(57)【要約】細長いレーザビームを用いて、ＯＬＥＤデバイスレーザ封止プロセスにおいて応力を最小にする方法。ビームの長軸からの距離の関数として減少する強度分布を有するレーザビームが、マスクを通過して、ビームの軸からの距離として減少する縦方向の強度分布、および実質的に一定な横方向の強度分布を有する細長いビームが形成される。細長いビームは、二枚の基板の間に配置されたフリットのラインに亘りトラバースされる。縦方向の強度分布の先細りにより、ビームがフリットのラインをトラバースするときのフリットの冷却が遅くなる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ素子を密封する方法であって、
少なくとも１つのフリット壁により隔てられた第１の基板と第２の基板、および該第１と第２の基板の間に配置された少なくとも１つのディスプレイ素子を提供する工程、
前記第１の基板を通して、前記少なくとも１つのフリット上にレーザビームを当てる工程、
前記フリット壁の長手方向に沿って前記ビームをトラバースさせて、前記フリット壁を加熱し、前記第１の基板と前記第２の基板を封止する工程、
を有してなり、
前記ビームの移動方向における該ビームの強度分布が、該ビームの長軸からの距離の関数として減少するものであり、前記移動方向に対して垂直な方向における前記ビームの強度分布が、該ビームのピーク強度から約１０％以下しか変動しないことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記フリット壁が閉じたフレームからなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ビームが、前記フリット壁の幅ｗfより大きいスポット直径を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ビームが、前記フリットに当たる前に、透明なスリットを備えたマスクを通過することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記マスクが前記第１の基板の上方に配置されていることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記マスクが反射表面を備えることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記ビームを約１０ｍｍ／ｓより速い速度でトラバースさせることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ビームを約３０ｍｍ／ｓより速い速度でトラバースさせることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記トラバースが、前記ビームを少なくとも１つの移動する反射器で反射させることを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記反射器がガルバノメータにより動かされることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記フリット壁が１０μｍと３０μｍの間の高さを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記マスクが吸収表面を備えることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項１３】
前記スポット直径が、前記フリット壁の幅ｗfの約２倍より大きいことを特徴とする請求項３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の説明】
【０００１】
本出願は、米国法典第３５編第１９９条（ｅ）項の下で、ここにその内容の全てを引用する、２００５年１２月６日に出願された米国仮特許出願第６０／７４８２９７号の優先権の恩恵を主張するものである。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、フラットパネルディスプレイデバイスのためのガラス基板に用いられるものなどのディスプレイ素子を密封する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、様々なエレクトロルミネセント素子において使用されていることや使用される可能性のために、近年、重要な研究の課題となっている。例えば、１つのＯＬＥＤを、別個の発光素子に使用でき、またはＯＬＥＤのアレイを、発光ディスプレイまたはフラットパネルディスプレイの用途（例えば、ＯＬＥＤディスプレイ）に使用できる。ＯＬＥＤフラットパネルディスプレイは、特に、非常に明るく、良好な色の対比および広い視覚を有することが知られている。ＯＬＥＤディスプレイの寿命は、その中に配置された有機層と電極が周囲の環境から密封されていれば、著しく増加させられることがよく知られている。しかしながら、ＯＬＥＤディスプレイ、特に、その中に配置された有機層と電極は、周囲の環境からＯＬＥＤディスプレイ中に漏れる水分および酸素との相互作用から生じる劣化を受けやすい。残念ながら、過去において、ＯＬＥＤディスプレイを密封する封止プロセスを開発することは非常に難しかった。ＯＬＥＤディスプレイを適切に封止するのを難しくする要因のいくつかを以下に手短に挙げる：
・  気密シールは、酸素のバリア（１０-3ｃｃ／ｍ2／日）と水のバリア（１０-6ｇ／ｍ2／日）を提供すべきである。  
・  気密シールのサイズは、ＯＬＥＤディスプレイのサイズに悪影響を与えないように最小（例えば、＜２ｍｍ）であるべきである。  
・  封止プロセス中に生じる温度は、ＯＬＥＤディスプレイ内の材料（例えば、電極および有機層）を損傷しないべきである。例えば、ＯＬＥＤディスプレイ内のシールから約１〜２ｍｍに位置するＯＬＥＤの第１のピクセルは、封止プロセス中に１００℃より高くに加熱されるべきではない。  
・  封止プロセス中に放出されるガスは、ＯＬＥＤディスプレイ内の材料を汚染すべきではない。  
・  気密シールは、ＯＬＥＤディスプレイに進入するための電気接続（例えば、薄膜クロム電極）を可能にするべきである。
【０００４】
ＯＬＥＤディスプレイを密封するための１つの様式は、特定の波長の光で吸収性の高い材料がドープされた低温フリットを溶融することによって、気密シールを形成することである。例えば、高出力レーザを用いて、フリットがその上に配置されたカバーガラスと、ＯＬＥＤがその上に配置された基板ガラスとの間で気密シールを形成するフリットを、加熱し、軟化させてもよい。このフリットは、一般に、約０．５ｍｍから約１ｍｍ幅で約６〜１００μｍ厚である。フリットの吸収および厚さが均一な場合、フリットの位置で均一な温度上昇となるように、封止は、一定のレーザエネルギーおよび並進速度で行うことができる。それでもなお、加熱されたフリット（および基板）が適切に冷却されなければ、封止プロセス中に生じた熱応力のために、フリットおよび／または基板に亀裂が生じることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
必要とされているのは、フリットを加熱する方法であって、過度に加熱せず、ディスプレイ素子に損傷を与えずに、フリットを溶融し、基板を密封するのに十分にフリットを加熱する一方で、フリットを適切に冷却する方法である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるある実施の形態において、少なくとも１つのフリット壁により隔てられた第１の基板と第２の基板、および第１と第２の基板の間に配置された少なくとも１つのディスプレイ素子を提供する工程、第１の基板を通して少なくとも１つのフリットにレーザビームを当てる工程、およびフリット壁の長さに沿ってビームをトラバースして、フリットを加熱し、第１の基板を第２の基板に封止する工程を有してなる方法が開示される。入射するビームの移動方向におけるこの入射ビームの強度分布は、ビームの縦軸からの距離の関数として減少し、移動方向に対して垂直な方向における入射ビームの強度分布は、ビームのピーク強度から約１０％以内で変動する。少なくとも１つのフリット壁はフレーム形状を有することが好ましい。さらに、第１と第２の基板の間に複数のディスプレイ素子が配置されていてもよい。ビームは、スリットとして形成された透明領域を含むマスクを透過することが好ましい。このマスクは、吸収表面または反射表面を有していてもよい。ビームを約１０ｍｍ／ｓより速い速度でフリット上でトラバースさせることが好ましい。このトラバースは、ビームを少なくとも１つのガルバノミラーで反射させることによって行ってもよい。
【０００７】
添付の図面を参照して、いかようにも制限を与えずに、以下の説明の過程で、本発明はより容易に理解され、その他の目的、特徴、詳細および利点がより一層明らかになるであろう。そのような追加のシステム、方法、特徴および利点の全ては、この説明に含まれ、本発明の範囲に包含され、添付の特許請求の範囲により保護されることが意図されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下の詳しい説明において、制限ではなく説明を目的として、本発明を完全に理解するために、特定の詳細を開示した例示の実施の形態が記載されている。しかしながら、本発明の開示の恩恵を受けた当業者には、本発明は、ここに開示された特定の詳細から離れた他の実施の形態で実施してもよいことが明らかである。さらに、よく知られたデバイス、方法および材料の説明は、本発明の説明を分かりにくくしないように、省略される。最後に、適用できる限り、同じ参照番号は同じ要素を指す。
【０００９】
本発明の封止技法は、密封されたＯＬＥＤディスプレイの製造に関して以下に記載されているが、二枚のガラス基板を互いに封止して、様々な用途およびデバイスに使用できる構造体を形成するために、同じまたは同様の封止技法を使用できることが理解されよう。したがって、本発明の封止技法は、限られた様式で考えるべきではない。
【００１０】
図１を参照すると、第１の基板１２、フリット１４、第２の基板１６、少なくとも１つのＯＬＥＤ素子１８およびそのＯＬＥＤ素子と電気接触した少なくとも１つの電極２０を備えた、概して参照番号１０で示された、本発明のある実施の形態による密封された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイデバイスの断面側面図が示されている。一般に、ＯＬＥＤ素子１８は、陽極電極および陰極電極と電気接触している。ここに用いられているように、図１の電極２０は、いずれかの電極を表す。簡単にするためにたった１つのＯＬＥＤ素子しか示されていないが、ディスプレイデバイス１０には、その中に数多くのＯＬＥＤ素子が配置されているであろう。典型的なＯＬＥＤ素子１８は、１つ以上の有機層（図示せず）および陽極／陰極電極を備えている。しかしながら、ディスプレイデバイス１０において、どのような公知のＯＬＥＤ素子１８または将来のＯＬＥＤ素子１８も使用できることが当業者には容易に認識できるはずである。さらに、ＯＬＥＤ素子１８以外の別のタイプの薄膜素子を堆積しても差し支えないことが認識されるであろう。例えば、本発明を用いて、薄膜センサを製造してもよい。
【００１１】
好ましい実施の形態において、第１の基板１２は、コード１７３７ガラスまたはＥａｇｌｅ２０００（商標）ガラスの商標名でコーニング社(Corning Incorporated)により製造販売されているものなどの透明ガラス板である。あるいは、第１の基板１２は、例えば、旭硝子社により製造販売されているもの（例えば、ＯＡ１０ガラスおよびＯＡ２１ガラス）、日本電気硝子社、ＮＨテクノ社およびサムソン・コーニング・プレシジョン・ガラス社(Samsung Corning Precision Glass Co.)により製造販売されているものなどの任意の透明ガラス板であって差し支えない。第２の基板１６は、第１の基板１２と同じガラス基板であってよく、または第２の基板１６は不透明基板であってもよい。
【００１２】
図２〜３に示されているように、第１の基板１２を第２の基板１６に封止する前に、一般に、ガラス粉末、結合剤（通常は有機）および／または液体ビヒクルを含むフリットペーストの線として、フリット１４が第１の基板１２に堆積される。フリット１４は、第１の基板１２にうまく形成されたパターンを提供するプログラマブル・オーガー・ロボットにより、またはスクリーン印刷により、第１の基板１２に施すことができる。例えば、フリット１４は、第１の基板１２の自由縁から約１ｍｍ離れて堆積することができ、一般には、閉じたフレームまたは壁の形状で堆積される。好ましい実施の形態において、フリット１４は、封止プロセスに用いられるレーザの動作波長と一致するまたは実質的に一致する所定の波長で、十分な吸収断面積を有する低温ガラスフリットである。フリット１４は、例えば、鉄、銅、バナジウム、ネオジムおよびそれらの組合せ（例として）からなる群より選択される一種類以上の吸収イオンを含有してもよい。フリット１４は、基板１２および１６の熱膨張係数と一致するか実質的に一致するように、フリット１４の熱膨張係数を変化させる充填剤（例えば、逆転(inversion)充填剤、付加(additive)充填剤）を含んでもよい。この用途に用いられる例示のフリット組成物に関するより詳しい説明については、その内容をここに引用する、「Glass Package that is Hermetically Sealed with a Frit and Method of Fabrication」と題する米国特許第６９９８７７６号明細書を参照のこと。
【００１３】
フリット１４は、第１の基板１２を第２の基板１６に封止する前に、予備焼結されてもよい。これを実施するには、第１の基板１２上に堆積したフリット１４を、それが第１の基板１２に付着するように加熱する。次いで、その上にフリットパターンが堆積された第１の基板１２を炉内に配置して、この炉が、フリット１４を、このフリットの組成に依存する温度で「焼成」または固結する。予備焼結段階中に、フリット１４は加熱され、フリット内に含まれた有機層材料が燃え尽きる。
【００１４】
フリット１４を予備焼結した後、必要であれば、高さの変動が約２〜４μｍより大きくならないように、フリットを研磨しても差し支えない。このとき、フリットの一般的な目標高さは、デバイス１０の用途に応じて、１０μｍから３０μｍより大きいが、より一般的に、約１２〜１５μｍである。高さの変動がより大きい場合、第２の基板へのレーザ封止中にフリット１４が溶融したときに、基板１２と１６を接合したときにフリットと基板１６の間に形成されるであろう隙間が閉じないかもしれず、またはその隙間が応力を導くかもしれず、これにより、特に、フリットおよび／または基板の冷却中に、基板に亀裂が生じ得る。適切であって過度には厚くないフリットの高さｈにより、それらの基板を第１の基板１２の背面から封止できる。フリット１４が薄すぎると、レーザ照射を吸収するのに十分な材料が残らなくなり、失敗となる。フリット１４が厚すぎると、溶融するのに第１の基板の表面で十分なエネルギーを吸収できるが、フリットを溶融するのに必要なエネルギーが、第２の基板１６に最も近い領域に到達するのが妨げられるかもしれない。これにより、通常、二枚のガラス基板の結合が不十分となったりむらが生じてしまう。
【００１５】
予備焼結したフリット１４を研磨した場合、第１の基板１２を穏やかな超音波洗浄環境に施して、この時点までに蓄積した任意の屑を除去してもよい。ここに用いられる一般的な溶液は、余計な付着物が全くないディスプレイ用ガラスを洗浄するために用いられるものより著しく穏やかであって差し支えない。洗浄中の温度は、堆積されたフリット１４の劣化を防ぐために、低く維持することができる。
【００１６】
洗浄後、残留した水分を除去するために、最終処理工程を行っても差し支えない。予備焼結した第１の基板１２を６時間以上に亘り１００℃の温度で真空炉内に配置することができる。その炉から取り出した後、封止プロセスを実施する前に、その上に埃や屑が蓄積するのを防ぐために、予備焼結した第１の基板１２をクリーンルームボックス内に配置しても差し支えない。
【００１７】
封止プロセスは、フリット１４、１つ以上のＯＬＥＤ素子１８、および電極２０が、フリット１４により隔てられた二枚の基板１２および１６の間に挟まれるような様式で、１つ以上のＯＬＥＤ素子１８および１つ以上の電極２０が上面に配置された第２の基板１６の上に、フリット１４が付着した第１の基板１２を配置する工程を含む。基板１２および１６に穏やかな圧力を印加して、封止プロセス中にそれらをフリット１４と接触した状態に維持する。図４に示されているように、フリット１４が溶融し、基板１２を基板１６に連結し結合する気密シールを形成するように、レーザ２２がレーザビーム２４を第１の基板１２を通してフリット１４に向け、フリット１４を加熱する。この気密シールは、周囲の環境中の酸素および水分がＯＬＥＤディスプレイデバイス１０に入るのを防ぐことによって、ＯＬＥＤ素子１８を保護する。
【００１８】
レーザビーム２４は、フリット１４内の温度勾配をより緩やかにするために、焦点をぼかしても差し支えない。勾配が急すぎると（焦点が緻密過ぎると）、ＯＬＥＤディスプレイデバイス１０は、亀裂を生じ、その後、破損するかもしれないことに留意すべきである。一般に、フリット１４は、溶融前にウォームアップおよびアニール段階が必要である。さらに、予備焼結した第１の基板は、溶融前にＯ2およびＨ2Ｏの再吸着を防ぐために不活性雰囲気中に貯蔵しなければならない。フリットパターンに対するレーザ２２（またはビーム２４）の移動速度は、約０．５ｍｍ／ｓから３００ｍｍ／ｓほど速い速度まで及ぶが、３０ｍｍ／ｓと４０ｍｍ／ｓの間の速度がより一般的である。レーザビームからの必要な出力は、フリット１４の光吸収係数αおよび厚さｈに応じて変動するであろう。必要な出力はまた、電極２０を製造するのに用いられる材料などの反射層または吸収層がフリット１４の下（フリット１４と基板１６との間）に配置されている場合、またフリット上をレーザビーム２４がトラバースする速度によっても、影響を受ける。さらに、フリット１４の組成、均一性および充填剤の粒径は、様々であって差し支えない。このことも、フリットが、レーザビーム２４を当てる光エネルギーを吸収する様式にも悪影響を与え得る。レーザビーム２４をフリット１４上でトラバースするときに、フリット１４は溶融して、基板１２および１６を互いに封止する。フリット封止により生じる基板１２および１６の間の間隙が、基板の間のＯＬＥＤ素子１８のための気密ポケットまたは外囲器を形成する。第２の基板１６が封止波長で透明である場合、封止は、第２の基板１６を通して、または基板１２および１６の両方を通して行ってもよいことに留意されたい。
【００１９】
ディスプレイデバイス１０の冷却は、丁度封止されたばかりの基板とフリットの冷却中に、過剰の応力がデバイス１０（例えば、基板１２および１６）に生じないように行うべきである。適切に冷却されないと、これらの応力によって、基板間の結合が弱いものとなり、結合の気密性に影響が出るかもしれない。基板の内の一方を通ってフリットに当たるレーザビームは、半径方向の断面において実質的に円形のビーム形状を有する。したがって、ビームは、略円形スポットとしてフリットに当たり、ビームの直径に亘る強度分布は、ビームの軸からの距離の関数として減少し、ビームの中心軸で、またはその近くでピーク強度を有することが好ましい。例えば、ビームは、実質的にガウス形であってよい。従来の封止方法におけるスポットの直径２ω（ここで、ωは、ビームの強度が最大ビーム強度の１／ｅ2であるビーム軸からの距離である）は、一般に、ほぼフリットの幅以下であるように選択され、これは、約０．５ｍｍと約１ｍｍの間である。しかしながら、速い、例えば、約１０ｍｍ／ｓより速い封止速度については、レーザスポット直径が約１ｍｍ未満であるとすると、フリット／基板のアニールを行える比較的遅い冷却が望ましい場合、スポットがフリットの特定の地点を離れるときに、フリット／基板が急速に冷却されてしまうであろう。原則として、速い封止速度が望ましい。第１に、プロセス処理量が増加する。第２に、より速い封止速度でのレーザパワーの許容変動が大きくなる。他方で、前述したように、急速な冷却を緩和するためにスポットの直径を増加させると、基板の間に挟まれた隣接するＯＬＥＤ素子が加熱されてしまう。この欠点を克服するために、本発明によれば、スポットの直径が大きくされた（フリットの幅よりも大きい）レーザビームを用い、フリット以外のデバイス１０の部分（例えば、ＯＬＥＤ素子１８）の加熱を防ぐために大きくされたスポットのサイズの一部をマスキングしてもよい。
【００２０】
実施の形態によれば、第１と第２の基板１２，１６の間のフリットのラインの幅の約２倍より大きいスポット直径が提案される。そのスポットの直径に亘る強度分布は、ビームの中心軸からの距離の関数として減少していることが好ましい。例えば、ビームは、実質的にガウス形強度分布を有していてもよいが、三角形などの他の形状を有していてもよい。図４に示されたマスク３２が第１の基板の上方に位置している。より詳しくは、マスク３２は、マスクの透明または開放部分が、基板の間に配置されたフリットのラインの上に位置するように位置している。図５は、フリットのラインの幅ｗfとほぼ等しい、またはマスクと第１の基板１２の間の距離に応じて、それより広い幅ｗtを有する透過領域３４、および不透明領域３６を備えたマスクの一部分の拡大図を示している。次いで、レーザビーム２４が、矢印３７により示された長手方向にその透過領域に沿って、それゆえ、フリットライン上をトレースされ、フリットを加熱し、基板を気密シールで封止する。ビームスポット３８は、不透明領域３６によりフリット１４の両側で横方向（スポット３８の点線部分と矢印３９により示された）で遮断されると同時に、長手方向（すなわち、フリットの長さに沿って）では透過領域３４を通り妨げられていない。ビーム（およびスポット）は円形対称の強度分布を有することが好ましく、長手方向における強度分布が妨げられていないので、フリットの長さに沿った強度の先細り(tail-off)（減少する強度分布による）により、フリットが比較的遅く冷却される。他方で、透過領域３４を透過し、フリットに当たるビームの部分は、実質的に一定の（フラットな）強度を有し、フリットの幅に亘り（すなわち、フリットをトラバースするときのビームの移動方向に対して垂直）、ビームの中心軸でのピーク値から約１０％以下しか変動せず、それゆえ、フリット１４を比較的均一に加熱することが好ましい。
【００２１】
マスク３２は、吸収性または反射性であってよい。しかしながら、反射性マスクが好ましい。何故ならば、吸収性マスクは、ビームによって十分に加熱されて、フリットに隣接した敏感なＯＬＥＤ素子を損傷するかもしれないからである。フリットに当たるレーザスポットの直径は約１．８ｍｍより大きいことが好ましい。マスク３２は、例えば、マスクの被覆部分が、レーザからの光を反射または吸収し、入射するビームの一部分がマスクの被覆されていない透明ガラス部分の透過領域３４を通って透過するように、透明なガラス基板上にあるコーティングをスパッタリングすることによって、形成してもよい。マスクの透明部分がフリット１４と一致することが好ましい。例えば、フリット１４がフレームの形状にある場合、マスクの透明部分が同様の形状と寸法を有することが望ましい。複数の別個のフレーム状フリット壁が基板に配置されている場合には、マスクは、透過領域３４の対応するアレイを有することが好ましい。そのようなマスクが図６に示されている。
【００２２】
先に述べたように、本発明の実施の形態にしたがって封止ビームとして用いられるレーザビーム２４は、焦点が合わされていない、または意図的に焦点がぼかされていてもよい。ビームの焦点がフリットに当たらないようにビームの焦点をぼかすことを、長手方向（フリットのラインに対して）の減少する強度分布と共に用いて、フリットおよび／または基板の冷却を増すこともできる。図７は、約１ｍｍの幅を有するフリットのラインを封止するのに用いられる約１．８ｍｍの１／ｅ2直径（すなわち、２ω）を有するビームスポットに関する冷却曲線を示している。曲線４０，４２および４４は、それぞれ、５ｍｍ／ｓ、１０ｍｍ／ｓおよび２０ｍｍ／ｓのレーザビームトラバース速度に関する時間の関数としてのフリット温度を示している。フリットを加熱し、レーザビームを急速に消したときのフリット／基板の冷却挙動を示す、固有の冷却曲線４６も示されている。図７におけるレーザビームはフリットに焦点が合わせられている。図７は、図７と同じ条件を用いたフリットの加熱を示す図８と匹敵するであろうが、図８ではフリット上でレーザの焦点がぼかされている。レーザの所定のトラバース速度（例えば、２つの図での１０ｍｍ／ｓ）を比較することによって、より遅い冷却速度が容易に観察される。
【００２３】
別の実施の形態において、マスクは、レーザ自体に、またはレーザに近接して取り付けて、レーザからのビームがマスクを通過するようにしてもよい。しかしながら、マスクはスリット状の透明領域を備えているので、これには、レーザが、基板１２上に堆積されたフレーム形状のフリットの角をトラバースするときに、マスクを回転させる必要がある。この実施の形態または先の実施の形態において、デバイス１０とレーザビーム２４との間の相対運動は、レーザビームに対してデバイス１０を移動させることにより、またはレーザ（およびしたがってビーム）をデバイスに対して移動させることによって、行ってもよい。例えば、レーザ、またはデバイスを、ｘ−ｙ平面で可動性のステージに取り付けてもよい。このステージは、例えば、その動作がコンピュータ制御されていてもよい、線形モータステージであって差し支えない。あるいは、デバイスおよびレーザの両方が静止しており、ビーム２４をレーザから、ガルバノメータ（図示せず）により制御（移動）された１つ以上の可動性反射器（ミラー）４８に方向付けることによって、ビームをデバイスに対して移動させてもよい。デバイスやレーザの慣性と比較して、ガルバノメータ位置決めミラーの慣性が小さいために、フリット１４上でのレーザビームのトラバース速度が速くなる。フリットとレーザとの間の距離が変動するときに、フリット上のスポット直径は、当該技術分野において公知なように、適切なレンズ技法（例えば、テレセントリックレンズ）を使用することによって、一定にすることができる。
【００２４】
本発明の上述した実施の形態、特に、どの「好ましい」実施の形態も、単なる実施のための可能性のある実例であり、単に本発明の原理をより明白に理解するために述べられたものであることを強調しておく。本発明の精神および原理から実質的に逸脱せずに、本発明の上述した実施の形態に、様々な変更および改変を行ってもよい。そのような変更および改変の全ては、この開示の範囲と本発明の範囲に含まれ、添付の特許請求の範囲に保護されることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のある実施の形態によるディスプレイデバイスの断面側面図
【図２】本発明のある実施の形態による第１の基板とその上に堆積されたフリットの断面側面図
【図３】フレームの形状で堆積されたフリットを示す、図２の第１の基板の正面図
【図４】ディスプレイ素子および電極がその上に堆積された本発明のある実施の形態によるディスプレイデバイスの部分断面側面図であって、封止操作中のレーザとレーザビームの位置を示す図
【図５】図４のマスクとフリットの一部の部分平面図
【図６】複数のＯＬＥＤディスプレイデバイスを封止するための、複数の透明領域を有するマスクの平面図
【図７】固有冷却曲線と比較された、フリット上のレーザスポットの様々なトラバース速度での焦点の合わせられたレーザビームにより封止されたＯＬＥＤディスプレイデバイスの冷却曲線（速度）のプロットされたグラフ
【図８】固有冷却曲線と比較された、フリット上のレーザスポットの様々なトラバース速度での焦点のぼかされたレーザビームにより封止されたＯＬＥＤディスプレイデバイスの冷却曲線（速度）のプロットされたグラフ
【図９】ディスプレイ素子および電極がその上に堆積されたディスプレイデバイスの断面側面図であって、封止操作中のレーザとガルバノメータで制御されたレーザビームの位置を示す図
【符号の説明】
【００２６】
１０    ＯＬＥＤディスプレイデバイス
１２，１６    基板
１４    フリット
１８    ＯＬＥＤ素子
２０    電極
２２    レーザ
２４    レーザビーム
３２    マスク
３４    透過領域
３６    不透明領域
【図１】
2008532207.tif 000003
【図２】
2008532207.tif 000004
【図３】
2008532207.tif 000005
【図４】
2008532207.tif 000006
【図５】
2008532207.tif 000007
【図６】
2008532207.tif 000008
【図７】
2008532207.tif 000009
【図８】
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【図９】
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