(57)【要約】【課題】ダイシング部を利用してウェーハをチップにダイシングし、また、チップの二つの表面上の接点が導通誘電体と導線により導通され、集積回路のレイアウトの自在性が向上される集積回路連結構造を提供する。【解決手段】二つの表面上に、それぞれ複数の接点が設けられるウェーハと、少なくとも一つのウェーハの適当な位置に設置され、複数の直列された貫通穴から構成されるダイシング部と、ダイシング部に設置される導通誘電体と、複数のそれぞれ接点と導通誘電体を連接する導線とが含有される。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
二つの表面上に、それぞれ複数の接点を有するウェーハと、
上記のウェーハの適当な位置に設置され、複数の直列された貫通穴から構成され、ウェーハをダイシングするための少なくとも一つのダイシング部と、
上記のダイシング部に設置される導通誘電体と、
一端が、それぞれウェーハの二つの表面の接点に連接され、もう一端が導通誘電体に連接されることにより、ウェーハの二つの表面上の接点が導通されるための複数の導線が含有されることを特徴とする、集積回路連接構造。
【請求項２】
該ウェーハの二つの表面上に、半導体工程において、それぞれ複数の接点が設けられることを特徴とする、請求項１に記載の集積回路連接構造。
【請求項３】
該ウェーハの二つの表面上に、それぞれ定位点があることを特徴とする、請求項１に記載の集積回路連接構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、集積回路連結構造に関し、特に、チップの二つの表面上の接点が導通誘電体と導線とにより導通され、集積回路のレイアウトの自在性が向上されるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般の、従来のものは、例えば、中華民国専利公報公告第４３４８４８号の「半導体チップ装置のパッケージ方法」があり、該半導体チップ装置は、複数の半田点を有する基板上に実装することに適合し、ボンディングパッド実装表面と、複数の該ボンディングパッド実装表面に設けられたボンディングパッドとがあり、これらのボンディングパッドの位置が、該基板半田点の位置に対応しない半導体チップを用意するステップと、スチール板を該チップのボンディングパッド実装表面上にセットし、該スチール板に複数の該チップに対応するボンディングパッドの一部と該チップのボンディングパッド実装表面の所定の部分を露出する貫通穴が形成され、また、該スチール板の各貫通穴を形成する穴壁と該チップのボンディングパッド実装表面の間に一導電体形成空間が形成されるステップと、導電金属コロイドを材料とし、印刷により、各導電体形成空間において導電体が形成され、各導電体に、該チップの対応するボンディングパッドから伸び出して回路軌跡とする延伸部と、該延伸部の自由端に位置し、その位置が該基板の対応する半田点の位置に対応する電気連接部が形成されるステップが含有される。これにより、ボンディングパッド同士の距離が縮小されることにより、外部回路と電気的に連接し難い欠点が改善される。
【０００３】
上記の従来の「半導体チップ装置のパッケージ方法」は、ボンディングパッド同士の距離が縮小されることによる欠点が改善されるが、上記の従来の「半導体チップ装置のパッケージ方法」は、単一のチップに適用される時、単一面の導通機能だけが果たされ、重ね合って両面を導通する時、より複雑の工程が必要とし、そのため、一般の従来のものは実用的ではない。
【特許文献１】中華民国専利公報公告第４３４８４８号
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本考案の主な目的は、単一のチップに適用され、単一面だけにおいて導通機能を果たすことを改善でき、ダイシング部によりウェーハをチップにダイシングし、また、チップの二つの表面上の接点が導通誘電体と導線により導通され、集積回路のレイアウトの自在性が向上される集積回路連接構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１の考案は、二つの表面上に、それぞれ複数の接点を有するウェーハと、上記のウェーハの適当な位置に設置され、複数の直列された貫通穴から構成され、ウェーハをダイシングするための少なくとも一つのダイシング部と、上記のダイシング部に設置される導通誘電体と、一端が、それぞれウェーハの二つの表面の接点に連接され、もう一端が導通誘電体に連接されることにより、ウェーハの二つの表面上の接点が導通されるための複数の導線が含有されることを特徴とする、集積回路連接構造である。
【０００６】
請求項２の考案は、該ウェーハの二つの表面上に、半導体工程において、それぞれ複数の接点が設けられることを特徴とする、請求項１に記載の集積回路連接構造である。
【０００７】
請求項３の考案は、該ウェーハの二つの表面上に、それぞれ定位点があることを特徴とする、請求項１に記載の集積回路連接構造である。
【考案を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１〜図５は、それぞれ本考案のダイシング状態概念図、本考案のダイシング後の概念図、本考案のダイシング後の断面状態概念図、本考案の堆積状態の断面概念図及び本考案の他の堆積状態の断面概念図である。図のように、本考案は集積回路連結構造であり、少なくとも、ウェーハ１と、少なくとも一つのダイシング部２と、導通誘電体３と、複数の導線４とから構成され、ダイシング部２により、ウェーハ１をチップにダイシングし、また、導通誘電体３と導線４により両面を導通し、これにより集積回路のレイアウトの自在性が向上される。
【０００９】
上記のウェーハ１は、その二つの表面上に、半導体工程により、それぞれ複数の接点１１、１１ａが設けられ、また、該ウェーハ１の二つの表面上に、それぞれ定位点１２がある。
【００１０】
該ダイシング部２は、上記のウェーハ１の適当な位置に設置され、また、ダイシングするための該ダイシング部２は、直列された複数の円形や方形或いは他の幾何形状の貫通穴２１から構成される。
【００１１】
該導通誘電体３は、半導体工程により上記のダイシング部２に設置され、コロイド銀である。
【００１２】
各導線４の一端が、それぞれウェーハ１の二つの表面上に対応する接点１１、１１ａに接続され、もう一端が導通誘電体３に連接され、これによりウェーハ１の二つの表面上の接点１１、１１ａが導通される。上記の構造により、新規の集積回路連結構造が構成される。
【００１３】
本考案を利用する時、スライサ６でウェーハ１上の各ダイシング部２に沿ってダイシングして、該ウェーハ１が複数のチップ１０にダイシングされ、また、該導通誘電体３をチップ１０の一側に設置することにより、各チップ１０の二つの表面上の接点１１、１１ａが、導通誘電体３と導線４により両面導通になり、これにより各チップ１０を堆積して使用することができる。
【００１４】
各チップ１０を堆積して使用する時、まず各チップ１０を定位点１２を利用して連接して定位し、各チップ１０の両面上の接点１１、１１ａが接触導通され、また、各チップ１０の一側の導通誘電体３に保護層５が覆われ、或いは、各チップ１０を堆積した後、保護層５で各チップ１０の一側の全ての導通誘電体３を覆うことにより、各チップ１０が導通誘電体３と導線４により両面導通になり、そのため集積回路のレイアウトの自在性が向上される。
【００１５】
図６と図７は、本考案の他の使用状態のダイシング概念図と本考案の他の使用状態のダイシング後の概念図であう。図のように、本考案のウェーハ１の導通誘電体３は、上記の半導体工程により予めにダイシング部２に設置されるものの他に、ウェーハ１をスライサ６でチップ１０にダイシングした後、チップ１０の一側（即ち、ダイシング部２の位置に）において、導通誘電体３により各チップ１０の両面上の接点１１、１１ａを両面導通してもよい。
【００１６】
上記のように、本考案に係わる集積回路連結構造は有効的に従来の諸欠点を改善でき、ダイシング部を利用してウェーハをチップにダイシングし、また、チップの二つの表面上の接点が導通誘電体と導線により導通されるため、集積回路のレイアウトの自在性が向上され、そのため、本考案はより進歩的かつより実用的で、法に従って実用新案登録請求を出願する。
【００１７】
以上は、ただ、本考案のより良い実施例であり、本考案はそれによって制限されることが無く、本考案に係わる実用新案登録請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが本考案の請求範囲内に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本考案のダイシング状態概念図
【図２】本考案のダイシング後の概念図
【図３】本考案のダイシング後の断面状態概念図
【図４】本考案の堆積状態の断面概念図
【図５】本考案の他の堆積状態の断面概念図
【図６】本考案の他の使用状態のダイシング概念図
【図７】本考案の他の使用状態のダイシング後の概念図
【符号の説明】
【００１９】
１        ウェーハ
１０      チップ
１１      接点
１１ａ    接点
１２      定位点
２        ダイシング部
２１      貫通穴
３        導通誘電体
４        導線
５        保護層
６        スライサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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