(57)【要約】  本発明は、りん光性有機金属錯体を提供する。本発明の錯体は、有機発光素子における発光層において使用され得る電荷運搬ホスト物質をさらに含有するフィルムとして調製され得る。一実施形態では、この錯体は、２−フェニルピリジン（ｐｈｅｎｙｌｐｕｒｉｄｉｎｅ）配位子を含む、高度に分枝した有機イリジウム錯体であり、そのフェニル環またはピリジン環は、４の非水素置換基を含む。別の実施形態において、この錯体は、置換２−フェニルピリジン配位子を含む有機イリジウム錯体であり、少なくとも一の置換基が、スピロ基を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属化合物であって、式（Ｉ）：
【化１】
2008531684.tif 000031
（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、ハロまたはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得るが、但し、
Ｒ１〜Ｒ４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ５〜Ｒ８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ５〜Ｒ８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ１〜Ｒ４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ１〜Ｒ８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２である）
の有機金属化合物。
【請求項２】
請求項１に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、スピロ基を含むものがない、有機金属化合物。
【請求項３】
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか一が、Ｈであり、かつ、Ｒ５〜Ｒ８のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
【請求項４】
請求項３に記載の有機金属化合物であって、Ｒ５〜Ｒ８の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
【請求項５】
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ５〜Ｒ８のうち、いずれか一がＨであり、かつ、Ｒ１〜Ｒ４のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
【請求項６】
請求項５に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ４の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
【請求項７】
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、水素であるものがない、有機金属化合物。
【請求項８】
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ４およびＲ５、Ｒ５およびＲ６、Ｒ６およびＲ７、Ｒ７およびＲ８のうち、少なくとも一が環を形成する、有機金属化合物。
【請求項９】
請求項１に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、少なくとも一が、スピロ基を含む、有機金属化合物。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、少なくとも一が、スピロビフルオレニル基を含む、有機金属化合物。
【請求項１１】
請求項１に記載の有機金属化合物であって、前記置換２−フェニルピリジン基が、
【化２】
2008531684.tif 000032
である、有機金属化合物。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、Ｍが、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＡｕまたはＺｎである、有機金属錯体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機金属錯体であって、Ｍが、イリジウムである、有機金属錯体。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、ｙ＝１である、有機金属錯体。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、Ｌが、アセチルアセトンである、有機金属錯体。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、溶液。
【請求項１７】
請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、フィルム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のフィルムであって、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、フィルム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質が、ＰＶＫまたはＰＶＫ／ＰＢＤブレンドである、フィルム。
【請求項２０】
請求項１８または請求項１９に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質に対する前記有機金属錯体の重量比が、約０．５％〜約５０％である、フィルム。
【請求項２１】
請求項１７〜請求項２０のいずれか１項に記載のフィルムであって、該フィルムが、約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有する、フィルム。
【請求項２２】
請求項１７〜請求項２１に記載のフィルムであって、該フィルムが、溶液加工技術により調製される、フィルム。
【請求項２３】
請求項２２に記載のフィルムであって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、フィルム。
【請求項２４】
発光層を有する電界発光素子であって、該発光層が、請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、電界発光素子。
【請求項２５】
請求項２４に記載の電界発光素子であって、前記層が、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、電界発光素子。
【請求項２６】
請求項２５に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質に対する前記有機金属錯体の重量比が、約５％である、電界発光素子。
【請求項２７】
請求項２４または請求項２６に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質がＰＶＫまたはＰＶＫ／ＰＢＤブレンドである、電界発光素子。
【請求項２８】
請求項２４〜請求項２７のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、前記発光層が、溶液加工技術により堆積される、電界発光素子。
【請求項２９】
請求項２８に記載の電界発光素子であって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、電界発光素子。
【請求項３０】
請求項２４〜請求項２９のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔注入層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項３１】
請求項３０に記載の電界発光素子であって、前記正孔注入層が、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含有する、電界発光素子。
【請求項３２】
請求項２４〜請求項３１のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、電子輸送層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項３３】
請求項３２に記載の電界発光素子であって、前記電子輸送層が、Ａｌｑ３を含有する、電界発光素子。
【請求項３４】
請求項２４〜請求項３３のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔ブロッキング層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項３５】
請求項３４に記載の電界発光素子であって、前記正孔ブロッキング層が、ＢＣＰまたはＴＰＢＩを含有する、電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、りん光性有機金属錯体およびこのような有機金属錯体を含む電界発光（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、電圧が層に印加された場合には発光し得る、少なくとも一の有機層を備える。特定のＯＬＥＤは、十分な発光、色彩特性および寿命を有し、従来の無機ベースの液晶ディスプレー（ＬＣＤ）パネルの、実行可能な（ｖｉａｂｌｅ）代替品と見なされている。伝統的なＬＣＤパネルと比較して、ＯＬＥＤは一般的に、より明るく、消費エネルギーがより少なく、そしてフレキシブルな基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）上に作製され得、手で握れる大きさの多くの電池作動性素子に対して明らかに有益である特性である。１９９８年に最初に商業的に自動車のステレオに導入されて以来、ＯＬＥＤは、現在、市販の製品（携帯電話、電気カミソリ、ＰＤＡ、デジタルカメラ等が挙げられる）の領域内で登場し始めている。
【０００３】
ＯＬＥＤを開発する際の最初の注意点は、蛍光発光に焦点が当てられた。電界発光素子における注入正孔（ｉｎｊｃｅｃｔｅｄ  ｈｏｌｅ）および電子の再結合が生じるとき、一重項状態にあってそして蛍光発光をすることができる生成励起子はほぼ四分の一しかない。残りの四分の三の励起子は、三重項状態にあり、そして一般的に、室温付近では有機分子の放射メカニズムによる緩和（ｒｅｌａｘｉｎｇ）から除外される。結果として、電子蛍光素子（ｅｌｅｃｔｒｏｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  ｄｅｖｉｃｅ）において生成されたおよそ７５％の励起子に含まれるエネルギーが失われ、そして上記励起三重項状態は、非放射経路を介して基底状態に戻る。これは、望ましくないことに、上記素子の作動温度を上昇させ得る。
【０００４】
最近の研究により、量子効率がより高い素子が、りん光エミッター（ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ  ｅｍｉｔｔｅｒ）より作製され得、この素子では、一重項励起子および三重項励起子の両方が発光のために使用され得ることが実証された（Ｂａｌｄｏら、１９９８，Ｎａｔｕｒｅ  ３９５：１５１）。重金属と有機配位子との間の、スピン−軌道カップリングは、励起一重項状態と励起三重項状態とを混ぜ、迅速な項間交差及びりん光による、励起三重項状態の発光減衰（ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｅｃａｙ）を可能にする（Ｂａｌｄｏら、１９９８，Ｎａｔｕｒｅ  ３９５：１５４）。結果として、りん光性物質に基づく電界発光ＯＬＥＤは、理論上、１００％に近い内部量子効率を有する。
【０００５】
りん光は、蛍光よりもずっと緩徐な過程であり、そして結果として、励起状態は、蛍光発光とは関係のない経路を介して減衰し得る。りん光発光（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）の顕著な特徴は、より高い電流密度での、効率の「転がり落ち（ｒｏｌｌ−ｏｆｆ）」である（Ｂａｌｄｏら、２０００，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ  Ｂ．６２（１６）：１０９６７）。この転がり落ちは、三重項−三重項消滅（ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）（Ｔ−Ｔ消滅）が主因であり、Ｔ−Ｔ消滅ほど主要な原因ではないが、発光状態の飽和もその原因である（Ａｄａｃｈｉら、２０００，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８９７（１１）：８０４９）。この発光部位の飽和は、発光層のアクセプター（ａｃｃｅｐｔｏｒ）／ゲスト（ｇｕｅｓｔ）の濃度を上昇させることにより、ある程度緩和され得るが、高濃度のアクセプター／ゲストは、一般的に、三重項状態励起子の二分子消光の増加につながる。
【０００６】
りん光性物質がＯＬＥＤ素子適用に用いられ得るという知見（Ｂａｌｄｏら、１９９８，Ｎａｔｕｒｅ  ３９５：１５１）以来、より高い効率を有し、かつ調節可能な発光色を有する新規な電界発光物質を開発するための、ならびに溶液加工を介して素子へと加工され得る新規な物質を探すための膨大な努力が捧げられてきた。具体的な目的は、イリジウム（ＩＩＩ）ベースの錯体（例えば、ファク−トリス（フェニルピリジン）イリジウム（ｆａｃ−ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（“Ｉｒ（ｐｐｙ）３”）、ビス（２−フェニル  ピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌ  ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２’）ｉｒｉｄｉｕｍ（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）（“（ｐｐｙ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）”）およびこれらの誘導体）に焦点が当てられている。
【０００７】
Ｔ−Ｔ消滅を減少させ、そして濃度自己消光を減少させる一のアプローチは、励起三重項の寿命がより短いアクセプターを用いることである（Ｃｈｅｎら、２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０（１３）：２３０８；Ｂａｌｄｏら、２０００，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ．６２（１６）１０９６７）。この理由のために、イリジウム錯体は、一般的に、寿命が約１オーダー大きい白金ポルフィリンよりも好ましい（Ｃｈｅｎら、２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ  ８０（１３）：２３０８）。
【０００８】
Ｔｈｏｍｐｓｏｎらは、イリジウム錯体に基づく青色りん光エミッターを開示した（ＵＳ  ２００２／０１８２４４１  Ａ１；ＷＯ０２／１５６４５Ａ１）。（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）およびビス（２−（２’−ベンゾ［４，５−ａ］チエニルピリジネート−Ｎ，Ｃ３）イリジウム（アセチルアセトン）（ｂｉｓ（２−（２’−ｂｅｎｚｏ［４，５−ａ］ｔｈｉｅｎｙｌｐｙｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ３）ｉｒｉｄｉｕｍ（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅ））［Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）］に基づく、高効率の緑色および赤色エミッターもまた、開発された（Ａｄａｃｈｉら、２００１，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８：１６２２；Ｌａｍａｎｓｋｙら、２００１、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３：４３０４）。
【０００９】
最近、溶液加工可能なりん光性物質を開発するための進歩があった。ここで、りん光性ゲストは、溶液加工技術（例えば、スピンコーティングまたはインクジェットプリンティング）を介して均一な薄いフィルムを形成し得る、ホストポリマー又は低分子マトリックス中に分散される（Ｇｏｎｇら、２００２，Ｊ．Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１４：５８１；Ｚｈｕら、２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０：２０４５；Ｇｏｎｇら、２００２，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ  Ｌｅｔｔ．８１：３７１１；Ｇｏｎｇら、２００３，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１５：４５；Ｃｈｅｎら、２００３，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８２：１００６）。ゲスト濃度がより高いと、相分離が生じ得、素子の量子効率および寿命に好ましくない方向に影響し得る（Ｃｈｅｎら、２００２，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５：６３６；Ｌｅｅら、２００２，Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ２１：１１９；ＷＯ  ０３／０７９７３６）。
【００１０】
側鎖としてポリマー鎖にグラフトされたりん光発光錯体もまた開発された（Ｌｅｅら、２００２，Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ２１：１１９）。このポリマーにより生成された励起子は、りん光発光中心に移され得、そして効率的な緑色、赤色および白色光の発光が実証された（Ｃｈｅｎら、２００３，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５：６３６）。これらのポリマーにおいて、電子移動は主として分子間である（Ｌｅｅら、２００２，Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ２１：１１９）。
【００１１】
デンドライト構造をりん光性錯体に導入することで、溶液加工能が促進され得、そして上記錯体の濃度依存性自己消光およびＴ−Ｔ消滅を防止し得る。Ｔ−Ｔ消滅は、上記素子が、高い輝度のために、より高い電流密度で作動される場合により深刻となり、三重項励起状態の集団（ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ）の飽和が始まり得る（Ｂａｌｄｏら、１９９９，Ｐｕｒｅ  Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．７１（１１）２０９５）。デンドライト配位子のより高い生成により、金属錯体がお互いからより有効に分離し得、これにより、自己消光および三重項−三重項消滅を引き起こし得る二分子相互作用を抑制し得る（Ｍａｒｋｈａｍら、２００２，Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.Ｌｅｔｔ.８０(１５)：２６４５）。これらの非放射性減衰経路の抑制は、より高い素子効率を与える。
【００１２】
りん光性有機金属デンドリマーは、スピンコーティングを介して、ホスト物質と一緒に、質の高い薄型フィルムへと加工され得る。例えば、国際公開パンフレット第０２／０６６５５２号明細書は、金属イオンをコアの一部として有するデンドリマーを開示している。金属発色団がデンドリマーのコアに位置する場合、この金属発色団は、隣接分子のコア発色団から比較的離れており、濃度消光および／またはＴ−Ｔ消滅を最小化すると提唱されている。
【００１３】
国際公開パンフレット第０３／０７９７３６号明細書には、Ｉｒ（ｐｐｙ）３ベースのデンドリマーを含有する溶液加工可能な層を備えた発光素子が開示されている。ここで、少なくとも一のデンドロンは、少なくとも二の芳香族基に直接的に結合された窒素ヘテロアリール基または窒素原子を有する。
【００１４】
国際公開パンフレット第２００４／０２０４４８号明細書には、量子効率を減少させる分子間りん光体相互作用を克服するように設計された、多くのＩｒ（ｐｐｙ）３ベースのデンドリマーが開示され、そしてそのデンドライト構成によりコアが離れたままになり、そして三重項−三重項消光を減少させると提案されている。
【００１５】
米国特許出願公開第２００４／０１３７２６３号明細書には、少なくとも一のデンドライトが十分に結合されている（ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ）、多くの第一世代Ｉｒ（ｐｐｙ）３デンドリマーおよび第二世代Ｉｒ（ｐｐｙ）３デンドリマーが開示されている。これらのデンドライトの表面の基は、デンドリマーが適切な溶媒中で可溶性となるように修飾され得る。あるいは、これらのデンドライトは、りん光性ゲストの電気的特性を変化させるように選択され得る。
【００１６】
Ｍａｒｋｈａｍら（２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０（１５）：２６４５）は、第一世代および第二世代のＩｒ（ｐｐｙ）３デンドリマーのフォトルミネセンス量子収率（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｙｉｅｌｄ）（ＰＬＱＹ）を開示する。第二世代デンドロンのＰＬＱＹの増加の原因は、Ｉｒ（ｐｐｙ）３コアの分離がより大きくなり、その結果、濃度依存性二分子消光効果が低減したことにあった。電子輸送ホスト物質中でドープ処理されたＩｒ（ｐｐｙ）３とは異なり、デンドリマーの同一の電子輸送ホスト物質中の溶液をスピンコーティングすることにより、良質のフィルムが調製され得る。
【００１７】
他の嵩高い非デンドライト配位子は、素子の性能に関して同一の効果を有し得る。Ｘｉｅら（Ａｄｖ．Ｍａｔ  ２００１，１３：１２４５）は、（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３のピネン誘導体を開示している。Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３を含む電界発光素子は、Ｉｒ（ｐｐｙ）３を含む素子ほど、量子効率の転がり落ちが顕著でない。これは、一部には、励起されたＩｒ（ｍｐｐｙ）３三重項状態の寿命の減少およびゲスト／ドーパントの飽和の低減に起因する。Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３を含む素子の外部量子効率は、高いドーピングレベル（例えば、２６重量％）においてでさえ、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３濃度の増加とともに増加する。より高い濃度でのＩｒ（ｍｐｐｙ）３りん光性物質の自己消光の減少の原因は、二分子りん光性物質相互作用を最小化すると考えられる、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３中の立体障害の大きいピネンスペーサーにあった。
【００１８】
デンドリマーアプローチは、効率的なＯＬＥＤ素子に対して溶液加工可能なりん光性物質を提供し得るが、この配位子および得られた金属錯体の合成および精製は、非常に長ったらしく退屈（ｔｅｄｉｏｕｓ）であり、特により高いデンドロンの生成が用いられる場合にそうである。
【００１９】
単座、二座または三座配位子を有する、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、ＲｈおよびＺｎベースの有機金属錯体は、発光素子用のエミッターとして使用され得、そして、発光層において生成される一重項および三重項の両方の励起子を利用する能力のために、蛍光発光物質と比較してずっと高い量子効率を有し得る。しかし、現在までのところ、有機金属錯体に基づくＯＬＥＤ素子のほとんどは、真空蒸着を介してのみ調製され得る。真空蒸着は、低分子を堆積するのに魅力的な方法であり、そしてこれに加えて、この堆積された有機分子をさらに精製し得るが、この方法は、一般的に、高額の設備が必要とされるために、費用がかかる。
【００２０】
溶液加工は、より低コストの技術であり、そして大量で迅速な生産に、より適切である。溶液加工はまた、大きなディスプレーに必要とされる、より大きなフィルムを調製することにもより適切であり得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明は、上記の問題点を解決しようとするものであり、Ｔ−Ｔ消滅を減少させた、効率の高いりん光発光物質を提供しようとするものである。これらの物質は、容易に調製され得、そして、溶液加工を介して、ポリマー性または低分子のホスト物質と共に、均一な薄型フィルムへと容易に製作され得る。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
（発明の要旨）
一局面では、本発明は、式（Ｉ）：
【００２３】
【化１】
2008531684.tif 000002
【００２４】
（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ（ｓｕｌｆｉｎｏ）、チオアミド、ヒドロキシ、ハロまたはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得るが、但し、
Ｒ１〜Ｒ４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ５〜Ｒ８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ５〜Ｒ８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ１〜Ｒ４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ１〜Ｒ８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；
そしてｙは、（ｚ−２ｘ）／２である）
の有機金属化合物を提供する。
【００２５】
別の局面では、本発明は、本発明の種々の実施形態に従う有機金属錯体を含有するフィルムを提供する。
【００２６】
さらに別の局面において、本発明は、本発明の種々の実施形態に従う有機化合物を含む電界発光素子を提供する。
【００２７】
本発明の他の局面および特徴は、添付の図面と一緒に以下の本発明の特定の実施形態の説明を概観するやいなや、当業者にとって明らかになる。
【００２８】
図は、本発明の実施形態を例としてのみ例示する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（発明の詳細な説明）
【００３０】
式（Ｉ）：
【００３１】
【化２】
2008531684.tif 000003
【００３２】
（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、ハロもしくはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得るが、但し、
Ｒ１〜Ｒ４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ５〜Ｒ８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ５〜Ｒ８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ１〜Ｒ４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ１〜Ｒ８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；
そしてｙは、（ｚ−２ｘ）／２である）
の有機金属化合物が開示される。
【００３３】
上記ラジカル基は、当業者に公知であるように、通常受け入れられている意味に従って定義されるが、適切な場合には、以下の定義に従って修正して、定義される。
【００３４】
本明細書中で用いられる場合、アルキルおよびヘテロアルキルラジカルは、直鎖状の場合には１〜約３０の炭素を、そして分枝または環式の場合には、約３〜約６０の炭素を有する。アルケニル、アルキニル、ヘテロアルケニルおよびヘテロアルキニルラジカルは、直鎖状の場合には２〜約３０の炭素原子を、そして分枝または環式の場合には、約３〜約６０の炭素原子を有する。アリールおよびヘテロアリールのラジカルは、約３〜約６０の炭素原子を有する。
【００３５】
本明細書中で用いられる場合、「アルキル」とは、直鎖、分枝または環式の飽和ヒドロカルビル鎖ラジカルをいう。用語「アルケニル」および「アルキニル（ａｌｋｙｎｌ）」とは、それぞれ、少なくとも一の炭素−炭素二重結合、および一の炭素−炭素三重結合を有する、直鎖または分枝鎖、環式もしくは非環式の不飽和ヒドロカルビル鎖ラジカルをいう。
【００３６】
用語「ヘテロアルキル」、へテロアルケニル」および「ヘテロアルキニル」とは、少なくとも一の炭素原子が、ヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、ＰもしくはＳｉ）により置き換えられた「アルキル」、「アルケニル」および「アルキニル」ラジカル（上記へテロ原子が接続炭素（ｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ  ｃａｒｂｏｎ）に取って代わったラジカルも含む）をいう。例えば、式Ｉに関して、上記へテロ原子が酸素である場合、「ヘテロアルキル」は、内部エーテル（−Ｒ−Ｏ−Ｒ）基を有するラジカルおよび酸素が２−フェニルピリジン環の炭素原子の一に接続されているアルコキシラジカル（−Ｏ−Ｒ）を包含する。
【００３７】
本明細書中で用いられる場合、「アリール」とは、炭素原子から水素原子を取り去ることによりアレーンから誘導される、モノシクリルおよびポリシクリル基の部類をいい、この「アリール」としては、フェニル、ナフチル、ビフェニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントラセニル、ピレニル、インデニル、アズレニルおよびアセナフチレニルが挙げられるが、これらに限定されない。本明細書中で用いられる場合、「アリール」は、上記アリール基が、ヘテロ原子を介して結合されているラジカルをも包含し、このアリールとしては、例えば、「アリールオキシ」「アリールチオ」および「アリールアミノ」基が挙げられる。本明細書中で用いられる場合、「アリールアミノ」は、ジアリールアミノおよびトリアリールアミノ基を包含する。
【００３８】
本明細書中で用いられる場合、用語「ヘテロアリール」とは、水素原子を取り去ることによりヘテロアレーンから誘導されるヘテロシクリル基の部類をいう。このヘテロシクリル基のへテロ原子としては、独立して、Ｏ、Ｓ、Ｎ、ＳｉまたはＰであり得る。このヘテロ環基は、モノシクリルまたはポリシクリルであり得る。「ヘテロアリール」としては、ピリジニル、ピリル（ｐｙｒｒｙｌ）、フラニル、チオフェニル、インドリル、ベンゾフラニル、キノリル、カルバゾリル、シロリル（ｓｉｌｏｌｙｌ）およびホスホリルが挙げられるが、これらに限定されない。「ヘテロアリール」はまた、ヘテロアリール基がヘテロ原子を介して結合されたラジカル（例えば、「ヘテロアリールオキシ」、「ヘテロアリールチオ」および「ヘテロアリールアミノ」）をも包含する。ヘテロアリールアミノは、ジヘテロアリールアミノおよびトリヘテロアリールアミノ基を包含する。
【００３９】
上述のラジカル（「アルキル」、「アルケニル」、「アルキニル」、「ヘテロアルキル」、「ヘテロアルケニル」、「ヘテロアルキニル」、「アリール」および「ヘテロアリール」）の各々は、必要に応じて、置換され得る。本明細書中で用いられる場合、「置換ラジカル」とは、一以上の置換基（例えば、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボニル、スルホニル、チオアミド、ハロ、ヒドロキシ、オキシ、シリルまたはシロキシ）を含む上述のラジカルの一をいう。「ハロ」または「ハロゲン」とは、Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩをいう。上述の置換基（ハロ、およびヒドロキシを除く）のうち一部はまた、それ自体置換され得る。
【００４０】
本明細書中で用いられる場合、「ｄ−ブロック金属」とは、周期表の３族から１２族の元素をいい、このｄ−ブロック金属としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＡｕおよびＺｎが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４１】
本明細書中で用いられる場合、「スピロ」とは、一の原子のみを共有する二の環から部分的になる、化合物の基（例えば、スピロビフルオレン）をいう。このスピロ原子は、例えば、炭素またはケイ素であり得る。
【００４２】
本明細書中で用いられる場合、「バンドギャップ」とは、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）との間のエネルギー差をいう。
【００４３】
本明細書中で用いられる場合、「環」は、単環式であってもよいし多環式であってもよい。「環」は、二の原子が二の隣接環で共通である縮合系を包含する。
【００４４】
別個の実施形態において、式Ｉの置換２−フェニルピリジン基は、以下：
【００４５】
【化３】
2008531684.tif 000004
【００４６】
【化４】
2008531684.tif 000005
【００４７】
【化５】
2008531684.tif 000006
【００４８】
【化６】
2008531684.tif 000007
【００４９】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２６は、独立して上記Ｒ１と同様に定義される）
であり得る。当業者に理解されるように、アリール環もしくはヘテロアリール環の中へと延びている任意のＲ基を描いた結合は、このＲ基が上記アリール環もしくはヘテロアリール環のいずれの利用可能な（ａｖａｉｌａｂｌｅ）位置にあってもよいことを示す。例えば、構造
【００５０】
【化７】
2008531684.tif 000008
【００５１】
は、２／６−クロロピリジン、３／５−クロロピリジン（ｃｈｌｏｒｏｐｙｒｉｎｄｉｎｅ）および４−クロロピリジンを包含することが理解される。
【００５２】
分枝した置換２−フェニルピリジン基（本明細書中では、後に「分枝配位子」とも呼ばれる）は、穏やかな条件下で、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応を介して調製され得る。収率の高さは、８０％〜９０％もあり得る。例えば、２−（２’、３’，４’，５’−テトラフェニル）−５−フェニル−フェニルピリジン（Ｂ）の調製のための反応スキームは、図１２に示されている。簡潔にいえば、２，５−ジブロモピリジンが、ジイソプロイルアミンおよびＰｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２中で、（トリメチルシリル）アセチレンに添加され、２−トリメチルシリル−５−ブロモピリジン（２）を生成する。化合物２を、ＴＨＦ／メタノール／ＮａＯＨ中でｏ−キシレンと反応させ、２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）−フェニル−５−ブロモ−ピリジン（３）を生成した。次いで、化合物３を、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｔｈｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ｐａｌｌａｄｉｕｍ）（０）中のフェニルボロン酸と炭酸ナトリウム／トルエン溶液中で反応させ、Ｂを生成した。あるいは、上記分枝配位子は、遷移金属触媒性［２＋２＋２］環式三量化（ｃｙｃｌｏｔｒｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）により調製され得る（Ｓ．Ｓａｉｔｏ及びＹ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２０００，１００：２９０１−２９１５；Ｍ．Ｌａｕｔｅｎｓ，Ｗ．Ｋｌｕｔｅ，ａｎｄ  Ｗ．Ｔａｍ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１９９６，９６：４９−９２］。
【００５３】
本発明の分枝配位子のイリジウム錯体（式ＩにおけるＭ＝Ｉｒ）は、当該分野において公知の方法により調製され得る（例えば、国際公開パンフレット第２００４／０８４３２６号明細書およびその中の参考文献を参照のこと）。例えば、上記分枝配位子は、塩化イリジウム水和物と反応し、塩素架橋二量体（ｃｈｌｏｒｏ−ｂｒｉｄｇｅｄ  ｄｉｍｅｒ）を高収率で形成し得る。次いで、この塩素架橋二量体は、一以上のさらなる配位子（Ｌ）（これは、同一のものでも別個のものでも良い）とさらに反応し、本発明の最終的な新規なりん光性錯体を得ることができる（国際公開パンフレット第０２／１５６４５号明細書、米国特許出願公開第２００２／０３４６５６号明細書を参照のこと）。この開示された分枝配位子はまた、塩素架橋Ｌ二量体（例えば、Ｌ２Ｉｒ（Ｃｌ）２ＩｒＬ２）と反応し、本発明の新規なりん光性物質を形成し得る。
【００５４】
式ＩのＬは、単座配位（ｍｏｎｏｄｅｎｔａｔｅ）、二座配位（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ）または三座配位（ｔｒｉｄｅｎｔａｔｅ）であり得る。従って、当業者は、式Ｉに描かれるＭ−Ｌ結合は、単一のＭ−Ｌ結合に限定されるのではなく、ＭとＬとの間の、一、二または三の結合が包含され得ることを理解する。式ＩのＬは、有機金属錯体の発光特性を調整するように選択され得る。例えば、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）（“ＦＩｒ（ｐｉｃ）”）における２−カルボキシピリジル基は、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）錯体と比較して、発光スペクトルをブルーシフトさせる。適切な二座配位Ｌ基は、当業者に公知であり、適切な二座配位Ｌ基としては、ヘキサフルオロアセトネート、サリチリデン、８−ヒドロキシキノレートおよび
【００５５】
【化８】
2008531684.tif 000009
【００５６】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１３は、独立して上記Ｒ１と同様に定義され、そして有機金属錯体のｄ−ブロック金属との二の結合は、参照のためにのみ示される）が挙げられるが、これらに限定されない。特定の実施形態において、Ｌは、アセチルアセトン（“ａｃａｃ”）である。
【００５７】
適切な単座配位Ｌ基もまた、当業者に公知であり、そして適切な一座配位Ｌ基としては、以下：
【００５８】
【化９】
2008531684.tif 000010
【００５９】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１３は、独立して上記Ｒ１と同様に定義され、そして金属原子との結合は、参照のためにのみ示される）
が挙げられるが、これらに限定されない。
【００６０】
適切な三座配位Ｌ基もまた、当業者に公知であり、そして適切な三座配位Ｌ基としては、以下：
【００６１】
【化１０】
2008531684.tif 000011
【００６２】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４は、独立して上記Ｒ１と同様に定義され、そして金属原子との結合は、描かれていない）
が挙げられるが、これらに限定されない。
【００６３】
当業者は、他の金属（例えば、Ｒｈ、ＰｄまたはＰｔ）の錯体が、同様の方法（国際公開パンフレット第２００４／０８４３２６号明細書）により作製され得ることを理解する。
【００６４】
他の実施形態では、式ＩのＲ１〜Ｒ８のうち一以上は、スピロ基（例えば、スピロビフルオレニル基）を含む置換基であり得る。特定の実施形態では、この置換２−フェニルピリジン基は、以下の構造：
【００６５】
【化１１】
2008531684.tif 000012
【００６６】
【化１２】
2008531684.tif 000013
【００６７】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２０は、独立して上記Ｒ１と同様に定義され、そしてｘは、１〜約３であり得る）
を有し得る。
【００６８】
スピロ置換２−フェニルピリジン基は、当該分野で公知の方法により、十分な（ｓａｔｉｓｆａｃｔｏｒｙ）収率で調製され得る。例えば、スピロビフルオレニルを含む配位子は、フルオレノンを、２−ブロモビフェニルのグリニャール試薬またはリチウム試薬と反応させ、続いて酸処理をすることにより、調製され得る（Ｙｕら、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０００，１２，８２８−８３１；Ｋａｔｓｉｓら、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，１３３２−１３３９）。このスピロ−ビフルオレニル基がさらなる官能基（例えば、ハロゲン基）を含む場合、このスピロ−ビフルオレニル基は、他の試薬で、グリニャール反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応または亜鉛カップリング反応を介して、さらにカップリングされ、所望の配位子を取得し得る。スピロケイ素置換基は、当該分野において公知の方法に従って（例えば、米国特許第６，４６１，７４８号明細書に記載の通りにして）、調製され得、そして公知の方法により、２−フェニルピリジンにカップリングされ得る。
【００６９】
上記記載のものと同一の手順に従い、スピロ置換２−フェニルピリジン基を、塩化イリジウムと反応させ、塩素架橋二量体を取得し得、次いで、この塩素架橋二量体を、別の配位子（Ｌ）と反応させ、本発明のりん光性錯体を取得し得る。あるいは、上記スピロ置換２−フェニルピリジン基を、塩素架橋Ｌ二量体（例えば、Ｌ２Ｉｒ（Ｃｌ）２ＩｒＬ２）と反応させ、本発明のりん光性錯体を取得し得る。
【００７０】
当業者に理解されているように、Ｒ１〜Ｒ８の正体は、電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）に影響し得、そして従って、有機金属錯体の特性である、発光に影響し得る。非結合型置換基（ｎｏｎ−ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  ｓｕｂｓｔｉｔｕｅｎｔ）は、結合型置換基（ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  ｓｕｂｓｔｉｔｕｅｎｔ）と比較して、結合長さ（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ  ｌｅｎｇｔｈ）が異なるために、発光に影響し得る。例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）ベースのりん光性物質の発光スペクトルは、電子供与性または電子吸引性の置換基を取り込むことにより、修飾され得る。米国特許出願公開第２００２／０１８２４４１号明細書には、フォトルミネセンス発光がｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）と比較してブルーシフトされた（ｐｐｙ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）のビス４−６フルオロ誘導体が開示されている。パーフルオロフェニル基を（ｐｐｙ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）へと導入することで、発光極大（ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｍａｘｉｍｕｍ）が、置換の位置に依って、レッドシフトまたはブルーシフトし得る（Ｏｓｔｒｏｗｓｋｉら、２００２，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，７：７８４−７８５．Ｎａｚｅｅｒｕｄｄｉｎら、２００３，Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５：８７９０−８７９７；Ｌａｍａｎｓｋｙら、２００１，Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３：４３０４−４３１２；ＮＨＫ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ  Ｎｏｔｅ  Ｎｏ．４８４（これは、オンラインで、ｗｗｗ．ｎｈｋ．ｏｒ．ｊｐ／ｓｔｒｌ／ｐｕｂｌｉｃａ／ｌａｂｎｏｔｅ／ｌａｂ４８４．ｈｔｍｌにて利用できる））。
【００７１】
式Ｉの有機金属錯体の溶液は、適切な溶媒中に当該錯体を溶解することにより作製し得る。いくつかの実施形態では、この溶液は、電荷運搬ホスト物質（ｃｈａｒｇｅ−ｃａｒｒｙｉｎｇ  ｈｏｓｔ  ｍａｔｅｒｉａｌ）をさらに含有する。この溶媒は、好ましくは、有機金属錯体および上記ホストの両方が、十分に溶解性の溶媒である。いくつかの実施形態では、この溶媒は、溶液加工技術（例えば、スピンコーティング）においてなじみやすい、揮発性の有機物である。
【００７２】
分枝置換２−フェニルピリジンベースの配位子を含むりん光性錯体は、（例えば、国際公開パンフレット第０３／０７９７３６号明細書、米国特許出願公開第２００４／０１３７２６３号明細書、国際公開パンフレット第２００４／０２０４４８号明細書および国際公開パンフレット第０２／０６６５５２号明細書において）開示されたりん光性デンドリマー錯体とは、後者のデンドロンが一般的に２−フェニルピリジン環の一または二の位置においてしか結合されていない点で異なる。
【００７３】
式Ｉの有機金属錯体のフィルムは、従来の溶液加工技術（例えば、スピンコーティングまたはインクジェットプリンティング）により調製し得る。いくつかの実施形態では、式Ｉの有機金属錯体は、有機またはポリマーの電荷運搬ホスト化合物と合わされ、そしてホスト物質およびゲスト物質を含有する溶液が、溶液加工技術によりフィルムへと加工され得る（Ｌｅｅら、２０００，Ａｐｐｌ  Ｐｈｙｓ  Ｌｅｔｔ．８１（１）：１５０９）。
【００７４】
当業者に理解されているように、電荷運搬ホスト物質は、有機金属錯体への効率的な励起子移動（ｅｘｃｉｔｉｏｎ  ｔｒａｎｓｆｅｒ）を可能にし、りん光発光中心の三重項状態から上記ホストの三重項への逆向き移動（ｂａｃｋ  ｔｒａｎｓｆｅｒ）がほとんどないかまたは全くないように、選択され得る。当業者は、多くの公知のホスト物質（３−フェニル−４（１’ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（“ＴＡＺ”）、４，４’−Ｎ，Ｎ−ジカルバゾール−ビフェニル（“ＣＢＰ”）、ポリ−９−ビニルカルバゾール（“ＰＶＫ”）、２−（４−ビフェニル）−５（４−ｔｅｒｔブチル−フェニル）−１，３，４，オキサジアゾール（“ＰＢＤ”）、４，４’，４”−トリ−Ｎ−カルバゾリル−（トリフェニルアミン）（“ＴＣＴＡ”）、１，３，４−オキサジアゾール，２，２’−（１，３−フェニレン）ビス［５−［４−（１，１−ジメチルエチル）フェニル］］（“ＯＸＤ−７”）またはポリ［２−（６−シアノ−６−メチル）ヘプチルオキシ−１，４−フェニレン（“ＣＮＰＰ”）が挙げられるが、これらに限定されない）を知っている。
【００７５】
多くのホスト物質のＨＯＭＯエネルギーおよびＬＵＭＯエネルギーは公知である（Ａｎｄｅｒｓｏｎら、１９９８，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２０：９４９６；Ｇｏｎｇら、２００３，Ａｄｖ．Ｍａｔ．１５：４５）。あるいは、物質のＨＯＭＯエネルギーおよびＬＵＭＯエネルギーは、当該分野で公知の方法により決定され得る（Ａｎｄｅｒｓｏｎら１９９８，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２０：９４９６；Ｌｏら、２００２，Ａｄｖ．Ｍａｔ．１４：９７５）。
【００７６】
一実施形態では、有機金属錯体は、約１％〜約５０％のモル比で、ホストに添加され得る。フィルムの所望の特性に依って、当業者は、ホスト物質の中に含めるべき有機金属錯体の量を知っている。一般的に、フィルムの吸収スペクトルは、主にりん光性物質からの発光を示しているのであって、ホスト物質からの発光はほとんどないかまたは全くないはずである。有機金属錯体の濃度がより高いと、二分子錯体−錯体相互作用が、高励起子密度で発光を消光し得る（Ｂａｌｄｏら、１９９８，Ｎａｔｕｒｅ  ３９５：１５１）。所望の発光特性に依って、有機金属錯体の濃度は、適切に変動され得る。例えば、有機金属錯体の濃度は、発光極大を示し、より高い電流密度で転がり落ちがほとんどないかまたは全くないように選択され得る。Ｉｒ（ｐｐｙ）３錯体に関して、ＣＢＰおよびＰＶＫホストのピーク効率は、錯体濃度がそれぞれ約６重量％および約８重量％である場合に得られる（Ｂａｌｄｏら（１９９９）Ｐｕｒｅ  Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．７１（１１）：２０９５；Ｌｅｅら、Ａｐｐｌ  Ｐｈｙｓ  Ｌｅｔｔ  ２０００，７７（１５）：２２８０）。
【００７７】
りん光性有機金属錯体をホストの中へブレンドすることで、発光中心を分離することによりりん光エミッターの量子効率が改善され得ると考えられている。Ｉｒ（ｐｐｙ）３−デンドリマーフィルムは、固体状態では２２％のフォトルミネセント量子収率（ＰＬＱＹ）しかなかったが、その一方で、２０％の重量比でＣＢＰ中へとドープ処理した同一のデンドリマーは、７９±６％のＰＬＱＹを有しており、このことは、上記ＣＢＰホストから上記Ｉｒ（ｐｐｙ）３ベースのデンドリマーへの効率的なエネルギー移動が生じ、そしてりん光発色団の分離が増強されることによりＴ−Ｔ消滅が最小化されることを示している（Ｌｏら、２００２，Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  １４：９７５）。
【００７８】
式Ｉの有機金属錯体を含有するフィルムは、電界発光素子中で有利に使用され得る。当業者に理解されるように、一般的に、そして図１Ａ（これは、一定の縮尺で描かれていない）を参照して、電界発光素子は、一以上の電界発光物質を含有する発光層（３００）を備え、この発光層は、電子注入カソード（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｃａｔｈｏｄｅ）（３１０）と正孔注入アノード（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ａｎｏｄｅ）（３２０）との間に配置されている。特定の実施形態では、アノードおよびカソードのうち一以上が支持体（３３０）の上に配置され得る。この支持体は、透明であっても、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよい。当業者に理解されているように、アノードまたはカソードは、透明であっても、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよく、そして透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な電極は、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な支持体の上に配置され得る。特定の実施形態では、上記アノードは、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であり、そして透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）の支持体上に配置される。
【００７９】
アノード（３２０）は、金もしくは銀、またはより好ましくは、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）の薄型フィルムであり得る。一般的に、アノードは、仕事関数の大きな金属を含む（米国特許出願公開第２００２／０１９７５１１号明細書）。ＩＴＯは、透明度および導電率が高いために、アノードとして特に適切である。種々の実施形態では、アノード（３２０）は、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な支持体（３３０）の上に提供され得る。
【００８０】
特定の実施形態では、アノードおよびカソードの一以上が、支持体（３３０）の上に堆積され得、この支持体は、透明であっても、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよい。この透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な支持体（３３０）は、硬くてもよく（例えば、石英もしくはガラス）、または、フレキシブルなポリマー基板であってもよい。フレキシブルで、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な基板の例としては、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレンおよびポリエチレン）、ポリアミド、ポリアクリロニトリルおよびポリアクリオニトリル（ｐｏｌｙａｃｒｙｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ポリメタクリロニトリル、ポリスチレン、ポリビニルクロライド、ならびにフッ化ポリマー（例えば、ポリテトラフルオロエチレン）が挙げられるが、これらに限定されない。
【００８１】
式Ｉの有機金属錯体（これはまた、本明細書中で後に「ゲスト」または「アクセプター」とも呼ばれる）を含有する発光層（３００）は、公知の溶液加工技術（例えば、スピンコーティング、キャスティング、マイクログラビアコーティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ロールコーティング、ワイヤバーコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、スクリーンプリンティング、フレキソプリンティング、オフセットプリンティングまたはインクジェットプリンティング）によりアノード上にフィルムとして提供され得る。特定の実施形態では、上記発光層は、有機電荷運搬ホスト物質をさらに含有する。電荷運搬ホスト物質は、電荷の輸送に重要な役割を果たし、そして三重項供給源として作用し、発光のために励起三重項を金属に移す（国際公開パンフレット第０３／０７９７３６号明細書）。
【００８２】
電荷運搬ホスト物質は、大部分は、電子輸送物質（例えば、Ａｌｑ３、ＴＡＺ、ＢＣＰ、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７）であり得るか、または、大部分は、正孔輸送物質（例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン（“ＴＰＤ”）、ＰＶＫ、ＴＣＴＡ、またはＮ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（“ＮＰＢ”）であり得る。さらなる正孔輸送物質は、米国特許第６，０９７，１４７号明細書において見出され得る。
【００８３】
特定の実施形態において、電界発光ポリマーフィルムは、約５０〜２００ｎｍの厚さを有し得る。当業者は、得られたフィルムの厚さを、例えば、当該電界発光ポリマーのコーティングの持続期間および量を制御することにより制御する方法を、容易に理解する。特定の実施形態では、電荷運搬ホスト物質は、電荷運搬体の組み合わせ（例えば、ＰＶＫとＰＢＤとのブレンド）を含み得る（Ｌｉｍら、２００３，Ｃｈｅｍ  Ｐｈｙｓ  Ｌｅｔｔ  ３７６：５５）。当業者により理解されるように、発光層は、均一な組成のものである必要はなく、そしてそれ自体、多くの別個の層で構成され得る（米国特許出願公開第２００３／０１７８６１９号明細書）。
【００８４】
いくつかの実施形態では、上記発光層（３００）はまた、蛍光発光物質（例えば、［２−メチル−６−［２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル］エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン］  プロパン−ジニトリル（“ＤＣＭ２”）（米国特許出願公開第２００３／０１７８６１９号明細書）またはナイルレッド（Ｎｉｌｅ  Ｒｅｄ）（Ｈｅら、２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ８１（８）：１５０９））を含有し得る。ＰＶＫ：ＰＢＤ中１％の（ｐｐｙ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）および１％のナイルレッドの発光層を備える電界発光素子は、ナイルレッドの発蛍光団からのほぼ排他的（ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ）な発光を示す。特定の如何なる理論に制限されることなく、式Ｉの有機金属錯体は、項間交差剤として作用し、励起子の再結合の間に形成された三重項状態が、フェルスター移動を介して、一重項状態として蛍光発光物質に移されることを可能にし得ると考えられている。この実施形態において、上記項間交差剤および蛍光発光物質は、発光層内の別個の層の内部に存在し得る。好ましくは、上記項間交差剤および蛍光発光物質は、蛍光エミッターと項間交差剤との間に、およびホスト物質の発光スペクトルと項間交差剤の吸収スペクトルとの間に、実質的なスペクトルのオーバーラップがあるように選択される（米国特許出願公開第２００３／０１７８６１９号明細書）。実質的なスペクトルのオーバーラップは、例えば、米国特許出願公開第２００３／０１７８６１９号に記載の通りにして、計算され得る。
【００８５】
上記発光層（３００）の内部の電荷運搬ホスト物質の内部のゲスト物質の相対濃度は、約０．５重量％〜約２０重量％であり得る。当業者は、所定のホスト中のゲストの最適濃度が、公知の方法により、例えば、りん光性ゲストの濃度のみが異なる素子の発光特性を比較することにより、決定され得ることを理解する。一般的に、りん光性ゲストの最適濃度は、所望のレベルの発光を、所定の電流密度で、量子効率の顕著な転がり落ちなしに与える濃度である。
【００８６】
カソード（３１０）は、電極を導電し、そして電極を有機層中に注入し得る、任意の物質であり得る。このカソードは、仕事関数の小さな金属または金属合金であり得、これらとしては、例えば、バリウム、カルシウム、マグネシウム、インジウム、アルミニウム、イッテルビウム、アルミニウム：リチウム合金、またはマグネシウム：銀合金（例えば、マグネシウム対銀の原子比が約１０：１である合金（米国特許第６，７９１，１２９号明細書））、またはリチウム対アルミニウムの原子比が約０．１：１００〜約０．３：１００である合金（Ｋｉｍら、（２００２）Ｃｕｒｒ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２（４）：３３５−３３８；Ｃｈａら、（２００４）Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１４３（１）：９７；Ｋｉｍら、（２００４）Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１４５（２−３）：２２９）が挙げられる。カソード（３１０）は、単一の層であっても、複合の構造を有していてもよい。カソード（３１０）は、反射性であっても、透明であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよい。
【００８７】
図１Ｂに関して、上記電界発光素子は、一以上の正孔注入層（ＨＩＬ）（３４０）をさらに備え得、この正孔注入層（ＨＩＬ）（３４０）は、アノード（３２０）と発光層（３００）との間に配置され、正孔ブロッキング層（３６０）は、上記発光層とカソード（３１０）との間に配置され、そして電子輸送層（ＥＴＬ）（３５０）は、正孔ブロッキング層（３６０）とカソード（３１０）との間に配置されている。当業者に理解されるように、上記電界発光素子は、種々の層を様々な方法で組み合わせることにより、調製され得、そして図１Ｂにおいて具体的に記載されても描かれてもいない他の層もまた、存在し得る。図１Ｂの層の厚さもまた、一定の縮尺で描かれていない。
【００８８】
上記ＥＴＬ（３５０）は、電子輸送物質を含有する。本明細書中で用いられる場合、電子輸送物質は、カソード（３１０）から、電子輸送層物質のＬＵＭＯへの電子の効率的な注入を可能にする、任意の物質である。このＥＴＬは、固有の電子輸送物質（例えば、Ａｌｑ３）またはドープ処理された物質（例えば、米国特許出願公開第２００３  ０２３０９８０号において開示された、Ｌｉドープ処理されたＢＰｈｅｎ）を含有し得る。好ましくは、カソードの仕事関数は、約０．７５ｅＶ以下であり、これは、電子輸送物質のＬＵＭＯレベルよりも大きく、より好ましくは、約０．５ｅＶ以下、または、より一層好ましくは、約０．５ｅＶであり、これは、電子輸送物質のＬＵＭＯレベルよりも小さい（米国特許出願公開第２００３／０１９７４６７号明細書）。特定の実施形態では、電子輸送層は、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚さを有し得る。
【００８９】
上記ＨＩＬ（３４０）は、正孔注入物質を含有する。正孔注入物質は、アノードを湿らせ得るかまたは平坦化（ｐｌａｎａｒｉｚｅ）し、カソードから正孔注入層への正孔の効率的な注入を可能にし得る物質である（米国特許出願公開第２００３／０１９７４６７号明細書）。正孔注入物質は、一般的に、正孔輸送物質であるが、正孔注入物質が一般的に、従来の正孔輸送物質よりもかなり小さな正孔移動度（ｈｏｌｅ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を有するという点で区別される。正孔注入物質としては、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｔｈｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）（“ｍ−ＭＴ−ＤＡＴＡ”）（米国特許出願公開第２００３／０１９７６４７号明細書）、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレン  スルホン酸）（“ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ”）またはポリアナリン（“ＰＡＮＩ”）が挙げられる。特定の実施形態では、正孔注入層は、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚さを有し得る。
【００９０】
特定の実施形態では、ＯＬＥＤ素子の効率は、正孔ブロッキング層（３６０）を導入することにより、改善され得る。特定の如何なる理論に制限されることなく、正孔ブロッキング物質のＨＯＭＯレベルは、電荷が発光層から拡散するのを防止するが、正孔ブロッキング物質は、電子を上記正孔ブロッキング層（３６０）を通過させ、そして発光層（３００）に入らせるのに十分に低い電子障壁（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂａｒｒｉｅｒ）を有していると考えられている（例えば、米国特許第６，０９７，１４７号明細書、同第６，７８４，１０６号明細書および米国特許出願公開第２００３０２３０９８０号明細書を参照のこと）。正孔ブロッキング物質は、当業者に公知であり、この正孔ブロッキング物質としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（“ＢＣＰ”）が挙げられる。一般的に、上記正孔ブロッキング層（３６０）は、電荷運搬層（例えば、ＥＴＬ（３５０））よりも薄い（２００４／０２０９１１５）。いくつかの実施形態では、この正孔ブロッキング層は、約５ｎｍ〜約３０ｎｍの厚さを有し得る。
【００９１】
発光層（３００）中のホスト物質は、励起子ブロッキング物質であり得る。りん光性素子において、励起子は、最初にホスト上にあり、そして最終的にりん光性ゲスト部位に移され、その後発光されると考えられている（米国特許出願公開第２００２／０１８２４４１号明細書）。励起子ブロッキング物質は、一般的に、隣接層中の物質より大きなバンドギャップを有する。一般的に、励起子は、より低いバンドギャップを有する物質からより高いバンドギャップを有する物質へは拡散せず、そして励起子ブロッキング物質は、励起子を発光層内に閉じ込めるために使用され得る（米国特許第６，７８４，０１６号明細書）。例えば、ＣＢＰの深いＨＯＭＯレベルは、Ｉｒ（ｐｐｙ）３上での正孔トラッピングを促進すると考えられる（米国特許出願公開第２００２／０１８２４４１号明細書）。りん光性ゲストは、それ自体、正孔トラッピング物質として作用し得、ここで、このりん光性ゲストのイオン化ポテンシャルは、ホスト物質のイオン化ポテンシャルよりも大きい。
【００９２】
図１Ｂに記載される層に加えて、上記電界発光素子はまた、以下の一以上の層：カソード上に配置された電子注入層を備え得る。本明細書中で用いられる場合、電子注入物質は、電子をカソードから電子輸送層へと効率的に移し得る任意の物質である。電子注入物質は、当業者に公知であり、電子注入物質としては、例えば、ＬｉＦまたはＬｉＦ／Ａｌが挙げられる。電子注入層は、一般的に、カソードまたは隣接電子輸送層の厚さよりもずっと小さい厚さを有し得、そして約０．５ｎｍ〜約５．０ｎｍの厚さを有し得る。
【００９３】
上記から理解されるように、ある物質は、電界発光素子においては、一つより多くの機能を果たし得る。例えば、十分に大きなバンドギャップを有する電子輸送物質は、正孔ブロッキング層としてもまた役立ち得る。二機能物質（ｄｕａｌ−ｆｕｎｃｔｉｏｎ  ｍａｔｅｒｉａｌ）は、当業者に公知であり、そしてこの二機能物質としては、例えば、ＴＡＺ、ＰＢＤ等が挙げられる。
【００９４】
当業者は、適切なホスト物質の選択の仕方を知っている。例えば、ホスト物質のＬＵＭＯレベルは、りん光性ゲストのＬＵＭＯレベルよりも十分に大きく、励起三重項状態が上記ホストに逆向き移動（ｂａｃｋ−ｔｒａｎｓｆｅｒ）するのを防止すべきであることが理解される。さらに、このホストの発光スペクトルが上記りん光性ゲストの吸収スペクトルとオーバーラップすべきであることもまた理解される。
【００９５】
上述の層は、当該分野において公知の方法により調製され得る。特定の実施形態では、発光層（３００）は、溶液加工技術（例えば、スピンコーティングもしくはインクジェットプリンティング）により調製される（米国特許第６０１３９８２号明細書；同第６０８７１９６号明細書）。溶液コーティング段階は、不活性雰囲気中で（例えば、窒素気体下で）実行され得る。あるいは、層は、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）または真空蒸着（ｖａｃｕｕｍ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、調製され得る。金属層は、公知の技術（例えば、熱蒸着もしくは電子ビーム蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ  ｏｒ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  −ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ−ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ））により調製され得る。
【００９６】
本発明の化合物の、Ｔ−Ｔ消滅または濃度消光を防止する能力は、当該分野において公知の方法により決定され得る。上述のように、より高電流密度での電界発光素子の量子効率の転がり落ちは、Ｔ−Ｔ消滅の特徴である。あるいは、りん光性ゲストを含有するフィルムの定常状態フォトルミネセンスは、溶液における上記ゲストのフォトルミネセンスと比較され得る。
【００９７】
本明細書中で言及された全ての文書は、参考文献として全体が援用される。
【００９８】
本発明の種々の実施形態が、本明細書中に開示されるが、多くの改作および変更が、当業者の有する共通の一般的な知識に従って、本発明の範囲内でなされ得る。このような変更は、実質的に同一の方法で同一の結果を達成するために、本発明の任意の局面を、公知の均等物で置換することを包含する。本明細書中で用いられる全ての技術用語および科学用語は、違うように定義されない限り、本発明の分野の当業者により一般に理解されるのと同一の意味を有する。
【００９９】
単語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、オープンエンドの用語として用いられ、実質的に、語句「が挙げられるが、これ（ら）に限定されない」と等価である。本明細書において、単数冠詞（例えば、「一の（ａ）」および「この（ｔｈｅ）」）は、文脈が別に指図しない限り、単数および複数の両方を包含する。
【０１００】
以下の実施例は、本発明の種々の局面を例示するものであり、本発明の広範な局面を本明細書中に開示されたものに限定するものではない。
【実施例】
【０１０１】
［実施例１］
【０１０２】
２−（トリメチルシリル）ピリジン（化合物１）の合成
【０１０３】
【化１３】
2008531684.tif 000014
【０１０４】
ジイソプロピルアミン（１００ｍｌ）中の２−ブロモピリジン（４．７４ｇ，０．０３０ｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．１４ｇ，０．７４ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（０．５２ｇ，０．７４ｍｍｏｌ）の溶液に、（トリメチルシリル）アセチレン（３．０ｇ，０．０３０ｍｏｌ）を添加した。この混合物を、窒素雰囲気下で室温で一晩撹拌した。減圧下で溶媒を除去した後、残渣を減圧蒸留により精製し、純粋な２−（トリメチルシリル）ピリジン（化合物１）を５．０ｇ得た（収率９５％）。
【０１０５】
［実施例２］
【０１０６】
２−（トリメチルシリル）−５−ブロモピリジン（化合物２）の合成
【０１０７】
【化１４】
2008531684.tif 000015
【０１０８】
ジイソプロピルアミン（１００ｍｌ）中の２，５−ジブロモピリジン（３．５６ｇ，０．０１５ｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．０７ｇ，０．３７ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（０．２６ｇ，０．３７ｍｍｏｌ）の溶液に、（トリメチルシリル）アセチレン（１．４７ｇ，０．０１５ｍｏｌ）を添加した。この混合物を、窒素雰囲気下で室温で一晩撹拌した。減圧下で溶媒を除去した後、残渣をフラッシュカラムにより精製し、２−（トリメチルシリル）−５−ブロモピリジン（化合物２）を３．４５ｇ得た（収率９０％）。
【０１０９】
［実施例３］
【０１１０】
２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）フェニル−５−ブロモピリジン（化合物３）の合成
【０１１１】
【化１５】
2008531684.tif 000016
【０１１２】
ＴＨＦとメタノールとの混合物中の２−（トリメチルシリル）−５−ブロモピリジン（１．２７ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＮａＯＨ（５Ｎ、１ｍｌ）を添加した。この反応混合物を、室温で一時間撹拌した。次いで、酢酸エチル（５０ｍｌ）を添加し、この混合物を水およびブラインで洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、残渣をｏ−キシレン（５０ｍｌ）中のテトラフェニルシクロペンタジエノン（２ｇ，５．２ｍｍｏｌ）と一緒に一晩還流した。室温にまで冷却した後、溶媒をフラッシュカラムにより除去し、そして残渣を、２回〜３回エタノール中で再結晶することにより精製し、純粋な２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）フェニル−５−ブロモピリジン（化合物３）（２．１７ｇ）を得た（収率８１％）。
【０１１３】
［実施例４］
【０１１４】
化合物４の合成
【０１１５】
【化１６】
2008531684.tif 000017
【０１１６】
ＴＨＦとメタノールとの混合物中の２−（トリメチルシリル）−５−ブロモピリジン（１．２７ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＮａＯＨ（５Ｎ、１ｍｌ）を添加した。この反応混合物を、室温で一時間撹拌した。次いで、酢酸エチル（５０ｍｌ）を添加し、この混合物を水およびブラインで洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、残渣をｏ−キシレン（５０ｍｌ）中のシクロトン（ｃｙｃｌｏｔｏｎｅ）（２ｇ，５．２ｍｍｏｌ）と一緒に一晩還流した。室温にまで冷却した後、溶媒をフラッシュカラムにより除去し、そして残渣を、２回〜３回エタノール中で再結晶することにより精製し、純粋な化合物４（２．００ｇ）を得た（収率７５％）。
【０１１７】
［実施例５］
【０１１８】
２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）フェニルピリジン（Ａ）の合成
【０１１９】
【化１７】
2008531684.tif 000018
【０１２０】
ＴＨＦとメタノールとの混合物中の２−（トリメチルシリル）ピリジン（０．８８ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＮａＯＨ（５Ｎ、１ｍｌ）を添加した。この反応混合物を、室温で一時間撹拌した。酢酸エチル（５０ｍｌ）を添加し、この混合物を水およびブラインで洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、残渣をｏ−キシレン（５０ｍｌ）中のテトラフェニルシクロペンタジエノン（２ｇ，５．２ｍｍｏｌ）と一緒に一晩還流した。室温にまで冷却した後、溶媒をフラッシュカラムにより除去し、そして粗生成物を、２回〜３回エタノール中で再結晶することにより精製し、純粋な２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）フェニルピリジン（Ａ）（１．９５ｇ）を得た（収率８５％）。
【０１２１】
［実施例６］
【０１２２】
Ｂの合成
【０１２３】
【化１８】
2008531684.tif 000019
【０１２４】
アルゴンフラッシュした（ａｒｇｏｎ  ｆｌｕｓｈｅｄ）二頸丸底フラスコ中に、化合物３（１．６０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（０．５ｇ，４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６ｍｇ，１ｍｏｌ％）、２Ｍの炭酸ナトリウム（１５ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして二時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そして有機層を、ブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２（３：１）で溶出してフラッシュカラムにより精製し、続いてエタノール中で再結晶することにより精製し、１．４８ｇのＢを得た（収率９２％）。
【０１２５】
［実施例７］
【０１２６】
Ｃの合成
【０１２７】
【化１９】
2008531684.tif 000020
【０１２８】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、化合物３（１．６０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、化合物２−（９，９−ジヘキシル）−フルオレニルボロン酸（１．５１ｇ，４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６ｍｇ，１ｍｏｌ％）、２Ｍの炭酸ナトリウム（１５ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして二時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そして有機層を、ブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２（４：１）で溶出してフラッシュカラムにより精製し、続いてエタノール中で再結晶することにより精製し、１．９９ｇのＣを得た（収率８４％）。
【０１２９】
［実施例８］
【０１３０】
Ｄの合成
【０１３１】
【化２０】
2008531684.tif 000021
【０１３２】
ＴＨＦとメタノールとの混合物中の２−（トリメチルシリル）ピリジン（０．８８ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＮａＯＨ（５Ｎ，１ｍｌ）を添加した。この反応混合物を、室温で一時間撹拌した。次いで、酢酸エチル（５０ｍｌ）を添加し、この混合物を水およびブラインで洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、残渣をｏ−キシレン（５０ｍｌ）中のシクロトン（２ｇ，５．２ｍｍｏｌ）と一緒に一晩還流した。室温にまで冷却した後、溶媒をフラッシュカラムにより除去し、そして残渣を、２回〜３回エタノール中で再結晶することにより精製し、１．９５ｇのＤを得た（収率８５％）。
【０１３３】
［実施例９］
【０１３４】
Ｅの合成
【０１３５】
【化２１】
2008531684.tif 000022
【０１３６】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、化合物４（１．６０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（０．５ｇ，４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６ｍｇ，１ｍｏｌ％）、２Ｍの炭酸ナトリウム（１５ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして二時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そして有機層を、ブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２（３：１）で溶出してフラッシュカラムにより精製し、続いてエタノール中で再結晶することにより精製し、１．４３ｇのＥを得た（収率９２％）。
【０１３７】
［実施例１０］
【０１３８】
Ｆの合成
【０１３９】
【化２２】
2008531684.tif 000023
【０１４０】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコに、化合物４（１．６０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、２−（９，９−ジヘキシル）−フルオレニルボロン酸（１．５１ｇ，４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６ｍｇ，１ｍｏｌ％）、２Ｍの炭酸ナトリウム（１５ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして二時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そして有機層を、ブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘキサン／ＣＨ２Ｃｌ２（４：１）で溶出してフラッシュカラムにより精製し、続いてエタノール中で再結晶することにより精製し、２．０ｇのＦを得た（収率８５％）。
【０１４１】
［実施例１１］
【０１４２】
Ａ２ＩｒＣｌ２ＩｒＡ２の合成
【０１４３】
２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＡ（０．６７ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、淡黄色（ｐａｌｅ  ｙｅｌｌｏｗ）の固形物の架橋化合物Ａ（０．５１ｇ）を得た（収率７８％）。
【０１４４】
［実施例１２］
【０１４５】
Ｂ２ＩｒＣｌ２ＩｒＢ２の合成
【０１４６】
２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＢ（０．７７ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を、一晩還流した。室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、橙色の粉末の架橋化合物Ｂ（０．５０ｇ）を得た（収率６８％）。
【０１４７】
［実施例１３］
【０１４８】
Ｃ２ＩｒＣｌ２ＩｒＣ２の合成
【０１４９】
２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＣ（１．１５ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応系を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、橙色の固形物の架橋化合物Ｃ（０．７３ｇ）を得た（収率７１％）。
【０１５０】
［実施例１４］
【０１５１】
Ｄ２ＩｒＣｌ２ＩｒＤ２の合成
【０１５２】
２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＤ（０．６７ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応系を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、淡黄色の固形物の架橋化合物Ｄ（０．４４ｇ）を得た（収率６８％）。
【０１５３】
［実施例１５］
【０１５４】
Ｅ２ＩｒＣｌ２ＩｒＥ２の合成
【０１５５】
２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＥ（０．７７ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応系を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、橙色の固形物の架橋化合物Ｅ（０．５２ｇ）を得た（収率７１％）。
【０１５６】
［実施例１６］
【０１５７】
Ｆ２ＩｒＣｌ２ＩｒＦ２の合成
【０１５８】
２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＦ（１．１５ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応系を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、橙色の固形物の架橋化合物Ｆ（０．７７ｇ）を得た（収率７５％）。
【０１５９】
［実施例１７］
【０１６０】
Ａ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成
【０１６１】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ａ（０．２３ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、１９０ｍｇのＡ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７９％）。
【０１６２】
［実施例１８］
【０１６３】
Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成
【０１６４】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ｂ（０．２６ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、１９２ｍｇのＢ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７１％）。
【０１６５】
［実施例１９］
【０１６６】
Ｃ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成
【０１６７】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ｃ（０．３６ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄ）（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、２７４ｍｇのＣ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７３％）。
【０１６８】
［実施例２０］
【０１６９】
Ｄ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成
【０１７０】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ａ（０．２３ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、１５８ｍｇのＤ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率６６％）。
【０１７１】
［実施例２１］
【０１７２】
Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成
【０１７３】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ｅ（０．２６ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、２２０ｍｇのＥ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率８１％）。
【０１７４】
［実施例２２］
【０１７５】
Ｆ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成
【０１７６】
アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ｆ（０．３６ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、２６２ｍｇのＦ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７０％）。
【０１７７】
［実施例２３］
【０１７８】
４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル（５）の合成
【０１７９】
【化２３】
2008531684.tif 000024
【０１８０】
ジクロロメタン（１００ｍｌ）中のビフェニル（１５．４ｇ，１００ｍｍｏｌ）および無水塩化鉄（ＩＩＩ）（８０ｍｇ）の撹拌溶液に、室温で、ｔｅｒｔ−ブチルクロライド（２３．２ｍｌ，２１６ｍｍｏｌ）を緩徐に添加した。この反応系を、一晩撹拌した。生成物を水で洗浄し、そしてヘキサン（１００ｍｌ）で３回抽出した。合わせた有機層を、ブラインで洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥させ、そして減圧下で（ｉｎ  ｖａｃｕｏ）濃縮し、そして２６．６ｇの化合物５を得た（収率１００％）。１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，クロロホルム−ｄ）：δ，ｐｐｍ  ７．５４２  （ｄ，４  Ｈ），７．４４４（ｄ，４  Ｈ），  １．３６５（ｓ，１８  Ｈ）。
【０１８１】
［実施例２４］
【０１８２】
２−ブロモ−４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル（６）の合成
【０１８３】
【化２４】
2008531684.tif 000025
【０１８４】
クロロホルム（３０ｍｌ）中の４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル（３．９９ｇ，１５ｍｍｏｌ）および無水塩化鉄（ＩＩＩ）（２０ｍｇ）の溶液に、０℃で、クロロホルム（１０ｍｌ）中に溶解した臭素（２．４ｇ，１５ｍｍｏｌ）を滴下した。この反応系を、一晩撹拌した。この反応混合物を橙色が消えるまで炭酸ナトリウムでクエンチした。次いで、水で洗浄し、そしてヘキサン（５０ｍｌ）で３回抽出した。合わせた有機層を、ブラインで洗浄し、無水ＭｇＳＯ４で乾燥させ、そして減圧下で濃縮した。１Ｈ  ＮＭＲの測定により、変換率が約５０％であることが示された。この粗生成物は、さらなる反応にそのまま使用した。
【０１８５】
［実施例２５］
【０１８６】
２−ブロモ−９−フルオレノン（７）の合成
【０１８７】
【化２５】
2008531684.tif 000026
【０１８８】
ピリジン（１００ｍｌ）中の２−ブロモフルオレン（９．８ｇ，４０ｍｍｏｌ）の溶液に、メタノール中の２５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（１ｍｌ）を室温で添加した。次いで、空気をこの系に通気し、そしてこの反応系を一晩撹拌し続けた。次いで、Ｈ２ＳＯ４を添加し、そして濾過した。この固形物をエタノール中で再結晶し、８．８５ｇの黄色針状物（ｎｅｅｄｌｅ）を得た（８５％）。
【０１８９】
［実施例２６］
【０１９０】
２−ブロモ−（２’，７’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−９，９’―スピロ−ビフルオレン（８）の合成
【０１９１】
【化２６】
2008531684.tif 000027
【０１９２】
無水ＴＨＦ（５０ｍｌ）中の２−ブロモ−４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニルの粗生成物（３．０６ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（６ｍｌ，７．５ｍｍｏｌ）を−７８℃にて滴下し、１時間撹拌し、次いで、この混合物を、ＴＨＦ（２０ｍｌ）中の２−ブロモフルオレノン（１．３ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に−７８℃にて移し、そして一晩撹拌した。次いで、この反応を、水でクエンチし、そして酢酸エチル（５０ｍｌ）で３回抽出した。有機層を合わせ、そしてブラインで洗浄し、そして無水ＭｇＳＯ４で乾燥させ、そして減圧下で濃縮した。この混合物を、氷酢酸（１５ｍｌ）中で溶解して還流し、そして次いで、濃ＨＣｌを一滴添加し、１時間還流した。この反応系が室温にまで冷えた後、沈殿物を濾過し、そして水で洗浄した。２−ブロモ−（２’，７’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−９，９’−スピロ−ビフルオレンと４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニルとの混合物を、カラムクロマトグラフィーにより分離し（ヘキサンで溶出した）、固形生成物１．３７ｇ（５４％）を得た。１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、クロロホルム−ｄ）：δ．ｐｐｍ．７．８４（ｄ，１Ｈ），７．７４２（ｄ，３Ｈ），７．５  （ｄ，１  Ｈ），７．４２  （ｍ，  ４  Ｈ），  ７．１４  （ｔ，１Ｈ），６．８７（ｓ，１  Ｈ）  ６．７５  （ｄ，  １  Ｈ），  ６．６５  （ｓ，  ２  Ｈ），  １．１８（ｓ，  １８  Ｈ）。
【０１９３】
［実施例２７］
【０１９４】
２−（４’−ブロモフェニル）ピリジン（９）の合成
【０１９５】
【化２７】
2008531684.tif 000028
【０１９６】
濃ＨＣｌ（４ｍｌ）中の４−ブロモアニリン（２ｇ，１２ｍｍｏｌ）の溶液に、Ｈ２Ｏ（３ｍｌ）中のＮａＮＯ２（１．６６ｇ，２４ｍｍｏｌ）の溶液を０℃で緩徐に添加した。この混合物を、１時間０℃で撹拌し、そしてピリジン（５０ｍｌ）中に注いだ。この混合物を、４０℃で４時間撹拌し、そして次いで、炭酸ナトリウム（２０ｇ）を添加し、そしてこのスラリーを、一晩撹拌した。室温にまで冷却した後、この混合物を、水で洗浄し、そして酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、そしてブラインで洗浄し、そして無水ＭｇＳＯ４で乾燥させ、そして減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）の後、生成物１．０３ｇ（３８％）を得た。
【０１９７】
［実施例２８］
【０１９８】
化合物１０の合成
【化２８】
2008531684.tif 000029
【０１９９】
無水ＴＨＦ（１０ｍｌ）中の２−（４’−ブロモフェニル）ピリジン（０．４６８ｇ，２ｍｍｏｌ）の溶液に、ｎ−ＢｕＬｉ（３ｍｌ，３．６ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下した。この反応系を、１時間撹拌し、次いで、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（０．５２ｍｌ，２．５ｍｍｏｌ）を添加した。この混合物を一晩撹拌した。次いで、この反応系を、水でクエンチし、そしてジクロロメタン（３０ｍｌ）で３回抽出した。有機層をブラインで洗浄し、そしてＭｇＳＯ４で乾燥させ、そして減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル：ヘキサン＝１：２０）の後、生成物０．２２ｇ（３９％）を得た。
【０２００】
［実施例２９］
【０２０１】
Ｇの合成
【０２０２】
【化２９】
2008531684.tif 000030
【０２０３】
２−ブロモ−（２’，７’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−９，９’−スピロ−ビフルオレン（０．３５ｇ，０．７ｍｍｏｌ）、化合物１０（０．２２ｇ，０．７８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．０３６ｇ，０．０３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ，０．５ｍｌ）、エタノール（０．５ｍｌ）、トルエン（４ｍｌ）の混合物を、脱酸素し（ｄｅｏｘｙｇｅｎａｔｅｄ）、そして次いで、一晩撹拌しながら窒素下で加熱還流した。室温にまで冷却した後、この混合物を水で洗浄し、そして酢酸エチル（２０ｍｌ）で３回抽出した。次いで、有機層をブラインで洗浄し、そしてＭｇＳＯ４で乾燥させ、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）の後、Ｇ０．２６ｇを得た（６４％）。１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，クロロホルム−ｄ）：δ，ｐｐｍ  ８．７（ｓ，１  Ｈ），７．９６６（ｔ，３  Ｈ），７．９２（ｄ，１  Ｈ），７．７６２（ｍ，５  Ｈ），７．５９（ｄ，２  Ｈ），７．４２（ｄ，３  Ｈ），７．２７８（ｄ，１  Ｈ），７．１３（ｔ，１  Ｈ），７．０４４（ｓ，１  Ｈ），６．７２４（ｄ，３  Ｈ），１．１７（ｓ，１８  Ｈ）。
【０２０４】
［実施例３０］
【０２０５】
Ｇ２ＩｒＣｌ２ＩｒＧ２の合成
【０２０６】
Ｇ（０．８１３ｇ，１．４ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・ｎＨ２Ｏ（０．２４７ｇ，０．７ｍｍｏｌ）、水（７．５ｍｌ）、２−エトキシエタノール（２−ｅｔｈｏｘｙｌｅｔｈｏｎａｌ）（２２．５ｍｌ）の混合物を、脱酸素し、そして次いで、窒素下で２４時間加熱還流した。室温にまで冷却した後、この混合物を濾過し、そしてメタノールで洗浄して０．７１ｇの生成物を得た（７３％）。
【０２０７】
［実施例３１］
【０２０８】
Ｇ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成
【０２０９】
クロライド二量体（０．１００ｇ，０．０３６ｍｍｏｌ）、２，４−ペンタンジオン（５０ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）、エタノール（０．１ｍｌ）、ジクロロメタン（３ｍｌ）およびメタノール中２５％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．０５ｍｌ）の混合物を、脱酸素し、そして次いで、窒素下で２時間加熱還流した。室温にまで冷却した後、この混合物を減圧下で蒸発させた。溶媒をエロータリーエバポレーターで除去した後、残渣をヘプタン中で再結晶することにより精製し、７３ｍｇのＧ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７０％）。
【０２１０】
［実施例３２］
【０２１１】
Ａ２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製
【０２１２】
ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＡ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０−４Ｐａの真空下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで５７０１ｃｄ／ｍ２に達し得、そして電流効率の最大値は、４．３ｃｄ／Ａである。
【０２１３】
［実施例３３］
【０２１４】
Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製
【０２１５】
ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、および３．３ｍｇのＢ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０−４Ｐａの真空下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで５０８６６ｃｄ／ｍ２に達し得、そして電流効率の最大値は、３４ｃｄ／Ａである。
【０２１６】
［実施例３４］
【０２１７】
Ｃ２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製
【０２１８】
ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＣ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０−４Ｐａの真空下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで３０５４３ｃｄ／ｍ２に達し得、そして電流効率の最大値は、３１ｃｄ／Ａである。
【０２１９】
［実施例３５］
【０２２０】
Ｄ２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製
【０２２１】
ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＤ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０−４Ｐａの真空下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで３１７７ｃｄ／ｍ２に達し得、そして電流効率の最大値は、２．７ｃｄ／Ａである。
【０２２２】
［実施例３６］
【０２２３】
Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製
【０２２４】
ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＥ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０−４Ｐａの減圧下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで６１７７ｃｄ／ｍ２に達し得、そして電流効率の最大値は、５．１ｃｄ／Ａである。
【０２２５】
［実施例３７］
【０２２６】
Ｆ２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製
【０２２７】
ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＦ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０−４Ｐａの減圧下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、１９．５Ｖで５６９７ｃｄ／ｍ２に達し得、そして電流効率の最大値は、４．８ｃｄ／Ａである。
【０２２８】
［実施例３８］
【０２２９】
Ｇ２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの有機電界発光素子の調製
【０２３０】
ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＧ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０−４Ｐａの減圧下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで２０６２０ｃｄ／ｍ２に達し得、そして電流効率の最大値は、１２ｃｄ／Ａである。
【図面の簡単な説明】
【０２３１】
【図１】図１は、単一の層および複数の層の電界発光素子の模式図を示す。
【図２】図２は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇの素子の１−Ｖ−Ｌ曲線を示す。
【図３】図３は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の電流密度に対する電流効率の依存性を示す。
【図４】図４は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の電流密度に対する外部量子効率の依存性を示す。
【図５】図５は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の、素子のＥＬスペクトルを示す。
【図６】図６は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子のＩ−Ｖ−Ｌプロットを示す。
【図７】図７は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の、素子の電流密度に対する電流効率の依存性を示す。
【図８】図８は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の電流密度に対する外部量子密度の依存性を示す。
【図９】図９は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子のＥＬスペクトルを示す。
【図１０】図１０は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｇ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子のＩ−Ｖ−Ｌプロットを示す。
【図１１】図１１は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｇ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子のＥＬスペクトルを示す。
【図１２】図１２は、Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成スキームを示す。
【図１３】図１３は、Ｇ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成スキームを示す。
【図１４】図１４は、Ａ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｃ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｄ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｆ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｇ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を含む素子の電流効率を電流密度の関数として示す。
【図１５】図１５は、Ｃ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｆ２Ｉｒ（ａｃａｃ）およびＧ２Ｉｒ（ａｃａｃ）を含む素子の電界発光スペクトルを示す。
【図１６】図１６は、Ａ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｃ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｄ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）およびＦ２Ｉｒ（ａｃａｃ）の吸収スペクトルを示す。
【図１７】図１７は、Ａ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｃ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｄ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）およびＦ２Ｉｒ（ａｃａｃ）のフォトルミネセンススペクトルを示す。
【図１８】図１８は、Ａ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｂ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｃ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｄ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｅ２Ｉｒ（ａｃａｃ）およびＦ２Ｉｒ（ａｃａｃ）のサイクリックボルタンメトリートレース（ｃｙｃｌｉｃ  ｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙ  ｔｒａｃｅｓ）（図１８Ａ）ならびに上記錯体の誘導された電子パラメータ（図１８Ｂ）を示す。
【図１】
2008531684.tif 000033
【図２】
2008531684.tif 000034
【図３】
2008531684.tif 000035
【図４】
2008531684.tif 000036
【図５】
2008531684.tif 000037
【図６】
2008531684.tif 000038
【図７】
2008531684.tif 000039
【図８】
2008531684.tif 000040
【図９】
2008531684.tif 000041
【図１０】
2008531684.tif 000042
【図１１】
2008531684.tif 000043
【図１２】
2008531684.tif 000044
【図１３】
2008531684.tif 000045
【図１４】
2008531684.tif 000046
【図１５】
2008531684.tif 000047
【図１６】
2008531684.tif 000048
【図１７】
2008531684.tif 000049
【図１８】
2008531684.tif 000050
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月11日(2006.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属化合物であって、式（Ｉ）：
【化１】
2008531684.tif 000051
（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、ハロまたはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得るが、但し、
Ｒ１〜Ｒ４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ５〜Ｒ８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ５〜Ｒ８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ１〜Ｒ４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ１〜Ｒ８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２であり；
そしてＲ２は、フッ素ではない）
の有機金属化合物。
【請求項２】
請求項１に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、スピロ基を含むものがない、有機金属化合物。
【請求項３】
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか一が、Ｈであり、かつ、Ｒ５〜Ｒ８のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
【請求項４】
請求項３に記載の有機金属化合物であって、Ｒ５〜Ｒ８の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
【請求項５】
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ５〜Ｒ８のうち、いずれか一がＨであり、かつ、Ｒ１〜Ｒ４のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
【請求項６】
請求項５に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ４の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
【請求項７】
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、水素であるものがない、有機金属化合物。
【請求項８】
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ４およびＲ５、Ｒ５およびＲ６、Ｒ６およびＲ７、Ｒ７およびＲ８のうち、少なくとも一が環を形成する、有機金属化合物。
【請求項９】
請求項１に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、少なくとも一が、スピロ基を含む、有機金属化合物。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、少なくとも一が、スピロビフルオレニル基を含む、有機金属化合物。
【請求項１１】
請求項１に記載の有機金属化合物であって、前記置換２−フェニルピリジン基が、
【化２】
2008531684.tif 000052
である、有機金属化合物。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、Ｍが、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＡｕまたはＺｎである、有機金属錯体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機金属錯体であって、Ｍが、イリジウムである、有機金属錯体。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、ｙ＝１である、有機金属錯体。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、Ｌが、アセチルアセトンである、有機金属錯体。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、溶液。
【請求項１７】
請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、フィルム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のフィルムであって、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、フィルム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質が、ＰＶＫまたはＰＶＫ／ＰＢＤブレンドである、フィルム。
【請求項２０】
請求項１８または請求項１９に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質に対する前記有機金属錯体の重量比が、約０．５％〜約５０％である、フィルム。
【請求項２１】
請求項１７〜請求項２０のいずれか１項に記載のフィルムであって、該フィルムが、約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有する、フィルム。
【請求項２２】
請求項１７〜請求項２１に記載のフィルムであって、該フィルムが、溶液加工技術により調製される、フィルム。
【請求項２３】
請求項２２に記載のフィルムであって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、フィルム。
【請求項２４】
発光層を有する電界発光素子であって、該発光層が、請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、電界発光素子。
【請求項２５】
請求項２４に記載の電界発光素子であって、前記層が、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、電界発光素子。
【請求項２６】
請求項２５に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質に対する前記有機金属錯体の重量比が、約５％である、電界発光素子。
【請求項２７】
請求項２４または請求項２６に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質がＰＶＫまたはＰＶＫ／ＰＢＤブレンドである、電界発光素子。
【請求項２８】
請求項２４〜請求項２７のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、前記発光層が、溶液加工技術により堆積される、電界発光素子。
【請求項２９】
請求項２８に記載の電界発光素子であって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、電界発光素子。
【請求項３０】
請求項２４〜請求項２９のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔注入層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項３１】
請求項３０に記載の電界発光素子であって、前記正孔注入層が、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含有する、電界発光素子。
【請求項３２】
請求項２４〜請求項３１のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、電子輸送層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項３３】
請求項３２に記載の電界発光素子であって、前記電子輸送層が、Ａｌｑ３を含有する、電界発光素子。
【請求項３４】
請求項２４〜請求項３３のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔ブロッキング層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項３５】
請求項３４に記載の電界発光素子であって、前記正孔ブロッキング層が、ＢＣＰまたはＴＰＢＩを含有する、電界発光素子。
【請求項３６】
有機金属化合物であって、式（Ｉ）：
【化３】
2008531684.tif 000053
（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ１およびＲ３〜Ｒ８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、ハロまたはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得、
Ｒ２は、独立して、Ｈ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、またはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し、
Ｒ１〜Ｒ４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ５〜Ｒ８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ５〜Ｒ８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ１〜Ｒ４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ１〜Ｒ８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；そして
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２である）
の有機金属化合物。
【請求項３７】
請求項３６に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、スピロ基を含むものがない、有機金属化合物。
【請求項３８】
請求項３７に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか一が、Ｈであり、かつ、Ｒ５〜Ｒ８のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
【請求項３９】
請求項３８に記載の有機金属化合物であって、Ｒ５〜Ｒ８の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
【請求項４０】
請求項３７に記載の有機金属化合物であって、Ｒ５〜Ｒ８のうち、いずれか一がＨであり、かつ、Ｒ１〜Ｒ４のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
【請求項４１】
請求項４０に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ４の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
【請求項４２】
請求項３７に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、水素であるものがない、有機金属化合物。
【請求項４３】
請求項３７に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ４およびＲ５、Ｒ５およびＲ６、Ｒ６およびＲ７、Ｒ７およびＲ８のうち、少なくとも一が環を形成する、有機金属化合物。
【請求項４４】
請求項３６に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、少なくとも一が、スピロ基を含む、有機金属化合物。
【請求項４５】
請求項４４に記載の有機金属化合物であって、Ｒ１〜Ｒ８のうち、少なくとも一が、スピロビフルオレニル基を含む、有機金属化合物。
【請求項４６】
請求項３６〜請求項４５のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、Ｍが、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＡｕまたはＺｎである、有機金属錯体。
【請求項４７】
請求項４６に記載の有機金属錯体であって、Ｍが、イリジウムである、有機金属錯体。
【請求項４８】
請求項３５〜請求項４７のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、ｙ＝１である、有機金属錯体。
【請求項４９】
請求項３５〜請求項４８のいずれか１項に記載の有機金属錯体であって、Ｌが、アセチルアセトンである、有機金属錯体。
【請求項５０】
請求項３５〜請求項４９のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、溶液。
【請求項５１】
請求項３５〜請求項４９のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、フィルム。
【請求項５２】
請求項５１に記載のフィルムであって、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、フィルム。
【請求項５３】
請求項５２に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質が、ＰＶＫまたはＰＶＫ／ＰＢＤブレンドである、フィルム。
【請求項５４】
請求項５２または請求項５３に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質に対する前記有機金属錯体の重量比が、約０．５％〜約５０％である、フィルム。
【請求項５５】
請求項５１〜請求項５４のいずれか１項に記載のフィルムであって、該フィルムが、約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有する、フィルム。
【請求項５６】
請求項５１〜請求項５５に記載のフィルムであって、該フィルムが、溶液加工技術により調製される、フィルム。
【請求項５７】
請求項５６に記載のフィルムであって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、フィルム。
【請求項５８】
発光層を有する電界発光素子であって、該発光層が、請求項３５〜請求項４９のいずれか１項に記載の有機金属錯体を含有する、電界発光素子。
【請求項５９】
請求項５８に記載の電界発光素子であって、前記層が、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、電界発光素子。
【請求項６０】
請求項５９に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質に対する前記有機金属錯体の重量比が、約５％である、電界発光素子。
【請求項６１】
請求項５８または請求項６０に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質がＰＶＫまたはＰＶＫ／ＰＢＤブレンドである、電界発光素子。
【請求項６２】
請求項５８〜請求項６１のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、前記発光層が、溶液加工技術により堆積される、電界発光素子。
【請求項６３】
請求項６２に記載の電界発光素子であって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、電界発光素子。
【請求項６４】
請求項５８〜請求項６３のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔注入層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項６５】
請求項６４に記載の電界発光素子であって、前記正孔注入層が、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含有する、電界発光素子。
【請求項６６】
請求項５８〜請求項６５のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、電子輸送層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項６７】
請求項６６に記載の電界発光素子であって、前記電子輸送層が、Ａｌｑ３を含有する、電界発光素子。
【請求項６８】
請求項５８〜請求項６７のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔ブロッキング層をさらに備える、電界発光素子。
【請求項６９】
請求項６８に記載の電界発光素子であって、前記正孔ブロッキング層が、ＢＣＰまたはＴＰＢＩを含有する、電界発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ１〜Ｒ８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ（ｓｕｌｆｉｎｏ）、チオアミド、ヒドロキシ、ハロまたはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得るが、但し、
Ｒ１〜Ｒ４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ５〜Ｒ８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ５〜Ｒ８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ１〜Ｒ４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ１〜Ｒ８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２であり；
そしてＲ２は、フッ素ではない）
の有機金属化合物を提供する。
別の局面では、本発明は、式（Ｉ）：
【化２】
2008531684.tif 000054
（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；Ｒ１およびＲ３〜Ｒ８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、ハロまたはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得、
Ｒ２は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、またはシアノであり、そしてＲ１〜Ｒ８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得、
Ｒ１〜Ｒ４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ５〜Ｒ８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ５〜Ｒ８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ１〜Ｒ４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ１〜Ｒ８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；そして
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２である）
の有機金属化合物を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
分枝した置換２−フェニルピリジン基（本明細書中では、後に「分枝配位子」とも呼ばれる）は、穏やかな条件下で、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応を介して調製され得る。収率の高さは、８０％〜９０％もあり得る。例えば、２−（２’、３’，４’，５’−テトラフェニル）−５−フェニル−フェニルピリジン（Ｂ）の調製のための反応スキームは、図１２に示されている。簡潔にいえば、２，５−ジブロモピリジンが、ジイソプロイルアミンおよびＰｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２中で、（トリメチルシリル）アセチレンに添加され、２−トリメチルシリル−５−ブロモピリジン（２）を生成する。化合物２を、ＴＨＦ／メタノール／ＮａＯＨ中でｏ−キシレンと反応させ、２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）−フェニル−５−ブロモ−ピリジン（３）を生成した。次いで、化合物３を、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）中のフェニルボロン酸と炭酸ナトリウム／トルエン溶液中で反応させ、Ｂを生成した。あるいは、上記分枝配位子は、遷移金属触媒性［２＋２＋２］環式三量化（ｃｙｃｌｏｔｒｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）により調製され得る（Ｓ．Ｓａｉｔｏ及びＹ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２０００，１００：２９０１−２９１５；Ｍ．Ｌａｕｔｅｎｓ，Ｗ．Ｋｌｕｔｅ，ａｎｄ  Ｗ．Ｔａｍ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１９９６，９６：４９−９２］。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
特定の実施形態では、アノードおよびカソードの一以上が、支持体（３３０）の上に堆積され得、この支持体は、透明であっても、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよい。この透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な支持体（３３０）は、硬くてもよく（例えば、石英もしくはガラス）、または、フレキシブルなポリマー基板であってもよい。フレキシブルで、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な基板の例としては、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレンおよびポリエチレン）、ポリアミド、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスチレン、ポリビニルクロライド、ならびにフッ化ポリマー（例えば、ポリテトラフルオロエチレン）が挙げられるが、これらに限定されない。
【国際調査報告】
2008531684.tif 000055
2008531684.tif 000056
2008531684.tif 000057