【事件の表示】
　特許第２７８３３４９号「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７８３３４９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2,783,349号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願（特願平5-207274）平成５年７月２８日
　特許権設定登録　　　　　　平成１０年５月２２日
　公報発行日        　　　　平成１０年８月６日
　異議の申立て　　　　　　　平成１１年２月８日
　訂正請求　　　　　　　　　平成１１年８月３０日
　手続補正（訂正請求）　　　平成１２年２月１８
　
２．訂正の適否についての判断
　上記手続補正書により補正された訂正請求について検討する。
（１）訂正の目的の適否等について
　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項1において、「前記電極が、」を「前記電極が、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層上にチタンとアルミニウムよりなる多層膜が形成された後、またはn型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する側にチタンとアルミニウムとを含む合金が形成された後にアニーリングされてなるものであり、」と訂正することは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項1において、「少なくともそのn型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンが含まれ、」とあるを「前記n型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれ、」と訂正することは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項３
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項2を削除する。
　訂正事項４
　発明の詳細な説明の段落【0008】において、「前記電極が、」を「前記電極が、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層上にチタンとアルミニウムよりなる多層膜が形成された後、またはn型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する側にチタンとアルミニウムとを含む合金が形成された後にアニーリングされてなるものであり、」と訂正することは、上記訂正事項１の訂正と整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項５
　発明の詳細な説明の段落【0008】において、「少なくともそのn型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンが含まれ、」とあるを「前記n型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれ、」と訂正することは、上記訂正事項１の訂正と整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項６
　発明の詳細な説明の段落【0008】において、「さらに本発明では前記n型壁化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれていることを特徴とする。」を削除することは、上記請求項２の削除に伴い明細書の整合をはかるものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項７
　請求項3を請求項2に繰り上げることは、請求項2の削除に伴うものであり、明瞭でない記載の釈明し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（２）独立特許要件の判断
　(2.1）本件発明
　訂正された明細書の特許請求の範囲請求項１乃び２に記載されている事項により特定される発明（以下「本件第１発明」などという。）は、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成されたオーミック接触用の電極であって、前記電極が、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層上にチタンとアルミニウムよりなる多層膜が形成された後、またはn型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する側にチタンとアルミニウムとを含む合金が形成された後にアニーリングされてなるものであり、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれ、その上の領域にチタンとアルミニウムとが含まれていることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極。
　【請求項２】n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に接する側にチタン膜を形成し、その上にアルミニウム膜を形成して多層膜とした後、アニーリングすることにより、その多層膜の一部若しくは全部を合金化して、そのn型窒化ガリウム系化合物半導体とオーミック接触させることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極形成方法。」
  (2.2)引用刊行物に記載された発明
　異議申立人シャープ株式会社の提示する甲第1号証(特開平4-273175号公報、以下「刊行物１」という。）には、「【0013】すなわち、上記構成の半導体発光素子は、第１の電極たるＮ側電極直下において、Ｉ型ＧａＮ層（Ｉ層）を貫通しＮ型ＧａＮ層（Ｎ層）まで達するＮ型低抵抗領域が形成され、Ｎ型ＧａＮ層へのコンタクトをこのＮ型低抵抗領域を介して行っている。そして、このＮ型低抵抗領域は、特定の熱処理によってＮ側電極材料をＧａＮ層中へ拡散させることによって形成している。Ｎ型低抵抗領域の深さはＩ層の深さより深ければ良く、サファイア基板にまで到達していてもよい。
【0014】また、Ｎ側電極は、例えばニッケル（Ｎｉ）単体でも構成することができるが、チタン（Ｔｉ）またはクロム（Ｃｒ）による第１の薄膜と、ＮｉまたはＮｉを含む合金による第２の薄膜とを積層した２層構造の電極を好ましく用いることができる。Ｎｉ層単独の場合には、該Ｎｉ層のＧａＮ層に対する密着性が悪いため、ＴｉあるいはＣｒの薄膜を介して電極を形成することにより、Ｎｉ層−ＧａＮ層の密着性を向上させることができ、また熱処理後のオーミック特性も良好となる。」
　同じく甲第2号証(Appl. Phys. Lett. 62(15)12 April 1993, pp1786-1787、以下「刊行物２」という。)には、第1786頁右欄第7行目〜第14行目において、「図1はこれら1つのデバイスの平面図及び断面図を示す。図1のデバイスのゲート長さと幅はそれぞれ4μmと100μmであった。チャネル開ロ部(ソースとドレインの距離)は10μmであり、ゲートの占める割合は0.4であった。オーミックコンタクトとして、25ÅのTi上に1500ÅのAuで被せたものを用いた。オーミックコンタクトは250℃、30秒でアニールされる。」と記載されている。
　同じく甲第３号証（特開平１−１２５８７０号公報、以下「刊行物３」という。）には、その特許請求の範囲において、「ｎ型砒化ガリウム結晶表面にチタン（Ｔｉ）−アルミニウム（Ａｌ）−チタン（Ｔｉ）からなる金属層を設け、この金属層と前記ｎ型砒化ガリウム結晶との界面にショットキ障壁を形成せしめてなる砒化ガリウムショットキ障壁型半導体装置」と記載され、上記公報第2頁右上欄第3行目乃至第10行目において、Ti-Al-Tiの順に電極を形成し、しかる後に熱処理をすることが記載されている。また、同じく第2頁左下欄の表及び第2頁左下欄第19行目乃至右下欄第2行目には、チタン上にアルミニウム/チタンからなる電極を設けることで電極の劣化が抑制できると記載されている。
　同じく甲第４号証（第２７回応用物理学関係連合講演会講演予稿集：昭和５５年４月１日〜４日　第５２７頁、「４ｐ−Ｄ−１４」、以下「刊行物４」という。）には、シリコン基板に対するTi-Al電極について記載され、熱処理することによってTi-Al化合物層を形成することが記載されている。
　同じく甲第５号証（特開平３−１０８７７９号公報、以下「刊行物５」という。）には、「次に、１分経過した時にＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２．５ｌ／分、ＮＨ３を１．５ｌ／分、ＴＭＧを１．７×１０−５モル／分で６０分間供給し、膜厚約３μｍのｎ型のＧａＮ層３を形成した。」（第２頁右下欄第８行〜第１２行）、「その後、その試料に穴径２００μｍφ、５００μｍピッチの穴のあいたステンレス板をマスクとしてアルミニウムを基板温度２２５℃、蒸着時の真空度３×１０−６Torrで厚さ５０００Åに蒸着して、第５図に示すように電極６を形成した。」（第３頁左下欄第１６行〜第２０行）及び「又、アルゴン（Ar）ガスのエッチング時間を１０分から２０分に延長して、同様にアルミニウムの電極を形成して、そのＶ−Ｉ特性を測定した。その結果を第６図（ｃ）に示す。若干、オーミック性が悪くなることが分かる。しかし、その試料をシンターすると、第６図（ｈ）に示すように、オーミック性が改善されることが理解される。」（第３頁右下欄第９行〜第１５行）と記載されている。
　同じく甲第６号証（特開平３−１３３１７６号公報、以下「刊行物６」という。）には、「炭化珪素単結晶に対して用いるオーム性電極がチタン−アルミニウム合金であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。」（請求項１）及び「Ti−Al合金は炭化珪素単結晶に対してオーム性電極となり、その膜は炭化珪素単結晶と強く密着し、外部配線との直接接続を可能とする。また、Ti−Al合金は、融点（６６０℃）の低いＡｌ合金であるためその融点はTiに比べ低く真空蒸着による厚膜形成を容易にし、真空蒸着によりＳｉＣ単結晶表面に緻密かつ密着力の強いオーム性電極となるTi−Al合金が形成される。」（第２頁左上欄第１８行〜右上欄第５行）と記載されている。
　
　(2.3) 本件第１発明について
　本件第１発明は、n型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれ、その上の領域にチタンとアルミニウムとが含まれていることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極であるが、上記刊行物１乃至６には、上記本件第１発明の特徴点についての記載がなく、また、示唆もない。
　すなわち、上記刊行物３、４及び６には、チタン−アルミニウムからなる金属層の電極を設けてはいるが、積層される側の半導体は、それぞれ砒化ガリウム、シリコン及び炭化珪素結晶であり、半導体が異なればそれに伴い電極材料も異なるのが一般的であるので、窒化ガリウムとは異なる半導体において、チタン−アルミニウムからなる金属層が設けられているからといって、ｎ型窒化ガリウムにおいてチタン−アルミニウムがオーム性電極材料として好適であるということを想到し得るとはいえない。
　したがって、本件第１発明は、上記刊行物１〜６に基いて当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　
  (2.4) 本件第２発明について
　本件第２発明は、n型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に接する側にチタン膜を形成し、その上にアルミニウム膜を形成して多層膜とした後、アニーリングすることにより、その多層膜の一部若しくは全部を合金化して、そのn型窒化ガリウム系化合物半導体とオーミック接触させることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極形成方法であるが、上記(2.3)と同じく、上記刊行物３、４及び６には、チタン−アルミニウムからなる金属層の電極を設けてはいるが、積層する半導体は、それぞれ砒化ガリウム、シリコン及び炭化珪素結晶であり、半導体が異なればそれに伴い電極材料も異なるのが一般的であるので、窒化ガリウムとは異なる半導体において、チタン−アルミニウムからなる金属層が設けられているからといって、ｎ型窒化ガリウムにおいてチタン−アルミニウムがオーム性電極材料として好適であるということを想到し得るとはいえない。
　したがって、本件第２発明は、上記刊行物１〜６に基いて当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　　
（３） この項のむすび
　以上のとおりであるので、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項において、なお従前の例によるとされる改正前の特許法第１２６条第１項ないし第３項の規定に適合するので、これを認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
　特許異議申立人シャープ株式会社は、上記刊行物１乃至刊行物６を提示し、本件第１発明及び第２発明は、上記刊行物１乃至刊行物６に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると主張する。
　しかしながら、上記(2.3)及び(2.4)に記載の理由により、本件第１発明及び第２発明は、上記刊行物１乃至刊行物６に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許は、特許異議申立人の提示した証拠及び理由によっては、取り消すことができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月６日（２０００．４．６）
【訂正の要旨】
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において、「前記電極が、」とあるを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記電極が、前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にチタンとアルミニウムよりなる多層膜が形成された後、またはｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する側にチタンとアルミニウムとを含む合金が形成された後にアニーリングされてなるものであり、」と訂正する。
２．訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１において、「少なくともそのｎ型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンが含まれ、」とあるを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれ、」と訂正する。
３．訂正事項３
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項２を削除する。
４．訂正事項４
　発明の詳細な説明の段落【０００８】において、「前記電極が、」とあるを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「前記電極が、前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にチタンとアルミニウムよりなる多層膜が形成された後、またはｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する側にチタンとアルミニウムとを含む合金が形成された後にアニーリングされてなるものであり、」と訂正する。
５．訂正事項５
　発明の詳細な説明の段落【０００８】において、「少なくともそのｎ型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンが含まれ、」とあるを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれ、」と訂正する。
６．訂正事項６
　発明の詳細な説明の段落【０００８】において、明瞭でない記載の釈明を目的として、「さらに本発明では前記ｎ型壁化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれていることを特徴とする。」を削除する。
７．訂正事項７
　明瞭でない記載の釈明を目的として、請求項３を請求項２に繰り上げる。
（５４）【発明の名称】
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極及びその形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成されたオーミック接触用の電極であって、前記電極が、
　前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にチタンとアルミニウムよりなる多層膜が形成された後、またはｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する側にチタンとアルミニウムとを含む合金が形成された後にアニーリングされてなるものであり、
　前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれ、その上の領域にチタンとアルミニウムとが含まれていることを特徴とするｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極。
　【請求項２】　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に接する側にチタン膜を形成し、その上にアルミニウム膜を形成して多層膜とした後、アニーリングすることにより、その多層膜の一部若しくは全部を合金化して、そのｎ型窒化ガリウム系化合物半導体とオーミック接触させることを特徴とするｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、発光ダイオード、レーザーダイオード等の発光素子に用いられるｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の電極とその製造方法に係り、特に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られる電極とその電極形成方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで変化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、発光素子の材料として有望視されている。現在、この材料を用いた発光素子には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の上に、ｐ型ドーパントをドープした高抵抗なｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体を積層したいわゆるＭＩＳ構造の青色発光ダイオードが知られている。
　【０００３】
　ＭＩＳ構造の発光素子は発光強度、発光出力共非常に低く、また高抵抗なｉ層を発光層としているため順方向電圧（Ｖｆ）が２０Ｖ以上と非常に高いために発光効率が悪く、実用化するには不十分であった。順方向電圧を下げ、発光効率を向上させて実用化を図るには、ＭＩＳではなくｐ−ｎ接合が有利であることは自明である。
　【０００４】
　ところで、最近窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型とする技術が開発され、ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体が実現できるようになってきた。（例えば、特開平２−２５７６７９号公報、特開平３−２１８３２５号公報、他文献）。
　【０００５】
　ｐ−ｎ接合の発光素子が実現できるようになると、順方向電圧を下げ、発光効率を高めるためにも、ｐ層およびｎ層とオーミック接触の得られる電極材料が非常に重要である。しかしながら、従来のＭＩＳ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極はｉ層とショットキーバリアを用いる構造であったため、ｎ層のオーミック電極にはほとんど注意されていなかった。
　【０００６】
　例えば、ＭＩＳ構造の素子のｎ層とオーミック接触を得る電極材料として、特開昭５５−９４４２号公報に、ＡｌまたはＡｌ合金が開示されている。その他、Ｉｎもよく使用されている。しかしながら、Ｉｎ、Ａｌともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と十分なオーミック接触が得にくく、さらにまた電極形成時に、電極材料を窒化ガリウム系化合物半導体となじませるため、アニーリング装置を用いてアニールを行うのであるが、そのアニーリング時に装置内の残留酸素、水分等の雰囲気により電極が変質しやすいという問題があった。また特開平４−３２１２７９号公報には、ｎ型ＧａＮと高抵抗なｉ型ＧａＮ層が積層され、その上に電極が形成された、いわゆるＭＩＳ（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｅｒ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造の発光素子が開示されている。このＭＩＳ構造のｎ層、及びｉ層の両方に形成される電極としてＡｌとＴｉとＮｉとを順に積層した３層構造の電極が記載されている。しかしながら、この公報に開示される素子構造はＭＩＳであり、ＭＩＳ構造の正電極はｉ層と接触しているため全くオーミックとは関係なく、いわばショットキーバリア接触である。また負電極も単に先にＡｌを形成し、ＡｌとＴｉとＮｉとを順に積層した３層構造の膜ではｎ型ＧａＮと良好なオーミックを得ることは難しい。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　従って、本発明はこのような事情を鑑み成されたもので、その目的とするところは、ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子を実現するにあたり、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と良好なオーミック接触が得られると共にアニーリング時に変質しにくい電極を提供することにより、発光素子の発光効率および信頼性を高めようとするものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　我々はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と良好なオーミック接触が得られ、アニール時に変質しにくい電極材料について、実験を重ねたところ、ＡｌにＴｉを含有させ、さらにＴｉをｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と接触する側にすることにより前記問題が解決できることを見いだした。即ち、本発明のｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成されたオーミック接触用の電極であって、前記電極が、前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にチタンとアルミニウムよりなる多層膜が形成された後、またはｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と接する側にチタンとアルミニウムとを含む合金が形成された後にアニーリングされてなるものであり、そのｎ型窒化ガリウム系化合物半導体に接する側の領域にチタンに加えてアルミニウムが含まれ、その上の領域にチタンとアルミニウムとが含まれていることを特徴とする。
　また本発明の電極形成方法は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に接する側にチタン膜を形成し、その上にアルミニウム膜を形成して多層膜とした後、アニーリングすることにより、その多層膜の一部若しくは全部を合金化して、そのｎ型窒化ガリウム系化合物半導体とオーミック接触させることを特徴とする。
　【０００９】
　本発明の電極は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ等のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すように成長した窒化ガリウム系化合物半導体層表面、またはノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体層表面に、蒸着、スパッタ等の技術により、チタンとアルミニウムよりなる合金膜を形成するか、またはチタンとアルミニウムよりなる多層膜を形成した後、アニーリング（熱処理）を行うことにより得ることができる。アニーリング温度は特に限定するものではないが、４００℃以上、１２００℃以下で行うことが好ましい。なぜなら、４００℃よりも低いと、オーミック接触が得にくく、１２００℃よりも高いと窒化ガリウム系化合物半導体が分解してしまうからである。
　【００１０】
　上記のように合金膜、または多層膜として形成した電極材料を、アニーリングすることにより、電極材料と窒化ガリウム系化合物半導体層との接触を良くしてオーミック接触を得ることができる。さらに、多層膜はアニーリング条件（主として熱）、チタンとアルミニウムそれぞれの層の膜厚等により多層膜の一部、または全部が合金化する。多層膜がアニーリングにより合金化した場合、全体として電極はチタンとアルミニウムからなるオーミック電極となるが、例えばチタンが第１層目、アルミニウムが第２層目とはっきりと分離されたものではなく、前にも述べたように条件によっては電極層が合金化するため、チタンとアルミニウムが渾然一体となっている場合が多い。ただ、多層膜の場合、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と接触する側の電極材料をチタンとした後、次にアルミニウムを形成して多層膜とする方が、再現性良くオーミック接触を得られるため、より好ましい。
　【００１１】
　チタンのアルミニウムに対する含有率は特に限定するものではなく、チタンと、アルミニウムとをどのような比率で混合しても、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と再現性良くオーミック接触が得られ、非常に有利である。多層膜の場合、この含有率は多層膜を形成する膜厚の比を調整することにより変えることができる。
　【００１２】
　【実施例】
　図１は、２インチφのサファイア基板上にＳｉをドープしたｎ型ＧａＮ層を成長させ、そのｎ型ＧａＮ層の表面に、数々の電極材料を１００μｍφの大きさで、それぞれ千個蒸着して４５０℃でアニーリングした後、同一種類の電極間のＩ−Ｖ（電流−電圧）特性を全て測定してオーミック特性を調べた結果を示す図である。図１において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ
Ａ・・ＴｉとＡｌとを０．０１：１の膜厚比で順に積層した電極、
Ｂ・・Ｔｉを１％含むＡｌ−Ｔｉ合金で形成した電極、
Ｃ・・ｎ型層にＴｉ単独で形成した電極、
Ｄ・・ｎ型層にＡｌ単独で形成した電極、
のＩ−Ｖ特性を示す。
　【００１３】
　Ａ〜Ｄはそれぞれ代表的なＩ−Ｖ特性を示す図であるが、アルミニウムにチタンを含有させた電極はＡ、Ｂに示すようにｎ型ＧａＮ層と良好なオーミック接触が得られており、電極千個の内、Ａ、Ｂのようなオーミック接触が確認されないものはなかった。一方、チタン単独、もしくはアルミニウム単独の電極は、Ｃ、Ｄに示すようにいずれにおいても良好なオーミック接触は得られず、千個の内でＡ、Ｂのようなオーミック接触が確認されたものは、Ｄの電極の方に数個あっただけである。
　【００１４】
　さらにアニーリング後、電極表面の状態を顕微鏡で観察したところ、ＣとＤの電極表面はその９０％以上が黒く変質していた。
　【００１５】
　図２は、同じく２インチφのサファイア基板の上にＳｉをドープしたｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を成長させ、そのｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層の表面にＴｉとＡｌとを膜厚比を変えて１００μｍφの大きさで千個蒸着して、４５０℃でアニーリングした後、同じく同一種類の電極間のＩ−Ｖ（電流−電圧）特性を測定してオーミック特性を調べた結果を示す図である。図２において、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈはそれぞれ
Ｅ・・ＴｉとＡｌとを０．００１：１の膜厚比で順に積層した電極、
Ｆ・・ＡｌとＴｉとを０．００１：１の膜厚比で順に積層した電極、
Ｇ・・ＴｉとＡｌとを１：０．００１の膜厚比で順に積層した電極、
Ｈ・・ＡｌとＴｉとを１：０．００１の膜厚比で順に積層した電極、
のＩ−Ｖ特性を示している。
　【００１６】
　Ｅ〜Ｈに示す図は、ＴｉとＡｌの含有率にかかわらず、全て良好なオーミック接触が得られていることを示しているが、特に、Ｅ、Ｇに示すＴｉを先に形成した電極は千個全て、Ｅ、Ｇの図に示すようなオーミック接触が得られたが、Ｆ、Ｈに示すＡｌを先に形成した電極は、それぞれ数個、好ましいオーミック接触が得られていないものが発見された。また、電極の変質は全ての電極について観察されなかった。
　【００１７】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の電極はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と非常に良好なオーミック接触が得られ、さらに電極の変質がない。しかもオーミックが得られるチタンのアルミニウムに対する定まった含有率が無いため、電極形成時において非常に生産性も向上する。従って、ｐ−ｎ接合を用いた窒化ガリウム系化合物半導体を実現した際、ｎ型層と電極とが完全にオーミック接触しているため、発光素子のＶｆを下げ、発光効率を向上させることができ、電極の変質もないため発光素子の信頼性も格段に向上する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成した電極の電流電圧特性を比較して示す図。
　【図２】　本発明の一実施例にかかる電極の電流電圧特性を示す図。