【事件の表示】
　特許第２９４６５６３号「反射型液晶電気光学装置」の請求項１ないし請求項３に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４６５６３号の請求項１ないし請求項３に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
  本件特許第２９４６５６３号に係る出願は、平成１年１１月６日の出願であって、平成１１年７月２日にその設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年８月１日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正の内容は、特許請求の範囲の請求項１、
「一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記他方の基板の液晶層側の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする反射型液晶電気光学装置。」
を、
「一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、入射面側に配置された１枚の偏光板と、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記液晶層はツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層であり、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記一対の基板の他方の基板の液晶層側の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする反射型液晶電気光学装置。」
と訂正し、請求項の訂正に整合するように発明の詳細な説明を訂正するものである。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正のうち請求項の訂正は、請求項１に係る発明に、「入射面側に配置された１枚の偏光板」の構成要件を付加し、液晶層を、「ツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層」と限定し、また、「他方の基板」を「一対の基板の他方の基板」と明りょうにするものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加には該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものにも該当しない。
　また、発明の詳細な説明の訂正は、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加や、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものには該当しない。
　
（３）結論
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
（１）本件発明
　本件特許第２９４６５６３号の請求項１ないし請求項３に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３に記載された次のとおりのものである。
「（１）一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、入射面側に配置された１枚の偏光板と、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記液晶層はツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層であり、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記一対の基板の他方の基板の液晶層側の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする反射型液晶電気光学装置。
（２）前記反射体は誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶電気光学装置。
（３）対向電極が形成された他方の基板表面に前記反射体が形成されてなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の反射型液晶電気光学装置。」
　
（２）特許異議申立人の主張の概要
  特許異議申立人シャープ株式会社は、甲第１号証として特開昭５９−６９７８５号公報、甲第２号証として実願昭５６−９６９３７号（実開昭５８一５０６０号）のマイクロフィルム、甲第３号証として特開昭６０−１４７７２０号公報、参考資料１として実願昭５６−９６９３８号（実開昭５８一５０６１号）のマイクロフィルムを提示して、請求項１ないし請求項３に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載されている発明から容易に想到できる程度のものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨主張している。
　
（３）甲各号証の記載内容
　特許異議申立人の提示した甲第１号証には、
「透明基板とその上に形成した薄膜トランジスタと光の反射体と液晶とから成る表示素子において、前記薄膜トランジスタの基板と前記光の反射体の基板とを別々に形成し、その間に液晶を封入し、前記薄膜トランジスタ基板側から表示を見ることを特徴とする表示素子。」（特許請求の範囲）、
「本発明は、反射型の光学構成において、薄膜トランジスタ基板と光反射部を分離し別々に形成した構成としたものであり、この薄膜トランジスタ基板を透過型の光学構成にも使用できる構造としたものである。以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。・・・液晶２６は、たとえば、ネマチック型の液晶中に二色性色素を混入したゲストホストモードなどを用いる。この構造では、第１図に示すような薄膜トランジスタ基板上に反射板を形成した構造と比較して、反射板を別に製造できるので、・・・薄膜トランジスタ素子の劣化がなく、特性の揃った素子の製造ができる。また、反射板も下に薄膜トランジスタ素子がないため、加工の自由度が大きくなり、良好な反射特性の反射板が形成できる。」（公報第２頁右上欄第２行目〜左下欄第１２行）と記載されている。
　同じく甲第２号証には、
「表面に電気絶縁性光反射層と第１の透明電極とを順次設けてなるレリーフホログラムと、表面に前記第１の透明電極と対応する第２の透明電極を設けてなる透明基板とが、間隙を持って、前記第１および第２の透明電極どうしが相対して対向し、該間隙に光のコヒーレント性を失なわない状態と隠蔽性との少なくとも２種の表示状態を有する液晶を挟持してなる画像表示体。」（実用新案登録請求の範囲）、
「上記のレリーフホログラム表面に設ける電気絶縁性光反射層２としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＦ２、・・・等金属化合物や導電性を持たない程度に薄層の　Ａｌ、Ａｇ、・・・等の金属の蒸着膜を公知の方法で積層してダイクロイックミラーとしたものを用い、・・・或いは適宜バインダーに光反射性粉末を混入した樹脂塗料を塗布したものを用いてもよい・・・上記の如く電気絶縁性光反射層を設けてなるレリーフホログラムに更に重ねて設ける第１の透明電極４としては、・・・透明電極は透明基板の全面に設ける他、マスキング若しくはエッチング等の手法により模様状に設けてなるものでもよい。」（明細書第３頁第１０行〜第４頁第１１行）、
「電気絶縁性光反射層と第１の透明電極とを設けてなるレリーフホログラムと、表面に第２の透明電極を設けてなる透明基板とを間隙を持って相対して対向させ、前記間隙に光のコヒーレント性を失わない状態と隠蔽性との少なくとも二種の表示状態を有する液晶５を挟持させる。」（明細書第５頁第１８行〜第６頁第３行）、
「光のコヒーレント性を失わない状態と隠蔽性との少なくとも二種の表示状態を有する液晶５とは、・・・（イ）ダイナミックスキャッタリング型液晶、（ロ）スメクチック型液晶、（ハ）ネマチック型液晶若しくはスメクチック型液晶１００重量部にコレステリック型液晶若しくはカイラル物質を５〜３０重量部添加したものを使うことができ、以上（イ）ないし（ハ）においては、ホメオトロピック相が光のコヒーレント性を保持し、散乱相が隠蔽性を有する。又、（ニ）ネマチック型液晶に２色性染料を混合したゲストホスト液晶や、（ホ）ネマチック型液晶に旋光性物質及び２色性染料を混合した相転移型ゲストホスト液晶も使用でき、以上（ニ）及び（ホ）においてはホメオトロピック相が光のコヒーレント性を保持し、着色相が隠蔽性を有するものであり、又、偏光板を前記した透明電極板の裏面、即ち、透明電極を設ける面とは反対の面に配すると、前記した着色相の色の濃度差を向上させ好ましい。」（明細書第６頁第６行〜第７頁第８行）、
「電気絶縁性光反射層及び第１の透明電極いずれも・・・液晶による画像はホログラムに実質上接していると見倣せるから視差が生じることがないものであり」（明細書）第８頁第１６行〜第２１行）と記載されている。
　同じく甲第３号証には、
「（１）透明状態と散乱状態とにより表示をおこなう表示体層と、その背後に設けた選択反射フィルタと、さらにその背後に設けた光吸収層とを含むカラー表示装置。」（特許請求の範囲第１項）、
「第１図において、表示体層１は散乱モードを用いた液晶パネル、たとえば動的散乱モード（ＤＳＭ）またはフェイズチェンジモード（ＰＣＭ）などのほか、強誘電体表示パネルであってもよく、要するに散乱モードと透明モードとを制御できればよい。・・・この選択反射フィルタ２は可視光の特定波長の光を選択反射し、他の光を透過するもので、具体的にはダイクロイックミラーなどの多層膜干渉フィルタが知られている。」（公報第１頁右欄第６行〜第１７行）、
「第３、４図は他の実施例を示し、液晶４をはさんで透明電極基板５、６が設けられ、これら基板にはそれぞれ帯状の透明電極７、８が互いに交叉して設けられ、交叉した部分でマトリックス状に液晶表示素子９が形成されて表示体層１０をなす。上記透明基板６上に上記液晶表示素子９と対応して反射・透過波長の異なる３種類の選択反射フィルタ１１Ｃ、１１Ｍ、１１Ｙが交互に設けられている。」（公報第２頁右上欄第２行〜第９行）、
「上述の構成よりなる本発明のカラー表示装置は偏光板や色素を使用しないので表示が明るくきれいなカラー表示ができる。」（公報第２頁右下欄第９行〜第１１行）と記載されている。
　同じく参考資料１には、甲第２号証と同様の開示の内容に加え、第１図及び明細書第３頁第１１行〜第１４行に、
「光反射層２としては、金属薄膜を用い、金属としては、例えばアルミニウム、金、銀、ニッケル、クロム等の金属若しくはこれらの合金を用い、」と記載されている。
　
（４）対比・判断
Ａ）本件の請求項１に係る発明について
　本件の請求項１に係る発明（以下、本件発明１という。）と特許異議申立人の提示した甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明とを対比すると、本件発明１の液晶層は「ツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層」であり、「入射面側に配置された１枚の偏光板」を有するのに対し、甲第１号証に記載された発明では、「液晶はネマチック型の液晶中に二色性色素を混入したゲストホストモード」の液晶の例示しかなく、偏光板は有していない。
　また、甲第２号証に記載された発明は、レリーフホログラムを必須の構成要件とする発明であって、スイッチング素子は記載されておらず、液晶は「光のコヒーレント性を保持する状態と、散乱相または着色相の状態」を有する、ダイナミックスキャッタリング型液晶やゲストホスト液晶であり、偏光板を配する旨の記載はあるが、着色相の色の濃度差を向上させるためのものであって、表示をするために必須の構成ではない。
　さらに、甲第３号証に記載された発明では、液晶は「動的散乱モードやフェイズチェンジモードなどの散乱モードを用いた液晶」であり、偏光板を使用しないことを特徴とする発明である。
　そして、スイッチング素子を有する反射型液晶装置において、「ツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層」を使用することが公知であるとの証拠もない。
　してみれば、本件発明１と甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明とでは、使用する液晶が全く異なり、表示のために偏光板が必須の構成か否かでも異なっているのであるから、本件発明１が、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　
Ｂ）本件の請求項２及び請求項３に係る発明について
　本件の請求項２及び請求項３に係る発明は、本件の請求項１に係る発明の構成要件をすべて含み、さらに構成要件を付加して限定した発明であるから、本件の請求項１に係る発明と同様に、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１ないし請求項３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし請求項３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１１月１６日（２０００．１１．１６）
【訂正の要旨】
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１、
「一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記他方の基板の液晶層側の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする反射型液晶電気光学装置。」
を、
「一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、入射面側に配置された１枚の偏光板と、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記液晶層はツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層であり、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記一対の基板の他方の基板の液晶層側の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする反射型液晶電気光学装置。」
と訂正する。
２．訂正事項２
　明細書第３頁第１５行〜第４頁第１１行［課題を解決するための手段］のうち、「本発明は、上記の課題を解決するために、一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記他方の基板の液晶層側の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする。」
を、
「本発明は、上記の課題を解決するために、一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、入射面側に配置された１枚の偏光板と、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記液晶層はツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層であり、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記一対の基板の他方の基板の液晶層側の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする。」
と訂正する。
訂正明細書
（５４）【発明の名称】
　　反射型液晶電気光学装置
（５７）【特許請求の範囲】
（１）一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、入射面側に配置された１枚の偏光板と、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記液晶層はツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層であり、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記一対の基板の他方の基板の液晶層側の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする反射型液晶電気光学装置。
（２）前記反射体は誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶電気光学装置。
（３）対向電極が形成された他方の基板表面に前記反射体が形成されてなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の反射型液晶電気光学装置。
（４）一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とが形成されてなる反射型液晶電気光学装置において、
　前記他方の基板の液晶層側の内面に絶縁性反射体が形成されてなり、
　前記液晶層の入射面の分子軸に対し平行又は垂直に前記一方の直線偏光の入射光を入射させる手段を有してなり、前記液晶層を透過後の反射面ではほぼ円偏光となり、前記反射面で反射後前記液晶層を透過した出射面では、前記入射光とほぼ９０度その偏光面が回転した直線偏光となるように前記液晶層が設定されてなることを特徴とする反射型液晶電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明はスイッチング素子アレイを配された反射型液晶電気光学装置に関する。
［従来の技術］
　従来のスイッチング素子アレイを配された反射型液晶電気光学装置は日経エレクトロニクス１９８１．２／１６号Ｐ．１６４に記載のように対向電極には透明基板、スイッチング素子アレイを配された基板にはＳｉ等の不透明基板を用いるものであった。
　また、透明基板に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）、非線形スイッチング素子を設置したものでは透過型として用いるため対向する基板は透明な基板を用いていた。
［発明が解決しようとする課題］
　しかし従来の反射型液晶電気光学装置には、スイッチング素子アレイを配された基板の画素部分に反射体を設置する必要があり、製作工数の増加や、透明電極で確立された工程の変更を必要とした。さらに透過型では、対向基板上の画素周辺を覆う遮光マスクと、スイッチング素子アレイの位置合わせを行なわなければならない課題があった。そこで本発明では、従来のスイッチング素子アレイをそのままで用いることができ、さらに遮光マスクとの位置合わせが要らない反射型電気光学装置を提供することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
　本発明は、上述の課題を解決するために、一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板内の画素部分に反射体を有する反射型液晶電気光学装置において、入射面側に配置された１枚の偏光板と、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とを有し、前記液晶層はツイストしたネマチックの電界効果複屈折の液晶層であり、前記反射体は絶縁性を有するとともに、前記一対の基板の他方の基板の液晶層測の内面に前記画素電極に重なるように配置されてなることを特徴とする。
　本発明は、前記反射体は誘電体多層膜からなることを特徴とする。
　本発明は、対向電極が形成された他方の基板表面に前記反射体が形成されてなることを特徴とする。
　本発明は、一対の基板間に液晶層が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子とが形成されてなる反射型液晶電気光学装置において、前記他方の基板の液晶層側の内面に絶縁性反射体が形成されてなり、前記液晶層の入射面の分子軸に対し平行又は垂直に前記一方の直線偏光の入射光を入射させる手段を有してなり、前記液晶層を透過後の反射面ではほぼ円偏光となり、前記反射面で反射後前記液晶層を透過した出射面では、前記入射光とほぼ９０度その偏光面が回転した直線偏光となるように前記液晶層が設定されてなることを特徴とする。
［実施例］
　実施例１．
　第１図は本発明の反射型電気光学装置の断面図である。スイッチング素子アレイ基板１０３に対向した反射体１０１が設置された対向基板１０２との間に液晶１０４がはさまれた基本構造をとっている。ここでは液晶層にツイストしたネマチック液晶（以下ＴＮと称する）を用いた。１０５は画素電極、１０６は偏光板、１０７はスイッチング素子である。電界印加のためのもう一方の電極は、金属薄膜で形成された反射体１０１が兼ねている。さらに入出射面、透明電極面には減反射コーティングが施され、不要な光線反射を抑制している。
　次に本実施例で用いた反射型の液晶表示モードについて説明する。一般的な電界効果複屈折型の表示モード（以下ＥＣＢと称する）の使用は可能であるが本実施例ではツイストしたネマチック液晶を用いたＥＣＢモードを用いた。
　本実施例ではスイッチング素子基板に第１表に示すＴＦＴアクティブマトリックス方式、液晶層に上述したＴＮ−ＥＣＢモードを用いている。詳細な駆動法及び構成は、日経エレクトロニクスＮｏ．３５１（１９８１）ｐ．２１１，ＳＩＤ’８３　ＤＩＧＥＳＴ　ｐ．１５６（１９８３）、ＳＩＤ’８５ＤＩＧＥＳＴ　ｐ．２７８（１９８５）、Ｊａｐａｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ’８９ｐ．１９２に記載のものに準じている。
　第２図は第１図の装置のビデオ印加電圧と反射率（５５０ｎｍ）の特性である。初めに電圧が零の時を説明する。直線偏光３０２が入射すると、第３図に示すように楕円偏光の軌跡が回転する。反射体面ではほぼ円偏光３０１となり、位相が１８０度回転し反射される。再び液晶層を透過し、出射面ではほぼ９０度偏光面が回転した直線偏光３０３となり出射する。このため偏光素子で阻止され、反射率が低下する（オフ状態）。次に電圧が印加された場合を説明する。液晶分子は誘電率の異方性のために、電界方向に再配列する。これにより入射光に対する複屈折の異方性が消失し、入射した直線偏光がそのまま維持されて反射し、出射する。従って反射率の低下はない（オン状態）。
　このような偏光の変化を生ずるのは限られた条件のもとであり、この条件を鋭意検討した結果本発明にいたった。液晶層に求められる光学的な特性は、直線偏光の入射に対し透過後円偏光となること、反射層で位相が１８０度シフトし、液晶層を逆に透過したときに９０度偏光面が回転していることのふたつである。
　第４図（ａ）、（ｂ）はΔｎｄとオフ時の反射率を示すグラフである。なおパラメーターに液晶層のツイスト角をとり、入射光の偏光面は入射面の液晶分子のダイレクターに合わせた。オン時の反射率は、偏光素子の透過率によって決まり、ほぼ一定である。これによると、約６０度のツイスト角、Δｎｄ＝０．２の時に反射率がほぼ零となることが分かった。更に詳細に調べた結果、６３度のツイスト角が最適であることが分かった。この時の楕円偏光の軌跡をみると、第３図に示すように、反射面では円偏光となり、出射面では入射時と９０度回転した直線偏光となる。これを１／４λ板の場合と比べると、液晶のダイレクターに沿って偏光が入射するため、複屈折を感受しにくく、同じ位相の変化を受けるためには大きなΔｎｄを必要とすること、Δｎｄに対する周期性が少ないことが特徴である。これは液晶層の厚みを比較的大きく設定でき、製造におけるマージンを確保するものである。
　また、Δｎの効果は液晶のダイレクターに対し直線偏光が垂直に入射した場合も全く同様に働く。これはΔｎには正負が無いためである。
　第５図（ａ），（ｂ）はパラメーターに偏光素子の液晶のダイレクターに対する配置角をとり、Δｎｄと反射率の関係を示すものである。これによると偏光素子の方向が＋３０度の時にも反射率が零の条件がある。この場合の楕円偏光の軌跡を見ると第４図と同じように反射面で円偏光になっている。
　パラメーターを振ることによってこの様な条件を他にも見つけることができる。しかし、波長による反射率変動を低く抑えるためには最小のΔｎｄに設定する必要があり、さらに極端に小さなΔｎｄでは液晶厚が小さくなりすぎるため、この間で選択する必要がある。光学長が２倍になる反射型では、透過型の液晶素子では許容される液晶厚が製作上の問題となる。そこでΔｎｄが少しでも大きいことが求められる。これは素子製作のマージンを大きくするためである。前述のΔｎｄ＝０．２の条件でみると、Δｎが小さな液晶の典型的な値、Δｎ＝０．０８では、ｄが２．５μｍとなる。これに対し、従来例で述べた４５度ツイストしたタイプでは、最適な液晶厚が２μｍを下まわり、素子の均一性や歩留まりを低下させる要因になっている。
　また、このような液晶モードは無電界時に非透過状態（黒）と設定できることから、画素電極のない部分の遮光マスクが不要となる。
実施例２
　第６図はスイッチング素子アレイ基板側に遮光マスクを設置した場合の断面図である。基本的な構造は実施例１と同様である。６０１は対向基板上に設けられた反射体、６０２はスイッチング素子アレイ基板６０３上に設置された遮光マスクである。本実施例ではアルミ−シリコン合金薄膜をＴＦＴ領域６０７と画素の境界領域６０８に設置し、ＴＦＴの光電流リークと光のもれを同時に防止している。６０４は液晶、６０５は画素電極、６０６は偏光板である。
　金属薄膜では入射光を反射によって遮光するものであるが、光吸収によって遮光するマスクであっても同様な効果を発揮する。
　これによると対向基板との張り合わせ時に位置合わせの必要がなく、製造が簡単になるばかりか、マスク合わせ工程を含むスイッチング素子アレイの製作時に設置できるため、合わせ精度の向上が図れる。
実施例３．
　第７図は偏光素子に偏光ビームスプリッター（以下、ＰＢＳと称する）を用いた反射型液晶電気光学装置の構成図である。
　７０１がＰＢＳであり、光源光７０３を直線偏光し液晶パネル７０２を入射させる。液晶パネルの構成、出射までのプロセスは実施例１と同様である。出射光を検光する手段がＰＢＳでは入射時と９０度ずれている。このため反射出力光７０４は無電界時に小さくなり、印加電圧と反射率の特性は、実施例１の第３図と縦軸に対し対称なものとなる。
実施例４．
　本発明はここでダイオード等をアレイ化したアクティブマトリクスにも適用することができる。
　第８図はダイオード素子に金属−絶縁体−金属素子（以下ＭＩＭと称する）を用いたＭＩＭ液晶電気光学装置の断面図である。基本構造は画素電極を設置されたＭＩＭ基板８０２と反射体８０１を有する対向基板８０３の間に液晶８０４がはさまれたものである。８０５は電界を液晶層に印加するための対向基板上の電極であり、画素サイズに対応したストライプ電極である。この対向電極は絶縁性反射体８０１の上に設置されている。本実施例では絶縁性反射体として誘電体多層膜によるミラーを用いた。この誘電体多層膜によるミラーは対向電極の上下を問わず設置が可能である。基板８０６上にライン状の信号伝送配線８０７、その一部に作られた薄い絶縁体からなるＭＩＭ素子８０８、それに電気的に接続された画素電極８１２からなっている。８１０は減反射コーティング、８１１は偏光素子である。
　より具体的な構成を第２表に示す。
　以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみならず、広く反射型の光制御装置に応用が可能である。
［発明の効果］
　以上述べたように、本発明によれば以下のような効果を奏することができる。
（ａ）反射体を絶縁性反射体により形成することによって、液晶層に入射した光を効率よく反射することができ、明るい画像の反射型液晶電気光学装置が得られる。
（ｂ）反射体が対向基板の液晶層側の内面に形成されているため、反射体と液晶層との距離による視差が生ずることがない。したがって、二重画像や影を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の反射型電気光学装置の断面図である。
　第２図は第１図の装置の印加電圧と反射率（５０ｎｍ）の特性図である。
　第３図は第２図の楕円偏光の軌道を示す図である。
　第４図（ａ），（ｂ）はΔｎｄと反射率の関係を示すグラフである。
　第５図（ａ），（ｂ）はパラメーターに偏光素子の液晶のダイレクターに対する配置角をとり、Δｎｄと反射率の関係を示すものである。
　第６図はスイッチング素子アレイ基板側に遮光マスクを設置した場合の断面図である。
　第７図は偏光素子にＰＢＳを用いた反射型液晶電気光学装置の構成図である。
　第８図はＭＩＭダイオードによってアドレスされた反射型電気光学装置の断面図である。
　　　１０１…反射体
　　　１０２…対向基板
　　　１０３…スイッチング素子アレイ基板
　　　１０４…液晶層
　　　３０１…反射面での円偏光
　　　７０１…ＰＢＳ
　　　８０１…反射体
　　　８０２…ＭＩＭ基板
　　　８０３…対向基板
　　　８０４…液晶層
　　　８０５…対向電極
　　　８０６…基板
　　　８０７…信号伝送配線
　　　８０８…ＭＩＭ素子