【事件の表示】
　特許第２８６２２０９号「読み出し／書き込みメモリのプログラム可能寿命を延長する方法及び長寿命読み出し専用メモリ」の特許請求の範囲第１項、第３項に記載された発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８６２２０９号の特許請求の範囲第１項、第３項に記載された発明についての特許を取り消す。
【理　由】
　　　理　由
１.手続きの経緯
　本件特許第２８６２２０９号の発明は、昭和６２年１月８日（優先権主張１９８６年１月９日、米国）に出願され、平成１０年１２月１１日に設定登録され、その後、内野光平により特許請求の範囲の請求項１、３に記載された発明について特許異議の申立てがなされた。そして、平成１１年１１月８日に特許請求の範囲の請求項１、３に記載された特許発明について取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年５月１９日に訂正請求がなされ、それに対して平成１２年６月８日付けで訂正拒絶理由通知書を通知したところ、指定期間内に応答が無かったものである。
２.訂正の適否
（Ａ）訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「本件訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「メモリ・セルの劣化の量を決定する段階と、
前記劣化量の決定に応じて劣化した前記メモリ・セルの中にデータを記憶するために用いられるプログラミング電圧を増加する段階と、
を有する、記憶容量がその中への情報の書き込みに応じて劣化するセルを有する形式の読み出し／書き込みメモリのプログラム可能寿命を延長する方法。」
（Ｂ）引用刊行物記載の発明
　本件訂正発明に対し、当審が訂正拒絶理由において示した引用例１（特開昭５６−１３０８９１号公報）には、以下の記載がなされている。
（イ）「また書込み←→消去のくり返しによる諸特性の劣化を考慮すれば高電源電圧による書込みは必ずしも好条件とはならない。」（公報第２頁左下欄第５行〜同欄第７行目）
（ロ）「（１）書込む先頭アドレスを設定する。
（２）初期書込み電圧を２３Ｖ，１アドレス当りの書込み時間Twを約8msに設定する。
（３）指定された電圧とアドレスの書込みを行なう。
（４）同一アドレスの読出しチェックを行ない良であれば（６）へ不良であれば次の（５）を行なう。
（５）不良であるので書込み電圧を０．５Ｖ増加させ（２）へ行き再度書込を行なって以下（３）へと進む。
　これを書込電圧の最大値（この場合では２６Ｖ）になるまで繰返し最大電圧でも不良であれば書込みを停止する。
（６）良であるのでアドレスをインクリメントし（２）へ行き以下（３）,（４）を繰返して最終アドレスまですべて良となるまで行なう。」（公報第３頁右欄第１行〜同欄第１５行目）
　以上の記載から、上記引用例１には、書込みと消去のくり返しによってメモリセルが劣化していても該メモリセルに対して、うまくデータが書込めるように、メモリセルに対する書込み電圧を段階的に上昇させていき、その都度、該メモリセルにデータが確実に書込めたか否かをチェックし、データが確実に書込まれている場合には当該メモリセルに対する書込みを完了する発明が記載されている。
　また、本件訂正発明に対し、当審が訂正拒絶理由において示した引用例２（特開昭５６−１１４１９９号公報）には、セルに書込んだデータと該セルから読み出したデータの一致をとることによって、メモリセルの書込みのチェックを行う発明が記載されている。
（Ｃ）対比・判断
　本件訂正発明と上記引用例１に記載されている発明とを対比すると、本件訂正発明では、メモリセルの劣化量を決定する段階を有しているのに対して、上記引用例１に記載されている発明では、メモリセルにデータがうまく書込めたか否かをチェックする段階は設けられているもののこの段階でメモリセルの劣化量を決定することができるか否か明らかでなく、この点で両者の発明は相違しているものと認められる。
　そこで、この相違点について検討すると、本件訂正発明の「メモリセルの劣化量を決定する段階」は、その実施例である第２図によると、セルに書込んだデータと該セルから読み出したデータの一致をとることに過ぎないものである。そして、メモリセルの書込みのチェックをセルに書込んだデータと該セルから読み出したデータの一致をとることで行うことは、上記引用例２に記載されているから、上記引用例１において、メモリセルにデータがうまく書込めたか否かをチェックする手段として、このようにセルに書込んだデータと該セルから読み出したデータの一致を取るようにすることは当業者が容易に推考し得ることと認められる。
　以上のとおりであるので、本件訂正発明は、上記引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（Ｄ）むすび
　したがって、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正請求は認められない。
３.特許異議申立てについての判断
（Ａ）特許請求の範囲第１項、第３項に記載された発明
　特許請求の範囲第１項に記載された発明（以下、「第１の特許発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲第１項に記載された次の事項により特定されるものである。
「メモリ・セルの劣化量を決定する段階と、
劣化した前記メモリ・セルの中にデータを記憶するために用いられるプログラミング電圧を増加する段階と、
を有する、記憶容量がその中への情報の書き込みに応じて劣化するセルを有する形式の読み出し／書き込みメモリのプログラム可能寿命を延長する方法。」
　また、特許請求の範囲第３項に記載された発明（以下、「第２の特許発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲第３項に記載された次の事項により特定されるものである。
「書き込み命令に応答してデータを記憶し、かつ、読み出し命令に応答してデータの供給を行う複数個のセルと、
プログラミング電圧の電圧入力信号に応答して可変プログラミング電圧信号を発生するためのプログラミング電圧発生装置と、
第一の入力信号として前記セルの中へ書き込まれたデータ及び第二の入力信号として前記セルから読み出された対応するデータを有し比較信号を与えるための比較装置と、
前記プログラミング電圧を与えるための制御装置であって、前記比較装置から与えられ前記第一入力信号と前記第二入力信号が等しくないことを示す比較信号に応答して前記プログラミング電圧発生装置に増大したプログラミング電圧信号を与えさせるようなプログラミング電圧信号を与え、前記増大プログラミング電圧を用いて前記データを前記セルに書き込ませるための前記制御装置と、
を有する、延長された寿命を有し電気的に消去可能なプログラム可能読み出し専用メモリ。」
（Ｂ）引用刊行物記載の発明
　当審が通知した取消理由に引用した引用例１（特開昭５６−１１４１９９号公報）には、不揮発性メモリに書き込もうとしたデータと該不揮発性メモリから読み出したデータとを比較し、両者が不一致の場合には、該不揮発性メモリにデータがうまく書き込めなかったものと判断して、不揮発性メモリへの書き込み電圧を更に高めて再度書き込むように構成した半導体不揮発性メモリ装置に関する発明が記載されている。
　また、当審が通知した取消理由に引用した引用例２（特開昭５６−１３０８９１号公報）には、書込みと消去のくり返しによってメモリセルが劣化していても該メモリセルに対して、うまくデータが書込めるように、メモリセルに対する書込み電圧を段階的に上昇させていき、その都度、該メモリセルにデータが確実に書込めたか否かをチェックし、データが確実に書込まれている場合には当該メモリセルに対する書込みを完了する発明が記載されている。
（Ｃ）対比・判断
　第１の特許発明と上記引用例２に記載されている発明とを対比すると、第１の特許発明では、メモリセルの劣化量を決定する段階を有しているのに対して、上記引用例２に記載されている発明では、メモリセルにデータがうまく書込めたか否かをチェックする段階は設けられているもののこの段階でメモリセルの劣化量を決定することができるか否か明らかでなく、この点で両者の発明は相違しているものと認められる。
　そこで、この相違点について検討すると、第１の特許発明の「メモリセルの劣化量を決定する段階」は、その実施例である第２図によると、セルに書込んだデータと該セルから読み出したデータの一致をとることに過ぎないものである。そして、メモリセルの書込みのチェックをセルに書込んだデータと該セルから読み出したデータの一致をとることで行うことは、上記引用例１に記載されているから、上記引用例２において、メモリセルにデータがうまく書込めたか否かをチェックする手段として、このようにセルに書込んだデータと該セルから読み出したデータの一致を取るようにすることは当業者が容易に推考し得ることと認められる。
　したがって、第１の特許発明は、上記引用例１及び２に記載された発明から当業者が容易に想到し得る程度のものと認められる。
  第２の特許発明と上記引用例１に記載されている発明とを対比すると、上記引用例１に記載されている発明でもメモリの寿命を延長する効果は当然奏し得るものと認められるから、第２の特許発明では、書き込み命令に応答してデータを記憶する手段を有しているのに対して、上記引用例１に記載されている発明ではこの点の記載がなされていない点で両者の発明は相違しているものと認められる。
  そこで、この相違点について検討すると、メモリ装置において書き込み命令に応答してデータを記憶するように構成することは自明の事項であるから、上記引用例１に記載されているメモリ装置を、書き込み命令に応答してデータを記憶できるように構成して第２の特許発明のように構成することは当業者が容易に想到し得る程度のものと認められる。
　したがって、第２の特許発明は上記引用例１に記載された発明から当業者が容易に想到し得る程度のものと認められる。
（Ｄ）むすび
　以上のとおりであるから、特許請求の範囲第１項、第３項に記載された発明は、特許法等の一部を改正する法律（昭和３４年法律第１２１号）により改正された特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、特許請求の範囲第１項、第３項に記載された発明はについての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認める。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月１６日（２０００．１０．１６）