【事件の表示】
　特許第２８８１３３２号「熱電装置の製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。　
【結　論】
　特許第２８８１３３２号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．経緯
　本件特許は、平成２年５月１４日に出願され、平成１１年２月５日に特許第２８８１３３２号として設定登録されたところ、平成１１年１０月１２日に横田秀昭から特許異議申立てがあったものである。
　
２．本件特許発明
　本件特許の請求項１ないし６に係る発明は、特許明細書の特許請求の範囲請求項１ないし６に記載されたとおりのものであり、請求項１に係る発明は、次のとおりであり、請求項２ないし６は、請求項１に従属する形式の請求項である。
「【請求項１】　熱交換基板上に電極を介して少なくとも１つの熱電素子対を配設した熱電装置の製造方法において、
熱電素子対を形成する熱電素子対形成工程と
絶縁性基板からなる熱交換基板表面に電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
該電極パターン上に熱電素子対を実装する実装工程とからなり、
前記熱電素子対形成工程が
ペルチェ効果を有するＰ型半導体およびＮ型半導体の各表面に半田めっきを形成する半田めっき工程と、
各半導体を所望の形状に切断分割し、Ｐ型熱電素子およびＮ型熱電素子を形成する分割工程と、
を含むようにしたことを特徴とする熱電装置の製造方法。」
　
３．異議申立ての理由
   異議申立人横田秀昭は、甲第１号証（特開平１−２２３７８１号公報）、甲第２号証（特開昭６２−１５６８４１号公報）、甲第３号証（特開昭５４−１１３８７９号公報）、甲第４号証（特開昭６０一２４３９１０号公報）、甲第５号証（特公昭６０‐４９１７号公報）を提出し、本件特許の請求項１ないし６に係る発明は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できた程度のものであるから、特許法第２９条第２項の規定により取り消されるべきものであると主張している。
　
４．甲号証記載の発明
（ａ）甲第１号証（特開平１−２２３７８１号公報）
　甲第１号証は、熱電モジュールの製造方法に関し、その実施例において、ロール状の粘着テープ１１を引き出し、Ｐ型及びＮ型の熱電素子３，４を粘着テープ上に仮止めし、粘着テープを適当な長さに切り、配列した熱電素子と、耐熱性絶縁基板１上の金属電極板２に半田をコーティングし、配列した熱電素子を金属電極板上に載せ、耐熱性絶縁基板、金属電極板、熱電素子を一体で気相半田付装置に入れて熱電素子を金属電極板に半田付けする技術が開示されている（第２頁右上欄第１０行ないし左下欄第８行、第１図ないし第３図）。そして、甲第１号証には、他方の耐熱性絶縁基板１’上の金属電極板２’と熱電素子３，４も、同様にして熱電素子と金属電極板に半田をコーティングして熱電素子を金属電極板に半田付けすることが開示されている（第２頁左下欄第９行ないし第１６行日、第４図）。
（ｂ）甲第２号証（特開昭６２一１５６８４１号公報）
　甲第２号証には、従来、Ｃｕよりなるヒートシンク上にＳｉペレットとのそれぞれの熱膨張係数が著しく異なるために熱歪による障害が起こり易く、半導体素子と、ヒートシンクとの間に緩衝板としてＭｏ片が使用され、この種のＭｏ又はＭｏ基合金片の製造方法が開示されている。この種のＭｏ片を介してＳｉ半導体をヒートシンク上に接合する場合、半田が接着媒体として使用されることが開示されている（第１頁右下欄第４行ないし第１１行）。従前、このＭｏ片は、Ｍｏ板にＮｉメッキを施した後、片状に打ち抜いて一定形状にした後、溶融半田中に浸漬して半田を被覆し、その後ヒートシンクと半導体との間に介在させて加熱炉内を通すことにより半導体がヒートシンクに接続されていた。しかし、従前、Ｍｏ片を溶融半田に浸潰することにより半田を彼着するため、半田浸漬の際にＭｏ片同士が重なり合い、半田厚さにムラが生じてしまうという問題点があったと開示されている（第２頁左上欄第1行ないし第１４行）。
　そこで、Ｍｏ板にＮｉをめっきし、その後これを半田溶融液槽に浸潰してＮｉめっき表面に半田層（半田めっき層）を形成し、その後、半田層で被覆されたＭｏ板を切断してＭｏ片とする。これにより、Ｎｉめつきの上に、均一に半田が付着されたＭｏ片を大量に製造できることが開示されている（第２頁左下欄第１０行目ないし右下欄第１０行）。
　このように、従来切断後に個別に半田層をめつきしていたのを、半田層をめっきした後、個別に切断することにより、半田めっき層を均一に形成できることが甲第２号証に開示されている。
（ｃ）甲第３号証（特開昭５４−１１３８７９号公報）
　甲第３号証には、導線の表面に、錫アンチモン合金、錫鉛合金、錫銅合金のメッキ層を形成することにより、半田付性が向上することが開示されている（第２頁左上欄第９行ないし第１５行）。
（ｄ）甲第４号証（特開昭６０−２４３９１０号公報）
　甲第４号証には、錫鉛合金からなる半田が開示されている（第２頁左上欄第３行）。また、甲第４号証の実施例には、半田組成として、錫（６０％）、鉛（３６％）、アンチモン（２％）のもの（第３頁左下欄第１３乃宅１４行目）と、錫（６０％）、鉛（３６％）、銀（４％）のもの（第４頁左上欄第８行）が開示されている。
（ｅ）甲第５号証（特公昭６０−４９１７号公報）
　甲第５号証には、半導体装置の半田形成等に有効に利用できるＰｂ−Ｉｎ合金メッキ方法が開示されている（第３頁右上欄第４行ないし第５行）。そして、この甲第５号証は、Ｐｂ−Ｉｎ合金のメッキ方法を開示する（特許請求の範囲）。
　
５．本件請求項１に係る発明と甲各号証記載の発明との対比・判断
（ａ）本件発明と甲第１号証との一致点及び相違点
　本件請求項１に係る発明と、甲第１号証記載の発明とは、基板上に電極を介して複数の熱電素子を配設した熱電モジュールの製造方法であって、電極形成工程と、実装工程とを有する方法であること、及び熱電素子と基板上の電極に半田を予め付けておくことで一致する。
　しかし、本件発明は、熱電素子形成工程が、Ｐ型半導体とＮ型半導体の各表面に半田めっきを形成した後、半導体を切断分割するものであるのに対し、甲第１号証のものは、個々の熱電素子に分割した後、この熱電素子と金属電極板とに半田をコーティングし、加熱して両者を接合する点で、両者は相違する。
（ｂ）相違点について
　甲第２号証には、ＮｉがめっきされたＭｏ板に対し、半田溶融液槽に浸漬してＮｉ表面に半田層を形成し、その後、半田層が被覆されたＭｏ板を切断してＭｏ片とすることにより、半田を均一に形成することができることが開示されている。
　しかしながら、Ｐ型半導体とＮ型半導体の各表面に半田めっきを形成することと、ＮｉがめっきされたＭｏ板に対し半田めっきを形成することは、めっきをする対象物が異なり、ＮｉがめっきされたＭｏ板に対し半田めっきをする技術を、Ｐ型半導体とＮ型半導体の各表面に半田めつきを形成することに適用することが容易であるとの証拠はしめされていない。そして、甲第１号証記載の発明と第２号証記載の発明を組み合わせることが容易であるともいえないので、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証の記載から当業者が容易に発明できた程度のものであるとすることはできない。
　請求項２ないし６に係る発明は、請求項１を引用した従属形式項であり、請求項１に係る発明を更に限定した発明であるから、請求項１に係る発明が容易に発明をすることができない以上、請求項２ないし６に係る発明は、甲第３ないし５号証に半田成分を示す証拠があっても、当業者が容易に発明できた程度のものであるとすることはできない。
　
６．まとめ
　上述したように、請求項１ないし６に係る発明は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものでもない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月９日（２００１．１．９）