(57)【要約】垂直型電気的接触体及びその製造方法を提供する。本発明は犠牲基板上に第１保護膜パターンを形成する第１段階と、エッチング工程を実行することによって前記犠牲基板上にトレンチを形成する第２段階と、前記第１保護膜パターンを除去し、前記犠牲基板の上部に第２保護膜パターンを形成して空間部を形成する第３段階と、前記トレンチと前記空間部に導電性物質を埋め込ませてチップ及び支持ビームを形成する第４段階と、前記チップ及び支持ビームが形成された犠牲基板の上部に第３保護膜パターンを形成して空間部を形成する第５段階と、前記空間部に導電性物質を埋め込ませて中孔型容器本体を形成する第６段階と、前記中孔型容器本体をＭＰＨ上に形成されたバンプにボンディングする第７段階と、前記犠牲基板を除去させることによって電気的接触体のチップを開放する第８段階とを含んで構成されることを特徴とする。
2008513801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
犠牲基板上に少なくとも一つ以上のチップを形成させるために第１保護膜パターンを形成する第１段階と、
前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとして利用してエッチング工程を実行することによって前記犠牲基板上にトレンチを形成する第２段階と、
前記第１保護膜パターンを除去し、前記犠牲基板の上部に第２保護膜パターンを形成して一側端部に前記チップが一体に形成される支持ビームを形成するための空間部を形成する第３段階と、
前記トレンチと前記空間部とに導電性物質を埋め込ませてチップ及び支持ビームを形成する第４段階と、
前記チップ及び支持ビームが形成された犠牲基板の上部に第３保護膜パターンを形成して中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する第５段階と、
前記空間部に導電性物質を埋め込ませて中孔型容器本体を形成する第６段階と、
前記中孔型容器本体をＭＰＨ上に形成されたバンプにボンディングする第７段階と、
前記犠牲基板を除去させることによって電気的接触体のチップを開放する第８段階と、を含んで構成されることを特徴とする垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項２】
前記トレンチは、
所定間隔離隔されて形成されるチップが同一線上に形成されるように犠牲基板上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項３】
前記第３段階及び第４段階の間に、
前記犠牲基板の上部に第４保護膜パターンを形成して前記支持ビームと垂直に連結される連結ビームを形成するための空間部を形成する第３−１段階と、
前記空間部に導電性物質を埋め込ませて連結ビームを形成する第３−２段階と、がさらに介在されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項４】
前記支持ビーム及びチップは、
互いに所定間隔離隔されて向き合い、前記支持ビームの各チップが向き合う支持ビームの端部まで延長されるように形成することを特徴とする請求項３に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項５】
前記第５段階の第３保護膜パターンは、
前記支持ビームの両側端部が前記中孔型容器本体の内側端部に結合形成されることができるように空間部を形成することを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項６】
前記チップが形成された犠牲基板の上部に保護膜パターンを形成した後、所定角度で傾けた状態で露光及び現象工程を実行することによって前記チップにα゜だけ曲がって連結される第１傾斜ビームを形成するための空間部を形成し、前記空間部に導電性物質を埋め込ませて第１傾斜ビームを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項７】
前記α゜は、
０゜＜α゜＜９０゜であることを特徴とする請求項６に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項８】
前記第１傾斜ビームが形成された犠牲基板の上部に第２傾斜ビームを形成するための保護膜パターンを形成した後、前記犠牲基板を所定角度で傾けた状態で露光及び現象工程を実行することによって前記第１傾斜ビームにβ゜だけ曲がって連結される第２傾斜ビームを形成するための空間部を形成し、前記空間部に導電性物質を埋め込んで第２傾斜ビーム
を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項９】
前記α゜、β゜は、
０゜＜α゜＜β゜＜９０゜であることを特徴とする請求項８に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１０】
犠牲基板上に少なくとも一つ以上のチップを形成させるために第１保護膜パターンを形成する第１段階と、
前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとして利用してエッチング工程を実行することによって前記犠牲基板上にトレンチを形成する第２段階と、
前記第１保護膜パターンを除去し、前記犠牲基板の上部に第２保護膜パターンを形成して一側端部に前記チップが一体に形成される支持ビームを形成するための空間部を形成する第３段階と、
前記トレンチと前記空間部に導電性物質を埋め込ませてチップ及び支持ビームを形成する第４段階と、
ＭＰＨの上部に第３保護膜パターンを形成させてバンプを形成するための空間部を形成する第５段階と、
前記空間部に導電性物質を埋め込ませてバンプを形成する第６段階と、
前記バンプが形成された前記ＭＰＨの上部に第４保護膜パターンを形成させて中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する第７段階と、
前記空間部に導電性物質を埋め込ませて中孔型容器本体を形成する第８段階と、
前記中孔型容器本体に前記支持ビームをボンディングする第９段階と、
前記犠牲基板を除去することによって電気的接触体のチップを開放させる第１０段階と、を含んで構成されることを特徴とする垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１１】
前記トレンチは、
所定間隔離隔されたチップが同一線上に整列されるように犠牲基板上に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１２】
前記第８段階と第９段階との間に、
前記中孔型容器本体が形成されたＭＰＨの上部に保護膜パターンを形成させて前記中孔型容器本体と垂直に連結される連結ビームを形成するための空間部を形成する第３−１段階と、
前記空間部に導電性物質を埋め込ませて連結ビームを形成する第３−２段階と、
前記連結ビームに前記支持ビームをボンディングする第３−３段階と、がさらに介在されていることを特徴とする請求項１０に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１３】
前記支持ビームに一体に形成されたチップは、
互いに所定間隔離隔されて向き合い、前記支持ビームの各チップが向き合う支持ビームの端部まで延長されるように形成することを特徴とする請求項１２に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１４】
前記第９段階で、
前記支持ビームの両側端部が前記中孔型容器本体の内側端部に結合形成されることができるようにボンディングされることを特徴とする請求項１０に記載の垂直型電気的接触体の製造方法。
【請求項１５】
外部電気信号を収容するための少なくても一つ以上の接続端子と配線を具備しているＭＰＨと、
前記ＭＰＨの接続端子上に具備されるバンプと、
前記バンプに垂直にボンディングされる柱形状の容器本体と、
前記容器本体の下側端部対向面に所定間隔で具備される少なくとも一つ以上の支持ビームと、
前記支持ビームに一体に形成されるチップと、を含み、
前記容器本体は中孔型であることを特徴とする垂直型電気的接触体。
【請求項１６】
前記容器本体は四角柱形状からなり、前記支持ビームは前記四角柱の角に設置されたことを特徴とする請求項１５に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項１７】
少なくとも一つ以上のチップは、
所定間隔で離隔され、同一線上に整列されることを特徴とする請求項１５に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項１８】
前記中孔型容器本体と前記支持ビームとの間に、前記支持ビームと垂直に連結される連結ビームがさらに含まれていることを特徴とする請求項１５に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項１９】
前記支持ビームに一体に形成されたチップは、
互いに所定間隔離隔されて向き合い、前記支持ビームの各チップが向き合う支持ビームの端部まで延長されるように形成することを特徴とする請求項１８に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項２０】
前記支持ビームの両側端部が前記中孔型容器本体の内側端部に結合されることを特徴とする請求項１５に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項２１】
一側端部が曲がって前記チップと連結され、他側端部が曲がって前記容器本体に連結される傾斜角を有する第１傾斜ビームをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項２２】
前記α゜は、
０゜＜α゜＜９０゜であることを特徴とする請求項２１に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項２３】
一側端部が曲がって前記チップと連結されるα゜を傾斜角とする第１傾斜ビームの他側端部に一側端部が曲がって連結され、他側端部が曲がって前記中孔型容器本体に連結されるβ゜を傾斜角とする第２傾斜ビームがさらに含まれることを特徴とする請求項１５に記載の垂直型電気的接触体。
【請求項２４】
前記α゜、β゜は、
０゜＜α゜＜β゜＜９０゜であることを特徴とする請求項２３に記載の垂直型電気的接触体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体に関する。
【０００２】
特に、柱形状の容器本体にチップと一体に形成された支持ビームを少なくとも一つ以上を具備させて検査パッドの酸化膜をより効率的に除去した後、正確な検査が行うようにするための垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体製造工程は一連の工程にしたがってシリコンウェーハ上に多数のチップを配列形成した後、これをパッケージングし、切断して個別のチップに分離する過程からなる。ここで、シリコンウェーハ上に形成された多数のチップをパッケージング及び切断するためには前記各チップに電気信号を印加して正常作動の有無をチェックする過程が必須であり、これを半導体検査工程と言う。前記検査工程は、シリコンウェーハ上に形成された多数のチップに対応するように接触体を具備したプローブカードで行い、前記接触体をシリコンウェーハ上のチップに接触して電気信号を印加するのによって、チップの正常有無をチェックするようになる。
【０００４】
従来のニードル型電気的接触体は一端部にチップを形成したニードルをベンディングし、それぞれのニードルを定められた位置に配置した後、エポキシを利用して固定物に接合及び固定させて主回路基板にハンダ付けで付着して用いた。しかし、電気的接触体を半導体集積回路の接触パッドに安定的に接触させるためには、電気的接触体に所定の弾性力が必要であり、このようなニードル型電気的接触体は繰り返し用いる場合、変形されるか水平度及び位置程度がそれるという問題がある。また、ニードル型電気的接触体は多い空間を占めて高集積化された半導体素子のピッチに対応することが困難であり、多数のニードルを通じる信号間の干渉が発生して正確な検査が行うことができなかったという問題があった。
【０００５】
一方、このようなニードル型電気的接触体の問題を解決するために提案されたものとしてカンチレバー型電気的接触体がある。カンチレバー型電気的接触体は、基板に垂直にバンプを形成し、犠牲基板上にチップと前記チップに接触する支持ビームをそれぞれ形成して、前記バンプ上端と支持ビームの一端部をボンディングした後、前記犠牲基板を除去するのによって、完成する。カンチレバー型電気的接触体は高集積化された半導体素子の検査に用いられてきた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、犠牲基板にトレンチを形成して製造するＭＥＭＳ技術方式の垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、柱形状の容器本体にチップと一体に形成された支持ビームを少なくとも一つ以上を具備するか、中孔型の容器本体にチップと一体に形成された支持ビームを少なくとも一つ以上を具備させて、検査パッドの酸化膜をより効率的に除去した後、正確な検査が行うことができるようにするための垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体を提供することにある。
【０００８】
本発明の更なる他の目的は、容器本体に連結された支持ビームをテーパ形状にして、容器本体と支持ビームの結合付近に応力集中を分散させるようにするための垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体を提供することにある。
【０００９】
本発明の更なる他の目的は、容器本体と支持ビームとの間に連結ビームをさらに具備させて、容器本体と連結ビームの結合付近に応力集中を分散させ、ＯＤ確保を容易にする垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体を提供することにある。
【００１０】
本発明の更なる他の目的は、容器本体に湾曲形状を有するビームを具備させてチップで受ける外力に対して湾曲形状からなるビームで応力集中を分散させ、ＯＤ確保を容易にする垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために本発明は、犠牲基板上に少なくとも一つ以上のチップを形成させるために第１保護膜パターンを形成する第１段階と、前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとして利用してエッチング工程を実行することによって前記犠牲基板上にトレンチを形成する第２段階と、前記第１保護膜パターンを除去し、前記犠牲基板の上部に第２保護膜パターンを形成して一側端部に前記チップが一体に形成される支持ビームを形成するための空間部を形成する第３段階と、前記トレンチと前記空間部に導電性物質を埋め込ませてチップ及び支持ビームを形成する第４段階と、前記チップ及び支持ビームが形成された犠牲基板の上部に第３保護膜パターンを形成して中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する第５段階と、前記空間部に導電性物質を埋め込ませて中孔型容器本体を形成する第６段階と、前記中孔型容器本体をＭＰＨ上に形成されたバンプにボンディングする第７段階と、前記犠牲基板を除去させることによって電気的接触体のチップを開放する第８段階とを含んで形成されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の他の実施形態は、犠牲基板上に少なくとも一つ以上のチップを形成させるために第１保護膜パターンを形成する第１段階と、前記第１保護膜パターンをエッチングマスクとして利用してエッチング工程を実行することによって前記犠牲基板上にトレンチを形成する第２段階と、前記第１保護膜パターンを除去し、前記犠牲基板の上部に第２保護膜パターンを形成して一側端部に前記チップが一体に形成される支持ビームを形成するための空間部を形成する第３段階と、前記トレンチと前記空間部に導電性物質を埋め込ませてチップ及び支持ビームを形成する第４段階と、ＭＰＨの上部に第３保護膜パターンを形成させてバンプを形成するための空間部を形成する第５段階と、前記空間部に導電性物質を埋め込ませてバンプを形成する第６段階と、前記バンプが形成された前記ＭＰＨの上部に第４保護膜パターンを形成させて中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する第７段階と、前記空間部に導電性物質を埋め込ませて中孔型容器本体を形成する第８段階と、前記中孔型容器本体に前記支持ビームをボンディングする第９段階と、前記犠牲基板を除去することによって電気的接触体のチップを開放させる第１０段階とを含んで構成されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の更なる他の実施形態は、外部の電気信号を収容するための少なくても一つ以上の接続端子と配線を具備しているＭＰＨと、前記ＭＰＨの接続端子上に具備されるバンプと、前記バンプに垂直にボンディングされる中孔型容器本体と、前記中孔型容器本体の下側端部対向面に所定間隔で具備される少なくとも一つ以上の支持ビームと、前記支持ビームに一体に形成されるチップとで構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、高集積化された半導体素子のファインピッチへの対応が容易であるという効果がある。そして、改善した支持ビームの形状によって半導体素子の接触パッドとの接触性能が高くなるという効果がある。
【００１５】
そして、本発明は、支持ビームの構造をテーパ形態または折曲させるのによって、弾性力が向上して検査途中に折れる確率が減少されて長い時間の間に用いることができるという効果がある。
【００１６】
そして、本発明は、中孔型容器本体部に多数のビーム部を具備させて半導体素子を検査するとき、検査パッド上面に同時に多いスクラッチを作って酸化膜を効果的に貫くことができるようにする効果がある。
【００１７】
また、本発明は、支持ビームの構造をテーパ形態または折曲形態を有するようにすることによって、チップで受ける外力に対して応力集中を分散させるようにする効果がある。
【００１８】
また、本発明は、支持ビームと中孔型容器本体との間に連結ビームを具備させることによって、チップで受ける外力に対して応力集中を分散させて、ＯＤ確保が容易にする効果がある。
【００１９】
また、本発明は、多数のビームが互いに所定角度で連結形成されて全体模様が湾曲形状を有するビームを具現することによって、チップで受ける外力に対して応力集中を分散させるようにすることだけでなく、ＯＤ確保にも容易であるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施例１）
本発明による垂直型電気的接触体の製造方法の一実施形態は、図１に示した通りである。
【００２１】
まず、図１の（ａ）に示したように、［１ ０ ０］などのように一定な方向性を有するシリコン材質の犠牲基板２上に酸化膜からなる保護膜（図示せず）を形成する。そして、前記保護膜の上部にエッチング工程のエッチングマスクとして用いられる第１保護膜パターン８を形成する。
【００２２】
このとき、前記第１保護膜パターン８は、犠牲基板２上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像するフォトリソグラフィ工程とエッチング工程を順次に実行することによって形成される。
【００２３】
そして、次に図１の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン８を利用して湿式エッチング工程及び異方性乾式エッチング工程を連続的に実行することによって、電気的接触体のチップに該当するトレンチが犠牲基板２上に形成される。すなわち、第１保護膜パターン８を利用して形成されるトレンチは、１次の湿式エッチング工程によってチップの端部に該当する薄いトレンチを先に形成した後、２次の異方性乾式エッチング工程によって前記トレンチの深さをより深く形成することによって形成される。
【００２４】
このとき、前記トレンチは互いに隣接したチップの側端部が所定間隔を置いて同一線上に整列されるように形成される。
【００２５】
本工程によれば、前記チップの端部に該当するトレンチは、第１保護膜パターンの形状にしたがって円錐ないし角錐形状で多様に形成することができ、前記乾式エッチング工程はディープトレンチエッチング方法としてボシュプロセスと呼ばれる公知のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって行われる。
【００２６】
そして、前記第１保護膜パターン８を除去し、図１の（ｃ）に示したように、スパッタリング工程によって犠牲基板２の上部に後続めっき工程のシードとして機能するＣｕなどのシード層４を形成させる。
【００２７】
そして、その上部に所定の厚さでフォトレジストをコーティングした後、露光及び現象工程を経って図１の（ｄ）に示したように、支持ビームの断面のパターンを有する第２保護膜パターン６を形成させて、後続金属物質の埋め込み工程によって支持ビームを形成するための空間部を形成する。
【００２８】
そして、図１の（ｅ）に示したように、前記第２保護膜パターン６によって開放された空間部及びトレンチに導電性物質をめっきによって埋め込んだ後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、エッチバック及びグラインディングなどの平坦化工程を実行することによって所定間隔離隔されたチップ１０ａと支持ビーム１０を２つ形成する。
【００２９】
このとき、本実施形態で支持ビーム１０及びチップ１０ａは互いに所定間隔離隔されて向き合い、支持ビーム１０の各チップ１０ａは同一線上に位置されるように形成され、各支持ビーム１０はチップ１０ａの反対側からチップ１０ａに接近するほどその幅が縮小されたテーパ形状からなる。
【００３０】
特に、本実施形態では互いに所定間隔離隔された２つの支持ビーム１０を示したが、少なくとも１つ以上の支持ビーム１０を形成することができ、前記チップ１０ａと支持ビーム１０は、本実施形態のめっき以外にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）蒸着方法を用いて形成させることもできる。
【００３１】
そして、図１の（ｆ）に示したように、前記チップ１０ａと支持ビーム１０が形成された前記犠牲基板２の上部に中孔型容器本体の断面パターンを有する、すなわち、チップ１０ａの反対側の支持ビーム端部の上面を開放する正方形の形状の第３保護膜パターン１２を形成させて中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する。
【００３２】
このとき、前記第３保護膜パターン１２も露光及び現象工程の実行によって形成される。
【００３３】
そして、図１の（ｇ）に示したように、前記第３保護膜パターン１２によって形成された空間部に導電性物質をめっきによって埋め込んだ後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、エッチバック及びグラインディングなどの平坦化工程を実行することによって正方形の柱形状の中孔型容器本体１６を形成する。
【００３４】
このとき、前記中孔型容器本体１６は、めっき以外にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成することができる。
【００３５】
そして、前記中孔型容器本体１６の形状は、製作者に従って中孔型四角柱形状、中孔型円柱形状、中孔型三角柱形状などのような多様な模様の中孔型柱形状で変形製作することもできる。
【００３６】
また、前記中孔型容器本体１６以外に内部が埋め込まれた柱形状の容器本体で形成されることもできる。
【００３７】
次に、図１の（ｈ）に示したように、中孔型容器本体１６まで形成されれば、湿式エッチング工程によって犠牲基板２上の第２保護膜パターン６及び第３保護膜パターン１２を除去した後、多層回路基板すなわち、ＭＰＨ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｂｅ Ｈｅａｄ）４０上の接触端子（図示せず）に形成されたバンプ１８に前記中孔型容器本体１６をボンディングする。
【００３８】
最後に、図１の（ｉ）に示したように、前記犠牲基板２を湿式エッチング工程によって除去することによって、開放されたチップ１０ａと、支持ビーム１０と中孔型容器本体１６からなる電気的接触体１００を完成する。
【００３９】
一方、図２は、ＭＰＨ４０上にバンプ１８を形成し、その上部に中孔型容器本体１６を形成した後、犠牲基板２上に形成されたチップ１０ａと一体に形成された支持ビーム１０を前記中孔型容器本体１６にボンディングで付着して電気的接触体を形成する方式を説明するためのものとして、添付の図１と同一の部品は同一の符号で表示し、重複する工程説明は省略する。
【００４０】
まず、図２の（ａ）に示したように、多層回路基板すなわち、ＭＰＨ４０の上部の接触端子（図示せず）領域を開放し、バンプ断面パターンを有する第１保護膜パターン１８ａを形成させてバンプを形成するための空間部を形成する。
【００４１】
図２の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン１８ａによって形成された空間部に導電性物質をめっき工程によって埋め込ませてバンプ１８を形成させる。
【００４２】
そして、図２の（ｃ）に示したように、前記バンプ１８が形成された前記ＭＰＨ４０の上部に中孔型容器本体の断面のパターンを有する第３保護膜パターン１２を形成させて中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する。
【００４３】
そして、図２の（ｄ）に示したように、前記第３保護膜パターン１２によって形成された空間部に導電性物質をめっき工程によって埋め込ませて中孔型容器本体１６を形成させる。
【００４４】
そして、図２の（ｅ）に示したように、前記図１の（ａ）ないし図１の（ｅ）と同一な工程を実行した後、第２保護膜パターン６が除去された支持ビーム１０を前記中孔型容器本体１６にボンディングさせる。
【００４５】
最後に、図２の（ｆ）に示したように、前記犠牲基板２を湿式エッチング工程によって除去することによって、電気的接触体１００のチップ１０ａと支持ビーム１０を開放させる。
【００４６】
以下、図１の（ａ）ないし図１の（ｉ）によって説明した実施形態と図２の（ａ）ないし図２の（ｆ）によって説明した実施形態による製造方法によって形成された中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体を説明する。
【００４７】
前述の実施形態１による中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体は、図３の（ａ）、図４及び図５に示したように、ＭＰＨ４０の下部に形成されたバンプ１８に垂直にボンディングされる四角柱形状の中孔型容器本体１６と、前記中孔型容器本体１６の下側端部対向面に所定間隔で具備される少なくとも一つ以上の支持ビーム１０と、その側端部が隣接したチップの側端部と一直線上に整列されるように前記支持ビーム１０に一体に形成されるチップ１０ａで構成される。
【００４８】
このとき、本実施形態でチップ１０ａと一体に形成された支持ビーム１０は、他のチップ１０ａと一体に形成された支持ビーム１０の端部と同一地点で互いに平行するように位置され、各支持ビーム１０は、チップ１０ａの反対側からチップ１０ａに接近するほどその幅が細くなるテーパ形状からなる。
【００４９】
そして、前記中孔型容器本体１６の形状は、製作者に従って中孔型四角柱形状、中孔型円柱形状、中孔型三角柱形状などのような多様な模様の中孔型柱形状で変形製作することもできる。
【００５０】
また、前記中孔型容器本体１６の以外に内部が埋め込まれた柱形状の容器本体で形成されることもできる。
【００５１】
前記のように構成された中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体は、図３の（ｂ）に示したように、半導体素子の電極パッド５０を加圧する過程において少なくとも一つ以上のチップ１０ａが電極パッド５０の上部の内側から外側に動きながら電極パッド５０の上部をスクラッチさせて、酸化膜をさらに除去するようになり、チップ１０ａの接触面積が広くなって正確な検査ができるようになる。前記チップ１０ａの接触解除が行えば、チップ１０ａは原位置に戻る。
【００５２】
そして、添付の図４及び図５に示したように、一つ以上の支持ビーム１０が中孔型容器本体１６の下端部の任意の位置に所定間隔で離隔されて形成されることができる。
【００５３】
特に添付の図５のように、前記中孔型容器本体１６の下側面角部分に支持ビーム１０が連結されて前記中孔型容器本体１６の下側面角部分に結合される支持ビーム１０の結合面積が大きくなるによって、前記支持ビーム１０と中孔型容器本体部１６の連結付近に応力集中を効果的に分散させるようにする。
【００５４】
（実施例２）
本発明による中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体の製造方法の他の実施形態は、図６及び図７に示したとおりであり、図６及び図７を参照して本発明を説明するにおいて、実施形態１と同一である部品は同一の符号で表示し、実施形態１と重複する部分に対してはその説明を省略する。
【００５５】
まず、図６の（ａ）に示したように、［１ ０ ０］などのように一定の方向性を有するシリコン材質の犠牲基板２上に第１保護膜パターン８を形成する。
【００５６】
そして、次に、図６の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン８を利用して湿式エッチング工程及び異方性乾式エッチング工程を連続的に実行することによって、電気的接触体のチップに該当するトレンチが前記犠牲基板２上に第１実施形態と異なるように所定間隔を置いて離隔配列されるように形成される。
【００５７】
そして、前記第１保護膜パターン８を除去し、図６の（ｃ）に示したように、スパッタリング工程によって犠牲基板２の上部に後続めっき工程のシードとして機能するＣｕなどのシード層４を形成させる。
【００５８】
そして、その上部に所定厚さでフォトレジストをコーティングした後、露光及び現象工程を経って図６の（ｄ）に示したように、支持ビームの断面のパターンを有する第２保護膜パターン６を形成させて後続金属物質の埋め込み工程によって支持ビームを形成するための空間部を形成する。
【００５９】
そして、図６の（ｅ）に示したように、前記第２保護膜パターン６によって開放された前記空間部とトレンチ内部とに導電性物質をめっきによって埋め込ませた後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、エッチバック及びグラインディングなどの平坦化工程を実行することによって、所定間隔離隔されると同時にチップ１０ａの両端部が隣り合う支持ビーム１０の端部に内側に所定間隔離隔された地点に位置するように、チップ１０ａと一体に形成された支持ビーム１０を２つ形成する。
【００６０】
特に、本実施形態では互いに所定間隔離隔された２つの支持ビーム１０を示したが、少なくとも１つ以上の支持ビーム１０を形成することができ、前記チップ１０ａと支持ビーム１０は、本実施形態のめっき以外にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）蒸着方法を用いて形成させることもできる。
【００６１】
そして、図６の（ｆ）に示したように、チップ１０ａと支持ビーム１０とが形成された前記犠牲基板２の上部に連結ビームの断面パターンを有する第３保護膜パターン２０ａを形成させて後続金属物質の埋め込み工程によって連結ビームを形成するための空間部を形成する。
【００６２】
そして、図６の（ｇ）に示したように、第３保護膜パターン２０ａによって開放された前記空間部に導電性物質をめっきによって埋め込ませた後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、エッチバック及びグラインディングなどの平坦化工程を実行することによって前記支持ビーム１０と垂直に結合される連結ビーム２０を２つ形成する。
【００６３】
そして、図７の（ｈ）に示したように、前記連結ビーム２０が形成された前記犠牲基板２の上部に中孔型容器本体の断面パターンを有する、すなわち、前記連結ビーム２０の端部上面を開放する第４保護膜パターン１２を形成させて中孔型容器本体を形成するための空間部を形成させる。
【００６４】
そして、図７の（ｉ）に示したように、前記第４保護膜パターン１２によって形成された前記空間部に導電性物質をめっきによって埋め込ませて平坦化工程を実行することによって正方形の柱形状の中孔型容器本体１６を形成する。前記平坦化工程については、前述したため省略する。
【００６５】
ここで、前記中孔型容器本体１６の形状は、製作者に従って中孔型四角柱形状、中孔型円柱形状、中孔型三角柱形状などのような多様な中孔型柱形状で変形製作することもできる。
【００６６】
また、前記中孔型容器本体１６の以外に内部が埋め込まれた柱形状の容器本体で形成されることもできる。
【００６７】
次に、図７の（ｊ）に示したように、前記のような中孔型容器本体１６まで形成されれば、湿式エッチング工程によって犠牲基板２上の第２保護膜パターン６、第３保護膜パターン２０ａ及び第４保護膜パターン１２を除去した後、多層回路基板、すなわちＭＰＨ４０上の接触端子（図示せず）に形成されたバンプ１８に前記中孔型容器本体１６をボンディングする。
【００６８】
最後に、図７の（ｋ）に示したように、湿式エッチング工程を実行して前記犠牲基板２を除去してチップ１０ａを開放し、所定間隔離隔されると同時にチップ１０ａの両端部が隣り合う支持ビーム１０の端部から内側に所定間隔離隔された地点に位置するように、前記チップ１０ａと一体に形成された支持ビーム１０と、前記支持ビーム１０に垂直に連結される連結ビーム２０と、前記連結ビーム２０がボンディングされた中孔型容器本体１６とからなる電気的接触体１００を完成する。
【００６９】
一方、図８は実施形態１とは異なり、犠牲基板２上に形成された所定間隔離隔されると同時にチップ１０ａの両端部が隣り合う支持ビーム１０の端部から所定間隔離隔された地点に位置するように前記チップ１０ａと一体に形成された支持ビーム１０を形成した後、ＭＰＨ４０にバンプ１８と前記バンプの上部に中孔型容器本体１６と前記中孔型容器本体１６の上部に連結ビーム２０とを形成して電気的接触体１００を形成する方式を説明するためものであり、添付の図６及び図７と同一である部品は同一な符号で表示して重複する工程の説明は省略する。
【００７０】
まず、図８の（ａ）に示したように、多層回路基板、すなわち、ＭＰＨ４０の上部の接触端子（図示せず）領域を開放し、バンプ断面パターンを有する第１保護膜パターン１８ａを形成させる。
【００７１】
図８の（ｂ）に示したように、前記第１保護膜パターン１８ａによって形成された空間部に導電性物質をめっき工程によって埋め込ませてバンプ１８を形成させる。
【００７２】
そして、図８の（ｃ）に示したように、前記ＭＰＨ４０の上部に中孔型容器本体の断面のパターンを有する第２保護膜パターン１２を形成させて中孔型容器本体を形成するための空間部を形成し、図８の（ｄ）に示したように、第２保護膜パターン１２によって形成された前記空間部に導電性物質をめっき工程によって埋め込ませて中孔型容器本体１６を形成させる。
【００７３】
ここで、前記中孔型容器本体１６の形状は、製作者に従って中孔型四角柱形状、中孔型円柱形状、中孔型三角柱形状などのような多様な中孔型柱形状で変形製作することもできる。
【００７４】
また、前記中孔型容器本体１６の以外に内部が埋め込まれた柱形状の容器本体で形成されることもできる。
【００７５】
そして、図８の（ｅ）に示したように、前記バンプ１８の上部に連結ビームの断面パターンを有する第３保護膜パターン２０ａを形成させて連結ビーム２０を形成するための空間部を形成し、図８の（ｆ）に示したように、前記空間部に導電性物質を埋め込ませて前記中孔型容器本体１６に垂直に連結結合される連結ビーム２０を形成させる。
【００７６】
そして、図８の（ｇ）に示したように、前記保護膜パターン１２、２０ａを除去した連結ビーム２０に前記図６の（ａ）ないし図６の（ｅ）の同一である工程を経って第２保護膜パターン６が除去された支持ビーム１０をボンディングさせる。
【００７７】
そして、図８の（ｈ）に示したように、前記犠牲基板２を除去して電気的接触体１００のチップ１０ａを開放させる。
【００７８】
添付の図９、図１０及び図１１によって示した中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体１００は、前記図６の（ａ）ないし図７の（ｋ）によって説明した実施形態と、図８の（ａ）ないし図８の（ｈ）によって説明した実施形態とによる製造方法にしたがって形成されたものであり、ＭＰＨ４０の下部に形成されたバンプ１８に垂直にボンディングされる四角柱形状の中孔型容器本体１６と、前記中孔型容器本体１６の下側端部に垂直に離隔配列されるように形成される少なくとも一つ以上の連結ビーム２０と、一側端部にチップ１０ａが形成され、他側端部には前記連結ビーム２０が垂直に連結される支持ビーム１０で構成される。
【００７９】
このとき、本実施形態でチップ１０ａと一体に形成された支持ビーム１０は、他のチップ１０ａと一体に形成された支持ビーム１０に互いに所定間隔離隔されて向き合い、支持ビーム１０の各チップ１０ａが向き合う支持ビーム１０の端部から内側に所定間隔離隔された地点まで位置するように形成され、各支持ビーム１０は、チップ１０ａの反対側からチップ１０ａに接近するほどその幅が細くなるテープ形状からなる。
【００８０】
前記のように構成された中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体は、図９の（ｂ）に示したように、半導体素子の電極パッド５０を加圧する過程において少なくとも一つ以上のチップ１０ａが電極パッド５０の上部の内側から外側に動きながら電極パッド５０の上部形成された酸化膜を除去し、離隔配列されたチップ１０ａ間の間隔差で電極パッド５０の上部に検査範囲を拡張させ、これによってチップ１０ａの検査領域が広くなって正確な検査ができるようになる。前記チップ１０ａの接触解除を行えば、チップ１０ａは原位置に戻る。
【００８１】
そして、添付の図１０及び図１１に示したように、一つ以上の連結ビーム２０が中孔型容器本体１６の下端部の任意の位置に所定間隔で離隔されて形成され、特に添付の図１１のように前記中孔型容器本体の下側面角部分に連結ビームが結合され、前記中孔型容器本体の下側面角部分に結合される連結ビームの結合面積が大きくなることによって、前記連結ビームと中孔型容器本体部の連結付近に応力集中を効果的に分散させるようにする。
【００８２】
（実施例３）
本発明による中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体の製造方法の更なる他の実施形態は、図１２に示した通りである。そして、本発明を説明するにおいて実施形態１と同一である部品は同一の符号で表示し、実施形態１と重複する部分についてはその説明を省略する。
【００８３】
まず、チップ１０ａと支持ビーム１０を形成する工程は、実施形態１で図１の（ａ）ないし（ｅ）によって説明する工程と同一である工程であるため、その詳細な説明は省略する。
【００８４】
すなわち、説明を省略した工程にしたがって前記犠牲基板２の上部にチップ１０ａ及び支持ビーム１０を形成させた後、図１２の（ａ）に示したように、前記犠牲基板２の上部に中孔型容器本体の断面パターンを有する、すなわち犠牲基板２の上部を開放する正方形形状の第１保護膜パターン１２を形成させて前記中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する。
【００８５】
そして、図１２の（ｂ）に示したように、第１保護膜パターン１２によって形成された前記空間部に導電性物質をめっきによって埋め込ませた後、平坦化工程を実行することによって、正方形柱形状の中孔型容器本体１６を形成する。
【００８６】
このとき、前記支持ビーム１０は、前記中孔型容器本体１６の内側断面に一体型に結合形成される。
【００８７】
そして、前記平坦化工程については前述したため省略する。一方、中孔型容器本体１６の更なる他の形成工程についても前述したため、ここでは省略する。
【００８８】
ここで、前記中孔型容器本体１６の形状は、製作者に従って中孔型四角柱形状、中孔型円柱形状、中孔型三角柱形状などのような多様な中孔型柱形状で変形製作することもできる。
【００８９】
また、前記中孔型容器本体１６の以外に内部が埋め込まれた柱形状の容器本体で形成されることもできる。
【００９０】
そして、図１２の（ｃ）に示したように、犠牲基板２の上部に支持ビーム１０及び中孔型容器本体１６を形成するための第１保護膜パターン１２を湿式エッチング工程によって除去する。そして、実施形態１の図１の（ｉ）によって記載したように前記ＭＰＨ４０上の接触端子（図示せず）で形成されたバンプ１８に前記中孔型容器本体１６をボンディングする。
【００９１】
最後に、図１２の（ｄ）に示したように、前記犠牲基板２を湿式エッチング工程によって除去して開放された前記チップ１０ａと、前記チップ１０ａと一体で形成された支持ビーム１０と、前記支持ビーム１０が内部面に具備された中孔型容器本体１６からなる電気的接触体１００を完成する。
【００９２】
一方、図１３はＭＰＨ４０にバンプを形成し、その上部に中孔型容器本体を形成した後、犠牲基板上に形成されたチップを一体型で有する支持ビームが中孔型容器本体の内側断面に一体型で結合形成される電気的接触体を形成する方式を説明するためのものであり、添付の図１２と同一である部品は同一の符号で表示し、重複する工程説明は省略する。
【００９３】
まず、図１３の（ａ）に示したように、多層回路基板、すなわちＭＰＨ４０の上部に接触端子（図示せず）領域を開放し、バンプ断面のパターンを有する第１保護膜パターン１８ａを形成してバンプを形成するための空間部を形成する。
【００９４】
そして、図１３の（ｂ）に示したように、前記空間部に導電性物質をめっき工程によって埋め込ませてバンプ１８を形成させる。
【００９５】
そして、図１３の（ｃ）に示したように、前記バンプ１８が形成されたＭＰＨ４０の上部に中孔型容器本体の断面パターンを有する第２保護膜パターン１２を形成して中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する。
【００９６】
そして、図１３の（ｄ）に示したように、前記第２保護膜パターン１２によって形成された空間部に導電性物質をめっき工程によって埋め込ませて中孔型容器本体１６を形成する。
【００９７】
ここで、前記中孔型容器本体１６の形状は、製作者に従って中孔型四角柱形状、中孔型円柱形状、中孔型三角柱形状などのような多様な中孔型柱形状で変形製作することもできる。
【００９８】
また、前記中孔型容器本体１６の以外に内部が埋め込まれた柱形状の容器本体で形成されることもできる。
【００９９】
そして、図１３の（ｅ）に示したように、前記第１、第２保護膜パターン１８ａ、１２を除去した後、前記中孔型容器本体１６の内側断面に前記支持ビーム１０の一端部が固定されるようにボンディングされる。
【０１００】
最後に、図１３の（ｆ）に示したように、犠牲基板２を湿式エッチング工程によって除去して開放されたチップ１０ａと前記チップ１０ａと一体で形成された支持ビーム１０と、前記支持ビーム１０が内部面に具備された中孔型容器本体１６とからなる電気的接触体１００を完成する。
【０１０１】
添付の図１４、図１５及び図１６によって示した中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体は、四角柱形状の中孔型容器本体１６から内側に支持ビーム１０が挿入されて、その一側端部が前記中孔型容器本体１６の内側壁に結合、形成されるようにボンディングされる。このとき、前記チップ１０ａの両側端部は隣接したチップの側端部と対向されて同一線上に整列される。
【０１０２】
前記のような構造を有する中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体は、図１４に示したように、半導体素子の電極パッド５０を加圧する過程において少なくとも一つ以上のチップ１０ａが電極パッド５０の上部の内側から外側に動きながら電極パッド５０の上部をスクラッチして所定範囲内の酸化膜が容易に除去されるようにした後、検査を実行するようになって正確な検査が行われることができるようにする。このとき、前記支持ビーム１０は、チップ１０ａが形成された端部の幅がその反対側端部の幅より狭いように形成されるテーパ形状を有すれば、前記幅の広い断面が中孔型容器本体１６に結合されることによって、チップ１０ａで受ける外力に対して前記支持ビームと中孔型容器本体１６の連結部品に応力集中が効率的に分散するだけでなく、ＯＤを充分に確保することができる効果がある。
【０１０３】
そして、添付の図１５及び図１６に示したように、一つ以上の支持ビーム１０が中孔型容器本体１６の内部断面に一体型で形成される。
【０１０４】
特に添付図面１２ｂのように、前記中孔型容器本体の内部側面角付近に支持ビームが連結され、前記中孔型容器本体の内部側面角付近に結合される連結ビームの結合面積が大きくなることによって、前記連結ビームと中孔型容器本体部の連結付近に応力集中を効果的に分散させるようにする。
【０１０５】
（実施例４）
本発明による中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体の製造方法の更なる他の実施形態は、図１７及び図１８に示した通りである。そして、本発明を説明するにおいて実施形態１と同一である部品は同一の符号で表示し、実施形態１と重複する部分についてはその説明を省略する。
【０１０６】
まず、図１７の（ａ）ないし（ｃ）に示したチップ１０ａを形成するためのトレンチ製作工程は、添付の図１の（ａ）ないし（ｃ）によって前述した説明と同一であるため、説明は省略する。
【０１０７】
そして、図１７の（ｄ）に示したように、前記シード層４が形成された犠牲基板２の上部に傾斜ビーム断面パターンを有する第１保護膜パターン２２を形成させた後、公知された傾斜露光装置のウェーハチャックに安着させて前記犠牲基板２の上側面を中心に傾斜ビーム空間部の傾斜角度がα゜になるように犠牲基板２を傾けた状態で露光及び現象工程が実行されるようにすることによって、後続金属物質の埋め込み工程によって傾斜ビームを形成するための空間部を形成する。
【０１０８】
すなわち、前記傾斜ビーム空間部は、犠牲基板の上側面を中心にαだけの傾斜角度で傾くと同時にいずれか一つのチップ形状のトレンチに連結されて形成されるように第１保護膜パターンに露光及び現象工程を実行する。
【０１０９】
すなわち、後続金属物質の埋め込み工程によってチップと一体となっている傾斜ビームを形成するための空間部を形成する。
【０１１０】
そして、図１７の（ｅ）に示したように、前記傾斜ビーム１０と離隔設置される更なる他の傾斜ビーム１０’を形成させるために前記傾斜ビームの傾斜角度が犠牲基板の上側面を中心に１８０−α゜だけ傾斜角度を有するように犠牲基板２を傾けた状態で露光及び現象工程が実行されるようにすることによって、後続金属物質の埋め込み工程によって傾斜ビームを形成するための空間部を形成する。
【０１１１】
そして、図１８の（ｆ）に示したように、前記第１保護膜パターン２２によって開放された領域、すなわち、傾斜ビーム１０、１０’を形成させるための前記空間部及びチップ１０ａを形成させるためのトレンチに導電性物質をめっきによって埋め込ませて傾斜角度がα゜及び１８０−α゜であり、互いに所定間隔離隔されて交差する傾斜ビーム１０、１０’を形成させる。このとき、前記傾斜ビーム１０、１０’とチップ１０ａとが連結される部位は、各チップ１０ａの端部が検査対象体表面と垂直的に接触するように曲がった状態である。
【０１１２】
そして、図１８の（ｇ）に示したように、前記犠牲基板２の上部に中孔型容器本体の断面パターンを有する、すなわち前記傾斜ビーム１０、１０’の端部上面を開放する第２保護膜パターン２６を形成させて中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する。
【０１１３】
そして、図１８の（ｈ）に示したように、前記第２保護膜パターン２６によって形成された前記空間部に導電性物質をめっきによって埋め込ませた後、平坦化工程を実行することによって、中孔型容器本体３０を形成させる。前記平坦化工程については前述したので、省略する。一方、中孔型容器本体３０の更なる他の形成工程についても前述したので、省略する。このとき、前記中孔型容器本体３０の以外に内部が埋め込まれた柱形状の容器本体で具備することもできる。ここで、前記中孔型容器本体１６の形状は、製作者に従って中孔型四角柱形状、中孔型円柱形状、中孔型三角柱形状などのような多様な中孔型柱形状で変形製作することもできる。
【０１１４】
また、前記中孔型容器本体１６の以外に内部が埋め込ませた柱形状の容器本体で形成されることもできる。
【０１１５】
そして、図１８の（ｉ）に示したように、傾斜ビームを形成させるための第１保護膜パターン２２及び第２保護膜パターン２６を除去した後、前記中孔型容器本体３０をＭＰＨ４０に形成されたバンプ１８にボンディングさせる。
【０１１６】
最後に、添付の図１８の（ｊ）に示したように、前記犠牲基板を湿式エッチング工程で除去することによって、開放されたチップ１０ａと傾斜ビーム１０、１０’とからなる電気的接触体１００を完成する。
【０１１７】
添付の図１９の（ａ）及び図２０に示したように、前記のような製造方法に従って製作された垂直型電気的接触体１００は、所定間隔離隔されたチップ１０ａが同一線上に整列されるように形成されるチップ１０ａと、前記チップ１０ａと一体に連結されると同時に前記チップの上側面を中心にα゜、１８０−α゜の傾斜角度を有するように曲がって連結される傾斜ビーム１０、１０’と、前記少なくとも一つ以上の傾斜ビーム１０、１０’が曲がって連結される四角柱形状の中孔型容器本体３０からなる。
【０１１８】
前記のような傾斜ビーム１０がチップ１０ａに作用する外力に対して前記傾斜ビーム１０、１０’と中孔型容器本体３０の連結部分とに応力集中を分散させるようになり、傾斜ビーム１０によって弾性力が増大するＯＤ確保が容易である。
【０１１９】
前記のような構造を有する中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体が図１９の（ｂ）に示したように、所定外力によって加圧されれば、少なくとも一つ以上のチップ１０ａが検査パッドの内側から外側に移動しつつ検査パッドの上部がスクラッチされ、酸化膜が除去され、検査するのに容易になる。
【０１２０】
一方、前記外力が除去されれば、チップ１０ａは原位置に戻る。
【０１２１】
（実施例５）
本発明による中孔型容器本体を有する垂直型電気的接触体の製造方法の更なる他の実施形態は、図２１及び図２２に示した通りである。そして、本発明を説明するとき、実施形態１と同一である部品は同一な符号で表示し、実施形態１と中腹する部分についてはその説明を省略する。
【０１２２】
まず、図２１の（ａ）ないし（ｈ）に示した第１傾斜ビーム１０、１０’を形成させるための空間部を形成する工程は、添付の図１７（ａ）ないし図１８（ｅ）によって前述したものと同一であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１２３】
そして、添付の図２１の（ｇ）に示したように、前記第１傾斜ビーム１０、１０’を形成させるための空間部が形成された犠牲基板２の上部に傾斜ビームの断面パターンを有する第１保護膜パターン３１を形成させた後、公知された傾斜露光装置のウェーハチャックに安着させて前記犠牲基板２の上側面を中心に傾斜ビームの傾斜角度がβ゜になるように犠牲基板２を傾けた状態で露光及び現象工程が実行されるようにすることによって、後続金属物質の埋め込み工程にしたがって第２傾斜ビーム１０ｂを形成するための空間部を形成する。このとき、前記第１保護膜パターン３１は傾斜角度が犠牲基板２の上側面を中心にβ゜である第２傾斜ビーム１０ｂと傾斜角度が１８０-β゜である第２傾斜ビーム１０ｂ’を形成するようにする。
【０１２４】
そして、添付の図２２の（ｈ）に示したように、前記第２傾斜ビームと離隔設置される更なる他の第２傾斜ビームを形成させるために前記傾斜ビームの傾斜角度が１８０−β゜になるように犠牲基板２を傾けた状態で露光及び現象工程が実行されるようにすることによって、後続金属物質の埋め込み工程にしたがって第２傾斜ビームを形成するための空間部を形成する。
【０１２５】
そして、図２２の（ｉ）に示したように、前記第１、第２保護膜パターン２２、３１によって開放された傾斜ビーム１０、１０’、１０ｂ、１０’を形成させるための前記空間部及びチップ１０ａを形成させるためのトレンチに導電性物質をめっきによって埋め込ませて傾斜角度が前記犠牲基板２の上側面を中心にα゜、１８０−α゜、β゜及び１８０−β゜である傾斜ビーム１０、１０’、１０ｂ、１０ｂ’を形成させる。このとき、前記傾斜ビーム１０、１０’、１０ｂ、１０ｂ’は各チップ１０ａに曲がった状態で連結される。
【０１２６】
そして、添付の図２２の（ｊ）に示したように、前記犠牲基板２の上部に中孔型容器本体の断面パターンを有する、すなわち前記第２傾斜ビーム１０ｂ、１０ｂ’の端部上面を開放する第３保護膜パターン２６を形成させて中孔型容器本体を形成するための空間部を形成する。
【０１２７】
そして、図２２の（ｋ）に示したように、前記第３保護膜パターン２６によって形成された前記空間部に導電性物質をめっきによって埋め込ませた後、平坦化工程を実行することによって中孔型容器本体３０を形成させる。前記平坦化工程については前述したので、省略する。一方、中孔型容器本体３０のまた他の形成工程についても前述したので、省略する。
【０１２８】
ここで、前記中孔型容器本体１６の形状は、製作者に従って中孔型四角柱形状、中孔型円柱形状、中孔型三角柱形状などのような多様な中孔型柱形状で変形製作することもできる。
【０１２９】
また、前記中孔型容器本体１６の以外に内部が埋め込まれた柱形状の容器本体で形成されることもできる。
【０１３０】
このとき、前記中孔型容器本体３０の以外に内部が埋め込ませた柱形状の容器本体で具備することもできる。
【０１３１】
そして、図２２（ｌ）に示したように、傾斜ビームを形成させるための第１保護膜パターン２２、第２保護膜パターン３１及び第３保護膜パターン２６を除去した後、前記中孔型容器本体３０をＭＰＨ４０に形成されたバンプ１８にボンディングさせる。
【０１３２】
最後に、添付の図２２（ｍ）に示したように、前記犠牲基板上の中孔型容器本体３０がバンプ１８にボンディングされた犠牲基板２を湿式エッチング工程によって除去することで、チップ１０ａを開放してチップ１０ａと傾斜ビーム１０、１０’、１０ｂ、１０ｂ’からなる電気的接触体１００を完成する。
【０１３３】
前記傾斜角α゜とβ゜との関係は次の通りである。
【０１３４】
０゜＜α゜＜β゜＜９０゜。
【０１３５】
添付の図２３の（ａ）及び図２４に示したように、前記のような製造方法にしたがって製作された垂直型電気的接触体１００は、所定間隔離隔されて同一の線上に整列されるように形成される少なくとも一つ以上のチップ１０ａと、前記チップ１０ａの上側面を中心にそれぞれにα゜の傾斜角を有するように曲がって形成される第１傾斜ビーム１０、１０’と、前記第１傾斜ビーム１０、１０’の上側面を中心にβ゜の傾斜角を有するように曲がって連結される第２傾斜ビーム１０ｂ、１０ｂ’と、前記少なくとも一つ以上の第２傾斜ビーム１０ｂ、１０ｂ’が形成される四角柱形状の中孔型容器本体３０からなる。
【０１３６】
ここで、前記チップ１０ａに作用する外力に前記のような傾斜ビーム１０、１０’、１０ｂ、１０ｂ’によって形成された湾曲形状のビームが応力集中を分散させ、弾性力が増大されて電気的接触体の寿命を延長させることができ、ＯＤ確保が容易である。
【０１３７】
前記のような一つ以上の傾斜ビームが中孔型容器本体の下端部の任意の位置に所定間隔で離隔されて形成された垂直型電気的接触体の図２３の（ｂ）に示したように、所定外力によって加圧されれば、少なくとも一つ以上のチップ１０ａが検査パッドの内側から外側に移動しつつ検査パッドの上部をスクラッチして酸化膜を除去させて検査するのに容易になる。
【０１３８】
一方、前記外力が除去されれば、チップ１０ａは原位置に戻る。
【０１３９】
本発明は前記の実施形態に限定されず、当業者によって多様な変形及び変更ができ、これは請求項において定義される本発明の趣旨と範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４０】
本発明による電気的接触体は、半導体装置の電気的テストのためのプローブカードに用いられることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４１】
【図１】本発明による垂直型電気的接触体の製造方法を説明するための側断面図である。
【図２】図１の更なる他の実施形態を示した側断面図である。
【図３】図１または図２の製造方法にしたがって製作された垂直型電気的接触体の使用状態を説明するための図である。
【図４】本発明による垂直型電気的接触体の斜視図である。
【図５】図４の更なる他の実施形態であり、支持ビームが中孔型容器本体の角部分にボンディングされ結合、形成されることを説明するための斜視図である。
【図６】本発明による容器本体に連結ビームがさらに具備される垂直型電気的接触体の製造方法を説明するための側面斜視図である。
【図７】本発明による容器本体に連結ビームがさらに具備される垂直型電気的接触体の製造方法を説明するための側面斜視図である。
【図８】本発明による容器本体に連結ビームがさらに具備される垂直型電気的接触体の製造方法の他の実施形態を説明するための側面断面図である。
【図９】図６ないし図７の製造方法にしたがって製作された垂直型電気的接触体の使用状態を説明するための図である。
【図１０】本発明による容器本体に連結ビームがさらに具備された垂直型電気的接触体の斜視図である。
【図１１】図１０の更なる他の実施形態であり、連結ビームが中孔型容器本体の角部分にボンディングされ結合、形成されることを説明するための斜視図である。
【図１２】本発明による容器本体の内側に支持ビームが形成された垂直型電気的接触体の製造方法を説明するための側断面図である。
【図１３】図１２の容器本体の内側に支持ビームが形成された垂直型電気的接触体の製造方法の他の実施形態を説明するための側断面図である。
【図１４】図１２及び図１３の製造方法にしたがって製造された容器本体の内側に支持ビームが形成された垂直型電気的接触体の使用状態を示した図である。
【図１５】本発明による容器本体の内側に支持ビームが形成された垂直型電気的接触体の斜視図である。
【図１６】図１５の他の実施形態であり、支持ビームが中孔型容器本体の内部角部分にボンディングされ結合、形成されることを説明するための斜視図である。
【図１７】本発明による容器本体に傾斜ビームがさらに具備される垂直型電気的接触体の製造方法を説明するための側断面図である。
【図１８】本発明による容器本体に傾斜ビームがさらに具備される垂直型電気的接触体の製造方法を説明するための側断面図である。
【図１９】本発明による容器本体に傾斜ビームがさらに具備される垂直型電気的接触体の使用状態を示した図である。
【図２０】本発明による容器本体に傾斜ビームがさらに具備される垂直型電気的接触体の斜視図である。
【図２１】本発明による容器本体に複数の傾斜ビームが連結され湾曲された形状を有するビームが具備される垂直型電気的接触体の製造方法を説明するための側断面図である。
【図２２】本発明による容器本体に複数の傾斜ビームが連結され湾曲された形状を有するビームが具備される垂直型電気的接触体の製造方法を説明するための側断面図である。
【図２３】本発明による湾曲形状を有するビームが具備された垂直型電気的接触体の使用状態を示した図である。
【図２４】本発明による湾曲形状を有するビームが具備された垂直型電気的接触体の斜視図である。
【符号の説明】
【０１４２】
２  犠牲基板
６、８、１２  保護膜パターン
１０ａ  チップ
１０  支持ビーム
１０ｂ  連結ビーム
２０、２０’  第１傾斜ビーム
２０ｂ、２０ｂ’  第２傾斜ビーム
１６  中孔型容器本体
１８  バンプ
４０  ＭＰＨ（多層回路基板）
【図１】
2008513801.tif 000003
【図２】
2008513801.tif 000004
【図３】
2008513801.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2008513801.tif 000008
【図７】
2008513801.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008513801.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【国際調査報告】
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