(57)【要約】  乗員保護手段を制御する制御装置が提供される。この制御装置は、種々の給電電圧（Ｖas，Ｖer）を提供し、エネルギ蓄積部（ｅr）を充電するためにコンフィギュレートされている第１の半導体モジュール（１００）と、同様にエネルギ蓄積部（ｅr）を充電するためにコンフィギュレートされている少なくとも１つの第２の半導体モジュール（１１１）とを備えており、第１の半導体モジュール（１００）および第２の半導体モジュール（１１１）はそれぞれ半導体支持体を有する。
2008524052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乗員保護手段を制御する制御装置において、
種々の給電電圧（Ｖas）を提供し、エネルギ蓄積部（ｅr）を充電するためにコンフィギュレートされている第１の半導体モジュール（１００）と、
同様に前記エネルギ蓄積部（ｅr）を充電するためにコンフィギュレートされている少なくとも１つの第２の半導体モジュール（１１１）とを備え、
前記第１の半導体モジュール（１００）および前記第２の半導体モジュール（１１１）はそれぞれ半導体支持体を有することを特徴とする、乗員保護手段を制御する制御装置。
【請求項２】
前記第１の半導体モジュール（１００）および前記第２の半導体モジュール（１１１）は車両バッテリの電圧レベル（Ｖzp）に前記エネルギ蓄積部（ｅr）を充電するためにコンフィギュレートされている、請求項１記載の制御装置。
【請求項３】
前記第１の半導体モジュール（１００）は制御装置に接続されている少なくとも１つの第１のセンサ（ＰＡＳＳ，ＰＰＳ）に対する第１の給電電圧を提供する電圧降圧変換器を有し、前記第２の半導体モジュール（１１１）は前記第１の給電電圧を前記車両バッテリの電圧レベル（Ｖzp）から導出し、導出した電圧を前記制御装置に接続されている少なくとも１つの第２のセンサに供給する、請求項１記載の制御装置。
【請求項４】
前記第２の半導体モジュール（１１１）は前記車両バッテリの故障を識別する回路（１１２）を有する、請求項１記載の制御装置。
【請求項５】
前記第２の半導体モジュール（１１１）は、前記車両バッテリの故障時に前記第１の半導体モジュール（１００）が充電を中断し、少なくとも１つの前記第２のセンサに前記第１の給電電圧（Ｖas）が供給されるように前記第１の半導体モジュール（１００）と接続されている、請求項４記載の制御装置。
【請求項６】
前記第１の半導体モジュール（１００）は前記エネルギ蓄積部（ｅr）をより高い電圧（Ｖer）で充電するためにコンフィギュレートされており、前記車両バッテリの故障時に、前記より高い電圧（Ｖer）を形成する電圧昇圧変換器を遮断する、請求項５記載の制御装置。
【請求項７】
前記第１の半導体モジュール（１００）および前記第２の半導体モジュール（１１１）は、スイッチを制御するセンサと接続するための回路、点火回路を制御するための回路、データ線路を用いる通信のための回路をそれぞれ有する、請求項１から６までのいずれか１項記載の制御装置。
【請求項８】
前記第１の半導体モジュール（１００）の最大熱負荷は、実施される機能によって使用されている、請求項１記載の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
従来技術
本発明は、独立請求項の上位概念に記載されている乗員保護手段を制御するための制御装置に関する。
【０００２】
発明の利点
独立請求項に記載されている特徴部分を備えた本発明による乗員保護手段を制御するための制御装置は、第１の半導体モジュールの他に、既に制御装置の種々の基本機能が組み込まれている別の半導体モジュールが提供されることにより、制御装置は所定の機能範囲において単独で機能することができ、第１の半導体モジュールにおける熱負荷が低減されるという利点を有する。第１の半導体モジュールも第２の半導体モジュールもそれぞれ半導体支持体、すなわちそれぞれのシリコン基板上において実現されている。その種の半導体モジュールにおいて実現することができる機能の数は、例えば半導体支持体の許容される熱的な限界により制限されている。しかしながらより多くの機能が集積されるべき場合には、例えば第２の半導体支持体は有利である。この第２の半導体モジュールは有利には好適且つ僅かなコストで実施されている。第１の半導体モジュールの熱負荷を低減するために、エネルギ供給部の充電を第１の半導体モジュールだけでなく、第２の半導体モジュールによっても行えるようにすることが提案される。第１の半導体モジュールの充電回路において生じ、しかも昇圧変換動作時に半導体モジュールの有限の内部抵抗に基づき生じる損失の低減は第２の半導体モジュールの内部抵抗との並列回路によって著しく低減される。並列回路の総抵抗は単一のモジュールの抵抗よりも低い。これにより支持体の温度も低下し、したがって第１の半導体モジュールが実施することができる給電の可能性が高まる。これは、第２の半導体モジュールにおける回路ブロックに給電するため、また制御装置内のマイクロコントローラの性能を高めるために必要である。性能が高まることにより速度が増し、またメモリを増やすことができる。
【０００３】
従属請求項に記載されている措置および実施形態により、独立請求項に記載されている制御装置の有利な改善形態が実現される。
【０００４】
殊に有利には、第１の半導体モジュールおよび第２の半導体モジュールがエネルギ蓄積部を車両バッテリのエネルギレベルに充電するようにコンフィギュレートされている。このコンフィギュレーションにより、通常の場合２０Ｖ〜５０Ｖの範囲、すなわち車両バッテリ電圧に比べて高い電圧で充電されるエネルギ充電部の充電の第１段階が達成される。
【０００５】
さらに有利には、第１の半導体モジュールには第１の給電電圧を提供するための降圧変換器が設けられており、この第１の給電電圧を用いて制御装置に接続されているセンサ、例えば速度センサ、温度センサおよび圧力センサが給電される。しかしながら第２の半導体モジュールはこの第１の給電電圧を車両バッテリの電圧レベルから導出し、したがって同様に制御装置に接続可能なセンサが給電される。
【０００６】
有利には、第２の半導体モジュールは車両バッテリの故障を識別する回路を有する。この回路によって第２の半導体モジュールは第１の半導体モジュールに対して、エネルギ蓄積部の充電が遮断され、それまでバッテリ電圧から第２の半導体モジュールを介して給電されていた１つまたは複数のセンサが、他のセンサと同様に第１の半導体モジュールにおける降圧変換器を用いてエネルギ蓄積部からエネルギを取り出すことにより給電されることをシグナリングする。
【０００７】
エネルギ蓄積部を充電するために、第１の半導体モジュールは、この第１の半導体モジュールがエネルギ蓄積部を車両バッテリよりも高い電圧で充電するようにコンフィギュレートされている。故障時、殊に車両バッテリまたは搭載電源網の電圧が低い（ＵＢＡＴ＜６Ｖ）場合（自立モード、サブ給電モード）、第１の半導体モジュール内に設けられている昇圧変換器が遮断される。付加的に、全てのモジュールにおけるプリチャージャが遮断される。すなわちエネルギ蓄積部を充電するためにバッテリ電圧から電流はもはや取り出されない。これにより第１の半導体モジュールにおいては、サブ給電モードにおけるエネルギ蓄積部の充電プロセスによって生じる損失電力が除去される。サブ給電モードおよび自立モードにおいて除去される損失電力が第１の給電電圧を形成するために降圧変換器に供給され、第１の半導体モジュールの最大総損失電力を上回ることなく、第２の半導体モジュールによるセンサへの付加的な給電が第１の給電電圧からも同様に実現される。
【０００８】
第１の半導体モジュールおよび第２の半導体モジュールは、外部センサに接続するための回路、スイッチ位置、ホールセンサ信号を検出する回路、点火回路を点火および検査するための回路、データ線路と接続するための回路をそれぞれ有する。データ線路とは例えばＬＩＮ、ＣＡＮまたいわゆるシリアル・ペリフェラル・インタフェースバス（ＳＰＩ）のようなバスシステムと解される。
【０００９】
図面
本発明の実施例を図面に示し、以下において詳細に説明する。
【００１０】
ここで、
図１は、制御装置における第１の半導体モジュールおよび第２の半導体モジュールのブロック回路図を示し、
図２は、機能ブロックのブロック回路図を示す。
【００１１】
実施例の説明
エアバッグ、シートベルトテンショナもしくはロールバーまたは歩行者保護システムのような乗員保護手段を制御するための制御装置は種々の集積回路を有し、その種の集積回路を半導体支持体、すなわち半導体基板上に製造することもできる。その種の半導体モジュールは種々の機能のために使用される。その種の半導体モジュールには例えばインタフェース機能、点火回路の制御部および制御装置の給電部が集積される。半導体基板における熱形成は、半導体基板上に集積することができる機能の数を制限する重要なパラメータである。
【００１２】
第１の半導体モジュールにおける熱形成を制限するために、この第１の半導体モジュールの他に少なくとも１つの第２の半導体モジュールを設けることが提案される。ここではまた、エネルギ蓄積部の充電の際に第２の半導体モジュールも関与させることが提案される。さらに第２の半導体モジュールは制御装置の外部に接続されるセンサの一部にも電流を供給すべきである。第２の半導体モジュールを可能な限り簡単に実施するために、この第２の半導体モジュールはセンサのための給電電圧を車両バッテリの電圧から導出する。このために例えば簡単な電圧制限回路が使用される。第１の半導体モジュールは半導体支持体上に給電ユニット、点火回路のための出力段、外部センサとのインタフェース、アナログの入力側および出力側、例えばスイッチ判定およびランプドライバ、ならびに例えばＬＩＮ，ＣＡＮまたはＳＰＩを介するデータ通信のための受信モジュールおよび送信モジュールを有する。上述のように、制限をなす要因は半導体支持体の熱的な限界である。その種の半導体モジュールにおいて別の機能がエアバッグ制御装置のために提供されるべき場合には、これらの別の機能を実施する第２の半導体モジュールが提案される。いわゆる自立モードの場合、すなわち車両バッテリ電圧が遮断される場合、制御装置のために必要とされるエネルギはエネルギ蓄積部から取り出される。エネルギ蓄積部からのエネルギによって、制御装置は所定の時間にわたり完全に機能する状態にとどまるべきである。第２の半導体モジュールは固有のスイッチ制御装置および線形制御装置なしでも構成することができる。
【００１３】
図１は乗員保護手段を制御するための制御装置における第１の半導体モジュール１００および第２の半導体モジュール１１１を示す。電圧Ｖbatに関しては車両バッテリ電圧が２つのモジュール１００および１１１によって線路１ｂおよび１ｃを介して電圧Ｖzpとして取り出される。第１の半導体モジュールにおけるモジュール１０１ないし第２の半導体モジュールにおけるモジュール１２５はモジュール１０２に直接的に接続されているエネルギ蓄積部ｅRの第１段階の充電のために使用される。続く段階においては、ブロック１０２から成る昇圧変換器によってエネルギ蓄積部ｅRがさらに高い電圧値、例えば２０Ｖ〜４０Ｖで充電される。ブロック１０３および１１３で表されている中央機能部は、複数のＩＣ機能ブロック、例えば電圧参照部（バンドギャップ）、電流参照部、クロック発生器、パワー・オン・リセット発生器、電圧監視部、温度監視部にとって必要とされる回路部分を包含する。ブロック１０４はサブ給電ケースＵＢＡＴ＜６Ｖないし自立モードの場合に、電圧Ｖasを第２の半導体モジュールのモジュール１１５を介して外部センサに給電できるようにするために、バッテリ電圧についての降圧変換器として使用される。
【００１４】
機能モジュール１１５はインタフェース１１６にエネルギを供給する。通常時に、このエネルギはＶＺＰから、したがってバッテリから直接的に取り出される。自立モードないしサブ給電モードＵＢＡＴ＜６Ｖにおいては、機能モジュール１１５がＶＡＳに基づく給電ケースへの切換を実現する。
この切り換えをトランジスタスイッチにより行うことができる。
図２は機能ブロック２００をその構造に関して示している。通常時に、ＮＡはハイレベルにあり、インタフェースには導通しているトランジスタＴ１，Ｔ１１を介してＶＺＰから給電が行われる。Ａは０レベルであり、Ｔ２１およびＴ２は遮断されている。自立モードの場合、Ａはハイレベルにあり、インタフェース２０６には導通しているトランジスタＴ２１，Ｔ２を介してＶＡＳから給電が行われる。Ｎ−ＭＯＳＦＥＴＴ１，Ｔ１１ないしＴ２，Ｔ２１のバック・ツー・バック配置によって、ダイオードを使用する必要はなくとも、ＶＡＳはＶＺＰに対して誤極性について保護されている。択一的に他のタイプのトランジスタも使用することができる。
【００１５】
機能ブロック１０５におけるモジュール１００内の線形の電圧制御装置は第１の給電電圧（ＶＡＳ）から、エアバッグシステムに必要とされる安定化されたディジタルおよびアナログの電圧を形成する。ここでは例えばＶＳＴ５０＝５ＶおよびＶＳＴ３３＝３．３Ｖが形成される。
【００１６】
第１の半導体モジュールにおけるブロック１０６および第２の半導体モジュールにおけるブロック１１６は外部に接続されているセンサへの給電およびこのセンサとのデータ通信に使用される。第１の半導体モジュールにおけるブロック１０７および第２の半導体モジュールにおけるブロック１１７はランプの制御に使用され、また例えばスイッチまたはホールセンサのようなアナログのセンサの測定、給電および評価に使用される。第１のモジュール１００におけるブロック１０８および第２のモジュール１１１におけるブロック１１８は、点火回路出力段としてこの点火回路出力段を制御および評価するために使用される。第１の半導体モジュール１００におけるブロック１０９と第２の半導体モジュール１１１におけるブロック１１９とは通信モジュール（インタフェース）としてデータ線路、例えばＬＩＮ，ＣＡＮまたはＳＰＩを介する通信のために使用される。第１の半導体モジュール１００のブロック１１０または第２の半導体モジュール１１１のブロック１２０にはそれぞれディジタルロジックが設けられており、このディジタルロジックは全体のモジュール機能を制御するために使用される。
【００１７】
図１はまたエアバッグ制御装置電子機構を構成するための第１の半導体モジュールおよび第２の半導体モジュールを示す。第１の半導体モジュールのみがマイクロコントローラおよび接続されているセンサを除き、エアバッグ制御電子装置に必要とされる全ての基本機能を有する。第１の半導体モジュールの給電ユニットおよび熱特性は、基本マイクロコントローラのこのモジュールのディジタルおよびアナログの全ての機能、接続されている電流インタフェースを備えたセンサの制御装置内部のセンサ装置、アナログセンサ、接続されている標準点火回路ならびに接続されている通信インタフェースに給電できるように設計されている。しかも自動車の所定の電圧領域内および第１の半導体モジュールの所定の温度領域内で設計されている。給電電圧の所定の電圧領域は例えば６〜２０Ｖでよい。パッケージングされた第１の半導体モジュールの所定の温度領域は−４０℃〜＋１０５℃でよい。第２の半導体モジュールの他に、別のタスクを実行できるようにするためにさらに別の半導体モジュールを設けることができ、エネルギ蓄積部の充電回路（機能ブロック１０１，１０２）における損失電力は、モジュールにおいて別のタスクを実施するために必要とされるエネルギをモジュール１００によって付加的に提供でき、このモジュール１００に熱的に過剰な負荷が掛からないように低減される。両方の半導体モジュールに設けられているプリチャージャ（充電回路）により、バッテリ電圧にほぼ相当する電圧レベルでのエネルギ蓄積部の事前充電はむしろタンデムにおいて２つまたはｎ個の電流制御装置によって実現される。したがってこれらの半導体モジュールにおける充電回路が同一に構成されている場合には、バッテリレベルへのエネルギ蓄積部の充電速度を同じ容量ではｎ倍速めることができる、もしくは例えばｎ倍の大きさのシステムが必要とされるようなｎ倍の容量では同じ速度に維持することができる。
【００１８】
矢印１ｂおよび２ｂはバッテリＶbat，Ｖzpから第１の半導体モジュール１００におけるブロック１０１、コイルおよびクロック制御される昇圧変換器の回路ブロックを介するエネルギ蓄積部ｅRへのエネルギの経路を示す。矢印１ｃおよび２ｃはバッテリＶbat，Ｖzpからブロック１２５を介するＶpcにおけるコイルへのエネルギの経路を示す。モジュール１００におけるプリチャージャ１０１の充電電流がｉpbであり、随伴モジュールにおけるプリチャージャ１２５の充電電流がｉpcである場合には、エネルギ蓄積部ないし昇圧変換器の総充電電流はｉp＝ｉpb＋ｉpcである。クロック式の動作時では、第１の半導体モジュール１００における昇圧変換器１０２が所定の昇圧変換効率を有する。この効率は外部の回路の条件が所定のものである場合、クロック周波数の入出力電圧の充電電流ｉerおよび温度に対して一定である。第２の半導体モジュール１１１を用いる拡張によって、昇圧変換動作時のこの装置の有限の内部抵抗ｒibに基づく、第１の半導体モジュール１００の充電回路内に生じる損失は、第２の半導体モジュール１１１における充電回路の並列な抵抗ｒicにより著しく低減される。何故ならば、並列な充電回路の総抵抗は相応に低減されるからである。つまりｒi＝ｒib*ｒic／（ｒib＋ｒic）。
【００１９】
第２の半導体モジュール１１１により改善される、第１の半導体モジュール１００の昇圧変換器の効率の上昇により、給電ユニットの負荷が等しい場合には第１の半導体モジュール１００の支持体温度が低下する、もしくは温度が等しい場合には給電の可能性が高まる。
【００２０】
このような高められた給電の可能性は拡大したシステムへの給電にとって所望される。これは第２の半導体モジュールにおけるアナログおよびディジタルの回路ブロック、また比較的大きいシステムにおける速度およびメモリに関するマイクロコントローラの性能を高めるために必要とされる給電電流である。
【００２１】
第１の半導体モジュール１００の本質的な回路ブロックは昇圧変換器１０２である。この昇圧変換器１０２はチップ１０１上のプリチャージャまたはモジュール１１１における別のプリチャージャによりＶＺＰ（ＵＢＡＴ）から給電され、負荷として接続されている単一のＶＥＲ−ＶＡＳ降圧変換器にＵＢＡＴからエネルギを供給し、このエネルギはＶＥＲとしてより高い電圧２０Ｖ〜４０Ｖに変換される。降圧変換された電圧、いわゆるアナログ給電電圧ＶＡＳはエネルギの流れを表す矢印、例えば５ｂ，６ｂ，７ｂ，７ｃによって示されている。比較的大きいシステムにおいては外部センサの数を増やす必要があるので、第１の半導体モジュール１００における熱負荷は殊に変換器１０２におけるより多くの損失によって高まる。第２の半導体モジュールにおける別のスイッチングコンバータを必要としない解決手段を見つけるために、本発明においては以下のような新たなアプローチが提案される。すなわち付加的な外部センサへの給電は第２の半導体モジュールにおけるインタフェースを介して直接的に車両バッテリから行われ、自立モードの場合にのみ、すなわちバッテリ電圧が無い場合、または殆ど無い場合に第１の半導体モジュールからエネルギＶasを取り出す。
【００２２】
図１において、自立モード識別部１１２はｖzpが過度に低いことを識別する。固有の通常動作を維持するために、例えばＶzpは５．２Vより小さい。この場合、第２の半導体モジュールは信号Ｂａｓｉｓ＿ＣＴＬを用いて第１の半導体モジュールに自立モードであることを通知する。第１の半導体モジュール１００の充電回路１０１および昇圧変換器１０２ならびに第２の半導体モジュール１１１の充電回路１２５が遮断される。これによって第１の半導体モジュールにおいては全体のエネルギ蓄積部充電装置の損失電力は無くなる。このことは、低い入力電圧（Ｖzb＝５．２V）に関して、エネルギ蓄積部充電装置の効率が遮断フェーズに比べて長い充電フェーズにおいては最も低い値を取るので非常に意味がある。例えば、有効電力（Ｖer＝３５V，ｉer＝７５ｍＡ）および例えば０．６５の効率を有するエネルギ蓄積部充電装置では１．４Wの損失電力が生じる。第１の半導体モジュールの３２Ｋ／Wの熱抵抗では、第１の半導体モジュールの温度負荷軽減は４４．８Ｋである。
【００２３】
第２の半導体モジュールの外部センサに対する通常条件下で行われるＶzpからの給電は図面において５ｃで表されており、自立モード識別後に、６ｃで表されている第１の半導体モジュールの電圧Ｖasに切り換えられる。
【００２４】
これによって、既に通常動作時の給電５ｂ，６ｂ，７ｂおよび７ｃを保証している、第１の半導体モジュール１００のＶas給電の負荷が高まる。このことは、第１の半導体モジュール１００はエネルギ蓄積部充電装置の損失が無くなることにより熱的に負荷が軽減されており、したがって支持体材料の最大温度を上回ることなく、昇圧変換器におけるより高い損失が可能とされるので、熱的にのみ可能とされる。
【００２５】
図１を別の実施形態においては第２の半導体モジュールによる別の半導体モジュールによって拡張することができる。外部センサとのインタフェースを有するその種の各モジュールは、モジュールの構成部材であってもよいし、そうでなくてもよい自立モード識別回路を介して、インタフェースへの給電をＶzp／Ｖbatから第１の半導体モジュール１００が供給する制御された電圧Ｖasに切り換えることができなければならない。
【００２６】
以下では幾つかの例を挙げる。第１の例においてはバッテリ電圧Ｖzpが５．２Vよりも高く、且つ目下の電圧Ｖerよりも高い。システムは例えば立上りフェーズ（Ｖer＝０，Ｖzp＝１２V）にある。エネルギ蓄積部は半導体モジュール１００におけるプリチャージャ１０１および半導体モジュール１１１におけるプリチャージャ１２５により並行して充電される。第１の半導体モジュール１００のインタフェース１０５，１０７ないし第２の半導体モジュールのインタフェース１１６，１１７に接続されている外部センサへの給電は行われず、インタフェースは遮断されており、したがってエネルギ蓄積部はバッテリ電圧にほぼ相当する電圧に急激に引き上げられる。したがって、第２の半導体モジュールは信号ＢＡＳＩＳ＿ＣＴＬ＝１を第１の半導体モジュール１００に送信する。
【００２７】
第２の動作領域ＶＺＰ≒ＶＥＲ、すなわちエネルギ蓄積部が事前充電されており、且つＶＺＰ＞５．２Ｖ（ＵＢＡＴ＞６Ｖ）の場合、半導体モジュール１１１が信号ＢＡＳＩＳ＿ＣＴＬ＝１を第１の半導体モジュールに送信し、これによりモジュール１１１における自立モード監視部が十分なバッテリ電圧を確認することが再びシグナリングされる。これによってモジュール１００およびモジュール１１１における２つのプリチャージャはアクティブなままにとどまる。しかしながらこの動作領域においてモジュール１００は付加的に、エネルギ蓄積部電圧がバッテリ電圧レベルにあることを確認し、したがって昇圧変換器をアクティブ化する。付加的に、プリチャージャ１０１はさらにより高い電圧レベルにおいて制限的に動作される。同一の情報がモジュール１１１におけるプリチャージャにも信号ＣＭＰ＿ＣＴＬ＝０によって伝送される。
【００２８】
エネルギ蓄積部は、飽和状態にあるトランジスタのプリチャージャ１０１，１２５の内部抵抗の並列回路に基づき効率が改善されている変換器によって２０Ｖ〜４０Ｖの電圧、典型的には３５Ｖの電圧で充電される。
【００２９】
制御装置は通常状態にある。第１の半導体モジュールに接続されている制御装置の外部センサＰＡＳ，ＰＰＳはＶＡＳから給電される。第２の半導体モジュールに接続されている外部センサはＶＺＰから給電される。
【００３０】
第３の動作領域においては、自立モードまたはサブ給電モードであり、ＶＺＰ＜５．２Ｖであることを特徴とする。第２の半導体モジュール１１１はＢＡＳＩＳ＿ＣＴＬ＝０によって第１のモジュールに自立モードであることを伝送する。この信号はモジュール１００においてプリチャージャ１０１および昇圧変換器１０２の遮断を指示する。第２のモジュールにおいては自立モードにより同様にプリチャージャ１２５が遮断される。信号ＣＭＰ＿ＣＴＬはここでは意味を有さない。
【００３１】
機能グループ１１５は自立モードの識別により接続される。すなわち、第１の半導体モジュールにおけるセンサのように、第２の半導体モジュールに接続された外部センサＰＡＳ，ＰＰＳはＶＡＳから給電される
上述のように、第１の半導体モジュールおよび第２の半導体モジュールの負荷を相応に軽減するために、別の半導体モジュールを任意の数設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】制御装置における第１の半導体モジュールおよび第２の半導体モジュールのブロック回路図。
【図２】機能ブロックのブロック回路図。
【図１】
2008524052.tif 000003
【図２】
2008524052.tif 000004
【国際調査報告】
2008524052.tif 000005
2008524052.tif 000006
2008524052.tif 000007
2008524052.tif 000008