【事件の表示】
　特許第２７９６６６１号「張り合わせ半導体基板の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７９６６６１号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２７９６６６１号の請求項１乃至６に係る発明についての特許は、平成６年３月４日に特許出願がなされ、平成１０年７月３日にその特許権の設定登録がなされ、その後、渡部賢一より特許異議の申立てがなされたものである。
［２］本件発明
　本件特許第２７９６６６１号の請求項１乃至６に係る発明（以下、「本件第１乃至第６発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、　上記２枚の半導体基板の各主面の一点から接合を開始し、それらの全面を接合する場合、その接合開始から接合終了までの間の接合速度をそれらの主面の状態に対応して設定したことを特徴とする張り合わせ半導体基板の製造方法。
【請求項２】上記２枚の半導体基板の各主面を熱酸化による二酸化シリコン膜で形成し、その接合速度を１ｃｍ／秒よりも大きくした請求項１に記載の張り合わせ半導体基板の製造方法。
【請求項３】上記２枚の半導体基板の各主面をシリコンで形成し、その接合速度を１ｃｍ／秒よりも大きくした請求項１に記載の張り合わせ半導体基板の製造方法。
【請求項４】上記２枚の半導体基板の各主面を熱酸化による二酸化シリコン膜とシリコンとでそれぞれ形成し、その接合速度を１ｃｍ／秒よりも大きくした請求項１に記載の張り合わせ半導体基板の製造方法。
【請求項５】上記２枚の半導体基板の主面のいずれか一方をポリシリコン膜で形成し、その接合速度を０．８ｃｍ／秒よりも大きくした請求項１に記載の張り合わせ半導体基板の製造方法。
【請求項６】上記２枚の半導体基板の各主面をポリシリコン膜で形成し、その接合速度を０．６ｃｍ／秒よりも大きくした請求項１に記載の張り合わせ半導体基板の製造方法。」
［３］申立ての理由の概要
　申立人渡部賢一は、証拠として甲第１乃至８号証を提出し、次のような理由により本件特許を取り消すべき旨主張している。
（理由１）本件第１乃至第３発明は、甲第１号証に実質的に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないか、甲第１乃至８号証に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（理由２）本件第４乃至第６発明は、甲第１乃至８号証に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（理由３）本件第１乃至第６発明は、目的達成のための手段の一部を欠き、全体として所期の目的を達成することが不可能なものであるから、特許法第２９条第１項の柱書に規定する発明としてまだ完成していないものである。
（理由４）本件出願は、明細書及び図面の記載が不備のため、特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしていない。
［４］特許異議申立理由についての検討
＜理由４＞について
（記載不備の理由その１）
　本件特許発明の目的である剥がれ等の不具合の発生をなくした張り合わせ半導体基板の製造方法を提供するために、ウェーハの主面の状態に対応してウェーハ貼り合わせの接合速度（請求項２〜４ではｌｃｍ／秒以上、請求項５では０．８ｃｍ／秒以上、請求項６では０．６ｃｍ／秒以上）を設定し調節することで、張り合わせでの良品率が高く、ボイド発生のない張り合わせウェーハを得ることができるという本件特許公報記載の効果を奏するのだとすると、当業者が、本件特許公報に記載された張り合わせ半導体基板の製造方法を再現（追試）するためには、ウェーハの主面の状態に対応してウェーハ貼り合わせの接合速度を設定し調節するための手段が本件特許公報の発明の詳細な説明に記載されていなければならない。
　ウェーハ貼り合わせの接合速度の調節を実現するための技術的手段は、本件明細書の従来技術の欄に示された公報、例えば、特開昭６１−１４５８３９号公報（甲第５号証）や特開昭６２−７１２１５号（甲第６号証）が知られ、また、甲第１号証に示される如く、ウェーハ貼り合わせの接合速度は、その温度によっても変移することが知られている。
　しかしながら、本件特許公報には、「いずれの技術についても未だ実用上の難点が存在している。すなわち、いずれの張り合わせ方法を採用したとしても、貼り合わせ作業において、貼り合わせ不良のウェーハがかなりの率で発生することとなる。」（本件特許公報、第２頁第３欄第１９行〜第２３行）と記載し、また、上記甲第５号証及び甲第６号証に開示される従来技術を採用したとしても、ウェーハの主面の状態に対応してウェーハ貼り合わせの接合速度（請求項２〜４ではｌｃｍ／秒以上、請求項５では０．８ｃｍ／秒以上、請求項６では０．６ｃｍ／秒以上）に設定し調節する手段が自明の事項とは認められない。
　してみると、本件特許公報の図１に示される「接着治具１１」において、ウェーハ貼り合わせの接合速度を、自然に貼り合わせ接合が進む速度に反してこれを制御し、設定し調節することが可能であると解する他はないが、本件特許公報の実施例の欄にはウェーハを所定の接合速度で貼り合わせるための「接着治具１１」について、「これらのウェーハを上記接着治具１１を使用して一定の条件（接合速度）の下に張り合わせる。例えば一方のウェーハを略半球状に湾曲させてその湾曲面（主面）の中心から周緑に向かって所定の速度で張り合わせる。」（本件特許公報、第３頁第５欄第７行〜第１１行）と記載しているのみであり、単に抽象的、機能的に記載してあるだけで、そのの具現すべきの材料、装置、工程などは全く不明瞭である。
　つまり、どのような手段をもってして、ウェーハの貼り合わせ接合速度を所定の速度に設定し、ｌｃｍ／秒以上、０．８ｃｍ／秒以上または０．６ｃｍ／秒以上に調節できるのか全く不明瞭であり、剥がれ等の不具合の発生を無くした張り合わせ半導体基板の製造方法を提供するという本件特許発明の目的は達成できず、張り合わせでの良品率が高く、ボイド発生がない張り合わせウェーハを得ることができるとする本件特許発明の効果は確認できない。
　したがって、本件特許公報の発明の詳細な発明には、当業者が容易に実施することができる程度にその発明の構成が記載されておらず、記載不備であると言わざるを得ない。
（当審の判断）
　本件特許明細書に従来技術として挙げられた特開昭６１−１４５８３９号公報及び特開昭６２−７１２１５号公報には、第１のウェハを弾性体を介して保持するウェハ支持具と、前記ウェハと対向する第２のウェハを保持するウェハホルダーとを有し、前記第１のウェハを凸状に変形して両ウェハの中心部同志を接触させた後、第１のウェハの復帰力にもとずいて両ウェハの周緑部同志も接触させて両ウェハを接合するウェハ接合治具が開示されており、更に特開昭６２−７１２１５号公報には、「第３図において、３１は第１のウェハ２０の周縁部に対応する吸着ゴム１５に設けられた環状の第２のバキューム溝である。また、前記吸着ゴム１５には、このバキュム溝３１に連通する第２のバキューム通路３２が設けられている。（中略）これにより、第１のウェハ２０は急激に平面状に復帰しようとするが、・・・、吸着ゴム１５とウェハ支持具１１との側面接触部Ｘでの摩擦力のため、第１のウェハ２０の周縁部の復帰力は徐徐に解除されてウェハ２０、２２同志の接合が行われる。」と記載されている。
　そして上記の従来技術を参酌して本件特許明細書の段落００１１の、「本実施例における張り合わせウェーハの製造工程を説明する。まず、主面を鏡面研磨した基盤ウェーハ（シリコンウェーハ）および同じく主面を鏡面研磨したこれに張り合わせられる活性層ウェーハ（シリコンウェーハ）を準備する。これらのウェーハを上記接着治具１１を使用して一定の条件（接合速度）の下に張り合わせる。例えば一方のウェーハを略半球状に湾曲させてその湾曲面（主面）の中心から周縁に向かって所定の速度で張り合わせる。このとき、赤外線を照射し重ね合わせ面の状態を撮影している。図２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はこの結果を示している。」、を当業者が読めば、ウェーハの主面の状態に対応してウェーハ貼り合わせの接合速度を設定し調節する手段は自明の事項といえる。　しかも本件発明では、上記自明の、接合速度を設定し調節する手段により、接合開始から接合終了までの間の接合速度をそれらの主面の状態に対応して設定することにより、張り合わせでの良品率が高く、ボイド発生がない張り合わせウェーハを得ることができるとする本件特許発明の効果が達成されるものである。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、実質的に当業者が容易に実施することができる程度にその発明の構成が記載されており、記載不備はない。
（記載不備の理由その２）
　上述した如く、甲第１号証のＦｉｇ．３（甲第１号証、第１７３７頁、左欄下部）の記載から、２枚のウェハの貼り合わせは、室温において外部から力を加えずとも、自然に接合が進むことは明らかであり、当業界においては技術常識的事項である。
　本件特許発明は、本件の請求項１に係る特許発明の構成（Ｃ）「それらの全面を接合する場合、その接合開始から接合終了までの間の接合速度をそれらの主面の状態に対応して設定したこと」と記載し、およびその具体的態様を示した本件の請求項２〜４に係る特許発明の構成（Ｅ）「その接合速度を１ｃｍ／秒よりも大きくした」、本件の請求項５に係る特許発明の構成（Ｉ）「その接合速度を０．８ｃｍ／秒よりも大きくした」および本件の請求項６に係る特許発明の構成（Ｋ）「その接合速度を０．６ｃｍ／秒よりも大きくした」と記載している。
　してみると、本件の各請求項に係る特許発明には、室温で自然にウェーハの接合が進む速度を制御して、接合速度を設定し調節するための構成（手段）が必須である。つまり、甲第１号証及び甲第２号証に記載されている如く、通常の製品レベルのウェーハは、室温において外部から力を加えずとも、表面に吸着された水分子の働きにより、ｌｃｍ／秒以上の接合速度で接合が進むものであり、これに反して、「接合速度をウェーハの主面の状態に対応して設定」するためには、自然に接合が進む速度を制御し設定し調節する構成（手段）が発明の構成に欠くことができない事項と言えるものである。
　また、本件の請求項２〜５項に係る特許発明には、「〜よりも大きくした」という下限値のみを示す数値限定がなされており、これはウェーハの貼り合わせ技術においては技術常識である室温で自然にウェーハの接合が進む場合の接合速度をも含むこととなり、極めて技術的に不明瞭である。
　したがって、本件の各請求項に係る特許発明は、発明の構成に欠くことができない事項を記載したものとは言えず、かつ技術的に不明瞭であり、記載不備であると言わざるを得ない。
（当審の判断）
　記載不備の理由その１で検討したように、ウェーハの主面の状態に対応してウェーハ貼り合わせの接合速度に設定し調節する手段は自明の事項であり、本件発明は、接合速度とボイドの発生との関係に着目して「その接合開始から接合終了までの間の接合速度をそれらの主面の状態に対応して設定」し、ボイドの発生がない張り合わせウェーハを得ることができようにしたものである。
　したがって、本件第１乃至第６発明には、発明の構成に欠くことができない事項が全て記載され技術的に明瞭であり、記載不備はない。
　また本件第２乃至第６発明は、本件第１発明における「接合速度」の数値範囲を実験に基づいて単に具体的に数値限定したにすぎないのであるから、技術的に明瞭であり、記載不備な点はない。
＜理由３＞について
（未完成の理由）
　本件の請求項１に係る特許発明の構成（Ｃ）「それらの全面を接合する場合、その接合開始から接合終了までの間の接合速度をそれらの主面の状態に対応して設定したこと」について、およびその具体的態様を示した本件の請求項２〜４に係る特許発明の構成（Ｅ）「その接合速度を１ｃｍ／秒よりも大きくした」、本件の請求項５に係る特許発明の構成（Ｉ）「その接合速度を０．８ｃｍ／秒よりも大きくした」および本件の請求項６に係る特許発明の構成（Ｋ）「その接合速度を０．６ｃｍ／秒よりも大きくした」について、ウェハの接合速度をそれらの主面の状態に対応して設定し調節するためには、前記ウェーハの主面の状態に対応して、ウェーハの接合速度を所定の接合速度に設定し調節する手段が必要である。
　しかしながら、本件特許公報の実施例の欄にはウェーハの接合速度を所定の接合速度に設定し調節するための「接着治具１１」について、「これらのウェーハを上記接着治具１１を使用して一定の条件（接合速度）の下に張り合わせる。例えば一方のウェーハを略半球状に湾曲させてその湾曲面（主面）の中心から周緑に向かって所定の速度で張り合わせる。」（本件特許公報、第３頁第５欄第７行〜第１１行）と記載しているのみであり、どのような接着治具のウェーハ接合速度の設定調節手段でもって、ウェーハ接合速度を設定し、請求項２〜４ではｌｃｍ／秒以上、請求項５では０．８ｃｍ／秒以上、請求項６では０．６ｃｍ／秒以上に接合速度を調節するかについて全く何らの説明もなく、しかもこのような手段が本件特許発明の出願時の技術水準から見て当業者において自明の事項とは認められない。
　したがって、本件の請求項１〜６に係る特許発明は、目的達成のための手段の一部を欠き、全体として所期の目的を達成することが不可能なものであるから特許法第２９条第１項柱書に規定する発明としてまだ完成していないものである。
（当審の判断）
　記載不備の理由その１、その２についての当審の判断において述べたように、ウェーハの主面の状態に対応してウェーハ貼り合わせの接合速度を設定し調節する手段は自明の事項といえるのであるから、本件第１乃至第６発明は、目的達成のための手段は全て備えており、全体として所期の目的を達成することが可能なものであるから、発明として完成しているといえる。
＜理由１、２＞について
（甲第１乃至８号証）
　甲第１号証（JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS VOL.28,NO.10,October,1989,PP.1735-1741）は、「シリコンの張り合わせ技術」に関し、特にその第３章には口径が４インチで規格厚さが５２５μｍの製品グレードのシリコンウェーハの接合実験の結果について解析されている。そして図３には、ＳＤＢと石英ウェーハについての結果が図示されている。
更に「口径が４インチで規格厚さが５２５μｍの製品グレードのシリコンウェーハが接合の実験に使用された。接合状況の違いを評価するため、１μｍの熱酸化膜を形成したシリコンウェーハおよび口径が４インチで５００μｍの厚さの両面研磨された石英ウェーハも使用した。下記４グループの実験を行なった。
ａ）ベアシリコンウェーハとベアシリコンウェーハの接合（ＳＤＢ）
ｂ）酸化シリコンウェーハと酸化シリコンウエーハの接合　
ｃ）石英ウェーハとベアシリコンウェーハの接合
ｄ）石英ウェーハと酸化シリコンウェーハの接合酸化ウェーハの酸化膜は、９５０℃で熱酸化して０．７μｍの厚さに形成した。」（第1736頁右欄第2行〜第16行）、「それぞれの温度で接合プロセスの定量的な情報を得るため、初期接合波の速度を測定することにした。この測定は次のようにして実施される。ウェーハを２分間加熱した後、加熱された２枚のウェーハを赤外ランプの前に置かれた５ｍｍ厚の不透明石英プレート上に移動する。石英プレートは予め所望の温度に設定されている。それから、２枚のウェーハの中央部をピンセットで押圧しアルミニウムスペーサーを外す。そうすると、接合波が広がる様子が赤外ビューアーで観察されるので、接合の先端部分がウェ−ハの中央から半径４ｃｍの円形領域を越えて広がるまでに要する時間を測定する。」（第1736頁右欄第32行〜第1737頁左欄第8行）、「図３は、ＳＤＢと石英ウェーハの結果を示している。温度軸の目盛りに示してある矢印は、ピンセットで押圧した部分であってもその温度以上で接合が生じなくなる温度を示している。図３によると、ＳＤＢについては３２０℃で初期接合が停止し、酸化シリコンと石英ウェーハの接合においては９０〜１００℃で停止することがわかる。調査した他の組み合わせの接合についての「停止温度」はこれらの温度の間である。」（第1737頁左欄第16行〜第24行）及び「図２と図３の赤外線による評価結果を比較することにより、ウェーハの初期接合は表面上に吸着した水分子間に働く水素結合を介して行なわれると結論される。（中略）また、高温でのウェーハの接合が完全にストップすることから、水酸基を有する表面の水素原子は、２枚のウェーハの接合境界を横切って水素結合を形成するよりむしろ一方の表面に強く固着するものと考えられる。」（第1737頁左欄第26行〜第36行）と記載されている。
　甲第２号証（「電子材料８月号」 第43〜50頁、株式会社工業調査会　1992年8月1日発行）には、「張り合わせＳＯＩウェーハ」に関し、特に張り合わせ工程と要求される品質、結合界面の評価法及び所期結合工程について記載されている。
更に「貼り合わせ技術はシリコン分野だけでもＳＯＩへの応用を筆頭に、・・・適用分野が広がっている。」（第44頁左欄第2行〜第6行）、「室温で２枚のウェハを，ボイドの発生なしに一様に貼り合わせるためには，次の４つの条件が必要である。すなわち,（１）シリコン表面が親水性であること（２）シリコン表面が平坦であること（３）表面および廻りの環境がパーティクルフリーであること（４）貼り合わせ時,界面に空気が取り残されないことである。親水性表面を持つウェハは,外部から力を加えなくとも、室温で表面に吸着された水分子間に働くファンデルワース力により,結合される。」（第46頁右欄第6行〜第21行）及び「また、結合界面が広がる際、界面での空気の残留を抑えるには、広がりが一方向になるよう、結合開始点を一点にするとよい。」（第46頁右欄第33行〜第36行）と記載されている。
　甲第３号証（「ＵＬＳＩプロセス材料実務便覧」第63〜70頁、株式会社サイエンスフォーラム　1992年1月30日発行）には、ＳＯＩ基板の張り合わせ技術について記載されている。
　甲第４号証（特開昭６４−４０１３号公報）には、「２枚の基板を重ね合わせて接着する基板の形成方法において、上記それぞれの基板の接着面を凸部が直交または略直交もしくは角度を有して対向するよう湾曲し、次に上記対向した凸面同志を接触した後、上記湾曲を平面に戻して接着することを特徴とする基板の形成方法。」（特許請求の範囲)について記載されている。
　甲第５号証（特開昭６１−１４５８３９号公報）には、「鏡面研磨された二枚の半導体ウェーハの研磨面同士を清浄な条件下で直接接着させて接合体ウェーハを得る方法において、少なくとも一方の半導体ウェーハの研磨面を、中央部が凸型となるようにたわませて他方の半導体ウエーハの研磨面に接触させて接着を行なうことを特徴とする半導体ウェーハの接着方法。」（特許請求の範囲第１項)について記載されている。
　甲第６号証（特開昭６２−７１２１５号公報）には、「第１のウェハを弾性体を介して保持するウェハ支持具と、前記ウェハと対向する第２のウェハを保持するウェハホルダーとを有し、前記第１のウェハを凸状に変形して両ウェハの中心部同志を接触させた後、第１のウェハの復帰力にもとずいて両ウェハの周緑部同志も接触させて両ウェハを接合するウェハ接合治具において、第１のウェハの周縁部の復帰力を徐徐に解除する手段を具備することを特徴とするウェハ接合装置。」（特許請求の範囲第１項)について記載されている。
　甲第７号証（特開平２−２６０４２８号公報）には、「第１の半導体基板と第２の半導体基板が貼合わされて構成された半導体基板において、該貼合せ領域に素子特性を劣化させる不純物原子を捕獲する領域が設けられたことを特徴とする半導体基板。」（特許請求の範囲第１項）について記載されている。
　甲第８号証（特開昭６３−５４７４０号公報）には、「第１および第２の半導体基板を多結晶Ｓｉを介して貼り合せ、その後焼結法等により強固に貼り合わせた後、前記第１および第２の半導体基板の一方に互いに分離された複数の島領域を形成することを特徴とする集積回路基板の製造方法。」（特許請求の範囲)について記載されている。
（対比・判断）
　本件第１発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証には本件第１発明の必須の構成要件である、張り合わせ半導体基板の製造に際し、２枚の半導体基板の各主面の一点から接合を開始し、それらの全面を接合する場合「その接合開始から接合終了までの間の接合速度をそれらの主面の状態に対応して設定した」点について記載されていない。したがって、本件第１発明が甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。また本件第２乃至第３発明は、本件第１発明の構成を前提として更にその構成を具体的に限定するものであるから、本件第１発明と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　次に本件第１発明と甲第１乃至８号証に記載された発明とを対比すると、甲第１乃至８号証には本件第１発明の必須の構成要件である、張り合わせ半導体基板の製造に際し、２枚の半導体基板の各主面の一点から接合を開始し、それらの全面を接合する場合「その接合開始から接合終了までの間の接合速度をそれらの主面の状態に対応して設定した」点について記載も示唆もされていない。
　そして、本件第１発明は、「張り合わせでの良品率を高めることができる。すなわち、ボイドの発生がない張り合わせウェーハを得ることができる。」（段落００１３）という本件特許明細書に記載の効果を奏するものである。
　したがって、本件第１発明は、甲第１乃至８号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また本件第２乃至第６発明は、本件第１発明の構成を前提として更にその構成を具体的に限定するものであるから、本件第１発明と同様の理由により、甲第１乃至８号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至６に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至６に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月２５日（２０００．９．２５）