(57)【要約】  活性種の移動を可能にする積層構造（３）からなる少なくとも１つの基板（５１、５２）、特に少なくとも一つの電解質機能を持つ層をその間に有する少なくとも２つの活性層（ＥＣ１，ＥＣ２）を含むエレクトロクロミック基板からなり、前記積層がそれぞれ個別の下部ならびに上部電力入力に接続された２つの導電体（２，４）の間に配置されていて、電解質機能を持つ層が金属層と該金属層と同じ金属からなる不活性化層に基づく少なくとも一つの混合層（Ｅｒｅｆ）を組み入れていることを特徴とする、可変の光学および／またはパワー透過または反射特性を有する電気的に制御可能なシステム。【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過あるいは反射において可変の光学／エネルギー特性を有する電気的に制御可能なシステムであり、活性種の移動を可能にする多層、特に少なくとも１つの電解質機能を有する層によって隔てられた少なくとも２つの活性層からなるエレクトロクロミック多層を備えた少なくとも１つのキャリア基板を含み、前記多層はそれぞれ下部および上部リード（「下部」はキャリア基板の最も近い電流リードに対応し、反対に「上部」は前記基板から最も遠い電流リードに対応する）と称される電流リードに接続された２つの導電体の間に配置され、電解質機能を有する層が、金属層ならびに金属層の金属と同じ金属を不活性化するための不活性化層に基づく少なくとも１つのハイブリッド層を組み込んでいることを特徴とする、システム。
【請求項２】
不活性化層が、金属層の金属と同じ金属のカチオンを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
不活性化層が、金属層の金属と同じ金属の酸化物を含むことを特徴とする請求項１および２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項４】
不活性化層が、金属層の金属と同じ金属のハロゲン化物、特に塩素化物を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
不活性化層が、金属層の金属と同じ金属の硫酸塩または硝酸塩を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
金属が、次の族、周期表のＩＶＢ（Ｔｉ−Ｚｒ−Ｈｆ）族とＩＩＢ（Ｚｎ−Ｃｄ−Ｈｇ）族の間に位置する全ての遷移元素、またはこれらの元素の混合物から選択され、好ましくは次の元素、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏまたはその混合物から選択されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
ハイブリッド層の厚さが、５ｎｍから３００ｎｍの間、好ましくは２０ｎｍから５０ｎｍの間であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
電解質機能を有する層が、本質的に無機材料でできている少なくとも１つの層を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
ハイブリッド層が、本質的に無機材料でできている層に組み込まれていることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
ハイブリッド層が、エレクトロクロミック層の少なくとも１つから離れたところに置かれることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
ハイブリッド層が、エレクトロクロミック層の少なくとも１つで、少なくとも部分的に覆われていることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
ハイブリッド層が、本質的に無機材料でできている層の体積部分内に組み込まれていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１３】
電解質機能を有する層が、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化タンタル(Ｔａ２Ｏ５)、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル（ＮｉＯＸ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、アルミニウムもしくはホウ素と合金化されていてもよい酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、アルミニウムと合金化されていてもよい酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムと合金化されていてもよい酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、および酸化スズ亜鉛（ＳｎＺｎＯＸ）から選択され、これらの酸化物の少なくとも１つが水素化または窒素化されていてもよい、材料に基づく少なくとも１つの層を備えていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１４】
電解質機能を有する層が、少なくとも１つの溶融塩に基づくポリマー材料に基づく他の層を含むことを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１５】
ポリマー型の他の層が、ポリオキシアルキレンの属、特にポリオキシエチレンから、またはポリエチレンイミンの属から選択されることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
ポリマー型の他の層が、無水物または水性液型あるいは１つ以上のゲルまたはひとつ以上のポリマーに基づいた形、特に１つ以上のPOE:H3PO4の水素化および／または窒素化化合物型の、あるいは１つ以上の水素化および／または窒素化PIE:H3PO4化合物、あるいは積層可能なポリマーに基づいた電解質の層の型であることを特徴とする、請求項1から１５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１７】
電気化学的作用層が、次の化合物、
酸化タングステン（Ｗ）、酸化二オブ（Ｎｂ）、酸化スズ（Ｓｎ）、酸化ビスマス（Ｂｉ）、酸化バナジウム（Ｖ）、酸化ニッケル（Ｎｉ）、酸化イリジウム（Ｉｒ）、酸化アンチモン（Ｓｂ）、および酸化タンタル（Ｔａ）、それ自体、または混合物の中の少なくとも１つを含み、またチタン、またはレニウムなど追加の金属を含んでいてもよいことを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１８】
導電体が、金属型であるか、またはＩｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２：ＦもしくはＺｎＯ：ＡｌのＴＣＯ型であるか、またはＴＣＯ／金属／ＴＣＯ型の多層であり、この金属が特に銀、金、白金、銅から選択されているか、もしくは、同じく金属が特に銀、金、白金、および銅から選択されているＮｉＣｒ／金属／ＮｉＣｒ型の多層であることを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１９】
特に可変の光および／またはエネルギー透過および／または反射を有し、基板または基板の少なくとも一部分が、透明であるか部分的に透明であり、ガラスまたはプラスチック製であり、好ましくは多重および／または積層ガラスとして、または二重ガラスとして取り付けられる、請求項１から１８の一項に記載の電気的に制御可能なシステムを含むことを特徴とする、エレクトロクロミックガラス。
【請求項２０】
請求項１から１８の一項に記載の電気化学システムを含むエレクトロクロミックガラスであり、ガラスに追加の機能性（日光制御、低放射率、疎水性、親水性、反射防止）を提供するのに適した少なくとも１つの他の層と組み合わせることを特徴とする、エレクトロクロミックガラス。
【請求項２１】
活性種の移動を可能にする多層、特に少なくとも１つの、金属層ならびに金属層の金属と同じ金属を不活性化するための不活性化層に基づくハイブリッド層（前記ハイブリッド層は参照電極を形成する）を組み込んでいる、電解質機能を有する層によって隔てられた少なくとも２つの活性層からなるエレクトロクロミック多層、を備えた少なくとも１つのキャリア基板を含み、前記多層はそれぞれ下部および上部リード（「下部」はキャリア基板の最も近い電流リードに対応し、反対に「上部」は前記基板から最も遠い電流リードに対応する）と称される電流リードに接続された２つの導電体の間に配置されている、請求項１から１８のいずれか一項に記載の可変の光学／エネルギー特性を有する電気的に制御可能なシステムの給電方法であり、
Ｍ１によって表され、電気的に制御可能なシステムの１つの動作点に対応する給電モードが、電流リード間に第１時点ｔ１で適用され、この給電モードが該給電モードの第１測定を与えるステップ、
この同じ第１時点ｔ１に、Ｖｍｅｓ１によって表され、電流リードの１つと参照電極の間の電位差に対応する第２測定が記録され、および電気的に制御可能なシステムの少なくとも１つの定量特性が記録されるステップ、
第２時点ｔ２（電気的に制御可能なシステムの所望の特性量のレベルにより決まる）に、給電モードＭ２が電流リード間に適用され、この給電モードが該給電モードの第３測定を与え、ならびにこの第２時点ｔ２に、Ｖｍｅｓ２によって表され、電流リードの１つと参照電極の間の電位差に対応する第４測定が行われるステップ、
この第４測定Ｖｍｅｓ２が、第２測定Ｖｍｅｓ１と比較されるステップ、および
電流リード間に印加される給電モードの値が、電流リードの１つと参照電極の間の電位差が参照表から選択された値に等しくなるように、Ｖｍｅｓ２とＶｍｅｓ１の間の電位差に従って再調整されるステップ
を特徴とする方法。
【請求項２２】
所望の全幅の特性量に対応して、Ｖ１の各値に対してＶｍｅｓ１の対応値を得るために、給電方法の最初の２つのステップが、Ｖ１ｍｉｎとＶ１ｍａｘの間で選択されたＶ１の範囲に対して繰り返され、したがって、特性量とＶｍｅｓ１の値をリンクする参照測定の表が作成されることを特徴とする請求項２１に記載の給電方法。
【請求項２３】
電流リード間に適用される給電モードが、電圧供給、電流供給および電荷供給から選択されることを特徴とする請求項２１および２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
電位差に対応する第４測定Ｖｍｅｓ２または第２測定Ｖｍｅｓ１が、参照電極と上部電流リード間で行われることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
電位差に対応する第４測定Ｖｍｅｓ２または第２測定Ｖｍｅｓ１が、参照電極と下部電流リード間で行われることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
特性量が、光透過など、電気的に制御可能なシステムの光学パラメータから選択されることを特徴とする請求項２１から２５の一項に記載の方法。
【請求項２７】
下部電流リードと参照電極の間で測定された電位差の様々な値に対する特性量の変化を与える表が生成されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
上部電流リードと参照電極の間で測定された電位差の様々な値に対する特性量の変化を与える表が生成されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
それぞれの下部電流リードと上部電流リードの間で測定された電位差の様々な値に対する光透過の変化を与える表が生成されることを特徴とする請求項２１から２７の一項に記載の方法。
【請求項３０】
建築用ガラス、自動車用ガラス、産業、または鉄道、海上もしくは航空大量輸送車両用の窓、バックミラー、またはその他のミラーとしての請求項１９および２０のいずれかに記載のガラスの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可変の光学および／またはエネルギー特性を有する電気的に制御可能な装置の給電方法に関する。より詳細には、透過または反射で作動するエレクトロクロミックシステムを使用する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロクロミックシステムは、非常に広範囲にわたって研究されている。エレクトロクロミックシステムは次の「５層」モデル、すなわちＴＣ１／ＥＣ１／ＥＬ／ＥＣ２／ＴＣ２で構成され、ここでＴＣ１およびＴＣ２が導電性材料であり、ＥＣ１およびＥＣ２がカチオンおよび電子を可逆的に注入することも、また同時に注入することもできるエレクトロクロミック材料であり、ＥＬが絶縁体でもあり、イオン伝導体でもある電解質材料である。導電体は外部給電に接続され、２つの導電体の間に適切な電位差を印加することによりシステムに色の変化を生じさせる。電位差の作用の下でイオンが、エレクトロクロミック材料の１つから放出され、電解質材料を通過して、もう一方のエレクトロクロミック材料の中に注入される。電子は、１つのエレクトロクロミック材料から取り出され、電荷をつり合わせ、材料の電気的中性を確保するために導電体および外部給電回路を介してもう一方のエレクトロクロミック材料に取り込まれる。
【０００３】
これらの電荷注入／放出の結果としてそれらの酸化状態を変えることが、それらの光学的および／または熱的特性を変えることになる（例えば、酸化タングステンの場合は、青色から無色の外観への転換、酸化イリジウムの場合は、黄ばんだ色から無色の外観への転換）。
【０００４】
エレクトロクロミックシステムは、一般に有機または無機質の透明または不透明な支持体（したがって「基板」と呼ばれる）上に堆積される。特定の場合では、２つの基板が使用でき、どちらの各基板もエレクトロクロミックシステムの一部分を有し、完全なシステムが、これら基板を一緒に接合することにより得られるか、１つの基板が全部のエレクトロクロミックシステムを有し、もう一方の基板はシステムを保護することを目的としている。
【０００５】
電気的に制御可能なシステムの転換は、電荷移動（多層薄膜の厚さ数百ナノメータ内での荷電種（イオンおよび電子）の電気的な移動）により規定された複雑な電気化学プロセス、および多層内の荷電種の動きに基づく質量移動からなる。
【０００６】
電位差の作用の下で、電気的に制御可能なシステム内での電荷移動は、システムの着色状態または無色状態に対応し、したがって例えば達成された光透過レベル（一般に％で表される）により特徴付けられる特定の光学特性に対応する電気化学平衡を生じる。
【０００７】
現在、電気的に制御可能なシステムの製造業者は一方では、システムの光学的最適化−色の均一性、転換速度、コントラスト、および他方では、機械的最適化−数回の着色／無色サイクルの後のこれらの機能の維持（つまり耐久性）が得られる動作点に対応する電位差を供給する給電を開発している。
【０００８】
これらのシステムは完全に満足のいくものであるが、製造業者は、この光学的および機械的最適化が共に時間経過にわたって持続しないと言うことに気づいている。電気的に制御可能なシステムの両端子に印加された電位差に対応する所与の動作点に対して、時間がたつにつれて動作点にドリフトが存在する（光学的機能が、もはやこの電位差に対して得られない）。
【０００９】
電気的に制御可能なシステムに光学測定センサ（特に百分率の光透過測定に対する）を備えることが困難である（または、ほとんど不可能である）という前提の基に、発明者達は、驚くべきことに、電気的に制御可能なシステムの動作点を適応させ、または修正することができる、したがって、どんな光学測定も不要にしながら時間経過にわたって動作点に対し最適の性能を保証可能にするステップを発見している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって本発明の目的は、動作点におけるドリフトの結果としての任意の変動を回避する、電気的に制御可能なシステムの新規の設計、およびこのシステムの給電方法の新規の設計を提案することにより従来の給電の欠点を軽減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的のために、透過または反射において可変の光学／エネルギー特性を有する電気的に制御可能なシステムは、活性荷電種の移動を可能にする多層、特にエレクトロクロミック多層が電解質機能を有する少なくとも１つの層により隔てられた少なくとも２つの活性層を備える少なくとも１つのキャリア基板を含み、多層は、電流リード、すなわち、それぞれ下部および上部リード（「下部」は、キャリア基板に最も近い電流リードに対応し、基板から最も遠い「上部」電流リードと対向する）にそれぞれ接続されている２つの導電体の間に配置され、電解質機能を有する層が、金属層に基づく、加えて金属層の金属と同じ金属を不活性化するための不活性化層に基づく少なくとも１つのハイブリッド層を組み込んだことを特徴とする。
【００１２】
電解質機能を有する層の範囲内に組み込まれたこのハイブリッド層のおかげで、電気的に制御可能なシステムを形成する多層内に、システム内の電位分布を決めるのに適する参照電極と呼ばれる第３電極を作り出すことができる。
【００１３】
本発明の好ましい実施形態において、さらに、１つまたはそれ以上の下記の構成が任意に使用され得る、すなわち、
不活性化層が、金属層の金属と同じ金属のカチオンを含み、
不活性化層が、金属層の金属と同じ金属の酸化物を含み、
不活性化層が、金属層の金属と同じ金属のハロゲン化物、特に塩素化物を含み、
不活性化層が、金属層の金属と同じ金属の硫酸塩または硝酸塩を含み、
金属が、以下のファミリー、すなわち、周期表のＩＶＢ（Ｔｉ−Ｚｒ−Ｈｆ）族とＩＩＢ（Ｚｎ−Ｃｄ−Ｈｇ）族の間に位置する全ての遷移元素、またはこれらの元素の混合物から選択され、好ましくは以下の元素、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏまたはその混合物から選択され、  
ハイブリッド層の厚さが５ｎｍから３００ｎｍの間、好ましくは２０ｎｍから５０ｎｍの間であり、
電解質機能を有する層が、本質的に無機材料でできている少なくとも１つの層を含み、
ハイブリッド層が、本質的に無機材料でできている層の範囲内に組み込まれており、
ハイブリッド層は、エレクトロクロミック層の少なくとも１つから離れたところに置かれ、
ハイブリッド層は、エレクトロクロミック層の少なくとも１つで、少なくとも部分的に覆われており、
ハイブリッド層は、本質的に無機材料でできている層の体積部分内に組み込まれており、
電解質機能を有するこの層は、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化タンタル(Ｔａ２Ｏ５)、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル（ＮｉＯＸ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、アルミニウムもしくはホウ素と任意に合金化された酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、アルミニウムと任意に合金化された酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムと任意に合金化された酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、および酸化スズ亜鉛（ＳｎＺｎＯＸ）から、これらの酸化物の少なくとも１つが任意に水素化または窒素化され、選択された材料に基づく少なくとも１つの層を備え、
この層は本質的に無機材料でできている上に、電解質機能を有するこの層は、溶融塩に基づくポリマー材料に基づく少なくとももう１つの層を含み、
ポリマー型のもう１つの層は、ポリオキシアルキレン、特にポリオキシエチレンのファミリーまたはポリエチレンイミンのファミリーから選択され、
ポリマー型のもう１つの層は、無水もしくは水性液の状態であり、または１つまたはそれ以上のゲルに、または、ＰＯＥ：Ｈ３ＰＯ４型の１つまたはそれ以上の水素化物および／または窒素化物に基づく特に層型の電解質の、もしくは別の１つまたはそれ以上の水素化および／または窒素化／ＰＥＩ：Ｈ３ＰＯ４化合物に基づく層の、１つまたはそれ以上のポリマーに、もしくは別の積層可能なポリマーに基づき、
それぞれの電気化学的作用層は、以下の化合物、
酸化タングステン（Ｗ)、酸化二オブ（Ｎｂ）、酸化スズ（Ｓｎ）、酸化ビスマス（Ｂｉ）、酸化バナジウム（Ｖ）、酸化ニッケル（Ｎｉ）、酸化イリジウム（Ｉｒ）、酸化アンチモン（Ｓｂ）、および酸化タンタル（Ｔａ）、それ自体、または混合物として、この中の少なくとも１つを備え、任意にチタン、レニウム、またはコバルトなど追加の金属を含み、
導電体は、金属型であるか、またはＩｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２：ＦもしくはＺｎＯ：Ａｌ製のＴＣＯ（透明導電性酸化物）型であるか、またはＴＣＯ／金属／ＴＣＯ型の多層であり、この金属が特に銀、金、白金、銅から選択されているか、もしくは、やはり金属が特に銀、金、白金、および銅から選択されているＮｉＣｒ／金属／ＮｉＣｒ型の多層である。
【００１４】
別の態様による本発明の主題は、前述したように電気的に制御可能なシステムの動作方法でもある。
【００１５】
この目的のために、透過または反射において可変の光学／エネルギー特性を有する電気的に制御可能なシステムの給電方法が、活性荷電種の移動を可能にする多層を備える少なくとも１つのキャリア基板を含み、特に、エレクトロクロミック多層が、金属層に基づく、金属層の金属と同じ金属を不活性化するための不活性化層に基づく少なくとも１つのハイブリッド層を組み込んでいる電解質機能を有する少なくとも１つの層により隔てられた少なくとも２つの活性層を備え、ハイブリッド層が参照電極を形成し、多層は、それぞれ電流リード、すなわち、それぞれ下部および上部リード（「下部」は、キャリア基板に最も近い電流リードに対応し、基板から最も遠い「上部」電流リードと対向する）に接続されている２つの導電体の間に配置される、
Ｍ１によって表され、電気的に制御可能なシステムの１つの動作点に対応する給電モードが、電流リード間に第１時点ｔ１で適用され、この給電モードは給電モードの第１測定を与え、
この同じ第１時点ｔ１に、Ｖｍｅｓ１によって表され、電流リードの１つと参照電極の間の電位差に対応する第２測定が記録され、電気的に制御可能なシステムの少なくとも１つの定量特性が記録され、
第２時点ｔ２に、これは電気的に制御可能なシステムの所望の特性量のレベルにより決まるが、給電モードＭ２が電流リード間に適用され、この給電モードは給電モードの第３測定を与え、この第２時点ｔ２に、Ｖｍｅｓ２によって表され、電流リードの１つと参照電極の間の電位差に対応する第４測定が行われ、
この第４測定Ｖｍｅｓ２は、第２測定Ｖｍｅｓ１と比較され、
電流リード間に印加される給電モードの値が、電流リードの１つと参照電極の間の電位差が参照表から選択された値に等しくなるように、Ｖｍｅｓ２とＶｍｅｓ１の間の電位差に従って再調整されることを特徴とする。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態において、さらに、１つまたはそれ以上の下記の構成が任意に使用され得る、すなわち、
所望の全幅の特性量に対応して、Ｖ１の各値に対してＶｍｅｓ１の対応値を得るために、給電方法の最初の２つのステップが、Ｖ１ｍｉｎとＶ１ｍａｘの間で選択されたＶ１の範囲に対して繰り返され、したがって、特性量とＶｍｅｓ１の値をリンクする参照測定の表が作成され、
電流リード間に適用される給電モードが、電圧供給源、電流供給源および電荷供給源から選択され、
電位差に対応する第４測定Ｖｍｅｓ２または第２測定Ｖｍｅｓ１が、参照電極と上部電流リード間で行われ、
電位差に対応する第４測定Ｖｍｅｓ２または第２測定Ｖｍｅｓ１が、参照電極と下部電流リード間で行われ、
特性量が、電気的に制御可能なシステムの光透過など光学パラメータから選択され、
下部電流リードと参照電極の間で測定された電位差の様々な値に対する特性量の変化を与える表が生成され、
上部電流リードと参照電極の間で測定された電位差の様々な値に対する特性量の変化を与える表が生成され、
それぞれの下部電流リードと上部電流リードの間で測定された電位差の様々な値に対する光透過の変化を与える表が生成される。
【００１７】
本発明が、添付の図面と併せてより詳細に説明されることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
添付の図面において、特定の要素は、図の理解をより容易にするために実際より大きいか、または小さい尺度で示されていることがある。
【００１９】
図１、２および３によって図示した例は、エレクトロクロミック窓１に関する。この窓は、客室の外側から内側に連続して、例えばそれぞれ２．１ｍｍ、および２．１ｍｍの厚さをもつ透明なソーダ−石灰−シリカガラスペインである（だが、それらは着色されていることもある）２つのペインＳ１、Ｓ２を備える。
【００２０】
ガラスペインＳ１、Ｓ２は、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの寸法で、同じサイズである。
【００２１】
図２および３に示したガラスペインＳ１は、面２に全固体エレクトロクロミック型の薄膜多層を含む。
【００２２】
ガラスペインＳ１は、ガラスペインＳ２に厚さが０．８ｍｍのポリウレタン（ＰＵ）（これはエチレン／酢酸ビニル（ＥＶＡ）またはポリビニルブチラール（ＰＶＢ）のシートに置き換え得る）でできているサーモプラスチックシートｆ１を介して積層されている。
【００２３】
「全固体」エレクトロクロミック薄膜多層は、集電体２および４とも呼ばれる２つの導電材料の間に置かれた活性多層３を備える。集電体２は、面２と接触することを目的としている。
【００２４】
集電体２、４、および活性多層３は、実質的に同じ寸法、形状であっても実質的に異なる寸法、形状であってもよく、したがって集電体２および４の経路は構成に応じて適合させることになると理解される。さらに、特にＳ１の基板の寸法は本質的に２、４および３の寸法より大きくてよい。
【００２５】
集電体２および４は、金属型であるか、またはＩｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２：ＦもしくはＺｎＯ：Ａｌ製のＴＣＯ（透明導電性酸化物）型であるか、またはＴＣＯ／金属／ＴＣＯ型の多層であり、この金属は特に銀、金、白金、および銅から選択される。これは、やはり金属が特に銀、金、白金、および銅から選択されているＮｉＣｒ／金属／ＮｉＣｒ型の多層であってもよい。
【００２６】
構成によって決まり、これらが省略され、この場合は電流リードが直接、活性多層３と接触してもよい。
【００２７】
窓１は、給電を介して活性システムを制御可能にする電流リード８、９を組み込んでいる。これらの電流リードは加熱窓用に使用されるリード（つまりシム、ワイアまたは同様のもの）のタイプである。
【００２８】
集電体２の好ましい一実施形態は、面２の上に、４００ｎｍＳｎＯ２：Ｆの第２層を上に載せている５０ｎｍＳｉＯＣの第１層を堆積することにある（両層が好ましくは切断する前のフロートガラス上にＣＶＤによって連続して堆積される）。
【００２９】
集電体２の第２実施形態は、面２の上に、約１００ｎｍから６００ｎｍのＩＴＯ第２層を上に載せているドープするか、またはドープしなくてもよい（特にアルミニウムもしくはホウ素ドープで）約２０ｎｍのＳｉＯ２に基づく第１層からなる２層を堆積することにある（両層が好ましくは酸素のある中で任意にホットで実行されるマグネトロン反応性スパッタ法によって連続して真空堆積される）。
【００３０】
集電体２の別の実施形態は、面２の上に、ＩＴＯからなる約１００ｎｍから６００ｎｍの単層を堆積することにある（層は好ましくは酸素のある中で任意にホットで実行されるマグネトロン反応性スパッタ法によって真空堆積される）。
【００３１】
集電体４は、活性多層の上に再度マグネトロン反応性スパッタ法によって堆積した１００ｎｍから５００ｎｍのＩＴＯ層である。
【００３２】
図２、３、４および５に示した活性多層３が、図４に示した第１実施形態に従って次のように構成される、すなわち
他の金属と合金化しても、または合金化しなくてもよい酸化ニッケル製アノードエレクトロクロミック材料の１００ｎｍから３００ｎｍの層、    
水和した酸化タンタル、または水和したシリカ、または水和した酸化ジルコニウム、またはこれら酸化物の混合物の１００ｎｍ層、
酸化タングステンに基づくカソードエレクトロクロミック材料の、２００ｎｍから５００ｎｍ、好ましくは３００ｎｍから４００ｎｍ、特に約３７０ｎｍ層。
【００３３】
図５に示した第２実施形態によれば活性層３は次にように構成される、すなわち
他の金属と合金化しても、または合金化しなくてもよい酸化ニッケル製アノードエレクトロクロミック材料の１００ｎｍから３００ｎｍの層、
水和した酸化タングステンの１００ｎｍ層、
水和した酸化タンタル、または水和したシリカ、または水和した酸化ジルコニウム、またはこれら酸化物の混合物の１００ｎｍ層、
水和した酸化タングステンに基づくカソードエレクトロクロミック材料の、２００ｎｍから５００ｎｍ、好ましくは３００ｎｍから４００ｎｍ、特に約３７０ｎｍ層。
【００３４】
電気的に制御可能なシステム、および特に図４および５に詳細に示した活性多層の実施形態に関係なく電解質として作用する層は、参照電極を組み込んでいる（図ではＥｒｅｆと呼ばれる）。この参照電極は、実際５ｎｍから３００ｎｍの間、好ましくは２０ｎｍから５０ｎｍの間の厚さをもつ、金属層に基づく、金属層の金属と同じ金属のカチオンを含む不活性化層に基づくハイブリッド層から形成される。金属は、以下のファミリー、すなわち、周期表のＩＶＢ（Ｔｉ−Ｚｒ−Ｈｆ）族とＩＩＢ（Ｚｎ−Ｃｄ−Ｈｇ）族の間に位置する全ての遷移元素、またはこれら元素の混合物から選択し、好ましくは以下の元素、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏまたはこれらの混合物から選択することができ、図１から５に示した実施形態には、Ｎｉ／ＮｉＯ参照電極がある。
【００３５】
活性多層３は、フランス特許出願ＦＲ−２７８１０８４に説明されているように、周縁の電気的リークを制限する目的で機械的手段により、またはレーザ照射、任意にパルスレーザ照射を使用するエッチングにより形成した溝でこの周縁の全て、または部分にわたり切り込みを入れることができる。
【００３６】
さらに図１、２および３に示した窓は、面２および３と接触して第１周縁部シールを組み込んでおり（図に示してない）、この第１シールは対外部の化学的腐食に対するバリアを提供するのに都合がよい。
【００３７】
第２周縁部シールは、Ｓ１の端部、Ｓ２および面４の端部と接触しており、したがってバリア、車両中にこれを取り付けるための手段、内部と外部の間のシーリング手段、美観の役割、および強化材組込み手段を形成する。
【００３８】
別の実施形態では、「全固体」活性多層３が、ポリマー型のエレクトロクロミック材料の別のファミリーに置き換えられてよい。
【００３９】
したがって、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−変形として、このポリマーの誘導体の１つであってよい−でできている活性層とも呼ばれるエレクトロクロミック材料の１０ｎｍから１００００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍから５００ｎｍの層から形成した第１部分が、この集電体で覆われた基板上に、既知の液体堆積技法（スプレーコーティング、浸漬コーティング、スピンコーティングまたはキャスティング）によって、または電着によって堆積され、この集電体が、任意にワイアまたは同様のものを備えた導電体（アノードまたはカソード）を形成する下部導電層または上部導電層であることを可能にする。この活性層を構成するポリマーが何であれ、このポリマーは、とりわけ、特にＵＶに対して安定であり、加えてリチウムイオン（Ｌｉ＋）、または代替にＨ＋イオンの注入／放出によって動作する。
【００４０】
電解質として作用し、５０ｎｍから２０００ｎｍの間、好ましくは５０ｎｍから１０００ｎｍの間の厚さをもつ層から形成した第２部分が、第１部分の上の第１部分と第３部分の間に、既知の液体堆積技法（スプレーコーティング、浸漬コーティング、スピンコーティングまたはキャスティング）によって、または別の射出によって堆積される。この第２部分は、ポリオキシアルキレン、特にポリオキシエチレンに基づく。これは無機型の電解質の、例えば水和した酸化タンタル、酸化ジルコニウムまたは酸化ケイ素に基づく層と組み合わされてよい。
【００４１】
エレクトロクロミック材料の、ガラスまたは類似の基板によってそれ自体が支持されている、活性層上に堆積されたこの第２電解質部分は、次いで、第３部分に覆われ、この第３部分の構成は第１部分と類似であり、つまりこの第３部分は集電体（導電ワイア、または導電ワイアプラス導電層、または単に導電層）に覆われた基板で構成され、この集電体自体は活性層で覆われている。
【００４２】
このハイブリッド（ポリマー／無機）エレクトロクロミック多層に基づいて、無機型の電解質層内に前述した参照電極を組み込むことが提案される。
【００４３】
この実施例は、プロトン移動により動作する窓に対応する。この窓は、４ｍｍのソーダ−石灰−シリカガラス製の第１ガラス基板と、連続して以下に続く、
３００ｎｍ第１導電ＳｎＯ２：Ｆ層と、
水和した酸化ニッケルＮｉＯｘＨｙ製のエレクトロクロミック材料の１８５ｎｍ第１アノード層（この層は水和した酸化イリジウムの５５ｎｍ層に置き換えることができる）と、
水和した酸化タンタルの７０ｎｍ第１層と、ＰＯＥ／Ｈ３ＰＯ４ポリオキシエチレン／リン酸の固溶体の、もしくは代替にＰＥＩ／Ｈ３ＰＯ４ポリエチレンイミン／リン酸の固溶体の１００μｍ第２層を組み合わせて構成された電解質と、
水和した酸化タンタル、または水和したシリカ、または水和した酸化ジルコニウム、またはこれら酸化物の混合物の１００ｎｍ層と、
酸化タングステンに基づくカソードエレクトロクロミック材料の３５０ｎｍ第２層と、
第１ガラス基板と同じ第２ガラス基板が後に続く３００ｎｍ第２ＳｎＯ２：Ｆ層と、
で構成される。
【００４４】
したがって、この実施例では、この型のガラスにおいて普通に使用されているポリマーに基づく２層の電解質があり、この電解質は、ポリマーを介したプロトン移動を減じることなく十分な導電性があり、加えて、電解質がさらに有害になる固有酸性度でも、アノードエレクトロクロミック材料製の対向電極が電解質に直接接触するのを防止する、水和した酸化タンタルの層で「内張り」される。
【００４５】
水和したＴａ２Ｏ５層の代わりに、水和したＳｂ２Ｏ５またはＴａＷＯｘ型の層が使用されてよい。
【００４６】
３層電解質に２層の水和した酸化物層を備えることも、ポリマー層のそれぞれの側面上にこれら水和した酸化物層の１つを備えるか、アノードエレクトロクロミック材料層に向いている側面上の一方に１つを重ねた２層の水和した酸化物層を備えることもできる。
【００４７】
この参照電極を有する前述した電気的に制御可能な構造は、前もって確立された知識モデルと比較してこの運転に伴うｔ時点でのシステムの動作を比較することに基づく、イノベイティブ運転モードを可能にする。
【００４８】
したがって、第１ステップは、データベース、つまり電気的に制御可能なシステムの知識モデルを確立することにある。
【００４９】
給電モードが、電気的に制御可能なシステムの電流リード間に適用される。通常、これは電圧源、または電流源、または電荷源である。
【００５０】
例をあげると、Ｖ１によって表される第１電圧が、そこで印加される。この電圧レベルＶ１に対してシステムの特性量が適切な手段により記録される。これは、例えば光透過レベルなどの光学特性でよい。
【００５１】
したがって、光透過レベルが、電圧レベルＶ１と結びつけられる。
【００５２】
この電圧レベルＶ１と並行して、参照電極と電流リードのそれぞれとの間の電圧が記録され、これが下部導電体および上部導電体とそれぞれ結びつけられる。
【００５３】
したがって任意の１つの光透過レベルに対して、３つの電圧レベルがある（電流リード間、および参照電極と電流リードのそれぞれとの間）。
【００５４】
これら４つのデータ項目が表に蓄積される。
【００５５】
次に、電圧レベルが、最小値から最大値の間で増やされ、これらの電圧レベルのそれぞれに対し電気的に制御可能なシステムの動作点の全データベース特性が構築される。
【００５６】
実際の運転段階は、電流リード端子と参照電極間にｔ時点で得られた電圧レベルを知識モデルの動作値と比較することにある。
【００５７】
一動作モードは、次の、
ｔ時点で一定の光透過レベルに対応して、電流端子間に電圧レベルが印加される。この同じｔに、参照電極と電流リードの１つの間の電圧レベルの値が、Ｖｍｅｓ１によって表されて記録される。
【００５８】
特性量のレベルを修正する必要がある場合、例えば光透過では、電流リードの端子間に印加されるべき電圧レベルが変えられる。
【００５９】
この時点ｔ２で、Ｖｍｅｓ１に対して用いられた電圧に対応する参照電極と電流リードにおけるレベルＶｍｅｓ２が記録される。
【００６０】
次いで、Ｖｍｅｓ１およびＶｍｅｓ２が比較され、電流リードの１つと参照電極の間の電位差が参照表から選択された値に等しくなるように、差によって電流リード間に印加される電圧のレベルが再調整される。
【００６１】
以下に、一方は、両電流リード間電圧レベル（つまり、Ｖ１ｍｉｎからＶ１ｍａｘの間で変わる、Ｖ１）、他方は電流リードの１つと参照電極間で測定された電圧レベル、Ｖｍｅｓ１の表が与えられる。各測定は０から１００の間で正規化され、つまり１００がＶ１ｍａｘに対応し、０がＶ１ｍｉｎに対応している。Ｖｍｅｓ１測定もＶｍｅｓ１の全幅値によって０から１００の間で正規化されている。
【００６２】
【表１】
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【００６３】
図６のグラフで分かるように、所望の光透過ＴＬレベルに最適化する選択が、Ｖｍｅｓ１電圧レベルを考慮しながらＶ１レベルに基づく場合には、電気的に制御可能なシステムの動作は改善される。
【００６４】
説明した電気的に制御可能なシステムは、特に可変の光および／またはエネルギー透過および／または反射を有するガラスアセンブリ内に組み込むことができ、このガラスアセンブリは、基板の少なくとも１部分が、透明であるか部分的に透明であり、ガラスまたはプラスチック製であり、好ましくは多重および／または積層ガラスとして、または二重ガラスとして取り付けられる少なくとも１つの基板からなる。このガラスアセンブリを追加の機能性（日光制御、低放射率、疎水性、親水性、反射防止）を提供する適切な少なくとも１つの他の層と組み合わせることもできる。
【００６５】
これらのガラスアセンブリは、建築用ガラス、自動車用ガラス、産業、または鉄道、海上もしくは航空大量輸送車両用の窓、バックミラー、またはその他のミラーとして使用される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の主題を形成する面２の正面図である。
【図２】図１の線ＡＡ上の断面図である。
【図３】図１の線ＢＢ上の断面図である。
【図４】参照電極を組み込んでいる活性な多層構造を詳細に示す断面図である。
【図５】参照電極を組み込んでいる活性な多層構造を詳細に示す断面図である。
【図６】一方は電流リード端子間に印加した電圧の関数として、他方は電流リードの１つと参照電極の間で得られた電圧レベルの関数として光透過の変化を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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