(57)【要約】  電子を放出する陰極（６）は、ステンレス鋼からなる側壁（２）と、エミッタ層（７）の凹形エミッタ表面内の内側に小さい距離を置いて固定されるゲート（９）とに取り付けられる導電性エミッタ層（７）からなる。陰極（６）は、円筒形の格子状の陽極（５）と、直線の軸方向のフィラメントからなる中央のイオンコレクタ（４）とを収容する反応領域（３）を取り囲んでいる。反応領域（３）中の気体の密度を反映するイオンコレクタ電流（ＩIC）は、ゲート電圧（ＶG）をエミッタ層（７）の接地電圧とそれより高い陽極電圧（ＶA）との間に保持し、陽極電流（ＩA）が一定になるように調節しながら電流計（１１）によって測定する。エミッタ層（７）は、カーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボン、金属または金属の混合物、または例えばカーバイドまたはモリブデンでコーティングしたものでもよい半導体材料、例えばシリコンからなるものでよい。しかし、エミッタ表面は、例えば化学エッチングによって粗くされた側壁の内面の一部であってもよい。ゲート（９）は格子でもよく、またエミッタ部の上に分布したスペーサを覆うパッチまたは金属膜、またはエミッタ表面の上に配置した電子浸透層を覆う金属膜でもよい。
2008537998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空計であって、
導電性材料からなり、反応領域（３）を画定する内壁表面を形成する壁を備えたハウジングと、
エミッタ表面によって少なくとも断続的に占有されるエミッタ部を備えた、電子を前記反応領域（３）中に放出するための電界放出陰極（６）と、
導電性のゲート（９）であって、前記ゲート（９）に接続され前記ハウジングを通じて外部に至るフィードスルーとともに、前記エミッタ部を断続的に覆い、前記エミッタ表面から電気的に絶縁され、前記エミッタ表面に垂直な方向に基本的に一定のゲート距離だけ前記エミッタ表面から間隔を開けた電気絶縁スペーサ手段によって支持される導電性のゲート（９）と、
前記電界放出陰極（６）からある距離を置いて前記反応領域（３）の内部に配置されるイオンコレクタ（４）であって、前記イオンコレクタ（４）に接続され前記ハウジングを通じて外部に至るフィードスルーとともに配置されるイオンコレクタと、を備える真空計において、
前記エミッタ部が前記壁表面に配置されることを特徴とする真空計。
【請求項２】
前記イオンコレクタ（４）上に位置する少なくとも１つの点から見て、前記エミッタ部がカバーする立体角が少なくとも２πであることを特徴とする請求項１に記載の真空計。
【請求項３】
前記エミッタ部が０．５ｃｍ2〜８０ｃｍ2、特に１ｃｍ2〜５０ｃｍ2を覆うことを特徴とする請求項１または２に記載の真空計。
【請求項４】
前記エミッタ表面から前記イオンコレクタ（４）までの最小距離が前記ゲート距離の少なくとも２０倍であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項５】
前記エミッタ部が少なくとも部分的に凹形であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項６】
前記エミッタ部が凹形円筒形表面の少なくとも一部を備えることを特徴とする請求項５に記載の真空計。
【請求項７】
前記反応領域（３）が基本的に円筒形であり、前記エミッタ部によって少なくとも部分的に占有される前記壁表面の基本的に円筒形の部分によって側方を画定され、その一方で前記イオンコレクタ（４）が前記反応領域（３）の軸の付近に配置されることを特徴とする請求項６に記載の真空計。
【請求項８】
前記反応領域（３）の直径が１ｃｍ〜８ｃｍ、特に１ｃｍ〜６ｃｍであり、その高さが２ｃｍ〜８ｃｍ、特に２ｃｍ〜５ｃｍであることを特徴とする請求項７に記載の真空計。
【請求項９】
前記エミッタ部が前記壁表面の円筒形部分を基本的には完全に覆うことを特徴とする請求項７または８に記載の真空計。
【請求項１０】
前記エミッタ表面が、基本的に、カーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボン、金属または金属の混合物、または例えばカーバイドまたはモリブデンでコーティングしたものでもよい半導体材料、例えばシリコンからなるエミッタ層（７）の前面であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１１】
前記エミッタ層（７）が、基本的に、モリブデン、タングステン、または好適にはステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１０に記載の真空計。
【請求項１２】
前記エミッタ層（７）が、例えば化学蒸着または物理蒸着によって前記壁表面上に蒸着した薄層であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の真空計。
【請求項１３】
前記エミッタ表面が前記壁表面自体の少なくとも一部によって形成され、前記壁が金属または合金からなり好適にはステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１４】
前記エミッタ表面が、例えば機械的に、または、好適にはエッチング、例えばプラズマエッチングまたは、好適には化学エッチングによって粗くされることを特徴とする請求項１３に記載の真空計。
【請求項１５】
前記ゲート距離が１μｍ〜２００μｍ、特に５μｍ〜２００μｍであることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１６】
前記ゲート（９）が格子、好適には金網であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１７】
前記スペーサ手段が、前記エミッタ部の上に分布する電気絶縁スペーサ（８）を備えることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１８】
前記ゲートが基本的に、前記スペーサの表面を覆うゲートパッチからなることを特徴とする請求項１７に記載の真空計。
【請求項１９】
前記スペーサ手段が、前記エミッタ表面を覆いその前に配置される電子浸透層を備えることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２０】
前記イオンコレクタ（４）と前記ゲート（９）との間に配置される陽極（５）であって、好適には、前記イオンコレクタ（４）を取り囲む基本的に円筒形の格子として構成される陽極（５）をさらに備えることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２１】
前記イオンコレクタ（４）が直線の導電性素子であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２２】
前記ハウジングの外部に配置された制御回路（１０）であって、
前記制御回路が、少なくとも前記ハウジングに導電的に接続され、かつ、各々前記フィードスルーを通じて前記ゲート（９）及び前記イオンコレクタ（４）に接続され、かつ、
前記エミッタ表面をエミッタ電圧に保持することと、
前記ゲート（９）を前記エミッタ電圧より高いゲート電圧（ＶG）に保持することと、
前記イオンコレクタ（４）を前記エミッタ電圧に基本的に等しいかまたはそれより低いコレクタ電圧に保持することと、
前記イオンコレクタ（４）からのコレクタ電流（ＩIC）を監視することとに適している制御回路をさらに備えることとを特徴とする請求項１〜２１のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２３】
前記ゲート電圧（ＶG）が、前記エミッタ電圧より高い２００Ｖ〜１，０００Ｖ、特に２００Ｖ〜６００Ｖであることを特徴とする請求項２２に記載の真空計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高真空用途のための真空計に関する。
【背景技術】
【０００２】
ベアード‐アルパート（Ｂａｙａｒｄ−Ａｌｐｅｒｔ）型の真空計は周知である。普通、高温の陰極を電子源として使用する。これは多くの欠点を有している。普通フィラメントの形状を取る高温の陰極は電流によって加熱する必要があるため、比較的高い給電電圧を常に供給できる給電回路が必要になる。陰極は電磁放射線を放出するが、これは正確に予測できない形で測定結果に影響を与えることがあり、他の測定値との望ましくない干渉につながることがある。また、高温の陰極は、加熱された時、吸着気体分子を放出し気体と化学的に反応する傾向があり、これも測定結果に影響することがある。普通振動の影響を受けやすく、振動は工業過程において避けられないことが多い。これはやはり測定精度の劣化や、さらには時間の経過と共に陰極の破壊につながることがある。放出された電子の運動エネルギーは比較的広い間隔にわたって分布するが、このことは効率を低下させ、また真空計の感度の変動につながることがある。
【０００３】
米国特許第５，２７８，５１０Ａ号（特許文献１）は、電界放出陰極を備えた汎用型のベアード‐アルパート真空計を示しており、そこでは、基本的に円筒形のハウジング内に、軸方向のワイヤの形状のイオンコレクタが配置され、円筒形の格子状の陽極に取り囲まれている。陽極とハウジングとの間には、電子を放出する電界放出陰極が陽極とイオンコレクタとに面して配置されている。この種の陰極は多数の利点を提供する。これは熱を発生せず、広い温度範囲内で動作する機械的に堅牢な固体素子である。これは一般に、評価と補償が困難な形で測定結果に影響し得る副作用を生じない。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，２７８，５１０Ａ号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許公報に記載の真空計では、電界放出陰極は、平面のエミッタ部を有する正方形のプレートの形状の互いに離隔したマイクロポイントを備えたスピント（Ｓｐｉｎｄｔ）型陰極である。形状が平面であるため、エミッタ部は比較的小さいものにしかできない。また、エミッタ部は、陽極の内側、特にイオンコレクタの位置から見た時小さな立体角しかカバーしない。
【０００６】
特に非常に低い圧力において高い精度を得るためには、高いイオン化率が要求される。これは、大きな電子密度によってのみ達成できるが、そういった大きな電子密度は小さなエミッタ部から高率で電子を抽出することによって生成しなければならず、それは電子流密度を高くすることを意味し、それには高品質のエミッタ表面と共に高い電界強度が必要になる。後者の要求は材料に対する多大な負担を生じ、その結果、例えばスパッタリングによる磨耗を生じ、真空計の耐用年数が短縮されることがある。また、高い電圧差を提供する必要があるため、制御回路に対する設計上の要求もより厳格になる。
【０００７】
本発明の目的は、電子を放出する陰極に対する要求を適度に抑えつつ、高い電子密度を達成することによって希薄気体中の高いイオン収量を確保する、汎用型の真空計を提供することである。この目的は、請求項１の特徴部分に記載の特徴によって達成される。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る真空計では、より大きなエミッタ部を所定の寸法のハウジングに収容できる。より大きなエミッタ部を備えた電極構成。エミッタ表面を大きくできるので、そこで要求される電子流密度は比較的小さくてもよくなり、適度に抑えた電界強度でも普通は十分となる。このため陰極に対する要求が緩和され、エミッタ表面のための材料と構造の選択の幅が広がる。
【０００９】
多くの場合、比較的安価で、製造が容易なソリューションが実現可能になる。エミッタ部はハウジング壁の表面上のエミッタ層によって形成してもよいが、またさらには壁表面自体によって形成してもよく、その場合真空計は特に簡素で機械的に安定になる。
【００１０】
エミッタ部が凹形でイオンコレクタを収容する反応領域を部分的に取り囲んでいる場合、陰極によって放出された電子は最終的に陽極に到達するまで反応領域中に留まる。電子は反応領域中の希薄気体の分子と繰り返し衝突し、それによって測定過程で使用可能なイオンを発生する。電子のごくわずかな部分だけが逃げ出して比較的短い経路に沿ってハウジングに到達するが、その場合でも、それを防止するために、ハウジングをエミッタ電圧より低い電圧に保持するといった特別な対策を取る必要はない。陰極からの電子流を適度に抑えても、反応領域中の電子密度は高くなり、高いイオン収量が確保される。
【００１１】
高いイオン収量が達成可能であることは、気体分子の脱離といった副作用がないことと相まって、非常に低い密度まで測定範囲を拡大することを可能にする。同時に、要求される電圧は比較的小さいので、電力消費量の小さいかなり簡素で安価な制御回路の使用が可能になる。
【００１２】
以下、実施例のみを示す図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１及び２の本発明に係る真空計の実施例は、底板１と、底板１の上に設置される側壁２とを備え、気体圧力を測定する場所である真空室と接続するように上部が開いた円筒形の反応領域３の側方を囲うハウジングを備える。底板１と側壁２とは共にハウジングを形成する。好適には、それらは各々導電性材料、特にステンレス鋼またはアルミニウムからなる。反応領域３の軸上には、直線の細い軸方向のフィラメントまたはワイヤの形状のイオンコレクタ４が配置され、それを、例えば螺旋形のワイヤである基本的に円筒形の格子状の陽極５がある距離を置いて取り囲んでいる。イオンコレクタ４と陽極５とは各々金属または合金からなり、例えば、イオンコレクタ４はタングステンまたはステンレス鋼からなり、陽極５はタングステン、プラチナイリジウム合金またはステンレス鋼からなる。反応領域の直径は好適には１ｃｍ〜８ｃｍ、特に１ｃｍ〜６ｃｍであり、その高さは２ｃｍ〜８ｃｍ、特に２ｃｍ〜５ｃｍである。
【００１４】
側壁２の大部分は同時に、その内面に取り付けられそれをほぼ完全に覆う電子を放出する電界放出陰極６のための支持壁の役目を果たす。電界放出陰極６は、イオンコレクタ４と陽極５とを同心状に取り囲む円筒形の広い凹形表面であるエミッタ部を提供する。反応領域３の中心、すなわち軸つまりイオンコレクタ４上の点から見ると、中間の高さで、エミッタ部は全体の立体角４πの約３分の２をカバーする。エミッタ部は、側壁２に取り付けられそれに電気的に接続し、事実上エミッタ部の全体を覆う導電性材料のエミッタ層７によって形成されるエミッタ表面を備える。絶縁スペーサ８がエミッタ部の上に分布し、エミッタ表面を途中で遮る狭いストリップを形成する。スペーサ８は、エミッタ表面から前方に基本的に一定の距離を置いて配置されエミッタ層７から電気的に絶縁された導電性材料の電子透過性ゲート９を支持する。この一定の距離は１μｍ〜５ｍｍの任意の距離でよいが、好適にはかなり小さい距離、すなわち１μｍ〜２００μｍ、特に５μｍ〜２００μｍ、例えば約１０μｍである。好適には、エミッタ表面とイオンコレクタ４との間の距離は、エミッタ表面からゲート９までの距離の少なくとも２０倍である。
【００１５】
イオンコレクタ４と、陽極５と、ゲート９とは、底板１中のガラスまたはガラスセラミックスからなるものでもよい絶縁フィードスルー（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｆｅｅｄｔｈｒｏｕｇｈ）を通じて制御回路１０に接続され、制御回路１０はまた、接地されたハウジングに電気的に接続され、かつ同様の絶縁フィードスルーを通じてエミッタ層７に電気的に接続される。概略的に図示される制御回路１０は、イオンコレクタ４と接地との間でイオンコレクタ電流ＩICを測定する電流計１１と、陽極５を接地電圧より高い陽極電圧ＶAに保持し、陽極電流ＩAを測定しそれを出力電圧ＶIによって表す電流計１３を通じて接地に接続される電圧源１２と、接地電圧と陽極電圧ＶAとの間の任意の値のゲート電圧ＶGをゲート９に提供し、ゲート電流ＩGを測定する電流計１５を通じて接地に接続される制御可能電圧源１４とを備える。制御可能電圧源１４は、電流計１３の出力電圧ＶIを基準電圧ＶRと比較する調節器１６によって制御される。これは、陽極電流ＩAを表す電流計１３の出力電圧ＶIが基準電圧ＶR以下になる都度ゲート電圧ＶGを増大させ、またその逆の制御を行う。すなわち、電界放出陰極６からの電子放出を反映する陽極電流ＩAを、ゲート電圧ＶGとひいては前記電子放出を制御する制御電流として使用している。これは、ゲート電圧ＶGの適当な制御によって、狭い限度内の設定した値で一定に保持される。代替的には、ゲート電圧ＶGはパルス電圧でもよい。
【００１６】
電界放出陰極６のエミッタ層７は様々な方法で実現できる。これは、カーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボン、例えばモリブデン、タングステンまたはニッケルを含む金属または金属の混合物、または半導体材料、例えばシリコンによるものでもよく、半導体材料は、例えばカーバイドまたはモリブデンでコーティングしてもよい。いずれの場合でも、エミッタ表面は、高い局所電界強度が達成される鋭い縁端または先端を備えた粗なものであるべきである。円筒形の代わりに、エミッタ部の形状は角柱形でもよく、また、少なくとも部分的には、球形でもよい。エミッタ層は、ＣＶＤまたは他の既知の方法を使用して付着させた薄層でもよい。
【００１７】
側壁２が金属、好適にはステンレス鋼からなる場合、エミッタ部の寸法が大きいので、単に壁の内面を、機械的手段または、好適にはエッチング、例えばプラズマエッチングまたは、特に、化学エッチングのいずれかによって粗くすることで、適切なエミッタ表面を十分提供できることがある。簡単なエッチング処理によって、マスクまたは他の構成ツール（ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ  ｔｏｏｌ）を使用しなくとも、単に壁材料の粒子を引き出すだけで、電界が十分なレベルの電子放出を発生するに足る局所最大値を達成する鋭い縁端または先端を備えた粗な表面が得られる。
【００１８】
もちろん、他の形状を有するエミッタ部、特に、例えば、凹球面形またさらには波形または凸形の、一般に湾曲した、すなわち非平面のエミッタ部によって覆われた表面部分を壁に設けることも可能である。望ましい電気的特性を得るために必要な小さな尺度での表面粗度とは別に、表面は、より大きな尺度では、基本的に平滑でもよく、また、部片毎に平滑またさらには部片毎に平面で、縁端で部片を合わせるものでもよい。全体が平面の形状の場合と比較してエミッタ表面の面積を増大するため、全体の形状は好適には非平面である。エミッタ部の面積は、例えば、０．５ｃｍ2〜８０ｃｍ2、特に１ｃｍ2〜５０ｃｍ2でよい。
【００１９】
金属はスパッタに耐性を有するはずなので、ゲート９は、金属ワイヤから製造した金網、またはやはり金属、例えばニッケル、モリブデンまたはステンレス鋼の格子でもよい。もう１つの可能性としては、エミッタ表面とゲートとの間の望ましい距離に対応する距離だけエミッタ表面から浮き、支持壁の反対を向く表面が、全体としてゲートを形成する薄い金属膜のパッチによって覆われている均等に分布したスペーサの比較的稠密なアレイを提供することがある。この場合、エミッタ部は断続的なエミッタ表面と相補的なゲート表面とに分割され、電界強度は境界で最大になる。スペーサは、特に後者の場合、やはりＣＶＤまたは同様の方法によって付着させてもよく、パッチは既知の半導体製造方法によってスペーサを通じて互いに電気的に接続し、さらに制御可能電圧源１４に電気的に接続する。
【００２０】
互いに離隔したスペーサの代わりに、厚さ数マイクロメートルの多孔質のスペーサ層、例えば、微細孔を備えたセラミック箔のような他のスペーサ手段を使用してもよい。そして、ゲートは、スペーサ層の表面を覆う薄い金属膜の形状を取ってもよい。
【００２１】
いずれの場合でも、エミッタ表面とゲートとの間の距離が小さいため、２００Ｖ〜１，０００Ｖ、好適には２００Ｖ〜６００Ｖ、例えば３００Ｖでよい比較的小さいゲート電圧でも、強い電界強度がエミッタ表面で発生するが、それは使用するゲートの種類に応じて、比較的均一なこともあり、またかなり不均一なこともある。いずれの場合でも、エミッタ表面の高い電界強度によって、エミッタ表面からの電子の抽出が生じ、それは電界放出陰極６と陽極５との間の電界によってさらに促進される。電子は反応領域３中で希薄気体の分子と衝突し、分子をイオン化する。
【００２２】
陽イオンはイオンコレクタ４に引き付けられてそこで電子を受け取り、イオンコレクタ電流ＩICを生じるが、これは基本的にイオンの発生率に比例する。陰極６によって放出される電子はイオン化過程で発生する電子と共に最終的には陽極５に引き付けられ、陽極電流ＩAを生じる。エミッタ表面から抽出された電子のわずかな部分はゲート９に捕えられ、ゲート電流ＩGを生じる。電子の別のわずかな部分は底板１または側壁２に逃れることがある。この現象は測定結果には影響しないが、イオン化過程の効率を低下させることがある。しかし、エミッタ部の寸法が大きく、反応領域３の中心部から見た時、エミッタ部がカバーする立体角が２π以上、すなわち、全体の立体角４πの５０％以上になるので、この種の損失は非常に小さく押えられる。
【００２３】
陽極電流ＩAが一定に保持されているので、イオンコレクタ電流ＩICは反応領域３中の気体分子の密度の尺度となる。しかし、ゲート電圧を適当に調節することによって、陰極電流またはゲート電流を一定に保持することも可能である。上述した圧力測定装置は、１０Ｐａ（１０-1ｍｂａｒ）〜１０-11Ｐａ（１０-13ｍｂａｒ）、特に１Ｐａ（１０-2ｍｂａｒ）〜１０-9Ｐａ（１０-11ｍｂａｒ）の範囲内の圧力の測定に適している。
【００２４】
図３に示される本発明に係る真空計の実施例は上記に記載したものとほぼ同様であるが、制御回路１０だけが若干簡素化され、陽極電圧を別個に制御せず陽極電流を監視しないようになっている。対応する部品は同じ参符によって示し、その詳細は図１及び２に係る圧力測定装置の説明中に見出される。
【００２５】
ゲート電圧ＶGを発生する制御回路１０の制御可能電圧源１４はここでも調節器１６によって制御されるが、調節器１６はここでは、制御電流の役目を果たすハウジングからの陰極電流ＩCを測定する電流計１７の出力電圧を一定の基準電圧ＶRと比較する。陽極５はゲート９と並列に制御可能電圧源１４に接続されているので、同じ電圧に保持される。電流計１１によって測定されるイオンコレクタ電流ＩICは、ここでも反応領域３中の気体分子の密度の尺度となる。陽極５は反応領域３中に電界を形成する役目を果たすが、これは必須ではない。陽極のない電極構成でも普通は十分である。
【００２６】
図４及び５は、この種の構成による、本発明に係る真空計の特に簡素で、堅牢かつ低コストな第３の実施例を示す。制御回路１０は第２の実施例のものと同様であるが、さらに簡素化され、ここでも反応領域３中の圧力の尺度であるイオンコレクタ電流ＩIC以外には、ゲート電流ＩGだけを測定しゲート電圧ＶGを制御するために使用する。その結果、存在するフィードスルーは２つだけとなる。エミッタ表面は、ステンレス鋼からなる側壁２の内面の大部分によって形成する。前記表面部分は化学エッチングによって粗くし格子８によって覆う。従って、独立したエミッタ層は存在しない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る真空計の第１の実施例の軸方向断面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿った真空計の断面図である。
【図３】図１及び図２に示す構成と基本的に同様であるが、制御回路を簡素化した、真空計の第２の実施例の軸方向断面図である。
【図４】本発明に係る圧力計の第３の実施例の軸方向断面図である。
【図５】図４の線Ｖ−Ｖに沿った真空計の断面図である。
【符号の説明】
【００２８】
１    底板
２    側壁
３    反応領域
４    イオンコレクタ
５    陽極
６    陰極
７    エミッタ層
８    スペーサ
９    ゲート
１０    制御回路
１１    電流計
１２    電圧源
１３    電流計
１４    制御可能電圧源
１５    電流計
１６    調節器
１７    電流計
ＩA    陽極電流
ＩC    陰極電流
ＩIC    イオンコレクタ電流
ＩG    ゲート電流
ＶA    陽極電圧
ＶG    ゲート電圧
ＶI    出力電圧
ＶR    基準電圧
【図１】
2008537998.tif 000003
【図２】
2008537998.tif 000004
【図３】
2008537998.tif 000005
【図４】
2008537998.tif 000006
【図５】
2008537998.tif 000007
【国際調査報告】
2008537998.tif 000008
2008537998.tif 000009
2008537998.tif 000010
2008537998.tif 000011