【事件の表示】
　特許第２８７２８９０号「基板処理装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８７２８９０号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第２８７２８９０号は、平成５年７月１２日に特許出願され、平成１１年１月８日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人上原克敏より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年３月１日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人上原克敏は、甲第１号証（実開平４−６３１２０号公報）、甲第２号証（特開平４−１７６１１５号公報９、甲第３号証（特開平４−４５５１４号公報）及び甲第４号証（特開昭５５−１４３３１７号公報）を提出し、本件請求項１、２に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された各発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人上原克敏が提出した甲第１〜４号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第1号証は、本件特許発明と同一の技術分野であるホットプレートを用いた基板の熱処理装置が開示され、第4頁第5行目〜第13行に、「この基板加熱装置は、同じ構造を有する複数の加熱ユニットを多段に積層した構造の装置で、第1図では第1加熱ユニットAと第2加熱ユニットBが積層された部分を示している。
　各加熱ユニットA,Bにはホットプレート1が備えられるとともに、各ホットプレート1は、上方に開放された箱形の外壁体2に収容されるとともに、これら全体が上部カバー3および周囲カバー4で覆われている。」と記載されている。
　第7頁第6行目〜第8頁第2行目に、「そして、各加熱ユニットA,Bにおいて、基板昇降機構9が設けられた空間Cの周囲にある外壁体2の左右側面には、前記支柱21の突出部21aに連通する排気口23が形成されているとともに、前記連通部22から下方に延出した排気管24が図外の吸収排気装置に接続されている。
　また、上記カバー3の上面および周囲カバー4の側面には多数の小孔25,26が形成され、排気口23からの強制吸引排気に伴ってホットプレート1と外壁体2との間の空間Cの熱気が排気口23から排出され、かつ、上部カバー3および周囲カバー4の小孔25,26からは外気がカバー内に吸収されてホットプレート1と外壁体2との間に導かれ、排気されるようになっている。
　また、各排気口23には上下調節自在な開度調節板27が備えられていて、各排気口23の排気を均一に行うことができるようになっている。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第2号証は、レジスト塗布装置、現像装置等の半導体製造装置の排気装置に関する開示がされ、その第2頁左上欄第4行目〜第16行目に、必要となる排気量を得るために「ベンチュリ管、エジェクタあるいはコアンダ効果を利用した機器を設置したものがあった。・・・太いパイプ10に・・・吹出し口11を備えた細いパイプ12・・・を挿入・・・太いパイプ13の外周に細いパイプ14の吹出し口15を設けた」と記載されている。
　また、同号証の第2頁左下欄第8行目〜同欄第20行目には「チャック3の周囲にはレジスト塗布時に回転する半導体ウエハ1の周縁から余剰のレジスト液が周囲に飛散しないようにカップ5が設けられる。・・・工場排気系17に連結された排気装置18に接続される排気口7を備える。」と記載されている。
　同号証の第3頁右上欄第9行目〜同欄第11行目に、「ダンパ20及び空気弁30の開閉を調整して排気流量増幅器21に供給する空気量の調整を行い」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第3号証は、基板の熱処理方法に関し、基板を加熱する加熱手段としての「ホットプレート24」が開示され、第3頁左上欄第20行〜第3頁右上欄第3行「各熱処理ユニット23A〜23Cは、・・・上段にホットプレート24が、下段にクールプレート25が断熱仕切り壁27で仕切って配置され、」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第4号証の第2頁右上欄第2行目〜第7行目に、「第2図において、再燃室1からが出る燃焼ガスは、駆動(冷却)空気ファン2で送られ噴出ノズル3から噴出する空気のエゼクタ効果により高温ダクト4を経てエゼクタ吸引室5へ吸引される。燃焼ガスと常温空気は混合管6で混合された後大気へ放出される。」と記載されている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第２８７２８９０号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
　特許明細書段落番号［0023］の記載「この場合、エジェクター式真空発生装置10をケーシング1からあまり離すと、高温状態の接続管9がケーシング1から外部に突出することになり望ましくない。」を削除する。
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項
　特許明細書段落番号［0023］の記載「この場合、エジェクター式真空発生装置10をケーシング1からあまり離すと、高温状態の接続管9がケーシング1から外部に突出することになり望ましくない。」を削除する。
３．２　目的該当性等について
　上記訂正事項は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載を整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明にあたる。　
　そして、上記訂正事項は、訂正前の各発明の目的の範囲内のものであるから、実質上特許請求の範囲を変更するものでもない。
３．３　訂正の適否の判断
　上記訂正事項は、上記３．２のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び同条第２項の規定に適合する。
　また、取消理由通知で指摘した特許法第３６条違反についても、上記訂正により解消した。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件特許の請求項１及び２に係る発明
４．１．１　請求項１
「基板を加熱して処理を行なう基板処理装置において、基板を加熱する加熱手段と、
前記加熱されるべき基板を収容する空間を形成するケーシングと、
前記空間内に開口する排気口と、
前記排気口に連結されたディフューザ式真空発生手段と、
前記ディフューザ式真空発生手段に気体を供給する気体供給手段と、
を備え、
前記ディフューザ式真空発生手段によりケーシング内部の排気を行なうようにしたことを特徴とする基板処理装置。」
４．１．２　請求項２
「前記気体供給手段は流量制御手段を備え、当該流量制御手段によって前記真空発生手段に供給される前記気体の流量を調節することにより、前記ケーシングからの排気量の調整を行なうようにしたことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。」
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　甲第１〜４号証の記載内容
　上記１．２．１〜１．２．４に記載のとおり。
４．２．２　本件請求項１に係る発明と甲第１〜４号証との対比、判断
　甲第１〜４号証には、いずれも、本件請求項1の発明の「加熱されるべき基板を収容する空間を形成するケーシングと、前記空間内に開口する排気口と、前記排気口に連結されたディフューザ式真空発生手段と、前記ディフューザ式真空発生手段に気体を供給する気体供給手段と、を備え、前記ディフューザ式真空発生手段によりケーシング内部の排気を行なう」構成を備えていない。
　本件請求項１に係る発明は、上記構成により、「ディフューザ式真空発生手段によって、ケーシング内の熱排気が行なわれるので、内部の高温の期待が上記ディフューザ式真空発生手段に供給された気体とともに、ケーシング外部に排出される。ケーシング内部の気体は上記ディフューザ式真空発生手段に供給された気体と交じり合った状態で排出されるので、温度が低下しており、制御機器や他の装置に熱による悪影響を与えるおそれがない。」（［発明の効果］の欄）という、甲第１〜４号証のいずれにもない効果を有している。
　付言すると、刊行物1に開示されているのは、排気を備えた基板の加熱装置であって、本件請求項1の発明の「ディフューザ式真空発生手段によりケーシング内部の排気を行なう」構成を備えていない。
　また、刊行物2のレジスト塗布装置においてはケーシング内部からの排気が高温化し、制御機器や他の装置に熱による悪影響を防止するため、エジェクタを熱を伴う装置の排気系に適用する旨の記載又はその示唆がない。したがって、刊行物2のレジスト塗布装置の排気系を基板の加熱装置に適用することは、当業者が容易に想到し得たとすることができない。
　また、刊行物3に開示されているのは、基板の加熱装置であって、本件請求項1の発明のディフューザ式真空発生手段によってケーシング内を排気する構成を備えておらず、熱排気に関する記載もない。
　また、刊行物4に開示されているのは、駆動(冷却)ファン2で送られた空気のエゼクタ効果を利用するエゼクタ吸引室によって排気を行う焼却炉であって、排出管の周囲の省スペース性を向上させつつ、制御機器や他の装置に熱による悪影響を防止するものでもない。
　そうすると、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された各発明に基いて容易に発明できたものであるとすることができない。
４．２．３　本件請求項２に係る発明と甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項2は本件請求項1の従属項であり、本件請求項2の発明は本件請求項1の発明の構成要件すべてを備えているため、本件請求項1の発明を当業者が容易に想到し得るものではないから、本件請求項2の発明が、前記甲第１号証〜甲第４号証に基いて当業者が容易に想到し得たものとすることができない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１５日（２０００．３．１５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載を整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項
　特許明細書段落番号［００２３］の記載「この場合、エジェクター式真空発生装置１０をケーシング１からあまり離すと、高温状態の接続管９がケーシング１から外部に突出することになり望ましくない。」
を削除する。
（５４）【発明の名称】
基板処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板を加熱して処理を行なう基板処理装置において、
　基板を加熱する加熱手段と、
　前記加熱されるべき基板を収容する空間を形成するケーシングと、
　前記空間内に開口する排気口と、
　前記排気口に連結されたディフューザ式真空発生手段と、
　前記ディフューザ式真空発生手段に気体を供給する気体供給手段と、
を備え、
前記ディフューザ式真空発生手段によりケーシング内部の排気を行なうようにしたことを特徴とする基板処理装置。
　【請求項２】　前記気体供給手段は流量制御手段を備え、当該流量制御手段によって前記真空発生手段に供給される前記気体の流量を調節することにより、前記ケーシングからの排気量の調整を行なうようにしたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体基板や液晶用又はフォトマスク用ガラス基板等の薄板状基板（以下、単に「基板」という。）を加熱状態で処理するための基板処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　例えば、液晶基板製造におけるフォトリソグラフィー工程においては、ガラス基板表面に塗布されたレジストを乾燥するため、当該基板をホットプレートなどの発熱体を備えた加熱装置により加熱し、高温で熱処理する工程が含まれる。安全のため基板はケーシング内に収納された状態で加熱され、必要に応じてケーシング内を換気することにより熱排気が行なわれる。
　【０００３】
　図４は、従来の基板処理装置の例として熱処理装置の概要を示す図である。
　【０００４】
　同図に示すようにケーシング１内に発熱体であるホットプレート２が収納され、このホットプレート２の側方には、断面が矩形の排気管３が配設されている。当該排気管３の上面にはスリット状の吸引穴３ａが設けられるとともに、双方の排気管３はその下方部分で相互に連通し、ケーシング１を貫通する排出管４に接続される。ケーシング１内部の気体は、排出管４の開口部（排気口）５から外部に排気される。
　【０００５】
　このような従来の熱処理装置にあっては、必要に応じて自然排気による熱排気を行なうようにしており、排出管４の途中にモータ６によって開閉駆動されるオートバルブ７を設け、さらに排気量を微調整するための手動バルブ８を付設していた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来の熱処理装置における排気構造であると、排出管４内には高温の気体が流動することになるので、排出管４自体が高温になり、特にケーシング１より外側にある高温の排出管４が、当該熱処理装置内に内蔵された制御装置における電子部品や、隣接する熱処理処置における温度制御に対して悪影響を与える結果となり、問題となっていた。
　【０００７】
　このような弊害を避けるため、排出管４の周囲に断熱部材を巻付けることが考えられるが、そのため配管スペースを大きくとることになり、装置全体が大型化してしまう。しかも、自然排気による換気効率をよくするため、排出管４の径を大きくする必要があり、上記弊害はなおさらとなる。
　【０００８】
　また、このように断熱部材で断熱しても排気口５からの排気熱の温度を下げることはできず、少なからず他の機器に影響を与える結果となっていた。
　【０００９】
　本発明は、上述のような問題を解消して、排気熱による悪影響を排しながら、効率的に熱排気を行なうことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため、請求項１に係る基板処理装置は、基板を加熱して処理を行なう基板処理装置において、基板を加熱する加熱手段と、前記加熱されるべき基板を収容する空間を形成するケーシングと、前記空間内に開口する排気口と、前記排気口に連結されたディフューザ式真空発生手段と、前記ディフューザ式真空発生手段に気体を供給する気体供給手段と、を備え、前記ディフューザ式真空発生手段によりケーシング内部の排気を行なうようにしている。
　【００１１】
　また、請求項２に係る基板処理装置では、請求項１における気体供給手段は流量制御手段を備え、当該流量制御手段によって前記真空発生手段に供給される前記気体の流量を調節することにより、前記ケーシングからの排気量の調整を行なうようにしている。
　【００１２】
　なお、この明細書において、「ディフューザ式真空発生手段」とは、気体をノズル状流路に供給し、その部分に生じる気圧の低下を利用して吸引する真空発生手段を総称するものである。
　【００１３】
　【作用】
　請求項１の発明によれば、ケーシング内の熱排気は、ディフューザ式真空発生手段によって行なわれるので、内部の高温の気体が上記ディフューザ式真空発生手段に供給された気体とともに、ケーシング外部に排出される。ケーシング内部の高温の気体は上記ディフューザ式真空発生手段に供給された気体と交じり合って温度が低下する。
　【００１４】
　請求項２の発明によれば、ディフューザ式真空発生手段に供給される気体の流量が、流量制御手段によって制御されるので、これによりケーシング内の熱排気量を調整できる。
　【００１５】
　【実施例】
　以下、図面を参照して本発明を適用した熱処理装置の実施例を詳細に説明するが、これにより本発明の技術的範囲が熱処理装置に限定されるものではない。なお、以下に述べる図面において図４と同じ符号を付したものは同じ内容を示すので詳しい説明は省略される。
　【００１６】
　図１は、熱処理装置の第１の実施例の構成を示す概要図である。同図に示すようにケーシング１内にホットプレート２が収納され、ホットプレート２の側方には、断面が矩形の排気管３が配設される。ホットプレート２には図外の電源供給源から電力が供給され所定の温度で基板Ｗが加熱される。
　【００１７】
　排気管３の上面にはスリット状の吸引穴３ａが設けられるとともに、双方の排気管３は，下方で相互に連通して接続管９に連結される。接続管９は、ディフューザ式真空発生手段の１種であるエジェクター式真空発生装置１０に接続されており、このエジェクター式真空発生装置１０には気体供給装置１１から気体、例えば空気が気体供給管１２を介して圧送され、ケーシング１内の高温の気体を吸引して、排出管１３を介してその開口部１３ａから大気中に放出する。
　【００１８】
　基板Ｗの加熱によりケーシング１内にレジスト中の有機溶媒などが蒸発し有害ガスが発生するような場合には、直接大気中に放出するのではなく、気体処理装置（図示せず）によって処理してから大気中に放出される。
　【００１９】
　上述のエジェクター式真空発生装置１０の構成を図２に示す。エジェクター式真空発生装置１０は、本体１０１内に図示のような流路を形成してなり、気体供給装置１１から圧送されて気体供給管１２を通過してきた気体は、ノズル１０２において流速を増し、その後側で気圧が低下する。この低圧部分に連結された接続管９からケーシング１内の高温の気体が吸収され、上記気体供給装置１１の圧送気体と一緒になってディフューザ部１０３を通過して排出管１３から外部に排出されるようになっている。
　【００２０】
　このような構成によれば、排出管１３を通過するケーシング１内部の気体は、気体供給装置１１から供給された気体と混ざってその温度が低下しており、従来のように排出管１３が熱せられて他の機器に悪影響を与えるおそれがなくなる。本願発明者の実験によれば、ケーシング１内部が１００℃であって、気体供給装置１１から常温の空気を供給した場合には、排気温度は約５０℃ほどまで低下しており、他の機器への影響はほとんどなくなっていた。
　【００２１】
　また、気体供給装置１１は、コンンプレッサ１１１と、圧力制御弁１１２と電磁弁１１３と圧力計１１４とからなっており、気体供給のオン・オフは電磁弁１１３を操作して行なうとともに、圧力計を見ながら圧力制御弁１１２を調整して、気体の供給圧を調節するようになっている。ケーシング１内の排気量は、当該供給気体の圧力の大きさに応じて決定されるので、この方法により容易に排気量を調整することができる。この場合、圧力制御弁１１２は流量制御弁によって、電磁弁１１３はエアー弁によって、それぞれ代替可能である。
　【００２２】
　なお、このようにしてエジェクター式真空発生装置１０によりケーシング１内部を強制的に排気すると、内部圧力が次第に低下していくが、排気時間が短い場合には特に問題はない。しかし、長時間熱排気を行なう場合には、内部の真空度が増して排気効率が悪くなるので、ケーシング１の適当な箇所に小さな空気穴や隙間を設けておくか、窒素ガス等の適当な気体を供給する方が望ましい。
　【００２３】
　図３は、熱処理装置の第２の実施例の概要を示すものである。図１の実施例においてはエジェクター式真空発生装置１０をケーシング１内部に設置しているが、図３の実施例ではケーシング１外部の側壁に設置しているため、気体供給装置１１との接続が容易になっている
。
　【００２４】
　このようにしてディフューザ式真空発生手段により強制的に排気すると、従来の自然排気の場合におけるように排出管の径を大きくする必要もなく、また、断熱部材を排出管の周囲に巻く必要もないので、排出部において大幅な省スペースが図れる。また、従来のオートダンパ７や手動バルブ８による排気制御に比べ、圧力制御弁１１２により排気量を微妙かつ容易に調節できるので、ケーシング１内の温度制御の精度が向上する。
　【００２５】
　なお、上述の実施例においては、ディフューザ式真空発生手段としてエジェクター式真空発生装置１０を使用したが、これに限定されるものではなく、同様の吸引原理に基づくコアンダ式の真空発生装置や、トランスベクター式の真空発生装置を用いてもよい。一般に、小排気量の場合はエジェクター式、大排気量の場合は、コアンダ式、トランスベクター式の真空発生装置が適しており、それぞれの用途に従って使用される。
　【００２６】
　また、本発明は、基板の熱処理装置のみならず、例えばレジスト塗布前のＨＭＤＳの基板表面への塗布装置など、およそケーシング内に基板を収納して高温状態で処理し、熱排気する必要のある基板処理装置の全てに適用できるものである。
　【００２７】
　【発明の効果】
　以上述べたように、請求項１の発明によれば、ディフューザ式真空発生手段によってケーシング内の熱排気が行なわれるので、内部の高温の気体が上記ディフューザ式真空発生手段に供給された気体とともに、ケーシング外部に排出される。ケーシング内部の気体は上記ディフューザ式真空発生手段に供給された気体と交じり合った状態で排出されるので、温度が低下しており、制御機器や他の装置に熱による悪影響を与えるおそれがない。
　【００２８】
　請求項２の発明によれば、ディフューザ式真空発生手段に供給される気体の流量が、流量制御手段によって制御されるので、これによりケーシング内の熱排気量を容易に調整でき、ケーシング内の温度制御を精度よく行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施例にかかる熱処理装置の構成を示す概要図である。
　【図２】
　エジェクター式真空発生装置の構成を示す縦断面図である。
　【図３】
　本発明の第２の実施例にかかる熱処理装置の構成を示す概要図である。
　【図４】
　従来の熱処理装置の構成を示す概要図である。
　【符号の説明】
　　１　ケーシング
　　２　ホットプレート
　　３　排気管
　　９　接続管
　１０　エジェクター式真空発生装置
　１１　気体供給装置
　１２　気体供給管
　１３　排出管
　１３ａ　排気口
　　Ｗ　基板