(57)【要約】  画像投影システム用光源は、高温度動作用にパッケージ化された１個以上のＬＥＤを有する。ＬＥＤダイは、１個以上の熱的接続パッドが底部にあるセラミックでコーティングされた金属ベースを備え、また電気的接続パッドが底部にあるパッケージ上に配置され、各ＬＥＤダイは熱的接続パッドに金属ベースを介して熱的に連結し、電気的接続パッドに電気的に連結する。ＬＥＤはベースの金属上、あるいは金属上の電気絶縁体の薄膜上に直接実装することができる。当該パッケージ化ＬＥＤダイのアレーは金属上の低温同時焼成セラミック技術(ＬＴＴＣ−Ｍ)技術を用いて組立てられ、ＬＴＴＣ−Ｍパッケージ化アレーと称される。側面が先細りしているキャビティの列にＬＥＤを実装し、ＬＥＤからの光を反射する。高温ＬＥＤ光源が、様々な前面及び背面投影システム及びディスプレイにおけるＨＩＤランプに代用でき、特に、背面投影システムに有用である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）光源と、
前記ＬＥＤ光源からの光を受光し、その光を変調して画像として透過または反射するための画像規定素子を備えた画像投影システムであって、
前記ＬＥＤ光源が熱的接続パッドに連結されたセラミック・コーティングされた金属ベース上に配置された少なくとも１個のＬＥＤダイと、少なくとも１個の電気的接続パッドとを備え、各ＬＥＤダイが前記ベースを通じて熱的接続パッドに熱的に連結され、少なくとも１個の電気的接続パッドに電気的に接続される画像投影システム。
【請求項２】
少なくとも１個のＬＥＤダイが前記ベースの金属上に直接実装される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
少なくとも１個のＬＥＤダイが電気絶縁性かつ熱伝導性の材料の層によって前記ベースから分離している、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
電気絶縁性かつ熱伝導性材料の前記層の厚さが約１５マイクロメートル以下である、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記セラミック・コーティングがその中に形成されたキャビティを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
少なくとも１個のＬＥＤダイが前記キャビティ内に実装された、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記キャビティが前記ＬＥＤダイからの光を反射する先細りした側面を有した、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記金属ベースが光を反射するための凹部領域を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
少なくとも１個のＬＥＤダイが前記凹部領域を覆って実装される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
少なくとも１個の前記電気的接続パッドおよび前記熱的接続パッドが実質的に平面上に配置されて前記金属ベースの下にある、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
少なくとも１個のＬＥＤダイが前記金属ベースを覆って前記セラミック・コーティング上に実装され、また少なくとも１個のＬＥＤダイが熱ビアによって前記コーティングを通じて前記金属ベースに熱的に連結される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
少なくとも１個のＬＥＤダイがボンディング・ワイヤを含む電気的パスによって電気接続パッドに電気的に接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
少なくとも１個のＬＥＤダイが絶縁された導電ビアを含む電気的パスによって前記金属ベースを通じて電気的接続パッドに電気的に接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
少なくとも１個のＬＥＤダイが前記金属ベースを含む電気的パスによって電気的接続パッドに接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記光源が共通金属ベースを覆ってアレー状に配置された複数のＬＥＤダイを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記光源が少なくとも１個の赤色発光ＬＥＤと、少なくとも１個の緑色発光 ＬＥＤと、少なくとも１個の青色発光ＬＥＤとを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記赤色、緑色、および青色のＬＥＤが別々に切り替え可能な、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記光源が赤色発光ＬＥＤの第１のアレーと、緑色発光ＬＥＤの第２のアレーと、青色発光ＬＥＤの第３のアレーとを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記赤色、緑色、および青色のＬＥＤアレーが別々に切り替え可能な、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記光源が少なくとも１個のシアン発光ＬＥＤをさらに備えた、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２１】
前記光源が少なくとも１個の黄色発光ＬＥＤをさらに備えた、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２２】
前記光源が少なくとも１個の白色発光ＬＥＤを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記光源が白色発光ＬＥＤのアレーを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項２４】
前記光源が同じ色の光を照射するＬＥＤのアレーを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項２５】
前記画像規定素子がデジタル・マイクロミラー・デバイスを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項２６】
前記画像規定素子がデジタル・マイクロミラー・デバイスを備え、前記光源が別々に切り換え可能な赤色、緑色、および青色のＬＥＤを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項２７】
前記画像規定素子が液晶表示部を備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項２８】
前記画像規定素子が赤色、緑色、および青色の液晶表示部を備え、前記光源が対応する前記カラー液晶表示部を照射する赤色、緑色、および青色のＬＥＤを備えた、請求項１に記載のシステム。
【請求項２９】
照射された前記赤色、緑色、および青色の液晶表示部からの画像を受け取り、合成カラー画像をそこから投影する３色クリスタルをさらに備えた、請求項２８に記載のシステム。
【請求項３０】
前記画像投影システムが視聴スクリーンを含み、前記システムが前記スクリーンの前面に画像を投影するよう位置している、請求項１に記載のシステム。
【請求項３１】
前記画像投影システムが視聴スクリーンを含み、前記システムが前記スクリーンの背面に画像を投影するよう位置している、請求項１に記載のシステム。
【請求項３２】
熱的接続パッド及び電気的接続パッドと連結したセラミック・コーティングされた金属ベース上に配置され、前記ベースを通じて前記熱的接続パッドに熱的に連結され、前記電気的接続パッドに電気的に接続される１個以上のＬＥＤダイを備えた画像投影システム用の光源。
【請求項３３】
前記ＬＥＤダイが、前記金属ベース上に直接実装されるか、あるいは厚さが１５マイクロメータ以下の電気的絶縁性かつ熱伝導性の材料の層によって前記ベースから分離している、請求項３２に記載の光源。
【請求項３４】
前記金属ベースの熱膨張係数が約６ｐｐｍ／℃である、請求項３２に記載の光源。
【請求項３５】
前記セラミック・コーティングがキャビティを含み、少なくとも１個のＬＥＤが前記キャビティ内に実装される、請求項３２に記載の光源。
【請求項３６】
前記キャビティが前記ＬＥＤダイからの光を反射する先細りした側面を有した、請求項３５に記載の光源。
【請求項３７】
前記金属ベースが光を反射する凹部領域を含み、少なくとも１個のＬＥＤダイが前記凹部領域を覆って実装される、請求項３２に記載の光源。
【請求項３８】
前記電気的接続パッドおよび前記熱的接続パッドが前記金属ベースの下にあり、かつ同一平面上にある、請求項３２に記載の光源。
【請求項３９】
少なくとも１個のＬＥＤダイが前記金属ベースを覆う前記セラミック・コーティング上に実装され、少なくとも１個のＬＥＤダイが熱ビアによって前記金属ベースに前記セラミック・コーティングを通じて熱的に連結される、請求項３２に記載の光源。
【請求項４０】
少なくとも１個のＬＥＤダイがボンディング・ワイヤを含む電気的パスによって電気的接続パッドに電気的に接続される、請求項３２に記載の光源。
【請求項４１】
少なくとも１個のＬＥＤが絶縁された導電性ビアを含む電気的パスによって電気的接続パッドに前記金属ベースを通じて電気的に接続される、請求項３２に記載の光源。
【請求項４２】
少なくとも１個のＬＥＤが前記金属ベースを含む電気的パスによって電気的接続パッドに電気的に接続される、請求項３２に記載の光源。
【請求項４３】
前記１個以上のＬＥＤダイが前記金属ベースを覆うアレー状に配置される複数のＬＥＤダイを備えた、請求項３２に記載の光源。
【請求項４４】
前記１個以上のＬＥＤダイが少なくとも１個の赤色発光ＬＥＤ、少なくとも１個の緑色発光ＬＥＤ、および少なくとも１個の青色発光ＬＥＤを形成する、請求項３２に記載の光源。
【請求項４５】
前記赤色、緑色、および青色のＬＥＤが別々に切り替え可能である、請求項４４に記載の光源。
【請求項４６】
前記１個以上のＬＥＤダイが少なくとも１個のシアン発光ＬＥＤを形成する、請求項４４に記載の光源。
【請求項４７】
前記１個以上のＬＥＤダイが少なくとも１個の黄色発光ＬＥＤを形成する、請求項４４に記載の光源。
【請求項４８】
前記１個以上のＬＥＤダイが少なくとも１個の白色発光ＬＥＤを形成する、請求項４４に記載の光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は画像投影システムに関し、詳細には、画像投影システム用のＬＥＤ光源、及びそのような光源を利用したシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
画像投影システムは重要なコミュニケーション手段である。画像投影システムは、デジタル情報またはアナログ情報を、一人のような少数の視聴者でも、数千人等の多数の視聴者でも見ることができる視覚画像に変換する。
【０００３】
単純なスライド映写機からアイマックス・シアターまで異なる各種の画像投影システムがあるが、このようなシステムのほとんどが画像を投影するために高輝度放電ランプ（ＨＩＤランプ）を使用している。残念なことに、ＨＩＤランプには使用上の重大な問題がある。
【０００４】
一般的なＨＩＤランプは、金属蒸気で満たされたガラスバルブ（通常は石英ガラス）中に一対の電極を有する。その電極間に印加された電圧により、電極間で急速に運動する電子のアークが生成される。その電子が金属蒸気の原子と衝突すると、衝突により原子が一時的に励起され、さらに原子が非励起状態に戻ると、原子は発光する。水銀は容易に蒸発できるため、ＨＩＤランプに広く利用されている。適切な密度の蒸気原子を得るには、通常かなりの高温（摂氏数１００度）及び高圧力（数１００ＰＳＩ）まで水銀を熱しなければならない。実際には、ＨＩＤランプのバルブ表面温度は５９０℃まで達し、ＨＩＤランプの圧力は４５０ＰＳＩまで到達できる。
【０００５】
ＨＩＤバルブの熱と圧力には作動上の難点が多数ある。熱には、火事、使用者の火傷、及び近くの部品に対する熱によるダメージの危険性がある。圧力には、バルブの爆発やその結果として起こる高熱の破片や有害水銀の噴出の危険性がある。必要な熱を得るには時間がかかり、これによりプロジェクタを急速に表示させることができにくい。そして一旦必要とする熱が得られれば、バルブの外側と周辺の部品はファンによって冷却されなければならない。バルブおよび冷却ファンはシステムの信頼性を低下させ、またファンの騒音はホームシアタ等の様々な用途においては容認されない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の根本的な問題は、画像投影システム用の改良された光源、およびその改良された光源を利用することのできる画像投影システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、画像投影システム用光源は、高温度動作用にパッケージ化された１個以上のＬＥＤを有する。好ましくは、ＬＥＤダイは、１個以上の下地熱的接続パッドを有するセラミックでコーティングされた金属ベースと、および下地電気接続パッドを備えたパッケージ上に配置され、各ＬＥＤダイは熱的接続パッドに金属ベースを通じて熱的に連結し、電気的接続パッドに電気的に連結する。ＬＥＤはベース金属上、あるいは金属上の電気絶縁体の薄膜上に直接実装することができる。このようにしてパッケージ化されたＬＥＤダイのアレーは金属上の低温同時焼成セラミック技術 (ＬＴＴＣ−Ｍ)によって有利に組立てられ、ＬＴＴＣ−Ｍパッケージ化アレーと称することができる。ＬＥＤは側面が先細りしているキャビティのアレー内に実装され、ＬＥＤからの光を反射する。高温ＬＥＤ光源は、様々な前面及び背面投影システム及び表示部におけるＨＩＤランプに代用でき、特に、背面投影システムに有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
ここでの説明は３つのパートに分けられる。パートＩでは、高温度ＬＥＤ光源を使用した一般的な投影システムについて述べる。パートＩＩでは、高温度ＬＥＤの構成及び組み立てについて述べる。パートＩＩＩでは、高温度ＬＥＤのＬＴＣＣ−Ｍのパッケージ化について述べる。
【０００９】
Ｉ．高温度ＬＥＤ光源を使用した一般的画像投影システム
画像投影システムは、基本的には光源と、光源からの光を受け、所望の画像を透過あるいは反射するよう配光を変調する画像規定素子とを備えている。所望の画像は（デジタル信号によって）電気的に、または（写真用スライドによって）画像的（グラフィカル）に規定されても良い。画像投影システムは視聴スクリーンの前面（プロジェクタ前部）に投影しても良く、または視聴スクリーンの背面（後部プロジェクタ）に投影しても良い。画像プロジェクタの２種類の重要なタイプとして、デジタル・マイクロミラー・プロジェクタ（ＤＭＤプロジェクタ）と、液晶表示プロジェクタ（ＬＣＤプロジェクタ）とがある。高温度ＬＥＤ光源はそれぞれのタイプのプロジェクタに対して、独特な利点を提供するものである。
【００１０】
Ａ．ＤＭＤプロジェクタ
ＤＭＤプロジェクタはデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）を使用し、投影されるべき画像を規定する。ＤＭＤは、一般的には微小な鏡のアレーを有する光学半導体デバイスである。ＤＭＤはスケールが１００万ミクロメータ以上の鏡を含んでも良く、鏡はそれぞれ画像スクリーンに照射する光を反射する第１の位置（ＯＮ）と、画像スクリーンで反射しない第２の位置（ＯＦＦ）とが電気的に切り替えられる。スクリーンに反映され、切り替え操作されたこれらの鏡の集合体により、画像が規定される。これら個別のマイクロミラーをＯＮとＯＦＦとに高速で切り替えることにより、ＤＭＤ投影システムはデジタル信号を投影された動画像に変換することができる。
【００１１】
図１は、本発明による高温度ＬＥＤ光源２を使用した改良されたＤＭＤ投影システム１の概略図である。システム１は光パイプ３と、焦点光学系（フォーカス・オプティクス）（概略的に示す）と、ＤＭＤ５と、投影画像を受けるための視聴スクリーン（図示せず）とを備える。光源２は、配列された複数の赤、緑、青の高温度ＬＥＤ（１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ）を備えることができる。ＬＥＤ１０は、赤色、緑色、および青色のダイオードの各サブ・アレーが別々にオンとオフに切り替えられるように、切り替え可能に構成されている。光パイプ３は、発光した光をＤＭＤ５の方に向かう光路にとどめるように補助している。
【００１２】
作動中、肉眼によりカラー動画として認識される一連の画像は、各異なる色のＬＥＤのサブ・アレーを連続的に切り替え操作し、さらに、その切り替え操作された色を切り替え操作された鏡構造体に同期させることにより、投影することができる。各所定の合成カラー画像の適切な赤、青、及び緑の画像部分が鏡構造体により形成される。合成画像は時間変調され、カラー動画の画面が視聴者に対して形成される。
【００１３】
ＬＥＤアレー光源２は、切り替え速度が速く、高輝度で小型であるべきである。アレーがＤＭＤ５の許容能力より大きい光源サイズで光を生成すると、光源によって生成された光が失われる。個々のＬＥＤダイ１０は、ほぼ単一の光源を形成するように接近配置されていることが望ましい。このような集中したＬＥＤ１０は、過剰な熱を急速に除去することが必要である。そうでなければ、その熱によって光出力が低下し、ＬＥＤの寿命と信頼性が低下する。高温作動用にパッケージ化されたＬＥＤ光源、特にＬＴＣＣ−Ｍパッケージ化ダイオードは、この投影システムにとって非常に有利である。ＬＥＤダイは、下地の熱接続パッドを一つ以上含むセラミックで被膜された金属ベースと、電気接続パッドとを有するパッケージ上に配置されることが望ましい。各ＬＥＤダイは、金属ベースを通じて熱接続パッドに熱的に連結され、また電気接続パッドに電気的に連結される。ＬＥＤダイは、ベースの金属上、あるいは金属上の電気絶縁体の薄膜上に直接実装することができる。ＬＥＤは、ＬＥＤからの光を反射するための先細りした側面を有するキャビティ内に実装されることが望ましい。
【００１４】
上記の典型的な実施形態では赤色、緑色、青色の高温ＬＥＤを備える光源を使用しているが、その他の色でも組み合わせにより実質的に可視色の全領域をカバーするものであれば、他の色のＬＥＤの組み合わせも利用できることが理解されるであろう。さらに、色の全範囲をより広くするためにその他の色のＬＥＤを追加することができる。例えば、赤、緑、青のＬＥＤはシアン及び琥珀色のＬＥＤによって補うことができる。
【００１５】
高温ＬＥＤは“カラー”である必要がないこともまた認識されたい。光源は、１個以上の高温“白色”ＬＥＤと、フィルタ領域が赤透過、緑透過、及び青透過である回転カラーホイールとを備えることができる。カラー画像を投影するために、ホイールを光源とＤＭＤとの間に配置することができる。また、カラーホイールを省いて、白色あるいはカラーのＬＥＤをＤＭＤの方向に向けて、“グレースケール”または単一カラーの画像を投影することができる。白色ＬＥＤは、ＲＧＢ（赤−緑−青）蛍光体または青と黄色の蛍光体を混合したＲＧＢ蛍光体に作用するＵＶ（紫外線）ＬＥＤから生成することができる。
【００１６】
Ｂ．ＬＣＤプロジェクタ
ＬＣＤプロジェクタは画像を規定するためにＬＣＤディスプレイを使用する。ＬＣＤディスプレイは一般的にガラス板の間に浮遊する液晶溶液を有する。液晶溶液に電流を通すと、液晶は電流によって一定の配置に整列する。液晶溶液の特定の小領域に電流を切り替え可能に印加するためにアレー構造の電極を設けても良い。したがって、光はいくつかの結晶領域を通過し（ＯＮ）、またその他の領域は通過せず（ＯＦＦ）、それによって投影可能な画像が形成される。
【００１７】
図２は、光パイプ３を介して、赤色、緑色、及び青色の光を透過するＬＣＤディスプレイ８Ｒ，８Ｒ、及び８Ｂに光を照射するための、赤色、緑色、及び青色のＬＥＤをそれぞれ備えた高温ＬＥＤ光源７Ｒ，７Ｇ，７Ｂを使用する、改良されたＬＣＤプロジェクタ６の概略図である。前記ＬＣＤディスプレイは、赤、緑、青の画像を視聴スクリーンＳ上に投影される合成カラー画像として組み合わせる３色プリズム９の３辺に沿って配置される。ＬＣＤディスプレイを電気信号により変調することで、視聴者に対してカラー動画としてみなせる一連の合成画像を構成する赤、緑、青の部分が生成される。高温ＬＥＤ光源７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは、ＤＭＤプロジェクタに与えることと同様な利点をＬＣＤプロジェクタにも与える。光源には、ＬＴＴＣ−Ｍパッケージ化ダイオードが好ましい。
【００１８】
高温ＬＥＤ光源に代えて、３色プリズムに赤色、緑色、及び青色の光をそれを通して伝えるフィルタを有する高温白色ＬＥＤを用いてもよいことは十分に理解されるであろう。その他にグレースケールディスプレイに対しては、３色プリズムが省かれても良く、白色またはカラーの高温ＬＥＤ光源をＬＣＤを照射するために使用することができる。
【００１９】
プロジェクタの用途に好ましい光源２、７は、アレー化した複数の高温ＬＥＤ１０を備えている。ＬＥＤダイは直接金属コアの表面上に実装されているか、あるいは電気絶縁熱伝導材料の薄膜（≦約１５マイクロメータ）によって金属コアから分離されていることが望ましい。金属コアは、動作中ＬＥＤダイを冷たく保つ熱伝導金属（≧約１７０Ｗ／ｍＫ）であることが望ましい。金属コアはまた、ＬＥＤダイのＴＣＥに近い低ＴＣＥを備え（例えば、約６ｐｐｍ／℃）、ＬＥＤダイにかかる動作中、広範囲の温度（−５５〜１２５℃）にわたってかかるストレスを最小限にする。低ストレスと高放熱性能とが組み合わさることで、非常に狭い領域内でＬＥＤダイを高濃度にすることが可能となる。このようなＬＥＤ光源の構造とその組み立てについて以下詳細に述べる。
【００２０】
ＩＩ．高温ＬＥＤの構造と組み立て
図３Ａは、高温動作用にパッケージ化されたＬＥＤダイ１０の概略断面図である。ＬＥＤダイ１０は金属ベース１１を覆って実装され、それと熱的に連結されている。金属ベース１１は、パターン化された低熱抵抗と、ベース１１から電気絶縁させるための電気絶縁層１２と、熱接合及び電気的接続を与えるためのパターン化された導電層１３とを備えていることが望ましい。層１２及び層１３は、所望の通りに絶縁または電気接続領域を設けるようパターン化することができる。アノード１０Ａ及びカソード１０Ｃを有するＬＥＤ１０は、電極１０Ａ及び１０Ｃをパターン化された導電層１３の導電パッド領域１３Ａ及び１３Ｃにハンダ付けすることによりベース１１上に実装される。
【００２１】
底部の電気的接続パッド１５Ａ、１５Ｂは、金属ベース１１を介して電気絶縁性ビア１４またはベース１１の金属を使用して、電気的に接続しても良い。プリント回路基板（図示せず）上にベース１１の表面実装が可能となるよう、ハンダ付け可能な電気的接続パッド１５Ａ，１５Ｂを金属ベース１１の底部に付着しても良い。ＬＥＤパッケージからプリント回路基板まで熱を伝達するために、ベース１１の残りの領域に１個以上の熱的接続パッド１６を設けて良い。有利なことに、ベース１１はハンダ付け組立中にプリント回路基板内のメッキされたスルーホール（図示せず）と接触する。このようなスルーホールはダイオードパッケージからＰＣＢ基材（一般的にはアルミニウムまたは銅）内へ熱を移動させるであろう。
【００２２】
ベース１１を覆って、１層以上のセラミック層１７をパッケージの表面に追加することができる。ベース１１上のセラミック層はＬＥＤ１０の周りにキャビティ１８を形成する。下記で検討される通り、キャビティの壁の形状はＬＥＤ１０からの光の分布に影響を与える。セラミック層１７は、１つのアレー中の多数のダイオードを接続する回路、静電気放電保護回路、ダイオードの制御及び電力供給の接続、及びその他の表面実装部品（図３に示さず）を含むことができる。
【００２３】
キャビティ１８の上に（エポキシのような）透明でクリアなカバーまたはレンズを接着することによって透明カバー１９を設けることができる。ボンディング・パッドおよびロウ付けシール・リング（図示せず）を追加することにより密封にすることができる。
【００２４】
望ましい実施形態では、金属ベース１１は銅／モリブデン／銅（ＣＭＣ）であり、低い熱抵抗の電気絶縁層１２（約２マイクロメートル）は金属ベースの酸化層、蒸着ガラス、または酸化ニッケル等の蒸着絶縁体（約２マイクロメートル）でよく、導電層１３は金、銀、またはその他の適切な導電体でよい。ＬＥＤ電極１０Ａ、１０Ｃは、ＡｕＳｎハンダによって金のボンディング・パッド１３Ａ、１３Ｃにハンダ付けされる。電気的接着および放熱のための下地パッド１５および１６は、それぞれＰｄＡｇおよびＡｇであることが好ましい。
【００２５】
図４に示されるように、ベース１１を覆うセラミック層１７は複数のセラミック層１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃおよび１７Ｄで構成される。各々のセラミック層は、ＬＥＤの電力供給、制御、保護、および相互接続のための回路部品を含むことができる。回路は異なる用途によって変わるが、図４は表面実装型の能動デバイス２０、内蔵キャパシタ２１、コネクタ２２、相互接続用ビア２３、および内蔵抵抗器２４の追加の方法を示している。回路を組み入れる上層のセラミック層１７を備えた金属ベース１１は、例えば２００２年９月２４日発行の、本明細書内で参照される米国特許第６，４５５，９３０号に記載されている金属上の低温同時焼成セラミック技術（ＬＴＣＣ−Ｍ）を使用して作製することができる。
【００２６】
相当量の光がＬＥＤダイの端部から照射されるので、セラミック・キャビティの形状は総光効率において重要な因子である。セラミック・キャビティの壁は、打ち出し加工、圧印加工、型打ち加工、積層による形成、または「生」もしくは未焼成状態のセラミックを押し進ませること（ルーティング）を含む様々な方法で形成される。
【００２７】
図５Ａおよび５Ｂは図３のＬＥＤのための典型的な光分散キャビティを例示している。図５Ａでは、キャビティ１８は直線的なテーパを有する壁３０を備えている。図５Ｂでは、壁３１は放物線状のテーパを有する。概して、各々のダイオード・キャビティ１８は光出力および焦点集束を向上させるように形作られる。白色焼成ガラス・セラミックは反射性であって光を分散させ、高輝度スポットの出現を減少させる。表面を研磨することによって、またはスプレー法、塗布法、スパッタリング法、または化学蒸着法で銀などの反射コーティングを付着することによってキャビティ表面の反射率は高くなる。付着したエポキシなどの材料が縮んで反射ギャップを形成するように側壁を平滑化させることが望ましい。
【００２８】
図６は、高温動作用にパッケージ化された単一のＬＥＤの別の実施形態の概略断面図である。この実施形態では、ＬＥＤ１０を覆うレンズ４０がセラミック層１７、キャビティ１８、およびレンズ・カバー１９に置き換えられている。図６の装置のその他の特徴は図３の装置について記載されたことと実質的に同じである。
【００２９】
高温ＬＥＤの他の変形例は、上端面にワイヤ・ボンディング可能なパッドとして第２の電極を備えたパッケージの底部に単一の電極を備えたＬＥＤダイを含む。あるいは双方の電極が最上面にあって各々ワイヤ・ボンディングを伴うことも可能である。
【００３０】
図７は、高温で利用するパッケージ化された別のＬＥＤの概略断面図である。図７の装置は、ＬＥＤダイ１０の周りに凹型の光反射キャビティ５２を有するように圧印加工によって金属ベース５１が形成されること以外は図３の装置と同様である。図７はまた、ＬＥＤダイ１０がその最上面上の電極５３のうちの１個を備えることが可能であることを示す。最上部の電極５３は、例えばボンディング・ワイヤ５４によってセラミック１７上の最上部のボンディング・パッド５５に接続され、絶縁性のビア区画５６を含むビア５７を通じて形成された金属ベース５１の下にあるボンディング・パッド１５Ａに接続される。他方のＬＥＤ電極はボンディング・パッド５９に接続された底面上にあっても良く、さらに金属ベースとビア５７によって下にある第２のボンディング・パッド１５Ｂに接続することができる。金属ベース５１は、下にあるボンディング・パッド１５Ａ、１５Ｂが熱的ベース接続部１６と同一平面になるように下層セラミック支持体５８Ａ、５８Ｂを備えても良い。この配置によって、ＰＣ基板上への表面実装接続のための、単一平面上にあるパッド１５Ａ、１５Ｂ、および接続部１６が与えられる。
【００３１】
図８の実施形態は、ＬＥＤ１０が形成金属ベース５１上ではなく、セラミック層１７上に実装されること以外は図７の実施形態と同様である。ここで、圧印された金属ベースと同様に、セラミック層１７は光反射器の働きをもつ。ＬＥＤ１０の底部電極は、ボンディング・パッド６０と、ベース５１までセラミックを貫く導電性ビア６１により金属ベース５１に接続することができる。ビア６１は電気と同様に熱をも伝導するように、その構成および寸法が決められている。
【００３２】
図９の実施形態は、形成金属ベース５１の成形領域が層領域反射器としての働きをするためにより広く露出するように、セラミック層１７内のキャビティ１８が拡大されること以外は図７と同様である。
【００３３】
ＩＩＩ．Ａ．高温ＬＥＤのパッケージ化アレーを備えた光源
ＬＥＤのアレーを有する光源２を形成するために、図３のＬＥＤの構造を容易に複製しても良い。図１０はダイオード１０の典型的なアレー８０を示しており、埋込相互接続回路（図示せず）が共通電極８１Ａ、８１Ｃに接続されたセラミック（図３の１７）内に加えられている。
【００３４】
図１１は、ＬＴＣＣ−Ｍでパッケージ化した、製造が特に容易なＬＥＤダイオード１０のアレー９０の概略断面図である。基本的に、アレー９０はヒート・シンク９１と開口を設けたＰＣ基板９２との間に配置された複数のダイオード１０を有する。各ＬＥＤ１０の発光部分はＰＣ基板９２の対応する窓開口９３と位置合わせされる。ＰＣ基板９２は制御回路とドライバ回路（図示せず）、およびそれらの回路とＬＥＤとの間の電気的接続部、例えば接続部９４を含むことが望ましい。ＰＣ基板９２はヒート・シンク（アルミニウムのシートで可）にネジ９５で簡易に固定され、ダイオード１０をヒート・シンクに熱的に接触させた状態で保持することができる。サーマル・グリースによってダイオードとヒート・シンクの熱的連結が容易になる。
【００３５】
アレー９０の作製は特に容易である。ＰＣ基板９２を形成し、本願明細書に述べられるように複数のＬＴＣＣ−Ｍでパッケージ化されたダイオード１０を設けた後、発光部分を開口と位置合わせし、ＬＥＤの接点をＰＣ基板の接点と位置合わせしてダイオードがＰＣ基板上に表面実装されることが可能である。ハンダ・リフローによる接続の後、ＰＣ基板９２はネジ９５によってヒート・シンク９１に固定されることが可能である。開口とＬＥＤはＬＥＤの二次元アレーのいずれかの所望の構成を達成するように基板の表面全体にわたって配置されることが可能できる。
【００３６】
図１２は密接配置された六角形のアレーを形成する、複数のＬＥＤ１０の第１の望ましい構成を例示する上面図である。ＰＣ基板９２は共通電極８１Ａ及び８１Ｃを含む。
【００３７】
図１３は第２の望ましい構成の上面図である。ＬＥＤは円の外周の周りの各区画の複数のセット１１１Ａ、１１１Ｂ、および１１１Ｃ、および円の中心のセット１１１Ｄに配分され、全体で集中型の光源となっている。
【００３８】
図１４はプラグイン・カードとしての使用に適した本発明の実施形態を示す。複数のキャビティ１２２が複数のＬＥＤダイ１２３、１２４、および１２５を有する。ＬＥＤダイ１２３、１２４、１２５は、（光度を高くするために）同一のダイでも良く、あるいは個別の色でも良く、単一もしくは混合色の表示用にさまざまなパターンで点灯が可能である。また、変動強度を与えるため、あるいはパターンを示すためにさまざまな組み合わせで点灯することもできる。カードの接触用指片１２６、１２７、１２８、および１２９が表示された色を制御する典型的な実施形態を示す。ここでは、指片１２９は電気的共通部（共通のカソードまたは共通のアノード）であり、指片１２６、１２７、および１２８は各々、カードに赤色、緑色、または青色をそれぞれ点灯させるために各々の井戸内の単色のダイに接続される。この例において、ＬＥＤダイはそれぞれ各井戸内の同じ色のＬＥＤダイおよびその色の制御用指片のそれぞれに配線される。この実施形態の別のバージョンでは、復号／ドライバ電子装置がカードの複数の層の中に直接埋め込まれ、個々のＬＥＤダイもしくはグループのダイを制御することが可能である。
【００３９】
図１５はさらに冷却するためにヒート・シンク１３２上に実装されたカードを示す。また、このカードはエッジコネクタ１３３に差し込まれ、いかにして接続指片１２６、１２７、１２８と接触するかを示している。
【００４０】
半導体ダイを記述されたＬＥＤアセンブリのいずれかにフリップ・チップとして直接接続することもできる。この実施形態において、パッケージの表面は金またはハンダのような接着可能な材料でバンプを設けることも可能である。これらのバンプは半導体ダイの金属端子に対応するよう設けられる。その後、ダイは熱および／または熱超音波（サーモソニック）振動によりパッケージに付着し、パッケージ上のバンプを設けた端子とダイ端子との間で金属接続をする。本実施例は図１６および図１７で示される。図１６はＬＴＣＣ−Ｍパッケージ１４１内のフリップチップダイ１４３を示す上面図である。図１７はフリップ・チップ１４３がバンプ１４４によって表面１４２上の配線面に接続されることを示す同アセンブリの側面図である。図１８はダイを設ける前のパッケージの上面図である。配線トレース１６１が表面１４２上にあることがわかる。
【００４１】
本発明の別の実施形態では、図１９に示す通り、ＬＥＤアセンブリへの接続はベース１７４上の隔離された端子１７５によってなされる。  絶縁層１７１内の開口が従来通りＬＥＤ用の井戸を形成する。絶縁層１７１は基平面１７２を任意に含むことができる。金属ビア１７３は半導体トレース（図示せず）を介して分離型の端子１７５からダイへの電気的接続を容易にする。図２０は複数のダイ１０を収容するよう設計された本実施形態のバージョンを示す。
【００４２】
本発明は以下の具体的な実施例を検討することによりさらに明確に理解されるであろう。
【００４３】
実施例
Ｈ．Ｃ．  Ｓｔａｒｃｋ  Ｃｏ．社製の銅１３％、モリブデン７４％、銅１３％（ＣＭＣ）の金属積層板を使用して部品を作製した。各ダイオード電極の場所に対応するよう厚膜の金のボンディング・パッドが金属ベース上に焼成される。パッドはＣＭＣベースに電気的および熱的に接続される。ＬＥＤキャビティを形成し、電気的接続を行い、かつアレーの筺体を形成するためにＣＭＣに適合する４層のセラミック・テープが使用される。セラミック・テープは、Ｆｅｒｒｏ  Ｃｏｒｐ．社およびその他によって提供されたガラスおよび樹脂からなる。テープの材料は、粉砕して混合され、平坦なシートに成型される。その後、打ち抜き、印刷、コレーティング、および積層処理を含む通例の「生（グリーン）」テープ処理法を利用して加工される。
【００４４】
キャビティは、ルーティング(回転工具で材料を切除する処理)、生(グリーン)状態で積層処理中に硬質の工具を使用した成形プレス加工、またはポンチ・シャフト１９１とテーパ付きシャフト１９２を備えた円形のポンチ工具１９０（図２１）を使用する各セラミック層のキャビティの打ち抜き加工（生状態の打ち抜き加工）によって形成される。円形ポンチ１９３がセラミック・テープの穿孔断片を押し出し、その後、テーパ付きシャフト１９２が生テープにテーパを押し付ける。打ち抜きの前に表面が任意に銀またはアルミニウムの金属粉末でコーティングされる。ポンチ作業中に金属粉末はセラミック・テープに移される。焼成されると、その金属はセラミック中に焼結する。また、テーパの表面は焼成後に回転研磨工具を使用して研磨される。研磨された表面はまた、セラミック・テープの製造において、より微細な粒子サイズのセラミック粉末を使用することで得られる。粒子サイズがより微細であることで仕上げられた部品の表面粗さは軽減する。
【００４５】
ＣＭＣベースは積層処理中に取り付けられ、約９００℃（〜９００℃）での焼成中にテープ層に結合される。複数のアレーが単一のウェハ上で処理され、その後、焼成の後にダイシング加工により分離される。パッケージ化が完了した後、８０％Ａｕ／２０％Ｓｎのハンダを使用したハンダ付けによって、またはＡｂｌｅｂｏｎｄ８４ＬＭＩ等の導電性エポキシを使用して、個々のダイオードが各キャビティの底部にある金のパッドに接続される。金のパッドは金属ベースに接続される。導電性ビアはセラミック層の最上面の電気端子を金属ベースに接続する。アノードまたはカソードはダイオードの裏側に共通に接続され、次に金のボンディング・パッドに接続される。ダイオードの反対側はワイヤ・ボンドを使用してアレーに電気的に接続される。そのボンドはダイオードからセラミック層の１層のボンディング・パッドまで接続される。厚膜な導電性のトレースが、ボンディング・パッドを有するセラミック層の表面上に付着される。そのトレースはセラミック層の最上面上の電気端子に導電性ビアを通じて接続される。直列、並列、及びそれらを組み合わせた直列−並列などのダイオードの様々な接続が可能である。電圧降下及び電流制限用の抵抗器、インダクタ、及びキャパシタが、セラミック層の間に埋められる部品として、あるいはパッケージの最上面上に実装される別個の部品として追加されて良い。さらなる、制御用、ＥＳＤ保護用、および電圧制御用の半導体がダイまたはパッケージ化された形で追加されてもよい。最後に、各デバイスの光出力を向上させるためにＨｙｓｏ１１６００のような屈折率整合用のエポキシが各ダイオードのキャビティに加えられ、それに続いて透明のＨｙｓｏ１１６００を使用して取り付けられることが可能なカバーもしくはレンズが加えられることが可能である。
【００４６】
ＩＩＩ．Ｂ．ＬＴＣＣ−Ｍパッケージ化
生(グリーン)セラミック・テープの複数の層から多層のセラミック回路基板が作られる。生のテープは特定のガラス組成および任意のセラミック粉末から作られ、それらは有機結合財および溶剤と混合され、成型され、切断されてテープを形成する。配線パターンはテープの層上にスクリーン印刷され、様々な機能を果たすことができる。その後、テープにビアが打ち抜かれ、導電性インクで充填されて１個の生テープ上の配線を別の生テープ上の配線に接続する。そしてテープを位置合わせし、積層し、有機材料を除去するために焼成して、金属パターンを焼結し、ガラスを結晶化する。これは一般的に約１０００℃未満、好ましくは７５０℃から９５０℃の温度で実施される。ガラスの組成は熱膨張係数、誘電定数、および多層セラミック回路基板の様々な電子部品に対する適合性を決定する。７００℃から１０００℃の温度範囲で焼結する、無機フィラーを有する範例的な結晶化ガラスは、マグネシウム・アルミノ−ケイ酸塩、カルシウム・ホウ−ケイ酸塩、鉛・ホウ−ケイ酸塩、およびカルシウム・アルミノ−ホウ酸塩である。
【００４７】
さらに最近では、金属支持基板（金属板）が生テープを支持するために使用されてきている。金属板はガラス層に強度を与える。さらに、生テープ層を金属板の両側に取り付けることができ、適切な接着ガラスを用いて金属板に接着することができるため、金属板は複雑さと密度が増大な回路およびデバイスを許容する。また、抵抗器、インダクタ、およびキャパシタといった受動部品と能動部品が付加的な機能のために回路基板に組み入れられることが可能である。ＬＥＤ等の光学部品が設置される場合、パッケージの反射光学特性を促進するようにセラミック層の壁が形作られ、かつ／またはコーティングされることが可能である。このようにして、低温同時焼成セラミック−金属支持基板、またはＬＴＣＣ−Ｍとして知られるこのシステムは単一パッケージ内の様々なデバイスおよび回路の高度な集積化のための手段であることが立証された。本システムは、例えば支持基板用の金属および生テープのガラスを適切に選択することによって、シリコンを主原料とするデバイス、リン化インジウムを主原料とするデバイス、砒化ガリウムを主原料とするデバイスに適合するように調整することが可能である。
【００４８】
ＬＴＣＣ−Ｍ構造のセラミック層は金属支持基板の熱膨張係数と整合をとらなければならない。様々な金属または金属マトリックス複合材料の熱膨張特性に整合するガラス質セラミックの組成が知られている。ＬＴＣＣ−Ｍ構造および材料は２００２年９月２４日付けでＰａｌａｎｉｓａｍｙらに発行され、Ｌａｍｉｎａ  Ｃｅｒａｍｉｃｓに譲渡された米国特許第６，４５５，９３０号「Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｈｅａｔ  ｓｉｎｋｉｎｇ  ｐａｃｋａｇｅｓ  ｕｓｉｎｇ  ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  ｃｅｒａｍｉｃ  ｍｅｔａｌ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」に述べられている。米国特許第６，４５５，９３０号は本願明細書に参照され組み込まれている。ＬＴＣＣ−Ｍ構造はさらに、米国特許第５，５８１，８７６号、第５，７２５，８０８号、第５，９５３，２０３号、および第６，５１８，５０２号に述べられており、これらすべてはＬａｍｉｎａ  Ｃｅｒａｍｉｃｓに譲渡され、本願明細書に参照され組み入れられている。
【００４９】
ＬＴＣＣ−Ｍ技術に使用される金属支持基板は高い熱伝導率を有するが、金属板には高い熱膨張係数を有するものもあり、よって、むき出しのダイがそのような金属支持基板に直接実装されることはできない。しかし、粉末冶金技術を使用して作製される銅とモリブデン（１０〜２５重量％の銅を含む）、または銅とタングステン（１０から２５重量％の銅を含む）の金属複合材料といった目的で使用され得る金属支持基板があることが知られている。鉄、ニッケル、コバルト、およびマンガンの合金であって、Ｃａｒｐｅｎｔｅｒ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社の商標である銅で被覆されたＫｏｖａｒ（登録商標）は極めて有用な支持基板である。ＡｌＳｉＣは、アルミニウムもしくは銅とグラファイトの複合材料のように、直接取付けに使用できるその他の材料である。
【００５０】
その他の十分な冷却が要求される場合としては、フリップ・チップ・パッケージ化の熱の管理がある。例えば、図１６および図１７はＬＴＣＣ−ＭパッケージがＬＥＤダイを収容する本発明のＬＥＤシステムを示す。高密度に密集する超小型回路、および大量の熱を発生させるデコーダ／ドライバ、増幅器、発振器等のデバイスもまたＬＴＣＣ−Ｍ技術を有利に使用することができる。集積回路の最上層上の金属化は、パッケージあるいはチップを有するモジュールに対してワイヤ・ボンデイングが行えるよう、チップのエッジに入出力ラインを持ってくる。したがって、ワイヤ・ボンディング用のワイヤの長さが問題となり、ワイヤが長すぎると寄生につながる。極めて高度な集積チップの費用は、回路を作製するために必要とされるシリコンの面積よりはむしろボンディング・パッドの配置によって決定される。フリップ・チップのパッケージ化は、接続するためにワイヤ・ボンディング・パッドではなく、ハンダ・バンプを使用することによって少なくともこれらの問題のいくつかを克服する。ハンダ・バンプはワイヤ・ボンディング・パッドより小さく、チップが上下反対の場合、あるいは反転した場合には、パッケージにチップを取り付けるためにハンダ・リフローが使用できる。ハンダ・バンプが小さいため、多層のパッケージを使用すればチップをその内部で入出力の接続を有することができる。したがって、ボンディング・パッドの数やサイズではなく、中のトランジスタの数がチップのサイズを決定する。
【００５１】
しかし、単一のチップ上で密度が高くなり機能が集積化することは、チップ上の温度が高くなり、最適な回路密度を十分に利用することを妨げる可能性がある。ヒート・シンクだけがチップをパッケージに接続する微小のハンダ・バンプである。これがもし不十分であれば、小型の能動型または受動型のヒート・シンクをフリップ・チップの上面に追加されなければならない。このような追加されるヒート・シンクは組み立ての費用、必要な部品の数、およびパッケージの費用を増加させる。特に、ヒート・シンクが小さい熱質量を有する場合、同様に有効性も限られる。
【００５２】
本発明の最も簡易な形状において、ＬＴＣＣ−Ｍ技術は半導体部品および付随する回路の集積化パッケージを供給するために使用され、導電性金属支持板はその部品のヒート・シンクを供給する。むき出しの半導体ダイを、例えば、半導体部品を冷却するための高い熱伝導率を有するＬＴＣＣ−Ｍシステムの金属ベース上に直接実装することができる。そのような場合では、部品を動作する電気信号はセラミックから部品まで接続されなければならない。図７，８、および９において、ワイヤ・ボンド５４はこの目的を果たす。金属指示板に間接的に取り付けることもまた利用される。このパッケージでは、必要な部品の全てが金属支持板上に実装され、導電体や抵抗器などの埋め込まれた受動部品を多層セラミック部分の中に組み込み、様々な部品、つまり半導体部品、回路、ヒート・シンク等を集積化パッケージ内で接続する。パッケージは蓋で密封することができる。
【００５３】
改善されたヒート・シンクを有するさらに複雑な構造のために、本発明の集積化パッケージを第１および第２のＬＴＣＣ−Ｍ基板と組み合わせる。第１の基板はその上に実装された半導体デバイス、および部品を動作させるための埋め込まれた回路を備えた多層セラミック回路基板を有し、第２の基板はその上に実装されたヒート・シンクまたは導電性スプレッダを有する。熱電（ＴＥＣ）プレート（ペルチェ・デバイス）および温度制御回路が第１基板と第２の基板との間に実装され、半導体デバイスの改善された温度制御を供給する。密封された筺体は金属支持板に接着することができる。
【００５４】
ＬＴＣＣ−Ｍ技術の利用により、集積化放熱作用と共にフリップ・チップのパッケージ化の利点もまた利用することができる。本発明のパッケージは、現在存在しているパッケージよりも、小型で安価に、そしてより効率的に作製することができる。金属基板はヒート・スプレッダまたはヒート・シンクとしての働きをする。フリップ・チップは直接金属基板上に実装され、それがパッケージの集積部となり、付加的に放熱する必要がなくなる。フリップ・チップ上のバンプを覆って弾力性のある回路を実装することができる。多層セラミックを使用することで、パッケージ周縁部への散開および経路設定を達成することもまた可能になり、さらに放熱作用も向上させる。大電力集積回路および高温管理が必要なデバイスを、この新しいＬＴＣＣ−Ｍ技術と共に使用することができる。
【００５５】
上述の実施形態が、多数の考えられる具体的な実施形態のうちのわずかに過ぎず、それらが本発明の応用を表わすことができることは理解される。数多くの変更されたその他の配置構成は、本発明の趣旨や範囲から逸脱することなく当業者によってなされ得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
添付の図面に関連して詳細に説明する実施形態を熟慮することにより、本発明の利点、性質及び様々なその他の特徴が十分に明らかなものとなるであろう。
【００５７】
【図１】高温ＬＥＤ光源を使用した改良されたＤＭＤ画像プロジェクタの概略図である。
【図２】高温ＬＥＤ光源を使用した改良されたＬＥＤプロジェクタの概略図である。
【図３】高温作動用にパッケージ化されたＬＥＤの第１の実施形態の概略断面図である。
【図４】上部のセラミック層に対しどのように回路部品が追加できるかを示す図である。
【図５Ａ】前記セラミック層の典型的な光を分散するキャビティを示す。
【図５Ｂ】前記セラミック層の典型的な光を分散するキャビティを示す。
【図６】ＬＥＤの別の実施形態の概略断面図である。
【図７】パッケージ化されたＬＥＤの別の実施形態を示す図である。
【図８】パッケージ化されたＬＥＤの別の実施形態を示す図である。
【図９】パッケージ化されたＬＥＤの別の実施形態を示す図である。
【図１０】図３の実施形態によるＬＥＤのアレーを示す。
【図１１】概略断面図に組み立てが特に容易なアレーを示す。
【図１２】有利なアレーの上面図である。
【図１３】有利なアレーの上面図である。
【図１４】本発明のＬＥＤアレーをプラグイン・カードとして示す。
【図１５】追加の外部ヒートシンク上に実装された図１４のカードを示す。
【図１６】ハンダまたは金ボールによってＬＴＣＣ−Ｍパッケージのトレースに接着されたフリップ・チップ・ダイの上面を示す。
【図１７】ハンダまたは金ボールによってＬＴＣＣ−Ｍパッケージのトレースに接着されたフリップ・チップ・ダイの側面を示す。
【図１８】ＬＴＣＣ−Ｍパッケージの導電性トレースを示す。
【図１９】単離されたベース端子及びビアを有する単一のＬＥＤパッケージを示す。
【図２０】複数のＬＥＤダイに適合した図１９のパッケージを示す。
【図２１】先細りしたキャビティを形成するための円形の穴あけ器具を示す。
【００５８】
これらの図は本発明の概念を示すためのものであって、縮尺通りではないことを理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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