(57)【要約】  本発明は、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）プロセスによって基板（１）の上に二酸化ケイ素層（２）を堆積するステップであって、膜堆積のソース材料としてテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）の流れと、ＴＥＯＳと反応しない希釈ガスの流れとを、希釈ガス／ＴＥＯＳの流量比が０．５から１００であるように、同時に使用するステップと、前記二酸化ケイ素層を、６００℃から１２００℃の温度で、１０分から６時間の継続時間の間アニールするステップとを含んだ、粗さの小さい二酸化ケイ素層（２）を製造する方法に関する。
2008513600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗さの小さい二酸化ケイ素層（２）を製造する方法であって、
−  減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）プロセスによって基板（１）の上に二酸化ケイ素層（２）を堆積するステップであって、膜堆積のソース材料としてテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）の流れと、ＴＥＯＳと反応しない希釈ガスの流れとを、希釈ガス／ＴＥＯＳの比が０．５から１００までであるように、同時に使用するステップと、
−  前記二酸化ケイ素層を、６００℃から１２００℃の温度で、１０分から６時間の継続時間の間アニールするステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記希釈ガスは、窒素、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、およびこれらの混合物の中から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アニールは、７００℃から９００℃の温度で、１から４時間の継続時間の間行われることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記アニールは、窒素、アルゴンまたはヘリウムまたはこれらの混合物を含む不活性雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記堆積プロセス中の前記窒素／ＴＥＯＳ比は、２から１０であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記堆積プロセス中の前記窒素／ＴＥＯＳ比は、約３．６であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積温度は、６２５℃から７２５℃であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記堆積温度は、６５０℃から７００℃であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記堆積温度は、約６７５℃であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記堆積圧力は、１０から１０００Ｐａであることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記堆積圧力は、５０から１５０Ｐａであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記堆積圧力は、約１００Ｐａであることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＴＥＯＳ流量は、１０から２００ｓｃｃｍであり、前記窒素流量は１０から２０００ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記ＴＥＯＳ流量は、５０から９０ｓｃｃｍであり、前記窒素流量は１００から５００ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＴＥＯＳ流量は、約７０ｓｃｃｍであり、前記窒素流量は約２５０ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
酸素流量は、前記窒素／ＴＥＯＳ混合物に追加され、前記酸素流量は５から１００ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記酸素流量は、１０から４０ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記酸素流量は、約２５ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記二酸化ケイ素層（２）の厚さは、１０から４００ｎｍであることを特徴とする請求項１から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
特に光学、オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクスの分野の用途のために、埋込み二酸化ケイ素層（２）を有する複合基板（４）を製造する方法であって、
ａ）請求項１から１９のいずれかに従った方法で、「ソース基板」と呼ばれる第１の基板（１）上に二酸化ケイ素層（２）を堆積するステップと、
ｂ）前記ソース基板の中に原子種を打ち込んで、前記基板の残り部分（１２）から薄い上層（１１）をはっきり区別する弱いゾーン（１０）を画定するステップであって、前記薄い上層（１１）が前記二酸化ケイ素層（２）と接触しているステップと、
ｃ）「支持基板」と呼ばれる第２の基板（３）を分子接着によって前記二酸化ケイ素層（２）に直接に結合するステップと、
ｄ）前記複合基板（４）を得るために、前記ソース基板（１）の前記残り部分（１２）を前記弱いゾーン（１０）に沿って分離するステップ
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２１】
ソース基板（１）は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、またはストレインド・シリコンから選ばれた材料を含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、光学、オプトエレクトロニクス、またはエレクトロニクスの分野での用途のために、基板に堆積された粗さの小さい二酸化ケイ素層を製造する方法、およびそのような二酸化ケイ素層を埋込み層として含む複合基板またはウェーハを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
つながれた図１Ａから１Ｅは、そのような複合基板を製造するために使用される従来技術の方法の様々なステップを示す。
【０００３】
図１Ａで理解することができるように、後で複合基板の上層を構成する材料を供給するために使用されるので「ソース基板」と呼ばれるバルク基板１に、最初に、二酸化ケイ素層２が堆積される。得たい複合基板の種類を考慮して、そのようなソース基板は、例えば、シリコン、シリコンゲルマニウム、ストレインド・シリコンまたはゲルマニウムである可能性がある。
【０００４】
二酸化ケイ素層２の堆積を実現するために使用される様々な技術のうちで、１つは頭文字「ＬＰＣＶＤ  ＴＥＯＳ」で当業者に知られており、この頭文字「ＬＰＣＶＤ  ＴＥＯＳ」は、ソース材料として「テトラエチルオルトシリケート」を使用するシリコン酸化膜の「減圧化学気相成長」を意味する。
【０００５】
そのような堆積は、基板または基板１のバッチをＬＰＣＶＤ反応炉の中に導入し、さらにその基板を反応炉中で、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）のソース材料としてＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）4の化学式であるテトラエチルオルトシリケートにさらすことによって行われる。
【０００６】
このプロセスは、低温または高温堆積プロセスのような他の酸化物堆積プロセスに比べて、得られた酸化物層の均一性または密度の点で、ある特定の利点を提供する。
【０００７】
次に、このようにして得られた二酸化物層２は、構造的および電気的特性を改善するために、熱アニールにかけられる。
【０００８】
しかし、ＴＥＯＳで堆積された層は、熱成長層よりも相当に大きな表面粗さを有している。したがって、二酸化ケイ素層２を他の基板と結合する前に、二酸化ケイ素層２の自由表面を平滑化する追加の化学機械研磨（ＣＭＰ）ステップが必要とされる。
【０００９】
そうするために、研磨ペーストまたは研磨液と共に研磨ヘッド４を使用する（図１Ｂで理解できるように）。
【００１０】
次に、図１Ｃで理解することができるように、原子種を打ち込むことによって、ソース基板１の中に弱いゾーン１０が作られる。
【００１１】
用語「原子種打込み」は、分子またはイオン、原子種のボンバードを意味し、このボンバードは、前記種の最大濃度がボンバード表面から所定の深さのところにある状態でソース基板１の材料に前記種を導入することができる。その所定深さは、この場合には、好ましくは、二酸化ケイ素層２の厚さよりも大きい。分子、イオン、または原子種は、ほぼ最大に分布するエネルギーで材料中に導入される。
【００１２】
原子種の前記ソース基板１中への打込みは、例えば、イオンビーム打込み装置またはプラズマ打込み装置を使用して行うことができる。
【００１３】
好ましくは、前記の打込みは、イオンボンバードで行われる。より好ましくは、打ち込まれるイオン種は、水素である。希ガス（例えば、ヘリウム）のイオンなどの他のイオン種を、単独で、または水素と組み合わせて、有利に使用することができる。
【００１４】
弱いゾーン１０は、２つの部分すなわち薄い上層１１と基板の残り部分１２の間の境界をはっきり示す。
【００１５】
例として、商品名「スマートカット」で知られている方法に関する文献を参照することができる。
【００１６】
次に、支持基板３は、分子結合によって、二酸化ケイ素層２の自由表面に結合される（図１Ｄを参照されたい）。
【００１７】
最後に、図１Ｅで理解することができるように、残り部分１２が弱いゾーン１０に沿ってソース基板１から分離されて、支持基板３付きの二酸化ケイ素層２の上に上層１１だけが保持される。
【００１８】
分離に関して、次の技術のうちの１つを、単独か組合せかで使用することができる。すなわち、機械的または電気的原因の応力を加えること、化学エッチング、またはエネルギー（レーザ、マイクロ波、誘導加熱、および炉処理）を供給すること。前記の分離技術は、当業者には知られており、ここでより詳細に説明しない。
【００１９】
このようにして得られた複合基板は、４で参照される。
【００２０】
上述のプロセスでは、図１Ｂの研磨ステップには、結果として得られた層２の均一性の不足、プロセスの再現性の不足、およびプロセスの低処理能力のような多数の欠点がある。
【００２１】
さらに、この追加のステップのために、各基板またはウェーハの製造コストが上がる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明の目的は、上述の欠点を克服すること、特に、化学機械研磨のステップを削除することである。
【００２３】
したがって、表面粗さ、均一性および粒子密度の点で基板直接結合基準を満たし、かつ埋込み酸化物層として使用することができる高品質二酸化ケイ素層２を得るために、本発明は、ＬＰＣＶＤ  ＴＥＯＳ堆積プロセスを改善することを意図する。
【００２４】
最後に、本発明は、また、優れた電気的特長を有する界面を設けることを意図した。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
この目的のために、本発明は、粗さの小さい二酸化ケイ素層を製造する方法を提供する。
【００２６】
この方法は、
−  減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）プロセスによって基板の上に二酸化ケイ素層を堆積するステップであって、膜堆積のソース材料としてテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）の流れと、ＴＥＯＳと反応しない希釈ガスの流れとを、希釈ガス／ＴＥＯＳの比が０．５から１００までであるように、同時に使用するステップと、
−  前記二酸化ケイ素層を、６００℃から１２００℃の温度で、１０分から６時間までの継続時間の間アニールするステップとを含むことを特徴とする。
【００２７】
好ましくは、希釈ガスは、窒素、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）およびこれらの混合物の中から選ばれる。
【００２８】
好ましくは、アニールは、７００℃から９００℃の温度で、１から４時間までの継続時間の間行われる。
【００２９】
有利なことに、アニールは、窒素、アルゴンまたはヘリウムまたはこれらの混合物を含む不活性雰囲気中で行われる。
【００３０】
本発明の次の他の有利であるが限定されない特徴は、単独で、または組み合わせて利用することができる。すなわち、
−  堆積プロセス中の窒素／ＴＥＯＳ比は、好ましくは、２から１０までであり、より好ましくは約３．６である。  
−  堆積温度は、好ましくは６２５℃から７２５℃、より好ましくは６５０℃から７００℃、最も好ましくは約６７５℃である。  
−  堆積圧力は、好ましくは１０から１０００Ｐａ、より好ましくは５０から１５０Ｐａ、最も好ましくは約１００Ｐａである。  
−  ＴＥＯＳ流量は、好ましくは１０から２００ｓｃｃｍ、より好ましくは５０から９０ｓｃｃｍ、最も好ましくは約７０ｓｃｃｍであり、窒素流量は、好ましくは１０から２０００ｓｃｃｍであり、より好ましくは１００から５００ｓｃｃｍであり、最も好ましくは約２５０ｓｃｃｍである。
【００３１】
有利なことには、酸素流量が窒素／ＴＥＯＳ混合物に追加され、酸素流量は、５から１００ｓｃｃｍであり、好ましくは１０から４０ｓｃｃｍであり、より好ましくは約２５ｓｃｃｍである。
【００３２】
好ましくは、前記二酸化ケイ素層の厚さは、１０から４００ｎｍである。
【００３３】
本発明は、また、特に光学、オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクスの分野の用途のために、埋込み二酸化ケイ素層を有する複合基板を製造する方法を提供する。
【００３４】
この方法は、
ａ）先に言及したいずれかに従った方法で、「ソース基板」と呼ばれる第１の基板上に二酸化ケイ素層を堆積するステップと、
ｂ）前記ソース基板の中に原子種を打ち込んで、前記基板の残り部分から薄い上層をはっきり区別する弱いゾーンを画定するステップであって、前記薄い上層が前記二酸化ケイ素層と接触しているステップと、
ｃ）「支持基板」と呼ばれる第２の基板を分子接着によって二酸化ケイ素層に直接結合するステップと、
ｄ）前記複合基板を得るために、ソース基板の残り部分を前記弱いゾーンに沿って分離するステップとを備える。
【００３５】
有利なことには、ソース基板は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）またはストレインド・シリコンから選ばれた材料で作られる。
【００３６】
本発明の他の特徴および有利点は、本発明についての次の説明から明らかになる。
【００３７】
この説明は、添付の図面を参照して行われる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明に従って、図１Ａの二酸化ケイ素堆積ステップは、以下で述べるように改善される。
【００３９】
本発明者は、今回、「ＬＰＣＶＤ  ＴＥＯＳ」堆積プロセスで得られる二酸化ケイ素層の粗さは、堆積プロセス中にＴＥＯＳの流れと同時に希釈ガスの流れを使用することで下げることができることを発見した。好ましくは、希釈ガスは窒素であるが、ＴＥＯＳと反応しないどんな他のガスであってもよく、その中でアルゴン（Ａｒ）およびヘリウム（Ｈｅ）は、限定されない例である。代替法として、そのような非反応性ガスの混合物を使用することができる。
【００４０】
次に、最善の作業条件を決定する試みについて説明する。
【００４１】
二酸化ケイ素の堆積は、減圧気相化学堆積（ＬＰＶＣＤ）プロセスで行われた。このプロセスは、本来、
−  ＬＰＣＶＤ反応炉のプロセスチャンバの中にソース基板のバッチを導入すること、
−  ガス反応物間の化学反応の結果として二酸化ケイ素層を形成するために、高温減圧下で異なる化学反応物のガスの流れを導入すること、にある。
【００４２】
これらの試みで使用された反応炉は、ＡＳＭ社で販売されている「Ａ４００」の商品名で知られている縦型バッチ反応炉であった。
【００４３】
ガス反応物は、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、酸素、および、いくつかの場合には、窒素であった。
【００４４】
ＴＥＯＳは、室温で液体である比較的不活性な材料である。ＴＥＯＳ蒸気は、窒素またはアルゴンのようなキャリアガスを使用してバブラからか、または、直接液体注入システムから、反応炉のプロセスチャンバに供給することができる。
【００４５】
１）比較プロセス
ａ）プロセスＡ
下で表１に挙げる作業条件を使用して、３つの二酸化ケイ素層が、３個のシリコン基板上にそれぞれ製造された。
【００４６】
【表１】
2008513600.tif 000003
【００４７】
二酸化ケイ素層は、次の化学反応によって形成される。
【００４８】
Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4（液体）→ＳｉＯ2（固体）＋４Ｃ2Ｈ4（気体）＋２Ｈ2Ｏ（気体）
この場合、窒素は、プロセスチャンバをパージするためだけに使用され、堆積ステップ中には存在していない。
【００４９】
堆積プロセスは、異なる厚さの二酸化ケイ素層を得るために繰り返された。
【００５０】
このプロセスは、プロセスＡと呼ぶ。
【００５１】
ｂ）プロセスＢ
堆積圧力が、７５０ｍＴｏｒｒ（１００Ｐａ）ではなく１２００ｍＴｏｒｒ（１６０Ｐａ）であることを除いて、表１に挙げる作業条件を使用してプロセスＡが繰り返された。
【００５２】
このプロセスをプロセスＢと呼ぶ。
【００５３】
ｃ）プロセスＣ
堆積温度が６７５℃ではなく６３５℃であり、さらにＴＥＯＳ流量が７０ｓｃｃｍではなく５０ｓｃｃｍであることを除いて、表１に挙げる作業条件を使用してプロセスＡが繰り返された。
【００５４】
このプロセスをプロセスＣと呼ぶ。
【００５５】
２）本発明に従ったプロセス
ａ）プロセスＤ
上述のプロセスが繰り返されたが、下で表２に挙げる作業条件で繰り返された。
【００５６】
【表２】
2008513600.tif 000004
【００５７】
このプロセスをプロセスＤと呼ぶ。
【００５８】
ｂ）プロセスＥ
５００ｓｃｃｍではなく２５０ｓｃｃｍの窒素流量を用いることを除いて、プロセスＤが繰り返された。
【００５９】
このプロセスをプロセスＥと呼ぶ。
【００６０】
上述の５つのプロセスの主な堆積パラメータは、下で表３に要約される。
【００６１】
【表３】
2008513600.tif 000005
【００６２】
次に、様々な二酸化ケイ素層を、窒素またはアルゴン中、大気圧、７００から９００℃の温度で、１から４時間のアニールステップにかけた。
【００６３】
アニールステップで得られた二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）層の高密度化の後で、このＳｉＯ2層の厚さが、ＡＤＥ  ＡＣＵＭＡＰ反射計で測定された。
【００６４】
その結果が図２に示されている。
【００６５】
図２のグラフは、プロセスＡからＥで得られたＳｉＯ2層について、高密度化後のＳｉＯ2層のオングストローム（０．１ｎｍ）単位の厚さの標準偏差（ＳＤＴ）対オングストローム（０．１ｎｍ）単位の堆積後の平均厚さ（ＭＴ）を表す。
【００６６】
前記の図で理解することができるように、厚さ均一性の点で優れた結果がプロセスＤで得られ、さらに優れた結果が、特に２００ｎｍより下の厚さに関して、プロセスＥで得られた。
【００６７】
さらに、粗さ測定が、様々な高密度化酸化物層の中心の１×１μｍ2走査のＡＦＭ技術で、行われた。
【００６８】
結果が図３に示されている。
【００６９】
図３のグラフは、プロセスＡからＥで得られたＳｉＯ2層について、オングストローム（０．１ｎｍ）単位の粗さＲＭＳ値（Ｒ）対オングストローム（０．１ｎｍ）単位の堆積後平均厚さ（ＭＴ）を表す。
【００７０】
そのような粗さ測定の狙いは、支持基板へ直接に結合される酸化物層の能力をはっきり特徴づけることである。
【００７１】
この結合は、一般に、０．５５ｎｍより下の粗さで可能になる。
【００７２】
図３で理解することができるように、堆積が厚いほど、堆積は粗くなる。それにもかかわらず、与えられた厚さで、プロセスＥが最善の結果、すなわち小さな粗さをもたらす。
【００７３】
加えて、結合エネルギーをさらに高めるために、結合される表面の一方または両方のプラズマ活性化処理を達成することができる。
【００７４】
最後に、本発明のプロセスに従った最善の作業条件は、次のように要約することができる。
【００７５】
ＴＥＯＳ：好ましくは１０から２００ｓｃｃｍ、より好ましくは５０から９０ｓｃｃｍ、最も好ましくは約７０ｓｃｃｍ。
【００７６】
酸素流量：好ましくは５から１００ｓｃｃｍ、より好ましくは１０から４０ｓｃｃｍ、最も好ましくは約２５ｓｃｃｍ。
【００７７】
窒素流量：好ましくは１０から２０００ｓｃｃｍ、より好ましくは１００から５００ｓｃｃｍ、最も好ましくは約２５０ｓｃｃｍ。
【００７８】
窒素対テトラエチルオルトシリケートの比：好ましくは０．５から１００、より好ましくは２から１０、最も好ましくは約３．６ｓｃｃｍ。
【００７９】
堆積温度：好ましくは６２５℃から７２５℃、より好ましくは６５０℃から７００℃、最も好ましくは約６７５℃。
【００８０】
堆積圧力：好ましくは１０から１０００Ｐａ、より好ましくは５０から１５０Ｐａ、最も好ましくは約１００Ｐａ。
【００８１】
アニール条件：好ましくは６００℃から１２００℃の温度で１０分から６時間の継続時間の間、より好ましくは７００から９００℃の温度で１から４時間の継続時間の間。
【００８２】
アニールは、大気圧で操作するアニール炉で最も簡単に行われるが、アニールは、もっと低い圧力またはもっと高い圧力で行うことができる。上で定義された範囲内の作業条件は、例えば反応炉の形状および寸法のような特定の堆積反応炉の条件に依存している。
【００８３】
さらに、アニール雰囲気は、非常にクリティカルであると思われなかった。窒素、アルゴンまたはヘリウムのような不活性アニール雰囲気には、堆積された酸化物層の下の基板が酸化されないという利点があるが、空気または窒素／空気混合物のような酸化雰囲気だけでなく不活性雰囲気でのアニールも両方とも、膜の表面粗さを減少させた。
【００８４】
製造プロセスでは、アニール中の下の基板の酸化は望ましくないので、不活性アニール雰囲気が好ましいことは明らかである。
【００８５】
本発明は、また、図１Ａから１Ｅを参照して先に説明したような、しかしＬＰＣＶＤのステップが上述のプロセスに従って実現される複合基板４の製造方法を提供する。
【００８６】
さらに、図１Ｂの従来技術のＣＭＰステップは削除される。
【００８７】
例として、「シリコンオンインシュレータ」、「シリコンゲルマニウムオンインシュレータ」、「ストレインド・シリコンオンインシュレータ」、および「ゲルマニウムオンインシュレータ」をそれぞれ意味する頭文字「ＳＯＩ」、「ＳＧＯＩ」、「ｓＳＯＩ」、および「ＧＯＩ」で知られている基板は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ストレインド・シリコン、およびゲルマニウムをソース基板１としてそれぞれ使用することによって、このように、得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１Ａ】埋込み二酸化ケイ素層を有する複合基板を製造する従来技術の方法で使用される様々なステップを説明する図である。
【図１Ｂ】埋込み二酸化ケイ素層を有する複合基板を製造する従来技術の方法で使用される様々なステップを説明する図である。
【図１Ｃ】埋込み二酸化ケイ素層を有する複合基板を製造する従来技術の方法で使用される様々なステップを説明する図である。
【図１Ｄ】埋込み二酸化ケイ素層を有する複合基板を製造する従来技術の方法で使用される様々なステップを説明する図である。
【図１Ｅ】埋込み二酸化ケイ素層を有する複合基板を製造する従来技術の方法で使用される様々なステップを説明する図である。
【図２】二酸化ケイ素層の平均厚さ値（ＭＴ）の関数として二酸化ケイ素層の厚さの標準偏差（ＳＤＴ）を示すグラフであり、二酸化ケイ素層は、様々な「ＬＰＣＶＤ  ＴＥＯＳ」プロセスに従って堆積され、そのプロセスの幾つかは本発明に対応するものであり、他は比較プロセスに対応するものもある。
【図３】二酸化ケイ素層の平均厚さ値（ＭＴ）の関数として二酸化ケイ素層の粗さ（Ｒ）を示すグラフであり、二酸化ケイ素層は、様々な「ＬＰＣＶＤ  ＴＥＯＳ」プロセスに従って堆積され、そのプロセスの幾つかは本発明に対応するものであり、他は比較プロセスに対応するものもある。
【図１Ａ】
2008513600.tif 000006
【図１Ｂ】
2008513600.tif 000007
【図１Ｃ】
2008513600.tif 000008
【図１Ｄ】
2008513600.tif 000009
【図１Ｅ】
2008513600.tif 000010
【図２】
2008513600.tif 000011
【図３】
2008513600.tif 000012
【国際調査報告】
2008513600.tif 000013
2008513600.tif 000014
2008513600.tif 000015