(57)【要約】本発明は、金属薄片を利用した受動素子及び半導体パッケージの製造方法に関し、基板に集積して形成されるインダクタやビアなどの受動素子の製造方法において、ダミー基板に接着層を形成する接着層形成過程；前記接着層に金属薄片を接合させる接合過程；前記金属薄片にマスキング物質を付着して、ビアが形成される領域をパターニングした後、前記金属薄片を所望の深さにエッチングするエッチング過程；前記マスキング物質を除去して、前記でエッチングされた部分にポリマーを充填して平坦なポリマー表面を形成し、前記ポリマー表面に前記マスキング物質を付着して、ＩＰＤやＩＣチップに付着する領域をパターニングした後、金属パッドを形成し、この金属パッドを利用して前記ＩＰＤやＩＣチップなどの下部基板に付着させる基板付着過程；前記接着層及びダミー基板を除去して、前記金属薄片のダミー基板が除去された後で露出した面にマスキング物質を付着して、インダクタやビアなどの受動素子が形成される領域をパターニングした後、前記金属薄片を所望の深さにエッチングするエッチング過程；及び前記マスキング物質を除去した後、表面実装のためのソルダーバンプを形成するバンプ形成過程；を含んで構成されることを特徴とする。前記のような構成からなる本発明によれば、金属薄片を半導体工程を利用して選択的にエッチング及び研磨し、高品質のインダクタ及びビアを同時に形成して、高電気伝導性を有する高品質の受動素子を提供し、製造時間及び費用を減少させることができる。【選択図】図２
2008537355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に集積して形成されるインダクタやビアなどの受動素子の製造方法において、
ダミー基板に接着層を形成する接着層形成過程；
前記接着層に金属薄片を接合させる接合過程；
前記金属薄片にマスキング物質を付着して、ビアが形成される領域をパターニングした後、前記金属薄片を所望の深さにエッチングするエッチング過程；
前記マスキング物質を除去して、前記エッチングされた部分にポリマーを充填して平坦なポリマー表面を形成し、前記ポリマー表面に前記マスキング物質を付着して、ＩＰＤ（集積受動デバイス）やＩＣチップに付着する領域をパターニングした後、金属パッドを形成し、この金属パッドを使用して前記ＩＰＤまたはＩＣチップなどの下部基板に付着させる基板付着過程；
前記接着層及びダミー基板を除去して、前記金属薄片のダミー基板が除去された後で露出された面にマスキング物質を付着して、インダクタやビアなどの受動素子が形成される領域をパターニングした後、前記金属薄片を所望の深さにエッチングするエッチング過程；及び
前記マスキング物質を除去した後、表面実装のためのソルダーバンプを形成するバンプ形成過程；を含むことを特徴とする、金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング過程において、前記受動素子のうちのインダクタは、ポリマー膜上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項３】
前記ポリマー膜は、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＩ（ポリイミド）、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）から選択されたいずれか１つであることを特徴とする、請求項１に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項４】
前記マスキング物質は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、またはＳｉＯ２／ＳｉＮｘ複合物のいずれか１つであることを特徴とする、請求項１に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項５】
前記ソルダーバンプは、メッキまたはシルクスクリーン方法によるＢＧＡ／ＬＧＡ（ボールグリッドアレイ／ランドグリッドアレイ）タイプに形成することを特徴とする、請求項１に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項６】
前記ダミー基板は、ガラス板、ケイ素半導体基板などの平坦度が優れている基板であることを特徴とする、請求項１に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項７】
厚い金属薄片を使用する場合には、前記接着層形成過程及び接合過程を省略して進める、請求項１に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項８】
前記厚い金属薄片を使用する場合には、前記下部基板がない構造の受動素子を製造することを特徴とする、請求項１に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項９】
金属基板に集積して形成される受動素子の製造方法において、
ダミー基板に接着層を形成する接着層形成過程；
前記接着層に金属薄片を接合させる接合過程；
前記金属薄片の底面にマスキング物質を付着して、受動素子が形成される領域をパターニングした後、前記金属薄片に所望の深さで所望の場所に絶縁体を形成する絶縁体形成過程；
前記マスキング物質を除去して、前記金属薄片の底面にフォトリソグラフィで金属パッドを形成する金属パッド形成過程；
この金属パッドを利用してＩＰＤまたはＩＣチップなどの下部基板に付着させる基板付着過程；
前記接着層及びダミー基板を除去するダミー基板除去過程；
前記金属薄片の裏面を前記絶縁体が露出されるまで金属を除去する金属除去過程；及び
ＰＣＢ基板に表面実装のためのソルダーバンプを形成するバンプ形成過程；を含むことを特徴とする、金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項１０】
前記マスキング物質は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、またはＳｉＯ２／ＳｉＮｘ複合物のいずれか１つであることを特徴とする、請求項９に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項１１】
前記金属除去過程において、前記金属基板の裏面は、機械的研磨、化学的エッチング、または機械的及び化学的複合エッチングによって金属を除去することを特徴とする、請求項９に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項１２】
前記ソルダーバンプは、メッキまたはシルクスクリーン方法によるＢＧＡ／ＬＧＡ（ボールグリッドアレイ／ランドグリッドアレイ）タイプに形成することを特徴とする、請求項９に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項１３】
前記ダミー基板は、ガラス板、ケイ素半導体基板などの平坦度が優れている基板であることを特徴とする、請求項９に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項１４】
厚い金属薄片を使用する場合には、前記接着層形成過程及び接合過程を省略して進める、請求項９に記載の金属薄片を利用した受動素子の製造方法。
【請求項１５】
前記厚い金属薄片を使用する場合には、前記下部基板がない構造の受動素子を製造することを特徴とする、請求項９に記載の金属薄便を利用した受動素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１または９の金属薄片に集積して形成される受動素子の製造方法を利用して、前記金属薄片に受動素子を集積し、その上をメタルカバーで保護する半導体パッケージの製造方法において、
前記受動素子が形成された金属薄片の誘電体上や金属面にシステムを構成するのに必要な受動素子を集積して、フリップチップボンディングを利用してベアチップ状態の半導体素子及び集積された受動素子を連結する連結過程；
前記下部基板に表面実装のためのソルダーバンプを形成するバンプ形成過程；及び
前記金属薄片に集積された受動素子及び半導体素子を保護するメタルカバーを前記金属薄片に接着して形成するカバー接着過程；を含むことを特徴とする、金属薄片を利用した半導体パッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記金属薄片の金属面上に付着される半導体素子は、
熱伝導性接着物質で固定して、ワイヤーボンディングによって前記誘電体上や金属面に集積された受動素子と連結されることを特徴とする、請求項１６に記載の金属薄片を利用した半導体パッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記メタルカバー及び前記金属薄片は、
伝導性エポキシまたは金属ボンディング方式の接着層によって連結されることを特徴とする、請求項１６に記載の金属薄片を利用した半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属薄片を利用した受動素子及び半導体パッケージの製造方法に関し、ポリマー膜上にシステムの構成に必要な受動素子を形成して、ベアチップ状態の半導体素子をフリップチップボンディングやワイヤーボンディング方式を利用して金属薄片上に付着するので、熱を効果的に放出することができ、選択的にポリマー膜上に超高周波でも優れた電気的特性を有する受動素子を集積することができる、金属薄片を利用した受動素子及び半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置用パッケージが有すべき最も重要な特性の１つは、熱の放出にある。特に、最近、半導体装置の高速化及び高出力化によって高熱の発生を処理するための方法の開発が要求されている。
【０００３】
図１は従来の技術による熱放出用半導体パッケージの一実施例を示した断面図であって、まず、下部に複数個が形成されたソルダーボール（ＳＢ）を有する基板７１、前記基板７１の上面をシーリング剤７２で密封するメタルキャップ７９を各々準備する。この時、前記基板７１は、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）タイプ、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）タイプ、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）タイプなどの半導体パッケージに適用されるように、印刷回路基板（ＰＣＢ）、セラミック基板、シリコン基板などからなっている。
次に、前記のように準備された基板７１のダイパッド７３に半導体チップ７４を実装した後、前記半導体チップ７４のボンディングパッド及び基板７１の電極パッドをボンディングワイヤー７５で電気的に接続する。この時、前記ボンディング手段は、ボンディングワイヤー７５による電気的接続技術の代わりに、タブ（ＴＡＢ）技術を適用することもできる。
【０００４】
その後、前記ボンディング手段によってワイヤーボンディングが完了すると、半導体チップ７４の上面にヒートスプレッダ７７を接着させるための接着剤７６を塗布する。この時、前記接着剤７６は、半導体チップ７４の表面に影響を与えてはならず、ヒートスプレッダ７７を適切に支持することができなければならない。
【０００５】
前記接着剤７６の上部には、フラット形状（ｆｌａｔｔｙｐｅ）のヒートスプレッダ７７が搭載される。この時、前記ヒートスプレッダ７７は、接着剤７６の上面及びサーマルコンパウンド７８の間に搭載される。
【０００６】
また、前記ヒートスプレッダ７７は、高熱伝導性を有する銅（Ｃｏｐｐｅｒ）、銅合金（Ｃｏｐｐｅｒａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ）、アルミニウム合金（Ａｌｕｍｉｎｕｍａｌｌｏｙ）、スチール（Ｓｔｅｅｌ）、ステンレススチール（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓｓｔｅｅｌ）からなる任意の群から選択されて形成される。
その後、基板７１の上面がメタルキャップ７９で密封されるが、密封前にヒートスプレッダ７７及びメタルキャップ７９の間にサーマルコンパウンド７８をドッティング（ｄｏｔｔｉｎｇ）することによって、接着性または熱の拡散が向上する。
【０００７】
したがって、基板７１及びメタルキャップ７９が密封剤７２によって密封されて、前記密封剤７２の硬化時にサーマルコンパウンド７８も硬化する。
【０００８】
その後、前記メタルキャップ７９の上面には、高熱の放出が容易になるように、ヒレ形状のヒートシンク（ＨＳ）を付着することによって、熱放出用半導体パッケージの製造を完了する。
【０００９】
しかし、このような従来の技術による熱放出用半導体パッケージは、メタルキャップによって熱放出効果を多少向上させることはできるが、実際に受動素子（インダクタ、キャパシタ、抵抗、伝送線など）、受動回路、半導体が実装されるＰＣＢなどの基板は、熱伝導性が低いプラスチックまたはセラミック基板を使用するので、前記素子で発生した熱によって基板の表面に転移した熱を放出する効果が低下する問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前記従来の技術の諸般の問題点を解決するためのものであって、その目的は、金属薄片を半導体工程を利用して選択的にエッチング及び研磨し、高品質のインダクタ及びビアなどの受動素子を同時に形成して、高電気伝導性を有する高品質の受動素子を提供し、製造時間及び費用を減少させる、金属薄片を利用した受動素子及び半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、システムの構成に必要な受動素子（キャパシタ、抵抗、インダクタ、伝送線）を金属面やポリマー膜（ＢＣＢ：Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ（ベンゾシクロブテン）、ＰＩ：Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ（ポリイミド）、ＢＴ：Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅｔｒｉａｚｉｎｅ（ビスマレイミドトリアジン）など）上に形成して、ベアチップ状態の多数の半導体素子をフリップチップボンディングやワイヤーボンディング方式を利用して金属薄片上に付着して、熱を効果的に放出することができる、金属薄片を利用した受動素子及び半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、高周波数で寄生成分が多く発生する既存のリードフレームを使用する代わりに、金属薄片をエッチング及び研磨工程を利用してＢＧＡあるいはＬＧＡを形成してＰＣＢなどの基板に表面実装することができる、金属薄片を利用した受動素子及び半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の目的を達成するための金属薄片を利用した受動素子の製造方法は、基板に集積して形成されるインダクタやビアなどの受動素子の製造方法において、ダミー基板に接着層を形成する接着層形成過程；前記接着層に金属薄片を接合させる接合過程；前記金属薄片にマスキング物質を付着して、ビアが形成される領域をパターニングした後、前記金属薄片を所望の深さにエッチングするエッチング過程；前記マスキング物質を除去して、前記でエッチングされた部分にポリマーを充填して平坦なポリマー膜を形成し、前記ポリマー膜に前記マスキング物質を付着して、ＩＰＤやＩＣチップに付着する領域をパターニングした後、金属パッドを形成し、この金属パッドを使用して前記ＩＰＤやＩＣチップなどの下部基板に付着させる基板付着過程；前記接着層及びダミー基板を除去して、前記金属薄片のダミー基板が除去された後で露出した面にマスキング物質を付着して、インダクタやビアなどの受動素子が形成される領域をパターニングした後、前記金属薄片を所望の深さにエッチングするエッチング過程；及び前記マスキング物質を除去した後、表面実装のためのソルダーバンプを形成するバンプ形成過程；を含んで構成されることを特徴とする。
【００１４】
本発明の他の目的を達成するための金属薄片を利用した受動素子の製造方法は、金属基板に集積して形成される受動素子の製造方法において、ダミー基板に接着層を形成する接着層形成過程；前記接着層に金属薄片を接合させる接合過程；前記金属薄片の底面にマスキング物質を付着して、受動素子が形成される領域をパターニングした後、前記金属薄片に所望の深さで所望の場所に絶縁体を形成する絶縁体形成過程；前記マスキング物質を除去して、前記金属薄片の底面にフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）で金属パッドを形成する金属パッド形成過程；この金属パッドを利用してＩＰＤやＩＣチップなどの下部基板に付着させる基板付着過程；前記接着層及びダミー基板を除去するダミー基板除去過程；前記金属薄片の裏面を前記絶縁体が露出されるまで金属を除去する金属除去過程；及びＰＣＢ基板に表面実装のためのソルダーバンプを形成するバンプ形成過程；を含んで構成されることを特徴とする。
【００１５】
本発明の他の目的を達成するための金属薄片を利用した半導体パッケージの製造方法は、金属薄片に受動素子を集積し、その上をメタルカバーで保護する半導体パッケージの製造方法において、前記受動素子が形成された金属薄片の誘電体上や金属面にシステムを構成するのに必要な受動素子を集積して、フリップチップボンディングを利用してベアチップ状態の半導体素子及び集積された受動素子を連結する連結過程；前記下部基板に表面実装のためのソルダーバンプを形成するバンプ形成過程；及び前記金属薄片に集積された受動素子及び半導体素子を保護するメタルカバーを前記金属薄片に接着して形成するカバー接着過程；を含んで構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による金属薄片を利用した受動素子及び半導体パッケージの製造方法は、ポリマー膜上にシステムの構成に必要な受動素子を形成して、ベアチップ状態の半導体素子をフリップチップボンディングやワイヤーボンディング方式を利用して金属薄片上に付着するので、熱を効果的に放出することができ、選択的にポリマー膜上に超高周波でも優れた電気的特性を有する受動素子の集積が可能な効果があり、またシステム部品を１つのパッケージに統合してパッケージの内部に受動素子が集積されるので、システムの低価格化、小型化、軽量化が可能な効果がある。
【００１７】
ご承知いただきたいことは、先に述べた一般論と、その後の本発明に関する詳細説明は、請求項に記した発明の詳細説明になることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
このように構成された本発明を、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図２乃至図５は本発明の第１実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【００２０】
まず、金属薄片１００を平坦度が優れているダミー基板１４０の底面に接着層１３０を利用して接合し、金属薄片１００の底面にＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどのマスキング物質１２０を付着して、ビア１１０が形成される領域をパターニングし、金属薄片１００の底面を所望の深さだけエッチングする。この時、エッチングは、化学的エッチングを利用するのが好ましい。
【００２１】
そして、マスキング物質１２０を除去して、金属薄片の底面全体にＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＩ（ポリイミド）、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）などのポリマー膜１５０を形成する。
【００２２】
その後、図３に示したように、フォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を利用してビア１１０が形成される領域の下部にあるポリマー膜１５０を除去した後、金属パッド１７０を形成する。形成された素子をＩＰＤやＩＣチップなどの下部基板１８０に付着させ、接着層１３０及び平坦度が優れているダミー基板１４０を除去すれば、図４の形態を形成することができる。
【００２３】
そして、金属薄片１００の上面、つまりポリマー膜１５０が形成されない露出された面にマスキング物質（図示せず）を蒸着し、インダクタ１９０やビア１１０などの受動素子が形成される領域をパターニングした後、金属薄片１００を所望の深さにエッチングする。
その後、マスキング物質を除去した後、必要な部分に表面実装のためのソルダーバンプ２００を形成することによって完成する。図５で必要な場合には、下部基板１８０がない構造に製造することもできる。
【００２４】
図６乃至図８は本発明の第２実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【００２５】
まず、第１実施例の図２に示したように、金属薄片１００を平坦度が優れているダミー基板１４０の底面に接着層１３０を利用して接合し、金属薄片１００の底面にＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどのマスキング物質１２０を付着して、絶縁体１６０が形成される領域をパターニングする。その後、図６に示したように、金属薄片１００の底面に所望の深さで必要な場所に絶縁体１６０を形成する。この時、必要な場所に絶縁体１６０を形成するために、イオン打ち込みやアノード処理などを使用する。
【００２６】
形成された素子をＩＰＤやＩＣチップなどの下部基板１８０に付着させ、接着層１３０及び平坦度が優れているダミー基板１４０を除去すれば、図６の形態を形成することができる。
【００２７】
その後が第１実施例と大きく異なる過程であるが、これを説明すると、金属薄片１００の裏面、つまり上面、つまり、絶縁体１６０が形成されない露出された面を機械的研磨（ｌａｐｐｉｎｇ／ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、化学的エッチング、または機械的及び化学的複合エッチングによって絶縁体１６０が露出されるまで金属を除去する。
【００２８】
その後、ＰＣＢ基板に表面実装することができるように、上部にＢＧＡまたはＬＧＡタイプのソルダーバンプ２００を形成する。この場合にも、必要な場合には、下部基板１８０がない構造に製造することができる。
【００２９】
図９は本発明の第３実施例による金属薄片を利用した受動素子の構成断面図である。
【００３０】
図９は図２乃至図５の過程によって金属薄片１００に選択的にインダクタ１９０及びビア１１０を形成した後、ポリマー膜１５０上または金属上に受動素子を形成することを示した図面であって、ポリマー膜１５０上に伝送線２１０、キャパシター２２０、抵抗２３０などの受動素子を半導体製造過程で形成する。キャパシタ２４０は、露出された金属上にアノード処理で直接形成することもできる。
【００３１】
これによって、金属薄片１００に高品質のインダクタ１９０及びビア１１０を簡単に形成することができる。受動素子が集積された金属薄片は、相互連結ビア１１０によって他の金属薄片と連結されて積層することができ、他のＩＰＤやＲＦｃｈｉｐ（図示せず）と連結されて積層することもできる。
【００３２】
図１０は本発明の第４実施例による金属薄片を利用した半導体パッケージの構成断面図である。
【００３３】
ポリマー膜１５０や金属上にシステムを構成するのに必要な受動素子２１０〜２４０を集積して、フリップチップボンディングを利用してベアチップ状態の半導体素子２５０及び集積された受動素子２１０〜２４０を連結する。
【００３４】
この時、半導体素子２５０は、熱を効果的に放出するために、金属薄片１００上に熱伝導性接着物質２６０を使用して固定して、ワイヤーボンディング２５１によって金属薄片上やポリマー膜１５０上に形成された受動素子２１０〜２４０と連結することもできる。
【００３５】
受動素子が集積された金属薄片は、相互連結ビア１１０によって他のＩＰＤやＲＦｃｈｉｐ（図示せず）と連結されて容易に積層することができる。
【００３６】
そして、ＰＣＢ基板などの他の基板に表面実装するために、他のＩＰＤやＲＦｃｈｉｐと積層せずに、相互連結ビア１１０によるＢＧＡやＬＧＡタイプのソルダーバンプ２００を形成することもできる。
【００３７】
この場合、ソルダーバンプ２００を相互連結ビア１１０の真下に形成しないために、図１０に示したように、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）５００を形成する。
【００３８】
一方、金属薄片１００を利用して形成した受動素子及び半導体素子を保護するために、メタルカバー３００が伝導性エポキシあるいは金属−金属（ｍｅｔａｌ  ｔｏ  ｍｅｔａｌ）ボンディングなどの方式を利用した接着層２８０を使用して金属薄片１００と連結されている。
【００３９】
そして、メタルカバー３００及び半導体素子２５０は、熱伝導性接着物質２７０に連結されると、熱の放出が向上する。ここで、素子を保護するために、メタルカバー３００及び接着物質２７０、２８０の代わりに、プラスチックモールディング方式（ＥＭＣ  Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｎｇ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を使用することもできる。
【００４０】
以上で、本発明による好ましい実施例について説明したが、選択的に誘電体膜が形成された金属薄片に形成しようとする受動素子及び半導体素子の形態によって多様な形状に変形が可能で、金属薄片を用いて受動素子や半導体パッケージを製造する方法は、ポリマー層上のシステム構築に必要な受動素子を製造し、ベアチップ状態の半導体素子をフリップチップ結合やワイヤ結合で接続するので、効率的な熱放散が可能である。
【００４１】
本技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の特許請求の範囲を逸脱せずに多様な変形例及び修正例を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
添付図面は、本発明の理解を更に進めるためのもので、本出願の一部となり、発明の実施例と説明を結合して、発明の原理説明を助けるものである。
【図１】本発明の実施例による熱放出と従来型半導体パッケージの関係を示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【図３】本発明の第１実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【図４】本発明の第１実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【図５】本発明の第１実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【図６】本発明の第２実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【図７】本発明の第２実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【図８】本発明の第２実施例による金属薄片を利用した受動素子の形成過程を示した工程図である。
【図９】本発明の第３実施例による金属薄片を利用した受動素子の断面図である。
【図１０】本発明の第４実施例による金属薄片を利用した半導体パッケージの断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
2008537355.tif 000013
2008537355.tif 000014