【事件の表示】
特許第２９４９２９６号「窒化アルミニウム質基板」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４９２９６号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９４９２９６号の発明は、平成２年３月１３日に出願され、平成１１年７月９日にその設定登録がなされたものである。
　これに対し、その後北村二郎より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月２８日付けで訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成１２年７月２８日付けの訂正請求は、特許請求の範囲をその減縮を目的として、次のとおり訂正するものである。
訂正事項ａ：請求項１及び２の「窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を含有する焼結体」を「窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を含有し、相対密度９５％以上の焼結体」に訂正する。
訂正事項ｂ：請求項１及び２の「酸化アルミニウムを主体とする厚さ０．０５〜５μｍの被覆層」を「酸化アルミニウムを主体として、上記金属又は金属化合物を含有する厚さ０．０５〜５μｍの被覆層」に訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ及びｂは、特許請求の範囲に記載された発明の構成事項をそれぞれ限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、しかも、これら訂正は特許明細書に記載した事項の範囲内でなされたものであるから新規事項の追加に該当せず、また当該訂正によって実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（３）むすび
　以上のとおり、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについての判断
（１）本件発明
　本件請求項１及び２に係る発明は、上記訂正を認容することができるから、訂正後の特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項によって特定される次のとおりのものである。
「（１）窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を含有し、相対密度９５％以上の焼結体の表面に、酸化アルミニウムを主体として、上記金属又は金属化合物を含有する厚さ０．０５〜５μｍの被覆層を形成したことを特徴とする窒化アルミニウム質基板。
（２）窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を含有し、相対密度９５％以上の焼結体の表面に、酸化アルミニウムを主体として、上記金属又は金属化合物を含有する厚さ０．０５〜５μｍの被覆層および金属導体層を順次被覆形成したことを特徴とする窒化アルミニウム質基板。」（以下、それぞれ「本件訂正発明１及び２」という）
（２）引用刊行物の記載内容
　特許異議申立人が提出し当審が取消理由通知において引用した刊行物１及び２には、それぞれ次の事項が記載されている。
引用例１：特開平１−１５３５７３号公報
（イ）「本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、メタライズの位置決めが容易で、しかもメタライズ層の接合強度を向上することができ、更には熱伝導率も従来より高いＡｌＮ質焼結体を提供することを目的とする。」（第２頁上段左欄第６行乃至第１０行）
（ロ）「Ｙ２Ｏ３　１〜１０重量％、ＴｉＮ　０．１〜１５重量％、残部ＡｌＮからなることを特徴とするＡｌＮ質焼結体」（第１頁左欄特許請求の範囲の項）
（ハ）「なお、・・・ＴｉＮはＡｌＮと固溶せず、・・・ＡｌＮの粒界に単層で存在することが確認されている。また、メタライズを行うと、焼結体中のＴｉＮが焼結体とメタライズ層との境界に移動し、ＡｌＮ−ＴｉＮ−金属層が形成され、ＴｉＮ層を介して接合がなされる。」（第２頁上段右欄第１４行乃至第２０行）
（ニ）「本発明において、ＴｉＮの組成を０．１〜１５重量％としたのは以下のような理由による。すなわち、０．１重量％未満では焼結体が着色せず、メタライズ層の接合強度も低下する。一方、１５重量％を超えると、・・・メタライズ層の接合強度も低下する。・・・なお、上述したＴｉＮの作用と同様の作用は、ＴｉＯ２、ＴｉＣ、ＴｉＳｉ、ＴｉＢ２などでも発揮し得る可能性については充分予想される。」（第２頁下段左欄第１行乃至第１５行）
（ホ）「本発明のＡｌＮ焼結体は各原料を上記の割合で配合し、混合・粉砕した後、成形し、真空中又は非酸化性ガス雰囲気中、１７００〜１９００℃で焼成することにより製造することができる。・・・本発明において、Ｙ２Ｏ３は焼結助剤として作用する。Ｙ２Ｏ３の組成を１〜１０重量％としたのは、１重量％未満では緻密な焼結体を得ることができず、・・・などの理由による。」（第２頁上段左欄第１５行乃至右欄第１０行）
引用例２：特開昭６２−１９７３７３号公報
（イ）「（１）窒化アルミ二ウム焼結体の表面に酸化アルミニウム層を形成する工程；
該酸化アルミニウム層の上にモリブデンと、マンガンおよびチタンの群から選ばれる少なくとも１種とを含むメタライズ層を形成する工程；とを具備することを特徴とする窒化アルミ二ウム焼結体のメタライズ方法。
（２）該酸化アルミニウム層を形成する工程が、該窒化アルミニウム焼結体を酸化雰囲気中で加熱する工程である特許請求の範囲第１項記載の方法」（第１頁左欄特許請求の範囲の項）
（ロ）「本発明は・・・ＡｌＮ焼結体とメタライズ層との間に酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）層を介在せしめることによりＡｌＮ焼結体とメタライズ層との接合強度を高める方法に関する。」（第１頁左欄第１８行乃至右欄第３行）
（ハ）「かくして、ＡｌＮ焼結体はその表面から深部にむかってＡｌ２Ｏ３層に転化していくことになるが、その場合、形成されるＡｌ２Ｏ３層の厚みがあまりに薄いと後工程のメタライズ層の形成が困難となり、またあまり厚くなりすぎるとＡｌＮ焼結体の放熱性を全体として低下せしめ、また、Ａｌ２Ｏ３層内のクラック、ＡｌＮ焼結体との間の界面で剥離現象が生ずるので、通常は０．１〜１００μｍにする。好ましくは１〜２０μｍであり、とくに好ましくは３〜１０μｍである。」（第２頁上段右欄第８行乃至第１７行）
（ニ）「実施例１
誘電率・・・であり、焼結肋剤としてＹ２Ｏ３を用いたＡｌＮ焼結板・・・を、大気中において１１００〜１２００℃で１時間加熱処理した。表面には厚みが１〜５μｍであるα−Ａｌ２Ｏ３層が形成された。・・・Ａｌ２Ｏ３層の上には厚み１０〜２０μｍのＭｏ−Ｍｎメタライズ層が形成された。・・・その後、Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層に無電界めっき法で厚み２〜６μｍのＮｉめっき層を形成し、・・・この上にコバール（Ｋｏｖａｒ）ピンを８００℃でろう付け（ろう付け面積２ｍｍ２）した。コバールピンの自由端を引張り試験機で把持して引張り試験を行なった。引張り強さ３ｋｇ／ｍｍ２のときにＭｏ−Ｍｎメタライズ層とＡｌ２Ｏ３層との間が剥離した。つまり、Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層とＡｌＮ焼結体との接合強度は３ｋｇ／ｍｍ２と判定することができる。」（第３頁上段左欄第９行乃至下段左欄第４行）
（３）当審の判断
（ｉ）本件訂正発明１について
　上記引用例１には、半導体素子の実装用基板などとして用いられる「窒化アルミニウム質焼結体」に関し、そのメタライズ層との接合強度の向上を図るために、「ＴｉＮ　０．１〜１５重量％」を含有した「Ｙ２Ｏ３　１〜１０重量％、ＴｉＮ　０．１〜１５重量％、残部ＡｌＮからなることを特徴とするＡｌＮ質焼結体」の発明（以下、「引用例１発明」という）が記載されている。
　そこで、本件訂正発明１と上記引用例１発明とを対比すると、引用例１発明も半導体素子の実装用基板として用いられるから「窒化アルミニウム質基板」と云うことができるし、両者は「Ｔｉの窒化物」を含有する点でも共通している。また、引用例１発明は、「Ｙ２Ｏ３」を含有しているが、本件訂正発明１も、特許明細書の記載から明らかな如く、「Ｙ等の希土類金属の酸化物」を焼結助剤として含有するものであるから、引用例１発明が「Ｙ２Ｏ３」を含んでいても、そのことで両者の「窒化アルミニウム質基板」に差異があるとすることはできないから、結局のところ、両者は、「窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉの窒化物を含有する焼結体である窒化アルミニウム質基板」の点で一致し、次の（イ）乃至（ハ）の点で相違していると云える。
（イ）本件訂正発明１は、「焼結体の表面に、酸化アルミニウムを主体とする厚さ０．０５〜５μｍの被覆層を形成」するのに対し、引用例１発明は、この点の構成を有しない点
（ロ）本件訂正発明１は、被覆層が「酸化アルミニウムを主体として、上記金属又は金属化合物を含有」するのに対し、引用例１発明は、この点の構成を有しない点
（ハ）本件訂正発明１は、焼結体が「相対密度９５％以上」であるのに対し、引用例１発明は、この点が明らかでない点
　次に、これら相違点について検討する。
上記（イ）の点について
　本件訂正発明１における「酸化アルミニウム層」の技術的な意味について検討すると、この「酸化アルミニウム層」は窒化アルミニウム基板母材と金属導体層との接着強度を高めるためにその表面に形成されるものであり、その形成の仕方も窒化アルミニウム基板の表面を酸化処理するというものである。
　しかるに、このような上記（イ）の点でいう金属導体層との接着強度の向上手段と全く同じやり方が上記引用例２によって既に公知である。すなわち、引用例２には、「窒化アルミニウム焼結体」の表面を酸化処理してその表面に「酸化アルミニウム層」をとくに好ましくは３〜１０μｍ（第２頁上段右欄第１７行参照）形成すれば、窒化アルミニウム焼結体とメタライズ層との接合強度を３ｋｇ／ｍｍ２（上記（ニ）参照）や４ｋｇ／ｍｍ２（第３頁下段左欄第１８行参照）まで高めることができると記載されている。
　そうすると、引用例１と引用例２とは、共に「窒化アルミニウム焼結体」と金属導体層との接着強度の向上手段に関する証拠であり、引用例２に接した当業者であれば、引用例２に記載の上記向上手段を引用例１発明に採用すれば、引用例１発明の「窒化アルミニウム質基板」の接着強度をさらに高めることができると考えるに何ら困難性はないと云うべきである。
　してみると、上記（イ）の点については、上記引用例２から当業者が容易に想到することができたものであるとするのが相当である。
上記（ロ）の点について
　窒化アルミニウム焼結体の表面に形成された酸化アルミニウム層が「ＴｉＮ」などの金属化合物を含有する点は、当業者にとって自明の事項でありこの点に格別の技術的な意味があるとすることはできない。
　すなわち、上記（ロ）の点でいう「被覆層が酸化アルミニウムを主体として、上記金属化合物を含有する」の意味するところは、本件特許明細書の「次に、上記窒化アルミニウム質焼結体に対し酸化処理を行うことにより・・・被覆層が形成することができる。・・・その層中には焼結体中に含まれていた焼結助剤成分や前記金属または金属化合物も一部酸化された状態で含有される。」（特許公報第４欄第４９行乃至第５欄第５行）という記載によれば、焼結体に含有された焼結助剤や金属化合物が酸化処理によって一部酸化されその余が形成された被覆層にそのまま含有された状態であるという、いわば酸化処理後の自明の表面状態を表現しただけのことである。
　そうすると、引用例１発明もその焼結体中に「ＴｉＮ」という金属化合物が含有されているのであるから、引用例１発明の「窒化アルミニウム焼結体」の表面を上記引用例２の教示に従って酸化処理すれば当然にその「酸化アルミニウム層」に酸化されない一部の「ＴｉＮ」がそのまま含まれていることは当業者にとって自明であるから、上記（ロ）の点は、上記（イ）の点に付随した自明の事項であり、この点に格別の技術的な意味があるとすることはできない。
上記（ハ）の点について
　本件訂正発明１の「焼結体が相対密度９５％以上」という点は、本件特許明細書の「本発明の窒化アルミニウム質基板の製造方法としては、・・・具体的には酸素含有量０．４〜３重量％の窒化アルミニウム粉末に前記金属および金属化合物を０．０１〜５重量％の割合で添加する。また所望により焼結性を高めるためにＣａ、Ｂａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属やＹ等の希土類金属の酸化物、炭化物、窒化物等を焼結助剤として０．０１〜１５重量％の割合で添加混合した後に、公知の方法で成形し、窒素や窒素と水素との混合雰囲気等の非酸化性雰囲気中で１５５０〜１９５０℃の温度で焼成することにより相対密度９５％以上の焼結体を得ることができる。」（特許公報第４欄第２８行乃至第４１行）という記載によれば、焼結助剤や焼成温度等によって達成されるものであり、請求項１に記載された技術的な事項（構成要件）に裏付けられたものではない。
　そうすると、上記（ハ）の点は、本件訂正発明１の構成に裏付けされていない、いわば単なる「窒化アルミニウム焼結体」として望ましい「相対密度」の数値を示しただけのことと云うべきであるから、この点にも格別の技術的な意味があるとすることはできない。
　さらに上記（ハ）の点について言及するならば、上記引用例１発明も、引用例１の上記（ホ）の記載に徴すれば、「緻密な焼結体」を得るために、Ｙ酸化物の焼結助剤を１〜１０重量％添加混合した後に、非酸化性ガス雰囲気中で１７００〜１９００℃の温度で焼成するものであり、この製造条件は、本件訂正発明１においてその「相対密度９５％以上」とする製造条件と同じであるから、本件訂正発明１は引用例１発明と上記（ハ）の点でも実質的な差異はないと云うべきである。
　してみると、本件訂正発明１は、上記引用例１及び２に記載の発明に基づいて当業者が容易に想到することができたものとするのが相当である。
　そして、本件訂正発明１の基板と金属導体層との接着強度の向上という点も上記引用例１及び２の記載から当業者であれば容易に予測することができる程度のものである。
（ｉｉ）本件訂正発明２について
　本件訂正発明２は、本件訂正発明１の構成に「および金属導体層を順次被覆形成した」点が追加されたものであるが、被覆層及び金属導体層を順次被覆形成することは、上記引用例１に記載されているから、本件訂正発明２と上記引用例１に記載の発明とを対比すると、両者の相違点は、本件訂正発明１との対比で摘示した上記（ｉ）の上記（イ）乃至（ハ）の点と同じであるから、本件訂正発明２も、本件訂正発明１と同様、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると云える。
　したがって、本件訂正発明１及び２は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１及び２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本件請求項１及び２に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月２６日（２０００．１２．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
本件訂正の要旨は、本件特許第２９４９２９６号発明の明細書を平成１２年７月２８日付け訂正請求書に添付された全文訂正明細書のとおり、すなわち、特許請求の範囲の減縮を目的として、次の訂正事項ａ及びｂのとおり訂正するものである。
訂正事項ａ：請求項１及び２の「窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を含有する焼結体」を「窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を含有し、相対密度９５％以上の焼結体」に訂正する。
訂正事項ｂ：請求項１及び２の「酸化アルミニウムを主体とする厚さ０．０５〜５μｍの被覆層」を「酸化アルミニウムを主体として、上記金属又は金属化合物を含有する厚さ０．０５〜５μｍの被覆層」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
窒化アルミニウム質基板
（５７）【特許請求の範囲】
（１）窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を含有
し、相対密度９５％以上の
、
して、上記金属又は金属化合物を含有
（２）窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、硼化物、酸化物から選ばれる１種以上を含有
し、相対密度９５％以上の
、
して、上記金属又は金属化合物を含有
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明は、窒化アルミニウム質基板に関し、詳細には金属導体層をその表面に有する半導体素子収納用パッケージ等の電子部品に適した窒化アルミニウム質基板に関する。
（従来技術）
　近時、情報処理装置の高性能化、高速化に伴い、それを構成する半導体集積回路も高密度化、高集積化が急速に進み、そのために半導体集積回路素子の大電力化により該素子の発熱量が著しく増加し、前記半導体集積回路素子を正常に且つ安定に作動させるためにはその発熱する熱をいかに効率的に除去するかが大きな課題となっている。
　そこで、従来から高熱伝導性に優れたセラミック材料として酸化ベリリウム質焼結体、ダイヤモンド、炭化珪素質焼結体等が提案されているが、酸化ベリリウム質焼結体は毒性があり使用上難点があり、ダイヤモンドは高価であり、また炭化珪素質焼結体は電気絶縁性、誘電率等の特性が悪いという欠点を有している。
　最近に至り、従来の高熱伝導性材料に代わり、高熱伝導性を有するとともに高い機械的強度、高電気絶縁性を有し、且つ熱膨張係数がアルミナに比べてシリコン単結晶に近い等の優れた特性を有する材料として窒化アルミニウム質焼結体が注目されている。
　この窒化アルミニウム質焼結体は、これを基板母材としてその表面に金属導体層を形成しようとする場合、窒化アルミニウム自体、金属との濡れ性が小さいことから基板母材と金属導体層との接着強度が低いという欠点を有している。
　このような問題に対し、窒化アルミニウム質焼結体をたとえば空気中で加熱して表面に金属との濡れ性のよい酸化アルミニウム層を形成するか、または酸化珪素等のガラス質層を塗布し、その表面に導体層を被着形成することにより接着強度を高めようとする方法が提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
　しかしながら、上述のように窒化アルミニウム質焼結体表面に酸化アルミニウム層を形成することによって導体層の接着強度は酸化アルミニウム層を設けない場合に比較して接着強度は向上するものの、実用的なレベルには至っておらず、特に金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等を主体とする導体層を形成する場合には接着強度は不十分であった。
　よって、窒化アルミニウム質焼結体を用いた電子部品の信頼性の点からも導体層の接着強度の高い基板が望まれている。
（発明の目的）
　よって、本発明の目的は窒化アルミニウム質焼結体を母材とする導体層の接着強度に優れた窒化アルミニウム質基板およびその製造方法を提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
　本発明者等は、上記問題点に対し検討を重ねた結果、母材として特定の金属およびそれらの金属化合物を含有する窒化アルミニウム質焼結体の表面に酸化アルミニウムを主体とする被覆層を形成し、さらにこの酸化アルミニウム層上に金属導体層を被着形成するもので、特定の金属あるいは金属化合物としてＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、ホウ化物、酸化物から選ばれる１種以上を選択することにより金属導体層の母材との接着強度を高めることができることを見出した。
　以下、本発明を詳述する。
　本発明の窒化アルミニウム質基板において、用いられる母材は、窒化アルミニウムを主体とし、少なくとも相対密度９５％の相対密度を有し、高密度、高熱伝導性であることが望ましく、また、場合によっては従来から公知の焼結助剤、例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属やＹ等の希土類金属の酸化物、炭化物、窒化物、フッ化物等を２０重量％以下の割合で含有する。
　本発明によれば、上記窒化アルミニウム質焼結体がＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体もしくは炭化物、窒化物、ホウ化物、酸化物から選ばれる少なくとも１種を含有することが重要である。この金属あるいは金属化合物は窒化アルミニウム質焼結体中に０．０１〜５重量％の割合で含有され、焼結体の色相を黒色化させる作用をなす。
　本発明によれば、上記特定の金属あるいは金属化合物を含有する窒化アルミニウム質焼結体の表面に酸化アルミニウムを主体とする被覆層を形成する。この被覆層は基板としての耐化学薬品性、例えばアルカリ等に対する腐食性を低減すると同時にこの被覆層上に金属導体層を形成した場合に母材への金属導体層の接着強度を向上することができる。
　また、上記被覆層はその厚みが０．０５〜５μｍ、特に０．２〜４μｍであることが重要で、その厚みが０．０５μｍより薄いと基板の耐化学薬品性や導体層の母材との接着強度が不十分となり、５μｍを越えると被覆層と母材との熱膨張差等に起因しクラック等が生じてしまう恐れがある。
　一方、被覆層上に形成される導体層としては従来から周知のものが挙げられ、例えばＷ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｍｏ−Ｍｎ等を主体とする金属導体からなり、これらは０．０１〜１００μｍの厚みで被着形成される。
　本発明の窒化アルミニウム質基板の製造方法としては、例えば母材として窒化アルミニウムを主体とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、ＣｏおよびＮｉの単体あるいはこれらの炭化物、窒化物、ホウ化物、酸化物から選ばれる１種以上の金属またはその化合物を含有する焼結体を用意する。具体的には酸素含有量０．４〜３重量％の窒化アルミニウム粉末に前記金属および金属化合物を０．０１〜５重量％の割合で添加する。また所望により焼結性を高めるためにＣａ、Ｂａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属やＹ等の希土類金属の酸化物、炭化物、窒化物等を焼結助剤として０．０１〜１５重量％の割合で添加混合した後に、公知の方法で成形し、窒素や窒素と水素との混合雰囲気等の非酸化性雰囲気中で１５５０〜１９５０℃の温度で焼成することにより相対密度９５％以上の焼結体を得ることができる。
　なお、例えば前記金属および金属化合物として酸化物を選択しても焼成条件により金属単体やその他の金属化合物に変換することができる。例えば、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３は窒素と水素との混合雰囲気中での焼成によりＴｉＮ、ＶＮ、Ｗ金属に還元される。また焼成炉内に敷粉や匣鉢としてＢＮ等が存在する場合、硼化物が生成される場合もある。
　次に、上記窒化アルミニウム質焼結体に対し酸化処理を行うことによりその焼結体表面の窒化アルミニウムを酸化アルミニウムに変換するこのにより被覆層が形成することができる。この時の被覆層はそのほとんどがα−Ａｌ２Ｏ３質で、その層中には焼結体中に含まれていた焼結助剤成分や前記金属または金属化合物も一部酸化された状態で含有される。この酸化処理は、例えば焼結体を大気中で７００〜１４００℃の温度で処理するか、または酸化性雰囲気中でレーザー光等を照射し部分的に酸化処理してもよい。なお、被覆層の厚みは前述した理由から０．０５〜５μｍになるように処理時間等を調整することが必要である。
　次に、前記被覆層上に金属導体層を形成する場合には、例えば周知の厚膜法等の手法によりスクリーン印刷、または浸漬法等により金属ペーストを塗布した後に７００〜１６００℃の温度で焼付け処理を行うか、または薄膜法の手法により蒸着法等により形成することができる。この金属導体層の厚みは０．０１〜１００μｍが望ましい。
　以下、本発明を次の例で説明する。
（実施例）
　窒化アルミニウム原料として酸素量１．０重量％、ＢＥＴ比表面積３．８ｍ２／ｇ、カーボン量２８０ｐｐｍのものを用い、焼結助剤としてＢＥＴ比表面積が６．０ｍ２／ｇのＥｒ２Ｏ３粉末及びＣａＣＯ３粉末、さらに平均粒径が０．１〜１５μｍの各種金属化合物を用いて第１表に示す割合で、さらにバインダーを添加して混合した。この混合物をスプレードライにより造粒後１ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力でプレス成形した。
　この成形体を脱バインダー処理した後、タングステン炉により窒素ガス雰囲気中で１８００℃で３時間焼成した。
　この焼結体をバレル研磨し、第１表の条件で酸化処理し、酸化膜を形成した。この時の外気湿度はいずれも３０〜８０％であった。
　次にこの酸化膜上にＡｕペーストを塗布し、８５０℃で焼付けを行い、そのＡｕ導体層上にＡｕ−Ｓｉ箔を乗せ、さらにＡｕ−Ｓｉ箔上に接触面積が８．５５ｍｍ２、直径１．５ｍｍのＡｇメッキしたＣｕ棒を乗せ、４４０℃の温度で接着した。
　得られた各試料に対し、焼結体の組成をＸ線回折により同定し、さらに熱伝導率、誘電率、誘電正接、固有抵抗値を２５℃において測定した。また、導体層の接着強度は前記ＡｇメッキしたＣｕ棒を垂直に引っ張り、導体層が剥がれる時の強度を測定した。
　また、第１表中、試料番号２２，２３，２４はカーボン炉内で焼成した。
　結果は第１表に示した。
　第１表によれば、酸化処理を全くせずに導体層を形成した試料Ｎｏ．９では接着強度は０．１Ｋｇ／ｍｍ２以下であり、殆ど実用に耐えないのに対し、母材中に前述した金属あるいは金属化合物を含有しない試料Ｎｏ．８、１８、２８は酸化膜形成してもその導体層の接着強度はせいぜい２．０Ｋｇ／ｍｍ２であり、試料Ｎｏ．９に比較すると効果は認められるが、接着強度としては不十分である。
　これに対し、母材中に前述したような金属を含有する本発明品はいずれも高い接着強度を示したが、酸化処理による酸化膜の厚みが０．０５μｍより薄い試料Ｎｏ．１０や、膜厚が５μｍより厚い試料Ｎｏ．１９，２０，２１はいずれも接着強度が低くなった。
　なお、母材中に金属化合物を含有させた場合、試料Ｎｏ．３１，３４に示すようにその量が多すぎると特性は劣化する。
（発明の効果）
　以上詳述したように、本発明の窒化アルミニウム質基板によれば、母材である窒化アルミニウム質焼結体の熱伝導率やその他の電気特性に何ら影響を及ぼすことなく、その表面に形成される金属導体層の基板母材との接着強度を高めることができ、これにより電子部品への適用において信頼性を高めるとともに製造歩留りをも挙げることができ、窒化アルミニウム質焼結体の基板としての応用を大きく促進することができる。