【事件の表示】
　特許第２７２５０４２号「半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法」の請求項２ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７２５０４２号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　特許第２７２５０４２号は、平成１年１月２０日に特許出願され、平成９年１２月５日にその特許の設定登録がなされ、その後、東洋炭素株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月７日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正事項
▲１▼特許第２７２５０４２号特許公報（以下「本件公報」という）の発明の名称の欄に、「炭素・黒鉛部材の製造方法」とあるのを、「半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法」と訂正する。
▲２▼本件公報の特許請求の範囲の欄に、
「【請求項１】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、ガス不透過性フィルムにより不活性ガスを封じ込んで包装することを特徴とする炭素・黒鉛部材の製造方法。
　【請求項２】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、ガス不透過性フィルムにより真空包装することを特徴とする炭素・黒鉛部材の製造方法。
　【請求項３】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、高温下において真空脱ガス処理し、しかる後にガス不透過性フイルムにより真空包装することを特徴とする炭素・黒鉛部材の製造方法。」とあるのを、
「【請求項１】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透過性フィルムにより真空包装することを特徴とする半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法。
　【請求項２】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、高温下において真空脱ガス処理し、しかる後に、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透過性フィルムにより真空包装することを特徴とする半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法。」と訂正する。
▲３▼本件公報第１頁第２欄第３〜４行に、「ツボ等として・・・（中略）・・・製造方法に」とあるのを、「ツボ等として用いられる半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法に」と訂正する。
▲４▼本件公報第１頁第２欄第７行中に、「上記炭素・黒鉛部材」とあるのを、「上記半導体製造用炭素・黒鉛部材」と訂正する。
▲５▼本件公報第２頁第３欄第５行に、「あるいは核融合炉用として最適な炭素・黒鉛部材の提供」とあるのを、「として最適な炭素・黒鉛部材の提供」と訂正する。
▲６▼本件公報第２頁第３欄第１０〜１２行に、「を除去・・・（中略）・・・ガス不透」とあるのを、「を除去した後、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透」と訂正する。
▲７▼本件公報第２頁第３欄第１４〜１５行に、「更に、・・・（中略）・・・ガス不透過性フ」とあるのを、「又、第２の発明は、上記不純物の除去後に、高温下において真空脱ガス処理し、しかる後に、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透過性フ」と訂正する。
▲８▼本件公報第２頁第３欄第２５行に、「実施例１」とあるのを、「参考例」と訂正する。
▲９▼本件公報第２頁第３欄第３１行に、「実施例２」とあるのを、「実施例１」と訂正する。
▲１０▼本件公報第２頁第３欄第３３行中に、「実施例１」とあるのを、「参考例」と訂正する。
▲１１▼本件公報第２頁第３欄第３６行及び同頁第４欄第１９行中に、「実施例３」とあるのを、「実施例２」と訂正する。
▲１２▼本件公報第２頁第３９行から第４０行にかけて、「実施例１」とあるのを、「参考例」と訂正する。
▲１３▼本件公報第２頁第４欄の第１表中、「実施例１」を「参考例」に、「実施例２」を「実施例１」に、「実施例３」を「実施例２」に、それぞれ訂正する。
▲１４▼本件公報第２頁第４欄第２０行中に、「１，２」とあるのを、「１」と訂正する。
▲１５▼本件公報第２頁第４欄第３９〜４０行に、「が見られず、・・・（中略）・・・得ることがで」とあるのを、「が見られず、高純度を要求される半導体製造用として最適な炭素・黒鉛部材を得ることがで」と訂正する。
▲１６▼本件公報第２頁第３欄第１行から第２行にかけて、「半導体製造用あるいは核融合炉用」とあるのを、「半導体製造用」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項▲２▼は、本件公報における特許請求の範囲の請求項１を削除し、請求項２，３を新たな請求項１，２とすると共に、両発明を半導体製造用に特定し、かつ、ガス不透過性フイルムのガス透過性の程度を明りょうにしたものである。この訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　上記訂正事項▲１▼、▲３▼〜▲１６▼の訂正は、特許請求の範囲の記載内容と、発明の名称及び発明の詳細な説明の欄の記載内容との整合性を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。
　そして、上記の各訂正は、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．訂正明細書の請求項１、２に係る発明
　訂正明細書の請求項１、２に係る発明（以下「本件発明１，２」という）は、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透過性フィルムにより真空包装することを特徴とする半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法。
　【請求項２】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、高温下において真空脱ガス処理し、しかる後に、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透過性フィルムにより真空包装することを特徴とする半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法。」
エ．独立特許要件の判断
（引用刊行物）
　本件発明１，２に対して、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（「資料・技術報告ＩＰＰＪ−ＤＴ−１３９、各種炉壁材料の昇温脱ガス特性」１９８８年６月、名古屋大学プラズマ研究所、１〜２８頁）には、次の発明が記載されている。
（１）３頁１０〜１４行に、核融合実験装置のプラズマ対向材料としてカーボン及びグラファイトのタイルが用いられること。
（２）６頁３〜４行に、そのサンプルは通常真空パッキングされた形で納入されるが、その中には脱ガス処理等の前処理したものとしないものがあること。
（３）１１頁２５〜２７行に、グラファイト・サンプルのＩＧ−１１０Ｕはプラズマ実験装置のプラズマ対向材料として使われること、１１頁７〜８行に、ＩＧ−１１０はハロゲン処理により不純物を除去したサンプルであり、ＩＧ−１１０Ｕは前処理として真空中に於いて２０００℃で１時間脱ガスしたサンプルであること。
（４）１２頁の表３の記載からして、ＩＧ−１１０Ｕサンプルは、脱ガス後真空パッキングしたものであること。
　同じく、刊行物２（「包装材料の実際知識」東洋経済新報社、昭和５１年１１月１日発行、６〜１９頁、２２８〜２４５頁）には、ガスバリヤー性の段階表示が付された各種バリヤー材が記載されている。
（対比・判断）
（１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１、２記載の各発明とを比較検討する。
　刊行物１のＩＧ−１１０Ｕサンプルなどの記載から判断して、本件発明１にいう「高温下においてハロゲンガスにより不純物を除去した後、真空包装する炭素・黒鉛部材の製造方法」が記載されているといえるが、刊行物１のものは、核融合実験装置のプラズマ対向材料用の炭素・黒鉛部材の製造に関するものであって、本件発明１の「半導体製造用の炭素・黒鉛部材の製造方法」とは、用途が著しく異なる。
　また、刊行物２には、ガスバリヤー性の段階表示が付された各種バリヤー材が記載されているだけであって、上記各種バリヤー材を、本件発明１のように「半導体製造用の炭素・黒鉛部材の製造」に用いる記載は、何等ない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１、２に記載の各発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるとはいえない。
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１と同様「半導体製造用の炭素・黒鉛部材の製造方法」に関する発明であるから、本件第１発明についての判断と同様の理由により、刊行物１、２に記載の各発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるとはいえない。
　また、他に本件発明１，２は特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
オ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項ないし第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人は、本件特許明細書の記載は特許法第３６条に規定する要件を満たしておらず、また証拠として甲第１号証（上記刊行物１）、甲第１号証の２（「等方性高密度高純度黒鉛」、化学と工業、第３６巻（１９８３）第８号別冊、１０８〜１１０頁）及び甲第２号証（上記刊行物２）を提出して、本件発明１，２の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨主張する。
イ．特許法第３６条の規定違反について
　申立人は、本件特許明細書の特許請求の範囲に記載の「ガス不透過性フイルム」は不明確である旨主張するが、上記訂正により、特許請求の範囲の記載不備は解消したものと認められる。
ウ．特許法第２９条第２項の規定違反について
（甲各号証）
　甲第１号証、甲第２号証の記載内容については、上記２．項エにて記載したとおり。
　甲第１号証の２の１０９頁右欄には、黒鉛の高純度化に関して、「・・・高純度化の工業的手段としては、・・・３）２０００〜２５００℃の高温の素材にハロゲンガスを通して低沸点化して揮散させる（灰分＜１０ｐｐｍ）。通常は３）の方法が取られている。」と記載される。
（対比・判断）
　上記２．項エにて記載した理由により、本件発明１、２は、甲第１、２号証に記載の各発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるとはいえない。
　また、甲第１号証の２には、黒鉛の高純度化技術について記載されているだけであるから、本件発明１、２は、甲第１、２号証及び甲第１号証の２に記載の各発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるともいえない。
　なお、申立人は、グラファイトが本件出願当時普通に真空パッキングして出荷されていたことを立証するために証人尋問を申請しているが、このことが証人尋問によって立証されたとしても、本件発明１，２の進歩性を否定することはできないので、証人尋問の必要性を要しない。
エ．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件第１、第２発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１、第２発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月９日（１９９９．９．９）
【訂正の要旨】
▲１▼特許第２７２５０４２号特許公報（以下「本件公報」という）の発明の名称の欄に、「炭素・黒鉛部材の製造方法」とあるのを、「半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法」と訂正する。
▲２▼本件公報の特許請求の範囲の欄に、
「【請求項１】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、ガス不透過性フィルムにより不活性ガスを封じ込んで包装することを特徴とする炭素・黒鉛部材の製造方法。
　【請求項２】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、ガス不透過性フィルムにより真空包装することを特徴とする炭素・黒鉛部材の製造方法。
　【請求項３】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、高温下において真空脱ガス処理し、しかる後にガス不透過性フイルムにより真空包装することを特徴とする炭素・黒鉛部材の製造方法。」とあるのを、
「【請求項１】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透過性フィルムにより真空包装することを特徴とする半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法。
　【請求項２】高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、高温下において真空脱ガス処理し、しかる後に、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透過性フィルムにより真空包装することを特徴とする半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法。」と訂正する。
▲３▼本件公報第１頁第２欄第３〜４行に、「ツボ等として・・・（中略）・・・製造方法に」とあるのを、「ツボ等として用いられる半導体製造用炭素・黒鉛部材の製造方法に」と訂正する。
▲４▼本件公報第１頁第２欄第７行中に、「上記炭素・黒鉛部材」とあるのを、「上記半導体製造用炭素・黒鉛部材」と訂正する。
▲５▼本件公報第２頁第３欄第５行に、「あるいは核融合炉用として最適な炭素・黒鉛部材の提供」とあるのを、「として最適な炭素・黒鉛部材の提供」と訂正する。
▲６▼本件公報第２頁第３欄第１０〜１２行に、「を除去・・・（中略）・・・ガス不透」とあるのを、「を除去した後、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透」と訂正する。
▲７▼本件公報第２頁第３欄第１４〜１５行に、「更に、・・・（中略）・・・ガス不透過性フ」とあるのを、「又、第２の発明は、上記不純物の除去後に、高温下において真空脱ガス処理し、しかる後に、ナイロンフィルムよりもガス透過性の低いガス不透過性フ」と訂正する。
▲８▼本件公報第２頁第３欄第２５行に、「実施例１」とあるのを、「参考例」と訂正する。
▲９▼本件公報第２頁第３欄第３１行に、「実施例２」とあるのを、「実施例１」と訂正する。
▲１０▼本件公報第２頁第３欄第３３行中に、「実施例１」とあるのを、「参考例」と訂正する。
▲１１▼本件公報第２頁第３欄第３６行及び同頁第４欄第１９行中に、「実施例３」とあるのを、「実施例２」と訂正する。
▲１２▼本件公報第２頁第３９行から第４０行にかけて、「実施例１」とあるのを、「参考例」と訂正する。
▲１３▼本件公報第２頁第４欄の第１表中、「実施例１」を「参考例」に、「実施例２」を「実施例１」に、「実施例３」を「実施例２」に、それぞれ訂正する。
▲１４▼本件公報第２頁第４欄第２０行中に、「１，２」とあるのを、「１」と訂正する。
▲１５▼本件公報第２頁第４欄第３９〜４０行に、「が見られず、・・・（中略）・・・得ることがで」とあるのを、「が見られず、高純度を要求される半導体製造用として最適な炭素・黒鉛部材を得ることがで」と訂正する。
▲１６▼本件公報第２頁第３欄第１行から第２行にかけて、「半導体製造用あるいは核融合炉用」とあるのを、「半導体製造用」と訂正する。
　上記訂正事項▲２▼は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　上記訂正事項▲１▼、▲３▼〜▲１６▼の訂正は、特許請求の範囲の記載内容と、発明の名称及び発明の詳細な説明の欄の記載内容との整合性を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。
（５４）【発明の名称】
半導体製造用
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
ナイロンフィルムよりもガス透過性の低い
半導体製造用
　【請求項
２
ナイロンフィルムよりもガス透過性の低い
半導体製造用
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、半導体製造プロセスにおいてヒーター、ルツボ等として用いられる
半導体製造用
　〔従来の技術〕
　従来、高純度を要求される上記
半導体製造用
　〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、上記従来の製造方法によれは、高温ハロゲン処理により不純物は減少するものの、処理後の貯蔵環境により上記包装材料を通して水分（Ｈ２Ｏ）、炭酸ガス（ＣＯ２）等のガス吸着を生じ、半導体製造
用炭素
　そこで、本発明は、高純度を要求される半導体製造
用と
　〔課題を解決するための手段〕
　前記課題を解決するため、第１の発明は、高温下においてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物を除去した後、
ナイロンフィルムよりガス透過性の低い
　
又
２
ナイロンフィルムよりガス透過性の低い
　〔作用〕
　上記各手段においては、製造後における貯蔵環境からのガス吸着が防止され、製造時の状態に保存される。
　ガス不透過性フィルムとしては、アルミニウム箔等の両面にポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム等をラミネートしたフィルムが使用される。
　〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を説明する。
　
参考例
　通常の黒鉛部材を２０００℃の温度下に置き、塩素ガス（Ｃｌ２）により不純物を除去した後、アルミニウム箔の両面にポリエステルフィルムとポリエチレンフィルムとをラミネートしたガス不透過性フィルムにより不活性のアルゴンガスを封じ込んで包装した。
　実施例
１
　通常の黒鉛部材を２１００℃の温度下に置き、塩化水素ガス（ＨＣｌ）により不純物を除去した後、
参考例
　実施例
２
　通常の黒鉛部材を２０００℃の温度下に置き、塩化水素ガスにより不純物を除去した後、２０００℃の温度下において真空脱ガス処理（１０−２Ｔｏｒｒオーダ）し、しかる後に
参考例
　比較例１
　通常の黒鉛部材を２１００℃の温度下に置き、塩素ガスにより不純物を除去した後、表面が不純物汚染されないようにナイロンフィルムにより包装した。
　上記各例による黒鉛部材の包装前と所定日数後のガス放出特性（ガス吸着量の代用特性）は、第１表に示すようになった。
　表中、包装前とは、不純物の除去あるいは脱ガスの直後を意味する。
　従って、真空脱ガス処理した実施例
２
　よって、実施例の炭素・黒鉛部材をシリコン単結晶引上け用のホットゾーン部材として使用する際には、比較例のもののように引上げ装置にて長時間かけて空焼き処理して吸着ガスを除去する必要がなく、電力の無駄な消費、空焼き後の装置の清掃が不必要となり、生産効率が大幅に向上した。
　又、引上げられたシリコン単結晶のＤＦ率は、実施例のものを使用した方が比較例のものを使用したよりも１０％も向上した。
〔発明の効果〕
　以上のように本発明によれば、製造後における貯蔵環境からのガス吸着が防止され、製造時の状態に保存されるので、従来のように製造後の放置日数を経るに伴って吸着ガス量が多くなることはなく、約半年間放置してもガスの吸着量、換言すればガス放出特性にほとんど変化が見られず、高純度を要求される半導体製造
用と
【図面】