【事件の表示】
　特許第２７９３６６６号「ステッパの合わせ精度モニタ方法およびその装置」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７９３６６６号の請求項１ないし７に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　 本件特許第２７９３６６６号に係る発明は、平成１年１２月２２日に特許出願され、平成１０年６月１９日にその特許の設定登録がされ、その後、異議申立人相模庚司より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月３０日に訂正請求がなされ、その後、訂正拒絶理由通知がなされ、訂正請求が取下げられたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人相模庚司は、甲第１号証（Integrated　Circuit　Metrology，Inspection，and　Process　Control III、27-28　February　l989、第255頁〜第266頁)及び甲第２号証（電子材料　1989年3月号　第40〜45頁）を提出し、本件請求項１〜７に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、さらに、本件特許は、特許法第３６条の規定を満たしていない発明に対してなされたものであるから、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人相模庚司が提出した甲第１号証の記載内容
　甲第１号証は、「重ね合わせ制御用コンピューータ支援エンジニアリングワークステーション」と題し、第２５５頁の「アブストラクト」の項には、「総合的キャラクタライズと、ステッパの設定から層間検査までのプロセス全体にわたるレジストレーション性能の制御とのための備えを設けた、コンピュータに援助されたエンジニアリングワークステーションについて述べる。このワークステーションは、手動で入力されたりいくつかの自動計測ツールから入力された、データを受け付ける。測定のためのレイアウトはユーザによって定義され、設定や生産における多様なサンプリングのニーズを満たす。レイアウトを定義して、グリッドとフィーレド内の両方のプレースメントデータを同時に収集できる。あらゆるソースから収集したデータを、リソグラフィデータの直接的な目視による比較と数値による比較のために最適化した、使いやすいワークステーション環境において表示、操作、分析できる。グリッドおよびフィールド内のレジストレーションモデル化を実行して測定数量を原因に関連付け、最悪のオーバレイを予測し、また、誤差成分の傾向把握を考慮することができる。ワークステーションは一度に多数のステッパや計測ツールに接続して、レジストレーション制御センタの役割を果たすことができる。このワークステーションのステッパの設定や生産ラインの監視への適用についてデモンストレーションを行う。ワークステーションを生産ライン用のレジストレーション制御センタとして使用する方法を考察する。」と記載されている。
　第２５５頁第１７行に、「オーバレイの集合が縮小し続けるにつれて、レジストレーション制御戦略がますます重要になっている。」と記載されている。
　第２５５頁第１図には、ステッパから、設定データを、MONO-LITH ワークステーションに入力し、当該MONO-LITH ワークステーションから、レジストレーション補正を行うための入力をすること、さらに、ステッパを用いて処理されたウエハの情報を計測ツールで計測し、そのデータを上記MONO-LITH ワークステーションに入力させることが示されている。
　第２５６頁第７行〜第１３行に、「測定のためのレイアウトはユーザが定義し、グリツドデータとフィールド内データとを同時に収集できる。測定データセットは、見直しや編集に随時使用できる、MONO‐LITHデータベースに保存する。
　データがMONO-LITH ワークステーションに入力されれば、直ぐにレジストレーション分析を実行できる。データはシステムの対話型作業環境において表示、操作できる。融通性の高いデータ分析により、より高次の照会のための基本要素が提供される。即座にフィードバックが行われるため,「現在」のプロセス状態の実の姿が表示される。リアルタイムの補正フィードバックにより、ワークステーションをレジストレーション制御センタとして使用することが可能になる。」と記載されている。　
　第２５７頁の「3．1．1． ステージの整合」の項には、「生産環境において一連のステッパを効果的に利用するには、ステッパステージが整合されるようにしなければならない。MONO-LITH ワークステーションには、ステージの数がいくつであろうとそれらを親ステッパもしくは製品であるウェハに整合させるための備えがある。図4に3ステッパシステムの場合のグリッド整合開始時の状態を示す。このMONO-LITHスクリーンには測定データのベクトルマップが表示されている。
このデータはウェハステッパへの直接リンクを介して収集されたものである。作業の詳細(グリッドステップサイズなど)はMONO-LITHデータ収集モジュール(DAM)に入力されており、このモジュールが作業の進行に合わせて受信データのベクトルマップを表示したものである。試験ウェハをステッパCで照射してからステッパAおよびBに載置し、これらのステッパは各ショットロケーションに対してアライメントする作業を実行した。図示したベクトルはアライメントターゲットの予想ロケーションからそれらが位置合わせされたステージ位置までのオフセットを表している。それらはシステム間の相対的なステージの差異を表している。ステージ不整合の原因を究明するために分析を実施し、その結果を図5に示した。図6はステッパAおよびBに対してグリッド補正を行った後の予測ステージ残差を示したものである。この残差マップは、ステッハA、B、Cのステージを最適な状態に整合させた時に発生する、オーバレイを示す。
　ステージを整合させた後で密なグリッドアレイを実行しデータをMONO-LITHワークステーションに保存すると、ステッパのシグネチャを保持できる。誤差が系統立っているため、このデータにより所定のステッパが許容できるもっとも厳しいオーバレイ集合が示される。また、個々のステッパの性能が怪しくなった場合には、チェックするための基準も提供してくれる。」と記載されている。
　第２６３頁の「3．2．2．モデル化した誤差源の傾向把握」の項には、「MONO-LITHワークステーションなどのシステムを使用すると、生レジストレーションデータを上回る豊富な情報が利用できる。　MONO-LITHシステムがモデル化するすべてのデータセットの係数は、傾向把握や以降の分析で使用するための測定データとともに、出力として使用可能である。モデル化した生レジストレーションデータの係数の傾向を把握することにより、誤差原因に対する多量の洞察が得られる。図14および15はステージの問題が原因の、上記の傾向把握シミュレーションにおけるレジストレーション誤差の一部に焦点を当てたものである。時間間隔5と11の間では、Y誤差の広がりの増大が、後で補正を行った縮尺誤差の増大の原因になっている。フィールド内誤差源の一部について図16および17でその傾向を把握している。
時間間隔0から存在する縮小誤差は時間間隔11において取り除かれた。レチクル回転は時間間隔16から20にかけて大きかった。
　各誤差源の変化を正しく調査することで、それらに管理限界を設けることができる(例えば、縮小については+/-075ppm)。各係数に設けた限界から有意の総オーバレイ集合を推定できる。成分の傾向把握により、他の誤差と混じり合ってデバイス歩留まりに影響するミスレジストレーションを発生させないうちに、個々のレジストレーションの問題点を特定、是正することができる。このように厳格で効果的なオーバレイ制御が実現されるのである。」と記載されている。
２．異議申立に対する判断
２．１　本件特許の請求項に係る発明
請求項1
「半導体製造設備の縮小投影露光装置であるステッパの加工設定条件と、ステッパで加工した半導体集積回路パターンの合わせ精度を検査する合わせ検査装置言の検査結果とを受託する計算機により、上記検査結果の合わせ精度誤差要因を分析して、ステッパの加工設定条件の補正値を出力するとともに、上記合わせ精度誤差要因を分析した結果のステッパに起因する合わせ精度誤差要因を蓄積して、ステッパで加工した半導体集積回路の加工時のステッパ状態の合わせ精度誤差要因の推移を出力することを特徴とするステッパの合わせ精度モニタ方法。」
請求項2
「ステッパを複数台とし、個別ステッパの合わせ精度誤差要因の推移を個別ステッパ間で比較して、個別ステッパ固有の加工特性を出力することを特徴とする請求項1記載のステッパの会わせ精度モニタ方法。」
請求項3
「半導体集積回路の製造に際し、少なくとも加工設定条件の補正値の出力によって、半導体集積回路の製造を支援することを特徴とする請求項1,2の何れかに記載のステッパの合わせ精度モニタ方法。」
請求項4
「半導体集積回路の製造に際し、ステッパの加工設定条件で下層の加工を行い、次の上層の加工工程での露光の際に上記下層との合わせ精度誤差要因を分析して、ステッパの加工設定条件の補正値を出力することによって、上記上層のステッパの加工条件の設定を支援するとともに、上記合わせ精度誤差要因を分析した結果のステッパに起因する合わせ精度誤差要因を蓄積して、ステッパで加工した半導体集積回路の加工時のステッパ状態の合わせ精度誤差因の推移を出力することを特徴とするステッパの合わせ精度モニタ方法。」
請求項5
「半導体製造設備の縮小投影露光装置であるステッパの加工設定条件を送信する送信手段と、ステッパで加工した半導体集積回路パターンの合わせ精度を検査する合わせ検査装置の検査結果を送信する送信手段と、上記2つの送信手段からの送信データを受信する受信手段を有する計算機とから成り、上記計算機では受信データとしての上記検査結果の合わせ精度誤差要因を該複数の合わせ精度誤差要因ごとに分析し、その分析結果に基づいてステッパの加工設定条件の補正値を算出し出力する構成であることを特徴とするステッパ合わせ精度モニタ装置。」
請求項6
「ステッパの加工設定条件の補正値を計算機よりステッパに送信する送信手段と、ステッパが該送信データを受信する受信手段と、該受信データをステッパに設定する手段とを有することを特徴とする請求項5記載のステッパの合わせ精度モニタ装置。」
請求項７
「計算機の会わせ精度誤差要因を分析する機能を会わせ検査装置に組み込み、会わせ精度誤差要因に基づくスッテパの加工条件補正値をステッパに出力する機能を有することを特徴とする請求項５記載のステッパの合わせ精度モニタ装置。」
３．２　取消理由通知の概容
　本件請求項１〜７に係る発明は、甲第１、２号証に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３．３　引用例の内容
　１．２及び１．３に記載のとおり。
３．４　本件請求項1〜７に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
３．４．１　本件請求項１に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
　また、第２５６頁第７行〜第１３行記載の、「・・・測定データセットは、見直しや編集に随時使用できる、MONO‐LITHデータベースに保存する。
　データがMONO-LITH ワークステーションに入力されれば、直ぐにレジストレーション分析を実行できる。データはシステムの対話型作業環境において表示、操作できる。融通性の高いデータ分析により、より高次の照会のための基本要素が提供される。即座にフィードバックが行われるため,「現在」のプロセス状態の実の姿が表示される。リアルタイムの補正フィードバックにより、ワークステーションをレジストレーション制御センタとして使用することが可能になる。」との記載からすると、甲第１号証の「MONO-LITH ワークステーション」は、本件請求項１に係る発明の「検査結果の合わせ精度誤差要因を分析して、ステッパの加工設定条件の補正値を出力する」構成を有している。　
　第２５８頁第１、２行の「ステージを整合させた後で密なグリッドアレイを実行しデータをMONO-LITHワークステーションに保存すると、ステッパのシグネチャを保持できる。」との記載を参照すると、甲第１号証の「MONO-LITH ワークステーション」は、本件請求項１に係る発明の「合わせ精度誤差要因を分析した結果のステッパに起因する合わせ精度誤差要因を蓄積」する構成を有している。
　第２５８頁第２、３行の「誤差が系統立っているため、このデータにより所定のステッパが許容できるもっとも厳しいオーバレイ集合が示される。また、個々のステッパの性能が怪しくなった場合には、チェックするための基準も提供してくれる。」との記載及び第２６３頁第２行〜第９行の「MONO-LITHシステムがモデル化するすべてのデータセットの係数は、傾向把握や以降の分析で使用するための測定データとともに、出力として使用可能である。モデル化した生レジストレーションデータの係数の傾向を把握することにより、誤差原因に対する多量の洞察が得られる。図14および15はステージの問題が原因の、上記の傾向把握シミュレーションにおけるレジストレーション誤差の一部に焦点を当てたものである。・・・各誤差源の変化を正しく調査する」なる記載を参照すると、甲第１号証の「MONO-LITH ワークステーション」は、本件請求項１に係る発明の「ステッパで加工した半導体集積回路の加工時のステッパ状態の合わせ精度誤差要因の推移を出力する」構成を有している。
　なお、本件請求項１に係る発明の「言」は、「ごと」の誤記と認める。
　そうすると、甲第１号証記載のステッパ及びMONO-LITH ワークステーションは、「半導体製造設備の縮小投影露光装置であるステッパの加工設定条件と、ステッパで加工した半導体集積回路パターンの合わせ精度を検査する合わせ検査装置ごとの検査結果とを受託する計算機により、上記検査結果の合わせ精度誤差要因を分析して、ステッパの加工設定条件の補正値を出力するとともに、上記合わせ精度誤差要因を分析した結果のステッパに起因する合わせ精度誤差要因を蓄積して、ステッパで加工した半導体集積回路の加工時のステッパ状態の合わせ精度誤差要因の推移を出力する」構成を備えているから、本件請求項１に係る発明と、甲第１号証記載の発明は、「半導体製造設備の縮小投影露光装置であるステッパの加工設定条件と、ステッパで加工した半導体集積回路パターンの合わせ精度を検査する合わせ検査装置ごとの検査結果とを受託する計算機により、上記検査結果の合わせ精度誤差要因を分析して、ステッパの加工設定条件の補正値を出力するとともに、上記合わせ精度誤差要因を分析した結果のステッパに起因する合わせ精度誤差要因を蓄積して、ステッパで加工した半導体集積回路の加工時のステッパ状態の合わせ精度誤差要因の推移を出力する」点で一致し、本件請求項１に係る発明が、方法の発明であるのに対し、甲第１号証記載の発明は装置の発明である点で相違する。
　この相違について検討すると、甲第１号証記載の発明は装置の発明を方法の発明とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　従って、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証記載の発明に基いて容易に発明できたものである。
３．４．２　本件請求項２に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
　甲第１号証第２５８頁第２、３行の「誤差が系統立っているため、このデータにより所定のステッパが許容できるもっとも厳しいオーバレイ集合が示される。また、個々のステッパの性能が怪しくなった場合には、チェックするための基準も提供してくれる。」との記載を参照すると、同号証のMONO-LITH ワークステーションは、個々のステッパの誤差の推移を検出しており、また、個々のステッパ固有の特性も検出することは明らかである。
　また、機械の性能検査において、当該機械が複数の時には、個々の機械の性能を相互に比較することにより性能検査する方法は、広く慣用化されている手段にすぎない。
　そうすると、本件請求項２の付加構成「ステッパを複数台とし、個別ステッパの合わせ精度誤差要因の推移を個別ステッパ間で比較して、個別ステッパ固有の加工特性を出力すること」は、甲第１号証に記載された発明に対し単に慣用手段を付加したものと認める。
　また、本件請求項２の付加構成と、本件請求項２において引用する本件請求項1の構成との相乗効果は特に認められない。
　従って、本件請求項２に係る発明は、甲第１号証記載の発明に基いて容易に発明できたものである。
３．４．３　本件請求項３に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
　甲第１号証記載のステッパは、明らかに半導体集積回路の製造に用いられるものであるから、本件請求項３の付加構成「半導体集積回路の製造に際し、少なくとも加工設定条件の補正値の出力によって、半導体集積回路の製造を支援すること」は、甲第１号証に記載された発明において自明に内在するものと認める。
　従って、本件請求項３に係る発明は、甲第１号証記載の発明に基いて容易に発明できたものである。
３．４．４　本件請求項４に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
「ステッパに起因する合わせ精度誤差要因を蓄積して、ステッパで加工した半導体集積回路の加工時のステッパ状態の合わせ精度誤差因の推移を出力する」ことは、上記３．４．１に記載のとおり、甲第１号証に記載された技術手段であることを考慮すると、本件請求項４に係る発明と甲第１号証に記載された発明は、「半導体集積回路の製造に際し、ステッパに起因する合わせ精度誤差要因を蓄積して、ステッパで加工した半導体集積回路の加工時のステッパ状態の合わせ精度誤差因の推移を出力すること」において一致し、本件請求項４に係る発明が、「ステッパの加工設定条件で下層の加工を行い、次の上層の加工工程での露光の際に上記下層との合わせ精度誤差要因を分析して、ステッパの加工設定条件の補正値を出力することによって、上記上層のステッパの加工条件の設定を支援する」構成を有するのに対し、甲第１号証に記載された発明にはこの点の記載がない点及び本件請求項４に係る発明が方法の発明であるのに対し甲第１号証に記載された発明は装置の発明である点で相違する。
　しかるに、半導体集積回路の製造に際し、「ステッパの加工設定条件で下層の加工を行い、次の上層の加工工程での露光の際に上記下層との合わせ精度誤差要因を分析して、ステッパの加工設定条件の補正値を出力する」ことは、ステッパによる半導体集積回路の製造において必然的に伴う工程にすぎない。また、甲第１号証の装置の発明を方法の発明とすることに困難性は認められない。
　そうすると、本件請求項４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものである。
３．４．５　本件請求項５に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
「ステッパの加工設定条件を送信する送信手段」及び「ステッパで加工した半導体集積回路パターンの合わせ精度を検査する合わせ検査装置の検査結果を送信する送信手段」については、甲第１号証第１図に示された信号の流れを表す矢印が実質的に上記手段を表しており、また、「上記2つの送信手段からの送信データを受信する受信手段」については、MONO-LITH H/88ワークステーションに内在していることは明らかであるから、本件請求項５に係る発明と甲第１号証に記載された発明は、「半導体製造設備の縮小投影露光装置であるステッパの加工設定条件を送信する送信手段と、ステッパで加工した半導体集積回路パターンの合わせ精度を検査する合わせ検査装置の検査結果を送信する送信手段と、上記2つの送信手段からの送信データを受信する受信手段を有する計算機とから成り、上記計算機では受信データとしての上記検査結果の合わせ精度誤差要因を該複数の合わせ精度誤差要因ごとに分析し、その分析結果に基づいてステッパの加工設定条件の補正値を算出し出力する」点において一致し、本件請求項５に係る発明が方法の発明であるのに対し甲第１号証に記載された発明は装置の発明である点で相違する。
　上記相違点について検討すると、甲第１号証の装置の発明を方法の発明とすることに困難性は認められないから、本件請求項５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものである。
３．４．６　本件請求項６に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
　本件請求項６の付加構成「ステッパの加工設定条件の補正値を計算機よりステッパに送信する送信手段と、ステッパが該送信データを受信する受信手段と、該受信データをステッパに設定する手段とを有すること」は、請求項５に特段の技術限定を付加したものと認められない。
　従って、本件請求項６に係る発明は、上記３．４．５に記載した請求項５と同様に、上記甲第１号証記載の発明に基いて容易に発明できたものである。
３．４．７　本件請求項７に係る発明と取消理由に引用した引用例との対比
　本件請求項７の付加構成「計算機の会わせ精度誤差要因を分析する機能を会わせ検査装置に組み込み、会わせ精度誤差要因に基づくスッテパの加工条件補正値をステッパに出力する機能を有すること」は、請求項５に特段の技術限定を付加したものと認められない。
　従って、本件請求項７に係る発明は、上記３．４．５に記載した請求項５と同様に、上記甲第１号証記載の発明に基いて容易に発明できたものである。
３．４．８
　従って、本件請求項１〜７に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
４．むすび
  以上のとおりであるから、本件請求項1〜７に係る発明の特許は、取り消すべきものである。
  よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月１６日（２０００．５．１６）