(57)【要約】  ＲＦスイッチは、複数の入力からＲＦ信号を選択するために技術的に知られている。例えば、ＴＶチューナ及びＴＶフロントエンドは、二つ以上のアンテナ入力を有することができるが、比較的悪いコストパフォーマンスで実施される。本発明は、ＲＦ選択スイッチ回路（２００）に関する。スイッチは、ＲＦ入力ポート及び共通ＲＦ出力ポートの両方を有する第１のスイッチ（２０２）及び第２のスイッチ（２０４）と、制御信号回路（２０６）とを備えている。好ましい実施の形態において、スイッチはピンダイオードを備えている。ＲＦ出力ポートは二つのトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）を備えており、そのうちの一方は、非選択のスイッチを一度に低インピーダンスレベルに設定して共通出力ポートでの信号漏れを最小限に抑制することができる。
2008511235.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＲＦ信号入力ポートに結合された第１のスイッチ入力ポートと、
ＲＦ信号出力ポートに結合された第１のスイッチ出力ポートと、
第１のスイッチ制御ポートと、
を備える第１のスイッチと、
第２のＲＦ信号入力ポートに結合された第２のスイッチ入力ポートと、
前記ＲＦ信号出力ポートに結合された第２のスイッチ出力ポートと、
第２のスイッチ制御ポートと、
を備える第２のスイッチと、
入力制御ポートにＤＣ結合されたベースと、グランドにＤＣ結合されたエミッタと、第１のダイオードスイッチ制御ポートにＤＣ結合され且つ供給電圧にＤＣ結合されたコレクタＤＣと、を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのコレクタにＤＣ結合されたベースと、グランドにＤＣ結合されたエミッタと、第２のダイオードスイッチ制御ポートに結合され且つ供給電圧にＤＣ結合されたコレクタＤＣと、を有する第２のトランジスタと、
を備える制御信号回路と、
を備え、
前記ＲＦ信号出力ポートに結合された前記第１のスイッチ出力ポート及び前記第２のスイッチ出力ポートは、接続されて、グランドと前記供給電圧との間でＤＣレベルに設定されることを特徴とするＲＦ選択スイッチ回路。
【請求項２】
前記第１のスイッチはピンダイオードを含み、前記第２のスイッチはピンダイオードを含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦ選択スイッチ回路。
【請求項３】
前記第１のトランジスタはＮＰＮトランジスタを含み、前記第２のトランジスタはＮＰＮトランジスタを含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦ選択スイッチ回路。
【請求項４】
第１のＲＦ信号入力ポートに結合された第１のスイッチ入力ポートと、
ＲＦ信号出力ポートに結合された第１のスイッチ出力ポートと、
第１のスイッチ制御ポートと、
を備える第１のスイッチと、
第２のＲＦ信号入力ポートに結合された第２のスイッチ入力ポートと、
前記ＲＦ信号出力ポートに結合された第２のスイッチ出力ポートと、
第２のスイッチ制御ポートと、
を備える第２のスイッチと、
入力制御ポートにＤＣ結合されたベースと、グランドにＤＣ結合されたエミッタと、第１のダイオードスイッチ制御ポートにＤＣ結合され且つ供給電圧にＤＣ結合されたコレクタＤＣと、を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのコレクタにＤＣ結合されたベースと、グランドにＤＣ結合されたエミッタと、第２のダイオードスイッチ制御ポートに結合され且つ供給電圧にＤＣ結合されたコレクタＤＣと、を有する第２のトランジスタと、
を備える制御信号回路と、
を備え、
前記ＲＦ信号出力ポートに結合された前記第１のスイッチ出力ポート及び前記第２のスイッチ出力ポートは、接続されて、グランドと前記供給電圧との間でＤＣレベルに設定される、ＲＦ選択スイッチ回路を備えることを特徴とする同調システム。
【請求項５】
前記第１のスイッチはピンダイオードを含み、前記第２のスイッチはピンダイオードを含むことを特徴とする請求項４に記載の同調システム。
【請求項６】
前記第１のトランジスタはＮＰＮトランジスタを含み、前記第２のトランジスタはＮＰＮトランジスタを含むことを特徴とする請求項４に記載の同調システム。
【請求項７】
第１のＲＦ信号入力ポートに結合された第１のスイッチ入力ポートと、
ＲＦ信号出力ポートに結合された第１のスイッチ出力ポートと、
第１のスイッチ制御ポートと、
を備える第１のスイッチと、
第２のＲＦ信号入力ポートに結合された第２のスイッチ入力ポートと、
前記ＲＦ信号出力ポートに結合された第２のスイッチ出力ポートと、
第２のスイッチ制御ポートと、
を備える第２のスイッチと、
入力制御ポートにＤＣ結合されたベースと、グランドにＤＣ結合されたエミッタと、第１のダイオードスイッチ制御ポートにＤＣ結合され且つ供給電圧にＤＣ結合されたコレクタＤＣと、を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのコレクタにＤＣ結合されたベースと、グランドにＤＣ結合されたエミッタと、第２のダイオードスイッチ制御ポートに結合され且つ供給電圧にＤＣ結合されたコレクタＤＣと、を有する第２のトランジスタと、
を備える制御信号回路と、
を備え、
前記ＲＦ信号出力ポートに結合された前記第１のスイッチ出力ポート及び前記第２のスイッチ出力ポートは、接続されて、グランドと前記供給電圧との間でＤＣレベルに設定される、ＲＦ選択スイッチ回路を備えることを特徴とする、複数のソースからＲＦ信号を受信するための装置。
【請求項８】
前記第１のスイッチはピンダイオードを含み、前記第２のスイッチはピンダイオードを含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１のトランジスタはＮＰＮトランジスタを含み、前記第２のトランジスタはＮＰＮトランジスタを含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
制御信号回路と、
第１のＲＦ信号入力ポートに結合され、ＲＦ信号出力ポートに結合されるとともに、前記制御信号回路に結合される第１のダイオードスイッチと、
第２のＲＦ信号入力ポートに結合され、前記ＲＦ信号出力ポートに結合されるとともに、前記制御信号回路に結合される第２のダイオードスイッチと、
を備え、
前記制御信号回路は、前記第１のダイオードスイッチ及び前記第２のダイオードスイッチのうちの一方を選択して、それぞれの選択されたＲＦ入力信号を前記ＲＦ信号出力ポートへ通過させるように構成されており、
前記制御信号回路は、前記第１のダイオードスイッチ及び前記第２のダイオードスイッチのうちの非選択の一方に対して低インピーダンスモードを設定し、非選択のＲＦ入力信号からの前記ＲＦ信号出力ポートへのクロストークを最小限に抑制するように構成されている、ことを特徴とするＲＦ選択スイッチ回路。
【請求項１１】
前記第１のダイオードスイッチは、アノード同士が接続された二つのピンダイオードを備え、前記第２のピンダイオードスイッチは、アノード同士が接続された二つのピンダイオードを備えていることを特徴とする請求項１０に記載のＲＦ選択スイッチ。
【請求項１２】
前記第１のピンダイオードスイッチは、アノードが前記二つのピンダイオードのカソードのうちの一方と直列である第３のダイオードを備えていることを特徴とする請求項１１に記載のＲＦ選択スイッチ。
【請求項１３】
ＲＦ入力ポート１、ＲＦ入力ポート２及びＲＦ入力ポート３と、
ＲＦ出力ポート１及びＲＦ出力ポート２と、
前記ＲＦ入力ポート１に接続された第１の入力と、前記ＲＦ入力ポート２に接続された第２の入力と、前記ＲＦ出力ポート１に接続された第１の出力とを有する請求項１０に記載の第１のＲＦ選択スイッチ回路と、
前記ＲＦ入力ポート２に接続された第１の入力と、前記ＲＦ入力ポート３に接続された第２の入力と、前記ＲＦ出力ポート２に接続された第１の出力とを有する請求項１０に記載の第２のＲＦ選択スイッチ回路と、
を備えることを特徴とする３−２ＲＦ選択スイッチ回路。
【請求項１４】
ＲＦ入力ポート１、ＲＦ入力ポート２及びＲＦ入力ポート３と、
ＲＦ出力ポートと、
前記ＲＦ入力ポート１に接続された第１の入力と、前記ＲＦ入力ポート２に接続された第２の入力と、中間ＲＦ出力ポート１に接続された第１の出力とを有する請求項１０に記載の第１のＲＦ選択スイッチ回路と、
前記ＲＦ入力ポート２に接続された第１の入力と、前記ＲＦ入力ポート３に接続された第２の入力と、中間ＲＦ出力ポート２に接続された第１の出力とを有する請求項１０に記載の第２のＲＦ選択スイッチ回路と、
前記中間ＲＦ出力ポート１に接続された第１の入力と、前記中間ＲＦ出力ポート２に接続された第２の入力と、前記ＲＦ出力ポートに接続された出力とを有する請求項１０に記載の第３のＲＦ選択スイッチ回路と、
を備えることを特徴とする３−１ＲＦ選択スイッチ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力間の絶縁が良好で、感度が良好であるとともに、低コストで提供される、複数の入力と少なくとも一つの出力とを有するＲＦスイッチが設けられたＲＦ（無線周波数）入力回路に関する。
【０００２】
特に、本発明は、アンテナ入力、例えばケーブルＴＶや地上波ＴＶのためのアンテナ入力を二つ以上有するＴＶチューナ及びＴＶフロントエンドに関する。
【背景技術】
【０００３】
ＲＦスイッチは、複数の入力からＲＦ信号を選択するために技術的に知られている。例えば、ＴＶチューナ及びＴＶフロントエンドは、アンテナ入力、例えばケーブルＴＶや地上波ＴＶのためのアンテナ入力、又は、二つのケーブルＴＶ入力（Ａ／Ｂ）が設けられたアンテナ入力を二つ以上有している。
【０００４】
今日、ＲＦスイッチに関しては、二つの主な解決策、即ち、電気機械スイッチと、電子スイッチとが知られている。電気機械スイッチは、電子的な手段と比べて、大型であり、比較的高価（ＢＯＭ）であるとともに、高電圧及び高電流である。電子的な解決策において、良好な絶縁が必要とされる場合（例えば、ＦＣＣ要件）には、絶縁要件を満たすためにカスケード状態の複数のＲＦスイッチが必要とされる場合がある。
【０００５】
いずれのＲＦスイッチにおいても、制御回路が必要とされる。図１は、ＭＯＳＦＥＴ  ＳＰＤＴ（単極双投）スイッチとカスケードされた２ｘダイオードＲＦスイッチを伴う従来の技術の電子スイッチの一例を示している。ＩＣは、切り換え制御回路を実装することができる。
【０００６】
ＲＦスイッチの例は、（ストラメロ（Ｓｔｒａｍｅｌｌｏ）により記載され、「マルチコンポーネントビデオシステムコントローラ（Ｍｕｌｔｉ−ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  ｖｉｄｅｏ  ｓｙｓｔｅｍ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）」と名づけられた）米国特許第４，４００，７３５号（特許文献１）、（スノウ（Ｓｎｏｗ）により記載され、「マルチチャンネル電子スイッチング回路（Ｍｕｌｔｉ  ｃｈａｎｎｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｃｉｒｃｕｉｔ）」と名づけられた）米国特許第３，０４７，７４１号（特許文献２）、（アルパイワラ（Ａｌｐａｉｗａｌｌａ）により記載され、「共通素子を共用するダイオードネットワーク及び制御ラッチを有するＲＦスイッチ（ＲＦ  ｓｗｉｔｃｈ  ｗｉｔｈ  ｄｉｏｄｅ  ｎｅｔｗｏｒｋ  ａｎｄ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｌａｔｃｈ  ｓｈａｒｉｎｇ  ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｍｅｎｔ）」と名づけられた）米国特許第４，７４２，２４９号（特許文献３）、（ドブロヴォルニ（Ｄｏｂｒｏｖｏｌｎｙ）により記載され、「実質的絶縁を伴うＲＦ  Ａ／Ｂスイッチ（ＲＦ  Ａ／Ｂ  ｓｗｉｔｃｈ  ｗｉｔｈ  ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）」と名づけられた）米国特許第６，６５０，１９９号（特許文献４）において見出すことができる。
【０００７】
ＲＦモジュールが二つのアンテナ入力、例えばケーブル入力及び地上波入力に接続されている用途においては、装置が電源オン若しくはオフのときに二つの入力信号間の干渉により又は当該干渉と交差して望ましくない信号漏れが生じないようにするために、確実な絶縁が必要とされる。使用適合性に加えて、それは、例えばＦＣＣ推奨等の規制要件である。ＦＣＣは、以下のように二つの入力間の絶縁を要求している。
５４ＭＨｚ乃至２１６ＭＨｚ−−−−−−−−８０ｄＢｍｉｎ
２１６ＭＨｚ乃至５５０ＭＨｚ−−−−−−−−６０ｄＢｍｉｎ
５５０ＭＨｚ乃至８０６ＭＨｚ−−−−−−−−５５ｄＢｍｉｎ
【０００８】
上記要件を満たすため、従来の技術においては、比較的高価で複雑なＲＦスイッチが配置されてきた。絶縁要件に加えて、良好なＲＦスイッチは、依然として目に見える良好な感度を確保するため、可能な限り最小の挿入損失を有していなければならない。
【特許文献１】米国特許第４，４００，７３５号公報
【特許文献２】米国特許第３，０４７，７４１号公報
【特許文献３】米国特許第４，７４２，２４９号公報
【特許文献４】米国特許第６，６５０，１９９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、比較的高価で複雑なスイッチ、例えばフィリップスのＴＵＶ１２３６Ｄで使用される既存のＲＦスイッチ解決策、即ち、ＴＵＶ１２３６Ｄ  ＲＦスイッチに代わる手段を提案する。
【００１０】
従って、本発明の目的は、入力間の絶縁が十分に優れ且つ挿入損失が少ないＲＦスイッチを提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、プリント回路基板領域をあまり必要としない低コストなＲＦスイッチを教示して実施することである。
【００１２】
本発明の更なる他の目的は、入力間の絶縁が十分に優れ且つ挿入損失が少ないＲＦスイッチを備えるチューナ又は同調システムを提供することである。
【００１３】
本発明の更なる他の目的は、入力間の絶縁が十分に優れ且つ挿入損失が少ないＲＦスイッチを備える複数のソースからＲＦ信号を受け取るための装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
一つの実施の形態において、デュアルダイオードスイッチは、二つの信号入力間を切り換えるために適用されている。オフ状態のスイッチ、従って、選択されない入力信号は、低インピーダンスにされる。これは、低インピーダンスに切り換えられ且つオフ状態のスイッチに接続される出力を有するトランジスタを使用して、スイッチの出力への選択されていない入力信号の漏れを最小限に抑制することにより達成される。関連する実施の形態では、入力間の優れた絶縁を与えるために、ピンダイオードスイッチが適用されている。
【００１５】
本発明のこれらの態様及び他の態様は、以下に説明する実施の形態から明らかであり、当該実施の形態を参照して上記態様について説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
ここで、添付図面を参照しながら、本発明を一例として更に詳しく説明する。
【００１７】
図面の全体に亘って、同じ参照符号は、同じ要素又は略同一の機能を果たす要素を示している。
【００１８】
図１は、従来のＲＦスイッチ回路の回路図を示している。
【００１９】
図１は、制御回路１０６と巡回（Ｐｅｒｅｇｒｉｎｅ）ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０８とを切り換える２ｘダイオード１０２，１０４を備えるＴＵＶ１２３６Ｄ  ＲＦスイッチ回路１００を示している。ＲＦ入力信号はＯｆｆ−Ａｉｒ及びＣａｂｌｅであり、ＲＦ出力信号はＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔである。
【００２０】
概して、信号絶縁は、２ｘダイオード及び巡回ＭＯＳＦＥＴスイッチを縦続接続することによって実現される。巡回ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０８は、単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチ又は一つの出力ポートを有する２入力ポートである。制御信号ＲＦＳＷの状態に応じて、入力ポート／ピンのうちのいずれか一つにおいて出力ポート／ピンが一度に接続される。ＭＳＯＰ−８−ピンＩＣは、巡回ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０８を実現することができる。
【００２１】
図１から、動作スイッチは比較的簡単である。ユーザがオフエア信号（放送信号）Ｏｆｆ−Ａｉｒを受信したい場合には、オフエア信号経路の対応する２ｘダイオード１０２がオンに切り換えられるとともに、巡回ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０８が所望の入力ポート／ピンへ切り換えられ、それにより、最小の挿入損失でＯｆｆ−Ａｉｒ信号経路が出力（ＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔ）に現れることができる。同時に、Ｃａｂｌｅ信号経路は、ユーザがオフエア信号受信モードにあるときに、最大限に減衰／絶縁されなければならない。この場合、ケーブル信号経路における２ｘダイオード１０４はオフ状態にあり、また、巡回ＭＯＳＦＥＴスイッチはケーブル入力ポート／ピン（図１では、下側の入力位置）の接続が切断される。ＭＯＰＬＬ  ＩＣ又は回路は、制御信号ＲＦＳＷを供給することができる。
【００２２】
逆に、ユーザがケーブルアンテナ入力Ｃａｂｌｅを受信したい場合には、２ｘダイオード１０２がオフに切り換えられるとともに、２ｘダイオード１０４がオンに切り換えられ、巡回ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０８がＣａｂｌｅ信号経路からの下側入力信号を伝達する一方で、Ｏｆｆ−Ａｉｒ信号経路が最大限に減衰される。
【００２３】
図２は、本発明に係るＲＦスイッチ回路２００の回路図を示している。ＲＦスイッチ回路２００は、２ｘダイオード２０２（ダイオードＤ１，Ｄ２を備える）及び２ｘダイオード２０４（ダイオードＤ３，Ｄ４を備える）と、制御信号回路２０６とを備えている。図２は、ＲＦ入力信号ポートＯｆｆ−Ａｉｒ及びＣａｂｌｅと出力信号ポートＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔとを示している。制御信号回路２０６は、選択されない入力と出力ＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔとの間の絶縁機能の一部を果たす。本発明に係る提案された回路は、縦続接続する二つの従来のＲＦスイッチと類似する又は当該スイッチと比べて非常に良好な絶縁・挿入損失性能を示す。
【００２４】
動作時、点２１０（Ｄ１のカソード）は、レジスタＲ１，Ｒ２を使用して供給電圧の約半分（図２では、約２．５Ｖ）のＤＣレベルに設定される。点２１２（Ｄ２，Ｄ３のカソード），２１４（Ｄ４のカソード）は、同様の方法で供給電圧の約半分のＤＣレベルに設定される。
【００２５】
一つの動作状態において、制御入力ポートＲＦＳＷがハイ（ｈｉｇｈ）状態（典型的には供給電圧レベル）に設定されると、トランジスタＴ１は、導通し始めるとともに、そのコレクタ出力をロー（ｌｏｗ）状態（グランドに近い状態）にし、従って、点２１６（Ｄ１，Ｄ２のアノード）がローになる。これにより、２ｘダイオード２０２中のダイオードは、非導通状態となり、ポートＯｆｆ−Ａｉｒからきて２ｘダイオード２０２を通る信号を点２１２に対して効果的に遮断する。また、点２１６は、導通状態のトランジスタＴ１により低インピーダンス点となる。低インピーダンスは、信号ポートＯｆｆ−Ａｉｒから出力ポートＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔまで良好な絶縁を行う。トランジスタＴ１のコレクタがローであるため、トランジスタＴ２のベースもローになり、トランジスタＴ２が非導通状態になる。その結果、トランジスタＴ２のコレクタが浮いてレジスタＲ８によりハイ状態になる。そのため、２ｘダイオード２０４中のダイオードは、導通状態となって、信号ポートＣａｂｌｅからくるＲＦ信号を点２１２へと通過させる。信号ポートＣａｂｌｅからくる信号は、信号出力ポートＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔへと送信される。コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、ＤＣを通さないように遮断するが、ＲＦ信号を通すことができる十分な大きさをもっている。
【００２６】
他の動作状態において、ＲＦＳＷがロー状態（典型的にはグランドレベル）に設定されると、トランジスタＴ１は、非導通状態になるとともに、そのコレクタ出力が浮いている状態となり、これにより、点２１６がレジスタＲ７を介してハイになる。そのため、２ｘダイオード２０２中のダイオードは、導通状態となり、ポートＯｆｆ−Ａｉｒからきて２ｘダイオード２０２を通る信号を点２１２に対して効果的に通過させる。トランジスタＴ１のコレクタがハイであるため、トランジスタＴ２のベースもハイになり、トランジスタＴ２が導通状態になる。その結果、トランジスタＴ２のコレクタがロー状態になる。そのため、２ｘダイオード２０４中のダイオードは、非導通状態となって、信号ポートＣａｂｌｅからくるＲＦ信号を点２１２には通過させない。また、点２１８（Ｄ３，Ｄ４のアノード）は、この時点で導通状態にあるトランジスタＴ２を介して低インピーダンス点となる。低インピーダンスは、信号ポートケーブルから出力ポートＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔまで良好な絶縁を行う。コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、ＤＣを通過させないように遮断するが、ＲＦ信号を通過させることができる十分な大きさをもっている。
【００２７】
制御信号回路２０６は、２ｘダイオードスイッチ２０２及び２ｘダイオードスイッチ２０４のうちの一方を選択して、それぞれの選択されたＲＦ入力信号をＲＦ信号出力ポートへ通過させるように構成されている。また、制御信号回路２０６は、２ｘダイオードスイッチ２０２及び２ｘダイオードスイッチ２０４のうちの選択されなかった方に対して低インピーダンスモードを設定し、選択されていないＲＦ入力信号からのＲＦ信号出力ポートへのクロストークを最小限に抑制する。
【００２８】
要約すると、制御入力ポートＲＦＳＷがハイになると、入力ポートＣａｂｌｅからの信号を出力ポートＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔへ通過させることができ、また、制御入力ポートＲＦＳＷがローになると、入力ポートＯｆｆ−Ａｉｒからの信号を出力ポートＲＦ＿ＳＷ＿Ｏｕｔへ通過させることができる。切り換えは、入力から出力までの挿入損失が最小限に抑制され且つ二つの入力ポート間の絶縁が高い状態で実行される。
【００２９】
ＲＦスイッチ回路２００は、従来のＲＦスイッチ回路１００と比べて明らかに簡単である。それは、例えばＳＰＤＴ  ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０８及びその関連する構成要素が除去され且つ制御信号回路１０６が簡略化されたためである。これにより、部品費用（Ｂｉｌｌ  ｏｆ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ：ＢＯＭ）が大きく減少し、信頼性が向上するとともに、ＰＣＢ面積が節約され、そのため、構成をよりコンパクトにでき、小型化を図ることができる。
【００３０】
本発明者は、２ｘダイオードスイッチ２０２及び２ｘダイオードスイッチ２０４においてピンダイオードを適用すると、これらのスイッチが例えば入力間で例えば優れた絶縁作用を与えることを見出した。しかしながら、本発明者は、技術改良が進むにつれて優れた切り換え動作を伴う他のタイプのダイオードが現れるとともに、そのようなダイオードが本発明の思想において適用できることを想定している。
【００３１】
図３は、本発明に係るＲＦスイッチ回路３１０を備える同調システム３００を示している。また、同調システム３００は、地上波入力ポート３０２と、ケーブル入力ポート３０４と、ＬＮＡ３０６と、ハイブリッドチューナ３２２を備えるチューナ部品３２０と、アナログＩＦ３３２及びアナログＩＦ復調器３３４を備えるアナログ部品３３０と、デジタルＩＦ３４２及びデジタルＩＦ復調器（チャンネルデコーダ）３４４を備えるデジタル部品３４０と、ＯＯＢチューナ３５０と、出力ポートＣＶＢＳ／ＳＩＦ３６０と、出力ポートＴＳ／ＰＯＤ３７０とを備えている。ＲＦスイッチ３１０は、図２のＲＦスイッチ回路２００を備えている。
【００３２】
同調システム３００は、複数のソースからＲＦ信号を受信するための装置内において使用することができる。そのようなソースとしては、ケーブルＴＶソース、オフエアＴＶソース、自家ＴＶ信号分配ソース、ＲＦデータソース、ＲＦオーディオソース等を挙げることができる。そのような装置の例としては、テレビ受信器、マルチメディア受信器、パーソナルコンピュータ等が挙げられる。
【００３３】
図４ａ及び図４ｂは、複数の図２のＲＦスイッチ回路２００（及び／又は、当業者であれば想起し得るように、図５，図６，図７の各ＲＦスイッチ回路５００，６００，７００又はそれらの派生物）を備える拡張型スイッチの例を示している。図４ａは、３ＲＦ入力−２ＲＦ出力スイッチを示している。図４ｂは、３ＲＦ入力−１ＲＦ出力スイッチを示している。当業者であれば分かるように、他の構成も容易に形成することができる。
【００３４】
図５は、入力信号絶縁性能を向上させる周辺回路を伴う数が拡張した（好ましくはピン）ダイオード（Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ８）を備えるＲＦスイッチの回路図を示している。
【００３５】
図６も、入力信号絶縁性能を向上させる周辺回路を伴う数が拡張したトランジスタ（Ｔ３及びＴ３）を備えるＲＦスイッチの回路図を示している。
【００３６】
最後に、図７は、入力信号絶縁を更に向上させる数が拡張したダイオード（Ｄ５，Ｄ６，Ｄ７，Ｄ８）及びトランジスタ（Ｔ３及びＴ４）を備えるＲＦスイッチの回路図を示している。
【００３７】
当業者であれば分かるように、ＲＦスイッチの設計に関して他の方式を考え出すこともできる。例えば、（ピン）ダイオードの代わりに、（ピン）トランジスタ又は同様の態様で実施する他の装置が使用されてもよい。あるいは、５Ｖ以外の電源電圧を使用することもできる。また、本発明は、ＲＦ切り換え以外のもの、例えば、ＴＶ−ＩＦ信号切り換え、オーディオ−及び／又はビデオ−ベースバンド、他の変調信号（オーディオ、ビデオにおけるアナログ、デジタル及び／又はデジタル信号）においても有用である。
【００３８】
以上は、本発明の原理を単に示している。従って、当業者であれば、ここでは明示的に説明され又は示されていないが、本発明の原理を具現化し従って本発明の思想及び範囲内に入る様々な装置を考え出すことができることが認識されるであろう。また、当業者であれば理解できるように、スイッチング回路の背後の構成又は特定の構成及び性能基準に応じて、特定の部品、例えば結合コンデンサ又はデカップリングコンデンサを付加することができ又は除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来の技術のＲＦスイッチ回路の回路図を示している。
【図２】本発明に係るＲＦスイッチ回路の回路図を示している。
【図３】本発明に係るＲＦスイッチ回路を備える同調システムを示している。
【図４ａ】複数のＲＦスイッチ回路を備える本発明に係る拡張スイッチの例を示している。
【図４ｂ】複数のＲＦスイッチ回路を備える本発明に係る拡張スイッチの例を示している。
【図５】拡張した数のダイオードを備える本発明に係るＲＦスイッチの回路図を示している。
【図６】拡張した数のトランジスタを備える本発明に係るＲＦスイッチの回路図を示している。
【図７】拡張した数の本発明に係るトランジスタ及びダイオードを備えるＲＦスイッチの回路図を示している。
【図１】
2008511235.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
2008511235.tif 000006
【図４ｂ】
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【図５】
2008511235.tif 000008
【図６】
2008511235.tif 000009
【図７】
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【国際調査報告】
2008511235.tif 000011
2008511235.tif 000012
2008511235.tif 000013