(57)【要約】  有機電子デバイスを有する気密封止パッケージが開示される。パッケージを気密封止して有機電子デバイスを環境要素から完全に保護するためにいくつかの封止機構が提供される。有機電子デバイス（１４）に近接して合金シーラント層（１８）が使用される。別法として、プライマー層（２２、２４）と組み合わせた合金シーラント層（１８）も使用できる。さらに、有機電子デバイスを完全に包囲するために上板（２０）及びエッジラップを設けることができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子デバイスが載置されるように構成された第１の基板、
第１の基板上に設けられた有機電子デバイス、
第１の基板上に設けられた第１のプライマー層であって、有機電子デバイスの周囲に配設された第１のプライマー層、
第１のプライマー層上で有機電子デバイスの周囲に設けられた合金シーラント層、
合金シーラント層上に設けられた第２のプライマー層、及び
第２のプライマー層上に設けられかつ有機電子デバイスの上方に近接して配設された第２の基板
を含んでなる気密封止パッケージ。
【請求項２】
第１の基板が可撓性基板からなる、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項３】
第１の基板が複合構造体からなる、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項４】
第１の基板がポリマー材料からなる、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項５】
第１の基板がプラスチック、金属箔又はガラスからなる、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項６】
第１の基板と有機電子デバイスとの間に配設されたバリヤーコーティングを含む、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項７】
有機電子デバイスが有機エレクトロルミネセントデバイス又は有機光起電力デバイスからなる、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項８】
合金シーラントの融点が有機電子デバイスの動作温度より高くなるように構成されている、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項９】
合金シーラント層がビスマス又はスズ又は鉛又はインジウム又はカドミウム又はこれらの組合せの合金からなる、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項１０】
ビスマスの体積百分率が約０〜約５０％の範囲内にあり、又はスズの体積百分率が約５〜約５０％の範囲内にあり、又は鉛の体積百分率が約０〜約５０％の範囲内にあり、又はインジウムの体積百分率が約０〜約５５％の範囲内にあり、又はカドミウムの体積百分率が約０〜約１５％の範囲内にある、請求項９記載の気密封止パッケージ。
【請求項１１】
第２の基板が上板からなる、請求項１記載の気密封止パッケージ。
【請求項１２】
有機電子デバイスが載置されるように構成された第１の基板、
基板の上面に配設された有機電子デバイス、
有機電子デバイスの上方に配設された絶縁接着剤層、
絶縁接着剤層に結合されかつ有機電子デバイスに近接して配設された上板であって、上板は当該パッケージの縁端をくるむように形成された周辺部を有していて、上板の周辺部は有機電子デバイスの反対側に位置する基板の下面に結合されている上板、及び
上板の周辺部が基板の下面に気密封止されるようにして基板の下面に配設された合金シーラント層
を含んでなる気密封止パッケージ。
【請求項１３】
さらに、当該パッケージの縁端を上板でくるむことで形成されたポケットの内部に配設された脱湿剤を含む、請求項１２記載の気密封止パッケージ。
【請求項１４】
さらに、合金シーラント層と基板の下面との間及び合金シーラント層と上板の周辺部との間に配設されたプライマー層を含む、請求項１２記載の気密封止パッケージ。
【請求項１５】
プライマー層がスズからなる、請求項１４記載の気密封止パッケージ。
【請求項１６】
内面及び外面を有する第１の基板、
第１の基板の内面上に設けられた有機電子デバイス、
有機電子デバイスの上方に配設された絶縁層、
内面及び外面を有する第２の基板であって、第２の基板の内面が有機電子デバイスに近接して配設されるようにして絶縁接着剤に結合された第２の基板、
第１及び第２の基板のそれぞれの外面に結合されると共に、パッケージ周辺の縁端を気密封止するように形成されたエッジラップ、並びに
エッジラップが第１及び第２の基板のそれぞれの外面に気密封止されるように第１及び第２の基板のそれぞれの外面とエッジラップとに結合された合金シーラント層
を含んでなる気密封止パッケージ。
【請求項１７】
第１の基板及び第２の基板の各々が複合構造体からなる、請求項１６記載の気密封止パッケージ。
【請求項１８】
エッジラップが金属箔からなる、請求項１６記載の気密封止パッケージ。
【請求項１９】
さらに、エッジラップと第１及び第２の基板のそれぞれの外面との間に配設されたプライマー層を含む、請求項１６記載の気密封止パッケージ。
【請求項２０】
さらに、当該パッケージの縁端をエッジラップでくるむことで形成されたポケットの内部に配設された脱湿剤を含む、請求項１６記載の気密封止パッケージ。
【請求項２１】
気密封止電子パッケージの製造方法であって、
基板上に複数の有機電子デバイスを配設する段階、
基板とほぼ同じ寸法を有する金属箔を用意する段階、
合金シーラントからなる複数のパターンを用いて金属箔をパターン化する段階であって、複数のパターンの各々は金属箔を基板に結合した後には有機電子デバイスを完全に包囲するようなサイズを有する段階、及び
金属箔を基板に結合する段階
を含んでなる方法。
【請求項２２】
合金シーラントを加熱して合金シーラントの融液を形成する段階を含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
さらに、
基板と複数のパターンの各々との間に第１のプライマー層を配設する段階、及び
複数の有機電子デバイスの各々周囲に第２のプライマー層を配設する段階
を含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
第１及び第２のプライマー層の少なくとも一方がスズからなる、請求項２３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に気密封止電子パッケージに関する。さらに詳しくは、本発明は、有機デバイスを使用しかつ低温気密シールを有する電子パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機デバイスはシリコン半導体デバイスに対する低コストで高性能の代替品であり、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光センサー、有機トランジスター、有機太陽電池及び有機レーザーのような各種の用途で使用されている。
【０００３】
しかし、これらの有機デバイスは、デバイスの劣化を防止するために水分又は酸素のような環境要素からの保護を要求することがある。これらのデバイスの大部分は、様々な機能性をそれぞれに有する異種材料層を組み込んだ成層構造物で作られている。これらのデバイスを保護するための常法の１つは、成層構造物に封入を施すことである。通例、有機デバイスの封入方法は、デバイスの回りに連続外周シールが存在するようにして有機デバイスを基板と封入層との間にサンドイッチすることを含んでいる。多くの場合、バリヤーコーティングを有するガラス、金属又はプラスチックの薄板を用いてデバイスがサンドイッチされる。これらの薄板は、大抵はエポキシ樹脂に基づく接着剤で互いに接合される。薄板材料は優れた気密性を付与するものの、接着剤はそうでないことがある。
【０００４】
従来は、パッケージ中への望ましくない要素（例えば、水及び／又は酸素）の拡散を制限するため、基板と封入層との間に薄い接着剤層が使用されていた。薄い接着剤層を使用することで拡散速度は低下するが、接着剤は環境要素に対してかなりの透過性をもち続けている。容易に理解される通り、接着剤と薄板材料との結合部に少ない界面ボイドを有する接着剤は、製造時にパッケージ中への接着剤の拡散速度が遅くなることで、デバイスの回りにおける封入剤外周の被覆範囲が不十分になる。加えて、侵入水がパッケージに入るのを防止するため、吸湿剤又は水分ゲッターが封入剤の表面上に使用されることがあり、或いはパッケージ内に組み込まれることがある。しかし、これらの物質は高価であると共に、封入剤中への環境要素の浸透を防止するという点では限られた能力しか有していない。
【０００５】
したがって、通常のデバイスに比べてデバイスの縁端を通しての環境要素の浸透を低減させる封止材料を使用した電子パッケージに対するニーズが存在している。
【特許文献１】米国特許第６１６０３４６号公報
【特許文献２】米国特許第６６３５９８９号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００４／０９２５６６号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００２／１８０３７１号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００４／１９５９６７号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００２／０６８１９１号明細書
【特許文献７】米国特許出願公開第２００４／０１３５２６８号明細書
【特許文献８】米国特許第６７０６３１６号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術の一態様では、気密封止パッケージが提供される。かかる気密封止パッケージは、第１の基板及び第１の基板上に設けられた有機電子デバイスを含んでいる。さらに、気密封止パッケージは第１の基板上に設けられた第１のプライマー層を含んでいる。第１のプライマー層は、有機電子デバイスの周囲に配設されている。気密封止パッケージはまた、第１のプライマー層上で有機電子デバイスの周囲に設けられた合金シーラント層、及び合金シーラント層上に設けられた第２のプライマー層を含んでいる。さらにパッケージは、第２のプライマー層上に設けられかつ有機電子デバイスの上方に近接して配設された第２の基板を含んでいる。
【０００７】
本技術の別の態様では、気密封止パッケージが提供される。かかるパッケージは、第１の基板、基板の上面に配設された有機電子デバイス、及び有機電子デバイスの上方に配設された絶縁接着剤層を含んでいる。さらに、気密封止パッケージは絶縁接着剤層に結合されかつ有機電子デバイスに近接して配設された上板を含んでいる。上板はパッケージの縁端をくるむように形成された周辺部を有していて、上板の周辺部は有機電子デバイスの反対側に位置する基板の下面に結合されている。さらにパッケージは、上板の周辺部が基板の下面に気密封止されるようにして基板の下面に配設された合金シーラント層を含んでいる。
【０００８】
本技術のさらに別の態様では、気密封止パッケージが提供される。かかる気密封止パッケージは、内面及び外面を有する第１の基板、第１の基板の内面上に設けられた有機電子デバイス、並びに有機電子デバイスの上方に配設された絶縁層を含んでいる。気密封止パッケージはまた、内面及び外面を有する第２の基板を含んでいて、第２の基板は第２の基板の内面が有機電子デバイスに近接して配設されるようにして絶縁接着剤に結合されている。さらに気密封止パッケージは、第１及び第２の基板のそれぞれの外面に結合されると共に、パッケージ周辺の縁端を気密封止するように形成されたエッジラップ、並びにエッジラップが第１及び第２の基板のそれぞれの外面に気密封止されるように第１及び第２の基板のそれぞれの外面とエッジラップとに結合された合金シーラント層を含んでいる。
【０００９】
本技術の別の態様では、気密封止電子パッケージの製造方法が提供される。かかる方法は、基板上に複数の有機電子デバイスを配設する段階、及び基板とほぼ同じ寸法を有する金属箔を用意する段階を含んでいる。さらに本方法は、合金シーラントからなる複数のパターンを用いて金属箔をパターン化する段階であって、複数のパターンの各々は金属箔を基板に結合した後には有機電子デバイスを完全に包囲するようなサイズを有する段階、及び金属箔を基板に結合する段階も含んでいる。
【００１０】
図面の簡単な説明
本発明の上記その他の特徴、態様及び利点は、添付の図面を参照しながら以下の詳細な説明を読んだ場合に一層良く理解されよう。図面全体を通じて、同じ符号は類似の部分を表している。
【００１１】
図１は、本技術の一実施形態に係る、合金シーラント層を用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【００１２】
図２は、本技術の一実施形態に係る、有機電子デバイス用気密封止パッケージの一製造方法を示す斜視図である。
【００１３】
図３は、本技術の別の実施形態に係る、上板を用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【００１４】
図４は、プライマーを用いた図３の気密封止パッケージの代替実施形態を示す断面図である。
【００１５】
図５は、本技術の別の実施形態に係る、上板を用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【００１６】
図６は、プライマーを用いた図５の気密封止パッケージの代替実施形態を示す断面図である。
【００１７】
図７は、本技術の一実施形態に係る、エッジラップを用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【００１８】
図８は、プライマーを用いた図７のエッジラップの代替実施形態を示す断面図である。
【００１９】
図９は、本技術の別の実施形態に係る、エッジラップを用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【００２０】
図１０は、プライマーを用いた図９のエッジラップの代替実施形態を示す断面図である。
【００２１】
図１１は、本技術に関連して使用できる例示的な複合基板の断面図である。
【００２２】
図１２は、本技術に関連して使用できる別の例示的な複合基板の断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
有機電子デバイスは、水分及び酸素のような環境要素の有害な作用を回避するため、各種の技術によって封入されてきた。現在、有機電子デバイスをサンドイッチするためにガラス、金属又はプラスチックの薄板が使用されている。通例、これらの薄板はエポキシ系接着剤のような接着剤を用いて結合される。薄板材料は優れた気密性を付与するものの、接着剤は一般に水分及び酸素に対して透過性を有する。したがって、有機電子デバイスを含むパッケージに気密性を付与しながら薄板を結合するために使用できる材料を開発することが望ましい。
【００２４】
図１を参照すれば、例示的な実施形態に係る気密封止パッケージ１０の断面図が示されている。現時点で想定される構成では、気密封止パッケージ１０は有機電子デバイス１４が載置されるように構成された第１の基板１２を含むものとして略示されている。幾つかの実施形態では、第１の基板１２は可撓性基板を含み得る。本明細書中で使用する「可撓性」という用語は、一般に約１００ｃｍ未満の曲率半径を有する形状に曲げるのが可能であることを意味する。他の実施形態では、第１の基板１２は複合構造体を含み得る。第１の基板１２は、単一の層からなっていてもよいし、或いは異種材料からなる複数の隣接層を有する構造体からなっていてもよい。本技術の態様では、第１の基板１２は、特に限定されないがプラスチック、金属箔又はガラスのような材料を含み得る。第１の基板１２は一般に薄く、約０．２５〜５０．０ミルの範囲内、好ましくは約０．５〜１０．０ミルの範囲内の厚さを有している。本技術の態様では、第１の基板１２は実質的に透明なフィルムを含むこともある。本明細書中で使用する「実質的に透明な」とは、可視光（即ち、約４００〜約７００ｎｍの範囲内の波長を有する光）について約５０％以上、好ましくは約８０％以上の全透過率を示す材料をいう。
【００２５】
幾つかの実施形態では、第１の基板１２はロール・ロール間加工に適合した可撓性基板を含み得る。有利には、可撓性基板用フィルムのロールを使用すれば、気密封止パッケージ１０の大量かつ低コストのリール間加工及び製造が可能になる。フィルムのロールは例えば１フィートの幅を有し、その上に多数の部品（例えば、有機電子デバイス）を作製できる。巻取り可能な基板を使用することで、デバイスの製造性を向上させることができる。
【００２６】
さらに、第１の基板１２は約１〜２．５の範囲内、好ましくは約１〜約２の範囲内の屈折率を有し得る。第１の基板１２は、一般に任意適宜の可撓性ポリマー材料からなり得る。さらに、第１の基板１２はポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、（ＤｕＰｏｎｔ社製の）Ｋａｐｔｏｎ  Ｈ又はＫａｐｔｏｎ  Ｅ或いは（ＵＢＥ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．製の）Ｕｐｉｌｅｘのようなポリイミド、環状オレフィン（ＣＯＣ）のようなポリノルボルネン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のような液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなり得る。
【００２７】
加えて、気密封止パッケージ１０は、第１の基板１２上に設けられた有機電子デバイス１４を含み得る。幾つかの実施形態では、有機電子デバイス１４は、エレクトロルミネセントデバイス（例えば、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ））、有機光起電力デバイス、有機光検出器、有機エレクトロクロミックデバイス、有機センサー及びこれらの組合せの１つからなり得る。これらの実施形態では、有機電子デバイス１４は、２つの導体又は電極間に配設された複数の有機半導体層を含み得る。図１には示されていないが、有機電子デバイス１４の電極は、有機電子デバイス１４中での発光反応を開始させるために使用する外部電源に電気的に接続されている。本技術の態様では、有機電子デバイス１４は、ロール・ロール間プロセスを用いて第１の基板１２上に作製できる。
【００２８】
幾つかの実施形態では、第１の基板１２を通しての水分及び酸素の拡散を防止するため、第１の基板１２と有機電子デバイス１４との間にバリヤーコーティング１６を配設できる。幾つかの実施形態では、バリヤーコーティング１６は、第１の基板１２を完全に覆うようにして第１の基板１２の表面上に配設又はその他の方法で形成できる。当業者には容易に理解される通り、バリヤーコーティング１６は、反応性化学種に関する任意適宜の反応生成物又は再結合生成物を含み得る。幾つかの実施形態では、バリヤーコーティング１６は約１０〜約１００００ｎｍの範囲内、好ましくは約１０〜約１０００ｎｍの範囲内の厚さを有し得る。容易に理解される通り、バリヤーコーティング１６が引き起こす光透過率の低下が約２０％未満、好ましくは約５％未満となるように、第１の基板１２を通しての光の透過を妨げないバリヤーコーティング１６の厚さを選択することが望ましい。また、第１の基板１２の可撓性を顕著に低下させないと共に、曲げによって顕著に劣化しない性質を有するバリヤーコーティング材料及び厚さを選択することも望ましい。
【００２９】
幾つかの実施形態では、バリヤーコーティング１６は、物理蒸着、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、高周波プラズマ強化化学蒸着（ＲＦＰＥＣＶＤ）、膨張熱プラズマ化学蒸着（ＥＴＰＣＶＤ）、反応スパッタリング、電子サイクロトロン共鳴プラズマ強化化学蒸着（ＥＣＲＰＥＣＶＤ）、誘導結合プラズマ強化化学蒸着（ＩＣＰＥＣＶＤ）、スパッター蒸着、真空蒸着、原子層蒸着（ＡＬＤ）又はこれらの組合せのような任意適宜の堆積技術で配設できる。
【００３０】
幾つかの実施形態では、バリヤーコーティング１４は、特に限定されないが、有機材料、無機材料、セラミック、金属又はこれらの組合せのような材料を含み得る。通例、これらの材料は反応性プラズマ化学種の反応生成物又は再結合生成物であり、第１の基板１２の表面上に堆積される。幾つかの実施形態では、有機材料は、反応体の種類に応じて炭素、水素、酸素及び任意には他の少量元素（例えば、硫黄、窒素、ケイ素など）からなり得る。コーティング中に有機組成物を生じる好適な反応体は、１５までの炭素原子を有する直鎖又は枝分れアルカン、アルケン、アルキン、アルコール、アルデヒド、エーテル、アルキレンオキシド、芳香族化合物などである。無機及びセラミックコーティング材料は、通例、IIＡ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ、VIＡ、VIIＡ、ＩＢ及びIIＢ族元素の酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、オキシ窒化物、オキシ炭化物又はこれらの組合せ、IIIＢ、IVＢ及びＶＢ族金属、並びに希土類金属からなる。例えば、シラン（ＳｉＨ４）及び有機物質（例えば、メタン又はキシレン）から生じたプラズマの再結合で炭化ケイ素を基板上に堆積できる。シラン、メタン及び酸素から、或いはシラン及びプロピレンオキシドから生じたプラズマからオキシ炭化ケイ素を堆積できる。オキシ炭化ケイ素はまた、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳＮ）又はオクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｄ４）のような有機ケイ素前駆体から生じたプラズマからも堆積できる。シラン及びアンモニアから生じたプラズマから窒化ケイ素を堆積できる。酒石酸アルミニウムとアンモニアとの混合物から生じたプラズマからオキシ炭窒化アルミニウムを堆積できる。所望のコーティング組成物を得るため、金属酸化物、金属窒化物、金属オキシ窒化物、酸化ケイ素、窒化ケイ素及びオキシ窒化ケイ素のような他の反応体の組合せも選択できる。
【００３１】
他の実施形態では、バリヤーコーティング１６は混成有機／無機材料又は多層有機／無機材料からなり得る。有機材料はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシアミン樹脂、キシレン樹脂、シロキサン、シリコーンなどからなり得る。特定の反応体の選択は、当業者であれば容易に理解できよう。第１の基板１２の透明性が要求されない用途では、バリヤーコーティング１６用として大抵の金属が好適であり得る。容易に理解される通り、第１の基板１２は気密基板を得るために第１のバリヤーコーティング１６を組み込んだ組成物からなり得る。
【００３２】
さらに、上述の通り、気密封止パッケージ１０は、合金シーラント層１８で第１の基板１２に結合できる第２の基板２０を含んでいる。幾つかの実施形態では、第２の基板２０は、第２の基板２０の周辺部がパッケージ１０の縁端をくるむようにパターン化された状態で配設できる。これらの実施形態では、第２の基板２０の周辺部をバリヤーコーティング１６の反対側にある第１の基板１２の面に結合できる。換言すれば、第２の基板２０の周辺部がバリヤーコーティング１６の反対側にある第１の基板１２の面に結合されるように構成することでパッケージ１０を気密封止できる。これらの実施形態では、第２の基板を「上板」ということもある。これらの例示的な実施形態は、図３〜６に関連してさらに図示及び説明される。別の実施形態では、気密封止パッケージ周辺の縁端を気密封止するように形成された縁端封入材料を、第１の基板１２と第２の基板２０との間の有機電子デバイス１４の周囲に沿って配設できる。これらの例示的な実施形態は、図７〜１０に関連して図示及び説明される。
【００３３】
本技術の態様では、第２の基板２０は低い透過性を有する薄い材料からなり得る。本技術の態様では、第２の基板は用途に応じて透明であってもなくてもよい。幾つかの実施形態では、第２の基板２０は有機電子デバイス１４から発生した光を反射するための反射性材料（例えば、金属箔）を含み得る。幾つかの実施形態では、第２の基板２０はアルミニウム箔、ステンレス鋼箔、銅箔、スズ、コバール、インバールなどを含み得る。反射光が臨界未満である用途では、第２の基板２０は薄いガラス、サファイア、雲母、又は低い透過性を有するバリヤー被覆プラスチックからなり得る。一般に、第２の基板２０は、第１の基板１２から遠ざかる方向に放出された放射を反射し、かかる放射を第１の基板１２に向けて導くことでこの方向に放出される放射の総量を増加させるために適用される。有利には、第２の基板２０は、反応性の環境要素（例えば、酸素や水分）が有機電子デバイス１４中に拡散するのを防止するための材料を含み得る。第２の基板２０は、デバイス全体の可撓性を低下させないように十分に薄い。さらに、図１１及び１２に関連して後述するように、第２の基板２０は有機電子デバイス１４中への酸素及び水蒸気の拡散をさらに低減させるために各種の金属又は金属化合物からなる複数の層を含み得る。一実施形態では、有機電子デバイス１４に直ぐ隣接した第２の基板２０の内面は反射性を有する一方、外層は有機電子デバイス１４中への酸素及び水の拡散速度を低下させるために使用できる非反射性材料又は化合物（例えば、金属酸化物、窒化物、炭化物、オキシ窒化物又はオキシ炭化物）からなる。
【００３４】
本技術の態様では、気密性を得るため、有機電子デバイス１４に近接して合金シーラント層１８が配設される。以後、合金シーラント層は互換的に合金シーラントともいう。図１に示された実施形態では、合金シーラント１８は、有機電子デバイス１４が合金シーラント１８で完全に包囲されるようにして有機電子デバイス１４の周囲全体にわたり配設されている。一般に、合金シーラント１８は、第１の基板１２又はバリヤーコーティング１６を第２の基板２０に結合することで有機電子デバイス１４を完全に封入できるようにするために接着材料からなる。合金シーラント層１８は、一般に低い透過性を有すると共に接着を可能にする任意の材料を含み得る。合金シーラント層１８を配設するための技術は、図２に関連して本明細書中にさらに詳しく説明する。下記に詳述するように、幾つかの実施形態では、合金シーラント１８は気密封止パッケージ１０の第１又は第２の基板に直接結合できる。しかし、他の実施形態では、第１のプライマー層２２及び／又は第２のプライマー層２４或いはこれらの両方のような１以上のプライマー層を、合金シーラント層１８と第１の基板１２及び／又は第２の基板２０との間に配設できる。下記に詳述するように、プライマー層２２及び２４は合金シーラント１８と基板１２及び２０との密着を容易にするために使用できる。
【００３５】
幾つかの実施形態では、合金シーラント１８は、合金シーラントの融点を超えてパッケージを加熱することでパッケージ１０に適用できる。加熱すると、合金シーラント１８は溶融して流れることで連続層を形成する。凝固後、この連続層は水及び酸素に対して不透過性のシールを形成する。したがって、合金を加熱して融液を形成しながらも有機電子デバイス１４の層の性質を変化させないようにするため、約１５０℃未満の融点を有する合金シーラント１８を使用することが望ましい。同時に、有機電子デバイス１４の動作条件下でシールがその気密性を失わないようにするため、合金シーラントの融点が有機電子デバイスの動作温度より高いことも望ましい。したがって、幾つかの実施形態では、合金シーラント材料はビスマス、スズ、鉛、インジウム、カドミウム又はこれらの組合せの合金を含み得る。
【００３６】
幾つかの実施形態では、合金シーラント１８は、約０〜約５０％の範囲内の体積百分率のビスマス、又は約５〜約５０％の範囲内の体積百分率のスズ、又は約０〜約５０％の範囲内の体積百分率の鉛、又は約０〜約５５％の範囲内の体積百分率のインジウム、又は約０〜約１５％の範囲内の体積百分率のカドミウムを有する合金を含み得る。例示的な実施形態では、合金シーラントは、約４２〜約４６％の範囲内の体積百分率のビスマス、約６〜約１０％の範囲内の体積百分率のスズ、約２０〜約２４％の範囲内の体積百分率の鉛、約１７〜約２１％の範囲内の体積百分率のインジウム、及び約３〜約７％の範囲内の体積百分率のカドミウムを含み得る。別の実施形態では、合金シーラント１８は、約４７〜約５１％の範囲内の体積百分率のビスマス、約１０〜約１２％の範囲内の体積百分率のスズ、約１６〜約２０％の範囲内の体積百分率の鉛、及び約１９〜約２３％の範囲内の体積百分率のインジウムを含み得る。さらに別の例示的な実施形態では、合金シーラント１８は、約４８〜約５２％の範囲内の体積百分率のビスマス、約１０〜約１２％の範囲内の体積百分率のスズ、約２３〜約２７％の範囲内の体積百分率の鉛、及び約１０〜約１４％の範囲内の体積百分率のカドミウムを含み得る。別の例示的な実施形態では、合金シーラント１８は、約５３〜約５７％の範囲内の体積百分率のビスマス、及び約４０〜約４４％の範囲内の体積百分率のスズを含み得る。別の例示的な実施形態では、合金シーラント１８は、約４６〜約５０％の範囲内の体積百分率のビスマス、及び約５０〜約５４％の範囲内の体積百分率のインジウムを含み得る。
【００３７】
加えて、幾つかの実施形態では、第１のプライマー層２２及び第２のプライマー層２４のようなプライマー層を、図１に示すように合金シーラント層１８の両側に配設できる。当業者には容易に理解される通り、プライマー層は第１の基板１２（又はバリヤーコーティング１６）及び／又は第２の基板２０の表面を濡らし、それによって合金シーラント層１８と第１の基板１２及び／又は第２の基板２０との密着を容易にする。例示的な実施形態では、第１のプライマー層２２又は第２のプライマー層２４或いはこれらの両方はスズを含み得る。さらに、幾つかの実施形態では、プライマー層２２及び２４は第１の基板１２及び／又は第２の基板２０の表面上に電着できる。他の実施形態では、プライマー層は、特に限定されないが真空蒸着及びスパッタリングのような堆積技術で堆積できる。幾つかの実施形態では、プライマー層２２及び２４は約１０〜約１００００ｎｍの範囲内の厚さを有し得る。
【００３８】
図２は、図１に関連して記載したパッケージ１０のような気密封止パッケージを多数製造するための例示的な方法を示している。容易に理解される通り、第１の基板１２はポリマーフィルムロールから供給できる。例示的な一実施形態では、ロールは、図２に示すように２つの有機パッケージ１０を互いに隣接した状態で製造できるようなサイズを有し得る。第１の基板１２はバリヤーコーティング１６で被覆されており、その上に有機電子デバイス１４が配列される。幾つかの実施形態では、第２の基板２０もロールから供給できる。図示された実施形態では、合金シーラント１８を第２の基板２０の表面上に配設することで、第２の基板２０を第１の基板１２に結合した後には有機電子デバイス１４の周囲全体にわたりシールが形成される。幾つかの実施形態では、合金シーラント１８は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、積層又はその他任意の好適な手段で第２の基板２０の表面上に配設できる。ロール・ロール間製造の完了後には、気密封止パッケージ１０をロールから切り離すことができる。容易に理解される通り、他の製造技術を用いて気密封止パッケージ１０を構成することもできる。
【００３９】
図３を参照すれば、図１に示した気密封止パッケージの代替実施形態２６が示されている。図１に示した実施形態と同じく、気密封止パッケージ２６は第１の基板１２、バリヤーコーティング１６及び有機電子デバイス１４を含んでいる。さらに、図示された実施形態では、気密封止パッケージ２６は第２の基板２８も含んでいる。上述のように、図示された実施形態では、第２の基板は上板２８からなっている。図示された実施形態では、上板２８は、第１の基板１２の縁端をくるむと共に第１の基板１２の外面（即ち、バリヤーコーティング１６を有する面の反対側にある第１の基板１２の面）に結合されて周辺部３１を形成し得るように寸法決定された縁端部３０を含んでいる。図示された実施形態では、上板２８の縁端部３０は合金シーラント３２を用いて第１の基板１２の外面に接着されている。合金シーラント３２は、合金シーラント１８と同じ材料からなり得る。容易に理解される通り、有機電子デバイス１４を水分及び酸素から効果的に保護するため、合金シーラント３２は有利には低い透過性を有する材料からなる。さらに、デバイス１４を第２の基板２８から絶縁するため、気密封止パッケージ２６は有機電子デバイス１４と第２の基板２８との間に配設された絶縁接着剤３４を含み得る。図３に示すように、合金シーラント３２は絶縁接着剤３４の周辺部を封止するためにも使用される。
【００４０】
図４は、上板２８並びにプライマー層３８及び４０を用いた気密封止パッケージ３６の別の代替実施形態を示している。図１及び３に示した実施形態と同じく、気密封止パッケージ３６は第１の基板１２、バリヤーコーティング１６及び有機電子デバイス１４を含んでいる。図示された実施形態では、上板２８の縁端部３０は合金シーラント３２を用いて第１の基板１２の外面に接着されている。さらに、絶縁接着剤３４が有機電子デバイス１４と上板２８との間に配設されている。幾つかの実施形態では、上板２８の周辺部３１及び／又は第１の基板１２の外面に対する合金シーラント３２の密着性を向上させるため、気密封止パッケージ３６中に１以上のプライマー層を使用できる。現時点で想定される実施形態では、プライマー層３８は合金シーラント３２と第１の基板１２の外面との間に配設でき、プライマー層４０は合金シーラント３２と第１の基板１２の周辺部３１との間に配設できる。容易に理解される通り、プライマー層３２及び４０は材料組成が異なっていてもよい。幾つかの実施形態では、プライマー層３８及び４０はスズを含み得る。
【００４１】
図５は、上板４４を用いた気密封止パッケージ４２の別の例示的な実施形態を示している。図１、３及び４に示した実施形態と同じく、気密封止パッケージ４２は第１の基板１２、バリヤーコーティング１６及び有機電子デバイス１４を含んでいる。図示された実施形態では、パッケージ４２は縁端部４６及び周辺部４８を有する上板４４を含んでいる。幾つかの実施形態では、さらに気密性を付与するため、第２の基板として上板４４を有する気密封止パッケージ４２中に脱湿剤又はゲッター物質を使用できる。これらの実施形態では、脱湿剤又はゲッター物質は、上板４４の縁端部でくるむことで形成されたポケットの内部に配設できる。容易に理解される通り、脱湿剤は水又は酸素に対して高い親和性を有する物質であり、乾燥剤として使用される。脱湿剤又はゲッター５０は、有利には、水分又は酸素を吸収することで有機電子デバイス１４をさらに保護する。幾つかの実施形態では、脱湿剤又はゲッター５０は、例えば、酸化カルシウム、シリカゲル、ハイシル（Ｈｉｓｉｌ）、ゼオライト、硫酸カルシウム（ＤＲＩＥＲＩＴＥ）、酸化バリウム又は他の反応性金属からなり得る。容易に理解される通り、脱湿剤又はゲッター５０は省いてもよい。
【００４２】
現時点で想定される実施形態では、上板４４は、有機電子デバイス１４の周囲に合金シーラント層５２を使用することで第１の基板１２に結合されている。加えて、上板４４の縁端部４８は合金シーラント層５２を用いて第１の基板１２の外面に結合されている。合金シーラント５２は、合金シーラント１８と同じ材料からなり得る。
【００４３】
図６は、上板を用いた気密封止パッケージ５４の別の例示的な実施形態を示している。図１、３、４及び５に示した実施形態と同じく、気密封止パッケージ５４は第１の基板１２、バリヤーコーティング１６及び有機電子デバイス１４を含んでいる。図示された実施形態では、パッケージ５４は縁端部４６及び周辺部４８を有する上板４４を含んでいる。幾つかの実施形態では、さらに気密性を付与するため、気密封止パッケージ４２中に脱湿剤又はゲッター物質を使用できる。図５と同じく、これらの実施形態では、脱湿剤又はゲッター物質５０は、上板４４の縁端部４６でくるむことで形成されたポケットの内部に配設できる。現時点で想定される実施形態では、上板４４は、有機電子デバイス１４の周囲に合金シーラント層５２を使用することで第１の基板１２に結合されている。加えて、上板４４の縁端部４８は合金シーラント層５２を用いて第１の基板１２の外面に結合されている。さらに、図示された実施形態では、合金シーラント層５２及び第２の表面に隣接して１以上のプライマー層（例えば、プライマー層５６）を使用できる。合金シーラント５２は、合金シーラント１８と同じ材料からなり得る。
【００４４】
次に図７を参照すれば、別の気密封止パッケージ５８の断面図が示されている。図１及び図３〜６に示した実施形態と同じく、気密封止パッケージ５８は第１の基板１２、バリヤーコーティング１６及び有機電子デバイス１４を含んでいる。さらに、パッケージ５８は第２の基板６０も含んでいる。現時点で想定される実施形態では、第２の基板６０は上板２８のような反射性基板であってもよいし、或いは第１の基板１２のような可撓性基板であってもよい。図示されてはいないが、バリヤーコーティング１６のようなバリヤーコーティングを、有機電子デバイス１４に近い側に位置する第２の基板６０の表面上に配設できる。加えて、２枚の基板の縁端の近くで第１の基板１２と第２の基板６０との間に接着剤６２を配設することで２枚の基板を互いに結合できる。
【００４５】
次に、こうして形成された構造物の縁端をエッジラップ６４の使用で封止すれば、パッケージ５８に向上した気密性を付与することができる。図示された実施形態では、エッジラップ６４は側面部６６及び周辺部６８を含んでいる。さらに、エッジラップ６４は図７に示すように合金シーラント７０で基板１２及び２０に結合されている。図示された実施形態では、合金シーラント７０は、パッケージ５８を気密封止するようにしてエッジラップ３４の周辺部の近くで第１の基板１２及び第２の基板２０上に設けられている。幾つかの実施形態では、エッジラップ７０はアルミニウム箔、ステンレス鋼箔、銅箔、スズ、コバール、インバールなどを含み得ると共に、絶縁性であっても導電性であってもよい。有利には、例えば第２の基板の気密コーティングの亀裂が排除されるので、エッジラップ６４は、一層丈夫な気密封止パッケージを生み出すことができる。図５及び６に関連して記載した例示的な実施形態と同じく、エッジラップ６４でパッケージ５８の縁端をくるむことで形成されたポケットの内部に脱湿剤又はゲッター物質７２を配設できる。
【００４６】
図８は、図７の気密封止パッケージの代替実施形態を示している。図示された実施形態では、気密封止パッケージ７４は第１の基板１２、バリヤーコーティング１６、第２の基板６０及び有機電子デバイス１４を含んでいる。現時点で想定される実施形態では、気密封止パッケージ７４は図７に関連して記載したような合金シーラント７０を含んでいる。加えて、合金シーラントの密着性を向上させ、それによってパッケージ７４の気密性を改良するため、合金シーラント７０と合金シーラント７０を配設する表面との間に１以上のプライマー層（例えば、プライマー層７６及び７８）を配設できる。例えば、合金シーラント７０とエッジラップ６４の周辺部６８との間にプライマー層７６を配設できる。さらに、合金シーラント７０と第１の基板１２又は第２の基板２０或いはこれらの両方の側方部分との間にプライマー層７８を配設できる。容易に理解される通り、プライマー層７６及び７８の材料組成は同じであっても異なっていてもよい。
【００４７】
図７及び８と同じく、図９は本発明の態様に従ってエッジラップ６４を用いた気密封止パッケージ８０の別の例示的な実施形態を示している。図示された実施形態では、気密封止パッケージ８０は第１の基板１２、バリヤーコーティング１６、第２の基板６０及び有機電子デバイス１４を含んでいる。現時点で想定される実施形態では、気密封止パッケージ８０は、層８２の形態を有すると共に、エッジラップ６４の周辺部６８と第１の基板１２及び第２の基板６０の外周付近との間に配設された合金シーラントを含んでいる。合金シーラント層８２は、図１の合金シーラント１８と同じ組成物を含んでいる。
【００４８】
図１０は、図９の例示的な代替実施形態を示している。図示された実施形態では、気密封止パッケージ８４は合金シーラント層８２を含んでいるが、これは合金シーラント層８２と第２の表面との間に配設されるようにして合金シーラント層８２の両側に配設された１以上のプライマー層（例えば、プライマー層８６及び８８）を有している。図示された実施形態では、第２の表面とは第１の基板１２又は第２の基板６０の表面をいう。図１に関連して上述したように、プライマーの適用は合金シーラント層と他の表面との密着を容易にする。図示された実施形態では、プライマー層８６は合金シーラント層８２と第１の基板１２又は第２の基板６０との間に配設されている。同様に、プライマー層８８は合金シーラントとエッジラップ６４の周辺部６８との間に配設されている。
【００４９】
図１〜１０は、表面上に作製された有機電子デバイスを有すると共に向上した気密性を付与するように形成された第１の基板１２を説明するものである。下記に詳述するように、第１の基板１２は複合構造を有し得る。
【００５０】
図１１は、複合構造を有する可撓性複合基板９０を示している。図示された実施形態では、可撓性複合基板９０は実質的に透明な可撓性フィルム９２を含んでいる。一実施形態では、透明な可撓性フィルムは約０．２５〜約５０．０ミルの範囲内の厚さを有し得る。別の実施形態では、透明な可撓性フィルム９２は約０．５〜約１０．０ミルの範囲内の厚さを有し得る。幾つかの実施形態では、透明な可撓性フィルム９２は約１．０５〜２．５の範囲内の屈折率を有し得る。幾つかの実施形態では、透明な可撓性フィルム９２は約１．１〜１．６の範囲内の屈折率を有し得る。さらに、透明な可撓性フィルム９２は一般に任意適宜の可撓性ポリマー材料からなる。例えば、フィルム９２はポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、（ＤｕＰｏｎｔ社製の）Ｋａｐｔｏｎ  Ｈ又はＫａｐｔｏｎ  Ｅ或いは（ＵＢＥ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．製の）Ｕｐｉｌｅｘのようなポリイミド、環状オレフィン（ＣＯＣ）のようなポリノルボルネン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のような液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなり得る。
【００５１】
気密性を付与するため、フィルム９２を透明なバリヤーコーティング９４で被覆することでフィルム９２を通して有機電子デバイス（図示せず）に至る水分及び酸素の拡散が防止される。バリヤーコーティング１６と同じく、バリヤーコーティング９４はフィルム９２の表面上に配設又はその他の方法で形成できる。幾つかの実施形態では、バリヤーコーティング９４は約１０〜約１００００ｎｍの範囲内、好ましくは約１０〜約１０００ｎｍの範囲内の厚さで配設できる。バリヤーコーティング９４が引き起こす光透過率の低下が約２０％未満、好ましくは約５％未満になるように、フィルム９２を通しての光の透過を妨げないコーティング厚さを選択することが一般に望ましい。コーティングは、例えばプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）のような任意適宜の堆積技術で配設できる。
【００５２】
図１でバリヤーコーティング１６に関連して記載したように、バリヤーコーティング９４は、例えば、有機材料、無機材料又はセラミック材料からなり得る。かかる材料は反応性プラズマ化学種の反応生成物又は再結合生成物であり、フィルム９２の表面上に堆積される。有機コーティング材料は、反応体の種類に応じ、炭素、水素、酸素及び任意には他の少量成分（例えば、硫黄、窒素、ケイ素など）からなり得る。コーティング中に有機組成物を生じる好適な反応体は、１５までの炭素原子を有する直鎖又は枝分れアルカン、アルケン、アルキン、アルコール、アルデヒド、エーテル、アルキレンオキシド、芳香族化合物などである。無機及びセラミックコーティング材料は、通例、IIＡ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ、VIＡ、VIIＡ、ＩＢ及びIIＢ族元素の酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物又はこれらの組合せ、IIIＢ、IVＢ及びＶＢ族金属、並びに希土類金属からなる。例えば、シラン（ＳｉＨ４）及び有機物質（例えば、メタン又はキシレン）から生じたプラズマの再結合で炭化ケイ素を基板上に堆積できる。シラン、メタン及び酸素から、或いはシラン及びプロピレンオキシドから生じたプラズマからオキシ炭化ケイ素を堆積できる。オキシ炭化ケイ素はまた、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳＮ）又はオクタメチルシクロテトラシロキサン（Ｄ４）のような有機ケイ素前駆体から生じたプラズマからも堆積できる。シラン及びアンモニアから生じたプラズマから窒化ケイ素を堆積できる。酒石酸アルミニウムとアンモニアとの混合物から生じたプラズマからオキシ炭窒化アルミニウムを堆積できる。所望のコーティング組成物を得るため、金属酸化物、金属窒化物、金属オキシ窒化物、酸化ケイ素、窒化ケイ素及びオキシ窒化ケイ素のような他の反応体の組合せも選択できる。
【００５３】
さらに、バリヤーコーティング９４は混成有機／無機材料又は多層有機／無機材料からもなり得る。無機材料はＡ〜Ｆ元素から選択でき、有機材料はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシアミン樹脂、キシレン樹脂、シロキサン、シリコーンなどからなり得る。特定の反応体の選択は、当業者であれば容易に理解できよう。
【００５４】
基板９０は、耐薬品性を有すると共に低い熱膨張率（「ＣＴＥ」）を有するコーティング又は保護層９６も含み得る。保護層９６を設ければ、基板９０又は有機パッケージの製造中に通常使用される化学薬品による化学的攻撃から下方の材料を有利に保護することができる。さらに、低いＣＴＥのため、保護層９６は高温での基板９０の加工も可能にする。保護層９６は、場合によっては無機充填材（例えば、シリカ粒子）を充填したアクリル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシアミン樹脂、キシレン樹脂、シロキサン、シリコーンなどからなり得ると共に、ロールコーティング、スロットコーティング、バーコーティング、スピンコーティング及びその他公知の湿式化学物質コーティング技術で堆積できる。別法として、保護層９６は、通例はIIＡ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ、VIＡ、VIIＡ、ＩＢ及びIIＢ族元素の酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物又はこれらの組合せ、IIIＢ、IVＢ及びＶＢ族金属、並びに希土類金属からなる無機及びセラミックコーティング材料からなり得る。これらの材料は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、高周波プラズマ強化化学蒸着（ＲＦＰＥＣＶＤ）、膨張熱プラズマ化学蒸着（ＥＴＰＣＶＤ）、反応スパッタリング、電子サイクロトロン共鳴プラズマ強化化学蒸着（ＥＣＲＰＥＣＶＤ）、誘導結合プラズマ強化化学蒸着（ＩＣＰＥＣＶＤ）、スパッター蒸着、真空蒸着、原子層蒸着（ＡＬＤ）又はこれらの組合せのような堆積技術で堆積できる。
【００５５】
複合基板９０の外面も保護層９８を含み得る。保護層９８は、一般に、耐摩耗性を有すると共に低い熱膨張率を有する層／コーティングからなる。層９８は、取扱い時に基板９０を引っかきから保護するために設けることができる。さらに、低いＣＴＥのため、保護層９８は高温での基板９８の加工も可能にする。保護層９８は、層９６に関連して上述した材料のいずれかからなり得ると共に、それに関連して上述した堆積技術のいずれかによって堆積できる。
【００５６】
図１２は、前述した封止技術に従って使用できる可撓性複合基板の代替実施形態１００を示している。図１２の複合基板１００は、図１１に関連して示した基板に類似している。基板１００と基板９０との相違点は、（図１１のように１層のフィルム９２と違って）２層のフィルム１０２及び１０４が使用されることである。図示された実施形態では、２層のフィルム１０２及び１０４の各々はフィルム上に配設又は堆積されたバリヤーコーティング（図示せず）を有している。さらに、２つのバリヤーコーティング１０６及び１０８は接着剤層１１０を用いて結合できる。
【００５７】
以上、本明細書中には本発明の若干の特徴のみを例示し説明してきたが、当業者には多くの修正及び変更が想起されるであろう。したがって、特許請求の範囲は本発明の真の技術思想に含まれるかかる修正及び変更のすべてを包括するものと理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本技術の一実施形態に係る、合金シーラント層を用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【図２】本技術の一実施形態に係る、有機電子デバイス用気密封止パッケージの一製造方法を示す斜視図である。
【図３】本技術の別の実施形態に係る、上板を用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【図４】プライマーを用いた図３の気密封止パッケージの代替実施形態を示す断面図である。
【図５】本技術の別の実施形態に係る、上板を用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【図６】プライマーを用いた図５の気密封止パッケージの代替実施形態を示す断面図である。
【図７】本技術の一実施形態に係る、エッジラップを用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【図８】プライマーを用いた図７のエッジラップの代替実施形態を示す断面図である。
【図９】本技術の別の実施形態に係る、エッジラップを用いた例示的な気密封止パッケージの断面図である。
【図１０】プライマーを用いた図９のエッジラップの代替実施形態を示す断面図である。
【図１１】本技術に関連して使用できる例示的な複合基板の断面図である。
【図１２】本技術に関連して使用できる別の例示的な複合基板の断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  気密封止パッケージ
１２  第１の基板
１４  有機電子デバイス
１６  バリヤーコーティング
１８  合金シーラント層
２０  第２の基板
２２  第１のプライマー層
２４  第２のプライマー層
【図１】
2008546211.tif 000003
【図２】
2008546211.tif 000004
【図３】
2008546211.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008546211.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008546211.tif 000009
【図８】
2008546211.tif 000010
【図９】
2008546211.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
2008546211.tif 000015
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