(57)【要約】  本発明は電気的な多層モジュールに関する。この多層モジュールは、誘電層と、この誘電層の間に配置されている内部電極（１，１’，２，２’）とを有する基体（１０）を包含する。内部電極（１，２）は基体（１０）の側面に配置されている外部電極（１１，１２）を介して相互に電気的に接続されており、また内部電極（１，１’，２，２’）のうちの少なくとも１つはスルーコンタクト部（３１，３２）を用いてモジュールのコンタクト面（２１，２２）と接触している。
2008537328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的な多層モジュールにおいて、
誘電層と、該誘電層の間に配置されている内部電極（１，１’，２，２’）とを有する基体（１０）を包含し、前記内部電極（１，２）は前記基体（１０）の側面に配置されている外部電極（１１，１２）を介して相互に電気的に接続されており、
外部電極（１１，１２）と前記基体（１０）の主面上に配置されているコンタクト面（２１，２２）との間の電気的な接続部（１’、３１；２’３２；２８，２９）はモジュールの外面に向かって絶縁されていることを特徴とする、多層モジュール。
【請求項２】
前記電気的な接続部（２８，２９）は前記基体（１０）の内部において延在している、請求項１記載の多層モジュール。
【請求項３】
前記内部電極（１，１’，２，２）のうちの少なくとも１つはスルーコンタクト部（３１，３２）を用いて前記コンタクト面（２１，２２）と接触している、請求項１または２記載の多層モジュール。
【請求項４】
外部電極（１１，１２）は前記コンタクト面（２１，２２）を有する導電層（２０１，２０２）と電気的に接続されており、前記導電層（２０１，２０２）の一部は前記コンタクト層（２１，２２）と前記外部電極（１１，１２）との間では絶縁層（５１）によって覆われている、請求項１記載の多層モジュール。
【請求項５】
電気的な多層モジュールにおいて、
誘電層と、該誘電層の間に配置されている内部電極（１，１’，２，２’）とを有する基体（１０）を包含し、前記内部電極（１，２）は前記基体（１０）の側面に配置されている外部電極（１１，１２）を介して相互に電気的に接続されており、
前記内部電極（１，１’，２，２’）のうちの少なくとも１つはスルーコンタクト部（３１，３２）を用いて前記基体（１０）のコンタクト面（２１，２２）と接触していることを特徴とする、多層モジュール。
【請求項６】
前記コンタクト面（２１）は前記基体（１０）の下面に配置されている、請求項５記載の多層モジュール。
【請求項７】
コンタクト面（２１，２２）と該コンタクト面（２１，２２）に対応付けられている外部電極（１１，１２）との間の電気的な接続部（２８，２９）は、モジュールの表面では絶縁層（５１）により覆われている、請求項１から６までのいずれか１項記載の多層モジュール。
【請求項８】
第１の外部電極（１１）に接続されている第１の内部電極（１）と、第２の外部電極（１２）に接続されている第２の内部電極（２）とが交互に重ねられて配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の多層モジュール。
【請求項９】
端部の第１の内部電極（１’）および端部の第２の内部電極（２’）が１つの平面内に形成されており、それぞれスルーコンタクト部（３１，３２）を用いてモジュールのコンタクト面（２１，２２）と接触している、請求項８記載の多層モジュール。
【請求項１０】
前記端部の内部電極（２’）および該端部の内部電極（２’）に続く内部電極（２）は同一の外部電極（１２）と電気的に接続されている、請求項９記載の多層モジュール。
【請求項１１】
前記内部電極（１，１’，２，２）および該内部電極（１，１’，２，２）間に配置されている誘電層がコンデンサ積層体（１０２）を形成する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の多層モジュール。
【請求項１２】
前記基体（１０）内には並んで配置されている複数のコンデンサ積層体が設けられており、種々のコンデンサ積層体が異なるコンタクト面（２１，２２；２１−１，２２−１；２１−２，２２−２；２１−３，２２−３）を介して接触される、請求項１１記載の多層モジュール。
【請求項１３】
前記基体（１０）は第１の端部誘電層（１００）を有し、前記スルーコンタクト部（３１，３２）は該第１の端部誘電層（１００）を貫通して案内されており、該第１の端部誘電層（１００）は前記コンデンサ積層体（１０２）の誘電層よりも厚い、請求項１１または１２記載の多層モジュール。
【請求項１４】
前記第１の端部誘電層（１００）は重なって配置されている複数の部分層を有する、請求項１３記載の多層モジュール。
【請求項１５】
前記基体（１０）は第１の端部誘電層（１００）と対向する第２の端部誘電層（１０１）を有し、該第２の端部誘電層（１０１）は前記コンデンサ積層体（１０２）の誘電層よりも厚い、請求項１３または１４記載の多層モジュール。
【請求項１６】
前記第２の端部誘電層（１０１）は重なって配置されている複数の部分層を有する、請求項１５記載の多層モジュール。
【請求項１７】
前記誘電層はセラミック材料を含有する、請求項１から１６までのいずれか１項記載の多層モジュール。
【請求項１８】
前記コンタクト面（２１，２２）にはボール・グリッド・アレイバンプがプリントされている、請求項１から１７までのいずれか１項記載の多層モジュール。
【請求項１９】
前記コンタクト面（２１，２２）にはランド・グリッド・アレイバンプがプリントされている、請求項１から１７までのいずれか１項記載の多層モジュール。
【請求項２０】
電気的な多層モジュールにおいて、
誘電層と、該誘電層の間に配置されている内部電極（１，１’，２，２’）とを有する基体（１０）を包含し、前記内部電極（１，２）は前記基体（１０）の側面に配置されている外部電極（１１，１２）を介して相互に電気的に接続されており、
第１の外部電極（１１）に接続されている端部の第１の内部電極および第２の外部電極（１２）に接続されている端部の第２の内部電極が１つの平面内に形成されており、それぞれがスルーコンタクト部（３１，３２）を用いてモジュールのコンタクト面（２１，２２）と接触していることを特徴とする、多層モジュール。
【請求項２１】
多層モジュールを製造する方法において、
Ａ）電気的なスルーコンタクト部（３１，３２）を有する第１の端部誘電層（１００）を形成するステップを有し、
Ｂ）前記第１の端部誘電層（１００）の両側に前記スルーコンタクト部（３１，３２）と接触する導電層（１’，２’，２０１，２０２）を形成するステップを有し、
Ｃ）複数のモジュール領域（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）を包含する多層ボディ（１０’）を形成し、誘電層と金属層が相互に重なって配置されている層列（１１０）を前記第１の端部誘電層（１００）上に形成するステップを有し、
Ｄ）複数のモジュール領域（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）を個別化するステップを有し、
Ｅ）モジュール領域の側面を金属化し、モジュールの外部電極（１１，１２）を形成するステップを有することを特徴とする、多層モジュールの製造方法。
【請求項２２】
多層モジュールを製造する方法において、
Ａ）電気的なスルーコンタクト部（３１，３２）を有する第１の端部誘電層（１００）を形成するステップを有し、
Ｂ）前記第１の端部誘電層（１００）の両側に前記スルーコンタクト部（３１，３２）と接触する導電層（１’，２’，２０１，２０２）を形成するステップを有し、
Ｃ）複数のモジュール領域（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）を包含する多層ボディ（１０’）を形成し、誘電層と金属層が相互に重なって配置されている層列（１１０）を前記第１の端部誘電層（１００）上に形成するステップを有し、
Ｄ）前記多層ボディ（１０’）を支持体（７）上に取付け、モジュール領域（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）を分離するステップを有し
Ｅ）隣接するモジュール領域（Ｂ１，Ｂ２）間に形成された中間空間（６）を導電性の材料（６１）で充填するステップを有し
Ｆ）前記中間空間（６）に沿ってモジュール領域（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）を個別化し、モジュールを形成するステップを有することを特徴とする、多層モジュールを製造する方法。
【請求項２３】
前記ステップＤ）において、前記支持体（７）上のモジュール領域の配置構成を維持する、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記ステップＦ）を実施する前に、前記第１の端部誘電層（１００）の露出している表面に配置されている前記導電層（１’，２’，２０１，２０２）にバンプを印刷する、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
モジュールの表面実装可能なコンタクト面（２１，２２）を形成するために、前記第１の端部誘電層（１００）の露出している表面に配置されている前記導電層（１’，２’，２０１，２０２）を設ける、請求項２２から２４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の端部誘電層（１００）の露出している表面に配置されている前記導電層（１’，２’，２０１，２０２）を電気的に強化する、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
導電層のコンタクト面（２１，２２）として設けられている領域と外部電極（１１，１２）を相互に電気的に接続する導電層（２０１，２０２）の一部に絶縁層（５１）を設ける、請求項２５または２６記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の端部誘電層（１００）と対向し、相互に重ねて配置されている複数の部分層から形成される第２の端部誘電層（１０１）を有する前記多層ボディ（１０’）を形成する、請求項２２から２７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２９】
前記第１の端部誘電層（１００）を相互に重ねて配置されている複数の部分層から形成する、請求項２２から２８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３０】
モジュール領域（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）を包含する前記多層ボディ（１０’）の部分を、隠されたモジュール構造を有していない端部領域（ＲＢ）によって包囲し、該端部領域（ＲＢ）を前記ステップＣ）が実施される前に、前記ステップＥ）において導電性の材料（６１）で充填される中間空間（６’）によってモジュール領域から分離し、該分離時に前記支持体（７）上のモジュール領域（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）および前記端部領域（ＲＢ）の配置構成を維持し、前記端部領域（ＲＢ）をステップＦ）において前記中間空間（６’）に沿ってモジュール領域（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）から分離する、請求項２３から２９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
前記ステップＣ）において前記多層ボディ（１０’）を、前記端部誘電層（１００）および前記層列（１１０）を包含するボディの押圧、脱炭および焼結により形成する、請求項２１から３０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３２】
前記外部電極は前記基体の縁を越えて延びており、導電層を形成し、該導電層はコンタクト面を有し、且つ該コンタクト面とは異なる領域においてはパッシベーション層によって覆われている、請求項１記載の多層モジュール。
【請求項３３】
先ず第１の端部層にスルーコンタクト部を設け、且つ前記第１の端部層の両側の主面上に金属層を設け、続けて層列を前記第１の端部層と接続する、請求項２１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気的な多層モジュールに関する。さらに本発明は多層モジュールの製造方法に関する。
【０００２】
基体内に集積されている機能ユニットを備えた多層モジュールは例えば刊行物DE 103 13 891 A1から公知である。多層モジュールを製造する方法は刊行物DE 103 17 596 A1から公知である。
【０００３】
本発明が解決すべき課題は、モジュールの機能ユニットとの有利な接触部を有する多層モジュールを提供することである。本発明が解決すべき別の課題は、この種の多層モジュールの製造方法を提供することである。
【０００４】
誘電層とこの誘電層の間に配置されている構造化された金属層とを有する基体を包含し、基体内にはこの基体の側面に配置されている外部電極を介して電気的に相互に接続されている内部電極が形成されている、電気的な多層モジュールが提供される。
【０００５】
第１の有利な実施形態においては、外部電極と基体の主面上に配置されているコンタクト面との間の電気的な接続部は、モジュールの外面に向かって例えばこの接続部を覆う絶縁層によって絶縁されている。場合によっては、この絶縁層は基体の端部誘電層の構成部分である。
【０００６】
第２の有利な実施形態においては、内部電極のうちの少なくとも１つがスルーコンタクト部を用いてモジュールのコンタクト面と接触している。有利には、コンタクト面と対向する第１の内部電極がスルーコンタクト部を用いてこのコンタクト面と接続されている。
【０００７】
基体の下面に少なくとも１つの別のコンタクト面を配置することができ、この別のコンタクト面はスルーコンタクト部を用いて、このコンタクト面と対向する第２の内部電極と接続されており、この第２の内部電極は第１の内部電極とは電気的に分離されている。
【０００８】
第３の有利な実施形態においては、第１の外部電極に接続されている端部の第１の内部電極および第２の外部電極に接続されている端部の第２の内部電極が同一の平面内に形成されており、それぞれがスルーコンタクト部を用いてモジュールのコンタクト面と接触している。
【０００９】
第１、第２および第３の実施形態の特徴を任意に相互に組み合わせることができる。
【００１０】
以下では多層モジュールならびにその有利な実施形態を詳細に説明する。
【００１１】
誘電層と金属層は交互に重ねられて配置されている。誘電層は有利にはセラミック材料からなる。
【００１２】
基体の表面に配置されているモジュールの端子、すなわち露出しているはんだ付け可能な面をコンタクト面と称する。コンタクト面は有利には基体の下面に配置されているが、択一的に基体の上面に配置することもできる。コンタクト面は有利には電気的に強化された金属面である。コンタクト面には有利にはボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）またはランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）が設けられている。
【００１３】
外部電極は側面、すなわち基体の金属面に配置されている。外部電極は通常の場合、焼き付け可能な金属ペーストから構成されており、この金属ペーストは例えばコンタクト面とは異なり、はんだ付け可能でないうちは制限的にしかはんだ付け可能でない。外部電極ははんだ付けの可能性を改善するために、例えばはんだ付け可能なコーティングが施される。しかしながら実施形態においてはこれを省略してもよい。
【００１４】
第１の内部電極および第２の内部電極とは相互に異なる極性を有する内部電極を表す。内部電極とこの内部電極の間に配置されている誘電層は１つの積層体を形成する。スルーコンタクト部を介して接触する少なくとも１つの内部電極は有利にはこの積層体の端部の内部電極である、
多層モジュールは有利には多層コンデンサである。相互に重なって配置されており、且つ異なる極性を有する、すなわち異なる外部電極に接続されている内部電極とこれらの内部電極間に配置されている誘電層は１つのコンデンサ積層体を形成する。基体には複数のコンデンサ積層体を相互に並べて配置することができ、種々のコンデンサ積層体は有利には異なるコンタクト面を介して接触させることができる。
【００１５】
しかしながら多層モジュールは多層バリスタであってもよい。有利には、第１の積層体が第１の外部電極に接続されている第１の内部電極によって形成されており、第２の積層体が第２の外部電極に接続されている第２の内部電極によって形成されている。これらの積層体は相互に並んで配置されている。したがって１つの金属層内に構成されている第１の内部電極および第２の内部電極は相互に並んで配置されている。
【００１６】
コンタクト面と外部電極との間の電気的な接続部が存在するが、この接続部は有利には隠れている。有利には、コンタクト面は専らこのコンタクト面に対応付けられている外部電極と基体内に隠れている電気的な接続部を介して電気的に接続されている。
【００１７】
実施形態において電気的な接続部はスルーコンタクト部およびこのスルーコンタクト部に接続されている内部電極によって形成されている。この場合、コンタクト面と外部電極との間の電気的な接続部は基体内に隠れている。
【００１８】
別の実施形態においては、基体の側面に配置されている外部電極が基体の下面に配置されている導電層と電気的に接続されており、この導電層の一部がコンタクト面として設けられている。電気的な接続部としてコンタクト面と外部電極との間に設けられているこの導電層の別の部分は、モジュールの表面では有利には絶縁層（パッシベーション層）によって完全に覆われている。
【００１９】
実施形態においては、端部の第１の内部電極および端部の第２の内部電極は同一平面内に形成されており、それぞれスルーコンタクト部を用いてコンタクト面と接触している。端部の内部電極とこの端部の内部電極に続く積層体内の内部電極はそれぞれ有利には同一の外部電極と電気的に接続されている。
【００２０】
実施形態において、スルーコンタクト部が通っている基体の第１の端部誘電層は、コンデンサ積層体またはバリスタ積層体内の誘電層よりも厚い。第１の端部誘電層とは反対側にある第２の端部誘電層も、コンデンサ積層体またはバリスタ積層体内の誘電層よりも厚く構成することができる。
【００２１】
第１の端部誘電層および／または第２の端部誘電層を相互に重ねて配置されている複数の部分層から形成することができる。実施形態において、これらの部分層は材料および厚さに関して同種のものでよい。しかしながらこれらの部分層が材料および／または厚さに関して異なるものであってもよい。
【００２２】
コンデンサ積層体の形成に適している誘電層を例えば以下の材料：ＣＯＧ、Ｘ７Ｒ、Ｚ５Ｕ、Ｙ５Ｖ、ＨＱＭから形成することができる。バリスタ積層体の形成に適している誘電層を例えばバリスタセラミクスＺｎＯ−ＢｉまたはＺｎＯ−Ｐｒから形成することができる。
【００２３】
内部電極および／または外部電極はＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄおよび／またはＰｔを含有することができるか、内部電極および／または外部電極をこれらの材料から形成することができる。内部電極は金属化部、例えばＡｇＰｄまたはＡｇＰｔを含有することもできる。スルーコンタクト部は有利には内部電極と同一の材料からなる。
【００２４】
ＬＧＡはんだボールまたはＢＧＡはんだボールをＳｎ、ＳｎＡｇ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＰｂまたはＡｕから形成することができるか、これらの材料を含有することができる。ＵＢＭ（Under-Bump-Metallization）としてのはんだボールのために使用されるコンタクト面は有利には複数の層から形成されている。基礎層、すなわち一番下の層として例えばＡｇ、ＡｇＰｔ、ＡｇＰｄまたはＣｕが適している。基礎層の上には例えばＮｉからなる阻止層を配置することができる。阻止層の上には有利には例えばＡｕまたはＰｄからなる酸化防止層が配置されている。しかしながら原則としてコンタクト面を有利には銀合金を含有する層から形成することができる。
【００２５】
さらには多層モジュールを製造するための第１の方法が提供される。この方法は以下のステップを含む。
Ａ）電気的なスルーコンタクト部を有する第１の端部誘電層を形成するステップ。
Ｂ）第１の端部誘電層の両側にスルーコンタクト部と接触する導電層を形成するステップ。
Ｃ）複数のモジュール領域を包含する多層ボディを形成し、誘電層と金属層が相互に重なって配置されている層列を第１の端部誘電層上に形成するステップ。
Ｄ）複数のモジュール領域を個別化するステップ。
Ｅ）モジュールの外部電極を形成するためにモジュール領域の側面を金属化するステップ。
【００２６】
さらには多層モジュールを製造するための第２の方法が提供される。この方法は以下のステップを含む。
Ａ）電気的なスルーコンタクト部を有する第１の端部誘電層を形成するステップ。
Ｂ）第１の端部誘電層の両側にスルーコンタクト部と接触する導電層を形成するステップ。
Ｃ）複数のモジュール領域を包含する多層ボディを形成し、誘電層と金属層が相互に重なって配置されている層列を第１の端部誘電層上に形成するステップ。
Ｄ）多層ボディを支持体上に取付け、支持体上のモジュール領域の配置構成が維持され続けるようモジュール領域を分離するステップ。
Ｅ）隣接するモジュール領域間に形成された中間空間を導電性のペーストで充填し、このペーストを焼き付けるステップ。
Ｆ）モジュールを形成するために中間空間に沿ってモジュール領域を個別化するステップ。
【００２７】
以下では第１の方法および第２の方法の有利な実施形態を説明する。
【００２８】
ステップＣ）において形成すべき多層ボディは有利には、端部誘電層および層列を包含するボディの押圧、脱炭および焼結により形成される。これは殊に多層ボディがセラミック材料から形成される場合である。
【００２９】
有利にはステップＦ）が実施される前に、第１の端部誘電層の露出している表面に配置されている導電層にバンプが印刷される。
【００３０】
第１の端部誘電層の露出している表面に配置されている導電層は有利には、モジュールの表面実装可能なコンタクト面を形成するために設けられている。
【００３１】
少なくとも、第１の端部誘電層の露出している表面に配置されている導電層のコンタクト面として設けられている領域は有利にははんだ付け可能な材料によって電気的に強化される。
【００３２】
導電層のコンタクト面として設けられている領域と外部電極とを相互に電気的に接続する導電層の一部には絶縁層を設けることができる。
【００３３】
多層ボディの第１の端部誘電層とは反対側にある第２の端部誘電層を相互に重ねて配置されている複数の部分層から形成することができる。
【００３４】
方法の実施形態においては、第１の端部誘電層が相互に重ねて配置されている複数の部分層から形成される。
【００３５】
第２の方法の実施形態においては、モジュール領域を包含する多層ボディの部分を、隠されたモジュール構造を有していない端部領域によって包囲することができ、この端部領域は前述のステップＣ）が実施される前に、前述のステップＥ）において導電性のペーストで充填される中間空間によってモジュール領域から分離され、この際支持体上のモジュール領域および端部領域の配置構成は維持され続け、また端部領域はステップＦ）において中間空間に沿ってモジュール領域から分離される。
【００３６】
以下では図面を参照しながら多層モジュールおよびその製造方法のステップを説明するが、これらの図面は概略的なものであって縮尺通りには描かれていない。ここで、
図１Ａは、内部電極を有する多層モジュールの断面図であり、これらの内部電極は外部電極を用いて相互に接続されており、またスルーコンタクト部を用いてコンタクト面と電気的に接続されており、
図１Ｂは、図１Ａによるモジュールの下面を示す平面図であり、
図２は、図１Ａによるモジュールの製造方法の種々のステップを示し、
図３Ａは、相互に依存せずに接触可能な複数のコンデンサ積層体を有する多層モジュールの断面図であり、
図３Ｂは、図３Ａによるモジュールの下面を示す平面図であり、
図４は、図１Ａまたは図３Ａによるモジュールの製造方法の種々のステップを示し、
図５Ａは、外部電極がコンタクト面を有する導電層と電気的に接続されており、この導電層の一部がパッシベーション層によって覆われている多層モジュールの断面図を示し、
図５Ｂは、図５Ａによるモジュールの下面を示す平面図であり、
図６は、モジュール領域ではない端部領域を含む多層ボディを示す。
【００３７】
図１Ａ，３Ａおよび５Ａに示されている多層モジュールの下面は上記において説明したものである。
【００３８】
図１Ａおよび図１Ｂには基体１０を有する多層モジュールが示されており、この基体１０は誘電層とこの誘電層の間に配置されている金属層を包含する。図１Ａは図１Ｂに示されている線分ＡＡに沿った断面に対応する。このことは図３Ａと図３Ｂの関係ないし図５Ａと図５Ｂの関係にも該当する。
【００３９】
図１Ａにおいて金属層はそれぞれ少なくとも１つの内部電極に構造化されている。第１の内部電極１，１’は第１の外部電極１１に接続されており、第２の内部電極２，２’は第２の外部電極１２に接続されている。外部電極は基体の相互に対向する側面に配置されている。第１の内部電極１および第２の内部電極２は交互に重ねられて配置されており、それら内部電極の間に配置されている誘電層と共にコンデンサ積層体１０２を形成する。
【００４０】
端部の第１の内部電極１’および端部の第２の内部電極２’は１つの金属層内に配置されている。これらの内部電極はそれぞれスルーコンタクト部３１，３２を用いて、この実施形態においてはコンタクト面２１，２２を形成する導電層２０１，２０２と接触している。コンタクト面２１，２２にはバンプ、この例においてはＢＧＡバンプが設けられている。
【００４１】
第１の端部誘電層１００は基体１０の第１の層として形成されている（図２ａ〜２ｃを参照されたい）。この層は内部電極１，２間に配置されている誘電層よりも厚い。
【００４２】
第２の端部誘電層１０１もコンデンサ積層体１０２の誘電層よりも厚い。
【００４３】
コンタクト面２１，２２にはＢＧＡバンプが設けられるので、図１Ｂにおいてコンタクト面２１，２２は円形の輪郭を形成している。
【００４４】
図３Ａ，３Ｂには図１Ａ，１Ｂに関連させて説明した多層モジュールの別の実施形態が示されており、この実施形態は独立して接触可能な複数の機能ユニット、図示した例においては４つのコンデンサ積層体を包含する。種々の機能ユニットが異なる外部電極の組１１，１２；１１−１，１２−１；１１−２，１２−２；１１−３，１２−３を有しており、また異なるコンタクト面の組２１，２２；２１−１，２２−１；２１−２，２２−２；２１−３，２２−３に接続されている。この実施例においてコンタクト面は矩形に形成されており、またＬＧＡバンプを設けることに適している。
【００４５】
図２および図４には、図１Ａ，１Ｂまたは３Ａ，３Ｂによる多層モジュールの製造方法の種々のステップが示されている。図２ａ〜２ｄおよび４ａ〜４ｄには複数のモジュール領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３を包含する焼結された多層ボディ１０’を提供するためのステップが示されている。モジュール領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は製造すべきモジュールの前身モジュールである。
【００４６】
図２ａには第１の端部誘電層１００が示されており、この第１の端部誘電層１００ではスルーコンタクト部３１，３２を形成するため孔が打ち抜かれ、この孔が導電性のペーストで充填される。端部誘電層１００の両面にはスルーコンタクト部と接触する導電層２０１，２０２，１’，２’が形成され（図２ｂを参照されたい）、これらの導電層２０１と１’ならびに２０２と２はスルーコンタクト部３１，３２を用いて相互に接続されている。この層の一方の側には導電層２０１，２０２が形成され、これらの導電層２０１，２０２はコンタクト面として設けられている。この層の他方の側には導電層１’および２’が形成され、これらの導電層１’および２’は端部の内部電極として使用され、且つ後続のステップにおいて外部電極に接続される。
【００４７】
端部誘電層１００には層列１１０が形成され、この層列１１０においては誘電層、有利にはセラミックを含有する層が金属層と交互にラミネートされる。層および層列１１０は一緒に１つの多層ボディ１０’を形成する。多層ボディの端部誘電層１０１が例えば複数の誘電部分層を重ねることにより、内部に配置されている誘電層よりも厚く形成されることは有利である。これらの部分層は有利には内部に配置されている誘電層と同種のものである。
【００４８】
層１００もこのように複数の部分層から形成することができる。しかしながら層１００および／または層１０１をそれぞれ比較的厚い単一の層として形成することも可能である。
【００４９】
多層ボディ１０’は押圧され（図２ｄを参照されたい）、脱炭され、焼結される。焼結された多層ボディ１０’は支持体７に取付けられ、その表面において有利には粘着性の力により固定される。
【００５０】
多層ボディ１０’はモジュール領域として設けられている複数の領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３を包含し、これらのモジュール領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は鋸引きにより相互に分離され、モジュール領域間には中間空間６が生じる（図２ｅを参照されたい）。支持体７に切り込みが付いてもよいが、支持体７が切り離されることはなく、支持体上のモジュール領域の配置構成も実質的に維持され続ける。中間空間６は図２ｆに示したステップにおいて導電性材料６１、例えば金属ペーストで充填され、この導電性材料６１は続いて焼き付けられる。中間空間６は連続する２つのモジュール領域を相互に隔てる溝の形を有する。
【００５１】
コンタクト面として設けられている導電層２０１，２０２にはバンプ４１，４２が取付けられる（図２ｇを参照されたい）。多層ボディ１０’のモジュール領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は図２ｈに示されているステップにおいて、図面では一点鎖線で示されている予定された線（鋸引き線）に沿って個別化され、これにより側面に外部電極１１，１２を有するモジュールが形成される。これらの線は中間空間６のほぼ中央を通っている。
【００５２】
金属層の導電層２０１，２０２，１’，２’，１，２は有利にはシルクスクリーン法により形成される。コンタクト面として設けられている導電性の面２０１，２０２は有利には多層ボディ１０’の焼結後に電気メッキにより強化される。
【００５３】
図４には別の方法のステップが概略的に示されている。
【００５４】
図４ａ〜４ｄに示されている多層ボディ１０’を形成するためのステップは図２ａ〜２ｄに関連させて既に説明したステップに対応する。
【００５５】
モジュール領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は多層ボディ１０’の提供後に一点鎖線で示されている分離線に沿って例えば鋸引きにより個別化され、各モジュール領域の側面はモジュールの外部電極１１，１２を形成するために金属化される、すなわち金属ペーストにより覆われ、この金属ペーストが焼き付けられる。
【００５６】
多層ボディ１０’をモジュール領域の個別化の際に支持体７に配置し、モジュール領域は分離後に支持体から剥がされることは有利である。
【００５７】
図５Ａおよび図５Ｂに示した実施形態においては、基体１０の側面に配置されている外部電極１１，１２がこの側面の縁を越えて延びており、基体１０の下面に導電層２０１，２０２を形成する。この導電層の一部はコンタクト面２１，２２として設けられている。有利には導電層のこの領域のみが露出している、もしくは絶縁層５１，５２によって覆われていない。コンタクト面と側方に配置されている外部電極１１，１２との間に電気的な接続部２８，２９として設けられている、この導電層の残りの部分はモジュールの表面では、この例においては絶縁層５２（パッシベーション層）によって完全に覆われている。
【００５８】
コンタクト面２１，２２にはバンプ４１，４２が設けられている。絶縁層５２はバンプ４１，４２の溶解の際のはんだストップとして使用される。
【００５９】
図６は、モジュール領域Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３を有する多層ボディの部分が隠れたモジュール構造（殊に内部電極）を有していない端部領域ＲＢによって包囲されている実施形態を示す。端部領域ＲＢが図２ｅに示されているステップにおいて、金属ペーストでもって充填される中間空間６’によって端部のモジュール領域Ｂ１およびＢＮから分離されるが、支持体７上のモジュール領域と端部領域の配置構成は維持され続ける。端部領域ＲＳは図２ｈに示されているステップにおいて中間領域に沿って端部のモジュール領域Ｂ１およびＢＮから分離される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】内部電極を有する多層モジュールの断面図。
【図１Ｂ】図１Ａによるモジュールの下面を示す平面図。
【図２】図１Ａによるモジュールの製造方法の種々のステップ。
【図３Ａ】相互に依存せずに接触可能な複数のコンデンサ積層体を有する多層モジュールの断面図。
【図３Ｂ】図３Ａによるモジュールの下面を示す平面図。
【図４】図１Ａまたは図３Ａによるモジュールの製造方法の種々のステップ。
【図５Ａ】外部電極がコンタクト面を有する導電層と電気的に接続されており、この導電層の一部がパッシベーション層によって覆われている多層モジュールの断面図。
【図５Ｂ】図５Ａによるモジュールの下面を示す平面図。
【図６】モジュール領域ではない端部領域を含む多層ボディ。
【符号の説明】
【００６１】
１０  基体、  １０’  多層基体、  １００  第１の端部誘電層、  １０１  第２の端部誘電層、  １０２  コンデンサ積層体、  １１０  誘電層と金属層からなる層列、  １  第１の内部電極、  ２  第２の内部電極、  １’  端部の第１の内部電極、  ２’  端部の第２の内部電極、  １１，１１−ｊ（ｊ＝１，２，３）  第１の外部電極、  １２，１２−ｊ（ｊ＝１，２，３）  第２の外部電極、  ２１，２１−ｊ（ｊ＝１，２，３）  第１のコンタクト面、  ２２，２２−ｊ（ｊ＝１，２，３）  第２のコンタクト面、  ２０１，２０２  コンタクト面を有する導電層、  ２８，２９  基体の主面上に配置されているコンタクト面と外部電極との間の電気的な接続部、  ３１，３２  スルーコンタクト部、  ４１，４２  バンプ、  ５０，５１，５２  絶縁層、  ６  モジュール領域間に形成された中間空間、  ６’  多層基体１０’の端部領域とモジュール領域との間に形成された中間空間、  ６１  中間空間６，６’を充填する導電性の材料、  ７  支持体、  Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，ＢＮ  モジュール領域、  ＲＢ  端部領域
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図２ｅ】
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【図２ｆ】
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【図２ｇ】
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【図２ｈ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【国際調査報告】
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