(57)【要約】【課題】  選択的な金属めっきにより形成される配線パターンを有する配線構造体を提供すること。【解決手段】  導電性側壁スペーサ構造体が、初期の配線構造体（絶縁マンドレル）をパターン付けし、絶縁マンドレルの側壁を活性化する方法を用いて形成される。絶縁マンドレルの側壁に金属イオンを付着させ、金属シード材料を形成するようにこれらの金属イオンを還元する。次いで、絶縁マンドレルをトリミングし、絶縁マンドレルの側壁上に配線を形成するように金属シード材料をめっきする。【選択図】      図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線構造体であって、
側壁を有する絶縁マンドレルと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上の金属シード材料と、
前記金属シード材料及び前記絶縁マンドレルの前記側壁上のめっき配線と、
を含む、配線構造体。
【請求項２】
前記側壁が、アミノ官能基、カルボン酸官能基、及びヒドロキシル官能基のうちの１つを有する、請求項１に記載の配線構造体。
【請求項３】
前記金属シード材料及び前記めっき配線が、前記絶縁マンドレルの前記側壁上に非対称的な垂直方向構造体を形成する、請求項１に記載の配線構造体。
【請求項４】
前記金属シード材料が金属を含む、請求項１に記載の配線構造体。
【請求項５】
前記めっき配線がトリミングされた導電性材料を含む、請求項１に記載の配線構造体。
【請求項６】
前記構絶縁マンドレルが有機ポリマーを含む、請求項１に記載の配線構造体。
【請求項７】
前記側壁を有する前記絶縁マンドレルが、ＳｉＯ２、ＦＳｉＯ２、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＷＮのうちの１つを含む、請求項１に記載の配線構造体。
【請求項８】
配線構造体であって、
側壁を有する絶縁マンドレルと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上の金属シード材料と、
前記金属シード材料及び前記絶縁マンドレルの前記側壁上の金属層であって、めっき配線と前記金属シード材料とを含む、金属層、
を含む、配線構造体。
【請求項９】
前記側壁が、アミノ官能基、カルボン酸官能基、及びヒドロキシル官能基のうちの１つを有する、請求項８に記載の配線構造体。
【請求項１０】
前記金属シード材料及び前記めっき配線が、前記絶縁マンドレルの前記側壁上に非対称的な垂直方向構造体を形成する、請求項８に記載の配線構造体。
【請求項１１】
前記金属シード材料が金属を含む、請求項８に記載の配線構造体。
【請求項１２】
前記めっき配線がトリミングされた導電性材料を含む、請求項８に記載の配線構造体。
【請求項１３】
前記絶縁マンドレルが有機ポリマーを含む、請求項８に記載の配線構造体。
【請求項１４】
側壁を有する前記絶縁マンドレルが、ＳｉＯ２、ＦＳｉＯ２、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＷＮのうちの１つを含む、請求項８に記載の配線構造体。
【請求項１５】
配線構造体を形成する方法であって、
絶縁マンドレルをパターン付けするステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に金属シード材料を形成するステップと、
前記絶縁マンドレルをトリミングするステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に前記配線を形成するように、前記金属シード材料上に金属をめっきするステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記金属シード材料を形成する前記プロセスが、
前記絶縁マンドレルの前記側壁を活性化するステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁に金属イオンを付着させるステップと、
前記金属シード材料を形成するように前記金属イオンを還元するステップと、
を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属イオンを付着させる前記プロセスが、金属硝酸塩の水溶液を前記絶縁マンドレルの前記側壁に塗布するステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属シード材料を形成する前に、前記絶縁マンドレル上にキャップを形成するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記絶縁マンドレルをトリミングするステップが、前記絶縁マンドレルの前記側壁の周囲に形成される前記金属シード材料のループをトリミングするステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
配線構造体を形成する方法であって、
絶縁マンドレルをパターン付けするステップと、
前記絶縁マンドレルの側壁を活性化させるステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁に金属イオンを付着させるステップと、
金属シード材料を形成するように前記金属イオンを還元するステップと、
前記絶縁マンドレルをトリミングするステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に配線を形成するように前記金属シード材料をめっきするステップと、
を含む方法。
【請求項２１】
前記金属イオンを付着させる前記ステップが、金属硝酸塩水溶液を前記絶縁マンドレルの前記側壁に塗布するステップを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記金属シード材料を形成する前に、前記絶縁マンドレル上にキャップを形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記構造体がマンドレルを含み、前記絶縁マンドレルをトリミングするステップが、前記絶縁マンドレルの前記側壁の周囲に形成される前記金属シード材料のループをトリミングする、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
配線構造体を形成する方法であって、
絶縁マンドレルを基板上に形成するステップと、
前記絶縁マンドレルの側壁をめっき配線でめっきするステップと、
前記絶縁マンドレル及び前記めっき配線を絶縁体で覆うステップと、
前記絶縁マンドレルと前記絶縁体との間に開口部を残すように前記めっき配線を取り除くステップと、
前記開口部をダマシン導体で充填するステップと、
を含む方法。
【請求項２５】
前記めっきするプロセスが、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に金属シード材料を形成するステップと、
前記絶縁マンドレルをトリミングするステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に前記めっき配線を形成するように前記金属シード材料をめっきするステップと、
を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記金属シード材料を形成する前記プロセスが、
前記絶縁マンドレルの前記側壁を活性化するステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁に金属イオンを付着させるステップと、
前記金属シード材料を形成するように前記金属イオンを還元するステップと、
を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記金属イオンを付着させる前記プロセスが、金属硝酸塩の水溶液を前記構造体の前記側壁に塗布するステップを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記トリミングするプロセスが、前記絶縁マンドレルの前記側壁の周囲に形成される前記金属シード材料のループをトリミングする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
配線構造体を形成する方法であって、
絶縁マンドレルを基板上に形成するステップと、
前記絶縁マンドレルの側壁をめっき配線でめっきするステップと、
前記絶縁マンドレル及び前記めっき配線を第１のキャップ材料で覆うステップと、
前記絶縁マンドレル間の空間を絶縁体で充填するステップと、
前記絶縁マンドレルが露出するように前記配線構造体を平坦化するステップと、
前記絶縁マンドレル及び前記絶縁体の上に犠牲材料を形成するステップと、
前記犠牲材料の上に第２のキャップ材料をパターン付けするステップと、
前記第２のキャップ材料内の開口部を通して前記犠牲材料をパターン付けするステップと、
前記犠牲材料内の開口部に導体を堆積させるステップと、
前記第２のキャップ材料内に付加的な開口部を形成するステップと、
前記付加的な開口部を通して前記犠牲材料及び前記マンドレルを取り除くステップと、
を含む方法。
【請求項３０】
前記めっきするステップが、
前記絶縁マンドレルの前記側壁上に金属シード材料を形成するステップと、
前記絶縁マンドレルをトリミングするステップと、
前記めっき配線を前記絶縁マンドレルの前記側壁上に形成するように前記金属シード材料上に金属をめっきするステップと、
を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記金属シード材料を形成する前記プロセスが、
前記絶縁マンドレルの前記側壁を活性化するステップと、
前記絶縁マンドレルの前記側壁に金属イオンを付着させるステップと、
前記金属シード材料を形成するように前記金属イオンを還元するステップと、
を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記金属イオンを付着させる前記プロセスが、金属硝酸塩の水溶液を前記絶縁マンドレルの前記側壁に塗布するステップを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記トリミングするプロセスが、前記マンドレルの前記側壁の周囲に形成される前記金属シード材料のループをトリミングする、請求項３０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、側壁に金属イオンを付着し、次いで、金属シード材料を形成するように還元する方法により形成された配線構造体に関する。次いで、配線構造体をトリミングし、側壁上に配線を形成するように金属シード材料をめっきする。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の大きさが縮小されるにつれて、能動デバイスと受動デバイスを結合する配線の大きさもまた縮小されなくてはならない。このことは、従来の配線をより高価に、かつ、より抵抗性のあるものにする。より小さい配線を形成するための１つの方法は、導電性材料を絶縁マンドレルの側壁に沿って形成するステップを含む。このような配線構造体は、時に導電性側壁スペーサと呼ばれる。絶縁マンドレルが、達成可能な最小のリソグラフィ寸法で形成される場合には、この配線構造体に沿って形成される側壁配線は、実際には、リソグラフ法でパターン付けすることができるものよりも小さくなる。このような側壁スペーサについての詳細な説明は、特許文献１、特許文献２及び特許文献３を参照されたい。
【０００３】
【特許文献１】米国特許番号第５，３３１，１１６号
【特許文献２】米国特許番号第５，５９３，９２０号
【特許文献３】米国特許番号第６，１２７，２５７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のように、導電性側壁スペーサは容量性構造体のための極めて密集した配線及び導電性板として利用することができる。しかしながら、導電性側壁スペーサを製造するための従来の方法は、高アスペクト比でこのような構造体を形成するのが困難である。さらに、時には、側壁スペーサが実際にどこに形成されるかを制御することが困難であり、これは開回路又は短絡回路をもたらすことがある。したがって、以下の方法は、非常に高いアスペクト比を有し、導電性側壁がどこに形成されるかを容易に定義できる配線構造体を形成するように開発された。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書における１つの実施形態は、導電性側壁配線を形成するための方法を含む。この方法は、初期の配線構造体（絶縁マンドレル）をパターン付けし、この初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁を活性化する。次に、この初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁に金属イオンを付着させ、金属シード材料を形成するようにこれらの金属イオンを還元する。次いで、この初期の配線構造体（絶縁マンドレル）をトリミングし、この初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁上に配線を形成するように金属シード材料をめっきする。
【０００６】
初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁を活性化するプロセスは、初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁にＮＨ３プラズマ、Ｏ２プラズマなど、又はＴＥＯＳ又はアミン蒸気／溶液を塗布するステップを含む。金属イオンを付着させるプロセスは、金属硝酸塩などの金属化合物の水溶液を初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁に塗布するステップを含む。金属イオンを還元するプロセスは、Ｈ２蒸気又はヒドラジン溶液を金属イオンに塗布するステップを含む。金属シード材料を形成する前に、さらに、初期の配線構造体（絶縁マンドレル）上にキャップ材料を形成することができる。さらに、トリミングするプロセスが、初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁の周囲に形成される金属シード材料のループをトリムする。
【０００７】
このようにして、初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁上の金属シード材料と、金属シード材料及び初期の配線構造体（絶縁マンドレル）の側壁上のめっき配線とを有する配線構造体を製造する。この金属配線は、したがって、垂直方向の側壁表面に沿って非対称的な複数の金属層（金属シード材料、めっき配線）を含む。前記側壁は、ＮＨ３プラズマ、Ｏ２プラズマ、又はＴＥＯＳ又はアミン蒸気／溶液によって活性化された後で、アミノ官能基及びカルボン酸官能基のうちの１つを有する。配線構構造体はフォトレジストなどの有機ポリマーを含むことができる。
【０００８】
本発明のこれら及びその他の態様及び目的は、以下の説明及び添付の図面と併せて考慮されるときに、より良く認識され理解されるであろう。しかしながら、以下の説明は本発明の実施形態及びその幾多の特定の詳細が示されるが、例示的なものにすぎず、制限のために与えらるものではないことを理解されたい。本発明の精神から逸脱することなく多数の変更及び修正を本発明の範囲内で行うことができ、本発明はそのような全ての修正を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、図面と併せて、以下の詳細な説明からより良く理解されるであろう。
【００１０】
より具体的には、図１の断面図で示されるように、この方法は、シリコン又は非シリコン・ウェハのような任意の形態の基板１０上に、酸化物、ガラス、ポリマー、有機材料などを含むいずれかの通常の絶縁体のようなマンドレル材料１２を形成することから始まる。次に、図２の断面図で示されるように、本発明は、マンドレル材料１２の上に窒化ケイ素又は同様の材料のような任意的なキャップ材料２２をパターン付けする。より具体的には、キャップ材料２２はマンドレル材料１２全体にわたって堆積することができ、次いで別個のフォトレジスト・マスク２４をキャップ材料２２上にパターン付けすることができる。次いで、フォトレジスト・マスクには、当該技術分野に知られるように、露光、現像などを行うことができる。続いて、キャップ材料２２は、フォトレジスト・マスク２４を用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってパターン付けすることができる。次いで、方向性ＲＩＥを使用して、マンドレル材料１２を初期の配線構造体としての絶縁マンドレル２０にパターン付けすることができる。
【００１１】
次に、本発明は、図２の矢印２６によって示されるように、構造体の側壁にＮＨ３プラズマ、Ｏ２プラズマ、又はＴＥＯＳ（テトラエチル・オルトシリケート、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）又はアミン蒸気／溶液を塗布することによって構造体の側壁を活性化する。側壁を活性化するプロセスは、これらに有機アミノ、カルボン酸、ヒドロキシルなどの官能基を与えるように絶縁マンドレル２０を調整する。したがって、上述の活性プラズマ、蒸気、又は溶液に加えて、側壁に有機アミノ、カルボン酸などの官能基を与えるあらゆる処理が本発明に有益である。
【００１２】
例えば、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法による無水マレイン酸ポリマーの堆積に続いて、樹枝状アミンによる活性化を行うことができる。トリム・マスクのレジストの化学的性質とアミン材料との間の相互作用を避けるために、必要に応じて、アミンによる活性化をトリム・ステップの後で行うことができる。プラズマ重合無水マレイン酸は非選択性であり、基板１０の全ての表面上に堆積する。これを酸素ＲＩＥでエッチングして、水平面からこの材料を取り除いて、絶縁マンドレル２０の側壁上にポリマー材料の薄いスペーサを残すことができる。アミン・デンドリマーをメタノール溶液（メタノール中にポリアミドアミン１０％ｗ／ｖ）として塗布し、続いてメタノールによる洗浄を行うことができる。或いは、可溶性無水マレイン酸ポリマー又はコポリマーをスピン塗布し、ソフト・ベークし、直接マンドレル材料１２として用いて、エッチング及び現像後にアミン溶液で活性化することができる。或いは、無水マレイン酸ポリマー又はコポリマーのような反応性成分を含むレジスト組成を像ごとに露光及び現像し、続いてアミンによる活性化を行うことができる。アミン材料は、酸素又はアルゴンＲＩＥを用いてレジスト像の水平表面から取り除いて、アミンで官能基化されたレジストの側壁を残すことができる。
【００１３】
別の方法では、アンモニア・プラズマを用いて絶縁マンドレル２０の表面をアミノ化することができる。Ａｒ又は酸素ＲＩＥを用いて、金属堆積前に水平表面を清掃することができる。水素シルセスキオキサン材料を用いて絶縁マンドレル２０を形成することができ、必要に応じて、誘電材料の一部として半導体デバイス内の所定の位置に残すことができる。絶縁マンドレル２０もまた、この方法に用いることができる。
【００１４】
別の方法では、プラズマ重合アセトアルデヒド、酢酸、又はジアミノ・エタン、又は同様の材料を絶縁マンドレル２０の表面上に堆積することができる。Ａｒ又は酸素ＲＩＥを用いて水平表面からこれらの材料を取り除いて、絶縁マンドレル２０の側壁上にポリマー材料の薄いスペーサを残すことができる。絶縁マンドレル２０の側壁上に残るアルデヒド官能基、カルボン酸官能基又はアミン官能基を用いて、金属イオンのシード材料を絶縁マンドレル２０の側面に接合することができる。
【００１５】
別の方法においては、絶縁マンドレル２０自体は、材料の一部として活性アミン又はカルボン酸塩種を含み、これをポリマー・マトリクスへの添加剤又はポリマー自体の成分として含む材料で構成することができる。
【００１６】
フォトレジスト２４は、図３の断面図で示されるように、キャップ材料２２がパターン付けされた後の任意の時点で取り除くことができる。次に、さらに図３に示されるように、（銅ニ価イオンを銅金属などに還元することができる）パラジウム、プラチナ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔイオンのような金属イオンを絶縁マンドレル２０の側壁に付着させ、金属金属シード材料４０を形成するように、これらの金属イオンを還元する。金属イオンを付着させるプロセスは、金属硝酸塩、塩化物、臭化物、フッ化物、硫酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロ硫酸塩、アセチルアセトネート、又は同様の材料などの金属化合物の水溶液を構造体の側壁に塗布するステップを含む。さらに、（メチルシクロペンタジエニル）トリメチルプラチナ、又は、周囲条件においては気体であるニッケル・カルボニル（（Ｎｉ（ＣＯ）４）のようなカルボニルといった有機金属反応剤を蒸気又は溶液で用いることができる。
【００１７】
金属イオンを還元するプロセスは、還元される金属に応じて、周囲温度から４００℃までの温度において、水素又はアルゴンその他の不活性ガス、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｎ２で希釈した水素を塗布するステップを含む。ヒドラジン又はアルキルヒドラジンもまた、溶液において、金属イオンへの還元剤として用いることができる。図４は、図３と同様の構造体を平面図で示す。
【００１８】
絶縁マンドレル２０は次いで、図５ないし図７の平面図で示されるようにトリミングされる。より具体的には、図５で示されるように、（フォトレジスト又はハードマスクのような）マスク５０が形成される。次に、マスク５０を用いて、図６に示されるように、絶縁マンドレル２０の端部（及び金属シード材料４０）を、湿式エッチング又は乾式エッチング、化学洗浄などのいずれかの周知の材料除去プロセスを用いてトリミングすることができる。或いは、図７で示されるように、絶縁マンドレル２０を所定の位置に残し、金属シード材料４０の保護されていない領域を選択的エッチング又は化学洗浄プロセスを通して取り除くことができる。このプロセスは、絶縁マンドレル２０の側壁の周りに形成された金属シード材料４０のループを、後続のめっきプロセスにおいて用いられる金属シード材料４０の個々の長さに選択的にトリムして、個々の配線構造体を形成する。
【００１９】
より具体的には、図８の平面図及び図９の断面図で示されるように、金属シード材料４０は（銅、パラジウム、プラチナなどの）めっき配線７０でめっきされて、絶縁マンドレル２０の側壁上に配線を形成する。このめっきするプロセスは、あらゆる周知の電気又は非電気ベースのめっきプロセスを含むことができ、容易に金属シード材料４０上にめっきできるいずれかの種類の金属と併せて用いることができる。本開示に与えられる当業者により理解されるように、金属シード材料４０は、金属シード材料４０にめっきされるめっき配線７０と両立性があるように選択されており、容易に互いにめっきできる導電性材料のあらゆる種類を本発明に用いることができる。したがって、本発明は上述の材料に限定されるものではなく、上記の材料は例示的なものとして用いられるにすぎない。配線は、金属シード材料４０及びめっき材料７０の残りを含み、その両者は導電性がある（めっき配線である）。
【００２０】
次いで、図１０で示されるように、エッチング、化学洗浄などの選択的材料除去プロセスを利用して、キャップ２２及び絶縁マンドレル２０を取り除いて、めっき配線７０及び金属シード材料４０が独立して立ったまま残っているようにする。その後、図１１に示されるように、二酸化ケイ素、フッ素化二酸化ケイ素、又は他の既知の低ｋ誘電フィルム、並びに、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＷＮのような絶縁体１００により配線構造体全体を覆い、図１１に示されるように平坦化することができる。これによって、絶縁体１００によって分離された、金属シード材料４０と該金属シード材料４０上のめっき配線７０とを有する最終的な配線構造体が形成される。この配線構造体は、したがって、垂直方向に非対称的な複数の金属層（シート材料４０、めっき配線７０)を含む。
【００２１】
図９で示される配線構造体で始まるが、その後で異なる処理ステップを用いる別の実施形態が図１２ないし図１５に示される。より具体的には、図１２で示されるように、上述の絶縁体のいずれかのような絶縁体１１０を配線構造体上に堆積する。この配線構造体は図１３に示されるように平坦化して、キャップ２２を取り除く。次いで図１４に示されるように、いずれかの周知の選択的除去プロセスを用いて、金属シード材料４０及びめっき配線７０を取り除いて、絶縁マンドレル２０と絶縁体１１０との間に開口部１３０を残す。次いで、図１５に示されるように、開口部１３０を誘電ライナ１４０によりライニングし、次いで任意の形態の導体１４２、例えば、ダマシン導体で充填する。
【００２２】
さらに別の実施形態が図１６ないし図２２に示される。この実施形態もまた図９で示される構造体から始まり、例えば、プラズマ・プロセスを用いて堆積された二酸化ケイ素とすることができる付加的なキャップ材料１５０で配線構造体を覆う。次に図１７で示されるように、ブラック・ダイアモンド絶縁体のような絶縁体１６０を配線構造体上に堆積し、配線構造体を平坦化してキャップ２２を取り除く。次いで図１８に示されるように、（上述の絶縁体１６０と同様な）別の絶縁体１７０（犠牲材料）を構造体上に堆積し、キャップ材料１７２の別の層（第２のギャップ材料、上述と同様な方法により配線構造体上にパターン付けする。次いで材料除去プロセスを使用して、絶縁体１７０及び絶縁マンドレル２０の一部を通して開口部１７４を形成する。
【００２３】
次に、図１９で示されるように、開口部１７４を任意の形態の導体１８０で充填し、配線構造体を平坦化す。続いて、図２０で示されるように、上述されたものと同様な処理を用いて、開口部１９０をキャップ層１７２内にパターン付けする。図２１に示されるように、材料除去プロセスが開口部１９０を通して行われて、絶縁体１７０及び絶縁マンドレル２０を取り除く。これにより、金属シード材料４０及び金属シード材料により形成された導体間に空気が絶縁体として残る。
【００２４】
図２２で示されるように、別の実施形態は、上述の処理を繰り返すことによって図２１に示される構造体をスタックすることができる。本実施形態においては、各々の導体１８０は、キャップ材料１５０及び絶縁体１６０によって、上に重なる層の金属シード材料４０及びめっき配線７０から絶縁されることに注目されたい。このことは層を異なるように位置合わせすることにより達成される。別の実施形態では、図２３に示されるように、導体１８０及び各々の層が、導電性金属シード材料４０及びめっき配線７０により電気接続されることを可能にするように層を位置合わせすることができる。
【００２５】
本発明及びその様々な特徴及び有利な詳細が、添付の図面で示され、上で詳述される限定的ではない実施形態に関してより十分に説明される。図面に示される特徴は、必ずしも縮尺通りのものではないことに留意されたい。周知の成分及び処理技術についての説明は、本発明を不必要に曖昧にすることを避けるために省かれている。本明細書において用いられる実施例は、単に、本発明を実施できる方法の理解を容易にすること、及びさらに当業者が本発明を実施することを可能にすることを目的としている。したがって、実施例は本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
【００２６】
本発明は、非常に狭幅で、非常に高いアスペクト比であり、チップ、ウェハ又はウェハのバッチにわたり小さい像幅許容差値をもつ配線パターンを形成することを可能にする。このパターンは、表面が限定されており、したがって高度にコンフォーマルな表面のプロセスを用いて選択的な堆積により形成される。こうしたパターンの幅は、マスクの一様性、光学部品の一様性、ステッパーの焦点制御、ドーズ量の一様性、又はウェハ上又はチップ上のエッチングの一様性ではなく、堆積時間及び堆積条件によって決まる。配線構成の高アスペクト比は、より厚い絶縁体層を用いて隣接する配線マスクの高さを分離できるため、静電容量を減少させるのに役立つ。減少された静電容量は、チップ速度又は性能を高める。
【００２７】
本発明が実施形態に関して説明されてきたが、当業者であれば、本発明を特許請求の範囲の精神及び範囲内で実施できることを理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図２】一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図３】一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図４】一部が完成した配線構造体の概略平面図である。
【図５】一部が完成した配線構造体の概略平面図である。
【図６】一部が完成した配線構造体の概略平面図である。
【図７】一部が完成した配線構造体の概略平面図である。
【図８】一部が完成した配線構造体の概略平面図である。
【図９】一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１０】１つの実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１１】１つの実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１２】別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１３】別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１４】別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１５】別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１６】さらに別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１７】さらに別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１８】さらに別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１９】さらに別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図２０】さらに別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図２１】さらに別の実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図２２】付加的な実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図２３】付加的な実施形態による、一部が完成した配線構造体の概略断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【国際調査報告】
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