【事件の表示】
　特許第３０７６４１５号「固体撮像装置の製造方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０７６４１５号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３０７６４１５号の請求項１乃至５に係る発明についての特許は、平成３年８月１４日に特許出願がなされ、平成１２年６月９日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされたものである。
（２）本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　一導電型の半導体基板上に形成された導電性膜の表面上に、入射光を電荷に変換し、電荷転送方向の幅が略同一である感光部を形成すべき領域が除去されたレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を用いて前記導電性膜にエッチングを行い、その後、このエッチングされた前記導電性膜と前記レジスト膜とをマスクとして不純物イオンを注入し、前記感光部を形成すべき領域に逆導電型の不純物領域を形成する工程と、前記導電性膜の端面のうち、前記不純物領域に近接した部分が除去されず、かつ前記不純物領域の端面より前記導電性膜の端面の幅が狭くなるように前記導電性膜にパターニングを行い、電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。（以下「本件第１発明」という）
【請求項２】　一導電型の半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第１の導電性膜の表面にレジストを塗布し、入射光を電荷に変換し、電荷転送方向の幅が略同一である感光部を形成すべき領域が除去された第１のレジスト膜を形成する工程と、前記第１のレジスト膜を用いて前記第１の導電性膜にエッチングを行い、前記感光部を形成すべき領域が除去された第２の導電性膜を形成する工程と、前記第１のレジスト膜と前記第２の導電性膜とをマスクとして不純物イオンを注入し、逆導電型の不純物領域を前記感光部を形成すべき領域に形成する工程と、前記第１のレジスト膜を除去した後、表面全体にレジストを塗布し、前記第２の導電性膜の端面のうち、前記絶縁膜を介して前記不純物領域に近接した部分を覆った状態で、かつ前記不純物領域の端面より前記第２の導電性膜の端面の幅が狭くなるように電極のパターンに対応した第２のレジスト膜を形成する工程と、前記第２のレジスト膜を用いて前記第２の導電性膜にエッチングを行い、電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。（以下「本件第２発明」という）
【請求項３】　一導電型の半導体基板上に、電極のパターンに対応した導電性膜を形成する工程と、入射光を電荷に変換し、電荷転送方向の幅が略同一である感光部を形成すべき領域が除去されたレジスト膜を形成する工程と、前記導電性膜の端面のうち、前記感光部を形成すべき領域と近接する部分が前記レジスト膜の端面と一致し、かつ前記感光部を形成すべき領域の端面より前記導電性膜の端面の幅が狭くなるように前記レジスト膜を用いて前記導電性膜にエッチングを行い、電極を形成する工程と、前記レジスト膜と前記電極とをマスクとして不純物イオンを注入し、前記感光部を形成すべき領域に逆導電型の不純物領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。（以下「本件第３発明」という）
【請求項４】　一導電型の半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第１の導電性膜の表面にレジストを塗布し、電極のパターンに対応した第１のレジスト膜を形成する工程と、前記第１のレジスト膜を用いて前記第１の導電性膜にエッチングを行い、前記電極のパターンに対応した第２の導電性膜を形成する工程と、前記第１のレジスト膜を除去した後、表面全体にレジストを塗布し、入射光を電荷に変換し、電荷転送方向の幅が略同一である感光部を形成すべき領域が除去された第２のレジスト膜を形成する工程と、前記第２の導電性膜の端面のうち、前記感光部を形成すべき領域と近接する部分が前記第２のレジスト膜の端面と一致し、かつ前記感光部を形成すべき領域の端面より前記第２の導電性膜の端面の幅が狭くなるように前記第２のレジスト膜を用いて前記第２の導電性膜にエッチングを行い、電極を形成する工程と、前記第２のレジスト膜と前記電極とをマスクとして不純物イオンを注入し、前記感光部を形成すべき領域に逆導電型の不純物領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。（以下「本件第４発明」という）
【請求項５】　前記逆導電型の不純物領域を含む前記電極で囲まれた領域に、不純物イオンを注入して一導電型の不純物領域を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
　（以下「本件第５発明」という）」
（３）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人松下電器産業株式会社は、証拠として甲第１乃至第２号証を提出し、本件第１乃至第２及び第５発明は、本件出願日前に出願され本件出願後に出願公開された特願平３−９３８８８号（特開平４−２１８９６６号公報参照）又は特願平３−１５６５４６号（特開平５−６９９２号公報参照）の願書に最初に添附した明細書又は図面に記載された発明と同一の発明であり、また本件第３乃至第４発明は、本件出願日前に出願され本件出願後に出願公開された特願平３−１５６５４６号（特開平５−６９９２号公報参照）の願書に最初に添附した明細書又は図面に記載された発明と同一の発明であると認められ、しかも、本件出願の発明者が上記の発明をしたものと同一であるとも、また、本件出願の時にその出願人が上記の出願人と同一であるとも認められないから、本件の請求項１乃至５に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
　また本件特許明細書には不備があり、特許法第３６条第５項の規定に違反して、特許を受けることができないものであると主張している。
（４）本件特許明細書の不備について
　異議申立人が、「請求項１，２，５の「前記導電性膜の端面」及び「前記不純物領域の端面より前記導電性膜の端面の幅」（請求項２については、「導電性膜」は、「第２の導電性膜」についての記述と認める）、請求項３，４，５の「前記感光部を形成すべき領域の端面」及び「前記感光部を形成すべき領域の端面より前記第２の導電性膜の端面の幅」が何を意味するのか不明であって、これらは発明の詳細な説明に記載されたものでなく、また発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものでもない。」と主張している点について検討する。
　上記「前記導電性膜（或いは第２の導電性膜）の端面」及び「前記不純物領域の端面より前記導電性膜（或いは第２の導電性膜）の端面の幅」については、発明の詳細な説明の段落００１０及び００１１に「導電性膜の端面のうち、不純物領域に近接した部分が除去されず、かつ不純物領域の端面より導電性膜の端面の幅が狭くなるように導電性膜にパターニングを行い電極を形成する工程」及び「第２の導電性膜の端面のうち不純物領域に近接した部分を覆った状態で、かつ不純物領域の端面より第２の導電性膜の端面の幅が狭くなるように電極のパターンに対応した第２のレジスト膜を形成する工程」と記載されており、段落００１５の「このため、端部においても十分な膜厚のマスクが得られ、導電性膜を不純物イオンが貫通して基板の表面部分まで到達することがなく、導電性膜の端面と不純物領域の境界とが上下に並んだ位置関係になる。」、段落００２２の「ここで、レジスト膜１５を用いてエッチングを行う場合に、等方性エッチングを行うと、多結晶シリコン膜１６の端面がレジスト膜１５の端面から後退する。この結果、ｎ型不純物領域１７の図中右側の端面と多結晶シリコン膜１５ａの端面とが上下に並ばず、両者の間に隙間が生じることになる。」、段落００２３の「この場合に、多結晶シリコン膜１６ａのうち、ｎ型不純物領域１７と近接している端部がエッチングにより除去されないように、レジスト膜２５ａで覆っておく必要がある。」及び図４の記載を参酌すれば、「前記導電性膜（或いは第２の導電性膜）の端面」及び「前記不純物領域の端面より前記導電性膜（或いは第２の導電性膜）の端面の幅」は、例えば甲第１号証に記載の表現に従えば「前記導電性膜（或いは第２の導電性膜）の側壁端」及び「前記不純物領域の側壁端より前記導電性膜（或いは第２の導電性膜）の側壁端の幅」の意味であることは当業者であれば直ちに理解し得る事項である。
また上記「前記感光部を形成すべき領域の端面」及び「前記感光部を形成すべき領域の端面より前記第２の導電性膜の端面の幅」についても、発明の詳細な説明の段落００１２及び００１３に「導電性膜の端面のうち感光部を形成すべき領域と近接する部分がレジスト膜の端面と一致し、かつ感光部を形成すべき領域の端面より導電性膜の端面の幅が狭くなるようにレジスト膜を用いて導電性膜にエッチングを行い、電極を形成する工程」及び「第２の導電性膜の端面のうち、感光部の領域と近接する部分が第２のレジスト膜の端面と一致し、かつ感光部を形成すべき領域の端面より第２の導電性膜の端面の幅が狭くなるように第２のレジスト膜を用いて第２の導電性膜にエッチングを行い、電極を形成する工程」と記載されており、段落００１５の「このため、端部においても十分な膜厚のマスクが得られ、導電性膜を不純物イオンが貫通して基板の表面部分まで到達することがなく、導電性膜の端面と不純物領域の境界とが上下に並んだ位置関係になる。」、段落００２９の「このレジスト膜１２５をマスクとして、多結晶シリコン膜１１６に対して再びエッチングが行われる。これにより、図８（ａ）及び（ｂ）に示されるように多結晶シリコン膜１１６ａの端面とレジスト膜１２５の端面とが一致した状態になる。」及び図８の記載を参酌すれば、「前記導電性膜の端面」及び「前記不純物領域の端面より前記導電性膜の端面の幅」は、例えば甲第１号証に記載の表現に従えば「前記導電性膜の側壁端」及び「前記不純物領域の側壁端より前記導電性膜の側壁端の幅」の意味であることは当業者であれば直ちに理解し得る事項である。
　したがって、請求項１、２、５の「前記導電性膜の端面」及び「前記不純物領域の端面より前記導電性膜の端面の幅」、請求項３、４、５の「前記感光部を形成すべき領域の端面」及び「前記感光部を形成すべき領域の端面より前記第２の導電性膜の端面の幅」の意味は明りょうであり、発明の詳細な説明に記載されたものであるから、本件特許明細書には不備はない。
（５）甲各号証記載の発明
　甲第１号証に係る、特願平３−９３８８８号（特開平４−２１８９６６号公報参照）の願書に最初に添附した明細書の段落０１６２〜段落０１８１には、
「【０１６２】
　図１６〜図１９に上記第１の実施例の固体撮像装置の断面工程図を示す。
　比抵抗２０オーム・ｃｍであるｎ型基板５の主面のほぼ全面にｐ型不純物であるボロンをイオン注入する。ここでボロンのイオン注入は、注入量約５×１０１１／ｃｍ２で行なう。このイオン注入によって基板５表面にボロンが導入される。
【０１６３】
　この後、基板５を熱処理することによってｐ層６を形成する。
　上記第２の実施例の固体撮像装置では、イオンを基板５表面に導入し、熱拡散させて不純物濃度が広範囲に分布するようにしている。すなわち基板５を高温で熱処理することによってイオン注入されたボロンを拡散させてｐ層６を形成する。
【０１６４】
　ｐ層６は、基板表面にイオンが導入されたが高温の熱処理によってイオンを広範囲に拡散させるため、不純物濃度はｐ層６の領域内で広範囲に分布するように形成させている。
【０１６５】
　この後、通常のフォトリソグラフィを用いて垂直ＣＣＤ転送チャネルとなる領域以外にレジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとしてボロンをイオン注入しｐ層８を形成する。
【０１６６】
　この後、先のレジストパターンを酸素系のガスを用いてドライエッチングを行い除去する。さらに再度、フォトリソグラフィを用いて垂直ＣＣＤ転送チャネルとなるｐ層８内のｎ層９を形成する領域以外にレジストパターンを形成する。
【０１６７】
　レジストパターンをマスクとしてリンをイオン注入しｎ層９を形成する。この後、レジストパターンを酸素系のドライエッチングを用いて除去する。
【０１６８】
　次に基板５主面に絶縁膜１２を熱酸化により形成する。ここでは、絶縁膜１２として酸化膜を用いている。
【０１６９】
　さらに、絶縁膜１２上に垂直ＣＣＤ転送電極１３となる電極材料を形成する。さらに、電極材料上にレジストを塗布する（図１６）。
【０１７０】
　次に、フォトリソグラフィを用いて転送電極１３となる領域より広い領域以外の領域、すなわち光電変換素子となるｎ層７が形成されるべき領域のレジストを通常のフォトリソグラフィを用いて除去し、レジストパターン２０を形成する。レジストパターン２０をマスクに電極材料にドライエッチングを施し、絶縁膜１２が露出するまでエッチングする。
【０１７１】
　次にレジストパターン２０および電極材料をマスクにさらに絶縁膜１２を保護膜としてリンのイオン注入を行なう。このイオン注入によって光電変換素子となるｎ層７が形成される（図１７）。
【０１７２】
　ここでリンのイオン注入は、加速エネルギ３６０〜８００ｋｅＶ、注入量１.２×１０１２〜３.４×１０１２／ｃｍ２で行なう。
【０１７３】
　以上のことから、従来のように光電変換素子に導入される不純物の導入量を増やす必要がない。導入量を増加させるためには、相当時間のロスを生じることとなる。このため固体撮像装置を形成する時のスループットが低下することがない。
【０１７４】
　また、導入された不純物を高温熱処理によって基板深部へ拡散させて、光電変換素子の体積を増加させる必要がない。このため高温熱処理によって誘起される基板内の欠陥が生じることがない。さらに、他の拡散層から不純物が拡散され、所望の不純物濃度をもたせるよう制御する必要がない。また、高温熱処理を行なうことで光電変換素子が拡散し広がって、垂直ＣＣＤ転送チャンネルや転送チャンネルと光電変換素子との間隙にまで拡散することがない。
【０１７５】
　また、光電変換素子の端部と垂直ＣＣＤ転送電極の端部との位置関係は、高温の熱処理を行なうことによって、その拡散層の位置を制御することが困難となることがない。このため両者の位置関係を容易に得ることができる。このことは固体撮像装置のブルーミング現象を生じることを防止でき、飽和特性が低下することによる画質の劣化をとどめることができる。
【０１７６】
　この後、レジストパターン２０を除去する。基板５表面には絶縁膜１２と転送電極１３より広い領域の電極材料が形成されている。次に、転送電極１３となる領域以外にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに電極材料をドライエッチングする。以上の工程で転送電極１３が形成される（図１８）。
【０１７７】
　この時、光電変換素子より電子が垂直ＣＣＤ転送チャンネルに読み出されるｎ層７とｐ層８の間隙上に転送電極１３が設けられていなければならない。このため転送電極１３作成時のドライエッチングでは、もともと光電変換素子となるｎ層７の側壁端と転送電極１３の側壁端が一致しているため、転送電極１３の一方の側壁端を短くして所定の長さに形成する。
【０１７８】
　次に、基板５主面に絶縁膜１２を堆積する。この転送電極１３とレジストパターンをマスクにボロンをイオン注入する。これによってｎ層７上に暗電流を防止するためのｐ層１０が形成される（図１９）。
【０１７９】
　なお、ここの説明はｎ型光電変換素子の例であったが、ｐ型光電変換素子の場合も同様の効果があることはもちろんである。
【０１８０】
　また、導電型の極性を逆にして印加電圧の極性を逆にしても同様の効果があることももちろんである。 
【０１８１】
　また、注入イオン種はここに上げた物に限定する必要がないのは当然である。」と記載されている。
　また図１６乃至１９及び図２４には、固体撮像装置が図示されている。
　甲第２号証に係る、特願平３−１５６５４６号（特開平５−６９９２号公報参照）の願書に最初に添附した明細書の段落００１１〜段落００１３には、
「【００１１】
　図１〜図６は、本発明の第１の実施例における固体撮像装置の製造方法の基本工程部分の断面図を示したものである。
【００１２】
　（１）　図１に示すように、ｎ基板１０１（不純物はリン；抵抗率１０１〜１０３Ω・ｃｍ）にボロンをイオン注入（ドーズ量Ｎ＝１０１１〜１０１３ｃｍ−２；加速エネルギー１００〜２００ｋｅＶ）後、熱拡散（温度Ｔｅ＝１１００〜１２００゜Ｃ；時間Ｔｉ＝５００〜１０００分）により高抵抗のｐウェル１０２を形成し、ｐウェル１０２表面の電荷転送チャネルとなる領域にリンまたはヒ素をイオン注入（ドーズ量Ｎ＝１０１１〜１０１３ｃｍ−２；加速エネルギー５０〜２００ｋｅＶ）して高抵抗のｎ領域１０３を形成する。
（２）　図２に示すように、ｐウェル１０２表面に読みだしチャネルとなる領域にボロンをイオン注入（ドーズ量Ｎ＝１０１１〜１０１３ｃｍ−２；加速エネルギー３０〜２００ｋｅＶ）してｐ領域１０４を形成し、チャネルストップとなる領域にボロンをイオン注入（ドーズ量Ｎ＝１０１１〜５ｘ１０１３ｃｍ−２；加速エネルギー３０〜２００ｋｅＶ）してｐ領域１０５を形成する。
（３）　図３に示すように、半導体表面に熱酸化により絶縁膜１０６を形成した後、ポリシリコンを堆積し、読みだしゲート電極を兼ねる電荷転送電極となる領域を残してポリシリコンをプラズマ・エッチングし読みだしゲート電極を兼ねる電荷転送電極１０７の概略を形成する。このとき、読みだしゲート電極の一部１１２を後で形成する光電変換領域上に残しておく。
（４）　図４に示すように、光電変換領域に開口部を持つレジスト１１０を形成後、読みだしゲート電極を兼ねる電荷転送電極１０７の一部１１２をプラズマ・エッチングし、レジスト１１０と読みだしゲート１０７をマスクとしてゲートエッジ１１１にセルフアラインにリンを２００ＫｅＶ以上の加速エネルギーでイオン注入（ドーズ量Ｎ＝１０１１〜１０１３ｃｍ−２）し光電変換領域となる高抵抗のｎ領域１０８を形成する。
（５）　図５に示すように、読みだしゲート電極のゲートエッジ１１１にセルフアラインにボロンをイオン注入（ドーズ量Ｎ＝１０１３〜１０１５ｃｍ−２；加速エネルギー２０〜１００ｋｅＶ）して暗電流抑制の為のｐ領域１０９を形成する。
【００１３】
　　以上の製造方法により、図５に示すように、高抵抗のｎ領域１０８とｐ領域１０９が読みだしゲート電極１０７のゲートエッジ１１１にセルフアラインに形成されるので、高精度の寸法制御が可能になり、微細化に有利となる。」と記載され、段落００２１〜段落００２２には、
「【００２１】
　図１９〜図２４は、本発明の第５の実施例における固体撮像装置の製造方法の基本工程部分の断面図を示したものである。
（１）　図１９に示すように、ｎ基板４０１上の高抵抗のｐウェル４０２表面に電荷転送チャネルとなる高抵抗のｎ領域４０３を形成する。
（２）　図２０に示すように、ｐウェル４０２表面にｐ領域４０４とチャネルストップとなるｐ領域４０５を形成する。
（３）　図２１に示すように、半導体表面に３層絶縁膜４０６（ＳｉＯ２−４０６ａ、ＳｉＮＸ−４０６ｂ、ＳｉＯ２−４０６ｃ）を形成した後、ポリシリコン４０７を堆積により形成する。
（４）　図２２に示すように、ｎ領域４０８を導入すべき領域上のレジストを除去したレジスト４１１を形成後、レジスト４１１をマスクとしてポリシリコン４０７と絶縁膜４０６ａ、４０６ｂエッチングし、ポリシリコン４０７のエッジ４１２にセルフアラインに、リンを２００ＫｅＶ以上のエネルギーでイオン注入し光電変換領域となる高抵抗のｎ領域４０８を形成する。
（５）　図２３に示すように、読みだしゲート電極を兼ねる電荷転送電極を形成する領域にレジスト４１０を形成後、レジスト４１０をマスクとしてポリシリコン４０７と絶縁膜４０６ａ、４０６ｂをエッチングする。この際、読みだし電極のゲートエッジ４１２はレジストに覆われておりエッチングされない。
（６）　図２４に示すように、読みだしゲート電極のゲートエッジ４１２にセルフアラインにボロンをイオン注入しｐ領域４０９を形成する。
【００２２】
　　以上の製造方法により、図２４に示すように、高抵抗のｎ領域４０８とｐ領域４０９が読みだしゲート電極のゲートエッジ４１２にセルフアラインに形成されるので、高精度の寸法制御が可能になり、微細化に有利となる。さらに、光電変換部表面のＳｉＮＸ４０６ｂを除去する事により、暗電流防止の為の水素シンターを容易にする事ができる。」と記載されている。
　また図１乃至６及び図１９乃至２４には、固体撮像装置が図示されている。
（５）対比・判断
＜本件第１発明について＞
　本件第１発明と特願平３−９３８８８号の願書に最初に添附した明細書に記載された発明（以下引用第１発明という。）及び特願平３−１５６５４６号の願書に最初に添附した明細書に記載された発明（以下引用第２発明という。）とを対比すると、引用第１乃至第２発明には、本件第１発明の必須の構成要件である、「前記導電性膜の端面のうち、前記不純物領域に近接した部分が除去されず、かつ前記不純物領域の端面より前記導電性膜の端面の幅が狭くなるように前記導電性膜にパターニングを行」う点について記載されていない。
　したがって、本件第１発明が引用第１乃至第２発明と同一の発明であるとすることはできない。
＜本件第２発明について＞
　本件第２発明と引用第１乃至第２発明とを対比すると、引用第１乃至第２発明には、本件第２発明の必須の構成要件である、「前記第２の導電性膜の端面のうち、前記絶縁膜を介して前記不純物領域に近接した部分を覆った状態で、かつ前記不純物領域の端面より前記第２の導電性膜の端面の幅が狭くなるように電極のパターンに対応した第２のレジスト膜を形成する工程」の点について記載されていない。
　したがって、本件第２発明が引用第１乃至第２発明と同一の発明であるとすることはできない。
＜本件第３乃至４発明について＞
　本件第３乃至４発明と引用第２発明とを対比すると、引用第２発明には、本件第３乃至４発明の必須の構成要件である、「前記導電性膜の端面のうち、前記感光部を形成すべき領域と近接する部分が前記レジスト膜の端面と一致し、かつ前記感光部を形成すべき領域の端面より前記導電性膜の端面の幅が狭くなるように前記レジスト膜を用いて前記導電性膜にエッチングを行い、電極を形成する工程」の点について記載されていない。
　したがって、本件第３乃至４発明が引用第２発明と同一の発明であるとすることはできない。
＜本件第５発明について＞
　本件第５発明は、本件第１乃至第４発明の構成を前提とするものであるから本件第１乃至第４発明と同様の理由により、本件第５発明が引用第１乃至第２発明と同一の発明であるとすることはできない。
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至５に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至５に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月２２日（２００１．６．２２）