(57)【要約】【課題】センサ装置の数個の機能が限られた空間内で結合され得るセンサ装置を提供する。【解決手段】本発明は、サポート（１３）上の接点（１４）、信号処理用の電子回路（１６）、および温度測定用の抵抗トラック（１８）を備えた、調理用ホブ上のセンサ装置のセンサ（１１）に関する。該センサは、放射熱ヒータ（２６）上の管状ハウジング（２２）の中に配置される。金属製ハウジング（２２）は、電磁的な鍋認識センサとして機能する。従って、温度測定および鍋認識の機能は、モジュールとしてセンサ装置の中において有益に結合される。センサ信号の有効な送信は、センサ（１１）に対するセンサ信号プロセッサ（１６）の物理的な近接性の結果として達成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバーの下に取付けられ、好ましくはガラスセラミック製ホブ（２４）の下において放射熱ヒータ上に配置され、カバーの上に位置する食品調製用のシチュー鍋または容器において食品を加熱し、加熱装置とカバーと温度センサ（１１）がその中に設けられるセンサハウジング（２２）との間に位置する加熱装置（２６）用のセンサ装置であって、センサ装置は補足的に電磁センサを有し、センサハウジング（２２）は電磁センサの一部であり、センサ装置または温度センサ（１１）のためのセンサ信号処理手段（１６）は、好ましくは２，３センチメートルの間隔において、少なくとも該温度センサに近接して位置決めされることを特徴とする、加熱装置（２６）用のセンサ装置。
【請求項２】
それがモジュールを形成し、好ましくはセンサ信号処理手段（１６）はセンサハウジング（２２）の外側に位置することを特徴とする、請求項１のセンサ装置。
【請求項３】
センサ装置または温度センサ（１１）のためのセンサ信号処理手段（１６）は、温度センサ（１１）と同じサポート（１３）上に配置され、特に加熱装置（２６）によって直接に加熱される領域の外側に位置することを特徴とする、請求項１または２のセンサ装置。
【請求項４】
サポート（１３）上には接触面（１４ａ−１４ｄ）が設けられ、センサ信号処理手段（１６）は、塗布の後、好ましくはワイヤー結合（２０）を経由して接触面に接続し、特に温度センサ（１１）および／または電磁センサにも接続することを特徴とする、請求項３のセンサ装置。
【請求項５】
サポート（１３）上には接触面（１４ａ−１４ｄ）が設けられ、外部電気器具制御装置に接続し、および／または特に温度センサである更なるセンサをセンサ信号処理手段（１６）に接続することを特徴とする、請求項４のセンサ装置。
【請求項６】
サポート（１３）上には特に温度センサである更なるコンポーネントが設けられ、センサ信号処理手段（１６）に接続することを特徴とする、請求項３〜５の１つのセンサ装置。
【請求項７】
センサ信号処理手段は、特にシリコン・オン・インシュレータ技術で形成される好ましくは単一の電子回路である電子回路（１６）を有することを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項８】
センサ信号処理手段（１６）は、評価ユニット、電気器具制御装置などに対するセンサ信号を無故障のアナログ式および／またはデジタル式で転送するように形成されることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項９】
センサ信号処理手段は、シリアルバスを介して評価ユニットに接続し、好ましくは、シリアルバスは、シンプレックス、ハーフシンプレックス、デュプレックスまたはフルデュプレックスにおいてデータを送信するように形成され、および／または特に同期的または非同期的なバスとして形成されることを特徴とする、請求項８のセンサ装置。
【請求項１０】
同期的なバスの場合には、クロックラインは、同時にセンサ信号処理手段（１６）のためのシステムクロックとしても機能することを特徴とする、請求項８または９のセンサ装置。
【請求項１１】
データバスからのセンサ信号処理手段（１６）の電源によって特徴付けられる、請求項９または１０のセンサ装置。
【請求項１２】
電磁的または誘電的なセンサ（２２）は、シチュー鍋を認識し、特にそのサイズおよび／または位置に関して認識するシチュー鍋認識センサであることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１３】
電磁センサ（２２）は、カバー（２４）上に位置して加熱されるシチュー鍋の温度を測定し、特にシチュー鍋底部の温度を測定して、その相対的磁気透過性およびその固有電気抵抗に対するシチュー鍋底部の特性変化を設定する温度測定センサであることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１４】
センサハウジングは、特に金属製チューブである導電性チューブ（２２）であり、好ましくは、カバー（２４）に面する側面は、特にスロットの形態における開口部（２３）を有して、温度センサ（１１）に対する熱の導入を改善することを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１５】
少なくともカバー（２４）に向いた側面において、センサハウジング（２２）は、平坦化され、好ましくは、特に三角形または四角形の輪郭である角張った輪郭を備えたチューブを有することを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１６】
センサハウジング（２２）は、伸張されあるいは真直であり、少なくとも加熱装置（２６）の中心領域まで延在し、好ましくはそれを越えて延在することを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１７】
温度センサ（１１）は、加熱装置（２６）の中心のポイントまたは領域に対して偏心的に位置決めされ、好ましくは、一方の側面上に位置決めされることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１８】
温度センサは、２つ以上の領域に細分され、あるいは２つ以上の温度センサ（１１ａ−１１ｃ）が存在し、各々の事例では、加熱装置（２６）の異なった表面領域が関連付けられ、後者は、好ましくは、数個の別個に制御可能な加熱領域に細分され、各々の加熱領域には、近接した空間的位置決めの結果として温度センサの少なくとも１つの領域または単一の温度センサが関連付けられることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項１９】
数個の温度センサ（１１ａ−１１ｃ）は、各々の事例では、独立したサポート上に配置され、特に同じセンサハウジング（２２）内に配置されることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項２０】
温度センサ（１１）は、プラチナの温度係数を有し、好ましくはＰｔ１００またはＰｔ１０００の特性を有することを特徴とする、請求項１８または１９のセンサ装置。
【請求項２１】
温度センサ（１１）は、セラミック製サポート（１３）上に配置され、特に薄膜技術および／または曲りくねった構成において貼付されることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項２２】
ホルダ（３０）または絶縁材料ハウジング上に配置される電気端子によって特徴付けられ、特に制御装置（１６）はホルダまたはハウジングの中または上に配置され、好ましくはハウジングまたはホルダ（３０）は加熱装置（２６）に対して着脱自在な締付け具によって取付けるように形成されることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載のセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の前文に従ったカバーの下の加熱装置のためのセンサ信号処理を備えたセンサ装置に関する。これは、例えば中身の入ったシチュー鍋がその上に位置して加熱される、ガラスセラミック製ホブの下における放射熱ヒータである。信号処理を備えたセンサ装置は、温度およびインダクタンスのような様々な物理的数量のための少なくとも２つの異なったセンサを有し、好ましくはハウジング内においてモジュールの中に位置する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック製基板にプラチナ製精密抵抗体として温度センサを使用することは、ＷＯ ９９/３４１７８から既知である。また、センサのエンベロープの少なくとも一部を形成するサポートにセンサを取付けることも、ＥＰ ９３３６２６ Ａ２から既知である。該エンベロープの機能は、センサを保護することである。
【０００３】
ガラスセラミック製ホブの下の放射熱ヒータの熱膨張に対して電気機械的な過剰温度の保護を管状形態で提示することは、ＥＰ １２１５９４０ Ａ２から既知である。それは加熱面の少なくとも一部の上を通り、ガラスセラミック製ホブの下面が熱くなり過ぎることを防止する。
【０００４】
温度センサを、ガラスセラミック製ホブの温度をサポート上の抵抗トラックとして測定するように形成し、後者が放射熱ヒータの上を通ることは、ＷＯ ０３/０８１９５２ Ａ１から既知である。ガラスセラミック製ホブの温度測定が放射熱ヒータによって生じる温度から影響されることを避けるため、下向きの断熱または遮蔽が提供される。
【０００５】
上述のセンサを放射熱ヒータ内に配置し、それを導電体によって評価電子機器に接続することもまた、既知である。数多くの導体、それらの長さおよび位置に加えて、その小さなセンサ信号の結果として、確実な評価は困難であり、コストが掛かり、誤りを起こしやすい。
【特許文献１】ＷＯ ９９/３４１７８
【特許文献２】ＥＰ ９３３６２６ Ａ２
【特許文献３】ＥＰ １２１５９４０ Ａ２
【特許文献４】ＷＯ ０３/０８１９５２ Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、先行技術の不都合を回避することを可能にし、特にセンサ装置の数個の機能が限られた空間内で結合され得るセンサ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題は、請求項１の特徴を有するセンサ装置によって解決される。本発明の有益または好適な展開は、更なる請求項の主題事項を形成し、以下で更に詳細に説明する。明示的な参照により、請求項の表現は、本明細書の内容の一部として組込まれる。
【発明の実施の形態】
【０００８】
本発明に従えば、センサ装置は、特にその保護のために、温度センサが加熱装置とカバーの間に配置されるセンサハウジングを有する。センサ装置は、以下で説明されるように、様々な機能を達成し得る電磁的または誘電的な測定センサをも有する。センサハウジングは、少なくとも電磁センサの一部として使用される。従って、センサハウジングは、二重の機能を遂行可能であり、すなわち一方では温度センサを保護し、他方では電磁センサのためのセンサ要素として機能する。センサ装置すなわちセンサまたは各センサの信号処理あるいは電子的なセンサ信号処理は、少なくとも１つのセンサまたは温度センサの近くあるいは直近に配される。有益には、その間隔は僅か２，３センチメートルであり、測定無効が最小化される。特に、短い信号経路の結果として、所定の事例における微弱な電気測定信号の干渉が削減される。センサ信号処理の主要な機能は、比較的長い間隔を上回っても電気機器の評価電子機器に対してフェイルセーフ様式で送信され得るように、純粋センサ信号を処理することである。
【０００９】
温度センサは、有益には、カバー、特にガラスセラミック製ホブを過熱から保護するように形成される。例えば、ガラスセラミック製ホブの場合には、ほぼ６００℃の表面の最大温度を超過してはならない。
【００１０】
センサ信号処理手段は、好適には、電子集積回路（ＩＣ）を有する。好適には単一回路のみを有するために、それはＡＳＩＣ（アプリケーション専用集積回路）として形成される。それは、特に好適な様式ではＳＯＩ技術（シリコン・オン・インシュレータ）で実装される。この技術に従った回路は、２５０℃の周囲温度での作動に適している。温度の問題の結果として、チップハウジングは省略されても良く、あるいは、非ハウジング式回路が、例えばいわゆるダイスとして、すなわち半導体材料のウェハとして使用できる。より有効なチップ処理のために、例えばセラミック製ハウジングのように熱的に安定したハウジングを使用することもまた可能である。
【００１１】
有益には、センサ信号処理手段は、電気器具の評価ユニットまたは電気器具制御装置などに対して無故障のアナログ式および／またはデジタル式で転送するように形成される。これは、特に、センサに対するセンサ信号処理手段の密接した空間的近接性によって達成される。
【００１２】
センサ信号処理手段は、シリアルバスを介して評価ユニットに接続される。有益には、シリアルバスは、シンプレックス、ハーフデュプレックス、デュプレックスまたはフルデュプレックスの方式でデータを送信すべく形成される。それは、同期的または非同期的なバスとして形成できる。同期的なバスの場合、好適には、そのクロックラインは同時にセンサ信号処理のためのシステムクロックでもある。
【００１３】
本発明の展開では、センサ信号処理手段のための電力は、データバスから引かくことができる。
【００１４】
有益には、センサ信号処理手段あるいはセンサ装置または各センサのための対応するコンポーネントは、センサハウジング内に配置される。従って、それは保護され、間隔すなわち信号経路もまた可能な限り短く維持される。
【００１５】
特に有益な様式では、センサ装置または温度センサの前述のセンサ信号処理手段は、センサシステムサポートに取付けられる。これは、空間的近接性及び電気的接続を容易にする。センサの特殊な設計の結果として、センサ信号処理手段は、外側に位置し得るが、それでもなお加熱装置に近接する。
【００１６】
サポート上には、接触面などが設けられ、それによって、センサ信号処理手段は、サポートに対するその適用の後に、特に温度センサおよび／または電磁センサである各センサに接続される。これは、好適には、ワイヤー結合によって行われる。サポート上には、センサ信号処理手段に対して特に更なる温度センサである更なるセンサを接続するために更なる接触面を設けることができる。これらの更なるセンサは、もう１つのサポート上に配置されても良いが、所定の状況では同じハウジング内に配置される。更なるコンポーネントは、ハンダ付け、導電性接着または溶接の各プロセスによってサポートに固定できる。
【００１７】
電磁的または誘電的なセンサは、本発明の更なる展開に従えば、シチュー鍋、シチュー鍋のサイズおよび／または、カバー上の容器またはシチュー鍋底部の磁気特性が設定されることを可能にするシチュー鍋認識センサである。シチュー鍋、シチュー鍋のサイズおよび／またはシチュー鍋の位置の認識を通じて、シチュー鍋が存在しない場合、または誤ったシチュー鍋がその上に位置する場合にも、加熱装置が操作され得ることを保証することが可能である。これは、安全性および省エネルギーの理由の故に望ましい。
【００１８】
本発明のもう１つの展開に従えば、電磁センサは、カバー上に位置して加熱されるシチュー鍋の温度を測定するためにも使用できる。シチュー鍋底部の温度は、例えばその可変物理特性を設定することによって測定される。透磁性および導電性は、シチュー鍋の温度に応じて変化する。
【００１９】
有益には、センサハウジングは、特にチューブの形態を採って伸張する。それは、導電性であっても良く、有益には、金属製チューブが使用される。本発明の更なる展開では、カバーに面するセンサハウジングの側面に開口部またはスロットを設けることが可能である。これは、温度センサを介するカバー上の温度測定の感度を変化させることを可能にする。それらの開口部に代えて、センサハウジングは、この領域内の壁の厚さをより薄く形成することができる。
【００２０】
もう１つの可能性は、特にそれが円形の基本的な形状を備えたチューブであるとき、カバーに向かった側面において平坦化あるいは垂直にされるセンサハウジングを包含する。結果として、センサハウジングおよび従ってその中における温度センサもまた、カバーに対して更になお近接する。代替的には、例えば三角形または四角形の輪郭である角張った輪郭をセンサハウジングのために設けることもできる。
【００２１】
センサハウジングは、所定の長さを有するべきであり、それは加熱装置のエッジから該加熱装置の少なくとも中心領域にまで延在する。それは、有益には、実質的に真直、すなわち棒状である。センサハウジングは、特にセンサハウジングが誘電的なセンサとして同時に使用される場合には、中心領域の上においてかつその向こうまで、特に他方の側面まで突出する。加熱装置が独立して制御され得る数個の領域に細分されるならば、センサハウジングは、有益には、少なくとも部分的に該加熱領域の各々の上において突出する。更に、湾曲したセンサハウジングの構造が、特に単一旋回ループの様式のピッチ円または全円の形態を採って可能である。
【００２２】
センサハウジングが誘電的なセンサとして使用され得るもう１つの展開では、センサハウジングは、加熱装置の一方から他方のエッジまで延在し、そこで、それが該装置の各部分に電気的に接続される。
【００２３】
温度センサは、ヒータの縁領域または中心領域の外側に位置し、すなわち偏心的に位置することもまた可能である。好適には、これは、加熱装置が１つの加熱領域のみを有している場合には、その側面において生じる。
【００２４】
本発明の更なる展開では、温度センサを２つ以上の領域に細分して、２つ以上の温度センサを提供することも可能である。この複数の実装は、結果として、加熱装置の異なった領域が独立した温度センサまたは少なくとも温度センサの独立した領域を備え得るという利点を有する。従って、加熱装置の異なった領域が、別個にあるいは互いに独立してモニタされる。加熱装置は、別個に制御可能である数個の加熱領域に細分できる。各々の加熱領域には、少なくとも１つの独立した温度センサまたはそのようなセンサの領域が関連付けられる。その関連付けは、有益には、特に加熱領域とカバーの間において、近接した空間的構成を通じて生じる。温度センサは、例えば加熱装置のホルダまたは受入れディスク上において、加熱領域の外側に位置決めできる。
【００２５】
評価の目的のためには、温度センサまたは個々の温度センサの領域は、測定ブリッジとして配線できる。これは、抵抗における僅かな差異および従って温度における差異をも精密に評価することを可能にする。その温度センサのためには、その温度範囲に適している全ての温度従属的な材料が使用される。有益には、プラチナが温度センサ材料のために使用される。要求事項に応じて、センサは、そのヒータ面の上において様々な範囲まで突出し、あるいは、より大きなヒータ面領域をカバーできる。
【００２６】
温度センサの構造に関連して、それは、有益にはセラミック製のサポートであるサポート上に配置できる。センサは、例えば、薄膜または厚膜式の技術でサポートに貼付される。それは、少なくとも部分的には曲りくねった様式あるいはループ状の様式で広がっても良く、限定的な表面においてより大きな長さを達成する。温度センサに加えて、サポートは、評価装置または制御装置に接続する接触面を有しても良い。これらの接触面は、例えば、ホルダの中に差込むことによって数個の接触バネと接触され得るような様式で形成される。
【００２７】
サポートは、例えば、更なるホルダ上に、あるいは絶縁材料のハウジング内に配置される。例えば、ステアタイトがセラミック材料として適当である。前述の接触面は、特に組立ての間に生じる接触を通じて、ホルダまたはハウジング上の電気端子と協働することもまた可能である。更に、センサ装置の信号処理手段は、ホルダ上に、あるいはハウジング内に配置されることが有益である。結果として、それらの信号経路は短く、センサ装置は、容易に処理可能な信号を発信するモジュールとして製造することが可能である。
【００２８】
ホルダまたはハウジングは、加熱装置またはそのホルダに比較的容易に取付けられ得るような様式で形成できる。このためには、着脱自在な締付けが、例えば、クランピング、ネジ締着または回転式締付け部材を備えた取付けによって設けられる。
【００２９】
これらの特徴および更なる特徴は、請求項、明細書および図面から推測されることが可能であり、個別的な特徴は、独立してあるいは副次的な組合せの形態を採って本発明に関する１つの実施例およびその他の分野において実行されることが可能であり、本文において保護が請求されている、有益で独立した保護可能な構造を提示することもまた可能である。本件出願を個々のセクションおよび副次的な見出しに細分することは、如何なる様式においても、本文の下で為された陳述の全般的な有効性を限定しない。
【００３０】
本発明の実施例は、これ以降、更に詳細に説明され、図面において概略的に示される。
【実施例】
【００３１】
図１は、サポート１３上に形成されるセンサ１１を示す。センサは、４つの接触面１４ａ−１４ｄ、センサ信号処理手段としての電子回路１６、および抵抗トラック１８を有する。標準的材料の接触面１４は、セラミック製の基板であり得るサポート１３に貼付される。電子回路１６は、ワイヤー結合２０によって、接触面１４および抵抗トラック１８に導電的に接続する。回路１６またはセンサ信号処理手段は、例えばＩＣ用の典型的ハウジングなしで実装され、サポート１３に直接に貼付される。
【００３２】
抵抗トラック１８は、左側には直線的な電源を有し、右側には曲りくねった帰線を有して、最大限の全長を形成する。温度センサとして機能する抵抗トラック１８は、抵抗測定による従来的な温度センサとして形成される。それは、例えば、特にPt−１０００の特性である様々な初期抵抗を備えたプラチナによって形成される。更に、この材料は、例えば薄膜または厚膜式の技術によって、サポート１３に従来的な様式で貼付される。
【００３３】
管状ハウジング２２は、破線の形態を採って、その中にサポート１３を位置させて示される。例えば、クリップ接点、結合リード線のハンダ付けまたは溶接を使用して、ハウジング２２から突出する接触面１４によって、制御手段または評価手段あるいはホブ制御装置および更なるセンサに対するセンサ１１またはセンサ信号処理手段１６の電気的な接触が生じる。
【００３４】
図２は、ハウジング２２が、ガラスセラミック製ホブ２４の下に配置され、かつ加熱導体２７および加熱導体サポート２８を含む放射熱ヒータ２６の上に配置される様式を示す。管状ハウジング２２は、三角形の横断面を有すると理解されよう。これは、上向きの抵抗トラック１８がその中に位置するセンサ１１を、ガラスセラミック製ホブ２４の下面に可能な限り近接して配置することを可能にする。円形センサハウジングの場合、その間隔は、必然的に、丸めた効果の故に大きくなる。
【００３５】
ハウジング２２の頂部にスロット２３が存在することもまた理解されよう。後者は、ハウジング２２の機械的な結合を維持するために、全長にわたって延在し、あるいは代替的に接続ウェブによって中断されても良い。スロット２３の利点は、下向き方向におけるガラスセラミック製ホブ２４からの熱放射であって、それを介する封込めがガラスセラミックの温度に利用され得る熱放射が、直接にセンサ１１に衝突し得ることである。従って、介在するハウジング壁の結果として、絶縁の影響または遅延は全く存在しない。更に、ハウジング２２の下面は、加熱導体２７の直接的な熱放射から、センサ１１または温度センサとしての抵抗トラック１８を保護する。
【００３６】
本発明の代替的な展開に従って、図３は、ディスク状放射熱ヒータ２６を示し、そのエッジにはホルダ３０が取付けられる。後者は、加熱導体２７の電気接続のための接触タグを有する。更にまた、ホルダ３０には、放射熱ヒータ２６の中心の上においてかつその向こうまで延在し、加熱導体２７またはそれらによって形成される加熱表面の上に突出する管状ハウジング２２が取付けられる。
【００３７】
破線の形態で示したサポート１３上には、互いに離間する３つの破線表示の温度センサ１１ａ〜１１ｃが、ハウジング２２内に位置する。これは、各々の事例において、その上に位置決めしたガラスセラミックホブ２４の異なった領域をモニタすることを可能にする。ハウジング２２内の温度センサ１１に対する電気リード線は、ホルダ３０に向かって走る。ホルダ３０の中には、センサ１１ａ〜１１ｃの信号を評価して、それを放射熱ヒータ２６の制御装置に転送するセンサ信号処理手段１６が概略的に示される。ホルダ３０は、放射熱ヒータにおけるガラスセラミックのための過剰温度の生成として使用される、いわゆる棒状制御装置のために現在使用されているような様式で形成されても良い。
【００３８】
ハウジング２２は、いわゆるシチュー鍋認識センサとして使用されても良く、この目的のためには、特に金属製チューブの形態を採る導電性でなければならない。そのような真直なシチュー鍋認識センサは、これに関連して明示的に参照されるＤＥ １０１ ３５２７０ Ａ１号から既知である。例えば回路１６内における適切な制御装置またはセンサ信号処理手段に組合わせられるセンサ１１およびハウジング２２が、本発明のセンサ装置を形成する。代替的には、単一の長いサポート上に、図３の温度センサ１１ａ〜１１ｃの様式で空間的に分布する数個の電気的かつ空間的に分離した温度センサを形成することも可能である。従って、単一サポートは、単一の回路あるいは単一のセンサ信号処理手段１６および数個の温度センサを設けられても良く、該サポートは主としてハウジング２２の中を走り、サポート１３のその部分は、処理手段１６と共にホルダ３０の中に位置する。従って、センサ信号処理手段１６は過熱から保護され、それと同時にセンサ１１に比較的近接する。
【００３９】
オフセットした各センサおよびこれらによって可能になる局所的な温度測定の結果として、両者の構造の場合には、幾つかのポイントにおけるガラスセラミックの局所的な温度の上昇を設定し、ヒータ２６のスイッチを切ることによってそれを回避することも可能である。その上に位置するシチュー鍋によるガラスセラミックの温度低下の結果として、該シチュー鍋によるポイントの全般的なカバーによってシチュー鍋の位置またはサイズを認識することが可能である。従って、センサ１１ａの温度は急速かつ鋭角的に上昇するが、センサ１１ｂおよび１１ｃではこれがゆっくりと生じる場合には、センサ１１a上にはシチュー鍋が存在せず、ガラスセラミック２４に対してヒータ２６によって生成される熱が低下していると結論されよう。これが不都合な操作状態に対応する場合には、これがユーザーに通知され、あるいはヒータ２６がスイッチを切られても良い。代替的に、加熱導体２７を数個の調理領域に細分する際には、各々の事例におけるカバーされた調理領域が作動され、カバーされない調理領域が機能を停止される。
【００４０】
それは、センサ１１またはサポート１３および従ってそこに貼付される抵抗トラック１８もまた加熱導体２７の全表面を実質的にカバーするほど非常に長い場合にも、実行可能である。従って、放射熱ヒータ２６を経由する一体的な温度測定が存在しても良い。更にまた、そのような測定領域を、例えば２，３センチメートルにわたってのみ延在させ、全加熱表面より遥かに小さく形成することもまた可能である。
【００４１】
従って、本発明の１つの実施例では、サポート上に接点を有するセンサ、センサ信号処理手段としての電子回路、および温度測定のための温度従属的な抵抗トラックを提供することが可能である。該センサまたはサポートは、放射熱ヒータ上の管状ハウジング内に配置される。そのハウジングは、電磁的に機能するシチュー鍋認識センサとして使用され、温度測定および／またはシチュー鍋認識の機能が、特に有益にはセンサ装置の中に組込まれる。センサ信号処理手段をセンサに近接して設けることにより、事前に処理されたセンサ信号のより容易かつ誤りを起こしにくい送信をもたらすことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】サポート上において、接触面、回路および抵抗トラックを備えたセンサ装置の平面図である。
【図２】図１のセンサ装置をチューブの中に配置して示す、ガラスセラミック製ホブの下における放射熱ヒータ上の管状センサハウジングを貫通する断面図である。
【図３】加熱面上に延在する伸張した管状センサハウジングを備えて、その横方向にホルダが設けられる放射熱ヒータの斜視図である。
【図１】
2008546979.tif 000003
【図２】
2008546979.tif 000004
【図３】
2008546979.tif 000005
【国際調査報告】
2008546979.tif 000006
2008546979.tif 000007
2008546979.tif 000008
2008546979.tif 000009
2008546979.tif 000010
2008546979.tif 000011