(57)【要約】  本発明は、マスター基板（１２）、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板（１２）、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板の記録スタック（１０）において高密度の凹凸構造を提供するための方法に関し、その方法は、以下のステップから構成される。誘電体層（１４）と誘電体層（１４）内で熱誘導相変化を支援するための手段（１６、１８、２０）とを含む記録スタック（１０）を提供するステップ、レーザパルスを適用することによりピット（２４）が形成されることとなっている誘電体層（１４）の領域（２２）で熱誘導相変化を発生させるステップ、及び、相変化を経験した誘電体層（１４）の領域（２２）をエッチング処理により取り除くステップ、又は、相変化を経験していない誘電体層（１４）の領域（２６）をエッチング処理により取り除くステップ。
2008527590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板の記録スタックに高密度の凹凸構造を提供するための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；  
を含む方法。
【請求項２】
前記誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための前記手段は、前記誘電層の上、及び／又は、下に配置される、少なくとも一つの吸着層を含む、
請求項１に従った方法。
【請求項３】
前記誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための前記手段は、前記誘電体層にドーピングされるドーパントを含む、
請求項１又は２に従った方法。
【請求項４】
前記誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための前記手段は、アニーリング処理の間に、前記誘電体層内で成長したナノ結晶を含む、
請求項１乃至３の何れかに従った方法。
【請求項５】
前記吸着層は、Ｎｉ、Ｃｕ、ＧｅＳｂＴｅ、ＳｎＧｅＳｂ、ＩｎＧｅＳｂＴｅ、Ｃｕ−Ｓｉ若しくはＮｉ−Ｓｉのような物質を形成するシリサイド、核生成が優勢な相変化物質のような材料組成のグループから選択される物質から作られる、
請求項２に従った、或いは、請求項２に従属する場合には、請求項３又は４に従った方法。
【請求項６】
前記誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層である、
請求項１に従った方法。
【請求項７】
前記エッチング処理で使用される腐食液は、ＨＮＯ３、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４のような酸性溶液、又は、ＫＯＨ、ＮａＯＨのようなアルカリ性の液体のグループから選択される、
請求項１に従った方法。
【請求項８】
前記エッチング処理中、レーザパルスが適用された前記吸着層の領域が、レーザパルスが適用されていない前記吸着層の領域と一緒に、取り除かれる、
請求項２に従った、或いは、請求項２に従属する場合には、請求項３又は４に従った方法。
【請求項９】
前記エッチング処理中、取り除かれる前記誘電体層の領域の上に位置付けられた前記吸着層の領域だけが取り除かれる、
請求項２に従った、或いは、請求項２に従属する場合には、請求項３又は４に従った方法。
【請求項１０】
記録スタックを提供する前記ステップは、前記誘電体層の下にミラー層を更に含む記録スタックを提供することを含む、
請求項２に従った、或いは、請求項２に従属する場合には、請求項３又は４に従った方法。
【請求項１１】
前記ミラー層は、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｉのグループから選択される物質から作られる、
請求項１０に従った方法。
【請求項１２】
スタックを提供する前記ステップは、前記誘電体層の上の吸着層と前記誘電体層の下の追加の吸着層とを含む記録スタックを提供することを含む、
請求項１に従った方法。
【請求項１３】
スタックを提供する前記ステップは、前記追加の吸着層の下に追加の誘電体層を更に含む記録スタックを提供することを含む、
請求項１２に従った方法。
【請求項１４】
スタックを提供する前記ステップは、被覆層を更に含む記録スタックを提供することを含む、
請求項１に従った方法。
【請求項１５】
前記被覆層は、エッチング可能な誘電体層で作られる、
請求項１４に従った方法。
【請求項１６】
前記ドーパントは、Ｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎのグループから選択される、
請求項３に従った方法。
【請求項１７】
スタックを提供する前記ステップは、複数の交互の誘電体層及び吸着層を含む記録スタックを提供することを含む、
請求項１に従った方法。
【請求項１８】
前記複数の交互の誘電体層及び吸着層は、２〜２０の誘電体層と２〜２０の吸着層とで形成され、好適には、５〜１５の誘電体層と５〜１５の吸着層とで形成され、また、最も好適には、約１０の誘電体層と１０の吸着層とで形成される、
請求項１７に従った方法。
【請求項１９】
前記誘電体層は、０．５ｎｍと２０ｎｍとの間の厚さ、好適には１ｎｍと１０ｎｍとの間の厚さ、また、最も好適には、約５ｎｍの厚さを含む、
請求項１７に従った方法。
【請求項２０】
前記吸着層は、０．１ｎｍと１０ｎｍとの間の厚さ、好適には０．２ｎｍと５ｎｍとの間の厚さ、また、最も好適には、約１ｎｍの厚さを含む、
請求項１７に従った方法。
【請求項２１】
高密度の凹凸構造を創出するための、マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板であって、
前記高密度の凹凸構造を形成するために、レーザパルスに対するその吸収特性を高めるドーパントがドーピングされた誘電体層を備える、
マスター基板。
【請求項２２】
前記ドーパントは、Ｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎのグループから選択される、
請求項２１に従ったマスター基板。
【請求項２３】
高密度の凹凸構造を創出するための、マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板であって、
前記高密度の凹凸構造を形成するために、アニーリング処理によって成長したナノ結晶を含む誘電体層を備える、
マスター基板。
【請求項２４】
マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板の記録スタックに高密度の凹凸構造を提供するための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
２５０ｎｍと８００ｎｍとの間の波長、特に、２５７ｎｍと４０５ｎｍとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；  
を含む方法。
【請求項２５】
前記誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層である、
請求項２４に従った方法。
【請求項２６】
前記ＺｎＳ−ＳｉＯ２層のＺｎＳ構成要素は、重量パーセントでいうところの８０％未満で存在する、
請求項２５に従った方法。
【請求項２７】
前記記録スタックは、少なくとも一つの吸着層を含む、
請求項２４又は２５に従った方法。
【請求項２８】
前記エッチング処理の後に、コーティングが適用される、
請求項２４又は２５に従った方法。
【請求項２９】
前記エッチング処理は、取り除かれてはいけない前記誘電体層の領域のアンダーエッチングが発生する前に、止められる、
請求項２４又は２５に従った方法。
【請求項３０】
前記誘電体層は、前記レーザパルスの適用中に前記レーザの近くに配置される第一表面と前記レーザパルスの適用中に前記レーザから遠くに配置される第二表面とを含み、かつ、
前記エッチング処理は、前記誘電体層の前記第二表面で開始する、
請求項２４又は２５に従った方法。
【請求項３１】
光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；及び
前記記録スタックに基づいて前記スタンパーを作るステップ；
を含む方法。
【請求項３２】
光学ディスクを作るための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；
前記記録スタックに基づいてスタンパーを作るステップ；及び
前記光学ディスクを作るために前記スタンパーを使用するステップ；
を含む方法。
【請求項３３】
マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを作るための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；及び
前記記録スタックに基づいて前記スタンプを作るステップ；
を含む方法。
【請求項３４】
マイクロプリントを作るための方法であって、
誘電体層と該誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；
前記記録スタックに基づいてスタンプを作るステップ；及び
前記マイクロプリントを作るために前記スタンプを使用するステップ；
を含む方法。
【請求項３５】
光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
２４５ｎｍと２７０ｎｍとの間の波長、好適には、２５７ｎｍと２６６ｎｍとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；及び
前記記録スタックに基づいて前記スタンパーを作るステップ；
を含む方法。
【請求項３６】
光学ディスクを作るための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
２４５ｎｍと２７０ｎｍとの間の波長、好適には、２５７ｎｍと２６６ｎｍとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；
前記記録スタックに基づいてスタンパーを作るステップ；及び
前記光学ディスクを作るために前記スタンパーを使用するステップ；
を含む方法。
【請求項３７】
マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを作るための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
２４５ｎｍと２７０ｎｍとの間の波長、好適には、２５７ｎｍと２６６ｎｍとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；及び
前記記録スタックに基づいて前記スタンパーを作るステップ；
を含む方法。
【請求項３８】
マイクロプリントを作るための方法であって、
誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
２４５ｎｍと２７０ｎｍとの間の波長、好適には、２５７ｎｍと２６６ｎｍとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている前記誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；及び
相変化を経験した前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
相変化を経験していない前記誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；  
前記記録スタックに基づいてスタンプを作るステップ；及び
前記マイクロプリントを作るために前記スタンプを使用するステップ；
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板の記録スタックにおいて高密度の凹凸構造を提供するための方法に関する。更に、本発明は、高密度の凹凸構造を創出するマスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板に関する。本発明はまた、それぞれ、スタンパー、光学ディスク、スタンプ、及び、マイクロプリントを作るための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学処理に基づいて製造される凹凸構造は、例えば、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、プレグルーブのライトワンス（Ｒ）及びリライタブル（ＲＥ）ディスクの大量複製のためのスタンパーとして使用され得る。複製工程で使用されるようなそのようなスタンパーの製造は、マスタリングとして知られている。
【０００３】
従来のマスタリングでは、ガラス基板の上にスピンコートされた薄い感光層が、変調された集束レーザビームで照射される。そのレーザビームの変調は、マスター基板の一部の部分が紫外線光に露光され、一方で、形成されるピットの間の中間領域が露光されないままにする。そのディスクが回転している間で、かつ、その集束レーザビームが徐々にそのディスクの外側に引っ張られる間に、交互に照射される領域の渦が残る。第二ステップにおいて、露光された領域は、最終的にフォトレジスト層内の物理的なホールとなるため、いわゆる現像処理において溶解される。ＮａＯＨやＫＯＨのようなアルカリ性の液体がその露光領域を溶解するために使用される。マスター基板の構造化された表面は、その後、Ｎｉ層で被覆される。ガルバニック処理において、このスパッタリング蒸着されたＮｉ層は、上下が逆さまのピット構造で構成される厚く扱いやすいＮｉ基板になるまで、更に成長させられる。突き出た隆起を持つこのＮｉ基板は、そのマスター基板から分離され、そして、スタンパーと呼ばれる。
【０００４】
相変化マスタリング（ＰＴＭ）は、光学ディスクの大量生産のための、高密度のＲＯＭ及びＲＥ／Ｒスタンパーを作るための、比較的新しい方法である。相変化物質は、レーザ誘起加熱を用いて、初期の書き込みのない状態から異なる状態に変換され得る。記録スタックの加熱は、例えば、混合、溶融、非晶質化、相分離、分解等を引き起こす。二相（初期状態又は書き込まれた状態）のうちの一つは、他の相よりも、酸性又はアルカリ性の現像液で速く溶解する。このように、書き込まれたデータパターンは、突き出た隆起又はピットを持つ高密度の凹凸構造に変換され得る。パターンが付けられた基板は、高密度の光学ディスクの大量生産のためのスタンパーとして、或いは、マイクロコンタクトプリンティングのスタンプとして使用され得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＰＴＭが遭遇した課題の一つは、良好なピット形状を得ることである。この方法が加熱に基づいているため、その形状は、記録スタックにおける温度プロファイルによって大まかに決まってしまう。問題は、ほとんどの物質がかなり高い吸収速度（ほとんどの金属）、又は、かなり低い吸収速度（ほとんどの誘電体）の何れかを有するという事実にある。高い吸収速度を持つ物質は、ひどい吸着プロファイルを有する。熱がそのスタックに浸透している間、高い吸収速度は、力束における急速な減少、ひいては、達成すべき温度における急速な減少を与える。これは、必要とされるピット深さを得るのを困難にする。低い吸収速度を持つ物質は、極めて良好なピット形状を有するが、必要とされる温度を得るために、極めて高い書き込み出力を必要とされる。これは、従来のレコーダを用いて誘電体に直接書き込むことを不可能にする。
【０００６】
現在のところ、これらの問題は、マスクスタックを使用することにより克服された。選択エッチング可能な物質は、エッチング可能な誘電体物質の上に置かれる。選択エッチング可能とは、書き込まれたステージ、又は、書き込まれていないステージだけがエッチング可能なことを意味する。無差別エッチング可能とは、書き込まれたステージ、及び、書き込まれていないステージの双方がエッチング可能であることを意味する。マスク層を持つそのようなスタックでは、そのマスク層が極めて薄く、かつ、吸着プロファイルが問題にならない。エッチングの間、マスク層の書き込まれた部分が溶解し、マスクを形成する。そのマスクの下の誘電体は、そのマスク層がエッチングされたところだけで、エッチングされる。アンダーエッチングは、不可避であり、溶解時間が極めて重要となる。
【０００７】
従って、本発明の目的は、ＰＴＭに関連して良好なピット形状を提供するという、冒頭で触れたタイプの方法及びマスター基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的は、独立請求項の特徴によって解決される。本発明の更なる成果及び好適な実施例が従属請求項で概説される。
【０００９】
本発明の第一の特徴に従って、マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板の記録スタックにおける高密度の凹凸構造を与えるための方法が提供され、その方法は以下のステップを含む。
【００１０】
−誘電体層とその誘電体層内で熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
−レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっている誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；及び、
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ。
【００１１】
誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段は、良好なピット形状に最終的につながる、その記録スタックでの温度プロファイルを確かなものとする、書き込み処理中の熱吸収速度を含む。
【００１２】
本発明に従ったその方法の第一の全体的な実施例では、誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段は、その誘電体層の上、及び／又は、下に配置された、少なくとも一つの吸着層を含む。従って、その誘電体層の低すぎる吸収による問題は、伝導による加熱によって、回避される。吸着層は、選択的にエッチングされてもよく、或いは、無差別にエッチングされてもよい。
【００１３】
本発明に従ったその方法の第二の全体的な実施例では、誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段は、その誘電体層にドーピングされるドーパントを含む。従って、その誘電体層自体は、そのドーパントによって規定される波長帯でのより大きな吸収を行わせる。ドーピング濃度を変えることは、その吸収を調整可能なものとする。このように、その吸収は、例えば、既存のレーザの使用による書き込みを可能なものとするために十分高いものとされるが、良好なピット形状を得るために十分低いものとされる。第一及び第二の実施例が有利に組み合わされ得るのは明らかである。
【００１４】
本発明に従ったその方法の第三の全体的な実施例では、誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段は、アニーリング処理中にその誘電体層内で成長したナノ結晶を含む。室温において、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２フィルムは、ＳｉＯ２マトリックス（基質）に埋め込まれた小さなナノサイズのＺｎＳ粒子を含む。そのナノ結晶のサイズは、温度に依存する。温度上昇は、ナノ結晶のサイズの成長を開始させる。これは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の光吸収域における青色シフトにつながる。ナノ複合材料を経た青色光の散乱は、この青色シフトの主な理由と考えられる。好適なアニーリング温度は、６００℃と９００℃との間で変化する。例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ナノ結晶のサイズは、室温で、約２ｎｍであり、それは、７００℃で、約７．５ｎｍまで増大し、かつ、８００℃で５０ｎｍまで増大する。従って、例えば、スパッタリング蒸着されたＺｎＳ−ＳｉＯ２の薄層を炉内で７００℃まで加熱することは、青色シフトを発生させ、マークの直接記録を可能にする。そのようなアニーリングステップが提供された場合、少なくとも一部の場合においては、追加の吸着層、及び／又は、ドーピングが、４０５ｎｍのレーザビームレコーダを用いてそのＺｎＳ−ＳｉＯ２にマークを記録する上で、必要がないものとなる。
【００１５】
吸着層が使用される場合、その吸着層は、好適には、次のグループから選択された物質で作られる。Ｎｉ、Ｃｕ、ＧｅＳｂＴｅ、ＳｎＧｅＳｂ、ＩｎＧｅＳｂＴｅ、Ｃｕ−Ｓｉ若しくはＮｉ−Ｓｉのような物質を形成するシリサイド、核生成が優勢な相変化物質のような材料組成。その吸着層の必要とされる厚さは、吸収速度、熱伝導率、比熱等のような材料特性の多くに依存する。例えば、Ｎｉ層は、良好な結果につながる約１０ｎｍの厚さで構成される。
【００１６】
本発明の全ての実施例にとって、その誘電体層がＺｎＳ−ＳｉＯ２層であることが好適である。同様に、例えば、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｒＯ２のような金属酸化物である、他の誘電体物質も有力な候補である。
【００１７】
エッチング処理で用いられるエッチャント（腐食液）は、好適には、次のグループから選択される。ＨＮＯ３、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４のような酸性溶液、又は、ＫＯＨ、ＮａＯＨのようなアルカリ性の液体。
【００１８】
吸着層が使用された場合、エッチング処理中、レーザパルスが適用されたその吸着層の領域は、レーザパルスが適用されなかったその吸着層の領域と一緒に、取り除かれる。例えば、その吸着層がＮｉ層であり、かつ、ＨＮＯ３がその腐食液として使用された場合に、そのような結果が得られる。
【００１９】
しかしながら、エッチング処理中に、除去されるその誘電体層の領域の上に位置付けられたその吸着層の領域だけが除去されることもまた可能である。これを実現するために、例えば、アルカリ性や酸性の液体と組み合わせて相変化物質が使用され得る。
【００２０】
本発明に従った方法の更なる成果に従って、記録スタックを提供するステップは、その誘電体層の下にミラー層を更に含む記録スタックを提供することを含む。そのようなミラー層は、スタック効率全体を向上させ、かつ、そのピットの底面をより滑らかにする。
【００２１】
そのミラー層は、例えば、次のグループから選択された物質から作られ得る。Ａｇ、Ａｌ、Ｓｉ。何れの場合においても、そのミラー層は、使用されるエッチング液に対して耐久性があることが必要である。
【００２２】
一部の実施例では、記録スタックを提供するステップは、その誘電体層の上の吸着層と、その誘電体層の下の追加の吸着層とを含む記録スタックを提供することを含む。そのような追加の下位吸着層はまた、下からの熱を提供し、上位誘電体層における温度プロファイルを向上させることを可能にする。上位吸着層のように、その追加の吸着層は、高い吸収速度を持つ物質で作られる必要がある。その上位吸着層が持つ最も大きな違いは、その追加の吸着層が、使用されるその腐食液によってエッチング可能でなくてもよいという事実である。同様に、この層の必要とされる厚さは、吸収速度、熱伝導率、比熱等のような材料特性の多くに依存する。
【００２３】
これに関して、記録スタックを提供するステップが、その追加の吸着層の下に追加の誘電体層を更に含む記録スタックを提供することを更に含めば、好適な場合がある。その下位誘電体層は、その下位吸着層のための熱的隔離を提供し、かつ、言及された何れの誘電体から構成されてもよい。その下位誘電体層の厚さは、その光学特性及びそのミラー層と一緒になって、そのスタックを最適化する方法を与える。この厚さの最適化は、どのようにその出力がその吸着層全体に分配されるかを制御することができる。これは、そのピット形状に対する大きな制御性を与える。
【００２４】
本発明に従った方法の一部の実施例では、記録スタックを提供するステップは、被覆層を更に含む記録スタックを提供することを含む。その被覆層は、好適には、できるだけ薄いものであり、書き込み中に存在し、エッチングを用いて化学的に除去される。その機能は、その吸着層が化学分解するのを防止することである。
【００２５】
その被覆層は、好適には、エッチング可能な誘電体又はフォトレジストのような有機層で作られる。
【００２６】
本発明に従った方法の第二実施例では、その誘電体層内の熱誘導相変化を支援する手段は、その誘電体層にドーピングされたドーパントを含み、そのドーパントは、好適には、次のグループから選択される。Ｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ。しかしながら、様々な比率のＺｎＳ−ＳｉＯ２もまた候補となり得るし、また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２と他の吸収材料との混合物も候補となり得る。
【００２７】
本発明に従った方法の第一の全体的な実施例では、記録スタックを提供するステップが複数の交互に並ぶ誘電体層と吸着層とを含む記録スタックを提供することを含むこともまた可能である。同様に、この場合、特に、本発明に従った方法の第一の全体的な実施例に関して、上で議論された更なる成果が、同じ方法又は類似の方法で適用されてもよい。上で言及された物質の選択に関し、複数の誘電体層として非常に好適な物質は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２であり、また、複数の吸着層として非常に好適な物質は、ＳｎＧｅＳｂである。同様に、この更なる成果は、例えば、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るため、光学ディスクを作るため、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを作るため、かつ、マイクロプリントを作るため、使用されてもよい点に留意すべきである。そのような方法が以下で説明され、そして、当業者がこれらの方法を適宜に更に発展させることは明白である。従って、対応する特徴の組み合わせも、本明細書で開示される。
【００２８】
本文脈において、複数の交互に並ぶ誘電体層及び吸着層は、２〜２０層の誘電体層と２〜２０層の吸着層とによって形成され、好適には、５〜１５層の誘電体層と５〜１５層の吸着層とにより、最も好適には、約１０層の誘電体層と約１０層の吸着層とにより形成されることが好適である。
【００２９】
複数の交互に並ぶ誘電体層及び吸着層が提供された場合、その誘電体層は、好適には、０．５ｎｍと２０ｎｍとの間の厚さで構成され、好適には、１ｎｍと１０ｎｍとの間であり、最も好適には、約５ｎｍである。
【００３０】
複数の吸着層に関して、これら吸着層は、好適には、０．１ｎｍと１０ｎｍとの間の厚さで構成され、好適には、０．２ｎｍと５ｎｍとの間であり、最も好適には、約１ｎｍである。
【００３１】
本発明の第二の態様に従って、高密度の凹凸構造を創出するためのマスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板が提供され、そこで、高密度の凹凸構造を形成するために、レーザパルスに対するその吸収特性を高めるドーパントによってドーピングされる誘電体層が提供される。従って、本発明に従った方法の第二実施例に関して既に言及されたように、誘電体層自体は、そのドーパントによって規定される波長帯でより多くの吸収性を持たせる。ドーピング濃度を変えることは、その吸収を調整可能にし、また、その吸収は、例えば、既存のレーザの使用による書き込みを可能とするのに十分高いものとなり得るが、良好なピット形状を得るのに十分低いものとなり得る。
【００３２】
同様に、この場合、そのドーパントは、好適には、次のグループから選択される。Ｎ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎ。既に言及したように、様々な比率のＺｎＳ−ＳｉＯ２もまた候補となり得るし、また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２と他の吸収材料との混合物も候補となり得る。
【００３３】
本発明の更なる態様に従って、高密度の凹凸構造を創出するためのマスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板が提供され、そこで、その高密度の凹凸構造を形成するために、アニーリング処理によって成長したナノ結晶を含む誘導体層が提供される。従って、本発明に従った方法の第三実施例に関して既に言及されたように、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の光吸収域における青色シフトが得られ得る。
【００３４】
本発明の第三の態様に従って、マスター基板、特に、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るためのマスター基板、又は、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを創出するためのマスター基板の記録スタックにおける高密度の凹凸構造を提供するための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００３５】
−誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
−２５０ｎｍと８００ｎｍとの間の波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；及び、
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ。
【００３６】
この解決策は、特定の波長帯でかなり高い吸収係数を持つ誘電体物質が存在することを見出したことに基づいている。従って、少なくとも一部の場合には、直接記録を可能にするために追加の吸収層も追加のドーピング物質も必要とされない。
【００３７】
特定の波長帯を用いた書き込みのために好適な誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層である。ＺｎＳ−ＳｉＯ２は、２５７ｎｍ波長で、約０．５の吸収係数を含む。ＺｎＳ−ＳｉＯ２、特に、未処理のＺｎＳ−ＳｉＯ２を記録するための別の有力な候補は、例えば、２６６ｎｍの波長を、特に、ＬＢＲの使用に関連して、使用することである。好適な書き込み出力は、０．５ｍＷと１．５ｍＷとの間に分布する。
【００３８】
ＰＴＭマスタリングのためにＺｎＳ−ＳｉＯ２を使用する場合、レーザパルスが適用されておらず、かつ、相変化を経験していない領域（記憶されていない領域）は、エッチング処理によって取り除かれる。従って、記録が行われた物質は、その記録が行われた物質が取り除かれる場合と比べて、上下逆さまの極性構造を形成する隆起構造として残る。この上下逆さまの極性の結果として、アンダーエッチングのリスクが存在し、その隆起構造は、例えば、そのマスター基板とその上に成長したスタンパーとを分離する間の問題につながる。アンダーエッチングのこの問題を解決するために、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層（１４）のＺｎＳ構成要素は、好適には、重量パーセントでいうところの８０％未満で存在する。従って、そのＰＴＭ物質の吸収は、下げられ得る。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の初期設定比率は、重量パーセントでいうところの８０％−２０％であるが、これに関しては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のその比率が７０％−３０％、及び、６０％−４０％であることが好適である。この解決策により、アンダーエッチングの問題は、克服され、或いは、少なくとも低減される。
【００３９】
上述のようなアンダーエッチングを防止する、或いは、少なくとも低減するための更なる可能性は、記録スタックが少なくとも一つの吸着層を含むことである。一又は二以上の吸着層が、下からの追加の熱流を生じさせるためにその記録スタックに追加され得る。この場合、熱は、その吸着層でも発生させられ、そのようにして、その隆起構造を改善する。吸着層の有力な候補は、例えば、ＳｂＴｅ、Ｓｉ、Ａｇ、Ａｌ等である。ＺｎＳ−ＳｉＯ２層が完全に現像される場合（その吸着層までエッチングされる場合）、その吸着層は、エッチングレジスト（エッチングに対し耐性を持つ）であるべきである。露出（例えば、ＨＮＯ３への露出）後には、テーパーのようなプロファイルを持つ隆起が残る。
【００４０】
エッチング処理の後、コーティングが適用されることも可能である。例えば、現像されたマスター基板は、アンダーエッチング領域を塗りつぶすために、シランフィルム（又は、別のスピンコートされた有機フィルム）で被覆されてもよい。毛管力が、そのポリマー層をその隆起のアンダーエッチング部分に残存させ、そして、そのようにしてその隆起を改善する。
【００４１】
特に、アンダーエッチングを防止し、或いは、低減させるために実施例群が想定され、そこでは、取り除かれてはいけないその誘電体層の領域のアンダーエッチングが発生する前にそのエッチング処理が止められる。そのエッチング処理が上手く制御されると、所定の深さが得られ、かつ、アンダーエッチングは回避される。
【００４２】
更なる実施例に従って、その誘電体層は、レーザパルスの適用中にレーザの近くに配置される第一表面とレーザパルスの適用中にレーザから遠くに配置される第二表面とを含み、そこにおいて、その誘電体層の第二表面でエッチング処理が開始する。この技術は、“隆起形状リバーサル”と呼ぶことができ、適切な隆起形状を得るための有力な候補の一つである。例えば、ウェットエッチングの前に、スタンパーは、現像されたＰＴＭマスターから成長してできる。その後、そのマスター基板及びそのスタンパーは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のガラス界面で分離される。その後、その記録が行われたＰＴＭ層は、現像される。その結果生ずる隆起構造は、適切な隆起形状を持ち、そのままで、複製又はマザースタンパーの成長に適合する。
【００４３】
本発明の第四の態様に従って、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００４４】
−誘電体層とその誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
−レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；及び、
−その記録スタックに基づいてそのスタンパーを作るステップ。
【００４５】
本発明の第五の態様に従って、光学ディスクを作るための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００４６】
−誘電体層とその誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
−レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；
−その記録スタックに基づいてスタンパーを作るステップ；及び
−その光学ディスクを作るためにそのスタンパーを使用するステップ。
【００４７】
本発明の第六の態様に従って、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを作るための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００４８】
−誘電体層とその誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
−レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層（１４）の領域（２６）をエッチング処理により取り除くステップ；及び、
−その記録スタックに基づいてそのスタンプ（４２）を作るステップ。
【００４９】
本発明の第七の態様に従って、マイクロプリントを作るための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００５０】
−誘電体層とその誘電体層内の熱誘導相変化を支援するための手段とを含む記録スタックを提供するステップ；
−レーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；
−その記録スタックに基づいてスタンプを作るステップ；及び
−そのマイクロプリントを作るためにそのスタンプを使用するステップ。
【００５１】
本発明の第八の態様に従って、光学ディスクの大量生産のためのスタンパーを作るための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００５２】
−誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
−２５０ｎｍと２６４ｎｍとの間で、特に、２５７ｎｍの波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；
−その記録スタックに基づいてそのスタンパーを作るステップ。
【００５３】
本発明の第九の態様に従って、光学ディスクを作るための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００５４】
−誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
−２５０ｎｍと２６４ｎｍとの間で、特に、２５７ｎｍの波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；
−その記録スタックに基づいてスタンパーを作るステップ；及び
−その光学ディスクを作るためにそのスタンパーを使用するステップ。
【００５５】
本発明の第十の態様に従って、マイクロコンタクトプリンティングのためのスタンプを作るための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００５６】
−誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
−２５０ｎｍと２６４ｎｍとの間で、特に、２５７ｎｍの波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；及び
−その記録スタックに基づいてそのスタンパーを作るステップ。
【００５７】
本発明の第十一の態様に従って、マイクロプリントを作るための方法が提供され、その方法は、以下のステップを含む。
【００５８】
−誘電体層を含む記録スタックを提供するステップ；
−２５０ｎｍと２６４ｎｍとの間で、特に、２５７ｎｍの波長を持つレーザパルスを適用することによりピット／隆起が形成されることとなっているその誘電体層の領域で熱誘導相変化を発生させるステップ；
−相変化を経験した誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；又は、
−相変化を経験していない誘電体層の領域をエッチング処理により取り除くステップ；及び
−その記録スタック（１０）に基づいてスタンプを作るステップ；及び
−そのマイクロプリントを作るためにそのスタンプを使用するステップ。
【００５９】
本発明のこれらの、及び、他の態様は、以下に記載される実施例から明白であり、以下に記載される実施例を参照することで解明される。
【００６０】
更に、本発明の第四〜第十一の態様に従ったそれら解決策が、本発明の第一〜第三の態様に関連して開示される実施例及び詳細に対応して更に発展させられ、かつ、それぞれの特徴の全ての組み合わせが、たとえ付属の請求項で現在、明示的に主張されていなくとも、本明細書で開示されたものと見なされることは、明らかである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６１】
全図面に亘って、同じ又は類似の参照番号が同じ又は類似の構成要素に割り当てられ、繰り返しを避けるために、ほとんどの場合に一度だけ説明される。
【実施例１】
【００６２】
図１ａ〜１ｃは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第一実施例を示し、そこで、図１ａは、未処理のマスター基板１２を示し、図１ｂは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図１ｃは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【００６３】
マスター基板１２の記録スタック１０は、吸着層１６を支える誘電体層１４から構成される。誘電体層１４の下には、任意的なミラー層が備えられる。実施例における吸着層１６は、実際には、高い吸収速度を有し、かつ、無差別にエッチング可能な何れの物質であってもよい。多くの金属（例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ等）は、吸着剤として使用され得る。かなり高い融解温度を有する結晶相変化物質（例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ドープＳｂ２Ｔｅ）もまた、吸着剤として使用され得る。好適な物質は、Ｎｉであり、その可用性及び酸化に対する不活性のためである。吸着層１６の必要とされる厚さは、吸収速度、熱伝導率、比熱等のような材料特性の多くに依存する。例えば、Ｎｉの場合、１０ｎｍがうまくいく。
【００６４】
図１ａ〜１ｃの実施例では、誘電体層１４は、ＺｎＳ-ＳｉＯ２であるが、他の誘電体もまた、選択的なエッチング性を示す場合がある。この誘電体層１４の厚さは、形成されるピット２４の見込まれる深さを決める。ミラー層３２は、任意的であり、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｉ等のような金属で作られ得る。誘電体層１４の下のその層が、使用される腐食液によってエッチング不可である限り、それは、使用され得る。これは、基板自体となる場合があるが、付け加えられたミラー層３２は、スタック性能全体を改善し、かつ、ピット２４の底面をより滑らかにする。必要ならば、酸化や融解に起因するマテリアルシフトを防止するために、被覆層が用いられてもよい。この被覆層は、図１ａ〜１ｃには示されていないが（また、図２〜６にも示されていない。）、本明細書で説明される全ての実施例で備えられていてもよい。その被覆層は、エッチング可能な誘電体層又は有機層で作られてもよく、できる限り薄くすべきである。腐食液としては、ＨＮＯ３、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４のような酸性溶液、又は、ＫＯＨ及びＮａＯＨのようなアルカリ性液が使用され得る。エッチング後に結果として生じる凹凸構造は、図１ｄ及び１ｅに与えられる。
【００６５】
図１ａのマスター基板１２を用いて、本発明の方法が次のように実行され得る。
【００６６】
最初に、図１ａに示され、かつ、誘電体層１４と誘電体層１４内の熱誘導相変化を支援する手段１６とから構成される、記録スタック１０が準備され、そこで、誘電体層１４内の熱誘導相変化を支援するその手段は、吸着層１６によって実現される。
【００６７】
その後、レーザパルスを適用することでピット２４が形成される、誘電体層１４の領域２２で、熱誘導相変化が引き起こされる。その結果が図１ｂに示される。
【００６８】
最後に、相変化を経験した、誘電体層１４の領域２２は、エッチング処理によって取り除かれる。図１ｃから分かるように、書き込まれた誘電体層２２ばかりでなく、吸着層１６の全部が、エッチング液で溶解される。
【００６９】
図１ｃiは、スタンパー４０及びスタンプ４２の形成をそれぞれ概略的に示す。スタンパー４０及びスタンプ４２は、それぞれ、高密度の凹凸構造２４に基づいて形成される。金属層を備えるために、例えば、薄いＮｉ層が、マスター基板１２の記録スタックに形成される高密度凹凸構造２４の上にスパッタリング蒸着される。このＮｉ層は、その後、電気化学的に、扱いやすい厚さのスタンパー４０又はスタンプ４２にまで育成される。スタンパー４０又はスタンプ４２は、マスター基板２６から分離され、そして、更なる処理（洗浄、パンチ等）が施される。
【００７０】
図１ｃiiは、当業者によく知られているように、スタンパー４０に基づく光学ディスク５０の形成を概略的に示す。
【００７１】
図１ｃiiiは、当業者によく知られているように、スタンプ４２に基づくマイクロプリント５２の形成を概略的に示す。
【００７２】
図１ｄは、以下の実際の実験の結果の断面解析を示す。トラックピッチ３２０ｎｍのプレグルーブ（事前に溝が付けられた）ＢＤ−ＲＥ基板は、厚さ８７ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層と１０ｎｍのＮｉ吸着層とを含む記録スタックを備えた。そのプレグルーブは、トラッキングのために使用された。連続的な溝は、連続レーザ出力（Ｐｕｌｓｔｅｃ製、ＮＡ（Numerical  Aperture）＝０．８５、波長４０５ｎｍ、連続出力３．４ｍＷ）の適用によってプレグルーブスタックに書き込まれた。Ｎｉ層及びＺｎＳ−ＳｉＯ２層の書き込まれたセクションは、１５分間、１％ＨＮＯ３でエッチングされた。特有の形は、加熱されたＺｎＳ−ＳｉＯ２層が部分的にエッチングされたことを示す。測定された深さプロファイルは、深い溝と浅い溝との存在を示す。浅い溝は、記録スタックのスパッタリング蒸着後のプレグルーブの残りである。深い溝は、書き込まれたＺｎＳ−ＳｉＯ２層の選択エッチングによってもたらされる。エッチングが実行された後、最終的なピットが完全に一材料に書き込まれる。これは、アンダーエッチングの可能性を排除し、かつ、滑らかなピット壁を与えるようにする。
【００７３】
図１ｅは、別の実際の実験の結果の断面解析を示す。ポリカーボネート基板は、厚さ２００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層とＣｕ吸着層とを備えた。１００μｍ幅のトレースが、日立製イニシャライザ（波長８１０ｎｍ、ブロードスポット１００μｍ）で書き込まれた。ＨＮＯ３でのディスクの溶解後、１９０ｎｍの高さのステップが結果として生じた。この例は、その処理が様々な吸着層及び様々なレーザ波長を用いて機能することを示す。このサンプルは、滑らかさに劣る。これは、酸化の影響に極めて敏感な銅の使用によるものである。
【００７４】
図１ｆは、Ｐｕｌｓｔｅｃ製のもので書き込まれた隆起構造の例を示す。再び、１０ｎｍのＮｉ最上層を持つ１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層が使用された。長さ１４Ｔのシングルトーンがディスク上に書き込まれた。被照ディスクは、１５分間、１％ＨＮＯ３で処理された。我々は、その隆起とその中間地との双方に存在している、プレグルーブの跡の浅い溝をはっきりと見る。その隆起／ピットは、間接的な加熱効果のために、かなり広い。壁の角度は、かなり大きい。また、その取得されるピット深さは、ほとんど、初期のＺｎＳ−ＳｉＯ２層の厚さの深さである。
【００７５】
図１ｇは、書き込まれる隆起のサイズを制御するためにその時間が変えられ得る例を示す。三つの異なる溶解時間に対する隆起構造の三次元ＡＦＭ（Atomic  Force  Microscope）スキャンが示され、すなわち、１％ＨＮＯ３での、５分（左画像）、１５分（中央画像）及び２５分（右画像）である。これはまた、結晶状態がＨＮＯ３で溶解されるが、書き込みのない非晶相よりもずっとゆっくりであることを図解する。明らかに、２５分の溶解時間は長過ぎ、１５分が、スタックデザインとの組み合わせにおけるこれらの書き込み条件にとって最適のようである。
【実施例２】
【００７６】
図２ａ〜２ｃは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第二実施例を示し、そこで、図２ａは、未処理のマスター基板１２を示し、図２ｂは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図２ｃは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【００７７】
また、この実施例においても、マスター基板１２の記録スタック１０は、吸着層１６を支える誘電体層１４から構成され、誘電体層１４の下には、任意的なミラー層３２が備えられる。しかしながら、この実施例では、吸着層１６が、書き込まれたフェーズでだけ、誘電体層１４をエッチングするために使用された腐食液によってエッチング可能な層である。これは、図２ｃのように、結果として生ずるピット２４にいくらかの追加の深さを加える。実施例１のように、多くの金属や核形成が優勢な相変化物質のような合成物等の多くの物質が吸着層１６のために使用され得る。例えば、アルカリ性及び酸性の液体と組み合わせた相変化物質が使用され得る。
【００７８】
図２ａのマスター基板１２を用いて、本発明の方法が以下のように実行され得る。
【００７９】
最初に、図２ａに示され、かつ、誘電体層１４と誘電体層１４内の熱誘導相変化を支援する手段１６とから構成される、記録スタック１０が準備され、そこで、誘電体層１４内の熱誘導相変化を支援するその手段は、選択エッチング可能な吸着層１６によって実現される。
【００８０】
その後、レーザパルスを適用することでピット２４が形成されるはずの誘電体層１４の領域２２で、熱誘導相変化が引き起こされる。その結果が図２ｂに示される。
【００８１】
最後に、相変化を経験した、誘電体層１４の領域２２は、エッチング処理によって取り除かれる。図２ｂと２ｃとを比較することで分かるように、この場合、誘電体層１４の領域２２の上にある吸着層１６の領域２８だけが、エッチング液で溶解される。
【００８２】
実施例２に従って、例えば、吸着層１６が成長優勢な相変化物質（例えば、ＩｎＧｅＳｂＴｅ、ＳｎＧｅＳｂ等）によって置き換えられることも可能である。吸着層１６の書き込まれたマーク２８は、誘電体層１４の領域２２を選択エッチングするために使用されたのと同じ腐食液によってエッチング可能である。これは、潜在的に、グロースバックを経てチャネルビット長を低減させる。また、この場合においても、本発明に従った方法は、上述のように実行され得る。
【実施例３】
【００８３】
図３ａ〜３ｃは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第三実施例を示し、そこで、図３ａは、未処理のマスター基板１２を示し、図３ｂは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図３ｃは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【００８４】
また、この場合においても、マスター基板１２の記録スタック１０は、吸着層１６を支える誘電体層１４から構成され、誘電体層１４の下には、任意的なミラー層３２が備えられる。しかしながら、第三実施例では、吸着層１６が、Ｃｕ−Ｓｉ又はＮｉ−Ｓｉのようなシリサイド形成層によって形成される。第三実施例では、領域２８だけ、すなわち、吸着層１６の書き込みが行われたフェーズだけが溶解され、すなわち、上位シリサイド形成層１６ａと吸着層１６の下部分１６ｂとの双方の書き込まれていない領域３０は、溶解されない。これの有利点は、追加のピッチ深さである。
【００８５】
図３ａのマスター基板を用いて、本発明に従った方法は、実施例２に関連して上で説明されたように実行される。
【実施例４】
【００８６】
図４ａ〜４ｃは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第四実施例を示し、そこで、図４ａは、未処理のマスター基板１２を示し、図４ｂは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図４ｃは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【００８７】
実施例４では、マスター基板１２の記録スタック１０は、実施例３に関連して説明されたものと同じである。しかしながら、実施例４に従って、書き込まれたフェーズ２８、２２、及び、一番上の書き込まれていない層１６ａの双方は、実施例１に関連して上で説明された方法が適用された場合に、溶解される。その結果が図４ｃに示される。これの有利点は、追加のピッチ深さ及び上面の改善された滑らかさである。
【実施例５】
【００８８】
図５ａ〜５ｃは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第五実施例を示し、そこで、図５ａは、未処理のマスター基板１２を示し、図５ｂは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図５ｃは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【００８９】
実施例５に従って、上位吸着層１６及び誘電体層１４は、実施例１〜４の何れにおいても提案されたものである。しかしながら、下からも熱を供給し、上位誘電体層１４における温度プロファイルを改善することを可能にするために、追加吸着層１８が付け加えられた。上位吸着層１６のように、この層１８は、高い吸収速度を有する物質で作られる必要がある。上位吸着層１６との最も大きな違いは、追加吸着層１８が、使用された腐食液によってエッチング可能でなくてもよいという事実である。この層１８の必要とされる厚さは、吸収速度、熱伝導率、比熱等のような多くの材料特性に依存する。更に、追加吸着層１８の下に配置される追加誘電体層３６が備えられる。下位誘電体層３６は、下位吸着層１８のための熱的隔離を提供し、言及された何れの誘電体で構成されてもよい。下位誘電体層３６の厚さは、その光学特性及びミラー層３２と共に、そのスタックを最適化するための方法を提供する。この厚さの最適化は、その出力がその吸着層全体にどのように分配されるかを制御する。これは、そのピット形状に対する大きな制御性を与える。
【００９０】
実施例５では、本発明に従った方法が、実施例１に関連して上で説明されたように、適用され得る。その結果は、図５ｃに示される。
【００９１】
下位吸着層１８だけを考慮し、上位吸着層１６を省略することも可能である。これに関連して、２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２記録層、２５ｎｍの相変化吸着層（ＩｎＧｅＳｂＴｅ）、１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２インターフェース層及び１００ｎｍのＡｇ層（もしかすると、そのスタックの引き抜きを提供する。）から構成される記録スタックで、以下の実験が実施された。相変化層のレーザ誘起加熱は、拡散を経てＺｎＳ−ＳｉＯ２上層の間接的な加熱をもたらした。その相変化層は、マスタリングに先立って結晶化された。連続的な非晶質のトレースが、連続的なレーザ出力の適用によって書き込まれ、非晶質のマークがパルス書き込み方針によって書き込まれた。その書き込み方針は、相変化フィルムが溶けるのを抑えるために、その書き込みパルス群の間に十分な冷却時間を準備すべく短い書き込みパルスを含めた。最初の書き込み実験は、Ｎ方針で実施された。そのような書き込み方針では、３Ｔマークが三つの書き込みパルスによって書き込まれた。その記録されたディスクは、ＮａＯＨ現像液（１０％）で処理された。
【００９２】
図５ｄは、三つの異なる出力設定（４１３ＬＢＲ、２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２フィルム、１０％ＮａＯＨで１０分間）で書き込まれた溝のＡＦＭプロットを示し、その溝の深さは、２０ｎｍであった。被照領域は、ＮａＯＨによるエッチング後に陸の台地を残している。より高い書き込み出力は、より広い陸の台地（陸とは明るいストライプである。）、及び、その間のより狭い溝（溝とは、暗いストライプである。）につながる。
【００９３】
図５ｅは、書き込まれたデータの例を示す。書き込みのないＺｎＳ−ＳｉＯ２フェーズは、アルカリ性の液体で溶解し、一方で、書き込まれた領域は、その表面に残存した。これらの記録された領域は、その表面における隆起として残存する。三つのパネルは、三つの異なる記録出力を表す。パルス書き込み方針がこれらのマークを書き込むために使用された。図５ｅは、２５ｎｍの厚さのＺｎＳ−ＳｉＯ２被覆層及びＩｎＧｅＳｂＴｅ相変化フィルムを持つ記録スタックにおいて、４１３ｎｍのＬＢＲで書き込まれたデータパターンのＡＦＭ画像を示し、三つの書き込み出力は、３３ＩＬＶ（左画像）、３９ＩＬＶ（中央画像）及び５１ＩＬＶ（右画像）（１０％ＮａＯＨ、ＴＰ＝５００ｎｍで１０分間）である。
【実施例６】
【００９４】
上の実施例１〜５は、第一の全体的な実施例に関するが、実施例６は、第二の全体的な実施例に関し、吸着特性を高めるためにドーパントが使用される。
【００９５】
図６ａ〜６ｃは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第六実施例を示し、そこで、図６ａは、未処理のマスター基板１２を示し、図６ｂは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図６ｃは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【００９６】
実施例６では、マスター基板１２の記録スタック１０は、吸着特性を高めるために適切なドーパント２０によってドーピングされた誘電体層１４を含む。誘電体層１４の下には、任意的なミラー層３２が備えられる。そのドーパントは、好適には、次のグループから選択される。Ｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ。しかしながら、異なる比率のＺｎＳ−ＳｉＯ２、又は、他の吸着物質とＺｎＳ−ＳｉＯ２との混合物もまた可能である。
【００９７】
そのドーパントは、たとえ吸着層が存在しない場合であっても、レーザパルスを適用することにより、ピット２４が形成されるところ（図６ｃ参照。）である誘電体層１４の領域２２において熱誘導相変化が保証されることを確実にする。エッチング処理の結果は、図６ｃに示される。
【００９８】
例えば、青色吸着相変化物質のＺｎＳ−ＳｉＯ２へのドーピングは、以下の方法で実現され得る。ＺｎＳ−ＳｉＯ２とＧｅＳｂＳｎとを一緒に混ぜたターゲットが準備され得る。その合成における吸着物質の割合は、４０５ｎｍの波長の光を吸収するのに十分である必要があるが、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の相変化における何れのノイズをも防止するために十分低いままであるべきである。適切な合成は、およそ、１５％（体積）のＧｅＳｂＳｎと８０％（体積）のＺｎＳ−ＳｉＯ２とであることが分かった。そのようなものであることが技術的に知られているので、そのドーピングは、二つの別々のターゲットである、ＺｎＳ80−ＳｉＯ2_20（at.%）及びＧｅ12.6Ｓｂ69.2Ｓｎ18.3（at.%）を利用して実施されてもよい。ＺｎＳ−ＳｉＯ２とＧｅＳｂＳｎとを共蒸着させるために、そのターゲットと同じ外径を持つＺｎＳ−ＳｉＯ２のディスクは、そのＧｅＳｂＳｎターゲットに密着させて置かれてもよい。ＧｅＳｂＳｎのスパッタリングを可能にするために、そのＺｎＳ−ＳｉＯ２ディスクの中心に円形の穴が創出されてもよい。その穴の直径は、スパッタリングされたＧｅＳｂＳｎのＺｎＳ−ＳｉＯ２に対する比率を決める。
【実施例７】
【００９９】
図７ａ〜７ｃは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第七実施例を示し、そこで、図７ａは、未処理のマスター基板１２を示し、図７ｂは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図７ｃは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【０１００】
実施例７に従って、マスター基板１２の記録スタック１０は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２でできた誘電体層１４を含む。更に、任意的なミラー層３２、及び、同様に任意的な被覆層３８が備えられる。被覆層３８は、好適には、できるだけ薄く、書き込み中に存在し、かつ、エッチングを経て化学的に取り除かれる。その機能は、吸着層が化学分解されるのを防止することであり、吸着特性を高めることではない。
【０１０１】
図７ａのマスター基板を用いて、本発明に従った方法が以下のように実行され得る。
【０１０２】
最初に、誘電体層１４（また、ミラー層３２及び被覆層３８）を含む記録スタック１０が準備される。
【０１０３】
その後、２５７ｎｍの波長を持つレーザパルスを適用することにより、ピット２４が形成されるところで、誘電体層１４の領域２２における熱誘導相変化がもたらされる。
【０１０４】
最後に、相変化を経験した誘電体層１４の領域２２がエッチング処理によって取り除かれる。
【０１０５】
図７ｄ及び７ｅは、図７ａ〜７ｃに従ったマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の断面解析を示す。ＺｎＳ−ＳｉＯ２における記録は、２６６ｎｍの波長、すなわち、遠紫外線レーザ波長で実施される。特に、２６６ｎｍレーザビームレコーダを用いた実験は、適度のレーザ出力が遷移温度を実現するために求められることを意味する優れた吸着、及び、優れた選択エッチング成績を示した。典型的な結果は、図７ｄで与えられる。５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層がガラス基板にスパッタリング蒸着された。２６６ｎｍのレーザビームレコーダがＺｎＳ−ＳｉＯ２層にマークを書き込むために使用された。約７５０〜９００℃の温度上昇を生じさせるために約１ｍＷのレーザ出力が必要とされる。記録された層は、その層の書き込みのない部分を取り除くために、０．５％のＨＮＯ３溶液で処理される。記録され、かつ、エッチングされた、８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層の例が図７ｅに与えられ、そこにおいて、再び、２６６ｎｍのＬＢＲで照射が実施され、かつ、その層を選択エッチングするために、記録された層が０．２５％のＨＮＯ３溶液で処理される。図７ｄ及び７ｅの原子間力顕微鏡の像は、ＰＴＭ材料としてＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いたときに実現され得る高いコントラストを示す。
【０１０６】
図７ｆに示されるように、ＺｎＳ−ＳｉＯ２材料がＨＮＯ３エッチングに対して不活性となるとすぐ、相変化の情報を取得するため、示差走査熱量計（ＤＳＣ）測定が実施された。記録実験に基づいて、それは、約８００℃になることが期待される。しかしながら、閃亜鉛鉱からウルツ鉱への相変化は、バルク材では１０２０℃の温度で発生する。そのため、実験は、毎分１０℃の一定の加熱速度（ＴＥＭＰカーブ）で、２０℃から１２００℃の広い温度範囲で行われた。ＺｎＳ−ＳｉＯ２の二つの異なるサンプルがテストされた。一つのサンプルは、スパッタリングターゲットから取得されるＺｎＳ−ＳｉＯ２パウダーと、スパッタリングの残りから取得されるパウダーとから構成された。窒素流は、サンプルの酸化を最小化するためにそのチャンバー内で維持された。図７ｆのＤＳＣ結果は、蒸着されたＺｎＳ−ＳｉＯ２パウダーのために与えられる。熱流量におけるはっきりした変化は観察されないが、質量におけるはっきりした落ち込みが、６５０℃及び８００℃のところで見られた。熱流量（ＤＳＣカーブ）は、時間と共に増大した。全質量は、約６５０℃及び約８００℃のところで二つのはっきりした落ち込みを見せる（ＴＧカーブ）。
【０１０７】
８００℃の相変化温度は、記録実験と一致している。マークは、５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層のところで、異なる記録出力で、書き込まれ、その後にＨＮＯ３でエッチングされた。そのマークの幅は、ＡＦＭで測定され、これらの結果が図７ｇで与えられる。更に、三次元シミュレーションツールがマークの幅を予測するために使用された。ＺｎＳ−ＳｉＯ２記録スタックの熱伝導率、熱容量及び光学特性、並びに、書き込み条件（レーザ出力、記録速度、光学スポットサイズ等）がそのモデルに入力された。８００℃の相変化温度のためのシミュレーション結果は、同様に、図７ｇに示される。従って、図７ｇは、８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層（２６６ｎｍ波長、Ｎ．Ａ．＝０．９）に書き込まれた、記録及びエッチングによるマークの、半値全幅の計算値と測定値との間の比較を示す。シミュレーションと実験との間の良好な一致が、０．５〜１．５ｍＷの出力領域で部分的に認められる。０．５ｍＷより低い出力値では、多くの場合、８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層に２６６ｎｍで書き込むためには、光吸収が十分でない。シミュレーションと実験との間のこの良好な一致は、約８００℃でマークがＺｎＳ−ＳｉＯ２に記録されることを示す。
【実施例８】
【０１０８】
図８ａ〜８ｃは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第八実施例を示し、そこで、図８ａは、未処理のマスター基板１２を示し、図８ｂは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図８ｃは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【０１０９】
マスター基板１２の記録スタック１０は、例えば、ガラス基板又はプレグルーブのポリカーボネート基板であり得る基板９０を含む。その基板９０上には、記録スタック１０の反射を向上させるために、ミラー層３２が備えられる。ミラー層３２は、任意的であり、かつ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｉ等の金属から作り出され得る。誘電体層１４の下にあるその層が、使用された腐食液によってエッチング不可である限り、それは、使用され得る。これは、基板自体であってもよいが、付け加えられたミラー層３２は、スタック性能全体を改善し、ピット２４の底面をより滑らかにする。
【０１１０】
マスター基板１２の記録スタック１０は、選択エッチング可能な誘電体物質であるＺｎＳ−ＳｉＯ２、及び、ＳｎＧｅＳｂ吸着層の多数の対を含む。これらの吸着層は、選択的に、或いは、無差別に、エッチング可能であってもよい。詳細には、図示された記録スタック１０は、５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層と、１ｎｍのＳｎＧｅＳｂ相変化層とを備えた１０対、すなわち、交互に並ぶ、誘電体１４、５４、５８、６２、６６、７０、７４、７８、８２、８６、及び、吸着層１６、５６、６０、６４、６８、７２、７６、８０、８４、８８の２０個を含む。ＳｎＧｅＳｂ吸着層は、例えば、青色（４０５ｎｍ）レーザ光（ＺｎＳ−ＳｉＯ２は、４０５ｎｍのレーザ波長をほとんど吸収しない。）に晒されたときに、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を間接的に加熱するために使用される。その熱は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層で相変化を生じさせる。そのＺｎＳ−ＳｉＯ２層は、レーザ誘起加熱をするとすぐに、選択エッチングを呈し、それにより、エッチング後の凹凸構造を創出する。その書き込まれた状態は、上述の酸のような化学反応体に晒されたときに、初期の書き込みのない状態よりも、ずっと低いエッチング速度を有し、エッチング後に隆起構造が残るようにする。必要ならば、酸化や融解に起因するマテリアルシフト（図８ａ〜８ｃでは図示せず。）を防止するために、被覆層が使用されてもよい。そのような被覆層は、エッチング可能な誘電体層又は有機層でできていてもよいが、できるだけ薄くすべきである。腐食液としては、ＨＮＯ３、ＨＣｌ、Ｈ２ＳＯ４のような酸性溶液、又は、ＫＯＨやＮａＯＨのようなアルカリ性の液体が使用されてもよい。
【０１１１】
図８ａのマスター基板１２を用いて、本発明の方法が以下のように実行され得る。
【０１１２】
最初に、図８ａに示され、１０個の誘電体層１４、５４、５８、６２、６６、７０、７４、７８、８２、８６と、誘電体層１４、５４、５８、６２、６６、７０、７４、７８、８２、８６内での熱誘導相変化を支援するための手段１６、５６、６０、６４、６８、７２、７６、８０、８４、８８とを含む記録スタック１０が準備される。
【０１１３】
その後、レーザパルスの適用によってピット２４（図８ｃ）が形成されないところである、誘電体層１４、５４、５８、６２、６６、７０、７４、７８、８２、８６の領域２２において熱誘導相変化がもたらされる。その結果は、図８ｂに示される。
【０１１４】
最後に、第一吸着層１６と、相変化を経験していない、誘電体層１４、５４、５８、６２、６６、７０、７４、７８、８２、８６の領域２６とが、吸着層１６、５６、６０、６４、６８、７２、７６、８０、８４、８８の隣接部分と一緒に、エッチング処理によって取り除かれる。その結果は、図８ｃに示される。
【０１１５】
実際の実験では、１０対の５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層と１ｎｍのＳｎＧｅＳｂ相変化層とから構成される記録ディスクが、エッチング後に、境界明りょうなピット構造を提供した。実際の実験の一つでは、記録スタックが、ガラス基板の上にスパッタリング蒸着された。隆起及び溝は、レーザビームレコーダ（第一表面記録、ＮＡ＝０．９、４０５ｎｍ波長）によって書き込まれた。実際の実験の別のものでは、記録スタックは、プレグルーブのポリカーボネート基板上にスパッタリング蒸着された。この基板は、Ｐｕｌｓｔｅｃ（第二表面記録、ＮＡ＝０．８５、４０５ｎｍ波長）で記録され、追加の被覆層を持つ。書き込まれたディスクは、ＨＮＯ３酸性溶液で処理された。ＬＢＲに晒されたガラスのサンプルは、直接エッチングされた。記録スタックを持つポリカーボネートのサンプルでは、その被覆層がエッチングに先だって取り除かれた。薄い吸着層が記録スタックにおける吸着を実際に導入したことを例証する、双方のタイプのテストサンプルに対し、記録出力は、３ｍＷと５ｍＷとの間に分布した。記録スタックのレーザ誘起加熱は、蒸着されたアモルファスの相変化吸着層の部分的な結晶化をもたらした。書き込まれたデータトラックは、エッチングに先立って明確に視認できた。そのような検出可能な相変化は、その物質が４０５ｎｍのレーザと組み合わせて使用される場合に、際立って重要である。その場合、集束レーザスポットの先端だけが書き込みのために使用され、そのシステムを出力変動に対して極めて敏感なものにする。視覚的に検出可能な相変化は、レーザ書き込み出力を制御するための、その書き込まれたマークのリードバック信号の使用を可能にする。これは、ＤＲＡＷ（Direct  Read  After  Write：書き込み後直接読み出し）としてよく知られている。これは、図８ｄに図示され、そこでは、２５ＧＢのＢＤ−ＲＯＭに対するターゲットとされるピットサイズが、二つの異なるレーザビームレコーダシステムの集束強度プロファイルに加えて、与えられる。そのＢＤ読み出しスポットカーブは、ＮＡ＝０．８５で４０５ｎｍの波長を持つ青色システムに対応し、そのＬＩＭスポットカーブは、液浸マスタリング（ＮＡ＝１．２、２５７ｎｍ波長）で得られるスポットに対応する。ＬＩＭスポットは、そのレーザスポットの半値全幅（ＦＷＨＭ）でそのピット幅を書き込むために十分に小さいものであることが分かる。その場合、取得されるピット幅は、出力変動に対してより鈍感である。青色レーザスポットがＢＲ−ＲＯＭピットの書き込みに使用される場合、そのスポットの先端だけが使用される。その場合、出力制御は、取得されるピット幅が出力変動やマスター基板の不均等性に対して極めて敏感であるため、極めて重要となる。記録スタックは、２０層（１０対の５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２と１ｎｍのＳｎＧｅＳｂ）から構成されるが、溶解は、かなり均一である。１ｎｍの厚さの相変化フィルムは、その全ての層が破り得るはっきりしたインターフェースではないようである。
【０１１６】
（Ｐｕｌｓｔｅｃレコーダによる書き込みを可能にするために）ポリカーボネートのプレグルーブ基板上にスパッタリング蒸着された上述のスタックに書き込まれた隆起の表面解析及び断面解析は、それぞれ、図８ｅ及び８ｆに与えられる。その記録されたスタックは、初期の書き込みのない物質を溶解させるために、５％ＨＮＯ３の酸で処理された。その隆起構造は、急勾配の壁、ひいては、高いコントラストで特徴付けられる。その隆起は、３２０ｎｍのデータトラックピッチで書き込まれ、その隆起のサイズを明らかにする。
【０１１７】
ガラス基板上にスパッタリング蒸着された上述のスタックに書き込まれた隆起の表面解析及び断面解析は、それぞれ、図８ｇ及び８ｈに与えられる。その構造は、レーザビームレコーダ（第一表面記録、４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．９）によって得られる。そのマークは、５００ｎｍのトラックピッチで書き込まれた。その記録されたディスクは、５％ＨＮＯ３の酸で処理された。
【０１１８】
上に記載されていない均等物及び改良品もまた、付属の請求項に規定される本発明の範囲を逸脱することなく採用され得る点に注意すべきである。
【実施例９】
【０１１９】
この実施例は、アニーリング処理によるＺｎＳのナノ結晶サイズの成長制御を対象とする。既に上で述べたように、室温において、ＺｎＳ−ＳｉＯ２フィルムは、ＳｉＯ２のマトリックス（基質）に埋め込まれた小さなナノサイズのＺｎＳ粒子を含み、そこにおいて、そのナノ結晶のサイズは、温度に依存する。その温度の増大は、ナノ結晶のサイズの成長を開始させる。これは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の光吸収域における青色シフトにつながる。ナノ複合材料を経た青色光の散乱は、この青色シフトの主な理由であると考えられる。アニーリング処理は、少なくとも、スパッタリング蒸着されたＺｎＳ−ＳｉＯ２内における以下の三つの作用を開始させる。
【０１２０】
１）ナノ結晶のサイズは、室温において約２ｎｍであり、８００℃で５０ｎｍまで増大する。ナノ結晶のそのサイズは、特定の波長での光吸収に関与する。ナノ結晶のサイズが小さいほど、吸収される波長は小さい。そういうわけで、温度に伴うナノ結晶サイズの成長に合わせて、光吸収スペクトルを調整することが可能である。図９ａで見られるように、ナノ結晶のサイズは、７００℃より高いアニーリング温度で、バルク拡散係数における急激な増大に起因して、急激に増大する。図９ｂは、高ＺｎＳ含量（１５％モル）を持つナノ結晶サンプルの透過スペクトルを示す。４０５ｎｍの青色波長は、３．０ｅＶの光子エネルギーに対応する。室温では、それ自体知られているように、３１０ｎｍの波長で、透過の降下が発生する。
【０１２１】
２）立方晶系−六方晶系（閃亜鉛鉱−ウルツ鉱）の相変化は、ＺｎＳナノ粒子で７００℃と８００℃との間で発生する（図９ａ参照。）。これは、１０２０℃であるバルク遷移温度と比較されるべきである。この変化は、おそらくナノサイズ効果によるものである。その相変化は、酸による選択エッチングに関与する。
【０１２２】
３）９００℃において、そのＺｎＳ分子の一部分は、酸化してＺｎＯとなり、そして、ＳｉＯ２と反応してＺｎ２ＳｉＯ４を形成する。従って、ナノ結晶の表面は、不動態化され、かつ、酸によるウェットエッチングのような化学薬品による腐食に対して安定化させられる。従って、このステップも、同様に、選択エッチングに関与する。
【０１２３】
要約すれば、例えば、スパッタリング蒸着されたＺｎＳ−ＳｉＯ２の薄層の炉内での７００℃への加熱は、青色シフトを発生させ、マークの直接記録を可能にする。そのようなアニーリングステップが提供される場合、追加の吸着層、又は、一部の場合におけるドーピングは、例えば、４０５ｎｍのレーザビームレコーダで、そのＺｎＳ−ＳｉＯ２にマークを記録するのに必要でない。図９ｃ〜９ｆは、本発明に従ったマスター基板の更なる実施例に適用されるそのような方法を概略的に示し、そこにおいて、図９ｃは、未処理のマスター基板１２を示し、図９ｄは、アニーリングステップ後のマスター基板１２を示し、図９ｅは、書き込み後のマスター基板１２を示し、かつ、図９ｆは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【０１２４】
図９ｃ〜９ｆに図示された実施例では、マスター基板１２の記録スタック１０は、誘電体のＺｎＳ−ＳｉＯ２層１４を含む。誘電体層１４の下には、任意的なミラー層３２が備えられる。
【０１２５】
図９ｃに示された未処理状態において、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層は、室温において約２ｎｍのサイズを持つ、言い換えれば、極めて小さく、かつ、それ故に、図９ｃでは示されない、ナノ結晶を含む。
【０１２６】
図９ｄは、炉内で約７００℃まで加熱された後のマスター基板１２を示す。このアニーリング処理によって、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層におけるナノ結晶３４のサイズは、約７．５ｎｍまで増大する。
【０１２７】
図９ｅは、書き込み後、言い換えれば、４０５ｎｍの波長を持つレーザパルスが、ピットが形成されるところである領域２２に適用された後のマスター基板１２を示す。
【０１２８】
図９ｆは、エッチング後のマスター基板１２を示す。見られるように、領域２２における物質が除去され、ピット２４が形成される。
【実施例１０】
【０１２９】
図１０ａ及び１０ｂは、マスター基板１２の誘電体層１４におけるマーキングのメカニズムを概略的に示す。マスター基板１２は、ガラス基板１００上に蒸着されたＺｎＳ−ＳｉＯ２の単一誘電体層１４を持つ記録層１０を含む。図１０ａは、書き込み処理後、言い換えれば、２６６ｎｍレーザビームレコーダのレーザパルスを誘電体層１４上に適用した後のマスター基板１２を示す。そのＺｎＳ粒子は、記録された領域２２において有意に大きい。その記録が行われた層のウェットエッチング後、その記録が行われた物質は、隆起構造としてその基板の上に残る。誘電体層１４は、レーザパルスが適用されていない領域２６と、レーザ光エネルギーに晒された領域２２とを含む。領域２２に適用された光エネルギーは、誘電体層１４内に吸収され、熱に変換される。当初記録されていない（書き込みのない）領域２６は、ＳｉＯ２格子にある小さなサイズのＺｎＳ粒子を含む。書き込み処理後、記録が行われた領域２２におけるそのＺｎＳ粒子は、書き込みのない領域２６における粒子より有意に大きい。図１０ｂは、ウェットエッチング処理後のマスター基板１２を示す。マスター基板１２の記録が行われていない領域２６が除去され、かつ、領域２２における記録が行われた物質がガラス基板１００の上に隆起構造２４として残る。
【０１３０】
図１０ｃ〜１０ｈは、従来のレジストマスタ（図１０ｃ〜１０ｅ）によって成長するスタンパーと、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のＰＴＭマスター（図１０ｆ〜１０ｈ）によって成長するスタンパーとの比較を示す。図１０ｃでは、ガラス基板１００上の従来のフォトレジスト１０８がレーザ光ビーム１１０で照射される。光吸収処理は、垂直方向に特徴的に、ビーム方向に狭くなる円錐形をもたらす。図１０ｄで見られるように、晒された領域１０４は、エッチング処理で除去され、円錐形のピット１０６を形成する。図１０ｅでは、ニッケルスタンパー１０７が、テーパー形状の隆起を見せる現像されたマスター１０２から成長する。スタンパー１０７は、射出成形による大量複製を可能にする。図１０ｆは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２マスタリングで遭遇する対照的なマーキング処理を示す。ガラス基板上に蒸着された誘電体層１４（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）は、レーザ光ビーム１１２で照射される。レーザビーム１１２のレーザ光は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２層１４内に吸収され、一連の露出領域２４と非露出領域２６とを結果的に生成する（図１０ｆ）。ウェットエッチング後（図１０ｇ）、従来のフォトレジスト処理と比較して上下逆さまの隆起形状２４／ピット形状２６が得られ、円錐の隆起２４が、アンダーエッチングのはっきりとした可能性と共に残るようにする。ＺｎＳ−ＳｉＯ２のＰＴＭマスターにおける上下逆さまの極性は、スタンパーの成長にとって問題がある。成長したスタンパー４０と隆起２４の凹凸構造との間の鳩尾型接続の分離が不可能とされてしまうからである（図１０ｈ参照。）。
【０１３１】
図１０ｉは、Ｎｉ−ＺｎＳ−ＳｉＯ２スタック（１％ＨＮＯ３で１５分間の処理）において書き込まれた隆起の、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡法）による像を示す。図１０ｊは、８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２スタックに２６６ｎｍのＬＢＲ（０．０６％ＨＮＯ３で１２０秒間の処理）で書き込まれた隆起を示す。
【０１３２】
図１０ｋは、アンダーエッチングの特徴を見せる隆起構造のＡＦＭスキャンの結果を示す。ガラス基板上にスパッタリング蒸着された８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層は、２６６ｎｍのレーザビームレコーダ（０．９の開口数）で記録された。ブロックパルスを持つ１７ＰＰのデータは、７５から１１５ＩＬＶの出力を用いて毎秒２メートルの線速度で記録される無作為のデータであった。そのディスクは、０．２５％のＨＮＯ３で５０秒間処理され、エンボスのデータパターンをそのマスターの表面上にさらけ出した。得られた隆起構造のＡＦＭスキャンは、図１０ｋで与えられる。その隆起は、高さ８０ｎｍであり、当初の記録層に等しい。測定された壁角度である７５度は、アンダーエッチングの可能性を暗示する。典型的なＡＦＭチップは、約７５度のチップ角度（３０度のトップ角度に対応する。）を有するので、垂直配向において７５度より大きなフィーチャー壁の角度を測定することはできない。これは、アンダーエッチングの可能性を暗示する。
【０１３３】
図１０ｌは、図１０ｋの隆起構造で成長したスタンパーのＡＦＭスキャンの結果を示す。１００ｎｍのニッケルの薄層は、データ側でスパッタリング蒸着され、電気メッキが実行された。分離されたスタンパーのＡＦＭ像は、図１０ｋに示される。そのスタンパーにあるピットは、５ｎｍの最小深さ、２０ｎｍの最大深さ、及び、６．５ｎｍの平均深さを有する。その平均表面粗さＲａは、トラックの間であり、約０．５ｎｍであって、Ｒｍｓは、０．６５ｎｍに等しい。そのピットは、階段状を示し、かつ、ピットの最も深い部分は、そのマークが最も狭いところである。その基板における書き込みのない部分は、完全に現像され、スタンパーから簡単に分離された。これらの結果は、ピットが、アンダーエッチングに起因するそのマスターのエンボスパターンからのＺｎＳ−ＳｉＯ２層の残りでいっぱいであることを示す。
【０１３４】
例えば、実施例１０に関して記載されたような上下逆さまの極性加工は、場合によっては、アンダーエッチングの問題に悩まされるかもしれない。場合によっては、この問題は、同様に、他の実施例と関連しても発生する。以下の実施例１１〜１５は、ウェットエッチング処理後の、書き込まれ、かつ、現像された構造の形状を改善するために、特に、アンダーエッチングの問題を扱う。
【実施例１１】
【０１３５】
図１１ａ及び１１ｂは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第十一実施例を示し、そこで、図１１ａは、書き込み中のマスター基板１２を示し、かつ、図１１ｂは、エッチング後のマスター基板１２を示す。
【０１３６】
マスター基板１２の記録スタック１０は、吸着層１６を囲むＺｎＳ−ＳｉＯ２の二つの誘電体層１４から構成される。記録層スタック１０は、ガラス基板１００上に配置される。有力な候補となる吸着層の物質は、ＳｂＴｅ、Ｓｉ、Ａｇ、Ａｌ等である。誘電体層１４が（その吸着層まで）完全に現像されることとなっている場合、その吸着層は、腐食レジストであるべきである。吸着層１６は、下から追加の熱流量を生じさせるために記録スタック１０に追加されてもよい。熱は、その吸着層でも生成され、そのようにして、隆起形状を改善する。ＨＮＯ３に晒した後、テーパーのようなプロファイルを持つ隆起が残る。
【実施例１２】
【０１３７】
図１２ａ及び１２ｂは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第十二実施例を示し、そこで、図１２ａは、エッチング後のマスター基板１２を示し、かつ、図１２ｂは、シランを用いたスピンコーティング後のマスター基板１２を示す。
【０１３８】
図１２ａは、ガラス基板１００上に蒸着された単一の現像された誘電体層１４から構成される、書き込まれ、かつ、現像されたマスター基板１２を概略的に示す。マスター基板１２は、完全に現像され、かつ、アンダーエッチングの領域１１４を示す。現像されたマスター基板１２は、アンダーエッチングの領域を塗りつぶすために、シランフィルム（又は、他のスピンコーティングされた有機フィルム）で覆われた。図１２ｂにおいて、シランフィルム（ＳｉｎＨ２ｎ＋２）１１６は、スピンコーティングされ、毛管力によってアンダーエッチングの領域１１４を塗りつぶした。その毛管力は、隆起２４のアンダーエッチング部分１１４にポリマー層を残留させ、そのようにして、隆起２４を改善する。シランに加え、他の有機又はポリマーの物質も同様に採用されてもよい。そのアンダーエッチング領域１１４の空洞は、塗りつぶされ、かつ、垂直の隆起形状は、改善される。
【０１３９】
図１２ｃ及び１２ｄは、マスター基板１２のシラン処理のＡＦＭ解析の結果を示す。シランは、１２ｃｍのガラスマスターにおける８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層上に２００ｒｐｍの回転速度でスピンコーティングされた。その基板は、余分なシランを取り除くために、その後に１５００ｒｐｍで乾燥させられる。図１２ｃは、シラン処理の前に８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層に書き込まれた８ＴのキャリアのＡＦＭ結果を示し、図１２ｄは、シラン処理の後である。隆起形状における有意な差が見られる。シラン処理を行わなかった場合、その壁は、既に上で述べたように、７５度のＡＦＭチップ角度を示し、シラン処理を行った場合、その壁は、４５度の角度でより緩やかである。８０ｎｍの測定高さは、シランが、アンダーエッチングの領域１１４において、隆起２４の壁及び隆起２４の下だけに残っているという考えを支持する。隆起２４の間のそのシランは、スピンコーティング中及び乾燥中の遠心力によって強制的に外に出される。
【０１４０】
図１２ｅは、シラン処理されたマスター基板１２上で成長したスタンパーのＡＦＭ解析の結果を示す。スタンパーは、上述のマスター基板（図１２ｄ）から成長した。そのスタンパーとそのマスター基板との分離は、そのディスクの内部で良好であることが観察されただけである。そのＡＦＭ解析は、８０ｎｍのピット深さと約４５度の壁角度とを明らかにする。観察されるような非対称のピット形状は、おそらく、シランのスピンコーティングによってもたらされる。そのマスター基板上の隆起は、そのシランが遠心力によってそのマスター基板の内側から外側に追いやられる場合に、流れ止めとしての機能を果たす。シランは、その結果、その隆起の前にたまり、一方で、それが通った跡にはシランはわずかしかない。
【実施例１３】
【０１４１】
図１３ａ〜１３ｂは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第十三実施例を示し、そこで、図１３ａは、書き込み後のマスター基板１２を示し、図１３ｂ、１３ｃ及び１３ｄは、異なるエッチング段階におけるマスター基板１２を示す。実施例１３の基本的な考えは、マスター基板が完全に現像される前に、誘電体層１４のエッチング処理を止めることであり、このようにして、アンダーエッチングを防止する。上手く制御された現像条件は、アンダーエッチングの発生を防止するかもしれない。そのマスターがあまりにも長くエッチング液に晒された場合、その隆起は、アンダーエッチングに悩まされるかもしれない。そのマスターを晒し過ぎると、アンダーエッチングが発生し得る。そのエッチング処理が上手に制御されると、所定の深さが得られ得る。その場合、アンダーエッチングは回避される。
【０１４２】
図１３ａでは、マスター基板１２が記録され、かつ、誘電体層１４における書き込みのない領域２６ばかりでなく、書き込まれた凹凸構造２２が示される。破線１２０は、所望の壁形状を示し、一方で、線１２２は、完全な現像の後、又は、マスター基板１２の過度の露出の後の隆起の形状を示す。図１３ｂ及び１３ｃでは、エッチング処理の段階が示され、隆起形状がまだ所望の範囲内、すなわち、アンダーエッチングが生じていない範囲にあり、図１３ｄでは、アンダーエッチングが既に存在している。図１３ｂ又は１３ｃの段階を利用するために、エッチング処理が上手に制御される必要がある。
【０１４３】
図１３ｅは、完全には現像されていないマスター基板から成長したスタンパーのＡＦＭ解析の結果を示す。そのマスター基板は、８０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２のマスターであった。その隆起は６０ｎｍの深さまで現像された。隆起は、良好に形成され、かつ、その形状は、そのスタンパーにおいて良好に複製される。アンダーエッチング及びその結果生じる鳩尾型接続の問題は、同様に上述されたように、出現しない。
【実施例１４】
【０１４４】
図１４ａ〜１４ｅは、本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板１２の第十四実施例を示し、そこで、図１４ａは、書き込み後のマスター基板１２を示し、図１４ｂは、蒸着されたＮｉ層１２４を持つマスター基板を示し、図１４ｃ〜１４ｅは、隆起リバーサルを持つＮｉスタンパー４０の成長及び分離を示す。適切な隆起形状を得るための可能性の一つは、隆起形状のリバーサルである。ウェットエッチングの前に、スタンパーは、むき出しのＰＴＭマスターから成長してできる。書き込まれた隆起構造及びスタンパーは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のガラス界面で分離される。その後、記録されたＰＴＭ層が現像される。結果として生ずる隆起構造は、適切な隆起形状を有し、そのままで、複製又はマザースタンパーの成長に適合する。
【０１４５】
図１４ａは、ガラス基板１００上のＺｎＳ−ＳｉＯ２層１４における書き込み領域２２及び書き込みのない領域２６を規定する照射処理後のマスター基板１２を示す。図１４ｂでは、Ｎｉ層１２４が誘電体層１４上にスパッタリング蒸着された。その後、図１４ｃでは、スパッタリング蒸着されたＮｉ層１２４を電気化学的にメッキすることにより、Ｎｉスタンパー４０が、成長する。図１４ｄでは、マスター基板１２及びスタンパー４０がＺｎＳ−ＳｉＯ２のガラス界面で分離される。その後、記録されたＰＴＭ層が現像される（図１４ｅ）。
【実施例１５】
【０１４６】
本発明の第十五実施例によれば、隆起形状は、ＰＴＭ物質の吸着を下げることで最適化され得る。これは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の比率を変更することにより実現される。初期設定比率は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２が８０％−２０％の重量パーセントである。提案される比率は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２が７０％−３０％、及び、ＺｎＳ−ＳｉＯ２が６０％−４０％の重量パーセントである。
【０１４７】
請求項がそれぞれ他の請求項を参照していない場合であっても、添付された請求項の単一の特徴が有利に組み合わされてもよいことは明らかである。従って、請求項の特徴の全ての可能性のある組み合わせは、本明細書で開示されたものとみなされる。同じことが本明細書においてのみ言及された特徴にも適用される。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第一実施例を概略的に示す。
【図１ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第一実施例を概略的に示す。
【図１ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第一実施例を概略的に示す。
【図１ｃｉ】スタンパー及びスタンプのそれぞれの形成を概略的に示す。
【図１ｃｉｉ】光学ディスクの形成を概略的に示す。
【図１ｃｉｉｉ】マイクロプリントの形成を概略的に示す。
【図１ｄ】図１ａ〜１ｃに従ったマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の断面解析を示す。
【図１ｅ】図１ａ〜１ｃに従ったマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の断面解析を示す。
【図１ｆ】図１ａ〜１ｃに従ったマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の表面解析を示す。
【図１ｇ】図１ａ〜１ｃに従ったマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の表面解析を示す。
【図２ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第二実施例を概略的に示す。
【図２ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第二実施例を概略的に示す。
【図２ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第二実施例を概略的に示す。
【図３ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第三実施例を概略的に示す。
【図３ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第三実施例を概略的に示す。
【図３ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第三実施例を概略的に示す。
【図４ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第四実施例を概略的に示す。
【図４ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第四実施例を概略的に示す。
【図４ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第四実施例を概略的に示す。
【図５ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第五実施例を概略的に示す。
【図５ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第五実施例を概略的に示す。
【図５ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第五実施例を概略的に示す。
【図５ｄ】低い吸収作用の層を持つマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の表面解析を示す。
【図５ｅ】低い吸収作用の層を持つマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の表面解析を示す。
【図６ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第六実施例を概略的に示す。
【図６ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第六実施例を概略的に示す。
【図６ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第六実施例を概略的に示す。
【図７ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第七実施例を概略的に示す。
【図７ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第七実施例を概略的に示す。
【図７ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第七実施例を概略的に示す。
【図７ｄ】図７ａ〜７ｃに従ったマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の断面解析を示す。
【図７ｅ】図７ａ〜７ｃに従ったマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の断面解析を示す。
【図７ｆ】ＺｎＳ−ＳｉＯ２の相変化についての情報を与える示差走査熱量計測定を示す。
【図７ｇ】ＺｎＳ−ＳｉＯ２で記録され、かつ、エッチングされた、計算（シミュレート）された半値全幅と（原子間力顕微鏡を用いて）測定された半値全幅との間の比較を示す。
【図８ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第八実施例を概略的に示す。
【図８ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第八実施例を概略的に示す。
【図８ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の第八実施例を概略的に示す。
【図８ｄ】ターゲットとされるＢＤ−ＲＯＭのピットサイズ、青色システム（ＮＡ＝０．８５、４０５ｎｍ）における集束スポットの強度プロファイル、及び、遠紫外線システム（ＮＡ＝１．２、２５７ｎｍ）における液浸での強度プロファイルを図解する。
【図８ｅ】図８ａ〜８ｃに従ったマスター基板に基づいて為された実際の実験の結果の表面解析を示す。
【図８ｆ】図８ｅに従った実際の実験の結果の断面解析を示す。
【図８ｇ】図８ａ〜８ｃに従ったマスター基板に基づいて為された更なる実際の実験の結果の表面解析を示す。
【図８ｈ】図８ｇに従った実際の実験の結果の断面解析を示す。
【図９ａ】温度に依存するＺｎＳナノ結晶の成長を図解するグラフである。
【図９ｂ】高ＺｎＳ含量のナノ複合材料サンプルの透過スペクトルを図解するグラフである。
【図９ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図９ｄ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図９ｅ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図９ｆ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１０ａ】マスター基板の誘電体層におけるマーキングメカニズムを概略的に示す。
【図１０ｂ】マスター基板の誘電体層におけるマーキングメカニズムを概略的に示す。
【図１０ｃ】従来のレジストマスタを概略的に示す。
【図１０ｄ】従来のレジストマスタを概略的に示す。
【図１０ｅ】従来のレジストマスタを概略的に示す。
【図１０ｆ】ＺｎＳ−ＳｉＯ２のＰＴＭマスターを概略的に示す。
【図１０ｇ】ＺｎＳ−ＳｉＯ２のＰＴＭマスターを概略的に示す。
【図１０ｈ】ＺｎＳ−ＳｉＯ２のＰＴＭマスターを概略的に示す。
【図１１ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１１ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１２ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１２ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１２ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１２ｄ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１２ｅ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１３ａ】本発明に従った方法の更なる実施例及び各処理段階を概略的に示す。
【図１３ｂ】本発明に従った方法の更なる実施例及び各処理段階を概略的に示す。
【図１３ｃ】本発明に従った方法の更なる実施例及び各処理段階を概略的に示す。
【図１３ｄ】本発明に従った方法の更なる実施例及び各処理段階を概略的に示す。
【図１４ａ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１４ｂ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１４ｃ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１４ｄ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１４ｅ】本発明に従った方法による処理中での本発明に従ったマスター基板の更なる実施例を概略的に示す。
【図１ａ】
2008527590.tif 000003
【図１ｂ】
2008527590.tif 000004
【図１ｃ】
2008527590.tif 000005
【図１ｃｉ】
2008527590.tif 000006
【図１ｃｉｉ】
2008527590.tif 000007
【図１ｃｉｉｉ】
2008527590.tif 000008
【図１ｄ】
2008527590.tif 000009
【図１ｅ】
2008527590.tif 000010
【図１ｆ】
2008527590.tif 000011
【図１ｇ】
2008527590.tif 000012
【図２ａ】
2008527590.tif 000013
【図２ｂ】
2008527590.tif 000014
【図２ｃ】
2008527590.tif 000015
【図３ａ】
2008527590.tif 000016
【図３ｂ】
2008527590.tif 000017
【図３ｃ】
2008527590.tif 000018
【図４ａ】
2008527590.tif 000019
【図４ｂ】
2008527590.tif 000020
【図４ｃ】
2008527590.tif 000021
【図５ａ】
2008527590.tif 000022
【図５ｂ】
2008527590.tif 000023
【図５ｃ】
2008527590.tif 000024
【図５ｄ】
2008527590.tif 000025
【図５ｅ】
2008527590.tif 000026
【図６ａ】
2008527590.tif 000027
【図６ｂ】
2008527590.tif 000028
【図６ｃ】
2008527590.tif 000029
【図７ａ】
2008527590.tif 000030
【図７ｂ】
2008527590.tif 000031
【図７ｃ】
2008527590.tif 000032
【図７ｄ】
2008527590.tif 000033
【図７ｅ】
2008527590.tif 000034
【図７ｆ】
2008527590.tif 000035
【図７ｇ】
2008527590.tif 000036
【図８ａ】
2008527590.tif 000037
【図８ｂ】
2008527590.tif 000038
【図８ｃ】
2008527590.tif 000039
【図８ｄ】
2008527590.tif 000040
【図８ｅ】
2008527590.tif 000041
【図８ｆ】
2008527590.tif 000042
【図８ｇ】
2008527590.tif 000043
【図８ｈ】
2008527590.tif 000044
【図９ａ】
2008527590.tif 000045
【図９ｂ】
2008527590.tif 000046
【図９ｃ】
2008527590.tif 000047
【図９ｄ】
2008527590.tif 000048
【図９ｅ】
2008527590.tif 000049
【図９ｆ】
2008527590.tif 000050
【図１０ａ】
2008527590.tif 000051
【図１０ｂ】
2008527590.tif 000052
【図１０ｃ】
2008527590.tif 000053
【図１０ｄ】
2008527590.tif 000054
【図１０ｅ】
2008527590.tif 000055
【図１０ｆ】
2008527590.tif 000056
【図１０ｇ】
2008527590.tif 000057
【図１０ｈ】
2008527590.tif 000058
【図１０ｉ】
2008527590.tif 000059
【図１０ｊ】
2008527590.tif 000060
【図１０ｋ】
2008527590.tif 000061
【図１０ｌ】
2008527590.tif 000062
【図１１ａ】
2008527590.tif 000063
【図１１ｂ】
2008527590.tif 000064
【図１２ａ】
2008527590.tif 000065
【図１２ｂ】
2008527590.tif 000066
【図１２ｃ】
2008527590.tif 000067
【図１２ｄ】
2008527590.tif 000068
【図１２ｅ】
2008527590.tif 000069
【図１３ａ】
2008527590.tif 000070
【図１３ｂ】
2008527590.tif 000071
【図１３ｃ】
2008527590.tif 000072
【図１３ｄ】
2008527590.tif 000073
【図１３ｅ】
2008527590.tif 000074
【図１４ａ】
2008527590.tif 000075
【図１４ｂ】
2008527590.tif 000076
【図１４ｃ】
2008527590.tif 000077
【図１４ｄ】
2008527590.tif 000078
【図１４ｅ】
2008527590.tif 000079
【国際調査報告】
2008527590.tif 000080
2008527590.tif 000081
2008527590.tif 000082