(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部材上方に、複数の半導体チップを、端子側を上側にして、並べて配置する工程と、
前記支持部材上に配置された複数の半導体チップの上面と側面、及び、隣接する前記半導体チップの間を覆って、金属により第１熱伝導層を形成する工程と、
前記第１熱伝導層をシード層として、前記半導体チップの端子上方に、電解鍍金により導電部材を形成する工程と、
前記半導体チップの上面の前記第１熱伝導層を、前記導電部材の外側で除去する工程と、
前記複数の半導体チップの上方に、第１絶縁層を形成する工程と
を有し、
前記第１熱伝導層は、前記第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される半導体装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、隣接する前記半導体チップの間に、前記第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で、第２熱伝導層を形成する工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記導電部材を形成する電解鍍金により、前記第２熱伝導層も形成される請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの高集積化が著しく進み、素子のサイズが縮小している。これに伴い、半導体装置の高密度化も進んでいる。半導体装置の高密度化等に好適な技術として、複数の半導体チップが１つのパッケージに収納されたマルチチップモジュール（ＭＣＭ）が開発されている。
【０００３】
ＭＣＭでは、半導体チップの周囲に樹脂等の絶縁材料が充填される。これに起因して、動作中の放熱性が低くなりやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２７４３１５号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一目的は、複数の半導体チップを含む半導体装置であって、放熱性向上が図られた半導体装置の製造方法、及びそのような半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、支持部材上方に、複数の半導体チップを、端子側を上側にして、並べて配置する工程と、前記支持部材上に配置された複数の半導体チップの上面と側面、及び、隣接する前記半導体チップの間を覆って、金属により第１熱伝導層を形成する工程と、  前記第１熱伝導層をシード層として、前記半導体チップの端子上方に、電解鍍金により導電部材を形成する工程と、前記半導体チップの上面の前記第１熱伝導層を、前記導電部材の外側で除去する工程と、前記複数の半導体チップの上方に、第１絶縁層を形成する工程とを有し、前記第１熱伝導層は、前記第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される半導体装置の製造方法、が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
半導体チップの少なくとも側面を覆う第１熱伝導層により、放熱性向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１−１】図１Ａ〜図１Ｄは、第１実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図１−２】図１Ｅ〜図１Ｈは、第１実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図１−３】図１Ｉ〜図１Ｌは、第１実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図１−４】図１Ｍ〜図１Ｐは、第１実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図１−５】図１Ｑ〜図１Ｔは、第１実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図１−６】図１Ｕ〜図１Ｗは、第１実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図２−１】図２Ａ〜図２Ｄは、第２実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図２−２】図２Ｅ〜図２Ｈは、第２実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図２−３】図２Ｉ〜図２Ｌは、第２実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図２−４】図２Ｍ〜図２Ｐは、第２実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【図２−５】図２Ｑ〜図２Ｓは、第２実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
まず、図１Ａ〜図１Ｗを参照して、本発明の第１実施例によるマルチチップモジュール（ＭＣＭ）の製造方法について説明する。図１Ａ〜図１Ｗは、第１実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【００１０】
図１Ａを参照する。支持基板１を用意する。支持基板１は、例えばシリコン基板、ガラス基板、セラミック基板等であり、厚さは例えば６２５μｍである。
【００１１】
支持基板１上に、熱伝導層２を形成する。熱伝導層２は、後述の熱伝導層４と同様にして、例えば金属（例えばＣｕ）で形成される。
【００１２】
熱伝導層２を介し支持基板１上に、複数の半導体チップ３ａ、３ｂ等を、面内に並べて、チップボンダー等で配置する。
【００１３】
第１実施例では、端子３ｔの配置された端子面を上側（支持基板１の反対側）にして、複数の半導体チップ３ａ、３ｂ等が配置される。以下、半導体チップを、単に「チップ」と呼ぶこともある。
【００１４】
各チップ３ａ、３ｂ等の平面形状は、例えば短辺の長さが５ｍｍ、長辺の長さが１０ｍｍの長方形である。チップの厚さは、例えば１００μｍ〜１５０μｍの範囲であり、各チップで異なり得る。各チップの配置間隔（隣接するチップ間の間隙の幅）は、例えば５００μｍである。図１Ａ等では、例として、２つの半導体チップ３ａ、３ｂを示す。
【００１５】
図１Ｂを参照する。チップ３ａ及び３ｂの上面（端子面）と側面、及び、チップ３ａ及び３ｂの間を覆って、支持基板１の全面上に、熱伝導層４を形成する。
【００１６】
熱伝導層４は、本実施例では金属（例えばＣｕ）で形成される。金属による熱伝導層の材料元素として、Ｃｕの他、例えば、Ｔｉ、Ａｌ，Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ等を用いることができる。熱伝導層４の成膜方法として、スパッタリング等の物理気相堆積（ＰＶＤ）や、化学気相堆積（ＣＶＤ）、有機金属（ＭＯ）ＣＶＤ等を用いることができる。熱伝導層４の厚さは、熱伝導を良好とする観点から、少なくとも５０ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましい。
【００１７】
上述の熱伝導層２も、熱伝導層４と同様な材料、成膜方法、及び厚さ範囲の金属膜で形成することができる。
【００１８】
図１Ｃを参照する。熱伝導層４上にレジストを塗布して、レジスト層ＲＬ１を形成する。レジスト塗布手法は、特に限定されず、ディップコート、スピンコート、スプレーコート、蒸気コート等を用いることができる。このなかで、スプレーコートが、大きな段差を有する部材上に薄膜で均一性高くレジスト層を形成できる観点から好ましい。上記寸法例の場合、レジスト層ＲＬ１の厚さは、例えば１００μｍである。
【００１９】
図１Ｄを参照する。レジスト層ＲＬ１の露光、及び現像を行って、チップ３ａ及び３ｂの端子３ｔの上方、及び、チップ３ａ及び３ｂの外側に開口が形成されたレジストパターンＲＰ１を形成する。端子３ｔ上の開口幅は、例えば５０μｍである。
【００２０】
図１Ｅを参照する。熱伝導層４を給電のためのシード層として用いて、例えばＣｕを電解鍍金することにより、端子３ｔの上方のレジスト開口内に導電プラグ５ｔを形成するとともに、チップ３ａ及び３ｂの外側に、熱伝導層５ｃを形成する。
【００２１】
導電プラグ５ｔを、レジスト開口内に鍍金膜を成長させるフレーム鍍金法で形成することにより、高アスペクト比とすることが容易になる。導電プラグ５ｔの鍍金高さは、例えば７５μｍである。図１Ｅに図示する例は、チップ３ａと３ｂの厚さが異なり、導電プラグ５ｔの高さ（上面の位置）は、チップ３ａと３ｂとで異なる。  
【００２２】
図１Ｆを参照する。レジストパターンＲＰ１を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。
【００２３】
図１Ｇを参照する。再び全面にレジストを塗布して、レジスト層ＲＬ２を形成する。レジスト層ＲＬ２の厚さは、後に図１Ｉを参照して説明される工程でエッチングされる熱伝導層（シード層）４との選択比に応じて適宜選択されるものであり、例えば１０μｍである。
【００２４】
図１Ｈを参照する。レジスト層ＲＬ２の露光、及び現像を行って、チップ３ａ及び３ｂの上面を露出する開口が形成されたレジストパターンＲＰ２を形成する。
【００２５】
図１Ｉを参照する。レジストパターンＲＰ２をマスクとして、チップ３ａ及び３ｂの上面上の、導電プラグ５ｔの外側の熱伝導層（シード層）４を、例えばエッチングまたはミリングにより除去する。これにより、導電プラグ５ｔ同士が電気的に分離される。また、チップ側面とチップ間を覆う熱伝導層４が、チップ３ａ及び３ｂから電気的に分離される。以後、導電プラグ５ｔの下に残る熱伝導層（シード層）４もまとめて、導電プラグ５ｔと呼ぶこととする。
【００２６】
チップ３ａ及び３ｂの上面上の不要な熱伝導層（シード層）４の除去処理は、導電プラグ５ｔが過剰に除去されることを防ぐため、ドライエッチングやイオンミリング等の異方性処理が好ましい。
【００２７】
図１Ｊを参照する。レジストパターンＲＰ２を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。
【００２８】
図１Ｋを参照する。再び全面にレジストを塗布して、レジスト層ＲＬ３を形成する。
【００２９】
図１Ｌを参照する。図１Ｅを参照して説明した鍍金工程により、隣接するチップ３ａと３ｂとの間に、熱伝導層５ｃが形成されている。熱伝導層５ｃは、隣接するチップ３ａと３ｂとの間を完全に埋め込むほど厚くは形成されておらず、隣接するチップ間に凹部ＣＰが残っている。
【００３０】
レジスト層ＲＬ３の露光、及び現像を行って、隣接チップ間の凹部ＣＰを露出し、チップ上面及び導電プラグ５ｔを覆うレジストパターンＲＰ３を形成する。
【００３１】
図１Ｍを参照する。例えば、Ｃｕを鍍金して、凹部ＣＰを埋め込む熱伝導層６を形成する。
【００３２】
図１Ｎを参照する。レジストパターンＲＰ３を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。
【００３３】
図１Ｏを参照する。基板全面上に、絶縁膜材料を塗布して、絶縁層７を形成する。絶縁層７は、すべてのチップの導電プラグ５ｔを埋め込む厚さで形成する。絶縁層の形成材料として、例えば、有機材料ではエポキシ樹脂、ポリイミド、フェノール樹脂等が好ましく、また例えば、無機材料では酸化シリコンや窒化シリコン等が好ましい。
【００３４】
図１Ｐを参照する。化学機械研磨 （ＣＭＰ）等により、絶縁層７を、すべての導電プラグ５ｔが露出する高さまで研磨する。これにより、基板表面が平坦化され、全チップの導電プラグ５ｔの高さが揃う。
【００３５】
図１Ｑを参照する。導電プラグ５ｔを覆って絶縁層７上に、シード層８を形成する。シード層８は、熱伝導層（シード層）４と同様な材料、成膜方法で形成することができ、例えばＣｕで形成され、厚さは例えば１００ｎｍである。
【００３６】
図１Ｒを参照する。再び全面にレジストを塗布して、レジスト層ＲＬ４を形成する。
【００３７】
図１Ｓを参照する。レジスト層ＲＬ４の露光、及び現像を行って、導電プラグ５ｔの上方に配置された配線形状の開口を有するレジストパターンＲＰ４を形成する。配線幅は、例えば３μｍである。基板表面が平坦化されているので、微細な配線パターンの形成が容易となる。
【００３８】
図１Ｔを参照する。シード層８を給電層とし、例えばＣｕを電解鍍金して、レジストパターンＲＰ４の開口内に配線パターン９を形成する。鍍金の厚さは、例えば５μｍである。配線パターン９は、チップ３ａの端子３ｔとチップ３ｂの端子３ｔとを電気的に接続する配線部分を含む。
【００３９】
図１Ｕを参照する。レジストパターンＲＰ４を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。
【００４０】
図１Ｖを参照する。配線パターン９の外側の不要なシード層８を、例えばエッチングまたはミリングにより除去する。これにより、配線パターン９の各配線部分が、電気的に分離される。配線パターン９の外側の不要なシード層８の除去処理は、配線パターン９が過剰に除去されることを防ぐため、ドライエッチングやイオンミリング等の異方性処理が好ましい。以後、配線パターン９の下に残るシード層８もまとめて、配線パターン９と呼ぶこととする。
【００４１】
図１Ｗを参照する。配線パターン９を覆って基板全面上に、絶縁膜材料を塗布して、層間絶縁層１０を形成する。層間絶縁層１０は、例えば、絶縁層７と同様な材料で形成することができる。
【００４２】
さらに、層間絶縁層１０の上方に、公知技術を適宜用い、配線を多層に形成して、多層配線構造を形成することができる。多層配線構造とせず、１層の配線形成後に端子引き出しを行ってもよい。このようにして、第１実施例のＭＣＭが形成される。
【００４３】
次に、比較例のＭＣＭについて説明する。図１Ｗを流用して参照する。比較例のＭＣＭでは、チップ側面上やチップ間に、熱伝導層４、熱伝導層５ｃ、及び熱伝導層６が形成されない。また、チップ下方の熱伝導層２も形成されていない。絶縁層７が、チップ上面を覆うとともに、チップ間にも充填されて、チップ側面も覆う。
【００４４】
第１実施例では、熱伝導層２、熱伝導層４、熱伝導層５ｃ、及び熱伝導層６が、金属で形成されており、例えば樹脂で形成される絶縁層７や絶縁層１０に比べて、高い熱伝導率を有する。
【００４５】
熱伝導層２は、チップ下面に接する。熱伝導層４は、チップ側面とチップ間を覆って形成される。熱伝導層５ｃや熱伝導層６は、チップ間を充填するように、さらに形成される。第１実施例のＭＣＭでは、これらの熱伝導層２、４、５ｃ、及び６を設けたことにより、例えば比較例のＭＣＭに比べて、チップ動作時の放熱性を向上させることができる。
【００４６】
なお、放熱性向上のためには、少なくとも、チップ側面を覆う熱伝導層４を形成することが好ましい。熱伝導層４が、チップ間を覆うことがさらに好ましい。熱伝導層２、５ｃ、及び６のそれぞれは、適宜省くこともできる。
【００４７】
熱伝導層２が省かれる場合は、図１Ａにおいて、支持基板１上に直接、チップ３ａ、３ｂ等が配置される。
【００４８】
熱伝導層５ｃ及び６が省かれる場合は、図１Ｄにおいて、チップ間に開口を持たないレジストパターンＲＰ１が形成され、熱伝導層５ｃが形成されていない状態で図１Ｅ〜図１Ｊまでの工程が実施され、図１Ｋ〜図１Ｎの工程が省略される。図１Ｏにおいて、チップ間の熱伝導層４上の間隙にも、絶縁層７が形成される。
【００４９】
熱伝導層５ｃは形成され、熱伝導層６が省かれる場合は、図１Ｋ〜図１Ｎの工程が省略される。図１Ｏにおいて、チップ間の熱伝導層５ｃ上の間隙（ＣＰ）にも、絶縁層７が形成される。
【００５０】
第１実施例では、また、熱伝導層４を、熱伝導層として用いるともに、導電プラグ５ｔ等を形成する電解鍍金のためのシード層として兼用することもできる。
【００５１】
なお、以下のような変形例も考えられる。導電プラグ５ｔは、必ずしもシード層を用いた電解鍍金で形成しなくてもよく、例えば無電解鍍金で形成することもできる。そのような場合は、導電プラグ５ｔの形成工程と、熱伝導層４の形成工程とが独立に行われる。この変形例では、熱伝導層４が、チップ上面（端子面）をレジスト等で覆った状態で、チップ側面やチップ間に形成され、チップ上面のシード層を除去する工程は省かれる。
【００５２】
第１実施例と同様な方法で形成したＭＣＭ、ただし、熱伝導層２、５ｃ、及び６は省略し、熱伝導層４を形成したＭＣＭを想定して、熱伝導シミュレーションにより放熱性を評価した。熱伝導層４の材料は、Ｃｕとした。熱伝導層４の厚さを５０ｎｍ、２００ｎｍ、及び５００ｎｍと変えた。絶縁層７の材料は、ポリイミドとした。併せて、熱伝導層４等の熱伝導層が形成されていない上記比較例と同様なＭＣＭについてのシミュレーションも行った。シミュレーションは、富士通長野システムエンジニアリング製構造解析システム「ＶＯＸＬＥＣＯＮ」を用いて実施した。
【００５３】
チップ中心付近を９０℃に加温した際の、チップ内平均温度を評価した。熱伝導層が設けられていない比較例のＭＣＭでは、チップ内平均温度が７７℃であった。熱伝導層４の厚さが、５０ｎｍ、２００ｎｍ、５００ｎｍの実施例のＭＣＭでは、それぞれ、チップ内平均温度が７５℃、７１℃、６８℃であった。熱伝導層４により、比較例に比べて放熱性が向上することがわかった。また、熱伝導層４が厚いほど、放熱性が良いことがわかった。
【００５４】
なお、第１実施例と同様な方法で形成したＭＣＭに対し、高温高湿試験も実施したところ、耐湿性の向上も確認された。熱伝導層４等は、耐湿層としても機能する。
【００５５】
次に、図２Ａ〜図２Ｓを参照して、第２実施例によるＭＣＭの製造方法について説明する。図２Ａ〜図２Ｓは、第２実施例のＭＣＭの製造方法の主要工程を示す概略断面図である。
【００５６】
図２Ａを参照する。仮支持部材２１を用意する。仮支持部材２１として、例えばシリコン基板、ガラス基板、セラミック基板等の基板や、あるいは、粘着シート等を用いることができる。
【００５７】
仮支持部材２１上に、複数の半導体チップ２２ａ、２２ｂ等を、面内に並べて、チップボンダー等で配置する。チップサイズや、チップの配置間隔は、例えば第１実施例と同様である。
【００５８】
第２実施例では、端子２２ｔの配置された端子面を下側（仮支持部材２１側）にして、チップ２２ａ、２２ｂ等が配置される。このため、ＭＣＭに搭載されるチップの厚さがそれぞれ異なっていても、全チップの端子面の高さが揃う。図２Ａ等では、例として、２つの半導体チップ２２ａ、２２ｂを示す。
【００５９】
図２Ｂを参照する。チップ２２ａ及び２２ｂの上面（端子面と反対側の面）と側面、及び、チップ２２ａ及び２２ｂの間を覆って、仮支持部材２１の全面上に、熱伝導層２３を形成する。熱伝導層２３は、例えば、第１実施例の熱伝導層４と同様な材料、成膜方法、及び厚さ範囲の金属膜で形成することができ、例えばＣｕで形成される。
【００６０】
図２Ｃを参照する。絶縁膜材料を全面に塗布して、熱伝導層２３の上面を覆う厚さで、絶縁層２４を形成する。絶縁層２４の厚さは、例えば５００μｍである。絶縁層２４は、例えば、第１実施例の絶縁層７と同様な材料で形成することができる。
【００６１】
後に図２Ｄを参照して説明される工程で、仮支持部材２１が外され、その後は絶縁層２４がチップ３ａ、３ｂの支持体となる。必要に応じて、絶縁層２４の表面を研磨し平坦化してもよく、絶縁層２４の上にさらに支持部材を重ねてもよい。
【００６２】
図２Ｄを参照する。仮支持部材２１を切り離す。例えば、仮支持部材２１上に仮接着層によりチップ２２ａ及び２２ｂが保持されており、仮接着層を熱や溶剤処理で溶かすことにより、仮支持部材２１が剥がされる。チップ２２ａ及び２２ｂの端子面が露出し、チップ２２ａと２２ｂとの間の熱伝導層２３が露出する。図２Ｄ以後、チップ端子面側を上側にして図示する。
【００６３】
図２Ｅを参照する。チップ端子面を覆って、全面上に、例えばＣｕによりシード層２５を形成する。
【００６４】
図２Ｆを参照する。シード層２５上にレジストを塗布して、レジスト層ＲＬ２１を形成する。第１実施例と同様に、レジスト塗布手法は、特に限定されず、ディップコート、スピンコート、スプレーコート、蒸気コート等を用いることができる。基板表面が平滑な場合はスピンコートがより好ましく、各チップの端子形状が異なり基板表面に段差がある場合はスプレーコートがより好ましい。レジスト層ＲＬ２１の厚さは、例えば７５μｍである。
【００６５】
図２Ｇを参照する。レジスト層ＲＬ２１の露光、及び現像を行って、チップ２２ａ及び２２ｂの端子２２ｔの上方に開口が形成されたレジストパターンＲＰ２１を形成する。端子２２ｔ上の開口幅は、例えば５０μｍである。
【００６６】
図２Ｈを参照する。シード層２５を給電層とした電解鍍金により、端子２２ｔの上方のレジスト開口内に導電プラグ２６を形成する。導電プラグ２６の鍍金高さは、例えば５０μｍである。
【００６７】
図２Ｉを参照する。レジストパターンＲＰ２１を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。
【００６８】
図２Ｊを参照する。導電プラグ２６の外側の不要なシード層２５を、例えばエッチングまたはミリングにより除去する。これにより、導電プラグ２６同士が電気的に分離される。また、熱伝導層２３がチップ２２ａ及び２２ｂから電気的に分離される。以後、導電プラグ２６の下に残るシード層２５もまとめて、導電プラグ２６と呼ぶこととする。第１実施例と同様に、導電プラグ２６が過剰に除去されることを防ぐため、ドライエッチングやイオンミリング等の異方性処理が好ましい。
【００６９】
図２Ｋを参照する。絶縁膜材料を全面上に塗布して、すべてのチップの導電プラグ２６を埋め込む厚さで、絶縁層２７を形成する。絶縁層２７は、例えば絶縁層２４と同様な材料で形成することができる。
【００７０】
図２Ｌを参照する。ＣＭＰ等により、絶縁層２７を、（すべての）導電プラグ２６が露出する高さまで研磨する。
【００７１】
図２Ｍを参照する。導電プラグ２６を覆って絶縁層２７上に、例えばＣｕによりシード層２８を形成する。
【００７２】
図２Ｎを参照する。再び全面にレジストを塗布して、レジスト層ＲＬ２２を形成する。
【００７３】
図２Ｏを参照する。レジスト層ＲＬ２２の露光、及び現像を行って、導電プラグ２６の上方に配置された配線形状の開口を有するレジストパターンＲＰ２２を形成する。
【００７４】
図２Ｐを参照する。シード層２８を給電層とし、例えばＣｕを電解鍍金して、レジストパターンＲＰ２２の開口内に配線パターン２９を形成する。
【００７５】
図２Ｑを参照する。レジストパターンＲＰ２２を、ドライエッチングまたはウエットエッチングで除去する。
【００７６】
図２Ｒを参照する。配線パターン２９の外側の不要なシード層２８を、例えばエッチングまたはミリングにより除去する。これにより、配線パターン２９の各配線部分が、電気的に分離される。以後、配線パターン２９の下に残るシード層２８もまとめて、配線パターン２９と呼ぶこととする。第１実施例と同様に、配線パターン２９が過剰に除去されることを防ぐため、ドライエッチングやイオンミリング等の異方性処理が好ましい。
【００７７】
図２Ｓを参照する。配線パターン２９を覆って基板全面上に、絶縁膜材料を塗布して、層間絶縁層３０を形成する。層間絶縁層３０は、例えば絶縁層２４と同様な材料で形成することができる。
【００７８】
さらに、層間絶縁層３０の上方に、公知技術を適宜用い、配線を多層に形成して、多層配線構造を形成することができる。多層配線構造とせず、１層の配線形成後に端子引き出しを行ってもよい。このようにして、第２実施例のＭＣＭが形成される。
【００７９】
第２実施例では、熱伝導層２３が、チップ端子面と反対側の面、チップ側面、及びチップ間を覆って形成される。熱伝導層２３は、例えば金属で形成され、例えば樹脂で形成される絶縁層２４や絶縁層２７や絶縁層３０に比べて、高い熱伝導率を有する。熱伝導層２３により、放熱性向上が図られる。
【００８０】
なお、第１実施例の熱伝導層２、４、５ｃ、６、及び、第２実施例の熱伝導層２３は、金属で形成したが、熱伝導層２、５ｃ、６、２３、及び、第１実施例の変形例のように電解鍍金の給電層（シード層）として用いない場合の熱伝導層４は、導電性でなくてもよく、金属以外で形成することもできる。
【００８１】
金属以外に、熱伝導層に利用可能な高熱伝導率材料として、例えば、Ｓi、Ｐｏｌｙ-Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、ＡｌＯ，ＡｌＮ、化合物半導体等が考えられる。これらの材料の成膜方法として、例えば、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ 、有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）等が挙げられる。
【００８２】
第１実施例の熱伝導層５ｃや熱伝導層６は、鍍金で形成したが、金属以外の上記高熱伝導率材料は、鍍金で成膜できない。鍍金以外で第１実施例の熱伝導層５ｃや熱伝導層６を形成する場合は、以下のような形成方法が挙げられる。
【００８３】
例えば、熱伝導層５ｃ及び６の形成されるチップ間領域を開口するレジストパターンを形成し、全面に高熱伝導率材料を堆積し、不要部の高熱伝導率材料をレジストパターンごと除去するリフトオフ法が挙げられる。なお、熱伝導層６のみ、リフトオフで形成することも可能である。
【００８４】
また例えば、全面に高熱伝導率材料を堆積し、必要箇所のみ高熱伝導率材料層上にレジストパターンを形成し、レジスト開口部の不要な高熱伝導率材料層をエッチングまたはミリングにて除去する方法が挙げられる。
【００８５】
第１及び第２実施例は、以下のようにまとめて捉えることができる。支持部材（第１実施例の支持基板１、第２実施例の仮支持部材２１）上に、複数の半導体チップ（第１実施例のチップ３ａ、３ｂ等、第２実施例のチップ２２ａ、２２ｂ等）が並べて配置される。
【００８６】
支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、熱伝導層（第１実施例の熱伝導層４、第２実施例の熱伝導層２３）が形成される。
【００８７】
上記支持部材に対し、複数の半導体チップの上方に、絶縁層（例えば第１実施例の絶縁層７、第２実施例の絶縁層２４）が形成される。
【００８８】
上記熱伝導層（第１実施例の熱伝導層４、第２実施例の熱伝導層２３）は、上記絶縁層（例えば第１実施例の絶縁層７、第２実施例の絶縁層２４）よりも熱伝導率の高い材料で形成される。このような熱伝導層により、半導体装置の放熱性の向上を図ることができる。
【００８９】
第１実施例では、完成した半導体装置に、支持体として支持基板１が残る。第２実施例では、最初の支持体である仮支持部材２１が工程途中で外され、完成した半導体装置には、支持体として、工程途中で形成される絶縁層２４が残る。
【００９０】
半導体チップの少なくとも側面を覆って、熱伝導層（第１実施例の熱伝導層４、第２実施例の熱伝導層２３）が形成されている。
【００９１】
完成した半導体装置の支持体（第１実施例の支持基板１、第２実施例の絶縁層２４）に対し、半導体チップ上方に、絶縁層（例えば第１実施例の絶縁層７、例えば第２実施例の絶縁層２７）が形成されている。
【００９２】
上記熱伝導層（第１実施例の熱伝導層４、第２実施例の熱伝導層２３）は、上記絶縁層（例えば第１実施例の絶縁層７、例えば第２実施例の絶縁層２７）よりも熱伝導率の高い材料で形成されている。このような熱伝導層により、半導体装置の放熱性の向上を図ることができる。
【００９３】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００９４】
以上説明した第１及び第２実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
支持部材上方に、複数の半導体チップを並べて配置する工程と、
前記支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、第１熱伝導層を形成する工程と、
前記複数の半導体チップの上方に、第１絶縁層を形成する工程と
を有し、前記第１熱伝導層は、前記第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記第１熱伝導層は、金属、Ｓi、Ｐｏｌｙ-Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ダイヤモンドライクカーボン、ＡｌＯ，ＡｌＮ、及び化合物半導体のいずれかを用いて形成される付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記複数の半導体チップを並べて配置する工程は、前記複数の半導体チップを、端子側を上側にして配置し、
前記第１熱伝導層を形成する工程は、前記複数の半導体チップの上面と側面、及び、隣接する前記半導体チップの間を覆って、金属により前記第１熱伝導層を形成し、
さらに、
前記第１熱伝導層をシード層として、前記半導体チップの端子上方に、電解鍍金により導電部材を形成する工程と、
前記半導体チップの上面の前記第１熱伝導層を、前記導電部材の外側で除去する工程と
を有する付記１または２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
さらに、隣接する前記半導体チップの間に、前記第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で、第２熱伝導層を形成する工程を有する付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記導電部材を形成する電解鍍金により、前記第２熱伝導層も形成される付記４に記載の導体装置の製造方法。
（付記６）
前記第１絶縁層を形成する工程は、前記導電部材を覆って、前記半導体チップ上に、前記第１絶縁層を形成し、
さらに、前記第１絶縁層を研磨して、前記導電部材を露出させる工程を有する付記３〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記支持部材上に、前記第１絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成された第３熱伝導層が形成されており、前記複数の半導体チップは、前記第３熱伝導層上に配置される付記３〜６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記複数の半導体チップを並べて配置する工程は、前記複数の半導体チップを、端子側を下側にして配置し、
前記第１熱伝導層を形成する工程は、前記複数の半導体チップの上面と側面、及び、隣接する前記半導体チップの間を覆って、前記第１熱伝導層を形成し、
前記第１絶縁層を形成する工程は、前記第１熱伝導層上に、前記第１絶縁層を形成し、
さらに、
前記支持部材を外して、前記半導体チップの前記端子側の面を露出させる工程と、
前記半導体チップの端子上方に、導電部材を形成する工程と、
を有する付記１または２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
さらに、
前記導電部材を覆って、前記半導体の端子側の面上に、第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を研磨して、前記導電部材を露出させる工程と
を有し、前記第１熱伝導層は、前記第２絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される付記８に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
さらに、前記導電部材上方に、配線パターンを形成する付記６または９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
支持体上に複数並べて配置された半導体チップと、
少なくとも、前記複数の半導体チップの側面と、隣接する前記半導体チップ間とを覆って形成された熱伝導層と、
前記複数の半導体チップの上方に形成された絶縁層と
を有し、前記熱伝導層は、前記絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成されている半導体装置。
【符号の説明】
【００９５】
１  支持基板
２  熱伝導層
３ａ、３ｂ  半導体チップ
３ｔ  （半導体チップの）端子
４  熱伝導層
５ｔ  導電プラグ
５ｃ、６  熱伝導層
７  絶縁層
８  シード層
９  配線パターン
１０  絶縁層
ＲＬ１〜ＲＬ４  レジスト層
ＲＰ１〜ＲＰ４  レジストパターン
２１  仮支持部材
２２ａ、２２ｂ  半導体チップ
２２ｔ  （半導体チップの）端子
２３  熱伝導層
２４  絶縁層
２５  シード層
２６  導電プラグ
２７  絶縁層
２８  シード層
２９  配線パターン
３０  絶縁層
ＲＬ２１、ＲＬ２２  レジスト層
ＲＰ２１、ＲＰ２２  レジストパターン
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図１−４】
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【図１−５】
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【図１−６】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図２−３】
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【図２−４】
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【図２−５】
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