(57)【要約】  画像化システムのための放射線検出器24が、非潮解性のセラミックシンチレーションファイバ又はシート52の２次元アレイ50を含む。シンチレーションファイバ52は、GOSセラミック物質から製造される。各シンチレーションファイバ52は、幅d2が0.1 mmから1 mmの間であり、長さh2が0.1 mmから2 mmの間であり、高さh8が1 mmから2 mmの間である。斯かるシンチレーションファイバ52は、高さh8対断面寸法d2,h2の比がおよそ10対1になる。シンチレーションファイバ52は、低指数コーティング物質の層86,96により一緒に保持される。フォトダイオード34の２次元アレイ32が隣接して配置され、可視光を電気信号に変換するシンチレーションファイバ52と光学的な通信を行う。シンチレーションアレイ50により、グリッド28が配列される。グリッド28は、フォトダイオード34の断面に対応するアパーチャ30を持ち、画像化システムの空間分解能を決定する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線イベントを表示し、前記放射線イベントを可視光へ変換する非潮解性のセラミックシンチレーションファイバ又はシートの２次元アレイを有する放射線検出器。
【請求項２】
前記シンチレーションファイバ又はシートが、ガドリニウム・オキシ・サルファイド・セラミック物質を含む、請求項１に記載の検出器。
【請求項３】
各シンチレーションファイバ又はシートが、少なくとも10対1となる高さ対断面寸法比を持つ、請求項１に記載の検出器。
【請求項４】
各シンチレーションファイバ又はシートが、0.1 mmから0.2 mmの幅と、0.1 mmから1 mmの長さと、1 mmから2 mmの高さとを持つ、請求項１に記載の検出器。
【請求項５】
前記シンチレーションファイバ又はシートが、少なくとも１つのコーティング層により一緒に保持される、請求項１に記載の検出器。
【請求項６】
前記コーティング層が、低指数反射物質を含む、請求項５に記載の検出器。
【請求項７】
前記コーティング層が、フッ化ビニリデン又はエポキシ樹脂の１つを含む、請求項５に記載の検出器。
【請求項８】
前記可視光を表示し、前記可視光を電気信号に変換するよう、前記シンチレーションファイバ又はシートに隣接し、該シンチレーションファイバ又はシートと光学的な通信を行う、光感知要素の２次元アレイを更に含む、請求項１に記載の検出器。
【請求項９】
各光感知要素の断面が、前記シンチレーションファイバ又はシートの断面より大きい、請求項８に記載の検出器。
【請求項１０】
前記光感知要素に対応するアパーチャを備えるグリッドを更に含む、請求項８に記載の検出器。
【請求項１１】
請求項１に記載の放射線検出器と共に使用するコンピュータ断層撮影スキャナ。
【請求項１２】
X線源と、
前記源から放射線を受信するよう取り付けられる請求項１に記載の放射線検出器とを含む、診断画像化デバイス。
【請求項１３】
放射線検出器を製造する方法において、
非潮解性のセラミックシンチレーションファイバ又はシートの２次元シンチレーションアレイを製造するステップを有し、前記アレイが、受信される放射線イベントを可視光に変換する、方法。
【請求項１４】
前記シンチレーションファイバ又はシートが、ガドリニウム・オキシ・サルファイド・セラミック物質を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ガドリニウム・オキシ・サルファイド・ディスクを製造するため、垂直シンタリングプレスにおいてガドリニウム・オキシ・サルファイド・パウダ層をシンタリングするステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記垂直シンタリングプレスにおいて、ガドリニウム・オキシ・サルファイド・パウダ層の間にスペーサを入れるステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
各ディスクが、0.1 mmから1 mmの厚を持つ、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
各ディスクの上部及び下部表面を第１の低指数反射物質でコーティングするステップと、
第１のブロックとなるよう前記ディスクを一緒に付けるステップとを更に含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記低指数物質が、フッ化ビニリデン及びエポキシ樹脂の１つである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記コーティングステップが、
前記コーティングステップに先立ち、前記低指数物質に吸収物質を追加するステップと、
前記ディスクを一緒に付けるステップに先立ち、前記反射物質を吸収コーティング層で覆うステップとのいずれかを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
それぞれ0.1 mmから1 mmの厚を持つプレートになるよう第１の方向に前記ブロックをスライスするステップを更に含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
各プレートの上部及び下部表面を第２の低指数反射物質でコーティングするステップと、
第２のブロックとなるよう前記プレートを付けるステップとを更に含み、前記第２の低指数反射物質が、前記第１の低指数反射物質と同じである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記シンチレーションアレイとなるよう、前記第１の方向へ直交する第２の方向に前記第２のブロックをスライスするステップとを更に含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
各シンチレーションファイバ又はシートが、0.1 mmから0.2 mmの幅と、0.1 mmから2 mmの長さと、1 mmから2 mmの高さとを持つ、請求項１３に記載の方法。
【請求項２５】
各シンチレーションファイバ又はシートが、少なくとも10対1となる高さ対断面寸法比を持つ、請求項１３に記載の方法。
【請求項２６】
請求項１３に記載の方法により製造される放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大きな画像化プレートの使用に関する。本願の対象は、コンピュータ断層撮影(CT)スキャナにおいて特定の用途を見出し、特にそれを参照して説明が行われることになる。しかしながら、本発明は、DF及びRF画像化、X線透視法、放射線検査、並びに医療及び非医療検査用の他の検査システムに関連する用途も見出す。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ断層撮影(CT)画像化は、通常、検査領域を横断するX線のファンビーム、ウェッジビーム又はコーンビームを生成するX線源を採用する。検査領域に配置される対象物が、横断するX線の一部と相互作用し、X線の一部を吸収する。検出器要素のアレイを含む２次元放射線検出器が、放出されるX線の強度を検出及び測定するため、X線源の反対側に配置される。
【０００３】
通常、X線源及び放射線検出器は、対象物の投影表示の角度範囲を得るためガントリが回転されるような態様で、回転するガントリの反対側に取り付けられる。X線源は、回転するガントリに取り付けられ、一方放射線検出器は、固定のガントリに取り付けられるという構成を取る場合もある。どちらの構成でも、フィルタリングされた逆投影法又は対象物の３次元画像表現若しくはそのうちの選択された部分を生み出す別の再構成方法を用いて投影表示が再構成される。
【０００４】
放射線検出器は通常、X線に応じて、シンチレーションイベントと呼ばれる閃光(burst of light)を生み出すシンチレーション水晶のアレイから作られる画像化プレートを含む。フォトダイオードアレイといった光検出器のアレイからシンチレーション水晶が見えるよう構成され、光検出器のアレイは、シンチレーションイベントの空間的な位置及び強度を示すアナログ電気信号を生み出すよう構成される。CTスキャナ及び一般的な医療検査に使用される大きな画像化プレートは、入射X線とは独立に応答するピクセルであって、デジタル画像を生成するのに使用される電気信号を生成するピクセルの集合を含む。検出器の中には、シンチレータの集合が、例えばフォトエッチング又は他の半導体製造技術によって、一緒に組み立てられるか又は共通のシンチレータプレートから切断される個別の水晶のアレイを含むものがある。幾分大きな面積の画像化プレートにおける分解能を改善するため、シンチレーション水晶は、非常に小さい直径のアルカリハロゲン針状結晶である。下に横たわる(underlying)フォトダイオードアレイに対するよい光学画像を届けるため、針状結晶は、X線の適切な吸収を確実にするよう適切な長さにまで成長される。斯かる成長針状結晶の束は、X線を捕捉し(trap)、下に横たわるフォトダイオードアレイに対する高分解能の光学画像を届ける。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
アルカリ針状水晶の主な不都合点は、潮解性にある。斯かる水晶は、密封シールにより、周囲の湿度から保護されなければならない。
【０００６】
本発明は、上述した問題及びその他を克服する改善された方法及び装置を意図する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの側面によれば、放射線検出器が開示される。その放射線検出器は、非潮解のセラミックシンチレーションファイバ又はシートの２次元アレイを有し、そのアレイは、放射イベントを表示し、その放射イベントを可視光に変換する。
【０００８】
本発明の別の側面によれば、放射線検出器を製造する方法が開示される。非潮解性のセラミックシンチレーションファイバ又はシートの２次元シンチレーションアレイが組み立てられる。そのアレイは、受信する放射線イベントを可視光に変換する。
【０００９】
本願の１つの利点は、検出器アレイを形成する能力及び大きさを変えられる能力にある。
【００１０】
別の利点は、潮解が起きない点にある。
【００１１】
更に別の利点は、放射線安定度にある。
【００１２】
以下の好ましい実施形態の詳細な説明を読めば、多くの追加的な利点及び利益が、当業者には明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、様々な要素及び要素の配置の形態、並びに様々な処理手順及び処理手順の配置の形態を取ることができる。図面は、好ましい実施形態の説明するためだけのものに過ぎず、本発明を限定するものとして解釈されるべきでない。
【００１４】
図１を参照すると、コンピュータ断層撮影(CT)画像化装置、つまりCTスキャナ１０が、ガントリ１２を含んでいる。X線源１４とソースコリメータ１６とが、対象物支持台２０に配置される患者のような対象物(図示省略)を含む検査領域１８に向けられる、ファン形状、コーン形状、ウェッジ形状又は他の形状のX線ビームを生成するよう共働する。対象物支持台２０は、Z方向に線形的に移動可能である。一方、回転するガントリ２２におけるX線源１４は、Z軸の周りを回転する。
【００１５】
好ましくは、回転するガントリ２２は、検査領域１８に関してX線源１４とコリメータ１６との軌跡が一般的に螺旋となるように、対象物支持台２０の線形的な前進と同時に回転する。しかしながら、他の画像化モードが採用されることもできる。例えば、軸画像が取得されるX線源１４の軌跡が一般的に円形となるように、対象物支持台２０は固定状態にあるのにガントリ２２が回転するような、シングルスライス又はマルチスライスの画像化モードである。軸画像が取得された後、対象物支持台は、Z方向に所定の距離分オプションで進み(step)、Z方向に沿った離散的なステップにおけるボリュメトリックデータを取得するため軸画像取得が繰り返される。
【００１６】
放射線検出器又は検出器アレイ２４は、X線源１４を横切ってガントリ２２上に配置される。放射線検出器２４は、セラミックシンチレーション針のシンチレーション層又はアレイ２６を含み、好ましくはX線ビームのファン角度に適合する選択された角度範囲にわたり広がる。放射線検出器２４は、Z方向にも広がる。検出器３０は、ガントリ２２が回転すると、系列状の投影表示を取得する。源が回転する間、X線が放射線検出器の連続的にシフトする部分に連続的にぶつかるような態様で、回転するガントリを取り囲むガントリの固定部分に放射線検出器を配置することも想定される。好ましくは、スキャナ１０の空間分解能は、例えばアンチ・スキャッタ・グリッドのような、シンチレーション(scintillating)針のアレイ２６の放射線受信面に配置されるグリッド２８により制御される。グリッド２８は、視界にある(of the views)ピクセルを規定する放射線のそれぞれの効果的な断面を規定するアパーチャ３０を持つ。フォトダイオード又は他の光検出器３４のアレイ３２が、シンチレータ針アレイ２６の反対側に与えられる。ダイオード３４は、グリッド２８におけるアパーチャ３０に対応するような大きさにされ配置される。また、グリッドが無い場合でもよい。その場合、空間分解能は、フォトダイオードアレイの機能である。
【００１７】
引き続き図１を参照して、ガントリ２２と対象物支持台２０とは、対象物に対するX線源１４の螺旋軌跡又は他の軌跡に沿って対象物の選択された投影表示を得るために共働する。好ましくは、画像アーチファクトを取り除くため、X線源１４の経路が、画像化される注目領域の各ボクセルに対する実質的な角度被覆(angular coverage)を提供する。放射線検出器２４により集められる投影データは、格納のためデジタルデータメモリ４０に通信される。
【００１８】
再構成プロセッサ４２は、画像メモリ４４に格納される対象物又はその選択された部分の３次元画像表現を生成するため、フィルタリング逆投影法、n-PI再構成法又は他の再構成法を用いて、取得された投影データを再構成する。画像表現は、ユーザインタフェース４８又は別の表示デバイス、印刷デバイス等に操作者による表示のため表示される、人間が目にすることのできる画像を生成するため、ビデオプロセッサ４６によりレンダリングされるか又は別の態様で処理される(manipulate)。
【００１９】
好ましくは、ユーザインタフェース４８は、CTスキャナ１２を扱う人間の操作者が、CT画像化セッションを初期化、実行及び制御することを可能にするよう、更にプログラムされる。ユーザインタフェース４８は、オプションで、例えば、再構成画像が医療職員へ送信されたり、患者情報データベースがアクセスされるとき等に使用される病院情報ネットワーク又は医療情報ネットワークといった通信ネットワークへのインタフェースも提供する。
【００２０】
図２を参照して、例えばシリコンフォトダイオード、アモルファスシリコン、電荷結合デバイス、CMOS又は他の半導体光検出器といったフォトダイオード３４の光検出器アレイ３２は、シンチレーション層２６と光学的な通信を行う。シンチレーション層２６は、X線放射線がシンチレーション層２６に入射するとき、可視光を放出する物質から形成される個別のシンチレーション(scintillating)ストリップ、シート又はファイバ５２のシンチレーションアレイ５０を含む。シンチレーション層２６は、セラミックシンチレータ、好ましくはガドリニウム・オキシ・サルファイド(GOS)物質から製造される。シンチレーションアレイ５０のファイバ５２は、好ましくは、方形の断面を持つが、他の最密(close-packed)ジオメトリが考慮されることもできる。ファイバは好ましくは、0.2 mm 厚以下であり、より好ましくは、約0.05 mmから約1.0 mm x 0.1 mmの断面寸法である。ある断面寸法において、その断面が他のストリップ又はシートより明らかに大きい実施形態を喚起するかもしれないが、本書では「ファイバ」は、実質的に均一な断面寸法を持つストリップと、明らかに異なる断面寸法を持つストリップ又はシートとの両方を指すものとして使用される。シンチレーションファイバアレイ５０から放出される光の空間強度パターンは、検査領域１８を横切るX線照射の空間強度パターンに比例する。シンチレーションアレイ５０の上部表面は、光反射コーティング又は層５４でペイントされるか覆われる。シンチレーションアレイ５０の下部表面は、フォトダイオードアレイ３２に対する光の通信のため開放されたままにされる。
【００２１】
図３及び図４Ａ−Ｂを参照して、垂直シンタリングプレス６０が、GOSパウダ層６４をおよそ1250℃及び100-200Mpaの圧力でシンタリング(sintering:焼結)することにより、GOSディスク又はウェハ６２を生み出す。より詳細には、GOSパウダ層６４は、アンビル６６とピストン６８との間でプレスされる。GOSパウダ層６４は、好ましくは、25-125 mmに等しい直径d1の円形GOSディスク６２を作るため、約0.14 mmの開始厚h1で細かく分割された層である。もちろん、GOSディスク６２は、各サイドd1が25-125 mmに等しいような方形となる場合も想定される。各ディスク６２の最終的な厚みh2は、好ましくは0.1-0.3 mmである。ある実施形態において、プレス６０は、GOSパウダ層６４をスペーサ７０の間に入れることにより、同時に複数のGOSディスク６２を生み出す。スペーサ７０に使用される物質は、モリブデン、モリブデン合金及び高温に耐えることが知られている他の斯かる耐熱性物質を含むがこれらに限定されるものではない。スペーサ７０の厚h3は、好ましくは20 mmに等しいか、又はそれ以上である。ある実施形態において、スペーサ７０は、耐熱金属ディスクであり、好ましくは30μm厚である。斯かる薄いスペーサは、工業的に容易に利用可能である30 cm高の垂直シンタリングプレス６０が、１回のサイクルでそれぞれ0.1 mm厚の1000を越えるGOSディスクを製造することを可能にする。もちろん、GOSパウダ層６４の厚h1を適切に調整することにより、GOSディスク６２が異なる厚みを持って製造されることも想定される。
【００２２】
好ましくは、シンタリングの後、GOSディスク６２のリリースを容易にするよう、スペーサ７０は、スペーサコーティング層７２で覆われる。スペーサコーティング層７２に使用される窒化ホウ素などのような物質が、結果として、追加的な研磨を必要としない、滑らかで光沢のある光学表面を生み出す。好ましくは、各ディスク６２の上部及び下部表面８０、８２が、欠陥のある表面を除去するよう表面をすくわれ(skimmed)、及び研磨される。
【００２３】
図５を参照して、滑らかな(研磨された)ディスク６２が、約25-50 mmに等しい高さh4の第１のブロック８４へと積み上げられる。より詳細には、ディスク６２の上部及び下部表面８０、８２は、約0.005-0.01 mmに等しい厚h5の第１の低指数反射層８６で覆われる。非常に低い反射指数を持つコーティング物質を使用することが有利でることから、第１の層８６は、好ましくは、反射指数が約1.31であるフッ化ビニリデン(PVDF)から形成される。しかしながら、低指数の透明な接着物質、エポキシ樹脂及び他の低指数反射物質を含む他の適切な物質が、コーティング層８６として使用されることも想定される。
【００２４】
図６Ａ−Ｂを参照して、それぞれ約0.1 mmに等しい、つまり現在説明される実施形態においてはh2に等しい、選択された厚d2を備えるプレート９２となるよう、第１のブロック８４は、マルチワイヤのこぎり９０を用いて第１の方向Wにさいの目切りにされる。シートの実施形態においては、d2の寸法は約1 mmが好ましい。好ましくは、プレート９２は、滑らかな光学表面を実現するため研磨される。
【００２５】
図２を再度参照し、追加的に図７を参照して、プレート９２は、約25 mmに等しい高さh6にまで、第２のブロック９４へ積み上げられるか又は一緒に接着される。より詳細には、プレート９２は、約0.005-0.01 mmに等しい厚h7の第２の層、言い換えるとコーティング物質９６で覆われる。第２のコーティング物質９６は、好ましくは、第１のコーティング層８６に使用されるのと同じ、フッ化ビニリデン(PVDF)、エポキシ樹脂、透明な接着物質又は他の低指数反射物質といった低指数反射物質である。約1.4-2 mmに等しい厚h8を備え、正確な高さは受信する放射線のエネルギーに基づき選択されるようなセラミックファイバ光学シンチレーションシート５０を形成するよう、第２のブロック９４は、第１の方向Wに直交する第２の方向Xに、マルチワイヤのこぎり９０を用いてスライスされる。セラミックファイバシート５０のシンチレーション(scintillating)ファイバ５２は、好ましくは0.1 mm x 0.1 mm-1 mmに等しい断面h2 x d2を持ち、第１及び第２の反射コーティング層８６、９６により一緒に保持される。
【００２６】
ある実施形態において、100-200μ厚のディスク６２が、第１の層８６で覆われ、第１のブロック８４へと一緒に積み上げられる。それぞれ約1-1.04mmに等しい厚d2を備えるプレート９２となるよう、第１のブロック８４は、マルチワイヤのこぎり９０を用いて第１の方向Wにスライスされる。プレート９２は、第２の層９６で覆われ、第２のブロック９４へと積み上げられる。約1.4 mmに等しい厚h8を持つセラミックファイバ光学シンチレーションストリップ５０を形成するよう、第２のブロック９４は、第１の方向Wに直交する第２の方向Xに、マルチワイヤのこぎり９０を用いてスライスされる。
【００２７】
引き続き図２を参照し、追加的に図８Ａ−Ｂを参照して、光検出器アレイ３２は、基板９８に取り付けられる。グリッドが使用される場合、個別のフォトダイオード３４は、好ましくは、グリッド２８のアパーチャ３０の大きさ及び位置に対応する。検出器アレイ２４を形成するため、各フォトダイオード３４は、シンチレーションファイバ層２６の対応する水晶ファイバ５２の断面と同じ又はそれより大きな断面を持つ。好ましくは、フォトダイオードアレイ３２及びシンチレーション層２６は、例えば、光学結合セメント等の光学透過接着層１００により場所が保持される。
【００２８】
ある実施形態において、フォトダイオードアレイ３２は、BIP又は背面照射型(back-illuminated)ダイオード３４を含み、その上に機能的な集積回路が形成されるようなシングルでモノリシックな半導体基板である。機能的な集積回路は、好ましくは、フォトダイオードといった、光受信側に形成される光感知要素又は「ピクセル」の行列を含む。アレイ３２の集積回路は、一般に、例えば、マスキング、蒸着、エッチング及び拡散といった確立された集積回路製造プロセス等を用いてシリコン又は他の半導体ウェハから製造される。
【００２９】
図９を参照して、スペクトルCTスキャナのシンチレーションアレイ５０及び光検出器アレイ３２は、各CTスライスに対する検出器アレイ２４へと組み立てられる。検出器アレイ２４は、複数の検出器要素又はディクセル(dixel)を含む。検査領域１８を通過したX線は、このスペクトルの実施形態において、方向Uに沿って検出器アレイ２４と衝突する。X線入り口側でのファイバ５２の低位層１０２が、検査領域１８を通過したビームにおける最も軟い(softest)又は最も低いエネルギーのX線を光へと変換する。各連続する中間層に到達するために、徐々により多くのエネルギーが必要とされる。従って、各連続する中間層１０４は、徐々に硬X線を光へ変換する。上部又は最後の層１０６は、最も硬いX線を受信する。各層１０２、１０４、１０６のディクセルからの光信号は、フォトダイオードアレイ３２の対応するフォトダイオード３４で検出される。すると各層１０２−１０６のディクセルからの信号は、スペクトル的に重み付けされた画像データを形成するため、重み付けされ、結合される。重み付けは、１つ又は複数のディクセル層をゼロ化する(zeroing)ことを含むことができる。ディクセル間で異なる相対的な重みを選択することにより、エネルギースペクトルの選択された部分つまり、選択されたX線エネルギー吸収範囲を強調し、又は強調を外した(deemphasize)画像データが生成される。重みを適切に選択することにより、他の選択された組織が再構成画像において、破棄されるか実質的に消去される一方で、ある組織を強調するよう、特定の選択されたX線エネルギー吸収範囲のCT画像が再構成される。例えば、乳房組織におけるカルシウム及び造影剤におけるヨウ素は、個別の吸収線のいずれかのサイドを強調するよう重み付けられた画像を引くことにより強調されることができる。この実施形態におけるセラミックシンチレーション(scintillating)アレイの使用は、適切な態様で個別のフォトダイオードを結合することにより、最良の診断画像を生み出すエネルギーの組み合わせをユーザが選択することを可能にする。
【００３０】
図１０を参照して、ある実施形態において、ディスク６２は、方形の光ガイド１０８へと一つ一つ分割される。各光ガイド１０８は、好ましくは約0.1 mm x 0.1 mm-1 mmに等しい断面h2 x d2と、100 mmまでの長さd3とを持つ。ディスク６２は、はさみ、光精細裁断機(light precision guillotine)、植木ばさみ(sheared)などで切断されることができる。同様な長さの光ガイド１０８は、2-100 mm厚の束へと一緒に束にされ、PVDF、エポキシ樹脂、透明な接着剤等といった低指数反射物質の１つを用いて一緒にくっつけられる(stuck)。好ましくは、その束は25 mm x 25 mmのシンチレーションシート５０を形成するようにされ、求められるX線吸収に応じて、1 mmから2 mm厚の板にさいの目切りにされる。斯かる束は、X線画像化プレート、大きな面積のCTシンチレーションアレイ及び同様な画像化装置を製造するのに使用されることができる。
【００３１】
図１１を参照して、低行列反射指数にも関わらず、大きな角度(higher angular)での蛍光が、ベイリンググレア(veiling glare)を生成するためセラミック光学壁を貫通する。コーティング層がPVDF物質から形成される場合、コーティング層８６、９６におけるGOSロッドに対するクリティカル角度は、約59度である。ある実施形態において、コーティング層８６、９６は、ベイリンググレアを防止するために、例えば、黒炭(carbon black)といった吸収物質を豊富に含む。斯かるブレンドされたコーティング物質は、品質の高い画像(quality image)を生み出すのに必要な光を含むすべての色を吸収することになる。ある者は、ベイリンググレアをブロックする吸収染料(dye)の使用と、通過する可視光に対する必要性とを均衡させなければならない。また、コーティング物質に染料をブレンドする代わりに、反射層から光が逃れることを防止するため、追加的な吸収コーティング層が層８６、９６の外側に置かれる。好ましくは、吸収コーティング層が、低指数コーティング層にのみ接触するようになるが、その中での実質的な光吸収を防止するため、GOSセラミック光学部材(optic)とは接触しないようになる。
【００３２】
本願は、好ましい実施形態を参照して説明されてきた。明らかに、前述の詳細な説明を読み理解すれば、修正及び変形を他者が思い付くであろう。本願は、斯かる修正及び変形が、添付された請求項の範囲又はその均等の範囲に含まれるかぎり、それらの修正及び変形をすべて包含するものとして解釈されるべきであることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】画像化システムを概略的に示す図である。
【図２】放射線検出器を概略的に示す図である。
【図３】垂直プレスシンタリングGOSパウダを概略的に示す図である。
【図４Ａ】GOSディスクを概略的に示す図である。
【図４Ｂ】GOSディスクを概略的に示す図である。
【図５】ブロックへと一緒に積み重ねられたGOSディスクを概略的に示す図である。
【図６Ａ】のこぎりで第１の方向にさいの目に切断された積層GOSディスクを概略的に示す図である。
【図６Ｂ】GOSディスクの積層ブロックをさいの目に切断して得られるプレートの１つを概略的に示す図である。
【図７】第２のブロックへと一緒に積み重ねられ、のこぎりで第２の方向にさいの目に切断された、さいの目切断プレートを概略的に示す図である。
【図８Ａ】基板上に位置するフォトダイオードを概略的に示す図である。
【図８Ｂ】基板上に位置するフォトダイオードを概略的に示す図である。
【図９】放射線検出器の部分の側面図を概略的に示す図である。
【図１０】光ガイドへ切断されるGOSディスクを概略的に示す図である。
【図１１】セラミックファイバ壁の内側を伝わる光を概略的に示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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2008518224.tif 000018
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