(57)【要約】本発明は、相分離発光層を有する有機発光装置であって、電荷輸送材料を含む電荷輸送相、発光相であって、前記発光相は前記電荷輸送相中に複数の区別された発光区域を含み、各発光区域はホスト材料と１又は２以上の燐光によって発光する金属錯体を含み、  前記電荷輸送材料は前記金属錯体のＴ１エネルギーレベルより低いＴ１エネルギーレベルを有することを特徴とする有機発光装置を提供する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相分離発光層を有する有機発光装置であって、
電荷輸送材料を含む電荷輸送相、
発光相であって、前記発光相は前記電荷輸送相中に複数の区別された発光区域を含み、各発光区域はホスト材料及び燐光によって発光する１又は２以上の金属錯体を含み、
前記電荷輸送材料は前記金属錯体のＴ１エネルギーレベルより低いＴ１エネルギーレベルを有することを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記金属錯体は、５１０〜５８０の範囲の波長を有する緑色発光金属錯体である請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電荷輸送材料は電荷輸送ポリマーである請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記電荷輸送ポリマーは共役されている請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記電荷輸送ポリマーは１又は２以上のアリール又はヘテロアリール繰返し単位を含む請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記１又は２以上のアリール又はヘテロアリール繰返し単位は置換又は未置換フルオレン基を含む請求項５に記載の装置。
【請求項７】
各金属錯体基は、発光区域中のホスト材料に共有結合している請求項１ないし６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記ホスト材料は、ねじれたビフェニル基を有する繰返し単位を含む請求項１ないし７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
各金属錯体基は遷移金属を有する請求項１ないし８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記遷移金属はＩｒである請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
各ホスト材料は前記電荷輸送材料に共有結合している請求項１ないし１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかで定義される装置の製造方法であって、
前記電荷輸送材料、ホスト材料及び金属錯体を含む溶液の層を蒸着し、前記層が相分離して電荷輸送相と複数の区別された発光区域を有する発光相を形成することを許容する工程を含む製造方法。
【請求項１３】
前記層を前記層中の各ポリマーのＴｇ以下の温度でアニールする工程をさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
燐光性材料であって、
ポリマー、及び
発光のための金属錯体を含み、かつ、
前記ポリマーはホスト領域及び電荷輸送領域を含み、各金属錯体はホスト領域に共有結合しており、各電荷輸送領域は前記金族錯体のＴ１エネルギーレベルより低いＴ１エネルギーレベルを有する電荷輸送ポリマーを有し、各ホスト領域は前記金属錯体のＴ１エネルギーレベルより高いＴ１エネルギーレベルを有するホストポリマーを有することを特徴とする燐光性材料。
【請求項１５】
各金属錯体はホストポリマーからの分岐である請求項１４に記載の材料。
【請求項１６】
スペーサー基が各金属錯体とそれが分岐しているホストポリマーの間に存在する請求項１５に記載の材料。
【請求項１７】
各金属錯体は前記ホストポリマーの主鎖の一部を形成する請求項１４に記載の材料。
【請求項１８】
一般式ＶＩＩＩで示される構造を有する請求項１７に記載の材料。
【化１】
2008523636.tif 000027
【請求項１９】
請求項１４ないし１８のいずれかで定義される燐光性材料を製造する方法であって、
（１）一般式Ｘ又はＸＩを有する１又は２以上の第１のモノマーと第１のモノマーと異なるホストモノマーを重合することによって、１又は２以上の金属錯体と少なくとも２つの反応性末端基を有するホストポリマーを形成する工程、
【化２】
2008523636.tif 000028
Ｘ及びＸ’はそれぞれ反応性末端基を表し、ｐは０以上であり、Ａｒはアリール又はヘテロアリール基を表し、及び
（２）工程（１）からの前記ホストポリマーと電荷輸送モノマー、電荷輸送オリゴマー、又は電荷輸送ポリマーを前記ホストポリマーの反応末端基によって占められている各位置においてカップリングする工程、
を含む方法。
【請求項２０】
工程（１）における重合及び工程（２）におけるカップリングをスズキカップリングによって行う請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規な有機発光装置（ＯＬＥＤ）に関するものであり、燐光を発行することができる材料及びその装置及び新規な材料を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光共役ポリマーは、次世代の情報技術系商品のための発光装置に使用される材料の新しい技術的に重要な分野である。無機半導体及び有機染料材料に対して、ポリマーの使用の関心は、低コスト製造、薄膜材料の形成の溶液プロセスの使用にある。この１０年間、高効率の材料の又は効率の高い装置構造の開発によってＯＬＥＤの発光効率を改良するために多大な努力がなされてきた。
【０００３】
ＯＬＥＤにおいては、電子及び正孔が対抗電極から注入され、結合されて２種類の励起を形成する。すなわち、理論的には３：１の比率のスピン対称３重項とスピン非対称１重項である。１重項からの放射性崩壊は速いが（蛍光）、３重項からのもの（燐光）はスピン保存の要求によって公式的には禁止されている。
【０００４】
最初にこの理解によってＯＬＥＤの最大の内部量子効率は２５％に限定されている刺激されて、１重項と３重項を共に燐光ドープ材に変換するという考えが考案された。このようなドープ材は理論的には、有機材料から１重項及び３重項の励起子を共に受け取り、発光し、特に、両者から電子発光することができる。
【０００５】
スピン依存再結合モデルによって３重項対１重項の比が３：１であることに疑問を抱く最近の研究がなされても、この考えは依然として高い応用可能性を有している、最近の研究は、低分子化合物に装置で生成される３重項励起の割合は７５％に近づくことを示している（Ｂａｌｄｏ，Ｍ．Ａ．；Ｏ’Ｂｒｉｅｎ，Ｄ．Ｆ．；Ｔｈｏｍｐｓｏｎ，Ｍ．Ｅ．；Ｆｏｒｅｓｔ，Ｓ．Ｒ。Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ１９９９，６０，１４４２２）。他方、いくつかの電子的に励起された共役ポリマーにおいては約５０％であることが示唆されている（Ｃａｏ，Ｙ。＋Ｐａｒｋｅｒ，Ｉ．Ｄ．；Ｙｕ，Ｇ.；Ｚｈｎａｇ，Ｃ，；Ｈｅｅｇｅｒ，Ａ．Ｊ．Ｎａｔｕｒｅ  １９９９，３９７，４１４及びＷｉｌｓｏｎ，Ｊ．Ｓ．；Ｄｈｏｏｔ，Ａ．Ｓ．；Ｓｅｅｌｅｙ，Ａ．Ｊ．Ａ．Ｂ．；Ｋｈａｎ，Ｍ．Ｓ．；Ｋｏｈｌｅｒ，Ａ．；Ｆｒｉｅｎｄ，Ｒ．Ｈ．Ｎａｔｕｒｅ２００１，４１３，８２８）。ポリマーＬＥＤにおける３重項励起の多くの生成の証拠が磁気及び光学的観察により得られた。
【０００６】
この数年間において、燐光性材料の半導体層への混合による組み込みについて研究されてきた。混合物は燐光性ドープ材と低分子又は非共役ポリマーを組み込む。ホスト材料は電荷をドープ材に輸送することが要求されている。良好な電荷輸送材料の典型的な例は、伸張した共役長さを有するポリマーである。共役ポリマーは、例えば、１．１％の量子効率を有するＣＮ−ＰＰＰ中のＥｕ（ｄｎｍ）３ｐｈｅｎの混合がホスト材料として開示されている（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１９９９，１１，１３４９．）。同様に、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ２００１，６３，２３５２０６は、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリンプラチナ（ＩＩ）がドープされたポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）を開示する。ＷＯ０３/０９１３５５は、ポリマー又はオリゴマーを含む発光できる材料、並びに有機金属がポリマー又はオリゴマーに共有結合されており、ポリマー又はオリゴマー、及び材料中の有機金属の性質、位置及び／又は割合は発光が燐光が支配的になるように選択される。この材料は、一般に燐光性ドープ材を組み込むポリマーより優れている。これは、偏析及び相分離のような組織変化に関係する問題が避けられるためである。材料の制御された構造とは材料中の有機金属の位置及び移動が空間的に制御されていることを意味するものといわれている。この空間的制御は、ポリマー又はオリゴマーと有機金属の相互作用の制御を可能にする。
【０００７】
しかしながら、共役ポリマーをホスト材料として用いるには問題がある。共役材料は、ドープ材のクエンチを避けるため十分に高いＴ１エネルギーレベル（最低の３重項励起状態のエネルギーレベル）を有する。簡潔にいうと、ホスト材料のＴ１レベルがドープ材のＴ１より低いときクエンチが生じ、ドープ材からホスト材料への３重項励起の非放射性転移は放射性崩壊より好ましくなる。これは、赤色ドープ材より広いバンドギャップ、すなわち、より高いＴ１レベルを有する青色ドープ材及び緑色ドープ材にとって、特に問題となる。これは、良好な電荷輸送特性を有する典型的な良好なホスト材料は、上記のように拡張された共役ゆえに相対的に低いＴ１レベルを有するため、問題となる。したがって、青色及び緑色ドープ材については、十分に高いＴ１レベルを有するホスト材料を乱すことは特に困難である。これまで、ポリビニルカルバゾールは、緑色ドープ材との使用に適するように変える十分に高いＴ１レベルを有するホスト材料として開示されている。しかしながら、ポリビニルカルバゾールは共役ポリマーに比較して劣った電荷輸送を有し、これは装置に使用されるとき短い寿命をもたらす。３重項発光体に対するホスト材料としてのカルバゾール化合物は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００４，１２６，７７１８〜７７２７．
【特許文献１】国際公開０３/０９１３５５号パンフレット
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００４，１２６，７７１８〜７７２７．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、良好な電荷輸送特性と結合された十分に高いＴ１レベルを有する、緑色ドープ材のようなより高い３重項エネルギーのためのホスト材料を提供する必要性があるものと理解される。
【０００９】
この点において、良好な電荷輸送特性を有する材料は次の点の特徴を有する。
ドープ材のＴ１レベルより低いＴ１レベル、
カソードの仕事関数に近いＬＵＭＯレベル、
アノードの仕事関数に近いＨＯＭＯレベル、
高い相互鎖及び内部鎖の順、
ある程度の共役。
【００１０】
ＯＬＥＤにおいて使用され、またその製造方法のためのドープ材、特に、５８０ｎｍ以下の波長の燐光によって発光するドープ材を提供することによって、少なくとも部分的にこの必要性に応えることが本発明の目的の１つである。
【００１１】
したがって新しい材料及びその製造方法を含む新しいＯＬＥＤを提供することが本発明の他の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
したがって、本発明の第１の側面は、次を含む相分離発光層を有する有機発光装置を提供することにある。
【００１３】
電荷輸送材料を含む電荷輸送相
発光相であって、前記電荷輸送相に分散した複数の区別される発光領域を含む発光相であって、それぞれの発光領域はホスト材料及び燐光によって発光する１又は２以上の金属錯体、
前記電荷輸送材料は金属錯体のＴ１エネルギーレベルより低いＴ１エネルギーレベルを有し、前記ホスト材料は金属錯体のＴ１エネルギーレベルより高いＴ１エネルギーレベルを有する。
【００１４】
当業者は、電荷輸送材料、ホスト材料及び金属錯体を測定する適切な技術を知っている。例えば、“Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅａｎｄ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌａｓ” Ａｎｎａ Ｋｏｈｌｅｒ，Ｊｏａｎｎｅ  Ｓ．Ｗｉｌｓｏｎ  ａｎｄ  Ｒｉｃｈａｒｄ  Ｆｒｉｅｎｄ，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４  Ｎｏ．１０，Ｍａｙは、ホスト材料中の非発光３重項状態のエネルギーを決めるための次の方法及び技術に言及している。すなわち、時間−分解検出、光学的に検出された磁気共振、電磁共振、パルス放射及びエネルギー転移測定であり。"Ｔｒｉｐｌｅｔ  Ｅｎｅｒｇｉｅｓ  ｏｆ  ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ”，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ８６，Ｎｏ．７  １２  Ｆｅｂｒｕａｒｙ  ２００１  Ａ．Ｐ  Ｍｏｎｋｍａｎ  ｅｔ  ａｌは、異なる共役ポリマーの広い範囲における３重項エネルギーを測定するためにパルス放射及び３重項エネルギー転移の使用について言及している。
【００１５】
発光層の相分離組織は、低いエネルギー材料における相濃度の高い部分内で効率的な電荷輸送を維持しながら、高い３重項エネルギー材料における領域濃度の高いところから効率的な３重項発光を許容する。発光層も相分離構造は、低い３重項エネルギー電荷輸送材料による３重項状態のクエンチがほとんど無いか全く無い効率的な燐光性発光を可能にする。相分離はＡＦＭ顕微鏡によって観察され得る。
【００１６】
第１の側面の装置は、金属錯体が相対的に高い３重項エネルギー、特に緑色、すなわち
金属錯体が５１０〜５８０ｎｍ、好ましくは５１０〜５７０ｎｍの範囲の波長を有する緑色光を発光することができる燐光性材料のときに特別有利である。これは、上記で説明したように、緑色ドープ材と共に使用するのに適した公知のホスト材料は良好な電荷輸送特性を有しないためである。本発明の装置は、電荷輸送ポリマーの望ましい特性と金属錯体からの高効率３重項発光を関連するクエンチを生じることなく結合することができるので、従来の装置に比較して十分なり利点を示す。
【００１７】
ＬＥＤは、アノード、カソード及びアノードとカソードの間に位置する発光層を有する。アノードは、例えば、インジウム錫酸化物の透明層である。カソードは、例えば、ＬｉＡｌである。装置に注入される正孔と電子は、発光層において放射的に再結合する。正孔輸送層は、選択的にアノードと発光層の間に位置する。選択的に、ドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）層のような正孔輸送層、特に、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）がドープされたＰＥＤＯＴが正孔輸送層とアノードの間に存在することができる。アノードから正孔が正孔輸送層及び発光層に到達するのを助けるエネルギーレベルを提供する。
【００１８】
ＬＥＤはカソードと発光層の間に位置する電子輸送層を有することができる。これは、カソードから注入された電子が発光層に到達するのを助けるエネルギーレベルを提供する。
【００１９】
発光層は、それ自体、効果的に副層からなる積層を含むことができる。
【００２０】
ＬＥＤは上記の層に加えて他の層を有することができる。例えば、ＬＥＤは１又は２以上の電荷又は励起子遮断層を有することができる。
【００２１】
溶液プロセスは相分離を可能にするので、電荷輸送材料、ホスト材料、及び金属錯体は、溶液プロセスが可能であると理解される。この目的のため、これらは、ベンゼン及びモノ
又はポリアルキレートベンゼン、特に、キシレン及びトルエンのような共通の有機溶媒に可溶性であることが好ましい。典型的には、溶液プロセス可能な電荷輸送材料は、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル及びアルコキシ基のような可溶性置換基を有する。
【００２２】
典型的には、電荷輸送層は連続層であると理解される。電荷輸送層は電荷輸送材料からなる。
【００２３】
電荷輸送層について述べると、この層は正孔及び／又は電子を輸送することができる。電荷輸送層のための詳細な電荷輸送の要求は、発光装置の他の構成要素、特に、これら要素の相対的なエネルギーレベルに依存する。好ましくは、電荷輸送層は電荷輸送ポリマーを有する。しかしながら、本発明はこれに限定されず、電荷輸送層を形成することができる限り他の適切な電荷輸送材料（低分子又はデンドリマーのような）を使用することができる。
【００２４】
好ましくは、電荷輸送ポリマーは共役されており、部分的、完全又は交差共役を有する。より好ましくは、電荷輸送ポリマーはポリマー主鎖に沿って、全て又は実質的に全て共役されている。一般的に、材料中の共役拡張部の増加は材料の３重項エネルギーレベルを低くすると言われている。したがって、共役部の拡張の制御は、３重項エネルギーレベルを少なくとも部分的に制御する有用な方法である。共役電荷輸送ポリマーはこの分野で公知であり、当業者はポリマーに存在し得る適切な繰返し単位を知ることができる。
【００２５】
電荷輸送ポリマーの共役部を増加させるためには、ポリマーは、１又は２以上の選択的に置換されるアリール又はヘテロアリール繰返し単位を有することが好ましい。
【００２６】
置換基の例としては次のものが挙げられる。分岐状、又は環式Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基、ペルフルオロアルキル基、チオアルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アルコキシアリール基、ヘテロアリール基又はアルキルアリール基、アルコキシアリール基、ヘテロアリール基又はヘテロアリールアルキル基。選択的に置換されるＣ４〜Ｃ２０アルキル基及びアリール基が好ましい。Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基が最も好ましい。フッ素、ニトロ又はシアノのような電子誘引基、及びポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）を増加させる置換基。
【００２７】
好ましいアリール又はヘテロアリール繰返し単位は、カルバゾール、２，７−結合９，９−２置換フルオレン、スピロフルオレン、インデノフルオレン、ｐ−結合ジアルキルフェニレン、ｐ−結合２置換フェニレン、フェニレンビニレン、２，５−結合ベンゾチアジアゾール、２，５−結合置換ベンゾチアジアゾール、２，５−結合２置換ベンゾチアジアゾール、２，５−結合置換又は未置換チオフェン又はトリアリールアミン。１つの実施態様において、本発明の材料は、好ましくは、ポリフルオレン又はポリフェニレン、最も好ましくは、ポリフルオレンホモポリマー／オリゴマー又はコポリマー／オリゴマーのようなより高い等級のポリマーを含む。
【００２８】
好ましいアリール繰返し単位は、置換又は未置換の２，７−結合フルオレン基、例えば、一般式Ｉを有する繰り返し単位を有する。
【化３】
2008523636.tif 000003
これは、さらに置換されることができ、Ｒ及びＲ’は同じか異なり、Ｒ及びＲ’はそれぞれＨ又は置換基を表す。選択的に、Ｒ及びＲ’は結合され、例えば、Ｒ＝Ｒ’＝フェニルである。好ましくは、Ｒ及びＲ’の１又は２は、上記に説明した可溶性基又は電子誘引基を含む。
【００２９】
好ましい電荷輸送ポリマーは、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１９９６，７９，９３４；に開示されるアリーレン繰返し単位、特に、１，４−フェニレン繰返し単位、ＥＰ０８４２２０８に開示されるフルオレン繰返し単位、例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ２０００，３３（６），２０１６−２０２０に開示されるインデノフルオレン繰返し単位、及び例えば、ＥＰ０７０７０２０に開示されるスピロフルオレン繰返し単位を含む。これらの繰返し単位はそれぞれ選択的に置換される。
【００３０】
９，９−ジアルキルフルオレン−２，７−ジイルのホモポリマーのような第１繰返し単位のホモポリマーは電荷輸送を提供するために利用される。
【００３１】
カルバゾール繰返し単位及び第１繰返し単位を含むコポリマーは正孔輸送を提供するために利用される。
【００３２】
第１繰返し単位及びトリアリールアミン繰返し単位、特に、一般式１〜６から選択される繰返し単位を含むコポリマーは正孔輸送を提供するために利用される。
【化４】
2008523636.tif 000004
Ｘ、Ｙ、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、独立してＨ又は置換基から選択される。より好ましくは、１又は２以上のＸ、Ｙ、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、上記に説明した可溶性基及び電子誘引基から独立して選択される。
【００３３】
このタイプの特に好ましい正孔輸送ポリマーは、第１の繰返し単位及び前述したトリアリールアミン又はカルバゾール繰返し単位のＡＢコポリマーである。
【００３４】
第１の繰返し単位及びヘテロアリーレン繰返し単位を含むコポリマーは電荷輸送のために利用される。好ましいヘテロアリーレン繰返し単位は一般式７〜２１から選択される。
【化５】
2008523636.tif 000005
Ｒ６及びＲ７は、同じか異なり、それぞれ独立して水素又は置換基である。好ましい置換基は、上記の可溶性基及び電子誘引基である、製造が容易のため、Ｒ６及びＲ７は好ましくは同じである。より好ましくは、これらは同じであり、それぞれフェニル基である。
【化６】
2008523636.tif 000006
【化７−１】
2008523636.tif 000007
【化７−２】
2008523636.tif 000008
【００３５】
発光相について言えば、発光相はホスト材料及び金属錯体からなることができる。発光区域中の各金属錯体はホスト材料に共有結合される。ＷＯ０３／０９１３５５号に記載されるように、好ましくは、ホスト材料は各金属錯体がポリマーホスト材料に結合されることができるポリマーである。これは、各金属錯体が相分離層中の区別された発光領域に存在することを保証し、これは電荷輸送相によるクエンチを回避するのに不可欠である。金族錯体はホストポリマーからの分岐基であるか又はホストポリマーの主鎖の一部を形成する。これは、本発明の第３の側面の材料に関連して下記に詳細に説明される。
【００３６】
区別された発光区域中の金属錯体の存在は、金属錯体が電荷輸送材料に低い溶解性を有し、ホスト材料に良好な溶解性を有するように、材料を適切に選択することにより達成される。この実施態様において、ホスト材料は金属錯体に対する溶媒として有効に働く。この実施態様における電荷輸送材料及びホスト材料のための適切な材料は、極性及び非極性置換基の居旧によって電荷輸送材料及びホスト材料の１つを極性とし他方を非極性とするものである。例えば、非極性電荷輸送材料は極性ホスト材料と組み合わせて使用され、これは極性金属錯体に対する溶媒として機能する。
【００３７】
区別された発光区域における金属錯体の存在は、金属錯体が電荷輸送材料に低い溶解性を有し、ホスト材料に良好な溶解性を有するように、材料を適切に選択することにより達成される。この実施態様において、ホスト材料は金属錯体に対する溶媒として効果的に機能する。この実施態様における電荷輸送材料及びホスト材料のための適切な材料は、電荷輸送材料及びホスト材料の１つが極性で他方が非極性材料であるものであり、これは極性置換基及び非極性置換基の提供によって達成される。例えば、非極性電荷輸送材料は極性ホスト材料との組み合わせで使用され得、これは極性金属錯体に対する溶媒として機能する。
【００３８】
さらに、他の選択肢は、各金属錯体が静電気、非共有相互作用によって区別された発光区域に存在するように適切な材料を選択することである。
【００３９】
ハロゲン結合は、静電気、非共有結合の例である。
【００４０】
ホスト材料について言えば、これは好ましくはポリマーであり、部分的、完全又は交差共役を含む共役ポリマーであることができる。しかしながら、拡張された共役はＴ１エネルギーレベルを低くする傾向にあり、これは、Ｔ１レベルが金属錯体のＴ１エネルギーレベル以下に落ちるならば、ポリマーをホスト材料としての使用に適切なものに変える。
【００４１】
好ましいホストポリマーは、ポリマー主鎖に沿った共役に分断を提供する基を含む繰返し単位を含む。共役の分断はねじれたビフェニル基のようなねじれたアリーレン基によって供給される。共役の分断は共役の長さを限定するように働き、高いＴ１エネルギーレベルを維持する。適切な繰返し単位の例は一般式ＩＩを有する。
【化８】
2008523636.tif 000009
【００４２】
これは、さらに置換され、Ｘは硫黄又は酸素を表す。一般式ＩＩで示されるこのタイプのねじれたビフェニルはＷＯ０２／２６８５６に開示されており、例えば、次のものである。
【化９】
2008523636.tif 000010
【００４３】
さらに好ましいホスト材料は、ビニルカルバゾール（下記に示す）を含む繰返し単位、又はシクロデクストリン（Ｃ４２Ｈ７０Ｏ３５）又は１又は２以上のＨ原子が置換基によって取り替えられたこれらの誘導体を含む。
【化１０】
2008523636.tif 000011
【００４４】
金属錯体について言うと、通常、金属錯体基は炭素−金属結合を含む。しかしながら、これは本発明において必須ではない。いかなる適切な金属錯体ドープ材も使用できる。
【００４５】
金属錯体は適当な数のリガンドで囲まれた金属（Ｍ）として見なされる。
【００４６】
重金属元素Ｍは、強いスピン−軌道カップリングを誘引し、急速な項間交差及び３重項からの発光（燐光）を許容する。適切な重金属Ｍは次のものを含む。
【００４７】
セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロジウム、ツリウム、エルビウム及びネオジウム、及び
ｄ−ブロック金属、特に、列２及び３のもの、すなわち、３９ないし４８及び７２ないし８０の元素、特に、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ及び金である。
【００４８】
好ましくは、各金属錯体は、ランタニド、アクチニド又は遷移金属を含む。最も好ましくは、各金属錯体は遷移金属を含む。
【００４９】
金属錯体におけるリガンドの性質は金属錯体とポリマー又はオリゴマーとの共存性を最適化するために選択される。
【００５０】
金属錯体中のリガンドは単座、２座又は３座であり得る。
【００５１】
好ましい金属錯体は、シクロメタレート、β−ジケトネート、フェニルピリジン及び２−（２−ピリジル）−ベンゾ（ｂ）チオフェン（ｂｔｐ）からなる群より選択される。
【００５２】
好ましい金属錯体は２座リガンドを含む。
【００５３】
好ましい金属錯体は、金属との配位のために少なくとも１つの窒素原子を含むリガンドを有する。
【００５４】
ｆ−ブロック金属のための適切な配位基は、カルボン酸、１，３−ジケトネート、水酸化カルボン酸、アシルフェノール及びイミノアシル基を含むシッフ塩基を含む。知られているように、発光性ランタニド金属錯体は、金属イオンの１重項励起状態より高い３重項励起エネルギーレベルを有する感光性基を必要とする。発光は、金属のｆ−ｆ転移から生じ、発光色は金属の選択によって決まる。鋭い発光は通常狭く、ディスプレイへの応用に有利な純粋な色発光をもたらす。
【００５５】
ｄ−ブロック金属は、ポルフィリン又は一般式（ＩＸ）の２座リガンドのような炭素又は窒素を有する錯体を形成する。
【化１１】
2008523636.tif 000012
Ａｒ４及びＡｒ５は、同じか異なり、選択的に置換されるアリール又はヘテロアリールから独立して選択される。Ｘ１及びＹ１は同じか異なり、炭素又は窒素から独立して選択される。Ａｒ４とＡｒ５は縮合されることができる。Ｘ１が炭素であり、Ｙ１が窒素であるリガンドが特に好ましい。
【００５６】
２座リガンドの例は下記に例示される。
【化１２】
2008523636.tif 000013
【００５７】
Ａｒ４及びＡｒ５は、それぞれ１又は２以上の置換基を有することができる。特に好ましい置換基は、ＷＯ０２／４５４６６、ＷＯ０２／４４１８９、ＵＳ２００２−１１７６６２及びＵＳ２００２−１８２４４１に開示されるような錯体の発光の青色シフトに使用されるフッ素又はトリフルオロメチル、ＪＰ２００２−３２４６７９に開示されるアルコキシ基、ＷＯ０２／８１４４８に開示されるような発光材料に使用されるとき錯体への正孔輸送を促進するために使用されるカルバゾール、ＷＯ０２／６８４３５に開示されるような他の基の付着のためのリガンドを機能化するために働く臭素、塩素又はヨウ素、並びにＷＯ０２／６６５５２に開示されるような金属錯体の溶液プロセス性を得る又は高めるために使用されるデンドロンを含む。
【００５８】
ｄ−ブロック元素と共に使用されるに適する他のリガンドは、ジケトン、特に、それぞれ置換され得るアセチルアセトン（ａｃａｃ）、トリアリールホスフィン及びピリジンを含む。
【００５９】
上記に述べたように、本装置は、緑色ドープ材に特に有利である。緑色発光金属錯体、例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝２−フェニルピリジン）のようなＩｒ錯体は、当業者に公知である。
【００６０】
１つの実施態様において、各ホスト材料は電荷輸送材料、好ましくは電荷輸送ポリマーに共有結合する。しかしながら、これは本質的でなく、むしろホスト材料は、電荷輸送材料に単純に物理的に混合され得る。どちらの場合においても、相分離発光層を形成するためには、電荷輸送材料、ホスト材料及び金属錯体を含む溶液は、蒸着され、電荷輸送相及び複数の区別された発光区域を含む発光相を形成するために時間をかけて相分離する。したがって、本発明の第２の側面は、本発明の第１の側面に関連して定義される発光装置を製造する方法を提供する。第２の側面の方法は、電荷輸送材料、ホスト材料及び金属錯体を含む溶液を蒸着し、複数の区別された発光区域を含む発光相を形成するために時間をかけて相分離する工程を含む。
【００６１】
いくつかの場合において、相分離を促進し最適化するために発光層をアニールするのは有利である。アニーリングは、層中における各ポリマーのＴｇ以下の温度で実行することが好ましい。したがって、第２の側面の方法は、相中の各ポリマーのＴｇ以下の温度における層のアニール工程を選択的に含む。
【００６２】
第２の側面の方法において、好ましくは、発光層は溶液プロセスによって蒸着される。インクジェット印刷及びスピンコートが好ましい溶液プロセス技術である。
【００６３】
スピンコートは、電子発光材料のパターニングが必要ない装置、例えば、照明装置又は単純なモノクロ区域ディスプレイには特に適切である。
【００６４】
インクジェット印刷は、高度情報コンテントディスプレイ、特に、フルカラーディスプレイのために特に適切である。ＯＬＥＤのインクジェット印刷は、例えば、ＥＰ０８８０３０３に開示されている。
【００６５】
装置の多数層が溶液プロセスにより形成される場合、当業者は隣接する層が相互に混合するのを防止する技術、例えば、第１の層を形成するための材料が第２の層の蒸着のために使用される溶媒に溶解しないように次の層の蒸着前に架橋されるか、又は隣接する層のための材料を選択することについて知り得るだろう。
【００６６】
上記から、本発明の第１の側面の装置の少なくともいくつかの実施態様に使用される新規な材料が明らかであろう。
【００６７】
したがって、本発明の第３の側面は新規な燐光性材料、特に、ポリマー及び発光層のための金属錯体を含む燐光性材料を提供し、この燐光製材料は、前記ポリマーはホスト領域及び電荷輸送領域を含み、各金属錯体はホスト領域に共有結合し、各電荷輸送領域は前記金属錯体のＴ１エネルギーレベルより低いＴ１エネルギーレベルを有し、各ホスト領域は前記金属錯体のＴ１エネルギーレベルより高いＴ１エネルギーレベルを有することを特徴としている。
【００６８】
前記ポリマーにおける電荷輸送領域は相分離後の電荷輸送相に相当する。また、前記ポリマーにおける電荷輸送領域及び金属錯体は相分離後の発光区域に相当する。
【００６９】
前記ポリマーにおける各領域が異なったＴ１レベルを有するために、通常、連続的なホスト領域と電荷輸送領域の間の共役部には分断が生じる。
【００７０】
第３の側面の燐光性材料は、各ホストポリマーが電荷輸送ポリマーに共有結合している第１の側面に関連して上記に検討した実施態様に関連する。本発明の第３の側面の材料において、通常、各ホスト材料はホストポリマーを含み、各電荷輸送領域は電荷輸送ポリマーを含む。
【００７１】
第３の側面の燐光性材料は、電荷輸送ブロック（電荷輸送領域）及びホストブロック（ホスト領域）のブロックコポリマーと考えられる。電荷輸送領域は、通常、長さ及び分子量の分散を提供する。相分離、及び区別されたホスト区域の形及び大きさは、領域の相対的な長さ及び分子量、領域の柔軟性及び相対的な極性、領域の化学構造及び溶媒に依存する。ミセル組織が好ましい。燐光性材料が溶液から層として蒸着されるとき望ましい相分離を達成するためには、各領域の分子量は相対的に高く、例えば、３０，０００〜５０，０００の範囲である。
【００７２】
第１の側面に関連して検討したように、各金属錯体はホスト領域からの分岐又はホスト領域のポリマーの主鎖の一部を形成することができる。
【００７３】
金属錯体はホストポリマーに共有結合することが好ましい。
【００７４】
ホスト領域におけるポリマーの主鎖からの分岐の金属錯体を選択するとき、ホスト領域は下記の一般式ＩＩＩで示される構造を有する。
【化１３】
2008523636.tif 000014
ｐは０以上である。
【００７５】
材料の特性をさらに制御する観点から、スペーサー基が材料中の共役部を中断するために使用される。したがって、１つの実施態様において、非共役スペーサー基が供給される。
【００７６】
スペーサー基の長さ、特にその長さは、ポリマー主鎖からの金属錯体の分離を一定のレベルまで制御するために使用される、ホストポリマーと金属錯体の距離の最適化は電荷の獲得を改良する。
【００７７】
好ましいスペーサー基は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキレネ基、特に（ＣＨ２）ｎ、ｎ＝１ないし１０、及びＣ１〜Ｃ１０アルキレネオキシ基を含む。
【００７８】
金属錯体がホストポリマーからの分岐である材料の選択は下記に示される。
【化１４】
2008523636.tif 000015
ａ、ｂ、ｃ及びｄは、全て、ポリマーが溶液から層として蒸着されるとき相分離を得るように選択される。
【００７９】
金属錯体がポリマー主鎖からの分岐でない場合、ホスト領域は下記の一般式ＩＶ及び一般式Ｖを有することができる。
【化１５】
2008523636.tif 000016
【化１６】
2008523636.tif 000017
【００８０】
通常、一般式ＩＶ及びＶにおいて、金属錯体は、ただ１つのリガンドによってポリマー又はオリゴマーの主鎖に加わる。しかしながら、金属錯体が２つのリガンドによってポリマー又はオリゴマーの主鎖に加わることがより好ましい実施態様である。
【００８１】
一般式ＩＶ及びＶで示される材料中の金属錯体繰返し単位は、構造ＸＩＶを有することができる。
【化１７】
2008523636.tif 000018
Ｌ及びＬ１はリガンドである。適切なリガンドは上記に検討される。好ましくは、Ｌは２座リガンドである。Ｌ及びＬ１リガンドは、お互いに同じか異なる。１つの実施態様において、ＬはＬ１リガンドと同じではないことが好ましい（又は、２以上のリガンドが存在する場合、少なくとも１つのＬ１リガンド）。
【００８２】
リガンドＬ１（互いに同じか異なる）は金属の電価を満たすために組み込まれる。この点において、Ｌ１は２座又は単座リガンドである。“ｑ”は、金属の電価が満たされるように選ばれる。
【００８３】
１つの態様において、好ましいＬ１基は、シクロメタレート、β−ジケトンを含む。他の側面において、Ｌ及びＬ１は、ＬがＬ１より高いＴ１レベルを有するように選ばれる。これによってＬ１からの発光を獲得するために、エネルギーはＬからＬ１へ移転される。例えば、Ｌはフェニルピリジンであり、Ｌ１は２−（２−ピリジル）−ベンゾ（ｂ）チオフェン（ｂｔｐ）であり得る。
【００８４】
上記のリガンドは、金属錯体がホストポリマー主鎖の一部を形成しない本発明の他の実施態様に使用にも適する。
【００８５】
金属錯体がホストポリマーからの分岐基ではない材料の選択は、下記の一般式ＶＩＩに示される。
【化１８】
2008523636.tif 000019
ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ポリマーが溶液からの層として蒸着されるとき相分離が得られるように選択される。金属錯体が主鎖の一部を形成する場合の例は、下記の一般式ＶＩＩＩに示される。
【化１９】
2008523636.tif 000020
Ｘは硫黄又は酸素を表す。Ｒ及びＲ’は同じか異なり、Ｒ及びＲ’はそれぞれＨ又は置換基を表す。ｍ、ｍ’、ｎ及びｎ’は、ポリマーが溶液からの層として蒸着されるとき相分離を得るために選択される。好ましいＲ及びＲ’は、一般式Ｉに関連して上記で定義される。
【００８６】
本発明の第３の側面の材料はＯＬＥＤにおいては非常に有益であり、特に、マトリックスディスプレイのような大面積装置には有利である。また、本発明の材料は、電子的有機レーザーに使用される。
【００８７】
本発明の第４の側面は、第３の側面で定義される燐光性材料を製造する方法を提供し、前記方法は次の工程を含む。
（ｉ）一般式Ｘ又はＸＩを含む１又は２以上の第１モノマーを第１モノマーと異なるホストモノマーと重合して、１又は２以上の金属錯体を含み、次の少なくとも２つの反応性末端基を有するホストポリマーを形成する工程。
【化２０】
2008523636.tif 000021
【化２１】
2008523636.tif 000022
Ｘ及びＸ’は、それぞれ反応性末端基を表す。ｐは、０から大きいか又は等しく、Ａｒはアリール又はヘテロアリール基を表し、好ましくは、Ａｒはねじれたアリール又はヘテロアリール基を表し、及び
（ｉｉ）工程（ｉ）から得られたホストポリマーを、前記ホストポリマー上の反応性末端基によって占められる各位置において、電荷輸送モノマー、電荷輸送オリゴマー、又は電荷輸送ポリマーとカップリングさせる工程。
【００８８】
第３の側面の燐光性材料は、公知のスズキカップリング反応、好ましくは、‘ｓｅｅｄｅｄ’２工程手法を用いて製造される。スズキカップリング反応は、米国特許５，７７７，０７０に記載されており、この誘導体はＷＯ００／５３６５６に開示されている。
【００８９】
好ましくは、工程（ｉ）における重合、及び工程（ｉｉ）におけるカップリングはスズキカップリングを使用して実行される、
概略において、スズキカップリング反法は、パラジウム触媒及び塩基の存在においてモノマーの重合を含む。反応は、１つのモノマー上の反応基と他のモノマーの反応基を含む。有機塩基が好ましい。
【００９０】
スズキカップリング反応に含まれる他の反応性基は、典型的にはハロゲン又はスルホン酸塩である。好ましいハロゲン基は臭素である。適切なスルホン酸塩反応基の例は、トリフレート、メシレート、フェニルスルホン酸塩及びトシレートを含む。
【００９１】
各モノマーは少なくとも２つの反応基を有する。部分規則、ブロック及びランダムコポリマーを製造するためにスズキ重合が使用され得る。特に、各モノマーが１つの反応性ハロゲン又はスルホン酸塩基及び１つの反応性ボロン誘導基であるとき、ホモポリマー又はランダムコポリマーが製造される。あるいは、第１モノマーの両反応基がボロン誘導基であり、第２モノマーの両反応基がハロゲン又はスルホン酸塩基であるとき、ブロック、部分規則、特に、ＡＢコポリマーが製造される。
【００９２】
電荷輸送ポリマー及びホストポリマー上の反応性末端基の性質は、ポリマーが燐光性材料中に一緒に結合して望ましい順番で電荷輸送領域及びホスト領域を形成するように選択される。好ましくは、燐光性材料は交互の電荷輸送領域とホスト領域を有する。
【００９３】
図１を参照すると、本発明の第１の側面のＬＥＤの構造は、透明ガラス又はプラスチック基板１、インジウム錫酸化物のアノード２及びカソード４を有する。発光層３はアノード２とカソード４の間に供給される。
【００９４】
電荷輸送、電荷注入又は電荷遮断層のような他の層がアノード２とカソード３の間に配置される。
【００９５】
特に、アノードからの正孔注入を促進するために、アノード２と発光層３の間に配置されるドープされた有機材料から形成される導電性正孔注入層を供給することが望ましい。ドープされた有機正孔注入材料の例としては、ＥＰ０９０１１７６及びＥＰ０９４７１２３に開示されるポリ（エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）、特に、ポリスチレンスルホン酸塩がドープされたＰＥＤＴ、ＵＳ５７２３８７３及びＵＳ５７９８１７０に開示されるポリアニリンが挙げられる。
【００９６】
もし存在するならば、アノード２と発光層３の間に配置される正孔輸送層は、好ましくは５．５ｅＶ以下、より好ましくは４．８〜５．５ｅＶのＨＯＭＯレベルを有する。
【００９７】
もし存在するならば、発光層３とカソード４の間に配置される電子輸送層は、好ましくは約３〜３．５ｅＶのＬＵＭＯレベルを有する。
【００９８】
カソード４は、電子の電子発光層への注入を可能にする仕事関数を有する材料から選択される。他の要因は、カソードと電子発光材料との間の不利な相互作用の可能性のようにカソードの選択に影響を与える。カソードはアルミニウム層のような単一材料からなる。あるいは、それは複数の金属、例えば、ＷＯ９８／１０６２１に開示されるようなカルシウムとアルミニウムの２層、ＷＯ９８／５７３８１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００２，８１（４），６３４及びＷＯ０２／８４７５９に開示されるようなバリウム元素、又は電子注入を促進するための誘電材料の薄膜、例えば、ＷＯ００／４８２５８に開示されるリチウムフッ化物又はＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１，７９（５），２００１に開示されるバリウムフッ化物を含むことができる。装置への効率的な電子の注入を供給するために、カソードは好ましくは３．５ｅＶ以下、より好ましくは、３．２ｅＶ以下、最も好ましくは３ｅＶ以下の仕事関数を有する。
【００９９】
光学装置は、湿気及び酸素に敏感である傾向にある。したがって、湿気及び酸素の装置への浸入を防止するために、基板は、好ましくは良好な遮断特性を有する。基板は、通常ガラスであるが、特に、装置の柔軟性が望まれる場合には他の基板を使用することができる。例えば、基板は、交互のプラスチックと遮断層の基板を開示するＵＳ６２６８６９５のようなプラスチック、又はＥＰ０９４９８５０に開示されるような薄いガラスとプラスチックのラミネートを含むことができる。
【０１００】
装置は、湿気と酸素の浸入を防止するために、好ましくはカプセル（図示しない）でカプセル化される。適切なカプセル材は、ガラス、例えば、ＷＯ０１／１９１４２に開示されるようなポリマーと誘電体の交互積層のような適切な遮断特性を有する薄膜、又は例えば、ＷＯ０１／１９１４２に開示されるような密封缶である。基板又はカプセル材を貫通する雰囲気の湿気及び／又は酸素の吸収のためのゲッター材料が基板とカプセル材の間に配置されることができる。
【０１０１】
実用的な装置において、光が発光されるように電極の少なくとも１つは半透明である。アノードが透明である場合、それは通常インジウム錫酸化物を含む。透明カソードの例は、例えば、ＧＢ２３４８３１６に開示されている。
【０１０２】
図１の実施態様は、最初に基板上にアノードを形成し、続いて電子発光層及びカソードを蒸着することにより形成される装置を例示するが、本発明の装置は最初に基板上にカソードを形成し、続いて電子発光層及びアノードを蒸着することにより形成されることも可能であることがわかる。
【０１０３】
図２を参照すると、第１の工程において、例えば、ＷＯ０３／０９１３５５号パンフレットに開示される方法に基づいて、分散された長さを有するホストポリマーが製造される。各ホストポリマーは１又は２以上の金属錯体を有する。各ホストポリマーの各末端の反応基を保持するようにホストポリマーが製造されるとき末端キャップ試薬は使用されない。
【０１０４】
第２の工程において、第１工程からの生成物に電荷輸送モノマーが加えられ、混合物は燐光性材料を形成するためにスズキカップリングを実施する。
【０１０５】
第３の工程として、第２の工程において末端試薬が使用されないならば、第１の工程が繰り返され、その生成物は、第２の工程の生成物とスズキカップリングを実施することができる。第４の工程として、電荷輸送モノマーが第３の工程からの生成物に加えられ、混合物はスズキカップリングを実施する。末端キャップ試薬がポリマーの末端をキャップするために第３又は第４の工程において使用され得る。
【０１０６】
図３を参照すると、第１の工程において、分散した長さを有し、各ポリマーの各末端に反応性末端基を有する電荷輸送ポリマーを形成するためにスズキカップリングによってモノマーを重合することにより、電荷輸送領域が形成される。また、それぞれ１又は２以上の金属錯体を含み、分散された長さを有するホストポリマーが、例えば、ＷＯ０３／０９１３５５に記載の方法に基づいて製造される。各ホストポリマーの各末端における反応基を保持するために、ホストポリマーの製造のときに末端キャップ試薬は使用されない。
【０１０７】
第２の工程において、第１の工程からの生成物は燐光性材料を形成するためにスズキカップリングを実施する。
【０１０８】
図２及び３において、一般式Ｘを有するモノマーが一般式ＸＩを有するモノマーにとって替られる。
【化２２】
2008523636.tif 000023
【化２３】
2008523636.tif 000024
Ｘ及びＸ’は、それぞれ反応性末端基を表す。ｐは０以上であり、Ａｒはアリール又はヘテロアリール基を表す。好ましくは、Ａｒはねじれたアリール又はヘテロアリール基を表す。
【０１０９】
図２及び３において、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれアリール又はヘテロアリール基を表す。
【０１１０】
実施例
実施例１−ホスト及び発光ブロックの形成
【化２４】
2008523636.tif 000025
３，９ージブロモ−５，７−ジヒドロ−ジベンズ［ｃ，ｅ］オクセピン（モノマー１）がＷＯ０２／２６８５６の実施例１の方法に基づいて製造された。
【０１１１】
モノマー１，２及び３が、４３ｗｔ％：５ｗｔ％：５２ｗｔ％の割合で重合されて、それぞれボロン酸末端基を有する「ホスト及び発光ブロック」を形成した。
【０１１２】
実施例２−電荷輸送ブロックの形成
【化２５】
2008523636.tif 000026
モノマー４及びモノマー５は、５２％：４８％の割合でスズキカップリングによって重合され、それぞれ臭素末端基を有する電荷輸送「ブロック」を形成した。
【０１１３】
実施例３−燐光性ポリマーの製造
実施例１及び２の生成物が結合され、スズキカップリングによって反応された。生成物は末端キャップ試薬を使用してキャップ化された。
【０１１４】
実施例４−燐光性ポリマーの製造
実施例１の生成物がモノマー４及び５と結合された。Ｂ−Ａ−Ｂブロックコポリマーを形成するためにスズキカップリングが実行された。Ａは「ホスト及び発光ブロック」を表し、各Ｂは電荷輸送ブロックを表す。ホスト及び発光ブロックの長さは実施例１によって決められた。
【０１１５】
実施例４の生成物が末端キャップ試薬を使用して末端キャップ化された。
【０１１６】
もし望むなら、反応性末端基はＢ−Ａ−Ｂブロックコポリマーの両末端に保持され得る。この場合、実施例１が繰り返され、この生成物は実施例４の生成物と結合される。次いで、スズキカップリングが実行され、Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａブロックコポリマーがモノマー４及び５と結合され、スズキカップリングが実行されてＢ−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂブロックコポリマーが形成される。同様の繰返しによって、他のＡ及びＢブロックが加えられえる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明のＯＬＥＤの構造を示す。
【図２】本発明の第３の側面の燐光性材料を製造するための適切な手法を模式的に示す。
【図３】本発明の第３の側面の燐光性材料を製造するための他の適切な手法を模式的に示す。
【符号の説明】
【０１１８】
１  透明ガラス又はプラスチック基板
２  インジウム錫酸化物のアノード
３  発光層
４  カソード
【図１】
2008523636.tif 000029
【図２】
2008523636.tif 000030
【図３】
2008523636.tif 000031
【国際調査報告】
2008523636.tif 000032
2008523636.tif 000033
2008523636.tif 000034