【事件の表示】
　特許第２８９４８２０号「半導体装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８９４８２０号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）本件発明
　本件特許第２８９４８２０号の請求項１〜５に係る発明（平成２年１０月２５日出願、平成１１年３月５日設定登録。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりである。
　そして、請求項１に係る発明は次のとおりであり、請求項２〜５は、請求項１を引用した従属形式のものである。
「Ａ．第１導電型の半導体基板と、
Ｂ．この半導体基板の主面に設けられた低不純物濃度を有するドレイン領域用の第１導電型の第１の半導体層と、
Ｃ．この第１の半導体層の上面に設けられたチャネル領域形成用の第２導電型の第２の半導体層と、
Ｄ．この第２の半導体層の表層部の一部に設けられたソース領域用の第１導電型の第３の半導体層と、
Ｅ．この第３の半導体層の表面から前記第２の半導体層の一部を貫いて前記第１の半導体層に達するように設けられて前記第２の半導体層を複数に分割する、コーナー部を有する表面形状の溝と、
Ｆ．上記溝の内壁面に形成されたゲート絶縁膜と、
Ｇ．このゲート絶縁膜上で前記溝を埋めるように設けられたゲート電極と、
Ｈ．このゲート電極上を覆うように設けられた絶縁膜と、
Ｉ．この絶縁膜上および前記第３の半導体層の露出面上ならびに前記第２の半導体層の露出面上に設けられたソース電極と、
Ｊ．前記半導体基板の裏面に設けられたドレイン電極とを備えた縦型の電力用絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、
Ｋ．前記溝のコーナー部には、表面から深さ方向に渡って絶縁ゲート型電界効果トランジスタとして機能しない領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。」（以下、本件発明という、便宜上符号を用いている）
　
（２）申立の理由の概要
　申立人吉田春男は、甲第１号証（米国特許明細書第４７９９０９５号明細書）、甲第２号証（「超ＬＳＩプロセスデータハンドブック」第２７８頁）、甲第３号証（特開昭６２−１１３４７７号公報）、甲第４号証（「富士時報」１９８８Vol.６１　ｐ６９７−７００）、甲第５号証（特開昭６１−８４８６５号公報）を提出し、請求項１〜５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきものと主張している。
　
（３）各甲号証記載の発明
１．甲第１号証（米国特許明細書第４７９９０９５号明細書）
　甲第１号証の、ＦＩＧ１〜５には装置の一部としてＭＯＳＦＥＴ１６が記載されており、ＭＯＳ型ゲートターンオフサイリスタはＭＯＳＦＥＴとバイポーラトランジスタの複合素子であることが記載されている。
　そして、コラム５の第６４行乃至コラム６の第４４行には「図６、７に示す構造を現在のプロセス技術で作製するのは困難である。そのため図８に示す構造が好ましい。この構造はゲート酸化膜とゲート電極を半導体の内部にトンネル状に形成するのではなく、半導体の上面に広がりを持って溝を掘り、それを埋める構造を用いている。この溝（トレンチ）はリアクテイブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）か、他の可能な方法によって形成される。トレンチを形成した後、表面を酸化し、４層部分（サイリスタ領域）の理想的な導電性をコントロールするためにゲート電極をトレンチの構内に堆積させる。この構造の一部を切り取って三次元的に示した図８に示すように、ゲート電極はこの構造の３層部の端に沿って除かれている。その部分で、３層部はＰベース領域３６の代わりにＰ＋ベース領域３６ａを含んでいる。この構造の３層領域のベースに隣接する領域で、ゲート電極を除くためにいくつかの方法が用いられる。適当な方法として、半導体のその領域にトレンチを形成しないという方法である。そうすると、この構造の３層部分に隣接してゲート酸化膜とゲート電極が存在しない。そしてその領域でピンチオフは起こらない。別の方法として、この構造の正帰還がかかる領域と正帰還のかからない領域の両方にまたがるトレンチを形成し、トレンチの正帰還のかからない領域にＳｉＯ２などの絶縁膜で埋めてしまう方法がある。２つ目の別の方法はこの構造の正帰還のかからない領域に厚いゲート酸化膜を形成する。これ以外の方法も用いられるかもしれない。図８に示すように、ゲート電極２６は広いベース領域３４と狭いベース領域３６の両方に面する。これまでに議論されたように、適当な負電圧をゲート２６に印加することで広いベース領域３４がピンチオフし、これにより素子はオフする。適当な正電圧をゲート２６に印加することでゲート電極２６に面した狭いベース領域３６に反転層が形成される。このため、電子がエミッタ３８から反転層を通って広いベース領域３４に流れる。ここで電子電流は３２、３４そして３６で構成されるＰＮＰトランジスタのベース電流となる。これにより素子はオンする。このように、同じゲート電極が適当な正・負電圧印加によって素子のオン・オフに用いられる。これは１つの端子でオン・オフを制御する３端子素子の長所を供給する。」と記載されている。
　しかしながら、ゲート電極２６は、溝に形成されているが、溝は、トレンチであり、溝によって、ベース領域（本件発明の第２の半導体層に相当）を複数に分割するものではない。
２．甲第２号証（超ＬＳＩプロセスデータハンドブック ５．熱酸化理論２７８頁）
　甲第２号証の５．熱酸化理論２７８頁には「Ｓｉの熱酸化は、Ｓｉ表面に供給された酸化種がＳｉと反応することにより進行し、Ｄｅａｌ−Ｇｒｏｖｅの酸化理論で論じられる。　すなわち、酸化速度は酸化の初期にはＳｉ表面での表面反応速度（反応律則）に依存し、酸化膜厚が厚い場合は酸化膜中を拡散する酸化種の拡散速度（拡散律則）に依存する。したがって、表面反応速度は温度・酸化種の種類・Ｓｉの面方位に依存し、拡散速度は、温度・酸化種の種類・圧力に依存する。」と記載されている。また、２８０頁にはＭＯＳの酸化膜であることが記載されている。
３．甲第３号証（特開昭６ ２一１１３４７７号公報）
　甲第３号証のＦＩＧ４，ＦＩＧ ４Ａ及び第９頁右上欄の第９行〜第１８行には「逆方向電流の集中による有害な影響を低減するための本発明の特徴は、ベース領域９２の端部分９２ａおよび９２ｂを配置したこと、すなわちこれらの対応する表面部分９２ｄおよび９２ｅを接触窓の端部１０４ｃおよび１０４ｄとそれぞれ同じ広がりを持つように位置付けしたことである。これらのベース領域の端部分は、逆方向電流の集中が最も著しいセルの角部からベース・エミッタ接合部を取り除くことによって前述した逆方向電流の集中現象の影響を低減するように作用する。」と記載されている。
　また、第１１頁の左上欄の第４行〜第１６行には「これまで本発明をＩＧＴについて説明したが、本発明はまた電力用ＭＯＳＦＥＴのような他の絶縁ゲート形半導体装置にも適用される。典型的な電力用ＭＯＳＦＥＴでは第１図のＰ＋コレクタ領域２４がＮ＋アノード領域と置き換えられる以外は第１図のＩＧＴ１０と同じである。本技術分野に専門知識を有する者にとって明らかであるように、電力用ＭＯＳＦＥＴのソース、本体（基板）およびドレイン領域はそれぞれＩＧＴのエミッタ、ベースおよびドレイン領域に対応する。同様に、ＭＯＳＦＥＴのソース、ゲートおよびドレイン電極はＩＧＴのエミッタ、ゲートおよびコレクタ電極に対応する。」と記載されている。
　しかしながら、ゲート電極は、主面の上部に形成されており、溝で区切られた島部のコーナーの絶縁性を示唆するものではない。
４．甲第４号証（富士時報１９８８Ｖｏｌ．６１　１１第６９７頁〜第７００頁）
　甲第４号証の図５、図６及び第６９９頁にはＭＯＳＦＥＴの不特定セルのセル内コーナ部での破壊：ｂモードとして「（２）ｂモード　各セルの四つのコーナ部の球状の接合部は小さな曲率半径をもっているので、電界集中が起きていると考えられる。そのために、アバランシェ領域における電流も四つのコーナ部で大きくなる。この集中されたアバランシェ電流もまた、寄生バイポーラトランジスタをターンオンしパワーＭＯＳＦＥＴを破壊に至らしめる。」が記載されている。
　しかしながら、ゲート電極は、主面の上部に形成されており、溝で区切られた島部のコーナーの絶縁性を示唆するものではない。
５．甲第５号証（特開昭６１−８４８６５号公報）
　甲第５号証の第１図及び第２頁の左下欄第５行〜第１９行には、「第１図（ａ），（ｂ）からわかるように、シリコンゲート電極４上に選択積層配線された金属電極層７に隣接した部分のソース領域（第２図（ａ），（ｂ）の３’相当部分）を削除した構造となっている。このような削除した構造にすることにより従来構造で発生したチャネル長のバラツキで、チャネル長の短くなった部分に電流が集中しやすく、高速スイッチングが必要な高周波で使用すると、スイッチングの初期の段階でこのチャネルの短い部分に電流が集中し半導体装置を破壊したが、この部分を削除することにより高周波で安定動作が可能となった。［発明の効果］以上説明したとおり、本発明によれば、従来構造に比較して電流集中現象が起こりにくくなり、」と記載されている。
　しかしながら、ゲート電極は、主面の上部に形成されており、溝で区切られた島部のコーナーの絶縁性を示唆するものではない。
　
（４）本件請求項１に係る発明と各刊行物に記載の発明と対比
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証はＭＯＳ型ゲートターンオフサイリスタとあるが、ＦＩＧ１〜５の等価回路で明らかであるように、ＭＯＳＦＥＴ１６とバイポーラトランジスタを組み合わせた複合素子であり、かつトレンチのゲートの形成された部分はＭＯＳＦＥＴ１６であり、本件請求項１に係る発明と同じ縦型の電力用絶縁ゲート型電界効果トランジスタであることで一致している。しかも甲第１号証のＦＩＧ８で明らかであるように、トレンチ溝の端部にはＮ＋領域３８（ソース領域相当）が設けられずにＰ＋領域３６ａが設けられており、絶縁ゲート型トランジスタとして機能しないようになっている。しかしながら、ゲート電極２６は、溝に形成されているが、溝は、トレンチであり、溝によって、ベース領域（本件発明の第２の半導体層に相当）を複数に分割するものではない。しかも、甲第１号証のものは、穴構造の溝内にゲート電極材を埋め込むものであり、角部の絶縁部が薄くなるという課題はない
　本件は、構成要件「Ｅ．この第３の半導体層の表面から前記第２の半導体層の一部を貫いて前記第１の半導体層に達するように設けられて前記第２の半導体層を複数に分割する、コーナー部を有する表面形状の溝」を有し、トレンチ溝側面の凹凸状のコーナー部とその他の部分とでゲート酸化膜の厚さ及び膜質が異なり、特性のアンバランスを引き起こすのを防ぐために、コーナー部にチャネルを形成しない構成としている。
　ゲート酸化膜のようにシリコン表面に形成される酸化膜はシリコンの面方位に依存することが甲第２号証にあるように周知であるとしても、ゲート電極は、主面の上部に形成されており、溝で区切られた島部のコーナーの絶縁性を示唆するものではない甲第３〜５号証を甲第１号証に組み合わせても、本件発明とすることは出来ない。
　従って、本件発明は、甲第１号証〜甲第５号証のいずれとも同一でない、しかも、それらに記載された発明を組み合わせても当業者が容易に発明することが出来たものでもない。
　請求項２〜５に係る発明は、請求項１に従属する形成のものであり、上記の検討と同様である。
　
（５）
　以上のとおりであるから、本件請求項１〜５に係る発明は、甲第１〜５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
  また、他に本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月２３日（２０００．５．２３）