(57)【要約】  式（Ｉ）の化合物を含む組成物、式（Ｉ）の化合物を含む組成物の製造方法、式（Ｉ）の化合物又は式（II）の化合物を含む物品のための認証方法、式（Ｉ）の化合物又は式（II）の化合物を含むポリマーベース物品のための認証技術、かかる認証を容易にする方法、及び認証可能物品の製造方法。【選択図】    図４
2008524219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式Ｉの化合物を含んでなる組成物。
【化１】
2008524219.tif 000021
（式中、Ｒ１は−Ｏ−又は−ＮＲ６−（式中、Ｒ６は一価有機基である。）の１以上であり、
Ｒ２は炭素原子数３〜３０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択され、
Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして不安定部分であり、
Ｒ４及びＲ５は、
（ｉ）各々独立に、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基、炭素原子数３〜１２の脂環式基、シアノ基、ニトロ基、ハロ基及び−ＯＲ９基（式中、Ｒ９は水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される。）からなる群から選択されるか、或いは
（ii）一緒になって炭素原子数３〜１２の芳香族基を表す。）
【請求項２】
不安定部分Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして、−Ｃ(Ｏ)−Ｏ−Ｒ７、−ＣＨ２−Ｒ８、−ＳＯ２−Ｒ９、−Ｃ(Ｏ)Ｒ１０、−Ｃ(Ｓ)−Ｒ１１、−Ｃ(Ｏ)−ＮＲ１２Ｒ１３及び−ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は独立に炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択され、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択される。）からなる群から選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
不安定部分Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして、−Ｃ(Ｏ)−Ｏ−Ｒ７、−ＣＨ２−Ｒ８、−ＳＯ２−Ｒ９及び−Ｃ(Ｏ)Ｒ１０（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は独立に炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択される。）からなる群から選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
一価有機基Ｒ６が水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
式Ｉの前記化合物が、３−エチルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−エチルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、３−フェニルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−フェニルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、３−ブチルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−ブチルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、炭酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル−４−オキソ−２−フェニル−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル（３−ブチルオキシカルボニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン）、炭酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル−４−オキソ−２−ビフェニル−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル（３−エチルオキシカルボニル−４Ｈ−フェニル−１−ベンゾピラン−４−オン）、テレフタル酸ビス（４−オキソ−２−フェニル−４Ｈ−クロメン−３−イル）エステル及び３−ヒドロキシ−２−チオフェン−２−イル−クロメン−４−オンからなる群から選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
組成物の製造方法であって、
Ａ．下記式IIの化合物を
Ｂ．下記式IIIの化合物と
Ｃ．塩基及び溶媒の存在下で反応させて下記式Ｉの化合物を生成させる段階
を含んでなる方法。
【化２】
2008524219.tif 000022
（式中、Ｒ１は−Ｏ−又は−ＮＲ６−（式中、Ｒ６は一価有機基である。）の１以上であり、
Ｒ２は炭素原子数３〜３０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択され、
Ｒ４及びＲ５は、
（ｉ）各々独立に、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基、炭素原子数３〜１２の脂環式基、シアノ基、ニトロ基、ハロ基及び−ＯＲ９基（式中、Ｒ９は水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される。）からなる群から選択されるか、或いは
（ii）一緒になって炭素原子数３〜１２の芳香族基を表す。）
【化３】
2008524219.tif 000023
（式中、Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして不安定部分であり、Ｘは脱離基である。）
【化４】
2008524219.tif 000024
（式中、Ｒ１は−Ｏ−又は−ＮＲ６−（式中、Ｒ６は一価有機基である。）の１以上であり、
Ｒ２は炭素原子数３〜３０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択され、
Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして不安定部分であり、
Ｒ４及びＲ５は、
（ｉ）各々独立に、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基、炭素原子数３〜１２の脂環式基、シアノ基、ニトロ基、ハロ基及び−ＯＲ９基（式中、Ｒ９は水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される。）からなる群から選択されるか、或いは
（ii）一緒になって炭素原子数３〜１２の芳香族基を表す。）
【請求項７】
不安定部分Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして、−Ｃ(Ｏ)−Ｏ−Ｒ７、−ＣＨ２−Ｒ８、−ＳＯ２−Ｒ９、−Ｃ(Ｏ)Ｒ１０、−Ｃ(Ｓ)−Ｒ１１、−Ｃ(Ｏ)−ＮＲ１２Ｒ１３及び−ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は独立に炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択され、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択される。）からなる群から選択される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
脱離基Ｘが、ハロゲン、ヒドロキシ基、−ＯＲ１７基（式中、Ｒ１７は脂肪族基である。）及び−Ｏ−Ｃ(Ｏ)−結合からなる群から選択される、請求項６記載の方法。
【請求項９】
式IIの化合物が、３−ヒドロキシ−クロメン−４−オン、３−ヒドロキシ−１Ｈ−キノリン−４−オン、３−ヒドロキシ−１−メチル−１Ｈ−キノリン−４−オン、３−ヒドロキシ−２−フェニル−クロメン−４−オン、３−ヒドロキシ−２−（４’−（２−（３−ヒドロキシクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、３−ヒドロキシ−２−（４’−（２−（３−フェノキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、７−ヒドロキシ−６−フェニル−１，５−ジオキサシクロペンタ［ｂ］ナフタレン−８−オン、７−ヒドロキシ−６−［４−（６−ヒドロキシ−５−オキソ−５Ｈ−フロ［３，２−ｇ］クロメン−７−イル）フェニル］−１，５−ジオキサシクロペンタ［ｂ］ナフタレン−８−オン、３，７−ジヒドロキシ−２，８−ジフェニル−ピラノ［３，２−ｇ］クロメン−４，６−ジオン及び３−ヒドロキシ−２−［４’−（３”−ヒドロキシ−２”−チオフェン−２−イル−クロメン−４”−オン）フェニル］−２−クロメン−４−オンからなる群から選択される、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記反応が約−５〜約１００℃の範囲内の温度で実施される、請求項６記載の方法。
【請求項１１】
認証方法であって、
ａ．認証化合物を含む物品を脱ブロック化刺激に暴露することで少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を得る段階、
ｂ．少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を含む物品を励起刺激に暴露する段階、及び
ｃ．物品からの応答を測定する段階
を含んでなる方法。
【請求項１２】
認証化合物が下記式Ｉの化合物である、請求項１１記載の方法。
【化５】
2008524219.tif 000025
（式中、Ｒ１は−Ｏ−又は−ＮＲ６−（式中、Ｒ６は一価有機基である。）の１以上であり、
Ｒ２は炭素原子数３〜３０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択され、
Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして不安定部分であり、
Ｒ４及びＲ５は、
（ｉ）各々独立に、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基、炭素原子数３〜１２の脂環式基、シアノ基、ニトロ基、ハロ基及び−ＯＲ９基（式中、Ｒ９は水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される。）からなる群から選択されるか、或いは
（ii）一緒になって炭素原子数３〜１２の芳香族基を表す。）
【請求項１３】
不安定部分Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして、−Ｃ(Ｏ)−Ｏ−Ｒ７、−ＣＨ２−Ｒ８、−ＳＯ２−Ｒ９、−Ｃ(Ｏ)Ｒ１０、−Ｃ(Ｓ)−Ｒ１１、−Ｃ(Ｏ)−ＮＲ１２Ｒ１３及び−ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は独立に炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択され、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択される。）からなる群から選択される、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
脱ブロック化刺激が、熱刺激、光刺激、化学的刺激及び上述のものの２以上を含む混合物からなる群から選択される刺激に認証化合物を暴露することで、不安定部分Ｒ３の少なくとも部分的な脱ブロック化を引き起こして少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を生み出すことを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
脱ブロック化刺激が認証化合物を完全に脱ブロック化するのに十分である、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
熱刺激が、認証可能物品の少なくとも一部を７０〜４００℃の範囲内の温度に加熱することからなる、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
熱刺激が、配合、押出し、成形及び上述のものの１以上を含む組合せからなる工程から選択される物品の製造工程中に行われる、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
光刺激が、ランプ、発光ダイオード及びレーザーダイオードからなる群から選択される光源ビームに認証可能物品を暴露することからなる、請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
光刺激が、約２５０〜約４５０ｎｍの範囲内のピーク波長を有する光源ビームに認証可能物品を暴露することからなる、請求項１４記載の方法。
【請求項２０】
光刺激が、約３３５〜約４３５ｎｍの範囲内のピーク波長を有する光源ビームに認証可能物品を暴露することからなる、請求項１４記載の方法。
【請求項２１】
物品を励起刺激に暴露する段階が、少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を含む前記物品の少なくとも試験部分を可視カットオフ波長刺激以下の刺激に暴露することで、識別特性信号として検出可能な発光を生じる物品の被刺激部分を生み出すことからなる、請求項１１記載の方法。
【請求項２２】
励起波長が約２５０〜約４５０ｎｍの波長を有する、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
励起刺激が、紫外−可視ランプ、発光ダイオード、レーザーダイオード、２種以上の発光ダイオードの組合せ、紫外線源と白色発光ダイオードの組合せ、並びに赤色、青色、緑色及び無色フィルター付きホトダイオードからなる群から選択される、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
励起刺激が紫外−可視ランプである、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
紫外−可視ランプが約３４０〜約３９０ナノメートルの波長を有する、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
物品からの応答を測定する段階が、検出器による測定で被刺激部分の識別特性信号を求めることからなる、請求項２１記載の方法。
【請求項２７】
前記識別特性信号が４７０ｎｍを超える波長を有する、請求項１記載の方法。
【請求項２８】
さらに、応答は物品が式Ｉの認証化合物を含むことを表すか否かを判定する段階を含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２９】
物品の応答を測定する前記段階が蛍光を測定することからなる、請求項１１記載の方法。
【請求項３０】
蛍光が反射モードで測定される、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
当該組成物がさらにポリマーを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３２】
式Ｉの化合物がポリマーを基準にして約０．１〜約０．２重量％の量でポリマー中に存在する、請求項３１記載の組成物。
【請求項３３】
請求項１記載の組成物を含んでなる物品。
【請求項３４】
当該物品が光ディスクである、請求項３３記載の物品。
【請求項３５】
当該物品が隠しパターンでマークされている、請求項３３記載の物品。
【請求項３６】
請求項３１記載の組成物を含んでなる物品。
【請求項３７】
当該物品が光ディスクである、請求項３６記載の物品。
【請求項３８】
認証可能ポリマーの製造方法であって、ポリマーと式Ｉの認証化合物を含む組成物とを合体させて認証可能ポリマーを得る段階を含んでなり、前記組成物が認証可能ポリマーを基準にして約５重量％以下の量で導入される、方法。
【請求項３９】
物品の製造方法であって、
請求項３８記載の認証可能ポリマーを用意する段階、及び
請求項３８記載の認証可能ポリマーから認証可能物品を形成する段階
を含んでなる方法。
【請求項４０】
請求項３９記載の方法で製造される物品。
【請求項４１】
当該物品が光ディスクである、請求項４０記載の物品。
【請求項４２】
認証可能ポリマーから形成される基板がリードスルー基板である、請求項４１記載の光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物品を認証するための組成物、及びポリマーベース物品のための認証技術に関する。さらに詳しくは、本発明は、ポリマーベース物品の認証方法、かかる認証を容易にする方法、認証可能物品の製造方法、及び組成物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記憶媒体又は光記憶媒体は、伝統的に機械読取り可能な符号、音声、映像、テキスト及び／又はグラフィックスのような情報を含んでいる。情報記憶媒体は、多くの場合、ポリカーボネートのようなポリマーで作製された１以上の基板を含んでいる。
【０００３】
情報記憶媒体の様々なメーカー及びユーザーが直面している大きな問題は、無許可製造者、販売者及び／又はユーザーによる情報の無許可複製又はコピーである。情報記憶媒体のかかる無許可複製又はコピーは、しばしば海賊行為といわれ、最終使用時点での消費者レベル海賊行為並びに商業レベルでのデータ、基板及び海賊行為防止情報の大規模な複製を含む様々な形態で起こり得る。その形態にかかわらず、情報記憶媒体の海賊行為は合法のソフトウェア及び娯楽コンテンツ供給者及び本来の電子装置製造者から多大の収益及び利得を奪い去る。
【０００４】
消費者レベルで海賊行為を止めようとする様々な試みの１つとして、保護すべき情報と共に電子的な海賊行為防止信号を情報担持基板上に配置することが行われてきた。かかる情報記憶媒体の機械リーダー及びプレーヤーは、所望情報へのアクセスを許す前にかかる海賊行為防止信号の確認を要求するように構成されている。理論的には、消費者レベルの複製ではこれらの電子的な海賊行為防止信号を無許可コピー上に複写することができず、したがって得られる複製物及びコピーは使用できない。
【０００５】
しかし、かかる消費者レベルの海賊行為防止技術の裏をかくための多数の技術が開発されており、それは今も続いている。
【０００６】
情報記憶媒体のメーカー及びユーザーは、情報記憶媒体の無許可製造者、販売者及び／又はユーザーにとって現在知られておらず及び／又は利用できない、情報記憶媒体の標識及び認証のための新しい組成物及び方法を探求し続けている。彼らは特に、情報記憶媒体基板及び情報記憶媒体を認証する目的で情報記憶媒体基板中に使用するための認証マーカー又は認証マーカーの組合せであって、入手、複製、使用及び／又は同定するのが困難なものに関心をもっている。
【特許文献１】米国特許第６０９９９３０号明細書
【特許文献２】米国特許第６２９６９１１号明細書
【特許文献３】米国特許第６５１４６１７号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００２／０１４９００３号公報
【特許文献５】国際公開第００／１４７３６号公報
【非特許文献１】Ｓａｔｉｓｈ  Ｃ．Ｇｕｐｔａ  ｅｔ  ａｌ．：ＰＨＯＴＯＲＥＯＲＧＡＮＩＳＡＴＩＯＮ  ＯＦ  ＳＯＭＥ  ＢＩＳＣＨＲＯＭＯＮＥＳ；Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  ５８（２００２）３０９５−３１００
【非特許文献２】Ｓａｔｉｓｈ  Ｃ．Ｇｕｐｔａ  ｅｔ  ａｌ．：ＰＨＯＴＯＬＹＳＩＳ  ＯＦ  ＸＹＬＹＬＢＩＳＣＨＲＯＭＯＮＥＳ；Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  ５９（２００３）３６０９−３６１２
【非特許文献３】Ａ．Ｄ．Ｒｏｓｈａｌ  ｅｔ  ａｌ．，ＳＰＥＣＴＲＡＬ  ＡＮＤ  ＡＣＩＤ−ＢＡＳＥ  ＦＥＡＴＵＲＥＳ  ＯＦ  ３，７−ＤＩＨＹＤＲＯＸＹ−２，８−ＤＩＰＨＥＮＹＬ−４Ｈ，６Ｈ−ＰＹＲＡＮＯ［３，２−Ｇ］ＣＨＲＯＭＥＮＥ−４，６−ＤＩＯＮＥ（ＤＩＦＬＡＶＯＮＯＬ）−Ａ  ＰＯＴＥＮＴＩＡＬ  ＰＲＯＢＥ  ＦＯＲ  ＭＯＮＩＴＯＲＩＮＧ  ＴＨＥ  ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ  ＯＦ  ＬＩＱＵＩＤ  ＰＨＡＳＥＳ；Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００３，６８，５８６０−５８６９
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書中には、下記式Ｉの化合物を含んでなる組成物が開示される。
【０００８】
【化１】
2008524219.tif 000003
（式中、Ｒ１は−Ｏ−又は−ＮＲ６−（式中、Ｒ６は一価有機基である。）の１以上であり、
Ｒ２は炭素原子数３〜３０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択され、
Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして不安定部分であり、
Ｒ４及びＲ５は、
（ｉ）各々独立に、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基、炭素原子数３〜１２の脂環式基、シアノ基、ニトロ基、ハロ基及び−ＯＲ９基（式中、Ｒ９は水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される。）からなる群から選択されるか、或いは
（ii）一緒になって炭素原子数３〜１２の芳香族基を表す。）
一実施形態では、組成物の製造方法であって、
ａ．下記式IIの化合物を
ｂ．下記式IIIの化合物と
ｃ．塩基及び溶媒の存在下で反応させて下記式Ｉの化合物を生成させる段階
を含んでなる方法が提供される。
【０００９】
【化２】
2008524219.tif 000004
（式中、Ｒ１は−Ｏ−又は−ＮＲ６−（式中、Ｒ６は一価有機基である。）の１以上であり、
Ｒ２は炭素原子数３〜３０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択され、
Ｒ４及びＲ５は、
（ｉ）各々独立に、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基、炭素原子数３〜１２の脂環式基、シアノ基、ニトロ基、ハロ基及び−ＯＲ９基（式中、Ｒ９は水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される。）からなる群から選択されるか、或いは
（ii）一緒になって炭素原子数３〜１２の芳香族基を表す。）
【００１０】
【化３】
2008524219.tif 000005
（式中、Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして不安定部分であり、Ｘは脱離基である。）
【００１１】
【化４】
2008524219.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ６、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は上記に定義した通りである。）
他の一実施形態では、認証方法は、
ａ．物品を脱ブロック化刺激に暴露することで少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を得る段階、
ｂ．少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を含む物品を励起刺激に暴露する段階、及び
ｃ．物品からの応答を測定する段階
を含んでなる。
【００１２】
別の態様では、認証可能ポリマーの製造方法であって、ポリマーと上記に開示した組成物とを合体させる段階を含んでなり、上記に開示した組成物が認証可能ポリマーの総重量を基準にして約５重量％以下の量で導入される方法が提供される。
【００１３】
別の態様では、物品が認証可能物品であることを認証する方法であって、式IIの認証化合物を含む物品を励起刺激に暴露する段階、及び物品からの応答を検出器で測定する段階を含んでなる方法が提供される。
【００１４】
別の態様では、認証可能ポリマーの製造方法であって、ポリマーと上記に開示した式IIの化合物とを合体させる段階を含んでなり、上記に開示した式IIの化合物が認証可能ポリマーの総重量を基準にして約１０重量％以下の量で導入される方法が提供される。
【００１５】
また、物品の製造方法であって、開示された認証可能ポリマーを用意する段階、及び認証可能ポリマーから認証可能物品を形成する段階を含んでなる方法も開示される。
【００１６】
図面の簡単な説明
図１は、Ｂｉｓ−３ＨＦに関する発光スペクトルを表す。蛍光極大は約５５３ナノメートル（以後は時にｎｍと示す）の波長にあり、対応する強度は約３０５である。
【００１７】
図２は、Ｅｔｈｙｌ−Ｂｉｓ−３ＨＦに関する発光スペクトルを表す。蛍光極大は約５５３ｎｍの波長にあり、対応する強度は約７１である。
【００１８】
図３は、Ｅｔｈｙｌ−Ｂｉｓ−３ＨＦに関する発光スペクトルを表す。蛍光極大は約５５３ｎｍの波長にあり、対応する強度は約７１である。
【００１９】
図４は、ポリカーボネート中に独立に導入した化合物Ｉ（Ａ）及び化合物II（Ｂ）の効果を示すカラー写真であり、（ａ）日光の存在下における場合、及び（ｂ）約３６５ｎｍの紫外線下で励起した後の場合を示している。
【００２０】
図５は、式Ｉの化合物を含む物品中に隠しパターンを生成する方法を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の好ましい実施形態及びその実施例に関する以下の詳しい説明を参照することで本発明の理解を深めることができよう。本明細書及び特許請求の範囲では多くの用語を用いるが、これらは以下の意味をもつものと定義される。
【００２２】
単数形で記載したものであっても、前後関係から明らかでない限り、複数の場合も含めて意味する。
【００２３】
「任意」又は「任意には」という用語は、その用語に続いて記載された事象又は状況が起きても起きなくてもよいことを意味しており、かかる記載はその事象が起こる場合と起こらない場合を包含する。
【００２４】
数量に関して使用される「約」という修飾語は、記載された値を含むと共に、（例えば、特定の数量の測定に関連する誤差の程度を含め）前後関係から指示される意味を有する。
【００２５】
本明細書中で使用する「脂肪族基」という用語は、環状でない線状又は枝分れ原子配列からなる原子価１以上の基をいう。かかる配列は、窒素、酸素、硫黄、ケイ素及びリンのようなヘテロ原子を含んでいてもよく、或いは炭素及び水素のみから構成されていてもよい。脂肪族基の例には、メチル、メチレン、エチル、エチレン、ヘキシル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、ヘキサメチレン、トリフルオロメチル、トリフルオロエチル、メトキシ、エトキシ、オキシエチレンオキシ（−Ｏ(ＣＨ２)２Ｏ−）、トリメチルシリル、これらの混合物などがある。脂肪族基は置換されていても置換されていなくてもよく、アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシカルボニル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアミノ基などを包含する１以上の置換基を含み得る。
【００２６】
本明細書中で使用する「芳香族基」という用語は、１以上の芳香族原子団を含む原子価１以上の原子配列をいう。芳香族基の例には、フェニル、ピリジル、フラニル、チエニル、ナフチル、ビフェニル、ピロリル、フェニル、ヒドロキシクロモニルフェニル、ビフェニレン及びこれらの混合物がある。この用語は、芳香族成分と脂肪族成分及び／又は脂環式成分との両方を含む基（例えば、ベンジル基又はインダニル基）を包含する。芳香族基は置換されていても置換されていなくてもよく、１以上のヘテロ原子を含み得ると共に、アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシカルボニル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアミノ基、これらの混合物などを包含する１以上の置換基を含み得る。
【００２７】
本明細書中で使用する「脂環式基」という用語は、環状であるが芳香族でない原子配列を含む原子価１以上の基をいう。本明細書中で定義される「脂環式基」は、芳香族原子団を含まない。「脂環式基」は１以上の非環式成分を含み得る。例えば、シクロヘキシルメチル基（Ｃ６Ｈ１１ＣＨ２−）は、シクロヘキシル環（環状であるが芳香族でない原子配列）及びメチレン基（非環式成分）を含む脂環式基である。脂環式基は、窒素、硫黄、セレン、ケイ素及び酸素のようなヘテロ原子を含んでいてもよく、或いは炭素及び水素のみから構成されていてもよい。脂環式基は置換されていても置換されていなくてもよい。置換脂環式基は１以上の置換基を含む脂環式基と定義される。置換脂環式基は、置換のために利用できる脂環式基上の位置と同数の置換基を含み得る。脂環式基上に存在し得る置換基には、特に限定されないが、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素のようなハロゲンがある。置換脂環式基には、トリフルオロメチルシクロヘキシル、ヘキサフルオロイソプロピリデンビス（４−シクロヘキシル）（即ち、−ＯＣ６Ｈ１０Ｃ(ＣＦ３)２Ｃ６Ｈ１０Ｏ−）、クロロメチルシクロヘキシル、３−トリフルオロビニル−２−シクロプロピル、トリクロロメチルシクロヘキシル（即ち、３−ＣＣｌ３Ｃ６Ｈ１０−）、ブロモプロピルシクロヘキシル（即ち、ＢｒＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ１０−）などがある。便宜上、「非置換脂環式基」という用語は本明細書中では広範囲の官能基を含むものと定義される。好適な脂環式基の例には、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、４−アリルオキシシクロヘキシル、アミノシクロヘキシル（即ち、Ｈ２ＮＣ６Ｈ１０−）、アミノカルボニルシクロペンチル（即ち、ＮＨ２ＣＯＣ５Ｈ８−）、４−アセチルオキシシクロヘキシル、ジシアノイソプロピリデンビス（４−シクロヘキシルオキシ）（即ち、−ＯＣ６Ｈ１０Ｃ(ＣＮ)２Ｃ６Ｈ１０Ｏ−）、３−メチルシクロヘキシル、メチレンビス（４−シクロヘキシルオキシ）（即ち、−ＯＣ６Ｈ１０(ＣＨ２)６Ｃ６Ｈ１０Ｏ−）、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル（即ち、４−ＨＯＣＨ２Ｃ６Ｈ１０−）、４−メルカプトメチルシクロヘキシル（即ち、４−ＨＳＣＨ２Ｃ６Ｈ１０−）、４−メチルチオシクロヘキシル（即ち、４−ＣＨ３ＳＣ６Ｈ１０−）、４−メトキシシクロヘキシル、２−メトキシカルボニルシクロヘキシルオキシ（即ち、２−ＣＨ３ＯＣＯＣ６Ｈ１０Ｏ−）、ニトロメチルシクロヘキシル（即ち、ＮＯ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ１０−）、トリメチルシリルシクロヘキシル、ｔ−ブチルジメチルシリルシクロペンチル、４−トリメトキシシリルエチルシクロヘキシル（例えば、(ＣＨ３Ｏ)３ＳｉＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ１０Ｏ−）、ビニルシクロヘキセニル、ビニリデンビス（シクロヘキシル）などがある。「Ｃ３〜Ｃ１０脂環式基」という用語は、３以上で１０以下の炭素原子を含む置換脂環式基及び非置換脂環式基を包含する。脂環式基２−テトラヒドロフラニル（Ｃ４Ｈ７Ｏ−）はＣ４脂環式基を代表する。シクロヘキシルメチル基（Ｃ６Ｈ１１ＣＨ２−）はＣ７脂環式基を代表する。
【００２８】
本明細書中には、物品を認証するための組成物が開示される。開示される組成物は認証組成物ということがある。また、該組成物の製造方法も開示される。該組成物を含む物品の認証方法も開示される。本発明はまた、該組成物を含むポリマー、該ポリマーを用いて製造される物品、及び該物品の製造方法も提供する。
【００２９】
本明細書中に開示される認証可能ポリマーを様々なポリマーベース物品中に使用することは、物品の製造系統に沿った任意の時点、配給系統に沿った任意の時点、販売時点、又は使用時点で、１以上の当事者が認証可能ポリマー又は認証可能物品中における開示された組成物の存在又は不存在を確認又は認定することを可能にする。
【００３０】
一実施形態では、本組成物は下記式Ｉの化合物を含んでなる。
【００３１】
【化５】
2008524219.tif 000007
式中、Ｒ１は−Ｏ−又は−ＮＲ６−（式中、Ｒ６は一価有機基である。）の１以上であり、
Ｒ２は炭素原子数３〜３０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択され、
Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして不安定部分であり、
Ｒ４及びＲ５は、
（ｉ）各々独立に、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基、炭素原子数３〜１２の脂環式基、シアノ基、ニトロ基、ハロ基及び−ＯＲ９基（式中、Ｒ９は水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される。）からなる群から選択されるか、或いは
（ii）一緒になって炭素原子数３〜１２の芳香族基を表す。
【００３２】
一価有機基Ｒ６は、水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の芳香族基及び炭素原子数３〜１２の脂環式基からなる群から選択される。一実施形態では、式Ｉ中のＲ１は−Ｏ−であり得る。
【００３３】
式Ｉの組成物中の不安定部分Ｒ３は、１以上の脱ブロック化刺激の作用下で母体化合物（この場合には式Ｉの化合物）から解離する部分と定義できる。式Ｉの化合物からの不安定部分Ｒ３の解離又は脱ブロック化を引き起こすのに十分な例示的な刺激には、熱刺激、光刺激、化学的刺激及び上述の脱ブロック化刺激の２以上の混合物がある。
【００３４】
不安定部分Ｒ３を解離させるのに適することが判明した熱刺激は、通例、上述の組成物を含む認証可能物品の少なくとも一部を、式Ｉの化合物からの不安定部分Ｒ３の解離又は脱ブロック化を引き起こすのに十分な温度Ｔ１に加熱することからなる。不安定部分Ｒ３の解離を達成するのに有効な例示的な温度Ｔ１は、約７０〜約４００℃の範囲内にあり得ると共に、直接又は間接熱源から生じ得る。一実施形態では、温度Ｔ１は約１００〜約４００℃の範囲内にある。例示的な一実施形態では、温度Ｔ１は約１００〜約４００℃の範囲内にある。例示的な直接熱源には、特に限定されないが、試料が熱流束に直接接触する熱的工程（例えば、ヒートガン、加熱バンド、ホットプケート又はオーブンを用いて試料を加熱すること）、並びに物品又は認証可能ポリマーの製造中で見られるように熱流束を直接に発生させる高温を使用する工程である配合、押出し及び成形がある。間接熱源は、別の形態のエネルギーを熱に変換することによって試料の内部で熱を発生させるものである。例えば、エネルギービーム（例えば、赤外線ビーム又はレーザービーム）は試料で吸収され、吸収されたエネルギーが試料内部で熱として消散することで温度を上昇させる。
【００３５】
不安定部分Ｒ３を解離させるのに適することが判明した光刺激は、通例、組成物から不安定部分Ｒ３を解離させるのに十分な波長を放射する光源に認証可能物品を暴露することからなる。好適な波長の実例には、約１９０ｎｍから４７０ｎｍまでのものがある。一実施形態では、好適な光刺激は約２５０〜約４７０ｎｍの波長を有する。別の実施形態では、好適な光刺激は約３５０〜約４５０ｎｍの波長を有する。別法として、１００ワットを超えるワット数の加圧ランプを光刺激として使用できる。一実施形態では、好適な加圧ランプは１２０ワットを超えるワット数を有する。別の実施形態では、好適な加圧ランプは４５０ワット（Ｗ）を超えるワット数を有する。Ｎｄ：ＹＡＧレーザーのような：レーザーも脱ブロック化のために好適であり得る（かかるレーザーは例えば２６６ｎｍ又は３５５ｎｍの波長を有し得る）。例えば該当する波長で吸収特性を有する添加剤を添加することで、そのビーム（例えば、５３２、６３５，６５０及び７８０ｎｍ）が試料により吸収されることを条件にすれば、ダイオードレーザーも考慮に入れることができる。高光度放電ランプ（ＨＩＤ）も使用できる。いずれの光源に関しても、出力及び暴露時間は、生成した発蛍光団を顕著に分解することなく（光漂白を生じることなく）不安定部分を解離させるように適合させる必要があることに注意すべきである。特定の波長を遮断して分解を制限／防止するために光学フィルターを使用できる。
【００３６】
使用する光刺激の波長又はワット数に応じ、不安定部分の解離のための所要時間は変化し得る。通例、所要時間は約１０秒ないし約１２時間である。一実施形態では、所要時間は約１〜１０時間の範囲内にある。特定の一実施形態では、所要時間は約２〜８時間の範囲内にある。
【００３７】
好適な光刺激の実例には、特に限定されないが、３２０ｎｍを超える波長を有する紫外−可視ランプへの室温で１〜１２時間の暴露、紫外−近可視発光ダイオードへの暴露、紫外レーザーダイオードへの暴露、窒素雰囲気下におけるパイレックス（商標）フィルタースリーブを備えた４５０Ｗ中圧ランプ（Ｈａｎｏｖｉａ社）への３０〜４５分間の暴露、及び１２５Ｗ高圧水銀ランプへの１〜２時間の暴露がある。
【００３８】
不安定部分Ｒ３を解離させるのに適することが判明した化学的刺激は、通例、解離させる必要がある不安定部分Ｒ３の種類に応じて認証可能物品を酸又は塩基に接触させることからなる。
【００３９】
酸の存在下で解離する不安定部分に関する一実施形態では、解離は１〜６のｐＨで起こり、さらに詳しくはｐＨは２〜６である。一実施形態では、ｐＨは３〜５である。化学的刺激として使用できる例示的な酸には、クエン酸、リン酸、塩酸、酢酸及びテトラフルオロ酢酸からなる群から選択されるものがある。一実施形態では、使用する酸はリン酸である。ある種の状況及び極めて特定の用途（例えば、健康管理用途又はバイオセンサー用途）では、化学的刺激は酵素であり得る。
【００４０】
塩基の存在下で解離する不安定部分に関する一実施形態では、解離は８〜１２のｐＨで起こり、さらに詳しくはｐＨは９〜１１である。一実施形態では、ｐＨは９〜１０である。化学的刺激として使用できる例示的な塩基には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、２０％ジメチルホルムアミド中のピペリジン、ピペラジン、及び２％ピペリジンを含む１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセ−７−エンからなる群から選択されるものがある。一実施形態では、使用する塩基は２０％ジメチルホルムアミド中のピペリジンである。
【００４１】
式Ｉの化合物から効果的に解離させ得る不安定部分Ｒ３は、一般に、上述の熱刺激及び／又は光刺激及び／又は化学的刺激への暴露の結果として化合物Ｉから少なくとも部分的又は完全に解離又は脱ブロック化され得る任意の不安定部分であり得る。好適な不安定部分Ｒ３の実例には、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして、−Ｃ(Ｏ)−Ｏ−Ｒ７、−ＣＨ２−Ｒ８、−ＳＯ２−Ｒ９、−Ｃ(Ｏ)Ｒ１０、−Ｃ(Ｓ)−Ｒ１１、−Ｃ(Ｏ)−ＮＲ１２Ｒ１３及び−ＳｉＲ１４Ｒ１５Ｒ１６（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は独立に炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択され、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に水素、炭素原子数１〜１２の脂肪族基、炭素原子数３〜２０の脂環式基及び炭素原子数３〜２０の芳香族基からなる群から選択される。）からなる群から選択されるものがある。一実施形態では、不安定部分Ｒ３は、Ｒ３が−ＣＨ２−(ＣＨ２)ｎ−ＣＨ３及び−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ５（式中、ｎは０、１又は２の値を有する。）からなる群から選択される基でないことを条件にして、−Ｃ(Ｏ)−Ｏ−Ｒ７、−ＣＨ２−Ｒ８、−ＳＯ２−Ｒ９及び−Ｃ(Ｏ)Ｒ１０（式中、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は上記に定義したものと同じ意味を有する。）からなる群から選択される。
【００４２】
式Ｉの前記化合物（以後は時に認証化合物又は式Ｉの認証化合物という）の実例には、特に限定されないが、３−エチルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−エチルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、３−フェニルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−フェニルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、３−ブチルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−ブチルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、炭酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル−４−オキソ−２−フェニル−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル（３−ブチルオキシカルボニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン）、炭酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル−４−オキソ−２−ビフェニル−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル（３−エチルオキシカルボニル−４Ｈ−フェニル−１−ベンゾピラン−４−オン）、テレフタル酸ビス（４−オキソ−２−フェニル−４Ｈ−クロメン−３−イル）エステル、トルエン−４−スルホン酸−２−ビフェニル−４−イル−４−オキソ−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル及び炭酸２−ビフェニル−４−イル−４−オキソ−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル−４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニルエステルがある。例示的な実施形態では、式Ｉの化合物は３−エチルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−エチルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オンである。
【００４３】
一実施形態では、式Ｉの化合物を含む組成物の製造方法が提供される。本方法は、下記式IIの化合物を下記式IIIの化合物と反応させる段階を含んでなる。
【００４４】
【化６】
2008524219.tif 000008
【００４５】
【化７】
2008524219.tif 000009
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は上記に定義したものと同じ意味を有し、Ｘは脱離基である。反応条件下では、基Ｘは式II中の−ＯＨ基の水素と反応することで、式Ｉの化合物の生成を容易にする。Ｘは、不安定部分Ｒ３と結合し得る、当技術分野で公知の任意の脱離基を包含する。Ｘの実例には、特に限定されないが、ハロゲン、ヒドロキシ基、−ＯＲ１７基（式中、Ｒ１７は脂肪族基である。）及び−Ｏ−Ｃ(Ｏ)−結合がある。上記の反応は塩基及び溶媒の存在下で実施される。
【００４６】
式IIの化合物と式IIIの化合物との反応で使用する塩基の実例には、特に限定されないが、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジン、ルチジン（ジメチルピリジン）、ピペリジン及びピコリンがある。一実施形態では、塩基はトリエチルアミン及びピリジンからなる群から選択される。例示的な一実施形態では、塩基はトリエチルアミンである。
【００４７】
この反応で使用する溶媒の実例には、特に限定されないが、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド及びジメチルアセトアミドがある。一実施形態では、溶媒はジクロロメタン及びジクロロエタンから選択される。例示的な一実施形態では、溶媒はジクロロエタンである。一実施形態では、式IIIの化合物を過剰に使用する場合、それは溶媒として機能し得る。
【００４８】
反応パラメーター及び反応内容物は、製造すべき式Ｉの特定化合物に基づいて変化し得る。反応温度は、通例、約−５〜約１００℃の範囲内にある。反応温度は、反応で使用する式IIの化合物及び式IIIの化合物に応じて変化し得る。
【００４９】
式IIの化合物の実例には、特に限定されないが、３−ヒドロキシ−クロメン−４−オン、３−ヒドロキシ−１Ｈ−キノリン−４−オン、３−ヒドロキシ−１−メチル−１Ｈ−キノリン−４−オン、３−ヒドロキシ−２−フェニル−クロメン−４−オン、３−ヒドロキシ−２−（４’−（２−（３−ヒドロキシクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、３−ヒドロキシ−２−（４’−（２−（３−フェノキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン、７−ヒドロキシ−６−フェニル−１，５−ジオキサシクロペンタ［ｂ］ナフタレン−８−オン、７−ヒドロキシ−６−［４−（６−ヒドロキシ−５−オキソ−５Ｈ−フロ［３，２−ｇ］クロメン−７−イル）フェニル］−１，５−ジオキサシクロペンタ［ｂ］ナフタレン−８−オン、３，７−ジヒドロキシ−２，８−ジフェニル−ピラノ［３，２−ｇ］クロメン−４，６−ジオン及び３−ヒドロキシ−２−［４’−（３”−ヒドロキシ−２”−チオフェン−２−イル−クロメン−４”−オン）フェニル］−２−クロメン−４−オンがある。一実施形態では、式IIの化合物は３−ヒドロキシ−クロメン−４−オンである。
【００５０】
一実施形態では、本発明は、物品中における認証可能化合物の存在を確認することで、物品が認証可能物品であることを認証する方法を提供する。一実施形態では、認証可能化合物は式Ｉの化合物である。別の実施形態では、認証可能化合物は式IIの化合物である。認証化合物が式Ｉの化合物である一実施形態では、認証方法は、物品を脱ブロック化刺激に暴露する段階、次いで物品を励起刺激に暴露する段階、次いで検出器を用いて得られる応答を測定する段階を含む。認証化合物が式IIの化合物である一実施形態では、認証方法は、物品を励起刺激に暴露する段階、次いで検出器を用いて得られる応答を測定する段階を含む。
【００５１】
一実施形態では、式Ｉの認証化合物を含む物品を脱ブロック化刺激に暴露することで、少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を得る。本明細書中で使用する「脱ブロック化刺激」という用語は、式Ｉの化合物中に存在する不安定部分Ｒ３を解離させてその母体化合物（即ち、対応する式IIの化合物）を得るのに十分強い刺激を意味する。上述の通り、少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を含む物品を得るための脱ブロック化刺激としては熱刺激及び／又は光刺激及び／又は化学的刺激が役立つ。
【００５２】
こうして得られる少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を含む物品を、次いで励起刺激に暴露する。物品を励起刺激に暴露すると、物品中に存在する少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物から識別特性信号の放出が起こる。一実施形態では、励起刺激は可視カットオフ波長以下の波長を有する光刺激であり得る。本明細書中で使用する可視カットオフ波長とは、吸収極大より高い波長であって、吸収強度が最大吸収強度の５％に等しくなる最高波長をいう。これは、９５％の吸収がカットオフ波長以下で起こることを意味する。
【００５３】
一実施形態では、励起刺激は約２５０〜約４５０ｎｍの範囲内の波長を有する。他の一実施形態では、励起刺激は約２７５〜約４４０ｎｍの範囲内の波長を有する。特定の実施形態では、励起刺激は約３３５〜約４３５ｎｍの範囲内の波長を有する。励起刺激の実例は、紫外−可視ランプ、発光ダイオード（以後は時にＬＥＤという）、レーザーダイオード、２種以上の発光ダイオードの組合せ、紫外線源と白色発光ダイオードの組合せ、及び上述のものの任意の組合せからなる群から選択される。一実施形態では、約３４０〜約３９０ナノメートルの波長の紫外−可視ランプが励起刺激として使用される。好ましい一実施形態では、励起刺激は約３５０〜約４３５ｎｍの範囲内に位置するピーク波長をもった発光ダイオードである。特定の一実施形態では、刺激は約３８０ｎｍにピークをもった発光ダイオードである。光学的応答を得るために複数の光源（例えば、ＬＥＤ）を別々に使用することもできる。一実施形態では、単一光源の代わりに白色ＬＥＤ及びＵＶ  ＬＥＤが使用される。他の一実施形態では、白色ＬＥＤ、ＵＶ  ＬＥＤ及び青色ＬＥＤが使用される。これは、ロングストークスシフト発蛍光団と通常の発蛍光団を用いた偽造品との容易な識別を可能にするからである。
【００５４】
励起刺激に暴露されると、物品中に含まれる式Ｉ又は式IIの認証化合物は信号を放出する。本明細書中で使用する「信号」とは、振動分光法、蛍光分光法、ルミネセンス分光法、電子分光法など、及びこれらの組合せのような分析方法で検出できる応答をいう。例示的な一実施形態では、信号は蛍光分光法、ルミネセンス分光法など、及びこれらの組合せのような分析方法で検出できる応答をいう。別の例示的な実施形態では、信号は蛍光分光法で検出できる応答をいう。この信号は、少なくとも部分的に脱ブロック化された状態又は完全に脱ブロック化された状態にある式Ｉの認証化合物或いは式IIの認証化合物に特有のものであり、以後は識別特性信号という。
【００５５】
式IIの認証化合物を含む物品から得られる信号は基準信号と見なし得る。これは、式IIの化合物が式Ｉの化合物に対する母体化合物だからである。式Ｉの認証化合物を含む物品から得られる識別特性信号は、同等な励起条件下で対応する式IIの母体化合物を含む物品から得られる基準信号と比較することで判定される。即ち、認証化合物及び式IIの母体化合物の両方を同一波長及び同一強度の励起刺激に暴露した場合に得られる応答が比較される。
【００５６】
励起刺激に暴露した場合、少なくとも部分的に脱ブロック化された化合物から得られる識別特性信号（以後は時に応答という）を検出器で測定する。次いで、その応答が（式Ｉの少なくとも部分的に脱ブロック化された対応化合物の非ブロック化形態である）式IIの化合物から得られる応答と同等であるか否かを判定する。認証可能物品の認証は１回以上実施することができるが、それは少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を生じる。物品中に含まれる認証化合物は選択的かつ部分的に脱ブロック化することができ、脱ブロック化された領域のみが励起刺激に応答するから、物品中に含まれる認証化合物が完全に脱ブロック化されるまでは、物品中に含まれる認証化合物に複数の脱ブロック化段階を選択的に施すことができる。
【００５７】
脱ブロック化刺激は、一般に少なくとも部分的な脱ブロック化をもたらすのに十分なものである。これは少なくとも部分的に脱ブロック化された認証化合物を与える。同等な濃度及び同等な波長で得られる識別特性信号が式IIの化合物（即ち、母体の非ブロック化化合物）の発光強度の９９％以下の発光強度を有する場合、認証化合物は部分的に脱ブロック化されていると見なし得る。一実施形態では、部分的に脱ブロック化された認証化合物は式IIの化合物（即ち、母体の非ブロック化化合物）の発光強度の９５％未満の発光強度を有する。別の実施形態では、部分的に脱ブロック化された認証化合物は式IIの化合物（即ち、母体の非ブロック化化合物）の発光強度の９０％未満の発光強度を有する。一実施形態では、部分的に脱ブロック化された認証化合物は式IIの化合物（即ち、母体の非ブロック化化合物）の発光強度の８０％未満の発光強度を有する。別の実施形態では、同等な濃度及び同等な波長で得られる識別特性信号が式IIの化合物の発光強度の９５％を超える発光強度を有する場合、認証化合物は完全に脱ブロック化されていると見なし得る。一実施形態では、同等な濃度及び同等な波長で得られる識別特性信号が式IIの化合物の発光強度の９９％を超える発光強度を有する場合、認証化合物は完全に脱ブロック化されていると見なし得る。
【００５８】
部分的に脱ブロック化された認証化合物又は完全に脱ブロック化された認証化合物を有することの利点は、識別特性信号に対する制御を行って偽造を一層困難にするために役立ち得る。加えて、同一の物品において、部分的又は完全に脱ブロック化された領域と非ブロック化領域（即ち、式Ｉの化合物が脱ブロック化刺激に暴露されていない領域）との間にコントラストを得ることができる。これは、記号、標章、マークなどを用いて励起刺激の下で明らかになる隠しパターンを生み出すことで物品を認証する際に有利であろう。
【００５９】
認証される物品の被刺激部分から放出される識別特性信号は検出器で測定される。識別特性信号は、認証される物品中に存在する認証化合物に特有のものである。識別特性信号の強度は、該化合物を含む物品を脱ブロック化刺激に暴露した場合、式Ｉの認証化合物の脱ブロック化の程度に応じて変化する。その強度は上述のように変化し、対応する式IIの化合物を含む物品の発光強度を基準にして評価される。
【００６０】
識別特性信号は検出器を用いて検出又は評価される。通例、使用する検出器は、識別特性信号の波長及び強度の変化を励起刺激と比較して検出できる光検出器からなる。通例、使用する検出器は約４７０ｎｍを超えるピーク波長を有する識別特性信号を検出できる。一実施形態では、検出器は約４５０〜約６５０ｎｍのピーク波長を有する識別特性信号を検出できる。好ましい実施形態では、検出器は約４７０〜約６００ｎｍの波長を有する識別特性信号を検出できる。
【００６１】
一実施形態では、光検出器は最も容易に利用できる検出器（即ち、人間の肉眼による光応答の検出）である。
【００６２】
他の一実施形態では、光検出器はホトダイオードである。他の一実施形態では、ホトダイオードのアレイを使用でき、かかるアレイは複数の波長を捕獲して発光を一層良好に識別できる。一実施形態では、検出器は、通例は励起刺激が２種以上の発光ダイオードの組合せ又は紫外線源と白色発光ダイオードの組合せからなる場合、色を測定できるホトダイオードの組合せからなる光検出器である。一実施形態では、色を測定できるホトダイオードアレイは赤色、緑色、青色及び透明の濾光ダイオードを含んでいる。
【００６３】
一実施形態では、検出器は、各々の励起刺激によって生成した識別特性信号を測定する光検出器からなる。
【００６４】
一実施形態では、光検出器で物品の応答を測定する段階は、生じた蛍光を測定することからなる。蛍光は透過モード、反射モード又は発光モードで測定できる。一実施形態では、蛍光は反射モードで測定される。物品の応答は、蛍光分光法、ルミネセンス分光法、振動分光法及び電子分光法からなる群から選択される分析技術を用いて測定できる。一実施形態では、物品の応答を測定する段階は、蛍光分光法又はルミネセンス分光法を実施することからなる。
【００６５】
認証化合物を含む物品を励起刺激に暴露した場合に認証化合物から得られる識別特性信号は、認証化合物に接触した場合に励起刺激が受けるロングストークスシフトの結果である。蛍光分子は、ある波長の光を吸収し、別のそれより長い波長の光を放出する。蛍光分子が分子特有の波長の光子を吸収する場合、所定軌道中の電子が高いエネルギー状態（励起状態）に上昇する。この状態の電子は不安定であり、光及び熱の形態でエネルギーを放出しながら基底状態に戻る。このような光の形態でのエネルギー放出が蛍光である。一部のエネルギーは熱として失われるので、発光は少ないエネルギーを含み、したがって吸収光（又は励起光）より長い波長を有する。励起刺激と発光との間に認められるシフトは、ストークスシフトといわれる。通例、物品から得られる識別特性信号は、４７０ナノメートル以上で６５０ナノメートル以下のピーク波長を有する。一実施形態では、識別特性信号は５００ｎｍ以上で６５０ｎｍ以下のピーク波長を有する。特定の一実施形態では、波長は５２０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下である。吸光は約２５０〜４５０ｎｍで起こり、発光は４７０ｎｍ以上で起こるが、これはロングストークスシフトを表している。ストークスシフトは、通例、５０ｎｍを超える場合にロングと見なされる。クロモン類は、非常に長い１００ｎｍ超のシフトを有する。
【００６６】
認証すべき少なくとも部分的に脱ブロック化された式Ｉの化合物を含む物品の被刺激部分の識別特性信号は、対応する式IIの母体化合物（即ち、基準化合物）を含む物品に関する基準信号と比較される。この比較は、蛍光の強度、蛍光ピークの形状、形状ピークの位置、経時的な又は熱源除去後の蛍光の持続時間又は減衰度、２種の波長での蛍光強度の比、或いは上述のものの組合せを比較することからなる。
【００６７】
通例、同様な励起刺激を使用した場合における光検出可能な識別特性信号及び基準信号の蛍光強度の差が比較される。例えば、物品及び基準物品の両方を３６５ナノメートルの波長の紫外−可視放射に暴露し、得られる識別特性信号及び基準信号の位置及び強度を比較する。上述の通り、同等な濃度及び同等な波長で得られる識別特性信号が基準化合物（即ち、母体の非ブロック化化合物）の発光強度の９９％以下の発光強度を有する場合、認証化合物は部分的に脱ブロック化されていると見なし得る。一実施形態では、基準化合物の発光強度の９５％未満の発光強度を有する。別の実施形態では、基準化合物の９０％未満の発光強度を有する。別の実施形態では、同等な濃度及び同等な波長で得られる識別特性信号が基準化合物の発光強度の９５％を超える発光強度を有する場合、認証化合物は完全に脱ブロック化されていると見なし得る。
【００６８】
一実施形態では、認証可能物品は図５に示すように隠しパターンでマークすることができる。本明細書中で使用する隠しパターンとは、日光に暴露した場合には見えないが、紫外線下に置いた場合には容易に認識できるマークである。隠しパターンは、レーザー光源（例えば、約３５０〜約４０５ｎｍの波長のレーザーダイオード）を用いて形成できる。
【００６９】
一実施形態では、認証可能組成物はさらにポリマーを含み得る。好適なポリマーは、特に限定されないが、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン（特に限定されないが、線状及び環状ポリオレフィンを包含し、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、ポリプロピレンなどを含む）、ポリエステル（特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリシクロヘキシルメチレンテレフタレートなどを含む）、ポリアミド、ポリスルホン（特に限定されないが、水素化ポリスルホンなどを含む）、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン（特に限定されないが、水素化ポリスチレン、シンジオタクチック及びアタクチックポリスチレン、ポリシクロヘキシルエチレン、スチレン−コ−アクリロニトリル、スチレン−コ−無水マレイン酸などを含む）、ポリブタジエン、ポリアクリレート（特に限定されないが、ポリメチルメタクリレート、メチルメタクリレート−ポリイミドコポリマーなどを含む）、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル（特に限定されないが、２，６−ジメチルフェノールから導かれるもの、２，３，６−トリメチルフェノールとのコポリマーなどを含む）、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、ポリ酢酸ビニル、液晶ポリマー、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー、芳香族ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン及びポリ塩化ビニリデンのような非晶質、結晶質及び半結晶質熱可塑性材料、並びにエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリウレタン、無機充填材入りシリコーン、ビス−マレイミド、シアネートエステル、ビニル樹脂及びベンゾシクロブテン樹脂のような熱硬化性樹脂、加えて上述のプラスチックの１種以上を含むブレンド、コポリマー、混合物、反応生成物及び複合物からなる群から選択される。
【００７０】
本明細書中で使用する「ポリカーボネート」、「ポリカーボネート組成物」及び「芳香族カーボネート連鎖単位を含む組成物」という用語は、下記式IVの構造単位を有する組成物を包含する。
【００７１】
【化８】
2008524219.tif 000010
式中、Ｒ１基の総数の約６０％以上は芳香族基であり、その残部は脂肪族基、脂環式基又は芳香族基である。好ましくは、Ｒ１は芳香族有機基であり、さらに好ましくは下記式Ｖの基である。
−Ａ１−Ｙ１−Ａ２−    Ｖ
式中、Ａ１及びＡ２は各々独立には単環式二価芳香族基であり、Ｙ１はＡ１とＡ２とを隔てる１つ又は２つの原子を有する橋かけ基である。例示的な実施形態では、１つの原子がＡ１とＡ２とを隔てている。この種の基の非限定的な実例は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ(Ｏ)−、−Ｓ(Ｏ２)−、−Ｃ(Ｏ)−、メチレン、シクロヘキシル−メチレン、２−[２．２．１]−ビシクロヘプチリデン、エチリデン、イソプロピリデン、ネオペンチリデン、シクロヘキシリデン、シクロペンタデシリデン、シクロドデシリデン及びアダマンチリデンである。橋かけ基Ｙ１は、炭化水素基或いは飽和炭化水素基（例えばメチレン、シクロヘキシリデン又はイソプロピリデン）であり得る。
【００７２】
ポリカーボネートは、ただ１つの原子がＡ１とＡ２とを隔てているジヒドロキシ化合物の界面反応で製造できる。本明細書中で使用する「ジヒドロキシ化合物」という用語は、例えば、下記の一般式VIを有するビスフェノール化合物を包含する。
【００７３】
【化９】
2008524219.tif 000011
式中、Ｒａ及びＲｂは各々ハロゲン原子又は一価炭化水素基を表し、同一であっても相異なっていてもよく、Ｘａは下記式VIIの基の１つを表す。
【００７４】
【化１０】
2008524219.tif 000012
式中、Ｒｃ及びＲｄは各々独立に水素原子又は一価線状若しくは環状炭化水素基を表し、Ｒｅは二価炭化水素基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｐ及びｑは各々独立に０〜４の整数である。
【００７５】
好適なジヒドロキシ化合物の若干の非限定的な実例には、二価フェノール、及び米国特許第４，２１７，４３８号に名称又は式（一般式若しくは特定式）で開示されているジヒドロキシ置換芳香族炭化水素がある。式VIで表すことができる種類のビスフェノール化合物の具体例の非排他的リストには、下記のものが包含される。即ち、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以後は「ビスフェノールＡ」又は「ＢＰＡ」）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｎ−ブタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−１−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシーｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパンのようなビス（ヒドロキシアリール）アルカン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、及び１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンのようなビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカンなど、並びに上述のものを含む組合せである。
【００７６】
また、ホモポリマーではなくカーボネートコポリマーの使用が所望される場合には、２種以上の二価フェノール、或いは二価フェノールとグリコール、ヒドロキシ−若しくは酸−末端停止ポリエステル、二塩基酸又はヒドロキシ酸とのコポリマーを使用することも可能である。ポリアリーレート及びポリエステルカーボネート樹脂又はこれらのブレンドも使用できる。枝分れポリカーボネート並びに線状ポリカーボネートと枝分れポリカーボネートのブレンドも有用である。枝分れポリカーボネートは、重合中に枝分れ剤を添加することで製造できる。
【００７７】
これらの枝分れ剤は公知であり、ヒドロキシル、カルボキシル、カルボン酸無水物、ハロホルミル、及び上述のものの１種以上を含む混合物であり得る官能基を３以上含む多官能性有機化合物を包含し得る。その具体例には、トリメリト酸、トリメリト酸無水物、トリメリト酸三塩化物、トリス−ｐ−ヒドロキシフェニルエタン、イサチン−ビスフェノール、トリス−フェノールＴＣ（１，３，５−トリス（（ｐ−ヒドロキシフェニル）イソプロピル）ベンゼン）、トリス−フェノールＰＡ（４（４（１，１−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エチル）−α，α−ジメチルベンジル）フェノール）、４−クロロホルミルフタル酸無水物、トリメシン酸及びベンゾフェノンテトラカルボン酸などがある。枝分れ剤は、約０．０５〜２．０重量％のレベルで添加し得る。枝分れ剤及び枝分れポリカーボネートの製造方法は、米国特許第３，６３５，８９５号及び同第４，００１，１８４号に記載されている。本発明では、あらゆる種類のポリカーボネート末端基が想定されている。
【００７８】
一実施形態では、ポリマーは、Ａ１及びＡ２の各々がｐ−フェニレンであり、Ｙ１がイソプロピリデンであるビスフェノールＡを基剤とするポリカーボネートである。一実施形態では、ポリカーボネートの平均分子量は約５０００〜約１０００００である。別の例示的な実施形態では、ポリマーとして使用するポリカーボネートの平均分子量は約１００００〜約６５０００であるのに対し、別の例示的な実施形態では、ポリマーとして使用するポリカーボネートは約１５０００〜約３５０００の平均分子量を有する。
【００７９】
ポリカーボネート合成の監視及び評価に際しては、ポリカーボネート中に存在するフリース生成物の濃度を測定することが特に重要である。米国特許第５，１５１，４９１号及び同第５，１４２，０１８号に記載されているもののような溶融法又は活性化カーボネート溶融法で製造されたポリカーボネートは、通例、顕著に高い濃度のフリース生成物を含んでいる。前述の通り、顕著なフリース生成物の生成はポリマーの枝分れを引き起こし、制御不可能な溶融物挙動をもたらすことがある。本明細書中で使用する「フリース」及び「フリース生成物」という用語は、下記の式VIIIを有するポリカーボネート中の繰返し単位を意味する。
【００８０】
【化１１】
2008524219.tif 000013
式中、Ｘａは上記式VIに関連して記載したような二価基である。
【００８１】
基板ポリマーとして使用するのに適したポリカーボネート組成物は、この種の樹脂組成物中に通常混入される各種の添加剤も含み得る。かかる添加剤は、例えば、充填材又は補強材、熱安定剤、酸化防止剤、光安定剤、可塑剤、帯電防止剤、離型剤、追加の樹脂、発泡剤など、並びに上述の添加剤を含む組合せである。充填材又は補強材の例には、ガラス繊維、石綿、炭素繊維、シリカ、タルク及び炭酸カルシウムがある。熱安定剤の例には、トリフェニルホスフィット、トリス（２，６−ジメチルフェニル）ホスフィット、トリス（混合モノ−及びジ−ノニルフェニル）ホスフィット、ジメチルベンゼンホスホネート及びトリメチルホスフェートがある。酸化防止剤の例には、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート及びペンタエリトリチル−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］がある。光安定剤の例には、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール及び２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノンがある。可塑剤の例には、ジオクチル−４，５−エポキシ−ヘキサヒドロフタレート、トリス（オクトキシカルボニルエチル）イソシアヌレート、トリステアリン及びエポキシ化大豆油がある。帯電防止剤の例には、グリセロールモノステアレート、ステアリルスルホン酸ナトリウム及びドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムがある。離型剤の例には、ステアリルステアレート、みつろう、モンタンろう及びパラフィンろうがある。他の樹脂の例には、特に限定されないが、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート及びポリフェニレンオキシドがある。上述の添加剤の任意の組合せも使用できる。かかる添加剤は、組成物を製造するための成分混合中の適当な時点で混合できる。
【００８２】
式Ｉの認証可能化合物は、上述のような分析方法で検出するのに十分な量でポリマーに添加される。一実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は認証可能ポリマーの重量を基準にして約１０．０重量％以下の量で認証可能ポリマー中に存在し得る。別の実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は認証可能ポリマーの重量を基準にして約５．０重量％以下の量で認証可能ポリマー中に存在し得る。一実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は認証可能ポリマーの重量を基準にして約０．００５重量％の量で認証可能ポリマー中に存在し得る。一実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は約１ｐｐｂに等しい量で認証可能ポリマー中に存在し得る。例示的な実施形態では、その量は約１ｐｐｍないし約０．２ｗｔ％である。実際には、認証可能化合物の濃度は、バックグラウンドのノイズを超えて信号の検出を可能にするのに十分なものにすべきである。検出器が人間の目であれば、これは発光が目視で検出し得るのに十分であることを意味する。人間の目以外の検出器を使用する場合には、約５を超え、さらに詳しくは約２０を超え、さらに一段と詳しくは約５０を超える信号／ノイズ比を有することが好ましい。即ち、認証可能ポリマー中での式Ｉの認証可能化合物の量は、認証可能ポリマーを励起刺激の条件下で励起刺激に暴露した場合、人間の肉眼にはっきりと見える色変化を生じない。
【００８３】
例示的な一実施形態では、認証可能ポリマーの製造方法が提供される。かかる方法は、ポリマーと式Ｉの認証可能化合物を含む組成物とを合体させて認証可能ポリマーを得ることを含んでなる。化合物Ｉの使用量は、約１ｐｐｍないし約０．２ｗｔ％の量である。
【００８４】
ポリマー及び式Ｉの認証可能化合物に加えて、本明細書中に開示される認証可能ポリマーは、この種の樹脂組成物中に通常混入される各種の添加剤を任意に含み得る。かかる添加剤には、酸化防止剤、熱安定剤、難燃剤、ＵＶ安定剤、帯電防止剤（ベンゼンスルホン酸テトラアルキルアンモニウム塩、ベンゼンスルホン酸テトラアルキルホスホニウム塩など）、離型剤（ペンタエリトリトールテトラステアレート、グリセロールモノステアレートなど）など、並びに上述のものを含む組合せがある。例えば、認証可能ポリマー組成物は、認証可能ポリマーの総重量を基準にして約０．０１〜約０．１重量％の熱安定剤、約０．０１〜約１重量％の帯電防止剤、及び約０．１〜約１重量％の離型剤を含み得る。
【００８５】
若干の使用可能な酸化防止剤には、例えば、有機亜リン酸エステル（例えば、トリス（ノニルフェニル）ホスフィット、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィット、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリトリトールジホスフィット、ジステアリルペンタエリトリトールジホスフィットなど）、アルキル化モノフェノール、ポリフェノール、及びポリフェノールとジエンとのアルキル化反応生成物（例えば、テトラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）］メタン、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート、オクタデシル−２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィットなど）、ｐ−クレゾールとジシクロペンタジエンとのブチル化反応生成物、アルキル化ヒドロキノン、ヒドロキシル化チオジフェニルエーテル、アルキリデン−ビスフェノール、ベンジル化合物、β−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸と一価又は多価アルコールとのエステル、β−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロピオン酸と一価又は多価アルコールとのエステル、チオアルキル又はチオアリール化合物のエステル（例えば、ジステアリルチオプロピオネート、ジラウリルチオプロピオネート、ジトリデシルチオジプロピオネートなど）、β−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミドなど、並びに上述のものの１種以上を含む組合せがある。
【００８６】
使用できる他の可能な添加剤には、とりわけ、光安定剤や熱安定剤のような安定剤（例えば、酸性リン系化合物）、ヒンダードフェノール、酸化亜鉛や硫化亜鉛粒子又はこれらの組合せ、潤滑剤（鉱油など）、可塑剤、着色剤として使用される染料（キノン類、アゾベンゼン類など）、並びに上述の添加剤の１種以上を含む組合せがある。当技術分野で公知の通り、日光下で特定の外観を得るために着色剤（染料及び顔料）を使用できる。着色剤の選択は、ポリマー母材及び用途要件に依存する。好ましくは、着色剤は刺激及び発光波長との相互作用を最小限に抑えるように選択される。
【００８７】
特にポリマーがポリカーボネートである場合に認証可能ポリマーの加工を助けるため（即ち、押出機又は他の混合装置内で）、触媒も使用できる。触媒は、通例、得られる材料の粘度を調節するために役立つ。使用可能な触媒には、水酸化テトラアルキルアンモニウム、水酸化テトラアルキルホスホニウムなどの水酸化物があり、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム及び水酸化テトラブチルホスホニウムが好ましい。触媒は単独でも使用でき、或いはリン酸などの酸のような失活剤と組み合わせても使用できる。さらに、配合時にポリマー溶融物中に水を注入し、ベントから水蒸気として除去することで、残留揮発性化合物を除去することもできる。
【００８８】
本明細書中に開示される認証可能ポリマーは、各種前駆体を適切に混合できる反応器（例えば、一軸又は二軸押出機、ニーダー、ブレンダーなど）を用いて製造できる。
【００８９】
ポリマー中に式Ｉの認証可能化合物を導入するための方法には、例えば、被覆、混合、ブレンディング又は共重合がある。式Ｉの認証可能化合物は、認証可能ポリマー全体に均一に分散するようにして、或いは認証可能ポリマーの一部分上に分散するようにしてポリマー中に導入できる。一実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は、認証可能ポリマー全体に均一に分散するようにしてポリマー中に導入される。式Ｉの認証可能化合物は、ポリマー製造段階中、ポリマー配合段階中、物品へのポリマー加工中、又はこれらの組合せでポリマー中に導入できる。一実施形態では、濃縮物（即ち、マスターバッチ）を用いて、ポリマー配合段階中又は物品形成中に式Ｉの認証可能化合物を導入できる。
【００９０】
例えば、ポリマー用のポリマー前駆体を（例えば、ペレット状、粉末状及び／又は液状の）式Ｉの認証可能化合物と予備混合してホッパーから押出機内に同時に供給することができ、或いは式Ｉの認証可能化合物を射出成形機又は他の成形機の供給スロート又は別の注入口から任意に添加することができる。任意には、一実施形態では、ポリマーを製造した後、認証可能ポリマーの一部分上への被覆、成形又は溶接によって式Ｉの認証可能化合物をポリマーの一部分上に分散させることもできる。一実施形態では、式Ｉの認証可能化合物がポリマーと混和し得ないキャリヤー中に配置されていなければ、それを均一に分布させることができる。
【００９１】
一実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は混合、ブレンディング、配合又は共重合でポリマー中に導入される。例示的な一実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は、式Ｉの認証可能化合物とポリマーとのドライブレンドを形成し、得られた混合物を配合することでポリマー中に導入される。
【００９２】
別の実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は、配合中に式Ｉの認証可能化合物を溶融物に添加することで基板ポリマー中に導入できる。一実施形態では、かかる添加はサイドフィーダーを通して行うことができる。別の例示的な実施形態では、式Ｉの認証可能化合物は、二軸押出機を用いて配合を行うと共に、サイドフィーダーを通して式Ｉの認証可能化合物を溶融物に添加することで導入できる。
【００９３】
ポリマー前駆体を使用する場合には、押出機は、分解を引きこすことなしにポリマー前駆体を溶融するのに十分高い温度に維持すべきである。例えばポリカーボネートに関しては、一実施形態では約２２０〜約３６０℃の温度を使用できる。別の実施形態では、約２６０〜約３２０℃の温度が使用される。同様に、押出機内の滞留時間は、通例は分解を最小限に抑えるように制御される。約２分以上までの滞留時間が使用でき、一実施形態では約１．５分までが使用され、別の例示的な実施形態では約１分までが使用され、例示的な一実施形態では約１分までが使用される。所望の形態（通例はペレット、シート、ウェブなど）に押し出す前に、例えば溶融濾過及び／又はスクリーンパックの使用などにより、混合物を任意に濾過して望ましくない夾雑物又は分解生成物を除去できる。
【００９４】
認証可能ポリマーは、材料の物理的及び化学的性質が所望される任意の用途のために使用できる。一実施形態では、認証可能ポリマーは情報記憶媒体のような成形物品を製造するために使用される。例示的な一実施形態では、認証可能ポリマーはＣＤ及びＤＶＤのような情報記憶媒体を製造するために使用される。他の実施形態には、包装材料（特に薬剤パッケージ）、レンズのような自動車部品、テレコミュニケーションアクセサリー（例えば、携帯電話カバー）、コンピューター及び民生用電子機器、建築材料、医療装置、アイウェア製品、パスポートやＩＤカードをはじめとするセキュリティ書類、クレジットカード、フィルム及びシート（ディスプレイ用途で使用されるものを含む）などがある。
【００９５】
認証可能ポリマー組成物を製造した後、各種の成形技術、加工技術又はこれらの組合せを用いてそれを情報記憶媒体に成形できる。使用可能な成形技術には、射出成形、フィルムキャスティング、押出し、プレス成形、吹込み成形、スタンピングなどがある。使用可能な一方法は、金型に溶融ポリマーを充填する射出成形−圧縮技術からなる。金型はプレフォーム、インサート、充填材などを含み得る。認証可能ポリマーを冷却し、それが少なくとも部分的に溶融した状態にあるうちに圧縮することで、らせん同心円状又は他の整列状態に配列された所望の表面構造（例えば、ピット、溝、縁端構造、平滑性など）を成形品の所望部分（即ち、所望領域の片面又は両面）に刻印する。次いで、成形品を室温に冷却する。成形品を製造した後、当技術分野で公知のもののうち、電気めっき、（スピンコート法、吹付け塗り、蒸着、スクリーン印刷、塗装、浸し塗りなどの）コーティング技術、ラミネーション、スパッタリング、及び上述の加工技術の１以上を含む組合せのような追加の加工を用いて基板上に所望の層を配設できる。
【００９６】
ポリカーボネート情報記憶媒体の一例は、任意に中空コア（バブル、キャビティなど）又は充填材（繊維、球体、粒子などの様々な形態を有する金属、プラスチック、ガラス、セラミックなど）入りのコアを含み得る射出成形ポリカーボネート基板からなる。
【００９７】
成形された認証可能物品又は試験物品が情報記憶媒体である一実施形態では、認証可能ポリマーは、情報記憶媒体プレイヤー装置内においてレーザーで読み出される基板を形成するために使用するのが好ましい。その理由は、認証可能ポリマーの応答を捏造すること、及び使用する技術が媒体の再生可能性に影響を及ぼさないように保証することが著しく困難だからである。ＤＶＤのように２枚の基板を有する情報記憶媒体では、認証可能ポリマーを用いて一方又は両方の基板を形成することができる。例示的な一実施形態では、認証可能ポリマーで形成されたＤＶＤの基板はＤＶＤプレイヤー装置内においてレーザーで読み出される層である。追加のフォーマットには、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒｏｍ、ＤＶＤ−Ｒａｍ、ブルーレイ、ＨＤ−ＤＶＤ（高密度ＤＶＤ）及びＥＶＤ（エンハンストビデオディスク）がある。
【００９８】
基板上には、データ層、誘電体層、反射層及び／又は保護層、並びに上述の層を含む組合せを含む各種の層が配設される。これらの層は各種の材料からなり、製造する媒体の種類に従って配設される。
【００９９】
例えば、第一面媒体に関しては、これらの層は保護層、誘電体層、データ記憶層、誘電体層、及び次いで基板に接触して配設された反射層であり得ると共に、基板の反対側には任意の化粧層が配設される。他方、光媒体に関しては、これらの層は任意の化粧層、保護層、反射層、誘電体層及びデータ記憶層であり得ると共に、基板に接触して追加の誘電体層が配設される。光媒体は、特に限定されないが、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、高密度ＤＶＤ（ＨＤ−ＤＶＤ）、エンハンストビデオディスク（ＥＶＤ）、光磁気ディスクなどのような任意の通常の先行記録型、書換型又は追記型フォーマットのものを含み得る。媒体の形態はディスク形に限定されず、読出し装置に適応し得る任意の形状のものであり得ることは言うまでもない。
【０１００】
データ記憶層は、光層、磁気層又は光磁気層のように、検索可能なデータを記憶し得る任意の材料からなり得る。通例、データ層は約６００オングストローム（Å）程度までの厚さを有しており、約３００Åまでの厚さが好ましい。使用可能なデータ記憶層には、特に限定されないが、酸化物（例えば、酸化ケイ素）、希土類元素−遷移金属合金、ニッケル、コバルト、クロム、タンタル、白金、テルビウム、ガドリニウム、鉄、ホウ素など、及び上述のものの１種以上を含む合金や組合せ、有機染料（例えば、シアニン系又はフタロシアニン系染料）、並びに無機相変化化合物（例えば、ＴｅＳｅＳｎ、ＩｎＡｇＳｂなど）がある。
【０１０１】
粉塵、油及びその他の夾雑物からの保護を行う保護層は、一実施形態では約１００ミクロン（μ）超から約１０Å未満までの厚さを有し、他の実施形態では約３００Å以下の厚さを有し、他の例示的な実施形態では約１００Å以下の厚さを有し得る。保護層の厚さは、通常、少なくとも一部では使用する読出し／書込み機構の種類（例えば、磁気機構、光機構又は光磁気機構）によって決定される。使用可能な保護層には、とりわけ、金、銀、窒化物（例えば、特に窒化ケイ素及び窒化アルミニウム）、炭化物（例えば、炭化ケイ素など）、酸化物（例えば、二酸化ケイ素など）、ポリマー材料（例えば、ポリアクリレート及びポリカーボネート）、炭素フィルム（ダイヤモンド、ダイヤモンド様炭素など）、並びに上述のものの１種以上を含む組合せのような耐食性材料がある。
【０１０２】
データ記憶層の片側又は両側に配設されてしばしば熱制御体として使用される誘電体層は、通例、最大では約１０００Å以上、最小では約２００Å以下の厚さを有し得る。使用可能な誘電体層には、環境に適合すると共に好ましくは周囲の層との反応性を示さない材料のうち、窒化物（例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなど）、酸化物（例えば、酸化アルミニウム）、炭化物（例えば、炭化ケイ素）及び上述の材料を含む組合せがある。
【０１０３】
反射層は、データ検索を可能にするのに十分な量のエネルギー（例えば、光）を反射するのに十分な厚さを有するべきである。通例、反射層は約７００Å程度までの厚さを有し得るが、若干の例示的な実施形態では約３００〜約６００Åの厚さが使用される。使用可能な反射層には、金属（例えば、アルミニウム、銀、金、チタン、ケイ素、及び上述の金属の１種以上を含む合金や混合物、など）をはじめとして、特定のエネルギー場を反射し得る任意の材料がある。
【０１０４】
データ記憶層、誘電体層、保護層及び反射層に加えて、潤滑層などの他の層が使用できる。有用な潤滑剤には、特にフルオロオイル及びグリースなどのフルオロ化合物がある。
【０１０５】
一実施形態では、認証可能ポリマーは情報記憶媒体の基板に成形し得る。例示的な一実施形態では、認証可能ポリマーは光記憶媒体の基板を構成し得る。特に例示的な一実施形態では、認証可能ポリマーはディジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）の１以上の基板を構成し得る。
【０１０６】
本明細書中に開示される認証可能ポリマーを含む例示的なＤＶＤは、それぞれが通例約１．０ミリメートル（ｍｍ）以下の厚さ、好ましくは約０．７ｍｍ以下の厚さを有する２枚の結合されたプラスチック基板（又は樹脂層）を含んでいる。また、約０．４ｍｍ以上の厚さも好ましい。２枚の結合されたプラスチック基板の少なくとも一方は、１以上のデータ層を含んでいる。一般に層０（又はＬ０）と呼ばれる第一の層は、データを読み出すディスク面（読出し面）に近い。一般に層１（又はＬ１）と呼ばれる第二の層は、読出し面から遠い。Ｌ０（３）とＬ１（５）との間には、通例は接着剤が配設され、任意には保護被膜又は隔離層が配設されている。片面ＤＶＤ（即ち、ＤＶＤの一方の面上に配設された単一の読出し面から読出しを行うもの）は、さらに、読出し面の反対側にあるＤＶＤの面上に配設されたラベルを含み得る。一実施形態では、第一の層及び第二の層の一方又は両方が認証可能ポリマーからなる。例示的な一実施形態では、第一の層が認証可能ポリマーからなる。
【０１０７】
読出し面から単一の層を読み出す場合（例えば、ＤＶＤ５、ＤＶＤ１０）には、スパッタリング又は他の堆積方法によってスタンプ面を薄い反射性データ層で被覆する。これにより、通例約６０〜約１００オングストローム（Å）の厚さの金属被膜が形成される。２つのデータ層を同じ読出し面から読み出すＤＶＤ（例えば、ＤＶＤ９、ＤＶＤ１４、ＤＶＤ１８）については、レーザーは第一の層を読み出す場合にはそれで反射されなければならず、第二の層を読み出す場合には第一の層を通して集束（又は透過）しなければならない。したがって、第一の層は「半透明」（即ち、半反射性）である一方、第二の層は「全反射性」である。Ｃｏｎｓｏｒｔｉｕｍ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｅｄｉａによって定められた現行の基準では、（ＥＣＭＡ規格＃２６７に記載されている）電気パラメーターＲ１４Ｈについて測定した全反射性及び半反射性データ層用の金属被膜の組合せはレーザーの波長で約１８〜約３０％にすべきである。現在のＤＶＤでは、一般に使用されるレーザー波長は約７００ｎｍ以下であり、約４００〜約６７５ｎｍが好ましく、約６００〜約６７５ｎｍがさらに好ましい。これらの金属被膜基準は無色の光学品質樹脂と共に使用するＤＶＤデータ層に関して定められたが、これらは着色樹脂を用いるＤＶＤ系に対しても等しく適用される。
【０１０８】
樹脂に色を付与する場合、基板を通過して反射される光の透過率は影響を受ける。半反射層及び全反射層（Ｌ０及びＬ１）上の金属被膜の性質及び厚さは、基板の光透過率に合わせて調整される。所望の反射率を得るためには、半反射性データ層の金属被膜の厚さをその反射率とバランスさせると共に、全反射性データ層の厚さを調整してその反射率が所望の規格範囲内にあるようにすればよい。
【０１０９】
個々のデータ層用の金属被膜は、各種の反射性材料を用いて得ることができる。半反射性及び／又は全反射性データ層として使用するのに十分な反射率を有し、好ましくはスパッタリングで基板上に配設し得る材料（例えば、金属、合金など）が使用できる。若干の使用可能な反射性材料には、金、銀、白金、ケイ素、アルミニウムなど、並びに上述の材料の１種以上を含む合金及び組合せがある。例えば、第一／第二の反射性データ層金属被膜は、金／アルミニウム、銀合金／アルミニウム、銀合金／銀合金などであり得る。
【０１１０】
各層の総合反射率に加えて、後続層の十分な反射率を確保するため、相次ぐ反射性データ層間の反射率の差を調節すべきである。好ましくは、相次ぐ層（例えば、第一及び第二の層）間の反射率の差は約５％以下であり、約４％以下が好ましく、約３．０％以下がさらに好ましい。さらに、互いに隣接する反射性データ層間の反射率の差は約０．５％以上であることが好ましく、約１％以上がさらに好ましい。２つの層に関して記載したが、３以上の層も使用できることは言うまでもなく、相次ぐ層間の反射率の差は上記に述べた通りにすべきであることに注意されたい。
【０１１１】
反射性データ層は、通例、スパッタリング又はその他の方法により、成形やエンボシングなどで基板の表面に形成されたパターン（例えば、ピット、溝、アスペリティ、スタート／ストップオリエンテイターなどの表面構造）上に配設される。例えば堆積は、第一のパターン化表面上に半反射性データ層をスパッターすることからなり得る。次いで、半反射性データ層上に隔離層又は保護被膜を配設できる。複数のデータ層を有するＤＶＤ（例えば、ＤＶＤ１４、ＤＶＤ１８など）を形成する場合には、半反射性データ層の反対側にある隔離層の面上に（例えば、スタンピングなどにより）第二のパターン化表面を形成できる。次いで、スパッタリング又はその他の方法により、隔離層上に全反射性データ層を堆積させ得る。別法として、ＤＶＤ１４構造の場合には、第二の基板（又は樹脂層）のパターン化表面上に全反射性データ層を堆積させ得る。次いで、半反射性データ層及び全反射性データ層の一方又は両方の上に隔離層又は保護被膜が配設される。次いで、２枚の基板の間に結合剤又は接着剤を配置して互いに結合することによってディスクを形成できる。任意には、相次ぐ層間に隔離層を配設しながら、複数の半反射性データ層を堆積させることもできる。
【０１１２】
反射性データ層の反射率は、反射層の数に応じて約５〜約１００％であり得る。単一の反射性データ層を使用する場合、反射率は好ましくは約３０〜約１００％であり、約３５〜約９０％がさらに好ましく、約４５〜約８５％がさらに一段と好ましい。二重の反射性データ層を使用する場合、データ層の反射率は好ましくは約５〜約４５％であり、約１０〜約４０％がさらに好ましく、約１５〜約３５％がさらに一段と好ましく、約１８〜約３０％が特に好ましい。最後に、複数の反射性データ層（例えば、単一の読出し面から読出し可能な３以上の反射性データ層）を使用する場合、反射率は好ましくは約５〜約３０％であり、約５〜約２５％がさらに好ましい。現在、特に好ましい範囲はＥＣＭＡ規格＃２６７に準拠している。それによれば、反射率は２層ＤＶＤ（例えば、１以上の全反射層及び１以上の半反射層）に関して約１８〜約３０％であり、１層ＤＶＤ（例えば、１つの全反射層）に関して約４５〜約８５％である。
【０１１３】
一実施形態では、これらのＤＶＤ基板を製造するために使用する認証可能ポリマーは、レーザーの波長範囲内で約６０％から９４％未満までの光の透過を可能にする。その透過率範囲内では、透過率は好ましくは約７０％以上であり、約７４％以上がさらに好ましく、約７８％以上が特に好ましい。使用する着色剤の種類及び量に応じ、透過率は約９２％以下であり得るが、着色剤の種類に応じて約８８％以下、さらには約８５％以下でもあり得る。基板の透過率が減少するのに伴い、基板の所望の密着性を達成する能力が一層困難になる点に注意すべきである。基板はポリカーボネートを含むことが好ましく、主としてポリカーボネートからなる（例えば、約８０％以上のポリカーボネートを含む）基板が特に好ましい。
【０１１４】
本発明はまた、物品の製造方法を提供する。本方法は、式Ｉの認証可能化合物を含む認証可能ポリマーを用意する段階、及び認証可能ポリマーから認証可能物品を形成する段階を含んでなる。物品を製造するためには各種の成形技術を使用できる。好適な成形技術には、射出成形、フィルムキャスティング、押出し、プレス成形、吹込み成形、スタンピングなどがある。
【実施例】
【０１１５】
ＣＤＣｌ３又はＤＭＳＯ−ｄ６を溶媒として使用しながら、Ｂｒｕｋｅｒ  ３００ＭＨｚ  Ａｖａｎｃｅ分光計を用いて式Ｉの認証可能化合物の核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルを記録した。
【０１１６】
高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）：５つの方法を用いて試料を分析した。方法Ｉ〜IVに関しては、Ｗａｔｅｒｓ  Ａｌｌｉａｎｃｅ  ＨＰＬＣ計器システムに付属したＭｉｃｒｏｍａｓｓ  Ｑｕａｔｔｒｏ  Ｕｌｔｉｍａ  Ｐｔ（４０００ａｍｕ）質量分析計を使用した。方法Ｖに関しては、Ｓｈｉｍａｄｚｕ  ＨＰＬＣ  Ｃｌａｓｓ−ＶＰ計器システムを使用した。イオン化のためには、化合物の性質に応じてエレクトロスプレーイオン化（ＥＳＩ）又は常圧化学イオン化（ＡＰＣＩ）技術を使用した。化合物の分離は、逆相クロマトグラフィー及びそれに続くＭＳ分析で行った。方法Ｉ、II及びIIIでは、４．６×５０ミリメートル（ｍｍ）で５マイクロメートル（μｍ）のＲＰ  Ｘｔｅｒｒａカラム−Ｃ１８（Ｗａｔｅｒｓ社（米国）製のＨＰＬＣカラム）並びにそれぞれ表１，表２及び表３に示す溶媒勾配を使用した。方法IVでは、４．６×５０ミリメートル（ｍｍ）で５マイクロメートルのＲＰ  Ｘｔｅｒｒａカラム−Ｃ１８（Ｗａｔｅｒｓ社（米国）製のＨＰＬＣカラム）、溶媒としてのアセトニトリル、及び１５分の作業時間を使用した。方法Ｖでは、Ｚｏｒｂａｘ  Ｈｙｐｅｒｓｉｌ（４．６×１００ｍｍ、５マイクロメートル（μｍ））及び下記表に示す溶媒勾配を使用した。これらの方法のすべてで、１ミリリットル／分（ｍｌ／ｍｉｎ）の流量、３０℃のカラム温度、及び２００ｎｍから８００ｎｍまでのＵＶ検出器−ＰＤＡ走査を使用した。
【０１１７】
【表１】
2008524219.tif 000014
熱重量分析：下記に記載する実施例１〜１６で製造した化合物を熱重量分析（「ＴＧＡ」ともいう）に付したが、これは制御雰囲気中で材料の重量変化の量を温度の関数として測定するものである。ＴＧＡ分析は、ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社から入手できる、オートサンプラーを備えたＴＧＡ２９５０計器を用いて実施したがって。試料を４０℃の初期温度に平衡化し、次いで１０℃／分の速度で５００℃の最高温度まで加熱し、その後に５００℃で平衡化した。この過程全体を通じ、試料の重量を連続的に監視した。この技術は、加熱過程中に起こり得る重量変化を測定するものである。減量が起これば、それは一般に試料の分解又は減成を表す。この技術は、本明細書中に開示される化合物の熱安定性を測定するために使用した。ＴＧＡ実験は減量−温度曲線を与える。１０％の化合物減量が認められる温度をＴＧＡと見なす。
【０１１８】
紫外−可視分光測定：式Ｉの化合物及び式IIの化合物を製造し、複光束型ＵＶ／ＶＩＳ  Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ  Ｌａｍｂｄａ  ９００  ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲ分光光度計を使用しながら、塩化メチレン（ＤＣＭ）又はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶媒を用いて３００〜８００ｎｍの波長領域でその紫外−可視スペクトル特性を測定した。下記の実施例には吸収極大及び発光極大が含まれいる。
【０１１９】
蛍光測定：Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｆ−４５００分光光度計を用いて、ヒドロキシクロモン類及び保護クロモン類（発蛍光団）の蛍光特性を評価した。ポリカーボネート配合物と共に０．００５％の認証可能化合物を含む厚さ１ｍｍの成形チップを上述の押出し及び成形方法で得た。反射バックグラウンドを有する分光光度計の試料ホルダー中に成形試料チップを配置し、３６５ｎｍの波長で励起して蛍光応答を測定した。
【０１２０】
使用した反応内容物及び試薬は、Ａｌｄｒｉｃｈ−Ｓｉｇｍａ  Ｃｏｍｐａｎｙ（米国）及びＬａｎｃａｓｔｅｒ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｃｏ．（英国）から入手した実験室用化学薬品である。
【０１２１】
実施例１
この実施例は、式IIの化合物である３−ヒドロキシ−２−フェニル−クロメン−４−オン（３−ＨＦ）の製造を記載する。
【０１２２】
還流冷却器、塩化カルシウム保護管、窒素入口及び磁気撹拌機を備えた三つ口丸底フラスコに、メタノール（２００ミリリットル（ｍｌ））、ベンズアルデヒド（１０．６グラム（ｇ））及び２−ヒドロキシアセトフェノン（１３．６ｇ）を仕込んだ。混合物を１０〜１５℃に冷却し、水酸化ナトリウム（４０ミリリットル（ｍｌ）の水中に１５ｇ）をゆっくりと添加した。反応混合物を室温（〜２５℃）で２４時間撹拌した。次いで、メタノールを反応混合物に添加し、混合物を１５℃未満に冷却した。この冷却混合物に水酸化ナトリウム（４０ｍｌの水中に１５ｇ）及び過酸化水素（５６ｍｌ）を添加し、反応混合物を室温で６〜８時間撹拌した。その後、反応混合物を１０℃に冷却し、塩酸を用いて中和し、沈殿した固体生成物を濾別した。濾液が酸を含まなくなるまで、固体を水洗した。固体生成物を７０℃のオーブン内で乾燥した。
収量：１１．８ｇ
ＨＰＬＣ純度（％Ａ）：９９．８％
質量：ｍ／ｚ  ２３８
ＵＶ下での吸収極大及び発光極大の測定：
λａｂｓ．３４３ｎｍ
λｅｍｓ．５２８ｎｍ
ＴＧＡ：３００℃で５４％の減量
実施例２
この実施例は、式IIの化合物である３−ヒドロキシ−２−（４−ビフェニル）−クロメン−４−オン（ＢＰ−３−ＨＦ）の製造を記載する。
【０１２３】
還流冷却器、塩化カルシウム保護管、窒素入口及び磁気撹拌機を備えた三つ口丸底フラスコに、メタノール（２００ｍｌ）、ビフェニル−４−カルボキシアルデヒド（２．７３ｇ）及び２−ヒドロキシアセトフェノン（２．０４ｇ）を仕込んだ。反応混合物を１０〜１５℃に冷却し、水酸化カリウム（６ｇ）をゆっくりと添加し、反応混合物を室温（〜２５℃）で２４時間撹拌した。次いで、メタノールを反応混合物に添加し、反応混合物を１５℃未満に冷却した。反応混合物に水酸化カリウム（６ｇ）及び過酸化水素（６．８ｍｌ）を添加し、反応混合物を室温で６〜８時間撹拌した。その後、反応混合物を１０℃に冷却し、塩酸を用いて中和し、沈殿した固体生成物を濾別した。濾液が酸を含まなくなるまで、固体を水洗した。固体生成物を７０℃のオーブン内で乾燥した。
収量：２．４ｇ
ＨＰＬＣ純度（％Ａ）：９８．８５％
質量：ｍ／ｚ  ３１２．８５
吸収極大及び発光極大の測定：
λａｂｓ．３５５ｎｍ
λｅｍｓ．５４２ｎｍ
ＴＧＡ：３００℃で１０％の減量
実施例３
この実施例は、式IIの化合物である３−ヒドロキシ−２−［４’−（３”−ヒドロキシ−２”−クロメン−４”−オン）フェニル］−２−クロメン−４−オン（Ｂｉｓ  ３−ＨＦ）の製造を記載する。
【０１２４】
還流冷却器、塩化カルシウム保護管、窒素入口及び磁気撹拌機を備えた三つ口丸底フラスコに、メタノール（２００ｍｌ）、テレフタルアルデヒド（０．９８ｇ）及び２−ヒドロキシアセトフェノン（２．０４ｇ）を仕込んだ。反応混合物を１０〜１５℃に冷却し、水酸化ナトリウム（３ｇ）をゆっくりと添加し、反応混合物を室温（〜２５℃）で２４時間撹拌した。次いで、メタノール（２００ｍｌ）を反応混合物に添加し、反応混合物を１５℃未満に冷却した。反応混合物に水酸化ナトリウム（３ｇ）及び過酸化水素（９ｍｌ）を添加し、反応混合物を室温で６〜８時間撹拌した。その後、反応混合物を１０℃に冷却し、塩酸を用いて中和し、沈殿した固体生成物を濾別した。濾液が酸を含まなくなるまで、固体を水洗した。固体生成物を７０℃のオーブン内で乾燥した。
収量：１．１ｇ
ＨＰＬＣ純度（％Ａ）：生成物をＨＰＬＣ分析に付したが、それはカラム上に保持されたままになり、したがってこの分子のクロマトグラフィーは実施できなかった。
吸収極大及び発光極大の測定：
λａｂｓ．３６４ｎｍ
λｅｍｓ．５５５．８ｎｍ
ＴＧＡ：３００℃まで安定
実施例４
この実施例は、式IIの化合物である３−ヒドロキシ−２−（２’−ベンゾフラン）−クロメン−４−オン（ＢＦ−３ＨＦ）の製造を記載する。
【０１２５】
還流冷却器、塩化カルシウム保護管、窒素入口及び磁気撹拌機を備えた三つ口丸底フラスコに、メタノール（２００ｍｌ）、２−ベンゾフランアルデヒド（１．４６ｇ）及び２−ヒドロキシアセトフェノン（１．３６ｇ）を仕込んだ。反応混合物を１０〜１５℃に冷却し、水酸化ナトリウム（４ｇ）をゆっくりと添加し、反応混合物を室温（〜２５℃）で２４時間撹拌した。次いで、メタノール（２００ｍｌ）を反応混合物に添加し、反応混合物を１５℃未満に冷却した。反応混合物に水酸化ナトリウム（４ｇ）及び過酸化水素（１０ｍｌ）を添加し、反応混合物を室温で６〜８時間撹拌した。その後、反応混合物を１０℃に冷却し、塩酸を用いて中和し、沈殿した固体生成物を濾別した。濾液が酸を含まなくなるまで、固体を水洗した。固体生成物を７０℃のオーブン内で乾燥した。
収量：１．１ｇ
ＨＰＬＣ純度（％Ａ）：９９％
質量：ｍ／ｚ  ２７７．８８
吸収極大及び発光極大の測定：
λａｂｓ．３６３ｎｍ
λｅｍｓ．５００ｎｍ
ＴＧＡ：３００℃で３２％の減量
【０１２６】
【表２】
2008524219.tif 000015
実施例５
この実施例は、式Ｉの化合物である３−エチルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−エチルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン（エチル−Ｂｉｓ−３ＨＦ）の製造を記載する。
【０１２７】
３−ヒドロキシ−２−（４’−（２−（３−ヒドロキシクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン（０．４ｇ）、トリエチルアミン（０．１７ｇ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）及びエチルクロロホルメート（０．５４ｇ）の混合物を室温で約１０時間撹拌した。次に、溶媒ジクロロメタンを室温で真空蒸発させ、次いで高真空下で４時間乾燥させて所望生成物を得た。
収量：０．４５ｇ
ＨＰＬＣ純度（％Ａ）：９９．５％
質量：ｍ／ｚ  ５４２
吸収極大及び発光極大の測定：
λａｂｓ．３１５ｎｍ
λｅｍｓ．５５３ｎｍ（図２に示す）
実施例６
この実施例は、式Ｉの化合物である３−フェニルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−フェニルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン（フェニル−Ｂｉｓ−３ＨＦ）の製造を記載する。
【０１２８】
３−ヒドロキシ−２−（４’−（２−（３−ヒドロキシクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン（０．４ｇ）、トリエチルアミン（０．３０ｇ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）及びフェニルクロロホルメート（０．３１ｇ）の混合物を室温で約１０時間撹拌した。次に、反応混合物を濾過し、濾床を１０ｍｌのジクロロメタンで洗い、次いで高真空下で４時間乾燥させて所望生成物を得た。
収率：６７％
実施例７
この実施例は、式Ｉの化合物である３−ブチルオキシカルボニル−２−（４’−（２−（３−ブチルオキシカルボニルクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン（Ｂｏｃ−Ｂｉｓ−３ＨＦ）の製造を記載する。
【０１２９】
３−ヒドロキシ−２−（４’−（２−（３−ヒドロキシクロモニル）））フェニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン（０．８８ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノピリジン（０．１２ｇ）、ジクロロメタン（４０ミリリットル（ｍｌ））及びジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート（１．９４６ｇ）の混合物を室温で約１２時間撹拌した。次に、反応混合物を減圧蒸留に付してジクロロメタン（〜２０ｍｌ）を除去した。残留物にヘキサン（４０ｍｌ）を添加して生成物を沈殿させた。次に、反応混合物を濾過し、１５ｍｌのヘキサンで洗って未反応の反応体及び不純物を除去することで淡黄色の生成物を得た。
収量：１．０ｇ
ＨＰＬＣ純度：９８％
質量：ｍ／ｚ  ５９８
実施例８
この実施例は、式Ｉの化合物である炭酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル−４−オキソ−２−フェニル−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル（３−ブチルオキシカルボニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン（Ｂｏｃ−３ＨＦ）の製造を記載する。
【０１３０】
３−ヒドロキシ−フラボン（０．９２ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノピリジン（０．０７ｇ）、ジクロロメタン（３０ｍｌ）及びジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート（１．６９０ｇ）の混合物を室温で約４時間撹拌した。次に、反応混合物を減圧蒸留に付してジクロロメタン（〜１５ｍｌ）を除去し、ヘキサン（３０ｍｌ）を添加して生成物を沈殿させた。次に、反応混合物を濾過し、１５ｍｌのヘキサンで洗って未反応の反応体及び不純物を除去することで淡黄色の生成物を得た。
収量：０．９８ｇ
ＨＰＬＣ純度：９９％
質量スペクトル：−Ｍｚ−３３８
λａｂｓ．２９０ｎｍ
λｅｍｓ．５２７ｎｍ（図３に示す）
実施例９
この実施例は、式Ｉの化合物である炭酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル−４−オキソ−２−ビフェニル−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル（３−エチルオキシカルボニル−４Ｈ−１−ベンゾピラン−４−オン（Ｂｏｃ−ＢＰ−３ＨＦ）の製造を記載する。
【０１３１】
３−ヒドロキシ−ビフェニル−フラボン（０．９８ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノピリジン（０．０７ｇ）、ジクロロメタン（３０ｍｌ）及びジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート（１．３５３ｇ）の混合物を室温で約４〜５時間撹拌した。次に、反応混合物を減圧蒸留に付してジクロロメタン（〜１５ｍｌ）を除去し、ヘキサン（３０ｍｌ）を添加して生成物を沈殿させた。次に、反応混合物を濾過し、１５ｍｌのヘキサンで洗って未反応の反応体及び不純物を除去することで淡黄色の生成物を得た。
収量：１．０２ｇ
ＨＰＬＣ純度：９８％
質量スペクトル：−Ｍｚ−４１４
実施例１０
この実施例は、式Ｉの化合物である炭酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル−４−オキソ−２−ベンゾフラン−４Ｈ−クロメン−３−イルエステル（３−エチルオキシカルボニル−４Ｈ−ベンゾフラニル−１−ベンゾピラン−４−オン（Ｂｏｃ−ＢＦ−３ＨＦ）の製造を記載する。
【０１３２】
３−ヒドロキシ−ベンゾフラニル−フラボン（０．５０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノピリジン（０．１ｇ）、トリエチルアミン（０．３０ｍｌ）、ジクロロメタン（３０ｍｌ）及びジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネート（０．５ｇ）の混合物を室温で約８〜９時間撹拌した。次に、反応混合物を減圧蒸留に付してジクロロメタン（〜１５ｍｌ）を除去し、ヘキサン（２０ｍｌ）を添加して生成物を沈殿させた。次に、反応混合物を濾過し、１５ｍｌのヘキサンで洗って未反応の反応体及び不純物を除去することでオフホワイトの生成物を得た。
収量：０．４０８ｇ
ＨＰＬＣによる純度：９９％
質量スペクトル：−Ｍｚ−３７８
実施例１１
この実施例は、式Ｉの化合物であるテレフタル酸ビス（４−オキソ−２−フェニル−４Ｈ−クロメン−３−イル）エステル（Ｔｅｒ−フタロイル−Ｂｉｓ−３ＨＦ）の製造を記載する。
【０１３３】
還流冷却器、塩化カルシウム保護管及び窒素入口を備えた三つ口丸底フラスコに、３−ヒドロキシフラボン（０．５９ｇ）、塩化テレフタロイル（０．５９ｇ）及びジクロロメタン（５０ｍｌ）を仕込んだ。次に、トリエチルアミン（０．２９ｇ）を仕込み、反応混合物を室温で撹拌すると共に薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で監視した。反応の完了後、１０ｍｌの水を反応混合物に添加し、有機層を分離した。有機層を乾燥し、減圧下で蒸発させて生成物を得た。
収量：０．６４５ｇ
純度：７６．９２％
実施例５〜１１の結果を下記表２にまとめて示す。
【０１３４】
【表３】
2008524219.tif 000016
実施例１２〜１６
これらの実施例は、実施例５〜１１に記載したのと同様にして製造した追加の保護ヒドロキシフラボンを提供する。これらの実施例の結果を下記表３に示す。
【０１３５】
【表４】
2008524219.tif 000017
実施例１７
この実施例は、熱刺激及び／又は光刺激及び／又は化学的刺激に対して不安定な上述のセキュリティ物質を混入した押出ポリマー試料を製造するために使用する一般手順を記載する。
【０１３６】
ビスフェノールＡホモポリカーボネートの１キログラム試料及び認証可能化合物（試料全体の０．０００５重量％の３−エチルオキシカルボニル−４Ｈ−フェニル−１−ベンゾピラン−４−オン）をポリエチレン袋に取り、約３〜４分間にわたって激しく振った。次に、Ｗ＆Ｐ  ＺＳＫ−２５  Ｍｅｇａ配合機を使用しながら、得られた材料を真空下において表１に示す条件で配合することで着色ポリマーペレットを製造した。
【０１３７】
【表５】
2008524219.tif 000018
実施例１８
この実施例は、実施例１７に記載したようにして製造した押出ペレットから成形チップを製造するために使用する一般手順を記載する。
【０１３８】
実施例１７に記載したようにして製造した押出ペレットを、１２０℃に維持したオーブン内で約４時間乾燥した。次に、ＬＴＭ−Ｄｅｍａｇ成形機を使用しながら、乾燥ペレットを表５に示す条件下で成形に付した。
【０１３９】
【表６】
2008524219.tif 000019
実施例１９
この実施例は、化学的刺激を脱ブロック化刺激として使用する場合（即ち、式Ｉの化合物用の脱ブロック化剤として酸を使用する場合）の一般手順を記載する。酸は、ポリマー母材中に式Ｉの化合物を混入するポリマー加工段階で添加した。次に、実施例１７に記載したような押出ペレットから成形チップを製造した。
【０１４０】
ビスフェノールＡホモポリカーボネートの１キログラム試料、認証可能化合物（試料全体の０．００５重量％の３−エチルオキシカルボニル−４Ｈ−フェニル−１−ベンゾピラン−４−オン）及び１０ｐｐｍのリン酸をポリエチレン袋に取り、約３〜４分間にわたって激しく振った。次に、Ｗ＆Ｐ  ＺＳＫ−２５  Ｍｅｇａ配合機を使用しながら、得られた材料を真空下において表４に示す条件で配合することで着色ポリマーペレットを製造した。
【０１４１】
次に、成形物品を３６５ｎｍのＵＶ−可視光下に置いた。得られた発光を下記表６に示す。表６は、実施例５〜１６に従って製造した式Ｉの化合物を脱ブロック化刺激及び励起刺激に暴露した場合に関し、極大波長（λｍａｘ．）での応答の強度を示している。代表的な例を図４に示す。
【０１４２】
【表７】
2008524219.tif 000020
これらのデータは、保護基が完全に脱ブロック化された場合、発光スペクトルの強度が非ブロック化分子の強度に一致することを表している。しかし、保護基が部分的に脱ブロック化された場合には強度が低い。
【０１４３】
実施例２０
ニトロ−ＢＦ−３ＨＦ及び３ＨＦフェニルカーボネートのそれぞれを、約０．１ｗｔ％の添加量でＢＰＡポリカーボネート光学品質樹脂（Ｌｅｘａｎ  ＯＱ１０３０）と混合した。二軸押出機を用いて表５に示すものと同様な条件下で配合した後、カラーチップとして物品を製造した。成形後、カラーチップは日光下では目に見える色を示さなかったが、ニトロ−ＢＦ−３ＨＦ配合物は黄色の蛍光を生じたのに対し、３ＨＦフェニルカーボネート配合物は緑色の発光を生じ、押出し及び／又は成形中に少なくとも部分的な脱ブロック化が起こったことを表していた。次に、チップを固体Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（出力１０ｍＷ、波長３５５ｎｍ、Ｎａｎｏｌａｓｅ社（フランス）製）に暴露した。光ファイバープローブ（Ｏｃｅａｎ  Ｏｐｔｉｃｓ社（米国））を用いてレーザービームを各チップ上に集束させることで、ニトロ−ＢＦ−３ＨＦ試料に関しては約２秒間、３ＨＦフェニルカーボネートに関しては約１０秒間スポットを形成した。自動化ｘ−ｙステージを用いてビームを移動させることで、約０．５ｍｍの直径をもったＧｅｎｅｒａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社のロゴを表すパターンを形成した。３５５ｎｍの波長に暴露した後、チップはいずれの場合にも日光照射の下で無色のままであった。しかし、３６５ｎｍ付近に極大発光を有する長波長ＵＶランプ（励起刺激）の下では、それぞれ黄色及び緑色の蛍光を背景にしてロゴが黒色マークとして現れた。この実施例は、図５に示すように、本発明の化合物を用いることで、製品を認証するために使用できる隠しパターンを形成し得ることを例示している。
【０１４４】
以上、例示的な実施形態に関して本発明を説明してきたが、当業者であれば、本発明の技術的範囲から逸脱せずに様々な変更及び同等物による構成要素の置換を行い得ることが理解されよう。さらに、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく、特定の状況又は材料を本発明の教示に適合させるために多くの修正を行うことができる。したがって、本発明はこの発明を実施するために想定される最良の形態として開示された特定の実施形態に限定されず、特許請求の範囲に含まれるすべての実施形態を包含するものである。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】Ｂｉｓ−３ＨＦに関する発光スペクトルを表す。蛍光極大は約５５３ナノメートル（以後は時にｎｍと示す）の波長にあり、対応する強度は約３０５である。
【図２】Ｅｔｈｙｌ−Ｂｉｓ−３ＨＦに関する発光スペクトルを表す。蛍光極大は約５５３ｎｍの波長にあり、対応する強度は約７１である。
【図３】Ｅｔｈｙｌ−Ｂｉｓ−３ＨＦに関する発光スペクトルを表す。蛍光極大は約５５３ｎｍの波長にあり、対応する強度は約７１である。
【図４】ポリカーボネート中に独立に導入した化合物Ｉ（Ａ）及び化合物II（Ｂ）の効果を示すカラー写真であり、（ａ）日光の存在下における場合、及び（ｂ）約３６５ｎｍの紫外線下で励起した後の場合を示している。
【図５】式Ｉの化合物を含む物品中に隠しパターンを生成する方法を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図４】
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【国際調査報告】
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