(57)【要約】  水純化処理及びその他のシステムにおいてスケールとバイオフィルムの形成を電解的にコントロールする方法並びに装置。アノード３０，５２，６６または７６は、水晶ＵＶ管等２２，６４または７２の物体表面３４または５０付近に提供されており、炭酸塩スケールとバイオフィルムの形成を防止する低ｐＨ環境を提供する。  【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上での炭酸塩スケールの形成を防止する装置であって、
対象物体と、
電源と、
汚染液と、
カソードと、
前記対象物体表面上あるいはその近辺に配置されるアノードと、
を含んでおり、
前記アノードは前記物体表面にて前記汚染液中に低ｐＨ環境を発生させることを特徴とする装置。
【請求項２】
対象物体はＵＶ要素を含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
ＵＶ要素は水晶管を含んでいることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
対象物体はセンサーを含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
アノードは対象物体周囲に巻き付けられていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】
アノードは螺旋巻きワイヤを含んでいることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
カソードは収容器を含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】
カソードは螺旋巻きワイヤを含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項９】
カソードは１以上の非導電スペーサによってアノードから分離されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１０】
アノードは物体表面に提供された導電性材料を含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１１】
導電性材料はＵＶ透過性であることを特徴とする請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
導電性材料はダイヤモンドを含んでいることを特徴とする請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
汚染液は水溶液を含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１４】
物体表面でのバイオフィルムの形成の防止に利用できることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１５】
対象物体は液流方向に対して横断方向に方向付けられることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１６】
アノードは対象物体と平行で、その上流側に提供されていることを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
アノードで生成される酸性溶液は対象物体周囲で洗浄されることを特徴とする請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
アノードの電圧及びカソードの電圧とは異なる電圧の第２カソードをさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１９】
物体表面での炭酸塩スケール形成を妨害する方法であって、
カソードを提供するステップと、
対象物体表面上あるいはその近辺にアノードを配置するステップと、
前記アノードと前記物体表面とを汚染液と接触させるステップと、
前記汚染液を純化処理するステップと、
前記アノードの近辺にて前記汚染液内に低ｐＨ環境を提供するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項２０】
物体表面上での炭酸塩スケールの形成を防止するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
物体表面から炭酸塩スケールを除去するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２２】
物体表面上でのバイオフィルムの形成を防止するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２３】
汚染液は水溶液を含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２４】
純化処理ステップは汚染液をＵＶ放射線で処理するステップを含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２５】
純化処理ステップは汚染液を電解反応で生成されたオキシダントで処理するステップを含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２６】
アノード配置ステップはワイヤアノードを物体表面に巻き付けるステップを含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２７】
アノード配置ステップはアノードを物体表面に直接的に固定させるステップを含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２８】
アノードは導電性ＵＶ透過材料を含んでいることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
導電性ＵＶ透過材料はダイヤモンドを含んでいることを特徴とする請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
カソードとアノードとを非導電性スペーサで分離するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項３１】
低ｐＨ環境を提供するステップはクリーニングサイクルの一環として実施されることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項３２】
アノードとカソードの極性を逆転させるステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項３３】
カソードからスケールを除去するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
対象物体はＵＶ管を含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項３５】
対象物体を液流方向に対して横断方向に方向付けるステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項３６】
アノードを対象物体と平行で、その上流側に設置するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
対象物体周囲でアノードに生成された酸性溶液を洗浄するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
アノードの電圧及びカソードの電圧とは異なる電圧に第２カソードを提供するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項３９】
カソードと第２カソードの極性を逆転させるステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項３８記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は物体表面の炭酸塩スケールを溶解させ、物体表面でのバイオフィルムの形成を防止する電解法及び電解装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
関連出願の説明：本願は２００４年６月１０日出願の米国特許願６０/５７９０５３「スケール及びバイオフィルムの除去法並びに除去装置」並びに２００５年６月９日出願の米国特許出願事務所整理番号３０７５０−特許−２９「スケール及びバイオフィルムの除去法並びに除去装置」の優先権を主張する。
【０００３】
以下の説明はいくつかの文献に言及する。そのような文献の説明は本発明の科学的原理を詳細に説明するものであり、本発明の特許性に関する先行技術とは解釈されるべきではない。
【０００４】
処理装置、パイプ及び他のシステム装置の表面における炭酸カルシウムの堆積並びにバイオフィルムの成長はそれらシステムの最大の故障要因である。例えば、紫外線（ＵＶ）システムは液体処理システム、特に水処理システムにおける微生物、有機物、有害化学物質並びに他の有害化合物の処理に非常に有効であることが証明されている。しかし、富栄養環境下ではＵＶ水晶管上でのバイオフィルム及び藻類の成長のためにＵＶは効果的なエネルギー源となる。今日、数多くの除去システムは水晶管表面から炭酸塩スケール及びバイオフィルムを削り取るために高価なスクレーパ機構を利用する。イシヤマに付与された米国特許５８７４７４０は紫外線管をクリーニングするスクレーパシステムを解説する。
【０００５】
塩化ナトリウムのブライン溶液から混合オキシダントと次亜塩素酸ナトリウム溶液を生成するための寸法安定アノードを利用する電解技術が開発された。寸法安定アノードはビアに付与された米国特許３２３４１１０「電極及び電極製造方法」で解説されている。そこでは貴金属コーティングがチタン基板に施される。１９９０年代、ミシガン州立大学のグレグ・スウェイン博士はダイヤがコーティングされた電極が、従来の寸法安定アノードよりも耐久性に優れていることを証明した。グラム他に付与された米国特許４７６１２０８は水殺菌用の電解法と電解槽を解説する。これらオキシダントを広範な溶解物を含んだ水溶液から生成するために電解法が利用できる。
【０００６】
さらに、ロブソンに付与された米国特許５３０８５０７は混合オキシダントとＵＶ光を組み合わせて有機汚染物質を除去する混合オキシダント利用法並びに装置を解説する。電解槽のアノードで生成されるオキシダント溶液は低ｐＨ値であり、典型的にはｐＨ２からｐＨ３を有することが知られている。カソード表面は典型的には高ｐＨ値であり、ｐＨ１２からｐＨ１３を有している。炭酸カルシウムスケールはアノード表面の低ｐＨ条件によってアノードでは発生できない。しかし、炭酸カルシウムスケールはカソード表面では発生できる。特に、カルシウムが電解槽内でイオン化して水中に存在するときには顕著である。電解槽によっては、特に水泳プールのために使用される場合に、電解槽の電極の極性を周期的に逆転させ、カソードとアノードを交換することでこの特性がカソードのスケールクリーニングに活用される。アノード（前炭酸カルシウム付着カソード）表面で形成される低ｐＨ酸性溶液は炭酸カルシウムを溶解する。
【０００７】
アノードで低ｐＨ条件を発生させる電解オキシダントの特性はＵＶ管及び他の処理装置の表面でのスケール形成の妨害に利用できる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は物体表面上での炭酸塩スケールの形成を防止する装置を提供する。この装置は、対象物体、電源、汚染液、カソード、及び対象物体表面上あるいはその近辺に配置されるアノードを含んでいる。アノードは物体表面にて汚染液中に低ｐＨ環境を発生させる。好適には対象物体はＵＶ要素を含む。好適にはＵＶ要素は水晶管あるいはオプションでセンサーである。好適にはアノードは対象物体周囲に巻き付けられ、好適には螺旋巻きワイヤを含む。オプションでカソードは収容器であり、好適には螺旋巻きワイヤを含む。カソードはオプションで非導電スペーサによりアノードから分離される。アノードはオプションで物体表面に固定された導電性材料、好適にはＵＶ透過性材料、例えば、ダイヤモンドを含む。
【０００９】
好適には汚染液は水溶液である。好適には装置は物体表面でのバイオフィルムの形成の防止に利用できる。オプションで対象物体は液流方向に対して横断方向に方向付けられる。アノードは好適には対象物体と平行で、その上流側に設置され、アノードで生成される酸性溶液は好適には対象物体周囲で洗浄される。装置はオプションで、アノードの電圧及びカソードの電圧とは異なる電圧の第２カソードをさらに含んでいる。
【００１０】
本発明はまた、物体表面上での炭酸塩スケール形成を妨害する方法をも提供する。この方法はカソードを提供するステップと、対象物体表面上あるいはその近辺にアノードを配置するステップと、アノードと物体表面とを汚染液と接触させるステップと、汚染液を純化処理するステップと、アノードの近辺にて汚染液内に低ｐＨ環境を提供するステップとを含んでいる。方法は好適にはさらに物体表面上での炭酸塩スケールの形成を防止するステップ、物体表面から炭酸塩スケールを除去するステップ、及び/又は物体表面でのバイオフィルムの形成を防止するステップを含んでいる。汚染液は好適には水溶液を含む。純化処理ステップは好適には汚染液をＵＶ放射線及び/又は汚染液を電解反応で生成されたオキシダントで処理するステップを含んでいる。アノード配置ステップは好適にはワイヤアノードを物体表面に巻き付けるステップを含んでいる。あるいはオプションでアノード、好適には導電性ＵＶ透過材料、好適にはダイヤモンドを物体表面に直接的に固定させるステップを含んでいる。
【００１１】
好適にはこの方法はカソードとアノードとを非導電性スペーサで分離するステップをさらに含んでいる。低ｐＨ環境の提供ステップはオプションでクリーニングサイクルの一環として実施される。方法は好適にはアノードとカソードの極性を逆転させるステップをさらに含み、好適にはカソードからスケールを除去する。好適には対象物体はＵＶ管を含んでいる。方法は好適には対象物体を液流方向に対して横断方向に方向付けるステップと、アノードを対象物体と平行に、その上流側に設置するステップと、対象物体周囲でアノードに生成された酸性溶液を洗浄するステップとを含んでいる。好適には方法は、アノードの電圧及びカソードの電圧とは異なる電圧に第２カソードを提供し、カソードと第２カソードの極性を逆転させるステップをさらに含んでいる。
【００１２】
本発明の１目的は、効率的な活用にクリーンな表面を必要とする処理装置、パイプあるいは他のシステム装置の表面での炭酸塩スケールとバイオフィルムを除去し、あるいはその形成を妨害する装置と方法とを提供することである。
【００１３】
本発明の別目的は、飲料水中での炭酸塩スケールやバイオフィルムの形成防止、廃水や有害化学物質の処理、並びに熱交換器及び他の装置における炭酸塩あるいはバイオフィルムの形成を防止することである。
【００１４】
本発明の主要な利点は、定期点検の必要なく、システム装置の運転を休止することなく、システム装置の保守のための人件費をさほどかける必要なく、スケール、バイオフィルム、藻類及び他の有害な物質が処理装置の表面で形成されることを防止する継続的な処理を提供することである。
【００１５】
本発明の他の目的、利点及び新規な特徴並びにさらなる利用範囲は添付図面を利用した以下の詳細で明らかとなろう。本発明の目的と利点は「請求の範囲」の実施により達成されよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の好適実施例を図１に示す。紫外線（ＵＶ）リアクタは好適には管状ＵＶ水晶要素２２を含んでおり、好適には環状リアクタ収容器２０の中央に提供される。要素２２は好適には電力回路２４によって電力供給される。電解アノードワイヤ３０は好適には要素２２周囲で螺旋状に巻き付けられている。電解カソードワイヤ３２は好適には環状リアクタ収容器２０内で螺旋状に巻き付けられており、電解アノードワイヤ３０と電解カソードワイヤ３２との間に環状スペース３６を形成する。オプションで、電解カソードワイヤ３２のセットが使用される。未処理水、汚染水あるいはその他の液体が入口ポート２６を通って環状リアクタ収容器２０へ進入し、処理済液は出口ポート２８から排出される。処理される溶液は好適には環状スペース３６を縦方向に流れる。
【００１７】
アノードワイヤ及びカソードワイヤに対して適した電力が適用され、電解フィールドをセットしてアノードで低ｐＨオキシダント溶液を生成し、カソードワイヤ付近で高ｐＨ溶液を生成する。低ｐＨ酸性条件は電解反応によって刺激され、要素２２の表面３４で発生する。表面３４の酸性条件は炭酸カルシウム（または炭酸塩の他の形態）の発生を妨げ、あるいはすでに形成されている炭酸塩スケールを溶解させ、ＵＶ放射線が炭酸カルシウムスケールによって妨害されないよう、またＵＶエネルギーが効率的に水又はその他の液体まで届くように表面３４をクリーンに保つ。ＵＶエネルギーは表面３４及び環状スペース３６内で処理される水中の微生物やバイオフィルムを除去する。微生物及び有機物除去は、電解アノードワイヤ３０付近でオキシダントを生成することによってさらに促進される。オキシダントは環状スペース３６内でさらにバルク溶液へ拡散され、処理される溶液のために追加の殺菌効果あるいは有機物除去効果を提供する。水流中でアノード表面によって生成されるＵＶ放射線と好適には混合オキシダントであるオキシダントとの組み合わせは、有機物を確実に除去し、バイオフィルムと藻類がＵＶ管上で形成されるのを防止する。このプロセスによって、１年以上メンテナンス無しでもクリーンなＵＶ管を保つことができる。
【００１８】
図２に示す本発明の別実施例では、環状リアクタ収容器４０は電解槽に適合する金属を含んでいる。適合する材料の例には、チタン、ハスタロイ、ステンレス鋼あるいはその他の導電性材料が含まれる。本実施例では、環状リアクタ収容器４０はカソードとして作用し、分離カソードワイヤの必要性を排除する。この形態では、直流電力は好適にはアノードワイヤ３０に適用され、またカソードとして作用する環状リアクタ収容器４０へ直接的に適用される。本実施例は比較的に軟質流動である水または水溶液の処理に最も適している。そこではカソード表面のｐＨは、カソード表面積のインチ辺りのアンペア数が約０．１３以下であるため、カルシウム塩のスケールポイントである約８．３から８．４以上には上昇しない。このスケールポイント以下のｐＨでは、カソード表面は数ヶ月間クリーンに保たれる。カソード表面がスケール形成され始めたら希釈酸性溶液で洗浄するのが望ましい。
【００１９】
本発明の別実施例は、トラフ４８を通って流れる汚染液４６の断面図を示す図３で図示されている。２以上のＵＶ要素水晶管５４ａと５４ｂがトラフ３０内で好適には平行に整合されている。アノードワイヤ５６は水晶管５４ａと５４ｂに隣接して好適には螺旋状に巻き付けられている。カソードワイヤ５８はアノードワイヤ５６の周囲外側で好適には同心的に螺旋状に巻き付けられており、非導電性スペーサ５９によって支持されている。スペーサ５９は水晶管５４ａと５４ｂあるいは他のアノードワイヤ５６で支持できる。オプションで、カソードワイヤのセットを使用することもできる。カソードワイヤ３８をオプションでトラフ４８内の縦型プレートと置換することもでき、あるいはトラフ４８をオプションで適した導電性材料で形成し、処理中にカソードとして作用させることもできる。開放流スペーサの使用によって、汚染液４６を開口トラフ４８内またはトラフあるいはパイプ内で複数のＵＶ管を有した大型管内で処理することができる。
【００２０】
図４に示す本発明の別実施例では、液流６０はＵＶ管あるいはＵＶランプ６４の方向に対して接線方向である。アノードワイヤ６６がＵＶランプ６４の上流側に提供されており、好適にはＵＶランプ６４に対して平行に整合されている（すなわちワイヤの縦方向は図の平面に対して垂直である）。液流がＵＶランプ６４の方向に対して接線状に流れるため、アノードワイヤ６６で発生し、１種以上のオキシダントを含んだ酸性溶液６７はＵＶランプ６４周囲を洗浄し、ＵＶランプ６４を炭酸塩スケール及びバイオフィルムからクリーンに保つ。１以上のカソードワイヤ６８は好適にはアノードワイヤ６６とＵＶランプ６４に対して平行に整合される。液流６０中の溶解物はアノードワイヤ６６とカソードワイヤ６８との間の導電性通路を提供し、アノードワイヤ６６での酸性溶液の生成を促進する。アノードワイヤ６６とカソードワイヤ６８は、ＵＶランプ６４の縦方向に沿って提供された非導電保持体６２によって、好適にはＵＶランプ６４に対して固定される。アノードとカソードはワイヤの代わりに導電性トレースを含むことができ、必要に応じ、極性を逆転させてカソードからスケールとバイオフィルムを除去することもできる。
【００２１】
本発明のスケール除去処理は、アノードとカソードが継続的に使用されるため、ＵＶ放射線に加えて電気分解によって生成されるオキシダントによって水が処理される場合には典型的には継続的である。しかしながら、電気分解が汚染処理の一部でない場合、例えば自動クリーニングサイクルの間だけアノードに電力を適用することで、本発明を、ＵＶ管の表面またはその他の表面の周期的な洗浄にも使用できる。
【００２２】
前述の実施例によれば、アノードを望むどの部分にでも適切に巻き付けることでスケール等の不都合な物質の堆積を防止することができる。あるいは、巻き付けが不可能または不都合な場合でも、電解槽のどの面にも同じ目的でアノードを設置することができる。図５は本発明の１好適実施例を示している。好適にはワイヤであるアノード５２は、低ｐＨ条件が実質的に表面５０全体に確実に存在するように表面５０に隣接して提供されている。あるいはアノード５２はどのような導電性構造を含んでもよい。表面５０は、金属、ガラス、サファイヤ、水晶あるいはシリコン等、どのような材料を含んでもよい。アノード５２を表面５０に直接提供しても、表面５０から１以上のスペーサで分離させてもよい。例えば、表面５０が導電性材料を含む場合、スペーサは好適には絶縁物であろう。
【００２３】
アノード５２を表面５０に、蒸着法、インクジェット印刷法、直接書込法、コールドスプレー処理法、あるいはあらゆる他の従来技術によって直接提供することもできる。この目的のために、どのような電解アノード材料でも利用できる。例えば、ダイヤモンドコーティングを表面５０で所望のパターンに蒸着させることもできる。あるいは、所望のパターンを表面５０にフォトエッチング処理し、エッチングパターンに従うようにチタンを被膜し、その後にルテニウムを被膜してアノード５２を形成することもできる。必要に応じてあらゆる金属の組み合わせを使用することができる。例として、銅をエッチングパターンに従って最初に被膜し、メッキ処理または他の方法でチタンを被膜する。あるいは、表面をイオン衝撃法で処理する場合にはアノードを形成することができる。例えば、ガラス面を金属イオンビームで実質的に全面的に、あるいは所望のパターンでイオン衝撃処理して、ＵＶ光線に対して透過性で導電性であるアノードを形成することができる。大型アノード電流を利用する場合には、表面５０を好適には重イオン衝撃で剥離処理し、ＵＶ光線を反射または妨害する高導電通路を創出する。好適には被膜処理中に部材を相対的に回転させて、前述の如く管状または筒状物体の周囲にワイヤを巻き付けるのと同様に、アノードが対象物体の全面に提供されるよう、これらの処理を３次元に拡張させることができる。
【００２４】
このような表面の例としては、ｐＨ、酸化還元電位、塩素濃度、完全溶解固体物質（ＴＤＳ）等の測定に用いられる水質モニター、プローブあるいはセンサー等がある。通常このタイプのセンサーは、炭酸塩スケールやバイオフィルムで汚染され、最終的には洗浄しなければならない。センサーの上またはその付近にアノードを被膜あるいは提供することで、例えば自動クリーニングサイクルの間、アノードを活性化させてスケールとバイオフィルムを周期的に除去したり、スケールとバイオフィルムの形成を防止するよう継続的に洗浄することができる。
【００２５】
導電性材料をスケール除去する対象表面に直接被膜するための別の方法を図６に示す。液流７０は、好適には導電性ＵＶ透過フィルム７６でコーティング処理されたＵＶ管７２と７４の縦軸方向に対して垂直に流れている。導電性ＵＶ透過フィルム７６には、例えばＵＶランプ又はＵＶ管の表面に適した手段によって被膜されたダイヤモンドフィルムが含まれる。先ず、適切な相対的電圧が適用されると、導電性ＵＶ透過フィルム７６はＵＶ管７２上でアノードとして作用し、ＵＶ管７４上でカソードとして作用する。あるいはカソードは、好適にはＵＶ管に固定された１以上の絶縁スペーサによって適切なスペースでアノード管から分離されたワイヤまたは他の導電トレースでよい。この場合、ＵＶ管７２はオプション的導電性透過フィルム７６の表面での酸性溶液の形成によって洗浄される。所定時間後、オプション的導電性透過フィルム７６の電気極性はＵＶ管７２と７４のために逆転される。このように、ＵＶ管７４上のフィルム７６はアノードとして作用し、酸性溶液のアノード形成によって洗浄され、ＵＶ管７２のフィルム７６はこの反応でカソードとして作用する。所定の間隔で、フィルム７６の電気極性は好適には再度切り替えられ、ＵＶ管７２とＵＶ管７４を交互に洗浄する。硬水には、好適には約１Ｈｚから約４００Ｈｚの周期範囲で非対称交流を使用する。
【００２６】
前述の実施例のいずれにも、２本（あるいはそれ以上）のカソードワイヤまたはその他のカソードトレースあるいはコーティング処理面をオプションで使用することができる。異なった電圧をカソードワイヤに適用すると、これらは共にアノード電圧に対してさらに負状態を保つ。さらに高電圧のカソードでは、スケール形成を防止するよう充分に低いｐＨを有した弱酸性溶液が生成され、他方のカソードワイヤでは高ｐＨ溶液が生成される。カソードワイヤセットのドリップアノード電流とリターンカソード電流を交代（すなわち極性を逆転）させることで、炭酸カルシウムまたは硫酸カルシウム等のスケールが両方のカソードワイヤから交互に除去される。極性逆転は、スケール付着によるドリップアノードワイヤとリターン電流ワイヤとの間の追加電圧の蓄積が検知された時に開始される。強硬水の場合には、カソード面を塩酸の希釈溶液または有機酸の希釈溶液に浸してバリウムベースまたは硫酸ベースの塩スケールを溶解させることができる。このように、本システムはカソードワイヤの洗浄を継続的に実施させる。
【００２７】
本発明の好適実施例について詳細に説明したが、他の実施例でも同様の結果を得ることができる。当業者であれば本発明を変更することが可能であり、これらの変更は本発明の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は本発明の１好適実施例による中央ＵＶ管と外側収容器とを備えた環状ＵＶリアクタの断面図である。
【図２】図２は本発明の別好適実施例による中央ＵＶ管と、外側収容器とカソード要素との両方の機能を果たす外側収容器とを備えた環状ＵＶリアクタの断面図である。
【図３】図３は本発明の別実施例による複数のＵＶ要素を有したトラフの断面図であり、アノード電極はＵＶ要素と非導電性スペーサで支持されたカソード電極に隣接する。
【図４】図４は液流に対して横断（あるいは接線）するように配置されたアノードとカソードワイヤを含むＵＶ管の形状を図示する。
【図５】図５はアノードが物体表面に直接的に設置されている本発明の別実施例を図示する。
【図６】図６は液流に対して横断（あるいは接線）するように配置され、光学的に透明であって導電物質でコーティングされたＵＶ管の形状を図示する。
【図１】
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【図２】
2008502478.tif 000004
【図３】
2008502478.tif 000005
【図４】
2008502478.tif 000006
【図５】
2008502478.tif 000007
【図６】
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【国際調査報告】
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