(57)【要約】【課題】プラズマからＥＵＶ光を供給する極紫外線（ＥＵＶ）光発生器を提供する。【解決手段】ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成から生じるデブリから保護するためのシステム及び方法。本発明の実施形態の１つの態様では、光学要素とプラズマ形成部位の間に位置決めされた少なくとも１つの中空管を含むシールドを開示する。管は、光を比較的小さなグレージング入射角での反射を通じて管の内腔に通過させながらデブリを捕捉するように配向される。本発明の実施形態の別の態様では、シールド上に堆積したデブリ材料の１つ又はそれよりも多くの種を除去するのに十分な温度まで加熱されるシールドを開示する。本発明の実施形態の更に別の態様では、シールドが光源プラズマチャンバからシールドが洗浄される洗浄チャンバまで移動されるシステムを開示する。【選択図】図４
2008532231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生したデブリから保護するためのシステムであって、
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面に対して移動可能であり、かつある一定の位置内に移動可能であるシールドであって、該位置では、該シールドが、該光学要素表面に向う経路に沿って向けられたデブリが該表面に到達するのを防止するためにプラズマ形成部位と該光学要素の間に挿入されているシールド、
を含み、
前記プラズマ形成部位と前記光学要素表面の間の光の通過を可能にする、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
洗浄チャンバと、
前記シールドを前記洗浄チャンバまでそこでの洗浄のために移動させ、その後、該シールドを前記プラズマ形成部位と前記チャンバ光学要素の間に挿入するために、該シールドを該洗浄チャンバから前記プラズマチャンバまで移動させる機構と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記機構は、前記シールドを直線経路に沿って前記プラズマチャンバから前記洗浄チャンバまで移動させる摺動器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記機構は、
前記シールドが取り付けられた、車軸を形成するホイールと、
前記シールドを前記車軸周りに回転させて該シールドを前記プラズマチャンバから前記洗浄チャンバまで移動させるように前記ホイールに取り付けられた回転子と、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
プラズマが、１対の電極間の放電によって前記プラズマ形成部位で発生する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
プラズマが、ターゲット材料をレーザビームで照射することによって前記プラズマ形成部位で発生する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記プラズマチャンバは、前記レーザビームをレーザ源から前記プラズマ形成部位まで通すためのレーザ入力窓を有し、かつ前記プラズマチャンバ光学要素表面が該レーザ入力窓であるように形成される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記レーザ入力窓は、レンズである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
ターゲット材料が、液滴の流れである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
前記プラズマチャンバ光学要素表面は、光検出器の表面である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記プラズマチャンバ光学要素は、撮像窓である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生したデブリから保護するためのシステムであって、
洗浄チャンバと、
透明材料で作られたシールドと、
前記光学要素表面の方向に向けられたデブリが前記表面に到達するのを前記シールドが防止するように該シールドが前記プラズマ形成部位と該光学要素表面の間に挿入された第１の位置から、該シールドが前記洗浄チャンバ内にそこでの洗浄のために配置された第２の位置まで該シールドを移動させる機構と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１３】
前記機構は、前記シールドを直線経路に沿って前記プラズマチャンバから前記洗浄チャンバまで移動させる摺動アセンブリを含む、
ことを更に含むこと特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記機構は、
前記シールドが取り付けられた、車軸を形成するホイールと、
前記シールドを前記車軸周りに回転させて該シールドを前記プラズマチャンバから前記洗浄チャンバまで移動させるように前記ホイールに取り付けられた回転アセンブリと、
を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記シールドは、エッチング液を使用して前記洗浄チャンバで洗浄される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記エッチング液は、ＨＢｒ、Ｂｒ2、Ｃｌ2、ＨＣｌ、及びＨ2から成るエッチング液の群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記シールドは、前記洗浄チャンバに形成されたプラズマを使用して該洗浄チャンバで洗浄される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１８】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生したデブリから保護するためのシステムであって、
管腔を取り囲む管壁を有する少なくとも１つの中空管を含むシールド、
を含み、
前記管は、プラズマ形成部位と光学要素の間に挿入され、かつ光学要素表面の方向に向けられたデブリの少なくとも一部分が該表面に到達することを防止するように配向され、該プラズマ形成部位で発生した光の少なくとも一部分が前記管腔を通過して該光学要素表面に到達することを可能にする、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１９】
前記シールドは、各管がそれぞれの内腔を有する複数の中空管を含み、
各管は、前記プラズマ形成部位で発生した光が前記それぞれの管腔を通過して前記光学要素表面に到達することを可能にするように前記プラズマチャンバ内で配向されている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記中空管は、第１の端部、第２の端部、及び内腔径ｄを有し、かつ該第１の端部から該第２の端部までの直線管軸線を形成し、
前記管は、Ｄ≧ｄとしてオフセット距離Ｄだけ前記管軸線から横方向にオフセットされた、前記第１の端部及び第２の端部の間の中央部を有して形成される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
各中空管は、それぞれの第１の端部、それぞれの第２の端部、及びそれぞれの内腔径ｄを有し、かつ該それぞれの第１の端部から該それぞれの第２の端部までのそれぞれの直線管軸線を形成し、
各管は、Ｄ≧ｄとしてオフセット距離Ｄだけ前記それぞれの管軸線から横方向にオフセットされた、前記それぞれの第１の端部及びそれぞれの第２の端部の間のそれぞれの中央部を有して形成される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【請求項２２】
前記管は、直線管である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２３】
前記中空管は、ガラス、金属、及びセラミックから成る材料の群から選択された材料で作られる、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２４】
前記管にガスを通過させてデブリを前記管壁の中に偏向させるためのサブシステム、
を更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２５】
複数の貫通孔を有して形成され、前記管と前記光学要素の間に位置決めされたプレート、
を更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２６】
プラズマが、１対の電極間の放電によって前記プラズマ形成部位で発生する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２７】
プラズマが、ターゲット材料をレーザビームで照射することによって前記プラズマ形成部位で発生する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２８】
前記プラズマチャンバ光学要素表面は、光検出器の表面及び撮像窓の表面から成る表面の群から選択される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２９】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生したデブリから保護するためのシステムであって、
プラズマ形成部位と光学要素の間にデブリをそこに堆積させるように挿入可能なシールドと、
前記堆積したデブリの少なくとも一部分を除去するのに十分な温度まで前記シールドを加熱する加熱器と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項３０】
前記シールドは、ＣａＦ2、溶融石英、及びＭｇＦ2から成る材料の群から選択された材料で作られる、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載のシステム。
【請求項３１】
前記加熱器は、前記シールドに接触した導体と、該導体に電流を通過させるための電流源とを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載のシステム。
【請求項３２】
前記導体は、Ｍｏで作られたバンドである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載のシステム。
【請求項３３】
前記プラズマは、Ｓｎを含み、エッチング液が、前記プラズマチャンバ内に導入され、前記加熱器は、堆積したＳｎと該エッチング液の間の化学反応を開始させるために前記シールドを２００℃よりも高い温度に加熱する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載のシステム。
【請求項３４】
前記プラズマは、Ｌｉを含み、前記加熱器は、堆積したＬｉを蒸発させるために前記シールドを４００℃よりも高い温度に加熱する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載のシステム。
【請求項３５】
放射加熱器、高周波加熱器、及びマイクロ波加熱器から成る加熱器の群から選択された加熱器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２９に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料物質から生成され、ＥＵＶ光源発生チャンバの外側での利用のために、例えば、約２０ｎｍ及びそれ未満の波長での半導体集積回路製造フォトリソグラフィ処理実行機械のために、集光して焦点に方向付けられたプラズマからＥＵＶ光を供給する極紫外線（ＥＵＶ）光発生器に関する。
関連出願
本出願は、代理人整理番号第２００４−０１１７−０１号である２００５年２月２５日出願の「ＥＵＶ光源の内部構成要素をプラズマ生成デブリから保護するためのシステム」という名称の米国特許出願出願番号第１１／０６７，０９９号に対する優先権を請求するものであり、かつ代理人整理番号第２００４−００８８−０１号である２００４年１１月１日出願の「ＬＰＰのＥＵＶ光源」という名称の米国特許出願出願番号第１０／９７９，９４５号、代理人整理番号第２００４−００４４−０１号である２００４年７月２７日出願の「ＥＵＶ光源」という名称の出願番号第１０／９００，８３９号、代理人整理番号第２００３−０１２５−０１号である２００４年３月１７日出願の「高繰返し数ＬＰＰのＥＵＶ光源」という名称の出願番号第１０／８０３，５２６号、及び代理人整理番号第２００３−００８３−０１号である２００４年３月１０日出願の「ＥＵＶ光のための集光器」という名称の出願番号第１０／７９８，７４０号にも関連しており、その各々の開示内容は、引用により組み込まれている。
【背景技術】
【０００２】
極紫外線（ＥＵＶ）光、例えば約２０ｎｍ又はそれ未満の波長を有し（軟Ｘ線と呼ばれることもある）かつ約１３．５ｎｍの波長の光を含む電磁放射線は、基板、例えばシリコンウェーハにおける極めて小さな形態を生成するためにフォトリソグラフィ処理に使用することができる。
ＥＵＶ光を生成する方法は、以下に必ずしも限定されるものではないが、ＥＵＶ範囲の輝線を有する元素、例えば、キセノン、リチウム、又は錫を有するプラズマ状態に材料を変換する段階を含む。放電生成プラズマ（ＤＰＰ）と呼ばれることが多い１つのこのような方法では、プラズマは、１対の電極間の放電によって生成されると考えられる。別の方法では、所要のプラズマは、レーザビームで所要の線発光元素を有する材料の液滴、流れ、又はクラスターのようなターゲット材料を照射することによって生成することができる。この後者の処理は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる。
【０００３】
これらの処理の各々に対して、プラズマは、一般的に、密封容器、例えば、真空チャンバで生成され、様々な型式の測定機器を使用してモニタされる。ＥＵＶ放射線を生成するだけではなく、これらのプラズマ処理はまた、一般的に、熱、高エネルギイオン、プラズマ形成からの散乱デブリ、例えば、プラズマ形成処理において完全にはイオン化されない原料物質の原子及び／又は塊を含む可能性がある望ましくない副産物をプラズマチャンバに発生する。
【０００４】
これらのプラズマ形成副産物は、以下に限定されるものではないが、測定用検出器の表面、プラズマ形成処理を撮像するのに使用される窓、及びＬＰＰの場合のレーザ入力窓を含む様々なプラズマチャンバ光学要素の作動効率を潜在的に損傷するか又は低減する可能性がある。熱、高エネルギイオン、及び／又は原料物質デブリは、光学要素を加熱し、光透過率を低減する材料でそれらを被覆し、それらの中に貫通し、かつ例えば構造的一体性及び／又は光学特性、例えばそのような短波長で光を反射するミラーの機能を損ない、それらを腐食又は侵蝕し、及び／又はそれらの中に拡散することを含むいくつかの方法で光学要素を損傷する場合がある。更に、一部の光学要素、例えばレーザ入力窓は、真空チャンバの一部を成し、従って、真空がプラズマチャンバに存在する時に応力を受けた状態に置かれる。これらの要素に対しては、堆積物と熱が組み合わされて要素を破壊し（すなわち、亀裂）、真空の損失をもたらし、経費のかかる修復が必要になる可能性がある。
【０００５】
要素の洗浄又は交換を目的としたプラズマチャンバ内の汚損又は損傷した光学要素へのアクセスは、高価で、労働集約的で、時間を消費する可能性がある。特に、これらのシステムには、一般的に、プラズマチャンバ開放後の再起動前に、プラズマチャンバのかなり複雑で時間を消費するパージ処理及び真空ポンプダウンが必要である。この長い工程は、製造スケジュールに悪影響を与えると共に、休止時間が殆どないか又は全くない状態で作動することが一般的に望ましい光源の全体的な効率を低下させる可能性がある。
以上のことを念頭に置いて、本出願人は、様々なプラズマチャンバ光学要素の使用寿命の延長と、プラズマチャンバ開放が必要になる保守作業間の時間の増大とに有用な遮蔽システム及び方法を開示する。
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願出願番号第１１／０６７，０９９号
【特許文献２】米国特許出願出願番号第１０／９７９，９４５号
【特許文献３】米国特許出願出願番号第１０／９００，８３９号
【特許文献４】米国特許出願出願番号第１０／８０３，５２６号
【特許文献５】米国特許出願出願番号第１０／７９８，７４０号
【特許文献６】米国特許第６，８１５，７００号
【特許文献７】米国特許第６，６２５，１９１号
【特許文献８】米国特許第６，５４９，５５１号
【特許文献９】米国特許第６，５６７，４５０号
【発明の開示】
【０００７】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生するデブリから保護するためのシステム及び方法を開示する。本発明の実施形態の１つの態様では、光透過シールドを開示し、これは、シールドがプラズマ形成部位と光学要素の間に挿入された初期位置から洗浄チャンバ内に移動可能である。初期位置では、シールドは、光学要素表面の方向に向けられたデブリが表面に到達するのを防止する。
【０００８】
本発明の実施形態の別の態様では、プラズマチャンバ光学要素のためのシールドを開示し、これは、シールド上に堆積したデブリ材料の１つ又はそれよりも多くの種を除去するのに十分な温度まで加熱することができる。
本発明の実施形態の更に別の態様では、プラズマチャンバ光学要素のためのシールドシステムを開示し、これは、光学要素とプラズマ形成部位の間に位置決めされた少なくとも１つの中空管を含む。管は、光を比較的小さなグレージング入射角での反射を通じて管の内腔（すなわち、穴）に通過させながらデブリを捕捉するように配向される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
ここで図１を参照すると、例示的な生成用ＥＵＶ光源、例えば、本発明の実施形態の態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０が示されている。本発明の態様は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を参照して示すが、本発明は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）を含むプラズマを生成する他の形式の光源にも等しく適用可能であることは認められるものとし、その代表的な構成は、本出願人所有の米国特許第６，８１５，７００号に開示されており、この特許は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００１０】
引き続き図１を参照すると、ＬＰＰ光源２０は、パルスレーザシステム２２、例えば、高電力かつ高繰返し数で作動するガス放電エキシマ又は分子フッ素レーザを含むことができ、かつ、例えば、米国特許第６，６２５，１９１号、第６，５４９，５５１号、及び第６，５６７，４５０号に示すように、ＭＯＰＡ構成レーザシステムとすることができる。また、例えば、液滴、液体流、固体粒子又はクラスター、液滴内に含まれた固体粒子、又は液体流内に含まれた固体粒子の形でターゲットを送出するターゲット送出システム２４を含むことができる。ターゲットは、ターゲット送出システム２４によって例えばチャンバ２６の内部に送出され、点火部位又は「火球」の景色としても公知のプラズマ形成部位２８に至ることができる。
【００１１】
レーザパルスは、パルスレーザシステム２２からレーザ光軸５５に沿ってチャンバ２６内のレーザ入力窓５７を通って照射部位に送出され、適切に集束され、ターゲットの材料に従って、生成されるＥＵＶ光の波長、点火中又は点火後にプラズマから放出されるデブリの種類及び量を含むある一定の特性を有するプラズマを形成する点火又は火球を生成することができる。
光源はまた、集光器３０、例えば、レーザ光が通過して点火部位２８に到達することを可能にする開口を有する例えば先端が切り取られた楕円の形態の反射体を含むことができる。集光器３０は、例えば、点火部位２８で第１の焦点、及びＥＵＶ光が光源２０から出力されて例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力されるいわゆる中間点４０（中間焦点４０とも呼ばれる）で第２の焦点を有する楕円鏡とすることができる。また、システム２０は、ターゲット位置検出システム４２を含むことができる。
【００１２】
パルスシステム２２は、発振器レーザシステム４４のためのパルス電力タイミングモニタリングシステム５４と増幅器レーザシステム４８のためのパルス電力タイミングモニタリングシステム５６と共に、例えば、発振器レーザシステム４４のための磁気反応器切換式パルス圧縮及びタイミング回路５０と増幅器レーザシステム４８のための磁気反応器切換式パルス圧縮及びタイミング回路５２とを備えた例えば発振器レーザシステム４４及び増幅器レーザシステム４８を有する主発振器電力増幅器（ＭＯＰＡ）構成二重チャンバガス放電レーザシステムを含むことができる。また、システム２０は、ＥＵＶ光源コントローラシステム６０を含むことができ、これは、例えば、レーザビーム位置決めシステム６６共に、例えば、ターゲット位置検出フィードバックシステム６２と発射制御システム６５を含むこともできる。
【００１３】
ターゲット位置検出システムは、ターゲット液滴の位置に関する例えば点火部位に関する入力を供給し、これらの入力をターゲット位置検出フィードバックシステムに供給する複数の液滴撮像器７０、７２、及び７４を含むことができ、ターゲット位置検出フィードバックシステムは、例えば、ターゲット位置及び軌道を計算し、ターゲット位置及び軌道から、ターゲット誤差を液滴単位ではないにしても平均値で計算することができ、次に、ターゲット誤差は、入力としてシステムコントローラ６０に供給され、これは、例えば、レーザタイミング回路を制御し、及び／又はレーザ位置及び方向変更器６８を制御し、及び／又はレーザビームの焦点を異なる点火位置２８に変えるために、レーザビーム位置決めシステムが使用することができるレーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を例えばレーザビーム位置決めシステム６６に供給することができる。
【００１４】
撮像器７４は、例えば、撮像線７５に沿って狙いを形成し、例えば、ターゲット送出機構９２から望ましい点火部位２８までのターゲット液滴９４の望ましい軌道経路に整列させることができ、撮像器７２と７６は、例えば、望ましい軌道経路に沿って交差するそれぞれの交差撮像線７６と７８に沿って例えば望ましい点火部位２８前の軌道経路に沿った何らかの点に狙いを定めることができる。
ターゲット送出制御システム９０は、システムコントローラ６０からの信号に応答して、例えば、ターゲット送出機構９２によって放出されるようなターゲット液滴９４の放出スポットを修正し、望ましい点火部位２８に到達するターゲット液滴内の誤差を補正することができる。また、中間焦点４０で又はその近くに位置決めされたＥＵＶ光源検出器１００は、例えば、レーザパルスのタイミング及び焦点のような事柄の誤差を示すことができるフィードバックをシステムコントローラ６０に供給し、有効かつ効率的なＥＵＶ光生成のための正しい場所及び時間にターゲット液滴を適正に捕捉することができる。
【００１５】
図１に概略的に示し、かつ以下でより詳細に説明するように、本発明の実施形態の態様は、それぞれのプラズマチャンバ光学要素表面１０４ａから１０４ｅをプラズマ形成部位２８で発生するデブリから保護する遮蔽システム１０２ａから１０２ｅを含む。特に、図示のように、遮蔽システム１０２ａは、レーザ入力窓５７の表面１０４ａを保護し、遮蔽システム１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄは、撮像器７０、７２、７４のそれぞれの撮像窓のそれぞれの表面１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄを保護し、遮蔽システム１０２ｅは、ＥＵＶ光源検出器１００の表面１０４ｅを保護する。
【００１６】
図２は、本発明の実施形態の態様による光学要素、例えばレーザ入力窓５７の表面１０４ａをプラズマ形成から生じるデブリから保護するための、概略的に示して全体的にシステム１０２で指定したシステムを示す。レーザ入力窓５７を保護するためのシステム１０２が図２で示されているが、示されているシステム１０２を使用して、以下に限定されるものではないが、撮像窓及び光検出器入力表面を含む他の光学構成要素を保護することができることは認められるものとする。図２に示すように、システム１０２は、プラズマチャンバ２６の近くに位置決めすることができる洗浄チャンバ１０６を含むことができる。
【００１７】
透明材料、例えばレーザビーム１０９（又は、外部測定装置によってサンプリングされる光、例えば、ＥＵＶ光又は可視光）に対して透明である材料で作られた個別のシールド１０８ａ、１０８ｂは、各シールド１０８をプラズマチャンバ２６から洗浄チャンバ１０６に順次移動させ、次に、プラズマチャンバ２６などの中に戻すように構成された機構上に取り付けることができる。より具体的には、この機構は、各シールド１０８を第１の位置（シールド１０８ａに対して示す位置に対応）に設置することができ、そこで、シールド１０８は、レーザ入力窓５７の方向に向けられたデブリ１１２が窓５７に到達するのを防止するために、プラズマ形成部位２８とレーザ入力窓５７の間に挿入される。機構１１０を起動させ、次に、シールド１０８を上述の第１の位置から第２の位置（シールド１０８ｂに対して示す場所に対応）に移動させることができ、そこで、シールド１０８を洗浄チャンバ１０６内に配置して、堆積したデブリをシールド１０８から除去することができる。２つのシールド１０８が図２に示されているが、２つよりも多いシールド１０８及び僅かに１つのシールド１０８を使用することができることは認められるものとする。更に、３６０°に及ぶ透明材料製の連続的な環状形状のストリップを使用することができ、いかなる時点でもストリップの一部分のみがプラズマ形成部位２８とレーザ入力窓５７の間に挿入されている。この場合、連続的なストリップの挿入された部分は、本発明の開示の目的上「シールド」を成し、従って、ストリップは、複数のシールドを構成する。
【００１８】
図２に示すように、機構１１０は、車軸１１６を形成するホイール１１４を含むことができる。シールド１０８は、図示のように、ホイール１１４に取り付けることができる。起動された時、機構１１０内の回転アセンブリは、車軸１１６周りにシールド１０８（矢印１１８を参照されたい）を回転させ、シールド１０８をプラズマチャンバ２６から洗浄チャンバ１０６に移動させ、洗浄後、プラズマチャンバ２６内に戻す。この回転は、区分的に行うことができ、又は連続的なものとすることができる。この構造的な配置を用いて、ホイール１１４上の１つ又はそれよりも多くのシールド１０８を洗浄チャンバ１０６内で洗浄することができ、同時に、ホイール１１４上の別のシールド１０８を使用して、プラズマ源デブリ１１２がプラズマチャンバ２６内のレーザ入力窓５７に到達するのを防止することができる。
【００１９】
洗浄チャンバ１０６では、エッチング液供給源１２０を設置して、デブリをシールド１０８から除去するＨＢｒのようなエッチング液の濃度を確立することができる。代替的に、適切なエッチング液としては、Ｂｒ2、Ｃｌ2、ＨＣｌ、Ｈ2、及びＨＣＦ3のようなエッチング液を含むことができるが、必ずしもこれらに限定されない。例えば、数トルのＨＢｒ濃度を洗浄チャンバ内で使用して、シールドを洗浄することができる。一部の場合では、比較的小さなＨＢｒ濃度、例えば１０ミリトルをプラズマチャンバ４６内で維持して構造体をエッチングすることができる。この配置を用いると、必要と考えられるのは、機構１１０付近のチャンバ２６と１０６の間の適度に緊密なシールだけである。一部の実施例では、機械的にシールド１０８を洗浄するための装置（図示せず）を洗浄チャンバ内に含めることができる。代替的に又は機械式洗浄、エッチングのいずれか又はその両方に加えて、熱源（図示せず）を用いて、堆積した材料をシールド１０８から除去することができる（加熱による堆積デブリ除去に関して以下に更に説明する内容を参照されたい）。更に別の変形では、プラズマエッチング又はプラズマ支援エッチング、例えば、約１ｍトルの圧力でアルゴンを用いるｒｆプラズマを洗浄チャンバ１０６内で用いることができる。
【００２０】
図２Ａは、システムが、プラズマチャンバ２６から洗浄チャンバ１０６までの直線経路に沿って（矢印１２４の方向に）シールド１０８を移動させる摺動アセンブリ１２２を含む機構１１０’を含む本発明による実施形態の別の態様を示している。示していないが、１つ又はそれよりも多くのシールド１０８が洗浄チャンバ１０６内で同時に洗浄されると共に、プラズマチャンバ２６内で１つのシールド１０８の使用を可能にする複数の摺動アセンブリ（各々が異なるシールド上で作動可能）を用いることができることは認められるものとする。
【００２１】
上述のようにレーザ入力窓５７を熱及びデブリから保護する機能はまた、プラズマ形成部位２８により近い場所（対応する無保護窓よりも）への窓５７の位置決めを助けることができる。これは、次に、レーザ入力窓５７がレンズとしても機能する時に有益であろう。この場合、プラズマ形成部位にレンズが近づくことにより、レーザ発散の低減と指向安定性要件とを有するレーザ源の使用を可能にすることができる。
【００２２】
図３は、光学要素、例えばＥＵＶ光検出器１００の表面１０４ｄをプラズマ形成から生じるデブリから保護するための、概略的に示して全体的にシステム１０２’で指定した本発明の実施形態の別の態様によるシステムを示す。図示のように、システム１０２’は、各管が管腔（すなわち、穴）を取り囲む管壁を有する複数の中空管１２６、例えばいわゆる毛細管を含むことができる。管１２６は、グレージング入射角、例えば、円滑面のＥＵＶ反射率が殆どの材料に対して比較的高い小さいグレージング入射角（＜１０°）でのグレージング入射反射時にＥＵＶ光を反射する材料、例えばガラス又はセラミック、例えばホウ珪酸塩材料で製造することができる。図示のように、管１２６は、一纏めにして、管１２６と類似の形状を有するステンレス鋼製ハウジング管１２８内に収容することができる。例示的な実施形態では、約５０本の湾曲ガラス毛細管１２６（外径１ｍｍ、内径０．７８ｍｍ、長さ１５０ｍｍ）を湾曲ステンレス鋼管１２８の内側に取り付けることができる。図３Ａに示すように、管端部１３４、１３６によって構成された管軸線１３２から横方向にオフセットさせることができる中央部１３０を有する管１２６を成形することができる。特に、中央部１３０は、管１２６の内径よりも大きい距離だけオフセットさせることができる。
【００２３】
図３Ａは、管１２６をプラズマ形成部位２８と表面１０４ａの間に挿入することができることを示している。また、図３Ａは、ＥＵＶ光線の例示的な経路１４０とデブリ粒子の例示的な経路１４２とを示している。図示のように、ＥＵＶ光線は、管１２６内壁面からの一連の小さな角のグレージング入射反射の後に管１２６の内腔（すなわち、穴）を通過して表面１０４ａに到達する。他方、図示のように、デブリ粒子は、中空管内壁に衝突すると内壁に付着する。更に、一部の場合では、内壁のデブリが蓄積すると、その結果、グレージング入射角でＥＵＶ光を適度に反射する十分に滑らかな表面をもたらすであろう。管１２６の使用は、自動的に光を管端部の方向に向けるので、再方向付けミラーの場合と同様に複雑なアラインメントが不要であるという点で、光を検出器に向ける上で平坦なミラーの使用を凌ぐ利点を有することができる。
【００２４】
図３はまた、システム１０２’が、各管１２６内を流れるようにガスを放出するサブシステム１４４を含むことができることを示している。各管１２６では、ガスは、デブリ粒子と衝突してデブリ粒子を管内壁に偏向させることができる。次に、ガスは、各管１２６を出ると、プラズマチャンバに入る。この目的のための例示的なガスとしては、ＥＵＶ光に対して比較的透明であるアルゴン及びヘリウムのようなガスを含むことができる。図示のように、ガスは、ステンレス鋼管１２８及び検出器１００内に導入することができる。検出器は、図示のように、１つ又はそれよりも多くの薄いＥＵＶフィルタ箔１４６、多層ミラー１４８、及びフォトダイオード検出器１５０を含むことができる。
【００２５】
システム１０２’はまた、残りのデブリ粒子が検出器１００に衝突するのを阻止するために管１２６と検出器１００の間に位置する小さな直線チャンネル（数μｍ径、いわゆる平行化孔）を有する部分透過（例えば、約５０％透過）プレート１５２を含むことができる。例えば、チャンネルプレートは、約１ｍｍから５ｍｍの長さ及び約５μｍと１００μｍの間の毛細管直径を有するガラス毛細管アレイで形成することができる。また、チャンネルプレート１５２は、チャンネルの真っ直ぐな通過を回避してグレージング入射反射を保証するために、角度θ、例えば５°から１０°でステンレス鋼管１２８内に取り付けることができる。
【００２６】
図３Ｂは、光学要素、例えばＥＵＶ光検出器１００の表面１０４ｄをプラズマ形成から生じるデブリから保護する単一の湾曲中空管１２６を有する本発明の実施形態の別の態様を示している。図３Ｃは、光学要素、例えばＥＵＶ光検出器１００の表面１０４ｄをプラズマ形成から生じるデブリから保護する単一の直線中空管１２６’’を有する本発明の実施形態の更に別の態様を示している。長尺直線管１２６’’を使用して、検出器視角を制限することができる。単一の管１２６’及び１２６’’は、ガスサブシステム１４４からのガス流と組み合わせて、デブリ粒子との衝突の確率を上げることができ、また、部分透過プレート１５２を含むことができる。複数の直線管１２６’’を図３に示す束ねた湾曲管１２６と類似の方法で束ねることができることは認められるものとする。
【００２７】
図４は、光学要素、例えばレーザ入力窓、撮像器窓、又はＥＵＶ光検出器の表面をプラズマ形成から生じるデブリから保護するための、全体的にシステム１０２’’で指定した本発明の実施形態の別の態様によるシステムを示している。図示のように、システム１０２’’は、光透過材料、例えば、ＬＰＰレーザビームに対して（外部測定装置によってサンプリングされる光、例えば、ＥＵＶ光又は可視光に対して）実質的に透明である材料、例えば、ＣａＦ2、溶融石英、又はＭｇＦ2で作られたシールド１０８’を含むことができる。
【００２８】
使用面では、シールド１０８’は、プラズマチャンバ２６（図１を参照されたい）の内側に位置決めされ、かつプラズマ形成部位２８と光学要素の間に位置し、それによってデブリがシールド１０８’の表面に一時的に堆積することを可能にする。システム１０２’’は、シールド１０８’を堆積デブリの少なくとも一部を除去し、例えば、１つ又はそれよりも多くの種の一部又は全てを除去するのに十分な温度に加熱する加熱器１５４を更に含むことができる。
例えば、加熱器は、堆積材料の少なくとも一部を蒸発させるのに十分な温度にシールド１０８’を加熱することができる。Ｌｉを含むプラズマ原料物質に対しては、加熱器１５４は、Ｌｉをシールド表面から蒸発させるためにシールド１０８’を約４００℃から５５０℃の範囲の温度まで加熱するように設計することができる。
【００２９】
一部の場合では、加熱器は、堆積材料と、プラズマチャンバ内に導入されるエッチング液ガスとの間の化学反応を開始させるのに十分な温度までシールド１０８’を加熱することができる。Ｓｎを含むプラズマ原料物質に対しては、加熱器１５４は、例えば、蒸発又は例えば銅線を使用する吸い上げによってシールド表面からその後除去される反応生成物を生成するために、シールド１０８’を約２００℃から３２５℃の範囲の温度まで加熱してＳｎ堆積物とガス状エッチング液、例えばＨＢｒとの間の反応を開始させるように設計することができる。
【００３０】
図４に示すように、加熱器は、シールド１０８’と接触して位置決めされた導電材料、例えばＭｏで作られたバンド１５６と、電流を導電バンド１５６に通すための電流源とを含むことができる。また、バンド１５６には、バンド１５４がシールド１０８’を保持して機械的に支えることを可能にする延長部１５８を形成することができる。シールド１０８’を加熱する他の方法としては、以下に限定されるものではないが、放射加熱器、マイクロ波加熱器、ｒｈ加熱器、及びその組合せが含まれる。
【００３１】
以上開示した本発明の実施形態の態様は、好ましい実施形態であるに過ぎず、本発明の開示内容をいかなる点においても、特に、特定の好ましい実施形態だけに限定することを意図したものではないことは、当業者によって理解されるであろう。本発明の実施形態の開示した態様に対して、当業者によって理解されかつ認められることになる多くの変更及び修正を行うことができる。特許請求の範囲は、その範囲及び意味において本発明の実施形態の開示した態様だけではなく、このような均等物及び当業者に明らかであると考えられる他の修正及び変更も網羅するように意図したものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の態様によるレーザ生成プラズマＥＵＶ光源の全体的な広義の概念の概略図である。
【図２】本発明の実施形態の態様による光学要素表面をプラズマ源デブリから保護するためのシステムの可能な実施形態の概略断面形を示す図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態の態様によるシールドを洗浄チャンバ内に移動させる摺動器機構の実施形態の態様の概略断面形を示す図である。
【図３】プラズマチャンバ光学要素をプラズマ原料物質デブリから保護するシールドシステムの別の可能な実施形態の態様の概略側面図である。
【図３Ａ】中空管を通る例示的な光線の経路と中空管によって捕捉された例示的なデブリ粒子の経路とを示す複数の中空管の概略側面図である。
【図３Ｂ】１つの湾曲中空管を有するプラズマチャンバ光学要素をプラズマ原料物質デブリから保護するシールドシステムの別の可能な実施形態の態様の概略側面図である。
【図３Ｃ】１つの直線中空管を有するプラズマチャンバ光学要素をプラズマ原料物質デブリから保護するシールドシステムの別の可能な実施形態の態様の概略側面図である。
【図４】光透過シールドを加熱する加熱器を有するプラズマチャンバ光学要素をプラズマ原料物質デブリから保護するシールドシステムの別の可能な実施形態の態様の概略側面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０２’’  本発明のシステム
１０８’  シールド
１５４  加熱器
【図１】
2008532231.tif 000003
【図２】
2008532231.tif 000004
【図２Ａ】
2008532231.tif 000005
【図３】
2008532231.tif 000006
【図３Ａ】
2008532231.tif 000007
【図３Ｂ】
2008532231.tif 000008
【図３Ｃ】
2008532231.tif 000009
【図４】
2008532231.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月30日(2007.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生したデブリから保護するためのシステムであって、
プラズマ形成部位と光学要素の間にデブリをそこに堆積させるように挿入可能なシールドと、
前記堆積したデブリの少なくとも一部分を除去するのに十分な温度まで前記シールドを加熱する加熱器と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記シールドは、ＣａＦ2、溶融石英、及びＭｇＦ2から成る材料の群から選択された材料で作られる、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記加熱器は、前記シールドに接触した導体と、該導体に電流を通過させるための電流源とを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記導体は、Ｍｏで作られたバンドである、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記プラズマは、Ｓｎを含み、エッチング液が、前記プラズマチャンバ内に導入され、前記加熱器は、堆積したＳｎと該エッチング液の間の化学反応を開始させるために前記シールドを２００℃よりも高い温度に加熱する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記プラズマは、Ｌｉを含み、前記加熱器は、堆積したＬｉを蒸発させるために前記シールドを４００℃よりも高い温度に加熱する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
放射加熱器、高周波加熱器、及びマイクロ波加熱器から成る加熱器の群から選択された加熱器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生したデブリから保護するためのシステムであって、
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面に対して移動可能であり、かつある一定の位置内に移動可能であるシールドであって、該位置では、該シールドが、該光学要素表面に向う経路に沿って向けられたデブリが該表面に到達するのを防止するためにプラズマ形成部位と該光学要素の間に挿入されているシールド、
を含み、
前記プラズマ形成部位と前記光学要素表面の間の光の通過を可能にする、
ことを特徴とするシステム。
【請求項９】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生したデブリから保護するためのシステムであって、
洗浄チャンバと、
透明材料で作られたシールドと、
前記光学要素表面の方向に向けられたデブリが前記表面に到達するのを前記シールドが防止するように該シールドが前記プラズマ形成部位と該光学要素表面の間に挿入された第１の位置から、該シールドが前記洗浄チャンバ内にそこでの洗浄のために配置された第２の位置まで該シールドを移動させる機構と、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
ＥＵＶ光源プラズマ生成チャンバ光学要素表面をプラズマ形成によって発生したデブリから保護するためのシステムであって、
管腔を取り囲む管壁を有する少なくとも１つの中空管を含むシールド、
を含み、
前記管は、プラズマ形成部位と光学要素の間に挿入され、かつ光学要素表面の方向に向けられたデブリの少なくとも一部分が該表面に到達することを防止するように配向され、該プラズマ形成部位で発生した光の少なくとも一部分が前記管腔を通過して該光学要素表面に到達することを可能にする、
ことを特徴とするシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008532231.tif 000011
【図２】
2008532231.tif 000012
【図２Ａ】
2008532231.tif 000013
【図３】
2008532231.tif 000014
【図３Ａ】
2008532231.tif 000015
【図３Ｂ】
2008532231.tif 000016
【図３Ｃ】
2008532231.tif 000017
【図４】
2008532231.tif 000018
【国際調査報告】
2008532231.tif 000019
2008532231.tif 000020
2008532231.tif 000021