(57)【要約】  モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）コンポーネントおよびマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）コンポーネントを、最初に厚い基材ウエハの前面上でＭＭＩＣおよびＭＥＭＳの組立を実施し、基材ウエハをカバーウエハに結合し、基材ウエハの背面を薄化し、最後に、薄化した基材ウエハの背面上でＭＭＩＣおよびＭＥＭＳの加工を完了することにより、ウエハ規模で単一基材上に集積する。ウエハ間にガードリングを用いて、基材ウエハに追加的な機械的支持を提供し、ＭＭＩＣ／ＭＥＭＳ組立を完了させる間にデバイスを保護することにより、および、複数のデバイスキャビティのシールリングにおいて基材ウエハとカバーウエハを接合するための低温での結合工程により、組立工程は促進される。【選択図】  図１Ｆ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路）コンポーネントおよびＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）コンポーネントを含有するウエハレベルパッケージの組立方法であって、該方法が、
前面および背面を有する基材ウエハを提供し、基材ウエハに匹敵する大きさのカバーウエハを提供する段階；
基材ウエハの前面上に複数のＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントを組み立てる段階；
基材ウエハの前面上の選択したデバイス領域の周囲に第１のシールリングセットを形成する段階；
カバーウエハの表面上の第１のシールリングセットに対応する位置に第２のシールリングセットを形成する段階；
第１および第２のシールリングセットを結合して、基材ウエハとカバーウエハの間に形成された複数のデバイスキャビティを包含する二重ウエハ構造を提供する段階；
背面から材料を除去することにより基材ウエハを薄化する段階；および
基材ウエハの背面上でＭＭＩＣおよびＭＥＭＳの組立を完了する段階；
を含み、これにより、ＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントの集積が、組み立てられた各デバイスに向上した回路性能を提供する、前記方法。
【請求項２】
薄化段階がラップ仕上げおよび研磨を含む、請求項１に定義した方法。
【請求項３】
さらに、
薄化段階を実施する前にカバーウエハを付着させることにより二重ウエハ構造をダミーのキャリヤーに取り付けること；および
ＭＭＩＣおよびＭＥＭＳの組立の完了後、ダミーのキャリヤーから二重ウエハ構造を除去すること、
を含む、請求項１に定義した方法。
【請求項４】
さらに、二重ウエハ構造を複数のデバイスチップにダイシングすることを含む、請求項１に定義した方法。
【請求項５】
さらに、
複数のデバイスキャビティを包囲する連続的ガードリングを形成すること、ここにおいて、連続的ガードリングの形成段階は、カバーウエハ上にガードリングコンポーネントの１つおよび基材ウエハの前面上に他のコンポーネントを形成し、それらガードリングコンポーネントを、第１および第２のシールリングセットを一緒に結合する段階と同時に、一緒に結合することを含む；ここにおいて、連続的ガードリングは、薄化段階中の基材ウエハに機械的支持を提供し、ＭＭＩＣおよびＭＥＭＳの組立を完了させる段階中にＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントを保護する、
を含む、請求項１に定義した方法。
【請求項６】
連続的ガードリングが円形の形状をしており、二重ウエハ構造の円周の周囲に延長している、請求項５に定義した方法。
【請求項７】
連続的ガードリングが長方形の形状をしており、複数のデバイスキャビティを包囲している、請求項５に定義した方法。
【請求項８】
連続的ガードリングが不規則な形状をしており、複数のデバイスキャビティを包囲している、請求項５に定義した方法。
【請求項９】
連続的ガードリングが、複数のデバイスキャビティにより占められている空間を除く基材ウエハとカバーウエハの間の空間全体を満たしている、請求項５に定義した方法。
【請求項１０】
請求項１に定義した方法であって、  
第１のシールリングセットを形成する段階が、基材ウエハの前面の選択領域に第１のキャビティスペーサー層を形成し、第１のキャビティスペーサー層の上を覆って金層を形成することを含み；
第２のシールリングセットを形成する段階が、カバーウエハの面の選択領域に第２のキャビティスペーサー層を形成し、第２のキャビティスペーサー層の上を覆って金層を形成することを含み；
第１および第２のシールリングセットを形成するための段階の一方がさらに、金層の上を覆ってインジウム層を形成することを含み；
結合段階が、第１および第２のシールリングセットを熱処理してインジウム層の溶融を開始させることと、第１および第２のシールリングセットを一緒に押しつけて、インジウム層を金層と混ぜ合わせ、複数のデバイスキャビティのそれぞれをシールする結合構造を形成することを含む、
前記方法。
【請求項１１】
結合段階がさらに、
複数回にわたり圧縮力を適用および解除して、インジウムと金の混ざり合いをもたらし、各シールリングにおいてインジウム／金合金を形成すること；および
続いて二重ウエハ構造を冷却すること、
を含む、請求項９に定義した方法。
【請求項１２】
比較的低い加工温度を用いて第１および第２のウエハを一緒に結合するための方法であって、該方法が、
第１のウエハの面上の選択領域の周囲に第１のシールリングセットを形成すること、ここにおいて、第１のシールリングセットの形成段階は、選択領域に第１のキャビティスペーサー層を形成し、第１のキャビティスペーサー層の上を覆って金層を形成することを含む；
第２のウエハの面上の第１のシールリングセットに対応する位置に第２のシールリングセットを形成すること、ここにおいて、第２のシールリングセットの形成段階は、選択領域に第２のキャビティスペーサー層を形成し、第２のキャビティスペーサー層の上を覆って金層を形成することを含む；
第１および第２のシールリングセットに形成された金層の一方の上を覆ってインジウム層を形成すること；
第１および第２のシールリングセットを熱処理して、インジウム層の溶融を開始させること；および
第１および第２のシールリングセットを一緒に押しつけて、インジウム層を金層と混ぜ合わせ、シールリングセットにより定義される各領域をシールする結合構造を形成すること、
を含む、前記方法。
【請求項１３】
押しつけ段階が、複数回にわたり圧縮力を交互に適用および解除することを含む、請求項１１に定義した方法。
【請求項１４】
さらに、続いて第１および第２のシールリングセットを冷却することを含む、請求項１２に定義した方法。
【請求項１５】
第１および第２の各キャビティスペーサー層が複数の金属副層を含み、その少なくとも１つが、キャビティスペーサー層中にインジウムが混ざり合うのに対するバリヤーとして働く、請求項１１に定義した方法。
【請求項１６】
第１および第２の各キャビティスペーサー層がチタン、白金および金の副層を含む、請求項１４に定義した方法。
【請求項１７】
熱処理および結合段階を約１７５℃〜２４０℃の範囲内の選択温度で実施する、請求項１１に定義した方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、米国陸軍により与えられた契約番号ＤＡＡＤ１７−０２−Ｄ−０００２に基づき政府の支援で行われた。政府は本発明に一定の権利を有する。
発明の背景
本発明は、一般に集積回路の組立技術、より詳細には、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）およびマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）コンポーネントを単一パッケージ中に集積するための方法に関する。ＭＭＩＣ技術は５０〜１００μｍの範囲の極めて薄い基材の使用を必要とし、ＭＥＭＳデバイスは基本的には三次元デバイスなので必然的に顕著な厚さを有する。さらに、ＭＥＭＳデバイスは気密実装されないと場で確実に動作することができない。
【０００２】
ラジオ周波（ＲＦ）ＭＥＭＳスイッチなどのＭＥＭＳデバイスをＭＭＩＣ技術と統合すると、多くの宇宙および軍隊での用途、特に、非常に高い周波数、例えばほぼ５００ＧＨｚ（ギガヘルツ）以上で動作する用途において、著しいシステム性能の改善、例えば、低い損失、高い直線性、および追加された機能性が提供される。しかしながら、２つの技術を組み合わせるには実際的な問題が付いてまわる。ＭＭＩＣコンポーネントは非常に薄い基材の一面に形成され、導電性ビアを採用して基材の“背”面を経る接続を作成するが、ＭＥＭＳデバイスは三次元の気密シールされたキャビティ中に形成されることが好ましく、これにより機械的に頑丈なパッケージの使用が決定づけられる。ＭＭＩＣコンポーネントの要件をＭＥＭＳコンポーネントの要件と集積パッケージにおいて調和させることが、本発明の重要な目標の一つである。関連する目標は、ウエハレベルでの集積回路の組立および実装に通常関連するタイプの費用削減を達成することであるが、この場合ＭＭＩＣコンポーネントの薄い基材構造により達成することが非常に難しい。
【０００３】
発明の概要
本発明は、ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路）技術をＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）技術と二重ウエハ構造において統合するための技術に属する。手短に、一般論として、本発明の方法は、前面および背面を有する基材ウエハを提供し、基材ウエハに匹敵する大きさのカバーウエハを提供する段階；基材ウエハの前面上に複数のＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントを組み立てる段階；基材ウエハの前面上の選択したデバイス領域の周囲に第１のシールリングセットを形成する段階；カバーウエハの表面上の第１のシールリングセットに対応する位置に第２のシールリングセットを形成する段階；そして、その後、第１および第２のシールリングセットを結合して、基材ウエハとカバーウエハの間に形成された複数のデバイスキャビティを包含する二重ウエハ構造を提供する段階を含む。これに続く段階は、背面から材料を除去することにより基材ウエハを薄化し；薄化した基材ウエハの背面上でＭＭＩＣおよびＭＥＭＳの組立を完了することを包含する。ＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントの集積は、組み立てられた各デバイスに向上した回路性能を提供する。
【０００４】
薄化段階は、ラップ仕上げおよび研磨段階を含むことが好ましい。また、該方法はさらに、薄化段階を実施する前にダミーのキャリヤーにカバーウエハを付着させることにより、ダミーのキャリヤー上に二重ウエハ構造を取り付ける段階；および、その後、ＭＭＩＣおよびＭＥＭＳの組立の完了後、ダミーのキャリヤーから二重ウエハ構造を除去する段階を含むことが好ましい。
【０００５】
本発明の重要な一観点に従って、該方法はさらに、二重ウエハ構造中の複数のデバイスキャビティを包囲する連続的ガードリングを形成することを含む。より具体的には、連続的ガードリングの形成段階は、カバーウエハ上にガードリングコンポーネントの１つおよび基材ウエハの前面上に他のコンポーネントを形成した後、それらガードリングコンポーネントを、第１および第２のシールリングセットを一緒に結合する段階と同時に、一緒に結合することを含む。連続的ガードリングは、薄化段階中の基材ウエハに機械的支持を提供して高い製品歩留まりをもたらし、ＭＭＩＣおよびＭＥＭＳの組立を完了させるのに実施される加工段階中にＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントを保護する。
【０００６】
連続的ガードリングは、円形、長方形もしくは不規則な形状であることができ、または、複数のデバイスキャビティにより占められている空間を除く基材ウエハとカバーウエハの間の空間全体を占めることができる。
【０００７】
本発明の他の重要な観点は、基材を一緒に結合するための方法で具体化される。詳細には、本方法は、第１のウエハの面上の選択領域の周囲に第１のシールリングセットを形成する段階、ここにおいて、第１のシールリングセットを形成する段階は、選択領域に第１のキャビティスペーサー層を形成し、第１のキャビティスペーサー層の上を覆って金層を形成することを含む；および、第２のウエハの面上の第１のシールリングセットに対応する位置に第２のシールリングセットを形成する段階により定義される。第２のシールリングセットを形成する段階も、選択領域に第２のキャビティスペーサー層を形成し、第２のキャビティスペーサー層の上を覆って金層を形成することを含む。該方法はさらに、第１および第２のシールリングセットに形成された金層の一方の上を覆ってインジウム層を形成し；第１および第２のシールリングセットを熱処理してインジウム層の溶融を開始させ；その後、第１および第２のシールリングセットを一緒に押しつけて、インジウム層を隣接する金層と混ぜ合わせ、シールリングセットにより定義される各領域をシールする結合構造を形成することを含む。押しつけ段階は、複数回にわたり圧縮力を交互に適用および解除することを含むことができ、該方法はさらに、続いて第１および第２のシールリングセットを冷却することを含む。
【０００８】
本発明の開示した態様において、第１および第２の各キャビティスペーサー層は複数の金属副層（sublayer）を含み、その少なくとも１つは、キャビティスペーサー層中にインジウムが混ざり合うのに対するバリヤーとして働く。具体的には、第１および第２の各キャビティスペーサー層は、チタン、白金および金の副層を含む。
【０００９】
本発明が、密な集積状態でＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントを包含することが理想的なデバイスの組立分野において著しい進歩を示すことが、前記概要から理解されるであろう。本発明の他の観点および利点は、添付図面と併せて考慮して以下のより詳細な説明から明らかになるであろう。
【００１０】
発明の詳細な記述
例示のための図に示したように、本発明は、ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路）技術およびＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）コンポーネントを統合した回路部品のウエハレベルでの組立方法に関する。この技術の統合により性能面で著しい利益を達成することができるが、それらの組立およびパッキング要件における差異により、この目標は設計者にとって掴み所のないものになっていた。とりわけ、問題の１つは、ＭＭＩＣ基材は薄いことが必要であり、その結果ウエハレベルでの組立段階中に基材が割れるか破壊する傾向があるため、製品歩留まりが極めて低くなる点である。
【００１１】
本発明に従って、ＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントを、上記問題点を克服する二重ウエハ構造中に集積する。組立方法の原理を図１Ａ〜図１Ｆに略図の形で示す。詳細には、図１Ａは、参照数字１０により示されるＭＥＭＳ／ＭＭＩＣウエハの一部の横断面を示している。該方法の第１段階は、ウエハ１０の“前”側面上に、長方形１２により表される１以上のＭＭＩＣコンポーネントと、不規則な外形４により示される１以上のＭＥＭＳコンポーネントを組み立てることである。ＭＥＭＳコンポーネント１４は、ラジオ周波（ＲＦ）スイッチであることができ、一般に、基材１０の中に埋め込まれた部分と基材の上側に延長している部分を包含する。さらに、ＭＥＭＳコンポーネント１４は気密シールされたキャビティの中に収容されていることが好ましい。この目的のために、図１Ａの構造はさらにシールリングを包含する。シールリングのコンポーネントの１つを１６で示す。図１Ｂはカバー基材２０の横断面を示しており、同様にシールリングコンポーネント２２を包含している。以下でより詳細に説明する方法を用いてシールリングコンポーネント１６および２２を一緒に結合すると、図１Ｃに示すような二重ウエハ構造が得られ、キャビティ２４が基材１０および２０の間に形成する。
【００１２】
これに続く重要な段階は、最初に二重ウエハ構造のカバーウエハ２０をダミーのキャリヤー２６に取り付けてから図１Ｃのウエハ１０を薄化して、図１Ｄに示す顕著に薄化したウエハ１０’を生産することである。ウエハ１０を薄化するために、ラップ仕上げ、研磨およびエッチング段階を組み合わせて採用することができる。例えば、ウエハ１０は、薄化段階開始時の図１Ｃにおいて厚さ約７５０μｍであることができる。初期ラップ仕上げ段階を最初に用いて、厚さを約１６０μｍに低減することができる。ラップ仕上げは、実質的に、ラップ仕上げ用工具（または手で）および通常は液体中に懸濁している研磨材の使用により、表面から材料を除去する方法である。ラップ仕上げの後、機械研磨段階を用いて、さらに厚さを約１５０μｍに低減することができる。最後に、ＭＭＩＣの組立要件に応じて、化学エッチング段階によりウエハの厚さをさらに約１００μｍ以下に低減する。あるいは、薄化段階はウエハ１０から材料を研削することを包含していてもよい。より一般的には、薄化段階は、基材ウエハの“背”面から材料を除去してその平滑性を維持するあらゆる工程段階の組合わせを包含する。
【００１３】
ウエハ１０を薄化して薄化ウエハ１０’を生産した後、図１Ｅに示すようなさまざまな従来の“背面側”の加工段階を実施して、ウエハ１０’に形成した背面側ビア２８および３０を経るＭＭＩＣコンポーネント１２およびＭＥＭＳコンポーネント１４への電気接続を作成する。最後に、図１Ｆに示すように、ダミーのキャリヤー２６を除去すると、集積されたＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネント１２および１４ならびに気密シールされたキャビティ２４を有する所望の二重ウエハ構造が残る。
【００１４】
例示のために、図１Ａ〜１Ｅの加工段階を、単一のキャビティ２４の中またはそれに隣接して位置決めされたデバイスにについて示していることは、理解されるであろう。しかし、ウエハレベルでの実装は、そのようなキャビティおよび関連するＭＥＭＳ／ＭＭＩＣコンポーネントの多数の配列を同時に組み立てることを包含することも理解されるであろう。さらに例示するために、図２は、複数のキャビティ２４が上部に形成されているＭＥＭＳ／ＭＭＩＣウエハ１０の上面図を示している。ウエハレベルでの基材は、図示するように典型的には円形の形状をしており、複数のデバイスキャビティ２４が長方形格子状に配列され、“ストリート”３２と名付けることができる空間により分離されている。図３に最も良く例示するように、ストリート３２は典型的にはデバイスキャビティ２４に比べはるかに幅が広い。続いてウエハレベル構造を別個のデバイスにダイシングする場合、ダイシングソー（図示していない）は典型的には各デバイスキャビティ２４の幅に比べはるかに厚く、結果としてストリート３２の材料のほとんどがダイシング工程で排除される。
【００１５】
図２および３はまた、ウエハレベルでの組立に重要な補助としてのガードリング３４の使用も例示している。図２に示すように、ガードリング３４は、ウエハ基材１０および２０の間に形成されたデバイスキャビティ２４のすべてを包囲するのに足る直径を有する円形であることができる。ガードリング３４は組立工程において２つの重要な機能を果たす。第一に、ウエハ１０および２０の外周付近にガードリング３４が存在すると、ウエハを変形または破壊することなくウエハ１０を薄化することが非常に容易になる。ガードリング３４がないと、ウエハ１０の変形または破壊、例えば、起こり得る縁の破壊、亀裂生長およびウエハの分離により、非常に低い製品歩留まりがもたらされるであろう。ガードリング３４は、追加された物理的結合強さおよび機械的支持を薄化工程において基材ウエハ１０に提供し、非常に高い製品歩留まりをもたらす。リングガード３４の第二の機能は、デバイスキャビティ２４内のＭＭＩＣおよびＭＥＭＳコンポーネントを薄化ウエハ１０’の背面側の加工中に保護することである。ガードリング３４がないと、背面側の加工により、デバイスまたは少なくともそのシールリングが、湿式加工段階で用いられる化学物質に暴露される可能性がある。
【００１６】
図４〜７は、ガードリング３４の代替的形状を例示している。図４は、ガードリング３４Ａは円形である必要はなく、例えば、デバイスキャビティ２４の長方形配列を包囲する長方形の形状を有することができることを示している。図５において、ガードリング３４Ｂは不規則な形状をしている。図６において、図７でさらに明らかになるように、ガードリング３４Ｃは、キャビティ２４により占められていない未使用のキャビティ空間のすべてを満たしている。したがって、一般にガードリング３４は、薄化段階中には基材ウエハ１０に機械的支持を提供する働きをし、ＭＥＭＳ／ＭＭＩＣの背面側の加工中にはキャビティを保護する働きをする、あらゆる閉じた形状を呈することができる。
【００１７】
低温での結合は、インジウム（Ｉｎ）と金（Ａｕ）を混ぜ合わせてＩｎＡｕ合金にすることにより達成される。該方法では、Ｉｎの低温溶接性と合金形成のための熱処理とを組み合わせて用いて、気密シールを達成する。典型的な結合温度は１７５℃〜２４０℃であるが、通例この範囲の下端である。
【００１８】
図８Ａおよび８Ｂに示すように、シール１６および２２は両方とも、第１チタン（Ｔｉ）層４０、第１白金（Ｐｔ）層４２、より厚い金（Ａｕ）層４４、第２Ｔｉ層４６、および第２Ｐｔ層４８を含むキャビティスペーサー３６を包含する。ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）でできていることができるＭＥＭＳ／ＭＭＩＣ基材ウエハ１０上で、キャビティスペーサー３６の上に別の金（Ａｕ）層５０を置く。同様にＧａＡｓでできていることができるカバーウエハ２０上で、同様にキャビティスペーサー３６の上に別の金（Ａｕ）層５０を置き、その上にインジウム（Ｉｎ）層５２を形成する。
【００１９】
結合工程を開始する前に、２つのウエハ１０および２０を１７５℃に熱処理する。インジウム層５２は１５６℃で溶融し、その下にある金層５０と混ざり合い始める。工程のこの時点で、例えば３０００Ｎ（ニュートン）の力を適用して２つのシールスタックを接合すると、インジウム層５２と基材ウエハ１０スタック上の金層５０が混ざり合う。その後、結合界面上の圧縮力を解除し、再び適用して、層５２から追加的なインジウムを周囲の金層５０中へさらに“押し込む”。この循環的な力の適用を数回繰り返してから、結合したスタックを冷却することが好ましい。シール界面に形成して得られたＩｎ／Ａｕ合金は、キャビティ２４を効果的に気密シールする。白金層４８およびチタン層４６はそれぞれ、キャビティスペーサー層３６中にインジウムがさらに混ざり合うのに対し効果的なバリヤーを提供する。
【００２０】
上記のことから、本発明が、ＭＥＭＳおよびＭＭＩＣコンポーネントを実装するための従来技術に対し著しい利点を提供することが理解されるであろう。第一に、本発明は、同一デバイスパッケージにおいてＭＥＭＳおよびＭＭＩＣコンポーネントを組み合わせることができるという性能上の利点を提供する。より具体的には、能動(active)ＭＭＩＣコンポーネントを低損失のＲＦ  ＭＥＭＳスイッチと集積して、追加された機能性を約５０ＧＨｚ以上の周波数において提供することができる。追加された機能性としては、例えば、整調可能なフィルターおよび整調可能な受動(passive)コンポーネントを提供する能力が挙げられる。他の性能上の利点は、本発明の実装技術が、本質的に、ＭＥＭＳスイッチの信頼性を改善し、ＭＥＭＳコンポーネントをＲＦシステム中に挿入することを可能にする点であり、このことは、高周波数において高い直線性、高いＲＦ分離性(isolation)および低い挿入損失を必要とするシステムでは特に重要である。
【００２１】
本発明の第二の主要な利点は費用削減にある。本発明のウエハレベルでの実装技術では、非常に多くの実装されたチップを１つの組立流路で生産する並行工程を利用する。より高レベルでの実装を必要とすることなくより大きくより複雑なＭＥＭＳ／ＭＭＩＣ構成物を組み立てることができるため、サブシステムレベルにおいて、ウエハレベルでの実装は、典型的には労働集約的で費用のかかるより高レベルのパッケージアセンブリーの必要性を排除する。本発明に従って組み立てられるパッケージはすべて極めて軽く小型であり、重量および大きさの点でシステム全体に著しい節約をもたらすため、システムレベルでの費用削減も達成される。重量および大きさは多くの用途、例えば宇宙船において重要である。
【００２２】
本発明のいくつかの具体的態様を例示し記載してきたが、本発明の精神および範囲を逸脱することなくさまざまな修正を加えることができることも理解されるであろう。したがって、本発明は、添付する特許請求の範囲によるものを除き、制限されるべきでない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１Ａ〜１Ｆは、総合して、図示しているのは１つだけであるが、複数のデバイスキャビティ中にＭＥＭＳおよびＭＭＩＣコンポーネントを集積したウエハレベルパッケージの組立方法を表す横断面図である。
【図２】図１Ａに示したもののようなＭＥＭＳ／ＭＭＩＣウエハの上面図である。
【図３】該組立方法で利用するガードリングの概念を（図２と共に）例示する、図１Ｅと同様の横断面図である。
【図４】ガードリングの概念の代替的形状を表す、図２と同様の上面図である。
【図５】ガードリングの概念の代替的形状を表す、図２と同様の上面図である。
【図６】ガードリングの概念の代替的形状を表す、図２と同様の上面図である。
【図７】図３と同様であるが、図６に表したガードリングの概念に相当する横断面図である。
【図８】図８Ａおよび図８Ｂは、図１Ａ〜１Ｆに簡略化した形で示したシールリングスタックのより詳細な横断面図であり、ここにおいて、図８ＡはＭＥＭＳ／ＭＭＩＣウエハに関連し、図８Ｂはカバーウエハに関連する。
【図１Ａ】
2008544547.tif 000003
【図１Ｂ】
2008544547.tif 000004
【図１Ｃ】
2008544547.tif 000005
【図１Ｄ】
2008544547.tif 000006
【図１Ｅ】
2008544547.tif 000007
【図１Ｆ】
2008544547.tif 000008
【図２】
2008544547.tif 000009
【図３】
2008544547.tif 000010
【図４】
2008544547.tif 000011
【図５】
2008544547.tif 000012
【図６】
2008544547.tif 000013
【図７】
2008544547.tif 000014
【図８Ａ】
2008544547.tif 000015
【図８Ｂ】
2008544547.tif 000016
【国際調査報告】
2008544547.tif 000017
2008544547.tif 000018
2008544547.tif 000019