(57)【要約】本発明は、基板の真空コーティング用の設備に関し、当該設備は、真空室と、少なくとも１つの基板を保持する装置と、基板をコーティング領域に搬送する搬送装置とを備えており、真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域に、少なくとも１つのプラズマインパルス化学蒸着用の装置が設けてあり、真空室の少なくとも１つの第２のコーティング領域に、少なくとも１つのスパッタコーティング用の装置が設けてある。
2008507629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の真空コーティング用装置であって、
真空室と、
少なくとも１つの基板を保持する装置と、
プラズマインパルス化学蒸着（plasma pulse-induced chemical vapor deposition）（ＰＩＣＶＤ）用の装置を有する前記真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域と、
少なくとも１つのスパッタコーティング用の装置を有する前記真空室の少なくとも１つの第２のコーティング領域と、
前記基板を前記コーティング領域に搬送する搬送装置と
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
複数の基板を同時に搬送する搬送装置を有する請求項１に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項３】
前記スパッタコーティング用の装置が反応性スパッタリング用の装置からなる請求項１又は２に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項４】
窒素又は酸素を含有するプラズマを生成する装置を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項５】
前記プラズマインパルス化学蒸着用の装置が窒素又は酸素を含有するプラズマを含む請求項４に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項６】
前記搬送装置が前記基板を回転させる１つ又は複数の装置を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項７】
前記搬送装置が複数の軸を中心に前記基板を回転させる装置を含む請求項６に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項８】
前記搬送装置が前記基板を直線移動させる装置を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項９】
前記搬送装置がコンベヤベルトを含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１０】
前記搬送装置が互いに独立して駆動可能な、前記基板を移動させる複数の装置を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１１】
前記搬送装置が対向する前記プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置と前記スパッタコーティング用の装置との間に配置される基板ホルダを含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１２】
スパッタターゲットを覆うスクリーン装置を有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１３】
プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置を複数有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１４】
スパッタコーティング用の装置を複数有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項１５】
前記搬送装置の前記コンベヤベルトの円形部分の円周方向に沿って配置されたコーティング領域を有する請求項１〜１４のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１６】
前記プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置及び前記スパッタコーティング用の装置の少なくとも一方は、前記搬送装置の前記コンベヤベルトの少なくとも１つの直線部分に沿って配置されている請求項１２又は１３に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１７】
前記真空室に対して複数の接続部を有するポンプ装置を有する請求項１〜１６のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１８】
各コーティング領域に１つの接続部が割り当てられる請求項１７に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項１９】
蒸着（evaporation）によってコーティングを施す装置を有する請求項１〜１８のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項２０】
電子サイクロトロン共鳴スパッタリング用の装置を有する請求項１〜１９のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項２１】
加熱装置を有する請求項１〜２０のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング用装置。
【請求項２２】
基板の真空コーティング方法であって、少なくとも１つの基板を真空室内に保持し、コーティングの少なくとも１つの層(level)を、前記真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域でプラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）を用いて前記基板に堆積し（deposited）、前記コーティングの少なくとも１つの層を、前記真空室の第２のコーティング領域でスパッタリングによって堆積し、そして前記基板を搬送装置で前記コーティング領域に搬送することを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記基板を、前記搬送装置で前記コーティング領域に順次配置し、前記コーティングの少なくとも１つの層を、前記コーティング領域でそれぞれ堆積する請求項２２に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項２４】
複数の基板を、前記搬送装置に配置して連続的又は同時にコーティングする請求項２２又は２３に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項２５】
前記基板に、反応性スパッタリングを用いてコーティングする請求項２２〜２４のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項２６】
前記コーティングの少なくとも１つの堆積された層を、酸素又は窒素を含有するプラズマを用いて前記真空室内で窒化又は酸化する請求項２２〜２５のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項２７】
前記コーティングの１つの層を、前記真空室の前記少なくとも１つの第１のコーティング領域で前記基板にスパッタリングし、該基板を前記搬送装置で第２のコーティング領域に配置し、酸素又は窒素を含有するプラズマを用いてそこで酸化又は窒化する請求項２６に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項２８】
前記基板を前記搬送装置によって回転する請求項２２〜２７のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項２９】
前記基板を複数の軸を中心に回転させる請求項２８に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３０】
前記基板を前記コーティング中に移動させる請求項２２〜２９のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３１】
複数の基板の前記移動を互いに独立して駆動させる請求項２２〜３０のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３２】
前記基板を、コンベヤベルトの円形部分又は直線部分に沿って、前記搬送装置によって前記コーティング領域に送る請求項２２〜３１のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３３】
前記基板をコンベヤベルトによって移動する請求項２２〜３２のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３４】
プラズマインパルス化学蒸着中に又は前記基板上の水又は酸化物層を除去する洗浄手順中に、スパッタターゲットをスクリーン装置によって覆う請求項２２〜３３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３５】
前記コーティングの複数の層を、プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の複数の装置を用いて前記基板に堆積する請求項２２〜３４のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３６】
前記コーティングの複数の層を、スパッタコーティング用の複数の装置を用いて前記基板に堆積する請求項２２〜３５のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３７】
異なる組成の層を有する多層(multilevel)コーティングを堆積する請求項２２〜３６のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３８】
交互の組成を有する交互多重(alternating  multilevel)層を堆積する請求項２２〜３７のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項３９】
接着促進層を堆積する請求項２２〜３８のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４０】
勾配層を堆積する請求項２２〜３９のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４１】
少なくとも１つの金属層をスパッタリングする請求項２２〜４０のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４２】
少なくとも１つの磁化可能層をスパッタリングする請求項２２〜４１のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４３】
少なくとも１つの酸化インジウムスズ層を堆積する請求項２２〜４２のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４４】
前記層の少なくとも１つの層を、電子サイクロトロン共鳴スパッタリングを用いて堆積する請求項２２〜４３のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４５】
複数の基板に、前記コーティングの少なくとも１つの層を同時に又は順次コーティングする請求項２２〜４４のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４６】
前記真空室及び前記基板の少なくとも一部を加熱する請求項２２〜４５のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４７】
前記基板の表面をプラズマで活性化又は洗浄する請求項２２〜４６のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４８】
ジルコニウム及びニオビウム又はタンタルを含有する層をスパッタリングする請求項２２〜４７のいずれか１項に記載の基板の真空コーティング方法。
【請求項４９】
請求項１〜４８のいずれか１項に記載の装置又は方法を用いてコーティングした少なくとも１つの基板を有することを特徴とする特にＰＤＡ又はタッチスクリーン用の表示パネル。
【請求項５０】
前記基板が、
接着促進層、
酸化インジウムスズ層、
多重反射防止層、
耐引掻き性（scratchproof）層
を有するコーティングを含む請求項４９に記載の表示パネル。
【請求項５１】
請求項１〜４８のいずれか１項に記載の装置又は方法を用いてコーティングしたことを特徴とするランプリフレクタ。
【請求項５２】
請求項１〜４８のいずれか１項に記載の装置又は方法を用いて製造した多重干渉層を有することを特徴とする光学干渉フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［説明］
本発明は、包括的には、基板上への真空コーティング又は真空蒸着の分野に関し、特に、本発明は、真空コーティングシステム装置及び真空コーティング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な真空蒸着の方法、例えば、物理蒸着及び化学蒸着が既知である。基板をコーティングする堆積法の選択は、特に堆積が意図される材料に応じて決まる。概して、特に全ての堆積法が特定の層組成物に等しく適しているわけではない。例えば、蒸気圧の低い層は、蒸着コーティングによって施すことができないか、又は施すことができても不十分である。他方、プラズマ化学蒸着を用いて導電層を施すことには遮蔽効果に起因する問題がある可能性がある。
【０００３】
ＷＯ００／５２２２１号は、細長い基板の同時ＰＶＤ及びＣＶＤコーティングの装置及び方法を開示している。細長い基板、例えば布又はフィルムが、ＰＶＤコーティング用及びＣＶＤコーティング用のコーティングステーション内をガイドされ、コーティングステーション内にある基板の各領域が同時にコーティングされる。コーティングステーションは、互いに空間的に、基板用の開口を有するバリアによる真空技術を用いて分離される。
【０００４】
しかしながら、このような方法は、基板の寸法が小さいため多くの基板で不可能である。
【０００５】
さらに、異なる層を連続的に施すことが望ましい場合がある。特にＰＶＤプロセス及びＣＶＤプロセスの特定の組み合わせにおいて、プロセス同士が互いに干渉し合うことができないように、ＰＶＤコーティングとＣＶＤコーティングとを順次行わせることが有利、さらには必要であり得る。例えば、ターゲット表面が十分に保護されていない場合、ＣＶＤコーティング用の酸素を含有する大気が、スパッタリングプロセス用のターゲット材料の望ましくない酸化を引き起こす可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
様々な堆積法を用いた真空蒸着を改善することが本発明の目的である。この目的は、独立請求項による装置及び方法によって非常に驚くほど簡単に直接的に達成することができる。有利な構成及び改良点は、従属請求項に記載される。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
したがって、本発明は、基板の真空コーティング用装置であって、真空室と、少なくとも１つの基板を保持する装置と、プラズマインパルス化学蒸着（plasma  pulse-induced  chemical  vapor  deposition、ＰＩＣＶＤ）用の装置を有する真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域と、少なくとも１つのスパッタコーティング用の装置を有する真空室の少なくとも１つの第２のコーティング領域と、基板をコーティング領域に搬送する搬送装置とを備えることを特徴とする基板の真空コーティング用装置に関する。
【０００８】
特に本発明による真空コーティング装置を用いて実施することができる本発明による基板の真空コーティング方法は、少なくとも１つの基板を真空室内に保持し、コーティングの少なくとも１つの層(level)を、真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域でプラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）を用いて基板に堆積(deposited)し、コーティングの少なくとも１つの層を、真空室の第２のコーティング領域でスパッタリングによって堆積し、そして基板を搬送装置でコーティング領域に搬送する方法である。
【０００９】
全ての従来の方法をスパッタリングに用いることができる。特に、成膜速度が比較的速いことから、マグネトロンスパッタ装置が想定される。しかしながら、他の方法、例えば、電子サイクロトロン共鳴スパッタリング（ＥＣＲスパッタリング）又はイオンビームスパッタリングを用いることも可能である。
【００１０】
本発明の状況におけるコーティング領域という用語は、配置された基板をコーティングすることができる真空室内の領域を意味することが意図される。ＰＩＣＶＤコーティングでは、特に、真空蒸着用のプラズマがコーティング領域において生成される。
【００１１】
特に、基板は、搬送装置を用いてコーティング領域に順次配置することができ、多層(multilevel)コーティングを生成するためにコーティングの少なくとも１つの層をコーティング領域においてそれぞれ堆積させることができる。
【００１２】
１つのコーティングシステム内における本発明によるＰＩＣＶＤコーティング及びスパッタコーティングの組み合わせにより、通常は個別のシステムでしか生成することができず、或る状況下では大気成分での酸化又は他の反応を引き起こすこともあるコーティングを堆積させることが、ここで初めて可能となる。さらに、ＰＩＣＶＤ法は、パルス持続時間中にのみ高い放射電力が送られるため、基板にわずかな熱負荷しかかけることなくプラズマの生成のための高い放射電力を可能にする。このように、本発明によれば、少なくとも１つのスパッタ層及び少なくとも１つのＰＩＣＶＤコーティング層を含むコーティングを有する、新規のコーティング基板を生成することも可能である。本発明を用いてこのような製品をより経済的且つ迅速に製造できるだけでなく、このような製品は、大気と接触することなくこれらの方法がその場で組み合わせられるため、特にコーティングの外部からの汚染が少ないという点でより優れた品質も有する。
【００１３】
本発明による方法の経済的継続性を高めるために、複数の基板を同時に搬送する搬送装置を設けることも好都合である。したがって、基板を搬送装置に配置して、連続的又は同時にコーティングすることができる。このような配置は、基板の全てに同じコーティングを設ける必要がないため、実験室又は試験作業にも適している。むしろ、これにより、入力プロセス又は出力プロセスを伴わずに異なるタイプのコーティングを堆積させることができ、例えば一連の測定又は試験をこうして実施することができる。
【００１４】
特定の層を生成するために、他方では、スパッタコーティング中に制御された反応を誘発することが望ましい場合もある。本発明の一改良点によれば、スパッタリングは反応性スパッタリングも含むことができ、又はスパッタコーティング装置（apparatus）は反応性スパッタ装置を含むことができる。
【００１５】
この場合、反応室において堆積層と酸素及び／又は窒素を含有する大気との反応を誘発するために、反応室内に酸素及び／又は窒素を導入することによって、特に酸化物層及び／又は窒化物層を生成することができる。本発明の一改良点によれば、例えばこれは、層にスパッタリングが施されている間にターゲットの汚染を引き起こすことなくそれぞれ行うことができ、このとき、ターゲットのスパッタリング用の酸素及び／又は窒素を含有するプラズマがガス成分に従って生成される。このガスは、例えば、ＰＩＣＶＤコーティング装置用のガス供給源を用いて第１のコーティング領域に導入され得る。
【００１６】
反応の制御によってコーティングを変換するのにさらに可能性があるのは、酸素又は窒素を含有するプラズマを用いて、真空室においてコーティングの少なくとも１つの堆積層を窒化又は酸化することである。本発明による装置の一実施形態によれば、この目的で、窒素及び／又は酸素を含有するプラズマを生成する装置が設けられる。特に、ＰＩＣＶＤコーティング装置又はスパッタコーティング装置は、窒素及び／又は酸素を含有するプラズマを生成する装置がこれらの装置の少なくとも１つの構成要素となるように、このようなプラズマを生成するように設計することもできる。この場合、本発明の一実施形態によれば、コーティングの或る層が真空室の少なくとも１つの第１のコーティング領域で基板にスパッタリングされ、基板は、酸化物層及び／又は窒化物層を生成するために、搬送装置によって第２のコーティング領域に配置されて酸素又は窒素を含有するプラズマを用いてそこで酸化又は窒化される。このような酸化物層及び／又は窒化物層の層厚をより厚く生成するために、このプロセスは、コーティング領域間で基板を繰り返し搬送することによって複数回行ってもよい。
【００１７】
ＰＩＣＶＤコーティング装置又はスパッタコーティング装置によって生成されるプラズマは、プラズマを用いて基板表面を活性化又は洗浄するために用いることも有利であり得る。例えば、酸素及び／又は窒素を含有するプラズマも、この目的で用いることができる。活性化は、続いて施される層の付着を高めるために、特にＰＭＭＡ基板等のプラスチック基板に好ましい。概して、活性化及び／又は洗浄は、前処理、中間処理、又は後処理ステップとして実施され得る。
【００１８】
本発明のさらに別の実施形態によれば、本装置は、基板を回転させる１つ又は複数の装置を備える。例えば、搬送装置による基板の回転を用いて、円形搬送路上のコーティング領域内に基板を移動させることができる。特に、コーティング領域は、この場合、搬送装置の搬送路の円形部分の円周方向に沿って配置され得るため、基板は、搬送路に沿った回転によってコーティング領域に移動させられ、コーティング装置の前に配置されてコーティングされる。さらに、対応する装置を用いて複数の軸を中心に基板を回転させることも有利であり得る。本発明の状況における搬送路という用語は、基板又は基板ホルダを真空室内で移動させる際に沿う経路を意味することが意図される。
【００１９】
本発明のさらなる実施形態によれば、複数の基板の移動は、融通性及び適合性のあるコーティングプロセスを可能にするために、互いに独立して駆動される。この目的で、搬送装置は、基板を移動させる複数の装置を備えることができることも有利であり、これらは互いに独立して駆動することができる。
【００２０】
本発明のさらに別の実施形態によれば、基板は、対応する設計の搬送装置を用いて真空室において直線移動させられる。例えば搬送路が直線部分及び円形部分を備える場合、当然ながら、基板の直線移動を基板の円形移動と組み合わせることもでき、又は基板が回転可能なホルダ上で直線的にガイドされる。基板の直線移動に関連して、一改良点によれば、プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置又はスパッタコーティング用の装置の少なくとも１つが、搬送装置の搬送路の少なくとも１つの直線部分に沿って配置されることで、基板が搬送中に個々のコーティング領域に入るようにすることも好都合である。
【００２１】
本発明による方法の有利な一改良点によれば、特に、基板はコーティング中に移動させられる。これは、基板を移動させることによってスパッタコーティング又はＰＩＣＶＤプラズマコーティングの不均一性を均すことができるため、均一なコーティングを生成するのに特に適している。
【００２２】
基板を送ることに加えて、搬送装置はさらなる機能も有し得る。例えば、搬送装置を用いて、コーティング領域同士を分離することもできる。これは特に、真空室における圧力勾配を維持し、且つ／又は電磁遮蔽を得るのに適している。本発明の一改良点によれば、コーティング領域のこのような分離は、対向するプラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置とスパッタコーティング用の装置との間に配置される基板ホルダを搬送装置が備えることで達成され得る。
【００２３】
本発明のさらに別の改良点によれば、スパッタターゲットを覆うスクリーン装置もあり得る。これにより、スパッタターゲットは、スパッタターゲットの汚染を防止するように基板上の水又は例えば酸化物層を除去するために、プラズマインパルス化学蒸着中又は洗浄手順中に覆うことができる。同時に、スクリーン装置は、基板表面を保護するために、スパッタリング中、特にターゲットの洗浄中に、閉じた位置で、すなわち、酸化／窒化されたターゲット材料の堆積表面としてのターゲット表面の前で用いられる。
【００２４】
処理量を増やし経済的継続性を高めるために、本発明のさらに別の改良点によれば、複数の基板がコーティングの少なくとも１つの層で並行してもしくは同時に又は順次コーティングされ得る。複数の基板は、例えば、コーティング領域に一緒に配置され得る。プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の複数の装置及び／又はスパッタコーティング用の複数の装置もあり得る。この場合、これらの装置も少なくとも部分的に並行して動作させることができるため、例えば、同時に動作させたコーティング装置それぞれによって、コーティングの或る層が、割り当てられたコーティング領域に配置された１つ又は複数の基板それぞれに並行して堆積される。例えば、多層コーティングを形成するために、特定の層をそれぞれ堆積させながら基板に装置の各コーティング領域を通過させることもできる。
【００２５】
スパッタコーティング及びＰＩＣＶＤコーティングのいずれの場合も、各プラズマにプロセスガスが用いられる。この場合に生じる多量のガスを放出するために、高性能ポンプシステムを設けることが有利である。ポンプシステムの性能は、特に真空室とポンプシステムとの接続部の断面及び位置によって決まる。本発明の一実施形態によれば、１つのポンプ装置が真空室との複数の接続部とともに用いられる。特に、この実施形態の一改良点によれば、少なくとも１つの接続部が各コーティング領域に割り当てられ得る。例えば、接続部に接続されるポンプは、最小限の支出で最適な抽出ポンプ能力を得るために、種々のタイプのコーティング中に生じる多量のガスに従ったそのポンプ能力に応じた寸法にすることができる。本発明のさらに別の実施形態によれば、蒸着によってコーティングを施す少なくとも１つの装置がさらに設けられる。蒸着によって層を堆積させることができることにより、適用可能な層系の多様性をさらに高めることができる。
【００２６】
ＰＩＣＶＤコーティング及びスパッタコーティングをコーティング室において組み合わせることにより、本発明による真空コーティング方法又は装置は、基板の多数の異なるコーティングの生成、例えば、異なる組成物の層を有する多層コーティング、交互の組成を有する交互多重層(alternating  multilevel  layers)、堆積させた接着促進層及び／又は勾配層を有するコーティングの堆積に適している。少なくとも１つの金属層及び／又は磁気層を、スパッタリングによって堆積させるとともに、例えば、コーティングの１つ又は複数のＰＩＣＶＤ層と組み合わせることができる。好ましい応用は、特に、プラスチック基板のスパッタコーティングである。プラスチックは、多くの場合、スパッタリングによって耐久性のある層で十分にコーティングすることができない。しかしながら、本発明によれば、スパッタリングした層が十分に付着する接着促進層をＰＩＣＶＤによって堆積させることができる。
【００２７】
本発明に従って生成される層の応用分野及び機能は、それに対応して多岐にわたる。例えば、ＰＩＣＶＤコーティングを用いて、下の層、例えばスパッタ金属層を、劣化、特に酸化から保護するバリア層を生成することができる。耐引掻き性(scratchproof)及び／又は非粘着性を有するコーティングを堆積させることもできる。光学的機能を有するコーティングは、広範囲の分野にわたり、例えば、本発明に従って施すことができるブルーミング層又は干渉フィルタ層である。
【００２８】
本方法は、導電性の透明層を生成するのにも非常に適しており、これは続いて１つ又は複数のさらなる層によって保護することもできる。このような層は、付着を高めるために特にＰＩＣＶＤを用いて本発明に従って堆積される接着促進層に施すこともできる。特に、酸化インジウムスズ層の堆積がこの場合に想定され得る。特に、携帯電話又は特にＰＤＡ（「携帯情報端末」又はパームコンピュータ）又はタッチスクリーン用等のディスプレイが、このようなコーティングの１つの用途である。特にＰＤＡ又はタッチスクリーンでは、情報処理システムへの情報がディスプレイを接触することによって入力されるため、ディスプレイの耐引掻き性保護が耐用寿命の点で有利である。
【００２９】
ジルコニウム、ニオビウム、又はタンタル、例えばそれらの酸化物若しくは窒化物、又はこれらの材料との合金を含有する層も、概してＰＩＣＶＤによって生成することができるが、困難を伴う。しかしながら、本発明を用いて、このようなコーティングをスパッタリングし、有利には任意にＰＩＣＶＤコーティングと組み合わせることができる。
【００３０】
本発明のさらに別の改良点によれば、層の少なくとも１つの層が電子サイクロトロン共鳴スパッタリング（ＥＣＲスパッタリング）を用いて堆積される。この堆積法によって施される層は、多くの場合、特に高い密度及び無欠陥を特徴とする。このような層を生成するために、本発明による装置は、電子サイクロトロン共鳴スパッタリング用の装置を備え、この目的でスパッタコーティング装置の設計がそれに応じて適合されてもよく、且つ／又はプラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置及びスパッタコーティング用の装置に加えて電子サイクロトロン共鳴スパッタ装置が設けられてもよい。
【００３１】
本発明による方法の別の有利な改良点によれば、真空室又は基板の少なくとも一部が加熱される。この目的で、本装置は加熱装置をさらに備え得る。室の加熱は、例えば、室内でプロセスガス成分が沈殿するのを防止するために有利であり得る。さらに、基板の加熱は、例えば特に緻密層を生成するために層をスパッタリングするときに有利であり得る。
【００３２】
例示的な実施形態を用いて図面を参照して、本発明を以下でより詳細に説明する。同一及び同様の要素には同じ参照符号が与えられ、種々の例示的な実施形態の特徴は互いに組み合わせ可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図１は、全体的に参照符号１で示す、本発明による基板の真空コーティング用装置の第１の実施形態の概略平面図を示す。
【００３４】
装置１は、真空室３を備え、真空室３の中には、基板５を真空室３のコーティング領域１１、１２に搬送する搬送装置７が配置される。装置１はさらに、コーティング領域１１に割り当てられるプラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）装置９と、コーティング領域１２に割り当てられるスパッタコーティング装置１３とを備える。
【００３５】
図１に示す実施形態では、搬送装置７は、回転可能な基板ホルダ７１を備え、そこに複数の基板５、例えば図１に示す装置では４つの基板５を配置して、回転によって同時に搬送し、連続的に又は場合によっては同時にコーティングすることができる。搬送装置７又はその基板ホルダ７１上で基板５を回転させることにより、ＰＩＣＶＤ層又はスパッタ層を堆積させるために基板５それぞれをコーティング領域１１、１２に搬送することができる。この配置により、この例示的な実施形態は、円形搬送路を備え、これに沿ってコーティング領域１１、１２が配置される。
【００３６】
図１に示す実施形態では、搬送装置７の基板ホルダ７１はさらに、対向するプラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）装置９とスパッタコーティング装置１３との間に配置される。これにより、コーティング領域１１と１２との間及びコーティング装置９と１３との間の或る程度分離が達成される。このようにして、コーティング領域１１と１２との間の少なくとも部分的な電磁遮蔽及び／又は圧力バリアが得られる。
【００３７】
プロセスガス及びスパッタガスを供給するために、コーティング領域１１、１２のガス入口１７１に接続されるガス供給源１７がある。これにより、ＰＩＣＶＤ堆積用のプラズマを生成するため又は基板５のスパッタコーティング用のターゲットの陰極スパッタリングを行うために、ガス入口１７１によってコーティング領域１１、１２内に適当なプロセスガス又はスパッタガスをそれぞれ導入することができる。
【００３８】
割り当てられたガス入口１７１に加えて、スパッタコーティング装置１３は、スパッタマグネトロン１３１、スパッタマグネトロン１３１への供給用の高圧電源ユニット１３３、電源ユニット１３３とマグネトロン１３１との間に接続されるアーク放電抑制装置１３２、及びスパッタターゲット１３５を備える。本発明のこの例示的な実施形態では、スパッタターゲット１３５を選択的に覆うために、スクリーン装置１３４がさらに設けられる。ターゲットを一時的に覆うことは、コーティングすべき１つ又は複数の基板５の特定の処理ステップ中の汚染を回避するのに特に有利である。例えば、スパッタターゲット１３５は、ＰＩＣＶＤコーティングの沈殿物又は基板から出る水若しくは酸化物を回避するために、プラズマインパルス化学蒸着中、又は基板５上の水若しくは酸化物層を除去する洗浄手順中に覆われ得る。これに対して、室内にある基板は、スパッタターゲットの洗浄の手順中に、スパッタリングされた材料が沈殿しないよう保護され得る。通常の希ガスに加えて、ガス供給源を用いて、反応性スパッタコーティング用のさらなるガスもガス入口１７１を介して送られるスパッタガスと混合され得る。このようなガス、特に窒素及び／又は酸素は、ＰＩＣＶＤコーティング装置９のガス入口１７１を介して導入することもできる。これらのガス成分により、続いて酸素及び／又は窒素を含有するプラズマがスパッタコーティング中に形成される。例えば、これらのガスの反応性ラジカルが続いてプラズマ中に形成され、これが層成分の酸化又は窒化を引き起こす。
【００３９】
プロセスガスの導入用のガス入口１７１に加えて、ＰＩＣＶＤコーティング装置９は、プラズマに点火するための電磁放射を供給するアンテナ９０、及びパルス電磁エネルギーを発生させる発生器９２を備える。コーティング領域１１への放射の入力を調整及び最適化するのに用いることができる調整ユニット９１も、アンテナ９０と発生器９２との間に設けられる。発生器９２は、例えば、マイクロ波を発生させるように構成され得る。ＰＩＣＶＤコーティングには２．４５ＧＨｚのマイクロ波周波数が用いられることが好ましい。
【００４０】
プラズマインパルス化学蒸着装置９は、ＰＩＣＶＤ層の堆積以外の機能も果たすことができる。本発明の一実施形態によれば、例えば、窒素及び／又は酸素を含有するプラズマを生成する装置が設けられる。プラズマインパルス化学蒸着装置９は、この場合、酸素及び／又は窒素を含有するガスをガス入口１７１から導入し、発生器９２の動作中にコーティング領域１１で酸素及び／又は窒素を含有するプラズマを生成することにより、窒素及び／又は酸素を含有するプラズマを生成するような装置として用いられ得る。このように、真空室３のコーティング領域１２において基板５にコーティングの或る層をスパッタリングし、搬送装置７によってコーティング領域１１に基板５を配置し、酸素又は窒素を含有するプラズマをそこで酸化又は窒化することによって、酸化物層及び／又は窒化物層を基板５に堆積させることができる。この手順は、特に、より厚い酸化物層及び／又は窒化物層を生成するために複数回にわたって繰り返してもよい。
【００４１】
窒素及び／又は酸素を含有するこのようなプラズマを用いて、本発明に従った基板のコーティング中の前処理及び／又は中間処理及び／又は後処理ステップとして、基板表面を活性化及び／又は洗浄することもできる。
【００４２】
真空室から排気してプロセスガスを放出するために、高真空ポンプ装置１５１及び中真空（fine vacuum）ポンプ装置１５２を有するポンプ装置１５が設けられる。ＰＩＣＶＤプロセス中にプロセス圧力を調節するために、圧力調節器１５３も設けられる。ポンプ装置１５は、接続部１５４を介して室３に接続される。
【００４３】
基板５の積み下ろしを行うために、ローディング装置１９がさらに設けられる。最も単純な場合、ローディング装置１９は、基板を外側から嵌めて取り外すことができるローディングドアを備え得る。
【００４４】
真空室３を加熱することができる加熱装置２０がさらに設けられ得る。これは、プロセスガス成分、特にコーティング前駆体の沈殿を防止するために、例えばＰＩＣＶＤコーティング中に有利である。基板ホルダ７も、基板５を加熱することができる加熱装置を備えることができる。基板の加熱は特に、スパッタリングを用いて堆積される層の品質を高めることができる。
【００４５】
図２は、本発明による装置１のさらなる実施形態を概略的に示す。この実施形態では、ポンプ装置１５は、真空室３との複数の接続部１５４、１５５を備える。接続部１５４は高真空ポンプ装置１５１に接続され、接続部１５５は中真空ポンプ装置１５２に接続される。高真空ポンプ装置１５１は、さらなる圧力段として中真空ポンプ装置１５２を介して予圧ポンプ装置１６０に接続され、この場合、高真空ポンプ装置１５１及び中真空ポンプ装置１５２は、弁１５６を介して互いに分離され得る。
【００４６】
構成の異なるポンプ装置との接続部１５４、１５５は、特に、異なるコーティング領域１１、１２に割り当てられる。コーティング方法中には異なるガス圧力が概して用いられ、したがって領域１１と１２との間の圧力勾配が室内で生じ得るため、コーティング領域をポンプ装置１５に個別に接続すると、特に効率的且つ高速な排気が確保されることで、コーティングステップ後にさらなるコーティングステップ用のプロセスガス又はスパッタガスを再び高速で導入することができるようになる。
【００４７】
図３は、基板ホルダ７を有する図１に示す搬送装置の１つの改良点を示す。図２に示すような搬送装置７の例示的な実施形態も同様に、複数の基板５を保持する基板ホルダ７１を備える。基板５を個々のコーティング領域に搬送するために、基板ホルダ７１は、軸７２を中心に回転可能であるため、図１に示す装置１の場合のように基板５を円形搬送路に沿って送ることができる。基板５は、軸７３を中心にそれぞれ回転可能でもあり、図２２に示す例における軸７３は、回転軸７２に対して垂直である。例えば、基板５は、プラズマの不均一性を均すことによって均一なコーティングを得るために、プラズマでのコーティング中に一方又は両方の軸７２、７３を中心に移動させることができる。
【００４８】
図４は、本発明による基板の真空コーティング用装置１のさらに別の実施形態を示す。本発明のこの実施形態の搬送装置７は、複数の基板ホルダ７１が配置され得るカルーセルを備える。カルーセルを用いて、基板（明確にするために図４には示さない）を有する基板ホルダ７１が円形搬送路に沿って送られる。基板ホルダ７１は、例えば、図４に示す例示的な実施形態に従って構成され得る。図４に示すような装置１の実施形態では、基板の移動は特に互いに独立して駆動され得る。この目的で、基板ホルダ７１は、互いに独立して回転可能に搬送装置のカルーセル上に配置されるため、１つ又は複数の固定された基板を移動させるために互いに独立してそれぞれ駆動可能な装置を構成する。したがって、適当な制御装置（図示せず）、例えばコンピュータ支援コントローラを用いて、基板ホルダ７１それぞれを、カルーセル上の他のホルダ７１とは独立して各自の回転軸７２を中心に回転させることができる。したがって、基板も、複数の軸、すなわちカルーセルの軸及び各機材ホルダの回転軸を中心に回転させることができる。例えば図３に示す基板ホルダ７１で可能なように、さらなる軸７３を中心とした基板の回転をさらに設けてもよい。
【００４９】
図４に示す実施形態はさらに、プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の複数の装置９４、９５、９６、９７、９８、９９及び基板のスパッタコーティング用の複数の装置１３４、１３５、１３６を備える。装置９４、９５、９６、９７、９８、９９及び１３４、１３５、１３６は、搬送装置７のカルーセル７５の円周方向に配置されるため、プラズマインパルス化学蒸着（ＰＩＣＶＤ）用の装置９４、９５、９６、９７、９８、９９又は基板のスパッタコーティング用の装置１３４、１３５、１３６のコーティング領域１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、及び１２１、１２２、１２３も、円形搬送路の円周方向に沿って配置される。特に、コーティング領域１１１〜１１６及び１２１〜１２３の配置は、カルーセル７５の基板ホルダ７１の間隔に適合されるため、基板を有する基板ホルダそれぞれがコーティング領域の１つにあり、コーティングの少なくとも１つの層が堆積され得る。このように、複数の基板を搬送装置に配置して同時にコーティングすることも可能である。この場合、スパッタコーティング装置及びＰＩＣＶＤコーティング装置の全てを並行して動作させないことも実現可能である。例えば、意図されるプロセスシーケンスに応じて、これらの装置をグループごとに動作させることもできる。例えば、スパッタコーティング装置１３４、１３５、１３６及びＰＩＣＶＤコーティング装置９４〜９９をそれぞれグループごとに、但しＰＩＣＶＤコーティングとスパッタコーティングとでは概して異なる圧力範囲で連続的に動作させることが好都合である。
【００５０】
図４に示すような装置１の実施形態は、多数の異なる動作モードを可能にする。例えば、基板を、コーティング領域１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、及び１２１、１２２、１２３に順次配置することができ、続いてそこでコーティングの少なくとも１つの層がそれぞれ堆積される。基板５は、コーティング領域１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、及び１２１、１２２、１２３の全てを通過すると取り出される。本発明による方法のこの変形形態は、当然ながら、装置９４〜９９、１３４〜１３６のいくつかのみを用いて実施することもできる。ＰＩＣＶＤコーティング装置は、コーティング領域１１１〜１１６に配置された全ての基板に同じタイプのコーティング層が同時に堆積されるように並行して動作させることもできる。同様の手順がコーティング領域１２１、１２２、１２３でも採用され得る。この場合、基板５が全てのコーティング領域を通過する必要はなく、複数の基板が並行して同時にコーティングされる。このような動作のために、図４に示すもの以外に、複数のスパッタ装置がＰＩＣＶＤコーティング装置と同様に設けられ得る。
【００５１】
スパッタコーティング装置１３４、１３５、１３６の１つ又は複数は、例えば電子サイクロトロン共鳴スパッタリングを用いて特定の緻密層を堆積させるために、ＥＣＲスパッタリング用の装置も備えることができる。
【００５２】
ローディング装置１９に加えて、連続的な製造シーケンスを可能にするために、別個のアンローディング装置もこの実施形態で設けられる。
【００５３】
図５は、図４に示す実施形態の一変形形態を示す。図４に概略的に示す基板の真空コーティング用装置と同様に、図５に示す実施形態も、プラズマインパルス化学蒸着用の複数の装置９４、９５、９６、９７、９８、９９及び基板のスパッタコーティング用の複数の装置１３４、１３５、１３６を備える。しかしながら、図４に示す実施形態とは対照的に、基板を有する基板ホルダ１７は、レーストラック形の搬送路に沿って送られる。したがって、基板は、搬送路の円形部分だけではなく長い２つの直線部分にも沿って、装置９４、９５、９６、９７、９８、９９のコーティング領域１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、及び１２１、１２２、１２３に送られる。図５に示す装置１では、例えば、ＰＩＣＶＤコーティング装置９４、９５、９７〜９９及びスパッタコーティング装置１３４、１３５、１３６は、搬送路の直線部分に沿って配置され、ＰＩＣＶＤコーティング装置９３は円形部分にある。
【００５４】
図６は、搬送装置のさらなる実施形態を有する本発明による装置１の一部を示す。本発明のこの実施形態の搬送装置は、ローラ７７上でガイドされて基板５が直線搬送路に沿って載せられコーティング領域１１１、１２１、１１２、１２２に送られる、コンベヤベルトを備える。
【００５５】
したがって、図６に示す配置により、コンベヤベルト７６は、基板５を直線移動させる装置を構成する。この実施形態のＰＩＣＶＤコーティング装置９４、９５及び装置１３４、１３５は、直線搬送路に沿ってコンベヤベルト７６の上方に配置される。とはいえ、当然ながら、コンベヤベルトを用いて、例えば直線状及び曲線状、例えば円形部分を有する他の形態の搬送路を得ることも可能である。
【００５６】
コーティング領域１１１、１２１、１１２、１２２を互いに、また真空室の他の領域からより確実に分離するために、コーティング領域を区切るバリア２１がさらに設けられる。バリア２１は、例えば、コーティング領域間の圧力勾配を維持する役割及び／又は電磁遮蔽の役割を果たし得る。このようなバリア２１は、例えば図１〜図５に示すような本発明による装置１の他の実施形態に設けることもできる。
【００５７】
図７は、本発明に従ってコーティングされた基板５の第１の例示的な実施形態を示す。基板５は、２つの対向する面５１、５２を備え、そのうちの面５１には真空蒸着によってコーティング６が設けられている。コーティング６は、２つの層６１、６２を備え、そのうちの一方の層はＰＩＣＶＤコーティングによって施され、他方の層はスパッタリングによって施されている。スパッタリングされた層は、窒素及び／又は酸素を真空室に、又は代替的に窒素又は酸素を含有するプラズマに導入することによって、窒化又は酸化されている場合もある。コーティングの機能に応じて、層６１及び層６２の両方をＰＩＣＶＤコーティングによって堆積させてもよい。
【００５８】
例えば、下側の層６１は、スパッタリングによって堆積された金属層であり得る。この場合、層６２は、金属層を酸化から保護するバリア層としての役割を果たし、ＰＩＣＶＤを用いて堆積され得る。例えば、ヘキサメチルジキロキサン（ＨＭＤＳＯ）を含有するプロセスガスを用いて生成することができる酸化ケイ素層がこれに適している。金属スパッタリング層及びＰＩＣＶＤバリアコーティングを有する基板は、例えば、ランプリフレクタとして用いられ得る。このようなＳｉＯ２層はさらに、耐引掻き性コーティングとして用いられ得る。
【００５９】
スパッタリング層６１は、例えば、バリア又は耐引掻き性の層６２が施される前に、本発明による装置で窒化又は酸化させることもできる。この目的で、層は、ＰＩＣＶＤコーティング装置のコーティング領域において、酸素及び／又は窒素を含有するプラズマで窒化させることができる。特に薄層では、プラズマに点火することさえなく、窒素及び／又は酸素を導入することによって窒化又は酸化を行うことが可能であることが分かっている。より厚い層では、スパッタリング及び窒化又は酸化のプロセスを複数回にわたって繰り返すこともできる。窒化層６１、例えば窒化チタン層を例えば用いて、装飾金効果を得てもよい。スパッタリング層６１は、続いてＰＩＣＶＤによって堆積されたバリア層６２で覆われる磁気又は磁化可能層であってもよい。このようなコーティングされた基板５は、例えば磁気データ媒体であり得る。
【００６０】
層６１、６２の一方は、例えば、ジルコニウム及び／又はニオビウム及び／又はタンタルを含有するスパッタリング層であってもよい。例えば、これらの元素の酸化物層の用途は、酸化物の高い屈折率に起因した光学的機能を有するコーティングである。
【００６１】
ＰＩＣＶＤコーティング中の熱負荷が比較的低いことにより、Ｍａｋｒｏｌｏｎ（登録商標）（ＰＭＭＡ）又はＰＰ、ＰＣ等のプラスチックも基板５として用いることができる。この場合、例えば層の法線方向で炭層含有量が変わる勾配層の形態での接着促進層を、スパッタリング前にＰＩＣＶＤを用いて堆積させることが適していることが多い。
【００６２】
図８は、本発明のさらなる用途を示す。図８は、ＰＤＡ、例えばパームコンピュータ８０を示す。ＰＤＡ８０のディスプレイは、本発明に従ってコーティングされた１つ又は複数の基板５を有する表示パネル８１を備える。表示目的に加えて、表示パネル８１は、タッチスクリーンの場合と同様に情報を入力するのにも用いられる。この目的で、このようなパネルは従来、透明の導電層を備える。
【００６３】
問題は、表示パネルの光学特性、例えばその透明度が、時間を経るにつれてスタイラスでの入力及びそれにより生じる引掻き傷による悪影響を受ける可能性があることである。しかしながら、本発明では、このような表示パネル８１の光学特性を永続的に維持するために、例えばスパッタリングされた導電層を耐引掻き性層及び反射防止層と組み合わせることができる。
【００６４】
図９は、本発明に従ってコーティングされた表示パネル８１の一実施形態の断面図を示し、特にＰＤＡ又はタッチスクリーン用の表示パネルとして用いられ得るように、２つの基板５３、５４それぞれが多層コーティング６を有する。
【００６５】
表示パネル８１は、いずれも本発明に従ってコーティングされた２つの基板５３、５４を備える。光透過を高めて干渉反射を減らすために、２つの基板は、本発明に従って堆積された交互多重層の形態の反射防止コーティング６０２を両面に備える。多層反射防止層は、例えば、交互の酸化ケイ素層／チタン層として設計され得る。この目的で、ＰＩＣＶＤコーティング中にプロセスガス組成が変更され、この場合、酸化ケイ素層にはＨＭＤＳＯ、１つ又は複数の酸化チタン層には塩化チタン（ＴｉＣｌ４）が、プロセスガス成分として用いられ得る。このような交互多重層は、光学干渉フィルタ等の他の用途で多重干渉層として用いることも有利であり得る。このようなフィルタの用途は、例えば、デジタルプロジェクタのカラーホイール、ダイクロイックミラー、又はＬＣＤプロジェクタのカラーフィルタである。基板５３、５４それぞれの片面に、ＰＩＣＶＤを用いて接着促進層６００がさらに堆積され、スパッタリングによって酸化インジウムスズ層（ＩＴＯ層）６０１がその上に堆積される。表示パネル８１を製造するために、２つの基板５３、５４は、酸化インジウムスズ層６０１を互いに向き合わせてわずかな距離を空けて合わせられる。基板間の間隔を確保するために、例えばスペーサ層６０４が基板５３と５４との間に設けられ得る。入力スタイラスによって層表面に圧力が加えられると、基板５３、５４は互いに押し合わせられるため、２つの導電性ＩＴＯ層が入力スタイラスの下で局部的に接触する。スタイラスを用いて行われる入力は、それにより生じる局部的な短絡の評価によって読み取られる。
【００６６】
表示パネル８１の入力面を保護するために、好ましくはＰＩＣＶＤを用いて耐引掻き性コーティング６０３がさらにこの面に施される。耐引掻き性層６０３及び／又は接着促進層６００は、層同士の付着を高めるために、層に対して垂直方向に徐々に変わる組成を有する層として、すなわち勾配層として堆積させることも有利であり得る。ＰＩＣＶＤコーティングを用いると、例えば、プロセスガスの組成を連続的に変えることによってこれを容易に達成可能である。耐引掻き性層６０３を堆積させる前に、さらなる接着促進層を反射防止層６０２の上に堆積させることもできる。
【００６７】
本発明は、上述した実施形態に限定されるのではなく、様々な方法で変更することができることが、当業者には明らかである。特に、個々の例示的な実施形態の特徴は、互いに組み合わせることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施形態による基板の真空コーティング用装置の概略平面図を示す。
【図２】図１に示すポンプ装置の変形形態を有するコーティング装置の概略図を示す。
【図３】搬送装置の基板ホルダの一実施形態を示す図である。
【図４】本発明による基板の真空コーティング用装置のさらなる実施形態を示す図である。
【図５】図４に示す実施形態の変形形態を示す図である。
【図６】コンベヤベルトを備える搬送装置を有する本発明による装置の他の実施形態の一部を示す図である。
【図７】本発明に従ってコーティングされた基板の一実施形態を示す図である。
【図８】本発明に従ってコーティングされた表示パネルを有するＰＤＡを示す図である。
【図９】本発明に従ってコーティングされた表示パネルの断面図を示す。
【符号の説明】
【００６９】
［参照符号一覧］
１  基板の真空コーティング用装置
３  真空室
５、５３、５４  基板
６  基板コーティング
７  搬送装置
９、９４〜９９  ＰＩＣＶＤコーティング装置
１１、１１１〜１１６、１２、１２１〜１２３  コーティング領域
１３、１３４、１３５、１３６  スパッタコーティング装置
１５  ポンプ装置
１７  ガス供給装置
１９  ローディング装置
２０  加熱装置
２１  バリア
５１、５２  ５（基材）の面
６１、６２  ６（基材コーティング）の層
７１  回転可能な基板ホルダ
７２、７３  回転軸
７５  カルーセル
７６  コンベヤベルト
７７  ローラ
８０  ＰＤＡ
８１  表示パネル
９０  アンテナ
９１  調整ユニット
９２  発生器
１３１  スパッタマグネトロン
１３２  アーク放電抑制装置
１３３  電源ユニット
１３４  スクリーン装置
１５１  高真空ポンプ装置
１５２  中真空ポンプ装置
１５３  圧力調節器
１５４、１５５  １５（ポンプ装置）と３（真空室）との接続部
１５６  弁
１６０  予圧ポンプ装置
１７１  ガス入口
６００  接着促進層
６０１  酸化インジウムスズ層
６０２  多層反射防止層
６０３  耐引掻き性層
６０４  スペーサ層
【図１】
2008507629.tif 000003
【図２】
2008507629.tif 000004
【図３】
2008507629.tif 000005
【図４】
2008507629.tif 000006
【図５】
2008507629.tif 000007
【図６】
2008507629.tif 000008
【図７】
2008507629.tif 000009
【図８】
2008507629.tif 000010
【図９】
2008507629.tif 000011
【国際調査報告】
2008507629.tif 000012
2008507629.tif 000013
2008507629.tif 000014
2008507629.tif 000015
2008507629.tif 000016
2008507629.tif 000017
2008507629.tif 000018
2008507629.tif 000019
2008507629.tif 000020
2008507629.tif 000021