(57)【要約】  規則正しく繰り返すパターンを基板上に形成する方法は、処理される基板の表面上にレジストを塗布するステップと；適切な現像溶液内でレジストをほぼ溶解可能にするレジスト内の化学変化を引き起こすように、パターンを描写する、適切なマスクと、次に、合焦レンズとを通過してレジスト上に達するようにされた紫外（「ＵＶ」）光ビームに、レジストを露光することによって形成されるパターンを塗布されたレジスト上にインプリントするステップであって；インプリントするステップは、ビームとレンズに関して固定して保持された、基板の全体エリアの小さいエリアだけを表すマスクを使用し、また、単一の短いＵＶ放射パルスであって、放射パルスは、レジストのアブレーション用のしきい値より小さいエネルギー密度を基板において有する、単一の短いＵＶ放射パルスを、マスクを照射するために各ステップにおいて使用する、反復する一連の離散露光ステップで実施され；また、一連の離散露光ステップは、複数の画素からなる全構造を与えるように、基板上に形成される構造の１つの軸に平行な方向に基板を移動させ、基板が、基板上の繰り返すパターンの周期の全数に等しい距離にわたって移動した瞬間に、パルス状マスク照射光源を起動することによって、基板の表面の全エリアにわたって繰り返される、インプリントするステップと；露光されたレジストを現像液で処理するステップであって、それにより、露光領域（ポジティブ・レジスト用）または未露光領域（ネガティブ・レジスト用）は、現像溶液によって、溶解され、その後、洗浄されて、残りのレジストによって形成されたパターンが現れる、処理するステップと；レジストの無いエリアの基板を除去する、適切な化学エッチング溶液、反応性プラズマ、またはアブレーシブ粒子によって基板を処理するステップと；適切な溶媒によって、基板から残りのレジストを除去するステップであって、それにより、完成したパターニングされた基板が残る、除去するステップとを含む。本発明は、さらに、上述した方法を実施するスキャニング露光装置を備える。
2008529079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
規則正しく繰り返すパターンを基板上に形成する方法において、
１  処理される基板の表面上にレジストを塗布するステップと、
２  適切な現像溶液内で前記レジストを溶解可能にする前記レジスト内の化学変化を引き起こすように、パターンを描写する適切なマスクを通過し、次に、合焦レンズを通過して前記レジスト上に達するようにされた紫外（「ＵＶ」）光ビームに、前記レジストを露光することによって形成される前記パターンを、前記塗布されたレジスト上にインプリントするステップであって、
（ｉ）前記ビームと前記レンズに対して固定して保持され、前記基板の全体エリアの小さなエリアだけを表すマスクを使用し、かつ、前記レジストのアブレーション用のしきい値より小さいエネルギー密度を前記基板において有する単一の短いＵＶ放射パルスを、前記マスクを照射するために各ステップにおいて使用する、反復する一連の離散露光ステップで実施され、また、
（ii）前記一連の離散露光ステップは、複数の画素からなる全構造を与えるために、基板上に形成される前記構造の１つの軸に平行な方向に前記基板を移動させ、前記基板が、前記基板上の前記繰り返すパターンの周期の全数に等しい距離にわたって移動した瞬間に、パルス状マスク照射光源を起動させることによって、前記基板の表面の全エリアにわたって繰り返される、インプリントするステップと、
３  露光領域（ポジティブ・レジスト用）または未露光領域（ネガティブ・レジスト用）が、前記現像溶液によって、溶解され、その後、洗浄されて、残りのレジストによって形成された前記パターンが現れるように、前記露光されたレジストを現像液で処理するステップと、
４  レジストの無いエリアで前記基板を除去する、適切な化学エッチング溶液、反応性プラズマ、またはアブレーシブ粒子によって前記基板を処理するステップと、
５  完成したパターニングされた基板が残るように、適切な溶媒によって、前記基板から残りのレジストを除去するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記インプリントする段階中、前記基板が移動する方向に平行な方向における、前記基板の照射エリアのサイズは、前記照射エリア下を前記基板が通過した後に、前記レジストのそれぞれの部分が、十分な数の放射パルスを受け、それにより、所与の照射エリア上でのＵＶ放射の合計ドーズが、前記レジストを完全に露光するのに適切であることを実現するのに十分である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インプリントする段階は、前記マスク・パターンを前記基板上に転写するための、光学投影システムを利用する先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記マスクは、前記基板上の全パターンの小さなエリアと同じサイズであり、前記インプリントする段階中、前記マスクは、パックに前記マスクを取り付けることによって前記基板に非常に近接して保持され、前記マスクは、前記パックから放出される空気流によって前記移動基板の表面上で浮遊させられる先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ＵＶ光源はエキシマ・レーザである先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記インプリントする段階中、前記基板上の露光されるエリアの縁は、前記マスクの表面の近くに配置された可動ブレードによって区画される先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記インプリントする段階中、前記基板は、一連の平行帯状部で露光され、前記帯状部が重なり合う領域における、ＵＶ放射を照射するドーズは、スキャニング方向に平行な前記照射ビームの両側を物理的に成形することによって制御される請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記インプリントする段階中、前記基板は、一連の平行帯状部で露光され、前記帯状部が重なり合う領域におけるＵＶ放射を照射するドーズは、基板スキャニング方向に垂直な方向に可変透過プロファイルを有する付加的なマスクを使用することによって制御される請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
先行する請求項のいずれか一項に記載の方法を実施するスキャニング露光装置。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか一項に記載の方法によって形成される製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法および装置に関する。本発明は、特に、フラット・パネル・ディスプレイの製造で使用される大面積ガラス基板を処理するためのフォトレジスト露光の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラット・パネル・ディスプレイ（「ＦＰＤ」）の製造は、フォトレジストを使用してマスクからリソグラフィ・パターンを転写することを含む数多くのプロセス・ステップを必要とする。
【０００３】
基板上にパターンを形成するための、知られている方法は、
（１）処理される基板の表面上にレジストを塗布するステップと、
（２）適切な現像溶液内で多くまたは少なく溶解可能となる化学変化をレジストに引き起こさせるように、パターンを描くのに適切なマスクを透過する紫外線をレジストに露光させることによって形成されるパターンを、塗布されたレジストにインプリントするステップと、
（３）レジストの露光領域（ポジティブ・レジスト用）または未露光領域（ネガティブ・レジスト用）が、現像溶液によって溶解され、その後、洗浄されて、残りのレジストによるパターンが現れるように、露光されたレジストを現像液で処理するステップと、
（４）レジストの無いエリアの基板を除去する、適切な化学エッチング溶液、反応性プラズマ、またはさらにアブレーシブ粒子の噴射によって基板を処理するステップと、
（５）完成したパターニングされた基板が残るように、適切な溶媒によって、基板から残りのレジストを除去するステップとを含む。
【０００４】
プラズマ・ディスプレイ・パネル（「ＰＤＰ」）の前面プレート用のガラス・シート上に酸化インジウム−酸化錫系（「ＩＴＯ」）コーティングの複雑な電極パターンを形成するために、以下のステップを行うことが知られている。
１．フォトレジスト層（しばしば、積層ドライ・フィルムの形態）が、ＩＴＯの表面に塗布される。
２．複雑な電極パターンが、適切なマスクを通した露光によってレジストにインプリントされる。このプロセスのために使用される紫外（「ＵＶ」）光は、適切な現像溶液内でレジストをほぼ溶解可能にするレジスト内の化学変化を引き起こす。
３．露光された基板が現像液内で処理される。レジストの、露光部分（ポジティブ・レジスト用）または未露光部分（ネガティブ・レジスト用）は、現像溶液によって、溶解され洗浄されて、ＩＴＯ表面の上部のレジスト内に「マスク」パターンが残る。
４．レジストの無いエリアからＩＴＯを溶解させる適切な化学薬品（または、プラズマ）によって基板が処理される。
５．最後に、残りのレジスト層が剥離されて、完成したパターニングされたデバイスが残る。
【０００５】
このタイプのリソグラフィ・プロセスが、ＦＰＤのために使用する種々の金属層、半導電層、絶縁層、その他の層をパターニングするために、数回繰り返される。
【０００６】
従来から、ＦＰＤの場合、このプロセスは、近接マスクを使用するか、または、光学系を使用してマスク・パターンを投影することによって行われていた。
【０００７】
近接マスク・プロセス
必要とされるパターンを組み込むマスクは、レジストに非常に近接して保持され、その結果、マスクに形成されるパターンは、レジスト上に投影される像と同じサイズでなければならない。レジスト表面上へのマスク・パターンの正確な光学転写を確保するために、マスクとレジストとの隙間は、小さく（たとえば、＜０.１ｍｍ）、また、露光エリアにわたって一定に保持されなければならない。露光に使用されるＵＶ光は、十分にコリメートされていなければならず、また、均一なレジスト露光ドーズを与えるために、全マスク・エリアにわたって同じ強度でなければならない。（通常、３６５ｎｍ（ｉ線）の波長の）ＵＶ放射を通過させるために、マスクは、ＵＶ透過性溶融シリカ製でなければならない。こうした近接露光技術は、機器要求の点で、それほど複雑でないが、隙間と均一性の制御が難しいため、レジスト・パターンの変動が大きくなる可能性があり、パターンの欠陥をもたらす（すなわち、収率が低い）。マスクの寿命はまた、不断の移動と操作が急速な汚染を引き起こすため低い。それでも、近接露光は、現在、ＰＤＰなどの実際に大きなＦＰＤ用の利用可能なレジスト露光の唯一のマスク転写方法である。
【０００８】
投影露光プロセス
この場合、マスクは、基板からかなり離れているため、汚染の問題が回避される。その結果、マスク像をレジスト表面に中継するために、光学系が使用されなければならない。投影露光装置は、像を中継するために、マスクと基板との間にレンズまたはミラー光学系を有する。これらは、全ＦＰＤパターンの一部を投影するのに使用され、基板において大面積の像を構築するために、ステップ・アンド・リピート・モードで動作させることができるが、大きなＦＰＤの場合、スキャニング・モードで動作するユニティ（１倍）結像システムによって、マスクから基板へ全パターンを転写することがより一般的である。
【０００９】
この場合、マスクと基板は、同じ機械構造上に取り付けられ、一緒に移動する。マスクの小さいエリアだけが、任意所与の時刻にＵＶ光によって照射されるが、マスクと基板を一緒にした、単一の１次元スキャンまたは反復する２次元ラスタ・スキャンを実施することによって、デバイスの全エリアが露光される。
【００１０】
いくつかの会社は、ＦＰＤを製造するスキャニング露光装置を提供する。全ての場合、倍率は１であり、したがって、マスクは、露光されなければならないＦＰＤデバイスと同じ大きさでなければならない。たとえば、米国の、Ｔａｍａｒａｋ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｃｏｍｐａｎｙ  ＩｎｃおよびＡｎｖｉｋ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎは、２Ｄラスタ・スキャン・モードで動作するＦＰＤ用１倍露光装置を製造している。Ｔａｍａｒａｋは、通常、３６５ｎｍ（ｉ線）波長で動作することが多い、ＵＶ放射源として高圧水銀ランプを使用し、一方、Ａｎｖｉｋは、ＵＶ放射源として３５１ｎｍ（ＸｅＦ）で動作するエキシマ・レーザを使用する。
【００１１】
露光動作の速度を速めるために、いくつかの作業を並列に行うように、光学レンズ系の数を増やすことが可能である。適切な平行光学部品の使用によって、全デバイス幅の露光は、マスクと基板の単一のリニア・スキャンによって達成することができる。この動作方法の例は、７個までの平行レンズを利用する、Ｎｉｋｏｎ  ＦＸ−５１Ｓ／６１ＳシリーズのＦＰＤ露光装置である。ＵＶ放射源として、水銀ランプが使用される。
【００１２】
複数レンズに対する代替法として、全像幅を単一リニア（１−Ｄ）スキャンで転写するのに十分に大きな視野を有する反射光学系を使用することが可能である。Ｃａｎｏｎ  Ｉｎｃは、ユニティ（１倍）倍率大視野投影結像システムのベースとして大きな（８００ｍｍ直径）ミラーを使用するＦＰＤ用露光装置を製造している。この装置は、マスクと基板の１回のリニア・スキャンで、３２インチＦＰＤに相当する基板を露光することができる。この装置は、ＵＶ源として水銀ランプを使用する。
【００１３】
先の例によって例示された現在の露光法に共通の特徴は、露光法が、露光されるデバイスと同じサイズのマスクを使用することである。こうした手法は、容易に入手可能な８００×９２０ｍｍまでのマスク・サイズを有する小さなＰＦＤの露光について十分である。しかし、ＦＰＤディスプレイが、大きくなる、たとえば、４０インチ（１０００ｍｍ）以上の対角長になるにつれ、また、特に、６０インチ（１５００ｍｍ）以上の対角長を超えるサイズが必要とされるＰＤＰの場合、適切な１倍マスクの提供が難しく、費用がかかる。
【００１４】
ウェハ上での集積回路（「ＩＣ」）の作製の場合、縮小フォトレジスト露光装置が使用される。通常、こうした装置は、投影される像サイズより４倍〜５倍大きなマスクを有する。したがって、光学系は、４分の１〜５分の１の縮小率を有するレンズからなる。こうした装置は、ステップ・アンド・リピートまたはステップ・アンド・スキャン・モードで動作することができる。後者の場合、スキャン・モード時には、マスクは、ウェハより４倍または５倍速い速度で、また、ＩＣデバイス・サイズより４倍または５倍長い距離にわたって移動しなければならない。マスク・ステージとウェハ・ステージの動きは、ＣＮＣサーボ・システムを使用して、非常に密接にリンクし、かつ、同期しなければならない。ほとんど全ての場合、スキャニングは、１次元においてだけである。それは、レンズの視野が、ＩＣデバイスの全幅をカバーする設計をプリントするのに十分であるためである。ウェハは、全ウェハ・エリアがカバーされるように、ＩＣデバイス・ロケーション間をステップ移動する。こうした装置用のマスク・サイズは、通常、サイズがわずか６×６インチ（１５２×１５２ｍｍ）であり、スキャニング・モードの４分の１縮小において、マスクが、長さ約３５ｍｍまでのＩＣデバイスをプリントすることができることを意味する。このサイズは、ＩＣデバイス製造にとって十分である。こうした装置の例は、２６×３３ｍｍのＩＣデバイス・エリアをスキャニングすることができるＡＳＭＬ  ＰＡＳ５５００／４００Ｅである。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の態様によれば、規則正しく繰り返すパターンを基板上に形成する方法が提供され、本方法は、
１  処理される基板の表面上にレジストを塗布するステップと、
２  適切な現像溶液内でレジストをほぼ溶解可能にするようにレジスト内に化学変化を引き起こすように、パターンを描写する適切なマスクと、次に、合焦レンズとを通過してレジスト上に達するようにされた紫外（「ＵＶ」）光ビームに、レジストを露光することによって、形成されるパターンを塗布されたレジスト上にインプリントするステップであって、
（ｉ）ビームとレンズに対して固定して保持された、基板の全体エリアの小さなエリアだけを表すマスクを使用し、また、レジストのアブレーション用のしきい値より小さいエネルギー密度を基板において有する単一の短いＵＶ放射パルスを、マスクを照射するために各ステップにおいて使用する、反復する一連の離散露光ステップで実施され、また、
（ii）一連の離散露光ステップは、複数の画素からなる全構造を与えるために、基板上に形成される構造の１つの軸に平行な方向に基板を移動させ、基板が、基板上の繰り返すパターンの周期の全数に等しい距離にわたって移動した瞬間に、パルス状マスク照射光源を起動させることによって、基板の表面の全エリアにわたって繰り返される、インプリントするステップと、
３  露光されたレジストを現像液で処理するステップであって、それにより、露光領域（ポジティブ・レジスト用）または未露光領域（ネガティブ・レジスト用）は、現像溶液によって溶解され、その後、洗浄されて、残りのレジストによって形成されたパターンが現れるステップと、
４  レジストの無いエリアで基板を除去する、適切な化学エッチング溶液、反応性プラズマ、またはアブレーシブ粒子によって基板を処理するステップと、
５  完成したパターニングされた基板が残るように、適切な溶媒によって、基板から残りのレジストを除去するステップとを含む。
【００１６】
本発明の第１の態様の第１の好ましいバージョンによれば、インプリントする段階中、基板が移動する方向に平行な方向における、基板の照射エリアのサイズは、照射エリア下を基板が通過した後に、レジストのそれぞれの部分が、十分な数の放射パルスを受け、それにより、所与の照射エリア上でのＵＶ放射の合計ドーズが、レジストを完全に露光するのに適切であることを実現するのに十分である。
【００１７】
本発明の第１の態様の第２の好ましいバージョンまたは第１の好ましいバージョンによれば、インプリントする段階は、マスク・パターンを基板上に転写するための、光学投影システムを利用する。
【００１８】
本発明の第１の態様の第３の好ましいバージョンまたは任意の先行する好ましいバージョンによれば、マスクは、基板上の全パターンの小さなエリアと同じサイズであり、インプリントする段階中、マスクは、パックにマスクを取り付けることによって前記基板の非常に近接して保持され、マスクは、パックから放出される空気流によって移動基板の表面上で浮遊させられる。
【００１９】
本発明の第１の態様の第４の好ましいバージョンまたは任意の先行する好ましいバージョンによれば、ＵＶ光源はエキシマ・レーザである。
【００２０】
本発明の第１の態様の第５の好ましいバージョンまたは任意の先行する好ましいバージョンによれば、インプリントする段階中、基板上の露光されるエリアの縁は、マスクの表面の近くに配置された可動ブレードによって区画される。
【００２１】
本発明の第１の態様の第６の好ましいバージョンまたは先行する好ましい第１から第４のバージョンのいずれかのバージョンによれば、インプリントする段階中、基板は、一連の平行帯状部で露光され、帯状部が重なり合う領域における、ＵＶ放射を照射するドーズは、スキャニング方向に平行な照射ビームの両側を物理的に成形することによって制御される。
【００２２】
本発明の第１の態様の第７の好ましいバージョンまたは先行する好ましい第１から第４のバージョンのいずれかのバージョンによれば、インプリントする段階中、基板は、一連の平行帯状部で露光され、帯状部が重なり合う領域における、ＵＶ放射を照射するドーズは、基板スキャニング方向に垂直な方向に可変透過プロファイルを有する付加的なマスクを使用することによって制御される。
【００２３】
本発明の第２の態様によれば、第１態様または第１態様の先行する好ましいバージョンのいずれかの方法を実施するスキャニング露光装置が提供される。
【００２４】
本発明の第３の態様によれば、第１態様または第１態様の先行する好ましいバージョンのいずれかの方法によって形成される製品が提供される。
【００２５】
本発明は、小さいマスクだけを使用して、大面積ＦＰＤにわたって、高分解能で、密で、規則正しく繰り返す構造を生み出すための、レジストを露光する新規な光学投影方法に関する。光学系は、像が、マスクと比較して縮小したサイズである点で、半導体レジスト露光装置において見出される光学系にほぼ類似するが、適切である場合、拡大投影システムを使用することができるように、ユニティ（１×）投影システムも使用することができる。本発明は、レジスト露光放射を作るために、ＵＶエキシマ・レーザなどのパルス状光源の使用に依存している。マスクは、露光プロセス中、固定したままであり、一方、レジスト・コーティングされたＦＰＤ基板は投影レンズの像平面を通して連続して移動する。
【００２６】
このプロセスの実施を有効にする鍵は、露光されるパターンが、基板がスキャニングされる方向に一定のピッチを有すること、および、基板が、連続する露光パルス間の時間内に構造ピッチ（の倍数）にちょうど等しい距離だけ移動するような、まさに正確な時刻に、光源が起動されることである。本発明者等は、このプロセスを同期化像スキャニング（ＳＩＳ）と呼ぶ。それは、光源のトリガー動作、したがって、ＦＰＤ基板上での露光用像の作成が、基板の動きと正確に同期し、それにより、連続する像が、構造の整数のピッチだけ変位するからである。
【００２７】
ＳＩＳプロセスは、照射源が高出力レーザであり、各レーザ・パルス上の像面におけるエネルギー密度が、材料のアブレーションしきい値を超えるのに十分であるときに、材料の直接アブレーションに使用することもできる。こうしたＳＩＳアブレーション・プロセスを使用して、ＦＰＤ、また同様に、長いインク・ジェット・プリンタ・ノズルの作成用などの多くの他の用途に使用される材料の深い繰り返し構造を作ることができる。本開示では、本発明者等は、エネルギー密度は低いが、本明細書で説明される全ての原理が、高いエネルギー密度を使用した直接材料アブレーションに適切である、レジスト露光プロセスを主に扱う。
【００２８】
ＳＩＳ露光（または、アブレーション・プロセス）が、ＦＰＤに適切な構造の作成に有効であるために、いくつかの基本的な条件が必要である。これらは、以下に挙げられる。
【００２９】
第１に、光学マスク投影システムは、適切な分解能と視野サイズを有する必要がある。一般に、ＦＰＤで必要とされる最も微細な構造は、サイズが数ミクロンであり、それにより、１〜数ミクロンの範囲の光学分解能が必要とされる。こうした値は、特に、ＵＶ領域で、レーザ・アブレーションについて現在一般的に使用されるレンズを用いて容易に達成できる。こうしたレンズは、通常、１×によって、ＦＰＤ上でマスク・パターンを縮小（減少）し、拡大ラインも使用することができる。分解能と波長の組合せは、レンズ開口数（ＮＡ）が、通常、０.０５〜０.２の範囲にある必要があるという要件に通じる。こうしたレンズの視野サイズは、数ｍｍから５０ｍｍを超える範囲にある。こうした値は、本明細書で説明されるＳＩＳ露光プロセスに適する。レンズ縮小係数は、好都合な任意の値でよいが、パルス状光源（通常、レーザ）が使用されることを念頭におくと、マスクにおけるエネルギー密度が非常に小さくなるように、マスクの縮小像を作るレンズを使用することが望ましい。一般に、１／１．５倍〜１／５倍の範囲のレンズ縮小係数が使用されるが、分解能要求が満たされ、また、マスクにおけるエネルギー密度が十分に小さい場合、ユニティ（１×）倍率やさらに拡大レンズを有するレンズを使用することもできる。
【００３０】
第２に、露光用放射を作る光源は、継続時間が十分に短いことが重要である。露光される基板が連続して移動し、光パルスが、作成される像がボケないように基板の動きを「フリーズ」するのに十分に短い必要があるために、これは重要である。１ｍ／秒までの速度で移動するシートが、像ボケを１ミクロン未満に制限するためには、パルス状光源が、わずか１マイクロ秒（１０-6秒）の継続時間であることを必要とする。こうした理由で、パルス状レーザが理想的な光源になる。それは、放出パルスが、継続時間において１マイクロ秒を十分に下回り、それにより、高速で移動する基板上においてさえも、像ボケ効果が全く見られないからである。ＵＶエキシマ・レーザは、一般的なレジストを容易に露光することができる波長でパルスを放出し、好都合に低い繰り返しレート（数Ｈｚ〜数ｋＨｚ）を有するため、ＵＶエキシマ・レーザは、特に良好な光源である。これは、サイズが１ｍｍの数分の１（たとえば、５０μｍ）から１ｍｍを超えるまでの範囲の構造ピッチを有するＦＰＤを、適度のステージ速度で、このＳＩＳ露光方法によって処理できることを意味する。例として、１００μｍピッチを有する構造を、３００Ｈｚのレーザ発射によって処理でき、この時、基板がわずか６０ｍｍ／秒で移動する状態で、像が、２番目ごとの構造ピッチに重なり合うように、発射が同期をとられる。
【００３１】
このＳＩＳ露光プロセスの実施を有効にする第３の基本的な要件は、レーザ発射が、ステージの動きに関して正確にタイミングをとられなければならないことである。これは、ステージが、高い分解能のエンコーダを装備され、再現性が高い必要があることを意味する。これはまた、（サーボ制御ループ遅延による）ステージ速度の小さな変化が、露光用像の正確な位置決めに影響を及ぼさないように、ステージ・エンコーダ信号からレーザ発射パルスを生成するために、高速でかつジッタの無い制御電子部品が必要とされることを意味する。こうした電子部品は、標準的なＣＮＣステージ制御システム（たとえば、ＰＳ０レーザ発射電子部品を有するＡｅｒｏｔｅｃｈ  Ｕ５００）において容易に入手可能である。
【００３２】
ＳＩＳ露光を有効にする第４の重要な条件は、各レーザ・パルスによって像面に作られる放射のエネルギー密度が、レジストの直接アブレーションを引き起こすのに必要とされるしきい値エネルギー密度未満であることである。ＦＰＤ製造に使用される典型的なレジストは、ＵＶ領域（たとえば、３５１ｎｍ）での露光用に設計されるため、レジスト層の底部が完全に露光されるように、かなりの量のＵＶの放射を透過する。この条件は、アブレーションしきい値密度が、比較的高い値（たとえば、数百ｍＪ／ｃｍ2）であることを示唆する。この値は、レジストの吸収が増加するため、露光用波長が減少するにつれて減少するであろう。したがって、レジストのアブレーションの可能性を回避するために、露光用エネルギー密度を数Ｊ／ｃｍ2〜数十Ｊ／ｃｍ2の範囲に維持することが望ましい。ＦＰＤの製造で通常使用される、レジストを露光するのに必要とされるドーズは、数十Ｊ／ｃｍ2から数百Ｊ／ｃｍ2の範囲にあるため、このＳＩＳ法によってレジストを完全に露光するために、多くのアブレーションしきい値以下のプロセスが、必要とされることが明らかである。典型的なパルス数は、数個から数十個の範囲にある。この結果として、スキャニング継続時間内の像サイズが、露光される構造内で少なくともこの数のピッチをカバーする必要がある。例として、１００μｍピッチを有する構造を完全に露光するために、それぞれが５Ｊ／ｃｍ2の少なくとも２０パルスが必要とされる場合、スキャニング方向のビーム幅は、連続する露光用像が、１ピッチだけ変位する場合、少なくとも２ｍｍでなければならない。像が、たとえば、２ピッチだけ変位する場合、ビームは、４ｍｍの幅を有する必要がある。
【００３３】
したがって、このＳＩＳ露光プロセスを最もよく使用するための想定される方法は、ＦＰＤ表面に固定マスクの像を作ることであり、ＦＰＤ表面は、次に、ＦＰＤの１つの軸にわたるレジストの帯状部を露光するために光学投影システムの下で移動する。１つの帯状部が露光された後、基板が横にステップ移動し、最初の帯状部に隣接する別の帯状部が露光される。明らかに、横ステップ移動距離は、ステップ移動方向の整数の構造ピッチでなければならず、それにより、２回目に露光される帯状部構造は、最初の帯状部に正確に一致する。一般に、露光される各帯状部の幅は、全てのスキャンが終了したときに、ＦＰＤの全エリアが露光されているようなものであるべきである。これは、望ましいが、後で説明するように必須ではない。
【００３４】
ＦＰＤ  ＳＩＳ露光プロセスの速度を最大にするために、平行スキャンの総数を減らすこと、および、可能な限り速い速度でＦＰＤを移動させることが必要である。前者の要求は、出来る限り幅広の像を作ることによって満たされるが、これは、適切なレンズの可用性によって制限される。可能な限り速い速度でのスキャンに対する要求は、２つの方法で満たされる。
【００３５】
第１に、ＦＰＤの画素は、通常、ほぼ四角形であり、３つの同じ下位画素からなるため、各下位画素またはセルは、３：１に近いアスペクト比を有する長方形である。ＳＩＳ露光プロセスは、ＦＰＤが整数（１または複数）だけ移動することを必要とするため、セルの長軸に平行な方向に明確にスキャニングするレーザ・パルス間のセルは、セルの短軸方向よりほぼ３倍速いスキャン速度に通じる。
【００３６】
第２に、露光と露光の間に２セル長以上、ＦＰＤを移動させることによって、スキャン速度を増加させることが可能である。スキャン速度を増加させるために、２、３、またはそれ以上の移動を使用することができる。露光用パルスの間で移動する距離を増加した結果として、ＦＰＤにおける露光用ビームは、スキャン方向でサイズが増加する。例として、０.６×０.６ｍｍの画素サイズを有するＦＰＤを考える。各画素は、それぞれが、サイズが０.６×０.２ｍｍである３つのセルに分割される。３００Ｈｚのレーザ発射が使用され、ＦＰＤが、セルの短軸方向にスキャニングされる場合、６０ｍｍ／秒のスキャン速度が達成される。セルの長軸に平行な、直交方向のスキャニングは、速度を３倍増加させて、１８０ｍｍ／秒にする。露光パルスとパルスの間で２セル長移動させることによって、速度は、さらに３６０ｍｍ／秒に増加する。
【００３７】
ＦＰＤの各エリアが複数のパルスを受け取るという要求は、スキャン方向のビーム・サイズが、セル長と、パルス間での移動するセル数と、各エリアによって要求される露光用パルスの数との積によって与えられることを意味する。０.６ｍｍのセル長と、パルス間に２セル長の移動を有する上記例の場合、レジスト内で正確なドーズを達成するために、２０パルスが必要とされる場合、スキャン方向のビーム・サイズは２４ｍｍである。したがって、このＳＩＳ露光プロセスで使用されるビーム形状は、非常にしばしば、四角形に近いが、これは、必須ではない。
【００３８】
帯状部のスキャニングでレジストを露光するとき、帯状部間の境界においてドーズの不連続性が、確実に存在しないようにするために、大きな注意が払われなければならない。レジストに当てるＵＶ放射ドーズの変動は、現像後に残る残留レジストのライン幅の変動をもたらす。こうしたライン幅の変動は、その後のエッチング・プロセス中に、レジストの下の活性デバイス層の許容できない対応するライン幅変動を生じる。こうしたスキャン境界ライン幅不連続性は、「ステッチング・エラー」と呼ばれることがある。これらのドーズの不連続性をなくすことは、マスクを照射する放射パターンの正確な制御によって達成される。これは、２つの方法によって達成することができる。
【００３９】
１つの場合、適切な形状の固定開口が、マスクの直前の均一なＵＶ放射経路内に設置される。この開口は、マスク表面、相応して、レジスト表面に当たる均一放射パターンの形状を決める。不連続性が、スキャニング視野間の境界において、確実に起こらないようにするために、傾斜縁部を有する開口が使用される。開口は、傾斜縁部が、マスク（および基板）がスキャニングされる方向に対応するように整列する。適切な形状の例は、スキャニング方向に沿って整列した２つの傾斜側面を有する台形である。マスクにおけるこうした開口は、マスクと基板のリニア・スキャンが実施されるときに、露光エリアの両側に露光ドーズの減少を生じる。隣接するスキャンは、これらの強度減少領域が、重なり合うことを可能にする。開口の幅と傾斜を注意深く調整することによって、隣接するスキャン視野間の各境界にわたる全体のドーズは、ドーズの不連続性がないように調整される。
【００４０】
米国特許第５，２８５，２３６（１９９４年）は、大面積スキャニングＦＰＤ露光装置において、基板上のレジストを露光するのに使用される放射パターンを決めるために、等辺等角の六角形開口の使用を実現する。六角形の平行な辺の２つに垂直な方向にスキャニングし、また、隣接するスキャン帯状部を、六角形の辺の長さの１．５倍に等しい距離だけ離間させることによって、均一なドーズがレジストに加えられ、「ステッチング・エラー」がなくなる。しかし、本発明は、不規則な長さの辺を有する、台形、四角形、三角形、または六角形などの特定の開口形状の使用や複数の開口形状の使用に制限されない。任意の開口の基本的な特徴は、開口が、スキャン方向に平行に延びる中心線に対して対称に成形されなければならないことである。
【００４１】
スキャン境界にわたるドーズの連続性を確保する他の方法は、その開口にわたって適切に変動する透過プロファイルを有する第２のマスク（固定マスク）の近くにパターン・マスクを設置することによって、パターン・マスクに当たる放射強度を制御することである。適切なプロファイルは、中央セクションにおいて均一の高い透過度を有し、透過度がゼロに低下する側部領域を有するであろう。透過プロファイルとこれらの側面領域の幅は、多くの形態を有することができるが、放射透過プロファイルが、スキャン方向に平行な中心線に対して対象であることが重要である。これは、マスクの一方の側のプロファイルと幅が、他の側のプロファイルと幅と同じであることを意味する。透過が、中心ピーク値の半分に低下する地点間の距離によって規定されるマスク・パターンの幅は、（パターン・マスクにおける）スキャン帯状部間の距離にちょうど等しいことも重要である。
【００４２】
こうした変動する透過マスクは、しばしば、「アポダイジング・マスク」として知られ、他の光学用途ではよく知られている。こうしたマスクを作る１つの方法は、シリカ・プレート上でクロム層内に、微細な「ハーフ・トーン」構造を作ることである。
【００４３】
スキャン方向におけるＦＰＤデバイスのちょうど２つの境界までの露光ドーズの均一性の制御は、重要な問題である。これは、スキャン方向のビーム幅が、各レーザ・パルスに関して多くの構造が露光されるようなものであるため、このＳＩＳ露光プロセスの場合に可能性のある問題である。露光用レーザのトリガー動作が、ＦＰＤの境界で突然停止する場合、送出されたドーズが不十分であるような、像にわたって広がるエリアが存在するであろう。この帯状部は、スキャン方向の像と同じ幅であることになり、この距離にわたる露光ドーズは、ゼロから最大値まで変わることになる。明らかに、これは、非常に望ましくないため、これを防止する方法が必要とされる。
【００４４】
スキャン帯状部境界領域における精密な均一性を制御するために、この方向で使用されるビームの成形された縁部のために、同じ問題が、ＦＰＤの側に存在する。ＦＰＤを露光するのに使用される一番端のスキャン帯状部の外側縁部において、ビームの端部上で、傾斜構造の幅に等しい幅を有する、部分的に露光される領域が作られることになる。この領域では、露光は、最大限の値からゼロになることになる。明らかに、これは、非常に望ましくないため、それを制御する方法が必要とされる。
【００４５】
述べられた縁部問題は共に、境界領域において放射を覆い隠すために、ビーム内に移動する、マスクの近くに位置決めされたブレードの使用を含む、同じ方法によって解決される。ブレードは、モータ駆動式で、かつ、ステージ制御システムから制御されるため、プロセス中の正確な時間にビーム内に駆動される。ブレードは、平坦面がマスクの表面に平行になるように配向され、ブレード縁部が、基板表面上に正確に結像されるように、マスク表面の非常に近くに配置される。全部で４つのブレードが必要とされ、１つのブレードが４つの基板境界のそれぞれ１つに対処する。実際には、ブレードは、分別よく、２軸ＣＮＣステージ・システム上に対で取り付けられ、また、ブレード縁部が、ＦＰＤ（およびマスク）構造パターンに正確に平行になるように設計される。
【００４６】
スキャン方向縁部問題を解決するために、ブレードは、マスクにおいてビーム内に移動して、ＦＰＤ境界が近づくにつれて、ビーム幅が徐々に減少する。これは、ブレードの動きが、主ＦＰＤステージの動きに対して、位置的に正確に同期しなければならないことを意味する。これは、まさに、マスク・ステージをウェハ・ステージにリンクするための標準的なリソグラフィ露光スキャニング装置で使用される方法であるため、制御システムにおいて容易に実施される。ブレードは、明らかに、レンズ倍率による主ステージ速度に関連する距離と速度で移動しなければならない。
【００４７】
側面境界露光制御問題は、一番端のスキャン帯状部が露光されるときに、露光用ビーム上で傾斜縁部を覆い隠すように、ブレードを、マスクにおいて、ビーム内に（スキャン方向に関して）横に移動させることによって解決される。
【００４８】
これらの側面境界ブレードはまた、ＦＰＤ表面上で露光されるエリアの全体幅を制御するのに使用される。全ての帯状部が終了したときに、ＦＰＤデバイスの幅が、ちょうど覆われるように、各スキャン帯状部の幅を設定することが可能である。こうした機構は、プロセス・レートを最大にするが、セットアップするのが複雑である。実際には、全ＦＰＤ幅内にちょうど収まるサイズよりほんのわずかの量だけ（たとえば、１セル幅）広いスキャン帯状部で作業することが好ましい。この場合、外側スキャン帯状部の各外側面上の傾斜を除去するのに使用されるビームを覆い隠すブレードは、その後、さらにビーム内に進んで、ちょうど正確なサイズのＦＰＤを作るために必要とされる幅に、外側スキャン帯状部を「整える」。
【００４９】
先の説明は全て、パターンをマスクからＦＰＤに転写するのに、光学投影システムが使用される場合を参照した。こうした方法は、概説したように、好都合でかつ簡単である。
【００５０】
しかし、一部のＦＰＤ露光状況の場合、開示されたＳＩＳ露光モードにおいて近接マスクを使用することが可能である。ＦＰＤにおける各レーザ・パルスに関するエネルギー密度が、石英マスク上の標準的なクロムを、損傷のリスク無しで使用することができるほどに低い（たとえば、５〜１０ｍＪ／ｃｍ2）ため、こうした技法が可能である。近接マスクＳＩＳ露光プロセスは、適度のサイズ（たとえば、５０×５０ｍｍ未満）の１×マスクを利用する。このマスクは、ＦＰＤ表面の上のわずかな距離（たとえば、５０μｍ）のところに固定して保持され、パルス状放射源からのＵＶ放射によって照射される。像投影の場合について先に説明したように、放射源（すなわち、レーザ）は、正確な時間にパルス駆動され、一方、ＦＰＤは、ＳＩＳプロセスを達成するために、マスクの下で移動する。
【００５１】
明らかに、この近接マスクＳＩＳ技法の最も難しい点は、ＦＰＤが移動するときに、ＦＰＤ表面とマスクとの距離を制御する点である。これは、特許第ＰＣＴ  ＷＯ２００４／０８７３６３Ａ１とＧＢ０４２７１０４．５に記載されるタイプの空気浮遊光学パック・ユニットにマスクを組み込むことによって、実際には、むしろ容易に達成される。こうした機構は、レジストとマスクとの間の５０μｍの隙間を、大面積ＦＰＤに対してさえも通常１０μｍの精度に維持することができることを示した。
【００５２】
投影ＳＩＳ露光の場合と同様に、近接ＳＩＳ露光の場合、帯状部重なり合い露光均一性問題を回避するためのビーム成形開口、および、ＦＰＤ境界を正確に決めるための移動ブレードを使用することも必要である。こうしたデバイスを、それほど困難さを生じずに、マスクの真上の浮遊光学部品ヘッド内に組み込むことができる。適切である場合、単一マスク・デバイス上でパターン形成用マスクとビーム成形用マスクの機能を組み合わせることも可能である。こうした機構は、浮遊光学部品ヘッド内で、より簡単な構成とすることができる。
【００５３】
近接マスクの照射は、分解能の減少を回避するために、ある程度慎重に実施されなければならない。マスクとレジストとの間の隙間が、約５０μｍ〜１００μｍに維持される場合、照射用の放射は、分解能の大幅な減少を回避するために、１０ミリラジアン未満の角度範囲内にコリメートされることが必要である。スキャン帯状部にわたって露光の均一性を確保するために、照射が、スキャン方向に垂直な方向にマスクにわたって確実に均一となるようにすることも必要である。スキャン方向に平行なビーム方向の照射の均一性は、この方向のいずれの不均一性もスキャン運動によって平均化されるため、重大ではない。
【００５４】
正確な角度範囲内でかつ要求される均一性を持ったマスクの照射は、他のリソグラフィ装置やレーザ・アブレーション装置で使用されるタイプの従来のビーム均質化システムによって容易に達成される。一対のシリンダ・レンズ・アレイは、正確な開口を有するように正しく設計される場合で、かつ、マスクから正確な距離に設置されることによって、低い（１０ミリラジアン未満の）ビーム角度を有する１次元的に均一なトップ・ハット・ビーム（急峻な縁を有するビーム）を容易に形成することができる。スキャン方向におけるビーム均質化は、所望であれば、別の対のシリンダ・レンズ・アレイによって可能であるが、これは必須ではない。
【００５５】
本ＳＩＳ露光装置上でマスクを照射するのに使用されるＵＶ放射は、供給源の組からのものでもよい。主要な要件は、波長が、レジストを効率的に露光するための最新の領域内にあること、および、供給源が、像ボケを回避するために、十分に短いパルスを放出しなければならないことである。
【００５６】
本発明に関して使用することができる可能性のあるレーザ源の例は、
ａ）２４８ｎｍ、３０８ｎｍ、または３５１ｎｍで動作するエキシマ・レーザ、
ｂ）３５５ｎｍ、３５１ｎｍ、または２６６ｎｍか、またはその近くで動作するＵＶへの出力放射の変換を有する、活性媒体としてのＮｄに基づく固体レーザ、
ｃ）３７５ｎｍ付近の波長領域で動作するＵＶへの出力放射の変換を有する、活性媒体としてのアレキサンドライトに基づく固体レーザ、
ｄ）３４５ｎｍの近くで動作するＵＶへの出力放射の変換を有する、活性材料としてのルビーに基づく固体レーザ、
ｅ）２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域の放射を生成することができる任意の他の適切な高パワー・レーザ源である。明らかに、全ての場合に、レジストでの均一な露光ドーズを確保するよう、マスクにおいて均一な放射フィールドを作るために、光学系が使用されなければならない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
ＳＩＳ露光装置アーキテクチャの例示的な実施形態を、添付図面、図１、２、３、４、５を参照して、ここで、手短に説明する。
【００５８】
図１
図１は、ＳＩＳ露光方法の原理を示す。フォトレジスト層でコーティングされた基板１は、露光用パルス状放射ビーム３の下で方向Ｙに徐々に移動する。ビームは、ＦＰＤの要求される画素またはセル構造に相当する像をレジスト上に作る。図１では、基板が移動する方向に６画素セルを含む像が示される。したがって、各放射パルスは、６画素幅であるレジストの帯状部を露光する。レーザ・パルスとレーザ・パルスの間に、基板は、ちょうど１セル・ピッチ移動し、それにより、次のパルスが、最初のパターンにちょうど重なり合うが、１セル・ピッチだけ変位したパターンを作る。示す図では、ビームが６セル幅である場合、レジストの各エリアは、６つの放射パルスを受け、その後、ビームから移動する。
【００５９】
図２
図２は、ＳＩＳ投影露光装置用の可能性のある幾何形状を示す。酸化インジウム−酸化錫系（「ＩＴＯ」）または酸化錫（「ＳｎＯ2」）層と適切なレジスト層をコーティングされたガラス基板５は、ＰＤＰの前面プレート、あるいは、ＬＣＤディスプレイのカラー・フィルタ・デバイスで使用されるブラック・マトリクスまたは他のレジストでコーティングされたガラス・プレートを形成するのに使用される。プレート５は、直交するＸ1およびＹ1方向に移動することができる２軸テーブル６上で保持される。転写されるパターンを有するマスク７は、投影レンズ８の上でビーム内に取り付けられる。ビームを覆い隠すブレードは、直交するＸ2およびＹ2方向に移動することができる別の２軸テーブル９上で保持される。テーブル６、９の２つの方向Ｙ1とＹ2（またＸ1とＸ2）は、互いに正確に平行になるようにセットアップされる。
【００６０】
３５１ｎｍ、３０８ｎｍ、２４８ｎｍ、またはさらに１９３ｎｍで動作するエキシマ・レーザからのビーム１０は、マスク７において均一なフィールドを作るように成形され、処理される。マスクの上の開口１１は、マスクの露光領域の形状を決める。この形状は、傾斜縁部を有する。マスク７と開口１１によって提供される照射エリア１２は、（たとえば）２の倍率係数を有する投影レンズ８を使用して基板５上のレジスト表面上に結像される。
【００６１】
動作時、システムは以下の通りに働く。基板は、図２に示されないアライメント・カメラを使用して、回転方向に、また、空間的に位置合わせされる。基板は、その後、一方の縁の方へ移動し、レジスト１３のある帯状部が、方向Ｙ1へのＦＰＤの移動によって露光される。明らかに、これは、縁帯状部であるため、像の一方の側面上の傾斜縁部は、部分的露光を防止するために覆い隠される必要があり、それにより、その縁部がＹ方向に平行であるブレードが、ブレード・ステージをＸ方向に正確な量だけ移動することによってビーム内に移動する。Ｙスキャンのそれぞれの開始時と終了時に、テーブル９に取り付けられたブレードは、方向Ｙでビーム１０内に徐々に移動して、露光エリアの縁部を正確に区画するために、制御された方法で、ビームを覆い隠す。このスキャンを完了した後、ビーム傾斜を覆い隠すブレードは、ビームから除去され、基板は、開口を区画するレンズ・フィールドの形状によるが、露光帯状部の全幅より狭い、ある適切な距離だけ横に（方向Ｘ1に）ステップ移動する。Ｙ1のスキャンは、その後、繰り返される。最後のスキャンの場合、ビーム傾斜縁部を覆い隠すために、適切な側面ブレードが、ビーム内に移動する必要がある。基板を完全に覆った後、プロセスが完了する。
【００６２】
図３
図３は、全ＦＰＤエリアをカバーするのに、１０回のスキャンだけが必要とされる場合を示す。レンズ・フィールドは、実質的に小さく、より多くのスキャンの必要性をもたらす可能性が高い。典型的なレンズ・フィールドは直径が５０ｍｍまでである。台形または傾斜縁部形状を可能にすることは、横ステップ距離が、通常、４０ｍｍに過ぎず、それにより、４２''ＦＰＤの露光を完了するのに、２４回までの繰り返しスキャンが必要とされることを意味する。
【００６３】
図４
図４は、別の可能な露光装置機構を示す。ここで、基板ステージは、複数のＦＰＤを有するガラス・シート１４を露光することができるように、ずっと大きい。基板のサイズがより大きいために、このステージの動きを１つの軸（Ｙ1）に制限することが好都合である。この場合、Ｘ方向における基板に対するビームの動きは、基板にわたって、ガントリ上で、Ｘ方向にステージ上を移動するキャリッジ上にマスクとレンズ・アセンブリを取り付けることによって達成される。スプリット軸を使用するこうした機構は、装置の床面積が減少するため、大きな基板にとって好都合である。
【００６４】
図３はまた、ＦＰＤ基板１５上に２つの露光用エリア（Ａ、Ａ'）を同時に作る２つの平行で同じ光学投影チャネルの使用を示す。こうした機構は、ステージ速度を増加させる必要無しで、総露光時間を減らす。原理上、同時に動作する、３つ以上の平行投影チャネルを有することが可能である。実際の制限は、マスク・ステージとブレード・ステージの近接性ならびに装置の複雑さの増加によって設定されると、現在考えられている。
【００６５】
図２や図３に示すアーキテクチャに対する異なる装置アーキテクチャも可能である。基板が非常に大きい場合、露光中、基板を固定したままにし、要求される全ての動きをマスク平面において起こるようにすることが可能である。この場合、マスクと投影光学部品は、基板の上部の上で、ガントリ上を２軸で移動することができるキャリッジ上に搭載される。
【００６６】
代替の機構は、基板を垂直平面内に保持した状態で動作することである。こうした機構は、図２や図３に示すアーキテクチャの両方に適用可能であるが、図３に示すスプリット軸システムについてより容易に実現される。この場合、露光される（大きな）基板は、その縁部上で保持され、Ｙ1方向に水平に移動することになり、一方、マスク・ステージは、平行なＹ2方向に移動する。各ＦＰＤの長さに沿う露光パターンの移動は、マスク・キャリッジを垂直にＸ1方向にステップ移動し、平行なＸ2方向の移動によって、対応するマスク位置補正を行うことによって達成される。
【００６７】
図５
図５は、近接マスクを使用したＳＩＳ露光プロセスを実現するための可能な機構を示す。作成される構造の１×パターンを有する薄いクロム−オン−石英マスク１６が、空気供給１８が設けられた空気パック１７の底部に保持されている。空気供給１８は、レジスト２０をコーティングされたＦＰＤ基板１９の上に、空気パック１７を浮遊させる。マスクは、マスクとレジストとの間の分離が、一定に保持され、ほぼ、数十ミクロンからせいぜい数百ミクロンの範囲にあるように取り付けられる。パックは、固定であり、基板は、パックの下を正確な速度で移動し、それにより、放射ビーム２１による連続する露光パルスは、画素構造に正確に対応する。ビーム形成開口２２および２軸ブレード・ステージ・アセンブリ２３は、マスク表面に出来る限り近く設置される。
【００６８】
図５は、可能な開口のいくつか、
ａ）台形、
ｂ）不規則な六角形、
ｃ）四角形、および、
ｄ）三角形
を示し、開口は、レンズ露光フィールドの形状を区画するため、また、ドーズの変動によるステッチング効果を回避するように、隣接するスキャン領域の重なり合いを制御するために、マスクの前に位置決めされることができる。露光帯状部間のステップ移動距離は、ドーズが最大値の半分になる地点で起こる重なり合いについての要件によって設定される。スキャニング状況において、これは、縁部の高さが、全開口高さの半分になる開口の位置に相当する。これは、四角形または三角形開口の場合、ステップ移動距離が、開口対角長の半分に過ぎず、全ＦＰＤエリアをカバーするために、複数スキャンが必要となることを意味する。他方、台形または六角形開口の場合、ステップ移動距離は、図に示すようにレンズ露光フィールドのずっと大きな部分であることができる。こうした機構は、全ＦＰＤエリアをカバーするために、実質的に減少した数のスキャンをもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】ＳＩＳ露光方法の原理を示す図である。
【図２】ＳＩＳ投影露光装置用の可能性のある幾何形状を示す図である。
【図３】ＦＰＤ基板上に２つの露光用エリアを同時に作る２つの平行で同じ光学投影チャネルの使用を示す図である。
【図４】別の可能な露光装置機構を示す図である。
【図５】ａ：台形開口を示す図である。  ｂ：不規則な六角形開口を示す図である。  ｃ：四角形開口を示す図である。  ｄ：三角形開口を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2008529079.tif 000009
2008529079.tif 000010