(57)【要約】ピッチが増倍されたスペーサ等のマスクパターンの寸法が、パターン内のフィーチャが形成された後で、フィーチャの制御された成長によって制御される。ピッチが増倍されたスペーサ１７５ａのパターンを形成するために、まず、半導体基板１１０の上にマンドレルのパターンを形成する。次に、マンドレルの上に材料のブランケット層を堆積させ、スペーサ材料を水平面から選択的に除去することにより、マンドレルの側壁にスペーサを形成する。その後、マンドレルを選択的に除去し、自立スペーサのパターンを後に残す。スペーサは、酸化するとサイズが大きくなることで知られているポリシリコンやアモルファスシリコン等の材料を含む。スペーサを酸化して所望の幅９５に成長させる。所望の幅に達した後、スペーサ１７５ａは、下にある層１５０及び基板１１０をパターニングするためのマスクとして用いられ得る。有利なことに、酸化によってスペーサ１７５ａを成長させるため、マンドレルの上に薄いブランケット層を堆積することができ、それにより、よりコンフォーマルなブランケット層を堆積させ、スペーサ形成用の処理窓を拡張することが可能となる。
2008511991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を製造するための方法であって、
上にあるマスク層を有する基板を提供する工程と、
マスク材料を酸化する工程と、
前記マスク材料を酸化した後に、パターンを前記基板に転写する工程と
を含み、前記マスク層が前記マスク材料及び開口部を含み、前記マスク材料及び前記開口部が前記パターンを形成している方法。
【請求項２】
前記酸化されたマスクパターンを転写する工程が、前記マスク層の前記開口部を介して前記半導体基板をエッチングする工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスク層が、ポリシリコン又はアモルファスシリコンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記マスク層を酸化する工程が、酸化シリコンを生成する工程を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記マスク層を酸化する工程が、前記マスク層を部分的に酸化する工程を含む請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記マスク層を酸化する工程が、前記マスク材料を、前記集積回路内のフィーチャの所望の限界寸法に相当する所望の幅に拡大する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記所望の限界寸法が、前記集積回路内の導電性相互接続子の幅である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板が異なる材料の複数の層を備える請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記パターンを前記半導体基板に転写する工程が、前記複数の層のそれぞれに対して、異なる種類の化学エッチングを用いる工程を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板が絶縁体である請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記パターンを前記半導体基板に転写する工程が、メモリ装置のアレイの導電線を規定する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
基板を提供する工程が、ピッチの増倍によってスペーサのパターンを形成する工程を含み、前記マスク材料が前記スペーサを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
集積回路を形成するための処理であって、
基板の上にあるマスク層に複数のマスクラインを含むパターンを提供する工程であって、前記マスクラインが前駆体材料を含む工程と、
前記前駆体材料を化学的に反応させ、前記前駆体材料よりも大きい体積を占める化学化合物を生成することにより、前記マスクラインを所望の幅に成長させる工程と
を含む処理。
【請求項１４】
前記マスクラインを成長させる工程が、熱酸化を行なう工程を含む請求項１３に記載の処理。
【請求項１５】
前記複数のマスクラインがピッチの増倍により形成される請求項１３に記載の処理。
【請求項１６】
前記マスクラインがシリコンを含む請求項１３に記載の処理。
【請求項１７】
前記マスク層と前記基板との間にアモルファスカーボンが配置されている請求項１３に記載の処理。
【請求項１８】
前記マスクラインを成長させた後に、前記マスク層と前記基板との間のハードマスク層に前記パターンを転写する工程をさらに含む請求項１３に記載の処理。
【請求項１９】
前記ハードマスク層が酸化アルミニウムを含む請求項１８に記載の処理。
【請求項２０】
前記パターンをハードマスク層に転写する工程が、ＢＣｌ３／Ｃｌ２プラズマを用いて前記ハードマスク層をエッチングする工程を含む請求項１９に記載の処理。
【請求項２１】
前記パターンをハードマスク層に転写した後に、前記マスク層を、前記ハードマスク層に対して選択的に除去する工程をさらに含む請求項１８に記載の処理。
【請求項２２】
前記パターンをハードマスク層に転写した後に、前記パターンを、前記ハードマスク層と前記基板との間の追加のマスク層に転写する工程をさらに含む請求項１８に記載の処理。
【請求項２３】
前記追加のマスク層がアモルファスカーボンを含む請求項２２に記載の処理。
【請求項２４】
前記所望の幅が、前記基板に形成される導電線の限界寸法に相当する請求項１３に記載の処理。
【請求項２５】
集積回路を形成するための処理であって、
基板の上にあるパターニングされたマスク層を提供する工程であって、前記マスク層が前駆体材料を含む工程と、
前記前駆体材料を化学的に反応させてエッチングストップ材料を生成する工程と、
続いて前記マスク層の前記パターンを下にある層に転写する工程と
を含む処理。
【請求項２６】
化学的に変換する工程が、前記前駆体材料の体積を拡大する請求項２５に記載の処理。
【請求項２７】
化学的に変換する工程が、熱酸化を行なう工程を含む請求項２６に記載の処理。
【請求項２８】
前記パターニングされたマスク層が、ピッチの増倍によって形成された複数のマスクラインを含む請求項２５に記載の処理。
【請求項２９】
前記前駆体材料が、シリコン、チタン、タンタル及びタングステンからなる群より選ばれる請求項２５に記載の処理。
【請求項３０】
前記エッチングストップ材料が、酸化物又は窒化物を含む請求項２９に記載の処理。
【請求項３１】
前記マスク層と前記基板との間にアモルファスカーボンが配置され、続いて転写する工程が、前記パターンを前記アモルファスカーボン層に転写する工程を含む請求項２５に記載の処理。
【請求項３２】
前記パターンを前記アモルファスカーボン層に転写する工程が、ＳＯ２プラズマエッチングを行なう工程を含む請求項２５に記載の処理。
【請求項３３】
半導体処理方法であって、
基板を提供する工程であって、前記基板の上にある一時層と、前記一時層の上にある感光層とを有する基板を提供する工程と、
前記感光層にパターンを形成する工程と、
前記パターンを前記一時層に転写し、前記一時層に複数のプレースホルダーを形成する工程と、
前記複数のプレースホルダーの上にスペーサ材料のブランケット層を堆積させる工程と、
前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する工程と、
前記プレースホルダーを前記スペーサ材料に対して選択的に除去する工程と、
前記スペーサ材料を所望のサイズに拡大する工程と
を含む方法。
【請求項３４】
前記プレースホルダーを選択的に除去する工程が、自立スペーサのパターンを形成し、前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記プレースホルダーを選択的に除去した後に行なわれる請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する前に行なわれる請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する前であって、前記プレースホルダーを選択的に除去した後に行なわれる請求項３３に記載の方法。
【請求項３７】
前記一時層がアモルファスカーボンを含む請求項３３に記載の方法。
【請求項３８】
前記感光層がフォトレジストを含む請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記感光層にパターンを形成する工程が、フォトリソグラフィを行ない、続いて前記感光層を等方性エッチングする工程を含む請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
ハードマスク層が前記一時層と前記感光層とを隔てる請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
前記ハードマスク層が誘電体反射防止膜を備える請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記誘電体反射防止膜が酸窒化シリコンを含む請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記プレースホルダーを選択的に除去する工程が、
前記スペーサ材料の上部及び周囲に充填材料を堆積させる工程と、
前記充填材料及び前記ハードマスク層を同時にエッチングする工程と、
続いて前記充填材料及び前記一時層を同時にエッチングする工程と
を含む請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
充填材料を堆積させる工程が、フォトレジストを堆積させる工程を含む請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
フォトレジストを堆積させる工程が、スピンオン処理を行なう工程を含む請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記充填材料及び前記ハードマスク層を同時にエッチングする工程が、ＣＦ４／Ｈｅプラズマエッチングを行なう工程を含む請求項４３に記載の方法。
【請求項４７】
続いて前記充填材料及び前記一時層を同時にエッチングする工程が、Ｏ２プラズマエッチングを行なう工程を含む請求項４３に記載の方法。
【請求項４８】
スペーサ材料のブランケット層を堆積させる工程が、化学蒸着法によりシリコン層を堆積させる工程を含む請求項３３に記載の方法。
【請求項４９】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、酸化シリコンを形成する工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する工程が、前記シリコン層を異方性エッチングする工程を含む請求項４８に記載の方法。
【請求項５１】
前記シリコン層を異方性エッチングする工程が、ＨＢｒ／Ｃｌ２プラズマを用いて前記シリコン層をエッチングする工程を含む請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
メモリ装置を形成するための処理であって、
ピッチの増倍によって複数のマスクラインを形成し、隣接するマスクラインを開放空間によって互いに隔てる工程と、
隣接するマスクライン間の前記開放空間を狭める工程と
を含む処理。
【請求項５３】
前記マスクラインが、ポリシリコン又はアモルファスシリコンを含む請求項５２に記載の処理。
【請求項５４】
前記開放空間を狭める工程が、前記マスクラインを反応させて別の化学化合物又は合金を形成する工程を含む請求項５２に記載の処理。
【請求項５５】
前記マスクラインを反応させる工程が、酸化によって前記マスクラインを拡大する工程を含む請求項５４に記載の処理。
【請求項５６】
前記マスクラインを反応させる工程が、前記マスクラインを完全に酸化する工程を含む請求項５５に記載の処理。
【請求項５７】
前記マスクラインによって形成されたパターンを、下にある層に転写する工程をさらに含む請求項５２に記載の処理。
【請求項５８】
前記下にある層が、アモルファスカーボンを含む請求項５７に記載の処理。
【請求項５９】
前記パターンを前記アモルファスカーボン層に転写する工程が、前記パターンをハードマスク層に転写し、その後、前記パターンを前記ハードマスク層から前記アモルファスカーボン層に転写する工程を含む請求項５８に記載の処理。
【請求項６０】
前記パターンをハードマスク層に転写する工程が、ＢＣｌ３／Ｃｌ２プラズマを用いて前記ハードマスク層をエッチングする工程を含む請求項５９に記載の処理。
【請求項６１】
前記パターンを前記ハードマスク層から前記アモルファスカーボン層に転写する工程が、前記アモルファスカーボン層をＳＯ２含有プラズマにさらす工程を含む請求項５９に記載の処理。
【請求項６２】
半導体処理のための方法であって、
ピッチの増倍によって複数のマスクラインを形成する工程と、
前記マスクラインを形成する材料の体積を、前記材料を別の物質に変換することによって所望の幅に拡大する工程と
を含む方法。
【請求項６３】
前記マスクラインを形成する材料の体積を拡大する工程が、ピッチの増倍によって複数のマスクラインを形成する間に、スペーサ材料のブランケット層を拡大する工程を含む請求項６２に記載の方法。
【請求項６４】
複数のマンドレルを形成する工程と、
前記スペーサ材料のブランケット層を堆積させる工程と、
前記スペーサ材料を拡大する工程と、
前記スペーサ材料を拡大した後に水平面をエッチングし、前記スペーサ材料のブランケット層から前記マスクラインを形成するスペーサを形成する工程と
を含む請求項６３に記載の方法。
【請求項６５】
複数のマスクラインを形成する工程が、
複数のマンドレルを形成する工程と、
前記スペーサ材料のブランケット層を堆積させる工程と、
水平面をエッチングし、前記スペーサ材料のブランケット層から前記マスクラインを形成するスペーサを形成する工程と、
水平面をエッチングした後に前記スペーサ材料を拡大する工程と、
拡大する工程後、続いて前記マンドレルを、前記スペーサ材料に対して優先的に除去する工程とを含む請求項６３に記載の方法。
【請求項６６】
前記マスクラインを形成する材料の体積を拡大する工程が、ピッチの増倍の後にスペーサのパターンを拡大する工程を含む請求項６２に記載の方法。
【請求項６７】
前記材料を別の物質に変換する工程が、前記マスクラインを形成する前記材料を酸化する工程を含む請求項６２に記載の方法。
【請求項６８】
前記材料を別の物質に変換する工程が、前記マスクラインを形成する前記材料を窒化する工程を含む請求項６２に記載の方法。
【請求項６９】
下にある層を、前記マスクライン間の開口部を介して反応物質にさらす工程をさらに含む請求項６２に記載の方法。
【請求項７０】
前記反応物質がエッチング剤である請求項６９に記載の方法。
【請求項７１】
下にある層をさらす工程が、アモルファスカーボンをエッチングする工程を含む請求項７０に記載の方法。
【請求項７２】
下にある層をさらす工程が、導電性基板をエッチングする工程を含む請求項７０に記載の方法。
【請求項７３】
前記マスクラインを形成する材料の体積を拡大した後に、前記マスクラインをトリミングする工程をさらに含む請求項６２に記載の方法。
【請求項７４】
前記マスクラインがポリシリコン又はアモルファスシリコンを含む請求項６２に記載の方法。
【請求項７５】
前記所望の幅が、集積回路内の導電性相互接続線の限界寸法である請求項６２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概ね集積回路の製造に関し、より詳細にはマスキング技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代のエレクトロニクスにおける、携帯性、演算能力、メモリ容量及びエネルギー効率の向上に対する要求をはじめとする多くの要因により、集積回路はますます小型化されている。このような小型化を促進するために、集積回路を形成する電気的素子や相互接続線幅等のフィーチャサイズもまた絶えず減少している。
【０００３】
フィーチャサイズの減少傾向は、例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、強誘電性（ＦＥ）メモリ等のメモリ回路又はメモリ装置において顕著である。一例を挙げると、ＤＲＡＭは、通常、メモリセルとして知られる数百万個の同一の回路素子を備える。その最も一般的な形態において、１つのメモリセルは、通常２つの電気的素子で構成される。即ち、蓄積キャパシタ及びアクセス電界効果トランジスタである。各メモリセルは、１ビット（二進数字）のデータを記憶することができるアドレス指定可能な位置である。１つのビットは、トランジスタを介してセルに書き込まれ、蓄積電極上の電荷を参照電極側から検知することにより読み出され得る。電気的素子のフィーチャ及びフィーチャにアクセスする導電線のサイズを減少させることにより、これらのフィーチャを含むメモリ装置のサイズを減少させることができる。また、より多くのメモリセルをメモリ装置内に実装することにより、記憶容量を増加させることができる。
【０００４】
フィーチャサイズの継続的な小型化は、フィーチャの形成に用いられる技術に対するより多くの要求を提起する。例えば、導電線等のフィーチャを基板上へパターニングするには、フォトリソグラフィが一般に用いられる。これらのフィーチャサイズを表現するために、ピッチの概念が用いられる。ピッチは、２つの隣接するフィーチャにおける同一部分間の距離として定義される。通常、これらのフィーチャは、典型的に絶縁体や導電体等の材料が充填された、隣接するフィーチャ間の空間によって規定される。結果として、ピッチは、１つのフィーチャの幅と、そのフィーチャを隣接するフィーチャから隔てる空間の幅との和であると考えられる。しかしながら、光学部品、及び光又は放射の波長等の要因により、フォトリソグラフィ技術は各々、それ以下ではフィーチャを確実に形成することが出来ない最小ピッチを有する。従って、フォトリソグラフィ技術の最小ピッチにより、フィーチャサイズの小型化が制限され得る。
【０００５】
「ピッチの２倍化」は、フォトリソグラフィ技術の性能をそれらの最小ピッチを超えて拡張するために提案された１つの方法である。そのような方法は、図１Ａ〜図１Ｆに示され、また、Ｌｏｗｒｅｙらに付与された米国特許第５，３２８，８１０号に開示されている。図１Ａを参照すると、まず、フォトリソグラフィを用いて、犠牲材料の層２０及び基板３０の上にあるフォトレジスト層内にライン１０のパターンを形成する。図１Ｂに示すように、次に、エッチング工程（好ましくは異方性の）によりパターンを層２０に転写し、プレースホルダー、即ちマンドレル４０を形成する。図１Ｃに示すように、フォトレジストライン１０は剥離可能であり、マンドレル４０を等方性エッチングして、隣接するマンドレル４０間の距離を増加させることができる。続いて、図１Ｄに示すように、マンドレル４０の上に材料層５０を堆積させる。次に、図１Ｅに示すように、方向性スペーサエッチングで、スペーサ材料を水平面７０及び８０から選択的にエッチングすることにより、スペーサ６０、即ち、別の材料の側壁から伸びるかあるいは伸びるように初めから形成される材料を、マンドレル４０の側面に形成する。次に、図１Ｆに示すように、残留するマンドレル４０を除去し、下にある層のパターニング用のエッチングマスクとして共に機能するスペーサ６０のみを残す。従って、所与のピッチが、１つのフィーチャ及び１つの空間を規定するパターンをもともと含んでいた場合、同じ幅は、目下、スペーサ６０によって規定される２つのフィーチャ及び２つの空間を含む。その結果、フォトリソグラフィ技術により実現可能なフィーチャの最小サイズが、効果的に減少する。
【０００６】
上記の例では、ピッチは実際に半分になっているが、ピッチのこのような減少は、通常、ピッチの「２倍化」、又はより一般的に、ピッチの「増倍」と呼ばれていることが理解されるであろう。即ち、ある要因による通常のピッチの「増倍」は、実際には、その要因によるピッチの縮小を含む。上記の従来の用語を本明細書においてもそのまま用いる。
【０００７】
フィーチャの限界寸法が、そのフィーチャの最小寸法である。スペーサ６０を用いて形成されたフィーチャの場合、通常、限界寸法はスペーサの幅に相当する。そして、通常、スペーサの幅は層５０の厚さ９０（図１Ｄ及び図１Ｅを参照）によって決まる。従って、通常、層５０は所望の限界寸法に相当する厚さ９０に形成される。
【０００８】
スペーサ６０の品質及び均一性は、スペーサをマスクとして用いて基板３０に部分的に規定された集積回路の品質に直接影響する。しかしながら、所望のスペーサ６０の幅が、マンドレル４０及び／又はスペーサ６０を隔てる空間に比べて相対的に広い場合、得られるスペーサ６０、及びスペーサ６０から得られるエッチングマスクの均一性が低くなり得ることが観察されている。そして、このような低い均一性により、不十分に規定された不均一なフィーチャが基板に形成され得る。その結果、基板に形成される集積回路の電気的性能が劣化する、あるいは、これらの集積回路が使用不能となる場合がある。
【０００９】
従って、均一性が高く、且つ十分に規定されたパターンを有するエッチングマスクを、特に、ピッチの増倍時に形成されるスペーサと共に形成するための方法が必要とされる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によると、集積回路を製造するための方法が提供される。この方法は、上にマスク層を有する基板を提供する工程を含む。マスク層は、パターンを形成しているマスク材料及び開口部を含む。マスク材料は酸化され、続いてパターンが基板に転写される。
【００１１】
本発明の別の態様によると、集積回路を形成するための処理が提供される。この処理は、基板の上にあるマスク層に複数のマスクラインを含むパターンを提供する工程を含む。マスクラインは前駆体材料を含む。前駆体材料を化学的に反応させ、前駆体材料よりも大きい体積を占める化学化合物を生成することにより、マスクラインが所望の幅に成長する。
【００１２】
本発明の別の態様によると、集積回路を形成するための処理が提供される。この処理は、基板の上にあるパターニングされたマスク層を提供する工程を含む。マスク層は、化学的に反応してエッチングストップ材料を生成する前駆体材料を含む。続いてマスク層のパターンは下にある層に転写される。
【００１３】
本発明の更に別の態様によると、半導体処理方法が提供される。この方法は、基板を提供する工程を含む。一時層は基板の上にあり、感光層は一時層の上にある。パターンは感光層に形成され、かつ一時層に転写されて、一時層に複数のプレースホルダーが形成される。複数のプレースホルダーの上にスペーサ材料のブランケット層が堆積される。スペーサ材料は水平面から選択的に除去される。プレースホルダーはスペーサ材料に対して選択的に除去される。スペーサ材料は所望のサイズに拡大される。
【００１４】
本発明の別の態様によると、メモリ装置を形成するための処理が提供される。この処理は、ピッチの増倍によって複数のマスクラインを形成する工程を含む。隣接するマスクラインは開放空間によって互いに隔てられ、隣接するマスクライン間の開放空間が狭められる。
【００１５】
本発明の更に別の態様によると、半導体処理のための方法が提供される。この方法は、ピッチの増倍によって複数のマスクラインを形成する工程を含む。マスクラインを形成する材料の体積は、当該材料を別の物質に変換することによって所望の幅に拡大される。
【００１６】
本発明は、発明を実施するための最良の形態及び添付の図面からより一層理解されるであろう。それらは発明を例示するためのものであり、発明を限定するものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
一部のスペーサパターンの低品質は、スペーサ材料のコンフォーマル層を堆積させること、及び／又はこの材料をエッチングしてスペーサを形成することが困難であることに起因することが分かっている。通常、スペーサは、複雑なマスクパターンの上にあるスペーサ材料のブランケット層の垂直に伸びる部分から形成されるため、この層のコンフォーマル性が、この層から形成されるスペーサの均一性、例えば、幅、高さ及び物理的な配置に影響を及ぼすであろう。層のコンフォーマル性が向上する程、層が堆積される表面の形状をより忠実に複製することが理解されるであろう。
【００１８】
しかしながら、限界寸法が縮小し続けているため、マンドレル間の空間、即ち開口部のアスペクト比は増加し続けている。このことは、マンドレル間の空間の幅を減少させることによって、フィーチャ同士をより密集させるという要求に一部起因している。また、パターン転写の一般的な方法においては、スペーサ及び下にある層の両方が、基板材料を選択的にエッチング除去するエッチング剤にさらされる。しかしながら、エッチング剤は、低い速度でではあるが、スペーサも除去する。従って、限界寸法が縮小しても、スペーサの垂直方向の高さは、エッチング剤によってスペーサが完全に除去される前に、パターン転写の完了を可能にするレベルに留まらなければならない。
【００１９】
従って、コンフォーマル性の高いスペーサ材料層の堆積は、一つには、マンドレル間の空間の底部への前駆体ガスの拡散がますます制限されることにより、いっそう困難になり得る。側壁がスペーサ材料で埋められるにつれて、この拡散は堆積過程においてますますより制限されるようになり、それにより、側壁間の空間のアスペクト比がさらに増加する。このため、比較的薄い層が、比較的厚い層よりも容易かつ確実に堆積される。比較的厚い堆積層のコンフォーマル性が低いことにより、層から形成されるスペーサの均一性もまた低くなり得る。
【００２０】
また、前駆体が高アスペクト比の空間の底部に達することが困難であり得るように、一部の空間のアスペクト比もまた、これらの空間の底部に浸透するエッチング剤の量を制限し得る。その結果、スペーサ材料の層の水平方向に延びる部分をエッチングして個々のスペーサを規定する際に、一部のスペーサ材料がこれらの空間の底部に、望ましくないことに残留する場合があり、底面の幅が所望の幅と異なるスペーサが形成され得る。従って、スペーサ材料のエッチング層の堆積及びエッチングの困難さが、スペーサ幅の正確な制御を困難とする。
【００２１】
有利なことに、本発明の好ましい実施形態により、マスクパターンを用いて形成されるフィーチャの幅及び均一性をより正確に制御することが可能となる。好ましい実施形態において、マスクパターンは、酸化等の後続の処理により、それ自体が所望のサイズ又は限界寸法に増大され得る材料で形成されている。次に、マスクパターンは拡大処理され、マスクフィーチャの幅が所望の幅に増大される。次に、今拡大されたマスクフィーチャを用いて、下にある層にパターンが形成され得る。本明細書において、「フィーチャ」とは、ある材料、例えば、マスク層又は基板に形成され、かつ別個の境界を有する任意の体積物又は開口部を意味することが理解されるであろう。
【００２２】
拡大処理が行なわれたパターンは、ピッチの増倍により形成されたスペーサのパターンであることが好ましい。スペーサは、例えばポリシリコン又はアモルファスシリコン等のシリコンを含むことが好ましい。拡大処理は、スペーサを拡大させる任意の処理であり得る。スペーサがシリコンを含む場合、拡大処理は、スペーサを酸化して酸化シリコンを生成する処理を含むことが好ましい。さらに、スペーサは、所望の幅に成長するまで酸化される。スペーサが所望の幅に成長した後、スペーサを用いて、下にある層のフィーチャをパターン形成することができる。スペーサは、必要に応じて、酸化後に所望の限界寸法にトリミングされ得る。
【００２３】
有利なことに、スペーサを形成後に所望の幅に成長させることにより、スペーサ材料のより薄い層が堆積され得る。所望の限界寸法に対して要求されるであろう寸法と異なる、より薄い層を堆積させることにより、層のコンフォーマル性は、堆積及び／又はエッチング処理の制限に、より低く依存する。その結果、所与の限界寸法を有するスペーサを形成するための処理窓が拡張される。
【００２４】
また、上記したように、通常、スペーサは、マスクを介して行なわれる特定の半導体処理（例えば、エッチング、注入、ドーピング、酸化等）の要求と、処理にさらされる下にある基板の特定の材料とによって部分的に決定される、特定の高さに形成される。例えば、通常、スペーサは、後続の下にある層のエッチング中に、一部の材料を除去することを考慮した高さに形成される。有利なことに、通常、スペーサは、例えば酸化中に、水平方向及び垂直方向の両方に成長するため、得られる背の高いスペーサは、スペーサパターンを下にある層に転写する際にエッチングされにくい。また、スペーサエッチングによって形成されるスペーサの初期の高さがマンドレルの高さに依存するため、マンドレルの高さは、後の工程でスペーサが拡大されなかった場合に必要とされる高さよりも低くなり得る。その結果、マンドレルの高さを減少させることができるので、マンドレル間の空間のアスペクト比もまた減少し、それにより、スペーサ材料の堆積及び処理窓のさらなる拡張に対する要求がさらに緩和される。
【００２５】
一つには、金属、酸化物及びシリコン含有基板をはじめとするその他の各種材料に対して選択的化学エッチングが利用できるという理由により、マスク形成用のスペーサ材料として、シリコン窒化物及びシリコン酸化物が特に適していることが理解されるであろう。有利なことに、シリコンスペーサをシリコン酸化物に変換することにより、本発明の好ましい実施形態を様々な処理フロー、特にピッチの増倍に、処理フローを実質的に変更することなく容易に取り入れることができる。また、部分的にシリコンスペーサを酸化シリコンに変換することによっても、酸化シリコン又は残留シリコンのどちらも侵食することなく、例えばカーボンマスク材料を侵食する選択的化学エッチングを可能とする。
【００２６】
以下に図面を参照する。ここで、図面全体を通じて同様の部分には同様の参照番号を付す。図２〜図２２は、必ずしも一定の縮尺で描かれたものではないことが理解されるであろう。
【００２７】
また、好ましい実施形態は、マスクパターンを構成する個々の部分が形成された後に、当該部分のサイズを大きくするのが望ましい任意の状況において用いられるが、特に有利な実施形態において、マスクパターンは、ピッチの増倍によって形成されたスペーサを含むということが分かるであろう。従って、ピッチが増倍されたフィーチャは、スペーサ形成用のマンドレルのパターニングに用いられるフォトリソグラフィ技術の最小ピッチ未満のピッチを有することが好ましい。また、好ましい実施形態は、任意の集積回路の形成に用いられることができるが、論理アレイ即ちゲートアレイ、及びＤＲＡＭ、ＲＯＭ又はフラッシュメモリ等の揮発性及び不揮発性メモリ装置をはじめとする電気的素子のアレイを有する装置の形成に、特に有利に用いられる。
【００２８】
図２を参照すると、一部形成済みの集積回路１００が提供される。各種マスク層１２０〜１５０の下に基板１１０が提供される。以下に述べるように、層１２０〜１５０は、基板１１０をパターニングするためのマスクを形成するためにエッチングされ、様々なフィーチャが形成されるであろう。
【００２９】
「基板」は、単一の材料の層、異なる材料の複数の層、及び層中に異なる材料若しくは構造の領域を有する単一又は複数の層などを含み得ることが理解されるであろう。これらの材料は、半導体、絶縁体、導電体、若しくはこれらの組み合わせを含み得る。例えば、基板は、ドープポリシリコン、電気的素子の活性領域、及びシリサイド、即ちタングステンやアルミニウムや銅等の金属層、若しくはこれらの組み合わせを含み得る。従って、以下に述べるマスクフィーチャは、基板内において、相互接続子等の導電性のフィーチャの所望の配置に直接的に対応し得る。別の実施形態において、基板は絶縁体であってもよく、マスクフィーチャの位置が、絶縁体の所望の位置に対応してもよい。
【００３０】
基板１１０の上にある層１２０〜１５０の材料は、本明細書に記載される各種パターン形成工程及びパターン転写行程の化学反応及び工程条件を考慮して選択されることが好ましい。１番上の感光層１２０と基板１１０との間にある層は、感光層１２０から得られたパターンを基板１１０に転写する働きをするため、感光層１２０と基板１１０との間の層は、他の露出した材料に対して選択的にエッチングされ得るように選択されることが好ましい。なお、ある材料のエッチング速度が、周囲の材料のエッチング速度よりも、少なくとも約５倍、好ましくは約１０倍、より好ましくは約２０倍大きいときに、その材料は選択的に又は優先的にエッチングされると考えられることが分かるであろう。
【００３１】
図示した実施形態において、感光層１２０は、第１のハードマスク即ちエッチングストップ層１３０の上にあり、層１３０は、一時層１４０の上にあり、層１４０は、第２のハードマスク即ちエッチングストップ層１５０の上にあり、層１５０は、例えば第２のハードマスク層１５０をエッチングすることによりパターニングされる基板１１０の上にある。
【００３２】
感光層１２０は、当該技術分野で知られている任意のフォトレジストを含むフォトレジストで形成されていることが好ましい。例えば、フォトレジストは、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの波長を使用するシステム、又は１９３ｎｍの波長を使用する液浸システム又は電子ビームシステムで使える任意のフォトレジストであり得る。好ましいフォトレジスト材料の例は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）感光フォトレジスト、即ちＡｒＦ光源と共に使用するのに適したフォトレジスト、及びフッ化クリプトン（ＫｒＦ）感光フォトレジスト、即ちＫｒＦ光源と共に使用するのに適したフォトレジストを含む。ＡｒＦフォトレジストは、例えば１９３ｎｍの比較的短い波長の光を利用するフォトリソグラフィシステムと共に用いられることが好ましい。ＫｒＦフォトレジストは、例えば２４８ｎｍのより長い波長のフォトリソグラフィシステムと共に用いられることが好ましい。
【００３３】
第１のハードマスク層１３０用の材料は無機材料を含むことが好ましく、例示的な材料は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、シリコン、又はシリコンリッチな酸窒化シリコン等の誘電体反射防止膜（ＤＡＲＣ）を含む。図示した実施形態において、第１のハードマスク層１３０は、誘電体反射防止膜（ＤＡＲＣ）である。一時層１４０は、好ましいハードマスク材料に対して非常に高いエッチング選択性を実現するアモルファスカーボンで形成されていることが好ましい。アモルファスカーボンは、光の透過性が高く、かつアラインメントのさらなる向上を実現するアモルファスカーボンであることがより好ましい。透明性の高いカーボンを形成するための堆積技術は、Ａ．Ｈｅｌｍｂｏｌｄ，Ｄ．Ｍｅｉｓｓｎｅｒ，Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ，２８３（１９９６）１９６〜２０３に開示されている。
【００３４】
通常、フォトレジストのエッチングのための好ましい化学反応によっても、相当量のアモルファスカーボンがエッチングされ、また、様々な非フォトレジスト材料に対して優れた選択性で、アモルファスカーボンをエッチングする化学反応が利用可能であるため、このような材料から選択されるハードマスク層１３０は、層１２０及び１４０を好ましく分離する。上記したように、第１のハードマスク層１３０は、アモルファスカーボンに対して優先的に除去され得る酸化シリコン、シリコン又はＤＡＲＣを含むことが好ましい。
【００３５】
また、第１のハードマスク層１３０にＤＡＲＣを使用することは、フォトリソグラフィ技術の解像度の限界に近いピッチを有するパターンを形成するために特に有利であり得る。ＤＡＲＣは、フォトリソグラフィがパターンのエッジを規定し得る精度を低下させ得る光の反射を最小限にすることにより、解像度を向上させることができる。必要に応じて、第１のハードマスク層１３０に加えて、下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）（図示せず）を同様に用いることにより、光の反射を抑制することができる。
【００３６】
第２のハードマスク層１５０は、誘電体反射防止膜（ＤＡＲＣ）（例えば酸窒化シリコン）、シリコン又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含むことが好ましい。また、必要に応じて、下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）（図示せず）を用いることにより、光の反射を抑制することができる。図示した実施形態において、第２のハードマスク層１５０はＡｌ２Ｏ３を含む。
【００３７】
上記した各種の層に適切な材料を選択することに加えて、層１２０〜１５０の厚さを、本明細書に記載した化学エッチング及び工程条件への適合性に応じて選択することが好ましい。例えば、下にある層を選択的にエッチングすることによって、パターンを上にある層から下にある層に転写する際に、両方の層から材料がある程度除去される。従って、上にある層が、パターン転写の過程で除去されて無くならない程度の厚みを有することが好ましい。
【００３８】
図示した実施形態において、感光層１２０の厚さは、好ましくは約１００ｎｍから約３００ｎｍの間、より好ましくは、約１５０ｎｍから約２５０ｎｍの間である。第１のハードマスク層１３０の厚さは、好ましくは約１０ｎｍから約５００ｎｍの間、より好ましくは、約１５ｎｍから約３００ｎｍの間である。一時層１４０の厚さは、好ましくは、約１００ｎｍから約３００ｎｍの間、より好ましくは、約１００ｎｍから約２００ｎｍの間である。第２のハードマスク層１５０の厚さは、好ましくは、約１０ｎｍから約５０ｎｍの間、より好ましくは、約１０ｎｍから約３０ｎｍの間である。
【００３９】
本明細書に記載した各種の層は、当業者に公知の様々な方法によって形成され得ることが理解されるであろう。例えば、化学蒸着法等の各種蒸着処理を用いてハードマスク層を形成することができる。スピンオンコーティング処理を用いて感光層を形成することができる。また、アモルファスカーボン層を、炭化水素化合物又はそのような化合物の混合物を炭素前駆体として用いる化学蒸着法によって形成することができる。例示的な前駆体は、プロピレン、プロピン、プロパン、ブタン、ブチレン、ブタジエン及びアセチレンを含む。アモルファスカーボン層を形成するために適した方法が、２００３年６月３日にＦａｉｒｂａｉｒｎらに付与された米国特許第６，５７３，０３０号に開示されている。
【００４０】
図３〜図１１を参照すると、好ましい実施形態に係る方法の第１の段階において、スペーサのパターンがピッチの増倍により形成される。
【００４１】
図３を参照すると、感光性材料のフィーチャ１２４によって規定された空間、即ちトレンチ１２２を含むパターンが感光層１２０に形成される。トレンチ１２２は、例えばフォトリソグラフィによって、層１２０がレチクルを介して放射にさらされ、その後現像されることにより形成され得る。現像後、残存する感光性材料、即ち、図示した実施形態におけるフォトレジストにより、図示したライン１２４（断面のみを図示）等のフィーチャが形成される。
【００４２】
得られるライン１２４及び空間１２２のピッチは、ライン１２４の幅と隣接する空間１２２の幅との和に等しい。ライン１２４及び空間１２２のこのパターンを用いて形成されるフィーチャの限界寸法を最小限にするために、上記ピッチが、感光層１２０のパターニングに用いるフォトリソグラフィ技術の限界点にあるか又は近いことが好ましい。従って、上記ピッチがフォトリソグラフィ技術の最小ピッチであってもよく、有利なことに、以下に述べるスペーサパターンは、フォトリソグラフィ技術の最小ピッチ未満のピッチを有することができる。
【００４３】
図４に示すように、必要に応じて、フォトレジストライン１２４をエッチングすることにより空間１２２を拡大し、修正された空間１２２ａ及びライン１２４ａを形成することができる。フォトレジストライン１２４は、ＳＯ２、Ｏ２、Ｎ２及びＡｒを含むプラズマ等の、硫黄酸化物プラズマ等の等方性エッチングを用いてエッチングされることが好ましい。エッチングの程度は、以下に示す図８〜図１０についての説明から理解されるように、空間１２２ａ及びライン１２４ａの幅が、後に形成されるスペーサ間の所望の間隔にほぼ等しくなるように選択されることが好ましい。有利なことに、このエッチングにより、感光層１２０のパターニングに用いられるフォトリソグラフィ技術によって可能であろう寸法よりも、ライン１２４ａをより狭くすることが可能になる。また、エッチングによってライン１２４ａのエッジがなめらかになり、それにより、当該ライン１２４ａの均一性が向上し得る。
【００４４】
（修正された）感光層１２０におけるパターンは、一時層１４０に転写され、スペーサ材料の層１７０（図７）の堆積を可能にすることが好ましい。従って、一時層１４０は、以下に述べるスペーサ材料の堆積の工程条件に耐え得る材料で形成されることが好ましい。スペーサ材料の堆積が感光層１２０に対応できる別の実施形態においては、一時層１４０を省略することができ、スペーサ材料は、感光層１２０自体の感光済みのフィーチャ１２４又は修正された感光済みのフィーチャ１２４ａ上に直接堆積され得る。
【００４５】
図示した実施形態において、一時層１４０を形成する材料は、フォトレジストよりも高い耐熱性を有することに加えて、スペーサ１７５（図８）用の材料及び下にあるエッチングストップ層１５０に対して選択的に除去され得るように選択されることが好ましい。上記したように、層１４０はアモルファスカーボンで形成されることが好ましい。
【００４６】
図５に示すように、感光層１２０のパターンは、まずハードマスク層１３０に転写されることが好ましい。この転写は、フルオロカーボンプラズマを用いたエッチング等の異方性エッチングを用いてなされることが好ましいが、ハードマスク層１３０が薄い場合は、ウェット（等方性）エッチングが適している場合もある。好ましいフルオロカーボンプラズマの化学エッチングは、ＣＦ４、ＣＦＨ３、ＣＦ２Ｈ２及びＣＦ３Ｈを含む。
【００４７】
図６に示すように、感光層１２０のパターンは、次に、好ましくは、例えばＳＯ２、Ｏ２及びＡｒを含むプラズマ等のＳＯ２含有プラズマを用いて、一時層１４０に転写される。有利なことに、ＳＯ２含有プラズマは、ハードマスク層１３０がエッチングされる速度よりも、好ましくは２０倍、より好ましくは４０倍速い速度で、一時層１４０のカーボンをエッチングすることができる。適したＳＯ２含有プラズマが、限界寸法の制御と題されて、２００４年８月３１日に出願されたＡｂａｔｃｈｅｖらの米国特許出願第１０／９３１，７７２号に開示されている。ＳＯ２含有プラズマは、一時層１４０をエッチングすると同時に、感光層１２０を除去し得ることが理解されるであろう。得られるライン１２４ｂは、スペーサ１７５のパターン（図８）を形成することになるプレースホルダー、即ちマンドレルを構成する。
【００４８】
次に、図７に示すように、スペーサ材料の層１７０が、ハードマスク層１３０、ハードマスク１５０及び一時層１４０の側壁を含む露出表面上にコンフォーマルに一面に（ｂｌａｎｋｅｔ）堆積されることが好ましい。必要に応じて、ハードマスク層１３０を、層１７０を堆積させる前に除去することができる。スペーサ材料は、下にある基板１１０にパターンを転写するためのマスクとして機能することができるか、あるいは、形成されているマスクによって下にある構造を処理することができれば、いかなる材料であってもよい。スペーサ材料は、好ましくは、１）良好な段差被覆性で堆積が可能であり、２）一時層１４０と両立できる温度で堆積が可能であり、３）さらなる処理を行なってその寸法を拡大することが可能であり、及び４）拡大後に、一時層１４０及び一時層１４０の下にある任意の層に対して、選択的にエッチングすることが可能である。好ましい材料は、ポリシリコン及びアモルファスシリコンを含む。層１７０は、好ましくは約２０ｎｍから約６０ｎｍの間、より好ましくは、約２０ｎｍから約５０ｎｍの間の厚さに堆積される。段差被覆性は、好ましくは約８０％以上、より好ましくは約９０％以上である。
【００４９】
図８に示すように、スペーサ層１７０は、その後異方性エッチングされ、一部形成済みの集積回路１００の水平な表面１８０からスペーサ材料が除去される。スペーサエッチングとしても知られるこのようなエッチングは、ＨＢｒ／Ｃｌプラズマを用いて行なわれ得る。このエッチングは、物理的な要素を含むことができ、例えばＣｌ２、ＨＢｒエッチング等の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の化学的な要素も含むことが好ましい。このようなエッチングは、例えば、約０〜５０ｓｃｃｍのＣｌ２及び約０〜２００ｓｃｃｍのＨＢｒを、圧力約７〜６０ｍＴｏｒｒ、最大出力約３００〜１０００Ｗ、最低出力約５０〜２５０Ｗで流すＬＡＭ  ＴＣＰ９４００を用いて行なうことができる。
【００５０】
次に、ハードマスク層１３０（まだ存在する場合）及び一時層１４０を除去し、自立スペーサ１７５（図１１）を残す。スペーサ１７５が薄い場合があり、また、ハードマスク層１３０がスペーサ１７５と類似の材料で形成されている場合があるため、図９に示すように、空間充填層１５５をスペーサ１７５の上部及び周囲に形成し、スペーサ１７５の構造的な結合性の維持を手助けするとともに、層１３０及び１４０のエッチングに役立ててもよい。層１５５は、スピンオン処理で堆積が可能なフォトレジストを含むことが好ましい。別の実施形態、例えば、スペーサ１７５が十分に幅広く、かつ十分な化学エッチングが利用可能な場合においては、層１５５を堆積させることなく層１３０及び１４０を除去してもよい。
【００５１】
図１０を参照すると、ハードマスク層１３０は、例えば平坦化により、空間充填層１５５の上部と共に除去される。層１３０及び１５５をエッチングする好ましい化学反応は、二段階のエッチングを含む。即ち、まず、層１３０（図９）が除去されるまではＣＦ４／Ｈｅプラズマを用い、その後、Ｏ２プラズマを用いて空間充填層１５５の残りの部分と共に一時層１４０を除去する。得られる構造を図１１に示す。あるいは、上記エッチングの第１の段階において層１３０を除去するために、層１３０及び１５５に化学機械研磨を行なうことができる。
【００５２】
このようにして、自立スペーサ１７５のパターンが形成される。層１４０及び１５５のエッチングに用いる好ましい化学エッチングは、硫黄酸化物プラズマエッチングを含む。有利なことに、シリコンは、シリコン窒化物又はシリコン酸化物等の、スペーサに通常用いられる材料よりも、等方的にも異方的にもより容易にエッチングされる。一部の実施形態において、スペーサ１７５の限界寸法は、スペーサエッチング後にスペーサ１７５をトリミングすることにより調整される。
【００５３】
このようにして、ピッチの増倍がなされる。図示した実施形態において、スペーサ１７５のピッチは、フォトリソグラフィによって当初形成されたフォトレジストライン１２４（図３）のピッチのおよそ半分である。有利なことに、約１００ｎｍ以下のピッチを有するスペーサ１７５を形成することができる。スペーサ１７５はフィーチャ、即ちライン１２４ｂの側壁に形成されるため、スペーサ１７５は、感光層１２０に当初形成されたフィーチャ、即ちライン１２４のパターンの輪郭に概ね沿うことが理解されるであろう。
【００５４】
次に、好ましい実施形態に係る方法の第２の段階において、スペーサ１７５は、基板１１０に形成されるフィーチャの所望の限界寸法に相当するように、その幅が拡大される。この拡大は、スペーサ１７５を反応させて、より大きな空間を占める新たな化合物又は合金を生成することによりなされることが好ましい。シリコンで形成されたスペーサを有する図示した実施形態において、拡大処理は、スペーサの酸化を含むことが好ましい。図１２に示すように、スペーサ１７５は、酸化されると成長することが理解されるであろう。スペーサ１７５ａのサイズは、スペーサ１７５の酸化の程度によって変化するであろう。従って、酸化の継続時間及び程度は、スペーサ１７５が所望の幅９５に達するように選択されることが好ましい。スペーサ１７５の酸化は、熱酸化、酸素ラジカル又は酸素プラズマを用いた酸化処理等を含む、当該技術分野において知られている任意の酸化処理によってなされ得る。別の実施形態において、スペーサ１７５は、当該技術分野において知られている任意の窒化処理を用いて窒化されることにより拡大され得る。このようにして、所望の幅９５を有するスペーサ１７５ａのパターンを形成することができる。
【００５５】
スペーサ１７５は、拡大が可能で、コンフォーマルに堆積ができ、かつ適切な化学エッチングが利用可能な任意の材料で形成され得ることが理解されるであろう。例えば、スペーサ１７５を、チタンを用いて形成することができ、酸化又は窒化により拡大してＴｉＯ２又はＴｉＮ２を生成することができる。その他の材料は、例えば、タンタル（酸化又は窒化により拡大されて、酸化タンタル又は窒化タンタルが生成され得る）及びタングステン（酸化又は窒化により拡大されて、酸化タングステン又は窒化タングステンが生成され得る）を含む。
【００５６】
拡大の程度は、相互接続子、ワード線、ビット線、トランジスタ列又はダマシンライン間のギャップ等の、スペーサ１７５ａにより形成されるパターンを用いて基板１１０にパターニングされるであろうフィーチャの所望の限界寸法にほぼ等しい幅に、スペーサ１７５が拡大されるように選択されることが好ましい。例えば、スペーサ１７５ａは、所望の限界寸法が、未酸化のスペーサ１７５の寸法よりもほんの少し大きいか又はより大幅に大きいかによって、より多く又はより少なく酸化され得る。従って、継続時間、化学反応性、温度等の工程条件は、スペーサの拡大が所望の程度なされるように選択される。
【００５７】
スペーサ１７５を成長させることにより、当該スペーサ１７５を隔てる空間も狭まることが理解されるであろう。スペーサ１７５は、この狭小化を考慮して配置されることが好ましい。また、スペーサ１７５ａの限界寸法は、拡大後に、例えば等方性エッチングによりスペーサ１７５ａをトリミングすることによって調整され得る。
【００５８】
スペーサ１７５ａ自体を直接ハードマスクとして用いて、下にある基板１１０をパターニングしてもよいことも理解されるであろう。しかしながら、スペーサ１７５ａのパターンは、スペーサ１７５ａよりも、基板１１０に対する優れたエッチング選択性を実現する１つ又はそれより多い下の層に転写されることが好ましい。図１３を参照すると、スペーサ１７５ａにより形成されたパターンは、第２のハードマスク層１５０に転写され得る。第２のハードマスク層１５０は、ＢＣｌ３／Ｃｌ２プラズマエッチングを用いてエッチングされることが好ましい。
【００５９】
図１４を参照すると、スペーサ１７５ａを、必要に応じて、基板１１０のパターニングを行なう前に除去することができる。スペーサ１７５ａは、ウエットエッチング処理を用いて除去され得る。有利なことに、スペーサ１７５ａを除去することにより、基板１１０の上にあるマスクのアスペクト比が減少し、それにより、エッチング剤及びその他の処理用ケミカルが、より容易に基板に達することが可能となり、従って、垂直側壁の形成を改善するか、あるいは、輪郭を明確にし、処理を完全なものとする。
【００６０】
別の実施形態においては、図１５に示すように、追加のマスク層１６０を利用して、パターニングが困難な基板１１０をパターニングすることができる。このような基板は、例えば、パターニングに複数の連続したエッチングを要する多層膜を含む。多くのシリコン含有基板材料に対して非常に高い選択性で、アモルファスカーボンを除去することを可能にする化学反応が利用可能であるため、追加のマスク層１６０は、アモルファスカーボンで形成されることが好ましい。
【００６１】
上記の工程は、追加のマスク層１６０の上にあるスペーサ１７５ａの形成に適用してもよいことが理解されるであろう。図１６を参照すると、スペーサ１７５のパターンが形成されている。次に、図１７に示すように、スペーサ１７５は、上記したように、例えば酸化により所望の幅に拡大される。次に、図１８に示すように、スペーサ１７５ａのパターンは、好ましくはＢＣｌ３／Ｃｌ２プラズマエッチングを用いて、第２のハードマスク層１５０に転写され得る。次に、図１９に示すように、パターンは、好ましくは追加のマスク層１６０を異方性エッチングすることにより、追加のマスク層１６０に転写される。異方性エッチングは、追加のマスク層１６０をＳＯ２含有プラズマにさらすことを含むことが好ましい。図１４に関して上記したように、別の実施形態において、スペーサ１７５を、層１５０のエッチング前にあるいは基板１１０のエッチング前に除去してもよいことが理解されるであろう。
【００６２】
基板１１０は、その後、マスク層１６０及び１５０ならびにスペーサ１７５ａを介して処理され、トランジスタ、キャパシタ及び／又は相互接続子等の様々なフィーチャを規定することができる。基板１１０が異なる材料を含む層を備える場合、一連の異なる化学反応、好ましくはドライエッチングの化学反応を用いて、異なる層を連続的にエッチングすることができる。用いる化学反応によっては、スペーサ１７５ａ及びハードマスク層１５０がエッチングされ得ることが理解されるであろう。しかしながら、追加のマスク層１６０のアモルファスカーボンは、従来の化学エッチング、特にシリコン含有材料のエッチングに用いられる化学エッチングに対して優れた耐性を有利に提供する。従って、追加のマスク層１６０は、複数の基板層をエッチングするための、あるいは、高アスペクト比のトレンチを形成するためのマスクとして効果的に用いられ得る。追加のマスク層１６０は、基板１１０のさらなる処理のために、後に除去され得る。
【００６３】
本明細書に記載した工程のいずれにおいても、第１のレベルから第２のレベルへのパターンの転写が、第１のレベル上のフィーチャに概ね対応するフィーチャを、第２のレベルに形成することを含むことが理解される。例えば、第２のレベル内のパターンは、第１のレベル上のパターンを概ね追従し、第２のレベル上の他のフィーチャの位置は、第１のレベル上の類似したフィーチャの位置に対応するであろう。しかしながら、第１のレベルと第２のレベルとでは、フィーチャの厳密な形状及びサイズが異なり得る。例えば、化学エッチング及び条件によって、転写されたパターンを形成するフィーチャサイズ及びフィーチャ間の相対的な間隔が、同じ初期の「パターン」に類似性を保ちながら、第１のレベル上のパターンに対して拡大あるいは縮小され得る。従って、転写されたパターンは、初期のパターンと同じパターンのままであると考えられる。これに対して、マスクフィーチャの周囲にスペーサを形成することにより、パターンを変更することができる。
【００６４】
好ましい実施形態に従う層間コンタクトの構成により、多くの利点が提供されることが理解されるであろう。例えば、薄い層は、厚い層に比べてより容易にコンフォーマルに堆積されるため、スペーサを形成するスペーサ材料の層は、よりいっそうコンフォーマルに堆積され得る。その結果、よりいっそう均一に、これらの層からスペーサを形成することができる。さらに、これらの層の相対的な薄さが、スペーサ材料のブランケット層で裏打ちされたトレンチのアスペクト比を減少させ、それにより、エッチング剤をより容易にトレンチの底部に浸透させることを可能とし、よって、スペーサエッチングを促進させる。
【００６５】
図示した実施形態に対して様々な変形が可能であることも理解されるであろう。例えば、スペーサ１７５又は１７５ａのピッチを、２倍より大きくすることができる。スペーサ１７５又は１７５ａの周囲に追加のスペーサを形成した後、スペーサ１７５又は１７５ａを除去し、その後、スペーサ１７５又は１７５ａの周囲に既に形成されていたスペーサの周囲に、スペーサを形成すること等により、さらなるピッチの増倍を実現することができる。さらなるピッチの増倍の方法の一例が、Ｌｏｗｒｅｙらに付与された米国特許第５，３２８，８１０号に開示されている。
【００６６】
また、サイズの異なるフィーチャをパターニングするために、別の様々なパターンを、スペーサ１７５又は１７５ａの上に、あるいは隣接して形成することができる。例えば、追加の感光層を、スペーサ１７５又は１７５ａの上に形成し、その後、パターニングを行なって別のパターンを形成することができる。このようなパターンを形成するための方法が、フォトアライメントマージンの増加方法と題されて、２００４年８月３１日に出願された、Ｔｒａｎらの米国特許出願第１０／９３１，７７１号に開示されている。
【００６７】
さらに、類似の幅を有するようにスペーサ１７５の全てを酸化することができるが、別の実施形態においては、スペーサ１７５の一部のみを酸化してもよい。例えば、保護層（選択的化学エッチングが利用可能な）の堆積及びパターニングを行ない、その後、露出したスペーサを酸化することにより、一部のスペーサ１７５を酸化から保護することができる。
【００６８】
また、変換される材料及び変換処理の程度によっては、酸化処理又は後続の化学的な変換処理によっても、スペーサ１７５のサイズがそれほど増加しない場合がある。そのような場合でも、本明細書に開示した処理を適用して、スペーサ１７５を選択性の高い化学エッチングが利用可能な材料に変換することができる。従って、変換処理により、スペーサ１７５を、後続のエッチング工程のためのより良好なエッチングストップ層に有利に変換することができる。例えば、マスク前駆体材料を、周囲の、即ち下にある材料に対して良好なエッチング選択性を有利に提供することができるシリコンの酸化物若しくは窒化物、又は金属の酸化物若しくは窒化物に変換することができる。
【００６９】
図２０〜図２２を参照すると、スペーサ１７５を拡大する場合、スペーサ１７５又は層１７０を、スペーサ材料の堆積後且つ自立スペーサ１７５の形成前の任意の時点において、例えば酸化により拡大することができることが理解されるであろう。例えば、スペーサ材料１７０のブランケット層（図２０）を形成した後、図２１に示すように、ブランケット層１７０全体を拡大し、拡大されたブランケット層１７０ａを形成することができる。上記したように、工程条件（例えば、継続時間、化学反応性、温度等）を含む拡大処理は、後続のスペーサエッチング中の水平方向の任意の収縮を考慮して、所望の限界寸法に相当する所望の厚さにブランケット層１７０が拡大するように、選択されることが好ましい。従って、拡大処理は、層１７０を一部のみが酸化された状態で残す場合もある。図２２に示すように、スペーサエッチング後に、マンドレル１２４ｂをその後除去し、自立スペーサ１７５ａを残す。有利なことに、スペーサ１７５ａはスペーサ１７５よりも厚いため、保護用の空間充填層１５５（図９）が必要ではない場合があり、マンドレル１２４ｂを、例えばフルオロカーボンプラズマを用いる異方性エッチングによりエッチングすることができる。
【００７０】
別の実施形態において、スペーサ１７５を、スペーサエッチングの後、且つマンドレルのエッチングの前に拡大することができる（例えば、図８のスペーサ１７５は拡大可能である）。有利なことに、スペーサ１７５は水平方向において１つの方向にのみ成長可能であるため、この種の拡大により、スペーサ１７５の個々の対の間の距離が一定に保たれるとともに、一対のスペーサ１７５を構成するスペーサ間の距離を減少させることができる。しかしながら、上記したように、層１７０のエッチングを促進するために、スペーサ１７５を自立構造に形成した後に拡大工程を行なうことが好ましい。
【００７１】
また、各種マスク層を介した「処理」は、下にある層のエッチングを含むことが好ましいが、マスク層を介した加工は、マスク層の下にある層に対して任意の半導体製造プロセスを行なうことを含むことができる。例えば、処理は、ドーピング、酸化、窒化、又はマスク層を介して、下にある層の上への物質の堆積を含むことができる。
【００７２】
従って、上記の方法及び構造に対して、本発明の範囲から逸脱しない範囲内で、他の様々な省略、追加及び変更が可能であることが当業者には理解されるであろう。そのような変更及び置換は全て、添付の特許請求の範囲によって定義されるように、本発明の範囲に含まれることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１Ａ】従来技術に係るピッチ増倍方法によって形成されたマスクラインの概略断面図である。
【図１Ｂ】従来技術に係るピッチ増倍方法によって形成されたマスクラインの概略断面図である。
【図１Ｃ】従来技術に係るピッチ増倍方法によって形成されたマスクラインの概略断面図である。
【図１Ｄ】従来技術に係るピッチ増倍方法によって形成されたマスクラインの概略断面図である。
【図１Ｅ】従来技術に係るピッチ増倍方法によって形成されたマスクラインの概略断面図である。
【図１Ｆ】従来技術に係るピッチ増倍方法によって形成されたマスクラインの概略断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態に係る、一部形成済みのメモリ装置の概略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態に係る、図２に示す一部形成済みのメモリ装置の、感光層にラインを形成した後の概略断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施形態に係る、図３に示す一部形成済みのメモリ装置の、フォトレジストライン間の空間を拡張した後の概略断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施形態に係る、図４に示す一部形成済みのメモリ装置の、ハードマスク層をエッチングした後の概略断面図である。
【図６】本発明の好ましい実施形態に係る、図５に示す一部形成済みのメモリ装置の、パターンをフォトレジスト層及びハードマスク層から一時層に転写した後の概略断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施形態に係る、図６に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサ材料のブランケット層を堆積させた後の概略断面図である。
【図８】本発明の好ましい実施形態に係る、図７に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサエッチング後の概略断面図である。
【図９】本発明の好ましい実施形態に係る、図８に示す一部形成済みのメモリ装置の、除去可能な材料で被覆した後の概略断面図である。
【図１０】本発明の好ましい実施形態に係る、図９に示す一部形成済みのメモリ装置の、フォトレジスト層及びハードマスク層をエッチングした後の概略断面図である。
【図１１】本発明の好ましい実施形態に係る、図１０に示す一部形成済みのメモリ装置の、フォトレジスト層及び一時層を除去した後の概略断面図である。
【図１２】本発明の好ましい実施形態に係る、図１１に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサを所望の幅に拡大した後の概略断面図である。
【図１３】本発明の好ましい実施形態に係る、図１２に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサパターンを下にあるハードマスク層に転写した後の概略断面図である。
【図１４】本発明の好ましい実施形態に係る、図１３に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサを除去した後の概略断面図である。
【図１５】本発明の好ましい実施形態に係る、図２に示す一部形成済みのメモリ装置の、追加のマスク層を有する概略断面図である。
【図１６】本発明の好ましい実施形態に係る、図１５に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサを形成した後の概略断面図である。
【図１７】本発明の好ましい実施形態に係る、図１６に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサを拡大した後の概略断面図である。
【図１８】本発明の好ましい実施形態に係る、図１７に示す一部形成済みのメモリ装置の、ハードマスク層をエッチングした後の概略断面図である。
【図１９】本発明の好ましい実施形態に係る、図１８に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサパターンを追加のマスク層に転写した後の概略断面図である。
【図２０】本発明の別の好ましい実施形態に係る、図６に示す一部形成済みのメモリ装置の、スペーサ材料のブランケット層を堆積させた後の概略断面図である。
【図２１】本発明の別の好ましい実施形態に係る、図２０に示す一部形成済みのメモリ装置の、ブランケット層を所望の厚さに拡大した後の概略断面図である。
【図２２】本発明の別の好ましい実施形態に係る、図２１に示す一部形成済みのメモリ装置の、ハードマスク層及び一時層を除去した後の概略断面図である。
【図１Ａ】
2008511991.tif 000003
【図１Ｂ】
2008511991.tif 000004
【図１Ｃ】
2008511991.tif 000005
【図１Ｄ】
2008511991.tif 000006
【図１Ｅ】
2008511991.tif 000007
【図１Ｆ】
2008511991.tif 000008
【図２】
2008511991.tif 000009
【図３】
2008511991.tif 000010
【図４】
2008511991.tif 000011
【図５】
2008511991.tif 000012
【図６】
2008511991.tif 000013
【図７】
2008511991.tif 000014
【図８】
2008511991.tif 000015
【図９】
2008511991.tif 000016
【図１０】
2008511991.tif 000017
【図１１】
2008511991.tif 000018
【図１２】
2008511991.tif 000019
【図１３】
2008511991.tif 000020
【図１４】
2008511991.tif 000021
【図１５】
2008511991.tif 000022
【図１６】
2008511991.tif 000023
【図１７】
2008511991.tif 000024
【図１８】
2008511991.tif 000025
【図１９】
2008511991.tif 000026
【図２０】
2008511991.tif 000027
【図２１】
2008511991.tif 000028
【図２２】
2008511991.tif 000029
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月18日(2006.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理方法であって、
基板を提供する工程であって、前記基板の上にある一時層と、前記一時層の上にある感光層とを有する基板を提供する工程と、
前記感光層にパターンを形成する工程と、
前記パターンを前記一時層に転写し、前記一時層に複数のプレースホルダーを形成する工程と、
前記複数のプレースホルダーの上にスペーサ材料のブランケット層を堆積させる工程と、
前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する工程と、
前記プレースホルダーを前記スペーサ材料に対して選択的に除去する工程と、
前記スペーサ材料を所望のサイズに拡大する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記プレースホルダーを選択的に除去する工程が、自立スペーサのパターンを形成し、前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記プレースホルダーを選択的に除去した後に行なわれる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する前に行なわれる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する前であって、前記プレースホルダーを選択的に除去した後に行なわれる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記一時層がアモルファスカーボンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記感光層がフォトレジストを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記感光層にパターンを形成する工程が、フォトリソグラフィを行ない、続いて前記感光層を等方性エッチングする工程を含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ハードマスク層が前記一時層と前記感光層とを隔てる請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ハードマスク層が誘電体反射防止膜を備える請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電体反射防止膜が酸窒化シリコンを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記プレースホルダーを選択的に除去する工程が、
前記スペーサ材料の上部及び周囲に充填材料を堆積させる工程と、
前記充填材料及び前記ハードマスク層を同時にエッチングする工程と、
続いて前記充填材料及び前記一時層を同時にエッチングする工程と
を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
充填材料を堆積させる工程が、フォトレジストを堆積させる工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
フォトレジストを堆積させる工程が、スピンオン処理を行なう工程を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記充填材料及び前記ハードマスク層を同時にエッチングする工程が、ＣＦ４／Ｈｅプラズマエッチングを行なう工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
続いて前記充填材料及び前記一時層を同時にエッチングする工程が、Ｏ２プラズマエッチングを行なう工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
スペーサ材料のブランケット層を堆積させる工程が、化学蒸着法によりシリコン層を堆積させる工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、酸化シリコンを形成する工程を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する工程が、前記シリコン層を異方性エッチングする工程を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記シリコン層を異方性エッチングする工程が、ＨＢｒ／Ｃｌ２プラズマを用いて前記シリコン層をエッチングする工程を含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記スペーサ材料が、チタン、タンタル及びタングステンからなる群より選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
メモリ装置を形成するための処理であって、
ピッチの増倍を行うことによって複数のマスクラインを形成し、ピッチの増倍を行うことが、
複数のマンドレルを形成するサブ工程と、
前記マンドレルを覆うスペーサ材料のブランケット層を堆積させるサブ工程と、
スペーサ材料の前記ブランケット層を異方的にエッチングして、前記マンドレルの側壁に前記マスクラインを形成するサブ工程と
を含み、隣接するマスクラインを開放空間によって互いに隔てる工程と、
隣接するマスクライン間の前記開放空間を狭める工程と
を含む処理。
【請求項２２】
前記マスクラインが、ポリシリコン又はアモルファスシリコンを含む請求項２１に記載の処理。
【請求項２３】
前記開放空間を狭める工程が、前記マスクラインを反応させて別の化学化合物又は合金を形成する工程を含む請求項２１に記載の処理。
【請求項２４】
前記マスクラインを反応させる工程が、酸化によって前記マスクラインを拡大する工程を含む請求項２３に記載の処理。
【請求項２５】
前記マスクラインを反応させる工程が、前記マスクラインを完全に酸化する工程を含む請求項２４に記載の処理。
【請求項２６】
前記マスクラインによって形成されたパターンを、下にある層に転写する工程をさらに含む請求項２１に記載の処理。
【請求項２７】
前記下にある層が、アモルファスカーボンを含む請求項２６に記載の処理。
【請求項２８】
前記パターンを前記アモルファスカーボン層に転写する工程が、前記パターンをハードマスク層に転写し、その後、前記パターンを前記ハードマスク層から前記アモルファスカーボン層に転写する工程を含む請求項２７に記載の処理。
【請求項２９】
前記パターンをハードマスク層に転写する工程が、ＢＣｌ３／Ｃｌ２プラズマを用いて前記ハードマスク層をエッチングする工程を含む請求項２８に記載の処理。
【請求項３０】
前記パターンを前記ハードマスク層から前記アモルファスカーボン層に転写する工程が、前記アモルファスカーボン層をＳＯ２含有プラズマにさらす工程を含む請求項２８に記載の処理。
【請求項３１】
前記ハードマスク層が酸化アルミニウムを含む請求項２８に記載の処理。
【請求項３２】
半導体処理のための方法であって、
ピッチの増倍を行うことによって複数のマスクラインを形成し、ピッチの増倍を行うことが、
複数のマンドレルを形成するサブ工程と、
前記マンドレルを覆うスペーサ材料のブランケット層を堆積させるサブ工程と、
スペーサ材料の前記ブランケット層を異方的にエッチングして、前記マンドレルの側壁に前記マスクラインを形成するサブ工程と
を含む工程と、
前記マスクラインを形成する材料の体積を、前記材料を別の物質に変換することによって所望の幅に拡大する工程と
を含む方法。
【請求項３３】
前記マスクラインを形成する材料の体積を拡大する工程が、ピッチの増倍によって複数のマスクラインを形成する間に、スペーサ材料の前記ブランケット層を拡大する工程を含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
スペーサ材料の前記ブランケット層を異方的にエッチングする前に、前記マスクラインを形成する材料の前記体積を拡大する工程
を含む請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
スペーサ材料の前記ブランケット層を異方的にエッチングした後に、前記マスクラインを形成する材料の前記体積を拡大する工程と、
前記マスクラインを形成する材料の前記体積を拡大する工程後、続いて前記マンドレルを、前記スペーサ材料に対して優先的に除去する工程とを含む請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記マスクラインを形成する材料の前記体積を拡大する工程が、ピッチの増倍の後にスペーサのパターンを拡大する工程を含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
前記材料を別の物質に変換する工程が、前記マスクラインを形成する前記材料を酸化する工程を含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３８】
前記材料を別の物質に変換する工程が、前記マスクラインを形成する前記材料を窒化する工程を含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３９】
下にある層を、前記マスクライン間の開口部を介して反応物質にさらす工程をさらに含む請求項３２に記載の方法。
【請求項４０】
前記反応物質がエッチング剤である請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
下にある層をさらす工程が、アモルファスカーボンをエッチングする工程を含む請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
下にある層をさらす工程が、導電性基板をエッチングする工程を含む請求項４０に記載の方法。
【請求項４３】
前記マスクラインを形成する材料の体積を拡大した後に、前記マスクラインをトリミングする工程をさらに含む請求項３２に記載の方法。
【請求項４４】
前記マスクラインがポリシリコン又はアモルファスシリコンを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項４５】
前記所望の幅が、集積回路内の導電性相互接続線の限界寸法である請求項３２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理方法であって、
基板を提供する工程であって、前記基板の上にある一時層と、前記一時層の上にある感光層とを有する基板を提供する工程と、
前記感光層にパターンを形成する工程と、
前記パターンを前記一時層に転写し、前記一時層に複数のプレースホルダーを形成する工程と、
前記複数のプレースホルダーの上にスペーサ材料のブランケット層を堆積させる工程と、
前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する工程と、
前記プレースホルダーを前記スペーサ材料に対して選択的に除去する工程と、
前記スペーサ材料を所望のサイズに拡大する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記プレースホルダーを選択的に除去する工程が、自立スペーサのパターンを形成し、前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記プレースホルダーを選択的に除去した後に行なわれる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する前に行なわれる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する前であって、前記プレースホルダーを選択的に除去した後に行なわれる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記一時層がアモルファスカーボンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記感光層がフォトレジストを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記感光層にパターンを形成する工程が、フォトリソグラフィを行ない、続いて前記感光層を等方性エッチングする工程を含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ハードマスク層が前記一時層と前記感光層とを隔てる請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ハードマスク層が誘電体反射防止膜を備える請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電体反射防止膜が酸窒化シリコンを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記プレースホルダーを選択的に除去する工程が、
前記スペーサ材料の上部及び周囲に充填材料を堆積させる工程と、
前記充填材料及び前記ハードマスク層を同時にエッチングする工程と、
続いて前記充填材料及び前記一時層を同時にエッチングする工程と
を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
充填材料を堆積させる工程が、フォトレジストを堆積させる工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
フォトレジストを堆積させる工程が、スピンオン処理を行なう工程を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記充填材料及び前記ハードマスク層を同時にエッチングする工程が、ＣＦ４／Ｈｅプラズマエッチングを行なう工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
続いて前記充填材料及び前記一時層を同時にエッチングする工程が、Ｏ２プラズマエッチングを行なう工程を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
スペーサ材料のブランケット層を堆積させる工程が、化学蒸着法によりシリコン層を堆積させる工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記スペーサ材料を拡大する工程が、酸化シリコンを形成する工程を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記スペーサ材料を水平面から選択的に除去する工程が、前記シリコン層を異方性エッチングする工程を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記シリコン層を異方性エッチングする工程が、ＨＢｒ／Ｃｌ２プラズマを用いて前記シリコン層をエッチングする工程を含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記スペーサ材料が、チタン、タンタル及びタングステンからなる群より選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
半導体処理のための方法であって、
ピッチの増倍を行うことによって複数のマスクラインを形成し、ピッチの増倍を行うことが、
複数のマンドレルを形成するサブ工程と、
前記マンドレルを覆うスペーサ材料のブランケット層を堆積させるサブ工程と、
スペーサ材料の前記ブランケット層を異方的にエッチングして、前記マンドレルの側壁に前記マスクラインを形成するサブ工程と
を含む工程と、
前記マスクラインを形成する材料の体積を、前記材料を別の物質に変換することによって所望の幅に拡大する工程と
を含む方法。
【請求項２２】
前記マスクラインを形成する材料の体積を拡大する工程が、ピッチの増倍によって複数のマスクラインを形成する間に、スペーサ材料の前記ブランケット層を拡大する工程を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
スペーサ材料の前記ブランケット層を異方的にエッチングする前に、前記マスクラインを形成する材料の前記体積を拡大する工程
を含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
スペーサ材料の前記ブランケット層を異方的にエッチングした後に、前記マスクラインを形成する材料の前記体積を拡大する工程と、
前記マスクラインを形成する材料の前記体積を拡大する工程後、続いて前記マンドレルを、前記スペーサ材料に対して優先的に除去する工程とを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記マスクラインを形成する材料の前記体積を拡大する工程が、ピッチの増倍の後にスペーサのパターンを拡大する工程を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記材料を別の物質に変換する工程が、前記マスクラインを形成する前記材料を酸化する工程を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記材料を別の物質に変換する工程が、前記マスクラインを形成する前記材料を窒化する工程を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
下にある層を、前記マスクライン間の開口部を介して反応物質にさらす工程をさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記反応物質がエッチング剤である請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
下にある層をさらす工程が、アモルファスカーボンをエッチングする工程を含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
下にある層をさらす工程が、導電性基板をエッチングする工程を含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記マスクラインを形成する材料の体積を拡大した後に、前記マスクラインをトリミングする工程をさらに含む請求項２１に記載の方法。
【請求項３３】
前記マスクラインがポリシリコン又はアモルファスシリコンを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項３４】
前記所望の幅が、集積回路内の導電性相互接続線の限界寸法である請求項２１に記載の方法。
【国際調査報告】
2008511991.tif 000030
2008511991.tif 000031
2008511991.tif 000032
2008511991.tif 000033