【事件の表示】
　特許第３０１８７６３号「ＧａＡｓ単結晶及びその製造方法並びにＧａＡｓウェハのイオン打込み制御方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０１８７６３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
   １．手続の経緯
　特許３０１８７６３号の請求項１〜３に係る発明は、平成４年８月１０日に特許出願され、平成１２年１月７日に特許の設定登録がなされたものである。
　その後、請求項１に対して特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年３月２７日に意見書が提出されたものである。
２.特許異議申立について
（１）本件発明
　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という）は、本件特許明細書の特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】結晶中に炭素を不純物として含有する半絶縁性ＧａＡｓ単結晶において、結晶中の炭素濃度の分布が、結晶の頭部（始端）から尾部（終端）にかけて単調に増加又は減少していることを特徴とするがＧａＡｓ単結晶。
（２）特許異議申立ての理由の概要
　申立人は、甲第１〜２号証を提出して、本件発明１は、甲第１〜２号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであると主張している。
（３）証拠の記載内容
　甲第１〜２号証には、それぞれ以下の事項が記載されている。
甲第１号証（特開昭６２−３０７００号公報）：
（ａ）「１）結晶中に含有する炭素濃度が１．５×１０１５原子数/ｃｍ３以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶。
２）液体封止引上法によって化合物半導体単結晶を製造するにあたり、引き上げ機チャンバー内の不活性ガス中の一酸化炭素濃度を１０００ｐｐｍ以下に制御し、引き上単結晶に含有される炭素濃度を１．５×１０１５原子数/ｃｍ３以下にすることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲２））
（ｂ）「温度が上昇すると前記したようにチャンバー内のＣＯ濃度を１０００ｐｐｍ以下、好ましくは５００ｐｐｍ以下になるように希釈し、単結晶の引き上げを開始する。引き上げ中も連続的にまたは断続的に不活性ガスの放出と新規補給を繰り返し、この濃度を常に上記以下に制御維持する。」（第２頁右欄下から７行〜第３頁左欄１行）
（ｃ）「実施例１
こうして引き上げた単結晶中の炭素濃度は、シード側で１．０×１０１５原子数/ｃｍ３、テール側で０．８×１０１５原子数ｃｍ３であった。同様の方法で、Ｎ２ガスの補給を全く行わなかった場合は、チャンバー内のＣＯ濃度は増加し、単結晶の炭素濃度はシード側、テール側それぞれ３．４×１０１５、１．１×１０１６原子数/ｃｍ３となり、前記用途の使用に耐えぬものであった。」（第３頁左欄第１６行〜右欄第３行）
（ｄ）「本発明の対象となる化合物半導体とは、・・・ＧａＡｓ・・・等が例示される。」（第２頁左下欄３〜６行）
甲第２号証（特開平１−２３９０８９号公報）：
（ａ）「ＧａＡｓ原料融液からｐ型ＧａＡｓ単結晶を製造するに際し、前記ＧａＡｓ原料融液を収容した原料収容部を炭素を含むガス雰囲気中に置き、該雰囲気中の炭素を含むガス濃度を検出し、該検出される炭素を含むガス濃度が一定となるように保持した状態でＧａＡｓ単結晶を製造することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。」（特許請求の範囲（５））
（ｂ）「（課題を解決するための手段）
　本発明の骨子は、結晶成長に供される容器内の雰囲気ガスの成分濃度を一定に制御することにより、成長結晶のキャリア濃度を均一化することにある。」（第３頁右上欄下から３〜７行）
（ｃ）「結晶引上げ軸方向のキャリア濃度の分布も、第３図（ｂ）に示すごとく全域に亘り１×１０１６ｃｍー３であり、バラツキも１０％以内であった。」（第５頁下右欄１〜３行）と記載され、第３図（ｂ）によれば、結晶長さ方向にキャリア濃度が一定に分布していることが図示されている。
（ｄ）「さらに、炭素濃度が一定となるようにガス供給量を制御しているので、ＧａＡｓに対する炭素の導入量を正確に制御することができる。」（第４頁右上欄４〜９行）
（４）当審の判断　
　甲第１号証には、「結晶中に含有する炭素濃度が１．５×１０１５原子数/ｃｍ３以下であることを特徴とする化合物半導体単結晶」（上記（ａ）参照）が記載され、「本発明の対象となる化合物半導体とは、・・・ＧａＡｓ・・・等が例示される。」と記載されているから、甲第１号証には、「結晶中に炭素を不純物として含有する半絶縁性ＧａＡｓ単結晶」の発明が記載されていると云える。
　また、甲第２号証には、「ＧａＡｓ単結晶を製造することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法」（上記（ａ）参照）に関し、「炭素濃度が一定となるようにガス供給量を制御しているので、ＧａＡｓに対する炭素の導入量を正確に制御することができる。」と記載されているから、甲第２号証にも、「結晶中に炭素を不純物として含有する半絶縁性ＧａＡｓ単結晶」の発明が記載されているといえる。
　そこで、本件発明１と甲第１〜２号証に記載された発明とを対比すると、両者は、「結晶中に炭素を不純物として含有する半絶縁性ＧａＡｓ単結晶」の点で共通しているが、以下の点で相違している。
相違点：本件発明１は「結晶中の炭素濃度の分布が、結晶の頭部（始端）から尾部（終端）にかけて単調に増加又は減少している」のに対し、甲第１又は甲第２号証に記載された発明はその炭素分布がどのようなものか明らかでない点
　次に、この相違点について甲第１号証及び甲第２号証の記載をさらに検討する。
　甲第１号証には、炭素濃度に関し、「不活性ガス中の一酸化炭素濃度を１０００ｐｐｍ以下に制御し、引き上げ単結晶濃度を１．５×１０１５原子数/ｃｍ３以下にすることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。」、「こうして引き上げた単結晶中の炭素濃度は、シード側で１．０×１０１５原子数/ｃｍ３、テール側で０．８×１０１５原子数/ｃｍ３であった。」と記載され、また甲第２号証には、「結晶引上げ軸方向のキャリア濃度の分布も、第３図（ｂ）に示すごとく全域に亘り１×１０１６ｃｍ−３であり、バラツキも１０％以内であった。」と記載されているように、甲第１及び甲第２号証に記載された発明は、単結晶の頭部から尾部にかけて炭素濃度を一定にすることを目的やその構成とするものであり、本件発明１のように、「結晶の頭部から尾部にかけて単調に増加又は減少すること」を構成とするものではない。
　もっとも、甲第１号証には、「同様の方法で、Ｎ２ガスの補給を全く行わなかった場合は、チャンバー内のＣＯ濃度は増加し、単結晶の炭素濃度はシード側、テール側それぞれ３．４×１０１５、１．１×１０１５原子数/ｃｍ３となり」という記載はあるものの、この記載は単に頭部と尾部の炭素濃度が異なることを示すにとどまり、これをもって、炭素濃度が頭部から尾部にかけて単調に増減していることを示唆しているとすることはできない。
　してみると、本件発明１は、甲第１〜２号証に記載された発明とすることはできないし、これら発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　そして、本件発明１は、「炭素濃度が頭部から尾部にかけて単調に推移している」という構成により、結晶の両端の炭素濃度又はこれを反映している電気特性等を測定しただけで、その間の結晶中の炭素濃度分布を容易に推定でき、そのため、イオンの打ち込み条件を結晶中の炭素濃度に合わせて最適に調整することが可能であるという顕著な効果を奏するものであり、かかる効果についても、甲第１〜２号証には何ら示されていない。
 ４.むすび
　以上のとおり、本件請求項１に係る発明の特許は、特許異議申立の理由によっては、取り消すことができない。 
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
  したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律(平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令(平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１３年５月１５日（２００１．５．１５）