【事件の表示】
　特許第２８６３７７４号「ＣＶＤ法による半導体シリコンの蒸着法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８６３７７４号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．　本件発明
　本件特許第２８６３７７４号の請求項１及び２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、平成１年３月２４日（パリ条約による優先権主張１９８８年３月２５日、米国）に出願され、平成１０年１２月１８日に設定登録されたもので、それぞれ特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】（Ａ）クロロシラン、ジクロロシランおよびトリクロロシランから成る群から選んだ前駆物質のシランを蒸気として水素ガスと共に、半導体品位シリコンの加熱基体を含む蒸着容器内に供給し；
（Ｂ）前記基体上の半導体品位のシリコンを生成、蒸着させ；
（Ｃ）前記蒸着容器の流出ガスを、低沸点シラン富化混合体を該流出ガスから分離する手段へ送り；
（Ｄ）前記低沸点シラン富化混合体と追加テトラクロロシランとの割合が全シリコン１モル当り１．０モル以下のシリコンに結合した水素になるように制御して、該低沸点シラン富化混合体と追加テトラクロロシランとを混合し；
（Ｅ）前記低沸点シラン富化混合体と追加テトラクロロシランとの混合体を、本質的に無水で水素含有シランおよび塩素含有シランの不均化反応に有効な固体触媒床を流通させ；　
（Ｆ）水素含有シランおよび塩素含有シランの不均化反応を促進して、シラン（ＳｉＨ４ ）、クロロシランおよびジクロロシランの含量が低下しトリクロロシランの含量が増大する気流を生成し；
（Ｇ）前記トリクロロシランを単離および分離する；
工程から成ることを特徴とする、クロロシラン、ジクロロシランおよびトリクロロシランから成る群から選んだ前駆物質シランの還元的化学蒸着による半導体品位シリコンの蒸着法。
【請求項２】前記前駆物質シランがトリクロロシランであり；前記触媒が有機樹脂上の第三アミノ化合物であり；前記低沸点シラン富化混合体と追加テトラクロロシラン含量の割合が、全シリコン１モル当たり０．６モル以下のシリコンに結合した水素の混合体で存在するように調節され；前記低沸点シラン富化混合体とテトラクロロシランとの混合体は前記固体触媒と１０℃〜８０℃の範囲内の温度において接触され；かつ前記トリクロロシランは蒸留によって単離および分離される請求項１記載の方法。」
（なお、本件特許公報の請求項１の（Ｄ）に記載の「０．１モル」は、公報編纂時の誤植であり、正しくは「１．０モル」である。）
２．　特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人  相沢由美子は、甲第１号証を提示して、本件発明１及び２は甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１及び２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである旨主張する。
３．　甲第１号証とその記載事項
　特許異議申立人が提示した甲第１号証（Ｇｏｖｅｒｎｍｅｎｔ Ｒｅｐｏｒｔ，ＤＯＥ／ＪＰＬ−９５５５３３‐８３／７（１９８２）、第１頁〜第４０頁）は、「化学蒸着法によるポリシリコンプロセスの開発」と題する、米国政府をスポンサーとする作業報告書であり、以下の事項が記載されている。
ア．　ジクロロシランベースのＣＶＤプロセスについて　
「図５に、ジクロロシランベースのＣＶＤプロセスを示した。流動床反応器（ＦＢＲ）で金属シリコンとテトラクロロシランの水素化が起こる。流動床では、水素−テトラクロロシランガス気流で金属シリコンを流動させる。
　水素化生成物（水素、トリクロロシラン、テトラクロロシラン）は、まず、水と高沸点不純物が除かれる。この不純物が除かれた塔底物は、トリクロロシラン−テトラクロロシラン分離のため、第二の蒸留塔に送られる。テトラクロロシランは流動床反応器に戻され、トリクロロシランは、ジクロロシラン生成のための再配分塔に送られる。再配分塔からは、１１％のジクロロシランと、クロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシランが流出してきて、この気流中のクロロシランのなかで、トリクロロシランが主たるものである（おおよそ８０％）。ジクロロシランの分離は、次の蒸留塔で行われ、蒸留塔の塔頂から得られる。この蒸留塔の塔底から得られるトリクロ口シラン−テトラクロロシランは、第二の蒸留塔に戻される。
　ジクロロシランは、水素と共に多結晶シリコンＣＶＤ反応器に導入され、ここで、蒸着する。反応副生成物は集められ、回収システムに送られる。ここで、水素は、ＣＶＤ反応器に再利用するため、分離・精製される。また流出ガス中のクロロシラン類から、塩化水素が分離される。回収されたクロロシラン類は第三の蒸留塔に導入される。」（第１５頁第４行〜第３０行）
イ．　ジクロロシランの合成について
「酸または塩基触媒によるトリクロロシランの再配分によるジクロロシランの取得についての重要な経験がダウコーニングやＵＣＣ等において行われてきた。
　　　　　　　　　　　Catalyst
　　　　　ＳｉＨＣｌ３　　←→　　ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＳｉＣｌ４　
　このプロセスは、シリコンと塩化水素との直接反応より優れている。アンモニウム塩、アミン、リン酸塩、リン酸アミド、塩化アルミニウムなどのいろんなものが温和な条件で再配分触媒として使用可能である。
　ＵＣＣは、アミン官能基を有する有機高分子が、５０〜８０℃の温度でクロロシラン混合物の再配分の触媒になることを示した。同様の塩基樹脂である、ダウケミカル社が製造しているＤｏｗｅｘ（登録商標）ＭＷＡ−１は、このシステムの触媒として使用できる。この樹脂は、メチルアミンで変性された有機高分子であり、直径が平均０．４ｍｍの球状で供給される。
　ジクロロシラン類の平衡関係は、ダウコーニング社とユニオンカーバイド社の研究で知られている。塩素／水素の比が３（反応物として用いられる純粋なトリクロロシラン）の８０℃における平衡系は、ジクロロシラン１１％、テトラクロロシラン１２％、モノクロロシラン１％以下ならびに残部がトリクロロシランである。」（第８頁下から第１１行〜第９頁第１３行）
ウ．　トリクロロシラン−テトラクロロシランの液相系について
「熱力学データによれば、触媒系に８０％トリクロロシラン／２０％テトラクロロシランを供給することにより、不必要のモノクロロシランの精製を制御することが可能である。直径０．５インチ・長さ１００インチのＤｏｗｅＸ床で試験した。この床の長さは、平衡に達するのに十分であることが証明されている。結果は以下のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　生成物（モル％）
供給（モル％）　　　　　　　ＭＣＳ　　　ＤＣＳ　　　ＭＣＳ／ＤＣＳ比
１００％ＴＣＳ　　　　　　０．３７　　１０．８　　　０．０３３
80％ＴＣＳ／20％ＳＴＣ　　０．１０　　　５．０　　　０．０２１
　
　混合物系におけるＭＣＳ／ＤＣＳの比の減少は、１００％ＴＳＣにおける比よりも小さくなるが、この減少は予想より大きくない。そして、ＤＣＳの生成が４５％も減少している、したがって、この混合系を代替として用いることは考えられない。」（第３８頁下から第８行〜第４０頁１０行）
エ．　トリクロロシラン生成に関して　
「ここでは、他の研究が行われているために、トリクロロシラン生成の領域の努力は払われていない。また化学蒸着反応器からの流出ガス回収技術の開発にも努力を費やしてはいない。この技術は、トリクロロシランの化学蒸着システムで用いられる回収技術に密接に提携する。」（第１８頁第３行〜第８行）
４．　対比・判断
［本件発明１について］
　本件発明１は、ＣＶＤ法において副生する低沸点シランの損失を最小にすることを目的とし、ＣＶＤ法で副生する低沸点シラン（シラン、クロロシラン、ジクロロシラン）を、テトラクロロシラン（ＳＴＣ）と固体触媒床を通して反応させることにより、容易に回収されかつ再利用し易いトリクロロシラン（ＴＣＳ）に転化して単離および分離するものである。
　一方、甲第１号証に記載の発明は、ＣＶＤ法において副生するトリクロロシラン、テトラクロロシラン等の高沸点シラン類を流動床反応器（ＦＢＲ）、再分配塔（ＲＥＤＴ）を通して反応させることにより、最終的にＣＶＤ反応の原料となるジクロロシランに転化するものである。
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載のものとを対比すると、甲第１号証に記載の「ＣＶＤ反応器」及び「ジクロロシラン」は、それぞれ本件発明１の「蒸着容器」及び「低沸点シラン」に相当するから、両者は、クロロシラン類と水素を用いて半導体品位のシリコンを生成、蒸着させた後、蒸着容器より出てくる流出物の処理に関する技術であるという点、即ち、本件発明１の前記（Ａ）〜（Ｃ）の工程を備える点において一致するものの、本件発明１は更に前記（Ｄ）〜（Ｇ）の工程を備えるのに対して、甲第１号証にはこのような工程が記載されていない点で相違する。
　前記相違点について特許異議申立人は、特許異議申立書第１０頁第１１〜１８行において、「両者の相違点は、流出ガスの中で、低沸点シラン類（ジクロロシラン、モノクロロシラン、シラン）をトリクロロシランに転化する（本件第１発明）か、トリクロロシランを低沸点シラン類であるジクロロシランに転化する（甲第１号証）かの点で異なるだけである。
　言い換えれば、両者は、流出ガスの中で、低沸点シラン類から、それよりも高沸点のシランに転化して再利用するか、高沸点シラン類を低沸点シランに転化して再利用するかの相違があるだけで、この転化物はいずれも流出ガスに含まれる成分である。」と主張している。
　しかしながら、甲第１号証には、トリクロロシランとジクロロシラン・テトラクロロシランとは化学的に平衡関係にあるという事実が単に開示され（記載事項イ参照）、トリクロロシランについても「この技術は、トリクロロシランの化学蒸着システムで用いられる回収技術に密接に提携する。」（記載事項エ参照）と記載されているのみであり、ＣＶＤ法において、低沸点シランの損失を最小に押さえ、低コストで回収を容易にするという本件発明１の目的や課題については何ら示唆されていない。
　したがって、甲第１号証に記載の発明において、トリクロロシラン等を転化してジクロロシランを増大させることに代えて、ジクロロシラン等の低沸点シランを転化してトリクロロシランを増大させるという動機付けは何ら見あたらない。
　更に、両者の相違点は蒸着流出ガスからの任意成分の単なる選択の相違に止まらず、転化工程自体が、本件発明１は、前記相違点（Ｄ）〜（Ｇ）に記載されているように低沸点シラン（シラン、クロロシラン、ジクロロシラン）とテトラクロロシランを固体触媒床にて反応させトリクロロシランに転化する工程であるのに対し、甲第１号証に記載のものは、金属シリコンとテトラクロロシランを流動床反応器（ＦＢＲ）にてトリクロロシランを含む生成物に転化する工程、続いてこのトリクロロシランを再分配塔（ＲＥＤＴ）にて最終的にジクロロシランに転化する工程であって、低沸点シランをトリクロロシランに転化する工程については具体的には何ら記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は前記（Ｄ）〜（Ｇ）の構成を具備することにより、ＣＶＤ反応ガスのプロセス流において低沸点シランを低揮発性のＴＣＳに転化して、低沸点シランの損失を最小に押さえ、低コストで回収を容易にするという甲第１号証に記載のものから予測し得ない格別な効果を奏するものであって、特許異議申立人の主張は本件発明１を認識した上でのしかも単なる原理的観点の域を出ない主張にすぎず採用することはできない。
　以上のことから、本件発明１は甲第１号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
［本件発明２について］
　本件発明２は、本件請求項１を引用し、さらに構成を付加限定したものであるから、前記と同様な理由により、甲第１号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
５．　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年８月１７日（２０００．８．１７）