(57)【要約】縦型発光ダイオード(ＬＥＤ)は、金属基板と、前記金属基板と結合されたｐ型電極と、前記ｐ型電極と結合されたｐ型コンタクトと、前記ｐ型電極と結合されたｐ型ＧａＮ部と、前記ｐ型ＧａＮ部と結合された活性領域と、前記活性領域と結合されたｎ型ＧａＮ部と、前記ｎ型ＧａＮと結合された蛍光体層と、を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦型発光ダイオード(ＬＥＤ)であって、
金属基板と、
前記金属基板と結合されたｐ型電極と、
前記ｐ型電極と結合されたｐ型コンタクトと、
前記ｐ型電極と結合されたｐ型ＧａＮ部と、
前記ｐ型ＧａＮ部と結合された活性領域と、
前記活性領域と結合されたｎ型ＧａＮ部と、
前記ｎ型ＧａＮと結合された蛍光体層と、
を備えること特徴とするＬＥＤ。
【請求項２】
前記金属基板は、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、化学気相成長、電子ビーム蒸着、熱溶射のうちの１つを用いて成膜されることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記金属基板は、金属又は銅、ニッケル、アルミニウムのうちの１つを含む金属合金であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記ｐ型コンタクトは、反射板を含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
前記蛍光体層は、スピンコーティングされていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
スピンコーティングされた蛍光パウダーを形成する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
前記蛍光体の粒子は、１つ以上の有機化合物と混合されていることを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤ。
【請求項８】
前記蛍光体層は、パターニングされていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項９】
前記蛍光体層は、ドライエッチングされていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１０】
前記蛍光体層と結合された金属接合パッドを含むことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１１】
前記蛍光体層は、前記ＬＥＤの前記ｎ型ＧａＮの表面に接触することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１２】
蛍光体ｎ型ＧａＮが上方にあるＬＥＤウェハの製造方法であって、
キャリア基板を準備する工程と、
前記キャリア基板の上方にｎ型ＧａＮ部を成膜する工程と、
前記ｎ型ＧａＮ部の上方に活性層を成膜する工程と、
前記活性層の上方にｐ型ＧａＮ部を成膜する工程と、
１つ以上の金属層を成膜する工程と、
マスク層を適用する工程と、
前記金属、ｐ型ＧａＮ層、活性層及びｎ型ＧａＮ層をエッチングする工程と、
前記マスク層を除去する工程と、
パッシベーション層を成膜する工程と、
前記金属を露出するために前記ｐ型ＧａＮの上部の前記パッシベーション層の一部を除去する工程と、
１つ以上の金属層を成膜する工程と、
金属基板を成膜する工程と、
前記キャリア基板を除去して、前記ｎ型ＧａＮの表面を露出する工程と、
前記ｎ型ＧａＮの表面の上方に蛍光体層を適用する工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
前記蛍光体ｎ型ＧａＮが上方にあるＬＥＤウェハは、実質的に滑らかで平らであることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記蛍光体ｎ型ＧａＮが上方にあるＬＥＤウェハは、前記蛍光体層が適用される前に、１００００オングストローム未満の表面粗さを有することを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記キャリア基板は、サファイアであることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記金属基板は、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、化学気相成長、電子ビーム蒸着、熱溶射のうちの１つを用いて成膜されることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤウェハ。
【請求項１７】
前記金属基板は、金属又は銅、ニッケル、アルミニウムのうちの１つを含む金属合金であることを特徴とする請求項１２に記載のＬＥＤ。
【請求項１８】
前記キャリア基板は、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）、ウェットエッチング、化学機械研磨のうちの１つを用いて除去されることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記ｐ型コンタクトは、反射板を含むことを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記蛍光体層と結合された接合パッドを含むことを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記ウェハに適用された蛍光体層は、前記ｎ側が上方にある縦型ＬＥＤのｎ型ＧａＮの表面に結合されていることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に、発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード(ＬＥＤ)技術の発展によって、小型、軽量、高効率かつ長寿命の特性を持つＬＥＤがもたらされている。これらのＬＥＤは、赤、青、緑などの異なる単色の色の出力に大幅な進歩が見られる。単色のＬＥＤは、例えば、携帯電話や液晶ディスプレイ（ＬＣＤｓ）などの特別なディスプレイのバックライトとして使用されうる。
【０００３】
近年、発光ダイオードを使用することによって白色光源を作るために、様々な試みがなされている。発光ダイオードは、単色光を生成するのに有利な放射スペクトルを持っており、白色光のための光源を作るには、Ｒ、Ｇ及びＢの３つの発光体を互いに隣接して配置し、これらから発せられた光を混合する。そのような配置により白色光を作り出す場合には、発光体の色調、輝度及び他の要素のばらつきによって、所望の色調の白色光を作り出すことができないという問題があった。また、発光体が異なる材料で作られている場合には、発光ダイオード毎に異なる駆動を行うために必要な電力は、異なる発光体に異なる電圧を与える必要があるため、複雑な駆動回路になってしまう。また、発光体は半導体発光体であり、色調は、温度特性の違いによって変化し、発光体によって発せられる光を均一に混合することができないため、計時変化、動作環境又は色むらが起こる。したがって、発光体は、個々の色を発するための発光デバイスとしては有効であるが、発光体を用いて白色光を発することができる満足のいく光源は、現在のところ得られていない。
【０００４】
米国特許第５,９９８,９２５号は、光放出層として半導体を用いた発光要素と、前記発光要素によって発せられた光の一部を吸収し、吸収した光と異なる波長の光を発する発光体と、を備える発光ダイオードであって、前記発光要素の発光層が窒化物化合物半導体であり、前記蛍光体は、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍで構成されるグループ及びＡｌ、Ｇａ及びＩｎで構成されるグループから選択された元素を少なくとも含んだ、セリウムによって活性化されたガーネット蛍光材料を含み、長期間高輝度で用いられても発光特性の劣化が少ない。
【０００５】
図１は、’９２５特許に開示されたリード線タイプのＬＥＤを示す図である。発光ダイオードは、マウントリード線２と、内部リード線４と、を有するリードタイプの発光ダイオードであって、発光体８は、マウントリード線２のカップ６の上に取り付けられ、カップ６は、発光体８を覆うための特定の発光体を含むコーティング用樹脂１４で満たされ、樹脂で成形されている。発光体８のｎ型電極及びｐ型電極は、ワイヤ１２によって、それぞれマウントリード線２と内部リード線４に接続されている。上述のように構成された発光ダイオードでは、発光体(ＬＥＤチップ)８によって発せられた光(以下「ＬＥＤ光」という)の一部が、コーティング用樹脂１４の中に含まれる蛍光体を活性化させ、ＬＥＤ光とは異なる波長の蛍光光を作り出し、その結果、蛍光体から発せられた蛍光光と、蛍光体の活性化に寄与しないで出力されたＬＥＤ光とが混合されて出力される。その結果、発光ダイオードはまた、発光体８によって発せられたＬＥＤ光とは異なる波長を持つ光を出力する。
【０００６】
図２は、’９２５特許に開示されたチップの実施形態を示す図である。チップタイプのＬＥＤ２６は、コーティング２８を形成するための特定の蛍光体を含むコーティング材料で満たされた筐体２２の凹部に設置される。発光体２６は、エポキシ樹脂又はＡｇを含むこれと同様のものによって固定される。例えば、発光体２６のｎ型電極及びｐ型電極は、導線２４によって筐体２２の上に設置された金属端子２０に接続される。上述したチップタイプの発光ダイオードでは、図１のリードタイプの発光ダイオードと同様に、蛍光体によって発せられた蛍光光、及び蛍光体によって吸収されないで透過したＬＥＤ光が混合して、出力されるので、発光ダイオードはまた、発光体２６によって発せられるＬＥＤ光とは異なる波長を持つ光を発する。
【０００７】
米国特許第６,６４２,６５２号は、単層又は多層の蛍光体などの蛍光体構造で覆われたＩＩＩ族窒化物発光ダイオードなどの発光デバイス装置を含む光源を開示している。蛍光体構造の厚さの如何なる変動も、蛍光体構造の平均厚さの１０％以下である。いくつかの実施形態では、蛍光体構造の厚さは、発光デバイスの横断面の寸法の１０％未満である。いくつかの実施形態では、蛍光体構造は、発光デバイスから発せられた光が通過する唯一の蛍光体である。いくつかの実施形態では、蛍光体構造は、約１５ミクロン〜約１００ミクロンの厚さである。蛍光体構造は、例えば、ステンシル又は電気泳動成膜（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって選択的に発光デバイスに成膜される。
【０００８】
’６５２特許に従って蛍光体でコーティングされたＬＥＤは、図３に示されている。図３のＬＥＤは、サファイア、ＳｉＣ又はＩＩＩ族窒化物材料などの基板４２の上に形成されたｎ型領域４４を含む。活性領域４６は、ｎ型領域４４の上形成され、ｐ型領域３６は、活性領域４６の上に形成される。ｎ型領域４４、活性領域４６及びｐ型領域３６は、通常、多層構造である。ｐ型領域３６、活性領域４６及びｎ型領域４４の一部は、ｎ型領域４４の一部を露出させるためにエッチングされる。ｐ型コンタクト３４は、ｐ型領域３６の上に成膜され、ｎ型コンタクト３８は、ｎ型領域４４の露出した部分の上に成膜される。次いで、ＬＥＤは、引っくり返されて、はんだなどの材料３２によってサブマウント３０に取り付けられる。
【０００９】
米国特許第６,７４４,１９６号は、第１の波長で光を発するＬＥＤチップと、発光光の色を変えるＬＥＤチップの上方に配置された色付きの薄膜層と、で構成された薄膜ＬＥＤデバイスを開示している。例えば、白色光を作り出すために青色発光ＬＥＤチップが使用されうる。色付きの薄膜層は、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、原子層成長（ＡＬＤ）、プラズマＭＯＣＶＤ、プラズマＡＬＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＡＬＤ）及び／又はフォトＣＶＤ（ｐｈｏｔｏ  ｅｎｈａｎｃｅｄＣＶＤ）などの化学気相成長法を用いて成膜される。図４に示すように、ｎ型コンタクト５０が反射層５２の下方に配置されている。色付きの層(蛍光体層)５３は、反射層５２の上方に配置されている。次いで、第１のパッシベーション層５４が形成され、ｐ半透過性コンタクト５６が形成される。第２のパッシベーション層５８は、第１のパッシベーション層５４及びコンタクト５６の上方に形成される。導線６０は、ｐ型リード線６４の上方に配置されたｐ型パッド６２に接続される。
【特許文献１】米国特許第５,９９８,９２５号
【特許文献２】米国特許第６,６４２,６５２号
【特許文献３】米国特許第６,７４４,１９６号
【発明の開示】
【００１０】
縦型発光ダイオード(ＬＥＤ)は、金属基板と、前記金属基板と結合されたｐ型電極と、前記ｐ型電極と結合されたｐ型ＧａＮ部と、前記ｐ型ＧａＮ部と結合された活性領域と、前記活性領域と結合されたｎ型ＧａＮ部と、前記ｎ型ＧａＮと結合された蛍光体層と、を含む。
【００１１】
上述のＬＥＤの実施は、以下のうちの１つ以上を含む。すなわち、前記金属基板は、ミラー層（ｍｉｒｒｏｒ  ｌａｙｅｒ）を有し、前記ｐ型ＧａＮ部の上部に形成され；レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）、選択的なウェットエッチング又は化学機械研磨を用いて、前記金属基板が除去される。前記ｐ型コンタクトは、反射板であってもよい。前記蛍光体層は、スピンコーティングされるか、又は蛍光パウダー又はペーストを用いてスクリーン印刷される。蛍光体層９６は、フォトレジストなどのマスク材料１０１を用いて、そしてフッ素を含んだプラズマを用いたドライエッチングを用いてパターニングされ；次いで、Ｃｒ/Ｎｉ(Ｃｒ及びＮｉ)などの金属層９９が適用されて、ＰＶＤ、電子ビーム蒸着又はＣＶＤなどの様々な技術を用いてｎ型ＧａＮとコンタクトが形成され；金属結合パッド９８は、レジスト１０１が除去された後にｎ型ＧａＮとのコンタクトが形成され、結合パッド９８を形成するために金属９９の不要な部分をリフトオフする。これはレジストリフトオフ技術と呼ばれる。蛍光体層及び結合パッドは、露出したｎ型ＧａＮ表面８０を覆う。
【００１２】
本発明の利点は、以下の１つ以上を含みうる。すなわち、露出したｎ型ＧａＮ部８０の層を有する上記のＬＥＤウェハ表面は、後の処理に対して、実質的に滑らかで平らな表面である。本方法により、従来の一度に１つのＬＥＤダイと比較して、露出したｎ型ＧａＮ表面の上方に直接的にウェハレベルで青色ＬＥＤの上方の発光体を覆うことによって、白色ＬＥＤの製造コストが低下する。本方法は、各ダイに必要な発光体の量を低減する。ＬＥＤは、ウエハボンディング又は接着を必要とせず、例えば、物理気相成長（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、プラズマ気相成長（ＰＥＣＶＤ）、蒸着、イオンビーム成膜、電解成膜、無電解成膜、プラズマ溶射又はインクジェット成膜などの複雑ではない成膜工程によって、複雑で長い工程を有する１つのウエハボンディング／接着処理が置き換えられる。ｎ型ＧａＮの伝導率は高いため、ｎ型電極のための半透明のコンタクトは不要であり、その結果、ＬＥＤデバイスからより多くの光が出力される。さらに、デバイスの片側の上に１つの電極だけが必要であるため、ＬＥＤ電極は光をあまり遮らない。さらに、ｎ型電極からｐ型電極に均一に電流が広がることができ、これによってＬＥＤの性能が向上する。また、金属基板は、サファイア基板よりも熱をより多く逃がすことができ、より多くの電流がＬＥＤを駆動するために使用されうる。結果として得られるＬＥＤは、より小さなサイズで、従来のＬＥＤと置き換えることができる。同じＬＥＤサイズでは、縦型ＬＥＤから光の出力は、同じ駆動電流での従来のＬＥＤよりも、大幅に増大する。
【００１３】
他の特徴、技術的な思想、本発明の目的をよく理解するために、添付の図面と以下の実施の形態の記載を明確に読み取ることができるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
説明
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。詳細な説明を読む際に、添付の図面が同時に参照され、詳細な説明の一部として考慮されうる。
【００１５】
図５は、縦型ＬＥＤウェハの一実施形態の例示的な構成を示す図である。各ＬＥＤは、レーザーリフトオフ処理で形成された金属基板７０を含む。ｐ型電極７２は、金属基板７０の上方に配置されている。次いで、反射板、ｐ型コンタクト７４及びｐ型ＧａＮ部７６が、ｐ型電極７２の上方に配置されている。活性領域７８(多重量子井戸を含む)が形成され、活性領域７８の上方にｎ型ＧａＮ部８２が形成されている。ｎ型ＧａＮは、露出した表面８０を有する。
【００１６】
ＬＥＤは、サファイアなどのキャリア基板の上方に多層エピタキシャル構造を成膜し、前記多層エピタキシャル構造の上方に少なくとも１つの金属層を成膜し、前記キャリア基板を除去して金属基板７０を残す。金属層は、電解成膜、無電解成膜、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、プラズマ気相成長（ＰＥＣＶＤ）、原子層成長（ＡＬＤ）、物理気相成長（ＰＶＤ）、蒸着、プラズマ溶射又はこれらの技術の組み合わせによって成膜されうる。金属層は、単層であってもよいし、多層であってもよい。一実施形態では、Ａｇ/Ｐｔ、Ａｇ/Ｐｄ又はＡｇ/Ｃｒがミラー層（ｍｉｒｒｏｒ  ｌａｙｅｒ）として用いられ、Ｎｉがバルク基板として用いられる銅メッキのシード層としての金に対するバリアとして用いられる。ミラー層（例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｒ）が成膜され、次いで、酸素を含むＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＷＮ、ＴｉＷなどのバリア層が、Ｎｉ又はＣｕなどの金属の電解成膜又は無電解成膜の前に、ミラー層の上方に形成される。銅の電解成膜に対しては、シード層は、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ又は蒸着処理を用いて成膜され、銅のシード材料の一部には、特に、Ｗ、Ａｕ、Ｃｕ又はＮｉが含まれる。金属層は、同一の又は異なる組成を持つことができ、異なる成膜技術を用いて成膜されうる。キャリア基板の除去は、特に、レーザ、エッチング、研削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）／擦り合わせ（ｌａｐｐｉｎｇ）、化学機械研磨又はウェットエッチングによって行うことができる。
【００１７】
サファイア基板は、リフトオフ（ＬＬＯ）技術を用いて除去されうる。多層エピタキシャル層は、金属メッキ層に結合した反射金属層を有し；パッシベーション層８１が反射金属層７４、ｐ型電極７２、ｐ型ＧａＮ７６、ＭＱＷ７８及びｎ型ＧａＮ８２に結合されたＬＥＤダイの側壁を不動態化し；ｐ型ＧａＮがパッシベーション層に結合され；ｎ型ＧａＮ層がＭＱＷ層に結合され；ｎ型電極がｎ型ＧａＮ層に結合され；金属メッキ層がｐ型電極であるか又は金属メッキ層に結合されたｐ型電極を含む。
【００１８】
図６は、縦型ＬＥＤの上の蛍光体コーティング９０を示す図である。ＬＥＤウェハは、実質的に滑らかで平らであり、ウェハレベルの蛍光体コーティングは、均一で発光ＬＥＤ表面８０に平行であり、活性層から発せられた青色光は、蛍光層を同一の距離又は光路を通るため、ＬＥＤのフィールドパターン上には色鮮やかなリングが存在しない。さらに、ＬＥＤの厚さ(ＧａＮ層の厚さの合計は、約２ｕｍ〜８ｕｍである)は、発光表面８２（５０ｕｍよりも大きい）よりもはるかに小さい。光は上面から主に発せられ、少量の光が、蛍光体層９０の一様ではない厚さから生じる問題を最小限にするために側壁から出てくる。
【００１９】
蛍光体層９０は、スピンコータを使用してを形成されうる。蛍光体層９０は、５００〜３００００ｒｐｍで回転するスピンコータによってコーティングされ、ｎ側が上方にある縦型ＬＥＤウェハ上の層の厚さを制御することができる。スピンコーティング法に加えて、スクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、ローラー法（ｒｏｌｌｅｒ  ｍｅｔｈｏｄ）又は浸漬法（ｄｉｐｐｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）などの他の方法が使用されうる。特に、所定の均等な厚さを得るために、スピンコーティング法が使用されることが好ましい。蛍光体が基板上にコーティングされた後、コーティングされた膜は乾燥される。膜の水分が蒸発させられる限り、乾燥方法は限定されない。したがって、ヒータ、乾燥した空気又は輻射熱ランプ（ｒａｄｉａｎｔ  ｈｅａｔ  ｌａｍｐ）などの表面処理を用いた様々な方法が使用されうる。一方、コーティングされた膜は、長時間、室温環境に置いたままにして乾燥されてもよい。
【００２０】
蛍光体コーティングを行うために、蛍光パウダー構成（ａ  ｐｈｏｓｐｈｏｒ  ｐｏｗｄｅｒ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）が準備される。このため、例えば、分散剤（ｄｉｓｐｅｒｓｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）が純水中に分散され、この分散が同形のミキサー（ｈｏｎｉｏｍｉｘｅｒ）でかき回され、分散剤が分散した純水中に配置されて、混合物がかき回される。蛍光パウダー構成では、分散媒体として水を使用することができる。蛍光パウダー構成は、分散剤としてアルコール又は保持剤（ｒｅｔａｉｎｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）を含んでもよく、重炭酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｂｉ-ｃｈｒｏｍａｔｅ）が感光性ポリマーとして使用されてもよい。蛍光パウダーは、分散特性（ｄｉｓｐｅｒｓｉｎｇ  ｐｒｏｐｅｒｔｙ）とその接着性（ａｄｈｅｓｉｏｎ）とを向上させるために、その製造工程で表面処理が行われてもよい。蛍光体コーティング材料は、コーティング材料の粘性を調整するために、アルコール、エアゾール、結合材料（ｂｉｎｄｅｒ  ｍａｔｅｒｉａｌ）又は樹脂エポキシなどの有機化合物を混合した蛍光体によって構成される。白色光ＬＥＤの結果として生じるＣＩＥ調整（ＣＩＥ  ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ）を再現可能に変えるために、材料の粘性やスピン速度が調整されうる。次いで、フォトレジスト層１０１が塗布されて、コンタクトパターンを用いて露光され、蛍光体層９０がエッチングされる。エッチングは、ドライエッチング法を含むことができる。
【００２１】
図７は、マスキングフォトレジストマスク層（ｍａｓｋｉｎｇｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ  ｍａｓｋｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を有するパターニングされた蛍光体層を示す図である。パターニングされた蛍光体層９６は、露出したｎ型ＧａＮ表面８０の上に形成される。パターニングされた蛍光体層９６は、ドライエッチング処理を用いてパターニングされうる。ドライエッチング処理では、フォトレジストマスクが蛍光体薄膜の上に配置され、電界中の腐食性ガスにその薄膜を露出させる。マスクは、蛍光体セグメントの寸法に対応するフォトレジストストリップ（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ｓｔｒｉｐｓ）含みうる。エッチングの結果として、Ｎｉ/Ｃｒ（Ｎｉはｎ型ＧａＮと接触）などのコンタクト金属層９９を後に成膜するためのコンタクト開口部用の複数の開口部が得られる。
【００２２】
図８では、Ｎｉ/Ｃｒ（Ｎｉはｎ型ＧａＮと接触）などのコンタクト金属層９９がフォトレジストマスク層の上部に成膜され、蛍光体層９６と結合され、ｎ型ＧａＮ８０と接触する。金属層９９は、ＣＶＤ、ＰＶＰ又は電子ビーム蒸着を用いて成膜されうる。
【００２３】
図８では、ボンディングパッド９８は、パターニングされた蛍光体層９６の上方に形成され、ｎ型パッドを形成する。結合パッド金属９８は、希釈ＫＯＨなどの溶液を用いて、フォトレジストマスク層１０１を除去する間に、リフトオフ技術によって形成される。蛍光体コーティングとボンディングパッドのための処理は、交換されうる。フォトレジスト層９６が塗布される前に、フォトレジストマスク層によってｎ型ＧａＮコンタクト金属９９がパターニングされドライエッチングされて最初に保護されるところが、希釈ＫＯＨなどの溶液を用いて結合パッド９８を保護するフォトレジストマスク層を除去する間に、リフトオフ技術によって塗布されてパターニングされる。
【００２４】
図１０は、複数の白色ＬＥＤチップを示す図である。蛍光体コーティングされたＬＥＤウェハは、白色チップにダイスカットされ、チップレベルで蛍光体を付加することなく、直接パッケージングされうる。蛍光体コーティングは、ウェハレベルの処理のｎ側が上方にある縦型ＬＥＤに統合される。次いで、白色光ウェハは、レーザ又はソー（ｓａｗ）によって、分離した白色ＬＥＤチップにカットされる。
【００２５】
単一の蛍光体層が上述のように説明されたが、多層蛍光体を用いてもよい。例えば、赤色に感光性がある蛍光パウダー構成(蛍光体スラリー)が全体表面に適用されて、光に露出されて現像され、次いで、緑色に感光性がある蛍光パウダー構成(蛍光体スラリー)が全体表面に適用されて、光に露出されて現像され、次いで、青色に感光性がある蛍光パウダー構成(蛍光体スラリー)が全体表面に適用されて、光に露出されて現像されてもよい。
【００２６】
本発明は、例示的に好適な実施の形態という点から説明されたが、本発明はこれのみに限定されない。一方、様々な改良や同様の構成及び手順を包含することを意図しており、従って、添付の特許請求の範囲は、全てのそのような改良や同様の構成及び手順を含むように、最も広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】様々な従来技術としてのＬＥＤを示す図である。
【図２】様々な従来技術としてのＬＥＤを示す図である。
【図３】様々な従来技術としてのＬＥＤを示す図である。
【図４】様々な従来技術としてのＬＥＤを示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る縦型ＬＥＤの第１の実施形態を示す図である。
【図６】蛍光体コーティングがその上に配置された図５のＬＥＤを示す図である。
【図７】フォトレジストマスク層で覆われた、パターニングされた蛍光体コーティングを示す図である。
【図８】図７のパターニングされた蛍光体コーティングの上に成膜された金属コンタクト層を示す図である。
【図９】ＬＥＤウェハを覆うパターニングされた金属接合バッド及び蛍光体を示す図である。
【図１０】図１０は、蛍光体がコーティングされた複数のＬＥＤを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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2008527720.tif 000014
2008527720.tif 000015