(57)【要約】  本発明は、熱源をヒート・シンクに結合するための熱インタフェースである。本発明の１つの実施形態は、メッシュと、該メッシュ中に配置された液体、例えば、熱伝導性液体とを含む。メッシュおよび熱伝導性液体は、熱源とヒート・シンクとの間に配置された場合に、熱源およびヒート・シンクの両方に接触する。１つの実施形態において、メッシュは、液体と共存できる金属または有機材料を含み得る。１つの実施形態において、液体は、液体金属を含み得る。例えば、液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含み得る。熱源とヒート・シンクとの間のメッシュおよび液体を封止するために、ガスケットを任意に用いることができる。１つの実施形態において、熱源は、集積回路チップである。【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源からヒート・シンクへの熱伝達を支援するための熱インタフェースであって、該熱インタフェースは、
メッシュと、
該メッシュ中に配置された液体とを含み、前記メッシュおよび前記液体は、前記熱源と前記ヒート・シンクとの間に配置された場合に、前記熱源および前記ヒート・シンクの両方に接触する、
熱インタフェース。
【請求項２】
前記液体は、液体金属を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項３】
前記液体は、ガリウム、水銀、ガリウム／インジウムおよび水銀／金のうちの少なくとも１種を含む、請求項２に記載の熱インタフェース。
【請求項４】
前記液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含む、請求項２に記載の熱インタフェース。
【請求項５】
前記メッシュは、織られたウェブ、織られていないウェブ、スクリーン、多孔質またはスポンジ状固体、およびワイヤ、フィラメント、ストランド、繊維、または粒子のマトリックスのうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項６】
前記メッシュは、銅、クロム、鉄、モリブデン、ニッケル、タンタル、チタン、およびタングステンのうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項７】
前記メッシュは、線および粒子を含む、請求項６に記載の熱インタフェース。
【請求項８】
前記メッシュは、銅線および銅粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項９】
前記銅は、クロムで被覆される、請求項８に記載の熱インタフェース。
【請求項１０】
前記メッシュは、ガラス繊維およびガラス粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１１】
前記メッシュは、タングステン線およびタングステン粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１２】
前記メッシュは、銅ウール、多孔質黒鉛、機械加工黒鉛、カーボン・ナノチューブ、および電鋳ニッケルのうちの少なくとも１種を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１３】
前記メッシュを覆って形成された被覆をさらに含む、
請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１４】
前記被覆は、クロムを含む、請求項１３に記載の熱インタフェース。
【請求項１５】
前記被覆は、前記液体と共存できる材料を含む、請求項１３に記載の熱インタフェース。
【請求項１６】
前記メッシュの周囲に配置され、前記熱インタフェースが前記ヒート・シンクと前記熱源との間に配置された場合に、前記ヒート・シンクおよび前記熱源に接触するガスケットをさらに含む、
請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１７】
前記メッシュは、タングステン線およびタングステン粒子を含み、前記液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含む、請求項１に記載の熱インタフェース。
【請求項１８】
熱伝達アセンブリであって、
熱源と、
ヒート・シンクと、
前記熱源と前記ヒート・シンクとの間に配置された熱インタフェースとを含み、該熱インタフェースは、
メッシュと、
該メッシュ中に配置された液体とを含み、前記メッシュおよび前記液体は、前記熱源および前記ヒート・シンクの両方に接触している、
熱伝達アセンブリ。
【請求項１９】
前記液体は、液体金属を含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２０】
前記液体は、ガリウム、水銀、ガリウム／インジウムおよび水銀／金のうちの少なくとも１種を含む、請求項１９に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
前記液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含む、請求項１９に記載のアセンブリ。
【請求項２２】
前記メッシュは、織られたウェブ、織られていないウェブ、スクリーン、多孔質またはスポンジ状固体、および線、フィラメント、ストランド、繊維、または粒子のマトリックスのうちの少なくとも１種を含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２３】
前記メッシュは、銅、クロム、鉄、モリブデン、ニッケル、タンタル、チタン、およびタングステンのうちの少なくとも１種を含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２４】
前記メッシュは、線および粒子を含む、請求項２３に記載のアセンブリ。
【請求項２５】
前記メッシュは、銅線および銅粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２６】
前記銅は、クロムで被覆される、請求項２５に記載のアセンブリ。
【請求項２７】
前記メッシュは、ガラス繊維およびガラス粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２８】
前記メッシュは、タングステン線およびタングステン粒子のうちの少なくとも１種を含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２９】
前記メッシュは、銅ウール、多孔質黒鉛、機械加工黒鉛、カーボン・ナノチューブ、および電鋳ニッケルのうちの少なくとも１種を含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項３０】
前記メッシュを覆って形成された被覆をさらに含む、
請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項３１】
前記被覆は、クロムを含む、請求項３０に記載のアセンブリ。
【請求項３２】
前記被覆は、前記液体と共存できる材料を含む、請求項３０に記載のアセンブリ。
【請求項３３】
前記メッシュの周囲に配置され、前記熱インタフェースが前記ヒート・シンクと前記熱源との間に配置された場合に、前記ヒート・シンクおよび前記熱源に接触するガスケットをさらに含む、
請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項３４】
前記熱源は、集積回路チップである、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項３５】
前記ヒート・シンクは、空冷フィン、水冷フィン、ヒート・パイプ、ラジエータ、または熱スプレッダのうちの少なくとも１つを含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項３６】
前記熱源は、集積回路チップであり、前記液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含み、前記メッシュは、タングステン線およびタングステン粒子を含む、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項３７】
ヒート・シンクにより熱源を冷却する方法であって、
メッシュおよび該メッシュ中に配置された液体を有する熱インタフェースを準備するステップと、
前記メッシュおよび前記液体が前記熱インタフェースの第１の側で前記熱源と接触し、前記熱インタフェースの第２の側で前記ヒート・シンクと接触するように、前記熱源と前記ヒート・シンクの間に熱インタフェースを置くステップとを含む、
方法。
【請求項３８】
前記メッシュは、銅、クロム、鉄、ニッケル、タンタル、チタン、およびタングステンのうちの少なくとも１種を含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項３９】
前記液体は、液体金属を含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４０】
前記液体金属は、ガリウム、水銀、ガリウム／インジウムおよび水銀／金のうちの少なくとも１種を含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４１】
熱源からヒート・シンクへの熱伝達を支援するための熱インタフェースを製造する方法であって、
メッシュを準備するステップと、
前記メッシュを実質的に満たすのに十分な量の液体を前記メッシュ中に配置するステップとを含み、前記液体は、液体金属を含む、
方法。
【請求項４２】
前記液体金属を凝固させるステップさらに含む、
請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
既知の寸法を有するヒート・シンクと共に使用するために、前記メッシュを所望サイズに形成するステップをさらに含む、
請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記メッシュおよび前記液体を包装するステップをさらに含む、
請求項４１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱インタフェースに関し、より具体的には、集積回路チップの冷却に関する。特に本発明は、チップ冷却用の複合熱インタフェースに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）デバイスの効率的冷却は、過度な発熱による故障を防止するために必須である。チップ１個あたりのＣＭＯＳデバイス数およびクロック速度が増大するにつれ、そのような効率的冷却は、いっそう顕著な関心事になってきた。ＩＣチップの効率的冷却は、チップと冷却ブロック、またはヒート・シンクとの間の良好な熱インタフェースに主として依存する。なぜならば、発熱対策予算の大部分がチップとヒート・シンクとの間で費やされるからである。
【０００３】
従来、チップとヒート・シンクとの間の熱インタフェースは、チップおよびヒート・シンク・ユニットの対向面間に配置された熱伝導性ペーストの薄い層を含んでいる。一般に、ペースト層は、厚さが約１００ミクロンであり、機械的追従性を有していて、チップおよびヒート・シンクの時として不規則な表面を一致させる。
【０００４】
そのような伝導性ペーストは一般に、熱伝達を促進する際に信頼性があることがわかっている。しかしながら、従来のペーストの熱伝導率は一般に制限される（例えば、典型的なペーストは、約０．１Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する）。従って、チップ冷却が制限される。さらに、激しいサイクリングは、ペーストに不均一な挙動を引き起こしたり、ペーストがチップをヒート・シンクに熱的に接合することを失敗させたりして、結果的に熱暴走になり、またチップ冷却を制限する。さらに、いっそう大量の熱を発生させるより小型の強力なチップへの傾向は、熱ペーストへの信頼を不十分なものにする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、信頼性のある熱接触を確立でき、チップとヒート・シンクとの間に十分な熱伝導率および機械的追従性を提供できる熱インタフェースが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、熱源をヒート・シンクに結合するための熱インタフェースである。本発明の１つの実施形態は、メッシュおよびこのメッシュ中に配置された熱伝導性液体を含む。メッシュおよび熱伝導性液体は、熱源とヒート・シンクとの間に配置された場合にその両方に接触する。１つの実施形態において、メッシュは、液体と共存できる金属または有機材料を含み得る。１つの実施形態において、液体は、液体金属を含み得る。例えば、液体は、ガリウム／インジウム／錫合金を含み得る。熱源とヒート・シンクとの間でメッシュおよび液体を密封するためにガスケットを任意に用いることができる。１つの実施形態において、熱源は、集積回路チップである。
【０００７】
本発明の別の態様において、ヒート・シンクにより熱源を冷却する方法が提供される。１つの実施形態において、この方法は、メッシュおよびこのメッシュ中に配置された液体を有する熱インタフェースを準備するステップを含む。熱インタフェースは、メッシュおよび液体が熱インタフェースの第１の側で熱源と接触し、熱インタフェースの第２の側でヒート・シンクと接触するように、熱源とヒート・シンクとの間に置かれる。
【０００８】
本発明の別の態様において、熱源からヒート・シンクへの熱伝達を支援するための熱インタフェースの製造方法が提供される。１つの実施形態において、この方法は、メッシュを準備するステップを含む。メッシュを実質的に満たすのに十分な量の液体がメッシュ中に配置される。液体は、液体金属を含む。任意に、液体金属はその後、所定位置で凍結されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の上記の実施例が達成されるやり方がより詳細に理解されるように、上記で簡略に概要を述べた本発明のより具体的な説明が、添付図面中に例示される本発明の実施形態を参照してなされ得る。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を単に例示するものであり、従って、本発明の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意すべきである。なぜならば、本発明は、他の等しく有効な実施形態に通じ得るからである。
【００１０】
理解を容易にするため、可能な場合は、図面に共通な同一の要素を示すために、同一の参照符号が用いられている。
【００１１】
図１は、熱インタフェース１００の１つの実施形態の断面図を示す。熱インタフェース１００は、熱源１０２とヒート・シンク１０４との間に配置されている。熱源１０２は、集積回路（ＩＣ）チップを含むがそれに限定されないどのような熱源であってもよい。ヒート・シンク１０４は、空冷フィン、水冷フィン、ヒート・パイプ、ラジエータ、熱スプレッダなどの冷却板のようなどのようなヒート・シンクであってもよい。熱インタフェース１００、熱源１０２およびヒート・シンク１０４は、接合、付着、クランピング、ブラケット、取付具などの適切な手段により一緒にしてアセンブリとしてもよい。図１に示される実施形態において、熱源１０２、ヒート・シンク１０４、および熱インタフェース１００は、少なくとも１つのクランプ１０８により一緒にされている。
【００１２】
熱インタフェース１００は典型的には、約５０〜約２００ミクロンの範囲の厚さで形成され、メッシュ１１０中に配置された熱伝導性の熱伝達液体１１２を一般に含む。液体１１２は、表面張力によりメッシュ１１０内に保持され、この表面張力は、メッシュ１１０の構造の比較的大きい表面積により最大化される。メッシュ１１０は、製造時に液体１１２の保持、制御、および適用を支援する。加えて、メッシュ１１０への液体１１２の付着により、衝撃時に熱インタフェース１００から液体１１２が噴出することが有利に防止または最小化される（すなわち、熱源１０２およびヒート・シンク１０４が突然互いに向かって移動する場合、例えば、アセンブリが落下または揺さぶられる場合に生成される放出力は一般に、メッシュ１１０中の液体１１２の表面張力の保持力を超えない）。電気用途において、液体１１２のそのような噴出は、システムの構成要素に対する損害または損傷を引き起こし、そして次に、近くにいるオペレータまたは他の人員を負傷させることがある。
【００１３】
メッシュ１１０は、機械的追従性、例えば、スプリング力を有し、これにより、熱インタフェース１００と熱源１０２およびヒート・シンク１０４との間に複数の接触点１１４がもたらされる。複数の接触点１１４は、液体１１２と、熱源１０２およびヒート・シンク１０４双方との密接な接触を促進し、それによってそれらの間の効率的な熱伝達を向上させる。複数の接触点１１４は、液体１１２が熱源１０２かヒート・シンク１０４の一部と直接接触していない場合に発生することがあるどのような空隙の発生も最小化する。さらに、発生するどのような空隙、例えば、空隙１１６のサイズは、メッシュ１１０の要素間の界面ならびに複数の接触ポイント１１４と熱源１０２またはヒート・シンク１０４の表面との間の界面へ液体１１２を引き寄せる毛管作用により最小化される。メッシュ１１０が熱伝導性である実施形態において、複数の接触点１１４はさらに、メッシュ１１０自体を通って熱源１０２とヒート・シンク１０４との間に連続した熱伝導性経路をさらに提供する。
【００１４】
本明細書において用いられるように、用語「メッシュ（ｍｅｓｈ）」は、材料の構造配置を意味し、織られたおよび織られていないウェブまたはスクリーン、多孔質またはスポンジ状固体、線、ワイヤ、フィラメント、ストランド、繊維、または粒子のマトリックス、あるいは機械的追従性を持つ構造をもたらし、熱源１０２とヒート・シンク１０４との間に液体１１２が熱伝導性経路を形成するのに十分な多孔度を有するどのような他の材料も含む。１つの実施形態において、メッシュ１１０は、熱インタフェース１００の総体積の約１５％を含む。しかしながら、この値は、用途に依存し、かつメッシュ１１０を構成する材料の濡れ性およびメッシュ１１０の機械的剛性に依存することに留意すべきである。メッシュ１１０は一般に、機械的追従性を有し、かつ多くの気孔を含んでおり、この気孔を通して液体１１２は伝播および被覆することができる。
【００１５】
メッシュ１１０は、液体１１２の熱伝導率より大きい、等しい、またはより小さい熱伝導率を有し得る。メッシュ１１０は、伝導性液体１１２と共存できる金属または有機材料で作ることができ、例えば、メッシュ１１０は、液体１１２に対して不活性であってもよく、または熱インタフェース１００の構造的または熱的特性を実質的に劣化させることなく、さもなければ熱源１０２またはヒート・シンク１０４を損なうことなく液体１１２と反応性であってもよい。一方、メッシュ１１０は、液体１１２と共存できない材料を含んでもよく、その場合には、メッシュ１１０は、以下でさらに説明されるように、液体１１２と共存できる被覆をさらに含み得る。
【００１６】
１つの実施形態において、メッシュ１１０は、銅線、クロム線、鉄線、ニッケル線、タンタル線、チタン線、およびタングステン線のうちの少なくとも１種を含む。代わりにまたは組み合わせて、メッシュ１１０は、銅粒子、クロム粒子、鉄粒子、モリブデン粒子、ニッケル粒子、タンタル粒子、チタン粒子、タングステン粒子、ガラス粒子、および炭化ケイ素粒子のうちの少なくとも１種を含み得る。代わりにまたは組み合わせて、メッシュ１１０は、ガラス繊維、グラスウール、銅ウール、多孔質黒鉛、機械加工黒鉛、電鋳ニッケル、カーボン・ナノチューブ、焼結金属粒子等のうちの少なくとも１種を含み得る。１つの実施形態において、メッシュ１１０は、金属線メッシュを含む。１つの実施形態において、メッシュ１１０は、銅メッシュまたはタングステン・メッシュを含む。別の実施形態において、メッシュ１１０は、グラスウールまたはガラス・メッシュを含み得る。上記の材料は組み合わせて用い得ることが考えられる。例えば、１つの実施形態において、メッシュ１１０は、タングステン線メッシュおよびタングステン粒子を含む。
【００１７】
メッシュ１１０の要素のサイズは、熱インタフェース１００のサイズに依存し、この熱インタフェース１００のサイズが今度は、熱源１０２とヒート・シンク１０４との間の間隙サイズに依存する。典型的な間隙サイズは、ＩＣチップ用途の場合に約５０〜約１００ミクロンの範囲である。そのような用途については、典型的な線直径は、約２５〜約１００ミクロン直径の範囲をとることができ、典型的な粒度は、約２ミクロン〜約７５ミクロンの範囲をとることができる。その他の直径および粒度を特定の用途について必要に応じて利用できることが考えられる。
【００１８】
メッシュ１１０は、任意の被覆をさらに含み得る。任意の被覆は、液体１１２の化学物質とのどのような非共存性からもメッシュ１１０を保護することができ、または液体１１２に対するメッシュ１１０の濡れ性を改善することができる。例えば、１つの実施形態において、メッシュ１１０は、ガリウム／インジウム／錫合金を含む熱伝達液体１１２と共存可能で有り続けるために、クロム被覆された銅を含み得る。別の実施形態において、メッシュ１１０は、液体１１２に対するメッシュ１１０の濡れ性を改善するために湿潤剤の被覆を有するガラス繊維を含み得る。液体１１２と共存できるメッシュ１１０を覆って被覆を形成し得ることが考えられる。同じまたは異なる材料を含む複数の層を被覆が含み得ることがさらに考えられる。
【００１９】
任意に、熱源１０２またはヒート・シンク１０４あるいはその両方を構成する材料と液体１１２との間の共存性を改善することが望まれる場合、熱源１０２およびヒート・シンク１０４のうちの１つ以上に、同様な被覆（図示せず）を形成することができる。被覆は、次の層の付着を向上させるため、酸化防止層として働くため、あるいは熱源１０２もしくはヒート・シンク１０４またはその両方の表面に対する液体１１２の濡れ性を改善するためにも選ばれ得る。複数の被覆、例えば、液体１１２と共存できる第１の被覆、および液体１１２の濡れ性を向上させる第２の被覆を設けることができる。
【００２０】
被覆は、蒸着、スパッタリング、メッキ、化学気相堆積などの従来の手段により設けることができる。１つ以上の被覆の厚さは、被覆を構成する材料、塗布方法、および被覆の意図される目的を達成するために必要とされる付着量に依存する。例えば、１つの実施形態において、約２，５００オングストロームのクロム被覆をヒート・シンク１０４上に設けることができる。クロム被覆は、その表面に酸化防止層として設けられた、約３００オングストローム厚の金または白金のどちらか一方の層をさらに有することができる。
【００２１】
熱伝導性液体１１２は、メッシュ１１０の要素間の空間、細穴、または空所を満たす。１つの実施形態において、液体１１２は、液体金属である。液体金属は、高い表面張力を有し、メッシュの大きい表面積に強く付着し、かくして、腐食性かつ電気伝導性であり、電子用途において用いられる場合に十分な閉じ込めに関する心配をもたらす液体金属が有利に閉じ込められる。
【００２２】
さらに、メッシュ１１０に対する液体１１２の付着性が強いことにより、熱インタフェース１００の取り扱いが容易になる。例えば、メッシュ１１０を前もって切断し、液体１１２を前もって計量して、メッシュ１１０と組み合わせることにより、特定の用途に適する熱インタフェース１００を前もって形成することができる。所与の熱源（例えば、ＩＣチップ）およびヒート・シンクの既知のインタフェース・サイズにより、熱源１０２とヒート・シンク１０４との間に容易かつ迅速に設けることができる前もって形成された熱インタフェース１００を構成することができる。さらに、実施可能な場合の実施形態において、取り扱いおよび製造をさらに容易にするため、メッシュ１１０中に配置された液体１１２を凝固させるために、熱インタフェース１００をさらに凍結させることができる。
【００２３】
そのような前もって形成された熱インタフェース１００は、熱インタフェース１００を保護し、個々の熱インタフェースまたは複数の熱インタフェースの取り扱いを容易にするために、便利に包装され得る。前もって形成された熱インタフェース１００は、包装されているか否かにかかわらず、手動または自動組立プロセスの間に、熱源１０２とヒート・シンク１０４との間に容易かつ迅速に設けることができる。１つの実施形態において、前もって形成された熱インタフェース１００は、酸化から保護するためにポリエチレン・プラスチック中に真空包装される。
【００２４】
１つの実施形態において、液体１１２としての液体金属は、ガリウム、水銀、ガリウム／インジウムおよび水銀／金のうちの少なくとも１種を含む。１つの実施形態において、液体１１２は、ガリウム／インジウム／錫合金を含む。１つの実施形態において、液体１１２は、ガリウム／インジウム共融合金を含み、メッシュ１１０は、液体１１２中に約１５〜２５重量パーセントで添加された０．２ミクロンのタングステン粒子を含み、かくして、便利なペースト状の熱インタフェース材料を形成する。任意に、メッシュ１１０は、約１〜２ミル（０．０２５４〜０．０５０８ミリメートル）タングステン線で正方形のプレフォームの形に形成された織られたタングステン・メッシュをさらに含み得る。液体１１２およびメッシュ１１０の組み合わせは、約２〜３ｍｍ２℃／Ｗまたはそれ未満の範囲の熱抵抗を有し得る。
【００２５】
熱インタフェース１００の周囲にガスケット１０６を任意に配置することができる。ガスケット１０６は一般に、熱インタフェース１００が配置される熱源１０２とヒート・シンク１０４との間の内部空間を封止する。ガスケット１０６は、熱インタフェース１００からの液体１１２の漏出の可能性の低減を支援する。例えば、液体１１２とメッシュ１１０との間の表面張力が比較的低い場合、ガスケット１０６は、熱インタフェース１００内の液体１１２の閉じ込めに役立つ。ガスケット１０６は、空気、湿気、または他の汚染物質への曝露による液体１１２の酸化または他の劣化も防止し得る。例えば、液体１１２がガリウム／インジウム／錫合金である実施形態において、液体１１２の露出領域が酸化することがある。しかしながら、液体１１２の残りをさらなる酸化から最終的に保護する障壁を酸化層が形成するので、この酸化は自己制限的である。ガスケット１０６は、ナイロン、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、シリコーン、ゴム、またはＶＩＴＯＮ（登録商標）のような軟質材料を含み得る。当業者は、ガスケット１０６が熱源１０２とヒート・シンク１０４との間に液体１１２を封止できるようにする、どのような材料適合形状をもガスケット１０６が取り得ることを当業者は理解するであろう。
【００２６】
図２は、熱インタフェース１００を利用している熱伝達システムの１つの実施形態の側面図を示す。図２に示される実施形態において、ＩＣチップ２０２が、熱インタフェース１００を介してヒート・シンク２０４に結合されている。ガスケット１０６が熱インタフェース１００の周囲に配置されており、チップ２０２とヒート・シンク２０４との間のシールを形成する。明確にするため、チップ２０２をヒート・シンク２０４に固定するために利用されるクランプまたは取付具は、図２には示してない。ヒート・シンク２０４は冷却板２０８を備えており、この冷却板からは複数のフィン２０６が伸びており、増大された表面積上の空気流により、ヒート・シンク２０４から周囲空気への熱伝達レートが増大される。
【００２７】
従って、本発明は、熱源とヒート・シンクとの間の熱インタフェースにおける、および特に集積回路チップ冷却の分野における重要な進歩である。チップとヒート・シンクとの間の確実かつ改善された熱伝達を容易にし、従来の熱伝達方法により可能にされるよりも確実かつ効率的にＩＣデバイスが動作できるようにする熱インタフェースが開示される。さらに、熱インタフェースは、製造を容易にするために前もって形成できる。
【００２８】
上記の説明は、本発明の好ましい実施形態に向けられているが、本発明のその他およびさらなる実施形態は、本発明の基本範囲を逸脱することなく案出することができ、本発明の範囲は、特許請求の範囲により定められる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明による熱インタフェースの１つの実施形態の断面図を例示する。
【図２】本発明の熱インタフェースの１つの実施形態を利用している熱伝達システムの１つの実施形態の断面図を例示する。
【図１】
2008527737.tif 000002
【図２】
2008527737.tif 000003
【国際調査報告】
2008527737.tif 000004