(57)【要約】集積回路パッケージのはんだバンプを形成する方法について開示している。はんだペーストは、はんだペーストがリフローする前に紫外線を照射するときに、堆積されたはんだペーストブリック（２１４）がその幾何学的形状を実質的に保つような特性を有する材料から形成される。
2008503896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって：
電磁放射線を照射されるときに、幾何学的形状に実質的に関連する堆積物の特性を有する材料により構成されるはんだペーストを備える段階；及び
第１基板において前記はんだペーストから複数のはんだブリック物を形成する段階；
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記電子放射線を照射されるときに、前記はんだペーストの堆積物の表面の硬さが増加されることを可能にするように、前記材料に添加剤を添加する段階を有する、前記はんだペーストを形成する段階、を更に有する、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、添加剤を添加する段階はポリマーを添加する段階を有する、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、添加剤を添加する段階は、ポリ（カプロラクトン）、ポリ（アルファメチルスチレン）、ポリ（プロピレンオキサイド）、ポリ（オキシメチレン）、ポリ（エチレンカーボネート）、ポリ（プロピレンカーボネート）及びビスマレイミドを有する群から選択される添加物を添加する段階を有する、方法。
【請求項５】
請求項２に記載の方法であって、添加剤を添加する段階は、前記はんだペーストの堆積物がリフローする温度において分解する添加物を添加する段階を有する、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記の複数のはんだブリック物を形成する段階は、前記第１基板に前記はんだペーストをステンシルプリントする段階を有する、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、電磁放射線を前記複数のはんだブリック物に照射する段階、を更に有する、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、電磁放射線を前記複数のはんだブリック物に照射する段階は紫外線を前記複数のはんだブリック物に照射する段階を有する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記の複数のはんだブリック物を形成する段階は、前記第１基板の金属化されたはんだ付け可能基板に前記複数のはんだブリック物を形成する段階を有する、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記の複数のはんだブリック物を形成する段階は、ボールグリッドアレイ基板及びランドグリッドアレイ基板を有する基板群から選択された基板において複数のはんだブリック物を形成する段階を有する、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、はんだバンプを形成するために前記はんだブリック物をリフローするように高温下に前記はんだブリック物を置く段階、を更に有する、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、第２基板において実装パッドに前記はんだバンプを結合する段階を更に有する、方法。
【請求項１３】
方法であって：
基板において複数のはんだブリック物を備える段階であって、前記はんだブリック物は、前記はんだブリック物が電磁放射線を照射されるときに幾何学的形状を実質的に保つようにする特性を有する材料を有する、段階；及び
前記はんだブリック物に電磁放射線を照射する段階；
を有する方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記はんだブリック物に電磁放射線を照射する段階は、前記はんだブリック物に超音波放射線を照射する段階を有する、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、前記複数のはんだブリック物を備える段階は、ステンシルプリントすることにより前記基板に、前記複数のはんだブリック物を堆積する段階を有する、方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、前記複数のはんだブリック物を備える段階は、前記基板の導電パッドにおいて前記複数のはんだブリック物を堆積する段階を有する、方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の方法であって、前記はんだブリック物をリフローするように前記はんだブリック物を高温下に置く段階を更に有する、方法。
【請求項１８】
請求項１３に記載の方法であって、複数のはんだブリック物を備える段階は、ポリ（カプロラクトン）、ポリ（アルファメチルスチレン）、ポリ（プロピレンオキサイド）、ポリ（オキシメチレン）、ポリ（エチレンカーボネート）、ポリ（プロピレンカーボネート）及びビスマレイミドを有する群から選択される添加物を有する前記基板における複数のはんだブリック物を堆積する段階を有する、方法。
【請求項１９】
方法であって：
基板に複数のはんだブリックを備える段階であって、前記はんだブリックは、電磁放射線を照射されるときに、前記はんだブリックがそれらの幾何学的形状を実質的に保つようにする特性を有する材料を有する、段階；及び
前記はんだブリックをリフローするように前記複数のはんだブリックを高温下に置く段階；
を有する、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記複数のはんだブリックを高温下に置く段階は、前記材料に含まれている添加剤を分解する段階を有する、方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の方法であって、基板に複数のはんだブリックを備える段階は、ランドグリッドアレイ基板、ボールグリッドアレイ基板及びプリント回路基板から選択される基板において前記複数のはんだブリックを備える段階を有する、方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の方法であって、複数のはんだブリックを備える段階は、ポリ（カプロラクトン）、ポリ（アルファメチルスチレン）、ポリ（プロピレンオキサイド）、ポリ（オキシメチレン）、ポリ（エチレンカーボネート）、ポリ（プロピレンカーボネート）及びビスマレイミドを有する群から選択される添加物を有する材料を有する複数のはんだブリックを備える段階を有する、方法。
【請求項２３】
請求項１９に記載の方法であって、複数のはんだブリックを備える段階は、錫及び鉛を有する複数のはんだブリックを備える段階を有する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子装置に関し、特に、集積回路パッケージングの分野に関するが、それに限定されるものではない。
【背景技術】
【０００２】
集積回路技術の分野においては、マイクロプロセッサのような集積回路構成要素は、典型的には、プリント回路基板（ＰＣＢ）のような下地基板に物理的及び電気的に結合されているパッケージに組み込まれている。パッケージ自体は、典型的には、集積回路（ＩＣ）の構成要素が結合された支持基板（即ち、パッケージ基板）を有する。１つ又はそれ以上のＩＣ構成要素又は付加基板が支持基板の一表面に結合されていることが可能である一方、他の基板表面においては、典型的には、導電パッドのような複数の接点が位置付けられている。それらの接点の各々は別個の入力／出力（Ｉ／Ｏ）及び／又は電力供給経路を表す。パッケージを下地基板に電気的に結合させるはんだバンプ、ピン及びスプリングクリップのような導電結合リンクがそれらの導電パッドに結合される。
【０００３】
ＩＣ構成要素に関連して進展する技術は、より大きい容量を有するＩＣパッケージングについての需要を益々拡大している。その需要は、パッケージ基板と下地基板との間に更に多くのＩ／Ｏ及び／又は電力供給経路を有するパッケージ基板について、拡大する需要を含む。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の実施形態について、添付図を参照して説明し、それらの図において、同じ参照番号は同じ要素を表す。
【０００５】
以下の詳細説明においては、説明目的で、開示される本発明の実施形態が全体的に理解できるように、複数の詳細について説明している。しかしながら、それらの特定の詳細は、開示される本発明の実施形態を実行するために必要ではないことを、当業者は理解することができるであろう。他の実施例においては、開示される本発明の実施形態について分かり難くしないように、知られている電気的構造及び回路を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の複数の実施形態にしたがって、はんだバンプを形成するための新規な組成及び方法を提供し、はんだバンプは、例えば、第１基板における複数の導電パッドと第２基板における複数の導電パッドとの間の導電結合リンクである。それらの実施形態については、基板の少なくとも１つは、例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、パッケージ基板及び他の基板のような集積回路（ＩＣ）パッケージ基板であることが可能であり、そして、他の基板は、例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ）のような支持基板であることが可能である。
【０００７】
図１Ａは、複数の導電パッドを有するＩＣパッケージ基板のような第１基板の表面の平面図であり、ここで、はんだバンプは、複数の実施形態にしたがって形成されることが可能である。それらの実施形態については、第１基板１００は、隣接導電パッド１０２間に非常に小さい空間を有して共に接近してアライメントされる又は近接する複数の導電パッド１０２を有する。例えば、一部の場合には、導電パッド間の距離は、パッケージタイプに応じて、数十μｍ乃至数百μｍの範囲内で変えることが可能である。それらの導電パッド１０２の各々は、分離された別個のＩ／Ｏ及び／又は電力供給経路を示す。集積回路（ＩＣ）構成要素に関連する技術の進展の結果として、パッケージング基板の表面に詰め込まれる導電パッドの数は、高い密度の基板表面を生成することにより、劇的に増加している。一部の実施形態にしたがって、はんだバンプ又はボールのような導電結合リンクが、隣接導電結合リンクに影響を及ぼすことなく、密に詰められた導電パッド１０２に位置付けられることが可能である。
【０００８】
図１Ｂは、複数の実施形態にしたがって、はんだバンプを形成するための新規な組成及び方法を用いて、複数のはんだバンプ１０６を介して、プリント回路基板（ＰＣＢ）のような第２基板１０４に電気的に結合された図１Ａの第１基板１００の側面図である。それらの実施形態については、第２基板１０４において近接して配置されているはんだバンプ１０６の各々は、隣接するはんだバンプに影響を及ぼすことなく、形成されることが可能である。即ち、はんだバンプの各々は別個のＩ／Ｏ及び／又は電力供給経路を表すため、他のはんだバンプに影響を及ぼさない又はそれを平坦化させないはんだバンプを形成することが好ましい。
【０００９】
それらの実施形態については、はんだバンプ１０６の各々は、第１基板１００においてトレース及び／又はビア（図示せず）の１つ又はそれ以上の層に順に結合されることが可能である導電パッド１０２を介して、基板１００に結合されることが可能である。導電パッド１０２は、第１基板１００の第１表面１０８に位置付けられることが可能である。例えば、マイクロプロセッサのようなＩＣ構成要素（図示せず）は、第１基板１００の第２表面１１０に位置付けられることが可能である。
【００１０】
はんだバンプ１０６は、実装パッド（即ち、導電パッド）１１２を介して第２基板に結合されることが可能であり、それらの実装パッドは、第２基板１０４にはんだバンプ１０６を電気的に結合する接触パッドである。一部の実施形態においては、はんだバンプ１０２の各々は、別個のＩ／Ｏ及び／又は電力供給経路を示すことが可能である。はんだバンプ１０６は共に密に詰められることが可能であるが、はんだバンプ１０６の各々は、一部の実施形態にしたがって、隣接するはんだバンプに影響を及ぼさずに形成されることが可能である。
【００１１】
図２乃至６は、複数の実施形態にしたがって、第１基板にはんだバンプを形成するための処理の複数の段階を示している。図２を参照するに、第１基板においてはんだペーストにより複数のはんだブリックを同時に形成することによるはんだバンプを形成するための処理の段階を、一部の実施形態にしたがって示している。はんだブリックは、例えば、はんだバンプを形成するために用いることが可能であるはんだデポジットである。図２（及び図３）に示す段階は、一実施形態にしたがって、はんだブリックを同時に形成するためのステンシル印刷処理に関するものである。その実施形態については、ステンシルマスク２０２が第１基板２０４の上部に置かれる。複数の開口２０６を有するステンシルマスク２０２は、第１基板２０４において、複数の金属化されたはんだ付け可能表面２０８に対してアライメントされる。金属化されたはんだ付け可能表面２０８は、パッドにおけるはんだボール又はブリックの形成を容易にするように、接触パッドの上部に置かれる。はんだペーストのロール（“はんだペースト”）２１０は、ステンシルマスク２０２の一端部に置かれる。次いで、スキージ２１２が、はんだペースト２１０に対して置かれ、開口２０６内にはんだペーストロール材料を押し込む方向に、ステンシルマスク２０２の表面に沿って引かれる。
【００１２】
複数の実施形態にしたがって、ステンシルマスク２０２は、開口２０６の１つ又はそれ以上のアレイであって、各々のアレイは開口２０６の行列を更に有する、アレイを有することが可能である。一部の実施形態においては、はんだペースト２１０はロッド状形状又はロール形状を有することが可能である。それらの実施形態については、スキージ２１２は、例えば、ワイパーのブレードに似た長い構成要素であることが可能である。それ故、スキージ２１２は、何れの所定の時点でステンシルマスク２０２の面に沿って引っ張られる又は押されるため、開口２０２の行（又は、列）は、はんだペーストロール材料で満たされる。
【００１３】
第１基板２０４は、例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）、有機ランドグリッドアレイ（ＯＬＧＡ）、セラミックボールグリッドアレイ（ＣＢＧＡ）、フレキシブルなテープ又はＰＣＢ基板のようなＩＣパッケージング基板であることが可能である。第１基板２０４は、例えば、絶縁材料及びセラミック材料を有する複数の層を有することが可能である。第１基板２０４は、はんだバンプが形成されることが可能である複数の金属化されたはんだ付け可能表面２０８を有することが可能である。金属化されたはんだ付け可能表面２０８の各々は、例えば、ビア及び／又はトレース（図示せず）に電気的に結合された接点を示すことが可能である。それらのビア及び／又はトレースは、他のビア、トレース及び／又はＩＣ構成要素に更に結合されることが可能である。金属化されたはんだ付け可能表面２０８は、例えば、金、ニッケル、銅等の導電金属を有することが可能である。図２におけるはんだブリック２１４は、ＬＧＡ又はＢＧＡ基板のような第１基板２０４において形成されるが、他の実施形態においては、はんだブリック２１４は、ＰＣＢ基板のような第２基板において形成されることが可能である。
【００１４】
特定の実施例においては、はんだペースト２１０は、複数の実施形態にしたがって、はんだブリック２１４のような、はんだペーストデポジット又は堆積物を形成するように堆積されることが可能である。それらの実施形態については、はんだペーストブリック２１４を形成するために用いられるはんだペーストは、一部の実施形態にしたがって、電磁放射線の照射下でその幾何学的形状を実質的に維持する特性を有する材料から成ることが可能である。即ち、電磁放射線で照射されるとき又は他の相当する環境に置かれるとき、結果的に得られるはんだペーストブリック２１４（即ち、はんだブリック物）は、その幾何学的形状が実質的に維持されるように、その硬さを増加させることが可能である。複数の実施形態においては、はんだペースト２１０を形成するために用いられる材料は、ステンシルマスク２０２が取り除かれた後に、結果的に得られるはんだブリック２１４が少なくとも一時的にそれらの幾何学的形状を実質的に維持することが可能である添加剤を有することが可能である。それらの幾何学的形状を実質的に維持することにより、はんだブリック２１４は平坦化せず、その結果、複数の実施形態にしたがって、隣接するはんだブリックの１つ又はそれ以上に影響を及ぼさない。
【００１５】
一実施形態にしたがって、はんだペースト２１０は、約９０％の金属粉末と１０％のはんだフラックスを有するはんだベースにより初期に生成されることが可能である。その実施形態においては、金属粉末は、約６３％の錫（Ｓｎ）と３７％の鉛（Ｐｄ）を有することが可能である。しかしながら、他の実施形態においては、はんだペーストのベース成分の割合は変えることが可能である。更に他の実施形態においては、他の種類の金属を用いることが可能である。
【００１６】
複数の実施形態にしたがって、はんだベースに加えて、添加剤を、はんだペースト２１０を生成するときにはんだベースに加えることが可能である。それらの実施形態については、その添加剤は、後続のはんだバンプ（即ち、はんだボール）の形成を容易にすることが可能である２つの特性を有することが可能である。第１には、添加剤は、ステンシルマスク２０２が取り除かれた後に、幾何学的形状を実質的に維持するように、はんだペースト２１０から形成されるはんだブリック２１４の能力を向上させる特性を有することが可能である。第２には、添加剤は、高い温度で分解することが可能であり、それ故、例えば、はんだブリックがリフローし、後続のリフロー操作の間に下地の金属化されたはんだ付け可能表面２０８と結合することを可能にする。
【００１７】
複数の実施形態にしたがって、添加剤はポリマーであることが可能である。例えば、次の表１に挙げられているポリマーを、上記のような目的で用いることが可能である。
【００１８】
表１
ポリ（カプロラクトン）
ポリ（アルファメチルスチレン）
ポリ（プロピレンオキサイド）
ポリ（オキシメチレン）
ポリ（エチレンカーボネート）
ポリ（プロピレンカーボネート）
ビスマレイミド
【００１９】
上記ポリマーは、一般のはんだリフロー温度の範囲内で熱分解性の主鎖を有することが可能である。更に、そのようなプリマーはまた、それらのポリマーに対して架橋可能な一部の簡単なグラフト化により光架橋可能であるようにすることが可能である。そのような部分の例としては、例えば、光ラジカル開始剤により架橋性アクリレート又はメタクリレート、光アニオン開始剤により架橋性芳香族エポキシ及び光カチオン開始剤により架橋性脂肪族エポキシがある。ポリマー配合物の適切な分解温度は、用いられるはんだのリフロー温度、分解可能なポリマーの分子量、架橋性部分の配合物及び用いられる光開始剤により影響される。熱分解可能な光架橋性ポリマーを生成するための他の方法は、はんだペーストフラックスに溶解する熱的に安定なポリマーを用いることであり、熱的に分解可能である架橋性単量体を有する。
【００２０】
それらのポリマー添加剤は、はんだペーストが最初に低粘度特性を維持することを可能にし、それ故、例えば、はんだペーストのロールが比較的容易にステンシルマスク２０２の開口２０６を満たすことを可能にする。はんだブリック２１４が形成された後、そのような添加剤は、はんだブリック２１４が、紫外光（ＵＶ）照射のような電磁放射線の照射時に、はんだブリック２１４の表面の硬さを増加させることによりそれらの幾何学的形状を維持することを可能にする。電磁放射線を照射するとき、それらの添加剤は、ステンシルマスク２０２が取り除かれた後にはんだブリックが歪むこと又は平坦化することを防ぐことが可能である分子結合を形成するように架橋することが可能である。
【００２１】
図３を参照するに、一部の実施形態にしたがって、第１基板２０４の表面から取り除かれる図２のステンシルマスク２０２を示している。それらの実施形態については、ステンシルマスク２０２は、鉛直方向に上げて、第１基板２０４から離され、金属化されたはんだ付け可能な基板２０８の上部にはんだブリックが残される。その結果、形成されたはんだブリック２１４は、少なくとも一時的に隣接するはんだブリックに影響を及ぼさない幾何学的形状２１６を有する。はんだブリック２１４の幾何学的形状２１６は、はんだブリック２１４が形成されるはんだベース材料（即ち、金属粉末及びフラックス）の固有粘度を、少なくとも一時的に維持することが可能である。一部の実施形態におけるはんだベース材料の固有粘度は比較的低いことが可能であるため、はんだブリック２１４の幾何学的形状２１６は、一時的にのみ、維持される。それ故、それらの実施形態においては、はんだブリック２１４の形成中又はその直後に、はんだブリック２１４に電磁放射線を照射することが好ましい。
【００２２】
図４は、複数の実施形態にしたがって、ステンシルマスク２０２が取り除かれた後に、電磁放射線で照射されるはんだブリックを示している。それらの実施形態については、電磁放射線４０１は、はんだブリック２１４をより硬くし、それ故、はんだブリック２１４がそれらの幾何学的形状を実質的に維持し、隣接はんだブリックに影響を及ぼさないことを可能にする。上記のように、はんだブリック２１４内の添加剤がポリマーである場合、それらのポリマーは、はんだブリックが平坦化することを防ぐ分子結合を形成するように架橋することが可能である。一部の実施形態においては、添加剤の架橋又は重合は、はんだブリック２１４の表面において起こる。これは、結果的に、はんだブリック２１４の表面においてはんだペースト材料の粘度を高くすることが可能であり、はんだブリックが平坦化しないように、ある程度硬いバリアとして機能することが可能である。その結果、はんだブリック２１４は、リフロー処理のような後続処理の間、それらの幾何学的形状を実質的に維持することが可能である。
【００２３】
複数の実施形態においては、はんだブリック２１４は、電磁放射線４０１を照射されることが可能である一方、ステンシルマスク２０２は、第１基板２０４の表面からリフトオフされる。他の実施形態においては、はんだブリック２１４は、ステンシルマスク２０２が完全に取り除かれた後に、電磁放射線４０１を照射されることが可能である。他の実施形態においては、はんだブリック２１４は、はんだブリック２１４が非固着性材料から成り、ステンシルマスク２０２が電磁放射線に対して透過性である場合に、ステンシルマスク２０２の開口２０６内に留まっている間に、電磁放射線４０１を照射されることが可能である。紫外線に加えて、他の種類の電磁放射線、例えば、赤外線、可視光等を、複数の実施形態において用いることが可能である。
【００２４】
一実施形態においては、第１基板２０４にはんだブリック２１４をステンシル化又はプリントするために用いられる機械装置は、ステンシルマスク２０２に加えて、電磁放射線源を有することが可能である。そのようなアーキテクチャは、はんだブリック２１４が平坦化すること及び隣接はんだブリックに影響を及ぼさないように、ステンシルマスク２０２を取り除いている間に又はその直後に、はんだブリック２１４が電磁放射線を照射されることを確実にする。
【００２５】
図５を参照するに、複数の実施形態にしたがって、第１基板２０４及びはんだブリック２１４が高温下に置かれることを示している。それらの実施形態については、はんだブリック２１４が電磁放射線４０１を照射された後に、第１基板２０４と共にはんだブリック２１４は、はんだブリック２１４をリフローするように高温下に置かれることが可能である。はんだブリック２１４のリフローは、金属化されたはんだ付け可能な表面２０８にはんだブリック２１４を結合するように実行される。一部の実施形態においては、はんだブリック２１４内の添加剤は、高温下に置かれたときに分解されることが可能である。例えば、添加剤がポリマーである場合、その添加剤は、分解されることが可能であり、はんだフラックス及び密なはんだ合金フィラー金属流との反応の組み合わせにより置き換えられることが可能である。添加剤の分解は、リフロー及び金属化されたはんだ付け可能な表面２０８へのはんだブリック２１４の結合を容易にする。分解後、添加剤の残りの副生成物の動きのない量が、例えば、第１基板２０４の表面及び／又は得られたはんだバンプにおいて残る可能性がある。
【００２６】
一部の実施形態にしたがって、リフロー処理が、リフローオーブンを用いて実行される。例えば、一実施形態においては、第１基板２０４及び６３％Ｓｎ／３７％Ｐｂ合金から成るはんだブリック２１４は、１８３℃の共晶温度以上で約６０乃至１２０秒間、１９０乃至２１０℃の温度で作動するリフローオーブン内に置かれることが可能である。
【００２７】
図６は、複数の実施形態にしたがって、高温下に置かれた後に、図５のはんだブリック２１４から形成されたはんだバンプ６０２を示している。はんだバンプ６０２は、金属化されたはんだ付け可能な表面２０８の上部に球状に形成されることが可能である。はんだバンプ６０２の各々は他のバンプから分離されている。付加パッケージング処理が、複数の実施形態において、はんだバンプ６０２の形成後に実行されることが可能である。例えば、ＰＣＢ基板のような第２基板における実装パッドにはんだバンプ６０２を結合するための処理が実行されることが可能である。そのような処理は、例えば、第２基板の実装パッドに、第１基板２０４に結合されているはんだバンプ６０２を位置付ける段階を有することが可能である。次いで、全体のアセンブリは、第２基板における実装パッドにはんだバンプ６０２を接合するように、はんだバンプ６０２の更なるリフローのためにリフローオーブン内に置かれる。第１基板２０８がランドグリッドアレイパッケージの一部である場合、第１基板２０８は、はんだバンプ６０２と共に、例えば、ソケット台を有しないＰＣＢ基板に直接結合されることが可能である。何れにしても、結果として得られるパッケージを、例えば、図１Ｂに示している。他の実施形態においては、はんだバンプは、上記の実施形態において与えられたように、ＩＣパッケージ基板に代えて、ＰＣＢ基板において最初に形成されることが可能である。それらの実施形態については、一旦、はんだバンプがＰＣＢ基板において形成されると、ＩＣパッケージは、例えば、付加リフロー処理を用いて、はんだバンプに結合されることが可能である。
【００２８】
図７は、一部の実施形態にしたがったはんだバンプを形成するための処理を示している。処理７００は、一般に、図２乃至６に示している処理を反映している。処理７００は、はんだペースト２１０が、段階７０１において電磁放射線を照射されるときに、はんだブリック２１４のようなはんだペーストの堆積の幾何学的形状を実質的に維持する材料が与えられる又はその材料により形成されるときに、開始することが可能である。上記のように、その材料は、電磁放射線が照射されるときに分子結合を形成するポリマーのような添加剤を有するはんだベースを有することが可能である。はんだペーストが形成された後に、複数のはんだブリック２１４が、段階７０２において、はんだペースト２１０を有する第１基板２０４において形成される。複数のはんだブリック２１４の形成は、例えば、上記のようなステンシルか及びプリント処理を用いて、同時に行われることが可能である。はんだブリック２１４を形成した後に、はんだブリック２１４は、段階７０４において、電磁放射線４０１を照射されることが可能である。これは、はんだブリック２１４が平坦化しない、それ故、隣接はんだブリックに影響を及ぼさないことを確実にすることが可能である。はんだブリック２１４の各々が、実際に平坦化しない、それ故、隣接はんだブリックに影響を及ぼさないことを確実にするように、はんだブリック２１４は、その形成中に又ははんだブリックが形成された直後に、電磁放射線４０１を照射されることが可能である。次いで、はんだブリック２１４（第１基板と共に）は、段階７０６において、第１基板２０４の表面において導電パッド２０８にはんだブリック２１４を接合するように高温下に置かれることが可能である。その結果、はんだバンプ６０２は第１基板に接合される。一部の実施形態においては、はんだブリック２１４内の添加剤は分解することが可能である一方、はんだブリック２１４は、例えば、適切な接合を確実にするように、高温下に置かれる。最終的に、はんだバンプ６０２は、段階７０８において、例えば、付加リフロー処理を用いることにより、ＰＣＢ基板のような第２基板において実装パッドに結合又は接合されることが可能である。
【００２９】
ここで、図８を参照するに、一部の実施形態にしたがったシステム８００を示している。システム８００は、バス８０４に結合されることが可能であるマイクロプロセッサ８０２を有する。システム８００は、一時記憶メモリ８０６、ネットワークインターフェース８０８及び任意の不揮発性メモリ８１０を更に有することが可能である。マイクロプロセッサ８０２、一時記憶メモリ８０６、不揮発性メモリ８１０等のような上記の要素の１つ又はそれ以上は、上記の新規な組成及び処理を用いて形成される新規なはんだバンプを有するパッケージの一部であることが可能である。
【００３０】
アプリケーションに応じて、システム８００は、チップセット、ＲＦ受信器、大容量記憶装置（ハードディスク、コンパクトディスク（ＣＤ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ））、グラフィカル又はマスマティカルコプロセッサ等を有することが可能であるが、それらに限定されるものではない。
【００３１】
上記のシステム構成要素の１つ又はそれ以上は、ＳＣＣのような単一チップにおいて位置付けられることが可能である。複数の実施形態においては、システム８００は、携帯情報端末（ＰＤＡ）、無線携帯電話、携帯演算装置、ラップトップ演算装置、デスクトップ演算装置、セットトップボックス、娯楽制御装置、デジタルカメラ、デジタルビデオレコーダ、ＣＤプレーヤ、ＤＶＤプレーヤ、ネットワークサーバ等であることが可能である。
【００３２】
特定の実施形態について、例示として詳述したが、同じ目的を達成するように演算される何れの構成が上記の特定の実施形態に対して置き換えられることが可能であることを、当業者は理解することができるであろう。本出願は、本発明の実施形態の何れの修正及び変形を網羅するように意図されている。それ故、本発明の実施形態は同時提出の特許請求の範囲によってのみ限定されることが明らかに意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１Ａ】複数の導電パッドを有する第１基板の平面図である。
【図１Ｂ】一部の実施形態にしたがってはんだバンプを介して第２基板に結合された第１基板の側面図である。
【図２】一部の実施形態にしたがって、はんだブリックを同時に形成するための処理の段階を示す図である。
【図３】一部の実施形態にしたがって、はんだブリックを同時に形成するための処理の段階を示す図である。
【図４】一部の実施形態にしたがって、電磁放射線を用いて幾何学的形状を実質的に保つはんだブリックを形成するための処理の段階を示す図である。
【図５】一部の実施形態にしたがって、はんだバンプを形成するための処理の段階を示す図である。
【図６】一部の実施形態にしたがって、はんだバンプを形成するための処理の段階を示す図である。
【図７】一部の実施形態にしたがって、第１及び第２基板間にはんだバンプを形成するための処理を示す図である。
【図８】一部の実施形態にしたがった、例示としてのシステムのブロック図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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