(57)【要約】  主要な表面を有する誘電体要素（２１０）を含む相互接続要素（２０１）が提供される。金属相互接続パターン（２０８および２０８’）は、主要な表面から内向きに延びる凹部に埋め込まれ、相互接続パターンの外側表面は主要な表面と実質的に共面であって、主要な表面の一つ以上の方向に延びる。突出導電性フィルム（２２０）は、これが主要な表面の少なくとも一部分に沿って誘電体要素（２１０）に接触するように、また金属相互接続パターン（２０８’）の少なくとも一つのパターンの外側表面に導電的に接触するように、主要な表面によって画定された平面に平行な少なくとも一つの方向に主要な表面上で延びる。
2008529283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主要な表面と前記主要な表面から内向きに延びる複数の凹部とを有する誘電体要素と、
前記複数の凹部に埋め込まれた複数の金属相互接続パターンであって、前記主要な表面と実質的に共面である外側表面を有し、前記主要な表面の一つ以上の方向に延びる複数の金属相互接続パターンと、
前記主要な表面の少なくとも一部分に沿って前記誘電体要素に接触し、また前記金属相互接続パターンの少なくとも一つのパターンの外側表面に導電的に接触するように、前記主要な表面によって画定された平面に平行な少なくとも一つの方向に前記主要な表面の上で延びる突出導電性フィルムと、を備える相互接続要素。
【請求項２】
前記突出導電性フィルムが前記絶縁カバーフィルムによって露出されるように、前記主要な表面の一部分のみと前記金属相互接続パターンの少なくとも一つとを覆う絶縁カバーフィルムを更に備える、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項３】
前記突出導電性フィルムの少なくとも一部分は前記金属相互接続パターンのそれぞれを導電的に相互接続する、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項４】
前記主要な表面は第１の主要な表面であり、前記誘電体要素は前記第１の主要な表面から離れた第２の主要な表面と前記第２の主要な表面から内向きに延びる複数の第２の凹部とを含み、前記金属相互接続パターンは前記第１の凹部に埋め込まれた第１の金属相互接続パターンであり、前記相互接続要素は更に、前記第２の主要な表面の一つ以上の方向に延びる前記第２の凹部に埋め込まれた複数の第２の金属相互接続パターンであって前記第２の主要な表面と実質的に共面である外側表面を有する複数の第２の金属相互接続パターンを備え、前記第１の金属相互接続パターンの少なくともある幾つかは前記第２の金属相互接続パターンの少なくともある幾つかに導電的に接続される、請求項１に記載の相互接続要素。
【請求項５】
前記少なくともある幾つかの第１の金属相互接続パターンは前記誘電体要素の前記第１の主要な表面によって画定された前記平面に直交する方向に前記誘電体要素を貫通して延びる一つ以上の導体によって前記少なくとも幾つかの第２の金属相互接続パターンに導電的に接続される、請求項４に記載の相互接続要素。
【請求項６】
前記誘電体要素を貫通して延びる前記一つ以上の導体は前記誘電体要素を貫通して延びる貫通孔の内側を覆う導体を含む、請求項５に記載の相互接続要素。
【請求項７】
前記相互接続要素への導電性相互接続を与えるために前記導体と導電的に接触している前記貫通孔に挿入された露出されたリード線を有する外部回路要素を更に備える、請求項６に記載の相互接続要素を含むアセンブリ。
【請求項８】
前記誘電体要素を貫通して延びる前記一つ以上の導体は前記第１および第２の主要な表面から内向きに凹んだ前記第１および第２の金属相互接続パターンの少なくともある幾つかのパターンの内側表面に接触する固体状の導電性支柱を含む、請求項５に記載の相互接続要素。
【請求項９】
前記突出導電性フィルムが前記絶縁カバーフィルムによって露出されるように、前記第１の主要な表面の第１の部分と前記第１の金属相互接続パターンの少なくとも一つとを覆う第１の絶縁カバーフィルムを更に備える、請求項４に記載の相互接続要素。
【請求項１０】
前記突出導電性フィルムに導電的に接続されている露出された接点を含む外部回路要素を更に備える、請求項１に記載の相互接続要素を含むアセンブリ。
【請求項１１】
前記突出導電性フィルムは異方性導電フィルムを介して前記接点に導電的に接続される、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
第２の金属層の上にある第１の金属層を含む構造体を用意するステップと、
前記第１の金属層から複数の金属相互接続パターンをパターン化するステップと、
前記構造体の上にある誘電体要素を形成するステップと、
前記誘電体要素の第１の主要な表面と共面である外側表面を有する前記複数の金属相互接続パターンが前記誘電体要素に埋め込まれるように、前記複数の金属相互接続パターンに対して選択的に前記第２の金属層を除去するステップと、
前記第１の主要な表面の少なくとも一部分に沿って前記誘電体要素に接触し、また前記金属相互接続パターンの少なくとも一つのパターンの外側表面に導電的に接触するように、前記主要な表面によって画定された平面に平行な少なくとも一つの方向に前記第１の主要な表面の上で延びる突出導電性フィルムを形成するステップと、を備える、相互接続要素を製造する方法。
【請求項１３】
前記誘電体要素を形成する前記ステップは前記複数の金属相互接続パターンの上に未硬化樹脂を含む層を押し付けるステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属相互接続パターンは前記第１の主要な表面から内向きに延びる第１の凹部に埋め込まれた第１の金属相互接続パターンであり、前記方法は更に第４の金属層の上にある第３の金属層を含む第２の構造体を用意するステップと、前記第３の金属層から複数の第２の金属相互接続パターンをパターン化するステップとを備え、前記誘電体要素を形成する前記ステップは、前記第１の主要な表面から離れた前記誘電体要素の第２の主要な表面に前記第２の構造体を押し付けるステップと、前記第２の金属相互接続パターンが前記誘電体要素の前記第２の主要な表面に埋め込まれるように、また前記第２の金属相互接続パターンが前記第２の主要な表面と共面である外側表面を有するように、前記複数の第２の金属相互接続パターンに対して選択的に前記第４の金属層を除去するステップと、を含み、前記方法は、
前記第１の金属相互接続パターンと前記第２の金属相互接続パターンと間に前記誘電体要素を貫通して延びる貫通孔を形成するステップと、
前記突出導電性フィルムを形成するとき同時に前記第１の金属相互接続パターンを前記第２の金属相互接続パターンに接続するために前記貫通孔の内側を覆う導体を形成するステップと、を更に備える、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、その開示内容が参照によりここに組み込まれている２００５年１月２４日に出願された日本特許出願第２００５-１５９７０号からの優先権に基づき、この優先権の利益を主張する。
【０００２】
［発明の分野］
本発明は特に、例えば集積回路（「ＩＣ」または「チップ」）などのマイクロエレクトロニクスユニットのパッケージングにおいて、マイクロエレクトロニクスのための相互接続構造体および他の相互接続構造体、例えばプリント配線板またはその他のタイプの配線板を含むような回路パネルに関する。
【背景技術】
【０００３】
外部回路要素への選択的相互接続を可能にする金属相互接続パターンの単一層または多層いずれかを有する相互接続要素を提供するための必要性が現在、存在する。
【発明の開示】
【０００４】
本発明の一態様によれば、相互接続要素は、主要な表面を有する誘電体要素を含む。主要な表面の一つ以上の方向に延びる金属相互接続パターンは、主要な表面から内向きに延びる凹部に埋め込まれる。相互接続パターンの外側表面は、主要な表面と実質的に共面である。突出導電性フィルムは、主要な表面によって画定された平面に平行な少なくとも一つの方向に主要な表面上で延びる。突出導電性フィルムは、主要な表面の少なくとも一部分に沿って誘電体要素に接触し、また金属相互接続パターンの少なくとも一つのパターンの外側表面に導電的に接触する。
【０００５】
本発明の一つ以上の好ましい態様によれば、相互接続要素は、突出導電性フィルムが絶縁カバーフィルムによって露出されるように、主要な表面の一部分のみと金属相互接続パターンの少なくとも一つとを覆う絶縁カバーフィルムを更に含み得る。
【０００６】
本発明の一つ以上の好ましい態様によれば、突出導電性フィルムの少なくとも一部分は、金属相互接続パターンのそれぞれのパターンを導電的に相互接続する。
【０００７】
本発明の好ましい一実施形態によれば、主要な表面は第１の主要な表面であり、誘電体要素は第１の主要な表面から離れた第２の主要な表面を含み、複数の第２の凹部は第２の主要な表面から内向きに延びている。このような実施形態では金属相互接続パターンは第１の凹部に埋め込まれた第１の金属相互接続パターンであり、相互接続要素は、第２の主要な表面の一つ以上の方向に延びる複数の第２の金属相互接続パターンを更に含む。これら第２の金属相互接続パターンは、第２の凹部に埋め込まれ、また第２の主要な表面と実質的に共面である外側表面を有する。更に、第１の金属相互接続パターンの少なくともある幾つかは第２の金属相互接続パターンの少なくともある幾つかに導電的に接続される。
【０００８】
本発明の一つ以上の好ましい態様によれば、第１の金属相互接続パターンの少なくともある幾つかは、第２の金属相互接続パターンの少なくともある幾つかに導電的に接続される。接続は、誘電体要素の第１の主要な表面によって画定された平面に直交する方向に誘電体要素を貫通して延びる一つ以上の導体によって与えられる。
【０００９】
好ましくは、誘電体要素を貫通して延びる一つ以上の導体は、誘電体要素を貫通して延びる貫通孔の内側を覆う導体を含む。
【００１０】
本発明のある特定の態様ではアセンブリは、ここに指定されたような相互接続要素を含み、また外部回路要素を更に含む。このような回路要素の露出されたリード線は、相互接続要素への導電性相互接続を与えるために導体に導電的に接触している貫通孔に挿入される。
【００１１】
本発明のもう一つの好ましい態様によれば固体状導電性支柱は、第１および第２の金属相互接続パターンの少なくともある幾つかのパターンの内側表面に接触する誘電体要素を貫通して延び、これらの内側表面は誘電体要素の第１および第２の主要な表面から内向きに凹んでいる。
【００１２】
本発明のもう一つの好ましい態様によれば第１の絶縁カバーフィルムは、突出導電性フィルムが絶縁カバーフィルムによって露出されるように、第１の主要な表面の第１の部分と第１の金属相互接続パターンの少なくとも一つとの上にある。
【００１３】
本発明のある特定の態様によるアセンブリは、ここに指定されたような相互接続要素と外部回路要素とを含む。外部回路要素の露出された接点は、相互接続要素の突出導電性フィルムに導電的に接続される。
【００１４】
好ましくは突出導電性フィルムは、異方性導電フィルムを介して接点に導電的に接続される。
【００１５】
本発明のもう一つの態様によれば、相互接続要素を製造するための方法が提供される。このようは方法によれば、第２の金属層の上にある第１の金属層を含む構造体が提供される。この構造体の第１の金属層から複数の金属相互接続パターンがパターン化され、この後にこの構造体の金属相互接続パターンを覆う誘電体要素が形成される。それから複数の金属相互接続パターンが誘電体要素に埋め込まれるように、またこれらのパターンが誘電体要素の第１の主要な表面に共面である外側表面を有するように、第２の金属層は複数の金属相互接続パターンに対して選択的に除去される。第１の主要な表面の少なくとも一部分に沿って誘電体要素に接触し、また金属相互接続パターンの少なくとも一つのパターンの外側表面に導電的に接触するように、主要な表面によって画定された平面に平行な少なくとも一つの方向に第１の主要な表面上を延びる突出導電性フィルムが形成される。
【００１６】
好ましくは誘電体要素を形成するステップは、複数の金属相互接続パターンの上に未硬化樹脂を含む層を押し付けるステップを含む。
【００１７】
本発明のある特定の態様によればこの金属相互接続パターンは、第１の主要な表面から内向きに延びる第１の凹部に埋め込まれた第１の金属相互接続パターンである。好ましくは本方法は、第４の金属層の上にある第３の金属層を含む第２の構造体を用意するステップと、第３の金属層から複数の第２の金属相互接続パターンをパターン化するステップとを更に含む。誘電体要素を形成するステップは、第１の主要な表面から離れた誘電体要素の第２の主要な表面に第２の構造体を押し付けるステップを更に含む。それから第４の金属層は、複数の第２の金属相互接続パターンに対して選択的に除去される。この方法で第２の金属相互接続パターンは、誘電体要素の第２の主要な表面に埋め込まれ、また第２の金属相互接続パターンは、第２の主要な表面と共面である外側表面を有する。更に本発明のこのような態様によれば、第１の金属相互接続パターンと第２の金属相互接続パターンとの間に誘電体要素を貫通して延びる貫通孔が形成され、また突出導電性フィルムを形成するとき同時に貫通孔の内側を覆う導体が形成され、このような導体は第１の金属相互接続パターンを第２の金属相互接続パターンに接続する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明のある実施形態によれば、誘電体要素の表面の凹部内に相互接続層の金属トレースが埋め込まれた多層相互接続要素または多層配線板が提供される。更にこれらの金属トレースは、互いに接続される相互接続要素の数が大きいときでも、金属トレースが捩れたり、隣接する相互接続部と短絡したり、破断したりする傾向がはるかに小さいような様式で形成される。このような実施形態では各相互接続要素の表面は、他のマイクロエレクトロニクス要素との相互接続のために表面上に導電性接触部（接点）を有する実質的に平面の主要な表面を呈する。このようにして金属トレースは、電子部品の実装に干渉する方法で突き出ることはない。また電気的接続の改善された信頼性は、このような埋め込まれた金属トレースが設けられる３層以上の層を有する多層相互接続要素または多層配線板を構成する数個の相互接続要素間で達成され得る。更にこのような相互接続要素を製造するために必要とされる製造プロセスの削減を達成することも可能であり得る。
【００１９】
図２（Ｍ）に示す本発明の一実施形態による相互接続要素２２では誘電体要素２０は好ましくは、一つ以上の熱可塑性樹脂を含むか、あるいは本質的に例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＳ樹脂、ＰＰＳ（硫化ポリフェニレン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＥＫ−ＰＥＳ樹脂ポリマー混合物、および液晶ポリマーが好ましい樹脂の特定の例である一つ以上の熱可塑性樹脂からなる。誘電体要素の厚さは、好ましくは数十ミクロンから数百ミクロンである。
【００２０】
誘電体要素２０の内部には、第１の金属配線層として設けられた第１の相互接続パターン１２および１２ａと第２の金属配線層によって設けられた第２の相互接続パターン１３および１３ａが埋め込まれる。第１の相互接続パターンと第２の相互接続パターンの各々は、複数の金属トレースと接点または他の金属相互接続特徴要素を含む。各金属配線層の厚さは、好ましくは約１０ミクロンから数１０ミクロンである。これらの接点と金属トレースは、相互接続要素２２とこれの外にある他のマイクロエレクトロニクス要素との間に、および／または異なる外部マイクロエレクトロニクス要素間に、導電性相互接続を与えるように機能する。このようなマイクロエレクトロニクス要素は、例えばマイクロエレクトロニクス基板、回路パネル、集積回路（「ＩＣ」または「チップ」）、パッケージ化チップ、すなわちこのようなチップが単に能動回路要素または「オンチップ集積受動素子」（ＩＰＯＣ）として一般に知られるような受動回路要素を含むか、または中でも回路要素の能動タイプと受動タイプの組合せを有するチップを含むかどうかにかかわらず、これらの要素に結合されたパッケージ要素を有するチップのいずれかであり得る。
【００２１】
第１の相互接続パターン１２と第２の相互接続パターン１３との間には、複数の固形金属支柱１８が誘電体要素２０を貫通して延びている。これらの支柱は最も好ましくは、銅を含むか、本質的に銅からなる。好ましくは支柱は、高純度の銅を含む。誘電体要素２０内の各支柱の端から端までの長さまたは「高さ」は、好ましくは例えば数十ミクロンから約１５０ミクロンである。しかしながらこの高さは、明示された好ましい範囲より幾分高いか、あるいは低いこともあり得る。
【００２２】
ある特定の実施形態ではチップ、回路パネルまたはパッケージ化チップは、相互接続要素２２の第１の主要な表面２４に露出されたトレースと接点とを含む相互接続パターン１２および１２ａに直接または間接に導電的に相互接続または結合される。第１の主要な表面２４から離れた相互接続要素２２の第２の主要な表面２６上において、相互接続要素の接点１３および１３ａは、回路パネル、もう一つのチップまたはもう一つのパッケージ化チップのパッケージ要素に、直接または間接に更に結合され得る。もう一つの実施形態では相互接続要素２２の一方または両方の主要な表面２４および２６上の金属トレースは、パッケージ化チップによって接触することができ、また相互接続要素とパッケージ化チップとの間の圧力の結果として誘電体要素２０のある程度の撓みが発生し得る中程度の圧力下でパッケージ化チップとの導電的連通を維持できる。
【００２３】
多層相互接続要素または配線板を製造する一実施形態では、例えば１５０℃から３５０℃の温度までの加熱が適当であり、２０ｋｇ／ｃｍ2と１００ｋｇ／ｃｍ2との間の圧力が好ましい。更に、特に微細なピッチの多数の端子を有する集積回路（ＩＣまたはチップ）などの電子部品が実装されることになっているときには、第１および第２の主要な表面２４および２６の一方または両方に露出された金属トレースを結合金属で被覆することが好ましい。金は、結合金属層１０としての使用のためによく適している。
【００２４】
本発明の詳細は、図に示された実施形態に基づいて説明される。図１（Ａ）〜（Ｋ）と図２（Ｌ）〜（Ｍ）は、本発明による第１の実施形態における一連のプロセス（Ａ）〜（Ｍ）を示す断面図である。
【００２５】
最初に３金属層構造体から作られたパターン化可能導電性構造体２が図１（Ａ）に示すように用意される。このパターン化可能導電性構造体２は、例えばニッケルなどの金属を含む、あるいは本質的にニッケルなどの金属からなるエッチングバリア層（中間層）６が例えば銅から作られたキャリア層４の表面上に作られ、また例えば銅から作られた相互接続層を製造するための金属層８がこのエッチングバリア層６の表面の上に作られた３層構造を有する。
【００２６】
これに続いて図１（Ｂ）に示すように、前述のキャリア層４の表面には、例えばフォトレジストから作られた保護層１０が設けられる。層１０は、金属層８が相互接続パターン１２を形成するために、例えばフォトリソグラフィと選択的エッチングとによってパターン化されるときキャリア層４を保護する。１２ａが導電性金属支柱でも、そこから延びる他の導電性柱でもない相互接続パターンを示すことに留意されたい。
【００２７】
これに続いて図１（Ｃ）に示すように、前述の相互接続パターン１２および１２ａが作られた表面上にフォトレジスト層１４が作られる。
【００２８】
これに続いて図１（Ｄ）に示すように、前述のフォトレジスト層１４に露出プロセスが実施される。露出に続いて１４ａは露出部分であり、１４ｂは非露出部分である。
【００２９】
これに続いて図１（Ｅ）に示すように、現像プロセスが実施される。１６は現像プロセスによって生成された孔である。
【００３０】
これに続いて図１（Ｆ）に示すように、好ましくは露出後のプロセスが実施される。好ましくはこのプロセスにおける露出量は、図１（Ｅ）に関する前の露出量より多い。それから露出されたフォトレジストは、ソフトエッチングプロセスによって除去され、その後、好ましくは超音波洗浄が実施される。
【００３１】
これに続いて図１（Ｇ）に示すように、前述のパターン化されたレジスト層１４ａは、前述の孔１６内で相互接続パターン１２から上方に延びる垂直に立ち上がる特徴要素として金属支柱１８または他の導電性柱を作るためのマスクとして使用される。好ましくはこれらの支柱は、好ましくはめっきによって形成された一つ以上の金属、例えば銅を含むか、または本質的に銅からなる。このプロセスは、導電性柱１８が好ましくは前述のレジスト層１４ａの主要な表面２３を越えて延びる長さまたは高さを有し、柱１８の端部あるいは最上部１９がレジスト層１４ａの上に突き出るように実施される。
【００３２】
これに続いて図１（Ｈ）を参照すると、前述の導電性柱１８の端部または最上部１９ａがレジスト層１４ａの表面と共面になる（すなわち同じ平面に位置する）まで研削または研磨プロセスが実行される。このようにして処理後、最上部１９ａは平坦な表面を呈する。
【００３３】
これに続いて図１（Ｉ）に示すように、前述のフォトレジスト層１４ａは剥ぎ取りなどによって除去され、また同時に前述の保護層１０もキャリア層４の表面から除去される。
【００３４】
これに続いて図１（Ｊ）に示すように、前述の導電性柱１８が形成された表面上に圧力接着などの方法を介して、誘電体要素、好ましくは樹脂から作られた層間絶縁層２０が形成される。一実施形態ではこの層間絶縁層は、未硬化樹脂を含み、このような層は例えばエポキシ・プリプレグの形態で与えられる。その後、前述の層間絶縁層２０は、前述の導電性柱１８の端面が露出されるまで研磨または研削される。図１（Ｊ）は、研削プロセス後の部分的に形成された第１の相互接続構造体２’における層間絶縁層２０と支柱１８の平坦化された状態を示す。
【００３５】
これに続いて絶縁層２０を有する第１のこのような相互接続構造体２’は図１（Ｊ）に示す状態に形成される。更に図１（Ｂ）に示すような露出された相互接続パターン１２を有するパターン化可能導電性構造体２が設けられる。それから二つの構造体２および２’は、金属支柱または導電性柱１８の端面１９ａが構造体２の相互接続パターン１２に接触するように、互いに位置合わせされる。それから相対する導電性構造体２の相互接続パターンに金属支柱１８を接合して結合するために圧力と熱が印加される。図１（Ｋ）はこの一体化後の状態を示す。
【００３６】
この接合プロセスは、金属支柱１８を相互接続パターン接続するが、これは支柱１８の相互接続パターン１３および１３への金属対金属結合を介して、特に銅対銅接触を介してこれを行う。このプロセスは、二つの構造体２および２’を単一のユニットに統合する。
【００３７】
これに続いて図２（Ｌ）に示すように、それぞれのキャリア層４および４（図１（Ａ）は例えばエッチングによって除去される。
【００３８】
これに続いて図２（Ｍ）に示すように、ニッケルから作られた前述のエッチングバリア層６および６は例えばエッチングによって除去される。
【００３９】
このタイプの製造方法が与えられると、相互接続層と絶縁層とが図２（Ｍ）に示すように共面であって、相互接続パターン１２および１２ａの外側表面２１が第１の主要な表面２４と共面であり、相互接続パターン１３および１３ａの外側表面２１ａが第２の主要な表面２６と共面であるように製造されている相互接続要素または配線板が製造される。
【００４０】
図３（Ａ）〜（Ｈ）および図４（Ｉ）〜（Ｍ）は、本発明による第２の実施形態における一連のプロセス（Ａ）〜（Ｍ）を示す断面図である。
【００４１】
図３（Ａ）に示すように二つのパターン化可能導電性構造体３２および３２と、例えば樹脂から作られたコア３０とが用意される。このコア３０の両側の一部に、例えばプリプレグなどから作られた接着剤シート３４が形成されるが、このプリプレグは例えばエポキシ樹脂から作られる。コア３０は不必要な領域であるとして、後に除去される。
【００４２】
前述のパターン化可能な導電性構造体３２の各々は、例えば銅を含む、あるいは本質的に銅からなる相互接続層を製造するための金属層４０が第１の金属を攻撃する腐食液によって攻撃されない金属を含む、あるいは本質的にこのような金属からなるエッチングバリア層（中間層）３４の上にある３層構造を有することに留意されたい。例えば第１の金属が銅を含む、あるいは本質的の銅からなるとき、エッチングバリア層はニッケルを含むか、本質的にニッケルからなることが可能である。銅は実質的にニッケルを攻撃しない腐食液によってエッチングされ得る。同様に第１の金属４０とエッチングバリア層３４は、例えば銅から作られたキャリア層３６の表面に、あるいは表面を覆って設けられる。パターン化可能な導電性構造体は、他の方法も使用可能であるが、好ましくは圧延によって製造される。
【００４３】
これに続いて図３（Ｂ）に示すように、パターン化可能な導電性構造体３２および３２は、キャリアである金属層３６が前記コア材料３０の表面に面するように前述の接着剤シート３４を介してコア材料３０の両面に接着される。この接着剤シート３４は、相互接続パターンが形成されることになっている場所（能動領域）から離れたパターン化可能導電性構造体の一つ以上の場所に配置される。このようにして接着剤シート３４は好ましくは、不必要な領域にだけ配置される。
【００４４】
これに続いて図３（Ｃ）に示すように、相互接続層４２は、前述のパターン化可能な導電性構造体３２および３２の各構造体の金属層４０を選択的にエッチングすることによって形成される。
【００４５】
これに続いて図３（Ｄ）に示すように、相互接続層４２の両者の表面４３上にフォトレジスト層４４が堆積される。これらのレジスト層４４は、形成されるべき導電性柱４８（図１（Ｆ））の端面と本質的に同じ高さにある厚さを有し、あるいは僅かに低い表面を有して形成される。
【００４６】
これに続いて図３（Ｅ）に示すように、前述のレジスト層４４の各々は、孔４６を形成するためにフォトリソグラフィなどによってパターン化される。
【００４７】
これに続いて図３（Ｆ）に示すように、レジスト層４４の孔の内部に金属支柱４８または他の導電性柱４８が作られる。好ましくはこれらの支柱は前述のレジスト層４４をマスクとして使用して、例えば銅などの金属でめっきすることによって製造される。これらの導電性柱４８の製造は、金属支柱４８が図１（Ａ）〜１（Ｋ）および図２（Ｌ）〜２（Ｍ）に示す前述の実施形態におけるように、層間絶縁層４４の主要な表面４５を越えて延びる程度にまで適当に過剰めっきすることによって実施され得る。その後、導電性柱４８の外側表面を層間絶縁層４４の主要な表面４５と共面にするために、研削または研磨が実施される。
【００４８】
これに続いて図３（Ｇ）に示すように、前述のレジスト層４４の各々が除去される。
【００４９】
これに続いて図３（Ｈ）に示すように、相互接続層４２と導電性柱４８とが作られた表面の各々の上に層間絶縁層５０が形成される。これらの絶縁層は、例えば圧力接着方式によって形成され、その後に前述の導電性柱４８の端面が前述の層間絶縁層５０を研削することによって露出される。
【００５０】
これに続いて図４（Ｉ）に示すように、前述の層間絶縁層５０および５０の各々の上に相互接続構造体５２および５２が位置合わせされて載せられる。
【００５１】
前述の相互接続構造体５２および５２の各々は、相互接続パターン６０を含む相互接続層を含む。この相互接続層は、例えば銅を含む、あるいは本質的に銅からなる可能性がある。同様に相互接続層は、例えばニッケルから作られたエッチングバリア層（中間層５６）を覆っている。同様にエッチングバリア層は、例えば銅から作られたキャリア層５４を覆っている。更にこれらの相互接続構造体５２および５２の各々は、相互接続パターン６０が形成された側が層間絶縁層５０および５０の各々に向き合っているように方向付けられ、また種々の導電性柱４８が対応する相互接続層６０に整列するように位置合わせされて設けられる。
【００５２】
これに続いて図４（Ｊ）に示すように、相互接続構造体５２および５２は、前述の層間絶縁層５０および５０に位置合わせされて熱と圧力との印加によって接合される。この結果、種々の導電性柱４８は、金属対金属結合、例えば銅対銅結合によって対応する相互接続層６０と一体化される。更に層間絶縁層５０は、この構造体５２に接合される。
【００５３】
これに続いて図４（Ｋ）に示すように、図４（Ｊ）で一体化されたものは、各々の相互接続要素が第１の相互接続層４２とこの第１の相互接続層４２から離れた相互接続要素５５の一方側の第２の相互接続層６０とを有する二つの相互接続要素５５である能動領域から不必要なコア３０を分離するために、前述の接着剤３４が接着された部分でカットされる。
【００５４】
これに続いて前述のキャリア層５４（図４（Ｉ）および３６（図４（Ｉ））は相互接続要素５５から除去される。図４（Ｌ）は、これらのキャリア層５４および３６が除去された後の状態を示す。
【００５５】
これに続いて前述のエッチングバリア層５８および３８図４（Ｌ）の各々は、図４（Ｍ）に示すように除去される。
【００５６】
このタイプの製造方法は、相互接続パターンの外側表面とこれらの主要な表面とが共面になるように相互接続パターン６０、４２が層間絶縁層の第１および第２の主要な表面の各々の凹部に埋め込まれた金属パターンとして設けられた図４（Ｍ）に示すような相互接続要素５５または配線板を製造する。
【００５７】
更に、二つの相互接続要素または配線板のための製造プロセスは相互接続要素がコア材料３０から分離されるまで両側に関して同時に進行するので、これは製造効率を改善し、生産性を向上させることができる。
【００５８】
図５（Ｈ）〜（Ｋ）は、図３（Ａ）〜３（Ｈ）および図４（Ｉ）〜４（Ｍ）に示した実施形態の変形版において二つの相互接続要素を同時に製造するための一連のプロセスを示す断面図である。
【００５９】
本実施形態では図３（Ａ）〜３（Ｈ）に関して前に説明された処理にしたがって、図３（Ｈ）に示したものと同じ構造体が用意される。この後、これらのプロセスは、図４（Ｉ）〜４（Ｍ）に関して前に説明された実施形態とは異なる。図５（Ｈ）は、図３（Ｈ）に示したものと同じ構造体を示す。
【００６０】
これに続いて図５（Ｉ）に示すように、コア材料３０の相対する側に金属層５９および５９が設けられる。例えば銅を含む、あるいは本質的に銅からなるこれらの金属層は、熱と圧力の印加によって層間絶縁層５０および５０に接合、結合または接着される。このようにすることは、金属対金属接触、例えば銅・銅結合によって導電性接続がなされるので、金属層５９および５９の一部分に金属支柱または導電性柱４８および４８への優れた導電性を有する確実な接続を形成させる。更に金属層５９および５９の他の部分は、層間絶縁層５０および５０の外側表面によく接着する。
【００６１】
これに続いて図５（Ｊ）に示すように、上を覆っているマスク層をパターニングして、例えばフォトリソグラフィパターニングして、このマスク層の開口部内から前述の金属層５９および５９を選択的にエッチングすることによって相互接続パターン６１および６１が製造される。
【００６２】
これに続いて図４（Ｋ）に関して前に図示され説明されたのと同じ様式で接着剤シート３４によって接着された不必要な領域部分にカッティングが実行され、その後に前のキャリア層３６および３６（図４（Ｉ））が除去される。このようなプロセスのときに相互接続層６１および６１が形成されたエッチングバリア層３８（図４（Ｉ））はマスクとして使用される。最後にエッチングバリア層３８は、接着剤層３６とコア３０とを介して互いに接合された１対の相互接続要素６５を与えるために、除去され得る。それからこれらの相互接続要素６５は、接着剤層３６とコア３０とを介して互いに接合された１対の相互接続要素６５を与えるために、図４（Ｍ）に関して前に説明されたようにコアから分離され得る。それからこれらの相互接続要素６５は、図４（Ｋ）に関して前に説明されたようにコアから分離され得る。
【００６３】
これが行われると、層間絶縁層（誘電体要素）の一つの主要な表面６３の上にある第１の相互接続パターン６１は、図５（Ｊ）に示すように層間絶縁層５０の主要な表面６３の上に突き出る。他方、層間絶縁層５０の一つの主要な表面６３上に切れ込みと突起が存在するが、金属相互接続パターン４２はこれらの相互接続パターン４２の外側表面６９がこの主要な表面６７と共面になるように、層間絶縁層５０の他方の主要な表面に埋め込まれる。したがって両面相互接続タイプの相互接続要素または配線板が提供される。
【００６４】
製造のこの段階に続いて図５（Ｋ）に示すように、相互接続要素６５は、例えば前述のコア３０以外の中心接続要素を介して異なる配置を有する多層相互接続要素において互いに接合され得る。一例では相互接続要素６５は、誘電体接続要素７５または「コアコネクタ」の相対する側への熱と圧力とによって互いに接合される。このようなコアコネクタ７５は、金属支柱または導電性支柱、バイア、またはこれを通って垂直に延びる金属コネクタの上に導電性パターンを有しても有さなくてもよい。特定の一例では突き出ている相互接続パターン６１は内側に、すなわち誘電体接続要素の方に向き、相互接続パターン４２は外側を向いている。このようにして誘電体要素５０の露出された主要な表面と共面である相互接続パターン４２は外側に向いている。このような場合、前述の相互接続要素または配線板は、これがその最も外側の表面６９で平坦であるように、埋め込まれた相互接続パターン４２を有する多層相互接続要素６５または配線板の製造によく適している。
【００６５】
図６（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明による第３の実施形態における一連のプロセスを示す断面図である。
【００６６】
図６（Ａ）に示すように、コア基板７０と、コア基板７０の相対する面（前面と後面）に向き合う二つの外側相互接続要素７２および７２が用意される。コア基板７０はこの例では、４層の相互接続層を有し、ここで７４は層間絶縁層であり、７６は内側相互接続パターンであり、７８は外側相互接続パターンであり、８０は層間接続のためのバンプであり、外側相互接続パターン７８は外側の主要な表面７９の上に突き出ている。このようにして外側（主要）表面７９は、突起と切れ込みとを有する。
【００６７】
前述の外側相互接続要素７２および７２の各々は、エッチングバリア層８４の上にある銅などの金属を含む、あるいは本質的に銅などの金属からなる相互接続パターン８６を含む。エッチングバリアは、相互接続パターン８６が作られる金属を攻撃する腐食液によって攻撃されない例えばニッケルなどの材料を含む、あるいは本質的にニッケルなどの材料からなる。同様にエッチングバリア層８４は、好ましくは銅を含む、あるいは本質的に銅からなるキャリア層８２の上にある。好ましくは銅などの金属を含む、あるいは本質的に銅などの金属からなる複数の金属支柱または導電性柱８８は、相互接続パターン８６から延びる。層間絶縁層９０は、相互接続パターン８６の内側表面をカバーして、導電性柱８８間の空間を満たす。導電性柱８８の端面８９は、層間絶縁層９０の外側表面９１において露出される。
【００６８】
更に、コア基板７０の両表面には、導電性柱８８および８８の端面８９と層間絶縁層９０の外側表面９１とがコア基板７０に向き合っているように、相互接続要素７２および７２が方向付けられて配置される。相互接続要素とコア基板は、導電性柱８８および８８の各々がコア基板７０の外側相互接続パターン７８および７８の各々の位置に整列するように位置合わせされる。
【００６９】
これに続いて、前述のコア基板７０の誘電体層と相互接続パターン７８の露出された表面に前述の相互接続要素７２および７２を接合、例えば結合、接着あるいは融着するために、熱と圧力が印加される。図６（Ｂ）は、この接合プロセスの後の状態を示す。
【００７０】
この接合プロセスは、銅・銅結合によって導電性柱８８および８８の各柱の端面をコア基板７０の外側相互接続パターン７８に強く接続するばかりでなく、層間絶縁層７４、９０を互いに一体化、接着、結合あるいは好ましくは融着する。
【００７１】
これに続いて図６（Ｃ）に示すように、好ましくはニッケルであるエッチングバリア層８４の材料を攻撃することなくキャリア層の材料、例えば銅をエッチングする腐食液を使用するエッチングなどを介して、前述のキャリア層８２、８２（図６（Ｂ））が除去される。
【００７２】
これに続いて図６（Ｄ）に示すように、例えばエッチングによって前述のエッチングバリア層８４が除去される。これが行われると、これは、各相互接続層の相互接続パターンが各絶縁層の外側表面と共面である６層の相互接続層を有する多層相互接続要素または配線板を与えることができる。
【００７３】
このタイプの製造方法は、最も外側の表面が平坦であり、また相互接続パターンがこれらの最も外側の表面に埋め込まれてこれらの表面と共面である多層相互接続要素または配線板を提供することができる。このような方法は、相互接続層７８によってその表面に切れ込みと突起とを有するベースとしてコア基板７０を利用する。この後、前述の相互接続要素７２および７２は、導電性柱８８と層間絶縁層９０の露出面９１とがコア基板７０の方に内側を向くように、また相互接続パターン８６、８６が外側を向くように位置合わせされて接合される。
【００７４】
上記の実施形態ではコア基板７０のための層の数は４層であって、これから製造された多層相互接続要素または配線板における層の数は６層であるが、これは単に一例であることに留意されたい。コア基板７０における層の数は４に限定されず、むしろ異なる層数であることも可能であり、コア基板７０の層数より２層多い層数を有する多層配線板の提供を可能にしている。
【００７５】
図７（Ａ）〜（Ｈ）および図８（Ａ）〜（Ｈ）は、本発明による第４の実施形態を示す断面図である。図７（Ａ）〜（Ｈ）は、多層相互接続要素または配線板の最も外側の層で使用される相互接続要素１１１（図７（Ｈ））を製造する方法のための一連のプロセスを示す。図８（Ａ）〜（Ｈ）は、前述の相互接続要素１１１をコア配線板と統合するためにコア相互接続要素または配線板を処理するための、また相互接続要素１１１を更に処理することによって多層配線板を仕上げるための一連のプロセスを示す。
【００７６】
最初に図７（Ａ）〜（Ｈ）を参照しながら、相互接続要素１１１を製造する方法が説明される。
【００７７】
図７（Ａ）に示すように、図１（Ａ）に示された構造体２に関して前に説明されたような様式で３層金属構造体１００が用意される。この３層金属構造体は、例えば銅から作られた相互接続パターンに作られる金属層１０６を含む。このような層１０６は、例えば銅から作られたキャリア層１０２の一方の表面に例えばニッケルから作られたエッチングバリア層１０４の上にある。構造体１００は、例えば圧延によって製造され得る。
【００７８】
これに続いて図７（Ｂ）に示すように、前述の金属層１０６（図７（Ａ））を選択的にエッチングすることによって、例えばトレース、接点などを含む相互接続パターン１０８が製造される。
【００７９】
これに続いて図７（Ｃ）に示すように、前述の相互接続パターン１０８の露出された表面にレジスト層１１０が堆積され、フォトリソグラフィなどによってパターン化される。１１２は、前述のレジスト層１１０に形成された孔であって、この孔１１２には以下に説明される金属支柱または導電性柱１１４（図７（Ｄ））が形成される。
【００８０】
これに続いて図７（Ｄ）に示すように好ましくは、前述のレジスト層１１０をマスクとして使用して、例えば銅などの金属をめっきすることによって導電性柱１１４が製造される。この場合、導電性柱１１４は、レジスト層１１０の表面から僅かに突き出るように作られる。これは、めっきプロセスにおける変わり易さにもかかわらず導電性柱１１４の最上部を指定の高さに位置合わせすることを次の研削プロセスで可能にするためである。
【００８１】
これに続いて図７（Ｅ）に示すように、前述の導電性柱１１４の突き出た部分は、その端面がレジスト層１１０の外側（主要）表面１０５と共面になるように（すなわち同じ平面上にあるように）研削される。
【００８２】
これに続いて図７（Ｆ）に示すように、前述のレジスト層が除去される。
【００８３】
これに続いて図７（Ｇ）に示すように、前述の相互接続パターン１０８の上に在って、前述の導電性柱１１４のそれぞれを絶縁する層間絶縁層１１６が設けられる。処理のこの段階の後に導電性柱１１４の最上部または端部１１５が露出される。
【００８４】
これに続いて図７（Ｈ）に示すように、前述の導電性柱１１４の端部は、相互接続要素１１８を完成するために、高さを調整して層間絶縁層１１６の表面と平らになるように研磨あるいは研削される。
【００８５】
これらの相互接続要素１１８の二つが図８（Ａ）〜８（Ｈ）に示すプロセスにしたがって用意され、提供されることに留意されたい。
【００８６】
次に図８（Ａ）〜（Ｈ）を参照しながら、本実施形態による多層相互接続要素または配線板を提供するように製造するための方法が説明される。
【００８７】
最初に図８（Ａ）に示すように、コア相互接続要素またはコア配線板１２０が用意される。
【００８８】
このコア相互接続要素１２０にはその内部に４層の相互接続層１２２が設けられ、層１２２の各々は互いに分離され、層間絶縁層１２４によって絶縁されている。最も外側の表面には、金属層１２６および１２６が設けられている。
【００８９】
これに続いて図８（Ｂ）に示すように、前述のコア相互接続要素１２０を貫通して最も外側の表面から延びる貫通孔１２８が形成される。
【００９０】
これに続いて図８（Ｃ）に示すように、無電解めっきまたは電気めっきを使用して例えば銅などの金属をめっきすることによって、貫通孔相互接続層１３０が製造される。この相互接続層１３０は、前述の貫通孔１２８の表面を含むコア相互接続要素１２０の表面に形成される。
【００９１】
これに続いて図８（Ｄ）に示すように、前述の貫通孔相互接続層１３０の内側の孔は、導電性ペーストまたは絶縁性ペースト１３２で充填され、その後に最上部または底部から突き出たこの導電性ペーストまたは絶縁性ペースト１３２の部分は、突起と切れ込みを除去するように研磨または研削される。
【００９２】
これに続いて図８（Ｅ）に示すように、無電解めっきおよび／または電気めっきによって表面に、例えば銅などの金属を含む、または本質的に銅などの金属からなる金属層１３４が製造される。
【００９３】
これに続いて図８（Ｆ）に示すように、前述の金属層１３４（図８（Ｅ））と貫通孔相互接続層１３０と金属層１２６とを選択的にエッチングすることによって相互接続層１３６が作られる。
【００９４】
これに続いて図８（Ｇ）に示すように、図７（Ａ）〜７（Ｈ）に示された方法を使用して製造された前述の相互接続要素１１８および１１８は、前述のコア基板１２０の露出された表面に位置合わせされて接合される。
【００９５】
相互接続要素１１８および１１８は、導電性柱１１４の端部と層間絶縁層１１６とがコア相互接続要素１２０の相互接続層１３６の露出された表面に向き合うように配置される。相互接続要素は、導電性柱１１４の各々がこれに対応する相互接続層１３６に整列するように位置合わせされる。この後にコア相互接続要素１２０に相互接続要素１１８を結合、接着あるいは融着するために圧力と熱が印加される。
【００９６】
これに続いて前述の相互接続要素１１８および１１８のキャリア層１０２、１０２（図７（Ａ））が除去され、これに続いてエッチングバリア層１０４、１０４（図７（Ａ））が除去される。図８（Ｈ）は、これらのエッチングバリア層が除去された後の状態を示す。
【００９７】
この製造方法は、層間に電気的接続のための貫通孔を有し、平坦な外側表面を有する多層相互接続要素または配線板を製造する。
【００９８】
図９（Ａ）〜（Ｉ）は、本発明の第５の実施形態における一連のプロセスを示す断面図である。
【００９９】
先ず図９（Ａ）〜９（Ｂ）を参照すると、配線板の最も外側の層に使用される二つの相互接続要素が用意されている。図９（Ｃ）〜９（Ｄ）を参照すると、中間層に使用される一つ以上の相互接続要素が用意されている。
【０１００】
最初に最も外側の層のための相互接続要素１８２（図９（Ｂ））が用意される。参照の容易さのために単に一つの相互接続要素１８２が示されている。
【０１０１】
この相互接続要素１８２は、例えば銅などの金属を含む、あるいは本質的に銅などの金属からなる金属層１８８であって、第１の金属、例えば銅を攻撃する腐食液によって攻撃されない金属を含む、または本質的にこの金属からなるエッチングバリア層１８６の上にある金属層１８８が設けられている３層金属構造体１８０（図９（Ａ））を用意することによって作られ得る。エッチングバリア層が形成される金属は、例えばニッケルであり得る。このような層１８６は、例えば銅などの金属を含む、あるいは本質的に銅などの金属からなるキャリア層１８４の一方の表面を覆う。金属層１８８は、トレース、接点などなどの相互接続パターンを含む相互接続層１９０を製造するために、例えばフォトリソグラフィプロセスによってパターン化される。
【０１０２】
図９（Ｃ）〜）（Ｄ）を参照すると中間層のための相互接続要素１９４が用意されている。図９（Ｄ）には単に一つの中間層用相互接続要素１９４が示されているが複数の相互接続要素１９４が用意されることもあり得る。本実施形態では例示的に３個が用意されている。中間層用の各相互接続要素１９４は、金属層１９８が層間絶縁層１９６（図９（Ｃ））の両側に作られ、それから両側上のこれらの金属層１９８がフォトリソグラフィプロセスなどによってパターン化された３層構造体１９２を用意することによって製造されることができる。
【０１０３】
これに続いて複数の、この例では特に図示のように３個の相互接続要素１９４が、間に層間絶縁層２０２を介在させてスタックされ、その後に最も外側の層１８２のための前述の相互接続要素がこのスタックの両外側表面上の指定の位置でスタックされる。この後、構成要素２０２、１９４、１９４、１９４および２０２を接合するように、最も外側の層としての相互接続要素１８２をこれらの間に配置された相互接続要素１９４と接合するために熱と圧力が印加される。図９（Ｅ）は、これらの構成要素が接合された後の状態を示す。
【０１０４】
これに続いて前述のように一体化された層状ユニットの最も外側の表面からキャリア層１８４（図９（Ａ））が除去され、その後にエッチングバリア層１８６が除去され、これに続いて指定の位置に貫通孔２０４が設けられる。図９（Ｆ）は、貫通孔２０４が形成された後の状態を示す。
【０１０５】
これに続いて、前述の貫通孔２０４の内側周辺表面を含む前述の層状ユニットの表面に無電解めっきによって、例えば銅などの金属を含む、あるいは本質的に銅などの金属からなるめっきされた下層２０６が製造され、その後に貫通孔製造のためのマスク層として役立つレジスト層２０８が堆積され、例えばフォトリソグラフィによってパターン化される。図９（Ｇ）は、このレジスト層２０８の製造後の状態を示す。
【０１０６】
これに続いて図９（Ｈ）に示すように前述のレジスト層２０８は、前述のめっきされた下層２０６の最上部に、例えば銅などの金属を含む、あるいは本質的に銅などの金属からなる貫通孔相互接続層２１０を製造するために、マスクとして使用される。前述の貫通孔相互接続層２１０の内側周辺表面が導電性ペーストまたは絶縁性ペースト１３２で満たされ得るという事実は図８（Ｄ）に示す実施形態の場合と同じであることに留意されたい。
【０１０７】
これに続いて前述のレジスト層２０８（図９（Ｇ））が除去され、また前述のめっきされた下層２０６も相互接続層１９０を露出するために除去される。これは、各々が相互接続層を有する多数の中間相互接続要素１９５が一つの多層相互接続要素において互いに接合されて電気的に接続されることを可能にすることによって、一体化のレベルをより高くし得るために層間接続手段として貫通孔相互接続層２１０を使用する多層配線板を提供することができる。
【０１０８】
図１０（Ａ）〜（Ｈ）は、本発明の第６の実施形態による一連のプロセスの断面図である。
【０１０９】
図１０（Ａ）に示すように３層金属構造体１４０が用意される。この３層金属構造体１４０は、例えばニッケルなどの金属を含む、あるいは本質的にニッケルなどの金属からなるエッチングバリア層１４４の最上部に層状に重ねられた、例えば銅などの金属を含む、あるいは本質的に銅などの金属からなる金属の下層１４６を有する。同様にエッチングバリア層は、例えば銅などの金属を含む、あるいは本質的に銅などの金属からなるキャリア層１４２の表面を覆っている。金属構造体１４０は、例えば圧延によって製造され得る。
【０１１０】
これに続いて図１０（Ｂ）に示すように、前述の金属構造体１４０の上に第１のフォトレジスト層１４８が堆積されてパターン化される。これに続いて図１０（Ｃ）に示すように、金属の相互接続パターン、例えばトレースおよび／または接点を含む相互接続層１５０が、前述のレジスト層１４８をマスクとして使用して、金属例えば銅をめっきすることによって製造され、その後にこの相互接続層１５０の表面を粗くするために表面粗しプロセスが実行される。
【０１１１】
これに続いて図１０（Ｄ）に示すように、第１のフォトレジスト層１４８を覆うように第２のレジスト層１５２が堆積されてパターン化される。１５４は、レジスト層１５２に形成された孔であって、この中に以下に説明される導電性柱１５６（図１０（Ｅ））が形成される。
【０１１２】
これに続いて図１０（Ｅ）に示すように、前述の第２のレジスト層１５２をマスクとして使用して、金属例えば銅をめっきすることによって、金属支柱または他の導電性柱１５６が製造される。これらの導電性柱１５６は、相互接続層１５０の粗くされた表面に製造され、相互接続層１５０と導電性柱１５６との間に優れた接着を実現可能にし、優れた接触特性を実現可能にする。
【０１１３】
これに続いて図１０（Ｆ）に示すように、前述の第２のレジスト層１５２が除去される。１５８は、このような層１５２を除去した後に結果として得られる相互接続要素である。
【０１１４】
これに続いて、相互接続要素１５８から導電性柱１５６を除去された、前述の相互接続要素１５８から構成された第２の相互接続要素１５８ａ（より正確には導電性柱１５６が作られなかった構造体）が用意される。
【０１１５】
これが与えられると、導電性柱１５６と相互接続層１５０とが延びる相互接続要素１５８の表面１５５と相互接続要素１５８ａの相互接続層１５０が延びる表面１５５は、互いに向き合うように配置され、相互接続要素１５８の導電性柱１５６の各々が相互接続要素１５８ａの対応する相互接続層１５０に接触するように位置合わせされる。相互接続要素１５８ａと相互接続要素１５８との間には層間絶縁層１６０が介在させられる。この状態で相互接続要素１５８ａおよびお１５８を互いに接合、例えば結合、接着あるいは融着するために熱と圧力が印加される。図１０（Ｇ）は、この接合プロセスの後の状態を示す。
【０１１６】
これに続いて相互接続要素１５８および１５８ａのキャリア層１４２および１４２が除去され、その後にエッチングバリア層１４４および１４４も除去される。その後に前述の金属の下層１４６および１４６も除去される。
【０１１７】
これは、相互接続層１５０が層間絶縁層１６０の両表面に、これらと共面に作られた多層相互接続要素または配線板を提供する。図１０（Ｈ）は金属下層１４６および１４６の除去によって製造された配線板を示す。
【０１１８】
本実施形態で図示され説明された多層相互接続要素または配線板は、誘電体要素の最も外側の表面が平坦であってこれらの表面に露出された相互接続パターンがこれらと共面である構造を有する前述のもの（多層相互接続要素または配線板）に類似している。
【０１１９】
他方、図１０（Ａ）〜１０（Ｈ）を参照すると相互接続要素は、導電性柱１５６の端部の表面が、対応する相互接続層１５０に接触している状態で、互いに位置合わせされて接合され、一体化されている。前述の相互接続要素１５８および１５８ａの各々の前述のキャリア層１４２および１４２と前述のエッチングバリア層１４４および１４４と前述の金属下層１４６および１４６は、順次に除去される。
【０１２０】
図１０（Ｈ）を参照すると、導電性柱１５６が作られた相互接続要素１５８とこれらの導電性柱なしで構成された相互接続要素１５８ａは、これらの間に介在する層間絶縁層１６０と共に層をなしている。このような実施形態の変形版では相互接続要素から延びる導電性柱１５６を有する相互接続要素１５８および１５８は、導電性柱１５６がこれら二つの相互接続要素１５８間に介在する層間絶縁層１６０内で一体化されて互いに接触するように接合され得る。
【０１２１】
図１１（Ａ）〜１１（Ｆ）および図１２（Ｇ）〜１２（Ｉ）は、本発明のもう一つの実施形態による多層回路板を製造する方法を示す断面図である。
【０１２２】
図１１（Ａ）に示す製造の予備段階で３層金属プレート２００が用意される。この３層金属プレート２００は、好ましくは本質的に銅などの第１の金属からなる支持プレート２０２を含む。支持プレートの表面を覆うようにエッチング停止層２０４が配置され、これは銅を攻撃する特定の腐食液によって攻撃されないニッケルなどのエッチング弁別可能材料からなる。好ましくはエッチング停止層は、支持プレートの厚さより少なくとも幾らか薄い厚さを有する。また好ましくは本質的に銅からなる第３の金属層２０６が支持プレートに相対するエッチング停止層の後面を覆うように配置される。第３の金属層２０６は、回路配線パターンがパターン化される層として機能する。
【０１２３】
次に図１１（Ｂ）に示すように、前述の金属層２０６を選択的にエッチングすることによって導電性配線パターン２０８および２０８’が形成される。パターン化された配線フィルム２０８および２０８’は、異なる機能と異なる幅２０９を有し、実質的に異なる方向に方位付けされ得る。次に図１１（Ｃ）に示すように、露出された配線パターン２０８および２０８’を有する１対のパターン化された３層金属プレート２００は、配線パターン２０８および２０８’が絶縁層２１０の中心の方に内側を向いて絶縁層の外側表面２１１に埋め込まれているユニットを形成するように、中間絶縁層２１０と共にラミネートされる。このラミネート化は、例えば熱と圧力の印加によって実行できる。
【０１２４】
引き続いて図１１（Ｄ）に示すように、中間エッチング停止層２０４から支持プレートが除去される。それから絶縁層２１０とエッチング停止層２０４と絶縁層の露出された表面上の配線フィルム２０８とを貫通して延びるように、貫通孔２１２（図１１（Ｅ））が形成される。
【０１２５】
次に図１１（Ｆ）に示すように本質的に例えば銅からなる導電性フィルム２１４がエッチング停止層２０４と絶縁層２１０とを覆うように、また貫通孔２１２の内側表面内に形成される。導電性フィルムは、好ましくは銅などの金属を無電解めっきおよび／または電気めっきなどの処理をすることによって形成される。
【０１２６】
引き続いて図１２（Ｇ）に示すようにこの後、導電性フィルム２１４の表面上にレジストフィルムが形成され、レジストパターン２１６を形成するようにフォトリソグラフィによって処理される。図１２（Ｈ）を参照すると、それから絶縁層の両面の導電性フィルム２１４は前述のレジストパターン２１６をマスクとして使用して、これらの下にあるエッチング停止層と共にエッチングされる。このエッチングの結果として、二つの導電性フィルムパターンが生成される。貫通孔導電性フィルム２１８は、貫通孔２１２の内側表面を覆い、絶縁層２１０の各面に埋め込まれた外部配線パターン２０８の一部分を導電的に接続する。このエッチングプロセスによって第２の導電性フィルム２２０が同時に形成されるが、この導電性フィルムは突出導電性フィルム２２０と呼ばれる。引き続いてこの突出カバーフィルム２２０は、外部構成要素に、例えば集積されたマイクロエレクトロニクス装置またはマイクロエレクトロメカニカル装置または（「チップ」）に、あるいはパッケージ化チップの基板に配線基板を相互接続するために使用され得る。
【０１２７】
次に図１２（Ｉ）に示すように配線基板２０１の表面上に突出導電性フィルム２２０を露出したまま、露出された配線パターン２０８を覆う位置に絶縁カバーフィルム２２２が設けられる。一実施形態ではこのカバーフィルムは、接着特性を有する事前形成フィルムをロールから貼付することによって与えられる。もう一つの実施形態ではカバーフィルムは、堆積とそれに続くパターン化によって、例えばフォトリソグラフィによって与えられる。
【０１２８】
好ましくはカバーフィルム２２２の下側、すなわち絶縁層２１０に面したフィルムの表面２２５は、粗いというよりむしろ実質的に滑らかである。これは、絶縁層２１０に関してカバーフィルムを貼付し易く、また位置決めし易くする。このようにしてカバーフィルムは、その位置が突出導電性フィルム２２０、あるいはそのために開いている逃げ孔２２４に対して位置合わせ不良にならないように貼付され得る。
【０１２９】
更にカバーフィルムの内側表面２２５は粗くないので、これは絶縁層に更に貼付し易く、またカバーフィルムが配線フィルム２０８の角に接触してプロセスにおいて損傷されてその保護効果を低減するという危険は減らされる。
【０１３０】
図１２（Ｉ）による配線基板２０１は、突出導電性フィルム２２０を介して配線フィルム２０８’と外部回路要素との間の外部相互接続を可能にすることに利益をもたらす。同時に基板の他の配線パターン２０８は、その上に設けられた絶縁カバーフィルム２２２によって、短絡、ブリッジ（橋絡）またはその他、外部回路要素との望ましくない電気的相互作用に対して保護される。更に、貫通孔内に設けられた導電性フィルム２１８は、絶縁層の上面、下面の各々において配線パターン２０８間の相互接続を与える。
【０１３１】
図１３は、図１２（Ｉ）に示された実施形態の変形版による配線基板２０３を示す断面図である。この実施形態では絶縁層２１０の同じ面上の異なるセットの埋込み配線パターン２０８ａ、２０８ｂが、絶縁層２１０の表面を覆うようにパターン化されたクロスオーバー導電性フィルム２２６によって導電的に相互接続される。好ましくはこのクロスオーバー導電性フィルムは、図１２（Ｆ）、１２（Ｇ）および１２（Ｈ）を参照しながら前に説明された仕方と同様の様式で、貫通孔導電性フィルム２１８と突出導電性フィルム２２０と同時に形成される。
【０１３２】
図１３に更に示されているように電子部品のリード線２２８、例えばパッケージ化チップのリード線は例えば、貫通孔導電性フィルム２１８と接触して基板の貫通孔に挿入されることができ、配線基板２０３とこのようなパッケージ化チップとの間に相互接続を与えるためにこの貫通孔導電性フィルムに半田付け、そうでなければ結合され得る。
【０１３３】
図１４（Ａ）および１４（Ｂ）は更に、パッケージ化チップ２４０と本発明の一実施形態による配線基板２０５との間の表面実装相互接続を示す。この場合、配線基板２０５は、前述の基板の一つ、例えば配線基板２０１（図１２（Ｉ））または配線基板２０３（図１３）と同じであるか、あるいは類似している可能性がある。代替として、少なくとも絶縁層２３０の外部表面２３４の凹部２３２に埋め込まれた導電性配線パターン２０８’を含む、より単純な形の配線基板が利用可能である。配線パターン２０８’の露出された表面の上には、突出導電性フィルム２２０または金属相互接続支柱またはパッドが突き出て、この露出された表面は絶縁層２３０の外部表面２３４によって画定されている。好ましくは導電性フィルムは、好ましくは銅を含む金属層の堆積とマスクされたエッチングとによって形成されるか、あるいは無電解めっきおよび／または電気めっきによって形成される。
【０１３４】
パッケージ化チップは、チップ２４６が実装される側である一方の面に導電性配線パターン２４４を有する誘電体要素２４８として例示的な仕方でここに図示されているパッケージ基板２４２に実装されるようなチップ２４６を含む。
【０１３５】
特に図１４（Ａ）に示すようにパッケージ化チップ２４０は、図１４（Ｂ）に示されるようなアセンブリを形成する二つの構成要素を導電的に相互接続するために異方性導電性フィルム（「ＡＣＦ」）２４６を介して配線基板２０５に押し付けられて保持される。導電性相互接続は、ＡＣＦ２４６がかなりの程度に圧縮された場所だけに、すなわち突出導電性フィルム２２０とパッケージ化チップの反対側実装面２４４との間などの位置に確立される。
【０１３６】
ＡＣＦ２４６には接触しているが突出導電性フィルム２２０には接触していない基板２３０の他の埋込み配線パターンは、望ましくない導電性相互接続を生じる危険状態、例えば短絡する危険状態にない。これは、表面の表面２３４の上方に延びる突出導電性フィルム２２０などの特徴要素をＡＣＦ２４６が覆う場所だけでＡＣＦ２４６が圧縮されるからである。更に、突出導電性フィルム２２０の幅２３６を適切に制御することによって、配線２４４に対してＡＣＦ２４６を圧縮するためにかけられる力は、抵抗を減らすために二つの構成要素間の電流保持界面を介して接触圧力の妥当性と表面積の妥当性の両方を保証するように選択された表面積の上に広げられ得る。
【０１３７】
前述の特徴のこれらおよび他の変形版および組合せが利用可能であるので、好ましい実施形態の前述の説明は、本発明の限定というよりもむしろ例示のためと取られるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明は中でも、相互接続層の複数の金属トレースが誘電体要素の表面、例えば熱可塑性樹脂などの樹脂から作られた層間絶縁層の表面の一つに露出されている相互接続要素、例えば配線板などに使用され得る。例えば銅などの金属から作られた支柱あるいは層間接触柱は、このような誘電体要素を貫通して延びる。このような支柱あるいは柱は、多層配線板のそれぞれの層の相互接続層の少なくとも一部分に対応する層間接続を与えることができる。更に本発明は、相互接続要素を作る方法と多層配線板を製造する方法とに用途を見出している。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】本発明の第１の実施形態による一連のプロセス（Ａ）〜（Ｋ）の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による一連のプロセス（Ｌ）〜（Ｍ）の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態によるプロセスを示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態によるプロセスを更に示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の変形版によるプロセスを示す断面図である。
【図６】本発明による第３の実施形態における一連のプロセスを示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態による最も外側の層に関する相互接続要素を製造するための方法における一連のプロセスを示す断面図である。
【図８】このような第４の実施形態による、コア配線板を処理するためと、最も外側の層のための相互接続要素をこのコア配線板と一体化するためと、最も外側の層のための相互接続要素を処理することによって配線板を仕上げるためとの一連のプロセスを示す断面図である。
【図９】本発明による第５の実施形態における一連のプロセスを示す断面図である。
【図１０】本発明による第６の実施形態における一連のプロセスを示す断面図である。
【図１１】本発明の第７の実施形態による一連のプロセスを示す断面図である。
【図１２】本発明の第７の実施形態による一連のプロセスを示す断面図である。
【図１３】図１２（Ｉ）に示された第７の実施形態の変形版による相互接続要素と、外部回路要素とのその相互接続とを示す断面図である。
【図１４】図１２（Ｉ）に示された第７の実施形態の更なる変形版による相互接続要素と、外部回路要素とのその相互接続とを示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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