(57)【要約】  本発明の技術は、基板上の堆積ガスの分配を目的とする。一実施形態において、処理チャンバ（８１３）内で使用されるガス分配装置（２００）が提供される。ガス分配装置は、ガス偏向表面（２０２）とガス分配装置面（２０４）とを有する本体を含む。ガス偏向表面は、洗浄ガス通路を画成する。ガス分配装置面は、ガス偏向表面より本体の反対側に配置され、基板支持部材（８１８）の方に面する。ガス分配装置面は、隆起段部（２１２）と、その隆起段部（２１２）を貫通した少なくとも一組のアパーチャ（２１０）を含む。少なくとも一組のアパーチャは、基板支持部材上に位置決めされた基板（８１７）の上方に堆積ガスを分配するように適合されている。
2008532331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内で使用されるガス分配装置において、
バッフルを含む本体であって、前記バッフルは、前記本体から離れてガスを外側に導くように適合された上部表面と、前記上部表面の反対側にある下部表面とを有し、前記下部表面は、中央部と、前記中央部から段部表面により分離された周辺凹部とを有し、前記本体は、ガス入口と、前記段部表面で配置された複数のガス出口と、前記複数のガス出口に前記入口を連結するガス通路とを更に含む、前記ガス分配装置。
【請求項２】
前記本体の一部の周りに配置されたスリーブを更に備え、バッフル上部表面に向かってガスを導くように適合された環状ガス通路を画成する、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項３】
前記ガス分配装置は、単体である、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項４】
前記ガス分配装置は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、サファイヤ、炭化珪素のうち少なくとも一つを備える、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項５】
前記段部表面は、前記下部表面でオーバルを形成し、前記複数のガス出口は、前記段部表面の周りに均等に分布されている、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項６】
前記オーバルは、円形である、請求項５に記載のガス分配装置。
【請求項７】
前記複数のガス出口と前記段部表面は、ほぼ同一の角度で傾斜されている、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項８】
前記上部表面は、前記チャンバの壁に向かって洗浄ガスを導くように湾曲されている、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項９】
前記上部表面は、前記基板支持部材から離れて洗浄ガスを反らすように湾曲されている、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項１０】
前記段部表面の傾斜は、約９０度から約１８０度の範囲にある、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項１１】
前記堆積ガスは、シランを有する、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項１２】
前記複数のガス出口の各々は、ライザに対し、約９０度から約２０度の範囲にある、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項１３】
前記上部表面と前記下部表面との間に延びる少なくとも一つの洗浄ガス通路を更に備える、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項１４】
前記複数のガス出口は、少なくとも８個のアパーチャを含む、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項１５】
前記ガス分配装置は、第２の段部表面と、前記第２の段部表面を通る複数の第２のガス出口を更に備える、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項１６】
基板処理チャンバにおいて：
天井と側壁とを有する包囲体と；
基板を支持可能な基板支持体と；
前記基板支持体の上方で中央に位置決めされたガス分配装置であって、バッフルを含む本体を備え、前記バッフルは、前記本体から離れてガスを外側に前記包囲体の側壁の方に導くように適合された上部表面と、前記上部表面の反対側で前記基板支持体から離れて配置された下部表面とを有し、前記下部表面は、中央部と、前記中央部から段部表面により分離された周辺凹部とを有し、前記本体は、ガス入口と、前記段部表面で配置された複数のガス出口と、前記複数のガス出口に前記入口を連結するガス通路とを更に含む、前記ガス分配装置と、を備える、前記基板処理チャンバ。
【請求項１７】
前記本体の一部の周りに配置されたスリーブを更に備え、バッフル上部表面に向かってガスを導くように適合された環状ガス通路を画成する、請求項１６に記載の基板処理チャンバ。
【請求項１８】
前記ガス分配装置は、単体である、請求項１６に記載の基板処理チャンバ。
【請求項１９】
前記ガス分配装置は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムのうち少なくとも一つを備える、請求項１６に記載の基板処理チャンバ。
【請求項２０】
前記複数のガス出口の各々は、前記ライザに対し、約９０度から約１５度の範囲にある、請求項１６に記載のガス分配装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
[0001]本発明は、一般に、半導体の製造および、より具体的には、半導体処理チャンバ内の分配装置および最上部ガスバッフルに関する。
【０００２】
[0002]基板上に所望の材料の膜または薄い層を形成するために、化学気相堆積（ＣＶＤ）は、半導体産業で使用されているガス反応処理である。一部の高密度プラズマ（ＨＤＰ）増強型ＣＶＤ処理は、ＲＦ発生プラズマを使用して物理的イオンを発生させると共に反応性化学ガスを使用し、負にバイアスされた基板表面上に正に荷電されたプラズマイオンを上記表面に対して垂直に近い角度で吸引することにより、或いは、上記表面に対して好ましい角度における基板表面の指向性バイアスにより、膜の堆積を増強する。集積回路（ＩＣ）の製作における一つの目標は、非常に薄く、均一な膜を基板上に、高スループットで形成することである。多くの要素（電源及び幾何学的形状の型と幾何学的形状、ガス分配システムと関連排気、基板の加熱と冷却、チャンバ構成、設計、対称性、チャンバ表面の組成と温度制御、チャンバ内に蓄積される材料など）は、処理システムと、そのシステムにより実行される処理を評価するときに考慮されなければならない。
【０００３】
[0003]むらがあるガス分配は、半導体製作で直面する一つの問題であり、堆積の均一性に影響する。既知の一チャンバ構成において、ガスプレナムは処理領域の周辺に備えられ、複数のノズルが放射状内側に伸びており、ガスを基板表面に提供する。そのような設計における難題は、基板表面にわたりガスを均等に分配することであり、そのためにも、基板の中央に向かうというより基板の縁に向かって多くのガスが供給されないことである。最上部のガスノズルは、基板支持部材の直接上方に位置決めされているが、堆積均一性を改善する為に使用可能である。
【０００４】
[0004]最上部のガスノズルを使用することにより得られる改善にも拘わらず、更なる改善及び／又は代替技術が、基板の表面でのガス分配の均一性を高める為に望ましい。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]本発明は、半導体を処理する為の装置及びチャンバ内にガスを導入する方法を含む技術を提供する。より詳しくは、本発明の実施形態は、半導体処理チャンバ内の基板上の処理ガスの均一性を高めることを目的とする。
【０００６】
[0006]本発明の一実施形態において、ガス分配装置は、本体を有し、その本体は、本体から離れてガスを外側に導くように適合された上部表面と、その上部表面の反対側にある下部表面と、を有する。下部表面は、中央部と、段部表面により中央部から分離された凹んだ周辺部と、を有する。本体は、更に、ガス入口と、段部表面に配置された複数のガス出口と、複数のガス出口に入口を連結するガス通路と、を含む。
【０００７】
[0007]さらに、本発明の他の実施形態において、基板処理チャンバは、天井および側壁を有する包囲体と、基板を支持できる基板支持体と、を含む。ガス分配装置は、基板支持体の上方中央に位置決めされている。ガス分配装置は、バッフルを含む本体を備え、バッフルは、本体から離れてガスを外側に包囲体の側壁に向けて導くように適合された上部表面と、上部表面の反対側にあり基板支持体から離間された下部表面と、を有する。下部表面は、中央部と、段部表面により中央部から分離され凹んだ周辺部と、を有する。本体は、更に、ガス入口と、段部表面に配置された複数のガス出口と、複数のガス出口に入口を連結するガス通路と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【０００８】
[0016]本発明は、ガスをチャンバ内に導入する方法と、半導体を処理する為の装置を含む技術を提供する。より詳しくは、本発明の実施形態は、半導体処理チャンバ内の基板上で処理ガスの均一性を高めることを目的とする。
【０００９】
[0017]図１は、半導体処理の為の、以前に既知のガス分配装置の横断面図である。図１は、ガス偏向表面１０２およびガス分配装置面１０４を有するガス分配装置１００を示す。ガス偏向表面１０２は、チャンバ洗浄処理中の洗浄ガス用通路を与える。洗浄ガスは、ガス分配装置の直下に置かれた基板支持部材（図示せず）ではなく、外形面１０２によりチャンバ壁に向けられている。ガス分配装置１００は、基部１０６でチャンバ壁に連結されている。堆積ガスは、基端１０８でガス分配装置１００に供給可能である。一組のアパーチャ１１０は、ＣＶＤ処理中に堆積ガスを送る為にガス分配装置面１０４で配置されている。
【００１０】
[0018]図２は、本発明の一実施形態に従うガス分配装置の横断面図である。この図は、単に一実施例であるので、本願の請求項の範囲を不当に限定するものではない。当業者は、他の変形例、変更例、代替例を認識するであろう。示されるように、本発明は、ガスを半導体処理チャンバ内に導入する為のガス分配装置を提供する。ガス分配装置２００は、あらゆる適した材料で形成可能であり、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ジルコニウム、石英、サファイヤ等が本実施例において可能であり、ガス分配装置２００は単体である。
【００１１】
[0019]ガス分配装置２００は、ガス偏向表面２０２と、ガス分配装置面２０４と、を有する。ガス偏向表面２０２は、チャンバ洗浄処理中に洗浄ガスの為の通路を与える。洗浄ガスは、ガス分配装置の直下に置かれた基板支持部材（図示せず）でなく、チャンバ壁に向けられる。ガス分配装置２００は、基部２０６でチャンバ壁に連結されている。ＣＶＤ処理中、堆積ガスは、基端２０８でガス分配装置２００に供給される。この堆積ガスは、アパーチャ２１０を出て、基板支持部材上の基板位置へと、ガス分配装置２００を通って流れる。
【００１２】
[0020]図２に図示されるように、アパーチャ２１０は、段部２１２（隆起表面）で、ガス分配装置面２０４上に配置されている。段部２１２は、所定の径を有するガス分配装置面２０４で、楕円レベル、より好ましくは、円形レベルを形成可能である。直径は、約０．０１インチから約３．００インチまでの範囲が可能である。段部２１２は、約０．６０インチから約０．７５インチまでの範囲で垂直の高さを有し、約９０度から約１５度までの範囲で傾斜を有することが可能である。段部２１２は、ガス分配装置２００のガス分配を改善する。特に、堆積ガスは、段部２１２の結果、基板支持部材の周辺の更なる外側まで分散可能である。段部２１２の傾斜を減少させると、ガスは外側に更に分散する。
【００１３】
[0021]特定の実施形態において、ガス分配装置２００は、４つ、６つ、８つ、又は、それ以上のアパーチャ２１０を有することが可能である。これらのアパーチャ２１０は、段部２１２の周辺に沿って均等に分布され、或いは、その特定部分に対し重要性が付加されている。アパーチャ２１０の位置および数は、基板上の堆積ガスの均一な分配を達成するように、特定用途の為に調整可能である。同様に、アパーチャ２１０の径も調整可能である。径は、約０．００５インチから約０．２５０インチの範囲が可能である。特定の実施形態において、アパーチャ２１０の径は、０．０６０インチになっている。
【００１４】
[0022]図３Ａ（側面図）と図３Ｂ（平面図）は、洗浄ガス通路３１４を備えた本発明の一実施形態に従うガス分配装置を図示する。洗浄ガス通路３１４は、チャンバ洗浄処理中に洗浄ガスの一部をガス分配装置３００を通ってガス分配装置面３０４まで通過させる。このように、ガス分配装置３０４は、容易に洗浄可能である。この特定の実施形態には、８つのガス通路３１４がある。しかし、他の実施形態において、洗浄ガス通路の数は、約５０通路まで可能である。各々の処理ガス流路３１４の径は、約０．０６から約０．２５インチまでにあり、ガス分配装置面２０４の効果的な洗浄を見越している。
【００１５】
[0023]図４Ａは、本発明の他の実施形態に従うガス分配装置４００の横断面図である。単体のガス分配装置４００は、ガス偏向表面４０２とガス分配装置面４０４を有する。ガス分配装置４００は、基部４０６でチャンバ壁に連結されている。ＣＶＤ処理中、堆積ガスは、基端４０８でガス分配装置４００に供給されている。この堆積ガスは、ガス分配装置４００を通り、アパーチャ４１０とフィード孔４１６を出て、基板支持部材（図示せず）上の基板位置に流れる。図４Ｂに図示されているように、アパーチャ４１０は、段部４１２でガス分配装置４０４に配置され、フィード孔４１６は、ガス分配装置４００の側端部に配置されている。フィード孔４１６は、基板の縁に増加堆積をまかない、均一な分配の為にアパーチャ４１０を補充する。フィード孔４１６とアパーチャ４１０の数、位置、周辺は、特定用途の為に調整可能である。一つの特定実施形態において、ガス分配装置４００は、８つのフィード孔４１６と４つのアパーチャ４１０を含む。他の実施形態において、ガス分配装置４００は、アパーチャ４１０を有することなく、フィード孔４１６を有することが可能である。あるいは、ガス分配装置４００は、フィード孔４１６を有することなく、アパーチャ４１０を含むことも可能である。
【００１６】
[0024]図５Ａ−図５Ｇは、本発明の更に他の実施形態に従うガス分配装置５００の様々な図を示す。ガス分配装置５００は、洗浄ガス通路５１４と、２つの段部（段部５１２（ａ）、段部５１２（ｂ））を含む。段部５１２（ａ）と段部５１２（ｂ）は、ガス分配装置面５０４で、各々が、一組のアパーチャを統合している。段部の数を増やすことにより、ガス分配の更なる調整を可能にし、均一性を改善する。段部５１２（ａ）に含まれたアパーチャの数と位置は、段部５１２（ｂ）と異なってもよい。たとえば、アパーチャ５１０（ａ）、５１０（ｂ）は、中心点５１８から放射方向に整列されていない。
【００１７】
[0025]図６は、本発明の実施形態に従う三段型ガス分配装置６００を図示する。ガス分配装置面６０４は、段部６１２（ａ）−（ｃ）を含み、各々は、それぞれ、一組のアパーチャ６１０（ａ）−（ｃ）を備える。三つの段部は、ガス分配の高度な改良の為に３つの制御領域を提供する。さらに、各アパーチャの長さが短いため、アパーチャ６１２の径は、高度な分配制御の為に減じられている。一つの特定実施形態において、ガス分配装置６００は、２つの単体プレナムである。本発明の他の実施形態は、４つ、５つ、６つ、又はそれ以上の段部を含んでもよいことに留意されたい。
【００１８】
[0026]図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の実施形態に従うガス分配装置段部の横断面図である。図７Ａにおいて、ガス分配装置の段部は、ガス分配装置面で、ネジ部とライザ部とを含む。ライザ部は、ネジ部に対して直角、又は、好ましくは角度７１０でもよい。角度７１０は、約９０度から約１８０度の範囲が可能である。特定の実施形態において、角度７１０は、約４５度である。ガス分配装置面上のアパーチャは、段部のライザ部に配置されている。アパーチャは、ライザ部に対し直角であるか、或いは、図７Ｂに描写されているように、角度７２０である。（ライザ部に対し直角に孔を有することにより、小さな振動で、より正確な孔の機械加工を行う）例えば、角度７２０は、約１５度から約１２０度までの範囲が可能である。
【００１９】
[0027]図８は、本発明の実施形態に従うガス分配装置８１１を有する典型的な処理チャンバシステムを図示する。図８は、一実施形態において、典型的なＨＤＰ−ＣＶＤシステム８１０の構造を概略的に図示する。システム８１０は、チャンバ８１３、真空システム８７０、ソースプラズマシステム８８０Ａ、バイアス型プラズマシステム８８０Ｂ、ガス送出システム８３３，リモートプラズマ洗浄システム８５０を含む。
【００２０】
[0028]チャンバ８１３の上部は、ドーム８１４を含み、ドーム８１４は、セラミック誘電材（酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、サファイヤ、ＳｉＣ、石英など）で形成されている。ヒータプレート８２３と冷却プレート８２４は、上にあり、両方とも熱的にドーム８１４に結合されている。ヒータプレート８２３と冷却プレート８２４は、約１００℃から２００℃の範囲にわたり±１０℃以内でドーム温度を制御する。ドーム８１４は、プラズマ領域８１６の上限を規定する。プラズマ処理領域８１６は、基板８１７と基板支持部材８１８の上部表面により底で制限されている。
【００２１】
[0029]チャンバ８１３の下部は、本体部材８２２を含み、本体部材８２２は、真空システムにチャンバを接合する。基板支持部材８１８のベース部材８２１は、本体部材８２２上に取り付けられ、本体部材８２２と共に連続した内部表面を形成する。基板は、ロボットブレード（図示せず）により、チャンバ８１３の側部の挿入／除去用開口（図示せず）を通して、チャンバ８１３の内外に移送される。リフトピン（図示せず）は、モータ（図示せず）の制御下で、上昇され、その後、下降され、基板を上部ローディング位置８５７におけるロボットブレードから、基板が基板支持部材８１８の基板受領部８１９上に置かれる下部処理位置８５６まで移動する。基板受容部８１９は、静電チャック８２０を含み、静電チャック８１９は、基板処理中、基板支持部材８１８に基板を固定する。好ましい実施形態において、基板支持部材８１８は、酸化アルミニウムまたはアルミニウム・セラミック材料から形成されている。
【００２２】
[0030]真空システム８７０は、スロットル本体８２５を含み、スロットル本体８２５は、ツインブレードスロットルバルブ８２６を収容し、ゲートバルブ８２７とターボ分子ポンプ８２８に付けられている。スロットル本体８２５は、ガス流に最小限の障害を提供するが、対称ポンピングを許容する点に留意されたい。ゲートバルブ８２７は、スロットル本体８２５からポンプ８２８を分離することができ、また、スロットルバルブ８２６が全開のとき、排気流量容積を制限することにより、チャンバ圧力を制御することができる。スロットルバルブ、ゲートバルブ、ターボ分子ポンプの配列により、約１ミリトールから約２トールの間でチャンバ圧力を正確かつ安定に制御することができる。
【００２３】
[0031]ガス送出システム８３３は、数個のソース８３４Ａ−８３４Ｅからガスをチャンバに供給し、（数個だけが図示された）ガス送出ライン８３８を介して基板を処理する。当業者により理解されるように、ソース８３４Ａ−８３４Ｅに対して使用される実際のソースと、チャンバ８１３に対する送出ライン８３８の実際の接続は、チャンバ８１３内で排出される洗浄処理と堆積に依存して変化する。ガスは、ガスリング８３７及び／又はガス分配装置８１１を通って導入される。
【００２４】
[0032]一実施形態において、第１ガスソース８３４Ａ、第２ガスソース８３４Ｂ、第１ガス流コントローラ８３５Ａ’、第２ガス流コントローラ８３５Ｂ’は、ガスリング８３７内のリングプレナムにガスを、ガス送出ライン８３８を介して供給する。ガスリング８３７は、ガスの一様な流れを基板上に供給する複数のソースガスノズル８３９（数個だけが図示）を有する。ノズル長とノズル角は、個々のチャンバ内部で特定処理の為に、ガス利用効率と均一プロファイルの調整を許容するように偏向されてもよい。好ましい実施形態において、ガスリング８３７は、１２個のソースガスノズルを有し、これらは、アルミナ・セラミックから形成されている。
【００２５】
[0033]ガスリング８３７も同様に、複数の酸化剤ガスノズル８４０（１個だけが図示）を有し、好ましい実施形態において、これらは、同一平面上にあり、ソースガスノズル８３９より短く、一実施形態では、本体プレナムからガスを受ける。幾つかの実施形態において、ガスをチャンバ８１３に噴射する前に、酸化剤ガスとソースガスを混合しないことが望ましい。他の実施形態では、酸化剤ガスとソースガスは、本体プレナムとガスリングプレナムの間にアパーチャ（図示せず）を設けることにより、チャンバ８１３内にガスを噴射する前に混合される。一実施形態において、第３ガスソース８３４Ｃ、第４ガスソース８３４Ｄ、第５ガスソース８３４Ｄ’、第３ガス流コントローラ８３５Ｃ、第４ガス流コントローラ８３５Ｄ１は、ガスをガス送出ライン８３８を介して本体プレナムに供給する。８４３Ｂのような追加バルブは、ガス流コントローラからチャンバへのガスを遮断してもよい。
【００２６】
[0034]可燃性、有毒性または腐食性ガスが使用される実施形態では、堆積後にガス送出ラインに残っているガスを排除することが望ましい場合がある。これは、例えば、送出ライン８３８Ａからチャンバを分離し真空前方ライン８４４に対する送出ライン８３８Ａを排出する為に、バルブ８４３Ｂのような三方向バルブを使用して達成可能である。図８で示すように、他の同様のバルブ（例えば８４３Ａ、８４３Ｃ）は、他のガス送出ラインに組み込まれてもよい。
【００２７】
[0035]図８を再度参照すると、チャンバ８１３も同様に、ガス分配装置８１１及び最上部ベント８４６を有する。ガス分配装置８１１と最上部ベント８４６は、ガスの最上部及び側部の流れの独立した制御を許容し、これが、膜の均一性を改善し、膜の堆積及びドーピングパラメータの細かい調整を許容する。最上部ベント８４６は、ガス分配装置８１１の周りの環状開口である。ガス分配装置８１１は、改善されたガス分配の為に本発明の実施形態に従う段部内に複数のアパーチャを含む。一実施形態において、第１ガスソース８３４Ａは、ソースガスノズル８３９とガス分配装置８１１を供給する。ソースノズルＭＦＣ８３５Ａ’は、ソースガスノズル８３９に送出されるガス量を制御し、最上部ノズルＭＦＣ８３５Ａは、ガス分配装置８１１に送出されるガス量を制御する。同様に、２つのＭＦＣ８３５Ｂ，８３５Ｂ１は、ソース８３４Ｂのような酸素の単一ソースから、最上部ベント８４６，酸化剤ガスノズル８４０の両方への酸素流を制御する為に使用されてもよい。ガス分配装置８１１と最上部ベント８４６に供給されるガスは、ガスをチャンバ８１３に流す前に分離して保たれてもよく、或いは、ガスはチャンバ８１３に流れる前に最上部プレナム８４８内で混合されてもよい。同一ガスの別個のソースは、チャンバの様々な部分を供給する為に使用されてもよい。
【００２８】
[0036]システム・コントローラ860は、システム810の操作を制御する。好ましい実施形態において、コントローラ８６０は、メモリ８６２（ハードディスクドライブ、フロッピィディスクドライブ（図示せず）、カードラック（図示せず）であって、プロセッサ８６１に結合されたもの）を含む。カードラックは、シングルボードコンピュータ（ＳＢＣ）（図示せず）、アナログ及びデジタル入力／出力ボード（図示せず）、インターフェースボード（図示せず）、ステッパモータコントローラ（図示せず）を含んでもよい。システム・コントローラは、ボード、カード保持器、コネクタの寸法及び型を規定するベルサモジュールヨーロッパ（「ＶＭＥ」）規格に準拠している。ＶＭＥ規格は、また、１６ビットデータバス及び２４ビットアドレスバスを有するようなバス構造も規定する。システム・コントローラ８６０は、ハードディスクドライブで保存されるコンピュータ・プログラムの制御の下で、或いは、他のコンピュータ・プログラム（取り外し可能なディスクで保存されたプログラムなど）を介して動作する。コンピュータ・プログラムは、たとえばタイミング、混合ガス、ＲＦパワーレベル、他の特定処理のパラメータを指図する。ユーザとシステム・コントローラとの間のインターフェースは、モニタ（例えばＣＲＴとライトペン）を介して存在する。
【００２９】
[0037]前述された装置の配列及び方法は、本発明の原理の例示的応用例にすぎず、他の多くの実施形態および変形例は、添付された請求項に規定される本発明の精神および範囲を逸脱することなく可能である。したがって、本発明の範囲は、前述された説明を参照することなく決定されるものであり、均等な十分な範囲に沿って添付された請求項を参照して決定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】[0008]図１は、以前に既知のガス分配装置の横断面図である。
【図２】[0009]図２は、本発明の一実施形態に従うガス分配装置の横断面図である。
【図３Ａ】[0010]図３Ａは、洗浄ガス通路を備えた本発明の一実施形態に従うガス分配装置を図示する。
【図３Ｂ】図３Ａは、洗浄ガス通路を備えた本発明の一実施形態に従うガス分配装置を図示する。
【図４Ａ】[0011]図４Ａは、本発明の他の実施形態に従うガス分配装置を示す横断面図である。
【図４Ｂ】[0011]図４Ｂは、本発明の他の実施形態に従うガス分配装置を示す横断面図である。
【図５Ａ】[0012]図５Ａは、本発明の更なる他の実施形態に従うガス分配装置の図を示す。
【図５Ｂ】[0012]図５Ｂは、本発明の更なる他の実施形態に従うガス分配装置の図を示す。
【図５Ｃ】[0012]図５Ｃは、本発明の更なる他の実施形態に従うガス分配装置の図を示す。
【図５Ｄ】[0012]図５Ｄは、本発明の更なる他の実施形態に従うガス分配装置の図を示す。
【図５Ｅ】[0012]図５Ｅは、本発明の更なる他の実施形態に従うガス分配装置の図を示す。
【図５Ｆ】[0012]図５Ｆは、本発明の更なる他の実施形態に従うガス分配装置の図を示す。
【図５Ｇ】[0012]図５Ｇは、本発明の更なる他の実施形態に従うガス分配装置の図を示す。
【図６】[0013]図６は、本発明の実施形態に従う３段型ガス分配装置を図示する。
【図７Ａ】[0014]図７Ａは、本発明の実施形態に従うガス分配装置の段部の横断面図である。
【図７Ｂ】[0014]図７Ｂは、本発明の実施形態に従うガス分配装置の段部の横断面図である。
【図８】[0015]図８は、本発明の一実施形態に従うガス分配装置を有する典型的処理チャンバを示す。
【符号の説明】
【００３１】
１００…ガス分配装置、１０２…ガス偏向表面、外形面、１０４…ガス分配装置面、１０６…基部、１０８…基端、１１０…アパーチャ、２００…ガス分配装置、２０２…ガス偏向表面、２０４…ガス分配装置面、２０６…基部、２０８…基端、２１０…アパーチャ、２１２…段部、３００…ガス分配装置、３０４…ガス分配装置、３１４…ガス通路、４００…ガス分配装置、４０２…ガス偏向表面、４０４…ガス分配装置面、４０６…基部、４０８…基端、４１０…アパーチャ、４１２…段部、４１６…フィード孔、５００…ガス分配装置、５０４…ガス分配装置面、５１０…アパーチャ、５１２…段部、５１４…洗浄ガス通路、５１８…中心点、６００…ガス分配装置、６０４…ガス分配装置面、６１０…アパーチャ、６１２…段部、７１０…角度、７２０…角度、８１０…ＨＤＰ−ＣＶＤシステム、８１１…ガス分配装置、８１３…チャンバ、８１４…ドーム、８１６…プラズマ領域、８１７…基板、８１８…基板支持部材、８１９…基板受領部、８２０…静電チャック、８２１…ベース部材、８２２…本体部材、８２３…ヒータプレート、８２４…冷却プレート、８２５…スロットル本体、８２６…ツインブレードスロットルバルブ、８２７…ゲートバルブ、８２８…ターボ分子ポンプ、８３３…ガス送出システム、８３４Ａ−Ｅ…ソース、８３５Ａ’−Ｂ’…ガス流コントローラ、８３７…ガスリング、８３８…送出ライン、８３９…ソースガスノズル、８４０…酸化剤ガスノズル、８４３…追加バルブ、８４４…真空前方ライン、８４４Ａ−Ｂ…ガスソース、８４６…最上部ベント、８４８…最上部プレナム、８５０…リモートプラズマ洗浄システム、８５６…下部処理位置、８５７…上部ローディング位置、８６０…システム・コントローラ、８６１…プロセッサ、８６２…メモリ、８７０…真空システム、８８０Ａ…ソースプラズマシステム、８８０Ｂ…バイアス型プラズマシステム
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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