(57)【要約】  本発明は、データ記録装置に関し、当該装置は、ナノメータ規模のマイクロドット（２）の２次元ネットワークに面し、基板（３）上に直接的に形成された記憶媒体（１）を含む。マイクロドットをアドレッシングし、制御する電子回路が基板の中に集積される。マイクロドット（２）及び／又は基板（３）は、マイクロドット（２）の自由端が凸状の面を画定し、各マイクロドットと対応する記憶媒体の間のコンタクトを常に確保できるように具現される。凸状の面の曲線半径は、好ましくは１ｍ〜５ｍである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロドットをアドレッシングし、制御する電子的手段（５）を含む基板（３）上に直接的に形成されるナノメータ規模のマイクロドット（２）の２次元アレイを含むデータ記録装置であって、
各マイクロドットは、前記記憶媒体（１）に面して配置される自由端を含み、
前期マイクロドット（２）の自由端の組み合わせは、凸状の表面を画定することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記凸状の面は、１ｍ〜５ｍの曲線半径を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記凸状の面は、約２ｍの曲線半径を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記マイクロドットは、前記凸状の面を画定するように異なる高さを有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記基板（３）は、前記マイクロドット（２）が形成される背面（３ｂ）及び前面（３ａ）を含み、
前記前面は、マイクロドット（２）の端部の組み合わせが前記凸状の面を確定するような凸部であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記前面に形成されるスペーシングパッドを含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記スペーシングパッド（４）及びマイクロドット（２）は、ねじれるように設けられることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
各スペーシングパッド（４）は、環状であり、マイクロドット（２）を囲むことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
各マイクロドットは、前記前面を覆う層の対応する空洞に形成されることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記記憶媒体（１）は、
内部フレーム（７）によって輪郭が描かれる可撓性薄膜（６）と、
前記内部フレーム（７）を外部フレーム（８）に固定し、その平面内において前記薄膜（６）の移動を可能にする可撓性固定手段と、を含むことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記可撓性固定手段は、サスペンションアーム（９）を含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記可撓性固定手段は、関節でつながった平行四辺形（１０）の形状の固定部を含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記可撓性固定手段は、その周辺に可撓性薄膜（６）を広げる固定薄膜（１５）によって形成されることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記可撓性薄膜（６）及び前記固定薄膜（１５）は、プラスチックから作られることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記固定手段は、ベンゾシクロブテンベース樹脂を含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記マイクロドット（２）が設けられる凸状の前面の前記基板（３）上の構造を含むことを特徴とする請求項５乃至９の何れか１項に記載の装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基板（３）の前記凸状の前面は、前記面の化学的機械研磨によって得られることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板（３）の前期凸状の前面は、機械的応力によって得られることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板（３）の前記凸状の前面は、前記前面（３ａ）上の薄層への圧縮応力の堆積によって得られることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板（３）の前記凸状の前面は、前記基板の背面（３ｂ）上の薄層への引張応力の堆積によって得られることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記薄層は、数ｎｍの厚さを有するシリコン窒化膜又はシリカであることを特徴とする請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記薄層は、イオンビームスパッタリングによって堆積されることを特徴とする請求項１９乃至２１の何れか１項に記載の方法。
【請求項２３】
複数のマイクロドット（２）のアレイ（１７）は、第１組立品を構成する同一の基板の凸状の前面に同時に形成され、
複数の記憶媒体（１）は、第２組立品を構成するように同時に形成され、
前記第１及び第２組立品は、マイクロドット（２）のアレイ（１７）が対応する記憶媒体（１）に接触するように組み立てられ、
その後に、前記組立品は、個々の記録装置を形成するように切断されることを特徴とする請求項１６乃至２２の何れか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、それぞれが記憶媒体に面するように設けられた自由端を含むマイクロドットをアドレッシングし、制御する電子手段を含む基板上に直接的に形成されたナノメータ規模のマイクロドットの２次元アレイを含むデータ記録装置に関する。
【０００２】
本発明は、そのような装置の製造方法にも関する。
【背景技術】
【０００３】
データ記録分野では、極めて大きな記憶容量が、ナノメータサイズの頂点を有するマイクロドットのアレイを改良することによって近年達成されてきた。電気機械でも良いアクチュエータは、記憶媒体の構成要素となる媒体の面に対して全体のマイクロドットのアレイの完全に統制された相対的な移動を可能にする。
【０００４】
頂点効果（ｔｉｐ  ｅｆｆｅｃｔ）を伴うそのようなデータ記録装置では、全てのマイクロドットと記憶媒体の完全なコンタクトが保証されなければならない。各マイクロドットの位置を個別に制御することは、システムの複雑性から予想不可能である。しかしながら、マイクロドットは、マイクロエレクトロニクスの技術から導き出される技術によって集合的な方法で製造され、製造に起因してマイクロドットの高さのばらつきが常に残る。このばらつきは極めて小さく、典型的には約１００ｎｍであるが、アレイのマイクロドットの最も長いものは、他のものよりも記憶媒体を圧迫する。
【０００５】
この問題を克服するために、各マイクロドットは、近視野の顕微鏡を操作するのに用いられるマイクロドットアレイと同じように、カンチレバーの一端が張り出すことで支持される。そのとき、カンチレバーの可撓性は、押圧の応力を吸収可能にする（特に、米国特許6072764号）。
【０００６】
他の解決手段は、補償されるマイクロドットの高さ方向のばらつきを可能にする可撓性薄膜を含む記憶媒体の利用に基づいて出願人によって提案されてきた。そのとき、マイクロドットは、カンチレバーなしに、集積もされるアドレッシング回路及び制御回路内の１つのベース基板上に直接的に形成される。マイクロドットのアドレッシング回路及び制御回路のこの完全に統制された製造は、装置のコストを低減することを可能にする。
【０００７】
このように、文献ＷＯ−Ａ−２００４／０３２１３２は、各セルが少なくとも１つのマイクロドットに関連付けられるような複数のセルを形成するフレームによって支持される可撓性薄膜を含む記憶媒体について説明する。占有率を低減するエッジ効果を取り除くために、記憶媒体は、瓦状に重なったフレームを伴う二重薄膜を含んでも良い。
【０００８】
文献ＷＯ−Ａ−２００５／０１３２７０では、記憶媒体は、例えば、可撓性ポリマー層によって形成され、マイクロドットの高さ方向のばらつきを吸収する変形可能な記憶層を含む。
【０００９】
このアプローチは、マイクロドットの局部的な高さ方向のばらつきを吸収するには効果的であるが、接触力を克服するのと同時に、全てのマイクロドットを記憶媒体に接触させることを常に保証することはできない。
【発明の開示】
【００１０】
本発明の目的は、これらの欠点を示さないデータ記録装置、とりわけ、アレイの各マイクロドットと対応する記憶媒体の間の良好なコンタクトを常に保証できる装置を提供することである。
【００１１】
本発明によれば、この目的は、添付の特許請求の範囲に記載の装置、とりわけ、マイクロドットの自由端の組み合わせが凸状の面を画定するという事実によって達成される。
【００１２】
本発明は、そのようなデータ記録装置の製造方法、とりわけ、いくつかの装置の集合的な製造方法に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
その他の利点及び特徴は、非限定的な例示のみを目的として与えられた以下の本発明の特定の実施例の記述及び添付の図面からより明らかになるであろう。
【００１４】
図１は、基板の前面３ａが凸状の面を示すときに、記憶媒体１と基板３の前面３ａに形成されるいくつかのマイクロドット２との間のコンタクトの欠如を模式的に図示する。そのような変形は、とりわけ、装置を組み立てる間又は熱的ドリフトに起因して発生する傾向がある。図１に図示されるように、側面のマイクロドットは、ほぼ平坦な記憶媒体１と接触し、中央のマイクロドットは、記憶媒体と接触しない。凸状の面３ａの曲線半径、すなわち中央のマイクロドットの端と記憶媒体１の距離は、直面される問題をより強調するために、図１に誇張される。同じ型の問題は、その他の型の基板の前面の変形、とりわけ鞍の形をした前面の場合と同様に現れる。
【００１５】
本発明によれば、この問題は、マイクロドット２の自由端（すなわち、その頂点）の組み合わせが凸状の面を画定するように、マイクロドット２及び／又は基板３を形成することによって解決される。従って、記憶媒体１と接触するように設けられたマイクロドットの自由端は、凸状の面の包絡線を確定し、そのとき、全てのマイクロドット２の自由端は記憶媒体１に接触し、その可撓性は、マイクロドットの全ての高さ方向の変化を吸収するのに十分である。
【００１６】
図２に図示された第１実施例では、基板３は、ほぼ平坦な前面３ａ及び背面３ｂを有し、マイクロドットの輪郭の凸部は、基板３の前面３ａ上の異なる高さのマイクロドット２の形成によって得られる。それ故に、中央のマイクロドットは、側面のマイクロドットより高い。マイクロドットの高さの傾きは、装置内に発生する傾向がある全ての変形及びマイクロドットの高さの不可避の許容値を考慮するのに十分である。そのような高さの傾きは、とりわけ、マイクロドットの不均一なケミカルエッチング又は化学的機械研磨によって得られる。
【００１７】
図２及び３に示された他の実施例では、全てのマイクロドットは、ほぼ同じ高さを有し、凸状の輪郭は、凸状の前面３ａを有する基板３を用いて得られる。基板３の前面３ａのキャンバーは、小さいが装置を組み立てる間又は熱的ドリフトに起因して反対方向に発生する傾向がある変形を考慮するのに十分なまま残る。
【００１８】
基板の凸状の前面に異なる高さのマイクロドット（中央のマイクロドットが高くなればなるほど、側面のマイクロドットが低くなる）を形成することによって、これら２つの効果を組み合わせることもできる。
【００１９】
実際には、マイクロドットの自由端を包む凸状の面の曲線半径は、好ましくは、１ｍ〜５ｍに含まれ、とりわけ、約１０ｎｍ〜１００μｍのキャンバーに対応して２ｍである。
【００２０】
基板３の前面３ａのキャンバーは、とりわけ、マイクロドットが形成される前の前面３ａの化学的機械研磨（ＣＭＰ）によって得られる。この場合には、図３に図示されるように、基板３の背面３ｂは、図１及び図２のようにほぼ平坦のままである。
【００２１】
前面３ａのキャンバーは、基板３上の機械的応力を適用することによっても得られる。この機械的応力は、例えば、前面３ａ上に圧縮的に圧迫される薄い層（図示されていない）の堆積又は背面３ｂ上に伸張的に圧迫される薄い層（図示されていない）の堆積によって達成される。いずれの場合にも、そのような機械的に圧縮的又は伸張的に圧迫される薄い層を適用することは、図４に示されるように、基板３の前面３ａ及び背面３ｂのほぼ平行な変形を引き起こす。特定の実施例では、薄い層は、圧迫されるシリコン窒化薄膜の層又はいかなる不利な効果もなく１ＧＰａの応力を支持することができる数百ｎｍの厚さを有する圧迫されるシリコンの層である。
【００２２】
圧迫される層は、とりわけ、イオンビームスパッタリング（ＩＢＳ）堆積によって得られる。原型基板と呼ばれる別の基板によって予め圧迫され、任意の適切な移動技術、例えば、原型基板のボンディング及び間伐によって上反りされる基板３に対して移動されても良い。基板３の厚さは、キャンバリングステップを促すように有利に選択されても良い。例えば、基板３は、例えば約１００μｍに低減される厚さを有しても良い。
【００２３】
高い組立力を維持している間にマイクロドット２と記憶媒体１の間の接触力を低減するために、スペーシングパッド４は、基板の凸状の前面３ａに設けられても良い。図５に示されたように、スペーシングパッド４は、マイクロドット２とほぼ同じ高さを有する。それ故に、記憶媒体１の接触力は、スペーシングパッド及びマイクロドットによって形成される。スペーシングパッド４の自由端は、マイクロドットの自由端より幅が広い。それ故に、例えば数十μｍ２に達し、マイクロドットのそれより大きな記憶媒体１と接触する面を有する。それ故に、マイクロドット上の記憶媒体によって影響が与えられるコンタクトの応力は低減し、摩擦磨耗はほとんど完全に取り除かれる。
【００２４】
図５及び６に示されるように、スペーシングパッドとマイクロットが例えばねじれるように設けられ、スペーシングパッドがマイクロドット２の間に挿入されても良い。従って、この特定の実施例では、スペーシングパッドのアレイは、マイクロドットアレイ内に挿入される。
【００２５】
図７及び８に図示された詳細な実施例では、スペーシングパッド及びマイクロドットのアレイは重ね合わされ、そのとき、各スペーシングパッド４は環状形を有し、対応するマイクロドット２を囲んでいる。図８に図示されたように、平坦な面２０は、各パッド４の底、対応するマイクロドット２のベースの周辺に有利である。
【００２６】
マイクロドット２及びスペーシングパッド４は、タングステンで作られても良く、例えば、タングステンの層内において、基板３の前面３ａに堆積され、任意の公知のフォトリソグラフィ法によってエッチングされても良い。しかしながら、スペーシングパッド４は、誘電材料、例えば、シリコン窒化膜又はシリカから作られても良く、トライボロジー的性質を有するアモルファスカーボン又は硬ダイモンドライクカーボン（ＤＬＣ）から作られても良い。
【００２７】
図８の破線によって図示されるその他の代替的な実施例では、パッドの間に設けられるスペーシングが取り除かれる。そのとき、各マイクロドットは、基板の前面３ａを覆う総の対応する空洞内に形成されても良い。
【００２８】
図５に示されるように、全ての場合において、マイクロドット２は、カンチレバーなしに、アドレッシング回路及び制御回路５も集積されても良い基礎基板上に直接的に形成される。
【００２９】
上記に示されたように、記憶媒体１の可撓性は、マイクロドットと記憶媒体の間のコンタクトを確保し、マイクロドットの全ての高さ変化を吸収するマイクロドットの自由端の包絡線の凸状の面と協同する。記憶媒体１は、とりわけ、上記の特許文献（ＷＯ−Ａ−２００４／０３２１３２及びＷＯ−Ａ−２００５／０１３２７０）に記述された型式でも良い。
【００３０】
データ記録装置は、一般的には、記憶媒体のほぼ水平な面内の記憶媒体及びマイクロドットの相対的な移動を可能にする手段を含む。マイクロドットを記憶媒体に接触させるためのマイクロドットの支持基板に対してほぼ垂直（すなわち、縦）方向への移動手段を含んでも良い。
【００３１】
図９〜１１の上面図は、本発明に係る凸状面を伴う基板を用いるのにとりわけ適切な記憶媒体の３つの特定の実施例を図示する。公知の方法によって、記憶媒体１は、内部フレーム７によって支持された可撓性薄膜６を含む。３つの実施例では、可撓性薄膜６の輪郭を描く内部フレーム７は、外部フレーム８上に伸縮的に固定され、この可撓性固定部は、内部フレーム７及びそれらの平面内の薄膜６の移動を可能にし、外部フレームは、固定されたまま残る。
【００３２】
図９では、外部フレーム８上に対する内部フレーム７の可撓性固定部は、２つのサスペンションアームによって構成される。後者は、例えば他方及び内部フレームの２つの反対側に対して平行であり、内部フレーム７の対角線上の反対側の終端の１つにそれぞれ固定される。そのような固定部は、薄膜及びその平面内の内部フレームの１つの自由度、すなわち、サスペンションアームに対して垂直（図９の平面に垂直）な移動を可能にする。好ましくはシリコンから作られる内部フレーム７及び外部フレーム８は、薄膜６を支持するシリコンウェハ内のサスペンションアームと同時に形成されても良い。
【００３３】
図１０に図示された実施例は、薄膜及び内部フレームのそれらの平面内における２次元の移動を可能にする。内部フレーム７を外部フレーム８に接続する可撓性固定部は、関節でつながった平行四辺形１０を形成するような固定部である。内部フレーム７の各角は、平行四辺形１０の頂点に接続され、その対角線の反対側の頂点は、外部フレーム８の角を構成する固定された柱に接続される。２つの隣接する関節でつながった平行四辺形は、各平行四辺形のその他の頂点にそれぞれ固定された接続捧１１によって接続される。各接続捧１１は、接続捧１１に対して平行に設けられた関連付けられたアクチュエータ１４（２つの垂直アクチュエータは、それぞれ内部フレーム７の左右に設けられ、２つの水平アクチュエータは、それぞれ図１０の内部フレームの上下に設けられる）の内部に突出したフィンガ１３の列と連結して処理するように構成された外部に突出した指１２の列を備えても良い。従って、アクチュエータ１４の移動（図１０の左矢印方向）は、関連付けられた接続捧の対応する移動及びフレーム７及び薄膜６の平面内における左への移動を引き起こし、関節でつながった平行四辺形が変形することになる。図１０の詳細な実施例では、４のアクチュエータ１４の選択的駆動は、その平面内の薄膜の極めて精密な移動を可能にする。代替的な実施例では、アクチュエータ１４は固定され、その駆動は、例えば静電気手段によってその他の方向へ接続捧１１を移動させる。
【００３４】
類似の構造は、文献「“Ｆｉｌｌｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｇａｐ：  Ａ  Ｃａｓｅ  ｆｏｒ  Ｏｎ−Ｃｈｉｐ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｔｏｒａｇｅ”、Ｓｔｅｖｅｎ  Ｗ．  Ｓｃｈｌｏｓｓｅｒ著、Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｒｅｐｏｒｔ  ＣＭＵ−ＣＳ−９９−１７４，  Ｓｃｈｏｏｌ  ｏｆ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，  Ｃａｒｎｅｇｉｅ  Ｍｅｌｌｏｎ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ、１９９９年１１月出版」に記述される。しかしながら、この文献では、この構造は、平坦な基板上に形成された同じ高さのマイクロドットのアレイに関連付けられる。約１０ｎＮの接触力を使いこなすのと同時に、ミリメータ規模の素子（記憶媒体及びマイクロドットアレイ）は、ナノメータ精度で整列されなければならない。しかしながら、接面の平面性及び並列性は、それぞれ５０ｎｍ以下及び１μラジアン以下の許容値を暗示する。上記文献では、カンチレバー及び高価な動的整列プロセスを用いることによって、このことが可能になる。
【００３５】
それどころか、マイクロドット２を支持する凸状である前面３ａを有する基板３及び／又は凸状の面の輪郭を画定する異なる高さのマイクロドットと図９又は１０に係る記憶媒体の組み合わせは、全てのマイクロドットの間の組立力の良好な再分配を保証する。実際には、組み立てが行われるときには、その平面内の薄膜６の移動の自由度を失わない間に、外部フレーム８は、基板３に安全に取り付けられても良い。そのとき、組立力は、記憶媒体、とりわけ、マイクロドット２のアレイ上に薄膜６を圧迫する。各マイクロドット２によって加えられる基本的な力は約０．１ｎＮ〜１０ｎＮであっても良い。曲線半径の関数が選択される。例えば、そのとき、組立力は、１ｍＮより大きくても良い。この力は、図９の実施例のサスペンションアーム９の剛性及び偏差によって決められる。剛性は、基本的には、用いられる材料、例えばシリコンの特性、及びサスペンションアームの形状によって決定される。
【００３６】
図１１及び１２に係る記憶媒体の場合も同様である。この実施例では、可撓性固定手段は、その周辺に可撓性薄膜６を広げる固定薄膜１５によって形成される。記憶媒体の前面の可撓性薄膜６を覆う記憶層２１（マイクロドットに接触するように構成される）が記憶媒体を完成させる。
【００３７】
従って、薄膜６及び１５は、任意の適切な方法によって１つの部分に同時に形成されても良く、薄膜６は、単に内部フレーム７によって輪郭を描かれても良い。公知の方法は、記憶媒体の背面を構成する（反対に、その前面はマイクロドットに接触するように構成される）シリコンウェハ上のスピンコーティングによって、遠心力によって広がるプラスチック材料を堆積することに本質がある。用いられるプラスチック材料は、好ましくは、ポリマー、とりわけ、ＣＹＣＬＯＴＥＮＥTMのようなベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）樹脂である。
【００３８】
薄膜６及び１５を形成するプラスチック材料並びに記憶層２１の堆積の後に、内部フレーム７及び外部フレーム８が従来の方法（フォトリソグラフィ、ドライエッチング又はケミカルエッチング…）で得られる。例えば、フレーム３及び５は、シリコンウェハ内において、薄膜４及び６を形成する層を貫いて記憶媒体の背面からの異方性ケミカルエッチングすることによって得られる。これらのステップ（薄膜の生成、記憶層の生成及びフレームの生成）の順番は、用いられる材料に関するプロセス制約に依存して必要に応じて反転されても良い。
【００３９】
図１２に示されるように、垂直には薄膜６がマイクロドットに圧迫されることを保証し、水平には内部フレーム６と連動して処理するアクチュエータ１６（１つのアクチュエータ１６は図１０に示される）の動作に起因するそれ自身の平面内の薄膜の可撓的移動を可能にするための移動の自由度を後者に与えるのと同時に、固定薄膜１５は、このように可撓性薄膜６の輪郭を描く内部フレーム７のための支持構造としての役割を果たす外薄膜の一種を構成する。周辺の固定薄膜１５の寸法は、その剛性を確定する。その厚さは、好ましくは、約数μであり、その幅は約数ｍｍである。
【００４０】
例えば、図１１に示された異なる素子の各寸法は以下の通りである。
−記憶媒体１の寸法ｃ１は約１５ｍｍ
−薄膜６の寸法ｃ２は約９．５ｍｍ
−内部フレーム７の幅ｌ１は約０．２５ｍｍ
−外部フレーム８の幅ｌ２は約０．５ｍｍ
−固定薄膜１５の幅ｌ３は約２ｍｍ
【００４１】
図１１及び１２に係る記憶媒体の製造は、より簡素であるという利点を示すので、図９又は１０に係る記憶媒体よりも安価であり、さらに、サスペンションアーム９又は関節でつながった平行四辺形１０の位置でより大きな機械的応力をかける。
【００４２】
本発明に係るいくつかのデータ記録装置は、図１３及び１４に図示されるように同時に製造されても良いので、製造コストが低減される。このように、いくつかのマイクロドットアレイ１７は、第１組立品を構成する凸状の前面及び同じシリコン基板上に同時に形成される。対応するアドレッシング回路及び制御回路は、好ましくは、基板内のアレイ１７の底に予め形成される。図１３では、図３のように、基板の前面の凸部が化学的機械研磨によって得られ、図１４では、図４のように、基板の曲線が機械的応力によって得られる。同様に、いくつかの記憶媒体は、第２組立品を構成するために同時に形成される。図１３及び１４では、記憶媒体は、１つの可撓性薄膜の形で配置される。しかしながら、上記の任意の型の記憶媒体、とりわけ図９〜１２に参照される記憶媒体が用いられても良い。そのとき、第１及び第２組立品は、対応する記憶媒体１にマイクロドットアレイ１７が接触するように組み立てられる。図１３及び１４では、組立品は、マイクロドットアレイ１７の両側の記憶媒体１に基板３を接続する領域１８（Ｘによって示される）を固定することによって配置される。そのとき、組立品は、個々の記録装置を形成するように、破線１９沿い、２つの隣接する固定領域１８の間又は固定領域１８を貫通して切断される。機械適応力によって形成されるキャンバーを有する基板の場合には（図１４）、キャンバーは、実際に切断処理が行われているときに出現しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】マイクロドット支持基板の変形に起因するコンタクトの問題を図示する。
【図２】マイクロドットが凸状の面を画定する異なる高さを有する本発明に係る装置の特定の実施例を図示する。
【図３】本発明に係るマイクロドットが基板の凸状の前面に形成されるデータ記録装置の代替的な実施例を図示する断面図である。
【図４】本発明に係るマイクロドットが基板の凸状の前面に形成されるデータ記録装置の代替的な実施例を図示する断面図である。
【図５】本発明に係るマイクロドットが基板の凸状の前面に形成されるデータ記録装置の代替的な実施例を図示する断面図である。
【図６】図５に係る装置のマイクロドット及びスペーシングパッドの相対的な位置を図示する上面図である。
【図７】マイクロドット及びスペーシングパッドのその他の相対的な位置を図示する上面図である。
【図８】図７に係る配列の代替例の２つの隣接したパッド及び対応するマイクロドットの輪郭を図示するＡ−Ａに沿った断面図である。
【図９】本発明に係る装置の記憶媒体の特定の実施例を図示する上面図である。
【図１０】本発明に係る装置の記憶媒体の特定の実施例を図示する上面図である。
【図１１】本発明に係る装置の記憶媒体の特定の実施例を図示する上面図である。
【図１２】関連付けられるアクチュエータだけでなく、図１１に係る記憶媒体を図示するＢ−Ｂに沿った断面図である。
【図１３】図３に係る集合モードにおける記録装置の製造方法を図示する断面図である。
【図１４】図４に係る集合モードにおける記録装置の製造方法を図示する断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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2008527605.tif 000018
2008527605.tif 000019
2008527605.tif 000020
2008527605.tif 000021
2008527605.tif 000022