(57)【要約】  発光装置（８）が、プリント回路基板（１２）上に配置され、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する１つ又はそれ以上の発光チップ（１０）を含む。プリント回路基板は、（ｉ）電気絶縁板（１４）と、（ｉｉ）電導性プリント回路（２０）と、（ｉｉｉ）１つ又はそれ以上の発光チップがプリント回路と電気的に接触するビアを有する電気絶縁はんだマスク（２２）とを含む。はんだマスク（２２）は、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有する。
2008507135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する１つ又はそれ以上の発光チップと、
前記１つ又はそれ以上の発光チップが配置されたプリント回路基板と、
を備え、前記プリント回路基板は、（ｉ）電気絶縁板と、（ｉｉ）導電性プリント回路と、（ｉｉｉ）前記１つ又はそれ以上の発光チップが前記プリント回路と電気的に接触するビアを有する電気絶縁はんだマスクとを含み、前記はんだマスクは、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記１つ又はそれ以上の発光チップ及び前記プリント回路基板が内部に配置されたハウジングをさらに備え、前記ハウジングは、該１つ又はそれ以上の発光チップによって照射されるように配置され、前記照射に応答して主に４７０ナノメートルより上の波長域にある光を放出する蛍光体を含み、
前記蛍光体及び該プリント回路基板は、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある、該１つ又はそれ以上の発光チップによって放出される前記光の少なくとも一部が、該蛍光体から該プリント回路基板の前記はんだマスクに反射するように相対配置されたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記はんだマスクは、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で約８５％より大きい反射率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記はんだマスクは、少なくとも約４００ナノメートルから約７４０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記はんだマスクは、少なくとも約４００ナノメートルから約７４０ナノメートルまでの間で約８５％より大きい反射率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記はんだマスクは、
電気絶縁結合材と、
前記結合材内に分散され、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で約８５％より大きい反射率を有する充填材と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記電気絶縁結合材は、光安定化された材料であることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記結合材は、光安定化されたエポキシ及び光安定化されたポリイミドの１つであることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項９】
前記充填材は、酸化チタン及び酸化アルミニウムの１つであることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記充填材は、ＴｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3の１つであることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記電気絶縁はんだマスクは、多層の鏡面リフレクタ・シートを備えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記多層の鏡面リフレクタ・シートは、異なる屈折率、異なる複屈折特性、又は他の異なる光学特性を有する、交互する誘電体材料層で形成された反射性誘電体層のスタックを備えることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記電気絶縁板は、
金属層と、
前記金属層の少なくとも一方の側に配置された電気絶縁層と、
を備え、
前記プリント回路は前記電気絶縁層上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記電気絶縁板及び前記プリント回路基板の前記導電性プリント回路は、複数の電気絶縁層及び複数のプリント回路の層を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１５】
発光装置を製造する方法であって、
導電性プリント回路が上に配置された電気絶縁板を準備するステップと、
前記プリント回路にアクセスするビアを有し、少なくとも約４００ナノメートルから約７４０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有する電気絶縁はんだマスクを、前記電気絶縁板上に配置するステップと、
前記はんだマスク内の前記ビアを介して前記プリント回路と電気的に接触し、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する１つ又はそれ以上の発光チップを、前記絶縁はんだマスク上に配置するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記電気絶縁板を準備するステップは、
金属コアを準備するステップと、
前記金属コア上に絶縁層を配置するステップと、
前記絶縁層上に導電性層を配置するステップと、
前記導電性層をパターン形成し、前記導電性プリント回路を定めるステップと、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記電気絶縁板を準備するステップは、
感光性エポキシの成分を反射性充填材と組み合わせて、少なくとも約４００ナノメートルから約７４０ナノメートルまでの間で約８５％より大きい反射率を有するエポキシ原料物質を生成するステップと、
電気絶縁層上に前記エポキシ原料物質を配置し、エポキシはんだマスク層を定めるステップと、
前記エポキシはんだマスク層内に、前記プリント回路にアクセスする前記ビアを光リソグラフィにより形成するステップと、
含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記電気絶縁層上に前記エポキシ原料物質を配置するステップは、
スプレー・コーティング法及びカーテン・コーティング法の１つによって前記エポキシ原料物質を配置するステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記電気絶縁はんだマスクを配置するステップは、
結合材と、少なくとも約４００ナノメートルから約７４０ナノメートルまでの間で約８５％より大きい反射率を有する反射性充填材とを含む感光性はんだマスク層を、前記電気絶縁板上に形成するステップと、
前記感光性はんだマスク層内に、前記プリント回路にアクセスする前記ビアを光リソグラフィにより形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記電気絶縁はんだマスクを配置するステップは、
前記プリント回路にアクセスする前記ビアを、電気絶縁多層鏡面リフレクタ・シート内に切り込み、前記はんだマスクを定めるステップと、
前記はんだマスクを前記電気絶縁板に接着するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する１つ又はそれ以上の発光チップと、
前記１つ又はそれ以上の発光チップが配置され、（ｉ）電気絶縁板、（ｉｉ）導電性プリント回路、及び（ｉｉｉ）前記１つ又はそれ以上の発光チップが前記プリント回路と電気的に接触するビアを有し、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有する電気絶縁はんだマスクを含むプリント回路基板と、
前記１つ又はそれ以上の発光チップによって照射されるように配置され、前記照射に応答して主に４７０ナノメートルより上の波長域にある光を放出する蛍光体と、
を備え、
前記蛍光体及び前記プリント回路基板は、前記１つ又はそれ以上の発光チップによって放出される、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある前記光の少なくとも一部が、該蛍光体から該プリント回路基板の前記はんだマスクに反射するように相対配置されることを特徴とする発光装置。
【請求項２２】
前記はんだマスクは、少なくとも約４００ナノメートルから、前記蛍光体が放出する光の波長域に実質的に及ぶ最大値の波長までの間で約８５％より大きい反射率を有することを特徴とする請求項２１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明技術に関する。本発明は、特に、高輝度発光ダイオードのパッケージ、部品、装置等に関し、特にこれらに関連して説明される。しかしながら、本発明はまた、垂直空洞型面発光レーザのような他のソリッド・ステート発光体と関連した用途も見出す。
【背景技術】
【０００２】
高輝度発光パッケージは、一般に、複数の発光ダイオード・チップ、面発光レーザ・チップ、有機発光チップ等を使用する。チップを機械的に支持し、チップを電気的に相互接続するために、幾つかの発光パッケージにおいて、プリント回路基板上に発光チップが配置される。プリント回路基板はまた、入力調整、光出力制御、静電放電の保護、又は他の機能を提供するために、個々の電子部品、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能マイクロプロセッサ等を支持し、これらを電気的に組み込むこともできる。
【０００３】
不利なことに、プリント回路基板は、プリント回路基板に当たる光を部分的に吸収することによって、光学的損失をもたらすことがある。プリント回路基板は、一般に、発光チップ又は他の電子部品がプリント回路のボンディング・パッドと電気的に接触する、リソグラフィによって定められた開口部を有する、一番上のエポキシはんだマスク層を含む。電子用途のための従来のプリント回路基板において、はんだマスク層は、その光学特性に対して最適化されておらず、よって、反射率があまり高くない。
【０００４】
高輝度発光パッケージには、市販の白色はんだマスクを有するプリント回路基板が用いられることが多い。これらの白色はんだマスクは、白色タルク、又は可視光を反射する別の白色材料を含む。白色はんだマスクは、従来の青色又は緑色はんだマスクと比較して、可視光の反射率の実質的な改善を提供する。
【０００５】
しかしながら、幾つかの高輝度発光パッケージについて、白色はんだマスクは、幾つかの不利な点を有する。第１に、白色はんだマスクは、反射率が高いように見えるが、本発明者らは、こうした基板の反射率を測定し、その反射率が、可視スペクトル領域において、約８０％又はそれより低いものにすぎないことを見出した。発光パッケージによって生成される可視光の５０％がプリント回路基板に当たる場合、プリント回路基板における吸収のために、この反射率は、おおよそ１０％又はそれより大きい光学的損失に相当する。
【０００６】
さらに、白色はんだマスクの反射率は、青色、紫色及び紫外線のスペクトル領域において減少する。本発明者らは、約４１０ｎｍより低い波長の場合、白色はんだマスクの反射率は、６０％より下に減少することを見出した。特定の発光パッケージにおいて、青色光、紫色光、又は紫外線光の放射を放出するワイド・バンドギャップの発光チップは、光の放射を、白色又は別の選択された可視光に変換する蛍光体と結合される。こうしたパッケージにおいては、一般に、相当量の青色光、紫色光、又は紫外線光が、蛍光体からプリント回路基板の方向に反射する。青色波長光、紫色波長光、又は紫外線波長光のための比較的低い反射率の白色はんだマスクは、これらのパッケージの光出力効率を低下させる。
【０００７】
青色、紫色、又は紫外線において高い反射率を達成する手法は、金属リフレクタを使用するものである。しかしながら、はんだマスクは、プリント回路及び電子部品のリード線と接触状態にあるか、又はこれらのすぐ近くにあるため、通常は導電性である金属リフレクタをはんだマスクに組み込むことには、問題がある。
本発明は、上述の制限及び他のものを克服する、改善された装置及び方法を考える。
【発明の開示】
【０００８】
一態様によると、発光装置が開示される。１つ又はそれ以上の発光チップが、プリント回路基板上に配置され、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する。プリント回路基板は、（ｉ）電気絶縁板と、（ｉｉ）電導性プリント回路と、（ｉｉｉ）１つ又はそれ以上の発光チップがプリント回路と電気的に接触するビアを有する電気絶縁はんだマスクとを含む。はんだマスクは、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有する。
【０００９】
別の態様によると、発光装置を製造する方法が提供される。導電性プリント回路が上に配置された電気絶縁板が提供される。電気絶縁はんだマスクが、電気絶縁板上に配置される。はんだマスクは、プリント回路にアクセスするビアを有し、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有する。１つ又はそれ以上の発光チップが、絶縁はんだマスク上に配置される。１つ又はそれ以上の発光チップは、はんだマスク内のビアを介してプリント回路と電気的に接触し、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する。
【００１０】
さらに別の態様によると、発光装置が開示される。１つ又はそれ以上の発光チップが、プリント回路基板上に配置され、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する。プリント回路基板は、（ｉ）電気絶縁板と、（ｉｉ）電導性プリント回路と、（ｉｉｉ）１つ又はそれ以上の発光チップがプリント回路と電気的に接触するビアを有する電気絶縁はんだマスクとを含む。少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有する。蛍光体は、１つ又はそれ以上の発光チップによって照射されるように配置され、照射に応答して主に４７０ナノメートルより上の波長域にある光を放出する。１つ又はそれ以上の発光チップによって放出される、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光の少なくとも一部が、蛍光体からプリント回路基板のはんだマスクに反射するように、蛍光体及びプリント回路基板が相対配置される。
当業者には、本明細書を読んで理解することによって、本発明の多くの利点及び利益が明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、種々の部品及び部品の配置、並びに、種々の加工工程及び加工工程の配置の形を取ることができる。図面は、好ましい実施形態を示すためのものにすぎず、本発明を制限するものとして解釈すべきではない。図面において、層の厚さ、コーティングの厚さ及び他の寸法は、縮尺に合わせて描かれてはいない。
【００１２】
図１〜図３を参照すると、発光パッケージ８が、プリント回路基板１２上に配置された複数の発光チップ１０を含む。示されるプリント回路基板１２は、示される実施形態において導電性金属コア１６と、ガラスファイバ樹脂又は別の電気絶縁材料で作られている絶縁層１８とを含む電気絶縁板１４を含む。幾つかの実施形態においては、導電性金属コア１６が省略され、例えば、電気絶縁板は、金属コアを持たないガラスファイバ樹脂板とすることができる。導電性プリント回路２０（図３に示される）が、絶縁板１４の絶縁層１８上に配置される。はんだマスク２２が絶縁板１４上に配置され、このはんだマスク２２は、発光チップ１０がプリント回路２０と電気的に接触する開口部又はビア２４（図３に示される）を含む。随意的に、例示的な電子部品２６のような１つ又はそれ以上の付加的な電子部品もプリント回路基板１２上に配置され、開口部又はビア２４によってプリント回路２０と電気的に接触する。
【００１３】
示される例において、電子部品２６は、接続ピン３０を通して電力を受け取り、受け取った電力を整流し、変換し、又は他の方法で調整し、発光チップ１０を動作させるためにプリント回路２０に与えられる動作電力を生成する。随意的に、電子部品２６又は別の電子部品は、静電放電の保護、選択可能なスイッチング等を提供することができる。電子部品２６は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラムされたマイクロコントローラ、又はマイクロプロセッサ等として具体化することができる。代替的に又は付加的に、電子部品は、出力調整、スイッチング、調光機能等を行うために、プリント回路によって相互接続される、抵抗器、インダクタ、コンデンサ、オペアンプ、デジタル論理ゲート等のような別個の部品として具体化することができる。
【００１４】
示される実施形態において、プリント回路基板１２の電気絶縁板１４は、絶縁層１８と共に、アルミニウム板、銅箔等のような平坦な電導性金属コア１６を含む金属コア板である。絶縁層１８は、例えば、プリント回路２０を金属コア１６から電気的に絶縁する、例えば、ガラスファイバ樹脂シート又はコーティングとすることができる。随意的に、プリント回路２０が、絶縁層１８内に形成されたビア（図示せず）を通して、選択された点で金属コア１６と電気的に接触し、金属コア１６は、プリント回路２０のための接地板として働くようになる。金属コア１６はまた、発光チップ１０及び１つ又はそれ以上の電子部品２６によって生成される熱を広げ、及び／又は、放散させる。
【００１５】
発光チップ１０、１つ又はそれ以上の電子部品２６及びプリント回路基板１２は、ハウジング３６内に収容される（図１に示される）。ハウジング３６は、側壁３８、４０と、プリント回路基板１２が配置される底部４２とを含む。（図１においては、発光パッケージ８の内部部品を見せるために、１つの側壁が省略されており、第２の側壁は、取り外された側壁の反対側に配置され、図１の斜視図では見ることができない。）側壁３８、４０は、反射性の内面４６を有することが好ましい。例えば、側壁３８、４０及び底部４２は、反射性の内面４６を提供することに加えて、例示的な金属コアのプリント回路基板１２のための熱ヒートシンクも提供する、矩形の金属ボックスを定めることができる。発光チップ１０に面するハウジング３６の上部４８は、蛍光体プレート５０を含む。
【００１６】
作動において、発光チップ１０は、主に約４００ナノメートルと約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある、青色光、紫色光、又は紫外線光を放出する。放出された青色光、紫色光、又は紫外線光は、蛍光体プレート５０を照射する。蛍光体プレート５０上に配置されるか又は蛍光体プレート５０内に分散された蛍光体は、青色、紫色、又は紫外線の照射に応答して、主に４７０ナノメートルより上の波長域にある、蛍光又は燐光を放出する。蛍光体プレート５０は、蛍光又は燐光に対して光透過性であるので、発光パッケージ８は、蛍光又は燐光によって光を出力する。
【００１７】
幾つかの実施形態において、蛍光体は、白色の蛍光又は燐光を生成する１つ又はそれ以上の成分を含む。他の実施形態において、蛍光体は、選択された色又は色の配合の蛍光又は燐光を生成する１つ又はそれ以上の成分を含む。随意的に、蛍光体プレート５０はまた、発光チップ１０によって生成される青色、紫色、又は紫外線照射に対しても光透過性であるので、発光パッケージ８の光出力は、蛍光体による蛍光又は燐光と、発光チップ１０による直接光出力の組み合わせである。例えば、幾つかの実施形態において、発光チップ１０は青色放出光を生成し、蛍光体は黄色光を生成し、配合された直接光及び蛍光体が生成した光が、白色光に近づくように、発光パッケージ８の出力において組み合わされる。側壁３８、４０の反射性内面４６は、発光チップ１０によって生成された、側壁３８、４０に当たる光を蛍光体プレート５０の方向に反射させ、光抽出効率を改善する。
【００１８】
示される実施形態において、側壁４０は、発光パッケージ８に電源を接続できるように、電子部品２６の接続ピン３０が通る、電気的に絶縁された貫通開口部５２を含む。めす電源コンセント、配線で接続された電源ケーブル等のような他の電気入力構成を用いることもできる。随意的に、バッテリ（図示せず）は、発光パッケージ内に含まれているので、外部電源は必要とされない。
【００１９】
ハウジング３６は、一例にすぎないことが理解されるであろう。ハウジングは、矩形の他に他の形状を有することもでき、燐含有の上部に加えて、又はこれに代わって、燐含有側壁を含むことができ、或いは他の修正を含むことができる。幾つかの実施形態において、ハウジングは、発光チップの上方に配置された燐含有ドームを含む。発光パッケージ８はまた、ヒートシンク、熱放射フィン、レンズ、又は他の光学部品、或いは蛍光体プレート５０と光学的に結合された部品、発光チップの放射を燐含有の窓又は領域の上に合焦させるためのレンズ等のような付加的な部品又は他の部品を含むことができる。
【００２０】
引き続き図１〜図３を参照し、さらに図４及び図５を参照すると、各々の発光チップ１０は、発光ダイオード、垂直空洞型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、モノリシック・アレイの発光ダイオード又はレーザ、有機発光チップ等とすることができる。示される実施形態において、各々の発光チップ１０は、サブマウント６２にフリップチップ接合された半導体チップ６０を含む。サブマウント６２は、裏面ボンディング・パッド６４を有する半導体チップ６０を電気的に接続する電気ビアを含む。示される発光チップ１０は、一例にすぎず、他の実施形態において、発光チップは、サブマウントなしでプリント回路基板１２に直接接合してもよく、又は、サブマウントに接合するが、ワイヤ・ボンディングを用いてプリント回路基板に電気的に接触させてもよく、或いは、ワイヤ・ボンディング等によってサブマウントのボンディング・パッドがプリント回路基板１２と電気的に接続されるサブマウントのボンディング・パッドにフリップチップ接合させてもよい。
【００２１】
幾つかの実施形態において、発光チップは、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する、ＩＩＩ族窒化物ベースの発光ダイオード又はレーザである。主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある光を放出する他の青色、紫色、又は紫外線発光チップを用いることもできる。幾つかの実施形態において、プリント回路基板１２への発光チップ１０の電気接続は、はんだ付けによってもたらされる。はんだマスク２２は、はんだをビア２４の領域内に保持する。他の実施形態においては、サーモソニック・ボンディング技術、熱圧着式ボンディング技術、又は別のボンディング技術が用いられる。はんだ付け又は別のボンディング技術が用いられるかどうかに関わらず、はんだマスク２２は、プリント回路２０を摩耗又は他の物理的損傷から保護する。
【００２２】
光抽出効率を最大にするために、プリント回路基板１２のはんだマスク２２は、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で６０％より大きい反射率を有するように構成される。このように、はんだマスク２２に直接当たる（又は、側壁３８、４０、及び／又は蛍光体プレート５０に反射し、次にはんだマスク２２に当たる）、発光チップ１０によって放出される青色光、紫色光、又は紫外線光は、実質的に蛍光体プレート５０の方向に反射され、蛍光又は燐光を生成する。幾つかの好ましい実施形態において、プリント回路基板１２のはんだマスク２２は、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で約８５％より大きい反射率を有するように構成される。幾つかの好ましい実施形態において、プリント回路基板１２のはんだマスク２２は、少なくとも約４００ナノメートルから約７４０ナノメートルまでの間で約８５％より大きい反射率を有するように構成されるので、はんだマスク２２は、プリント回路基板１２の方向に向けられる照射された蛍光体が生成する蛍光又は燐光も反射させる。幾つかの好ましい実施形態において、プリント回路基板１２のはんだマスク２２は、少なくとも約４００ナノメートルから、実質的に蛍光体が放出する光の波長域にわたる高い波長まで（例えば、主に５００ナノメートルから６５０ナノメートルまでの波長域にある光を放出する例示的な蛍光体については、少なくとも６５０ナノメートルの高い波長まで）の間で約８５％より大きい反射率を有するように構成される。
【００２３】
図６を参照すると、幾つかの実施形態において、電気絶縁はんだマスク２２が、反射性充填材７２の粒子が分散された、感光性エポキシ、感光性ポリイミド等のような光安定化された電気絶縁結合材７０の膜で形成される。反射性充填材７２の粒子は、例えば、酸化チタン（二酸化チタン、ＴｉＯ2のような）、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ2Ｏ3のような）、高屈折率のガラス等とすることができる。はんだマスク２２に適切な反射率を提供するように、結合材７０内の充填材７２の濃度、並びに、平均粒子サイズ、平均粒子形状等が選択される。濃度が、はんだマスク２２の実質的な電気絶縁特性を保持するのに十分な程薄い場合には、導電性充填材を使用することができる。
【００２４】
結合材がネガ型感光性エポキシである１つの例において、はんだマスク２２は、以下のように構成される。感光性エポキシの成分が、充填材７２と組み合わされて、液体の感光性エポキシ原料物質を生成し、膜として電気絶縁板１４上に配置される。適切な堆積方法は、スプレー・コーティング法、カーテン・コーティング法等を含む。エポキシのタイプによって、軟硬化を行い、感光性エポキシ膜を部分的に硬化又は固化することができる。しかしながら、幾つかのエポキシのタイプの場合、軟硬化は用いられない。これらの工程は、黄色に照明された光リソグラフィ空間、又は周囲の照明が感光性エポキシを活性化させない他の環境において実行される。
【００２５】
次に、ビア２４の領域における露光をブロックするフォトマスクによって感光性エポキシ膜を光学的に露光させることによって、はんだマスク２２のビア２４が形成される。露光されなかった感光性エポキシ膜の領域のみを除去する適切な化学物質を用いて、光学的に露光された感光性エポキシ膜を現像し、よって、露光からブロックされたビア２４の領域を除去し、ビア２４を切開する。露光されたこれらの領域は、光安定化され、現像液の化学物質によっては除去されない。感光性エポキシのタイプによって、硬硬化を行い、光安定化されたエポキシ膜をさらに固化又は硬化することができる。
【００２６】
幾つかの実施形態において、充填材７２の濃度が十分に低いので、充填材７２を組み込むことにより感光性結合材７０の感光性特性が著しく変わることはない。他の実施形態においては、充填材７２を組み込むことにより、感光性結合材７０の感光性が減少される。これらの実施形態において、感光性結合材７０内の光感受性物質の量を増やして充填材７２の影響を弱めることができ、或いは、減少された感光性に相当するように、露光量及び／又は現像時間を増やすことができる。一般に、はんだマスク２２は、１２ミクロンから７５ミクロンまでの間の厚さである。比較的厚いはんだマスクの場合は、一般に、望ましい反射率を保持しながら、充填材７２の濃度を減少させることができる。ＴｉＯ2又はＡｌ2Ｏ3のような充填材は、一般的に、少なくとも４００ナノメートルまで、より一般的には、少なくとも約３５０ナノメートルまでで、約８５％から９５％までより大きい反射率を示す。したがって、十分に高い濃度の充填材７２の場合は、はんだマスク２２の反射率は、約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある、６０％より上に又は８５％より上に増加させることができる（充填材の濃度、粒子の反射特性等によって）。
【００２７】
図７を参照すると、幾つかの実施形態において、電気絶縁はんだマスク２２が、多層の鏡面リフレクタ・シート８０で形成される。例えば、レーザ切断、穿孔機等を使用して、開口部をシート８０内に切り込んでビア２４を定め、多層の鏡面リフレクタ・シート８０を電気絶縁板１４に接着するか、又は他の方法では固定する。リフレクタ・シート８０は、異なる屈折率、異なる複屈折性特性、又は他の異なる光学特性を有する、交互する誘電体材料の層を含む反射性誘電体層のスタックを含む。層の厚さ及び光学特性は、約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域において、好ましくは約４００ナノメートルから約７４０ナノメートルまでの間の波長域において、高いスタック反射率を提供するように選択される。
【００２８】
幾つかの実施形態においては、多層鏡面リフレクタ・シート８０は、ＶＭ２０００リフレクタ膜、又はＶｉｋｕｔｉ（登録商標）の強化された鏡面リフレクタ膜（ミネソタ州セントポール所在の３Ｍ社から入手可能な）のような、市販のリフレクタ・シートである。ＶＭ２０００、又はＶｉｋｕｔｉ（登録商標）高機能鏡面リフレクタ膜で形成されたはんだマスクは、４００ナノメートルから７４０ナノメートルまでの間で８５％より大きい反射率を有することが、本発明者らによって測定され、これらの高い反射率は、膜の正面及び裏面の両側について観察されたものである。対照的に、従来の白色はんだマスクは、可視波長域については約８０％の反射率、約４３０ナノメートルより下の波長については約７０％より小さい反射率、約４１０ナノメートルより下の波長については６０％より小さい反射率を有することが測定された。
【００２９】
発光パッケージ８は、蛍光体プレート５０による波長変換を介した可視光を生成する。他の考えられる実施形態においては、発光パッケージは、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある、発光チップによって生成される直接光を放出する、青色、紫色、又は紫外線光源である。これらの実施形態において、光学系、側壁、レンズ、カバーガラス等は、一般に、主に約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間の波長域にある直接光の一部を反射させるか、又は他の方法でこれをプリント回路基板のはんだマスクの方向に再指向させる。したがって、ここで開示される、少なくとも約４００ナノメートルから約４７０ナノメートルまでの間で高い反射率を有するはんだマスクもまた、蛍光体を使用しないこれらの青色、紫色、又は紫外線光源において有利なものである。
【００３０】
本発明は、好ましい実施形態を参照して説明された。これまでの詳細な説明を読み、理解したときに、修正及び代替技術が第三者には思い浮かぶであろうことは明らかである。本発明は、添付の特許請求の範囲又はその均等物の範囲内に入る程度のそうした修正及び代替技術の全てを含むものとして解釈されることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】発光パッケージの斜視図を示し、発光パッケージの内部部品を明らかにするように、ハウジングの１つの側壁が取り除かれている。
【図２】図１のパッケージのプリント回路基板及び電子部品の斜視図を示す。
【図３】図１のパッケージのプリント回路基板及び電子部品の分解斜視図を示す。
【図４】２つの異なる観点から、図１のパッケージの発光チップの１つの斜視図を示す。
【図５】２つの異なる観点から、図１のパッケージの発光チップの１つの斜視図を示す。
【図６】図１のパッケージに用いるのに適したはんだマスクの一部の断面図を示す。
【図７】図１のパッケージに用いるのに適した別のはんだマスクの一部の断面図を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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