(57)【要約】誘電体基板上（１２）の複数アンテナ要素（１６、１６．１、１６．２、１６．３）は、誘電体基板上（１２）の凸形（１４）または凹形（１３４）の縁辺（１４２）から実質的に離れる方向への、またはこの方向からの電磁波（２１）を、発射または受信するよう適合され、ここで、少なくとも２つのアンテナ要素（１６、１６．１、１６．２、１６．３）は異なる方向（５８）に動作する。テーパスロット型エンドファイアアンテナ（１６．１）の、誘電体基板上（１２）の第１側（２０．１）の第１導体層（１８．１）のスロット線路（２６）は、誘電体基板上（１２）の第２側（２０．２）の第２導体層（１８．２）のマイクロスロット線路（３４）に結合される。双円錐リフレクタ（６４、１４０）、等角円柱誘電体レンズ（６６）、または平面レンズ（６８）は、Ｈ面放射パターンを改善する。誘電体基板上（１２）の導体層（１８．１）上のダイポール（１６．２）または八木・宇田（１６．３）アンテナ要素は、関連する反射要素（９６、９８、１０８）と協働して、それらのみで、またはエンドファイアアンテナ要素（１６、１６．１、１６．２、１６．３）に近接した導体層（１８．１、１８．２）に付着された導体板（１０２）のコーナーリフレクタ（１００）と組み合わせて、用いることができる。
2008503904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．誘電体基板；および
ｂ．前記誘電体基板上の複数アンテナ要素であって、少なくとも２つの前記複数アンテナ要素の各々が、前記誘電体基板の縁辺から実質的に離れる方向への、またはこの方向からの電磁波を、発射、受信、または発射および受信するように適合されたエンドファイアアンテナを含み、少なくとも１つの前記エンドファイアアンテナに対する前記方向が、少なくとも別の前記エンドファイアアンテナに対する前記方向と異なる、前記複数アンテナ要素、
を含む、マルチビームアンテナ。
【請求項２】
誘電体基板がプリント回路の誘電体を含む、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項３】
少なくとも１つの誘電体基板が実質的に平面である、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項４】
少なくとも１つの誘電体基板が円錐面を含む、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項５】
複数アンテナ要素が、誘電体基板の縁辺の少なくとも１部に沿って位置し、前記誘電体基板の縁辺の少なくとも１部が曲線状である、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項６】
誘電体基板の縁辺の少なくとも１部が凸形である、請求項５に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項７】
誘電体基板の縁辺の少なくとも１部が、少なくとも部分的に円形または楕円形である、請求項６に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項８】
誘電体基板の縁辺の少なくとも１部が連続した縁辺を含み、複数アンテナ要素が前記連続した縁辺に沿って位置することにより、電磁波を対応する複数方向に発射または受信し、および前記複数方向が、前記電磁波の少なくとも１部を、前記誘電体基板の表面に実質的に沿った実質的に全方向へと、発射または受信させる、請求項７に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項９】
連続した縁辺が、少なくとも部分的に円形または楕円形である、請求項８に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１０】
誘電体基板の縁辺の少なくとも１部が、凹形である、請求項５に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１１】
誘電体基板の縁辺の少なくとも１部が、少なくとも部分的に円形または楕円形である、請求項１０に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１２】
各アンテナ要素が、誘電体基板に動作可能に接続された少なくとも１つの導体を含む、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１３】
エンドファイアアンテナが、テーパスロットアンテナ、ビバルディアンテナ、フェルミテーパスロットアンテナ、線形テーパスロットアンテナ、ブロークン線形テーパスロットアンテナ、または二重指数テーパスロットアンテナを含むスロットアンテナから選択される、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１４】
エンドファイアアンテナが、八木・宇田アンテナ、ダイポールアンテナ、ヘリカルアンテナ、モノポールアンテナ、またはテーパ付き誘電体ロッドである、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１５】
エンドファイアアンテナが八木・宇田アンテナを含み、前記八木・宇田アンテナが、誘電体基板の第１側にダイポール要素および複数のダイレクターを、および前記誘電体基板の第２側に少なくとも１つのリフレクタを含む、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１６】
エンドファイアアンテナが、誘電体基板の表面から離れる方向に延長するように適合されたモノポールアンテナを含む、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１７】
少なくとも１つの伝送線路を誘電体基板上にさらに含み、前記少なくとも１つの伝送線路の少なくとも１つが、複数アンテナ要素の給電ポートに動作可能に接続されている、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１８】
入力および複数の出力を有するスイッチング回路網をさらに含み、前記入力が、共同アンテナ給電ポートに動作可能に接続され、前記複数の出力の各出力が、複数アンテナ要素の異なるアンテナ要素に接続されている、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項１９】
入力および複数の出力を有するスイッチング回路網をさらに含み、前記入力が、共同アンテナ給電ポートに動作可能に接続され、前記複数の出力の各出力が、複数アンテナ要素の異なるアンテナ要素に、少なくとも１つの伝送線路を介して接続されている、請求項１７に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２０】
スイッチング回路網が、誘電体基板に動作可能に接続されている、請求項１８に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２１】
伝送線路が、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、逆マイクロストリップ線路、スロット線路、イメージ線路、絶縁イメージ線路、タップ付きイメージ線路、コプレーナストリップ線路、およびコプレーナ導波路線路から選択される、請求項１７に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２２】
マルチビームアンテナであって、ここでスロットアンテナが誘電体基板の第１側にあり、および前記誘電体基板の第１側にある前記スロットアンテナに動作可能に結合されているかまたはその一部であるスロット線路の末端により終端されており、そして前記誘電体基板の第２側の伝送線路をさらに含み、ここで前記第１側および第２側は互いに反対側にあり、前記伝送線路は、前記スロットアンテナに動作可能に結合されているかまたはその一部であるスロット線路に電磁結合するよう適合されている、請求項１に記載の前記マルチビームアンテナ。
【請求項２３】
末端がディスク開口を含む、請求項２２に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２４】
伝送線路が、実質的に４分の１波長スタブにより終端されたマイクロストリップ線路を含む、請求項２２に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２５】
伝送線路の少なくとも１部が、スロット線路の少なくとも１部に、オーバーラップ位置においてオーバーラップしており、前記伝送線路の前記少なくとも１部が、前記オーバーラップ位置において前記スロット線路の前記少なくとも１部に実質的に直交する、請求項２２に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２６】
誘電体基板の少なくとも１つの側に少なくとも１つのリフレクタをさらに含み、ここで前記少なくとも１つのリフレクタが、少なくとも１つのアンテナ要素と動作可能に関連する、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２７】
少なくとも１つのリフレクタが、誘電体基板の縁辺に一致するように適合されている、請求項２６に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２８】
誘電体基板の縁辺が凸形であり、少なくとも１つのリフレクタが、凸形双円錐リフレクタを含む、請求項２７に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項２９】
誘電体基板の縁辺が凹形であり、少なくとも１つのリフレクタが、凹形双円錐リフレクタを含む、請求項２７に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項３０】
複数アンテナ要素と動作可能に関連する、少なくとも１つの円柱誘電体レンズをさらに含む、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項３１】
複数アンテナ要素と動作可能に関連する、少なくとも１つの平面レンズをさらに含む、請求項１に記載のマルチビームアンテナ。
【請求項３２】
ａ．誘電体回路上の導体層から形成されたフィルター回路；および
ｂ．前記フィルター回路に動作可能に結合された検出器であって、ここで前記フィルター回路は、少なくとも１つの伝送線路に動作可能に関連し、前記フィルター回路は、受信信号からキャリヤを除去するように適合されている検出器、
をさらに含む、請求項１７に記載のマルチビームアンテナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連特許の相互参照
本願は、２００４年３月２６日付申請の米国仮出願第60/521,284号、および２００４年８月１１日付申請の米国仮出願第60/522,077号の権利を主張し、これらの両方は、本明細書に参照として組み込まれる。本願の主題は、２００３年８月１２日付申請の米国出願第10/604,716号に一部関連し、これも本明細書に参照として組み込まれる。
【発明の開示】
【０００２】
態様の詳細な説明
図１〜３、図７および図８を参照すると、第１の側面に従って、マルチビームアンテナ１０は、凸形プロファイル１４―例えば円形、半円形、準円形、楕円形、または必要に応じて他の外形―を有する誘電体基板１２と、誘電体基板１２の第１側２０．１の第１導体層１８．１にエッチングされた複数のエンドファイアアンテナ要素１６を含む。複数のエンドファイアアンテナ要素１６は、対応する複数の電磁エネルギービーム２１を、誘電体基板１２の凸形プロファイル１４から放射状に外向きに放射するように、または、誘電体基板１２の凸形プロファイル１４に向けて伝播される、対応する複数の電磁エネルギービーム２１を受信するように、適合される。例えば、エンドファイアアンテナ要素１６は、凸形プロファイル１４に接して描かれている。
【０００３】
誘電体基板１２は、例えば、動作周波数において比較的低い損失を有する材料、例えば、DUROID（登録商標）、TEFLON（登録商標）含有材料、セラミック材料、またはエポキシ／ファイバーガラス合成物などの複合材料である。さらに、１つの態様において、誘電体基板１２は回路基板２２の誘電体１２．１を含み、例えば、誘電体基板１２に接着された少なくとも１つの導体層１８を含むプリント回路またはフレキシブル回路２２．１であり、これから、エンドファイアアンテナ要素１６および他の関連回路トレース２４が、減法技術（subtractive technology）、例えば、化学的エッチングもしくはイオンエッチング、もしくはスタンピングなどにより、または加法技術、例えば、蒸着（deposition）、ボンディング、もしくはラミネート加工により形成される。例えば、図３、図７および図８に描かれたマルチビームアンテナ１０は、RT/DUROID（登録商標）５８８０基板上に、１リソグラフィステップの１マスクプロセスを用いた製造方法により、１７μｍ厚さの銅の層をいずれかの側に作成して製造された。
【０００４】
エンドファイアアンテナ要素１６は、例えば、八木・宇田アンテナ、コプレーナホーンアンテナ（テーパスロットアンテナとしても知られている）、ビバルディアンテナ、テーパ付き誘電体ロッド、スロットアンテナ、ダイポールアンテナ、またはヘリカルアンテナを含むことができ、これらの各々は、誘電体基板１２上に、例えばプリント回路またはフレキシブル回路２２．１から、例えば減法技術、例えば、化学的エッチングもしくはイオンエッチング、もしくはスタンピングなどにより、または加法技術、例えば、蒸着、ボンディング、もしくはラミネート加工により形成することができる。エンドファイアアンテナ要素１６はまた、モノポールアンテナを含むことができ、例えば、誘電体基板１２に対して面内または面外に配置されたモノポールアンテナ要素を含むことができる。さらにエンドファイアアンテナ要素１６は、送信、受信またはこの両方に用いることができる。
【０００５】
例えば、図１および図３に示す態様は、テーパスロットアンテナ１６．１を、関連するエンドファイアアンテナ要素１６として組み込む。テーパスロットアンテナ１６．１は表面波進行波アンテナであり、これは一般に、ダイポールアンテナまたは八木・宇田アンテナなどの共振構造と比べて、より広い帯域動作を可能とする。進行波アンテナの指向性は、ほとんどがその長さに依存し、開口度にはほとんど依存しない。開口度は典型的には自由空間半波長より長く、適正な放射と低い反射を提供する。非常に短いテーパスロットアンテナ１６．１に対しては、入力インピーダンスは関連するスロット線路給電について不適合となり、かなりの反射が生じ得る。より長いアンテナは一般に指向性を増加させる。進行波アンテナは一般に、共振アンテナよりも相互結合の影響を実質的に受けにくく、関連するマルチビームアンテナ１０の放射パターンを実質的に邪魔することなく、互いに近接して配置することができる。
【０００６】
テーパスロットアンテナ１６．１は、誘電体基板１２により支持された導体グランド面にスロットを含む。スロットの幅は給電位置から自由空間との境界位置へと、ある様式で次第に増加する。スロットの幅が増加するに従って特性インピーダンスも増加し、こうして、１２０×πオームの自由空間特性インピーダンスへのスムーズな遷移を提供する。図４ａ〜４ｆを参照すると、種々のテーパスロットアンテナ１６．１が知られており、例えば、図３および図４ａに示すフェルミテーパスロットアンテナ（ＦＴＳＡ）；図１および図４ｂに示す線形テーパスロットアンテナ（ＬＴＳＡ）；図４ｃに示すビバルディ指数テーパスロットアンテナ（Ｖｉｖａｌｄｉ）；図４ｄに示す一定幅スロットアンテナ（ＣＷＳＡ）；図４ｅに示すブロークン線形テーパ（broken linearly tapered）スロットアンテナ（ＢＬＴＳＡ）；図４ｆに示す二重指数テーパ（dual exponentially tapered）スロットアンテナ（ＤＥＴＳＡ）である。図５を参照すると、テーパスロットアンテナ１６．１は、テーパスロットアンテナ１６．１の面内で電界分極（E-field polarization）を示す。
【０００７】
これらの異なる種類のテーパスロットアンテナ１６．１は、これもスロットの長さおよび開口度と支持基板に依存して、対応する異なる放射パターンを示す。一般に、同一の長さと開口度を有する同一の基板に対して、ビーム幅はＣＷＳＡが最小であり、ＬＴＳＡがこれに続き、ついでＶｉｖａｌｄｉである。サイドローブはＣＷＳＡが最高であり、ＬＴＳＡがこれに続き、ついでＶｉｖａｌｄｉである。Ｖｉｖａｌｄｉはその指数構造のために、理論的に最大帯域幅を有する。ＢＬＴＳＡはＬＴＳＡより広い−３ｄＢビーム幅を示し、Ｄ面（対角面）での交差分極は、ＬＴＳＡおよびＣＷＳＡと比べて約２ｄＢ低い。ＤＥＴＳＡは、Ｖｉｖａｌｄｉより小さい−３ｄＢビーム幅を示すが、しかしサイドローブレベルはより高く、ただし高い周波数に対してではあるがサイドローブは抑制することができる。しかしＤＥＴＳＡは、パッケージングによって、特に寄生効果に関して設計での付加的な自由度を与える。ＦＴＳＡは、Ｅ面およびＨ面において非常に低い、殆ど対称的なサイドローブレベルを示し、−３ｄＢビーム幅はＢＬＴＳＡより広い。
【０００８】
マルチビームアンテナ１０はさらに、誘電体基板１２上に少なくとも１つの伝送線路２６を含み、これは、対応する少なくとも１つの複数エンドファイアアンテナ要素１６の対応する少なくとも１つの給電ポート２８に動作可能に接続されて、ここに信号を供給し、またはここから信号を受信する。例えば、少なくとも１つの伝送線路２６は、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、逆マイクロストリップ線路、スロット線路、イメージ線路、絶縁イメージ線路、タップ付きイメージ線路、コプレーナストリップ線路、またはコプレーナ導波路線路を、誘電体基板１２上に形成して、例えば、プリント回路またはフレキシブル回路２２．１上に、例えば減法技術、例えば化学的エッチングもしくはイオンエッチング、もしくはスタンピングにより、または加法技術、例えば蒸着、ボンディング、もしくはラミネート加工により形成して、含むことができる。
【０００９】
図１、図３および図６を参照すると、テーパスロット型エンドファイアアンテナ要素１６．１の各々は、関連するスロット線路３０に接続され、これによりエネルギーが、テーパスロット型エンドファイアアンテナ要素１６．１へと、またはこれから結合される。スロット線路３０は、誘電体基板１２の第１側２０．１上の末端３２において終端され、これに近接して、スロット線路３０は結合位置３３において、誘電体基板１２の反対側または第２側２０．２上のマイクロストリップ線路３４に電磁気的に結合され、ここで誘電体基板１２の第１側２０．１上の第１導体層１８．１は、マイクロストリップ線路３４の関連する導体グランド層３８を構成し、マイクロストリップ線路３４の導体４０は、誘電体基板１２の第２側２０．２上の第２導体層１８．２から形成される。
【００１０】
図１および図６〜８を参照すると、マイクロストリップ線路３４とスロット線路３０の間の遷移は、スロット線路３０をマイクロストリップ線路３４の導体グランド層３８内にエッチングし、図６に詳細に示されるように、スロット線路３０の軸に対して実質的に直角に配置されたマイクロストリップ線路３４の導体４０と交差させることにより形成される。約１波長の遷移距離により、マイクロストリップ線路３４の５０Ωインピーダンスの、スロット線路３０の１００Ωインピーダンスへの適合が提供される。マイクロストリップ線路３４とスロット線路３０の間のフィールドの結合は、関連する磁界を通して起こり、導体４０とスロット線路３０の交差が、マイクロストリップ線路３４の短絡回路とスロット線路３０のオープン回路に近接して起こる場合に―ここでの電流は最大であり―、最も強い。マイクロストリップ線路３４の短絡回路はビアホールを必要とするため、マイクロストリップ線路３４を遷移交差点から４分の１導波長のオープン回路中で終端させるのが容易であり、ここで４分の１導波長は、マイクロストリップ線路３４のそれである。４分の１波長放射スタブ４１は、比較的広い帯域幅を提供することができる。スロット線路３０のオープン回路は、導体グランド層３８を切ることにより作成されるが、これは一般に実際的ではない。代替的に、そして好ましくは、スロット線路３０を短絡回路で終端させ、スロット線路３０の４分の１導波長だけ交差点から引っ込める。帯域幅は、スロット線路３０のオープン回路の近似である円形ディスク開口４２に、４分の１波長終端を実現することにより、増加することができる。一般に、オープン回路の振舞いは、円形ディスク開口４２の半径が増加するに従って改善される。理論的には、円形ディスク開口４２は共振器のように振る舞う。円形ディスク開口４２は本来容量性であり、動作周波数が円形ディスク開口４２共振器の共振周波数より高ければ、オープン回路として振る舞う。
【００１１】
マルチビームアンテナ１０はさらに、少なくとも１つの第１ポート４６および複数の第２ポート４８を有する、スイッチング回路網４４を含み、ここで少なくとも１つの第１ポート４６は、例えば少なくとも１つの上記の伝送線路２６を介して、共同アンテナ給電ポート５０に動作可能に接続され、複数の第２ポート４８の各第２ポート４８は、例えば少なくとも１つの伝送線路２６を介して、複数のエンドファイアアンテナ要素１６の異なるエンドファイアアンテナ要素１６のそれぞれの給電ポート２８に接続される。スイッチング回路網４４はさらに、ある時点において、どの第２ポート４８が少なくとも１つの第１ポート４６に接続されるかを制御するための、少なくとも１つの制御ポート５２を含む。スイッチング回路網４４は、例えば、複数のマイクロメカニカルスイッチ、ＰＩＮダイオードスイッチ、トランジスタスイッチ、またはこれらの組合せを含むことができ、そして例えば、例えばプリント回路またはフレキシブル回路２２．１の関連する導体層１８への表面実装により、エンドファイアアンテナ要素１６のボード内で、誘電体基板１２に動作可能に接続することができる。例えば、スイッチング回路網４４は、誘電体基板１２の曲率半径Ｒの中心５３に隣接して位置することができ、これにより、関連するマイクロストリップ線路３４の関連する結合位置３３に隣接することができる。スイッチング回路網４４は、もし用いる場合は、共通の誘電体基板１２上に配置する必要はなく、例えば、例えば１〜２０ＧＨｚなどの比較的低い周波数用途に有用であるように、別に配置することも可能である。
【００１２】
動作においては、共同アンテナ給電ポート５０に適用された給電信号５４は、例えばオープン回路により反射もしくは吸収によって遮断されるか、または、１つもしくは２つ以上の関連する伝送線路４４を介して、スイッチング回路網４４により、制御ポート５２に適用された制御信号６０に応答して、１つもしくは２つ以上のエンドファイアアンテナ要素１６の関連する給電ポート２８に切り替えられる。給電信号５４は、各エンドファイアアンテナ要素１６に共通の１つの信号か、または異なるエンドファイアアンテナ要素１６に関連する複数の信号のどちらかを含んでよいことが理解されるべきである。給電信号５４が適用される、各エンドファイアアンテナ要素１６は、関連する電磁波を空間へと発射する。異なるエンドファイアアンテナ要素１６により発射された関連する電磁エネルギービーム２１は、異なる関連方向５８へと伝播する。種々の電磁エネルギービーム２１を異なる時点で個別に発生することができ、スキャンされた電磁エネルギービーム２１を提供する。代替的に、２つまたは３つ以上の電磁エネルギービーム２１を同時に発生することもできる。さらに、異なるエンドファイアアンテナ要素１６を異なる周波数で駆動することができ、該周波数は例えば、それぞれのエンドファイアアンテナ要素１６に直接切り換えるか、または、少なくとも幾つかがそれぞれ異なる給電信号５４に接続されている複数の第１ポート４６を有する関連するスイッチング回路網を介して、切り換えることができる。
【００１３】
代替的に、マルチビームアンテナ１０は、それぞれの信号がそれぞれのエンドファイアアンテナ要素１６と１対１の関係で関連するよう適合し、これによって関連するスイッチング回路網４４の必要性を除外することもできる。例えば、各エンドファイアアンテナ要素１６は、関連する処理要素を通して関連する信号に動作可能に接続することができる。１例として、イメージングアレイとして構成されたマルチビームアンテナ１０では、それぞれのエンドファイアアンテナ要素１６は電磁エネルギーを受信するために用いられ、対応する処理要素は検出器を含む。他の例では、通信用アンテナとして構成されたマルチビームアンテナ１０では、それぞれのエンドファイアアンテナ要素１６は、電磁エネルギーの送信および受信の両方のために用いられ、それぞれの処理要素は、送信／受信モジュールまたは送受信機を含む。
【００１４】
例えば、図８および図９を参照すると、マルチビームアンテナ１０は、マルチビームアンテナ１０の関連するエンドファイアアンテナ要素１６により受信された信号を検出するための複数の検出器６０と適合され、例えば、関連する放射パターン測定値を生成する。各検出器６０は、マイクロストリップ線路３４内のギャップ６２に渡る導体エポキシを搭載した平面シリコンショットキーダイオード６０．１を含む。より高い感度のためには、ダイオード６０．１にＤＣバイアスをかける。２分の１波長スタブフィルター６３は、ダイオード６０．１の検出器６０の位置において電流を最大化し、一方でＤＣパスへの漏洩を防ぐ。図１０は、図３および図８に示した、受信アンテナとして構成されたマルチビームアンテナ１０のＥ面放射パターンを示す。
【００１５】
テーパスロット型エンドファイアアンテナ要素１６．１は、比較的狭い個別のＥ面ビーム幅を提供するが、しかし本質的に、関連する電磁エネルギービーム２１の比較的広いＨ面ビーム幅を示す。
図１１ａおよび図１１ｂを参照すると、マルチビームアンテナ１０．１の第２の側面に従って、上記のマルチビームアンテナ１０を双円錐リフレクタ６４内に挟み込むことにより、Ｈ面ビーム幅を減少させることができ、マルチビームアンテナ１０の指向性を増加させることができ、これによって、Ｈ面内にホーン様アンテナを提供する。１つの態様において、双円錐リフレクタの対向する面６５の間の開口角度は約５０度であり、側面の寸法は誘電体基板１２のそれと一致する。この態様のＥ面において測定された放射パターンは、２６度の−３ｄＢビーム幅を示し、近接するビームの交差が−２．５ｄＢレベルで生じる。サイドローブレベルは約−６ｄＢであり、リフレクタなしのアレイと比べると、メインビームとサイドローブの間のヌルの深度（depth of null）は大幅に増加した。Ｈ面において、−３および−１０ｄＢビーム幅はそれぞれ３５度および６８度であり、サイドローブレベルは−２０ｄＢより低かった。双円錐リフレクタの存在は、測定ゲインを１０％増加させた。ゲインの改善は比較的小さく、例えば約１０％であるが、双円錐リフレクタはＨ面放射パターンに有益である。
【００１６】
図１２ａおよび図１２ｂを参照すると、マルチビームアンテナ１０．２の第３の側面に従って、誘電体基板１２の凸形プロファイル１４に適合するように円柱軸に沿って曲げられた等角円柱誘電体レンズ（conformal cylindrical dielectric lens）６６を用いることにより、Ｈ面ビーム幅を減少させることができ、マルチビームアンテナ１０の指向性を増加させることができ、これによって、Ｅ面放射パターンに実質的に影響を及ぼすことなく、Ｈ面内での焦点化を提供する。例えば、等角円柱誘電体レンズ６６は、Rexolite（登録商標）、Teflon（登録商標）、ポリエチレン、またはポリスチレン；または異なる反射係数を有する複数の異なる材料のいずれかから作成することができる。代替的に、等角円柱誘電体レンズ６６は、図１２ｂに示すような円形断面の代わりに、平円筒断面を有することができる。他の態様に従って、等角円柱誘電体レンズ６６は、レードームとして作用するよう適合してもよく、これによりマルチビームアンテナ１０．２を、有害な環境要素（例えば雨または雪）および因子、または汚染（例えば塵）から保護する。
【００１７】
図１３ａおよび図１３ｂを参照すると、マルチビームアンテナ１０．３の第４の側面に従って、平面レンズ６８を用い、その平表面を誘電体基板１２に垂直に―平表面の表面に垂直方向に―配置し、誘電体基板１２の凸形プロファイル１４に一致するよう適合することにより、Ｈ面ビーム幅を減少させることができ、マルチビームアンテナ１０の指向性を増加させることができる。
【００１８】
図１４〜１８を参照すると、平面レンズ６８は、平面レンズ６８の関連する誘電体基板７２の１つの側の上の複数の第１パッチアンテナ７０．１を含み、該パッチアンテナは、平面レンズ６８の関連する誘電体基板７２の反対側の関連する複数の第２パッチアンテナ７０．２に、例えば遅延線路７６などの関連する遅延要素７４を介して接続されており、ここで、遅延線路７６の長さは、誘電体基板１２と実質的に整列している平面レンズ６８の中心７８からの距離―誘電体基板１２に垂直方向の距離―が増加するにつれて減少する。遅延線路７６は、プリント回路技術を用いて適切な長さの蛇行するパス（meandering path）を形成することにより、作成できる。円柱レンズアレイの１例は、D. Popovic and Z. Popovicにより”Multibeam Antennas with Polarization and Angle Diversity”, IEEE Transactions on Antennas and Propagation, Vol. 50, No. 5, May 2002に記載されており、これは本明細書に参照として組み込まれる。
【００１９】
平面レンズ６８の１つの態様において、パッチアンテナ７０．１、７０．２は、誘電体基板７２上に導体面を含み、平面レンズ６８の第１側８０および第２側８２のパッチアンテナ７０．１、７０．２を結合する遅延要素７６は、遅延線路７６、例えば、マイクロストリップまたはストリップ線路の構造を含み、これらは下にある誘電体基板７２の上の関連するパッチアンテナ７０．１、７０．２に隣接して位置する。遅延線路７６の第１端８４．１は、対応するパッチアンテナ７０．１、７０．２に接続され、遅延線路７６の第２端８４．２は、例えば誘電体基板７２を通る導体ビア８６などの導体パスに互いに相互接続される。図１４は、同じ相対的位置においてパッチアンテナの関連する第１セット７０．１および第２セット７０．２に給電を提供するように配置された、遅延線路７６を示す。
【００２０】
図１５を参照すると、平面レンズ６８の第１側８０上の各パッチアンテナ７０．１は、遅延要素７６を介して、平面レンズ６８の第２側８２上の対応するパッチアンテナ７０．２に動作可能に結合され、ここで平面レンズ６８の第１側８０上のパッチアンテナ７０．１は、平面レンズ６８の第２側８２上の対応するパッチアンテナ７０．２と、実質的に整列している。
【００２１】
動作において、パッチアンテナ７０．１、７０．２の１つ、例えば、平面レンズ６８の第１側８０上の第１パッチアンテナ７０．１に放射された電磁エネルギーは、このアンテナによって受信され、これに応答する信号は、遅延線路７６を介しこれにより遅延されて、対応するパッチアンテナ７０．１、７０．２、例えば、第２パッチアンテナ７０．２に結合され、ここで、遅延線路７６による遅延の量は、対応するパッチアンテナ７０．１、７０．２の、平面レンズ６８の対応する第１側８０および第２側８２の位置に依存する。第２パッチアンテナ７０．２に結合された信号は次に、これにより平面レンズ６８の第２側８２から放射される。従って、平面レンズ６８は、複数のレンズ要素８８を含み、ここでレンズ要素８８は、対応する第２パッチアンテナ要素７０．２に少なくとも１つの遅延線路７６を介して動作可能に結合する第１パッチアンテナ要素７０．１を含み、ここで第１パッチアンテナ要素７０．１および第２パッチアンテナ要素７０．２は、平面レンズ６８の反対側にあって実質的に互いに対向している。
【００２２】
図１６を参照すると、関連する遅延線路７６により生じる遅延の量は、平面レンズ６８の関連するパッチアンテナ１０２の位置に依存するように作られ、例えば、図１４に示した構成により示されるように、関連する遅延線路７６の長さにより定められ、これにより、例えば等角円柱誘電体レンズ６６などの凸形電磁レンズ１２の位相特性を模倣する。図１６に示す遅延プロファイルの形状は、種々の構成をとることができ、例えば、１）全放射方向について均一であり、これにより球面レンズを模倣する；２）方位角依存性を組み込むよう適合され、例えば、これにより楕円レンズを模倣する；３）１つの方向のみ、例えば、マルチビームアンテナ１０．６の１つの高度面のみに焦点を合わせるよう適合され、例えば、これにより等角円柱誘電体レンズ６６を模倣する、または４）関連する放射パターンを関連するマルチビームアンテナ１０．３の面の上または下のどちらかに向けるよう適合され、例えば、これによりグラウンドからの反射すなわち散乱を緩和する。
【００２３】
図１７および図１８を参照すると、図１４に示した平面レンズ６８のレンズ要素８８は、第１（７０．１）および第２パッチアンテナ要素７０．２を、導体グランド層９２をその間に挟んで囲む第１（７２．１）および第２誘電体基板７２．２を含んでなるコアアセンブリ９０の外表面上に含む。平面レンズ６８の第１側８０上の第１遅延線路７６．１は、第１パッチアンテナ要素７０．１の周囲の第１位置９４．１から、コアアセンブリ９０を通って伸びる導体ビア８６の第１端８６．１へと周辺に伸び、平面レンズ６８の第２側８２上の第２遅延線路７６．２は、第２パッチアンテナ要素７０．２の周囲の第２位置９４．２から、導体ビア８６の第２端８６．２へと周辺に伸びる。従って、導体ビア８６により相互接続される第１遅延線路７６．１および第２遅延線路７６．２の組合せは、レンズ要素８８の関連する遅延線路７６を構成し、遅延線路７６の遅延の量は、一般に、関連する第１遅延線路７６．１および第２遅延線路７６．２の積算した周囲長さに対応する。
【００２４】
図１９ａおよび図１９ｂを参照すると、マルチビームアンテナ１０．４の第５の側面により、複数の関連するエンドファイアアンテナ要素１６を有する誘電体基板１２は、誘電体基板１２自体にエッチングされた任意のものに加えて、誘電体基板１２の上と下に関連する面外リフレクタ９６を組合せ、これにより、エッチングされたエンドファイアアンテナの放射パターンの改善を提供する。例えば、ダイポールアンテナ１６．２および関連するリフレクタ部分９８を、誘電体基板１２の少なくとも１つの導体層１８にエッチングすることができる。代替的に、ダイポールアンテナ１６．２の代わりに八木・宇田要素を用いることもできる。エッチングされたリフレクタ部分９８はまた、誘電体基板１２から離れる方向に延長させて、平面コーナーリフレクタ１００を形成することができ、これは例えば、比較的薄い導体板１０２を関連する第１（１８．１）および第２の導体層１８．２に、例えばハンダまたは導体エポキシを用いて付着させることによる。例えば、これは、電磁放射および回路基板上の感受性を制限するために現在用いられている金属製筐体と類似である。リフレクタ９６はまた、誘電体基板１２上の共通形状を有する全てのエンドファイアアンテナ要素１６にわたる個体片で、例えば上に記載された双円錐リフレクタ６４用に作成することもできる。
【００２５】
図２０ａおよび図２０ｂを参照すると、八木・宇田アンテナ１６．３は、マルチビームアンテナ１０のエンドファイアアンテナ要素１６として、P.R. Grajek, B. Schoenlinner and G. M. Rebeizにより”A 24-GHz High-Gain Yagi-Uda Antenna Array” in Transactions on Antennas and Propagation, May, 2004に記載されているようにして用いることができ、この文献は本明細書に参照として組み込まれる。例えば、１つの態様において、八木・宇田アンテナ１６．３は、誘電体基板１２―例えば１０ｍｉｌ厚さのDUROID（登録商標）基板―の第１側２０．１上に、ダイポール要素１０４、２つのフォワードダイレクター要素１０６、および誘電体基板１２の第２側２０．２上に、リフレクタ要素１０８を組み込み、これにより、より高いビーム指向性を提供する。例えば、アンテナの最初の寸法は、２つのダイレクター、１つのリフレクタおよび直径がｄでｄ／λ＝０：００８５の円柱ワイヤ要素を用いた空中の最大指向性の表から得ることができ、ここで各要素の等幅はｗ＝２ｄを用いて得られ、これは、直径ｄの円柱ダイポールをほぼゼロの厚さの平らなストリップへとマッピングし、例えばその結果２４ＧＨｚで０．２１３ｍｍの要素幅を得る。次に、DUROID（登録商標）基板の影響を補償するために寸法をスケーリングして、例えば、適正な共鳴周波数を提供する。１つの態様において、給電ギャップＳは、エッチング処理の解像度のために０．１５ｍｍの幅に制限された。
【００２６】
関連する給電回路１１０の第１の態様により、八木・宇田アンテナ１６．３は、八木・宇田アンテナ１６．３に結合されたコプレーナストリップ線路１１２に結合されたマイクロストリップ線路３４により給電される。本明細書に参照として組み込まれる、W. R. Deal, N. Kaneda, J. Sor, Y. Qian and T. Itohによる”A new quasi-yagi antenna for planar active antenna arrays” in IEEE Trans. Microwave Thoery Tech., Vol. 48, No. 6, pp. 910-918, June 2000に記載されたように、マイクロストリップ線路３４とコプレーナストリップ線路１１２の間の遷移は、一次マイクロストリップ線路３４を分離した２つのコプレーナストリップ線路１１２に分割することにより提供され、このうち１つは、１８０度の位相シフトを生じさせるのに十分な長さの蛇行線（meanderline）１１６を含むバラン回路１１４を組み込み、これによりダイポール要素１０４に接続された平衡コプレーナストリップ線路１１２に沿って準ＴＥＭモードを励起させる。マイクロストリップ線路３４とコプレーナストリップ線路１１２の間の４分の１波長トランス部１１８は、コプレーナストリップ線路１１２／八木・宇田アンテナ１６．３のインピーダンスを、マイクロストリップ線路３４のインピーダンスへ適合させる。入力インピーダンスは、バラン回路１１４中の相互結合を通して蛇行線１１６のギャップ間隔Ｓｍの影響を受け、また、関連するグランド面１２２の縁辺１２０に対する蛇行線１１６の近傍ＳＴの影響を受け、ここで蛇行線１１６が縁辺１２０に近すぎる場合は、フリンジ効果が生じ得る。
【００２７】
図２１を参照すると、八木・宇田アンテナ１６．３の指向性は、関連する誘電体レンズ１２４、例えば、円形の誘電体レンズ１２４、例えば、球形、フラスト球形（frusto-spherical）または円柱形のレンズにより、実質的に増加させることができ、これは例えば、八木・宇田アンテナ１６．３の位相中心１２６を有する焦点面から、半径Ｒの誘電体レンズ表面から距離ｄの位置において給電を受け、ここで、例えば１つの態様において、ｄ／Ｒ＝０．４である。
【００２８】
図２２を参照すると、八木・宇田アンテナ１６．３は、関連する給電回路１２８の第２の態様と協働して受信アンテナとして用いられ、ここで検出器６０は、関連するダイポール要素１０４からのコプレーナストリップ線路１１２にわたり動作可能に結合され、λｇ／４開放スタブ１３０は、それぞれのコプレーナストリップ線路１１２に検出器６０からλｇ／４の距離において動作可能に結合され、これは、検出器６０においてＲＦオープン回路を提供し、および、λｇ／４開放スタブ１３０を超えて関連するコプレーナストリップ線路１１２に動作可能に結合するノード１３２において、検出された信号を提供する。
【００２９】
図２３を参照すると、第６の側面により、マルチビームアンテナ１０．５は、凹形プロファイル１３４、例えば、円形、半円形、準円形、楕円、または必要に応じて幾つかの他の外形を有する誘電体基板１２を、複数のエンドファイアアンテナ要素１６と共に含み、例えば、図２０ａおよび図２０ｂに示した態様に従って構成された八木・宇田アンテナ１６．３を、図２２に示した給電回路１２８の第２の態様と共に含み、これにより、凹形プロファイル１３４の縁辺１３６に沿って配置された関連するエンドファイアアンテナ要素１６の異なる方位角方向に対応する、複数の関連する方向からの電磁エネルギービーム２１を受信する。図２３に示すマルチビームアンテナ１０．５の態様は、１８．７度の角度分離を有して均等に配置された八木・宇田アンテナ１６．３の１１要素アレイを含み、関連する−６ｄＢビーム交差を提供する。
【００３０】
図２４を参照すると、マルチビームアンテナ１０．６の第７の態様により、例えば図２３に示した第６の側面のマルチビームアンテナ１０．５を、少なくとも部分的に球形の誘電体レンズ１３８、例えば球形TEFLON（登録商標）レンズと協働するよう適合して、例えば米国特許第6,424,319号に開示されたような誘電率の改善を提供する；該特許は本明細書に参照として組み込まれる。
【００３１】
図２５ａおよび図２５ｂを参照すると、マルチビームアンテナ１０．７の第８の態様により、例えば図２３に示した第６の側面のマルチビームアンテナ１０．５を、凹形双円錐リフレクタ１４０と協働するよう適合して、例えば、図１１ａおよび図１１ｂに示した態様に従って上に開示したように、Ｈ面における関連するビーム幅を減少させる。代替的に、凹形双円錐リフレクタ１４０の全部または一部を、例えば、図１９ａおよび図１９ｂに示した態様に従って上に開示したように、面外リフレクタ９６で置き換えてもよい。
【００３２】
図２６を参照すると、第１の側面の第２の態様により、マルチビームアンテナ１０は、例えば円形、準円形、または楕円プロファイルなどの凸形プロファイル１４を有する誘電体基板１２を含み、ここで、誘電体基板１２の第１側２０．１上の第１導体層１８．１にエッチングされた、関連する複数のエンドファイアアンテナ要素１６は、誘電体基板１２の縁辺１４２の周りに分散されて、全角度動作を提供する。複数のエンドファイアアンテナ要素１６は、対応する複数の電磁エネルギービーム２１を誘電体基板１２の凸形プロファイル１４から外向きに放射するか、または、誘電体基板１２の凸形プロファイル１４へと伝播される対応する複数の電磁エネルギービーム２１を受信するように、適合される。例えば、態様の１つのセットにおいては、エンドファイアアンテナ要素１６は、特定の用途に依存して、関連する放射パターンが−２ｄＢ〜−６ｄＢの範囲のパワーレベルにおいて互いに交差するように、配置される。エンドファイアアンテナ要素１６の数は、関連するビーム幅および、要求される総角度有効範囲の関連する程度に依存し、これは２つの隣接するエンドファイアアンテナ要素１６によりカバーされる最小の方位角から、完全な全方向有効範囲のための３６０度までの範囲であってよい。
【００３３】
誘電体基板１２の中心に近接して位置する１つまたは２つ以上の１：Ｎ（例えば、Ｎ＝４〜１６）のスイッチング回路網は、スイッチング回路網４４から対応する関連するエンドファイアアンテナ要素１６へ、実質的に均一な関連する伝送線路２６を提供し、これによって実質的に均一な関連する損失を提供する。例えば、スイッチング回路網４４は、１つの集積回路または複数の集積回路を用いて、例えば１：２スイッチと続く２つの１：４スイッチを用いて製造される。例えば、スイッチング回路網４４は、ＧａＡｓＰ−Ｉ−Ｎダイオード、ＳｉＰ−Ｉ−Ｎダイオード、ＧａＡｓ ＭＯＳＦＥＴトランジスタ、またはＲＦ ＭＥＭＳスイッチのどれかを含むことができ、この後者は、より高い分離と低い挿入損失を提供することができる。関連する伝送線路２６は、異なる伝送線路２６の間の電磁結合を有利に低下するように適合でき、これは例えば、垂直同軸給電伝送線路２６、コプレーナ導波管伝送線路２６、懸垂ストリップ線路伝送線路２６、またはマイクロストリップ線路伝送線路２６のどれかを用いることによる。あるいは、関連する伝送線路２６の間の結合は、関連するエンドファイアアンテナ要素１６の関連する放射パターンを低下させ、その結果関連するメインローブに生じるリップルと、それらの関連するサイドローブレベルの増加を引き起こし得る。関連するレーダーユニットは、同一の誘電体基板１２（または異なる基板）のスイッチマトリックスの真後ろに位置させることができ、これにより、関連するレーダーシステムの寸法およびコストを低下させる。得られる全方向レーダーシステムは、車両の上に位置させて、１つの関連するマルチビームアンテナ１０により全方位角の有効範囲を提供することができる。
【００３４】
図２７ａ、２７ｂ、２８ａおよび２８ｂを参照すると、マルチビームアンテナ１０．８の第９の側面により、誘電体基板１２は、垂直方向に、高度に関して上向きまたは下向きのどちらかに角度をつけることができ、例えば、散乱としても知られる関連するグランド反射を除去または低下させる。例えば、図２７ａおよび図２７ｂを参照すると、凸形プロファイル１４を有するマルチビームアンテナ１０の誘電体基板１２は、円錐形を有して提供することができ、これにより各関連するエンドファイアアンテナ要素１６は、円錐面１４６の関連する軸１４４に向かう高度角を有して配置され、例えば、関連するエンドファイアアンテナ要素１６の関連する指向性を、高度について上向きに配列する。また例えば、図２８ａおよび図２８ｂを参照すると、凹形プロファイル１３４を有するマルチビームアンテナ１０の誘電体基板１２は、円錐形を有して提供することができ、これにより各関連するエンドファイアアンテナ要素１６は、円錐面１４６の関連する軸１４４に向かう高度角を有して配置され、例えば、関連するエンドファイアアンテナ要素１６の関連する指向性を、高度について上向きに配列する。従って、マルチビームアンテナ１０の誘電体基板１２は、平面である必要はない。
【００３５】
マルチビームアンテナ１０は比較的広い視野角を提供し、種々の用途に適している。例えば、マルチビームアンテナ１０は、比較的安価な、比較的コンパクトな、比較的低い外形の、そして比較的広い視野角の、自動車用途用の電気的スキャンアンテナを提供し、これには限定なく、前方、側面および後方衝撃保護用自動車レーダー、ストップアンドゴー車速設定装置、駐車支援装置、および死角モニタリングが含まれる。さらに、マルチビームアンテナ１０は、２地点間通信システムおよび１対複数地点間通信システムに対して、エンドファイアアンテナ要素１６が放射可能に設計されている広い範囲、例えば１〜２００ＧＨｚの周波数にわたって用いることができる。さらに、マルチビームアンテナ１０は、モノスタティック（monostatic）またはバイスタティック（bistatic）動作用に構成することができる。
【００３６】
先の詳細な説明において、具体的な態様について詳細を説明するとともに添付の図面に示したが、当業者は、本開示の全体教示に照らして、それらの詳細に対する様々な修正形態および代替形態の開発が可能であることを認識する。従って、開示した特定の配設は例証を意味するものであり、本発明の範囲の限定を意味するものではなく、本発明には、追加されたクレーム（appended claims）および、これらの任意の全均等物の全範囲を与えるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】マルチビームアンテナの第１の態様の平面図である。
【図２】図１の態様の側面断面図である。
【図３】マルチビームアンテナの態様の平面図である。
【図４】テーパスロットアンテナ要素の種々の態様を示す図である。
【図５】テーパスロットアンテナ要素および関連する座標系の図である。
【図６】マイクロストリップ線路がテーパスロットアンテナに給電するスロット線路に結合するよう適合されている、分岐を示す図である。
【図７】図３に示すマルチビームアンテナの態様の底面であって、関連する給電回路網に連結されている該底面の図である。
【図８】図３に示すマルチビームアンテナの態様の底面と関連する受信回路を示す図である。
【図９】図８に示す態様の受信回路の詳細な図である。
【図１０】図３および図８に示すマルチビームアンテナのアンテナゲインパターンを示す図である。
【００３８】
【図１１ａ】双円錐リフレクタを組み込んだマルチビームアンテナの態様の等角図である。
【図１１ｂ】図１１ａに示す双円錐リフレクタを組み込んだマルチビームアンテナの態様の断面図である。
【図１２ａ】等角円柱誘電体レンズを組み込んだマルチビームアンテナの態様の平面図である。
【図１２ｂ】図１２ａに示す等角円柱誘電体レンズを組み込んだマルチビームアンテナの態様の断面図である。
【図１３ａ】平面レンズを組み込んだマルチビームアンテナの態様の平面図である。
【図１３ｂ】図１３ａに示す平面レンズを組み込んだマルチビームアンテナの態様の断面図である。
【図１４】個別平面レンズアレイの第１側を示す図である。
【図１５】個別レンズアレイのブロック図である。
【００３９】
【図１６】図１５の個別平面アレイの横軸方向の位置の関数として遅延をプロットした図である。
【図１７】個別レンズアンテナ要素の態様の一部の、断面等角図である。
【図１８】関連する誘電体基板から分離した、図１７の個別レンズアンテナ要素の等角図である。
【図１９ａ】関連するコーナーリフレクタと協働するよう適合されたダイポールアンテナを組み込んだマルチビームアンテナの態様の平面図である。
【図１９ｂ】ダイポールアンテナおよび関連するコーナーリフレクタを組み込んだ図１９ａに示すマルチビームアンテナの態様の断面図である。
【図２０ａ】関連する給電回路の第１の態様を有する八木・宇田アンテナ要素の図である。
【図２０ｂ】関連する給電回路の第１の態様を有する八木・宇田アンテナ要素の図である。
【００４０】
【図２１】図２０ａおよび図２０ｂに示した八木・宇田アンテナ要素が、円形プロファイルを有する誘電体レンズと協働する動作を示す図である。
【図２２】関連する給電回路の第２の態様を有する八木・宇田アンテナ要素の図である。
【図２３】複数の八木・宇田アンテナ要素を誘電体基板の凹縁辺に組み込んだマルチビームアンテナの態様の図である。
【図２４】少なくとも１つの部分球形誘電体レンズと協働する、複数の八木・宇田アンテナ要素を誘電体基板の凹縁辺に組み込んだマルチビームアンテナの態様の図である。
【図２５ａ】関連する双円錐リフレクタと協働する、複数のエンドファイアアンテナ要素を誘電体基板の凹縁辺に組み込んだマルチビームアンテナの態様の図である。
【図２５ｂ】関連する双円錐リフレクタと協働する、複数のエンドファイアアンテナ要素を誘電体基板の凹縁辺に組み込んだマルチビームアンテナの態様の図である。
【図２６】円形マルチビームアンテナを示す図である。
【図２７ａ】マルチビームアンテナの第１の非平面の態様を示す図である。
【図２７ｂ】マルチビームアンテナの第１の非平面の態様を示す図である。
【図２８ａ】マルチビームアンテナの第２の非平面の態様を示す図である。
【図２８ｂ】マルチビームアンテナの第２の非平面の態様を示す図である。
【図１】
2008503904.tif 000003
【図２】
2008503904.tif 000004
【図３】
2008503904.tif 000005
【図４】
2008503904.tif 000006
【図５】
2008503904.tif 000007
【図６】
2008503904.tif 000008
【図７】
2008503904.tif 000009
【図８】
2008503904.tif 000010
【図９】
2008503904.tif 000011
【図１０】
2008503904.tif 000012
【図１１ａ】
2008503904.tif 000013
【図１１ｂ】
2008503904.tif 000014
【図１２ａ】
2008503904.tif 000015
【図１２ｂ】
2008503904.tif 000016
【図１３ａ】
2008503904.tif 000017
【図１３ｂ】
2008503904.tif 000018
【図１４】
2008503904.tif 000019
【図１５】
2008503904.tif 000020
【図１６】
2008503904.tif 000021
【図１７】
2008503904.tif 000022
【図１８】
2008503904.tif 000023
【図１９ａ】
2008503904.tif 000024
【図１９ｂ】
2008503904.tif 000025
【図２０ａ】
2008503904.tif 000026
【図２０ｂ】
2008503904.tif 000027
【図２１】
2008503904.tif 000028
【図２２】
2008503904.tif 000029
【図２３】
2008503904.tif 000030
【図２４】
2008503904.tif 000031
【図２５ａ】
2008503904.tif 000032
【図２５ｂ】
2008503904.tif 000033
【図２６】
2008503904.tif 000034
【図２７ａ】
2008503904.tif 000035
【図２７ｂ】
2008503904.tif 000036
【図２８ａ】
2008503904.tif 000037
【図２８ｂ】
2008503904.tif 000038
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008503904.tif 000039
【図２】
2008503904.tif 000040
【図３】
2008503904.tif 000041
【図４ａ】
2008503904.tif 000042
【図４ｂ】
2008503904.tif 000043
【図４ｃ】
2008503904.tif 000044
【図４ｄ】
2008503904.tif 000045
【図４ｅ】
2008503904.tif 000046
【図４ｆ】
2008503904.tif 000047
【図５】
2008503904.tif 000048
【図６】
2008503904.tif 000049
【図７】
2008503904.tif 000050
【図８】
2008503904.tif 000051
【図９】
2008503904.tif 000052
【図１０】
2008503904.tif 000053
【図１１ａ】
2008503904.tif 000054
【図１１ｂ】
2008503904.tif 000055
【図１２ａ】
2008503904.tif 000056
【図１２ｂ】
2008503904.tif 000057
【図１３ａ】
2008503904.tif 000058
【図１３ｂ】
2008503904.tif 000059
【図１４】
2008503904.tif 000060
【図１５】
2008503904.tif 000061
【図１６】
2008503904.tif 000062
【図１７】
2008503904.tif 000063
【図１８】
2008503904.tif 000064
【図１９ａ】
2008503904.tif 000065
【図１９ｂ】
2008503904.tif 000066
【図２０ａ】
2008503904.tif 000067
【図２０ｂ】
2008503904.tif 000068
【図２１】
2008503904.tif 000069
【図２２】
2008503904.tif 000070
【図２３】
2008503904.tif 000071
【図２４】
2008503904.tif 000072
【図２５ａ】
2008503904.tif 000073
【図２５ｂ】
2008503904.tif 000074
【図２６】
2008503904.tif 000075
【図２７ａ】
2008503904.tif 000076
【図２７ｂ】
2008503904.tif 000077
【図２８ａ】
2008503904.tif 000078
【図２８ｂ】
2008503904.tif 000079
【国際調査報告】
2008503904.tif 000080