【事件の表示】
　特許第２７４３４１５号「薄膜トランジスタ」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７４３４１５号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本件特許第２７４３４１５号の請求項１乃至２に係る発明についての出願は、昭和６３年１１月３０日に出願され、平成１０年２月１０日にその特許の設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社及び富士通株式会社より特許異議の申立てがなされ、平成１１年６月１８日付けで取消理由通知がなされ、更に再度平成１２年７月２８日付けで取消理由通知がなされたものである。
　そして、その請求項１乃至２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された次のとおりのものである。
　「１．絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコンからなる活性層の順に形成されるとともにソース電極およびドレイン電極が前記活性層上に形成され、前記活性層表面を保護するように前記活性層に接触して形成され窒素原子とシリコン原子とが一様の濃度で分布した窒化シリコンからなる表面保護絶縁膜を有する薄膜トランジスタにおいて、該表面保護絶縁膜中の窒素原子とシリコン原子との比Ｎ／Ｓｉを１．０以上としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。（以下、本件第１発明という）
　２．該表面保護絶縁膜の膜厚が１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ。（以下、本件第２発明という）」
２．申立ての理由の概要
　申立人シャープ株式会社は、甲第１号証（特開昭６０−１６０１７３号公報）、甲第２号証（特開平２−２７７７１号公報）及び甲第３号証（特開昭６２−１７１１６０号公報）を提出して次のように主張している。
　本件第１発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるか甲第２号証に係る特願昭６３−１７７６６７号の願書に最初に添付した明細書又は図面記載された発明と同一であり、本件第２発明は、甲第１号証及び甲第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって、本件第１発明は、特許法第２９条第２項又は特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものでありまた本件第２発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきものである。
　本件第１乃至第２発明は、甲第１乃至第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件第１乃至第２発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべきものである。
３．平成１２年７月２８日付けの取消理由通知の概要は、次のとおりである。
「１．請求項１に係る発明について
（１）下記刊行物１には、窒化シリコンからなる表面保護絶縁膜を有する本件発明と同様な薄膜トランジスタが記載されている。そして、下記刊行物４のＦＩＧＵＲＥ４を参酌すれば、光学的バンドギャップ４．９ｅＶより大きな値がＳｉ／Ｎ比で約０．９より小、Ｎ／Ｓｉ比で約１．１より大であることから、請求項１に係る発明は、下記刊行物１に記載された発明と同一であると認められる。
　したがって、本件の請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
（２）下記刊行物２、３には、窒化シリコンからなる表面保護絶縁膜を有する本件発明と同様な薄膜トランジスタが記載されている。そして、トランジスタ特性の変動を安定化するため下記刊行物１に開示の窒化シリコンからなる表面保護絶縁膜を採用することは、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本件の請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。　
２．請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、下記刊行物１又は下記刊行物２、３、１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（下記刊行物１には、３００ｎｍ（３０００Å）の絶縁膜が、下記刊行物２には、２００（２０００Å）ｎｍの絶縁膜がそれぞれ例示されている。表面保護絶縁膜膜厚を表面保護を確実にするため、ある程度以上厚くすることは、当業者にとって周知・慣用技術である。）
　したがって、本件の請求項２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。　
                            記
刊行物１　
 特開昭６２−１５８５７号公報
[特許請求の範囲の記載、第１、２図及び公報中の関連記載、公報２頁右上欄１６行〜左下欄２行及び３頁左上欄１０〜１１行（パッシベーション膜への適用の点）の記載に注意]
刊行物２  
 特開昭６１−５８２７１号公報
刊行物３  
 特開昭６０−１６０１７３号公報
刊行物４（異議申立人富士通株式会社の提出した甲第４号証参照）
４．平成１２年７月２８日付けの取消理由通知についての検討
（１）引用例
＜刊行物１＞
　刊行物１には、ａ−Ｓｉ　ＴＦＴについての発明が第１乃至３図とともに開示されている。
　また刊行物１には、次のように記載されている。
「（１）基板の一主面上に、互いに接して成る半導体層と絶縁膜を一部の構成体として有し、前記絶縁膜が、４．９ｅＶより大きな値の光学的エネルギーバンドギャッブを有するところのプラズマ化学気相堆積法によって作製されたシリコン窒化膜であることを特徴とする能動素子。
（２）絶縁膜が、電界効果トランジスタのゲ−ト絶縁膜である特許請求の範囲第１項記載の能動素子。
（３）半導体層が非晶質シリコン膜である特許請求の範囲第１項記載の能動素子。
（４）半導体層が、プラズマ化学気相堆積法によって作製された非晶質シリコン膜である特許請求の範囲第１項記載の能動素子。」（特許請求の範囲）
「第２図に、ａ−Ｓｉ　ＴＦＴの一実施例の要部構造断面図を示す。絶縁基板３上に・・・導電体をゲート電極４として選択的に形成する。・・・ゲート絶縁膜として・・・３０００Å程度の膜厚のＳｉＮｘ膜と・・・。ａ−Ｓｉ膜パターン２とＡｌ，ＭｏＳｉ等の導電体からなる選択的に被着形成されたソース・ドレイン電極５，６の間に、リン等の不純物を含むｎ＋型ａ−ＳｉｉＨ膜７を膜厚５００Å程度選択的に残してａ−Ｓｉ　ＴＦＴが製作される。」（公報２頁左上欄２０行〜右上欄１４行）
「本発明による、Ｅｇ・ｏｐｔが５ｅＶ±０．１ｅＶより大きなプラズマＣＶＤ法で作製されたＳｉＮｘ膜は、前述した様に界面付近の単位密度が小さく、能動素子の層間絶縁膜やパッシべ−ション膜としてすぐれていると考えられる。更に、ａ−ＳｉｉＨ膜と組合せて、ゲート絶縁膜やパッシベーション膜として本発明のＳｉＮｘを用いたＴＦＴは、従来報告されているものに比べ、１０００倍以上の寿命を有する。」（公報３頁左上欄７〜１５行）
以上まとめると刊行物１には、次のような発明が記載されている。
「絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコンからなる活性層の順に形成されるとともにソース電極およびドレイン電極がリン等の不純物を含むｎ＋型ａ−ＳｉｉＨ膜７を介して前記活性層上に形成され、前記活性層表面を含む薄膜トランジスタの表面を保護するようにＳｉＮｘ膜からなる表面保護絶縁膜を有する薄膜トランジスタにおいて、Ｅｇ・ｏｐｔが５ｅＶ±０．１ｅＶより大きなプラズマＣＶＤ法で作製されたＳｉＮｘ膜（窒化シリコン膜）としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。」
＜刊行物３＞
  刊行物３の第１図には、従来のＴＦＴの構造を示す断面図が開示され、１頁左下欄２０行〜右下欄６行には、「まず、従来の一般的なＴＦＴの構造及びその形成法について第１図とともに説明する。・・・、さらに保護層７、・・・を順次堆積することによりＴＦＴが作成される。」と記載されている。
＜刊行物４＞
　刊行物４には、光学的バンドギャップとＳｉ／Ｎ比との関係を示すグラフが開示されている。
特にＦＩＧＵＲＥ１ｂには、ＰＥＣＶＤ　ＳｉＮについて、ＮＨ３／ＳｉＨ４ガス比とＳｉ／Ｎ原子比との関係が図示されており、ＦＩＧＵＲＥ４にはＳｉ／Ｎ原子比とＯＰＴＩＣＡＬ　ＢＡＮＤ　ＧＡＰ（ｅＶ）との関係が図示されている。同図から、ＯＰＴＩＣＡＬ　ＢＡＮＤ　ＧＡＰが４．９のときＳｉ／Ｎ原子比が０．９程度であることが読み取れる。（Ｓｉ／Ｎ原子比が０．９程度は、Ｎ／Ｓｉ原子比でいえば１．１程度であることが読み取れる。）
（２）対比・判断
＜本件第１発明について＞
　本件第１発明と刊行物１記載の発明を対比すると、刊行物１記載の発明のソース・ドレイン電極５，６及びその下のリン等の不純物を含むｎ＋型ａ−ＳｉｉＨ膜７は、本件第１発明のソース・ドレイン電極に相当する。
また本件第１発明の窒化シリコンからなる絶縁膜も刊行物１記載の発明のＳｉＮｘ膜（窒化シリコン膜）もともにプラズマＣＶＤ法により形成されるものであり（本件第１発明については、本件特許公報第４欄３１行〜３４行参照）、しかも刊行物１にはＳｉＮｘ膜（窒化シリコン膜）を窒素原子とシリコン原子とが不均一の濃度で分布させる旨の特段の記載もないから、両者ではともに窒素原子とシリコン原子とが一様の濃度で分布しているものと認められる。よって、両者は、
「絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコンからなる活性層の順に形成されるとともにソース電極およびドレイン電極が前記活性層上に形成され、薄膜トランジスタの表面を保護するように、窒素原子とシリコン原子とが一様の濃度で分布した窒化シリコンからなる表面保護絶縁膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。」の点で一致し、次の２点で一応相違している。
　本件第１発明では、絶縁膜中の窒素原子とシリコン原子との比Ｎ／Ｓｉを１．０以上とした窒化シリコンからなる絶縁膜であるのに対し、刊行物１記載の発明では、Ｅｇ・ｏｐｔが５ｅＶ±０．１ｅＶより大きな窒化シリコンからなる絶縁膜である点（第１の相違点）。
  本件第１発明では、窒化シリコンからなる絶縁絶縁膜が活性層表面を保護するように前記活性層に接触して形成されているのに対し、刊行物１記載の発明では、上記絶縁膜が、薄膜トランジスタの表面を保護するように接触して形成されているが、活性層表面を保護するように活性層表面に接触するように形成されているかどうか明記されてない点（第２の相違点）。
（相違点についての判断）
　第１の相違点について検討する。
  刊行物４のＰＥＣＶＤ　ＳｉＮについてのＳｉ／Ｎ原子比とＯＰＴＩＣＡＬ　ＢＡＮＤ　ＧＡＰ（ｅＶ）との関係を参酌すれば、Ｅｇ・ｏｐｔが５ｅＶ±０．１ｅＶより大きい即ちＥｇ・ｏｐｔが４．９ｅＶより大きい場合には、Ｓｉ／Ｎ原子比が０．９程度より小さいこと、Ｎ／Ｓｉ原子比でいえば１．１程度より大きいことが理解される。
よって、刊行物１記載の発明の窒化シリコンからなる絶縁膜は、Ｎ／Ｓｉ原子比でいえば１．１程度より大きいのであるから、本件第１発明の絶縁膜中の窒素原子とシリコン原子との比Ｎ／Ｓｉを１．０以上としたシリコン窒化膜と実質において相違するところはない。
　次に第２の相違点について検討する。
  薄膜トランジスタの表面に直接保護絶縁膜を設けることは、刊行物３にも示されているように周知の技術事項である。そして薄膜トランジスタの表面に直接保護絶縁膜を設ける場合、通常はソース・ドレイン間で露出している活性層の表面にも接触して形成されることになり、本件第１発明と同様の構成となる。しかも刊行物１には、保護絶縁膜が活性層に接触して形成されることにより支障となる旨の特段の記載はなく、むしろ刊行物１によれば、推奨されるべき旨が読み取れる。
　したがって、刊行物１記載の薄膜トランジスタにおいても、表面保護絶縁膜は活性層表面を保護するように接触して形成されているといえる。
　よって両者は、「絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコンからなる活性層の順に形成されるとともにソース電極およびドレイン電極が前記活性層上に形成され、前記活性層表面を保護するように前記活性層に接触して形成され窒素原子とシリコン原子とが一様の濃度で分布した窒化シリコンからなる表面保護絶縁膜を有する薄膜トランジスタにおいて、該表面保護絶縁膜中の窒素原子とシリコン原子との比Ｎ／Ｓｉを１．０以上としたことを特徴とする薄膜トランジスタ」の点で一致し、相違点はない。
＜本件第２発明について＞
  本件第２発明は、本件第１発明の構成に加えて表面保護絶縁膜の膜厚が１００ｎｍ以上である点（第３の相違点）を限定するものである。
　本件第２発明と刊行物１記載の発明とを＜本件第１発明について＞の項の検討結果を参酌して対比すると、両者は、
「絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコンからなる活性層の順に形成されるとともにソース電極およびドレイン電極が前記活性層上に形成され、前記活性層表面を保護するように前記活性層に接触して形成され窒素原子とシリコン原子とが一様の濃度で分布した窒化シリコンからなる表面保護絶縁膜を有する薄膜トランジスタにおいて、該表面保護絶縁膜中の窒素原子とシリコン原子との比Ｎ／Ｓｉを１．０以上としたことを特徴とする薄膜トランジスタ」の点で一致し、上記第３の相違点で相違している。
（相違点についての判断）
  刊行物１には、窒化シリコンからなる表面保護絶縁膜の膜厚として３００ｎｍ（３０００Å）程度のものが開示されており、表面保護絶縁膜による表面保護を確実にするため、ある程度以上厚くすることは、当業者にとって周知・慣用技術であることに照らせば、表面保護絶縁膜の膜厚を１００ｎｍ以上とすることは、当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
５．むすび
  以上のとおりであるから、本件第１発明は刊行物１記載の発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、また本件第２発明は刊行物１記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１２月５日（２０００．１２．５）