(57)【要約】  それぞれ１つの放射線取出し面（５）を有する、放射線を発する複数の半導体チップ（２）を備えたＬＥＤアレイであって、半導体チップ（２）により発せられた放射線（４）が、主として放射線取出し面（５）を通じて取り出されるようになっており、さらに、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明なカバー体（８）が設けられている形式のものにおいて、透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）の放射線取出し面（５）に面した側の表面に、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明な導電性の材料から成る１つまたは複数の導体路（９，１０）を有しており、半導体チップ（２）が、放射線取出し面（５）にそれぞれ少なくとも１つの電気的なコンタクト（７）を有しており、該電気的なコンタクト（７）が、前記１つの導体路（９，１０）または前記複数の導体路（９，１０）のうちの少なくとも１つの導体路に接続されている。少なくとも１つのルミネッセンス変換物質が、透明なカバー体（８）に含まれており、かつ／または層（１１）の形でカバー体（８）および／または半導体チップ（２）に被着されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ１つの放射線取出し面（５）を有する、放射線を発する複数の半導体チップ（２）を備えたＬＥＤアレイであって、半導体チップ（２）により発せられた放射線（４）が、主として放射線取出し面（５）を通じて取り出されるようになっており、さらに、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明なカバー体（８）が設けられている形式のものにおいて、
−透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）の放射線取出し面（５）に面した側の表面に、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明な導電性の材料から成る１つまたは複数の導体路（９，１０）を有しており、半導体チップ（２）が、放射線取出し面（５）にそれぞれ少なくとも１つの電気的なコンタクト（７）を有しており、該電気的なコンタクト（７）が、前記１つの導体路（９，１０）または前記複数の導体路（９，１０）のうちの少なくとも１つの導体路に接続されており、
−少なくとも１つのルミネッセンス変換物質が、透明なカバー体（８）に含まれており、かつ／または層（１１）の形でカバー体（８）および／または半導体チップ（２）に被着されている
ことを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項２】
透明な導電性の材料が、透明な導電性の酸化物である、請求項１記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３】
透明な導電性の酸化物がＩＴＯである、請求項２記載のＬＥＤアレイ。
【請求項４】
カバー体がカバープレート（８）である、請求項１から３までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項５】
カバープレート（８）が、１００μｍまたはそれよりも小さい厚さ、有利には５０μｍまたはそれよりも小さい厚さを有している、請求項４記載のＬＥＤアレイ。
【請求項６】
カバー体（８）がガラスから形成されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項７】
電気的なコンタクト（７）が、はんだまたは導電性の接着剤から形成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項８】
半導体チップ（２）が、放射線取出し面（５）とは反対の側の底面（６）を有しており、該底面（６）によって半導体チップ（２）が支持体（１）に搭載されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項９】
当該ＬＥＤアレイが、放射線を発する少なくとも４つの半導体チップ（２）を有している、請求項１から８までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項１０】
当該ＬＥＤアレイが、半導体チップ（２）から発せられた放射線（４）のビーム成形のための少なくとも１つの光学素子（１２）を有している、請求項１から９までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項１１】
前記光学素子（１２）と放射線取出し面（５）との間の間隔が３００μｍまたはそれよりも小さい、請求項１０記載のＬＥＤアレイ。
【請求項１２】
前記光学素子（１２）が、ＣＰＣ−、ＣＥＣ−またはＣＨＣ−状の光学的な集光器である、請求項１１または１２記載のＬＥＤアレイ。
【請求項１３】
カバー体（８）が光学素子として形成されている、請求項１から１２までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項１４】
カバー体（８）がカバーシートである、請求項１から１２までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項１５】
半導体チップ（２）が、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を含有している、請求項１から１４までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【請求項１６】
半導体チップ（２）が薄膜型の発光ダイオードチップである、請求項１から１５までのいずれか１項記載のＬＥＤアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念部に記載の形式のＬＥＤアレイ、つまりそれぞれ１つの放射線取出し面を有する、放射線を発する複数の半導体チップを備えたＬＥＤアレイであって、半導体チップにより発せられた放射線が、主として放射線取出し面を通じて取り出されるようになっており、さらに、発せられた放射線に対して透過性の透明なカバー体が設けられている形式のものに関する。
【０００２】
本出願はドイツ連邦共和国特許出願第１０２００５００９０５９．１号明細書およびドイツ連邦共和国特許出願第１０２００５０１９３７５．７号明細書の優先権を主張するものである。
【０００３】
ＬＥＤアレイは高い効率、高い寿命、迅速な応答時間および衝撃や振動に対する比較的小さな敏感性によりすぐれている。この理由からＬＥＤアレイは、従来ではしばしば白熱ランプが使用されていた照明装置、特に自動車ヘッドライト、読書用ランプまたはポケットランプにおいて使用され得る。ＬＥＤアレイはその高い光度に基づき、最近では交通信号設備または投影光源における使用のためにも適している。
【０００４】
このような照明目的のために使用されるＬＥＤアレイでは、できるだけ高い照明密度を得るために、ＬＥＤチップが一般に高い作動電流によって作動させられる。たとえば、１Ａまたはそれ以上の作動電流が生じ得る。半導体チップの電気的なコンタクティング部がこのように高い電流強さに永続的に耐え得るようにするためには、高出力−ＬＥＤモジュールにおける半導体チップをコンタクティングするために典型的には、３０μｍまたはそれ以上の直径を有するボンディングワイヤが使用される。しかし、このような比較的太いボンディングワイヤの使用により、ＬＥＤによって発せられた放射線の一部がボンディングワイヤによって陰影付けされてしまう恐れがある。さらに、半導体チップの表面のすぐ上に光学素子を搭載することがボンディングワイヤによって困難にされてしまう。なぜならば、ボンディングワイヤの曲率半径を、ひいてはボンディングワイヤにより要求される、チップ表面上でのスペースを任意に小さくすることができないからである。
【０００５】
特に投影光源におけるＬＥＤアレイの使用時では、できるだけ狭い立体角範囲への光線放射が要求される。しかしＬＥＤは一般に比較的広幅の放射角度範囲を有しているので、このためには光学素子が必要となる。この場合、コンパクトな構造を達成しかつ半導体チップから発せられた放射線のできるだけ大きな割合を利用し得るようにするために、光学素子を半導体チップにできるだけ密接させることが望まれる。しかし、このことはボンディングワイヤとのコンタクティング部により困難にされる。
【０００６】
国際公開第９８／１２７５７号パンフレットに基づき、慣用の形式でボンディングワイヤとコンタクティングされている光電子的な半導体チップを、ルミネッセンス変換物質（Lumineszenz-Konversionsstoffe）を含有する封止用の流込み材料内に埋め込み、これにより半導体チップにより発せられた放射線の少なくとも一部を、より大きな波長へ向かって変換することが知られている。こうして、たとえば青色光線または紫外光線を発する１つの半導体チップを用いて、混色または白色の光線を発生させることができる。しかし、比較的高い電流強さによって作動させられるＬＥＤアレイの場合、半導体チップを封止用の流込み材料中に埋め込むことは問題となる。なぜならば、この流込み材料が半導体チップからの熱導出を困難にしてしまうからである。
【０００７】
さらに、国際公開第９７／５０１３２号パンフレットには、ルミネッセンス変換層をＬＥＤハウジングのカバープレートに被着させることが記載されている。この場合、ＬＥＤハウジング内には、慣用の形式でボンディングワイヤとコンタクティングされたＬＥＤチップが位置決めされている。
【０００８】
ドイツ連邦共和国特許第１９６０３４４４号明細書に記載されているＬＥＤ装置では、ＬＥＤが、透明なプレートに被着されている金属製の導体路によってコンタクティングされている。このようなコンタクティング形式の場合、ＬＥＤにより発せられた放射線の一部が金属製の導体路内に吸収される。
【０００９】
本発明の根底を成す課題は、半導体チップにより発せられた放射線の陰影付けが少ないこと、そして半導体チップ表面のすぐ上での光学素子の位置決めを可能にする有利には薄いフラットな構造によりすぐれている、改善された電気的なコンタクティング部を備えたＬＥＤアレイを提供することである。さらに、半導体チップにより発せられた放射線のルミネッセンス変換が、半導体チップに対して比較的小さな間隔を置いて行われることが望まれる。
【００１０】
この課題は、請求項１の特徴部に記載の特徴により解決される。本発明の有利な構成および改良形は請求項２以下に記載されている。
【００１１】
本発明の構成では、それぞれ１つの放射線取出し面を有する、放射線を発する複数の半導体チップを備えたＬＥＤアレイであって、半導体チップにより発せられた放射線が、主として放射線取出し面を通じて取り出されるようになっており、さらに、発せられた放射線に対して透過性の透明なカバー体が設けられている形式のものにおいて、透明なカバー体が、半導体チップの放射線取出し面に面した側の表面に、発せられた放射線に対して透過性の透明な導電性の材料から成る１つまたは複数の導体路を有しており、半導体チップが、放射線取出し面にそれぞれ少なくとも１つの電気的なコンタクトを有しており、該電気的なコンタクトが、前記１つの導体路または前記複数の導体路のうちの少なくとも１つの導体路に接続されている。
【００１２】
カバー体に被着された少なくとも１つの透明な導体路によって半導体チップをコンタクティングすることにより、半導体チップ上での光学素子の搭載を困難にしかつ／または半導体チップにより発せられた放射線の一部に陰影を付けてしまうボンディングワイヤが必要とならなくなるので有利である。発せられた放射線に対して透過性の透明な導体路の使用には、次のような利点がある。すなわち、導体路の寸法、特に厚さおよび幅を、放射線を発する半導体チップの陰影付けが行われることなしに、導体路が高い電流強さ、たとえば１Ａまたはそれよりも高い電流強さに対して耐性を有するように寸法設定することができる。特に、ＬＥＤアレイの作動時に著しい吸収損失が生じることなしに、１つまたは複数の透明な導体路を、カバー体の、半導体チップにより発せられた放射線が通過する範囲に被着させることが可能となる。このことは特に、１つのＬＥＤアレイ内で、放射線を発する多数の半導体チップを直列接続または並列接続の形で配線することを容易にする。
【００１３】
透明な導電性の材料は有利には透明な導電性の酸化物である。特に、透明な導電性の酸化物は酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）であってよい。
【００１４】
さらに、本発明によるＬＥＤアレイでは、半導体チップにより発せられた放射線の少なくとも一部が、より大きな波長へ向かって波長変換されるようになっている。このためには、カバー体内に少なくとも１種のルミネッセンス変換物質（蛍光体）が含まれており、かつ／または１つの層の形でカバー体および／または半導体チップに被着されていると有利である。こうして、たとえば紫外放射線または青色放射線を発する半導体チップを用いて白色光線を発生させることができる。適当なルミネッセンス変換物質、たとえばＹＡＧ：ＣＥ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋）は国際公開第９８／１２７５７号パンフレットに基づき公知である。
【００１５】
半導体チップの電気的なコンタクトは、はんだまたは導電性の接着剤によって、カバー体に被着された少なくとも１つの導体路に結合されていると有利である。はんだまたは導電性の接着剤は、たとえば点状または任意の構造で、半導体チップの放射線取出し面に被着されていてよい。
【００１６】
カバー体はカバープレートであると有利である。有利にはカバープレートの厚さは１００μｍまたはそれよりも小さく、特に有利には５０μｍまたはそれよりも小さい。本発明の別の有利な構成では、カバー体が透明なカバーシートである。
【００１７】
カバー体には、半導体チップから見てビーム成形性の１つまたは複数の光学素子を後置させることができる。この光学素子は、半導体チップの、放射線が取り出される放射線取出し面に対して比較的小さな間隔しか有していないと有利である。特に有利には、少なくとも１つの光学素子が半導体チップの放射線取出し面に対して３００μｍまたはそれよりも小さい間隔を置いて配置されている。
【００１８】
さらに別の有利な構成では、カバー体自体が、ビーム成形性の光学素子として形成されている。特に、カバー体の、半導体チップとは反対の側の表面が、屈折性の光学素子として、特にレンズの形に成形されているか、または構造化されていてよい。
【００１９】
ビーム成形性の光学素子は、半導体チップに面した側の光線入射開口と、該光線入射開口とは反対の側の光線出射開口とを備えた中空体であると有利である。この場合、１つまたは複数の半導体チップにより発せられた放射線の少なくとも一部が前記中空体の壁で光線出射開口へ向かって反射される。
【００２０】
半導体チップにより発せられた放射線の発散が、ビーム成形性の光学素子によって低減されると有利である。ビーム成形性の光学素子の有利な１構成は、中空体の横断面が光線入射開口から、反対の側に位置する光線出射開口に向かって拡大していることにある。さらに、中空体は、放射線を発する半導体チップの主ビーム方向に対して平行である１つの対称軸線を有していてよい。
【００２１】
ビーム成形性の光学素子は、たとえば封止用の流込み材料で充填された中空体であってよい。この流込み材料は、ＵＶ安定性の材料、たとえばシリコーンであると有利である。
【００２２】
所望の光学的な機能性を実現するために、中空体の壁が湾曲もしくは曲率を有していると有利である。特に、中空体の壁は非球面状に、たとえば放物線状、楕円状または双曲線状に湾曲させられていてよい。
【００２３】
ビーム成形性の光学素子は、たとえばＣＰＣ−、ＣＥＣ−またはＣＨＣ−状の光学的な集光器として形成されている。以下において「集光器」とは、反射性の側面が少なくとも部分的にかつ／または少なくとも十分に、複合放物面型集光器（Compound Prabolic Concentrator, CPC）、複合楕円型集光器（Compound Elliptic Concentrator, CEC）または複合双曲型線型集光器（Compound Hyperbolic Concentrator, CHC）の形を有するような集光器を意味している。この場合、カバー体の、半導体チップに面した側の表面が実際の集光器出口となるので、放射線は、フォーカッシング（収束）のための集光器の汎用的な使用に比べて逆の方向で集光器を通過するので、放射線は集光されるのではなく、減じられた発散を持って反対の側の表面を通じてカバー体から出射する。
【００２４】
カバー体は、半導体チップの半導体材料の熱膨張率とほぼ一致している熱膨張率を有する材料から形成されていると有利である。これにより、温度変化に基づいて半導体チップとカバー体との間に生ぜしめられる機械的な応力が減じられると有利である。さもないと、このような機械的な応力は結合の損傷またはそれどころか破壊を招く恐れがある。
【００２５】
本発明のさらに別の有利な構成では、カバー体がガラス、特に有利にはホウケイ酸ガラスから形成されている。
【００２６】
ルミネッセンス変換の効率に関しては、カバ―体が、半導体チップの、放射線取出しのために設けられた放射線取出し面に対して比較的小さな間隔を有していると特に有利である。カバー体は、はんだまたは導電性の接着剤によってのみ半導体チップから間隔を置いて配置されていると有利である。特にカバー体は部分的またはそれどころか全体的に半導体チップの放射線取出し面に載置されていてよい。さらに、半導体チップとカバープレートとの間の間隙をシリコーンで満たし、これにより特に半導体チップと周辺媒体との間の屈折率ジャンプ、つまり屈折率の急激な変化を減少させ、ひいては半導体チップからの放射線の取出しを改善することも可能である。
【００２７】
半導体チップはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料、特にＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＰまたはＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＡｓを含有していると有利である。ただし、この場合、それぞれ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１およびｘ＋ｙ≦１である。この場合、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料は必ずしも上記式のうちの１つに基づいた数学的に正確な組成を有している必要はない。それどころか、このＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料は１種または数種のドーピング物質ならびに材料の物理的な特性をほとんど変化させない付加的な成分を有していてよい。しかし、簡単にするために上記式は結晶格子の主要成分しか含んでいないが、これらの成分は少量の別の物質によって部分的に代えられていてもよい。
【００２８】
半導体チップは放射線取出し面とは反対の側の基面もしくは底面を有していて、この基面もしくは底面によって半導体チップが支持体に搭載されていると有利である。ＬＥＤアレイの半導体チップが１つの共通の支持体に搭載されていると特に有利である。支持体は金属セラミックス、たとえばＡｌＮから製作されていると有利である。
【００２９】
半導体チップは「薄膜型の発光ダイオードチップ」であると特に有利である。このような薄膜型の発光ダイオードチップでは、機能性の半導体層列がまず成長基板上にエピタキシャル成長され、そして引き続き半導体層列の、成長基板とは反対の側の表面に新しい支持体が被着され、その後に成長基板が分離されている。このことには特に、成長基板を再使用することができるという利点がある。
【００３０】
薄膜型の発光ダイオードチップは特に以下に挙げる特徴的な特徴によりすぐれている：−放射線を発生させるエピタキシ層列の、支持体に向けられた第１の主面に反射性の層が被着または形成されており、この反射性の層はエピタキシ層列内で形成された電磁的な放射線の少なくとも一部を当該エピタキシ層列へ再反射させる；
−エピタキシ層列は２０μｍ以下の範囲、特に１０μｍの範囲の厚さを有している；
−エピタキシ層列は、理想的にはエピタキシャルなエピタキシ層列における光線のほぼエルゴード的（ergodisch）な分配をもたらす混合構造を有する少なくとも１つの面を備えた少なくとも１つの半導体層を有している。すなわち、エピタキシ層列はできるだけエルゴード的に確率的な散乱特性を有している。
【００３１】
薄膜型の発光ダイオードチップの基本原理は、たとえばシュニッツァ（I. Schnitzer）他著「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６３（１６）」１９９３年１０月１８日、第２１７４頁〜第２１７６頁に記載されている。
【００３２】
薄膜型の発光ダイオードチップは良好な近似では、ランベルトの表面放射器（Lambert’scher Oberflaechenstrahler）であり、このことからヘッドライトにおける使用のために特に好適である。
【００３３】
本発明のさらに別の有利な構成では、ＬＥＤアレイが、放射線を発する少なくとも４つの半導体チップを有している。これらの半導体チップは前記少なくとも１つの導体路と互いに配線されていると有利である。当該ＬＥＤアレイの場合、たとえば複数の半導体チップが前記少なくとも１つの導体路によって直列接続または並列接続の形で互いに接続されている。
【００３４】
本発明によるＬＥＤアレイは、たとえば照明装置の一部、特に自動車ヘッドライトの一部または投影光源の一部であってよい。
【００３５】
以下に、本発明の実施例を図１および図２につき詳しく説明する。
【００３６】
図１は、本発明によるＬＥＤアレイの実施例を概略的に示す横断面図であり、
図２は、本発明によるＬＥＤアレイの図１に示した実施例の平面図である。
【００３７】
図面中、同一の構成要素または同一作用を有する構成要素は同じ符号で示されている。
【００３８】
図１にＩ−Ｉ線に沿った横断面図で、図２に平面図でそれぞれ図示された、本発明によるＬＥＤアレイの１実施例では、放射線を発する４つの半導体チップ２が１つの共通の支持体１に搭載されている。
【００３９】
半導体チップ２は活性ゾーン３を有している。この活性ゾーン３は有利にはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料、特にＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＰまたはＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＡｓを含有しており、ただし０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１およびｘ＋ｙ≦１である。活性ゾーン３はシングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として形成されていてよい。「量子井戸構造（Quantentopfstruktur）」は本出願の枠内では、電荷キャリヤが閉込め（confinement）により、そのエネルギ状態の量子化を受けるあらゆる構造を包含する。特に「量子井戸構造」という用語は量子化の次元数（Dimensionalitaet）に関する情報を含まない。したがって、「量子井戸構造」はとりわけ一次元量子井、量子ワイヤおよび量子ドットならびにこれらの構造のあらゆる組合せを包含する。
【００４０】
半導体チップ２により発せられた放射線４はそれぞれ主として、半導体チップ２の底面６とは反対の側に位置する放射線取出し面（Strahlungsauskoppelflaeche）５によって取り出される。この場合、半導体チップ２は底面６によって共通の支持体１に搭載されている。
【００４１】
半導体チップ２の放射線取出し面５は、それぞれ少なくとも１つの電気的なコンタクト７を有している。この電気的なコンタクト７は、たとえばはんだまたは導電性の接着剤から形成されている。電気的なコンタクト７によって、半導体チップ２はそれぞれ少なくとも１つの導体路９，１０に導電接続されており、この導体路９，１０はカバー体８の、半導体チップ２に面した側の表面に被着されている。
【００４２】
半導体チップ２は底面６に、たとえばそれぞれ１つの別の電気的なコンタクトを有している。択一的には、半導体チップ２が放射線取出し面５にｎ−コンタクトをもｐ−コンタクトをも有していてよい。
【００４３】
導体路９，１０は透明な導電性材料、特に透明な導電性の酸化物、たとえばＩＴＯから形成されている。このことには、半導体チップ２がその主放射方向において導体路９，１０を通じて放射線４を発した場合でも、導体路９，１０における、発せられた放射線４の著しい吸収が行われないという利点がある。このことは特に、多数の半導体チップ２、たとえば４つまたはそれ以上の半導体チップ２が１つのＬＥＤアレイに配置されている場合に導体路の案内を容易にする。
【００４４】
半導体チップにより発せられた放射線４に対して透過性の透明なカバー体８は有利にはガラス、特に有利にはホウケイ酸ガラスから形成されている。たとえば、カバー体８はガラスプレートである。択一的にはカバー体８は、有利には高い耐ＵＶ性を有する透明なプラスチックから形成されていてもよい。特にカバー体はカバーシートであってよい。特にカバー体はカバーシートであってよい。カバー体８は導体路９，１０の支持体としての機能の他に、有利には汚れまたは湿分に対して半導体チップ２を保護する機能をも有している。
【００４５】
カバー体８には、半導体チップ２により発せられた放射線４の少なくとも一部を、より大きな波長へ向かって変換するためにルミネッセンス変換物質が添加されていると有利である。たとえばルミネッセンス変換物質は、半導体チップ２により発せられた紫外放射線および／または青色放射線を、相補的なスペクトル範囲、特に黄色のスペクトル範囲へ変換し、これにより白色および混色の光線を発生させるルミネッセンス変換物質である。ルミネッセンス変換物質は一方では、カバー体８を形成する材料に添加されていてよい。さらに、半導体チップ２により主ビーム方向に発せられた放射線４によって透過されるカバー体８の表面に、ルミネッセンス変換物質を含有する層１１が被着されていることも考えられる。たとえば、ルミネッセンス変換物質を含有する層１１が、カバー体８の、導体路９，１０とは反対の側の表面に被着されていてよい。択一的には、ルミネッセンス変換物質を含有する層が、カバー体８の、半導体チップ２に面した側の表面に被着されていることも可能である。さらに、ルミネッセンス変換物質を含有する層が、半導体チップ２の放射線取出し面５に被着されていてよい。
【００４６】
カバー体８には、半導体チップ２から見て有利には１つまたは複数の光学素子１２が後置されていてよい。この光学素子１２は、半導体チップ２により発せられた放射線４のビーム案内および／またはビーム成形のために働く。半導体チップ２により発せられた放射線４の発散を減少させる光学素子１２が設けられていてよい。たとえば、光学素子１２はＣＰＣ−、ＣＥＣ−またはＣＨＣ−状の光学的な集光器であってよく、この集光器は有利にはカバープレート８の極めて近傍に配置されているか、またはそれどころかカバープレート８自体に装着されている。
【００４７】
図１および図２に示した実施例に対して択一的に、カバー体自体が光学素子として形成されていることも可能となる。
【００４８】
たとえばこのためには、カバー体８の、半導体チップ２とは反対の側の表面が、屈折型または回折型の光学素子として形成される。特に、カバー体８の、半導体チップ２とは反対の側の表面がレンズ状に外方へ向かって湾曲されていてよい。さらに、カバー体８の側面も、湾曲された形状を有していて、かつ／または半導体チップ２により発せられた放射線４の主ビーム方向に対して斜めに延びていてよい。
【００４９】
本発明は、上で説明した実施例に限定されるものではない。それどころか、本発明はあらゆる新しい特徴ならびにあらゆる特徴組合せをも包含しており、このことは、特に当該特徴または当該組合せ自体が特許請求の範囲または実施例に明記されていなくとも、特許請求の範囲における特徴のあらゆる組合せを含んでいる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明によるＬＥＤアレイの実施例を概略的に示す横断面図である。
【図２】本発明によるＬＥＤアレイの図１に示した実施例の平面図である。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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