(57)【要約】  本発明は、時分割多重エッチング・プロセス間に容器内の圧力を制御する方法を提供する。スロットル・バルブは、時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１つのステップにおいて開ループ圧力制御アルゴリズムに基づき制御する。ステップの圧力応答を所望の圧力応答と比較し評価する。さらに、所望の圧力応答の評価に基づき時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎に比例、積分及び微分コントローラによりスロットル・バルブを位置決めする。
2008544546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法であって、
基板を容器内に置くステップと、
容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、
時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１つのステップにおいて、開ループ圧力制御アルゴリズムに基づきスロットル・バルブを位置決めするステップと、
時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎に閉ループ圧力制御アルゴリズムに基づきスロットル・バルブを位置決めするステップと、
基板を容器から取り除くステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記時分割多重エッチング・プロセスは、さらに、
プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、
プラズマによって基板から物質をエッチングするステップと、
沈着するステップとエッチングするステップを繰り返すプロセス・ループを実行するステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記開ループ圧力制御アルゴリズムは、スロットル・バルブ位置制御であることを特徴とする前記方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記時分割多重エッチング・プロセスのステップでスロットル・バルブ位置制御によりスロットル・バルブが定位置に保持されることを特徴とする前記方法。
【請求項５】
請求項３記載の方法において、前記時分割多重エッチング・プロセスのステップでスロットル・バルブ位置制御により時間の関数に基づきスロットル・バルブが位置決めされることを特徴とする前記方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、前記時間の関数は、線形であることを特徴とする前記方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法において、前記時間の関数は、非線形であることを特徴とする前記方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、前記閉ループ圧力制御アルゴリズムは、比例、積分及び微分コントローラであり、前記スロットル・バルブは、比例、積分及び微分コントローラにより位置決めされることを特徴とする前記方法。
【請求項９】
エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法であって、
基板をプラズマ容器内に置くステップと、
容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、
時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１つのステップにおいて予め定められた位置にスロットル・バルブを位置決めするステップと、
予め定められた時間およびスロットル・バルブの予め定められた位置を維持するステップと、
時分割多重エッチング・プロセスのステップの残りの時間においてスロットル・バルブを処理法で指定された位置に再度、位置決めするステップと、
基板を容器から取り除くステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、前記時分割多重エッチング・プロセスは、さらに、
プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、
プラズマによって基板から物質をエッチングするステップと、
沈着するステップとエッチングするステップを繰り返すプロセス・ループを実行するステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項１１】
請求項９記載の方法において、前記予め定められた位置は、処理法で指定された設定値に基づいて決められることを特徴とする前記方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、前記予め定められた位置は、処理法で指定された設定値に対して比例することを特徴とする前記方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の方法において、前記予め定められた位置は、処理法で指定された設定値に対してオフセットしていることを特徴とする前記方法。
【請求項１４】
請求項９記載の方法において、前記予め定められた時間は、時分割多重エッチング・プロセスのステップの時間よりも短いことを特徴とする前記方法。
【請求項１５】
エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法であって、
基板をプラズマ容器内に置くステップと、
容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、
時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１つのステップにおいて、スロットル・プリセット・パラメータによってスロットル・バルブを制御するステップと、
前記ステップの圧力応答を評価し所望の圧力応答と比較するステップと、
制御アルゴリズムを適用し評価ステップに基づき時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎にスロットル・プリセット・パラメータを変更するステップと、
基板を容器から取り除くステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法において、前記時分割多重エッチング・プロセスは、さらに、
プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、
プラズマによって基板から物質をエッチングするステップと、
沈着するステップとエッチングするステップを繰り返すプロセス・ループを実行するステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の方法において、前記所望の圧力応答は、ステップ応答関数であることを特徴とする前記方法。
【請求項１８】
請求項１５記載の方法において、前記制御アルゴリズムは、閉ループ圧力制御アルゴリズムであることを特徴とする前記方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法において、前記閉ループ圧力制御アルゴリズムは、比例、積分及び微分コントローラであり、前記スロットル・バルブは、比例、積分及び微分コントローラにより位置決めされることを特徴とする前記方法。
【請求項２０】
請求項１５記載の方法において、前記スロットル・プリセット・パラメータは、スロットル位置であることを特徴とする前記方法。
【請求項２１】
請求項１５記載の方法において、前記スロットル・プリセット・パラメータは、プリセット保持時間であることを特徴とする前記方法。
【請求項２２】
エッチング・プロセスの間にプロセス実行を制御する方法であって、
基板をプラズマ容器内に置くステップと、
容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、
時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１つのステップにおいて、処理法で指定されたパラメータのサブセットの実行タイミングを変更するステップと、
基板を容器から取り除くステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の方法において、前記時分割多重エッチング・プロセスは、さらに、
プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、
プラズマによって基板から物質をエッチングするステップと、
沈着するステップとエッチングするステップを繰り返すプロセス・ループを実行するステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２４】
請求項２２記載の方法において、前記実行タイミングは、設定値移行の開始であることを特徴とする前記方法。
【請求項２５】
請求項２２記載の方法において、前記実行タイミングは、設定値保持時間であることを特徴とする前記方法。
【請求項２６】
請求項２２記載の方法において、変更された前記実行タイミングは、少なくとも２つのプロセス変数の実行順序を変更することを特徴とする前記方法。
【請求項２７】
エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法であって、
基板をプラズマ容器内に置くステップと、
容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、
時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１つのステップにおいて、スロットル・プリセット・パラメータによってスロットル・バルブを制御するステップと、
前記ステップの圧力応答を所望の圧力応答と比較し評価するステップと、
制御アルゴリズムを適用し評価するステップに基づき時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎にスロットル・プリセット・パラメータを変更するステップと、
第２の制御アルゴリズムに基づき時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎にスロットル・バルブを位置決めするステップと、
基板を容器から取り除くステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２８】
請求項２７記載の方法において、前記時分割多重エッチング・プロセスは、さらに、
プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、
プラズマによって基板から物質をエッチングするステップと、
沈着するステップとエッチングするステップを繰り返すプロセス・ループを実行するステップとを含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２９】
請求項２７記載の方法において、前記所望の圧力応答は、ステップ応答関数であることを特徴とする前記方法。
【請求項３０】
請求項２７記載の方法において、前記第１の制御アルゴリズムは、第１の閉ループ圧力制御アルゴリズムであることを特徴とする前記方法。
【請求項３１】
請求項３０記載の方法において、前記第１の閉ループ圧力制御アルゴリズムは、第１の比例、積分及び微分コントローラであり、前記スロットル・バルブは、第１の比例、積分及び微分コントローラにより位置決めされることを特徴とする前記方法。
【請求項３２】
請求項２７記載の方法において、前記スロットル・プリセット・パラメータは、スロットル位置であることを特徴とする前記方法。
【請求項３３】
請求項２７記載の方法において、前記スロットル・プリセット・パラメータは、プリセット保持時間であることを特徴とする前記方法。
【請求項３４】
請求項２７記載の方法において、前記第２の制御アルゴリズムは、第２の閉ループ圧力制御アルゴリズムであることを特徴とする前記方法。
【請求項３５】
請求項３４記載の方法において、前記第２の閉ループ圧力制御アルゴリズムは、第２の比例、積分及び微分コントローラであり、前記スロットル・バルブは、第２の比例、積分及び微分コントローラにより位置決めされることを特徴とする前記方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願へのクロスリファレンス
本願は、「時分割多重（ＴＤＭ）エッチング・プロセスにおけるプロセス制御の方法及び装置」と題する２００３年４月７日出願の米国仮特許出願第６０／４６０，９３２号についての優先権を主張するものであり、この出願は、参照によりその全体が本明細書に組入れられる。本願は、同時係属中の「時分割多重（ＴＤＭ）エッチング・プロセスにおけるプロセス制御の方法及び装置」と題する２００４年３月３１日出願の米国特許出願第１０／８１５，９６５号の一部継続出願であり、この出願は、参照によりその全体が本明細書に組入れられる。
【０００２】
発明の分野
本発明は、一般的に、半導体ウェハ処理の分野に関するものである。特に、本発明は、時分割多重によるエッチングと沈着プロセスの際の反応容器圧力制御の方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
発明の背景
ミクロ電気機械（ＭＥＭＳ）デバイスの製造において、高いアスペクト比を持つ形状をシリコンで製造することが広く用いられている。この形状は、１０から１００マイクロメータの範囲の深さを有することが多い。製造性を確保するために、高いエッチング速度でエッチング・プロセスを行い、滑らかなエッチング輪郭などの他の性能要求とともに、妥当なスループットを維持ことが必要となる。
【０００４】
従来の単１ステップから構成されているプラズマ・エッチング・プロセスでは、これらの要求を同時に満足させることができないため、時分割多重によるエッチング・プロセスが開発されてきた。シリコンをエッチングする時分割多重（ＴＭＤ）による方法は、スズキ他による発明（米国特許第４，５７９，６２３号）、カワサキ他による発明（米国特許第４，７９５，５２９号）及びラエマ（Ｌａｅｒｍｅｒ）他による発明（米国特許第５，５０１，８９３号）に記載されている。通常、ＴＤＭエッチング・プロセスは、エッチングと沈着のステップを交互に行う。例えば、シリコン（Ｓｉ）基板をエッチングする際には、エッチングガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ６）が用いられ、沈着ガスとしてオクトフッ化シクロブタン（Ｃ４Ｆ８）が用いられる。エッチング・ステップでは、ＳＦ６は、シリコン（Ｓｉ）の自発的かつ等方的なエッチングを行う。沈着ステップでは、Ｃ４Ｆ８は、エッチングされた構造の底部と側面に対して、保護用ポリマによる不活性化層を形成する。次のエッチング・ステップでは、高エネルギの指向性を有するイオン衝突により、前段の沈着ステップでエッチング構造の底部にコーティングされたポリマ皮膜を除去し、更に別のエッチングのために、シリコン表面を露出させる。この際、側面のポリマ皮膜は残り、側面のエッチングを防止する。ＴＤＭプロセスは、エッチングと沈着のプロセス・ステップを交互に繰り返し、マスクされたシリコン基板に形成すべき高いアスペクト比をもつ構造を高いエッチング速度で形成する。
【０００５】
各プロセス・ステップでは、ガス（例えば、ＳＦ６やＣ４Ｆ８）がプロセス処理法で指定された流量率でガス入力口から反応容器に導入される。通常、ＴＤＭエッチング・プロセスは、高濃度プラズマ（例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）や電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）等を用いた）反応容器で行われる。
【０００６】
ＴＤＭプロセスの処理法は、一連のプロセス・ループとステップから構成されている。各ループは、プロセス変数（例えば、ガス流量率、容器内圧力、ＲＦ出力、プロセス・ステップ時間、容器内温度、ウェハ温度等）を制御する２つ又はそれ以上の数のプロセス・ステップから構成されている。１つのループ内のステップを複数回繰り返した後、全体のプロセス処理法で指定された次のステップ又はループに移る。ループを繰り返す際に、エッチング性能を向上させるために、プロセス・ステップのパラメータを変更することが知られているが、それは、従来例において、プロセス変更として知られている（タイゼイラ（Ｔｅｉｘｅｉｒａ）他による発明、米国特許第６，４１７，０１３号参照）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
圧力制御は、エッチングと沈着プロセスにおいて重要な要素である。繰り返し可能な製造プロセスで、所望の沈着特性とエッチング特性を得るためには、容器内に存在するプロセス・ガスの流量率と圧力を緻密に制御する必要がある。
【０００８】
通常、ＴＤＭプラズマ反応容器排気システムは、スロットル・バルブによって反応容器から隔離されたターボ・ポンプを備えている。圧力コントローラは、圧力計から得られた反応容器内圧力データを用いて、スロットル・バルブを制御する。コントローラは、スロットル・バルブを開け閉めして、ターボ・ポンプから反応容器に供給される真空度を増減させる。このようにして、コントローラは、反応容器内での所望の圧力を維持する。ＴＤＭプロセスの間、反応容器内圧力の設定値とガス流量率とは、プロセス・ループ内で繰り返し変化する。ガス・フローは、単一のガス成分から構成されているか又は複数のガス成分の混合となっている。圧力コントローラは、スロットル・バルブ位置を調整して、これらの変化する流量と圧力の状態を補償する。理想的には、圧力コントローラは、スロットル・バルブ位置を調整して、圧力設定値に対してオーバ・シュートやアンダ・シュートを引き起こすことなく、瞬時に圧力設定値を達成することが望ましい。
【０００９】
現在入手可能なスロットル・バルブとスロットル・コントローラは、通常、圧力制御モード又は位置制御モードのいずれかのモードで動作する。圧力制御モードでは、コントローラは、反応容器内の圧力を監視し、スロットル・バルブ位置を調整することにより設定圧力値を維持するように動作する（すなわち、閉ループ圧力制御である）。位置制御モードでは、コントローラは、反応容器内の圧力を監視せず、スロットル・バルブ位置を予め設定した位置に調整するように動作する（すなわち、開ループ圧力制御である）。
【００１０】
多くの技術グループは、プラズマ反応容器のプロセス制御の手段について検討を行っている。ケッセル（Ｋｅｓｓｅｌ）他は（米国特許第４，２５３，４８０号において）、圧力制御のために調整可能なソレノイド・バルブを用いた圧力レギュレータを開示している。ケッセルは、真空容器内で用いられる多数のスロットル・バルブの動作を指示する基本的な機構を提示している。容器内の実際の圧力を測定し電気信号に変換する。コンパレータは、実際の圧力の値と設定圧力値との間の差を示す調整信号を生成する。レギュレータは、この調整信号を用いてバルブの開位置と閉位置との範囲にある中間位置の間でバルブ部材が位置調整可能となるようにバルブに命令を出す。実際には、ＴＤＭプロセス・ツールで用いられるスロットル・バルブは、以下の原理に基づいて動作させる。しかし、前述したように、常に変化するＴＤＭプロセスの途中では圧力を制御することができないことは、実際の問題となるが、ケッセルの手法では言及されていない。
【００１１】
カベー（Ｋａｖｅｈ）他による発明（米国特許第５，７５８，６８０号）及びマクミラン（ＭｃＭｉｌｌｉｎ）他による発明（米国特許第６，１４２，１６３号）は、異なるプロセス・ステップ間でのスロットル・バルブ動作を最小にとどめるように、反応容器内の圧力変動を補償するために排気システムにガスを挿入するバラスト・ポートを用いることを記載している。さらに、これらの発明は、真空容器内でガスを安定化させる時間を短縮する方法も記載している。まず始めに、スロットル・バルブを所望の位置に前もって位置設定しておく。この所望の位置は、あらかじめ定められた見積曲線を用いて推定する。次に、所定の時間にスロットル・バルブ動作を制御するために比例及び微分（ＰＤ）制御を適用する。次に、スロットル・バルブ動作を調整するために比例、積分及び微分（ＰＩＤ）制御を適用する。これらの発明が開示している事例では、圧力を安定化させる時間は、約２０秒であったものを少なくとも３秒から５秒に短縮したことが示されている。カベー及びマクミランは、プロセス・ステップが前のステップから次のステップに移行する際にガスの流量率と圧力に変化が起こることについては言及しているが、ＴＤＭプロセスを繰り返して変化させて用いることとについては記載していない。さらに、多数のＴＤＭプロセスは、数秒又はそれより短い時間だけ継続するプロセス・ステップを変化させることを用いるのが通例であるが、これらの発明が開示する方法では、圧力制御は、非現実的なものとなる。
【００１２】
ブラウン（Ｂｒｏｗｎ）他による発明（米国特許第６，１１９，７１０号）は、反応容器への調節可能なガス・フローを用いて、容器内の圧力変動を補償することを記載している。しかし、多数のＴＤＭプロセスでは、プロセス・ステップ中にプロセス・ガスの流量率を変化させることは、好ましくないことである。
【００１３】
ベイヤ（Ｂｅｙｅｒ）他による発明（米国特許第５，９４４，０４９号）は、真空ポンプの排気側の排気圧力、又は第１ａ真空ポンプの圧縮段の内部圧力を制御することにより、容器内圧力を調整することについて記載している。真空ポンプ速度の調節又は不活性ガスを真空ポンプの排気側又は圧力段に噴射を用いて反応容器内の圧力を制御する。ベイヤは、この方法をＴＤＭプロセスで、どのように使うのかについては言及していない。
【００１４】
ピュエシュ（Ｐｕｅｃｈ）他による発明（米国特許出願第２００２０１６８４６７号）は、排気ポート付近の領域に受動制御ガスを補完的な流量率で噴射することにより、圧力を制御する方法を記載している。真空容器内への全ガス流量率が実質的に一定率に維持されるように制御された受動ガスの流量率を調整する。ピュエシュは、１秒オーダでのプロセス・ステップを用いるＴＤＭプロセスでの圧力制御について言及しているが、その方法では、圧力制御においてスロットル・バルブを動的に調整することを用いる点については言及していない。
【００１５】
ＴＤＭプロセスの圧力制御及び位置制御のための現状の圧力制御の方法には、制約がある。ＴＤＭプロセスでの圧力制御モードに関する実際に起こる問題の１つは、圧力応答時間を短くする課題と設定値と制御値との間の偏差を最小にする課題という相反する課題の間をトレード・オフする必要があるという問題である。圧力設定値に対してオーバ・シュートする期間をある程度許せば、速い応答時間が可能となる。この設定値に対するオーバ・シュートを最小化するために圧力制御モード・アルゴリズムを最適化すると、結果として、応答時間が遅くなってしまう。ＴＤＭステップの所要時間が短縮されることに伴い、処理方式で指定された設定値に到達するよう試みるために費やされる時間は、プロセス時間の中で多くの部分を占めることになる。
【００１６】
ＴＤＭプロセスで位置制御モードの現状の方法での問題は、圧力応答時間が許容できないほど長くなるということである。位置制御モードは、プロセス・オーバ・ヘッドを最小化するものであるのに対し、応答時間が長くなることは、要求された設定値に容器内圧力を近づけるために、結果として、プロセス時間の中で多くの時間を要することになる（すなわち、処理方式で指定された設定値に合わせることができない）。
【００１７】
位置制御モードの方法に関する別の問題は、その方法がオープン・ループ圧力制御アルゴリズムである点である。従って、ガス・フロー又はポンプ効率の変動に対して補正がなされないという問題がある。これらの変動により、プロセス圧力又はその後のプロセス性能には、時間の経過とともに変化が生じやすくなる。
【００１８】
従って、ＴＤＭプロセスでは、好ましくは、数秒又はそれより短い時間継続するプロセス・ステップを用いるプロセスのために圧力制御手段を設ける必要がある。
【００１９】
いずれの従来例も、本発明がもたらす利点を提供するものではない。
【００２０】
従って、本発明の目的は、従来例の装置の不備を克服するとともに、半導体プロセス技術の進歩に顕著な貢献できるような改善策を提供することである。
【００２１】
本発明の他の目的は、基板に異方性を以って形状をエッチングする方法を提供することである。この方法は、プラズマ容器内で交互に繰り返すプロセスを基板に対して適用するステップであり、交互に繰り返すプロセスは、エッチング・ステップと沈着ステップとを有することを特徴とするステップと、交互に繰り返すプロセスの沈着ステップの間に基板に薄膜を沈着するために第１のプロセス・ガスをプラズマ容器内に導入するステップと、交互に繰り返すプロセスのエッチング・ステップの間に基板をエッチングするために第２のプロセス・ガスをプラズマ容器内に導入するステップと、交互に繰り返すプロセスの少なくとも１つのステップの間に予め定められた時間に予め定められた位置設定値にスロットル・バルブを設定することによりプラズマ容器内の圧力を調整するステップと、交互に繰り返すプロセスの沈着ステップと、交互に繰り返すプロセスのエッチング・ステップとに対して処理法で指定された時間にプラズマに点火するステップと、予め定められた時間が満了した後に閉ループ圧力制御アルゴリズムを適用するステップと、ステップの残りの時間に閉ループ圧力制御によって処理法で指定された圧力設定値にプラズマ容器内の圧力を制御するステップとを含む方法である。
【００２２】
本発明の他の目的は、時分割多重プロセスで圧力制御を行う方法を提供することである。この方法は、予め定められた時間、予め定められた位置設定値にスロットル・バルブを設定することにより時分割多重プロセスの少なくとも１ステップにおいて、真空容器内のプロセス圧力を調整するステップと、少なくとも１つのプロセス・ガスを真空容器内に導入するステップと、予め定められた時間が満了した後に閉ループ圧力制御アルゴリズムを適用するステップと、時分割多重プロセスのステップの残りの時間に閉ループ圧力制御によって処理法で指定された圧力設定値に圧力を制御するステップとを含む方法である。
【００２３】
本発明の更に他の目的は、真空容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、予め定められた時間、予め定められた位置設定値にスロットル・バルブを設定することにより真空容器内のプロセス圧力を調整するステップと、真空容器内にガスを導入するステップと、予め定められた時間が満了した後に閉ループ圧力制御アルゴリズムを適用するステップと、閉ループ圧力制御によって処理法で指定された圧力設定値に真空容器内の圧力を制御するステップとを含む方法である。
【００２４】
本発明の更に他の目的は、エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、容器内に基板を配置するステップと、容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップ内で開ループ圧力制御アルゴリズムに基づいてスロットル・バルブを位置決めするステップと、時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎に閉ループ圧力制御アルゴリズムに基づいてスロットル・バルブを位置決めするステップと、容器から基板を取り除くステップとを含む方法である。
【００２５】
本発明の更に他の目的は、エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、容器内に基板を配置するステップと、容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップ内で予め定められた位置にスロットル・バルブを位置決めするステップと、予め定められた時間にスロットル・バルブの予め定められた位置を維持するステップと、時分割多重エッチング・プロセスのステップの残りのステップの間に処理法で指定された位置にスロットル・バルブを再度、位置決めするステップと、容器から基板を取り除くステップとを含む方法である。
【００２６】
本発明の更に他の目的は、エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、容器内に基板を配置するステップと、容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップ内でスロットル設定パラメータによってスロットル・バルブを制御するステップと、所望の圧力応答と比較して前記ステップの圧力応答を評価するステップと、制御アルゴリズムを適用し評価ステップに基づいて時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎にスロットル設定パラメータを変更するステップと、容器から基板を取り除くステップとを含む方法である。
【００２７】
本発明の更に他の目的は、エッチング・プロセスの間のプロセス実行を制御する方法を提供することである。本方法は、容器内に基板を配置するステップと、容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップにおいて処理法で指定されたパラメータのサブセットの実行タイミングを変更するステップと、容器から基板を取り除くステップとを含む方法である。
【００２８】
本発明の更に他の目的は、エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、容器内に基板を配置するステップと、容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行するステップと、時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップ内でスロットル設定パラメータによってスロットル・バルブを制御するステップと、所望の圧力応答と比較してステップの圧力応答を評価するステップと、第１の制御アルゴリズムを適用し評価ステップに基づいて時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎にスロットル設定パラメータを変更するステップと、時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎に第１の制御アルゴリズムに基づいてスロットル・バルブを位置決めするステップと、容器から基板を取り除くステップとを含む方法である。
【００２９】
上記は、本発明に関するいくつかの目的を概説したものである。これらの目的は、本発明の顕著な特徴と応用のいくつかに関する単なる例証として解釈すべきである。本開示に基づく発明を異なる方法で適用したり、本発明の開示の範囲で修正することにより上記の他に多数の有益な結果を得ることが可能である。従って、添付図面と共にクレームによって定義された本発明の範囲に加え、発明の概要ならびに好適な実施例の詳細な説明を引用することにより他の目的ならびに本発明の完全な理解が得られるものとなっている。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
発明の概要
本発明を概説すると、本発明は、ＴＤＭプロセス間に圧力容器内の圧力を制御する方法及び装置を含むものである。
【００３１】
本発明の１つの特徴は、基板に異方性を以って形状をエッチングする方法を提供することである。本方法は、以下のステップを含んでいる。基板をプラズマ容器内に置きエッチング・ステップと沈着ステップを有する交互に繰り返すプロセスを適用する。予め定められた時間に予め定められた位置設定値にスロットル・バルブを設定することにより、プラズマ容器内の圧力を調整し設定値に到達するのに必要な時間を最小化しながら、容器内の圧力が望ましい動作レベルからオーバ・シュートしたりアンダ・シュートすることがないようにする。交互に繰り返すプロセスの沈着ステップの間に基板に薄膜を沈着するためにオクトフッ化シクロブタン等の第１のプロセス・ガスをプラズマ容器内に導入する。交互に繰り返すプロセスの沈着ステップに対して処理法で指定された時間にプラズマに点火する。さらに、沈着ステップの残りの時間に閉ループ圧力制御によって処理法で指定された圧力設定値にプラズマ容器内の圧力を制御する。次に、予め定められた時間、プラズマ容器内の圧力を再び調整し設定値に到達するのに必要な時間を最小化しながら、容器内の圧力が望ましい動作レベルからオーバ・シュートしたりアンダ・シュートすることがないようにする。交互に繰り返すプロセスのエッチング・ステップの間に、基板をエッチングするために六フッ化硫黄等の第２のプロセス・ガスをプラズマ容器内に導入する。交互に繰り返すプロセスのエッチング・ステップの処理法で指定された時間にプラズマに点火する。予め定められた時間が満了した後、閉ループ圧力制御アルゴリズムを適用する。さらに、エッチング・ステップの残りの時間にプラズマ容器内の圧力を処理法で指定された圧力設定値に制御する。
【００３２】
予め定められた位置設定値は、以下のいずれかに設定もしくは以下に示すことに基づき決定することができる。
１．交互に繰り返すプロセス以前の同種のステップのスロットル・バルブの位置
２．交互に繰り返すプロセス以前の同種の複数のステップのバルブ位置の平均値
３．事前の校正実験
【００３３】
予め定められた位置設定値は、以前の同種のステップのスロットル・バルブ位置からのオフセットによって調節することが可能である。予め定められた位置設定値は、予め定めらた時間に、予め定義された関数を用いて変更することが可能である。予め定められた位置設定値は、処理法で指定された圧力設定値に到達する時間を最小化するように又は処理法で指定された圧力設定値からの偏差を最小化するように、交互に繰り返すプロセスの以前の同種のステップの圧力特性に基づいて変更することが可能である。
【００３４】
予め定められた時間は、約０．０５秒から０．５秒の間である。処理法で指定された圧力設定値に到達する時間を最小化するように又は処理法で指定された圧力設定値からの偏差を最小化するように、交互に繰り返すプロセス以前の同種のステップの圧力特性に基づいて予め定められた時間を変更することが可能である。
【００３５】
本発明の更に他の特徴は、時分割多重プロセスで圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、以下のステップを含んでいる。予め定められた時間に、スロットル・バルブを設定することにより時分割多重プロセスの少なくとも１つのステップにおいて真空容器内のプロセス圧力を調整し、設定値に到達するのに必要な時間を最小化しながら、容器内の圧力が望ましい動作レベルからオーバ・シュートしたりアンダ・シュートすることがないようにする。時分割多重プロセスに従って基板を処理するために少なくとも１つのプロセス・ガスを真空容器内に導入する。予め定められた時間が満了した後、閉ループ圧力制御アルゴリズムを適用する。さらに、時分割多重プロセスの処理ステップの残りの時間に閉ループ圧力制御アルゴリズムにより圧力容器内の圧力を処理法で指定された圧力設定値に制御する。
【００３６】
本発明の更に他の特徴は、真空容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、以下のステップを含んでいる。予め定められた時間に予め定められた位置設定値にスロットル・バルブを設定することによりプラズマ容器内の圧力を調整し、設定値に到達するのに必要な時間を最小化しながら、容器内の圧力が望ましい動作レベルからオーバ・シュートしたりアンダ・シュートすることがないようにする。ガスを、真空容器内に導入する。予め定められた時間が満了した後、閉ループ圧力制御アルゴリズムを適用する。さらに、閉ループ圧力制御アルゴリズムにより真空容器内の圧力を処理法で指定された圧力設置値に制御する。
【００３７】
本発明の更に他の特徴は、エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、以下のステップを含んでいる。容器内に基板を配置する。容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行する。時分割多重エッチング・プロセスは、プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、プラズマによって基板から物質をエッチングするステップとを有している。プロセス・ループを実行し沈着ステップとエッチング・ステップを繰り返す。開ループ圧力制御アルゴリズムに基づき時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップ内でスロットル・バルブを位置決めする。開ループ圧力制御アルゴリズムは、時分割多重エッチング・プロセスの１ステップ内で定位置にスロットル・バルブを保持することが可能なスロットル・バルブ位置決め制御とすることが可能である。スロットル・バルブ位置決め制御は、線形又は非線形の時間の関数に基づいて行うことが可能である。さらに、閉ループ圧力制御アルゴリズムによって、時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎にスロットル・バルブを位置決めする。閉ループ圧力制御は、比例、積分及び微分制御とすることが可能である。最後に、容器から基板を取り除く。
【００３８】
本発明の更に他の特徴は、エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、以下のステップを含んでいる。容器内に基板を配置する。容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行する。時分割多重エッチング・プロセスは、プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、プラズマによって基板から物質をエッチングするステップとを有している。プロセス・ループを実行し、沈着ステップとエッチング・ステップを繰り返す。開ループ圧力制御アルゴリズムに基づき時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップ内でスロットル・バルブを位置決めする。スロットル・バルブを予め定められた時間、予め定められた位置に保持し設定値に到達するのに必要な時間を最小化しながら、容器内の圧力が望ましい動作レベルからオーバ・シュートしたりアンダ・シュートすることがないようにする。予め定められた位置は、処理法で指定された位置設定値に基づいて決定し、処理法で指定された位置設定値に比例した値とするか、処理法で指定された位置設定値からオフセットした値とすることが可能である。さらに、時分割多重プロセスの処理ステップの残りの時間にスロットル位置を処理法で指定された位置設定値に再度、位置決めする。最後に、容器から基板を取り除く。
【００３９】
本発明の更に他の特徴は、エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、以下のステップを含んでいる。容器内に基板を配置する。容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行する。時分割多重エッチング・プロセスは、プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、プラズマによって基板から物質をエッチングするステップとを有している。プロセス・ループを実行し沈着ステップとエッチング・ステップを繰り返す。時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップ内でスロットル・プリセット・パラメータによりスロットル・バルブを制御し、設定値に到達するのに必要な時間を最小化しながら、容器内の圧力が望ましい動作レベルからオーバ・シュートしたりアンダ・シュートすることがないようにする。プリセット・パラメータは、スロットル位置又はプリセット保持時間とすることが可能である。ステップの圧力応答を評価し、望ましい圧力応答と比較する。望ましい圧力応答は、ステップ応答関数とすることが可能である。制御アルゴリズムを適用し、評価ステップに基づき時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎のスロットル・プリセット・パラメータを変更する。制御アルゴリズムは、比例、積分及び微分コントローラで構成可能な閉ループ圧力制御とすることが可能である。最後に、容器から基板を取り除く。
【００４０】
本発明の更に他の特徴は、エッチング・プロセスの間にプロセス実行を制御する方法を提供することである。本発明は、以下のステップを含んでいる。容器内に基板を配置する。容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行する。時分割多重エッチング・プロセスは、プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、プラズマによって基板から物質をエッチングするステップとを有している。プロセス・ループを実行し、沈着ステップとエッチング・ステップを繰り返す。時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１つのステップにおいて処理法で指定されたパラメータのサブセットの実行タイミングを変更する。実行タイミングの変更は、設定値の移行の開始、又は設定値の保持とすることが可能である。実行タイミングの変更により、少なくとも２つのプロセス変数の実行順序を変えることが可能である。最後に、容器から基板を取り除く。
【００４１】
本発明の更に他の特徴は、エッチング・プロセスの間に容器内の圧力を制御する方法を提供することである。本方法は、以下のステップを含んでいる。容器内に基板を配置する。容器内で時分割多重エッチング・プロセスを実行する。時分割多重エッチング・プロセスは、プラズマによって基板に不活性化層を沈着するステップと、プラズマによって基板から物質をエッチングするステップとを有している。プロセス・ループを実行し沈着ステップとエッチング・ステップを繰り返す。時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１ステップ内でスロットル・プリセット・パラメータによりスロットル・バルブを制御し、設定値に到達するのに必要な時間を最小化しながら、容器内の圧力が望ましい動作レベルからオーバ・シュートしたりアンダ・シュートすることがないようにする。プリセット・パラメータは、スロットル位置又はプリセット保持時間とすることが可能である。ステップの圧力応答を評価し望ましい圧力応答と比較する。望ましい圧力応答は、ステップ応答関数とすることが可能である。第１の制御アルゴリズムを適用し評価ステップに基づき時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎のスロットル・プリセット・パラメータを変更する。第１の制御アルゴリズムは、比例、積分及び微分コントローラで構成可能な第１の閉ループ圧力制御とすることが可能である。さらに、時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎に第２の制御アルゴリズムに基づきスロットル位置を再度、位置決めする。第２の制御アルゴリズムは、比例、積分及び微分コントローラで構成可能な第２の閉ループ圧力制御とすることが可能である。最後に、容器から基板を取り除く。
【００４２】
以上の説明は、従来技術に対する本発明の利点を完全に理解して、その詳細な記述を良く理解できることを目的として、本発明に直接、関連した重要な特徴を広く概説したものである。本発明のその他の特徴についても、本発明のクレームの主題を形成するものとして、以下で説明する。当業者であれば、ここに開示した概念と特定の実施様態は、本発明の目的と同じことを実行するために、その構造を変更したり他の構造を設計するための元として容易に用いることができると、判断できる。また、当業者であれば、このような等価な構成は、付属のクレームに示される本発明の主旨と範囲を逸脱するものではないと、認識できる。
【実施例】
【００４３】
本発明の詳細な説明
発明者達は、ＴＤＭ又は任意の交互に実行するステップ・プロセスにおいて、「保持及び解放」方法によって圧力を制御する手段を開示する。プロセス・ステップが次のプロセス・ステップに切り替えられた際に、スロットル・バルブは、予め位置決めされる。制御システムは、スロットル・バルブを予め位置決めしておくべき位置を自動的に設定するように構成されている。この設定位置は、先に実行した同一の種類のプロセス・ステップでのスロットル・バルブ位置の値に基づいて決められる。予め定められた時間、スロットル・バルブは、この設定位置に保持される。保持時間が経過した後、スロットル・バルブは解放され、閉ループ・フィードバック制御アルゴリズム（すなわち、ＰＩＤループ）を適用し、圧力制御モードでスロットル・バルブが真空容器内の圧力を調整する。以下、この制御システムと方法を開示する。
【００４４】
本発明のプラズマ・エッチング・システムを図１に示す。ＩＣＰ反応器では、ＲＦ発信器１００は、反応容器１１０の上部にあるコイル１０５に電力を供給する。この電力は、単一のプロセス・ガス又は複数のプロセス・ガスをイオン化し、プラズマ１２０を形成するために（不図示の）ガス入力口を介して導入される１つ又はそれ以上の数のプロセス・ガスに供給される。第２のＲＦ発信器は、ウェハ１２５上にＤＣバイアスを生じるようにウェハ・サポート１３０に電力を送り、これにより、ウェハ１２５の表面上にイオン衝突の方向とエネルギを制御する。排気システムは、連続して、反応容器１１０から排気マニホールドを通してガス成分（すなわち、未反応ガス、揮発性の副産物など）を除去する。反応容器１１０内の圧力は、スロットル・バルブ１４５によって調整される。スロットル・バルブ１４５は、スロットル・バルブ・コントローラ１４０によって動作する。反応容器１１０内の圧力は、圧力計１３５によって測定する。圧力計１３５からの出力信号は、スロットル・バルブ・コントローラ１４０に入力として送られる。
【００４５】
図２は、２つのステップからなるＴＤＭプロセスでの複数のループ２２５の所望の圧力応答２００を示す図である。第１のステップ２０５の圧力設定値２３０は、第２のステップ２１０の圧力設定値２３５とは異なるスロットル・バルブ位置を要求するものである。ＴＤＭプロセスでは、プロセス・ステップ間に設定値２２０に対する変動を最小にするため、ステップ間の迅速な立ち上がり時間２１５のために迅速な圧力応答となることが望ましい。
【００４６】
図３は、圧力制御モードのスロットル・バルブ・コントローラに関する従来例による解決策を図的に示したものである。本図は、２つのステップからなるＴＤＭプロセスでの対応するスロットル・バルブ位置３５０に対する圧力応答３００の時間変化をグラフにプロットしたものである。ＴＤＭプロセスの間は、この制御方法によって処理法で指定された設定値３２０を上回る圧力オーバ・シュートが生じる。ＴＤＭステップ３１０の継続時間が短くなると、更に、圧力制御の性能が悪化する。さらに、対応するスロットル・バルブ位置３１５は、定常状態位置を達成することはない。
【００４７】
図４は、圧力制御モードのスロットル・バルブ・コントローラに関する、別の従来例による解決策を図示したものである。本図は、２つのステップからなるＴＤＭプロセスでの対応するスロットル・バルブ位置４０５に対する圧力応答４００の時間変化をグラフにプロットしたものである。この制御方法は、ＴＤＭプロセス間にスロットル・バルブ設定値４１０及び４１５を用いて、スロットル・バルブを駆動しスロットル・バルブを設定位置に位置決めする。本例では、位置設定値の変化に対する圧力応答４２０の遅延が生じるため所望の圧力４０２を達成することはない。
【００４８】
図５は、反応容器内圧力を制御するために位置制御モードを用いた際に生じる、更に別の問題を図示したものである。本図は、対応するステップにおいて、２つの異なるガス・フローを用いて、スロットル・バルブ位置を固定させ、２つのステップからなるＴＤＭプロセスでの圧力応答の時間変化をグラフにプロットしたものである。長時間のプロセス実行（１００回の繰り返し実行）において圧力変動５００が見られる。この圧力変動５００は、反応容器内壁の温度上昇によるものと思われる。結果として、プロセス性能の信頼性と再現性を得るためには、さらに他の手段を講じる必要がある。
【００４９】
図６は、２つのステップからなるＴＤＭプロセスでの対応するスロットル・バルブ位置６００での圧力応答６５０の時間変化を表すグラフである。先に示したように、プロセス間の移行中は、圧力のオーバ・シュートが発生する恐れがあるため、その圧力制御は、困難なものとなる。本発明の一実施例によれば、位置制御モードをステップ６１０の第１のセグメント６３０で適用する。スロットル・バルブを再度、位置決めし、ステップの以前の実行時の状態から得られたスロットル・バルブ位置６２０に基づいて定めた設定位置６３５に保持する。第１のセグメント６３０の後、スロットル・バルブを位置制御モードから解放する。その時点で閉ループ・フィードバック制御アルゴリズムを適用し、ステップ６１０の残りにおいて圧力制御モードが適用されるようにする。
【００５０】
ステップ６１０が完了した後、プロセス・ステップを次のステップ６１５に進める。このステップ６１５の第１のセグメント６５０間は、スロットル・バルブは、位置モードに切り替える。スロットル・バルブは、当該ステップの以前の実行時の状態から得られた既知のスロットル・バルブ位置６４０に基づいて定めた他の設定位置６５５に保持する。設定時間６５０の間に位置制御モードを適用し、この全時間にわたりスロットル・バルブを設定位置６５５に保持する。保持時間６５０が満了した後、スロットル・バルブを解放し、スロットル・バルブに対して閉ループ圧力フィードバック制御を適用し、ステップ６１５の残りにおいて圧力制御モードを適用する。上述のステップでは、上記の手順に代えて、同一種類の以前の多数のステップで測定されたスロットル・バルブ位置の平均値に基づいて求めた位置にスロットル・バルブを予め位置決めすることも可能である。この方法には、ステップ間の変動を平滑化できるという効果がある。
【００５１】
多くのＴＤＭプロセスでは、保持時間６３０、６５０に対して異なる時間長を割り当てることが有益となる（図６参照）。また、予め定める位置６３５、６５５を以前のプロセス・ステップの実行時の状態から得られたスロットル・バルブの最終位置とするのではなく、これらの位置を随意に調節することが有益となる。本発明の他の実施例によれば、沈着ステップとエッチング・ステップの保持時間を各々、独立して決定し、保持時間においてスロットル・バルブの予め定める位置を独立して調整する。予め定める位置６３５、６５５に関して調整された位置を求める１つの方法としては、当該ステップの以前の実行時の状態から求めたスロットル・バルブの最終位置に対して乗算を適用するものがある。図６に示すように、この乗算により、予め定める位置６３５、６５５には、以前のステップでのバルブ位置６２０、６４０からのオフセット６２５、６４５が生じる。このようにして、予め定めるスロットル・バルブの位置は、以前のステップの位置よりも多いオフセット又は少ないオフセットを以って決定することができる。
【００５２】
２つのステップからなるＴＤＭによるシリコン・エッチング・プロセスに関する本実施例のブロック線図を図７ａ及び７ｂに示す。図７ａでは、保持時間は、“ｔｅｔｃｈ  ｈｏｌｄ”６３０と“ｔｄｅｐ  ｈｏｌｄ”６５０とにより示される。ステップ時間は、“ｔｅｔｃｈ”６１０と“ｔｄｅｐ”６１５とにより示される。これらの時間の長さは、プロセス実行の最初の段階でプロセスの処理法で指定されたものの一部である。さらに、以前のステップからのスロットル・バルブ位置は、「エッチング位置」６２０と「沈着位置」６４０とにより示される。エッチング時間６３０の間にスロットル・バルブを保持する予め定めた位置は、前のエッチング・ステップから求め、ファクタαによって調整する。同様に、沈着時間６５０の間にスロットル・バルブを保持する予め定めた位置は、前の沈着ステップから求め、ファクタβによって調整する。これらのα、βの値は、プロセス処理法で手動で設定することも可能であり、又は圧力を測定しその測定情報を用いてプロセスが進行する際のオーバ・シュートを最小化し設定値に到達する時間を最小化するように、予め定めた位置を調整するフィードバック制御ループ（すなわち、ＰＩＤ）によって自動的に設定することも可能である。パラメータα及びβは、通常、０．５から２．０の間の値を有しており、これらの値は、前回位置の５０％と２００％に相当する。例えば、αとβを１．０に設定した場合は、本発明は、エッチング保持時間の予め定める位置として前回のエッチング・ステップの実行時の状態から得られたスロットル・バルブ位置６２０を用いるものとなる。
【００５３】
ＴＤＭプロセス・ループ内の全てのステップに対し圧力制御手順を適用する必要がないことは、当業者にとっては明白なことである。エッチング保持時間６３０の値をゼロ（０）に設定した場合、本方法は、従来例の閉ループ圧力フィードバック制御の方法と等価なものとなる。同様に、α及びβを１に設定し、エッチング保持時間６３０の長さをエッチング・ステップ時間６１０に等しく設定した場合、本発明は、従来例の位置制御モード（開ループ圧力制御モード）の方法と等価になる。
【００５４】
圧力制御例
本発明を用いるＴＤＭプロセスの任意のステップに関して、２つのパラメータ、すなわち、保持時間の長さとオフセットの量は、スロットル・バルブ毎に個別に指定する必要がある。
【００５５】
図８は、本発明のプロセス制御方法を実装した際の実験的な例を図示したものである。本図は、エッチング保持時間を変化させたことによる効果を示している。図からわかるように、エッチング保持時間が約０．１秒よりも短い場合には、沈着プロセスからエッチング・プロセスへの移行の際に圧力のオーバ・シュートが生じる。保持時間が約０．２秒から０．３秒の間は、オーバ・シュートは、ほぼ消滅し、圧力設定値８０５からの偏差は、最小となる。エッチング保持時間が長くなるほど、実験の範囲では、圧力のオーバ・シュートが再度出現する。この結果により、本発明の保持及び解放方法は、圧力制御性能を実際に顕著に改善できることが実証された。
【００５６】
本発明の他の実施例では、プロセスを進行させながら予め定める位置の保持時間を自動的に調整し、設定値に対するオーバ・シュートを最小にすることが可能である。図９のグラフは、２つのステップからなるＴＤＭを用いたシリコン・エッチング・プロセスに対して図８のデータから得られた圧力設定値に対するオーバ・シュートを予め定める位置の保持時間に対してプロットしたものである。圧力オーバ・シュートを測定するフィードバック制御ループ（例えば、ＰＩＤ）は、その測定情報を用いてプロセスを進行させながら、オーバ・シュートを最小化するように予め定める位置の保持時間を調整する。同様に、設定値に到達するまでの時間を測定するフィードバック制御ループ（例えば、ＰＩＤ）は、時間を保持しプロセスを進行させながら、設定値に到達するまでの時間を最小化する。
【００５７】
図１０は、本発明のプロセス制御方法を実装した際の実験的な例を図示したものである。本図は、固定した時間について予め定める位置のオフセットの値を変化させたことによる効果を示している。エッチング保持位置を負の５％分だけ調整した場合（α＝０．９５）に、圧力オーバ・シュートを最小化できる。この結果により、本発明の保持及び解放方法は、圧力制御性能を実際に顕著に改善できることが実証された。
【００５８】
上述した実施例は、１つのループに２つ又はそれ以上の数のステップを含む多段ステップからなるループ・プロセスにも適用可能であることは、当業者にとっては明白なことである。また、本発明は、圧力設定値又は他の処理法で指定されたステップ・パラメータをプロセスの過程（例えば、変更ＴＤＭプロセス）に存在するループ内で変化させるようなループ・プロセスにも適用可能である。
【００５９】
本発明では、交互に実行するプロセス間が各ステップの種類毎の保持時間と位置オフセットを必要としないことは、重要な点である。本発明の他の実施例では、ＴＤＭプロセス内の少なくとも１つのステップ種類に対して１つの位置保持時間を導入することを含んでいる。
【００６０】
図１１は、２つのステップからなるＴＤＭによるシリコン・エッチング・プロセスにおいて圧力最適化制御を試みた例を図示したものである。図１１において、“ｔｅｔｃｈ  ｈｏｌｄ”は、０．２５秒であり、“ｔｄｅｐ  ｈｏｌｄ”は、０．４秒であり、α＝０．８８ならびにβ＝１．２５である。以前の例（図３、図４及び図５参照）に比べて、ＴＤＭプロセスの繰り返し動作の間における本例の圧力特性は、ほぼ「矩形」と見なせる程にまで顕著に改善されている。圧力は、設定値までより急峻に漸近し、圧力のオーバ・シュートとアンダ・シュートは、ほぼ消滅している。
【００６１】
図１２は、本発明のほかの実施例のブロック図である。本実施例は、ＴＤＭステップ内でスロットル・バルブ位置制御（開ループ圧力制御）を維持しながら閉ループ圧力制御アルゴリズムをステップ毎に適用することによるスロットル位置制御の欠点に着目し、それを解決するものである。本実施例を２つのステップからなるＴＤＭプロセスに適用した場合について以下説明する。また、本実施例は、ループ内で２つのステップより多数のステップを有するＴＤＭプロセスに対しても適用可能である。同様に、本方法は、ＴＤＭプロセス内の任意の複数のステップのサブセットに適用することも可能である。
【００６２】
ＴＤＭプロセス・パラメータがローディングされると、所望のプロセス圧力設定値を達成するために初期値を決定する必要がある。これらの初期値は、様々な方法で決定することが可能である（例えば、閉ループ圧力制御のスロットル・バルブを用いて、そのバルブを以降のステップでの開始点として用い、プロセス実行前又はＴＤＭの最初のいくつかの（又は１つの）ループ実行前にオフ・ラインで校正実験を行うなど）。
【００６３】
２つのステップからなるＴＤＭの例では、スロットル・バルブ値が初期化されると、プロセスは、ループ内の第１のステップ（例えば、沈着ステップ）を実行する。このステップを実行している間は、スロットル・バルブは、位置モードに設定され初期位置に位置決めされる。そのステップの残りの間は、バルブは、その位置に保持される。
【００６４】
このステップの間、位置設定値に対応した圧力が記録されプロセスの圧力設定値の要求値と比較される。さらに、この情報を閉ループ制御アルゴリズム（例えば、ＰＩＤ，フィード・フォワード等）によって処理し、当該ステップの種類が次に現れる際には、スロットル・バルブ位置が改善できる結果が得られる。
【００６５】
上述の例は、ステップ内で一定値（正値）に保持されるスロットル・バルブを示している。ステップ内のスロットル・バルブ位置は、ステップ時間の関数としてステップの進行中に変化させることも可能である。この関数は、非線形とすることが可能である。
【００６６】
位置設定値入力に対応して記録されたステップ圧力は、様々な方法で決定することが可能である（例えば、ステップから読取った圧力値の全て又はサブセットから求めることも可能である）。特に、ステップの最後に近いサブセットをサンプリングすることは有益であるが、その理由は、これらの値が当該ステップの定常状態の圧力をより忠実に示しているからである。これらの値をステップ内において又はループを繰り返すごとに、平滑化又はフィルタをかけることにより閉ループアルゴリズムの制御特性を改善することが可能となる。
【００６７】
図１３は、ステップ毎の圧力制御方法を実装した際の実験例を図示したものである。ＴＤＭプロセスは、３つのステップから構成されており、圧力設定値１３０５を伴うエッチング・ステップと、それとは異なる圧力設定値１３１０を伴う沈着ステップとを含んでいる。エッチング圧力応答１３１５の初期の領域は、実際の圧力が圧力設定値１３０５未満であることを示している。閉ループ・フィードバック制御アルゴリズム（例えば、ＰＩＤ等）を用いて、エッチングスロットル位置１３３０をステップ毎に調整しエッチング圧力のオフセットを除去する。同様に、沈着圧力応答の初期の領域１３２０は、実際の圧力がプロセス処理法で指定された設定値未満であることを示している。第２の閉ループ・フィードバック制御アルゴリズム（例えば、ＰＩＤ）を用いて、沈着スロットル位置１３２５をステップ毎に調整し、沈着圧力のオフセットを除去する。本例では、ループ内の１つのステップではスロットル位置を一定に保持することにより、少なくとも１つのステップでのスロットル位置をループ毎に調整する。本発明の他の実施例ではスロットル位置は、予め定められた方法でループ内で変化させ、これをステップ内の何がしかの時点でサンプリングしループ毎のスロットル位置に対して閉ループ制御アルゴリズムを適用することが可能となる。
【００６８】
図１４は、図１３のデータをＴＤＭシリコン・エッチング・プロセスの沈着ステップについて、ループ毎に再プロットしたものである。下側の曲線１４０５は、圧力誤差をループ数の関数として表したものである。本例での圧力誤差とは、沈着ステップの終わりに実際に記録された圧力値と処理法で指定された圧力設定値との間の差である。スロットル・バルブ位置１４１０は、圧力誤差関数１４０５の値に従ってフィードバック・ループによって制御する。本例では、沈着ステップに対する処理法で指定された設定値をループ毎に一定値に保つ。従来例では、形状制御を行うために、ループ毎に圧力設定値を変化させることが知られている。特定のステップでループ毎の圧力設定値を変化させると、閉ループ・コントローラによって変更することになるような当該ステップでの誤差信号を抑えることができる。
【００６９】
図１５は、２つのステップからなるＴＤＭプロセスでの（図４に類似の）スロットル・バルブ位置制御の従来例の方法をプロットしたものである。この位置制御方法を用いれば、圧力応答１５０５は、圧力設定値１５１０を上回ることがないようにすることが可能であるが、圧力応答１５０５が処理法で指定された設定値１５１０から十分離れるまでには、長時間１５１５を要する。
【００７０】
図１６は、本発明の更に他の実施例のブロック図である。本方法は、図１５に示した従来例の欠点を克服するものである。このブロック図は、本発明を２つのステップからなるＴＤＭシリコン・エッチング・プロセスに適用したものを示している。なお、これと同一の方法は、２つ又はそれ以上の数のステップを持つＴＤＭプロセスに適用することが可能である。さらに、本方法は、ＴＤＭプロセス内のステップの任意のサブセットに適用することが可能である。
【００７１】
図１７は、図１６の方法を図示したものである。本方法は、２つの異なる設定値の間の移行を移行の初期段階で入力変数をオーバードライブすることによって短縮するものである。圧力制御の場合、スロットル・バルブ位置は、圧力応答１７０５を最適化するために処理法で指定された値に解放する前に、ある時間に処理法で指定された設定値を上回る値で駆動される入力変数である。
【００７２】
沈着ステップ１７１０とエッチング・ステップ１７１５から構成される２つのステップからなるＴＤＭシリコン・エッチング・プロセスの圧力制御のためには、本方法は、エッチング・プリセット・スロットル・バルブ位置１７３０と、エッチング・プリセット保持時間１７４０と、エッチング・スロットル・バルブ位置１７４５と、沈着スロットル・バルブ・プリセット位置１７２５と、沈着プリセット保持時間１７２０と沈着スロットル・バルブ位置１７３５とが必要である。エッチング・スロットル・バルブ位置設定値１７３０は、エッチング・ステップ１７１５の初期段階でのスロットル位置である。エッチング・プリセット保持時間１７４０は、エッチング・ステップの初期段階からエッチング・プリセット・スロットル・バルブ位置１７３０を保持し続けている時間の長さである。エッチング・スロットル・バルブ位置１７４５は、処理法で指定された圧力、又は各エッチング・ステップでのスロットル位置に対応したスロットル位置である。
【００７３】
同様に、沈着スロットル・バルブ・プリセット位置１７２５は、沈着ステップ１７１０の初期段階でのスロットル位置である。沈着プリセット保持時間１７２０は、沈着ステップ１７１０の初期段階から沈着スロットル・バルブ・プリセット位置１７２５を保持し続けている時間の長さである。沈着スロットル・バルブ位置１７３５は、処理法で指定された圧力、又は沈着ステップでのスロットル位置に対応したスロットル位置である。
【００７４】
ＴＤＭプロセスのエッチング・ステップ１７１５の初期段階では、スロットル・バルブは、エッチング・プリセット位置１７３０に設定される。スロットル・バルブは、エッチング・プリセット保持時間１７４０が満了するまで、この位置に保持される。次に、スロットル位置は、エッチング・スロットル・バルブ位置１７４５に移動する。同様に、ＴＤＭプロセスの沈着ステップ１７１０の初期段階では、スロットル・バルブは、沈着スロットル・バルブ・プリセット位置１７２５に設定される。スロットル・バルブは、沈着プリセット保持時間１７２０が満了するまで、この位置に保持される。次に、スロットル位置は、沈着スロットル・バルブ位置１７３５に移動する。なお、保持時間に一定位置にスロットル位置を維持する代わりに、バルブ位置を予め定められた方法で時間の関数として変化させることも可能である。
【００７５】
圧力応答１７０５が設定値に到達するまでの時間を短縮するために、設定位置を「オーバ・シュート」するように、スロットル位置設定値を選ぶ。例えば、以前のステップでのスロットル位置が現在のステップのスロットル位置又は圧力設定値に対応したスロットル位置よりも小さい場合には、現在のステップのプリセット・スロットル位置は、現在のステップのスロットル位置設定値よりも大きくなる。同様に、以前のステップのスロットル位置が現在のステップのスロットル位置又は圧力設定値に対応したスロットル位置よりも大きい場合には、現在のステップのプリセット・スロットル位置は、現在のステップのスロットル位置設定値よりも小さくなる。
【００７６】
（沈着とエッチングの両方の）プリセット・スロットル位置は、多くの方法によって決定することが可能である。この方法には、ＴＤＭプロセスを実行する前の特徴付け実験や、プロセス内でのプリセット・スロットル位置を調節する閉ループ・フィードバック・アルゴリズムの利用などが含まれる。また、プリセット・スロットル位置は、処理法で指定した位置に基づいて（例えば、処理法で指定したスロットル位置に対して乗数および／又はオフセットを適用することにより）決定することもできる。
【００７７】
上記の例では、プリセット位置は、位置プリセット保持時間には、一定に保持されている。本発明の他の実施例では、プリセット位置は、プリセット保持時間に変化させる（例えば、プリセット位置は、時間の関数として単調増加又は単調減少するように変化させる）ことも可能である。
【００７８】
また、プリセット保持時間は、多くの方法によって決定することが可能である。この方法には、ＴＤＭプロセスを実行する前の特徴付け実験やプロセス内でのプリセット時間を調節する閉ループ・フィードバック・アルゴリズムの利用が含まれる。
【００７９】
図１８は、図１７の方法を２つのステップからなるＴＤＭシリコン・エッチング・プロセスに適用した一例を示したものである。なお、圧力応答１８０５が設定値１８１０に到達するまでの遷移時間１８１５は、位置制御の従来例の方法よりも極めて短いものとなっている（図１５の時間１５１５と、図１８の時間１８１５を比較のこと）。図１５及び１８のプロセス・パラメータは、同一である。プロセスは、２つのステップからなるＴＤＭシリコン・エッチング・プロセスである。
【表１】
2008544546.tif 000003
図１８のデータの圧力制御パラメータは、以下に示すとおりである。
【表２】
2008544546.tif 000004
【００８０】
図１８に示したデータでのスロットル保持位置は、当該ステップの処理法で指定された設定値に基づいて決定した。沈着ステップとエッチング・ステップの両方でスロットル保持位置は、処理法で指定されたスロットル位置設定値に対して２０％のオーバ・シュートをもたせて設定した。
【００８１】
本発明の更に他の実施例では、圧力制御パラメータ（スロットル・バルブ保持位置及びスロットル・バルブ保持時間）は、プロセスを実行しながら閉ループ制御アルゴリズムを用いて最適化することが可能である。図１９は、スロットル・バルブを用いて圧力制御特性を向上させる、少なくとも１つのプロセス・ステップを含むＴＤＭプロセスに対する本方法の概要を表すブロック図を示したものである。本方法では、スロットル・バルブ保持位置とスロットル・バルブ保持時間に関する初期値が必要となる。これらの初期値は、以前の実験又はプロセス操業履歴に基づいて決定することができる。プロセスが進行する間に圧力と処理法で指定された設定値とを比較し誤差値を求める。この誤差値は、改善されたスロットル保持位置又は改善されたスロットル保持時間を出力する閉ループ・コントローラへ入力する。
【００８２】
本発明の他の実施例では、スロットル・バルブ保持位置の初期値は、プロセス全体を通して一定に保持する。これにより、閉ループ制御が１つだけの変数である位置保持時間のみを調節して圧力オーバ・シュート応答を最適化する制御構造を簡単化できる。
【００８３】
同様に、他の実施例では、スロットル保持時間は、プロセス全体を通して一定に保持する。これにより、閉ループ制御が１つだけの変数であるスロットル・バルブ保持位置のみを調節して圧力オーバ・シュート応答を最適化できる。
【００８４】
１つ以上のＴＤＭプロセス・ステップがこの方法を用いる場合には、各ステップがそれ自身に固有な閉ループ制御アルゴリズムを有するものであってよいという点は、重要な事項である。さらに、複数の閉ループ制御アルゴリズムを用いる場合には、各ステップは、異なるアルゴリズムを有してもよい。
【００８５】
図２０は、図１９に示した方法の実験データを図示したものである。本実験では、２つのステップからなるＴＤＭシリコン・エッチング・プロセスを用いた。エッチング・プロセスのパラメータは、以下に示すとおりである。
【表３】
2008544546.tif 000005
【００８６】
これらの実験では、保持時間は、ステップ毎に制御アルゴリズムによって調節した。図２０は、ＴＤＭの繰り返し数の関数として表した沈着保持時間を適用したものを示している。最初、本方法を説明するために沈着ステップには、保持時間としてゼロ（０）を適用してある。スロットル保持位置は、ステップでの処理法で指定されたスロットル位置に基づいて決定し、スロットル設定値から１２％だけオーバ・シュートする値に設定した。グラフは、沈着保持時間が６５回のＴＤＭループ（繰り返し数）で定常状態値である５２０ミリ秒に到達していることを示している。
【００８７】
ステップでの保持時間の初期値は、オフ・ライン実験又は以前のプロセスに基づいて得られた値とするなど多くの方法で設定することが可能である。また、初期値は、最初の数回のサイクルの間に実際の圧力が圧力設定値に到達するまでスロットル保持位置を維持しながら、その間に対応する時間を記録して決定し、その保持時間を次回の保持時間に用いることも可能である。
【００８８】
図２０の実験データは、位置又は圧力設定値から得られたスロットル保持位置を適用し、その位置にスロットル・バルブを保持する保持時間を変化させて圧力応答曲線を制御することにより求めた。同様に、処理法で指定された保持時間を用いたり、閉ループ制御アルゴリズムを用いてスロットル位置保持時間と保持位置との両方を変更する制御アルゴリズムを用いることも可能である。
【００８９】
図２１は、図２０のデータに対応する圧力設定値２１０５、スロットル・バルブ位置２１１０ならびに圧力応答２１１５を示している。保持時間の初期値は、０ミリ秒であるため純粋な位置制御モードとなり、圧力応答２１１５は、ステップ２１２０の最後で圧力設定値２１０５に到達する。
【００９０】
図２２は、図２１に示したものと同一のプロセスのさらに時間が経過した段階での圧力応答を示している。この時点で、制御アルゴリズムは、沈着２２２０及びエッチング２２２５スロットル位置保持時間に対して安定した値を決定している。圧力応答２２１５は、圧力設定値２２０５に更に漸近している（図２１の圧力設定値２１０５と圧力応答２１１５を比較のこと）。
【００９１】
なお、図１２の方法は、ステップ間にまたがる閉ループ圧力制御と、ステップ内での開ループ圧力制御と、圧力オーバ・シュートを最小に留めながら、設定値に到達するまでの圧力応答時間を短縮する第２の制御ループとを達成する圧力制御アルゴリズムを得るために図１６と図１９の方法を組み合わせたものである。
【００９２】
ＴＤＭプロセスは、一連のプロセス・ループとステップとから構成されている。少なくとも１つの処理法で指定されたパラメータ設定値に関しては、ステップ毎に変化するのが普通である。通常、１つのステップから次のステップに移行する間は、全ての設定値の変更は、次のステップの最初の段階で同時に行われる。複数のプロセス出力の応答時間は、それぞれ異なるため、出力応答は、同期していない。ＴＤＭプロセスのタイミングを短くすると、元は全体のステップの一部となっていた同期誤差は、極めて大きくなる。これらの誤差は、設定値を通過する際に被るタイミング・オフセットや設定値情報を受け取った時刻と出力が応答する時刻との間のむだ時間に伴い、機器レベルで発生するタイミング誤差によって生じる。図２３は、２つのステップからなるＴＤＭプロセスでのステップ移行の際の２つの異なるパラメータに関する設定値とその出力応答を示すものである。出力Ｂ応答２３２５は、設定値２３３０を変更すると、すぐに応答するが、応答Ａ２３１０の出力では、設定値２３０５の変更後に長いむだ時間２３１５が生じる。このように、ＡとＢの出力応答間には、同期誤差２３２０が生じる。
【００９３】
遅延２３１５の特性が分かると、出力応答を同期させるために、先に進んでしまった応答の設定値（を遅延させるため）に、タイミング変更を適用することにより、その遅延を補正することが可能となる。図２４は、出力Ｂ応答２４２５を出力Ａ応答２４１０に同期させるために、設定値Ａ２４５０の変化に対して出力Ｂ２３４０の設置値の変更を時間２４２０だけ遅らせる例を示したものである。また、これとは反対に、遅れた応答をもつ方の設定値を進めることにより、遅延２３１５を補正することも可能である。
【００９４】
タイミング変更は、ステップ移行の間に設定値変更を行う処理法で指定されたパラメータの任意のサブセットに適用することが可能である。なお、処理法で指定された各パラメータのタイミングは、独立して変更することも、又は他のパラメータのタイミング変更の関数として行うことも可能である。
【００９５】
なお、いくつかの場合、意図的に出力応答間を同期させないことが望ましいこともある。例えば、特に、処理法で指定された２つのパラメータが大きく異なる出力応答時間をもつ場合、速い応答を示すパラメータの設定値の変更を遅らせることが有益となる。
【００９６】
また、１つのステップから次のステップへの移行の際に生じる設定値の変更は、必ずしも移行と同時である必要はないことは、重要な事項である。他の実施例では、図２３で示した方法は、ステップ移行の際に同時に実行することのない処理法で指定されたパラメータ設定値を含むＴＤＭプロセスのステップ間の処理法で指定されたパラメータ間のタイミングを維持又は変更することに用いることが可能である。他の実施例では、本システムは、処理法で指定された少なくとも２つのパラメータ（例えば、圧力、ガス流量、ＲＦ出力等）のタイミング性能を監視し、ＴＤＭプロセス内で閉ループ制御アルゴリズムを用いて同期を調節することが可能である。
【００９７】
本明細書は、以上で説明したことに加え、付帯する特許請求項に含まれるものを含んでいる。本発明は、ある程度の特殊性を有する好適な形式で説明してきたが、この好適な形式の本明細は、一例として説明したに過ぎず、発明の主旨と範囲を逸脱しない限り、構成の詳細において様々な変更や構成部分の任意に組み合わせたり配列することが可能である。
【００９８】
以上で、本発明の説明を終わる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】プラズマ処理装置の主要構成を示す側面図である。
【図２】圧力制御モードで動作する２つのステップのＴＤＭプロセスに関して所望の圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図３】圧力制御モードで動作する２つのステップのＴＤＭプロセスに関して従来例での圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図４】位置制御モードで動作する２つのステップのＴＤＭプロセスに関して従来例での圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図５】位置制御モードで動作する２つのステップのＴＤＭプロセスに関して従来例での圧力に対する時間応答をより長い時間幅に渡って表すグラフである。
【図６】本発明の一実施例における制御システムを説明するグラフである。
【図７ａ】本発明の一実施例における制御システムを説明するブロック図である。
【図７ｂ】本発明の一実施例における制御システムを説明した図７ａのブロック図の続き部分である。
【図８】本発明のプロセス制御方法を様々な入力値に対して実装した際の実験例での圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図９】本発明の入力値の１つを最適化したものを表すグラフである。
【図１０】本発明のプロセス制御方法を様々な入力値に対して実装した際の実験例での圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図１１】本発明のプロセス制御方法を実装した際の実験例での圧力に対する時間応答を表すグラフであり、エッチング保持時間を０．２５秒とし、沈着保持時間を０．４０秒とし、エッチング・ステップに対する位置オフセット定数αをα＝０．８８とし、沈着ステップに対する位置オフセット乗数βをβ＝１．２５として実装した際のグラフである。
【図１２】本発明の他の実施例における制御システムを説明するグラフである。
【図１３】本発明のプロセス制御方法を様々な入力値に対して実装した際の実験例での圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図１４】図１３のデータを再プロットした圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図１５】スロットル・バルブ位置制御モードで動作するＴＤＭプロセスに関して従来例での圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図１６ａ】本発明の他の実施例における制御システムを説明するブロック図である。
【図１６ｂ】本発明の他の実施例における制御システムを説明した図１６ａのブロック図の続き部分である。
【図１７】図１６ａ及び図１６ｂに示した本発明のプロセス制御方法を様々な入力値に対して実装したことを示す圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図１８】図１６ａ及び図１６ｂに示した本発明のプロセス制御方法を様々な入力値に対して実装した際の実験例での圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図１９】本発明の他の実施例における制御システムを説明するブロック図である。
【図２０】図１９に示した本発明のプロセス制御方法を様々な入力値に対して実装した際の実験例での保持時間に対するＴＤＭ繰り返し数を表すグラフである。
【図２１】図２０のデータに関する圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図２２】図２１のデータよりも後の時間での図２０のデータに関する圧力に対する時間応答を表すグラフである。
【図２３】２つのステップのＴＤＭプロセスに関してステップ移行に伴う２つの異なるパラメータの設定値と出力応答を表す図である。
【図２４】出力応答を同期化させるために設定値の変更に関して設定値の変更時期を遅らせた場合の例を示す図である。
【０１００】
いくつかの図面を通して同一の引用符号は、同一の部分を示すものとなっている。
【図１】
2008544546.tif 000006
【図２】
2008544546.tif 000007
【図３】
2008544546.tif 000008
【図４】
2008544546.tif 000009
【図５】
2008544546.tif 000010
【図６】
2008544546.tif 000011
【図７ａ】
2008544546.tif 000012
【図７ｂ】
2008544546.tif 000013
【図８】
2008544546.tif 000014
【図９】
2008544546.tif 000015
【図１０】
2008544546.tif 000016
【図１１】
2008544546.tif 000017
【図１２】
2008544546.tif 000018
【図１３】
2008544546.tif 000019
【図１４】
2008544546.tif 000020
【図１５】
2008544546.tif 000021
【図１６ａ】
2008544546.tif 000022
【図１６ｂ】
2008544546.tif 000023
【図１７】
2008544546.tif 000024
【図１８】
2008544546.tif 000025
【図１９】
2008544546.tif 000026
【図２０】
2008544546.tif 000027
【図２１】
2008544546.tif 000028
【図２２】
2008544546.tif 000029
【図２３】
2008544546.tif 000030
【図２４】
2008544546.tif 000031
【国際調査報告】
2008544546.tif 000032
2008544546.tif 000033
2008544546.tif 000034
2008544546.tif 000035
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