(57)【要約】 [解決手段]本発明は、シリコンウエハの研磨工程で使用するための研磨用スラリー組成物に関するものであって、従来の脱イオン水、コロイドシリカ、ｐＨ調節剤、水溶性増粘剤を含有する研磨用スラリー組成物に対して、酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤のうち少なくとも何れか一つのキレート剤を添加して製造することができる。 [効果]本発明によって、保存安定性が大きく改善でき、特に、シリコンウエハの最終研磨用として使用する場合、ウエハ表面のヘイズとＬＰＤ及び表面マイクロラフネスが大きく改善できる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
脱イオン水、コロイドシリカ、ｐＨ調節剤、及び水溶性増粘剤を含むシリコンウエハの研磨用スラリー組成物において、前記組成物が、酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤のうち少なくとも何れか一つのキレート剤を含むことを特徴とする研磨用スラリー組成物。
【請求項２】
前記キレート剤は、酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤との混合物であることを特徴とする請求項１に記載の研磨用スラリー組成物。
【請求項３】
前記水溶性増粘剤は、重量平均分子量が１,０００,０００〜４,０００,０００である水溶性セルロースであることを特徴とする請求項１に記載の研磨用スラリー組成物。
【請求項４】
前記酢酸系キレート剤は、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、Ｎ−(ヒドロキシエチル)エチレンジアミン三酢酸、ニトリロ三酢酸及びそれらの塩、並びにこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨用スラリー組成物。
【請求項５】
前記リン酸系キレート剤は、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のナトリウム塩、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のアンモニウム塩、アミノトリ(メ
チレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、及びこれらの
混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨用スラリー組成物。
【請求項６】
前記酢酸系キレート剤がスラリー組成物の総重量に対し０.００１〜０.５重量％含まれ、かつ、リン酸系キレート剤がスラリー組成物の総重量に対し０.０００２〜５重量％含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨用スラリー組成物。
【請求項７】
酢酸系キレート剤に対するリン酸系キレート剤の混合比が、０.２：１〜１０：１であ
ることを特徴とする請求項２に記載の研磨用スラリー組成物。
【請求項８】
前記酢酸系キレート剤は、ＥＤＴＡ、Ｎａ4ＥＤＴＡ、Ｎａ2ＥＤＴＡ、(ＮＨ4)4ＥＤＴＡ、及び(ＮＨ4)2ＥＤＴＡから選択され、かつ、前記リン酸系キレート剤は、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のナトリウム塩及びエチレンジアミンテトラ(メチレ
ンホスホン酸)のアンモニウム塩から選択されることを特徴とする請求項２に記載の研磨
用スラリー組成物。
【請求項９】
シングルウエハ(Ｓｉｎｇｌｅ  Ｗａｆｅｒ)研磨装置またはマルチウエハ(Ｍｕｌｔｉ
Ｗａｆｅｒ)研磨装置により、請求項１ないし８の何れか１項に記載の研磨用スラリー
組成物を用いてシリコンウエハの研磨を行うことを特徴とするシリコンウエハの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハの表面欠陥を大きく減少させ、それによってシリコンウエハの表面マイクロラフネスおよびヘイズ(Ｈａｚｅ)を改善するスラリー組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造時の基板として用いられるシリコンウエハは、単結晶成長、スライシング、研磨(Ｌａｐｐｉｎｇ)、エッチング、鏡面研磨(Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)、洗浄(Ｃｌｅａｎ
ｉｎｇ)などの多くの工程を経て製造される。製造工程の最終段階である鏡面研磨工程で
は、それ以前の工程で生成した表面や表面下の欠陥、即ちスクラッチ、亀裂、粒子変形(
ｇｒａｉｎ  ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ)、表面マイクロラフネス(Ｍｉｃｒｏｒｏｕｇｈｎｅｓｓ)、表面の地形的な欠陥(Ｔｏｐｏｇｒａｐｈｉｃａｌ  ｄｅｆｅｃｔ)などの欠陥を
除去し、無欠点鏡面のウエハに加工される。
【０００３】
シリコンウエハの製造工程において、ＣＭＰ工程は、最後の工程であって、ウエハ表面の微細スクラッチ(Ｍｉｃｒｏｓｃｒａｔｃｈ)などの表面の物理的欠陥を除去し、表面マイクロラフネスを下げ、滑らかな表面にする段階である。このようなＣＭＰ工程を経たウエハは、表面欠陥の少ない鏡面を有する。最近、産業上重要視されている表面下の欠陥は、半導体回路の電気的な特性を阻害する特性がある。
【０００４】
ウエハのＣＭＰ工程は、多段階を経ることになるが、大別して、表面のディープスクラッチ(ｄｅｅｐ  ｓｃｒａｔｃｈ)を除去するために早い研磨速度を要する１次研磨段階と、残留の微細スクラッチを除去し、数Åのオーダーに表面のマイクロラフネスを下げ、鏡面を具現する２次研磨段階とで構成される。これらの研磨段階では、研磨機(Ｐｏｌｉｓｈｅｒ)と脱イオン水の他に、軟質または硬質のウレタン研磨布および研磨液としてのシリカスラリーが必要となる。
【０００５】
ウエハ表面の研磨は、化学的機械的研磨(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐ
ｏｌｉｓｈｉｎｇ)の反応により説明されるが、研磨布は機械的研磨の役割を果たし、研
磨液(スラリー)は研磨布の機械的研磨を補助するとともに化学的研磨を行う役割を果たす。高品質の大口径ウエハを製造するためには、研磨布およびスラリーの性能が相当に向上することが必要である。
【０００６】
特に、３００ｍｍの大口径ウエハの加工特性上、高い水準の無欠点表面を具現するためのスラリーの開発が重要視されている。
ＣＭＰ工程では、化学的且つ物理的な研磨を促進するスラリーが使用されるが、研磨剤、ｐＨ調節剤の塩基、そして脱イオン水が一般的な成分であり、特殊な研磨品質を発揮させるために、有機あるいは無機の添加剤を添加することもある。研磨剤は、主としてシリカを使用し、ｐＨ調節剤としては、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムを使用するか、アンモニア水を使用することが一般的である。このような成分にさらに添加物が使用されるが、研磨速度を向上させ、研磨表面の洗浄度を向上させ、かつ研磨剤の分散性を増進させる非イオン性界面活性剤、アミン類の研磨速度促進剤などがそれに該当する。ＣＭＰ工程別に、工程特性に沿う別途のスラリーを使用することが普遍化されている。
【０００７】
ＵＳ３,７１５,８４２には、シリカの凝集および沈降を禁止してスクラッチの形成を抑制する方法が開示されている。この方法によると、１００ｎｍ以下の沈澱シリカ粒子を水に分散させ、これにアンモニアを添加してｐＨを７以上にした後、水溶性セルロース類、
即ちメチルセルロース(ＭＣ)、メチルエチルセルロース(ＭＥＣ)、エチルセルロース(Ｅ
Ｃ)、ヒドロキシエチルセルロース(ＨＥＣ)、ヒドロキシプロピルセルロース(ＨＰＣ)な
どをスラリー総重量の０.０５〜２.５重量％になるよう加えることによりウエハの最終研磨用スラリー組成物が調製される。しかし、顕微鏡を用いた目視検査によって表面欠陥が検出されるに止まるので、研磨品質の改善効果を明確に評価するには困難があった。
【０００８】
ＵＳ４,１６９,３３７には、シリコンウエハ表面のヘイズを改善し、研磨速度を増加するスラリー組成物が開示されている。このスラリー組成物は、研磨剤としての４〜１００ｎｍの大きさのコロイドシリカあるいはシリカゲルに、アミノエチルエタノールアミンまたはエチレンジアミンなどの水溶性アミンを、シリカ濃度を基準として０.１〜５重量％
で添加することにより調製される。また、ＵＳ４,４６２,１８８では、コロイドシリカと水溶性アミンからなる組成に四級アンモニウム塩あるいはその塩基、即ち塩化テトラメチルアンモニウム塩(ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ)あるいは水酸化テトラメチルアンモニウム(ＴＭＡＨ)などの四級アンモニウム塩基を、シリカ濃度を基準として０.１〜５重量％で添加した組成物を紹介した。
【０００９】
ＵＳ５,３５２,２７７では、シリカ表面の水酸基が８ｇｒｏｕｐ／ｎｍ2であり、平均
粒径が５〜５００ｎｍであるコロイドシリカと、２０〜１０００ｐｐｍの分子量が１０万以上である水溶性高分子、即ちポリエチレンオキサイド、ポリアクリルアマイド、ポリビニールピロリドンの中の一つあるいはその以上を使用し、陽イオンはＮａ、Ｋ、ＮＨ4の
中の一つであり、陰イオンはフッ素、塩素、窒酸、過塩素酸の中の一つからなる水溶性塩で構成されるウエハ最終研磨スラリーの組成を提案した。このようなスラリーを使用して、表面マイクロラフネスを５ｎｍ未満に減少させた滑らかな(ｓｏｆｔ)表面を具現した。しかし、研磨組成上では、一般的な水準に留まり、特に、研磨速度が向上したほかには、ＬＰＤ、ＨＡＺＥ及びマイクロラフネスなどの向上した性能を提示していない。
【００１０】
このように、ウエハスラリー側面の改善により研磨品質を改善しようとする努力は限界を露にしているため、最近では、研磨工程の様々な運営方法の改善により研磨品質を改善する動きも盛んである。
【００１１】
ＵＳ６,１８９,５４６では、ドーパント(Ｄｏｐａｎｔ)によるウエハ表面の溝(Ｓｔｒ
ｉａｔｉｏｎ)を除去する研磨方法が提案されているが、これは一次研磨と最終鏡面研磨
において、一台の研磨機を操作することにより生産効率の向上と研磨品質の改善を共に達成しようとする方法である。特に、一次研磨工程において、スラリーの他に、アミン(エ
チルアミン、エチレンジアミン、トリメチルアミン)が添加されたアルカリ塩基(ＫＯＨ、ＮａＯＨ)及びアルカリ塩(Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、ＮａＣl)の薬液を３段階に使用し、ドーパントの溝(Ｄｏｐａｎｔ Ｓｔｒｉａｔｉｏｎ)の発生を減らそうとした。即ち、ナトリウムで安定化したシリカスラリー(ＳＹＴＯＮ  ＨＴ５０)とアミンが添加されたアルカリ薬液を共に投入する第１段階と、前記スラリーにアミンのないアルカリ薬液を共に投入する第２段階と、アンモニアで安定化したシリカスラリー(ＧＬＡＮＺＯＸ３９００あるいはＧＬＡＮＺＯＸ３９５０)とアミンのないアルカリ薬液を共に投入する第３段階である。最終的に、アンモニアで安定化したシリカスラリーとアミン、アルカリ薬液を共に使用する鏡面研磨により、ウエハ表面のスクラッチ、ピット(Ｐit)、および他の表面欠陥が大きく改善したことを主張した。しかし、最終研磨工程を変えることなく、一次研磨工程のみを調整することで最終品質を改善したため、一次研磨工程の影響と最終研磨工程の影響とが区別し難い。
【００１２】
以上に述べたように、シリコンウエハの研磨用スラリーは、研磨剤としてコロイドシリカを使用し、研磨補助剤としてアミン、有機あるいは無機塩類、水溶性高分子を使用することが一般的である。加えて、研磨工程は、異なる種類のスラリー、研磨機および研磨パ
ッドを用いて、一次研磨及び最終鏡面研磨の２工程、または、一次研磨、二次研磨及び最終研磨の３工程を通じて行うことが一般的であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、６５ｎｍ以下級の高性能半導体のデザインでも優れた特性を発揮するシリコンウエハの研磨用スラリーに関するものであって、０.５ミクロン以上の大粒子の生成を
抑制し、シリカの粒度分布を均一に改善することによりウエハ表面のＬＰＤ、ヘイズ、マイクロラフネスを大きく減少させることを目的とする。
【００１４】
また、本発明の研磨用スラリーは、表面の欠陥などを除去する目的でシリコンウエハに最終鏡面研磨を行うためのスラリーである。ここに、本発明者は、研磨剤の粒径を１００ｎｍ以下にし、シリカの濃度を０.２〜１０重量％に調節し、ｐＨを９〜１１.５に調節することで、機械的な研磨と化学的な研磨とのバランスを取り、シリコンウエハの表面マイクロラフネスおよびヘイズを減少させるに適した最終鏡面研磨スラリー組成物を開発した。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記の目的を達成するために、本発明は、脱イオン水、コロイドシリカ、ｐＨ調節剤、及び水溶性増粘剤からなるシリコンウエハの研磨用スラリー組成物において、前記組成物が、酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤のうち少なくとも何れか一つのキレート剤を含むことを特徴とする研磨用スラリー組成物を提供する。
【００１６】
また、本発明の研磨用スラリー組成物は、前記キレート剤が、酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤との混合物であることを特徴とする。
本発明において、前記水溶性増粘剤は、重量平均分子量が１,０００,０００〜４,００
０,０００である水溶性セルロースであることを特徴とする。
【００１７】
前記酢酸系キレート剤は、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、Ｎ−(ヒドロキシエチル)エチレンジアミン三酢酸、ニトリロ三酢酸及びそれらの塩、並びにこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする。
【００１８】
前記リン酸系キレート剤は、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のナトリウム塩、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のアンモニウム塩、アミノトリ(メ
チレンホスホン酸、ジエチレントリアミン−ペンタ(メチレンホスホン酸)及びこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする。
【００１９】
前記酢酸系キレート剤はスラリー組成物の総重量に対し０.００１〜０.５重量％加えられ、かつ、リン酸系キレート剤はスラリー組成物の総重量に対し０.０００２〜５重量％
加えられることを特徴とする。
【００２０】
本発明において、酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤との混合物を使用する場合は、酢酸系キレート剤に対するリン酸系キレート剤の混合比が０.２：１〜１０：１であることを特徴とする。
【００２１】
本発明において、酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤との混合物を使用する場合は、酢酸系キレート剤は、ＥＤＴＡ、Ｎａ4ＥＤＴＡ、Ｎａ2ＥＤＴＡ、(ＮＨ4)4ＥＤＴＡ、及び(ＮＨ4)2ＥＤＴＡから選択され、かつ、リン酸系キレート剤は、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のナトリウム塩及びエチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のアンモニウム塩から選択されることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の他の態様によれば、シングルウエハ(Ｓｉｎｇｌｅ  Ｗａｆｅｒ)研磨装置またはマルチウエハ(Ｍｕｌｔｉ  Ｗａｆｅｒ)研磨装置により、本発明の研磨用スラリー組成物を用いてシリコンウエハの研磨を行うことを特徴とするシリコンウエハの研磨方法が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明において、シリカ、脱イオン水、アンモニア、及び水溶性セルロースを含有する組成に、酢酸系キレート剤、リン酸系キレート剤またはこれらの混合物の何れか一つを混合したウエハ研磨用スラリー組成物は、保存安定性が大きく改善でき、特にシリコンウエハの最終研磨用として使用する場合、ウエハ表面のヘイズとＬＰＤ及び表面マイクロラフネスが大きく改善できた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明をより詳しく説明する。
本発明は、シリコンウエハの最終研磨用スラリー組成物に関するものであって、この組成物は、脱イオン水、高純度コロイドシリカ研磨剤、ｐＨ調節剤、酢酸系キレート剤または／及びリン酸系キレート剤、水溶性増粘剤を含む。
【００２５】
コロイドシリカ研磨剤は、機械的研磨力の増進のために用いられる。機械的研磨の効果を相対的に減らすため、本発明で用いられるコロイドシリカの平均粒径は、２０〜１００ｎｍ、望ましくは３０〜８０ｎｍである。粒径が２０ｎｍ未満の場合は、充分な機械的研磨の効果が得られず、また、研磨中に除去される物質の存在のために、シリカ粒子が不安定化する恐れがあり、望ましくない。粒子が不安定化すると、ウエハの表面上にＬＰＤ(
Ｌｉｇｈｔ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｅｆｅｃｔ)が残留してしまい、ウエハの品質低下の原因に
なることがある。一方、粒径が１００ｎｍを超える場合は、研磨速度は大きいが、表面あるいは表面下(ｓｕｂｓｕｒｆａｃｅ)に欠陥を形成する恐れがあり、シリカ粒子が最終研磨には不安定となる。
【００２６】
シリカの濃度は、０.０７５〜１５重量％が望ましく、０.１〜８重量％がより望ましい。このような低濃度であると、シリカの分散性が増すので、粒径０.５ミクロン以上の凝集体の生成を防ぐことができる。
【００２７】
シリカの濃度が０.０７５重量％未満の場合には、本発明の研磨方法によって高い研磨
速度を達成することができず、一方、１５重量％を超える場合には、分散安定性が低下し、０.５ミクロン以上の凝集体が多く生成して望ましくない。
【００２８】
本発明では、機械的研磨の効果を補助するために、水溶性増粘剤として、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースなどの水溶性セルロースを使用することができる。水溶性セルロースは、製紙及び水処理分野で、膜形成の誘導を目的として、またはスラリー凝集体として使用される。水溶性セルロースは、本発明の分野では、シリカ分散安定剤の一種として使用されるものである。特に、本発明で用いられるセルロースは、その重量平均分子量が１,０００,０００〜４,０００,０００である。このセルロースの濃度が０.０１〜２重量％の範囲で使用する場合、シリコンウエハ表面のＬＰＤを減少させることができる。
【００２９】
これは、前記増粘剤の使用条件で、セルロースの３次元の架橋効果が働くことによる結果である。セルロースのこのような３次元の架橋効果は、シリカのブラウン運動による粒子の衝突と凝集化とを充分に減少させ、かつシリカの凝集体が微細なシリカ結晶に変性することを防ぐと考えられる。
【００３０】
化学的研磨力を増進させるために、アンモニア、アミンなどの窒素系塩基、あるいはＮａＯＨ、ＫＯＨなどのような金属水酸化物のうち少なくとも一つを加えることによって、スラリーのｐＨを９〜１１.５に調節する。このような塩基は、一種単独あるいは２つ以
上を組み合わせて使用することができる。
【００３１】
本発明は、また、脱イオン水、コロイドシリカ、ｐＨ調節剤、水溶性増粘剤からなるシリコンウエハの研磨用組成物において、前記組成物が、酢酸系キレート剤及びリン酸系キレート剤のうち少なくとも一つのキレート剤を含むことを特徴とするシリコンウエハの研磨用スラリー組成物を提供する。
【００３２】
本発明の組成物は、化学的機械的な研磨の効率を向上させるため、ベースとなる組成物に加えて酢酸系キレート剤を含む。ここで用いられる酢酸系キレート剤は、金属イオン不純物がウエハ表面に残留しまたはウエハの表面下に拡散することを防ぎ、さらにシリカの分散安定性を改善する。
【００３３】
酢酸系キレート剤は、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、Ｎ−(
ヒドロキシエチル)エチレンジアミン三酢酸、ニトリロ三酢酸及びそれらの塩(ｓａｌｔ)
、並びに、これらの組み合わせからなる群から選ばれる。
【００３４】
このような酢酸系キレート剤の使用量は、スラリーのゼータ電位が変わらない範囲で使用することが望ましい。即ち、０.００１〜０.５重量％になるよう使用することが望ましい。酢酸系キレート剤を下限値未満で使用する場合には、表面マイクロラフネスに影響を与えない。一方、上限値を超えて使用する場合には、ゼータ電位が負の値から正の値の方へ移動し、分散安定性の側面で望ましくない。
【００３５】
本発明で用いられるリン酸系キレート剤の例として、エチレンジアミンテトラ(メチレ
ンホスホン酸)のナトリウム塩、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)のアンモ
ニウム塩、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホ
スホン酸)、及びこれらの混合物が含まれる。
【００３６】
本発明で使用されるリン酸系キレート剤は、酢酸系キレート剤と類似する構造を有するため、酢酸系キレート剤と類似する分散安定化の効果が発揮できる。しかし、酢酸系に比べてエッチング性が高いため、研磨品質に影響を与える効果の点では、僅かな差があるものと考えられる。リン酸系キレート剤の使用量は、０.０００２〜５重量％になるよう使
用することが望ましい。リン酸系キレート剤を下限値未満で使用する場合は、研磨品質が改善せず、上限値を超えて使用する場合は、表面マイクロラフネスを増加させるなど、望ましくない。
【００３７】
本発明では、前記酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤とを同時に使用することができる。Ｎａ4ＥＤＴＡ、Ｎａ2ＥＤＴＡ、(ＮＨ4)4ＥＤＴＡ、(ＮＨ4)2ＥＤＴＡ、及びＣａＮＡ2ＥＤＴＡのようなＥＤＴＡ類の塩を酢酸系キレート剤として使用する場合、表面マ
イクロラフネスが大きく減少するため、特に望ましい。このような減少効果は、水溶性高分子の極性基とその塩とがイオン反応し、高分子の水和を促進させる効果によると推測される。結果として、溶解度が増加し、高分子の架橋化が向上することから、セルロースあるいはシリカの分散安定性が大きく改善するものと考えられる。
【００３８】
特に、上述したＥＤＴＡなどのキレート剤とリン酸系キレート剤とを同時に使用する場合には、シリカの分散安定性がさらに改善するので、長期保管時に、大粒子の量が増えることを防ぐことができる。このとき、リン酸系キレート剤の使用量は、ＥＤＴＡ類の量に
対し０.２〜１０倍にして使用することが望ましい。前記組成によって、分散安定化のみ
ならず保存安定性が大きく改善できる。加えて、表面マイクロラフネスは勿論のことヘイズの改善効果も得ることができる。
【００３９】
また、本発明は、また、シングルウエハ(Ｓｉｎｇｌｅ  Ｗａｆｅｒ)研磨装置やマルチウエハ(Ｍｕｌｔｉ  Ｗａｆｅｒ)研磨装置により、前記シリコンウエハの研磨用スラリー組成物を用いてシリコンウエハの研磨を行うことを特徴とするシリコンウエハの研磨方法を提供する。前記研磨方法によって、ＬＰＤ、ヘイズ、及び表面マイクロラフネスの改善効果を得ることができる。特に、アミンが添加されたアルカリ塩基のエッチング液をシングルウエハ研磨機中でスラリーと共に使用すると、優れた結果を得ることができる。本発明に係る研磨方法においては、研磨パッドを用いることができる。研磨パッドとして、一次研磨には、硬質のポリウレタン材質の不織布を使用することができ、最終鏡面研磨には、軟質のポリウレタン発泡型研磨布を使用することができる。
［実施例］
以下、実施例により本発明の効果を説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
(実施例１〜５)
スラリー組成物を、以下の手法に従って調製した。まず、シリカの粒径が３５〜５０ｎｍであるコロイドシリカをスラリー総重量に対し５重量％、アンモニアをスラリー総重量に対し３重量％、ｐＨ補助剤としてＴＭＡＨをスラリー総重量に対し０.８重量％、及び
、増粘剤としてヒドロキシプロピルセルロースをスラリー総重量に対し０.２重量％で混
合した。その後、この混合物に対して、下記表１のように、追加添加剤を追加して、スラリー組成物を調製した。
【００４１】
前記スラリーの各々について、ストラスバー研磨装置（Ｓｙｔｏｎ  ＨＴ５０）により一次研磨された８インチウエハ(１００、ｐ−ｔｙｐｅ)を最終研磨するために使用した。最終研磨の完了後、ＬＰＤ、ヘイズ、及びマイクロラフネスなどのウエハ表面の表面特性を評価した。
【００４２】
特に、表面のＬＰＤとヘイズなどの表面品質は、ＫＬＡ−ＴＥＮＣＯＲ社のサーフスキャンＳＰ−１  ＤＬＳを用いて評価し、表面マイクロラフネスは、ＣＨＡＰＭＡＮ社の干渉計を用いて評価した。スラリーの分散安定性を測定するために、０.５ミクロン以上の大粒子の存在を測定する装置であるアキュサイザーを使用した。
【００４３】
(比較例)
シリカの粒径が３５〜５０ｎｍであるコロイドシリカをスラリー総重量に対し５重量％、アンモニアをスラリー総重量に対し３重量％、ｐＨ補助剤としてＴＭＡＨをスラリー総重量に対し０.８重量％、及び、増粘剤としてヒドロキシプロピルセルロースをスラリー総重量に対し０.２重量％で混合して、研磨スラリー組成物を調製した。このスラリー組成物を、実施例１〜５の場合と同様の方法で、最終研磨に用いた。研磨の終了後、ＬＰＤ、ヘイズ、及びマイクロラフネスなどのウエハの表面特性を評価した。その結果を下記表１に示す。
【００４４】
【表１】
2008532329.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００４５】
上記記載から明らかなように、本発明は、脱イオン水、コロイドシリカ、ｐＨ調節剤、及び水溶性増粘剤からなるシリコンウエハの研磨用スラリー組成物において、前記組成物が、酢酸系キレート剤とリン酸系キレート剤のうち少なくとも何れか一つのキレート剤を含むことを特徴とする研磨用スラリー組成物を提供する。本発明のスラリー組成物は、顕著に改善された保存安定性を示す。特に、本発明のスラリー組成物をシリコンウエハの最終研磨に用いたときには、ウエハ表面上のヘイズ、ＬＰＤ及び表面マイクロラフネスを顕著に減らすことができる。
【国際調査報告】
2008532329.tif 000003
2008532329.tif 000004