【事件の表示】
　特許第２７２０８３１号「ＬＳＩ実装構造体及びこれを用いた電子機器」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７２０８３１号の特許請求の範囲の請求項１及び３に記載された発明についての特許を維持する。
【理　由】
　
I．手続の経緯
　
　本件特許第2720831号に係る発明は、昭和62年６月19日に特許出願された特願昭62-151190号の一部を分割して平成７年６月12日に出願され、平成９年11月21日にその特許の設定登録がなされ、その後、(i)雨山範子、(ii)石井睦子、(iii)末岡 定、(iv)京セラ株式会社及び(v)池田英治より、それぞれ、特許異議の申立てがなされ、当審より取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成11年７月19日に訂正請求がなされ、当審による各特許異義申立人に対する審尋とそれに対する回答書の提出の後に、当審より訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成12年４月17日に意見書が出されたものである。
　
　
II．訂正の適否
　
１．訂正の内容
訂正ａ：
　 特許請求の範囲の請求項１〜６に、
　「１．半導体集積回路が形成してなる LSIチップと、該LSIチップの搭載される基板と、該基板と前記LSIチップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充頃するように形成されてなる樹脂層とを有するLSI実装構造体において、
該樹脂の常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ該樹脂の熱膨張係数が18〜40×10-6/℃　であることを特徴とするLSI実装構造体。
　　２．特許請求の範囲第１項において、該樹脂はエポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂であることを特徴とするLSI実装構造体。
　　３．特許請求の範囲第３項において、該エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とするLSI実装構造体。
　　４．半導体集積回路が形成されてなる LSIチップと、該チップが搭載される基板表面に薄膜の拡大内線層を設け、スルーホール導体に連結された該基板と、前記LSIチップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなる樹脂層とを有するLSI実装構造体において、該樹脂の常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ該樹脂の熱膨張係数が18〜40×10-6/℃であることを特徴とするLSI実装構造体。
　　５．特許請求の範囲第４項において、該樹脂はエポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂であることを特徴とするLSI実装構造体。
　　６．特許請求の範囲第５項において、該エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とするLSI実装構造体。」
とある記載を、
　「１．半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたLSIチップと、前記LSIチップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板と、前記LSIチップの電極と対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、前記はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなるエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂層とを有するLSI実装構造体において、前記樹脂の常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ該樹脂の熱膨張係数が18〜40×10-6/℃であることを特徴とする LSI実装構造体。
　　２．特許請求の範囲第１項において、前記エボキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とするLSI実装構造体。」
という記載に訂正する。
　訂正ｂ：
　 請求項７〜９に、
　「７．半導体集積回路が形成されたLSIチップと、該LSIチップの搭載される基板とを備えた電子機器であって、該基板と該LSIチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ熱膨張係数が18〜40×10-6/℃である樹脂により充填したことを特徴とする電子機器。
　　８．特許請求の範囲第７項において、前記樹脂はエポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂であることを特徴とする電子機器。
　　９．特許請求の範囲第８項において、該エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とする電子機器。」
とある記載を、
　「３．半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたLSIチップと、
　前記チップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板とを備えた電子機器であって、
　前記基板と該LSIチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ熱膨張係数が18〜40×10-6/℃であるエボキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂により充填したことを特徴とする電子機器。
　　４．特許請求の範囲第３項において、前記エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とする電子機器。」
という記載に訂正する。
　訂正ｃ：
　(1) 訂正ｃ-１
　 明細書【0019】に、
　「すなわち、半導体集積回路が形成してなるLSIチップと、該LSIチップの搭載される基板と、該基板と前記LSIチップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなる樹脂層とを有するLSI実装構造体において、該樹脂の常温における縦弾性係数を5〜1000kgf/mm2 で、かつ該樹脂の熱膨張係数を18〜40×10-6/℃とすることで上記目的を達成する。」
とある記載を、
　「すなわち、半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたLSIチップと、該LSIチップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板と、前記LSIチップの電極と対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、前記はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなるエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂層とを有するLSI実装構造体において、前記樹脂の常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ該樹脂の熱膨張係数が18〜40×10-6/℃とすることで上記目的を達成する。」
という記載に訂正する。
　(2) 訂正ｃ-２
　 明細書【0020】に、
　「もしくは、半導体集積回路が形成されたLSIチップと、該LSIチップの搭載される基板とを備えた電子機器であって、該基板と該LSIチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ熱膨張係数が18〜40×10-6/℃である樹脂により充填することで上記日的を達成する。」
とある記載を、
　「もしくは、半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたLSIチップと、該チップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板とを備えた電子機器であって、前記基板と該LSIチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ熱膨張係数が18〜40×10-6/℃であるエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂により充填することで上記日的を達成する。」
という記載に訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正ａは、その訂正内容を整理すると、実質的にみて、
　(イ) 請求項１の文中の「半導体集積回路が形成してなるLSIチップ」なる記載を「半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたLSIチップ」に、また、「該LSIチップの搭載される基板」なる記載を「前記LSIチップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板」に、また、「樹脂層」なる記載を「エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂層」に、それぞれ、変更し、
　(ロ) 同じく請求項１の文中の「該基板と前記LSIチップとの対向する電極端子間」なる記載を「前記LSIチップの電極と対向する電極端子間」に、また、「該はんだバンプ周囲」なる記載を「前記はんだバンプ周囲」に、それぞれ、変更し、
　(ハ) 請求項２、４〜６を削除し、
　(ニ) 請求項３の項番号を繰り上げて請求項２とすると共に、文中の「該エポキシ樹脂」なる記載を「前記エポキシ樹脂」に変更する、　　 
ということに帰着するものと認められるところ、(イ)、(ハ)は、特許請求の範囲の減縮に該当し、また、(ロ)、(ニ)は、記載の整合化を図ったもので、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　また、訂正ｂの訂正内容を整理すると、やはり、実質的にみて、
　(ホ) 請求項７の文中の「半導体集積回路が形成されたLSIチップ」なる記載を「半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたLSIチップ」に、また、「該LSIチップの搭載される基板」なる記載を「前記チップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板」に、また、「樹脂」なる記載を「エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂」に、それぞれ、変更し、
　(ヘ) 同じく請求項７の文中の「該基板と該LSIチップの端子間」なる記載を「前記基板と該LSIチップの端子間」に変更し、
　(ト) 請求項８を削除し、
　(チ) 請求項７、９の項番号を繰り上げて請求項３、４とすると共に、該訂正後の請求項４の文中の「第８項」なる記載を「第３項」に、また、「該エポキシ樹脂」なる記載を「前記エポキシ樹脂」に、それぞれ、変更する、
ということに帰着するものと認められるところ、(ホ)、(ト)は、特許請求の範囲の減縮に該当し、また、(ヘ)、(チ)は、記載の整合化を図ったもので、明りょうでない記載の釈明に該当する。
  また、訂正ｃは、発明の詳細な説明の記載を、上記訂正ａ、ｂの訂正内容と整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、いずれの訂正も、願書に添付した明細書の記載事項の範囲内であり、且つ、特許請求の範囲を実質上拡張ないし変更するものでもない。
　
３．独立特許要件の判断
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び３に記載された発明は（従って又、これらの発明の実施態様である同請求項２及び４に記載されたものも）、後記「III．特許異議申立てについて」において説示するように、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を見出せない。
　
４．むすび
　よって、上記訂正は、特許法第120条の４第２項但書及び同条第３項により準用する同法第126条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
III．特許異議申立てについての判断
　
１．各異議申立人の申立て理由の概要
(i) 雨山範子
　証拠として下記甲第１-１〜第５号証を提示し、又、下記の参考資料をも提示して、本件請求項１〜９に係る特許は、特許法第29条第１項第３号または同法第29条第２項の規定に違反してなされたものであると主張。
　 甲第１号証-１：電子通信学会技術研究報告（EMC86−18)，Vol.86  No.155（1986）p.1〜6，（中野文雄他２名「樹脂補強によるフリップチップ実装の高信頼化 −冷熱サイクル特性向上効果の解析−」）
　 甲第１号証-２：科学技術振興事業団(JICST)の技術文献オンラインデータベースによる抄録
　 甲第２号証：第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集（1985年7月24,25日 東京・新宿 早稲田大学理工学部）131〜134頁（曽我太佐男他２名「液晶表示ガラス基板上へのフリップチップ実装の信頼性向上」）
　 甲第３号証：特開昭62-124143号公報
　 甲第４号証：特開昭61-221220号公報
　 甲第５号証：特開昭58-125859号公報
   参考資料１（訂正後提示）：第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集（1985年7月24,25日 東京・新宿 早稲田大学理工学部）106〜109頁（飯沼芳夫他２名「LCTV ドライブICの実装」）
（注．参考資料については、それが本件訂正後の発明に対して提示されたものである場合には、特に、「（訂正後提示）」の語を付記した。以下において同じ。）
(ii) 石井睦子
　証拠方法として下記甲第１〜２号証を提示し、又、下記の参考資料をも提示して、本件請求項１、４、７に係る特許は、特許法第29条第１項第３号または同法第29条第２項の規定に違反してなされたものであると主張。
　 甲第１号証：特開昭61-271847号公報
　 甲第２号証：特開昭61-177738号公報
　 参考資料１：化学大辞典編集委編「化学大辞典〔８〕」共立出版（昭和37．2．28）p.578
(iii) 末岡 定
　証拠として下記甲第１〜第３号証を提示し、又、下記の参考資料をも提示して、本件請求項１、２、４、５、７、８に係る特許は、特許法第29条第２項の規定に違反してなされたものであると主張。
　 甲第１号証：特開昭61-159752号公報
　 甲第２号証：電子通信学会技術研究報告（EMC86−18)，Vol.86  No.155（1986）p.1〜6，（中野文雄他２名「樹脂補強によるフリップチップ実装の高信頼化 −冷熱サイクル特性向上効果の解析−」）
   甲第３号証：特開昭52-95058号公報
　 参考資料：特開昭60-182752号公報
(iv) 京セラ株式会社
　証拠として下記甲第１〜第２号証の２を提示し、下記の参考資料をも提示して、本件請求項１、２および７、８に係る特許は、特許法第29条第１項第３号または同法第29条第２項の規定に違反してなされたものであると主張。
　 甲第１号証：半導体・集積回路技術 第29回シンポジウム講演論文集，（電気化学協会電子材料委員会 昭和60.12.5発行），43〜48頁，（中野文雄他２名「ガラス基板上へのフリップチップ実装の樹脂被覆による信頼性向上」）
　 甲第２号証の１：特開昭60-63951号公報
　 甲第２号証の２：特開昭61-271847号公報
   参考資料：機械用語辞典編集委編「機械用語辞典」コロナ社（昭和49．7．20第３版）p.592
   参考資料１（訂正後提示）：特開昭59-145537号公報
(v) 池田英治
　証拠として下記甲第１〜４号証を提示し、又、下記の参考資料をも提示して、本件請求項１、４、７に係る特許は、特許法第29条第１項第３号または同法第29条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、請求項４及びこれに関連する発明の詳細な欄の記載における記載不備の点で、本件特許は、同法第36条第３、４項に規定する要件を満たさない出願に対してなされたものであると主張。
　 甲第１号証：電子通信学会技術研究報告（EMC86−18〜21)，Vol.86  No.155（1986年9月19日）p.1〜6，（EMC86−18，中野文雄他２名「樹脂補強によるフリップチップ実装の高信頼化 −冷熱サイクル特性向上効果の解析−」）
   甲第２号証：特開昭61-271847号公報
　 甲第３号証：米国特許明細書第4,202,007号（May６，1980）
   甲第４号証：牧廣他２名著「図解プラスチック用語辞典」日刊工業新聞社（昭和60年１月25日初版３刷発行），65〜67頁
　 参考資料１（訂正後提示）：第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集（1985年7月24,25日 東京・新宿 早稲田大学理工学部）106〜109頁（飯沼芳夫他２名「LCTV ドライブICの実装」）
　 参考資料２（訂正後提示）：電子通信学会技術研究報告（SSD82−78〜92)，Vol.82  No.189（1982年11月29日）p.95〜100，（SSD82−92，藤井哲夫他３名「フリップチップLSIにおけるウェハプロセス技術」）
　 参考資料３（訂正後提示）：特開昭57-87145号公報
　 参考資料４（訂正後提示）：特開昭59-222954号公報
　
２．本件発明
　本件発明の要旨は、訂正明細書及び図面の記載からみて、それぞれ、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び３に記載された次のとおりのものと認める。
　「１．半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたLSIチップと、前記LSIチップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板と、前記LSIチップの電極と対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、前記はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなるエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂層とを有するLSI実装構造体において、前記樹脂の常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ該樹脂の熱膨張係数が18〜40×10-6/℃であることを特徴とする LSI実装構造体。
　　３．半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたLSIチップと、
　前記チップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板とを備えた電子機器であって、
　前記基板と該LSIチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が5〜1000kgf/mm2 で、かつ熱膨張係数が18〜40×10-6/℃であるエボキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂により充填したことを特徴とする電子機器。」
（以下、それぞれ、「本件発明１」、「本件発明３」という。）
　
　なお、本件請求項２及び４に記載された、上記本件発明１及び３の各実施態様は、以下のとおりのものである。
　「２．特許請求の範囲第１項において、前記エボキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とするLSI実装構造体。
    ４．特許請求の範囲第３項において、前記エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とする電子機器。」
　
３．甲各号証に記載の事項
(i) 雨山範子
　甲第１号証-１：
　 ア．縦弾性係数約800kgf/mm2(常温)及び熱膨張係数26×10-6/℃である樹脂でLSIチップと基板間を補強すること。（表２，図３参照）
　甲第１号証-２：
　 イ．上記甲第１号証-１が、電子通信学会技術研究報告（EMC86−18)，Vol.86  No.155（1986）p.1〜6，（中野文雄他２名「樹脂補強によるフリップチップ実装の高信頼化 −冷熱サイクル特性向上効果の解析−」）であること。
　甲第２号証：
　 ウ．縦弾性係数800kgf/mm2及び熱膨張係数25×10-6/℃であるエポキシ樹脂でLSIチップと基板間を補強すること。（表１，p.131参照。なお、表１に「5800」とある数値は、「800」の誤記と認められる(下記(iv)の甲第１号証の表１参照)。）
　甲第３号証：
　 エ．エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を半導体の樹脂封止に用いること。（１頁左欄参照）
　甲第４号証：
　 オ．脂環式エポキシ樹脂を半導体の樹脂封止に用いること。（３頁左上欄参照）
　甲第５号証：
　 カ．多層Ａl配線層をスルーホール導体に連結した基板にICチップを搭載すること。（第１図参照）
(ii) 石井睦子
　甲第１号証：
　 キ．せん断弾性率(×10-6kgf/mm2)：線膨張係数(1/℃)が、
 （330：83.0），（410：34.0），（590：29.0），（700：18.0），（＜１：＞100）
のエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂でLSIチップと基板間を接着充填すること。（第１表参照）
　甲第２号証：
   ク．弾性率700kpsi，熱膨張係数17×10-6/゜Ｆなる樹脂をチップ・基板間に充填すること。（特許請求の範囲，５頁右下欄）
(iii) 末岡 定
　甲第１号証：
　 ケ．半導体チップ・基板間のバンプ周囲空隙部を充填するエポキシ樹脂に弾性粒子を混入すること。（３〜４頁，第１表，第２図参照）
　甲第２号証：
　 コ．縦弾性係数約800kgf/mm2(常温)及び熱膨張係数26×10-6/℃である樹脂でLSIチップと基板間を補強すること。（表２，図３参照）
　甲第３号証：
　 サ．多層セラミック積層体の製造方法。
(iv) 京セラ株式会社
　甲第１号証：
　 シ．縦弾性係数800kgf/mm2及び熱膨張係数25×10-6/℃であるエポキシ樹脂でLSIチップと基板間を補強すること。（Table１，p.44,45(c)参照）
　甲第２号証の１：
　 ス．半導体チップ・基板間のバンプ周囲空隙部を充填するエポキシ樹脂に弾性粒子を混入すること。（特許請求の範囲，３〜４頁，第１表，第６図参照）
　甲第２号証の２：
　 セ．せん断弾性率(×10-6kgf/mm2)：線膨張係数(1/℃)が、
 （330：83.0），（410：34.0），（590：29.0），（700：18.0），（＜１：＞100）
のエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂でLSIチップと基板間を接着充填すること。（第１表参照）
(v) 池田英治
　甲第１号証：
　 ソ．縦弾性係数約800kgf/mm2(常温)及び熱膨張係数26×10-6/℃である樹脂でLSIチップと基板間を補強すること。（表２，図３参照）
　甲第２号証：
　 タ．せん断弾性率(×10-6kgf/mm2)：線膨張係数(1/℃)が、
 （330：83.0），（410：34.0），（590：29.0），（700：18.0），（＜１：＞100）
のエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂でLSIチップと基板間を接着充填すること。（第１表参照）
　甲第３号証：
　 チ．多層基板により配線間隔を拡大すること。（Ｆig．６参照）
　甲第４号証：
　 ツ．エポキシ樹脂に脂環式のものがあること。（65頁「エポキシ樹脂」の項参照）
（注．以下の記載における甲各号証の表示では、例えば「[(i)雨山] 甲第１号証-１」のように、特許異義申立人の略号を括弧書きで冠記して、相互の区別を明確にする。なお、各参考資料の表示も、同様に、例えば「[(i)雨山] 参考資料１（訂正後提示）」のように記載する。）
　
４．対比・判断
　４-１．
　本件発明１及び３は、前記III．２での認定から明らかなように、LSIチップを基板に搭載したLSI実装構造体又は電子機器において、該LSIチップと基板との電極端子間に形成されるはんだバンプの周囲空隙部に、所定の縦弾性係数と熱膨張係数とを有するエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂を充填して形成した樹脂層を設けたことを骨子とし、かかる構成（以下、「構成Ａ」という。）により、はんだバンプの破断を回避するとともに、LSIチップ面に生じる熱応力を低減させて配線層断線の回避を図ろうとするものであるが、前記II．１に示した訂正の結果、本件発明１及び３の上記LSIチップ面は、「半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けた」という構成（以下、「構成Ｂ」という。）のものとなり、これによって、上記樹脂層によるLSIチップ面に対する熱応力低減なる効果がLSIチップ上の多層配線に対して奏効することとなるための構成が明らかとなった。
　４-２．
　これに対し、上記甲各号証には、夫々、III．３に示した事項が記載されているが、特に、以下に列記する甲号証、即ち、
　  [(i)雨山] 甲第１号証-１、
　  [　 〃　] 甲第２号証、
　  [(iii)末岡] 甲第２号証、
　  [(iv)京セラ] 甲第１号証、
　  [(v)池田] 甲第１号証、
（注．このうち、[(i)雨山] 甲第１号証-１、[(iii)末岡] 甲第２号証、[(v)池田] 甲第１号証の三者は、同一の刊行物に帰する。）
には、縦弾性係数及び熱膨張係数が、本件発明１、３における樹脂が具有すべき値の範囲（縦弾性係数：5〜1000kgf/mm2(常温)，熱膨張係数：18〜40×10-6/℃）内にある樹脂でLSIチップと基板間を補強することが記載されており、しかも、そのうち、[(i)雨山]甲第２号証及び[(iv)京セラ]甲第１号証には、そこで用いる樹脂が、本件発明１及び３におけると同様に「エポキシ樹脂」であることが記載されている。しかし、これらのことは、本件発明１及び３の上記構成Ａに関するものであるに止まり、上記構成Ｂ、即ち、LSIチップが「半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けた」ものであること、については、上に列記した甲各号証のいずれにも何も記載されていないし、又、示唆されてもいない。
　４-３．
　次に、上に列記した以外の甲号証のうち、[(ii)石井] 甲第１号証、[(iv)京セラ] 甲第２号証の２及び[(v)池田] 甲第２号証の三者（注．これら三者は同一の刊行物に帰する。）には、せん断弾性係数及び線膨張係数がそれぞれ具体的に示されたエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂でLSIチップと基板間を接着充填することが記載されている（第１表参照）。しかし、第１表の該具体値、即ち、
　せん断弾性係数(×10-6kgf/mm2)：線膨張係数(1/℃)＝（330：83.0），（410：34.0），（590：29.0），（700：18.0），（＜１：＞100）
は、そのせん断弾性係数を、せん断弾性係数Ｇと縦弾性係数Ｅの関係式として周知な、
　　σ＝Ｅ／２Ｇ−１　（σ：ポアソン比）
なる式と、ポアソン比σ＝約0.3〜0.5（注．[(ii)石井] 参考資料１等により、ポアソン比のおよその最大変動幅として採用。）を用いて、縦弾性係数に換算した上で比較してみても、縦弾性係数と熱膨張係数が
共に
　また、[(ii)石井] 甲第２号証には、弾性率700kpsi，熱膨張係数17×10-6/゜Ｆなる樹脂をチップ・基板間に充填することが記載されているが、この場合の樹脂はポリイミド系樹脂である上、その弾性率は、果たして縦弾性係数かどうか不明なものである。
　のみならず、これらの甲各号証には、４-２．に列記した甲号証におけると同様、そのいずれにも、本件発明１及び３の上記構成Ｂについては何も記載されていないし、又、示唆されてもいない。
　４-４．
　更に、その他の甲号証についてみても、[(i)雨山] 甲第３号証には、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を半導体の樹脂封止に用いることが、また、[(i)雨山] 甲第４号証には、脂環式エポキシ樹脂を半導体の樹脂封止に用いることが、また、[(i)雨山] 甲第５号証には、多層Ａl配線層をスルーホール導体に連結した基板にICチップを搭載することが、また[(iii)末岡] 甲第１号証及び[(iv)京セラ] 甲第２号証の１には、半導体チップ・基板間のバンプ周囲空隙部を充填するエポキシ樹脂に弾性粒子を混入することが、また、[(iii)末岡]甲第３号証には、多層セラミック積層体の製造方法が、また、[(v)池田] 甲第３号証には、多層基板により配線間隔を拡大することが、また、[(v)池田] 甲第４号証には、エポキシ樹脂に脂環式のものがあることが、それぞれ、記載されているが、これらの甲各号証においても、やはり、上記４-２．及び４-３．で取り上げた甲各号証の場合と同様、そのいずれにも、本件発明１及び３の上記構成Ｂについては何も記載されていないし、又、示唆されてもいない。
  ４-５．
  なお又、各参考資料についてみても、本件訂正前に提示されたものである[(ii)石井] 参考資料１、[(iii)末岡] 参考資料、[(iv)京セラ] 参考資料は、内容的に、いずれも、訂正前の本件発明に対する異義申立ての主張の参考資料の域を出ないものであるから、上記４-２〜４-４で述べた判断に影響を及ぼし得るものではない。
　また、本件訂正後に提示されたものである[(i)雨山] 参考資料１（訂正後提示）、[(iv)京セラ] 参考資料１（訂正後提示）、[(v)池田] 参考資料１〜４（(いずれも)訂正後提示）には、Ｓi基板ないしLSIチップに多層配線層を形成することが記載されており、そのうち、[(v)池田] 参考資料１（訂正後提示）には、かかる多層配線層の形成によりボンディング後の剥離強度が低下する旨の記載もあるが、しかし、ボンディング後の剥離が本件発明でいう熱応力による断線に相当するかは疑問である上、いずれの参考資料も、熱応力による断線の低減とはんだバンプの破断回避との両目的を満足させる手段として如何なるものが適当であるかについては何ら示していないのであるから、これらの参考資料によっても、上記４-２〜４-４で述べた判断を変更する必要は認められない。
　４-６．
　そして、本件発明１及び３は、そのLSIチップに、上記構成Ｂ、即ち、「半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けた」という構成が加えられていることにより、該LSIチップと基板間のバンプ周囲空隙部に充填される所定の縦弾性係数及び熱膨張係数を有する樹脂層が、はんだバンプの破断回避に働くと共に、上記多層配線構造によって一層招来され勝ちな熱応力による配線層断線を低減させるという効果を奏する。
　４-７．
　したがって、本件発明１及び３は、各特許異義申立人の提示した上記甲各号証に記載された発明であるとはいえないし、また、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということもできない。
　なお、本件請求項２及び４に記載のものは、それぞれ、本件発明１及び３のいわゆる実施態様であるから、本件発明１及び３に対する判断が上のようなものである以上、これら実施態様について、本件発明１及び３に対するとは別の判断をすべき理由は認められない。
　４-８．
　また、特許異義申立人池田英治による（本件訂正前の）請求項４及びこれに関連する発明の詳細な説明の欄の記載に記載不備があるとの主張は、II．１〜２にみるように、当該請求項の記載事項が前記訂正により実質的に削除されたから、上記記載不備の対象はなくなったものと認められる。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１及び３に係る特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月１９日（２０００．６．１９）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２７２０８３１号発明の明細書を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正する。
　すなわち、
訂正ａ：
　特許請求の範囲の請求項１〜６に、
　「１．半導体集積回路が形成してなる　ＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップの搭載される基板と、該基板と前記ＬＳＩチップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充頃するように形成されてなる樹脂層とを有するＬＳＩ実装構造体において、
該樹脂の常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ該樹脂の熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃であることを特徴とするＬＳＩ実装構造体。
　２．特許請求の範囲第１項において、該樹脂はエポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂であることを特徴とするＬＳＩ実装構造体。
　３．特許請求の範囲第３項において、該エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とするＬＳＩ実装構造体。
　４．半導体集積回路が形成されてなるＬＳＩチップと、該チップが搭載される基板表面に薄膜の拡大内線層を設け、スルーホール導体に連結された該基板と、前記ＬＳＩチップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなる樹脂層とを有するＬＳＩ実装構造体において、該樹脂の常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ該樹脂の熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃であることを特徴とするＬＳＩ実装構造体。
　５．特許請求の範囲第４項において、該樹脂はエポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂であることを特徴とするＬＳＩ実装構造体。
　６．特許請求の範囲第５項において、該エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とするＬＳＩ実装構造体。」
とある記載を、
　「１．半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたＬＳＩチップと、前記ＬＳＩチップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板と、前記ＬＳＩチップの電極と対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、前記はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなるエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂層とを有するＬＳＩ実装構造体において、前記樹脂の常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ該樹脂の熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃であることを特徴とするＬＳＩ実装構造体。
　２．特許請求の範囲第１項において、前記エボキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とするＬＳＩ実装構造体。」
という記載に訂正する。
　訂正ｂ：
　請求項７〜９に、
　「７．半導体集積回路が形成されたＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップの搭載される基板とを備えた電子機器であって、該基板と該ＬＳＩチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃である樹脂により充填したことを特徴とする電子機器。
　８．特許請求の範囲第７項において、前記樹脂はエポキシ樹脂もしくはシリコーン樹脂であることを特徴とする電子機器。
　９．特許請求の範囲第８項において、該エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とする電子機器。」
とある記載を、
　「３．半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたＬＳＩチップと、
　前記チップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板とを備えた電子機器であって、
　前記基板と該ＬＳＩチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃であるエボキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂により充填したことを特徴とする電子機器。
　４．特許請求の範囲第３項において、前記エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を用いたことを特徴とする電子機器。」
という記載に訂正する。
　訂正ｃ：
　（１）訂正ｃ−１
　明細書【００１９】に、
　「すなわち、半導体集積回路が形成してなるＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップの搭載される基板と、該基板と前記ＬＳＩチップとの対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、該はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなる樹脂層とを有するＬＳＩ実装構造体において、該樹脂の常温における縦弾性係数を５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ該樹脂の熱膨張係数を１８〜４０Ｘ１０−６／℃とすることで上記目的を達成する。」
とある記載を、
　「すなわち、半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板と、前記ＬＳＩチップの電極と対向する電極端子間に形成されたはんだバンプと、前記はんだバンプ周囲の空隙部を充填するように形成されてなるエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂層とを有するＬＳＩ実装構造体において、前記樹脂の常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ該樹脂の熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃とすることで上記目的を達成する。」
という記載に訂正する。
　（２）訂正ｃ−２
　明細書【００２０】に、
　「もしくは、半導体集積回路が形成されたＬＳＩチップと、該ＬＳＩチップの搭載される基板とを備えた電子機器であって、該基板と該ＬＳＩチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃である樹脂により充填することで上記日的を達成する。」
とある記載を、
　「もしくは、半導体集積回路上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けたＬＳＩチップと、該チップを搭載し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した基板とを備えた電子機器であって、前記基板と該ＬＳＩチップの端子間をはんだバンプにより電気的に接続し、該はんだバンプ周囲の空隙部を常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃であるエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である樹脂により充填することで上記日的を達成する。」
という記載に訂正する。
（５４）【発明の名称】
ＬＳＩ実装構造体及びこれを用いた電子機器
（５７）【特許請求の範囲】
１．半導体集積回路
上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けた
前記ＬＳＩチップを搭載
し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した
前記ＬＳＩチップの
電極と
前記
エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である
　前記樹脂の常温における縦弾性係数が５〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２で、かつ該樹脂の熱膨張係数が１８〜４０×１０−６／℃であることを特徴とするＬＳＩ実装構造体。
２
前記
３
上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けた
　
前記
し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した
　
前記
エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である
４
３
前記
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明はＬＳＩを基板に搭載した実装構造体及びこれを用いた電子機器に係り、特にＬＳＩチップを半田バンプを介してセラミックなどの基板に接続実装した後、樹脂によって補強する型の半導体集積回路実装構造体及びこれを用いた電子機器に関する。
　【従来の技術】
　コンピュータ等ＬＳＩを多数用いた電子機器が広く用いられる様になるに従って、ますます小型化、多機能化が求められる傾向にある。この要求は、ＬＳＩの高集積化だけにとどまらず、ＬＳＩチップ同志あるいはＬＳＩチップと他の周辺
装置
　大形計算機の分野では、セラミック基板に、接続ＬＳＩチップを搭載し、相互配線の長さを短縮しようという動きが見られる（日経エレクトロニクス．１９８１年７月２０日号，ｐ１１８〜１１４参照）。
　一方、
液晶
　【発明が解決しようとする課題】
　多数の集積回路が形成されたＬＳＩチップを上記した基板に実装する方法は、いくつか考えられる。
　一つは、ＬＳＩチップをあらかじめ接続ピンを出して樹脂モールドし、樹脂ピンと、基板上に設けられた配線とをはんだ接続する方法
で
　もう一つは、ＬＳＩチップを直接、基板に接続ししかる後に、必要な封止処理を行なうもので、新しい試みに属するものである。いわゆるフリップチップ接続である。フリップチップ接続は、まだ、試行錯誤を繰り返している段階である為、いくつかの方式が提案されている。いずれもチップと配線との接続の信頼性及び素子の耐環境性を確保することを念頭に考えられているものである。
　このフリップチップ接続によって実装された実装構造が熱疲労によって破壊されるメカニズムとしては、実験及び解折などにより、ＬＳＩチップと基板との熱膨張の違いによる熱応力を半田バンプが受け、半田が繰返し歪みによって破断し、接続部の断線に到ることは良く知られた事実である。
　これを解決する最も単純な方法はチップと基板の熱膨張係数を一致させることであるが、実用的に考えると汎用の基板材料が使えない事になり実現性に乏しい。
　両者の熱膨張差を容認した上で熱疲労寿命を向上させる方法として半田バンプを高くする技術が検討されている。しかし、この技術は半田バンプの形成を非常に煩雑なものとし、フリップチップ法特有の簡便なプロセスが適用出来なくなる。
　本発明は、このような従来技術を用いることなしに、特に、構造が簡単で、既存のフリップチップ法特有の利点を生かした汎用性の高いＬＳＩチップ実装構造体における信頼性を向上させることを目的とする。
　すなわち、本発明は、図１に示す様な基本構造を有し、基板との電気的な接続を行なうための半田バンプ（３）を形成したＬＳＩチップ（２）を基板（５）上にフリップチップ法で接続実装したあと、半田バンプ周辺の間隙を樹脂（４）で充填して保護したＬＳＩ実装構造体における信頼性を向上させるものであり、ＬＳＩチップを基板にフリップチップ法で実装し、樹脂補強してなるＬＳＩ実装構造体において、用いる樹脂の特性を最適化し、半田接続部の熱疲労破断を防ぐだけでなく、ＬＳＩチップに形成されている微細配線に加わる熱応力をも低減し、高い信頼性を有するＬＳ１実装構造体を提供することを目的とする。
　また、このＬＳＩ実装構造体を用いた高信頼な電子機器を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　このような実装構造体において、半田のせん断疲労による破断を抑えるためには、半田に加えられるせん断変形量を小さくすれば良いことは明らかである。
　せん断変形を受けなければ疲労することは無いからである。発明者らは既にこの点に気付き、充填すべき樹脂の物性を適正化することで信頼性が向上することを明らかにした。即ち、チップと基板とが作る間隙を、熱膨張係数が半田よりも小さく、かっせん断弾性率が半田のそれよりも大きい硬質の絶縁性樹脂で充填すれば良い事を見い出した（特公平４−５１０５７号公報を参照）。
　しかし、上記した物性の樹脂を充填した場合、確かに半田の熱疲労断線は回避できるものの、煩雑な電子回路及び薄膜配線が形成されているＬＳＩチップを搭載した例で、薄膜導体の部分で断線するという現象が起ることがある。
　これは、充填される樹脂とチップの熱膨張差が大きいため、チップ面に大きな熱応力が発生し、薄膜導体を破断することが原因である。従って、熱疲労特性をよりいっそう高める為には、半田の破断を回避するだけに留まらず、チップ面に生ずる熱応力をも小さく出来る実装構造体とする必要がある。
　本発明は、以上の現象を踏まえてなされたものであり、充填すべき樹脂の縦弾性係数をできるだけ小さくし、熱膨張係数は接合に用いる半田のそれに近いものとすれば良いことを見い出した結果生まれたものである。
すなわち、半導体集積回路
上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けた
し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した
の電極
前記
エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である
　もしくは、半導体集積回路
上に導体層と絶縁層を複数設けた多層配線を設置し、該多層配線上に接続端子を設けた
し、外部端子に接続するスルーホール導体を有した
前記
エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である
　これは、縦弾性係数がこれ以上大きいとチップ面配線導体に生ずる熱応力が大きくなり、熱疲労寿命が著しく低下する場合が生ずるからであり、また縦弾性係数がこれより小さいと半田接合部に集中する応力を樹脂層に分散する効果が小さくなり、半田接合部に生ずる熱歪みが大きくなって熱疲労寿命が低下するからである。
　また、熱膨張係数がこの範囲を外れると樹脂と半田の膨張収縮差が大きくなり、半田接合部に大きな引っ張り応力が発生して、やはり半田の熱疲労断線が起こりやすくなるからである。
　本発明を実現するために用いられる樹脂としては未硬化の状態で流動性が有りチップと基板の間隙にボイドなしで充填可能であり、加熱などの手段により硬化して所望の物性を示すものが用いられる。
　このような材料はいくつか考えられるが、次のような材料が好適である。
　例えば、液状のエポシキ樹脂を主成分とし、それに縦弾性係数低減のための液状ゴム成分及び熱膨張係数を調整するための無機微粉末成分を配合し、硬化剤及び／又は硬化促進剤などを混合した組成物である。また、より低弾性係数の材料として、液状シリコーンコンパウンドがあり、これに熱膨張係数及び縦弾性係数を好適な値に調整するための無機微粉末成分を配合したものを用いることが出来る。
　熱膨張係数を調整する為に用いられる無機微粉末成分としては、石英、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミナなどそれ自体熱膨張係数が小さい材料が好適である。
　【作用】
　本発明は、配線層と半田の断線の原因を熱膨張係数と縦弾性係数の両条件にあると突き止め、最適な樹脂を用いるため、強度的に弱いＬＳＩチップ面に形成されたアルミ薄膜の多層配線が熱応力により早期に破断することがなく、熱疲労特性が良好なＬＳＩ実装構造体及び電子機器を提供することができる。
　【実施例】
　次に具体的実施例に基づいて本発明の実施態様及び効果を詳しく説明する。
　（実施例１〜９）
　〔試料の作成方法〕
　（１）試験用Ｓｉチップ１０ミリ角のＳｉチップを用い、Ａｌ導電体膜及びＳｉＯ２絶縁膜を交互に形成して図４あるいは図５に示す層構成の多層配線パターンを形成する。図４は４層、図５は２層配線に相当する。
　このような多層配線パターンを形成後、表面周辺部に複数個の半田バンプ（１７）を蒸着等により形成する。尚隣接する半田バンプは予め表面に形成されたＡｌ導体によって２個単位で接続されている。半田材料は９５％Ｐｂ−５％Ｓｎ組成の低融点合金である。
　（２）実装用回路組成焼成によって作成したアルミナ基板を用いた。２５×２５ｍｍ，厚さ１．５ｍｍであり、基板中央部に前記Ｓｉチップが実装される。その為基板表面には同時焼成によって形成された複数個のＷ導体端子が、前記Ｓｉチップの半田バンプと対応する位置に設けられている。上記端子はさらに半田接続を可能にするためのＡｕ薄膜が形成されている。さらに上記端子は基板外周部に設けられた端子ともＡｕ薄膜で被覆されたＷ導体によって接続されている。
　（３）樹脂材料表１に示すエポシキ樹脂組成物及び表２に示すシリコーン組成物を用いた。物性値が本発明の範囲を外れている組成物は比較例として検討したものである。
　【表１】
（４）実装構造体の作製
図６に示すように、予め蒸着法などにより接続端子面に半田バンプが設けられたＬＳＩチップを、その接続端子面を上向きにして予熱板上に載置する。半田の組成はＰｂ５％Ｓｎ（融点約３１０℃）であり、半田には予めロジン系フラックスを塗布した。次にチップを配線基板上に接続実装する工程を図６を参照しながら説明する。
　まず、予熱ヒータ（１９）によりＬＳＩチップ側から全体を１００℃で基板に予熱する。しかる後、赤外線ランプ（１８）により半田バンプに赤外線を照射し、半田を溶融させ接合する。直ちに赤外線ランプ及び予熱ヒータを切ると共に、冷却管（２０）に冷却水を流して冷却を行う。尚、半田の溶融時間は約１秒である。
　次に、樹脂補強の工程を図７を用いて説明する。
　こうして作製した実装構造体を溶剤で洗浄した後、チップ周辺に前記した樹脂組成物（４）をマイクロデイスペンサなどにより所定量載置する。表面張力を利用して該樹脂をチップ（２）と基板（５）が作る間隙に完全に充填する。充填の様子は超音波法によって検査される。
　その後、表１あるいは表２に併記された条件で加熱硬化される。
　このようなプロセスを経て樹脂補強型の実装構造体（１）が作られる。
　比較例及び実施例について、初期チェックを行なった後、上記した温度サイクル試験を実施し、基板周辺に設けられた端子を介して実装構造体の接続状態を調べた。温度サイクル条件は、−５５〜１５０℃で、−５５℃を３０分、１５０℃を３０分の１時間１サイクルの周期である。同一の条件にある実装構造体を少なくとも１０個試験し、５個の実装構造体に断線が認められるまで試験を継続した。この時のサイクル数をＮｆ５０とした。Ｎｆ５０とはサンプル数に対して５０％のサンプルが破壊した時の寿命を示す。また、断線した実装構造体については、断面研磨などの方法により断線部位の特定を行い、断線モードを判定した。
　結果は表３に示す通りであり、実施例は総じてＮｆ５０が大きく、信頼性の高い実装構造体となっていることがわかる。
　【表３】
　これまでは、図１に示す実装構造体を中心に説明してきたが、図２あるいは図３等も本発明でいうところの実装構造体の変形例である。
　半田材料としては上記のほかＰｂ−６０％Ｓｎ（融点１９１℃）を用いても良く、相対的に低温で接合できるので、熱の影響を避けたいＬＳＩチップあるいは基板の場合に好適である。
　【発明の効果】
　本発明によれば、ＬＳＩチップ面に形成される熱応力に弱いアルミ薄膜の多層配線の破断を防止できるので、配線層と半田の断線が少ないＬＳＩ実装構造体を得ることができる。
　すなわち、熱疲労特性の良好な信頼性の高いＬＳＩ実装構造体及び電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明になる半導体集積回路実装構造体をモデル化した断面図。
　【図２】本発明になる半導体集積回路実装構造体をモデル化した断面図。
　【図３】本発明になる半導体集積回路実装構造体をモデル化した断面図。
　【図４】４層導体配線のＬＳＩチップの部分断面図。
　【図５】２層導体配線のＬＳＩチップの部分断面図。
　【図６】半田接合工程の説明図。
　【図７】樹脂充填工程の説明図。
　【符号の説明】
１…実装構造体、２…ＬＳＩチップ、３…半田バンプ、
４…樹脂、５…基板、６…スルホール導体、７…薄膜配線層、
８…薄膜内配線、９…チップ、１０…第一層導体、
１１…第２層導体、１２…第３層導体、１３…第４層導体、
１４…第１層絶縁体、１５…第２層絶縁体、１６…第３層絶縁体。