(57)【要約】  高電力半導体構成要素構造は、電気信号に応答して動作するように構成された半導体デバイスを備え、この半導体デバイスは、動作中に電気信号に応答して昇温する。ヒートシンクが、半導体デバイスからの熱が第１のヒートシンク内に伝達するように、半導体デバイスに熱接触して配置される。ヒートシンクは、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料からなる多孔質材料領域を少なくとも部分的に備え、細孔構造の表面が、熱が周囲空気中に放散する表面積をもたらす。
2008544489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体光源と、
該固体光源からの熱がその中に伝達するように前記固体光源に熱接触して配置され、少なくとも部分的に多孔質材料領域を備え、該多孔質材料領域は、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料を備え、前記３次元細孔構造の表面は、バルクヒートシンクに比べて、熱が周囲空気中に放散する表面積の増大をもたらす第１のヒートシンクと
を備えていることを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記固体光源からの光を反射して、方向性のある光放出にするように配置された反射体をさらに備え、前記固体光源からの熱は、前記反射体内に少なくとも部分的に伝達し、前記第１のヒートシンクは、前記反射体に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
回路板をさらに備え、前記固体光源は前記回路板に取り付けられ、前記第１のヒートシンクは、前記固体光源からの熱が前記第１のヒートシンク内に少なくとも部分的に伝達するように、前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記第１のヒートシンクは、段階的な多孔質材料領域を有し、該多孔質材料領域の一部分は、該多孔質材料領域の残りの部分よりも高密度の細孔構造を有することを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項５】
回路板及び反射体をさらに備え、前記固体光源及び前記反射体は、該反射体が前記固体光源からの前記光の少なくとも一部を反射して、方向性のある光放出にするように前記回路板に取り付けられ、前記第１のヒートシンクは、前記固体光源からの熱が前記第１のヒートシンク内に伝達するように前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項６】
前記固体光源が、前記反射体を介してその中に熱を少なくとも部分的に伝達するように、前記反射体に取り付けられた第２のヒートシンクをさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載の光デバイス。
【請求項７】
前記多孔質材料領域は、周囲空気中への熱の放射を増大させるために、暗色被覆をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項８】
前記ヒートシンクの任意のより高密度の多孔質領域は、固体金属を備えていることを特徴とする請求項４に記載の光デバイス。
【請求項９】
前記ヒートシンクの任意のより高密度の多孔質領域は、多孔質材料の一部分内に注入されたサーマルペーストを備えていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項１０】
回路板に取り付けられた固体光源と、
該固体光源からの光の少なくとも一部を反射して、方向性のある光放出にするために、前記回路板に取り付けられた反射体と、
前記固体光源に電力を供給するための接点と、
各々が３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料製の多孔質材料領域を少なくとも部分的に備える第１及び第２のヒートシンクであった、前記第１のヒートシンクは前記反射体に付着され、前記第２のヒートシンクは前記回路板に付着されている第１及び第２のヒートシンクと
を備えていることを特徴とするランプ。
【請求項１１】
前記反射体は金属製であり、前記固体光源からの熱は、前記反射体を介して前記第１のヒートシンク内に伝達することを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項１２】
前記反射体は、反射被覆プラスチック製であり、前記反射体と前記第１のヒートシンクの間に、熱が前記固体光源から前記第１のヒートシンク内にそれを介して伝達する熱伝導性経路をさらに備えていることを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項１３】
前記固体光源からの熱は、前記第２のヒートシンク内に前記回路板を介して伝達することを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項１４】
前記固体光源からの熱を前記第２のヒートシンクに伝導する１つ又は複数の熱伝導性ビアを、前記回路板を貫通してさらに備えていることを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項１５】
前記第２のヒートシンクと前記回路板の間に熱伝導性層をさらに備え、前記伝導性層は、前記ビア及び前記第２のヒートシンクに熱接触して、前記ビアからの熱を前記ヒートシンク全体にわたって拡散することを特徴とする請求項１４に記載のランプ。
【請求項１６】
前記第１又は第２のヒートシンクの前記多孔質材料領域は、段階的であり、前記多孔質材料領域の一部分は、該多孔質材料領域の残りの部分よりも高密度の細孔構造を有することを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項１７】
前記多孔質材料領域は、周囲空気中への熱の放射を増大させるために、暗色被覆をさらに備えていることを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項１８】
前記ヒートシンクの非多孔質領域の少なくとも一部分は、固体金属を備えていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項１９】
前記ヒートシンクの非多孔質領域の少なくとも一部分は、多孔質材料中に注入されたサーマルペーストを備えていることを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項２０】
前記固体光源は、発光ダイオード、複数の発光ダイオード、固体レーザ、及び複数の固体レーザからなる群から１つを備えていることを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
【請求項２１】
電気信号に応答して動作するように構成され、動作中に前記電気信号に応答して昇温する半導体デバイスと、
該半導体デバイスからの熱がその中に伝達するように前記半導体デバイスに熱接触して配置された、少なくとも部分的に多孔質材料領域を備え、該多孔質材料領域は、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料を備え、前記３次元細孔構造の表面は、熱が周辺空気中に放散する表面積をもたらす第１のヒートシンクと
を備えていることを特徴とする高電力半導体構成要素構造。
【請求項２２】
前記半導体デバイスは、固体光源を備え、該固体光源からの光を反射して、方向性のある光放出にするように配置された反射体をさらに備え、前記固体光源からの熱は、前記反射体中に伝達され、前記第１のヒートシンクは、前記反射体に取り付けられていることを特徴とする請求項２１に記載の高電力半導体構成要素構造。
【請求項２３】
回路板をさらに備え、前記半導体デバイスは、前記回路板に取り付けられ、前記第１のヒートシンクは、前記半導体デバイスからの熱が前記第１のヒートシンク内に伝達するように前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項２１に記載の高電力半導体構成要素構造。
【請求項２４】
前記第１のヒートシンクは、段階的な多孔質材料領域を有し、該多孔質材料領域の一部分は、該多孔質材料領域の残りの部分よりも高密度の細孔構造を有することを特徴とする請求項２１に記載の高電力半導体構成要素構造。
【請求項２５】
回路板及び反射体をさらに備え、前記半導体デバイスは固体光源を備え、前記反射体及び前記固体光源は、前記反射体が前記固体光源からの前記光の少なくとも一部を反射して、方向性のある光放出にするように前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項２１に記載の高電力半導体構成要素構造。
【請求項２６】
前記第１のヒートシンクは、前記固体光源からの熱が前記第１のヒートシンク内に伝達するように、前記回路板に取り付けられていることを特徴とする請求項２５に記載の高電力半導体構成要素構造。
【請求項２７】
光源の熱が、前記反射体を介してその中に伝達するように、前記反射体に取り付けられた第２のヒートシンクをさらに備えていることを特徴とする請求項２１に記載の高電力半導体構成要素構造。
【請求項２８】
前記半導体デバイスは、固体電力デバイスを備え、多孔質材料領域を少なくとも部分的に備える第２のヒートシンクをさらに備え、前記多孔質材料領域は、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料を備え、前記３次元細孔構造の表面は、熱が周辺空気中に放散する表面積をもたらし、前記固体電力デバイスは、前記第１のヒートシンクと前記第２のヒートシンクの間に挟まれていることを特徴とする請求項２１に記載の高電力半導体構成要素構造。
【請求項２９】
回路板をさらに備え、前記固体電力デバイスは前記回路板に取り付けられ、前記回路板及び前記固体電力デバイスは、前記第１のヒートシンクと前記第２のヒートシンクの間に挟まれていることを特徴とする請求項２７に記載の高電力半導体構成要素構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス及びランプに関し、より詳細には、高電力の半導体発光体及び電力デバイスの熱管理用の改善されたヒートシンクを有する高電力半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、電気エネルギーを光エネルギーに変換し、また一般に、反対にドープされた２層間に挟まれた半導体材料からなる活性層を備える固体デバイスの重要な一種である。バイアスがドープされた層の両端間に印加されると、正孔及び電子が活性層内に注入され、それらがそこで再結合して、光子及びフォノンを発生する。光子は、放射再結合又は光をもたらし、それが一般に活性層から、またＬＥＤの表面から全方向に放出されるので有用である。
【０００３】
ＬＥＤは、白熱照明や蛍光照明など、長年の照射技術に置き換わる可能性がある。これらの成熟した技術に比べて、ＬＥＤはより長寿命であり、物理的により堅牢であり、より少ない電力を使用し、より効率的である。しかし、歴史的には、ＬＥＤは白熱灯、蛍光灯又は蒸気放電灯に匹敵する輝度を欠いており、したがって、それらの古い方の技術が、この分野を占め続けてきた。最近になってようやく、ＬＥＤが商用の照明応用分野に進出し始め、その大多数が、フラッシュライト、交差点の信号灯、及び自動車の尾灯などのより小型の応用分野に属する。
【０００４】
より効率的に光を発生させるにもかかわらず、従来型のＬＥＤは、その入力電力の約５０〜７０％を熱として放散し、その熱は、動作中のＬＥＤの有限の直列抵抗、及び量子効率が１００％未満の、ＬＥＤ内の非放射再結合のため発生する。ＬＥＤのウォールプラグ効率（ｗａｌｌ  ｐｌｕｇ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）により、ＬＥＤのエネルギー変換効率が決まる。これは、ＬＥＤによって放出される光出力電力と、その光を発生させるのに必要な電力の比率として計算される。例えば、比較的効率の良いＬＥＤは、１オームの直列抵抗、１アンペアの動作電流時に４．０ボルトの動作電圧、及び約３０％のウォールプラグ効率を有する。このＬＥＤの１アンペア時の入力電力は、４ワットである。このＬＥＤは、３０％のウォールプラグ効率において、１．２ワットの放射エネルギーを光として放出する。２．８ワットのエネルギーバランスが熱に変換される。この熱放散レベルが、ＬＥＤを比較的高い温度で動作させ得る。
【０００５】
ＬＥＤは、商用応用分野により頻繁に使用されるにつれて、より高い光束を発生させることが必要になる。そうした高光束デバイスは、数百から数千ルーメンに至る照射を発生させることが必要になる。デバイスの光束を増大させる１つの方式は、デバイスに印加される入力電力レベルを増大させることである。所望の光束を発生させるためには、入力電力が最大数ワットから数十ワットまで増大される可能性があり、そうすると、ＬＥＤ又はＬＥＤアレイが、より高い温度で動作することになる。より高い動作温度は、デバイスの量子効率を減少させる。さらに、デバイスの寿命も、材料の劣化が加速されるため、減少する恐れがある。
【０００６】
ＬＥＤの動作温度を減少させる１つの方法は、ＬＥＤをヒートシンクに熱接触して取り付けることである。高電力ＬＥＤの場合、アルミニウムなどのバルク金属から一般に製作される大型のヒートシンクを使用して、動作温度を許容可能レベルまで低減させることができる。ヒートシンクは、熱を伝導してＬＥＤから除去するための高熱伝導性経路として動作し、最終的にその熱を周囲へ放散させる。典型的なヒートシンクは、ヒートシンクの表面を増大させて、周囲空気とのより大きな対流性熱交換をもたらす、フィンなどの特徴を有する。そうしたより大型のヒートシンクは、許容し得ない空間量を消費することがあり、また極めて重く、高価で、製造が複雑にもなり得る。さらに、嵩張るヒートシンクは、ＬＥＤシステムの設計における柔軟性を低減させる。
【０００７】
【特許文献１】米国再発行特許第３４，８６１号明細書
【特許文献２】米国特許第４，９４６，５４７号明細書
【特許文献３】米国特許第５，２００，０２２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高熱伝導率材料製の多孔質構造を少なくとも部分的に備える１つ又は複数のヒートシンクを利用することによって、高電力ランプ及び電力デバイスに改善された熱管理を行なうための光デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による光デバイスの一実施形態は、固体光源と、この固体光源に熱接触して配置された第１のヒートシンクとを備えている。固体光源からの熱が、第１のヒートシンク内に伝達する。この第１のヒートシンクは、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料からなる多孔質材料領域を、少なくとも部分的に備えている。細孔構造内の細孔の表面が、典型的なバルクヒートシンクに比べて、熱が周囲空気中に放散する表面積の増大をもたらす。
【００１０】
本発明によるランプの一実施形態は、回路板に取り付けられた固体光源を備えている。この固体光源からの光の少なくとも一部を反射して、方向性のある光放出にするために、反射体も回路板に取り付けられる。電力を固体光源に供給するために、接点が含まれる。第１及び第２のヒートシンクが含まれ、そのそれぞれは、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料製の多孔質材料領域を少なくとも部分的に備えている。第１のヒートシンクは、反射体に付着され、第２のヒートシンクは、回路板に付着されている。
【００１１】
本発明による高電力半導体構成要素構造（ｈｉｇｈ  ｐｏｗｅｒ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の一実施形態は、電気信号に応答して動作するように構成された半導体デバイスを備え、この半導体デバイスは、動作中に電気信号に応答して昇温する。第１のヒートシンクが、半導体デバイスからの熱が第１のヒートシンク内に伝達するように、半導体デバイスに熱接触して配置される。第１のヒートシンクは、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料からなる多孔質材料領域を少なくとも部分的に備え、細孔構造の表面が、熱が周囲空気中に放散する表面積をもたらす。
【００１２】
本発明のこれら及び他の更なる特徴及び利点が、添付の図面と併せて以下の詳細な説明から、当業者には明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、高熱伝導率材料製の多孔質構造を少なくとも部分的に備える１つ又は複数のヒートシンクを利用することによって、高電力の固体発光体及び電力デバイスに改善された熱管理を提供するものである。
【００１４】
多孔質のアルミニウム又は銅などの金属、あるいは炭素又は多孔質セラミックなどの無機材料を含めて、多くの異なるタイプの多孔質材料を使用することができる。材料中の細孔は、周囲との効果的な対流性熱交換を促進するために相互に連結すべきであり、材料の厚さ及び細孔径（ｐｏｒｅ  ｓｉｚｅ）は、材料中に空気のポケットを閉じ込めずに、細孔が周囲への連続する空気の流路を提供した状態で、細孔構造を介して最適な伝導性熱伝達をもたらすべきである。多孔質材料は、特定の発光体又は電力デバイスに、熱がデバイスから多孔質材料（発泡体）内にその全体にわたって伝導するように熱接触して配置すべきである。多孔質材料は、３次元細孔構造の形をとる細孔表面がもたらす効力によって、より大きな表面積を、その取り囲む周囲に接触して有する。この表面積の増大は、従来の２及び３次元の固体ヒートシンク（ｓｏｌｉｄ  ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ）に比べて、熱が対流及び放射により周囲に放散するより多くの機会をもたらす。
【００１５】
多孔質材料は、その応用分野に応じて、熱交換能力及び対流特性を周囲の条件、すなわち、周囲と発光体又は電力デバイスの最大許容可能接合部温度との温度差に合わせるように、異なる細孔設計を有することができる。材料は、周囲が空気であるかそれとも液体であるか、また周囲が静止しているかそれともファンの力の下で流動する空気のように流動しているかに合わせるように設計することもできる。多孔質材料は、機械的支持をもたらすのに十分な密度を有することもでき、好ましい一実施形態では、多孔質材料をさまざまな形状に容易に切断又は形成することができる。本発明によるランプの一実施形態では、多孔質材料は、ランプの反射体要素の形状を呈しても、電力デバイスの場合には、回路板と組み合わせてもよい。
【００１６】
本発明に従って構成された多孔質材料の他の利点は、多孔質材料が、バルクヒートシンク（ｂｕｌｋ  ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ）よりも軽くなり得ること、及びより少ない空間を消費し得ることである。このことは、いくつかの応用分野において、重要な考慮事項となり得る。固体発光体は、従来型のランプに取って代わるとき、標準的な照明ソケットに適合するようにパッケージングされることが期待される。しかし、既存のソケットは、ソケット内、取り囲む周囲、又は取り囲む構造への熱放散を促進する重要な構造を設けていない。さまざまな実施形態では、形状設定済みの多孔質材料のヒートシンクを固体パッケージの中に、パッケージのサイズ又は重量を大幅に増大させずに、ランプ及び光学素子と同形及び一致した適合状態で含むことができる。こうすることにより、パッケージが、標準ソケットに適合することが可能ながら、適当な熱管理を有することが可能になる。
【００１７】
図１は、反射体の周りに適合するように形状設定された多孔質材料のヒートシンク領域を有する本発明によるランプの一実施形態の簡略断面図である。固体発光体（ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｅｒ）１４を保持するためのハウジング１２を備えている本発明による固体ランプ（ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｌａｍｐ）１０の一実施形態を示している。この固体発光体１４は、好ましくは、高電力ＬＥＤ又は高電力ＬＥＤアレイであるが、１つ又は複数の固体レーザ、有機発光ダイオード、又はランプなど、他の発光体を備えることもできる。ＬＥＤアレイを有する実施形態では、各ＬＥＤが、光を同じ又は異なる波長で放出することができ、異なる波長を放出する場合、ＬＥＤからの光を組み合わせて、光の異なる波長を発生させることができる。例えば、組み合わさって白色光を発生させる赤色、緑色、及び青色光を放出するＬＥＤアレイを使用することができる。
【００１８】
ＬＥＤ及び固体レーザは、一般に、ｐ型又はｎ型の反対にドープされた２層間に挟まれた活性領域を含んでいる。ｐ型層及びｎ型層は、それぞれに対応する接点を有し、電気信号をそれらの接点の両端間に印加して、電流が活性領域内に注入されることによって、光放出を発生させることができる。固体レーザは、一般に、コヒーレント光が放出されるように、誘導放出をもたらし、その結果、発生された光を増幅させるための、ミラー及び共振空洞を含んでいる。
【００１９】
ＬＥＤ及び他の固体発光体の製作の詳細は既知であり、ここでは簡単にしか論じない。固体発光体１４は、ＩＩＩ族窒化物ベース材料系などのさまざまな材料系から製作することができる。ＩＩＩ族窒化物とは、窒素と周期表のＩＩＩ族の元素、一般にアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）との間で形成された半導体化合物を示している。この用語は、ＡｌＧａＮやＡｌＩｎＧａＮなどの三元化合物及び三元性化合物（ｔｅｒｎａｒｙ  ａｎｄ  ｔｅｒｔｉａｒｙ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）も示している。
【００２０】
固体発光体１４は、一般に基板上に形成され、適切な基板は、導電性炭化ケイ素である。炭化ケイ素の方が、サファイアよりもＩＩＩ族窒化物にずっと近い結晶格子整合を有し、より高品質のＩＩＩ族窒化物被膜をもたらす。炭化ケイ素は、非常に高い熱伝導率も有し、したがって、炭化ケイ素上にあるＩＩＩ族窒化物デバイスの合計出力電力は、基板の熱放散による制限を受けない（サファイア上に形成された一部のデバイスの場合も、この制限を受けないことがある）。また、炭化ケイ素基板が利用できることから、デバイスを分離し、寄生容量を低減させる能力ももたらされ、そのことが商用デバイスを可能にしている。ＳｉＣ基板は、ノースカロライナ州ダラムのＣｒｅｅ社から入手可能であり、その製造方法は、科学文献ならびに特許文献に記載されている（例えば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３参照。）。
【００２１】
固体発光体１４は、既知の多くの方法を使用して製作することができ、適切な方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）、又は有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）による製作である。
【００２２】
図１を再度参照すると、電気コネクタ１６が、ハウジング１２を通って延び、固体発光体１４と電気接触する。電気コネクタ１６は、固体発光体１４用の適当な電力を発生させる制御回路（図示せず）に電気的に結合することができる。電力は、制御回路から固体発光体１４に電気コネクタ１６を介して伝導され、固体発光体１４は、電気コネクタ１６を介して供給された電力に応答して光を発生させる。
【００２３】
ランプ１０は、このランプ１０がより方向性のある光放出をもたらすように、固体発光体１４からの光を反射するための反射体１８も備えている。この反射体１８は、ハウジング１２に、固体発光体１４を保持する表面付近で取り付けられるが、他の実施形態では、反射体１８を、他の方式で、また他の位置に取り付けることができる。反射体１８は、一般に、反射体１８に向かって放出された光が反射されるようにＬＥＤ放出波長において反射し、したがって、反射体１８は、ランプ１０の光放出に寄与する。反射体１８は、多くの異なる材料で製作することができ、適切な材料は、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）である。
【００２４】
ランプ１０は、保護を目的として、反射体１８内に、また、固体発光体１４を覆う、カプセル化材料（図示せず）を備えることもできる。カプセル化材料は、放出された光の全部又は一部が、それを通過して光の異なる波長に逓降されるような変換材料を含むこともできる。次いで、ランプ１０は、光の逓降後の波長、又は固体発光体の光の波長と逓降後の光の波長とを組み合わせたものを放出することができる。あるいは、カプセル化材料を変換材料で覆って、固体発光体の光の全部又は一部を逓降させることもできる。
【００２５】
ランプ１０は、固体発光体１４によって放出された光を合焦又はより均一に分配するために、レンズ（図示せず）をさらに備えることができる。レンズは、一般に、対象波長に透明な材料を含んでいる。上述したレンズ又はカプセル化材料は、固体発光体１４からの光を散乱させて、光をより均一に分配するようなサイズの粒子を有する散乱材料を含むこともできる。
【００２６】
ランプ１０は、高電力発光体（ｈｉｇｈ  ｐｏｗｅｒ  ｅｍｉｔｔｅｒ）１４で動作することができ、この高電力発光体１４は、一般に、上述したようにより高温で動作する。上述したように、温度のこうした増加は、高電力発光体の量子効率を減少させる恐れがあり、また、その寿命を低減させる恐れがある。こうしたタイプの高電力発光体の場合、動作温度をできるだけ低く維持するために、熱を効率的に奪い去って、その熱を放散させることが重要である。これを達成するために、ランプ１０内にヒートシンク１９が含まれ、図１では、ヒートシンク１９は、反射体１８の外面上に設けられている。本発明によれば、ヒートシンク１９は、上述した材料で製作された高熱伝導率の多孔質材料を少なくとも部分的に備えるが、図示のヒートシンク１９は、全てが多孔質の材料を備えている。多孔質材料は、高電力発光体１４により効率の良いヒートシンク能力をもたらし、その結果、高電力発光体１４は、ヒートシンクを用いない、又は中実のヒートシンクを用いた動作に比べて、より低い温度で動作することができる。このようにして、所与の電力レベルでの高電力発光体１４の温度が低減される。というのも、熱がより効率的に伝達されて高電力発光体１４からより効率的に除去されるためである。
【００２７】
ヒートシンク１９は、反射体１８の周りに適合するように形状設定され、反射体１８の外面に、好ましくは炭素ベースの接着材又は導電性テープなどの導電性接着材によって接合される。反射体１８は、固体発光体１４からの熱が反射体１８を介してヒートシンク１９に拡散し、そこで周囲中に放散されるように、熱を効率的に伝達する金属で製作される。
【００２８】
図２は、反射体の周りに適合するように形状設定された多孔質材料のヒートシンク領域を有する本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図である。図１のランプ１０と同じ特徴を多く有し、同じ又は類似の特徴には同じ参照番号が使用される、本発明によるランプ２０の他の実施形態を示している。ランプ２０は、ハウジング１２と、固体発光体１４と、コネクタ１６と、多孔質材料のヒートシンク１９とを含んでいる。ただし、反射体２６は、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）などの反射金属で被覆したプラスチックで製作することができる。典型的なプラスチックは、熱の伝導において効率的ではなく、固体発光体１４からの熱の拡散を助けるためには、熱伝導性経路２８を固体発光体１４（又はハウジング１２）及びヒートシンク１９から含むべきである。一実施形態では、伝導性経路２８は、反射体２６の外面上に、ヒートシンク１９と反射体２６との間に配置された熱伝導性層を備えている。固体発光体１４からの熱が、この層全体を通してヒートシンク１９内に拡散し、そこでは熱が周囲空気中に放散することができる。
【００２９】
ランプ１０及び２０の一実施形態では、ヒートシンク１９内の多孔質材料が、金属又はプラスチックの反射体１８、２６と共に使用することができる、ＥＲＧ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ａｅｒｏｓｐａｃｅ社製品から商業的に入手可能なＤｏｕｃｅｌ（登録商標）  Ｆｏａｍを備える。Ｄｏｕｃｅｌ（登録商標）  Ｆｏａｍは、さまざまな細孔密度のアルミニウム、網目ガラス状炭素、及び炭化ケイ素などの、さまざまな材料において入手可能である。ヒートシンク１９は、好ましくは、アルミニウム製のＤｏｕｃｅｌ（登録商標）  Ｆｏａｍを備えている。
【００３０】
多孔質材料の寸法及びその多孔率は、最適な熱伝達をもたらすものを選択することができる。多孔率（１インチ（ｌｉｎｅａｒ  ｉｎｃｈ）（２．５４ｃｍ）あたりの細孔）とは、材料中の細孔体積の、材料全体の体積に対する比率である。材料の熱伝導率とは、単位時間あたりに単位面積を通過する熱量の、単位温度勾配によって変わる尺度である。したがって、熱伝導率（ｋ）は、熱流量に比例し、面積及び温度勾配に反比例する。多孔質材料は、より良い放射性熱伝達をもたらすために、陽極酸化しても、その他の方法で暗化しても、暗色材料で被覆してもよい。
【００３１】
図３乃至図６は、本発明によるヒートシンクとして使用することができるＤｕｏｃｅｌ（登録商標）  Ｆｏａｍの２つの実施形態を示すが、他の多くの多孔質材料を使用することもできる。
【００３２】
図３は、本発明によるヒートシンクで使用することができる多孔質材料の一実施形態の写真を示す図で、１０ｃｍの長さであり、約９２％の多孔率及び約６ｍｍの細孔径を有する連続気泡発泡体（ｔ＝６１０６）合金（ｋ≒２００Ｗｍ−１Ｋ−１）を備えるアルミニウム多孔質材料２２の一実施形態を示している。
【００３３】
図４は、図３の多孔質材料をクローズアップした写真を示す図で、図３の多孔質材料２２をクローズアップした図を示している。
【００３４】
図５は、本発明によるヒートシンクで使用することができる多孔質材料の他の実施形態の写真を示す図で、図３及び図４の材料２２に比べて４分の１に圧縮され、結果としてより高密度な、６ｃｍの長さの本発明による多孔質材料２４の他の実施形態を示している。
【００３５】
図６は、図５に示す多孔質材料をクローズアップした写真を示す図で、図５に示す材料２４をクローズアップした図であり、圧縮の結果、個々の細孔の形状が、図３及び４の材料２２に比べて変わった様子を示している。
【００３６】
上述したように、多孔質材料を、さまざまなデバイスに適合するように形状設定することができ、さまざまな方式で構成することができる。
【００３７】
図７は、多孔質材料のヒートシンクがその回路板上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、平坦な多孔質材料領域をそのヒートシンクとして利用する本発明による光デバイス３０の一実施形態の断面図である。光デバイス３０は、一般に、好ましくは１つ又は複数のＬＥＤであるが、上述した他の光デバイスでもよい発光体３２を備えている。この発光体３２は、ピン取付け法又は表面取付け法を含むがそれらに限定されない既知の取付け法を使用して、プリント回路板（ＰＣＢ）３３上に取り付けられる。あるいは、発光体３２は、リードフレーム構造（図示せず）上に取り付けることもできる。ＰＣＢ３３は、光放出用の電力をもたらすための、または、発光体３２を静電ショックなどの大きな電気信号から保護するための電気回路などの、発光体３２に結合された電気回路（図示せず）を保持することもできる。ＰＣＢ３３は、電気信号を直接、発光体３２に、又はＰＣＢ上の電気回路に印加するための、第１及び第２の電気接点３４、３５を備えることもできる。
【００３８】
ヒートシンク３６が、ＰＣＢ３３に隣接して、好ましくは、ＰＣＢ３３の発光体３２とは反対側の表面上に、ＰＣＢ３３に熱接触して配置されている。ランプ２０のヒートシンク１９と同様に、ヒートシンク３６は、ヒートシンク１９に関して上述したものと同じ材料製の多孔質材料を少なくとも部分的に備えている。Ｄｏｕｃｅｌ（登録商標）は、ＰＣＢ３３のサイズに好都合に切断してＰＣＢ３３に取り付け、発光体３２からの熱がヒートシンク３６内に拡散することができるように、シートの形で提供することができる。ヒートシンク３６は、好ましくは、ＰＣＢ３３に、炭素エポキシ又はサーマルテープなどの熱伝導性接着材を使用して接合される。あるいは、ヒートシンク３６は、ＰＣＢ３３に、既知の方法を使用してろう付けすることもできる。
【００３９】
ＰＣＢ３３は、発光体３２から多孔質ヒートシンク３６への十分な熱伝導を可能にするように、セラミック（酸化アルミニウム、窒化アルミニウム）、金属（アルミニウム、銅）、有機箔（ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｏｉｌ）、又は他の材料などのさまざまな材料で製作することができる。あるいは、熱が発光体３２からヒートシンク３６に伝導する効率的な経路を設けるために、熱伝導性ビア（図示せず）を、ＰＣＢを貫通して含むこともできる。次いで、ヒートシンク３６全体を通して熱を拡散するために、熱拡散層をビアとヒートシンクの間に含むことができる。光デバイス３０は、発光体３２を保護するためのエポキシを含むことも、発光体３２を覆って配置されるレンズを含むこともできる。レンズ及びエポキシは、図１に関して上述した変換材料及び散乱粒子を含むことができる。
【００４０】
図８は、多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、熱管理用に２つ以上のヒートシンクを利用する本発明によるランプ４０の他の実施形態の断面図である。上述した実施形態と同様に、ランプ４０は、ＰＣＢ４４上に上述した従来の取付け法によって取り付けられた発光体４２を備えている。ランプ４０は、ＰＣＢ４４上に取り付けられた反射体４６も備え、反射体４６はその基部に開口４８を有し、発光体４２が開口４８内に配置されている。上記と同様に、反射体４６は、発光体４２の光を反射して、より方向付けられた光をもたらすように構成される。反射体４６は、金属又はプラスチックを含むがそれに限定されない、多くのさまざまな材料で製作することができる。反射体４６がプラスチックである実施形態では、発光体４２からの熱を拡散するために、熱拡散層を反射体４６の外面と第１のヒートシンク５０の間に含むことができる。発光体４２は、この発光体４２に電力信号を印加するための第１及び第２の接点５４、５６も備えている。
【００４１】
上述した多孔質材料で少なくとも部分的に製作された第１のヒートシンク５０は、反射体４６の外面上に含まれ、反射体４６に熱接触する。第１のヒートシンク５０は、上述した材料及び技法を使用して反射体に取り付けることができ、上述し、図１及び図２に示したヒートシンク１９に類似するほぼ均一な厚さを全体にわたって有することができる。あるいは、第１のヒートシンク５０の外面は、図８に示すように、ほぼ垂直であり、第１のヒートシンク５０の厚さがＰＣＢ４４に向かって増大してもよい。ＰＣＢ４４からの熱の放散を助けるために、第１のヒートシンク５０の底面が、ＰＣＢ４４の上面に熱接触することができる。第１のヒートシンク５０の体積は、図１及び図２に示すヒートシンク１９の体積よりも大きく、したがって、熱が周囲中に放散する、より広い細孔表面積を設けることによって、より多くの熱を放散することができる。第１のヒートシンク５０の正確なサイズ及び形状は、第１のヒートシンク５０が、光ディスプレイ又は照射源などの支持構造に嵌ることができるように選択することができる。
【００４２】
ランプ４０は、第２のヒートシンク５２をさらに備え、この第２のヒートシンク５２は、ＰＣＢ４４の発光体４２及び反射体４６とは反対側の表面に、上述した方法を使用して取り付けられ、図７のヒートシンク３６と同様に構成される。ＰＣＢ４４の一部分が、第１のヒートシンク５０と第２のヒートシンク５２の間に挟まれる。熱伝導性ビアを、ＰＣＢ４４を貫通して含むこともでき、熱伝導性層を、第２のヒートシンク５２とＰＣＢの間に、ビアに熱接触して含むことができる。他の実施形態では、より多くの表面積をもたらし、その結果より効率的な熱放散をもたらすために、多孔質材料のヒートシンクが、発光体４２から外に垂直にも水平にも広がってよい。２つのヒートシンク５０、５２を含むことにより、発光体との熱接触が向上し、熱を周囲空気により効率的に伝達することができる。
【００４３】
上述したように、本発明によるヒートシンク５０、５２は、多孔質材料を少なくとも部分的に備え、上述した実施形態では、これらのヒートシンク５０、５２は、全体にわたって同じ細孔密度を有する多孔質材料で製作された。他の実施形態では、これらのヒートシンク５０、５２は、異なる多孔質材料密度の層を備えることができ、又は固体ヒートシンク材料（ｓｏｌｉｄ  ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ  ｍａｔｅｒｉａｌ）の層／部分と共に使用することができる。
【００４４】
図９は、多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、図８の発光体４０に類似し、類似の特徴には同じ参照番号が使用される本発明による光デバイス／ランプ６０の他の実施形態の断面図である。ランプ６０の主要な相違は、ヒートシンクが、段階的な細孔構造を有する複合多孔質のヒートシンクを備えることである。ランプ６０は、ＰＣＢ４４上に取り付けられた発光体４２と、この発光体４２からの光を反射するためにＰＣＢ４４上に取り付けられた反射体４６と、接点５４、５６とを含んでいる。第１のヒートシンク６８が、反射体４６の外面上に含まれ、第２のヒートシンク７０が、ＰＣＢ４４の発光体４２及び反射体４６とは反対側の表面上に含まれる。しかし、これらのヒートシンク６８、７０を、多くの異なる方式で構成することができること、及び追加のヒートシンクを、本発明に従って含むことができる。
【００４５】
第１及び第２のヒートシンク６８、７０は、それぞれに対応する内側層／部分６８ａ、７０ａを有し、それらは、ヒートシンクの残りの部分に比べてより高密度の、多孔性がより少ない材料で製作される。より高密度の、多孔性がより少ない材料からなる内側層を有することによって、熱を、場合によっては高密度の方の多孔質材料を介し、より効果的に伝導して反射体４６又はＰＣＢ４４から除去し、次いで、低密度の方の多孔質材料中に伝導することができ、そこで周囲空気中に放散することができる。これらのヒートシンクは、多孔質材料からなる２つの異なる密度の層／部分を伴って示されているが、代替ヒートシンクは、３層以上の異なる密度層を有することができる。複数の密度層は、１つの複合的に形成されたヒートシンクで製作しても、互いに接合された異なる密度の複数層で製作してもよく、他の実施形態では、内側層が中実のヒートシンク材料又は多孔性がより少ない材料を備えることができる。第１のヒートシンク６８は、多孔質材料からなる多孔性がより少ない層６８ｂを、ＰＣＢ４４に隣接するその表面に有することもできる。
【００４６】
図１０は、多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、図８のランプ４０に類似した本発明によるランプ８０の他の実施形態を示している。ランプ８０は、発光体４２と、ＰＣＢ４４上に取り付けられた反射体４６と、信号を発光体４２に印加するための接点５４、５６とを備えている。ただし、ランプ８０は、異なる第１のヒートシンク８２及び第２のヒートシンク８４を備えている。ヒートシンク８２、８４の内側面に、より高密度の材料の層を有する代わりに、熱伝導性ペースト８６が、ヒートシンク８２、８４の一方又は両方の表面内に注入され、ヒートシンクの細孔をペーストで部分的に埋める。これにより、熱伝導性ペースト８６を伴ったヒートシンク８２、８４の一部分が、ヒートスプレッダの特性を呈するとともに、ヒートシンク８２、８４の残りの部分が、３次元多孔質材料の特性を保持する。熱伝導性ペースト８６を、図１０に示す以外に、本発明に従って多孔質材料ヒートシンク内に多くの異なる位置で注入することができる。所望の伝導性及び熱拡散を得るために、熱伝導性ペースト８６を、窒化アルミニウム、酸化亜鉛炭素（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ  ｃａｒｂｏｎ）、又は他の熱伝導性材料で満たすことができる。さらに、熱伝導性ペースト８６は、ＬＥＤの利用要件に合った稠度を有することができる。例えば、熱伝導性ペースト８６は、接着特性を有しても、機械的安定性をもたらすために硬化してもよい。
【００４７】
多孔質のヒートシンクを、固体熱伝導性のヒートシンク（ｓｏｌｉｄ  ｈｅａｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ）と共に使用することもできる。
【００４８】
図１１は、多孔質及び固体金属のヒートシンク（ｓｏｌｉｄ  ｍｅｔａｌ  ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ）を有する本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図で、図７に示し、また上述したランプ３０に類似したランプ１００の他の実施形態を示している。ランプ１００は、ＰＣＢ１０４に取り付けられた発光体１０２と、発光体１０２に電力信号を印加するための接点１０６、１０８とを備えている。ランプは、金属など、固体熱伝導性材料（ｓｏｌｉｄ  ｈｅａｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）からなる第１の部分１１２と、多孔質熱伝導性材料からなる第２の部分１１４とを備える複合ヒートシンク１１０も備えている。この構成は、熱を発光体１０２及びＰＣＢ１０４から、次いで、熱を第２の部分１１４内に拡散して周囲空気中に放散する第１の部分１１２を介して、効率的に奪い去ることができる。このタイプの複合ヒートシンク１１０は、ランプ反射体に取り付けられるなど、さまざまなデバイス及びさまざまな位置に、熱管理する目的で使用することができる。
【００４９】
図１２は、多孔質及び固体金属のヒートシンクを有する本発明によるランプの他の実施形態の断面図で、図１１のランプ１００に類似し、発光体１０２と、ＰＣＢ１０４と、接点１０６、１０８とを備えるランプ１２０を示している。ヒートシンク１２２は、水平の配向を有するのではなく、固体熱伝導性材料からなる第１の部分１２４が、発光体１０２の下方に含まれ、第２及び第３の多孔質材料部分１２６、１２８が、ＰＣＢ１０４の残りの部分の下方に含まれた、垂直の配向を有する。この構成は、熱が主に狭い領域から発生する応用分野に有用となり得る。その領域からの熱を、第１の部分１２４内に伝導して、第２及び第３の部分１２６、１２８内に放散することができる。この構成は、他の方式で使用することができ、ＰＣＢ１０４を越えて広がることができる、固体（ｓｏｌｉｄ）又は多孔質の材料からなる追加の部分を含むことができる。
【００５０】
上述したように、本発明によるヒートシンクは、トランジスタ、ダイオードなどを含むがそれらに限定されない電力デバイスと共に使用することもできる。
【００５１】
図１３は、多孔質材料のヒートシンクを有する本発明による電力デバイスの一実施形態の断面図で、多孔質のヒートシンクを利用する電力構成要素１３０の一実施形態を示している。構成要素１３０は、ＰＣＢ１３４上に取り付けられた電力デバイス１３２と、電力デバイス１３２に印加される信号を印加し、読み取るための接点１３６、１３７とを備えている。第１のヒートシンク１３５が、ＰＣＢの電力デバイス１３２とは反対側の表面上に含まれ、光の放出は考慮すべき事項ではないため、第２のヒートシンク１３８を、電力デバイス１３２上に含むことができる。上述のヒートシンクと全く同様に、ヒートシンク１３５、１３８は、電力デバイス１３２から熱を奪い去って、それを周囲空気中に放散するように構成される。やはり上述したヒートシンクのさまざまな実施形態を、電力デバイスと共に使用することもできる。
【００５２】
以上、本発明を、本発明のいくつかの好ましい構成に即して、かなり詳細に説明してきたが、他のバージョンが可能である。いくつかの実施形態では、多孔質材料を、フィンなど、他の特徴を含むように形状設定することができる。ランプ本体の周りに被覆された微小なフィン又はニードル、あるいはナノメートルサイズ又は構造のニードル又は被覆など、多孔質材料と同じ利点をもたらす他の構造を使用することもできる。上述した材料及び構造は、多くの異なる形状をとることができる。本明細書において記載した本発明の実施形態は例示的であり、多数の修正、変更、及び再構成を容易に想定して、実質的に等価な結果を達成することができ、その全ては、添付の特許請求の範囲において定義される本発明の精神及び技術的範囲内に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】反射体の周りに適合するように形状設定された多孔質材料のヒートシンク領域を有する本発明によるランプの一実施形態の簡略断面図である。
【図２】反射体の周りに適合するように形状設定された多孔質材料のヒートシンク領域を有する本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図である。
【図３】本発明によるヒートシンクで使用することができる多孔質材料の一実施形態の写真を示す図である。
【図４】図３の多孔質材料をクローズアップした写真を示す図である。
【図５】本発明によるヒートシンクで使用することができる多孔質材料の他の実施形態の写真を示す図である。
【図６】図５に示す多孔質材料をクローズアップした写真を示す図である。
【図７】多孔質材料のヒートシンクがその回路板上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図である。
【図８】多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図である。
【図９】多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図である。
【図１０】多孔質材料のヒートシンクが回路板及び反射体上にある本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図である。
【図１１】多孔質及び固体金属のヒートシンクを有する本発明によるランプの他の実施形態の簡略断面図である。
【図１２】多孔質及び固体金属のヒートシンクを有する本発明によるランプの他の実施形態の断面図である。
【図１３】多孔質材料のヒートシンクを有する本発明による電力デバイスの一実施形態の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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