【事件の表示】
　特許第３００２１８０号「光半導体装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００２１８０号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続の経緯
　特許第３００２１８０号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成１０年７月１３日に特許出願され、平成１１年１１月１２日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、持田孝雄より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１２月５日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
    特許権者は、以下の訂正を求めるものである。
ａ．本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る記載
「凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射されたレーザ光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する光半導体装置であって、前記凹部の側面のうちの少なくとも前記レーザ光源と前記受光部との間の側面に遮光領域を設けたことを特徴とする光半導体装置。」を、
「凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する光半導体装置であって、前記凹部の側面のうちの少なくとも前記レーザ光源と前記受光部との間の側面に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けたことを特徴とする光半導体装置。」と訂正する。
ｂ．これに伴い、本件特許明細書の段落【００１２】を次のように訂正する。
「【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の請求項１記載の光半導体装置は、凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、半導体基板の凹部の外の表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて受光部に集光され受光部で信号検出する光半導体装置であり、凹部の側面のうちの少なくともレーザ光源と受光部との間の側面に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けたことを特徴とする。」
ｃ．本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２を削除する。これに伴い、本件特許明細書の段落【００１４】及び【００１５】を削除する。
ｄ．本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項３を削除する。これに伴い、本件特許明細書の段落【００１６】及び【００１７】を削除する。
ｅ．本件特許明細書の段落【００４４】を、次のように訂正する。
「【００４４】
　【発明の効果】
　本発明の請求項１記載のような凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する光半導体装置によれば、光源と受光部の間に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けたので、迷光キャリアが発生せず、迷光キャリアが受光部に侵入することを防ぎ、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる優れた光半導体装置を実現することができる。」
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ．は、本件特許明細書の段落【０００４】〜【０００６】の従来技術の記載およびこれらを引用する段落【０００２０】〜【００２７】の［第１の実施の形態］に関する記載に基づいて、本件請求項１の「前記レーザ光源から出射されたレーザ光」を「前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光」と限定するものであり、、特許請求の範囲を減縮するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　訂正事項ｂ．は、訂正事項ａ．に伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載の整合を図るためのものであり、明瞭でない記載の釈明にあたり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　訂正事項ｃ．およびｄ．は、本件請求項２および３を削除し、それに伴い、発明の詳細な説明の記載の整合を図るため、段落【００１４】〜【００１７】を削除したものであり、特許請求の範囲の減縮ないしは明瞭でない記載の釈明にあたり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　訂正事項ｅ．は、特許請求の範囲を訂正したことに伴い、発明の詳細な説明の記載の整合を図るためのものであり、明瞭でない記載の釈明にあたり、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項および同条第３項において準用する特許法第第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについての判断
ア．本件発明　
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する光半導体装置であって、前記凹部の側面のうちの少なくとも前記レーザ光源と前記受光部との間の側面に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けたことを特徴とする光半導体装置。」
イ．申立の理由の概要
　申立人持田孝雄は、甲第１号証（特許登録２６２９７２０号公報）、甲第２号証（特開平７−１０６７０２号公報）、甲第３号証（特開平８−５１２５４号公報）、甲第４号証（特開平４−１１９５３５号公報）を提出して、訂正前の本件請求項１ないし２に係る発明は、甲第１〜４号証記載の発明から当業者が容易に発明できたものであり、訂正前の本件請求項３に係る発明は甲第１号証記載の発明と同一もしくは甲第１号証および甲第４号証記載の発明から当業者が容易に発明できたものであるので、本件請求項１ないし３に係る発明の特許は取り消すべき旨主張している。
ウ．判断
（引用刊行物）
　申立人持田孝雄が提出した甲第１号証（特許登録２６２９７２０号公報）には以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　「半導体基板と、該半導体基板の主面上に配された発光素子と、上記半導体基板の主面に形成され、上記発光素子から被照射体に向けて発射された光の戻り光を受ける受光素子とを有し上記半導体基板の主面に少なくとも上記発光素子及び上記受光素子間に上記受光素子を覆うように光透過性を有する保護層が形成されてなる発光・受光複合素子であって、上記発光素子から発射された光の内上記被照射体に向かわずに上記保護層に入射され、この保護層を通って、受光素子に入射する光の伝播を阻止する阻止手段を、少なくとも上記発光素子及び受光素子間に設けたことを特徴とする発光・受光複合素子」（請求項１）
　同じく提出された甲第２号証（特開平７−１０６７０２号公報）には以下の事項が記載されている。
「第一の半導体基板表面に少なくとも一辺における側面の第一の半導体基板主面に対する傾斜角が４５度前後である凹部領域を形成する工程，凹部領域の底面の一部に開孔部を有する絶縁膜マスクを形成する工程，前記開孔部より露出した前記凹部領域底面の一部に選択的に化合物半導体層を積層してｐｎ接合を含む結晶構造を形成する工程，前記凹部領域の側面の傾斜角が４５度前後である一辺に対して垂直方向に前記ｐｎ接合をストライプ状にパターニングする工程を含むことを特徴とする受発光装置の製造方法。」（請求項１）
「本発明は基板上に受発光装置を製造する方法に係り、特に、基板主面に対してほぼ垂直方向に光が入出力する受発光装置の製造方法に関する。」（段落【０００１】）
　したがって、甲第２号証には以下の発明が記載されていると認められる。「凹部を半導体基板の表面に設け、この凹部内の底面にレーザ光源を搭載し、前記レーザ光源から出射された光が前記凹部の傾斜側面で反射される発光装置」
　同じく提出された甲第３号証（特開平８−５１２５４号公報）の第４図には、レーザと多分割受光素子を同一ステム上に配置した半導体装置が記載されている。
　同じく提出された甲第４号証（特開平４−１１９５３５号公報）には以下の事項が記載されている。
「第７図及び第８図は本出願人が先に特願平１−９９２２１号で提案した光学ヘッド及びその光集積回路の例を示す。同図において、（１）は光学ヘッドを全体として示し、（２）はその光集積回路、（３）は対物レンズ、（４）は光ディスクを示す。光集積回路（２）は、半導体（シリコン）基板（５）の主面に光信号検出用の第１及び第２のフォトダイオード（６）及び（７）とこのフォト（６），（７）の周辺部にフォトダイオード（６）及び（７）からの信号が入力される差動アンプ等を構成するトランジスタ回路（８）を形成してなる半導体装置（９）を有し、この半導体基板（５）のフォトダイオード（６），（７）及びトランジスタ回路（８）を含む表面上にθ＝４５°の半透過反射面（１０ａ）を有するプリズム（１０）が接着固定され、このプリズム（１０）の半透過反射面（１０ａ）と対向する位置にモニタ用フォトダイオード（１１）を形成したシリコンチップ上に半導体レーザ（１３）を取付けた通称ＬＯＰ(Laser　on　Photodiod)チップが固定されて成る。」（第２頁左上欄第９行〜右上欄第８行）
「以下、図面を参照して本発明による半導体装置の実施例を説明する。尚、各例は第７図の光集積回路に用いる半導体装置に適用した場合である。第１図は本発明の一例を示す。本例においては、第１導電形例えばｎ型エピタキシャル層（２２）を有した半導体基板（２１）の主面に複数の第２導電形即ちｐ形の半導体層（２３）を形成して光信号検出用の第１及び第２のフォトダイオード（２４）及び（２５）を形成する。」（第３頁左下欄第１２行〜右下欄第１行）
（対比・判断）
　本件発明１と上記引用発明１を対比すると、本件発明１の「半導体基板の表面」、「受光部」、「レーザ光源」、「レーザ光源から出射された信号検出用光」、および「光記録媒体」は引用発明１の「半導体基板の主面」、「受光素子」、「発光素子」、「発光素子から被照射体に向けて発射された光の戻り光」および「被照射体」にそれぞれ対応しているので、両者は、「半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた受光部と、レーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する光半導体装置」において一致するが、以下の点で相違する。
i．本件発明１は、凹部を半導体基板の表面に設け、この凹部内の底面にレーザ光源を搭載し、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて受光部に集光されるものであるのに対して、引用発明１はそのようなものではない点。
ii．本件発明１の受光部は、第１導電型の半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなるものであるのに対して、引用発明１の受光素子は、半導体基板の主面に形成されるとあるのみである点。
iii．本件発明１は、凹部の側面のうちの少なくとも前記レーザ光源と前記受光部との間の側面に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けているのに対して、引用発明１は、保護層を通って、受光素子に入射する光の伝搬を阻止する阻止手段を、少なくとも発光素子及び受光素子間に設けている点。
　上記相違点について検討すると、まず、相違点i．に関して、凹部を半導体基板の表面に設け、この凹部内の底面にレーザ光源を搭載し、前記レーザ光源から出射された光が前記凹部の傾斜側面で反射される発光装置は、前記甲第２号証に記載されており、公知のものである。
　次に、相違点ii．に関して、第１導電型の半導体基板の表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部は、前記甲第４号証に記載されており、公知のものである。
　一方、相違点iii．に関しては、そもそも、凹部を半導体基板の表面に設け、この凹部内の底面にレーザ光源を搭載し、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて受光部に集光される光半導体装置において、レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入し、問題が生じるとする本件発明１の課題は、当業者において自明なことではないし、引用発明１をはじめ上記甲第１〜４号証のいずれにも記載も示唆もないことである。また、上記甲第２〜４号証には上記相違点iii．の構成は何も記載されていない
　したがって、そもそも当業者において全く認識されていない上記課題を解決するために、本件発明１において、凹部の側面のうちの少なくとも前記レーザ光源と前記受光部との間の側面に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けた点（相違点iii．）は、当業者が容易になしえたことではない。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、上記甲第１〜４号証に記載された発明から容易に発明することができたものとも同一ともいえない。
　
エ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２６日（２００１．１．２６）
【訂正の要旨】
ａ．本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る記載
「凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射されたレーザ光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する光半導体装置であって、前記凹部の側面のうちの少なくとも前記レーザ光源と前記受光部との間の側面に遮光領域を設けたことを特徴とする光半導体装置。」を、
「凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する光半導体装置であって、前記凹部の側面のうちの少なくとも前記レーザ光源と前記受光部との間の側面に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けたことを特徴とする光半導体装置。」と訂正する。
ｂ．これに伴い、本件特許明細書の段落【００１２】を次のように訂正する。
「【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の請求項１記載の光半導体装置は、凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、半導体基板の凹部の外の表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて受光部に集光され受光部で信号検出する光半導体装置であり、凹部の側面のうちの少なくともレーザ光源と受光部との間の側面に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けたことを特徴とする。」
ｃ．本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２を削除する。これに伴い、本件特許明細書の段落【００１４】及び【００１５】を削除する。
ｄ．本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項３を削除する。これに伴い、本件特許明細書の段落【００１６】及び【００１７】を削除する。
ｅ．本件特許明細書の段落【００４４】を、次のように訂正する。
「【００４４】
　【発明の効果】
　本発明の請求項１記載のような凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する光半導体装置によれば、光源と受光部の間に前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ遮光領域を設けたので、迷光キャリアが発生せず、迷光キャリアが受光部に侵入することを防ぎ、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる優れた光半導体装置を実現することができる。」
（５４）【発明の名称】
光半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射された
信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光
前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、光情報処理、光計測、光通信等に使用する発光と受光を共に有した光半導体装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、光情報処理、光計測、光通信等に使用する光半導体装置として、光源と受光部（光検出器）とが同一パッケージ内にあるものが利用されるようになってきた。
　【０００３】
　以下、従来の光半導体装置について説明する。
　【０００４】
　図７は従来の光半導体装置の平面レイアウトを概略的に示す平面図である。また、図８は、図７に示した半導体基板１のＡ−Ａ’線断面を模式的に示す断面図である。また、図９は、図７に示した半導体基板１のＢ−Ｂ’線断面を模式的に示す断面図である。図７、図８および図９において、１は表面に矩形の凹部１ａを設けた半導体基板であり、例えばＳｉからなる。２は光源となる半導体レーザ素子で、例えばＧａＡｓからなり、凹部１ａに搭載され、半導体基板１と一体化されている。
　【０００５】
　３，４，５，６，７，８は半導体基板１の表面の凹部１ａの周辺領域に選択的に形成された受光部となる信号検出用受光素子であり、例えばＳｉからなる。上記の半導体基板１と信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８とは導電型が逆になっており、半導体基板１と信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の間には、逆バイアスとなるような電圧が印加されている。
　【０００６】
　この光半導体装置は、図９において、矢符９で示すように、半導体レーザ素子２の信号検出用光が半導体基板１の表面とほぼ平行に出射し、正面にある凹部１ａの４５度の傾斜側面で反射されて半導体基板１の表面とほぼ直交する方向に照射される。この際、半導体レーザ素子２の信号検出用光が半導体基板１に入射して生じたキャリアが信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の信号検出レベルに悪影響を及ぼさないように、信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８は半導体レーザ素子２からの信号検出用光の出射方向から外れた位置に形成されている。
　【０００７】
　以上のように構成された光半導体装置ついて、以下その動作を説明する。まず、半導体レーザ素子２から出射された信号検出用光は対物レンズ（図示せず）を通し光記録媒体（図示せず）に集光され、光記録媒体の信号に相当する光が反射され、信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８に集光され、信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８から光信号が出力される。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記従来例の構成では、半導体レーザ素子２からは、矢符９で示す方向に信号検出用光が出射されるが、その他に信号検出用光以外の光（以下、迷光という）が生じる。この迷光とは、上記したように信号検出用光以外の不要な光のことである。具体的に説明すると、この光半導体装置に関係する光としては、半導体レーザ素子２から出るレーザ光と、例えば光ディスク、光磁気ディスク等の媒体からの反射による戻り光とがある。レーザー光には、信号検出に有効な光と無効な光とがある。
　【０００９】
　例えば、レーザ光で言えば、レーザ光は１８０度に拡がって出射される（角度が大きいほど光量は少ない）が、レーザ素子から正面方向に向かって出る光が信号検出に有効な光であり、斜め方向に向かって出る光が無効な光である。また、戻り光には、信号として検出される光と信号として検出される光以外の光とがある。これらの光の中で、レーザ光における信号検出に無効な光と、戻り光における信号として検出される光以外の光とが迷光となる。
　【００１０】
　この迷光が半導体基板１の表面に照射されることにより、半導体基板１の表面の凹部周辺に迷光キャリアが発生する。この迷光キャリアは、上記の無効な光等が直接的または間接的に半導体基板１に照射されることによって発生する。特に、半導体レーザ素子２から信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の方向に出て半導体基板１の表面の凹部周辺に照射される迷光によって発生した迷光キャリアは、信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の周辺に位置することになる。その結果、迷光キャリアは信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８に吸収され、実際の信号レベルより大きいレベルの光信号が信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８から出力されるという問題があった。
　【００１１】
　本発明は上記従来の問題点を解決するもので、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる光半導体装置を提供することを目的とする。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の請求項１記載の光半導体装置は、凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、半導体基板の凹部の外の表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、レーザ光源から出射された
信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され反射された前記信号検出用光
前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ
　【００１３】
　この構成によって、光源から出射された迷光が遮光領域により凹部の周辺、つまり受光部の周辺から半導体基板内部に侵入することを防ぎ、受光部の周辺における迷光キャリアの発生を抑えることができる。その結果、受光部の周辺の迷光キャリアが受光部に吸収されることを防ぎ、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる。迷光キャリアは、迷光が半導体基板に照射されることによって発生するので、半導体基板に遮光領域を設けると、迷光キャリアの発生が抑えられることになるのである。
　【００１４】
　【００１５】
　【００１６】
　【００１７】
　【００１８】
　【発明の実施の形態】
　〔第１の実施の形態〕
　【００１９】
　以下、本発明の第１の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
　【００２０】
　図１は本発明の第１の実施の形態における光半導体装置の平面レイアウトを概略的に示す平面図である。図２は、図１に示した半導体基板１のＡ−Ａ’線断面を模式的に示す断面図である。図１および図２において、１は表面に矩形の凹部１ａを設けた半導体基板である。２は光源となる半導体レーザ素子で、凹部１ａに搭載される。
　【００２１】
　３，４，５，６，７，８は半導体基板１の表面の凹部１ａの周辺領域に選択的に形成された受光部となる信号検出用受光素子である。以上の構成は従来例の構成と同じであり、基本的な動作は従来例と同様である。
　【００２２】
　１０は凹部１ａの側面のうちの光源２と信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の間に存在する側面に選択的に設けられた遮光領域で、反射率の高い物質により構成されている。この遮光領域１０は、半導体レーザ素子２から発生した迷光が信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の方向に半導体基板１内に侵入することを防ぎ、半導体基板１の表面の凹部１ａの周辺（つまり、信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の周辺）における迷光キャリアの発生を抑える作用がある。この遮光領域１０を設けた点が従来例とは異なる。
　【００２３】
　この遮光領域１０は、たとえばＳｉからなる半導体基板１上に例えばＡｕを蒸着することによって例えば鏡面反射膜状に形成されている。その厚さとしては、光が透過しない程度であればよいが、０．３μｍ以上が望ましい。また、反射率は基板に光が入射しない方がよいので、高い程よく、９５％以上が望ましい。
　【００２４】
　以上のように構成されたこの実施の形態の光半導体装置について、以下、その動作を説明する。
　【００２５】
　まず、半導体基板１上の半導体レーザ素子２から信号検出用光を出射すると同時に迷光が発生し、上記迷光が凹部１ａの側面に入射しようとするが、矩形の凹部１ａの４側面のうちの半導体レーザ素子２と信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の間に存在する２側面に遮光領域１０を設けると、信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の周辺から半導体基板１内に迷光が侵入することを防ぎ、半導体基板１の表面の凹部１ａの周辺（つまり、信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の周辺）において半導体基板１の表面に迷光キャリアが発生することを抑える。
　【００２６】
　以上のように、第１の実施の形態によれば、凹部１ａの側面のうちの半導体レーザ素子２と信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の間に存在する側面に設けた遮光領域１０により、半導体基板１の凹部１ａの側面のうちの信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の周辺の側面からの半導体基板１内への迷光の侵入を防ぎ、半導体基板１の表面の凹部１ａの周辺（つまり、信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８の周辺）において迷光キャリアの発生を抑えることができる。その結果、半導体基板１の表面の凹部１ａの周辺において迷光キャリアが信号検出用受光素子３，４，５，６，７，８に吸収されることを防ぎ、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる。
　【００２７】
　なお、半導体基板１の表面の凹部１ａの底面に遮光領域１０を設けても、上述のように側面に設ける場合と同じような効果が得られることはいうまでもない。
　【００２８】
　〔第２の実施の形態）
　【００２９】
　以下、本発明の第２の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
　【００３０】
　図３は本発明の第２の実施の形態における光半導体装置の平面レイアウトを概略的に示す平面図である。図４は、図３に示した半導体基板１のＡ−Ａ’線断面を模式的に示す断面図である。図３および図４において、２１は半導体基板、２２は半導体基板２１の側方に設けられて矢符２７で示すように半導体基板２１の上面部に対してほぼ垂直方向に信号検出用光を出射する半導体レーザ素子である。２３，２４，２５，２６は受光部となる信号検出用受光素子であり、半導体基板２１の上面部に形成されている。
　【００３１】
　２８は半導体基板２１の側面における信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６と半導体レーザ素子２２の間に存在する側面に選択的に設けた遮光領域で、反射率の高い物質により構成されている。この遮光領域２８は、半導体レーザ素子２２から発生した迷光が半導体基板２１の半導体レーザ素子２２側の側面から信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６の方向に半導体基板２１内に侵入することを防ぎ、半導体基板２１の半導体レーザ素子２２側の側面周辺（つまり、信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６の周辺）における迷光キャリアの発生を抑える作用がある。また、３０は半導体基板２１および半導体レーザ素子２２を一体的に接着固定するための直方体状の台であり、例えば銅等の金属またはプラスチックでできている。
　【００３２】
　以上のように構成されたこの実施の形態の光半導体装置について、以下、その動作を説明する。
　【００３３】
　まず、半導体レーザ素子２２が光を出射すると同時に迷光が発生し、上記迷光が半導体基板２１の側面に入射しようとするが、半導体基板２１の４側面のうちの半導体レーザ素子２２と信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６の問に存在する側面に遮光領域２８を設けると、遮光領域２８が半導体基板２１の半導体レーザ素子２２側の側面周辺（つまり、信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６の周辺）から半導体基板２１内に迷光が侵入することを防ぎ、半導体基板２１の半導体レーザ素子２２側の側面周辺において半導体基板２１の表面に迷光キャリアが発生することを抑える。
　【００３４】
　なお、半導体レーザ素子２２から出た信号検出用光を信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６で受光する動作については、先の実施の形態と同様である。
　【００３５】
　以上のように、第２の実施の形態によれば、半導体基板２１の側面のうちの半導体レーザ素子２２と信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６の間に存在する側面に設けた遮光領域２８により、半導体基板２１の側面のうち、信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６の周辺に存在する側面から半導体基板２１内への迷光の侵入を防ぎ、半導体基板２１の半導体レーザ素子２２の側の側面周辺（つまり、信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６の周辺）における迷光キャリアの発生を抑えることができる。その結果、半導体基板２１の半導体レーザ素子２２の側の側面周辺の迷光キャリアが信号検出用受光素子２３，２４，２５，２６に吸収されることを防ぎ、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる。
　【００３６】
　〔第３の実施の形態〕
　【００３７】
　以下、本発明の第３の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
　【００３８】
　図５は本発明の第３の実施の形態における光半導体装置の平面レイアウトを概略的に示す平面図である。図６は、図５に示した半導体基板４１のＡ−Ａ’線断面を模式的に示す断面図である。図５および図６において、４１は半導体基板である。４２は光源となる半導体レーザ素子であり、半導体基板４１の表面に搭載されている。４３，４４は半導体基板４１の表面において半導体レーザ素子４２の搭載部分の周辺に形成された受光素子となる信号検出用受光素子である。４８は半導体基板４１の上、特に信号検出用受光素子４３，４４の上に固定された透明の光学素子としてのマイクロプリズムであり、半導体基板４１の表面とほぼ平行に出射した半導体レーザ素子４２からの信号検出用光を半導体基板４１の表面とほぼ垂直方向に反射させる機能を有する。
　【００３９】
　４６は半導体基板４１の表面における半導体レーザ素子４１とマイクロプリズム４８との間に存在する部分に設けられた遮光領域で、反射率の高い物質により構成されている。この遮光領域４６は、半導体レーザ素子４２から発生した迷光が信号検出用受光素子４３，４４の方向に半導体基板４１内に侵入することを防ぎ、半導体レーザ素子４２と信号検出用受光素子４３，４４の間の半導体基板４１の周辺（つまり、信号検出用受光素子４３，４４の周辺）における迷光キャリアの発生を抑える作用がある。
　【００４０】
　以上のように構成されたこの実施の形態の光半導体装置について、以下、その動作を説明する。
　【００４１】
　まず、半導体基板４１上の半導体レーザ素子４２が光を出射すると同時に迷光が発生し、上記迷光が半導体基板４１の表面に入射しようとするが、半導体基板４１の表面において、半導体レーザ素子４２と信号検出用受光素子４３，４４の間の部分に遮光領域４６を設けると、遮光領域４６が半導体レーザ素子４２と信号検出用受光素子４３，４４の間の半導体基板４１の周辺（つまり、信号検出用受光素子４３，４４の周辺）から半導体基板４１内に迷光が侵入することを防ぎ、半導体レーザ素子４２と信号検出用受光素子４３，４４の間の半導体基板４１の周辺において半導体基板４１の表面に迷光キャリアが発生することを抑える。
　【００４２】
　なお、半導体レーザ素子４２から出た信号検出用光を信号検出用受光素子４３，４４で受光する動作については、先の実施の形態と同様である。
　【００４３】
　以上のように、第３の実施の形態によれば、半導体基板４１の表面の半導体レーザ素子４２と信号検出用受光素子４３，４４の間の部分に設けた遮光領域４６により、半導体レーザ素子４２と信号検出用受光素子４３，４４の間の半導体基板４１の周辺（つまり、信号検出用受光素子４３，４４の周辺）の半導体基板４１の表面から半導体基板４１内への迷光の侵入を防ぎ、半導体レーザ素子４２と信号検出用受光素子４３，４４の間の半導体基板４１の周辺における迷光キャリアの発生を抑えることができる。その結果、迷光キャリアが信号検出用受光素子４３，４４に吸収されることを防ぎ、光記録媒体の信号をより正確に出力することができる。
　【００４４】
　【発明の効果】
　本発明の請求項
１記
ような凹部を表面に設けた第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記凹部の外の前記表面に設けられた第２導電型の不純物領域からなる受光部と、前記凹部内の底面に搭載したレーザ光源とを備え、前記レーザ光源から出射された信号検出用光が前記凹部の傾斜側面で反射され、反射された前記信号検出用光が光記録媒体で反射されて前記受光部に集光され前記受光部で信号検出する
前記レーザ光源から発生した迷光が前記半導体基板内に侵入するのを防ぐ
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施の形態における光半導体装置の構成を示す平面図である。
　【図２】
　同光半導体装置の構成を示す断面図である。
　【図３】
　本発明の第２の実施の形態における光半導体装置の構成を示す平面図である。
　【図４】
　同光半導体装置の構成を示す断面図である。
　【図５】
　本発明の第３の実施の形態における光半導体装置の構成を示す平面図である。
　【図６】
　同光半導体装置の構成を示す断面図である。
　【図７】
　従来の光半導体装置の構成を示す平面図である。
　【図８】
　同光半導体装置の構成を示す断面図である。
　【図９】
　同光半導体装置の構成を示す断面図である。
　【符号の簡単な説明】
１　　半導体基板
１ａ　　凹部
２　　半導体レーザ素子（光源）
３〜８　　信号検出用受光素子（受光部）
１０　　遮光領域
２１　　半導体基板
２２　　半導体レーザ素子（光源）
２３〜２６　　信号検出用受光素子（受光部）
２８　　遮光領域
３０　　台
４１　　半導体基板
４２　　半導体レーザ素子（光源）
４３，４４　　信号検出用受光素子（受光部）
４６　　遮光領域
４８　　マイクロプリズム（光学素子）