(57)【要約】  サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを有する薄膜蒸着装置及びこれを用いる薄膜蒸着方法を開示する。この装置は、外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段、ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段、ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段、ガス滞留手段を回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段、及び前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段を含む。
2008524842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置において、
外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段；
ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段；
ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段；
ガス滞留手段を回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段；及び
前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段；
を含んでなることを特徴とする薄膜蒸着装置。
【請求項２】
サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置において、
外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段；
ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段；
ガス分配手段の下端と中央部が結合され、ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段；
ガス分配手段を回転駆動させることにより、ガス分配手段と一体的に回転駆動されるそれぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段；及び
前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段；
を含んでなることを特徴とする薄膜蒸着装置。
【請求項３】
サセプタに装着された多数の基板上に原子層を形成するための反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置において、
外部から反応チャンバの内部に、２（第１反応ガス、第２反応ガス）又はそれ以上の反応ガスとパージガスを供給するガス供給手段；
ガス供給手段から供給されるガスを第１反応ガス、パージガス、第２反応ガス、パージガス、・・・の順に分配して噴射するガス分配手段；
ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段；
ガス滞留手段を回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段；及び
前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段；
を含んでなることを特徴とする薄膜蒸着装置。
【請求項４】
サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置において、
外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段；
ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段；
ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段；
前記サセプタを回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段；及び
前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段；
を含んでなることを特徴とする薄膜蒸着装置。
【請求項５】
前記ガス滞留手段は、
上部プレート；及び
上部プレートの下部に多数の反応セルが画成されるように、上部プレートの下面に所定間隔を置いて取り付けられた隔壁；
を含んでなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項６】
前記上部プレートは円板状に形成され、
前記それぞれの隔壁は半径方向に取り付けられて構成されることを特徴とする、請求項５に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項７】
前記上部プレートは円板状に形成され、
前記それぞれの隔壁は螺旋状に取り付けられて構成されることを特徴とする、請求項５に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項８】
前記反応セルのうち、ガス滞留時間の延長が必要な反応セルの外郭には隔壁の端部を連結する外郭壁をさらに含んでなることを特徴とする、請求項５に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項９】
隣接する前記反応セル内部のガス間の混合を制限するように、隔壁下端の両側にサセプタと平行に延長された延長板をさらに含んでなることを特徴とする、請求項５に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１０】
前記延長板と基板間の間隔は３ｍｍ以下を維持し、相互に接触しないようになることを特徴とする、請求項９に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１１】
前記回転駆動手段の回転速度は３０〜１８０ｒｐｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１２】
前記ガス分配手段は、
前記ガス滞留手段に固定させるための固定手段；
前記上部プレートの中央部に挿入され、それぞれの隔壁に密着する円板状の分配本体；
前記ガス供給手段から供給されるガスを個別的に導入するように、分配本体に形成された多数のガス導入孔；
ガス導入孔に連通され、それぞれのガスを区画して収容するように、分配本体の内部に所定空間を有する分配チャンバ；及び
分配チャンバに収容されたガスをそれぞれの該当反応セルの側面に噴射するように分配本体の側面に形成された多数の側方噴射口；
を含んでなることを特徴とする、請求項５に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１３】
前記分配チャンバのうち、パージガスが収容された分配チャンバは、側方噴射口以外に垂直下方にパージガスを噴射するように分配本体の下面に形成された下方噴射口をさらに含んでなることを特徴とする、請求項１２に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１４】
前記固定手段は、
前記分配本体に形成された多数の結合溝；及び
前記結合溝に挿合されるように、それぞれの隔壁の一端部に形成された結合突起；
を含んでなることを特徴とする、請求項１２に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１５】
前記分配チャンバのうち、同じガスが供給される分配チャンバは連通して構成されることを特徴とする、請求項１２に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１６】
前記ガス滞留手段は、
前記ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスが供給され、下面に形成された多数の噴射孔を通じて垂直下方にガスが噴射されるように、多数に区画されたシャワーヘッド；及び
それぞれのシャワーヘッドに対応する多数の反応セルが形成されるように、シャワーヘッドの下面に所定間隔を置いて取り付けられた隔壁；
を含んでなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１７】
前記ガス分配手段は、
前記ガス滞留手段に固定させるための固定手段；
前記シャワーヘッドの中央部に挿入される円板状の分配本体；
前記ガス供給手段から供給されるガスが個別的に導入されるように、分配本体に形成された多数のガス導入孔；
ガス導入孔に連通し、それぞれのガスを区画して収容するように、分配本体の内部に所定空間を有する分配チャンバ；及び
分配チャンバに収容されたガスをシャワーヘッドの内部の区画された空間に供給するように分配本体の側面に形成された多数の側方噴射口；
を含んでなることを特徴とする、請求項１６に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１８】
前記反応チャンバの内周面に沿って突出し、サセプタの上昇の際、サセプタの上部の外郭と密着するように制限プレートが取り付けられ、
前記ガス排出手段は、サセプタの上昇によって制限される反応チャンバの上部空間の内周面と反応セルの外郭間の空間にあるガスを排気口を通じて吸引するように取り付けられてなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項１９】
前記ガス排出手段は、
前記反応セルの外郭の長さ以下に区画された多数の吸引セル；及び
それぞれの吸引セルと連結された排気口を通じてガスを吸引する排気ポンプ；
を含んでなることを特徴とする、請求項１８に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項２０】
前記吸引セルは、
前記制限プレートの上部空間に形成された１次排気通路；
１次排気通路の上部に多数の連通孔が形成された分離プレート；及び
分離プレートの上部空間に形成され、前記排気口と連結された２次排気通路；
を含んでなることを特徴とする、請求項１９に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項２１】
前記ガス供給手段から供給されるガスの少なくとも１種以上の反応ガスをラジカル化させるラジカル発生手段をさらに含んでなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項２２】
前記反応セルのうち、反応ガスが供給される少なくとも一つ以上の反応セルは、基板の上部に対応する面に、外部のＲＦパワー印加装置に導電可能に接続されて反応セルの内部の反応ガスをプラズマ励起させるプラズマ励起手段をさらに含んでなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜蒸着装置。
【請求項２３】
反応チャンバの内部のサセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成する薄膜蒸着方法において、
前記反応チャンバの内部に供給されるガス別に区画して収容する多数の反応セルをサセプタの上部で回転させる回転駆動段階；
外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを連続的に供給するガス供給段階；
供給されるガス別に分配して前記反応セルに噴射するガス分配段階；
前記回転する反応セルで滞留するガスがそれぞれの基板に接触されながら基板上に薄膜を形成させる薄膜蒸着段階；及び
前記基板に接触したガスのうち、余剰ガスを外部に吸引するガス排出段階
を含んでなることを特徴とする薄膜蒸着方法。
【請求項２４】
反応チャンバの内部のサセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成する薄膜蒸着方法において、
前記反応チャンバの内部に供給されるガス別に区画して収容する多数の反応セルをサセプタの上部で回転させる回転駆動段階；
外部から反応チャンバの内部に、２（第１反応ガス、第２反応ガス）又はそれ以上の反応ガスとパージガスを連続的に供給するガス供給段階；
供給されるガスをそれぞれの反応セルに対して第１反応ガス、パージガス、第２反応ガス、パージガス、・・・の順に分配して前記反応セルに噴射するガス分配段階；
前記回転する反応セルで滞留するガスにそれぞれの基板を露出させながら基板上に原子層を形成させる薄膜蒸着段階；及び
前記基板に接触したガスのうち、余剰ガスを外部に吸引するガス排出段階；
を含んでなることを特徴とする薄膜蒸着方法。
【請求項２５】
反応チャンバの内部のサセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成する薄膜蒸着方法において、
反応チャンバの内部に供給されるガス別に区画して収容するように取り付けられた多数の反応セルの下部でサセプタを回転させる回転駆動段階；
外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを連続的に供給するガス供給段階；
供給されるガス別に分配して前記反応セルに噴射するガス分配段階；
前記反応セルで滞留するガスにそれぞれの基板を露出させながら基板上に薄膜を形成させる薄膜蒸着段階；及び
前記基板に接触したガスのうち、余剰ガスを外部に吸引するガス排出段階；
を含んでなることを特徴とする薄膜蒸着方法。
【請求項２６】
前記ガス分配段階は、
それぞれのガスがサセプタの中央から半径方向に噴射される層状挙動方式で供給されることを特徴とする、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の薄膜蒸着方法。
【請求項２７】
前記ガス分配段階は、
それぞれのガスが、サセプタに向かって垂直下方に噴射されるシャワーヘッド方式で供給されることを特徴とする、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の薄膜蒸着方法。
【請求項２８】
前記反応チャンバの内部に供給されるガスの少なくとも１種以上の反応ガスをラジカル化させるラジカル化段階をさらに含んでなることを特徴とする、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の薄膜蒸着方法。
【請求項２９】
前記反応セルで滞留するガスの少なくとも１種の反応ガスをプラズマ励起させるプラズマ励起段階をさらに含んでなることを特徴とする、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の薄膜蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜蒸着装置及び方法に係り、より詳しくは、反応チャンバに取り付けられたバルブとポンプの反復作動によってガスの供給と排出を繰り返す従来技術とは異なり、反応チャンバの内部へガスを連続的に供給しながら、供給されるガスを独立した多数の反応セルを通してそれぞれの基板に接触させるとともに、余剰ガスを連続的に排出させることにより、反応速度及び反応特性を一層向上させることができる薄膜蒸着装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程に際して、薄膜を均一に蒸着するために、スパッタリング法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、原子層蒸着法（ＡＬＤ）を適用する。
【０００３】
このような薄膜蒸着法のうち、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）は一番広く利用される蒸着技術で、反応ガスと分解ガスを利用して、所要厚さを有する薄膜を基板上に蒸着する。化学気相蒸着法（ＣＶＤ）は、まず多様なガスを反応チャンバに注入し、熱、光、プラズマのような高エネルギーによって誘導されたガスを化学反応させることで、基板上に所要厚さの薄膜を蒸着させる。また、化学気相蒸着法においては、反応エネルギーの分だけ印加されたプラズマまたはガスの比及び量によって反応条件を制御することで、蒸着率を増加させる。しかし、反応が速いので、原子の熱力学的安全性を制御することが大変難しいという問題点があった。
【０００４】
そして、原子層蒸着法（ＡＬＤ）は、反応ガスとパージガスを交互に供給して原子層を蒸着するための方法で、これにより形成された薄膜は良好な被覆特性を有し、大口径基板及び極薄膜に適用され、電気的物理的特性に優れている。一般に、原子層蒸着法は、まず第１反応ガスを供給して、基板表面に１層の第１ソースを化学的に吸着させ、余分の物理的に吸着されたソースは、パージガスを流してパージさせた後、１層のソースに第２反応ガスを供給し、１層の第１ソースと第２反応ガスを化学反応させて所望原子層を蒸着し、余分の反応ガスは、パージガスを流してパージさせる過程を１周期として、薄膜を蒸着する。
【０００５】
前述したように、原子層蒸着法は、表面反応メカニズムを利用することにより、安定した薄膜を得ることができるだけでなく、均一な薄膜を得ることができる。また、原子層蒸着法は、反応ガスと反応ガスを互いに分離させ、順次注入及びパージさせるので、化学気相蒸着法に比べて、気相反応によるパーティクル生成を抑制する。
このような原子層蒸着方式を利用して薄膜を蒸着すれば、基板表面に吸着される物質（一般に、薄膜の構成元素を含む化学分子）によりのみ蒸着が発生することになる。この際、吸着量は一般的に基板上でそれ自体で制限されるから、供給される反応ガス量（反応ガス量）に大きくよらなくて基板全体にわたって均一に得られる。
これにより、非常に高いアスペクト比を有する段差でも、位置にかかわらず一定厚さの膜を得ることができ、数ナノメートル単位の薄膜の場合にも、厚さの調節が容易である。また、工程ガスの供給周期当たりの蒸着される膜の厚さが比例するので、供給周期回数によって正確な膜厚さの調節が可能になる。
【０００６】
前述した原子層蒸着法を具現するための従来の原子層蒸着装置を図１及び図２に基づいて説明する。図１は従来技術によるシャワーヘッド方式の原子層薄膜蒸着装置の構成を示す概略図、図２は従来技術による層状挙動方式の原子層薄膜蒸着装置の構成を示す概略図である。説明の便宜上、同一構成に対しては同一符号を使用する。
【０００７】
まず、図１に示すように、従来のシャワーヘッド方式の原子層蒸着装置は、反応ガスとパージガスが順次供給され、基板３に原子層が成長される反応炉２を備え、供給されたガスを外部に排出するための吸引手段と連結された反応チャンバ１；前記反応チャンバ１の下部に備えられ、基板３が装着される基板チャック４；前記基板チャック４と対向する反応チャンバ１の上部に備えられ、ガスを反応炉２に噴射させるシャワーヘッド型の反応ガス供給部５；及び前記反応ガス供給部５の供給路にそれぞれ備えられてガス供給を開閉するバルブ６、７、８、９を含む。
ここで、６は第１反応ガスバルブ、７はパージガスバルブ、８は第２反応ガスバルブ、９はパージガスバルブを示す。
【０００８】
次に、図２に示すように、従来の層状挙動方式の原子層薄膜蒸着装置は、反応ガスとパージガスが順次供給されて原子層蒸着がなされる反応炉２を有する反応チャンバ１；前記反応チャンバ１の下部に備えられ、基板３が装着される基板チャック４；及び前記反応チャンバ１にガスの層状形態を提供するように連結されたガス供給管にそれぞれ備えられるバルブ６、７、８、９を含む。ここで、前記反応チャンバ１は、反応炉２に供給されたガスを外部に排出させるための吸引手段と連結される。
【０００９】
しかし、以上のように構成された従来の装置は、１サイクルを動作させるに、各反応ガスバルブ６、８とパージガスバルブ７、９の開閉動作を１回ずつ行わなければならないので、バルブ寿命の限界のため、長期間使用することができない。また、バルブ動作の際に伴われるバルブ駆動電気信号、及びエア駆動の際に発生する時間遅延と、狭いガス管から発生するコンダクタンスによって、適正量のガスが基板３に到逹するには、多少時間が遅延するという問題点があった。
また、反応チャンバ１において、ガスの迅速な入れ替えのために、小体積の反応チャンバ１が使用されるから、反応チャンバ１に装着可能な基板３の数が限定されるので、実際に量産工程に適用するのには生産性が落ちる問題点があった。
【００１０】
一方、原子層蒸着反応において、反応速度及び反応特性を改善するために、プラズマを反応炉に直接励起させる従来の薄膜蒸着装置があった。
前記装置は、図３に示すように、反応チャンバ１内の反応炉２にプラズマを励起させるＲＦパワーをオン／オフするスイッチ１１を有するプラズマ発生装置１０を含んで構成される。プラズマを形成して原子層を蒸着するためには、選択された反応ガスが反応チャンバ１に導入されて基板３に接触される段階と同時に、ＲＦパワーが印加されなければならない。
この場合、基板３に到達する反応ガスの速度とＲＦパワーの電気的伝達速度が一致しないか、各段階の過程が非常に短時間の間になされて、以前段階の反応ガスが反応炉から完全に除去されなかったままでプラズマが形成されれば、不純物含有量の多い薄膜が蒸着されて、薄膜特性を低下させる問題点があった。
また、プラズマが、選択された反応ガスが導入される段階で励起されなければならないので、ＲＦパワーは特定の段階でだけ印加されなければならなく、よって特定の段階でだけＲＦパワーを印加するためには、ＲＦパワーオン／オフ過程が繰り返されなければならなく、これにより、ＲＦパワーを生成するＲＦパワージェネレーター、及びプラズマを安定化させるＲＦマッチングネットワークの寿命が短くなり、安定化時間なしに形成されたプラズマは効率が落ち、不安定な原子層蒸着反応が起こるという問題点があった。
【００１１】
一方、一つの反応ガスが供給されるライン上でラジカル化させることができるラジカル発生装置１２を利用した従来の薄膜蒸着装置は、図４に示すように、外部装置でラジカルを形成して反応炉に印加するように、ラジカル発生装置１２の内部に短時間の間に、選択された反応ガスが供給されて累積され、バルブ１３が開放されたときに発生したラジカルが同時に反応炉２に移動される。
このようなラジカル発生装置を使用すれば、前記図３の装置で発生するバルブ開閉による装置の耐久性と時間遅延による問題点の外に、ラジカル化された反応ガスが別途のバルブ１３を通じて反応炉に移動することにより、反応炉２の内圧が不安定になるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、反応チャンバに取り付けられたバルブとポンプの反復作動によってガスの供給と排出を繰り返す従来技術とは異なり、反応チャンバの内部にガスを連続的に供給し、供給されたそれぞれのガスを独立した多数の反応セルで滞留させ、基板を滞留するガスに順次露出させるとともに反応の完了した余剰ガスを同時に排出させることにより、反応時間と反応特性を向上させることができる薄膜蒸着装置及び方法を提供することにその目的がある。
また、本発明は、反応速度及び反応特性を向上させるために、工程目的に適した所定の反応ガスを連続的にプラズマ励起させることができ、同時にまたは選択によって所定の反応ガスを連続的にラジカル化させることができる薄膜蒸着装置及び方法を提供することに他の目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
以上説明した従来技術の問題点を解決するための本発明の一実施例による薄膜蒸着装置は、サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置において、外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段；ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段；ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段；ガス滞留手段を回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段；及び前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段；を含んでなる。
【００１４】
また、本発明の他の実施例による薄膜蒸着装置は、サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置において、外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段；ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段；ガス分配手段の下端と中央部が結合され、ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段；ガス分配手段を回転駆動させることにより、ガス分配手段と一体的に回転駆動されるそれぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段；及び前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段；を含んでなる。
【００１５】
また、本発明のさらに他の実施例による薄膜蒸着装置は、サセプタに装着された多数の基板上に原子層を形成するための反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置において、外部から反応チャンバの内部に、２（第１反応ガス、第２反応ガス）又はそれ以上の反応ガスとパージガスを供給するガス供給手段；ガス供給手段から供給されるガスを第１反応ガス、パージガス、第２反応ガス、パージガス、・・・の順に分配して噴射するガス分配手段；ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段；ガス滞留手段を回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段；及び前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段；を含んでなる。
【００１６】
また、本発明のさらに他の実施例による薄膜蒸着装置は、サセプタに装着された多数の基板上に薄膜を形成するための反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置において、外部から反応チャンバの内部に、反応ガスを含む多数のガスを供給するガス供給手段；ガス供給手段から供給されるガスを工程目的に合うように分配して噴射するガス分配手段；ガス分配手段から分配されたそれぞれのガスを区画して収容し、ガスを滞留させる多数の反応セルを備えるガス滞留手段；前記サセプタを回転駆動させることにより、それぞれの反応セルで滞留するガスを基板に順次接触させる回転駆動手段；及び前記ガス滞留手段により滞留するガスを反応チャンバの外部に吸引するガス排出手段；を含んでなる。
【発明の効果】
【００１７】
以上詳細に説明したように、本発明の薄膜蒸着装置及び方法によれば、薄膜蒸着反応に必要なそれぞれのガスの供給と排出が連続的に同時になされ、基板は最小限の反応空間を有する反応セルの内部で連続的に供給されるそれぞれのガスに順次露出されることにより、薄膜が形成されるので、ガスの供給及び遮断のためのバルブの反復的な開閉操作が不要であって、装置の耐久性及び生産性を格段に向上させることができる効果がある。
また、本発明は、反応ガスに対するプラズマ励起及びラジカル化を、連続的に供給されるガスに対して実施することにより、従来と異なり、作動時点における制御が不要であるので、安定的な工程条件で高品質の薄膜を形成することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以上のような特徴を有する本発明は、大きくガス滞留手段が回転しながら、反応セルで滞留するガスを固定サセプタ上の基板に順次接触させる方式（以下、「反応セル回転方式」という）と、サセプタが回転しながら、固定反応セルで滞留するガスを回転する基板に順次接触させる方式（以下、「サセプタ回転方式」といい、前記最後の実施例の場合がこれに当たる）に区分することができるが、これら方式はすべて同一原理によって作動するので、以下では前者に基づく実施例を中心に説明する。
【００１９】
また、本発明は一般的な化学真空蒸着装置にも適用することができるが、原子層蒸着装置に適用するとき、その特徴が最も著しく現われ、説明の便宜上、２種の反応ガスと１種のパージガスを使用する原子層蒸着装置に関する実施例を中心に説明する。さらに、本発明の実施例による原子層蒸着装置は、大きく基板上に供給されるガスの流れ方向によって、層状挙動方式とシャワーヘッド方式に区分することができるが、以下では前者を中心に説明し、後者については前者の構成と違う点を中心にして説明する。
【００２０】
以下、本発明の詳細な構成を添付図面に基づいて具体的に説明する。
図５は本発明の一実施例による、反応セル回転方式及び層状挙動方式を取る薄膜蒸着装置の概略的な構成を示す断面図であって、図示のように、反応チャンバ１００の一側には基板出入口１１０が形成され、基板出入口１１０から供給された多数の基板が装着されるサセプタ２００には、基板の加熱のためのヒーター２１０が取り付けられ、このように構成されたサセプタ２００は、基板のローディング及びアンローディングのために、サセプタ２００の下部に連結されたサセプタ回転軸２２０によって昇降及び回転される。このような構成は、従来にすでに知られたようであるので、以下では従来の技術に比べ、特徴的な部分のみを詳細に説明する。
【００２１】
まず、ガス供給手段３００を見ると、図５に示すように、反応チャンバ１００の上部中央に、気密を維持した状態で円筒状の供給本体３１０が固定的に取り付けられ、その側面には、外部から第１及び第２反応ガス及びパージガスがそれぞれ供給されるガス供給口３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃが形成され、それぞれのガス供給口３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃは、供給本体３１０の内周面に形成された環状溝３１４ａ、３１４ｂ、３１４ｃにそれぞれ連結される。
【００２２】
前記供給本体３１０の中央には、外部の回転駆動手段（図示せず）によって回転される回転軸３２０が挿設される。この回転軸３２０の内部では、前記それぞれの環状溝３１４ａ、３１４ｂ、３１４ｃと連通して垂直下方に形成されたガス管路３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃが相互に離隔して反応チャンバ１００の内部に延設される。
したがって、供給本体３１０の側面に供給されるそれぞれのガスは、回転軸３２０が回転するうちにも、ガス管路３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃを通じて垂直下方のガス分配手段４００に提供される。
【００２３】
この際、前記供給本体３１０と回転軸３２０との間には、気密を維持するように、磁性流体を利用したシーリングまたは機械的シーリング方法であるエリックシーリング方法などを使用することができる。その構成は公知の技術であるので、具体的な構成に対する詳細な説明は省略する。
一方、前記回転軸３２０を回転駆動させる回転駆動手段（図示せず）は、駆動モーターの回転数と回転速度を制御することができるエンコーダが取り付けられたステッピングモーターを使用することが望ましく、前記エンコーダにより、反応セル５１０の１サイクル工程時間を制御することになる。
【００２４】
次に、ガス分配手段４００を構成する分配本体４１０は、図５の部分詳細図、図７及び図８（図７のＢ−Ｂ線に沿って取った断面を示す斜視図）に示すように、前記ガス供給手段３００を構成する回転軸３２０の下端に固定される。この分配本体４１０の上部には、前記それぞれのガス管路３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃと連結されたガス導入孔４１２ａ、４１２ｂ、４１２ｃが形成され、その内部には、それぞれのガス導入孔４１２ａ、４１２ｂ、４１２ｃを通じて流入されたガスが混合しないように隔離させる多数の分配チャンバ４１４が形成される。
この際、前記分配本体４１０を、所定厚さを有する円板状に構成したが、多様な変形が可能であるのは勿論である。
また、前記分配チャンバ４１４のうち、パージガスが供給されるガス管路３２２ｃと連結された分配チャンバ４１４同士は連通して構成されているが、その外にパージガスが供給されるガス管路３２２ｃを分岐してそれぞれの分配チャンバ４１４に供給することもできる。
【００２５】
分配チャンバ４１４は、中央を中心として、第１反応ガス、パージガス、第２反応ガス、パージガスの順に隣接して配置され、後述する反応セル５１０と対応して配設される。
すなわち、それぞれの分配チャンバ４１４は、分配本体４１０の側面に形成された側方噴射口４１６と連通して、前記ガス供給口３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃに流入されたそれぞれのガスが反応セル５１０に噴射されるように形成される。
【００２６】
一方、前記分配チャンバ４１４のうち、パージガスが供給される分配チャンバ４１４の下部には、側方噴射口４１６とは別に、垂直下方にガスが噴射されるように形成された下方噴射口４１８を備えることが望ましい。これは、反応ガスが供給される反応セル５１０の内部のガスが互いに混合しないように、ガスカーテンの役目をするためである。
前記側方噴射口４１６と下方噴射口４１８の形状は、図面にはホール（ｈｏｌｅ）状に表示されているが、その外に、外周面に沿って開口したスリット（ｓｌｉｔ）状にすることもできる。
【００２７】
次に、ガス滞留手段５００は、前記分配本体４１０の外郭に多数の反応セル５１０として構成される。それぞれの反応セル５１０は、図７に示すように、ディスク状の上部プレート５１２の下面に所定間隔を置いて取り付けられる多数の隔壁５１４によって区画された空間を意味し、それぞれの反応セル５１０は、前記分配本体４１０の内部に形成された分配チャンバ４１４から分配されたガスを受ける。
このように構成された反応セル５１０によって、実質的に基板の薄膜形成に関連する空間は最小化され、これにより基板に接触されるガス密度を増加させることにより、短時間の間に薄膜蒸着反応が起こるように誘導し、かつ供給されるガス量を最小化することができる。
【００２８】
前記上部プレート５１２は、ガスが上部に拡散することを防止するとともに反応チャンバ１００の上面での薄膜の累積によるパーティクルの発生を防止する機能をすることになる。
この際、上部プレート５１２の形状は、工程の目的に適するように多様な設計変更が可能である。例えば、上部プレート５１２を円板状に形成して、反応セル５１０全体の上部が塞ぐように構成するか、パージガスが供給される反応セル５１０の上部に対応する部分にだけ上部プレート５１２を形成させないことにより、パージガスが反応チャンバ１００の上部空間に流れるようにすることもできる。
図６では、前記それぞれの反応セル５１０を、９０゜の間隔で四つの反応セル５１０を同じ扇形に形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、工程の目的または特性に応じて、４５゜（八つの反応セル）または１８０゜（二つの反応セル）で構成することができ、それぞれの反応セル５１０の大きさを異に構成することもできる。
【００２９】
前記それぞれの隔壁５１４の設置方向は、ガス分配手段４００の側方噴射口４１６と対応するように設計される。本発明の実施例によれば、隔壁５１４は円板状の上部プレート５１２の下面に半径方向に取り付けることで、ガスを放射方向に流れるようにした。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、隔壁５１４を反応セル５１０の回転方向に対応するように、螺旋方向に取り付ける（図示せず）ことにより、ガスがより均一に流れるようにすることができるなど、多様に変形して実施することができる。
【００３０】
前記反応セル５１０の中でも内部ガスの滞留時間を最大化するために、反応セル５１０の外郭には、隔壁５１４の端部を連結する外郭壁５１８をさらに取り付けることができる。
原子層蒸着反応に関する単一層吸着理論である“Ｌａｎｇｍｕｉｒ法則”によれば、原子層薄膜蒸着反応のための吸着速度は、反応ガスの分圧と露出時間に比例して表面吸着速度が決定される。前記外郭壁５１８は、反応ガスが排出されることを遅延させることにより、反応ガスの分圧を上昇させ、結局、表面吸着速度の向上をもたらすことになるものである。
【００３１】
一方、隣接反応セル５１０間の内部ガスの混合を制限するために、図７に示すように、隔壁５１４の下端には、サセプタ２００と平行な方向に延長された延長板５１６をさらに取り付けることもできる。
【００３２】
以上のように構成された上部プレート５１２、隔壁５１４、外郭壁５１８及び延長板５１６は、一体型または組立型に構成することができ、反応セル５１０の回転による遠心力によって分離しないように堅く結合されなければならない。
前記延長板５１６と基板の間の間隔は狭ければ狭いほど望ましいが、反応セル５１０の内部ガス間の混合を最小化するために、少なくとも３ｍｍ以下を維持しながら、延長板５１６と基板との間で接触が発生しないようにしなければならない。
【００３３】
このように構成されたガス滞留手段５００は、前記ガス分配手段４００に固定されて一体的に回転するように構成され、本発明の一実施例によれば、図７に示すように、分配本体４１０の側面に多数の結合溝４２０を形成し、これに対応する形状の結合突起５２０を隔壁５１４の一端部に形成して、結合溝４２０と結合突起５２０の結合によって、遠心力による離脱を防止するように構成したが、このような固定手段はボルトまたはクランプ部材などを利用して多様に変形して使用することができることは勿論である。
【００３４】
一方、図面に示されていないが、本発明の他の実施例として、シャワーヘッド方式の薄膜蒸着装置は、前述した層状挙動方式の薄膜蒸着装置と基本的に同一であるが、ガス滞留手段の構造のみが異なる。
すなわち、層状挙動方式の原子層蒸着装置のガス滞留手段５００を構成する上部プレート５１２の代わりに、ガス分配手段４００から分配されたそれぞれのガスを収容し得る所定空間を有し、下面に形成された多数の噴射孔を通じて、収容されたガスを垂直下方に噴射する多数のシャワーヘッドを備えることもできる。
この際、それぞれのシャワーヘッドの下面には、これに対応する反応セル５１０が形成されるように、多数の隔壁５１４が所定間隔を置いて取り付けられ、前述した外郭壁５１８と延長板５１６を取り付けることができることは勿論である。
したがって、このようなシャワーヘッド方式の薄膜蒸着装置は、前述した実施例とは、基板に対するガスの供給方向が異なるばかりで、層状挙動方式の薄膜蒸着装置と同一作用をすることになる。
【００３５】
次に、ガス排出手段６００は、図５に示すように、反応チャンバ１００の内周面に沿って取り付けられた制限プレート１２０とそれぞれの反応セル５１０間の空間に存在するガスを外部に排出するための多数の吸引セル６１０からなる。
ここで、前記制限プレート１２０は、反応ガスがサセプタ２００の下部空間に流入することを防止することにより、反応チャンバ１００の内部空間のうち、実際に反応が起こる空間を制限する役目をすることになる。
それぞれの吸引セル６１０は、相異なる反応ガスが同時に吸入されないように、前記反応セル５１０の外郭長に相応する長さに区画される。これは、それぞれの反応セル５１０から流出する余剰ガスのうち、第１反応ガスと第２反応ガスの同時吸入による混合によって発生し得るパーティクル生成を防止するためのものある。すなわち、ある一時点で吸引セル６１０に吸入されるガスは、１種の反応ガスとパージガスにならなければならない。したがって、四つの反応セル５１０からなる場合、それぞれの吸引セル６１０の長さは反応セル５１０の外郭長より小さくなければならなく、これを満足する条件で、４以上の数でなることもできることは勿論である。
【００３６】
それぞれの吸引セル６１０の構造を図５及び図６に基づいて具体的に説明すれば、前記制限プレート１２０の上部と反応セル５１０の外郭間の空間に当たる１次排気通路６１２と、その上部に多数の連通孔６１６が形成された分離プレート６１４と、上部空間に形成され、排気口６２０と連結する２次排気通路６１８から構成される。このように、排気通路６１２、６１８を２重構造に形成し、その間に多数の連通孔６１６が形成された分離プレート６１４を取り付けたことは、反応セル５１０の外郭全体に流れるガスに対する吸入力を均一にするためである。
【００３７】
以上のように構成された本発明の薄膜蒸着装置は、プラズマ励起手段及び／またはラジカル発生手段を付け加えることができ、このような構成は、連続的なガス供給がなされる状態で作動するという点で従来の技術とは相違点を有する。
まず、プラズマ励起手段（図示せず）は、前記反応セル５１０のうち、反応ガスが供給される少なくともいずれか一つの反応セル５１０に外部のＲＦパワー印加装置（図示せず）が導電可能に接続されるように構成する。
具体的に、前記ＲＦパワー印加装置は、回転軸３２０を介して、反応セル５１０の基板上部に対応する面、すなわち上部プレート５１２の下面に付着された導電性部材（図示せず）と連結される。本発明による他の実施例として、シャワーヘッド方式の薄膜蒸着装置の場合、シャワーヘッドの下面に付着された導電性部材（図示せず）と連結される。
前記反応セル５１０の内部ガスのプラズマが連続して形成されるようにするために、サセプタ２００は導電性を有するグラファイト系またはシリコンカーバイド系の材料から構成することが望ましい。
このような構成によれば、ＲＦパワー印加装置と接続された特定反応セル５１０の内部ガスはいつもプラズマ励起状態で存在することになり、従来の装置とは異なり、特定ガスの供給時点でだけプラズマを励起させる必要がなくなる。
【００３８】
次に、ラジカル発生手段（図示せず）は、前記ガス供給手段３００から供給される反応ガスの少なくともいずれか１種の反応ガスをラジカル化させれば良く、このようにラジカル化された反応ガスは特定反応セル５１０の内部に連続的に供給される。
一方、このように構成されたプラズマ励起手段とラジカル発生手段は、工程目的に合うように、単独で使用するか、あるいは組合せで使用することができ、ＲＦ電力印加装置とラジカル発生装置（例えば、ＭＫＳ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｉｎｃ．で製造したＲｅａｃｔｉｖｅ  Ｇａｓ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）はすでに公知の技術で、当業者の水準で容易に実施することができる程度に過ぎないので、これについての具体的な説明は省略する。
【００３９】
以下では、前記のように構成された本発明の実施例のうち、反応セル回転方式の装置の中で層状挙動方式の原子層蒸着装置を中心として、薄膜蒸着方法を、反応ガスの流れを示す図９、及びパージガスの流れを示す図１０に基づいて具体的に説明する。
【００４０】
（１）外部の基板移送装置（図示せず）により、サセプタ２００上の所定位置に基板をローディングし後、サセプタ回転軸２２０が回転しながら、サセプタ２００上に多数の基板を順にローディングする（Ｓ１）。
【００４１】
（２）サセプタ２００が反応チャンバ１００の制限プレート１２０まで上昇して、基板上部に、ガス滞留手段を構成する反応セル５１０が位置する（Ｓ２）。
この状態で、サセプタ２００の下部に取り付けられたヒーター２１０により、反応に必要な温度まで基板を加熱することになる。
【００４２】
（３）ガス供給手段３００の内部の回転軸３２０が回転するにしたがい、回転軸３２０の下端に連結されたガス分配手段４００、及びこれと結合されたガス滞留手段を構成する反応セルが同時に回転駆動される（Ｓ３）。
【００４３】
（４）外部から、ガス供給手段３００に形成されたガス供給口３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃを通じてそれぞれ第１及び第２反応ガス及びパージガスが供給され、供給されたガスはそれぞれ環状溝３１４ａ、３１４ｂ、３１４ｃ及びガス管路３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃを順に経ってガス分配手段４００に提供される（Ｓ４）。
このとき、ラジカル発生手段により、反応ガスの少なくとも１種を、該当ガス供給口を通過する前に、ラジカル化させることが望ましい（Ｓ８）。
一方、前記３段階と４段階はその順を変えてもかまわなく、作動条件に応じてこれらを同時にあるいは一定時間の間隔で実施することもできる。
【００４４】
（５）前記それぞれのガス管路３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃを流れるガスはそれぞれ分配本体４１０のガス導入孔４１２ａ、４１２ｂ、４１２ｃを通じて分配チャンバ４１４の内部に供給され、分配チャンバ４１４から側方噴射口４１６を通じて該当反応セル５１０にガスが噴射される（Ｓ５）。
一方、本発明の他の実施例として、シャワーヘッド方式の薄膜蒸着装置を使用する場合、シャワーヘッドの下面に形成された多数の噴射孔を通じてそれぞれの反応セル５１０の内部にガスが供給される。
この際、基板の上部に対応する反応セル５１０の該当面と導電可能に接続された外部のＲＦパワー印加装置によって電力を印加することにより、当該反応セル５１０の内部の反応ガスをプラズマ励起させることが望ましい（Ｓ８）。
【００４５】
（６）このように噴射されたそれぞれのガスは反応セル５１０で滞留し、このときに回転されるサセプタ２００上の基板は滞留するガスに露出されることにより、基板上に薄膜が蒸着される（Ｓ６）。
具体的に、停止した基板のいずれか一つを基準として見ると、当該基板は、反応セル５１０が回転するにしたがい、・・・第１反応ガス→パージガス→第２反応ガス→パージガス→第１反応ガス・・・の順に露出される。すなわち、反応セル５１０が１回転する間、サセプタ２００上の全基板に対して１サイクルのガス接触が行われることにより、１次薄膜が形成される。
したがって、反応セル５１０の回転数は原子層蒸着のサイクル数と同一であり、１サイクル当たり蒸着された厚さが一定であるので、原子層薄膜の全厚を反応セル５１０の回転数によって調節することができる。
【００４６】
（７）反応チャンバ１００の内周面と反応セル５１０の外郭に、反応ガスのうち反応に関与しない余剰ガスとパージガスをそれぞれの吸引セル６１０によって排出する（Ｓ７）。
具体的に、排出されるガスの流れを見ると、それぞれの吸引セル６１０別に、１次排気通路６１２→分離プレート６１４に形成された連通孔６１６→２次排気通路６１８→排気口６２０を通して外部に排出される。
この際、前記それぞれの吸引セル６１０は反応セル５１０の外郭の長さに対応する長さに区画して、第１反応ガスと第２反応ガスは同時に吸入されないようにすることが望ましい。吸引セル６１０の長さが反応セル５１０外郭の間隔より大きい場合、相異なる反応ガスが同一の排気口６２０に吸入でき、その場合、反応ガス間の反応によるパーティクル発生によって薄膜の表面特性が低下するおそれがあるからである。
【００４７】
（８）以上の工程において、（３）段階〜（７）段階は所望厚さの薄膜が形成されるまで続いて実行され、蒸着工程がすべて済むと、基板出入口１１０を開放した後、基板移送装置（図示せず）により、サセプタ２００上の基板を順に引き出す。このような作業は、基板のローディング作動順の逆順に行われる。
【００４８】
以上具体的に説明した本発明による原子層薄膜装置及び方法を用いて、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＮなどのような２元系薄膜工程を実行するためには、少なくとも四つの反応セル５１０を備えなければならなく、それぞれの隣接反応セル５１０には、第１反応ガス→パージガス→第２反応ガス→パージガスの順に供給されなければならない。
例えば、２元系薄膜を形成するために、四つの反応セル別に供給されるガスをまとめると、下記の表１のようである。
【００４９】
【表１】
2008524842.tif 000003
【００５０】
前記表を参照してＴｉＮ薄膜の蒸着工程を調べると、基板のいずれか一つを基準とするとき、まず回転する反応セル１により、基板上にＴｉＣｌ４が吸着され、ついで反応セル２のパージガスにより、単一層以外の余剰ＴｉＣｌ４反応ガスは除去され、反応セル３により、ＮＨ３反応ガスに露出されれば、原子層薄膜蒸着反応により、ＴｉＮ単一薄膜が形成された後、反応セル４のパージガスにより、単一薄膜以外の副産物又は余剰ＮＨ３反応ガスが除去されることで、１サイクル工程が行われる。このような１サイクルの工程は、サセプタ２００上の全基板に対して同様に行われる。
【００５１】
一方、２種の２元系薄膜の複合層、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とハフニウムオキサイド（ＨｆＯ２）の複合層などの薄膜工程を実行するためには、少なくとも八つの反応セル５１０を備えなければならなく、反応ガスが供給される反応セル５１０それぞれの間には、パージガスが供給される反応セル５１０を配置しなければならない。
すなわち、反応セル１にはＡｌ（ＣＨ３）３、反応セル２には不活性ガスＡｒ、Ｎ２、Ｘｅなど、反応セル３にはＯ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏの1種、反応セル４には不活性ガスＡｒ、Ｎ２、Ｘｅなど、反応セル５にはＨｆＣｌ４、反応セル６には不活性ガスＡｒ、Ｎ２、Ｘｅなど、反応セル７にはＯ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏの１種、反応セル８には不活性ガスＡｒ、Ｎ２、Ｘｅなどを供給しなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
以上詳細に説明したように、本発明の薄膜蒸着装置及び方法によれば、薄膜蒸着反応に必要なそれぞれのガスの供給と排出が連続的に同時になされ、基板は最小限の反応空間を有する反応セルの内部で連続的に供給されるそれぞれのガスに順次露出されることにより、薄膜が形成されるので、ガスの供給及び遮断のためのバルブの反復的な開閉動作が不要であって、装置の耐久性及び生産性を格段に向上させることができる効果がある。
また、本発明は、反応ガスに対するプラズマ励起及びラジカル化を、連続的に供給されるガスに対して実施することにより、従来と異なり、作動時点に対する制御が不要であるので、安定的な工程条件で高品質の薄膜を形成することができる効果がある。
以上本発明を特定の実施例に基づいて説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、添付の特許請求範囲によってだけ限定される。当業者であれば、本発明の範囲から逸脱しないで多様な変形又は修正が可能であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】従来のシャワーヘッド方式の原子層薄膜蒸着装置の構成を示す概略図である。
【図２】従来の層状挙動方式の原子層薄膜蒸着装置の構成を示す概略図である。
【図３】従来の層状挙動方式の原子層蒸着装置にプラズマ励起手段が付け加えられた構成を示す概略図である。
【図４】は従来の層状挙動方式の原子層蒸着装置にラジカル発生手段が付け加えられた構成を示す概略図である。
【図５】本発明の実施例による薄膜蒸着装置の断面構成を示す概略図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿って取った断面図である。
【図７】図５を構成する反応セルの構成を示すための部品組立図である。
【図８】ガス分配手段の断面を示すために、図７のＢ−Ｂ線に沿って取った断面図である。
【図９】本発明の実施例による薄膜蒸着装置において反応ガスの流れを示す概略図である。
【図１０】は本発明の実施例による薄膜蒸着装置においてパージガスの流れを示す概略図である。
【図１】
2008524842.tif 000004
【図２】
2008524842.tif 000005
【図３】
2008524842.tif 000006
【図４】
2008524842.tif 000007
【図５】
2008524842.tif 000008
【図６】
2008524842.tif 000009
【図７】
2008524842.tif 000010
【図８】
2008524842.tif 000011
【図９】
2008524842.tif 000012
【図１０】
2008524842.tif 000013
【国際調査報告】
2008524842.tif 000014
2008524842.tif 000015