(57)【要約】  本発明は、ケーシング本体（１）であって、上面（２）と、上面（２）とは反対側の下面（２２）と、上面（２）と下面（２２）とを結合する、取付面（１）として設けられた側面とを備えており、ケーシング本体（１）が、複数の層（８）を備えており、これらの層（８）が、セラミック材料を含有しており、層（２３，２４，２５）の主延伸方向が、取付面（１９）に対して横向きに延びている。さらに本発明は、ケーシング本体（１）を製造する方法である。
2008546192.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーシング本体（１）であって、
上面（２）と、該上面（２）とは反対側の下面（２２）と、上面（２）と下面（２２）とを結合する、取付面（１９）として設けられた側面とを備えている形式のものにおいて、
当該ケーシング本体（１）が、複数の層（８）を備えており、これらの層（８）が、セラミック材料を含有しており、層（２３，２４，２５）の主延伸方向が、取付面（１９）に対して横向きに延びていることを特徴とする、ケーシング本体。
【請求項２】
セラミック材料が、ＵＶ硬化性である、請求項１記載のケーシング本体。
【請求項３】
セラミック材料が、Ａｌ2Ｏ3である、請求項１または２記載のケーシング本体。
【請求項４】
セラミック材料が、ＡｌＮである、請求項１または２記載のケーシング本体。
【請求項５】
当該ケーシング本体（１）が、導電性のチップ接続領域を備えている、請求項１から４までのいずれか１項記載のケーシング本体。
【請求項６】
第1のチップ接続領域が、ワイヤ接続フィールド（３０）である、請求項５記載のケーシング本体。
【請求項７】
第２のチップ接続領域が、チップフィールド（７）である、請求項６記載のケーシング本体。
【請求項８】
導電性の第１のチップ接続領域が、第１の層（２４）に配置されている、請求項６または７記載のケーシング本体。
【請求項９】
導電性の第２のチップ接続領域が、第２の層（２５）に配置されている、請求項７または請求項７を引用する請求項記載のケーシング本体。
【請求項１０】
当該ケーシング本体が、スルーコンタクト（３）を備えており、該スルーコンタクト（３）が、上面（２）から下面（２２）に延びている、請求項１から９までのいずれか１項記載のケーシング本体。
【請求項１１】
スルーコンタクト（３）が、半管状または半円筒状に形成されている、請求項１０記載のケーシング本体。
【請求項１２】
スルーコンタクト（３）が、取付面（１９）に沿って延びている、請求項１０または１１記載のケーシング本体。
【請求項１３】
スルーコンタクト（３）が、上面（２）および／または下面（２２）で、金属部分（４）によって包囲されている、請求項１０から１２までのいずれか１項記載のケーシング本体。
【請求項１４】
金属化部（４）が、アーチ状に形成されている、請求項１３記載のケーシング本体。
【請求項１５】
当該ケーシング本体（１）が、上面（２）に、切欠（６）を備えている、請求項１から１４までのいずれか１項記載のケーシング本体。
【請求項１６】
切欠（６）が、取付面（１９）よりも、該取付面（１９）とは反対側の側面（２９）の近くに配置されている、請求項１５記載のケーシング本体。
【請求項１７】
切欠（６）が、リフレクタとして形成されている、請求項１５または１６記載のケーシング本体。
【請求項１８】
当該ケーシング本体（１）の高さ（２１）と厚さ（２０）との比が、１：１から２：１までの間である、請求項１から１７までのいずれか１項記載のケーシング本体。
【請求項１９】
請求項１５から１８までのいずれか１項記載のケーシング本体（１）を備えた側方放出素子（３１）において、
少なくとも１つの半導体チップ（１３）が、切欠（６）に配置されていることを特徴とする、側方放出素子。
【請求項２０】
請求項１５から１８までのいずれか１項記載のケーシング本体（１）を備えた側方放出素子（３１）において、
少なくとも２つの半導体チップ（１３）が、切欠（６）に配置されており、これらの半導体チップ（１３）が、異なる波長の放射を放出するようになっていることを特徴とする、側方放出素子。
【請求項２１】
単数または複数の半導体チップ（１３）が、被覆材料で被覆されている、請求項１９または２０記載の側方放出素子。
【請求項２２】
単数または複数の半導体チップ（１３）に、光学素子が後置されている、請求項１９から２１までのいずれか１項記載の側方放出素子。
【請求項２３】
配線基板（１７）に取り付けられている、請求項１９から２２までのいずれか１項記載の側方放出素子。
【請求項２４】
配線基板（１７）と、導電接続および／または熱伝達接続されている、請求項２３記載の側方放出素子。
【請求項２５】
ケーシング本体（１）を製造する方法であって、
該ケーシング本体（１）が、上面（２）と、該上面（２）とは反対側の下面（２２）と、上面（２）と下面（２２）とを結合する、取付面（１９）として設けられた側面とを備えており、ケーシング本体（１）が、複数の層（８）を備えており、これらの層（８）が、セラミック材料を含有しており、これらの層の主延伸方向が、取付面（１９）に対して横向きに延びている方式のものにおいて、
基板（２７）を複数のケーシング本体（１）に個別化して、ケーシング本体（１）を製造することを特徴とする、ケーシング本体（１）を製造する方法。
【請求項２６】
基板（２７）が、セラミック積層（８）を備え、かつケーシング本体（１）の上面（２）に相当する上面に、有利には均等に配置された複数の切欠（６）を備えるようにし、
隣接する２つの切欠（６）の間に、上面（２）から下面（２２）に延びるスルーコンタクト（３）を配置し、
スルーコンタクト（３）が非対称的に分離されるように、基板（２７）を複数のケーシング本体に個別化する、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
スルーコンタクト（３）を鋸引きして分離する、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
分離前に、切欠（６）に、放射を形成する少なくとも１つの半導体チップ（１３）を配置する、請求項２６または２７記載の方法。
【請求項２９】
スルーコンタクト（３）が配線基板（１７）の導体路によってコンタクトされるように、ケーシング本体（１）を、配線基板（２７）上に配置する、請求項２６から２８までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケーシング本体およびケーシング本体の製造方法に関する。
【０００２】
このようなケーシング本体は、側方の放射に基づいて、側方放出素子（いわゆるサイドルッカ；sideloocker）と呼ばれる素子に用いることができる。側方放出素子は、様々な形式で製造することができる。側方放出素子は、たとえば導体フレーム（リードフレーム）のベースに製造することができる。
【０００３】
欧州特許出願公開第０４００１７５号明細書から、サイドルッカが公知であり、サイドルッカは、電気接続部を有するリードフレームとして、金属製の支持体を備えており、ここでは半導体チップは、接続部の１つに取り付けられている。半導体チップおよび接続部の構成部分は、半導体の取付後に、プラスチック、たとえば熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂による射出成型で包囲され、この場合プラスチックは、サイドルッカのケーシングを成す。サイドルッカは、赤外線または可視光線を送信し、かつ／または受信することができる。
【０００４】
このようなプラスチック材料を含有するケーシングを備えた側方放出素子では、約５００ｎｍを下回る波長の放射で、ケーシングの劣化もしくは材料疲労の生じる恐れがある。これによって素子の動作期間が大幅に短縮する恐れがある。
【０００５】
本発明の課題は、特に高い耐用期間を有するケーシング本体を提供することである。特に５００ｎｍを下回る比較的短い波長でも、ケーシング本体の劣化を回避するのが望ましい。この課題は、請求項１記載のケーシング本体によって解決される。
【０００６】
本発明の別の課題は、特に５００ｎｍを下回る比較的短い波長でも劣化しにくい、比較的高い耐用期間を有する側方放出素子を提供することである。この課題は、請求項１９記載の側方放出素子によって解決される。
【０００７】
本発明のさらなる課題は、そのようなケーシング本体の製造方法を提供することである。この課題は、請求項２５記載の方法によって解決される。
ケーシング本体は、上面と、上面とは反対側の下面と、上面と下面とを結合する、取付面として設けられた側面とを備えており、この場合ケーシング本体は、セラミック材料を含有する複数の層を備えており、層の主延伸方向は、取付面に対して横向きに延びている。
【０００８】
セラミック材料を含有する複数の層から成るケーシング本体の層構造によって、ケーシング本体の特に簡単な製造が実現される。層は、グリーンシートとして上下にスタックして、次いで焼結することができる。この場合グリーンシートとは、焼結されていないセラミック層と解することができ、この層は、この状態では、依然として成形可能であり、要するにたとえば切削、打ち抜きまたは圧刻によって加工することができる。グリーンシートの後続の焼結によって、個々の層の間の良好な保持が達成される。これによって層の剥離リスクが低減され、このことはケーシング本体の安定性もしくは寿命にとってポジティブに働く。
【０００９】
有利には、層は、取付面に対して横向きに配置されている。
【００１０】
特に有利には、層は、取付面に対して直交して配置されている。このことは、たとえば層が偏平に形成され、第１の層の下面が、第１の層に後置された第２の層の上面に配置されていると、実現される。このような層の配置構造は、任意の回数で連続させることができ、この場合任意の大きさの積層を形成することができる。そのようにして形成された積層の側面は、ケーシング本体の取付面として役立つ。
【００１１】
従来慣用のケーシング本体に対して、本発明によるケーシング本体は、赤外範囲または可視範囲の放射の放出を有する側方放出素子だけでなく、特にＵＶ範囲もしくはＵＶ近似の範囲の放射を放射するための側方放出素子にも適しており、この場合放射の波長は、有利には５００ｎｍ、特に有利には約４７５ｎｍまたは４３０ｎｍを下回っている。特にＵＶ放射による劣化に対する、ケーシング本体の耐性は、ケーシング本体に用いられる材料によってほぼ特定される。通常セラミック材料は、ＵＶビームに対して鈍感である。有利には、本発明によるケーシング本体は、ＵＶ安定性の材料、特に有利にはＡｌ2Ｏ3またはＡｌＮを含有している。両材料は、ケーシング本体からの運転中に生じる熱の搬出に関しても、熱に起因する故障を回避するために、極めて有利であると判った。なぜならば熱伝導率が、比較的高いからである。たとえばＡｌ2Ｏ3の熱伝導率は、３０〜１００度の温度で約１８〜３０Ｗ／ｍＫ、ＡｌＮでは、３０〜１８０Ｗ／ｍＫである。これに対して従来慣用のプラスチックは、多くの場合１Ｗ／ｍＫを下回る熱伝導率を有している。
【００１２】
記載の観点、つまり低減された層の剥離リスク、さらにＵＶ放射またはＵＶ近似の放射での劣化の低減、また改善された熱搬出は、ケーシング本体の寿命を高め、側方放出素子にケーシング本体を用いる場合に、側方放出素子の運転時間を改善する。
【００１３】
有利には、ケーシング本体は、導電性のチップ接続領域を備えている。特に有利には、導電性の第１のチップ接続領域は、ワイヤ接続フィールドである。特に有利には、導電性の第２の接続領域は、チップフィールドである。したがって放射を形成する半導体チップをケーシング本体に配置する場合、半導体は接続することができ、半導体は、導体、有利にはワイヤ接続部によって、ワイヤ接続フィールドと接続され、さらにチップフィールドに取り付けられる。この場合ワイヤ接続フィールドは、半導体のための第１の電気コンタクトを形成し、チップフィールドは、第２の電気コンタクトを形成する。
【００１４】
各チップ接続領域は、セラミック材料を含有する層に直に取り付けることができる。特に有利には、ワイヤ接続フィールドは、第１の層に配置されており、これに対してチップフィールドは、第１の層とは異なる第２の層に配置されている。
【００１５】
この場合、各チップ接続領域は、比較的小さな厚さを有している。有利には、厚さは、１０-6〜１０-5ｍの範囲であり、特に有利には厚さは、８μｍである。チップ接続領域は、本発明では、支持体として、もしくは自己支持性に形成する必要はないので、チップ接続領域に、特別な機械安定性要求が課されることはない。単に導電性を保証すればよく、このことは有利な形式で金属の使用によって達成される。有利には、チップ接続領域およびチップ接続領域と接続される導体路の僅かな厚さによって、構成素子の比較的小さな全高が実現される。
【００１６】
有利には、チップ接続領域は、金属含有性の液体またはペーストとして、特に有利には金属インキとして、セラミックを含有する層に取り付けて、硬化される。たとえば液体またはペーストは、タングステンを含有してよい。特に有利には、液体またはペーストは、層に取り付けて、硬化される。
【００１７】
チップ接続領域の剥離リスクに関しては、既に説明した内容が当て嵌まる。セラミックを含有する層は、チップ接続領域で焼結され、これによって剥離を防止する付着が得られる。
【００１８】
ケーシング本体は、本発明の有利な実施形態では、少なくとも１つの導電性のスルーコンタクト（Ｖｉａ；通路）を備えている。スルーコンタクトは、放射放出側から、取付面に沿って、下面に延びている。この場合有利には、スルーコンタクトは、スルーコンタクトをチップ接続領域と接続する少なくとも１つの導体路と導電接続されるように配置されている。導体路は、２つのセラミック層の間に配置することができる。
【００１９】
有利には、スルーコンタクトは、半管状または半円筒状に形成されており、つまりスルーコンタクトの形状は、中央平面に沿って分離された管もしくは円筒に相当する。有利には、このような形状は、焼結まえに、グリーンシートの上面に対して横向きに、グリーンシートに円筒形の凹部が形成されると、簡単に実現することができる。次いで凹部は、電気めっきによって金属含有材料で被覆されるか、または充填される。円筒形の凹部は、最終的に分離され、半管状または半円筒形のスルーコンタクトが形成される。
【００２０】
さらにスルーコンタクトは、溝として形成することができ、溝の横断面は、丸、楕円、矩形または多角形に形成してよい。
【００２１】
有利には、スルーコンタクトは、上面および／または下面で、金属化部によって包囲されている。たとえば金属化部は、アーチ状に形成されている。有利には、金属化部は、スルーコンタクトの形状に適合されている。金属化部は、取付に際して、配線基板に対するケーシング本体の精確な位置決めを助成する。このことは重要であり、これによって電気接続が保証されている。さらに金属化部は、赤外線はんだ付またはリフローはんだ付に際してケーシング本体自体がセンタリングするのを助成する。
【００２２】
ケーシング本体は、放射源、たとえば放射を放出する半導体チップを収容するための上面で、切欠を有している。有利には、切欠は、構成素子から放出される放射が僅かな損失で別の構成素子に入力結合できるように配置されている。たとえば別の構成素子は、支持体と接続することのできる光導体である。このために切欠は、取付面よりも、取付面とは反対側に位置する側面に接近して配置することができる。
【００２３】
有利には、切欠は、リフレクタとして形成されている。たとえば切欠は、上面から出発して下面に向かってホッパ状に先細にすることができる。さらに切欠の上面は、反射を高める層で被覆することができる。これによって放射が集束され、したがって側方で放出される放射の強度が高められる。
【００２４】
有利には、切欠の縁とケーシング本体の縁との間の寸法は、約０．３ｍｍである。特に有利には、この寸法は、０．３ｍｍより大きい。このような寸法設定によって、ケーシング本体を透過する放射が減少され、側方放出素子の不都合な放射の分布が回避される。
【００２５】
ケーシング本体の処理は、適当に選択された、ケーシング本体の高さと厚さとの比によって簡単になる。この場合ケーシング本体の高さとは、取付面に対して横向きに延びる縁部の寸法と解される。ここでは厚さとは、上面に対して横向きに延びる縁部の寸法と解される。有利には、高さと厚さとの比は、１：１〜２：１である。
【００２６】
この場合１：１よりも大きな比によって、梱包帯でまとめた状態でケーシング本体の傾倒が回避される。さらに上限を考慮することによって、ケーシング本体の十分な安定性が保証されるので、取付時のケーシング本体の転倒リスクが有利には僅かである。記載の比は、全ての側面がほぼ直角に配置されたケーシング本体に関するものである。
【００２７】
有利な実施形態では、ケーシング本体は、側方放出素子に用いられる。放射形成のために、側方放出素子は、少なくとも１つの放射源、有利には放射を放出する半導体チップを備えており、半導体チップは、切欠に配置されている。有利には、使用される半導体チップの数の適当な選択によって、様々な定格出力の構成素子を製造することができる。
【００２８】
有利な実施形態では、切欠に、異なる波長の放射を放出する少なくとも２つの半導体チップが配置されている。波長を適当に選択する際に、ビームの混合によって、多色の光の他に、混色、有利には白色の光を形成することができる。このことによって側方放出素子に対する適用範囲が拡がる。たとえばディスプレイバックライトのために白色が所望される。
【００２９】
さらに同じ波長の放射を放出する半導体チップで、変換素子を使用することによって、同様に多色また混色の光を形成することができる。この場合変換素子に半導体チップが後置されており、変換素子は、半導体チップをたとえば形状接続（形状による束縛）で包囲することができる。
【００３０】
さらに異なる波長のビームを形成する半導体チップと変換素子との組み合わせも考えられる。
【００３１】
半導体チップは、被覆材料、有利にはシリコーン樹脂または適当なＵＶ硬化性のエポキシ樹脂によって包囲することができる。さらにシリコーン樹脂とＵＶ硬化性のエポキシ樹脂とから成る混合物、またはその他のＵＶ硬化性材料もしくは樹脂から成る混合物も考えられる。
【００３２】
被覆材料は、ネガティブな機械的作用から保護するためにも、半導体チップと周囲との間の境界における反射損失を低減するためにも役立つ。有利には、適当な被覆材料の使用によっても、放射放出素子の運転時間長さと同時に出力結合効率が高められる。
【００３３】
有利な実施形態では、さらなるビーム成形もしくはビーム集束のために、半導体チップに光学素子、有利にはレンズが後置されている。光学素子は、切欠に配置し、かつ／または切欠から突出することができる。
【００３４】
有利には、ケーシング本体もしくは側方放射素子は、配線基板に取り付けられている。有利には、ケーシング本体もしくは側方放射素子の給電も、側方放出素子からの熱搬出も、配線基板を介して行うことができる。
【００３５】
給電のために、配線基板に導体路が設けられており、導体路は、スルーコンタクトと導体路とのできるだけ簡単な電気接続が達成されるように、配置されている。たとえば配線基板の導体路は真っ直ぐに延びていてよい。
【００３６】
さらにケーシング本体を冷却するために、配線基板は、熱伝達良好な材料を含有していてよい。たとえば配線基板は、金属シートである。配線基板に対する、ケーシング本体もしくは側方放出素子に形成される熱の適当な伝達のために、十分な大きさの熱伝達面、たとえばはんだ付可能な面が、ケーシング本体の下面に設けられている。面の大きさは、連続する単個の面の大きさまたは連続しない複数の面の大きさの合計から得られる。
【００３７】
ケーシング本体を製造する方法では、ケーシング本体が、上面と、上面とは反対側の下面と、上面と下面とを結合する、取付面として設けられた側面とを備えており、ケーシング本体が、セラミック材料を有する複数の層を備えており、基板が、複数のケーシング本体に個別化される。これによってケーシング本体は、特に簡単に製作することができる。
【００３８】
このような製法によって、ケーシング本体および側方放射素子の大量生産が助成され、これによって個別的な製造に対してコストを削減することができる。
【００３９】
有利には、基板は、セラミック積層から形成されている。この場合有利には、基板は、上面に切欠を備えている。上面は、基板を複数のケーシング本体に個別化したあとで、ケーシング本体の上面に相当する。特に有利には、ケーシング本体は、形状および大きさで等しいので、上面に沿って切欠を規則的に配置すると有利である。
【００４０】
有利には、基板は、偏平な上面を有している。この場合切欠は、格子の格子点のように、上面に分配することができる。
【００４１】
望ましくはーシング本体は、取付面上にたとえば半管状または半円筒状のスルーコンタクトを備えている。有利には、ケーシング本体を製作するために、基板に、管状または円筒状のスルーコンタクトが設けられており、有利には焼結まえにグリーンシートに先ず管状または円筒状の凹部が形成される。凹部は、電気めっきによって、導電層で被覆するか、または導電材料、たとえば金属で充填することができる。この場合スルーコンタクトの間に十分に大きな間隔が存在するよう考慮する必要があり、これによってたとえば側方放出素子のためにケーシング本体を用いる際に、あとの運転において短絡を回避することができる。
【００４２】
そのようにして形成されたスルーコンタクトは、個別化に際して効果的な方式で露出される。このことは、本発明では、有利には隣接する２つの切欠の間で平行に延びる直線に沿って配置されたスルーコンタクトが分離されることによって達成される。基板は、平行に延びる直線に沿って分離することができる。特に有利には、スルーコンタクトが非対称的に分離されるように、基板は個別化される。
【００４３】
１直線に沿った非対称的な分離は、通常、有利には、第１のケーシング本体が、取付面で、良好な導電性を有して形成されたスルーコンタクトを備えており、これに対して第１のケーシング本体に隣接する第２のケーシング本体が、取付面とは反対側に位置する側面で、分離されるスルーコンタクトの残存部分を有していない。
【００４４】
分離まえに、第１のケーシング本体のあとの取付面は、第２のケーシング本体の、取付面とは反対側に位置するあとの側面に隣接する。このような形式の分離は極めて効果的である。なぜならば基板の個別化に際して切れ端が生じないからである。さらにこれによって製作時間が短縮される。なぜならばケーシング本体は、分離したあとで正確な大きさで提供されるからであり、これによって後加工が省略される。
【００４５】
非対称的な分離の有利な方法は、有利には平行な直線に沿った基板の分離である。ここで留意しておくと、第１のケーシング本体のあとの取付面に、実質的にスルーコンタクトの上位半部が残存し、これに対してスルーコンタクトの下位半部は、分離経路によって除去されるので、第２のケーシング本体の、取付面とは反対側に位置するあとの側面に、平滑で偏平な面が形成される。有利には、装着時に吸引面として役立つ側面は、特に平滑に形成されている。なぜならば簡単に吸引可能であるという理由による。
【００４６】
有利には、基板を個別化するまえに、放射を放出する半導体チップを取り付けることができる。
【００４７】
製造後に、ケーシング本体は、配線基板上に配置することができ、それもスルーコンタクトが配線基板の導体路によってコンタクトされるように、配置することができる。
【００４８】
有利には、側方放出素子は、僅かな構造高さの所望される場合に用いられる。したがって側方放射によって、構成素子は、照明しようとする構成素子との１水平面上で、構成素子の側方に配置することができる。これに対して鉛直に放射する素子では、構成素子は、鉛直方向で、照明しようとする素子に対応配置されており、これによって構成部材の全高が大きくなる。さらに側方放射素子は、たとえば偏平に形成された光導体への光入力結合を助成する。
【００４９】
たとえば側方放射素子は、携帯電話用ディスプレイ、携帯電話用キーまたは液晶ディスプレイのバックライトのために用いることができる。さらに有利には、ナビゲーションシステム、点滅灯または高温用途に使用される。
【００５０】
本発明のその他の特徴、利点ならびに改良形は、以下の図１〜図７につき説明した実施例から判る。
【００５１】
図１のＡに示したケーシング本体１の上面２は、放射放出素子の放射出射側を成している。上面２は、第１の層の正面であり、上面２は、有利には第１の層に続く第２の層および第３の層と共に、積層（層スタック）を成し、積層をケーシング本体１が包括する。
【００５２】
第１の層は、切欠（開口）６を備えており、切欠６は、上面２から出発して、第２の層に向かって先細になっている。
【００５３】
図１のＡに示したケーシング本体１では、切欠６に、３つのチップフィールド７が設けられている。各チップフィールド７に、放射源、有利には放射を放出する半導体チップを配置することができる。各チップの電気接続のために、ワイヤ接続フィールド３０およびチップフィールド７が設けられている。さらにスルーコンタクト３が設けられており、スルーコンタクト３は、導体路５を介して、ワイヤ接続フィールド３０またはチップフィールド７と接続されている。
【００５４】
有利には、スルーコンタクト３は、金属、特に有利にはタングステンを含有している。スルーコンタクト３は、半円形に形成されている。スルーコンタクト３は、取付面１９に沿って、上面２から、上面２とは反対側の下面に向かって延びている。スルーコンタクト３は、異なる３つの層に凹部が形成されるように形成することができ、凹部は、たとえば電気めっきによってタングステンで被覆されるか、または充填される。ここでは、金属層１１は、電極として役立つ。
【００５５】
図１のＡには、６つのスルーコンタクト３を示しており、これらのスルーコンタクト３のうち、隣接する２つがそれぞれ１つの半導体チップと導電接続されている。さらに隣接する２つのスルーコンタクト３は、それぞれ第１の電気コンタクトと第２の電気コンタクトとを成す。有利には、各半導体チップは、個別的に制御可能である。選択的に半導体チップは、直列または並列に接続することができる。
【００５６】
上面２でスルーコンタクト３を包囲する金属化部４は、金属化部１０と同様に、マーキングに役立つ。スルーコンタクト３の、金属化部４によって示された位置によって、配線基板にケーシング本体１を取り付ける際に、配線基板上に配置された導体路とのスルーコンタクト３の電気接続が簡単になる。同様に金属化部１０によって、ケーシング本体１の方向付けは、比較的簡単に確認することができる。
【００５７】
さらに金属化部４は、赤外線はんだ付またはリフローはんだ付に際してケーシング本体１自体をセンタリングするのに役立つ。
【００５８】
水平線Ａ−Ａは、切欠６の中心軸線を成し、かつ取付面１９に対して平行に延びている。水平線Ａ−Ａは、取付面１９とは反対側の側面よりも取付面１９から離間して位置している。切欠の非センタリング配置構造による利点によれば、たとえば光導体への、放出される放射の効率的な入力結合が容易になる。
【００５９】
波線で示した構成部材は、第２および第３の層の素子であり、これについては図３および図４につき詳しく説明する。
【００６０】
図１のＢでは、ケーシング本体１を横断面図で概略的に示した。ここでは積層８が看取され、積層８は、セラミック材料を含有する３つの層２３，２４，２５を有している。
【００６１】
層２３は、切欠６を備えており、切欠６は、有利にはリフレクタとして形成されている。切欠６に配置された半導体チップから放出される放射を集束し、それも側方放出素子が特に高い放射量を有するように集束するという要求が、リフレクタに課せられる。このことは、たとえば９０°の開放角９によって達成することができる。
【００６２】
層２４は、チップ凹部２６を備えており、チップ凹部２６のサイズは、チップフィールド７の凹部に配置された半導体チップのサイズに適合されている。
【００６３】
層２５は、たとえば構成素子を冷却するため、ひいては構成素子を安定させるために役立つ。この層の厚さが大きいほど、より多くの熱を吸収することができる。
【００６４】
ケーシング本体１をあとでたとえば配線基板に取り付けるために、高さ２１と厚さ２０との比を考慮する必要がある。有利には、比は２：１である。たとえば高さは３．２ｍｍであり、厚さは１．６５ｍｍである。
【００６５】
図１のＣには、上面２とは反対側に位置する下面２２を概略的に示した。下面２２は、スルーコンタクト３を包囲する金属化部４と金属化部１０とを備えており、金属化部１０は、ケーシング本体１を方向付けするためのマーキングとして役立ち、かつ金属化部１０は、電極として役立つ金属層１１を有している。
【００６６】
図２には、ケーシング本体１の層２３を様々な方向からみて示した。
【００６７】
層２３は、特にビームをガイドするのに役立つ。このために層２３は、切欠６を備えており、切欠６を通って、切欠６の下方もしくは切欠の内側（図１のＡ参照）に配置された放射源によって形成された放射が、側方放出素子から出射される。ビームガイドは、有利には切欠６の形状によって影響を及ぼすことができる。
【００６８】
図２のＡには、ケーシング本体１の上面２を示した。上面２は、側方放出素子の放射出射面を成す。スルーコンタクト３、金属化部４，１０、電極１１および切欠６が看取される。切欠６は、図示したように楕円形に形成してよい。さらに切欠６は、層２３の正面から背面に向かってホッパ状に先細に形成することができる。
【００６９】
図２のＢには、層２３を横断面図で概略的に示した。層２３は、セラミック材料を含有している。製作時に、層２３は、部分的に穿孔することができるので、切欠６が形成される。ここでは切欠６は、円錐台に等しい。切欠６は、リフレクタに適しており、この場合開放角９は、有利には９０°である。図２のＣに縦断面図で示した切欠６の開放角９は、ここでも有利には９０°である。
【００７０】
図２のＤには、層２３の背面を示した。金属化部４，１０および金属層１１が層２３の正面および背面に取り付けられているのに対して、スルーコンタクト３は、正面から背面まで延びていて、取付面１９に沿って延びている。
【００７１】
図３には、ケーシング本体１の層２４を様々な方向からみて概略的に示した。
図３のＡには、層２４の正面を示した。正面は、積層において、層２３の背面に向いている。層２４は、正面に、導電性のワイヤ接続フィールド３０を備えている。各ワイヤ接続フィールド３０は、導体路５と接続されており、この場合導体路５は、スルーコンタクト３に接する。スルーコンタクト３との境界では、導体路５は、スルーコンタクト３が導体路５に位置正確に接合するように形成されている。有利には、スルーコンタクト３は、導体路５に対する境界で半円形に形成されており、これに対して導体路５は、半円形の凹みを有している。
【００７２】
導体路５を介して、半導体チップに対する電気接続部が形成され、半導体チップのためにチップ凹部２６が設けられている。各半導体チップは、有利にはワイヤを介して、各半導体チップのために設けられたワイヤ接続フィールド３０と接続されている。
【００７３】
導体路５は、層２３によってカバーされており、これに対してワイヤ接続フィールド３０は、切欠６において露出している。
【００７４】
チップ凹部２６は、層２４に形成されている。有利には、チップ凹部のサイズは、チップのサイズに対応する。
【００７５】
図３のＡには、正面の、取付面１９とは反対側に、金属化部４の一部が看取される。このことは、個々の構成素子を製作するための、基板の前述の非対称的な分離の結果として生じるものである。
【００７６】
図３のＢには、層２４を横断面図で概略的に示した。有利には、チップ凹部２６は、層２４の正面から背面まで延びている。特に有利には、チップ凹部２６は、ほぼ正方形の凹所を成す。
【００７７】
図３のＣには、層２４の背面を概略的に示した。層２４は、マーキングとして役立つ金属化部４，１０を備えていて、その他にチップ凹部２６とスルーコンタクト３とを備えている。
【００７８】
図４には、層２５を様々な方向からみて概略的に示した。
【００７９】
図４のＡには、層２５の正面を概略的に示した。正面は、層２４の背面に向いており、この場合背面は、正面をほぼ完全にカバーする。単にチップ凹部２６が、層２５のための窓を形成する。この窓を通ってチップフィールド７が看取される。チップフィールド７には、チップを配置することができる。導体路５は、チップフィールド７とスルーコンタクト３との間の電気接続を形成する。この場合層２５の導体路５は、層２４の導体路５とは別のスルーコンタクト３に接する。
【００８０】
図４のＡに示した実施例では、３つのチップは、別個の３つのチップフィールドに配置することができ、この場合チップは個別的に制御可能である。選択的にチップは、並列または直列に接続することができ、このために共通のチップフィールドを配置することができる。
【００８１】
図４のＢには、層２５を横断面図で概略的に示した。層２５は、熱溜めを形成することができる。この場合層２５にセラミック材料が含有されていると有利である。
【００８２】
図４のＣには、層２５の背面を概略的に示した。背面は、同時にケーシング本体１の下面２２を形成する。
【００８３】
図５には、４つのケーシング本体１に個別化される基板２７を示した。有利には、基板２７は、セラミック積層から形成されている。特に有利には、積層は、３つの層を有している。３つの層は、図２〜４に示した層２３，２４，２５に応じて形成することができる。
【００８４】
したがって基板２７の第１の層は、ホッパ状の切欠６を有しており、切欠６は、あとでケーシング本体１の上面２を成す上面から、第１の層の背面まで延びている。第１の層に、第２の層および第３の層が後置されている。第２の層から、ワイヤ接続フィールド３０が看取され、第３の層から、チップフィールド７が看取される。
【００８５】
有利には、基板２７に取り付けられた金属化部４は、直線１２に沿って配置されている。基板２７は、直線１２に沿って分離することができる。有利には、基板２７は、側面２９に沿ってスルーコンタクト３が大体において取り除かれて、これに対して取付面１９に沿って露出するように、分離される。これによってケーシング本体１は、専ら取付面１９で電気接続を有する。側面２９は、ケーシング本体１をたとえば配線基板にあとで取り付けるために平滑化され、これによって簡単に装着可能になる。たとえば基板２７は、直線１２に沿って引き裂く（鋸引きする）ことができ、この場合分離路は、有利には直線１２の幅に応じて選択される。
【００８６】
別の分離は、線２８に沿って行うことができ、この場合基板２７は、たとえば破断によって分離することができる。
【００８７】
図６には、たとえば基板２７から個別化可能な側方放出素子３１を斜視図で例示した。側方放出素子３１は、積層を有しており、積層は、有利には層２３と層２４と層２５とを有している。層２３に、切欠６が設けられている。切欠６において、各チップフィールド７にチップ１３が配置されており、チップ１３は、導体１４によって、ワイヤ接続フィールド３０に接続されている。有利には、チップ１３は、導電性の接着剤でチップフィールド７に取り付けられている。
【００８８】
半導体チップ１３は、たとえば放出された放射の波長によって異なるものであってよい。波長は、たとえば赤、緑、もしくは青のスペクトル範囲に位置することができる。
【００８９】
図７には、配線基板１７に取り付けられたケーシング本体１を示した。高さ２１と厚さ２０との比が２：１に選択されると、取付時にケーシング本体１の取扱が簡単になる。はんだ付けの場合、ケーシング本体１に傾動力１５が働く。この力は、たとえば対称的に配置されたはんだ顎部（はんだによって形成された丸溝部分）１６を取り付けることによって対抗させることができる。金属層１８は、有利にはケーシング本体１と配線基板１７との間の導電接続機能および／または熱伝導接続機能を満たすことができる。
【００９０】
ここで付記しておくと、層２３，２４，２５は、複数の部分層から組み合わせることもできる。
【００９１】
もちろん記載の実施例に基づく本発明の説明は、本発明を制限するものではない。特に実施例の個々の特徴を組み合わせて、別の組み合わせを得ることもできる。
【００９２】
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００５０２４６６８．０号明細書の優先権を主張するものであり、本願には、その開示内容が取り入れられているものとする。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明によるケーシング本体の第１実施例を概略的に示す、Ａは、正面図であり、Ｂは、横断面図であり、Ｃは、背面図である。
【図２】本発明によるケーシング本体の第１実施例における第１の層を概略的に示す、Ａは、正面図であり、Ｂは、横断面図であり、Ｃは、縦断面図であり、Ｄは、背面図である。
【図３】本発明による第１実施例のケーシング本体における第２の層を概略的に示す、Ａは、正面図であり、Ｂは、横断面図であり、Ｃは、背面図である。
【図４】本発明によるケーシング本体の第１実施例における第２の層を概略的に示す、Ａは、正面図であり、Ｂは、横断面図であり、Ｃは、背面図である。
【図５】４つのケーシング本体に個別化される基板を概略的に示す正面図である。
【図６】本発明による側方放出素子の１実施例を概略的示す立体図である。
【図７】配線基板上に取り付けられたケーシング本体を示す図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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