(57)【要約】  本発明のフォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに電気化学的腐食に耐性である、非水性かつ非腐食性の洗浄組成物により提供される。そのような非水性フォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、下式［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基から独立して選択されてよく；Ｒ６およびＲ７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールから選択される少なくとも１種の腐食阻害剤を含む。【化１】2008537182.tif 000011
2008537182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストおよび残渣をマイクロエレクトロニクスの基板から洗浄するための非水性洗浄組成物であって、
（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級もしくは第三級アミン基の両方を有し、式
【化１】
2008537182.tif 000009
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基からなる群から各々独立して選択され；Ｒ６およびＲ７は、Ｈまたはアルキル基からなる群から各々独立して選択され、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］
を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、
（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールからなる群から選択される少なくとも１種の腐食阻害剤、
を含む、洗浄組成物。
【請求項２】
極性有機溶媒成分（ａ）が組成物の約５０ないし約９０重量％を占め、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が組成物の約５重量％ないし約２０重量％を占め、腐食阻害成分（ｃ）が、組成物の約０.１重量％ないし約１０重量％の量で組成物中に存在する、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項３】
極性有機溶媒成分（ａ）が組成物の約８５ないし約９０重量％を占め、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が組成物の約５重量％ないし約１５重量％を占め、腐食阻害成分（ｃ）が、組成物の約０.３重量％ないし約３重量％の量で組成物中に存在する、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項４】
極性有機溶媒成分（ａ）が、スルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルビトール、エチレングリコールおよびメトキシプロパノール並びにこれらの混合物からなる群から選択され、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が、２−アミノエチル−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンからなる群から選択され、腐食阻害成分（ｃ）が、８−ヒドロキシキノリンおよびカテコールから選択される、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項５】
極性有機溶媒成分（ａ）が、スルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルビトール、エチレングリコールおよびメトキシプロパノール並びにこれらの混合物からなる群から選択され、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が、（２−アミノエチル）−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンからなる群から選択され、腐食阻害成分（ｃ）が、８−ヒドロキシキノリンおよびカテコールから選択される、請求項３に記載の洗浄組成物。
【請求項６】
ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項７】
ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである、請求項５に記載の洗浄組成物。
【請求項８】
カルビトールを極性有機溶媒成分（ａ）として含み、８−ヒドロキシキノリンを腐食阻害成分（ｃ）として含む、請求項７に記載の洗浄組成物。
【請求項９】
マイクロエレクトロニクスの基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法であって、フォトレジストまたは残渣を基板から洗浄するのに十分な時間、基板を洗浄組成物と接触させることを含み、洗浄組成物が、
（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級もしくは第三級アミン基の両方を有し、式
【化２】
2008537182.tif 000010
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基からなる群から各々独立して選択され；Ｒ６およびＲ７は、Ｈまたはアルキル基からなる群から各々独立して選択され、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］
を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、
（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールからなる群から選択される少なくとも１種の腐食阻害剤、
の組成を含むものである、方法。
【請求項１０】
極性有機溶媒成分（ａ）が組成物の約５０ないし約９０重量％を占め、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が組成物の約５重量％ないし約２０重量％を占め、腐食阻害成分（ｃ）が、組成物の約０.１重量％ないし約１０重量％の量で組成物中に存在する、請求項９に記載のマイクロエレクトロニクスの基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１１】
極性有機溶媒成分（ａ）が組成物の約８５ないし約９０重量％を占め、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が組成物の約５重量％ないし約１５重量％を占め、腐食阻害成分（ｃ）が、組成物の約０.３重量％ないし約３重量％の量で組成物中に存在する、請求項９に記載のマイクロエレクトロニクスの基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１２】
極性有機溶媒成分（ａ）が、スルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルビトール、エチレングリコールおよびメトキシプロパノール並びにこれらの混合物からなる群から選択され、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が、２−アミノエチル−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンからなる群から選択され、腐食阻害成分（ｃ）が、８−ヒドロキシキノリンおよびカテコールから選択される、請求項９に記載のマイクロエレクトロニクスの基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１３】
極性有機溶媒成分（ａ）が、スルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルビトール、エチレングリコールおよびメトキシプロパノール並びにこれらの混合物からなる群から選択され、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が、（２−アミノエチル）−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンからなる群から選択され、腐食阻害成分（ｃ）が、８−ヒドロキシキノリンおよびカテコールから選択される、請求項１１に記載のマイクロエレクトロニクスの基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１４】
ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである、請求項９に記載のマイクロエレクトロニクスの基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１５】
ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである、請求項１３に記載のマイクロエレクトロニクスの基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１６】
カルビトールを極性有機溶媒成分（ａ）として含み、８−ヒドロキシキノリンを腐食阻害成分（ｃ）として含む、請求項１５に記載のマイクロエレクトロニクスの基板からフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１７】
マイクロエレクトロニクスの基板が、異なる金属の層化構造のデバイスである、請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
マイクロエレクトロニクスの基板が、異なる金属の層化構造のデバイスである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
マイクロエレクトロニクスの基板が、異なる金属の層化構造のデバイスである、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
マイクロエレクトロニクスの基板が、異なる金属の層化構造のデバイスである、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明は、マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための方法および非水性かつ本質的に非腐食性の洗浄組成物、特に、マイクロエレクトロニクスの基板表面における異なるタイプの金属の重層構造を特徴とするマイクロエレクトロニクスの基板で有用であり、それとの適合性が改善されたそのような洗浄組成物に関し、本発明はまた、フォトレジストを剥離し、エッチングおよびプラズマ工程で生成される有機、有機金属および無機化合物からの残渣を洗浄するための、そのような洗浄組成物の使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
多数のフォトレジスト剥離剤および残渣除去剤が、マイクロエレクトロニクス分野における製造ラインの下流またはバックエンドの洗浄剤としての使用のために提唱されてきた。製造工程において、フォトレジストの薄膜をウェハ基板に沈着させ、次いで回路設計を薄膜上で画像化する。ベーキングに続き、重合化しなかったレジストをフォトレジスト現像剤で除去する。次いで、得られる画像を、反応性プラズマエッチングガスまたは化学エッチャント溶液により、一般的には誘電体または金属である下層の物質に転写する。エッチングガスまたは化学エッチャント溶液は、基板のフォトレジストに保護されていない領域を選択的に攻撃する。
【０００３】
加えて、エッチング段階の終了に続き、最終仕上げ操作を行えるように、ウェハの保護領域からレジストマスクを除去しなければならない。これは、プラズマ灰化段階において、適するプラズマ灰化ガスまたは湿式化学剥離剤の使用により達成できる。金属回路網に悪影響、例えば、腐食、溶失または鈍化を与えずに、このレジストマスク物質の除去に適する洗浄組成物を見出すことには、課題が多いことも明らかになった。
【０００４】
マイクロエレクトロニクス構成の集積化レベルが高まるにつれて、そしてパターン化されたマイクロエレクトロニクスのデバイスの寸法が原子のサイズに向かって小さくなるにつれて、なかんずく、マイクロエレクトロニクスのデバイス中の伝導体配線構造にさらなる機械的強度を与えるために、伝導体として異なるタイプの金属の層化構造を採るのがしばしば有利である。例えば、アルミニウムは、例えば銅、クロムまたはモリブデンなどの他の金属の付加的層と共にしばしば使用される。金属のタイプはデバイスの構築において変更されるが、多くの他の工程の条件は本質的に同一であり、これには、似通った分子構造を有するフォトレジストが含まれ、これは、金属エッチングに先立ち表面をパターン化することにより回路の作成に使用される。フォトレジスト剥離剤はしばしばアミン化合物を含有し、これは、硬化したフォトレジストを攻撃し、最終的に金属表面からフォトレジストを剥離する優れた性能を示す。しかしながら、金属もアミンにより激しく攻撃され、さらに、上述の層化した金属構造が、常套に使用されるフォトレジスト洗浄剤／剥離剤並びに後続の水が関与するすすぎ工程で処理されるならば、かなりの腐食が起こる。このかなりの腐食は、一般的に、以下のメカニズムに従って起こる。異なるタイプの金属間で、それらが電気的に接触しているときにガルバニ電位が形成され、電子が一方の金属（高いイオン化傾向を有する方）から他方の金属（イオン化傾向が低い方）に移動し、前者の金属がイオン化され、溶液に溶け出し、結果的に激しく腐食される。
【０００５】
例えば、アルミニウム層への銅の添加は、エレクトロマイグレーション耐性の改善をもたらすが、純粋なアルミニウム層で遭遇する腐食のリスクと比較して、Ａｌ−−Ｃｕ合金の特別なタイプの腐食メカニズムのリスクを高める。例えば、Ａｌ−−Ｃｕ合金の沈着の間に、銅に非常に富むシータ相のＡｌ２Ｃｕ沈殿が形成され、ほぼ完全に銅を奪われたアルミニウムの領域に囲まれる。アルミニウムをベースとする層におけるこの不均質性は、ガルバニ電池をもたらし得、そこではＡｌ２Ｃｕ沈殿が陽極として振る舞い、囲んでいるアルミニウムに富む領域が陰極として振る舞う。従って、電解質の存在は、電気化学的腐食、または、Ａｌが酸化されＣｕが還元される酸化還元反応を招き得る。この反応中に産生されるＡｌ３＋イオンは、後続の水洗中に溶脱し得る。この電気化学的反応はＡｌ２Ｃｕ沈殿の近くに局在するので、この電気化学的反応の結果は、アルミニウム層におけるボイドの形成である。ボイドを含有するアルミニウムをべースとする層は、もはや有害なエレクトロマイグレーション現象への耐性は低く、伝導性の低下を示す。
【０００６】
モリブデン、銅およびアルミニウムなどで金属配線された（metallized）マイクロエレクトロニクス構造のプラズマエッチングおよび／または灰化工程に続くエッチングおよび／または灰化残渣の除去には、課題が多いことが明らかになった。これらの残渣を完全に除去または中和するのに失敗すると、水分の吸着および望まれない物質の形成を招き得、これは、上述の金属構造への腐食を引き起こし得る。回路網の物質は、望まれない材料により腐食され、回路網の配線における断絶および望まれない電気抵抗の上昇をもたらす。
【０００７】
従って、フォトレジスト剥離剤として、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに、フォトレジスト並びにエッチングおよび灰化残渣の除去のために良好な剥離性能をもたらし、電気化学的腐食に良好な阻害性能を有する製剤を提供するのが非常に望ましい。
【発明の開示】
【０００８】
発明の簡単な要旨
本発明のバックエンドのフォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに電気化学的腐食に耐性である、非水性かつ非腐食性の洗浄組成物により提供される。そのような非水性フォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、
（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、式
【化１】
2008537182.tif 000003
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基から独立して選択されてよく；Ｒ６およびＲ７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］
を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、
（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールから選択される少なくとも１種の腐食阻害剤、
を含む。
本発明の組成物は、数々の他の任意の成分も含有し得る。本発明の洗浄組成物は、幅広いｐＨおよび温度の工程／操作条件にわたって使用でき、フォトレジスト、プラズマエッチング／灰化後の残渣、犠牲的光吸収物質および反射防止膜（ＡＲＣ）および硬化したフォトレジストを効果的に除去するのに使用できる。
【０００９】
本発明の非水性の本質的に非腐食性のマイクロエレクトロニクスの剥離剤／洗浄剤組成物は、一般的に、約５０ないし約９０ｗｔ％またはそれ以上の有機極性溶媒成分、約５％ないし約２０％のジ−またはポリ−アミン成分、および腐食阻害量の腐食阻害剤ポリマー成分、一般的には約０.１％ないし約１０％の腐食阻害剤成分を含む。本明細書で提供されるｗｔパーセントは、剥離および洗浄組成物の総重量に基づく。
【００１０】
本発明の非水性の本質的に非腐食性の剥離／洗浄組成物は、また、他の適合成分も場合により含有でき、これには、キレート化剤、有機ヒドロキシル含有共溶媒、安定化および金属キレート化または錯体化剤および界面活性剤などの成分が含まれるがこれらに限定されない。
【００１１】
発明の詳細な説明および好ましい実施態様
本発明のバックエンドのフォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに電気化学的腐食に耐性である、非水性かつ非腐食性の洗浄組成物により提供される。そのような非水性フォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、
（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、式
【化２】
2008537182.tif 000004
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、各々独立してＨ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基であってよく；Ｒ６およびＲ７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］
を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、
（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールから選択される少なくとも１種の腐食阻害剤、
を含む。
「非水性」により、組成物が実質的に水を含まず、一般的には他の成分からの不純物として存在する水のみを有し、一般的には組成物の約３重量％を超えない量であり、より少ないのが好ましいことを意味する。
【００１２】
本発明の洗浄組成物は、幅広いｐＨおよび温度の工程／操作条件にわたって使用でき、フォトレジスト、プラズマエッチング／灰化後の残渣、犠牲的光吸収物質および反射防止膜（ＡＲＣ）を効果的に除去するのに使用できる。さらに、高度に架橋または硬化したフォトレジストなどの非常に洗浄し難いサンプルが、本発明の組成物により容易に洗浄される。
【００１３】
本発明の非水性かつ本質的に非腐食性のマイクロエレクトロニクスの剥離剤／洗浄剤組成物は、一般的に、約５０ないし約９０ｗｔ％またはそれ以上、好ましくは約８５ないし約９０ｗｔ％またはそれ以上、最も好ましくは約９０ｗｔ％またはそれ以上の有機極性溶媒成分；約５％ないし約２０ｗｔ％、好ましくは約５ないし約１５ｗｔ％、より好ましくは約１０％ないし約１５ｗｔ％の有機ジ−またはポリ−アミン成分、および腐食阻害量の腐食阻害剤ポリマー成分、一般的には約０.１ないし約１０ｗｔ％、好ましくは約０.３％ないし約５ｗｔ％、より好ましくは約０.３％ないし約３％、より一層好ましくは約１ｗｔ％、を含む。本明細書で提供されるｗｔパーセントは、洗浄組成物の総重量に基づく。
【００１４】
本発明の組成物は、１種またはそれ以上の任意の適する有機極性溶媒、好ましくはアミド、スルホン、スルホキシド、飽和アルコールなどを含む有機極性溶媒を含有できる。そのような有機極性溶媒には、スルホラン（テトラヒドロチオペン−１,１−ジオキシド）、３−メチルスルホラン、ｎ−プロピルスルホン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、メチルスルホン、ｎ−ブチルスルホン、３−メチルスルホラン、アミド、例えば１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン（ＨＥＰ）、ジメチルピペリドン（ＤＭＰＤ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）およびジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）など、グリコールおよびグリコールエーテル、およびこれらの混合物などの有機極性溶媒が含まれるが、これらに限定されない。有機極性溶媒として特に好ましいのは、Ｎ−メチルピロリドン、スルホラン、ＤＭＳＯ、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）、エチレングリコール、メトキシプロパノールおよびこれらの溶媒の２種またはそれ以上の混合物である。
【００１５】
ジまたはポリアミン成分は、少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、式
【化３】
2008537182.tif 000005
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、各々独立して、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルまたはアミノアルキル基であってよく；Ｒ６およびＲ７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］
を有するものである。この基のアルキル部分は、好ましくは１個ないし４個の炭素原子のアルキル基、より好ましくは１個または２個の炭素原子のアルキル基である。そのようなジ−またはポリ−アミン成分の例には、（２−アミノエチル）−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミンなどが含まれるが、これらに限定されない。特に好ましいのは、（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである。
【００１６】
腐食阻害成分は、８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、または、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールのいずれであってもよい。特に好ましい腐食阻害剤には、８−ヒドロキシキノリンおよびカテコールが含まれる。
【００１７】
本発明の組成物は、場合により、１種またはそれ以上の任意の適する有機ヒドロキシル−またはポリヒドロキシル−含有脂肪族化合物を、共溶媒として含有し得る。任意の適する有機ヒドロキシル−含有共溶媒を、本発明の組成物で用い得る。そのような適する有機ヒドロキシル−含有共溶媒の例には、グリセロール、１,４−ブタンジオール、１,２−シクロペンタンジオール、１,２−シクロヘキサンジオールおよびメチルペンタンジオール、並びに、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノールおよびヘキサフルオロイソプロパノールなどの飽和アルコール、およびこれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。共溶媒は、本発明の組成物中、組成物の総重量に基づき、０ないし約１０ｗｔ％、好ましくは約０.１ないし約１０ｗｔ％、最も好ましくは約０.５ないし約５ｗｔ％の量で存在し得る。
【００１８】
本発明の組成物は、１種またはそれ以上の任意の適する他の腐食阻害剤、好ましくは、芳香環に直接結合した２個またはそれ以上のＯＨ、ＯＲ６および／またはＳＯ２Ｒ６Ｒ７基（式中、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、各々独立してアルキル、好ましくは１個ないし６個の炭素原子のアルキル、または、アリール、好ましくは６個ないし１４個の炭素原子のアリールである）を含有するアリール化合物も含有し得る。そのような好ましい腐食阻害剤の例として、ピロガロール、没食子酸、レゾルシノールなどに言及し得る。そのような他の腐食阻害剤は、組成物の重量に基づき、０ないし約１０ｗｔ％、好ましくは約０.１ないし約１０ｗｔ％、最も好ましくは約０.５ないし約５ｗｔ％の量で存在し得る。
【００１９】
有機または無機キレート化または金属錯体化剤は、必須ではないが、例えば製品安定性の改善などの実質的な利益をもたらす。１種またはそれ以上のそのような無機キレート化または金属錯体化剤を本発明の組成物中で用い得る。適するキレート化または錯体化剤の例には、ｔｒａｎｓ−１,２−シクロヘキサンジアミンテトラ酢酸（ＣｙＤＴＡ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、スズ酸塩、ピロリン酸塩、アルキリデン−ジホスホン酸誘導体（例えば、エタン−１−ヒドロキシ−１,１−ジホスホネート）、エチレンジアミン、ジエチレントリアミンまたはトリエチレンテトラミン官能部分を含有するホスホン酸塩、例えば、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰ）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）およびトリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、並びにこれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。キレート化剤は、組成物の重量に基づき０ないし約５ｗｔ％、好ましくは約０.１ないし約２ｗｔ％の量で組成物中に存在する。エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰ）などの様々なホスホン酸塩の金属キレート化または錯体化剤は、酸化剤を含有する本発明の組成物に、酸性およびアルカリ性条件で大幅に改善された洗浄組成物の安定性をもたらし、従って一般的に好ましい。
【００２０】
洗浄組成物は、場合により、例えば、ジメチルヘキシノール（Surfynol-61）、エトキシル化テトラメチルデシンジオール（Surfynol-465）、ポリテトラフルオロエチレンセトキシプロピルベタイン（Zonyl FSK）、Zonyl FSH などの１種またはそれ以上の適する界面活性剤も含有し得る。界面活性剤は、一般的に、組成物の重量に基づき、０ないし約５ｗｔ％、好ましくは０.１ないし約３ｗｔ％の量で存在する。
【実施例】
【００２１】
本発明の洗浄組成物の例には、下表１ないし３に記載の組成物が含まれるが、これらに限定されない。表１ないし３中、用いる略号は以下の通りである：
ＮＭＰ＝Ｎ−メチルピロリジノン
ＳＦＬ＝スルホラン
ＤＭＳＯ＝ジメチルスルホキシド
ＣＡＲＢ＝カルビトール
ＥＧ＝エチレングリコール
ＧＥ＝メトキシプロパノール（グリコールエーテルＰＭ）
ＡＥＥＡ＝（２−アミノエチル）−２−アミノエタノール
ＣＡＴ＝カテコール
８ＨＱ＝８−ヒドロキシキノリン
【００２２】
表１
【表１】
2008537182.tif 000006
【００２３】
表２
【表２】
2008537182.tif 000007
【００２４】
表３
【表３】
2008537182.tif 000008
【００２５】
本発明の洗浄組成物で得られる電気化学的な抗腐食性阻害の結果を、以下の試験により例示説明する。三重層の金属の特性（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）を有し、フォトレジストで被覆されたマイクロエレクトロニクスの基板を、表１の６番の組成物中で、および、ＡＥＥＡ成分が１５％モノエタノールアミンで置き換えられた比較用組成物（即ち、８４％カルビトール、１５％エタノールアミンおよび１％８−ヒドロキシキノリンからなる比較用組成物）中でも処理した。基板を最初にこれらの組成物中に５分間７０℃で置き、次いで取り出し、観察し、次いで、基板を各組成物の５％希釈溶液（即ち、水９５ｇ中に組成物５ｇの希釈）に５分間室温で浸し、基板の処理における常套の洗浄段階を模した。この第２の処理後、三重層の特徴を有する基板を希釈溶液から取り出し、水ですすぎ、ＳＥＭで撮った写真により観察した。各段階後のアルミニウム腐食の結果は、以下の通りであった：
【００２６】
組成物６
組成物６中での処理後      Ａｌ腐食なし
５％溶液中での処理後      わずかなＡｌ腐食
比較用組成物
比較用組成物中での処理後  Ａｌ腐食なし
５％溶液中での処理後      激しいＡｌ腐食
【００２７】
そのような三重層金属の特徴の基板に関する同様の腐食阻害は、表２および３の組成物８ないし１３を、組成物製剤およびそれらの５％希釈溶液の両方で同じ試験法に付し、ＳＥＭ下で観察したときにも観察された。
【００２８】
本発明をその特定の実施態様を参照して本明細書で説明したが、本明細書で開示した発明概念の精神および範囲から逸脱せずに、変更、改変および変形を成し得ることは明らかである。従って、添付の特許請求の範囲の精神および範囲の内にある全てのそのような変更、改変および変形が包含されることを企図している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストおよび残渣を、異なる金属が層化した層化構造のマイクロエレクトロニクスのデバイスから洗浄するための非水性洗浄組成物であって、
（ａ）組成物の約５０ないし約９０重量％の、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（ｂ）組成物の約５重量％ないし約２０重量％の、少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級もしくは第三級アミン基の両方を有し、式
【化１】
2008537182.tif 000012
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基からなる群から各々独立して選択され；Ｒ６およびＲ７は、Ｈまたはアルキル基からなる群から各々独立して選択され、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］
を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、
（ｃ）組成物の約０.１重量％ないし約１０重量％の、８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体からなる群から選択される少なくとも１種の腐食阻害剤、
を含む、洗浄組成物。
【請求項２】
極性有機溶媒成分（ａ）が組成物の約８５ないし約９０重量％を占め、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が組成物の約５重量％ないし約１５重量％を占め、腐食阻害成分（ｃ）が、組成物の約０.３重量％ないし約３重量％の量で組成物中に存在する、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項３】
極性有機溶媒成分（ａ）が、スルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルビトール、エチレングリコールおよびメトキシプロパノール並びにこれらの混合物からなる群から選択され、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が、２−アミノエチル−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンからなる群から選択され、腐食阻害成分（ｃ）が、８−ヒドロキシキノリンである、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項４】
極性有機溶媒成分（ａ）が、スルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルビトール、エチレングリコールおよびメトキシプロパノール並びにこれらの混合物からなる群から選択され、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が、（２−アミノエチル）−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンからなる群から選択され、腐食阻害成分（ｃ）が、８−ヒドロキシキノリンである、請求項２に記載の洗浄組成物。
【請求項５】
ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項６】
ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである、請求項４に記載の洗浄組成物。
【請求項７】
カルビトールを極性有機溶媒成分（ａ）として含み、８−ヒドロキシキノリンを腐食阻害成分（ｃ）として含む、請求項６に記載の洗浄組成物。
【請求項８】
フォトレジストまたは残渣を、異なる金属が層化した層化構造のマイクロエレクトロニクスのデバイスから洗浄する方法であって、フォトレジストまたは残渣をデバイスから洗浄するのに十分な時間、層化したマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄組成物と接触させることを含み、洗浄組成物が、
（ａ）組成物の約５０ないし約９０重量％の、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（ｂ）組成物の約５重量％ないし約２０重量％の、少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級もしくは第三級アミン基の両方を有し、式
【化２】
2008537182.tif 000013
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基からなる群から各々独立して選択され；Ｒ６およびＲ７は、Ｈまたはアルキル基からなる群から各々独立して選択され、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］
を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、
（ｃ）組成物の約０.１重量％ないし約１０重量％の、８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体からなる群から選択される少なくとも１種の腐食阻害剤、
の組成を含むものである、方法。
【請求項９】
極性有機溶媒成分（ａ）が組成物の約８５ないし約９０重量％を占め、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が組成物の約５重量％ないし約１５重量％を占め、腐食阻害成分（ｃ）が、組成物の約０.３重量％ないし約３重量％の量で組成物中に存在する、請求項８に記載のマイクロエレクトロニクスのデバイスからフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１０】
極性有機溶媒成分（ａ）が、スルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルビトール、エチレングリコールおよびメトキシプロパノール並びにこれらの混合物からなる群から選択され、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が、２−アミノエチル−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンからなる群から選択され、腐食阻害成分（ｃ）が、８−ヒドロキシキノリンである、請求項８に記載のマイクロエレクトロニクスのデバイスからフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１１】
極性有機溶媒成分（ａ）が、スルホラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、カルビトール、エチレングリコールおよびメトキシプロパノール並びにこれらの混合物からなる群から選択され、ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が、（２−アミノエチル）−２−アミノエタノール、ジエチレントリアミンおよびトリエチレンテトラミンからなる群から選択され、腐食阻害成分（ｃ）が、８−ヒドロキシキノリンである、請求項９に記載のマイクロエレクトロニクスのデバイスからフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１２】
ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである、請求項８に記載のマイクロエレクトロニクスのデバイスからフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１３】
ジ−またはポリアミン成分（ｂ）が（２−アミノエチル）−２−アミノエタノールである、請求項１１に記載のマイクロエレクトロニクスのデバイスからフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【請求項１４】
カルビトールを極性有機溶媒成分（ａ）として含み、８−ヒドロキシキノリンを腐食阻害成分（ｃ）として含む、請求項１３に記載のマイクロエレクトロニクスのデバイスからフォトレジストまたは残渣を洗浄する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の組成物は、１種またはそれ以上の任意の適する他の腐食阻害剤、好ましくは、芳香環に直接結合した２個またはそれ以上のＯＨ、ＯＲ６および／またはＳＯ２Ｒ６Ｒ７基（式中、Ｒ６およびＲ７は、各々独立してアルキル、好ましくは１個ないし６個の炭素原子のアルキル、または、アリール、好ましくは６個ないし１４個の炭素原子のアリールである）を含有するアリール化合物も含有し得る。そのような好ましい腐食阻害剤の例として、ピロガロール、没食子酸、レゾルシノールなどに言及し得る。そのような他の腐食阻害剤は、組成物の重量に基づき、０ないし約１０ｗｔ％、好ましくは約０.１ないし約１０ｗｔ％、最も好ましくは約０.５ないし約５ｗｔ％の量で存在し得る。
【国際調査報告】
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