(57)【要約】  本発明は、半導体部品の製造中に基板を支持するための装置（１０）であって、前記基板が置かれうる上面（１１）を有している実質的に平坦なプレートを具備した装置に関する。本発明は、このような装置（１０）の製造方法にも関する。本発明の目的は、前文に記載の装置（１０）であって、安価且つ単純な構成であるが、例えば、基板に保護ガスを供給するか、又は、基板をエアクッション上で静止させるために、或る製造条件下で基板の方向へのプロセスガスの通過を可能とする装置を提供することにある。本発明によると、プレートの上面（１１）は、少なくとも部分的に多孔質（１４）である。そのため、当技術の現状において通常必要とされるような、装置（１０）の高価且つ極端に精密な機械加工は不要であり、これにより、装置（１０）を遥かに低いコストで製造することを可能としている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部品の製造中に基板を支持するための装置であって、前記基板が置かれうる上面を有している実質的に平坦なプレートを具備し、前記プレートの前記上面は少なくとも部分的に多孔質であることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記上面は少なくとも部分的に多孔質の金属カーバイドを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記上面の多孔度は少なくとも金属分子をエッチング除去することにより調節されうることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記上面の多孔度は少なくとも金属カーバイド分子をエッチング除去することにより調節されうることを特徴とする請求項２又は３に記載の装置。
【請求項５】
炭素コアと金属カーバイドの外層とからなる複合材により構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の装置。
【請求項６】
多孔度は５体積％乃至９０体積％の範囲内にあることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の装置。
【請求項７】
金属カーバイドはシリコンカーバイドであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の装置。
【請求項８】
半導体部品の製造中に基板を支持するための装置の製造方法であって、
Ａ  炭素コアを供給する工程と、
Ｂ  前記炭素コアに金属カーバイドの層を適用する工程と、
Ｃ  金属分子を少なくとも部分的にエッチング除去することにより前記金属カーバイドの層を少なくとも部分的に多孔質にする工程とを具備した方法。
【請求項９】
Ｄ  金属カーバイド分子を少なくとも部分的にエッチング除去することにより前記金属カーバイドの層を少なくとも部分的に多孔質にする工程によって更に特徴づけられている請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品の製造中に基板を支持するための装置であって、上記基板が置かれうる上面を有している実質的に平坦なプレートを具備した装置に関する。
【０００２】
本発明は、このような装置の製造方法にも関する。
【背景技術】
【０００３】
このような装置は、例えば、欧州特許出願公開第０６８３５０５号に示されている。上記特許明細書に記載された装置、即ちサセプタには、その上面に１つ以上の溝及び開口から構成されたパターンが設けられ、それらの溝及び開口を通して、プロセスガスが、この装置上に存在している基板の下に通されうる。
【０００４】
プロセスガスのための溝及び開口は、例えばドリリング又はミリング技術によって、上面内に機械加工されている。これは、高価であり、さらには複雑な構成をもたらす。
【発明の開示】
【０００５】
本発明の目的は、前文に記載の装置であって、安価且つ単純な構成であるが、例えば、基板に保護ガスを供給するか又は基板をエアクッション上で静止させるために、或る製造条件下で基板の方向へのプロセスガスの通過を可能とする装置を提供することにある。
【０００６】
本発明によると、プレートの上面は、少なくとも部分的に多孔質である。そのため、当技術の現状において通常必要とされるような、装置の高価且つ極端に精密な機械加工は不要であり、これにより、装置を遥かに低いコストで製造することを可能としている。
【０００７】
本発明の装置の更なる側面によると、上面は、少なくとも部分的に多孔質の金属カーバイドを含んでいる。
【０００８】
その場合、上面の多孔度は、少なくとも金属分子をエッチング除去することによって調節されうるが、より特には、上面の多孔度は、少なくとも金属カーバイド分子をエッチング除去することによっても調節されうる。
【０００９】
実験は、装置の実用的な態様は、多孔度が５体積％乃至９０体積％の範囲内であれば得られうることを示している。
【００１０】
本発明の特定の態様では、装置は、炭素コアと金属カーバイドの外層とからなる複合材により構成されている。
【００１１】
より特には、上記金属カーバイドは、シリコンカーバイドである。
【００１２】
本発明によると、半導体部品の製造中に基板を支持するための装置の製造方法は、少なくとも、
Ａ  炭素コアを供給する工程と、
Ｂ  炭素コアに金属カーバイドの層を適用する工程と、
Ｃ  少なくとも部分的に金属分子をエッチング除去することにより、金属カーバイドの層を少なくとも部分的に多孔質にする工程と
を含んでいる。
【００１３】
より詳細には、上記方法は、
Ｄ  金属カーバイド分子を少なくとも部分的にエッチング除去することにより、金属カーバイドの層を少なくとも部分的に多孔質にする工程
によって更に特徴づけられている。
【００１４】
本発明は、以下に、図面を参照しながらより詳細に説明される。ここで：
図１は、本発明に係るサセプタの一態様の断面図であり；
図２は、多孔質構造を得るためのエッチング操作前における本発明に係るサセプタの材料を示す写真であり；
図３は、多孔質構造を得るためのエッチング操作後における本発明に係るサセプタの材料を示す写真である。
【００１５】
図１は、本発明に係るサセプタの上面図を示している。サセプタ１０は、半導体部品の製造中に基板を支持するための装置として機能し、下面１２と上面１１とを有した実質的に平坦なプレート１０を備えている。基板は、半導体部品の製造工程中、上記上面１１上に置かれる。
【００１６】
サセプタ１０は、少なくとも部分的に金属カーバイド材料１３からなり、より特には、上面１１は、少なくとも部分的に金属カーバイドからなる。
【００１７】
本発明によると、基材は、少なくとも部分的に多孔質であり、より特には、サセプタの上面１１は、少なくとも部分的に多孔質である。これは、少なくとも上面１１の、より特にはサセプタの原料である金属カーバイド分子をエッチング除去することにより得られる多孔性の複数の開口１４へと導く。エッチング操作前後の本発明に係るサセプタの材料をそれぞれ示している図２及び図３を参照のこと。
【００１８】
より詳細には、サセプタは、炭素コアと金属カーバイドの外層とからなる複合材により構成されている。サセプタの少なくとも上面の多孔度は、少なくとも金属カーバイド分子をエッチング除去するか、又は、少なくとも金属分子をエッチング除去することにより調節されうる。
【００１９】
より詳細には、多孔度は、５体積％乃至９０体積％の範囲内である。
【００２０】
サセプタの多孔質性は、底面側でプロセスガスを供給し、プロセスガスがサセプタ中の多孔質チャネルを通されて基板（図示せず）が置かれた上面１１へと至ることを可能にする。プロセスガス、例えば保護ガスを基板へと供給することにより、前記基板は、例えばエアクッション上へと置かれることができ、このことは、半導体部品の或る製造条件下において望ましい。
【００２１】
本発明に係るサセプタが使用されるときには、従来技術に係るサセプタを、半導体産業で現在使用されているサセプタに必要とされる操作である高価且つ過度に精密な機械加工に供することは、もはや必要ではない。本発明に係るサセプタは、製造がより容易であり、サセプタの多孔度、特にはその上面の多孔度が調節可能であるために、より容易である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係るサセプタの一態様の断面図。
【図２】多孔質構造を得るためのエッチング操作前における本発明に係るサセプタの材料を示す写真。
【図３】多孔質構造を得るためのエッチング操作後における本発明に係るサセプタの材料を示す写真。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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