(57)【要約】荷電粒子ビームをブランクにするための装置である。ビーム・ブランキング・ユニット(1)は、サポート・プレート(15)に据え付けられた、第1および第２のブランキング・プレート(2, 3)を含む。ストッパ(4)は、機械的および電気的に、第1のブランキング・プレート(2)に接続される。【選択図】図１
2008502101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームをブランクにするための装置であって、以下を含む：
荷電粒子ビームを偏向させるための電極;
および、偏向した荷電粒子ビームを遮るための手段;
ここで、前記遮る手段は、前記電極により支持されて、前記電極と移動可能となっており、そして、前記電極に電気的に接続されて、前記電極と同じ極性のバイアスがなされるようになっている。
【請求項２】
請求項1による装置であって、ここでは、前記遮る手段は、前記電極に電気的に接続されており、前記電極と同じバイアスがなされるようになっている。
【請求項３】
請求項1あるいは2による装置であって、ここでは、前記遮る手段は、開口を含んでいる。
【請求項４】
前記のいずれかの請求項による装置であって、ここでは、前記遮る手段はキャビティを含む。
【請求項５】
前記のいずれかの請求項による装置であって、ここでは、前記遮る手段は、刃を含んでいる。
【請求項６】
前記のいずれかの請求項による装置であって、ここでは、前記遮る手段は、前記受け取り手段を伴っている。
【請求項７】
前記のいずれかの請求項による装置であって、ここでは、前記遮る手段は、前記電極の中に形成されている。
【請求項８】
前記のいずれかの請求項による装置であって、ここでは、前記電極は、従属部分を含んでおり、前記遮る手段は、前記電極における前記従属部分の中に形成されている。
【請求項９】
前記のいずれかの請求項による装置であって、ここでは、前記電極にバイアスを印加するための手段をさらに含んでいる。
【請求項１０】
さらなる電極を含む、前記のいずれか請求項による装置。
【請求項１１】
前記のいずれかの請求項による装置であって、前記電極、または前記電極で支持されたエレメントにおける、ビームの側の面に、開口経由で開口されたキャビティを含む。
【請求項１２】
請求項11による装置であって、ここでは、前記キャビティが、前記ビーム側の面に対して斜めに傾けられている。
【請求項１３】
請求項11あるいは12による装置であって、ここでは、前記キャビティは、円筒状の壁と、閉じた端を前記キャビティに供給する第1の端壁と、第2の端壁とにより画定される。
【請求項１４】
請求項13による装置であって、前記開口の第1の部分は、前記円筒状の壁の屋根部分が前記ビーム側の面に出会うところに形成されたリム部分によって画定される。
【請求項１５】
請求項14による装置であって、ここでは、前記開口の第2の部分は、縁のリッジ部分によって画定され、前記縁は、前記第2の端壁を提供している。
【請求項１６】
請求項15による装置であって、ここでは、前記縁は、光学軸の方へ向けて突出するように配置されている。
【請求項１７】
請求項13による装置であって、ここでは、前記開口は、前記円筒状の壁の屋根部分と第2の端壁とが前記ビーム側の面においてくぼみに出会うところで形成されたリムにより画定されている。
【請求項１８】
荷電粒子ビームをブランクにするための装置を製作する方法であり、この方法は以下を含む:
電極を供給すること;
前記電極の表面から、前記電極の内部へ、ホールを穴開けすること;
前記ホールを通って前記面の下端を面取りして、面取り面を形成すること;
そして、前記面取り面にくさびを取り付けて、前記ホールの部分を覆うようにすること。
【請求項１９】
荷電粒子ビームをブランクにするための装置を製作する方法であって、この方法は以下を含む:
第1および第2の面を有する電極を提供すること、ここで、前記第1および第2の面は、前記電極における反対の側に配置されている;
前記第1の面から、前記電極の内部に向けて、角度を有するホールを穴開けすること、これにより、前記ホールの前端が、前記第2の面からの所定の距離で止まる;
および、前記第2の面の内部へ向けて、くぼみをカットすること、ここで、前記くぼみは、前記所定の距離よりも大きい深さを有しており、前記ホールを切り開くようになっている。
【請求項２０】
荷電粒子ビームをブランクにするための装置であって、以下を含む:
荷電粒子ビームを偏向させるための電極;
および、偏向された荷電粒子ビームを遮るための手段;
ここで、前記遮る手段は、前記電極によって支持されており、前記電極と移動できるようになっている。
【請求項２１】
荷電粒子ビームをブランクにするための装置であって、以下を含む:
荷電粒子ビームを偏向させるための電極;
および、偏向された荷電粒子ビームのためのストッパ;
ここで、前記ストッパは、前記電極と同じ極性のバイアスとなるように、前記電極に電気的に接続されている。
【請求項２２】
請求項21の装置であって、ここで、前記ストッパは、前記電極と同じバイアスとなるように、前記電極に電気的に接続されている。
【請求項２３】
荷電粒子ビームをブランクにするための装置であって、以下を含む:
荷電粒子ビームを偏向させるための電極;
および、偏向された荷電粒子ビームのためのストッパ;
ここで、前記ストッパは、前記電極と移動可能となるように、前記電極により支持されており、さらに、前記電極と同じ極性のバイアスとなるように、前記電極に電気的に接続されている。
【発明の詳細な説明】
【本発明の技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビームをブランクにするための装置に関係しており、特にしかし排他的でなく、電子ビーム露光装置で使用するためのものに関係している。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム露光装置は1組の電極を含んでおり、これは、光学軸から離れるように、電子の途切れないビームを、ストッパへ向けて静電気的に偏向させる（deflecting）ためのものであり、したがって、これは、電子ビームを「オン」と「オフ」との間で「切り替える」。このプロセスは、「ブランクにする（blanking）」こととして一般に参照される。
【０００３】
通常は、このビームは、このような目的のために特に供給される、金属製のカラムまたはブロックの一部でありうるストッパに当てるために、偏向される。しかしながら、この技術の欠点は、ストッパに衝突する一次電子が、二次のおよび後方散乱の（backscatter）電子を生成するということであり、これは、電子ビームが通過する部分におけるシステムをチャージアップする。
【０００４】
一つの解決策は、電子ビームが偏向されて行くポケットを、開口か穴の形をしているストッパに供給することである。二次電子は今までどおり生成されるけれども、それらはポケットの壁に吸収される。開口が小さいほど、漏れ出す二次電子は少なくなる。しかしながら、開口がより小さくなると、ビームを開口の中に偏向させることが困難になる。したがって、妥協点として、通常は、二次電子の漏れを減少させることができるほど十分に開口を小さくし、一方で、開口への電子ビームの偏向（deflection）を助けるのに十分なほどに開口を大きくするように構成される。
【０００５】
別の解決策は、ストッパに正の電圧を印加することである。正にバイアスされたとき、場（field）はストッパへ向けて二次電子を引き寄せる。この技術は二次電子が減少するのを助けるけれども、ブランクにするバイアスおよび回収するバイアスが同時に切り替わることを要求するので、実装は困難となりうる。
【０００６】
イオンビーム・システムは、同様の問題を有する。
【０００７】
本発明は、荷電粒子ビームをブランクにするための、改善された装置を提供しようとするものである。
【発明の要約】
【０００８】
本発明によれば、荷電粒子ビームをブランクにするための装置が提供され、この装置は、 荷電粒子ビームを偏向させるための電極と、偏向した荷電粒子ビームを遮る（stopping a deflected charged particle beam）ための手段とを備えている。ここで、前記遮る手段は、前記電極により支持されて、前記電極と移動可能（moveable with the electrode）となっており、そして、前記電極に電気的に接続されて、前記電極と同じ極性のバイアスがなされるようになっている。
【０００９】
前記遮る手段は、前記電極に電気的に接続されて、前記電極と同じバイアスがなされてもよい。
【００１０】
前記遮る手段は、本体、開口、キャビティおよび／または刃（knife-edge）を含んでいる。
【００１１】
前記電極は、前記遮る手段を伴っている。前記遮る手段は、前記電極の中に形成されていてもよい。前記電極は、従属部分を含むことができ、そして、前記遮る手段は、前記電極における前記従属部分の中に形成されることができる。
【００１２】
本装置は、前記電極にバイアスを印加するための手段をさらに含むこともできる。
【００１３】
本装置は、さらなる電極を含むこともできる。本装置は、前記電極、または前記電極で支持されたエレメントにおける、ビームの側の面（beam-side face）に、開口経由で（via an aperture）開口されたキャビティを含む。前記キャビティは、前記ビーム側の面に対して斜めに傾けられていてもよい。前記キャビティは、円筒状の壁と、閉じた端を前記キャビティに供給する第1の端壁と、第2の端壁とにより画定されていてもよい。
【００１４】
記開口の第1の部分は、前記円筒状の壁の屋根部分が前記ビーム側の面に出会うところに形成されたリム部分によって画定されてもよい。前記開口の第2の部分は、縁のリッジ部分によって画定されてもよい。ここで前記縁は、前記第2の端壁を提供する。前記縁は、光学軸の方へ向けて突出するように配置されてもよい。
【００１５】
前記開口は、前記円筒状の壁の屋根部分と第2の端壁とが前記ビーム側の面においてくぼみに出会うところで形成されたリムにより画定されてもよい。 
【００１６】
本発明によれば、荷電粒子ビームをブランクにするための装置を製作する方法がさらに提供される。この方法は、電極を供給すること、前記電極の表面から、前記電極の内部へ、ホール（hole）を穴開けすること、前記ホールを通って前記面の下端を面取りして、面取り面を形成すること、そして、前記面取り面にくさびを取り付けて、前記ホールの部分を覆うようにすることを含む。
【００１７】
本発明によれば、荷電粒子ビームをブランクにするための装置を製作する方法がさらに提供される。この方法は、第1および第2の面を有する電極を提供すること（ここで、前記第1および第2の面は、前記電極における反対の側に配置されている）、前記第1の面から、前記電極の内部に向けて、角度を有するホールを穴開けすること（これにより、前記ホールの前端が、前記第2の面からの所定の距離で止まる）、および、前記第2の面の内部へ向けて、くぼみをカットすること（ここで、前記くぼみは、前記所定の距離よりも大きい深さを有しており、前記ホールを切り開くようになっている）、とを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
本発明の実施形態が、添付の図面を参照しながら、例を介して説明され、ここにおいては：
【図１】図１は、本発明によるビーム・ブランキング・ユニットの第１実施形態と偏向しないビームとについての斜視図である。
【図２】図２は、本発明によるビーム・ブランキング・ユニットの第１実施形態と、偏向したビームとについて斜視図である。
【図３】図３は、ブランキング電極の部分についての断面である。
【図４】図４は、ブランキング電極の部分についての斜視図である。
【図５】図5a〜5cは、図１に示される開口とキャビティの製造を示している。
【図６】図６は、図１に示されるユニットを制御するための制御システムを示している。
【図７】図７は、本発明によるビーム・ブランキング・ユニットの第２実施形態についての斜視図である。
【図８】図８は、図７に示されるビーム・ブランキング・ユニットの、線A-A'に沿う断面である。
【図９】図９は、図７に示されるビーム・ブランキング・ユニットの、線B-B'に沿う断面である。
【図１０】図10a〜10cは、図7で示される開口およびキャビティの製造を示している。
【図１１】図11は、図7の中で示されるユニットを制御するための制御システムの概要図である。
【図１２】図12は、本発明によるビーム・ブランキング・ユニットの調節およびアラインメントを示す。
【発明の詳細な説明】
【００１９】
第1の実施形態
図1および2を参照して、本発明によるビーム・ブランキング・ユニット（beam blanking unit） 1についての第1の実施形態が示される。ビーム・ブランキング・ユニット1は、「ブランキング電極」あるいは「ブランキング・プレート」と一般に呼ばれる、第1および第2の電極2、3、および、開口または穴5と電子ビーム7を止めるためのキャビティ6とを有するストッパ4を含んでいる。
【００２０】
電極2、3は、全体として長尺状であり、横断面において長方形である。電極2、3は、長手方向に沿って平行に配置されており、平行な対向表面8, 9は、光学軸10の両側にあり、それは、電子ビーム7が通過できるギャップ11を画定する。表面8、9の間のギャップ11は、約0.5mmの幅を持っている。各表面8、9は、約5mmの幅wおよび約10mmの長さｌを持っている、電極2、3は、電子ビーム7における中間の焦点ポイントまたはクロスオーバ12が、ギャップ11を下る途中で見いだされるように、配置される。これは、結合したブランキング（conjugate blanking）を提供するためであり、つまり、ブランキングでは、ビームがターゲットへ移動しない。
【００２１】
第1の電極2は、第2の電極3より長く、光学軸10に沿って下流側に延びており、従属部分すなわち一部分13を成形している。従属部分13は、約10mmの長さLを有している。
従属部分13はストッパ4を伴う。開口5は、第1の電極2における従属部分13のビーム側の面14に配置される。ビーム側の面14は、表面8に比較して、約1°の角度で、内側へのテーパー状（先細り状）となっている。
【００２２】
第1の電極2およびストッパ4は、一体であり、単一の材料のブロックから形成されている。しかしながら、個別のストッパ・エレメント(示されない)が提供され、そして、第1の電極2に直接に（例えばエレメントを第1の電極2へろう付けすることにより）取り付けられるかもしれないし、あるいは、間接的に（例えばロッドやプレートのような接続手段を介して）取り付けられるかもしれない。分離したストッパ・エレメント(示されない)が、第1の抵抗体(示されない)を通って第1の電極に接続されるかもしれず、そして、第2の抵抗体(示されない)を通って地面に接続されるかもしれない。これにより、第1の電極2とは異なるバイアスで個別のストッパ・エレメントを保持する。ストッパ・エレメントは、薄くかつ囲まれたカップによって提供されるかもしれない。
【００２３】
電極2およびストッパ4は、ビーム7および／または荷電粒子線システムの他の部分(示されない)に対して、移動されうる。
【００２４】
第1および第2電極2、3は、それぞれの据え付け手段16、17を介して、支持体15に付けられる。ストッパ4は、第1の電極2を介して支持体15に取り付けられる。支持体15は、電極2、3に沿って配置されており、プレートの形状となっている。据え付け手段16、17は、それぞれ、取付板およびねじ(示されない)の形態となっている。しかしながら、据え付け手段16、17は、それぞれ、1つ以上の柱（posts）の形をしているかもしれない。
【００２５】
電極2、3および支持体15は、90%のチタン(Ti)、6%のアルミニウム(Al)および4%のバナジウム(V)を含む合金のような、電気的に伝導する材料から作られる。他の合金組成が使用されてもよく、また、他の、磁性がない合金あるいは金属も使用することができる。
【００２６】
据え付け手段16、17は、電気的な絶縁材料、例えばアルミナ(Al2O3)から作られる。ただし、セラミックスのような他の絶縁材が使用されてもよい。これは、第1および第2電極2、3が、互いにおいて、そして支持体15に対して、異なる電圧でバイアスされることを可能にする。この配置は両極性のブランキング（bi-polar blanking）を許す。据え付け手段16、17のうちの1つは電気的に伝導する材料から作られることができ、したがって、対応して据え付けられた電極2、3は、支持体15に電気的に接続される。支持体15がアースされる場合、電極2、3もアースされる。この配置は単一極性のブランキングを許す。
【００２７】
図3および4を参照して、キャビティ6は第1の電極2の内側に配置される。キャビティ6は、開口5を介して、ビーム側の面14に向けて開き、かつ、ビーム側の面14に対して斜めに傾けられている。キャビティ6は、電子が導かれることのできるポケットを提供する。
【００２８】
キャビティ6は一般に管状であり、円筒状の壁18と、キャビティ6に閉じた端を供給する第1の端壁19と、キャビティ6への穴のより低い部分をカバーする第2の端壁20とによって画される。
【００２９】
開口5の第1の部分は、円筒状の壁18の屋根部分がビーム側の面14に接するところで成形されたリム部分21によって画定される。開口5の第2の部分は、縁（lip）23のリッジ部分（ridge portion）22によって画される。リッジ部分22は「刃」と呼ばれるかもしれない。縁23は、キャビティ6に面する第1の側で、第2の端壁20を提供し、さらに、第2の隣接する側で、別の、ビームに面する面24を提供する。縁23は、それが、ビーム側の面14の平面Σを越えて突出して、開口5を、光学軸10へ向けて張り出させるように、配置される（図１）。縁23は、少なくとも、本システムにおけるこの部分での電子ビーム7の幅だけ突き出ており、この幅は、この場合には、約0.1〜0.2mmである。第2の端壁20は、キャビティ6へ電子を偏向させるのを助けるために、ビーム側の面14に対して、角度αで角が形成されている。
【００３０】
図5a〜5cを参照して、面14から電極2の内部に向けて斜めに傾斜したホール25をドリル加工し、さらに、面取り面（chamfer）27を形成するために、面14の下端26を、前記ホール25を通って面取りすることにより、開口5およびキャビティ6が形成される。そして、くさび29を面取り面27に取り付けて、ホール25の開口の下部28を覆うことによって、ホール25への開口の下部28を画定する。くさび29は、くさび29を面取り面27に真空ろう付け（vacuum brazing）することにより取り付けられる。ホール25の直径は、その長さより大きくてもよい。
【００３１】
表面14に垂直に(ほぼY軸に沿って)観察したとき、開口5は、一般に半円で、約0.5〜1mmの半径を有している。表面14に沿って上流側から(ほぼz軸に沿って)観察したとき、開口5は、幅0.1〜0.2mmであり、さらに、長さ0.5〜1mm（約１０μmの半径rを持つ、縁23のリッジ部22に沿って）のスリットとして見える。
【００３２】
図6を参照して、第1および第2のアンプ30、31は、第1および第2の電極2、3に対して、それぞれ、マイクロコンピュータの形式である制御装置32の制御の下で、第1および第2のバイアスV1、V2を選択的に印可する。支持体15(図1)はアースされている。
【００３３】
電子ビームについては、第1のバイアスV1が正であり、そして、第2のバイアスV2が負かまたはアースされる。第1のバイアスV1は、負に帯電した電子を引きつけるために、正となっている。イオンビームについては、第1のバイアスV1が負であり、そして、第2のバイアスV2が正かまたはアースされる。第1のバイアスV1は、正に帯電した電子を引きつけるために、負となっている。印加されるバイアスV1(V2)は、10Vのオーダー、好ましくは約30Vであり、通常の実験によって見いだすことができる。ブランキングのために印加されるバイアスの初期の予測値は、ギャップ・サイズ、ビーム電圧、電極2、3の長さ、および電極2、3の下端とストッパ4との間の距離の考察により見いだすことができ、それは「ブランキング距離」と呼ぶことができる。
【００３４】
図1では、印加されるブランキング・バイアスV1, V2がない状態での電子ビーム7の通路が示される。偏向されない光学軸10に沿うギャップ11を通って、電子ビーム7が通過する。
【００３５】
図2では、印加されるバイアスV1, V2がある状態での電子ビーム7の通路が示される。
バイアスV1, V2が印加されると、電子ビーム7は、開口5を通り、さらにキャビティ6の内部に向けて、偏向される。電子は、キャビティ6の壁18, 19, 20に吸収される。壁18、19、20が、第1のブランキング電圧V1(つまり負)と同じ極性のバイアスにあるので、二次電子および後方散乱電子の漏れが減少する。イオンビームについては、壁18、19、20が、第1のブランキング電圧V1(つまり正)と同じ極性のバイアスにあるので、後方散乱させられるイオンの漏れは同様に減少される。
【００３６】
ストッパ4は、第1の電極2に電気的および機械的に接続される。この配置は、ビーム7がキャビティ6の中へ偏向される場合に、二次及び後方散乱の電子の漏れを減少するために役立つだけでなく、それは、ビーム7にブランキング・ユニット1を適応させることをより容易にすることができる。
【００３７】
ストッパ4は、第1の電極2と同じ電位にある。しかしながら、ストッパ4は、第1および第2の抵抗体(示されない)を含む分圧器(示されない)によって電気的に接続されることもあり得る。したがって、第1の電極2とは異なるバイアスでストッパ4がバイアスされることもあり得るが、しかし、それでもなお、同じ極性を有する。
【００３８】
第2実施形態
図7を参照して、本発明によるビーム・ブランキング・ユニット33の第2の実施形態が示される。ビーム・ブランキング・ユニット33は「ブランキング電極」あるいは「ブランキング・プレート」と一般に呼ばれる、第1および第2の電極34、35、および、開口または穴37と電子ビーム39を止めるためのキャビティ38とを有するストッパ36を含んでいる。
【００３９】
電極34、35は、全体として長尺状であり、そして、横断面において長方形である。電極34、35は、長手方向において平行に配置されており、平行な対向表面40, 41は、光学軸42の両側にあり、それは、電子ビーム39が通過できるギャップ43を画定する。表面40、41の間のギャップ43は、約0.4mmの幅を有している。対向した表面40、41は、それぞれ、約5mmの幅wおよび約10mmの長さlを有している。電極34、35は、電子ビーム39における中間の焦点ポイントあるいはクロスオーバ44が、ギャップ43を下っていく中間で見いだされるように、配置される。これは結合したブランキングを提供するためであり、すなわち、ブランキングでは、ビームがターゲットへ移動しない。
【００４０】
第1の電極34は、第2の電極35より長く、光学軸42に沿って下流側に伸びており、従属部分45を形成している。従属部分45は、約10mmの長さを持っている。従属部分45はストッパ36を伴う。開口37は、従属部分45におけるビーム側の面46に配置される。ビーム側の面46は、表面40に比較して、1°の角度で、内側への先細状となっている。
【００４１】
第1の電極34およびストッパ36は、一体であり、材料の単一のブロックから形成されている。しかしながら、個別のストッパ・エレメント(示されない)が提供され、そして、第1の電極34に直接に（例えばストッパ・エレメントを第1の電極34へろう付けすることにより）取り付けられるかもしれないし、あるいは、間接的に（例えばロッドやプレートのような接続手段を介して）取り付けられるかもしれない。分離したストッパ・エレメント(示されない)が、第1の抵抗体(示されない)を通って第1の電極に接続されるかもしれず、そして、第2の抵抗体(示されない)を通ってアースされるかもしれない。これにより、第1の電極34とは異なるバイアスで個別のストッパ・エレメントを保持しうる。ストッパ36は、薄い壁のあるカップによって提供されるかもしれない。
【００４２】
ビーム側の面46は、開口37を成形するために使用されるくぼみ47を含んでいる。
【００４３】
第2の電極35は、支持体48に据え付けられる。第2の電極35および支持体48は一体であり、材料の単一のブロックから形成されている。しかしながら、別の支持体が供給され、第2の電極36に取り付けられることもできる。支持体48は、第2の電極36の下部49から横に伸びて、第1の電極34のまわりを180°回転するアームの形態となっている。アーム48を保持するための端50を提供するために、アーム47は90°回って戻る（turns back through 90°）。
【００４４】
図8を参照して、第1の電極34は、アーム48の中間の部分51に取り付けられる。第1の電極34は、導電性のねじまたはピンの形態での固定手段52によって、アーム48に取り付けられる。しかしながら、第1と第2の電極34、35およびアーム48は、アルミナのブシュの形態における絶縁手段53によって、互いに電気的に絶縁されている。
【００４５】
第1と第2の電極34, 35およびアーム48は、90%のチタン(Ti)、6%のアルミニウム(Al)および4%のバナジウム(V)を含む合金のような、導電性の材料から形成される。しかしながら、他の比率が用いられてもよく、また、他の、磁性がない合金あるいは金属を使用してもよい。絶縁手段53はアルミナから形成されるが、他のセラミックスを使用してもよい。
【００４６】
図9を参照して、キャビティ38は、第1の電極35内に配置される。キャビティ38は、開口37を介して、ビーム側の面46に向けて開き、ビーム側の面46に対して斜めに傾けられている。キャビティ38は、電子が導かれうるポケットを提供する。
【００４７】
キャビティ38は一般に管状であり、円筒状の壁54と、キャビティ38に閉じた端を供給する第1の端壁55と、キャビティ38への穴のより低い部分をカバーする第2の端壁56とによって画定される。
【００４８】
開口37は、円筒状の壁54の屋根部分と第2の端壁56と面57および/またはくぼみ47の壁58に出会うところで成形されたリムによって画定され、そして、縁60のリッジ59を形成している。リッジ59は、「刃」と呼ばれるかもしれない。縁60は、それが、くぼみ面57の平面Γを越えて突出して、開口37を、光学軸42へ向けて張り出させるように、配置される（図7）。縁60は、少なくとも、本システムにおけるこの部分での電子ビーム39の幅だけ突き出ており、この幅は、この場合には、約0.1〜0.2mmである。第2の端壁56は、キャビティ38の中へ電子を偏向させるのを助けるために、くぼみ面57に対して、角度βで角が形成されている。第1の端壁55は、裏面62（言いかえればビーム側の面46に対する、第1の電極34における反対側の表面）から挿入されたねじ61によって提供される。
【００４９】
図10a から10cを参照して、開口37およびキャビティ38は、裏面62から、第1の電極34における従属部分45の内部へ、下側への角度を持つホール63を開けることにより形成される。ホール63は、約1〜2mmの直径を有している。ホール63は、ビーム側の面46まで、完全にではなくてほぼ貫通するように開けられる。ホール63の前方の端64は、ビーム側の面46からの所定の距離をふさぐ。くぼみ47はビーム側の面46の中に向けて切り込まれている。そのくぼみは、深さ約0.1〜0.2mmである。くぼみ47の深さは所定の距離より大きく、ホール63へ向けて切り開かれたようになっている。ホール63には、ねじ61を使用して、裏面62上において、栓がされる。
【００５０】
表面46に沿って上流から(およそz-軸に沿って)見たとき、開口37は、約10μmの半径があるビーム側リッジ59を備えたスリットとして見える。
【００５１】
図11を参照して、アンプ65は、マイクロ・コンピュータの形態である制御装置66の制御の下で、第1の電極34に、ブランキング・バイアスVを選択的に印加する。第2の電極35がアースされる。
【００５２】
電子ビームについては、バイアスVが正でかつ約30Vである。イオンビームについては、バイアスが負である。
【００５３】
印加されるブランキング・バイアスVが欠如している間、電子ビーム39は、光学軸42に沿って、ギャップ43を貫通する。
【００５４】
印加されるブランキング・バイアスVが存在する間、電子ビーム39は開口37を通過し、かつ、キャビティ38へ入るように変更される。電子は、キャビティ38の壁54, 55, 56に吸収される。壁18、19、20が、ブランキング電圧Vと同じ極性(つまり負)であるバイアスにあるので、二次電子および後方散乱電子の漏れが減少される。イオンビームについては、壁54, 55, 56が、ブランキング電圧Vと同じ極性(つまり正)であるバイアスにあるので、後方散乱させられるイオンの漏れが同様に減少される。
【００５５】
ストッパ36は、第1の電極34に、電気的および機械的に接続される。この配置はビーム39がキャビティ38に向けて偏向されたときに、二次および後方散乱の電子の漏れを減少させることに役立つだけでなく、ブランキング・ユニット33をビーム39に適応させることを容易にできる。
【００５６】
ストッパ36は、第1の電極34と同じ電位にある。しかしながら、ストッパ36は、分圧器(示されない)によって電気的に接続されてもよい。したがって、ストッパ36は、第1の電極2と異なるが同じ極性のバイアスでバイアスされうる。
【００５７】
図12を参照して、ブランキング・ユニット1、33はアーム67に支えられる。アーム67は、ピボット68に関して、角度Δθの間において傾斜されるか、あるいは、角度Δφの間において方位角上で回転されてもよいし、さらに、長さΔrにおいて伸長させるかまたは引っ込めさせてもよい。これは、ビーム7、39をギャップ11、43に位置あわせすることを助けるだけでなく、偏向されたビームをストッパ4、36の開口5, 37に位置合わせることも助ける。したがって、より小さなブランキング開口を使用することもできる。
【００５８】
現在の開示を読むことにより、他のバリエーションおよび修正は、当業者には明白である。そのようなバリエーションおよび修正は、荷電粒子ビームシステムおよびその構成部品における設計、製造ならびに使用の中で既に知られている等価で他の特徴を含むことができ、そして、その特徴は、ここで既に記述した特徴に代わってあるいは追加して使用されてもよい。例えば、電子ビームブランキングが記述されたけれども、ブランキング・ユニットは、例えば、ブランキング・プレートの寸法および印加されるバイアスの変更により修正されて、イオンビームをブランクにするかもしれない。1つの実施形態の特徴は、別の実施形態の特徴と取り替えられるかもしれないし、補足されるかもしれない。
【００５９】
請求項は、この出願において、特徴の特定の組合せとして明示されているけれども、以下のことが理解されるべきである。すなわち、本発明の開示の範囲は、ここで開示された新規な特徴または特徴の新規な組み合わせ（明示的であれ暗示的であれ）を含む。これは、それが、ここで請求された発明と同じ発明に関係するかどうかに拘らず、そして、それが、本発明が軽減するのと同じ技術的問題のいずれかもしくは全てを軽減するかどうかに拘らない。出願人は、これによって、本出願の、あるいはそこから派生した任意のその他の出願のプロセキューションの間に、そのような特徴および/またはそのような特徴の組合せについて、新しい請求項が明示されるかもしれないという予告を与える。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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