(57)【要約】  本発明は、電気接触器のバンプと連結される垂直型電気的接触体及びその製造方法に関するものである。前記垂直型電気的接触体は、前記バンプに垂直にボンディングされ、放射形に配置された少なくとも２つの弾性部を有する支持ビーム、前記支持ビームの下側端部に形成され、前記支持ビームを固定する所定の形状の固定部、及び前記固定部の下側端部に一体に形成されるチップ部を含む。本発明によれば、前記垂直型電気的接触体のチップ部がパッドに接触されるとき、チップ部から発生する反力を効果的に分散させ、十分なＯ／Ｄを確保することができる。
2008518228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気接触器のバンプと連結される垂直型電気的接触体において、
前記バンプに垂直にボンディングされ、少なくとも２つ以上の弾性部が互いに離隔されて配列される支持ビームと、
前記支持ビームの下側端部に形成されて前記支持ビームを固定する所定の形状の固定部と、
前記固定部の下側端部に一体に形成されるチップ部と、を含むことを特徴とする垂直型電気的接触体。
【請求項２】
前記垂直型電気的接触体は、前記バンプと前記支持ビームとの間に前記バンプと同一の形状の本体をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項３】
前記本体は、中空型四角柱、中実形四角柱、中空型三角柱、中実形三角柱、中空型円柱、及び中実形円柱のうちのいずれか一つの形状で形成されることを特徴とする請求項２に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項４】
前記支持ビームの弾性部のそれぞれは、方形波形状で形成されることを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項５】
前記支持ビームの弾性部のそれぞれは、三角波形状で形成されることを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項６】
前記弾性部は、所定間隔離隔されて放射形で配置されることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項７】
前記垂直型電気的接触体は、前記支持ビームを複数個具備し、前記支持ビームは、互いに上下で積層されるように配置されることを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項８】
前記垂直型電気的接触体は、前記支持ビームの間に配置されて前記支持ビームを固定する固定部をさらに具備することを特徴とする請求項７に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項９】
前記チップ部は、前記固定部の下端に互いに離隔され位置する複数のチップを具備し、前記複数のチップは、放射形で配置されることを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項１０】
電気接触器のバンプと連結される垂直型電気的接触体を製造する方法において、
犠牲基板上に第１保護膜パターンを形成した後、前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとして利用して犠牲基板上に所定の形状のチップ部が形成される開口部を形成し、前記第１保護膜パターンを除去し、別途の第２保護膜パターンを形成して空間部を用意した後、前記開口部と前記空間部とに導電性金属物質を埋め込んで所定の形状のチップ部と固定部とを一体に形成させる段階と、
前記固定部の上部に少なくとも２つの曲がった形状の弾性部を有する支持ビームを形成する段階と、
前記支持ビームの上部に所定の形状の本体を形成する段階と、
前記本体を電気接触器上に形成された所定の形状のバンプにボンディングする段階と、
前記犠牲基板を除去させることによって、前記チップ部を開放する段階と、を含むことを特徴とする垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性金属物質の埋め込みは、めっき、ＣＶＤまたはＰＶＤのうちのいずれか一つの方法によって行われることを特徴とする請求項１０に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１２】
前記弾性部を有する支持ビームを形成する段階は、
前記固定部と第２保護膜パターン上に第３保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第１垂直部を形成する段階と、
前記第２及び第３保護膜パターンを除去し、除去された空間部に第１支持層を形成した後、前記第１支持層上に第４保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第１水平部を形成する段階と、
前記第１水平層と第４保護膜パターン上に第５保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第２垂直部を形成する段階と、
前記第４及び第５保護膜パターンを除去し、除去された空間部に第２支持層を形成した後、前記第２支持層上に第６保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第２水平部を形成する段階と、
前記第２水平層と第６保護膜パターン上に第７保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第３垂直部を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１３】
前記支持ビームの上部に所定の形状の本体を形成する段階は、
前記第６及び第７保護膜パターンを除去し、除去された空間部に第３支持層を形成した後、前記第３支持層上に第８保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込む段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子を検査する装置に係り、より詳細にはプローブカードの垂直型電気的接触体及びこれを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体素子は、２５６ＭＤＲＡＭ及び１ＧＤＲＡＭなどのように高集積化されて発展している。そして、半導体素子の発展にしたがって半導体素子のパッケージング技術は、ＳＯＣ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ）からＣ４（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）などに発展しており、それに従って現在半導体素子はウェーハレベルパッケージング技術が常用化されている。
【０００３】
このようなウェーハレベルパッケージング技術は、マトリックス形態で配列されたボールタイプのパッドを具備することでこれをテストするプローブカードの電気的接触体もこれに応じて垂直型タイプの開発が求められている。
【０００４】
前記のような従来の垂直型電気的接触体は、図１の（ａ）に示したように、四角柱形状からなる本体部２と前記本体部２の底面に突起形状で形成された複数のチップ１を有する。
【０００５】
このとき、前記チップ１は、一つの接点を有するピラミット形状または端を切り取る形態のピラミット形状などからなる本体部２と一体に形成される。前記本体部２及びチップ１は、ニッケル、ニッケル合金などのような導電性材質からなる。
【０００６】
本体部３は、図１の（ｂ）に示したように円柱形状で形成されることができる。
【０００７】
図２は、前記のような構成からなる従来の垂直型電気的接触体が用いられた例を示す図である。
【０００８】
一般的に垂直型電気的接触体は、プローブカードに垂直的に固定付着して所定の物理力によってボールタイプの半導体素子のパッド４などのような被検査体の検査部と接触する。以後、前記パッド４に電気信号を印加することによって半導体素子の正常有無をテストする。
【０００９】
ところが、前記のような従来の垂直型電気的接触体を用いて半導体素子をテストすると、本体部２、３が弾力がないため折れやすい。また前記のような本体部２、３の形状によっては十分なＯ／Ｄ（ｏｖｅｒ ｄｒｉｖｅ）値を有することができなく、プローブカードに必要なＯ／Ｄを確保するためにプローブチップ１がパッド４に接触される時、プローブチップ１から発生される反力を効果的に分散させることができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前記のような従来技術の問題を解決するためになされたものであり、垂直型電気的接触体のチップ部がパッドに接触する時、発生する反力を効果的に分散させ、十分なＯ／Ｄ（ｏｖｅｒ ｄｒｉｖｅ）を確保することができる電気的接触体及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、電気接触器のバンプと連結される垂直型電気的接触体を提供する。前記垂直型電気的接触体は、前記バンプに垂直にボンディングされ、少なくとも２つの弾性部が互いに離隔されて配列される支持ビーム、前記支持ビームの下側端部に形成され、前記支持ビームを固定する所定の形状の固定部、及び前記固定部の下側端部に一体に形成されるチップ部を含む。
【００１２】
また、前記垂直型電気的接触体は、前記バンプと前記支持ビームとの間に前記バンプと同一の形状の本体をさらに具備することができる。前記本体は、中空型四角柱、中実形四角柱、中空型三角柱、中実形三角柱、中空型円柱、及び中実形円柱のうちのいずれか一つの形状で形成されることができる。
【００１３】
また、前記支持ビームの弾性部は、方形波形状で形成されるか三角波形状で形成されることができる。このとき、前記支持ビームは、所定間隔離隔されて放射形で配置されることができる。
【００１４】
また、前記支持ビームの弾性部は、少なくとも２つ以上積層されて形成されることができる。前記積層されて形成される支持ビームの弾性部の間には別途の固定部がさらに提供されることができる。
【００１５】
また、前記チップ部は、前記固定部の下端に互いに離隔されて位置する複数のチップを具備し、前記複数のチップは、放射形で配置されることができる。
【００１６】
また、本発明は、電気接触器のバンプと連結される垂直型電気的接触体を製造する方法を提供する。前記垂直型電気的接触体を製造する方法は、犠牲基板上に第１保護膜パターンを形成した後、前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとして利用して犠牲基板上に所定の形状のチップ部が形成される開口部を形成し、前記第１保護膜パターンを除去した後、前記開口部と犠牲基板上にシード層を形成し、前記シード層上に第２保護膜パターンを形成して空間部を用意した後、前記シード層が形成された開口部と空間部とに導電性金属物質を埋め込んで所定の形状のチップ部と固定部とを一体に形成させる段階、前記固定部の上部に少なくとも２つ以上の曲がった形状の弾性部を有する支持ビームを形成する段階、前記支持ビーム上部に所定の形状の本体を形成する段階、前記本体を電気接触器上に形成された所定の形状のバンプにボンディングする段階、及び前記犠牲基板を除去させることによって前記チップ部を開放する段階を含む。
【００１７】
また、前記導電性金属物質の埋め込みは、めっき、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｃｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）うちの一つの方法によって行われることができる。
【００１８】
また、前記弾性部を有する支持ビームを形成する段階は、前記固定部と第２保護膜パターン上に第３保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第１垂直部を形成する段階と、前記第２及び第３保護膜パターンを除去し、除去された空間部に第１支持層を形成した後、前記第１支持層上に第４保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第１水平部を形成する段階と、前記第１水平層と第４保護膜パターン上に第５保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第２垂直部を形成する段階と、前記第４及び第５保護膜パターンを除去し、除去された空間部に第２支持層を形成した後、前記第２支持層上に第６保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第２水平部を形成する段階と、前記第２水平層と第６保護膜パターン上に第７保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第３垂直部を形成する段階とを含むことができる。
【００１９】
また、前記支持部の上部に所定の形状の本体を形成する段階は、前記第６及び第７保護膜パターンを除去し、除去された空間部に第３支持層を形成した後、前記第３支持層上に第８保護膜パターンを形成して用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで前記本体を形成する段階を含むことができる。
【発明の効果】
【００２０】
前記のような構成を有する本発明である垂直型電気的接触体によれば、支持ビームが外力によって弾性力を発揮することができるように２つ以上の弾性部で構成することによって、前記垂直型電気的接触体のチップ部がパッドに接触されるとき、チップ部に発生する反力を効果的に分散させることができるという長所がある。
【００２１】
また、前記のようなチップ部から発生する反力が効果的に分散するため、垂直型電気的接触体に必要な十分なＯ／Ｄ（ＯＶＥＲ  Ｄｒｉｖｅ）を確保することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付の図面を参照して前記のような構成手段からなる本発明である垂直型電気的接触体及びその製造方法に関する作用及び望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００２３】
図３は、電気接触器のバンプに結合している本発明である垂直型電気的接触体の全体的な構成を示す概路図である。図３を参照すると、垂直型電気的接触体９０は、電気接触器１０のバンプ２０に順に結合し形成される本体３０、支持ビーム４０、固定部５０、及びチップ部６０を有する。
【００２４】
前記電気接触器１０は、検査対象である電子素子（平板ディスプレーパネル、半導体素子、ディスプレー駆動ＩＣなど）に電気信号が印加されるようにする少なくとも一つの接続端子と配線を有する。前記電気接触器１０の接続端子上には所定の形状を有するバンプ２０が提供される。
【００２５】
前記バンプ２０の下側端部には所定の形状を有する本体３０がボンディングにより結合される。前記本体３０と前記バンプ２０はフリップチップボンディング方法などによって互いにボンディング結合するため、同様な形状で形成されることが望ましい。前記バンプ２０と本体３０は、四角形や三角形のような多角形または円形で形成されることができる。また、前記バンプと本体は、図３に示したように、中が満ちている中実型柱形状や中が空いている中空型柱形状で形成されることができる。
【００２６】
図４は、多様な形状で形成された本体３０を有する垂直型電気的接触体９０を示す斜視図である。図４の（ａ）は、三角形の本体３０ａを有する垂直型電気的接触体９０を示し、図４の（ｂ）は四角形の本体３０ｂを有する垂直型電気的接触体９０を示し、図４の（ｃ）は円形の本体３０ｃを有する垂直型電気的接触体９０を示す。
【００２７】
図４において、本体３０ａ、３０ｂ、３０ｃは中実形三角柱、中実形四角柱、及び中実形円柱の形状で示されているが、前記本体３０ａ、３０ｂ、３０ｃは中空型三角柱、中空型四角柱、または中空型円柱などの形状で形成されることができる。
【００２８】
前記本体３０ａ、３０ｂ、３０ｃの下側端部には本発明の最も特徴的な構成要素である支持ビーム４０が形成される。前記支持ビーム４０は、外力が加えられる場合、縮小され、外力が解除されれば、再び伸長する弾性作用をする弾性部４１を有する。前記支持ビーム４０は、前記弾性部４１'を複数個備え、前記弾性部４１'は、互いに所定間隔離隔され、放射形で配置される。
それぞれの前記弾性部は、方形波形状を有するか、三角波形状を有することができる。
【００２９】
図５は、方形波形状の弾性部を有する支持ビームを含んだ垂直型電気的接触体の構成図である。
【００３０】
図５の（ａ）に示したように、前記垂直型電気的接触体９０の支持ビーム４０'は、方形波形状の弾性部４１'を有する。前記のように支持ビーム４０'を方形波形状の弾性部４１'で構成することによって、前記垂直型電気的接触体９０は、外力によって弾性作用を発揮することができる。
【００３１】
前記方形波形状の弾性部４１'は、２つないし４つが提供されることが望ましい。前記支持ビーム４０'に一つの弾性部４１'のみを提供する場合、均衡的な弾性作用が行われるのに困難がある。また、前記支持ビーム４０'に５つ以上の弾性部４１'を提供する場合、支持ビームの製作が容易ではなく、弾性発生が妨げになる恐れがある。
【００３２】
図５の（ｂ）は、３つの方形波形状の弾性部４１'で構成された支持ビーム４０'を示し、図５の（ｃ）は、２つの方形波形状の弾性部４１'で構成された支持ビーム４０'を示し、図５の（ｄ）は、４つの方形波形状の弾性部４１'で構成された支持ビーム４０'を示す。前記のように、２つないし４つの弾性部を用意することによって、適切な弾性力を発生することができ、製作上の困難はない。
【００３３】
一方、前記垂直型電気的接触体９０は、図６の（ａ）に示したように、少なくとも２つ以上の三角波形状の弾性部４１”を有する支持ビーム４０”を含むことができる。前記少なくとも２つ以上の弾性部４１”は互いに所定間隔離隔されて放射形で形成される。
【００３４】
前記支持ビーム４０”も２つ、３つまたは４つの三角波形状の弾性部４１”を有するのが望ましい。すなわち、図６の（ｂ）に示したように、支持ビーム４０”は３つの弾性部４１”を有するか、図６の（ｃ）に示したように、支持ビーム４０”は２つの弾性部４１”を有するか、図６の（ｄ）に示したように、支持ビーム４０”は４個の弾性部４１”を有することができる。このように２つないし４つの弾性部を用意することで、適切な弾性力を発生することができ、製作上の困難を減らすことができる。
【００３５】
前記のような支持ビーム４０、４０'、４０”を構成する弾性部４１、４１'、４１”は、その下側端部に形成されている所定の形状を有する固定部５０に固定される。そして、前記固定部５０の下側端部には所定の形状の少なくとも一つのチップで構成されるチップ部６０が一体化されて形成される。
【００３６】
前記固定部５０は、図６及び図７に示したように、円形または四角形の形状を有するか三角形の形状を有することができる。そして、図６及び図７に示したように、前記固定部５０は、中が満たされた中実形柱の模様で形成されるか、中が空いている中空型柱の模様で形成されることができる。そして、前記チップ部６０のチップは、前記固定部５０の下端に互いに離隔されるように提供され、放射形で配置されることができる。
【００３７】
前記固定部５０の下側端部に形成されるチップ部６０は、図７の（ａ）及び図７の（ｂ）に示したように、ピラミット形状のチップ６０ａを有することができる。選択的にチップ部６０は、図７の（ｃ）及び図７の（ｄ）に示したように、長方形のチップ６０ｂを有することができる。
【００３８】
一方、前述の垂直型電気的接触体９０は、チップ部６０、固定部５０、支持ビーム４０、本体３０の順に形成される。前記弾性部を有する支持ビームは少なくとも２つ以上が積層されるように提供されることができる。この場合、前記積層される支持ビームの弾性部の間には別途の固定部が提供されることができる。すなわち、前記チップ部６０と固定部５０との間に前記固定部５０と支持ビーム４０を少なくとも一度以上順に形成させて構成されることができる。
【００３９】
図８は、固定部と支持ビームが二段に積層されて形成された垂直型電気的接触体９０を示す。図８に示したように、垂直型電気的接触体９０は、チップ部６０、固定部５０Ｂ、支持ビーム４０Ｂ、固定部５０Ａ、支持ビーム４０Ａ、本体３０の順に形成されることができる。
【００４０】
図９は、本発明である垂直型電気的接触体を用いてパッドを検査する過程を示す図である。
【００４１】
図９の（ａ）と（ｂ）は、方形波形状の弾性部４１'を有する垂直型電気的接触体を用いてパッドを検査する過程を示す図であり、図９の（ｃ）と（ｄ）は、三角波形状の弾性部４１”を有する垂直型電気的接触体を用いてパッドを検査する過程を示す図であり、図１０の（ｅ）と（ｆ）は、図８に示した形状を有する垂直型電気的接触体を用いてパッドを検査する過程を示す図である。
【００４２】
図９及び図１０の（ａ）、（ｃ）、（ｅ）に示したように、垂直型電気的接触体９０をパッド７０に接触させて力を加えれば、図９及び図１０の（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）に示したように、弾性部４１'、４１”、４１Ａ、４１Ｂの形態が変わりつつチップ部６０に発生する反力を分散させる。前記パッド７０の検査を終えた後、垂直型電気的接触体９０を前記パッド７０から離隔させれば、前記弾性部４１'、４１”、４１Ａ、４１Ｂは元の形態に復元される。
【００４３】
前述の実施形態で弾性部は、方形波または三角波形状を有することと説明した。しかし、本発明において弾性部は、垂直型電気的接触体のある一部分に曲がった部分を形成して垂直型電気的接触体に弾性を提供するためのもので、上述の形状及び位置に限定されず、本発明の弾性部は、接触体のある一部分に弾性を提供するようにすれば、十分である。
【００４４】
以下では、前記の垂直型電気的接触体を製造する一連の工程について図１１及び図１２を参照して説明する。
【００４５】
本発明による垂直型電気的接触体を製造する方法は、犠牲基板上に所定の形状のチップ部と所定の形状の固定部とを一体に形成させる工程、前記固定部の上部に少なくとも２つ以上の方形波形状の弾性部を有する支持ビームを形成する工程、前記支持ビームの上部に所定の形状の本体を形成する工程、前記本体を電気接触器上に形成された所定の形状のバンプにボンディングする工程、前記犠牲基板を除去させることによって前記チップ部を開放する工程を順に実行することによって行われる。
【００４６】
前記チップ部と固定部とを形成する工程を説明すれば、次の通りである。
【００４７】
まず、図１１の（ａ）に示したように、一定の方向性を持ったシリコン材質の犠牲基板１１０上に所定の形状のチップ部を形成させるための第１保護膜パターン１１２を形成する。
【００４８】
このとき、前記第１保護膜パターン１１２は、前記犠牲基板１１０上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像するフォトリソグラフィ工程とエッチング工程とを順に実行することによって形成される。
【００４９】
そして、次に図１１の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン１１２をエッチングマスクとして利用して湿式エッチング工程及び異方性乾式エッチング工程を連続的に実行することによって所定の形状の垂直型電気的接触体のチップ部に該当する開口部１１３が犠牲基板１１０上に形成される。すなわち、前記第１保護膜パターン１１２を利用して形成される前記開口部１１３は、１次の湿式エッチング工程によってチップ端部に該当する薄いトレンチをまず形成した後、２次の異方性乾式エッチング工程によって前記トレンチの深さをより深く形成することによって形成される。
【００５０】
前記乾式エッチング工程はディープトレンチエッチング方法としてボッシュプロセス（Ｂｏｓｃｈ Ｐｒｏｃｅｓｓ）と呼ばれる公知のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって行われる。
【００５１】
そして、前記第１保護膜パターン１１２を除去し、図１１の（ｃ）に示したように、スパッタリング工程によって前記開口部１１３と犠牲基板１１０上部に後続めっき工程のシードとして機能する銅（Ｃｕ）などのシード層１１４を形成させる。
【００５２】
そして、その上部に所定厚さでフォトレジストをコーティングした後、露光及び現象工程を経て図１１の（ｄ）に示したように、固定部のパターンを有する第２保護膜パターン１１５を形成させて、後続金属物質の埋め込み工程によって固定部を形成するための空間部を形成する。
【００５３】
そして、図１１の（ｅ）に示したように、前記第２保護膜パターン１１５によって開放され、シード層１１４が形成された空間部及び前記開口部１１３に導電性金属物質を埋め込んだ後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、エッチバック及びグラインディングなどの平坦化工程を実行することによって所定の形状のチップ部と固定部とを一体化させて形成する。
【００５４】
前記のように導電性金属物質を埋め込ませて所定の形状のチップ部と固定部とを一体化させて形成する方法は、めっき、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｃｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のうちの一つの方法によって行われることができる。
【００５５】
以上のような工程にしたがって前記チップ部と固定部とを一体化させて形成させた後には支持ビームを形成しなければならない。前記支持ビームは、前述のように２つ以上の弾性部で構成され、２つ、３つまたは４つで構成されるのが望ましい。
【００５６】
引き続き、前記支持ビームを形成する工程を説明すれば、次の通りである。
【００５７】
図１１の（ｆ）のように、前記固定部と第２保護膜パターン１１５上に各弾性部の一部分である第１垂直部１３０を形成するための新たな第３保護膜パターン１２１を形成した後、前記第３保護膜パターン１２１によって用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第１垂直部１３０を形成する。そして前記第１垂直部１３０が形成されれば、水酸化ナトリウムなどの化学薬品を利用した湿式エッチング工程によって前記第２保護膜パターン１１５と前記第３保護膜パターン１２１を除去する（図１１の（ｇ）に図示）。
【００５８】
次に、図１１の（ｈ）に示したように、前記第２保護膜パターン１１５と前記第３保護膜パターン１２１が除去された空間部に後工程によって形成される第１水平部１４０を形成するためのシード層として用いられる第１支持層１３１を形成する。
【００５９】
前記第１支持層１３１は多様な金属層であり、めっき、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｃｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のうちの一つの方法によって行われることができる。
【００６０】
この場合にも、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、エッチバック及びグラインディングなどの平坦化工程を実行することによって最終的な第１支持層１３１を形成する。一方、前記第１支持層１３１は、一例として銅層で形成することができる。
【００６１】
以後、図１１の（ｉ）に示したように、前記第１支持層１３１上に第１水平部１４０を限定する空間部を用意するために第４保護膜パターン１３２を形成する。その後、前記第４保護膜パターン１３２によって形成された空間部に導電性金属物質を埋め込んで図１１の（ｊ）に示した第１水平部１４０を形成する。
【００６２】
前記第１水平部１４０が形成されれば、図１１の（ｊ）に示したように、前記第４保護膜パターン１３２と第１水平部１４０上に後続工程によって形成される第２垂直部１５０のための空間部を用意するために第５保護膜パターン１４１を形成する。そして、前記第５保護膜パターン１４１によって用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで第２垂直部１５０を形成する。
【００６３】
前記第２垂直部１５０が形成されれば、前記第４保護膜パターン１３２と第５保護膜パターン１４１を水酸化ナトリウムなどの化学薬品を利用した湿式エッチング工程によって除去する。そして、図１２の（ｋ）に示したように、前記第４保護膜パターン１３２と前記第５保護膜パターン１４１が除去された空間部に後工程によって形成される第２水平部１６０を形成するためのシード層で用いられる第２支持層１５１を形成する。
【００６４】
前記第２支持層１５１は、多様な金属層であり、めっき、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｃｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のうちの一つの方法によって行われることができる。
【００６５】
この場合にも、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、エッチバック及びグラインディングなどの平坦化工程を実行することによって最終的な第２支持層１５１を形成する。一方、前記第２支持層１５１は、一例として銅層で形成することができる。
【００６６】
その後、図１２の（ｌ）に示したように、前記第２支持層１５１上に第２水平部１６０を限定する空間部を用意するために第６保護膜パターン１５２を形成する。その後、前記第６保護膜パターン１５２によって形成された空間部に導電性金属物質を埋め込んで図１２の（ｍ）に示した第２水平部１６０を形成する。
【００６７】
前記第２水平部１６０が形成されれば、図１２の（ｍ）に示したように、前記第６保護膜パターン１５２と第２水平部１６０上に後続工程によって形成される第３垂直部１７０のための空間部を用意するために第７保護膜パターン１６１を形成する。そして、前記第７保護膜パターン１６１によって用意された空間部に導電性金属物質を埋め込んで図１２の（ｎ）に示した第３垂直部１７０を形成する。
【００６８】
前記のような工程によって２つ、３つまたは４つの弾性部で構成された支持ビームを形成する。以後には前記支持ビームの上側端部に形成される本体を形成するための工程が実行される。以下、続いて本体を形成する工程について説明する。
【００６９】
前記第３垂直部１７０が形成されれば、前記第６保護膜パターン１５２と第７保護膜パターン１６１を水酸化ナトリウムなどの化学薬品を利用した湿式エッチング工程によって除去させる。そして、図１２の（ｎ）に示したように、前記第６保護膜パターン１５２と前記第７保護膜パターン１６１が除去された空間部に後続工程によって形成される本体（図１２の（ｐ）において図面符号３０で表記する）を形成するためのシード層で用いられる第３支持層１７１を形成する。
【００７０】
前記第３支持層１７１は、多様な金属層であり、めっき、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｃｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のうちの一つの方法によって行われることができる。
【００７１】
この場合にも、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、エッチバック及びグラインディングなどの平坦化工程を実行することによって最終的な第３支持層１７１を形成する。一方、前記第３支持層１７１は、一例として銅層で形成することができる。
【００７２】
その後、図１２の（ｏ）に示したように、前記第３支持層１７１上に本体（図１２の（ｐ）に図面符号３０で表記する）を限定する空間部を用意するために第８保護膜パターン１７２を形成する。その後、前記第８保護膜パターン１７２によって形成された空間部に導電性金属物質を埋め込んで図１２の（ｐ）に示した本体３０を形成させる。
【００７３】
次に、図１２の（ｐ）に示したように、前記第８保護膜パターン１７２を水酸化ナトリウムなどの化学薬品を利用した湿式エッチング工程などによって除去し、シード層として用いられた第１支持層１３１、第２支持層１５１、第３支持層１７１を酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、及び脱イオン水が一定割合で混合した化学薬品を利用した湿式エッチング工程によって除去して支持ビーム４０と本体３０を完成する。
【００７４】
その後、図１２の（ｑ）に示したように、図１２の（ｐ）に示した本体３０を電気接触器１０に結合したバンプ（図１２の（ｑ）に図面符号が２０で表記する）にボンディングする。最後に前記犠牲基板１１０を水酸化カリウム（ＫＯＨ）及び脱イオン水が一定割合で混合した化学薬品を利用した湿式エッチング工程によって除去することによってチップ部を開放して所定の形状を有する垂直型電気的接触体を完成する。
【００７５】
上述の工程においては方形波形状の弾性部を有する垂直型電気的接触体を製造する方法を説明した。しかし、これと異なっている多様な形状の弾性部を有する垂直型電気的接触体も前記と同一または類似の方法で製造可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の垂直型電気的接触体を用いれば、チップ部から発生される反力を効果的に分散させることができるので、垂直型電気的接触体の損傷なしに電子装置を検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】従来の垂直型電気的接触体の支持ビームとチップ部とを示す構成図である。
【図２】従来の垂直型電気的接触体でパッドを検査する例を示す図である。
【図３】本発明である垂直型電気的接触体を示す構成図である。
【図４】多様な形状で形成された本体を有する垂直型電気的接触体を示す斜視図である。
【図５】方形波形状の弾性部を有する支持ビームの構成図である。
【図６】三角波形状の弾性部を有する支持ビームの構成図である。
【図７】多様な形態のチップ部を有する垂直型電気的接触体の構成図である。
【図８】支持ビームと固定部とが２段に積層された垂直型電気的接触体の構成図である。
【図９】本発明である垂直型電気的接触体によるパッド検査の実施形態を示す図である。
【図１０】本発明である垂直型電気的接触体によるパッド検査の実施形態を示す図である。
【図１１】方形波形状の弾性部を有する垂直型電気的接触体を製造する工程図である。
【図１２】方形波形状の弾性部を有する垂直型電気的接触体を製造する工程図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０  電気接触器
２０  バンプ
３０  本体
４０  支持ビーム
５０  固定部
６０  チップ部
９０  垂直型電気的接触体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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