【事件の表示】
　特許第２９１４３１５号「走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１４３１５号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２９１４３１５号の発明は、平成８年９月２０日に特許出願され、平成１１年４月１６日に設定登録され、その後、異議申立人キャノン株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年５月２３日に意見書が提出されたものである。
２．本件特許の請求項１〜４に係る発明
請求項1
「レチクル上のパターンを半導体基板に縮小投影露光する走査型縮小投影露光装置において、
レチクルに配置された測定パターンの各測定マークを、レチクル及び半導体基板を同期走査することにより、半導体基板に走査露光する手段と、
前記測定パターンに従って前記半導体基板を移動させ、前記レチクルと半導体基板とを静止させた状態で測定マークを半導体基板に静止露光する手段と、を有し、
前記半導体基板に走査露光で形成されたパターンと静止露光で形成されたパターンとからディストーション測定を行う、ことを特徴とする走査型縮小投影露光装置。」
請求項2
「レチクルが搭載されるステージ及び半導体基板が搭載されるステージの静止状態を監視するための監視手段と、その監視手段によりレチクルが搭載されるステージ及び半導体基板が搭載されるステージの位置ずれが許容範囲を越えていると認識された場合に警告を発する警告手段と、を有することを特徴とする請求項1に記載の走査型縮小投影露光装置。」
請求項3
「(1)レチクルに配置された測定パターンの各測定マークを、レチクル及び半導体基板を同期走査することにより、半導体基板に走査露光する工程と、(2)前記測定パターンに従って前記半導体基板を移動させ、前記レチクルと半導体基板とを静止させた状態で測定マークを半導体基板に静止露光する工程と、
(3)前記露光された半導体基板を現像する工程と、(4)前記半導体基板に走査露光で形成されたパターンと静止露光で形成されたパターンとからディストーション測定を行う工程と、
を有することを特徴とする走査型縮小投影露光装置のディストーション測定方法。」
請求項4
「レチクルが搭載されるステージ及び半導体基板が搭載されるステージの静止状態を監視する工程と、レチクルが搭載されるステージ及び半導体基板が搭載されるステージの位置ずれが許容範囲を越えている場合に警告を発する工程と、をさらに有することを特徴とする請求項3に記載の走査型縮小投影露光装置のディストーション測定方法。」
３．異議申立ての概要
　異議申立人キャノン株式会社は、甲第1号証(特開平6‐349702号公報）、甲第2号証(特開平8-181051号公報）、甲第3号証(特開平8-124829号公報）及び甲第4号証(特開平5-343290号公報)を提出し、請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜４号証に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１〜４に係る特許を取り消すべき旨主張している。
３．１　甲第１〜４号証の記載内容
３．１．１　甲第１号証の記載内容
　甲第1号証には、【0001】段落に、「本発明は、所謂スリットスキャン露光方式の投影露光装置に装着されている投影光学系の結像特性の調整方法に関し、特に露光された像の歪曲収差が最小になるようにその投影光学系のレンズエレメントの回転角を設定する場合に適用して好適なものである。」と記載されている。  
【0002】段落には、「半導体素子…等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、… レチクル…のパターンを感光材が塗布された基板…上に転写する投影露光装置が使用されている。…ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光装置(ステッパー)が多く使用されていた。」と記載されている。
【0018】段落には、「スリットスキャン露光方式で露光を行う際には、… レチクル12が図20の紙面に対して前方向に一定速度Vで走査されるのに同期して、ウエハ5は図20の紙面に対して後方向に一定速度V/M…で走査される。」と記載され、【0024】段落には、「テストレチクル12Aのパターン像を投影光学系8を介してガラスプレート5A上に投影露光した後、そのガラスプレート5Aに現像処理等を施して計測用マークの像のレジストパターンを形成する。」と記載されている。
【0026】段落には、「格子パターン像29Aと、投影光学系8に諸収差が無いときの計測用マーク27(i,j)の投影像である理想格子28との比較を行うことにより、格子パターン像29Aの歪曲収差を計測する。そのためには、ガラスプレート5A上に理想格子28のパターンを刻設しておき、」と記載されている。
３．１．２　甲第２号証の記載内容
　甲第2号証には、【0001】段落に、「半導体素子…を製造するためのリソグラフィ工程で使用される露光装置に装着されて、マスクパターンの像を感光基板上に投影するための投影光学系のディストーション計測方法に関する。」と記載されている。
【0002】段落には、「投影露光装置(ステッパー、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置等)」と記載されている。
【0006】段落には、「投影光学系のディストーションを高精度に計測できるディストーション計測方法を提供する」と記載されている。
【0007】段落には、「マスク(1)として複数の…評価用マーク(1A)を用い、基板ステージ(4)上に評価用感光基板を載置し、…露光する第1工程(ステップ103)を有する。」と記載されている。
【0008】段落には、「第1工程で露光された像(20B〜24B)に完全に重なる位置関係でそれぞれ二重露光する第2工程(ステップ105〜107)と、それら第1工程及び第2工程でそれぞれ露光された評価用マークの像の重なり部(21D〜24D)の幅から投影光学系(2)のディストーションを求める第3工程(ステップ109、110)と、を有するものである。」と記載されている。
【0009】段落には、「第1工程と第2工程との間に、基板ステージ(4)を静止させた状態でそれら複数の評価用マーク内の所定の1つの評価用マーク(20A)の投影光学系(2)を介した像(20C0)を二重露光することが望ましい(ステップ104)。」と記載されている。
【0022】段落には、「ステップ108でそのウエハ3Aを現像する」と記載されている。
３．１．３　甲第３号証の記載内容
　甲第3号証には、【0001】段落に、「本発明は、例えば半導体素子、又は液晶表示素子等をリソグラフィ工程で製造する際に、マスクパターンを感光基板上に転写露光するために使用される投影露光方法、及び投影露光装置に関し、特にステッパーのような一括露光方式とステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光方式とを切り換えて露光する投影露光方法、及び装置に関する。」と記載されている。
　【特許請求の範囲】の【請求項1】には、「露光用の照明光で転写用のパターンが形成されたマスクを照明し、前記マスクのパターンの像を投影光学系を介して感光基板上に配列された複数のショット領域のそれぞれに露光する方法において、前記マスクと前記感光基板とを同期して前記投影光学系の光軸を横切る方向に走査している状態で、前記照明光を連続的、又は周期的に前記マスクに照射することにより、前記マスクのパターンの像を前記感光基板上の露光対象とするショット領域に逐次露光する走査露光モードと、前記マスクと前記感光基板とが静止している状態で、前記照明光を所定の積算露光量だけ前記マスクに照射することにより、前記マスクのパターンの像を前記感光基板上の露光対象とするショット領域に一括露光する一括露光モードと、を有し、前記感光基板上の複数のショット領域の配列、前記感光基板で必要な積算露光量、前記ショット領域の形状、並びに前記マスクのパターン像の露光に必要な解像度及びディストーションの許容値よりなる情報の少なくとも1つを用いて前記感光基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して前記走査露光モード、又は前記一括露光モードの何れで露光するかを決定し、該決定された露光モードで前記マスクのパターン像を前記感光基板上の各ショット領域に露光することを特徴とする投影露光方法。」と記載されている。
３．１．４　甲第４号証の記載内容
　甲第4号証の【0002】段落には、「本発明は、半導体製造装置及びその半導体製造方法に関するものであり、更に詳しく言えば、半導体製造工程における縮小露光処理をする装置及びその方法の改善に関するものである。」と記載されている。
【特許請求の範囲】には、「【請求項1】被露光対象(16)に露光処埋をする露光手段(11)と、前記被露光対象(16)と、露光手段(11)との位置合わせをする位置合わせ手段(12)と、前記位置合わせに基づく位置計測情報(Dn[n=1,2,3・・・n])を記憶する記憶手段(13)と、前記露光手段(11)、位置合わせ手段(12)及び記憶手段(13)の入出力を制御をする制御手段(14)とを具備し、前記制御手段(14)が1ロット処理に基づいて被露光対象(16)の位置ずれ判定処理や露光判定処理をすることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項2】請求項1記載の半導体製造装置において、前記位置計測情報(Dn)に基づいて警報出力をする警報手段(15)が設けられることを特徴とする半導体製造装置。」と記載されている。
４．本件請求項１〜４に係る発明と甲第１〜４号証との対比、判断
　上記甲第１〜４号証には、本件請求項１及び２に係る発明の「半導体基板に走査露光で形成されたパターンと静止露光で形成されたパターンとからディストーション測定を行う」構成（「以下、「本件請求項１及び２の特徴的構成」という。）及び本件請求項３及び４に係る発明の「半導体基板に走査露光で形成されたパターンと静止露光で形成されたパターンとからディストーション測定を行う工程」（「以下、「本件請求項３及び４の特徴的構成」という。）について記載又はその構成を示唆する記載がなく、また、当業者が容易に想到できたとする根拠も認められない。
　付言すると、甲第１号証には、「本発明によれば、投影光学系単体を用いて静止状態で露光した投影像の歪みを解折するのみで、実際のスリットスキャン露光方式で露光を行った際の投影像の歪曲収差及び画質の劣化を最小にできる」（【発明の効果】）と記載され、また、スリットスキャン露光方式で露光を行った際の投影像の歪曲収差を理想格子に対して比較することが記載されておらず、従って、異議申立人が甲第1号証について、本件請求項１の特徴的構成及び本件請求項３の特徴的構成が示唆されているとの主張は根拠がなく、また、甲第２号証記載の発明は、一括露光するものにすぎず、甲第３号証記載の発明は、一括露光及び走査露光を選択するものにすぎず、甲第４号証記載の発明は、警報出力に留まる。
　さらに、本件請求項１〜４に係る発明は当該構成を有することにより、「本発明によれば、ディストーション測定において、理想格子状の基準パターンをレチクルとウェハとを静止して露光するので、レチクルとウェハの同期走査の誤差を完全に除くことができ、正確なディストーション測定が可能となる。」（【発明の効果】）という効果を有する。
　そうすると、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１３日（２０００．６．１３）