(57)【要約】プラズマ処理システムを監視するために圧力制御システムを使用する方法と装置が提供されている。圧力制御システムの状態における変化を監視することで、故障状態、誤作動故障状態又はサービス状態が決定される。例えば、サービス状態には、継続的な予防保守作業間の残渣の蓄積の監視が含まれる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムの状態を決める方法であって：
前記プラズマ処理システムにおける処理を実施する工程と；
前記プラズマ処理システムに接続されていて、前記プラズマ処理システムにおける前記処理の圧力を制御するように構成された圧力制御システムを監視する工程と；
前記監視から前記プラズマ処理システムの故障状態、誤作動故障状態、又はサービス状態の内の少なくとも一つを決定する工程とを有していることを特徴とするプラズマ処理システムの状態を決める方法。
【請求項２】
前記処理は、エッチング処理を有している請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記圧力制御システムの前記監視は、弁の状態を監視することを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記弁は、ゲート弁、スイング・ゲート弁及びバタフライ弁を有したグループから選択される請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記弁の前記状態の前記監視は、前記弁の弁角度を監視することを含んでいる請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記弁の前記状態の前記監視は、前記弁の前記状態における変化、又は前記弁の前記状態における変化率の内の少なくとも一方を監視することを含んでいる請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記故障状態、前記誤作動故障状態、又は前記サービス状態の内の少なくとも一つの前記決定は、更に、前記圧力制御システムに関連したパラメータの監視と、前記パラメータに対する許容可能な変化の閾値の設定と、前記パラメータにおいて監視された変化と前記許容可能な変化の閾値との比較とを経て行われる請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記故障状態の決定は、前記弁の前記状態における前記変化、又は前記弁の前記状態の前記変化率の内の少なくとも一方が所定の閾値を越えると行われる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記故障状態の前記決定は、前記圧力制御システムに関連したパラメータを監視し、前記パラメータにおける変化を前記故障状態に相関させて行われる請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記誤作動故障状態の前記決定は、前記圧力制御システムに関連した第一パラメータを監視し、前記第一パラメータにおける非実質的な変化を前記プラズマ処理システムに接続され且つ前記プラズマ処理システムに処理ガスを導入するように構成されたガス注入システムに関連した第二パラメータにおける実質的な変化に相関させて行われる請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記サービス状態の前記決定は、前記圧力制御システムに関連したパラメータを監視して、前記パラメータにおいて実質的に徐々に起こる変化を前記プラズマ処理システムの内面上の残渣の蓄積に相関させることで行われる請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記圧力制御システムの前記監視は、ポンプシステムの監視を含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項１３】
プラズマ処理システムであって：
処理室と；
前記処理室に接続され且つ前記処理室においてプラズマを形成するように構成されたプラズマ源と；
前記処理室内に配置され且つ基材を支持するように構成された基材ホルダーと；
前記処理室に接続され且つ処理ガスを導入するように構成されたガス注入システムと；
前記処理室に接続され且つ前記処理室において圧力を制御するように構成された圧力制御システムと；
前記プラズマ処理システムに接続され、且つ前記圧力制御システムを監視すると共に前記プラズマ処理システムの故障状態、誤作動故障状態、又はサービス状態の内の少なくとも一つを請求項１から１２のいずれか一つに係わる前記監視から決定するように構成されたコントローラとを有していることを特徴とするプラズマ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本ＰＣＴ出願は、全内容が参考としてここに組み込まれている２００４年６月１６日に出願された米国非仮特許出願番号第１０／８６８，３４６号に基づいており、且つそれに基づいて優先権を主張している。
【０００２】
本発明は、プラズマ処理システムの状態を監視する方法、特に圧力制御システムを使用してプラズマ処理システムの状態を監視する方法及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体産業において集積回路（ＩＣ）を製造する際に、基材から素材を除去すると共に素材を堆積するうえで必要な表面処理化学剤をプラズマ処理システム内で造り出して補助するプラズマが一般に採用されている。一般的に、供給された処理ガスとのイオン化衝突を維持するのに十分なエネルギを持つまで電子を加熱することで真空状態の下で、プラズマはプラズマ処理システム内に形成される。更に、加熱された電子は、分離衝突を維持するのに十分なエネルギを有しており、従って所定条件（例えば室内圧力、ガス流速など）の下での具体的なガスの組み合わせが選択され、室内で実施される特定の処理（例えば基材から物質が除去されるエッチング処理、又は基材に物質が付加される堆積処理）に適した帯電化学種と化学的に反応する化学種の集団を発生するように選択される。
【０００４】
上述の処理は、プラズマ処理システム内に与えられた条件に敏感であり、また期待された産出物を獲得するためにこれらの条件を正確に制御することが今も要求されている。例えば、突然の変化（又は故障）又はゆっくりした変化のいずれかによるこれら条件の変化は常に監視を必要としている。従って、故障状態を検出し、その故障が現実のものか又は錯誤によるものかを決定し、サービス状態が存在しているかどうかを決定することの重要性が高まってきている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの形態は、上述の問題のいずれかを、又は全てを削減し又は無くすることである。
【０００６】
本発明の別の目的は、プラズマ処理システムの状態を監視する方法および装置を提供することである。
【０００７】
本発明の別の目的は、圧力制御システムを使用してプラズマ処理システムの状態を監視する方法および装置を提供することである。
【０００８】
本発明の別の目的は、圧力制御システムを使用してプラズマ処理システムにおける故障又は誤作動故障の内の少なくとも一方を検出する方法および装置を提供することである。
【０００９】
本発明の別の目的は、プラズマ処理システムを清掃する条件を決定する方法および装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の更に別の形態によれば、プラズマ処理システムにおいて処理を実施する工程と、プラズマ処理システムに接続され且つプラズマ処理システムにおける処理の圧力を制御するように構成された圧力制御システムを監視する工程と、監視からプラズマ処理システムの故障状態、誤作動故障状態又はサービス状態の内の少なくとも一つを決定する工程とを有しているプラズマ処理システムの状態を決める方法が記載されている。
【００１１】
本発明の更に別の形態によれば、処理室と、処理室に接続され且つ処理室においてプラズマを形成するように構成されたプラズマ源と、処理室内に配置され且つ基材を支持するように構成された基材ホルダーと；処理室に接続され且つ処理ガスを導入するように構成されたガス注入システムと、処理室に接続され且つ処理室において圧力を制御するように構成された圧力制御システムと、プラズマ処理システムに接続され且つ圧力制御システムを監視すると共にプラズマ処理システムの故障状態、誤作動故障状態又はサービス状態の内の少なくとも一つを監視から決定するように構成されたコントローラとを有しているプラズマ処理システムが記載されている。
【００１２】
本発明の他の形態は、後述の説明と本明細書に添付された図面とによって明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図面は、本発明の代表的な実施例を示している。その場合、適切な同じ参照番号は同じ形態を示すように使用されている。
【００１４】
以下の説明において、本発明の完全な理解を促すと共に説明及び非限定を目指して、プラズマ処理システムの特定の形態や圧力制御システムの色々な説明などの具体的な詳細について記載されている。しかし、これら具体的な詳細から外れる他の実施例と共に本発明は実施され得ると理解すべきである。
【００１５】
それにも拘らず、一般的な着想から成る発明特性が説明されていても、更に発明特性を成している形態が本説明には包含されているものと認識すべきである。
【００１６】
図１を参照すると、エッチング処理又は堆積（deposition）処理を行うためのプラズマ処理システムが提供されている。例えば、図１に示されているように、例示のプラズマ処理システム１は、プラズマ処理室１０と、該プラズマ処理室１０に接続された診断システム１２と、該診断システム１２及びプラズマ処理システム１０に接続されたコントローラ１４とを有している。更に、プラズマ処理システム１は、ポンプシステム３２及び弁３４を含んだ圧力制御システム３０を有している。プラズマ処理システムは、更にガス注入システム３６も有している。図示例では、ガス注入システム３６は、圧力制御システム３０から分離した構成要素として示されている。しかし、当業者によって評価されているように、一つの可能性のある変形例において、ガス注入システム３６は、本発明の技術範囲から逸脱しない限り圧力制御システム３０の一部として組み込まれ得るものである。
【００１７】
コントローラ１４は、エッチング処理を含む処理レシピを実行するように構成されている。更に、コントローラ１４は、診断システム１２から少なくとも一つの信号を受信して、処理圧力などの処理の状態を正確に決定するためにその少なくとも一つの信号を後処理するように構成されている。図示の実施例では、図１に示されたプラズマ処理システム１は、物質処理のためにプラズマを使用している。プラズマ処理システム１は、本発明の他の熟慮された変形例においてエッチング室又は堆積室を有することができる。
【００１８】
更に、圧力制御システム３０は、ポンプシステム３２又は弁３４の内の少なくとも一方を使用してプラズマ処理システム１において圧力調節又は圧力制御の内の少なくとも一方を実施するように構成されている。更に、ガス注入システム３６は、圧力制御システム３０と組み合わせてプラズマ処理システム１で処理ガスを或る流量割合で導入すると共に圧力調節又は圧力制御するように構成されている。
【００１９】
図２に示された実施例によれば、本発明に係るプラズマ処理システム１ａは、プラズマ処理室１０と、処理される基材２５が上に取り付けられる基材ホルダー２０と、圧力制御システム３０とを有することができる。基材２５は、例えば半導体基板、ウエハ又は液晶表示装置（ＬＣＤ）とすることができる。プラズマ処理室１０は、例えば基材２５の表面に隣接した処理領域１５においてプラズマの発生を促進するように構成される。イオン化の可能なガス又はガス混合物は、ガス注入システム３６（ガス注入パイプ、又はガス注入シャワーヘッドなど）を経由して導入され、また処理圧力は、圧力制御システム３０を使用して調節される。プラズマは、所定の物質処理に特有な物質を造り出すために使用され、及び／又は基材２５の露出面から物質を除去するのを助けるために使用される。プラズマ処理システム１ａは、２００ｍｍの基板、３００ｍｍの基板、又はより大きな寸法の基板を処理するように構成される。実際は、プラズマ処理システム１，１ａのいずれか（又は両方）は、当業者に認識されているように、基板、ウエハ又はＬＣＤをそれらの寸法に無関係に処理するように構成される。従って、本発明を半導体基材の処理に関連して説明するが、本発明はそれのみに限定されるものでは無い。
【００２０】
基材２５は、例えば基材ホルダー２０に静電クランプシステムを介して取り付けられる。更に、基材ホルダー２０は、例えば基材ホルダー２０から熱を受け取って熱を熱交換器（図示されていない）に転送し、又は加熱の際には熱交換器からの熱を転送する再循環冷却媒体の流れを通す冷却システムを有している。更に、例えば基材２５の後ろ側に背後ガス・システムを経由してガスが供給され、基材２５と基材ホルダー２０との間のガス−空隙熱伝達を改善する。そのようなシステムは、高温で又は低温で基材の温度制御が必要とされるときに使用される。例えば、背後ガス・システムは、２ゾーンのガス分配システムを有することができ、そこではヘリウムガスの空隙圧力が基材２５の中心部と縁部との間で独立して変えられている。他の実施例では、抵抗加熱エレメント、又は熱電ヒータ／クーラなどの加熱／冷却エレメントが、基材ホルダー２０に、またプラズマ処理室１０の室壁に、更にプラズマ処理システム１ａの内部のいずれか他の構成要素に組み込まれる。
【００２１】
図２に示された実施例では、基材ホルダー２０は、ＲＦ電力を処理空間１５における処理プラズマに結合する電極を有することができる。例えば、ＲＦ発生器４０からインピーダンス適合ネットワーク５０を介した基材ホルダー２０へのＲＦ電力伝達を経て、基材ホルダー２０はＲＦ電圧で電気的にバイアスが掛けられる。ＲＦバイアスは、プラズマを形成して維持するために電子を加熱する働きをする。この構成で、本システム１ａは反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）反応器として作動でき、その場合、室１０と上部ガス注入電極はアース面としての働きをする。ＲＦバイアス用の一般的な周波数は、０．１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲と成っている。プラズマ処理用のＲＦシステムは、当業者には公知である。
【００２２】
代わりに、ＲＦ電力は多くの周波数で基材ホルダーの電極に印加される。更に、インピーダンス適合ネットワーク５０は、反射電力を低減することによってプラズマ処理室１０におけるプラズマへのＲＦ電力の転送を改善する働きをする。適合ネットワーク・トポロジー（例えば、Ｌ−型、π−型、Ｔ−型など）と自動制御方法は当業者には公知であり、従って更に説明はしない。
【００２３】
圧力制御システム３０は、ポンプシステム３２と弁３４とを有している。ポンプシステム３２は、例えば１００００リットル／秒（及びそれ以上）までポンプ速度を上げられるターボ型分子真空ポンプ（ＴＭＰ）を有することができる。弁３４は、例えばゲート弁、スイング弁又はバタフライ弁とすることができる。更に、室圧を監視する装置を有した診断システム１２は、プラズマ処理室１０に接続される。圧力測定装置は、例えばＭＫＳ機器有限会社（マサチューセッツ州のアンドーバー）から商取引で入手できるタイプ６２８Ｂバラトロン（Ｂａｒａｔｒｏｎ）絶対容量マノメータとすることができる。
【００２４】
コントローラ１４は、好ましくは、マイクロプロセッサーと、メモリと、プラズマ処理システム１ａへの入力を通信して活性化し且つプラズマ処理システム１ａからの出力を監視するのに十分な制御電圧を発生できるデジタルＩ／Ｏポートとを有している。更に、コントローラ１４は、ＲＦ発電器４０と、インピーダンス適合ネットワーク５０と、ガス注入システム（図示されていない）と、圧力制御システム３０と、診断システム１２と、背後ガス分配システム（図示されていない）と、基材／基材ホルダーの温度測定システム（図示されていない）と、又は静電クランプシステム（図示されていない）とに接続されると共にそれらと情報を交換することができる。例えば、メモリに記憶されたプログラムは、エッチング処理を実行するための処理レシピに従ってプラズマ処理システム１ａの前記構成要素への入力を行うために使用される。コントローラ１４の一つの例として、テキサス州のオースチンのデル（Ｄｅｌｌ）社から入手できるデル精密ワークステーション６１０（商標）がある。
【００２５】
コントローラ１４はプラズマ処理システム１ａに対して局所的に配置された、又はそれはプラズマ処理システム１ａに対して離れた個所に配置される。例えば、コントローラ１４は、直接接続とイントラネットとインターネットと無線接続との内の少なくとも一つを使用してデータをプラズマ処理システム１ａと交換することができる。コントローラ１４は、イントラネットに、例えば顧客側（即ち、装置メーカなど）で接続された、又はそれは、イントラネットに、例えば売主側（即ち、装備品メーカなど）で接続される。更に、例えばコントローラ１４はインターネットに接続される。更に、別のコンピュータ（即ち、コントローラ、サーバーなど）は、例えばコントローラ１４にアクセスでき、直接接続とイントラネットとインターネットとの内の少なくとも一つを経てデータを交換する。更に当業者によって認識されているように、コントローラ１４は無線接続を経てプラズマ処理システム１ａとデータ交換できる。
【００２６】
図３に示された実施例では、本発明の実施用に使用されるプラズマ処理システム１ｂは、例えば図１又は図２の実施例に類似しており、更に図１及び図２を参照して説明されたそれら構成要素に加えてプラズマ密度を潜在的に高めたり、及び／又はプラズマ処理の均一性を改善するために静止した、又は機械的に又は電気的に回転するいずれかの磁界システム６０を有することができる。更に、コントローラ１４は、回転速度と磁界強度を調整するために磁界システム６０に接続される。回転磁界の設計と実施は当業者には公知である。
【００２７】
図４に示された実施例では、本発明の実施用に使用されるプラズマ処理システム１ｃは、例えば図１又は図２の実施例に類似しており、更にＲＦ電力がＲＦ発電器７２からインピーダンス適合ネットワーク７４を介して接続される上部電極７０を有することができる。上部電極７０にＲＦ電力を印加するための一般的な周波数は、０．１ＭＨｚから２００ＭＨｚの範囲とすることができる。更に、下部電極に電力を印加するための一般的な周波数は、０．１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲とすることができる。更に、上部電極７０へのＲＦ電力の印加を制御するために、コントローラ１４はＲＦ発電器７２とインピーダンス適合ネットワーク７４とに接続されている。上部電極の設計と実装は当業者に公知である。
【００２８】
図５に示された実施例では、本発明の実施用に使用されるプラズマ処理システム１ｄは、例えば図１又は図２の実施例に類似しており、更にＲＦ電力がＲＦ発電器８２からインピーダンス適合ネットワーク８４を介して結合される誘導コイル８０を有することができる。ＲＦ電力は、誘導コイル８０から誘電ウインドウ（図示されていない）を介してプラズマ処理領域１５に誘導結合されている。誘導コイル８０へＲＦ電力を印加するための一般的な周波数は、１０ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲とすることができる。同様に、チャックに電力を印加するための一般的な周波数は、０．１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲とすることができる。更に、誘導コイル８０とプラズマとの間の容量結合を低減するためにスロット付きファラデーシールド（図示されていない）が採用されている。更に、誘導コイル８０へのＲＦ電力の印加を制御するために、コントローラ１４はＲＦ発電器７２及びインピーダンス適合ネットワーク７４に接続されている。代替実施例では、誘導コイル８０は、変圧器結合プラズマ（ＴＣＰ）反応器におけるように上からプラズマ処理領域１５に通じた『螺旋』コイル又は『パンケーキ』コイルとすることができる。誘導結合されるプラズマ（ＩＣＰ）源、又は変圧器結合プラズマ（ＴＣＰ）源の設計と実装は当業者には公知である。
【００２９】
代わりに、プラズマは電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を使用して形成される。更に別の実施例では、プラズマはヘリコーン波の発射から形成される。更に別の実施例では、プラズマは伝搬している表面波から形成される。上述の各プラズマ源は当業者には公知である。
【００３０】
一例において、図２で説明したもののように、プラズマ処理システムにおける酸化物エッチング処理のための実験計画（ＤＯＥ）が実行される。パラメータの範囲として、１４００、１７００及び２０００ワットのＲＦ電力と；７、１０及び１３ｓｃｃｍ（標準状態のｃｍ３／分）のＣ４Ｆ８の流量割合と；４０、５５及び７０ｓｃｃｍのＣＯの流量割合と；２．５、４及び５．５ｓｃｃｍのＯ２の流量割合と；３０、４５及び６０ｍＴｏｒｒの圧力とが含まれる。この例では、ポンプシステムの速度は一定に維持されており、また不活性ガス（アルゴン）の流量割合は一定に維持されている（即ち、３００ｓｃｃｍ）。図６に示されているように、圧力制御システムにおける弁の角度は、処理空間への供給用の有効ポンプ速度と共に変わり、また一次方程式：Ａ＝ｋＱ／Ｐ＋ｂによって表されるが、但しＡは弁角度を表し、Ｑは処理量（Ｔｏｒｒ−リットル／量）を表し、Ｐは圧力（Ｔｏｒｒ）を表し、Ｓ＝Ｑ／Ｐはポンプ速度を表しており、またｋ及びｂは定数である。図６を調べてみると、ｋは約２．２であり、ｂは約９．９であることが示されている。従って、弁角度を変えるとプラズマ処理システムによる処理量を変えることになり、即ち△Ｑ＝△ＡＰ／ｋとなる。代わりに弁角度は、Ａ＝ｋＱ／Ｐ＋ｂ＋ｆ（ＲＦ時間）の形の式によって表されるが、但しｆ（ＲＦ時間）は弁を含むプラズマ処理システムの内面上の（例えば基材対基材、ロット対ロット、又はＲＦ時間の数値からの時間に渡る）残渣の蓄積回数と有効ポンプ速度へのその作用とを表している。弁角度における変化は、例えば一定圧力を維持することから生じるもので、処理ガスのプラズマ処理システムへの導入における変化と処理室の内面及び基材における表面の化学的性質における変化とを示すものである。処理量におけるこれらの変化は、プラズマ処理システムにおける故障状態を決定するのに使用される。
【００３１】
本発明の実施例によれば、故障状態、誤作動故障状態又はサービス状態の内の少なくとも一つは、圧力制御システムを監視することでプラズマ処理システムのために決定される。例えば、図７は、図１から図５に示されているシステムの内の一つのプラズマ処理システムの状態を監視する例示的方法を示している。本方法は、プラズマ処理システムにおける処理の実施に関する工程５１０で始まるフローチャート５００を有している。本処理には、例えばエッチング処理又は堆積処理が含まれる。
【００３２】
工程５２０では、プラズマ処理システムに接続された圧力制御システムが監視される。一実施例では、弁の状態が監視される。弁の状態には、直線的に位置を取り、又は回転角の位置を取ることができる。例えば、弁の直線的位置又は回転角位置（弁角度）における変化は、圧力制御システムにおける変化を示す。弁状態又は弁状態の変化割合の内の少なくとも一方が監視される。代わりに、ポンプシステムの速度を監視することもできる。
【００３３】
工程５３０では、故障状態、誤作動故障状態又はサービス状態の内の少なくとも一つが、圧力制御システムの監視から決定される。
【００３４】
一例では、弁の状態がプラズマ処理システムにおける処理の実施中に監視される。弁の状態には、弁角度が含まれ、その場合ガス注入システムに接続された質量流量コントローラを通る流量割合における変動が弁角度における変化を起こす。基材上の処理の実施中の弁角度の変化が所定の閾値を越すと、プラズマ処理システムのオペレータに質量流量コントローラでの変動に関連した故障状態の発生について警告が発せられる。例えば、その閾値には、絶対値（弁角度に対する一般的な範囲の値よりも常に大きいか、又は小さくなっていると知られている）、処理中における平均弁角度の分数（即ち、２０％）に設定された上部制御限度及び下部制御限度、又は処理中における弁角度の変動の二乗平均（ｒｍｓ）の整数（即ち、３）に設定された上部制御限度及び下部制御限度が含まれる。
【００３５】
別の例では、弁の状態はプラズマ処理システムにおける基材上の処理の実施中に監視される。処理中に、弁状態は何ら状態の急激な変化を示さない；しかし、質量流のコントローラは質量流の割合における突然の変化を報告する。このデータに基づいて、オペレータは、誤作動故障状態として質量流量コントローラから報告された変化を識別し、プラズマ処理システムにおける基材の処理を続行できる。代わりに、オペレータは、誤作動故障状態として質量流量コントローラから報告された変化を識別し、質量流量コントローラを調べるためにプラズマ処理システムにおける基材の処理を中止できる。
【００３６】
更に別の例では、弁の状態は、複数の基材をプラズマ処理システムで順次処理の実施している間に監視される。各基材の処理中に、（一時的な）平均的状態などの弁状態は、プラズマ処理システムにおける基材数、ロット数、又は無線周波数（ＲＦ）時間の関数として監視される。弁の状態、状態変化、又は状態変化の割合が所定値よりも大きく成ったり（又は小さく成ったり）すると、オペレータはサービス状態について知らされる。サービス状態には、例えばプラズマ処理システムの内面上に蓄積された残渣を除去するためのプラズマ処理システムの清掃が含まれる。
【００３７】
更に別の例では、弁の状態は、プラズマ処理システムにおけるプラズマ形成中に監視される。プラズマが形成されると、（反応物質の）処理ガスが消費されて生成ガスが発生されて、ガス温度が上昇し、ガス堆積がプラズマ処理システムの表面で起きる。これら化学処理の累積的影響は、ガス均衡（又は処理量）における変化で、それ故にプラズマが形成されるときの弁角度内の変化で観察される。プラズマ処理システムにおけるプラズマの不存在からプラズマの存在までの間で移行異常が起きると、故障状態の発生を示すことになる。例えば、弁状態又は弁角度における変化が所定の閾値よりも大きくなり又は小さくなると、オペレータにはプラズマ形成中に故障状態が生じたことが知らされる。
【００３８】
これまで、本発明の例示的な実施例のみを詳細に説明してきたが、本発明の新規な教示及び長所から大きく逸脱しない限り数多くの変更が行われ得ることは当業者には容易に認識される。従って、全てのそのような改造は本発明の技術範囲内に包含されるものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施例に係るプラズマ処理システムの簡略化された概略線図である。
【図２】本発明の別の実施例に係るプラズマ処理システムの簡略化された概略線図である。
【図３】本発明の更に別の実施例に係るプラズマ処理システムの簡略化された概略線図である。
【図４】本発明の更に別の実施例に係るプラズマ処理システムの簡略化された概略線図である。
【図５】本発明の別の実施例に係るプラズマ処理システムの簡略化された概略線図である。
【図６】フロー処理能力の関数として弁角度を表したデータの例示的セットを示している。
【図７】本発明の別の実施例に係るプラズマ処理システムを監視する方法を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
2008503091.tif 000010
2008503091.tif 000011