【事件の表示】
　特許第３０６４２４１号「半導体デバイスにおけるテーパー付き誘電層のエッチングによる形成」の請求項１ないし１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０６４２４１号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第３０６４２４１号（平成８年１０月９日出願、優先日平成７年１０月１１日米国、平成１２年５月１２日設定登録）の請求項１乃至１５に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１５に記載された事項により特定されるとおりのものである。
２．特許異議申立ての理由の概要
（申立ての理由）
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証乃至甲第３号証を提出して、本件請求項１乃至１５に係る発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１乃至１５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
（証拠の記載内容）
　特許異議申立人が提出した上記甲第１号証乃至甲第３号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
甲第１号証：特開平５−２９９３９２号公報
（ａ）「本発明は薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード等の電子デバイスを形成する場合に用いられる窒化珪素膜のエッチング方法に関するものである。」（第２頁段落【０００１】）
（ｂ）「上述のようなＳＦ６ガスを用いたエッチング方法では、異方性のエッチングが行われるため図５に示すようにパターンエッヂが垂直に切り立った形状となり、また、ＣＦ４ガスを用いた場合には等方性のエッチングとなるためエッチングをうまくコントロールしても、その断面は図６に示す様に円弧を描く形状となる。このように図５や図６に示した断面形状では、その後に形成される薄膜のカバレージが悪くなり、特にＳｉ３Ｎ４膜１の断差によりその上に形成される金属等の薄膜の方が薄い場合や、上に形成される金属等の薄膜を蒸着法等のカバレージ性の悪い成膜法で形成する場合には、図７に示すように断切れが生じ、Ｓｉ３Ｎ４膜１の下層２と上層にある膜３との電気的コンタクトがうまくとれないといった問題が生じる。
　本発明は上記の様な問題点を解決するためになされたもので、Ｓｉ３Ｎ４膜１のパターン加工の際、そのエッヂ形状を制御し、Ｓｉ３Ｎ４膜１の上に形成する薄膜３のカバレージを改善することを目的とする。」（第２頁段落【０００４】）
（ｃ）「この発明による窒化珪素膜のエッチング方法は、窒化珪素膜上にレジストパターンを形成した後、これらの膜を弗化炭素ガス、６弗化イオウガス又は３弗化窒素ガスに酸素ガスを添加した混合ガスによってプラズマエッチングを行うように構成したものである。
【作用】この発明における窒化珪素膜のエッチング方法によれば、酸素ガスを添加することにより窒化珪素膜とレジストパターンとを同時にエッチングさせることができ、窒化珪素膜のテーパ加工が可能となる。」（第２頁段落【０００５】及び【０００６】）
（ｄ）「図１に本発明の一実施例であるＣＦ４ガスとＯ２ガスとを用いたドライエッチング特性の一例を示す。ここでは、ＲＦＰｏｗｅｒを８００ｗ、ＣＦ４ガス流量を１００ｓｃｃｍ、圧力を５０ｍＴｏｒｒと一定にし、Ｏ２ガス流量をかえたときのレジストとＳｉ３Ｎ４とのエッチング速度比とＳｉ３Ｎ４膜１のテーパ角を示している。すなわち、Ｏ２ガス流量が多くなるほどレジスト／Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度比は増大し、テーパ角は小さくなる。この結果よりＯ２ガス流量を変えることにより、テーパ角を任意に設定することが可能となる。」（第２頁段落【０００７】）
甲第２号証：特開昭６４−８６２６号公報
（ａ）「本発明は、シリコンウェハのような単結晶シリコン又は多結晶シリコンのドライエッチング方法、より詳しくは、臭素（Ｂｒ）系ガスによるシリコンの反応性イオンエッチング方法に関するものである。」（第１頁右欄第１０行乃至第１４行）
（ｂ）「さらに、シリコントレンチエッチングを反応性イオンエッチング法でＳｉＣｌ４系、ＳＦ６系、Ｃｌ２系、ＣＢｒＦ３系のガスを使用して行なった例が・・・に開示されている。」（第２頁上段左欄第１１行乃至第１７行）
（ｃ）「そこで、臭素系ガスによるエッチングの前に自然酸化膜をフッ素系（又は塩素系）ガスによるエッチングで除去すれば、上述した問題を回避して臭素系ガスによるシリコンエッチングが再現性の良い高速異方性エッチングとなるわけである。」（第２頁下段右欄第１４行乃至第１８行）
（ｄ）「上述の例では、臭素系ガスにＢｒ２とＯ２との混合ガスを用いているが、Ｂｒ２単独ガス又はＢｒ２ガスに・・・ＳＦ６・・・Ｃｌ２・・・の少なくともひとつを添加した混合ガスを用いることもでき、・・・場合によって穴形状制御ができる。」（第３頁下段右欄第７行乃至第１３行）
甲第３号証：特開平６−９５１３５号公報
（ａ）「まず図２におけるガラス基板２１上にＣＶＤ法により多結晶シリコン薄膜２２を約１０００Åの厚さに堆積させ、フォトリソグラフィにより所定の形状に形成する。続いて、酸素雰囲気中で熱処理して多結晶シリコン薄膜２２の一部を酸化して約１０００Åの酸化膜２３を形成する。その上に燐をドープした多結晶シリコン薄膜２４をＣＶＤ法により約３０００Å堆積し、フォトリソグラフィにより所定のゲート電極形状に形成する。次いで、多結晶シリコン薄膜２２に多結晶シリコン２４をマスクにして燐を２×１０１５／ｃｍ２ドープし、ソース及びドレイン領域を形成する。その上に、層間絶縁膜２５としてＳｉＯ２膜をＣＶＤ法により約５０００Å堆積させる。次に、ソース領域にフォトリソグラフィによりコンタクトホール２６を開けた後、スパッタリング法によりＡｌ膜を約６０００Å堆積させ、フォトリソグラフィにより所定形状の配線２７を形成しコンタクトホール２６で接続する。再び、ＣＶＤ法により層間絶縁膜２８としてＳiＯ２を約５０００Å堆積させる。この際、デポガスにＯ３−ＴＥＯＳガスを用いると図３（ａ）に示すような平坦化が可能となる。次に、ドレイン領域にフォトリソグラフィによりコンタクトホール２９を開けた後、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を約１５００Å堆積させ、フォトリソグラフィにより所定形状の透明電極３０を形成し、コンタクトホール２９でスイッチング素子と接続する。」（第３頁段落【００１３】）
（ｂ）「尚、エッチングガスとしてメタンの代わりにメタノール（ＣＨ３ＯＨ）、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）・・・を用いたり、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）を添加しても良い。」（第３頁段落【００１４】）
（当審の判断）
（１）本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という）について
　甲第１号証には、「窒化珪素膜のテーパエッチング方法」に関し、窒化珪素層とフォトレジスト層からなる基板を「６弗化イオウガスと酸素ガスとの混合ガス」によってテーパエッチングする方法」の発明（以下、「甲第１号証発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明１と甲第１号証発明とを対比すると、甲第１号証発明は、そのエッチャント混合ガスが「ＳＦ６とＯ２」であり、これは本件特許明細書に記載の「従来技術」に相当するものであるから、両者は、次の点で相違していると云える。
相違点：本件発明１は「ＳＦ６とＣｌ２とを有するエッチャント混合ガス」を使用するのに対し、甲第１号証発明は「ＳＦ６とＯ２とを有するエッチャント混合ガス」を使用する点
　次に、この相違点について検討する。
　特許異議申立人が提出した甲第２号証には、「Ｃｌ２」をシリコンのドライエッチングに使用することが記載されているが、この「Ｃｌ２」は、シリコンウェハのドライエッチングのために臭素系ガスとの混合で使用されるものであり（上記（ｄ）参照）、本件発明１の如く、フォトレジスト層と窒化物層からなる基板のドライエッチングのために「ＳＦ６」との混合で使用されるものではない。
　また、「Ｃｌ２」の作用についてみても、甲第２号証の上記（ｃ）の記載によれば、臭素系ガスによるシリコンエッチングの前に、その表面に生じた自然酸化膜（ＳｉＯ２）を塩素系ガスでドライエッチングするという、いわば予備処理的な作用を奏するものであり、フォトレジストを除去する本件発明１とその作用の点でも相違していると云えるから、上記相違点は、このような甲第２号証の記載からでは当業者といえど容易に想到することができないとするのが相当である。
　さらに、甲第３号証について検討すると、この証拠は、「透明導電薄膜のドライエッチング方法」に関するものであり、このドライエッチングに使用されるガスは、メタンやメタノール、エタノール等であって「ＳＦ６とＣｌ２とのエッチャント混合ガス」ではないから、この証拠も上記結論に何ら影響を及ぼすものではない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（２）本件請求項２乃至１５に係る発明について
　これら発明は、少なくとも請求項１を引用してなるものであるから、本件発明１と同様の理由により、これら発明の特許を取り消すことができない。
３．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１乃至１５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月７日（２００１．５．７）