【事件の表示】
　特許第２９４６７５５号「薄膜トランジスタマトリクス基板」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認めない。
　特許第２９４６７５５号の請求項１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２９４６７５５号の発明は、平成２年１２月１９日に特許出願され、平成１１年７月２日にその特許の設定の登録がなされ、その後、牧田美樹により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１２年８月２８日付けで訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内の平成１２年１１月２８日付けで訂正の補正がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
２−１．補正の適否について
　上記訂正の補正は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１中に「前記ゲートバスライン端子の導電性酸化物膜が形成されている領域内で絶縁膜が除去されている」とあるを「前記導電性酸化物膜からなる前記ゲートバスライン端子が形成されている領域内で絶縁膜が除去されている」と補正しようとするものである。
　しかし、上記補正は、訂正事項を変更するものであるから、訂正請求書の要旨を変更するものであり、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１３１条第２項の規定に違反するので、当該補正は採用できない。
　
２−２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　訂正事項ａ．
　　特許請求の範囲の請求項１の「前記ゲートバスライン端子は導電性酸化物膜からなり、該ゲートバスライン端子に接続される前記ゲートバスラインは、低抵抗金属膜からなる下層および耐熱性金属膜からなる上層とを有する」を「前記ゲートバスライン端子は導電性酸化物膜からなり、該ゲートバスライン端子に接続される前記ゲートバスラインは、低抵抗金属膜からなる下層および耐熱性金属膜からなる上層とを有し、前記ゲートバスライン端子の導電性酸化物膜が形成されている領域内で絶縁膜が除去されている」と訂正する。
　訂正事項ｂ．
　　上記訂正事項ａの特許請求の範囲の請求項１の訂正に伴い、特許請求の範囲の請求項２及び３を独立形式に訂正し、発明の詳細な説明の記載もこれとの整合を図るために訂正する。
（２）訂正の目的の適否について
　上記訂正事項ａの、訂正後の「前記ゲートバスライン端子の導電性酸化物膜が形成されている領域内で絶縁膜が除去されている」の記載は、ゲートバスライン端子の一部に導電性酸化物膜が形成されているようにも解釈されうるもので、「ゲートバスライン端子は導電性酸化物膜からなり」と明記されているゲートバスライン端子の構成を不明瞭にするものである。
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮、誤記または誤訳の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
（３）訂正の適否についてのむすび
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書きの規定に該当しないので、当該訂正は認められない。
３．特許異議申立てについての判断
（１）特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人は、甲第１号証及び甲第２号証を提出し、請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項１に係る発明の特許は、取り消されるべきものである旨主張している。
（２）本件発明
　本件の請求項１に係る発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】基板上に設けられた複数の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタにおけるソース電極に接続された画素電極、ゲート電極およびドレイン電極のそれぞれに接続されたゲートバスラインおよびドレインバスライン、およびその各端末部に設けられた外部回路接続用のゲートバスライン端子およびドレインバスライン端子とを有する薄膜トランジスタマトリクス基板であって、
　前記ゲートバスライン端子は導電性酸化物膜からなり、該ゲートバスライン端子に接続される前記ゲートバスラインは、低抵抗金属膜からなる下層および耐熱性金属膜からなる上層とを有することを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス基板。」
（３）甲第各号証記載の発明
　特許異議申立人が提出した、本件出願前頒布された刊行物である甲第１号証：特開平１−１０２４３３号公報には、
「本発明は、絶縁ゲート形薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）を用いた液晶パネルの端子取り出し電極構造に関するものである。」（１頁左下欄１５〜１７行）、
「ガラス基板１上にＴａ膜を堆積した後、フォトリソによりゲート電極２ａゲートバスライン２ｂ及び端子取り出し電極３を形成する。その後陽極酸化が必要なゲート電極２ａの部分のみを露出するようにフォトリソによりパターニングする。・・・その上に第２の絶縁膜５形成し、アモルファスシリコンの半導体層６を形成し、ソース電極７，ドレイン電極８を形成する工程及び方法は前述の従来例に説明したのと同じである。そして、次に絵素となるＩＴＯ膜９を形成する訳であるが、このとき、端子取り出し電極３の部分のマスクの窓あけをして第１図（ａ）または（ｂ）のように電極３の上にＩＴＯを形成する。」（２頁左下欄８〜２０行）、
「第６図にＴａ膜上とＴａ+ＩＴＯ膜上にフレキシブル基板を接続したときの接触抵抗による安定性の違いを示す。この図より明らかなように、ＴＦＴ特性を著しく向上させる陽極酸化が可能な電極材料を用い、ＩＴＯとの２層構造にすることにより安定した接続状態を得る事ができ、本発明の技術的意義は多大である。」（２頁右下欄９〜１５行）と記載されている。
　上記によれば、甲第１号証には、
「薄膜トランジスタを用いた液晶パネルであって、Ｔａからなるゲートバスラインと該ゲートバスラインと一体に形成されたＴａからなる端子取り出し電極の上にＩＴＯ膜を形成した２層構造の端子取り出し電極構造」の発明が記載されている。
　同じく、甲第２号証：特開平２−１８４８２４号公報には、Ａｌ等の低抵抗層を下層とし、Ｔｉ等の高融点金属膜を上層とする２層構造のゲートバスラインを有する薄膜トランジスタマトリクスに関する発明が記載されている。
（４）対比、判断
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）と、甲第１号証記載の発明（以下、「引用発明」という）とを対比するに、引用発明の「取り出し電極」は、本件発明の「ゲートバスライン端子」に相当し、両者は、下記の２点で相違する。
　相違点１；本件発明では、ゲートバスライン端子は導電性酸化物膜からなるのに対し、引用発明では、ゲートバスラインと一体に形成されたＴａからなる端子取り出し電極の上にＩＴＯ膜を形成した２層構造で形成されている点、
　相違点２；本件発明では、ゲートバスラインは低抵抗金属膜からなる下層および耐熱性金属膜からなる上層とを有するのに対し、引用発明ではＴａからなる点。
　上記相違点について検討する。
　甲第２号証記載の発明の「高融点金属膜」は、本件発明の「耐熱性金属膜」に相当するから、ゲートバスラインを本件発明の上記相違点２のような構成にすることは甲第２号証に記載されており、甲第２号証記載のゲートバスラインを引用発明のものに適用することに格別困難性は認められない。しかし、甲第２号証記載のゲートバスラインを引用発明のものに適用した場合、ゲートバスライン端子を、低抵抗金属膜からなる下層および耐熱性金属膜からなる上層で形成されたバスラインの取り出し電極の上にＩＴＯ膜（導電性酸化物膜）が形成されたものとすることは当業者に容易であるが、上記相違点１の本件発明の構成まで容易に想到できたとすることはできない。　
　したがって、本件発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月１１日（２０００．１２．１１）