(57)【要約】  放射ビーム（Ｂ）を調節する照明システムと、放射ビームの断面内にパターンを与えることができ、パターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイス（ＭＡ）を支持するサポート（ＭＴ）とを備えるリソグラフィ装置であって、このサポートは、サポートに対するパターニングデバイスの加速がパターニングデバイスとサポートとの間の接触領域（ＣＡ）にて生じる摩擦力によって妨げられるように、少なくともサポートが加速されるときに、パターニングデバイスの第１の面（５１）を加速方向に垂直な少なくとも１つの第１の力（Ｆ１）にさらし、このサポートは、少なくともサポートが加速されるときに、パターニングデバイスの第２の面（Ｓ２）を少なくとも１つの第２の力（Ｆ２）にさらすクランピングデバイス（ＣＤ）と関連付けられる。【選択図】なし
2008526018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調節する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートと
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記サポートは、前記サポートに対する前記パターニングデバイスの加速が前記パターニングデバイスと前記サポートとの間の接触領域にて生じる摩擦力によって妨げられるように、少なくとも前記サポートが加速されるときに、前記パターニングデバイスの第１の面を加速方向に垂直な少なくとも１つの第１の力にさらし、前記サポートは、少なくとも前記サポートが加速されるときに、前記パターニングデバイスの第２の面を少なくとも１つの第２の力にさらすクランピングデバイスと関連付けられる、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記パターニングデバイスの前記第１および第２の面は、実質的に互いに反対側に位置している、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記クランピングデバイスは、前記少なくとも１つの第１の力と実質的に一致する少なくとも１つの第２の力を与える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記クランピングデバイスは、前記パターニングデバイスが前記クランピングデバイスに対して加速されるときに、前記クランピングデバイスと前記パターニングデバイスとの間で摩擦力が作用することができる接触面積を最小化する一方で、前記少なくとも１つの第２の力を与える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記クランピングデバイスは、前記少なくとも１つの第２の力を能動的に作用させる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記クランピングデバイスは、前記少なくとも１つの第２の力を受動的に作用させる、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記クランピングデバイスは、取外し可能である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記クランピングデバイスは、前記サポートに能動的に接続可能である、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記クランピングデバイスは、前記サポートに受動的に接続可能である請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記クランピングデバイスは、前記サポートに接続される請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記クランピングデバイスは、前記サポートが加速されているとき前記少なくとも１つの第２の力を動的に作用させる、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記クランピングデバイスは、前記サポートの加速に対して異なるように加速する少なくとも１つの質量を備え、それによって、各質量は、前記少なくとも１つの第２の力を作用させるために伝達可能な力を発生させることができる、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記クランピングデバイスは、前記サポートが加速されるときに前記サポートに対する前記パターニングデバイスの原因加速に打ち勝つのに必要とされる摩擦力を高めるための追加の接触面積を与える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記クランピングデバイスは、前記サポートに接する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記リソグラフィ装置は、前記サポートに対して前記パターニングデバイスを扱うためのハンドラを備え、前記ハンドラは、前記クランピングデバイスも扱う請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートであって、
前記サポートは、少なくとも前記サポートが加速されるときに、前記パターニングデバイスの第１の面をクランプ力にさらし、前記サポートは、少なくとも前記サポートが加速されるときに、前記第１の面と一致しない面で広がるパターニングデバイスの第２の面を追加のクランプ力にさらすクランピングデバイスに接続される、サポート。
【請求項１７】
前記パターニングデバイスの前記第１および第２の面は、実質的に互いに反対側に位置している、請求項１６に記載のサポート。
【請求項１８】
前記クランピングデバイスは、クランプエレメントによって前記サポートに接続される、請求項１６に記載のサポート。
【請求項１９】
前記クランプエレメントは、真空吸引チューブを備える、請求項１８に記載のサポート。
【請求項２０】
前記クランピングデバイスは、クランプフィッティングによって前記サポートに接続されるように形作られる、請求項１９に記載のサポート。
【請求項２１】
前記クランピングデバイスは、押圧力によって前記追加のクランプ力を与える弾性構造体を備える、請求項１６に記載のサポート。
【請求項２２】
前記クランピングデバイスは、旋回するレバーアセンブリを備え、前記レバーアセンブリは、前記サポートと固定された位置関係にあるピボットのまわりで旋回可能であり、かつ、旋回している間前記パターニング手段上に追加のクランプ圧力を与えるように前記パターニング手段と接触するレバー部と、前記旋回するレバーアセンブリを旋回させるアクチュエータとを備える、請求項１６に記載のサポート。
【請求項２３】
前記クランピングデバイスは、旋回するレバーアセンブリを備え、前記レバーアセンブリは、前記サポートと固定された位置関係にあるピボットのまわりで旋回可能であり、かつ、旋回している間前記パターニング手段上に追加のクランプ圧力を与えるように前記パターニング手段と接触するレバー部を備え、前記アセンブリは、加速している間前記アセンブリを旋回させるために前記旋回するアセンブリに固定接続された慣性質量要素を備える、請求項１６に記載のサポート。
【請求項２４】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップと、
サポートを使用して前記パターニングデバイスを支持するステップと、
前記サポートを加速するステップと、
前記サポートに対する前記パターニングデバイスの加速が前記パターニングデバイスと前記サポートとの間の接触領域にて生じる摩擦力によって抑制されるように、前記パターニングデバイスの第１の面を加速方向に垂直な少なくとも１つの第１の力にさらすステップと、
少なくとも前記サポートが加速されるときに、前記パターニングデバイスの第２の面を前記サポートの前記加速方向に垂直な少なくとも１つの第２の力にさらすステップと
を含むデバイス製造方法。
【請求項２５】
前記パターニングデバイスの前記第１および第２の面は、実質的に互いに反対側に位置している、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記少なくとも１つの第１の力と実質的に一致する前記第２の力を与えるステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記パターニングデバイスが前記クランピングデバイスに対して加速されるときに、前記クランピングデバイスと前記パターニングデバイスとの間で摩擦力が作用することができる接触面積を最小化する一方で、前記少なくとも１つの第２の力を与えるステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの力を能動的に作用させるステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
前記少なくとも１つの力を受動的に作用させるステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３０】
前記クランピングデバイスが移動可能である、請求項２４に記載の方法。
【請求項３１】
前記サポートに能動的に前記クランピングデバイスを接続するステップを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記サポートに受動的に前記クランピングデバイスを接続するステップを含む請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記クランピングデバイスは、前記サポートに接続される、請求項２４に記載の方法。
【請求項３４】
前記クランピングデバイスは、前記サポートが加速されているとき前記少なくとも１つの第２の力を動的に印加する、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記クランピングデバイスは、前記サポートの加速に対して異なるように加速する少なくとも１つの質量を備え、それによって、各質量は、前記少なくとも１つの第２の力を作用させるために伝達可能な力を打ち消すことができる、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記サポートが加速されるときに前記サポートに対する前記パターニングデバイスの原因加速に打ち勝つために必要とされる摩擦力を高めるために、前記クランピングデバイスと前記サポートとの間に接触領域を与えるステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３７】
前記サポートと前記クランピングデバイスを接触させるステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３８】
前記クランピングデバイスをも扱うハンドラを使用して前記サポートに対して前記パターニングデバイスを扱うステップを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項３９】
サポートを使用してパターニングデバイスを支持するステップと、
前記サポートを加速するステップと、
前記サポートに対する前記パターニングデバイスの加速が前記パターニングデバイスと前記サポートとの間の接触領域にて生じる摩擦力によって抑制されるように、前記パターニングデバイスの第１の面を加速方向に垂直な少なくとも１つの第１の力にさらすステップと、
少なくとも前記サポートが加速されるときに、前記パターニングデバイスの第２の面を前記サポートの前記加速方向に垂直な少なくとも１つの第２の力にさらすステップと
を含む方法。
【請求項４０】
請求項１に記載の装置または請求項１６に記載のサポートを使用して製造されたデバイス。
【請求項４１】
請求項２４または３９に記載の方法によって製造されたデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート、およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その例では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたはいくつかのダイの一部を構成する）に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料（レジスト）の層の上へ結像することによって行われる。一般に、単一の基板は、次々とパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含むことになる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光させることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンし、同時に、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板までパターンを転写することも可能である。
【０００３】
あらゆるリソグラフィ装置で、放射ビームに対して、必要とされる位置にマスクまたはレチクルを配置する必要がある。
【０００４】
パターニングデバイスは、必要とされる位置に前記デバイスを配置するために移動可能なサポートに支持される。サポート上のパターニングデバイスの位置は、サポートに対して十分に定義されており、前記位置は、サポートが移動しているときに、サポートに対して固定されている必要がある。パターニングデバイスの固定は、サポートに対して吸引されるように、通常、パターニングデバイスの少なくとも一部に真空力を印加することにより達成される。
【０００５】
そのようなリソグラフィ装置のスループットを向上させるために、パターニングデバイスは増大する加速にさらされ、その結果、パターニングデバイスをその必要とされる位置に固定しておくのに必要な増大した力が必要になる。この情況では、加速は正または負のいずれでもあり得る。具体的には、いわゆるスキャナでは、パターニングデバイスが迅速に移動する一方で放射ビームは静止したままであり、また、パターニングデバイスは、その断面にパターンを有する放射ビームを与える。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
放射ビームに与えられたパターンの意図された定位の高精度を保つ一方で、高いスループットを与えるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。これは、優れたオーバーレイ、すなわち基板上のターゲット位置上に転写するパターンの意図された位置と、基板のそのターゲット部分上に転写されたパターンの実際位置との間に高度な一致をもたらす。
【０００７】
パターニングデバイスを支持するために構成されたサポートを提供し、サポートが高加速を受けても、または受けていても、放射ビームを使用して所定の表面上に正確にパターンを投影し得るようにすることはさらに望ましい。
【０００８】
サポートが高加速を受けても、または受けていても、基板上に正確にパターンを投影することを可能にするサポートを使用してパターニングデバイスを支持するステップを含む方法を提供することが望ましい。
【０００９】
パターニングデバイスが高加速を受けても、または受けていても、パターニングデバイスから基板上へとパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法を提供することはさらに望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、放射ビームの断面内にパターンを与えることができ、パターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートが提供され、このサポートは、サポートに対するパターニングデバイスの加速がパターニングデバイスとサポートとの間の接触領域にて生じる摩擦力によって妨げられるように、少なくともサポートが加速されるときに、パターニングデバイスの第１の面を加速方向に垂直な少なくとも１つの第１の力にさらし、このサポートは、少なくともサポートが加速されるときに、パターニングデバイスの第２の面をサポートの加速方向に垂直な少なくとも１つの第２の力にさらすクランピングデバイスと接続される。
【００１１】
本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法が提供され、この方法は、サポートを使用してパターニングデバイスを支持するステップと、サポートを加速するステップと、サポートに対するパターニングデバイスの加速がパターニングデバイスとサポートとの間の接触領域にて生じる摩擦力によって抑制されるように、パターニングデバイスの第１の面を加速方向に垂直な少なくとも１つの第１の力にさらすステップと、少なくともサポートが加速されるときに、パターニングデバイスの第２の面をサポートの加速方向に垂直な少なくとも１つの第２の力にさらすステップとを含む。
【００１２】
本発明の一態様によれば、サポートを使用してパターニングデバイスを支持するステップと、サポートを加速するステップと、サポートに対するパターニングデバイスの加速がパターニングデバイスとサポートとの間の接触領域にて生じる摩擦力によって妨げられるように、パターニングデバイスの第１の面を加速方向に垂直な少なくとも１つの第１の力にさらすステップと、少なくともサポートが加速されるときに、パターニングデバイスの第２の面をサポートの加速方向に垂直な第２の力にさらすステップとを含む方法が提供される。
【００１３】
本発明の一態様によれば、放射ビームを調節する照明システムと、放射ビームの断面内にパターンを与えることができ、パターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するサポートとを備えるリソグラフィ装置が提供され、このサポートは、サポートに対するパターニングデバイスの加速がパターニングデバイスとサポートとの間の接触領域にて生じる摩擦力によって妨げられるように、少なくともサポートが加速されるときに、パターニングデバイスの第１の面を加速方向に垂直な少なくとも１つの第１の力にさらし、このサポートは、少なくともサポートが加速されるときに、パターニングデバイスの第２の面をサポートの加速方向に垂直な少なくとも１つの第２の力にさらすクランピングデバイスと関連付けられる接続される。
【００１４】
本発明の諸実施形態を、添付の概略図を参照しながら、単に例として説明する。図では、同じ参照符号は同じ部分を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図では、類似の部品は例示の参照になっている。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、あるパラメータに正確に従ってパターニングデバイスを位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、あるパラメータに正確に従って基板を位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを備える）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば屈折型投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１７】
照明システムは、放射を誘導、整形、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光コンポーネント、または他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。
【００１８】
サポート構造は、パターニングデバイスを支える、すなわちその重量に耐える。サポート構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件に左右される形でパターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用することができる。サポート構造は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて可動式である。サポート構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して確実に所望位置にあるようにすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」のどんな使用も、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なされ得る。
【００１９】
本明細書に使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作成するなど、その横断面内にパターンを備えた放射ビームを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しないであろうということに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイス内の特定の機能の層に対応する。
【００２０】
パターニングデバイスは透過性かまたは反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、マスクタイプとして、バイナリ、Alternating位相シフトおよびAttenuated位相シフトなどや、様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、入ってくる放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾斜させることができる小さなミラーのマトリクス配置を使用する。傾けられたミラーが、ミラーマトリクスによって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００２１】
本明細書に使用される用語「投影システム」は、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含し、使用される露光放射あるいは浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとして、広義に解釈されるべきである。本明細書における用語「投影レンズ」のどんな使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。
【００２２】
ここで記述されるように、装置は透過タイプ（例えば透過性マスクを使用するタイプ）である。あるいは、装置は反射タイプ（例えば上で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ）でもよい。
【００２３】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または複数のマスクテーブル）を有するタイプでよい。そのような「マルチステージ」マシンでは、追加テーブルを並行して使用したり、あるいは１つまたは複数のテーブルを露光に使用している間に、１つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを行ったりすることができる。
【００２４】
リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部分を比較的高屈折率を有する液体、例えば水によって覆って、投影システムと基板との間のスペースを充填するタイプでもよい。リソグラフィ装置内の他のスペース、例えばマスクと投影システムとの間にも浸液を適用することもできる。投影システムの開口数を増加させるための技術において、液浸技法が周知である。本明細書に使用される用語「液浸」は、液体に基板などの構造体を沈めなければならないことを意味するのではなく、むしろ、露光の間投影システムと基板との間に液体が置かれることを意味するだけである。
【００２５】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別個の実体でよい。そのような例では、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬまで、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて通される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤも一緒に、放射システムと呼ぶことができる。
【００２６】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布の調節のためにアジャスタＡＤを備えることができる。一般に、少なくともイルミネータの瞳面内強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど様々な他の構成要素を備えてよい。イルミネータは、放射ビームがその横断面内の所望の均一性および強度分布を有するように調節するために使用されてよい。
【００２７】
放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、マスクＭＡを横切って、基板Ｗのターゲット部分Ｃの上にビームを集中させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路内へ個別のターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）は、例えばマスクライブラリからの機械的検索の後、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、マスクテーブルＭＴの動作は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの動作は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴがショートストロークアクチュエータのみに接続されてよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図示された基板アライメントマーク（けがき線アライメントマークとして既知である）は専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが与えられる状況では、マスクアライメントマークはダイ間に配置されてよい。
【００２８】
図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保たれ、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃの上に一度に投影される（すなわち単一の静的露光）。次いで、別のターゲット部分Ｃが露光されるように、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一の静的露光で結像されたターゲット部分Ｃの寸法を制限する。
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴが同期してスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される（すなわち単一の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性およびイメージ反転特性によって決定される。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が単一の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限するのに対して、スキャン運動の長さがターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされ、その一方で放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各動作後に、またはスキャン中連続した放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及されたタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２９】
前述の使用モードまたは全く異なった使用モードの組合せおよび／または変形形態も使用することができる。
【００３０】
図２〜図８は、すべて概略図であるように意図されており、放射ビームＢによって引かれたラインに関して対称である。
【００３１】
図２は、本発明によるリソグラフィ装置の一部を示す。示された部分は、放射ビームＢを調節するように構成された照明システムＩＬを備える。示された部分は、この例示の実施形態ではマスクテーブルであるサポートＭＴをさらに備え、この実施形態ではマスクであるパターニングデバイスＭＡを支持するように構成されている。パターニングデバイスＭＡは、断面内にパターンを有する放射ビームＢを与えて、パターン付き放射ビームを形成することができる。サポートＭＴは、少なくともサポートＭＴが加速されるとき、少なくともパターニングデバイスＭＡの第１の面Ｓ１の一部に加速方向に垂直な第１の力Ｆ１を作用させるように配置されて、サポートＭＴを基準としてパターニングデバイスＭＡに作用する加速力がパターニングデバイスＭＡとサポートＭＴとの間の接触領域ＣＡにて生じる摩擦力によって妨げられる。この目的のために、サポートＭＴにマスクＭＡをクランプするために真空チューブＶＴが使用される。周知のように、これらの摩擦力は法線力Ｆ１に比例する。換言すれば、サポートＭＴに対するパターニングデバイスＭＡの加速は、法線力Ｆ１の所産である反対方向の摩擦力によって妨げられる。図２〜図４および図６〜図８では、パターニングデバイスＭＡの加速方向は、図が示された平面に対して垂直であると考えられる。
【００３２】
サポートＭＴは、少なくともサポートＭＴが加速されるとき、少なくともパターニングデバイスＭＡの第２の面Ｓ２の一部にサポートＭＴの加速方向に垂直な第２の力Ｆ２を作用させるように配置されたクランピングデバイスＣＤと（図３に示されるように）関連付けられる。図２は、点線ＶＬで示されるように、第２のフェイスＦ２が作用する主方向が、それぞれの第１の力Ｆ１の主方向と実質的に一致するように第２の力Ｆ２が実質的に作用させられることを概略的に示す。
【００３３】
図３は、押圧力によって前記追加のクランプ力を与えるための弾性構造ＳＰを備えるクランピングデバイスＣＤの一例が示される一実施形態を示す。この実施形態では、クランピングデバイスＣＤは、放射ビームＢと干渉が生じないように配置される。この目的のために、クランピングデバイスは、放射ビームＢの通過を可能にする（点線によって示された）中央の開部分を備えることができる。使用中クランピングデバイスＣＤによって作用される力Ｆ２は、パターニングデバイスＭＡのサポートＭＴに支持された部分だけが第２の力Ｆ２を受けるように、作用する。その結果、好ましくは第２の力Ｆ２は、中央部、特にパターニングデバイスＭＡの結像面ＩＰが、パターニングデバイスＭＡに追加の曲げモーメントが少しも生じないのであれば最小限しか変形されないように作用する。図３に示された実施形態では、クランピングデバイスＣＤは、クランピングデバイスＣＤに対してパターニングデバイスＭＡが加速されるとき、クランピングデバイスＣＤとパターニングデバイスＭＡとの間にて摩擦力が作用することができる接点の面積を最小化する一方で第２の力Ｆ２を印加するように配置される。
【００３４】
図３に示された実施形態では、クランピングデバイスＣＤは、第２の力Ｆ２を受動的に作用させるように配置される。したがって、この例では、作用される追加クランプ圧力の量に関して、能動制御は存在しない。示されたように、例えばスプリングなどの弾性要素ＳＰを使用することによってこれが成され得て、これもクランピングデバイスＣＤとパターニングデバイスＭＡとの間の接触面積を最小化するように配置される。接触面積を最小化することによって、追加の曲げモーメントが生じることがなく、第１のクランプ力Ｆ１と追加の第２のクランプ力Ｆ２は、実質的に整合して維持される。また、他の受動的機構体によって第２の力Ｆ２を作用させることも可能である。対面している２つの均等な磁気極を使用することが考えられ、一方の磁石がクランピングデバイスＣＤに関連付けられ、他方の磁石はパターニングデバイスＭＡに関連付けられる。
【００３５】
図３に示された受動的な実施形態とは対照的に、例えば図４を参照しながら説明されるものなど、アクチュエータを使用して能動的に第２の力Ｆ２を作用させることも可能である。そのようなアクチュエータは、例えば空気圧駆動式または電磁気駆動式の機構を有し、どちらも当技術分野において周知である。
【００３６】
図３に示される実施形態では、クランピングデバイスは取外し可能である。このことは、パターニングデバイスＭＡを交換する必要があるとき、パターニングデバイスＭＡへのアクセスを可能にする。示されたように、クランピングデバイスＣＤは、取外し可能であるようにサポートＭＴに接続される。この例では、クランピングデバイスＣＤは、図３に示されるように真空技術によって能動的にサポートに接続される。実際は、図３では、真空チューブＶＴ４は、真空圧を印加することによって接続を与えるために存在する。接続条件は、クランピングデバイスＣＤの表面にかけられる真空圧によって与えられ、クランピングデバイスＣＤは、それによってサポートＭＴに吸引されて能動的に結合される。また、静電気クランプエレメントおよび／または電磁力によるものなど他のクランプエレメントを使用して、そのような能動的な接続を与えることも可能である。また、サポートＭＴに受動的にクランピングデバイスＣＤを接続することも可能である。例えば、サポートＭＴにクランピングデバイスＣＤを接続するために永久磁石が使用されてよい。図３に示された実施形態では、第１の力Ｆ１はチューブＶＴ１を真空にすることによって作用し、サポートＭＴを介して及ぶ。真空チューブＶＴが真空にされるとき、パターニングデバイスＭＡが吸引される接触領域ＣＡ（図４参照）が与えられる。クランピングデバイスＣＤが、接触領域ＣＡに対してパターニングデバイスＭＡをさらに押す第２の力Ｆ２を印加する。この例では、第１の力Ｆ１は、第２の力Ｆ２の印加とは無関係に作用する。接触領域ＣＡに作用する総計の法線力がＦ１からＦ１＋Ｆ２へと増加されるのに伴って摩擦力も増加した。
【００３７】
示された実施形態では、パターニングデバイスの第１の面Ｓ１と第２の面Ｓ２は互いに実質的に平行であるが、面が平行でないものも同様に可能である。
【００３８】
図４は、本発明によるサポートの別の実施形態を示す。ここで、クランピングデバイスＣＤは、旋回するレバーアセンブリＳＣを備え、前記アセンブリは、前記サポートに対して固定された位置関係にあるピボットのまわりを旋回可能であり、旋回している間前記パターニング手段上に追加のクランプ圧力を与えるように、前記パターニング手段と接触するレバー部ＳＣ２と、および前記ピボット、前記旋回するレバーアセンブリに整列されるアクチュエータＡＣとを備える。この実施形態では、サポートＭＴにパターニングデバイスＭＡをクランプするためのクランプ力Ｆ２は、力アプリケータ(force applicator)ＦＡによって与えられる。力アプリケータＦＡは、第１のレバー部ＳＣ１および第２のレバー部ＳＣ２を備えるレバーアセンブリによって接続される。第２のレバー部は、アクチュエータＡＣに接続される。レバーアセンブリＳＣは実質的にＬ字形であり、レバー部ＳＣ１、ＳＣ２がそれぞれレバーアセンブリの脚部の１つを形成する。レバー部ＳＣ１とＳＣ２は、その交点ＣＰで互いに接続される。交点ＣＰは、アクチュエータＡＣが動作するとき、レバーアセンブリＳＣがそのまわりを旋回することができる軸のポイントＰＰと一致する。アクチュエータＡＣは、例えば、電磁駆動機構、空気圧駆動機構などを備えることができる。少なくともサポートＭＴが加速されるとき、アクチュエータＡＣは、力アプリケータＦＡがパターニングデバイスＭＡにクランプ力Ｆ２を及ぼすようにレバーアセンブリに作用し、このことがパターニングデバイスＭＡをサポートＭＴに対してしっかりと押しつける。パターニングデバイスＭＡを交換する必要があるとき、アクチュエータＡＣは、レベルアセンブリＳＣを軸のポイントＰＰのまわりで旋回させることにより、パターニングデバイスＭＡから力アプリケータＦＡが持ち上げられるように動作することができる。２つの矢印ＡＡは、アクチュエータＡＣが動作する方向を示す。追加の力が力Ｆ１と実質的に同じ向きに与えられることは図４から明らかであり、このことは総計のクランプ力を増加させ、サポートＭＴの運動中に、高加速の下でもパターニングデバイスの正確な配置を保持する。その上、これら追加のクランプ力は、好ましくは小さな接触境界面を介して与えられ、それによって、パターニングデバイスＭＡがクランピングデバイスＣＤに対して加速されるとき、クランピングデバイスＣＤとパターニングデバイスＭＡとの間にて摩擦力が作用することができる接触面積を最小化する。その上、図４に開示された力アプリケータＦＡを備えるクランプアレンジメントは、代替実施形態では、検出されたサポートの加速に動的に応答して追加のクランプ力を作用させてよい。この目的のために、クランプ力は、例えばサポートＭＴに取り付けられた加速度計または干渉計測定によってサポートＭＴの加速度を得る遠隔測定により検出された加速度の大きさ次第でアクチュエータＡＣによって増加されてよい。
【００３９】
図５は、本発明によるサポートＭＴの別の実施形態を示す。ここでは、図４と同様に、旋回するレバーアセンブリＳＣが示されている。アセンブリＳＣは、前記サポートＭＴと固定の位置関係にあるピボットＰＰのまわりで旋回可能であり、旋回される間前記パターニング手段上に追加のクランプ圧力を与えるように前記パターニング手段ＭＡと接触するレバー部ＳＣ２を備える。アセンブリＳＣは、加速中にアセンブリを旋回させるように旋回アセンブリに固定接続された慣性質量要素Ｍ１、Ｍ２を備える。具体的には、クランピングデバイスＣＤは、加速方向に依存してクランプ力を与える２つの質量Ｍ１、Ｍ２を備える。一方向については、サポートＭＴの加速は矢印ＡｃＭＴによって示され、図が示されている面内にある。質量Ｍ１、Ｍ２の慣性によって、加速ＡｃＭＴと反対方向に、逆加速方向Ａｃｍによって表される対向力が発生する。Ｍ１およびＭ２に作用したこれらそれぞれの対向力は、加速方向ＡＣｍと交差する方向に旋回軸のポイントＰＰによって方向を変えられる。このことは、質量Ｍ２については、上方へ配向される交差力ＦＡ２をもたらす。この力ＦＡ２は追加クランプ力に寄与しない。しかし、質量Ｍ１については、交差力ＦＡ１は下方へ配向され、サポートＭＴにパターニングデバイスＭＡをクランプするための追加クランプ力を与える。
【００４０】
逆の例では、サポートＭＴは、逆加速（減速）ＤＣｍｔを受ける。再び、対向する力がそれぞれの質量Ｍ１およびＭ２に作用し、今や旋回する部分ＰＰによって、Ｍ２に対して追加クランプ力ＦＡ２を与え、これは今や（図示の例とは反対に）サポートＭＴの方向に配向される。
【００４１】
図６は、本発明によるサポートＭＴの別の実施形態を示す。この実施形態では、クランピングデバイスＣＤはサポートに接するように配置される。クランピングデバイスは、図示のように、例えば追加の接触領域ＡＣＡに対してクランピングデバイスＣＤをクランプして取り付けることによって、サポートＭＴの直立した部分ＵＰの間に、クランプ力Ｆ３でそれ自体がクランプされてよい。したがって、クランピングデバイスＣＤと直立部分ＵＰの形状および位置は相応し、互いに適合するように形成される。
【００４２】
図７に示されるように、クランピングデバイスＣＤは真空チューブＶＴ２を備えてもよい。この実施形態では、サポートＭＴが加速されるときクランピングデバイスおよびパターニングデバイスＭＡの位置を維持するための非常に堅い構造を得ることができる。この実施形態では、パターニングデバイスＭＡは、真空吸引によってクランピングデバイスＣＤに固定して取り付けられており、サポートの直立した端部ＵＰに対して保持される。
【００４３】
図８は、本発明によるサポートＭＴの別の実施形態を示す。この例では、真空チューブＶＴ３は、追加の接触領域ＡＣＡを得るときクランピングデバイスＣＤが接するサポートＭＴの直立した部分ＵＰを通って延びる。真空チューブＶＴ３に真空が与えられるとき、クランピングデバイスがサポートＭＴに対して吸引され、したがって力Ｆ３が増加してサポートＭＴ内のクランピングデバイスＣＤを安定させる。
【００４４】
本発明が、サポートに正の加速が生じるときだけでなく、サポートに負の加速すなわち減速が生じるときも等しく、サポートＭＴに対してパターニングデバイスＭＡの位置を維持することを意図することが明らかであろう。
【００４５】
示されたすべての実施形態において、パターニングデバイスは実質的に水平に配向されているが、本発明は、パターニングデバイスのそのような方向に少しも限定されないこともさらに留意されるべきである。ビームが垂直または筋向かいに配向され、その結果として、または何らかの理由のために、パターニングデバイスが垂直または筋向かいに配向されることも可能である。
【００４６】
ＩＣの製造でリソグラフィ装置の使用に対して本説明に特定の参照がなされてもよいが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、磁気ドメインメモリ、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなど向けの集積光学システム、誘導パターンおよび検出パターンの製造など他の用途を有し得ることが理解されるべきである。熟練工なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のどんな使用も、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義なものと見なしてよいことを理解するであろう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露出したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理されてもよく、そのため、本明細書に使用される用語の基板は、既に複数の処理層を含んでいる基板も意味してよい。
【００４７】
本発明の実施形態の使用に対して、光リソグラフィの文脈において上記で特定の参照がなされていても、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィおよび状況が許すところで使用されてよく、光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内の微細構成が、基板上に作成されるパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は、基板に与えられたレジストの層へ押しつけられてよく、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、レジスト中にパターンを残してレジストから離される。
【００４８】
本明細書に使用される用語「放射」および「ビーム」は、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子線と同様に紫外線（ＵＶ）放射（例えば３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの、またはそのくらいの波長を有する）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。
【００４９】
用語「レンズ」は、文脈上可能であれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電気の光コンポーネントを含む様々なタイプの光コンポーネントの任意のものまたはその組合せを意味してよい。
【００５０】
本発明の特定の実施形態が上記に説明されてきたが、本発明は、説明されたものと違う風に実行され得ることが理解されるであろう。例えば、本発明は、上記に開示された方法を記述した機械可読な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式、またはそのようなコンピュータプログラムを格納したデータ格納媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形式をとってよい。
【００５１】
上記の記述は、説明を意図したものであり、限定しようとするものではない。したがって、以下に詳述される特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に対して変更形態が作成され得ることが当業者には明白であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の部分図である。
【図３】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の部分図である。
【図４】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の部分図である。
【図５】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の部分図である。
【図６】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の部分図である。
【図７】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の部分図である。
【図８】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の部分図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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