(57)【要約】  集積発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。例示的な一実施形態では、この方法は、エネルギーが印加されると所定の色の光を発することができるｐｎ接合を基板に生物学的に形成する工程を含む。別の例示的な実施形態では、発光ダイオードの製造方法を提供する。この方法は、ｐｎ接合材料に対して親和力を有する生物学的材料を基板に堆積する工程と、堆積した生物学的材料を第１のｐｎ接合材料に露出してｐｎ接合のドープ領域を形成する工程とを含む。さらに別の例示的な実施形態では、発光ダイオードを提供する。この発光ダイオードは、基板と、この基板に生物学的に形成し配置したｐｎ接合とを含み、このｐｎ接合にエネルギーを印加すると所定の色の光を発するものである。
2008544316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギーが印加されると所定の色の光を発することができるｐｎ接合（２０４）を基板（２０２）の上に生物学的に形成する工程を含む集積発光ダイオード表示装置（１００）の製造方法。
【請求項２】
前記生物学的に形成する工程が、
ｐｎ接合材料に対して親和力を有する生物学的材料を前記基板（２０２）の上に堆積する工程と、
前記ｐｎ接合（２０４）の第１のドープ領域（２１２）を形成するように、前記堆積した生物学的材料を第１のｐｎ接合材料に露出させる工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記露出させる工程が、ｐドープした第１のｐｎ接合材料またはｎドープした第１のｐｎ接合材料に前記堆積した生物学的材料を露出させる工程を含み、前記方法がさらに、
前記第１のドープ領域（２１２）に前記生物学的材料を堆積する工程と、
第２のドープ領域（２１４）を形成するように、ｐドープした第１のｐｎ接合材料またはｎドープした第１のｐｎ接合材料のうちの他方に前記生物学的材料を露出させる工程と
を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記生物学的に形成する工程が、前記基板（２０２）の上に複数のｐｎ接合（２０４）を作成する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記作成する工程が、
前記基板（２０２）の第１の領域（１０２）に、エネルギーが印加されると第１の色の光を発することができる第１の複数のｐｎ接合（２０４）を第１のｐｎ接合（２０４）材料から生物学的に形成する工程と、
前記基板（２０２）の第２の領域（１０４）に、エネルギーが印加されると第２の色の光を発することができる第２の複数のｐｎ接合（２０４）を第２のｐｎ接合（２０４）材料から生物学的に形成する工程と、
前記基板（２０２）の第３の領域（１０６）に、エネルギーが印加されると第３の色の光を発することができる第３の複数のｐｎ接合（２０４）を第３のｐｎ接合（２０４）材料から生物学的に形成する工程と
を含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基板（２０２）と、
前記基板（２０２）の上に配置され生物学的に形成されたｐｎ接合（２０４）とを備え、
前記ｐｎ接合（２０４）にエネルギーを印加すると所定の色の光を発することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項７】
前記基板（２０２）がガラスからなる請求項６に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記基板（２０２）の上に配置され、前記ｐｎ接合（２０４）に電気的に結合した導体をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記基板（２０２）に形成された第１のｐｎ接合（２０４）と、第２のｐｎ接合（２０４）と、第３のｐｎ接合（２０４）とをさらに備え、各ｐｎ接合（２０４）がエネルギーが印加されると第１の色、第２の色、第３の色をそれぞれ発光できることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記基板（２０２）と前記ｐｎ接合（２０４）との間に配置されたバックプレーン電子薄膜トランジスタをさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、２００５年６月１５日に出願された米国仮特許出願第６０／６９１，１４８号明細書の利益を主張するものである。
【技術分野】
【０００２】
本発明は概して表示装置に関し、より詳細には、バイオファブリケーション方式を用いて製造される集積発光ダイオードを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
発光ダイオード（「ＬＥＤ」）表示装置は、広告、交通管制、スポーツイベント、他の通信手段など、無数の目的に用いられる。典型的なＬＥＤ表示装置は、真空管に配置された半導体チップをそれぞれ含む多数のＬＥＤで作成されている。各チップは、結晶性または多結晶性の半導体材料の種々の層を堆積させたウエハから作成され、ＬＥＤに特定の色をもたらすために特定の半導体材料が用いられる。典型的には、ウエハから、エネルギーが供給されると同色の光を発することのできる多数のＬＥＤが得られる。表示装置に含まれるＬＥＤはそれぞれが個別素子であるため、多色表示装置を製造するためには異なるウエハから作製される多数のＬＥＤが必要となる。結果として、大量の材料が必要となり得る。そして、個々のＬＥＤは所定のパターンに組み合わされ、電源に接続されて表示装置を形成する。
【０００４】
多色表示装置を作成するのに用いる材料の量を低減するために、集積ＬＥＤ（「ＩＬＥＤ」）表示装置の使用が最近提案されている。ＩＬＥＤはシリコン基板などの従来の単一の半導体基板に構成されるのが典型であり、従来のＬＥＤ表示装置と同様に、エネルギーが供給されると発光するものである。しかし、多色ＩＬＥＤを製造するための現在のプロセスは非常に高温（約１０００℃）を伴うものであり、比較的複雑であり、実行に時間がかかる。結果として、ＩＬＥＤの製造に関わる費用は比較的高いものとなる。また、ＩＬＥＤは一般に半導体材料の上に形成されるため、光の抽出が従来のＬＥＤアレイ表示装置におけるものほど効率的ではない。光抽出を増大させるための試みには、例えばガラス基板またはプラスチック基板などの透明な基板にＩＬＥＤを構成することが含まれていた。しかし、一定の色を発することのできる特定の材料を堆積するには、例えば約１０００℃を上回る比較的高温が必要である。これは、透明な基板材料に対するプロセス温度は約３００℃以下に制限されるのが典型であるため、このような基板材料の使用を不可能にする温度である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、比較的単純であり３００℃を下回る温度で実施できるＩＬＥＤ表示装置の製造プロセスを有することが望ましい。また、このプロセスが高品質かつ多色のＩＬＥＤ表示装置を製造することが望ましい。さらに、本発明の他の望ましい特徴および特性は、添付の図面およびこの本発明の背景技術と併せて次の本発明の詳細な説明および添付の特許請求の範囲から明らかになる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
集積発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。例示的な一実施形態では、この方法は、エネルギーが印加されると所定の色の光を発することができるｐｎ接合を基板に生物学的に形成する工程を含む。
【０００７】
別の例示的な実施形態では、発光ダイオードの製造方法を提供する。この方法は、ｐｎ接合材料に対して親和力を有する生物学的材料を基板に堆積する工程と、堆積した生物学的材料をｐｎ接合材料に露出して、エネルギーが印加されると所定の色の光を発することができるｐｎ接合の第１のドープ領域を形成する工程とを含む。
【０００８】
さらに別の例示的な実施形態では、発光ダイオードを提供する。この発光ダイオードは、基板と、この基板に生物学的に形成され配置されたｐｎ接合とを備え、このｐｎ接合にエネルギーを印加すると所定の色の光を発するものである。
【０００９】
本発明を次の図面と併せて以下に説明するが、図面において同一の番号は同一の構成要素を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下の本発明の詳細な説明は、実際はあくまでも例示的なものであり、本発明または本発明の適用および使用を制限することを意図するものではない。さらに、先の本発明の背景技術または以下の本発明の詳細な説明に示したいかなる理論によっても拘束されることを意図するものではない。
【００１１】
ここで図１を見ると、例示的な多色集積発光ダイオード（「ＩＬＥＤ」）表示装置１００の一部が表されている。表示装置１００は単一の基板１１０の上に構成されるのが好ましく、複数のダイオード２００が形成されたバックプレーン電子素子層２０１（図２に示す）を含むものである。ダイオード２００およびバックプレーン電子素子層２０１は、これらに電力を供給する表示装置駆動電子機器１１２に結合しており、これにより作動するものである。
【００１２】
基板１１０は複数の区域に分割されており、各区域はさらに少なくとも三つの領域１０２、１０４、１０６に分割されている。これらの各領域１０２、１０４、１０６は、エネルギーが供給されると発光できる。各領域は単色の光を発し、ある領域から発せられる光は別の領域から発せられる光とは異なる色であることが好ましい。例えば、第１の領域１０２はそれぞれが第１の色の光を発するように構成されており、第２の領域１０４はそれぞれが第２の色の光を発するように構成されており、第３の領域１０６は第３の色の光を発するように構成されている。
【００１３】
表示装置１００にカラー画像を生成するために、三原色を含めた色合成を用いるのが好ましい。例示的な一実施形態では加色混合を用いるため、表示装置１００で用いられる第１の色、第２の色、第３の色は赤、緑、青である。別の例示的な実施形態では、減色混合を採用する。これについては、第１の色、第２の色、第３の色はシアン、マゼンタ、黄色である。領域１０２、１０４、１０６は図１に特定のパターンに配置して表してあるが、種々の色を作り出すのに加色混合または減色混合の能力を最大限に活かすパターンに領域１０２、１０４、１０６を配置するのが最も好ましいことが理解されるであろう。このため、領域１０２、１０４、１０６は他のいかなる適したパターンにも配置されてよい。
【００１４】
ダイオード２００により複数の領域１０２、１０４、１０６から光が発せられる。複数のダイオード２００を領域１０２、１０４、１０６のそれぞれに配置して示してあるが、代わりにこれよりも少ないかまたは多いダイオード２００をここに組み込んでもよいことが理解されるであろう。図２に移ると、一つの例示的なダイオード２００が表されている。ダイオード２００は基板２０２のバックプレーン電子素子層２０１に形成されており、所定の色の光を発することができる。各ダイオード２００は、ｐｎ接合２０４と、これに結合した二つの導体２０６、２０８とを含んでいる。一部の実施形態では、ダイオード２００は基板２０２と導体２０６のうちの一つとの間に配置された反射体２１０をも含んでいる。
【００１５】
基板２０２はいかなる大きさであってもよく、複数のダイオード２００が形成された土台として機能するように構成される。基板２０２は比較的軽量の材料で作成されているのが好ましく、透明であってもよく、または反射性であってもよい。適した材料には、これに限定されないが、ガラス、プラスチック、スチール、アルミニウムがある。バックプレーン電子素子層２０１は、ｐｎ接合２０４に供給されるエネルギー、例えば、電圧または電流を制御するように構成されるため、ＩＬＥＤ用の薄膜トランジスタアレイとして形成されるのが好ましい。バックプレーン電子素子層２０１は、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、有機半導体材料など、薄膜トランジスタを形成するのに適した多くの半導体材料のうちのいずれか一つから構成されてよい。
【００１６】
ｐｎ接合２０４は、バックプレーン電子素子層２０１の上に配置されており、Ｐ型ドーパントをドープした第１のドープ領域２１２と、ｎ型ドーパントをドープした第２のドープ領域２１４とを含むか、またはこの逆のものを含む。従来使用されてきた多くの半導体材料のうちいずれか一つを用いてよいことが理解されるであろう。しかし、第１のドープ領域２１２および第２のドープ領域２１４はいずれも同一の材料で作成されているのが好ましく、この材料はｎ型ドーパントまたはｐ型ドーパントがドープされたものである。例示的な一実施形態では、ｐｎ接合を形成する材料は、発光機能、およびレーダなどの他の電磁放射検出／センサー機能としての二重の特性を有している。このような場合、適した材料には、これに限定されないが、ＺｎＳ等があり得る。表示装置１００の第１の領域１０２に配置された各ｐｎ接合２０４は第１の材料を含み、表示装置１００の第２の領域１０４に配置された各ｐｎ接合２０４は第２の材料を含み、表示装置１００の第３の領域１０６に配置された各ｐｎ接合２０４は第３の材料を含むのが好ましい。種々の材料を用いる理由は、以下の説明でさらに明らかになる。
【００１７】
第１のドープ領域２１２および第２のドープ領域２１４のそれぞれの少なくとも一部が導体２０６、２０８とそれぞれ導通されている。導体２０６、２０８は、図１の表示装置駆動電子機器１１２など、図示されない電力源からバックプレーン電子素子層２０１を介してエネルギーを受け取り、電圧または電流をｐｎ接合２０４を通って供給するように構成されている。導体２０６、２０８は、従来の多くの構成のうちのいずれか一つを有し、従来使用されてきた多くの導電材料のうちのいずれか一つで作成されてよい。図２に示した一例では、導体２０６、２０８は、ｐｎ接合２０４の第１のドープ領域２１２および第２のドープ領域２１４に隣接してそれぞれ堆積されるかまたは形成される導電材料の層である。また、図２に示すように、下部導体２０６はｐｎ接合２０４とバックプレーン電子素子層２０１との間に配置されており、上部導体２０８はｐｎ接合２０４の上に配置され露出されている。別の実施形態では、露出した上部導体２０８は、例えば、酸化インジウムスズまたは酸化インジウム亜鉛など、実質的に透明な材料で作成されていることが好ましい。代わりの方法として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）装置の上部から発せられた光を抽出するトップエミッション構造用の他のいかなる適した透明な導電材料を用いてもよい。他の適した材料の例としては、これに限定されないが、ナノ材料、カーボンナノチューブ、フラーレン、ナノワイヤ、有機半導体材料、導電性ポリマー等がある。
【００１８】
一部の実施形態では、ダイオード２００は反射体２１０を含んでいる。反射体２１０は、ｐｎ接合２０４から発せられた光を表面の電極２０８の方向に効率的に反射して戻し、その後光が観察者に達するように構成されている。これについて、反射体２１０は、多くの反射性材料のうちのいずれか一つで形成されてよい。適した材料の例としては、これに限定されないが、アルミニウム、およびクロムがある。一部のトップエミッションの実施形態では、下部導体２０６は反射体として機能してもよく、これにより別個の反射体２１０が不要となる。
【００１９】
例示的な一実施形態では、下部導体２０６は、表示装置の底部から基板２０２を介して光を抽出するために透明な導電材料で作成されており、反射性材料２１０は導体２０８の上部に位置している。このボトムエミッションの実施形態では、上部導体２０８は反射体として機能してもよく、これにより独立した反射体２１０が不要となる。
【００２０】
ここで図３に移ると、多色ＩＬＥＤ表示装置１００を構成するための例示的な方法３００が説明されている。初めに、基板２０２にバックプレーン電子素子層２０１を形成する（工程３０２）。次に、バックプレーン電子素子層２０１にｐｎ接合２０４を生物学的に形成する（工程３０４）。その後、ｐｎ接合２０４を導体２０６、２０８に電気的に結合させ、これによりバックプレーン電子素子層２０１および表示装置駆動電子機器１１２に結合させる（工程３０６）。
【００２１】
上に簡潔に述べたように、基板２０２にバックプレーン電子素子層２０１を形成する（工程３０２）。バックプレーン電子素子層２０１は従来の多くの技術のうちのいずれか一つを用いて形成してもよいことが理解されるであろう。例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、および有機半導体材料などの材料で薄膜トランジスタを形成するのに適した技術が採用されるのが好ましい。例示的な一実施形態では、バックプレーン電子素子層２０１には、その上に配置された導体２０６のうちの一つが形成される。別の例示的な一実施形態では、バックプレーン電子素子層２０１には、その上に反射体２１０が形成される。さらに別の実施形態では、下部導体２０６の上に反射性材料が配置される。
【００２２】
次に、バックプレーン電子素子層２０１にｐｎ接合２０４を生物学的に形成する（工程３０４）。初めに、ｐｎ接合２０４の材料およびｐｎ接合２０４を形成するための生物学的材料を選択する。ｐｎ接合２０４の材料は、エネルギーが印加されると有色光を発することができるように選択するのが好ましく、生物学的材料は、特定の元素または化合物に対して結合特異性を有し、比較的低温で処理できる表面を有することが可能な多くの生物学的材料のうちのいずれか一つから選択するのが好ましい。これらの材料の選択は相互に依存し合って決まる。特に、ｐｎ接合２０４の材料はｐｎ接合２０４を適切に構成するためのみに選択するのではなく、選択した生物学的材料のうちの一つが親和力を示す元素または化合物が含まれるようにも選択する。
【００２３】
例えば、多色ＩＬＥＤ表示装置１００の製造については、ｐｎ接合２０４を形成するために少なくとも三つの異なる種類の半導体材料を使用し、三つの異なるタンパク質など、対応する少なくとも三つの異なる生物学的材料を選択する。一例として、窒化ガリウムをベースとした半導体を用いて第１のｐｎ接合を形成し、ヒ化ガリウムをベースとした半導体として第２のｐｎ接合を形成し、リン化ガリウムアルミニウムをベースとした半導体として第３のｐｎ接合を形成する。これに応じて、窒化ガリウムに対して親和力を有する第１のタンパク質を選択し、ヒ化ガリウムに対して親和力を有する第２のタンパク質を選択し、リン化ガリウムアルミニウムに対して親和力を有する第３のタンパク質を選択する。
【００２４】
材料を選択した後、基板２０２、またはその代わりにバックプレーン電子素子層２０１または導体２０６に、生物学的材料の一つを所定のパターンとなるように堆積し、これに対応するｐｎ接合２０４の材料源と接触させる。三つのｐｎ接合材料が選択され、材料の堆積パターンが図１に示す表示装置１００の第１の領域１０２、第２の領域１０４、第３の領域１０６の特定のパターンと同様である例示的な一実施形態では、初めに第１の領域１０２にｐｎ接合２０４を形成し、第２の領域１０４および第３の領域１０６をマスクで覆う。約３００℃を下回る温度で行われてもよい従来の多くのマスキング技術のうちのいずれか一つを用いて領域１０４、１０６を被覆してもよい。
【００２５】
そして、第１の領域１０２に第１のｐｎ接合材料に対して親和力を有する第１の生物学的材料を堆積する。生物学的材料は、特定の元素または化合物に対して結合特異性を有し、比較的低温で処理できる表面を有する多くの生物学的材料のうちのいずれか一つであってよい。例示的な一実施形態では、生物学的材料はタンパク質である。タンパク質は、バクテリオファージ、または他のウイルスまたはバクテリアとしてなど、多くのパッケージのうちいずれか一つにカプセル化され、その表面に作用して特定の元素または化合物に結合することが理解されるであろう。生物学的材料は既製のものを得てもよく、また特別に設計したものでもよい。第１の領域１０２に生物学的材料を噴霧してもよく、第１の領域１０２を生物学的材料に浸漬させてもよく、またはその代わりに第１の領域１０２に生物学的材料を接触させてもよい。
【００２６】
次に、第１の生物学的材料をこれに対応するｐｎ接合２０４の材料に接触させる。例示的な一実施形態では、初めにｐｎ接合２０４のｐドープした材料を用いるが、ｎドープした材料を代わりに用いてもよいことが理解されるであろう。対応するｐｎ接合２０４の材料を溶液またはプラズマ中に浮遊させ、多くの方法のうちいずれか一つの方法により第１の生物学的材料に接触させる。例えば、ｐｎ接合２０４の材料を領域１０２に噴霧するか、またはその代わりに、ｐｎ接合２０４の材料を懸濁させた溶液を収容した容器の中に基板２０２を浸すかまたは浸漬させる。いかなる場合でも、ｐｎ接合２０４の材料が第１の生物学的材料に結合してこれにより第１のドープ領域２１２を形成するのに十分な時間をかけて、この溶液またはプラズマを領域１０２に接触させることが好ましい。
【００２７】
第１の領域１０２において十分な量のｐｎ接合２０４の材料を成長させた後、第１の領域１０２における第１の生物学的材料の堆積を繰り返し、さらに対応するｐｎ接合２０４の材料を第１の生物学的材料に接触させる。例示的な一実施形態では、ｐｎ接合２０４のｎドープした材料を、十分な量が基板２０２に堆積して第２のドープ領域２１４を形成するまで、第１の生物学的材料に接触させる。先の工程でｎドープした材料を採用した場合、この工程ではｐドープした材料が用いられるのが好ましいことが理解されるであろう。
【００２８】
その後、任意の従来の技術を用いて第２の領域１０４および第３の領域１０６のマスクを外し、第２の領域１０４および第３の領域１０６にｐｎ接合２０４を形成するためにプロセスを繰り返す。例えば、第１の領域１０２にｐｎ接合２０４を形成した後、第１の領域１０２および第３の領域１０６をマスクで覆い、第２の領域１０４を第２の生物学的材料およびこれに対応するｐｎ接合２０４の材料に露出させる。その後、少なくとも第３の領域１０６のマスクを外し、第１の領域１０２および第２の領域１０４をマスクで覆う。その後、第３の領域１０６を第３の生物学的材料およびこれに対応するｐｎ接合２０４の材料に露出させる。いかなる場合でも、ｐｎ接合２０４の形成における各工程が、基板２０２の材料の構造の完全性に悪影響を及ぼさない範囲の温度で行うことが好ましい。例えば、基板２０２がガラスである実施形態では、温度範囲が約３００℃を超えないことが好ましい。基板２０２が熱安定化ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などのプラスチック基板を含む場合、温度範囲は約１８０℃を超えないことが好ましい。
【００２９】
領域１０２、１０４、１０６にｐｎ接合２０４を十分に形成した後、生物学的材料をこれらから除去する。除去の工程は接触のプロセスを通して数回行ってもよく、または一度行ってもよいことが理解されるであろう。例えば、種々のｐｎ接合２０４の材料および／またはマスキングが用いられるプロセスでは、各溶液を基板２０２に適切に接触させた後に生物学的材料を除去する。代わりの方法で、ｐｎ接合２０４を形成する全プロセスの終わりに生物学的材料を除去してもよい。除去は、従来の多くの熱的手法または化学的手法のいずれか一つを用いて行ってもよい。
【００３０】
次に、上部導体２０８を形成し、ｐｎ接合２０４に電気的に結合させる（工程３０６）。上部導体２０８は、ＩＬＥＤにおけるｐｎ接合すべてに共通のものである。導体２０８は、従来のマスキングプロセス、堆積プロセス、エッチングプロセスを含めた従来の多くの技術のうち一つを用いて形成してもよいことが理解されるであろう。その後、導体２０８およびバックプレーン層２０１を、表示装置駆動電子機器１１２または他の適した電力源に結合させる。
【００３１】
このようにして、電力源によって導体２０６、２０８に電流を供給することによりｐｎ接合２０４にエネルギーを供給した際に、表示装置１００の各領域１０２、１０４、１０６は、領域内に配置されるｐｎ接合２０４の材料を製造するのに用いられた半導体材料に対応した色の光を発することとなる。一つ以上の領域１０２、１０４、１０６、および／または領域１０２、１０４、１０６に配置された一つ以上のダイオード２００に電圧または電流を供給することにより、多色が作り出される。
【００３２】
比較的単純であり、約３００℃を下回る温度で行うことのできるＩＬＥＤ表示装置の製造プロセスをここに提供した。また、このプロセスは単一の基板を用いるものであり、高品質の多色ＩＬＥＤ表示装置がその上に作り出される。
【００３３】
少なくとも一つの例示的な実施形態を上述の本発明の詳細な説明において示したが、膨大な数の変形例が存在することは理解されるであろう。例示的な実施形態または複数の例示的な実施形態はあくまでも例であり、いかなる方法によっても本発明の範囲、適用性、または構成を限定することを意図したものではないことは理解されるであろう。先の詳細な説明はむしろ、当業者に、本発明の例示的な実施形態を実行するのに都合の良いロードマップを提供するものである。添付の特許請求の範囲に示した本発明の範囲を逸脱することなく、例示的な実施形態に記載した構成要素の機能および配置に種々の変更を加えられることは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】例示的な集積発光ダイオード（「ＩＬＥＤ」）表示装置である。
【図２】図１の表示装置に実装可能な例示的な発光ダイオード（「ＬＥＤ」）の断面図である。
【図３】図１に表したＩＬＥＤ表示装置の例示的な製造方法のフローチャートである。
【図１】
2008544316.tif 000003
【図２】
2008544316.tif 000004
【図３】
2008544316.tif 000005
【国際調査報告】
2008544316.tif 000006
2008544316.tif 000007
2008544316.tif 000008
2008544316.tif 000009
2008544316.tif 000010