【事件の表示】
　特許第２９２４０２２号「化学増幅型レジスト用のレジスト剥離液、及びレジスト剥離方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９２４０２２号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９２４０２２号の請求項１ないし５に係る発明についての出願は、平成１年１２月４日に特許出願され、平成１１年５月７日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人 服部政平（以下、「異議申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年７月１７日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
(1)訂正の内容
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１〜４中の記載について、
「へキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスルホキシド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」とあるのを、ジメチルスルホキシドを削除して、
「へキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」
と訂正する。
イ．訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明において、
「発明の概要」の項中の「ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスルホキシド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」（明細書第２頁５行〜８行）（公報第３欄第１０〜１２行）を、
「ヘキサメチルホスホリツクトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」と訂正し、
「問題点を解決するための手段」の項中の「ヘキサメチルホスホリックトリアミド（化学式：〔（ＣＨ３）２Ｎ〕３ＰＯ）、ジメチルスルホキシド（化学式：（ＣＨ３）２ＳＯ ）、及びスルホラン」（明細書第５頁下から７行〜同４行）（公報第４欄第３３〜３５行）を、
「ヘキサメチルホスホリックトリアミド（化学式：〔（ＣＨ３）２Ｎ〕３ＰＯ）、及びスルホラン」と訂正し、
「問題点を解決するための手段」の項中の３か所の「上記３種の化合物」（明細書第６頁２行、同頁５行、及び同頁１０行）（公報第３欄第４４行、同４７行、第４欄第３９行）を、
「上記２種の化合物」と訂正し、
「実施例」の項中の
実施例−２の記載を削除し、実施例−３を実施例−２に繰り上げる訂正、すなわち、
明細書第１３頁最下行〜第１４頁５行（公報第１０欄第１０〜１５行）の
「ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を、特に他の溶剤と混和することなく１００％で、本発明に係るレジスト剥離液として用いて、実施例−１と同様にレジスト剥離を行った。本実施例でも、実施例−１とほぼ同様のレジスト剥離効果が得られた。
　実施例−３　　　」
を削除する訂正をする。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１ないし４中の「へキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスルホキシド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」という択一的な記載の選択肢のうちジメチルスルホキシドを削除して、「へキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」と訂正したものであるから、特許請求の範囲の滅縮に該当する。
　また、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、上記訂正は、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
(3)むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
(1)申立ての理由の概要
　異議申立人は、請求項１，３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであり、また、請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件出願は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないものであるとして、本件の請求項１ないし５に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。
(2)本件の請求項１〜５に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１〜５に係る発明（以下、「本件発明１〜５」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次のとおりのものである。
「２．特許請求の範囲
　１．へキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト用のレジスト剥離液。
　２．上記へキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を、１００％のもので用いることを特徴とする請求項１に記載の化学増幅型レジスト用のレジスト剥離液。
　３．へキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有するレジスト剥離液を、化学増幅型レジストの剥離に用いることを特徴とする化学増幅型レジストのレジスト剥離方法。
　４．上記へキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を、１００％のもので用いることを特徴とする請求項３に記載の化学増幅型レジストのレジスト剥離方法。
　５．上記レジストの剥離を、超音波を加える条件で用いることを特徴とする請求項３に記載の化学増幅型レジストのレジスト剥離方法。」
(3)刊行物等
　異議申立人の提出した甲第１号証（特開昭６０−２６３１４３号公報）、甲第２号証（フォトポリマーハンドブック）、甲第３号証（特開昭６４−８１９５０号公報）、甲第４号証（特開昭６４−４２６５３号公報）及び甲第５号証（特開昭６２−４９３５５号公報）には、以下の発明が記載されている。
［甲第１号証］特開昭６０−２６３１４３号公報
　特許請求の範囲第１項には、「１）適当な溶媒中に溶解された酸硬化型樹脂系及び光感応型酸生成剤とから成る水性現像可能な、二重作用性、熱安定性、感光性塗工用組成物から形成される表面上の像で、該像は架橋されており、２００℃を超える温度に対して熱安定性であることを特徴とする像。」が記載されている。前記酸硬化型樹脂系としては、特許請求の範囲の第４項に、「アミノプラスト樹脂と反応性水素含有化合物との混合物から成る特許請求の範囲第１項、第２項及び第３項のいずれかに記載の酸硬化型樹脂系。」と、アミノプラスト樹脂と反応性水素含有化合物との混合物であってよく、該アミノプラスト樹脂としては特許請求の範囲の第５項に、「メラミン、ベンゾグアナミン及び尿素樹脂から成る群から選ばれる特許請求の範囲第４項記載のアミノプラスト樹脂。」と、メラミン樹脂が挙げられている。また、反応性水素含有化合物としては、特許請求の範囲の第７項に、「フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ポリグルタルイミド、ポリビニルフェノール及び少なくとも１５重量％の（メタ）アクリル酸から生成された（メタ）アクリル酸−スチレン共重合体から成るアルカリ可溶性樹脂の群から選ばれる特許請求の範囲第４項記載の反応性水素含有化合物。」と、ノボラック樹脂が挙げられている。さらに、光感応型酸生成剤としては、特許請求の範囲の第１４項に、「ナフトキノンジアジドスルホン酸、ナフトキノンジアジドカルボン酸、ナフトキノンジアジドスルホン酸から誘導された重合体類、ナフトキノンジアジドカルボン酸から誘導された重合体類、ナフトキノンジアジドスルホン酸の脂肪族アルコールエステル類、オルトニトロ安息香酸及びそれらの混合物から成る群から選ばれて成る特許請求の範囲第１項、第２項及び第３項のいずれかに記載の光感応型酸生成剤。」と、ナフトキノンジアジド光感応型酸生成剤が挙げられている。そして、前記メラミン樹脂、ノボラック樹脂及びナフトキノンジアジド光感応型酸生成剤からなる感光塗工用組成物をウェーハ上に塗工してネガ像を形成する具体例が第１３頁左下欄５行〜右下欄８行に記載されている。前記像はジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド等で基体表面から除去されることが第１２頁左下欄５〜１２行に記載され、その具体例が第１３頁右下欄１７行〜第１４頁左上欄１行に、「表面に形成した熱安定性ポジ及びネガ像の剥離性試験を約１５０℃で約１分間ジメチルホルムアミド中にその像形成された表面を浸漬することによって行った。この液から表面を引き上げ、顕微鏡で観察したところ表面には像がなかった。」と記載されている。
［甲第２号証］フォトポリマー懇話会編「フォトポリマーハンドブック」株式会社工業調査会発行（１９８９年６月２６日）第７０〜７３頁
　「酸触媒と化学増幅効果を利用したレジストの高感度化」という表題のもとに、第７０頁１２行〜第７１頁１６行に、「…化学増幅型では、まず光により触媒作用のある物質を生成させ、つづいて熱処理によりこの物質と高分子中の官能基、あるいは官能物質と反応させる。…光酸発生剤を使用しこれから発生する酸性物質（Ｂ）を触媒として反応を進める…光酸発生剤として芳香族ジアゾニウム塩を用い、…基本的には基材高分子、光酸発生剤および感酸物質からなり光によって発生した酸を触媒として感酸物質が反応しポリマーの溶解性などが変化し、ポジ型あるいはネガ型レジストが得られる。この際、光照射後の加熱プロセスにより酸触媒反応が促進され高感度化され、これを化学増幅と呼んでいる。」と、化学増幅型レジストが説明され、その具体例が第７３頁４〜７行に、「…フェノールノボラック樹脂、メチロールメラミン、光酸発生剤からなる組成でネガ型レジストを発表した。光によって生成する酸を触媒としてメチロールメラミンがフェノール樹脂を架橋して不溶化させる。」と記載されている。
［甲第３号証］特開昭６４−８１９５０号公報
　特許請求の範囲には、「ジメチルスルホキシドとアミノアルコール類の中から選ばれる少なくとも一種と水とを含有することを特徴とするフォトレジスト剥離剤。」が記載され、その第４頁下欄には、「１００℃での剥離」という表題のもとに表１が示され、その比較例１にはジメチルスルホキシド１００％を使用した時のＲＩＥ処理及びイオン注入したサンプルのいずれもほとんど剥離されないことが示されている。
［甲第４号証］特開昭６４−４２６５３号公報
　特許請求の範囲には、「（Ａ）ジメチルスルホキシドを主成分とし、かつ（Ｂ）ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、γ−ブチロラクトン及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンの中から選ばれた少なくとも１種の溶剤１〜５０重量％及び（Ｃ）含窒素有機ヒドロキシル化合物溶剤０．１〜５重量％を含有して成るポジ型ホトレジスト用剥離液。」が記載され、その第４頁の表１の比較例４にはジメチルスルホキシド１００重量％を使用した時、１０分経過後も剥離しないことが示されている。
［甲第５号証］特開昭６２−４９３５５号公報
　実施例１には、モノエタノールアミン３０重量％、スルホラン１０重量％、ジエチレングリコールモノブチルエーテル６０重量％を含有するフォトレジスト用剥離剤組成物１が記載され（第５頁左上欄）、実施例１（第４頁左下欄〜右下欄）では、プレベーク及びポストベークの熱履歴を受けたＫＰＲ８２０，ＯＦＰＲ８００，ＡＺ１３５０の３種のレジストについて、第４頁右下欄の表に剥離剤組成物１によるフォトレジストの剥離速度（１．２）が他の剥離剤組成物２〜４による剥離速度（０．７〜０．９）と比較して記載されており、実施例２（第５頁右上欄〜左下欄）では、イオン注入処理ないしＲＩＥ処理されたフォトレジスト膜を剥離剤組成物１中に浸漬したところフォトレジスト膜が完全に剥離されることが確認されたと記載されている。
(4)第２９条第１項第３号についての対比・判断
　本件発明１，３と甲第１号証記載の発明とを比較すると、甲第１号証記載の発明において像を基体表面から除去するのに用いられているのはジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド等であり、本件発明１，３のレジスト剥離液ないしレジスト剥離方法における溶剤として含有されるべきへキサメチルホスホリックトリアミドないしスルホランではないので、本件発明１，３は甲第１号証記載の発明ではない。
(5)第２９条第２項についての対比・判断
　甲第１，３，４号証記載の発明は、レジスト剥離液についてはもっぱらジメチルスルホキサイド等に関するものであり、また、甲第２号証にはレジスト剥離液については何ら記載されていない。そして甲第５号証には、フォトレジスト膜用の剥離剤組成物にスルホランを使用しているものが記載されている。すなわち、甲第１〜５号証記載の発明のなかには、へキサメチルホスホリックトリアミドを用いているものはない。しかし、フォトレジスト膜用の剥離剤組成物にスルホランを含有したものを使用しているものとして上記したように甲第５号証記載の発明があるので、以下、本件発明１〜４と甲第５号証記載の発明とを比較する。
　甲第５号証記載の発明は、プレベーク及びポストベークの熱履歴を受けたもの（実施例１）、及びイオン注入処理ないしＲＩＥ処理されたもの（実施例２）に用いられるフォトレジスト膜用の剥離剤組成物として上記のようにスルホランを含有したものを使用している発明であるが、甲第５号証記載の発明において使用されているＫＰＲ８２０，ＯＦＰＲ８００，ＡＺ１３５０の３種のレジストは、本件各発明のレジスト剥離液ないしレジスト剥離方法が目的としている化学増幅型レジストとは認められない。
　本件各発明のレジスト剥離液ないしレジスト剥離方法における溶剤は、特許請求の範囲の記載からして化学増幅型レジストに用いられるものであり、しかも化学増幅型レジストに用いられて顕著な効果を奏するものであることは本件明細書記載のとおりである。しかし、甲第５号証には剥離剤組成物としてスルホランを含有したものを使用することが記載されていたとしても、スルホランを化学増幅型レジストに用いることや１００％のもので用いること、それによって顕著な効果を奏することを示唆する記載はない。また、上記したように他の甲第１〜４号証記載の発明には本件各発明のレジスト剥離液ないしレジスト剥離方法における溶剤であるへキサメチルホスホリックトリアミドないしスルホランについて何ら示唆がないことは上記のとおりである。
　したがって、本件発明１〜４は甲第１〜５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
(6)第３６条第４項について
　甲第３号証の比較例１、甲第４号証の比較例４では、ジメチルスルホキシド１００％の溶剤ではフォトレジスト膜の剥離が困難である旨記載されているが、訂正により、ジメチルスルホキシドは本件各発明のレジスト剥離液ないしレジスト剥離方法における溶剤ではなくなっているし、実施例にも記載されていないものなので、甲第３，４号証は、明細書記載の効果を疑問視するための証拠としては採用できない。
　また、訂正後の本件明細書における本件各発明の効果の記載は、訂正後の本件明細書記載のとおりであり、これらの記載は技術的に一貫したものであるから、明細書記載の効果を奏し得ないということが他の証拠から明らかでない以上、本件各発明が所期の効果を奏することができないとはいえないので、明細書の記載に不備があるとはいえない。
(7)むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし５に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１ないし５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月２０日（２００１．２．２０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の請求項１〜４中の記載について、特許請求の範囲の滅縮を目的として、
「ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスルホキシド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」とあるのを、ジメチルスルホキシドを削除して、
「ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」
と訂正する。
（２）不明瞭な記載の釈明を目的として、上記特許請求の範囲の訂正に対応して、発明の詳細な説明において、
「発明の概要」の項中の「ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスルホキシド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」（明細書第２頁５行〜８行）（公報第３欄第１０〜１２行）を、
「ヘキサメチルホスホリツクトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤」と訂正し、
「問題点を解決するための手段」の項中の「ヘキサメチルホスホリックトリアミド（化学式：〔（ＣＨ３）２Ｎ〕３ＰＯ）、ジメチルスルホキシド（化学式：（ＣＨ３）２ＳＯ）、及びスルホラン」（明細書第５頁下から７行〜同４行）（公報第４欄第３３〜３５行）を、
「ヘキサメチルホスホリックトリアミド（化学式：〔（ＣＨ３）２Ｎ〕３ＰＯ）、及びスルホラン」と訂正し、
「問題点を解決するための手段」の項中の３か所の「上記３種の化合物」（明細書第６頁２行、同頁５行、及び同頁１０行）（公報第３欄第４４行、同４７行、第４欄第３９行）を、
「上記２種の化合物」と訂正し、
「実施例」の項中の
実施例−２の記載を削除し、実施例−３を実施例−２に繰り上げる訂正、すなわち、
明細書第１３頁最下行〜第１４頁５行（公報第１０欄第１０〜１５行）の
「ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を、特に他の溶剤と混和することなく１００％で、本発明に係るレジスト剥離液として用いて、実施例−１と同様にレジスト剥離を行った。本実施例でも、実施例−１とほぼ同様のレジスト剥離効果が得られた。
　実施例−３　　　」
を削除する訂正をする。
（５４）【発明の名称】
化学増幅型レジスト用のレジスト剥離液、及びレジスト剥離方法
（５７）【特許請求の範囲】
　１．ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト用のレジスト剥離液。
　２．上記ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を、１００％のもので用いることを特徴とする請求項１に記載の化学増幅型レジスト用のレジスト剥離液。
　３．ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有するレジスト剥離液を、化学増幅型レジストの剥離に用いることを特徴とする化学増幅型レジストのレジスト剥離方法。
　４．上記ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を、１００％のもので用いることを特徴とする請求項３に記載の化学増幅型レジストのレジスト剥離方法。
　５．上記レジストの剥離を、超音波を加える条件で用いることを特徴とする請求項３に記載の化学増幅型レジストのレジスト剥離方法。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、化学増幅型レジスト用のレジスト剥離液、及びレジスト剥離方法に関する。本発明のレジスト剥離液は、各種の化学増幅型レジストの剥離に汎用することができる。例えば、半導体装置等の電子材料あるいはその他の材料を形成する場合に用いられるフォトリソグラフィ技術等において使用されるレジストについて、該レジストの剥離のために利用することができる。本発明は特に、従来は剥離が困難であった化学増幅型レジストについて、これを容易に剥離して除去できるレジスト剥離液、及びレジスト剥離方法を提供するものである。
〔発明の概要〕
　本発明のレジスト剥離液、及びレジスト剥離方法は、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、及びスルホランから成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有するものであって、この構成により従来は溶剤による剥離が困難であった化学増幅型レジストをも容易に剥離できるようにしたものである。
〔従来の技術〕
　各種加工技術においてレジストが用いられている。例えば、フォトリソグラフィ技術によりレジストをパターニングし、該レジストをマスクにエッチングを行って所望のパターンを得たり、あるいはイオン注入を行って必要な場所にのみ不純物をドープすることなどが行われている。
　これらレジストは、必要な工程が終了した後、除去されなければならない。
　しかしレジストの中には、除去が必ずしも容易ではないものがある。
　例えば、エッチング後のレジストや、高ドーズ量でのイオン注入後のレジストなどは、高いエネルギーが照射されたことによる硬化の進行等の各種理由で、剥離が困難になることがある。
　従来このような剥離困難なレジストの除去には、酸素プラズマによるアッシング技術が用いられている。しかしこれらプラズマを用いる手法は、基板等に不純物を叩きこむ等の悪影響がある。このため最近は、もともとレジストが含有している不純物を減らすことによりプラズマ処理しても不純物が入り込まないようにしたり、あるいはアッシング方法そのものを低ダメージ化することが、開発目標となっている。とは言え、上記のようなプラズマなどの高エネルギーを用いる処理は、不可避的に基板等の被処理体に影響を及ぼすものであり、ダメージを与える可能性を拭いきれない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　上記説明したとおり、基板等の被処理体に不純物を叩きこまずにこれを清浄に保つためには、また、ダメージ等の悪影響を与えないためには、上記の如きプラズマ処理はなるべく避けるのが好ましい。よって、レジストを溶剤により除去すべく、レジスト剥離液が開発されている。これらは総称で、リムーバーと呼ばれている。これらリムーバーの成分としては、フェノール等のものや、強アルカリの液、またエタノールアミン類等の溶剤などが挙げられる。
　しかしながら、これらリムーバーと称される従来のレジスト剥離液は、必ずしも汎用性が無く、例えば上述したような除去困難なレジストについては、充分な剥離作用を示さないことがある。例えば剥離を充分に行おうとすると、剥離時に加熱が必要で、結局加熱に伴う問題を生ずるものであったり、あるいは取り扱いが危険だったりするものが多かった。
　また、レジスト自体の性質により剥離が難しいものがあり、近年注目されているいわゆる化学増幅型のレジストは、従来の剥離液によっては充分に剥離することが困難である。
　本発明は上記問題点を解決して、取り扱いが容易でしかも剥離作用が大きく、よって従来は除去困難だったレジストをも容易に剥離できる、汎用性に富むレジスト剥離液を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明のレジスト剥離液は、ヘキサメチルホスホリックトリアミド（化学式：〔〔ＣＨ３）２Ｎ〕３ＰＯ）、
　　及びスルホラン（化学式：Ｃ４Ｈ８ＳＯ２、構造式：
）から成る化合物群から任意に選ばれる少なくとも１種の溶剤を含有する化学増幅型レジスト用のレジスト剥離液であり、本発明のレジスト剥離方法は、該レジスト剥離液を化学増幅型レジストの剥離に用いるものであって、この構成により上述した目的を達成したものである。
　本発明のレジスト剥離液は、上記２種の化合物のいずれか少なくとも１種を、レジスト剥離のための有効主成分として含んでいればよい。
　上記２種の化合物はいずれも取り扱いが容易で、そのまま使用しても問題ないので、それぞれの化合物１００％のものを好ましく使用できる。勿論、上記化合物同士、あるいは他の溶剤と混和して用いてもよい。
　上記２種の化合物はいずれも水に溶け易く、従って水で洗浄除去できるので取り扱いが容易である。毒性もない。
　いずれも蒸気圧が比較的低く、この点でも取り扱い性が良好である。蒸気圧が低いという点等では、ヘキサメチルホスホリックトリアミド（以下適宜「ＨＭＰＡ」と略記する）が最も好ましい。
〔作用〕
　本発明のレジスト剥離液は、剥離能力が高く、比較的剥離困難な状態になったレジスト（エッチング後や、イオン注入後のレジストなど）や、もともと剥離困難なレジスト（例えばいわゆる化学増幅型レジスト）などをも、室温中性条件下で、容易に剥離できる。
　本発明のレジスト剥離液が各種のレジスト、特に化学増幅型レジストの剥離についてこのようなすぐれた剥離性能を示す理由は必ずしも明らかではないがこれは本発明における各化合物の溶剤としての性質に由来するものと考えられる。また、取り扱い性等の利点も、各化合物の性質に基づくものである。
〔実施例〕
　次に本発明の実施例について説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下に述べる実施例により限定されるものではなく、種々の態様をとることができるものである。
実施例−１
　本実施例では、主成分としてＨＭＰＡを含有する剥離液をレジスト剥離液とした。特に、本実施例のレジスト剥離液は、ＨＭＰＡに特に他の溶剤を混和することなく、１００％のＨＭＰＡをそのまま用いて剥離液としたものである。
　本実施例では、次の３種のレジストの剥離を実施した。
　▲１▼ノボラック−ナフトキノンジアジド系の汎用ポジレジスト（具体的には東京応化（株）製ＴＳＭＲ−Ｕ３を使用）から形成されたパターンであって、ＣＦ４反応ガス中でプラズマエッチングを施した後のレジストパターン。
　▲２▼上記▲１▼と同じレジストのパターンであって、基板にヒ素Ａｓを高ドーズ量（具体的には１０１５／ｃｍ２）イオン注入した場合に用いた後のレジストパターン。
▲３▼ノボラック樹脂をベースレジンとし、光酸発生剤と、重合剤であるヘキサメチロールメラミンとを含有する化学増幅型レジスト（具体的にはシップレー社製ＳＡＬ６０１−ＥＲ７を使用）のレジストパターン。
　即ち、上記▲１▼はエッチングのマスクとして使用したレジストパターンの残りを除去する場合であり、また上記▲２▼は高ドーズ量でイオン注入するときのマスクとして使用したレジストパターンを除去する場合である。いずれも従来は除去が困難で、下地にダメージを与えるおそれのある酸素プラズマアッシングによって除去しなければならないものであった。また、上記▲３▼は、レジスト自体の性質として除去が困難なものである。
　本実施例では、本発明に係るレジスト剥離液として上記ＨＭＰＡを用いるとともに、比較のレジスト剥離液として、Ｎ−メチルピロリドン系溶剤からなるシップレー１１１２Ａ（シップレー社）、及びこれを水で１：１に希釈したものを用いた。
　処理条件は、比較のレジスト剥離液については、５０℃で３分と、８０℃で５分の２条件で行った。また本発明に係るレジスト剥離液であるＨＭＰＡについては、２５℃で３分と、同じく２５℃で３分であるが超音波を加える条件の２条件で行った。なお、比較の剥離液についても本発明に係るレジスト剥離液を用いた場合と同じ条件での剥離も試みたが、いずれのレジストに対しても剥離不可能であった。
　結果を次の表−１に示す。表−１中、剥離結果の評価は、次のとおりとした。
　◎…レジスト剥離が充分で、レジストが完全に除去された。
　○…レジスト剥離が良好であった。但し若干の残渣が残る場合がある。
　△…レジストはおおむね剥離されるが、残渣が残り、剥離が充分でなく、実用不可。
　×…レジスト剥離が困難。
　表−１から理解されるように、本発明に係るレジスト剥離液によれば、室温、中性条件下で各種のレジストを剥離除去できる。特に、従来から剥離困難とされてきたエッチング後のレジストパターンや、イオン注入後のレジストパターンについて良好なレジスト剥離が行えるとともに、これに加え、最近注目されている化学増幅型レジストパターンのようなそれ自体剥離の難しいレジストまでをも、室温、中性条件下で剥離できる。
　即ち、表−１から明らかなように、被剥離レジストとして用いた▲１▼〜▲３▼の各レジストのパターンについては、従来の比較のレジスト剥離液を用いると、レジスト剥離ができないか、あるいは８０℃の如き高温で５分にわたって処理した場合でも、実用的なレジスト除去は達成できない。即ち、比較のレジスト剥離液であるシップレー１１１２Ａは、純液（１００％）で用いると、希釈液よりは多少剥離力は良いが、本発明に係るレジスト剥離液には及ばず、実用的なレジスト除去は達成できない。これに対し、本発明に係るレジスト剥離液であると、２５℃という室温条件下で、つまり特別に加温等を要さずに、３分という短時間でレジスト剥離、とりわけ従来は実用的な剥離は困難であった化学増幅型レジストの剥離を良好に達成できる。更に、超音波洗浄等の場合に用いるような超音波をかけることで、除去効果を一層完全にできる。
　また、本実施例で用いるＨＭＰＡは、ジメチルスルホキシドや、スルホランと同様、水洗できれいに落ちるので、後の処理も容易である。毒性、蒸気圧の点でも取り扱い易い。
　また、従来のアルカリ性の剥離液の如く、目に危険なものを用いる必要なく、更に特に、加熱して用いる必要がないので、多くの点で安全である。
　なおこの実施例では化学増幅型レジストとして１種類に対してのみ試験を行ったが、そのほかのいわゆる化学増幅型のレジストである光酸発生剤と、架橋剤と、ベース樹脂との３成分（あるいはその内の２成分）から成るレジスト（化学増幅型レジストについては、例えば山岡亜夫、西亀正志『新しいポジ型ディープＵＶレジスト』プレスジャーナル社刊「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ」１９８８年９月４４〜４６頁など参照）について、好ましく汎用できる。
　実施例−２
　本実施例では、スルホランを特に他の溶剤と混和することなく１００％で、本発明に係るレジスト剥離液として用いて、実施例−１と同様にレジスト剥離を行った。本実施例でも、実施例−１とほぼ同様のレジスト剥離効果が得られた。
〔発明の効果〕
　上述の如く、本発明のレジスト剥離液は、取り扱いが容易でしかも剥離作用が大きく、よって従来は除去困難だったレジストをも容易に剥離できる、汎用性に富むレジスト剥離液を提供できるという効果を有する。