(57)【要約】  流れ調節または制御構造体のピボット運動またはピボット様運動によって流れまたは圧力を調節する、ＭＥＭＳ流量モジュールの種々の実施形態が開示される。このようなＭＥＭＳ流量モジュール（４０）の１つは、複数のバッフル（６６）を含む流れ調節構造体（６２）と、複数の流れポート（５２）を含む流れプレート（５０）とを有する。流れ調節構造体（６２）はまた、流れプレート（５０）から離間して繋止された支持部も有する。各バッフル（６６）は、少なくとも１つの流れポート（５２）に位置合わせされ、バッフル（６６）がＭＥＭＳ流量モジュール（４０）の両側での少なくとも特定の圧力差の発生に基づいて流れプレート（５０）から離れる方向に屈曲できるように、流れ調節構造体（６２）の支持部（６４）に相互接続している。
2008534291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の流れポートを含む第１のプレートと、
前記第１のプレートに対して固定した位置関係で配置される第１の部分と前記第１の流れポートを覆うように少なくとも部分的に延びる第２の部分とを含み、前記第２の部分が、少なくとも特定の圧力差の発生に応じて、前記第１の部分に対して屈曲する、構造体と、
を備えることを特徴とするＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２】
前記構造体の前記第１の部分と前記第１のプレートとの間に延びて、前記構造体の前記第１の部分を前記第１のプレートに固定的に相互接続する少なくとも１つのアンカをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３】
前記構造体は長形構造体を含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４】
前記長形構造体は、第１の自由端をさらに含み、
前記第２の部分は、前記第１の部分と前記第１の自由端との間に配置されることを特徴とする請求項３に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項５】
前記第１の自由端は、前記構造体の前記第２の部分の両側での少なくとも特定の圧力差の発生に応じて、少なくとも概ね弓形の経路に沿って動くことを特徴とする請求項４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項６】
前記長形構造体は、屈曲に対して所定の抵抗を与えるように設計された断面形状および長さのうちの少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項７】
前記構造体および前記第１のプレートは、隣接した構造的ＭＥＭＳ層から形成されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項８】
前記構造体の前記第２の部分は、前記構造体の前記第２の部分が前記第１の流れポートに少なくとも概ね隣接して配置されたときに、前記第１の流れポートを覆うサイズであることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項９】
前記構造体の前記第２の部分は、前記第１の流れポートを１つの方向に通る流れを少なくとも実質的に封鎖することを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１０】
前記構造体の前記第２の部分は、前記第２の部分の両側での少なくとも特定の圧力差の発生までは、前記第１のプレートに対して実質的に平行であることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１１】
前記構造体の前記第２の部分は、前記第１のプレートに対して常に離間した位置関係で配置されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１２】
前記第２の部分の両側での少なくとも特定の圧力差の発生までは、約０．３ミクロンを超えない流れ制御間隙が、前記構造体の前記第２の部分と前記第１の流れポートとの間に存在することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１３】
前記構造体の前記第２の部分の両側での少なくとも特定の圧力差の発生が、前記構造体の前記第２の部分を前記第１の流れポートから離れる方向に屈曲させて、前記構造体の前記第２の部分と前記第１の流れポートとの間の間隔を拡げ、それにより前記ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流路の容積を増大させることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１４】
前記流路の前記容積は、前記ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での圧力差における対応する増大に対して比例するよりも大きく増大することを特徴とする請求項１３に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１５】
前記第１のプレートは、複数の前記第１の流れポートを含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１６】
前記構造体は、各々が前記複数の第１の流れポートの少なくとも１つを覆うように少なくとも部分的に延びる複数の前記第２の部分を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１７】
対応する複数の前記構造体をさらに備え、
前記構造体の各々の前記第２の部分は、前記複数の第１の流れポートの１つを覆うように少なくとも部分的に延び、前記複数の構造体の各々の前記第１の部分は、共通の点から実質的に共通の第１の距離に位置し、前記複数の構造体の各々の前記第２の部分は、前記共通の点から実質的に前記第１の距離に位置することを特徴とする請求項１５に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１８】
第２の流れポートを含む第２のプレートをさらに備え、前記第１および第２のプレートは、離間し、かつ対面した位置関係で固定的に相互接続することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項１９】
前記第１の流れポートおよび前記第２の流れポートは少なくとも部分的に位置合わせされていることを特徴とする請求項１８に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２０】
前記ＭＥＭＳ流量モジュールは受動的装置であることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２１】
前記構造体の前記第２の部分は、
前記第１の流れポートの少なくとも一部の中に配置されるためのプラグ構造体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２２】
前記第１の流れポートに関連した流れ制限構造体をさらに備え、
前記流れ制限構造体は、前記第１のプレートと前記構造体の前記第２の部分との間のどこかに配置されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２３】
第１の身体領域内の圧力に対処するためのインプラントであって、請求項１の前記ＭＥＭＳ流量モジュールと導管とを含み、前記導管は、前記第１の身体領域と流体的に相互接続するように適合された流路を含み、前記ＭＥＭＳ流量モジュールは、前記流路内に配置されることを特徴とするインプラント。
【請求項２４】
第１の流れポートを含む第１のプレートと、
前記第１のプレートに対して固定した位置関係で配置される第１の部分および自由端を含むカンチレバー構造体であって、前記自由端が、前記カンチレバーの両側での少なくとも特定の圧力差の発生に応じて、少なくとも概ね弓形の経路に沿って動くように作動するカンチレバー構造体と、
を備えることを特徴とするＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２５】
前記カンチレバー構造体の梁部分は、前記第１の部分と前記第１の自由端との間に配置されることを特徴とする請求項２４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２６】
前記カンチレバー構造体の前記梁部分は、前記カンチレバー構造体の両側での少なくとも特定の圧力差の発生までは、前記第１の流れポートに少なくとも概ね隣接して配置されることを特徴とする請求項２４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２７】
前記ＭＥＭＳ流量モジュールから出る流量は、前記ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での圧力差における対応する増大に対して比例するよりも大きく増大することを特徴とする請求項２４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２８】
前記第１のプレートを通る複数の前記第１の流れポートをさらに含むことを特徴とする請求項２４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項２９】
前記カンチレバー構造体は複数の前記自由端を含み、前記自由端の各々は少なくとも１つの前記第１の流れポートと関連付けられることを特徴とする請求項２８に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３０】
前記自由端の各々は、前記固定部分と前記自由端の各々との間に延びる別個の梁部分に対応し、前記別個の梁部分の各々は、前記複数の第１の流れポートの少なくとも１つに対して配置されることを特徴とする請求項２９に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３１】
複数の前記カンチレバー構造体をさらに備え、前記自由端の各々は、前記カンチレバー構造体の両側での少なくとも特定の圧力差の発生に応じて、少なくとも概ね弓形の経路に沿って動くように作動することを特徴とする請求項２８に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３２】
前記カンチレバー構造体は、第１の方向に前記ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流れを許容し、前記第１の方向とは反対の第２の方向に前記ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流れを実質的に制限することを特徴とする請求項２４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３３】
第２の流れポートを含む第２のプレートをさらに備え、前記第１および第２のプレートは、離間し、かつ対面した位置関係で固定的に相互接続することを特徴とする請求項２４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３４】
前記第１のプレートの前記第１の流れポートおよび前記第２のプレートの前記第２の流れポートは、少なくとも部分的に位置合わせされていることを特徴とする請求項３３に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３５】
第１の身体領域内の圧力に対処するためのインプラントであって、請求項２４の前記ＭＥＭＳ流量モジュールと導管とを含み、前記導管は、前記第１の身体領域と流体的に相互接続するように適合された流路を含み、前記ＭＥＭＳ流量モジュールは、前記流路内に配置されることを特徴とするインプラント。
【請求項３６】
独立して可動の複数のバッフルを含む流れ調節装置と、
複数の第１の流れポートを含む第１のプレートと、
を備え、
前記バッフルの各々は、少なくとも１つの前記第１の流れポートに位置合わせされ、前記バッフルの各々は、前記ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での圧力差の変化に応じて、前記第１のプレートから前記バッフルまでの間隔の大きさを変えるように、少なくとも概ねピボット運動可能であることを特徴とするＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３７】
前記流れ調節装置は前記第１のプレートから離間した支持部を含み、前記複数のバッフルは前記支持部と相互接続し、前記第１のプレートは前記支持部と構造的に相互接続することを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３８】
前記支持部は外周部を含み、前記外周部の内向きに配置された領域の全体が前記支持部によって占められることを特徴とする請求項３７に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項３９】
前記支持部は、開口部と該開口部の周囲に配置された環状部分とを含み、前記複数のバッフルは、前記環状部分と相互接続することを特徴とする請求項３７に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４０】
前記複数のバッフルの各々は前記支持部から直接延び、前記複数のバッフルの各々は、前記第１のプレートに対して動くように屈曲することを特徴とする請求項３７に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４１】
前記複数のバッフルの各々は、共通の点から発する別個の半径に沿って外向きに延びることを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４２】
前記第１の流れポートの各々に関連する流れ制限構造体をさらに備え、前記流れ制限構造体の各々は、対応する前記第１の流れポートの周囲に配置され、前記流れ制限構造体の各々は、前記第１のプレートおよび対応する前記バッフルのうちの一方から延び、かつ前記複数のバッフルが前記第１のプレートに対して平行であるときに、前記第１のプレートおよび対応する前記バッフルのうちの他方に達する前に終端することを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４３】
前記バッフルの各々は、対応する前記第１の流れポートの中に延びるが、前記第１の流れポートから離間したプラグを含むことを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４４】
前記流れ調節装置の周囲に離間して配置された環状支持部をさらに備え、前記ＭＥＭＳ流量モジュールは、前記環状支持部と前記第１のプレートとを相互接続する少なくとも１つの環状壁をさらに備え、前記環状支持部および前記複数のバッフルは共通の製造レベルに存在することを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４５】
前記複数のバッフルは第１の製造レベルに少なくとも存在し、前記第１のプレートは前記第１の製造レベルから離間した第２の製造レベルに少なくとも存在することを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４６】
複数の第２の流れポートを含む第２のプレートであって、前記第１のプレートが前記複数のバッフルと前記第２のプレートとの間に位置するように前記第１のプレートから離間した第２のプレートをさらに備え、前記ＭＥＭＳ流量モジュールは、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に延びる少なくとも１つの構造的相互接続部をさらに備えることを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４７】
前記複数のバッフルは第１の製造レベルに少なくとも存在し、前記第１のプレートは前記第１の製造レベルから離間した第２の製造レベルに少なくとも存在し、前記第２のプレートは、第３の製造レベルであって、前記第２の製造レベルが前記第１の製造レベルと第３の製造レベルとの間に位置するように前記第２の製造レベルから離間した第３の製造レベルに少なくとも存在することを特徴とする請求項４６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４８】
前記第１のプレートは、複数の第１のリリース・エッチング孔を含み、前記第２のプレートは、複数の第２のリリース・エッチング孔を含み、前記複数のバッフルの各々は、対応する前記第１の流れポートと位置合わせされた第３のリリース・エッチング孔を含むことを特徴とする請求項４６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項４９】
少なくとも１つの前記第１のリリース・エッチング孔に対する第１の流れ制限体と、少なくとも１つの前記第２のリリース・エッチング孔に対する第２の流れ制限体と、そして、少なくとも１つの前記第３のリリース・エッチング孔に対する第３の流れ制限体とをさらに備えることを特徴とする請求項４８に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項５０】
前記複数のバッフルは、前記バッフルの各々の長さ次元が共通の点から延びる半径に沿った方向とは別の方向に配向するように、前記共通の点の周囲に対称に配置され、前記複数のバッフルの対応する部分は前記共通の点から等距離にあることを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項５１】
前記バッフルの各々は、対応する前記第１の流れポートの中心と位置合わせされた第１の点を含み、前記バッフルの各々は、前記バッフルが繋止された領域の中心に対応する第２の点をさらに含み、前記第１および第２の点は、前記共通の点から少なくとも概ね同じ距離に配置されることを特徴とする請求項５０に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項５２】
前記バッフルの各々は、前記第１のプレートに個別に繋止されることを特徴とする請求項５０に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項５３】
前記複数のバッフルは、共通の点に周囲に対称に配置され、前記バッフルの各々は、前記共通の点と交差しない第１の軸線に沿って延びる長さ次元を有し、前記複数のバッフルの前記第１の軸線はある領域を定めるように交差し、前記共通の点は前記領域内に配置されることを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項５４】
前記第１のプレートは、前記第１のプレートを通って延びる複数の第１のリリース・エッチング孔を含み、前記複数のバッフルの各々は、少なくとも１つの第２のリリース・エッチング孔を含み、前記第２のリリース・エッチング孔の各々は、対応する前記バッフルを通って延びることを特徴とする請求項３６に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項５５】
少なくとも１つの前記第１のリリース・エッチング孔に対する第１の流れ制限体と、前記バッフルの各々についての少なくとも１つの前記第２のリリース・エッチング孔に対する第２の流れ制限体とをさらに備えることを特徴とする請求項５４に記載のＭＥＭＳ流量モジュール。
【請求項５６】
第１の身体領域内の圧力に対処するためのインプラントであって、請求項３６の前記ＭＥＭＳ流量モジュールと導管とを含み、前記導管は、前記第１の身体領域と流体的に相互接続するように適合された流路を含み、前記ＭＥＭＳ流量モジュールは、前記流路内に配置されることを特徴とするインプラント。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細加工装置の分野に関し、より詳細には、少なくとも流れまたは圧力の調節機能を提供するための、ピボット運動またはピボット様運動を用いた少なくとも１つのバッフルを用いる、流れまたは圧力調節ＭＥＭＥＳ流量モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
眼内の高い内圧は、視神経に損傷を与え、失明につながる可能性がある。眼には、２つの主な小室、すなわち全体として水晶体によって分離される前眼房と後眼房とが存在する。房水は前眼房内に存在し、一方、硝子体液は後眼房内に存在する。一般に、眼内の内圧の上昇は、眼から排出される流体より眼の中で生成される流体の量が多いことによって引き起こされる。一般に、眼圧上昇の主な要因は眼の前眼房内の流体であると考えられている。
【０００３】
眼内の高い内圧に対処する１つの提案解決法が、インプラントを取り付けることである。インプラントは、典型的には、前眼房を眼の外側の場所と流体的に接続するように、患者の眼の壁を通して方向が合わせられる。このタイプのインプラントに関して、多数の問題点がある。１つは、視神経に損傷を与える可能性を減少させるように眼の中の内圧の変化に対応するインプラントの能力である。もう１つは、細菌などがインプラントを通って患者の眼の内部に入る可能性を減少させるインプラントの能力である。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６，０８２，２０８号明細書
【特許文献２】米国特許第６，７５６，３１７号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００３／０２１２３８３号
【特許文献４】米国特許第３，７８８，３２７号
【特許文献５】米国特許第５，７４３，８６８号
【特許文献６】米国特許第５，８０７，３０２号
【特許文献７】米国特許第６，６２６，８５８号
【特許文献８】米国特許第６，６３８，２３９号
【特許文献９】米国特許第６，５３３，７６８号
【特許文献１０】米国特許第６，５９５，９４５号
【特許文献１１】米国特許第６，６６６，８４１号
【特許文献１２】米国特許第６，７３６，７９１号
【発明の開示】
【０００５】
本発明の第１の態様は、ＭＥＭＳ流量モジュールによって具体化される。このＭＥＭＳ流量モジュールは、第１の流れポートを有する第１のプレートを含み、調節構造体によって特徴付けられる。調節構造体は、第１のプレートに対して固定された位置関係で配置される第１の部分と、第１の流れポートを覆うように少なくとも部分的に延びる第２の部分とを含む。調節構造体の第２の部分は、調節構造体の第１の部分に対して屈曲して、ＭＥＭＳ流量モジュールを通って第１の方向に流れ（例えば、調節構造体の第２の部分に少なくとも概ね向かって、第１の流れポートを通る流れ）が増大することを可能にする。
【０００６】
本発明の第１の態様に関して記述される特徴について種々の改良が存在する。さらなる特徴もまた、本発明の第１の態様に組み込むことができる。これらの改良および付加的な特徴は、個々にまたはいずれかの組み合わせとして、存在する場合がある。１つの実施形態において、調節構造体の第２の部分の運動は、圧力および／または流れの調節能力を提供する。例えば、少なくとも特定の圧力差に到達すると、調節構造体の第２の部分は、第１のプレートからの間隔を拡げるように屈曲して、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流れを増大させることができる。この「特定の」圧力差は、任意の適切な大きさとすることができるが、屈曲は、好ましくは圧力差がゼロを超えたときは常に開始し、さらに好ましくは、第２の部分は、圧力差における変化があったときには常に動くことになる。他の実施形態において、ＭＥＭＳ流量モジュールは、第１の方向で第１の流れポートを通る流れのための流れまたは圧力の調節を提供し、第１の方向とは反対の第２の方向でＭＥＭＳ流量モジュールを通る流れを少なくとも概ね制限または妨害することによって、逆止め弁と少なくとも同様に作用する。ＭＥＭＳ流量モジュールが、患者の眼の中の眼圧を軽減するためにインプラント内で用いられ、ＭＥＭＳ流量モジュールが患者の眼の前眼房と他の「排液」位置（例えば、眼の外側、眼内または体内の他の位置）との間の流路内に配置される場合を検討する。ＭＥＭＳ流量モジュールは、患者の前眼房から出る流体の流れを、前眼房の圧力を所望のやり方で調節する方式で調節するために用いることができ、排液位置からＭＥＭＳ流量モジュールを通ってこの前眼房の中に戻る流れを少なくとも実質的に制限または妨害することができる。ＭＥＭＳ流量モジュールは、この例または他の例において、その中を通る層流に対して設計することができるが、ＭＥＭＳ流量モジュールは、その中を通る乱流に同様に適用することもできる。
【０００７】
調節構造体の第１の部分は、任意の適切な方式で、第１のプレートに対して固定された位置関係で維持されることができる。１つの実施形態において、少なくとも１つのアンカが、第１の構造体の第１の部分と第１のプレートとの間に延びて、調節構造体の第１の部分を直接、第１のプレートに固定的に相互接続する。このような実施形態において、調節構造体および第１のプレートは、隣接した、または少なくとも異なる構造的ＭＥＭＳ層から形成されることができる。さらに、このようなアンカは、調節構造体と第１のプレートとを平行および／または離間した位置関係で相互接続するために用いることができる。
【０００８】
調節構造体は任意の適切なサイズおよび／または形状とすることができる。好ましくは、調節構造体の第２の部分は、ＭＥＭＳ流量モジュールの流れ特性をＭＥＭＳ流量モジュールの両側の圧力差における少なくとも特定の変化に応じて変化させるように屈曲する。１つの実施形態において、調節構造体の第２の部分は、この調節構造体の第２の部分の両側の圧力差がない場合、あるいは圧力差が特定の量よりも少ない場合には第１のプレートに対して実質的に平行とすることができる。これは、未変形または「ゼロ応力」状態として定義することができるが、いずれの場合においても「原点」位置または第１の位置である。調節構造体の第２の部分が最初は（例えば、第１のプレートに接触するように付勢されることによって）第１のプレートと接触しているような、他のタイプの第１の位置も適切であり得る。いずれの場合においても、ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での少なくとも特定の圧力差の発生は、調節構造体の第２の部分を第１のプレートから離れる方向で第２の位置に向けて屈曲させることができる。ＭＥＭＳ流量モジュールは、調節構造体の第２の部分の屈曲を開始させ、それにより第１のプレートからの第２の部分の間隔を拡げることになる圧力差の大きさに関連して、任意の所望の「設定値」を有するように構成することができる（ゼロよりも大きい任意の圧力差に応じて、あるいはもっと詳しく言うなら圧力差に任意の変化があったときに、屈曲が起こるように、設定値ゼロも含まれる）。
【０００９】
上記の第２の位置に調節構造体の第２の部分があることで、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流れをより多くさせることができる。調節構造体の第２の部分が第１のプレートから離れて屈曲することができる量は、任意の適切な方法で制限または制御することができる（例えば、調節構造体の第２の部分がその第２の位置にあるときの、第１のプレートと第２の部分との間の最大間隔を規定する）。上記の圧力差の大きさが減少するにつれて、調節構造体の第２の部分は、（例えば、第１のプレートから離れるように屈曲することによって第２の部分の内部で生じ、貯蔵された弾性力またはばね力を用いて）少なくともその第１の位置に向かって戻るように動く。すなわち、調節構造体の第２の部分が第１のプレートから離れるように屈曲することによって引き起こされる内部応力は、調節構造体の第２の部分が、第１の位置に向かって、または第１の位置まで戻るように動くことに少なくとも寄与し得る回復力を提供することができる。
【００１０】
さらなる実施形態において、調節構造体は、第１のプレートに対して固定した位置関係で配置される第１の部分(例えば、第１の端部）と少なくとも１つの自由端部とを有する、長形部材であり得る。このような実施形態において、調節構造体の第２の部分は、固定端から離間されるように、長形部材の長手方向に沿って（例えば、固定端と自由端との間のどこか、または自由端に）配置することができる。従って、ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での少なくとも特定の圧力差の発生は、長形部材の自由端を少なくとも概ね弓形の経路に沿って少なくとも概ね第１のプレートから離れる方向に動かして、第１の流れポートを第１の方向に通る増大した流れを収容することができる。すなわち、調節構造体の第２の部分が経験している圧力差は、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流路の少なくとも一部が開放および／または拡張されるように、長形部材を第１のプレートおよび第１の流れポートから離れる方向に動かすことができる。これはもちろん、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流れ／流量の増大を可能にする。
【００１１】
１つの実施形態において、調節構造体の第２の部分のサイズおよび形状は、調節構造体の第２の部分が第１の流れポートに対して実質的に隣接する位置関係で配置されたときに、第１の流れポートを実質的に覆うようなサイズおよび形状である。従って、調節構造体の第２の部分は、第１の方向とは反対の第２の方向に調節構造体の第２の部分を通過して第１の流れポートを通る流れを、実質的に制限または妨害することができる。ＭＥＭＳ流量モジュールを通る第２の方向の流れは、調節構造体の第２の部分を現実に動かして第１のプレートと接触させ、第１の流れポートを第２の方向に通る流れをさらに制限することができる。
【００１２】
上述のように、ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での圧力差の少なくとも特定の増大は、調節構造体の固定された第１の部分に対して第２の部分を屈曲させる効果を有する。１つの例において、この屈曲は、調節構造体の第２の部分が第１の流れポートから少なくとも概ね離れる方向に動くことを可能にする。いずれの場合でも、調節構造体の第２の部分の第１のプレートに対する位置は、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流量を少なくとも部分的に決定することになる。一般に、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流量は、調節構造体の第２の部分と第１の流れポートとの間の間隔が拡がるにつれて増大し、これらの同じ構成要素間の間隔が狭まるにつれて減少する。好ましくは、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流速は、対応するＭＥＭＳ流量モジュールの両側での圧力差の増大に対して比例するよりも大きく増大することになる。
【００１３】
ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での少なくとも特定の圧力差の発生に応じる調節構造体の第２の部分の上記の運動は、それ自体が幾つかの特徴付けに従う。１つは、第２の部分は、構造体の固定された第１の部分を中心として少なくとも概ねピボット運動するということである。もう１つは、第２の部分は、第１のプレートに向かって、または離れる方向のいずれかで、弓形の経路に少なくとも概ね沿って移動するということである。さらにもう１つは、調節構造体の第２の部分は、２つの概略的な方向のどちらにも動くように作動できるということである。例えば、調節構造体の第２の部分は、第１の流れポートから少なくとも概ね離れる方向に動くように屈曲することができ、これにより第１の流れポートに関連する流れチャネルの容積を増大させることが可能になる。これが、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る増大した流量を収容することになる。調節構造体の第２の部分はまた、第１の流れポートの方に少なくとも概ね向かって動くことができ、これにより、この同じ流れチャネルの容積を低減するか、および／または、第１の流れポートを第１の方向とは反対の第２の方向に通る流れを実質的に制限または妨害することが可能になる。
【００１４】
他の特徴付けは、ＭＥＭＳ流量モジュールは、ＭＥＭＳ流量モジュールを通る流路が常に存在するように構成することができるということである（例えば、ＭＥＭＳ流量モジュールは、通過する少なくとも特定の流れを常に可能とするように構成することができる）。例えば、調節構造体の第２の部分は、第１の流れポートからの第１の方向の流れを受けるために、あるいは流れを第２の方向で第１の流れポートに入れて通過させるために、少なくとも所定の最小サイズを有する流路セグメントが常に維持されるように、第１の流れポートに対して離間配置されることができる。このような流路セグメントは、調節構造体の第２の部分を第１のプレートに向けて屈曲させるのに適切な圧力差が存在しなくても開放されたままとすることができる。あるいは、上記の流路セグメントが常に開放されたままとなるように調節構造体の第２の部分と第１のプレートとの間の特定の最小間隔を維持するために、適切な移動リミッタなどを利用することができる。他の既に述べた選択肢は、第２の部分を第１のプレートから離れる方向に動かすことにより上記の流路セグメントを開放する、調節構造体の第２の部分の両側での特定の圧力差が存在するまでは、調節構造体の第２の部分を実際に第１のプレートと接触させておくことに関するものである。すなわち、調節構造体の第２の部分の原点位置を、第１のプレートと接触する位置とすることができる。
【００１５】
第１の流れポートは、任意の適切なサイズおよび／または形状とすることができる。さらに、第１のプレートは、第１のプレートを貫通する複数の第１の流れポートを含むことができる。同様に、ＭＥＭＳ流量モジュールは、複数の第１の流れポートのうちの少なくとも１つを覆うように少なくとも部分的に延びる複数の第２の部分を有する調節構造体を含むことができる。あるいは、ＭＥＭＳ流量モジュールは、複数の別個の調節構造体を含んでもよい。このような別個の調節構造体は各々、第１のプレートに対して固定した位置関係で維持される第１の部分と、複数の第１の流れポートの１つまたは複数を覆うように少なくとも部分的に延び、固定された第１の部分に対して屈曲するように作動する第２の部分とを含むことができる。１つの実施形態において、各調節構造体は、第１のプレートに対して固定された第１の部分と、対応する第１の流れポートの中心に位置合わせされた第２の部分とを有することができる。これらの第１および第２の部分は、ＭＥＭＳ流量モジュールの共通の点、例えば、ＭＥＭＳ流量モジュールの横方向の次元の幾何学的中心（例えば、「横方向」は第１の流れポートを通る流れに対して直角をなす方向である）から少なくとも概ね同じ距離で配置されることができる。
【００１６】
１つまたは複数の第１の流れポートはさらに、所望の流れの制限を提供する任意の適切な構造を含むことができる。例えば、立ち上がった、または突出した環状の流れ制限構造体または壁を第１の流れポートの周りに配置することができる。この環状の流れ制限壁は、第１のプレートと、その原点位置にある調節構造体の第２の部分との間に配置されて、第１の流れポートを第１の方向で通った後に、または上記の第２の方向で第１の流れポートを通る前に流れが通過しなければならない間隙のサイズを小さくすることができる。この環状の流れ制限壁は、第１のプレートまたは調節構造体の第２の部分のいずれかから延びることができる。いずれの場合でも、環状の流れ制限壁は、調節構造体の第２の部分が第１の流れポートに概ね隣接する場合に、第１の流れポートを通る流れを制限することができる。他の選択肢は、第１の流れポートに位置合わせされた適切な形状のプラグを含む、調節構造体の第２の部分に関するものである。このようなプラグは、第１の流れポートの一端に隣接して（例えば重ね合わされた位置関係で）配置されてもよく、あるいは第１の流れポートの中に延びでもよい。好ましくは、対応する第１の流れポート内に配置されるこのようなプラグのいずれの部分も、この第１の流れポートを定める第１のプレートの側壁から離間する。上記の環状の流れ制限壁は、互いに適切に離間した複数の別個の流れ制限セグメントで置き換えることもできる。調節構造体の第２の部分と対応する任意の第１の流れポートとの間に制御された流れの制限を提供する、いかなる方法も利用することができる。これらの別個の流れ制限セグメントもまた、第１の流れポートと原点位置にある調節構造体の第２の部分との間の間隙のサイズを小さくすることになる。１つの実施形態において、この間隙の高さは、上記の時点において、約０．３ミクロンを超えないが、約０．１ミクロン以下の間隙が少なくとも特定の例においては望ましい。他の選択肢は、調節構造体の第２の部分がその原点位置にある場合にはこの間隙が全く存在しないことに関するものである。
【００１７】
本発明の第２の態様は、少なくとも流れまたは圧力調節機能を提供するための少なくとも１つのカンチレバー構造体を利用するＭＥＭＳ流量モジュールによって具体化される。このＭＥＭＳ流量モジュールは、第１の流れポートを有する第１のプレートとカンチレバー構造体とを含む。カンチレバー構造体は、第１のプレートに対して固定された第１の部分と、少なくとも特定の圧力差を経験しているカンチレバー構造体に応じて、少なくとも概ね弓形の経路に沿って動くように作動する自由端とを含む。
【００１８】
本発明の第２の態様に関して記述される特徴について種々の改良が存在する。さらなる特徴もまた、本発明の第２の態様に組み込むことができる。これらの改良および付加的な特徴は、個々にまたはいずれかの組み合わせとして、存在する場合がある。この「特定の」圧力差は、任意の適切な大きさとすることができるが、カンチレバーの自由端は、好ましくは、圧力差がゼロを超えたときはいつでも、あるいは圧力差における変化があったときにはいつでも動く。ＭＥＭＳ流量モジュールはまた、第２の流れポートを有する第２のプレートを含んでもよい。第２のプレートは、第１のプレート上に直接形成されてもよく、あるいは第１のプレートと界接する位置関係で配置されてもよく、第１および第２の流れポートは任意の適切な方式で流体的に相互接続される。別の選択肢は、この第２のプレートが、任意の適切な方式で、第１のプレートから離間し、かつ第１のプレートと固定的に相互接続することに関するものである。例えば、このような第１のプレートおよび第２のプレートは、これらのプレートを貫通する流れポートが少なくとも部分的に位置合わせされるようにして固定的に相互接続されることができるが、これは必須ではない。さらに、第１のプレートと第２のプレートとの間から流体が流出する可能性を低減するために、１つまたは複数の環状のシールを利用して、第１および第２の流れポートを有する第１および第２のプレートの領域の外周部に沿って、第１のプレートと第２のプレートとを相互接続することができる。
【００１９】
カンチレバー構造体は、任意の適切なサイズおよび／または形状とすることができる。例えば、カンチレバー構造体は、固定された第１の部分と自由端との間に延びる単純な梁として形成されることができる。重要なことは、固定された第１の部分と自由端との間のカンチレバー構造体の一部が、少なくとも特定の圧力差の非存在下（それによって圧力差ゼロの場合を含む）で、第１の流れポートに少なくとも概ね隣接して配置されることである。従って、ＭＥＭＳ流量モジュールの両側に少なくとも特定の圧力差が発生した場合、カンチレバー構造体に力が及ぼされ、第１の流れポートを通る増大した流れを収容する。この圧力差は、カンチレバー構造体を第１の流れポートから離れる方向に動かすよう作用して、それによりＭＥＭＳ流量モジュールを通る流路の少なくともセグメントを定め、または増大させることができる。好ましくは、この流路セグメントの容積、従ってこの流路セグメントを通る流量は、ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での圧力差の対応する増大に対して比例するよりも大きく増大することになる。
【００２０】
１つの実施形態において、第１のプレートは複数の第１の流れポートを含むことができる。従って、単一の固定部分と対応する複数の自由端とを有するカンチレバー構造体を利用することができる。例えば、複数の別個の梁が単一の固定部分から延びていてもよく、あるいは単一の梁が単一の固定部分から延びて、各々が自由端を有する分岐した複数のセグメント含んでいてもよい（例えば、「Ｙ字」形構成）。あるいは、各カンチレバー構造体が第１のプレートに対して固定した第１の部分と少なくとも１つの自由端とを含む、複数の別個のカンチレバー構造体を利用することができる。
【００２１】
本発明の第３の態様は、ＭＥＭＳ流量モジュールによって具体化される。このＭＥＭＳ流量モジュールは、少なくとも１つの可動式バッフル、より好ましくは独立して可動の複数のバッフルを含む。ＭＥＭＳ流量モジュールはさらに第１のプレートを含み、この第１のプレートは少なくとも１つの流れポート、より好ましくは複数の第１の流れポートを含む。各バッフルは、それ自身の第１の流れポートまたは第１の流れポートの群に対して位置合わせされることができる。多数のバッフルが共通の第１の流れポートと相互作用することもまた可能である。いずれの場合でも、少なくとも１つのバッフル（全てのバッフルを含む）は、ＭＥＭＳ流量モジュールの両側での圧力差の少なくとも特定の変化に応じて、少なくとも概ねピボット運動し、またはピボット様運動を受け、第１のプレートからバッフルまでの間隔の大きさを変化させる。
【００２２】
本発明の第３の態様に関して記述される特徴について種々の改良が存在する。さらなる特徴もまた、本発明の第３の態様に組み込むことができる。これらの改良および付加的な特徴は、個々にまたはいずれかの組み合わせとして、存在する場合がある。バッフルを動かすために必要な圧力差の量は任意の適切な値とすることができるが、好ましくは、バッフルは、圧力差がゼロを超えたときはいつでも、あるいは圧力差における変化があったときにはいつでも動く。
【００２３】
流れ調節装置は、第１のプレートによって使用される種々の第１の流れポートを通る流れを制御するように作動する、任意の適切な構成とすることができる。１つの実施形態において、各バッフルは、ピボット運動またはピボット様運動を経験する（例えば、各バッフルは少なくとも概ね特定の軸線を中心として動く）。この一般的なタイプの運動を可能とする、あるいはこれに順応する任意の構成を第３の態様に関連して利用することができる。例えば、特定のバッフルは、この第３の態様によって意図される動きを提供するように、第１および第２の態様に関して上述した方式で、屈曲するか、または少なくとも概ね弓形の経路に沿って動くことができる。他の選択肢は、特定のバッフルが、１つまたは複数の適切なヒンジまたはヒンジ様構造体を用いて、この第３の態様で意図される方式で動くことに関するものである。さらに他の選択肢は、特定のバッフルが、ねじれ撓みを用いて（例えば、ねじれ変形してその上に取り付けられたバッフルが所望の方式で動くことを可能にする梁または他の構造から延びているか、あるいは他の方法で相互接続しているバッフルを有することによって）、この第３の態様で意図される方式で動くことに関するものである。
【００２４】
１つの実施形態において、流れ調節装置は、複数のバッフルが相互接続する共通の支持部を含む。この支持部は、任意の適切な方式で、第１のプレートから離間し、かつ第１のプレートと（例えば、それらの間に延びる複数の柱または支柱によって）構造的に相互接続する。第１のプレートはまた、この支持部と直接界接することもできる。１つの実施形態において、支持部は外周部を含み、この外周部の内部の領域全体は、より詳細に後述するように支持部を貫通して延びることができるリリース・エッチング孔が存在する場合を除けば、支持部によって占められている。複数のバッフルは、この支持部と、例えばその外周部の周囲に相互接続することができる。他の実施形態において、支持部は、開口部または切り抜き部、ならびにこの開口部の周りに配置され、そこから複数のバッフルが延びる環状部を含む。この実施形態において、環状部は、第１のプレートと構造的に相互接続することができ、複数のバッフルは、例えば、環状部の外周部の外側と相互接続することができる。一般に、複数のバッフルの各々は、支持部から直接延びることができ、第１のプレートに対して屈曲するように作動することができる。１つの特定の配置においては、複数のバッフルの各々は、共通の点または位置から発する別個の半径に沿って延びる（例えば、複数のバッフルは、共通の中央支持部から半径方向外向きに延びることができる。複数のバッフルは、共通の支持部から半径方向内向きに延びることができる）。上記にかかわらず、複数のバッフルは、任意の所望の／必要な配置で配置されることができる。
【００２５】
各々のバッフルと第１のプレートとの間の流路のサイズを小さくするために、１つまたは複数の構造体を取り入れることができる。環状の流れ制限壁（「環状」は、本明細書において、共通の点の周囲に完全に３６０度延在していることを意味し、従って円形の形状であることを必要としない）は、第１の流れポートの各々または第１の流れポート群に関連付けられることができ、第１のプレートと対応するバッフルとの間の空間の一部の中に配置することができる。このような環状の流れ制限壁は、第１の流れポートを通って進んだ後に対応するバッフルの方向に流れが通過しなければならない空間のサイズを小さくするために使用することができる。１つの実施形態において、この空間の高さは、対応するバッフルの両側での圧力差がない場合には約０．３ミクロンを超えないが、約０．１ミクロン以下の間隙が少なくとも特定の例では望ましい場合がある。上述のように、対応するバッフルの両側で圧力差がない場合には、全く空間がなくてもよい（例えば、バッフルは環状の流れ制限壁に接触してもよい）。
【００２６】
ＭＥＭＳ流量モジュールの作成方法に応じて、上記のタイプの環状の流れ制限壁は、第１のプレートから延びて対応するバッフルに達する前に終端してもよく、あるいはこのような環状の流れ制限壁は、対応するバッフルから延びて第１のプレートに達する前に終端しもよい。適切に離間した複数の流れ制限壁セグメントを環状の流れ制限壁の代わりに同様に用いることもできる。他の選択肢は、対応する第１の流れポートに位置合わせされた適切なプラグを含む特定のバッフルに関するものである。このようなプラグは、対応する第１の流れポートの一端に隣接して（例えば、近接して重ね合わされた位置関係で）配置されてもよく、あるいは、第１の態様に関連して上述したように、第１の流れポートの中に実際に延びてもよい。これらのタイプのプラグもまた、例えば、プラグの外周部と、対応する第１の流れポートを定める第１のプレートの壁との間に小さな空間のみを与えることにより、有益な流れの制限を提供する。
【００２７】
ＭＥＭＳ流量装置は複数の第２の流れポートを含む第２のプレートを含んでもよく、これは、第１のプレートが流れ調節装置と第２のプレートとの間のどこかに位置するように配置される。これらの第２の流れポートの各々は、第１のプレートを通る対応する第１の流れポートと位置合わせされてもよいが、これは必須ではない（例えば、第２の流れポートの各々と対応する第１の流れポートとの間に偏位した位置関係が存在してもよい）。さらに、ＭＥＭＳ流量モジュールは、第１のプレートと第２のプレートとを離間した位置関係（例えば、平行）で維持するための、第１のプレートと第２のプレートとの間に延びる１つまたは複数の構造的接続部を含むことができる。第１および第２のプレートとその間に延びる適切な数の構造的接続部とを利用することで、ＭＥＭＳ流量モジュールの全体としての剛性を高めることができる。さらに、構造的接続部は、任意の対応する第１および第２の流れポートの組の周囲に配置される１つまたは複数の環状接続部を含んでもよい。この点についてはさらに、１つまたは複数の環状支持部が、種々のバッフルの自由端の外周部を越えて配置されてもよく、また第１のプレートと第２のプレートとを構造的に相互接続してもよい。これはまた、上述のように、１つまたは複数の半径方向のシールを提供することもできる。さらに他の選択肢は、ＭＥＭＳ流量モジュールを、第２のプレートが実際に第１のプレートの上に直接配置されるように製作することに関するものである。特定の第２の流れポートと対応する第１の流れポートとの間には、適切な流体の相互接続部がもちろん必要とされる。
【００２８】
ＭＥＭＳ流量モジュールは、その少なくとも特定の部分が複数のリリース・エッチング孔（例えば、該当する構造体を貫通して延びる直径約１ミクロン以下の孔）の使用を必要とするように製作されてもよい。このようなリリース・エッチング孔は、第１のプレート、バッフル、および任意の第２のプレートのうちの１つまたは複数を貫通して伸びることができ、エッチャントが通常「リリース」と呼ばれる工程の間に犠牲材料を除去することを可能にする。ＭＥＭＳ流量モジュールはさらに、リリース・エッチング孔ごとに含む場合も含めて、これらのリリース・エッチング孔の１つまたは複数ごとに１つの流れ制限体を含むことができる。このような流れ制限体は、任意の関連するリリース・エッチング孔を通る所望の流量（例えば、低流量または制限された流量）を提供するように構成されることができる。１つまたは複数の流れ制限体はまた、濾過機能を提供することもでき、これは１つまたは複数の用途のために望ましい。
【００２９】
複数のリリース・エッチング孔が第１のプレートを通って延びてもよく、複数のリリース・エッチング孔が種々のバッフルを通って延びてもよい。流れ制限体は、第１のプレートを通る１つまたは複数のリリース・エッチング孔ごとに設けることができる。流れ制限体は、第１のプレートの第１の流れポートに位置合わせされているか、あるいはそこを通る流れに直接曝されるバッフルを通るようなリリース・エッチング孔についてのみ必要とされるようになっている。一般に、所望の流れの制限を提供するために、別個の流れ制限体を、第１のプレートを通る任意の数のリリース・エッチング孔ごとに、および種々のバッフルを通る任意のリリース・エッチング孔ごとに設けることができる。第１のプレートまたは種々のバッフルを通るいかなるリリース・エッチング孔も用いる必要がないＭＥＭＳ流量モジュールを（例えば、下に重なる１つまたは複数の製作レベルにおいてリリース・エッチング・レールを用いて）製作することもまた可能である。
【００３０】
複数のバッフルは共通の支持部からスポーク状の様式で延びることができる。例えば、複数のバッフルは、共通の中央支持部から外向きに延びてもよく、あるいは複数のバッフルは、共通の外側支持部（例えば、外側環状リング）から内向きに延びてもよい。他の選択肢は、複数のバッフルが、種々のバッフルによって事実上集合的に定められる外周部を有する領域または区域の内部の参照点の周囲に対称的に配置されることに関するものである。この第２の例における複数のバッフルの対応する部分は、上記の参照点から少なくとも実質的に同じ距離で配置され、このようなバッフルの各々は、対応する第１の流れポートの中心に位置合わせされた第１の点と、バッフルが固定されたところに関連付けられる中心に対応する第２の点とを含むことができる。各バッフルの第１の点および第２の点は、上記の参照点から概ね同じ距離に配置されることができる。複数のバッフルのためのこのタイプの配置は、特定の圧力差に曝されたときの第１のプレートの屈曲またはたわみの影響を低減することができる。上記にかかわらず、複数のバッフルは、第３の態様に関して、任意の適切な配置で配置されることができる。
【００３１】
表面微細加工は、第１、第２、および第３の態様のＭＥＭＳ流量モジュールを作製するための好ましい技術である。この点に関して、これらのＭＥＭＳ流量モジュールは、相互に離間した少なくとも２つの異なる製造レベル（以下、第１の製造レベルおよび第２の製造レベルとする）において作製され得る。「製造レベル」は、（例えば、構造層またはフィルムの単一の堆積によって）上に重ねる犠牲材料の層を形成しなければならなくなる前に構造材料の堆積によって形成することができるものに相当する。流れ制御構造体（流れ調節構造体の第２の部分（第１の態様）、カンチレバー構造体（第２の態様）、およびバッフル（第３の態様））は、少なくとも第１の製造レベルにおいて作製され得、一方、第１のプレートは少なくとも第２の製造レベルにおいて作製され得る。流れ制御構造体が「第１の製造レベル」にあり、第１のプレートが「第２の製造レベル」にあるという特徴付けは、決して、第１の製造レベルが「第１に」堆積されるものであり、第２の製造レベルが「第２に」堆積されるものであることを必要とするのではないことを認識すべきである。さらに、第１の製造レベルと第２の製造レベルとが互いに直接隣接する必要はない。これらのＭＥＭＳ流量モジュールは適切な基板の上に作製することができ、第１のプレートは、基板と、流れ制御構造体が作製される別の構造層との間のどこかに配置される１つの構造層の中に作製され、あるいは逆もまた同様である。
【００３２】
流れ制御構造体および第１のプレートの一方または両方は、各々が単一の製造レベルに存在してもよく、あるいは複数の製造レベルに存在してもよい。上述の第１の例においては、単一の製造レベルにおける構造材料の堆積は、少なくとも概ね平坦な層を定めることができる。第１の例に関する別の選択肢は、単一の製造レベルにおける構造材料の堆積が、少なくとも概ね平坦な部分を定めることに加えて、下の製造レベルにおける下の構造層に向かって下向きに延びるが下の構造層までは到達しない１つまたは複数の構造を定めることに関するものである。いずれの状況においても、リリースの前に、少なくとも幾つかの場合には、流れ制御構造体と第１のプレートとの間全体に少なくとも幾らかの厚さの犠牲材料が配置されることになる。
【００３３】
上述の第２の例においては、隣接する製造レベルの２つまたはそれ以上の構造層またはフィルムは、直接界接する（例えば、一方が直接的に他方の上にある）位置関係で配置させることができる。流れ制御構造体または第１のプレートを定めることになる領域の上では、このことは、次の製造レベルにおいて構造材料を堆積させる前に１つの製造レベルにおいて構造材料の上に堆積させられる犠牲材料の除去を必要とすることになる。上述の第２の例に関する別の選択肢は、流れ制御構造体および／または第１のプレートのための異なる製造レベルにおける構造層またはフィルムの間の分離を維持するが、適切な構造的相互接続（例えば、離間した異なる製造レベルにおける隣接する構造層またはフィルムの間に延びる、複数の支柱、柱など）を両者間に与えることである。
【００３４】
第１、第２、および第３の態様のＭＥＭＳ流量モジュールは、好ましくは（いかなるタイプの外部電気信号も必要としない）受動的装置であり、任意の適切な用途のために用いることができる。ＭＥＭＳ流量モジュールの別の特徴付けは、これらが自己完結型構造であり、外力を必要としないという点で自律的であることである。例えば、これらのＭＥＭＳ流量モジュールのいずれも、任意のタイプの流路に（例えば、人工レザバ、生物学的レザバ、および／または環境といった任意の適切なタイプの一対の供給源の間に）配置することができ、さらに任意の適切な用途に用いることができる。すなわち、これらのＭＥＭＳ流量モジュールの１つまたは複数を、多数の供給源（例えば、２つまたはそれ以上）を流体的に相互接続する導管中に配置することができ、各供給源は、人工レザバ、生物学的レザバ、環境、または任意の他の適切な供給源とすることができる。１つの例は、眼の前眼房と眼の角膜の外側の場所との間に延びる導管の中に１つまたは複数のこれらのＭＥＭＳ流量モジュールを配置することである。別の例は、眼の前眼房と眼の強膜の外側の別の場所との間に延びる導管の中に１つまたは複数のこれらのＭＥＭＳ流量モジュールを配置することである。さらに別の例は、眼の前眼房と眼または身体の内部の別の場所との間に延びる導管の中に（例えば、シュレム管の中に）１つまたは複数のこれらのＭＥＭＳ流量モジュールを配置することである。いずれの場合でも、これらのＭＥＭＳ流量モジュールのいずれもこのような導管の中に直接配置することができ、あるいはこれらのＭＥＭＳ流量モジュールを導管の中に組み込むために、１つまたは複数のハウジングを用いることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
ここでは、本発明の種々の適切な特徴を示すのに少なくとも役に立つ添付図面と関連させて、本発明を説明する。一般に、本明細書において説明される装置は、微細加工される。限定的されるものではないが、ＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ、Ｇａｌｖｏｎｏｆｏｒｍｕｎｇ、Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）、ＳＬＩＧＡ（犠牲的ＬＩＧＡ）、バルク微細機械加工、表面微細機械加工、マイクロ放電加工（ＥＤＭ）、レーザ微細機械加工、３−Ｄステレオリソグラフィおよび他の技術を含む、「微細機械加工」と一般に特徴付けられる多数の微細加工技術が存在する。以下では、「ＭＥＭＳ装置」、「微細加工装置」などの用語は、１０ミクロン以下の形状サイズの実現を可能にする技術を用いて作られる任意の装置を意味する。
【００３６】
表面微細機械加工は、現在、本明細書に記載される種々の装置のための好ましい製造技術である。特に望ましい１つの表面微細機械加工技術は、「Ｍｅｔｈｏｄ  Ｆｏｒ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ  Ｆｉｖｅ−Ｌｅｖｅｌ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ａｎｄ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｆｏｒｍｅｄ」という名称の、２０００年７月４日に発行された特許文献１に記載されており、その開示全体は引用により本明細書に組み込まれる。表面微細機械加工は、得られる微細構造体の土台として機能する適切な基板（例えば、シリコンウェハ）を用いて、構造材料と犠牲材料の交互層を堆積することを伴う。次の層を堆積する前に、１つまたは複数のこれらの層の上で（集合的に、マスキング、エッチング、およびマスク除去操作を含む）種々の操作を行って所望の微細構造を定めることができる。微細構造は、この一般的な方式で定められたあと、微細構造および種々の犠牲層を１つまたは複数のエッチャントに曝すことによって、種々の犠牲層の全てまたは一部が除去される。これは一般に、微細構造を「リリースする」と呼ばれる。
【００３７】
本明細書で用いられる「犠牲層」という用語は、微細構造を作製するのに用いられるが、最終的な構造中には存在してない、表面微細機械加工された任意の微細構造のいずれかの層またはその層の一部を意味する。本明細書に記載される犠牲層の例示的な材料として、非ドープの二酸化シリコンまたは酸化シリコンと、ドープされた二酸化シリコンまたは酸化シリコンとが挙げられる（「ドープされた」とは、堆積の際にまたはその後に、付加的な元素材料がフィルムに添加されることを示す）。本明細書で用いられる「構造層」という用語は、犠牲層、および微細構造が作製される基板以外の、他のいずれかの表面微細機械加工された微細構造の層またはその層の一部を意味する。本明細書に記載される構造層の例示的な材料として、ドープされたまたは非ドープのポリシリコンと、ドープされたまたは非ドープのシリコンが挙げられる。本明細書に記載される基板の例示的な材料として、シリコンが挙げられる。本明細書に記載される種々の層は、例として、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）、およびプラズマ補助ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）を含む化学気相成長法（ＣＶＤ）、熱酸化処理、ならびに、蒸発ＰＶＤおよびスパッタリングＰＶＤを含む物理気相成長法（ＰＶＤ）などの技術によって、形成／堆積させることができる。
【００３８】
より一般的に言えば、表面微細機械加工は、基板、犠牲フィルムまたは層、および、構造フィルムまたは層の任意の適切な系を用いて行うことができる。多くの基板材料を表面微細機械加工工程に用いることができるが、それらの存在の普遍性および利用可能性のために、シリコン・ウェハが用いられる傾向がある。基板は、本質的には、その上に微細構造が作製される土台である。この土台材料は、微細構造を定めるのに用いられる処理に対して安定的なものでなければならず、微細構造を定めるのに用いられる犠牲／構造フィルムの処理に悪影響を及ぼす可能性があってはならない。犠牲フィルムおよび構造フィルムに関して、主な区別要因は、所望／所要のリリース・エッチャントに対する犠牲フィルムと構造フィルムとの間の選択性の違いである。この選択性の比は、約１０：１のオーダーであり、より好ましくは数百対１またはそれ以上であり、選択性の比が無限大であることが最も好ましい。こうした犠牲フィルム／構造フィルム系の例として、種々のシリコン酸化物／種々の形態のシリコン、ポリゲルマニウム／ポリゲルマニウムシリコン、種々の高分子フィルム／種々の金属フィルム（例えば、フォトレジスト／アルミニウム）、種々の金属／種々の金属（例えば、アルミニウム／ニッケル）、ポリシリコン／シリコンカーバイド、二酸化シリコン／ポリシリコン（すなわち、例えば水酸化カリウムのような異なるリリース・エッチャントを用いる）が挙げられる。二酸化シリコンおよび酸化シリコンの犠牲材料のためのリリースエッチャントの例は、典型的には、フッ化水素（ＨＦ）酸ベースのもの（例えば、実際は４９ｗｔ％のＨＦ酸と５１ｗｔ％の水である濃ＨＦ酸、水で希釈した濃ＨＦ酸、緩衝ＨＦ酸（ＨＦ酸およびフッ化アンモニウム））である。
【００３９】
上述の特許文献１に記載されている微細加工技術は、交互に配置された複数の構造層（例えば、ポリシリコン、したがってここでは「Ｐ」層と呼ぶ）と犠牲層（例えば、二酸化シリコン、したがってここでは「Ｓ」層と呼ぶ）とを用いる。上述の特許文献１に記載されている微細加工技術において種々の層を説明するのに一般に用いられる名称を、本明細書においても用いる。
【００４０】
図１は、表面微細機械加工に適しており、特許文献１に一般に関連付けられる名称に従った、基板１０上の層の１つの実施形態を概略的に示す。基板１０から離れる方向に向かって、種々の層は、誘電体層１２（誘電体層１２と基板１０との間にも中間酸化物層が存在する場合もあるが、それは図示されていない）、Ｐ０層１４（第１の製造レベル）、Ｓ１層１６、Ｐ１層１８（第２の製造レベル）、Ｓ２層２０、Ｐ２層２２（第３の製造レベル）、Ｓ３層２４、Ｐ３層２６（第４の製造レベル）、Ｓ４層２８、およびＰ４層３０（第５の製造レベル）である。幾つかの場合においては、Ｐ２層２２がＰ１層１８上に直接堆積するように、リリースの前にＳ２層２０を除去することがあり、このような場合を以下、Ｐ１／Ｐ２層と呼ぶ。Ｐ４層３０の形成後、Ｓ１層１６、Ｓ２層２０、Ｓ３層２４、およびＳ４層２８の全体を除去することができる（とはいえ、リリース・エッチャントから保護されるように適切に覆われている場合には、１つまたは複数の目的のためにこれらの層の１つまたは複数の一部を維持することができる）リリースの前に、１つまたは複数の他の層をＰ４層３０の上に堆積させることができることも認識すべきである。次の構造層を堆積させる前に特定の犠牲層の厚さ全体を貫通するカットまたは開口部を形成することによって、隣接する構造層を構造的に相互接続できることも認識すべきである。この場合においては、構造材料は、特定の犠牲層の上面に堆積するだけでなく、これらのカットまたは開口部内にも同様に堆積することになる（これにより、一対の隣接する離間した構造層を相互接続することになる）。
【００４１】
参照符号４０で識別され、圧力または流れ調節能、濾過能、またはその両方を提供するＭＥＭＳ流量モジュール（ＭＥＭＳ装置）の１つの実施形態の概略的な構造を図２Ａ−図２Ｃに示す。ＭＥＭＳ流量モジュール４０は、平面図において円形の構成を有するように示されているが、いかなる適切なサイズのいかなる適切な構成も利用することができる。
【００４２】
図２Ａ−図２Ｂに示されるように、ＭＥＭＳ流量モジュール４０は、流れプレート５０を貫通して延び、図示された実施形態においては共通の中心点の周りに等間隔で離間配置される流れポート５２を有する、（例えば、Ｐ３層２６において作製される）流れプレート５０を含む。任意の数の流れポート５２を利用することができ、流れポート５２は任意の適切なサイズおよび／または構成とすることができる。流れポート５２は、他の適切な配置で配置されることもできる。ＭＥＭＳ流量モジュール４０（ならびに本明細書に記載される他のＭＥＭＳ流量モジュール）を、目標とする圧力差に対して目標とする流量を可能にするように構成することが典型的である。他の圧力差においてＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る流量は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の種々の特性に依存する。
【００４３】
ＭＥＭＳ流量モジュール４０はさらに、（例えば、Ｐ２層２２において、または組み合わされたＰ２層２２／Ｐ１層１８において作製される）流れ制御または調節構造体６２と、（例えば、Ｐ２層２２において、または組み合わされたＰ２層２２／Ｐ１層１８において作製される）外側支持リング６８とを含む。すなわち、未変形状態（例えば、圧力差がない場合）の調節構造体６２では、外側支持リング６８と調節構造体６２は少なくとも概ね同一平面の位置関係で配置されることができる。外側支持リング６８は、任意の適切なサイズ、形状、および／または構成とすることができる。図示された実施形態においては、外側支持リング６８は、共通点の周りに完全に３６０度延在しているという点で、環状である。「環状」は、外側支持リング６８が円形であることを必要とはしない。ＭＥＭＳ流量モジュール４０は、各々が１つまたは複数の流れポートを有する１つまたは複数の追加の流れプレートを含むことができる。例えば、このような別の流れプレートは、調節構造体６２がこの追加の流れプレートと流れプレート５０との間に「サンドイッチ」されるように設けることができる。別の流れプレートは、図４Ａ−図４Ｃの実施形態の方法で設けることができる。これらの追加の流れプレートは両方とも、同様に利用することができる。任意の追加の流れプレートまたは複数の流れプレートは、別の流れプレートと離間した位置関係で配置されてもよく（例えば、任意の適切なタイプの１つまたは複数の構造的相互接続を通じて別の流れプレートと固定的に相互接続する場合を含む）、あるいは、別の流れプレートと界接する位置関係で配置されてもよい（例えば、流れプレートはＰ４層３０において作製されることができ、これが順次、Ｐ３層２６において作製された流れプレート５０の上に直接堆積される）。
【００４４】
調節構造体６２は、特定の部分または支持部６４と、支持部６４から（例えば、スポーク状様式で）半径方向外向きに延びることによって特徴付けられることができる複数のカンチレバー構造体またはバッフル６６とを含む。バッフル６６は、外側支持リング６８のような共通の支持部から同様に半径方向内向きに延びることもできることが認識されるべきである（図示せず）。すなわち、支持部６４は、支持部６４に片持ちされた（例えば、各バッフル６６の一端７６は支持部６４に取り付けられ、反対の端部７８は「自由」または支持されていない）バッフル６６に対して支持機能を提供する。一般に、支持部６４およびバッフル６６の両者は、バッフル６６と流れプレート５０との間の間隔を変化させる目的で各バッフル６６が屈曲することを可能にする任意の適切なサイズ／形状／構成とすることができる。この図示された実施形態においては、各バッフル６６は、その長さ次元（特定のバッフル６６が支持部６４に取り付けられた位置からその自由端７８までの距離に対応する）に対して直角をなす軸線を少なくとも概ね中心として屈曲する。流れ調節構造体６２の支持部６４の中心部分（例えば、図２Ｂにおいて点線で識別されているような領域）を除去することによって、流れプレート５０の剛性を低減することができ、これは少なくとも１つまたは複数の用途のためには望ましい場合がある。すなわち、支持部６４の上記の部分を除去することで、流れプレート５０を図２Ｂにおいて提示されている構成よりも屈曲させることができる。
【００４５】
各バッフル６６は流れプレート５０を通る少なくとも１つの流れポート５２と関連付けられるが、任意の数のバッフル６６を用いることができ、バッフル６６は任意の適切な配置で配置されることができる。図示された実施形態においては、バッフル６６は支持部６４の周りに等間隔で離間配置され、少なくとも概ね共通の位置から延びている（例えば、各バッフルの長さ次元は、共通の点から発する半径に沿って配置される）。図示されるように、各バッフル６６は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の両側での少なくとも特定の圧力差の発生に関連して流れポート５０に対して動くように作動可能な自由端７８を有する。さらに、各バッフル６６は、バッフル６６が流れプレート５０に対して隣接する位置関係のときに、対応する流れポート５２に（例えば、その上に配置されるか、あるいは覆う位置関係で）重なる大きさで作られる。バッフル６６を屈曲させるのに必要とされる圧力差の量は任意の適切な大きさとすることができるが、好ましくは、バッフル６６は、圧力差がゼロを超えたときはいつでも、あるいは圧力差における変化があったときはいつでも、すくなくともある程度は動くことになる。従って、流れプレート５０に対するバッフル６６の動きは、対応する流れポート５２を通る流れを調節する。バッフル６６の機能は、本明細書においてより詳細に論じられる。
【００４６】
図示された実施形態において、流れプレート５０は少なくとも１つの製造レベルに存在し、調節構造体６２は少なくとも１つの異なる製造レベルに存在する（例えば、流れプレート５０および調節構造体６２はＭＥＭＳ装置の隣接する構造層において作製され得る）。詳細には、流れプレート５０はＰ３層２６において作製され、調節構造体６２は少なくともＰ２層２２において作製されることができる（図１参照）。ＭＥＭＳ流量モジュール４０は、流れプレート５０の上面の外周部に固定的に相互接続した、あるいは外側支持リング６８の反対側にあるリング４８を含むことができる。すなわち、流れプレート５０の環状部分はリング４８と外側支持リング６８との間に「サンドイッチ」されることができる。このリング４８は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０が作製された後に流れプレート５０に取り付けられるか、または流れプレート５０の上に形成される金属リングであってもよく、あるいは他の製造レベル（例えば、Ｐ４層３０）から作られてもよい。一般に、リング４８は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を組み入れるハウジングまたは他の構造体との所望の界面を提供することができる。
【００４７】
認識されるように、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の種々の構成要素は、ＭＥＭＳ構造体の異なる層内に形成されることができる。さらに、特に指定のない限り、ＭＥＭＳ流量モジュールの種々の構成要素は、逆順でも同様に形成されることができることが理解される。しかしながら、図示された実施形態においては、調節構造体６２は、少なくともＰ２層２２において形成され（Ｐ２層２２とＰ１層１８が界接する位置関係で配置されている場合にはＰ１層１８の中でも可能である）、流れプレート５０はＰ３層２６において形成される。従って、この場合、Ｓ３層２４をリリースによって除去すると、流れプレート５０の底面と調節構造体６２の上面および外側支持リング６８の上面の各々との間に約２ミクロンの間隔が存在し得る。
【００４８】
図２Ｂは、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の分解斜視図を示す。詳細には、図２Ｂは、流れプレート５０に平行な面に沿って、複数の流れ制限リング５４（後述する）と調節構造体６２との間の空間内の流れプレート５０と調節構造体６２との間の位置で、流れプレート５０を調節構造体６２および外側支持リング６８から回転または旋回させて見たＭＥＭＳ流量モジュール４０の断面である。図示されるように、微細加工プロセスの間に、調節構造体６２と流れプレート５０とを相互接続するための、ならびに外側支持リング６８と流れプレート５０の底部外周部とを相互接続するための種々の構造が形成される。より詳細には、複数の相互接続部またはアンカ７０が、調節構造体６２の支持部６４と流れプレート５０の底部中央部分との間に形成される。任意の数のアンカ７０を利用することができ、アンカ７０は任意の適切なサイズ、形状、および構成とすることができ、アンカ７０は任意の適切な配置で配置されることができる。同様に、複数の「半径方向に離間した」環状コネクタ７２が外側支持リング６８と流れプレート５０の底部との間の流れポート５２を囲むような位置に形成される。「環状」は、再度言うが、コネクタ７２が共通参照点の周囲に完全に３６０度延在していることを意味するのみであり、従ってコネクタ７２が円形の構成を有することに限定されない。任意の数のコネクタ７２を利用することができる。図示されるように多数の半径方向に離間したコネクタ７２を用いることで、冗長な半径方向のシールが提供され、これは１つまたは複数の用途については望ましい場合がある。
【００４９】
調節構造体６２と外側支持リング６８とが少なくともＰ２層２２において作製される場合を検討する（再度言うが、典型的にはＰ２層２２およびＰ１層１８は界接する位置関係で配置される）。この場合、アンカ７０および環状コネクタ７２は、調節構造体６２および外側支持リング６８が少なくともＰ２層２２からパターン形成された後に作製することができる。これらの構造体６２、６８が作製されたら、Ｓ３層２４を、調節構造体６２および外側支持リング６８の両方の上、ならびに個別のバッフル６６間の空間内および調節構造体６２と外側支持リング６８との間の空間内に堆積することができる。Ｓ３層２４は次に、アンカ７０の所望の断面構成および位置に対応するＰ２層２２へと下向きに延びる複数の孔を定めるようにパターン形成されることができ、Ｓ３層２４はまた、環状コネクタ７２の所望の断面構成および位置に対応するＰ２層２２へと下向きに延びる複数の環状トレンチを定めるようにパターン形成されることができる。これらの孔およびトレンチは、Ｓ３層２４を貫通してＰ２層２２へと下向きに延びる。次に、Ｐ３層２６を、Ｓ３層２４の上面の上、およびＳ３層２４の孔およびトレンチの中へと堆積することができる。このＰ３層２６は次に、流れプレート５０の外周部、およびその中に拡がる種々の流れポート５２を定めるようにパターン形成されることができる。アンカ７０、環状コネクタ７２、および流れプレート５０はそれによってＰ３層２６から作製され、共通の製造レベルに存在する。従って、アンカ７０は調節構造体６２の支持部６４を流れプレート５０の底面に固定的に相互接続し、環状コネクタ７２は外側支持リング６８を流れプレート５０の底部に固定的に相互接続する。
【００５０】
図２Ｃは、代表的な流れポート５２および対応するバッフル６６の一般的な動作を示す。図２Ｃに示されるように、流れプレート５０およびバッフル６６は、原点または第１の位置で示されており、あるいは換言すれば、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の両側の圧力差はバッフル６６を流れプレート５０から離れる方向に撓ませるにはいまだ十分ではない（好ましくは、これはバッフル６６の両側の圧力差がない場合の位置である）。後者の点については、流れプレート５０の上方の第１の圧力ＰＨは、バッフル６６を流れプレート５０から離れる方向に撓ませるのに十分なほど、バッフル６６の下方の第２の圧力ＰＬより大きくない。この原点位置において、流れプレート５０およびバッフル６６は、隣接する構造／製造ＭＥＭＳ層間の典型的な間隔に従って、およそ２ミクロン離れて離間することができる。ＭＥＭＳ流量モジュール４０の両側の圧力差は、バッフル６６を感知できるほどに撓ませるのに十分ではないとはいえ、圧力差はそれにもかかわらず存在し得る。従って、２ミクロンの間隔がバッフル６６と流れプレート５０との間に維持されるならば、望ましくない流れがＭＥＭＳ流量モジュール４０を通って第１の圧力ＰＨの側から第２の圧力ＰＬの側に向かって進むことがある。このような望ましくない流れには、各流れポート５２に対して適切な構造を設けて、所望の大きさ／量の流れ制限を創り出すことによって対処することができる。図示された実施形態においては、環状流れ制限壁またはリング５４の形状の流れ制限構造体が各流れポート５２ごとに設けられる。「環状」は、流れ制限リング５４が共通点の周囲に完全に３６０度延在することを意味し、流れ制限構造体５４を円形の構成に限定するものではない。他のタイプの流れ制限構造体も同様に利用することができる。例えば、流れ制限構造体５４の各々は、任意の適切なサイズ／形状／構成の複数の流れ制限セグメントで置き換えることができ、流れ制限セグメントの隣接する対は、互いに適切に離間配置される。このような流れ制限セグメントと対応するバッフル６６との間の間隙、ならびに流れ制限セグメントの隣接する対の間の間隙は、所望の程度の流れ制限を提供することになる。共通の流れ制限構造体を、複数の第１の流れポート５２に関連付けることもできる（例えば、流れ制限リング５４または複数の流れ制限セグメントを第１の流れポート５２の群の周囲に集合的に配置することができる）。
【００５１】
流れプレート５０が調節構造体６２よりも基板１０から離れたレベルにおいて作製される場合には、環状流れ制限リング５４の各々は、流れプレート５０の底面上、または調節構造体６２に面した面上に配置されることができる。流れプレート５０が調節構造体６２よりも基板１０に近いレベルにおいて作製される場合、環状流れ制限リング５４の各々は、バッフル６６の上面上、または流れプレートに面する面上に配置されることができる。いずれの場合においても、流れ制限リング５４の各々の機能は、関連するバッフル６６と流れポート５２との間の流れチャネルのサイズを小さくすることである。１つの実施形態において、バッフル６６が撓んでいない状態または図２Ｃの「原点」位置にある場合、図示された実施形態の流れ制限リング５４の底部と対応するバッフル６６との間の間隙５８は約０．４ミクロン以下のオーダーである。例えばＭＥＭＳ流量モジュール４０が使用される用途に応じて、他の間隔も適切であり得る。他の実施形態において、図２Ｃの構成における間隙５８の高さは、約０．３ミクロンを超えないが、少なくとも特定の例においては約０．１ミクロン以下の高さが望ましい場合がある。これらと同様の間隔は、環状流れ制限リング５４が代わりにバッフル６６から上述の方式で延びている場合に、実現／利用されることができる。さらに、同様の間隔は、特定の流れ制限リング５４が互いに適切に離間した複数の流れ制限セグメントで置き換えられた場合に、実現／利用されることができる。
【００５２】
環状流れ制限リング５４は、アンカ７０および環状コネクタ７２と組み合わせて形成されることができる。詳細には、環状の溝を、バッフル６６の各々の上にＳ３層２４を通ってＰ２層２２まで形成することができる。環状流れ制限リング５４をバッフル６６から分離するために、犠牲材料の（例えば、約０．３ミクロン以下で間隙５８の所望のサイズに対応する）非常に薄い層をＳ３層２４の上部およびこれらの環状溝の基部に堆積することができる。この層の厚さは小さい寸法に限定できる。理解されるように、環状流れ制限リング５４に対応する環状溝の形成および犠牲材料の堆積は、アンカ７０および環状コネクタ７２に対応する孔および環状溝の形成の前に行うことができる。犠牲材料の薄層の堆積の結果、リリースの後に、バッフル６６の上部と環状流れ制限リング５４の底部との間に狭い間隙５８がもたらされる。堆積の厚さは、（環状流れ制限リング５４の底面とバッフル６６の上面との間の）得られる間隙５８が、バッフルが流れプレート５０から離れる方向に原点位置から撓んでいないときにＭＥＭＳ流量モジュール４０を横切る流れを実質的に制限するように、制御されることができる。各間隙５８はまた、バッフル６６と流れプレート５０との間を進もうとする流れに対する、ある種のフィルタ・トラップ間隙を定めることもできる。１つの実施形態において、各間隙５８は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る所望の流れ制限も提供しながら、バッフル６６が図２Ｃに図示される位置にあるときに、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る流れを濾過することができる。少なくとも特定の圧力差に応じて対応する流れポート５２から離れる方向にバッフル６６が動くことで、ＭＥＭＳ流量モジュール４０がより多い流れを収容するようになるという点で圧力調節機能が提供される。この圧力調節機能が提供されているときには、流れ制限リング５４はいかなる顕著な濾過機能も提供しない場合がある。少なくとも特定の用途において、流れ制限リング５４の主機能は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る流量を制限することであり、濾過機能の提供ではない。しかし、再度言うが、流れ制限リング５４は、所望／必要に応じて濾過機能を提供することができる。
【００５３】
間隙５８は、環状流れ制限リング５４と対応するバッフル６６とが、バッフル６６のいかなる撓みも必要とせずにＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る少なくとも特定の流れを可能とするように離間配置されるように、設計されることができる。すなわち、ＭＥＭＳ流量モジュール４０は、常時、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る少なくとも特定の限定された流れを可能とする、常に開放された流路を提供するように設計することができる。このような常に開放された流路は、少なくともいくつかの点で有益であり得る。１つは、ＭＥＭＳ流量モジュール４０が眼内の眼圧を軽減するために（例えば、眼のインプラントの中に取り入れられることによって）用いられる場合に関する。この場合、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の流れプレート５０は「前眼房」側に置くことができる（例えば、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る患者の眼の前眼房の房水の流れは、１つまたは複数の流れポート５２を通って、次にバッフル６６と流れプレート５０との間を通り、次いで最終的にＭＥＭＳ流量モジュール４０から流出する）。常時存在する開放された流路を（常にゼロより大きい容積を有するように）有することは、眼のシュレム管を通って患者の前眼房から出る房水の流れを少なくとも一般的に模倣すると考えられる。しかしながら、ＭＥＭＳ流量モジュール４０は、少なくとも特定の圧力差（例えば、上述のように実際にはゼロとすることができる圧力差の「設定値」）が存在するまでは、バッフル６６が対応する環状流れ制限リング５４上に実際に直接的に配置され、その後、バッフル６６が対応する環状流れ制限リング５４に対して離間した位置関係になるように動き、流路を開放するように設計することができる。
【００５４】
各バッフル６６は、その基部または固定端７６で調節構造体６２の支持部６４に相互接続される。図２Ｂおよび図２Ｃを参照のこと。自由基部７６と対向して、バッフル６６の自由端７８がある。バッフル６６の自由端７８は、少なくとも特定の圧力差を経験しているバッフル６６に応じて、少なくとも概ね弓形の経路に沿って動くように作動する。より詳細には、バッフル６６は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の両側に存在する少なくとも特定の圧力差に応じて屈曲する。特定のバッフル６６の対応する流れポート５２に面した側にかかる圧力が、このバッフルの反対側にかかる圧力よりも少なくとも特定量だけ大きい場合、この圧力差は、図２Ｃで見て下向きにバッフル６６を屈曲させるように作動する、バッフル６６にかかる力をもたらす。すなわち、バッフル６６は対応する流れポート５２および環状流れ制限リング５４から離れる方向に屈曲して、ＭＥＭＳ流量モジュール４０内にさらに流路セグメントを開放する。この屈曲はまた、各バッフル６６中に力を貯蔵し、または応力を生成し、これは、圧力差の大きさが減少すると、図２Ｃに示される位置に向かって、またはその位置にバッフル６６を戻すために用いられることができる。すなわち、バッフル６６は、圧力差が特定量を超えて増大すると、好ましくは弾性変形し、バッフル６６の弾性は、圧力差の減少の大きさに応じて、それぞれの原点位置（例えば図２Ｃ）に向かう、またはその位置へのバッフル６６の動きに少なくとも寄与する回復力を提供することができる。
【００５５】
流路セグメントの容積は、少なくとも部分的にバッフル６６の屈曲に依存する。バッフル６６が対応する流れポート５２から離れて屈曲するほど、流路セグメントの容積は（例えば、特定の最大値まで）大きくなる。重要なことに、バッフル６６の動きは、流れポート５２を通る流量をＭＥＭＳ流量モジュール４０の両側の圧力差の増大に対して比例するよりも大きく増大させることができる。バッフル６６が流れプレート５０から離れて動くことができる最大距離は、例えば、適切な移動リミッタなど（例えば、機械的な「キャッチ」）を用いることによって制御することができる。
【００５６】
典型的には、ＭＥＭＳ流量モジュール４０は、高圧源ＰＨ（例えば、患者の眼の前眼房）が流れプレート５０の上部、または調節構造体６２から離れた方向に突き出たもしくは調節構造体６２の反対側に面した流れプレート５０の表面の上で作用し、一方、典型的には、低圧源ＰＬ（例えば、環境）が流れプレート５０の底部、または調節構造体６２に向かってもしくは調節構造体６２に面した流れプレートの表面の上で作用するような用途で使用される。高圧源ＰＨからの圧力の変化は、１つまたは複数のバッフル６６を流れプレート５０からさらに離れる方向に動かし、これによりＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る流量を増大させることができる。好ましくは、高圧源ＰＨからの圧力の非常に小さな変化が、流れポート５２を通ってバッフル６６を通過してＭＥＭＳ流量モジュール４０から出る流量の線形よりも大きな変化を可能とする。例えば、高圧源ＰＨの圧力の小さな増大は、バッフル６６の撓みを増大させて（すなわち、環状流れ制限リング５４からさらに離れるようにバッフル６６が動くように）、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る流量において線形を超える増大を与えることができる。すなわち、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通過する流量とＭＥＭＳ流量モジュール４０が経験する圧力差における変化の間には、好ましくは非線形的な関係が存在する。バッフル６６と環状流れ制限リング５４との間の空間によって定められる流路セグメントを通る流量は、この流路セグメントの高さ、またはバッフル６６と対応する環状流れ制限リング５４との間の間隙５８の３乗の関数となる（少なくとも、これらの寸法および流量において典型的に遭遇する層流の場合）。換言すれば、特定のバッフル６６の両側の圧力差における少なくとも特定の変化の発生は、流れ制限リング５４と対応するバッフルとの間の流れチャネルセグメントの容積における線形を超える増大を与えることになる。
【００５７】
ＭＥＭＳ流量モジュール４０が疾患状態の患者の眼の前眼房の中の圧力を調節するためのインプラントで用いられ、この眼の前眼房内の圧力を約５ｍｍＨＧに維持することが望まれる場合を検討する。バッフル６６の剛性は、前眼房から出てＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る流量を、患者の眼の前眼房内の最大圧力が（ＭＥＭＳ流量モジュール４０が設計された範囲全体にわたって）約７−８ｍｍＨＧを超えないように調節するように設定することができる。換言すれば、バッフル６６の剛性は、少なくとも合理的に予期できる患者の眼の前眼房内の圧力の範囲で、患者の眼の前眼房内で少なくとも実質的に一定の圧力（この例では、高圧源ＰＨ）を維持することを可能にする。
【００５８】
ＭＥＭＳ流量モジュール４０の両側の圧力、および／またはＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る流れを調節するために、流れポート５２および／またはバッフル６６の１つまたは複数の特性を調整することができる。理解されるように、圧力差によって各バッフル６６にかかる力は、対応する流れポート５２の面積に比例する。従って、流れポート５２のサイズ（例えば直径）を調整することによって、所与の圧力差でバッフル６６にかかる力を増大および／または減少させることができる。同様に、バッフル６６の剛性は、特定の用途に対して設計することができる。この点について、バッフル６６は、固定された基部７６および自由端７８を有する梁に連結することができる。このような梁の幅、高さ、断面形状および／または長さを調整することによって、バッフル６６の剛性を調整することができる。バッフル６６の剛性は、もちろん、バッフル６６の屈曲を開始させるために存在しなければならない圧力差の大きさに影響を与える。
【００５９】
ＭＥＭＳ流量モジュール４０の圧力または流れ調節機能に寄与し、概要を保証する多くの特徴および／または関係がある。第１は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０が自律的または自己完結型装置であることである。ＭＥＭＳ流量モジュール４０を作動させるために外部電力は必要とされない。換言すれば、ＭＥＭＳ流量モジュール４０は受動的装置であり、ＭＥＭＳ流量モジュール４０がその圧力または流れ調節機能を提供するためにバッフル６６を流れプレート５０に対して動かすために、いかなるタイプの外部電気信号も必要としない。その代わり、流れプレート５０に対するバッフル６６の位置は、バッフル６６が経験する圧力差に依存し、そして、ＭＥＭＳ流量モジュール４０から（隣接するバッフル６６間および／またはバッフル６６と外側支持リング６８との間の空間を通って）出る流量は、流れプレート５０に対するバッフル６６の位置（それらの間の間隔（例えば空隙５８）、従ってこの流路セグメントのサイズ）に依存する。最後に、ＭＥＭＳ流量モジュール４０はその中を通る層流に対して設計され得るが、ＭＥＭＳ流量モジュールは中を通る乱流に対しても同様に適用可能であることに留意すべきである。
【００６０】
理解されるように、ＭＥＭＳ流量モジュール４０のリリースの前に、少なくとも１つの犠牲層（例えば、Ｓ３層２４）が流れプレート５０と調節構造体６２との間に配置されるが、少なくとも１つの犠牲層（例えば、Ｓ１層１６）が調節構造体６２の流れプレート５０に面する側とは反対側に配置されることになる。これらの犠牲層を除去するために、複数のリリース・エッチング孔が、これらの犠牲層を除去するために必要とされる時間量を低減するために、流れプレート５０を貫通し、かつ調節構造体６２を貫通して形成されてもよい。典型的には、これらのリリース・エッチング孔は、約１ミクロンを超えない直径を有する。少なくとも特定のリソグラフィ技術は、約１ミクロンのオーダーの直径を有するリリース・エッチング孔を形成することしかできない。理解されるように、このようなリリース・エッチング孔は、得られたＭＥＭＳ流量モジュール４０中に残ることになる。ＭＥＭＳ流量モジュール４０について、このサイズのリリース・エッチング孔に関連付けられる多くの潜在的な不利益が存在する。１つは、このサイズのリリース・エッチング孔が多数存在すると、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る最小流量が望ましくないほど高くなり得ることである。すなわち、このサイズのリリース・エッチング孔は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の流れまたは圧力調節能力に対して望ましくない影響を与える可能性がある。他には、約１ミクロンまたはそれ以下のサイズの潜在的な望ましくない汚染物質が、このようなリリース・エッチング孔を通ることによって、ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通過し得ることである。
【００６１】
リリース・エッチング孔の直径を十分に小さく（例えば、約０．２または０．３ミクロンを超えない直径）できない場合、および、ことによると、ＭＥＭＳ流量モジュール４０中の特定のリリース・エッチング孔の位置に依存する場合、流れ制限構造体または流れ制限体をこれらのリリース・エッチング孔の１つまたは複数に関連して設けることができる。単一の流れ制限体を所与の製造レベルにおける単一のリリース・エッチング孔に関連付けてもよく、あるいは所与の製造レベルにおける多数のリリース・エッチング孔に関連付けてもよい。ＭＥＭＳ流量モジュール４０の場合、流れ制限体は、流れプレート５０を通る各リリース・エッチング孔ごとに設けることができる。しかしながら、流れプレート５０の対応する流れポート５２に位置合わせされ、あるいはこの流れポート５２に囲まれた、バッフル６６を通るリリース・エッチング孔のみに、流れ制限体が必要とされてもよい。流れ制限体は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０によって利用される各リリース・エッチング孔ごとに設けられてもよく、あるいはＭＥＭＳ流量モジュール４０によって利用される任意の数のリリース・エッチング孔ごとに設けられてもよい。例えば、流れ制限体は、流れプレート５０を通るリリース・エッチング孔の特定の割合に対して用いてもよく、あるいはまた同様に、流れプレート５０の対応する流れポート５２に位置合わせされ、あるいはこの流れポート５２に囲まれた、バッフル６６を通るリリース・エッチング孔のみに用いてもよい。しかしながら、流れ制限体は、特定のバッフル６６を通る任意の数のリリース・エッチング孔に対して用いることができる。
【００６２】
バッフル６６がその原点位置にあるときにＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る制限された流れを提供することに対する要請は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０が生物学的レザバ（例えば、ヒトの眼の内部室（ｉｎｔｅｒｉｏｒ  ｃｈａｍｂｅｒ）、頭蓋レザバ室（ｃｒａｎｉａｌ  ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ  ｃｈａｍｂｅｒ））を他の生物学的レザバ、環境、および／または人工レザバから隔離するような生物学的用途において、特に重要であり得る。ＭＥＭＳ流量モジュール４０を通る望ましい制限された流れを提供するために、適切な流れ制限体を任意の所望のリリース・エッチング孔に対して形成することができる。図２Ｄは、流れプレート５０を通り、かつ流れプレート５０の調節構造体６２とは反対側に位置するリリース・エッチング孔５６に対して形成されることができる流れ制限体８０の１つの実施形態を示す。この同じ流れ制限体８０、または少なくとも主として同じものを、ＭＥＭＳ流量モジュール４０内のどこにおいても用いることができることが理解される。この流れ制限体８０は、約０．４ミクロン以下の間隙を通る制限された流れを提供するように作動する。この間隙のサイズ、従って流れ制限の程度は、特定の用途に対する所望／必要に応じて、選択されることができる。約０．３ミクロン以下のオーダーの間隙が、少なくとも特定の用途に対して好適であり得る。他の実施形態において、間隙は、約０．１ミクロン以下のオーダーである。
【００６３】
このような流れ制限体８０の各々は、上部プレート８２（例えば、Ｐ４層３０において形成される）、上部プレート８２を貫通するリリース・エッチング孔８４、上部プレート８２を流れプレート５０に相互接続する環状保持壁８６、および上部プレート８２に相互接続し、下方に延びているが、流れプレート５０に達しない１つまたは複数の流れ制限壁８８を含む。単一の流れ制限壁８８を、参照軸の周囲に３６０度延在し、流れ制限体８０に対して「内部に位置する」閉じた外周部を定める環状構造の形状で設けることができる（図示された実施形態）。互いに適切に離間した多数の流れ制限壁８８を同様に利用することができる。環状保持壁８６は、上部プレート８２のリリース・エッチング孔８４と流れプレート５０のリリース・エッチング孔５６の間の全ての流れを含む。従って、流れプレート５０を通るリリース・エッチング孔５６は、環状保持壁８６の閉じた外周部の内部に配置される。同様に、上部プレート８２内のリリース・エッチング孔８４も、環状保持壁８６の閉じた外周部の内部に配置される。上述のように、現在のリソグラフィ技術は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の目的のために十分なほど小さいサイズのリリース・エッチング孔５６、８４を生成することができない。従って、流れ制限体８０は、環状保持壁８６の中または内部に配置された少なくとも１つの流れ制限壁８８を利用して、所望の流れ制限を提供する（および、所望／必要であれば、流れ制限体８０を通過することができる微粒子／汚染物質のサイズを制限する）。
【００６４】
図示されるように、各流れ制限壁８８は、上部プレート８２の底面に固定的に相互接続される。環状保持壁８６と同様に、流れ制限壁８８は、参照軸の周囲に３６０度延在して閉鎖された外周部を定めることができる。図示された実施形態において、上部プレート８２を通るリリース・エッチング孔８４は、環状流れ制限壁８８の閉鎖された外周部の内部または半径方向内側に配置され、一方で、流れプレート５０を通るリリース・エッチング孔５６は環状流れ制限壁８８の閉鎖された外周部の外部または半径方向外側に配置される。逆も当然、同様になされる。流れ制限壁８８は、流れプレート５０の表面に向かって下向きに延びるが、その表面に接触はしない。すなわち、間隙９０が、流れプレート５０の上部と流れ制限壁８８の下縁部との間に存在する。この間隙９０は、流れ制限体８０に対して所望の流れ制限を提供する。
【００６５】
上述の環状流れ制限リング５４と同様に、この間隙９０のサイズは、所望の流れ制限を提供するために（および、所望／必要であれば、流れ制限体８０を完全に通過する所望されない汚染物質の可能性を低減することができる間隔を提供するためにも）、流れ制限体８０ごとに細かく制御することができる。従って、流れ制限体８０は、上述の環状流れ制限リング５４と同様の方式で形成される。この点について１つの実施形態において、流れプレート５０がパターン形成されたら、犠牲層（例えば、Ｓ４層２８）を流れプレート５０の上面に堆積することができる。流れプレート５０の表面に向かってずっと延びた複数の環状溝を犠牲層中に形成することができる。これらの環状溝は、種々の流れ制限体８０のための環状流れ制限壁８８を形成することになる。例えば約０．３ミクロン以下の非常に薄い犠牲材料の層を、次に環状溝の基部に堆積することができる。この犠牲材料の薄層は、リリースの後、環状流れ制限壁８８と流れプレート５０の上面との間の間隔を規定する（すなわち、間隙９０を定める）。犠牲材料の薄層が堆積されたら、犠牲層中に、これもまた、流れプレート５０の表面に向かって下向きにずっと延びる環状溝の第２の組を形成することができる。これらの追加の環状溝は、種々の流れ制限体８０のための外側保持壁８６を形成することになる。従って、次に上部プレート８２を定める製造レベル（例えば、Ｐ４層３０）を犠牲層（例えば、Ｓ４層２８）の上部に堆積させて、環状保持壁８６と環状流れ制限壁８８とを定める２組の円筒形の孔が、各流れ制限体８０の上部プレート８２を形成するのと同じ製造レベル中で充填され、存在するようにすることができる。この製造レベルは、次に、流れ制限体８０のための個別の上部プレート８２およびリリース・エッチング孔８４を定めるためにパターン形成されることができる。
【００６６】
この配置において、流体は、環状流れ制限壁８８の閉鎖された外周部内の上部プレート８２のリリース・エッチング孔８４を通り、環状流れ制限壁８８の底部と流れプレート５０の上部との間の間隙９０を通り、次に流れプレート５０内のリリース・エッチング孔５６を通らなければならず、逆もまた同様である。理解されるように、流れ制限体８０の構築は、環状流れ制限壁８８が流れプレート５０の上面に形成され、間隙９０が環状流れ制限壁８８と上部プレート８２の底面との間に存在するように、逆とすることができる。同様に、リリース・エッチング孔８４と５６のどちらを環状流れ制限壁８８の閉鎖された外周部内に配置するかは、設計選択事項である。重要なことは、リリース・エッチング孔５６と８４のうちの一方が環状流れ制限壁８８の閉鎖された外周部内に配置され、他方が環状流れ制限壁８８と環状保持壁８６との間に配置されることである。すなわち、流れ制限体８０を通る全ての流れは、好ましくは、所望のサイズの間隙９０を通ることを余儀なくされる。いずれの場合でも、所望の流れ制限を提供するために、間隙９０のサイズは、リリース・エッチング孔５６、８４のサイズよりも小さい寸法に限定されることができる。
【００６７】
図２Ｅは、流れ制限体９２の別の実施形態を示す。この流れ制限体９２は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０によって利用される他のリリース・エッチング孔のために用いることができるが、バッフル６６の１つを通るリリース・エッチング孔に関して図示されている。流れ制限体９２は、実際には、Ｐ２層２２およびＰ１層１８の両方から作製されるバッフル６６の構成中に一体化される。しかしながら、流れ制限体９２の基本的な構成／原理は、ＭＥＭＳ流量モジュール４０の離間した製造レベルの任意の対において実行することができる。
【００６８】
流れ制限体９２は、図２Ｄの流れ制限体８０とほぼ同じ方式で動作する。流れ制限体９２は、Ｐ２層２２を通って延び、集合的にバッフル６６を定めるＰ２層２２とＰ１層１８との界面部分の一部の間に形成された不連続なポケット６５に界接するリリース・エッチング孔９５を含む。リリース・エッチング孔６７は、Ｐ１層１８を通って延び、リリース・エッチング孔９５からずれるような位置でポケット６５に界接する。ポケット６５の高さは、所望の流れ制限を提供することができる。それに加えて、Ｐ２層２２は、Ｐ１層１８を通って延びるリリース・エッチング孔６７の中に延びるが、リリース・エッチング孔６７から離間したスタッド９８も含むことができる。リリース・エッチング孔６７を定めるスタッド９８とＰ１層１８の側壁との間の空間もまた同様に、所望の流れ制限を提供することができる。
【００６９】
上述の流れ制限体８０と同様に、流れ制限体９２は、一連のパターン形成、堆積、さらなるパターン形成、およびリリース・ステップによって形成することができる。詳細には、バッフル６６がＰ２層２２とＰ１層１８の両方から作製される図示された例では、Ｓ２層２０は、Ｐ１層１８の上面、ならびにリリース・エッチング孔６７の下部のみ、およびリリース・エッチング孔６７の側壁の縦の範囲全体に沿って堆積されることができる。Ｓ２層２０は、ポケット６５の外周を定める「島」を残してパターン形成されることができる。そのようにパターン形成されたら、Ｐ２層２２を、Ｓ２層２０の上、およびリリース・エッチング孔６７のＳ２層２０で占められていない部分の中に堆積することができる。その後、リリース・エッチング孔９５を、Ｐ２層２２の中に形成することができる。次いで、流れ制限体９２を用いるＭＥＭＳ流量モジュール４０は、リリースされることができる。
【００７０】
ＭＥＭＳ流量モジュールの別の例は、図３Ａ−図３Ｃに示されており、符号１４０で識別される。ＭＥＭＳ流量モジュール１４０は、多くの属性が、図２Ａ−図２Ｅで論じたＭＥＭＳ流量モジュール４０と共通しており、対応する構成成分についての先に提示された議論は、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０に適用することができる。主な違いは、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０がＭＥＭＳ流量モジュール４０とは異なるレベルから作製されることであり、さらに、流れプレート５０およびバッフル６６を通るリリース・エッチング孔の必要性を軽減する方法にある。従って、同様の構成成分には同様の符号が付されている。
【００７１】
図３ＡのＭＥＭＳ流量モジュール１４０は、複数の流れポート５２を有する流れプレート５０（例えば、Ｐ４層３０において作製される）と、調節構造体６２(例えば、Ｐ３層２６において作製される）と、外側リング６８（例えば、Ｐ３層２６において作製される）とを含む。上述のように、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０がＭＥＭＳ流量モジュール４０で用いられるのとは異なる製造レベルを用いることに加えて、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０は、上記のように種々のバッフル６６および流れプレート５０を通るいかなるリリース・エッチング孔も必要としない方法で作製される。この点で、上述のような流れ制限体は、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０には必要とされない。しかしながら、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０はやはり主として２つの製造レベルの装置であり、犠牲材料の層は、調節構造体６２および外側リング６８の両方を定める製造レベルの両側に配置され、これは、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０を意図された用途に用いる前に除去されなければならない。
【００７２】
典型的には、調節構造体６２の流れプレート５０に面する側とは反対側に犠牲材料（例えば、Ｓ３層２４）が存在し、同様に調節構造体６２の流れプレート５０に面する側とは反対側に犠牲材料（例えば、Ｓ４層２８）が存在することになる。この犠牲材料は、任意の適切な方法で除去されることができる。図３Ｃは、隣接するバッフル６６間に十分な間隙がある限りは、いずれのバッフル６６および／または支持部６４を通るリリース・エッチング孔もなしで、この犠牲材料を除去する１つの方法を示す。図示されるように、少なくともＰ２層２２が、互いに離間した複数のリリース・エッチング・レール１０２をＭＥＭＳ流量モジュール１４０の横方向の広がり全体にわたって形成するようにパターン形成され、これはその全体の開示が本明細書中に引用により組み入れられる特許文献２の開示に従う。これらのリリース・エッチング・レール１０２はまた、Ｐ１層１８においても同様に作製されることができる。より詳細には、これらのレール１０２の各々は、溝１０４によって分離される。一般に、エッチング溝１０４は、Ｐ２層２２の上のＳ３層２４の堆積に由来する犠牲材料で充填されることができる。リリース・エッチング・レール１０２の縦の壁に沿って存在するＳ３層２４の密度は低減され、Ｓ３層２４の残りの部分よりも高速度でエッチングされる。これらの低密度領域のエッチングは、上記の特許文献２に従って、事実上、リリースの開始の時点でリリース・エッチング・レール１０２に沿って延びるリリース・エッチング導管を定め、そして次に所望の速度でＳ３層２４およびＳ４層２８の除去を可能にする。上記の特許文献２で開示された任意の急速リリース・エッチング技術および対向する構造は、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０および本明細書に開示される他の種々のＭＥＭＳ流量モジュールの作製において用いることができる。犠牲材料を除去するための別の選択肢は、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０がその上に作製される基板（例えば、基板１０）を通る１つまたは複数のリリース・エッチング孔を形成することである。これらのリリース・エッチング孔は、通常バックサイド・エッチングと呼ばれる方法で（例えば、深いＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）タイプのツールを用いて）、形成することができる。
【００７３】
図３Ｃはまた、流量モジュール懸架タブ１０７の１つの実施形態および運動リミッタ１０６の１つの実施形態をも示す。複数の流量モジュール懸架タブ１０７および複数の運動リミッタ１０６が、典型的には、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０に設けられる。これらと同様のタイプの流量モジュール懸架タブ１０７および運動リミッタ１０６は、本明細書に記載の他の種々のＭＥＭＳ流量モジュールの作製に関して用いることができる。一般に、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０は、リリース後、複数の流量モジュール懸架タブ１０７によって基板１０の上に支持される。各流量モジュール懸架タブ１０７は、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０がその上で作製された基板１０に適切に繋止され、例えばＭＥＭＳ流量モジュール１４０の外側支持リング６８に係合することができる。これらの流量モジュール懸架タブ１０７に小さい力をかけて、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０を基板１０から構造的に切り離すことができる（例えば、タブ１０７を破壊することによる）。複数の上記の運動リミッタ１０６をＭＥＭＳ流量モジュール１４０の周縁部の周りに配置して、ＭＥＭＳ流量モジュール１４０の横方向の動きを、基板１０から構造的に切り離された後、その後少なくとも概して基板１０から離れる方向の動きを用いて取り外されるまで、制限することができる。
【００７４】
ＭＥＭＳ流量モジュールの別の実施形態は、図４Ａ−図４Ｃに示され、符号２４０で識別される。ＭＥＭＳ流量モジュール２４０は、多くの属性が上述のＭＥＭＳ流量モジュールと共通しており、対応する構成成分についての先に提示された議論は、ＭＥＭＳ流量モジュール２４０に適用することができる。しかしながら、ＭＥＭＳ流量モジュール２４０は、ＭＥＭＳ流量モジュール２４０の全体の剛性を高めるために、追加の流れプレートまたは補強プレート１１０（例えば、Ｐ４層３０中で形成される）を取り入れている。図４Ｂは、補強プレート１１０と流れプレート５０との間に延びる参照平面に沿って見た断面図であり、補強プレート１１０は流れプレート５０から離れる方向に回転または旋回されている。図４Ｃは、図２Ｂで提示された図と同様であるが、ＭＥＭＳ流量モジュール２４０の場合の図である。すなわち、図４Ｃは、各流れ制限リング５４と対応するバッフルとの間の間隙５８を通って延びるように、流れプレート５０と調節構造体６２との間で切った断面図である。
【００７５】
補強プレート１１０は、複数の流れポート１１２を含み、これは好ましくは流れプレート５０を通る流れポート５２に位置合わせされるが、これは必ずしも必要ではない。流れポート１１２と流れポート５２との間には１対１対応があってもよいが、これは必ずしも必要ではない。ＭＥＭＳ流量モジュール２４０の構造的剛直性を高めるために、図４Ｂに示されるように、連続的な環状コネクタ１１４が補強プレート１１０と流れポート５０との間に配置され、これらを相互接続する。各環状コネクタ１１４は、対応する流れポート５２の外周部と対応する流れポート１１２の外周部の周囲に配置される。各環状コネクタ１１４は、複数のコネクタ・セグメント（図示せず）で置き換えてもよく、これは対応する流れポート５２の周囲に互いに適切に離間して集合的に配置される。補強プレート１１０および流れプレート５０は、同様に、他の位置で構造的に相互接続される。例えば、流れプレート５０の外側外周部と補強プレート１１０は、図２Ａ−図２Ｂの実施形態に関して上述した外側リング６８と流れプレート５０の底面との接続と同様の方法で、１つまたは複数の環状コネクタ１１６によって相互接続される。理解されるように、流れプレート５０と補強プレート１１０との間の、半径方向に離間した多数の環状コネクタ１１６もまた、ＭＥＭＳ流量モジュール２４０の外周部に対して、冗長な「半径方向の」シールを提供する。
【００７６】
図４Ａおよび図４Ｂに示されるように、補強プレート１１０はまた、得られたＭＥＭＳ流量モジュール２４０をさらに剛直にする複数のアンカ１１８によって流れプレート５０の表面に相互接続される。これらのアンカ１１８は、プレート５０と１１０との間に連続的に延び、図２Ｂに関して上述したアンカ７０に従うことができる。図４Ｃは、流れプレート５０と、調節構造体６２および外側支持リング６８との相互接続を示す。図示されるように、これらの構造体の相互接続は、図２Ｂに関して上述されたものと実質的に同一である。
【００７７】
ＭＥＭＳ流量モジュール２４０に対する別の補強の選択肢は、補強プレート１１０を流れプレート５０に対して界接する位置関係で配置することである。例えば、流れプレート５０は、Ｐ３層２６において作製することができる。次にＳ４層２８を流れプレート５０の上、および流れポート５２の中に堆積することができる。流れプレート５０上のＳ４層２８を次に除去することができる。次にＰ４層３０が流れプレート５０の上面に直接堆積される。次に流れポート１１２が、対応する流れポート５２と交差するように、あるいはそうでなくても１つまたは複数の流れポート５２と流体的に相互接続するように、パターン形成される。この同じ補強技術は、本明細書に記載の他のＭＥＭＳ流量モジュールに関して利用することができる。
【００７８】
図示された実施形態において流れプレート５０と補強プレート１１０との間の犠牲材料（例えば、Ｓ４層２８）を除去するため、および／または流れプレート５０と調節構造体６２との間の犠牲層（例えば、Ｓ３層２４）を除去するために、複数のリリース・エッチング孔が、流れプレート５０、調節構造体６２、および／または補強プレート１１０の各々を通って延びることができる。任意の適切な流れ制限体を、図２Ａ−図２Ｆに関して上述した実施形態に従って、これらの１つまたは複数のリリース・エッチング孔に対して用いることができる。他のリリース促進技術も同様に、ＭＥＭＳ流量モジュール２４０に関して用いることができる。
【００７９】
ＭＥＭＳ流量モジュールの別の実施形態が、図５Ａおよび図５Ｂに示され、符号３４０で識別される。図５Ａに示されるように、ＭＥＭＳ流量モジュール３４０は、３つの流れポート１６２を有する流れプレート１６０（例えば、Ｐ４層３０において作製される）を利用する。任意の数の流れポート１６２を利用することができ、流れポート１６２は、その他の点では図２Ａ−図２Ｃの実施形態に関して上述した流れポート５２に従う。上述の方法と同様の方法で流れプレート１６０の底面に相互接続されるのは、外側支持リング１６４（例えば、Ｐ３層２６において作製される）および３つのカンチレバー・バッフル１６８（例えば、Ｐ３層２６において作製される）である。任意の数のカンチレバー・バッフル１６８を用いることができる。
【００８０】
カンチレバー・バッフル１６８は各々、流れポート１６２を通る流れを制限するサイズの自由端部１７０と、任意の適切なサイズ／形状／構成／配置の１つまたは複数のスタッド１８０を利用して流れプレート１６０の底面に固定的に相互接続される固定端部１７２とを含む。すなわち、共通の構造体（例えば、支持部６４）に相互接続して、この共通の構造体が流れプレートに対して固定した位置関係で維持されている複数のバッフル１６８を有する代わりに、バッフル１６８はより直接的に、流れプレート１６０に繋止される。図示された実施形態におけるバッフル１６８の一般的な方向付けは、少なくとも幾つかの点で、流れプレート１６０の折り曲げに対処するのに有益であり得る。
【００８１】
各流れポート１６２は、カンチレバー・バッフル１６８の各々と流れプレート１６０との間の流路のサイズを小さくするために、関連する環状流れ制限リング５４を有することができる。また、流れプレート１６０がバッフル１６８よりも基板１０から離れたレベルで作製される場合には、環状流れ制限リング５４は流れプレート１６０に取り付けられ、そこから延びることができる（そして、対応するバッフル１６８に達する前に終端する）。流れプレート１６０がバッフル１６８よりも基板１０に近いレベルで作製される場合には、環状流れ制限リング５４は対応するバッフル１６８に取り付けられ、そこから延びることができる（そして、流れプレート１６０に達する前に終端する）。
【００８２】
各バッフル１６８の自由端部１７０と固定端部１７２とを接続するのは、２つの平行な梁または弾性部材１７４である。２つの平行な梁１７４を利用しているように図示されているが、任意の数および配置の１つまたは複数の梁または弾性部材を利用することができる。いずれの場合でも、各バッフル１６８は、自由端１７０が流れプレート１６０に対して少なくとも概ね弓形の経路に沿って動くように屈曲する（例えば、バッフル１６８の長さ次元に対して直角をなす軸に関して少なくとも概ねピボット運動する）。
【００８３】
流量モジュール３４０は、製造公差、およびＭＥＭＳ流量モジュール３４０の両側の少なくとも特定の圧力差に存在に応じた流れプレート１６０の屈曲／撓みに対処する方式で設計される。カンチレバー・バッフルが実質的に円形の流れプレートの中心に固定的に相互接続されているとすれば、かかった圧力に応じた静止位置からの流れプレートの撓みは、一般に、流れプレートの周縁部ではゼロに近く、流れプレートの中心で最大まで増大する。従って、流れプレートの直径にわたってのこの不均一な撓みは、このようなカンチレバー型バッフルが所望の流れ調節機能を提供するような方式で機能することを困難にする。図５Ａ−図５Ｂの実施形態は、各バッフル１６８を、その固定端部１７２および自由端部１７０が各々、円形の流れプレート１６０の幾何学中心１８２から少なくとも概ね等しい距離ｄ１およびｄ２で配置されるように方向付けることによって、流れプレート１６０の屈曲に対処する。バッフル１６８の自由端部１７０の中心は、関連する流れポート１６２の中心と一致する。この点について、流れプレート１６０が少なくとも特定の圧力差の発生に応じて撓む場合、固定端部１７２および自由端部１７０の撓みは、これらが各々、幾何学中心１８２から少なくとも実質的に等しい距離ｄ１およびｄ２に位置するので、実質的に同様になる。従って、特定のバッフル１６８の自由端部１７０および流れプレート１６０の位置合わせされた部分、すなわち関連する流れポート１６２は、流れプレート１６０の撓みに起因して、およそ同じ量で動くことになる。従って、自由端部１７０と対応する流れポート１６２との間の間隔は、バッフル１６８はそれ自体としては屈曲していないと仮定して、少なくとも概ね一定のままとなり得る。換言すれば、流れプレート１６０の撓みによって引き起こされるカンチレバー・バッフル１６８の自由端部１７０と固定端部１７２との間の不均一な動きは、実質的に低減または排除されることができる。すなわち、流れプレート１６０が屈曲するにつれ、カンチレバー・バッフル１６８の自由端部１７０および固定端部１７２はおよそ等しい距離で変位する。
【００８４】
上記に加えて、バッフル１６８は、ＭＥＭＳ流量モジュール３４０の場合、共通の位置から延びていない。バッフル１６８はやはり幾何学中心１８２の周囲に対称的に配置されているとはいえ、このようなバッフル１６８の各々の長さ次元が沿っている軸線は、この幾何学中心１８２で交差しない。その代わり、複数のバッフル１６８は、集合的に外周部または領域を定めるように配列され、幾何学中心１８２はこの領域の中に配置される。
【００８５】
図６は、本明細書において上述した任意のバッフルで利用できるプラグ１３０を示す。この点について、プラグ１３０は、バッフル（例えば、バッフル６６）の自由端上に形成され、対応する流れポート（例えば、流れポート５２）内に配置されるサイズとされることができる。流れポート５２内に配置されるサイズとされると同時に、プラグ１３０は好ましくは一般に、流れポート５２の直径よりも僅かに小さい直径である。さらに、プラグ１３０は、階段状の縁部を含んでもよい。この点について、プラグ１３０は、流れポート５２内に配置されるためのサイズの第１の部分１３２と、流れポート５２の外周部の上に配置され、場合によっては流れプレート５０に接触するサイズの第２の部分１３４とを含むことができる。プラグ１３０の外周部と流れポート５２を定める側壁との間の間隙は、所望の流れ制限を提供することができる。このような流れ制限を提供するプラグ１３０のための任意の適切な構成を用いることができる（例えば、「中空」プラグ）。
【００８６】
種々のＭＥＭＳ流量モジュール４０（図２Ａ−図２Ｃ）、１４０（図３Ａ−図３Ｃ）、２４０（図４Ａ−図４Ｃ）、および３４０(図５Ａ−図５Ｂ）の各々は、少なくとも概ね弓形の経路に沿って、（少なくとも特定の圧力差の増加に応じてＭＥＭＳ流量モジュールを通る流量を増大させるために）流れプレートから離れる方向、または（ＭＥＭＳ流量モジュールの両側の圧力差の少なくとも特定の低下に応じてＭＥＭＳ流量モジュールを通る流量を減少させるために）流れプレートに向かう方向のいずれかで動く少なくとも１つのバッフルを用いることによって、流れまたは圧力調節機能を提供する。この動きの別の特徴付けは、バッフルが、ピボット運動またはピボット様運動を受けることである。流れ制御バッフルがこのタイプの動きを達成するいかなる方式も利用できる。例えば、それ自体が屈曲して上記のタイプの動きを提供する流れ制御バッフル（例えば、バッフル６６）の代わりに、流れ制御バッフルは、流れ制御バッフルを流れプレートに対して少なくとも概ね弓形の経路に沿って動かすことができる適切な構造体に可動的に相互接続した、より堅い構造体とすることができる。このような流れ制御バッフルは、ねじれ屈曲して流れ制御バッフルを上記の方式で動かすことができる梁または部材と相互接続することができる。種々のタイプのヒンジ構造体／構成もまた利用できる。しかしながら、上記の、流れ制御バッフルのための屈曲性の構成は、１つまたは複数の利点を提供することができる。
【００８７】
表面微細機械加工は、流れプレート中の対応する流れポートを通る流れに応じて屈曲する少なくとも１つのバッフルを有する上述のＭＥＭＳ流量モジュールを作製するための好適な技術である。この点について、これらのＭＥＭＳ流量モジュールは、互いに離間した少なくとも２つの異なるレベルにおいて作製され得る（以下、第１の製造レベルおよび第２の製造レベルとする）。一般に、これらのＭＥＭＳ流量モジュールの各々は、その中に少なくとも１つの流れポートが延びているプレートを含み、各流れポートは、プレートに対して動く関連付けられたバッフルを有する。このようなバッフルの各々は、少なくとも第１の製造レベルで作製され、一方、プレートは少なくとも第２の製造レベルで作製されることができる。「第１の製造レベル」におけるバッフルと「第２の製造レベル」におけるプレートという特徴付けは、第１の製造レベルが「第１に」堆積され、第２の製造レベルが「第２に」堆積されたものであるということを決して必要とするものではないことを理解すべきである。さらに、第１の製造レベルおよび第２の製造レベルが直接隣接することは必要とされない。
【００８８】
バッフルおよび流れプレートの一方または両方は、各々が単一の製造レベルに存在するものとするか、または、多数の製造レベルに存在するものとすることができる。「製造レベル」は、（例えば、構造層またはフィルムの単一の堆積によって）上に重ねられる犠牲材料のいずれかの層を形成しなければならなくなる前に構造材料の堆積によって形成することができるものに相当する。上述の第１の例においては、単一の製造レベルにおける構造材料の堆積は、少なくとも概ね平坦な層を定めることができる。第１の例に関する別の選択肢は、少なくとも概ね平坦な部分を定めるように単一の製造レベルに構造材料を堆積させ、それに加えて、下の製造レベルにおける下の構造層に向かって下向きに延びるが下の構造層までは延びない１つまたは複数の構造体を堆積することに関するものである。いずれの状況においても、リリース・エッチングの前に、少なくとも幾つかの場合において、バッフル全体とプレートとの間に配置される少なくともある厚さの犠牲材料が存在することになる。
【００８９】
上述の第２の例においては、隣接する製造レベルの２つまたはそれ以上の構造層またはフィルムは、直接界接する（例えば、一方が直接的に他方の上にある）位置関係で配置させることができる。第１のバッフルまたは第１のプレートを定めることになる領域の上では、このことは、次の製造レベルにおいて構造材料を堆積させる前に、１つの製造レベルにおいて構造材料の上に堆積させられた犠牲材料の除去を必要とすることになる。上述の第２の例に関する別の選択肢は、第１のバッフルおよび／または第１のプレートのための異なる製造レベルにおける構造層またはフィルムの間の分離を維持するが、適切な構造的な相互接続（例えば、離間した異なる製造レベルにおける隣接する構造層またはフィルムの間に延びる、複数の柱、支柱など）を両者間に設けることである。
【００９０】
少なくとも一部を表面微細機械加工によってＭＥＭＳ流量モジュールを作製することに関してさらに、その各構成要素（限定されないが、任意の流れプレート、調節構造体またはバッフル、補強プレート、外側支持部などを含む）は単一の製造レベルにおける構造層またはフィルム中で（例えば、Ｐ１層１８中、Ｐ２層２２中、Ｐ３層２６中、Ｐ４層３０中（上記の図１）で）作製されることができる。図２Ｂの流れプレート５０の場合を検討する。環状リング５４は、調節構造体６２をＰ２層２２中で形成し、Ｓ３層２４を堆積し、Ｐ２層２２に向かってずっと延びる環状溝をＳ３層２４中に形成し、これらの環状溝の底部に犠牲層（この厚みは、図２Ｂに示される環状リング５４と調節構造体６２のバッフル６６との間の間隔を定めることになる）を堆積し、次にＰ３層２６をＳ３層２４の上と、Ｓ３層２４中の「一部充填された」環状溝の中に堆積することによって作製することができる。これらのＳ３層２４中の「一部充填された」環状溝の中の構造材料の堆積は、その後、環状リング５４を定めるものとなる。従って、製造レベルは、（例えば、構造層またはフィルムの単一の堆積によって）上に重ねられる犠牲材料の層を形成しなければならなくなる前に構造材料を堆積することによって定義されているので、流れプレート５０は、単一の製造レベル中（上記の例ではＰ３層２６中）に存在することによって特徴付けることができる。Ｓ３層２４の少なくとも一部は、（リリース・エッチングの前は）調節構造体６２全体と流れプレート５０との間に残ることに留意すべきである。
【００９１】
本明細書に記載されたこのようなＭＥＭＳ流量モジュールの各構成成分はまた、上記のように、多数の製造レベルにおける多数の構造層またはフィルム中で作製することもできる。例えば、所与のＭＥＭＳ流量モジュールの流れプレートは、Ｐ２層２２およびＰ１層１８の両方の中で作製することができ、ここでＰ２層２２はＰ１層１８上に直接堆積される。別の選択肢は、所与のＭＥＭＳ流量モジュールの特定の構成成分を、異なる製造レベルであるが、適切な方法で（例えば、間に延びた１つまたは複数の柱、支柱などで）構造的に相互接続された多数の構造層またはフィルム中で形成することである。例えば、補強プレート１１０または流れプレート５０は、例えば図４Ｂに関して上述したように、Ｐ４層３０とＰ３層２６の両方の中に、それらの間に延びる１つまたは複数の構造的相互接続（これは、Ｓ４層２８を通る）と共に形成することができる。一般に、これは、Ｐ４層３０を堆積する前に、Ｓ４層２８を下向きに通る適切なカットまたは開口部（下のＰ３層２６を露出するためであり、Ｐ４層３０がその中に堆積されたらこのような構造的相互接続を定めることになる）を形成することによって行うことができる。
【００９２】
図７−図８は、任意の適切な用途に用いることができる流量アセンブリ２１０の１つの実施形態を概略的に示す（例えば、流量アセンブリ２１０は、任意のタイプの流れの中に配置するか、任意のタイプの流体の流れを濾過および／または制御するのに用いるか、（例えば、人工レザバ、生物学的レザバ、環境、もしくは他のいずれかの適切な供給源といった（一方が環境である場合を含む）多数の流体源もしくは圧力源、またはこれらのいずれかの組み合わせの間の）任意の適切なタイプの多数の供給源を流体的に相互接続する導管の中に配置することができる）。１つの例は、眼の前眼房と眼の角膜の外側の場所との間に延びる導管の中に流量アセンブリ２１０を配置することである。別の例は、眼の前眼房と眼の強膜の外側の別の場所との間に延びる導管の中に流量アセンブリ２１０を配置することである。さらに別の例は、眼の前眼房と眼または身体の内部の別の場所との間に延びる導管の中に（例えば、シュレム管の中に）流量アセンブリ２１０を配置することである。
【００９３】
流量アセンブリ２１０の構成要素は、外側ハウジング２１４と、内側ハウジング２１８と、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２とを含む。ＭＥＭＳ流量モジュール４０、１４０、２４０、または３４０を含むがこれらに限定されない本明細書に記載の任意のＭＥＭＳ流量モジュールを、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２の代わりに用いることができる。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２および内側ハウジング２１８の位置は、図８において外側ハウジング２１４の中に少なくとも概略的に示されており、組み立てられた状態におけるこれらの構成要素の相対的な位置を示しているが、外側ハウジング２１４が透明構造の形態である必要があることを伝えているわけではない。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２および内側ハウジング２１８のすべての細部が、必ずしも図８に示されているわけではない。
【００９４】
ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、図７−図８においては概略的に示されているのみであり、フィルタ機能および圧力または流量調節機能のうちの少なくとも１つを提供する。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、任意の適切な設計、サイズ、形状、および構成のものとすることができ、さらに、関連する微細加工技術によって用いられるのに適した任意の材料または材料の組み合わせから形成することができる。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２の露出面に、任意の適切なコーティングまたはコーティングの組み合わせを施すこともできる。例えば、コーティングは、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２の生体適合性を改善するためか、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２の露出面をより親水性にするためか、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２が何らかの生物学的付着を引き起こす可能性を低減させるためか、または、これらのいずれかの組み合わせのために、施すことができる。１つの実施形態においては、自己組織化単分子膜コーティング（例えば、ポリエチレングリコール）を、いずれかの適切な方法（例えば、液相または気相、気相が好ましい技術である）で、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２のすべての露出面に施す。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２の主要な要件は、それがＭＥＭＳ装置であることである。
【００９５】
外側ハウジング２１４および内側ハウジング２１８の主な機能は、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２に構造的な完全性を与えることまたはＭＥＭＳ流量モジュール２２２を支持すること、さらにはＭＥＭＳ流量モジュール２２２を保護することである。この点に関して、外側ハウジング２１４および内側ハウジング２１８の各々は、典型的には、その組み立ての際に、および流量アセンブリ２１０を設計された用途で使用する際に、流量アセンブリ２１０に及ぼされることが当然に予想される力による損傷からＭＥＭＳ流量モジュール２２２を保護するのに十分な剛性を有する構造形態のものである。
【００９６】
内側ハウジング２１８は、内側ハウジング２１８を通って（示される実施形態においては、その両端部の間に）延びる中空内部すなわち流路２２０を含む。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、任意の適切な方法で、内側ハウジング２１８内のいずれかの適切な位置において（例えば、内側ハウジング２１８がＭＥＭＳ流量モジュール２２２の周りに配置されるようないずれかの位置において）、内側ハウジング２１８を通る流路２２０の中に配置することができる。好ましくは、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、内側ハウジング２１８に対して固定された位置に維持される。例えば、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２を、内側ハウジング２１８の内側側壁に、またはこの内側側壁上に形成されたフランジに、取り付けまたは接合するか、内側ハウジング２１８とＭＥＭＳ流量モジュール２２２との間で圧入を行うか、またはこれらの組み合わせとすることができる。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２はまた、より詳細に後述する図１０Ａ−図１０Ｂの実施形態の方式ように、内側ハウジング２１８の端部に取り付けることができる。
【００９７】
内側ハウジング２１８は、少なくとも一部が外側ハウジング２１４内に配置される（これにより、外側ハウジング２１４が、内側ハウジング２１８の全長に沿ってまたは内側ハウジング２１８の長さの一部のみに沿って、内側ハウジング２１８の周りに配置されることを含む）。この点に関して、外側ハウジング２１４は、内側ハウジング２１８を収容するための、および場合によっては他の適切な機能を提供するための、中空内部２１６（例えば、内側ハウジング２１８を通る流路２２０と流体的に接続された流路）を含む。外側ハウジング２１４の外側側壁および内側側壁は、内側ハウジング２１８の外側側壁および内側側壁と同様に、円筒形とするか、または、他のいずれかの適切な形状とすることができる。内側ハウジング２１８は、いずれかの適切な方法で、外側ハウジング２１４に対して保持することができる。例えば、内側ハウジング２１８を外側ハウジング２１４の内側側壁に取り付けまたは接合するか、内側ハウジング２１８と外側ハウジング２１４との間で圧入を行うか、外側ハウジング２１４と内側ハウジング２１８との間で焼嵌めを行うか、またはこれらの組み合わせとすることができる。
【００９８】
内側ハウジング２１８は、同様に図７〜図８において概略的に示されているのみであり、任意の適切な大きさを有する任意の適切な形状／構成のものとすることができ、任意の材料または材料の組み合わせ（例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、チタン、ならびに、他の移植可能な金属およびプラスチック）から形成することができる。典型的には、その外形は、少なくともその一部が配置される外側ハウジング２１４の内形に一致するようになっている。１つの実施形態においては、内側ハウジング２１８について図示された円筒形の構成は、皮下注射針の原料から適切な長さを切断することによって得られる。内側ハウジング２１８はまた、（例えば、ＬＩＧＡプロセスの少なくとも一部を用いて）所望／所要の形状に微細加工することができる。しかしながら、内側ハウジング２１８を作るあらゆる方法を利用することができる。内側ハウジング２１８は、所望／所要のとおりに１つまたは複数のコーティング（例えば、電気めっきされた金属、内側ハウジング２１８の生体適合性を改善するためのコーティング、内側ハウジング２１８の露出面をより親水性にするためのコーティング、内側ハウジング２１８が何らかの生物学的付着を引き起こす可能性を低減させるためのコーティング、またはこれらの組み合わせ）を含むことができることも認識すべきである。１つの実施形態においては、自己組織化単分子膜コーティング（例えば、ポリエチレングリコール）が、任意の適切な方法（例えば、液相または気相、気相が好ましい技術である）で、内側ハウジング２１８のすべての露出面に施される。
【００９９】
外側ハウジング２１４は、同様に図７−図８において概略的に示されているのみであり、外側ハウジング２１４は、任意の適切な大きさを有する任意の適切な形状／構成のものとすることができ、任意の材料または材料の組み合わせ（例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、チタン、ならびに、他の移植可能な金属およびプラスチック）から形成することができる。典型的には、外側ハウジング２１４の外形は、少なくともその一部が配置されるかまたは他の方法で取り付けられるハウジングまたは導管の内形に一致するようになっている。外側ハウジング２１４は、（例えば、ＬＩＧＡプロセスの少なくとも一部を用いて）所望／所要の形状に微細加工することができる。しかしながら、外側ハウジング２１４を作るあらゆる方法を利用することができる。外側ハウジング２１４は、所望／所要のとおりに１つまたは複数のコーティング（例えば、電気めっきされた金属、外側ハウジング２１４の生体適合性を改善するためのコーティング、外側ハウジング２１４の露出面をより親水性にするためのコーティング、外側ハウジング２１４が何らかの生物学的付着を引き起こす可能性を低減させるためのコーティング、またはこれらの組み合わせ）を含むことができることも認識すべきである。１つの実施形態においては、自己組織化単分子膜コーティング（例えば、ポリエチレングリコール）が、任意の適切な方法（例えば、液相または気相、気相が好ましい技術である）で、外側ハウジング２１４のすべての露出面に施される。
【０１００】
流量アセンブリの別の実施形態が、図９Ａ−図９Ｂ（概略的な表現のみ）に示されており、符号２２６によって識別される。流量アセンブリ２２６は、任意の適切な用途に用いることができる（例えば、流量アセンブリ２２６は、任意のタイプの流れの中に配置するか、任意のタイプの流体の流れを濾過および／または制御するのに用いるか、（例えば、人工レザバ、生物学低レザバ、環境、もしくは他のいずれかの適切な供給源といった（一方が環境である場合を含む）多数の流体源もしくは圧力源、またはこれらのいずれかの組み合わせの間の）任意の適切なタイプの多数の供給源を流体的に相互接続する導管の中に配置することができる）。流量アセンブリ２１０についての上述の用途は、流量アセンブリ２２６にも同様に適用可能である。流量アセンブリ２１０に関して上述されたコーティングのタイプも同様に、流量アセンブリ２２６で用いることができる。
【０１０１】
流量アセンブリ２２６の構成要素は、外側ハウジング２３０と、第１の内側ハウジング２３４と、第２の内側ハウジング２３８と、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２とを含む。ＭＥＭＳ流量２２２および内側ハウジング２３４、２３８は、図９Ｂにおいて外側ハウジング２３０内に少なくとも概略的に示されており、組み立てられた状態におけるこれらの構成要素の相対的な位置を示しているが、外側ハウジング２３０が透明構造の形態である必要があることを伝えているわけではない。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２および内側ハウジング２３４、２３８のすべての細部が、必ずしも図９Ｂに示されているわけではない。
【０１０２】
外側ハウジング２３０、第１の内側ハウジング２３４、および第２の内側ハウジング２３８の主な機能は、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２に構造的な完全性を与えることまたはＭＥＭＳ流量モジュール２２２を支持すること、さらにはＭＥＭＳ流量モジュール２２２を保護することである。この点に関して、外側ハウジング２３０、第１の内側ハウジング２３４、および第２の内側ハウジング２３８の各々は、典型的には、その組み立ての際に、および流量アセンブリ２２６を設計された用途で使用する際に、流量アセンブリ２２６に及ぼされることが当然に予想される力による損傷からＭＥＭＳ流量モジュール２２２を保護するのに十分な剛性を有する構造形態のものである。
【０１０３】
第１の内側ハウジング２３４は、第１の内側ハウジング２３４を通って延びる中空内部すなわち流路２３６を含む。同様に、第２の内側ハウジング２３８は、第２の内側ハウジング２３８を通って延びる中空内部すなわち流路２４０を含む。第１の内側ハウジング２３４および第２の内側ハウジング２３８は、端部同士を接した状態で配置され、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、第１の内側ハウジング２３４および第２の内側ハウジング２３８の隣接する端部の間に配置される。従って、第１の流路２３６を通って第２の流路２４０に進む流れまたはその逆の流れは、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２を通過する。
【０１０４】
好ましくは、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、各々の内側ハウジング２３４、２３８に対して固定された位置に維持され、その外周は、組み立てられ接合された状態で内側ハウジング２３４、２３８の隣接する側壁を越えて突出しない。例えば、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２に構造的な完全性を与えるために、第１の内側ハウジング２３４（より具体的には、その一方の端部）および第２の内側ハウジング２３８（より具体的には、その一方の端部）のうちの少なくとも１つに（例えば、シアノアクリル酸エステル、ＵＶ硬化性エポキシ、または他のエポキシを用いて）接合することができ、より好ましくはその両方に接合することができる。別の選択肢は、少なくとも主として外側ハウジング２３０に対して内側ハウジング２３４、２３８の各々の位置を固定することによって、流量アセンブリ２２６におけるＭＥＭＳ流量モジュール２２２の位置を固定することであろう（すなわち、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、必ずしもハウジング２３４、２３８のいずれかに接合される必要はない）。１つの実施形態においては、第１の内側ハウジング２３４上に配置されたＭＥＭＳ流量モジュール２２２を伴う該第１の内側ハウジング２３４を外側ハウジング２３０の中に押し込むことができるように、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２と第１の内側ハウジング２３４との間に弾性材料を配置することができる（例えば、弾性材料は、外側ハウジング２３０内に取り付けられている間はＭＥＭＳ流量モジュール２２２を第１の内側ハウジング２３４に対して所定の位置に少なくとも一時的に保持するのに十分な「粘着性」を有する）。外側ハウジング２３０内の所定の位置において（すなわち、外側ハウジング２３０が、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２の周りに配置されるように）、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２を内側ハウジング２３４と２３８との間に「サンドイッチ」するように、（第１の内側ハウジング２３４が外側ハウジング２３０の中に配置される前に、しかしながら配置された後の方がより適切である）第２の内側ハウジング２３８を外側ハウジング２３０の中に押し込むこともできる。ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、典型的には、外側ハウジング２３０の中に配置されたときに、第１の内側ハウジング２３４および第２の内側ハウジング２３８の両方と接することになる。第１の内側ハウジング２３４および第２の内側ハウジング２３８の各々の位置を外側ハウジング２３０に対して固定することによって、事実上、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２の位置が外側ハウジング２３０に対して固定されることになる。第１の内側ハウジング２３４および第２の内側ハウジング２３８はいずれも、少なくとも一部が外側ハウジング２３０の中に配置され（これにより、外側ハウジング２３０が、ハウジング２３４、２３８の全長に沿ってまたはハウジング２３４、２３８の長さの一部のみに沿って、ハウジング２３４、２３８のいずれかまたは両方の周りに配置されることを含む）、この場合も同様に、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、第１の内側ハウジング２３４および第２の内側ハウジング２３８の隣接する端部の間に配置される。この点に関して、外側ハウジング２３０は、第１の内側ハウジング２３４の少なくとも一部と、第２の内側ハウジング２３８の少なくとも一部と、その間に配置されるＭＥＭＳ流量モジュール２２２とを収容するための、および場合によっては他の適切な機能（例えば、それぞれ第１および第２の内側ハウジング２３４、２３８を通る流路２３６、２４０と流体的に接続される流路）を提供するための、中空内部２３２を含む。外側ハウジング２３０の外側側壁および内側側壁は、内側ハウジング２３４、２３８の外側側壁および内側側壁と同様に、円筒形とするか、または、他のいずれかの適切な形状とすることができる。第１の内側ハウジング２３４および第２の内側ハウジング２３８はいずれも、図７−図８の実施形態の内側ハウジング２１８および外側ハウジング２１４に関して上述された方法を含むいずれかの適切な方法で、外側ハウジング２３０に固定することができる。
【０１０５】
内側ハウジング２３４、２３８の各々は、同様に図９Ａ−図９Ｂに概略的に示されているのみであり、各々は、任意の適切な大きさを有する任意の適切な形状／構成のものとすることができ、図７−図８の実施形態の内側ハウジング２１８と同じように任意の材料または材料の組み合わせから形成することができる。典型的には、両方のハウジング２３４、２３８の外形は、少なくともそれらの一部が配置される外側ハウジング２３０の内形に一致するようになっている。１つの実施形態においては、内側ハウジング２３４、２３８について図示された円筒形の構成は、皮下注射器針の原料から適切な長さを切断することによって得られる。内側ハウジング２３４、２３８の各々はまた、（例えば、ＬＩＧＡプロセスの少なくとも一部を用いて）所望／所要の形状に微細加工することができる。しかしながら、内側ハウジング２３４、２３８を作るあらゆる方法を利用することができる。内側ハウジング２３４、２３８は、上述に従って所望／所要のとおりに１つまたは複数のコーティングを含むことができることも認識すべきである。
【０１０６】
外側ハウジング２３０は、同様に図９Ａ−図９Ｂにおいて概略的に示されているのみであり、外側ハウジング２３０は、任意の適切な大きさを有する任意の適切な形状／構成のものとすることができ、図７−図８の実施形態の外側ハウジング２１４と同じように任意の材料または材料の組み合わせから形成することができる。典型的には、外側ハウジング２３０の外形は、少なくともその一部が配置されるかまたは他の方法で取り付けられるハウジングまたは導管の内形に一致するようになっている。外側ハウジング２３０は、（例えば、ＬＩＧＡプロセスの少なくとも一部を用いて）所望／所要の形状に微細加工することができる。しかしながら、外側ハウジング２３０を作るあらゆる方法を利用することができる。外側ハウジング２３０は、上述に従って所望／所要のとおりに１つまたは複数のコーティングを含むことができることも認識すべきである。
【０１０７】
流量アセンブリの別の実施形態が、図１０Ａ−図１０Ｂ（概略的な表現のみ）に示されており、符号２４３によって識別されている。流量アセンブリ２４３は、任意の適切な用途に用いることができる（例えば、流量アセンブリ２４３は、任意のタイプの流れの中に配置するか、任意のタイプの流体を濾過および／または制御するのに用いるか、（例えば、人工レザバ、生物学的レザバ、環境、もしくは他のいずれかの適切な供給源といった多数の流体源もしくは圧力源、またはこれらのいずれかの組み合わせの間の）任意の適切なタイプの多数の供給源を流体的に相互接続する導管の中に配置することができる）。流量アセンブリ２４３の構成要素は、図９Ａ−図９Ｂの実施形態による上述のハウジング２３４と、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２とを含む。流量アセンブリ２４３の場合は、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２は、（例えば、シアノアクリル酸エステル、ＵＶ硬化性エポキシ、または他のエポキシを用いて）ハウジング２３４の一方の端部に取り付けるかまたは接合される。流量アセンブリ２４３は、図７−図９Ｂの実施形態のように外側ハウジングの中に配置するか、または、「そのままで」用いることができる。流量アセンブリ２１０についての上述の用途は、流量アセンブリ２４３にも同様に適用可能である。流量アセンブリ２１０に関して上述されたコーティングのタイプも同様に、流量アセンブリ２４３で用いることができる。
【０１０８】
上述のように、図７−図１０Ｂの流量アセンブリ２１０、２２６、および２４３について特に望ましい１つの用途は、眼の前眼房内の圧力を調節することである。このことが、図１１Ａに概略的に示される。ここでは、患者の眼の前眼房２４２（または、さらに言えばそれ以外の身体領域、すなわち第１の身体領域）が、インプラント２４６によって適切な排液領域２４４と流体的に相互接続される。排液領域２４４は、眼の外側（例えば、角膜の外面上）、眼の内部（例えば、シュレム管）、または、一般的に患者の体内（第２の身体領域）といった、いずれかの適切な位置とすることができる。
【０１０９】
一般に、インプラント２４６は、一対の端部２５８ａ、２５８ｂを有し、かつその間に延びる流路２５４を持つ、導管２５０を含む。導管２５０のサイズ、形状、および構成は、用いられる特定の排液領域２４４を収容することを含めて、所望／所要のとおりに適合させることができる。導管２５０についての代表的な構成は、特許文献３、ならびに、特許文献４、特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８、特許文献９、特許文献１０、特許文献１１、および特許文献１２に開示されており、これらの開示全体は引用により本明細書に組み込まれる。
【０１１０】
流量アセンブリ２６２は、導管２５０の流路２５４内に配置される。従って、インプラント２４６を通って前眼房２４２から出て行くすべての流れは、流量アセンブリ２６２を通して誘導される。同様に、排液領域２４４からインプラント２４６に入るあらゆる流れは、流量アセンブリ２６２を通過しなければならない。流量アセンブリ２６２は、任意の適切な方法で、任意の適切な位置において、導管２５０の中に保持することができる（例えば、流量アセンブリ２６２は、いずれかの端部２５８ａ、２５８ｂまたはその間の任意の中間位置に、配置することができる）。流量アセンブリ２６２は、上述の流量アセンブリ２１０、２２６、または２４３のいずれの形態のものとすることもでき、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２を、図１−図６によるＭＥＭＳ流量モジュール４０、１４０、２４０、３４０のいずれで置き換えてもよい。あるいは、流量アセンブリ２６２は、単に、ＭＥＭＳ流量モジュール４０、１４０、２４０、または３４０の形態のものとすることができる。生物学的物質／流体に曝されることになるインプラント２４６の少なくともそうした表面に、生体適合性を改善し、こうした表面をより親水性にし、および／または、生物学的付着の可能性を低減させるコーティングを含むがこれらに限定されるものではない任意の適切なコーティングを、施すことができる。１つの実施形態においては、自己組織化単分子膜コーティング（例えば、ポリエチレングリコール）が、任意の適切な方法（例えば、液相または気相、気相が好ましい技術である）で、上述の表面に施される。
【０１１１】
図１１Ｂは、図１１Ａによる代表的な実施形態を示す。図１１Ｂにおいては、角膜２６８、虹彩２７２、瞳孔２７４、水晶体２７６、前眼房２８４、後眼房２８６、シュレム管２７８、小柱網２８０、および房水静脈２８２を含む、眼２６６の種々の部分が識別されている。ここでは、適切な形状の導管２９２を有するインプラントまたはシャント２９０が、角膜２６８を通して導かれている。導管２９２は、任意の適切な形態のものとすることができるが、典型的には、一対の端部２９４ａ、２９４ｂ、ならびに、その間に延びる流路２９６を少なくとも含むものとすることができる。端部２９４ａは、角膜２６８の外面に配置され、一方、端部２９４ｂは、眼２６６の前眼房２８４の中に配置される。
【０１１２】
流量アセンブリ２９８が、導管２９２の流路２９６の中に配置される。従って、シャント２９０を通って前眼房２８４から出て行くすべての流れは、流量アセンブリ２９８を通して誘導される。同様に、環境からシャント２９０に逆流するあらゆる流れも、流量アセンブリ２９８を通過しなければならない。流量アセンブリ２９８は、任意の適切な方法で、任意の適切な位置において、導管２９２の中に保持することができる（例えば、流量アセンブリ２９８は、いずれかの端部２９４ａ、２９４ｂまたはその間の任意の中間位置に、配置することができる）。流量アセンブリ２９８は、上述の流量アセンブリ２１０、２２６、または２４３のいずれの形態のものとすることもでき、ＭＥＭＳ流量モジュール２２２を、図１−図６によるＭＥＭＳ流量モジュール４０、１４０、２４０、３４０のいずれで置き換えてもよい。あるいは、流量アセンブリ２９８は、単に、ＭＥＭＳ流量モジュール４０、１４０、２４０、または３４０の形態のものとすることができる。生体物質／流体に曝されることになるシャント２９０の少なくともそうした表面に、生体適合性を改善し、こうした表面をより親水性にし、および／または、生物学的付着の可能性を低減させるコーティングを含むがこれらに限定されるものではない任意の適切なコーティングを、施すことができる。１つの実施形態においては、自己組織化単分子膜コーティング（例えば、ポリエチレングリコール）が、任意の適切な方法（例えば、液相または気相、気相が好ましい技術である）で、上述の表面に施される。
【０１１３】
本発明の以上の説明は、例示および説明の目的で提示されたものである。さらに、この説明は、本発明を本明細書において開示された形式に限定することを意図するものではない。従って、上記の教示ならびに当該技術分野の技術および知識に応じた変形および改変が、本発明の範囲内に入る。上述の実施形態はさらに、本発明を実施するための既知の最良の形態を説明すること、および、当業者が、こうした実施形態または他の実施形態において、および本発明の特定の用途または使用によって必要とされる種々の改変を行って、本発明を利用できるようにすることが意図される。特許請求の範囲は、従来技術によって許容される範囲の代替的な実施形態を含むように解釈されることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】表面微細機械加工製造技術の１つの実施形態によって用いることができる複数の層の側面図である。
【図２Ａ】ＭＥＭＳ流量モジュールの第１の実施形態の斜視図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＭＥＭＳ流量モジュールの断面分解斜視図である。
【図２Ｃ】図２ＡのＭＥＭＳ流量モジュールのバッフルの１つの断面図である。
【図２Ｄ】本明細書に記載の任意のＭＥＭＳ流量モジュールで用いることができるリリース・エッチング孔のための代表的な流れ制御体の断面図である。
【図２Ｅ】本明細書に記載の任意のＭＥＭＳ流量モジュールで用いることができるリリース・エッチング孔のための代表的な流れ制御体の断面図である。
【図３Ａ】ＭＥＭＳ流量モジュールの第２の実施形態の斜視図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＭＥＭＳ流量モジュールの断面分解斜視図である。
【図３Ｃ】図３ＡのＭＥＭＳ流量モジュールの作製に利用できるリリースレールの斜視図である。
【図４Ａ】ＭＥＭＳ流量モジュールの第３の実施形態の斜視図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＭＥＭＳ流量モジュールの断面分解第１部分斜視図である。
【図４Ｃ】図４ＡのＭＥＭＳ流量モジュールの断面分解第２斜視図である
【図５Ａ】ＭＥＭＳ流量モジュールの第４の実施形態の斜視図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＭＥＭＳ流量モジュールの反対側の部分分解斜視図である。
【図６】図２Ａ−図５ＢのいずれのＭＥＭＳ流量モジュールでも利用できる流れ制御プラグを備えたバッフルの断面図である。
【図７】ＭＥＭＳ流量モジュールを用いる流量アセンブリの１つの実施形態の分解斜視図である。
【図８】図７の流量アセンブリが組み立てられた状態の斜視図である。
【図９Ａ】ＭＥＭＳ流量モジュールを用いる流量アセンブリの別の実施形態の分解斜視図である。
【図９Ｂ】図９Ａの流量アセンブリが組み立てられた状態の斜視図である。
【図１０Ａ】ＭＥＭＳ流量モジュールを用いる流量アセンブリの別の実施形態の分解斜視図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａの流量アセンブリが組み立てられた状態の斜視図である。
【図１１Ａ】本明細書に記載の任意のＭＥＭＳ流量モジュールを用いることができるインプラントの１つの実施形態の概略図である。
【図１１Ｂ】眼の前眼房内の圧力を軽減するために用いられ、本明細書に記載の任意のＭＥＭＳ流量モジュールを利用できる、インプラントまたはシャントの１つの実施形態の断面図である。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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