【事件の表示】
　特許第２７２２３１４号「プレーナー型ガルバノミラー及びその製造方法」の請求項１、５、１２、１４ないし１６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７２２３１４号の請求項４、１２ないし１４に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２７２２３１４号は平成５年１２月２０日に出願され、平成９年１１月２８日に設定登録され、その後、奥村八重子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１月１９日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年４月３０日に訂正請求の補正がなされたものである。
（２）訂正請求の補正についての判断
　訂正請求の補正の内容は、特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項１８、
「【請求項１】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記可動板に対して上下に配置されて前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項２】前記磁界発生手段は、前記可動板に対して上下に配置し、且つ位置をずらして、前記可動板平面に沿う静磁界を発生させる構成とした請求項１に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項３】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設け、上側及び下側の基板にそれぞれ前記磁界発生手段を固定する構成とした請求項２記載のプレーナー型カルバノミラー。
　【請求項４】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成とし、前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板に平面コイルを設け、前記内側可動板の周縁部に平面コイルを設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成としたプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項５】前記磁界発生手段は、永久磁石である請求項１〜４のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項６】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の表面に静磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記可動板の中央部に反射鏡を設け、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に、通電により磁界を発生する平面コイルを設ける構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項７】前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板の表面に磁界発生手段を設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした請求項６記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項８】前記磁界発生手段は、薄膜の永久磁石である請求項６又は７に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項９】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設ける構成とした請求項６〜８のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１０】前記上側基板と下側基板で可動板収納空間を閉塞し、この可動板収納空間を真空状態とする構成とした請求項３又は９記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１１】前記上側基板及び下側基板が、絶縁基板である請求項１０記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１２】半導体基板のトーションバー形成部分を除いて基板の下面から上面に向けて貫通させて前記トーションバー部分で半導体基板に揺動可能に軸支される可動板を形成する工程と、可動板上面周囲に平面コイルを形成する工程と、平面コイルで囲まれた可動板中央部に反射鏡を形成する工程と、可動板に対して上下で且つトーションバー軸方向と平行な可動板の対辺の対応する位置に磁界発生手段を固定する工程とを有するプレーナー型カルバノミラーの製造方法。
　【請求項１３】半導体基板のトーションバー形成部分を除いて基板の下面から上面に向けて貫通させて前記トーションバー部分で半導体基板に揺動可能に軸支される可動板を形成する工程と、可動板の表面に磁界発生手段を形成する工程と、前記可動板中央部に反射鏡を形成する工程と、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に平面コイルを形成する工程とを有することを特徴とするプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１４】前記可動板形成工程は、異方性エッチングを用いて基板の下面から上面に向けて貫通させる請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１５】前記平面コイル形成工程は、電解めっきにより平面コイルを形成する請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１６】反射鏡形成工程は、アルミニウムの蒸着により反射鏡を形成する請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１７】半導体基板の上下面に下側基板と上側基板とを固定する工程を有することを特徴とする請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１８】前記上側及び下側基板の固定工程は、陽極接合を用いて行うことを特徴とする請求項１７に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。」
を、
「【請求項１】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記可動板に対して上下に配置されて前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備え、前記磁界発生手段は、前記可動板に対して上下に配置し、且つ位置をずらして、前記可動板平面に沿う静磁界を発生させる構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項２】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設け、上側及び下側の基板にそれぞれ前記磁界発生手段を固定する構成とした請求項１記載のプレーナー型力ルバノミラー。
　【請求項３】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成とし、前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板に平面コイルを設け、前記内側可動板の周縁部に平面コイルを設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成としたプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項４】前記磁界発生手段は、永久磁石である請求項１〜３のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項５】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の表面に静磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記可動板の中央部に反射鏡を設け、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に、通電により磁界を発生する平面コイルを設ける構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項６】前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板の表面に磁界発生手段を設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした請求項５記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項７】前記磁界発生手段は、薄膜の永久磁石である請求項５又は６に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項８】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設ける構成とした請求項５〜７のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項９】前記上側基板と下側基板で可動板収納空間を閉塞し、この可動板収納空間を真空状態とする構成とした請求項２又は８記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１０】前記上側基板及び下側基板が、絶縁基板である請求項９記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１１】半導体基板のトーションバー形成部分を除いて基板の下面から上面に向けて貫通させて前記トーションバー部分で半導体基板に揺動可能に軸支される可動板を形成する工程と、可動板の表面に磁界発生手段を形成する工程と、前記可動板中央部に反射鏡を形成する工程と、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に平面コイルを形成する工程とを有することを特徴とするプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１２】前記可動板形成工程は、異方性エッチングを用いて基板の下面から上面に向けて貫通させる請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１３】前記平面コイル形成工程は、電解めっきにより平面コイルを形成する請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１４】反射鏡形成工程は、アルミニウムの蒸着により反射鏡を形成する請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１５】半導体基板の上下面に下側基板と上側基板とを固定する工程を有することを特徴とする請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１６】前記上側及び下側基板の固定工程は、陽極接合を用いて行うことを特徴とする請求項１５に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。」
と訂正し、明細書の記載を特許請求の範囲の記載に整合するように訂正するものであり、訂正請求の補正の要件を満足するので、これを認める。
（３）訂正の適否についての判断
▲１▼訂正の内容
　　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項１８、
「【請求項１】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項２】前記磁界発生手段は、前記可動板に対して上下に配置し、且つ位置をずらして、前記可動板平面に沿う静磁界を発生させる構成とした請求項１に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項３】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設け、上側及び下側の基板にそれぞれ前記磁界発生手段を固定する構成とした請求項２記載のプレーナー型力ルバノミラー。
　【請求項４】前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板に平面コイルを設け、前記内側可動板の周縁部に平面コイルを設けると共に当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした請求項１〜３のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項５】前記磁界発生手段は、永久磁石である請求項１〜４のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項６】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の表面に静磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記可動板の中央部に反射鏡を設け、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に、通電により磁界を発生する平面コイルを設ける構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項７】前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板の表面に磁界発生手段を設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした請求項６記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項８】前記磁界発生手段は、薄膜の永久磁石である請求項６又は７に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項９】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設ける構成とした請求項６〜８のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１０】前記上側基板と下側基板で可動板収納空間を閉塞し、この可動板収納空間を真空状態とする構成とした請求項３又は９記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１１】前記上側基板及び下側基板が、絶縁基板である請求項１０記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１２】半導体基板のトーションバー形成部分を除いて基板の下面から上面に向けて貫通させて前記トーションバー部分で半導体基板に揺動可能に軸支される可動板を形成する工程と、可動板上面周囲に平面コイルを形成する工程と、平面コイルで囲まれた可動板中央部に反射鏡を形成する工程と、トーションバー軸方向と平行な可動板の対辺の対応する位置に磁界発生手段を固定する工程とを有するプレーナー型カルバノミラーの製造方法。
　【請求項１３】半導体基板のトーションバー形成部分を除いて基板の下面から上面に向けて貫通させて前記トーションバー部分で半導体基板に揺動可能に軸支される可動板を形成する工程と、可動板の表面に磁界発生手段を形成する工程と、前記可動板中央部に反射鏡を形成する工程と、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に平面コイルを形成する工程とを有することを特徴とするプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１４】前記可動板形成工程は、異方性エッチングを用いて基板の下面から上面に向て貫通させる請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１５】前記平面コイル形成工程は、電解めっきにより平面コイルを形成する請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１６】反射鏡形成工程は、アルミニウムの蒸着により反射鏡を形成する請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１７】半導体基板の上下面に下側基板と上側基板とを固定する工程を有することを徴とする請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１８】前記上側及び下側基板の固定工程は、陽極接合を用いて行うことを特徴とす請求項１７に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。」
を、上記（２）のように訂正し、明細書の記載もこれに合わせて訂正するものである。
▲２▼訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否及び独立特許要件について
　上記訂正は、請求項の訂正については、請求項１及び請求項１２を削除し、請求項１〜３引用していた請求項４を、新たな請求項３として、削除された請求項１のみを引用する内容の独立請求項に訂正したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、明細書の訂正は、特許請求の範囲の訂正に従って対応箇所を訂正するものであって、不明瞭な記載の釈明を目的としており、共に、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　以下、訂正明細書の請求項の独立特許要件について検討する。まず、独立請求項に訂正さた新請求項３は、「外側可動板と内側可動板の周縁部の両方に平面コイルを設ける」構成を必須の構成要件とするものであるが、取消理由で通知した各引用例には、該構成は記載されていないし、示唆されてもいないから、新請求項３を独立して特許を受けることができないものとすることはできない。
　次に、特許異議申立の対象である特許に対応する請求項は、請求項１、５、１２、１４乃１６であるが、上記の如く、請求項１及び請求項１２は削除された。そして、請求項５は請求項１〜４を引用していたが、請求項１が削除された結果、旧請求項５に対応する新請求項４は旧請求項２〜４を引用したものとなり、旧請求項２〜４については、特許異議の申立の対象となっておらず、特許を取消すべき理由もないから、新請求項４を、独立して特許を受けることができないものとすることはできない。さらに、請求項１４乃至１６は、請求項１２及び請求項１３を引用していたが、請求項１２が削除された結果、旧請求項１４乃至１６に対応する新請求項１２乃至１４は、旧請求項１３のみを引用したものとなり、旧請求項１３については、特許異議の申立の対象となっておらず、特許を取消すべき理由もないから、新請求項１２乃至１４を、独立して特許を受けることができないものとすることはできない。さらに、他の請求項についても、特許異議の申立の対象となっておらず、特許を取消すべき理由もないから、独立して特許を受けることができないものとすることはできない。
▲３▼結論
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（４）特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許異議の申立は、請求項１、請求項５、請求項１２及び請求項１４乃至請求項１６に係る発明の特許ついてなされたが、本件明細書の訂正により、請求項１及び請求項１２は削除され、請求項５は、新請求項４に、請求項１４乃至請求項１６は、新請求項１２乃至請求項１４に対応するものとなった。
　したがって、以下では、訂正された特許明細書の特許請求の範囲、請求項４及び請求項１２乃至請求項１４に係る発明について検討する。
　本件特許第２７２２３１４号の請求項４及び請求項１２乃至請求項１４に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項４及び請求項１２乃至請求項１４に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項４】前記磁界発生手段は、永久磁石である請求項１〜３のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバミラー。
　【請求項１２】前記可動板形成工程は、異方性エッチングを用いて基板の下面から上面に向けて貫通させる請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１３】前記平面コイル形成工程は、電解めっきにより平面コイルを形成する請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１４】反射鏡形成工程は、アルミニウムの蒸着により反射鏡を形成する請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。」
（特許異議申立人の主張の概要）
　これに対して、特許異議申立人奥村八重子は、甲第１号証として特開昭６０−１０７０１７号公報、甲第２号証として特開昭６２−２１０４１８号公報、甲第３号証として特開昭６２−１２９８１２号公報、甲第４号証として特開昭６３−２４６７１７号公報、甲第５号証として特開平５−１１２８９４号公報、甲第６号証として「光学薄膜ユーザーズハンドブック」１９９１年１０月３０日発行、第１１１頁〜１１２頁）を提示して、
　本件発明は、甲第１号証乃至甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、
　本件請求項１には記載不備があるので、請求項１、５に係る特許は、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである、旨主張している。
１．特許法第３６条の主張について
　特許異議申立人が、記載不備が存在すると主張した請求項１は、訂正により削除されたので、もはや記載不備の箇所は存在しない。
　よって、特許異議申立人の主張は採用しない。
２．特許法第２９条の主張について
（引用例）
　特許異議申立人の提示した甲第１号証には、
「１．一つの基板面内に形成され、複数の、互いに運動方向の異なるバネ部と、このバネ部に支持され、互いに拘束されない運動をしうる可動部と、この可動部に形成される反射鏡と、前記可動部に形成され、前記可動部を駆動する電気的又は磁気的手段とからなることを特徴とする光偏向素子。
　２．特許請求の範囲第１項において、前記基板が半導体の単結晶からなり、前記可動部は前記基板面上で互いに直交する軸を支点として二次元の回転運動をするように構成したことを特徴とする光偏向素子。
　３．特許請求の範囲第１項又は第２項において、前記可動部を駆動する手段として、前記可動部上に導電コイルパターンを形成したことを特徴とする光偏向素子。」（特許請求の範囲）、
「Ｓｉ単結晶からなる基板１を写真食刻によりジンバルバネ状に加工する。ジンバルバネ２はＸ方向軸５及びＹ方向軸６を中心軸として、それぞれ、独立に回転振動する。ジンバルバネ２で支持された基板１の中央の可動部面上には金属蒸着やメッキ等によりガルバノミラー３と薄膜コイル４が形成されている。薄膜コイル４に一定電流を与え、Ｘ方向の磁界７及びＹ方向の磁界８をそれぞれ独立に変化させれば、素子は電磁力によって軸５及び６を中心軸としてそれぞれ独立に回転振動する。従って、素子に形成したガルバノミラー３に一定方向から光ビームを入射しておけば、ミラー３からの反射光を被検出量に応じて二次元的に偏向できる。」（公報第２頁右上欄第８行〜左下欄第１行）、
「基板１は通常のＩＣ技術の一つである写真食刻法及び化学的食刻法により、支点１２−１２’及び１３−１３’を持つジンバルバネ構造を形成すべく加工される。かかる食刻加工としては、例えば、ミラー３等の形成される面を耐食性樹脂等の塗布によって保護し、その裏面をＳｉＯ２膜又は感光性耐食樹脂等を用いた写真感光法等のパターンニング処理を施した後、ＫＯＨ等のアルカリ溶液による異方性選択エッチングを行う方法を用いる。この加工法により、ガルバ素子は固定部（基板１）と可動部１’に分離される。」（公報第２頁左下欄第８行〜第１９行）、
「ミラー３は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ等の蒸着等通常のミラーコーティング技術、又は、基板１をそのままミラーポリッシュする方法等により形成される。」（公報第２頁左下欄第１８行〜右上欄第１行）、
「ミラー３の周囲にはこのような二次元ガルバ素子の駆動に寄与する導電コイル４が形成される。」（公報第３頁右上欄第１２行〜第１３行）、
「第１図でＸ、Ｙ各方向についてそれぞれ印加する磁界は、例えば、電磁石によって形成され、磁界変化は電磁石の電流値を変えることにより生じる。」（公報第４頁左下欄第１行〜第６行）と記載されている。
　同じく甲第２号証には、
「本発明は光ディスク装置などにおける光スポットの精密位置制御用光ビーム偏向ミラーに係り、特に小型化および組立時間の短縮に好適な偏向ミラー支持構造に関する。」（公報第１頁右欄第１行〜第４行）、
「可動部１０は、ミラー１１とミラー支持体１２と駆動コイル１３から構成されている。支持バネ１４は一端を可動部１０に、他端を固定部１５にねじ１６で固定されている。ミラー支持体１２はアルミニウムなどの軽量で電気伝導度の高い金属から成り、その両端に長方形状の穴１７が形成されている。穴１７の中に磁気回路のヨーク１８の一端が挿入され、磁石１９とヨーク１８の形成する磁気ギャップ２０を形成する。穴１７とほぼ同形状の駆動コイル１３が穴１７と重ねて接合されており、ミラー支持体１２と駆動コイル１３の最も外側の辺は磁気ギャップ２０の中に位置づけられている。」（公報第２頁右上欄第１１行〜左下欄第３行）と記載されている。
　同じく甲第３号証には、
「従来のｐ光走査ミラー装置は実公昭５７−１３０９の様に鏡をシリコンゴム等の弾性体を用いて保持しこれを電磁駆動するものであった。・・・また、第３図に可動コイル型の従来例の斜視図、第４図にその縦断面図を示す。制御コイル２は鏡１に固定されるとともに、永久磁石３および磁性材料６から成るエアギャップを持つ磁気回路のエアギャップ内に配される。」（公報第１頁右欄第９行〜第２頁左上欄第２行）と記載されている。
　同じく甲第４号証には、
「第５図は上述した光偏光子３１０を使用した偏向器３００の一例を示す。同図において、偏向子取り付け部３２０はほぼコ字状をなし、・・・この段差３２２Ａと下部フランジ３２１との間に差し渡って光偏向子３１０が取り付け固定される。・・・なお、図に示す光偏向子３１０に設けられるリガメント３１３は、・・・反射ミラー３１２の左右両端近傍を１本のリガメント３１３で連結するような形状に形成されたものが使用されている。・・・光偏向子３１０が固定された取り付け部３２０は所定の直流磁界中に配置される。そのため、磁界発生手段３２７としては、所望の磁界の強さを得るため希土類などの永久磁石が使用される。・・・永久磁石３２７はほぼＵ字状をなす連結本体３２７Ａと、この連結本体３２７Ａの両先端の各内側に、互いに対向するごとく、所定の長さをもって設けられた直方体状の磁極３２７Ｂとで構成される。・・・一対の磁極３２７Ｂ、３２７Ｂ間に、上述した取り付け部３２０が配置される。これによって偏向子３１０、とりわけ駆動コイル３１１がこの永久磁石３２７によって形成された磁界内に配置されたことになる。」（公報第７頁左上欄第１６行〜左下欄第１８行）と記載されている。
　同じく甲第５号証には、
「本発明のシート状導体の形成方法は、電極用金属板に絶縁性樹脂を重ねた後、エキシマレーザ加工によって上記絶縁性樹脂に所定幅の溝を形成し、前記溝内にメッキによって金属導体を形成し、その後前記電極用金属板を取り除くようにしている。
【０００７】【作用】したがって、電界メッキあるいは無電界メッキによって形成されるコイル・金属導体の幅と深さが絶縁性樹脂の壁によって規制されるため、一定形状に収まる。」（公報第２頁左欄第３６行〜第４５行）と記載されている。
　同じく甲第６号証には、
「金属薄膜反射ミラーの作製は光学干渉膜より何世紀も前にさかのぼる。このはるかに初期の光学薄膜製品である金属膜は、今日でも望遠鏡や他の光学機器の分野で使用されている。これらの膜は壊れやすく接触法による清浄化がが不可能である。一般に使用される金属は銀、金およびアルミニウムである。銀は高価な蒸着機を必要とせず山頂で無電解メッキプロセスで成膜できるので、天体望遠鏡の分野で使用されることがある。」（第１１１頁第１５行〜第２０行）と記載されている。
▲１▼請求項４に係る発明について
（対比・判断）
　請求項４に係る発明と甲各号証に記載された発明とを対比する。
　請求項４に係る発明は、請求項１〜３を引用しており、請求項２は請求項１を引用しているから、請求項４に係る発明は、請求項１に係る発明の構成要件をすべて含むか、請求項３に係る発明の構成要件をすべて含むかのいずれかである。
　そして、甲各号証には、請求項１に係る発明の構成要件である、
「磁界発生手段は、前記可動板に対して上下に配置し、且つ位置をずらして、前記可動板平面に沿う静磁界を発生させる構成」
　請求項３に係る発明の構成要件である、
「可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板に平面コイルを設け、前記内側可動板の周縁部に平面コイルを設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした」点について記載されていないし、示唆されてもいない。
　すなわち、本件発明と対比すべき、半導体基板にトーションバーと一体形成したプレーナー型ガルバノミラーは、甲第１号証のみに記載されているが、甲第１号証には、磁界を発生させる手段については何ら記載されておらず、また、甲第１号証の薄膜コイルは、可動部上の反射鏡の周囲に形成されているのみであり、外側可動板と内側可動板の両方に設ける構成は記載されていない。さらに、他の甲各号証にも、「上下に位置をずらして可動板平面に沿う静磁界を発生させる構成」、及び「薄膜コイルを外側可動板と内側可動板の両方に設ける構成」は記載されていない。
　よって、請求項４に係る発明は、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
▲２▼請求項１２乃至請求項１４に係る発明について
（対比・判断）
　請求項１２乃至請求項１４に係る発明と甲各号証に記載された発明とを対比する。
　請求項１２乃至請求項１４に係る発明は、請求項１１を引用しているので、請求項１１に係る発明の構成要件をすべて含むものである。
　そして、甲各号証には、請求項１１に係る発明の構成要件である、
「可動板の表面に磁界発生手段を形成する工程」及び「トーションパーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に平面コイルを形成する工程」を有する点について記載されていないし、示唆されてもいない。
　すなわち、甲第１号証には、磁界発生手段については何ら記載されておらず、甲第４号証には、磁界発生手段を可動板の対辺側方に固定する工程については記載されているが、「可動板の表面に磁界発生手段を形成し、可動板の対辺側方の半導体基板部分に平面コイルを形成する工程」については記載されていない。また、他の甲各号証にも、該構成要件は記載されていない。
　よって、請求項１２乃至請求項１４に係る発明は、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（むすび）
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項４及び請求項１２乃至請求項１４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項４及び請求項１２乃至請求項１４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月２８日（１９９９．６．２８）
【訂正の要旨】
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項１８、
「【請求項１】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項２】前記磁界発生手段は、前記可動板に対して上下に配置し、且つ位置をずらして、前記可動板平面に沿う静磁界を発生させる構成とした請求項１に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項３】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設け、上側及び下側の基板にそれぞれ前記磁界発生手段を固定する構成とした請求項２記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項４】前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板に平面コイルを設け、前記内側可動板の周縁部に平面コイルを設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした請求項１〜３のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項５】前記磁界発生手段は、永久磁石である請求項１〜４のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項６】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の表面に静磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記可動板の中央部に反射鏡を設け、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に、通電により磁界を発生する平面コイルを設ける構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項７】前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板の表面に磁界発生手段を設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした請求項６記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項８】前記磁界発生手段は、薄膜の永久磁石である請求項６又は７に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項９】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設ける構成とした請求項６〜８のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１０】前記上側基板と下側基板で可動板収納空間を閉塞し、この可動板収納空間を真空状態とする構成とした請求項３又は９記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１１】前記上側基板及び下側基板が、絶縁基板である請求項１０記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１２】半導体基板のトーションバー形成部分を除いて基板の下面から上面に向けて貫通させて前記トーションバー部分で半導体基板に揺動可能に軸支される可動板を形成する工程と、可動板上面周囲に平面コイルを形成する工程と、平面コイルで囲まれた可動板中央部に反射鏡を形成する工程と、トーションバー軸方向と平行な可動板の対辺の対応する位置に磁界発生手段を固定する工程とを有するプレーナー型カルバノミラーの製造方法。
　【請求項１３】半導体基板のトーションバー形成部分を除いて基板の下面から上面に向けて貫通させて前記トーションバー部分で半導体基板に揺動可能に軸支される可動板を形成する工程と、可動板の表面に磁界発生手段を形成する工程と、前記可動板中央部に反射鏡を形成する工程と、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に平面コイルを形成する工程とを有することを特徴とするプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１４】前記可動板形成工程は、異方性エッチングを用いて基板の下面から上面に向けて貫通させる請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１５】前記平面コイル形成工程は、電解めっきにより平面コイルを形成する請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１６】反射鏡形成工程は、アルミニウムの蒸着により反射鏡を形成する請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１７】半導体基板の上下面に下側基板と上側基板とを固定する工程を有することを特徴とする請求項１２又は１３に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１８】前記上側及び下側基板の固定工程は、陽極接合を用いて行うことを特徴とする請求項１７に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。」
を、
「【請求項１】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記可動板に対して上下に配置されて前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備え、前記磁界発生手段は、前記可動板に対して上下に配置し、且つ位置をずらして、前記可動板平面に沿う静磁界を発生させる構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項２】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設け、上側及び下側の基板にそれぞれ前記磁界発生手段を固定する構成とした請求項１記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項３】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成とし、前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板に平面コイルを設け、前記内側可動板の周縁部に平面コイルを設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成としたプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項４】前記磁界発生手段は、永久磁石である請求項１〜３のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項５】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の表面に静磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記可動板の中央部に反射鏡を設け、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に、通電により磁界を発生する平面コイルを設ける構成としたことを特徴とするプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項６】前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板の表面に磁界発生手段を設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした請求項５記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項７】前記磁界発生手段は、薄膜の永久磁石である請求項５又は６に記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項８】半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設ける構成とした請求項５〜７のいずれか１つに記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項９】前記上側基板と下側基板で可動板収納空間を閉塞し、この可動板収納空間を真空状態とする構成とした請求項２又は８記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１０】前記上側基板及び下側基板が、絶縁基板である請求項９記載のプレーナー型ガルバノミラー。
　【請求項１１】半導体基板のトーションバー形成部分を除いて基板の下面から上面に向けて貫通させて前記トーションバー部分で半導体基板に揺動可能に軸支される可動板を形成する工程と、可動板の表面に磁界発生手段を形成する工程と、前記可動板中央部に反射鏡を形成する工程と、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺側方の半導体基板部分に平面コイルを形成する工程とを有することを特徴とするプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１２】前記可動板形成工程は、異方性エッチングを用いて基板の下面から上面に向て貫通させる請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１３】前記平面コイル形成工程は、電解めっきにより平面コイルを形成する請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１４】反射鏡形成工程は、アルミニウムの蒸着により反射鏡を形成する請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１５】半導体基板の上下面に下側基板と上側基板とを固定する工程を有することを特徴とする請求項１１に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。
　【請求項１６】前記上側及び下側基板の固定工程は、陽極接合を用いて行うことを特徴とする請求項１５に記載のプレーナー型ガルバノミラーの製造方法。」
と訂正する。
２．訂正事項２
　特許明細書段落【０００６】第６行〜第８行（特許公報第３頁第５欄第１６行〜第１７行）に記載した「備える構成とした。具体的には、前記」を「備え、前記」と訂正する。
３．訂正事項３
　特許明細書段落【０００７】第１行〜第６行（特許公報第３頁第５欄第２３行〜第３０行）に記載した「また、前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板の上面に平面コイルを設け、前記内側可動板の上面周縁部に平面コイルを設けると共に、当該平面コイルで囲まれた内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とよい。」を「また、第２の発明のガルバノミラーでは、半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周緩部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と啓了な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成とし、前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板に平面コイルを設け、前記内側可動板の周綾部に平面コイルを設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とした。」と訂正する。
４．訂正事項４
　特許明細書段落【０００８】第２行（特許公報第３頁第５欄第３２行）、特許明細書段落【００１１】第１行（特許公報第３頁第６欄第１３行）、特許明細書段落【００５７】第４行（特許公報第８頁第１５欄第２７行）、特許明細書【図面の簡単な説明】【図２０】（特許公報第８頁第，１６欄第４７行）に記載した「第２の発明」をそれぞれ「第３の発明」と訂正する。
５．訂正事項５
　特許明細書段落【００１０】第３行（特許公報第３頁第５欄第３２行）に記載した「第１及び第２の発明」を「第１〜第３の発明」と訂正する。
６．訂正事項６
　特許明細書段落【００１０】第７行〜第１２行（特許公報第３頁第６欄第４行〜第１２行）の文章を削除する。
７．訂正事項７
　特許明細書段落【００１４】第２行（特許公報第３頁第６欄第４９行）、特許明細書段落【００４１】第１行（特許公報第６頁第１１欄第３９行）、特許明細書【図面の簡単な説明】【図１】（特許公報第８頁第１６欄第２０行〜第２１行）、特許明細書【図面の簡単な説明】【図３】（特許公報第８頁第１６欄第２３行　）、特許明細書【図面の簡単な説明】【図４】（特許公報第８頁第１６欄第２５行）、特許明細書【図面の簡単な説明】【図９】（特許公報第８頁第１６欄第３４行）に記載した「第１実施例」をそれぞれ「実施例」と訂正する。
８．訂正事項８
　特許明細書段落【００４５】第１行（特許公報第６頁第１２欄第３２行）に記載した「第１発明の第２実施例」を「第２の発明の第１実施例」と訂正する。
９．訂正事項９
　特許明細書段落【００４９】第１行（特許公報第７頁第１３欄第３９行）に記載した「第２実施例」を「図１２の実施例」と訂正する。
１０．訂正事項１０
　特許明細書段落【００５４】第１行（特許公報第７頁第１４欄第４０行）に記載した「第１実施例」を「第１の発明の実施例」と訂正する。
１１．訂正事項１１
　特許明細書段落【００５４】第４行（特許公報第７頁第１４欄第４４行）に記載した「ガルバノミラーの第３実施例」を「第２の発明のガルバノミラーの第２実施例」と訂正する。
１２．訂正事項１２
　特許明細書段落【００５７】第１行（特許公報第８頁第１５欄第２４行）、特許明細書【図面の簡単な説明】【図１９】（特許公報第８頁第１６欄第４５〜４６行）に記載した「第３実施例」を「第２実施例」と訂正する。
１３．訂正事項１３
　特許明細書段落【００６０】第３行〜第４行（特許公報第８頁第１６欄第６行〜第７行）に記載した「磁界発生手段からの静磁界を」を「磁界発生手段を可動板の上下に且つ位置をずらして配置し静磁界を」と訂正する。
１４．訂正事項１４
　特許明細書【図面の簡単な説明】【図１２】（特許公報第８頁第１６欄第３７行〜第３８行）に記載した「第１の発明に係るガルバノミラーの第２実施例」を「第２の発明に係るガルバノミラーの第１実施例」と訂正する。
１５．訂正事項１５
　特許明細書【図面の簡単な説明】【図１５】（特許公報第８頁第１６欄第４１行）に記載した「第２実施例」を「第１実施例」と訂正する。
１６．訂正事項１６
　特許明細書段落【００１１】第７行（特許公報第３頁第６欄第２１行）に記載した「第１及び第２の発明」を「第３の発明」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プレーナー型ガルバノミラー及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　
【請求項１】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備え、
ことを特徴とする
　　
【請求項２】
１
　　
【請求項３】半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成とし、
　前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記外側可動板に平面コイルを設け、前記内側可動板の周縁部に平面コイルを設けると共に、当該内側可動板の中央部に前記反射鏡を設ける構成とし
たプ
　　
【請求項４】
３
　　
【請求項５】
　　
【請求項６】
５
　　
【請求項７】
５又は６
　　
【請求項８】
５〜７
　　
【請求項９】
２又は８
　　
【請求項１０】
９
　　
【請求項１１】
　　
【請求項１２】
１１
　　
【請求項１３】
１１
　　
【請求項１４】
１１
　　
【請求項１５】
　　
【請求項１６】
１５
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、例えばレーザ光のスキャニングシステム等に適用するガルバノミラーに関し、特に、その小型化を実現したプレーナー型ガルバノミラー及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　　【従来の技術】
　ガルバノミラーは、レーザ光を偏向走査するレーザスキャナ等に利用されるもので、その原理は、磁界中に配置した可動コイルに電流を流すと、電流と磁束とに関連して電磁力が発生して電流に比例した回転力（トルク）が生じる。このトルクとバネ力とが平衡する角度まで可動コイルが回動し、この可動コイルを介して指針を振らせて電流の有無や大小を検出するというガルバノメータの原理を利用したもので、可動コイルと一体に回転する軸に、前記指針の代わりに反射鏡を設けて構成される。
　【０００３】
　そして、従来の実用的なガルバノミラーとしては、例えば、磁界中に配置する可動コイルの代わりに可動鉄片を用い、その周囲に２つの永久磁石と４つの磁極を設けた磁性体とで磁路を構成し、前記磁性体に巻回した駆動コイルに流す電流の大小及び方向によって磁極間の磁束を変化させることにより、可動鉄片を介して反射鏡を揺動させ、レーザ光を偏光走査するようにしたものがある（例えば、共立出版株式会社「実用レーザ技術」，Ｐ２１０〜２１２，１９８７年１２月１０日発行、等参照）。
　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、半導体デバイスの高集積化に代表されるマイクロエレクトロニクスの発展に伴い、様々な機器が高機能化と共に小型化しており、前記ガルバノミラーを利用したレーザスキャニングシステム等を適用している、例えばレーザ顕微鏡等のレーザ応用機器も同様である。そして、より一層の小型化の要求がある。
　【０００５】
　しかし、従来のガルバノミラーでは、駆動コイルが機械巻き等であることから今以上に小型化することが難しく、従って、このガルバノミラーによるレーザスキャニングシステムや、このシステムを用いるレーザ応用機器のより一層の小型化は難しい。
　そこで、本発明は上記の事情に鑑みなされたもので、ガルバノミラーの小型化を達成することにより、延いては、レーザスキャニングシステム及びこのスキャニングシステム利用のレーザ応用機器のより一層の小型化を図ることを目的とする。
　【０００６】
　　【課題を解決するための手段】
　このため第１の発明のプレーナー型ガルバノミラーでは、半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備
え、前
　また、半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設け、上側及び下側の基板にそれぞれ前記磁界発生手段を固定する構成とした。
　【０００７】
　また、
第２の発明のガルバノミラーでは、半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の周縁部に通電により磁界を発生する平面コイルを敷設し、前記可動板の中央部に反射鏡を設ける一方、前記トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を与える磁界発生手段を備える構成とし、
とした。
　【０００８】
　また、前記磁界発生手段は、永久磁石とした。
　また、
第３の発明
　【０００９】
　この場合も、前記可動板が、第１のトーションバーで半導体基板に対して軸支される枠状の外側可動板と、前記第１のトーションバーと軸方向が直交する第２のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板の表面に磁界発生手段を設けると共に、当該内側可動体の中央部に前記反射鏡を設ける構成とするとよい。
　【００１０】
　また、磁界発生手段は、薄膜の永久磁石とする。
　また、半導体基板の上下面に上側基板と下側基板を設ける構成とした。
　また、
第１〜第３の発明
　また、前記上側基板及び下側基板は、絶縁基板にするとよ
い。
　【００１１】
　また、
第３の発明
　
第３の
　また、前記平面コイル形成工程は、電解めっきにより平面コイルを形成するようにするとよい。
　また、反射鏡形成工程は、アルミニウムの蒸着により反射鏡を形成するようにするとよい。
　また、半導体基板の上下面に下側基板と上側基板とを固定する工程を有する。
　この上側及び下側基板の固定工程は、陽極接合を用いて行うとよい。
　【００１２】
　　【作用】
　かかる構成によれば、半導体素子製造プロセスを利用して半導体基板にミラー可動部を形成したので、ガルバノミラーが従来のものに比べて極めて小型化でき、延いてはレーザ光を偏光走査するレーザスキャニングシステムの小型化を達成できるようになる。また、トーションバーの軸方向と平行な可動板の対辺の平面コイル部のみに静磁界を作用させることで、効率良く磁気力を発生できる。
　【００１３】
　また、可動板を、互いに直交するトーションバーで軸支する構成とすれば、レーザ光の偏光走査を２次元で行うことができる。
　更に、可動板の収納空間を真空封止するようにすれば、可動板の揺動抵抗をなくすことができるようになり、可動板の追従性を高めることができる。
　【００１４】
　　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
　図１及び図２に第１の発明に係るガルバノミラーの
実施例
　図１及び図２において、ガルバノミラー１は、半導体基板であるシリコン基板２の上下面に、それぞれ例えばホウケイ酸ガラス等からなる上側及び下側絶縁基板としての上側及び下側ガラス基板３，４を陽極接合した３層構造となっている。そして、前記上側ガラス基板３は、後述する可動板５上方部分を開放するようシリコン基板２の図１の左右端に積層されている。
　【００１５】
　前記シリコン基板２には、平板状の可動板５と、この可動板５の中心位置でシリコン基板２に対して基板上下方向に揺動可能に可動板５を軸支するトーションバー６，６とが異方性エッチングによって一体形成されている。従って、可動板５及びトーションバー６もシリコン基板と同一材料からなっている。前記可動板５の上面周縁部には、通電により磁界を発生する銅薄膜からなる平面コイル７が絶縁被膜で覆われて設けられている。ここで、コイルは抵抗分によってジュール熱損失があり抵抗の大きな薄膜コイルを高密度に実装すると発熱により駆動力が制限されることから、本実施例では、従来公知の電解めっきによる電鋳コイル法によって前記平面コイル７を形成してある。電鋳コイル法は、基板上にスパッタで薄いニッケル層を形成し、このニッケル層の上に銅電解めっきを行って銅層を形成し、コイルに相当する部分を除いて銅層及びニッケル層を除去することで、銅層とニッケル層からなる薄膜の平面コイルを形成するもので、薄膜コイルを低抵抗で高密度に実装できる特徴があり、マイクロ磁気デバイスの小型化・薄型化に有効である。また、可動板５の平面コイル７で囲まれる上面中央部には、反射鏡としての全反射ミラー８がアルミニウム蒸着により形成されている。更に、シリコン基板２のトーションバー６，６の側方上面には、平面コイル７とトーションバー６，６の部分を介して電気的に接続する一対の電極端子９，９が設けられており、この電極端子９，９は、シリコン基板２上に電鋳コイル法により平面コイル７と同時形成される。
　【００１６】
　上側及び下側ガラス基板３，４の図中左右側には、前記トーションバー６，６の軸方向と平行緑可動板５の対辺の平面コイル７部分に磁界を作用させる互いに対をなす円形状の永久磁石１０Ａ，１０Ｂと１１Ａ，１１Ｂが設けられている。互いに対をなす一方の各３個づつの永久磁石１０Ａ，１０Ｂは、図２に示すように、下側がＮ極、上側がＳ極となるよう設けられ、互いに対をなす他方の各３個づつの永久磁石１１Ａ，１１Ｂは、図２に示すように、下側がＳ極、上側がＮ極となるよう設けられている。
　【００１７】
　次に動作を説明する。
　例えば、図３に示すように、一方の電極端子９を＋極、他方の電極端子９をー極として平面コイル７に電流を流す。可動板５の両側では、永久磁石１０Ａと１０Ｂ、１１Ａと１１Ｂによって、図２の矢印で示すように上下の磁石間で可動板５の平面に沿って平面コイル７を横切るような方向に磁界が形成されており、この磁界中の平面コイル７に電流が流れると、平面コイル７の電流密度と磁束密度に応じて平面コイル７、言い換えれば可動板５の両端に、電流・磁束密度・力のフレミングの左手の法則に従った方向（図３に示す）に磁気力Ｆが作用し、この力はローレンツ力から求められる。
　【００１８】
　この磁気力Ｆは、平面コイル７に流れる電流密度をｉ、永久磁石１０Ａ，１０Ｂと１１Ａ，１１Ｂによる磁束密度をＢとすると、下記の（１）式で求められる。
　　Ｆ＝ｉ×Ｂ　　・・・　　（１）
　実際には、平面コイル７の巻数ｎと、磁気力Ｆが働くコイル長ｗ（図３中に示す）により異なり、下記の（２）式のようになる。
　【００１９】
　　Ｆ＝ｎｗ（ｉ×Ｂ）　　・・・　（２）
　一方、可動板５が回動することによりトーションバー６，６が捩じられ、これによって発生するトーションバー６，６のばね反力Ｆ′と可動板５の変位角φの関係は、下記の（３）式のようになる。
　　φ＝（Ｍｘ／ＧＩｐ）＝（Ｆ′Ｌ／８．５×１０９ｒ４）×１１・・・（３）
　ここで、Ｍｘは捩りモーメント、Ｇは横弾性係数、Ｉｐは極断面二次モーメントである。また、Ｌ、１１、ｒは、それぞれ、トーションバーの中心軸から力点までの距離、トーションバーの長さ、トーションバーの半径であり、図３に示してある。
　【００２０】
　そして、前記磁気力Ｆとばね反力Ｆ′が釣り合う位置まで可動板５が回動する。従って、（３）式のＦ′に（２）式のＦを代入することにより、可動板５の変位角φは平面コイル７に流れる電流ｉに比例することが判る。
　従って、平面コイル７に流す電流を制御することにより、可動板５の変位角φを制御することができるので、例えば、トーションバー６，６の軸に対して垂直な面内において全反射ミラー８に入射するレーザ光の反射方向を自由に制御でき、全反射ミラー８の変位角を連続的に反復動作させれば、レーザ光のスキャニングができる。
　【００２１】
　次に、永久磁石による磁束密度分布の計算結果について説明する。
　図４は、本実施例に使用した円柱状の永久磁石の磁束密度分布計算モデルを示し、永久磁石のＮ極とＳ極それぞれの表面を微小領域ｄｙに分割し、求める点の磁束を計算した。
　Ｎ極表面で形成される磁束密度をＢｎ、Ｓ極表面で形成される磁束密度をＢｓ
　【００２２】
とすると、これらは円柱状の永久磁石による磁束密度分布の計算式から［数１］
　【００２３】
、［数２］の各（４）、（５）式によって求めることができ、任意の点における磁束密度Ｂは、ＢｎとＢｓを合成したものになり、（６）式で示される。
　【００２４】
　【数１】
　【００２５】
　【数２】
　【００２６】
　　Ｂ＝Ｂｎ＋Ｂｓ　・・・（６）
　【００２７】
　ここで、［数１］、［数２］の各式において、Ｂｒは永久磁石の残留磁束密度、ｘ、ｙ、ｚは永久磁石の周りの空間の任意の点を表す座標、１は永久磁石のＮ極面とＳ極面との距離、ｄは各極面の半径である。
　例えば、半径１ｍｍ，高さ１ｍｍ，残留磁束密度０．８５ＴのＳｍ−Ｃｏ永久磁石
　ＤＩＡＮＥＴ　ＤＭ−１８（商品名、セイコー電子部品製）を用いて、図５に示すように配置した永久磁石の表面に垂直な面ａの磁束密度分布を計算した結果を図６に示す。
　【００２８】
　図５のように配置した場合には、磁石間の空間は、略０．３Ｔ以上の磁束密度となっている。
　次に、可動板５の変位量の計算結果について説明する。
　可動板５に形成する平面コイル７の幅を１００μｍ、巻数を１４、可動板５の厚さを２０μｍとし、トーションバー６の半径を２５μｍ，長さを１ｍｍ、可動板５の幅を４ｍｍ、長さを５ｍｍとして、（２）式と（３）式から求めた。尚、磁束密度は、前述の磁束密度分布計算で得られた０．３Ｔを使用した。
　【００２９】
　その結果、図７の（Ａ）及び（Ｂ）図から電流１．５ｍＡで２度の変位角が得られることがわかる。尚、（Ｃ）は電流と発生する熱量Ｑとの関係を示すもので、この時の単位面積当たりの発生熱量は１３μワット／ｃｍ２となった。
　次に、発熱量と放熱の関係について説明する。
　発熱量はコイルの抵抗で発生するジュール熱であり、従って、単位時間当たりに発生する熱量Ｑは下記の（７）式によって表される。
　【００３０】
　　Ｑｉ２Ｒ　・・・　（７）
　ここで、ｉはコイルに流れる電流、Ｒはコイルの抵抗である。
　発熱量対流による放熱量Ｑｃは下記の（８）式で表される。
　　Ｑｃ＝ｈＳΔＴ　・・・　（８）
　ここで、ｈは熱伝達係数（空気は５×１０−３〜５×１０−２〔ワット／ｃｍ２℃〕）、Ｓは素子の表面積、ΔＴは素子表面と空気との温度差である。
　【００３１】
　発熱部となる可動板の面積を２０ｍｍ２（４×５）とすると、（８）式は、
　　Ｑｃ＝１．０ΔＴ〔ｍワット／℃〕　・・・　（８）′
となり、数十μワット／ｃｍ２程度の発熱量ならば素子の温度上昇の問題は無視できることがわかる。
　尚、参考まで、輻射による放熱量Ｑｒは下記の（９）式で表される。
　【００３２】
　　Ｑｒ＝εＳσＴ４　・・・　（９）
　ここで、εは輻射率（黒体はε＝１で　一般にε＜１）、Ｓは素子の表面積、σはステファンボルツマン定数（π２ｋ４／６０ｈ３ｃ２）、Ｔは素子の表面温度である。
　また、トーションバーからの伝導による放熱量Ｑａは下記の（１０）式で表される。
　【００３３】
　　Ｑａ＝２λ（Ｓ／１１）ΔＴ　・・・　（１０）
　ここで、λは熱伝導率（シリコンは８４ワット／ｍＫ）、Ｓはトーションバーの断面積、１１はトーションバーの長さ、ΔＴはトーションバーの両端の温度差である。トーションバーの半径を２５μｍ、長さを１ｍｍとすると（１０）式は、
　　Ｑａ＝０．１ΔＴ〔ｍワット／℃〕　・・・　（１０）′
となる。
　【００３４】
　次にトーションバーの可動板自重による撓みと、電磁力による可動板の撓みについて説明する。
　図８にこれらの計算モデルを示す。トーションバーの長さを１１、トーションバーの幅をｂ、可動板の重さをｆ、可動板の厚さをｔ、可動板の幅をＷ、可動板の長さをＬ１とすると、トーションバーの撓み量ΔＹは、片持ち梁の撓み量の計算方法を用いて、下記の（１１）式のようになる。
　【００３５】
　　ΔＹ＝（１／２）　（４１１３ｆ／Ｅｂｔ３）　・・・　（１１）
　ここで、Ｅはシリコンのヤング率である。
　また、可動板の重さｆは下記の（１２）式で表される。
　　ｆ＝ＷＬ１ｔρｇ　・・・　（１２）
　ここで、ρは可動板の体積密度、ｇは重力加速度である。
　【００３６】
　また、可動板の撓み量ΔＸは、同じく片持ち梁の撓み量の計算方法を用いて、
下記の（１３）式のようになる。
　　ΔＸ＝４（Ｌ１／２）３Ｆ／ＥＷｔ３　・・・　（１３）
　ここで、Ｆは可動板の端に作用する磁気力である。そして、前記磁気力Ｆは（２）式のコイル長ｗを可動板の長さＷと見做して求める。
　【００３７】
　これら、トーションバーの撓み量と可動板の撓み量の計算結果を［表１］に示す。尚、可動板め撓み量は、磁気力Ｆを３０μＮとして計算したものである。
　【００３８】
　【表１】
　【００３９】
　上記の［表１］から明らかなように、幅５０μｍ、長さ１．０ｍｍのトーションバーの場合、幅６ｍｍ、長さ１３ｍｍ、厚さ５０μｍの可動板による撓み量ΔＹは、０．１７８μｍであり、可動板の厚さを倍の１００μｍとしても、撓み量ΔＹは、０．３５６μｍである。また、幅６ｍｍ、長さ１３ｍｍ、厚さ５０μｍの可動板の場合、磁気力による撓み量ΔＸは、０．１２５μｍであり、可動板両端の変位量を２００μｍ程度とすれば、本実施例のガルバノミラーの特性には何ら影響はない。
　【００４０】
　以上説明したように、本実施例のガルバノミラーでは、コイルの発熱による影響も無視でき、また、可動板５の揺動特性も何ら問題はなく、従来と同様の機能を発揮することができる。そして、半導体素子の製造プロセスを利用することによって、超小型で薄型のガルバノミラーとすることができる。このため、ガルバノミラーによるレーザ光のスキャニングシステムの小型化を図ることができ、延いては、このスキャニングシステムを利用するレーザ応用機器の小型化が図れる。また、半導体素子の製造プロセスで製造することで、大量生産が可能となる。
　【００４１】
　次に上記
実施例
　厚さ３００μｍのシリコン基板１０１の上下面を熱酸化して酸化膜（１μｍ）１０２を形成する（ａ工程）。
　次に、裏面側にホトリソグラフにより貫通穴のパターンを形成し、貫通穴部分の酸化膜をエッチング除去し（ｂ工程）、更に、可動板形成部の酸化膜を厚さ０．５μｍまで除去する（工程ｃ）。
　【００４２】
　次に、表面側にワックス層１０３を設けた後、貫通穴部分に異方性エッチングを１００μｍ行う（工程ｄ）。
　裏面側の可動板部分の薄い酸化膜を除去し（工程ｅ）、貫通穴と可動板部分に異方性エッチングを１００μｍ行う（工程ｆ）。
　表面側のワックス層１０３を除去し、表面側の酸化膜１０２上に、従来公知の電鋳コイル法によって平面コイル、電極端子部（図示せず）を形成し、また、アルミニウムの蒸着によって全反射ミラーを形成する（工程ｇ）。電鋳コイル法は、シリコン基板１０１の表面側にニッケルのスパッタを行ってニッケル層を形成し、銅電解めっきを行って銅層を形成する。次にポジ型のレジストで平面コイル及び電極端子に相当する部分をマスクし、銅エッチング、ニッケルエッチングを順次行い、エッチング後、レジストを除去し、更に、銅電解めっきを行ってニッケル層の全周を銅で覆い平面コイル及び電極端子に相当する銅層を形成する。次に、銅層を除いた部分にネガ型のメッキレジストを塗布した後、銅電解めっきを行って銅層を厚くして、平面コイル及び電極端子を形成する。そして、平面コイル部分を例えば感光性ポリイミド等の絶縁層で覆う。平面コイルを２層にする場合は、再度ニッケルのスパッタ工程から絶縁層形成までの工程を繰り返し行えばよい。
　【００４３】
　次に、表面側にワックス層１０３′を設けた後、貫通穴及び可動板部分に異方性エッチングを１００μｍ行い、貫通穴部分を貫通させ、可動板部分を除いてワックス層１０３′を除去する。この際に、上下の酸化膜１０２も除去する。これにより、可動板５とトーションバー（図示せず）が形成され、図１のシリコン基板２が形成される（工程ｈ，ｉ）。
　【００４４】
　次に、可動板部分のワックス層を除去した後、シリコン基板２の上下面に上側ガラス基板３と下側ガラス基板４をそれぞれ陽極接合によって結合する（工程ｊ，ｋ）。
　次に、上下のガラス基板３，４の所定位置に永久磁石１０Ａ，１０Ｂと１１Ａ，１１Ｂを取付ける（工程１）。
　【００４５】
　次に、
第２の発明の第１実施例
上記実施例
　図において、本実施例のガルバノミラー２１は、シリコン基板２の可動板５が外側可動板５Ａと、この外側可動板５Ａの内側に軸支される平板状の内側可動板５Ｂとで構成されている。外側可動板５Ａは、枠状に形成され、第１のトーションバー６Ａ，６Ａによってシリコン基板２に軸支されている。その上面には、シリコン基板２上面に形成した一対の外側電極端子９Ａ，９Ａに第１のトーションバー６Ａ，６Ａの一方の部分を介して電気的に接続する平面コイル７Ａ（図では模式的に１本線で示す）が絶縁層で被覆されて設けられている。また、内側可動板５Ｂは、前記第１のトーションバー６Ａ，６Ａと軸方向が直交する第２のトーションバー６Ｂ，６Ｂで外側可動板５Ａの内側に軸支されている。その上面には、シリコン基板２に形成された内側電極端子９Ｂ，９Ｂに、第２のトーションバー６Ｂの一方から外側可動板５Ａ部分を通り、第１のトーションバー６Ａの他方側を介して電気的に接続する平面コイル７Ｂ（図では模式的に１本線で示す）が絶縁層で被覆されて設けられている。また、平面コイル７Ｂで囲まれた内側可動板５Ｂの中央部には、全反射ミラー８が形成されている。
　【００４６】
　そして、シリコン基板２の上下面には、図１３及び図１４に示すように、それぞれ例えばホウケイ酸ガラス等からなる上側及び下側ガラス基板３，４が陽極接合されている。尚、本実施例の上側ガラス基板３は、平板部の中央に角状の開口部３ａを有し、全反射ミラー８上方の部分が開放された形状である。下側ガラス基板４は、第１実施例と平板状である。また、シリコン基板２に関しては、両可動板５Ａ，５Ｂの揺動空間を確保するために３層として、中間層のシリコン基板に、可動部を形成する構成としている。
　【００４７】
　上側及び下側ガラス基板３，４には、２個づつ対となったそれぞれ８個づつ円柱状の永久磁石１０Ａ〜１３Ａと１０Ｂ〜１３Ｂが図示のように配置されている。上側ガラス基板３の互いに向かい合う永久磁石１０Ａ，１１Ａは、下側ガラス基板４の永久磁石１０Ｂ，１１Ｂとで外側可動板駆動用の磁界を発生させるものである。また、上側ガラス基板３の互いに向かい合う永久磁石１２Ａと１３Ａは、下側ガラス基板４の永久磁石１２Ｂ，１３Ｂとで内側可動板駆動用の磁界を発生させるものである。
　【００４８】
　かかる構成によれば、外側可動板５Ａの平面コイル７Ａのみに電流を流せば、第１のトーションバー６Ａ，６Ａを支点として外側可動板５Ａが電流方向に応じて回動し、この際に内側可動板５Ｂも外側可動板５Ａと一体に回動する。この場合、全反射ミラー８は、第１実施例と同様の動きとなる。一方、平面コイル７Ａに電流を流すと共に、内側可動板５Ｂの平面コイル７Ｂにも電流を流せば、外側可動板５Ａの回動方向と直角方向に、内側可動板５Ｂが第２のトーションバー６Ｂ，６Ｂを支点として回動する。この場合には、全反射ミラー８でレーザ光を偏光走査すると２次元的な走査が行え、レーザ光のスキャニングの自由度が第１実施例の１軸の場合に比べて増大するという効果を有する。
　【００４９】
　次に、上記
図１２に示す実施例
　厚さ２００μｍのシリコン基板２０１の上下面を熱酸化して酸化膜（０．５μｍ）２０２を形成し、表面側にホトリソグラフにより貫通穴のパターンを形成し、貫通穴部分の酸化膜をエッチング除去する（ａ工程）。
　【００５０】
　次に、表面を熱酸化して貫通穴部分に薄い酸化膜（０．１μｍ）２０２′を形成し、裏面側に、表面側と対応する位置にホトリソグラフにより貫迩穴のパターンを形成する（ｂ工程）。
　次に、裏面側の貫通穴部分に異方性エッチングを１７０μｍ行う（工程ｃ）。
　次に、表面側にニッケルのスパッタを行ってニッケル層を形成し、次いで銅のスパッタを行い銅層を形成し、ポジ型のレジストで内側可動板の平面コイルと外側可動板の平面コイルとを互いに接触させずに交差させて電極端子に接続させるための交差部に相当する部分及び可動板５の側方のシリコン基板上の電極端子に相当する部分をマスクし、銅エッチング、ニッケルエッチングを順次行う。これにより、シリコン基板表面にニッケル層と銅層からなる前記交差部２０３及び電極端子部２０４を形成する（工程ｄ）。
　【００５１】
　次に、交差部２０３の両端部及び電極端子部２０４の部分を除いてマスクし、感光性ポリイミド等の絶縁層２０５を形成する（工程ｅ）。
　次に、電鋳コイル法によって外側可動板と内側可動板の平面コイルを形成する。即ち、絶縁層２０５上にニッケルのスパッタを行ってニッケル層を形成し、銅電解めっきを行って銅層を形成する。次にポジ型のレジストで平面コイル、電極端子やコイルと端子間の接続部分に相当する部分をマスクし、銅エッチング、ニッケルエッチングを順次行い、エッチング後、レジストを除去し、更に、銅電解めっきを行ってニッケル層の全周を銅で覆い外側と内側の各平面コイルに相当する銅層２０６，２０７を形成する。この工程によって、平面コイル部分の形成と共に工程ｄで形成した電極端子部２０４及び交差部２０３を厚くする（工程ｆ）。
　【００５２】
　次に、工程ｅと同様にして絶縁層２０５を形成する（工程ｇ）。尚、本実施例では、各平面コイルを２層に形成するため、工程ｇの絶縁層形成時には、内外両方の上下のコイルを接続するターミナル部分２０８，２０９をマスクして絶縁層が形成されないようにしている。
　次に、工程ｆと同様にして上層側の平面コイルに相当する銅層２１０，２１１を形成し、更に、絶縁層２０５を形成する。これにより、絶縁層によって絶縁被覆された平面コイル７Ａ，７Ｂが形成される（工程ｈ，ｉ）。
　【００５３】
　次に、ＳｉＯ２をスパッタして酸化膜を形成し、裏面側から異方性エッチングを行って、シリコン基板２０１を貫通させる。これにより、各トーションバー部分と内外可動板部分が形成される（工程ｊ，ｋ）。
　次に、表面側のＳｉＯ２をエッチングして除去した後、全反射ミラー部分を除いてマスクし、アルミニウムの蒸着によって全反射ミラー８を形成する（工程ｌ）。
　【００５４】
　その後は、
第１の発明の実施例
　次に、
第２の発明のガルバノミラーの第２実施例
　【００５５】
　図において、本実施例のガルバノミラー３１では、シリコン基板２は１層構造としている。また、シリコン基板２に形成する可動板５等の可動部分の構成は図１２と同様であり、説明を省略する。
　そして、本実施例では、シリコン基板２の上下に陽極接合する上側ガラス基板３及び下側ガラス基板４を、図１９に示すように、それぞれ中央部に例えば超音波加工によって形成した溝３Ａ，４Ａを設けた構造とし、図中矢印で示すように、シリコン基板２の上下面に対して陽極接合によって結合する。シリコン基板２に陽極接合する場合、上側ガラス基板３では、溝３Ａを下側にしてシリコン基板２側に位置するようにして接合し、下側ガラス基板４では、溝４Ａを上側にして同じくシリコン基板２側に位置するようにして接合し、これにより、可動板５の揺動空間を密閉する構成としている。
　【００５６】
　かかる構成によれば、上下のガラス基板３，４をシリコン基板２に陽極接合した状態では、可動板５の上下方向に、溝３Ａ，４Ａの深さ分の空間ができ、シリコン基板２を３層構造としなくとも可動板５の揺動空間を確保できるようになる。更に、この実施例では、可動板５の揺動空間が、上下のガラス基板３，４とシリコン基板２とによって密閉されており、この密閉空間を真空状態とする。これにより、可動板５の回動動作に対する空気抵抗がなくなり、可動板５の応答性が向上する。
　【００５７】
　尚、図１及び図２に示す１軸のガルバノミラーに関しても、上記
第２実施例
　次に、図２０に
第３の発明
　【００５８】
　図２０において、本実施例のガルバノミラー４１では、シリコン基板２の内側可動板５Ｂに、全反射ミラー８を囲むようにして、枠状に薄膜の永久磁石４２を形成してある。一方、可動板５の側方周囲のシリコン基板２上面には、外側可動板５Ａを駆動するための平面コイル７Ａ，７Ａと、内側可動板５Ｂを駆動するための平面コイル７Ｂ，７Ｂが相対する位置に形成されている。また、シリコン基板２の上下面に陽極接合する上側及び下側ガラス基板３，４は、図１９に示す実施例のものと同様で、それぞれ、可動板５の揺動空間を確保するための溝３Ａ，４Ａを設けた構造である。
　【００５９】
　以上のように、薄膜の永久磁石４２を可動板側に設け、平面コイル７Ａ，７Ｂをシリコン基板２側に設ける構成としても、前述の各実施例と同様の作用効果を奏することができる。更に、第１の発明に係る実施例と違って可動板にコイルを設けていないので、発熱に関する問題は生じない。また、薄膜の磁石を用いているので、可動板の動作が鈍くなると言うことはなく、可動板だけの封止も可能である。また、この場合には、永久磁石を半導体素子製造技術で一体化して形成するようにしたので、より一層小型化できると共に、永久磁石の設置工程が容易となり、ガルバノミラーの製造が容易となる等の利点がある。
　【００６０】
　　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、シリコン基板に、可動板、この可動板を揺動可能に軸支するトーションバー、平面コイル及び反射鏡を形成し、
磁界発生手段を可動板の上下に且つ位置をずらして配置し
る。
　【００６１】
　また、可動板の揺動空間を密閉空間として真空封止する構成とすれば、空気抵抗をなくすことができ、可動板の応答性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】第１の本発明に係るガルバノミラーの
実施例
　　【図２】図１のＡ−Ａ線矢視断面図
　　【図３】同上
実施例
　　【図４】同上
実施例
　　【図５】計算した磁束密度分布位置を示す図
　　【図６】図５に示す位置の磁束密度分布の計算結果を示す図
　　【図７】可動板の変位量と電流量との計算結果を示すグラフ
　　【図８】トーションバー及び可動板の撓み量の計算モデル図
　　【図９】同上
実施例
　　【図１０】図９に続く製造工程の説明図
　　【図１１】図１０に続く製造工程の説明図
　　【図１２】
第２の発明に係るガルバノミラーの第１実施例
　　【図１３】図１２のＢ−Ｂ線矢視断面図
　　【図１４】図１２のＣ−Ｃ線矢視断面図
　　【図１５】同上
第１実施例
　　【図１６】図１５に続く製造工程の説明図
　　【図１７】図１６に続く製造工程の説明図
　　【図１８】図１７に続く製造工程の説明図
　　【図１９】
第２の発明
第２実施例
　　【図２０】
第３の発明
　　【符号の説明】
１，２１，３１，４１　　ガルバノミラー
２　　シリコン基板
３　　上側ガラス基板
４　　下側ガラス基板
５　　可動板
６　　トーションバー
７　　平面コイル
８　　全反射ミラー
１０Ａ〜１３Ａ，１０Ｂ〜１３Ｂ，３１　　永久磁石