(57)【要約】  微細シリコン粉末、およびスピン・オン・ガラスなどの硬化性シリカ形成剤から形成されていて超音波で均質化されている接着剤で一緒に接合されている２つのシリコン・シェル（５４，５６）を含む、一括熱処理炉で使用することができるガス・インジェクタ・チューブ（４０）。チューブは、その遠位端においてガスの出口（５２）を有することができるか、またはシリコン・キャップ（８６）で封止することができ、そのサイドに沿って形成された側部出口穴（８４）を有する。そのシリコン・インジェクタ・チューブはシリコン塔およびシリコン・ライナと一緒に組み合わせて使用することができ、炉のホット・ゾーン内のすべてのバルク部分がシリコンから形成されるようにすることができる。【選択図】      図２
2008532283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン・ガス・インジェクタであって、シリコン粉末およびシリカ形成剤から形成されている接着剤で一緒に結合された実質的に純粋なシリコンを含む２つのシェルから形成され、それらシェルの間に第１の中央内腔を形成しているインジェクタ・チューブを含むインジェクタ。
【請求項２】
シリコン粉末およびシリカ形成剤から形成されている接着剤で前記２つのシェルに結合され、前記インジェクタ・チューブに対して垂直に延びる供給チューブを含み、前記第１の中央内腔と連通している第２の中央内腔を含む第２のシリコン・チューブ組立体をさらに含む、請求項１に記載のインジェクタ。
【請求項３】
前記シリコン粉末のサイズ分布が、全粒子の９９％の直径が７５μｍより小さい、請求項１に記載のインジェクタ。
【請求項４】
全粒子の９９％の直径が１０μｍより小さいサイズ分布を有する、請求項３に記載のインジェクタ。
【請求項５】
全粒子の９９％の直径が１００ｎｍより小さいサイズ分布を有する、請求項４に記載のインジェクタ。
【請求項６】
前記第２のシリコン・チューブ組立体が、前記供給チューブおよび一体型ユニットとして形成されたエルボを含む、請求項２に記載のインジェクタ。
【請求項７】
前記２つのシェルがバージン・ポリシリコンから形成される、請求項１に記載のインジェクタ。
【請求項８】
前記２つのシェルがそれらの間の界面において嵌合トングおよび溝を有する、請求項１〜７のいずれかに記載のインジェクタ。
【請求項９】
前記２つのシェルがそれらの間の界面において嵌合段部を有する、請求項１〜７のいずれかに記載のインジェクタ。
【請求項１０】
前記２つのシェルがそれらの間の界面において嵌合段面を有する、請求項１〜７のいずれかに記載のインジェクタ。
【請求項１１】
前記結合されたシェルの端部に封止されたキャップをさらに備え、前記シェルの１つの軸方向に延びる側に形成され、前記チューブの内腔に延びる少なくとも１つの穴をさらに含む、請求項１〜７のいずれかに記載のインジェクタ。
【請求項１２】
前記軸方向に延びる側に沿って軸方向に間隔を空けた複数の穴を有する、請求項１１に記載のインジェクタ。
【請求項１３】
前記軸方向に延びる側に沿って前記穴のうちの少なくとも３つの間の穴の直径または間隔が変化する、請求項１２に記載のインジェクタ。
【請求項１４】
ガス・インジェクタの組み立て方法であって、実質的に純粋なシリコンを含む２つのシェルを提供するステップと、一緒に組み立てられる時に、それらの間に軸方向の内腔を形成するステップと、前記２つのシェルの嵌合面の少なくともいくつかにシリコン粉末および硬化性シリカ形成剤を含む接着剤を塗布するステップと、前記２つのシェルのそれぞれの嵌合面を並置することによって前記２つのシェルを組み立てるステップと、接着剤をガラス化するのに十分な温度において前記組み立てられたシェルをアニールするステップとを含む方法。
【請求項１５】
前記温度が少なくとも４００℃である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記温度が８５０〜１０００℃の間にある、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記提供ステップが、少なくとも１つのアニールされたバージン・ポリシリコン部材からシェルを機械加工するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記接着剤を塗布する前に、前記嵌合面の少なくともいくつかに粉末なしの湿潤剤を塗布するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記湿潤剤が硬化性シリカ形成剤を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記シリカ形成剤と前記シリコン粉末とを混合するステップと、前記混合物を超音波で撹拌して前記接着剤を形成するステップとをさらに含む、請求項１４〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
２つのシリコン部品を一緒に結合する方法であって、シリコン粉末とシリカ形成剤とを一緒に混合するステップと、前記混合物を超音波で撹拌するステップと、２つの各シリコン部材の２つの嵌合面のうちの少なくとも１つに前記撹拌された混合物を塗布するステップと、前記シリコン部材の間に前記撹拌された混合物によって前記２つの嵌合面に沿って前記シリコン部材を接合するステップとを含む方法。
【請求項２２】
前記接合されたシリコン部材をアニールし、それにより前記シリカ形成剤を硬化させるステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
シリコン・ウェーハを熱処理する方法であって、シリコン生産ウェーハをシリコン塔上で支持するステップと、前記塔を囲んでいるシリコン・ライナを含む炉内に前記シリコン塔およびその上に支持された前記ウェーハを配置するステップと、前記ライナ内の前記炉のホット・ゾーン内の生産ウェーハを処理するために前記塔と前記ライナとの間に出口が配置されている少なくとも１つのシリコン・インジェクタを通して処理ガスを流すステップとを含み、前記塔、前記ライナおよび前記ホット・ゾーン内に配置された前記インジェクタのすべてのバルク部分がシリコン以外の材料を実質的に含まず、前記インジェクタに対して鉛系接着剤を除外する方法。
【請求項２４】
前記インジェクタが、シリコン粉末およびシリカ形成剤から形成されている接着剤で一緒に結合され、それらの間に中心軸線方向の内腔を形成している２つの実質的に純粋なシリコン・シェルから形成されているチューブを備える、請求項２３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、半導体ウェーハの熱処理に関する。特に、本発明は、熱処理炉内のガス・インジェクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連出願）
本出願は、２００５年２月２３日に出願された仮出願第６０／６５５，４８３号の権利を主張する。
一括熱処理がシリコン集積回路の製造におけるいくつかの段階に対して使用し続けられている。ある低温熱処理は、通常、約７００℃の範囲の温度において前駆体ガスとしてクロロシランおよびアンモニアを使用し、化学蒸着によって窒化シリコンの層を堆積する。他の低温プロセスとしては、ポリシリコンまたは二酸化シリコンの堆積、あるいは低温を利用している他のプロセスなどがある。高温プロセスとしては、酸化、アニール、シリサイド化のプロセス、および、たとえば、場合によっては約１０００℃またはそれ以上の１２００℃にもなる、より高い温度を通常使用する他のプロセスなどがある。
【０００３】
大規模な商用生産は、通常、縦型炉および炉内で多数のウェーハを支持している垂直に配置されたウェーハ塔を、多くの場合、図１の略断面図に示す構成において使用する。炉１０は、電源（図示せず）によって電力供給される抵抗発熱コイル１４を支持している熱的に絶縁しているヒータ・キャニスタ１２を含む。通常、石英から構成されているベルジャ１６は、屋根を含み、発熱コイル１４内に嵌合する。ベルジャ１６内に嵌合する開放端付きライナ１８が使用されることもある。支持塔２０は台座２２上に設置され、処理中に台座２２および支持塔２０は一般にライナ１８によって囲まれている。塔２０は一括処理モードで熱的に処理される水平に配置された複数のウェーハを保持するための垂直に配置されたスロットを含む。塔２０とライナ１８との間に主として配置されたガス・インジェクタ２４は、ライナ１８内に処理ガスを注入するために出口をその上端に有している。真空ポンプ（図示せず）がベルジャ１６の底部から処理ガスを取り除く。ヒータ・キャニスタ１２、ベルジャ１６、およびライナ１８を垂直に持ち上げてウェーハを塔２０との間で移動させることができる。ただし、いくつかの構成においては、これらの要素は、エレベータが台座２２を上下させて炉１０の底部との間で装着された塔２０を出し入れする間、静止した状態のままになっている。
【０００４】
上端において閉じられているベルジャ１６によって炉１０の中間および上部において温度が一般的に一様に高くなる傾向がある。これはホット・ゾーンと呼ばれ、温度が最適化された熱処理のために制御されている。しかし、ベルジャ１６および台座２２の機械的支持の底部が開いていることによって、炉の下端部の温度が低くなり、化学蒸着などのプロセスが完全に効果的には行われない温度にまで下がることが多い。ホット・ゾーンは塔２０の下側のスロットのいくつかを除外することができる。
【０００５】
従来、低温の用途においては、塔、ライナ、およびインジェクタは、石英または溶融シリカから構成されていた。しかし、石英の塔およびインジェクタはシリコンの塔およびインジェクタによって取って代わられつつある。カリフォルニア州サニーベール所在の、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．社から市販されているシリコン塔の１つの構成を図２の斜視図に示す。上記塔の作製が、参照により本明細書に組み込むものとする、米国特許第６，４５５，３９５号において、ボイル（Ｂｏｙｌｅ）他により記載されている。シリコンのライナは、２００１年５月１８日出願の米国特許出願第０９／８６０，３９２号にボイル他により提案されており、この出願は米国特許２００２／１７０，４８６号公報として開示されている。
【０００６】
【特許文献１】仮出願第６０／６５５，４８３号
【特許文献２】米国特許第６，４５５，３９５号
【特許文献３】米国特許出願第０９／８６０，３９２号
【特許文献４】米国特許２００２／１７０，４８６号公報
【特許文献５】米国特許第６，４５０，３４６号
【特許文献６】米国特許出願第１０／６７０，９９０号
【特許文献７】特許出願２００４／２１３９５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
シリコンのインジェクタは、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社から市販されている。しかし、長いストローを形成している２つのシェルの間に鉛系接着剤を使用している。鉛の量がたとえ少量であっても、開発中の半導体シリコン構造を鉛が大きく劣化させる可能性のある処理炉において、鉛系接着剤を使用することは完全に回避することが強く望まれる。また、２つのシェルを接着することは、その長さ方向に沿って継ぎ目から蒸気が漏れないようにする必要があるという課題も提示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、シリコン粉末を含んでいることが好ましいスピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）系接着剤で接合されたシリコンの２つのシェルから構成されているインジェクタ・チューブまたはストローを含む炉において使用することができるシリコン・インジェクタ・システムを含む。また、本発明は、上記ＳＯＧ系接着剤で接合されたシリコン・エルボおよび供給チューブを含む。
【０００９】
本発明は、上記シリコン・インジェクタ・システムを製造する方法をさらに含む。
本発明のもう１つの態様は、シリコン形成剤とシリコン粉末の混合物とを超音波により撹拌し、それにより、接合およびアニールされるべきシリコン部分にその混合物が塗布される前に均質化してＳＯＧ系接着剤にするステップを含む。
本発明は塔、インジェクタ、およびバッフル・ウェーハを含む全シリコン・ホット・ゾーンを有するアニール炉および、シリコン集積回路の製造におけるその使用をさらに含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図２の斜視図に示す本発明のインジェクタ４０の１つの実施形態は、インジェクタ・ストロー４２（チューブとも呼ばれる）と、ナックル４４（コネクタとしても周知である）とを含む。図３の斜視図により詳細に示すナックル４４は、供給チューブ４６と、インジェクタ・ストロー４２を受け取るための凹所５０を有するエルボ４８とを含む。供給チューブ４６は対応しているサイズの内側の円形の内腔５１を伴って、約４〜８ｍｍの外径を有することができる。
【００１１】
供給チューブ４６の端部を真空金具およびＯリングを通してガス供給ラインに連結し、炉内に所望のガスまたはガス混合物、たとえば、窒化シリコンのＣＶＤ堆積のためのアンモニアおよびシランを供給することができる。一体型ナックル４４全体を、ボイル他によって米国特許第６，４５０，３４６号に記載されているプロセスに従ってアニールされたバージン・ポリシリコンから機械加工で作ることができる。その機械加工は凹所５０に対する供給用内腔５１の連結を含む。別の方法としては、ナックル４４を別個のチューブ４６から別に機械加工されたエルボ４８に対して嵌合させて結合して組み立てることができる。
【００１２】
インジェクタ・ストロー４２は、たとえば、その長さ全体に沿って延びるチューブ４６の円形内腔５１の直径と類似の直径を有し、円形のインジェクタ内腔５２と一緒に形成される。インジェクタ・ストロー４２の端部は、たとえば、チャンバ・ライナに向かい合っている図に示すような傾斜した端部を有するか、またはストロー４２の軸に垂直な平端部を有することができる。インジェクタ・ストロー４２の断面形状を図に示すように実質的に四角形とすることができるか、または炉のメーカーおよび作製ラインの要求に従って多角形または円形、または他の形状とすることができる。インジェクタ・ストロー４２は２つのシェル５４、５６から構成され、それらは一緒に接合されている。シェル５４、５６は遠位端において傾斜を付けることができ、図４の斜視図により詳細に示す内腔５２の出口が部分的に側方に向けられ、たとえば、動作の向きにおいてライナ１８に向かっているようにすることができる。
【００１３】
別の方法としては、ストロー４２は２つのシェル６０、６２（または５４、５６）から構成される垂直の出口を有することができる。シェルの１つを図５に斜視図的に示す。各シェル６０、６２はボイルの特許に記載されているアニールの後、バージン・ポリシリコンから機械加工され、半円形または他の形状の溝６４および２つの長手方向に延びる面６６、６８を含む。シェル６０、６２を、図６の断面図にさらに示すように形成することができ、それぞれの対向している面６６、６８、６６’、６８’を伴う両方のシェル６０、６２に対して図７の断面図に示すように一緒に結合されたとき、軸方向の内腔７０を取り囲むようにすることができる。しかし、接合の平面に対して垂直方向の特徴は結合の耐久性を改善する。そのような特徴は、たとえば、図８の断面図に示す凹凸の嵌め合い構造によって、２つの軸方向に延びるトング７２が１つのシェル６０内に形成され、他のシェル６２内に形成されている２つの軸方向に延びる溝７４と嵌合するようにすることができる。図９の断面図に示す関連構造は、嵌合シェル６０、６２のそれぞれの中に１つのトング７２および１つの溝７４を形成する。別の方法としては、図１０の断面図に示す段状構造は、シェル６０、６２のそれぞれの中に相補的な、対応している段状部分７６を含み、内腔７０に隣接している段状部分７６のレベルがほぼ内腔の直径に沿っていることが好ましい。溝の深さまたは段状部分の高さｘは溶融粒子の最大径より大きい必要があり、たとえば、１０μｍまたは１００μｍより大きい必要がある。
【００１４】
図２のインジェクタ・チューブ４０は、単独の出口をその遠位端に含む。いくつかの用途においては、図１の塔２０のトップの近くにまで延びているそのようなインジェクタ・チューブが１つあれば十分である。他の用途においては、塔２０に沿って複数の高さにおいてガスを注入することが望ましい。この場合、異なる長さの複数のインジェクタ・チューブ４０を同じ炉１０で使用することができる。しかし、図１１の斜視図に示すインジェクタ８０のもう１つの実施形態においては、そのストロー８２は、図７〜図１０の実施形態から選択された面を備える図５の場合と類似の２つの四角形の端部のスリーブ６０、６２’を含む。しかし、たとえば、外側に向かっているスリーブ６２’は、少なくとも１つの、および好ましくは複数の出口穴８４が露出されたシェル面からストロー８２内に囲まれている内腔７０まで延びる複数の出口穴８４を含むように機械加工されている。最も簡単には、出口穴８４は円形の形状にドリルで開けられる。スリーブ６０、６２’は一緒に結合され、シリコンのエンド・キャップ８６が内腔７０を封止するためにシェル６２、６２’の遠位端に結合される。それにより、ガスが１つまたは複数の出口穴８４から横方向に放射される。複数の出口穴８４がある場合、ガスはその炉内の異なる高さにおいて放射される。複数の出口穴８４の最も簡単な実施形態においては、特に穴が３つ以上の場合、出口穴８４は直径が同じであり、ストロー８２の動作部分に沿って等間隔に設けられている。しかし、それぞれの直径、またはストロー８２に沿ってそれぞれの間隔を変えることによって、たとえば、指数関数的に、ストロー８２内の圧力降下を考慮するように、および炉１０内の差動ポンピングや他の効果を考慮するように、ガスの流量を調整することができる。
【００１５】
インジェクタは、図１２の斜視図に示すジグ９０を使用して、組み立ておよび接着することができ、それはインジェクタ組立体の各種のステップの間に垂直方向または水平方向に向けることができる。ジグ９０は、少なくとも１つの底シェル６０およびエルボ４８を受け取るための形状になっている１つまたは複数の水平方向に延びる溝９２を有する。しかし、このジグを他の形のシェルに対して同様に適用することができる。ナノ粉末スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）接着剤が向かい合っている面６６、６８のペアの両方に沿って、または各ペアの１つの面６６に沿って塗布され、無粉末のＳＯＧが他の面に沿って塗布されてそれを濡らす。無粉末のＳＯＧのウェッティング層または他の湿潤剤を、Ｓｉ粉末ＳＯＧの塗布に先立ってその面に塗布することができる。ナノ粉末によって、非常に薄い連続の耐漏洩性の封止が２つのシェル６０と６２との間に可能となる。２つのシェル６０、６２は一緒に押し付けられる。接着の１つの方法においては、シェルはジグ９０の溝９２内に設置される。ジグ９０および支持されているシェル６０、６２が、ジグ９０が水平方向に延びている状態で水平の炉内に設置される。これによって、ＳＯＧ接着剤がアニールされ、そしてスリーブ６０、６２が結合されてストロー４２を形成する。
【００１６】
接着剤の硬化後に、粉末を含んでいるＳＯＧ接着剤がストロー４２とナックル４４との間の継手の１つまたは両方の面に塗布され、ストロー４２がエルボ４８の凹所５０内に設置される。微細粉末ＳＯＧ接着剤を使用して、より厚い結合をナックル継手において提供することができ、また、より薄いナノ粉末ＳＯＧ接着剤がアニーリングおよびジグ９０に対する組立体の接合中に漏洩するのを防止することができるが、適切な注意によってナノ粉末のＳＯＧ接着剤をナックル継手に対して使用することもできる。エンド・キャップ８６が適用されている場合、それをこの時点で、またはある他の時点において同様に接着することができる。次に、その組立体はジグ９０上に戻して設置され、次に硬化され、垂直に延びているジグ９０によって垂直の炉内に設置され、最終のインジェクタ４０になる。第２の方法においては、そのジグは漏洩問題を回避するように再設計され、硬化されていないストロー４２がナックル４４内に接着され、すべての継手が同時にアニールされる。そのジグが複数のインジェクタを収容する場合、その組立体がすべてのインジェクタに対して複製される。複数のガイド９４が組み立てられたスリーブ６０、６２上に設置され、それらをそれぞれの溝９２内に保持する。ジグ９０およびガイド９４の両方がシリコンから構成されることが好ましい。バージン・ポリシリコンは不要であるが、経済的に使用される。
【００１７】
微細粉末およびナノ粉末のシリコンＳＯＧ接着剤が２００３年９月２５日出願の米国特許出願第１０／６７０，９９０号により詳細に記載されている。この出願は現在特許出願２００４／２１３９５５号公報として開示されており、参照により本明細書に組み込むものとする。微細粉末は市販のシリコン粉末からすり潰して作ることができ、そのサイズ分布は全粒子のうちの９９％の直径が７５μｍより小さく、注意して作れば１０μｍより小さいと推定される。ナノシリコン粉末は、モンタナ州シルバー・ボー所在の、Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ＬＬＣからＮａｎｏＳｉ（登録商標）ポリシリコンとして市販されている。それはレーザ活性化を含んでいる還元工程により製造することができ、粒子サイズの分布はすべての粒子のうちの少なくとも９９％の直径が１００ｎｍ以下であり、少なくとも９０％が５０ｎｍ以下であり、サイズのメジアン径は１０〜２５ｎｍの間にある。しかし、ナノシリコン粉末は他の方法で作ることもできる。
【００１８】
そのシリコン粉末は、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇから入手できるＦＯＸ２５またはＦＯＸ１６などのスピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）前駆物質と混合される。これらの前駆物質は水素ｓｉｌｅｓｑｕｉｘｏａｎｅ（ＨＳＱ）に基づいているが、他の形式のシロキサン(ｓｉｌｏｘａｎｅ)および他の形式のガラス形成剤を使用することができる。ＳＯＧ前駆物質および粉末の混合物を含んでいるプラスチック製の試験チューブが超音波浴槽装置内に設置され、混合物が２、３分間超音波で撹拌され、それによりその混合物が均質化される。その超音波浴槽装置は水槽に隣接した、高周波、たとえば４０ｋＨｚにおいて電気的に駆動される圧電変換器を含むことができる。ただし、メガヘルツ範囲までの周波数を使用することができる。そのＳＯＧ接着剤混合物は塗布後に均質化することもできるが、既に均質化されていることが好ましく、継手の片面または両面に塗布され、その部分が嵌合される。その組み立てられた構造はシリカ形成剤をセラミックにガラス化し、２つの部分を一緒に結合するのに十分高い温度においてアニールされる。ＳＯＧ接着剤の形式に依存して、各種のアニーリング温度が可能である。しかし、８５０〜１０００℃の間の温度、たとえば、９００℃でアニールすることが好ましいことが分かっている。
【００１９】
このシリコン・インジェクタによって、そのライナ内のホット・ゾーンがシリコンのバルク材料および部品によって全面的に占められる。ただし、生産物のウェーハ上に形成された堆積された材料の薄い層およびホット・ゾーン内の他のシリコン部品、およびおそらくＳＯＧ系接着剤などの少量のボンディング剤は別である。ライナ、支持塔、およびインジェクタのバルク部分はＳＯＧ接着剤以外は純粋なシリコンから構成される。ただし、それらは、たとえば、窒化シリコンなどの薄い表面層によって覆うことができる。生産の操業を埋め合わせるため、または熱緩衝性を提供するために、多くの場合、塔の空のスロット内にバッフル・ウェーハが設置される。バッフル・ウェーハは２００５年３月３日出願の仮出願第６０／６５８，０７５号にボイル他によって説明されているように、シリコン、好ましくは多結晶シリコン、および最も好ましいくはランダム配向されたチョクラルスキー・ポリシリコンから構成することができる。炉内で行われているアニーリングまたは熱処理に依存して、１つのインジェクタで十分であるか、または炉内の異なる高さにある複数のインジェクタを使用することができる。
【００２０】
本発明は例示されたインジェクタには限定されない。たとえば、ストローは内腔およびほぼ平面状のカバーを、それに結合して機械加工されたベース付きで形成することができる。さらに、１つまたは複数のインジェクタ・ジェットを、ストローの端部からではなく、インジェクタの軸が延びる実質的に囲まれた内腔から横方向に拡張することができる。
本発明のＳＯＧ接着剤の態様は、シリコン・インジェクタ以外のシリコン部品を接合するためにも使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】塔、インジェクタ・チューブ、およびライナを囲んでいるアニール炉の断面図である。
【図２】端部出口を有する本発明のインジェクタ・チューブの１つの実施形態の斜視図である。
【図３】図２のインジェクタ・チューブのコネクタ部分の斜視図である。
【図４】図２のインジェクタ・チューブの出口の分解斜視図である。
【図５】本発明のインジェクタ・チューブの１つの実施形態を形成するために使用するシェルの斜視図である。
【図６】接合に対して準備されている２つのシェルの断面図である。
【図７】シェルの１つの実施形態における図５の結合シェルの断面図である。
【図８】シェルの他の実施形態における結合シェル間の界面の異なる形式の断面図である。
【図９】シェルの他の実施形態における結合シェル間の界面の異なる形式の断面図である。
【図１０】シェルの他の実施形態における結合シェル間の界面の異なる形式の断面図である。
【図１１】複数の側部出口を有する本発明のインジェクタ・チューブのもう１つの実施形態の斜視図である。
【図１２】インジェクタ・チューブの部分を溶融するのに使用されるジグの斜視図である。
【図１】
2008532283.tif 000003
【図２】
2008532283.tif 000004
【図３】
2008532283.tif 000005
【図４】
2008532283.tif 000006
【図５】
2008532283.tif 000007
【図６】
2008532283.tif 000008
【図７】
2008532283.tif 000009
【図８】
2008532283.tif 000010
【図９】
2008532283.tif 000011
【図１０】
2008532283.tif 000012
【図１１】
2008532283.tif 000013
【図１２】
2008532283.tif 000014
【国際調査報告】
2008532283.tif 000015