(57)【要約】本発明は、本体表面を含むチャック本体を備え、該チャック本体が平面内にある接触面を含み且つ本体表面から延びるピンを有する基板システムであって、ピンは平面と相対的に移動するようにチャック本体に可動的に結合されていることを特徴とする基板支持システムを含む。基板支持システムは、微粒子汚染物質の存在によって生じる基板内の非平面性の発生を回避できずとも軽減する。これは、ピンがコンプライアンスを有するように製作することにより達成され、基板内の十分な平面性を維持しながら粒子の存在に対処するようにピンが移動できるようになる。【選択図】図１
2008501244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体表面を含むチャック本体を備え、該チャック本体が平面内にある接触面を含み且つ前記本体表面から延びるピンを有する基板支持システムであって、前記ピンは前記平面と相対的に移動するように前記チャック本体に可動的に結合されていることを特徴とする基板支持システム。
【請求項２】
前記ピンは、該ピン上に不均一に分布する荷重に応じて前記平面から離れる方向に移動するように前記チャック本体に結合されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ピンは、コンプライアンスな遠隔中心の周りで回転するように前記チャック本体に結合されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ピンは、該ピンの残りの領域が受ける荷重よりも大きな荷重を有する前記ピンの領域から離間したコンプライアンスの遠隔中心の周りで回転するように前記チャック本体に結合されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
「Ｔ」字形のピンが延びる面を有するチャック本体を備えた基板支持システム。
【請求項６】
前記「Ｔ」字形のピンは、前記面と相対的に移動するように結合されていることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記「Ｔ」字形のピンは、不均一に分布する荷重に応じて事前決定位置から離れる方向に移動するように前記チャック本体に結合されていることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
基板を支持する方法であって、
２つの離間した本体上に前記基板を配置する段階と、
前記２つの離間した本体のうちの一方を前記基板から離れる方向に移動する段階と、
を含む方法。
【請求項９】
前記移動段階は、前記２つの離間した本体の両方を前記基板から離れる方向に互いに独立して移動する段階を更に含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記２つの離間した本体が共通のピンセル内に含まれ、前記移動段階は、前記ピンセル上に存在する不均一に分布された荷重に応じて前記基板から離れる方向に前記２つの離間した本体の両方を移動させる段階を更に含む請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は全体として基板の支持体に関する。更に詳細には、本発明は、インプリントリソグラフィでの使用に好適なチャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工は、例えば、およそマイクロメートル又はそれよりも小さいフィーチャを有する極めて小さな構造体の加工を伴う。微細加工がかなり大きな影響を有する１つの分野は集積回路の処理である。半導体処理産業が基板上に形成される単位面積当たりの回路を増大させながら、より大きな生産歩留りを継続的に追求するにつれて、微細加工は益々重要になってきている。微細加工は、高度にプロセスを制御すると同時に、形成される構造体の最小フィーチャ寸法を減少させることができる。微細加工が用いられてきた他の開発分野には、バイオ技術、光学技術、機械システム、又は同様のものが含まれる。微細加工技術の多くは、化学蒸着法、物理蒸着法、原子層堆積法、その他の堆積法だけでなく基板をパターン形成するための湿式及び／又は乾式エッチング技術を含む様々な処理を伴う。
【０００３】
標準の微細加工技術に加えて、インプリントリソグラフィと呼ばれる比較的新しく効率的なパターン形成技術がある。例示的なインプリントリソグラフィは、名称「ＨＩＧＨ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ  ＯＲＩＥＮＴＡＴＩＯＮ  ＡＬＩＧＮＭＥＮＴ  ＡＮＤ  ＧＡＰ  ＣＯＮＴＲＯＬ  ＳＴＡＧＥＳ  ＦＯＲ  ＩＭＰＲＩＮＴ  ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ  ＰＲＯＣＥＳＳＥＳ（インプリントリソグラフィ処理の高精度方位整合及びギャップ制御ステージ）」の米国特許第６，８７３，０８７号、名称「ＩＭＰＲＩＮＴ  ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ  ＴＥＭＰＬＡＴＥ  ＣＯＭＰＲＩＳＩＮＧ  ＡＬＩＧＮＭＥＮＴ  ＭＡＲＫＳ（整合マークを含むインプリントリソグラフィのテンプレート）」の第６，８４２，２２６号、名称「ＴＥＭＰＬＡＴＥ  ＦＯＲ  ＲＯＯＭ  ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ，  ＬＯＷ  ＰＲＥＳＳＵＲＥ  ＭＩＣＲＯ−ＡＮＤ  ＮＡＮＯ−ＩＭＰＲＩＮＴ  ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ（室温低圧でのマイクロ及びナノ−インプリントリソグラフィ用テンプレート）」の第６，６９６，２２０号、名称「ＳＴＥＰ  ＡＮＤ  ＦＬＡＳＨ  ＩＭＰＲＩＮＴ  ＬＩＴＨＯＧＲＡＰＨＹ（段付き照射インプリントリソグラフィ）」の第６，７１９，９１５号などの多くの特許公報において詳細に説明されており、これらの全ては本発明の譲受人に譲渡される。上述の公開特許出願の各々に示されている基本的なインプリントリソグラフィ技術は、重合可能な層内にレリーフパターンをフォーマットし、下層の基板にレリーフパターンを転写して基板内にレリーフ像を形成する段階を含む。このために、基板と間隔を置いて配置されたテンプレートを使用し、該基板とテンプレートとの間に形成可能な液体を存在させる。液体は固化されて固化層を形成する。該固化層には、液体と接触するテンプレート面の形状に一致するパターンが記録されている。次いで、基板と固化層が、固化層のパターンに対応するレリーフ像を基板に転写するためのプロセスを受ける。
【０００４】
上述の微細加工技術の結果として形成されるフィーチャサイズが小さくなることで、処理／パターン形成される基板の平坦性／平面性を確実にする要望が増えてきた。基板の平面性に影響を与える幾つかの要因があり、それらの多くは従来の基板チャックによって補正することができる。しかしながら、パターン形成される面とは反対側の基板の面に接する裏面の粒子の存在は問題となる。例えば、裏面粒子と呼ばれる粒子は、基板とチャックとの間に滞留する可能性があり、これは、基板の平面外れ変形を引き起こし、基板上に生成されるパターン変形を生じる結果となる恐れがある。平面外れ変形は、２つのパラメータ、すなわち、１）変形高さ、２）ギャップ半径を有するものとして特徴付けることができる。変形高さは、裏面粒子によって基板内に生成される最大平面外れ偏差として定義される。ギャップ半径は、粒子と、チャックから離間して配置された基板の領域の長さの尺度として定義され、粒子と、その粒子に最も近くで基板がチャックと接触する点との間で測定される。微粒子汚染物質の存在によって変形を生じる基板面積は微粒子サイズよりもはるかに大きいことは理解することができるであろう。
【０００５】
微粒子汚染物質を抑制しようとする従来技術による試みは、ピン型とグルーブ型のチャックを含む。これらのチャックシステムは、基板とチャックとの間の接触範囲を最小限にすることにより、裏面粒子に関連する欠点を回避しようとする。しかしながらこれらのチャックシステムは、粒子がチャックと基板との間に滞留する確率を低減させるだけであり、粒子がチャックと基板との間に滞留した場合の非平面性を回避又は軽減するものではない。
【特許文献１】米国特許第６，８７３，０８７号公報
【特許文献２】米国特許第６，８４２，２２６号公報
【特許文献１】米国特許第６，６９６，２２０号公報
【特許文献２】米国特許第６，７１９，９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、基板の支持システムを改善する必要性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、本体表面を含むチャック本体を備え、該チャック本体が平面内にある接触面を含み且つ本体表面から延びるピンを有する基板支持システムであって、ピンは平面と相対的に移動するようにチャック本体に可動的に結合されていることを特徴とする基板支持システムを含む。結果として、基板支持システムは、微粒子汚染物質の存在によって生じる基板内の非平面性の発生を回避できずとも軽減する。これは、ピンがコンプライアンスを有するように製作することにより達成され、基板内の十分な平面性を維持しながら粒子の存在に対処するようにピンが移動できるようになる。これら及び他の実施形態は以下により完全に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、離間して配置された一対のブリッジ支持体１２を含む本発明の一実施形態によるリソグラフィシステム１０を示し、該支持体はこれらの間に延びるブリッジ１４とステージ支持体１６を有する。ブリッジ１４とステージ支持体１６は離間して配置されている。ブリッジ１４にはインプリントヘッド１８が結合され、ブリッジ１４からステージ支持体１６に向かって延びている。ステージ支持体１６上に移動ステージ２０がインプリントヘッド１８に面して配置されている。移動ステージ２０は、ステージ支持体１６に対してＸ及びＹ軸に沿って移動するように構成され、更にＺ軸に沿って移動することも可能である。エネルギー供給源２２は、移動ステージ２０上に化学線エネルギーを生成して衝突させるためにシステム１０に結合されている。図示されているように、供給源２２はブリッジ１４に結合されている。
【０００９】
図１、２の両方を参照すると、インプリントヘッド１８には、パターン形成することができる、或いは平面でないと実質的に滑らかとするパターン形成モールド２６を有するテンプレート２４が接続されている。例示的なテンプレート２４は、米国特許第６，６９６，２２０号に示されており、これは引用により本明細書に組み込まれる。本例では、モールド２６は、複数の離間した凹部２８と突出部３０によって定められる複数のフィーチャを含むようにパターン形成される。突出部３０は幅ｗ1を有し、凹部２８は幅ｗ2を有し、これらの両方は、Ｚ軸を横断して延びる方向で測定される。複数のフィーチャは、移動ステージ２０上に配置された基板３２に転写されるべきパターンの基礎を形成する原パターンを定める。このために、インプリントヘッド１８は、Ｚ軸に沿って移動してパターン形成モールド２６と基板３２との間で距離「ｄ」を変化させるように適合されている。或いは、インプリントヘッド１８と共に、移動ステージ２０はＺ軸に沿ってテンプレート２４を移動させることができる。この方法で、パターン形成モールド２６上のフィーチャを、以下でより完全に説明する基板３２の流動性を有する領域にインプリントすることができる。供給源２２は、パターン形成モールド２６が供給源２２と基板３２との間にあるように配置される。その結果、パターン形成モールド２６は、供給源２２によって生成されるエネルギーに対して実質的に透明である材料から加工される。
【００１０】
図２を参照すると、基板３２は選択的に固化することができる形成可能な材料でパターン形成される。このためには、複数の離間した離散的な液滴３８として示されている重合可能材料が、モールド２６と基板３２との間に配置される。重合可能材料は複数の液滴３８として示されているが、スピンコーティング法又はウィッキング法を含むあらゆる公知の技術を用いて堆積させてもよい。例示的なウィッキング法は、米国特許第６，７１９，９１５号において説明されており、引用により本明細書に組み込まれる。重合可能材料は、選択的に重合し架橋して、図３にインプリント層３４として示されている記録パターンを定める原パターンの反転形を基板３２上に記録することができる。次いで、好適なエッチング処理を利用して、基板３２中に望ましいパターンを転写することができる。この点に関して、基板という用語は、自然酸化物層を備えることもあり、或いはミズーリ州ローラのＢｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｉｎｃ．から入手可能な商品名ＤＵＶ３０Ｊ−６で販売されている材料から形成されるプライマ層などの事前に存在する層を有するベアの半導体ウェーハを含む広範な意味で用いられている。
【００１１】
図２、３を参照すると、インプリント層３４内に記録されたパターンは、ひとつには、基板３２とパターン形成モールド２６との両方の機械的接触によって生成されている。このために、液滴３８が基板３２と機械的に接触できるように距離「ｄ」を減少し、液滴３８を延ばし、基板３２の面３６を覆ってインプリント材料が連続的に形成されたインプリント層３４を形成するようにする。一実施形態では、距離「ｄ」は、インプリント層３４の小部分４６が凹部２８に進入し充填できるように減少させられる。
【００１２】
本発明の実施形態では、通常は最短である望ましい距離「ｄ」が得られた後で、突出部３０と重なり合ったインプリント層３４の小部分４８を保持し、厚さｔ1を有する小部分４６と厚さｔ2を有する小部分４８とを残す。厚さｔ2は残留厚さと呼ばれる。厚さ「ｔ1」及び「ｔ2」は、用途に応じて望ましいどのような厚さであってもよい。液滴３８内に含まれる合計の体積は、望ましい厚さｔ1及びｔ2を得ると同時に。大量の材料４０がパターン形成モールド２６と重なり合った面３６領域を超えて延びるのを最小に止め、又は回避するようなものとすることができる。
【００１３】
図２、３を参照すると、望ましい距離「ｄ」に達した後で供給源２２は、重合可能材料を重合し架橋する化学線エネルギーを生成し、架橋された重合材料で層３４を形成する。具体的には、層３４は固化され、パターン形成モールド２６の面５０の形状に共形の形状を有する側３６を有する。その結果として、凹部５２と突出部５４を有するインプリント層３４が形成される。インプリント層３４の形成後、パターン形成モールド２６とインプリント層３４が離れるように、距離「ｄ」が大きくされる。この処理は、基板３２の異なる領域（図示せず）をパターン形成するために数回繰り返すことができ、ストップアンドリピート処理と呼ばれる。
【００１４】
図１、４、５を参照すると、移動ステージ２０は、基板３２を支持するためのチャックシステム５７を含み、該システムはリム６２によって囲まれた複数のピンセル６０を有する本体５８を含む。具体的には、本体５８はリム６２によって囲まれた面６４を含む。ピンセル６０は、面６４から延びるピン６１を含む。ピン６１は、平面Ｐ内にある一対の離間した接触面６６を含む。リム６２の頂面６８は平面Ｐ内にある。基板３２がリム６２の頂部に載せられ、面６４と基板３２との間にチャンバ（図示せず）を形成し、ピン６１はチャンバ（図示せず）内に配置される。ポンプ（図示せず）をチャンバ（図示せず）と流体連通して配置し、チャンバを真空にして基板３２の周囲をリム６２に接して堅固に保持したシールを形成する。シールで囲まれた基板３２の残りの部分は、ピン６１によって支持される。
【００１５】
図４、６を参照すると、ピンセル６０の１つ又はそれ以上は、基板３２との接触範囲を最小限にするように設計される。結果として、ピン６１の１つ又はそれ以上は、クロスメンバーを含むＴ字形断面を有し、該メンバーでは、一対の離間した接触ランド７２がそこから延びて接触面６６で終端し、該ランド間に凹部７４を形成する。凹部７４は底面７６を含む。底面７６の反対側の、クロスメンバー７０のベース部分７８は、屈曲ステム８０によって支持されている。一対の対向する側面８２は、ベース部分７８から延びて接触面６６で終端する。サイド屈曲部８４は、凹部７４から離れる方向に側面８２の各々から延びている。具体的には、サイド屈曲部８４の各々は、側壁８６と側面８２の間で延びている。各側壁８６は支持領域８８から延びて、面９０で終端する。面９０は基板３２から離れ、本発明の例では底面７６と同一平面にある。基礎領域８８は、対向する側壁８６の間に延びている。屈曲ステム８０は、基礎領域８８とベース部分７８との間に延びている。
【００１６】
ピンセル６０は、ピン６１のうちの１つに載せられた基板３２によって接触ランド７２が受ける力が接触ランド７２に均一に荷重されるように構成されている。この方法で、所与のピンセル６０が受ける荷重は、基部すなわち基礎領域８８に移される。結果として、ピンセル６０の各々は、「一様な正規荷重」を支持する場合に通常のピン型チャックとほとんど同じ様に動作する。しかしながら、典型的なピン型チャック機構とは異なり、不均一荷重の存在、例えば基板３２と接触ランド７２のうちの１つ又はそれ以上との間に、ある微粒子汚染物質９２が存在する場合に、ピン６１のうちの１つ又はそれ以上はコンプライアンスになる。具体的には屈曲ステム８０とサイド屈曲部８４が屈曲し、ピン６１がコンプライアンスになることができる。これにより、微粒子汚染物質９２の存在に起因する基板３２内の非平面性は、排除されないにしても最小になる。このためには、底面７６と接触面６６との間で測定される接触ランド７２の各々の高さは、予想される微粒子汚染物質の最大寸法よりも小さくない大きさであることが望ましい。結果として、図７により明瞭に示されている接触面６６と基板３２との間にある微粒子汚染物質９２が存在する場合には、クロスメンバー７０は、微粒子汚染物質によって基板３２内に非平面性が生成されるのを回避するように移動する。
【００１７】
これは、ひとつには、ピン６１の所望の移動を得るためにピンセル６０の各々の様々な要素の相対撓み剛性を設定することにより達成される。例えば、屈曲ステム８０の撓み剛性は、クロスメンバー７０又はサイド屈曲部８４のいずれの撓み剛性よりも小さい。クロスメンバー７０の撓み剛性は、サイド屈曲部８４よりも実質的に大きい。結果として、クロスメンバー７０は剛体と考えられる。上述のように構成要素間の相対撓み剛性を設定することにより、クロスメンバー７０の回転は、遠隔軸すなわちクロスメンバー７０から離間した軸の周りで生じる。図示のように、種々の軸９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７は、遠隔軸として機能することができ、所与のピン６１に対して、軸９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７の中の軸は、微粒子汚染物質９２のサイズや、現在の構成、すなわち屈曲ステム８０のサイド屈曲部８４に対する設計撓み剛性の比に依存する。
【００１８】
図８、９の両方を参照すると、微粒子汚染物質９２の存在下でピン６１が屈曲したときに基板３２の平面外れ変形を阻止する際に考慮すべき重要な点は、可能性のある遠隔軸が正しく位置決めされることである。本例では、可能性のある遠隔軸、例えば軸９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７のうちの１つは、両接触ランド７２の間には存在しない。むしろ、可能性のある遠隔軸の各々、例えば、軸９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７は、微粒子汚染物質９２がない接触ランド７２と側壁８６に最も近接したものとの間にあることが望ましい。この構成では、接触ランド７２の１つに微粒子汚染物９２が存在することで、微粒子汚染物質９２と遠隔軸との間に位置する残りの接触ランド７２が微粒子汚染物質９２の存在下で基板３２に向かって上向きに平面Ｐを超えて延びることなく、ピン６１は基板３２から離れる方向に移動する。更に具体的には、微粒子汚染物質９２を有する接触ランド７２は、残りの接触ランド７２よりも大きな荷重を受ける。上記で説明したように、微粒子汚染物質９２を有するランド７２から離して配置された回転軸周りにピン６１を回転させることにより、微粒子汚染物質９２の存在に対するピンセル６０のコンプライアンスに起因する基板３２の平面外れ変形が回避される。
【００１９】
図１、１０を参照すると、チャックシステム５７の本体５８は、アルミニウム、ステンレス鋼、シリコン、炭化シリコン、又は同様のもの、或いはこれらの材料の組合せを含む事実上あらゆる材料から作製することができる。本例では、本体５８は標準の半導体処理を用いて加工されている。このために、本体５８は、基礎層１１０、底層１１２、ピン層１１４として示されている３つの個別の層から形成されている。基礎層１１０は、単にシリコンから形成された本体を含むだけである。基礎層１１０は対向する面１１６、１１８を有し、これらのうちの一方、例えば面１１６は平面ではないにしても実質的に平滑である。貫通路１２０は、基礎層１１０の中心に配置され、対向する面１１６と１１８の間に延びている。貫通路１２０は、あらゆる適切な直径を有することができる。本例では、貫通路１２０の直径はおよそ３ミリメートルである。基礎層１１０の例示的な寸法は１００ミリメートルである。
【００２０】
底層１１２は、その底層１１２と基礎層１１０が最終の設置位置に配置されたときに貫通路１２０と重なり合うように適合された、中央に配置された貫通孔１２１を含む。本例では、貫通孔１２１の直径はおよそ２ミリメートルである。通常、ピン層１１４に面する底層１１２の面全体は、貫通孔１２１が存在する領域とピン層１１４のリム１１５と重なり合う底層１１２の周囲に位置する領域１１９を除いて、ベースセル１２２によって覆われている。しかしながら、簡単にするために８つのベースセル１２２が示されている。９つのベースセル１２２のアレイの詳細な構成が領域１２３に関して説明され、図１１と同様に図１２にも明瞭に示されている。
【００２１】
図１１、１２の両方を参照すると、各ベースセル１２２は、屈曲ステム８０、屈曲ステム８０が配置される移動開放領域（空隙１２５で示されている）、凹領域１２４、１２６、更に空隙１２５の各々から対で延びている真空チャンネル１２８を含み、真空チャンネル１２８の隣接する対が互いに直交して延びている。
【００２２】
ステム８０は、方向１３２に沿った屈曲を促進するように製作されている。このために、屈曲ステム８０の両側に凹領域１２６が配置されており、凹領域の各々の両側には、方向１３２に沿って延びる真空チャンネル１２８の対が延びている。具体的には領域１２６は、屈曲ステム８０の両側に配置されており、各領域１２６は屈曲ステム８０から離れて空隙１２５から延びている。凹領域１２４は、２つの対で構成され、２つの対の領域１２４の各々は屈曲ステム８０の両側に配置されている。各対に付随する凹領域１２４の各々は、この対に関連する残りの凹領域１２４から離れる方向で凹領域１２６のうちの１つに隣接して延びる真空チャンネル１２８のうちの１つから延びている。
【００２３】
例示的な実施形態では、方向１３２に沿って測定された屈曲ステム８０の幅１４０は、およそ０．０５ミリメートルである。方向１３４に沿って測定された屈曲ステム８０の長さ１４１は、およそ０．３ミリメートルであり、屈曲ステム８０は基板支持体８８から方向１３６に沿っておよそ０．３５ミリメートルの距離１４２だけ延びる。方向１３６に沿って決定された各真空チャンネルの高さに対し横方向で測定された各真空度チャンネルの幅１４３は、およそ０．１ミリメートルである。領域１２４、１２６は、予想される最大サイズの微粒子汚染物質よりも大きくない粒子汚染物質に応じてピン６１が屈曲することができ、より大きな微粒子汚染物質が存在することで生じる力を受けたときにピン６１の構造的完全性が損なわれないことを保証する程の十分な距離だけ凹部を設けている。本例では、領域１２４、１２６は、方向１３６に沿って屈曲ステム８０の頂部１５３に対しておよそ０．０１ミリメートルの距離だけ陥凹を設けている。方向１３２に沿って測定されたピンセル６０の幅１４５は、およそ２ミリメートルであり、方向１３４に沿って測定されたピンセル６０の長さ１４６は、およそ２ミリメートルである。互いに平行に延びる所与の対の隣接する真空チャンネル１２８間の距離１４７は、およそ０．３ミリメートルである。空隙１２５から方向１３２に沿って延びる領域１２６の幅１４８は、およそ０．３５ミリメートルであり、領域１２６は屈曲ステム８０の長さ１４１と同一の広がりを有するように延びている。隣接する真空チャンネル１２８から方向１３４に沿って延びる領域１２４の長さ１４９は、およそ０．３ミリメートルであり、方向１３２に沿って測定された幅１５０は、およそ０．５ミリメートルである。領域１２４の各々は、方向１３４に沿って延びる隣接する真空チャンネル１２８からおよそ０．１ミリメートルの距離１５１だけ離間している。底層１１２の厚さ１５２は、およそ０．５ミリメートルである。
【００２４】
図１０を参照すると、ピン層１１４は、底層１１２と同一の広がりを有する。通常、ピン層１１４の全面は、ランド１１５を形成する隆起部分がピンセル６０を囲んで位置している周辺領域を除いてピンセル６０で覆われている。しかしながら簡単にするために、９つのピンセル６０が示されている。ピン層１１４は、底層１１２に一体的に接合されるように適合される。例えば、底層１１２の領域１１９は、ランド１１５と同一の広がりを有する。領域１１９は通常、シリコン溶融技術を用いてランド１１５と重なり合う底面１５６領域に接合される。９つのピンセル６０のアレイの詳細な構成が領域１５４に関して説明され、図１１、図１５で明瞭に示されている。
【００２５】
図１１、１５の両方を参照すると、ピンセル６０の各々は、方向１３２に沿って延びる長手方向軸線７１を有するクロスメンバー７０を含み、その両端に接触ランド７２が配置されている。加えて、各ピンセル６０は、接触ランド７２のうちの１つに近接して配置されたサイド屈曲部８４を含む。クロスメンバー７０、接触ランド７２、屈曲部８４は、対向する面１５５と１５６の間を延びる複数の貫通路を形成することによって、ピンセル６０が存在するピン層１１４の一部と一体的に形成される。具体的には、接触ランド７２の各々に形成されているのは、Ｕ字形の貫通路１５７の第１の対であり、接触ランド７２に近接して配置されたベース部分１５８を有し、方向１３４に沿って接触ランド７２よりも大きな範囲で延び、ベース部分１５８の各端部に位置するセリフ状部分１５９で終端している。セリフ状部分１５９は、接触ランド７２から離れる方向にベース部分１５８から延びている。
【００２６】
Ｕ字形の貫通路の第２の対１６０は、クロスメンバー７０に近接して配置され、接触ランド７２の両方の間に延びるベース部分１６１を含む。具体的には、ベース部分１６１は、横方向１３２に沿って方向１３４に対し横方向に延びており、その各端部は、方向１３４に平行なクロスメンバー７０から離れる方向に延びて、一対の第２のセリフ状部分を形成する第２のセリフ状部分１６３で終端する第１のセリフ状部分１６２を有する。第２のセリフ状部分１６３の各々は、セリフ１５９と平行且つこれから離間して延びている。この方法で、各Ｕ字形の貫通路１５７とＵ字形の貫通路１６０との間には、Ｌ字形の本体で構成された屈曲部材８４が形成されている。屈曲部材８４の一方の端部は、接触ランド７２に近接するクロスメンバー７０のコーナに接続され、一次接合部１６４を形成している。屈曲部材８４の残りの部分は一次屈曲部１６４から延び、第２の端部で終端する。各屈曲部材８４の第２の端部に近接し且つそこから離間して配置されるには、長方形の貫通路１６５であり、第２の端部に近接している離間して配置された二次接合部１６６の対を形成する。一次接合部１６４と二次接合部１６６との間で延びる屈曲部材８４の一部は、剛体１６７を形成する。
【００２７】
図１５、１６、１７を参照すると、例示的な実施形態において、方向１３２に沿って測定されたクロスメンバー７０の長さ１７０は、およそ１ミリメートルであり、方向１３４に沿ったその幅１７１は、およそ０．３ミリメートルである。方向１３２に沿って測定された一次接合部１６４の幅１７２は、およそ０．０５ミリメートルであり、方向１３４に沿って測定されたその長さ１７３は、およそ０．１ミリメートルである。方向１３２に沿って測定された二次接合部１６６の幅１７４はおよそ０．０５ミリメートルであり、方向１３４に沿って測定されたその長さ１７５はおよそ０．１ミリメートルである。方向１３２に沿って測定された剛体１６７の幅１７６はおよそ０．３ミリメートルであり、方向１３４に沿って測定されたその長さ１７７はおよそ０．２ミリメートルである。方向１３２、１３４それぞれに沿って測定された接触面６６の幅１７８と長さ１７９はおよそ０．２ミリメートルである。方向１３６に沿って測定された底面７６からの接触面６６の高さ１８０はおよそ０．０５ミリメートルである。方向１３４に沿って測定されたベース部分１６１の長さ１８１はおよそ０．１ミリメートルである。方向１３２、１３４それぞれに沿って測定されたピンセル６０の幅１８３と長さ１８４はおよそ２ミリメートルである。
【００２８】
チャック本体５８は、どのような公知の方法を用いて加工してもよい。本例ではチャック本体５８は、標準の微細加工技術を用いてシリコンウェーハから製作されている。その結果、チャック本体５８を製作することができる例示的な材料は、シリコン及び／又は溶融シリカを含む。更に、耐摩耗性を改善するために、選択された面（例えば接触ランド７２）は、窒化シリコン、炭化シリコン、その他のものなどの硬化材料で被覆することができる。通常、底層１１２はピン層１１４とは別に製作され、続いてシリコン溶接などの標準的技術を用いて一体的に作り、デバイス層２００を形成することができる。その結果として、真空チャンネル１２８と空隙１２５は、貫通路１６０、１５７、１６６や貫通路１２０と流体連通している。例示的な技術では、デバイス層２００の基礎層１１０とのアセンブリは、面１５５が光学平面に面し、真空／静電力がチャックデバイス層２００に印加された状態で行われた。この方法で、デバイス層２００の非平面性を排除できないにしても軽減することができる。次いで、接着剤が、基礎層１１０に面する底層１１２の面、又は面１１６、或いはこれらの両方に塗布される。次に、デバイス層２００が基礎層１１０に接着される。面１１６内の非平面性によってデバイス層２００内に誘起される非平面性が軽減されるように十分な量の接着剤を与えることが望ましい。
【００２９】
基板３２に望ましい横方向の剛性を付与するために、チャック本体５８の隣接するピンセル６０は、隣接するピンセル６０のクロスメンバー７０の長手方向軸線７１が直角方向に延び、すなわち隣接するピンセル６０が互いに対して９０度に配向されるように配置される。
【００３０】
上述の本発明の実施形態は例示的なものである。本発明の範囲内に留まりながら上記の開示に対して多くの変更及び修正を加えることができる。例えば、基礎層１１０は排除することができ、デバイス層は、標準の静電及び／又は真空チャックデバイスと共に用いることができる。この方法で、既存のチャックシステムの動作特性を実質的に改善するデバイス層２００を用いて既存のチャックシステムを後付けすることができる。従って、本発明の範囲は上述の説明の参照によって決定されるのではなく、添付の請求項並びに均等物の全範囲に関連して決定すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明によるリソグラフィシステムの斜視図である。
【図２】本発明に従ってパターン形成インプリント層を生成するのに利用される、図１に示されたリソグラフィシステムの簡易立面図である。
【図３】基板上のインプリント層の固化後の図２に示されているモールド及び基板の簡易断面図である。
【図４】図１に示されたチャックシステムにおいて用いられる本発明の一実施形態によるチャック本体の上から見た簡易図である。
【図５】図４に示されているチャック本体の５−５線に沿ってとられた断面図である。
【図６】図５に示されているピンセル６０のうちの１つの無荷重状態の詳細断面図である。
【図７】図６に示されているピンセル６０のうちの１つの荷重状態における詳細断面図である。
【図８】図６に示されているピンセルの概略図である。
【図９】図７に示されているピンセルの概略図である。
【図１０】図４及び５に示されているチャック本体の分解簡略斜視図である。
【図１１】図１０に示されているチャック本体領域の詳細斜視図である。
【図１２】図１１に示されている底層領域の斜視図である。
【図１３】図１２に示されている領域の上から見た図である。
【図１４】図１３に示されている領域の１４−１４線に沿ってとられた断面図である。
【図１５】図１１に示されているピン層領域の詳細斜視図である。
【図１６】図１５に示されている領域の上から見た図である。
【図１７】図１６に示されている領域の１７−１７線に沿ってとられた断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１１０  基礎層、１２２  ベースセル、８０  屈曲ステム、１２４  凹領域、１２８  真空チャンネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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