【事件の表示】
　特許第２８１１０７３号「断面加工観察装置」の請求項１、２についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８１１０７３号の請求項１についての特許を取り消す。
　同請求項２についての特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　昭和６３年１１月１日
　特許権設定登録　　　　　　　平成１０年８月７日
　特許異議の申立て
　　申立人（株）日立製作所　　平成１１年４月１５日
　取消理由通知　　　　　　　　平成１１年１１月５日
　訂正請求　　　　　　　　　　平成１２年２月１日
　訂正拒絶理由通知　　　　　　平成１２年３月２８日
　
［２］訂正の適否
（１）訂正請求の趣旨
　訂正請求は、特許請求の範囲（請求項１）の減縮及び誤記の訂正を目的としたものである。
　
（２）本件発明１
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】試料面を走査照射するイオンビーム照射系と電子ビーム照射系と、ビーム照射時に試料から放出される２次電子を捕らえる検出器と、上記検出器の出力を表示する像表示装置、および、ビーム切替器とからなる断面加工観察装置において、上記イオンビーム照射系と上記電子ビーム照射系は互いにその照射軸を９０度または９０度より狭い角度に配置され、試料上の同一点にイオンビームおよび電子ビームを走査照射できるように同一試料室に装着され、当該イオンビーム照射系からのイオンビームは試料に走査照射し、像を形成のための試料から２次電子を放出させ、且つ任意の領域をスパッタし断面形状を露出するための溝堀加工を行い、当該電子ビーム照射系からの電子ビームは試料に走査照射し、前記断面形状の断面像を形成のため試料から２次電子を放出させ、上記ビーム切替器は上記イオンビーム照射系と上記電子ビーム照射系とを交互に切替えるものであり、上記表示装置は上記ビーム切替器の切替え動作に応じて上記検出器の出力を試料表面像或いは上記溝堀加工した側面の断面加工像として表示するものであり、上記切替動作を繰り返して断面加工と断面加工部の観察を行い断面形状を連続的に観察することを特徴とする断面加工観察装置。」
　
（３）先願明細書に記載の発明
　本件発明１に対して、平成１２年３月２８日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された、本件特許の出願日前の他の特許出願であって、本件特許の出願後に出願公開された特願昭６３−３０６２号（特開平１−１８１５２９号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。該先願明細書は特許異議申立人（株）日立製作所が提出した甲第１号証である。）には、ＬＳＩなどに精密に微細な穴加工を施すための方法と装置であって、その加工穴の深さや底面形状、断面構造をリアルタイムにモニタするのに好適とされた集束イオンビーム加工方法とその装置に関する発明が、第１〜２１図とともに開示され、さらに、
　発明の目的として、
　「本発明の目的は、試料あるいは被加工物を集束イオンビームによって加工中であっても、試料あるいは被加工物を移動させることなく加工穴についてのＳＥＭ像およびＳＩＭ・・・像を得ることで、イオンプロセスでの加工深さモニタや加工穴底面形状の観察が速やかに行い得る集束イオンビーム加工方法とその装置を供するにある。」（第２頁右下欄１６行〜第３頁左上欄３行）、
　作用として、
　「ビーム走査切替制御手段による制御下に、集束イオンビーム発生手段からの集束イオンビームと、電子ビーム発生手段からの電子ビームとが交互に試料あるいは被加工物を照射、走査するようにして、試料あるいは被加工物を加工しつつその加工状態をモニタしようというものである。」（第３頁左上欄１４〜２０行）、
　実施例として、
　「メインチャンバ１には基本的にイオンビーム鏡筒１０、電子ビーム鏡筒１１、２次電子デイテクタ１２および試料ステージ１３が設けられるようになっている。」（第３頁左下欄７〜１０行）、
　「第３図に示すように電子ビーム２１がイオンビーム２０に対しある角度θをもつように電子ビーム鏡筒１１は設置されるが、その角度θはイオンビーム２０で加工された穴４０の側壁４１に電子ビーム２１が照射されるべく設定されるようになっている。電子ビーム２１は・・・穴４０とその周辺をスキャンすることで、穴４０の側壁形状情報などを含む加工状態情報がＳＥＭ像として得られるものである。このＳＥＭ象を得るための２次電子デイテクタ１２は穴４０の側壁４１から発生される２次電子４２を捉えるべく設置されるが、このことは第４図に示すように、２次電子デイテクタ１２をイオンビームで加工中の穴４０の側面のうち、電子ビーム照射面を直視する側に設ければよいことを示唆している。結局２次電子デイテクタ１２は電子ビーム鏡筒１１側に設置されることになる。・・・以上のようにして２次電子デイテクタ１２によって捉えられた２次電子はイメージ制御器５６によりモニタ５７にＳＥＭ像として表示されることになるものである。イメージ制御器５６では電子ビーム２１をブランキングしてイオンビーム２０を試料１９に照射している場合には、イオンビーム２０による２次電子を２次電子デイテクタ１２により捉えることによって、ＳＩＭ像をモニタ５７に表示し得るものとなっている。」（第４頁左上欄５行〜右上欄１４行）、
　「第６図にイオンビームによる被加工領域５０と、電子ビームによって走査される観察領域５１の一例を示す。イオンビームにより領域５０を一面スキャンする毎に電子ビームで加工形状を観察する場合でのビームスキャンの制御の例を第７図に示す。・・・
　以上述べたイオンビームと電子ビームの切替タイミングは、イオンビームによる加工条件により様々に変更することが望ましく、例えば、イオンビームを極めて高速にスキャンし、加工領域を一面スキャンする間に僅かしか加工しない条件で加工する場合は、イオンビームによって被加工領域５０を複数回スキャンする度に電子ビームによる観察を行なえばよい。逆に後述するように、極めて遅いスキャンで加工する場合は、一回に加工される量が多いことから、このような場合にはイオンビームをｘ軸方向に一回ないし数回スキャンする度に、電子ビームによって観察領域５１を１回スキャンすればよい。更にイオンビームのスキャンが遅い場合は，イオンビームのｘ軸方向へのスキャンが少し進む毎に、電子ビームによるスキャンを行なってもよい。」（第４頁左下欄２行〜右下欄１１行）、
　「第９図に示す加工装置ではイメージ制御器５６に２つのモニタ５７、５７’が収容されたものとなっている。モニタ５７はイオンビーム２０によるＳＩＭ像を、また、モニタ５７’は電子ビーム２１によるＳＥＭ像を表示するために設けられたものである。したがって、モニタ５７’には加工穴を斜め上方から見た像が、モニタ５７には加工穴を真上から見た像が表示されることになる。」（第５頁右上欄１８行〜左下欄６行）、
　「なお、モニタは必ずしも２台必要ではなく第１２図に示すように、イオンビームスキャン信号と電子ビームスキャン信号を切る機構６２をイメージ制御器５６内に設け、１台のモニタ５７にＳＥＭ像とＳＩＭ像を切替表示してもよい。また、１つの表示画面を分割しＳＥＭ像とＳＩＭ像を同時に表示してもよい。」（第５頁右下欄１２〜１８行）
が、それぞれ記載されている。
　
（４）対比・判断
　本件発明１と先願明細書に記載の発明とを対比すると、本件発明１における「検出器」、「像表示装置」、「ビーム切替器」、「同一試料室」は、先願明細書に記載の「２次電子デイテクタ１２」、「モニタ５７、５７’」、「ビーム走査切替制御手段」、「メインチャンバ１」に相当し、さらに、本件発明１では、イオンビーム照射系と電子ビーム照射系とは互いにその照射軸を９０度または９０度より狭い角度に配置されているが、先願明細書に記載の発明においても、照射軸の角度θは、第１、３、９図からみて、９０度または９０度より狭い角度に位置されているものと認められる。
　そうしてみると、本件発明１と先願明細書に記載の発明とは、「試料面を走査照射するイオンビーム照射系と電子ビーム照射系と、ビーム照射時に試料から放出される２次電子を捕らえる検出器と、上記検出器の出力を表示する像表示装置、および、ビーム切替器とからなる断面加工観察装置において、上記イオンビーム照射系と上記電子ビーム照射系は互いにその照射軸を９０度または９０度より狭い角度に配置され、試料上の同一点にイオンビームおよび電子ビームを走査照射できるように同一試料室に装着され」る点で一致している。
　また、本件発明１における「イオンビーム照射系からのイオンビームは試料に走査照射し、像を形成のための試料から２次電子を放出させ、且つ任意の領域をスパッタし断面形状を露出するための溝堀加工を行」う点については、先願明細書に記載の発明においても、イオンビーム２０を試料１９に照射して、ＳＩＭ像を表示するための２次電子４２を放出させ、且つ任意の領域を穴４０の側壁形状を露出するための穴加工を行っているから、両者はこの点で一致している。
　また、本件発明１における電子ビーム照射系からの電子ビームは、試料に走査照射し、断面形状の断面像を形成のための試料から２次電子を放出させるものであるが、先願明細書に記載の発明においても、電子ビーム２１を試料１９に走査照射し、加工された穴４０の側壁４１に電子ビーム２１を照射し、側壁４１から２次電子４２を発生させているから、両者はこの点でも一致している。
　さらに、本件発明１において、「上記ビーム切替器は上記イオンビーム照射系と上記電子ビーム照射系とを交互に切替えるものであり、上記表示装置は上記ビーム切替器の切替え動作に応じて上記検出器の出力を試料表面像或いは上記溝堀加工した側面の断面加工像として表示するものであり、上記切替動作を繰り返して断面加工と断面加工部の観察を行い断面形状を連続的に観察する」点は、先願明細書に記載の発明においても、ビーム切替制御手段によりイオンビーム２０と電子ビーム２１とを交互に切り替えており、モニタ５７はビーム切替制御手段の切替動作に応じて２次電子デイテクタ１２の出力を加工穴４０を真上から見た像、加工穴４０を斜め上方から見た像を表示しており、ビームの切替を繰り返して、イオンビーム２０のスキャンによる穴加工と電子ビーム２１のスキャンによる２次電子４２の放出から側壁形状情報を連続的に得るようにしているから、両者はこの点で一致している。
　
（５）まとめ
　したがって、本件発明１は、先願明細書に記載の発明と同一であり、しかも、先願明細書に記載の発明をした者が本件発明１の発明者と同一の者であるとも、本件発明１の出願の時にその出願人と先願明細書に記載の発明の出願人とが同一の者であるとも認められないので、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正を認めない。
　
［３］特許異議の申立てについての判断
（１）本件請求項１、２に係る発明
　本件請求項１、２に係る発明は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】試料面を走査照射するイオンビーム照射系と電子ビーム照射系と、ビーム照射時に試料から放出される２次電子を捕らえる検出器と、上記検出器の出力を表示する像表示装置、および、ビーム切替器とからなる断面加工観察装置において、上記イオンビーム照射系と上記電子ビーム照射系は互いにその照射軸を９０度または９０度より狭い角度に配置され、試料上の同一点にイオンビームおよび電子ビームを走査照射できるように同一試料室に装着され、当該イオンビーム照射系からのイオンビームは試料に走査照射し、像を形成のための試料から２次電子を放出させ、且つ任意の領域をスパッタし深堀加工を行い、当該電子ビーム照射系からの電子ビームは試料に走査照射し、像を形成のため試料から２次電子を放出させ、上記ビーム切替器は上記イオンビーム照射系と上記電子ビーム照射系とを交互に切替えるものであり、上記表示装置は上記ビーム切替器の切替え動作に応じて上記検出器の出力を試料表面像或いは上記深堀加工した側面の断面加工像として表示するものであることを特徴とする断面加工観察装置。
　【請求項２】試料面を走査照射する第１のイオンビーム照射系と第２のイオンビーム照射系と、ビーム照射時に試料から放出される２次電子を捕らえる検出器と、上記検出器の出力を表示する像表示装置、および、ビーム切替器とからなる断面加工観察装置において、上記第１のイオンビーム照射系と上記第２のイオンビーム照射系は互いにその照射軸を９０度または９０度より狭い角度に配置され、試料上の同一点に第１のイオンビームおよび第２のイオンビームを走査照射できるように同一試料室に装着され、当該第１のイオンビーム照射系からのイオンビームは試料に走査照射し、像を形成のための試料から２次電子を放出させ、且つ任意の領域をスパッタし深堀加工を行い、当該第２のイオンビーム照射系からの第２のイオンビームは試料に走査照射し、像を形成のための試料から２次電子を放出させ、上記ビーム切替器は上記第１のイオンビーム照射系と上記第２のイオンビーム照射系とを交互に切替えるものであり、上記表示装置は上記ビーム切替器の切替え動作に応じて上記検出器の出力を試料表面像或いは上記深堀加工した側面の断面加工像として表示するものであることを特徴とする断面加工観察装置。」
　
（２）異議申立ての理由の概要
　本件請求項１、２に係る発明は、甲第１号証（上記「先願明細書」）に記載の発明と同一であるから、本件請求項１、２に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、同法第１１３条第２号に該当する。
　なお、異議申立人は技術水準を示すために甲第２号証を提出している。
　
（３）甲第１、２号証に記載の発明
　当審が通知した取消理由に引用された先願明細書は、同じく当審が通知した訂正拒絶理由に引用された先願明細書と同一であり、該先願明細書には、上記「［２］訂正の適否（３）先願明細書に記載の発明」において示したとおりの発明が記載されている。
　また、甲第２号証の「米国物理学会誌」第６２（６）巻（１９８７年９月１５日発行）第２１６３〜２１６７頁（以下、「刊行物１」という。）には、電子ビーム照射系と照射軸を約７０〜８０度にして配置されたイオンビーム照射系、及びこれらの照射系によって与えられるＳＥＭ像及びＳＩＭ像を表示する装置を有する加工観察装置に関する発明が、図１とともに開示されている。
　
（４）対比・判断
１．本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明における「深堀加工」、「像」は、本件発明１における「断面加工形状を露出するための溝堀加工」、「断面形状の断面像」の上位概念であり、さらに、本件請求項１に係る発明は、本件発明１における「切替動作を繰り返して断面加工と断面加工部の観察を行い断面形状を連続的に観察する」構成を含まないものであるから、本件請求項１に係る発明は、上記本件発明１についての判断で示したのと同様の理由により、先願明細書に記載の発明と同一である。
２．本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明における「試料面を走査照射するイオンビーム照射系と電子ビーム照射系」を、「試料面を走査照射する第１のイオンビーム照射系と第２のイオンビーム照射系」に替えたものであって、先願明細書に記載の発明において、イオンビーム２０と電子ビーム２１とを被加工物に照射するものとは明らかに相違する。
　しかも、先願明細書に記載の発明において、電子ビーム２１による照射をイオンビームによる照射に替えることは単なる設計的事項であるとすることはできない。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明については、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認める。
　また、本件請求項２に係る発明については、特許異議の申立ての理由によっては、その特許を取り消すことはできないし、他にその特許について取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項２に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認められない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月７日（２０００．８．７）