の反射型液晶表示装置では、反射型アクティブマトリクス基板８１の反射電極８８を形成した面が、液晶層側に配されているので視差がなくなり、良好な表示画面が得られる。
　　　【００６４】
　さらに基板としては、本実施例ではガラス基板を用いたが、Ｓｉ基板のような不透明基板でも同様な効果が発揮され、この場合には回路を基板上に集積できるメリットがある。
　　　【００６５】
　　（実施例３）
　図１１に本実施例で示す反射型液晶表示装置に用いられる反射板の製造工程を示す。図１１（１）に示すように実施例２で記述したアクティブマトリクス基板１１１のＴＦＴ素子側に、ポリイミド樹脂からなる有機絶縁膜１１２を好ましくは９２０〜３５００ｒ．ｐ．ｍの回転速度で２０秒スピンコートする。その上面にレジスト材料として例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）からなるレジスト層１１３を好ましくは５００ｒ．ｐ．ｍ〜３０００ｒ．ｐ．ｍの回転速度でスピンコートする。本実施例では３０００ｒ．ｐ．ｍの回転速度で３０秒塗布し、レジスト層１１３を１．２μｍの膜厚で成膜した。次に、１００℃で３０分プリベークした後、所定のパターンが形成されたフォトマスク１１４を配置し、露光、現像剤（ＮＭＰ−３、２．３８％　東京応化社製）を用いる現像処理を行い、表面に微細な凹凸を形成した（図１１（４））。ガラス基板１１１上の凹凸を好ましくは１２０〜２５０℃で熱処理すると、前述したように凹凸の角がとれてなめらかな凹凸面が形成される（図１（５））。本実施例では１８０℃で３０分熱処理を行った。
　　　【００６６】
　更に、凹凸部を形成したガラス基板１１１の上面からドライエッチング処理を行い、有機絶縁膜１１５を図１１（７）の形状にする。滑らかな凹凸形状の有機絶縁膜１１５上に、再度、ポリイミド樹脂からなる有機絶縁膜１１５を好ましくは９２０〜３５００ｒ．ｐ．ｍの回転速度で２０秒スピンコートする。本実施例では２２００ｒ．ｐ．ｍの回転速度で２０秒塗布し、有機絶縁膜１１５を１μｍの膜厚で形成し、更に滑らかな凸部を形成した。更に、有機絶縁膜１１５を形成した上に、金属薄膜１１６を形成した（図１１（８））。金属薄膜１１６としてはＡｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ等を挙げることができる。金属薄膜１１６の厚さは、０．０１〜１．０μｍが適している。本実施例ではＡｌを真空蒸着することにより、金属薄膜を形成した。
　　　【００６７】
　以上のように凹凸形状を作成したアクティブマトリクス基板を用いて、実施例２と同じように反射型液晶セルを作成し、偏光度−コントラストの特性を測定した所、図１と同じような結果になることを確認した。
　　　【００６８】
　（実施例４）
　図１２に本実施例で示す反射型液晶表示装置を示す。これは実施例１で説明した図７の光反射板８５が、液晶層を介在して対向配置される一対の投光性基板の外側に配置されている例である。この反射型液晶表示装置の場合、光反射板が液晶層に直に接していないので視差が生じるが、図６の測定方法でコントラスト測定を行った結果、実施例１と同様の偏光度−コントラスト特性が得られた。
　　　【００６９】
　（実施例５）
　本実施例では実施例１で示した表示モード（図７の液晶セルを用いて、図６の測定系で表示する方法）における位相差板を使用しない場合を説明する。図１３に本実施例の反射型液晶表示装置の断面図を示す。図６の位相差板６４、６７を使用しないときは、液晶層６１だけで円偏光になるよう、液晶層の擦れ角、偏光板の角度などを設定する。このようにして作成した表示装置のコントラスト測定を行った所、実施例１と同様の偏光度−コントラスト特性が得られた。ただし、コントラスト測定では図１３の偏光板は取り外してある。
　　　【００７０】
　（実施例６）
　本実施例では実施例５で示した表示モードにおいて、反射板が液晶セルの外側に配置されている場合について説明する。図１４に本実施例で示す液晶表示装置の断面図を示す。この場合、実施例４と同様の理由で視さが生じるが、コントラスト測定を行った所、実施例１と同様の偏光度−コントラスト特性が得られた。ただし、コントラスト測定では図１４の偏光板は取り外してある。
　　　【００７１】
　　（実施例７）
　上記実施例では表示モードとして偏光板を１枚と位相差板を用いて並行配向させた表示モードを取り上げたが、本実施例では表示モードとして偏光板を１枚と位相差板と液晶層を約２４０°ツイストさせたＳＴＮモードについて説明する。
　　　【００７２】
　対向基板に透明電極ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）が形成されたガラス基板と実施例１で作成した反射板に液晶配向膜としてポリイミド樹脂を形成し、２００度で１時間焼成した。その後、液晶分子を配向させるためラビング処理を行い、約２４０°ツイストするように両基板を貼り合わせて液晶セルを作成する、これらの２枚の基板の間には、液晶封止層が直径６．５μｍのスペーサーを混入した接着剤シール剤をスクリーン印刷することによって形成されている。液晶層は液晶封止層を形成した後、真空脱気することにより封入される。本実施例では液晶層には、商品名ＺＬＩ４４２７（メルク社製）を用いた。液晶層のリタデーションは６５０ｎｍであり、偏光板は実施例１で用いたものと同じものを用い、位相差板のリタデーションは３５０ｎｍである。
　　　【００７３】
　また、偏光板の透過軸と偏光板に隣接する液晶分子の配列方向とのなす角度βと位相差板の遅相軸と位相差板に隣接する液晶分子の配列方向とのなす角度γとが、
　　　【００７４】
　【数１８】
　０．５β＋４５°ｍ＋７．５°≦γ≦０．５β＋４５°ｍ＋２７．５°
　　（ｍは整数）
の関係を満たすようにそれぞれの軸を設定した。このようにして作成した表示装置のコントラスト測定を行った所、実施例１と同様の偏光度−コントラスト特性が得られた。ただし、コントラスト測定では図１３の偏光板は取り外してある。
　前記実施例では表示モードとして偏光板を１枚と位相差板を用いて並行配向させた表示モード、ツイスト配向させたモードを取り上げたが、これに限定することなく例えば、同じ構造で強誘電性ＬＣＤで使用される複屈折表示モード等、本発明に係わる反射型アクティブマトリクス基板及びそのパネル構成法への適用は可能である。
　　　【００７５】
　スイッチング素子としてＴＦＴを用いた場合に次いで説明したが、他の例えばＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子、ダイオード、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス基板にも適用することができる。
　　　【００７６】
　また、反射板として感光性樹脂をパターニングする方法、ドライエッチによる方法を説明したが、その他にサンドブラスト法、ウェットエッチ法なども有効な作成方法であり適用することができる。
　　　【００７７】
　　【発明の効果】
　本発明によれば、反射型液晶表示装置に本発明の特徴をもつ光反射部材を用いることで、該光反射部材の前記偏光度を格段に向上でき、入射する直線偏光が該反射部材によって反射された後も直線偏光に良好に保持され、入射される楕円偏光が反射後も同一の楕円偏光であるように、良好に保持される。これにより、本発明は、従来にない良好なコントラストを有する反射型液晶表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の反射型液晶表示装置の偏光度−コントラスト特性を示す図である。
　　【図２】
　反射板による反射光のストークスパラメータの測定方法を示す系統図である。
　　【図３】
　ストークスパラメータの測定系を示す系統図である。
　　【図４】
　ストークスパラメータの測定原理を示す図である。
　　【図５】
　本発明の反射板作成方法の一実施例を示す断面図である。
　　【図６】
　本発明の反射型液晶表示装置のコントラスト測定方法を示す系統図である。
　　【図７】
　本発明の反射型液晶表示装置の一実施例を示す断面図である。
　　【図８】
　本発明の反射型液晶表示装置の一実施例の動作原理を示す図である。
　　【図９】
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造工程を示す工程図である。
　　【図１０】
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板を用いた反射型液晶表示装置の断面図である。
　　【図１１】
　本発明の反射板の作成方法の一実施例を示す断面図である。
　　【図１２】
　本発明の反射型液晶表示装置の一実施例を示す断面図である。
　　【図１３】
　本発明の反射型液晶表示装置の一実施例を示す断面図である。
　　【図１４】
　本発明の反射型液晶表示装置の一実施例を示す断面図である。
　　【符号の説明】
　２１、６１、７５、１２８、１３６、１４７　反射板
　２２、６２　光源
　２３、２６、３３、６３、６６、１２１、１３１、１４１　偏光板
　２４、２７、３６、６４、６７、１２２　１／４波長板
　２５、６５　受光器
　３１　入射光
　３２　出射光
　３４　偏光板の遅相軸
　３５　偏光板の進相軸
　３７　光軸
　５１、７１、８１、９５、１１１、１２３、１２６、１３２、１４２、１４５　ガラス基板
　５２、１１３　レジスト膜
　５３、１１４　フォトマスク
　５４、１１２、１１５　有機絶縁膜
　５５、１１６　反射膜
　７２、９７、１２４、１３３、１４３　透明電極
　７３、９３、９８、１２５、１３４、１４４　配向膜
　７４、９９、１２９、１３５、１４８　液晶層
　９６　カラーフィルタ
　８８　反射電極
　９０　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
　９２　凹凸形成樹脂
　９６ａ　透過部
　９６ｂ　遮光層
　１２７、１４６　透明樹脂