【事件の表示】
　特許第２８４４６６９号「反応性マグネトロンスパッタ装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８４４６６９号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成　１年　５月１８日
　設定登録　　　　　　　　　　　　　　平成１０年１０月３０日
　　　　　　　　　　　　（特許第２８４４６６９号、請求項の数２）
　特許公報発行　　　　　　　　　　　　平成１１年　１月　６日
　特許異議の申立て　　　　　　　　　　平成１１年　７月　６日
　　　（請求項１に係る特許に対して　申立人：株式会社村田製作所）
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　平成１２年　１月１４日
　意見書，訂正請求書　　　　　　　　　平成１２年　４月　４日
　審　尋（申立人宛）　　　　　　　　　平成１２年　４月１３日
　回　答　書　　　　　　　　　　　　　平成１２年　６月２６日
　訂正拒絶理由通知　　　　　　　　　　平成１２年　７月１８日
　意　見　書　　　　　　　　　　　　　平成１２年１０月　２日
　
II．訂正の適否
１．本件訂正発明
　平成１２年４月４日付け訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載よりみて、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
　【請求項１】基板に対向するターゲットと、磁界発生手段を有し、該ターゲットを反応性スパッタして上記基板上に成膜する反応性マグネトロンスパッタ装置において、上記ターゲットの裏面側に、上記ターゲットの表面全域にエロージョン領域を形成するための磁界発生手段が配置され、該磁界発生手段は、上記ターゲットの周辺に対応した位置に配した環状の第１の磁界発生手段と、上記ターゲットの中心に対応する軸を中心に回転可能な第２の磁界発生手段とから成ることを特徴とする反応性マグネトロンスパッタ装置。
（以下、「本件訂正発明１」という。）
２．訂正拒絶理由の概要
　当審における訂正拒絶理由の概要は次のとおりである。
　本件訂正発明１は、下記引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができる発明であるとは認められない。
　したがって、上記訂正請求は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１：特開昭５９−５６５８０号公報　　　（甲第１号証に該当）
　引用例２：金原粲著「スパッタリング現象」東京大学出版会、１９８４年
　　　　　　３月１５日発行、１２０〜１２１頁　（甲第２号証に該当）
３．独立特許要件についての判断　
３．１　各引用例の記載
３．１．１　引用例１
　上記引用例１には、「スパッタリング方法」の発明に関し、
(1-1)「マグネトロン・スパッタリング法によるスパッタリングにおいて、ターゲットの下方に複数個の固定マグネットをタ−ゲットの外縁の近くに当該外縁に沿って円形に同じ極を上向けにして配置し、前記固定マグネットの上の極とは反対の極を上にした可動マグネットをこれら固定マグネットの内側で同心的に回転させることを特徴とするスパッタリング方法。」（１頁左下欄特許請求の範囲）、
(1-2)「本発明はスパッタリング方法、詳しくはマグネトロン・スパッタリング法においてスパッタリング・ターゲットの使用効率を向上させる方法に関する。」（１頁左下欄１５〜１８行）、
(1-3)「（３）従来技術と問題点
　第２図と第３図に示される装置を用いてスパッタリングを行う場合、・・（中略）・・ターゲット１１は最初は第２図に示す如く、最終的には第４図の断面図に示す如く削られる。これらの図から理解される如く、ターゲット１１の中央部分はほとんど削られることがなく、ターゲットの使用効率は４０％程度である。この使用効率の向上は作業性改善および資材の有効利用の観点から強く望まれているところである。
　（４）発明の目的
　本発明は上記従来の問題点に鑑み、マグネトロン・スパッタリング法において、ターゲットの使用効率が向上せしめられうる方法を提供することを目的とする。」（２頁左上欄１０行〜同頁右上欄６行）、
(1-4)「本発明の方法においては、第５図と同図のVI−VI線に沿う断面図である第６図に示されるマグネットを用い、一方の極だけを回転させる。すなわち、Ａｌターゲット２１の外縁に沿いこの外縁に可能な限り近付けて複数個の固定マグネット２２を円形に配列固定し、これら固定マグネット２２は全てＳ側を上にして配置し極性を揃えておく。他方、可動マグネット２３を用意し、この可動マグネット２３はそのＮ側を上にして、すなわち極性を固定マグネット２２の極性とは逆にして、固定マグネット２２の内側を同心的に回動させる。かくして、マグネットのＳ極の内側をＮ極が同心的に回転することになる。かかる配置において、可動マグネット２３とマグネット２２とによって形成される磁場は第６図に点線によって示される如くになり、その結果ターゲット２１は最初は第６図に示される如くに、また最終的には第７図に示される如くに削られる。本願発明者は、ターゲット２１が中央部分においても第７図に示す如くに削られ、削られた量はターゲット全量の６０％にも達することを確認した。なお上記において・・（中略）・・スパッタリング装置の全体は第１図に示される構成のものと同じ原理によって働くものである。上述した可動マグネット２３は、第８図の断面図に示す装置によって回転する。なお第８図において、２２と２３は第７図の場合と同様固定マグネットと可動マグネットを示し、固定マグネット２２は固定台２４に固定して取り付け、可動マグネット２３はホルダ２５に固定し、ホルダ２５は固定台２４の中心に開口した孔２６を通る回転軸２４（「２７」の誤記と認める。）に固定され、回転軸２７は図示しないモータに連結されて図に矢印に示す如く回転可能であり、回転軸２７の回転に対応してホルダ２５、従って可動マグネット２３は第５図に矢印に示す方向にターゲット２１と同心的に回動し、マグネットの一方の極すなわち可動マグネット２３のＮのみが回転することになり、その結果ターゲット２１は第７図に示される如く削られる。」（２頁右上欄１９行〜３頁左上欄１行）、との記載があるほか、
(1-5)第１図には、ウエハ（基板）３と、ターゲット２と、電源４と、マグネット５とを有するマグネトロン・スパッタリング用装置の概略断面図が示され、
(1-6)第５図には、複数個の円形に配列固定されたマグネット（２２）の外径はターゲット（２１）の外径よりわずかに小さくなっているものが示されており、さらに、
(1-7)第７図には、本願発明の方法によって削られたターゲットの断面図が記載されており、それによるとターゲット２１の中央部分においても削られているが、周辺部が削られずに残っていることが見てとれる。
３．１．２　引用例２
　上記引用例２には、反応性スパッタリングの意味に関し、
(2-1)「このような欠点を克服し、さらに化合物の組成比を適当に制御して好ましい物性を引き出すための方法が、反応性スパッタリング(reactive suputtering)法である。具体的には、装置は従来のスパッタリング法となんらかわらず、スパッタリングのための放電ガス中に反応性のガスを混入させるだけの方法である。」（１８０頁下から９〜６行）、
(2-2)「反応性スパッタリング装置は、通常のスパッタリング装置とまったくかわらないといってよい。したがって、５章で述べる直流２極、高周波、マグネトロン（直流、高周波、平板、円筒）スパッタリング装置は原則として全てそのまま使える。」（１２１頁下から４〜１行）、
との記載がある。
３．２　対比・判断
　上記「(1-1)」，「(1-4)」及び「(1-5)」の記載をまとめると、上記引用例１には、
『基板に対向するターゲット（２１）と、磁界発生手段を有し、該ターゲット（２１）をスパッタリングして上記基板上に成膜するマグネトロンスパッタリング装置において、上記ターゲット（２１）の裏面側に、磁界発生手段が配置され、該磁界発生手段は、上記ターゲットの外縁に沿いこの外縁に可能な限り近付けて複数個の固定マグネット（２２）を円形に配列固定した第１の磁界発生手段と、回転軸（２７）の回転に対応して上記ターゲット（２１）と同心的に回動可能な可動マグネット（２３）からなる第２の磁界発生手段とを設けてなるマグネトロンスパッタリング装置。』
の発明が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明１と上記引用例１に記載の発明とを対比すると、「スパッタリング」と「スパッタ」とは実質的に同旨の技術用語であるし、また、上記引用例１における「上記ターゲットの外縁に沿いこの外縁に可能な限り近付けて複数個の固定マグネット（２２）を円形に配列固定した第１の磁界発生手段」は本件訂正発明１の「ターゲットの周辺に対応した位置に配した環状の第１の磁界発生手段」に対応し、さらに、上記引用例１における「回転軸（２７）」は、可動マグネット（２３）をターゲット（２１）と同心的に回動可能な軸であるから、本件訂正発明１における「ターゲットの中心に対応する軸」に対応するので、両者は、共に、
「基板に対向するターゲットと、磁界発生手段を有し、該ターゲットをスパッタして上記基板上に成膜するマグネトロンスパッタ装置において、上記ターゲットの裏面側に、磁界発生手段が配置され、該磁界発生手段は、上記ターゲットの周辺に対応する位置に環状の第１の磁界発生手段と、上記ターゲットの中心に対応する軸を中心に回転可能な第２の磁界発生手段とを設けてなるマグネトロンスパッタ装置。」
である点では一致するが、
（１）本件訂正発明１は「反応性マグネトロンスパッタ装置」であるのに対し、引用例１に記載の発明は「マグネトロンスパッタ装置」であって、引用例１には「反応性」であるか否かについての記載はない点、
（２）磁界発生手段につき、本件訂正発明１は「上記ターゲットの表面全域にエロージョン領域を形成するための」と限定しているのに対し、引用例１にはこのような記載がない点、
で相違している。
　そこで、上記相違点（１）及び（２）について検討する。
（相違点（１）について）
　上記引用例２には、反応性スパッタリング法を実施するための装置は従来のスパッタリング法のものと何らかわらず、スパッタリングのための放電ガス中に反応性のガスを混入させるだけであること、及び、マグネトロンスパッタ装置は原則として全てそのまま使えることが示されているから、上記引用例１に記載のマグネトロンスパッタ装置を反応性マグネトロンスパッタ装置となすことは当業者であれば容易になしえることである。
（相違点（２）について）
　例えば、特開昭６３−１４９３７４号公報には、「マグネトロンスパッタ装置」（１頁右下欄６行）に関し、「ターゲットが一様にスパッタされ」（４頁左上欄１〜２行）、「ターゲットの面はフラットに保持されてターゲットの使用効率が向上し、その結果、堆積物が落下して製造歩留まりを低下することがない。」（４頁左上欄２０行〜同頁右上欄３行）と記載されており、また、上記引用例１に記載の発明でもターゲットの使用効率の向上が目的であるとされている（上記「(1-2)」及び「(1-3)」参照）から、この種のマグネトロンスパッタ装置においてはターゲットの使用効率を上げてターゲットを無駄なく使用するようになすことは周知の技術課題である。
　そして、上記引用例１に記載の発明では、ターゲット（２１）の中央部分は削られているが、周辺部は削られずに残っている（上記「(1-7)」参照）としても、これは複数個の円形に配列固定されたマグネット（２２）の外縁がターゲット（２１）の外縁よりもわずかに小さくなっている（上記「(1-6)」参照）ことから生じただけのことである。
　また、上記引用例１には、「上記ターゲットの外縁に沿いこの外縁に可能な限り近付けて複数個の固定マグネット（２２）を円形に配列固定」（上記「(1-4)」参照）と記載されているように、複数個の円形に配列固定されたマグネット（２２）の外縁がターゲット２１の外縁と同じ状態となし得ることが示唆されているから、かかる場合にはターゲットの周辺部も削られる状態となる、すなわち、「ターゲットの表面全域にエロージョン領域が形成」される状態となることは当業者に自明のことである。
　してみれば、ターゲットの周辺部をもスパッタさせる構成となすかどうかは当業者が適宜決定し得る設計事項程度のことと云うべきであり、ターゲットの使用効率を向上させる目的で磁界領域を周辺部にまで広げて「ターゲットの表面全域にエロージョン領域を形成」する構成となすことは当業者にとって容易であると云える。
　以上のとおり、本件訂正発明１は、上記引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に違反するので、当該訂正は認められない。
　
III．特許異議申立てについて
１．本件発明
　上記訂正は認められないから、本件特許に係る発明は、特許明細書及び図面の記載よりみて、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
　【請求項１】基板に対向するターゲットと、磁界発生手段を有し、該ターゲットを反応性スパッタして上記基板上に成膜する反応性マグネトロンスパッタ装置において、上記ターゲットの裏面側に、該ターゲットの周辺に対応する位置に環状の第１の磁界発生手段と、ターゲットの中心に対応する軸を中心に回転可能な第２の磁界発生手段とを設けて成る反応性マグネトロンスパッタ装置。
（以下、「本件発明１」という。）
２．特許異議申立てについての判断
２．１　取消理由の概要
　当審が通知した平成１２年１月１４日付けの取消理由の概要は次のとおりである。
　本件発明１は、下記引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１：特開昭５９−５６５８０号公報　　　（甲第１号証に該当）
　引用例２：金原粲著「スパッタリング現象」東京大学出版会、１９８４年
　　　　　　３月１５日発行、１２０〜１２１頁　（甲第２号証に該当）
２．２　各刊行物に記載の発明
　上記取消理由で引用した引用例１及び２は、上記訂正拒絶理由で引用した引用例１及び２と同じであるから、これら引用例には、それぞれ上記「(1-1)」〜「(1-7)」及び「(2-1)」〜「(2-2)」に示したとおりのことが記載されている。
２．３　対比・判断
　上記引用例１には、すでに上記「II．３．２」に示したとおり、
『基板に対向するターゲット（２１）と、磁界発生手段を有し、該ターゲット（２１）をスパッタリングして上記基板上に成膜するマグネトロンスパッタリング装置において、上記ターゲット（２１）の裏面側に、磁界発生手段が配置され、該磁界発生手段は、上記ターゲットの外縁に沿いこの外縁に可能な限り近付けて複数個の固定マグネット（２２）を円形に配列固定した第１の磁界発生手段と、回転軸（２７）の回転に対応して上記ターゲット（２１）と同心的に回動可能な可動マグネット（２３）からなる第２の磁界発生手段とを設けてなるマグネトロンスパッタリング装置。』
の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明１と上記引用例１発明とを対比すると、「スパッタリング」と「スパッタ」とは実質的に同旨の技術用語であるし、また、上記引用例１発明の「上記ターゲットの外縁に沿いこの外縁に可能な限り近付けて複数個の固定マグネット（２２）を円形に配列固定した第１の磁界発生手段」は本件発明１の「ターゲットの周辺に対応する位置に環状の第１の磁界発生手段」に対応し、さらに、上記引用例１発明の「回転軸（２７）」は、可動マグネット（２３）をターゲット（２１）と同心的に回動可能な軸であるから、本件発明１の「ターゲットの中心に対応する軸」に対応するので、両者は、共に、
「基板に対向するターゲットと、磁界発生手段を有し、該ターゲットをスパッタして上記基板上に成膜するマグネトロンスパッタ装置において、上記ターゲットの裏面側に、該ターゲットの周辺に対応する位置に環状の第１の磁界発生手段と、上記ターゲットの中心に対応する軸を中心に回転可能な第２の磁界発生手段とを設けてなるマグネトロンスパッタ装置。」
である点では一致するが、本件発明１は「反応性マグネトロンスパッタ装置」であるのに対し、引用例１発明は「マグネトロンスパッタ装置」であって、それが「反応性」であるか否かの記載がない点で、相違している。
　しかしながら、上記引用例２には、反応性スパッタリング法を実施するための装置は従来のスパッタリング法のものと何らかわらず、スパッタリングのための放電ガス中に反応性のガスを混入させるだけであること、及び、マグネトロンスパッタ装置は原則として全てそのまま使えることが示されているから、上記引用例１発明のマグネトロンスパッタ装置を反応性マグネトロンスパッタ装置となすことは当業者であれば容易になしえることである。
　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基く、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月１３日（２０００．１１．１３）