【事件の表示】
　特許第２８６６１８６号「電磁界強度測定装置」の請求項１乃至５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８６６１８６号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　本件特許第２８６６１８６号の出願は、平成２年１１月５日に出願され、平成１０年１２月１８日に設定登録され、その後、その請求項１乃至５に係る特許について特許異議申立人宇都宮嘉宏より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月８日付けで意見書が提出されたものである。
　そして請求項１乃至５に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　
【請求項１】光透過方向に直線偏光されたコヒーレントな測定光が入射される偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタを通過した測定光が光伝達手段を介して入射され、この入射測定光の強度を電磁界強度に応じて変調し、再度前記光伝達手段に向け出力するセンサ手段と、前記偏光ビームスプリッタと光伝達手段との間に設けられ、通過する測定光の偏波面を通過方向に対し所定角度回転させる偏波面回転手段と、前記偏光ビームスプリッターにより反射される前記センサ手段からの測定光の強度に基づき、電磁界測定場内における電磁界強度を演算する電磁界強度演算手段と、を含み、前記センサ手段は、一端を測定光入射部とし他端を測定光反射部とする導波路を有し、前記導波路の一部に測定光を変調する光強度変調部が形成された導波路型の光集積回路と、前記電磁界測定場における電磁界の強度に応じた電圧を出力するアンテナ部と、前記アンテナ部から出力される電圧を前記光強度変調部位置の導波路に集中して印加する複数の光強度変調部電極と、を含むことを特徴とする電磁界強度測定装置。
【請求項２】請求項１において、前記偏波面回転手段は、通過する測定光の偏波面を通過方向に対し45度回転させることを特徴とする電磁界強度測定装置。
【請求項３】請求項１、２のいずれかにおいて、前記光伝達手段は、偏波面保存光ファイバを用いて形成したことを特徴とする電磁界強度測定装置。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかにおいて、前記導波路は、分岐合波部で分岐された第１の変調用導波路および第２の変調用導波路を含み、前記測定光反射部は、前記第１の変調用導波路および第２の変調用導波路の他端にそれぞれ形成され、前記複数の光強度変調部電極は、前記第１の変調用導波路及び第２の変調用導波路に、電気力線の方向が略逆向きとなるように、前記アンテナ部から出力される電圧を印加することを特徴とする電磁界強度測定装置。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかにおいて、前記電磁界強度演算手段は、前記分岐された前記測定光を電気的な測定信号に変換する手段と、測定信号から直流成分信号を抽出する手段と、前記測定信号から測定対象とする周波数成分の信号を抽出する手段と、抽出された測定対象周波数成分信号から、前記直流成分信号を用いて外乱成分を除去し、電磁界強度を演算する手段と、を含むことを特徴とする電磁界強度測定装置。
（以下それぞれ、本件発明１、本件発明２、本件発明３、本件発明４、本件発明５という。）　
２．取消理由通知の概要
　本件発明１乃至５は、下記の刊行物１乃至３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　　記
刊行物１：特開昭６０−２６３８６６号公報
刊行物２：特開昭６２−４２１１３号公報
刊行物３：特開平２−１８４７７２号公報
　
３．刊行物の記載事項
　刊行物１には図面とともに以下の事項が記載されている。
「電界により光の偏光成分に位相差が生じるポッケルス効果を有するポッケルス素子を用いてなる光電界センサにおいて、光ファイバの先端に偏光子、前記ポッケルス素子、１／８波長板および反射鏡からなるセンサ部を設け、光ファイバによって光源からの光を前記ポッケルス素子に伝搬するとともに前記ポッケルス素子を通過して前記反射鏡で反射されて再び前記ポッケルス素子を通過した光を受光部に伝搬する構成としたことを特徴とする光電界センサ」（特許請求の範囲）
「第２図は、本発明の光電界センサの一実施例を示す構成図である。第２図において、１はＬＥＤ等からなる光源で、光源１からの光は結合器６ａ、ハーフミラー７、結合器６ｂを経て光ファイバ８に入射し、光ファイバ８を通過した光は、結合器６ｃを経てセンサ部の偏光子として用いた偏光ビームスプリッタ９に入射して直線偏光となって電界Ｅを印加してある・・・単結晶よりなるポッケルス素子３を通過する。ポッケルス素子３の屈折率楕円体主軸（ｘ、ｙ座標）は、直線偏光面に対して４５゜傾けて設置してあるので、ポッケルス素子を通過する光の直交成分の間に下式のように電界Ｅに比例して位相δが生じる。
　Ｅｘ＝Ａcos（ωt＋δ／２）
　　　　　　　　　　　　　　・・・（１）
　Ｅｙ＝Ａcos（ωt−δ／２）
この透過光は、１／８波長板１０を通過し、反射鏡１１で反射されて再び１／８波長板１０を通過し、直交成分に９０゜の位相差を生じ、下式の成分となる。
　Ｅｘ'＝Ａcos（ωt＋δ／２）
　　　　　　　　　　　　　　　・・・（２）
　Ｅｙ'＝Ａsin（ωt−δ／２）
この反射光が再度ポッケルス素子を通過し、
　Ｅｘ''＝Ａcos（ωt＋δ）
　　　　　　　　　　　　　・・・（３）
　Ｅｙ''＝Ａsin（ωt−δ）
となる。
　この光が、偏光ビームスプリッタを通過するが、その成分の強度は、
Ｐ＝Ａ／２（１−sin２δ）≒（１／２−δ）Ａ・・・（４）
となり、この光は光ファイバ８へ戻り、結合器６ｂ、ハーフミラー７、結合器６ｂを介して受光素子１２に入射して検出される。検出光強度は増幅器１３で増幅後、フィルタ１４により交流成分と直流成分とに分離され、割算器１５によって（交流成分／直流成分）が割算され、割算器１５によりδに比例した出力、すなわち、印加電界Ｅに比例した信号が出力される。これにより印加電界Ｅを測定することができる。」（第２頁左上欄第１３行〜同頁左下欄第１２行）
　
　刊行物２には図面とともに以下の事項が記載されている。
「本発明は小型かつ軽量な光ファイバ形の光サーキュレータに関するものである。このような光サーキュレータは、光回路の形成や双方向光通信システムの構成に用いることができる。」（第２頁右上欄第２〜５行）
「光フアイバ間に構成された従来の光サーキユレータを第10図に示す。光フアイバ1-aからの出射光はレンズ2-aによつて平行ビームになり、バルク形偏波ビームスプリツタ３に入射する。偏波ビームスプリツタ３は光の入射方向に対して45゜傾いた屈折率の異なる多層膜において、直交する２つの偏波の反射率の差を利用して、直交する２つの偏波成分の片方は反射し、片方は透過し、２つの偏波成分を分離するものである。偏波ビームスプリツタ３に入射された光のうち、透過偏波成分は、例えばYIGからなるフアラデ素子５に入射し、反射偏波成分は、レンズ2-bと相対する方向に出射する。フアラデ素子５に入射した透過偏波成分は例えば右回りに45゜偏波面が回転し、偏波ビームスプリツタ３の透過偏波面に対し、透過偏波面が右回りに45゜の位置にある偏光子４を通過して、レンズ2-cを介して、光フアイバ1-cに結合する。一方、反対方向に進む光、即ち光フアイバ1-cからの反射光は偏光子４を通過して、フアラデ素子４により左回りに45゜回転する。その結果、偏波ビームスプリツタ３に入射する光は偏波ビームスプリツタ３の反射偏波面の偏波の光であり、反射を受け、レンズ2-bを介して、光フアイバ1-bに入射する。図中６はYIGにフアラデ効果を誘起するためのマグネツトである。従つてこの系は光フアイバ1-aからの光は光フアイバ1-bに結合するが、光フアイバ1-bからの光は光フアイバ1-aに結合せず、光フアイバ1-bに結合する機能を持ち、光の進行方向により入射フアイバと出射フアイバが異なるものである。」（第２頁右上欄第７行〜同頁左下欄第１６行）
　
　刊行物３には図面とともに以下の事項が記載されている。
「アンテナを構成する２つの金属棒を狭い空隙を介して直列に配置し、その空隙に電界強度により光強度が変動する光変調器を挿入し、このアンテナより離れた位置に置かれた光源より無変調の光信号を光ファイバを用いて伝送し、これを、電気光学効果を有する結晶体を用いた光変調器により変調し、変調された光信号成分をアンテナ外部のレベル測定器に光ファイバを用いて伝送して検出することにより、電界強度を測定する電界アンテナにおいて、
　前記光変調器が前記２本の金属棒の間に配置されるマッハツェンダ形干渉計により実現されることを特徴とする電界アンテナ。」（特許請求の範囲の請求項３）
「上記目的を達成するための本発明の特徴は、光変調器を構成する偏向子、電気光学効果を持つ光学結晶、位相補償器、及び検光子を上記２本の金属棒の狭い空隙部分に集積して配置する光学結晶を用いた電界アンテナにある。
　また光変調器としてはマッハツェンダ形干渉計を用いることもできる。」（第３頁左上欄第１２〜１７行）
「第９図で２５はマッハツェンダ形干渉計、２６はこの干渉計の電極である。図に示すように、偏向子、電気光学効果を持つ光学結晶、バビネソレイユ位相補償器、検光子より構成される光変調器だけでなく、光変調器として印加電圧により光強度が変わるマッハツェンダ形干渉計をダイポールアンテナを構成する２本の金属棒を空隙に集積し、光源とこの変調器の間を多モードファイバで繋いでも、同様な効果を持つ電界アンテナが実現できる。」（第５頁左上欄第２〜１１行）
　第９図からは、光源１からの光が多モード光ファイバ１２を介してマッハツェンダ形干渉計２５に接続され、該マッハツェンダ形干渉計２５の出力が多モード光ファイバ１２を介して光検出器１４及び光信号の受信器１６に伝送される電界アンテナにおいて、マッハツェンダ形干渉計を構成する導波路の１つに電極２６が設けられていることがみてとれる。
　
４．対比・判断
４−１．本件発明１について
　本件発明１と刊行物１乃至３に記載された発明とを対比すると、刊行物１乃至３には、本件発明１を特定するための技術的事項である「光透過方向に直線偏光されたコヒーレントな測定光が入射される偏光ビームスプリッタ」、「前記偏光ビームスプリッタを通過した測定光が光伝達手段を介して入射され、この入射測定光の強度を電磁界強度に応じて変調し、再度前記光伝達手段に向け出力するセンサ手段」、「前記偏光ビームスプリッタと光伝達手段との間に設けられ、通過する測定光の偏波面を通過方向に対し所定角度回転させる偏波面回転手段」、「前記偏光ビームスプリッターにより反射される前記センサ手段からの測定光の強度に基づき、電磁界測定場内における電磁界強度を演算する電磁界強度演算手段」、「一端を測定光入射部とし他端を測定光反射部とする導波路を有し、前記導波路の一部に測定光を変調する光強度変調部が形成された導波路型の光集積回路」、「前記アンテナ部から出力される電圧を前記光強度変調部位置の導波路に集中して印加する複数の光強度変調部電極」が記載されていない。
　すなわち刊行物１には、光ファイバの先端に偏光子、ポッケルス素子、１／８波長板および反射鏡からなるセンサ部を設け、光源からの光をハーフミラー、光ファイバを介して前記ポッケルス素子に伝搬するとともに前記ポッケルス素子を通過して前記反射鏡で反射されて再び前記ポッケルス素子を通過した光を受光部に伝搬する構成としたことを特徴とする光電界センサ、は記載されているが、刊行物１に記載のものはセンサ部を構成する光変調器が導波路を有する光集積回路ではなくポッケルス素子を用いている点でそもそも本件発明１と前提が相違しており、偏光ビームスプリッタ９とポッケルス素子３との間に光伝達手段を配置することも記載されていない。また、刊行物１には、偏光ビームスプリッタ９に光透過方向に直線偏光された光が入射すること及び偏光ビームスプリッタ９により反射される測定光から電磁界強度を演算する手段は記載されていない。したがって、刊行物１には本件発明１の「センサ手段」、「光集積回路」、「偏光ビームスプリッタ」、「電磁界強度演算手段」は記載されていない。さらに、それ以外の本件発明１を特定するための技術的事項についても記載されていない。
　刊行物２には、光ファイバと光ファイバの間に偏波ビームスプリッタ、ファラデ素子、偏光子からなる光結合部を設け、該光結合部により入射光の進行方向に応じて偏波面を回転させて入射ファイバと出射ファイバを異ならせるようにした光サーキュレータ、は記載されているが、刊行物２は光サーキュレータに関するものであって、光ファイバ1-aからの出射光がセンサ部に入射するものでもないし、光ファイバ1-aからの出射光の反射光強度を測定するものでもない。さらに、偏波ビームスプリッタ、ファラデ素子、偏光子からなる光結合部の構成を測定装置に適用できることを示唆するものでもない。そして「偏光ビームスプリッタ」、「偏波面回転手段」以外の本件発明１を特定するための技術的事項についても記載されていない。
　刊行物３には、光変調器が光導波路を有する光集積回路よりなるマッハツェンダ形干渉計からなるとともに、アンテナを構成する２つの金属棒を有し、前記光導波路に１つの電極を設けた電界アンテナ、が記載されており、刊行物３には、本件発明１の「前記電磁界測定場における電磁界の強度に応じた電圧を出力するアンテナ部」は記載されているものの、刊行物３の光変調器は透過型のマッハツェンダ形干渉計で構成されているから、本件発明１の「センサ部」及び「光集積回路」は記載されておらず、また示唆するものでもない。同様に、本件発明１の「アンテナ部から出力される電圧を前記光強度変調部位置の導波路に集中して印加する『複数の』光強度変調部電極」は記載されておらず、また示唆するものでもない。さらに、それ以外の本件発明１を特定するための技術的事項についても記載されていない。
　よって、本件発明１を特定するための「前記電磁界測定場における電磁界の強度に応じた電圧を出力するアンテナ部」以外の上記技術的事項は刊行物１乃至３には記載されておらず、また、上記刊行物１乃至３に記載の事項から当業者が容易になし得たこととはいえない。
　
　そして、本件発明１は上記技術的事項を備えることにより、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は刊行物１乃至３に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
４−２．本件発明２乃至５について
　本件発明２乃至５は、本件発明１を引用し、その技術的事項をさらに限定したものであるから、本件発明２乃至５は、上記「４−１．本件発明１について」の判断と同様の理由により、刊行物１乃至３に基づき容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
５．異議申立ての理由の概要
理由１：
　本件発明１乃至５は、下記の甲第１乃至第５号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
理由２：
　本件発明１乃至３は、本願出願以前に出願され、本願出願後に公開になった下記の甲第６号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
　
　したがって、本件特許は特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　
　　記
　
甲第１号証：実願昭６１−１０３７３７号（実開昭６３−１０４６５号）のマイクロフィルム
甲第２号証：特開昭６２−４２１１３号公報
甲第３号証：特開昭６０−２６３８６６号公報
甲第４号証：電子情報通信学会秋期全国大会講演論文集〔分冊２〕通信・エレクトロニクスB-224　Mach-Zehnder型光強度変調器を用いた電界センサの特性測定結果(1990)
甲第５号証：特開平２−１８４７７２号公報
甲第６号証：特願平２−２９４５６０号（特開平４−１６８３７３号）
　
６．甲各号証の記載事項
　甲第２号証、甲第３号証及び甲第５号証は、それぞれ取消理由通知で引用した刊行物２、刊行物１及び刊行物３と同じであるから、上記「３．刊行物の記載事項」に記載したとおりの事項が記載されている。
　甲第１号証には図面とともに以下の事項が記載されている。
「本考案の電圧プローブは上記目的を達成するために、光導波路によりマッハツェンダ干渉計を構成すると共にこの光導波路の近傍に電圧印加用電極が設けられている電圧センサの光入出力端末に偏波面保存光ファイバを接続してなる電圧プローブにおいて、上記光導波路の光の入出力を行う入出力部と該入出力部から分岐されて所定の長さだけ互いに平行な２本のセンサ部とから形成すると共に該２本のセンサ部の先端面上にそれぞれ全反射膜を設けたものである。」（第５頁第１８行〜第６頁第８行）
「第１図は本考案の一実施例に係る電圧プローブにおいて用いられた電圧センサ１の平面図である。LiNbO3基板２上にTiをドープした光導波路３が形成されている。この光導波路３は光の入出力を行う直線状の入出力部４と該入出力部４から分岐して所定の長さだけ平行に沿い基板２の端部まで導かれている２本のセンサ部５とからなっている。さらに、これらセンサ部５の先端面上にそれぞれ全反射膜６が形成されている。
　これにより反射型のマッハツェンダ干渉計が構成されることになる。なお、各センサ部５は互いにλ/8（λ：光の波長）の光路長差が設けられており、入出力部４からセンサ部５に分岐された光は全反射膜６で反射されてセンサ部５を往復することにより互いにλ/4の光路長差をもって合成される。
　また、センサ部５の外側にはそれぞれ電極７が、センサ部５の間には電極８がセンサ部５と平行に設けられている。さらに、入出力部４側の端面上には反射防止膜９が形成されている。」（第７頁第１３行〜第８頁第１２行）
「このようにして組み立てられた電圧プローブ１０を用いて第４図のような電圧計を構成した。すなわち、半導体レーザダイオード１７からの光を方向性結合器１８に通した後ＳＰファイバ１１を用いて電圧プローブ１０に導く。そして、電圧センサ１内の光導波路３上を伝搬して全反射膜６で反射され再び光導波路３及びＳＰファイバ１１上を戻ってきた光は方向性結合器１８から受光器１９に導かれ、ここでその出力が測定される。」（第１０頁第８〜１６行）
　甲第４号証には図面とともに以下の事項が記載されている。
「これらの問題を解決するためには、不要電波や妨害波の電磁界を精度良く測定する必要がある。LiNbO3等の電気光学効果を持つ結晶を用いた電界センサは、電極以外の部分を電界の影響がほとんどない非金属物で構成できるため高精度の電界測定が可能である。[1],[2],[3]。今回、Mach-Zehnder型光強度変調器を用いた電界センサを製作し、１０ｍＶ／ｍ程度の電界強度が検出可能なものを実現したので報告する。」（２−２２４頁第４〜９行）
　甲第６号証には図面とともに以下の事項が記載されている。
「次に第１図の系の動作について説明する。
　コヒーレント光源８から放射されるコヒーレント光は、結合光学系９ａを介して偏光ビームスプリッタ１０ａに入射する。コヒーレント光源８の放射光の偏波面は紙面に対して傾いており、紙面に垂直な成分は偏光ビームスプリッタ１０ａで反射されて局発光１５となり、ヘテロダイン検波素子１４に入射する。一方、コヒーレント光源８の放射光のうち紙面に平行な成分は、二つの偏光ビームスプリッタ１０ａ，１０ｂを通過し、結合光学系９ｂを介して偏波面保存光ファイバ１１に入射する。偏波面保存光ファイバ１１から放射されるコヒーレント光は、結合光学系９ｃを介してファラデー回転子１２に入射し、その偏波面が４５゜回転したのち、反射形光変調器１３に入射する。反射形光変調器１３は、例えば、三富らが“高速ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ　ＭＱＷ光変調器”（1989.12.1微少光学研究会資料）に示した電界吸収形光強度変調器の一端に全反射膜を設けたもので、入射光に対する反射率を印加する電圧によって高速に変化させることができるものである。例えば、上述の資料によれば、その変調可能な帯域として４０ＧＨｚ程度が期待できる。反射形光変調器１３に入射したコヒーレント光は、前置増幅器４の出力に応じて強度変調されて再びファラデー回転子１２に入射し、さらにその偏波面が４５゜回転して偏波面保存光ファイバ１１に入射する。従って、例えば、前述の偏波面保存光ファイバ１１から出射したコヒーレント光の偏波面が紙面に平行であれば、反射形光変調器１３で折り返されて再び偏波面保存光ファイバ１１に入射するコヒーレント光の偏波面は紙面に対して垂直となる。上述の偏波面保存光ファイバ１１に再入射したコヒーレント光は、検波ユニット１７側で出射されるが、上述のメカニズムによりその偏波面が紙面に対して垂直であるので、偏光ビームスプリッタ１０ｂで反射され、信号光１６としてヘテロダイン検波素子１４に入射する。ヘテロダイン検波素子１４は、互いに偏波面の揃った局発光１５と信号光１６を一致させた後に受光素子により光電変換するものである。一般に、電気信号を光信号に変換して伝送する際には、電気と光との相互変換効率が１より小さいため、信号対雑音比が低下することが問題とされる場合が多いが、上述の系における変調ユニット１８においては、光の強度変調と偏波面回転だけ行わせるため、小型でかつ少量の部品しか内蔵しておらず、変調ユニット１８の小型化が図れる。上述のように、このマイクロ波センサ１９においては、プローブアンテナ３に小型の変調ユニット１８を接続することにより、被測定アンテナ２の近傍界の振幅、位相に関する情報を細径、軽量かつ可撓性に優れた光ファイバで振幅・位相比較器６に伝えることができる。」（第３頁左上欄第４行〜同頁左下欄第１９行）
　
７．対比・判断
７−１．理由１について
（本件発明１について）
　本件発明１と甲第１乃至第５号証に記載された発明とを対比すると、甲第１乃至甲第５号証には、本件発明１を特定するための技術的事項である「光透過方向に直線偏光されたコヒーレントな測定光が入射される偏光ビームスプリッタ」、「前記偏光ビームスプリッタを通過した測定光が光伝達手段を介して入射され、この入射測定光の強度を電磁界強度に応じて変調し、再度前記光伝達手段に向け出力するセンサ手段」、「前記偏光ビームスプリッタと光伝達手段との間に設けられ、通過する測定光の偏波面を通過方向に対し所定角度回転させる偏波面回転手段」、「前記偏光ビームスプリッターにより反射される前記センサ手段からの測定光の強度に基づき、電磁界測定場内における電磁界強度を演算する電磁界強度演算手段」、「アンテナ部から出力される電圧を前記光強度変調部位置の導波路に集中して印加する複数の光強度変調部電極」は記載されていない。
　すなわち、甲第２号証、甲第３号証及び甲第５号証は、それぞれ取消理由通知で引用した刊行物２、刊行物１及び刊行物３と同じであるから、上記「４．対比・判断」で検討したとおり本件発明１の「前記電磁界測定場における電磁界の強度に応じた電圧を出力するアンテナ部」以外の技術的事項が記載されていないことは明らかである。
　甲第１号証には、光導波路によりマッハツェンダ干渉計を構成すると共にこの光導波路の近傍に電圧印加用電極が設けられている電圧センサの光入出力端末に偏波面保存光ファイバを接続してなる電圧プローブにおいて、上記光導波路の光の入出力を行う入出力部と該入出力部から分岐されて所定の長さだけ互いに平行な２本のセンサ部とから形成すると共に該２本のセンサ部の先端面上にそれぞれ全反射膜を設けた電圧プローブ、は記載されているが、甲第１号証は電圧プローブに関するものであるから、アンテナ部を備えておらず、電極７，８はアンテナ部から出力される電圧を光導波路に集中して印加するものではない。したがって、本件発明１の「アンテナ部」、「光強度変調部電極」は記載されていない。また、本件発明１の「偏光ビームスプリッタ」、「センサ手段」、「偏波面回転手段」、「電磁界強度演算手段」についても記載されていない。
　甲第４号証には、Mach-Zehnder型光強度変調器を用いた電界センサにより高精度の電界測定が可能である、ことが記載されているにすぎず、本件発明１を特定するためのいずれの技術的事項も記載されていない。
　したがって、本件発明１の上記技術的事項は甲第１乃至第５号証には記載されておらず、また、上記甲第１乃至第５号証に記載の事項から当業者が容易になし得たこととはいえない。
　
（本件発明２乃至５について）
　本件発明２乃至５は、本件発明１を引用し、その技術的事項をさらに限定したものであるから、本件発明２乃至５は、上記「７−１．理由１について（本件発明１について）」の判断と同様の理由により、甲第１乃至第５号証に基づき容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　そして、本件発明１乃至５は上記技術的事項を備えることにより、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　
　以上のとおり、本件発明１乃至５は甲第１乃至甲第５号証に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
７−２．理由２について
（本件発明１について）
　本件発明１と甲第６号証に記載のものとを対比すると、甲第６号証には、本件発明１を特定するための技術的事項である、「一端を測定光入射部とし他端を測定光反射部とする『導波路を有し、前記導波路の一部に測定光を変調する光強度変調部が形成された導波路型の光集積回路』」、「前記アンテナ部から出力される電圧を前記光強度変調部位置の導波路に集中して印加する複数の光強度変調部電極」は記載されていない点で相違する。
　すなわち、甲第６号証には、コヒーレント光源から放射されるコヒーレント光が入射される偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタを通過した測定光が偏波面保存光ファイバを介して入射され、この入射測定光の強度を電磁界強度に応じて変調し、再度前記偏波面保存光ファイバに向け出力する反射形光変調器と、この反射形光変調器に前置増幅器を介して接続されるプローブアンテナと、前記反射形光変調器と偏波面保存光ファイバとの間に設けられ、通過する測定光の偏波面を通過方向に対し所定角度回転させるファラデー回転子と、前記偏光ビームスプリッタにより反射される前記反射形光変調器からの測定光を光電変換するヘテロダイン検波手段と、を含むマイクロ波センサ、が記載されており、上記マイクロ波センサにおける反射形光変調器は「電界吸収形光強度変調器の一端に全反射膜を設けたもので、入射光に対する反射率を印加する電圧によって高速に変化させることができるものである」から、一端を測定光入射部とし他端を測定光反射部とし入射測定光の強度を電磁界強度に応じて変調する光強度変調部を有することは理解できるが、「一端を測定光入射部とし他端を測定光反射部とする『導波路を有し、前記導波路の一部に測定光を変調する光強度変調部が形成された導波路型の光集積回路』」ではない。また、甲第６号証には「光強度変調部電極」について記載されていない。
　そして、上記相違点は設計上の微差あるいは表現上の差異ということはできないから、本件発明１は甲第６号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（本件発明２，３について）
　本件発明２，３は、本件発明１を引用し、その技術的事項をさらに限定したものであるから、本件発明２，３は、「上記７−２．理由２について（本件発明１について）」の判断と同様の理由により、甲第６号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
８．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によって、本件発明１乃至５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１乃至５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１０月２７日（２０００．１０．２７）