【事件の表示】
　特許第２８８７４６８号「熱電半導体材料の製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。　
【結　論】
　特許第２８８７４６８号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）本件発明
　本件特許第２８８７４６８号の請求項１ないし４に係る発明（平成元年６月１４日出願の分割出願、平成１１年２月１９日設定登録。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりである。
「【請求項１】 所望の組成のビスマス、アンチモン、テルル、セレン、および一導電型の不純物を混合し、加熱溶融せしめる加熱工程と、凝固点直下迄急冷して固溶体を形成する冷却工程と、前記インゴットを粉砕し、固溶体粉末を形成する粉砕工程と、前記固溶体粉末の粒径を均一化する整粒工程と、粒径の均一となった前記固溶体粉末を焼結せしめる焼結工程とを含み、５μm以下の微粒子を含むことなく、 粒径が均一なテルル化ビスマスおよびテルル化アンチモンの固溶体粉末を主成分とした一導電型の粉末焼結体を形成するようにしたことを特徴とする熱電半導体材料の製造方法。
【請求項２】 前記整粒工程は、５μm以下の微粒子を含むことなく、粒径が２６から７４μｍの範囲にあるように整粒する工程であることを特徴とする請求項１記載の熱電半導体材料の製造方法。
【請求項３】 前記焼結工程は、圧力４００ｋｇ／ｃｍ2から２０００ｋｇ／ｃｍ2 の範囲で加圧しつつ焼結する工程であることを特徴とする請求項１記載の熱電半導体材料の製造方法。
【請求項４】 前記焼結工程は、 ３５０℃から６００℃で加熱する工程であることを特徴とする請求項３記載の熱電半導体材料の製造方法。」
　
（２）申立の理由の概要
　申立人横田秀昭は、甲第１号証（「熱電半導体とその応用」ｐ１６７−１７３、昭和６３年１２月２０日発行、日刊工業新聞社刊）、甲第２号証（「日本金属学会誌」第３１巻第５号ｐ６８４−６９０、１９６７年５月）、甲第３号証（「最新粉粒体プロセス技術集成、＜基礎技術編＞ｐ３３５、昭和４９年３月１５日発行、産業技術センター刊）、甲第４号証（「日本金属学会講演概要」講演番号４９１第２８８頁、昭和６２年度春期（第１００回東京）大会、昭和６２年３月１７日社団法人日本金属学会発行）、甲第５号証（特開平１−１０６４７８号公報）を提出し、ア．請求項１、２に係る発明は、甲第１号証と同一であるので、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、イ請求項１ないし４に係る発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明から当業者が容易になしえたものであるので、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきであると主張している。
　
（３）甲各号証記載の発明
　甲第１号証（熱電半導体とその応用」ｐ１６７−１７３、昭和６３年１２月２０日発行、日刊工業新聞社刊）には、「Ｂｉ２Ｔｅ３−Ｓｂ２Ｔｅ３系化合物の粉末焼結体に用いる出発材料は、溶解後急冷することによって得る。この材料は面摩耗性セラミックス製ポールミルで粉砕して粒径５０〜１００μｍの粉末にする。」と記載されている。そして、ｎ型熱電材料、ｐ型熱電材料が示されている。
　甲第２号証（「日本金属学会誌」第３１巻第５号ｐ６８４−６９０、１９６７年５月））には、Ｂｉ２Ｔｅ３系熱電素子として、４wt％の過剰Ｔｅを含む２５ｍｏｌ％Ｂｉ２Ｔｅ３−７６ｍｏｌ％Ｓｂ２Ｔｅ３合金素了のホール係数を測定したことが記載され(この過剰Ｔｅは５（注：ローマン数字）族元素である）、この２５ｍｏｌ％Ｂｉ２Ｔｅ３−７５ｍｏｌ％Ｓｂ２Ｔｅ３合金素子のホールの濃度及び易動度に及ぼす焼結温度の影響が記載されており、図中この熱電材料の粉末粒度が５０〜１５０メッシュであることが記載されている。
　甲第３号証　（「最新粉粒体プロセス技術集成、＜基礎技術編＞ｐ３３５、昭和４９年３月１５日発行、産業技術センター刊）には、慣用メッシュと粘度との関係が記載されており、それによると、５０〜１５０メッシュは、約１００〜３５０μｍに相当することが示されている。
　甲第４号証（「日本金属学会講演概要」講演番号４９１第２８８頁、昭和６２年度春期（第１００回東京）大会、昭和６２年３月１７日社団法人日本金属学会発行）には、Ｉ又はＢｒを添加したｎ型のＢｉ２Ｔｅ３焼結熱電材料の熱電特性において、出力因子α２／ρが、Ｄ（粒径）＝５５．５μｍで最も大きくなり、熱伝導率及び性能指数が高くなることが記載されている。
　甲第５号証（特開平１−１０６４７８号公報）には、「（１）ビスマス、テルル、セレン、アンチモンからなる群から選択される３種又は４種の元素を主成分とし、これらの元素に添加剤を添加してなる熱電材料の製造方法において、前記元素及び添加剤を溶解し粉砕して得られる合金粉末をホットプレスで密度比９７％以上に焼結することを特徴とする熱電材料の製造方法。（２）熱電材料がｎ型であり、…。（３）熱電材料がｐ型であり、…。（４）ホットプレスを、温度３５０〜６００℃、圧力１８０ｋｇ／ｃｍ２以上の条件で１０分以上行うようにした特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれかに記載の方法。」（特許請求の範囲）と記載され、実施例として、温度３５０〜４５０℃及び圧力４４０ｋｇ／ｃｍ２の条件でホットプレスしたことが示されている。
　
（４）異議申立人主張の取消理由について
ア．について
　本件請求項１、２に係る発明と甲第１号証に記載の発明と対比すると、甲第２号証において、溶解後急冷することによってＢｉ２Ｔｅ３−Ｓｂ２Ｔｅ３系化合物の粉末焼結体に用いる出発材料を得て、粉砕して粒径５０〜１００μｍの粉末にし、その後焼結することが示されている。
　本件特許明細書（特許公報第４欄３１行から３４行）によると、「通常の篩をかけたとしても、その粒径範囲にはいるとして選定された粒の周りには、微粒子が多数付着しており、これが不純物濃度制御を不安定にする要因となる。」としており、同じく発明の詳細な説明の段落「【００２１】そこで、本発明では、微粒子を除いた最適粒径の粉末を用いて焼結体を形成することにより、性能指数の低下を防止し、機械的強度が高くかつ信頼性の高い熱電素子を得ることが可能となる。このように本発明では、単結晶ではなく、微粒子を除いた最適粒径の粉末を用いて形成された粉末焼結体で構成されているため、組成比を自由に選択でき、性能指数Ｚの高いものを得ることができる。
【００２２】又粒径を揃えることにより、ド―ピング制御が容易となる。これは、粒径が揃うと粒界の分布も均一となり、粒界から発生すると考えられる電子も一定となるため、電子濃度の再現性もよくなるものと考えられる。また、粒径を揃えることにより、焼結密度が上り、半田付工程においても半田のしみ込みによる性能低下もない。加えて、単結晶あるいは多結晶のインゴットをそのまま用いた場合に比べ、割れ等による製造歩留りの低下も大幅に低減される。
【００２３】更に、凝固点直下まで急冷することにより、数ｍｍ程度の結晶粒径をもつインゴットを得ることができ、これを粉砕すれば、粒径が分級粒径に近いため、粉砕しやすく、微粒子を多量に発生することなく、また表面にささくれを生じることなく粉砕することができる。そして更に焼結に先立ち熱処理を行うことにより、微粒子はさらさらした状態になって結晶粒から脱離しやすくなる。従って、５μｍ以下の微粒子を含有しない焼結体を得ることができる。また、焼結工程において、圧力４００ｋｇ／ｃｍ2から２０００ｋｇ／ｃｍ2の範囲の高圧力下でで加圧しつつ焼結することにより、焼結密度を大幅に向上することが可能となる。また温度範囲についても、焼結温度を、３５０℃から６００℃とすることにより、焼結密度を大幅に向上することが可能となる。かかる構成により、本発明によれば、凝固点直下まで急冷することにより偏析がないため、高い性能指数を与えるドーピング制御が可能となる。 また、整粒工程にて１０μｍ以上の粒径を採用することにより５μｍ以下の微粒子の混入のない粉末を得ることができる。」としている。
　してみると、甲第１号証における急冷は、微粒子を除去すべく、凝固点直下まで急冷することは異なる。従って、甲第１号証記載の粒径５０〜１００μｍの粉末の表面に５μｍ以下の微粒子を付着させていないとはいえないので、本件特許請求項１、２に係る発明と、甲第１号証記載のものとが同一であるとすることができない。
イ．について
　本件請求項１〜４に係る発明と甲第１号証に記載の発明と対比すると、上述したように、甲第１号証記載の急冷が凝固点直下まで急冷することである証拠はなく、５μｍ以下の微粒子を除去したものであるとすることができない。
　そして、「５μｍ以下の微粒子を含むことなく」とすることは、甲第２乃至５号証のいずれにも示されておらず、本件請求項１から４に係る発明は、甲第１乃至５号証記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　
（５）まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年５月２３日（２０００．５．２３）