(57)【要約】  本発明は、適切な強度およびパルス幅のマイクロ波パルスがプラズマを発生するためにマイクロ波注入デバイスを介して注入される反応器のプラズマ室内で、導電性透明被膜またはＴＣＯ被膜を基板に付着するプラズマ・インパルスＣＶＤ方法（ＰＩＣＶＤ方法）に関する。マイクロ波注入デバイス上での導電性被膜の形成は、保護デバイスによって特に抑制されるが、これは、そうしないと、マイクロ波透過率の減衰によってプラズマ強度が低減され、それによって結局プラズマ形成が妨げられるからである。層形成を抑制するために使用される保護デバイスは、たとえば、プラズマ室とマイクロ波注入デバイスの間のマイクロ波透過性被膜、マスキングまたは分離デバイス、たとえば、一定の間隔で、任意選択で清浄化されるかあるいは取り替えられるフィルムまたは接着テープでもよい。そのような基板はまた、被膜デバイスまたは分離デバイスとして使用されることもできる。層の所望しない形成はまた、プラズマ室内のガス組成を制御することによって効果的に抑制されることもできる。マイクロ波注入デバイスおよび／または保護デバイスは、マイクロ波透過を実質的に妨げず非導電性または弱導電性である被膜が堆積される温度レベルまで冷却できる。本発明はまた、本発明の方法を実施するＰＩＣＶＤ反応器にも関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア・ガスおよび前駆ガスとともにプロセス・ガスを供給し、マイクロ波注入デバイスを用いてマイクロ波パルスを注入してプラズマを発生することによって反応器デバイスのプラズマ室内で基板に導電性透明被膜（ＴＣＯ被膜）を付着するプラズマ・インパルスＣＶＤ方法（ＰＩＣＶＤ方法）であって、前記マイクロ波注入デバイス上での導電性被膜の形成は保護デバイスによって抑制される、プラズマ・インパルスＣＶＤ方法（ＰＩＣＶＤ方法）。
【請求項２】
前記プラズマ室と前記マイクロ波注入デバイスとの間に配置されたマイクロ波透過性被膜、マスキングまたは分離デバイスが前記保護デバイスとして使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記被膜、マスキングまたは分離デバイスは、一定の間隔で清浄化されるかまたは交換されるか、あるいは前記マイクロ波注入デバイスまたは前記プラズマ室を通って一定の速度で連続的にまたはほぼ連続的に移動される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記被膜、マスキングまたは分離デバイスとしてフィルムまたは接着テープが使用される、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記基板自体が前記被膜デバイスまたは分離デバイスとして使用される、請求項２または３に記載の方法。
【請求項６】
前記保護デバイスが前記プラズマ室内でガス組成またはガス伝導性を制御するために使用される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記前駆ガスが直接前記基板上に導入される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
四塩化スズまたはテトラメチルスズ（ＴＭＴ）が前記前駆ガスとして使用される、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記キャリア・ガスが前記マイクロ波注入デバイスの周りを流れるようにされ、それによって前記前駆ガスは離しておかれる、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
酸素、窒素またはこれら２つのガスの混合物が前記キャリア・ガスとして使用される、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記プロセス・ガスがＣＦ４ドーピング・ガスまたはＦ２（フッ素）を含む、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記マイクロ波注入デバイスおよび／または前記保護デバイスが少なくとも４０℃まで冷却される、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
空気または非導電性液体が前記冷却のために使用される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記堆積が５０℃から３２０℃までの間の基板温度で行われる、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ガラス基板またはプラスチック基板、ガラス・セラミックあるいはプラスチック・フィルムが被膜される、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
接着促進層が前記プラスチック基板に最初に付着される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記接着促進層がＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２）ドープされたＺｎＯ２またはドープされたＳｎＯ２を含む透明導電性被膜が付着される、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
連続的にまたはほぼ連続的に実施される、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
ガス入口およびガス出口を有するプラズマ室と、
割り当てられたマイクロ波注入デバイスと、
被膜されるべき基板用の把持デバイス、誘導デバイスまたは輸送デバイスと、を有する反応器デバイスであって、
マイクロ波注入デバイス用の保護デバイスを含む反応器デバイス。
【請求項２１】
前記保護デバイスが前記マイクロ波注入デバイス用のマイクロ波透過性被膜、マスキングまたは分離デバイスを含む、請求項２０に記載の反応器デバイス。
【請求項２２】
前記分離デバイスがプラズマ室分割壁として形成される、請求項２１に記載の反応器デバイス。
【請求項２３】
前記被膜、マスキングまたは分離デバイスが交換できるように形成される、請求項２１または２２に記載の反応器デバイス。
【請求項２４】
前記被膜デバイスマスキングまたは分離デバイスはフィルムまたは接着テープを含む、請求項２１乃至２３のいずれか１項に記載の反応器デバイス。
【請求項２５】
前記被膜デバイスまたは分離デバイス用の輸送デバイスを含む、請求項２１乃至２４のいずれか１項に記載の反応器デバイス。
【請求項２６】
前記保護デバイスが、前記基板用および／または前記マイクロ波注入デバイス用の前記把持デバイス、誘導デバイスまたは輸送デバイス用のガス供給デバイスを含む、請求項２１乃至２５のいずれか１項に記載の反応器デバイス。
【請求項２７】
前記保護デバイスが冷却デバイスを含む、請求項２１乃至２６のいずれか１項に記載の反応器デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、特にガラスまたはプラスチック基板に導電性透明被膜またはＴＣＯ被膜（ＴＣＯ＝ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｏｘｉｄｅｓ、透明導電性酸化物）を付着するプラズマ・インパルスＣＶＤ法に関する。本発明はまた、本方法を実施する反応器デバイスにも関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ・インパルスＣＶＤ法（または、プラズマ・インパルス化学蒸着法、プラズマ・インパルス誘導化学気相蒸着法の略語として、略してＰＩＣＶＤ法）では、所望の被膜は、割り当てられたマイクロ波注入デバイスによって適切な強度およびパルス幅のマイクロ波パルスを注入することによって反応器デバイスのプラズマ室または被膜室で発生されるプラズマ相から堆積される。この場合、被膜の組成は、プラズマ形成に使用されるプロセス・ガスの適切な選択によって必要に応じて制御される。プロセス・ガスは、通常、実際の層形成のための１つまたは複数の前駆ガス、１つまたは複数のドーピング・ガス、および１つまたは複数のキャリア・ガスを有する層特有のガス混合物を含む。プロセス・ガスの化学組成は、プロセス・シーケンスまたは被膜動作中に、いくつかの異なる層を含む特定用途向けにぴったりの多層システムが堆積されるように、個々のマイクロ波パルス間で、任意選択で変更されることもできる。パルス動作モードは、非常に高密度で同質の層または層システムが形成されるように層ビルドアップは小さいステップでのみ行われることを意味する。このパルス動作モードはまた、ＰＩＣＶＤ法が特にプラスチックの被膜にも適するように、非常に低いプロセス温度も可能にする。
【０００３】
しかし、プラズマ相から堆積する場合は、基板が所望に応じて被膜されるばかりでなく、対応する被膜がマイクロ波注入デバイス上にも堆積され、導電性は必要とされるマイクロ波透過率を次第に減衰させるという作用を有する。結果として、プラズマ強度は徐々に低減され、最後にはプラズマの形成が完全に妨げられ、その結果、基板上での導電性被膜のＰＩＣＶＤ製作は、通常には長期ベースでは実行不可能であると考えられる。したがって、対応する被膜は、通常、たとえば欧州特許第１２２０２３４号に記載されているようなたとえばスパッタリングなど、他の化学的または物理的堆積法によって付着される。他方、マイクロ波パルスの注入に関して述べられた問題のために、ＰＩＣＶＤ法は、通常実際には、非導電性または単に弱導電性である被膜の製作に使用されるだけである。
【０００４】
ドイツ特許第１０１３９３０５号Ａ１は、たとえばプラスチック基板など、適切な基板材料の１つの面上に少なくとも１つのバリア被膜を堆積することによって複合材料を製作するＰＩＣＶＤ法を開示している。この場合、バリア被膜は、とりわけ、導電層およびＳｎＯｘ層を含んでもよい。ただし、ｘ∈［０．２］である
【０００５】
ドイツ特許第３９２６０２３号Ｃ２は、たとえばレンズおよび光導波路に使用されるような誘電体層および金属層を製作するＰＩＣＶＤ被膜法を開示している。また、この方法を実施するデバイスも記載されている。
【０００６】
しかし、最後に述べた２つの文献では、マイクロ波注入デバイス上の導電性被膜の形成、およびマイクロ波パルスの注入に付随する問題による前述のマイクロ波透過率の漸次的減衰については何も述べられていない。
【０００７】
ドイツ特許第３９３８８３０号Ｃ２は、被膜室および重ねて置かれているいくつかの割り当てられたマイクロ波注入窓を有するマイクロ波プラズマＣＶＤ反応器を記載していて、それらの窓のうちの１つは被膜室に露出され、被膜室と隣接するエッチング室との間で移動可能である。被膜室で被膜動作が進行中に、このマイクロ波注入窓は、エッチング室で適切なエッチング・ガスによってその上に堆積された望ましくない被膜をエッチング除去することによって清浄化され、その結果、特に高マイクロ波強度においてさえも、容認できないほど厚い層の形成が回避され、より長い動作時間が達成される。記載されている反応器は、ＭＷＰＣＶＤ法（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｐｌａｓｍａ  ＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法）によって大面積の半導体層を堆積するために使用される。導電層は堆積されない。
【０００８】
【特許文献１】欧州特許第１２２０２３４号
【特許文献２】ドイツ特許第１０１３９３０５号Ａ１
【特許文献３】ドイツ特許第３９２６０２３号Ｃ２
【特許文献４】ドイツ特許第３９３８８３０号Ｃ２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、実質的に一定のプラズマ強度を有する長い動作時間を可能にする導電性透明被膜またはＴＣＯ被膜を堆積する簡単で低コストのＰＩＣＶＤ法を提供することである。この場合、ＴＣＯ被膜は、可視スペクトル範囲（ＶＩＳ）で約８０％より高い透過率Ｔを有することを意図され、それらの抵抗率рは、約１０Ω・ｃｍより低いことを意図される。本発明の目的はまた、この方法を実施する反応器デバイスを提供することでもある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、本発明によるプラズマ・インパルスＣＶＤ方法および反応器デバイスによって本発明により達成される。本発明による好ましい方法の変形形態および実施形態は、それぞれ関連する従属請求項から把握できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明によるＰＩＣＶＤ法では、マイクロ波注入デバイス上の導電性被膜の所望されない形成はＴＣＯ保護デバイスによって特に抑制され、その結果、マイクロ波が比較的長い動作時間の場合にでも実質的に妨げられずにマイクロ波注入デバイスを通ることができ、−−従来のＰＩＣＶＤ法とは違って−−プラズマ形成のために十分に高いマイクロ波強度がプラズマ室内で常に利用可能である。
【００１２】
プラズマ室とマイクロ波注入デバイスの間に配置され、容認できないほど厚い被膜の場合には、ある時間間隔で、任意選択で清浄化されるかあるいは交換されるマイクロ波透過性の被膜デバイスまたは分離デバイスが、たとえばＴＣＯ保護デバイスとして特に使用されてもよい。この場合、マイクロ波注入デバイスは、たとえば、被膜デバイスまたは分離デバイスによってほぼ完全に被膜またはマスクできる。しかし、本発明によれば、分離壁の形態の実質的にプラズマ不透過性の分離デバイスが、マイクロ波注入デバイスのための被膜保護物としてプラズマ室のために使用されてもよい。
【００１３】
たとえばカプトン・フィルムなどの適切なフィルム、または接着テープが、たとえば被膜デバイスまたは分離デバイスとして使用されてもよい。
【００１４】
この場合、フィルムはまた、ある種のエンドレス・フィルムとして本発明に従って任意選択で形成されてもよく、容認できないほど厚い層の形成が確実に回避されるように、被膜動作中に、たとえばワインディングアップおよびアンワインディング・デバイスまたは搬送ローラなどの適切な輸送デバイスによってマイクロ波注入デバイスまたはプラズマ室を通って一定の速度で連続的にまたはほぼ連続的に移動されてもよい。
【００１５】
本発明によれば、被膜されるべき基板はそれ自体も、マイクロ波注入デバイスがプラズマ室に関してプラズマ不透過的に実質的にシールドされるように配置されることによって、被膜デバイスまたは分離デバイスとして特に使用されてもよい。この場合、プラズマ室に面している基板面は所望の導電性被膜を提供され、一方、プラズマ室に面していない基板面はマイクロ波注入デバイスに面していて、マイクロ波注入デバイスは被膜されないままである。本発明によるこの方法の変形形態の場合には、基板は１つの面上で被膜される。基板を実質的に回すことによって、両面被膜も任意選択で適用できる。この方法の変形形態は、たとえば、マイクロ波注入窓を有するＰＩＣＶＤプレーナ・システムで実質的に平坦な基板を被膜する場合に使用できる。この場合、マイクロ波注入窓がほぼ完全にまたは完全に被膜され、所望しないＴＣＯ被膜が確実に妨げられるように、基板は、その被膜されるべきでない面をマイクロ波注入窓上に接して配置または付着される。
【００１６】
これの追加としてまたは代替として、マイクロ波注入デバイス上への所望しない導電性被膜の形成は、プラズマ室内でのガス組成またはガス伝導性の適切な制御によって本発明に従って抑制されてもよい。たとえば、適切なガス供給デバイスによってそれぞれのキャリア・ガスにマイクロ波注入デバイスの周りを流れさせることを必要とする、一種のバリア・ガス構成が使用されてもよい。これの追加としてまたは代替として、前駆ガスが、対応するガス供給デバイスによって、マイクロ波注入デバイスを通って、被膜されるべき基板上に直接伝導されてもよい。どちらの方法も、前駆ガスがマイクロ波注入デバイスから離しておかれ、そこで所望しない導電性被膜の形成が効果的に抑制されるという効果を有する。
【００１７】
本発明によれば、マイクロ波注入デバイス上での導電性被膜の形成はまた、割り当てられた冷却デバイスによって、マイクロ波注入デバイスおよび／またはたとえば被膜デバイスあるいは分離デバイスなどの保護デバイスを、非導電性または単に弱導電性の層だけが堆積される十分に低い温度レベルまで冷却することによって抑制されることもでき、マイクロ波が実質的に妨げられずに通ることができるようにする。その結果として、比較的長い動作時間の場合にでも、プラズマ形成は著しくは妨げられず、さらには妨害されることもない。プラズマ室内の実際のプロセス温度および基板温度は、この冷却法によってほぼ影響されないままであり、その結果、基板自体は所望の導電性被膜を提供される。この場合、マイクロ波注入デバイスおよび／または保護デバイスは、好ましくは少なくとも約４０℃の温度まで冷却される。この冷却動作では、十分に低温の空気が、たとえば導波路から冷却デバイスを通して供給されてもよい。しかし、冷却のために非導電液体または流体が使用されてもよい。
【００１８】
導電性被膜は、好ましくは約５０℃から３２０℃までの間の基板温度で堆積され、約１００℃より低い基板温度は、特にプラスチック基板の場合に使用される。
【００１９】
この非常に低い温度レベルによって、本発明によるＰＩＣＶＤは、特にリジッドまたはフレキシブル・プラスチック基板の被膜に適している。しかし、たとえばガラス基板またはガラス・セラミックなど、無機基板の被膜に有利に使用できる。基板はまた、保護デバイスと同一のフィルムでもよい。（プラスチック）フィルムは（ほぼ）連続的に被膜される。
【００２０】
プラスチック基板を被膜する場合、プラスチック基板には、導電性被膜が付着される前に、まず最初に接着促進層または接着促進層システムが付着される。この場合、プロセス・ガスの組成は、実質的に有機組成を有する勾配層または勾配層システムが基板面上に生じ、実質的に無機組成がＴＣＯ被膜面上に生じるように、被膜動作中に変更され、前記組成は、基板またはＴＣＯ被膜と本質的に同一であるように選択される。接着促進層のための前駆物質は、好ましくは、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を含む。
【００２１】
本発明による前述のＰＩＣＶＤ法は、好ましくは、インジウムスズ酸化物すなわち略してＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２）、ドープされたＺｎＯ２またはドープされたＳｎＯ２を含む導電性被膜を付着するために使用される。
【００２２】
酸素、窒素またはこれら２つのガスの混合物は、好ましくはキャリア・ガスとして使用される。四塩化スズＳｎＣｌ４またはテトラメチルスズ（ＴＭＴ）は、ドープされたＳｎＯ２の前駆ガスとして特に使用されてもよい。テトラフルオロメタンまたはフッ素は、ドーピング・ガスとして有効であることが判明している。四塩化スズＳｎＣｌ４またはテトラメチルスズＳｎ（ＣＨ３）３とともに、トリメチルインジウムＩｎ（ＣＨ３）３またはインジウム過塩素酸塩Ｉｎ（ＣｌＯ４）３またはインジウムアセチルアセトンＩｎ（Ｃ６Ｈ７Ｏ２）３は、ＩＴＯ被膜の前駆ガスとして使用されてもよい。ジメチル亜鉛Ｚｎ（ＣＨ３）２または硫酸亜鉛ＺｎＳｎＯ４は、ＣＦ４またはＦ２をドーピング・ガスとして、ＺｎＯ：Ｆの前駆ガスとして使用されてもよい。
【００２３】
本発明によるＰＩＣＶＤ法は、好ましくは連続的にまたはほぼ連続的に実施される。
【００２４】
本ＰＩＣＶＤ法は、可視スペクトル範囲（ＶＩＳ）で約８０％より高い透過率Ｔおよび約１０Ω・ｃｍより低い抵抗率рを有するＴＣＯ被膜を付着するために使用される。
【００２５】
前述のＰＩＣＶＤ法を実施する本発明による反応器デバイスは、第１ガス供給デバイスを介してプロセス・ガスおよび／またはフラッシング・ガスのために割り当てられたガス供給デバイスに接続できる、あるいは接続されている、ガス入口およびガス出口を有するプラズマ室を含む。プラズマ室は、マイクロ波伝導体を介して、適切な強度およびパルス幅のマイクロ波パルスを発生する割り当てられたマイクロ波発生器に接続できる、または接続される、たとえばマイクロ波注入窓または石英管などのマイクロ波注入デバイスを提供される。本発明によれば、この場合、マイクロ波注入デバイスは、マイクロ波透過性ＴＣＯ保護デバイスによる導電性被膜の所望しない形成から保護される。さらに、被膜されるべき基板用の把持デバイス、誘導デバイスまたは輸送デバイスが追加として提供される。
【００２６】
保護デバイスは、プラズマ室とマイクロ波注入デバイスの間に配置される、たとえばフィルムまたは接着テープなどのマイクロ波透過性被膜デバイスまたは分離デバイスを特に含む。この場合、被膜デバイスまたは分離デバイスは、好ましくは、交換または清浄化できるように形成される。それはマイクロ波注入デバイスに直接付着または接着されてもよい。しかし、それはまた、プラズマ室または被膜室用のプラズマ不透過性分割壁または分離デバイスとして形成されてもよい。また、たとえばワインディングおよびアンワインディング・デバイスなどの被膜デバイスまたは分離デバイス用の輸送デバイスが提供されてもよい。
【００２７】
本発明による好ましい精製では、保護デバイスはまた、把持デバイスまたは誘導デバイス用および／またはマイクロ波注入デバイス用の第２ガス供給デバイスを含んでもよい。
【００２８】
さらに、それ自体用および／またはマイクロ波注入デバイス用の冷却デバイスを有する本発明による保護デバイスが提供されてもよい。
【００２９】
反応器デバイスはまた、特に、方法シーケンスを制御する制御デバイスを追加として含んでもよい。
【００３０】
次の表１では、本発明によるＰＩＣＶＤ法によって付着されたいくつかのＴＣＯ層の重要な特性データが例としてまとめられており、前記層は、前述のタイプのＰＩＣＶＤ平坦反応器のプラズマ室または被膜室内で実質的に平坦なガラス基板またはプラスチック基板に付着された。商品名カプトン（登録商標）で商業的に入手可能なポリカーボネート（ＰＣ）およびポリイミドがプラスチックとして使用された。
【００３１】
ＰＩＣＶＤ平坦反応器は、割り当てられたマイクロ波発生器によって発生され、マイクロ波導波路を介してマイクロ波注入窓に供給される、必要とされるマイクロ波を注入するためのマイクロ波注入窓を含んでいた。注入されたマイクロ波パルスのパルス幅およびパルス分離は、３〜９ｋＷのマイクロ波出力で１〜４ｍｓまたは１０〜８０ｍｓであった。
【００３２】
この場合、プラズマ室内のプロセス圧力は、１５０〜３００μｂａｒであった。
【００３３】
プラズマ室を通る総ガス流は、毎分１００〜４００標準立方センチメートル（ＳＣＣＭ）であった。０．２５〜４ＳＣＣＭのＣＦ４でドープされた１００〜４００ＳＣＣＭの酸素が、キャリア・ガスとして使用された。キャリア・ガス内で１から６６．７％までの間の濃度を有する四塩化スズまたはテトラメチルスズ（ＴＭＴ）が前駆ガスとして使用された。
【００３４】
８７〜９９ＳＣＣＭの窒素がプラズマ室用のフラッシング・ガスとして使用された。
【００３５】
基板温度Ｔｓは、ＰＣ基板の場合の１００℃から、ガラス基板の場合の高くても３２０℃までの間であった。
被膜されるべき基板は、マイクロ波注入窓が完全に被膜され、そこで所望しないＴＣＯ被膜の形成が確実に妨げられるように、被膜されるべきでない面をマイクロ波注入窓に接して配置または付着された。一方、プラズマ室に面する基板の面は、以下に与えられた特性を有する所望の導電性ＳｎＯ２：Ｆ被膜を備えていた。
【００３６】
【表１】
2008513601.tif 000002
【００３７】
プラスチック基板の場合、ＨＭＤＳＯ接着促進勾配層がＳｎＯ２：Ｆ被膜の堆積前にまず付着された。
【００３８】
前述の例示的実施形態の場合、層厚ｄは０．２〜０．７μｍであった。しかし、本発明による前述の方法はまた、約８μｍまでの層厚ｄを有するＴＣＯ被膜を堆積するためにも使用された。さらに、ほんの約０．１μｍしかない厚さｄを有するＴＣＯ層も生成された。
【００３９】
前述のＴＣＯ層の抵抗率ρは、ガラス基板の場合の６．１０−４Ω・ｃｍからＰＣ基板の場合の０．１６Ω・ｃｍまでの間にある。
【００４０】
約１０８Ωまでの表面抵抗率Ｒｓｑを有するＴＣＯ層も堆積された。
【００４１】
ガラス基板の場合にも、プラスチック基板の場合にも、可視スペクトル範囲（ＶＩＳ）内のＴＣＯ層の透過率Ｔは、８０％より高いこともある。
【国際調査報告】
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2008513601.tif 000004
2008513601.tif 000005
2008513601.tif 000006
2008513601.tif 000007
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