【事件の表示】
　特許第２８２３５４２号「アクティブマトリクス型液晶表示素子」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８２３５４２号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８２３５４２号に係る発明についての出願は、昭和６３年１２月５日に出願された特願昭６３−３０６０３１号の一部を特許法第４４条第１項の規定により、平成７年１２月５日に特許出願されたものであって、平成１０年９月４日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、佐藤勝明より特許異議の申し立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１１月１日に特許異議意見書が提出されたものである。
　
２．特許異議申し立てについて
（１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人佐藤勝明は、甲第１号証として特開昭６２−１７１１６０号公報、甲第２号証として特開昭６３−２８４５２４号公報及び甲第３号証として特開昭６３−２７９２２８号公報を提示して、本件特許の請求項１及び請求項２に係る発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張している。
　
（２）本件の請求項に係る発明
　本件の請求項１及び請求項２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】光透過性の絶縁基板上に遮光性を有するゲート電極、前記ゲート電極上に配置されるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に配置される半導体膜、前記半導体膜上に配置される半導体保護膜、前記半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを複数本の走査電極線と信号電極線の交点付近に配置してマトリクス状にし且つ各々の薄膜トランジスタの前記ソース電極に画素電極を接続してなるアレイ基板と、前記アレイ基板と間隙を有して対向配置された対向基板と、前記間隙に挟持された液晶と、を備えたアクティブマトリクス型液晶表示素子において、前記ゲート電極は、平面的に前記走査電極線から突出して形成され、前記ゲート電極の外周辺のうちの前記走査電極線から最も離れた端辺から、前記半導体保護膜は平面的に距離を有して形成され、前記半導体膜は、平面的に前記半導体保護膜、前記信号電極線、前記ソース電極及びドレイン電極によって形成される輪郭線に沿った形状であり、前記画素電極は、前記ソース電極上に一部重畳して配置されていることを特徴としたアクティブマトリックス型液晶表示素子。
【請求項２】前記薄膜トランジスタは、前記ソース電極及びドレイン電極と、前記半導体膜との間にそれぞれ介挿され、平面的に前記信号電極線、前記ソース電極及びドレイン電極の輪郭線に沿った形状の低抵抗半導体膜を含むことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。」
（３）甲各号証に記載された発明
　特許異議申立人の提示した甲第１号証（特開昭６２−１７１１６０号公報)には、
「ガラス基板上に不透明な第一の金属膜よりなるゲート電極、第一の絶縁膜、ノンドープのアモルファスシリコン半導体膜、第二の絶縁膜およびポジ型レジストを順次積層し、次いで薄膜トランジスタ形成部分以外の部分をホトレジストがコートされているガラス基板面側から露光現像し、該レジストを薄膜トランジスタ形成部分のゲート電極上方にのみ残し、この状態で前記第二の絶縁膜をエッチングし、該レジストを除去した後、リンドープのアモルファスシリコン膜、第二の金属膜、該レジストを順次積層し、該レジストをパターニングした後、該レジストをマスクとして第二の金属膜、リンドープのアモルファスシリコン、ノンドープのアモルファスシリコン膜をエッチングしてソース及びドレイン電極を形成し、しかる後にドレイン電極と一部重畳するように絵素電極を形成することを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置用薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲第１項）、
「第１図（ａ）にようにガラス基板・・・（２１）上に不透明な第一の金属膜よりなるゲート電極（２２）を２０００〜４０００ÅのＴａによって形成し、陽極酸化によってＴａ２Ｏ５膜（２３）を形成する。次に第１図（ｂ）のようにプラズマＣＶＤによりゲート絶縁膜（２４）、ａ−Ｓｉ半導体膜（２５）、保護絶縁膜（２６）を真空を破ることなく連続堆積する。ゲート絶縁膜（２４）としては例えば１０００〜３０００ÅのＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等を用い、保護絶縁膜（２６）としては例えば１０００〜１００００ÅのＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等を用いる。次にポジ型レジストを塗布し、背面より露光し、第１図（ｃ）のようにゲート電極（２２）に自己整合されたレジストパターン（２７）を形成する。・・・次にレジストパターン（２７）をマスクとして保護絶縁膜（２６）をエッチングしレジストを除去して第１図（ｄ）のようにバターニングする。・・・次に全面にリンドーブのｎ＋−ａ−Ｓｉ膜（２８）及び第２の金属膜（２９）を積層し、フォトレジスト（３０）を塗布し、フォトレジスト（３０）をフォトマスクを使用してレジスト側から溶光して第１図（ｅ）のようにパターニングする。次にフォトレジスト（３０）をマスクとして第２の金属膜（２９）、リンドープのｎ＋−ａ−Ｓｉ膜（２８）、及びａ−Ｓｉ膜（２５）をエッチングして第１図（ｆ）のようにパターニングしてソース電極（３１）およびドレイン電極（３２）を形成し、その後透明導電膜よりなる絵素電極（３３）を形成して第１図（ｆ）のようなＴＦＴを形成する。」（公報第３頁右上欄第５行〜左下欄第１７行）と記載されている。
　よって、甲第１号証には、
「ガラス基板上に不透明な第一の金属膜よりなるゲート電極、第一の絶縁膜、ノンドープのアモルファスシリコン半導体膜、ゲート電極上方にのみ存在する第二の絶縁膜、リンドープのアモルファスシリコン膜、第二の金属膜からなるソース電極及びドレイン電極から形成される薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス液晶表示装置において、第二の金属膜からなるソース電極及びドレイン電極、リンドープのアモルファスシリコン、ノンドープのアモルファスシリコン膜を同一パターンに形成し、ドレイン電極と一部重畳するように絵素電極を形成したアクティブマトリクス液晶表示装置」の発明（以下、引用発明という。）が記載されている。
　同じく甲第２号証（特開昭６３−２８４５２４号公報）には、
「絶縁性基板上に透明導電層を選択的に形成し、前記透明導電層上に第一の透明絶縁層を形成し、前記第一の透明絶縁層上にはトランジスタのゲートとなる第一の金属層を選択的に形成し、前記第一の金属層上に、第二の透明絶縁層を介して全面に半導体層を形成し、前記第二の透明絶縁層と前記半導体層を介して前記第一の金属層上の一部に第三の絶縁膜を選択的に形成し、前記透明導電層上に形成された前記第一、第二の透明絶縁層及び半導体層に開口部を形成し、前記半導体層上で前記第一の金属層と一部重なり合うように選択的に形成された一対の第二の金属層の一方が前記開口部を介して電気的に接触し、前記半導体層を前記第三の絶縁層及び前記第二の金属層をマスクとしてエッチングにより選択的に除去する方法において、・・・薄膜トランジスタアレーの製造方法。」（特許請求の範囲第３項）と記載されており、第３図には、ゲート電極が第一の金属線（走査信号線）から突出して形成され、半導体保護膜１０がゲート電極の内側に距離を有して形成され、半導体層３Ｂが、ゲート電極の走査電極線からの突出方向ではさらに内側で、前記方向の直交方向ではゲート電極を越えて形成されていることが示されている。
　同じく甲第３号証（特開昭６３−２７９２２８号公報）には、
「第１図（Ｂ）において、２１は基板としての例えばガラス基板を示す。２３はゲート絶縁膜を、２５はアモルファスＳｉ膜をそれぞれ示す。又、５７はソース電極１１、ゲート電極１３、ＴＦＴ１５及び基板表面で主に構成される凹凸を平坦化するための既に説明した絶縁層を示し、この絶縁層５７のドレイン電極１７上に該当する領域にはコンタクトホール５３を形成してある。」（公報第４頁右下欄第１４行〜第５頁左上欄第１行）と記載されており、第１図（Ａ）には、ゲート電極が走査電極１３から突出して形成され、第１図（Ｂ）には、画素電極５１ｂがドレイン電極１７に一部重畳されていることが示されている。
　
（４）本件の請求項１に係る発明について
（対比）
　本件の請求項１に係る発明と引用発明とを対比すると、引用発明のアクティブマトリクス液晶表示装置が、薄膜トランジスタを複数本の走査電極線と信号電極線の交点付近に配置してマトリクス状にしたアレイ基板と、前記アレイ基板と間隙を有して対向配置された対向基板と、前記間隙に挟持された液晶と、を備えていることは自明であるから、両者は、
「光透過性の絶縁基板上に遮光性を有するゲート電極、前記ゲート電極上に配置されるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に配置される半導体膜、前記半導体膜上に配置される半導体保護膜、前記半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを複数本の走査電極線と信号電極線の交点付近に配置してマトリクス状にし且つ各々の薄膜トランジスタの前記ソース電極に画素電極を接続してなるアレイ基板と、前記アレイ基板と間隙を有して対向配置された対向基板と、前記間隙に挟持された液晶と、を備えたアクティブマトリクス型液晶表示素子において、前記半導体膜は、平面的に前記信号電極線、前記ソース電極及びドレイン電極によって形成される輪郭線に沿った形状であり、前記画素電極は、前記ソース電極上に一部重畳して配置されているアクティブマトリックス型液晶表示素子」
である点で一致しており、
ａ）本件の請求項１に係る発明では、「ゲート電極は、平面的に走査電極線から突出して形成され、前記ゲート電極の外周辺のうちの前記走査電極線から最も離れた端辺から、半導体保護膜は平面的に距離を有して形成され」ているのに対し、引用発明では、走査電極線が直線形状のままゲート電極を兼ねている点、
ｂ）半導体膜が、本件の請求項１に係る発明では、平面的に半導体保護膜を含む輪郭線に沿った形状であるのに対し、引用発明では、半導体保護膜との位置関係は不明である点、
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
　本件の請求項１に係る発明は、上記相違点ａ）及びｂ）に係る構成要件を併せ具備することにより、信号電極線、ソース電極及びドレイン電極の下層に不所望な段差が生じることなく、リペアを可能とする、チャネル長を自由に設計することができる、ゲート電極の端辺近傍における半導体膜の遮光能力の問題点を解消する、という作用効果を奏するものと認められる。
　甲第２号証には、上記相違点ａ）に関する構成要件は記載されているが、画素電極（第一の透明導電層）を基板上に直接形成し、ドレイン電極と開口部を介して接続されるためにドレイン電極に段差が生じるものであり、また、半導体層は半導体保護膜の外形と異なるから、ゲート電極の端辺近傍における半導体膜の遮光能力の問題点を解消するものでもない。
　また、甲第３号証には、上記相違点ａ）の一部（ゲート電極は、平面的に走査電極線から突出して形成）の構成要件が記載されているのみで、段差の解消やゲート電極の端辺近傍における半導体膜の遮光能力の問題点を解消することに関する記載や示唆はない。
　してみれば、甲各号証には、本件の請求項１に係る発明の構成要件である、「半導体膜は、平面的に半導体保護膜、信号電極線、ソース電極及びドレイン電極によって形成される輪郭線に沿った形状であ」ることは記載されておらず、また、ゲート電極の端辺近傍における半導体膜の遮光能力の問題点を解消することに関する記載や示唆もないのであるから、上記相違点ａ）及びｂ）に係る構成要件を想到することは、当業者といえども容易ではない。
　
（結論）
　よって、本件の請求項１に係る発明は、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）本件の請求項２に係る発明について
　本件の請求項２に係る発明は、本件の請求項１に係る発明を、「薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極と、半導体膜との間にそれぞれ介挿され、平面的に信号電極線、前記ソース電極及びドレイン電極の輪郭線に沿った形状の低抵抗半導体膜を含む」と限定したものであるから、本件の請求項１に係る発明と同様に、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（６）むすび
  以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１及び請求項２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１及び請求項２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月４日（２００１．１．４）