(57)【要約】【課題】金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを形成する方法を提供することにある。【解決手段】この方法では、誘電体層（１０２、１０６）が下部導体層（１００）の上に形成され、上部導体層（１０４、１０８）が誘電体層の上に形成される。次に本発明は、上部導体層および誘電体層の上にエッチング・ストップ層（２００）を形成し、エッチング・ストップ層の上にハードマスク（２０２）（酸化シリコン・ハードマスク、窒化シリコン・ハードマスクなど）を形成する。次に、フォトレジスト（３００）がハードマスクの上にパターン形成され、これにより、フォトレジストを介してハードマスク、エッチング・ストップ層、誘電体層、および下部導体層にエッチングを施すことができる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの下部キャパシタ・プレートと少なくとも１つの配線パターンとを含む下部導体層と、
前記下部キャパシタ・プレートの上の少なくとも１つのキャパシタ誘電体と、
前記キャパシタ誘電体の上の少なくとも１つの上部キャパシタ・プレートと、
前記上部キャパシタ・プレートの上のハードマスクと、
を有する、金属−絶縁体−金属キャパシタ構造。
【請求項２】
前記ハードマスクが前記上部キャパシタ・プレートの上面および側面に沿って位置する、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記ハードマスクが前記下部導体層内のエッチング・パターンと一致するパターンを有する、請求項１に記載の構造。
【請求項４】
前記下部キャパシタ・プレート、前記キャパシタ誘電体、および前記上部キャパシタ・プレートが金属−絶縁体−金属キャパシタを構成する、請求項１に記載の構造。
【請求項５】
前記金属−絶縁体−金属キャパシタがシングル金属−絶縁体−金属キャパシタを有し、前記構造が少なくとも１つのデュアル金属−絶縁体−金属キャパシタをさらに有し、前記デュアル金属−絶縁体−金属キャパシタが第２のキャパシタ誘電体と第２の上部プレートとを含む、請求項４に記載の構造。
【請求項６】
前記ハードマスクを覆う絶縁体層をさらに有し、前記ハードマスクが前記絶縁体層とは異質のものである、請求項１に記載の構造。
【請求項７】
前記配線パターン内のワイヤ間の間隔が前記下部キャパシタ・プレートの底面の上の前記上部キャパシタ・プレートの高さのほぼ１／３である、請求項１に記載の構造。
【請求項８】
少なくとも１つの下部キャパシタ・プレートと少なくとも１つの配線パターンとを含む下部導体層と、
前記下部キャパシタ・プレートの上の少なくとも１つのキャパシタ誘電体と、
前記キャパシタ誘電体の上の少なくとも１つの上部キャパシタ・プレートと、
前記上部キャパシタ・プレート上のエッチング・ストップ層と、
前記エッチング・ストップ層上のハードマスクと、
を有する、金属−絶縁体−金属キャパシタ構造。
【請求項９】
前記エッチング・ストップ層が前記上部キャパシタ・プレートの上面および側面に沿って位置する、請求項８に記載の構造。
【請求項１０】
前記ハードマスクが前記下部導体層内のエッチング・パターンと一致するパターンを有する、請求項８に記載の構造。
【請求項１１】
前記下部キャパシタ・プレート、前記キャパシタ誘電体、および前記上部キャパシタ・プレートが金属−絶縁体−金属キャパシタを構成する、請求項８に記載の構造。
【請求項１２】
前記金属−絶縁体−金属キャパシタがシングル金属−絶縁体−金属キャパシタを有し、前記構造が少なくとも１つのデュアル金属−絶縁体−金属キャパシタをさらに有し、前記デュアル金属−絶縁体−金属キャパシタが第２のキャパシタ誘電体と第２の上部プレートとを含む、請求項１１に記載の構造。
【請求項１３】
前記ハードマスクを覆う絶縁体層をさらに有し、前記ハードマスクが前記絶縁体層とは異質のものである、請求項８に記載の構造。
【請求項１４】
前記配線パターン内のワイヤ間の間隔が前記下部キャパシタ・プレートの底面の上の前記上部キャパシタ・プレートの高さのほぼ１／３である、請求項８に記載の構造。
【請求項１５】
金属−絶縁体−金属キャパシタを形成する方法であって、
下部導体層の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層の上に上部導体層をパターン形成するステップと、
前記上部導体層および前記誘電体層の上にハードマスクを形成するステップと、
前記ハードマスクの上にフォトレジストをパターン形成するステップと、
前記フォトレジストを介して前記ハードマスク、前記誘電体層、および前記下部導体層にエッチングを施すステップと、
を備える方法。
【請求項１６】
前記エッチング・プロセスが、前記下部導体層内の下部キャパシタ・プレートと配線パターンを同時にパターン形成する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ハードマスクが、前記エッチング・プロセス中に隅が丸くならないように前記上部導体層を保護する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記上部導体層のパターン付き部分が前記キャパシタの上部プレートを有し、前記上部プレートの下の前記下部導電層のパターン付き部分が前記キャパシタの下部プレートを有し、前記上部プレートと前記下部プレートとの間の前記誘電体層のパターン付き部分がキャパシタ誘電体を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記エッチング・プロセスが、前記ハードマスク、前記上部導体層、前記誘電体層、および前記下部導体のうちの１つまたは複数に種々のエッチングが使用されるマルチステップ・エッチング・プロセスを備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記ハードマスクを形成する前記ステップの前に、
前記上部導体層の上に第２の誘電体層を形成するステップと、
前記上部導体層の上に第３の導体層をパターン形成するステップと、
をさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記ハードマスクが、酸化シリコン・ハードマスクおよび窒化シリコン・ハードマスクのうちの１つを有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
金属−絶縁体−金属キャパシタを形成する方法であって、
下部導体層の上に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層の上に上部導体層をパターン形成するステップと、
前記上部導体層および前記誘電体層の上にエッチング・ストップ層を形成するステップと、
前記エッチング・ストップ層の上にハードマスクを形成するステップと、
前記ハードマスクの上にフォトレジストをパターン形成するステップと、
前記フォトレジストを介して前記ハードマスク、前記エッチング・ストップ層、前記誘電体層、および前記下部導体層にエッチングを施すステップと、
を備える方法。
【請求項２３】
前記エッチング・プロセスが、前記下部導体層内の下部キャパシタ・プレートと配線パターンを同時にパターン形成する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ハードマスクが、前記エッチング・プロセス中に隅が丸くならないように前記上部導体層を保護する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記上部導体層のパターン付き部分が前記キャパシタの上部プレートを有し、前記上部プレートの下の前記下部導電層のパターン付き部分が前記キャパシタの下部プレートを有し、前記上部プレートと前記下部プレートとの間の前記誘電体層のパターン付き部分がキャパシタ誘電体を有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記エッチング・プロセスが、前記ハードマスク、前記エッチング・ストップ、前記上部導体層、前記誘電体層、および前記下部導体のうちの１つまたは複数に種々のエッチングが使用されるマルチステップ・エッチング・プロセスを備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記エッチング・ストップ層を形成する前記ステップの前に、
前記上部導体層の上に第２の誘電体層を形成するステップと、
前記上部導体層の上に第３の導体層をパターン形成するステップと、
をさらに備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記ハードマスクが、酸化シリコン・ハードマスクおよび窒化シリコン・ハードマスクのうちの１つを有する、請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、ハードマスクがキャパシタの上に形成され、フォトレジストがハードマスクの上にパターン形成され、それにより、キャパシタの上部プレートを損傷せずに、フォトレジストを介してキャパシタと対応する配線層に同時にエッチングを施すことができる、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ：metal-insulator-metal）キャパシタを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
キャパシタは集積回路技術で広く使用されている。１つのタイプの周知のキャパシタは金属−絶縁体−金属キャパシタ（ＭＩＭＣａｐ：metal-insulator-metal capacitor）である。このタイプのキャパシタは、誘電体によって分離された下部導電プレートと上部導電プレートとを有する。金属−絶縁体−金属キャパシタを製造する場合、誘電体と上部プレートは導電層上にパターン形成される。次に、下部導電プレート内に導電層をパターン形成するために、誘電体および上部プレートの上にフォトレジストが形成される。しかし、フォトレジストは時には上部プレートの隅で薄くなりすぎる場合があり、これにより、望ましくないことに上部プレートの隅が下にある導電層のパターン形成中に侵食される（丸められる）。
【０００３】
この問題を克服するために、より厚いフォトレジストを使用することができるであろう。しかし、フォトレジストが厚くなるにつれて、より厚いフォトレジストによってパターン形成できる構造（キャパシタ、隣接配線など）同士の間隔が増大し、それにより望ましくないことに配線のピッチが増加する。線同士のピッチの増加（より厚いレジストにより線およびスペースがより広くなったことによって引き起こされる）が発生すると、そのレベルの配線密度の減少が発生する。これは、配線可能性（wirability）の損失を補正するための追加のレベルを必要とし、その技術の魅力を低下させ、より高価なものにする。
【０００４】
これに代わって、この問題は、すでにより広いピッチを有する集積回路構造内のあるレベルにすべてのＭＩＭＣａｐを移動することによって克服することができる。しかし、これも、ＭＩＭＣａｐを有する設計のためにより広いピッチ・レベルが存在することを必要とし、同じくコストおよび複雑さを追加するので、魅力のないものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以下に記載する本発明は、フォトレジストの厚さを増加せずにこの問題を解決するものであり、実際に、かなり薄いフォトレジストの使用を可能にする。したがって、本発明は、配線のピッチを増加せずに上部プレートの隅が丸くなるという問題を克服するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを形成する方法を含む。この方法では、誘電体層が下部導体層の上に形成され、上部導体層が誘電体層の上に形成される。上部導体層はまず、フォトリソグラフィ・プロセスとそれに続くエッチング・プロセスを使用してパターン形成される。次に、本発明は、上部導体層および誘電体層の上にエッチング・ストップ層を形成し、エッチング・ストップ層の上にハードマスク（酸化シリコン・ハードマスク、窒化シリコン・ハードマスクなど）を形成する。次に、フォトレジストがハードマスクの上にパターン形成され、これにより、フォトレジストを介してハードマスク、エッチング・ストップ層、誘電体層、および下部導体層にエッチングを施すことができる。
【０００７】
このエッチング・プロセスは、下部導体層内の下部キャパシタ・プレートと配線パターンを同時にパターン形成する。さらに、このエッチング・プロセスは、ハードマスク、上部導体、誘電体層、エッチング・ストップ、下部導体などのうちの１つまたは複数をパターン形成するために種々のエッチングが使用されるマルチステップ・エッチング・プロセスを備えることができる。ハードマスクは、エッチング・プロセス中に隅が丸くならないように上部導体層を保護する。
【０００８】
上部導体層のパターン付き部分はキャパシタの上部プレートを有し、上部プレートの下の下部導電層のパターン付き部分はキャパシタの下部プレートを有し、上部プレートと下部プレートとの間の誘電体層のパターン付き部分はキャパシタ誘電体を有する。
【０００９】
また、本発明は、上ハードマスクが形成される前に、上部導体層の上に第２の誘電体層を形成し、上部導体層の上に第３の導体層をパターン形成することにより、デュアルＭＩＭキャパシタも形成することができる。
【００１０】
この方法は、少なくとも１つの下部キャパシタ・プレートと少なくとも１つの配線レベルとを含む下部導体層を有するＭＩＭキャパシタを作り出す。この構造は、キャパシタ・プレートの上の少なくとも１つのキャパシタ誘電体と、キャパシタ誘電体の上の少なくとも１つの上部キャパシタ・プレートも含む。本発明は、上部キャパシタ・プレート上のエッチング・ストップ層とエッチング・ストップ層上のハードマスクを使用することができるか、またはエッチング・ストップ層を省略することもできる。エッチング・ストップ層（またはハードマスク）は、上部キャパシタ・プレートの上面および側面に沿って位置する。
【００１１】
ハードマスクは、下部導体層内のエッチング・パターンと一致するパターンを有する。下部キャパシタ・プレート、キャパシタ誘電体、および上部キャパシタ・プレートは金属−絶縁体−金属キャパシタを形成する。金属−絶縁体−金属キャパシタは、シングル金属−絶縁体−金属キャパシタまたはデュアル金属−絶縁体−金属キャパシタにすることができる。デュアル金属−絶縁体−金属キャパシタは、第２のキャパシタ誘電体と第２の上部プレートとを含むことになるであろう。最終構造では、絶縁体層がハードマスクを覆うが、ハードマスクは絶縁体層とは異質のものである。ハードマスクは、絶縁体層とは化学的に異質なものにするか、化学的に類似であるが構造的に異なる（異なるプロセスで形成される）ものにすることができる。
【００１２】
さらに、本発明はハードマスクを使用するので、ハードマスクおよび下にある導体層をパターン形成するために、かなり薄いフォトレジストを使用することができる。これにより、本発明は、厚いフォトレジストで形成できるものよりかなり小さい構造体（feature）を形成することができる。たとえば、本発明により、配線パターン内のワイヤ間の間隔を上部キャパシタ・プレートの高さのほぼ１／３程度の小さいものにすることができる。
【００１３】
したがって、本発明は、ＭＩＭＣａｐの底部プレートと配線レベルを同時にパターン形成するためにハードマスクを使用し、所望の細かいピッチに応じて誘電体ハードマスクをパターン形成するためにより薄いレジストを使用することができる。ハードマスクはＭＩＭＣａｐに対してより良好な保護を提供するので、本発明は、下にある導電層をパターン形成するためにハードマスク・パターン形成からの残留レジストを使用する。さらに、本発明は、プロセスの複雑さおよびコストをさらに低減するために、エッチング・ストップとハードマスクを統合する。したがって、本発明は、重要なトポグラフィを有する大きい構造と非常に細かいピッチの構造を同時にパターン形成するが、これは本発明以前は不可能であった。
【００１４】
本発明の上記その他の態様および目的は、以下の説明および添付図面に併せて考慮したときにより適切に認識し理解されるであろう。しかし、以下の説明は本発明の好ましい諸実施形態および多数のその具体的な詳細を示しているが、限定のためではなく例示のために示されていることを理解されたい。その精神を逸脱せずに本発明の範囲内で多くの変更および修正を行うことができ、本発明はこのような修正をすべて含むものである。
【００１５】
本発明は、図面に関連して以下の詳細な説明からより適切に理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明およびその様々な特徴および有利な詳細については、添付図面に例示され、以下の説明に詳述されている無制限の諸実施形態に関してより完全に説明する。図面に例示されている特徴は必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではないことに留意されたい。不必要に本発明を曖昧にしないために、周知の構成要素および処理技法に関する説明は省略されている。本明細書で使用される例は、単に本発明を実施できる方法の理解を容易にするためのものであり、さらに、当業者が本発明を実施できるようにするためのものである。したがって、これらの例は本発明の範囲を制限するものと解釈してはならない。
【００１７】
前述の通り、ＭＩＭＣａｐタイプのキャパシタは、誘電体によって分離された下部導電プレートと上部導電プレートとを有する。デュアルＭＩＭＣａｐは、同じ下部導電プレート、誘電体、および上部導電プレートを有し、第２の誘電体（上部導電プレートの上）と、第２の誘電体の上の第２の上部導電プレートも含む。このような構造についてはいずれも以下の図面に例示されている。
【００１８】
図１に図示されている通り、誘電体層１０２は下部導体層１００の上に形成され、次に上部導体層１０４は誘電体層１０２の上にパターン形成される。項目１１０は基板を表している。同様に、デュアル金属−絶縁体−金属キャパシタが形成される領域については、第１の上部導体プレートがパターン形成される前に、第２の誘電体１０６がパターン形成され、第２の上部導体プレート１０８もパターン形成される。これらの構造を形成するために使用される材料およびプロセスは当業者にとって周知のものであり、読者の関心が本発明の顕著な特徴に集中するように、その詳細な説明は回避される。
【００１９】
図２に図示されている通り、次に本発明は任意選択で上部導体層１０４、１０８および誘電体層１０２、１０６の上にエッチング・ストップ層２００（窒化物など）を形成し、熱成長、化学的気相堆積（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）、プラズマ蒸着（ＰＶＤ：plasma vapor deposition）などの任意の従来の付着プロセスを使用して、エッチング・ストップ層２００の上にハードマスク２０２（酸化シリコン・ハードマスク、窒化シリコン・ハードマスクなど）を形成する。次に、図３に図示されている通り、フォトレジスト３００がハードマスク２０２の上にパターン形成される。以下に示す通り、ハードマスク２０２、エッチング・ストップ層２００、誘電体層１０２、および下部導体層１００には、フォトレジスト３００を介してエッチングが施される。
【００２０】
次に、任意の従来のエッチング・プロセス（選択的反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ：reactive ion etching）など）を実行して、図４に図示されている通り、エッチング・ストップ層２００上で部分的に停止するかまたはエッチング・ストップ層２００を完全に貫通してハードマスク２０２の複数部分を除去する。これにより開口部４０２が形成される。このプロセスは、図４の矢印４００によって図示されている通り、フォトレジスト３００の何らかの侵食を引き起こす。ハードマスク２０２は、エッチング・プロセス中に隅が丸くならないように上部導体層１０４を保護する。
【００２１】
フォトレジスト３００と比較した場合のハードマスク２０２のエッチングの選択性は、典型的なハードマスク・エッチング・プロセス用のフォトレジスト３００と比較した場合の導体１０４、１０８のエッチングの選択性より高い。したがって、より薄フォトレジスト３００をハードマスク２０２とともに所定の位置に使用することができる。さもなければ、酸化物１０２または導体１００にエッチングを施す場合、エッチングの選択性が低下しているので、ハードマスク３００がなければ、より厚いフォトレジスト３００が必要になるであろう。というのは、このようなエッチング・プロセスではフォトレジスト３００の消費量が増加すると思われるからである。ハードマスク２０２を使用することにより、ハードマスク材料２０２の消費量が増加し、フォトレジスト３００の消費量が減少し、これにより、フォトレジスト３００をより薄いものにすることができる。より薄いフォトレジストを使用する場合、より小さい開口部をパターン形成することができ、このため、構造体同士の間隔をより接近したものにすることができ、それにより、任意の配線パターンのピッチが減少する。
【００２２】
このエッチング・プロセスは、下部導体層１００内の下部キャパシタ・プレートと配線パターンを同時にパターン形成することができる。このエッチング・プロセスは、単一ステップ・エッチング・プロセスを備えるか、ハードマスク２０２、上部導体、誘電体層１０２、エッチング・ストップ２００、または下部導体１００、あるいはこれらの組み合わせなどをパターン形成するために種々のエッチングが使用されるマルチステップ・エッチング・プロセスを備えることができる。ある例では、図４のハードマスク開口手順（ＨＭＯ：hardmask opening procedure）からの残留レジストを使用して、その後の金属エッチング（図５）中に側壁を重合し、指向性および適切なプロファイル（輪郭）を提供する。何種類のエッチング・プロセスが必要であるかという差異は、使用される種々の材料および使用される種々のタイプのエッチング・プロセス次第で変化する。
【００２３】
図５は、下部導体層１００によりエッチングが完了した構造を示している。これらのエッチング・プロセスは開口部５０２を形成するものである。矢印５００によって図示されている通り、追加のエッチング・プロセスがフォトレジスト３００をさらに侵食することに留意されたい。このエッチング・プロセスはハードマスク２０２の一部を除去する可能性もあるが、上部導体プレート１０４、１０８はエッチング・プロセスの影響を受けず、背景技術の項で論じた隅が丸くなる問題を被らない。このプロセスは、下部導体プレート５０４ならびに配線パターン５０６を下部導体層１００から同時に形成する。
【００２４】
図６に図示されている通り、本発明は、少なくとも１つの下部キャパシタ・プレート５０４と少なくとも１つの配線パターン５０６とを含む下部導体層１００を有するＭＩＭキャパシタを作り出す。この構造は、キャパシタ・プレートの上の少なくとも１つのキャパシタ誘電体１０２、１０６と、キャパシタ誘電体の上の少なくとも１つの上部キャパシタ・プレート１０４、１０８も含む。本発明は、上部キャパシタ・プレート上のエッチング・ストップ層２００およびエッチング・ストップ層２００上のハードマスク２０２を使用することができるか、またはエッチング・ストップ層２００を省略することもできる。エッチング・ストップ層２００またはハードマスク２０２は、上部キャパシタ・プレートの上面および側面に沿って位置する。
【００２５】
ハードマスク２０２は、下部導体層１００内のエッチング・パターンと一致するパターンを有する。下部キャパシタ・プレート５０４、キャパシタ誘電体１０２、１０６、および上部キャパシタ・プレート１０４、１０８は、シングル金属−絶縁体−金属キャパシタまたはデュアル金属−絶縁体−金属キャパシタのいずれかを形成することができる。デュアル金属−絶縁体−金属キャパシタは、第２のキャパシタ誘電体１０６と第２の上部プレート１０８とを含む。加えて、エッチング・ストップ層２００は構造内に存続する。
【００２６】
最終構造では、絶縁体層６００（たとえば、層間誘電体（ＩＬＤ：inter-layer dielectric））がハードマスク２０２を覆うが、ハードマスク２０２は絶縁体層６００とは異質のものである。ハードマスク２０２は、絶縁体層６００とは化学的に異質なものにするか、化学的に類似であるが構造的に異なる（異なるプロセスで形成される）ものにすることができる。絶縁体層６００とハードマスク２０２との差異７００は図７に顕微鏡写真の形で示すことができる。
【００２７】
上記の処理は図８に流れ図の形で示されている。より具体的には、項目８００で本発明は下部導体層の上に誘電体層を形成することから始まり、項目８０２で誘電体層の上に上部導体層が形成される。次に本発明は、上部導体層および誘電体層の上にエッチング・ストップ層を形成し（８０４）、項目８０６でエッチング・ストップ層の上にハードマスクを形成する。次に、項目８０８でハードマスクの上にフォトレジストがパターン形成され、これにより、フォトレジストを介してハードマスク、エッチング・ストップ層、誘電体層、および下部導体層にエッチングを施すことができる。
【００２８】
このエッチング・プロセスは、下部導体層８１０から下部キャパシタ・プレートと配線パターンを同時にパターン形成する。このエッチング・プロセス８１０は、ハードマスク、上部導体、誘電体層、エッチング・ストップ、下部導体などのうちの１つまたは複数をパターン形成するために種々のエッチングが使用されるマルチステップ・エッチング・プロセスを備えることができる。ハードマスクは、エッチング・プロセス中に隅が丸くならないように上部導体層を保護する。
【００２９】
上記で説明した通り、本発明はハードマスクを使用するので、ハードマスクおよび下にある導体層をパターン形成するために、かなり薄いフォトレジスト３００を使用することができる。これにより、本発明は、厚いフォトレジスト３００で形成できるものよりかなり小さい構造体を形成することができる。たとえば、本発明により、配線パターン５０６内のワイヤ間の間隔を（底部プレートの底面の上の）上部キャパシタ・プレートの高さのほぼ１／３程度の小さいものにすることができる。
【００３０】
したがって、本発明は、ＭＩＭＣａｐの底部プレートと配線レベルをパターン形成するためにハードマスク２０２を使用し、所望の細かいピッチに応じて誘電体ハードマスク２０２をパターン形成するためにより薄いレジストを使用することができる。ハードマスク２０２はＭＩＭＣａｐに対してより良好な保護を提供するので、本発明は、下にある導電層をパターン形成するためにハードマスク２０２のパターン形成からの残留レジストを使用する。さらに、本発明は、プロセスの複雑さおよびコストをさらに低減するために、エッチング・ストップとハードマスク２０２を統合する。したがって、本発明は、重要なトポグラフィを有する大きい構造と非常に細かいピッチの構造を同時にパターン形成するが、これは本発明以前は不可能であった。
【００３１】
好ましい諸実施形態に関して本発明を説明したが、当業者であれば、特許請求の範囲の精神および範囲内の変更によって本発明を実施できることを認識するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明により部分的に完成した集積回路構造の概略断面図である。
【図２】本発明により部分的に完成した集積回路構造の概略断面図である。
【図３】本発明により部分的に完成した集積回路構造の概略断面図である。
【図４】本発明により部分的に完成した集積回路構造の概略断面図である。
【図５】本発明により部分的に完成した集積回路構造の概略断面図である。
【図６】本発明により部分的に完成した集積回路構造の概略断面図である。
【図７】絶縁体層とハードマスクとの差異を示す顕微鏡写真である。
【図８】本発明の好ましい一方法を示す流れ図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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