(57)【要約】１つの実施の形態として、積層プリント回路基板型のトランスレータ（１００）が提供される。幾つかの実施の形態では、そのトランスレータが、ピン（５５）を挿入可能に構成した接続受け基板（１１０）を備えており、この接続受け基板は、メッキ・バイア（１２０）を有している。メッキ・バイアは、接続受け基板を貫通して延在しており、ピンを挿入するための孔（１２５）を有している。接続受け基板に張合されたインターフェース基板（１３０）は、所定深さバイア（１６０）を有している。この所定深さバイアは、インターフェース基板を貫通して延在しており、導体トレース（１４０）に結合している。導体トレースは、接続受け基板とインターフェース基板との間を延在して、接続受け基板のメッキ・バイアとインターフェース基板の所定深さバイアとを接続している。所定深さバイアは、インターフェース基板に穿設した孔の一端の開口を介してこの定深さバイアの内部にメッキを施せるようにしてある。幾つかの実施の形態においては、インターフェース基板にパッドが設けられ、このパッドは所定深さバイアに接続している。【選択図】図１
2008545248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層プリント回路基板型のトランスレータにおいて、
ａ）コネクタを接続可能に構成された接続受け基板を備え、該接続受け基板はメッキ・バイアを有し、該メッキ・バイアは該接続受け基板を貫通して延在しており、
ｂ）前記接続受け基板に張合されたインターフェース基板を備え、該インターフェース基板は所定深さバイアを有し、該所定深さバイアは前記メッキ・バイアから変位した位置にあって該インターフェース基板を貫通して延在しており、
ｃ）前記接続受け基板と前記インターフェース基板との間を延在する導体トレースを備え、該導体トレースは前記接続受け基板の前記メッキ・バイアと前記インターフェース基板の前記所定深さバイアとを接続している、
ことを特徴とするトランスレータ。
【請求項２】
前記メッキ・バイアは、該メッキ・バイアの中を貫通して延在する孔を有しており、該孔が、前記接続受け基板を貫通して延在していることを特徴とする請求項１記載のトランスレータ。
【請求項３】
前記所定深さバイアは、メッキ・バイアであることを特徴とする請求項１記載のトランスレータ。
【請求項４】
前記所定深さバイアは、充填バイアであることを特徴とする請求項１記載のトランスレータ。
【請求項５】
前記所定深さバイアの直径対深さの比は、ブラインド・バイアとして形成した前記所定深さバイアにメッキを施すことが可能な比であることを特徴とする請求項１記載のトランスレータ。
【請求項６】
前記接続受け基板と前記インターフェース基板との間に張合されて積層された少なくとも１つの更なるプリント回路基板を備え、該少なくとも１つの更なるプリント回路基板は内部バイアを有し、該内部バイアは該少なくとも１つの更なるプリント回路基板を貫通して延在しており、前記導体トレースは、その第１部分が前記メッキ・バイアと前記内部バイアとを接続しており、その第２部分が前記内部バイアと前記所定深さバイアとを接続していることを特徴とする請求項１記載のトランスレータ。
【請求項７】
前記インターフェース基板の表面に設けられ前記所定深さバイアに接続されたパッドを更に備えたことを特徴とする請求項１記載のトランスレータ。
【請求項８】
前記接続受け基板は、（ａ）圧入接続式部品、または（ｂ）表面実装部品のうちの、少なくとも一方を接続可能に構成されていることを特徴とする請求項１記載のトランスレータ。
【請求項９】
前記インターフェース基板は、（ａ）コンプライアント・コネクタによる接続、または（ｂ）導電性接合材ないし導電性接着剤による接続のうちの、少なくとも一方による接続が可能なように構成されていることを特徴とする請求項１記載のトランスレータ。
【請求項１０】
コネクタを接続可能に構成され、且つ、パッドを介したインターフェースが可能であるように構成された、積層プリント回路基板を製造する方法において、
ａ）接続受け基板のスルーホール型バイアにメッキを施すメッキ工程と、
ｂ）前記接続受け基板にトレースを形成するトレース形成工程と、
ｃ）前記トレースが前記接続受け基板とインターフェース基板との間に挟まれるようにして前記接続受け基板と前記インターフェース基板とを張合して積層する積層工程と、
ｄ）前記接続受け基板と前記インターフェース基板とを張合して積層した後に、前記インターフェース基板に、少なくとも前記トレースまで延在する孔を穿設する穿孔工程と、
ｅ）前記接続受け基板と前記インターフェース基板とを張合して積層した後に、前記孔にメッキを施して前記所定深さバイアを形成する所定深さバイア形成工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記穿孔工程は、機械加工により前記孔を穿設する工程から成ることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記穿孔工程は、前記インターフェース基板に穿設した孔の一端の開口を介してメッキを施すことで前記所定深さバイアを形成することができるように前記孔を穿設することから成ることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記穿孔工程は、前記スルーホール型バイアから変位した位置に前記孔を穿設することから成ることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記トレース形成工程は、前記スルーホール型バイアにメッキを施す前記メッキ工程の実行中に実行することを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記所定深さバイアに接続したパッドを前記インターフェース基板に形成するパッド形成工程を更に含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１６】
前記パッド形成工程は、前記所定深さバイアに前記パッドを形成することを含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記パッド形成工程は、前記パッドを当該パッドに対応した所定深さバイアに接続するトレース・ラインを形成することを含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
積層プリント回路基板型のトランスレータにおいて、
ａ）圧入して締り嵌め状態とすることで接続する接続部材を接続可能に構成された接続受け基板を備え、該接続受け基板はメッキ・バイアを有し、該メッキ・バイアは該接続受け基板を貫通して延在しており、
ｂ）前記接続受け基板に張合されたインターフェース基板を備え、該インターフェース基板は所定深さバイアを有し、該所定深さバイアは前記メッキ・バイアから変位した位置にあって該インターフェース基板を貫通して延在しており、
ｃ）前記接続受け基板と前記インターフェース基板との間を延在する導体トレースを備え、該導体トレースは前記接続受け基板の前記メッキ・バイアと前記インターフェース基板の前記所定深さバイアとを接続している、
ことを特徴とするトランスレータ。
【請求項１９】
前記メッキ・バイアは、該メッキ・バイアの中を貫通して延在する孔を有しており、該孔が、前記接続受け基板を貫通して延在していることを特徴とする請求項１８記載のトランスレータ。
【請求項２０】
前記所定深さバイアは、メッキ・バイアであることを特徴とする請求項１８記載のトランスレータ。
【請求項２１】
前記所定深さバイアは、充填バイアであることを特徴とする請求項１８記載のトランスレータ。
【請求項２２】
前記所定深さバイアの直径対深さの比は、ブラインド・バイアとして形成した前記所定深さバイアにメッキを施すことが可能な比であることを特徴とする請求項１８記載のトランスレータ。
【請求項２３】
前記インターフェース基板の表面に設けられ前記所定深さバイアに接続されたパッドを更に備えたことを特徴とする請求項１８記載のトランスレータ。
【請求項２４】
前記接続受け基板と前記インターフェース基板との間に張合されて積層された少なくとも１つの更なるプリント回路基板を備え、該少なくとも１つの更なるプリント回路基板は内部バイアを有し、該内部バイアは該少なくとも１つの更なるプリント回路基板を貫通して延在しており、前記導体トレースは、その第１部分が前記メッキ・バイアと前記内部バイアとを接続しており、その第２部分が前記内部バイアと前記所定深さバイアとを接続していることを特徴とする請求項１８記載のトランスレータ。
【請求項２５】
前記インターフェース基板は、（ａ）コンプライアント・コネクタによる接続、または（ｂ）導電性接合材ないし導電性接着剤による接続のうちの、少なくとも一方による接続が可能なように構成されていることを特徴とする請求項１８記載のトランスレータ。
【請求項２６】
前記接続受け基板は、（ａ）部品、（ｂ）コネクタ、（ｃ）ピン、または（ｄ）配線ワイヤのうちの少なくとも１つを含む、圧入して締り嵌め状態とすることで接続する接続部材を接続可能に構成されていることを特徴とする請求項１８記載のトランスレータ。
【請求項２７】
自動試験装置において、
ａ）テスター・メインフレームと、
ｂ）前記テスター・メインフレームとの間で通信を行うテスト・ヘッドと、
ｃ）トランスレータを介して前記テスト・ヘッドに接続されたデバイス・インターフェース・ボードとを備えており、
前記トランスレータは、
（１）接続受け基板を備え、該接続受け基板は、（ｉ）表面実装コネクタ、または、（ｉｉ）圧入して締り嵌め状態とすることで接続する接続部材のうちの、少なくとも一方を接続可能に構成されており、該接続受け基板はメッキ・バイアを有し、該メッキ・バイアは該接続受け基板を貫通して延在しており、
（２）前記接続受け基板に張合された、トランスレータ用インターフェース基板を備え、該トランスレータ用インターフェース基板は所定深さバイアを有し、該所定深さバイアは前記メッキ・バイアから変位した位置にあって該インターフェース基板を貫通して延在しており、
（３）前記接続受け基板と前記トランスレータ用インターフェース基板との間を延在する導体トレースを備え、該導体トレースは前記接続受け基板の前記メッキ・バイアと前記トランスレータ用インターフェース基板の前記所定深さバイアとを接続している、
ことを特徴とする自動試験装置。
【請求項２８】
前記メッキ・バイアは、該メッキ・バイアの中を貫通して延在する孔を有しており、該孔が、前記接続受け基板を貫通して延在しており、前記所定深さバイアは、（１）メッキ・バイア、または（ｂ）充填バイアの、いずれか一方であることを特徴とする請求項２７記載の自動試験装置。
【請求項２９】
前記所定深さバイアの直径対深さの比は、ブラインド・バイアとして形成した前記所定深さバイアにメッキを施すことが可能な比であることを特徴とする請求項２７記載の自動試験装置。
【請求項３０】
前記トランスレータ用インターフェース基板の表面に設けられ前記所定深さバイアに接続されたパッドを更に備えたことを特徴とする請求項２７記載の自動試験装置。
【請求項３１】
前記トランスレータ用インターフェース基板は、（ａ）コンプライアント・コネクタによる接続、または（ｂ）導電性接合材ないし導電性接着剤による接続のうちの、少なくとも一方による接続が可能なように構成されていることを特徴とする請求項２７記載の自動試験装置。
【請求項３２】
前記接続受け基板は、（ａ）部品、（ｂ）コネクタ、（ｃ）ピン、または（ｄ）配線ワイヤのうちの少なくとも１つを含む、圧入して締り嵌め状態とすることで接続する接続部材を接続可能に構成されていることを特徴とする請求項２７記載の自動試験装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本件特許出願は、米国仮特許出願第60/695,516号（出願日：2005年6月30日、発明者：Arash Behziz, et al.、発明の名称：CONNECTOR-TO-PAD PRINTED CIRCUIT BOARD TRANSLATOR AND METHOD OF FABRICATION（コネクタ−パッド変換のためのプリント回路基板型のトランスレータ及び製造方法））に基づく優先権を主張するものであり、同米国仮特許出願の開示内容はこの言及をもってその全体が本願開示に組込まれたものとする。また、本件特許出願は、米国特許出願第          号（出願日：2006年6月26日、発明者：Arash Behziz, et al.、発明の名称：CONNECTOR-TO-PAD PRINTED CIRCUIT BOARD TRANSLATOR AND METHOD OF FABRICATION（コネクタ−パッド変換のためのプリント回路基板型のトランスレータ及び製造方法））に基づく優先権を主張するものであり、同米国特許出願の開示内容はこの言及をもってその全体が本願開示に組込まれたものとする。
【背景技術】
【０００２】
低コストで接続を行うための手段の１つに、コネクタなどによる接続構造を用いるという方法があり、その種の接続構造としては、表面実装コネクタを用いた接続構造、圧入コネクタを用いた接続構造、ピン挿入式の接続構造、ワイヤ挿入式の接続構造、また、更にその他の挿入係止式の接続構造などがある。既製品のコネクタは、そのコネクタを接続する相手側のインターフェースに対応した、適切な接続密度を有しているとは限らない。更に、接続する相手側のインターフェースが、ピン挿入式の接続構造に対応していないこともあれば、既製品のコネクタのピン配列に適合していないこともある。また、既製品のコネクタは、十分な接続密度を提供できない、及び／または、要求される接続方式ないし接続形態に適合できない、ということがままあり、そのため、既存のインターフェース対して既製品のコネクタを使用するのでは、低コストで接続を行えないことがある。即ち、表面実装コネクタを用いた接続構造や、ピン挿入式の接続構造、また、更にその他の挿入係止式の接続構造では、低コストの既製品のコネクタを使用できないことがしばしばある。
【０００３】
挿入式の接続構造には、更にもう１つの問題が付属しており、それは、圧入して締り嵌め状態とするために大きな圧力を要するため、その圧力によって相手側のインターフェースが撓むことがあるということである。それによって、インターフェースが破損するおそれがある。一方、従来から用いられている、十分な剛性を有する表面実装式のインターフェース構造には、嵩張る上に製造コストも高くつくという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、挿入式の接続構造に適合可能な、低コストで高剛性のインターフェース構造を提供できるようにする手段が求められれている。更に、表面実装式の接続構造、及び／または、圧入して締り嵌め状態とする方式の接続構造に適用可能な、高い接続密度を有するインターフェース構造を提供できるようにする手段が求められている。また更に、様々な種類の非既製品のピンアウト配列に対して、既製品のコネクタを適用可能にする手段が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施の形態として、積層プリント回路基板型のトランスレータが提供される。幾つかの実施の形態では、トランスレータが、コネクタを接続可能に構成した接続受け基板を備えている。接続受け基板はメッキ・バイアを有しており、このメッキ・バイアは接続受け基板を貫通して延在している。接続受け基板に張合されたインターフェース基板は所定深さバイアを有している。所定深さバイアは、インターフェース基板を貫通して延在しており、導体トレースに接続している。導体トレースは、接続受け基板とインターフェース基板との間を延在している。導体トレースは、接続受け基板とインターフェース基板とを張合する前に、接続受け基板に形成するようにするとよい。導体トレースは、接続受け基板のメッキ・バイアとインターフェース基板の所定深さバイアとを接続している。所定深さバイアは、インターフェース基板に穿設した孔の一端の開口を介してこの所定深さバイアの内部にメッキを施すことのできる形態としておくのがよい。幾つかの実施の形態においては、インターフェース基板がパッドを有しており、このパッドは所定深さバイアに接続している。
【０００６】
１つの実施の形態として、積層プリント回路基板の製造方法が提供される。幾つかの構成例では、その方法が、接続受け基板のスルーホール型バイアにメッキを施す工程と、接続受け基板にトレースを形成する工程と、そのトレースが接続受け基板とインターフェース基板との間に挟まれるようにしてそれら接続受け基板とインターフェース基板とを張合して積層する工程とを含んでいる。その積層の後に、インターフェース基板に、トレースにまで達する孔を穿設する。その孔にメッキを施して、所定深さバイアを形成する。
【０００７】
本発明の様々な特徴及び利点については、以下の詳細な説明の記載、特許請求の範囲の記載、及び添付図面の記載を参照することによって、より明瞭に理解することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、１つの実施の形態に係るトランスレータ１００の断面側面図を模式図で示した図である。この実施の形態において、トランスレータ１００は、ピン挿入式部品５０のピン５５を挿入可能に構成されており、即ち、ピン受け部材として構成されており、このピン挿入式部品５０は、例えば圧入コネクタなどのように、ピンを挿入して締り嵌め状態とすることにより係止するようにした部品である。図示例とは別の実施の形態として、接続受け基板１１０に、この接続受け基板１１０に挿入するピン５５を備えていない表面実装コネクタ（不図示）を取付けた構成としてもよい。トランスレータ１００は、接続受け基板１１０とインターフェース基板１３０とを備えており、それら基板は互いに張合されて積層されている。接続受け基板１１０及びインターフェース基板１３０は、当業界における周知技術であるプリント回路基板積層技術を用いて製作することができる。
【０００９】
接続受け基板１１０を貫通して、メッキ・バイア（メッキが施されたバイア）１２０が延在しており、このメッキ・バイア１２０は導体トレース１４０に接続している。メッキ・バイア１２０は、このメッキ・バイアの中を貫通して延在する孔１２５を有しており、この孔１２５は挿入されたピン５５を保持することができる。このピン５５の保持は、ピン５５が孔１２５に締り嵌め状態で嵌合することでなされるようにしてもよく、或いは、ピン５５が孔１２５に係止されることで、或いは、ピン５５が孔１２５にその他の方式で圧入されることで、或いは、ピン５５がメッキ・バイア１２０にハンダ付けされ、もしくはその他の導電性接合材ないし導電性接着剤によってメッキ・バイア１２０に接合ないし接着されることで、なされるようにしてもよい。１つの実施の形態においては、接続受け基板１１０に、メッキ・バイア１２０をスルーホール・バイアとして形成するようにし、また、導体トレース１４０を形成した後に、その接続受け基板１１０をインターフェース基板１３０に張合するようにしている。即ち、様々な実施の形態のうちには、先に接続受け基板１１０にメッキ・バイア１２０及び導体トレース１４０を形成し、その後に、その接続受け基板１１０とインターフェース基板１３０とを張合して積層したものがある。また、様々な実施の形態のうちには、プリプレグを用いてそのように構成したものがある。
【００１０】
接続受け基板１１０とインターフェース基板１３０との間に導体トレース１４０が設けられており、この導体トレース１４０は、メッキ・バイア１２０と所定深さバイア（コントロールド・デプス・バイア）１６０とを接続している。所定深さバイア１６０は、導体トレース１４０に接続しており、インターフェース基板１３０を貫通して延在している。
【００１１】
インターフェース基板１３０に所定深さバイア１６０を形成する際には、接続受け基板１１０にインターフェース基板１３０を張合した後に、そのインターフェース基板１３０に機械加工によって孔を穿設するという方法を用いるとよい。こうして穿設した孔にメッキを施すことによって、所定深さバイア１６０を、この所定深さバイア１６０の中を貫通して延在する孔を有するメッキ・バイアとして形成することができる。また、所定深さバイア１６０を充填バイアとして形成することもでき、そうすることが望ましい場合には、そのようにすればよい。接続受け基板１１０にインターフェース基板１３０を張合して積層した後に、そのインターフェース基板１３０に孔を穿設し、その孔にメッキを施して所定深さバイア１６０を形成するという方法により得られる利点の１つは、それによって所定深さバイア１６０と導体トレース１４０との電気接続が良好なものとなることである。即ち、接続受け基板１００にインターフェース基板１３０を張合した後に機械加工によって孔を穿設するため、機械加工による削設領域が導体トレース１４０の一部（不図示）にまで及び、そのため、メッキ工程を実行することによって所定深さバイア１６０が導体トレース１４０に接続されるのである。機械加工によってその孔を穿設する穿孔工程は、穿孔深さが所定深さになるように制御しつつ穿孔を実行するコントロールド・デプス穿孔工程とするのがよく、その穿孔深さの制御は、穿設した孔が少なくとも導体トレース１４０に達するように、ないしは導体トレース１４０を幾分超えて延在するようにし、そうすることによって、所定深さバイア１６０が導体トレース１４０に接続されるようにすることができる。
【００１２】
１つの構成例においては、所定深さバイア１６０をブラインド・バイアとして形成するようにしている。この場合、接続受け基板１１０に張合したインターフェース基板１３０の一方の側面からその所定深さバイア１６０の内部にメッキを施すことになるため、そのブラインド・バイアの寸法を、そのメッキ工程によって所定深さバイア１６０を導体トレース１４０に接続することができるような寸法に定めるようにする。幾つかの実施の形態においては、所定深さバイア１６０を形成するために穿設する孔の直径ｄ2の、その所定深さバイア１６０の深さｔ2に対する比を、約１．４対１．０より大きな比にするようにしており、それによって、所定深さバイア１６０を形成するために穿設した孔の一端の開口を介して、その所定深さバイア１６０の内部にメッキ材料を被着させることができるようにしている。その具体例を挙げるならば、１つの実施の形態においては、インターフェース基板１３０の厚さｔ2を約４ミル（約０．１ｍｍ）とし、所定深さバイア１６０を形成するために穿設する孔の直径ｄ2を約１３．５ミル（約０．３４ｍｍ）としている。また別の１つの実施の形態においては、インターフェース基板１３０の厚さｔ2を約９．６ミル（約０．２４ｍｍ）とし、所定深さバイア１６０を形成するために穿設する孔の直径ｄ2を約１３．５ミル（０．３４ｍｍ）としている。接続受け基板１１０の厚さｔ1は、通常、これらの寸法と比べれば桁違いに大きい。従って、様々な実施の形態のうちには、穿孔工程により穿設する孔の一端の開口部を介して所定深さバイアの中にメッキを施すことができるようにするために、その穿設する孔の直径ｄ2を十分に大きくし、且つ、インターフェース基板の厚さｔ2を十分に小さくすることを必要とするものがある。
【００１３】
様々な実施の形態のうちには、オプションとして、ポゴピン（商標）、インターポーザなどの、コンプライアント・コネクタ（不図示）の接続を容易にするためのパッド１７０を設けたものがある。また、様々な実施の形態のうちには、ハンダ付け（不図示）による接合や、導電性エポキシ（不図示）による接着などの、導電性の接合材ないし接着剤による接続を容易にするためのパッド１７０を設けたものもある。また、それらとは異なる実施の形態として、所定深さバイア１６０に対して直接、それらの接続に行うようにしたものもある。
【００１４】
ピン５５などのように、インターフェース基板に圧入して締り嵌め状態とすることにより接続する部材は、圧入する際に圧力が作用し、その圧力によってインターフェース基板が撓み、それによってインターフェース基板が破損するおそれがある。そこで、幾つかの実施の形態においては、締り嵌め状態とするために通常より大きな力が必要とされる場合に備えて、インターフェース基板１３０の厚さを、余裕を持った剛性を提供し得る十分な厚さにするようにしており、このことも利点の１つとなっている。更に、インターフェース基板１３０の厚さに関しては、ピン５５の真下の位置にコンタクト・パッド（不図示）を設けることもあるため、インターフェース基板１３０挿入したピン５５がそのインターフェース基板１３０の反対側へ突出して、そのようなコンタクト・パッドに接触することがないように、十分に大きな厚さとすることもある。
【００１５】
幾つかの実施の形態においては、図１に示したように、所定深さバイア１６０及びパッド１７０を設ける位置を、メッキ・バイア１２０及びピン５５の真下の位置に揃えなくてもよいようにしており、このことも利点の１つである。この構成では、インターフェース基板１３０の所定深さバイア１６０（及びパッド１７０）と、メッキ・バイア１２０（及びピン５５）とを、導体トレース１４０を介して接続するようにしており、これによって接続受け基板１１０上の任意の位置から、インターフェース基板１３０上の任意の位置ないし任意のパッドへ、信号を引き回す（ルーティングする）ことが可能となっている。またこれによって、幾つかの実施の形態においては、信号を接続受け基板１１０ないしインターフェース基板１３０の露出面で引き回すのではなく、トランスレータの内部で引き回すことが、即ち、信号の内部ルーティングが可能となっている。そして、それによって、メッキ・バイア１２０から変位した位置に所定深さバイア１６０を設けることを可能にしている。
【００１６】
様々な実施の形態のうちには、メッキ・バイア１２０にメッキを施すために用いるメッキ材料としては、そこにピンを挿入して接続するのに適したメッキ材料を選定し、一方、パッド１７０及び／または所定深さバイア１６０を形成するために用いる材料としては、コンプライアント・コネクタによる接続、はんだ付けによる接続、導電性エポキシによる接続、等々の接続方式により接続するのに適した材料を選定するようにしており、このことも利点の１つとなっている。。その具体例を挙げるならば、例えば、メッキ・バイア１２０のメッキ材料としては比較的軟質の材料を用いるとよく、そのような材料には、銅、銅合金、錫、錫合金、錫メッキ金、等々の材料がある。また、パッド１７０の材料としては、例えば、金などを用いるのもよい。また、別の実施の形態として、パッド１７０の材料としてハンダ付け性の良好な材料を用いたものもある。
【００１７】
また、様々な実施の形態のうちには、パッドのパターンを形成する位置をピン配列とは無関係に設定できるようにしたものもあり、このことも利点の１つとなっている。また、様々な実施の形態のうちには、それによって、ピン挿入式部品を接続相手側のインターフェースに直接接続することによって達成可能な接続密度よりも、更に高い接続密度を達成できるようにしたものもある。この構成によれば、あたかも漏斗を使用しているかのように、信号の接続密度を低密度から高密度へ変換することができる。より具体的には、例えば、インターフェース基板１１０の複数のメッキ・バイア１２０に、コネクタの複数のピン、複数の単独ピン、複数の配線ワイヤ、複数の並列ケーブル、複数の同軸ケーブル、等々を挿入すれば、漏斗的形態の密度変換構造によって、インターフェース基板１３０においては、より高密度での接続が可能となる。尚、メッキ・バイア１２０は、トランスレータ１００を完全に貫通して延在するように形成する必要はない。メッキ・バイア１２０を非貫通バイアとして形成する場合には、先ずメッキ・バイア１２０を接続受け基板１１０にスルーホール型バイアとして形成し、その後に、その接続受け基板１１０をインターフェース基板１３０に張合して積層するという方法を用いるとよく、そうすれば、そのメッキ・バイア１２０はインターフェース基板１３０を貫通しないバイアとなる。
【００１８】
添付図面では、図の見易さを考慮して、ピン挿入式部品５０のピン５５をただ１本だけ図示した。また同様に、メッキ・バイア１２０、導体トレース１４０、それに所定深さバイア１６０についても、図の見やすさを考慮して、図示した１本のピン５５に対応するものを１つずつだけ図示した。尚、図示したピン５５は、例えば、表面実装部品に装備されているピンや、その他のデバイスに装備されているピンなどである。また更に、様々な実施の形態のうちには、ピンではなく、複数のリード線を備えた表面実装コネクタの、それらリード線を、複数のメッキ・バイアに接続するようにしたものもある。
【００１９】
また、図１に示した実施の形態では、所定深さバイア１６０に対して中心を揃えた位置にパッド１７０を形成しているが、パッド１７０の形成位置をこのようにすることは必ずしも必要とされない。更に、信号用パッド及びリターン用（グラウンド用）パッドの配列も、また、複数のバイアの配列も、用途に応じて様々に設定されるものであり、このことは当業界における周知事項である。
【００２０】
添付図面は具体例を提示することを目的としたものであるため、ルーティング層（信号引きまわし層）をただ１層だけ備えた積層トランスレータを図示した。ただし、図示はしないが、また別の実施の形態として、２層以上のルーティング層を備えた構成とすることも可能である。その具体例を挙げるならば、例えば、１つの実施の形態においては、接続受け基板を２層のルーティング層を含むものとしている。更にその他の構成の実施の形態とすることも可能である。
【００２１】
図２は、トランスレータ１００（図１に示したトランスレータ）を用いて構成することのできる１つの実施の形態に係るテスター（試験装置）２００のブロック図である。このテスター２００は、テスター・メインフレーム２０２と、テスト・ヘッド２０８とを備えており、それらは互いの間で通信を行うようにしてある。テスト・ヘッド２０８は、インターフェース・ボード２０６に接続されている。様々な実施の形態のうちには、テスト・ヘッド２０８が送出する信号を、トランスレータ（図２では不図示）を介してインターフェース・ボード２０６へルーティングするようにしたものがある。図２に示した実施の形態においては、インターフェース・ボード２０６は、デバイス・インターフェース・ボード（ＤＩＢ）として構成されている。使用時には、被検体デバイス（ＤＵＴ）２０４の試験を行うために、インターフェース・ボード２０６をＤＵＴ２０４に電気的に接続する。より具体的な例を挙げるならば、例えば、テスター２００は、集積回路の試験を行うための自動試験装置（ＡＴＥ）システムなどであり、ＤＵＴ２０４は、集積回路をはじめとする半導体デバイスなどである。様々な実施の形態のうちには、テスト・ヘッド２０８が送出する信号をトランスレータ（図２では不図示）を介してインターフェース基板２０６へルーティングするようにしたものがある。
【００２２】
テスター・メインフレーム２０２は、試験信号を生成する回路と試験信号を評価する回路とを含んでいる。テスター・メインフレーム２０２は、テスト・ヘッド２０８及びインターフェース・ボード２０６を介して、ＤＵＴ２０４への試験信号の送出とＤＵＴ２０４からの試験信号の受信とを行う。ＤＵＴ２０４は、被検体である集積回路を含むパッケージングされたシリコン・ダイであることもある。また別の実施の形態として、インターフェース・ボード２０６が、プローブ・インターフェース・ボードであって、ＤＵＴ２０４が、被検体である集積回路を含む半導体ウェーハであることもある。
【００２３】
以上に本発明をその様々な実施の形態に即して説明したが、当業者であれば様々な変更形態にも想到するのは当然のことである。従って本発明は、特許請求の範囲に必須の要件として記載しているのでない限り、以上に開示した様々な実施の形態に限定されるものではない。以上に説明した１つまたは幾つかの実施の形態は、本明細書に記載した様々な利点のうちの１つまたは幾つかを備えたものである。以上の説明を参照することによって、更にその他の利点についても明瞭に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】１つの実施の形態に係るトランスレータの断面側面図を模式図として示した図である。
【図２】トランスレータを用いて構成することのできる１つの実施の形態に係るテスターのブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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