(57)【要約】【課題】外部手段を利用しない、従って引上げ構造及び引上げ操作自体を簡明にする半導体材料層のデポジッティング方法と、これに用いる、半導体材料の薄層で被覆するべきカーボンリボンを提供する。【解決手段】本発明による、カーボンリボン（５４）への半導体材料層のデポジッティング方法では、カーボンリボンを溶融した半導体材料の槽液（１２）を通して略垂直上方に通過させることによりカーボンリボンの両面（５８、６０）の少なくとも片面を半導体材料層（７２、７４）で被覆する。本発明によれば、各リム（６８、７０、９８、１００）を形成するように、カーボンリボンの両面の少なくとも片面の両端部は突出形状に形成されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端部（３４、３６）を有するカーボンリボン（５４）が引上げられるに従い、前記カーボンリボンを濡らすことによりデポジットされる溶融半導体材料の槽液（１２）の水平平衡面を通して、前記カーボンリボンを長手方向に略垂直上方（１８）に徐々に引上げる方法で、前記カーボンリボンの両面（５８、６０）の少なくとも片面上に半導体材料層（７２、７４）をデポジットする方法であって、
前記方法は、前記カーボンリボンの両端部にデポジットする半導体材料層の厚さを増大するように、前記カーボンリボンの端部の形状（側壁（６２、６４）と端面（６６）、又は側壁（９０、９２）と端面（９４）により画定される）を変えることを特徴とする半導体材料層のデポジッティング方法
【請求項２】
前記カーボンリボンの両端部に、それぞれ突出形状のリム（６８、７０、９８、１００）が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体材料層のデポジッティング方法。
【請求項３】
前記突出形状のリムの断面が、略矩形状（６８、７０）、又は略三角形状（９８、１００）のフレア形状に形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体材料層のデポジッティング方法。
【請求項４】
半導体材料層（７２、７４）が前記カーボンリボンの両面（５８、６０）上に同時にデポジットされる時、前記カーボンリボンの両端部がそれぞれダブルリム（６８と７０、９８と１００）形状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の半導体材料層のデポジッティング方法。
【請求項５】
前記端部の形状は、前記カーボンリボンの両端部を相互の方向に連続的に圧縮成形（ｕｐｓｅｔｔｉｎｇ）して形成することにより修正されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の半導体材料層のデポジッティング方法。
【請求項６】
前記端部の形状は、両端部を平滑化することにより修正されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の半導体材料層のデポジッティング方法。
【請求項７】
前記半導体材料は、シリコン、ゲルマニウム、及び一致溶融（ｃｏｎｇｒｕｅｎｔ  ｍｅｌｔｉｎｇ）又は準一致溶融性のガリウム砒素系のＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物から選定されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の半導体材料層のデポジッティング方法。
【請求項８】
前記半導体材料がシリコンであって、前記カーボンリボンは熱分解性（ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ）カーボン（２４）層で被覆され、その上にシリコン層がデポジットされることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の半導体材料層のデポジッティング方法。
【請求項９】
両端部を有するカーボンリボン（５４）であって、溶融半導体材料の槽液（１２）を通して略垂直上方に通過させることにより、前記カーボンリボンの両面（５８、６０）の少なくとも片面が半導体材料層（７２、７４）で被覆されるようにデザインされており、
前記両面の少なくとも片面の両端部はそれぞれ突出し、リム（６８、７０、９８、１００）を形成していることを特徴とするカーボンリボン。
【請求項１０】
前記両端部は、それぞれ半円形状を形成するようにフレアが形成されていることを特徴とする請求項９記載のカーボンリボン。
【請求項１１】
前記カーボンリボンの両端部に形成されたリム（６８、７０）はそれぞれ、半導体材料層（７２ａ、７４ａ）を受け止めるように、前記カーボンリボンの面（５８ａ、６０ａ）と略直角な側壁（６２、６４）を含む肩を形成し、その時の前記リム（６８、７０）は略矩形形状になっていることを特徴とする請求項９記載のカーボンリボン（５４ａ）。
【請求項１２】
前記カーボンリボンの両端部に形成されたリム（９８、１００）はそれぞれ、半導体材料層（７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ、  ７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ）を受け止めるように、前記カーボンリボンの面（５８ｂ、５８ｃ、５８ｄ、  ６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ）に対して傾斜する側壁（９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ、  ９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ）を形成し、その時の前記リム（９８ｂ、９８ｃ、９８ｄ、  １００ｂ、１００ｃ、１００ｄ）は略三角形状になっていることを特徴とする請求項９記載のカーボンリボン（５４ｂ、５４ｃ、５４ｄ）。
【請求項１３】
前記カーボンリボンの両端部はそれぞれ、半導体材料層を受け止める前記カーボンリボンの面と略直角な端面（６６、９４ｂ、９４ｃ）を有することを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれか１項記載のカーボンリボン（５４ａ、５４ｂ、５４ｃ）。
【請求項１４】
前記外端面部は、カーボンリボン方向への後退段（ｓｅｔｂａｃｋ）部（９６ｃ）を有することを特徴とする請求項１３記載のカーボンリボン（５４ｃ）。
【請求項１５】
前記外端面部は、半タロードロップ（ｈａｌｆ−ｄｒｏｐ  ｏｆ  ｔａｌｌｏｗ）（９４ｄ）形状に形成されていることを特徴とする請求項１３記載のカーボンリボン（５４ｄ）。
【請求項１６】
前記カーボンリボンの両面（２０、２２、５８、６０）に半導体材料がデポジットされる際に、前記カーボンリボンの両端部にそれぞれダブルリム（６８と７０、  ９８と１００）が形成されていることを特徴とする請求項９乃至請求項１５のいずれか１項記載のカーボンリボン。
【請求項１７】
前記両端部は、それぞれ丸みを帯びた形状になっていることを特徴とする請求項１０乃至請求項１６のいずれか１項記載のカーボンリボン。
【請求項１８】
前記端面は、タロードロップ（ｄｒｏｐ  ｏｆ  ｔａｌｌｏｗ）（９４ｄ）形状に形成されていることを特徴とする請求項１５又は請求項１６記載のカーボンリボン（５４ｄ）。
【請求項１９】
前記半導体材料は、シリコン、ゲルマニウム、及び一致溶融又は準一致溶融性のガリウム砒素系のＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物から選定されることを特徴とする請求項９乃至請求項１８のいずれか１項記載のカーボンリボン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体材料層のデポジッティング方法と、これに用いるカーボンリボンに係り、特に半導体材料の薄層（薄膜）で被覆したカーボンリボンと、カーボンリボンからなる基板上への半導体材料層のデポジッティング（付着）方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電池は半導体材料の薄板を含み、その材料として現在最も一般的に用いられる物質は多結晶質シリコンである。本発明は、特に、光電池の製造に用いるシリコンリボンの引上げに最も適合し、従って以下の説明はシリコンに関するものとする。しかしながら本発明は、ゲルマニウムや一致溶融（ｃｏｎｇｒｕｅｎｔ＿ｍｅｌｔｉｎｇ）又は準一致溶融性のガリウム砒素（ＧａＡｓ）系のＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物などの他の半導体材料に同様に適合することが分る。シリコンプレート（薄板）は、好ましくは、溶融シリコンの槽液を通してカーボン基板を引上げることによりカーボン基板にデポジットされたフィルムを形成するシリコン層から得られる。そのカーボン基板はリボンの形態を有する。
【０００３】
図１は、リボン・オン・テンポラリー（一時的）・サブストレイト（ｒｉｂｂｏｎ  ｏｎ  ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ：ＲＴＳ）方法と称される従来技術の方法を示す概略図である。ヒータ手段（図示しない）が取り付けられたルツボ１０は、液状形態の溶融シリコンの槽液１２を備えている。そのルツボの底は、スロット１４を有している。引上げ手段（図示しない）を用いて、薄い厚さ（２００μｍ乃至３５０μｍ級）のカーボンリボン１６は、溶融シリコンの槽液１２を通して矢印１８の方向に略垂直上方に略一定の速度で引上げられる。そのカーボンリボンの両面２０及び２２は、最初に熱分解性（ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ）カーボン２４の薄層（厚さ約１μｍ乃至５μｍ）で被覆される。前記溶融シリコンはカーボンリボンの両面２０及び２２を濡らし、そして前記カーボンリボンの中央部分において槽液の表面から約６．８ｍｍに位置する固液接点ライン２８を有する液状シリコンのメニスカス２６が前記カーボンリボンの各面上に形成される。それからシリコンの薄層３０と３２が、カーボンリボンの両面２０及び２２上にそれぞれ形成される。スロット１４の形状及び寸法は、第１に、カーボンリボン１６が前記ルツボに貫入でき、かつ第２に、溶融シリコンがスロットから流出するのを防止できるように調整されている。この方法は、２つのシリコン薄膜３０及び３２、すなわちカーボンリボンの各面に１つの薄膜を同時に得るには有利であるが、シリコンが両面のうちの片面に付着するのを防止することにより１つの薄膜だけを得るテクニックを用いることも可能である。
【０００４】
ＲＴＳ方法は、例えば特許文献１及び特許文献２に記載されている。
【０００５】
しかしながら、この引上げ法は、液状シリコンのメニスカスがカーボンリボン１６の各端部３４、３６近辺で不安定になるという問題に直面する。固液接点ライン２８は、リボンの端部においてカーボンリボンの各端部から約５ｍｍの幅に亘り、シリコン槽液の表面に対して通常の約６．８ｍｍから２ｍｍ乃至４ｍｍまで降下する傾向があることが分っている。結果として、前記カーボンリボンの各面上にデポジットされるシリコン薄膜３０又は３２の厚さは、端部３４及び３６方向に向かって実質的に０の値まで減少する。
【０００６】
図２は、図１に示した従来技術の方法により得られた半導体層が端部で次第に薄くなっていることを示す図である。横断面でかつ熱分解性カーボン層２４を省略して示したカーボンリボン１６の断面は、略矩形の形状である。２つの半導体層３０及び３２は、カーボンリボンの各両面２０及び２２上で同時にデポジットされる。カーボンリボンの両端部３４及び３６のそれぞれに隣接する領域３８と４０、及び、４２と４４において、一般に約５ｍｍの距離（幅）に亘り層の厚さが次第に減少する。従って、この方法で作られた半導体フィルムは、特に両端部で脆い。さらに、小寸法の粒子からの核形成が半導体フィルムの両端部分に伝わり、これによりシリコンフィルムの光電池の性能を減少させることが分かっている。
【０００７】
上記問題の解決策が、特許文献１及び特許文献２において提案されている。それらの解決策は、カーボンリボンの両端部付近に設置された外部手段の助けを借りてカーボンリボンの端部の固液接点ラインのレベルを上げることからなっている。即ち、上記最初の特許は、毛管現象により溶融シリコンの槽液のレベルを部分的に上げるプレートを利用し、上記２番目の特許は、同様に溶融したシリコンの槽液のレベルを部分的に上げるために、シリコンリボンの各端部に沿ってトラフ（樋）を設けることを提案している。これらの解決策では、引上げ構造及び引上げ操作自体が複雑なものになる。
【特許文献１】フランス共和国特許ＦＲ２５６８４９０
【特許文献２】フランス共和国特許ＦＲ２５５０９６５
【特許文献３】フランス共和国特許ＦＲ２５６１１３９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題の外部手段を利用しない、従って引上げ構造及び引上げ操作自体を簡明にする解決策を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
それは、半導体層の一時的なサポートとして用いられるカーボンリボンの両端部の形を、端部上にデポジットされる半導体層の厚さを増大させるように適合させることにある。
【００１０】
さらに詳細には、本発明による半導体材料層のデポジッティング方法は、両端部を有するカーボンリボンが引上げられるに従い、カーボンリボンを濡らすことによりデポジットされる溶融半導体材料の槽液の水平平衡面を通して、前記カーボンリボンを長手方向に略垂直上方に徐々に引上げる方法で、前記カーボンリボンの両面の少なくとも片面上に半導体材料の層をデポジットする方法を提供する。その方法は、前記カーボンリボンの両端部にデポジットする半導体材料の層の厚さを増大するように、前記カーボンリボンの両端部の形状（側壁と端面により画定される）を変えることを特徴としている。
【００１１】
特定の一実施の形態において、前記カーボンリボンの両端部にはそれぞれ突出形状、例えば、フレアー（裾広がり）形状、矩形、又は三角形状が形成されている。
好ましい一実施の形態において、半導体材料の層は前記カーボンリボンの両面上に同時にデポジットされて、前記カーボンリボンの両端部はそれぞれダブルリム（縁枠）形状に形成されている。
前記端部の形状の変化は、例えば、前記カーボンリボンの両端部を相互の方向に連続的に圧縮成形（ｕｐｓｅｔｔｉｎｇ）で形成することにより得られる。
半導体材料がシリコンである時、前記カーボンリボンは熱分解性カーボン層で被覆され、その上にシリコン層がデポジットされることが望ましい。
【００１２】
本発明は、また、溶融半導体材料の槽液を通して略垂直上方に通過させることにより、カーボンリボンの両面の少なくとも片面が半導体材料層で被覆されるようにデザインされた両端部を有するカーボンリボンを提供する。本発明によれば、前記両面の少なくとも片面の両端部はそれぞれ突出し、リムを形成している。
【００１３】
一実施の形態において、前記カーボンリボンの片面のみか又は両面を対象とするか否かによって、カーボンリボンの両端部のそれぞれは半円形又は円形形状のフレアが形成される。
別の実施の形態において、前記カーボンリボンの各端部は、半導体材料層を受け止めるように、前記カーボンリボンの面と略直角な側壁を形成し、その時のリムは矩形形状になっている。
さらに別の実施の形態において、前記カーボンリボンの各端部は、半導体材料層を受け止めるように、前記カーボンリボンの面に対して傾斜する側壁を形成し、その時のリムは三角形状になっている。
前記カーボンリボンの両端部は、好ましくは、半導体材料層を受け止めるカーボンリボンの面と略直角な端面をそれぞれ有し、前記端面は、カーボンリボンの中への後退段部（ｓｅｔ  ｂａｃｋ）、半タロードロップ（ｈａｌｆ−ｄｒｏｐ  ｏｆ  ｔａｌｌｏｗ）又はタロードロップ（ｄｒｏｐ  ｏｆ  ｔａｌｌｏｗ）形状部のいずれかを備えてもよい。
一実施の形態において、前記カーボンリボンの両面に半導体材料がデポジットされ、前記カーボンリボンの各端部はダブルリムを形成されている。
【００１４】
前記半導体材料は、シリコン、ゲルマニウム、及び一致溶融又は準一致溶融性のガリウム砒素系のＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物から選定される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による半導体材料層のデポジッティング方法と、これに用いるカーボンリボンは、カーボンリボンを引上げることにより得られる半導体層の両端部の厚さが減少してしまうという問題に対して、技術的に簡単で、安価な解決策を提供する。この解決策は、利用可能なカーボンリボン従って半導体層のエリア効率を改善する。カーボンリボンの両端部の縦断面形状に形成される突出形状、特にリムは、カーボンリボンをさらに丈夫にし、その結果、半導体フィルムの製造歩留りを改善する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の他の特徴及び利点が明確になるよう、添付図面を参照して説明する。なおこの説明はあくまでも単なる例示のためのものである。
図１は、溶融半導体の槽液を通してカーボンリボンを引上げて１つ又は２つの半導体フィルムを得る従来技術の方法を示す概略図である。
図２は、従来技術の方法により得られた半導体層が端部で薄くなることを示すカーボンリボン及び半導体フィルムの断面図である。
図３〜図６は、本発明によるカーボンリボン及び半導体フィルムの端部の形状を示す断面図である。
【実施例１】
【００１７】
本発明において、カーボンリボン５４の両端部は、そのカーボンリボンの両端部にデポジットされる半導体材料層の厚さを増大させるために、カーボンリボンの両端部における溶融半導体材料の濡れ表面の形を修正するように変更された形状を有している。
【００１８】
図３〜図６は、本発明によるカーボンリボンの複数の実施の形態を示す横断面図である。以下の記述及び読解を簡素化するため、機能上、図３、４，５、６に共通する部材（その参照記号を例えばＲとする）の参照記号は各々Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄとする。さらに、参照記号Ｒの部材が例えば、図３〜図６の実施の形態に関するとき、「Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、及びＲｄ」の代わりに「Ｒａ、ｂ、ｃ、ｄ」と記す。参照記号Ｒの部材が例えば、図４〜６の実施の形態にのみ適用されるときは、「Ｒｂ、ｃ、ｄ」と記す。
【００１９】
前記図において、カーボンリボン５４ａ、ｂ、ｃ、ｄは、カーボンリボンが取り除かれた後にそれぞれ半導体フィルムを形成するべき半導体の２つの層により被覆されて、示されている。前記カーボンリボンの中間をカーボンリボンの両面に垂直に通過する中間面５０ａ、ｂ、ｃ、ｄは対称面を構成している。従って、これら４つの図において、カーボンリボンの左端だけが示され、右端は左端と同一形状で、前記中間面５０ａ、ｂ、ｃ、ｄに対して対称になっている。
【００２０】
図３〜図６において、カーボンリボンはカーボンリボンの両端部の形を除いて同一である。カーボンリボンの両端部を無視すれば、カーボンリボン５４ａ、ｂ、ｃ、ｄの横断面５２ａ、ｂ、ｃ、ｄの形状は、一般に、カーボンリボンの両面である、それぞれ、５８ａと６０ａ、５８ｂと６０ｂ、５８ｃと６０ｃ、及び、５８ｄと６０ｄ、に平行である水平中心軸５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、あるいは５６ｄを有する矩形である。カーボンリボンの両面のそれぞれの両端部は、リムを形成するように突出する状態で終端されている。その突出形状は、カーボンリボンの両端部にデポジットした半導体材料層の厚さを増大させる働きを行う。
【００２１】
即ち、図３においては、面５８ａ及び６０ａのそれぞれの２つの端部（縁部）は、面５８ａ及び６０ａと略直角な肩を形成する側壁６２あるいは６４により終端されている。前記肩の長さ（即ち、側壁の高さ）がλに等しいとき、カーボンリボンの端部の厚さはカーボンリボンの中央部の厚さより２λだけ大きい。カーボンリボンの端面６６は、水平中心軸５６ａと略直角な壁により形成される。水平中心軸５６ａの上に位置するカーボンリボンの端部は、面５８ａ及び側壁６２と境界を接し面５８ａに対して突出する矩形のリム６８を形成している。同様に、水平中心軸５６ａの下に位置するカーボンリボンの端部は、面６０ａ及び側壁６４と境界を接し面６０ａに対して突出する矩形のリム７０を形成している。２つのリム６８及び７０は合わせて、ダブルリムを構成している。
【００２２】
先にカーボンリボンの両面上に熱分解性グラファイト層が被覆された後に、図１を参照する上記方法を用いることにより、２つの半導体層７２及び７４（図３では７２ａ及び７４ａ）がカーボンリボンの両面上にデポジットされる。半導体層の厚さは、カーボンリボンが引上げられる速度の関数に従って変化する。リムの高さは、半導体層の厚さ以下であるように選定されることが望ましい。図３においては、半導体層の厚さが３種類ある場合が、各々、リム６８及び７０近辺における半導体層の外面７６、７８、及び８０により画定される縦断面形状を表わすように示されている。これら半導体層の厚さを問わず、半導体層がリムの先端部８２あるいは８４でリム６８あるいは７０に接合していることが示されている。結果として、半導体層の端部の厚さが、従来技術のような０に近い厚さになる傾向はもはやなくなる。さらに、半導体が端面６６により構成されるカーボンリボンの外面に付着することは事実上ない。このように端面６６に半導体が付着しないので、炉内でカーボンリボンを燃焼により除去して２つの半導体層７２と７４を分離するという、ＲＴＳ方法の以降の操作が容易になる。
【００２３】
図４〜６に示す変形例１〜３において、カーボンリボンの端部は、三角形状のダブルリムを形成するように突出形状を有している。カーボンリボンの面５８ｂ、ｃ、ｄ、及び６０ｂ、ｃ、ｄの端部は、それぞれカーボンリボンの面から外端側に傾斜している２つの側壁９０ｂ、ｃ、ｄ及び側壁９２ｂ、ｃ、ｄと、水平中心軸５６ｂ、ｃ、ｄに略直角な端面９４ｂ、ｃ、ｄとから構成されている。端面９４ｂ、ｃ、ｄは、カーボンリボンの端面を形成している。これらの面の形状は、各種の図において異なっている。即ち、図４においては、端面９４ｂは平面形状であり、図５においては、端面９４ｃは後退段部（ｓｅｔｂａｃｋ）９６ｃを有しており、そして、図６においては、端面９４ｄはタロードロップ（又は、それぞれ側壁９０ｄ又は９２ｄとともに片面５８ｄ又は６０ｄだけを対象とする場合は半タロードロップ）形状である。
【００２４】
側壁９０ｂ、ｃ、ｄは、それぞれ端面９４ｂ、ｃ、ｄと共に三角形状のリム９８ｂ、ｃ、ｄを形成する。同様に、側壁９２ｂ、ｃ、ｄは、それぞれは端面９４ｂ、ｃ、ｄと共に三角形状のリム１００ｂ、ｃ、ｄを形成する。リム９８ｂと１００ｂは合わせて、三角形状のダブルリムを形成する。同じくリム９８ｃと１００ｃ、リム９８ｄと１００ｄもそれぞれ合わせて、三角形状のダブルリムを形成する。
【００２５】
側壁９０ｂ、ｃ、ｄ、及び９２ｂ、ｃ、ｄは平面である必要がなく、カーボンリボンの外端面に向かってフレア（ｆｌａｒｅ）を形成することができる。そのような状況下では、カーボンリボンの端部の横断面は丸みを帯びた（ｒｏｕｎｄｅｄ）形を有する。
【００２６】
半導体層７２ｂ、ｃ、ｄ、及び７４ｂ、ｃ、ｄは、それぞれ、熱分解性カーボンにより被覆されたカーボンリボンの面５８ｂ、ｃ、ｄ、及び６０ｂ、ｃ、ｄにデポジットされる。図４〜６のそれぞれにおいて、半導体層の厚さがｅ１及びｅ２と異なる２つの場合に各々、半導体層がリムの先端部１０２ｂ、ｃ、ｄ及び１０４ｂ、ｃ、ｄに接合する様子が示されており、半導体層の厚さがカーボンリボンの両端部の部分を含み事実上一定であることは注目に値する。
【００２７】
図３に示された実施の形態におけるように、端面９４ｂ、ｃ、ｄ上の半導体のデポジションが最小化されるか又は省かれ、したがって、カーボンリボンの端部の拡幅（フレア）によりカーボンリボンを燃焼で除去できるようにするという以降の操作を容易にすることができる。
【００２８】
ＲＴＳ方法において用いられるカーボンリボンは、比較的柔らかくて可塑性があり、フレキシブルかつ低密度であり、冷間圧延された天然グラファイトからなっている。カーボンリボンの単位面積当り重量は一般に１５０ｇ／ｍ２乃至２００ｇ／ｍ２の範囲にあり、その厚さは約２５０μｍである。このカーボンリボンの柔らかくて可塑性のあることを利用して、その両端部の形（本来直方体の形）を容易に修正することができる。この修正は、全ての適切な方法、特にカーボンリボンの両端部に圧力をかける機械的な方法を用いて連続的な圧縮成形（ｕｐｓｅｔｔｉｎｇ）による形成方法で行うことができ、その圧力は中心軸５６ａ、ｂ、ｃ、ｄに沿ってカーボンリボンの内側方向にかけられる。また、コントロールされた平坦化（ｆｌａｔｔｅｎｉｎｇ）により、所定の形に合せて端部の形を修正することも可能である。
【００２９】
カーボンリボンの両端部の形を修正した後、カーボンリボン（両端部を含む）の両面は１μｍ乃至５μｍの範囲の厚さを有する熱分解性カーボン層で被覆されることが望ましい。この操作の後に、カーボンリボンは、圧延の間にダブルリムが平坦化されるのを避けるように選定された厚さの再被覆可能なプラスチック又は紙のフィルムと共に同時に圧延される。高さλのリム（図３を参照）に対して、プラスチック又は紙フィルムの厚さはλより小さくしてはならない。半導体の槽液を通してカーボンリボンを引上げる操作の間に、プラスチック又は紙フィルムはカーボンリボンから分離し、再使用されるために復帰する。
【００３０】
カーボンリボンの各端部にダブルリムがあっても、ルツボ１０（図１）中のスロット１４を通してカーボンリボンが通過するのを妨げないことは注目に値する。
それは、特許文献３に記載されているように、一般にスロットがその両端にスロットの幅より大きい直径の孔をそれぞれ有しているからである。
【００３１】
このようにして、本発明は、カーボンリボンを引上げることにより得られる半導体層の両端部の厚さが減少してしまうという問題に対して、技術的に簡単で、安価な解決策を提供する。この解決策は、利用可能なカーボンリボン従って半導体層のエリア効率を改善する。カーボンリボンの両端部の縦断面形状に形成される突出形状、特にリムは、カーボンリボンをさらに丈夫にし、その結果、半導体フィルムの製造歩留りを改善する。
【００３２】
以上記述し、図示した以外の実施の形態は、本発明の範囲を越えることなく当業者により案出され得るものである。そして図３〜６で示された実施の形態は、本発明の他の可能な実施の形態が数ある中で、あくまでも単に例示のための実施の形態である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】溶融半導体の槽液を通してカーボンリボンを引上げて１つ又は２つの半導体フィルムを得る従来技術の方法を示す概略図である。
【図２】従来技術の方法により得られた半導体層が端部で薄くなることを示すカーボンリボン及び半導体フィルムの断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係るカーボンリボン及び半導体フィルムの端部の形状を示す断面図である。
【図４】本発明の変形例１に係るカーボンリボン及び半導体フィルムの端部の形状を示す断面図である。
【図５】本発明の変形例２に係るカーボンリボン及び半導体フィルムの端部の形状を示す断面図である。
【図６】本発明の変形例３に係るカーボンリボン及び半導体フィルムの端部の形状を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０    ルツボ
１２    溶融シリコン（半導体、半導体材料）の槽液
１４    スロット
１６、  ５４（５４ａ、５４ｂ、５４ｃ、５４ｄ）    カーボンリボン
１８    垂直上方（矢印）
２０、２２、５８（５８ａ、５８ｂ、５８ｃ、５８ｄ）、６０（６０ａ、６０ｂ、６０ｃ、６０ｄ）    （カーボンリボンの）面
２４    熱分解性カーボン
２６    メニスカス
２８    固液接点ライン
３０、３２、７２（７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄ）、７４（７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ）    シリコンの薄層（薄膜）、半導体（材料）層
３４、３６    （カーボンリボンの）端部
３８，４０、４２、４４    （カーボンリボンの端部に）隣接する領域
５０（５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ）    中間面
５２（５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ）    横断面
５６（５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄ）    水平中心軸
６２、６４、９０（９０ｂ、９０ｃ、９０ｄ）、９２（９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ）    側壁
６６、９４（９４ｂ、９４ｃ、９４ｄ）    （カーボンリボンの）端面
６８、７０、９８（９８ｂ、９８ｃ、９８ｄ）、１００（１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ）    （突出形状の）リム
７６、７８、８０    半導体層の外面
８２、８４、１０２（１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ）、１０４（１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ）    リムの先端部
９６ｃ    後退段部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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