【事件の表示】
　特許第２９０８１５０号「ＳＯＩ基板構造及びその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０８１５０号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許２９０８１５０号に係る発明についての出願は、平成４年１１月２７日に出願され、平成１１年４月２日に設定登録されたが、その後請求項１に係る発明に対して異議の申立があり、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年５月１６日に訂正請求がなされた後、この訂正請求に対して訂正拒絶理由が通知されたものである。
　
２．訂正の適否について
（２−１）訂正の内容及び目的
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における「リンの高濃度層又は、格子欠陥層又は、格子不整合層」，「前記リン高濃度層又は、前記格子欠陥層又は、前記格子不整合層」をそれぞれ「格子不整合層」，「前記格子不整合層」に訂正することは、特許請求の範囲の減縮に該当し、また、「２酸化シリコン層」を「二酸化シリコン層」に訂正することは、誤記の訂正に該当し、それぞれ願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　さらに、明細書【００１４】を「本発明のＳＯＩ基板の製造方法は、素子形成を行う活性層側の第１の単結晶シリコン基板の全面に格子不整合層からなる単結晶の層を形成する工程と、前記格子不整合層からなる前記単結晶の層の表面に二酸化シリコン層を形成する工程と、前記二酸化シリコン膜と支持側の第２の単結晶シリコン基板とをつきあわせて接着し、加熱処理を行う接着工程と、前記活性層側の第１の単結晶シリコン基板を所定の厚さまで研削・研磨する工程とを有することを特徴とする。」に訂正することは、請求項１の訂正と整合を図るためのものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（２−２）本件訂正発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】素子形成を行う活性層側の第１の単結晶シリコン基板の全面に格子不整合層からなる単結晶の層を形成する工程と、前記格子不整合層からなる前記単結晶の層の表面に二酸化シリコン層を形成する工程と、前記二酸化シリコン膜と支持側の第２の単結晶シリコン基板とをつきあわせて接着し、加熱処理を行う接着工程と、前記活性層側の第１の単結晶シリコン基板を所定の厚さまで研削・研磨する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
　
（２−３）引用刊行物に記載された発明
　本件訂正発明に対して、訂正拒絶理由通知書において引用した刊行物１（甲第１号証：特開平４−１１６８１６号公報）は、接合ウエーハ及びその製造方法に関するものであり、以下の点が第１図及び第２図と共に記載されている。
「第２半導体ウエーハの鏡面研磨された面に熱酸化誘起積層欠陥のための前処理を行なった後、第２半導体ウエーハに熱酸化膜を形成させ、次いで第１半導体ウエーハの鏡面研磨された面に前記第２半導体ウエーハの処理面側を前記熱酸化膜を介して重ね合わせた後、これら第１、第２半導体ウエーハを加熱して両者を接合することを特徴とする接合ウエーハの製造方法」（第１頁左下欄第１０〜１７行：請求項２）
「本発明は、ゲッター効果を有する直接接合ウエーハ、または誘電体層を介在するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造の接合ウエーハ及びその製造方法に関する。」（第１頁右下欄第１２行〜第１５行）
「本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的は２枚のウエーハを接合することによりｎ／ｎ＋又はｐ／ｐ＋の段階的接合又はＳＯＩ構造を形成するとともに、この接合前に一方のウエーハ表面にゲッター効果を与える積層欠陥（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ）を作り込むことにより、優れたゲッター効果を有するｎ／ｎ＋又はｐ／ｐ＋の段階的接合又はＳＯＩ構造の接合ウエーハを提供することにある。」（第２頁右下欄第９〜１７行）
　「本発明の接合ウェーハにおいては、第２半導体ウェーハと絶縁層との界面に積層欠陥の薄層が形成されているために、この積層欠陥が不純物原子の沈着場所となり、ゲッタリング中心となる。」（第３頁右上欄第３〜６行）
「熱酸化誘起積層欠陥のための前処理を行い、ウエーハ表面にミクロクラックを含む微小結晶欠陥を形成し、次いで、この基板が熱処理を受けると、この微小欠陥部分に積層欠陥（ＯＳＦ・・・）が導入される」（第３頁右上欄第１９行〜左下欄第４行）
　「当該積層欠陥が導入された面を研磨して積層欠陥の薄層を残すようにすると、積層欠陥のゲッタリング能を所定の範囲に制御することが容易になる」（第３頁左下欄第１１〜１４行）
「前述の熱酸化誘起積層欠陥のための前処理としての微小結晶欠陥の形成には、サンドプラスト、イオン打ちこみ等の機械的または物理的な方法が用いられる。」（第３頁左下欄第１９行〜右下欄第２行）
「まず、素子形成面となるべきＳｉボンドウエーハ１（第２半導体ウエーハ）の鏡面研磨された面に熱酸化誘起積層欠陥のための前処理を行なう（第２図（ａ）参照）。この処理はサンドプラスト、イオン打込み等により鏡面研磨された面にミクロクラックを含む微小結晶欠陥を発生させるものである。次に熱処理を行う。この熱処理によりミクロクラックを含む微小結晶欠陥の部分に第２図（ｂ）に示すように積層欠陥（ＯＳＦ・・・）が導入される。・・・特に第２半導体ウエーハの表面に前処理を行ない、熱酸化膜を形成と同時に積層欠陥を発生させ・・・る場合には、前処理によって表面粗さを乱さないように配慮することが必要である。次に、積層欠陥が導入された面を研磨により除去し、第２図（ｃ）に示すように積層欠陥の一部を残す。・・・その後、酸化処理して厚さ約５００ｎｍの熱酸化膜を形成し、一方、このボンドウエーハ１の他にベース材となるべき同じく単結晶のＳｉベースウエーハ２を用意する。・・・積層欠陥の・・・深さは、接合ウェーハの活性領域の単結晶厚さの１０分の１以下にするのがよい。次に、第２図（ｅ）に示すように、ベースウエーハ２の上にボンドウエーハ１を重ね合わせて一体化し、これら一体化されたウエーハ１，２をＮ２雰囲気中または酸化性雰囲気中で約１１００℃の温度で約１２０分間熱酸化処理する・・・次に、上記接合一体化されたウエーハ１，２は冷却されて第２図（ｇ）に示すようにその上層のボンドウエーハ１の表面が・・・所定の厚さｔ１（例えば、６μｍ）になるまでプレ研磨（１次研磨）される・・・プレ研磨された厚さｔ１のボンドウエーハ１（第２図（ｇ）参照）は、２次研磨によって厚さｔ２（例えば、３μｍ）まで研磨されて薄膜化され、これによって第２図（ａ）〔第２図（ｈ）の誤記と判断される〕に示すような接合ウエーハ５が得られる。第２図（ｂ）〔第２図（ｈ）の誤記と判断される〕及び第１図に示す接合ウエーハ５はＳＯＩ構造を有し、かつ、ゲッター効果に優れたものである。」（第４頁左上欄第４行〜右下欄第１１行）
　以上の記載から、刊行物１には、「素子形成面及び活性領域となるべき単結晶のＳｉボンドウェーハ１の全面に積層欠陥の薄層を形成する工程と、前記積層欠陥の薄膜の表面に熱酸化膜を形成する工程と、前記熱酸化膜と単結晶のＳｉベースウェーハ２とを重ね合わせた後、加熱して両者を接合する工程と、ボンドウェーハ１を所定の厚さまで研削・研磨する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ構造の接合ウェーハの製造方法。」が記載されている。
　
　同じく刊行物５（甲第５号証：［最新版］超ＬＳＩプロセスデータハンドブック（１９９０年３月３１日株式会社サイエンスフォーラム発行）第３８６−３９８頁）は、欠陥制御技術について説明したものであり、第３８９頁の「図−７」には「各種のゲッタリング法」として「イオン注入」、「積層欠陥」及び「格子不整合転位」が記載されており、第３９５頁の左欄には「例えばＳｉＨ４に０．５〜２％のＧｅＨ４ を混入してＧｅドープのエピ層を形成し、次いでノンドープエピ層を成長させる。その結果、エピ層と基板の界面に格子不整合による転位が１０８〜１０１０／ｃｍ２も誘起され、強力なゲッタリング効果をもたらす。」と記載されている。
　
（２−４）本件訂正発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　本件訂正発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明の「素子形成面及び活性領域となるべき単結晶のＳｉボンドウェーハ１」、「熱酸化膜」、「単結晶のＳｉベースウェーハ２」、「重ね合わせた後、加熱して両者を接合する工程」、「ＳＯＩ構造の接合ウェーハ」は、それぞれ本件訂正発明の「素子形成を行う活性層側の第１の単結晶シリコン基板」、「二酸化シリコン層（膜）」、「支持側の第２の単結晶シリコン基板」、「つきあわせて接着し、加熱処理を行う接着工程」、「ＳＯＩ基板」に相当する。また、刊行物１に記載された発明の「積層欠陥の薄膜」も、本件訂正発明の「格子不整合層からなる単結晶の層」も、どちらもゲッタリング層である。
　したがって、両者は「素子形成を行う活性層側の第１の単結晶シリコン基板の全面にゲッタリング層を形成する工程と、前記ゲッタリング層の表面に二酸化シリコン層を形成する工程と、前記二酸化シリコン膜と支持側の第２の単結晶シリコン基板とをつきあわせて接着し、加熱処理を行う接着工程と、前記活性層側の第１の単結晶シリコン基板を所定の厚さまで研削・研磨する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点：ゲッタリング層が、本件訂正発明では、格子不整合層からなる単結晶の層であるのに対して、刊行物１記載の発明では、積層欠陥の薄膜である点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物５には、ゲッタリング法として「イオン注入」、「積層欠陥」と共に「格子不整合」を用いることが記載されている。そして、刊行物１におけるゲッタリング法として格子不整合を用いることに、格別の阻害要因もない。したがって、刊行物１におけるゲッタリング法として積層欠陥に代えて格子不整合を用いた点に格別の困難性はない。
　また、効果についても格別のものは認められない。
　ゆえに、本件訂正発明は、刊行物１，５から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２−５）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第３項の規定を適用し、これを認めることができない。
　
３．特許異議申立について
（３−１）本件発明
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】素子形成を行う活性層側の第１の単結晶シリコン基板の全面にリンの高濃度層又は、格子欠陥層又は、格子不整合層からなる単結晶の層を形成する工程と、前記リン高濃度層又は、前記格子欠陥層又は、前記格子不整合層からなる前記単結晶の層の表面に２酸化シリコン層を形成する工程と、前記二酸化シリコン膜と支持側の第２の単結晶シリコン基板とをつきあわせて接着し、加熱処理を行う接着工程と、前記活性層側の第１の単結晶シリコン基板を所定の厚さまで研削・研磨する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
　
（３−２）引用刊行物に記載された発明
　本件発明に対して、取消理由通知書において引用した刊行物１及び刊行物５には、前記（２−３）記載の発明が記載されている。
　
（３−３）本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　本件発明の択一的構成要件である「リンの高濃度層又は、格子欠陥層又は、格子不整合層」の内「格子不整合層」を選択した場合、本件訂正発明と同じ構成になる。したがって、前記（２−４）記載の理由により、本件発明は、刊行物１，５から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−４）むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年９月１９日（２０００．９．１９）