【事件の表示】
　特許第２７７２１８３号「シリコンウェハの製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７７２１８３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
 I．　手続の経緯　
　
　本件特許第２７７２１８３号に係る主な手続の経緯は、以下のとおりである。　
　特許出願　　　　　平成　３年１１月３０日　
　特許権設定登録　　平成１０年　４月１７日　
　特許公報発行　　　平成１０年　７月　２日　
　特許異議の申立て　平成１０年１２月２５日及び２８日　
　取消理由通知　　　平成１１年１０月　４日　
　特許異議意見書　　平成１１年１２月２８日　
　訂正請求書　　　　平成１１年１２月２８日　
　訂正拒絶理由通知　平成１２年　４月　４日　
　意見書　　　　　　平成１２年　６月２６日　
　　
II．　特許異議申立ての理由の概要　
　
１．特許異議申立人杉山六郎は、以下の旨を主張する。　
　本件特許の特許請求の範囲の請求項１に係る特許発明は、本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である甲第１号証（特開昭６２−２２６８９１号公報）に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し、したがって、同法同条同項の規定により、特許を受けることができなかったものであり、又は少なくとも甲第１号証及び甲第２号証（同じく本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である特開平２−１７７５４号公報）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法同条第２項の規定により、特許を受けることができなかったものである。　
　
２．特許異議申立人西塚保遠は、以下の旨を主張する。　
　本件特許の特許請求の範囲の請求項１に係る特許発明は、本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である甲第１号証（特開昭６２−２２６８９１号公報）に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し、また、本件特許の出願前日本国内において公知公用の発明であるので、同法同条同項第１号に掲げる発明及び第２号に掲げる発明に該当するから、同法同条同項の規定により、特許を受けることができなかったものであり、更に、本件特許の出願前日本国内において頒布された刊行物である甲第１号証及び甲第２号証（「半導体研究」１６巻　第２５〜５８頁）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法同条第２項の規定によっても、特許を受けることができなかったものである。　
　
III． 訂正請求の適否についての判断　
　
１．訂正請求の内容　
（１）訂正事項ａ　
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の「ウェハ面を
結晶方位（１００）
還元性ガス雰囲気中で
（１００）面
１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃で
　
（２）訂正事項ｂ　
　特許明細書の段落番号「０００２」の「結晶方位（１００）」を「（１００）面」と訂正する。　
　
（３）訂正事項ｃ　
　特許明細書の段落番号「０００５」の「本発明のシリコンウェハの製造方法は、ウェハ面を結晶方位（１００）に対して０．２〜２．０°傾けてスライスしたシリコンウェハを還元性ガス雰囲気中でアニールすることを特徴とするものである。」という記載を、「本発明のシリコンウェハの製造方法は、ウェハ面を（１００）面に対して０．２〜２．０°傾けてスライスしたシリコンウェハを１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃でアニールすることを特徴とするものである。」と訂正する。　
　
（４）訂正事項ｄ　
　特許明細書の段落番号「０００６」の２個所の「結晶方位（１００）」を、「（１００）面」と訂正する。　
　
（５）訂正事項ｅ　
　特許明細書の段落番号「０００７」の「本発明において、還元性ガス雰囲気でのアニールは、水素含有ガス雰囲気中、４００〜１３００℃，５分〜１００時間の条件で行われる。ここで、水素含有雰囲気とは、１００％水素ガス雰囲気、又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気をいう。」という記載を、「アニールは、１００％水素ガス雰囲気、又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気において１０００〜１３００℃，５分〜１００時間の条件で行われる。」と訂正する。　
　
（６）訂正事項ｆ　
　特許明細書の段落番号「０００８」の「アニール温度が４００℃未満ではウェハの酸化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることができない。アニール温度が１３００℃を越えると石英治具、ヒータなどの炉まわりの寿命が大幅に短くなる。」という記載を、「アニール温度が１３００℃を越えると石英治具、ヒータなどの炉まわりの寿命が大幅に短くなる。」と訂正する。　
　
（７）訂正事項ｇ　
　特許明細書の段落番号「００１１」の２個所の「結晶方位（１００）」を「（１００）面と、また「（１１０）方向」を「［１１０］方向」とそれぞれ訂正する。　
　
（８）訂正事項ｈ　
　特許明細書の段落番号「００１２」の「結晶方位（１００）」を「（１００）面」と訂正する。　
　
（９）訂正事項ｉ　
　特許明細書の段落番号「００１５」の「ウェハ面を（１００）方向に０．２〜０．８°傾けてスライス及びミラーポリッシングした後、アニールしたものでも虹色をしたヘイズの発生はなかった。一方、」という記載を削除する。　
　
２．訂正の適否　
　
（１）訂正の目的の適否、新規事項追加の有無及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否　
　
　１）上記訂正事項ａにおいて、特許明細書の請求項１に記載された「還元性ガス雰囲気中でアニールする」という記載を、「１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃でアニールする」と訂正しようとすることは、特許請求の範囲の減縮に該当する。　
　また、同じく上記訂正事項ａにおいて、特許明細書の請求項１に記載された「結晶方位（１００）」を「（１００）面」と訂正しようとすることは、誤記の訂正に該当する。すなわち、結晶学において「（…）」という表記の仕方は面を表すものであるということ、及び特許明細書の段落番号「０００２」には正しく「（１００）面」と記載されていることから、「結晶方位（１００）」は「（１００）面」の誤記であると認められる。　
　そして、「１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃でアニールする」ことは、特許明細書の段落番号「０００７」及び「０００８」に、「【０００７】本発明において、還元性ガス雰囲気中でのアニールは、水素含有ガス雰囲気中、４００〜１３００℃、５分〜１００時間の条件で行われる。ここで、水素含有雰囲気ガスとは、１００％水素ガス雰囲気、又は水素を１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気をいう。【０００８】アニール温度が４００℃未満ではウェハの酸化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることができない。アニール温度が１３００℃を越えると石英治具、ヒータなどの炉まわりの寿命が大幅に短くなる。より好ましい温度範囲は、１０００〜１３００℃である。」と記載されていたことからみて、特許明細書に記載した事項の範囲内のことである。また、上記誤記の訂正も、上述したことからして、特許明細書に記載した事項の範囲内のことである。　
　また、上記訂正事項ａは、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　
　２）上記訂正事項ｂ、訂正事項ｄ、訂正事項ｇ及び訂正事項ｈは、誤記の訂正に該当する。　
　そして、これら訂正事項は特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　
　３）上記訂正事項ｃ、訂正事項ｅ及び訂正事項ｆは、特許明細書の特許請求の範囲の記載の訂正に伴い、この訂正しようとする特許請求の範囲の記載と特許明細書の発明の詳細な説明の記載との整合を図ろうとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、これら訂正事項は願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　
　４）上記訂正事項ｉは、「ウェハ面を（１００）方向に…傾けて」という記載は、面を示すものとしても軸を示すものとしても明りょうでないため、「ウェハ面を（１００）方向に０．２〜０．８°傾けてスライス及びミラーポリッシングした後、アニールしたものでも虹色をしたヘイズの発生はなかった。一方、」という記載を削除しようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、上記訂正事項ｉは願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　
（２）独立特許要件　
　
　１）本件訂正請求発明　
　
　前記平成１１年１２月２８日付けの訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明の要旨は、同明細書の記載からみて、その請求項１に記載されたとおりの、　
　「ウェハ面を（１００）面に対して０．２〜２．０°傾けてスライスしたシリコンウェハを１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃でアニールすることを特徴とするシリコンウェハの製造方法。」　
にあるものと認める。（以下、上記全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により構成される発明を「訂正請求発明」という。）。　
　
　２）各刊行物の記載事実　
　
　２−１）　特許異議申立人杉山六郎及び西塚保遠が、それぞれ「甲第１号証」として提出した刊行物である特開昭６２−２２６８９１号公報（以下「刊行物１」という。）には、　
　(a)「（発明が解決しようとする問題点）　
　主表面の結晶方位が＜１００＞方向からなるウエーハは、通常そのオフアングルの傾け方向に指定がなく、主表面に直角な法線の方向が＜１００＞に対し±１乃至２°以下の傾斜になるように加工された後エピタキシャル成長されるが、しばしば成長面に微小な円状、楕円状あるいは一方向に尾を引くロケット状の凹みを生じる。これらの凹みは長さが高々１０μｍで、これに直角方向の幅は高々５μｍであるが、その凹みの深さはエピタキシャル成長面から最大１〜２μｍにも及ぶことがある。……かかる微小な凹み（以下ティアドロップという）……があると、ＩＣパターンがその部分で不鮮明になり、…一枚のウエーハから得られるＩＣの良品収率が大いに低下する。またティアドロップは…ＩＣ回路のエレメントである例えばトランジスタがその場所に形成された場合、拡散接合またはシリコンとその酸化膜接合の電気的特性にも悪影響があると考えられる。」（第２頁左上欄第１６行〜左下欄第第１５行）、　
　(b)「（発明の構成）　
　本発明者らは前記問題点に鑑み、種々検討した結果、驚くべきことに、下地単結晶シリコン基板の主表面を（１００）面から特定の方向に一定の微小な傾きをもつように調整することによって、ティアドロップの発生を防止できることを見出し本発明に到達したものである。」（第２頁左下欄第１６行〜右下欄第２行）、　
　(c)「本発明は前記のように、下地シリコン単結晶基板の主表面を（１００）面から特定の方向に一定の微小な傾きをもつように調整するが、この場合の基板の傾け方向および角度θ、φを第１図によって説明する。　（１００）面上にＯ点を通り、各結晶軸〔０１１〕、〔０−１−１〕、〔０１−１〕、〔０−１１〕があり、さらに（１００）面上に直方体２が、その一つの頂点をＯ点に置かれ、この頂点に集まる３辺を〔０１１〕〔０１−１〕〔１００〕軸に一致させて位置している。この直方体の側面３、４の対角線ＯＡ，ＯＢが〔１００〕軸となす角をθ、φとすると、Ｏ点を通る直方体の対角線ＯＣを法線とするウエーハ５は、主表面が〔１００〕軸に対して〔０１１〕方向に角度θだけ傾斜し、〔０１−１〕方向に角度φだけ傾斜したものであるから、このθ、φを、　
　　　　　　　５′≦θ≦２°、φ≦１０′　
　または　　　５′≦φ≦２°、θ≦１０′　
の数値範囲に入るようにしたものが本発明の基板である。　
　θ、φは〔１００〕軸からそれぞれ〔０−１−１〕、〔０−１１〕軸方向に傾斜させてもよい。θ、φが小さい場合、ウエーハ５は（１００）面に近い主表面をもつウエーハである。」（第２頁右下欄第２７行〜第３頁左上欄第２０行；なお、上記引用個所において、結晶方向を表記するのに〔　〕内の「１」の上に「−」を付すべきところは、〔　〕内の「１」の前に「−」を付して表記した。以下同じ）、　
と記載されている。
　(d)そしてその図面第１図は、以下のとおりである。　
　
　
　すなわち、図面第１図には、〔０１１〕方向と〔０−１−１〕方向を示す線と、〔０−１１〕方向と〔０１−１〕方向を示す線との交点に直方体の底面の一つの頂点が置かれ、そしてこの点が「Ｏ」とされており、他方、この直方体の上端面の４つの頂点は、一つは〔１００〕方向を示す線内にあるものとして、もう一つは〔１００〕方向を示す線と〔０−１１〕方向を示す線とが作る面内に「Ａ」として、更にもう一つは〔１００〕方向を示す線と〔０−１−１〕方向を示す線とが作る面内に「Ｂ」として、残る一つは「Ｃ」として描かれており、そして、ウエーハ５は、主表面が〔１００〕軸に対して〔０１１〕方向及び〔０１−１〕方向に、わずかに傾いたものとして描かれている。　
　(e)また、「このように微小なオフアングルの（１００）面近傍に主表面を持つエピタキシャルウエーハが、……エピタキシャル反応器中における気相反応工程では、初期の水素雰囲気中の、高温例えば１０００℃で３０分程度の熱処理によって、前記…数値範囲外の下地結晶表面に微小凹みの発生があり、前記…数値範囲内の場合には発生しないことを発見し、これがティアドロップ発生の有力な手掛かりになることが判明した。」（第３頁右上欄第１９行〜左下欄第第１０行）、　
とも記載されている。　
　(f)更に、「（実施例１）　
　θ＝２０′　（〔０１１〕方向）、　φ＝５′　（〔０−１１〕方向）　となるよう傾けてスライスされた（１００）面に近い主表面をもつ、固有抵抗0.005〜0.02Ωcm のｐ型シリコン単結晶基板を反応器に入れ、８５０℃で15分間水素アニールした後、1150℃で１分間塩酸エッチングし、その後水素・トリクロロシラン混合ガスを供給し、1150℃で1.0μｍ／min の成長速度で１５分間エピタキシャル成長させた結果、エピタキシャル成長面にはティアドロップが認められなかった。　
　（実施例２）　
　θ＝３′　（〔０−１−１〕方向）、　φ＝２５′　（〔０１−１〕方向）　となるよう傾けてスライスされた（１００）面に近い主表面をもつ、固有抵抗１〜２Ωcm のｎ型シリコン単結晶基板を反応器に入れ、８５０℃で15分間水素アニールした後、1150℃で90秒間塩酸エッチングし、その後水素・トリクロロシラン混合ガスを供給し、1150℃で1.0μｍ／min の成長速度で１５分間エピタキシャル成長させた結果、エピタキシャル成長面にはティアドロップが認められなかった。」（第２頁右下欄第１行〜第３頁左上欄第２行）、　
と記載されている。　
　(g)以上をまとめると、上記刊行物１には、　
　「下地結晶表面の微小凹みの発生がその原因解明の有力な手掛かりとなると考えられるμｍオーダーの微小な凹み（ティアドロップ）の発生を大幅に抑制すること」を目的とする、　
　「（１００）面に対して、すなわち〔１００〕軸に対して〔０１１〕方向又は〔０−１−１〕方向に角度θ、〔０１−１〕方向又は〔０−１１〕方向に角度φだけ傾けてスライスしたウエーハ５（下地シリコン単結晶基板）であって、上記θ、φを『５′≦θ≦２°、φ≦１０′』又は『５′≦φ≦２°、θ≦１０′』の数値範囲としたウエーハ５（下地シリコン単結晶基板）を８５０℃で水素アニールすることを特徴とするウエーハ５（下地シリコン単結晶基板）の製造方法」が記載されているものと認められる。　
　
　２−２）　特許異議申立人杉山六郎が「甲第２号証」として提出した刊行物である特開平２−１７７５４２号公報（以下「刊行物２」という。）には、　
　(a)「シリコンウェハを水素含有雰囲気中、５〜２０ａｔｍ、４００〜１３００℃で５分〜１００時間熱処理することを特徴とするシリコンウェハの熱処理方法。」（第１頁左下欄第５〜７行：特許請求の範囲）、　
　(b)「本発明において、水素含有雰囲気とは１００％水素雰囲気、又は水素を１０％以上含有し、残部が不活性ガスである雰囲気をいう。」（第２頁左上欄第１１〜１３行）、　
と記載されている。　
　
　２−３）　特許異議申立人西塚保遠が「甲第３号証」として提出した刊行物である“BOOK OF SEMI STANDARDS 1985 M8 STD. 1〜6”（以下「刊行物３」という。）には、（１００）面からの off angle の規格値が±２°であることが示されている。　
　
　２−４）　特許異議申立人西塚保遠が「甲第２号証」として提出した刊行物である「「半導体研究」１６巻」（以下「刊行物４」という。）には、　
　(a)「還元性雰囲気中あるいは不活性雰囲気中（Ｈ２ を用いることが多い）」で加熱された基板上に，シリコンを含んだガスを送ることによって，基板と同一のの結晶方位をもつシリコン単結晶を成長させるというのが，現在半導体工業で実用化されている気相エピタキシャル成長の基本的プロセスである。」（第２６頁左欄第２１行〜右欄第２行）、　
　(b)「エピタキシャル成長温度というのは，基板の表面状態，使用ガスの純度等に著しく依存するので，例えばＳｉＣｌ４ ソースでも，成長前の基板を硝酸中で煮沸したり，成長前のアニールを十分高温で行うことにより, 1,000℃以下で欠陥の少ない成長層を得ることが可能である。」（同頁右欄第１３行〜１８行）、　
　(c)「（１００）面に関しては，パターンのずれは，図２．４２に示すように（１００）からの off-angle の増大につれて大きくなるが，パターンのだれの方は，われわれの測定では off-angle （（１００）面の方向へ）の増大に伴って急激に小さくなる（図２．４３）。」（第５０頁右欄第１〜５行）、　
　(d)「積層欠陥の原因としては，　
　１　基板表面のキズや汚れ　
　２　ガス中の不純物，特に炭化水素（ＣＨ４ 等）等の炭素を含む化合物　
　３　基板中の欠陥，例えば転位ループ，析出物等　
である。」（第５１頁左欄第１６〜２２頁）、　
と記載されている。　
　
　３）対比　
　
　上記「２）　２−１）　(c)及び(d)」に基づいて刊行物１に記載された発明における、ウエーハ５（下地シリコン単結晶基板）面の（１００）面に対する傾き角度を計算すると、傾き角度が最小となる場合は「θ＝５′、φ＝０」又は「θ＝０、φ＝５′」の場合であり、この場合において傾き角度は「５′」すなわち「０．０８３３°」（小数点以下４桁目は同５桁目の四捨五入によった。以下同じ）であり、傾き角度が最大となる場合は「θ＝２°、φ＝１０′」又は「θ＝１０′、φ＝２°」の場合であり、この場合において傾き角度は「２．００６８°」である。　
　以上の上記刊行物１における（１００）面に対する傾き角度の数値及び前記「２） ２−１）(g)」を前提に、訂正請求発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、　
　「ウェハ面を（１００）面に対してある微小角度を傾けてスライスしたシリコンウェハを水素雰囲気中においてアニールすることを特徴とするシリコンウェハの製造方法」　
である点で一致し、　
　訂正請求発明では、ウェハ面を（１００）面に対してスライスする傾きは「０．２〜２．０゜」であるのに対し、上記刊行物１に記載された発明では、「０．０８３３°〜２．００６８°」である点（「相違点１」）、
　訂正請求発明では、アニール雰囲気が「１００％水素ガス又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気」であるのに対し、上記刊行物１には、「水素アニール」と記載されているだけで、水素、活性ガスがどのような比率のものであるかを規定していない点（「相違点２」）、　
　訂正請求発明では、アニール温度が「１０００〜１３００℃」であるのに対し、上記刊行物に記載された発明では「８５０℃」である点（「相違点３」）、　
の３点で両者は相違する。　
　
　４）判断　
　
　上記相違点について検討する。　
　訂正請求発明は、ウェハ面を（１００）面に対してスライスする傾きを「０．２〜２．０゜」とし、かつ「スライスしたシリコンウェハを１００％水素ガス又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃でアニールする」ことにより、「オングストロームオーダーでのウェハ表面の面荒れによる」（全文訂正明細書段落番号「０００３」）「ヘイズの発生がなく、デバイス特性の良好なシリコンウェハを製造できる。」（同明細書段落番号「００１６」）という効果を生じるものであると認められる。　
　そうしてみると、ウェハ面を（１００）面に対してスライスする傾きを、上記刊行物１に記載された発明における「０．０８３３°〜２．００６８°」の範囲内である「０．２〜２．０゜」に殊更に限定することには顕著な技術上の意義があると認めざるを得ない。　
　そして、上記刊行物１ないし刊行物４には、(i)ウェハ面を（１００）面に対してスライスする傾きを「０．２〜２．０゜」とすること及び(ii)「ヘイズの発生」をなくするということについては、記載も示唆もされていない。（付言するに、上記刊行物１に記載された発明における「ティアドロップ発生の有力な手掛かりになる」という「下地結晶表面の微小凹み」は、前記「２）２−１）(a)」の記載からして、また、平成１２年６月２６日付けの意見書第４頁第１５行〜第６頁第７行の説明からしても、μｍオーダーのものであると推認するに難くない。）　
　以上からすると、上記「相違点１」は、当業者といえども上記刊行物１ないし刊行物４に記載された発明に基いて容易に想到できることではない。　
　したがって、上記「相違点２」及び「相違点３」について検討するまでもなく、訂正請求発明は、その特許出願の際に、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明には該当せず、かつ、上記刊行物１ないし刊行物４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができる発明にも該当しない。　
　
　４）独立特許要件の項の結び　
　
　以上のとおりであるから、訂正請求発明は、本件各特許異議申立ての理由及び証拠によって、特許法第２９条第１項ないし同法同条第２項の規定により特許出願の際これについて独立して特許を受けることができない発明に該当するということはできない。　
　また、他に訂正請求発明について、その特許出願の際独立して特許を受けることができないとする〔他の〕理由を発見しない。　
　したがって、当該訂正請求発明は、特許出願の際これについて独立して特許を受けることができるものである。　
　
（３）訂正の適否の項の結び　
　
　以上「（１）」及び「（２）」のとおりであるので、本件訂正請求は、平成６年法律第１１６号（特許法等の一部を改正する法律）附則第６条第１項において「なお従前の例による」と改正される前の特許法第第１２６条第１項ないし第３項の規定に適合するから、これを認める。　
　
VI．　結び　
　
　以上のとおりであるから、本件各特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件訂正請求書により訂正された特許発明についての特許を取り消すことはできない。　
　また、他に上記特許発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月１４日（２０００．９．１４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の「ウェハ面を
結晶方位（１００）
還元性ガス雰囲気中で
（１００）面
１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃で
（２）訂正事項ｂ
　誤記の訂正を目的として、特許明細書の段落番号「０００２」の「結晶方位（１００）」を「（１００）面」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号「０００５」の「本発明のシリコンウェハの製造方法は、ウェハ面を結晶方位（１００）に対して０．２〜２．０°傾けてスライスしたシリコンウェハを還元性ガス雰囲気中でアニールすることを特徴とするものである。」という記載を、「本発明のシリコンウェハの製造方法は、ウェハ面を（１００）面に対して０．２〜２．０°傾けてスライスしたシリコンウェハを１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃でアニールすることを特徴とするものである」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　誤記の訂正を目的として、特許明細書の段落番号「０００６」の２個所の「結晶方位（１００）」を「（１００）面」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号「０００７」の「本発明において、還元性ガス雰囲気でのアニールは、水素含有ガス雰囲気中、４００〜１３００℃，５分〜１００時間の条件で行われる。ここで、水素含有雰囲気とは、１００％水素ガス雰囲気、又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気をいう。」という記載を、「アニールは、１００％水素ガス雰囲気、又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気において１０００〜１３００℃，５分〜１００時間の条件で行われる。」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号「０００８」の「アニール温度が４００℃未満ではウェハの酸化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることができない。アニール温度が１３００℃を越えると石英治具、ヒータなどの炉まわりの寿命が大幅に短くなる。」という記載を、「アニール温度が１３００℃を越えると石英治具、ヒータなどの炉まわりの寿命が大幅に短くなる。」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　誤記の訂正を目的として、特許明細書の段落番号「００１１」の２個所の「結晶方位（１００）」を「（１００）面」と、また「（１１０）方向」を「［１１０］方向」とそれぞれ訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　誤記の訂正を目的として、特許明細書の段落番号「００１２」の「結晶方位（１００）」を「（１００）面」と訂正する。
（９）訂正事項ｉ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号「００１５」の「ウェハ面を（１００）方向に０．２〜０．８°傾けてスライス及びミラーポリッシングした後、アニールしたものでも虹色をしたヘイズの発生はなかった。一方、」という記載を削除する。
（５４）【発明の名称】
シリコンウェハの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　ウェハ面を
（１００）面
１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃で
【発明の詳細な説明】
　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明はシリコンウェハの製造方法に関する。
　　【０００２】
　　【従来の技術】
　従来、シリコンウェハは以下のような方法により製造されていた。ＣＺ法により製造された
（１００）面
　　【０００３】
　　【発明が解決しようとする課題】
　従来の方法において、ミラーウェハを還元性雰囲気でアニールすると、アニール後に虹色をしたヘイズが発生する。虹色をしたヘイズは、オングストロームオーダでのウェハ表面の面荒れによるものである。このヘイズは、デバイス特性を劣化させるため、シリコンウェハとしてはヘイズのないものが望まれている。
　　【０００４】
　本発明は前記問題点を解決するためになされたものであり、デバイス特性の良好なシリコンウェハを製造できる方法を提供することを目的とする。
　　【０００５】
　　【課題を解決するための手段と作用】
　本発明のシリコンウェハの製造方法は、ウェハ面を
（１００）面
１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃で
　　【０００６】
　本発明において、ウェハ面の
（１００）面
（１００）面
　　【０００７】
　本発明において、
アニールは、１００％水素ガス雰囲気又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気中において１０００〜１３００℃、５分〜１００時間の条件で行われる。
　　【０００８】
　
アニール温度が１３００℃を超えると石英治具、ヒータなどの炉　まわりの寿命が大幅に短くなる。
　　【０００９】
　アニール時間が５分未満ではウェハの酸化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることができない。１００時間を超えてアニールしても、効果の向上は期待できない。
　　【００１０】
　　【実施例】
　以下、本発明の実施例を説明する。
　　【００１１】
　ＣＺ法により製造した
（１００）面
（１００）面
［１１０］
　　【００１２】
　比較のために、同一のインゴットを
（１００）面
　　【００１３】
　これら傾き角度を変えた２種のミラーポリッシング済ウェハを、同一バッチでＨ２１００％ガスの雰囲気下において１２００℃で１０分間アニールした。アニール後、ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２との混合液でウェハを洗浄した後、暗室において１００００ルクス以上のライトでウェハ表面を観察した。
　　【００１４】
　その結果、面方位を０．２〜０．８°傾けたものには何ら異常は認められなかったが、０．２°以内傾けたものには虹色をしたヘイズが認められた。
　　【００１５】
　
なお、傾き角度が０．２。以内のものは、アニール温度が８００℃でも虹色をしたヘイズが発生し、更にアニール時間が１秒でも虹色をしたヘイズが発生した。
　　【００１６】
　　【発明の効果】
　以上詳述したように本発明の方法を用いれば、ヘイズの発生がなく、デバイス特性の良好なシリコンウェハを製造できる。