(57)【要約】  エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でＥＵＶ光を生成するＥＵＶプラズマ源材料を用いたＥＵＶ光生成装置であって、ＥＵＶプラズマ発生チャンバと、該チャンバ内に収容され、少なくとも１つの層を含む反射表面を有するＥＵＶ光集束器であって、少なくとも１つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び／又は帯域内で反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むＥＵＶ光集束器と、チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が反射表面からのエッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むＥＵＶ光生成装置を含むことができる方法及び装置。エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができる。エッチャント供給源材料は、ＥＵＶ光、ＤＵＶ光、及び／又はプラズマ源材料のエッチングを促進するのに十分なエネルギーを伴うあらゆる励起エネルギーフォトンの存在下で、エッチングが促進されることに基づいて選択することができる。本装置は、反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、エッチャント供給源材料は、エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択することができる。また、反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器があってもよい。イオンは、エッチャント供給源材料を含むことができる。この装置及び方法は、プラズマ源材料がエッチングされることになる光学素子を伴うＥＵＶ生成サブシステムの一部を含むことができる。【選択図】図４
2008518480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でＥＵＶ光を生成するＥＵＶプラズマ源材料を用いたＥＵＶ光生成装置であって、
ＥＵＶプラズマ発生チャンバと、
前記チャンバ内に収容された、少なくとも１つの層を含む反射表面を有するＥＵＶ光集束器であって、前記少なくとも１つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び／又は前記帯域内で前記反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むＥＵＶ光集束器と、
前記チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、前記プラズマ源材料が前記エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が前記反射表面からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、
を含むＥＵＶ光生成装置。
【請求項２】
前記エッチャント供給源材料がハロゲン又はハロゲン化合物を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記エッチャント供給源材料が、ＥＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記エッチャント供給源材料は、ＥＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記エッチャント供給源材料は、ＤＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記エッチャント供給源材料は、ＤＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項９】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項１２】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項１３】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項１４】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１５】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１６】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１７】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項２に記載の装置。
【請求項１９】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項３に記載の装置。
【請求項２０】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項４に記載の装置。
【請求項２１】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項５に記載の装置。
【請求項２２】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項６に記載の装置。
【請求項２３】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項７に記載の装置。
【請求項２４】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項８に記載の装置。
【請求項２５】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項９に記載の装置。
【請求項２６】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項１０に記載の装置。
【請求項２７】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項１１に記載の装置。
【請求項２８】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項１２に記載の装置。
【請求項２９】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項１３に記載の装置。
【請求項３０】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項１４に記載の装置。
【請求項３１】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項１５に記載の装置。
【請求項３２】
前記反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器を更に含む、
請求項１６に記載の装置。
【請求項３３】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項３４】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項３５】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項１９に記載の装置。
【請求項３６】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２０に記載の装置。
【請求項３７】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２１に記載の装置。
【請求項３８】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項３９】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項４０】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項４１】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２５に記載の装置。
【請求項４２】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２６に記載の装置。
【請求項４３】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２７に記載の装置。
【請求項４４】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２８に記載の装置。
【請求項４５】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項２９に記載の装置。
【請求項４６】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項３０に記載の装置。
【請求項４７】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項３１に記載の装置。
【請求項４８】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項３２に記載の装置。
【請求項４９】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でＥＵＶ光を生成するＥＵＶプラズマ源材料を用いたＥＵＶ光生成装置であって、
ＥＵＶプラズマ発生チャンバと、
前記チャンバ内のサブシステム開口であって、該サブシステム開口は該サブシステム開口内にＥＵＶに露出される光学素子を含み、該光学素子は、エッチング化合物を形成せず、及び／又は材料の光学性能を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むサブシステム開口と、
前記光学素子と作動的に接触して収容されたエッチャント供給源ガスであって、エッチャント供給源材料を含み、前記プラズマ源材料が該エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が、前記光学素子からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、
を含むＥＵＶ光生成装置。
【請求項５０】
前記エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含む、
ことを特徴とする請求項４９に記載の装置。
【請求項５１】
前記エッチャント供給源材料は、ＥＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項４９に記載の装置。
【請求項５２】
前記エッチャント供給源材料は、ＥＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５０に記載の装置。
【請求項５３】
前記エッチャント供給源材料は、ＤＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項４９に記載の装置。
【請求項５４】
前記エッチャント供給源材料は、ＤＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５０に記載の装置。
【請求項５５】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項４９に記載の装置。
【請求項５６】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５０に記載の装置。
【請求項５７】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項４９に記載の装置。
【請求項５８】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５０に記載の装置。
【請求項５９】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５１に記載の装置。
【請求項６０】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５２に記載の装置。
【請求項６１】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５３に記載の装置。
【請求項６２】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５４に記載の装置。
【請求項６３】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５５に記載の装置。
【請求項６４】
前記光学素子の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項５６に記載の装置。
【請求項６５】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項５７に記載の装置。
【請求項６６】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項５８に記載の装置。
【請求項６７】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項５９に記載の装置。
【請求項６８】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項６０に記載の装置。
【請求項６９】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項６１に記載の装置。
【請求項７０】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項６２に記載の装置。
【請求項７１】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項６３に記載の装置。
【請求項７２】
前記エッチング促進プラズマを閉じ込める磁場発生器を更に含む、
ことを特徴とする請求項６４に記載の装置。
【請求項７３】
エッチング化合物を形成することになる材料を含む、選択中心波長付近の帯域内でＥＵＶ光を生成するＥＵＶプラズマ源材料を用い、ＥＵＶ光集束器を用いて前記ＥＵＶ光を集束するＥＵＶ光生成装置において前記集束器を洗浄する方法であって、
少なくとも１つの層を含む反射表面を有する光集束器を用いる段階を含み、
前記少なくとも１つの層が、エッチング化合物を形成せず、及び／又は前記帯域内で前記反射表面の反射率を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含み、
前記方法が更に、
エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスを供給する段階と、
を含み、
前記プラズマ源材料が前記エッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物は、前記反射表面からの前記エッチング化合物のエッチングを可能にすることになる蒸気圧を有する方法。
【請求項７４】
前記エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことを特徴とする請求項７３に記載の方法。
【請求項７５】
前記エッチャント供給源材料は、ＥＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７３に記載の方法。
【請求項７６】
前記エッチャント供給源材料は、ＥＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項７７】
前記エッチャント供給源材料は、ＤＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７３に記載の方法。
【請求項７８】
前記エッチャント供給源材料は、ＤＵＶ光のフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項７９】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７３に記載の方法。
【請求項８０】
前記エッチャント供給源材料は、高エネルギーフォトンの存在下で前記エッチングが促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項８１】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７１に記載の方法。
【請求項８２】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７２に記載の方法。
【請求項８３】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７３に記載の方法。
【請求項８４】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項８５】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７５に記載の方法。
【請求項８６】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７６に記載の方法。
【請求項８７】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７７に記載の方法。
【請求項８８】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７８に記載の方法。
【請求項８９】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項７９に記載の方法。
【請求項９０】
前記反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマを生成する段階を更に含み、
前記エッチャント供給源材料は、前記エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択される、
ことを特徴とする請求項８０に記載の方法。
【請求項９１】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８１に記載の方法。
【請求項９２】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８２に記載の方法。
【請求項９３】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８３に記載の方法。
【請求項９４】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８４に記載の方法。
【請求項９５】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８５に記載の方法。
【請求項９６】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８６に記載の方法。
【請求項９７】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８７に記載の方法。
【請求項９８】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８８に記載の方法。
【請求項９９】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項８９に記載の方法。
【請求項１００】
前記反射表面に向けてイオンを加速する段階を更に含む、
請求項９０に記載の方法。
【請求項１０１】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１０２】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９２に記載の装置。
【請求項１０３】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９３に記載の装置。
【請求項１０４】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９４に記載の装置。
【請求項１０５】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９５に記載の装置。
【請求項１０６】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９６に記載の装置。
【請求項１０７】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９７に記載の装置。
【請求項１０８】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９８に記載の装置。
【請求項１０９】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項９９に記載の装置。
【請求項１１０】
前記イオンはエッチャント供給源材料を含む、
ことを特徴とする請求項１００に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ生成極端紫外（「ＥＵＶ」）光発生デブリ制御に関する。
【０００２】
（関連出願）
本発明は、２００３年４月８日に出願された名称「ＥＸＴＲＥＭＥ  ＵＬＴＲＡＶＩＯＬＥＴ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ（極端紫外光源）」の米国特許出願番号第１０／４０９，２５４号（代理人ドケット番号第２００２−００３０−０１号）、２００４年３月１０日に出願された名称「ＣＯＬＬＥＣＴＯＲ  ＦＯＲ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源用集束器）」の第１０／７９８，７４０号（代理人ドケット番号第２００３−００８３−０１号）、２００３年７月７日に出願された名称「Ａ  ＤＥＮＳＥ  ＰＬＡＳＭＡ  ＦＯＣＵＳ  ＲＡＤＩＡＴＩＯＮ  ＳＯＵＲＣＥ（高密度プラズマフォーカス放射源）」の第１０／６１５，３２１号（代理人ドケット番号第２００３−０００４−０１号）、２００３年１２月１８日に出願された名称「ＤＩＳＣＨＡＲＧＥ  ＰＲＯＤＵＣＥＤ  ＰＬＡＳＭＡ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ（放電生成プラズマＥＵＶ光源）」の第１０／７４２，２３３号（代理人ドケット番号第２００３−００９９−０１号）、２００４年３月１７日に出願された名称「Ａ  ＨＩＧＨ  ＲＥＰＥＴＩＴＩＯＮ  ＲＡＴＥ  ＬＡＳＥＲ  ＰＲＯＤＵＣＥＤ  ＰＬＡＳＭＡ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ（高繰り返し率レーザ生成プラズマＥＵＶ光源）」の第１０／８０３，５２６号（代理人ドケット番号第２００３−０１２５−０１号）、２００３年５月２１日に出願された名称「Ａ  ＤＥＮＳＥ  ＰＬＡＳＭＡ  ＦＯＣＵＳ  ＲＡＤＩＡＴＩＯＮ  ＳＯＵＲＣＥ（高密度プラズマフォーカス放射源）」のもの（代理人ドケット番号第２００３−０１３２−０１号）、及び２００４年７月２７日に出願された名称「ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ（ＥＵＶ光源）」の第１０／９００，８３６号（代理人ドケット番号第２００４−００４４−０１号）に関連する、２００４年１１月１日に出願された名称「ＥＵＶ  ＣＯＬＬＥＣＴＯＲ  ＤＥＢＲＩＳ  ＭＡＮＡＧＥＭＥＮＴ（ＥＵＶ集束器のデブリ制御）」の米国特許出願番号第１０／９７９，９４５号（代理人ドケット番号第２００４−００８８−０１号）に対する優先権を主張し、これらは全て同時係属中であって本出願と同一の譲受人に譲渡され、これらの各々の開示事項は引用により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００３】
例えば錫をプラズマ源として用いたレーザ生成プラズマＥＵＶ光発生器又は放電生成深プラズマフォーカス生成プラズマにおいて、例えば液体錫の液滴であるターゲットを照射することによるプラズマ開始用のターゲットの形態の錫などの金属から形成されるプラズマを利用するＥＵＶ光発生は、当該技術分野で提案されてきた。かかる用途において錫に伴う問題は、ＥＵＶ光源生成チャンバ内の光学面からプラズマ生成デブリを除去することであった。かかる光学面は、例えば、反射光学系を形成する多くのスタック層又は入射仰角反射表面を形成する少数層を有する多層ミラーを用いた、例えば集束器における例えば反射表面とすることができ、或いは、ＬＰＰ又は様々な計測用途のプラズマ生成ターゲットにレーザビームを配向及び／又は集束するのに使用される例えばレンズ及びウィンドウの透過表面とすることができる。元素の中でもとりわけリチウム、錫、及びキセノンは、場合によっては高密度プラズマフォーカス（「ＤＰＦ」）又は高密度プラズマピンチ（「ＤＰＰ」）とも呼ばれる放電生成プラズマ（「ＤＰＰ」）種、又はレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）種の両方である、プラズマ生成ＥＵＶ光発生用のプラズマ生成源材料として提案されてきた。当該技術によるターゲットとしての錫の問題となる態様の１つは、例えばＤＰＰ又はＬＰＰシステムのいずれかにおける一次集束器ミラーである、ＥＵＶ光生成用ＤＰＰ又はＬＰＰ装置の動作に重要な光学素子からの錫の除去できないこと、或いは、例えば計測用に用いられるウィンドウ、及び／又は、例えば、計測用及び／又はＬＰＰのプラズマ開始場所へのレーザ光パルスの集束又は配向用に使用されるレンズのような光学系からの錫の除去できないことが認識される点である。例えば上記に引用した同時係属中の出願において説明されているリチウムについては、リチウムデブリ除去のための幾つかの方策が存在し、例えば、約４５０〜５００℃までミラー又は他の光学素子の反射表面を単に加熱してミラー表面からリチウムを蒸発させることである。
【０００４】
２００３年１１月１３日に公開された名称「ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ  Ｆ  ＥＸＴＲＥＭＥ  ＵＬＴＲＡＶＩＯＬＥＴ  ＲＡＤＩＡＴＩＯＮ（極端紫外線放射発生の方法）」のＷＯ０３／０９４５８１Ａ１において説明されているように、ハロゲン化錫及び他の利用可能なターゲット材料のハロゲン化物がターゲット材料源として提案されている。
【０００５】
本出願人らは、錫等のこうしたターゲットに関するデブリの軽減における問題に対する様々な解決策を提案する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でＥＵＶ光を生成するＥＵＶプラズマ源材料を用いたＥＵＶ光生成装置であって、ＥＵＶプラズマ発生チャンバと、該チャンバ内に収容され、少なくとも１つの層を含む反射表面を有するＥＵＶ光集束器であって、少なくとも１つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び／又は帯域内で反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むＥＵＶ光集束器と、チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が反射表面からのエッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むＥＵＶ光生成装置を含むことができる方法及び装置が開示される。エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができる。エッチャント供給源材料は、ＥＵＶ光、ＤＵＶ光、及び／又はプラズマ源材料のエッチングを促進するのに十分なエネルギーを伴うあらゆる励起エネルギーフォトンの存在下で、エッチングが促進されることに基づいて選択することができる。本装置は、反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、エッチャント供給源材料は、エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択することができる。また、反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器があってもよい。イオンは、エッチャント供給源材料を含むことができる。本装置及び方法は、エッチング化合物を形成することになる材料を含むＥＵＶプラズマ源材料を用いた、プラズマ源材料が選択中心波長付近の帯域内でＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成装置であって、ＥＵＶプラズマ発生チャンバと、このチャンバ内のサブシステム開口であって、該サブシステム開口はサブシステム開口自体内にＥＵＶに露出される光学素子を含み、光学素子は、エッチング化合物を形成せず、及び／又は材料の光学性能を有意に低減させない化合物層を形成する材料を含むサブシステム開口と、光学素子と作動的に接触して収容されたエッチャント供給源ガスであって、エッチャント供給源材料を含み、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が、光学素子からのエッチング化合物のエッチングを可能にすることになる蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むＥＵＶ光生成装置を含むことができる。上記エッチャント供給源材料及び関連ガスは上述の通りとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本出願人らが詳細に調査した例えばＳｎＨ4である少なくとも１つの水素化錫は、４５０〜５００℃以下の温度で高い蒸気圧を有し、錫ハロゲン（水素）反応から化合物を形成するための活性化エネルギーが高く、従って、形成のためにミラー表面に多大な電力印加が必要となる。本出願人らは、現在検討中の錫等のＥＵＶターゲット材料から作られる他の利用可能なハロゲン形成化合物（ハロゲン化物及び水素化物）を考察した。
【０００８】
幾つかの関連値を下記の表Ｉに示す。
2008518480.tif 000003
【０００９】
上述のＰｈｉｌｌｉｐｓ特許出願は、これらの化合物のほとんどについて温度対圧力のプロットを含んでおり、ほとんどが、あらゆる所与の温度においてリチウムよりも高い蒸気圧を有することを示している（リチウムの沸点は１３４２℃である）。
【００１０】
また本出願人らは、例えば１３．５ｎｍ付近を中心とする所与の帯域内で許容可能なＥＵＶ光を適正ガス圧値で得ることができるか否かを考察した。図１Ａ〜１Ｉのプロットは、ＣＸＲＯウェブサイトから取得されたデータによる様々なハロゲン化錫についての透過率対波長を示している。これらのプロットは、全て２２℃で１メートルのガスコラムを通した３つの気圧、１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴについてのものである。また本出願人らは、４００℃でのこれらの気圧に対する各化合物のこの透過率を調査したが、この高温での透過率においては僅かな改善しか見られなかった。これらのプロットは、完全に正確であることは期待されないが、その代わりガス圧のおおよその許容上限に関する指標を与える。
【００１１】
これらのプロットはまた、ヨウ化スズ化合物を除けば、１３．５ｎｍの吸収がハロゲン化物ではなく錫原子によって支配されることを示している。同様にこれらのプロットは、許容可能な透過において、ガス圧はその大部分が１０ｍＴを下回る必要があることを示している。比較のために、図１Ｊのプロットは、キセノンのＥＵＶ透過性を示している。図で分かるように、１３．５ｎｍ付近のキセノンの極めて高い吸収によって、キセノンについてはバックグラウンド圧力を極めて低く保たなければならない。
【００１２】
本出願人らは、例えばハロゲン化錫であるＥＵＶプラズマ源材料ハロゲン含有化合物が、例えば、ＥＵＶ生成チャンバ中でデブリに曝された光学素子の表面において化学及び／又はイオンエッチングプロセス中にミラー表面上で形成され、錫を取り除くことになるかどうかに関してこれらの化合物を調べた。水素化物ＳｎＨ4は、文献において本出願人らによってこれまで調査してきたが、高活性化エネルギーを有し、例えばミラー表面上に入射する必要な平均パワーが実施可能になることが明らかになった。他の一部のものについても同様の欠点があるが、ＥＵＶ（及びＬＰＰのＤＵＶ又は他の高エネルギーにおける）フォトンの単なる存在、問題の光学面近傍の誘起二次プラズマの存在、及び光学面のエネルギーボンバードメントの促進などのような、ＥＵＶ光プラズマ生成チャンバ内環境の他の態様は、必要な活性化エネルギーを低下させることに寄与し、及び／又は本出願人らが考えるように、例えば概ねあらゆるハロゲン、及び例えば錫等の源材料デブリとのハロゲン含有化合物の形成においてほとんど問題がないような活性化エネルギーをもたらすことができる。いずれにしても、Ｃｌ2及びＢｒ2等のハロゲンは、低温（例えば室温）において錫と容易に反応し、Ｆ2及びＩ2では、室温を上回るある程度の加温によって反応して「ＳｎＸ4」を形成し、ここでＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｆ、及びＩである。ＳｎＸ4分子の蒸気圧は、ＳｎＸ2の蒸気圧よりも遙かに高く、本発明の実施形態の態様によるその利用が容易になる。
【００１３】
現実の問題は、ハロゲン含有化合物を光学素子の表面からどの周囲環境においてエッチングし、すなわち蒸発させ又は追い出すかである。塩素及び臭素並びにこれらの化合物（例えばＨＣｌとＨＢｒ）は、例えば、更なる活性化エネルギー促進を用いない最も成果をあげた洗浄剤であると思われる。水素は過剰な活性化エネルギーを必要とし、フッ化錫化合物は、活性化エネルギーを追加するための更なる促進を用いることなくミラー表面から蒸発することはできない。
【００１４】
取り組むべき別の問題は、例えばモリブデンである光学素子材料の望ましくないエッチングを阻止することであり、これは、例えば塩素等が容易にエッチングを行う。臭素及びその化合物は、モリブデンとは容易に反応しないが、高温では反応することができるので、本出願人らにはハロゲン洗浄剤として良好な選択であるように思われる。チャンバは、臭素又はその化合物が気相状態にある温度で動作する可能性が高い。これに加えて、チャンバは、単に水冷表面を利用してチャンバ雰囲気から臭素及びその化合物並びに臭化錫化合物をクライオポンプで輸送することができる。
【００１５】
本出願人らはまた、所与の個数の錫原子が単位時間当たりに例えばミラー表面上に堆積した場合、連続的にミラー表面を洗浄するためにはどれ程の塩素又は臭素のバッファ圧力が必要とされるかを考察した。所与のミラーサイズ及び液滴直径並びにプラズマから全領域中に均等に吐出されると仮定した液滴当たりの及び錫密度について、図２に示されたミラー表面に対する錫についての予測流入率の計算に基づくと、結果として生じる単位表面積当たりの流入率はミラー半径の二乗に従って増減する。本発明の一実施形態の態様によるこの錫原子流入率は、例えばハロゲン化錫である揮発性ハロゲン含有化合物を形成するために十分なハロゲン原子の割合を伴う必要がある。気圧及び温度に対する平面を横断する原子（分子）流束を考えると、図３は塩素及び臭素についての流入率のプロットを示している。
【００１６】
本発明の一実施形態の態様によるハロゲン又はハロゲン含有ガスの流入率は、例えば２０ｃｍ程度のミラー半径の適切な選択に対する錫流入率よりも高いオーダとなり、例えば冷却性能である他の動作を考慮することによって決定付けることができる。あらゆる適切な気圧において１×１０18から１×１０19原子／ｃｍ2ｓよりも高いハロゲン流入率と比較すると、５０μｍの錫液滴直径は、ミラー表面における３×１０15原子／ｃｍ2ｓの錫流入率をもたらす。従って、多数のハロゲン原子が利用可能となり、問題は、例えばＳｎＢｒ4である金属ハロゲン含有化合物の形成における反応率の問題となる。Ｂｒの供給源は、例えば、プラズマ形成チャンバ内に含まれるＢｒ2又はＨＢｒガスとすることができる。
【００１７】
ここで図４を参照すると、ＥＵＶのＬＰＰ光源に対する集束器システム２０を概略的に例示している。図５に概略的に示しているように、システム２０は、切頭楕円形状とすることができる集束器２２を備えることができ、例えば、液体プラズマ源材料（例えば錫）の液滴９２の形態でターゲットとする所要のプラズマ開始場所３０に第１の焦点を有する。液滴９２は、上記に引用した同時係属中の出願の幾つかにおいてより詳細に説明されているターゲット送出システム９０によって送出することができる。
【００１８】
レーザビーム１００は、例えば入力及び集束光学系１０２（図５に示している）を通じてプラズマ開始場所３０に送出され、レーザビーム１００の照射下でターゲットからプラズマ形成を引き起こすことができる。チャンバは、ハロゲンの供給源（例えばＢｒ又はＣｌ）を提供する、例えばハロゲン含有ガス（例えばＢｒ2又はＨＢｒ或いは場合によってはＨＣｌ）であるガスで充填することができ、このガスは、プラズマ開始場所３０に面する集束器２２の反射表面及びウィンドウ／レンズ１０２光学面上に堆積したプラズマ源金属デブリ（例えば錫原子）と反応することになる。
【００１９】
このＥＵＶ光生成装置は、例えば錫であるプラズマ生成源材料を利用し、該プラズマ生成源材料はハロゲン含有化合物を形成することになるプラズマ源材料を含み、該プラズマ源材料はまた、例えば約１３．５ｎｍの選択中心波長付近の帯域でレーザビーム照射を受けて誘起されるプラズマからＥＵＶ光を生成する。チャンバ内に備えられる集束器２２は、第１の材料（例えばモリブデン又はルテニウムもしくはシリコン）の少なくとも１つの層、或いは、ハロゲン含有化合物を形成しない又はハロゲン含有化合物の層（例えば、帯域中で反射表面の反射率をあまり低減しない）を形成する他の金属の化合物を含有する反射表面を有することができる。例えば、チャンバ内に含まれるガスは、発生源材料が共にハロゲン含有化合物を形成するハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができ、このハロゲン含有化合物は、反射表面からのハロゲン含有化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有する。従って、このガスは、例えばハロゲン又はその化合物のうちの１つ（例えばＨＢｒ又はＢｒ2）を含むプラズマ源材料エッチャント供給源ガスを構成する。本発明の一実施形態の態様によれば、エッチングは単純に蒸発によるものとすることができ、或いは、例えば、集束器２２又はウィンドウ／レンズ１０２を加熱することによって、又はＥＵＶ及び／もしくはＤＵＶフォトンエネルギーの存在によって、又は光学素子２２、１０２の近傍において発生する二次プラズマによって、又は光学素子２２、１０２の近傍にイオン及び／又はラジカルを導入することができる遠隔発生プラズマによって熱的に促進することができる。
【００２０】
システム２０は、アンテナ４２、４４に容量結合されたＲＦアンテナセクターにＲＦ1及びＲＦ2を送出することができる複数の無線周波又はマイクロ波（ＲＦ）発生器を含むことができ、アンテナ４２、４４は、集束器２２形状の後側の範囲をカバーし、ＲＦを送出してＥＵＶプラズマ発生場所に面する集束器２２反射表面の近傍でイオンを誘起し、集束器２２の反射表面に向けて加速する。これらのセクターは正方形、三角形、六角形、又は他のメッシュ幾何形状、或いはこれらの部分形状にセグメント化し、集束器の後側の表面領域をカバーして集束器２２の反射表面の異なるセグメントに２つ又はそれ以上のＲＦ周波数を異なるように分配する。プラズマは、例えば、ＲＦ源ＲＦ3とグランドとの間に接続されたＲＦ源５０によって集束器２２の近傍で誘起することができる。集束器表面におけるこの局所又は原位置プラズマは、イオン化される前にプラズマ開始場所から排出されたターゲット９２の非アブレーション部分の形態のデブリ及びＥＵＶ光源プラズマからの高エネルギーイオンの両方を低減することができ、これに加えて集束器２２の反射表面からの揮発性ハロゲン−プラズマ源材料化合物のエッチング又は蒸発を誘起するよう機能することができる。ＲＦセクターのアンテナ４２、４４は、プラズマからイオンを誘起し、反応性イオンエッチングによるハロゲン−プラズマ源材料化合物のエッチングを機械的に誘起する。
【００２１】
集束器の動作近傍における原位置プラズマは、例えば集束器２２からのＥＵＶプラズマ源材料のエッチングを促進させるだけでなく、例えば集束器２２の反射表面へのイオンの到達を阻止するか、或いは、例えば集束器２２の反射表面からの反射表面材料のスパッタリングを有意に回避できる程イオンを少なくとも低減することを選択するように発生させることができる。
【００２２】
例えば、ＲＦ誘起によりプラズマが形成される場合には、例えば自由電子を含有する、例えば塩素、臭素、及びこれらの化合物のラジカルの形態でのイオンを含む遠隔プラズマ発生源７０を備えることができ、次いで、該イオンをチャンバに導入し、集束器２２の反射表面で原位置プラズマを形成又は構成することができる。
【００２３】
チャンバはまた、複数（例えば２つ）の犠牲的検証プレート又はバー６０を含むことができる。犠牲的検証プレート又はバー６０は、例えば一対の分光計６２、６４の１つをそれぞれ用いて観測され、プラズマ源材料ハロゲン化合物ではなく、検証プレート又はバー６０のベース材料（例えばモリブデン、ルテニウム、シリコン、又は同様のもの）がエッチングされる指標とすることができる。これを用いて、プラズマ（例えば原位置プラズマ）に送出されるＲＦエネルギーを低減するなどプラズマを制御し、プラズマ源材料−ハロゲン化合物が一時的には完全にエッチング除去されていることを観測中の検証プレート又はバーが示す場合に好ましくないエッチングを抑制することができる。分光計６２、６４の代わりに、検証プレート６０上で集束器材料がエッチングを開始される時に放出される波長に対して敏感なモノクロメータを用いることができる。検証プレート６０は、例えばモリブデン、ルテニウム、シリコン等を含む異なるベース材料のものとすることができる。図５に示すように、ウィンドウ管１１０内に含むことができるウィンドウ／レンズ１０２に同様の構成を設けることができ、これは、例えばＬＰＰのＥＵＶ光生成において利用されるレーザ光ビームを受光する等の役割を果たすことができる。かかるウィンドウ及び例えば計測用途向けの同様の他の光学素子は、レーザシステムのサブシステムの一部とすることができる。ウィンドウ管は、ガス吸気口１４０及びガス排気口１４２を有することができ、これらをそれぞれ通じてガスをウィンドウ管１１０全体に循環させることができる。上述のチャンバガスと同様にエッチャント供給源ガスは、例えばＨＢｒ、Ｂｒ2、ＨＣｌ、又はＣｌ2の形態の好適なハロゲンを含むことができ、ＥＵＶプラズマデブリに曝される場合があるウィンドウ側での揮発性プラズマ源材料−ハロゲン化合物の形成に寄与することができる。このエッチングは更に、ＲＦコイル１２０によって誘起されるＲＦ誘起プラズマで促進することができ、このプラズマは、例えば永久磁石又は電磁石１３０によって管内に磁気的に閉じ込めることができる。
【００２４】
チャンバのレーザレンズ／ウィンドウ１０２及び診断ウィンドウ等の他のものに対して、本出願人らは、ＣａＦ2及びＭｇＦ2のような臭素耐性光学材料などのハロゲン耐性光学材料を用いることを提案する。この洗浄は、ガス単独で行うことができる（通過するレーザ放射並びに発生ＥＵＶ放射による促進される）。或いは、上述のように、ウィンドウ洗浄を促進するために洗浄にＲＦプラズマを用いることができる。
レーザサブシステムの光学素子は、チャンバ壁内に直接形成された、すなわちウィンドウ管１１０を伴わないウィンドウとすることができ、エッチャント供給源ガスは、チャンバ内に存在することができることは明らかであろう。本発明のこの実施形態の態様に従って、上述のように原位置プラズマ及び磁気閉じ込めも用いることができる。
【００２５】
ハロゲンガスは、ＥＵＶプラズマ生成チャンバに到達する前にウィンドウ管１１０から排出することができる。
【００２６】
当業者であれば、本発明の実施形態の上記の態様は、好ましい実施形態にのみ関しており、添付の請求項の範囲及び意図、並びにここに定義される本発明はかかる好ましい実施形態に限定されないことは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１Ａ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｂ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｃ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｄ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｅ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｆ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｇ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｈ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｉ】約１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ領域にある光についての１ｍＴ、１０ｍＴ、及び１００ｍＴのチャンバ圧における様々なハロゲン含有ガスの透過率を示す図である。
【図１Ｊ】キセノンについての同様のプロットを示す図である。
【図２】本発明の一実施形態の態様による様々な半径のミラー上への錫イオンの原子流束を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態の態様による、ミラー上へのハロゲンガス、塩素及び臭素の原子流束を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態の態様による、ＥＵＶ光源の集束器のためのデブリ軽減構成を概略的に例示する図である。
【図５】本発明の一実施形態の態様による、ＥＵＶ光源の光学素子のデブリ軽減構成を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００２８】
２０  集束器システム
２２  集束器
３０  プラズマ開始場所
４２  ＲＦアンテナ
５０  ＲＦ源
６０  犠牲的検証プレート又は棒
【図１Ａ】
2008518480.tif 000004
【図１Ｂ】
2008518480.tif 000005
【図１Ｃ】
2008518480.tif 000006
【図１Ｄ】
2008518480.tif 000007
【図１Ｅ】
2008518480.tif 000008
【図１Ｆ】
2008518480.tif 000009
【図１Ｇ】
2008518480.tif 000010
【図１Ｈ】
2008518480.tif 000011
【図１Ｉ】
2008518480.tif 000012
【図１Ｊ】
2008518480.tif 000013
【図２】
2008518480.tif 000014
【図３】
2008518480.tif 000015
【図４】
2008518480.tif 000016
【図５】
2008518480.tif 000017