【事件の表示】
　特許第２８６１９９１号「窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法」の請求項１乃至３に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８６１９９１号の請求項１乃至３に係る発明の特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2，861，991号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　平成9年10月20日
　（特願平5−300940号（平成5年11月6日出願）の分割）
　特許権設定登録　　　平成10年12月11日
　特許公報発行　　　　平成11年2月24日
　異議の申立て　　　　平成11年8月24日
　訂正請求　　　　　　平成12年1月17日
　訂正請求書の補正　　平成12年4月30日
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正請求書の補正について
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１において、訂正部分にさらに「前記p型窒化物半導体層の隅部を切り欠いた形状で」という限定を付加するものであり、訂正請求書の要旨を変更するものであるから、特許法第１３１条第２項の規定により認めることができない。
　
（２）訂正の目的の適否等について
　訂正請求書の訂正事項ｂにおいて、特許請求の範囲の請求項1における「窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において、」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法であって、前記ｐ型窒化物半導体層を前記ｎ型窒化物半導体層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝を形成する窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法において、」と訂正するとされた。
　しかしながら、第一の割り溝は、サファイア基板の一部を除く深さまで、エッチングされるのであるが、もし、上記エッチングが単一の工程であるならば、エッチングは、マスクされていない部分をｐ層からｎ層を貫通して直接にサファイア基板に至るので、上記ｎ型窒化物半導体層の電極が形成できるはずがない。これを特許明細書の図面でいえば、図４の平面図は、図１及び図２の平面図とは考えられるが（段落【0016】参照）、図３の平面図とは考えられない。また、エッチングを２段階で行えば図３に対応するものが形成できるが、そのようなことは特許明細書に記載されていない。
　この点に関し、特許権者は、「訂正の原因」の中で、「本件発明は図３に示す実施形態に係るものであり、図１に示す『ｐ型窒化物半導体層を前記ｎ型窒化物半導体層の電極が形成できる線幅でエッチングして、第一の割り溝を形成』した実施形態を前提とするものである。」と主張しているが、その主張が妥当でないことは上述のとおりである。
　したがって、上記訂正は、願書に添付した明細書及び図面に記載した範囲内においてなされていない。
　あるいは、上記訂正は、実質上特許請求の範囲を変更するものである。
　さらに、訂正された発明に関しては、発明の詳細な説明において、当業者が容易に実施できる程度にその目的、構成及び効果が記載されているとは認められないので、特許法第３６条第４項に規定に違反しており、本件特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　以上のとおりであるので、本件訂正請求は、平成６年法律１１６号附則第６条により、なお従前の例とされる改正前の特許法第１２６条ただし書き及び同条第２項並びに第３項の規定により認められない。
　
３．特許異議申立について
　（3．1）異議申立人の主張の概要
　異議申立人青木衛は、甲第１号証ないし甲第４号証を提示し、本件特許発明は上記甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるから、本件特許は取り消されるべきものであると主張する。
　
　（3．2）本件発明
　本件特許発明は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」などという。）。
　「【請求項１】サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において、
　前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状に形成すると共に、この第一の割り溝を窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通してサファイア基板の一部を除く深さまで形成する工程と、
　前記ウェハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（W1）よりも細い線幅（W2）を有する第二の割り溝を形成する工程と、
　前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。　　
　【請求項２】前記第一の割り溝をエッチングにより形成することを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
　【請求項３】前記第二の割り溝をスクライブにより形成することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。」
  （3．3）刊行物に記載された発明
　異議申立人青木衛の提示する甲第1号証（特開平5−166923号公報、以下「刊行物１」という。）には、
　「【0014】
　【実施例】以下、本発明の切断方法を実施例で詳説する。
　［実施例1］　（1）厚さ350μm、大きさ2インチφのサファイア基板上に、n型GaN層とp型GaNを合わせて5μmの厚みで成長させた発光ダイオード用のGaNウエハーの基板を、研磨器により研磨して120μmとする。さらに、基板側に粘着テープを貼付し、スクライバーのテーブル上に張り付け、真空チャックで固定する。テーブルはx軸（左右）、y軸（前後）に動き、180度水平に回転可能な構造となっている。」及び
　「【0015】
　［実施例2］ （1）　実施例1に同じ。
（2）　実施例1と同様にしてGaN層から150μmピッチのスクライブラインを入れる。但しスクライブ回数は2回とし、深さは8μmとする。
（3）　実施例1と同様にテーブルを回転させ、スクライブ回数2回で、直行するスクライブラインを引く。
　以上のようにしてGaN層にスクライブラインを引き終えた後、サファイア基板に貼付した粘着テープを溶剤により取り去った後、再びスクライブラインの入ったGaN層に粘着テープを貼付し、同様にスクライバーのテーブル11に設置する。この際スクライバーの刃先の軌跡が先ほど引いたGaN層のスクライブラインと一致するように刃先を一致させる。後は（2）〜（3）の工程と同様にして、基板側にも碁盤目状のスクライブラインを引く。
（4）　実施例1と同様にしてGaNウエハーを150μm角のチップに切断したところ、同じく歩留は95％以上であった。」と記載されている。
　すなわち、上記刊行物１には、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において、前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状に形成すると共に、この第一の割り溝を窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通してサファイア基板の一部を除く深さまで形成する工程と、前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備する窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法が記載されている。
　同じく甲第2号証の1（特開平62−105446号公報、以下「刊行物２」という。）には、図5において、スクライブ法によるダイシングライン5とそれより細い線幅のスクライブライン6とが相互に合致する位置に形成されている様子が記載されている。
　同じく甲第2号証の2（特開昭53−115191号公報、以下「刊行物３」という。）には、図3において、ダイシング溝4とそれより細い線幅のスクライブ線5とが相互に合致する位置に形成されている様子が記載されている。。
　同じく甲第3号証（特開昭62−272583号公報、以下「刊行物４」という。）には、「フォトリソによるマスクパターンの形成及びエッチングを通常の方法によって行い、似ってストライプ溝１９のCr／Au層16、酸化膜15及び半導体レーザ層13を除去して基板11までストライプ溝19の形成を行う。」（第3頁右上欄第20行〜左下欄第5行）及び「次いで第１図（Ｅ）及び第２図（Ｂ）に示すように研磨した基板11をストライプ溝19に沿って分断する。この分断はダイシング法、スクライブ法及びその他の好適な手段により行えば良い。」（第3頁右下欄第2行〜第5行）と記載されている。
　（3．4）本件第１発明について
　本件第１発明と刊行物１記載の発明とを比較すると、両者は、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において、前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状に形成すると共に、この第一の割り溝を窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通してサファイア基板の一部を除く深さまで形成する工程と、前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備する窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法である点において一致しているが、前者においては、ウェハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅（W1）よりも細い線幅（W2）を有する第二の割り溝を形成しているが、後者においては、線幅の大小関係が明らかでない点において相違している。
　そこで、上記相違点について検討すると、上記刊行物２及び３には、ウエハ素子構造層側の割り溝（第一の割り溝）の線幅よりもウエハ側の割り溝（第二の割り溝）の線幅を狭くした例が開示されている。上記刊行物１及び２記載のウエハーは、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した構成ではないが、ウエハーを分離するという技術分野において上記刊行物１記載の発明と同一である。
　したがって、上記刊行物１記載の発明に上記刊行物２又は３記載の発明を施すことにより本件第１発明とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　
  （3．5） 本件第２発明について
　本件第２発明は、本件第１発明において、第一の割り溝をエッチングにより形成するこを特徴とするものであるが、第一の割り溝をエッチングにより形成することは上記刊行物４に記載されているようによく知られていることであるから、本件第２発明は、上記刊行物１ないし４記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　
  （3．6） 本件第３発明について
　本件第３発明は、本件第１又は第２発明において、第二の割り溝をスクライブで形成することを特徴とするものであるが、第二の割り溝をスクライブで形成することは上記刊行物１にも記載されているように、よく知られた技術であるので、本件第３発明は、上記刊行物１ないし３に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１６日（２０００．６．１６）