【事件の表示】
　特許第２７６６７７４号「大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置」の請求項１ないし２３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７６６７７４号の請求項１ないし２２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　　特許出願　　　　　　　　　　　　　平成　６年　１月２８日
　　　　　　　　　　　　　（優先権主張：１９９３年１月２８日、米国）
　　設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１０年　４月　３日
　　　　　　　　　　　　　（特許第２７６６７７４号）
　　特許公報発行　　　　　　　　　　　平成１０年　６月１８日
　　特許異議の申立て１　　　　　　　　平成１０年１２月１７日
　　　　　　　　　　　　　（申立人１：アネルバ株式会社）
　　特許異議の申立て２　　　　　　　　平成１０年１２月１８日
　　　　　　　　　　　　　（申立人２：ジョン　グッドウィン）
　　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１１年　５月１４日
　　意見書、訂正請求書　　　　　　　　平成１１年１２月１５日
　　訂正拒絶理由通知　　　　　　　　　平成１２年　３月　９日
    審尋（申立人１及び２に対して）　　平成１２年　３月　９日
　　回答書（申立人１）　　　　　　　　平成１２年　６月　５日
　　回答書（申立人２）　　　　　　　　平成１２年　７月　４日
　　意見書・手続補正書（訂正請求書）　平成１２年１０月　２日
　　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１２年１１月　９日
　　訂正請求書　　　　　　　　　　　　平成１２年１１月１７日
　　訂正請求取下書（平成１１年１２月１５日付けのもの）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１１月１７日
　
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　平成１２年１１月１７日付けの訂正請求書における訂正の要旨は次のとおりである。
１．１　訂正事項ａ
（１）特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６の「基板収容装置」を「冷却又は加熱真空チャンバ」に訂正する。
（２）請求項１の「冷却又は加熱真空チャンバ」の前に「カセットを有する」を挿入する。
（３）請求項５の「基板収容装置」を「カセット」に訂正する。
（４）請求項６の「基板収容装置」を「冷却チャンバ」に訂正する。
１．２　訂正事項ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１，６，７，２０，２１及び２２の「基板」を「ガラス基板」に訂正する。
１．３　訂正事項ｃ
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１７の工程（ｂ）の「複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバ」を「熱伝導棚を有し複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバ」に訂正する。
１．４　訂正事項ｄ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１８の工程（ｂ）の「個別に支持するための複数の棚」を「個別に支持し且つ加熱するための複数の熱伝導棚」に訂正する。
１．５　訂正事項ｅ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２１の「基板処理方法であって」を「ガラス基板を処理するための方法であって」に訂正する。
１．６　訂正事項ｆ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２２を削除し、請求項２２を引用していた請求項２３を独立請求項の形に書き直すと共に、「真空処理システムであって」を「ガラス基板を処理するための真空処理システムであって」と、また、「真空処理システム」を「ガラス基板処理システム」と、それぞれ訂正する。
（なお、【請求項９】の「ガラ又基板」（同公報３欄１７行）は「ガラス基板」のデータエントリー上の誤植であると認められる。）
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否
２．１　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａの（１）、（２）及び（４）は、訂正前の請求項１及び６では「基板収容装置」の具体的構成及び機能について「カセットを有する」（請求項１）、「冷却又は加熱するチャンバ」（請求項１〜６）ないしは「冷却チャンバ」（請求項６）にそれぞれ限定するものであり、また、上記訂正事項ａの（３）は、上記訂正事項ａの（２）に伴い、上下移動するものを「カセット」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、かかる訂正事項は、特許明細書の段落【０００８】に「このガラス基板は、本発明に係る一括型(batch-type)の加熱および冷却カセットで加熱および冷却される。」（特許公報７欄９〜１２行）、段落【０００９】に「カセットは、ガラス基板の真空での取扱いおよび処理を行うスシステムの一部分である加熱／冷却真空チャンバ内に配置されている。」（同公報９欄４７〜４９行）及び段落【００２５】に「本発明の加熱および冷却カセットは、昇降装置(elevator)６０上に設置されている。この昇降装置はカセット４３および４５を上げたり下げたりするので、ガラス基板３２のそれぞれの搬送後に異なる伝導棚２８がロボットに与えられる。」（同公報１３欄７〜１２行）と記載されているから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２．２　上記訂正事項ｂ及びｅについて
　上記訂正事項ｂは、「基板」を「ガラス基板」に限定するものであり、また、上記訂正事項ｅは「基板処理方法であって」を「ガラス基板を処理するための方法であって」に訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、かかる訂正事項は、上記訂正事項ａについて述べたと同様に、特許明細書に記載されているから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２．３　訂正事項ｃ及びｄについて
　上記訂正事項ｃは、訂正前の特許請求の範囲の請求項１７の「複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバ」の具体的構成について「熱伝導棚を有」するものに限定するものであり、上記訂正事項ｄは、訂正前の特許請求の範囲の請求項１８の「複数の棚」を「加熱する」ための「熱伝導棚」に限定するものであるから、共に特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、かかる訂正事項は、特許明細書の段落【００１５】に「側壁部１２および１４の内側は、複数の熱伝導棚２８を装備している。棚２８は、棚２８の温度の高速かつ均一な制御を確実にするために壁１２および１４に良好に接触していなくてはならず、壁１２および１４が加熱されるか冷却されるかに依存している。」（同公報１０欄３３〜３７行）と記載されているから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２．４　訂正事項ｆ
　上記訂正事項ｆは、訂正前の特許請求の範囲の請求項２３を、独立請求項の形式で記載すると共に、請求項２２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、上記訂正事項ｆの「ガラス基板を処理するための真空処理システムであって」及び「ガラス基板処理システム」という訂正事項も「真空処理システム」の用途を「ガラス基板を処理するため」のものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、かかる訂正事項ｆは、上記訂正事項ａについて述べたと同様に、特許明細書に記載されているから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
３．独立特許要件
３．１　本件訂正発明
　訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜２２に係る発明は、次に示す請求項１〜２２に記載されたとおりのものである。
　【請求項１】　複数のガラス基板を収容可能なカセットを有する冷却又は加熱真空チャンバであって、
（ａ）加熱又は冷却される側壁部と、
（ｂ）前記側壁部を加熱又は冷却する手段と、
（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、
（ｄ）前記ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板を支持する不伝導の支持部と、
を備える冷却又は加熱真空チャンバ。
　【請求項２】　前記加熱又は冷却手段は、前記側壁部内に組込まれている請求項１に記載の冷却又は加熱真空チャンバ。
　【請求項３】　前記加熱手段は、抵抗加熱コイルを備える請求項１に記載の冷却又は加熱真空チャンバ。
　【請求項４】　前記冷却手段は、冷却媒体が流れる冷却チャネルである請求項１又は２に記載の冷却又は加熱真空チャンバ。
　【請求項５】　請求項１に記載の冷却又は加熱真空チャンバを有する基板処理装置であって、更に、
　前記冷却又は加熱真空チャンバ内の前記基板に接近可能なロボットと、
　接近する前記ロボットに与えられる前記熱伝導棚が異なるように、前記カセットを上下移動させる昇降装置と、
を備える基板処理装置。
　【請求項６】　請求項１に記載の冷却又は加熱真空チャンバを有する基板処理装置であって、
　前記ガラス基板を冷却するための別の冷却チャンバを備える基板処理装置。
　【請求項７】　ロードロックチャンバ内に配置され、複数のガラス基板を収容可能なカセットであって、
（ａ）冷却される側壁部と、
（ｂ）前記側壁部を冷却する手段と、
（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続され、その間に前記基板が配置される複数の熱伝導棚と、
を備えるカセット。
　【請求項８】　前記冷却手段は、冷却媒体が循環するチャネル手段である請求項７に記載のカセット。
　【請求項９】　複数のガラス基板を収容可能なカセットが内部に配置されるチャンバであって、前記カセットは、
（ａ）加熱される側壁部と、
（ｂ）前記側壁部を加熱する手段と、
（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、
（ｄ）前記ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板を支持する支持部と、
を備えるチャンバ。
　【請求項１０】　前記加熱手段は、抵抗加熱コイルを備える請求項９に記載のチャンバ。
　【請求項１１】　前記チャンバは、前記熱伝導棚の１つの幅で連続的に前記カセットを上下移動させる昇降装置に取付けられている請求項９に記載のチャンバ。
　【請求項１２】　前記チャンバは、前記チャンバを排気する排気手段に接続されている請求項９に記載のチャンバ。
　【請求項１３】　ガラス基板を加熱又は冷却する方法であって、
（ａ）前記ガラス基板を熱伝導棚間に配置し、支持部で前記ガラス基板を支持する工程と、
（ｂ）前記熱伝導棚を間接的に加熱又は冷却し、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程と、
を備えるガラス基板の加熱又は冷却方法。
　【請求項１４】　ガラス基板上に薄膜を堆積する薄膜堆積方法であって、
（ａ）真空チャンバ内に配置された熱伝導棚間に前記ガラス基板を配置し、支持部で前記ガラス基板を支持し、前記熱伝導棚を加熱することによって前記ガラス基板を加熱する工程と、
（ｂ）前記ガラス基板を１つずつ膜プロセスチャンバに移動させる工程と、
（ｃ）前記膜プロセスチャンバ内で前記ガラス基板上に薄膜を堆積する工程と、
（ｄ）前記ガラス基板を冷却チャンバに移動させる工程と、
（ｅ）前記基板を前記冷却チャンバ内で冷却する工程と、
を備える薄膜堆積方法。
　【請求項１５】　前記工程（ｅ）の後、前記冷却チャンバ内の圧力を大気圧にする工程を備える請求項１４に記載の薄膜堆積方法。
　【請求項１６】　前記工程（ｃ）は、化学的気相成長法によって行われる請求項１４に記載の薄膜堆積方法。
　【請求項１７】　ガラス基板上の膜処理を行う方法であって、
（ａ）ロードロックチャンバ内に複数のガラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、
（ｂ）熱伝導棚を有し複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、１以上のガラス基板を搬送する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを他の基板が加熱されている間に前記搬送チャンバを介して単一基板プロセスチャンバに搬送する工程と、
（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を冷却チャンバに搬送して冷却する工程と、
を備える方法。
　【請求項１８】　ガラス基板上の膜処理を行う方法であって、
（ａ）ロードロック／冷却チャンバ内に複数のガラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、
（ｂ）搬送された基板のそれぞれを個別に支持し且つ加熱するための複数の熱伝導棚を有し上昇した温度まで複数基板を加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、前記ガラス基板を搬送する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを前記搬送チャンバを介して単一プロセスチャンバに搬送する工程と、
（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を工程（ａ）のロードロック／冷却チャンバに搬送して冷却する工程と、
を備える方法。
　【請求項１９】　前記プロセスチャンバは単一基板処理チャンバである請求項１８に記載の方法。
　【請求項２０】　排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数のガラス基板を収容して加熱するための複数の棚を有する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いたガラス基板を処理するための方法であって、
（ａ）ガラス基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させ、前記加熱チャンバ内の隣接する棚間に前記基板を配置する工程と、
（ｂ）前記加熱チャンバ内で前記ガラス基板を加熱する工程と、
（ｃ）前記ガラス基板を前記加熱チャンバから前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、
（ｄ）前記ガラス基板を前記プロセスチャンバ内で処理する工程と、
（ｅ）前記プロセスチャンバから前記ガラス基板を取り出す工程と、を備え、
　前記工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）において、前記加熱チャンバ内には前記ガラス基板とは異なる１以上のガラス基板が含まれており、他のガラス基板は工程（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）の間に加熱されているガラス基板処理方法。
　【請求項２１】　排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いたガラス基板を処理するための方法であって、
（ａ）複数のガラス基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させる工程と、
（ｂ）前記加熱チャンバ内で前記ガラス基板を加熱する工程と、
（ｃ）前記加熱チャンバ内に残っているガラス基板を加熱しながら１つのガラス基板を前記加熱チャンバから取り除いてそれを前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、
（ｄ）前記取り除かれたガラス基板を前記プロセスチャンバ内で処理する工程と、
（ｅ）前記プロセスチャンバから前記ガラス基板を取り出す工程と、
を備えるガラス基板処理方法。
　【請求項２２】　ガラス基板を処理するための真空処理システムであって、
（ａ）排気可能な搬送チャンバと、
（ｂ）前記搬送チャンバに直接に接続され、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱する加熱チャンバであって、前記加熱チャンバは、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱するための複数の棚を含む、前記加熱チャンバと、
（ｃ）前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つの排気可能なプロセスチャンバと、
（ｄ）前記真空処理システム内外に前記基板を搬送するため、前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つのロードロックチャンバと、
（ｅ）前記搬送チャンバ内に配置され、前記ロードロックチャンバ、前記加熱チャンバ及び前記プロセスチャンバに前記基板を移動させるロボットと、を備えるガラス基板処理システム。
（以下、各請求項に係る発明を順に「本件訂正発明１」〜「本件訂正発明２２」という。）
３．２　特許法第２９条第１項ないし第２項についての判断
３．２．１　各引用例の記載
（引用例１）
　国際公開ＷＯ９２／２１１４４号パンフレット（申立人２が甲第３号証として提示した特表平６−５０７５２４号公報に対応するもの。公開日：平成４年（１９９２年）１１月２６日。以下、「引用例１」という。なお、引用例１の訳文としては上記公表公報を採用するものとし、以下に示す摘示箇所はその公表公報における箇所を示す。）には、「ウェファ処理クラスタ・ツール・バッチ予熱及び脱気方法及び装置」に関し、次の事項が記載されている。
(1-1)「本発明は半導体ウェファのようなウェファの処理に関し、特に、シリコン・ウェファの表面に付いた及び吸収された水蒸気及び他のガスのような不純物を、ウェファのコーティング又はエッチングに先立って除去することに関する。本発明は更に特に、クラスタ・ツール(cluster tool)のようなモジュール型処理システム内で個別に処理されるウェファを予熱することによる予処理に関する。」（４頁右上欄欄４〜１１行）
(1-2)「輸送モジュール１２、１４は、これの内部室を、半導体ウェファの処理に適した真空圧力レベルに維持するための真空ポンプ（図持せず）を備えている。・・（中略）・・輸送モジュール１２、１４は連結コンジット及びアライナ１６によって相互に連結される。このアライナは輸送モジュール１２、１４の内部どうしをつないで、一定の共通の輸送室１８を形成する。」（７頁左上欄２〜２３行）
(1-3)「輸送モジュール１２、１４内にウェファ輸送機構又はロボット腕２０が備えられ、このロボット腕は各モジュール１２、１４の中心軸心周りで回転し、そして口を通って伸び、処理モジュール、取扱いモジュール、及び他の輸送モジュールを含む隣接のモジュールにウェファを挿入したり、そこから装出したりする。」（７頁左上欄２３行〜同頁右上欄４行）
(1-4)「ロード−ロック３２、２４（「３４」の誤記と認める。）はそれぞれに１つのアクセス扉を有し、そしてこのアクセス扉を通して、例えば２５個のウェファの規格のカセットが、通常ポリプロピレンのようなプラスチック材料で作られたラック内に保持される。ラックは、人手又はロボットによりロード−ロックアクセス扉４１を通してロード−ロック３２、３４内へ挿入され、又ここから装出される。アクセス扉４１が閉じられるとロード−ロックの内部ロード−ロック室を減封し、そこでこの内部室をポンプで輸送室１８の真空環境にして、ウェファを個別に輸送腕２０で移送し、クラスタ・ツール１０の輸送室１８及びその他のモジュールへ送り込むことができる。」（７頁左下欄１５行〜同頁右下欄１行）
(1-5)「入口輸送モジュール１２の他の２つの面には、２個の、好適には同等のバッチ予熱、脱気、又は脱着モジュール４２、４４が結合される。これらモジュールはそれぞれ、複数個のウェファ、好適にはロード−ロック３２、３４によって取扱われる完全ウェファ・カセット内に保持される量まで任意の個数のウェファを同時に収受、保持、及び予熱する。」（７頁右下欄７〜１３行）
(1-6)「第２図に示されるように、予熱モジュール４２は、予熱室５２を包む圧力密ハウジング５０を備える。このハウジングは孔５３を有し、この孔に高真空ポンプ５４（・・（中略）・・）が取付けられて室５２を高真空、典型的には輸送室１８と同じ高真空に保つ。・・（中略）・・ハウジング５０の両側に、厚さ約１インチの矩形のクォーツ窓６０が備えられる。これらクォーツ窓６０は赤外線を室５２内へ通過させてその中の１バッチのウェファ６２を加熱させる。室５２の中でウェファ６２はクォーツのラック６４上に支持される。このクォーツ・ラックは、上端部プレート６７と下端部プレート６９とに支持されるノッチ付きロッド６６によって作られる。ラック６４は垂直方向に可動で、ノッチ位置の選択された１つをスロット５６に隣接する位置へ動かすことができ、そこで輸送機構２０によりラック６４への挿入、又はそこからの取出しを行うことができる。」（７頁右下欄１５行〜８頁左上欄１２行）
(1-7)「これらモータ８２、８４はステップ・モータであって、軸６８を昇降させることによりラック６４を昇降させ、これによってロッド６６のノッチ位置の任意に選択された１つを、ウェファ６２の挿入装出用のスロット５６に整合させる。第４図は、ラック６４が、ウェファ６６をスロット５６とゲート弁５８に通して装入及び装出できる位置にあるところを示している。装入が行われるとゲート弁５８は閉じられ、そして、ハウジング５０の外側に設置された２列のクォーツＩＲランプ９０から赤外線がハウジング５０の両側部のクォーツ窓６０を通してキャビティ又は室５２内へ照射される。」（８頁右上欄６〜１７行）
(1-8)「ロッド６６のノッチは約１／２インチの間隔で相互に離間されている。この間隔は、ロード−ロック３２、３４の中で支持されているカセット・ラック内でのウェファの間隔の２倍である。こうして間隔が倍増されることによって、ランプからの放射エネルギーのウェファへの到達がより促進され、ウェファのより良好な且つ均等な加熱が行われるようになる。又、エレベータ駆動装置８０と輸送機構２０の操作を制御する制御装置の論理装置が、処理されるウェファ６２の間に空位置を設けずそれらウェファのスタックを圧縮されたものにし、これによって予熱処理の制御がより良好に行われ、そしてウェファ６２の加熱が均等に行われる。」（８頁左下欄９〜２０行）
(1-9)「第１バッチのウェファの加熱は、ウェファ６２の温度を直接読取るセンサ９２によって感知される。ランプ列９０へ供給されるエネルギーがセンサ９３、９４からの信号に応答して制御されて典型的には２５０℃から５００℃の範囲の所定の予熱温度に徐々に近付けられ、その温度に保持される。吸収された水蒸気その他のガスをウェファ６２から除去するためのこの予熱処理は上記の所定温度で１０から３０分間続けなければならない。モジュール内でのウェファ６２の予熱が完了するとゲート弁５８が開かれ、そしてそれらウェファが１つずつ逐次的に輸送モジュール１２とコンジット１６を通して後部輸送モジュール１４へ移送され、ここからウェファはそれぞれに、そのモジュール１４に結合した５つの処理室２２−３０のいずれか又は全てに逐次に入出して処理を施される。各ウェファは処理が終わるとコンジット１６を通して輸送モジュール１２へ戻され、そしてロードロック３２、３４のいずれか一方、好適には・・（中略）・・戻される。第１バッチのウェファの移送が行われている間、予熱モジュール４４内の第２バッチのウェファが同様に加熱されている。第２バッチのウェファが予熱されてしまうまでに第３バッチが同様にして第１予熱モジュール４２内に挿入され、こうしてシーケンスは１つのバッチから次のバッチへと同じ態様で続行されていく。」（８頁右下欄２２行〜９頁左上欄２１行）
(1-10)「後部輸送モジュール１４は、６個の隣接モジュールと結合する６つのモジュール結合面又は側部を持っている。図示の実施例では、・・（中略）・・軟エッチングモジュール２２・・（中略）・・第１スパッタ・コーティング・モジュール２４・・（中略）・・迅速熱処理（ＲＴＰ）モジュール２６・・（中略）・・スパッタリング・モジュール２８・・（中略）・・化学蒸着（ＣＶＤ）のような別の処理モジュール３０が結合される。」（７頁右上欄５〜２４行）
（引用例２）
　特開平２−１３２８４０号公報（平成４年２月４日に発行された「特許法第１７条の２の規定による補正の掲載」に記載されている部分も含む。以下、「引用例２」という。申立人２の甲第４号証に該当。）には、「製造装置」に関し、次の事項が記載されている。
(2-1)「当業者に周知の如く、ＩＣ等の半導体装置の製造には、シリコンのような半導体単結晶のウエハ（以下、単にウエハと略称）にトランジスタ等の素子を形成するために、多数の微細加工が含まれるが、・・・」（７７頁左下欄１４〜１８行）
(2-2)「先ず、１つ目の、即ち、最初のウエハＷを受取ったピンセット１１２を予備加熱ステーション１０３に向かって移動させ、該ウエハＷを・・（中略）・・図示しないヒータプレート上に載置して予備加熱する。・・（中略）・・又、この時、ウエハをヒータプレート上に直接接触させず、ピンセット１２１の支点２２，２３，２４による三点支持を介しての移載により０．３ｍｍ程度浮かせるとゴミ対策が良好である。この間にピンセット１２１を移動させて２番目のウエハＷをカセット１２２から取出し、インターフェース機構３０に待機させておき、最初のウエハＷを予備加熱ステーション１０３に搬入し終わった後、保持機構１１０はインターフェース機構３０から２番目のウエハＷをピンセット１１２で受取り、・・（中略）・・予備加熱ステーション１０３での最初のウエハＷの処理が終了するまでそのまま待機する。そして、最初のウエハＷの予備加熱処理が終了すると、保持搬送機構１１０は以下の動作を行う。即ち、先ず、ウエハＷを保持していないピンセット１１３を移動させることにより、予備加熱処理が終了した最初のウエハＷを予備加熱ステーション１０３から取出す。このようにして予備加熱処理ステーション１０３を空にした後、２番目のウエハＷを保持しているピンセット１１２を作動させ、該２番目のウエハＷを予備加熱ステーション１０３にセットする。次いで、ピンセット１１２，１１３を・・（中略）・・この最初のウエハＷを冷却ステーション１０４にセットする。・・（中略）・・尚、上述の動作が行われている間に、搬出入機構１２０では、ピンセット１２１により次に処理する３番目のウエハＷをインターフェース機構３０に待機させておく。次に、保持搬送機構１１０はインターフェース機構３０から３番目のウエハＷをピンセット１１２に保持して、冷却ステーション１０４での処理が終了するまで待機させる。そして、最初のウエハＷの冷却工程が終了した時、保持搬送機構１１０はウエハＷを保持していない方のピンセット１１３で冷却ステーション１０４内のウエハＷを取出し、次にプログラムされたフォトレジスト膜の塗布工程のための通路１０２の反対側の第１の塗布ステーションにセットする。」（８２頁左上欄１行〜同頁右下欄欄４行）
（引用例３）
　米国特許第３，１４４，０７９号明細書（申立人２の甲第１号証に該当。以下、「引用例３」という。）には、「導管を有する棚構造」に関し、次の事項が記載されている。
(3-1)「図１は、本発明の実施例である冷凍庫の斜視図であり、図２は、包囲する筐体の無い状態の本発明の部材の相対的な位置を示す斜視図であり、図３は、様々な距離に離間配置された棚を示す、図２と同様な図である。」（１欄４７〜５３行）
(3-2)「図１は、壁部２２と蝶番にて接続されたドア２４とを有する冷却収納庫２０を示す。閉じた状態にて、壁部２２及びドア２４は、箱２６を包囲し、箱において、本発明の棚が支持されている。複数の棚２８，３０，３２，３４が、鉛直方向に離間配置され、本実施例において、空間２６において、適宜または周知の構造によって支持部３６に支持され、箱の壁部に接続されると共に、本発明の棚構造を支持するのに十分な距離で箱の壁部から内側に延在している。」（２欄２７〜３８行）
(3-3)「熱流導管、図１及び２においては３８、図３においては３８’は、継ぎ手のない一様又は均一の管である。」（２欄６０〜６２行）
(3-4)図１〜図３には、熱流導管３８ないし３８’は、複数の棚２８，３０，３２，３４ないし２８’，３０’，３２’，３４’の下方に取付けられ、直接複数の棚を冷却する構成のものが示されている。
３．２．２　対比・判断
（本件訂正発明１〜６について）
　上記引用例１には、「半導体シリコンウェファのコーティング又はエッチング処理」（上記「(1-1)」参照）に関し、複数のシリコンウェファが配置されたカセットがロード−ロック３２、３４から挿入され、このロード−ロック３２、３４を真空環境にしてシリコンウェファを輸送腕２０で移送（上記「(1-2)」〜「(1-4)」参照）し、バッチ予熱、脱気、又は着脱モジュール４２，４４でシリコンウェファを予熱する処理手段（上記「(1-5)参照）が示されている。
　また、予熱モジュール４２の予熱室５２については、「高真空に保たれ」（上記「(1-6)」参照）と記載され、その予熱室５２の中では「ウェファはクォーツのラック６４上に支持される。このクォーツラックは上端部プレート６７と下端部プレート６９とに支持されるノッチ付きロッド６６によって作られる。」（上記「(1-6)」参照）と記載されていると共に「ロッド６６のノッチは約１／２インチの間隔で相互に離間されている。この間隔は、ロード−ロック３２、３４の中で支持されているカセット・ラック内でのウェファの間隔の２倍である。こうして間隔が倍増されることによって、ランプからの放射エネルギーのウェファへの到達がより促進され、ウェファのより良好な且つ均等な加熱が行われるようになる。」（上記「(1-8)」参照）と記載されている。また、予熱モジュール４２，４４でのシリコンウェファの加熱についても、予熱室５０の外部に設けられた「ＩＲランプ」による「バッチ式」（上記「(1-6)」〜「(1-9)」参照）であると記載されており、そして、上記「ランプからの放射エネルギーのウェファへの到達がより促進され、ウェファのより良好な且つ均等な加熱が行われるようになる。」という記載から、カセットラック内の複数のシリコンウェファは、ランプからの赤外線により直接加熱されるものであるとするのが相当である。
　さらには、予熱処理工程及びその後の工程についても、「吸収された水蒸気その他のガスをウェファ６２から除去するためのこの予熱処理は上記の所定温度で１０から３０分間続けなければならない。ウェファ６２の予熱が完了するとゲート弁５８が開かれ、そしてそれらウェファが１つずつ逐次的に輸送モジュール１２とコンジット１６を通して後部輸送モジュール１４へ移送され、ここからウェファはそれぞれにそのモジュール１４に結合した５つの処理室２２−３０のいずれか又は全てに逐次に入出して処理を施される」（上記(1-9)」参照）と記載され、そして、この記載中の「予熱が完了」という用語から、引用例１の予熱処理とは、その後もシリコンウェファの加熱を続けることではなく、シリコンウェファを１つずつ逐次的に移送する際には加熱を停止していると解するのが相当である。
　してみると、上記引用例１には、「シリコンウェファの加熱装置」ないしは「シリコンウェファの加熱方法」の観点でまとめると、
『複数のシリコンウェファを収容可能な高真空に保持される予熱室５２と、該予熱室５２内に設けられた複数のシリコンウェファを支持するノッチ付きロッド６６から作られるクォーツのラック６４と、シリコンウェファを直接加熱するための予熱室５２の外部に設けられた赤外線源と、予熱完了後には加熱を停止してシリコンウェファを１つずつ逐次的に次の工程へ移送する輸送モジュールとを有するシリコンウェファ加熱装置。』
の発明（以下、「引用例１装置発明」という。）
及び、
『複数のシリコンウェファを高真空に保持される予熱室５２内に設けられたノッチ付きロッド６６から作られるクォーツのラック６４に支持し、予熱室５２の外部から赤外線を照射してシリコンウェファを直接加熱し、予熱完了後には加熱を停止して輸送モジュールによりシリコンウェファを１つずつ逐次的に次の工程へ移送するようになしたシリコンウェファの加熱方法。』
の発明（以下、「引用例１方法発明」という。）
が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明１と上記引用例１装置発明とを対比すると、上記引用例１装置発明の「ノッチ付きロッド６６から作られるクォーツのラック６４」は、複数のシリコンウェファを支持するものであり、これは、本件訂正発明１における「カセット」に相当し、また、引用例１装置発明の「高真空に保持される予熱室５２」は、上記「ノッチ付きロッド６６から作られるクォーツのラック６４」が内部に配置されるものであり、これは、本件訂正発明１の「加熱真空チャンバ」に相当するから、両者は、「複数の基板を収容可能なカセットを有する加熱真空チャンバ」である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明１は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、上記引用例１装置発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明１は、
「（ａ）加熱又は冷却される側壁部と、
　（ｂ）前記側壁部を加熱又は冷却する手段と、
　（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、
　（ｄ）前記ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板を支持する不伝導の支持部と、」
を有しているのに対し、上記引用例１装置発明はこのような構成を備えていない点
　そこで、上記相違点について検討する。
　上記引用例２には、複数の半導体ウェハＷをそれぞれ１枚ずつ予備加熱処理工程、冷却処理工程及びレジスト塗布処理工程と順に移送しながら各工程を処理する装置が記載されているが、この処理装置はウェハＷを１枚ずつピンセット１１２に支持したままヒータプレートからわずかに浮かせて予備加熱を行うものであり、このヒータプレートの具体的構成が示唆されてはいないが、少なくとも複数のウェハを同時に加熱することを示唆するものでないことは明らかである。
　また、上記引用例３には冷蔵庫ないしは冷凍庫の複数の冷却棚を熱流導管により冷却する構成が記載されているにすぎない。
　そして、本件訂正発明１は、上記相違点（１）及び（２）の構成を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明１は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　また、本件訂正発明２〜６も、本件訂正発明１をさらに限定した発明であるから、本件訂正発明１について述べたと同様の理由で、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明７及び８について）
　本件訂正発明７と上記引用例１装置発明とを対比すると、上記引用例１装置発明の「ノッチ付きロッド６６から作られるクォーツのラック６４」は、複数の基板を支持するものであり、これは、本件訂正発明７における「カセット」に相当するから、両者は、「複数の基板を収容可能なカセット」である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明７は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、上記引用例１装置発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明７は、カセットが、少なくとも
「（ａ）冷却される側壁部と、
　（ｂ）前記側壁部を冷却する手段と、
　（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続され、その間に前記基板が配置される複数の熱伝導棚と」
を備えているのに対し、引用例１装置発明は、「シリコンウェファの加熱装置」であるから、「冷却」に関する上記の構成を備えていない点
　そこで、上記相違点について検討する。
　上記引用例３には、冷蔵庫ないしは冷凍庫内の複数の冷却棚全体に熱流導管を張りめぐらせて冷却棚を冷却する構成が記載されているが、これは、冷却棚の側壁部という特定の部材だけを冷却することにより冷却棚を冷却するものではないから、上記相違点（２）を示唆するものではない。
　また、上記引用例２には、複数のウェファをそれぞれ１枚ずつ予備加熱処理工程、冷却処理工程及びレジスト塗布処理工程と順に移送しながら、各工程を処理する装置が記載されているが、この装置も冷却処理工程のための冷却ステーション１０４の具体的構成が全く不明であるから、上記相違点（２）を示唆するものではない。
　そして、本件訂正発明７は、上記相違点（１）及び（２）の構成を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明７は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　また、本件訂正発明８も、本件訂正発明７をさらに限定した発明であるから、上記本件訂正発明７について述べたと同様の理由で、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明９〜１２について）
　本件訂正発明９と上記引用例１装置発明とを対比すると、上記引用例１装置発明の「ノッチ付きロッド６６から作られるクォーツのラック６４」及び「予熱室５２」は、本件訂正発明１についてのところで述べたように、本件訂正発明９の「カセット」及び「カセットが内部に配置されるチャンバ」に相当するから、両者は、「複数の基板を収容可能なカセットが内部に配置されるチャンバ」である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明９は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、上記引用例１装置発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明９は、カセットが、
「（ａ）加熱又は冷却される側壁部と、
　（ｂ）前記側壁部を加熱又は冷却する手段と、
　（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、
　（ｄ）前記ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板を支持する支持部と、」
を備えているのに対し、上記引用例１装置発明はこのような構成を備えていない点
　そこで、上記相違点について検討すると、上記引用例２及び３には、本件訂正発明１についてのところで述べたように、少なくとも上記相違点（２）が示唆されていない。
　そして、本件訂正発明９は、上記相違点（１）及び（２）の構成を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明９は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　また、本件訂正発明１０〜１２も、本件訂正発明９をさらに限定した発明であるから、本件訂正発明９について述べたと同様の理由で、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明１３について）
　本件訂正発明１３と上記引用例１方法発明とを対比すると、両者は、「基板を加熱する方法」である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明１３は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、上記引用例１方法発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明１３は、
「（ａ）前記ガラス基板を熱伝導棚間に配置し、支持部で前記ガラス基板を支持する工程と、
　（ｂ）前記熱伝導棚を間接的に加熱又は冷却し、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程」
とを備えているのに対し、上記引用例１方法発明はこのような工程を備えていない点
　そこで上記相違点について検討する。
　上記引用例２には、複数の半導体ウェハＷをそれぞれ１枚ずつ予備加熱処理工程、冷却処理工程及びレジスト塗布処理工程と順に移送しながら各工程を処理する方法が記載されているが、この処理方法は、ウェハＷを１枚ずつピンセット１１２に支持したままヒータプレートからわずかに浮かせて予備加熱するものであり、このヒータプレートの具体的構成は示唆されていないが、少なくともウェハＷを熱伝導棚間に配置して加熱する方法を示唆するものではないことは明らかである。
　また、上記引用例３には冷蔵庫ないしは冷凍庫の複数の冷却棚を熱流導管により冷却する構成が記載されているにすぎない。
　そして、本件訂正発明１３は、上記相違点（１）及び（２）を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明１３は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明１４〜１６について）
　上記引用例１には、「輸送モジュール１２，１４内にウェファ輸送機構又はロボット腕２０」（上記「(1-3)」参照）を有し、「ロード−ロック３２、３４」に複数のウェファを挿入し、「ロードロックの内部ロードロック室を減封し、そこでその内部室を真空環境にして、ウェファを個別に輸送腕２０で移送し」（上記「(1-4)」参照）て「輸送室１８」を経て「バッチ予熱、脱気、又は着脱モジュール４２，４４」（上記「(1-5)」〜「(1-6)」参照）に移送すること及び「各ウェファは処理が終わるとコンジット１６を通して輸送モジュール１２へ戻され、そしてロードロック３２、３４のいずれか一方」に戻され（上記「(1-9)」参照）、そして、「ここから装出される」（上記「(1-4)」参照）ことが記載されている。
　また、シリコンウェファの具体的処理については、「特に、シリコンウェファの表面に付いた及び吸収された水蒸気及び他のガスのような不純物を、ウェファのコーティング又はエッチングに先立って除去することに関する。」（上記[(1-1)」参照）、「ウェファ６２の予熱が完了するとゲート弁５８が開かれ、そしてそれらウェファが１つずつ逐次的に輸送モジュール１２とコンジット１６を通して後部輸送モジュール１４へ移送され、ここからウェファはそれぞれにそのモジュール１４に結合した５つの処理室２２−３０のいずれか又は全てに逐次に入出して処理を施される」及び「第１スパッタ・コーティング・モジュール２４・・（中略）・・迅速熱処理（ＲＴＰ）モジュール２６・・（中略）・・スパッタリング・モジュール２８・・（中略）・・化学蒸着（ＣＶＤ）のような別の処理モジュール３０」（上記「(1-10)」参照）と記載されているから、シリコンウェファの予熱を完了した後に処理室２４，２８ないしは３０へ移送して薄膜を堆積することも記載されている。
　してみると、上記引用例１には、「薄膜堆積装置」ないしは「薄膜堆積方法」の観点でまとめると、
『排気可能な輸送室１８と、前記輸送室１８に直接に接続され、高真空に保持される予熱室５２と、該予熱室５２内に設けられた複数のシリコンウェファを支持するノッチ付きロッド６６から作られるクォーツのラック６４と、シリコンウェファを直接加熱するための予熱室５２の外部に設けられた赤外線源と、前記輸送室１８に直接接続された処理室２２−３０と、前記輸送室１８に直接接続されたシリコンウェファを装置内外に搬送するためのロードロック３２，３４と、前記輸送室１８の輸送モジュール１２，１４内に配置され前記ロードロック３２，３４、前記予熱室３２及び前記処理室２２−３０に前記シリコンウェファを移動させるための輸送機構２０と、を備える薄膜堆積装置。』
の発明（以下、「引用例１膜処理装置の発明」という。）
及び、
『ロードロック３２，３４内に複数のシリコンウェファを装填し、前記ロードロック内の室を真空に排気し、搬送されたシリコンウェファのそれぞれを高真空に保持される予熱室５２内に設けられたノッチ付きロッド６６から作られるクォーツのラック６４に支持し、予熱室５２の外部から赤外線を照射してシリコンウェファを直接加熱し、予熱完了後には加熱を停止して輸送室１８の輸送モジュール１２，１４内に配置される輸送機構２０によりシリコンウェファを１つずつ逐次的に処理室に移送し、該処理室内でシリコンウェファ上に薄膜を堆積し、処理終了後にロードロック３２，３４を経てシリコンウェファを外部に装出するようになしたシリコンウェファ上に薄膜を堆積する方法。』の発明（以下、「引用例１薄膜堆積方法の発明」という。）
が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明１４と上記引用例１薄膜堆積方法の発明とを対比すると、上記引用例１薄膜堆積方法の発明の「高真空に保持される予熱室５２」は「複数のシリコンウェファ」を内部に配置して高真空下で加熱するためのものであり、これは、本件訂正発明１４の「加熱真空チャンバ」に相当し、また、上記引用例１薄膜堆積方法の発明の「処理室」は、シリコンウェファ上に薄膜を堆積する室であり、これは、本件訂正発明１４の「膜プロセスチャンバ」に相当するから、両者は、
「基板上に薄膜を堆積する薄膜堆積方法であって、
　（ａ）真空チャンバ内に配置された基板を加熱する工程と、
　（ｂ）前記基板を１つずつ膜プロセスチャンバに移動させる工程と、
　（ｃ）前記膜プロセスチャンバ内で前記基板上に薄膜を堆積する工程
を備える膜堆積方法。」
である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明１４は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明１４は、「真空チャンバ内に配置された基板を加熱する工程」が、「（ａ）真空チャンバ内に配置された熱伝導棚間に前記ガラス基板を配置し、支持部で前記ガラス基板を支持し、前記熱伝導棚を加熱することによって前記ガラス基板を加熱する工程」であるのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明はこのような構成を有していない点
（３）本件訂正発明１４は、薄膜を形成した基板を「冷却チャンバに移動させる工程」及び「冷却チャンバ内で冷却する工程」を有しているのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明はこのような構成を有していない点
　そこで上記相違点について検討する。
　上記引用例２には、複数の半導体ウェハＷをそれぞれ１枚ずつ予備加熱処理工程、冷却処理工程及びレジスト塗布処理工程と順に移送しながら各工程を処理する方法が記載されているが、この処理方法は、ウェハＷを１枚ずつピンセット１１２に支持したままヒータプレートからわずかに浮かせて予備加熱するものであり、このヒータプレートの具体的構成は示唆されていないが、少なくともウェハＷを熱伝導棚間に配置して加熱する方法を示唆するものではないことは明らかである。
　また、上記引用例３には冷蔵庫ないしは冷凍庫の複数の冷却棚を熱流導管により冷却する構成が記載されているにすぎない。
　そして、本件訂正発明１４は、上記相違点（１）〜（３）を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明１４は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　さらに、本件訂正発明１５及び１６も、本件訂正発明１４をさらに限定した発明であるから、上記本件訂正発明１４について述べたと同様の理由で、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明１７について）
　本件訂正発明１７と上記引用例１薄膜堆積方法の発明とを対比すると、上記引用例１薄膜堆積方法の発明の「予熱室５２」及び「処理室」は、上記本件訂正発明１４についてのところで述べたように、本件訂正発明１７の「複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバ」及び「単一基板プロセスチャンバ」に相当し、また、上記引用例１薄膜堆積方法の発明の「輸送室１８」は、真空に保たれると共にロードロック３２，３４、予熱室５２及び処理室２２−３０を接続する室であり、これは、本件訂正発明１７の「接続用真空搬送チャンバ」に相当するから、両者は、
「基板上の膜処理を行う方法であって、
　（ａ）ロードロックチャンバ内に複数の基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、
　（ｂ）複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、１以上の基板を搬送する工程と、
　（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを前記搬送チャンバを介して単一基板プロセスチャンバに搬送する工程と、
を備える方法」
である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明１７は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、上記引用例１方法発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明１７は、「複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバ」が「熱伝導棚」を有しているのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明はこのような構成を有していない点
（３）本件訂正発明１７は、加熱された基板の１つを単一基板プロセスチャンバに搬送する工程が「加熱された基板の１つを他の基板が加熱されている間」に搬送するものであるのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明はこのような構成を備えていない点
（４）本件訂正発明１７は、「（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を冷却チャンバに搬送する工程」を備えているのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明はこのような構成を備えていない点
　そこで、上記相違点について検討する。
　上記引用例２には、複数の半導体ウェハＷをそれぞれ１枚ずつ予備加熱処理工程、冷却処理工程及びレジスト塗布処理工程と順に移送しながら各工程を処理する方法が記載されているが、この処理方法は、ウェハＷを１枚ずつピンセット１１２に支持したままヒータプレートからわずかに浮かせて予備加熱するものであり、このヒータプレートの具体的構成は示唆されていないが、少なくとも複数のウェハＷを同時に加熱して各工程を処理する方法を示唆するものではないことは明らかである。
　また、上記引用例３には、冷蔵庫ないしは冷凍庫の複数の冷却棚を熱流導管により冷却する構成が記載されているにすぎない。
　そして、本件訂正発明１７は、上記相違点（１）〜（４）の構成を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）及び（３）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明１７は、上記引用例１〜３に記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明１８及び１９について）
　本件訂正発明１８と上記引用例１薄膜堆積方法の発明とを対比すると、上記引用例１薄膜堆積方法の発明の「予熱室５２」、「処理室」及び「輸送室１８」は、本件訂正発明１７についてのところで述べたように、それぞれ本件訂正発明１８の「上昇した温度まで複数基板を加熱するチャンバ」、「単一プロセスチャンバ」及び「接続用真空搬送チャンバ」に相当するから、両者は、
「基板上の膜処理を行う方法であって、
　（ａ）ロードロックチャンバ内に複数の基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、
　（ｂ）搬送された基板のそれぞれを個別に支持し、上昇した温度まで複数基板を加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、前記基板を搬送する工程と、
　（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを前記搬送チャンバを介して単一プロセスチャンバに搬送する工程と、
　（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を工程（ａ）のロードロックチャンバ内に搬送する工程と、
を備える方法。」
である点では一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明１８は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明１８は、「上昇した温度まで複数基板を加熱するチャンバ」が「搬送された基板のそれぞれを個別に支持し且つ加熱するための複数の熱伝導棚」を有しているのに対し、上記引用例１方法発明はこのような構成を備えていない点
（３）本件訂正発明１８は、「ロードロックチャンバ内」で「冷却」するようにしているのに対し、上記引用例１方法発明はこのような構成を備えていない点
　そこで上記相違点について検討すると、上記引用例２及び３には、本件訂正発明１７についてのところで述べたように、少なくとも上記相違点（２）が示唆されていない。
　そして、本件訂正発明１８は、上記相違点（１）〜（３）の構成を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明１８は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　また、本件訂正発明１９も、本件訂正発明１８をさらに限定した発明であるから、上記本件訂正発明１８について述べたと同様の理由で、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明２０について）
　本件訂正発明２０と上記引用例１薄膜堆積方法の発明とを対比すると、上記引用例１薄膜堆積方法の発明の「高真空に保持される予熱室５２」及び「処理室」は、上記本件訂正発明１７についてのところで述べたように、それぞれ本件訂正発明２０の「複数の基板を収容して加熱するため」の「排気可能な加熱チャンバ」及び「プロセスチャンバ」に相当し、また、上記引用例１薄膜堆積方法の発明の「輸送室１８」は、真空に保たれると共にロードロック３２，３４、予熱室５２及び処理室２２−３０を接続する室であり、これは、本件訂正発明２０の「排気可能な第１チャンバ」に相当するから、両者は、
「排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱するための排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いた基板を処理するための方法であって、
　（ａ）基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させる工程と、
　（ｂ）前記加熱チャンバ内で前記基板を加熱する工程と、
　（ｃ）前記基板を前記加熱チャンバから前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、
　（ｅ）前記プロセスチャンバから前記基板を取出す工程と、
を備えている基板処理方法。」である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明２０は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明２０は、前記（ａ）工程で基板を「加熱チャンバ内の隣接する棚間に前記基板を配置する」ようになしているのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明工程はこのような構成を備えていない点
（３）本件訂正発明２０は、「前記工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）において、前記加熱チャンバ内には前記ガラス基板とは異なる１以上のガラス基板が含まれており、他のガラス基板は工程（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）の間に加熱されている」ような構成を備えているのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明工程はこのような構成を備えていない点
　そこで上記相違点について検討すると、上記引用例２及び３には、本件訂正発明１７についてのところで述べたように、少なくとも上記相違点（２）及び（３）が示唆されていない。
　そして、本件訂正発明２０は、上記相違点（１）〜（３）の構成を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）及び（３）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明２０は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明２１について）
　本件訂正発明２１と上記引用例１薄膜堆積方法の発明とを対比すると、上記引用例１薄膜堆積方法の発明の「高真空に保持される予熱室５２」、「処理室」及び「輸送室１８」は、本件訂正発明２０についてのところで述べたように、それぞれ本件訂正発明２１の「複数の基板を収容して加熱する」の「排気可能な加熱チャンバ」、「プロセスチャンバ」及び「排気可能な第１チャンバ」に相当するから、両者は、
「排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いた基板を処理する方法であって、
　（ａ）複数の基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させる工程と、
　（ｂ）前記加熱チャンバ内で前記基板を加熱する工程と、
　（ｃ）１つの前記基板を前記加熱チャンバから取り除いてそれを前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、
　（ｄ）前記取り除かれた基板をプロセスチャンバ内で処理する工程と、
　（ｅ）前記プロセスチャンバから前記ガラス基板を取出す工程と、
を備える基板処理方法。」
である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明２１は、基板が「ガラス基板」であるのに対し、記引用例１薄膜堆積方法の発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明２１は、前記（ｃ）工程で１つの基板を加熱チャンバから取り除いてそれをプロセスチャンバ内へ移動させる際に「前記加熱チャンバ内に残っている基板を加熱しながら」行うようになしているのに対し、上記引用例１薄膜堆積方法の発明はこのような構成を備えていない点
　そこで、上記相違点について検討すると、上記引用例２及び３には、本件訂正発明２０についてのところで述べたように、少なくとも上記相違点（２）が示唆されていない。
　そして、本件訂正発明２１は、少なくとも上記相違点（１）及び（２）の構成を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明２１は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
（本件訂正発明２２について）
　本件訂正発明２２と上記引用例１薄膜堆積装置の発明と対比すると、上記引用例１薄膜堆積装置の発明の「予熱室５２」は「複数のシリコンウェファ」を内部に配置して加熱するためのものであり、これは、本件訂正発明２２の「複数の基板を収容して加熱する加熱チャンバ」に相当し、また、上記引用例１薄膜堆積装置の発明の「処理室」は、シリコンウェファ上に薄膜を堆積するためのプロセスが行われる室であり、これは、本件訂正発明２２の「プロセスチャンバ」に相当し、また、上記引用例１薄膜堆積装置の発明の「輸送室１８」は、真空に保たれると共にロードロック３２，３４、予熱室５２及び処理室２２−３０を接続する室であるから、これは、本件訂正発明２０の「搬送チャンバ」に相当し、また、上記引用例１薄膜堆積装置の発明の「輸送機構２０」は、輸送室１８の輸送モジュール１２，１４内に配置されロードロック３２，３４、予熱室３２及び処理室２２−３０にシリコンウェファを移動させるための手段であり、これは、本件訂正発明２２の「ロボット」に相当するから、両者は、
「基板を処理するための真空処理システムであって、
　（ａ）排気可能な搬送チャンバと、
　（ｂ）前記搬送チャンバに直接接続され、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱するための加熱チャンバと、
　（ｃ）前記搬送チャンバに直接に接続されたプロセスチャンバと、
　（ｄ）前記真空処理システム内外に前記基板を搬送するため、前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つのロードロックチャンバと、
　（ｅ）前記搬送チャンバ内に配置され、前記ロードロックチャンバ、前記加熱チャンバ及び前記プロセスチャンバに前記基板を移動させるロボットと、
を備える基板処理システム」
である点で一致するが、次の点で相違している。
（１）本件訂正発明２２は、基板が「ガラス」であるのに対し、上記引用例１薄膜堆積装置の発明は「シリコンウェファ」である点
（２）本件訂正発明２２は、「複数の基板を内部に収容して加熱する加熱チャンバ」が、「複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱するための複数の棚を含む」構成であるのに対し、上記引用例１装置発明はこのような構成を有していない点
　そこで上記相違点について検討すると、上記引用例２及び３には、本件訂正発明１についてのところで述べたように、少なくとも上記相違点（２）が示唆されていない。
　そして、本件訂正発明２２は、上記相違点（１）及び（２）の構成を備えることにより、特許明細書の段落【００３１】に記載のとおりの効果を奏するものである。
　してみれば、少なくとも上記相違点（２）は、上記引用例１〜３のいずれにも示唆されていないから、本件訂正発明２２は、上記引用例１〜３のいずれかに記載された発明であるとすることはできないし、上記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
３．３　特許法第１７条の２第２項についての判断
　本件訂正明細書には、別途下記「III．２．２．１（１）」〜「III．２．２．１（６）」で述べるように、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項違反はない。
３．４　特許法第３６条第５項第２号についての判断
　本件訂正明細書には、別途下記「III．２．２．２（１）」〜「III．２．２．２（３）」で述べるように、特許法第３６条第５項第２号違反はない。
４．まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立についての判断
１．本件発明
　上記「II．４．」で述べたように、上記訂正を認めることができるから、本件特許の請求項１〜２２に係る発明は、上記「II．３．１」に摘記した請求項１〜２２に記載されたとおりのものである。
２．申立人１（アネルバ株式会社）について
２．１　申立ての理由の概要
２．１．１　申立ての理由の概要（その１）
　申立ての理由の概要（その１）は、本件特許の請求項１〜１３に係る発明及び請求項１７〜２３に係る発明は、平成９年１２月２６日付けの手続補正書による補正が願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものではないから、該発明の特許は特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項の規定に違反してなされたものであると主張するものであり、具体的には次のとおりである。
（ａ）本件特許の請求項１〜８及び２０〜２３に係る発明は、処理対象が「基板」となっているが、願書に最初に添付した明細書及び図面には処理対象として「ガラス基板」しか記載されていないから、処理対象を「基板」とする補正は、ガラス基板以外の処理対象をも包含することとするものである。
（ｂ）本件請求項１〜６及び９〜１２に係る発明は、「前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚」を、請求項７〜８に係る発明は、「前記側壁部に熱的に接続され、その間に前記基板が配置される複数の熱伝導棚」を、また、請求項１３に係る発明は、「熱伝導棚を間接的に加熱又は冷却」することを、それぞれ発明の構成とするものであるが、願書に最初に添付した明細書及び図面には、「熱伝導棚が側壁部と直接接続」された構成のものしか記載されていないから、上記の事項を本件発明の構成とする補正は、側壁部に対して間接的に熱的に接続されている熱伝導棚をもその構成とするものである。
（ｃ）本件特許の請求項１７及び１８に係る発明は、ガラス基板を加熱又は冷却する具体的工程を何ら限定するものではないが、願書に最初に添付した明細書及び図面には、ガラス基板の加熱に関し、チャンバ内に設けられるカセットの側壁を加熱することにより熱伝導棚を熱し、それにより熱せられた熱伝導棚からの放射により、熱伝導棚上に支持部を介して設けられたガラス基板を加熱する工程しか記載されていないから、この工程に限らないとする補正は、この工程以外の工程をも包含することとするものである。
（ｄ）本件特許の請求項７及び８に係る発明は、「その間に前記基板が配置される複数の熱伝導棚」を構成としているが、願書に最初に添付した明細書及び図面には、熱伝導棚と基板とが直接接触している構成については記載されていないから、上記の事項を本件発明の構成とする補正は、当初の明細書に記載のない事項を本件発明の構成に包含することとするものである。
（ｅ）本件特許の請求項９〜１２に係る発明は、「支持部」の材質を限定するものではないが、願書に最初に添付した明細書及び図面には、「支持部」について、熱伝導しない材料もしくは不伝導な材料としか記載されていないから、「支持部」の材質を限定しない補正は、「支持部」の材質に良熱伝導体をも包含することとするものである。
２．１．２　申立ての理由の概要（その２）　
申立ての理由の概要（その２）は、本件特許の請求項１〜６に係る発明及び請求項９〜２３に係る発明は、発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載したものではないから、該発明の特許は、特許法第３６条第５項第２号の規定に違反してなされたものであると主張するものであり、具体的には次のとおりである。
（イ）本件特許の請求項１〜６に係る発明は、「不伝導の支持部」を発明の構成に欠くことのできない事項としているが、「不伝導」の意味が不明である。
（ロ）本件特許の請求項９〜１２に係る発明は、「支持部」を発明の構成に欠くことのできない事項としているが、支持部の材質が限定されていない。
（ハ）本件特許の請求項１３に係る発明は、「熱伝導棚を間接的に加熱又は冷却」することを発明の構成に欠くことのできない事項としているが、如何なる手段によって「間接に加熱又は冷却」するのか不明である。
（ニ）本件特許の請求項１４〜１６に係る発明は、「真空チャンバ内に配置された熱伝導棚に前記ガラス板を配置し、支持部で前記ガラス基板を支持し、前記熱伝導棚を加熱することによって前記ガラス板を加熱する工程」を発明の構成に欠くことのできない事項としているが、熱伝導棚が存在するのは真空中であり、しかも熱伝導棚がどのように真空中チャンバ内に配置されているのか不明であるから、熱伝導棚を加熱するための手法・手段が不明である。
（ホ）本件特許明細書及び図面には、本件請求項１７〜２２に係る発明は、ガラス基板を加熱もしくは冷却する手段が限定されていないから、どのようにガラス基板を加熱もしくは冷却するのかが不明である。
　また、本件請求項１７〜２２に係る発明は、「複数の基板を上昇した温度まで」加熱することをその構成としているが、かかる記載は、その意味が明確でない。
２．２　当審の判断
２．２．１　申立ての理由の概要（その１）について
（１）上記（ａ）の点について
　上記（ａ）の点は、上記訂正事項ｂにより、「基板」が「ガラス基板」に訂正されたことにより、解消された。
（２）上記（ｂ）の点について
　願書に最初に添付した明細書には、「側壁部１２および１４の内側は、複数の熱伝導棚２８を装備している。棚２８は、棚２８の温度の高速かつ均一な制御を実施するために壁１２及び１４に良好に接触していなければならず、壁１２および１４が加熱されるか冷却されるかに依存している。」（特開昭６−２３９６３５号公報第５欄１９〜２３行、段落【００１５】参照。）と記載されており、この記載によれば、熱伝導棚が側壁部に良好に接触して熱伝導がなされればよいのであり、この目的を達成するならば、両者の良好な接触とは、直接的な接続に限らないとするのが相当であるから、間接的な接続を除外する異議申立人の上記主張は理由がない。　
（３）上記（ｃ）の点について
　上記（ｃ）の点は、上記訂正事項ｃ及びｄにより、チャンバが具体的に限定されたことにより、解消された。
（４）上記（ｄ）の点について
　願書に最初に添付した明細書及び図面には、支持部３０を介してではあるが、ガラス基板が複数の熱伝導棚の「間」に設けられることが記載されているから、本件訂正発明７及び８は本件特許に係る出願の願書に最初に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものである。
　したがって、申立人１の上記（ｄ）の主張は理由がない。
（５）上記（ｅ）の点について
　願書に最初に添付した明細書には、「本発明は特定実施例で記述されたが、本発明は上記に限られるものでなく、種々の変形が考えられる。例えば、ここで述べたようなカセット、棚、ガラス基板支持部などには他の種々の材料が代替可能であり、・・・」（同公開公報８欄４０〜４３行、段落【００３０】参照。）と記載されており、これは、支持部の材料が熱の不伝導性材料であれば好適であるも、この材料に限らないことを示唆するものであるから、申立人１の上記（ｅ）の主張は理由がない。
（６）回答書における主張について
　申立人１は、平成１２年６月５日付けの回答書において、本件発明１７は、「（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の一つを他の基板が加熱されている間に前記搬送チャンバを介して単一基板プロセスチャンバに搬送する工程」を発明の構成に欠くことのできない事項としているが、このような構成は、本件特許の願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されてはいないから、このような構成を含む発明を新たに追加する平成９年１２月２６日付け補正は、特許法第１７条の２第２項で準用する同法第１７条第２項に規定する要件を満たしていないものであると主張している。
　そこで、以下、この点について検討する。
　本件特許の願書に最初に添付した明細書には、次のとおり記載されている。
　（ｉ）「従って、１群のガラス基板３２は本発明のカセットにおいてプロセス温度まで加熱され、１度に１つずつ種々の薄膜がＣＶＤプロセスチャンバ内でこれらの上に堆積され、」（同公開公報６欄４７〜５０行、段落【００２０】参照。）
　（ii）「改良されて好適なプロセスにおいては、１群の大面積ガラス基板は、冷却／ロードロックチャンバにおけるカセット内に搬送され、ここで板は真空にされ、ＣＶＤまたは他のプロセス温度にされる加熱チャンバおよび加熱カセット搬送され、１つずつ１またはこれ以上の基板プロセスチャンバに搬送され」（同公報８欄２４〜２８行、段落【００２８】参照。）
　上記（ｉ）及び（ii）の記載によれば、本件発明では、１群の複数のガラス基板３２は、加熱カセット１０内でプロセス温度まで加熱され、この複数の加熱されたガラス基板の内の１つのガラス基板だけが１つずつ基板プロセスチャンバに搬送されるものであり、このことは、図２、３、５及び７等にも図示されている。そして、この加熱、搬送、処理の工程を繰り返して１群の複数のガラス基板すべてを処理する場合には、加熱チャンバ内の加熱も当然に継続的に行われているのであり、その加熱だけが中断されるとする何らの記載や合理的な理由も見当たらない。
　してみると、願書に最初に添付した明細書には、その文言どおりの記載はないものの、「（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の一つを他の基板が加熱されている間に前記搬送チャンバを介して単一基板プロセスチャンバに搬送する工程」が明示されていたと云うべきであるから、上記回答書における申立人１の主張は理由がない。
２．２．２　申立ての理由の概要（その２）について
（１）上記（イ）の点について
　上記（イ）の点は、「不伝導」という用語自体が「電気」の不伝導であるのか「熱」の不伝導であるのかが直ちには明確ではないが、本件訂正発明１〜６は、「加熱又は冷却（する）手段」や「熱伝導棚」等の「熱」的な構成要素を発明の構成に欠くことのできない事項としており、しかも、他に「支持部」が電気的伝導性であることを窺わせる記載もないから、「支持部」の「不伝導」は「熱」の「不伝導」を意味することは明らかである。
　したがって、申立人１の上記（イ）の主張は、理由がない。
（２）上記（ロ）の点について
　上記（ロ）の点については、支持部の材質を特定しなくても本件訂正発明９〜１２の構成は明確であり、これを本件訂正発明９〜１２の構成としなければならない合理的な理由が見当たらないから、申立人１の上記（ロ）の主張は理由がない。
（３）上記（ハ）ないし（ホ）の点について
　特許異議申立人は、「間接に加熱又は冷却」する具体的な手段や「熱伝導棚を加熱」する手段、さらには「ガラス基板を加熱又は冷却」する手段が不明であると主張しているが、本件訂正発明１３〜２１（なお、訂正前の請求項２２は、上記訂正事項ｆにより、削除された。）は、これら「加熱又は冷却手段」の具体的な構成を特徴としているものではないから、その詳細な開示まで要求されるものではないし、発明の詳細な説明及び図面には、「熱伝導棚」ないしは「ガラス基板」を「間接に加熱又は冷却」するための手法等については示されている。
　してみると、本件訂正発明１３〜２１は、加熱又は冷却の具体的手段が限定されていなくとも、その構成は明確であるし、また当業者であれば容易に本件訂正発明を実施することができると云うべきである。
　また、上記（ホ）の「複数の基板を上昇した温度まで加熱」の点についても、これは、具体的に何度の温度まで加熱するかを示すのではなく、少なくともガラス基板を「加熱」することを示す程度のものであると云えるから、「上昇した温度まで加熱」という記載が意味不明であるとすることはできない。
　したがって、申立人１の上記主張はいずれも理由がない。
３．申立人２（ジョン　グッドウィン）について
３．１　申立ての理由の概要
　申立人２は、証拠方法として甲第１〜４号証を提出し、本件特許の請求項１〜４及び７〜１３に係る発明は上記甲第１及び２号証に記載された発明に基いて、本件特許の請求項５及び１４〜１６に係る発明は上記甲第１〜３号証に記載された発明に基いて、また本件特許の請求項６に係る発明は上記甲第１、２及び４号証に記載された発明に基いて、さらには本件特許の請求項１７〜１９に係る発明は上記甲第３号証に記載された発明に基いて、それぞれ当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであると主張し、加えて、本件特許の請求項２０〜２３に係る発明は上記甲第３号証に記載された発明であるから、該発明の特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものであると主張している。
３．２　甲各号証の記載内容
（１）甲第１号証：米国特許第３，１４４，０７９号明細書
　甲第１号証は、上記引用例３と同じであり、これには上記「(3-1)」〜「(3-4)」に摘記したとおりのことが記載されている。
（２）甲第２号証：特開平５−１５２２２４号公報、
　　　甲第３号証：特表平６−５０７５２４号公報
　甲第２号証は平成５年（１９９３年）６月１８日に公開されたものであり、また、甲第３号証は平成６年（１９９４年）８月２５日に公表されたものであるから、共に本件特許に係る出願の優先権主張日である１９９３年（平成５年）１月２８日よりも後に公開ないしは公表されたものであるので、甲第２号証及び甲第３号証は本件訂正発明１〜２２の新規性ないしは進歩性判断のための証拠としては採用できない。
　しかしながら、上記甲第３号証に対応する国際公開ＷＯ９２／２１１４４号パンフレット（上記引用例１に該当）が本件特許に係る出願の優先権主張日より前の平成４年（１９９２年）１１月２６日に発行されているので、以下においてはこれを甲第３号証として検討することとし、そして、上記甲第３号証には、上記「(1-1)」〜「(1-10)」に摘記したとおりのことが記載されている。
（３）甲第４号証：特開平２−１３２８４０号公報（平成４年２月４日に発行された「特許法第１７条の２の規定による補正の掲載」に記載されている部分も含む）
　甲第４号証は、上記引用例２と同じであり、これには上記「(2-1)」及び「(2-2)」に摘記したとおりのことが記載されている。
３．３　対比・判断
　本件訂正発明１〜２２は、上記「II．３．２．２」で述べたとおり、上記甲第１、３又は４号証に記載された発明であるとすることはできないし、上記甲第１、３及び４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　
IV．　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件訂正発明１〜２２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正発明１〜２２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件訂正発明１〜２２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認められない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１月２４日（２００１．１．２４）
【訂正の要旨】
１．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、
（１）特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６の「基板収容装置」を「冷却又は加熱真空チャンバ」に訂正する。
（２）請求項１の「冷却又は加熱真空チャンバ」の前に「カセットを有する」を挿入する。
（３）請求項５の「基板収容装置」を「カセット」に訂正する。
（４）請求項６の「基板収容装置」を「冷却チャンバ」に訂正する。
２．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１，６，７，２０，２１及び２２の「基板」を「ガラス基板」に訂正する。
３．訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲請求項１７の工程（ｂ）の「複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバ」を「熱伝導棚を有し複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバ」に訂正する。
４．訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１８の工程（ｂ）の「個別に支持するための複数の棚」を「個別に支持し且つ加熱するための複数の熱伝導棚」に訂正する。
５．訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項２１の「基板処理方法であって」を「ガラス基板を処理するための方法であって」に訂正する。
６．訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項２２を削除し、請求項２２を引用していた請求項２３を独立請求項の形に書き直すと共に、「真空処理システムであって」を「ガラス基板を処理するための真空処理システムであって」と、また、「真空処理システム」を「ガラス基板処理システム」と、それぞれ訂正する。
（５４）【発明の名称】
大面積ガラス基板の冷却および加熱方法とそのための装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　複数のガラス基板を収容可能なカセットを有する冷却又は加熱真空チャンバであって、
（ａ）加熱又は冷却される側壁部と、
（ｂ）前記側壁部を加熱又は冷却する手段と、
（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、
（ｄ）前記ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板を支持する不伝導の支持部と、
を備える冷却又は加熱真空チャンバ。
　　【請求項２】　前記加熱又は冷却手段は、前記側壁部内に組込まれている請求項１に記載の冷却又は加熱真空チャンバ。
　　【請求項３】　前記加熱手段は、抵抗加熱コイルを備える請求項１に記載の冷却又は加熱真空チャンバ。
　　【請求項４】　前記冷却手段は、冷却媒体が流れる冷却チャネルである請求項１又は２に記載の冷却又は加熱真空チャンバ。
　　【請求項５】　請求項１に記載の冷却又は加熱真空チャンバを有する基板処理装置であって、更に、
　前記冷却又は加熱真空チャンバ内の前記基板に接近可能なロボットと、
　接近する前記ロボットに与えられる前記熱伝導棚が異なるように、前記カセットを上下移動させる昇降装置と、
を備える基板処理装置。
　　【請求項６】　請求項１に記載の冷却又は加熱真空チャンバを有する基板処理装置であって、
　前記ガラス基板を冷却するための別の冷却チャンバを備える基板処理装置。
　　【請求項７】　ロードロックチャンバ内に配置され、複数のガラス基板を収容可能なカセットであって、
（ａ）冷却される側壁部と、
（ｂ）前記側壁部を冷却する手段と、
（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続され、その間に前記ガラス基板が配置される複数の熱伝導棚と、
を備えるカセット。
　　【請求項８】　前記冷却手段は、冷却媒体が循環するチャネル手段である請求項７に記載のカセット。
　　【請求項９】　複数のガラス基板を収容可能なカセットが内部に配置されるチャンバであって、前記カセットは、
（ａ）加熱される側壁部と、
（ｂ）前記側壁部を加熱する手段と、
（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、
（ｄ）前記ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板を支持する支持部と、
を備えるチャンバ。
　　【請求項１０】　前記加熱手段は、抵抗加熱コイルを備える請求項９に記載のチャンバ。
　　【請求項１１】　前記チャンバは、前記熱伝導棚の１つの幅で連続的に前記カセットを上下移動させる昇降装置に取付けられている請求項９に記載のチャンバ。
　　【請求項１２】　前記チャンバは、前記チャンバを排気する排気手段に接続されている請求項９に記載のチャンバ。
　　【請求項１３】　ガラス基板を加熱又は冷却する方法であって、
（ａ）前記ガラス基板を熱伝導棚間に配置し、支持部で前記ガラス基板を支持する工程と、
（ｂ）前記熱伝導棚を間接的に加熱又は冷却し、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程と、
を備えるガラス基板の加熱又は冷却方法。
　　【請求項１４】　ガラス基板上に薄膜を堆積する薄膜堆積方法であって、
（ａ）真空チャンバ内に配置された熱伝導棚間に前記ガラス基板を配置し、支持部で前記ガラス基板を支持し、前記熱伝導棚を加熱することによって前記ガラス基板を加熱する工程と、
（ｂ）前記ガラス基板を１つずつ膜プロセスチャンバに移動させる工程と、
（ｃ）前記膜プロセスチャンバ内で前記ガラス基板上に薄膜を堆積する工程と、
（ｄ）前記ガラス基板を冷却チャンバに移動させる工程と、
（ｅ）前記基板を前記冷却チャンバ内で冷却する工程と、
を備える薄膜堆積方法。
　　【請求項１５】　前記工程（ｅ）の後、前記冷却チャンバ内の圧力を大気圧にする工程を備える請求項１４に記載の薄膜堆積方法。
　　【請求項１６】　前記工程（ｃ）は、化学的気相成長法によって行われる請求項１４に記載の薄膜堆積方法。
　　【請求項１７】　ガラス基板上の膜処理を行う方法であって、
（ａ）ロードロックチャンバ内に複数のガラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、
（ｂ）熱伝導棚を有し複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、１以上のガラス基板を搬送する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを他の基板が加熱されている間に前記搬送チャンバを介して単一基板プロセスチャンバに搬送する工程と、
（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を冷却チャンバに搬送して冷却する工程と、
を備える方法。
　　【請求項１８】　ガラス基板上の膜処理を行う方法であって、
（ａ）ロードロック／冷却チャンバ内に複数のガラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、
（ｂ）搬送された基板のそれぞれを個別に支持し且つ加熱するための複数の熱伝導棚を有し上昇した温度まで複数基板を加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、前記ガラス基板を搬送する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを前記搬送チャンバを介して単一プロセスチャンバに搬送する工程と、
（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を工程（ａ）のロードロック／冷却チャンバに搬送して冷却する工程と、
を備える方法。
　　【請求項１９】　前記プロセスチャンバは単一基板処理チャンバである請求項１８に記載の方法。
　　【請求項２０】　排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数のガラス基板を収容して加熱するための複数の棚を有する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いたガラス基板を処理するための方法であって、
（ａ）ガラス基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させ、前記加熱チャンバ内の隣接する棚間に前記基板を配置する工程と、
（ｂ）前記加熱チャンバ内で前記ガラス基板を加熱する工程と、
（ｃ）前記ガラス基板を前記加熱チャンバから前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、
（ｄ）前記ガラス基板を前記プロセスチャンバ内で処理する工程と、
（ｅ）前記プロセスチャンバから前記ガラス基板を取り出す工程と、を備え、
前記工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）において、前記加熱チャンバ内には前記ガラス基板とは異なる１以上のガラス基板が含まれており、他のガラス基板は工程（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）の間に加熱されているガラス基板処理方法。
　　【請求項２１】　排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いたガラス基板を処理するための方法であって、
（ａ）複数のガラス基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させる工程と、
（ｂ）前記加熱チャンバ内で前記ガラス基板を加熱する工程と、
（ｃ）前記加熱チャンバ内に残っているガラス基板を加熱しながら１つのガラス基板を前記加熱チャンバから取り除いてそれを前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、
（ｄ）前記取り除かれたガラス基板を前記プロセスチャンバ内で処理する工程と、
（ｅ）前記プロセスチャンバから前記ガラス基板を取り出す工程と、
を備えるガラス基板処理方法。
　　【請求項２２】　ガラス基板を処理するための真空処理システムであって、
（ａ）排気可能な搬送チャンバと、
（ｂ）前記搬送チャンバに直接に接続され、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱する加熱チャンバであって、前記加熱チャンバは、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱するための複数の棚を含む、前記加熱チャンバと、
（ｃ）前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つの排気可能なプロセスチャンバと、
（ｄ）前記真空処理システム内外に前記基板を搬送するため、前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つのロードロックチャンバと、
（ｅ）前記搬送チャンバ内に配置され、前記ロードロックチャンバ、前記加熱チャンバ及び前記プロセスチャンバに前記基板を移動させるロボットと、
を備えるガラス基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、大きなガラス基板を加熱および冷却する方法とこのプロセスを行うために適合した装置に関する。特に、本発明は膜プロセス中の大きなガラス基板を加熱および冷却するための方法およびこのための装置に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　薄膜トランジスタは、これまでに、モニター、フラットパネルディスプレイや太陽電池等に使用するために大きなガラス基板または板上に作られてきた。このトランジスタは真空チャンバ内において、非晶質シリコン、両ドープ性や真性のもの、二酸化珪素、シリコンナイトライド等を含む様々な膜を順次堆積することにより製造される。トランジスタのための薄膜は、例えば化学的気相成長法（以下、ＣＶＤ法）により堆積することができる。
　　　【０００３】
　ＣＶＤ法は、３５０℃〜４００℃程度の温度に基板を保持することが必要である比較的高温のプロセスである。ＣＶＤ膜プロセスはシリコンウェハ内の集積回チャネルの製造に広く用いられている。シリコンは伝導材料であり、ウェハを破壊したり反らせたりせずに非常に速く加熱および冷却させられることができる。しかしながら、ガラスは非常に砕けやすい絶縁材料であり、非常に高速に冷却または加熱した場合にはこれは反ったり亀裂が生じたりしがちである。したがって、熱的ストレスやこれによるダメージを回避するために大面積のガラス基板の加熱または冷却の速度（割合）の調整には多大な注意を要する。
　　　【０００４】
　現在、ガラス基板上に薄膜を堆積するために使用される装置は、通常、プロセスのためにいくつかのガラス基板を単一の大きな金属の搬送板（ｃａｒｒｉｅｒ　ｐｌａｔｅ）上に設置している。真空プロセスチャンバは大きく、搬送板およびガラス基板の熱容量（ｔｈｅｒｍａｌ　ｍａｓｓ）により、プロセス温度の加熱は長時間を要する（２０分間以上）。
　　　【０００５】
　現在半導体産業のための薄膜装置は徐々に単一の基板プロセスないし枚葉式処理に移行している。というのは、個々のプロセスチャンバは非常に小さく作製することができ、プロセスがうまく制御でき、そして搬送板の必要性は除去されうるからである。さらに、近年の半導体装置は徐々に真空チャンバからウェハを取り出すことなくウェハに１以上のプロセス工程を施すことができるシステムに移行しており、この結果、簡単に不良品としてはねられるデバイスの原因となる微粒子を減少させる。このようなシステムは、例えばＭａｙｄａｎらの米国特許４，９５１，６０１号で述べられているアプライド　マテリアル　５０００シリーズのプロセスチャンバのような、様々なプロセスチャンバに結びつけられた中心ロボットチャンバ（ｃｅｎｔｒａｌ　ｒｏｂｏｔｉｃ　ｃｈａｍｂｅｒ）を含んでいる。
　　　【０００６】
　大きなガラス基板は同様の方法で処理（ｐｒｏｃｅｓｓ）されることが望ましく、単一枚葉式の基板膜プロセスチャンバを用いて単一の真空システムにおいてトランジスタ形成するための多層薄膜を堆積する。この利点は、小型のプロセスチャンバが利用可能であり、真空システムは清浄なシステムとなり、微粒子の汚染を除去または大幅に減少させ、このプロセスがより制御可能となり、均一となることである。
　　　【０００７】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、ガラス基板の温度の加熱および冷却に要する時間の長さのため、
例えば、大面積のガラス基板を約４００℃まで加熱したり、プロセス後に再び室温まで冷却するには、基板の損傷と歪みを回避するために双方に約５分間が必要であるため、いくつかのガラス基板はシステムのスループットを改善するために同一の時間で加熱または冷却されなければならない。
　　　【０００８】
　　【課題を解決するための手段】
　発明者らは、真空の環境下で放射の原理を用いて基板を加熱および冷却することで、基板の歪みや破壊を回避する均一な手法を用いる斬新な加熱および／または冷却カセットにおいて、ガラス基板上の薄膜の堆積のためのガラス基板をプロセス温度まで加熱することが可能であり、また、プロセスが完了した後に冷却することができることを見出だした。このガラス基板は、本発明に係る一括型（ｂａｔｃｈ−ｔｙｐｅ）の加熱および冷却カセットで加熱および冷却される。第１の発明は、複数の基板を収容可能な基板収容装置であって、（ａ）加熱又は冷却される側壁部と、（ｂ）前記側壁部を加熱又は冷却する手段と、（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、（ｄ）前記基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記基板を支持する不伝導（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）の支持部とを備える。第２の発明は、第１の発明において、前記加熱又は冷却手段が、前記側壁部内に組込まれている。第３の発明は、第１の発明において、前記加熱手段が、抵抗加熱コイルを備える。第４の発明は、第１又は第２の発明において、前記冷却手段が、冷却媒体が流れる冷却チャネルである。第５の発明は、第１の発明に記載の基板収容装置を有する基板処理装置であって、前記基板収容装置内の前記基板に接近可能なロボットと、接近する前記ロボットに与えられる前記熱伝導棚が異なるように、前記基板収容装置を上下移動させる昇降装置とを備える。第６の発明は、第１の発明に記載の基板収容装置を有する基板処理装置であって、前記基板を冷却するための別の基板収容装置を備える。第７の発明は、ロードロックチャンバ内に配置され、複数の基板を収容可能なカセットであって、（ａ）冷却される側壁部と、（ｂ）前記側壁部を冷却する手段と、（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続され、その間に前記基板が配置される複数の熱伝導棚とを備える。第８の発明は、第７の発明において、前記冷却手段が、冷却媒体が循環するチャネル手段である。第９の発明は、複数のガラス基板を収容可能なカセットが内部に配置されるチャンバであって、前記カセットは、（ａ）加熱される側壁部と、（ｂ）前記側壁部を加熱する手段と、（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、（ｄ）前記ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板を支持する支持部とを備える。第１０の発明は、第９の発明において、前記加熱手段が、抵抗加熱コイルを備える。第１１の発明は、第９の発明において、前記チャンバが、前記熱伝導棚の１つの幅で連続的に前記カセットを上下移動させる昇降装置に取付けられている。第１２の発明は、第９の発明において、前記チャンバが、前記チャンバを排気する排気手段に接続されている。第１３の発明は、ガラス基板を加熱又は冷却する方法であって、（ａ）前記ガラス基板を熱伝導棚間に配置し、不伝導（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）の材料からなる支持部で前記ガラス基板を支持する工程と、（ｂ）前記熱伝導棚を間接的に加熱又は冷却し、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程とを備える。第１４の発明は、ガラス基板上に薄膜を堆積する薄膜堆積方法であって、（ａ）真空チャンバ内に配置された熱伝導棚間に前記ガラス基板を配置し、支持部で前記ガラス基板を支持し、前記熱伝導棚を加熱することによって前記ガラス基板を加熱する工程と、（ｂ）前記ガラス基板を１つずつ膜プロセスチャンバに移動させる工程と、（ｃ）前記膜プロセスチャンバ内で前記ガラス基板上に薄膜を堆積する工程と、（ｄ）前記ガラス基板を冷却チャンバに移動させる工程と、（ｅ）前記基板を前記冷却チャンバ内で冷却する工程とを備える。第１５の発明は、第１４の発明において、前記工程（ｅ）の後、前記冷却チャンバ内の圧力を大気圧にする工程を備える。第１６の発明は、第１４の発明において、前記工程（ｃ）は、化学的気相成長法によって行われる。第１７の発明は、ガラス基板上の膜処理を行う方法であって、（ａ）ロードロックチャンバ内に複数のガラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、（ｂ）複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、１以上のガラス基板を搬送する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを他の基板が加熱されている間に前記搬送チャンバを介して単一基板プロセスチャンバに搬送する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を冷却チャンバに搬送して冷却する工程とを備える。第１８の発明は、ガラス基板上の膜処理を行う方法であって、（ａ）ロードロック／冷却チャンバ内に複数のガラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、（ｂ）搬送された基板のそれぞれを個別に支持するための複数の棚を有し上昇した温度まで複数基板を加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、前記ガラス基板を搬送する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを前記搬送チャンバを介して単一プロセスチャンバに搬送する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を工程（ａ）のロードロック／冷却チャンバに搬送して冷却する工程とを備える。第１９の発明は、第１８の発明において、前記プロセスチャンバは単一基板処理チャンバである。第２０の発明は、排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱するための複数の棚を有する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いた基板処理方法であって、（ａ）基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させ、前記加熱チャンバ内の隣接する棚間に前記基板を配置する工程と、（ｂ）前記加熱チャンバ内で前記基板を加熱する工程と、（ｃ）前記基板を前記加熱チャンバから前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、（ｄ）前記基板を前記プロセスチャンバ内で処理する工程と、（ｅ）前記プロセスチャンバから前記基板を取り出す工程とを備え、前記工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）において、前記加熱チャンバ内には前記基板とは異なる１以上の基板が含まれており、他の基板は工程（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）の間に加熱されている。第２１の発明は、排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いた基板処理方法であって、（ａ）複数の基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させる工程と、（ｂ）前記加熱チャンバで前記基板を加熱する工程と、（ｃ）前記加熱チャンバ内に残っている基板を加熱しながら１つの基板を前記加熱チャンバから取り除いてそれを前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、（ｄ）前記取り除かれた基板を前記プロセスチャンバ内で処理する工程と、（ｅ）前記プロセスチャンバから前記基板を取り出す工程とを備える。第２２の発明は、真空処理システムであって、（ａ）排気可能な搬送チャンバと、（ｂ）前記搬送チャンバに直接に接続され、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱する加熱チャンバと、（ｃ）前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つの排気可能なプロセスチャンバと、（ｄ）前記真空処理システム内外に前記基板を搬送するため、前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つのロードロックチャンバと、（ｅ）前記搬送チャンバ内に配置され、前記ロードロックチャンバ、前記加熱チャンバ及び前記プロセスチャンバに前記基板を移動させるロボットとを備える。第２３の発明は、第２２の発明において、前記加熱チャンバが、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱するための複数の棚を含む。
　　　【０００９】
　本発明に係る加熱および冷却は、１群の複合（ｍｕｌｔｉｐｌｅ）ガラス基板が熱伝導体の棚に綴じ込まれる（ｉｎｔｅｒｌｅａｖｅｄ）特別に設計されたカセットにおいて行われる。この棚は、基板の両側部上の放射および気体の伝導によってガラス基板に熱を（加熱部／時）に伝導して（冷却部／時）から伝導し、それゆえ、基板の亀裂や歪みを回避する均一な加熱および冷却を提供する。加熱および冷却の速度（割合）は、棚の温度、棚の材料の放射率および真空度によって左右される。ガラス基板は、ガラス基板とガラスの両面上の棚との間隙を与える棚上の設置台（ｍｏｕｎｔｓ）に支持される。カセットは、ガラス基板の真空での取扱いおよび処理を行うスシステムの一部分である加熱／冷却真空チャンバ内に配置されている。
　　　【００１０】
　上記発明に利用する高温での薄膜の適用に適当なシステムは、Ｎｏｒｍａｎ　Ｔｕｒｎｅｒらの関連出願、米国特許出願第０８／０１０６８４号、「スループットを改善した真空プロセス装置（ＶＡＣＵＵＭ　ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ　ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ　ＨＡＶＩＮＧ　ＩＭＰＲＯＶＥＤ　ＴＨＲＯＵＧＨＰＵＴ）」にその詳細が記載されている。
　　　【００１１】
　　【実施例】
　本発明に係る加熱／冷却カセットは、それぞれが断面図および斜視図である図１および図２を参照してさらに説明される。
　　　【００１２】
　加熱／冷却カセット１０は、側壁部１２および１４と底壁部１６とを備えている。蓋部１８は、カセット１０の頂部に固定さている。包囲チャンバ９に設けられている付加的な側壁部１３および１５（図２に示されている）は、側壁部１２および１４に対して垂直に配置されている。側壁部１３（システム４０に隣接している）は、ガラス板をこれを通してカセット１０の内および外へ搬送できるスリットバルブ１１を装備している（ｉｓ　ｆｉｔｔｔｅｄ）。
　　　【００１３】
　側壁部１２および１４は、電気抵抗加熱コイル２０および冷却ガスまたは液体が循環できる冷却チャネル２２を装備している。例えば、ヘリウムのような冷却ガスや水のような液体は、適当なポンプ（図示せず）によってチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）２２内を可制御に循環させられる。
　　　【００１４】
　底壁部１６は、冷却媒体の循環のためのインレットおよびアウトレットパイプ２４および２６、電源（図示せず）に接続された加熱コイル２０のための電線を包含するためチャネル２７をそれぞれ装備している。同じチャネル２４、２６は、加熱コイル２０を囲むために、そしてチャネル２２内を冷却ガスや液体を循環させたりするために用いることも可能である。
　　　【００１５】
　側壁部１２および１４の内側は、複数の熱伝導棚２８を装備している。棚２８は、棚２８の温度の高速かつ均一な制御を確実にするために壁１２および１４に良好に接触していなくてはならず、壁１２および１４が加熱されるか冷却されるかに依存している。棚２８は、アルミニウム、銅、ステンレス鋼被覆銅などを含んだ金属などの良熱伝導体で作られる。
　　　【００１６】
　棚２８上に位置しているまたはそこへ固定されている複数の支持部３０は、高温ガラスまたは石英などの（熱）伝導しない材料で適切に作られる。支持部３０は、棚２８と基板３２との間に間隙を有するようにプロセスされるガラス基板３２を支持するように機能する。この間隙は、確実に、棚のガラスヘの直接接触がガラスを歪ませたり亀裂を生じさせたりすることを回避する。このガラスは、基板３２と棚２８との直接接触によってではなく、むしろ放射およびガスの伝導により間接的に加熱および冷却される。さらに、ガラス基板３２と棚２８との間に間隙を導入することにより、ガラス基板３２の両側面からの加熱および冷却を提供して、より高速かつ均一な基板の加熱および冷却をすることができる。
　　　【００１７】
　伝導棚２８の温度は、側壁部１２および１４にある加熱コイルまたはチャネル２０，２２内の冷却媒体により調節され、壁には伝導棚２８が接触または取り付けられている。伝導棚２８は、加熱および冷却の配置で壁１２および１４に接触していなければならない。ガラス基板の加熱および冷却の速度（ｒａｔｅ）は棚材料の放射率、ガラス自体の放射率およびチャンバの真空度によって決定され、十分に低速にできるので、ガラスの亀裂を回避することができる。Ｓｔｅｐｈａｎ−Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ方程式で記述された熱輸送は、以下の方程式（１）で与えられる。
　　　【００１８】
（１）
Ｅｒ＝｛（σε１ε２）／（ε１＋ε２−ε１ε２）｝・（Ｔ１４−Ｔ２４）
ここで、
　　　Ｅｒは、Ｗａｔｔ／ｃｍ２でのエネルギー輸送量、
　　　Ｔ１は、Ｋ°での棚の温度、
　　　Ｔ２は、Ｋ°でのガラスの温度、
　　　ε１は、棚の放射率、
　　　ε２は、ガラスの放射率、
　　　σは、Ｓｔｅｐｈａｎ−Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ定数、
であり、ガスの伝導による熱輸送は、ガス圧に比例して以下の方程式（２）で与えられる。
（２）
Ｅｃ＝［｛Λ（Ｔ１−Ｔ２）β｝／（ｄ＋２βｃ）］・Ｐ
ここで、
　　　Ｅｃは、Ｗａｔｔ／ｃｍ２での熱エネルギー、
　　　Λは、Ｋ°での平均伝導度、
　　　ｄは、ｃｍでの板間の間隔、
　　　βは、ガス容量定数、
　　　ｃは、ｍｉｃｒｏｎｓ（μｍ）でのガス平均自由工程、
　　　Ｔ１およびＴ２は、上記方程式（１）で与えられる意味を有する。
一括処理される基板の数は、経済的プロセスを提供するように調整されなければならない。
　　　【００１９】
　一括型の工程においてガラス基板３２を加熱および冷却することによって、個々の基板の加熱および冷却のために更なる時間が得られるので、ガラスの歪みや亀裂を防止することができる。
　　　【００２０】
　この加熱／冷却チャンバが用いられるシステム４０の働きを図３に示す。中心ロボットチャンバ５０は、ガラス基板３２を加熱／冷却カセット１０からチャンバ５０に隣接した側壁部１３における適当な開口またはスリットバルブ１１を通して搬送するロボット（図示せず）を含んでいる。ガラス基板がＣＶＤプロセス温度に達した時には、このロボットは、薄膜をそのウェハに堆積するために単一の基板３２をプロセスチャンバ５２，５４，５６または５８中の一つに搬送する。ロボットは、ガラス基板３２をプロセスチャンバ５２，５４，５６および５８から他へ矢印５１によって示される所定の順序で搬送する。プロセスが完了したのち、ロボットは周囲の温度に冷却するために基板３２をカセット１０に搬送しなおす。従って、１群のガラス基板３２は本発明のカセットにおいてプロセス温度まで加熱され、１度に１つずつ種々の薄膜がＣＶＤプロセスチャンバ内でこれらの上に堆積され、そして１群の基板は周囲の温度に再び冷却される。包囲チャンバ９の側壁部１５におけるスリットバルブ５９は、システム４０内へのガラス基板３２の装填および脱着を許容する。
　　　【００２１】
　上記ではプロセスチャンバはＣＶＤとしたが、真空システム４０に、例えば物理的気相堆積チャンバ、エッチチャンバ、前清浄チャンバなど他のプロセスチャンバが付加されても、また、代わりに使用されることも可能である。
　　　【００２２】
　そして、本発明の好適実施例によれば、システム４０に分離または複合した加熱および冷却チャンバ４２および４４が提供されることとしてもよい。図４は加熱チャンバ４２および加熱カセット４３の断面図であり、図５は加熱チャンバ４２の斜視図である。加熱チャンバ４２は、側壁部１２および１４において抵抗加熱コイルのみを含んだ加熱カセット４３を含んでおり、側壁部１３における単一スリットバルブ１１はロボットチャンバ５０に接続されている。
　　　【００２３】
　図６および図７は、それぞれ冷却／ロードロックチャンバ１４および冷却カセット４５の断面図および斜視図である。冷却カセット４５は、側壁部１２および１４において循環する冷却媒体のためのチャネルのみを含んでいる。しかしながら、冷却カセット４５はロードロックチャンバーとしても機能し、従って側壁部１３および１５のそれぞれは、その中にスリットバルブ１１，５９を有している。１群の基板は側壁部１５内のスリットバルブ５９（図７）を通して冷却チャンバ４４内に搬送される。すべての棚が満たされてた場合、スリットバルブ５９が閉められ、チャンバ４４が従来の真空ポンプ（図示せず）によって真空にさせられる。所望の圧力に到達したときには、ロボットチャンバ５０に隣接した側壁部１３内のスリットバルブ１１は基板３２を１度に１つずつ加熱チャンバ４２に搬送するロボットを受け入れられるように開く。真空システム４０の最大効率のために、２つの冷却／ロードロックチャンバー４４が提供されているので、１群のガラス基板３２が処理されている時に２番目の群のガラス基板３２がシステム４０内に大気圧において装填されチャンバ４４Ａにおいて真空にされる。
　　　【００２４】
　図８は、大面積ガラス基板プロセスのための真空システムに係る好適実施例の平面図であり、同一部分の部分番号は図１〜７で記載したものと同一である。
　　　【００２５】
　図２、５および７を再度参照すると、本発明の加熱および冷却カセットは、昇降装置（ｅｌｅｖａｔｏｒ）６０上に設置されている。この昇降装置はカセット４３および４５を上げたり下げたりするので、ガラス基板３２のそれぞれの搬送後に異なる伝導棚２８がロボットに与えらる。これらの昇降装置の機構は従前のものであり、ここでその詳細について説明する必要はない。昇降装置の機構自体はシステム４０の外にすることができ、システム４０の低壁を通し、シールを介して接続されている。したがって、カセット４３，４５は矢印６２の方向に移動し、搬送中においてガラス基板３２は矢印６４の方向へ移動する。
　　　【００２６】
　ガラス基板は第１に真空にされるロードロック／冷却カセットに装填される。一度に加熱または冷却されるガラス基板の数に制限はないが、この数は加熱／冷却カセットの便利な大きさやガラス基板の加熱、搬送およびプロセスに要する相対的時間量に依存して選択される。そして、ガラス基板は１つずつプロセス温度（例えば、約３５０〜４００℃）に放射加熱される本発明の加熱カセットに搬送される。ロードロックチャンバーが空になった後、再度装填されて真空引きされる場合には、バルブが閉められて大気に通気させられる。
　　　【００２７】
　そして、ガラス基板は１度に１つずつ、１またはこれ以上の薄膜をその上に堆積するための１またはこれ以上の膜プロセスチャンバに搬送される。全ての堆積が完了した後、ガラス基板は冷却カセットに搬送し戻され、新しいガラス基板が加熱カセット内に再設置される。最後のガラス基板が冷却チャンバカセットにおいて交換された後、真空側のスリットバルブは閉まってロードロック／冷却チャンバは大気に通気させられる。この間にガラス基板は室温まで冷却させられる。
　　　【００２８】
　改良されて好適なプロセスにおいては、１群の大面積ガラス基板は、冷却／ロードロックチャンバにおけるカセット内に搬送され、ここで板は真空にされ、ＣＶＤまたは他のプロセス温度にされる加熱チャンバおよび加熱カセット搬送され、１つずつ１またはこれ以上の基板プロセスチャンバに搬送され、ロードロックチャンバ内の冷却カセットに搬送しなおされ、ここで周囲の温度に冷却されて大気圧に通気させられる。この後、基板は真空システムの外へ搬送される。
　　　【００２９】
　このように、本発明の真空加熱および／または冷却カセットはガラス基板を両側からゆっくりと放射により加熱および冷却することができ、板への損傷を回避することができる。すなわち、複数の基板を一度に加熱および冷却させることができ、１度に１つずつの膜プロセスの利点を維持しつつプロセスの経済性を大幅に改善する。
　　　【００３０】
　本発明は特定実施例で記述されたが、本発明は上記に限られるものでなく、種々の変形が考えらる。例えば、ここで述べたようなカセット、棚、ガラス基板支持部などには他の種々の材料が代替可能であり、カセット棚は上記のように間接的でなくても棚自体内の適当なチャネル手段によって直接的に加熱および冷却することができる。本発明のカセットは、１またはこれ以上の一括型ＣＶＤまたは他のプロセスチャンバに接続することができ、また、１つ以上一括型の加熱および／または冷却チャンバは１またはこれ以上のプロセスチャンバに接続することができる。また、本発明の加熱および／または冷却チャンバは、お互いにまたは他のプロセスチャンバ（例えば、前清浄、エッチまたは物理的気相堆積チャンバ）に接続することもできる。以上、説明したように、第１の発明は、複数の基板を収容可能な基板収容装置であって、（ａ）加熱又は冷却される側壁部と、（ｂ）前記側壁部を加熱又は冷却する手段と、（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、（ｄ）前記基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記基板を支持する不伝導（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）の支持部とを備える。第２の発明は、第１の発明において、前記加熱又は冷却手段が、前記側壁部内に組込まれている。第３の発明は、第１の発明において、前記加熱手段が、抵抗加熱コイルを備える。第４の発明は、第１又は第２の発明において、前記冷却手段が、冷却媒体が流れる冷却チャネルである。第５の発明は、第１の発明に記載の基板収容装置を有する基板処理装置であって、前記基板収容装置内の前記基板に接近可能なロボットと、接近する前記ロボットに与えられる前記熱伝導棚が異なるように、前記基板収容装置を上下移動させる昇降装置とを備える。第６の発明は、第１の発明に記載の基板収容装置を有する基板処理装置であって、前記基板を冷却するための別の基板収容装置を備える。第７の発明は、ロードロックチャンバ内に配置され、複数の基板を収容可能なカセットであって、（ａ）冷却される側壁部と、（ｂ）前記側壁部を冷却する手段と、（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続され、その間に前記基板が配置される複数の熱伝導棚とを備える。第８の発明は、第７の発明において、前記冷却手段が、冷却媒体が循環するチャネル手段である。第９の発明は、複数のガラス基板を収容可能なカセットが内部に配置されるチャンバであって、前記カセットは、（ａ）加熱される側壁部と、（ｂ）前記側壁部を加熱する手段と、（ｃ）前記側壁部間に設けられ、前記側壁部に熱的に接続された複数の熱伝導棚と、（ｄ）前記ガラス基板と前記熱伝導棚との間に間隙を与え、前記ガラス基板を支持する支持部とを備える。第１０の発明は、第９の発明において、前記加熱手段が、抵抗加熱コイルを備える。第１１の発明は、第９の発明において、前記チャンバが、前記熱伝導棚の１つの幅で連続的に前記カセットを上下移動させる昇降装置に取付けられている。第１２の発明は、第９の発明において、前記チャンバが、前記チャンバを排気する排気手段に接続されている。第１３の発明は、ガラス基板を加熱又は冷却する方法であって、（ａ）前記ガラス基板を熱伝導棚間に配置し、不伝導（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）の材料からなる支持部で前記ガラス基板を支持する工程と、（ｂ）前記熱伝導棚を間接的に加熱又は冷却し、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程とを備える。第１４の発明は、ガラス基板上に薄膜を堆積する薄膜堆積方法であって、（ａ）真空チャンバ内に配置された熱伝導棚間に前記ガラス基板を配置し、支持部で前記ガラス基板を支持し、前記熱伝導棚を加熱することによって前記ガラス基板を加熱する工程と、（ｂ）前記ガラス基板を１つずつ膜プロセスチャンバに移動させる工程と、（ｃ）前記膜プロセスチャンバ内で前記ガラス基板上に薄膜を堆積する工程と、（ｄ）前記ガラス基板を冷却チャンバに移動させる工程と、（ｅ）前記基板を前記冷却チャンバ内で冷却する工程とを備える。第１５の発明は、第１４の発明において、前記工程（ｅ）の後、前記冷却チャンバ内の圧力を大気圧にする工程を備える。第１６の発明は、第１４の発明において、前記工程（ｃ）は、化学的気相成長法によって行われる。第１７の発明は、ガラス基板上の膜処理を行う方法であって、（ａ）ロードロックチャンバ内に複数のガラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、（ｂ）複数の基板を上昇した温度まで加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、１以上のガラス基板を搬送する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを他の基板が加熱されている間に前記搬送チャンバを介して単一基板プロセスチャンバに搬送する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を冷却チャンバに搬送して冷却する工程とを備える。第１８の発明は、ガラス基板上の膜処理を行う方法であって、（ａ）ロードロック／冷却チャンバ内に複数のガラス基板を装填し、前記チャンバを排気する工程と、（ｂ）搬送された基板のそれぞれを個別に支持するための複数の棚を有し上昇した温度まで複数基板を加熱するチャンバに、接続用真空搬送チャンバを介して、前記ガラス基板を搬送する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の加熱された基板の１つを前記搬送チャンバを介して単一プロセスチャンバに搬送する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の処理された基板を工程（ａ）のロードロック／冷却チャンバに搬送して冷却する工程とを備える。第１９の発明は、第１８の発明において、前記プロセスチャンバは単一基板処理チャンバである。第２０の発明は、排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱するための複数の棚を有する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いた基板処理方法であって、（ａ）基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させ、前記加熱チャンバ内の隣接する棚間に前記基板を配置する工程と、（ｂ）前記加熱チャンバ内で前記基板を加熱する工程と、（ｃ）前記基板を前記加熱チャンバから前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、（ｄ）前記基板を前記プロセスチャンバ内で処理する工程と、（ｅ）前記プロセスチャンバから前記基板を取り出す工程とを備え、前記工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）において、前記加熱チャンバ内には前記基板とは異なる１以上の基板が含まれており、他の基板は工程（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）の間に加熱されている。第２１の発明は、排気可能な第１チャンバと、前記第１チャンバに接続され複数の基板を収容して加熱する排気可能な加熱チャンバと、前記第１チャンバに接続された排気可能なプロセスチャンバと、を有するマルチチャンバ真空システムを用いた基板処理方法であって、（ａ）複数の基板を前記第１チャンバから前記加熱チャンバ内へ移動させる工程と、（ｂ）前記加熱チャンバで前記基板を加熱する工程と、（ｃ）前記加熱チャンバ内に残っている基板を加熱しながら１つの基板を前記加熱チャンバから取り除いてそれを前記プロセスチャンバ内へ移動させる工程と、（ｄ）前記取り除かれた基板を前記プロセスチャンバ内で処理する工程と、（ｅ）前記プロセスチャンバから前記基板を取り出す工程とを備える。第２２の発明は、真空処理システムであって、（ａ）排気可能な搬送チャンバと、（ｂ）前記搬送チャンバに直接に接続され、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱する加熱チャンバと、（ｃ）前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つの排気可能なプロセスチャンバと、（ｄ）前記真空処理システム内外に前記基板を搬送するため、前記搬送チャンバに直接に接続された少なくとも１つのロードロックチャンバと、（ｅ）前記搬送チャンバ内に配置され、前記ロードロックチャンバ、前記加熱チャンバ及び前記プロセスチャンバに前記基板を移動させるロボットとを備える。第２３の発明は、第２２の発明において、前記加熱チャンバが、複数の基板を収容して上昇した温度まで加熱するための複数の棚を含む。
　　　【００３１】
　　【発明の効果】
　本発明の真空加熱および／または冷却カセットはガラス基板を両側からゆっくりと放射により加熱および冷却することができ、板への損傷を回避することができる。すなわち、複数の基板を一度に加熱および冷却させることができ、１度に１つずつの膜プロセスの利点を維持しつつプロセスの経済性を大幅に改善する。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　大きなガラス基板の加熱および冷却に適したカセットの断面図である。
　　【図２】
　本加熱／冷却カセットの斜視図である。
　　【図３】
　　本加熱／冷却カセットが一部分をなすガラス基板プロセスシステムの平面図である。
　　【図４】
　本発明の加熱カセットの断面図である。
　　【図５】
　図３の加熱カセットの斜視図である。
　　【図６】
　本発明のロードロック／冷却カセットの断面図である。
　　【図７】
　図４のロードロック／冷却カセットの斜視図である。
　　【図８】
　本発明の分割加熱および冷却カセットのを含むガラス基板プロセスシステムの変形例の平面図である。
　　【符号の説明】
１０…カセット、１２，１４…側壁部、１６…底壁部、１８…蓋部、２０…抵抗加熱コイル、２２…冷却チャネル、２４…インレットパイブ、２６…アウトレットパイプ、２７…チャネル、２８…棚、３０…支持部、３２…ガラス基板。