【事件の表示】
　特許第２９５８４２８号「熱電対用ＳｉＣ製保護管」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９５８４２８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２９５８４２８号に係る特許は、その出願が平成１年７月１５日の出願であって、平成１１年７月３０日に設定の登録があり、平成１２年４月６日に特許異議申立がなされた。
　
２．本件発明
　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書又は図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された下記のとおりのものである。
　請求項１
　半導体工業における酸化、拡散、熱処理等の処理を行なう縦あるいは横型炉に用いる熱電対用ＳｉＣ製保護管において、ＳｉＣまたはＳｉ含浸質Ｓｉ成形体保護管の内面に５０００Å以上のＳｉＯ２膜が形成されていることを特徴とする熱電対用ＳｉＣ製保護管。
　
３．異議申立理由の概要
　理由１
　本件発明は、甲第１号証（旭硝子株式会社商品カタログ「半導体拡散炉用高純度ＳｉＣ」）、甲第２号証（実験成績証明書）、甲第３号証（実開昭６３−１２１４３１号のマイクロフィルム）及び甲第４号証（炭化珪素セラミックス、第２１１頁〜２２０頁）に示したように、本件出願前日本国内において公然実施された発明であるので、特許法第２９条第１項第２号の規定に違反している。
　理由２
　本件発明は、甲第１，３，４号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反している。
　理由３
　本件発明は、甲第５号証に記載された考案と同一であるから、特許法第２９条の２の規定に違反している。
　
４．証拠の開示
甲第１号証について
　甲第１号証のカタログには、旭硝子（株）ロイセラム−ＨＳは半導体拡散炉用高純度ＳｉＣであって、拡散炉の測温用の保護管に用いられる点が記載され、末尾に８８．８Ｃとの記号の記載がある。
甲第２号証について
　甲第２号証の実験成績証明書には、平成１２年４月３日、報告者鈴木克義によるもので、甲第１号証に記載されたＳｉＣ基材を大気中で１２００°Ｃで３０時間、１３００°Ｃで１０時間経過後に０．５μｍのＳｉＯ２膜が形成された点が記載されている。
甲第３号証について
「縦型炉に使用される熱電対において、熱電対２の保護管１３をＳｉＣ製とし、このＳｉＣ保護管１３を使用した熱電対２を均熱管６と反応管７のと間に挿入配置する縦型炉用熱電対の取付構造。」（実用新案登録請求の範囲）
「保護管１３をＳｉＣ製としたので、１２００°Ｃ以上の高温領域で使用しても変形が大巾に少なくなる。」（第４頁７行〜９行）
甲第４号証について
「ＳｉＣ常圧焼結（ＮＳ）市販品を・・・所定の温度（１２００°Ｃ）に保持した径５０φの炉心管に挿入し乾燥酸素を一定量（３００ｍｌ／ｍｉｎ）流しつつ酸化を行なった。同型の別の炉には上記条件と全く同じで雰囲気のみを乾燥酸素８vol％、水蒸気を２０vol％に保持したものを炉心管内に流した。・・・・酸化膜厚の測定結果を図５に示す。」（第２１２頁末行〜第２１４頁６行）
　そして、図５に、１日後には０．５μｍの酸化膜が形成された点が示されている。
甲第５号証について
「２．実用新案登録請求の範囲
電気炉の炉内温度を検出する熱電対について、外径の細い高純度のＳｉＣ製円筒状体８ａの内壁に、熱酸化によるＳｉＯ２膜８ｂを生成してその内部は熱電対７を収め、上記高純度ＳｉＣ製円筒状態８ａの一端を封じてなる熱電対用保護管。
３．考案の詳細な説明
　[産業上の利用分野]
　本考案は半導体製造に使用する縦型拡散装置、縦型ＬＰ（減圧）ＣＶＤ装置の電気炉の炉内温度を検出する熱電対に係り、特にその保護管に関する。」（第１頁４行〜１５行）
「ＳｉＣ製円筒状体８ａの表面に、熱酸化によるＳｉＯ２膜８ｂを生成してあるので、６００°Ｃ以上の高温下でも、熱電対７との反応を抑制することができることになる。」（第４頁４行〜７行）
　
５．理由１について
　甲第１号証は製品カタログであって、頒布時期に関係する記載として「８８．８ｃと」記載されているのみであり、甲第１号証に記載された保護管が製造販売されたであろうことは推測できるものの、いつ製造され、いつ販売されたのかについて、これを立証すべき証拠が提出されていない。　
  よって、甲第１号証は、本件出願前公然実施したことを立証すべき証拠として採用することができない。
　次に、甲第２号証は、甲第１号証に記載された製品の測定結果を報告するものであるが、甲第１号証に記載された保護管が公然実施したことを立証すべき証拠が存在しない（このことは平成１２年７月６日付け上申書をみても変わりはない。）のであるから、甲第２号証の報告内容も無意味なものである。
　甲第３号証及び甲第４号証は、本件出願前に頒布された刊行物であるが、仮にある事実が刊行物に記載されていたとしても、その事実が直ちに公然実施に結びつくものではないことは明らかである。
　甲第４号証に記載された測定結果についても、該測定が公然と実施された事実を伺わせる証拠は存在しない。
  したがって、本件発明は、甲第１号証乃至甲第４号証をもってしては、本件出願前日本国内において公然実施されたものとすることができない。
　
６．理由２について
　理由２は特許法第２９条第２項に関するものであるが、ここでは特許法第２９条第１項第３号も含め判断する。
　甲第１号証は、その頒布時期を特定することができないから、本件出願前に頒布された刊行物に記載された発明に関する証拠として甲第１号証を採用することができない。
  甲第３号証には、（１）半導体デバイス製造に使用する縦型炉に使用する熱電対の保護管としてＳｉＣ製のものを使用すること、（２）保護管をＳｉＣ製とすることにより１２００°Ｃ以上の高温領域で使用しても変形が大巾に少なくなること、が記載されている。
　また、甲第４号証には、乾燥酸素又はこれを水蒸気雰囲気とした場合、１２００°Ｃで１日程度で０．５μｍのＳｉＯ２膜が形成された点が記載されている。
　本件発明と甲第３号証に記載された発明とを対比すると、下記の一致点で一致し、下記の相違点で相違する。
　　　　　　　　　　　　　記
（一致点）
　半導体工業における酸化、拡散、熱処理等の処理を行なう縦型炉に用いる熱電対用ＳｉＣ製保護管。
 （相違点）
　本件発明は、ＳｉＣまたはＳｉ含浸質Ｓｉ成形体保護管の内面に５０００Å以上のＳｉＯ２膜が形成されているのに対し、甲第３号証に記載された発明は、ＳｉＣ製保護管を１２００°Ｃの高温領域で使用するものである点。
相違点の判断
　甲第４号証によれば０．５μｍのＳｉＯ２膜の形成は、乾燥酸素を流した状態での測定結果であって、大気中の通常使用時の状態とは条件が異なるものであるから、甲第４号証の測定結果をもって甲第３号証の発明においても生じているものと推定することは直ちにはできない。
　しかも、本件発明は電気絶縁性の不足という課題を解決するために、あえてＳｉＯ２膜を設けるという技術思想を有するものであり、大気中の通常使用時にＳｉＣ保護管内面が酸化することがあったとしても、上記技術思想がそこに存在しているものとは解されない。
　本件発明の上記相違点に係る構成は、甲第３号証のものと実質的に相違するものであって、これに甲第４号証の記載を考慮したとしても当業者が容易に想到しえたものとすることができない
　この点について異議申立人は、電気絶縁性についての知見がなくとも、５０００Å以上というありふれた範囲の膜厚を選択することは当業者にとって容易にできることである旨主張している。
　しかしながら、ＳｉＯ２膜はＳｉＣの焼結を妨害するものであるから除去するようにしていたのが出願時の技術常識であり、また、従来、ＳｉＣの表面にＳｉＯ２膜を形成する場合には、その機械的強度を高めることを目的とするものであったこと（例えば、特開昭５８−７９８８５号公報、特開昭６２−７８１７７号公報）を考慮すれば、ＳｉＯ２がＳｉＣに比較して電気絶縁性が高いという物理的性質が周知であったとしても、電気絶縁性のためにＳｉＯ２膜をＳｉＣ製保護管に設けることに困難性があるものと判断せざるを得ない。
　よって、本件発明は、甲第３号証に記載された発明であるとも、甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
７．理由３について
　甲第５号証には、半導体製造に使用する縦型拡散装置の電気炉の炉内温度を検出する熱電対について、外径の細い高純度のＳｉＣ製円筒状体８ａの内壁に、熱酸化によるＳｉＯ２膜８ｂを生成した熱電対用保護管が記載されている。
  本件発明と甲第５号証に記載された発明とを対比すると、本件発明は、ＳｉＯ２膜が５０００Å以上であるのに対し、甲第５号証にはＳｉＯ２膜の厚さが記載されていない点で相違し、余の点で一致する。
　本件発明は、電気絶縁性の不足という課題を解決するために、ＳｉＯ２膜厚を５０００Å以上とするものであり、上記相違点に係る構成が甲第５号証に記載されていない以上、本件発明は甲第５号証に記載された発明と同一であるとすることができない。
　異議申立人は、審査段階において引用された甲第６号証（実開昭６２−１７０６５６号のマイクロフィルム）及び甲第７号証（特開平１−２８８７３９号公報）を提出しているが、甲第６号証はＳｉＣ保護管のＳｉＣ膜又は窒化珪素膜に関するものであり、甲第７号証はＺｒＢ２系本体にＳｉＣ成分を配合して熱酸化させるものであり、膜又は基体の材質が異なるものである上、課題が異なるものであるから、これを技術常識として甲第５号証について考慮することができない。
８．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立人の主張及び証拠によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年７月１８日（２０００．７．１８）