【事件の表示】
　特許第２８４３５３９号「テキスチャ装置およびテキスチャ加工方法」の請求項１ないし１３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８４３５３９号の請求項１ないし１３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件特許第２８４３５３９号は、平成７年１２月１３日の出願（国内優先権平成６年１２月１５日）であって、平成１０年１０月２３日にその特許権の設定登録がなされ、その後、荒木義一より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年３月９日に訂正請求がなされたものである。
　
２．本件特許に対し異議申立人荒木義一は、甲第１号証として特開平３−２７２０１８号公報を、甲第２号証として特開平５−２９０４１２号公報を、甲第３号証として特開平３−２５２９２２号公報を、甲第４号証として米国特許第５３４３３２４号明細書を、甲第５号証として、今村修武監修「光磁気ディスク製造技術ハンドブック」１９９１年６月３０日株式会社サイエンスフォーラム発行、第１０３−１０９頁を、甲第６号証として財団法人光産業技術振興協会監修「光ディスク技術ハンドブック」昭和６３年３月１０日日経マグロウヒル社発行、第１１−２４頁を、甲第７号証として特開平５−２５８３３５号公報を、甲第８号証として特開平５−３２７０９３号公報を、甲第９号証として特開平６−２１５４０８号公報を、甲第１０号証として特開平６−３６３５６号公報を、及び甲第１１号証として特開昭６２−２２２４３５号公報を提示し、本件特許の請求項１ないし１３に係る発明は、本件特許の出願前に国内において頒布された甲第１号証に記載された発明及び甲第２ないし１１号証に示された周知慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである旨主張する。
　
３．上記取消理由は、請求項１に係る発明は、レーザービームの制限条件が特定されていないので、従来技術として挙げられた米国特許５０６２０２１号明細書に記載された発明と異なる効果を奏するとする発明の詳細な説明に記載された発明と対応せず、本件特許の請求項１に係る発明は、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものであるから、当該発明に係る特許は取り消すべきというものである。
　
４．上記訂正請求によって訂正された明細書の請求項１に係る発明（以下、「訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　磁気ディスタ基板の表面に微小突起を形成するテキスチャ装置であって、基板を保持し回転可能な基板回転機構、連続発振可能なレーザビーム発振器、当該発振器からのレーザビームをＯＮ／ＯＦＦ制御する電気光学変調器（ＥＯＭ）、当該電気光学変調器からのレーザビームを前記基板回転機構にて回転支持された基板表面に照射する集光機構、当該集光機構が出力するレーザビームと前記基板回転機構とを相対的に移動させる移動機構を備えて成り、該レーザビームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚであることを特徴とするテキスチャ装置。
【請求項２】　移動機構がレーザービームと基板回転機構とを相対速度０．０３〜６０ｍｍ／ｓｅｃの範囲で移動可能である請求項１に記載のテキスチャ装置。
【請求項３】　基板回転機構が複数である請求項１又は２に記載のテキスチャ装置。
【請求項４】　移動機構が基板回転機構を移動させる請求項１〜３の何れかに記載のテキスチャ装置。
【請求項５】　複数の基板回転機構が単一の移動機構に搭載されている請求項１〜４の何れかに記載のテキスチャ装置。
【請求項６】　移動機構が集光機構を基板回転機構上に移動させる請求項１〜５の何れかに記載のテキスチャ装置。
【請求項７】　レーザビーム発振器がガスレーザビーム発振器である請求項１〜６の何れかに記載のテキスチャ装置。
【請求項８】　レーザビーム発振器が凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を形成し得るエネルギーに制御されている請求項１〜７の何れかに記載のテキスチャ装置。
【請求項９】　レーザービームのスポット径が０．２〜４μｍである請求項１〜８の何れかに記載のテキスチャ装置。
【請求項１０】　基板機構が基板を１８００ｒｐｍ以上の回転数で回転可能である請求項９に記載のテキスチャ装置。
【請求項１１】　レーザビーム発振器からのレーザービームが、立ち上がり時間５０ｎｓ以下、立ち上がり時間および立ち下がり時間を含めたパルス幅５０ｎｓ〜２μｓ、繰り返し周波数０．５〜１０ＭＨｚのパルスレーザビームであり、レーザービームのスポット径が０．２〜４μｍである請求項１〜８の何れかに記載のテキスチャ装置。
【請求項１２】　請求項１に記載のテキスチャ装置を使用し、磁気ディスク基板の表面に凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を１ｍｍ２当たり１０〜１０８個形成することを特徴とする磁気ディスク基板のテキスチャ加工方法。
【請求項１３】　凸部の高さが１〜１００ｎｍである請求項１２に記載のテキスチャ加工方法。」
　
５．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、以下のａ〜ｄのとおり訂正するものである。
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１項について、「該レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚである」を加入する。
ｂ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第９項について、「レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚであり、」を削除する。
ｃ．発明の詳細な説明について
　段落【０００９】７行目の「移動機構を備えて成る」を「移動機構を備えて成り、該レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚである」と訂正する。
ｄ．発明の詳細な説明について
　段落【００２２】１−２行目の「変調周波数としては、０．５〜１０ＭＨｚが好ましく、特に０．５〜５ＭＨｚが好ましい。」を「変調周波数は、０．５〜１０ＭＨｚとする。特に０．５〜５ＭＨｚが好ましい。」と訂正する。
　
（２）上記訂正のうち、
　ａの訂正事項についてみると、この訂正は、電気光学変調器を、ＯＮ／ＯＦＦ制御周波数が０．５〜１０ＭＨｚのものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　ｂの訂正事項についてみると、この訂正は、請求項１の訂正に伴い、これを引用する請求項について、構成が重複する部分を削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　ｃの訂正事項についてみると、この訂正は、請求項１の訂正に伴い、発明の詳細な説明の欄の「課題を解決するための手段」の項の記載をこれに整合するよう訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　ｄの訂正事項についてみると、この訂正は、請求項１の訂正に伴い、発明の詳細な説明の欄の「発明の実施の形態」の項の記載をこれに整合するよう訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記ａの訂正事項は、特許明細書の段落【００２２】に、実施例として、「変調周波数としては、０．５〜１０ＭＨｚが好ましく、特に０．５〜５ＭＨｚが好ましい。変調周波数が０．５ＭＨｚ未満では突起とヘッドの接触面積が大きくなる。また、１０ＭＨｚを超えると隣り合った突起が干渉し、独立した突起の作成が困難となる。また、パルス幅（１つの突起を形成するのに必要な照射時間）は４０ｎｓｅｃ〜１００μｓｅｃが好ましく、５０ｎｓｅｃ〜２μｓｅｃが特に好ましい。パルス幅が大きくなると突起が連続し、ヘッドとの接触面積が大きくなる。」のとおり、その構成と、技術的意義が記載されているから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものである。
　そして、これらの訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、前記訂正事項は、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
（３）次に、独立特許要件について判断する。
　異議申立人が提示した前記甲第１〜１１号証には、以下の事項が記載されている。
　甲第１号証；磁気記録ヘッドと協働して使用され、少なくとも前記変換ヘッドに接触するよう組織を形成、すなわち組織化された（textured）データ記録面の部分を有する回転可能の磁気ディスクの製造方法に関し、「この装置はディスク１６を支持するスピンドル４２およびディスクの上に支持されてＮｉ−Ｐ合金層４０の上面に選択的に焦点合せされるパルス化されたレーザービーム４６を発生するパルス化されたモードＮｄ−ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザー装置４４を含んでいる。このレーザー装置４４はオレゴン州ポートランドのイー・エス・アイ・インコーポレーテッド（ＥＳＩ　Inc.）から入手可能のイー・エス・アイ・モデル４４レーザー・トリミング装置である。このレーザー装置４４は、スピンドル４２が回転され、これによりディスクも回転されている間に選択された周波数で点火されるのである。このレーザー装置４４は垂直な配向位置で示されているが、所望の場合には垂直位置から離れるように傾倒されることのできる構造体（図示せず）によって支持されるのが望ましい。この支持構造体はさらにディスクおよびスピンドルの半径方向にレーザー装置４４の制御された歩進運動を可能になしている。」（第９頁左上欄８行目−右上欄７行目）及び「例１；・・・レーザー装置のＱ切替え速度は１００ナノセコンドのパルス持続時間にて１２キロヘルツに保持され、一方ディスクは２５ｒｐｍの速度で回転された。」（第１１頁右上欄５−１６行目参照）と記載されている。
　甲第２号証；光ディスクの原盤のピット形成方法に関し、「パルス変調を行なう変調器は、Ｅ／Ｏ（Ｅｌｅｃｔｒ　Ｏｐｔｉｃ：電気光学）変調器を用いている。一般的に、Ｅ／Ｏ変調器は、Ａ／Ｏ（Ａｃｏｕｓｔｏ　Ｏｐｔｉｃｓ：音響光学）変調器に比べて高価ではあるが、パルス変調の立上がり時間がＡ／Ｏ変調器の２０ｎｓ程度に対して３．５〜５ｎｓと非常に早いため、本発明のように早い周期でパルス変調を行なって長いビットを形成することができる。」（第３欄１８−２５行目）と記載されている。
　甲第３号証；磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法に関し、「請求項１〜５において、前記凸部高さが５ｎｍよりも高く、４０ｎｍよりも低く、その範囲内でほぼ一定の高さを有することを特徴とする磁気ディスク装置。」（特許請求の範囲第６項）、「請求項１〜９において、前記凸部の個数が２００個／ｍ２以上あり、２５０，０００／ｍ２を越えないことを特徴とする磁気ディスク装置。」（特許請求の範囲第１０項）、「凸部の個数は４００個／ｍ２以上あり、２５０，０００個／ｍ２を越えないことが望ましい。」（第６頁右下欄９−１０行目）、「裏面保護層表面に具備される凸部の高さは、５ｎｍ以上、４０ｎｍ以下の範囲でほぼ一定であることが望ましい。」（第１０頁左下欄９−１１行目）及び「レーザを、第４図に示したパターンで凸部分のみに選択的に照射して、照射部のテトラヒドロキシシランをＳｉＯ２に変化させて硬化した後、未硬化部のテトラヒドロキシシランを洗浄除去して、第４図に示すように保護層表面に規則的に配置された凸部を形成した。」（第１３頁右下欄１７行目−第１４頁左上欄２行目）と記載されている。
　甲第４号証；レーザービームを制御する電気光学変調器用のバイアス制御に関し、「図２から分かるように、出力信号は対照なＲＦパルス５の連続を含む」（第３欄６０−６２行目参照）、「モジュレータ１４は、カリフォルニアのクリスタルテクノロジー社製造のＮａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ光学モジュレータである。」（第４欄３８−４０行目参照）及び「本発明の一つのプロトタイプによるシステムは、数百ＫＨｚから数ＧＨｚまでＲＦキャリアの範囲を調整できる。」（第６欄１８−１９行目参照）と記載されている。
　甲第５号証；光ディスクの原盤となるスタンパのマスタリング工程について、「１．３　原盤記録（カッティング）　１）記録装置」の項に「レーザー記録装置の基本構成要素としては次のごときものが含まれる。　［１］記録光源および制御信号用光源としてのレーザー装置　［２］レーザー光を記録すべき情報信号や制御信号によって変調する光変調器　［３］レーザー光を記録原盤上に導く光学系（とりわけ波長限界まで小さく絞り込むための集光レンズ）　［４］集光レンズをサブミクロンの精度で原盤に追従させるためのフォーカスサーボなどの制御システム　［５］原盤を高精度で回転させまた光学系と相対移動をさせるための移送機構などの精密メカニズム　［６］情報の信号変復装置などのエレクトロニクス　図−３には装置構成の一例を、また図−４にシステム系統の一例を示す。写真−１は代表的な記録装置の一例であり、写真−２はその機械でのガラス原盤の装着作業の状況である。」（第１０４頁右欄２６行目−第１０５頁右欄７行目、なお、［１］〜［６］は丸付数字を意味する。）と記載され、図−４には、Ａｒレーザーと光学系との間にＥＯ変調器を介在させた記録装置のシステム構成例が示されている。
　甲第６号証；光ディスク製造のマスタリング工程に関し、「このときレーザー光の光路に光路変換素子（Ａ／Ｏ変調器）、あるいは光量変調器（Ｅ／Ｏ変調器）を配置し、これと外部信号によってホトレジストへの露光をＯＮ／ＯＦＦすれば、ホトレジストを信号によって部分露光できる。そのあとで、このガラス原盤を湿式現像すれば、ホトレジスト膜にピットとよぶ凹凸ができる。」（第１６頁７−１１行目）と記載されている。
　甲第７号証；光ディスク原盤露光機に関し、「従来の２ビーム露光法のように、１つの光量変調器で２つのビームの光量を変調する場合には、その後の光路中にフィルターを介在させ、２つのビーム光量条件を変える必要があり、そのためにフィルターの選定や調整作業が必要であり、そのための光軸変化等も生じることがあった。また、予めビームスプリッタで２ビームに分割し、それぞれに光量及び信号変調器を設けた場合、特に音響光学（Ａ／Ｏ）変調器を用いる場合は回折効率が７０％程度となるため、光量変調器や信号変調器に加え、偏向変調器と３段の音響光学（Ａ／Ｏ）変調器を介し、入射側を５０％の分割とすると、最終出力は１７．１５％となり、露光光学系としては効率が非常に悪くなる。そこで音響光学（Ａ／Ｏ）変調器の替りに電気光学（Ｅ／Ｏ）変調器を用いれば、約８０％の効率となり、出力側は２５．６％となるが、高価なものとなってしまう。」（第１欄３８行目−第２欄３行目）と記載されている。
　甲第８号証；超高速通信や光情報処理、光センシングの分野で利用価値の高い、高出力、高繰り返しで安定な動作が可能なパルスレーザに関し、「かかる発明のパルスレーザを動作するには、共振器長から決まるモードロック繰り返し周波数もしくはその高調波周波数で光変調器１８を駆動する。これにより受動モードロックと強制モードロックの両方を同時に行ういわゆるハイブリッドモードロック動作させることが可能である。光変調器１８の駆動信号周波数とモードロック周波数もしくはその高調波周波数との差が数Ｈｚ以内であれば、ハイブリッドモードロック状態を維持できる。このため、温度変化による共振器長の微小変化によらず光変調器駆動信号周波数と完全に一致した周波数で、且つ、駆動信号と１対１に対応したパルスを発生させることができる。光変調器１８をモードロック周波数の高調波で駆動することにより、パルス繰り返し周波数を駆動信号周波数に一致した周波数に高めることが可能となる。」（第４欄２１−３５行目）及び「本実施例のパルスレーザにおいて、第１の実施例と同様に歪超格子半導体レーザからの励起光をＷＤＭカプラ２６を介してＥｒイオン添加光ファイバ２７に入射して当該Ｅｒイオン添加光ファイバ２７を励起し、励起光パワーと偏波補償器２３を調整して受動モードロック発振状態にした。そして、電気光学素子３４をモードロック基本周波数の近傍で消光比１０ｄＢで駆動させたところ、出射光パルスの発振周期が電気光学素子駆動信号の周期と完全に一致し、且つ、駆動信号周期にただ一つのパルスが存在するハイブリッドモードロック状態に移行する過程が光検出器とオシロスコープにより観測された。このハイブリッドモードロック動作状態は受動モードロック動作状態に比べてパルス間隔が安定で１０分以上の長時間保たれることが観測され、また、数度の外気温の変化に対しては周波数が全く変化せずに高出力の短パルスを発生し続けるという特性の改善がみられた。また、ハイブリッドモードロック発振を得ることができる電気光学素子駆動周波数帯域は５Ｈｚであった。パルス先端出力は１．５Ｗであり、自己相関計で評価したパルスの半値全幅は７００フェムト秒であることが明となった。さらに電気光学変調器３４に駆動周波数をモードロック周波数の高調波周波数に合わせて駆動したところ、第２高調波周波数に一致する８ＭＨｚの繰り返し周波数でハイブリッドモードロック発振が実現できることが明らかとなった。」（第６欄３−２７行目）と記載されている。
　甲第９号証；光ディスク用マスターリングプロセスに使用されるレーザー露光装置に関し、「メインビーム用Ｅ／Ｏモジュレータ（ＥＯＭ）７及びサブビーム用Ｅ／Ｏモジュレータ（Ｅ０Ｍ）１１では入力信号に応じ通過する光を変調して、ＮＤフィルター８にてメインビームパワーの微調節を行う。」（第４欄１５−１７行目）と記載されている。
　甲第１０号証；ＣＤ−ＲＯＭ等の再生専用型光ディスクおよび追記型、可逆型光ディスクを製造するために必要な原盤制作に係り、特に、高密度記録に対応する狭トラックピッチの光ディスク原盤製造技術に関し、「トラックに垂直な方向の幅に関しては、光ディスク装置のレーザー光のスポット径との関連が大きく、スポット径の約半分程度が適当な大きさとなっている。さらに、トラックピッチは情報記録密度に関わってくる。隣接するトラック同士の干渉、すなわち、クロストークの量によって必然的に決まってくるものであり、光スポット径が限界となっている。そのスポット径は、光ディスク装置に採用されている集光用対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ／ＮＡである。」（第２欄６−１４行目）、「光ディスクの高記録密度化を図るためには、ドライブ装置では、波長を短波長化して、光スポット径の微小化を図る必要があり、光ディスク円板ではそれに対応して凹凸パターンや、トラックピッチの微小化を図る必要がある。従来技術では、光スポット径が一定のため、単なる一回だけの現像処理条件のみでパターンの大幅な微小化は困難である。凹凸パターンを微小化するには、光スポットの微小化を図るのも一つの方法である。しかし、カッティング用レーザは、低雑音の連続発振レーザである必要があり、大幅な短波長化は難しく、現時点では、３２５ｎｍ程度が限界と考えられる。現在よく用いられているＡｒレーザの波長４５８ｎｍに較べ約３割の短波長化となるが、光変調器や記録用の集光レンズの短波長化対応困難という問題が残っている。」（第２欄３４−４８行目）及び「原盤３の表面のレジスト面にレーザ光２２を集光するための記録レンズ２１には、通常、開口比（ＮＡ）の大きい、例えば０．９のレンズを使用している。」（第４欄１６−１９行目）と記載されている。
　甲第１１号証；コンピュータの記録装置であるハードディスクドライブ装置の記録媒体である磁気ディスクメディアに関し、「このディスクを４０００ｒｐｍで回転させながら、１５μｍの直径の炭酸ガスレーザーによって送りピッチ１０μｍでディスク全面を照射した。」（第３頁右上欄３−５行目）及び「実施例１と同様の方法で、鏡面基板上にテトラアルコキシシランを塗布した。これを直径５μｍのＹＡＧレーザーを用いてこのディスクを１０００ｒｐｍで回転させながら、送りピッチ７μｍでディスク全面を照射した。」（第２頁右上欄２０行目−左下欄４行目）と記載されている。
　訂正発明１と前記甲各号証に記載されたものとを対比すると、前記甲各号証には、いずれにも、訂正発明の必須の構成である「磁気ディスク基板の表面に微少突起を形成するテキスチャ装置であって、連続発振可能な発振器からのレーザビームをＯＮ／ＯＦＦ制御する電気光学変調器（ＥＯＭ）を備え、レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚである」ものが、記載されておらず、かつ、該構成が示唆されているとすることもできない。
　すなわち、磁気ディスク基板の表面に微少突起を形成するテキスチャ装置については、甲第１号証に、５キロヘルツないし２０キロヘルツの範囲にわたる点火周波数でレーザー装置の切換え速度を制御することで満足な結果が得られることが記載されているのみであり、甲第１１号証には、レーザー装置の周波数については何ら記載されておらず、テキスチャ装置に関し、レーザビームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚとなるように、レーザ装置を構成することは、甲各号証のいずれにも記載されていない。そして、甲第４号証には、電気光学変調器によってレーザビームの周波数を数百ＫＨｚ〜数ＧＨｚに、甲第８号証には、電気光学変調器によってレーザビームの周波数を８ＭＨｚに、制御することができることが記載されているが、甲第４号証には、電気光学変調器のテキスチャ装置への適用について示唆する記載はなく、甲第８号証は、その用途として、超高速光通信、光情報処理又は光センシングの分野が挙げられているのみであって、電気光学変調器のテキスチャ装置への適用について示唆する記載はないから、甲第１号証又は、甲第１１号証に記載されたものに、甲第４号証又は甲第８号証に記載されたものを組み合わせて、その組合わせの際に、レーザビームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚとなるようにすることが容易に推考できたものとすることはできない。
　また、全文訂正明細書の段落【００２２】１−４行目には、「変調周波数としては、０．５〜１０ＭＨｚが好ましく、特に０．５〜５ＭＨｚが好ましい。変調周波数が０．５ＭＨｚ未満では突起とヘッドの接触面積が大きくなる。また、１０ＭＨｚを超えると隣り合った突起が干渉し、独立した突起の作成が困難となる。」と記載されていることから、前記レーザビームの周波数の数値限定の技術的意義も明らかにされており、これを当業者が適宜決める設計的事項であるとする根拠もない。
　したがって、訂正後の請求項１に係る発明は、前記甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、訂正後の請求項２ないし１３に係る発明は、請求項１に係る発明の構成を全て備えた上でさらに限定を加えたものであるから、請求項１に係る発明が前記甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない以上、訂正後の請求項２ないし１３に係る発明も、前記甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　更に、上記取消理由で指摘した明細書の記載不備も、上記訂正事項ａの訂正によって解消した。
（４）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
６．次に、特許異議の申立てについて判断する。
（１）本件特許の請求項１ないし１３に係る発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲第１ないし１３項に記載されたとおりのものであって、上記４で認定したとおりのものである。
（２）そして、本件請求項１ないし１３に係る発明は、いずれも、上記５（３）で示したように、甲第１〜１１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
７．したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１ないし１３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件特許の請求項１ないし１３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年３月２３日（２００１．３．２３）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１項について、「該レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚである」を加入する、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正をする。
ｂ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第９項について、「レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚであり、」を削除する、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。。
ｃ．発明の詳細な説明について
　段落【０００９】７行目の「移動機構を備えて成る」を「移動機構を備えて成り、該レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚである」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
ｄ．発明の詳細な説明について
　段落【００２２】１−２行目の「変調周波数としては、０．５〜１０ＭＨｚが好ましく、特に０．５〜５ＭＨｚが好ましい。」を「変調周波数は、０．５〜１０ＭＨｚとする。特に０．５〜５ＭＨｚが好ましい。」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
（５４）【発明の名称】
テキスチャ装置およびテキスチャ加工方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　磁気ディスク基板の表面に微小突起を形成するテキスチャ装置であって、基板を保持し回転可能な基板回転機構、連続発振可能なレーザビーム発振器、当該発振器からのレーザビームをＯＮ／ＯＦＦ制御する電気光学変調器（ＥＯＭ）、当該電気光学変調器からのレーザビームを前記基板回転機構にて回転支持された基板表面に照射する集光機構、当該集光機構が出力するレーザビームと前記基板回転機構とを相対的に移動させる移動機構を備えて
成り、該レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚである
　【請求項２】　移動機構がレーザービームと基板回転機構とを相対速度０．０３〜６０ｍｍ／ｓｅｃの範囲で移動可能である請求項１に記載のテキスチャ装置。
　【請求項３】　基板回転機構が複数である請求項１又は２に記載のテキスチャ装置。
　【請求項４】　移動機構が基板回転機構を移動させる請求項１〜３の何れかに記載のテキスチャ装置。
　【請求項５】　複数の基板回転機構が単一の移動機構に搭載されている請求項１〜４の何れかに記載のテキスチャ装置。
　【請求項６】　移動機構が集光機構を基板回転機構上に移動させる請求項１〜５の何れかに記載のテキスチャ装置。
　【請求項７】　レーザビーム発振器がガスレーザビーム発振器である請求項１〜６の何れかに記載のテキスチャ装置。
　【請求項８】　レーザビーム発振器が凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を形成し得るエネルギーに制御されている請求項１〜７の何れかに記載のテキスチャ装置。
　【請求項９】
　レ
　【請求項１０】　基板機構が基板を１８００ｒｐｍ以上の回転数で回転可能である請求項９に記載のテキスチャ装置。
　【請求項１１】　レーザビーム発振器からのレーザービームが、立ち上がり時間５０ｎｓ以下、立ち上がり時間および立ち下がり時間を含めたパルス幅５０ｎｓ〜２μｓ、繰り返し周波数０．５〜１０ＭＨｚのパルスレーザビームであり、レーザービームのスポット径が０．２〜４μｍである請求項１〜８の何れかに記載のテキスチャ装置。
　【請求項１２】　請求項１に記載のテキスチャ装置を使用し、磁気ディスク基板の表面に凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を１ｍｍ２当たり１０〜１０８個形成することを特徴とする磁気ディスク基板のテキスチャ加工方法。
　【請求項１３】　凸部の高さが１〜１００ｎｍである請求項１２に記載のテキスチャ加工方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、テキスチャ装置およびテキスチャ加工方法に関するものであり、詳しくは、レーザビームを利用した上記の装置および加工方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　磁気ディスク装置においては、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の微小な空隙を安定に維持するため、停止時には磁気ヘッドが磁気ディスク面に接触して停止しており、駆動時には磁気ヘッドが磁気ディスク面を摺動して浮上走行する、所謂コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）方式が採用されている。テキスチャ加工は、磁気ディスク基板の表面に微小な突起（条痕パターン）を形成する加工であり、良好なＣＳＳ特性などを得るために行われる。
　【０００３】
　従来、上記のテキスチャ加工は、バインダに分散した砥粒を塗布した研磨テープや砥粒を分散したスラリーを使用する機械的な研削が主に採用されていた。しかしながら、近年、磁気ディスク装置の小型化により、使用されるモーターも小型になり、駆動時のトルクも低下する傾向にある。そのため、従来のテキスチャ方法では十分な接触面積の低減が図れず、停止時におけるヘッドのディスク表面への吸着力がモーターのトルクを上回り、起動を妨げるスティッキング現象が問題になっている。
　【０００４】
　加えて、記録密度向上のため、ヘッドの浮上高は低下する傾向にあり、それにつれてＣＳＳゾーンに施すテキスチャ加工にも、低く均一な高さの加工が要求されてきている。しかしながら、従来の機械的研削によるテキスチャ加工では均一性も加工高さも制御が困難であり、昨今の要求には追従できなくなっている。
　【０００５】
　そのため、代替え方法として、例えば、米国特許第５，０６２，０２１号明細書には、パルス幅が短く出力の大きいＱスイッチＹＡＧレーザビームを利用したテキスチャ加工が提案されている。この方法は、溶融形成された穴部とその周囲が表面張力で盛り上がって固化した円環状のリム部とから成るクレータ状の凹凸突起を形成する方法である。
　【０００６】
　レーザビームを使用したテキスチャ加工は、機械的な研磨による加工に比べて絶対的な高さやその均一性の制御が容易であり、今後、有望な加工方法であると考えられる。しかしながら、前述の米国特許においては実際に工業的な生産を考慮した加工装置については検討がなされていない。
　【０００７】
　レーザビーム発生装置は高価であり、レーザビーム加工は長時間を要し、また一般にテキスチャ加工は数ｍμ程度のピッチで数ｍｍから数十ｍｍの幅に亘って加工を行う必要があるため、加工終了までには磁気ディスク基板を数百回転させる必要があるにも拘らず、上記の米国特許明細書には、生産性を高めた実際装置としての提案はなされていない。また、提案された方法で得られるテキスチャ加工基板は、磁気ディスクと磁気ヘッドとのスティッキング問題に対しては不十分である。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、上記実情に鑑みなされたものであり、その目的は、レーザビームを利用し、加工生産性の向上を図ったテキスチャ装置を提供することにあり、他の目的は、良好なＣＳＳ特性およびスティッキング特性と磁気ヘッドの低浮上化とを同時に可能とするテキスチャ装置およびテキスチャ加工方法を提供することにある。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明の第１の要旨は、磁気ディスク基板の表面に微小突起を形成するテキスチャ装置であって、基板を保持し回転可能な基板回転機構、連続発振可能なレーザビーム発振器、当該発振器からのレーザビームをＯＮ／ＯＦＦ制御する電気光学変調器（ＥＯＭ）、当該電気光学変調器からのレーザビームを前記基板回転機構にて回転支持された基板表面に照射する集光機構、当該集光機構が出力するレーザビームと前記基板回転機構とを相対的に移動させる移動機構を備えて
成り、該レーザービームのＯＮ／ＯＦＦ制御の周波数が０．５〜１０ＭＨｚである
　【００１０】
　そして、本発明の第２の要旨は、上記のテキスチャ装置を使用し、磁気ディスク基板の表面に凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を１ｍｍ２当たり１０〜１０８個形成することを特徴とする磁気ディスク基板のテキスチャ加工方法に存する。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。先ず、本発明のテキスチャ装置について説明する。図１は、本発明のテキスチャ装置の一例の説明図である。また、図２は本発明のテキスチャ装置の他の一例の説明図である。
　【００１２】
　本発明のテキスチャ装置は、磁気ディスク基板の表面に微小突起を形成する装置であり、好ましい態様において、微小突起は、ＣＳＳゾーンに同一間隔で形成される。基板としては、サブストレイトと呼ばれている基板、すなわち、Ａｌ合金、例えば、Ａｌ−Ｍｇ合金などの基板の表面にＮｉ−Ｐの無電解メッキ下地層を設け、当該下地層に鏡面加工（ポリッシュ加工）を施した基板またはガラス基板、ケイ素基板などが挙げられるが、銅、チタン等の他の金属基板、カーボン基板、セラミック基板などを使用することも出来る。
　【００１３】
　ここで、以下の説明においては説明の便宜上から単に基板と表現するが、上述した基板はもとより、基板上に下地層、磁性層、保護層、潤滑剤層などを設けた後の状態であっても、その過程であっても本発明によるテキスチャ装置は使用可能であり、以下、基板とは上記の何れかの状態を意味する。
　【００１４】
　図１に示すテキスチャ装置は、移動機構が基板回転機構を移動させるものである。すなわち、基板回転機構（１０）、（１０）…、レーザビーム発振器（１）、当該発振器からのレーザビームをＯＮ／ＯＦＦ制御する変調器（２）、当該変調器からのレーザビームを基板回転機構にて回転支持された基板表面に照射する集光機構（５）、複数の基板回転機構（１０）、（１０）…を移動させる移動機構（６）から成る。
　【００１５】
　なお、基板回転機構（１０）は２基例示されているが、その数は任意である。ただし、工業的には、複数の基板回転機構を並列で使用することが好ましい。この場合、移動機構（６）は、複数の基板回転機構を一つの移動機構にて移動させることが出来る。
　【００１６】
　基板回転機構（１０）は、通常、スピンドルモータにて構成され、基板（１１）…は、スピンドルモータの回転軸に支持され、一定の回転数または線速度で移動させられる。基板の回転数などは、生産性を考慮して決定されるが、基板の回転数は、９００ｒｐｍ以上が好ましく、特に１８００ｒｐｍ以上が好ましく、３６００ｒｐｍ以上が最も好ましい。スピンドルモータの回転軸がぶれると、面ぶれが大きくなり、焦点が絞り難くなり、突起形状がばらつき、場合によっては所望の突起形状が得られなくなることから、ぶれは±２５μｍ未満であることが好ましい。
　【００１７】
　レーザビーム発振器（１）としては、ガスレーザが好ましく、中でもＣＯ２、ガスレーザ、Ａｒガスレーザ、連続発振が可能なＹＡＧレーザが好ましく、中でもＡｒガスレーザが好適に使用される。ガスレーザは、ＱスイッチＹＡＧレーザやエキシマレーザ等に比し、位相が揃っており且つビームスポットの絞り込みが容易であるため、鋭い突起形状を形成し得る点で有利である。
　【００１８】
　レーザの波長としては、通常可視領域の方が高出力が得られ易い。Ａｒガスレーザビームは、代表的には、４８８ｎｍ又は５１４．５ｎｍの波長を有する。なお、ガラス基板に直接照射する場合には、比較的小出力の紫外領域のもの、例えば、３５０ｎｍのアルゴン、ＦＨＧ（ｆｏｕｒｔｈ　ｈａｒｍｏｎｉｃ　ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）を通した２６６ｎｍのＹＡＧレーザが挙げられる。
　【００１９】
　レーザビーム発振器（１）から基板（１１）の表面に照射されるレーザビームは、凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を形成し得るエネルギーに制御されるのが好ましい。具体的なエネルギー（出力）は、基板表面の材質、基板表面への照射時間などによって異なるが、通常は５０〜７００ｍｗの範囲とされる。
　【００２０】
　変調器（２）としては、高速変調が可能であることが好ましい。また、立ち上がり時間が５０ｎｓ以下で、立ち上がり時間および立ち下がり時間を含めたパルス幅が５０ｎｓ〜２μｓであることが好ましい。パルス幅が５０ｎｓ未満では突起が生成しなかったり、所望の形状の突起ができ難く、２μｓを超えると突起先端の面積が大きくなり、ＣＳＳ特性が低下する傾向がある。
　【００２１】
　加えて、変調器には立ち上がりよくＯＮ／ＯＦＦ可能であることが好ましい。変調器の立ち上がり時間は突起の鋭さに影響するため、立ち上がり時間の長い変調器を使用するとヘッドとの接触面積の大きな突起が形成される。そこで、本発明においては、変調器に使用する変調素子として電気光学変調素子（ＥＯＭ）が使用される。電気光学変調素子は、数１００Ｍｂｐｓまでの高速変調（ＯＮ／ＯＦＦ）が可能である。また、ＯＮ時にアナログ変調を行うことも出来る。
　【００２２】
　変調周波数
は
とする。
　【００２３】
　集光機構（５）は、少なくとも全反射ミラーと対物レンズとの組合せとして構成される。また、対物レンズの手前にビームエキスパンダを設けて対物レンズの有効径に等しい程度までをビーム径を広げることが鮮明なスポットを形成させるために好ましい。通常、レンズの有効径はレンズ径の５０〜８０％程度である。
　【００２４】
　本発明のテキスチャ装置の特徴は微小な突起を均一に設けることであるため、基板に照射されるレーザービームのスポット径の絶対値、均一性およびシャープネスは重要なファクターである。スポット径としては０．２〜４μｍ、中でも０．２〜２μｍが好ましい。なお、ここで、スポット径は、光中央部の最高強度の「ｅの２乗分の１」に強度が低下する円の直径を表す。加えて、対物レンズの開口率をＮＡ、レーザービームの波長をλとしたとき、ＮＡが０．３〜０．８、かつλ／ＮＡが０．１６〜３．３を満たすことが好ましい。
　【００２５】
　更に、スポットのシャープさの点から、対物レンズの焦点距離としては２０ｍｍ以下、特に５ｍｍ以下であることが好ましい。なお、この様な場合、基板と対物レンズとは、極めて近接した配置をとるため、基板の安定的な着脱および回転ならび高速回転を可能にし、かつ対物レンズの移動運動を妨げないだけの十分な形状を有することが必要となる。
　【００２６】
　すなわち、基板上面とスピンドルの回転軸の先端の距離が、基板上面と対物レンズとの距離（ワーキングディスタンス）に対して、０．８以下、好ましくは０．６以下の割合で基板面から張り出していることが好ましい。ワーキングディスタンスとしては、通常１０ｍｍ以下となる。加えて、スピンドルの回転軸の基板裏面近傍に切り欠き部を設け、対物レンズの安定的な移動運動を補償することが好ましい。
　【００２７】
　また、対物レンズとして、非球面レンズを使用することにより、レンズの重量を軽減し、かつ、光透過率をアップし、ワーキングディスタンスを広げることが出来るので好ましい。基板のうねりやスピンドルの軸ぶれなどにより対物レンズと基板との距離が変動するので、スポット径を一定に保つために集光機構は更にオートフォーカス（ＡＦ）機構を有することが好ましい。特に、オートフォーカス機構の応答周波数は９０Ｈｚ以上であることが好ましい。
　【００２８】
　応答周波数が遅くなると、ビームスポットの大きさがばらつき、突起の大きさや高さが不均一となる。また、ＡＦ機構として、面ぶれ学習機能、すなわち、レーザ照射を行った部分でのＡＦ制御の実績を例えばフィードフォワード的にディスクの回転に同期させてＡＦ制御に活かし、制御効率を高めることが好ましい。
　【００２９】
　移動機構（６）としては、例えば、リニアスライダーが好適に使用される。図１においては、集光機構（５）と基板回転機構（１０）との相対移動の方法として、基板回転機構（１０）側を移動する構成が例示してある。すなわち、複数の基板回転機構（１０）、（１０）…が１基のリニアスライダー（６）に搭載されている。
　【００３０】
　そして、複数の基板回転機構（１０）、（１０）…は、集光機構（５）の下部を一定速度で往復移動する。集光機構と基板の相対移動速度は遅すぎるとＣＳＳ特性の向上が困難となり、速いすぎると突起とヘッドとの接触面積が大きくなるため、ＣＳＳ特性の良好な範囲に定める。通常は、ビームの照射面上での相対走査速度として、２ｍ／ｓ以上、中でも２〜５０ｍ／ｓとする。
　【００３１】
　一方、基板回転機構（１０）と集光機構（５）とを相対移動させる他の構成として、図２に図示する様に集光機構（５）を移動する構成とすることも出来るし、または、それらを組み合わせてもよい。
　【００３２】
　図１に戻って、移動機構（６）は、複数の基板（１１）、（１１）のそれぞれにテキスチャ加工を行う全行程に亘って必要な低速度で移動させることも可能であるが、通常は、生産性を考慮し、一つの基板（１１）から他の基板（１１）に移動させる際には速められた速度で移動させられる。そして、斯かる速度制御は、移動機構（６）に他の移動機構を搭載して、その一方によって基板の間の移動を行わせ、他の一方によってテキスチャ加工のための移動を行うことも出来る。
　【００３３】
　なお、一つの基板（１１）から他の基板（１１）に移動させる際にのみ移動機構（６）を利用する場合は、集光機構（５）を搭載する他の移動機構（６ａ）を使用し、その移動によって一つの基板（１１）のテキスチャ加工を行う必要がある。他の移動機構（６ａ）としても前述のリニアスライダーが好適に使用される。
　【００３４】
　図２に示すテキスチャ装置は、移動機構が集光機構を回転基板機項上に移動させるものである。すなわち、基板回転機構（１０）、（１０）…、レーザビーム発振器（１）、当該発振器からのレーザビームをＯＮ／ＯＦＦ制御する変調器（２）、当該変調器からのレーザビームを基板回転機構にて回転支持された基板表面に照射する集光機構（５）、当該集光機構を複数の基板回転機構（１０）、（１０）…上に移動させる移動機構（６）から成る。
　【００３５】
　なお、基板回転機構（１０）は２基例示されているが、その数は任意である。基板回転機構、レーザビーム発振器、変調器については、図１について前記したのと同様に行える。
　【００３６】
　集光機構についても図１におけるのと同様に、全反射ミラーと対物レンズとの組合せとして構成され、通常、オートフォーカス（ＡＦ）システムを組み合わせて使用される。移動機構（６）としては、例えば、リニアスライダーが好適に使用される。ただし、図２においては、集光機構（５）は、移動機構（６）に搭載され、複数の基板回転機構（１０）、（１０）…に一定速度で往復移動させられる。
　【００３７】
　移動機構（６）は、複数の基板（１１）、（１１）のそれぞれにテキスチャ加工を行う全行程に亘って必要な低速度で移動させることも可能であるが、通常は、生産性を考慮し、一つの基板（１１）から他の基板（１１）に移動させる際には速められた速度で移動させられる。そして、斯かる速度制御は、移動機構（６）に他の移動機構を搭載して、その一方によって基板の間の移動を行わせ、他の一方によってテキスチャ加工のための移動を行うことも出来る。
　【００３８】
　本発明のテキスチャ装置には、例えば、図１または図２において示す様に、基板の表面に同一または異なった間隔の一定パターンで微小突起を形成する手段として、レーザビームの変調タイミングを制御するタイミング制御部（３）が備えられる。
　【００３９】
　すなわち、例えば通常採用される同一間隔で微小突起を形成する際、移動機構（６）及び基板回転機構（１０）の定速運転により、一定回転数一定速度で基板（１１）を移動させた場合、基板表面に形成される微小突起の間隔は外周に向かうに従って広くなる。そこで、タイミング制御部（３）により、基板の位置を確認し、その信号によってレーザビームの変調タイミング（照射時間）を制御し、基板表面に形成される微小突起の間隔を一定にする。
　【００４０】
　タイミング制御部（３）は、コンピュータ、位置検出機構、必要なインターフェイス等によって構成される。位置検出機構としては、例えば、レーザ変位計、エンコーダ等を利用することが出来る。なお、レーザビームの変調タイミングを制御せずに、移動機構（６）及び基板回転機構（１０）の速度制御を行ってもよい。
　【００４１】
　なお、突起形状を均一にするに当たって、集光機構と基板回転機構の相対移動に基づくレーザスポットの掃引距離は、円盤状基板の内周と外周、すなわち、半径方向の位置が変化しても一定となる様にすることが好ましく、その場合、パルス幅、または、基板の回転数を照射位置に応じて変化させることが好ましい。具体的な装置の構成としては例えば、次の様な構成を有する。
　【００４２】
　スピンドル回転数が一定の装置にあっては、半径方向の位置を計測する手段、当該計測手段によって計測された半径方向のそれぞれの位置に対してレーザスポットの掃引距離を一定とするパルス幅を演算する手段、当該演算結果に基づいてレーザビームを変調する手段によって構成される。
　【００４３】
　また、パルス幅が一定の装置にあっては、半径方向の位置を計測する手段、当該計測手段によって計測された半径方向のそれぞれの位置に対してレーザスポットの掃引距離を一定とするピンドル回転数を演算する手段、当該演算結果に基づいてレーザビームを変調する手段によって構成される。
　【００４４】
　次に、上記のテキスチャ装置を使用した本発明のテキスチャ加工方法について説明する。本発明のテキスチャ加工方法においては、上記のテキスチャ装置を使用し、磁気ディスク基板の表面に凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を１ｍｍ２当たり１０〜１０８個形成する。
　【００４５】
　例えば、図１に示す装置においては、先ず、複数の基板回転機構（１０）、（１０）…に各基板（１１）、（１１）…をセットし、一定速度で基板（１１）を回転させる。次いで、レーザビーム発振器（１）からのレーザビームを変調器（２）によってパルスレーザに変換し、集光機構（５）を通し、移動機構（６）によって一定速度で移動している複数の基板回転機構（１０）、（１０）…上の各基板（１１）、（１１）表面に照射する。すなわち、連続的に各基板（１１）、（１１）を移動させ、複数の基板のテキスチャ加工を連続的に行う。
　【００４６】
　また、図２に示す装置においても同様に、先ず、複数の基板回転機構（１０）、（１０）…に各基板（１１）、（１１）…をセットし、一定速度で基板（１１）を回転させる。次いで、レーザビーム発振器（１）からのレーザビームを変調器（２）によってパルスレーザに変換し、移動機構（６）によって一定速度で移動している集光機構（５）を通し、各基板（１１）、（１１）表面に照射する。すなわち、連続的に集光機構（５）を移動させ、複数の基板のテキスチャ加工を連続的に行う。
　【００４７】
　凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を形成する条件としては、レーザビームの出力が重要である。そして、具体的なレーザビームの出力は、基板の表面材質などによって異なるが、照射面において、通常５０〜２０００ｍＷ、好ましくは５０〜１０００ｍｗ、更に好ましくは５０〜４００ｍＷの範囲の光源を使用する。５０ｍＷ未満では突起の形成が困難であり、また２０００ｍＷを超えるとＣＳＳ特性の優れたテキスチャ加工が困難となる。また、連続出力が可能なレーザを使用することが好ましい。
　【００４８】
　典型的なＮｉ−Ｐ層の場合は、通常５０〜７００ｍｗ、好ましくは５０〜７００ｍｗの範囲から選択され、また、平均照射時間は０．０４〜１００μｓｅｃの範囲から選択される。ここで、平均照射時間とは、１個の突起を形成させるのに必要な照射時間を指す。
　【００４９】
　特に、レーザビームの出力が上記の範囲を超える場合は、米国特許第５，０６２，０２１号明細書に記載されたクレータ状の凹凸突起が形成され、磁気ディスクと磁気ヘッドとのスティッキング問題に対しては不十分である。なお、Ｎｉ−Ｐ層の厚さは、５０〜２０，０００ｎｍ、好ましくは１００〜１５，００ｎｍの範囲とするのがよい。
　【００５０】
　また、レーザビームのスポット径は、０．２〜４μｍの範囲が好ましく、０．２〜１．５μｍの範囲が特に好ましい。基板の回転数などは、生産性を考慮して決定されるが、通常、基板の回転数は、９００〜７２００ｒｐｍ、基板の移動速度は、移動機構（リニアスライダー）の移動速度として０．０３〜６０ｍｍ／ｓｅｃの範囲から選択するのがよい。
　【００５１】
　本発明のテキスチャ加工方法によれば、上記の条件を採用することにより、磁気ディスク基板の表面に凸部（突起）の高さが１〜１００ｎｍであり且つ凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起を１ｍｍ２当たり１０〜１０８個形成することが出来る。中でも、各突起の頂点から１ｎｍ下の高さにおける等高線で囲まれた図形の面積の平均値が、１μｍ２以下の比較的急峻なものが得られる。その結果、良好なＣＳＳ特性およびスティッキング特性と磁気ヘッドの低浮上化とを同時に可能とする磁気ディスク基板が得られる。
　【００５２】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
　【００５３】
　実施例１
　直径９５ｍｍのディスク状Ａｌ合金基板表面に膜厚１５μｍのＮｉ−Ｐ無電解メッキを施した後、表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下となる様に表面研磨を行ってディスク基板を得、その片面のテキスチャ加工を行った。使用したテキスチャ装置の構成は次の通りである。すなわち、図１のテキスチャ装置において、レーザービーム光源にはＡｒガスレーザビームチューブ（波長４８８ｎｍ、最大出力２Ｗ）、変調器には電気光学変調素子（応答周波数：２ＭＨｚ、立ち上がり時間：１５ｎｓ）を使用し、その他の条件は次の通りとした。なお、スピンドル回転軸のぶれは、±５μｍであった。
　【００５４】
　【表１】
　レーザービーム出力：４００ｍｗ
　パルス幅：０．１５６μｓｅｃ
　ビームスポット径：１μｍ
　オートフォーカス応答周波数：１８０Ｈｚ
　基板回転数：３６００ｒｐｍ
　リニアスライダーの移動速度（相対速度）：０．９ｍｍ／ｓｅｃ
　ビームの照射面上の相対走査速度：７．２ｍ／ｓ
　【００５５】
　レーザ干渉による表面形状測定装置（米国ザイゴ社製「ＺＹＧＯ」）により、テキスチャ加工後の基板の表面形状を観察した結果、凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起が形成されているのが確認された。また、平均突起密度は９２６０個／ｍｍ２、平均突起高さは３３ｎｍ、頂点から１ｎｍ下の高さに於ける等高線で囲まれた図形の面積の平均値（以下「Ａ面積」という）は、０．１２μｍ２であった。
　【００５６】
　スパッタ法により、上記の基板表面に順次Ｃｒ中間層（厚さ１００ｎｍ）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性層（厚さ５０ｎｍ）、カーボン保護層（厚さ２０ｎｍ）を形成し、カーボン保護層の表面に厚さ２ｎｍのフッ素系液体潤滑剤（モンテエジソン社製「ＤＯＬ−２０００」）を浸漬塗布して磁気ディスクを得た。
　【００５７】
　上記の磁気ディスクについて、ＣＳＳテスト前の静止摩擦係数（初期スティクション）及びＣＳＳ２万回後の摩擦力を測定した。ＣＳＳテストは、ロードグラム６ｇｆの薄膜ヘッド（スライダ材質：Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ）を使用し、ヘッド浮上量２μインチの条件で行った。また、グライドテスターを使用し、データゾーンとＣＳＳゾーンの間のシーク時におけるヘッドの浮上安定高さを評価した。初期ステイクションは０．１８、ＣＳＳ２万回後の摩擦力は３ｇｆ、ヘッドの浮上安定高さは１．５μインチであった。
　【００５８】
　実施例２
　図２のテキスチャ装置において、以下の条件とした以外は実施例１と同様にしてテキスチャ加工を行った。
　【００５９】
　【表２】
　レーザービーム出力：２００ｍｗ
　パルス幅：０．３１２μｓｅｃ
　ビームスポット径：１μｍ
　オートフォーカス応答周波数：１８０Ｈｚ
　基板回転数：１８００ｒｐｍ
　リニアスライダーの移動速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ
　ビームの相対走査速度：３．６ｍ／ｓ
　【００６０】
　レーザ干渉による表面形状測定装置（米国ザイゴ社製「ＺＹＧＯ」）により、テキスチャ加工後の基板の表面形状を観察した結果、凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起が形成されているのが確認された。また、平均突起密度は９２６０個／ｍｍ２、平均突起高さは２９ｎｍ、Ａ面積は０．２μｍ２であった。
　【００６１】
　実施例１と同様に磁気ディスクを製造し、ＣＳＳテスト前の静止摩擦係数（初期スティクション）及びＣＳＳ２万回後の摩擦力を測定した。ＣＳＳテストは、ロードグラム６ｇｆの薄膜ヘッド（スライダ材質：Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ）を使用し、ヘッド浮上量２μインチの条件で行った。また、グライドテスターを使用し、データゾーンとＣＳＳゾーンの間のシーク時におけるヘッドの浮上安定高さを評価した。初期ステイクションは０．１７、ＣＳＳ２万回後の摩擦力は４ｇｆ、ヘッドの浮上安定高さは１．５μインチであった。
　【００６２】
　実施例３
　実施例１において、以下の条件とした以外は実施例１と同様にしてテキスチャ加工を行った。
　【００６３】
　【表３】
　レーザービーム出力：３００ｍｗ
　パルス幅：０．１μｓｅｃ
　【００６４】
　レーザ干渉による表面形状測定装置（米国ザイゴ社製「ＺＹＧＯ」）により、テキスチャ加工後の基板の表面形状を観察した結果、凸状の近傍に当該凸部と連なる凹部を備えた形状の微小突起が形成されているのが確認された。また、平均突起密度は１００００個／ｍｍ２、平均突起高さは３１ｎｍ、Ａ面積０．１２μｍ２であった。
　【００６５】
　得られた基板を使用して実施例１と同様に磁気ディスクを得た。この磁気ディスクについて、ＣＳＳテスト前の静止摩擦係数（初期スティクション）及びＣＳＳ２万回後の摩擦力を測定した。ＣＳＳテストは、ロードグラム６ｇｆの薄膜ヘッド（スライダ材質：Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ）を使用し、ヘッド浮上量２μインチの条件で行った。また、グライドテスターを使用し、データゾーンとＣＳＳゾーンの間のシーク時におけるヘッドの浮上安定高さを評価した。初期スティクションは０．３、ＣＳＳ２万回後の摩擦力は８ｇｆ、ヘッドの浮上安定高さは１．５μインチであった。
　【００６６】
　【発明の効果】
　以上説明した本発明によれば、レーザビームを利用し、複数の基板のテキスチャ加工を連続的に行うことにより、加工生産性の向上を図ったテキスチャ装置が提供され、また、良好なＣＳＳ特性およびスティッキング特性と磁気ヘッドの低浮上化とを同時に可能とするテキスチャ加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のテキスチャ装置の一例の説明図である。
　【図２】
　本発明のテキスチャ装置の他の一例を示す説明図である。
　【符号の説明】
　　１：レーザビーム発振器
　　２：変調器
　　３：タイミング制御部
　　５：集光機構
　　６：移動機構
　　１０：基板回転機構
　　１１：基板