(57)【要約】  集積回路を検査する方法が記載されている。本システムのコンタクタ・ボードは、電力用分電盤及び信号用分電盤上の端子と接触する端部を備えたピンを有する。ピンの対向する端部は、個別化されていないウェハ上のダイ端子と接触する。分電盤はまた、複数のコンデンサも支持し、少なくとも１つのコンデンサが、個別化されていないウェハ上のあらゆるダイに対応する。各コンデンサは、２つの実質的に平坦な平面コンデンサ導体と、それらのコンデンサ導体間の誘電体層とを含むことができる。代替的に、コンデンサは、分電盤に取り付けられ、且つ、該分電盤の上方にある別個のコンポーネントとすることができ、この場合、分電盤及びコンタクタ・ボードが一緒にされたときにコンデンサを収容するように、対応するコンデンサ開口部が、コンタクタ基板内に形成される。ポリマー材料で作製された複数のヒューズも提供される。ポリマー材料は、ヒューズの温度が上昇したとき、そこを通って流れる電流の流れを制限し、ヒューズの温度が低下したとき、そこを通って流れる電流を増大させる。
2008524850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個別化されていない基板上の集積回路を検査するためのシステムであって、
ｉ）（１）前記集積回路に対応する複数の領域を有する分電基板と、
（２）少なくとも１つの信号用分電盤端子、電力用分電盤端子、及び基準電圧用分電盤端子を含む、各領域における複数の分電盤端子と、
（３）それぞれ前記信号用分電盤端子、前記電力用分電盤端子、及び前記基準電圧用分電盤端子に接続された、信号用分電盤導体、電力用分電盤導体、及び基準電圧用分電盤導体を含む、前記分電基板によって支持された複数の分電盤導体と、
（４）前記分電盤導体が接続された、前記分電基板上の少なくとも１つの分電盤インターフェースと、
を含む、分電盤と、
ｉｉ）前記領域の少なくとも１つの、それぞれ前記電力用分電盤端子及び前記基準電圧用分電盤端子に電気的に接続された、離間配置された電力用コンデンサ導体及び基準電圧用コンデンサ導体を含む、少なくとも１つのコンデンサと、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記個別化されていない基板が、ウェハであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記コンデンサが、前記分電盤によって支持されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記電力用コンデンサ導体及び前記基準電圧用コンデンサ導体は、実質的に平坦な平面導体であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記実質的に平坦な平面導体の各々は、前記領域の各々の各面積の大部分を含む各面積を有することを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記分電盤端子は接点であり、前記実質的に平坦な平面コンデンサ導体の各々は、各接点上に形成された部分を有し、前記コンデンサは、該実質的に平坦なコンデンサ導体間に誘電体層をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記実質的に平坦な平面導体の各々は、前記分電盤導体の少なくとも一部の上に形成されることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項８】
複数のコンデンサを備え、各々のコンデンサが、複数の前記領域の前記電力用分電盤端子及び前記基準電圧用分電盤端子に各々に電気的に接続された、離間配置された電力用コンデンサ導体及び基準電圧用コンデンサ導体を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
ｉｉｉ）（１）前記分電基板に面した第１の側と対向する第２の側とを有するコンタクタ基板と、
（２）各々が前記分電盤端子の各々に接触する、前記第１の側上の第１の複数のコンタクタ端子と、
（３）各々が、前記第１の複数のコンタクタ端子の各々に接続され、且つ、前記集積回路の各々の各集積回路接点と接触するための、前記コンタクタ基板の前記第２の側上の第２の複数のコンタクタ端子と、
を含む、コンタクタをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記分電基板及び前記コンタクタ基板のうちの一方が第１の基板であり、該分電基板及び該コンタクタ基板のうちの他方が第２の基板であり、前記コンデンサは、前記第１の基板に取り付けられ、少なくとも１つのコンデンサ開口部が前記第２の基板内に形成され、該コンデンサは、前記コンデンサ開口部に挿入されることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記分電基板は、前記第１の基板であることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
各々が前記第１の基板に取り付けられた複数のコンデンサと、前記第２の基板内の複数のコンデンサ開口部とを含み、前記コンデンサの各々は、前記コンデンサ開口部の各々に挿入されることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第１の複数のコンタクタ端子から前記第２の複数のコンタクタ端子へのｘ−ｙ変換がないことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
前記コンタクタは、
（４）各々が、前記第１のコンタクタ端子及び前記第２のコンタクタ端子の各々を形成する対向する端部を有する、前記コンタクタ基板によって保持される複数のピンをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
ｉｉｉ）前記集積回路の少なくとも１つに流れる電流を自動的に制限する少なくとも１つのヒューズをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ヒューズは、温度が上昇したときにそこを通って流れる電流を制限するポリマー材料から作製されることを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記ヒューズは、実質的に平坦な平面デバイスであることを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
集積回路を検査するためのシステムであって、
ｉ）（１）前記集積回路に対応する複数の領域を有する分電基板と、
（２）少なくとも１つの電力用分電盤端子及び基準電圧用分電盤端子を含む、各領域における複数の分電盤端子と、
（３）それぞれ前記電力用分電盤端子及び前記基準電圧用分電盤端子に接続された、電力用分電盤導体及び基準電圧用分電盤導体を含む、前記分電基板によって支持された複数の分電盤導体と、
（４）前記分電盤導体が接続された、前記分電基板上の少なくとも１つの分電盤インターフェースとを含む、分電盤と、
ｉｉ）前記分電基板に取り付けられ、且つ、該分電基板の上方にある別個の電気コンポーネントと、
ｉｉｉ）（１）前記分電基板に面した第１の側と対向する第２の側とを有するコンタクタ基板を有する、前記別個の電気コンポーネントがコンタクタ基板の前記第１の側の平面を越えて延びるコネクタ基板と、
（２）各々が前記分電盤端子の各々に接触する、前記第１の側上の第１の複数のコンタクタ端子と、
（３）各々が、前記第１の複数のコンタクタ端子の各々と接続され、且つ、前記集積回路の各々の各集積回路接点と接触する、前記コンタクタ基板の前記第２の側上の第２の複数のコンタクタ端子と、
を含む、コンタクタと、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１９】
開口部が前記コンタクタ基板の前記第１の側内に形成され、前記別個の電気コンポーネントが前記開口部に挿入されることを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記別個の電気コンポーネントが、ヒューズであることを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
前記分電基板は、信号用導体を含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
集積回路を検査するためのシステムであって、
ｉ）内部に開口部が形成されたバッキング基板と、
ｉｉ）（１）前記集積回路に対応する複数の領域を有する分電基板と、
（２）少なくとも１つの電力用分電盤端子及び基準電圧用分電盤端子を含む、各領域における複数の分電盤端子と、
（３）それぞれ前記電力用分電盤端子及び前記基準電圧用分電盤端子に接続された、電力用分電盤導体及び基準電圧用分電盤導体を含む、前記分電基板によって支持された複数の分電盤導体と、
（４）前記分電盤導体が接続された、前記分電基板上の少なくとも１つの分電盤インターフェースと、
を含む、分電盤と、
ｉｉｉ）前記分電基板の上に取り付けられた別個の電気コンポーネントと、
を備え、前記分電盤は、該分電基板に取り付けられた前記別個と共に、前記バッキング基板に取り付けられ、前記別個の電気コンポーネントは、該バッキング基板の開口部に挿入され、
ｉｖ）（１）前記分電基板に面した第１の側と対向する第２の側とを有するコンタクタ基板と、
（２）各々が前記分電盤端子の各々に接触する、前記第１の側上の第１の複数のコンタクタ端子と、
（３）各々が、前記第１の複数のコンタクタ端子の各々に接続され、且つ、前記集積回路の各々の各集積回路接点と接触する、前記コンタクタ基板の前記第２の側上の第２の複数のコンタクタ端子と、
を含む、コンタクタが設けられたことを特徴とするシステム。
【請求項２３】
前記分電基板は、信号用導体を含むことを特徴とする請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
集積回路を検査するためのシステムであって、
ｉ）（１）前記集積回路に対応する複数の領域を有する分電基板と、
（２）少なくとも１つの電力用分電盤端子及び基準電圧用分電盤端子を含む、各領域における複数の分電盤端子と、
（３）それぞれ前記電力用分電盤端子及び前記基準電圧用分電盤端子に接続された、電力用分電盤導体及び基準電圧用分電盤導体を含む、前記分電基板によって支持された複数の分電盤導体と、
（４）前記分電盤導体が接続された、前記分電基板上の少なくとも１つの分電盤インターフェースと、
を含む、分電盤と、
ｉｉ）（１）前記分電基板に面した第１の側と対向する第２の側とを有するコンタクタ基板と、
（２）各々が前記分電盤端子の各々に接触する、前記コンタクタ基板の前記第１の側上の第１の複数のコンタクタ端子と、
（３）各々が、前記第１の複数のコンタクタ端子の各々に接続され、且つ、前記集積回路の各々の各集積回路接点と接触する、前記コンタクタ基板の前記第２の側上の第２の複数のコンタクタ端子と、
を含む、コンタクタと、
ｉｉｉ）前記集積回路の少なくとも１つに流れる電流を自動的に制限する少なくとも１つのヒューズと、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２５】
前記分電基板は、信号用導体を含むことを特徴とする請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記ヒューズは、温度が上昇したときにそこを通って流れる電流を制限するポリマー材料から作製されることを特徴とする請求項２４に記載のシステム。
【請求項２７】
集積回路を検査する方法であって、
複数の集積回路接点を複数のコンタクタ端子と接触させ、
電流を、前記コンタクタ端子の基板を通して前記集積回路に供給する、
ステップを含み、
前記集積回路の各々への前記電流は、
ｉ）ヒューズの温度が上昇したとき、そこを通って流れる電流を制限し、
ｉｉ）ヒューズの温度が低下したとき、そこを通って流れる電流を少なくとも部分的に回復させる、ヒューズの各々を通って流れることを特徴とする方法。
【請求項２８】
前記基板は、個別化されていないウェハである請求項２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個別化されていない（ｕｎｓｉｎｇｕｌａｔｅｄ）ウェハの集積回路の検査及びバーンインのためのシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ又はレーザ・ダイオードを有する回路のような集積回路は、通常、ウェハ基板内及びウェハ基板上に製造される。このようなウェハ基板は、次いで、「ダイシング」又は「個別化」され、各々がそれぞれの集積回路を有する個別のダイになる。次いで、ダイに剛性を与え、且つ、ダイ内の集積回路との間に電力、接地基準電圧、及び信号を提供するために、このダイを支持基板にマウントすることができる。
【０００３】
集積回路は、通常、顧客に出荷される前に、検査され、バーンインされる。一般にどこで欠陥が生じるかを判断するため、及び、下流の製造及びパッケージング・コストを削減するために、初期段階に欠陥のある集積回路を識別することが望ましい。理想的には、ウェハを個別化する前に、何らかの検査が行われる。バーンインを行い、そうしなければ、集積回路を一定期間使用するまで発生しないであろう、潜在的な欠陥を有するデバイスの故障を誘発することが可能である。
【０００４】
ウェハ・レベルでの集積回路のバーンイン検査のために、従来より、比較的複雑なプローブ・ベースのシステムが用いられてきた。このようなシステムは、典型的には、プローブ接点と、ウェハをｘ方向、ｙ方向、及びｚ方向に動かして連続する集積回路上のダイ接点をプローブ接点と接触させる比較的複雑な機構とを有する。所定の温度プロファイルに曝される間、プローブ接点を通じて、検査シーケンスが、各集積回路に提供される。
【０００５】
個別化されていないウェハ全体の集積回路のダイ接点に同時に接触し（「フル・ウェハ・プロービング（ｆｕｌｌ  ｗａｆｅｒ  ｐｒｏｂｉｎｇ）」と呼ばれることが多い）、次いで、ウェハ全体の集積回路を検査するために、近年、ある程度の進歩があった。個別化されていないウェハのダイのアレイの集積回路をバーンイン又は検査するために用いられるシステムは、通常、ｘ方向及びｙ方向における電力、接地基準電圧、及び信号を、ウェハ基板上のｘ−ｙ領域にわたるダイ接点をミラー反転する分電盤接点に分配するための分電盤を有する。コンタクタ・ボードは、分電盤とウェハとの間に配置され、ｚ方向の分電盤接点端子をダイ接点と相互接続するコンタクタ・ピンを有する。
【０００６】
次に、バーンインを行うために、このようなシステムは、個別化されていないウェハと共に、オーブンのような熱管理システムに挿入することができる。分電盤上のインターフェースは、オーブン内のコネクタに接続されるので、集積回路との間で、コネクタ、分電盤、及びコンタクタ・ボードを通じて、電力、接地基準電圧、及び信号を提供することができる。ウェハの温度を制御しながら、集積回路にバーンイン検査が行われる。
【発明の開示】
【０００７】
本発明は、一般に、個別化されていないウェハのダイをミラー反転する複数の領域を有する分電基板と、少なくとも１つの信号用分電盤端子、電力用分電盤端子、及び基準電圧用分電盤端子を含む、各領域における分電盤端子と、それぞれ信号用分電盤端子、電力用分電盤端子、及び基準電圧用分電盤端子に接続された、信号用分電盤導体、電力用分電盤導体、及び基準電圧用分電盤導体を含む、分電基板によって支持された複数の分電盤導体と、分電盤導体が接続された、分電基板上の少なくとも１つの分電盤インターフェースとを含む分電盤を備える、個別化されていないウェハの複数のダイの集積回路を検査するためのシステムに関する。
【０００８】
本発明の１つの態様によれば、本システムは、それぞれ領域の少なくとも１つの電力用分電盤端子及び基準電圧用分電盤端子に電気的に接続された、離間配置された電力用コンデンサ導体及び基準電圧用コンデンサ導体を含む、少なくとも１つのコンデンサを含む。
コンデンサは、分電盤によって支持することができる。
電力用コンデンサ導体及び基準電圧用コンデンサ導体は、実質的に平坦な平面導体とすることができる。
【０００９】
実質的に平坦な平面導体の各々は、各領域の面積の大部分を含む面積を有することができる。
分電盤端子は接点とすることができ、この場合、実質的に平坦な平面コンデンサ導体の各々は、各接点上に形成された部分を有することができ、コンデンサは、実質的に平坦な平面コンデンサ導体間に誘電体層をさらに含むことができる。
実質的に平坦な平面導体の各々は、分電盤導体の少なくとも一部の上に形成することができる。
【００１０】
本システムは、各々が、複数の領域の各々のそれぞれの電力用分電盤端子及び基準電圧用分電盤端子に電気的に接続された、離間配置された電力用コンデンサ導体及び基準電圧用コンデンサ導体を含む、複数のコンデンサを含む。
本システムは、分電基板に面した第１の側と対向する第２の側とを有するコンタクタ基板と、各々が分電盤端子の各々に接触する、コンタクタ基板の第１の側上の第１の複数のコンタクタ・ボード端子と、各々が第１の複数のコンタクタ・ボード端子の各々と接続され、且つ、ダイの各々の各ダイ接点と接触するための、コンタクタ基板の第２の側上の複数のコンタクタ・ボード端子とを含むことができる、コンタクタ・ボードをさらに含むことができる。
【００１１】
分電基板及びコンタクタ基板のうちの一方を第１の基板とし、分電基板及びコンタクタ基板のうちの他方を第２の基板とすることができ、コンデンサは、第１の基板に取り付けられ、少なくとも１つのコンデンサ開口部が第２の基板内に形成され、コンデンサをコンデンサ開口部に挿入することができる。
分電基板が第１の基板であることが好ましい。
【００１２】
本システムは、各々が第１の基板に取り付けられた複数のコンデンサを含むことができ、複数のコンデンサ開口部を第２の基板内に形成することができ、各々のコンデンサは、コンデンサ開口部のそれぞれに挿入される。
第１の複数のコンタクタ・ボード端子から第２の複数のコンタクタ・ボード端子へのｘ−ｙ変換は存在しない場合がある。
【００１３】
コンタクタ・ボードは、コンタクタ基板によって保持される複数のピンをさらに含むことができ、各々のピンは、第１及び第２のコンタクタ・ボード端子の各々を形成する対向する端部を有する。
本システムは、ダイの少なくとも１つに流れる電流を自動的に制限する少なくとも１つのヒューズを含むことができる。ヒューズは、温度が上昇したときにそこを通って流れる電流を制限するポリマー材料から作製することができる。
【００１４】
本明細書に用いられる「ヒューズ」という用語は、広く解釈されるべきであり、当該技術分野において「ヒューズ」と称されないコンポーネント、すなわち、センサ・ベースのスイッチ等のような電気的断路器を包含することは、本発明の範囲内である。
本システムは、分電基板に取り付けられ、かつ、該分電基板の上にある別個の電気コンポーネントを含むことができ、この場合、開口部をコンタクト基板の第１の側に形成することができ、別個の電気コンポーネントは、開口部に挿入される。
【００１５】
本発明の別の態様によれば、個別化されていないウェハの複数のダイの集積回路を検査するための方法が提供され、この方法は、個別化されていないウェハのダイの複数のダイ接点を複数のコンタクタ端子と接触させ、電流を、コンタクタ端子のサブセットを通じてダイに供給するステップを含み、ダイの各々への電流は、各ヒューズを通って流れ、このヒューズは、ヒューズの温度が上昇したときに、そこを通って流れる電流を制限し、ヒューズの温度が低下したときに、そこを通って流れる電流を少なくとも部分的に回復させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、添付図面を参照して、例証としてさらに説明される。
添付図面の図１は、個別化されていないウェハ１４の集積回路１２のバーンイン検査のために用いられる、本発明の実施形態によるコンタクタ・システム１０のコンポーネントを示す。システム１０は、電力、接地基準電圧、及び信号の分電盤１６、複数のコンデンサ１８、及びコンタクタ・ボード２０を含む。本発明の範囲を超える、埋め込まれた抵抗器等の他のコンポーネントは、本明細書に示されず、又は記載されていない。
【００１７】
図２を参照すると、分電盤１６は、分電基板２２、複数の分電盤接点端子２４、複数の分電盤導体２６、及び分電盤インターフェース２８を含む。
分電基板２２は、複数の領域３０を有する。領域３０は、ｘ方向に延びる行及びｙ方向に延びる列を成してｘ−ｙアレイを形成しており、各領域３０は、集積回路１２（図１）のそれぞれをミラー反転している。代替的に、２つ以上のコンデンサを１つの集積回路と関連付けることができ、又は１つのコンデンサを２つ以上の集積回路と関連付けることもできる。分電基板２２は、導電性金属層と交互配置された、低ｋ値（典型的には、３から４まで）の誘電材料の多層を含む。
【００１８】
分電盤接点端子２４は、分電基板２２内の導電性金属層の上部のものから形成される。各領域３０は、少なくとも１つの電力用分電盤接点端子２４Ｐ、少なくとも１つの接地基準電圧用分電盤接点端子２４Ｇ、及び多数の信号用分電盤接点端子２４Ｓを有する。電力用分電盤接点端子２４Ｐの位置は、領域３０ごとに同じであり、接地基準電圧用分電盤接点端子２４Ｇ及び信号用分電盤接点端子２４Ｓの位置も同様である。
【００１９】
分電盤導体２６は、分電基板２２の導電性金属層内に定められる金属線と、該金属線を相互接続するビア及びプラグとから作製される。分電盤接点端子２４の各々が、分電盤導体２６のそれぞれに接続される。従って、分電盤導体２６は、電力用分電盤接点端子２４Ｐ、接地基準電圧用分電盤接点端子２４Ｇ、及び信号用分電盤接点端子２４Ｓに接続された、電力用分電盤導体、接地基準電圧用分電盤導体、及び信号用分電盤導体を含む。
【００２０】
分電盤インターフェース２８は、分電基板２２の縁部に取り付けられたコネクタである。分電盤導体２６は、分電盤インターフェース２８に接続される。従って、電力、接地基準電圧、及び信号は、分電盤インターフェース２８及び分電盤導体２６を通じて、分電盤接点端子２４に供給され得る。領域３０のうちの２つしか示されていないが、分電盤導体２６は、全ての領域３０全体にわたって分電基板２２の表面の下方に延びることを理解すべきである。
【００２１】
各コンデンサ１８は、接地基準電圧用コンデンサ導体３２、誘電体層３４、及び電力用コンデンサ導体３６を含む。
最初に、接地基準電圧用コンデンサ導体３２の各々が、各々の領域３０上に形成される。各々の接地基準電圧用コンデンサ導体３２は、各領域３０の面積の大部分をカバーする面積を有する。スペースがピンのような他のコンポーネントによって制限される場合、或いは、各集積回路に対して２つ以上のコンデンサが必要とされる場合には、各コンデンサ導体により、より小さい面積をカバーすることができる。接地基準電圧用コンデンサ導体３２は、分電盤導体２６の一部の上に形成される。接地基準電圧用コンデンサ導体３２の部分３８が、各領域３０の接地基準電圧用分電盤接点端子２４Ｇの部分のみの上に形成される。従って、接地基準電圧は、接地基準電圧用分電盤接点端子２４Ｇを通じて、接地基準電圧用コンデンサ導体３２に供給され得る。接地基準電圧用コンデンサ導体３２は、電力用分電盤接点端子２４Ｐとも、又は信号用分電盤接点端子２４Ｓのいずれとも接触状態にない。
【００２２】
引き続き、各誘電体層３４が、接地基準電圧用コンデンサ導体３２のそれぞれの上に形成される。誘電体層３４を形成するために、薄膜技術が用いられる。誘電体層は、高ｋ値（典型的には、少なくとも３００）の誘電体材料から作製される。各誘電体層３４は、各々の接地基準電圧用コンデンサ導体３２のほぼ全てをカバーするが、分電盤接点端子２４のいずれの上にも形成されない。
【００２３】
次に、電力用コンデンサ導体３６が、全ての誘電体層３４の上に形成される。各電力用コンデンサ導体３６は、各々の接地基準電圧用導体３２の面積とほぼ同じ面積を有する。電力用コンデンサ導体３６の部分４０は、各誘電体層３４から離れて、かつ、各領域３０の電力用分電盤接点端子２４Ｐの各々と接触状態で配置される。電力用コンデンサ導体３６の他の全ての縁部は、誘電体層３４の周囲の内にあるので、該電力用コンデンサ導体３６は、接地基準電圧用コンデンサ導体３２、又は分電盤接点端子２４Ｇ及び２４Ｓのいずれとも接触状態にない。別の実施形態においては、ｘ−ｙ平面において互いに隣接するように、又はｚ方向に一方が他方の上になるように、領域３０のそれぞれに、２つ以上のコンデンサを形成することができる。
【００２４】
このように、それぞれ１つのコンデンサ１８が、領域３０のそれぞれに形成される。各コンデンサ１８は、ｚ方向にわずかなスペースを取る、実質的に平坦なコンデンサ導体３２及び３６をｘ−ｙ平面内に有する。（巻回型導体とは対照的に）実質的に平坦なコンデンサ導体３２及び３６が形成されるという事実にも関わらず、コンデンサ導体３２及び３６は、これらを各領域３０の面積の大部分の上に形成することができるので、比較的大きい面積にわたる平行板を形成する。
【００２５】
再び図１を参照すると、コンタクタ・ボード２０が、コンタクタ基板４２及び複数のコンタクタ・ピン４４を含む。コンタクタ基板４２は、非導電性のセラミック材料から作製される。代替的に、コンタクタ基板４２のために、プラスチック材料のような他の非導電性材料を使用することもできる。コンタクタ・ピン４４は、コンタクタ基板４２によって保持され、各コンタクタ・ピン４４は、コンタクタ基板４２の対向する側部から延びる、対向する第１の端部４６及び第２の端部４８を有する。各コンタクタ・ピン４４は、それぞれのばね（図示せず）を有し、ばねのばね力に対抗して、端部４６及び４８を互いに向けて動かすことができる。ばね式ピンの代わりに、加圧導電性ゴム（ｐｒｅｓｓｕｒｅｄ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｒｕｂｂｅｒ、ＰＣＲ）、三部構成システム（ｔｈｒｅｅ−ｐａｒｔ  ｓｙｓｔｅｍ、ＴＰＳ）、又は屈曲可能ばねのような、他のばねを用いることができる。コンタクタ・ピン４４が配置されるコンタクタ基板４２内に開口部が形成されるので、該ピンはｚ方向に延び、且つ、それらのレイアウトは分電盤接点端子２４のレイアウトと合致する。
【００２６】
コンタクタ・ボード２０を分電盤１６と位置合わせし、各コンタクタ・ピン４４の第２の端部４８が分電盤接点端子２４のそれぞれの上方にくるように、位置合わせ機構が用いられる。次いで、第２の端部４８が分電盤接点端子２４と接触させられる。コンタクタ基板４２を分電盤１６の方向にさらに移動させることにより、分電盤接点端子２４が、分電導盤接点端子２４によって、第２の端部４８が相対的にコンタクタ基板４２の方向に押し付けられる。ばねのばね力が、第２の端部４８と分電盤接点端子２４との間に力を生成し、よって、適切な接触が保証される。次いで、コンタクタ基板４２は、分電基板２２に取り付けられる。
【００２７】
次いで、組み立てられたシステム１０を用いて、個別化されていないウェハ１４の集積回路１２を検査することができる。個別化されていないウェハ１４は、上に集積回路１２が形成された半導体ウェハ基板５０を含む。集積回路１２との間に電力、接地基準電圧、及び信号を提供することができる、複数のダイ接点５２が、集積回路１２上に形成される。検査後、ウェハ基板５０は、スクライブ・ストリート５４に沿って個別化され、別個のダイになる。個別化されていないウェハ１４は、コンタクタ・ピン４４の第１の端部４６上に、下向きに配置される。ダイ接点５２のレイアウトは、分電盤接点端子２４のレイアウトのミラー・イメージであり、すなわち、分電盤接点端子２４からダイ接点５２へのｘ−ｙ変換はないが、異なる実施形態においては、ｘ−ｙ変換が可能であり得る。ダイ接点５２の各々は、それぞれの接点ピン４４の第１の端部４６の各々と接触状態にある。次いで、コンタクタ基板４２と個別化されていないウェハ１４との間の空間内に真空が生成される。真空による減圧が、ダイ接点５２をコンタクタ・ピン４４の第１の端部４６と適切な接触状態に保持する力を生成する。別の実施形態においては、補助装置を用いて、外側において圧力を増大させることができ、これにより、外側と内側との間の圧力差も形成される。
【００２８】
次いで、集積回路１２との間で、分電盤導体２６、分電盤接点端子２４、コンタクタ・ピン４４、及びダイ接点５２を通じて、電力、接地基準電圧、及び信号を提供することができる。コンデンサ１８は、集積回路１２付近に電荷を貯蔵して出力スパイクを回避し、集積回路１２が検査されるときに、電力ピンと接地ピンとの間の電圧差における摂動を低減させる回路を提供する。集積回路１２の検査が完了すると、真空による圧力差は解除され、個別化されていないウェハ１４は、システム１０から取り外される。次に、別の個別化されていないウェハを同じように検査することができる。
【００２９】
図３は、ウェハ・キャリア・カバー５６、弾性Ｏリング・シール５８、及びバルブ６０を含む、システム１０の更に別のコンポーネントを示す。コンタクタ基板４２は、ファスナねじ６１によって、分電基板２２に取り付けられ、又は別の実施形態においては、接合することができる。シール５８は、コンタクタ・ボード２０の周りに分電盤１６上に配置される。ウェハ１４は、ウェハ・キャリア・カバー５６により保持される。次いで、ウェハ・キャリア・カバー５６は、シール５８上に配置される。ウェハ・キャリア・カバー５６を貫通して、吸引通路６２が形成される。吸引通路６２を除いて、シール５８の内側、分電盤１６、及びウェハ・キャリア・カバー５６の下側で、囲まれた容積が定められる。吸引通路６２は、バルブ６０及び取り外し可能なコネクタ６４を介して、ポンプ６６又は圧力リザーバに直列に接続される。使用において、ポンプ６６は、コネクタ６４が接続され、且つ、バルブ６０が開放されたときに作動され、ポンプ６６は、ウェハ・キャリア・カバー５６の下方に真空を生成する。真空が生成された状態で、バルブ６０が閉鎖され、コネクタ６４が取り外され、真空がバルブ６０により維持される。
【００３０】
次に、バルブ６０を含むシステム１０は、オーブンのような熱管理システム内に配置され、分電盤インターフェース２８が、熱管理システム中のコネクタに接続される。熱管理システムは、真空を動的に維持する能力をもつこともできる。熱管理システムは、コレクタを介して、電力、接地基準電圧、及び信号を分電盤インターフェース２８に供給する間、ウェハ１４の温度を制御する。
【００３１】
図４に示されるように、システム１０は、複数のヒューズ７０をさらに含む。各ヒューズ７０は、電力を電力用分電盤接点端子２４Ｐの各々に供給する分電盤導体２６の各々の中に配置される。スペースが制限されている場合、２つ以上の電力用分電盤接点端子を、各ヒューズと接続することができる。ヒューズ７０は互いに並列に配置されるので、ヒューズ７０の１つが、直接接続している電力用分電盤接点端子２４Ｐの各々への電流を減少させた場合でも、電流は、依然として他の全ての電力用分電盤接点端子２４Ｐに流れることができる。
【００３２】
各ヒューズ７０は、低温では抵抗が小さいポリマーで作られているので、電流はその中を通って流れることができるが、その温度が上昇したときには抵抗が大きくなる。代替的に、例えば、バイメタル・スイッチ又はトランジスタ・ベースのスイッチなどの、他の非ポリマー性のリセット可能なヒューズを用いることもできる。図５は、材料の抵抗が、温度が上昇するにつれて、ポイント１からポイント２まではほぼ線形に増大するが、その後、ポイント２からポイント３を過ぎてポイント４まで指数関数的に増大することを、対数目盛で示す。検査中に、集積回路１２のうちの１つが短絡した場合、結果として生じる電流の増大が、ヒューズ７０の温度を上昇させる。上昇した温度により、ヒューズ７０の抵抗が増大するので、ヒューズ７０は、短絡した集積回路１２への危険な電流又は過剰な電流を実質的に排除する。検査が終わり、ウェハが取り除かれると、ヒューズ７０の温度は再び低下し、次いで、これに対応してヒューズ７０の抵抗が減少するので、「正常」な量の電流が、再びヒューズ７０を通って流れることができるようになる。次いで、次のウェハ上の同じ位置にあるダイが、ヒューズ７０を介して電流を受け取ることができる。
【００３３】
コンデンサ１８についての図１及び図２は、ヒューズ７０について、僅かに変更することができる。リセット可能なヒューズ７０は、２つの電極間に導電性マトリックスを設けることによって作動する。コンデンサ１８の場合、高誘電率及び高抵抗を有する絶縁材料３４が与えられる。ヒューズ７０の場合、低抵抗材料（典型的には、充填ポリマー材料）を有する２つの電極が与えられる。この材料は、いくらかの抵抗を有するので、電流がそこを通って流れるとき、何らかの良好な抵抗器と同様に働き、熱くなる。電流が、その材料を十分高温になるまで熱するのに十分である場合、材料は、より絶縁性になり、最終的に（理想的には、突然に）開放される。電圧が印加されている限り、開放されるのに十分に高い温度を維持するのに十分な電流が流れる。電圧が切られると、電流の流れが停止し、ヒューズ７０がリセットされる。
【００３４】
ヒューズ７０は、標準的なバーンイン・システム８０において、コンタクタ・システム１０が挿入され、使用されることを可能にする、すなわち、別個の電力遮断装置を設ける必要はない。バーンイン・システム８０は、オーブン壁を有していてもよく、分電盤導体２６は、オーブン壁８２内のフィードスルーボード上に配置してもよい。電源８４は、オーブン壁８２の一方の側に配置され、コンタクタ・システム１０は、オーブン壁８２の反対側に配置される。
【００３５】
図４にさらに示されるように、バーンイン・システム８０は、互いに直列に接続された、ユーザ・インターフェース８６、システム・コントローラ８８、パターン生成装置９０、及び信号源９２をさらに含む。オペレータは、ユーザ・インターフェース８６を用いて、所望のパターンをロードすることができる。次に、システム・コントローラ８８が、パターン生成装置９０を制御するので、パターン生成装置９０は、所望のパターンを信号源９２に提供するようになる。次に、信号源９２は、パターン生成装置９０によって提供されるパターンに対応する信号を集積回路１２に提供する。パターン生成装置９０はまた、電源８４も制御する。代替的に、電源８４は、システム・コントローラ８８によって制御することができる。
【００３６】
図６は、本発明の別の実施形態による、システム１１０のコンポーネントを示す。システム１１０は、図２の分電盤１６と同じ分電盤１６を含む。図２の平面コンデンサ１８の代わりに、別個の巻回型コンデンサ１１８のアレイが、分電盤１６に取り付けられる。別個の巻回型コンデンサは既製のコンポーネントであり、分電盤１６に単に取り付けることができる。
【００３７】
図７は、下部内にコンデンサ開口部１４４のアレイを有する代替的なコンタクタ基板１４２を示す。代替的に、開口部１４４は、コンデンサに対してどれだけのスペースを与えるべきかに応じて、コンタクタ基板１４２を完全に貫通して延びることができる。コンデンサ開口部１４４の各々は、別個の巻回型コンデンサ１１８Ａの各々と位置合わせされるので、コンタクタ基板１４２及び分電盤１６が一緒にされたとき、各コンデンサ１１８Ａは、コンデンサ開口部１４４の各々に挿入される。このように、コンデンサ開口部１４４は、分電盤１６の上面の上方にある別個の巻回型コンデンサ１１８Ａを収容する。さらに、コンデンサ１１８Ｂが、コンタクタ基板１４２の領域の外側に配置され、その下面の面を超えて延びる。
図７にさらに示されるように、バッキング基板１４８が設けられ、ここに分電盤１６が取り付けられる。バッキング基板１４８は、その上部内に複数のコンデンサ開口部１５０を有する。別個の巻回型コンデンサ１１８Ｃが、分電盤１６の下面に取り付けられ、コンデンサ開口部１５０の各々の中に収容される。
【００３８】
図４を再び参照すると、ヒューズ７０は、典型的には、図６の別個の巻回型コンデンサ１１８と同様に、コンタクタ基板（図１の参照番号４２又は図７の参照番号１４２）の領域の外側に取り付けなければならない別個のコンポーネントである。代替的に、図４のヒューズ７０のような別個の電気コンポーネントを、コンタクタ基板の領域内に取り付けることもでき、開口部をコンタクタ基板内に定め、ヒューズを収容することができる。
【００３９】
本明細書に用いられる「ヒューズ」という用語は、広く解釈されるべきであり、当該技術分野において「ヒューズ」と称されないコンポーネント、すなわち、センサ・ベースのスイッチ等のような電気的断路器を包含することは、本発明の範囲内である。「集積回路」は、必ずしもＭＯＳトランジスタを備えた回路である必要はなく、例えば、レーザ・ダイオードを備えた回路を含むこともまた理解される。
さらに、個別化されていないウェハの検査が説明されたが、他のデバイスを検査できることも理解すべきである。１つのこのようなデバイスは、例えば、そこにマウントされた複数のダイを有する基板を含むストリップであってもよい。別のデバイスは、接着テープと、該接着テープ上に保持された複数のダイとを含むフィルム・フレームであってもよい。
【００４０】
特定の例示的な実施形態が説明され、添付図面に示されたが、このような実施形態は、単に例証のためのものであり、本発明を限定するものではないこと、並びに、当業者であれば変更を想起することができるので、本発明は、図示され説明された特定の構成及び配置に限定されるものではないことを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】個別化されていないウェハの複数のダイの集積回路を検査するために用いられる、本発明の実施形態によるシステムの一部の側断面図である。
【図２】本システムの一部を構成する、電力用分電盤、接地基準電圧用分電盤、及び信号用分電盤、並びにコンデンサの平面図であり、コンデンサの一部は、全てのコンデンサの異なる製造段階で同時に示されている。
【図３】本システムの更に別のコンポーネントを示す側断面図である。
【図４】分電盤内に形成される回路の一部を表し、具体的には、各集積回路への電流を制限するために用いられるヒューズを示す、平面図である。
【図５】温度に対するヒューズの１つの抵抗を対数目盛で示すグラフである。
【図６】例えば、巻回型コンデンサのような別個のコンデンサが分電盤に取り付けられた、本発明の別の実施形態によるシステムのコンポーネントの斜視図である。
【図７】分電盤の上方にある別個のコンデンサを収容するために、コンタクタ基板内に形成されたコンデンサ開口部を具体的に示す、図６のシステムの側断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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