【事件の表示】
　特許第２６８９００７号「シリコンウエーハおよびその製造方法」の請求項１及び２に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２６８９００７号の請求項１及び２に係る発明の特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2,689,007号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　平成2年2月23日
　特許権設定登録　　　平成9年8月29日
　特許公報発行　　　　平成9年12月10日
　特許異議の申立て　　平成10年6月8日
　訂正請求　　　　　　平成10年11月2日
　
２．訂正の適否
　以下、独立特許要件について検討する。
　（2.1）訂正された発明
　訂正された発明は、訂正された特許請求の範囲請求項１に記載された事項により特定された下記のとおりのものである。
「【請求項1】引上げ法により形成されたシリコンウェーハにおいて、その表面近傍に存在する微小欠陥を除去することにより、そのウェーハ表面に平均直径が０．１μｍ以上で０．５μｍ未満の大きさの複数の微小ピットを形成したシリコンウェーハ。」
　訂正された発明は、上記事項により、シリコンウェーハの表面にシリコン酸化膜を形成した場合、このシリコン酸化膜とシリコンとの界面における微少欠陥が減少するためそのシリコン酸化膜の耐圧が向上するという効果を生じるものである。
　
　（2.2）取消理由通知の内容
　平成１１年１２月１６日付け取消理由通知書において指摘した特許の取消理由は以下のとおりである。
「（1）まず、表面近傍に存在する微少欠陥とは、どのようなものであり（例えば、空孔、亀裂あるいは不純物の存在等）、また、どの程度の大きさであるのか不明である。
　（2）そのため、特許請求の範囲において、「微少欠陥を除去する」と記載されているが、微少欠陥が不純物の存在であれば、その不純物を取り去れば「微少欠陥を除去する」ことになるであろうが、微少欠陥が空孔である場合には、その空孔をどのようにすることが微少欠陥を除去することに相当するのか不明である。
　（3）さらに、特許請求の範囲において、「表面近傍に存在する微少欠陥を除去することにより、そのウエーハ表面に・・・・の大きさの微少ピットを形成した」と記載されているが、微少欠陥が表面近傍（表面から内部に向かって、ある程度内部まで）に均一に分布していると仮定すると、洗浄により表面をある程度（２５ｎｍ）削り取っても、次から次へと下から新しい微少欠陥が現れるので、微少欠陥を除去することは不可能ではないか。また、例え可能であるとしても、その微少欠陥の除去行為により、微少ピットを形成するとはどのような事態を意味しているのか不明である。
　（4）また、本件特許明細書の表１を参照すると、ウエハ中には０．０１μｍ〜０．７μｍ程度の微少欠陥があると推定されるが、この大きさの微少欠陥が存在するときに、どのような洗浄を行うと、０．０５〜０．５μｍの大きさの微少ピットを形成できるのか不明である。特許公報第４欄第３０行〜第３２行において、「その表面に複数の微少ピット（直径０．２５μｍ）を形成する場合の洗浄液の温度と洗浄時間との関係を示している。」と記載されているが、この記載からすると、０．０１μｍ〜０．７μｍ程度の微少欠陥が存在する場合において、何らかの方法を施すと、任意の大きさのピットを形成できるものと認められるが、その方法は記載されていない。
　したがって、発明の詳細な説明には、本件発明を当業者が容易に実施できる程度に本件発明の構成が記載されているとは認められず、また、特許請求の範囲には、本件発明の必須の構成要件が記載されているとは認められないので、本件特許は、特許法第３６条第３項及び第４項の規定に違反してなされたものである。」（なお、今回、後の便宜上、項目番号を付与した。）
　
　（2.3）特許権者の主張
　これに対し特許権者は、平成１２年３月１４日付け特許異議意見書において、
「本件特許発明は、発明者が知見した「微小欠陥」に基づいて完成したものです。この「微小欠陥」は、引き上げ単結晶シリコンに必ず存在するものです。しかも、従来から知られていた熱処理により生じる欠陥とはまったく異なります。この「微小欠陥」は、このように新たに発見されたものですから、特許出願時にはその原因、性状などが完全に明確にされていたとは言えない面もありました。　しかしながら、この「微小欠陥」については、アンモニア系洗浄液を特定条件で用いてシリコンウェーハ表面を洗浄することにより、そのエッチング作用で微小なピットとして発現することが明確にされています。すなわち、この「微小欠陥」は、アンモニア系洗浄液を用い特定条件で洗浄することにより微小ピットとして顕在化するものであり、この点で十分に具体的に把握することができます。
　次に、上記（1）については、「微小欠陥」の性状、サイズなどが必ずしも明確でありませんでした。しかしながら、この点が明確でなくても、本件特許発明では所定の作用効果を発揮することができます。明細書記載のように、所定サイズの微小ピットを形成することにより、シリコンウェーハ表面での電気的特性を向上させることができます。
　上記（2）については、以下の通りです。すなわち、シリコン表面を明細書記載の所定の洗浄液（アンモニア／過酸化水素水）で洗浄し、その表面の空孔部分をエッチングすることにより、空孔を除去することとなります。
　上記（3）については、以下の通りです。すなわち、本件特許発明では、微小欠陥の全てを除去する必要はありません。本件特許発明では、所定の微小ピットを形成することが、本件発明の要旨となります。また、微小ピットを形成するとは、微小欠陥が不純物の場合は不純物を取り除くことにより、空孔の場合は空孔部分をエッチングすることにより、シリコンウェーハ表面に微小な凹みであるピットを形成するものです。
　上記（4）について、エッチング作用のあるアンモニア／過酸化水素混合溶液を明細書記載の所定の条件で用いることで、0．05μm〜0．5μmの大きさのピットをシリコンウェーハ表面に形成するものです。参考資料として提出しますヒストグラムは、COP（微小ピット）のサイズとその度数との関係を示しています。すなわち、口径5インチのCZシリコンウェーハを通常プロセスで加工し、その表面を鏡面研磨したものに対し、NH4OH：H2O2：H2O＝1：1：5（容量比）の混合溶液を使用して温度90℃で30分間洗浄した。このシリコンウェーハ表面をAFMを用いてそのCOP（微小ピット）のサイズを測定した結果です。
　このように本件特許の明細書においては当業者が容易に実施することができる程度にその発明の目的、構成、効果が記載されています。よって、本件特許は特許法第36条第3項または第4項の規定に違反するものではありません。」
と主張している。
　
　（2.4）判断
　しかしながら、特許請求の範囲において、「表面近傍に存在する微小欠陥を除去することにより」と記載されているにもかかわらず、「この点が明確でなくても、本件特許発明では所定の作用効果を発揮することができます。」という特許権者の主張は採用できない。なぜなら、特許請求の範囲には、「微小欠陥」という単語と「微小ピット」という単語が記載されているが、微小欠陥が何であるのか不明であるために、
ウエハ表面に存在する微小ピットが微小欠陥を除去することにより形成された微小ピットであるか、それ以外の原因により形成された微小ピット（例えば、本件発明でいう「微小欠陥」とは異なる「積層欠陥等」を除去して形成したもの）かの区別がつかず、両者の関係が不明な状態では本件発明を把握できないからである。
　また、本件発明の「微小欠陥」がどのようなものか不明であるため、当業者は本件発明を容易に実施することができるとは認められない。すなわち、従来においても、半導体ウエハは、本件特許明細書に記載されている、いわゆるＲＣＡ洗浄液によりウエハを洗浄しており、その洗浄されたウエハと、本発明にいう「微小欠陥を除去することにより、そのウェーハ表面に平均直径が０．１μｍ以上で０．５μｍ未満の大きさの複数の微小ピットを形成したシリコンウェーハ」との間に区別を付けることができないからである。
　
　（2．5）この項のむすび
　したがって、本件特許出願は、明細書の記載が上記の点において不備なため、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、なお従前の例とされる改正前の特許法第１２６条第３項に違反するので認めることができない。
　
３．特許異議の申立てについての判断
　（3.1）異議申立の理由の概要
　特許異議申立人村中祥世は、本件特許出願は、その明細書に記載の不備があるので、特許法第３６条の規定により、また、甲第１号証ないし甲第５を提出し、本件特許発明は、上記甲第１号証ないし甲第５号証刊行物記載の発明に基いて当業者が容易になし得たものであるので、取り消すべきものであると主張する。
　
　（3.2）本件発明
　本件発明は、特許された明細書の特許請求の範囲請求項１ないし２に記載された事項により特定された以下のとおりのものである。 
「【請求項１】引上げ法により形成されたシリコンウェーハにおいて、その表面近傍に存在する微小欠陥を除去することにより、そのウェーハ表面に平均直径が０．５〜０．０５μｍの大きさの複数の微小ピットを形成したシリコンウェーハ。
　【請求項2】引上げ法により形成されたシリコンウェーハにおいて、アンモニア系洗浄液を用いてそのシリコンウエーハの表面を所定条件で洗浄することにより、表面近傍に存在する微小欠陥を除去したことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。」
　
　（3.3）判断
　上記（2．2）ないし（2．5）記載の理由により、本件特許出願は、明細書に記載の不備があるために、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許明細書の請求項１ないし２に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年６月２日（２０００．６．２）