(57)【要約】（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮおよびＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）間のウェハボンディング構造を作製する方法。比較的短い光の波長に対して高反射でかつ導電性のある分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）をＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）およびＭｇＳ／（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓｅ材料を用いて作製できる。ウェハボンディング技術を用いて、この高品質ＤＢＲ構造をＧａＮ系光デバイス構造と組み合わせることができる。
2008506259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ＺｎＳＳｅウェハを作製する工程、
（ｂ）前記ＺｎＳＳｅウェハを平坦化し、清浄化する工程、
（ｃ）ＡｌＧａＩｎＮウェハを作製する工程、
（ｄ）前記ＡｌＧａＩｎＮウェハを清浄化する工程、および
（ｅ）前記ＺｎＳＳｅウェハおよび前記ＡｌＧａＩｎＮウェハを重ね合わせて、この重ね合わされたウェハを融着する工程
を備えたことを特徴とするウェハボンディング方法。
【請求項２】
前記ＺｎＳＳｅウェハはＧａＡｓ上にＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）を成長することにより作製されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いて成長することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＧａＡｓは（００１）ＧａＡｓであることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）内に組み込まれた分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）構造を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記ＡｌＧａＩｎＮウェハはサファイア上に(Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎを成長することによって作製されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記(Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎは有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて成長することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記サファイアはｃ面(００１)サファイアであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ＺｎＳＳｅウェハは熱処理と化学機械研磨を用いて平坦化されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＺｎＳＳｅウェハの表面は、融着工程のために平滑な表面を得る必要性から除去されなければいけないＡ型およびＢ型の突起を有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記Ａ型突起は、前記ＺｎＳＳｅウェハに窒素雰囲気において１８０℃で１時間の第１の熱処理工程を施すことによって、前記ＺｎＳＳｅウェハから除去されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記Ｂ型突起は、前記第１の熱処理工程が行われた後で、前記ＺｎＳＳｅウェハをコロイド状シリカ懸濁液と研磨布を用いて研磨することによって、前記ＺｎＳＳｅウェハから除去されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
研磨後に新しく発生したＡ型突起が前記ＺｎＳＳｅウェハ上に現れ、該新しく発生したＡ型突起が前記ＺｎＳＳｅウェハに窒素雰囲気において１８０℃で１時間の第２の熱処理工程を施すことによって前記ＺｎＳＳｅウェハから除去されて、その結果、ボンディングに適した表面が得られることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＡｌＧａＩｎＮウェハは酸素プラズマ中で酸化されて、引き続きＨＣｌ中で酸化物が除去されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＺｎＳＳｅウェハと前記ＡｌＧａＩｎＮウェハはグラファイトボートとねじの構成を用いて２ＭＰａの１軸性圧力下で重ね合わされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記重ね合わされたウェハは窒素雰囲気において所定の温度と所定の長さの時間、１軸性圧力下でウェハボンディングが行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記重ね合わされたウェハはウェハボンディング用の加熱炉の中に装着され、前記加熱炉はＮ２ガス流の中で２７０℃の温度まで１時間加熱されることを特徴とした請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
先行する請求項のいずれかの方法を用いて作製したデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は米国特許法第１１９条（ｅ）に基づいて、本発明の譲受人に譲渡された以下の同時係属の特許出願の利益を主張するものである。
【０００２】
シュテファン・フィゲ（Ｓｔｅｐｈａｎ  Ｆｉｇｇｅ）、カールステン・クルーゼ（Ｃａｒｓｔｅｎ  Ｋｒｕｓｅ）、村井  章彦（Ａｋｉｈｉｋｏ  Ｍｕｒａｉ）、デトレフ・ホンメル（Ｄｅｔｌｅｆ  Ｈｏｍｍｅｌ）、リー・マッカーシー(Ｌｅｅ  ＭｃＣａｒｔｈｙ)、ウメシュ・Ｋ．ミシュラ（Ｕｍｅｓｈ  Ｋ．  Ｍｉｓｈｒａ）、スティーブン・Ｐ．デンバース（Ｓｔｅｖｅｎ  Ｐ．  ＤｅｎＢａａｒｓ）による米国特許仮出願第６０/５８５，６７３号、２００４年７月６日出願、発明の名称「オプトエレクトロニクス応用への（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮおよびＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）のウェハボンディング方法（ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＷＡＦＥＲ  ＢＯＮＤＩＮＧ  （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ  ＡＮＤ  Ｚｎ（Ｓ，Ｓｅ）  ＦＯＲ  ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ  ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ）」、代理人整理番号３０７９４．１１６−ＵＳ−Ｐ１（２００４−４５５）；
この出願は参照として本明細書中に組み込まれる。
【背景技術】
【０００３】
１．本発明の技術分野
本発明はオプトエレクトロニクス応用のためのウェハボンディングに関するものである。より具体的には、本発明はオプトエレクトロニクス応用への（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮおよびＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）のウェハボンディングに関するものである。
２．関連技術の説明
(注：本願は、明細書中に例えば[ｘ]のように括弧に入れられた１つ以上の参照文献番号を用いて示される様々な多くの文献を参照している。参照文献番号順に並べたこれら様々な文献のリストは以下の「参考文献」と題されたセクションに見出すことができる。これら文献のそれぞれは参照として本明細書に組み込まれる。)
ＩｎＰ／ＧａＡｓ、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＰ、ＩｎＰ／ＧａＮ、ＧａＡｓ／ＧａＮのような材料の様々な組み合わせを用いたウェハボンディング技術はオプトエレクトロニクス集積、発光ダイオード（ＬＥＤ)、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）および電子デバイスへの応用のために研究されてきた[非特許文献１、２、３、４]。
【０００４】
窒化物材料系においては分布ブラッグ反射器(ＤＢＲ)構造を作製するために幾つかの挑戦が行われている。一般的な方法は１／４波長厚のＧａＮ層とＡｌＧａＮ層を交互に積層した構造をエピタキシャル成長することである。ＧａＮとＡｌＮは２．５％の格子不整合があるために、層内にクラックが発生しないように３元材料のＡｌＮの組成は小さくしなければならない。そのため、高反射を実現するためにはミラー対の数が多くなり、反射ストップバンドの帯域が非常に狭くなる[非特許文献５]。
【０００５】
別の方法としては、クラックの発生を避けるためにＡｌＩｎＮ／ＧａＮの組み合わせを用いる方法である[非特許文献６]。しかし、この方法でも導電性のあるＤＢＲ、特に導電性ｐ型ＤＢＲ構造を作製することは依然として困難である。
【０００６】
それゆえに、オプトエレクトロニクス応用のためのウェハボンディング方法の改良が必要である。本発明はこの必要性を満足させるものである。
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５６，７３７−３９（１９９０）
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６４，２８３９−４１（１９９４）
【非特許文献３】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，２１４７（１９９６）
【非特許文献４】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，３１５２−５４（２００２）
【非特許文献５】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７３，３６５３−３６５５（１９８８）
【非特許文献６】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８３，６６８−６７０（２００３）
【非特許文献７】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，１２３８−４０（１９９８）
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮとＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）間の融着構造を作製する方法を提供するものである。比較的短い光の波長に対する高反射で導電性を有する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）をＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）とＭｇＳ／（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓｅ材料を用いて作製できる。ウェハボンディング技術を用いることで、このＤＢＲをＧａＮ系光デバイス構造と組み合わせることができる。
【０００８】
以下、図面を参照する。対応する部分には一貫して同じ参照番号を付与する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下の好ましい実施の形態の説明では、添付の図面を参照する。添付の図面は、本明細書の一部を形成し、本発明を実施することができる特定の実施例を例示するために示す。本発明の範囲を逸脱することなく、その他の実施形態を利用してもよく、構造上の変化を施しても良いことは明らかである。
概要
本発明は（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮとＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）間の融着すなわちボンディング構造を作製する方法を提供するものである。（Ａｌ、Ｇａ）Ｎ材料を用いて高反射で導電性をもつＤＢＲ構造を作製すること、特にｐ型導電性ＤＢＲを作製することは困難である。現在のところ、（例えばＡｇやＮｉのような）金属が鏡に用いられているが、その反射率は５００ｎｍより短い光波長に対しては９０％より下である。一方、４６０ｎｍから６２０ｎｍの間の比較的短い光波長に対して高反射でかつ導電性をもつＤＢＲをＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）とＭｇＳ／（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓｅ材料を用いて作製できる。ウェハボンディング（融着）技術を用いることによって、９９％より大きな反射率を持つ高品質ＤＢＲ構造をＧａＮ系光デバイス構造に組み込むことが出来る。反射率を増大することによって、光の取り出し効率を増大させ、その結果デバイス特性が増大するものと期待される。可能な融着構造を持つ光デバイスには、発光ダイオード（ＬＥＤ）、共振器型ＬＥＤ（ＲＣ−ＬＥＤ）、および垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）が含まれる。高導電性をもつｐ型ミラー層をＧａＮに集積することは新しい技術であり、現存の高輝度ＬＥＤ（ＨＢ−ＬＥＤ）の設計に対して優位性を持つものである。
ウェハボンディング方法
本発明は（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮとＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）間のウェハボンディングを行うため、次の２つの工程を備える。
【００１０】
第１の工程は、結合される両ウェハ表面について、平坦で清浄な表面を準備することである。
【００１１】
Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）に関しては、層は（００１）ＧａＡｓ上に分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法で成長される。成長の後、ウェハは熱処理と化学機械研磨の組み合わせを用いて平坦化され、数種類の溶媒を用いて清浄化される。
【００１２】
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎに関しては、層はｃ面（０００１）サファイア上に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて成長される。成長後、ウェハは数種類の溶媒を用いて清浄化され、酸素プラズマ中で酸化され、その後、ＨＣｌ中で酸化物が除去される。
【００１３】
第２の工程は、（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮとＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）間のウェハボンディング工程である。２つのウェハは重ね合わせられ、その後、窒素雰囲気において所定の温度で所定の長さの時間、１軸性圧力下で結合される。
実験結果
ＺｎＳＳｅの表面には２種類の微視的凹凸構造または突起が存在し（Ａ型およびＢ型と称する）、融着のために平坦な表面を得るにはこれらを除去しなければならない。酸素を含む雰囲気に晒した後のａｓ−ｇｒｏｗｎの材料の表面形態を、原子間力顕微鏡(ＡＦＭ)を用いて観察した結果を図１に示す。Ａ型突起１００は、表面が雰囲気に晒された直後に発生するＳｅＯ２に起因すると考えられている[非特許文献７]。Ａ型突起１００の典型的なサイズは直径が４０〜１２０ｎｍで高さが６〜２０ｎｍである。図２に示すように、これらの突起１００は窒素雰囲気において１８０℃で１時間の熱処理によって除去される。その後、図２に見られる幅が０．５〜１．０μｍで高さが５〜２０ｎｍであるＢ型突起２００が、コロイド状シリカ懸濁液と研磨布を用いてウェハを研磨することによって除去される。研磨の直後に、新たに発生したＡ型突起１００が現れる。この新しく発生した突起を除去するために、第２の熱処理工程が第１の熱処理工程と同じ条件で行われる。この第２の熱処理工程の後、図３に示すように、ウェハボンディングに適した表面が得られる。ＭＯＣＶＤで成長したａｓ−ｇｒｏｗｎのＡｌＧａＩｎＮの表面は図４に示すように比較的スムーズであり、表面研磨は必要ない。次の工程は図５に示されている。この図はガス導入口５０２と排気口５０４、および熱電対５０６を備えた加熱炉５００を示しているが、ＺｎＳＳｅウェハ５０８とＡｌＧａＩｎＮウェハ５１０がグラファイトボート５１２とねじ５１４の構成を用いて２ＭＰaの１軸性圧力下で重ね合わされ、ウェハボンディング用の加熱炉５００の中へ装着される。加熱炉５００はＮ２ガス流５１６のもと、温度２７０℃まで１時間加熱される。ｐ型ＤＢＲに対しては、ＺｎＳＳｅ中のｐ型ドーパント(Ｎ）の分解を防ぐために温度は２７０℃より低くするべきである。ウェハボンディングされた試料の写真を図６と図７に示す。図６ではサファイア基板上のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層６００(上側ウェハ)とＧａＡｓ基板上のＺｎＳ０．０６Ｓｅ０．９４層６０２（下側ウェハ）がウェハボンディングされている。図７ではサファイア基板上のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層７００(上側ウェハ)とＧａＡｓ基板上のＺｎＳ０．０４Ｓｅ０．９6(高屈折率)とＭｇＳ／ＺｎＣｄＳｅ超格子(低屈折率)からなるＤＢＲ層７０２（下側ウェハ）がウェハボンディングされている。図８は可能な形の最終段階のデバイス構造８００を示しており、これには電極８０２、導電性半導体８０４、Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）とＭｇＳ／（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓｅを用いたｐ型ＤＢＲ構造８０６、ｐ型層８０８、（ＧａＮ系)活性層である窒化物層８１０、ｎ型窒化物層８１２、および電極８１４が含まれている。ここで矢印８１６は抽出される光を示す。
可能な変更と変形
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮとＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）間のウェハボンディングにとって重要なのは表面の平坦性と清浄性である。ウェハボンディングのための理想的な表面を準備するためには、様々な平坦化と表面清浄化の技術を用いることができる。結晶成長の十分な制御も平坦な表面を実現するために必要である。酸素を含む雰囲気との接触を避けて、酸化物の存在しない表面を実現するためのＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）の様々な表面作成技術は本発明の可能な変形を構成するものである。
【００１４】
Ｈ２のような他のガスもウェハボンディングプロセス中の雰囲気として用いることができる。真空条件もウェハボンディングプロセス中に用いることができる。
【００１５】
また、研磨またはエピタキシャル成長技術を用いて平坦な（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ表面を実現する場合における様々な改良により、更に一様性の高い融着が実現される。
【００１６】
Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）層の成長方法に関しては、ＭＯＣＶＤなどのような他の技術を用いてもよい。
【００１７】
ＺｎＳｅ、ＩｎＰ、またはＺｎＴｅ基板のような他の種類の基板もＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）の層の成長のために用いてもよい。更に、(１１１)または(３１１)面のような他の種類の結晶面をＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）層の成長のために用いてもよい。
【００１８】
(Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ）（Ｓ、Ｓｅ）のような様々なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層をウェハボンディングに用いてもよい。
【００１９】
（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層を、ＭＢＥを用いて成長してもよい。
【００２０】
ＳｉＣまたはＡｌＮまたはＧａＮ基板のような別の基板を層成長に用いることができる。
【００２１】
ａ面やｍ面のような別の結晶面を（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ層成長に用いることもできる。
【００２２】
Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）とＭｇＳ／（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓｅ材料を用いたＤＢＲのストップバンドの波長に関しては、結晶成長条件と用いる材料の最適化によって４６０ｎｍよりも短波長を作製することができる。図８はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ベースのＤＢＲ構造をＩＩＩ−Ｎ化合物半導体ベースのＬＥＤと集積化した例を示す。高反射ＤＢＲ構造を用いることによって、活性領域から放射される光は効率よく抽出されて、熱の発生も低減することができる。勿論、とりわけＲＣ−ＬＥＤおよびＶＣＳＥＬへの応用も可能である。
利点および改善点
この（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）ＮとＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）のウェハボンディングの方法は新しい技術であり、現行のデバイス設計に比べて優位性を持っている。光デバイス応用に関しては、本発明によって作製されるＤＢＲを組み込んだ構造は金属鏡を用いる現行の構造に比べて、光の取り出しの増大のためにより高い効率を持つという点と、サファイア基板上に成長したデバイスに比べて熱の放散が大きくなっていて、また熱の発生も低減していることによって、より大きな信頼性を持つという点とで主要なる優位性を持っている。この新規なハイブリッドＧａＮ／ＺｎＳｅ設計の結果得られる外部量子効率は現行のＧａＮ系デバイスのそれよりも高くなるはずである。
プロセス工程
図９は本発明の好ましい実施形態によるウェハボンディングのプロセス工程を更に示すフローチャートである。
【００２３】
ブロック９００は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）技術を用いてＺｎＳＳｅウェハを作るために、（００１）ＧａＡｓ上へＺｎ（Ｓ、Ｓｅ）を成長する工程を表す。
【００２４】
ブロック９０２は熱処理と化学機械研磨を用い、引き続いて溶媒を用いてＺｎＳＳｅウェハの平坦化と清浄化を行う工程を表す。ＺｎＳＳｅウェハの表面にはＡ型とＢ型の突起が存在し、ウェハを重ね合わせた後に融着するために平坦な表面を得るには、これらの突起を除去しなければならない。Ａ型突起は、窒素雰囲気においてＺｎＳＳｅウェハに１８０℃で1時間の第１の熱処理工程を行うことでＺｎＳＳｅウェハから除去される。Ｂ型突起は、第１の熱処理工程が行われた後で、ＺｎＳＳｅウェハをコロイド状シリカ懸濁液と研磨布を用いて研磨することによって、ＺｎＳＳｅウェハから除去される。新しく発生したＡ型突起が研磨後のＺｎＳＳｅウェハ上に現れるが、この新しく発生したＡ型突起は、ＺｎＳＳｅウェハに第２の熱処理工程を窒素雰囲気において１８０℃で１時間行うことによって、ＺｎＳＳｅウェハから除去される。その結果、ボンディングに適した表面が得られる。
【００２５】
ブロック９０４はＡｌＧａＩｎＮウェハを作るために、ｃ面(００１)サファイア上に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて(Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎを成長する工程を表している。
【００２６】
ブロック９０６はＡｌＧａＩｎＮウェハを清浄化して酸化する工程を表している。ＡｌＧａＩｎＮウェハはいくつかの溶媒を用いて清浄化され、酸素プラズマ中で酸化され、引き続きＨＣｌ中で酸化物が除去される。
【００２７】
ブロック９０８はＺｎＳＳｅウェハとＡｌＧａＩｎＮウェハを重ね合わせて、重ね合わせたウェハを融着する工程を表す。ＺｎＳＳｅウェハとＡｌＧａＩｎＮウェハはグラファイトボートとねじの構成を用いて２ＭＰａの１軸性圧力下で重ね合わされる。重ね合わされたウェハは窒素雰囲気において、所定の温度で所定の長さの時間、１軸性圧力下で融着すなわちボンディングされる。具体的には、重ね合わされたウェハはウェハボンディング用の加熱炉に装着されて、加熱炉は窒素ガス流のもと、２７０℃の温度まで１時間加熱される。
【００２８】
このプロセス工程の最終結果として、Ｚｎ（Ｓ、Ｓｅ）中に組み込まれた高品質ＤＢＲ構造を含む、ボンディングされたウェハからなるデバイスが得られる。
参考文献
以下の参考文献が参照として本明細書に組み込まれる。
１．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５６，７３７−３９（１９９０）
２．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６４，２８３９−４１（１９９４）
３．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，２１４７（１９９６）
４．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，３１５２−５４（２００２）
５．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７３，３６５３−３６５５（１９８８）
６．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８３，６６８−６７０（２００３）
７．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，１２３８−４０（１９９８）
結論
これで本発明の好ましい実施形態の説明を終える。本発明の一つ以上の実施形態に関する上記の記述は例示と記載のために示された。開示の形態そのものによって本発明を包括または限定することを意図するものではない。多くの変更と変形が上記の教示に照らして可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、本明細書に添付の請求項によって限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】表面上にＡ型突起の存在を示しているＺｎＳＳｅウェハの表面形態を示す原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像である。
【図２】表面上にＢ型突起の存在を示しているＺｎＳＳｅウェハの表面形態を示す原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像である。
【図３】第２の熱処理工程によってウェハボンディングに適した表面を実現した後のＺｎＳＳｅウェハの表面形態を示す原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像である。
【図４】ＡｌＧａＩｎＮウェハの表面形態を示す原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像である。
【図５】ウェハボンディング用の加熱炉、グラファイトボート、およびねじの構成を示すブロック図である。
【図６】ウェハボンディングされた試料の写真である。
【図７】ウェハボンディングされた試料の写真である。
【図８】ＧａＮ系活性層とＤＢＲ構造を含む、一つの可能なデバイス構造を示すブロック図である。
【図９】本発明の好ましい実施形態による、ウェハボンディングのプロセス工程を更に示すフローチャートである。
【図５】
2008506259.tif 000003
【図８】
2008506259.tif 000004
【図９】
2008506259.tif 000005
【図１】
2008506259.tif 000006
【図２】
2008506259.tif 000007
【図３】
2008506259.tif 000008
【図４】
2008506259.tif 000009
【図６】
2008506259.tif 000010
【図７】
2008506259.tif 000011