(57)【要約】  プレーナインダクタ（５０）は、螺旋パターンの形態を成す導電経路（５３Ａ−５３Ｄ，５４Ａ−５４Ｄ）を備えている。導電接続経路（６２Ａ，６３）は、１つの端子（６０）を中間タップ点（６１Ａ）に対して接続する。接続経路は、螺旋パターン（５３Ａ−５３Ｄ）に対して径方向に向けられる少なくとも１つの経路部分を備えている。接続経路（６２Ａ，６３）は螺旋パターンの内側を介してルート付けることができる。接続経路が径方向に向けられた経路部分だけを備える場合、これらの経路部分は螺旋パターンの中心（６４）で共通に結合される。複数の経路部分（６２Ａ，６２Ｂ）はそれぞれ対応する導電経路の中間タップ点に接続できる。接続経路は、螺旋パターンを形成する導電経路と平行な更なる導電トラック（８５）を使用することができる。
2008503890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
螺旋パターンの形態を成す導電経路と、
１つの端子を前記導電経路に沿う１つの中間タップ点に対して接続するとともに、前記螺旋パターンに対して径方向に向けられる１つの部分を備える導電接続経路と、
を備える、プレーナインダクタ。
【請求項２】
前記接続経路は、前記中間タップ点を前記螺旋パターンの内側にある１つの接続点に対して結合する第１の部分を備え、この第１の部分は前記螺旋パターンに対して径方向に向けられている、請求項１に記載のプレーナインダクタ。
【請求項３】
前記接続点が前記螺旋パターンのほぼ中心にある、請求項２に記載のプレーナインダクタ。
【請求項４】
少なくとも２つの導電経路があり、各導電経路が互いに電気的に並列であり、また、前記各導電経路毎に前記接続経路の別個の第１の部分が存在し、前記第１の部分はそれぞれ、前記経路のうちの１つに沿う対応する中間タップ点を前記接続点に対して結合する、請求項３に記載のプレーナインダクタ。
【請求項５】
前記接続経路は、前記螺旋パターン内の接続点を前記螺旋パターンの外側の１つの点に対して結合する第２の部分を更に備え、この第２の部分が前記螺旋パターンに対して径方向に向けられる、請求項２から４のいずれか一項に記載のプレーナインダクタ。
【請求項６】
前記接続経路の前記第１の部分は、前記中間タップ点を、当該タップ点と前記螺旋パターンの中心点との間に位置される接続点に対して結合する、請求項２に記載のプレーナインダクタ。
【請求項７】
前記導電経路と平行な更なる導電トラックを更に備える、請求項６に記載のプレーナインダクタ。
【請求項８】
少なくとも２つの導電経路があり、各導電経路が互いに電気的に並列であり、また、前記各導電経路毎に前記接続経路の第１の部分が存在し、前記第１の部分はそれぞれ、前記導電経路のうちの１つに沿う１つの対応する中間タップ点を１つの対応する接続点に対して結合し、前記導電トラックが前記対応する接続点同士を結合する、請求項７に記載のプレーナインダクタ。
【請求項９】
前記各導電経路に沿う前記中間タップ点の位置は、前記更なる導電トラックの影響をオフセットするように選択される、請求項８に記載のプレーナインダクタ。
【請求項１０】
前記接続経路は、前記更なる導電トラックを前記螺旋パターンの外側の１つの点に対して結合する第２の部分を更に備え、この第２の部分が前記螺旋パターンに対して径方向に向けられる、請求項７から９のいずれか一項に記載のプレーナインダクタ。
【請求項１１】
前記接続経路は、それぞれが径方向に合わせられた隙間を含む複数の同心なセグメントを備え、前記接続経路の前記第２の部分が前記隙間と位置合わせされる、請求項５または１０に記載のプレーナインダクタ。
【請求項１２】
前記第２の部分は、前記導電経路の終点に隣接する前記螺旋パターンの外側の１つの点に接続する、請求項１１に記載のプレーナインダクタ。
【請求項１３】
前記接続経路は、前記導電経路に沿う１つの中間タップ点を前記螺旋パターンの外側の１つの接続点に対して結合し且つ前記螺旋パターンに対して径方向に向けられる第１の部分と、前記導電経路と略平行な第２の部分とを備える、請求項１に記載のプレーナインダクタ。
【請求項１４】
請求項１に記載のプレーナインダクタと、このインダクタの外部にある少なくとも２つの更なる端子とを備え、前記更なる端子は、前記インダクタの前記螺旋パターンに対して径方向に向けられる経路部分を備える接続経路を介して接続される、電気回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プレーナインダクタおよびプレーナインダクタの製造方法、並びに、集積回路などの半導体デバイスにおけるプレーナインダクタの使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
プレーナインダクタ（平面インダクタ）は、しばしば、最小空間を占めるインダクタが必要とされる場合に使用される。典型的には、プレーナインダクタは、螺旋パターンの形態を成し且つ基板上に位置される導電トラックを備えている。接続は、螺旋トラックの各端部に対して行なわれる。プレーナインダクタは、薄膜技術を使用する個別素子として、あるいは、集積回路（ＩＣ）製造プロセスを使用する集積部品として実現することができる。プレーナインダクタは、しばしば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）および低雑音増幅器（ＬＮＡ）などの機能を達成するために無線周波数（ＲＦ）回路で使用される。
【０００３】
一部の用途では、導電トラックの中間点に対する更なる電気的接続を行なうための要求が存在する。これは中点であっても良い。図１および図２は、２つのタイプのプレーナインダクタおよび中点の位置を示している。最初に、図１は、同心のトラックセグメント１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを有するプレーナインダクタを示している。端子１０，１２間には、セグメントの端部同士を接続することにより螺旋経路が形成される。端子１０，１２間の全経路の距離および抵抗に関する中点がクロス１５により示されている。
【０００４】
図２は、対称の形態で互いに接続される半円トラックセグメントを有するプレーナインダクタを示している。端子２０，２２間には、セグメントの対を互いに接続することにより螺旋経路が形成されている。端子２０，２２間の全経路の距離および抵抗に関する中点がクロス２５により示されている。しかしながら、そのような形態の欠点は、隣接する巻線セグメント（例えばセグメント２６，２７）間の電圧差が一般に図１に示される螺旋形態の場合よりも大きく、そのため、より多くのエネルギが巻線セグメント間に存在するキャパシタンスに蓄えられるという点である。これにより、コイルの共振周波数が更に低くなる。
【０００５】
プレーナインダクタにおいては、高い線質（Ｑ）係数を有していることが望ましい。しかしながら、線質係数は、増大した周波数において最小の抵抗を有する経路の代わりに最小のインダクタンスを有する経路をとるＲＦ電流が優先するため、電流群により悪化する可能性がある。この電流群は「表皮」効果および「近接」効果により引き起こされ、それにより、インダクタとの直列において見られる抵抗がかなり増大する。この電流群を減少させるため、螺旋インダクタを互いに電気的に並列な幾つかの電流経路に分割することが提案されてきた。各経路は同じ抵抗およびインダクタンスを有している。国際公開第０３／０１５１１０号はこの種のプレーナインダクタについて記載している。図３および図４は、一対の並列経路を設ける２つの可能な方法を示している。高いＱ係数および共振周波数が必要とされる場合には、図３の構成が好ましい。しかしながら、中間点に対する接続が必要とされる場合、これは、各並列経路を流れる電流のバランスを乱す可能性があるとともに、そのようなレイアウトを与えるＱ係数の任意の利点を無効にする可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、プレーナインダクタの中間点に対する更なるタイプの接続を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様は、
螺旋パターンの形態を成す導電経路と、
１つの端子を導電経路に沿う１つの中間タップ点に対して接続するとともに、前記螺旋パターンに対して径方向に向けられる１つの部分を備える導電接続経路と、
を備えるプレーナインダクタを提供する。
【０００８】
少なくとも部分的に径方向に向けられる接続経路を設けると、インダクタの主要な導電経路を流れる電流の任意の乱れを最小限に抑えるのに役立つ。
【０００９】
接続経路は、螺旋パターンの内側を介してルート付けることができる。接続経路は、径方向に向けられる経路部分だけを備えることができる。この場合、１つ以上の中間タップ点からの経路部分は、螺旋パターンの中心で共通に結合される。各経路部分は、その対応する導電経路の所望の中間タップ点に対して接続する。
【００１０】
完全に径方向の接続経路を設ける代わりに、接続経路は、螺旋パターンを形成する導電経路と平行なトラックの更なる部分を備えることができる。これは、接続経路の長さを減少させるという利点を有し、それにより、接続経路の抵抗が減少する。複数の導電経路が存在する場合、径方向に向けられる別個の経路部分は、各導電経路上の１つの中間点とトラックの更なる部分とを接続する。
【００１１】
好ましくは、螺旋パターンと位置合わせされるトラックの更なる部分が使用される場合、中間点の位置は、トラックに沿って流れる電流の影響を補償するように調整される。
【００１２】
中間点は、中点であっても良く、あるいは、導電経路の長さに沿う任意の他の所望の位置であっても良い。
【００１３】
添付図面では螺旋パターンが略円形パターンとなるように示されているが、螺旋パターンは、正方形、長方形、楕円形、八角形、あるいは、任意の他の形状であっても良い。したがって、用語「径方向に向けられる」は、どのような形状を有していようとも、パターンの中心に向けて方向付けられるものと解釈されるべきである。
【００１４】
本発明は、プレーナインダクタのみに適用されず、プレーナ変圧器にも同様に適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。
【００１６】
特定の実施形態に関して特定の図面を参照しながら本発明を説明するが、本発明は、これらに限定されず、請求項のみによって限定される。描かれている図面は、単なる概略であり、限定的なものではない。図面中、幾つかの要素のサイズは、説明のため、誇張され且つ一定の倍率で描かれていない場合がある。用語「備える（含む）」が明細書本文中および請求項中で使用される場合、それは他の要素またはステップを排除するものではない。単数名詞を参照する際に不定冠詞または定冠詞、例えば「ａ」または「ａｎ」，「ｔｈｅ」が使用される場合、これは、何か他のことが具体的に述べられていない限り複数のそのような名詞を含んでいる。
【００１７】
請求項中で使用される用語「備える（含む）」は、その後に記載される手段に限定されるもの解釈されるべきではなく、他の要素またはステップを排除するものではない。したがって、「手段ＡおよびＢを備えるデバイス」という表現の範囲は、構成要素ＡおよびＢのみから成るデバイスに限定されるべきではない。つまり、本発明に関しては、デバイスの単なる関連する構成要素がＡおよびＢであるということである。
【００１８】
また、明細書本文中および請求項中の第１、第２、第３などの用語は、同様の要素同士を区別するために使用されるが、必ずしも順番または時間的順序を表わすものではない。そのように使用される用語が適切な状況下では置き換え可能であり、また、ここに記載された本発明の実施形態がここで説明され或いは図示された順序以外の順序で動作できることは言うまでもない。
【００１９】
また、明細書本文中および請求項中の上端、下端、上側、下側などの用語は、記述的な目的で使用されるが、必ずしも相対的な位置を表わそうとするものではない。そのように使用される用語が適切な状況下では置き換え可能であり、また、ここに記載された本発明の実施形態がここで説明され或いは図示された方向以外の方向で動作できることは言うまでもない。
【００２０】
図５および図６は、本発明に係るプレーナインダクタ（平面インダクタ）の２つの実施形態を示している。プレーナインダクタの一般的なレイアウトは両方の実施形態において同じであるが、これらの実施形態は中間点に対して行なわれる接続方法が異なっている。
【００２１】
図５を参照すると、プレーナインダクタ５０は４つの同心環状リングを備えており、各環状リングは、２つの別個の半円セグメント、例えば５３Ａ，５４Ｄとして形成されている。セグメントは、従来の半導体製造技術を使用して基板上に導電材料の層として形成することができる。インダクタについての役に立つ説明は、文献「Ｄｅｓｉｇｎ，  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  ｏｆ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒｓ  ａｎｄ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒｓ  ｆｏｒ  Ｓｉ  ＲＦ  ＩＣｓ」（Ａ．  Ｍ．  Ｎｉｋｎｅｊａｄ，  Ｒ．  Ｇ．  Ｍｅｙｅｒ，  Ｋｌｕｗｅｒ  Ａｃａｄｅｍｉｃ，  ２０００）において見出すことができる。第１の端子５１および第２の端子５２は、インダクタを貫く導電経路の２つの端部を形成する。互いに電気的に並列な２つの経路は第１の端子５１と第２の端子５２とを接続し、各経路は略螺旋パターンの形態を成している。用語「電気的に並列」は、それらの経路全体にわたって互いに隣接するという意味で並列となる必要がある経路との任意の混乱を避けるために使用されている。
【００２２】
各螺旋経路は一連の半円セグメントを備えており、セグメントの選択された対がリンクによって互いに接続され、リンクのうちの１つが５５で示されている。並列経路のうちの一方を考慮すると、この経路は、端子５１から始まり、端子５２で終わる前にセグメント５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５４Ｄを含んでいる。同様に、第２の並列経路も、端子５１から始まり、端子５２で終わる前にセグメント５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄを備えている。リンク５５は、構造体の異なる層上に形成される短い導電トラックとして実現することができる。この場合、ビアホール５６は異なる層同士の接続経路を形成する。
【００２３】
プレーナインダクタは、エッチングによりパターニングされる厚い（数ミクロンの一般的な厚さを有する）Ａｌ層から製造することができる。
【００２４】
インダクタのセグメント間の相互接続は、ＷプラグまたはＡｌプラグによって行なうことができる。Ｃｕの低い抵抗率により、セグメントおよび相互接続の両方においてＣｕを使用することが有益である。好ましくは、Ｃｕダマシンプロセスが使用される。最初に、誘電体（例えばシリコン酸化物またはＢＣＢ等のｌｏｗ−ｋ材料）中に溝が形成される。ＴａＮ等のバリア層が堆積される。その後、５００ｎｍ〜５ミクロンの範囲の厚さまでＣｕ層が電気メッキされる。
【００２５】
Ｃｕが化学機械研磨（ＣＭＰ）されて、平面からＣｕが除去されるとともに、溝状のＣｕパターンが形成される。溝状のＣｕパターンはインダクタのトラックである。
【００２６】
デュアルダマシンＣｕプロセスにおいては、トラックおよび接続部（ビア）の両方が、誘電体中にエッチングされ、その後、バリア層およびＣｕで満たされる。
【００２７】
プレーナインダクタは、標準的なＣＭＯＳプロセスの最終段階で製造されても良く、あるいは、最終的な生成物の上端に堆積されても良い。０．１３μｍＣＭＯＳプロセスでは、一般的な３μｍ厚の銅最上金属層パターンが使用される。製造の観点からは、幅が小さい幾つかの平行なトラックを使用することが有益である。例えば、８個の極めて小さな３μｍ幅のトラックは、１つの大きな２４μｍ幅トラックよりも（ダマシンプロセスにおける）ＣＭＰディッシングを受けることは少ない。ディッシングの減少により、抵抗における値を低くすることができる。半円トラックセグメントは対称な形態で相互に接続される。相互接続部はビアおよび金属トラックを備えている。抵抗は、ビア内でＣｕを使用し且つ金属トラックのためにＣｕを使用することにより、できる限り低く維持される。ビア内で且つ金属トラックとして抵抗率が低い同じ材料が使用され、それにより、接触抵抗が最小限に抑えられることが好ましい。
【００２８】
第１の螺旋経路の中点がクロス６１Ａで示されている。中点は、端子５１，５２間の第１の螺旋経路の全インダクタンスに沿う正に真中の点である。同様に、第２の螺旋経路の中点がクロス６１Ｂで示されている。この点も、同様に、端子５１，５２間の第２の螺旋経路の全インダクタンスに沿う正に中間の点である。
【００２９】
中点は、ここでは、対象とする動作周波数におけるインピーダンスがその値全体の半分となる点として規定される。この点は、中点を、インダクタンスがその値全体の半分である点としてとることにより見積もることができる。
【００３０】
接続リンク６２Ａは、第１の螺旋パターンの中点６１Ａをインダクタパターン全体の中心点６４に対して接続する。更なる接続リンク６２Ｂは、第２の螺旋経路の中点６１Ｂを中心点６４に対して接続する。各接続リンク６２Ａ，６２Ｂは、全パターンに対して径方向に、すなわち、それが交差する各電流伝送半円トラックセグメントに対して垂直に方向付けられる。径方向経路６２は、螺旋インダクタに対する誘導結合がゼロに等しくなるように方向付けられる。
【００３１】
径方向に向けられた更なる接続リンク６３が中心点６４と外部端子６０との間で延びており、外部端子６０から他の集積部品または外部部品に対して接続を行なうことができる。リンク６３は、隣接する半円セグメント同士の間に存在する隙間と一直線に合わせられ、半円セグメントと同じ構造体層上に形成できると都合が良い。中点は、Ｔ．  Ｈ．  Ｌｅｅによる文献「Ｔｈｅ  ｄｅｓｉｇｎ  ｏｆ  ＣＭＯＳ  ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ」（Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  Ｐｒｅｓｓ  １９９８）の図１６．３１に描かれているような差動負抵抗オシレータにおいて必要とされる。
【００３２】
この構成は、インダクタの点間の接続がコイルの磁場の影響を受けるという理解に基づいている。この磁場は、並列な螺旋電流経路にわたる正常な電流分布を乱す場合がある電流をもたらし得る誘導電圧を引き起こす。この誘導電圧は、周方向に向けられる相互接続経路、すなわち、コイル巻線とほぼ平行な経路においてのみ現れ、径方向経路には現れない。したがって、中点６１Ａ，６１Ｂは、径方向に向けられる経路６２Ａ，６２Ｂ，６３を介してのみ外部端子６０に接続される。
【００３３】
図６は、図５に示されるレイアウトと同じ一般的なレイアウトを有する他のプレーナインダクタを示している。この実施形態における主な違いは、螺旋経路の中点を外部端子に対して接続する方法である。
【００３４】
インダクタの最も内側の環状リングと並んで更なる導電トラック８５が位置されている。第１の接続リンク８３Ａは、第１の螺旋パターンの点８２Ａをトラック８５上の点８４Ａに対して接続している。リンク８３Ａは螺旋パターンに対して径方向に向けられている。すなわち、リンク８３Ａは、電流伝送セグメントと垂直に交差している。同様に、更なる接続リンク８３Ｂは、第２の螺旋経路の点８２Ｂをトラック８５上の点８４Ｂに対して接続している。後述する理由のため、点８２Ａ，８２Ｂは、それらの対応する螺旋経路の中点ではない。径方向に向けられた更なる接続リンク８７は、外部端子６０と、リンク８７と径方向に合わせされたトラック８５上の点との間で延びている。リンク８７は、隣り合う半円セグメント間に存在する隙間と都合良く位置合わせされる。導電トラック８５は、点８４Ａ，８４Ｂ，８６同士を結びつけるのに十分な長さを有していれば済み、それ以上長くする必要はない。
【００３５】
図５に示される構成において、電流は、最初に点６１Ａからリンク６２Ａを介してインダクタの中心点６４へ伝送され、その後、中心点６４からリンク６３を介して外部端子６０へ伝送される。これにより螺旋経路に対する乱れの影響が最小になるが、この経路の長さが更なる抵抗を招き、そのため、電圧降下が生じる。一方、図６に示される構成では、トラック８５を使用することにより中点相互接続経路が短くされる。角度の相違およびコイルの中心までの距離に応じてトラック８５に沿う電流の通過が残りのパターンに対して何の影響を及ぼすのかを計算することができる。径方向の相互接続の角度位置（すなわち、真の中点６１Ａから点８２Ａまで、および、中点６１Ｂから８２Ｂまで）を調整することにより、誘導電圧を容易に修正することができる。現代のシミュレーションツールは必要な修正を簡単に計算することができる。
【００３６】
以下はそのような計算の一例である。
【００３７】
図６のインダクタのインダクタループの自己インダクタンスおよび相互インダクタンスＭｉｊが以下の表に示されている。ここでは、外径が２００μｍ、ループ幅および間隔が１０μｍ，２．５μｍであるとした。
【表１】
2008503890.tif 000003
【００３８】
番号付けは、ループセグメント８５から始まり、ループ５３Ａ−５４Ｄで終わる。ここで、各ループの両端間の電圧は、以下を使用して計算することができる。
【数１】
2008503890.tif 000004
【００３９】
ここでは、我々はループの抵抗を無視した。我々は、各ループ両端間の電圧Ｖが全てのループを流れる電流の関数であると考えている。周波数ωが１０９で且つＲＭＳ値が２アンペアのＲＦ電流がインダクタ接点５１，５２間に印加され、また、この電流が２つの電気的に並列な経路間で等しく分かれて、セグメント８３Ａ，８３Ｂ，８５の電流がゼロであると仮定する。そして、Ｉ１＝０、Ｉ２＝Ｉ３＝Ｉ４＝Ｉ５＝１Ａとする。方程式（１）を使用して求めると、５つのループにわたって誘導される電圧のＲＭＳ値は、Ｖ１＝０．８０ボルト、Ｖ２＝１．２９ボルト、Ｖ３＝１．５７ボルト、Ｖ４＝１．７１ボルト、Ｖ５＝１．６７ボルトである。これらの電圧は３６０°全体にわたってループに印加される。半分のループ２，３，４，５の両端間に電圧を加えると、インダクタ接点間に誘導される電圧は３．１２ボルトになる。対応する電流が２アンペアであるため、この特定のインダクタにおいて接点５１，５２間で見られるインダクタンスは１．５６ｎＨであるという結論を得る。同様に、５３Ｂから５３Ｃまでの接続部と接点５１との間の電圧が１．４８ボルトであり、５４Ｂから５４Ｃまでの接続部と接点５１との間の電圧が１．４３ボルトであると計算することができる。中点６１Ａ，６１Ｂは、電圧が１．５６ボルトとなる場所に位置されなければならない。ループ３の両端間の全電圧降下は１．５７Ｖであるため、中点６１Ｂが５４Ｂから５４Ｃへの接続部の左側に向かって２７°であることは容易に計算される。ここで、接続ライン８２Ａ−８３Ａ−８４Ａ，８２Ｂ−８３Ｂ−８４Ｂの好ましい位置を計算することができる。位置８６における所望の中点電圧は１．５６ボルトである。点８４Ａ，８４Ｂにおける電圧は、Ｖ８４Ａ＝１．５６＋０．８０ＸおよびＶ８４Ｂ＝１．５６＋０．８０Ｙとなる。ここで、ＸおよびＹは、ループ８５の必要な角度範囲を示している。同様に、点８２Ａ，８２Ｂにおける電圧は、Ｖ８２Ａ＝１．４８＋１．５７ＸおよびＶ８２Ｂ＝１．４３＋１．７１Ｙとなる。
【００４０】
接続ライン８３Ａ，８３Ｂの高周波電流がゼロであるというこの計算で成された最初の仮定を満たすためには、Ｖ８２Ａ＝Ｖ８４Ａ、Ｖ８２Ｂ＝Ｖ８４Ｂであることが必要である。これを解くと、Ｘ＝０．１０３８、Ｙ＝０．１４２８となり、これは、接続ライン８３Ａ，８３Ｂが中点接続部６０の左側に向かって３７°および５１°の角度に位置される必要があることを意味している。
【００４１】
図６において、経路８３Ａ，８３Ｂは、螺旋経路の中点とパターン全体の内側に位置される更なるトラック８５とを接続する。図７に示される他の実施形態においては、更なるトラックが全パターンの外側に位置されている。ここで、更なるトラック９０は、パターンの最も外側の半円セグメントと並んで平行に位置している。径方向に向けられたリンク９１Ａ，９１Ｂは、点９２Ａ，９２Ｂのそれぞれにおいてトラック９０上の点に接続している。接続は、図示のように点６０において、あるいは、トラック９０に沿う任意の他の点で行なうことができる。
【００４２】
前述した実施形態において、接続は各螺旋経路の中点で行なわれる。しかしながら、本発明は、中点だけに限定されず、螺旋経路の全長にわたる任意の途中の点への接続にも適用できる。ここでは、螺旋パターンが（協働して環状リングを形成する）半円セグメントにより形成されるように示されているが、セグメントの全体の形状は、正方形、長方形、楕円形、八角形、あるいは、任意の他の形状であっても良い。セグメントは、半円である必要はなく、図４に示されるような四分円、あるいは、任意の他の形状であっても良く、また、セグメントを互いに接続して螺旋経路を形成する方法は、特定の形状および必要なレイアウトに適するように変えることができる。
【００４３】
径方向の相互接続経路は理想的な接続を与えるが、相互接続経路は完全に径方向ではない方向をとることもできる。すなわち、相互接続経路は、螺旋経路を形成するトラックと平行に向けられる小さな構成要素と重要な径方向の構成要素とを有している。好ましくは、完全に径方向でない経路が使用される場合、中間の点の位置は、任意の影響に対応するように変えられる。
【００４４】
前述した実施形態では、２つの並列な経路が端子間に示されており、両方の経路の中間の点に対して接続が行なわれている。本発明は、任意の数の並列経路に対して適用できるが、並列経路間のバランスを維持するため、並列経路を２の倍数で設けることが好ましい。
【００４５】
図１を参照すると、プレーナインダクタは、中点１５を有する螺旋状の単一の導電経路を有している。全ての接続を１つの共通の点で行なうことができるように中点１５と端子１０，１２に隣接する位置との間で接続経路をルート付けることが望ましい。中点に対する接続経路は、２つの径方向に向けられた経路、すなわち、中点１５とパターンの中心点との間の一方の経路と、図５に示される態様と同じ態様での端末１０，１２間の点と中心点との間の他の経路とによって達成することができる。結果が図８に示されている。あるいは、中点に対する接続経路は、図６に示される態様と同じ態様で、螺旋パターンを形成するセグメントの内側（または外側）にそれらと平行に位置する円弧状のトラックを含むことができる。中点タップの位置は、このトラックを使用する影響をオフセットするように変えられる必要がある。
【００４６】
本発明の原理は、相互接続がインダクタに対する接続を意図していない場合であっても、インダクタの近傍にある全ての相互接続に対しても適用できる。図９は、感度の良い増幅器の入力などの第１の接続点を表わすＡと、増幅器の入力を厄介な高周波信号から保護しなければならないデカップリングフィルタに対する接続部などの第２の接続点を表わすＢとを伴う一例を示している。経路１０１によって示されるように、点Ａと点Ｂとの間の接続経路ができる限り短く形成されると、コイルに起因して、経路中に妨害電圧が誘導される場合がある。経路１０２として示される更に長い経路を使用することにより、誘導された妨害電圧が最小限に抑えられる。経路１０２は、ほぼ径方向に向けられた（部分１０２Ｃ，１０２Ｇ）或いは螺旋パターンを形成するトラックと略平行な部分１０２Ａ−Ｇを備えている。ここで示される複数の真直ぐな部分に優先して、湾曲した接続経路が使用されても良い。
【００４７】
本発明はここに記載された実施形態に限定されず、これらの実施形態を本発明の範囲から逸脱することなく修正し或いは変形しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】プレーナインダクタの一例を示している。
【図２】プレーナインダクタの一例を示している。
【図３】線質（Ｑ）係数を高めるために平行な導電経路を有するプレーナインダクタを示している。
【図４】線質（Ｑ）係数を高めるために平行な導電経路を有するプレーナインダクタを示している。
【図５】螺旋パターンの中心点を介してインダクタの中間点に対して接続が行なわれる本発明の一実施形態を示している。
【図６】螺旋パターン内の更なる導電トラックを介してインダクタの中間点に対して接続が行なわれる本発明の他の実施形態を示している。
【図７】螺旋パターンの外側の更なる導電トラックを介してインダクタの中間点に対して接続が行なわれる本発明の更なる実施形態を示している。
【図８】螺旋パターンの中心点を介してインダクタの中間点に対して接続が行なわれる本発明の更なる実施形態を示している。
【図９】プレーナインダクタの近傍の端子を接続する方法を示している。
【符号の説明】
【００４９】
５１  第１の端子
５２  第２の端子
５３Ａ〜５３Ｄ、５４Ａ〜５４Ｄ  セグメント
５５  リンク
５６  ビアホール
６１Ａ，６１Ｂ  クロス
６２Ａ，６２Ｂ  接続リンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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