【事件の表示】
　特許第３０１４８４３号「ドライエッチング装置の前処理方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０１４８４３号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）．手続きの経緯
　本件特許第３０１４８４３号発明は、平成４年１月１７日に特許出願され、平成１１年１２月１７日にその特許の設定登録がなされ、その後、中野映子（以下、「申立人」という。）により平成１２年８月２８日特許異議の申立てがなされたものである。
（２）．特許異議申立てについて
（２−１）本件発明
本件特許第３０１４８４３号の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】エッチング装置を清掃した後、前記エッチング装置を立ち上げるための前処理を行うに際し、清掃後のエッチング装置を組み立てた後、装置内部の脱ガスするための真空引きおよびべ−キングを行い、次いで、予備放電を所定時間行った後に、予備放電を行いつつデポジション系のガスを装置内部に供給し、装置内部に残留する水分を除去することによって前記エッチング装置の立ち上げを行うことを特徴とするドライエッチング装置の前処理方法。
【請求項２】前記デポジション系のガスが含炭素系のガスである請求項１に記載のドライエッチング装置の前処理方法。
【請求項３】エッチング装置を大気解放した後に、前記エッチング装置を立ち上げるための前処理を行うに際し、前記エッチング装置内部の真空引きおよびベ−キングを行い、次いで予備放電を行った後に、予備放電を行いつつデポジション系のガスを装置内部に供給し、装置内部に重合膜を形成して、装置内部の残留水分を除去することによって前記エッチング装置の立ち上げを行うことを特徴とするドライエッチング装置の前処理方法。」
（２−２）申立ての理由の概要
　申立人は、甲第１号証として特開昭５５−８２７８２号公報を、甲第２号証として特開平２−４６７２６号公報をそれぞれ提示して、本件発明１〜３は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨主張している。
（２−３）甲各号証の記載について
（ａ）甲第１号証である特開昭５５−８２７８２号公報には、「ドライ・エッチング方法」に関する発明が開示されており、
（ａ−１）その第１頁左欄の特許請求の範囲には、「炭素及び弗素を含む反応性ガスを用いて行なうプラズマ・エッチングに先行し且つ被エッチング物をセットしない状態で、前記反応性ガスに依るプラズマ・デポジションにて装置内構成物を有機物被膜で覆う工程が含まれてなることを特徴とするドライ・エッチング方法。」と記載され、
（ａ−２）第２頁左上欄第５〜１１行には、「ところで、これ等装置を用いて、常法通りにただちにエッチングを行なった場合、被エッチング物、例えば、半導体ウエハが汚染され、半導体装置として完成させた場合に特性の劣化を生じることがある。この汚染を生じる理由は、エッチング中に装置構成材料もエッチングされ、それが半導体ウエハに再付着する為である。」と記載され、
（ａ−３）第２頁左下欄第２〜１０行には、「一般に、ドライ・エッチングに用いる反応性ガスとしては、ＣＦ４，…ＣＨＦ３等であり、……そして、これ等のガスを用いた場合、高周波電力とガス圧力を変化させることに依り、プラズマ・エッチングになったり、プラズマ・デポジシヨンになったりする。」と記載され、
（ａ−４）第４頁左上欄第３〜９行には、「以上の説明で判るように、本発明によれば、炭素及び弗素を含む反応性ガスを用いて行なうプラズマ・エッチングに先行して該反応性ガスに依るプラズマ・デポジションにて装置内構成物を有機物被膜で被覆するようにしているので、プラズマ・エッチング中に被エッチング物表面が汚染される率は実際上殆ど無視できる程度になる。」と記載されている。
（ｂ）また、甲第２号証である特開平２−４６７２６号公報には、「真空装置の真空度改善方法」に関する発明が開示されており、
（ｂ−１）その第１頁左欄第１９行〜右欄第１１行には、「従来、大気解放後の真空装置の真空度を上げるためには、排気中の真空装置をヒ−タ等で数時間から数十時間加熱するべ−キング法が用いられている。……しかしながら従来の方法によれば、ベ−キングを行う装置の場合、例えば真空装置の内壁に吸着しているＨ２Ｏ等の分子を離脱させ、真空装置の真空度を上昇させるには、真空装置全体を１０００℃以上の温度で数時間から数十時間べ−キングする必要があった。」と記載されている。
（２−４）．対比・判断
　本件発明１〜３と甲第１号証、甲第２号証に記載された発明とを対比する。
（２−４−１）本件発明１について　
　本件発明１は、『「エッチング装置を清掃した後、前記エッチング装置を立ち上げるための前処理を行うに際し、清掃後のエッチング装置を組み立てた」（以下、「要件Ａ」という。）後に、「装置内部の脱ガスするための真空引きおよびべ−キングを行い」（以下、「要件Ｂ」という。）、次いで「予備放電を所定時間行った」（以下、「要件Ｃ」という。）後に、「予備放電を行いつつデポジション系のガスを装置内部に供給し、装置内部に残留する水分を除去することによって前記エッチング装置の立ち上げを行う」（以下、「要件Ｄ」という。）ドライエッチング装置の前処理方法』であって、前記「要件Ａ」と前記「要件Ｂ」の後に、前記「要件Ｃ」と前記「要件Ｄ」とを組み合わせて順次行うものである。　
　これに対し、
（２−４−１−１）甲第１号証には、上記（２−３）（ａ−１）〜（ａ−４）より、
　ドライエッチング装置によって、エッチング処理を行う前に、予備放電を行いつつデポジション系のガスを装置内部に供給することにより、装置内部を有機物皮膜で被覆して、エッチング時のウエハの汚染を防止することが開示されており、「要件Ｄ」については一部記載されているといえる。
（２−４−１−２）また、甲第２号証には、上記（２−３）（ｂ−１）より、
　大気開放された装置内に吸着された水分の除去が困難なことは、本件特許出願前から当業者に良く知られた事項であること、および、装置を大気解放した後の前処理として、真空引きおよびべ−キング等を行うこと、ならびに、このような真空引きおよびべ−キング等では、装置内壁に吸着した水分の除去が困難であることが開示されており、「要件Ａ」の後に「要件Ｂ」を行うことは記載されているといえる。
　そうすると、本件発明１は前述のとおり、「要件Ａ」、「要件Ｂ」の後に、「要件Ｃ」、「要件Ｄ」とを組み合わせ順次行うものであるところ、甲第１、２号証には、「要件Ｂ」の後に、「要件Ｃ」、「要件Ｄ」とを順次おこなう点については何らの開示も示唆もない。そして、本件発明１は、これらの構成要件を備えることにより、従来、３００分かかっていた予備放電を５０数分〜６０数分に短縮できる（【０００６】および【００１５】並びに【００２９】参照。）という上記甲１、２号証にはない格別な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、上記甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（２−４−２）本件発明２について
　本件発明２は、実質的に本件発明１を引用して記載されたものであるところ、「要件Ａ」、「要件Ｂ」の後、「要件Ｃ」、「要件Ｄ」とを組み合わせ順次行う点の構成が、甲第１、２号証の記載から容易になしえたものと認められない以上、たとえ、甲第１号証に、ＣＨＦ３等の含炭素系のガスが、デポジシヨン系のガスとして示されていたとしても、本件発明２は、上記甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（２−４−３）本件発明３について
　本件発明３は、『「エッチング装置を大気解放」（以下、「要件Ａ’」という。）した後に、「前記エッチング装置を立ち上げるための前処理を行うに際し、前記エッチング装置内部の真空引きおよびベ−キングを行い」（以下、「要件Ｂ’」という。）、次いで「予備放電を行った」（以下、「要件Ｃ」という。）後に、「予備放電を行いつつデポジション系のガスを装置内部に供給し、装置内部に重合膜を形成して、装置内部の残留水分を除去することによって前記エッチング装置の立ち上げを行う」（以下、「要件Ｄ’」という。）ことを特徴とするドライエッチング装置の前処理方法。』とあるとおり「要件Ａ’」、「要件Ｂ’」の後に、「要件Ｃ」、「要件Ｄ’」とを組み合わせ順次行うものである。
　本件発明３と、甲第１、２号証の記載事項とを対比すると、甲第１、２号証には「要件Ｂ’」の後に、「要件Ｃ」、「要件Ｄ’」とを順次行う点については何らの開示も示唆もない。そして、本件発明３は、「要件Ａ’」、「要件Ｂ’」の後に、「要件Ｃ」、「要件Ｄ’」とを組み合わせ順次行うことにより、上記（２−４−１）と同様の甲１、２号証にはない格別な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明３は、上記甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（２−４−４）まとめ
　以上のとおりであるから、本件発明１〜３は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（３）．むすび
　上記のとおりであるから、本件発明１〜３の特許は、特許異議の申し立ての理由および証拠方法によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月２８日（２０００．１１．２８）