【事件の表示】
　特許第３０５７１９６号「電子写真用感光体」の請求項１に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０５７１９６号の請求項１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯、本件発明
　本件特許第3057196号は、平成元年2月10日に特許出願され、平成12年4月21日に特許の設定登録がなされ、その後、福永秀夫より、特許異議の申立がなされたものであって、本件請求項に係る発明（以下、「本件発明」という」）は、明細書の特許請求の範囲に記載される次のとおりのものである。
「導電性支持体上に有機系感光層と、該有機系感光層上に表面保護層とを有する電子写真用感光体において、前記表面保護層は炭素又は炭素を主成分とし、かつ480nmの光に対する吸収係数Ｋとその膜厚ｄ（μｍ）の関係がＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄであることを特徴する電子写真用感光体。」
　
（２）特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として、
イ．甲第1号証（特開昭61-264355号公報）、
ロ．甲第2号証（特開昭63-143559号公報）、
ハ．参考資料1（第66回電子写真学会研究討論会、「Japan　Hardcopy´90　
　　　　Fall」、電子写真学会主催、期日：平成2年11月30日、第68〜71頁）
を引用し、本件発明は、甲第1号証に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号の規定に違反して特許されたものであり（理由-1）、また、参考資料1を参照すれば甲第1及び2号証に記載される発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであって、特許法第29条第2項の規定に違反して特許されたものであり（理由-2）、更に、本件発明は、特許法第36条第3項又は第4項の規定に違反して特許されたものであり（理由-3）、したがって、この特許は取り消されるべきものである旨、主張する。
（３）甲号証の記載
　甲第1号証には、
（a）　「導電性の基板上に光の照射により導電性を示す光導電性薄膜を有し、この光導電性薄膜上に炭素を主成分とする高硬度絶縁層が形成された電子写真用感光体。」（特許請求の範囲第1項）、
（b）　「先に述べたように第3図はNP方式で使用される感光体の構成を示すもので、・・・、7は光導電体で一般に導電材を結合剤に混入して基材上に塗布形成され無機光導電体・有機光導電体に分類される。・・・、有機光導電体としてはアントラセンのような多環芳香族化合物、フタロシアニン、ポリ-N-ビニールカルバゾール等が使用されている。」（第1頁右下欄第15行〜第2頁左上欄第5行）、
（c）　「そこで、本発明は長寿命の電子写真用感光体を提供することを目的とする。」（第2頁右上欄第12〜14行）、
（d）　「実施例
　第1図に本発明の実施例を示す。この実施例の構成は基本的には第3図に示した従来例と同じであり、導電性の基材1の上に光の照射により導電性を示す薄膜状の光導電体が形成されている。光導電体2の上には透明で硬く長寿命な高硬度絶縁膜3が形成されている。長寿命が要求されている高硬度絶縁膜3として、ダイヤモンドを考えることができる。」（第2頁左下欄第4〜12行）、
（e）　「ダイヤモンドの薄膜としては、ダイヤモンド結晶膜、ダイヤモンド結晶粒が点在する炭素膜、イオンビームスパッタ法で形成された非晶質炭素膜：（ダイヤモンド構造SP3を局部的に含むアモルファス状炭素膜で通常i-カーボン膜と呼ばれている）、水素を含んだアモルファス状炭素膜、などが考えられており、総じてダイヤモンド状炭素膜（DLC膜）と呼ばれている。本実施例の高硬度絶縁膜3はいずれのダイヤモンド状炭素膜であってもかまわない。」（第2頁左下欄第16行〜同頁右下欄第5行）、
（f）　「PI-CVD法で形成した膜は、SP3及びSP2の電子配置を含むダイヤモンドに近い結合状態のアモルファス状炭素膜で、ビッカース硬さは2000〜3000Kg/mm2、体積抵抗率は1010〜1013Ωcmを示し、高耐摩耗、絶縁性が必要とされる電子写真用成光体の絶縁膜3としては最適なものである。以上のようにPI-CVD法で形成したアモルファス状炭素膜を高硬度絶縁膜3に使用すると、長寿命な電子写真感光体を得ることができ、しかもその実用化は容易である。」（第3頁左上欄第12行〜同頁右上欄第2行）ということが記載されている。
　甲第2号証には、
（g）　「導電性基体上に形成したアモルフアスシリコンの感光層と、該感光層上に形成したケイ素原子と炭素原子及び/又は窒素原子とからなるアモルフアスの中間層と、該中間層上に形成したダイヤモンド状炭素膜とを有することを特徴とする電子写真感光体。」（特許請求の範囲第1項）、
（h）「しかし、ダイヤモンド状保護膜によりアモルフアスシリコン感光層の損傷や摩耗は減少し、耐コロナ放電性も改善されるが、依然として電気的特性が劣化しやすく、更にダイヤモンド状保護膜が剥離しやすい等の欠点があり、感光体として充分な信頼性を得るに至つていない。」（第2頁左上欄第4〜9行）、
（i）　「更に、ダイヤモンド状炭素膜は別名i・カーボンとも呼ばれ、その電気的，機械的，光学的及び化学的性質が通常の炭素膜とは異なりダイヤモンドに近いものである。即ち、固有抵抗が108Ωcm以上、光学的バンドギヤツプが2eV以上、及びビツカース硬度が1500以上である。かかるダイヤモンド状炭素膜は、プラズマCVD法、スパツタリング法、イオンビームデポジシヨン法、レーザ蒸着法により形成できる。」（第2頁右下欄第2〜10行）、
（j）　「また、最外層であるダイヤモンド状炭素膜は保護層であるから、0.05〜1.0μmの膜厚であれば十分であり、」（第3頁左上欄第14〜16行）ということが記載されている。
　参考資料1には、
（k）　Plasma　Amorphous　Carbon薄膜のOPC表面保護層への応用と題し、成膜速度、膜構造、光学的特性、耐久性の各観点から、P-CVD法で作成されたAmorphousCarbon（PACと略す）薄膜につき試験を行ったことが記載され、
（1）膜構造に関する箇所においては、ブタジエンより作製されたPAC薄膜の分析データが表2に示され、その表をみると、C（sp2）：C（sp3）が42：58値であること、-CH3が10.5、-CH2-が4.4、-C-C=C-quarternaryが29.8、-C=C-が34.4の値であること（以上、第69頁右欄本文第1〜7行、Table2）が記載され、
（2）光学的特性に関する箇所においては、異なる成膜条件下でブタジエンより作製した同膜厚のPAC薄膜の分光透過特性が図3に示され、その図をみると、0.1μmの厚みの3種のPAC薄膜が、480nmの波長で約80％以上の透過率を示すこと（以上、第69頁右欄下から第11行〜第70頁左欄第3行、Fig.3）が読みとれ、
（3）耐久性に関する箇所においては、ブタジエンモノマーを原料モノマーとして作製した感光体構成が図5に記載され、その図をみると、順に、アルミニウム基体、CGL、CTL、OCL（PAC、0.1μm）からなる構造（以上、第70頁右欄第1〜3行、Fig.5）が示される。
（４）対比、判断
《理由-1について》
　本件発明と、甲第1号証に記載の発明とを対比する。
　前記（a）で示されるように、甲第1号証には、「導電性の基板上に光の照射により導電性を示す光導電性薄膜を有し、この光導電性薄膜上に炭素を主成分とする高硬度絶縁層が形成された電子写真用感光体。」が記載され、また、この「導電性の基板」、「光導電性薄膜」、「炭素を主成分とする高硬度絶縁層」は、本件発明の「導電性支持体」、「感光層」、「炭素又は炭素を主成分とする表面保護層」に、それぞれ相当する。
　そして、該光導電性薄膜（感光層）につき、前記（b）の記載を参照して前記（d）の記載をみると、甲第1号証に記載のその光導電性薄膜感光層は、有機光導電体を含むものであって、本件発明のものと同じ有機系感光層を用いることができるものである。
　よって、両者は、共に、
「導電性支持体上に有機系感光層と、該有機系感光層上に表面保護層とを有する電子写真用感光体において、前記表面保護層は炭素又は炭素を主成分とする、電子写真用感光体」である点で、共通する。
　しかし、本件発明は、該表面保護層につき、
「480nmの光に対する吸収係数Ｋとその膜厚ｄ（μｍ）の関係がＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄである」とする構成を、更に、具備するものであるが、甲第1号証には、そのことが記載されない。
　
　この点に関し、特許異議申立人は、甲第1号証の高硬度絶縁層3と本件発明の表面保護層とは、双方ともSP3軌道を有するダイヤモンドと類似のC-C結合を有する層であり、しかも、同程度のビッカース硬度を示し、そして、発明の目的および効果に格別の差異がない以上、そのものは、本件発明と同じく、上記Ｋ≦4.0×ｅ-3.0×ｄの関係式を満たす、旨、主張する。
　そこで、以下に検討する。
　本件明細書をみると、そこでは、「本発明において、最表面に設けられる保護層は、炭素または炭素を主成分としたもので、前記したＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄの関係を満たすものであり、より好ましくはSP3軌道を有するダイヤモンドと類似のC-C結合を有しており、ビッカース硬度100〜3000kg/cm2、比抵抗（固有抵抗）1×107〜1×1013Ω・cmの値を有し、光学的エネルギーバンド巾（Egという）が1.0eV以上である、赤外または可視領域で透光性を有する薄膜で形成される。」（特許公報第8欄第50行〜第9欄第8行）と記載され、このように、本件明細書では、上記関係式を満たした上で、すなわち、上記の関係式とは独立して、SP3軌道を有するダイヤモンドと類似のC-C結合、ビッカース硬度、比抵抗、光学的エネルギーバンド巾、透光性との全ての条件を満たしたものが好ましいものであると説明されるものであり、しかも、これら条件の全てを満たせば、必ず、上記吸収係数Ｋと膜厚ｄとの関係式を満たすことになるとまでは記載されないものである。
　これに対して、特許異議申立人が指摘するところのダイヤモンド類似のC-Cの結合形式、及びビッカース硬度は、その条件の全部ではなく、その一部が共通することをいうに過ぎないのある。
　そのうえ、そのようなダイヤモンド類似のC-Cの結合形式、及びビッカース硬度と、吸収係数Ｋとがどのように関係するかが示されないのであり、したがって、当然のこととして、本件発明と甲第1号証の発明の両発明の該結合形式及び硬度が共通していれば、その層の吸収係数Ｋ及びその膜厚dの関係が同じようになるとまでいえるものではない。
　また、本件発明は、保護層と有機系感光層の接着性を改善することを目的（特許公報第4欄第15〜20行）とし、その実施例においては、粘着テープを感光体表面に貼りつけた後、引き剥がし、表面層の剥離性を確認しているが、甲第1号証に記載のものは、前記（c）で示されるように、寿命の長い絶縁層を設けることを発明の目的とするものの、具体的には、前記（f）において、「高耐摩耗、絶縁性が必要とされる電子写真感光体の絶縁層3としては最適なものである。」と記載されるように、本件発明のように、有機系感光層と保護層との接着性についてまで配慮するものではないものであり、したがって、その発明の目的が本件発明のものと一致しているとまでいえるものではない。
　してみれば、両発明の目的が一致しておらず、ただ、両発明の保護層ないしは絶縁層につき、SP3軌道を有するダイヤモンドと類似のC-C結合を有し、ビッカース硬度の数値が、共通するということのみから、甲第1号証のものが、吸収係数Ｋ及びその膜厚dに関する上記関係式を満たすということはできない。
　
　一方、本件明細書の実施例の表-1及び第5図とそれに関連する記載をみれば、本件発明は、有機系感光層上に表面保護層とを有する電子写真用感光体において、表面保護層につき、「480nmの光に対する吸収係数Ｋとその膜厚ｄ（μｍ）の関係がＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄである」とする構成を採用することにより、その余の構成と相俟って、表面保護層と有機系感光層との接着性に優れた電子写真感光体を得ることができたものである。
　そうすると、本件発明は、表面保護層につき、「480nmの光に対する吸収係数Ｋとその膜厚ｄ（μｍ）の関係がＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄである」とする点で、甲第1号証のものに対して、別異の発明を構成するものである。
　したがって、本件発明は、甲第1号証に記載された発明であるということはできない。
《理由-2について》
　本件発明と甲第1号証の記載を対比すると、本件発明は、表面保護層につき、「480nmの光に対する吸収係数Ｋとその膜厚ｄ（μｍ）の関係がＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄである」とするのに対し、甲第1号証のものでは、そのことが示されないものであり、このことは、上記《理由-1》で示したとおりである。
　この相違点につき、引用される甲第2号証をみると、そこには、「導電性基体上に形成したアモルフアスシリコンの感光層と、該感光層上に形成したケイ素原子と炭素原子及び/又は窒素原子とからなるアモルフアスの中間層と、該中間層上に形成したダイヤモンド状炭素膜とを有する電子写真感光体」に関する発明が記載され、また、そこで用いられる、ダイヤモンド状炭素膜は、固有抵抗が108Ωcm以上、光学的バンドギヤツプが2eV以上、及びビツカース硬度が1500以上であり、また、0.05〜1.0μmの膜厚であれば十分であることも示されるが、そのダイヤモンド薄膜の、480nmの光に対する吸収係数Ｋが何も示されない。
　つぎに、甲第2号証に関し、更に、引用される本件出願後に頒布されたところの参考資料をみると、そこには、異なる成膜条件下でブタジエンより作製した同膜厚のPAC薄膜の分光透過特性が図3に示され、その図をみると、3種の製膜条件で作製した0.1μmの厚みのPAC薄膜は、いずれも、480nmの波長で約80％以上の透過率を示すことが示されるものであるが、そこでは、3種の条件で製膜されるといっても、限られた条件（原料成分も含む）で行われたものに過ぎず、また、条件については示されないものもあり、PAC薄膜であれば、通常、そのような透過率の値を示すとまでいえるものではない。
　ところで、この種のCVDで作製される薄膜は、製膜条件（原料成分も含む）の相違により、その成果物である膜につき、その物性が大きく異なることが、しばしば、観察されるものであり、このことは、参考資料1の図3で製膜条件の相違により、その透過率が相当大きく異なること、本件明細書の表1において製膜条件の相違により吸光係数が大きく変動するこという事実からみても窺い知ることができるものである。したがって、その製膜条件からみてCVD法で生成された膜が同じであるというためには、その製膜条件が一致ないしは近似することが前提となる。
　しかし、甲第1号証及び甲第2号証において、当該参考資料に示される条件で高硬度絶縁膜ないしはダイヤモンド薄膜が製膜されたものであることを証する事実が示されない（甲第2号証の実施例のものは条件が異なることが明らかである）ものであり、したがって、甲第1号証に記載される高硬度絶縁膜又は甲第2号証に記載されるダイヤモンド薄膜が参考資料のものと同じ透過率を示すものであるといえるものでなく、また、膜厚が同じであれば、480nmの波長に対してその膜は、同じ透過率を示すといえるものでもなく、したがって、甲第1号証に記載の発明に対して、甲第2号証に記載のものを適用しても、その高硬度絶縁膜又はダイヤモンド薄膜が、「480nmの光に対する吸収係数Ｋとその膜厚ｄ（μｍ）の関係がＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄである」とする構成が、容易に導き出すことができないものである。
　そして、本件発明は、前記したとおり、表面保護層につき、「480nmの光に対する吸収係数Ｋとその膜厚ｄ（μｍ）の関係がＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄである」とする構成を採用することにより、その余の構成と相俟って、表面保護層と有機系感光層との接着性に優れた電子写真感光体を得ることができたものであり、これら甲号証の記載から予測できない効果を奏したものである。
　したがって、本件発明は、参考資料の記載を考慮したとしても、甲第1号証及び甲第2号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるということができない。
《理由-3》
　特許異議申立人は、表面保護層のＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄの関係と、剥離という課題解決とがどのように関係しているのか、当業者にとって、容易に実施できる程度に、その発明の目的、構成、効果が記載されていないと主張する。
　以下、この主張につき、検討する。
　本件明細書では、「本発明は、・・・、その目的は有機系感光層と炭素又は炭素を主成分とした高硬度の薄膜から成る保護層との接着性を向上させて、長期に亘り優れた耐久性を示す電子写真用感光体を提供することにある。」（特許公報第4欄第16〜20行）と記載されるように、有機系感光層と保護層との接着性を向上させて、長期に亘り優れた耐久性を示す電子写真用感光体を提供するという課題が示される。
　そして、本件明細書及び図面においては、表-1及びそれに関連する記載をみると、保護層の膜厚ｄ及び吸収係数Ｋを異にする15のサンプルを製膜し、そのサンプルの剥離試験による接着強度を測定したものをグラフ化したものが、第5図であることが示され、当該図につき、本件明細書では、「これにより同一係数であっても膜厚ｄの増加により保護層の剥離が発生し、又同一膜厚であっても吸収係数の増加に伴い剥離が発生し、剥離が膜厚ｄ、吸収係数Ｋに依存して発生していることが判ると共に吸収係数Ｋ（480nm）及び膜厚ｄ（μｍ）の関係がＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄを満足する場合にはa-C：N：F：H系保護層及び有機系感光層の表面における剥離が発生しないことが判る。」（特許公報第13欄第43〜末行）、そして、更に、「本発明者らは、保護層の吸光係数Ｋと膜厚ｄを種々に変更した感光体を作製し、それによる保護層の剥離状態を観察した結果、第５図に示すようにＫ≦4.0×ｅ-3.0×ｄの関係を満たした炭素又は炭素を主成分とした保護層はクラックの発生や剥離がないことを見い出した。保護層の吸光係数Ｋと膜厚dがＫ＞4.0×ｅ-3.0×ｄであると第５図に示されるように保護層の剥離やクラックが著しくなり本発明の所期の目的を達成することができない。」（特許公報第4欄第45行〜第5欄第4行）と記載されるように、その関係式の規定を満たすことにより剥離の発生を防止できるものであって、その関係式を採用することにより上記課題を達成できることが示されるものである。
　このように、本件明細書及び図面には、その説明が詳細にわたるものではないにしても、発明の目的、それを達成するための構成、及び、その結果奏するところの効果につき、必要な程度に示されており、これによれば、本件発明が、容易に実施できないとはいえず、また、不明瞭であるということもできない。
　特許異議申立人は、膜厚d及び吸収係数Kとの関係が、どのようにして剥離という課題と関係するのか記載されない旨、更に、主張する。
　確かに、本件明細書には、その奏する効果につき、そのメカニズムないしは理論的考察がなされておらず、かつ、そこまで詳細に記載されることがより好ましいとしても、それが記載されないことのみをもって、発明が実施できないとか、発明が不明瞭であるとまでいえるものではない。
　したがって、表面保護層の吸収係数Ｋとその膜厚ｄ（μｍ）との関係につき、当業者が容易に実施することができる程度に、発明の目的、構成、効果が記載されていないということができず、また、特許請求の範囲には、発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されていないとまでいえるものではない。
（５）まとめ
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年４月５日（２００１．４．５）