(57)【要約】  本発明は金属化終端技術（４２０，５２０，６２０，６３０，７２０）を用いて金属化領域（４００）の端で起こる電磁界散乱（４１０）を減少させる。金属化終端技術（４２０，５２０，６２０，６３０，７２０）により、高導電率領域から高インピーダンス領域への緩やかな移行を形成する。携帯電話アンテナがＰＣＢを照射すると、電流がＰＣＢ上を流れる。この電流はＰＣＢの端に到達すると、反射または散乱することなく、次第に高くなるインピーダンスの領域の中を流れる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話内の構成要素により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法であって、金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端に近づくに従って一層高いインピーダンスに遭遇するように金属化領域（４００）の端の近くの金属化パターン４２０を変えることを含む、散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項２】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話内の構成要素により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法であって、金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの離散的な構成要素（５２０）による一層高いインピーダンスに遭遇するように離散的な構成要素（５２０）を金属化領域（４００）の端の近くに置くことを含む、散乱電磁波（４００）を減衰させる方法。
【請求項３】
離散的な構成要素（５２０）は抵抗器を含む、請求項２記載の散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項４】
離散的な構成要素（５２０）はコンデンサを含む、請求項２記載の散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項５】
離散的な構成要素（５２０）は誘導器を含む、請求項２記載の散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項６】
離散的な構成要素（５２０）は抵抗器、コンデンサ、誘導器の組合せを含む、請求項２記載の散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項７】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話内の構成要素により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法であって、金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの容量性隙間（６２０）および誘導線（６３０）による一層高いインピーダンスに遭遇するように容量性隙間（６２０）および誘導線（６３０）を金属化領域（４００）の端の近くに置くことを含む、散乱電磁波４１０を減衰させる方法。
【請求項８】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話内の構成要素により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法であって、金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの多数の変化する導電率の層（７２０）による一層高いインピーダンスに遭遇するように多数の変化する導電率の層（７２０）を金属化領域（４００）の端の近くに置くことを含む、散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項９】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話内の構成要素により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる携帯電話であって、
金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端に近づくに従って一層高いインピーダンスに遭遇するようにした、金属化領域（４００）の端の近くにさまざまの金属化パターン（４２０）を含む、
携帯電話。
【請求項１０】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話内の構成要素により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる携帯電話であって、
金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの離散的な構成要素（５２０）による一層高いインピーダンスに遭遇するようにした、金属化領域（４００）の端の近くに置かれた離散的な構成要素（５２０）を含む、
携帯電話。
【請求項１１】
離散的な構成要素（５２０）は抵抗器を含む、請求項１０記載の携帯電話。
【請求項１２】
離散的な構成要素（５２０）はコンデンサを含む、請求項１０記載の携帯電話。
【請求項１３】
離散的な構成要素（５２０）は誘導器を含む、請求項１０記載の携帯電話。
【請求項１４】
離散的な構成要素（５２０）は抵抗器、コンデンサ、誘導器の組合せを含む、請求項１０記載の携帯電話。
【請求項１５】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話内の構成要素により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる携帯電話であって、
金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの容量性隙間（６２０）および誘導線（６３０）による一層高いインピーダンスに遭遇するようにした、金属化領域（４００）の端の近くに置かれた容量性隙間（６２０）および誘導線（６３０）を含む、
携帯電話。
【請求項１６】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話内の構成要素により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる携帯電話であって、
金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの多数の変化する導電率の層（７２０）による一層高いインピーダンスに遭遇するようにした、金属化領域（４００）の端の近くに置かれた多数の変化する導電率の層（７２０）を含む、
携帯電話。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
米国連邦通信委員会（ＦＣＣ）は携帯電話の聴覚障害ユーザのための補聴器互換性（ＨＡＣ）を改善する新しい規則を２００５年に制定する。携帯電話ＨＡＣ評価の一部として、電磁界の近接場（ｎｅａｒ  ｆｉｅｌｄ）構成要素を測定する。かかる構成要素は電界および磁界を含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
図３は、図１に示す近接場走査領域と図２に示すＰＣＢ輪郭とを有するフリップ・タイプの携帯電話の一般的な電界分布を示す。主電界は金属化の急な不連続（プリント回路基板（ＰＣＢ）の端、遮蔽缶、バイブレータ、および組立体上の金属化パターンなど）で起こりやすい。かかる不連続は、金属基板上に、基板の端に向かって流れる集中電流を生成する。電流が基板の端に到達すると、電磁界の望ましくない散乱が起こる。散乱電磁界が大きくなるほど補聴器の邪魔をする傾向が強くなる。
必要とされるのは、携帯電話設計において存在する金属の不連続で起こる電磁散乱の望ましくない効果を減少させる方法、手段、および機器である。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明は金属化終端技術を用いて、ＰＣＢおよび金属化ハウジング組立体を含む金属化領域の端で起こる電磁界散乱を減少させる。金属化終端技術により、高導電率領域から高インピーダンス領域への緩やかな移行を形成する。携帯電話アンテナがＰＣＢを照射すると、電流がＰＣＢ上を流れる。この電流はＰＣＢの端に到達すると、反射または散乱することなく、次第に高くなるインピーダンスの領域の中を流れる。
【実施例】
【０００４】
或る関連する特許出願では、高インピーダンスの半透明被覆を用いて、望ましい領域上のＲＦ表面波（電磁散乱）を減衰させている。かかる構成は、近接場領域内の電界を減衰させるのに有効である。これはまた、その領域内の表面電流の生成を減衰させる。アンテナの性能を改善するには、表面電流が携帯電話の或る領域（フリップ・ホンの上部など）上を流れるようにすることが望ましい。しかし、かかる電流はＰＣＢおよび他の金属化領域の急な不連続で散乱電磁界を生成する。
補聴器互換性（ＨＡＣ）評価の一部として、電磁界の近接場構成要素を測定する。かかる構成要素は電界および磁界を含む。
【０００５】
図１は一般的なフリップ・タイプの携帯電話１００の図で、トップ・フリップ内の、スピーカ構成要素１１０の付近と携帯電話のディスプレイ１２０の一部とを含む近接場走査領域１３０の輪郭を示す。これは非常に関心のある領域である。なぜなら、これは補聴器を付けたユーザが電磁散乱効果に最も近い点だからである。図２は同じ携帯電話１００の図で、携帯電話のスピーカ１１０の付近の高い電磁界領域１５０とその下のプリント回路板（ＰＣＢ）１４０の輪郭とを更に示す。比較的高い電磁界は、主としてその下のいくつかの携帯電話の構成要素（ＰＣＢ１４０など）内にある金属化不連続の結果である。
【０００６】
図１および図２の携帯電話１００のサンプルの電界分布を図３に示す。主電界は金属化の急な不連続（プリント回路基板（ＰＣＢ）の端、遮蔽缶の端、スピーカ、バイブレータ、および組立体上の金属化パターンの端、などであるがこれらに限定されない）で起こる。かかる不連続は電磁散乱の集中点を形成する。携帯電話のアンテナからの放射は金属基板上に、基板の端に向かって流れる電流を励起する。電流が基板の端に当たると、散乱電磁界が生成される。
【０００７】
本発明は、金属化終端技術を用いて金属化領域の端での電磁界散乱を減衰させる。金属化終端技術により、高導電率領域から高インピーダンス領域への緩やかな移行を形成する。携帯電話アンテナがＰＣＢを照射すると、電流がＰＣＢ上を流れる。この電流はＰＣＢの端に到達すると、反射または散乱することなく、次第に高くなるインピーダンスの領域の中を流れる。
【０００８】
図４は、携帯電話内の金属化領域４００上に高インピーダンス領域および高導電率領域を生成する本発明の１つの実施の形態を示す。この実施の形態では、金属化パターン４２０を変えることにより金属化端で起こる電磁散乱４１０を減衰させる。電磁波が金属化領域４００の端に向かって散乱する４１０に従って、抵抗材料の形の次第に高くなるインピーダンス４２０に遭遇する。その結果、金属化領域４００の端に向かって高くなるインピーダンス経路が形成される。
【０００９】
図５は、携帯電話内の金属化領域４００上に高インピーダンス領域および高導電率領域を生成する本発明の別の実施の形態を示す。この実施の形態では、端の近くの電流路を制御することにより金属化端で起こる電磁散乱４１０を減衰させる。抵抗器、誘導器、またはコンデンサなどの離散的構成要素５２０を用いてインピーダンスを制御する。金属化の片５３０を用いて、電流路とこれに従う散乱電磁表面波４１０を制御する。離散的構成要素５２０は電流路を実質的に妨害し、この妨害を通るのに多くのエネルギーを消費させることにより電磁波を減衰させる。
【００１０】
図６は、携帯電話内の金属化領域４００上に高インピーダンス領域および高導電率領域を生成する本発明の更に別の実施の形態を示す。この実施の形態では、端の近くの電流路を制御することにより金属化端で起こる電磁散乱４１０を同様に減衰させる。この場合は、容量性隙間６２０および誘導線６３０を用いて端の近くのインピーダンスを制御する。このため、電磁波４１０は妨害（容量性隙間６２０および誘導線６３０）を乗り越えるために大きなエネルギーを消費するので、そのために減衰する。
【００１１】
図７は、携帯電話内の金属化領域４００上に高インピーダンス領域および高導電率領域を生成する本発明の更に別の実施の形態を示す。この実施の形態では、やはり金属化端で起こる電磁散乱４１０を減衰させる。種々の導電率の層７２０を用いて、端の近くのインピーダンスを制御して変える。散乱電磁波からの電流は金属化領域４００の端に向かって流れるに従って次第に高いインピーダンスに遭遇する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】指定された近接場走査領域を有する一般的なフリップ・タイプの携帯電話を示す。
【図２】サンプルのＰＣＢ輪郭を持ち、また高い電磁界が発生する領域を示す、一般的なフリップ・タイプの携帯電話を示す。
【図３】フリップ・タイプの携帯電話の指定された近接場走査領域の測定電界のグラフである。
【図４】携帯電話内の金属化領域上に高インピーダンスおよび高導電率を形成する１つの実施の形態を示す。
【図５】携帯電話内の金属化領域上に高インピーダンスおよび高導電率を形成する別の実施の形態を示す。
【図６】携帯電話内の金属化領域上に高インピーダンスおよび高導電率を形成する更に別の実施の形態を示す。
【図７】携帯電話内の金属化領域上に高インピーダンスおよび高導電率を形成する更に別の実施の形態を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年5月18日(2006.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法であって、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成されかつ金属化領域（４００）上にある散乱電磁波４１０による電流が、金属化領域（４００）の端に近づくに従って一層高いインピーダンスに遭遇するように金属化領域（４００）の端の近くの金属化パターン（４２０）を変えることを含む、散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項２】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法であって、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成されかつ金属化領域（４００）上にある散乱電磁波４１０による電流が、金属化領域（４００）の端の近くの離散的な構成要素（５２０）による一層高いインピーダンスに遭遇するように離散的な構成要素（５２０）を金属化領域（４００）の端の近くに置くことを含む、散乱電磁波（４００）を減衰させる方法。
【請求項３】
離散的な構成要素（５２０）は抵抗器を含む、請求項２記載の散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項４】
離散的な構成要素（５２０）はコンデンサを含む、請求項２記載の散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項５】
離散的な構成要素（５２０）は誘導器を含む、請求項２記載の散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項６】
離散的な構成要素（５２０）は抵抗器、コンデンサ、誘導器の組合せを含む、請求項２記載の散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項７】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法であって、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成されかつ金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの容量性隙間（６２０）および誘導線（６３０）による一層高いインピーダンスに遭遇するように容量性隙間（６２０）および誘導線（６３０）を金属化領域（４００）の端の近くに置くことを含む、散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項８】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法であって、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成されかつ金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が、金属化領域（４００）の端の近くの多数の変化する導電率の層（７２０）による一層高いインピーダンスに遭遇するように多数の変化する導電率の層（７２０）を金属化領域（４００）の端の近くに置くことを含む、散乱電磁波（４１０）を減衰させる方法。
【請求項９】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる携帯電話であって、
前記携帯電話のアンテナからの放射により生成されかつ金属化領域（４００）上にある散乱電磁波４１０による電流が金属化領域（４００）の端に近づくに従って一層高いインピーダンスに遭遇するようにした、金属化領域（４００）の端の近くにさまざまの金属化パターン（４２０）を含む、
携帯電話。
【請求項１０】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる携帯電話であって、
前記携帯電話のアンテナからの放射により生成されかつ金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの離散的な構成要素（５２０）による一層高いインピーダンスに遭遇するようにした、金属化領域（４００）の端の近くに置かれた離散的な構成要素（５２０）を含む、
携帯電話。
【請求項１１】
離散的な構成要素（５２０）は抵抗器を含む、請求項１０記載の携帯電話。
【請求項１２】
離散的な構成要素（５２０）はコンデンサを含む、請求項１０記載の携帯電話。
【請求項１３】
離散的な構成要素（５２０）は誘導器を含む、請求項１０記載の携帯電話。
【請求項１４】
離散的な構成要素（５２０）は抵抗器、コンデンサ、誘導器の組合せを含む、請求項１０記載の携帯電話。
【請求項１５】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる携帯電話であって、
前記携帯電話のアンテナからの放射により生成されかつ金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの容量性隙間（６２０）および誘導線（６３０）による一層高いインピーダンスに遭遇するようにした、金属化領域（４００）の端の近くに置かれた容量性隙間（６２０）および誘導線（６３０）を含む、
携帯電話。
【請求項１６】
携帯電話内の金属化領域（４００）上にある、前記携帯電話のアンテナからの放射により生成される散乱電磁波（４１０）を減衰させる携帯電話であって、
前記携帯電話のアンテナからの放射により生成されかつ金属化領域（４００）上にある散乱電磁波（４１０）による電流が金属化領域（４００）の端の近くの多数の変化する導電率の層（７２０）による一層高いインピーダンスに遭遇するようにした、金属化領域（４００）の端の近くに置かれた多数の変化する導電率の層（７２０）を含む、
携帯電話。
【国際調査報告】
2008510368.tif 000010
2008510368.tif 000011