(57)【要約】本発明は、太陽電池の製造における表面のエッチングのための、非ニュートン流動挙動を有する新規のプリント可能なエッチング媒体、およびその使用に関する。特に、本発明は、相当する粒子含有組成物に関し、この組成物によって、極めて微細な構造を、隣接する領域を損傷または攻撃することなく非常に選択的にエッチングすることができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化ケイ素ベースのガラスおよび窒化ケイ素ベースのガラスの群より選択される無機ガラス様の層または結晶質の層を、エッチングおよび任意にドーピングするための、ペーストの形態のプリント可能なエッチング媒体であって、結晶質または非晶質のケイ素表面上に位置され、
ａ）エッチング成分、
ｂ）溶媒、
ｃ）ポリマーおよび／または無機粒子、
ｄ）任意に、均質に溶解した有機増粘剤
ｅ）任意に、少なくとも１種類の無機酸および／または有機酸、ならびに任意に、
ｆ）消泡剤、チキソトロープ剤、流量調節剤、脱気剤、接着促進剤などの添加剤
を含む、プリント可能なエッチング媒体。
【請求項２】
１０ｎｍ〜５０μｍ、好ましくは１００ｎｍ〜３０μｍ、非常に特に好ましくは１μｍ〜１０μｍの範囲の相対的直径を有するポリマー粒子が添加されることを特徴とする、請求項１に記載のプリント可能なエッチング媒体。
【請求項３】
ポリマー粒子を、全重量に対し１〜８０重量％の量で含むことを特徴とする、請求項１に記載のプリント可能なエッチング媒体。
【請求項４】
ポリマー粒子を、全重量に対し１０〜５０重量％、特に２０〜４０重量％で含むことを特徴とする、請求項１に記載のプリント可能なエッチング媒体。
【請求項５】
エッチング成分が、全重量に対し１２〜３０重量％、好ましくは２〜２０重量％、および特に好ましくは５〜１５重量％で存在することを特徴とする、請求項１に記載のプリント可能なエッチング媒体。
【請求項６】
増粘剤が、全重量に対し３〜２０重量％で存在することを特徴とする、請求項１に記載のプリント可能なエッチング媒体。
【請求項７】
一種または種々の形態のリン酸、リン酸塩、または加熱によって対応するリン酸へ分解してエッチング成分としておよびドーピング成分として作用する化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のプリント可能なエッチング媒体。
【請求項８】
カルシウム、ナトリウム、アルミニウム、鉛、リチウム、マグネシウム、バリウム、カリウム、ホウ素、ベリリウム、リン、ガリウム、ヒ素、アンチモン、ランタン、スカンジウム、亜鉛、トリウム、銅、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、バナジウム、チタン、金、白金、パラジウム、銀、セリウム、セシウム、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、イットリウム、ネオジム、およびプラセオジムの群より選択される元素を含むガラスの表面のための、請求項１〜７のいずれかに記載のプリント可能なエッチング媒体。
【請求項９】
エッチング成分として、
アンモニウム、アルカリ金属、およびアンチモンのフッ化物、アンモニウム、アルカリ金属、およびカルシウムの酸性フッ化物、アルキル化アンモニウム、ならびにテトラフルオロホウ酸カリウムの群より選択される少なくとも１種類のフッ素化合物、
ならびに／または、
任意に、塩酸、リン酸、硫酸、および硝酸の群より選択される少なくとも一種類の無機鉱酸、
ならびに／または任意に、
アルキルカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、およびジカルボン酸の群より選択される１〜１０個のＣ原子を有する直鎖または分枝鎖のアルキルラジカルを含み得る、少なくとも一種類の有機酸
を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング媒体。
【請求項１０】
ギ酸、酢酸、乳酸およびシュウ酸の群より選択される有機酸を含むことを特徴とする、請求項９に記載のエッチング媒体。
【請求項１１】
有機酸および／または無機酸の比率が媒体の全量に対し０〜８０重量％の濃度範囲であり、添加される酸の各々が０と５の間のｐＫａ値を有することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載のエッチング媒体。
【請求項１２】
溶媒として、水、グリセロール、１，２−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２−エチル−１−ヘキセノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、およびジプロピレングリコールなどの一価アルコールまたは多価アルコール、ならびに、エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、およびジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのそれらのエーテル、ならびに、［２，２−ブトキシ（エトキシ）］酢酸エチル、プロピレンカーボネートなどのカルボン酸のエステルなどのエステル、アセトフェノン、メチル−２−ヘキサノン、２−オクタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、および１−メチル−２−ピロリドンなどのケトンを、それ自体で、または混合して、媒体の全重量に対し１０〜９０重量％、好ましくは１５〜８５重量％の量で含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載のエッチング媒体。
【請求項１３】
ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン、ウレタン、ベンゾグアニン、およびフェノール樹脂、シリコーン樹脂、微粉化セルロース、フッ素化ポリマー（ＰＴＦＥ、ＰＶＤＦ）および微粉化ワックスの群より選択されるポリマー粒子を含むことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング媒体。
【請求項１４】
酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、酸化ホウ素、および塩化ナトリウムの群からの無機粒子を含むことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング媒体。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング媒体であって、以下の群：
セルロース／セルロース誘導体および／または
デンプン／デンプン誘導体および／または
キサンタンおよび／または
ポリビニルピロリドン
官能化ビニル単位のアクリレートをベースとするポリマー
からの１種類または２種類以上の均質に溶解した増粘剤を含むことを特徴とする、エッチング媒体。
【請求項１６】
均質に分布した請求項１５に記載の増粘剤を、エッチング媒体の全量に対し０．５〜２５重量％の量で含むことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング媒体。
【請求項１７】
全量に対し０〜５重量％の、消泡剤、チキソトロープ剤、流量調節剤、脱気剤、および接着促進剤の群より選択される添加剤を含むことを特徴とする、請求項１に記載のエッチング媒体。
【請求項１８】
２０℃で、せん断速度２５Ｓ−１で６〜３５Ｐａ＊ｓの範囲、好ましくはせん断速度２５Ｓ−１で１０〜２５Ｐａ＊ｓの範囲、非常に特に好ましくはせん断速度２５Ｓ−１で１５〜２０Ｐａ＊ｓの範囲の粘性を有することを特徴とする、請求項１〜１７のいずれかに記載のエッチング媒体。
【請求項１９】
エッチング媒体が、エッチングされるべき表面に適用され、１０秒間〜１５分間の反応時間の後、好ましくは３０秒間〜２分間後に再び除去されるエッチング方法における、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２０】
光電池、半導体技術、高速電子回路、鉱物学またはガラス工業における、ならびに、フォトダイオードの製造のため、バルブまたは測定機器のための表示画面の製造のため、屋外適用のためのガラス支持体の製造のため、医学、装飾および衛生の領域におけるエッチングされたガラス表面の製造のため、化粧品、食品および飲料のためのエッチングされたガラス容器の製造のため、容器上および平面ガラスの製造におけるマークまたはラベルの提供のため、ならびに平面パネルスクリーン適用のためのガラスの構造化のための、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２１】
オフコンタクトおよびオンコンタクトのスクリーン、パッド、スタンプ、インクジェット、および手動のプリント方法における、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２２】
太陽電池のためまたは集熱のためのガラス支持体の製造のための、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２３】
均一な単一材料の非孔質および多孔質の固体としての、ＳｉＯ２もしくは窒化ケイ素を含有するガラスのエッチング、または他の基板上に製造された多様な厚さの対応する非孔質もしくは多孔質のガラス層のエッチングのための、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２４】
均一な単一材料の非孔質または多孔質の二酸化ケイ素の系または窒化ケイ素の系をベースとするガラスのエッチング、および多様な厚さのかかる系の層のエッチングのための、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２５】
２段階選択エミッターおよび／または局所的ｐ＋裏面電界の形成のための、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む不動態化層の選択的開口のために、酸化ケイ素層／ドーピングされた酸化ケイ素および窒化ケイ素の層を除去するための、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２６】
半導体コンポーネントおよびそれらの回路の製造のための方法における、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む不動態化層の開口のための、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２７】
高速電子回路のためのコンポーネントの製造のための方法における、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む不動態化層の開口のための、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２８】
鉱物学研究、地質学研究、微細構造研究のための、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体の使用。
【請求項２９】
無機ガラス様結晶表面のエッチングのための方法であって、請求項１〜１８のいずれかに記載のエッチング媒体が、全表面にわたって、または特にエッチング構造パターンと一致してエッチングしたい点においてのみ適用され、エッチングが完了した後に、溶媒または溶媒混合物を使用して洗浄除去されるか、または加熱によって焼尽されることを特徴とする、方法。
【請求項３０】
ドーピングが、加熱によって行われることを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
エッチング媒体が、エッチングが完了した後で、好ましくは水を用いて洗浄除去されることを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
エッチングが、３０〜３３０℃の範囲、好ましくは４０〜２００℃の範囲、および非常に特に好ましくは５０〜１００℃の範囲の高められた温度で行われることを特徴とする、請求項２９に記載のエッチング方法。
【請求項３３】
ＳｉＯ２またはＳｉＮＸの層のエッチングが、５０〜１００℃の範囲の高められた温度で、０．５〜８ｎｍ／ｓのエッチング速度で、好ましくは１〜６ｎｍ／ｓのエッチング速度で、および非常に特に好ましくは３〜４ｎｍ／ｓのエッチング速度で行われることを特徴とする、請求項２９に記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造における表面のエッチングのための、非ニュートン流動挙動を有する新規のプリント可能なエッチング媒体、およびその使用に関する。
本発明は、さらにまた、無機層のエッチングおよび下位層のドーピングの両方に好適であるエッチングおよびドーピングの媒体に関する。
特に、これらは、隣接する領域を損傷または攻撃することなく極めて微細な構造を非常に選択的にエッチングすることを可能にする、粒子含有組成物に相当する。
【背景技術】
【０００２】
支持材料上での酸化層の構築の問題は、例えば、太陽電池の製造において生じる。結晶シリコン太陽電池は、通常、ｐ−伝導性基板からなり、このｐ−伝導性基板中に、均一な厚みのｎ−伝導性物質（例えば、リン）の層を、前面側で拡散させる。光の入射の際に発出される電流の伝導のために、金属的に伝導性の接触部（contact）がウェハの前面および裏面に適用される。大量生産に好適である低廉な製造方法に関しては、この接触部は、通常、スクリーンプリントによって形成される。
【０００３】
太陽電池の製造の間には、酸化層を構築しなければならないことに加えて、また、窒化ケイ素層をエッチングしなければならない。対応する窒化物層のエッチングのために、好適な様式において、使用する方法を改変し、エッチング用ペーストを適合させなければならない。
【０００４】
１．先行技術および本発明の目的
結晶シリコン太陽電池の表面は、製造方法の間、また、任意に、製造方法の終了後も、薄い無機層で被覆される。これらの層は、２０〜２００ｎｍの範囲の厚さ、ほとんどの場合は５０〜１５０ｎｍの範囲の厚さを有する。
【０００５】
従って、結晶シリコン太陽電池の製造のための方法の間、多数の方法工程において、太陽電池のこれらの無機層に微細な線をエッチングすることが有益である。
【０００６】
太陽電池の表面におけるこれらの開放部（opening）は、例えば、いわゆる選択エミッター（selective emitter）の形成のために使用される（選択エミッターはまた、２ステージエミッター（2-stage emitter）としても知られる）。この目的のために、その後の拡散の工程において、シリコン上に位置する拡散障壁の部分的開放部において、好ましくはリンの拡散によって、多量のｎ−ドーピングが提供される。
【０００７】
本明細書において、無機表面は、ケイ素の酸化物（oxidic）および窒化物を含有する化合物、特に、酸化ケイ素表面および窒化ケイ素表面を意味すると考えられる。かかる拡散障壁の作用の様式は、当業者に公知であり、文献に記載される（A. Goetzberger; B. Voss; J. Knobloch, Sonnenenergie: Photovoltaik "Solar Energy: Photovoltaics", Teubner Studienbuecher Stuttgart 1997, pp 40; 107）。これらの拡散障壁は、種々の方法において形成され得る：
【０００８】
非常に高密な二酸化ケイ素は、例えば、酸素含有雰囲気中、９００℃の領域における温度でのケイ素の熱処理によって得られる（熱酸化物）。
【０００９】
また、ＣＶＤ方法による二酸化ケイ素の蒸着も、当業者に公知である。ここでは、反応が行われる方法に依存して、とりわけ以下の方法の間で区別が行われる：
−  ＡＰＣＶＤ（大気圧ＣＶＤ）
−  ＰＥ−ＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法（plasma enhanced CVD）
−  ＬＰ−ＣＶＤ（低圧ＣＶＤ）
【００１０】
これらの方法に共通する特徴は、揮発性前駆体、例えば、二酸化ケイ素の場合はシラン（ＳｉＨ４）またはＴＥＯＳ（テトラエチルオルトケイ酸）の気相から、標的基板上への前駆体の蒸着および分解によって、所望の無機化合物が得られることである。
【００１１】
拡散障壁を形成する二酸化ケイ素層はまた、液体前駆体または溶媒もしくは溶媒混合物中に溶解した固体前駆体を用いる湿式化学被覆によって得ることができる。これらの液系は、通常、スピン被覆によって、被覆されるべき基板に適用される。これらの系は、スピン・オン・グラス（ＳＯＧ）として当業者に公知である。
【００１２】
多くの場合、適用されたＳｉＯ２層はまた、反射を低下させる不動態化層（passivation layer）として残る。これは、熱によって成長したＳｉＯ２の場合に特に頻繁である。
【００１３】
窒化ケイ素層は、結晶太陽電池の分野において、拡散障壁としてあまり使用されないが、原則的には、同様にこの目的に好適である。窒化ケイ素層は、主として不動態化層および抗反射層として使用される。
【００１４】
また、狙った様式において窒化ケイ素層中に開放部を形成することができることは、結晶シリコン太陽電池の製造において有利である。ここで言及され得る例は、電気的に伝導性のペーストの適用である。これらの金属ペーストは、通常、６００℃の領域中の温度で窒化ケイ素中を「ファイアスルー（fire through）」し、エミッター層への電気的接触を促進する。高温のため、ポリマー（エポキシ樹脂またはフェノール樹脂）ベースの金属化ペーストを用いることはできない。下部のケイ素における結晶欠陥および金属混入もまた「ファイアスループロセス」において生じる。この系に起因して、さらに、上部のプリントされた（printed-on）金属ペーストによって、不動態化層が完全に破壊される。電気的接触のための窒化ケイ素層の部分的な狭い開放部は、辺縁領域において上部金属化層によって被覆される不動態化層を保持し、より有利である。
【００１５】
二酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる純粋な拡散障壁の他に、また、結晶シリコン太陽電池の製造において薄いガラス層を用いることも可能である。
【００１６】
ガラスの定義：
ガラスは、本来、均質な材料（例えば、クォーツ、窓ガラス、ホウケイ酸ガラス）、または他の基板（例えば、セラミック、金属シート、シリコンウェハ）上で当業者に公知の種々の方法（特に、ＣＶＤ、ＰＶＤ、スピン−オン、熱酸化）によって形成されたこれらの材料の薄層を意味すると考えられる。
【００１７】
以下のガラスは、ガラス成分の結晶化を有さず、長距離秩序（long-range order）の欠如に起因して微細構造中に高度な構造的障害を有する、固体非晶質の物理的状態の酸化ケイ素含有材料および窒化ケイ素含有材料を意味すると考えられる。
【００１８】
純粋なＳｉＯ２ガラス（クォーツ）の他、ＳｉＯ２と他の成分（特に、酸化物、カーボネート、ナイトレート、リン酸化物、硫化物、および／またはハロゲン化物の形態においてガラス中に存在するか、あるいは、ガラス中のドーピングエレメントとして機能する以下の元素：例えばカルシウム、ナトリウム、アルミニウム、鉛、リチウム、マグネシウム、バリウム、カリウム、ホウ素、ベリリウム、リン、ガリウム、ヒ素、アンチモン、ランタン、亜鉛、トリウム、銅、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、バナジウム、チタン、金、白金、パラジウム、銀、セリウム、セシウム、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ネオジム、プラセオジムなど）とを含有する全てのガラス（例えば、ボロシリケート、ホスホシリケート、ボロホスホシリケート（borophosphosilicate）のガラスなどのドーピングされたガラス、彩色ガラス、乳白ガラス、およびクリスタルガラス、光学ガラス）が被覆される。ドーピングされたガラスは、例えば、ボロシリケート、ホスホシリケート、ボロホスホシリケート、彩色ガラス、乳白ガラス、クリスタルガラス、および光学ガラスである。
窒化ケイ素は、同様に他の元素（ホウ素、アルミニウム、ガリウム、リン、ヒ素、またはアンチモンなど）を含有し得る。
【００１９】
酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系の定義：
酸化ケイ素ベースの系は、結晶の系として以下に定義され、これは、上記の非晶質ＳｉＯ２ガラスの定義には該当せず、二酸化ケイ素をベースとする；これらは、特に、当業者によって一般にシリケートとして公知のオルトケイ酸の塩およびエステル、ならびにそれらの縮合生成物、ならびにクォーツおよびガラスセラミックであってもよい。
【００２０】
さらに、他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系、特に、オルトケイ酸の塩およびエステルならびにそれらの縮合生成物が含まれる。純粋なＳｉＯ２（クォーツ、鱗珪石、方珪石）の他に、全てのＳｉＯ２ベースの系は、ＳｉＯ２から構築されるか、または、例えば、メソケイ酸、ソロケイ酸、シクロケイ酸、イノケイ酸、フィロケイ酸、テクトケイ酸などの「分離した（discrete）」および／もしくは結合した［ＳｉＯ４］四面体から構築され、他の成分、特に、カルシウム、ナトリウム、アルミニウム、リチウム、マグネシウム、バリウム、カリウム、ベリリウム、スカンジウム、マンガン、鉄、チタン、ジルコニウム、亜鉛、セリウム、イットリウム、酸素、ヒドロキシル基、ハライドなどの元素／成分もまた含まれる。
【００２１】
窒化ケイ素ベースの系は、全結晶系および部分的結晶（通常、微結晶性として言及される）系として以下に定義され、上記の非晶質窒化ケイ素ガラス／層についての定義には該当しない。これらは、α−Ｓｉ３Ｎ４およびβ−Ｓｉ３Ｎ４の改変体のＳｉ３Ｎ４、ならびに全結晶および部分的結晶のＳｉＮｘおよびＳｉＮｘ：Ｈ層を含む。結晶窒化ケイ素は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、リン、ヒ素、およびアンチモンなどの他のエレメントを含んでもよい。
【００２２】
構造のエッチング
エッチング液、すなわち、化学的に攻撃的な化合物の使用は、エッチング液の攻撃に曝される物質の溶解をもたらす。殆どの場合、目的は、エッチングされるべき層を完全に取り除くことである。エッチング液に対して実質的に耐性である層の接触によって、エッチングの終了に至る。さらに、通常定義される目的の厚さまでエッチングすることによる層の部分的除去という当業者に公知の方法が存在する。
【００２３】
酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系上での構造物のエッチング：
当該分野の現在の状態によると、直接的にレーザー支援エッチング法によって、またはマスキングの後で湿式化学法によって、酸化ケイ素および窒化ケイ素ベースのガラスおよび他の酸化ケイ素および窒化ケイ素ベースの系、または多様な厚さのそれらの表面ならびにそれらの層において、任意の所望の構造をエッチングすることができる（([1] D.J. Monk, D.S. Soane, R.T. Howe, Thin Solid Films 232 (1993), 1; [2] J. Buehler, F.-P. Steiner, H. Baltes, J. Micromech. Microeng. 7 (1997), R1) によって、または乾式エッチング法 ([3] M. Koehler "Aetzverfahren fuer die Mikrotechnik" [Etching Methods for Microtechnology], Wiley VCH 1983）。
【００２４】
レーザー支援エッチング法においては、ベクトル配位（vector orienting）システムの場合、レーザービームが、ガラス上のエッチングのパターン全体をドット単位またはライン単位でスキャンする。ベクトル配位システムは、高精度の他に、相当の調整の努力および時間を必要とする。
【００２５】
湿式化学法および乾式エッチング法は、材料集約的で時間を要し費用のかかる方法工程を含む。
Ａ．エッチングされるべきでない領域を、例えば以下によってマスキングする：
・フォトリソグラフィ：エッチング構造のネガティブまたはポジティブ（レジストに依存する）の提供、基板表面の被覆（例えば、液体フォトレジストによるスピン被覆によって）、フォトレジストの乾燥、被覆された基板表面の露出、現像、洗浄、任意に乾燥。
【００２６】
Ｂ．以下による構造物のエッチング：
・浸漬（dip）法（例えば、湿式化学ベンチ中での湿式エッチング）：エッチング漕中への基板の浸漬、エッチング操作、Ｈ２Ｏカスケードシンク中での洗浄の繰り返し、乾燥。
・スピン−オン法またはスプレー法：エッチング溶液を回転する基板に適用し、エネルギー入力なしで、またはエネルギー（例えば、ＩＲまたはＵＶの照射）入力によって、エッチング操作を行い、その後、洗浄および乾燥を行う。
・例えば、高価な真空ユニット中でのプラズマエッチング、または流通反応器中での反応性気体によるエッチングなどの乾式エッチング法。
【００２７】
Ｃ．フォトレジストの除去：
最終方法工程において、保護領域をカバーするフォトレジストを除去しなければならない。これは、例えば、アセトンなどの溶媒、または希釈アルカリ水溶液によって行われる。基板は、よく洗浄され、乾燥される。
【００２８】
酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系の全領域（Full-area）エッチング：
酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系ならびに多様な厚さのそれらの層を、領域全体にわたって、完全にまたは特定の深度までだけエッチングするためには、主として湿式エッチング法が使用される。酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系ならびに多様な厚さのそれらの層を、エッチング漕中へ浸漬する。エッチング層は、通常、毒性で高腐食性のフッ化水素酸、および任意に他の鉱酸の添加剤を含有する。
【００２９】
記載されるエッチング法の不利は、時間を要し材料集約的で費用のかかる方法工程にあり、これは、いくつかの場合において、技術的条件および安全性の条件において複雑であり、しばしば不連続的におこなわれる。
【００３０】
国際出願WO 01/83391 Aは、無機ガラス様の非晶性表面および結晶表面、特に、ガラスまたはセラミック、好ましくはＳｉＯ２ベースまたは窒化ケイ素ベースの系のエッチングのための、非ニュートン流動挙動を有する、プリント可能なの均質な無粒子（particle-free）エッチングペーストの形態のエッチング媒体、およびこれらのエッチング媒体の使用を開示する。特に表面のプリントの場合、これらの無粒子媒体は、プリントされた線、ドットまたは構造の不十分な弾性に起因する問題（不十分な構造忠実性（structure fidelity））を生じる。つまり、最初にプリントされた線の著しい拡大（基板上でのエッチング種のにじみ（bleeding））が起こる。
【００３１】
US 5,688,366 Aは、透明伝導性層（たとえば、ＩＴＯ）のエッチングのための粒子含有エッチングペーストを使用する。使用されるエッチングペーストは、結晶水、グリセロール、およびポリマー粒子を含有する溶解塩化鉄から調製される。これらの組成物は、約１ｍｍの幅を有する線のエッチングに好適である。実験により、これらのエッチングペーストは、そのペーストの調製に０．０１μｍの直径を有するポリマー粒子が使用されるか３０μｍの直径を有するポリマー粒子が使用されるかに関わりなく、１ｍｍ未満の幅を有する非常に細い線をきれいに欠陥なくエッチングするためには好適でないことが示された。
【発明の開示】
【００３２】
目的
したがって、本発明の目的は、１００μｍ未満、特に８０μｍ未満の幅を有する非常に均質で細い線、ならびにケイ素太陽電池上に配置される二酸化ケイ素および／または窒化ケイ素の層上の超微細構造のエッチングのための、新規の安価なエッチングペーストを提供することである。本発明のさらなる目的は、エッチング後に熱作用下で簡易な様式において残留物を残すことなく処置された表面から除去することができる、新規のエッチング媒体を提供することである。
【００３３】
２．発明の説明
より最近の実験によって、以前の実験と対照的に、エッチングペーストのプリント特性は、好適な選択されたポリマー粒子が添加される場合、有利に改善されることが示された。このことと関連して、調製されたペースト中でその媒体の他の成分と物理的相互作用および／または化学反応を介してネットワークを形成し、同時に組成物の粘性の増大を引き起こすポリマー粒子が、特に好適であることが証明された。全く予想外なことに、添加される粒子は、また、媒体のプリント可能なの改善に寄与する。
【００３４】
添加される粒子成分が適切に選択されれば、通常は既知の無粒子ペースト中に均質に配分される増粘剤の添加を、完全に省略することすら可能である。
【００３５】
したがって、本願の目的は、酸化ケイ素をベースとするガラスおよび窒化ケイ素をベースとするガラスの群より選択される無機表面、ガラス様表面、または結晶表面のエッチングのための、エッチングペーストの形態の、非ニュートン流動挙動を有する新規のプリント可能なエッチング媒体の供与によって達成される。
これは、以下の群：ポリスチレン、ポリアクリル、ポリアミド、ポリイミド、ポリメタクリレート、メラミン、ウレタン、ベンゾグアニン、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ化ポリマー（特に、ＰＴＦＥ、ＰＶＤＦ）および微粉化ワックス（micronised wax）より選択される材料からなるポリマー粒子を、以下：エッチング成分、溶媒、増粘剤、任意に少なくとも１種類の無機酸および／または有機酸、ならびに任意に、消泡剤、チキソトロープ剤、流量調節剤、脱気剤（deaerator）、接着促進剤などの添加剤の存在下において含む。本発明によるエッチング媒体は、１５〜５０℃の温度ですら効果的であり、または、任意に、エネルギー入力によって達成されてもよい。本発明によるペーストの好ましい形態、およびその使用は、請求項２〜１８において生じる。本発明はさらに、請求項２９〜３３による、無機ガラス様の結晶表面のエッチングおよび任意に同時ドーピングのための方法に関する。請求項２８は、本発明によるエッチングペーストの使用の特定の態様に関する。
【００３６】
３．発明の詳細な説明
本発明によって、太陽電池またはフォトダイオードの光電池、半導体技術、高速電子回路のための製品の製造のための方法の間に、二酸化ケイ素または窒化ケイ素を好適な様式において構造化するために、チキソトロープ性の非ニュートン流動挙動を有する新規のエッチング媒体が使用される。この目的のために、単一の方法工程においてペーストをエッチングされるべき表面上へプリントし、予め特定される反応時間後に、再び除去する。この方法において、表面は、プリント領域においてはエッチングされて構築され、一方、プリントされない領域は最初の状態を保つ。
【００３７】
ここで、エッチングされるべき表面は、酸化ケイ素ベースもしくは窒化ケイ素ベースのガラスならびに他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系の表面または部分表面、ならびに／または支持材料上のガラスおよび他の酸化ケイ素ベースおよび窒化ケイ素ベースの系の多抗質もしくは非抗質の層の表面または部分表面であり得る。
【００３８】
高度なオートメーションを有しハイスループットを有する好適な方法は、エッチングされる基板表面へのエッチングペーストの移動のために、プリント技術を利用する。特に、スクリーンプリント、パッドプリント、スタンププリント、インクジェットプリントの方法は、当業者に公知のプリント方法である。手動での適用も、同様に可能である。
【００３９】
スクリーン、プレートもしくはスタンプのデザイン、またはカートリッジのアドレッシングに依存して、本発明によって記載される非ニュートン流動挙動を有するプリント可能な均質な無粒子エッチングペーストを、全領域にわたって、またはエッチングしたい領域においてのみエッチング構造パターンと一致して選択的に適用することが可能である。従って、本来なら必要な全てのマスキングの工程およびリソグラフィの工程は、不要である。エッチング作業は、例えば（ＩＲランプを使用する）熱照射の形態におけるエネルギー入力によって行っても、エネルギー入力なしで行ってもよい。
【００４０】
実際のエッチング方法は、その後に水および／または好適な溶媒を用いて表面を洗浄することによって完了する。より正確には、非ニュートン流動挙動を有するプリント可能なポリマー粒子含有エッチングペーストが、エッチングが完了した後で、好適な溶媒を使用してエッチングされた領域から洗い流される。
【００４１】
本発明によるエッチングペーストの使用は、このようにして、工業的規模で好適な自動化方法において安価にエッチングを長期的に行うことを可能にする。
【００４２】
好ましい態様において、本発明によるエッチングペーストは、１０〜５００Ｐａ・ｓの範囲の粘性を有し、好ましくは、５０〜２００Ｐａ・ｓの範囲の粘性を有する。粘性は、摩擦抵抗の材料依存的成分であり、隣り合う液層が移動されるときの運動に対抗する。ニュートンによると、平衡に配置されて互いに相対的に動かされる二つのスライドする表面の間の液層におけるせん断抵抗は、速度またはせん断勾配Ｇに比例する。比例定数は、動粘性係数（dynamic viscosity）として知られる材料定数であり、方向  ｍ  Ｐａ・ｓを有する。ニュートン液体において、比例定数は、圧力および温度に依存的である。ここにおける依存の程度は、材料組成によって決定される。不均質な組成を有する液体または物質は、非ニュートン特性を有する。これらの物質の粘性は、さらに、せん断勾配に依存的である。
【００４３】
プリントされたエッチング媒体による１００μｍ未満の線幅を有する微細構造のエッチングのために、均質に配分されたポリマーを含有する無粒子エッチングペースト（型はWO 01/83391 Aを参照のこと）の代わりに微細に分割された微粒子系を使用して、エッチング媒体を完全にまたは部分的に濃厚化（thicken）することが、特に有利であることを今や見出した。この目的のために特に好適であるのは、組成物の他の成分と相互作用し、化学結合または分子レベルでの純粋な物理的相互作用によってネットワークを形成するポリマー粒子である。これらの系の相対的粒子直径は、１０ｎｍ〜３０μｍの範囲であり得る。１〜１０μｍの範囲の相対的粒子直径を有する対応するポリマー粒子が、特に有利であることが証明された。本発明による目的のために特に好適である粒子は、以下の材料からなってもよい：
【００４４】
−ポリスチレン
−ポリアクリル
−ポリアミド
−ポリエチレン
−エチレン−酢酸ビニルコポリマー
−エチレン−アクリル酸−アクリレートコポリマー
−エチレン−アクリレート−無水マレイン酸ターポリマー
−ポリプロピレン
−ポリイミド
−ポリメタクリレート
−メラミン、ウレタン、ベンゾグアニン、フェノール樹脂、
−シリコーン樹脂
−フッ化ポリマー（ＰＴＦＥ、ＰＶＤＦ）、および
−微粉化ワックス
【００４５】
非常に微細に分割されたポリエチレン粉末、例えば、現在DuPont PolymerPowders SwitzerlandによってCOATHYLENE HX（登録商標）1681の商品名で市販されている１０μｍの相対的粒子直径ｄ５０値を有するポリエチレン粉末の使用が特に好適であることが、実験において証明された。
【００４６】
これらの微粒子性増粘剤を、１〜５０重量％、有利には１０〜５０重量％の範囲において、特に２５〜３５重量％の量において、エッチング媒体に添加することができる。
【００４７】
以下をベースとする微粒子ポリマー性増粘剤もまた原則として好適である：
−ポリスチレン
−ポリアクリル
−ポリアミド
−ポリイミド
−ポリメタクリレート
−メラミン、ウレタン、ベンゾグアニン、フェノール樹脂
−シリコーン樹脂
【００４８】
WO 01/83391 Aに記載される無粒子エッチングペーストと比較して、本発明による微粒子性増粘剤の添加は、以下の改善を達成することができた：
【００４９】
Ｉ．微粒子性増粘剤は、エッチング媒体の弾性の改善をもたらす。粒子は、エッチング媒体中に骨格構造を形成する。高度に分散したケイ酸（例えば、Aerosil（登録商標））による同様の構造が、当業者に公知である。特にエッチングペーストのスクリーンプリントにおいて、流動に起因するプリント構造の拡大は、本発明によって実質的に防止され得るか、または少なくとも著しく制限される。プリントされ、従ってペーストによって被覆された領域は、従って、スクリーンのレイアウトにおいて特定される領域に、実質的に対応する。多くの無機粒子、例えばケイ酸もしくは修飾されたケイ酸などは、使用されるエッチング成分との反応性に起因して、エッチング媒体の濃厚化のために使用されることができない。例えば、ＮＨ４ＨＦ２がエッチング成分として使用される場合、ケイ酸とＮＨ４ＨＦ２との化学反応が起こる。
【００５０】
ＩＩ．微粒子性増粘剤の補助により、さらに、同じスクリーンまたはマスクを使用して、例えばWO 01/83391 Aにおいて記載されるような対応する無粒子ペーストを使用するよりも、プリント高さ（print height）がより高く幅が保持された線がプリントされる。このことは、同時に、より速い単位面積あたりのエッチング成分の適用速度をもたらす。相対的に厚い二酸化ケイ素または窒化ケイ素の層（＞１００ｎｍ）がエッチングされる場合、これは、エッチングを完成させるために特に有利である。
【００５１】
ＩＩＩ．上記エッチングペーストのより顕著な非ニュートン特性またはチキソトロープ特性は、スクリーンプリントのために特に有利な効果を有し、結果を著しく改善させる。特に、このことは、エッチング時間の短縮、または同じエッチング時間についてのエッチング速度の増大において、特に、より深いエッチング深度で、相対的に厚い層の場合に、明白である。
【００５２】
ＩＶ．本発明によるポリマー粒子の添加と関連する濃厚化は、エッチングペーストの結合能力を著しく低下させる。特定の粒子の添加が選択されれば、驚いたことに、同じ量のエッチング成分の添加に対して、エッチング速度の増大およびそれによるエッチング深度の著しい増大が達成される。
【００５３】
Ｖ．同じプリント条件下において、すなわち、同じスクリーンおよび同じプリントパラメーターを使用して達成される著しく高いプリント高さは、さらに、プリントされたエッチング種の乾燥を著しく遅延する。このことは、エッチング種が基板に対してより長く作用することを可能にする。このことは、上昇した温度下においてエッチングが加速される場合において、特に重要である。加えて、エッチング方法の後で残留する材料を、最終洗浄方法において、著しくより簡易に取り除くことができる。
【００５４】
本発明の組成物における著しい改善は、特に、スクリーンプリント挙動の著しい改善を介して生じ、表面の連続プリントを中断することなく処理することを可能にする。本発明によるエッチングペーストは、同じ量の増粘剤を添加する際に、ポリマー粒子の在下でより高い粘性を有するので、このペーストの使用によって、著しくより微細なエッチング構造が可能となる。このことによって、これらのペーストを、より高いペースト層を用いるプリントにおいて適用することが可能となり、従って、それらの層をより深くエッチングすることが可能となる。また、エッチングの後の洗浄挙動（水洗浄）の改善により、その後の洗浄に必要な時間を短縮することが可能となる。
【００５５】
驚いたことに、対応する微細なポリマー粒子の添加は、また、太陽電池中の選択エミッター構造を形成するための無機表面の選択的なエッチングのための方法において有利な効果を有することが、実験によって示された。かかる方法においては、エッチングの他に、ｎ＋＋領域の形成のために、特定のリンのドーピングも望ましい。対応するエッチングペーストおよびドーピングペーストは、例えば、WO 03/034504 A1に記載される。純粋なエッチングペーストと比較して、これらのペーストは、エッチングされるウェハ表面に適用された後で、そのペースト中に存在する粒子に依存して、全表面にわたって、または局所的に、２５０℃〜３５０℃の範囲で、３０〜１２０秒間加熱され、任意に、さらなるｎ＋＋ドーピングのために、８００℃以上の温度まで、特に、８００〜１０５０℃の範囲の温度まで、２０〜４０分間加熱される。選択される温度は、勿論、ペースト中に存在する粒子の変化がいかなる不利益も生じないように、設定される。
【００５６】
対応するエッチング媒体は、種々の形態のリン酸、または加熱すると対応するリン酸に分解される好適なリン酸の塩もしくは化合物を、エッチング成分として、およびドーピング成分として含んでもよい。
【００５７】
オルトリン酸、メタリン酸、ピロリン酸、およびそれらの塩、およびここでは特にアンモニウム塩（（ＮＨ４）２ＨＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、（ＮＨ４）３ＰＯ４）、ならびに熱分解の際にこれらの化合物の一つを形成する他の化合物は、７０ｍｍの厚さを有する窒化ケイ素の層を、２５０℃より高い温度で、数秒間から数分間の間に完全にエッチング除去することができる。３００℃では、エッチング時間は約６０秒間である。
【００５８】
本発明による粒子含有媒体の調製のために、溶媒、エッチング成分、増粘剤、粒子および添加剤は、続けて互いに混合され、チキソトロープ特性を有する粘性のペーストが形成されるまで、充分な時間攪拌される。攪拌は、好適な温度まで加温しながら行ってもよい。前記の成分は、通常、室温で互いに攪拌される。
【００５９】
本発明によるプリント可能なエッチングペーストは、光の入射の側に選択エミッターを備え裏側に裏面電界を有する太陽電池の製造のための、支持材料に適用される酸化層の構造化について記載される方法に関して、好ましい用途を生じる。
【００６０】
処理されるべき領域へのペーストの適用のために、エッチングペーストを、プリントテンプレートを含む微細なメッシュのスクリーン（またはエッチングされた金属スクリーン）を通してプリントしてもよい。さらなる工程において、ペーストを、スクリーンプリント工程において、厚層（thick-layer）法（伝導性金属ペーストのスクリーンプリント）によってベークしてもよい。これにより、電気的特性および機械的特性が固定され得る。本発明によるエッチングペーストの使用の際には、ベーキング（誘電体層をファイアスルーする）を、代わりに、また省略して、適用されたエッチングペーストを、特定の反応時間の後で、好適な溶媒または溶媒混合物を用いて洗浄してもよい。エッチング作用は、洗浄除去によって終了する。
【００６１】
特に好適なプリント方法は、本質的に、スクリーン分離を用いるスクリーンプリント、または分離を用いないステンシルプリントである。スクリーンプリントにおいて、スクリーンの分離は、通常数百μｍであり、エッチングプリントペーストをスクリーンの上から押し出すスキージの端とスクリーンとの間の傾斜角αを有する。スキージがスクリーンの上をスキージ速度ｖおよびスキージ圧Ｐで通過する間、スクリーンはスクリーン枠によって保持される。この方法において、エッチングペーストが、スクリーンの上から押し出される。この操作の間、スクリーンは、スキージ幅にわたる線の形態で基板と接触する。スクリーンと基板との間の接触は、フリーのスクリーンのメッシュ中に位置されるスクリーンプリントペーストの大部分を、基板上へ移す。スクリーンメッシュによって被覆される領域において、スクリーンプリントペーストは基板上へは移されない。これによって、スクリーンプリントペーストを、狙った様式で基板の特定の領域に移すことができる。
【００６２】
動作終了（Ｅ）の後、スキージはスクリーンから持ち上げられる。スクリーンは、水圧式／気圧式の伸張およびクランプのデバイスを備えるスクリーンストレッチャーを使用して、均質に伸張される。スクリーン伸張は、ダイヤルケージを使用して、特定の領域における特定の重量での定義されたスクリーンのたわみ（sag）によってモニタリングされる。特定の気圧式／水圧式プリント機械を用いて、スキージ圧（Ｐ）、プリント速度（Ｖ）、オフコンタクト距離（Ａ）およびスキージパス（水平および垂直のスキージ角度）が、作業工程の多様な程度の自動化とともに、試験運転および製造運転のために設定され得る。
【００６３】
ここにおいて使用されるプリントスクリーンは、通常、プラスチックまたは鋼線のワイヤークロスからなる。当業者は、所望のレイヤーの厚みおよび線幅に依存して、異なるワイヤー直径およびメッシュ幅を有するクロスを選択することができる。これらのクロスは、直接的に構造化されても、光感受性材料（エマルジョン層）を使用して間接的に構造化されてもよい。極めて微細な線のプリントのため、および続くプリントが高い精度を必要とする場合、金属ステンシルを使用することが有利である。金属ステンシルは、同様に、直接的にまたは間接的に提供され、空孔構造または線構造を備える。
【００６４】
エッチングを行うために、例えば実施例１において記載されるようなエッチングペーストが調製される。この型のエッチングペーストを使用して、およそ１００ｎｍの厚さを有する熱酸化ＳｉＯ２（thermal SiO2）が、５０℃で６０秒以内にスクリーンプリントの後に除去される。エッチングは、その後、Ｓｉウェハを水中に浸漬し、次いで、微細な水スプレーの補助によって洗浄することによって、終了する。
【００６５】
太陽電池の製造のために、例えば、＜１００＞配向を有するｐ−ドーピングされたＰｚシリコンを含有するウェハが選択される。これらにおいて、短い、基本的なエッチングによって、表面上に、反射を低下させるために光の入射の配置を改善する構造を製造することが可能になる。ホウ素含有化合物を含む薄いドーパント被覆フィルムを、裏面にスピン被覆して乾燥してもよい。この方法において調製されたウェハは、トレイに置かれ、１０００〜１１００℃に予熱されたオーブン中へ入れられる。オーブン中には酸素雰囲気が設定され、これによって、ホウ素ドーパント被覆フィルムによって覆われていない全てのウェハ表面上に、直接的に酸化層が形成される。同時に、ホウ素がドーパント被覆フィルムから除かれて、ウェハの裏面に拡散する。およそ１〜５μｍの深度を有するｐ＋−ドーピングされた領域が形成する。太陽電池のこの態様は、当業者に「裏面電界」として公知である。前面に形成される酸化層を、ここで、上記のエッチングペーストを使用して構造化することができる。
【００６６】
例えば、これらの酸化層を、マスクされた領域において、著しく低いｎ＋−ドーピングを目的としつつ、選択エミッター層の形成のための高ｎ＋−リンドーピングのためのマスクとして形成してもよい。
【００６７】
太陽電池中に短い回路をもたらすｐｎ接合の開設の後で、プラズマエッチングによって、またはＬＡＳＥＲビームによる開口を使用して、電池の前面および背面に電気的接触が適用される。これは、ペーストを使用する二回の連続的なスクリーンプリント工程によって行ってもよい。このペーストは、結合剤および酸化物添加剤の他に、伝導性銀粒子および／またはアルミニウムを含んでもよい。プリント後、プリントされた接触部は、約７００〜８００℃でベークされる。
【００６８】
本明細書の記載によって、当業者は本発明の使用を包括的に行うことができる。何らかが不明瞭な場合は、言うまでもなく、引用される出版物および特許文献が使用されるべきである。したがって、これらの文献は、本明細書の開示内容の一部としてみなされる。
【実施例】
【００６９】
４．例
よりよい理解のため、および本発明を説明するために、本発明の保護の範囲内である例を以下に示す。これらの例はまた、可能な改変を説明するために使用される。しかし、記載される発明の原理は一般的に有用であるので、これらの例は、本願の保護の範囲を、それらの例にのみ減縮するために好適なものではない。
【００７０】
例において示される温度は、常に℃である。さらに、言うまでもなく、組成物中に添加される成分の量は、本明細書および例の両方において、常に１００％の合計となる。
【００７１】
例１
均質な微粒子性増粘剤からなるエッチングペースト
以下からなる溶媒混合物：
１５ｇのエチレングリコールモノブチルエーテル
１５ｇのトリエチレングリコールモノメチルエーテル
２９ｇのポリカーボネート
に、攪拌しながら連続的に以下を添加する：
７２ｇのギ酸（１００％）および
４６ｇの二フッ化水素アンモニウム溶液  ３５％。
【００７２】
次いで、
４６ｇのポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）Ｋ−１２０
を、激しく攪拌しつつ、少しずつゆっくり添加し、この混合物を、さらに３０分間攪拌する。次いで、均質な増粘剤（ＰＶＰ）を用いて予め濃厚化された透明なペーストを、
６０ｇのVestosint２０７０
と混合し、この混合物を、さらに２時間攪拌する。
今や使用可能となったこのペーストを、２８０メッシュのステンレススチールクロススクリーンを使用してプリントすることができる。原則として、ポリエステルまたは同様のスクリーン材料もまた、使用することができる。
【００７３】
例２
微粒子性増粘剤からなるエッチングペースト
以下からなる溶媒混合物：
１５ｇのエチレングリコールモノブチルエーテル
１５ｇのトリエチレングリコールモノメチルエーテル
２９ｇのポリカーボネート
に、攪拌しながら連続的に以下を添加する：
７２ｇのギ酸（１００％）および
４６ｇの二フッ化水素アンモニウム溶液  ３５％。
次いで、透明で均質な混合物を、
１００ｇのVestosint２０７０
と混合し、この混合物を、さらに２時間攪拌する。
【００７４】
今や使用できるようになったこのペーストを、２８０メッシュのステンレススチールクロススクリーンを使用してプリントすることができる。原則として、ポリエステルまたは同様のスクリーン材料もまた、使用することができる。
調製されたエッチングペーストは、長期にわたって保存しても、安定であり、有利なエッチング特性を保持することを証明した。
有利な特性を有する本発明の組成物のさらなる例を、以下の表に示す：
【００７５】
【表１】
2008527698.tif 000002
【００７６】
【表２】
2008527698.tif 000003
【００７７】
【表３】
2008527698.tif 000004
【００７８】
【表４】
2008527698.tif 000005
【００７９】
【表５】
2008527698.tif 000006
【００８０】
【表６】
2008527698.tif 000007
【００８１】
【表７】
2008527698.tif 000008
【００８２】
ＳｉＮｘのエッチングのための有利な特性を有する本発明による組成物のさらなる例を、以下の表に示す。
【００８３】
【表８】
2008527698.tif 000009
【００８４】
【表９】
2008527698.tif 000010
【００８５】
【表１０】
2008527698.tif 000011
【００８６】
【表１１】
2008527698.tif 000012
【００８７】
比較例：微粒子性添加剤を含まないエッチングペースト
比較実験のために、以下の圧力およびエッチングのパラメーターを使用した：
スクリーン：        ２８０メッシュ／インチのメッシュ数、および２５μｍのフィラメント直径、および１５μｍのエマルジョンの厚さを有するスチールスクリーン。
レイアウト：        １００μｍの線
スクリーンプリント機械：ＥＫＲＡ  Ｅ１
ウェハ：            １００ｎｍの熱酸化ＳｉＯ２を有する単結晶シリコンウェハ
エッチング：        ５０℃で３０秒間加熱
結果：エッチングおよび洗浄の後の線幅：平均約１８０μｍ
【００８８】
比較例：微粒子性添加剤を含むエッチングペースト
比較実験のために、以下の圧力およびエッチングのパラメーターを使用した：
スクリーン：        ２８０メッシュ／インチのメッシュ数、および２５μｍのフィラメント直径、および１５μｍのエマルジョンの厚さを有するスチールスクリーン。
レイアウト：        １００μｍの線
スクリーンプリント機械：ＥＫＲＡ  Ｅ１
ウェハ：            １００ｎｍの熱酸化ＳｉＯ２を有する単結晶シリコンウェハ
エッチング：        ５０℃で３０秒間加熱
結果：エッチングされた線は、平均約１０５μｍの幅を有した。
【国際調査報告】
2008527698.tif 000013
2008527698.tif 000014
2008527698.tif 000015
2008527698.tif 000016
2008527698.tif 000017
2008527698.tif 000018