(57)【要約】各々内部における半独立ＡＬＤと／またはＣＶＤ被膜形成（成膜）用に構成された複数の別個のシングルウェハ処理リアクタを有する１以上のウェハ処理モジュー*1ルと；該各ウェハ処理モジュールにウェハを供給すると共に該各ウェハ処理モジュールからウェハを受け取るよう構成されたロボット式中央ウェハハンドラと；ローディング／アンローディング・ポートと該ローディング／アンローディング・ポートを該ロボット式中央ウェハハンドラに結合するミニ環境を備えるシングルウェハ・ローディング／アンローディング機構と；を備えたウェハ処理装置。該ウェハ処理リアクタは、（Ｉ）１座標軸が、該シングルウェハ処理リアクタがそれぞれ属する該ウェハ処理モジュールの中の少なくとも１つのモジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の座標軸に沿って配置する、あるいは（ＩＩ）該座標軸により定まる象限内に配置することが可能である。各処理モジュールは、最大４つのシングルウェハ処理リアクタを各々独立のガス分配モジュールと共に備えることができる。
2008513980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のウェハ処理モジュールであって、各々（ｉ）内部における半独立ＡＬＤおよび／またはＣＶＤ成膜用に構成された複数の別個のシングルウェハ処理リアクタ、および（ｉｉ）該各ウェハ処理モジュールのシングルウェハ処理リアクタにウェハを供給すると共にそこからからウェハを取り出すよう構成されたウェハ・ピックアンドプレース割り出し器機構を有するウェハ処理モジュールと、
該各ウェハ処理モジュールにウェハを供給すると共にそこからウェハを受け取るよう構成されたロボット式中央ウェハハンドラと、を備えたウェハ処理装置。
【請求項２】
少なくとも１つの前記ウェハ処理モジュールの前記シングルウェハ処理リアクタを、１座標軸が、該シングルウェハ処理リアクタがそれぞれ属するウェハ処理モジュールの中の少なくとも１つのモジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の座標軸に沿って配置してウェハ処理を行うよう構成した請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項３】
少なくとも１つ前記ウェハ処理モジュールの前記シングルウェハ処理リアクタを、１座標軸が、該シングルウェハ処理リアクタがそれぞれ属するウェハ処理モジュールの中の少なくとも１つのモジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の座標軸により定まる象限に配置してウェハ処理を行うよう構成した請求項１に記載のウェハ処理装置。
【請求項４】
前記ウェハ処理モジュールの少なくとも１つが４つのシングルウェハ処理リアクタを備えた請求項２または３のいずれか１項に記載のウェハ処理装置。
【請求項５】
前記の少なくとも１つのウェハ処理モジュールの前記各シングルウェハ処理リアクタが、独立のガス分配モジュールを備えた請求項２または３のいずれか１項に記載のウェハ処理装置。
【請求項６】
前記の少なくとも１つのウェハ処理モジュールの前記各シングルウェハ処理リアクタが、共通のガス排気システムを共用する請求項２または３のいずれか１項に記載のウェハ処理装置。
【請求項７】
前記シングルウェハ処理リアクタを内蔵する処理チェンバ上にスタックした化学物質供給源サブモジュール、および該化学物質供給源サブモジュール上にスタックした電気的操作部サブモジュールをさらに備えた請求項２または３のいずれか１項に記載のウェハ処理装置。
【請求項８】
前記電気的操作部サブモジュールと前記化学物質供給源サブモジュールが、１本以上の案内支柱に沿って互いに、また前記処理チェンバに対して垂直方向に移動可能である請求項６に記載のウェハ処理装置。
【請求項９】
ウェハ処理モジュールにおいて、１座標軸が、ウェハ処理モジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の象限に配置された最大４つの半独立処理ゾーンを備え、該半独立処理ゾーンを、それらの中の対象とする１つの処理ゾーンからその隣接処理ゾーンへのリーク反応物の堆積速度が該対象とする処理ゾーンにおける反応物堆積速度の５×１０-2以下の量で行われるようウェハ処理を行うべく構成したウェハ処理モジュール。
【請求項１０】
前記処理ゾーンが、ウェハを前記半独立処理ゾーンに対してローディング／アンローディングするよう構成されたウェハ割り出し器により均等にアクセス可能である請求項９に記載のウェハ処理モジュール。
【請求項１１】
前記半独立処理ゾーンが各々独立のガス分配モジュールを備えた請求項９に記載のウェハ処理モジュール。
【請求項１２】
前記半独立処理ゾーンが共通のガス排出システムを共用する請求項９に記載のウェハ処理モジュール。
【請求項１３】
前記共通のガス排出システムを、前記の各半独立処理ゾーンからの方位対称排気を可能とするよう構成した請求項１２に記載のウェハ処理モジュール。
【請求項１４】
ウェハ処理モジュールにおいて、１座標軸が、ウェハ処理モジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の座標軸に沿って配置された最大４つの半独立処理ゾーンを備え、該半独立処理ゾーンを、それらの中の対象とする１つの処理ゾーンからその隣接処理ゾーンへのリーク反応物の堆積速度が該対象とする処理ゾーンにおける反応物堆積速度の５×１０-2以下の量で行われるようウェハ処理を行うべく構成したウェハ処理モジュール。
【請求項１５】
前記処理ゾーンが、ウェハを前記半独立処理ゾーンに対してローディング／アンローディングするよう構成されたウェハ割り出し器により均等にアクセス可能である請求項１４に記載のウェハ処理モジュール。
【請求項１６】
前記半独立処理ゾーンが各々独立のガス分配モジュールを備えた各請求項１４に記載のウェハ処理モジュール。
【請求項１７】
前記半独立処理ゾーンが共通のガス排出システムを共用する請求項１４に記載のウェハ処理モジュール。
【請求項１８】
前記共通のガス排出システムを、前記の各半独立処理ゾーンからの方位対称排気を可能とするよう構成した請求項１７に記載のウェハ処理モジュール。
【請求項１９】
電気的操作部とリアクタの蓋に結合されたガス供給源モジュールとのスタックを有するウェハ処理モジュールにおいて、該スタックが垂直方向に移動可能であり、また案内下にリアクタチェンバから分離可能であり、これによって該リアクタの蓋、電気的操作部およびガス供給源モジュールを全体的にあるいは個々に取り外すことができるようにしたウェハ処理モジュール。
【請求項２０】
処理モジュールハウジングのマルチウェハ割り出し器機構の個別にウェハエンドエフェクタを用いてシングルウェハをマルチ−シングルウェハ反応室ゾーンに対して出し入れするウェハハンドリング方法において、各該マルチ−シングルウェハ反応室ゾーンが、（ｉ）真空ロボット式中央ウェハハンドラから逐次ウェハを受け取ると共に該真空ロボット式中央ウェハハンドラに渡し、（ｉｉ）各反応室ゾーン内のリアクタサセプタ上に該ウェハを載置しかつほぼ同時にそこから取り出すことが可能なウェハハンドリング方法。
【請求項２１】
ウェハ処理装置において、１以上のウェハ処理モジュールであって、各々（ｉ）内部における半独立ＡＬＤおよび／またはＣＶＤ成膜用に構成された複数の別個のシングルウェハ処理リアクタ、および（ｉｉ）各該ウェハ処理モジュールのシングルウェハ処理リアクタにウェハを供給すると共にそこからからウェハを取り出すよう構成されたウェハ・ピックアンドプレース・割り出し器機構を有するウェハ処理モジュールと、
各該ウェハ処理モジュールにウェハを供給すると共にそこからウェハを受け取るよう構成されたロボット式中央ウェハハンドラと、
各組のスタックがそれぞれ該処理モジュールの１つに対応する電気的操作部と化学物質供給源サブモジュールの１組以上の垂直スタックで、該各組の電気的操作部と化学物質供給源サブモジュールが案内支柱に沿って互いに、また各該処理モジュールの処理チェンバに対して垂直方向に移動可能であり、各該処理チェンバがそれぞれの処理モジュールの複数の別個のシングルウェハ処理リアクタを格納する１組以上の垂直スタックと、を備えたウェハ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本願は、２００４年９月１３日出願の米国仮特許出願第６０／６０９，５９８号の正式出願であり、同仮特許出願の優先権を主張し、同仮特許出願を参照により援用する。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、複数のシングルウェハ処理チェンバ（リアクタ）を有する半導体ウェハ処理装置（例えば、原子層成膜装置、化学蒸着（化学気相成膜）装置、プラズマ蒸着装置、クリーニング装置、エッチング装置など）の構成に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
薄膜技術の分野においては、より大きい製造歩留まりとより高い生産性が求められ、そのことがこれまで新しいウェハ処理装置開発を支える原動力であったし、これからもそうであり続けると思われる。例えば、現在商業生産ベースで用いられている多くの原子層成膜（ＡＬＤ）システムでは、被膜しようとする基板をいくつかの異なる面に配置し、かつ比較的多数の基板を単一のリアクタ内で同時に被膜加工するバッチ処理法を使用する。このような装置が多く受け入れられている主な理由は、ＡＬＤは本質的に成膜速度が競合関係にある他のプロセスより低いことにある。いくつかの基板をバッチ反応室で同時に（並行して）処理することによって、ウェハの総処理量を大きくすることができる。
【０００４】
しかしながら、不都合なことに、バッチ処理には、いくつか固有の短所があり、ＡＬＤにおける処理量（スループット）の制約をバッチ処理によって解決しようとすることは、一組の問題をもう一組の問題に置き換えるようなものであるように思われる。例えば、バッチ処理システムでは、基板の相互汚染が重大な問題を引き起こす。また、バッチ処理は、プロセス制御や、基板間、バッチ間のプロセス再現性を阻み、かつ後処理として裏面成膜の問題を解決するための膜除去法が必要になる。これらの要素はすべて、全体的なシステムメンテナンス、歩留まり、信頼性、それ故正味スループットと生産性に重大な影響を及ぼす。
【０００５】
したがって、複数の基板を処理することが可能である一方で魅力的なスループットと歩留まりが得られると共に、高価なクリーンルームやその関連の生産床面積の使用が少なくて済む生産性の高いＡＬＤシステムアーキテクチャが求められている。
【０００６】
この要求に対応するべく試みられた従来技術の一つの方法がメイダン（Ｍａｙｄａｎ）他の米国特許第５，８５５，６８１号に記載されている。とりわけ、この’６８１号特許には、各々一対のシングルウェハ処理部を持つ複数の処理チェンバを備えた半導体ウェハ処理装置が記載されている。各処理チェンバのこれらのウェハ処理部は互いに分離可能であるが、共通のガス供給源と共通の排気ポンプを共用する。これらの処理チェンバは、異なるウェハ処理部で互いに独立した複数の処理を同時に実行して、一対のウェハを各チェンバで同時に処理することができるよう構成されている。各処理チェンバの各処理部は共通のトランスファーチェンバに接続されており、そのトランスファーチェンバはロードロックチェンバから処理チェンバの一対のウェハ処理部へ２枚のウェハを同時に運ぶように構成されたウェハハンドラを備えている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
’６８１号特許は、特に、各処理チェンバのウェハ処理部が、「各ウェハ処理部が、隣接処理部と切り離され排気システムを介して該隣接処理部と選択的に連通可能な閉じ込めプラズマゾーンを有する」という点で、互いに分離可能であるとしている。しかしながら、ガスを各処理部内のガス分配システムに供給するガスラインは、単一の共通ガス供給源ラインに接続されており、それ故、処理チェンバの各処理部へのガス送給に関しては共用され、あるいは共通制御されることになる。
【０００８】
’６８１号特許の設計は、ローディングに関して１処理モジュール当たり２処理部を超えるローディングはできないように思われ、比較的小さいシステム設置面積内に２×３を超えるウェハ処理部を集めて設けることは制約を受ける。このように、’６８１号特許が提案する解決手段は確かにバッチ型環境におけるシングルウェハ処理の利点を一部助長するが、一度に処理できるウェハ数に制約がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、その一実施態様において、各々内部における半独立ＡＬＤおよび／またはＣＶＤ被膜形成用に構成された複数の別個のシングルウェハ処理リアクタを有する１以上のウェハ処理モジュールと；該各ウェハ処理モジュールにウェハを供給すると共に該各ウェハ処理モジュールからウェハを受け取るよう構成されたロボット式中央ウェハハンドラと；ローディング／アンローディング・ポートおよび該ローディング／アンローディング・ポートを該ロボット式中央ウェハハンドラに結合するミニ環境を備えるシングルウェハ・ローディング／アンローディング機構と；を備えたウェハ処理装置にある。該ウェハ処理モジュールの一部または全部におけるウェハ処理リアクタは、（ｉ）１座標軸が、該シングルウェハ処理リアクタがそれぞれ属する該ウェハ処理モジュールの中の少なくとも１つのモジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の座標軸に沿って、あるいは（ｉｉ）該座標軸により定まる象限内に配置してウェハ処理を行うことが可能である。各ウェハ処理モジュールは、最大４つのシングルウェハ処理リアクタを備えることができ、好適な構成では、１ウェハ処理モジュールにつき３つまたは４つのシングルウェハ処理リアクタを備える。各ウェハ処理モジュールの各シングルウェハ処理リアクタは、独立のガス分配モジュールを備える。
【００１０】
本発明のウェハ処理装置はさらに、シングルウェハ処理リアクタを内蔵する処理チェンバ上にスタックした化学物質供給源サブモジュール、および該化学物質供給源サブモジュール上にスタックした電気的操作部サブモジュールを備えるようにしてもよい。該電気的操作部サブモジュールと化学物質供給源サブモジュールは、１本以上の案内支柱に沿って互いに、また処理チェンバに対して垂直方向に移動可能である。
【００１１】
本発明は、もう一つの実施態様において、（ｉ）１座標軸が、該ウェハ処理モジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の象限に配置された、あるいは（ｉｉ）該座標系の座標軸に沿って配置された最大４つ（好ましくは３つまたは４つ）の半独立処理ゾーンを持つウェハ処理モジュールを備え、該半独立処理ゾーンは、それらの中の対象とする１つの処理ゾーンからその隣接処理ゾーンへの反応物のリークが、該対象とする処理ゾーンにおける反応物堆積速度の５×１０-2以下で行われるようウェハ処理を行うべく構成されている。処理ゾーンは、ウェハを半独立処理ゾーンに対してローディング／アンローディングするよう構成されたウェハ割り出し器(indexer)により均等にアクセス可能であることが望ましい。これらの各半独立処理ゾーンは、独立のガス分配モジュールを備えることができ、かつ／または半独立処理ゾーンは共通のガス排出システム（例えば、各半独立処理ゾーンからの方位対称排気が可能になるよう構成されたもの）を共用することが可能である。  
【００１２】
本発明のさらに他の実施態様は、電気的操作部とリアクタの蓋に結合されたガス供給源モジュールとのスタックを有するウェハ処理モジュールを備え、該スタックは垂直方向に移動可能であり、また案内下にリアクタチェンバから分離可能であり、これによってリアクタの蓋、電気的操作部、ガス供給源モジュールを全体的に、あるいは個々に取り外すことが可能である。  
【００１３】
本発明のもう一つの実施態様は、割り出し器の個々のエンドエフェクタを用いて真空ロボット式中央ウェハハンドラから逐次ウェハを受け取り、それらのウェハをマルチ−シングルウェハ反応室の各ゾーン内のリアクタサセプタ上にほぼ同時に載置して、各シングルウェハをマルチ−シングルウェハ反応室のゾーン内へ移動させあるいはそこから取り出すウェハハンドリング機能を備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を、例示説明のためで限定を目的としない添付図面に示す実施形態により説明する。
【００１５】
本明細書では、マルチ−シングルウェハ処理チェンバ（リアクタ）を有する半導体ウェハ処理装置（例えば、原子層成膜装置、化学蒸着（化学気相成膜）装置、プラズマ蒸着装置、クリーニング装置、エッチング装置など）の独特の構成について実施形態により詳細に説明する。本明細書においては、読み手による本発明の完全な理解を期すべく多くの詳細事項を記載するが、当業者にとっては、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、記載の実施形態について細部や規模における多くの変更・修正をなし得ることは明白であろう。例えば、現在集積回路の製造では多くのウェハサイズが用いられており、本発明のいくつかの実施形態により構成された処理ステーションは、個々のウェハサイズまたは一定範囲のウェハサイズに対応可能に構築することができる。さらに、以下に詳細に説明する特徴に加えて、本発明の実施形態は、少なくとも本発明者らの一部によって開発された関連ウェハ処理装置であって本発明の譲受人に譲渡され各々参照により本願に援用される下記の特許および特許出願に記載したウェハ処理装置の一部またはすべての特徴を含むことが可能である。
【００１６】
ａ．米国特許第６，３８７，１８５号、発明の名称「原子層成膜プロセス用の処理チェンバ」。この特許には、標準的なクラスタツールに適応可能な処理ステーションで、垂直並進可能なペデスタルを有し、該ペデスタルが該ペデスタルに設けた独特のフィードスルーに差し込まれるようになっているヒータプレートを備えた上部ウェハ支持面部を有する処理ステーションが記載されている。下方ペデスタル位置では、ウェハを処理ステーションへ、あるいは処理ステーションから移すことができ、また上方ペデスタル位置では、ペデスタルは処理チェンバの下部円形開口部と共に環状ポンピング流路を形成する。処理チェンバの下部開口部に取り外して交換可能なリングを設け、これを交換することによりポンプ速度を異なるプロセスに合わせて調節することが可能である。いくつかの実施形態においては、ペデスタルはその周りに環状ポンピング流路を形成する周囲シュラウドを有する。ペデスタルの最上部に合わせて設けた独特の２ゾーン型ヒータプレートをそれらのヒータプレートを迅速かつ容易に交換することが可能な独特のフィードスルーに結合する。いくつかの実施形態においては、処理チェンバの最上部を取り外し可能とすることにより、ペデスタルまたはヒータアセンブリあるいはこれらの両方を処理ステーションの開いた上端部から取り外すことができるようになっている。
【００１７】
ｂ．米国特許第５，８７９，４５９号、発明の名称「原子層成膜用の垂直スタック型プロセスリアクタおよびクラスタツールシステム」。この特許に開示された低高外形のコンパクト型原子層成膜リアクタ（ＬＰ−ＣＡＲ）は、単一基板または平面アレイ状に配列した基板を処理するよう構成された基板処理部を持つ低高外形の本体部と、ＬＰ−ＣＡＲに基板をローディング／アンローディングするためのバルブ付きローディング／アンローディング・ポートとを備えたものである。本体部は、ガスまたは蒸気を注入するようになっている入口を第１の端部に有し、かつガスと蒸気を排出するようになっている排気口を第２の端部に有する。このＬＰ−ＣＡＲは、固有のシステムアーキテクチャに好適となるよう、外形高さがすべての位置の水平寸法以下であり、より好ましくはすべての位置の水平寸法の３分の２以下である。内部の処理部は、ガス切り換えが容易なように、垂直長さが水平長さの４分の１以下という特徴がある。いくつかの実施形態においては基板を１枚ずつ処理し、他のいくつかの実施形態では、処理部に基板を平面アレイ状に配列して処理することができる。このコンパクトリアクタは、各々チャージバルブとインジェクションバルブとの間にチャージチューブを設けた個別型インジェクタを特徴とする。チャージバルブはチャージチューブを圧力調整したガス／蒸気供給源に接続し、インジェクションバルブはコンパクトリアクタに対してチャージチューブを開く。これらのバルブを高速で循環動作させることによって、一定質量分のガスまたは蒸気がコンパクトリアクタに射入される。このようなコンパクトリアクタを複数垂直方向にスタックし、適切な接続手段を介してＺ軸ロボットおよびロード／アンロード開口部を持つ真空ハンドリング部と接続する。
【００１８】
ｃ．米国特許出願公開公報第２００３／０１０９０９４号、発明の名称「超並列原子層成膜／化学気相蒸着システム」。この特許出願には、垂直スタックした個別型ＡＬＤまたはＣＶＤリアクタを使用する方法および装置が記載されている。それら個別のリアクタはそれぞれ独立に運転可能で、かつメンテナンス可能である。総じて軸対称なプロセス制御を行うために、ガスの入口と出口がリアクタチェンバに対して垂直方向に配置されている。リアクタチェンバの設計は、リアクタを形成するカバープレートとベースプレートの流動設計を改良したモジュール設計になっている。複数の各ＡＬＤ／ＣＶＤリアクタは、各々垂直方向にスタックできるよう、コンパクトな低高外形を有する。スタックした成膜リアクタは、ロードロックユニットから半導体ウェハのような材料を受け取って、複数のリアクタの１つに据えるよう結合される。一実施形態においては、それぞれのリアクタに対応する別個のロードロックユニットを使用して、ウェハをロードロックユニットに入れるとき、垂直スタックしたリアクタのそれぞれの高さに合わせてウェハを垂直方向に位置決めするようになっている。これらの垂直スタックしたＡＬＤ／ＣＶＤリアクタは低高外形を持つが、各々別個のガス入口と排気口をチェンバの上端と下端に備えて、ウェハをリアクタチェンバで処理するとき、ウェハ全体に総じて軸対称状の垂直なガス流を供給することが可能である。このような垂直配置構成によれば、多数のリアクタを収容したモジュール内で多数のウェハを処理することができる。一実施形態においては、リアクタチェンバは、フレームに上板と底板を取り付けることにより形成される。これらの上板と底板は、各々、特殊な形状の凹部を有して、その特殊な形状に合致するチェンバの上面部と底面部を形成させることが可能である。一実施形態においては、リアクタチェンバの上面部と底面部に円錐形状を持たせることにより、チェンバ内の総じて軸対称状のガス流を改善している。もう一つの実施形態では、角形チェンバを用いることによって、さらにガス流を改善するための任意態様の手段を提供する。これらの低高外形リアクタは、各々個別に、一体状の水平インプットコンジットを内蔵するカバープレートと一体状の排気用水平コンジットを内蔵するベースプレートを構造に備えることによって、組み立てた状態の低高外形リアクタの垂直全高を最小化している。
【００１９】
図面を参照して以下さらに詳細に説明するように、本発明のマルチ−シングルウェハアーキテクチャは、従来のシステムに比べ、従来と同じかまたはそれ以下のシステム設置面積で８対３または１２対４の増倍比（すなわち、１処理モジュール当たりの基準リアクタ数をそれぞれ３および４として、８／３または１２／４倍）のスループット向上を達成するものである。従来のシステムは、通常、面積生産性測定値が約３ｗｐｈ／ｍ2（例えば、１０ｍ2で３０ｗｐｈ）で、３または４のシングルウェハ処理チェンバを用いる標準的なロボット式中央ハンドラを使用する。これに対して、本発明のウェハ処理装置は、各々最大（かつ好ましくは）４つのマルチ−シングルウェハ（ＭＳＷ）リアクタを持つ最大３つの処理モジュール（プロセスモジュール）を使用する（以下にさらに詳しく説明する）。また、本発明は、サイズがほぼ同じ２００ｍｍまたは３００ｍｍ径のキャリヤに載置可能な比較的小さい数１０個乃至数１００個のピースパーツと共に使用する場合についても適用可能である。本発明のウェハ処理装置のリアクタ設計は、所与の処理モジュール内で４つの半独立リアクタのアレイを用いて最適化することができる。これらのリアクタは、処理モジュール内で、床面積とプロセス制御上一定の利点が得られる「軸上」構成の形、あるいは、より好ましくは「象限内」構成の形にレイアウトすることができる。添付図面に示すように、本発明のウェハ処理装置はスタック支持モジュール構成を利用することが可能である。そのようなモジュールは、化学物質供給源や、電気的操作部、リアクタの蓋へアクセスし、それらを点検・保守するために垂直方向に移動可能である。さらに、本発明のウェハ処理装置は、リアクタチェンバの効率的なローディング／アンローディングを可能にする独特の割り出し機構を備える。
【００２０】
図１において、ウェハ処理装置（１００）は、２つの処理モジュール（１０５、１０６）と１つの冷却ステーション（１０７）を用いて本発明の一実施形態に従い構成したもので、平面図として示してある。このウェハ処理装置は、コンパクト型の中央ロボット式真空ウェハ移送ハンドラ（１１０）を備える。これは、前記の１以上の特許または特許出願記載のものと同様に構成することが可能であり、好ましくはＭＥＳＣ−ＳＥＭＩ標準規格に準拠する。２つの各処理モジュールは、４つの半独立シングルウェハリアクタを有する。図中、これらのリアクタは「象限内」構成（以下にさらに詳しく説明する）として示してある。図に示すようなウェハ処理装置の実施形態は、約６ｗｐｈ／ｍ2のウェハ処理能力がある。ここで、「半独立」とは、所与のリアクタにおいて、それ自身の反応ゾーンから割り出し器アーム機構上へ、あるいは隣接のリアクタへ、それ自身の反応ゾーンにおける反応物堆積速度の５×１０-2以下、好ましくは１０−3以下と表される量の反応物がリークし得るということを意味する。
【００２１】
ウェハ処理装置（１００）と共に、３つの通常のＦＯＵＰローディングモジュール（１１２）、２〜２５枚のウェハを扱うウェハ収容能力２５枚の２つの真空のロードロック（１３０）に接続された大気のロボットウェハトランスファ機構（１２０）を備えた通常のミニ環境が図示してある。必要ならば、ミニ環境にウェハアライナを設けてもよいが、そのような構成については図示を省略する。ウェハ処理装置（１００）は、３００ｍｍまたは２００〜３００ｍｍのブリッジ構成で実装することが可能である。これらの処理モジュールは共用のポンプ機能を有するが、基板表面の上に個別の前駆体供給注入を設けなくてもよい。独立の前駆体供給によって、成膜特性を調整する上において一定の柔軟性と制御性が得られる。ウェハ処理装置（１００）の各処理モジュール（１０５、１０６）の内部には、ウェハをそれぞれの処理モジュール（１０５、１０６）の各シングルウェハリアクタへ移動させるよう構成された、独特のウェハ・ピックアンドプレース割り出し器機構が設けられている。この割り出し器の構造は図１１、１２、１３に詳細に示してある。割り出し器の動作については、この後図１４を参照して説明する。
【００２２】
図２は、単一の処理モジュール（２０５）と１つの冷却ステーション（２０７）を備えたウェハ処理装置（２００）のもう一つの実施形態（移送モジュールと称してもよい）を平面図で示す。本発明のこの実施形態は、従来の中央ロボット式真空ウェハ移送ハンドラ（２１０）と、象限内構成の４つの半独立シングルウェハリアクタを有する処理モジュールを備えている。このような実施形態は、約４．４ｗｐｈ／ｍ2の処理能力を有する。
【００２３】
ウェハ処理装置（２００）は、３つの通常のＦＯＵＰローディングモジュール（２１２）を備え、ウェハ収容能力２〜２５枚の２つの真空ロードロック（２３０）に接続された大気ロボットウェハトランスファ機構（２２０）を備えた通常のミニ環境で示してある。必要ならば、ミニ環境にウェハアライナを設けてもよいが、そのような構成については図示省略する。この構成は、比較的小さい限定された製造グラニュラリティの場合に高いシステム性能測定値を呈し、３００ｍｍまたは２００〜３００ｍｍのブリッジ構成で実装することが可能である。この処理モジュールは、ポンプ機能を共用するが、基板表面に対する前駆体供給注入は独立に有する。
【００２４】
図３は、ローディングの制限がないと仮定して約７．５ｗｐｈ／ｍ2の処理能力（理論値）を持つ３つの処理モジュールを有する点以外、図１に示すウェハ処理装置（１００）ほぼ同様の構成を持つウェハ処理装置（３００）を示す。実際には、ウェハローディングの制限があるため、面積生産性が制限される。
【００２５】
図４は、ローディングの制限がないと仮定して約１０ｗｐｈ／ｍ2の処理能力を持つ３つの処理モジュールを有する点以外、図２に示すウェハ処理装置（２００）ほぼ同様の構成を持つウェハ処理装置（４００）を示す。本願中に他の構成と同様、ウェハローディングの制限があるため、面積生産性が制限される。すべての図示実施形態は、各処理モジュールに４つのシングルウェハリアクタを備えるが、好都合な場合においては、１処理モジュールにつき３つのシングルウェハリアクタを設ける構成も本発明の範囲内で実施することが可能である。１処理モジュールにリアクタを３つ設ける構成の場合、象限内（９０度角コンパートメント）構成に替えてトライアッド（１２０度角コンパートメント）構成を使用する。
【００２６】
同様に、５つ以上のシングルウェハリアクタ収容する処理モジュールを使用することも可能であり、本発明の範囲内にあるものとする。例えば、５つ、８つあるいはその他の数のリアクタが入っている処理モジュールを使用することが可能である。このような場合においては、本願に記載する割り出し装置をそれらの適切なウェハ数に対応するよう変更することが必要になろう。場合によっては、これは、以下に説明するような中央に設ける円形割り出し器設計をやめて、代わりに直線並進運動や回転運動を伴う割り出し器（例えば、処理モジュール内に入れた複数のリアクタの外周の回りまたは外周間に設けた競馬場、あるいは一つおきのリアクタ間に中央に設ける直線トラック構成に類似の割り出し器）を用いることを意味することにもなる。
【００２７】
図５は、各々４枚のウェハ収容能力を持つ２つの異なるマルチ−シングルウェハアレイ処理モジュールレイアウト（５００）の平面図と側面図である。上側の図面と下側の図面はそれぞれの装置の平面図（５０３）と側面図（５０７）である。どちらの装置の構成も、左側（西側）にローディングのためのウェハインプットポート（５１０）を持ち、４ウェハアレイ処理モジュールを使用する。４つの半独立のチェンバエリア（５２０）は正方形状周（５２５）の内面に内接させることができるアレイを形成し、その正方形状の側面は、左側レイアウト（５４０）の場合、インプットポートの平面（５３０）に対して４５度（および１３５度）の角をなし、右側レイアウト（５５０）の場合、インプットポートの平面（５３０）に対して０度（および９０度）の角をなす。この左側レイアウト（５４０）を「軸上」レイアウトまたは単に「軸」レイアウトと称し、右側レイアウト（５５０）を「象限内」レイアウトまたは「象限」レイアウトと称する。これらの用語を使用するのは、象限レイアウトにおけるウェハはデカルト座標系の象限内に置かれ（すなわち、各ウェハがそれ自身の象限内にある）、軸レイアウト設計では、ウェハがデカルト座標系の座標軸状にあるためである。各々の場合に、デカルト座標系の一軸は、このレイアウトのウェハ「ローディング線」と定義される「Ｘ」軸と直交するウェハローディングスロット（インプットスロット）（５１０）を通るものとする。
【００２８】
象限レイアウト構成は軸レイアウトよりモジュール面積が小さく（１，９１１平方単位対２，０２１平方単位）、また図１および３に図解する全システムアーキテクチャにおける装置の実装密度も向上する。これらのアーキテクチャで軸レイアウトを用いることも可能であるが、その場合、結果的に同じスループットと機能性に対してシステム設置面積が大きくなる。マルチ−シングルウェハ処理装置のその他の特徴については、この後、象限レイアウトを用いて例示し、説明するが、いずれの場合も軸レイアウトを用いることが可能である。
【００２９】
ウェハを各リアクタにローディングするには、割り出し器（以下にさらに説明する）にウェハを装填して、処理モジュールの中心軸の回りに回転させる。ウェハ装填円の位置を図５の象限レイアウトを示す図面の右上部にインプットポート（５３０）の平面から一定距離（５５５）にある円（各装填ウェハの中心を通る円）で示す。
【００３０】
象限内レイアウトの利点の一つは、ウェハ入口スロットバルブの作用によって生じる摂動が全ウェハで分担されることである。軸上レイアウトの場合、この摂動は１枚のウェハにかかる。その上、これらのスロットバルブの作用は、米国特許第５，８５５，６７５号および第６，１７４，３７７号（いずれの特許も本発明の譲受人譲渡済みであり、参照によって本願に援用する）に記載の垂直移動可能なサセプタを用いることにより相殺することが可能である。
【００３１】
このように、本発明は、いくつかの実施形態において、座標軸が処理モジュールのウェハ装入面に対して平行および／または直角なデカルト座標系の象限内に配置してウェハ処理を行うようにした最大４つの独立の処理ゾーン（プロセスゾーン）を有する処理モジュール提供する。これらの象限内（または軸上）リアクタゾーンは、ＡＬＤおよび／またはＣＶＤ成膜プロセス、あるいは１つ以上の半独立マルチ−ウェハ処理モジュールからなるアーキテクチャを持つプラズマ蒸着、クリーニングまたはエッチングプロセスのような他のシングルウェハ処理プロセス用の装置で使用することが可能である。
【００３２】
図６は、象限レイアウトとして構成した処理モジュール（６００）を、処理位置にあるすべての主要サブモジュールと共に示す。後側のモジュールはガスボックス（６１０）である。最上部のモジュールは電気的コントローラボックス（６２０）である。電気的コントローラボックスの下には化学物質供給源モジュール（６３０）がスタックされ、さらにその下には、内部に個別リアクタを象限レイアウトにより設けた処理チェンバ（６４０）がスタックされている。また、ウェハ入口スロット（６５０）があり、サセプタ−ヒータのハードウェアを内蔵する独立型ウェハ反応シリンダハウジング（６６０）も図示してある。
【００３３】
互いにスタックされた電気的コントローラボックス、化学物質供給源モジュールボックス、反応室蓋（６４５）は、互いに平行な案内支柱（６８０）を用いて処理チェンバ（６４０）に対し相対的に垂直方向に移動させ、持ち上げることができる。この設計によって、いろいろなサブモジュールへのモジュール方式のアクセスといろいろな点検・保守機能がもたらされる。
【００３４】
このように、本発明のいくつかの実施形態により構成したウェハ処理モジュールは、電気的操作部とガス（化学物質）供給源モジュールのスタックを有し、ガス供給源モジュールはリアクタの蓋に結合されている。このスタック全体は垂直方向に移動可能であり、また案内下にリアクタチェンバから分離可能であり、これによってリアクタの蓋や、電気的操作部、ガス供給源モジュールを全体的に、あるいは個々に取り外すことが可能である。
【００３５】
図７は、象限レイアウトにより構成した処理モジュール（７００）で、ガス供給源モジュールにアクセスできるよう電気的操作部（コントローラ）のサブモジュール（７２０）を点検・保守位置に持ち上げた状態を示し、またガス供給源モジュール（７３０）の破断図部分にガス分配モジュール（７３５）を示す。互いに平行な案内支柱（７８０）では、ラッチセット手段（７８５）によって高低レベルを指示する。個々のサブモジュールは、パワーリフト機構（詳細図示省略）を用いて上下方向に持ち上げることができる。
【００３６】
このウェハ処理装置全体の他の特徴は前記同様である。後側のモジュールはガスボックス（７１０）である。電気的操作部サブモジュールの下方には、内部に象限レイアウトによりリアクタを設けた処理チェンバ（７４０）上にスタックされた化学物質供給源モジュール（７３０）がある。また、ウェハ入口スロット（７５０）があり、サセプタ−ヒータのハードウェアを内蔵する独立型ウェハ反応シリンダハウジング（７６０）も図示してある。必要に応じて、内部を観察するためのポート（７９０）を設ける。
【００３７】
図８は、象限レイアウトにより構成した処理モジュール（８００）で、処理チェンバにアクセスできるよう電気的操作部と化学物質供給源モジュールのサブモジュールを、点検・保守位置に持ち上げた状態を示す。互いにスタックされた電気的コントローラボックス（８２０）、化学物質供給源モジュールボックス（８３０）、反応室蓋（８４５）は、案内支柱（８８０）を用いて処理チェンバ（８４０）に対し相対的に垂直方向に移動させ、持ち上げることができる。割り出し器（８６０）によりウェハ（８６５）を保持する処理チェンバは、象限サセプタの上方の持ち上げ位置にある。本発明のこの実施形態の他の特徴は前記同様である。後側のモジュールはガスボックス（８１０）であり、またウェハ入口スロット（８５０）が設けられている。
【００３８】
図９は、象限内構成を持つ反応室の蓋（９００）である。蓋板（９４５）は、反応室の排気時に蓋に剛性を与えるために用いられるクロス梁（９１５）により構造的に補強してある。ガス分配モジュールのレセプタ領域（９５５）の周囲には温度制御トレースライン（９２５）が設けてある。
【００３９】
図１０は、象限内構成を有する反応室ハウジング（１０００）の破断図である。サセプタ−ヒータを取り付けるために、ウェハ径（例えば、一実施形態の場合３００ｍｍ）よりやや大きい直径を持つ４つの空間キャビティ部（１０２０）が切り抜いて形成されている。一実施形態においては、各個のサブチェンバキャビティは、下流側の共用ポンプに接続された２つの非対称形ガス出口コンジット（１０４０）を有する。一方で、これらの各コンジットは、ハウジングの下を走る隣接の象限内コンジット（１０５０）に接続されている。この場合、ウェハ表面上のガス流断面と速度は、出口コンジットが方位対称性を持つ場合に類似しているということがコンピュータモデリング法を用いて確認されている。他の場合において、より方位対称性を持つコンジット設計を用いることは可能である。対称流の対称性と圧力の方位対称性は１０パーセント、好ましくは２パーセントより優れていることが望ましいかも知れない。図１０に示す以外のコンジット設計も本発明の範囲内にあるものとみなす。各ヒータ−リアクタ空間部の中心部には、以下に説明する垂直移動可能なサセプタ−ヒータ・コンポーネント用の大きなカットアウト（１０６０）が設けてある。
【００４０】
図１１は、象限内構成を有する反応室ハウジング（１１００）の平面図である。ウェハ・ピックアンドプレース割り出し器の機構（１１６０）が処理モジュールのチェンバハウジング（１１６５）の内部に図示されている。この割り出し器は、真空ロボット式中央ウェハハンドラから各シングルウェハリアクタへのウェハ（１１３５）の移動を可能にする。また、割り出し器（１１６０）は、不連続角運動、すなわち４回の９０度逐次回転を行って、ウェハを１枚ずつ中央ハンドラから（中央ハンドラへ）ピックアップ（あるいはドロップオフ）することができる。これらの角位置に関する４５度回転も使用される。これについては、以下に図１４を参照してより詳細に説明する。図１１で、割り出し器（１１６０）は、既にウェハを１枚ずつローディングされ、そのウェハ「プレース」位置（ウェハが未処理の場合）またはウェハ「ピック」位置（ウェハが処理済みの場合）で、サセプタ−ヒータの位置の上方にそれぞれウェハ（１１３５）を保持する。
【００４１】
図１２は、象限内構成を有する反応室ハウジング（１２００）の平面図である。この図で、割り出し器（１２６０）はウェハ「プレース」または「ピック」位置から４５度回転している。ウェハ（１２３５）は、サセプタ−ヒータ上で処理位置にある。図にサセプタ−ヒータの縁部（１２３７）が見える。
【００４２】
図１３は、サセプタ（１３３７）の上方にあるウェハ（１３３５）、およびサセプタ／ウェハから離れる向きに回転した割り出し器（１３６０）を示す一部破断図とした斜視図である。この図には、割り出し器モータドライブ（１３９０）と４５度自己制御式連動駆動装置（１３５３）、エアシリンダ駆動装置（１３９５）が示されており、移動位置にある垂直移動可能なサセプタ（ＶＭＳ）（１３９７）が、各ＶＭＳの個別ハウジング内に中心を有する。図には、４つのサセプタ−ヒータのうち３つを示してある。ウェハ（１３３５）は、サセプタ表面（１３３７）の上方と割り出し器６０の平面の上方に持ち上げた位置に示してある。ウェハリフトピン駆動装置（１３９９）も図示してあるが、これらと異なるリフト装置を用いることも可能である。４ウェハ割り出し器は４５度あるいは９０度回転させることができ、このような制御は独立に行う。この実施形態の駆動機構は、ビルトイン型の加速−減速機能を有する。
【００４３】
図１４は、割り出し器のシーケンシング動作とウェハ受け渡しシーケンシング動作の一例（１４００）を示す。図示の１４１０、１４３０、１４５０、１４７０、１４９０の５つの図について、右から左に向けて順次説明する。
【００４４】
最初の動作（ローディングの図１４１０に示す）は、ローディングするウェハ以外はウェハも前駆体処理ガスもないチェンバで、４枚のすべてのウェハを割り出し器のアーム上に載せるウェハローディング動作である。この作業の間、４枚のウェハは逐次割り出し器アーム上にローディングされる。エンドエフェクタ（１４１２）が４枚の中の最後のウェハを南東位置にある割り出し器の受けアームに載せるところが示されている。４枚のすべてのウェハが割り出し器にローディングされたならば、割り出し器は４５度回転して、ウェハをサセプタ−ヒータの中心の上方に位置決めする（図１４３０参照）。図には二組の円が示してある。その一組は、割り出し器の４つのアームにローディングされたウェハを示す円の組、もう一組は、４つの象限のウェハサセプタの位置から４５度ずれた位置のウェハを示す円の組である（割り出し器のシーケンシング動作を描きやすくするために、これらの図は「象限レイアウト」ではなく「軸レイアウト」を示しているが、本願で説明する動作はどちらのレイアウトにも同等に適用可能である）。
【００４５】
２番目の動作はプレースメント動作である。プレースメント動作の図（１４３０）は、４枚のウェハが割り出し器の平面の上方、詳しくは割り出し器のパドルまたは「グリッパ」の上方にピンで持ち上げられた状態を示す。ウェハが割り出し器の平面の上方に位置したならば、割り出し器はエンドエフェクタを隣接サセプタ−ヒータの間に位置決めするよう４５度回転する。そして、リフトピンを引っ込めると、ウェハは、割り出し器アームが隣接サセプタ−ヒータ間に位置して、サセプタ上に降ろされる（図１４５０参照）。米国特許第６，３８７，１８５号に記載されているように、上昇位置にある垂直並進可能なサセプタ−ヒータ（ペデスタル）を用いることによって、ウェハをガス分配コンジットと環状ポンピングコンジットに対して最適処理ゾーンに置くことが可能である。
【００４６】
３番目の動作は処理の実行である。処理図（１４５０）は、ウェハ表面を前駆体に曝す際のウェハ処理装置各部の相対的配置を示す。割り出し器のエンドエフェクタは、直接流路外にとどまり、前駆体はまずウェハと反応する。割り出し器アームは、成膜時にガス流に与える影響を最小限に抑えるのに適した構成とすることができる。この場合、成膜時の寄生リークによる割り出し器表面への前駆体堆積量は所与のリアクタにおける堆積量の５×１０-2より少ないことが望ましい。
【００４７】
４番目の動作は、次の処理図（１４７０）に示すように、ウェハをサセプタから割り出し器のエンドエフェクタに移すプレースメント動作である。ウェハへの成膜が終わったならば、退縮位置にある垂直並進可能なサセプタ−ヒータ（ペデスタル）を使って、ウェハピック動作に適した下方位置を得ることが可能である。ここの動作では、リフトピンがウェハを割り出し器の平面の上方に持ち上げ、そして割り出し器がウェハの下方で回転する。次にリフトピンが引っ込み、ウェハは、図示のように、サセプタ−ヒータの中心の上方にある割り出し器のエンドエフェクタ上に置かれる。
【００４８】
５番目の動作は、アンローディングの図（１４９０）に示すようなアンローディングである。割り出し器が４５度回転し、膜が形成されたウェハは、アンローディングの図（１４９０）の南東方向に示す出口（入口）スロットに面した位置に来る。次に、各ウェハはロボット式中央ウェハハンドラのエンドエフェクタ（１４１２）により１つずつ割り出し器から取り外される。
【００４９】
もちろん、上に説明した以外のローディング／処理シーケンスを使用することも可能である。
【００５０】
システムのスループットは、ウェハを前面ドア付きポッド（ＦＯＵＰ、フープ）（１１２、２１２、３１２、４１２）からバッチロードロック（１３０、２４０、３４０、４３０）へ、またそこから中央真空ロボットチェンバを介して処理モジュールへローディングする速度、および処理時間の関数である。スループット５０ｗｐｈの処理モジュールの場合、システムスループットは約４６ｗｐｈになる。固有総スループット１００ｗｐｈの２処理モジュールシステムの場合、システムスループットは約７５ｗｐｈであるが、これはウェハハンドリングを改良することにより改善することができる。このように、本発明のいくつかの実施形態によれば、ＡＬＤまたはＣＶＤ被膜形成のためにウェハをマルチ−シングルウェハ反応室の各ゾーンに出し入れするためのゾーンウェハハンドリング装置およびプロセスが得られる。上記のように、このような装置の一実施形態は、ウェハを受け取るための４つのウェハエンドエフェクタを備え、それらのエンドエフェクタを用いて真空ロボット式中央ウェハハンドラから逐次ウェハを受け取り、それらのウェハを成膜のためにリアクタのサセプタ上に（ほぼ同時に）載置するようになっている。
【００５１】
本発明のシステムは、ウェハをサセプタにローディングした後すべてのウェハを一緒に同時に処理する並列方式で使用することができる。あるいは、あるプロセスを１つの半独立ステーションで実行した後、もう一つのプロセスを行う使い方も可能である。ＡＬＤの場合は、一つの処理モジュールで何らかの暴露を行う間に、もう一つの処理モジュールで異なる暴露またはパージ処理を行うことが可能である。また、本発明のウェハ処理装置は、プラズマ装置を各半独立リアクタに対して遠隔にあるいは直接設けたプラズマ支援プロセスとも適合性がある。各象限に対する化学物質の供給は、並列に行うことも、個別に行うことも可能である。また、ポンプの配設も共用方式あるいは個別方式いずれでもよい。
【００５２】
本発明のシステムは、ウェハをサセプタにローディングした後すべてのウェハを一緒に同時に処理する並列方式で使用することができる。あるいは、あるプロセスを１つの半独立ステーションで実行した後、もう一つのプロセスを行う使い方も可能である。ＡＬＤの場合は、一つの処理モジュールで何らかの暴露を行う間に、もう一つの処理モジュールで異なる暴露またはパージ処理を行うことが可能である。また、本発明のウェハ処理装置は、プラズマ装置を各半独立リアクタに対して遠隔にあるいは直接設けたプラズマ支援プロセスにも適合性がある。各象限に対する化学物質の供給は、並列に行うことも、個別に行うことも可能である。また、ポンプの配設も共用方式あるいは個別方式いずれでもよい。別の態様として、あるいは上記の態様に加えて、直列および／または並列処理を１つ以上の処理モジュールのリアクタで行うことが可能である。例えば、成膜速度が釣り合っている場合、２つのリアクタで１種類の処理（例えば１つの膜種による）を行い、他の２つのリアクタで異なる種類の処理（例えば異なる膜種による）を行うことができる。さらに、上記とは異なり、成膜速度が釣り合っていない場合においては、成膜速度が低い処理についてはより多くのリアクタを割り当てて用い、成膜速度が高い処理についてはより少ないリアクタを使用するようにすることもできる。  
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】２つの処理モジュールと１つの冷却ステーションを有する本発明の一実施形態により構成されたウェハ処理装置の平面図である。
【図２】１つの処理モジュールと１つの冷却ステーションを有する本発明のもう一つの実施形態により構成されたウェハ処理装置の平面図である。
【図３】３つの処理モジュールを有する本発明のさらにもう一つの実施形態により構成されたウェハ処理装置の平面図である。
【図４】３つの処理モジュールを有する本発明のさらにもう一つの実施形態により構成されたウェハ処理装置の平面図である。
【図５】各々、本発明のいくつかの実施形態により構成された２つの異なるマルチ−シングルウェハアレイ処理モジュールレイアウト（５００）の平面図と側面図である。
【図６】本発明の一実施形態である象限レイアウトとして構成した処理モジュールを、処理位置にあるすべての主要サブモジュールと共に示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態である象限レイアウトとして構成した処理モジュールを、電気的コントローラサブモジュールをガス供給源モジュールにアクセス可能な点検・保守位置に持ち上げた状態で示す斜視図である。
【図８】本発明の象限レイアウトにより構成した処理モジュールを、処理チェンバにアクセスできるよう電気的操作部および化学物質供給源モジュールのサブモジュールを点検・保守位置に持ち上げた状態を示す斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態による象限構成を有する反応室の蓋を示す斜視図である。
【図１０】本発明の一実施形態による象限構成を有する反応室ハウジングの破断図である。
【図１１】本発明の一実施形態による象限構成を有する反応室ハウジングの平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による象限構成を有する反応室ハウジングの平面図である。
【図１３】本発明の一実施形態により構成されたウェハ処理装置においてサセプタの上方にあるウェハ、およびウェハから離れる向きに回転した割り出し器を示す一部破断図とした斜視図である。
【図１４】本発明の一実施形態により構成されたウェハ処理装置における割り出し器のシーケンシング動作およびウェハ受け渡しシーケンシング動作の一例を説明するための概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
2008513980.tif 000017
2008513980.tif 000018
2008513980.tif 000019
2008513980.tif 000020
2008513980.tif 000021