【事件の表示】
　特許第２８４２４４８号「圧電／電歪膜型アクチュエータ」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８４２４４８号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本件特許第２８４２４４８号発明に係る出願は、平成２年１月２０日（国内優先権主張、平成１年７月１１日）に特許出願され、その特許は平成１０年１０月２３日にその請求項１乃至８に係る発明について設定登録がなされ、平成１１年１月６日に特許公報が発行され、その後、その特許（全請求項［請求項１乃至８］）について平成１１年７月６日付で特許異議申立人進藤敬司及び日本特殊陶業株式会社から特許異議の申立てがなされ、その全請求項について平成１１年９月２４日付の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１２月１４日に訂正請求及び意見書の提出がなされた後、さらに平成１２年２月２５日付の訂正拒絶理由通知がなされ、これに対して平成１２年５月１６日に手続補正書及び意見書が提出されたものである。
【２】訂正の適否について
（１）訂正請求書に対する手続補正について
　特許権者は、手続補正書により下記の(i)乃至(iii)のとおり訂正請求書を補正するものである。
(i)訂正請求書中の○3訂正事項ｃ、○5訂正事項ｅ及び○6訂正事項ｆを、それぞれ、削除する。
　訂正請求書中の請求の原因○3、○5及び○6を、それぞれ、削除する。
(ii)全文訂正明細書中の請求項(4)につき、前記した請求項(3)の削除に伴い、請求書の要旨を変更しない範囲での軽微な瑕疵の補正を目的として、項番号を訂正し、請求項(3)とすると共に、請求項(1)または(2)に従属するように補正する。
(iii)全文訂正明細書中の請求項(7)につき、前記した請求項(3)、(5)及び(6)の削除に伴い、請求書の要旨を変更しない範囲での軽微な瑕疵の補正を目的として、項番号を訂正し、請求項(4)とすると共に、請求項(1)乃至(3)の何れかに従属するように、補正する。
（２）手続補正の可否について
　上記(i)乃至(iii)の補正は、訂正事項の削除（請求項の削除）とこれに伴う請求項の番号を整合させるための軽微な瑕疵の補正であるから、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するので、これを認める。
（３）補正された訂正の要旨
　補正された訂正請求書による訂正内容は、以下のとおりである。
(i)訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項（１）、第１行目の「セラミック基板」について、それを、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項（４）及び（５）の内容を導入して、「少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が３重量％以下であるセラミック板状体にて構成されるセラミック基板」と訂正すると共に、第２行目の「圧電／電歪膜と」及び第４行目の「熱処理」を、それぞれ、特許請求の範囲の減縮を目的として、「、圧電定数として|d３１|が100×10ー１２ [C/N]以上である圧電／電歪膜と、」及び「1100〜1400℃の熱処理」と訂正して、新請求項１とする。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、本件特許明細書（願書に最初に添付した明細書。以下同じ）第５頁第９〜16行の「そして、本発明にあっては、…するものである。」を、下記の如く訂正する。
　　　　　　　　　　　　　　  　　記
  「そして、本発明にあっては、そのような課題解決のために、少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミ二ウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が３重量％以下であるセラミック板状体にて構成されるセラミック基板の少なくとも一方の面上に、接着剤を用いることなく、第一の電極膜と、圧電定数として |d３１|が100×10ー１２ [C/N]以上である圧電／電歪膜と、第二の電極膜との組合せからなる圧電／電歪駆動部の少なくとも一つが、それら膜が順次積層せしめられると共に、少なくとも圧電／電歪膜が厚膜形成手法にて形成され、1100〜1400℃の熱処理によって一体化されて、形成されてなる一体積層構造を有する圧電／電歪膜型アクチュエータを、その特徴とするものである。」
(ii)訂正事項ｂ
  上記の特許請求の範囲の新請求項１に対して、請求項（７）及び（８）の内容を加え、且つ特許請求の範囲の減縮を目的として、セラミック基板の板厚が「50μm以下である」及び圧電／電歪膜の厚みが「50μm以下」と訂正して、それを、新請求項２とする。
(iii)訂正事項ｄ
  特許請求の範囲の請求項（２）に対して、請求項（３）の内容を加え、且つ特許請求の範囲の減縮を目的として、かかる請求項（２）、第１行目の「前記セラミック基板が」を、「前記アクチュエータの厚みが150μm以下であり、且つ前記セラミック基板の板厚が50μm以下であると共に、かかるセラミック基板の曲げ強度が1500Kgf／cm2以上であり、更に該セラミック基板が」と訂正して、それを、新請求項３とする。
(iv)訂正事項ｇ
  特許請求の範囲の請求項（６）を、新請求項４として、前記した新請求項１乃至３の何れかに従属するように訂正する。
【３】訂正の適否についての判断
＜その１；訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否についての判断＞
（１）訂正の要旨
　本件訂正の要旨は、訂正請求書に記載された、上記訂正事項ａ、ｂ、ｄ、ｇのとおりであって、その訂正事項ａ、ｂ、ｄ、ｇは、特許請求の範囲の請求項１乃至４に係る発明について、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（２）検討
　以下、各訂正事項について検討する。
(i)訂正事項ａは、訂正前（以下「旧」という）の請求項５（旧請求項１、４を引用）に係る発明の構成をさらに限定（「セラミック基板」「圧電／電歪膜」及び「熱処理」の構成）して訂正後（以下「新」という）の請求項１とするものである。
(ii)訂正事項ｂは、旧請求項８（旧請求項１、４、５、７を引用）に係る発明の構成をさらに限定（「セラミック基板」「圧電／電歪膜」及び「熱処理」の構成）して新請求項２とするものである。
(iii)訂正事項ｄは、旧請求項３（旧請求項１、２を引用）に係る発明の構成をさらに限定（「アクチュエータ」「セラミック基板」「圧電／電歪膜」及び「熱処理」の構成）して新請求項３とするものである。
(iv)訂正事項ｇは、旧請求項６（旧請求項１乃至５を引用）を新請求項４とするものである。
(v)したがって、訂正事項ａ、ｂ、ｄ、ｇに係る訂正は、いずれも特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、また請求項を追加するなど実質的に特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとも認められない。
（３）まとめ
　以上のとおりであって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するものと認められる。
＜その２；独立特許要件についての判断＞
［引用刊行物］
　刊行物１　特開昭62-213399号公報（異議申立人日本特殊陶業(株)及び進藤敬司の甲第１号証参照）
　刊行物２　特開昭55-11811号公報（異議申立人進藤敬司の甲第２号証参照）
　刊行物３　特開昭63-260086号公報（異議申立人日本特殊陶業(株)及び進藤敬司の甲第３号証参照）
　刊行物４　特開昭58-187365号公報（異議申立人進藤敬司の甲第４号証参照）
　刊行物５　特開昭57-115887号公報（異議申立人日本特殊陶業(株)の甲第４号証参照）
　刊行物６　実開昭61-102063号公報（異議申立人日本特殊陶業(株)の甲第５号証参照）
　刊行物７　「耐熱材料ハンドブック」朝倉書店(株)　昭和40年11月30日初版発行　Ｐ689〜693　「2.2　アルミナ」（異議申立人日本特殊陶業(株)の甲第９号証参照）
　刊行物８　「構造材料セラミクス」(株)オーム社　昭和62年４月20日第１版発行　Ｐ９〜15　「[１]アルミナ」（異議申立人進藤敬司の甲第７号証参照）
　刊行物９　「ファインセラミックス」マシニスト出版(株)　1984年10月25日初版発行　Ｐ50〜51　「表2.4.1」（異議申立人進藤敬司の甲第８号証参照）
　刊行物10　「構造用ファインセラミックス」(社)日本ファインセラミックス協会　1987年12月15日発行　Ｐ254〜261「表」（異議申立人進藤敬司の甲第９号証参照）
（１）訂正明細書の請求項１乃至４に係る発明
　訂正明細書の請求項１乃至４に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定される「圧電／電歪膜型アクチュエータ」であって、次のとおりのものである。
「(1)少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が3重量％以下であるセラミック板状体にて構成されるセラミック基板の少なくとも一方の面上に、接着剤を用いることなく、第一の電極膜と、圧電定数として|d３１|が100×10ー１２ [C/N]以上である圧電／電歪膜と、第二の電極膜との組合せからなる圧電／電歪駆動部の少なくとも一つが、それら膜が順次積層せしめられると共に、少なくとも圧電／電歪膜が厚膜形成手法にて形成され、1100〜1400℃の熱処理によって一体化されて、形成されてなる一体積層構造を有する圧電／電歪膜型アクチュエー夕。
　(2)少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が3重量％以下であるセラミック板状体にて構成される、板厚が50μm以下のセラミック基板の少なくとも一方の面上に、接着剤を用いることなく、第一の電極膜と、圧電定数として|d３１|が100×10ー１２ [C/N]以上である且つ厚みが50μm以下である圧電/電歪膜と、第二の電極膜との組合せからなる圧電／電歪駆動部の少なくとも一つが、それら膜が順次積層せしめられると共に、少なくとも圧電／電歪膜が厚膜形成手法にて形成され、1100〜1400℃の熱処理によって一体化されて、形成されてなる一体積層構造を有する圧電／電歪膜型アクチュエー夕。
　(3)前記アクチュエータの厚みが150μm以下であり、且つ前記セラミック基板の板厚が50μm以下であると共に、かかるセラミック基板の曲げ強度が1500kgf／cm2以上であり、更に該セラミック基板が、1.5×106kg／cm2 以上、4.5×106kg／cm2以下のヤング率を有する請求項(1)又は(2)の何れかに記載の圧電／電歪膜型アクチュエー夕。
　(4)前記セラミック基板面上に、二つ以上の圧電／電歪駆動部を、積層形態において若しくは並設形態において設けた請求項(1)乃至(3)の何れかに記載の圧電／電歪膜型アクチュエータ。」
（２）引用刊行物記載の発明
(i)刊行物１（特開昭62-213399号公報）には、その一実施例と図面の第１図乃至第５図に係わる記載を参酌すると、以下の記載が認められる。
「この発明は、接着剤を用いない特異構造の圧電磁器とすることにより、厚さが比較的薄く、しかも面積が比較的大きい圧電セラミックを得ることができると共に、温度サイクル等のストレスに対しても強く信頼性が良好で、その上、製造作業も容易に行うことができる圧電磁器の提供を目的とする。」（第２頁左上欄第７〜13行）
「この発明によれば、圧電セラミックをペースト化することで、この圧電セラミックペーストを厚膜印刷手段により振動板上に直接形成することができる。
　この結果、従来例の如き接着剤を用いる必要がなくなるので、厚さが比較的薄く、面積の大きい圧電セラミックを容易に得ることができる効果がある。また、温度サイクル等のストレスに対しても強く、振動子として使用する際の信頼性の向上を図ることができると共に、製造作業も従来構造の圧電磁器と比較して容易となる効果がある。」（第２頁右上欄第３〜10行）
「まず、第２図に示す如く、アルミナ（Al２O３）製の振動板１上にAg（原子番号47の銀）もしくはAgとPd（原子番号46のパラジウム）とを含む導電ペーストを厚膜印刷手段により焼成して下部電極となる導電ペースト膜２を形成する。
　次に所定の原料を混合および仮焼し、ジルコン酸チタン酸鉛系の圧電セラミックの粉末を形成し、このセラミック粉末に、ガラスフリット（glass-frit）および有機ビヒクルいわゆる有機塗料を所定の割合で混合して圧電セラミックペーストを得る。
　そして、圧電セラミックペーストを、前述の導電ペースト膜２上に、厚膜印刷手段に基づいて印刷および乾燥処理して第３図に示す圧電セラミックペースト膜３を形成する。
　……（略）……圧電セラミックペースト膜３の膜厚を数10μm〜数100μmに調整することができる。
　次に、第４図に示す如く、上述の圧電セラミックペースト膜３上に、AgもしくはAgとPdとを含む導電ペーストを厚膜印刷手段により焼成して上部電極となる導電ペースト膜４を形成した後に、同図に示すものを800〜1000℃で焼成して圧電磁器５を形成する。」（第２頁左下欄第12行〜同頁右下欄第18行）
「以上要するに、圧電セラミックをペースト化し、この圧電セラミックペーストを厚膜印刷手段に基づいて振動板１上の導電ペースト膜２に直接形成するので、従来のように接着剤を用いる必要がなく、厚さが比較的薄く例えば、数10μm〜数100μmの膜厚で、かつ有機圧電材料の使用により、面積が比較的大きい圧電セラミックペースト膜３を容易に得ることができる効果がある。
　また接着剤を使用しないので、温度サイクル等のストレスに対しても強く、振動子として使用する際の信頼性の向上を図ることができると共に、製造作業も従来構造の圧電磁器と比較して簡単となる。」（第３頁左上欄第11行〜同頁右上欄第３行）
　以上の記載によれば、この刊行物１には、以下のような構成を具備した発明が記載されているものと認められる。
「(a)アルミナ製振動板(1)の一方の面上に、導電ペースト膜(2)と、膜厚が数10〜数100μmの圧電セラミックペースト膜(3)と、導電ペースト膜(4)とを、順次層状に積層する、
　(b)この積層の際には、接着剤を用いることを必要としない、
　(c)各積層は、厚膜印刷手段により行う、
　(d)これらの積層体を800〜1000℃で焼成して一体化する、
　(e)以上の一体積層構造を具備した、圧電磁器。」
　なお、この刊行物１には、「Al２O３セラミック製の振動板上面に、導体電極を形成し」と記載され、セラミック基板に相当する振動板は、酸化アルミニウム（アルミナ、Al２O３）製であると認められる。
　そして、セラミック基板としての主成分が、酸化アルミニウムの他、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素であるものも、当業者に自明のセラミック基板である。
(ii)刊行物２乃至10における記載事項の詳細は、前記両異議申立人が提出した異議申立書の「証拠の説明」に記載された事項を援用し、各刊行物には概要以下のような技術的事項が開示されている。
(ii-1)刊行物２（特開昭55-11811号公報）には、PZT（チタン酸ジルコン酸鉛）系統の圧電薄膜を用いた液体噴射装置で基板は振動板を兼ねて厚みが50〜100μm程度、及びこの圧電薄膜の厚みが50〜100μm程度でスクリーン印刷等で形成する技術的事項が開示されている。
(ii-2)刊行物３（特開昭63-260086号公報）には、実施例１として2.1×1011N/m2のヤング率から成るジルコニア製支持部材、及び実施例２として3.3×1011N/m2のヤング率から成るアルミナ製支持部材から成る圧電アクチュエータ、及び圧電体の厚さt2μmを100μm≦t2≦5000μmであり、かつ圧電体の厚さt2と支持部材の厚さt1の比t2/t1が1.6以上の支持部材を用いると必要な印加電界強度を大きく低減させることが開示されている。
(ii-3)刊行物４（特開昭58-187365号公報）には、圧電素子の厚さTpと振動板の厚さTvにおいて、Tp＝Tv＝100μm、Tp＝Tv＝50μm、Tp＝Tv＝25μmとするインクジェット記録ヘッドが開示されている。
(ii-4)刊行物５（特開昭57-115887号公報）には、その第３図の開示された素子ブロックの具体的構造が開示されている。
(ii-5)刊行物６（実開昭61-102063号公報）には、セラミックグリーンシートを偶数層積層し同時焼成して得られる焼結体を用いた積層型セラミックバイモルフが開示されている。
(ii-6)刊行物７（「耐熱材料ハンドブック」Ｐ689〜693）には、アクチュエータとして、圧電ブザー、圧電スピーカ、超音波振動子等の振動子として使用されるものが含まれること、またK(Nb,Ta)O3系磁器ではあるが二酸化ケイ素を含有させて1150℃で焼成し、これを切断してその両面に銀ペーストを塗布し、空気中で800℃で加熱焼付けすることが開示されている。
(ii-7)刊行物８（「構造材料セラミクス」Ｐ９〜15）には、アルミナ焼結体において、焼結助剤としてSiO2を用いること、1600〜1700℃の温度で焼成して焼結体を得ることが開示されている。
(ii-8)刊行物９（「ファインセラミックス」Ｐ50〜51）には、各種組成から成るセラミックの特性（例えば、曲げ強度、ヤング率など）が開示されている。
(ii-9)刊行物10（「構造用ファインセラミックス」Ｐ254〜261）には、上記刊行物９と同様に、各種組成から成るセラミックの特性（例えば、曲げ強度、ヤング率など）が開示されている。
（３）対比・判断
(i)訂正明細書の請求項１に係る発明について
　当該請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、刊行物１における「アルミナ製振動板」「下部電極となる導電ペースト膜」「圧電セラミックペースト膜」「上部電極となる導電ペースト膜」及び「圧電磁器」は、それぞれ当該請求項１に係る発明の「セラミック基板」「第一の電極膜」「圧電／電歪膜」「第二の電極膜」及び「圧電／電歪膜型アクチュエータ」に相当するものと認められる。
　したがって、当該請求項１に係る発明と引用発明とは、以下のとおりの一致点及び相違点を有するものと認められる。
（一致点）
「(1)少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなるセラミック板状体にて構成されるセラミック基板の少なくとも一方の面上に、接着剤を用いることなく、第一の電極膜と、圧電／電歪膜と、第二の電極膜との組合せからなる圧電／電歪駆動部の少なくとも一つが、それら膜が順次積層せしめられると共に、少なくとも圧電／電歪膜が厚膜形成手法にて形成され、熱処理によって一体化されて、形成されてなる一体積層構造を有する圧電／電歪膜型アクチュエー夕。」
（相違点）
(1)セラミック基板が、当該請求項１に係る発明にあっては、酸化珪素の含有量が3重量％以下であるのに対し、引用発明にあっては、この点の構成が明示されていないものである点。
(2)圧電／電歪膜が、当該請求項１に係る発明にあっては、圧電定数として|d３１|が100×10ー１２[C/N]以上であるものとするのに対し、引用発明にあっては、この点の構成が明示されていないものである点。
(3)熱処理が、当該請求項１に係る発明にあっては、1100〜1400℃で行われるものであるのに対し、引用発明にあっては、800〜1000℃で行われるものである点。
（検討）
　以下、相違点について検討する。
　相違点１について、
　本件請求項１に係る発明において酸化珪素の含有量を限定する根拠乃至技術的意義は、本件特許明細書の記載を参酌すると、「圧電／電歪材料との熱処理中の反応を避け、良好なアクチュエータ特性を得る上で重要なことである。」とするものであって、製造時の反応による特性上不必要な含有物としての酸化珪素の含有量の上限を具体的数値として３重量％以下に規定するものである。
　ところで、通常、焼成・焼結体であるセラミックにおいて、製造工程における熱処理時の反応による不純物など不必要な含有物と認められるものをできるだけ少なくして特性上不必要な反応生成物等を抑制することは、製造時に当業者が当然に考慮する技術常識であり、またセラミックにおいて３重量％以下の範囲の酸化珪素を含んで構成されることは、上記刊行物７乃至８（これらには焼成助剤として酸化ケイ素（SiO2）３重量％以下のものが開示されており、刊行物７では第690〜691頁の第3.27〜3.28表に係わる記載、刊行物８では第11〜12頁の記載参照）に記載されているように従来より採用されている周知の技術的事項であって、当該請求項１に係る発明のように、セラミック基板の酸化珪素の含有量が３重量％以下となるようにその上限を規定することは、その余の構成と関連する特定の構成及びこれに基づく格別の作用効果がない限り当業者が容易になし得ることと認められる。
　したがって、その余の構成と関連する特定の構成、及び格別の作用効果を有するものであるか否かについて、上記相違点２及び３と併せて以下に検討する。
　相違点２について、
　圧電／電歪膜の圧電定数を選定する際、この圧電定数が小さければ圧電／電歪膜として機能し得ないことは技術的に明らかであり、また通常、当業者にあってはその駆動態様・効率等を考慮してこの圧電定数を選定し、この定数ができるだけ大きいものを選択する（なお、本願における選定にあたっても、本件特許明細書には「特性の点から……有利に用いられることとなる」としている。）などすることは当業者が適宜定めうる設計上の事項と認められる。
　したがって、|d３１|で表される圧電定数が100×10ー１２[C/N]以上とすることは、この限りにおいて設計上の事項として当業者が容易になし得ることと認められる。
　相違点３について、
　当該請求項１に係る発明において、熱処理の温度は「一体化されて、形成されてなる一体積層構造」（請求項１記載参照）となすものであって、この点における熱処理の技術的意義は刊行物１においても同様であり、また熱処理の温度をどのように選定するかは、セラミックを製造するにあたって、当業者が必要とするセラミックの組成や性能、製造条件などに応じて定める技術的事項であるとするのが一般的であると認められる。（必要であれば、「セラミックス成形・製造技術」（異議申立人新藤敬司提出の参考資料１）第164頁、参照）
　そこで、この相違点３に係る構成である熱処理の温度を「1100〜1400℃」で行なうように構成することと、前記相違点１における酸化珪素の含有量を「３重量％以下の範囲」とする構成との間の関連性（関連構成）及び作用効果について検討する。
　この関連構成及び作用効果について、特許権者は取消理由通知及び訂正拒絶理由通知に対する意見書において、前記相違点１における酸化珪素の特定含有量とこの相違点３における特定の熱処理温度（さらには相違点２も併せて）との関連構成は必須のものであって、この関連構成に基づいて格別な作用効果である所定値以上の圧電定数を得ることができるものである旨主張している。
　この主張を踏まえ検討すると、セラミックの焼成、熱処理の温度について、一般的にはその加熱温度は特定の技術的事由によるものの他はセラミックの製造上できるだけ低い熱処理温度を選定するもの（上記刊行物１［甲第１号証］においては800〜1000℃、参照）であって、本件請求項１に係る発明のように「1100〜1400℃」の範囲を含む熱処理温度となすことを開示する前記刊行物７、及び前記した「セラミックス成形・製造技術」（異議申立人新藤敬司提出の参考資料１）を参酌すると、これらにおけるセラミックは何れもセラミック基板単体における焼成、熱処理の温度であり、したがって本件発明の構成、すなわち積層され熱処理によって一体化されて形成される一体積層構造、に係るセラミックの焼成、熱処理の温度、及び積層体における層間の接着性（固着）に係る熱処理の温度としての開示乃至その示唆があるものとは認められない。
　そして、この「1100〜1400℃」とする温度範囲と酸化珪素の含有量を「３重量％以下」とすることによる作用効果をみると、相互に関連する構成の基づいた基板との接着強度と圧電特性との間の格別の作用効果（前記特許権者の意見書、及び添付された参考資料12乃至13参照。なお、特許権者は各相違点相互に関連する構成は何れも必須のものであり、その何れかがこれらの数値範囲から外れると、本件請求項１に係る発明における構成を充足せず、また目的とする所定の作用効果を達成するものではないことは明らかである、と自認するところである。）が認められることから、当該請求項１に係る発明が奏する作用効果は、刊行物１及び２乃至10に記載されたものから、当業者が容易に推測し得るものとも認められない。
（まとめ）
　したがって、刊行物１乃至10には相違点１乃至３に係るこれらの関連する構成が開示され、また示唆されているものとは認められず、さらにこれらの関連構成に基づく格別の作用効果によれば、本件請求項１に係る発明は、刊行物１乃至10に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
(ii)訂正明細書の請求項２に係る発明について
　当該請求項２に係る発明と引用発明とを対比すると、当該請求項２に係る発明と引用発明とは、前記請求項１についてした一致点と相違点を有するとともに、該相違点に加えてさらに次の相違点を有するものと認められる。
（相違点）
　当該請求項２に係る発明にあっては、板厚が50μm以下のセラミック基板とし、また厚みが50μm以下である圧電／電歪膜とするものであるのに対し、引用発明にあっては、セラミック基板の板厚が明示されておらず、また厚みが数10〜数100μmである圧電／電歪膜とするものである点。
（検討）
　当該請求項２における相違点のうち、前記請求項１におけると同じ相違点に係る判断は、当該相違点における判断の理由と同旨であるからこれを援用する。
　そして、当該請求項２に係る発明が奏する作用効果も、前記請求項１におけると同様であって関連構成に基づく格別の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、当該請求項２に係る発明は、少なくともこの点において刊行物１乃至10に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（なお、さらに加わる前記した相違点について検討すると、通常、圧電／電歪膜型アクチュエータにおけるセラミック基板の板厚あるいは圧電／電歪膜の厚みの具体的寸法は、該アクチュエータの実際の寸法により左右されることは技術的に明らかであり、また該アクチュエータの寸法に係わらず該アクチュエータとして動作させるに必要な最小限・最大限の寸法により規定されることは当業者に自明の技術的事項である。そして、アクチュエータにおける具体的寸法として、50μmとする構成を採用することは上記刊行物２、４にも開示されており、この寸法に係わる具体的数値の選定は、当業者が適宜に定める設計上の事項であると認められる。）
(iii)訂正明細書の請求項３乃至４に係る発明について
　当該請求項３乃至４に係る各発明は、いずれも前記請求項１乃至２（又は３）に係る発明を引用するものであって、当該請求項３乃至４に係る各発明と引用発明とを対比すると、いずれも前記請求項１乃至２においてした一致点と相違点を有するものであり、当該相違点における判断の理由も同旨であるからこれを援用する。
　そして、当該請求項３乃至４に係る発明が奏する作用効果も、前記請求項１乃至２におけると同様であって関連構成に基づく格別の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、当該請求項３乃至４に係る発明においても、少なくともこの点において刊行物１乃至10に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（なお、当該請求項３乃至４に係る各発明にあっては、各請求項において付加された構成における相違点をさらに有するものと認められるが、これら各請求項３乃至４において付加された構成は、上記刊行物２乃至10に記載されているように従来より周知の技術的事項であり、また寸法に係る具体的数値は一般的に当業者が定める設計上の事項である。）
（４）まとめ
　以上のとおりであって、訂正明細書の請求項１乃至４に係る発明は、いずれも上記刊行物１乃至10に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められず、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとはいえないのであるから、この訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同第１２６条第４項の規定に適合するものと認められる。
＜その３；訂正の適否の結論＞
　訂正事項ａ、ｂ、ｄ、ｇによる訂正明細書の請求項１乃至４に係る訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合し、さらに、訂正事項ａ、ｂ、ｄ、ｇによる訂正明細書の請求項１乃至４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできないるものであって、特許法第１２０条の４第３項で準用する同第１２６条第４項の規定に適合するものと認められるから、当該訂正を認める。
【４】特許異議申立てについての判断
（１）異議申立の概要
(i)異議申立人進藤敬司は、証拠方法として甲第１乃至10号証を提出し、甲第１号証（特開昭62-213399号公報）、甲第２号証（特開昭55-11811号公報）、甲第３号証（特開昭63-260086号公報）、甲第４号証（特開昭58-187365号公報）、甲第５号証（特開昭58-25967号公報）、甲第６号証（実願昭58-5019号（実開昭59-111059号）にマイクロフィルム）、甲第７号証（奥田外２共編「構造材料セラミクス」(株)オーム社　昭和62年４月20日第１版発行　Ｐ９〜15）、甲第８号証（(社)精機学会分科会編「ファインセラミックス」マシニスト出版(株)　1984年10月25日初版発行　Ｐ50〜51）、甲第９号証（(社)日本ファインセラミックス協会編集委員会編「構造用ファインセラミックス」(社)日本ファインセラミックス協会　1987年12月15日発行　Ｐ254〜261）、甲第10号証（ニューケスラ編集委員会編「セラミック基板とその応用」(株)学献社　1988年11月8日発行　Ｐ15）、をもとに、旧請求項１（訂正により削除）に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、又、旧請求項２乃至８（訂正により請求項１乃至４）に係る発明は、甲第１乃至10号証から当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきであると主張している。
(ii)また、異議申立人日本特殊陶業株式会社は、証拠方法として甲第１乃至９号証を提出し、甲第１号証（特開昭62-213399号公報）、甲第２号証（特開昭61-266931号公報）、甲第３号証（特開昭63-260086号公報）、甲第４号証（特開昭57-115887号公報）、甲第５号証（実開昭61-102063号公報）、甲第６号証（特開昭63-149159号公報）、甲第７号証（特開昭63-69279号公報）、甲第８号証（(社)日本セラミックス協会編「セラミックス辞典」丸善(株)　昭和63年７月30日発行　Ｐ14〜15）、甲第９号証（今井勇之進他１名編「耐熱材料ハンドブック」朝倉書店(株)　昭和40年11月30日初版発行　Ｐ689〜693）、をもとに、旧請求項１、４（訂正により削除）に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明と同一乃至はこれから当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号乃至は同条第２項の規定により、又、旧請求項２、３、５乃至８（訂正により請求項１乃至４）に係る発明は、甲第１、３乃至４号証から当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきであると主張している。
（２）検討
　以下、異議申立人両者の特許異議申立てについて、併せて検討する。
（なお、旧請求項１に係る特許法第２９条第１項第３号による異議申立については、訂正が認められた結果、当該旧請求項１が削除されたことにより、判断を要しないこととなった。）
(i)本件発明
　本件発明は、上記訂正された特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載されたとおりのものである。
(ii)引用刊行物
　主な引用刊行物は、異議申立人両者が証拠方法として各甲号証を提出し、取消理由通知及び訂正拒絶理由通知において引用した上記刊行物１乃至10に係るものであり、その記載事項等については上述したとおりである。
　なお、異議申立人両者が提出したその余の各甲号証（添付された各参考資料を含む。）は、各異議申立人が主張する内容に即した記載の開示がなされているものではあるが、何れも技術常識に係わる事項の開示にとどまるものであって、この限度で当該開示事項を技術常識に係わるものとして斟酌することとした。したがって、前記した引用刊行物としての引用の趣旨に適うものとしては採用することができないことから、先の取消理由通知及び訂正拒絶理由通知において引用しないものである。
(iii)判断
　本件請求項１乃至４に係る発明は、上記【３】＜その２；独立特許要件についての判断＞でなした判断と同旨の理由により、上記刊行物１乃至10に記載された発明と同一であるとも、また同刊行物１乃至10号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　また、異議申立人らがそれぞれ提出したその余の刊行物（甲号証）によっても、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
(iv)まとめ
　以上のとおりであって、本件請求項１乃至４に係る発明はいずれも異議申立人両者が提出した各甲号証に記載された発明に該当するとも、また各甲号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
【５】むすび
　以上のとおりであるから、異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月２８日（２０００．６．２８）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項（１）、第１行目の「セラミック基板」について、それを、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項（４）及び（５）の内容を導入して、「少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が３重量％以下であるセラミック板状体にて構成されるセラミック基板」と訂正すると共に、第２行目の「圧電／電歪膜と」及び第４行目の「熱処理」を、それぞれ、特許請求の範囲の減縮を目的として、「、圧電定数として｜ｄ３１｜が１００×１０−１２［Ｃ／Ｎ］以上である圧電／電歪膜と、」及び「１１００〜１４００℃の熱処理」と訂正して、新請求項１とする。
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭で
ない記載の釈明を目的として、本件特許明細書（願書に最初に添付した明細書。以下同じ）第５頁第９〜１６行の「そして、本発明にあっては、…するものである。」を、下記の如く訂正する。
　　記
「そして、本発明にあっては、そのような課題解決のために、少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が３重量％以下であるセラミック板状体にて構成されるセラミック基板の少なくとも一方の面上に、接着剤を用いることなく、第一の電極膜と、圧電定数として｜ｄ３１｜が１００×１０−１２［Ｃ／Ｎ］以上である圧電／電歪膜と、第二の電極膜との組合せからなる圧電／電歪駆動部の少なくとも一つが、それら膜が順次積層せしめられると共に、少なくとも圧電／電歪膜が厚膜形成手法にて形成され、１１００〜１４００℃の熱処理によって一体化されて、形成されてなる一体積層構造を有する圧電／電歪膜型アクチュエータを、その特徴とするものである。」
▲２▼　訂正事項ｂ
　上記の特許請求の範囲の新請求項１に対して、請求項（７）及び（８）の内容を加え、且つ特許請求の範囲の減縮を目的として、セラミック基板の板厚が「５０μｍ以下である」及び圧電／電歪膜の厚みが「５０μｍ以下」と訂正して、それを、新請求項２とする。
▲４▼　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項（２）に対して、請求項（３）の内容を加え、且つ特許請求の範囲の減縮を目的として、かかる請求項（２）、第１行目の「前記セラミック基板が」を、「前記アクチュエータの厚みが１５０μｍ以下であり、且つ前記セラミック基板の板厚が５０μｍ以下であると共に、かかるセラミック基板の曲げ強度が１５００Ｋｇｆ／ｃｍ２以上であり、更に該セラミック基板が」と訂正して、それを、新請求項３とする。
▲７▼　訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項（６）を、新請求項４として、前記した新請求項１乃至３の何れかに従属するように訂正する。
（５４）【発明の名称】
圧電／電歪膜型アクチュエータ
（５７）【特許請求の範囲】
（１）　
少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が３重量％以下であるセラミック板状体にて構成される
、圧電定数として｜ｄ３１｜が１００×１０−１２［Ｃ／Ｎ］以上である圧電／電歪膜と、第
１１００〜１４００℃の
（２）
少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が３重量％以下であるセラミック板状体にて構成される、板厚が５０μｍ以下の
、圧電定数として｜ｄ３１｜が１００×１０−１２［Ｃ／Ｎ］以上であり且つ厚みが５０μｍ以下である圧電／電歪膜と、
１１００〜１４００℃の
（３）
前記アクチュエータの厚みが１５０μｍ以下であり、且つ前記セラミック基板の板厚が５０μｍ以下であると共に、かかるセラミック基板の曲げ強度が１５００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であり、更に該
又は（２）
（４）
（３）
【発明の詳細な説明】
　（技術分野）
　本発明は、変位制御素子、個体素子モータ、インクジェットヘッド、リレー、スイッチ、シャッター、プリントヘッド、ポンプ、ファン等に用いられる圧電／電歪膜型アクチュエータに関するものである。なお、ここで述べるアクチュエータとは、電気エネルギーを、機械エネルギーに変換、つまり機械的な変位又は応力に変換する素子を意味するものである。
　（背景技術）
　近年、光学や精密加工等の分野において、サブミクロンのオーダーで光路長や位置を調整する変位素子が所望されるようになってきており、これに応えるものとして、強誘電体等の圧電／電歪材料に電界を加えたときに惹起される逆圧電効果や電歪効果に基づくところの変位を利用した素子である圧電／電歪アクチュエータの開発が進められている。
　ところで、この圧電／電歪アクチュエータの構造としては、従来から、モノモルフ型、ユニモルフ型、バイモルフ型、積層型等が知られているが、その中で、モノモルフ型、ユニモルフ型、バイモルフ型は、電界誘起歪みの横効果を利用して屈曲変位を得るために、比較的大きな変位が得られるものの、発生力が小さく、また応答速度が遅く、電気機械変換効率が悪いという問題を内在するものであった。一方、積層型は、電界誘起歪みの縦効果を利用しているために、それら発生力や応答速度において優れ、また電気機械変換効率も高いものであるが、発生変位が小さいという問題を内在している。
　しかも、それら従来のユニモルフ型やバイモルフ型のアクチュエータにおいては、何れも、圧電／電歪板等の板状の構成部材を接着剤を用いて張り付けてなる構造を採用するものであるために、アクチュエータとしての作動の信頼性にも問題があるものであった。
　このように、従来の圧電／電歪アクチュエータには、それぞれ一長一短があり、また解決されるべき幾つかの問題を内在するものであったのである。
　（解決課題）
　ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為されたものであって、その課題とするところは、接着剤等で張り付けた構造ではなく、相対的に低駆動電圧で大変位が得られ、応答速度が速く、且つ発生力が大きく、また高集積化が可能である構造の圧電／電歪膜型アクチュエータを提供しようとするものである。
　（解決手段）
　そして、本発明にあっては、そのような課題解決のために、
少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とする材料よりなる、酸化珪素の含有量が３重量％以下であるセラミック板状体にて構成される
面上に、接着剤を用いること
、圧電定数として｜ｄ３１｜が１００×１０−１２［Ｃ／Ｎ］以上である圧電／電歪膜と、第
１１００〜１４００℃の
　（作用・効果）
　このような本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータ構造によれば、膜状の圧電／電歪体となるものであるところがら、相対的に低駆動電圧にて大変位が得られ、また応答速度が速く、且つ発生力も大きく、更には高集積化が可能となる特徴を発揮するのである。つまり、膜を基板上に層状に積み重ね、一体とした積層構造とすることによって、従来のバルクを用いた積層型とやや類似した構造にも拘わらず、電界誘起歪みの横効果による大きな屈曲変位が得られると共に、高応答速度と発生力大の特徴を併わせ有する圧電／電歪膜型アクチュエータとなるのである。
　また、本発明は、基板と電極膜若しくは電極膜と圧電／電歪膜を構成要件とするので、薄板を接合するような、従来のユニモルフ型、バイモルフ型等のアクチュエータで採用されているような、所謂接着剤を用いることなく一体化してなる圧電／電歪膜型アクチュエータのために、長期使用に対する信頼性も高く、また変位量ドリフトも小さい特徴を発揮するのである。
　さらに、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータは、圧電／電歪駆動部が膜状に形成されるために、同一基板面上に多数個の素子の形成が容易に出来、かかる圧電／電歪駆動部の高集積化が可能となる特徴も有しているのである。
　なお、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータでは、低電圧駆動が可能で、しかも大きい屈曲変位・発生力を得るために、有利には、その厚さが３００μｍ以下、好ましくは１５０μｍ以下とされ、また、そのとき使用するセラミック基板の曲げ強度は、一般に、１２００ｋｇｆ／ｃｍ２以上、好ましくは１５００ｋｇｆ／ｃｍ２以上の値となるように調整されることとなる。
　（具体的構成・実施例）
　以下、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの具体的構造を示す図面を参照しつつ、本発明を、更に具体的に明らかにすることとする。
　先ず、第１図は、セラミック基板の片面に圧電／電歪駆動部が設けられてなる、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの一例を示すものであって、セラミック基板２の一方の面上に、下側電極膜４、圧電／電歪膜６及び上側電極膜８が順次積層され、多層に形成された一体構造とされている。なお、下側及び上側の電極膜４，８は、それぞれ、圧電／電歪膜６の端部より延び出させられ、リード部４ａ，８ａを形成しており、それらリード部４ａ，８ａを通じて、それぞれの電極膜４，８に通電が行なわれるようになっている。
　また、第２図は、セラミック基板の両面に圧電／電歪駆動部が設けられた、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの一例を示すものであって、セラミック基板２のそれぞれの面に対して、下側電極膜４、圧電／電歪膜６及び上側電極膜８が順次積層されて、熱処理により基板２と圧電／電歪駆動部（４，６，８）とが一体的な構造として形成されている。
　また、第３図〜第７図は、それぞれ、複数の圧電／電歪駆動部がセラミック基板上に設けられてなる、本発明に従うアクチュエータの異なる例を示すものであって、それら複数の圧電／電歪駆動部は、積層形態において或いは並設形態において、セラミック基板上に設けられている。
　例えば、第３図〜第５図に示される例においては、複数の圧電／電歪駆動部（４，６，８）が、セラミック基板２上に並設形態において設けられており、特に、第３図及び第４図に示されるアクチュエータにおいては、それら複数の圧電／電歪駆動部（４，６，８）の間に位置するセラミック基板２にスリット１０が入れられて、それぞれの圧電／電歪駆動部が互いに独立した形態とされている。また、第５図のアクチュエータにおいては、セラミック基板２に長手の矩形孔１２が所定ピッチで設けられ、梯子状のセラミック基板２とされており、そしてこの梯子状のセラミック基板２の矩形孔１２，１２に挟まれた接続部２ａ上に、下側電極膜４と圧電／電歪膜６と上側電極膜８とからなる圧電／電歪駆動部がそれぞれ形成されている。なお、第３図において、１４は、圧電／電歪膜６の背部で、下側電極膜４と上側電極膜８とを電気的に絶縁する絶縁膜である。
　また、第６図に示される本発明に従うアクチュエータは、セラミック基板２上に、複数の圧電／電歪駆動部が積層形態において設けられてなる構造の一例に係るものであって、そこでは、下側電極膜４と圧電／電歪膜６と上側電極膜８とからなる圧電／電歪駆動部の二つが、セラミック基板２上に二段重ね状態にて一体的に形成されてなる構造とされている。なお、ここでは、上側電極膜８が二つの圧電／電歪駆動部の共通の電極膜として利用されている。
　さらに、第７図に示される本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの例においては、一枚の大きなセラミック基板２上に、下側電極膜４と圧電／電歪膜６と上側電極膜８とからなる圧電／電歪駆動部の複数が、所定ピッチにて一体的に並設された構造において設けられている。
　そして、上記の如き本発明に従う構造の圧電／電歪膜型アクチュエータにおいては、その下側電極膜４と上側電極膜８との間に従来と同様にして通電が行なわれ、それによって圧電／電歪膜６に電界が作用せしめられると、そのような電界に基づくところの圧電／電歪膜６の電界誘起歪みが誘起され、以てその横効果により、セラミック基板２の板面に垂直な方向の屈曲変位乃至は発生力が発現せしめられるのである。
　ところで、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータは、上記のように、振動板の如き作動板となるセラミック基板２上に、電極材料、圧電若しくは電歪材料及び電極材料にて、それぞれの膜４，６，８が多層に形成された構造を有するユニモルフ型或いはバイモルフ型のものであって、熱処理によって、基板２と圧電／電歪駆動部（下側電極膜４＋圧電／電歪膜６＋上側電極膜８）とが一体構造を形成し、接着剤は何等用いられていない特徴を有するものであるが、そのような圧電／電歪膜型アクチュエータは、次のようにして作製されることとなる。
　すなわち、先ず、各材料からなる膜４，６，８をセラミック基板２上に形成するには、公知の各種の膜形成手法が適宜に利用され、例えば、スクリーン印刷の如き厚膜手法やディッピング等の塗布手法、スパッタリング、真空蒸着、メッキ等の薄膜手法等が利用され、特に限定されるものではないが、圧電／電歪膜６を形成する時には、スクリーン印刷、ディッピング、塗布等による手法が好適に採用される。これは、圧電／電歪セラミック粒子を主成分とするペーストやスラリーを用いて基板上に膜形成することが出来、良好なアクチュエータ特性が得られるからである。また、そのような膜の形状は、スクリーン印刷手法、フォトリソグラフィ手法等を用いて、パターン形成する他、レーザー加工法やスライシング等の機械加工法を用いて不必要な部分を除去して形成しても良いが、その中でも、レーザー加工法や機械加工法を用いて基板と膜を同時に加工し、圧電／電歪駆動部の集積度を向上させることが好ましい。
　また、作製されるアクチュエータの構造や膜の形状は、特に規定される訳ではなく、用途に合わせて、如何なる形状や構造であっても良く、例えば、三角形、四角形等の多角形、円、楕円、円環等の円形、櫛状、格子状又はそれらを組み合わせた特殊形状であっても、何等差支えない。尤も、本発明の特徴を活かすためには、第３〜７図に示されるような同一セラミック基板上に二つ以上の圧電／電歪駆動部が集積された形状が有利に採用されることとなる。特に、その中でも、第３〜４図や第５図に示されるような櫛状等の形態のアクチュエータ構造の素子が、圧電／電歪駆動部の集積度と変位、振動特性が好ましく両立するために、望ましいものである。
　なお、同一のセラミック基板上に多数の圧電／電歪駆動部を集積した、本発明に従うアクチュエータにおいては、かかる圧電／電歪駆動部が少なくとも３０００μｍピッチよりも狭いピッチで設けられた、高い集積度を持つことが好ましく、更には１０００μｍピッチよりも狭いピッチで、更に好ましくは５００μｍピッチよりも狭いピッチで、圧電／電歪駆動部を設けてなる、高い集積度を有するアクチュエータとするのが望ましい。
　また、セラミック基板２上に上記の方法で形成されたそれぞれの膜４，６，８は、その膜の形成の都度熱処理されて、基板と一体構造となるようにされても良く、また全層形成した後、同時に熱処理して、各層が同時に基板に一体的に結合せしめられるようにしても良い。但し、電極膜８を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、メッキ法等の薄膜手法により形成する場合は、電極膜８を熱処理しなくても良い。なお、かかる形成された膜を基板と一体化するための熱処理温度としては、一般に、８００℃〜１４００℃程度の温度が採用され、好ましくは１１００℃〜１４００℃の範囲の温度が有利に作用される。また、圧電／電歪膜を熱処理する場合には、高温時に圧電／電歪膜の組成が不安定とならないように、そのような圧電／電歪材料の蒸発源と共に、雰囲気制御を行ないながら、熱処理することが好ましい。更に、下側の電極膜は、一般に、セラミック基板に直接に設けられることとなるが、そのような基板との接合性を向上させる目的で、基板と電極膜との間に中間層膜を設けると好ましい場合もある。なお、ここで言う接合性とは、接着性と熱膨張率の整合性のことである。
　本発明に従うアクチュエータの作製に際して用いられるセラミック基板２に関して、基板材料としては、機械的強度が大きく、前記熱処理が可能な絶縁体若しくは誘電体であれば、酸化物系であっても、非酸化物系であっても良いが、その中でも、少なくとも、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素の何れかを主成分とした材料を用いて形成された基板が好ましく、特に酸化アルミニウム又は酸化ジルコニウムを主成分とする基板が、板厚が薄くても優れた基板特性が得られるところがら、有利に用いられる。なお、そのようなセラミック基板材料中に含有される酸化珪素（ＳｉＯ，ＳｉＯ２）の量は、１０重量％以下が望ましく、特に３重量％以下とすることが望ましい。このような酸化珪素含有量の規制は、前述した圧電／電歪材料との熱処理中の反応を避け、良好なアクチュエータ特性を得る上において、重要なことである。
　また、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータにおいて、その高速応答性と大きな屈曲変位を得るために、かかるセラミック基板２の厚さは、一般に、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは３０μｍ以下とすることが望ましく、またそのヤング率は、１．５×１０６ｋｇ／ｃｍ２以上、４．５×１０６ｋｇ／ｃｍ２以下、特に２．０×１０６ｋｇ／ｃｍ２以上、４．０×１０６ｋｇ／ｃｍ２以下であることが、好ましい。更に、その曲げ強度としては、１２００ｋｇｆ／ｃｍ２以上が好ましく、特に１５００ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることが望ましい。
　なお、かかるセラミック基板２としては、予め焼結した基板を用いても良く、また基板材料のグリーンシートを用い、前記の膜形成を行なった後に焼結させても良いが、その中では、予め焼結した基板が、素子の反りを小さくすることが出来、またパターン寸法精度が得られるところがら、有利に用いられることとなる。
　また、このようなセラミック基板２の基板形状は、特に規定されるものではなく、用途に合わせて如何なる形状でも採用可能であり、例えば三角形、四角形等の多角形、円、楕円、円環等の円形、櫛状、格子状又はこれらを組み合わせた特殊形状であっても、何等差支えない。
　次に、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータにおける電極膜４，８の材料としては、前記熱処理温度程度の高温酸化雰囲気に耐えられる導体であれば、特に規制されるものではなく、例えば金属単体でも、合金でも良く、また絶縁性セラミックス等の添加物を加えた金属や合金と絶縁セラミックスの混合物であっても良く、更には導電性セラミックスであっても何等差支えない。尤も、その中でも、白金、パラジウム、ロジウム等の高融点貴金属類、銀−パラジウム、銀−白金、白金−パラジウム等の合金を主成分とする電極材料が好適に用いられる。また、上記混合物において、金属や合金に添加せしめられるセラミックスとしては、前記基板材料或いは後述する圧電／電歪材料と同じ材料であることが望ましく、その添加量は、基板材料においては５〜３０体積％程度、また圧電／電歪材料においては５〜２０体積％程度が好ましい。特に、それら基板材料と圧電／電歪材料を共に上記金属や合金に混在せしめてなる混合物が、目的とする電極膜の形成に有利に用いられる。これは、それら２種の添加物を配合することにより、先に述べた中間層膜と同様な効果が得られるからである。
　そして、このような電極膜材料を用いて形成される下側電極膜４や上側電極膜８は、用途に応じて適宜の厚さとされることとなるが、一般に、１５μｍ以下、好ましくは５μｍ以下の厚さにおいて形成されることとなる。
　さらに、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータにおいて、圧電／電歪駆動部を構成する圧電／電歪膜６は、圧電或いは電歪効果等の電界誘起歪みを示す材料であれば、何れの材料を用いても形成され得るものである。また、そのような圧電／電歪膜材料は、結晶質の材料であっても、非晶質の材料であっても良く、また半導体であっても、誘電体セラミックス、強誘電体セラミックスであっても良く、更には分極処理が必要な材料であっても、不必要な材料であっても良いのである。
　尤も、本発明に用いられる圧電／電歪膜材料としては、好ましくは、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ系）を主成分とする材料、マグネシウムニオブ酸鉛（ＰＭＮ系）を主成分とする材料、ニッケルニオブ酸鉛（ＰＮＮ系）を主成分とする材料、マンガンニオブ酸鉛を主成分とする材料、アンチモンスズ酸鉛を主成分とする材料、チタン酸鉛を主成分とする材料、チタン酸バリウムを主成分とする材料、更にはこれらの複合材料等が用いられる。なお、ＰＺＴ系を主成分とする材料に、ランタン、バリウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン等の酸化物やそれらの他の化合物を添加物として含んだ材料、例えばＰＬＺＴ系となるように、前記材料に所定の添加物を適宜に加えても何等差支えない。
　そして、本発明に従う構造のアクチュエータにあっては、アクチュエータ特性の点から、圧電定数で｜ｄ３１｜が５０×１０−１２［Ｃ／Ｎ］以上、中でも、１００×１０−１２［Ｃ／Ｎ］以上である膜が、圧電／電歪膜６として有利に用いられることとなるのである。また、このような圧電／電歪膜６の厚さとしては、低電圧で駆動できる様に、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは３０μｍ以下となるように選定されるのである。
　以上、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータについて、図面に示される具体例に基づき詳細に説明してきたが、本発明が、そのような具体例によって何等の制約をも受けるものでないことは、言うまでもないところである。そして、本発明には、上記の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであることが、理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
　第１図〜第７図は、それぞれ、本発明に従う圧電／電歪膜型アクチュエータの異なる例を示す斜視部分説明図である。
　　２：セラミック基板　　　　　　４：下側電極膜
　　６：圧電／電歪膜　　　　　　　８：上側電極膜
　１０：スリット　　　　　　　　１２：矩形孔
　１４：絶縁膜