(57)【要約】【課題】高揮発性及び高温安定性を有し、穏和な条件下で高品質のニッケル薄膜を形成するのに有用な新規な有機ニッケル化合物の提供。【解決手段】化(Ｉ)の揮発性ニッケルアミノアルコキシド錯体は有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）により高品質のニッケル薄膜を形成することができる。【選択図】  図１
2008537947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化(Ｉ)で表されるニッケルアミノアルコキシド錯体：
【化１】
2008537947.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立的に線状または分岐状のＣ１−４アルキルであり；ｍは１〜３の整数である）。
【請求項２】
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立的にＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＨ(ＣＨ３)２またはＣ(ＣＨ３)３であり、ｍは１または２であることを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
有機溶媒中で化(II)の化合物を化(III)の化合物と反応させることを含む、請求項１に記載の化合物の製造方法：
【化２】
2008537947.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びｍは請求項１で定義された通りであり；ＹはＣ１−４アルキルである）。
【請求項４】
有機溶媒中で化(IV)の化合物を化(Ｖ)の化合物と反応させることを含む、請求項１に記載の化合物の製造方法：
【化３】
2008537947.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びｍは請求項１で定義された通りであり；Ｘはハロゲンであり；ＭはＬｉまたはＮａである）。
【請求項５】
請求項１に記載の化合物の蒸気を２００〜５００℃の範囲の温度に加熱された基材に接触させることを含む、基材上にニッケル薄膜を蒸着させる方法。
【請求項６】
前記基材が２５０〜３５０℃の範囲の温度に加熱されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記化合物が３０〜１００℃の範囲の温度で揮発されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、揮発性ニッケルアミノアルコキシド錯体、その製造方法及び前記錯体を用いて基材上にニッケル薄膜を形成する有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ニッケル薄膜、ＡｕＧｅＮｉ及びＮｉＰ２のようなニッケル合金、ニッケルシリサイド、ニッケルガリドまたはニッケルアルミニドは、半導体装置、ナノ構造体、水素貯蔵合金及び微小電気機械アクチュエータなどの製造に広く用いられている。
【０００３】
ニッケルカルボニル(Ｎｉ(ＣＯ)４)；ビス(シクロペンタジエニル)ニッケル(Ｎｉ(η５−Ｃ５Ｈ５)２)及びビス(メチルシクロペンタジエニル)ニッケル(Ｎｉ(η５−ＣＨ３Ｃ５Ｈ４)２)のようなニッケロセン(Ｎｉｃｋｅｌｏｃｅｎｅ)化合物；またはＮｉ(ａｃａｃ)２(ここで、ａｃａｃは２，４−ペンタンジオナトである)及びＮｉ(ｈｆａｃ)２(ここで、ｈｆａｃは１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナトである)のようなニッケルβ−ジケトナート化合物を用いて有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）で含ニッケル薄膜を製造する研究が報告されている。更に、ニッケルとの配位結合を形成し得る窒素ドナー部を有するβ−ケトイミンまたはアミノアルコキシドを含む有機ニッケル(ｏｒｇａｎｏｎｉｃｋｅｌ)前駆体に関する多くの報告が発表された(Ｊ．Ｄ．Ｍａｒｔｉｎ，Ｐ．Ｈｏｇａｎ，Ｋ．Ａ．Ａｂｂｏｕｄ，Ｋ．Ｈ．Ｄａｈｍｅｎ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１９９８，１０，２５２５；及びＬ．Ｇ．Ｈｕｂｅｒｔ−Ｐｆａｌｚｇｒａｆ，Ｈ．Ｇｕｉｌｌｏｎ，Ａｐｐｌ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９９８，１２，２２１)。
【０００４】
しかし、Ｎｉ(ＣＯ)４は非常に有毒であり、ニッケルβ−ケトイミン化合物は比較的に揮発性が低く、このような従来の前駆体を用いたニッケル薄膜は炭素及び酸素の不純物を含むことが知られている。
【非特許文献１】Ｊ．Ｄ．Ｍａｒｔｉｎ，Ｐ．Ｈｏｇａｎ，Ｋ．Ａ．Ａｂｂｏｕｄ，Ｋ．Ｈ．Ｄａｈｍｅｎ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１９９８，１０，２５２５
【非特許文献２】Ｌ．Ｇ．Ｈｕｂｅｒｔ−Ｐｆａｌｚｇｒａｆ，Ｈ．Ｇｕｉｌｌｏｎ，Ａｐｐｌ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，１９９８，１２，２２１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、高揮発性及び高温安定性を有し、穏和な条件下で高品質のニッケル薄膜を形成するのに有用な新規な有機ニッケル化合物を提供することである。
【０００６】
本発明の他の目的は、前記化合物の製造方法を提供することである。
【０００７】
本発明のまた他の目的は、前記化合物を用いて基材上にニッケル薄膜を蒸着させる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施態様により、化(Ｉ)で表されるニッケルアミノアルコキシド錯体を提供する：
【化４】
2008537947.tif 000003
【０００９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立的に線状または分岐状のＣ１−４アルキルであり；ｍは１〜３の整数である）。
【００１０】
本発明の他の実施態様により、有機溶媒中で化(II)の化合物を化(III)の化合物と反応させるか、または化(IV)の化合物を化(Ｖ)の化合物と反応させることを含む、前記化(Ｉ)のニッケルアミノアルコキシド錯体の製造方法を提供する：
【化５】
2008537947.tif 000004
【００１１】
（式中、Ｘはハロゲン；ＹはＣ１−４アルキル；ＭはＬｉまたはＮａ；及びＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びｍは前記定義された通りである）。
【００１２】
本発明のまた他の実施態様により、前記化(Ｉ)のニッケルアミノアルコキシド錯体の蒸気を２００〜５００℃の範囲の温度に加熱した基材に接触させることを含む、基材上にニッケル薄膜を蒸着させる方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のニッケル化合物は低温揮発性及び高温安定性を有するので、高品質のニッケル薄膜を製造するためのＭＯＣＶＤにおいて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の化(Ｉ)の新規な化合物は、２つのアミノアルコキシドリガンドと１つの二価ニッケルイオンとの間で形成された錯体である。ここで、前記ニッケルイオンの配位が飽和し、α−炭素位置にある２つのＣ１−４アルキル基と、アミノ−窒素原子に結合された２つのＣ１−４アルキル基がアミノアルコキシドリガンドの酸素及び窒素原子を効率良く遮蔽する。これは、前記化合物の分子間の相互作用を低減させると共に、前記化合物にジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン及びこれらの混合物のような有機溶媒に対して高親和性を与える。
【００１５】
本発明のニッケル化合物は室温で液相または固相であり、３０〜１００℃の低温で揮発または昇華させることができ、また、ＭＯＣＶＤ工程に適用させる場合、穏和な条件下で環境親和型熱分解が容易に引き起こされ汚染物質のないニッケル薄膜を形成すると共に、分子内のβ−水素除去過程を通じて揮発性炭化水素種を生成する。
【００１６】
本発明の化(Ｉ)の化合物のうち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立的にＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＨ(ＣＨ３)２またはＣ(ＣＨ３)３であり、ｍは１または２であることが好ましい。
【００１７】
本発明の化(Ｉ)の錯体は、下記反応式Ａで示すように、トルエンなどの有機溶媒中で化(II)の化合物と化(III)の化合物とを還流条件下で反応させて得ることができる。
【化６】
2008537947.tif 000005
【００１８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、ｍ及びＹは前記定義された通りである。）
また、本発明の化(Ｉ)の化合物は、下記反応式Ｂで示すように、トルエンなどの有機溶媒中で化(IV)の化合物と化(Ｖ)の化合物とを還流条件下で反応させて得ることができる。
【化７】
2008537947.tif 000006
【００１９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、ｍ、Ｘ及びＭは前記定義された通りである。
【００２０】
前記反応式Ａ及びＢで示したように、化(III)または(Ｖ)の化合物を、化(II)または(IV)の化合物と化学量論的モル比で、例えば化(II)または(IV)の化合物１当量を基準として２当量で反応させることで化(Ｉ)のニッケル化合物を得ることができる。
【００２１】
本発明によるニッケル薄膜は、化(Ｉ)のニッケルアミノアルコキシド錯体の蒸気を２００〜５００℃、好ましくは２５０〜３５０℃の範囲の温度に加熱した基材に接触させることによって基材上に蒸着され得る。
【００２２】
ＭＯＣＶＤで本発明のニッケル錯体を金属ニッケルに還元させる分解機構は反応式Ｃで表される。
【化８】
2008537947.tif 000007
【００２３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びｍは前記定義された通りである。）
本発明のニッケル錯体は分解反応の際に分子内β−水素除去の過程を通じて金属ニッケルに還元されると共に、アミノアルコール、ケトン及びエンジアミンのような揮発性炭化水素種を生成する。
【００２４】
本発明に用いられ得る基材としては、膜蒸着温度またはこれを超える温度で安定な無機固体であれば特に制限されず、例えば、ガラス、石英、ケイ素、ガリウムヒ素、サファイア、ニオブ酸アルカリ金属及びチタン酸アルカリ金属などが挙げられ、このうちコーティングされた基材を電子用途に使用しようとする場合には、ＴｉＮ−またはＴａＮ−コートされた単結晶ケイ素が好ましい。
【実施例】
【００２５】
次に、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。但し、下記実施例は本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲はこれらに限定されない。
【００２６】
＜化(Ｉ)のニッケルアミノアルコキシド錯体の合成＞
実施例１：ビス(ジメチルアミノ−２−メチル−２−プロポキソ)ニッケル(II)［Ｎｉ(ｄｍａｍｐ)２］
１２５ｍｌのシュレンクフラスコ中で３．５０ｇ(１５．１０ｍｍｏｌ)のＮｉ(ＮＨ３)６Ｃｌ２を５０ｍｌのトルエンに懸濁させ、４．６２ｇ(３３．２０ｍｍｏｌ)のジメチルアミノ−２−メチル−２−プロポキシドナトリウム［Ｎａ(ｄｍａｍｐ)］を徐々に加えた。前記混合溶液の色が徐々に暗褐色に変った後、該混合物を窒素雰囲気下で約８時間還流させてからろ過した。得られたろ液を真空蒸留して溶媒を除去した後、得られた固体化合物を１０−２Ｔｏｒｒの減圧下で６０℃で昇華させることによって精製し、融点が１１８〜１１９℃(収率：７２．９％)である暗褐色固体状の標題化合物３．２０ｇを得た。
【００２７】
１Ｈ ＮＭＲ(ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：１．３７９(ｓ，６Ｈ，−Ｃ(ＣＨ３)２），１．７２８(ｓ，２Ｈ，−ＣＨ２)，２．３１７(ｓ，６Ｈ，−Ｎ(ＣＨ３)２)(図１参照)。
【００２８】
元素分析：Ｃ１２Ｈ２８Ｎ２Ｏ２Ｎｉに対する計算値：Ｃ，４９．５２；Ｈ，９．７０；Ｎ，９．６２。実測値：Ｃ，４９．０８；Ｈ，９．４５；Ｎ，９．４７。
【００２９】
ＦＴ−ＩＲ(ｃｍ−１，ＫＢｒ ペレット）：ν(Ｎｉ−Ｏ)５５１，５２７，４５３(図３参照）。
【００３０】
質量分析(ＥＩ，７０ｅＶ），ｍ／ｚ(イオン、相対強度)：２９０(［Ｎｉ(Ｌ)２］＋，３８），２３２(［Ｎｉ(Ｌ)２−ＣＨ２ＮＭｅ２］＋，１１），２１７(［Ｎｉ(Ｌ)２−ＣＨ２ＮＭｅ２−Ｍｅ］＋，１４），１７４(［Ｎｉ(Ｌ)］＋，１００），１５９(［Ｎｉ(Ｌ)−Ｍｅ］＋，２０)，１１６(［Ｎｉ(Ｌ)−ＣＨ２ＮＭｅ２］＋，２９），５８(［ＣＨ２ＮＭｅ２］＋，７７)。
【００３１】
実施例２：ビス(ジエチルアミノ−２−メチル−２−プロポキソ)ニッケル(II)［Ｎｉ(ｄｅａｍｐ)２］
１２５ｍｌのシュレンクフラスコ中で２．００ｇ(８．６３ｍｍｏｌ)のＮｉ(ＮＨ３)６Ｃｌ２を５０ｍｌのトルエンに懸濁させ、２．９０ｇ(１７．３４ｍｍｏｌ)のジエチルアミノ−２−メチル−２−プロポキシドナトリウム［Ｎａ(ｄｅａｍｐ)］を徐々に加えた。前記混合溶液の色が徐々に暗褐色に変った後、該混合物を窒素雰囲気下で約８時間還流させてからろ過した。得られたろ液を真空蒸留して溶媒を除去した後、得られた固体化合物を１０−２Ｔｏｒｒの減圧下で６０℃で昇華させることによって精製し、融点が５４〜５５℃(収率：６１．７％)である暗褐色固体状の標題化合物３．２０ｇを得た。
【００３２】
１Ｈ ＮＭＲ(ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：１．３３５(ｓ，６Ｈ，−Ｃ(ＣＨ３)２），１．６７５(ｓ，ｂｒ，６Ｈ，−Ｎ(ＣＨ２ＣＨ３）），１．８７３(ｓ，２Ｈ，−ＣＨ２），２．４２２，３．００９(ｓ，ｂｒ ４Ｈ，−Ｎ(ＣＨ２ＣＨ３))(図２）。
【００３３】
元素分析：Ｃ１６Ｈ３６Ｎ２Ｏ２Ｎｉに対する計算値：Ｃ，５５．３５；Ｈ，１０．４５；Ｎ，８．０７。実測値：Ｃ，５０．９５；Ｈ，９．６９；Ｎ，８．６０。
【００３４】
ＦＴ−ＩＲ(ｃｍ−１，ＫＢｒ ペレット）：ν(Ｎｉ−Ｏ)５９２，５３１，４４３(図４参照)。
【００３５】
質量分析(ＥＩ，７０ｅＶ），ｍ／ｚ(イオン、相対強度）：３４６(［Ｎｉ(Ｌ)２］＋，１６），２３０(［Ｎｉ(Ｌ)２−ＣＨ２ＮＥｔ２−Ｍｅ２］＋，２５），２０２(［Ｎｉ(Ｌ）］＋，３９），１３０(［Ｎｉ(Ｌ)−ＮＥｔ２］＋，４４），８６(［Ｌ−Ｅｔ２］＋，１００），５８(［ＯＣＭｅ２］＋，４５）。
【００３６】
実施例３：ビス(ジエチルアミノ−２−メチル−２−ブトキソ)ニッケル(II)［Ｎｉ(ｄｍａｍｂ)２］
１２５ｍｌのシュレンクフラスコ中で４．５０ｇ(１９．３ｍｍｏｌ)のＮｉ(ＮＨ３)６Ｃｌ２を５０ｍｌのトルエンに懸濁させ、６．００ｇ(３８．６ｍｍｏｌ)のジメチルアミノ−２−メチル−２−ブトキシドナトリウム［Ｎａ(ｄｍａｍｂ)］を徐々に加えた。前記混合溶液の色が徐々に暗褐色に変った後、該混合物を窒素雰囲気下で約８時間還流させてからろ過した。得られたろ液を真空蒸留して溶媒を除去した後、得られた液体残渣を１０−２Ｔｏｒｒの減圧下で８０℃で昇華させることによって精製し、緑色の液状の標題化合物５．０７ｇを得た。
【００３７】
１Ｈ ＮＭＲ(ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：０．９３(ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，６Ｈ，−ＣＨ２ＣＨ３），１．３５(ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，６Ｈ，−Ｃ(ＣＨ３）），１．６５(ｍ，４Ｈ，−ＣＨ２ＣＨ３），１．８１(ｍ，４Ｈ，−ＮＣＨ２Ｃ−），２．２９(ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，６Ｈ，−Ｎ(ＣＨ３）２），２．３８(ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，６Ｈ，−Ｎ(ＣＨ３)２）。
【００３８】
１３Ｃ ＮＭＲ(ｐｐｍ，Ｃ６Ｄ６）：９．７，２８．９，３７．５，５１．１，７５．２，７５．９。
【００３９】
元素分析：Ｃ１４Ｈ３２Ｎ２Ｏ２Ｎｉに対する計算値：Ｃ，５２．６９；Ｈ，１０．１１；Ｎ，８．７８。実測値：Ｃ，５２．３３；Ｈ，１０．５０；Ｎ，９．８４。
【００４０】
ＦＴ−ＩＲ(ｃｍ−１，ＫＢｒ ペレット）：ν(Ｎｉ−Ｏ)５５５，４９２，４５１。
【００４１】
質量分析(ＥＩ，７０ｅＶ），ｍ／ｚ(イオン、相対強度）：３１８(［Ｎｉ(Ｌ)２］＋，１００），２８９(［Ｎｉ(Ｌ)２−ＣＨ２ＣＨ３］＋，７８），２３１(［Ｎｉ(Ｌ)２−ＣＨ２ＣＨ３−Ｃ(Ｏ)(Ｍｅ)(Ｅｔ）］＋，６１），１８８(［Ｎｉ（Ｌ）］＋，７４），１５９(［Ｎｉ(Ｌ)−ＣＨ２ＣＨ３］＋，３０），５８(［ＣＨ２ＮＭｅ２］＋，７９）。
【００４２】
実施例１及び３で製造されたニッケルアミノアルコキシド化合物の熱重量分析／示差熱分析(ＴＧＡ／ＤＴＡ)の結果をそれぞれ図５〜図７に示す。ＴＧＡ分析結果、Ｎｉ(ｄｍａｍｐ)２、Ｎｉ(ｄｅａｍｐ)２及びＮｉ(ｄｍａｍｂ)２化合物の質量は全て１００〜２００℃の範囲の温度で急激に減少した。また、Ｎｉ(ｄｍａｍｐ)２、Ｎｉ(ｄｅａｍｐ)２及びＮｉ(ｄｍａｍｂ)２化合物のＴ１／２(試料の重量が半分に達した際の温度)は各々１５０℃、１７０℃、及び１８５℃であった。ＤＴＡ分析の結果、これらは何れも２００℃付近での分解反応による吸熱ピークを有していた。
【００４３】
その結果から実施例１〜３で合成したニッケル錯体は高揮発性及び熱的安定性を有し、分解時に比較的に純水なニッケルに還元されるので、ニッケル蒸着のためのＭＯＣＶＤ用前駆体として適宜であることが分かる。
【００４４】
＜ニッケル薄膜の蒸着＞
実施例４
表面に酸化膜が形成されたＳｉ(００１)ウエハを１０−５Ｔｏｒｒの初期圧力下で２００、２５０、３００又は３５０℃の温度に加熱処理した。実施例１で製造されたＮｉ(ｄｍａｍｐ)２を６０℃で蒸発させ、その蒸気をアルゴンキャリアガス(流速：４ｓｃｃｍ)を用いて全圧１０ｍＴｏｒｒの条件下でウエハ表面に搬送させ、該ウエハ表面上に膜を蒸着させた。
【００４５】
上記の蒸着された薄膜はＸ線光電子スペクトルから純粋な金属ニッケルであることが分かった。前記ＸＲＤパターンを見れば２５０〜３５０℃で蒸着された薄膜は結晶質であり(図８Ｂ：２５０℃)、２００℃で蒸着された薄膜は非晶質であることが分かった(図８Ａ)。図８Ｃに示すように、２５０℃で蒸着された薄膜は、粒径１００ｎｍ以下の粒子からなることがＳＥＭ写真から分かった。
【００４６】
実施例５
表面に酸化膜が形成されたＳｉ(００１)ウエハを１０−３Ｔｏｒｒの初期圧力下で２５０、３００、３５０、４００、４５０又は５００℃の温度に加熱処理した。実施例１で製造されたＮｉ(ｄｍａｍｐ)２を６０℃で蒸発させ、その蒸気をアルゴンキャリアガス(流速：４ｓｃｃｍ)を用いて全圧１００ｍＴｏｒｒ下でウエハ表面に搬送させ、該ウエハ表面上に膜を蒸着させた。
【００４７】
上記の蒸着された薄膜はＸ線光電子スペクトルから、純粋な金属ニッケルであることが分かった(図９Ａ：４００℃)。ＸＲＤパターンから２５０℃で蒸着された薄膜は非晶質であり、３００℃で蒸着された薄膜は六方晶からなり、３５０℃で蒸着された薄膜は立方晶及び六方晶系結晶からなり、また、４００〜５００℃で蒸着された薄膜は立方晶系結晶からなることが分かった(図９Ｂ)。図９Ｃに示すように、２５０〜３５０℃で得られた薄膜は、粒径３０〜５０ｎｍの粒子からなる非常に緻密な薄膜を得ることが分かった。
【００４８】
実施例６
表面に酸化膜が形成されたＳｉ(００１)ウエハを４０ｍＴｏｒｒの初期圧力下で３００℃の温度に加熱処理した。実施例３で製造されたＮｉ(ｄｍａｍｐ)２を４０℃で蒸発させ、その蒸気をアルゴンキャリアガス(流速：４ｓｃｃｍ)と一緒に水素ガス流(流速：１０ｓｃｃｍ)を用いて全圧７０ｍＴｏｒｒ下でウエハの表面に搬送させ、該ウエハ表面上に膜を蒸着させた。
【００４９】
図１０に示すように、蒸着された薄膜は、Ｘ線光電子スペクトルから、８％以下の少量の炭素汚染物質を含む比較的に純粋な金属ニッケルであることが分かった。
【００５０】
実施例７
表面に酸化膜が形成されたＳｉ(００１)ウエハを２ｍＴｏｒｒの初期圧力下で２７０、２８０、２９０、３００、３１０、３３０又は３５０℃の温度に加熱処理した。実施例３で製造されたＮｉ(ｄｍａｍｐ)２を７０℃で蒸発させ、その蒸気を全圧８０ｍＴｏｒｒ下でキャリアガスを用いずにウエハの表面に搬送させ、該ウエハ表面上に膜を蒸着させた。
【００５１】
蒸着された薄膜は、Ｘ線光電子スペクトルから前記薄膜が純粋な金属ニッケルであることが分かった。図１１Ａに示すように、そのＸＲＤパターンから２７０〜３１０℃で蒸着された薄膜は立方晶系結晶からなり、また、３３０〜３５０℃で蒸着された薄膜は立方晶及び六方晶系結晶からなることを分かった。図１１Ｂに示すように緻密な薄膜が得られたことがＳＥＭ写真から分かった。
【００５２】
以上述べたように、本発明のニッケル化合物は低温揮発性及び熱的安定性を有するので、高品質のニッケル薄膜を製造するためのＭＯＣＶＤにおいて有用である。
【００５３】
なお、本発明において、前記実施態様を例示的に説明したが、添付した特許請求範囲によって規定される本発明の技術的思想を逸脱しない多様な変形及び修正が可能なことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例１で製造したニッケルアミノアルコキシド錯体の１Ｈ核磁気共鳴(１Ｈ ＮＭＲ)スペクトルである。
【図２】本発明の実施例２で製造したニッケルアミノアルコキシド錯体の１Ｈ核磁気共鳴(１Ｈ ＮＭＲ)スペクトルである。
【図３】本発明の実施例１で製造したニッケルアミノアルコキシド錯体のフーリエ変換赤外分光(ＦＴ−ＩＲ)スペクトルである。
【図４】本発明の実施例２で製造したニッケルアミノアルコキシド錯体のフーリエ変換赤外分光(ＦＴ−ＩＲ)スペクトルである。
【図５】本発明の実施例１で製造したニッケルアミノアルコキシド化合物の熱重量分析／示差熱分析(ＴＧ／ＤＴＡ)結果を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例２で製造したニッケルアミノアルコキシド化合物の熱重量分析／示差熱分析(ＴＧ／ＤＴＡ)結果を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例３で製造したニッケルアミノアルコキシド化合物の熱重量分析／示差熱分析(ＴＧ／ＤＴＡ)結果を示すグラフである。
【図８Ａ】実施例４で得られたニッケル薄膜のＸ線回折(ＸＲＤ)パターンである。
【図８Ｂ】実施例４で得られたニッケル薄膜のＸ線回折(ＸＲＤ)パターンである。
【図８Ｃ】実施例４で得られたニッケル薄膜の走査電子顕微鏡(ＳＥＭ)写真である。
【図９Ａ】実施例５で得られたニッケル薄膜のＸ線光電子スペクトルである。
【図９Ｂ】実施例５で得られたニッケル薄膜のＸＲＤパターンである。
【図９Ｃ】実施例５で得られたニッケル薄膜のＳＥＭ写真である。
【図１０】実施例６で得られたニッケル薄膜のＸ線光電子スペクトルである。
【図１１Ａ】実施例７で得られたニッケル薄膜のＳＥＭ写真である。
【図１１Ｂ】実施例７で得られたニッケル薄膜のＳＥＭ写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008537947.tif 000017
【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
2008537947.tif 000019
【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
2008537947.tif 000021
【図９Ｂ】
2008537947.tif 000022
【図９Ｃ】
2008537947.tif 000023
【図１０】
2008537947.tif 000024
【図１１Ａ】
2008537947.tif 000025
【図１１Ｂ】
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【国際調査報告】
2008537947.tif 000027