(57)【要約】  本発明は、静電気を用いた従来のマイクロミラーの欠点を克服した、２種類のディスクリート制御マイクロミラー（ＤＣＭ）を提供する。第１の類型のマイクロミラーは、静電気による従来のマイクロミラーよりも変位範囲の大きい可変支持ディスクリート制御マイクロミラー（ＶＳＤＣＭ）である。ＶＳＤＣＭの変位の正確性は、静電気による従来のマイクロミラーよりも好適であり、かつ動作電圧はＩＣ構成部品に適応している。ＤＣＭの第２の類型は、セグメント電極ディスクリート制御マイクロミラー（ＳＥＤＣＭ）であり、静電気による従来のマイクロミラーと同様の欠点を有している。しかし、ＳＥＤＣＭは、公知のマイクロ電子工学技術に適応される。
2008503772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）マイクロミラーと、
ｂ）上記マイクロミラーを静置する複数の可変支持体と、を備えており、
上記可変支持体が、上記マイクロミラーの位置を決定することを特徴とするディスクリート制御マイクロミラー（ＤＣＭ）。
【請求項２】
上記可変支持体は、静電気力によって制御されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３】
上記静電気力は、電圧のデジタルおよび／または離散作用によって制御されていることを特徴とする請求項２に記載のＤＣＭ。
【請求項４】
上記可変支持体は、上記マイクロミラーの下部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項５】
上記可変支持体は、上記可変支持体の高さを変更することによって、上記マイクロミラーの位置を制御することを特徴とする請求項４に記載のＤＣＭ。
【請求項６】
上記マイクロミラーは、引力により上記可変支持体上に静置されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項７】
上記引力は、静電気力であることを特徴とする請求項６に記載のＤＣＭ。
【請求項８】
上記静電気力は、デジタルおよび／または離散型電圧作用によって制御されていることを特徴とする請求項６に記載のＤＣＭ。
【請求項９】
上記可変支持体の面内位置は、変更されることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項１０】
上記可変支持体は、上記マイクロミラーと基板との間のギャップを決定することを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項１１】
各可変支持体は、上部支柱、下部支柱、および／または上記上部支柱と上記下部支柱との間に挿入された少なくとも１つの挿入体を備えていることを特徴とする請求項１０に記載のＤＣＭ。
【請求項１２】
上記挿入体は、面内方向に並進運動することを特徴とする請求項１１に記載のＤＣＭ。
【請求項１３】
上記挿入体は、面内方向に対して個別に並進運動することを特徴とする請求項１２に記載のＤＣＭ。
【請求項１４】
上記面内の並進運動は、櫛歯型アクチュエータによって行われることを特徴とする請求項１２に記載のＤＣＭ。
【請求項１５】
上記挿入体は、オンポジションおよびオフポジションの２つの位置を有しており、
上記オンポジションとは、上記挿入体が上記上部支柱と上記下部支柱との間に位置している状態であり、上記オフポジションとは、上記挿入体が上記上部支柱と上記下部支柱との間に位置されていない状態であることを特徴とする請求項１１に記載のＤＣＭ。
【請求項１６】
上記ギャップは、上記挿入体の上記オン−オフポジションによって決定されていることを特徴とする請求項１５に記載のＤＣＭ。
【請求項１７】
上記挿入体の上記オン−オフポジションは、静電気力によって制御されていることを特徴とする請求項１５に記載のＤＣＭ。
【請求項１８】
オン−オフ動作は、ねじりばねのねじれによるものであることを特徴とする請求項１５に記載のＤＣＭ。
【請求項１９】
上記挿入体は、多段の厚みを有していることを特徴とする請求項１１に記載のＤＣＭ。
【請求項２０】
上記挿入体の面内位置は、支持位置を変更するために制御されていることを特徴とする請求項１１に記載のＤＣＭ。
【請求項２１】
上記挿入体の面内方向の並進運動は、静電気力によって制御されていることを特徴とする請求２０に記載のＤＣＭ。
【請求項２２】
上記静電気力は、デジタルおよび／または離散型電圧作用によって制御されていることを特徴とする請求項２１に記載のＤＣＭ。
【請求項２３】
上記面内方向の並進運動は、櫛歯型アクチュエータによって行われることを特徴とする請求項２２に記載のＤＣＭ。
【請求項２４】
上記ＤＣＭの１自由度の回転運動は、制御されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項２５】
上記ＤＣＭの１自由度の並進運動は、制御されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項２６】
上記ＤＣＭの２自由度の回転運動は、制御されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項２７】
上記ＤＣＭの１自由度の回転運動および１自由度の並進運動は、制御されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項２８】
上記ＤＣＭの２自由度の回転運動および１自由度の並進運動は、制御されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項２９】
上記ＤＣＭの２自由度の回転運動および１自由度の並進運動は、少なくとも３つの可変支持体によって制御されていることを特徴とする請求項２８に記載のＤＣＭ。
【請求項３０】
上記マイクロミラーの表面物質は、高反射率を有する単一物質からなることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３１】
上記マイクロミラーの表面物質は、金属であることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３２】
上記マイクロミラーの表面物質は、金属化合物であることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３３】
上記マイクロミラーの表面は、多層からなる誘電体をコーティングしてなることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３４】
上記ＤＣＭの構造層の物質が、金属である方法によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３５】
アルミニウム層は、スパッタ蒸着またはプラズマ蒸着したＳｉＯ２をエッチングマスクとしてプラズマエッチングされることを特徴とする請求項３４に記載のＤＣＭ。
【請求項３６】
エアギャップを形成するための犠牲層の物質は、フォトレジストであることを特徴とする請求項３４に記載のＤＣＭ。
【請求項３７】
微細加工処理によって蒸着した層を化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて平坦化する方法によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３８】
上記マイクロミラーは、電気メッキ法を用いて形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３９】
上記電気メッキ法は、支柱およびシード層の電気メッキ金型といった多様な役割を果たす、独特の犠牲金属金型を用いることを特徴とする請求項３８に記載のＤＣＭ。
【請求項４０】
電気メッキしたニッケルは、構造層として用いられることを特徴とする請求項３８に記載のＤＣＭ。
【請求項４１】
電気メッキした銅は、犠牲層として用いられることを特徴とする請求項３８に記載のＤＣＭ。
【請求項４２】
請求項１に記載のＤＣＭを複数備えていることを特徴とするＤＣＭアレイ。
【請求項４３】
上記マイクロミラーは、独立して制御されていることを特徴とする請求項４２に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項４４】
制御回路は、マイクロ電子工学技術を用いた上記マイクロミラーの下に設けられていることを特徴とする請求項４３に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項４５】
厚い酸化物が、マイクロ電子回路の金属上に蒸着されていることを特徴とする請求項４４に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項４６】
上記マイクロミラーは、隣接したアレイとなるように取り付けられていることを特徴とする請求項４２に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項４７】
上記マイクロミラーは、隣接したアレイとなるように取り付けることによって、空間光変調器（ＳＬＭ）となることを特徴とする請求項４２に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項４８】
ＤＣＭの１自由度の回転運動は、注目した領域を走査するために制御されていることを特徴とする請求項４７に記載のＳＬＭ。
【請求項４９】
ＤＣＭの２自由度の回転運動は、注目した領域を走査するために制御されていることを特徴とする請求項４７に記載のＳＬＭ。
【請求項５０】
ＤＣＭの１自由度の並進運動は、像の光学距離を伸縮するための収縮または上昇を制御されており、像から位相収差を除去するために反射されていることを特徴とする請求項４７に記載のＳＬＭ。
【請求項５１】
ＤＣＭの１自由度の回転運動は、注目した領域を走査するために制御されており、かつＤＣＭは、像の光学距離を伸縮するための収縮または上昇を制御され、像から位相収差を除去するために反射されていることを特徴とする請求項４７に記載のＳＬＭ。
【請求項５２】
ＤＣＭの２自由度の回転運動は、注目した領域を走査するために制御されており、かつＤＣＭは、像の光学距離を伸縮するための収縮または上昇を制御され、像から位相収差を除去するために反射されていることを特徴とする請求項４７に記載のＳＬＭ。
【請求項５３】
ａ）マイクロミラーと、
ｂ）複数のセグメント電極と、を備えているＤＣＭであって、
上記セグメント電極は、上記マイクロミラーの位置を決定し、
上記セグメント電極に印加した電圧は、デジタルおよび／または離散型電圧であることを特徴とするＤＣＭ。
【請求項５４】
上記ＤＣＭは、静電気力によって制御されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項５５】
上記静電気力は、電圧のデジタルおよび／または離散作用によって制御されていることを特徴とする請求項５４に記載のＤＣＭ。
【請求項５６】
上記セグメント電極は、上記マイクロミラーの下部に設けられていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項５７】
上記セグメント電極の面内位置は、変更されることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項５８】
上記ＤＣＭの１自由度の回転運動は、制御されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項５９】
上記ＤＣＭの１自由度の並進運動は、制御されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６０】
上記ＤＣＭの２自由度の回転運動は、制御されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６１】
上記ＤＣＭの１自由度の回転運動および１自由度の並進運動は、制御されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６２】
上記ＤＣＭの２自由度の回転運動および１自由度の並進運動は、制御されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６３】
上記セグメント電極の領域は、変更されることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６４】
上記マイクロミラーの表面物質は、高反射率を有する単一物質からなることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６５】
上記マイクロミラーの表面物質は、金属であることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６６】
上記マイクロミラーの表面物質は、金属化合物であることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６７】
上記マイクロミラーの表面は、多層からなる誘電体をコーティングしてなることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６８】
上記ＤＣＭの構造層の物質が、金属である方法によって形成されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項６９】
アルミニウム層は、エッチングマスクとしてプラズマ蒸着したＳｉＯ２を用いてスパッタ蒸着およびプラズマ蒸着されることを特徴とする請求項６８に記載のＤＣＭ。
【請求項７０】
エアギャップを形成するための犠牲層の物質は、フォトレジストであることを特徴とする請求項６８に記載のＤＣＭ。
【請求項７１】
微細加工処理によって蒸着した層を化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて平坦化する方法によって形成されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項７２】
上記マイクロミラーは、電気メッキ法を用いて形成されていることを特徴とする請求項５３に記載のＤＣＭ。
【請求項７３】
上記電気メッキ法は、支柱およびシード層の電気メッキ金型といった多様な役割を果たす、独特の犠牲金属金型を用いることを特徴とする請求項７２に記載のＤＣＭ。
【請求項７４】
電気メッキしたニッケルは、構造層として用いられることを特徴とする請求項７２に記載のＤＣＭ。
【請求項７５】
電気メッキした銅は、犠牲層として用いられることを特徴とする請求項７２に記載のＤＣＭ。
【請求項７６】
請求項５３に記載のＤＣＭを備えていることを特徴とするＤＣＭアレイ。
【請求項７７】
上記マイクロミラーは、独立して制御されていることを特徴とする請求項７６に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項７８】
上記マイクロミラーは、隣接したアレイとなるように取り付けられていることを特徴とする請求項７６に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項７９】
上記マイクロミラーは、隣接したアレイとなるように取り付けられることによって、空間光変調器（ＳＬＭ）となることを特徴とする請求項７６に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項８０】
ＤＣＭの１自由度の回転運動は、注目した領域を走査するために制御されていることを特徴とする請求項７９に記載のＳＬＭ。
【請求項８１】
ＤＣＭの２自由度の回転運動は、注目した領域を走査するために制御されていることを特徴とする請求項７９に記載のＳＬＭ。
【請求項８２】
ＤＣＭの１自由度の並進運動は、像の光学距離を伸縮するための収縮または上昇を制御されており、像から位相収差を除去するために反射されていることを特徴とする請求項７９に記載のＳＬＭ。
【請求項８３】
ＤＣＭの１自由度の回転運動は、注目した領域を走査するために制御されており、かつＤＣＭは、像の光学距離を伸縮するための収縮または上昇を制御され、像から位相収差を除去するために反射されていることを特徴とする請求項７９に記載のＳＬＭ。
【請求項８４】
ＤＣＭの２自由度の回転運動は、注目した領域を走査するために制御されており、かつＤＣＭは、像の光学距離を伸縮するための収縮または上昇を制御され、像から位相収差を除去するために反射されていることを特徴とする請求項７９に記載のＳＬＭ。
【請求項８５】
制御回路は、マイクロ電子工学技術を用いて上記マイクロミラーの下部に設けられていることを特徴とする請求項７７に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項８６】
厚い酸化物が、マイクロ電子回路の金属上に蒸着されていることを特徴とする請求項８５に記載のＤＣＭアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクリートな多段階位置を有するマイクロミラーデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロミラーデバイスは、従来の光電子デバイスに置き換わるものとして発達している。位相限定ピストン型マイクロミラーは、位相適応光学に用いられており、回転運動するマイクロミラーは、光を屈折するために用いられている。マイクロミラーの多くは、連続的に変位させることによって制御されている。すなわち、マイクロミラーの変位は、静電気力と弾性力との間の均衡において決定されている。アナログ制御は、デジタルまたはディスクリート制御よりも複雑であり、ＭＯＳ、ＣＭＯＳなどのような公知の半導体電子工学技術に適応していない。さらに、静電気力によって可動する連続変位マイクロミラーでは、電気力が機械構造の弾性力を超える場合に、古典的なスナップダウン現象を受ける。スナップダウン現象は、マイクロミラーの並進運動および回転運動運動の範囲を制限する。
【０００３】
高い動作電圧もまた、静電気力によって可動する連続変位マイクロミラーの実用化における重要な欠点である。ＩＣ構成部品への適応のためには、マイクロミラーは、回路動作または制御電圧に適応する低電圧で動作しなければならない。
【０００４】
米国特許番号４,５６６,９３９、５,０８３,８５７および６,２３２,９３６のデジタルマイクロミラーデバイスに類似したマイクロミラーアレイの従来技術において、各マイクロミラーは、電圧のデジタル制御によって駆動されている。これによって、広範囲の回転運動、および動作電圧の低電圧化を実現し、公知の半導体電子工学技術に適応されている。しかし、それは、たった１自由度のみである；すなわち、１つの軸における回転運動であり、２段階の位置となる。したがって、マイクロミラーアレイは、単なる光スイッチアレイである。
【０００５】
マイクロミラーをより広範囲に応用するために、多段階の位置制御および広範囲の変位、多自由度の動作、低動作電圧、ならびに公知の半導体電子工学技術への適応を行う必要がある。
【発明の開示】
【０００６】
本発明は、従来の静電気力によって可動する連続変位マイクロミラーの欠点およびデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）における制限を解決するためのものである。
【０００７】
本発明の目的は、正確に、かつ迅速に、多段階での位置制御が可能なマイクロミラーを提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、多自由度の動作を有するマイクロミラーを提供することである。
【０００９】
本発明のさらに他の目的は、広範囲に変位可能なマイクロミラーを提供することである。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、非常に短い移動時間のマイクロミラーを提供することである。
【００１１】
本発明のさらに他の目的は、公知のＩＣ回路動作、またはＩＣ回路の制御電圧に適応する低電圧のマイクロミラーを提供することである。
【００１２】
静電気力による従来のマイクロミラーでは、静電気力が機械構造の弾性力を超える場合に、古典的なスナップダウン現象を受ける。スナップダウン現象は、マイクロミラーの並進運動および回転運動運動の範囲を制限する。静電気力による従来のマイクロミラーの移動時間は長く、マイクロミラーの動作速度を遅くしている。また、静電気力による従来のマイクロミラーの高い動作電圧は、実用化を困難なものとしている。通常、５Ｖ以下で動作するＩＣ構成部品への適応のため、および高い電場による電気的な故障を防止するためには、動作電圧の最大値は、概して可能な限り低くする必要がある。変位の低い正確性もまた、静電気力による従来のマイクロミラーの欠点である。変位の正確性は、バネ厚みの偏差がｎ倍増加するにつれてｎ３倍悪くなる。静電気力による従来のマイクロミラーの欠点を解決するために、ディスクリート制御マイクロミラー（ＤＣＭ）を発明した。
【００１３】
ＤＣＭの第１の類型は、可変支持ディスクリート制御マイクロミラー（ＶＳＤＣＭ）である。ＶＳＤＣＭは、マイクロミラーと基板との間のギャップを制御する支持体を用いている。支持体は、マイクロミラーの下部に設けられている。ＤＣＭの変位は、ギャップの組み合わせによって決定されている。すなわち、ギャップは、マイクロミラーを静置している支持体によって決定されている。支持体によって決定されるギャップは、静電気力によって制御されており、マイクロミラーは、制御された支持体上に引き付ける静電気力により静置している。デジタル電圧または離散型電圧作用（discrete voltage operation）は、静電気力を制御する好適な方法である。したがって、ギャップの組み合わせは、マイクロミラーの並進運動および回転運動を決定する。
【００１４】
３つの好適なＶＳＤＣＭの実施形態を説明する、第１の好適な実施形態は、少なくとも１つのデジタル支持体を備えたマイクロミラーである。各支持体によるギャップは、２つの値を有している。これはギャップが、支持体における双安定動作によって決定されているからである。マイクロミラーの動作は、静電気力によって制御されている。デジタル電圧または離散型電圧作用は、静電気力を制御する好適な方法である。ＶＳＤＣＭは、マイクロミラーの変位制御のために、支持体の双安定変位を用いている。
【００１５】
第２の好適な実施形態は、少なくとも１つの多段階支持体を備えたマイクロミラーである。各支持体によるギャップは、ディスクリートな多段であるため、ギャップは、支持体におけるそれぞれの高さの変動によって決定される。高さの変動は、静電気力によって制御されている。デジタル電圧または離散型電圧作用は、静電気力を制御する好適な方法である。ＶＳＤＣＭは、マイクロミラーの変位制御のために、支持体のそれぞれの高さの変動を用いている。
【００１６】
第３の好適な実施形態は、少なくとも１つの多位置支持体を備えたマイクロミラーである。面内位置におけるマイクロミラーの支持は、多位置支持体の変動によって制御されているため、マイクロミラーの変位が、支持体の高さだけでなく支持位置によっても決定される。これによって、多位置支持体は、マイクロミラーの変位を制御することができる。
【００１７】
静電気力による従来のマイクロミラーでは、マイクロミラーのばねにおける厚みの正確性が、変位の正確性を決定している。ばねの厚みが同じである場合、細いばねにおけるばね剛性の誤差は、太いばねのそれよりも高い。したがって、細いばねは好適に用いることができないため、低い動作電圧とすることが困難である。ＶＳＤＣＭでは、双安定または個別の変位を用いているため、ばねの厚みの正確性は重要ではない。したがって、マイクロミラーにおいて、非常に剛性の低いばねを用いることができる。剛性の低いばねを用いたＶＳＤＣＭは、低電力で作動させることができる。独立して制御された支持体は、個々にアドレス可能な電子技術を要求する。これを達成するために、オンチップを組み合わせたマイクロミラーが用いられている。この目的のために、公知の半導体マイクロ電子工学技術であるマイクロミラーのウエハ段階集積化が用いられている。
【００１８】
マイクロミラーは、ＶＳＣＤＭの可変支持体上に静置しているため、可変支持体の厚みの正確性は、マイクロミラーの変位における正確性となる。ＶＳＣＤＭは、広範囲の変位のためのより好適な正確性を有しているため、正確性が変位の範囲に依存しない。
【００１９】
ＤＣＭの第２の類型は、セグメント電極ディスクリート制御マイクロミラー（ＳＥＤＣＭ）である。ＳＥＤＣＭは、セグメント電極パッドを用いている。ＳＥＤＣＭは、小さい範囲の変位および広範囲の変異に対する低い正確性といった、静電気力による従来のマイクロミラーと同様の欠点を有している。しかし、ＳＥＤＣＭは、公知の半導体マイクロ電子工学技術に適応することができる。これは、ＳＥＤＣＭが離散型電圧によって制御されているからである。マイクロミラーの変位は、領域の大きさ、位置、および各電極パッドの電圧の適当な組み合わせによって制御することができる。
【００２０】
ＶＳＤＣＭおよびＳＥＤＣＭは、異なる２つの方法によって製造することができる。第１の方法は、構造層を形成するために、アルミニウム、ニッケル、金、および銅のような金属を用い、エアギャップを形成する犠牲層を形成するためにフォトレジストまたはＳｉＯ２を用いる。ＤＣＭの製造は、完成した、アドレス可能なマイクロ電子回路を備えたウエハから始められる。厚い酸化膜を回路の金属上に蒸着させ、次に、化学機械研磨（ＣＭＰ）法などのような公知の研磨法を用いて平坦化する。研磨工程によって、デジタル構造物の表面は、完全な平面となる。ＣＭＰは、マイクロミラーの厚みの偏差、ならびに平面度および反射率の低下を引き起こさない。いくつかのフォトマスク層の使用を経て、ばね、および支柱の金属層およびマイクロミラー層を有するマイクロミラーの構造が形成される。そして、ＤＣＭのエアギャップは、フォトレジストまたはＳｉＯ２のような公知の犠牲物質によって形成される。金属は、スパッタ蒸着または蒸発、もしくはプラズマ蒸着したＳｉＯ２をエッチングマスクとしてプラズマエッチングされる。後者に述べた方法では、犠牲層は、エアギャップを形成するためにプラズマアッシュされる。
【００２１】
第２の方法は、電気メッキ法を用いる。この方法は、犠牲金属の金型を利用する。犠牲金属の金型は、同時に次の段階の電気メッキに用いる支柱およびシード層の電気メッキ金型として多様な役割を果たす。したがって、この方法は、製造工程を簡素化することができ、段階数の制限なく、極めて３次元的な金属の微細構造を示すことができる。この方法は、従来のリソグラフィーおよび電気メッキ、ならびにＣＭＰにような公知の研磨のみを用いている。例えば、電気メッキしたニッケルおよび電気メッキした銅は、それぞれ構造層および犠牲層に用いられている。
【００２２】
マイクロミラーの反射表面は、高反射率を有する、金属、金属化合物、多層構造の誘電体物質またはその他の物質からなる。多くの公知の微細加工処理によって、高反射率を有するマイクロミラーの表面を形成することができる。用途別に、回転運動、並進運動および回転運動、または並進運動および２つの回転運動を制御することができる。
【００２３】
その全体が参考として示されることを公表する、２００４年５月２７日付出願の米国特許出願「Variable Focal Length Lens Comprising Micromirrors with Two Degrees of Freedom Rotation」の出願人ら、および２００４年５月２８日付出願の他の米国特許出願「Array of Micromirror Array Lenses」の出願人らの説明によれば、２自由度の回転運動、または２自由度の回転運動および１自由度の並進運動を有し、かつ独立して制御されるマイクロミラーを備えたマイクロミラーアレイは、入射光を任意に調節することができる。入射光を任意に調節するために、入射光が、２自由度の回転運動、または２自由度の回転運動および１自由度の並進運動の制御によって、所望する任意の方向に屈折される必要がある。各マイクロミラーの独立した並進運動もまた、位相条件を満足するために必要である。ＤＣＭは、多くの利点を有しており、かつ２自由度の回転運動および／または１自由度の並進運動を備えることができるため、ＤＣＭを備えたマイクロミラーアレイは、従来のマイクロミラーよりも好適な性能を有する。
【００２４】
マイクロミラーアレイを作動するための電子回路は、マイクロ電子工学に広く用いられている公知のＭＯＳまたはＣＭＯＳを用いることができる。マイクロミラーアレイの下にマイクロ電子回路を備えることによって、電極パッドおよびワイヤに必要な領域を除くことができるため、反射に有効な領域を増加することができる。各マイクロミラーは、縮めるだけでなく２つの軸に沿って傾けることができる。結果として、マイクロミラーは、垂直軸および水平軸の双方に沿って視野を走査することができると共に、入射光線の位相の収差を除去するための収縮および上昇を行うことができる。マイクロミラーアレイは、各マイクロミラーを独立して制御することによって、例えば、物体と物体の像との間の媒体による光学的効果または近軸の像の基準からはずれた像を生じるレンズ系の欠点といった収差を補正することができる。任意の位相誤差を有する収差の補正のために、マイクロミラーアレイの各マイクロミラーは、独立して制御されるべきである。各マイクロミラーの独立制御は、公知のＣＭＯＳ技術を制御に求められる電子回路に置き換えること、および公知の微細加工方法を用いてマイクロミラーの下にＣＭＯＳを製造することができる。
【００２５】
本発明のマイクロミラーは、密接に充填した配列を可能にする形状であることが好ましい。マイクロミラーの形状は、円形状であってもよいが、例えば、三角形、四角形、または六角形および八角形などを含む五角形以上の多角形状であることが好ましい。
【００２６】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の類型は、マイクロミラーおよびマイクロミラーを静置する複数の可変支持体を備えたディスクリート制御マイクロミラー（ＤＣＭ）を提供する。可変支持体は、マイクロミラーの位置を決定し、また静電気力によって制御されている。デジタル電圧または離散型電圧作用は、静電気力を制御するための好適な方法である。可変支持体は、マイクロミラーの下に備えられている。可変支持体の面内位置は、デジタルまたはディスクリート可変支持体によるマイクロミラーの任意の変位のために調節することができる。
【００２７】
可変支持体は、マイクロミラーと基板との間に備えられている。それぞれの可変支持体は、支持体の高さの変更を制御している。これによって、マイクロミラーの位置が制御される。
【００２８】
可変支持体は、マイクロミラーと基板との間のギャップの大きさを決定する。
【００２９】
各デジタル支持体は、上部支柱、下部支柱、および／または１つ以上の挿入体を備えている。挿入体は、オンポジションにおいては、上部支柱と下部支柱との間に挿入されており、オフポジションにおいては、上部支柱と下部支柱との間から取り除かれている。
【００３０】
ギャップは、上部支柱と下部支柱との間に挿入体が挿入されているか否かによって決定される。
【００３１】
各ディスクリート支持体は、上部支柱、下部支柱、および／または上部支柱と下部支柱との間に挿入されている１つ以上の多段挿入体を備えている。多段の厚みを有する挿入体は、挿入されている量に応じてマイクロミラーの変位を決定している。
【００３２】
ギャップは、多段挿入体の挿入されている量によって決定されている。
【００３３】
挿入体は、静電気力によって制御されている。
【００３４】
挿入体は、デジタル電圧または離散型電圧作用によって制御されている。
【００３５】
挿入体は、面内方向に動作する。面内方向の動作は、櫛歯型アクチュエータによって行われる。
【００３６】
挿入体は、多段の厚みを有している。
【００３７】
可変支持体の面内位置は変更される。
【００３８】
ＤＣＭの動作において、マイクロミラーの回転運動および／または並進運動は制御されている。マイクロミラーの回転運動および並進運動の双方が、３つ以上の可変支持体により制御されている。可変支持体は、双安定動作を有している。可変支持体は、ディスクリート動作を有している。マイクロミラーは、制御された可変支持体上に引力によって静置している。
【００３９】
マイクロミラーの表面物質は、高反射率を有する単一物質である。マイクロミラーの表面物質は、金属または金属化合物であってもよい。マイクロミラーの表面もまた、多層ディスクリートコーティングが用いられている。
【００４０】
ＤＣＭは、構造層の物質を金属とする方法を用いて作製されている。アルミニウム層は、スパッタ蒸着またはプラズマ蒸着したＳｉＯ２をエッチマスクとしてプラズマエッチングされる。犠牲層は、エアギャップを形成するためにプラズマアッシュされる。
【００４１】
ＤＣＭは、微細加工処理によって蒸着した層を化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて平坦化する方法によって形成されている。
【００４２】
ＤＣＭにおいて、マイクロミラーは、電気メッキ法を用いて製造されている。電気メッキ法には、支柱およびシード層において多様な役割を有する電気メッキ型という独特の犠牲金属金型を用いる。電気メッキしたニッケルは、構造層に用いられる。電気メッキした銅は、犠牲層に用いられる。
【００４３】
本発明は、複数の上述したＤＣＭを備えたＤＣＭアレイも含む。ＤＣＭアレイにおいて、マイクロミラーは独立して制御されている。マイクロミラーアレイは、空間光変調器（ＳＬＭ）である。
【００４４】
制御回路は、マイクロ電子工学技術を用いてマイクロミラーの下に作製されている。厚い酸化物が、マイクロ電子回路上の金属を覆うように蒸着されている。
【００４５】
本発明の第２の類型は、マイクロミラーおよび複数のセグメント電極を備えたＤＣＭを提供している。セグメント電極は、ＳＥＤＣＭの変位を決定している。セグメント電極に印加した電圧は、離散型電圧である。ＳＥＤＣＭは、静電気力によって制御されている。ＳＥＤＣＭは、デジタル電圧または離散型電圧作用によって制御されている。セグメント電極は、マイクロミラーの下部に配設されている。セグメント電極の面内方向における位置は、変更される。
【００４６】
ＳＥＤＣＭの動作において、マイクロミラーの回転運動および／または並進運動は、制御されている。セグメント電極の領域は、変更される。ＳＥＤＣＭの表面物質は、高反射率である。ＳＥＤＣＭの表面物質は、金属または金属化合物である。また、ＳＥＤＣＭの表面には、多層からなる誘電体がコーティングされている。
【００４７】
ＳＥＤＣＭは、構造層の物質を金属とする方法を用いて作製されている。アルミニウム層は、スパッタ蒸着またはプラズマ蒸着したＳｉＯ２をエッチマスクとしてプラズマエッチングされる。犠牲層は、エアギャップを形成するためにプラズマアッシュされる。
【００４８】
ＳＥＤＣＭは、微細加工処理によって蒸着した層を化学機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて平坦化する方法によって形成されている。
【００４９】
マイクロミラーは、電気メッキ法を用いて製造されている。電気メッキ法には、支柱およびシード層において多様な役割を有する電気メッキ型という独特の犠牲金属金型を用いる。メッキしたニッケルは、構造層に用いられる。電気メッキした銅は、犠牲層に用いられる。
【００５０】
また、本発明は、上述したＤＣＭを備えたＤＣＭアレイを提供する。アレイにおいて、マイクロミラーは独立して制御されている。マイクロミラーアレイは、空間光変調器（ＳＬＭ）である。制御回路は、マイクロ電子工学技術を用いてＳＥＤＣＭの下に作製されている。厚い酸化物が、マイクロ電子回路上の金属を覆うように蒸着されている。
【００５１】
本発明を簡単にまとめたが、本発明の完全な理解は、下記の図面、詳細な説明、および特許請求の範囲によって得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
図１は、可変の支持体１を有するＤＣＭの概念を示している。可変支持ディスクリート制御マイクロミラー（ＶＳＤＣＭ）は、マイクロミラー２と基板８との間の多様なギャップを提供する支持体１を用いる。支持体１は、マイクロミラー２の下部に設けられている。ＶＳＤＣＭの並進運動および回転運動は、ギャップの組み合わせによって決定されている。すなわち、マイクロミラー５を静置している可変支持体３、４によって決定されている。可変支持体によって決定するギャップは、デジタルまたはディスクリートに制御されており、マイクロミラーは、制御されれた支持体３、４上に、引力６により静置している。したがって、支持体によって決定するギャップは、マイクロミラーの並進運動および／または回転運動を決定する。支持体によるギャップの偏差は、支持体のデジタルまたはディスクリート動作によって決定されており、該動作は、静電気力によって制御されている。デジタル電圧および離散型電圧作用は、静電気力を制御するための好適な方法である。引力の働かない時には、マイクロミラー５の位置は、柔軟なばね７の力によって初期位置に戻される。
【００５３】
図２は、マイクロミラーの平面に対する正常軸に沿った１つの並進運動動作と、平面における軸に関する２つの回転運動軸との３自由度の動作を有するＶＳＤＣＭについて示している。複数の可変支持体１４のうち、３つの可変支持体１１、１２、１３、またはそれ以上の可変支持体がマイクロミラー１５を支持するために用いられるとき、ＶＳＤＣＭは３自由度を有する。３自由度を有するマイクロミラーの形成は、３つの可変支持体を用いれば十分である。しかし、可変支持体を３つ以上用いることによって、支持体上に静置されるマイクロミラーを安定して静置することができる。
【００５４】
可変支持体の高い正確性は、ＶＳＤＣＭにおける変位の正確性となる。これは、マイクロミラー１５が可変支持体１１、１２、１３上に静置されているからである。可変支持体を作製するための微細加工において、厚みを制御する正確性は、数ナノメートル以下である。静電気力による従来のマイクロミラーの変位の正確性は、バネ厚みの偏差がｎ倍増加するにつれてｎ３倍悪化する。したがって、ＶＳＤＣＭは、静電気力による従来のマイクロミラーよりも好適な変位の正確性を有する。
【００５５】
図３ａ〜図３ｄは、典型的なデジタル可変支持体、および２つの可変支持体２３、２４に支持されたＶＳＤＣＭにおける４つの可能な変位を示している。
【００５６】
可変支持体２３、２４は、マイクロミラー２５と基板２７との間に設けられている。可変支持体２３、２４は、それぞれの高さを制御することによって、マイクロミラー２５の位置を制御している。
【００５７】
図３ａ〜図３ｄは、２つの可変支持体によって支持されており、かつ２自由度（１つの並進運動動作および１つの回転運動動作）を有するデジタルＶＳＤＣＭを示しているが、複数の可変支持体をマイクロミラーの下に設ることによって、３つ以上の支持体によって支持されており、かつ３自由度（１つの並進動作および２つの回転動作）を有するマイクロミラーとすることもできる。可変支持体２３、２４は、挿入体２０、上部支柱２１および／または下部支柱２２を備えている。双安定動作を有する挿入体２０は、静電気力によって制御されている。デジタル電圧または離散型電圧作用は、静電気力を制御するための好適な方法である。静電気力によって制御された支持体２３、２４のそれぞれが、挿入体２０の挿入の可否によって決められる２つの異なるギャップＧ１、Ｇ２を制御することができる。挿入体２０、上部支柱２１および下部支柱２２の高さは、それぞれ異なっている。これは、それぞれの高さの組み合わせによって、多様なギャップを形成することができるようにするためである。各支持体は、支持体が設けられている位置において、マイクロミラー２５に対する２つの位置、すなわちオン−オフポジションを提供する。ＶＳＤＣＭの並進運動および回転運動は、支持体２３、２４の作動によって形成されるギャップの組み合わせによって決定されているため、支持体の数をｎとしたとき、実現可能な変位の数は２ｎである。ディスクリートなギャップが、支持体によって生じるとき、マイクロミラー２５は、各支持体の面内位置の調整によって、所望の並進運動および回転運動を有することができる。
【００５８】
図４は、挿入体３０を備えた挿入作動系の一例を示している。挿入作動系は、２つの下部電極３１ａ、３１ｂ、上部電極３２、少なくとも１つのばね３３、少なくとも１つの支柱３４、およびに挿入体３０を備えている。ばね３３によって保持されている上部電極３２は、上部電極３２と下部電極３１ａ、３１ｂのいずれか１つとの間の静電気力によって作動する。このようにして、上部電極３２上の挿入体３０を移動することができる。
【００５９】
図５は、挿入作動系の他の例を示している。挿入体４１は、面内方向に動かされる。挿入体４１の面内方向への作動は、周知の櫛歯型アクチュエータ４０によって行われている。
【００６０】
図６は、多段ギャップを形成するための多段挿入体４２を示している。一定の厚みを有する挿入体３０に対して、多段挿入体４２は、数段階の厚みを有している。挿入体４２の面内位置によって、上部支柱４３と下部支柱４４との間に位置する多段挿入体の厚みが変化する。したがって、マイクロミラー４５の変位を変更することができる。周知の櫛歯型アクチュエータが、多段挿入体４２を面内方向４６に動かしている。
【００６１】
図７ａは、異なる面内位置に、挿入体４７、４８および複数の支柱４９を備えた多位置支持体の平面図である。図７ｂは、多位置支持体の構造を明確に示すための俯瞰図である。支持されている位置は、挿入体４７、４８の面内位置によって変更される。例えば、マイクロミラー５２の支持位置４９Ａは、挿入体４７の面内方向の移動５０によって、位置４９Ｂに変更される。マイクロミラー５２の支持位置４９Ｃは、挿入体４８の面内方向の移動５１によって、位置４９Ｄに変更される。挿入体４７、４８の面内方向５０、５１への作動は、周知の櫛歯型アクチュエータによって行われる。
【００６２】
多位置および多段支持体を組み合わせた支持系もまた、用いることができる。
【００６３】
図８は、セグメント電極６０を用いたＤＣＭの第２の類型である。静電気力による従来のマイクロミラーに対して、この実施形態では、異なる領域、位置、および離散型電圧を有するセグメント電極６０を備えている。この実施形態では、制御回路に使用される公知のマイクロ電子工学技術に適応可能であることを除いて、静電気による従来のマイクロミラーと同様の欠点を有している。マイクロミラー６１は、異なる領域、位置、および離散型電圧を有するセグメント電極６０の適当な組み合わせによって所望の３自由度を得ることができる。
【００６４】
ＶＳＤＣＭおよびＳＥＤＣＭは、２つの異なる形成方法によって製造することができる。第１の方法は、構造層を形成するために、アルミニウム、ニッケル、金、および銅のような金属を用い、エアギャップを形成するための犠牲層を形成するためにフォトレジストまたはＳｉＯ２を用いる。ＤＣＭの製造は、完成した、アドレス可能なマイクロ電子回路を備えたウエハから始められる。厚い酸化膜を回路の金属上に蒸着させ、次に、化学機械研磨（ＣＭＰ）法などのような公知の研磨法を用いて平坦化する。研磨工程によって、デジタル構造物の表面は、完全な平面となる。ＣＭＰによる処理は、厚みの偏差、ならびに平面度およびマイクロミラーの反射率の低下を引き起こさない。いくつかのフォトマスク層の使用を経て、ばね、および支柱の金属層およびマイクロミラー層を有するマイクロミラーの構造が形成される。また、ＤＣＭのエアギャップは、フォトレジストまたはＳｉＯ２から形成される。金属は、スパッタ蒸着またはプラズマ蒸着したＳｉＯ２をエッチングマスクとしてプラズマエッチングされる。後者に述べた方法では、犠牲層は、エアギャップを形成するためにプラズマアッシュされる。
【００６５】
第２の方法として、公知の電気メッキ法が用いられる。この方法は、独特の犠牲金属の金型を利用する。犠牲金属の金型は、同時に次の段階の電気メッキ法に用いる支柱およびシード層の電気メッキ金型として多様な役割を果たす。したがって、この方法は、製造工程を簡素化することができ、かつ段階数の制限なく、極めて３次元的な微細構造を示すことができる。この方法では、従来のフォトリソグラフィーおよび電気メッキ、ならびにＣＭＰのような公知の研磨処理のみを用いる。例えば、電気メッキしたニッケルおよび銅は、それぞれ構造層および犠牲層に用いられる。
【００６６】
マイクロミラーの反射表面は、高反射率を有する金属、金属化合物、多層からなる誘電体物質またはその他の物質から形成されている。多くの公知の微細加工処理によって、高反射率を有するマイクロミラーの表面を形成することができる。マイクロミラーは、所望の位置となるように、作動部によって静電気的に制御されている。用途別に、並進運動、回転運動、並進運動および回転運動、または並進運動および２つの回転運動を制御することができる。
【００６７】
２自由度の回転運動、または２自由度の回転運動および１自由度の並進運動を有し、かつ独立して制御されるＤＣＭを備えたアレイは、入射光を任意に調節することができる。入射光を所望する任意の方向に屈折するためには、２自由度の回転運動の制御または２自由度の回転運動および１自由度の並進運動の制御が必要である。各マイクロミラーの独立した並進運動もまた、光の位相の調整に必要である。
【００６８】
マイクロミラーアレイは、各マイクロミラーを独立して制御することによって、収差を補正することができる。収差は、物体と物体の像との間の媒体による光学的効果、または近軸の像の基準からはずれた像を生じるレンズ系の欠点により引き起こされる。
【００６９】
マイクロミラーを動作するための電子回路は、マイクロ電子工学にもいて用いられる公知のマイクロ電子回路技術によって作製することができる。マイクロミラーアレイの下にマイクロ電子回路の適応することによって、電極パッドおよびワイヤのために必要な領域を除くことができるため、反射に有効な領域を増加することができる。各マイクロミラーの独立した制御は、公知のマイクロ電子回路技術を制御するために必要な電子回路を形成することによっても可能である。光学的な効果を増加するために、マイクロ電子回路は、公知の微細加工処理を用いてマイクロミラーの下部に製造される。
【００７０】
可変支持体およびマイクロ電子回路が、マイクロミラーの下に位置していることによって、これらの構成を設けることによる非反射領域が除かれる。これによって、個々のマイクロミラーの集合体は、最大限の有効範囲を得るためにお互いを密着して設けることができる。
【００７１】
本発明は、異なる実施形態を参照して示し、説明している。それは、添付の請求項によって定義される本発明の思想および範囲から逸脱するものではない、形態、詳細、構成および動作における技術の変更によって、十分に理解されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
添付の図面を参照することによって、本発明およびその他の構成、外見、および利点をより好適に理解することができる。
【図１】図１は、可変支持体を有するＤＣＭを示す概略図である。
【図２】図２は、マイクロミラーの平面における正常軸に沿った１つの並進運動動作と、平面における軸に関する２つの回転運動軸との３自由度の動作を有するＶＳＤＣＭについて示す概略図である。
【図３】図３ａ〜図３ｄは、デジタル可変支持体を備えたＤＣＭのデジタル可変支持体および４つの異なる変位を示す概略図である。
【図４】図４は、挿入体を備えた挿入駆動系を示す概略図である。
【図５】図５は、櫛歯型アクチュエータを用いる挿入駆動系を示す概略図である。
【図６】図６は、多段挿入体を有するディスクリート可変支持体を示す概略図である。
【図７】図７ａおよび図７ｂは、多位置支持体を示す概略図である。
【図８】図８は、セグメント電極を備えたＤＣＭを示す概略図である。
【図１】
2008503772.tif 000003
【図２】
2008503772.tif 000004
【図３ａ】
2008503772.tif 000005
【図３ｂ】
2008503772.tif 000006
【図３ｃ】
2008503772.tif 000007
【図３ｄ】
2008503772.tif 000008
【図４】
2008503772.tif 000009
【図５】
2008503772.tif 000010
【図６】
2008503772.tif 000011
【図７ａ】
2008503772.tif 000012
【図７ｂ】
2008503772.tif 000013
【図８】
2008503772.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成19年2月16日(2007.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）基板と、
ｂ）反射表面を有するマイクロミラーと、
ｃ）上記マイクロミラーと上記基板との間に設けられている複数の可変支持体と、を備えていると共に、少なくとも１つの上記可変支持体が該可変支持体の高さを変更するために制御されており、
制御された上記可変支持体は、上記マイクロミラーの位置を決定し、かつ上記マイクロミラーは、制御された上記可変支持体上に静置されていることを特徴とするディスクリート制御マイクロミラー（ＤＣＭ）。
【請求項２】
上記可変支持体は、静電気力によって制御されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項３】
上記静電気力は、電圧のデジタルおよび／または離散作用によって制御されていることを特徴とする請求項２に記載のＤＣＭ。
【請求項４】
上記マイクロミラーは、引力により上記可変支持体上に静置されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項５】
上記可変支持体は、上記マイクロミラーと基板との間のギャップを決定することを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項６】
上記可変支持体は、面内方向の並進運動によって上記マイクロミラーと上記基板との間のギャップを決定するための挿入体を備えていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項７】
上記挿入体の面内位置は、支持位置を変更するために制御されていることを特徴とする請求項６に記載のＤＣＭ。
【請求項８】
上記面内の並進運動は、櫛歯型アクチュエータによって行われることを特徴とする請求項６に記載のＤＣＭ。
【請求項９】
上記挿入体は、上記マイクロミラーと基板との間のギャップを決定する多段の厚みを有していることを特徴とする請求項６に記載のＤＣＭ。
【請求項１０】
上記ＤＣＭの回転運動および／または並進運動は、上記可変支持体によって制御されていることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項１１】
上記マイクロミラーの表面物質は、金属、金属化合物または多層からなる誘電体によって形成される、高反射率を有する単一物質からなることを特徴とする請求項１に記載のＤＣＭ。
【請求項１２】
請求項１に記載のＤＣＭを複数備えていることを特徴とするＤＣＭアレイ。
【請求項１３】
上記ＤＣＭアレイにおける各ＤＣＭは、独立して制御されていることを特徴とする請求項１２に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項１４】
制御回路は、マイクロ電子工学技術を用いた上記マイクロミラーの下に設けられていることを特徴とする請求項１２に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項１５】
上記マイクロミラーは、隣接するアレイとなるように取り付けられることによって、空間光変調器（ＳＬＭ）となることを特徴とする請求項１２に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項１６】
上記ＳＬＭは、注目した領域を走査するために制御されていることを特徴とする請求項１５に記載のＳＬＭ。
【請求項１７】
上記ＳＬＭは、像の光学距離を伸縮するための収縮または上昇を制御されており、像から位相収差を除去するために反射されていることを特徴とする請求項１５に記載のＳＬＭ。
【請求項１８】
ａ）マイクロミラーと、
ｂ）上記マイクロミラーの位置を決定する複数のセグメント電極と、を備え、
上記セグメント電極は、上記マイクロミラーの位置を決定し、
上記セグメント電極に印加した電圧は、デジタルおよび／または離散型電圧であることを特徴とするＤＣＭ。
【請求項１９】
上記ＤＣＭは、静電気力によって独立して制御されていることを特徴とする請求項１８に記載のＤＣＭ。
【請求項２０】
上記セグメント電極は、上記マイクロミラーの下部に設けられていることを特徴とする請求項１８に記載のＤＣＭ。
【請求項２１】
上記ＤＣＭの回転運動および並進運動は、制御されていることを特徴とする請求項１８に記載のＤＣＭ。
【請求項２２】
上記マイクロミラーの表面物質は、金属、金属化合物または多層からなる誘電体によって形成される、高反射率を有する単一物質からなることを特徴とする請求項１８に記載のＤＣＭ。
【請求項２３】
請求項１８に記載のＤＣＭを複数備えていることを特徴とするＤＣＭアレイ。
【請求項２４】
上記ＤＣＭアレイにおける各ＤＣＭは、独立して制御されていることを特徴とする請求項２３に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項２５】
制御回路は、マイクロ電子工学技術を用いた上記マイクロミラーの下に設けられていることを特徴とする請求項２３に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項２６】
上記マイクロミラーは、隣接するアレイとなるように取り付けられることによって、空間光変調器（ＳＬＭ）となることを特徴とする請求項２３に記載のＤＣＭアレイ。
【請求項２７】
上記ＳＬＭは、注目した領域を走査するために制御されていることを特徴とする請求項２６に記載のＳＬＭ。
【請求項２８】
上記ＳＬＭは、像の光学距離を伸縮するための収縮または上昇を制御されており、像から位相収差を除去するために反射されていることを特徴とする請求項２６に記載のＳＬＭ。
【国際調査報告】
2008503772.tif 000015