【事件の表示】
　特許第２９５９３７３号「基板へのスパッタ方法及びスパッタ装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９５９３７３号の請求項４に係る特許を取り消す。
　同請求項１、２、３、５に係る特許を維持する。
【理　由】
 〔一〕　本件特許は、平成５年（１９９３）１２月２７日に出願され（特願平５−３５０８８１号）、平成１１年７月３０日に特許権設定の登録がされ（特許第２９５９３７３号。請求項数　５）、平成１１年１０月６日にその特許掲載公報が発行されたものである。
　これに対して、平成１２年４月６日付けで、本件特許の願書に添付した明細書（以下では、本件特許明細書という。）の特許請求の範囲の請求項１から同５までの各請求項に記載された構成の各発明は、いずれも、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許されたものであるから、本件特許は、取り消すべきであるとの特許異議の申立てがされた。
　当審は、本件特許は、請求項４の発明について、取消理由を通知したが、これに対して、本件特許権者は、なんらの応答もしなかった。
　
〔二〕　本件特許明細書の記載
（イ）　特許請求の範囲
　「【請求項１】　基板（１）にデガス処理及びプラズマエッチング処理を施した後にスパッタ処理を行う基板へのスパッタ方法において、
前記基板を冷却することにより、前記デガス処理の終了から前記スパッタ処理の終了までの間は前記基板の温度を前記デガス処理時の前記基板の温度より低く保持することを特徴とする基板へのスパッタ方法。
　【請求項２】　前記基板にプラズマエッチング処理を施しているときに前記基板を冷却する請求項１に記載の基板へのスパッタ方法。
　【請求項３】　前記デガス処理、前記プラズマエッチング処理及び前記スパッタ処理の各処理間の搬送中に前記基板を冷却する請求項１または２に記載の基板へのスパッタ方法。
　【請求項４】　スパッタ処理前の基板をエッチングするためのエッチング室を具備するスパッタ装置において、
前記エッチング室の基板ホールダに前記基板を冷却するための冷却機構（８）を設け、該冷却機構には前記基板と前記基板ホールダとの間にＡｒガスを導入する手段（９）を設けたことを特徴とするスパッタ装置。
　【請求項５】　デガス室（７２）、エッチング室（７３）及びスパッタ室（７４−１、・・・）を具備するスパッタ装置において、
基板（１）を前記室間で搬送する搬送部材に前記基板を冷却する冷却機構を設け、該冷却機構はペルティエ素子に通電することにより前記基板を冷却することを特徴とするスパッタ装置。」
（ロ）　【0006】【発明が解決しようとする課題】の一部
　「　このように、デガス処理を行った後のＲＦエッチング後においても基板からの水分放出により自然酸化層が形成される。特に、層間絶縁層として塗布絶縁層（ＳＯＧ）等の吸湿性の大きいものを使用すると、水分放出量が多くなり、この結果、多層配線の第１層が酸化されて自然酸化層が形成される。この結果、スルーホール抵抗がばらついたり、あるいは大きくなるという課題がある。この場合の水分放出量はデガス処理を行わない場合に比較してわずかな量であるが、微細なスルーホールの場合には顕著な影響がある。」
（ハ）【0008】の一部（４欄１９〜２２行）【発明が解決しようとする課題】の一部
　「また、ＲＦプラズマエッチング工程におけるたとえばアノードカップル型ＲＦプラズマエッチング室のアノードを液体窒素で冷却することが知られている（参照：特開平２−３０９６３２号公報）。」
（ニ）【0008】の一部（４欄３１〜３５行）
　「しかしながら、水分は配線金属にきわめて近い層間絶縁層から放出されるので、プラズマ中の水分をアノードに吸着させても、自然酸化層の形成抑制効果はなく、また、スパッタ中については対策されていない。」
（ホ）【0010】【作用】の一部
　「上述の手段によれば、エッチング処理中及びスパッタ処理中における基板からの水分の放出は抑制される。」
（ヘ）【0011】【作用】の一部
　「上述の手段によれば、エッチング中の基板が直接冷却される。」
（ト）　第２図
　第２図には、デガス、搬送、ＲＦエッチング、搬送、スパッタの過程をこの順に経過する場合において、基板温度は、デガス過程で２００℃に達するが、以降は２００℃より低いことが示されている。
（チ）　第５図
　上記第２図と同じような経過が図示されているが、デガス後の搬送時にも冷却するために、この搬送時の基板温度低下の度合いが第２図の場合よりも大きい。
　
〔三〕　引例の記載
（１）　特開昭６１−１５９５７２号公報（甲第１号証）（以下では、引例１という。）
（イ）特許請求の範囲
　「１．　試料を保持した試料ホルダを間欠移動させ前記試料に対してエッチング処理、スパッタ処理を連続して行う装置において、前記試料ホルダに前記試料の冷却手段と加熱手段とを設けたことを特徴とする連続スパッタ装置。」
（ロ）（２頁左下欄、９行〜同右下欄、１７行）
　「ベーク室７には図示していないが加熱手段が有り、この加熱手段により試料２３を昇温させることで試料２３表面のガス出しが行われる。このようなベーク処理完了後、回転テーブル３を更に規定角度だけ回転させることで、試料２３を保持した試料ホルダ４はエッチング処理室８へ移動させられる。絶縁物１４、１５により試料ホルダ４と絶縁された高周波導入端子１３に高周波電源２７よりリレー２８にて高周波電力を印加すれば、接地された対向電極２５と共に試料ホルダ４はカソードカップリング方式のエッチング電極を構成し試料２３の表面はエッチング処理される。これにより、試料２３の表面の酸化膜は除去される。なお、エッチング処理時には、冷却水パイプ２４より冷却水流路３５に供給され冷却水流路３５を流通する冷却水により試料２３は冷却される。その後、回転テーブル３を更に規定角度だけ回転させることで、試料２３を保持した試料ホルダ４はスパッタ処理室９更にはスパッタ処理室１０へと移動させられる。冷却水流路３５への冷却水の供給は停止され、ランプヒータ１６には、リレー３７の閉路により導入端子３０を介してヒータ電源３１より電流が印加される。これによりランプヒータ１６の赤外線が電極２０の細孔３９を通過し石英板２１を透過して試料２３の裏面に到達し試料２３は所定温度に充分に加熱される。その後、スパッタ電源３２よりマグネトロンカソード３３、アノード３４に直流が印加され、ターゲット３８より放出されたターゲット粒子により試料２３表面には膜が被着される。」 
　
（２）特開昭６２−５０４６２号公報（甲第３号証）（以下では、引例２という。）
（イ）特許請求の範囲
　「１．　スパッタ物質から成るターゲットと、プラズマ形成手段と、該プラズマ中の電離イオンに作用して該ターゲットのスパッタリングに必要な電力を供給する電源を有するスパッタリング装置において、試料基板を加熱、冷却あるいは任意温度に制御可能に、該基板の固定台に加熱、冷却および温度検出手段を設けたことを特徴とするスパッタリング装置。」
（ロ）〔発明の目的〕（２頁、左上欄）
　「　本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、成膜時の基板への熱流入による素子ダメージをなくすとともに、膜の結晶制御を可能とするスパッタ装置を提供するにある。」
（ハ）〔発明の実施例〕の一部（３頁左上欄、７行〜同右上欄、６行）
　「ここで、陽陰電極間に電源２６により電力を印加するとスパッタリングが生じ基板３２上に膜が形成される。
　ところで、基板３２はチャック３４により基板ホルダ３３上の凸形状をした絶縁物３５上に押し付けられ固定されており、電源４９により基板電極４２と陽極４８間に電力を供給するとプラズマを介して静電吸着により全面が絶縁物に吸着される。と同時に基板上に付着の膜もバイアススパッタされ膜の平坦化が行われる。この時、基板には熱流入があり、例えばＡｒ、Ｎ２などのガス３７を基板ホルダ３３の微小穴３６から絶縁物３５・基板３２の微小すきまに供給し、さらに冷却水４３を流路４０に流すことにより前記ガス３７を介して効果的に基板３２の冷却が可能となる。さらに、基板の温度を上げたい場合には冷却水さらに、基板３２の温度をさらに上げたい場合には、冷却水４３の供給をやめシースヒータ３９を作動させることにより、同様にガス３７を介して効率よく加熱することができる。」
（ニ）〔発明の効果〕（３頁左下欄）
　「　以上述べたように、スパッタ装置でバイアススパッタのように基板への熱流入がある場合、基板温度を制御可能に基板ホルダを構成することにより、素子内配線や不純物ドーププロフィルの様に熱影響をうけやすい対象を保護することが可能となる。また、基板温度を最適温度に制御することにより素子寿命の低下が防げるなど素子の信頼性および性能を向上することができる。
　また、通常スパッタ膜は堆積原子・分子が複雑に並んだアモルファス状態を呈しているが、基板温度制御を行うことにより、多結晶状態を形成することも可能であり、膜の結晶制御も可能となる。」
　
（３）特開昭５９−１９７１４５号公報（甲第４号証）（以下では、引例３という。）
（イ）特許請求の範囲の第１項
　「１．　ほぼ完全に接近可能な面を備えている基板を処理期間中静止に保持している真空型処理チェンバ内で、該基板を個々的に加熱又は冷却するための伝熱ステーションであって；
　前記基板の面と同程度の面積の表面を有し且つ前記基板の面の外形に実質的に整合する外形を有する支持手段であって、前記表面の温度を制御するための手段をも含む支持手段；並びに
　前記基板の面と前記支持手段の前記表面との間を近接した所定の間隔に維持するための手段；
　から成り、
　前記支持手段は、前記間隔にガスを流入させるための開口手段を含み、以って前記ガスが前記基板の面と前記支持手段の前記表面との間で一方から他方へと熱を移送させ主としてガス伝導により前記基板を加熱又は冷却するようにした、
　ところの伝熱ステーション。」
（ロ）（６頁左下欄、下から２行〜同右下欄、１０行）
　「　本発明の関連した目的は、ステップカバレージ、均一性、対称性及び均質性、汚染レベル、デブリの損害、及び再現可能性の総合的考察に関し優秀な品質の金属層を蒸着させるために用いる基板処理装置を提供するものである。
　同じく本発明の目的は、改良されたステップカバレージ及び良好な均一性でウエーハを個々的に迅速にコーティングするための基板処理装置を提供することである。
　さらに他の目的は、ウエーハを個々的に加熱又は冷却するための伝熱ステーションを提供することである。」
（ハ）（１６頁左下欄、１〜１１行）
「ヒートシンク部材１１９は、圧力プレート１６が作動的前進位置にあるときにウエーハ１５に緊密に接近し接触はしないが平坦な表面１２５を有している。第８図に示されるように中央パイプ１２６が設けられて、スパッター蒸着源の操作のために使用されるアルゴンガスの微量を、ヒートシンク１１９とウエーハ１５との間の空間に直接に導入させることができる。アルゴンガスのそのような導入は、ウエーハ１５からヒートシンク１１９への伝熱率を増大させることにより、冷却率を増大する。」
（ニ）（２２頁右下欄、１０行〜２３頁左上欄、１０行）
　「　対照的に、本発明の装置では、ウエーハは個々的方式で操作されている。加えて、ウエーハは静止的に保たれているが、いろいろな処理ステーションにあるし、そこでは密に連結している（ロードロックステーションを除いて）。更に、ウエーハがエッジにより支持されているので、ウエーハの両面は処理するのに対して接近可能である。このような特長の１つの帰結として、各処理ステーションに個々的にウエーハの温度を制御するために９２のような手段を設けることが今や可能になった。特に、本発明の温度制御は、ウエーハ加熱ステーション２８及びウエーハ冷却手段１１８と連係して前述したガス伝熱手段により上述のように成し遂げられる。これらの手段は、前述したようなウエーハの背面の後の空間に微量のアルゴンガス（スパッタリング蒸着給源の作動に対して少なくとも必要とされるだけの分量）を導入することにより、排気環境の下でウエーハを加熱又は冷却するという問題を解決する。このようなウエーハ加熱又は冷却手段は、どこかの場所、たとえばコーティングステーションに使用することもできるだろう。」
　
（４）　特開平４−１１６８２８号公報（甲第２号証。以下では、引例４という。）
（イ）　特許請求の範囲
　「１．半導体装置の配線膜形成装置において、ウエハ上に第１層の配線膜を成膜する手段と、上記ウエハを上記第１層配線膜材の再結晶温度より高い温度に保温する手段とよりなる主工程手段を備え、上記主工程手段内の各処理を真空雰囲気内で連続して行うようにしたことを特徴とする配線膜形成装置。
　２．　（省略）
　３．　（省略）
　４．　請求項１ないし３において、上記ウエハの表面を洗浄するためのスパッタリング手段と半導体ウエハを冷却する冷却ステージとよりなる前工程手段を備え、上記前工程手段と上記主工程手段が行う各処理を真空雰囲気内で連続して行うようにしたことを特徴とする配線膜形成装置。
　５．〜１４．　（省略）」
　なお、上記中、（省略）とは、当審が摘記を省略したことを示す。
（ロ）　７頁、右下欄末行〜８頁、右上欄３行
　「　これに対して本発明ではウエハ温度を予め１５０℃に冷却するので、アルミニウム原子がビアホール４１内に均一に付着し、同図（ｂ）に示すようにビアホール４１内のアルミニウム膜が連続的に成長する。このため断線も発生しない。
　第８図（ａ）は上記第１図の本発明装置により１５０℃にてアルミニウムの第１層膜を１０００Å成膜し、次いでウエハ温度を３５０℃に上げて第２層膜を成膜した際のビアホール部断面図である。
　この断面形状は第７図と同様であるので、ビアホール部におけるアルミニウム膜の付き廻り性の良さは基本的にウエハ温度を１５０℃に設定したことに起因していることになる。この温度は必ずしも上記１５０℃に限定されるものではなく、アルミニウム膜が島状に附着しない範囲であればよい。しかしながら、第１図のスパッタエッチング室１１１における処理による温度上昇を上記温度範囲内に冷却するためには冷却ステージ２００が必要であり、さらに第１スパッタ成膜室２０１においてウエハを上記温度に保持するために温度制御手段が必要となるものである。」
　
〔四〕　決定理由
（１）　請求項１から請求項３まで、及び請求項５の発明について
　Ａ．　請求項１から請求項３までの各請求項の発明について
　以下、上記各発明を単に本件特許発明という。
（イ）　引例１には、連続スパッタ装置に関して、加熱してガス出しし、エッチング室に移動して、冷却しながらエッチングし、さらに、加熱しながらスパッタリングして成膜する方法が記載されている。
（ロ）　引例２には、スパッタリング装置に関して、熱流入対策として、また、膜質制御のために、冷却することが記載されている。
（ハ）　引例３には、蒸着装置に関して、膜質制御ののために、冷却することが記載されている。
（ニ）　引例４には、配線膜形成装置に関して、冷却しながらスパッタリングすることが記載されている。
（ホ）　以上（イ）〜（ニ）によれば、冷却しながらエッチングあるいはスパッタリングすることが記載され、その際、冷却温度は、膜質制御等のために制御されていると認められるものの、引例１から引例４のいずれにも、本件特許発明の特徴である、「デガス処理の終了から前記スパッタ処理の終了までの間」、一貫して基板が冷却され、しかも、その際、基板温度を「デガス処理時の前記基板の温度より低く保持する」ことを示唆する記載があるとは認められない。
　そして、本件特許発明は、上記冷却によって、「エッチング処理中及びスパッタ処理中における基板からの水分の放出」を制御することができ、その結果、所期のスルーホール抵抗を形成できるなどの予想外の効果を奏したものと認められる。
　
　Ｂ．　請求項５の発明について
　引例１から引例４までの各引例には、基板ホルダー（可動のものを含む）に冷却手段を設けることが記載されているが、いずれも気体又は液体の冷媒によるものであって、いずれの引例にも、基板搬送部材にペルチエ素子を含む冷却機構を設け、通電できるようにすることを示唆する記載はない。
　ペルチエ効果を利用した冷却法はよく知られているが、スパッタ装置の冷却手段としてペルチエ素子を付属させることがただちに容易にできることであるとはいえず、また、上記（１）（ホ）に指摘したような効果をも奏することができることは必ずしも予想できるとはいえない。
　Ｃ．　そうすると、本件特許の請求項１から請求項３までの発明及び同請求項５の発明は、引例１から引例４までの各引例に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　また、他に、本件特許発明について、本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
（２）　請求項４の発明について
　平成１２年７月２１日付けの当審の取消理由通知書（平成１２年８月４日、発送）に記載した理由によって、上記発明は、引例１から引例３までの各引例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　そうすると、本件特許は、請求項４の発明について、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許されたものであり、取り消すべきものである。
　
（３）　よって、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定に従い、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年２月７日（２００１．２．７）