(57)【要約】  本発明は、光起電力活性半導体材料を有する光起電力セルであって、光起電力活性半導体材料が、式（Ｉ）（Ｚｎ1-xＭｎxＴｅ）1-y（ＳｉaＴｅb）y  （Ｉ）［式中、ｘは、０．０１〜０．９９の数であり、ｙは、０．０１〜０．２の数であり、ａは、１〜２の数であり、かつｂは、１〜３の数である］の混合化合物を有するｐドープ又はｎドープ半導体材料である光起電力セルに関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電力活性半導体材料を有する光起電力セルであって、光起電力活性半導体材料が、式（Ｉ）
（Ｚｎ1-xＭｎxＴｅ）1-y（ＳｉaＴｅb）y  （Ｉ）
［式中、ｘは、０．０１〜０．９９の数であり、
ｙは、０．０１〜０．２の数であり、
ａは、１〜２の数であり、かつ
ｂは、１〜３の数である］の混合化合物を有するｐドープ又はｎドープ半導体材料であることを特徴とする光起電力セル。
【請求項２】
ｐドープ半導体材料が、Ａｓ及びＰの群からの少なくとも１種の元素を０．１原子％までの原子濃度割合で含有し、かつｎドープ半導体材料が、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａの群からの少なくとも１種の元素を０．５原子％までの原子濃度割合で含有することを特徴とする、請求項１に記載の光起電力セル。
【請求項３】
基板と、０．１〜１０μｍの厚さを有するｐドープ半導体材料からのｐ層と、０．１〜１０μｍの厚さを有するｎドープ半導体材料からのｎ層とを有する、請求項１又は２に記載の光起電力セル。
【請求項４】
基板がフレキシブルな金属箔又はフレキシブルな金属板であることを特徴とする、請求項３に記載の光起電力セル。
【請求項５】
請求項１から４までの何れか１項に記載の光起電力セルの製造方法において、基板を、ｐドープ半導体材料からの層及びｎドープ半導体材料からの層のそれぞれ少なくとも１種で被覆し、その際、これらの層は０．１〜１０μｍの厚さを有することを特徴とする方法。
【請求項６】
被覆が、スパッタリング、レーザーアブレーション、電気化学堆積又は無電解堆積の群からの少なくとも１種の堆積法を含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
スパッタリングのために、亜鉛、マンガン、テルル及びケイ素を含有するスパッタリングターゲットを、構成成分を一緒に溶融させることにより製造することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
スパッタリングターゲットの製造のために、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｅ及びＳｉを少なくとも９９．５％の純度で使用し、かつＺｎ、Ｍｎ、Ｔｅ及びＳｉaＴｅbを脱水された石英管中で真空下で１２００〜１４００℃の温度で溶融させることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
スパッタリングターゲットの製造の際に、ｐドーピング又はｎドーピングのためのドープ元素をスパッタリングターゲット中に導入することを特徴とする、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
無電解堆積のために、Ｚｎ2+−、Ｍｎ2+−及びＴｅＯ32-イオンを含有する水溶液を３０〜９０℃の温度で、還元剤としての次亜リン酸Ｈ3ＰＯ2を用いて基板の存在下で架橋させることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
以下の工程段階：
ａ）基板を、Ｚｎ1-xＭｎxＴｅからの第１の層で被覆する段階、
ｂ）この第１の層中にＳｉを導入して式（Ｉ）の混合化合物を製造する段階、
ｃ）ドナー原子又はアクセプター原子を用いてｐドーピング又はｎドーピングを生じさせる段階、
ｄ）この第１の層を、Ｚｎ1-xＭｎxＴｅからの第２の層で被覆する段階、
ｅ）この第２の層中にケイ素を導入して式（Ｉ）の混合化合物を製造する段階、
ｆ）アクセプター原子又はドナー原子を用いてｎドーピング又はｐドーピングを生じさせる段階、及び
ｇ）この第２の層上に導電性透明層及び保護層を施与する段階
を特徴とする、請求項６から１０までの何れか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の詳細な説明
本発明は、光起電力セル及び該光起電力セルに含まれる光起電力活性半導体材料に関する。
【０００２】
光起電力活性材料は、光を電気エネルギーに変換する半導体である。これについての基礎は長きにわたり公知であり、かつ工業的に利用されている。工業的に使用されている多くの太陽電池はほとんど、結晶ケイ素（単結晶又は多結晶）を基礎としている。ｐ導電型及びｎ導電型ケイ素間の境界層においては、入射する光子がこの半導体の電子を励起することで、それが価電子帯から伝導帯に引き上げられる。
【０００３】
この価電子帯と伝導帯との間のエネルギーギャップの高さは、太陽電池の最大に可能な効率を制限する。ケイ素の場合、日光照射の際にこれは約３０％である。これに対して、実際は約１５％の効率が達せられる。それというのも、電荷キャリアの一部が種々の工程により再結合するか又は別のメカニズムにより不活性化され、そして利用がなされなくなるからである。
【０００４】
ＤＥ１０２２３７４４Ａ１からは、効率を減少させる損失メカニズムを軽減した程度で有する代替的な光起電力活性材料及びそれを含有する光起電力セルが公知である。
【０００５】
ケイ素は、エネルギーギャップが約１．１ｅＶであるので、この利用のための極めて良好な値を有する。エネルギーギャップの減少により、多くの電荷キャリアが伝導帯に輸送されるが、電池電圧は小さい。これに対応して、より大きいエネルギーギャップの場合には、より大きい電池電圧が達せられるが、励起のための光子が少なく存在するので、利用可能な小さい電流が提供される。
【０００６】
種々のエネルギーギャップを有する半導体の直列のような多くの配列、いわゆるタンデム電池が、より高い効率を達成するために提案されている。しかしながら、これはその複雑な構成のために、経済的にほとんど実現することができない。
【０００７】
新たな概念は、このエネルギーギャップの内部に中間準位を生じさせることにある（アップコンバージョン）。この概念は、例えば、Proceedings of the 14th Workshop on Quantum Solar Energy Conversion-Quantasol 2002, March, 17-23, 2002, Rauris, Salzburg、Oesterreich, "Improving solar cells efficiencies by the up-conversion", Tl. Trupke, M.A. Green. P. Wuerfel、又は"Increasing the Efficiency of Ideal Solar Cells by Photon Induced Tranisitions at intermediate Levels", A. Luque and A. Marti, Phys. Rev. Letters, Vol. 78, Nr. 26, June 1997, 5014-5017.に記載されている。１．９９５ｅＶのバンドギャップ及び０．７１３ｅＶでの中間準位のエネルギーについては、計算上６３．１７％の最大効率がもたらされる。
【０００８】
分光法的には、かかる中間準位は例えば系Ｃｄ1-yＭｎyＯxＴｅ1-x又はＺｎ1-xＭｎxＯxＴｅ1-yにおいて検出された。このことは、"Band anticrossing in group II-OxVI1-x highly mismatched alloys: Cd1-yMnyOxTe1-x quaternaries synthesized by O ion "Implantation", W. Walukiewicz et al., Appl. Phys. Letters, Vol 80, Nr. 9. March 2002, 1571-1573及び"Synthesis and optical properties of II-O-VI highly mismatched alloys", W. Walukiewicz et al., J. Appl. Phys. Vol. 95, Nr. 11, June 2004, 6232-6238に記載されている。従って、バンドギャップ中における望ましいエネルギー中間準位は、アニオン格子中で、テルルアニオンの一部を主として電気陰性の酸素で置き換えることにより高められる。この場合、テルルを薄膜におけるイオンインプランテーションにより酸素で置き換える。この物質クラスの主な欠点は、半導体中における酸素の溶解度が極めて小さいことである。その結果、例えば、Ｚｎ1-xＭｎxＴｅ1-yＯyで示され、その式中、ｙは０．００１より大きい化合物は熱力学的に安定ではない。この化合物は、より長い時間にわたって照射した場合、安定なテルル化物及び酸化物になる。テルルの１０原子％までの酸素の使用は望ましいが、かかる化合物は安定ではない。
【０００９】
室温で２．３２ｅＶの直接バンドギャップを有するテルル化亜鉛は、その大きいバンドギャップのために、中間準位技術のための理想的な半導体である。亜鉛は、テルル化亜鉛においてマンガンで良好に連続的に置換することができ、その際、バンドギャップはＭｎＴｅの場合に約２．８ｅＶに増大する（"Optical Properties of epitaxial Zn Mn Te and ZnMgTe films for a wide rａnge of alloy compostions", X. Liu et al., J. Appl. Phys. Vol. 91, Nr. 5, March 2002, 2859-2865; "Bandgap of Zn1-xMnxTe: non linear dependence on compostion and temperature". H.C. Mertins et al., Semicond. Sei. Technol. 8 (1993) 1634-1638）。
【００１０】
Ｚｎ1-xＭｎxＴｅは、０．２モル％までのリンでｐ導電型にドープすることができ、その際、電気伝導率は１０〜３０Ω-1ｃｍ-1に達せられる（"Electrical and Magnetic Properties of Phosphorus Doped Bulk Zn1-xMnxTe", Le Van Khoi et al., Mol-davian Journal of Physical Sciences, Nr. 1,2002,11-14）。亜鉛のアルミニウムでの部分的な置き換えにより、ｎ導電型の種類が得られる（"Aluminium-doped n-type ZnTe layers grown by molecular-beam epitaxy", J.H. Chang et al., Appl. Phys. Letters, Vol 79, Nr. 6, august 2001, 785-787; "Aluminium doping of ZnTe grown by MOPVE", S.L. Gheyas et al., Appl. Surface Science 100/101 (1996) 634-638; "Electrical Transport and Photoelectronic Properties of ZnTe: AI Crystals", T.L. Lavsen et al., J. Appl. Phys.,Vol 43, Nr. 1, Jan 1972, 172-182）。約４*１０18Ａｌ／ｃｍ3のドーピング度では、約５０〜６０Ω-1ｃｍ-1の電気伝導率が達せられることができる。
【００１１】
本発明の課題は、従来技術の欠点を回避する高効率及び高い導電率を有する光起電力セルを提供することである。更に、本発明の課題は、特に、熱力学的に安定な光起電力活性半導体材料を有し、該半導体材料がそのエネルギーギャップ中に中間準位を有する光起電力セルを提供することである。
【００１２】
前記課題は、本発明により、光起電力活性半導体材料を有する光起電力セルであって、光起電力活性半導体材料が、式（Ｉ）
（Ｚｎ1-xＭｎxＴｅ）1-y（ＳｉaＴｅb）y  （Ｉ）：
［式中、ｘは、０．０１〜０．９９の数であり、
ｙは、０．００１〜０．２の数であり、
ａは、１〜２の数であり、かつ
ｂは、１〜３の数である］の混合化合物を有するｐドープ又はｎドープ半導体材料であることを特徴とする光起電力セルにより解決される。
【００１３】
驚くべきことに、これを用いると、前記課題は、上述の文献から見込まれるものとは異なって完全に解決される。エネルギーギャップ中における中間準位の発生のために、テルルを主として電気陰性元素で置き換えるではなく、ケイ素を式Ｚｎ1-xＭｎxＴｅを有する半導体材料中に導入する。このことは驚くべきことである。それというのも、ケイ素の電気陰性度は１．９であり、テルルの電気陰性度２．１とはわずかに異なるにすぎないからである。
【００１４】
変数ｘは、０．０１〜０．９９の値をとってよく、ｙは０．００１〜０．２、好ましくは０．００５〜０．１の値をとってよい。変数ａは１〜２の値をとってよく、ｂは１〜３の値をとってよい。好ましくは、ａは２であり、かつｂは３であり、これは化学量論比Ｓｉ2Ｔｅ3としてもたらされる。
【００１５】
本発明にかかる光起電力セルは、使用される光起電力活性半導体材料がテルル化ケイ素の導入後でも熱力学的に安定であるという利点を有する。更に、本発明にかかる光起電力セルは、高効率（６０％まで）を有する。それというのも、テルル化ケイ素ＳｉaＴｅbにより光起電力活性半導体材料のエネルギーギャップ中に中間準位を生じさせるからである。中間準位を有しない場合、少なくともエネルギーギャップのエネルギーを有する光子のみが電子又は電荷キャリアを価電子帯から伝導帯に引き上げることができるにすぎない。より大きいエネルギーの光子は効率にも寄与し、その際、バンドギャップと比べて過剰なエネルギーは熱として失われる。本発明に使用される半導体材料の場合に存在し、かつ部分的に占有されることができる中間準位の場合、多くの光子が励起に寄与する。
【００１６】
本発明にかかる光起電力セルは、ｐドープ及びｎドープ半導体材料を収容するように構成され、その際、この両方の半導体材料は互いに接しており、ｐｎ遷移が形成される。この場合、ｐドープ半導体材料もｎドープ半導体材料も、主として式（Ｉ）の混合化合物からなり、その際、この材料は更に、ｐドープ半導体材料中においてはドナーイオンで、かつｎドープ半導体材料中においてはアクセプターイオンでドープされている。
【００１７】
好ましくは、ｐドープ半導体材料は、Ａｓ及びＰの群からの少なくとも１種の元素を、０．１原子％までの原子濃度割合で含有し、かつｎドープ半導体材料は、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａの群からの少なくとも１種の元素を、０．５原子％までの原子濃度割合で含有する。好ましくは、ドープ元素はアルミニウム及びリンである。
【００１８】
本発明にかかる光起電力セルの好ましい実施形態によれば、これは、基板、特に導電性基板と、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．３〜３μｍの厚さを有するｐドープ半導体材料からのｐ層と、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．３〜３μｍの厚さを有するｎドープ半導体材料からのｎ層とを有する。好ましくは、この基板はフレキシブルな金属箔又はフレキシブルな金属板である。フレキシブルな基板と薄い光起電力活性層との組合せにより、コストを要せず、ひいては本発明にかかる光起電力セルを収容するソーラーモジュールの保持のために高価な支持体を使用しなくてよいという利点が生じる。フレキシブルでない基板、例えばガラス又はケイ素の場合は、風力を高価な担体構造物により阻み、このソーラーモジュールの破壊を防がなければならない。これに対して、フレキシビリティによる変形が考えられるのであれば、変形剛性を有しなくてよい極めて簡単でかつ安価な担体構造物を使用することができる。好ましいフレキシブルな基板としては、本発明の場合、特にステンレス鋼板である。
【００１９】
本発明は更に、本発明にかかる光起電力セルの製造方法において、基板を、ｐドープ半導体材料からの層及びｎドープ半導体材料からの層のそれぞれ少なくとも１種で被覆することを含み、その際、これらの層は、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．３〜３μｍの厚さを有する方法に関する。
【００２０】
この場合、この基板をｐ層又はｎ層で被覆することは、スパッタリング、レーザーアブレーション、電気化学堆積又は無電解堆積の群から選択された好ましくは少なくとも１種の堆積法を含む。このそれぞれの堆積法により、式（Ｉ）の混合化合物を有する既にｐドープ又はｎドープされた半導体材料を層として基板上に施与することができる。このために代替的に、この半導体材料からの層を最初にｐドーピング又はｎドーピングを行うことなく堆積法により製造し、次いでこの層をｐドープ又はｎドープしてよい。本発明にかかるケイ素のテルル化ケイ素の形での導入は、（上述の堆積法により１種により製造されたそれぞれの層が依然として適切に形成されない場合）好ましくは、この堆積法（及び場合によりｐドーピング又はｎドーピング）の実施に引き続いて実施する。
【００２１】
考えられる堆積法は、スパッタリングによる被覆である。スパッタリングは、電極として利用されるスパッタリングターゲットから原子を加速されたイオンにより叩き出し、そして叩き出された材料を基板（例えば、ステンレス鋼）上に堆積させることに関する。本発明における基板の被覆のために、スパッタリングのために例えば、亜鉛、マンガン、テルル及びケイ素を含有するスパッタリングターゲットを、構成成分を一緒に溶融させることにより製造するか又はこの半導体材料の個々の構成成分を順次基板上にスパッタリングし、次いで４００〜９００℃の温度に加熱する。
【００２２】
好ましくは、このスパッタリングターゲットの製造のために、亜鉛、マンガン、テルル及びケイ素を少なくとも９９．５％の純度で使用する。亜鉛、マンガン、テルル及びテルル化ケイ素（ＳｉaＴｅb）を、例えば脱水された石英管中で真空下で１２００〜１４００℃の温度で溶融させる。スパッタリングターゲットの製造の際には、好ましくはｐドーピング又はｎドーピングのためのドープ元素をこのスパッタリングターゲット中に導入する。従ってこのドープ元素を、好ましくはｎ導電型のためのアルミニウム、及びｐ導電型のためのリンをスパッタリングターゲットに最初から添加する。化合物ＡｌＴｅ若しくはＺｎ3Ｐ2は温度安定性を有するので、これらは実質的に化学量論比の変化なしでスパッタリング工程に耐える。次いで最初に、基板上に、一方のドーピングを有する層をスパッタリングし、そしてその上に他方のドーピングを有する更なる層を直接スパッタリングする。
【００２３】
更に好ましい本発明にかかる堆積法は、Ｚｎ1-xＭｎxＴｅの導電性基板上への電気化学堆積である。ＺｎＴｅの電気化学堆積は、"Thin films of ZnTe electrodeposited on stainless steel", A.E. Rakhsan u. B. Pradup, Appl. Phys. A (2003), Pub online Dec. 19, 2003, Springer-Verlag; "Electrodeposition of ZnTe for photovoltaic alls", B. Bozzini et al., Thin Solid Films, 361-362, (2000) 288-295; "Electrochemical deposition of ZnTe Thins films", T. Mahalingam et al., Semicond. Sei. Technol. 17 (2002) 469-470; "Electrodeposition of Zn-Te Semiconductor Film from Acidic Aqueous Solution", R. Ichino et al., Second Internat. Conference on Processing Materials for Properties, The Minerals, Metais & Materials Society, 2000に記載されており、及びUS-PS ４９５０６１５に記載されているが、これに対して混合Ｚｎ／Ｍｎ／Ｔｅ層の電気化学堆積は記載されていない。
【００２４】
本発明にかかる方法の対象は、更に、基板の存在下で、Ｚｎ2+、Ｍｎ2+並びにＴｅＯ32-イオンを含有する水溶液を３０〜９０℃の温度で還元剤としての次亜リン酸（Ｈ3ＰＯ2）を用いて架橋させることにより、Ｚｎ1-xＭｎxＴｅ層を無電解で堆積させることである。この次亜リン酸により、ＴｅＯ32-がＴｅ2-に還元される。従って、導電性でない基板上への堆積法も可能である。
【００２５】
堆積法に応じて、テルル化ケイ素をこの層中に組み込むために、部分的にドーパントを導入するためにも、更に後処理が必要である。
【００２６】
本発明の好ましい実施形態によれば、本発明にかかる方法は、以下の工程段階：
ａ）基板を、Ｚｎ1-xＭｎxＴｅからの第１の層で被覆する段階、
ｂ）この第１の層中にケイ素を導入して式（Ｉ）の混合化合物を製造する段階、
ｃ）ドナー原子又はアクセプター原子を用いてｐドーピング又はｎドーピングを生じさせる段階、
ｄ）この第１の層を、Ｚｎ1-xＭｎxＴｅからの第２の層で被覆する段階、
ｅ）この第２の層中にケイ素を導入して式（Ｉ）の混合化合物を製造する段階、
ｆ）アクセプター原子又はドナー原子を用いてｎドーピング又はｐドーピングを生じさせる段階、及び
ｇ）この第２の層上に導電性透明層及び保護層を施与する段階
を含む。
【００２７】
段階ａ）では、導電性基板を、例えばスパッタリング、電気化学堆積又は無電解堆積により、Ｚｎ1-xＭｎxＴｅからの第１の層で被覆する。この層は、好ましくは金属板又は金属箔である。
【００２８】
次いで段階ｂ）では、この第１の層中にケイ素を導入し、式（Ｉ）の混合化合物を製造する。このケイ素の導入は、例えば、Ｓｉ2Ｔｅ3をスパッタリングにより、この第１の層上に施与し、次いで、６００〜１２００℃、好ましくは８００〜１０００℃での加熱による後処理により共結晶化を行うことにより実施し、従って所望の組成が達せられる。
【００２９】
次いで段階ｃ）では、ドナー原子又はアクセプター原子を用いてドープすることによりｐドーピング又はｎドーピングを生じさせる。例えば、この第１の層を、リン（例えば、ＰＣｌ3から）でドープしてｐ導体を得るか又はアルミニウム（例えば、ＡｌＣｌ3から）でドープしてｎ導体を得る。
【００３０】
次いで段階ｄ）では、この第１の層上にＺｎ1-xＭｎxＴｅからの第２の層を堆積させる。このために、例えば段階ａ）と同じ堆積法を利用することができる。
【００３１】
段階ｅ）では、ケイ素を、段階ｂ）で第１の層について記載したように、第２の層中に導入する。
【００３２】
段階ｆ）で生じたドーピングは、段階ｃ）で生じたドーピングとは逆であり、その結果一方の層はｐドーピングを有し、かつ他方の層はｎドーピングを有する。
【００３３】
最終的に段階ｇ）では、この第２の層上に導電性透明層及び保護層を施与する。この導電性透明層は、例えば、インジウムスズ酸化物又はアルミニウム亜鉛酸化物からの層であってよい。これは更に、好ましくは、本発明にかかる光起電力セルの電気的接触のための導電経路を有する。この保護層は、例えば、好ましくはＣＶＤ又はＰＶＤにより施与されたＳｉＯxからの層であってよい。例えば、従来技術において芳香気密用の箔（例えば、コーヒー包装物）のために製造される材料からの層を保護層として利用することができる。
【００３４】
実施例１
化学量論比
（Ｚｎ0.5Ｍｎ0.5Ｔｅ）0.95（Ｓｉ2Ｔｅ3）0.05
に応じて、１．０３５０ｇのＺｎ；０．８６６９ｇのＭｎ；４．０４０７ｇのテルル並びに０．７３１６ｇのＳｉ2Ｔｅ3を、１１ｍｍの内径及び約１５ｃｍの長さを有する石英管中に添加した。このＳｉ2Ｔｅ3は、ケイ素及びテルルを１０００℃で排気された石英管中で反応させることにより事前に別個に製造した。この管を真空下で１０分にわたって３００℃に加熱して脱水し、次いで０．１ミリバール未満の圧力下で溶融させた。この管を炉内で３００℃／ｈで１３００℃に加熱し、この温度を１０時間にわたって１３００℃に維持し、次いでこの炉を冷ました。この１３００℃での１０時間の間、この炉を、操作を介して１時間当たり３０回ほぼその軸線で傾斜させ、この溶融物を石英管中で完全に混合した。
【００３５】
この石英管を、冷却後に開放し、そしてこの溶融レギュラスを取り出した。反射分光法により、この材料の励起準位を測定した。約２．３ｅＶのバンドギャップの他に、更にエネルギー準位が０．６６ｅＶ、０．７６ｅＶ並びに０．９ｅＶで見られた。
【００３６】
本発明にかかる光起電力セルの製造のために、この材料を基板上にスパッタリングする。
【００３７】
実施例２
電気化学堆積のために、二重壁、内部温度計及び底部出口弁を有する５００ｍｌの平面研磨ガラス反応容器中で電気分解を実施した。正極としては、ステンレス鋼板（１００×７０×０．５）を使用した。負極は、ＭＫＵＳＦ０４（グラファイト）からなっていた。
【００３８】
ａ）ＺｎＴｅの製造
２１．３５ｇのＺｎＳＯ4・７Ｈ2Ｏ及び５５．４ｍｇのＮａ2ＴｅＯ3を蒸留水中に溶解させた。この溶液を、Ｈ2ＳＯ4（２ｍｏｌ／ｌ）でｐＨ２に調節し、そして蒸留水で５００ｍｌに補充した（Ｚｎ＝０．１５ｍｏｌ／ｌ；Ｔｅ＝０．５ｍｍｏｌ／ｌ；Ｚｎ／Ｔｅ＝３００／１）。次いで、電解質溶液をこの電気分解セル中に充填し、そして８０℃に加熱した。この電気分解を、３０分の時間にわたって、１００．０ｍＡの電流で撹拌せずに実施した。この堆積を、〜５０ｃｍ2（２ｍＡ／ｃｍ2）の正極表面で実施した。電気分解完了後に、この正極を取り出し、蒸留水で洗浄し、そして乾燥させた。銅色の被膜が堆積した（１８．６ｍｇ）。
【００３９】
ｂ）Ｚｎ1-xＭｎxＴｅの製造
２１．５５ｇのＺｎＳＯ4・７Ｈ2Ｏ（０．１５ｍｏｌ／ｌ）、４７．６８ｇのＭｎＳＯ4・Ｈ2Ｏ（０．６ｍｏｌ／ｌ）、３３ｇの（ＮＨ4）2ＳＯ4（０．５ｍｏｌ／ｌ）、１ｇの酒石酸及び５５．４ｍｇのＮａ2ＴｅＯ3（０．５ｍｍｏｌ／ｌ）を蒸留水中に溶解させた。この溶液を、Ｈ2ＳＯ4（２ｍｏｌ／ｌ）でｐＨ２に調節し、そして蒸留水で５００ｍｌに補充した（Ｚｎ／Ｍｎ／Ｔｅ＝３００／１２００／１）。次いで、電解質溶液をこの電気分解セル中に充填し、そして８０℃に加熱した。この電気分解を、６０分の時間にわたって、１０１．３ｍＡの電流で撹拌せずに実施した。この堆積を、〜５０ｃｍ2（２ｍＡ／ｃｍ2）の正極表面で実施した。電気分解完了後に、この正極を取り出し、蒸留水で洗浄し、そして乾燥させた。この質量増大は２６．９ｍｇであった。この堆積物は、深い暗褐色を有していた。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月28日(2007.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
光起電活性半導体材料を有する光起電力セルであって、光起電活性半導体材料が、式（Ｉ）
（Ｚｎ1-xＭｎxＴｅ）1-y（ＳｉaＴｅb）y  （Ｉ）
［式中、ｘは、０．０１〜０．９９の数であり、
ｙは、０．００１〜０．２の数であり、
ａは、１〜２の数であり、かつ
ｂは、１〜３の数である］の混合化合物を有するｐドープ又はｎドープ半導体材料であることを特徴とする光起電力セル。
【国際調査報告】
2008518448.tif 000002
2008518448.tif 000003
2008518448.tif 000004
2008518448.tif 000005
2008518448.tif 000006
2008518448.tif 000007