(57)【要約】  ガスクラスターイオンビーム処理を用いた多孔質超低ｋ値（ＵＬＫ）絶縁体材料内に二重ダマシン構造を形成する方法に関して開示する。これらの方法においては二重ダマシンＵＬＫ処理中におけるハードマスク層を最小にし、最終的なＵＬＫ二重ダマシン構造内には、ハードマスク層が存在しない。ガスクラスターイオンビームのエッチング処理、緻密化処理、孔のシーリング処理、アッシング処理の各方法が記載されており、該方法は、材料の除去と同時にＵＬＫインターフェースの緻密化を進行させる。緻密なインターフェースとハードマスクがない新規なＵＬＫ二重ダマシン構造が含まれている。【選択図】なし
2008502150.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重ダマシン集積構造を製造する方法であって、
基板エッチングストップフィルム層上に多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層を形成する工程；
前記多孔質絶縁フィルム層上にハードマスク層を形成する工程；
前記ハードマスク層の上に第一のマスキング材料層を適用する工程；
前記第一のマスキング材料層の中にヴィアパターンを形成する工程；
側壁を露出するとともに１以上のヴィアを形成するために、前記ハードマスク層および前記多孔質絶縁フィルム層を通して第一のマスキング材料層内のヴィアパターンをエッチングストップフィルム層まで転写させる工程、；
ガスクラスターイオンビームの照射によって前記多孔質な絶縁フィルム層内の１以上のヴィアの側壁の上に緻密化層を形成する工程；
前記第一マスキング材料層の残部を除去する工程；
１以上の形成されたヴィアを充填し、前記ハードマスク層の上に層を形成するために第二のマスキング材料層を適用する工程；
前記第二のマスキング材料層内にトレンチパターンを形成する工程；
露出された表面と側壁に１以上のトレンチを形成するために、前記ハードマスク層および少なくとも一部の前記多孔質絶縁フィルム層を通して前記第二のマスキング材料層内のトレンチパターンを転写させる工程；
前記第二マスキング材料層の残部を除去する工程；
１以上のトレンチの表面および側壁上に緻密化層を形成する工程；
ハードマスク層の一部もしくは全部を除去して、１以上のヴィアを基板エッチングストップ層に開けるためにガスクラスターイオンビームの照射によってエッチングする工程
とを含むことを特徴とする、二重ダマシン集積構造を製造する方法。
【請求項２】
前記転写させる工程が、反応イオンエッチングを用いて成される請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記転写させる工程が、ガスクラスターイオンビームの照射エッチングを用いて成される請求項１記載の方法。
【請求項４】
少なくとも一つの転写工程において、酸素およびフッ素を含有するガスのガスクラスターイオンビームを用いる請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ハードマスク層を形成する工程の前にガスクラスターイオンビームの照射により、多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層の表面を緻密化する工程をさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記表面の緻密化に用いられるガスクラスターイオンビームが、酸素、アルゴン、窒素、メタン、およびアルゴンとメタンの混合ガスより選択される一種以上のガスから形成されるガスクラスターイオンである請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記エッチングストップフィルム層がＳｉ３Ｎ４またはＳｉＣＮにより構成される請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ハードマスク層の材料がＳｉＣＯＨ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２よりなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記１以上の残部除去工程がガスクラスターイオンビームの照射により成される請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記１以上の残部除去工程に用いられるガスクラスターイオンビームが、酸素、窒素、ヘリウム、水素より選択される一種以上ガスから形成されるガスクラスターイオンである請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記第一、第二マスキング材料層がそれぞれフォトレジスト層よりなる請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記第一、第二マスキング材料層の少なくとも一つが、反射防止被覆材料層をさらに含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層上の緻密化層が、実質的に閉塞された孔を含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記ヴィアパターンの転写工程が、緻密化層形成に用いるガスクラスターイオンビームの照射と同時に進行する請求項１記載の方法。
【請求項１５】
シングルガスクラスターイオンビームの照射工程が酸素を含むガスクラスターイオンビームを用いる請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
二重ダマシン集積構造を製造する方法であって、
基板エッチングストップフィルム層上に多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層を形成する工程；
前記多孔質絶縁フィルム層上にハードマスク層を形成する工程；
前記ハードマスク層の上に第一のマスキング材料層を適用する工程；
前記第一のマスキング材料層の中にトレンチパターンを形成する工程；
多孔質絶縁フィルム層の表面を露出するとともに１以上のトレンチ開口を形成するために、前記ハードマスク層を通して、前記第一のマスキング材料層内のトレンチパターンを、少なくとも前記多孔質絶縁フィルム層内に転写させる工程；
ガスクラスターイオンビームの照射によって、前記多孔質絶縁フィルム層の１以上のトレンチ開口の露出された表面に、緻密化層を形成する工程；
前記第一マスキング材料層の残部を除去する工程；
１以上のトレンチ開口と、前記ハードマスク層の上に第二のマスキング材料層を適用する工程；
前記第二のマスキング材料層内にヴィアパターンを形成する工程；
１以上のヴィア開口を形成するために、少なくとも一部の前記多孔質絶縁フィルム層を通して、前記第二のマスキング材料層内のヴィアパターンを転写させる工程；
前記第二マスキング材料層の残部を除去する工程；
露出された側壁と表面を有する１以上のトレンチを完成するために１以上のトレンチ開口を深くし、露出された側壁を有する１以上のヴィアを完成するために１以上のヴィア開口を深くして、１以上のヴィア内に基板エッチングストップ層を開口することを含む、エッチング工程；
ハードマスク層を除去する工程；
露出された前記絶縁フィルム層の全ての表面および側壁上に、ガスクラスターイオンビーム照射により緻密化層を形成する工程；
とを含むことを特徴とする、二重ダマシン集積構造を製造する方法。
【請求項１７】
それぞれの転写工程が、反応イオンエッチングを用いて成される請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
それぞれの転写工程が、ガスクラスターイオンビーム照射を用いて成される請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記ヴィアパターンの転写工程が、酸素とフッ素を含有する混合ガスのガスクラスターイオンを有するガスクラスターイオンビームを用いて成される請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
前記ハードマスク層を形成する工程の前にガスクラスターイオンビームの照射により、多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層の表面を緻密化する工程をさらに含む請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
前記表面の緻密化に用いられるガスクラスターイオンビームが、酸素、アルゴン、窒素、メタン、およびアルゴンとメタンの混合ガスより選択される一種以上のガスから形成されるガスクラスターイオンである請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記エッチングストップフィルム層がＳｉ３Ｎ４またはＳｉＣＮにより構成される請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
前記ハードマスク層の材料がＳｉＣＯＨ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２よりなる群から選択される請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
前記１以上の残部除去工程がガスクラスターイオンビームの照射により成される請求項１６記載の方法。
【請求項２５】
前記１以上の残部除去工程に用いられるガスクラスターイオンビームが、酸素、窒素、ヘリウム、水素より選択される一種以上のガスから形成されるガスクラスターイオンである請求項２４記載の方法。
【請求項２５】
前記第一、第二マスキング材料層がそれぞれフォトレジスト層よりなる請求項１６記載の方法。
【請求項２６】
前記第一、第二マスキング材料層の少なくとも一つが、反射防止被覆材料層をさらに含む請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
前記トレンチパターンの転写工程が、緻密化層形成に用いるガスクラスターイオンビームの照射と同時に進行する請求項１６記載の方法。
【請求項２８】
シングルガスクラスターイオンビームの照射工程が酸素を含むガスクラスターイオンビームを用いる請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
二重ダマシンのトレンチおよびヴィアパターンが、多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層と、基板エッチングストップ材料層とを含み、
前記絶縁材料層が、実質的に緻密化され、実質的に孔が無い表面および側壁を有する、ことを特徴とする二重ダマシン構造。
【請求項３０】
ハードマスク材料が前記多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層の表面を覆う請求項２９記載の二重ダマシン構造。
【請求項３１】
前記ハードマスク材料と前記多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層の境界面が、実質的に緻密化され、実質的に孔の無い絶縁材料である請求項３０記載の二重ダマシン構造。
【請求項３２】
本質的にハードマスク材料が無い、請求項２９記載の二重ダマシン構造。
【請求項３３】
前記ヴィアの側壁が実質的に斜面を有さない請求項２９記載の二重ダマシン構造。
【請求項３４】
多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層を形成する工程；
ガスクラスターイオンビームを一部に照射することによって、多孔質で極めて低いｋ値を有する絶縁材料層の少なくとも一部をエッチングする工程；
とを含むことを特徴とする処理方法。
【請求項３５】
エッチングする工程が、実質的に斜面ではない側壁を有する少なくとも一つのトレンチまたはヴィアを、前記極めて低いｋ値を有する絶縁材料層に形成する工程である請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
所望の構造を形成するためにマスキング材料の適用によってヴィアパターンを転写し、半導体構造から残余のマスキング材料を除去する方法であって、前記残余のマスキング材料にガスクラスターイオンビームを照射する工程を含むことを特徴とする、除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低い誘電率（low dielectric constant (low-k) ）の絶縁体を利用した半導体集積回路（semiconductor integrated circuits）のための改善された二重ダマシン集積構造（dual damascene integration structures）および、低いｋ値（low-k）を有する絶縁体とガスクラスターイオンビーム処理を用いた前記構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業は、スケーリング（scaling）を用いることによって市場に費用対効果の高いチップ（chips）を供給することにより、すさまじい成功を収めた。スケーリングは装置や半導体プロセッサのフロントエンド（front end）に重要な役割を果たしたが、装置の配線はスケーリングに追随できず、内部抵抗や静電容量（キャパシタンス（capacitance））の低下を招いた。この問題を緩和するために、低抵抗コンダクタ（銅など）を使用したり、低いｋ値を持つ絶縁体を導入してキャパシタンスの問題を低減した。近年、非常に多孔性（３０〜５０％）であることによって特徴的な超低ｋ値（ＵＬＫ；ｋ＜２．５）の絶縁体が発展した。これらの材料は他の湿性な化合物やガス（wet chemicals and gases）により汚染されやすいので集積が非常に難しい。
【０００３】
通常の二重ダマシン−ＵＬＫ集積は、多孔性でもろいＵＬＫフィルムの表面を高ｋ値ハードマスクフィルムにより保護されて得られる。最も広く利用される二つのプロセスは、“ヴィアファースト（via first）”と通常の“二重ハードマスク”である。
【０００４】
図２Ａ−２Ｆは、二重ダマシンＵＬＫ集積処理のための“ヴィアファースト”の各段階（３００Ａ−３００Ｆ）を示した図である。“ヴィアファースト”処理は、従来の金属配線上に絶縁フィルム連続層を形成するところから始まる（図示していない）。図２Ａに示すように、この絶縁堆積層３００Ａは、エッチングストップフィルム３０２、ＵＬＫ絶縁層３０４、第一ハードマスク層３０６、第二ハードマスク層３０８、反射防止膜３１０、フォトレジスト層３１２よりなる。エッチングストップフィルム３０２は、適当な低いｋ値を有し、ＵＬＫ絶縁層３０４は、エッチングストップフィルム３０２に対して高いエッチ速度を持っている。もし最初（基板）の金属配線層が銅であると、エッチングストップフィルム３０２は銅の拡散バリアでもある必要がある。この明細書ではエッチングストップフィルムとしてはほとんどＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４である。
【０００５】
第一ハードマスク層３０６は、後のケミカルメカニカルポリッシング（chemical mechanical polishing (ＣＭＰ)）工程の効果から、もろくて多孔性のＵＬＫ絶縁層３０４を保護するするために二重ダマシン構造の一部として残される。第二ハードマスク層３０８は、抗酸化性を有し、フォトリワーク工程で反射防止膜３１０およびフォトレジスト３１２の除去ができるような材料である。典型的な材料としては、第一ハードマスク層３０６はＳｉＣＯＨ、ＳｉＣが、第二ハードマスク層３０８にはＳｉＯ２、、Ｓｉ３Ｎ４が用いられる。第二ハードマスク層３０８は、犠牲層であり、銅およびバリア材料がＣＭＰの間に除去されるである。
【０００６】
図２Ｂの３００Ｂの構造は、フォトレジスト層３１２に所望のヴィアパターンが描かれ、反応イオンエッチング（ＲＩＥ）によりそのパターンが反射防止膜３１０と、ハードマスク層３０６および３０８と、ＵＬＫ絶縁層３０４を通してＳｉＣＮエッチングストップまで転写し、ヴィア３２４が形成された状態である。図２Ｃは酸素その他の混合ガスのプラズマアッシング（plasma ashing）により残ったフォトレジスト層３１２と反射防止膜３１０が除去され、構造３００Ｃが得られた状態を示す。他の従来技術ではプラズマアッシングでも残る部分について、反射防止膜の除去のために溶媒を使用する。ヴィア側壁３１４上のＲＩＥポリマーはウェットクリーンにより除去される。酸素プラズマアッシングおよびウェットクリーンは、ともに、ＳｉＯ２絶縁体とともに使用され、多孔質のＵＬＫ絶縁層材料３０４に損傷を与え、処理過程での損失や、形成される回路の信頼性や機能を損なうおそれがあるので、最高のものではないと思われる。
【０００７】
図２Ｄに示したように、反射防止膜とフォトレジスト材料が、構造３００Ｄを得るためにパターン化ウエハに対して再度適用される。底部の反射防止膜３１６は、エッチングされたヴィア（例えばヴィア３２４）を満たし、最初に平坦化するために使用される。フォトリワークにより処理される第三ハードマスク層３１８が形成され、続いて標準的な反射防止膜３２０とフォトレジスト層３２２が形成される。一つの従来技術では、前記の代わりに、フォトリワーク処理中に全ての反射防止膜およびフォトレジストが再適用される。
【０００８】
図２Ｅには、フォトレジスト層３２２に所望のトレンチパターンが描かれ、反応イオンエッチング（ＲＩＥ）によりそのパターンが第三ハードマスク層、底部の反射防止膜３１６、第二ハードマスク層３０８、第一ハードマスク層３０６を通して、さらにＵＬＫ絶縁層３０４の一部を通してトレンチ３２６が構成された、堆積層（構造３０４Ｅ）を示す。底部の反射防止膜３１６の材料は、ＵＬＫ絶縁層３０４やヴィアの周囲に残るエッチングされていない突出部よりもやや早くＲＩＥエッチングされることに注意すべきである。
【０００９】
図２を参照すると、ＲＩＥは残ったフォトレジスト層３２２、反射防止膜３２０、第三ハードマスク層３１８、底部の反射防止層３１６、を除去し、基板エッチングストップフィルム３０２を開口させることにより、ヴィア３２４が完成し構造３００Ｆが得られる。酸素ＲＩＥ処理および必要なウェットクリーンが、多孔質なＵＬＫ層３０４材料に浸透しあるいはこれを削取するので、こうして形成された回路の信頼性と機能が低下する原因となりうる。
【００１０】
図３Ａ〜３Ｇには、従来技術のうち広く利用されている第二の技術である、“二重ハードマスク”による二重ダマシンＵＬＫ集積構造の形成に関し、構造体４００Ａ〜４００Ｇとともに図示されている。
【００１１】
図３Ａには、金属配線層の上に連続する層が堆積される“二重ハードマスク”処理の第一段階が示されている。“ヴィアファースト”で述べたと同様に、この“二重ハードマスク”堆積層（構造４００Ａ）は、エッチングストップ４０２、ＵＬＫ絶縁層４０４、第一ハードマスク４０６、第二ハードマスク４０８、反射防止膜４１０、フォトレジスト層４１２よりなる。この集積構造の第一ハードマスク層４０６は、後のＣＭＰ工程の効果から、もろくて多孔性のＵＬＫ絶縁層４０４を保護するために二重ダマシン構造の一部として残される。第二ハードマスク層４０８が第一ハードマスク層４０６よりも早くエッチングされるというＲＩＥエッチングの反応が起こり、続いて第二ハードマスク層４０８がＵＬＫ絶縁層４０４よりも遅くエッチングされるという反応が起こる。第二ハードマスク層４０８は、犠牲層であり、銅のＣＭＰの間に除去されるバリア材料である。
【００１２】
図３Ｂを参照すると、フォトレジスト層４１２に所望のトレンチパターンが描かれた後、ＲＩＥにより反射防止膜４１０、第二ハードマスク層４０８を通って第一ハードマスク層４０６までパターンを転写し、構造４００Ｂの第二ハードマスク層４０８内にトレンチパターン４１４が形成される。
【００１３】
図３Ｃに記載された構造４００Ｃは、残ったフォトレジスト層４１２と反射防止膜４１０が、酸素と他のガスの混合ガスプラズマアッシングまたは（溶媒を用いた）ウェットクリーンにより除去される。
【００１４】
図３Ｄに示されるように、反射防止膜４１６やフォトレジスト層４１８が、パターン化されたウエハに再度適用されて構造４００Ｄが得られる。
【００１５】
図３Ｅにはフォトレジスト層４１８に所望のヴィアパターンを描き、ＲＩＥにより、反射防止膜４１６、第二ハードマスク層４０８、第一ハードマスク層４０６、そして部分的にＵＬＫ絶縁層４０４内まで前記パターンを転写することで、ヴィア４２０が形成される。この処理の間、反射防止膜４１６の材料は第二ハードマスク層４０８と同様のエッチング速度を有することに注意すべきである。
【００１６】
図３Ｆに示すように、アッシングまたはＲＩＥプロセスにより、ワークピースから残ったフォトレジスト層４１８、反射防止膜４１６を除去するために用いられ、構造４００Ｆが得られる。
【００１７】
図３Ｇには、構造４００Ｇが示され、第二ハードマスク層のトレンチパターン４１４が、第一ハードマスク層４０６を通ってＵＬＫ絶縁層４０４の中に至るまでＲＩＥプロセスを用いて延長され、トレンチ４２４が形成される。また同時にヴィアエッチングがなされ、基板エッチングストップフィルムを開口させ、ヴィア４２２が形成される。第二ハードマスク層４０８は、この処理の間に部分的に消費され、銅のＣＭＰ処理の間に完全に除去される。ヴィア４２２の部分はこのＲＩＥプロセスの間にハードマスクなどにより保護されてはいないので、ヴィアの形が図３Ｇに示されるように伸びた、傾斜部４２６が形成される傾向があることに注意しなければならない。銅バリアや成長層のためのアルゴンプレクリーンプロセスが、この傾斜部４２６からヴィア４２２の底部にかけて材料をスパッタし、そのために銅金属層の汚染や信頼性が問題となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
前記したこれら従来技術（“ヴィアファースト”と“二重ハードマスク”）の共通の問題は、ＲＩＥが、トレンチパターンの深さや形をコントロールすることが困難なことによりマイクロローディング効果（micro-loading effects）を受け、配線抵抗やキャパシタンスの制御が困難なことである。この配線抵抗やキャパシタンスの決定的な問題が、チップの機能にマイナスの効果を与える。
【００１９】
ＲＩＥはＵＬＫ絶縁層表面に多孔構造を残すので、これらの境界面が、後のバリアや成長層プロセスのために所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して、適合しなくなる。
【００２０】
さらに、これらの多層ハードマスクによる集積技術は複雑でコストがかかる。最終的な二重ダマシン構造は、ハードマスク層を維持しているので、絶縁構造の効果的なｋ値を上げ、リーク、層間剥離の他、信頼性の問題を生じさせる。
【００２１】
これらの集積方式には多くの問題がある。第一に、これらのプロセスによって得られる最終的な構造には１以上のハードマスク層が残っている。これは、絶縁構造の効果的なｋ値を上げ、好ましくない。これらのハードマスク層の使用を最小にして他の材料を界面に用いると、リーク、層間剥離の他、信頼性の問題が生じる。トレンチおよびヴィア構造の表面をエッチングしてオープンにすることは、後の処理工程において汚染の問題がある。例えば、通常のウェットまたはドライストリッピングプロセスは、ＵＬＫフィルムの汚染が認められるのである。さらに、化学蒸着法（ＣＶＤ）や原子層堆積（ＡＬＤ）処理は、後の処理工程においてバリアフィルムを吸着させるために用いられるが、ＡＬＤやＣＶＤ処理によりＲＩＥエッチングされた多孔質な側壁に侵入し、ＵＬＫフィルムのｋ値を上げてしまう。最後に、通常のＲＩＥはトレンチの形や深さが様々に変化することでマイクロローディング効果を生じやすく、配線抵抗やキャパシタンスが安定しない。この配線抵抗やキャパシタンスが制御不能であると、半導体の設計においてはチップ機能に重大なマイナスとなる。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は前記の多くの問題点を解決した、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）処理を用いた新規な集積構造の形成方法に関する。
【００２３】
表面処理にクラスターイオンビームを用いることは従来より公知である（例えば、米国特許５８１４１９４号、デグチら。本願にも参照している）。この記載の主体は、ガスクラスターが、通常の温度圧力下でガス状態である物質をナノサイズで集合させるものである。そのようなガスクラスターは、クラスターを形成するために数個から何千の分子が緩やかな結合により集合しているものである。このクラスターは電子衝撃または他の方法によりイオン化することができ、制御可能なエネルギーを有する直線的光線として形成することができる。そのようなエッチングには、q・e（eは電荷、qは１から数個の整数を表し、クラスターイオンの荷電状態を示す）で表される正電荷を運ぶ。イオン化されていないクラスターも無論、そのクラスターイオンビームの中に存在する。サイズの大きなクラスターイオンは、クラスターイオン当たりの搬送エネルギー能力の点でしばしば最も有用である。それらは分子当たりの適度なエネルギーである数エレクトロンボルトから数十エレクトロンボルトの、エネルギーを有するからである。クラスターは衝突により崩壊し、全クラスターイオンエネルギーのほんの一部を占める個々の分子に分解する。したがって、大きなクラスターイオンは相当の衝撃効果を有するが、表面から非常に浅い領域に限られる。従来のモノマーイオンビーム処理によると表面下深くまで損傷を与える傾向があったが、前記により各種の表面修飾処理に効果的なクラスターイオンが作られる。
【００２４】
ＧＣＩＢを加速する装置については既に文献（ＵＳＰ５８１４１９４）に記載されている。現在利用可能なクラスターイオン源は、サイズＮ（このＮは、各クラスターイオン中の分子数を示す。アルゴンのような単原子ガスの場合、単原子ガスの原子は一つの分子としてみなされ、単原子ガスのイオン化された原子は一つの分子イオンまたはモノマーイオンとしてみなされる）が５０００もしくはそれ以上の広い分散を有する。多くの有効な表面処理は、ＧＣＩＢにより表面に衝突させることで得られる。この処理効果は、清浄化、平滑化、エッチング、ドーピング、フィルム形成、成長などがあり、これらに限定されるものではない
【００２５】
この発明の目的は、低いｋ値を有する絶縁材料のＧＣＩＢ処理方法を提供し、ハードマスクの使用を最小限に抑えて二重ダマシン集積構造を形成することである。
【００２６】
他の目的は、低いｋ値を有する絶縁材料のＧＣＩＢ処理方法を提供し、最終エッチング処理後の構造にハードマスクを含まない二重ダマシン集積構造を形成することである。
【００２７】
また、別の目的は、すべてのエッチング表面を、緻密化し（densifying）、シーリングする（sealing）方法を提供し、後のプロセスにおいて汚染される影響を減少させることである。
【００２８】
さらに別の目的は、エッチングによるトレンチの深さと形を制御して、内部抵抗やキャパシタンスを安定化することである。
【００２９】
またさらに別の目的は、改善されたＵＬＫ集積構造の形成に際し、二重ダマシン形成プロセスにおいてハードマスクを使用しないかまたは減らすこと及び、最終のエッチング処理された構造には殆どハードマスクが残らないようにすることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１には、以下に述べるＧＣＩＢ処理装置１００の典型的な基本構成が示されている。真空空間１０２は、三つの連結したチャンバに分けられ、ソースチャンバ１０４と、イオン化／加速化チャンバ１０６、処理チャンバ１０８を有する。三つのチャンバは真空ポンプシステム１４６ａ、１４６ｂ、１４６ｃによって好適な操作圧力に調整されている。圧縮されたソースガス１１２（例えばアルゴンまたは窒素）がガス貯蔵容器１１１内に保存され、ガス供給管１１４とガスメータバルブ１１３を通ってスタグネーションチャンバ（stagnation chamber）１１６に送られ、適切な形状のノズル１１０を通って実質的にかなり低い圧力中へ放出される。その結果、超音速ガスジェット１１８が生じる。ジェット内に膨張することで冷却され、ガスジェット１１８の一部が、数個から数千の原子や分子が緩やかに結合したクラスターに凝縮する。ガススキマ開口部（gas skimmer aperture）１２０は、クラスタージェットから凝縮していないガス分子を部分的に分離し、高い圧力が好ましくない下流域（例えば、イオナイザ１２２、高電圧電極１２６、処理チャンバ１０８など）の圧力を最小にする。圧縮されたソースガス１１２としては、アルゴン、窒素、二酸化炭素、酸素、およびその他のガスまたはそれらの混合物が好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００３１】
ガスクラスターを含む超音速ガスジェット１１８が形成された後、クラスターはイオナイザ１２２でイオン化される。イオナイザ１２２は典型的には電子衝撃イオナイザであり、一つ以上の白熱フィラメント１２４から熱電子を生じる。ジェットがイオナイザ１２２を通過する際、加速され、ガスジェット１１８中のガスクラスターに直接電子を衝突させる。電子衝撃によりクラスターから電子を放出させ、クラスターの一部が正にイオン化される。いくらかのクラスターは一以上の電子が放出され、マルチイオン化される。好適なバイアス高電圧電極１２６がイオナイザからクラスターイオンを引き出し、ビームを形成させ、所望のエネルギー（典型的には数百Ｖから数十ｋＶの加速ポテンシャル）に加速し、ＧＣＩＢ１２８を形成するように合焦させる。フィラメント電源１３６はイオナイザフィラメント１２４を加熱するためフィラメント電圧Ｖｆを与える。アノード電源１３４はアノード電圧ＶＡを与えて、フィラメント１２４から加速された熱電子を放出し、クラスターを含むガスジェット１１８に照射してイオンを生じさせる。抽出電源１３８は抽出電圧ＶＥを与えて、高電圧電極をバイアスし、イオナイザ１２２のイオン化領域でイオンを抽出してＧＣＩＢ１２８を形成する。加速化電源１４０は加速電圧ＶＡｃｃを与えて、高電圧電極をバイアスし、全ＧＣＩＢ加速化ポテンシャルをＶＡｃｃと等しくする。一つ以上のレンズ電源（１４２および１４４として例示される）は、高電圧電極をバイアスし、焦点電圧（ＶＬ１、ＶＬ２）を与えてＧＣＩＢ１２８を合焦させる。
【００３２】
半導体ウエハや他の製品となるためにＧＣＩＢ処理がなされる対象物１５２は、対象物ホルダ１５０に固定され、ＧＣＩＢの通路上に保持される。従って、大きな対象物に適用して均一に処理するためには、ＧＣＩＢ１２８の通路を空間的に横切るようにスキャンすることで処理することができる。
【００３３】
ＧＣＩＢ１２８は固定されており軸１２９に対して、対象物１５２を機械的に動かし、対象物１５２の表面全体にＧＣＩＢ１２８処理の効果を均一に分散させる。
【００３４】
Ｘスキャンアクチエータ２０２は、対象物ホルダ１５０を直線的に動かし、Ｘスキャン動作２０８（紙面に対して垂直方向）を行う。Ｙスキャンアクチエータ２０４は、対象物１５０を直線的に動かし、Ｘスキャン動作２０８に対して直交する方向にＹスキャン動作２１０を行う。ＸスキャンとＹスキャンを組み合わせて対象物を動かすことにより、対象物ホルダ１５０に保持された対象物１５２が動かされ、ＧＣＩＢ１２８を通してラスターの様な（raster（ブラウン管の走査線の交光点の軌跡）-like）なスキャン動作をすることにより、ＧＣＩＢ１２８による対象物１５２表面の均質な（もしくはプログラムされた）照射が行われる。対象物１５２をＧＣＩＢ１２８の軸に対して傾斜して、対象物ホルダ１５０に保持することにより対象物１５２の表面に対するビーム入射角２０６を持たせる。ビーム入射角２０６は好適な角度でよく、典型的には９０度または９０度近辺である。Ｙスキャン処理の間に、対象物ホルダー１５０に保持された対象物１５２は１５２Ａと１５０Ａで示された位置を交互に移動する。これら２つの位置間での移動中に対象物１５２がＧＣＩＢ１２８のスキャンを受け、両端の位置においてはＧＣＩＢ１２８の通路から完全にはずれている（オーバースキャン）ことが分かる。図１には明確に示されてはいないけれども、Ｘスキャン動作の方向２０８（紙面に対して垂直方向）に対しても同様にスキャンおよびオーバースキャンがされているのである。
【００３５】
ビーム電流センサ２１８はＧＣＩＢ１２８の通路の対象物ホルダ１５０の後ろに設けられ、対象物ホルダ１５０がＧＣＩＢ１２８の通路をスキャンアウトされたときＧＣＩＢ１２８のサンプルをとらえる（intercept）。ビーム電流センサ２１８は典型的にはファラデーカップなどであり、ビームの入射口を除いて閉じられており、電気絶縁マウント２１２で真空容器１０２の壁に固定されている。
【００３６】
マイコンベースのコントローラ２２０はＸスキャンアクチュエータ２０２とＹスキャンアクチュエータ２０４に電気的ケーブル２１６を介して接続され、両アクチュエーターを制御して対象物１５２がＧＣＩＢ１２８の内外に出入りさせ、ＧＣＩＢ１２８に対して均一にスキャンし、ＧＣＩＢ１２８による対象物１５２の適切な処理を実現する。コントローラ２２０はリード２１４を介してビーム電流センサ２１８で集められるビーム電流のサンプルを受信し、ＧＣＩＢをモニターし、所定のＧＣＩＢ照射量が投射されたときにＧＣＩＢ１２８から対象物１５２を取り除くことによりＧＣＩＢの照射量を制御する。
【００３７】
半導体の集積各工程において、本発明のＧＣＩＢ処理が有効である。これらには、エッチング処理、フォトレジストのアッシング、多孔質ＵＬＫ絶縁体の緻密化、シーリングする工程が含まれる。
【００３８】
表１は有用なガスおよび混合ガスの一例であるが、他のガスおよび混合ガスもまた、異なるエッチング処理において有効であり、本発明において表１に記載のガスおよび条件に限定されるものではない。最適なガスの流速はＧＣＩＢ処理システムの特徴により異なる。表１に記載のガスの流速は、エピオンコーポレーション（マサチューセッツ州、ビルリカ）製のｎＦｕｓｉｏｎTM型ＧＣＩＢ２００処理システムまたはｎＦｕｓｉｏｎTM型ＧＣＩＢ３００処理システムを使用したときの最適条件の一例である。
【００３９】
【表１】
2008502150.tif 000003
【００４０】
ＧＣＩＢによるエッチング処理条件は、対象材料およびエッチングの深さにより決定されるが、典型的には１×１０15ions／cm2オーダーである。ただし、一種以上の材料を同時期にエッチングしたり、エッチング処理速度を制御するために調整されることに留意すべきである。そうした場合、混合ガスを用いるのが特に効果的で、混合ガスの比率を制御するなどにより、異なる材料の異なるエッチング処理を制御可能である。例えば、１〜１０％のＮＦ３と、９９〜９０％のＯ２混合ガスが表１に記載されているが、この混合ガスを変化させることによりエッチング速度の制御に有効なのである。
【００４１】
表２は有用なガスおよび混合ガスの一例であるが、他のガスおよび混合ガスもまた、異なるアッシング処理（ashing situation）において有効であり、本発明において表２に記載のガスおよび条件に限定されるものではない。最適なガスの流速はＧＣＩＢ処理システムの特徴により異なる。表２に記載のガスの流速は、ｎＦｕｓｉｏｎTM型ＧＣＩＢ２００処理システムまたはｎＦｕｓｉｏｎTM型ＧＣＩＢ３００処理システムを使用したときの最適条件の一例である。ＧＣＩＢによるアッシング処理条件は、対象材料およびエッチングの深さにより決定されるが、典型的には１×１０15ions／cm2オーダーである。
【００４２】
【表２】
2008502150.tif 000004
【００４３】
表３は有用なガスおよび混合ガスの一例であるが、他のガスおよび混合ガスもまた、異なるＵＬＫ絶縁体の表面の緻密化およびシーリング処理において有効であり、本発明において表３に記載のガスおよび条件に限定されるものではない。最適なガスの流速はＧＣＩＢ処理システムの特徴により異なる。表３に記載のガスの流速は、ｎＦｕｓｉｏｎTM型ＧＣＩＢ２００処理システムまたはｎＦｕｓｉｏｎTM型ＧＣＩＢ３００処理システムを使用したときの最適条件の一例である。ＧＣＩＢによるＵＬＫ絶縁体の表面の緻密化およびシーリング処理条件は、対象材料およびエッチングの深さにより決定されるが、典型的には１×１０14〜５×１０14ions／cm2オーダーである。５×１０14ions／cm2より高くても使用できるが、飽和（サチュレーション：saturation）が起こり、高くしたことによる更なる改善がほとんど認められなくなる。ＧＣＩＢの状態（ＶＡＣＣ、気体、その他表３に示される各種の）を制御すること、およびＵＬＫ材料に適した条件を採用すると、実際に緻密化層の厚みが約５０〜約３５０オングストローム程度となる。
【００４４】
【表３】
2008502150.tif 000005
【００４５】
図４Ａ〜４Ｇには、本発明の第一実施例により処理された各工程の集積構造５００Ａ〜５００Ｇが示され、これらの製造法によって多孔質ＵＬＫ絶縁体に形成された二重ダマシン集積構造５００Ｈが、図４Ｈに示されている。以下に述べる実施例は本発明の理解にのみ用いられ、本発明を限定するものではない。
【実施例】
【００４６】
図４Ａを参照すると、本発明の第一実施例において、金属配線上（図には示されていないが、構造５００Ａのストップフィルム層５０２の下にある）に絶縁フィルムが堆積されることから始められる。絶縁堆積層はエッチングストップフィルム５０２、多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４、ハードマスク層５０６からなる。エッチングストップの材料は従来のプロセスで使用されていると同様のものであり典型的には、Ｓｉ３Ｎ４またはＳｉＣＮよりなる。エッチングストップフィルム５０２は厚み約３５ｎｍである。多孔質のＵＬＫ絶縁層５０４は厚み（実施例では）約３００ｎｍである。
【００４７】
ハードマスク層５０６は、処理後の二重ダマシン構造には残留しない。従って、従来の集積法とは異なり、ハードマスク層として比較的高いｋ値を有するＳｉＯ２や、Ｓｉ３Ｎ４を用いることができる。ＳｉＯ２や、Ｓｉ３Ｎ４は抗酸化性があり、フォトリワークが可能である。ハードマスク層５０６は厚み（実施例では）約４０ｎｍである。
【００４８】
ＳｉＯ２や、Ｓｉ３Ｎ４に加えて他の好適なハードマスク材料として、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ハードマスク層５０６が形成される前に、ＧＣＩＢ処理（表３に示す典型的な処理条件）により多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の表面が緻密化およびシーリング処理される。
【００４９】
図４Ｂは、反射防止膜５０８とフォトレジスト層５１０を公知の方法により堆積して、絶縁堆積層５００Ｂを形成した状態を示す。反射防止膜５０８およびフォトレジスト５１０は共に公知の材料を適用できるが、反射防止膜の形成については必須ではない。反射防止膜５０８とフォトレジスト５１０はここでは“マスキング材料”として共通のものであり、同じ用語としてフォトレジスト単独層の場合にも使用する。反射防止膜５０８は（典型的には）約４０ｎｍの厚みを有し、フォトレジスト層５１０は、膜５０８の表面から（例えば）約２００ｎｍの厚みである。反射防止膜５０８は（限定するものではないが）“ＡＲ４０Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｔ”より成り、フォトレジスト層５１０は（これも限定するものではないが）“ＥｐｉｃTM２２１０ＡｒＦ  Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ”より成り、ロームアンドハースエレクトリックマテリアルズ社（アリゾナ州  フェニックス）より供給されている。
【００５０】
図４Ｃには、レジストにヴィアパターンを描いた後、ＲＩＥまたは好ましくはＧＣＩＢエッチング処理（例えば表１に示す処理条件で）により反射防止膜５０８、ハードマスク層５０６、多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４を通して、エッチングストップフィルム５０２までパターンを転写させ、ヴィア５１２が形成された構造５００Ｃが示されている。
【００５１】
図４Ｄには、残るフォトレジスト層５１０と反射防止膜５０８が、酸素その他の混合気体による通常のプラズマまたはＧＣＩＢアッシング処理（例えば表２に示す処理条件で）され、得られる構造５００Ｄが示されている。好ましい実施例として、多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４内のヴィア５１２の側壁を、ＧＣＩＢ処理（例えば表３に示す処理条件で）により清浄化、緻密化され、多孔質部分が表面に無い状態にすることができる。これによって、ウェットクリーン工程や、多孔質絶縁体のウェットプロセスによる汚染される機会を避けることができる。
【００５２】
図４Ｅには、ウエハに次のパターンを形成するために、反射防止膜５１６とフォトレジスト層５１８より成る別のマスキング材料層が堆積した構造５００Ｅが示されている。マスキング材料層の反射防止膜の一部はエッチングされたヴィア（ヴィア５１２として示される）を充填し、表面を平坦にした上にフォトレジストが形成される。反射防止膜５１６およびフォトレジスト層５１８は共に前記同様の材料より成る。ヴィア充填層を除いて、反射防止膜５１６は（例えば）約２００ｎｍの厚みを有する。フォトレジスト層５１８は（例えば）約２００ｎｍの厚みを有する。この構造は従来技術の２Ｄに示す構造よりもシンプルで改善されており、フォトリワーク（photo rework）を実行すれば、ＧＣＩＢアッシング処理によりフォトレジストおよび反射防止膜を除去することができる。
【００５３】
図４Ｆには、所望のトレンチパターンをレジストに描いた後、ＲＩＥまたはＧＣＩＢエッチング処理によって、反射防止膜５１６、ハードマスク層５０６、多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去して形成されたトレンチ５２０が示されている。反射防止膜５１６の材料は、多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料よりもエッチング速度が速く、ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないようになっている。（例えば表１に示される処理条件では、反射防止膜５１６と多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４のエッチング速度がＮＦ３と、Ｏ２の混合ガスの組成により制御される）図４Ｇには、アッシング処理、好ましくはＧＣＩＢアッシング処理（例えば表３に示す処理条件）により、半製品５００Ｇの表面から残っているフォトレジスト層５１８、反射防止膜５１６を除去した状態が示されている。さらにＲＩＥまたはＧＣＩＢエッチング処理（例えば表１に示す処理条件）によりハードマスク層５０６を除去し、基板エッチングストップフィルム５０２を開口してヴィア５１２が完成するまでが示されている。
【００５４】
図４Ｈには、最後のＧＣＩＢ処理（例えば表３に示す処理条件）により全てのＵＬＫ絶縁層の表面５２２が緻密化、平滑化されて完成した、第一の実施例である改良された二重ダマシン構造５００Ｈが示されている。
【００５５】
図５Ａ〜５Ｇには多孔質ＵＬＫ絶縁体を用いて最終的に二重ダマシン集積構造６００Ｇを形成した過程である本発明の第二の実施例が示されている。それは初めにトレンチパターンをハードマスクに形成したものである。
【００５６】
図５Ａには、第二の実施例として金属配線の上に絶縁フィルムを堆積した状態が示されている。この絶縁堆積層６００Ａはエッチングストップフィルム６０２、多孔質ＵＬＫ絶縁層６０４、ハードマスク層６０６を有する。マスキング材料層は所望により反射防止膜６０８、フォトレジスト層６１０が前記絶縁堆積層上に形成され、図に示すような構造となっている。エッチングストップ材料は、従来公知の材料と同様であり、典型的には、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣＮである。エッチングストップフィルム６０２は厚み（例えば）約３５ｎｍである。多孔質ＵＬＫ絶縁層６０４は厚み（例えば）約３００ｎｍである。ハードマスク層６０６はプロセス終了後において、二重ダマシン構造の一部として残留することはない。従って、従来の集積法とは異なり、ハードマスク層６０６として比較的高いｋ値を有するＳｉＯ２や、Ｓｉ３Ｎ４を用いることができる。ＳｉＯ２や、Ｓｉ３Ｎ４は抗酸化性があり、フォトリワークが可能である。ハードマスク層６０６は厚み（例えば）約８０ｎｍである。この厚みは、ＵＬＫや基板エッチングストップに対するハードマスク材料のエッチング速度によって調製することができる。ＳｉＯ２や、Ｓｉ３Ｎ４に加えて他の好適なハードマスク材料として、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。反射防止膜６０８は（例えば）約４０ｎｍの厚み、フォトレジスト層６１０は（例えば）約２００ｎｍの厚みを有する。反射防止膜６０８とフォトレジスト層６１０は、前記の他、公知の材料を用いることができる（限定されるものではない）。また、場合によっては、ハードマスク層５０６が形成される前に、ガスクラスターイオンビーム処理（表３に示す典型的な処理条件）により多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の表面が緻密化およびシーリング処理することもできる。
【００５７】
図５Ｂには、フォトレジスト層６１０に所望のトレンチパターンを描き、ＲＩＥまたはＧＣＩＢエッチング処理（例えば表１に示す処理条件）により反射防止膜６０８、ハードマスク層６０６を通して、多孔質ＵＬＫ絶縁層６０４までエッチングして、ハードマスク層６０６内にトレンチパターン６１２が形成された構造６００Ｂを示している。
【００５８】
図５Ｃには、残っていたマスキング材料層が、酸素、窒素、水素、アルゴン、その他のガス（例えば表２に示す処理条件）を用いた通常のプラズマまたはＧＣＩＢアッシング処理によって除去され、同時に多孔質ＵＬＫ絶縁層６０４の表面６１４が緻密化されている構造６００Ｃを示している。
【００５９】
図５Ｄには、次のパターンをウエハに適用するために、別のマスキング材料層として反射防止膜６１６とフォトレジスト層６１８を含む層が形成された状態（構造６００Ｄ）が示されている。反射防止膜６１６は（限定するものではないが）“ＡＲ４０Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｔ”より成り、フォトレジスト層６１８は（これも限定するものではないが）“ＥｐｉｃTM２２１０ＡｒＦ  Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ”より成る。
【００６０】
図５Ｅには、フォトレジスト層６１８に所望のヴィアパターンが描かれた後、ＲＩＥまたはＧＣＩＢエッチング処理によって、反射防止膜６１６、ハードマスク層６０６、多孔質ＵＬＫ絶縁層６０４の一部を除去して、パターンを転写した状態が示されている。反射防止膜の材料はこの工程においてハードマスク層６０６と同程度のエッチング速度を有する。（例えば表１に示される処理条件では、反射防止膜６１６と多孔質ＵＬＫ絶縁層６０４のエッチング速度がＮＦ３と、Ｏ２の混合ガスの組成により制御される。）
【００６１】
図５Ｆには、通常のプラズマまたは、好ましくはＧＣＩＢアッシング処理（例えば表２の処理条件）により残存したマスキング材料を除去した半製品（構造６００Ｆ）が示されている。
【００６２】
図５Ｇには、ＲＩＥまたはＧＣＩＢエッチング処理によりハードマスク層６０６を除去して、トレンチパターン６１２を多孔質ＵＬＫ絶縁層６０４の中に形成してトレンチ６２４とし、同時にヴィアをエッチングして基板エッチングストップを開口しヴィア６２０を完成させた（例えば表１に示される処理条件）状態を示している。ハードマスク層６０６はこのプロセス中に完全に除去される。最後に、別のＧＣＩＢ処理により、ＵＬＫの全表面６２２を平滑化、緻密化、シーリングを行う（例えば表２に示される処理条件）。ＧＣＩＢエッチングは非常に指向性であり、従来のＲＩＥ処理では生じていたヴィアの側壁に、浅い斜面（従来技術の問題として示した図３Ｇ参照）が形成されることはない（実質的に斜面なし）。
【００６３】
ＧＣＩＢ処理の重要な効果は、ＧＣＩＢ処理は、エッチングされたＵＬＫ絶縁材料の平滑化、緻密化、シーリングができることにより、多孔質ＵＬＫ絶縁材料を覆うハードマスクの必要性を失くした事である。ＵＬＫ絶縁材料のハードマスクをＲＩＥにより除去すると、多孔質ＵＬＫ絶縁材料の表面が荒らされる。ＵＬＫ絶縁材料のハードマスクをＣＭＰにより除去すれば平滑化は可能であるが、緻密化、孔のシーリングができないために、多孔質ＵＬＫ絶縁材料にウェット化学物質が侵入するという問題がある。
【００６４】
本発明の他の効果として、二重ダマシン構造の製造に際しハードマスクの使用数を最小にできること及び、最終のエッチングされた二重ダマシン構造からはハードマスクが除去されていることが挙げられる。従って、最終の二重ダマシン構造は十分に低いｋ値を有し、リークや層間剥離その他の関連する問題発生を最小にすることができるのである。多孔質なエッチングされたＵＬＫ絶縁体の表面をすべて緻密化、シーリングすることで、後工程におけるＣＶＤやＡＬＤ処理中の汚染の影響を受け難くなる。最後に、ＧＣＩＢエッチング処理は、マイクロローディング効果を受けることなく、トレンチの深さ、形状の制御が容易であり、共通の設計から抵抗とキャパシタンスのより正確な仕様が可能になる。
【００６５】
以上、本発明を様々な具体例を示して説明したが、本発明の思想の範囲内でその他の改良・改善が可能であると理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】図１は公知のＧＣＩＢ処理装置の基本的構成を示す概略図である。
【図２Ａ】図２Ａは公知の技術“ヴィアファスト”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは公知の技術“ヴィアファスト”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは公知の技術“ヴィアファスト”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは公知の技術“ヴィアファスト”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは公知の技術“ヴィアファスト”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは公知の技術“ヴィアファスト”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは公知の技術“二重ハードマスク”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは公知の技術“二重ハードマスク”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは公知の技術“二重ハードマスク”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは公知の技術“二重ハードマスク”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは公知の技術“二重ハードマスク”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは公知の技術“二重ハードマスク”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは公知の技術“二重ハードマスク”により二重ダマシンＵＬＫ集積構造を形成する工程を示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは本発明による第一の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは本発明による第一の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは本発明による第一の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは本発明による第一の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは本発明による第一の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図４Ｆ】図４Ｆは本発明による第一の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図４Ｇ】図４Ｇは本発明による第一の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図４Ｈ】図４Ｈは本発明による第一の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは本発明による第二の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは本発明による第二の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは本発明による第二の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは本発明による第二の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは本発明による第二の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは本発明による第二の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは本発明による第二の実施例による集積構造の形成を示す図である。
【図１】
2008502150.tif 000006
【図２Ａ】
2008502150.tif 000007
【図２Ｂ】
2008502150.tif 000008
【図２Ｃ】
2008502150.tif 000009
【図２Ｄ】
2008502150.tif 000010
【図２Ｅ】
2008502150.tif 000011
【図２Ｆ】
2008502150.tif 000012
【図３Ａ】
2008502150.tif 000013
【図３Ｂ】
2008502150.tif 000014
【図３Ｃ】
2008502150.tif 000015
【図３Ｄ】
2008502150.tif 000016
【図３Ｅ】
2008502150.tif 000017
【図３Ｆ】
2008502150.tif 000018
【図３Ｇ】
2008502150.tif 000019
【図４Ａ】
2008502150.tif 000020
【図４Ｂ】
2008502150.tif 000021
【図４Ｃ】
2008502150.tif 000022
【図４Ｄ】
2008502150.tif 000023
【図４Ｅ】
2008502150.tif 000024
【図４Ｆ】
2008502150.tif 000025
【図４Ｇ】
2008502150.tif 000026
【図４Ｈ】
2008502150.tif 000027
【図５Ａ】
2008502150.tif 000028
【図５Ｂ】
2008502150.tif 000029
【図５Ｃ】
2008502150.tif 000030
【図５Ｄ】
2008502150.tif 000031
【図５Ｅ】
2008502150.tif 000032
【図５Ｆ】
2008502150.tif 000033
【図５Ｇ】
2008502150.tif 000034
【国際調査報告】
2008502150.tif 000035