(57)【要約】波長可変レーザーは、電界がない場合にセル壁の内面に対してほぼ垂直な螺旋軸を有する液晶材料の層を取り囲む第１及び第２のセル壁を備える。その液晶は、蛍光性、リン光性、発光性、又は希土類の色素を含有する。そのデバイスは、螺旋軸に対してほぼ垂直な横電界を印加するための電極を含む。本発明は、螺旋軸及び蛍光性、リン光性、発光性、又は希土類の色素を有し、適切な光源によって光励起されるキラルネマチック液晶材料からなるフォトニックバンドエッジレーザーのピーク波長を電気的に調節する手法も提供する。その手法は、撓電効果によって螺旋軸を変形するような、螺旋軸とほぼ直交する電界の印加を含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界がない場合にほぼ一様に方向付けられた螺旋軸を有する液晶材料の層を取り囲む第１及び第２のセル壁と、液晶材料内の蛍光性、リン光性、発光性、又は希土類の色素と、前記螺旋軸に対しほぼ垂直な電界を印加するための電極とを備える、波長可変レーザーデバイス。
【請求項２】
前記螺旋軸は前記セル壁の内面に対してほぼ垂直である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記液晶材料は正または負の誘電異方性のキラルネマチック液晶である、請求項１または請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
液晶材料はビメソゲンからなる、または含む、先行する請求項のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ビメソゲンはアルカン鎖において１個から２０個の炭素を有する少なくとも１つのα‐（２’，４‐ジフルオロビフェニル‐４’‐イルオキシ）‐ω‐（４‐シアノビフェニル‐４’‐イルオキシ）アルカンからなる、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ビメソゲンはα‐（２’，４‐ジフルオロビフェニル‐４’‐イルオキシ）‐ω‐（４‐シアノビフェニル‐４’‐イルオキシ）オクタン（図１）である、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記色素は４‐（ジシアノメチレン）‐２‐メチル‐６‐（４‐ジメチルアミノスチリル）‐４Ｈ‐ピラン（図２）である、先行する請求項のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記色素は蛍光性、リン光性、発光性、または希土類の部分を含むビメソゲン構造を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
液晶材料に溶解した光吸収体を更に含み、前記光吸収体は、ビメソゲンを有し、前記蛍光性、リン光性、発光性、または希土類の色素への励起エネルギーのフォルスター型転移を可能にする光吸収部分を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記光吸収部分は窒素を含む部分である、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記色素による吸収に適した波長の光を液晶材料に照射するために配置された光入力源を更に含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記光入力源は前記電極間の位置に光を向けるために配置され、前記螺旋軸にほぼ並行である、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記螺旋軸は前記セル壁の内面に対してほぼ垂直である、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記光入力源はＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー、エレクトロルミネッセント光源、有機発光ダイオード、又はレーザーダイオードである、請求項１１から１３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１５】
電界がない場合にほぼ一様に方向付けられた螺旋軸をもつ正の誘電異方性のキラルネマチック液晶材料の層を取り囲む、ほぼ平面に相隔たって向き合う第１及び第２の半透明セル壁と、液晶材料内の蛍光性、リン光性、発光性、又は希土類の色素と、前記螺旋軸に対してほぼ垂直な電界を印加するための、前記セル壁の少なくとも１つの内面の電極と、前記色素を光励起するための光源とを備える、電気的波長可変レーザーデバイス。
【請求項１６】
前記キラルネマチック液晶材料はα‐（２’，４‐ジフルオロビフェニル‐４’‐イルオキシ）‐ω‐（４‐シアノビフェニル‐４’‐イルオキシ）オクタン（図１）及びキラル成分を含む、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記螺旋軸は前記セル壁の内面の平面に対してほぼ垂直である、請求項１５または請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記電極は前記液晶の層の領域の周囲に配置された少なくとも４つの電極を含み、各電極は前記領域に渡って電界を印加するために選択的にアドレス可能であり、それによって前記電界が複数の選択可能な方向のいずれにでも印加できる、先行する請求項のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記光源は前記螺旋軸に沿って光を向けるために配置される、請求項１５から１８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２０】
螺旋軸及び蛍光性、リン光性、発光性、または希土類の色素を有し、適切な光源によって光励起されるキラルネマチック液晶材料を含むフォトニックバンドエッジレーザーのピーク波長を電気的に調整する手法であり、撓電効果によって前記螺旋軸を変形するような、螺旋軸とほぼ直交する電界の印加を含む手法。
【請求項２１】
前記キラルネマチック液晶材料はほぼ平らな配列を有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記電界は１から２０Ｖ／μｍの範囲の強さを有するほぼ直流の電界である、請求項２０または請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記螺旋軸は対向するほぼ平面のセル壁を含むセルの平面に位置し、前記電界はそのセル壁間に印加される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
螺旋軸を有するキラルネマチック液晶材料から選択的に反射された光のビームの方向を電気的に調節する手法であり、撓電効果によって前記螺旋軸を変形するような、螺旋軸とほぼ直交する電界の印加を含む手法。
【請求項２５】
前記電界は１から２０Ｖ／μｍの範囲の強さを有する実質的直流電界又は低周波交流電界である、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記液晶材料は蛍光性、リン光性、発光性、または希土類の色素を含む、請求項２４又は請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
実質的に図面の図７及び８を参照して以下に記述されるような波長可変レーザーデバイス。
【請求項２８】
実質的に図面の図７及び８を参照して以下に記述されるようなフォトニックバンドエッジレーザーのピーク波長を電気的に調整する手法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶デバイスに関し、特に波長可変レーザーデバイス及びビームステアリングデバイスに関し、それらのデバイスを使用する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機物（参考文献１−５）及び無機物（参考文献６−８）の両方におけるフォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）構造の生成を目的とした多くの報告がなされている。自然な螺旋形成の結果として、キラルネマチック（Ｎ＊）液晶が、光のための一次元ＰＢＧ（参考文献１）を有する材料の可能性の実現において重要な役割を果たしている。いくつかの場合においては、光のための一次元ＰＢＧを示すキラル液晶が、潜在的な円偏光光源と目されている（参考文献９，１０）。螺旋的な回転に類似する偏光モードはバンドギャップの型の中で抑制され、非螺旋的な偏光のみが行われている。しかしながら、正しい環境下では、光子状態密度が発散するフォトニックバンドエッジ（ＰＢＥ）で低閾値レージングが発生する可能性があり（参考文献１１）、これがキラルネマチックフォトニックバンドギャップ材料について行われた研究（参考文献１２）の大半において焦点とされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この構造の中で発光を発生させるためには、通常は、液晶マトリクスに異質の蛍光発光体が組み込まれている必要がある。純粋なキラルネマチックが発光体として使用される例（参考文献２）も存在するが、これは一般に紫外線よりはるかに長い波長を有するポンプ光源を必要とする。低閾値ＰＢＥレーザーを生成する方法の１つとして、色素ドープキラルネマチック液晶を使用して、フォトニックバンドギャップの一端を色素の蛍光曲線と重複させる方法が示されている（参考文献１）。発光効率のような励起閾値ファクタを最小限に抑えるため、色素の量子効率及び共振器のＱ値は最大にされねばならない（参考文献１３，１４）。
【０００４】
キラルネマチック液晶を使用する１つの利点は、従来のフォトニック液晶に比べてキラルネマチック液晶ユニークな電気光学特性を有していることである。誘電結合のためのレーザー発光における効果が既に報告されている（参考文献１５）。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の態様に従って、電界がない場合にほぼ一様に方向付けられた螺旋軸を有する液晶材料の層を取り囲む第１及び第２のセル壁と、液晶材料内の蛍光性、リン光性、発光性、または希土類の色素と、前記螺旋軸に対してほぼ垂直な電界を印加するための電極を備える波長可変レーザーデバイスを提供する。
【０００６】
横方向の電界の印加はレーザー波長の調節に使用できる。この、熱ではなく電気による制御によって、レーザー波長の迅速且つ正確な調整が可能になる。
【０００７】
好ましい液晶材料として、正の誘電異方性をもつキラルネマチック（コレステリック）が挙げられる。しかし、キラルティルテッドスメクチック材料または青相材料を代わりに使用することができる。キラリティーは液晶材料の性質を備えていることがあり、キラル添加物を含有させることで備えさせることもできる。好適なキラル添加物の多くは市販されており、例えば、ＢＤＨ１３０５やＢＤＨ１２８１（Ｍｅｒｃｋ  ＮＢ−Ｃ）などが挙げられる。良好な螺旋ピッチが得られるかは使用する色素及びキラルネマチック溶媒によって決まる。可視光で発光する色素には、長さ２００ｎｍから５００ｎｍの範囲のピッチが必要であり、より長い螺旋ピッチは電気通信分野で必要とされている。液晶材料は蛍光性レーザー色素部分、リン光性、発光性、または希土類の色素を含有するように合成でき、ＤＣＭのような蛍光性レーザー色素、または溶解したリン光性、発光性、もしくは希土類の色素を有することもできる。
【０００８】
本発明の好適な態様では、ピッチの短い色素ドープ非対称ビメソゲンサンプルを含有する、薄い有機膜から製造されたフォトニックバンドエッジレーザーが提供される。レージング特性は、Ｎ＊螺旋軸にほぼ垂直に印加された電界によって生成された、この螺旋軸の撓電変形によって調整可能である。このような電界の印加により、レーザー波長は効率よく調節できる。理論的な考察は省略するが、この効果は、キラルネマチックス（参考文献１６）における撓電光学的効果に共通の螺旋変形の結果として発生するＰＢＥのシフトによるものと考えられる。
【０００９】
従って、本発明の他の態様は、螺旋軸および蛍光性、リン光性、発光性、又は希土類の色素を有し、適切な光源によって光励起されるキラルネマチック液晶材料からなるフォトニックバンドエッジレーザーのピーク波長を電気的に調整する手法であり、この手法は撓電効果によって前記螺旋軸を変形するような、螺旋軸とほぼ直交する電界の印加を含む。
【００１０】
ほとんどの液晶材料において、撓電結合効果は非常に小さく、通常は誘電体の二次電界依存性によって打ち消される。しかしながら近年、強化された撓電光学特性を示す一連の非対称ビメソゲンが合成された（参考文献１７，１８）。これらの材料は、本発明の液晶材料の成分として特に好適である。
【００１１】
キラル液晶材料のストップバンドは、入射した反射光の副次的効果を有しており、そのため伝搬モードがない。従って、螺旋軸の撓電ひずみによって、反射光の波長及び方向の両方に対する電気的制御が可能になる。従って、本発明の更なる態様では、キラルネマチック液晶材料又はキラルティルテッドスメクチック液晶材料を使用した、撓電制御可能なビームステアリングデバイスが提供される。
【００１２】
本発明のその他の態様及び効果は、以下の明細書、図面、及び特許請求の範囲において明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明を、以下の図面を参照し、例を示してさらに記述する。
【００１４】
材料及び実験
非対称ビメソゲンをネマチック液晶ホストとして使用してサンプルを用意した。その非対称ビメソゲンα‐（２’，４‐ジフルオロビフェニル‐４’‐イルオキシ）‐ω‐（４‐シアノビフェニル‐４’‐イルオキシ）アルカンは内部に合成された。シアノビフェニルメソゲン及び２，４’‐ジフルオロビフェニルメソゲンは可撓性のアルキルスペーサによって結合された。ビメソゲンとしてニーモニックＦＦＯｎＯＣＢを用意した。ここでｎは可撓性スペーサにおけるメチレンユニットの数に対応する。ｎは１から２０の範囲であることが望ましい。この実験では、ネマチックホストとしてＦＦＯ８ＯＣＢが使用された。“イーブン（均一な）”長さのスペーサとは、ビメソゲン、即ち、ＦＦＯ８ＯＣＢがオールトランス構造において逆平行に位置することができることを意味する。化学構造を図１に示す。
【００１５】
そして、ネマチックホストを、低濃度（〜５ｗｔ％）の高ねじれ力キラルドーパント（ＢＤＨ１２８１，Ｍｅｒｃｋ  ＮＢ−Ｃ）及び混和性の高いレーザー色素、即ち、４‐（ジシアノメチレン）‐２‐メチル‐６‐（４‐ジメチルアミノスチリル）‐４Ｈ‐ピラン（ＤＣＭ、Ｌａｍｂｄａ  Ｐｈｙｓｉｋ）（〜２ｗｔ％）と混合した。その構造を図２に示す。この混合物をベイクオーブン内で２４時間の間１５０℃で加熱した。以下、この混合物をＤＣＭドープＦＦＯ８ＯＣＢ＊と表記する。混合の後、サンプルを毛管作用によって厚さ７．５μｍの“透明”セルに注入した。セルの基板はほぼ平らであり、螺旋軸がガラス基板の平面に対して垂直に位置する（グランジャンテクスチャ）ような方向性を持つように、粗いポリイミド層によってコーティングされた。遷移温度及びキラルネマチック相は光学偏光顕微鏡法及びリンカム（Ｌｉｎｋａｍ）社製高温ステージ及びコントローラを使用して識別された。光学偏光顕微鏡法から、キラルネマチックＤＣＭドープＦＦＯ８ＯＣＢ＊のクリーニング温度Ｔｃは１４４℃であることが分かる。
【００１６】
レージングを発生して検知する実験の準備は以下の通りである。サンプルセルにＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー（ＰｏｌａｒｉｓＩＩ、ニューウェーブリサーチ（Ｎｅｗ  Ｗａｖｅ  Ｒｅａｒｃｈ）社）から５３２ｎｍ線を照射した。そのビームは、サンプルに直径１６０μｍのスポットサイズを与えるｆ＝１０ｃｍの対象によって焦点を合わせた。温度を調節するために、サンプルセルを特注の加熱エレメント／ステージに置き、従来のリンカム社製コントローラによって制御した。そして、ファイバー光学バンドルが出力を収集し、発光を０．０４ｎｍの分解能分光計（ＨＲ２０００、Ｏｃｅａｎ  Ｏｐｔｉｃｓ社）で分光した。エッジフィルタを使用してポンプおよびサンプルレーザービームを分離した。液晶レーザーの発光エネルギーは高感度電力計（Ｌａｓｅｒｓｔａｒ、オフィール（Ｏｐｈｉｒ）社）を使用して記録した。全てのエネルギー計測結果は平均して５０パルスを超えていた。
【００１７】
含まれる材料に対するプレーン７．５ｎｍセルにおけるレージング動作を確認し、セルの平面に金蒸着電極からなる電気光学セルが充満されてポンプビームに置かれる。この配置において、厚さ１０ｎｍの電極によって、均一の電界が（グランジャンテクスチャにおける材料を有する）螺旋軸の両方に垂直に印加されることが可能になり、またセルの蓋が固定されるスペーサエレメントとして働くことが可能になる。これらの電極は、サンプルが毛状に充満される５０μｍ幅のチャネルによって分離される。セル蓋はＰＴＦＥの一定方向に粗い層によって予めコーティングされる一方で、セルのベースはＨ2Ｏ中で１％のＰＶＡ溶液によってスピンコーティングされる。セルのベース上の電極が配向層の方向性摩擦を防止する一方で、組合せにおけるこれらの２つの層はレージングを引き起こすグランジャンテクスチャを提供する。使用された横軸電極電気光学セルの顕微鏡画像を図３に示し、５０μｍ幅の活性領域は中央で取り囲まれている。
【００１８】
電気光学セルはポンプパルスの印加に対して安定することが可能となり、サンプルからの均一なレージング出力が観察され、その点で信号発生器（ＴＴＩ）から増幅された電子パルスがセルの活性領域に渡って印加されてポンプビームからのパルスと一致した。印加された電界に関連するポンプパルスへのフォトダイオードの反応を示すオシロスコープトレースを図４に示す。電子パルスの最初の印加とポンプレーザーパルスの入射の間で約２００μｓの時間があることがこの図からわかる。これは、レージングが引き起こされる前に、材料が電界に対するディレクタ変形において完全な反応を可能にするためである。非対称ビメソゲンを有するグランジャンテクスチャにおける撓電光学効果についての過去の未発表文献では、材料反応時間オーダーは１００μｓであるべきと示されている（参考文献１９）。
【００１９】
結果及び考察
図５は、ＤＣＭの最大利得におけるＰＢＥレージングのための典型的な反射バンド及びレージング発光スペクトルを示す。示された反射バンドは、通常短波長端を隠す色素吸収効果を取り除くためのＤＣＭなしのサンプルに対する円偏光した白色光の印加によって得られた。薄膜セルにおいて、付随的な干渉縞が反射バンドの外側に観察され、良好に配列したモノドメインサンプルを示している。図５は、反射バンド／フォトニックバンドギャップに対するレージングピークの明確な依存性もはっきりと示している。ピークは、長波長バンドエッジにおける第１の吸収最小値において起きる。
【００２０】
図６は、いくつかの異なる温度におけるＤＣＭドープＦＦＯ８ＯＣＢ＊ＰＢＥレーザーの総合発光エネルギーの励起エネルギー依存性を示す。図６の差込図では励起閾値を精密に観察することが出来る。低励起エネルギーでは、自然発光が観察され、レージング閾値よりも大きな励起エネルギーについては、また微分図における不連続線によって表されるように、総合発光エネルギーは、飽和限界まで入力エネルギーに対する通常の線形の依存性に従う。最も高い励起エネルギー（＞４０μＪ／Ｐｕｌｓｅ）では、セルは、不可逆的ではないものの劣化し始め、総合発光エネルギーは低下し始める。螺旋ピッチは約３５０ｎｍであり、これらの計測において温度による変化はほとんどない。
【００２１】
ＰＢＥレーザーに関して観察された動作効率の熱依存も顕著である。図６には、動作効率が高温で低下することが示されている。ＰＢＥレーザー線はＤＣＭの自然発光の最大値以内（５９０ｎｍから６２０ｎｍ）ではそのままであり、従って性能に顕著に関連してくる温度依存性ではないようである。しかしながら、サーモトロピックＰＢＥレーザーの動作効率の熱依存は、発光効率の温度調節及びキラルネマチックのＱ値で説明できる（参考文献１３，１４）。このため、電気光学セルを使用する電界制御された計測が、動作効率が最大となる温度で実行された。
【００２２】
図７は、一連の印加された電界においてサンプルから得られたレージングスペクトルを示す。印加された電界によるレージングピークの更なる赤方偏移の一般的な傾向が見られる。レージングの強度は、分光計によって記録された継続的なポンプパルスに応答する系統的変動によって僅かに変化する。しかしながら、ここに示された大きな強度のばらつきは、大抵、印加された電界による、反射バンドを提供するキラルネマチック螺旋軸の変形、及びグランジャンテクスチャの劣化によると考えられる。後者は、透明なセルにおいて観察されたレージング発光と比較して電気光学セルにおいて観察されたレージング発光のスペクトル幅が増加した主要原因であるとも考えられる（参考文献１７）。電界が除去されると、レーザー発光線は直ちに元のゼロ電界スペクトル位置及び強度に戻った。
【００２３】
この赤方偏移の範囲は、印加された電界に対するピークレーザー波長のプロットを示した図８からはっきりと見ることができる。レーザーは、使用された増幅器から得られる最大値である、３．４Ｖ／μｍの電界に対して８ｎｍの範囲に渡って調整され、調節の度合いは印加する電界の大きさによって正確に制御される。
【００２４】
総括
結論として、印加された電界と撓電結合された時に高い光軸傾斜角及び高速応答時間を有することが知られている非対称ビメソゲンにおけるフォトニックバンドエッジレージングが示された。また、キラルネマチックＰＢＥレーザーの電気的制御調整も初めて示された。測定された調節は、均一に置かれた螺旋テクスチャでのキラルネマチックの光軸の撓電回転に等しいメカニズムにおける、材料のキラルネマチック螺旋軸の撓電変形の結果であると考えられる。加えて、アルキルスペーサにおける偶数又は奇数のメチレンユニットを有するビメソゲンはフォトニックバンドエッジレージングに適していることが明らかになった。
【００２５】
観察された電子調整への主要な制限は、今のところ、比較的強度の小さな電界が印加された際のサンプルテクスチャにおける完全なモノドメインの均一性の欠如である。ビメソゲンは、誘電結合が支配的になる前に約２０Ｖ／μｍまでの電界と撓電的に結合できるので、改良された信号増幅器によって大きな調整範囲が達成可能なはずである。セル配列層及び組織のアニーリングにおける改良も、レージングピークのスペクトル幅を大幅に狭めるはずであり、ピーク波長のより大きな分解能及び電界依存性を可能にする。
【００２６】
明確化のために個々の実施形態において記述された本発明のある特徴を、単一の実施形態として組み合わせて実行してもよい。逆に、簡潔にするため単一の実施形態の文中で記述された本発明の様々な特徴は、別々に、又はいくつかの適当な組合せによって実行してもよい。
【００２７】
特許請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変更、変形、及び／又は追加を上述された部品の構成及び配置に対して実施してもよいことは容易に理解できることである。
【００２８】
参考文献
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１３）  Ｐ．Ｖ．Ｓｈｉｂａｅｖ，Ｖ．Ｋｏｐｐ，Ａ．Ｇｅｎａｃｋ，ａｎｄ  Ｅ．Ｈａｎｅｌｔ，Ｌｉｑ，Ｃｒｙｓｔ．３０，１３９１（２００３）
１４）  Ｓ．Ｍ．Ｍｏｒｒｉｓ，Ａ．Ｄ．Ｆｏｒｄ，Ｍ．Ｎ．Ｐｉｖｎｅｎｋｏ，ａｎｄ  Ｈ．Ｊ．Ｃｏｌｅｓ，ｓｕｂｍｉｔｔｅｄ  Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
１５）  Ｓ．Ｆｕｒｕｍｉ，Ｓ．Ｙｏｋｏｙａｍａ，Ａ．Ｏｔｏｍｏ，ａｎｄ  Ｓ．Ｍａｓｈｉｋｏ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔｓ．，８２、１６（２００３）
１６）  Ｊ．Ｓ．Ｐａｔｅｌ，Ｒ．Ｂ．Ｍｅｙｅｒ，Ｐｈｙｓ  Ｒｅｖ  Ｌｅｔｔ，５８，１５，ｐ．１５３８，１９８７．
１７）  Ｍ．Ｊ．Ｃｌａｒｋｅ，ｔｈｅｓｉｓ  ｉｎ  ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｏｕｔｈａｍｐｔｏｎ
１８）  Ｈ．Ｊ．Ｃｏｌｅｓ，Ｍ．Ｊ．Ｃｏｌｅｓ，Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎｓ，Ｂ  Ｍｕｓｇｒａｖｅ  ａｎｄ  Ｄ．Ｃｏａｔｅｓ，Ｂｉｍｅｓｏｇｅｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ  ａｎｄ  Ｆｌｅｘｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅｓ．ＧＢ２３５６６２９．Ｆｉｌｅｄ  Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  １９９９．Ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ  ３０ｔｈ  Ｍａｙ  ２００１（１９）Ｂ．Ｊ．Ｂｒｏｕｇｈｔｏｎ，ｐａｐｅｒ  ｉｎ  ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】非対称ビメソゲンホスト、ＦＦＯ８ＯＣＢの分子構造を示す図である。
【図２】ＤＣＭレーザー色素の分子構造を示す図である。
【図３】５０mｍの活性領域が中央に線で示された、横軸電極の電気光学セルの顕微鏡写真である。
【図４】印加された電界におけるポンプレーザーパルスのタイミングを示すオシロスコープトレースである。
【図５】キラルネマチック液晶の典型的な反射スペクトル及び色素ドープキラルネマチックサンプルからのレージング発光スペクトルのグラフである。
【図６】異なる温度でのＤＣＭドープＦＦＯ８ＯＣＢ＊ＰＢＥレーザーの発光エネルギーの励起エネルギー依存性を示す。
【図７】本発明の態様に従う、図３の電気光学セルのＤＣＭドープＦＦＯ８ＯＣＢ＊サンプルの電界強度の範囲に対するＰＢＥレージング発光スペクトルを示す。
【図８】本発明の一態様に従うデバイスに印加された電界の関数として示されたピークレージング波長。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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