(57)【要約】【課題】モデルフィードバックアップデートを用いた分離／入れ子形カスケーディングトリム制御を提供することである。【解決手段】この方法は、分離された構造／形態と、入れ子形構造／形態との間のバイアスを調整できるようにし、プロセスを補正する方法であって、この分離された構造／形態は、この入れ子形構造／形態よりも小さくする必要があり、また、この入れ子形構造／形態は、この分離された構造／形態に対して小さくする必要があり、また同時に、トリミングの決定的な制御を可能にする、エッチング処理のための方法を含む。【選択図】
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理システムを作動させる方法であって、
ウェーハ上の少なくとも１つの分離された構造のための基準メトロロジデータと、前記ウェーハ上の少なくとも１つの入れ子形構造のための基準メトロロジデータとを含む、前記ウェーハのための基準メトロロジデータを備える入力データを受け取ることと、
前記ウェーハのための基準メトロロジデータを用いて、第１のエッチングプロセスを制御する第１の制御プランを含む分離／入れ子形制御戦略を生成することと、
前記ウェーハ上の少なくとも１つの入れ子形構造のための基準メトロロジデータを用いて、第２のエッチングプロセスを制御する第２の制御プランを生成することと、
を備える方法。
【請求項２】
分離された構造のための測定データと、入れ子形構造のための測定データとの差を用いて、測定バイアストリムを計算することと、
バイアストリムターゲットを決めることと、
バイアストリム調整を計算することと、
所望のバイアストリム調整を実現するために、レシピ設定を決めることと、
残りのＢＡＲＣトリムを計算することと、
所望のＢＡＲＣトリムを実現するために、前記レシピ設定を決めることと、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
オプティカル・デジタル・プロフィロメトリ（ＯＤＰ）を用いて、ウェーハ上の複数の分離された構造のための測定データを得ることと、
微小寸法測定走査電子顕微鏡（ＣＤ  ＳＥＭ）データを用いて、前記ウェーハ上の複数の分離された構造のための分離基準データを得ることと、
前記分離測定データを前記分離基準データに関連付ける第１の方程式を確立することであって、前記第１の方程式は、第１の勾配値と第１のインターセプト値とを有することと、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ＣＤ  ＳＥＭを用いて、ウェーハ上の複数の入れ子形構造のための入れ子形測定データを得ることと、
ＯＤＰを用いて、前記ウェーハ上の複数の入れ子形構造のための入れ子形基準データを得ることと、
前記入れ子形測定データを前記入れ子形基準データに関連付ける第２の方程式を確立することであって、前記第２の方程式は、第２の勾配値と第２のインターセプト値とを有することと、
をさらに備える請求項３に記載の方法。
【請求項５】
分離された構造のための第１の測定値を得ることと、
前記分離された構造のための第１の相関値を計算することであって、前記第１の相関値は、前記第１の勾配値掛ける前記第１の測定値プラス前記第１のインターセプト値と等しいことと、
入れ子形構造のための第２の測定値を得ることと、
前記入れ子形構造のための第２の相関値を計算することであって、前記相関値は、前記第２の勾配値掛ける前記第２の測定値プラス前記第２のインターセプト値に等しいことと、
前記第１の相関値と前記第２の相関値との差を計算することにより、前記測定バイアストリムを決めることと、
をさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の測定値は、前記分離された構造と関連付けられている前記ウェーハ上の第１の格子パターンを測定することによって得られる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の測定値は、前記入れ子形構造と関連付けられているウェーハ上の第２の格子パターンを測定することによって得られる請求項５に記載の方法。
【請求項８】
入れ子形構造のための第１の測定値を得ることと、
前記分離された構造のための第１の相関値を計算することであって、前記第１の相関値は、前記第１の勾配値掛ける前記第１の測定値プラス前記第１のインターセプト値に等しいことと、
入れ子形構造のための第２の測定値を得ることと、
前記入れ子形構造のための第２の相関値を計算することであって、前記相関値は、前記第２の勾配値掛ける前記第２の測定値プラス前記第２のインターセプト値に等しいことと、
前記第１の相関値と前記第２の相関値との間の値を用いて、前記測定バイアストリムを決めることと、
をさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項９】
分離された構造のための第１の測定値を得ることと、
前記分離された構造のための第１の相関値を計算することであって、前記第１の相関値は、前記第１の勾配値掛ける前記第１の測定値プラス前記第１のインターセプト値に等しいことと、
入れ子形構造のための第２の測定値を得ることと、
前記入れ子形構造のための第２の相関値を計算することであって、前記相関値は、前記第２の勾配値掛ける前記第２の測定値プラス前記第２のインターセプト値に等しいことと、
前記第１の相関値と前記第２の相関値との差をスケーリングすることによって、前記測定バイアストリムを決めることと、
をさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
履歴データを用いて、バイアストリムターゲットを決めることと、
前記測定バイアストリムと前記バイアストリムターゲット値との差を計算することによって、前記バイアストリム調整を計算することと、
をさらに備える請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記バイアストリム調整を実現するためのプロセスレシピを生成することであって、前記プロセスレシピは、少なくとも１つの制御パラメータを備えることと、
前記プロセスレシピを実行して、前記バイアストリム調整にほぼ等しい量をエッチングすることであって、前記少なくとも１つの制御パラメータが処理時間を備えることと、
をさらに備える請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの制御パラメータは、処理シーケンスにおけるステップ時間を備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ウェーハ上の複数の制御構造のための測定データを得ることであって、前記測定データは、オプティカル・デジタル・プロフィロメトリ（ＯＤＰ）を用いて得られることと、
前記ウェーハ上の複数の中間制御構造のための基準データを得ることであって、前記測定データは、微小寸法測定走査電子顕微鏡（ＣＤ  ＳＥＭ）データを用いて得られることと、
前記測定データを前記基準データに関連付ける第１の方程式を確立することであって、前記第１の方程式は、第１の勾配値と第１のインターセプト値とを有することと、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
制御構造のための中間測定値を得ることと、
前記制御構造のための第１の相関値を計算することであって、前記第１の相関値は、前記第１の勾配値掛ける前記中間測定値プラス前記第１のインターセプト値に等しいことと、
前記制御構造のための第１の相関値と微小寸法（ＣＤ）ターゲットとの差を計算することにより、トリム量を決めることと、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記中間測定値は、制御構造に関連付けられている、前記ウェーハ上の第１の格子パターンを測定することによって得られる請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
バイアストリム調整のための値を決めることと、
残りのトリム量を決めることであって、前記残りのトリム量は、前記第１の相関値マイナス前記バイアストリム調整量マイナス最終的なターゲット値に略等しいことと、
をさらに備える請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記バイアストリム調整量は、エッチング速度のための平均値掛けるステップ時間を用いて決められる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記残りのトリム量を実現するためのプロセスレシピを生成することであって、前記プロセスレシピは少なくとも１つの制御パラメータを備えることと、
前記プロセスレシピを実行して、前記残りのトリム量にほぼ等しい量をエッチングすることであって、前記少なくとも１つの制御パラメータはプロセスガス流量を備えることと、
をさらに備える請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記残りのトリム量を実現するためのプロセスレシピを生成することであって、前記プロセスレシピは、少なくとも１つの制御パラメータを備えることと、
前記プロセスレシピを実行して、前記残りのトリム量にほぼ等しい量をエッチングすることであって、前記少なくとも１つの制御パラメータはプロセスガス流量比を備えることと、
をさらに備える請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
半導体処理ツールを作動させる方法であって、
複数の分離／入れ子形制御戦略を生成することと、
少なくとも１つの分離された構造を含むウェーハを受け取ることと、
前記ウェーハを処理するのに用いるための分離／入れ子形制御戦略を決定することと、
前記決定した分離／入れ子形制御戦略を実行することと、
を備える方法。
【請求項２１】
基準データを得ることと、
分離データ、入れ子データ、分離／入れ子データ、又は通常データ、あるいは、これらのうちの２つ以上の組み合わせを備える測定データを得ることと、
前記測定データを前記基準データに関連付けることによって相関データを生成することであって、前記相関データは、相関分離データ、相関入れ子データ、相関分離／入れ子データ、又は相関通常データ、あるいは、これらのうちの２つ以上の組み合わせを備えることと、
ターゲット値を得ることであって、前記ターゲット値はバイアスターゲット値を備えることと、
トリム量を計算することであって、前記トリム量はバイアストリム量であることと、
前記計算したトリム量を実現するためのプロセスパラメータの第１のセットを計算することと、
前記プロセスパラメータの第１のセットを用いて、第１のプロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
最終的なターゲット値を得ることであって、前記最終的なターゲット値が最終的なＣＤターゲット値を備えることと、
残りのトリム量を計算することであって、前記残りのトリム量はＢＡＲＣトリム量であることと、
前記残りのトリム量を実現するためのプロセスパラメータの第２のセットを計算することと、
第２のプロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記プロセスパラメータの第１のセットを計算することは、
第１の高周波（ＲＦ）電力を計算することと、
第１のプロセスガス流量を計算することと、
第１のステップ時間を計算することと、
を備える請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記プロセスパラメータの第２のセットを計算することは、
第２のＲＦ電力を計算することと、
プロセスガス流量を計算することと、
第２のステップ時間を計算することと、
を備える請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
基準データを得ることと、
測定分離データを得ることと、
測定入れ子データを得ることと、
バイアストリムエラー値を含むトリムエラー値を備えるフィードバックデータを得ることと、
前記測定分離データを前記基準データに関連付けることによって相関分離データを生成することと、
前記測定入れ子データを前記基準データに関連付けることによって相関入れ子データを生成することと、
ターゲット値を得ることであって、前記ターゲット値はバイアスターゲット値を備えることと、
トリム量を計算することであって、前記トリム量はバイアストリム量であることと、
前記計算したトリム量を実現するためのレシピ設定の第１のセットを計算することと、
プロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
最終的なターゲット値を得ることであって、前記最終的なターゲット値は最終的なＣＤターゲット値を備えることと、
ＢＡＲＣトリムエラー値を含むトリムエラー値を備えるフィードバックデータを計算することと、
残りのトリム量を計算することであって、前記残りのトリム量はＢＡＲＣトリム量であることと、
前記残りのトリム量を実現するためのプロセスパラメータの第２のセットを計算することと、
第２のプロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
バイアストリムエラー値を含むトリムエラー値を備えるフィードバックデータを計算することと、
前記フィードバックデータを前記第１のプロセスレシピに与えることと、
をさらに備える請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
ＢＡＲＣトリムエラー値を含むトリムエラー値を備えるフィードバックデータを計算することと、
前記フィードバックデータを前記第２のプロセスレシピに与えることと、
をさらに備える請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
基準データを得ることと、
測定分離データを得ることと、
測定入れ子データを得ることと、
前記測定分離データを前記基準データと関連付けることによって相関データを生成することと、
前記測定入れ子データを前記基準データと関連付けることによって相関入れ子データを生成することと、
ターゲット値を含む第１の所望のプロセス結果を得ることであって、前記ターゲット値はバイアスターゲット値を備えることと、
第１のプロセスエラーを計算することであって、前記第１のプロセスエラーはバイアストリムエラー量であることと、
分離／入れ子形モデルを含むプロセスモデルを生成することと、
をさらに備える請求項２０に記載の方法。
【請求項３０】
最終的なターゲット値を得ることであって、前記最終的なターゲット値は最終的なＣＤターゲット値を備えることと、
第２のプロセスエラーを計算することであって、前記第２のプロセスエラーはＢＡＲＣトリムエラー量であることと、
前記第２のプロセスエラーに基づくトリムモデルを含む第２のプロセスモデルを生成することと、
をさらに備える請求項２１に記載の方法。
【請求項３１】
基準データを得ることと、
測定分離データを得ることと、
測定入れ子データを得ることと、
前記測定分離データを前記基準データと関連付けることによって、相関分離データを生成することと、
前記測定入れ子データを前記基準データと関連付けることによって、相関入れ子データを生成することと、
ターゲット値を含む第１の所望のプロセス結果を得ることであって、前記ターゲット値はバイアスターゲット値を備えることと、
分離／入れ子形モデルを含む第１のプロセスモデルを生成することと、
トリム量を含む第１の予想プロセス結果を計算することであって、前記トリム量はバイアストリム量であることと、
前記計算したトリム量を実現するためのレシピ設定の第１のセットを計算することと、
プロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項２０に記載の方法。
【請求項３２】
第２のターゲット値を含む第２の所望のプロセス結果を得ることであって、前記第２のターゲット値は最終的なＣＤターゲット値を備えることと、
トリムモデルを含む第２のプロセスモデルを得ることと、
第２のトリム量を含む第２の予想プロセス結果を計算することであって、前記第２のトリム量はＢＡＲＣトリム量であることと、
前記残りのトリム量を実現するためのプロセスパラメータの第２のセットを計算することと、
プロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
測定制御データを得ることと、
前記測定制御データを前記基準データに関連付けることによって相関制御データを生成することと、
前記トリム量を得ることと、
第２のターゲット値を含む第２の所望のプロセス結果を得ることであって、前記第２のターゲット値は最終的なＣＤターゲット値を備えることと、
トリムモデルを含む第２のプロセスモデルを得ることと、
第２のトリム量を含む第２の予想プロセス結果を計算することであって、前記第２のトリム量はＢＡＲＣトリム量であることと、
前記残りのトリム量を実現するためのプロセスパラメータの第２のセットを計算することと、
プロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
仮想測定データを計算することと、
第２のターゲット値を含む第２の所望のプロセス結果を得ることであって、前記第２のターゲット値は最終的なＣＤターゲット値を備えることと、
トリムモデルを含む第２のプロセスモデルを得ることと、
第２のトリム量を含む第２の予想プロセス結果を計算することであって、前記第２のトリム量はＢＡＲＣトリム量であることと、
をさらに備える請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
前記分離された構造は、ビア、トレンチ、又はスタック、あるいは、これらのうちの２つ以上の組み合わせを備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項３６】
プロセスモデル状態データを得ることと、
分離データ、入れ子形データ、分離／入れ子形データ、又は通常データ、あるいは、これらのうちの２つ以上の組み合わせを備える測定データを得ることと、
前記測定データを前記プロセスモデル状態データに関連付けることによって相関データを生成することであって、前記相関データは、相関分離データ、相関入れ子データ、相関分離／入れ子データ、又は相関通常データ、あるいは、これらのうちの２つ以上の組み合わせを備えることと、
ターゲット値を得ることであって、前記ターゲット値はバイアスターゲット値を備えることと、
トリム量を計算することであって、前記トリム量はバイアストリム量であることと、
前記計算したトリム量を実現するためのプロセスパラメータの第１のセットを計算することと、
前記プロセスパラメータの第１のセットを用いて、第１のプロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項２０に記載の方法。
【請求項３７】
最終的なターゲット値を得ることであって、前記最終的なターゲット値が最終的なＣＤターゲット値を備えることと、
残りのトリム量を計算することであって、前記残りのトリム量がＢＡＲＣトリム量であることと、
前記残りのトリム量を実現するためのプロセスパラメータの第２のセットを計算することと、
第２のプロセスレシピを生成することと、
をさらに備える請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
半導体処理システムを作動させる方法であって、
基準データを得ることと、
分離データ、入れ子形データ、分離／入れ子形データ、又は通常データ、あるいは、これらのうちの２つ以上の組み合わせを備える測定データを得ることと、
前記測定データを前記基準データと関連付けることによって相関データを生成することであって、前記相関データは、相関分離データ、相関入れ子データ、相関分離／入れ子データ、又は相関通常データ、あるいは、これらのうちの２つ以上の組み合わせを備えることと、
第１のターゲット値を含む第１の所望のプロセス結果を得ることであって、前記第１のターゲット値はバイアスターゲット値を備えることと、
トリム量を含む第１の予想プロセス結果を計算することであって、前記トリム量はバイアストリム量であることと、
第２のターゲット値を含む第２の所望のプロセス結果を得ることであって、前記第２のターゲット値はＢＡＲＣトリムターゲット値を備えることと、
第２のトリム量を含む第２の予想プロセス結果を計算することであって、前記第２のトリム量はＢＡＲＣトリム量を備えることと、
前記計算したトリム量を実現するためのレシピセットの第１のセットを計算することと、
プロセスレシピを生成することと、
を備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
このＰＣＴ出願は、２００４年９月２０日に出願された米国特許非仮出願第１０／９４４，４６３号に基づいており、かつ該出願の優先権に依存し、該出願の内容全体は、参照として本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、半導体ウェーハ処理に関する。より具体的には、本発明は、分離された及び入れ子形の構造を有するウェーハの処理に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体処理におけるフィードフォワードコントローラの使用は、半導体製造設備により、半導体集積回路の製造において、長い間に確立されている。最近まで、ウェーハは、バッチ又はロットとして処理され、同じ処理は、該ロット内の該ウェーハの各々に対して行われた。該ロットのサイズは、該製造設備の製造経験によって変わるが、典型的には、最大でウェーハ２５枚に限定される。該ロット内の少数のウェーハに対して測定が定期的に行われ、それらのサンプル測定に基づいて、該処理に対して調整が行われた。後に続くロットのための該ロットに対するサンプル測定及びプロセスレシピ調整に基づくこの制御の方法は、ロット間制御（ｌｏｔ−ｔｏ−ｌｏｔ  ｃｏｎｔｒｏｌ；Ｌ２Ｌ）と呼ばれる。Ｌ２Ｌ制御のために該プロセスレシピを修正するのに必要なプロセスモデル及び情報が保存され、製造設備レベルにおいて計算が実行された。最近では、半導体処理装置（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ；ＳＰＥ）のメーカーは、処理が実行される直前及び直後に各ウェーハを測定する能力を盛り込んでいる。処理ツール上で各ウェーハを測定する能力は、統合メトロロジ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ；ＩＭ）と呼ばれる。ＩＭは、ウェーハ間レベルにおいて、処理レシピを測定及び調整する能力を可能にした。
【０００４】
半導体ウェーハ上の構造は、サイズが小さくなってきているだけではなく、密度が増加して、追加的な処理制御問題を引き起こしている。半導体ウェーハ上の領域は、特定の領域内の構造密度に基づいて、分離された領域又は入れ子形領域として識別され、そして問題は、これらの異なる密度に起因して半導体処理中に起こる。
【０００５】
ゲート長制御のために微小寸法（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ；ＣＤ）をトリミングする多くの方法が開発されるのに伴って、トリムエッチングに対する必要性が一般的になってきている。エッチャーを介したプロセスのモデリングを含む分離／入れ子制御は、マスクデザインプロセスの一部になってきている。しかし、マスク作製プロセスに対して設計された分離／入れ子モデルは、分離された又は入れ子形の構造に関連する単一のＣＤターゲットに対して最適化される。トリミングによりゲートを縮小する必要性及びゲートターゲットを変化させる必要性が時間と共に変化するため、新たなマスクを形成すること、及び分離／入れ子形バイアスを再最適化することは、コストがかかる。マスクバイアス制御は、光近接効果補正と呼ばれる場合もある光学及びプロセス補正（ｏｐｔｉｃａｌ  ａｎｄ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ；ＯＰＣ）を用いるものであり、レチクルのアパーチャは、光を付加又は減じて、パターンの忠実性を増すように調節される。別のアプローチは、位相シフトマスク（ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔ  ｍａｓｋｓ；ＰＳＭ）であり、この場合、該イメージにコントラスト強化干渉縞を導入するために、該レチクル上に立体構造が形成される。マスクが形成された後に、分離／入れ子形バイアスが、該マスクが生成され、かつ最初の設定サンプル部分が形成された後に、パフォーマンスを最適化するように調整することを必要とすることを設計者が知った場合には、別の問題が発生する可能性がある。
【０００６】
対処されていないことは、エッチングプロセスの一部として、パタリング後に、分離されたラインと入れ子形ラインとの間で、ウェーハＣＤバイアスを調整する方法である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この方法は、分離された及び入れ子形の構造／形態の間のバイアスを調整できるようにするエッチング処理のための、該分離された構造／形態を該入れ子形構造／形態よりも小さくする必要があり、かつ該入れ子形構造／形態を該分離された構造／形態に対して小さくする必要があるプロセスを補正するための、及びトリミングのクリティカルな制御を可能にする方法を含む。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
他の新規な方法は、プロセスを、分離された／入れ子形バイアス制御とトリム制御とを含む一連のステップに分断し、その結果、フィードバックを用いてプロセスモデルを更新する方法を実現できるシステムを制御する際の該プロセスの適用である。第３の方法は、フィードフォワード制御及びフィードバック制御に用いられる測定値の較正に含むことである。
【０００９】
本発明は、統合メトロロジ及び統合ＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）制御システムを備えた東京エレクトロン社のＴＥＬＩＵＳのポリゲートプロセスを用いて、ロット間又はウェーハ間サイクルに対するバイアスターゲット量及び最終的なＣＤ量を変えるファクトリーシステムを可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の様々な実施形態のより完全な理解及び本発明の付随する効果は、特に、添付図面と共に熟考すれば、以下の詳細な説明を参照して、容易に明らかになる。
【００１１】
以下、本発明の様々な実施形態を論じる。適切な場合、同様の参照数字を、同様の特徴を指すのに用いる。本明細書に提示した実施形態は、当業者により認識されるように、本発明の範囲内で考慮された種々の実施形態のうちの単に例示的なものであることが意図されている。従って、本発明は、単に、提示した実施形態に限定されず、また、当業者により認識されるであろう如何なる変形例及び等価物も、及び全ての変形例及び等価物を包含する。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態による処理システムの例示的なブロック図を示す。図示の実施形態において、処理システム１００は、処理ツール１１０と、処理ツール１１０に結合されたコントローラ１２０と、コントローラ１２０に結合された（「ファクトリーシステム１３０」とも呼ばれる）製造設備システム（ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ｓｙｓｔｅｍ；ＭＥＳ）１３０とを備える。また、処理ツール１１０、コントローラ１２０及びＭＥＳ１３０のうちの少なくとも１つは、グラフィカルユーザインタフェース（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ；ＧＵＩ）コンポーネント及び／又はデータベースコンポーネント（図示せず）を備えることができる。当業者には認識されるように、代替の実施形態及び変形例においては、このＧＵＩコンポーネント及び／又はデータベースコンポーネントは、本発明及びこれの変形例を実施するのに利用する必要はない。
【００１３】
いくつかの設定及び／又はコンフィギュレーション情報を、ファクトリーシステム１３０から、処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０によって得ることができる。ファクトリーレベルの機能ルールを、制御階層を構築するのに用いることができる。例えば、処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０は独立して作動することができ、又は、ファクトリーシステム１３０により、ある程度制御することができる。また、ファクトリーレベルの機能ルールは、プロセスが中断及び／又は停止したとき、及びプロセスが中断及び／又は停止したときに何が行われていたかを判断するのに用いることができる。また、ファクトリーレベルの機能ルールは、プロセスを変えるとき及び該プロセスをどのように変えるかを判断するのに用いることができる。
【００１４】
機能ルールは、通常の処理に対してとられるアクション、及び特別な条件に対してとられるアクションを指定するのに用いることができる。これらのアクションは、ほんのわずかの標本をリストするために、最初のモデルローディング、事前エッチング計測データフィルタリング、コントローラレシピ選択、事後エッチング計測データフィルタリング、フィードバック計算及びモデルアップデートを含むことができる。
【００１５】
機能ルールは、特に、制御戦略レベル、制御プランレベル、又は制御モデルレベルで定義することができる。機能ルールは、特定の状況に遭遇したときにはいつでも実行されるように指定することができる。高レベル及び低レベルで適合する状況に遭遇したときには、該高レベルに関連付けられた機能ルールを実行することができる。ＧＵＩスクリーンは、該機能ルールを定義しかつ維持するのに用いることができる。機能ルール定義及び指定は、通常のセキュリティレベル以上を有するユーザに対して許可することができる。該機能ルールは、データベース内に保存することができる。該機能ルールどのように定義し、指定しかつ保存するかに関する説明文書及びヘルプ画面を表示することができる。
【００１６】
ＭＥＳ１３０は、処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０に関連するデータベースから報告されたデータを用いて、いくつかのシステムプロセスをモニタすることができる。ファクトリーレベルの機能ルールは、どのプロセスをモニタするか、及びどのデータを用いるかを判断するのに用いることができる。例えば、処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０は、単独でデータを収集することができ、又は、データ収集プロセスは、ファクトリーシステム１３０により、ある程度制御することができる。また、ファクトリーレベルの機能ルールは、プロセスが変わり、中断され及び／又は停止したときに、データをどのように管理するかを判断するのに用いることができる。
【００１７】
また、ＭＥＳ１３０は、ランタイム・コンフィギュレーション情報を処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０へ与えることができる。例えば、ＡＰＣ設定、ターゲット、限界、ルール及びアルゴリズムをランタイムで「ＡＰＣレシピ」、「ＡＰＣシステムルール」及び「ＡＰＣレシピパラメータ」として該ファクトリーから処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０へダウンロードすることができる。
【００１８】
いくつかの設定及び／又はコンフィギュレーション情報は、上記システムによって処理ツール１１０及びコントローラ１２０が最初に構成されたときに、該処理ツール及び／又はコントローラによって決めることができる。システムレベルの機能ルール（システムルール）は、制御階層を構築するのに用いることができる。例えば、処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０は単独で作動することができ、又は、処理ツール１１０は、コントローラ１２０によって、ある程度制御することができる。また、システムルールは、プロセスが中断及び／又は停止したとき、及びプロセスが中断及び／又は停止したときに何が行われていたかを判断するのに用いることができる。また、システムルールは、プロセスを変更するとき、及び該プロセスをどのように変更するかを判断するのに用いることができる。さらに、コントローラ１２０は、ツールレベルルールを用いて、いくつかの、ほとんどの、又は全てのツールレベル動作を制御することができる。
【００１９】
一般的に、ルールは、システム及び／又はツール動作を該システムの動的状態に基づいて変えることができるようにする。
【００２０】
図１においては、単一の処理ツール１１０及び単一のコントローラ１２０が図示されているが、この特定の構成は、本発明に必要なものではない。該半導体処理システムは、独立したプロセスツール及びモジュールに加えて、処理ツールに関連する任意の数のコントローラを有する該処理ツールをいくつでも備えることが可能である。
【００２１】
処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０は、任意の数の独立したプロセスツール及びモジュールに加えて、処理ツールに関連する任意の数の処理ツールを有する該処理ツールをいくつでも構成するのに用いることができる。処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０は、処理ツール、処理サブシステム、プロセスモジュール及びセンサを含むプロセスからのデータを収集し、生成し、処理し、格納し、及び表示することができる。
【００２２】
処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０は、限定するものではないが、少なくとも１つのツール関連アプリケーション、少なくとも１つのモジュール関連アプリケーション、少なくとも１つのセンサ関連アプリケーション、少なくとも１つのインタフェース関連アプリケーション、少なくとも１つのデータベース関連アプリケーション、少なくとも１つのＧＵＩ関連アプリケーション、及び少なくとも１つのコンフィギュレーションアプリケーションを含むアプリケーションをいくらでも備えることが可能である。
【００２３】
例えば、システム１００は、Ｕｎｉｔｙ  Ｔｏｏｌ（登録商標）、Ｔｅｌｉｕｓ  Ｔｏｏｌ（登録商標）及び／又はＴｒｉａｓ  Ｔｏｏｌ（登録商標）及びこれらの関連する処理サブシステム及びプロセスモジュールを含むことができる、東京エレクトロン社（Ｔｏｋｙｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｌｉｍｉｔｅｄ）製のＡＰＣシステムを備えることができる。また、システム１００は、東京エレクトロン社製のＩｎｇｅｎｉｏ  ＴＬ  ＥＳ（Ｔｏｏｌ  Ｌｅｖｅｌ  Ｅｔｃｈ  Ｓｙｓｔｅｍ）又はＩｎｇｅｎｉｏ（登録商標）ＧＬ  ＥＳ（Ｇｒｏｕｐ  Ｌｅｖｅｌ  Ｅｔｃｈ  Ｓｙｓｔｅｍ）サーバ、及び東京エレクトロン社製のＩＭＭ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ  ｍｏｄｕｌｅ）等のＲ２Ｒ（ｒｕｎ−ｔｏ−ｒｕｎ）コントローラを備えることができる。代替として、コントローラ１２０は、他のプロセスツールや他のプロセスモジュールをサポートすることが可能である。
【００２４】
ＧＵＩコンポーネント（図示せず）は、特に、ユーザが、ツールステータスを見て、モジュールステータスを処理すること、選択したウェーハの場合の要約及び生（トレース）パラメータデータのｘ−ｙチャートを生成して編集すること、ツールアラームログを見ること、データベースに、又は出力ファイルにデータを書き込むために状態を指定するデータ収集プランを構成すること、ファイルを統計的工程管理（ｓｔａｔｉｓｔｉｃａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓ  ｃｏｎｔｒｏｌ；ＳＰＣ）チャートに入力すること、モデリング及び表計算プログラム、特定のウェーハのためのウェーハ処理情報を分析し、該データベースに現在保存されているデータを見直すこと、プロセスパラメータのＳＰＣチャートを生成して編集し、電子メールによる警告を発するＳＰＣアラームを設定すること、多変量ＰＣＡ（Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）及び／又はＰＬＳ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｌｅａｓｔ  Ｓｑｕａｒｅｓ）モデルを実行すること、及び特に、ＴＬコントローラ１２０を用いて、問題を解決して報告するために、診断画面を見ることを可能にするインタフェースを用いることを容易に実現できる。
【００２５】
上記ツールからの生データ及びトレースデータは、ファイルとしてデータベースに格納することができる。また、ＩＭデータ及びホスト計測データも該データベースに格納することができる。データの量は、構成されているデータ収集プラン、ならびにプロセスが実行される、及び処理ツールが実行される頻度に依存する。該処理ツール、処理チャンバ、センサ及びオペレーティングシステムから得られたデータは、該データベースに格納することができる。
【００２６】
代替の実施形態においては、システム１００は、クライアントワークステーション（図示せず）を備えることができる。また、システム１００は、複数のクライアントワークステーションをサポートすることもできる。クライアントワークステーションは、ユーザが特に、構成手順を実行すること、ツール、コントローラ、プロセス及びファクトリーステータスを含むステータスを見ること、現在のデータ及び履歴データを見ること、モデリング及びチャート化機能を実行すること、及び該コントローラにデータを入力することを可能にする。例えば、ユーザに、コントローラ１２０によって実行される１つ以上のプロセスを制御できるようにする管理者権限を与えてもよい。
【００２７】
処理ツール１１０及びコントローラ１２０は、ＭＥＳ１３０に結合することができ、また、Ｅ−診断システム（電子診断システム；Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃ  Ｓｙｓｔｅｍ）の一部とすることができる。処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０は、ファクトリーシステム１３０と情報を交換することができる。また、ＭＥＳ１３０は、コマンド及び／又はオーバーライド情報を処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０へ送ることができる。例えば、ＭＥＳ１３０は、処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０に、各レシピのための変数パラメータを有する、いくつものプロセスモジュール、ツール及び測定デバイスのためのダウンロード可能なレシピを送ることができる。変数パラメータは、ロットにより調整可能にする必要があるツールレベルシステムにおける最終的なＣＤターゲット、限界、オフセット及び変数を含むことができる。また、ファクトリーリソＣＤ計測データをコントローラ１２０へ送ることができる。
【００２８】
さらに、ＭＥＳ１３０は、測定データ、例えば、ＣＤ―走査型電子顕微鏡（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ−Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＣＤ  ＳＥＭ）情報をコントローラ１２０へ提供するのに用いることができる。代替として、該ＣＤ  ＳＥＭ情報は、手動で与えることができる。調整係数は、該ＩＭ及びＣＤ  ＳＥＭの測定値間の何らかのオフセットに対して調整するのに用いられる。ＣＤ  ＳＥＭデータの手動及び自動入力は、上記Ｒ２Ｒコントローラ内のフィードバック（ｆｅｅｄｂａｃｋ；ＦＢ）制御ループの履歴への正しい挿入に対して、日付等のタイムスタンプを含む。
【００２９】
設定可能なアイテムは、ＧＥＭ  ＳＥＣＳ（Ｇｅｎｅｒｉｃ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｍｏｄｅｌ／ＳＥＭＩ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｔａｎｄａｒｄ（ＧＥＭ）／ＳＥＣＳ）インタフェース通信プロトコルを用いて該ファクトリーシステムから送信された変数パラメータのセットとして設定することができる。例えば、変数パラメータは、「ＡＰＣレシピ」の一部として流すことができる。ＡＰＣレシピは、１つ以上のサブレシピを含んでもよく、また、各サブレシピは、変数パラメータを含んでもよい。
【００３０】
単一の処理ツール１１０が図１に示されているが、これは、本発明に必要なことではない。代替として、追加的な処理ツールを用いることができる。一実施形態において、処理ツール１１０は、１つ以上の処理モジュールを備えることができる。処理ツール１１０は、種々のモジュールの中でも特に、エッチングモジュール、蒸着モジュール、研磨モジュール、コーティングモジュール、現像モジュール及び熱処理モジュールのうちの少なくとも１つを備えることができる。
【００３１】
処理ツール１１０は、少なくとも１つの他の処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０に結合するためのリンク１１２及び１１４を備えることができる。例えば、他の処理ツール１１０及び／又はコントローラ１２０を、このプロセスの前に既に実行されているプロセスに関連付けることができ、及び／又は他のコントローラ１２０を、このプロセスの後に実行されるプロセスに関連付けることができる。リンク１１２及びリンク１１４は、情報を転送（ｆｅｅｄ−ｆｏｒｗａｒｄ；ＦＦ）及び／又はフィードバック（ｆｅｅｄｂａｃｋ；ＦＢ）するのに用いることができる。例えば、ＦＦ情報は、入ってくるウェーハに関連するデータを備えることができる。このデータは、情報の中でも特に、ロットデータ、バッチデータ、ランデータ、複合データ及びウェーハ履歴データを含むことができる。該データは、ウェーハの入力状態を設定するのに用いることができるプリプロセスデータを備えることができる。該プリプロセスデータの第１の部分は、コントローラ１２０へ提供することができ、該プリプロセスデータの第２の部分は、処理ツール１１０へ提供することができる。代替として、これら２つの部分が、同じデータを備えることができる。
【００３２】
処理ツール１１０は、単一のＩＭＭデバイス（図示せず）又は多数の測定デバイスを備えることができる。システム１００は、モジュール関連測定デバイス、ツール関連測定デバイス及び外部測定デバイスを含むことができる。例えば、データを１つ以上のプロセスモジュールに結合されたセンサ及び処理ツール１１０に結合されたセンサから得ることができる。また、データを、ＳＥＭツール及びＯＤＰ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｐｒｏｆｉｌｉｎｇ）ツール等の外部デバイスから得ることができる。ＯＤＰツールは、半導体素子における構造の断面形状を測定する技術を開発したティンバー・テクノロジーズ社（Ｔｉｍｂｒｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  Ｉｎｃ．）（東京エレクトロン社の子会社）から入手可能である。例えば、ＯＤＰ技術は、ＣＤ情報、構造プロファイル情報又はプロファイル情報を得るのに用いることができる。
【００３３】
コントローラ１２０は、処理ツール１１０及びＭＥＳ１３０に結合されており、前処理データ及び後処理データ等の情報をこれらのツール及びＭＥＳの間で交換することができる。例えば、内部リセットイベントがツール１１０から生成されると、コントローラ１２０は、アラーム等のメッセージをＭＥＳ１３０へ送ることができる。このことは、ファクトリーシステム及び／又は工場の人員が必要な変更を行って、修正又は予防のためのメンテナンスの間に行われるような大幅な変更が行われた後のリスクにおけるウェーハの数を最小限にすることを可能にする。
【００３４】
また、単一のコントローラ１２０が図１に示されているが、単一のコントローラ１２０への依存は、本発明を実施するのに必要なことではない。代替として、追加的なコントローラ１２０を用いることができる。例えば、コントローラ１２０は、Ｒ２Ｒコントローラ、ＦＦコントローラ、プロセスモジュールコントローラ、ＦＢコントローラ、又はプロセスコントローラ、あるいは、これらのうちの２つ以上の組み合わせ（全て図１には図示してない）を備えることができる。
【００３５】
コントローラ１２０は、少なくとも１つの他のコントローラ１２０に結合するためのリンク１２２及び１２４を備えることができる。例えば、他のコントローラ１２０は、このプロセスの前に既に実行されているプロセスに関連付けることができ、及び／又は他のコントローラ１２０は、このプロセスの後に実行されるプロセスに関連付けることができる。リンク１２２及びリンク１２４は、情報を送る及び／又はフィードバックするのに用いることができる。
【００３６】
コントローラ１２０は、入ってくる材料（入力状態）の測定したＣＤと、ターゲットＣＤ（所望状態）との差を用いて、プロセスパラメータのセットを予測し、選択し、又は計算して、該入力状態から該所望状態へ該ウェーハの状態を変化させている所望のプロセス結果を実現することができる。例えば、プロセスパラメータのこの予測したセットは、入力状態及び所望状態に基づいて用いるレシピの最初の推定とすることができる。一実施形態において、該入力状態及び／又は所望状態等のデータは、ホストから得ることができる。
【００３７】
１つの場合において、コントローラ１２０は、入力状態と、ウェーハに対する所望状態のためのモデル方程式とを知っており、コントローラ１２０は、該ウェーハに対して実行することができるレシピのセットを決めて、該ウェーハの入力状態から処理された状態へ変化させる。例えば、該レシピのセットは、プロセスモジュールのセットを含むマルチステッププロセスを記述することができる。
【００３８】
コントローラ１２０のための時定数は、測定間の時間に基づかせることができる。測定したデータが、ロットが完了した後に使用可能な場合、該コントローラの時定数は、ロット間の時間に基づかせることができる。測定したデータが、ウェーハが完了した後に使用可能な場合には、該コントローラの時定数は、ウェーハ間の時間に基づかせることができる。測定データが処理中にリアルタイムで生成される場合、該コントローラの時定数は、ウェーハに対して実行される処理工程に基づかせることができる。ウェーハが処理されている間に、又は、ウェーハが完了した後、又は、ロットが完了した後に測定データが使用可能な場合、コントローラ１２０は、プロセスステップ間の、ウェーハ間の、及び／又はロット間の時間に基づかせる多数の時定数を有することができる。
【００３９】
１つ以上のコントローラ１２０を、いつでも作動させることができる。例えば、第１のコントローラ１２０を作動モードとすることができ、一方、第２のコントローラ１２０は、モニタリングモードとすることができる。また、別のコントローラ１２０をシミュレーションモードとすることができる。コントローラ１２０は、単一のループ又は多数のループを備えることができ、また、該ループは、異なる時定数を有することができる。例えば、異なるループは、種々の要因の中でも特に、ウェーハタイミング、ロットタイミング、バッチタイミング、チャンバタイミング、ツールタイミング、及び／又はファクトリータイミングに依存することができる。
【００４０】
コントローラ１２０は、上記入力状態、プロセス特性及びプロセスモデルに基づいて、ウェーハに対する予測状態を計算することができる。例えば、予測トリム量を計算するために、処理時間と共にトリムレートモデルを用いることができる。代替として、エッチング深さを計算するために、処理時間と共にエッチングレートモデルを用いることができ、また、堆積厚さを計算するために、処理時間と共に堆積速度モデルを用いることができる。また、モデルは、特に、ＳＰＣチャート、ＰＬＳモデル、ＰＣＡモデル、不良検知分類（Ｆａｕｌｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｃｌａｓｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ；ＦＤＣ）モデル及び多変量解析（Ｍｕｌｔｉｖａｒｉａｔｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ；ＭＶＡ）モデルを含むことができる。
【００４１】
コントローラ１２０は、プロセスモジュールにおけるプロセスパラメータ及び／又はプロセスパラメータ限界に対して、外部から提供されたデータを受け取って利用することができる。例えば、該コントローラのＧＵＩコンポーネントは、プロセスパラメータ及び／又はプロセスパラメータ限界の手動入力のための手段を装備する。また、ファクトリーレベルコントローラは、１つ以上のプロセスモジュールのためのプロセスパラメータ及び／又はプロセスパラメータ限界を生成することができる。
【００４２】
また、コントローラ１２０は、プロセスモジュールのための外部から提供されたプロセスモジュール状態データを受け取って利用することができる。プロセスモジュール状態データは、現在のプロセス状態及び／又は予測プロセス状態を計算するのに用いることができる。例えば、プロセスモジュール状態データは、洗浄又は他のイベント、センサからの入力、プロセスモジュールからの入力、故障データ及び分析プランからの計算データ以後の処理時間、ＲＦ時間、処理されたウェーハの数を含むことができる。該コントローラのＧＵＩコンポーネントは、プロセスモジュール状態データの手動入力のための手段と、プロセスモジュール状態データを見るための手段とを装備することが可能である。また、ファクトリーレベルコントローラは、１つ以上のプロセスモジュールのためのプロセスモジュール状態データを生成することができる。
【００４３】
コントローラ１２０は、一般に入手可能なモデリングソフトウェアによって生成されたモデルを受け取って実行することができる。例えば、コントローラ１２０は、外部アプリケーションによって生成されて、コントローラ１２０へ送られたモデル（ＰＬＳ、ＰＣＡ等）を受け取って実行することができる。
【００４４】
コントローラ１２０は、ランダムノイズを取り除くために、計測データをフィルタリングする１つ以上のフィルタ（図示せず）を備えることができる。異常値フィルタは、ウェーハ測定値の平均の計算において、静的に有効でなく、かつ考慮すべきではない異常値を取り除くのに用いることができる。ノイズフィルタは、ランダムノイズを取り除き、制御ループを安定化させるのに用いることができる。例えば、指数加重移動平均（Ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌｌｙ  Ｗｅｉｇｈｅｄ  Ｍｏｖｉｎｇ  Ａｖｅｒａｇｅ；ＥＷＭＡ）又はカルマンフィルタを適用することができる。
【００４５】
コントローラ１２０は、例外状態の通知を送受信することができる。例えば、コントローラ１２０は、通知を、ファクトリーコントローラ又はツールレベルコントローラへ送り、また、これらのコントローラから通知を受け取ることができる。また、通知は、（特に）例外状態の識別後に、電子診断ネットワーク、電子メール又はページャによって送ることができる。
【００４６】
コントローラ１２０は、入力及び出力データを保存するデータベースコンポーネントを備えることができる。例えば、コントローラ１２０は、受け取った入力、送った出力、及びコントローラ１２０によって起こされたアクションを検索可能なデータベースに保存することができる。また、コントローラ１２０は、データのバックアップ及び復元のための手段を備えることができる。また、該検索可能なデータベースは、モデル情報、コンフィギュレーション情報及び履歴情報を含むことができ、また、コントローラ１２０は、該データベースコンポーネントを用いて、過去及び現在の、モデル情報、モデルコンフィギュレーション情報をバックアップ及び復元することができる。
【００４７】
コントローラ１２０は、ウェブベースのユーザインタフェースを備えることができる。例えば、コントローラ１２０は、上記データベース内のデータを見るためのウェブ使用可能ＧＵＩコンポーネントを備えることができる。コントローラ１２０は、セキュリティ管理者によって許可された承認により、多数のレベルのアクセスを実行できるセキュリティコンポーネントを備えることができる。コントローラ１２０は、据付時に与えられるデフォルトモデルのセットを備えることができ、その結果、コントローラ１２０は、デフォルト状態にリセットすることができる。
【００４８】
コントローラ１２０は、例外の本質により、この例外に応じて様々なアクションを取ることができる。例外に対して取られるこのアクションは、少しの機能ルールに名称を付けるために、システムレシピ、プロセスレシピ、モジュールの種類、モジュール識別番号、ロードポート番号、カセット番号、ロット番号、制御ジョブＩＤ、プロセスジョブＩＤ及び／又はスロット番号により指定された状況に対して設定されたこの機能ルールに基づかせることができる。
【００４９】
コントローラ１２０は、同時に実行され、かつプロセスレシピ制限の異なるセットに制約される多数のプロセスモジュールを管理する能力を有する。コントローラ１２０は、３つの異なるモード、すなわち、シミュレーションモード、テストモード及び標準モードで作動することができる。１つのコントローラ１２０は、現在のプロセスモードと並行して、シミュレーションモードで作動することができる。
【００５０】
半導体処理システム１００が、ホストシステムと、１つ以上の処理システムとを含む場合には、このホストシステムは、マスターシステムとして作動することができ、また、該処理動作の主要部分を制御及び／又は監視することができる。このホストシステムは、プロセスシーケンスを生成することができ、また、このプロセスシーケンスをこの処理システムへ送ることができる。一実施形態において、このプロセスシーケンスは、測定モジュール巡視及び処理モジュール巡視からなるシーケンスを備えることができる。プロセスジョブ（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｊｏｂ；ＰＪ）は、各測定モジュール巡視及び各処理モジュール巡視に対して生成することができる。
【００５１】
また、処理システムコントローラ１２０がシミュレーションモデルを実行する場合、仮想測定を行うことができる。シミュレーションモデル実行の結果は、仮想測定として格納し、追跡記録することができる。
【００５２】
図２は、本発明の実施形態による統合処理システム１００’の単純化したブロック図を示す。図示の実施形態においては、処理ツールと、ＩＭＭと、ツールレベルアドバンストプロセスコントロール（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ；ＡＰＣ）コントローラとを備える処理システム（ＴＥＬＩＵＳ）が示されている。当業者が認識できるように、統合処理システム１００’は、単に、本発明のこのシステムの例示的なものであることが意図されている。当業者は認識できるように、及び以下の論議から明らかなように、本発明の場合の構成要素の組み合わせの順列は重要である。このような変形例は、本明細書においては論じないが、本発明の範囲内に含まれることが意図されている。
【００５３】
図２に示すようなシステム１００’は、ＩＭＭウェーハサンプリングを実行することができ、ウェーハスロット選択は、（ＰＪ  Ｃｒｅａｔｅ）機能を用いて決定することができる。Ｒ２Ｒコントローラコンフィギュレーションは、変数の中でも特に、フィードフォワード制御プラン変数、フィードバック制御プラン変数、計測較正パラメータ、制御限界及びＳＥＭＩ標準変数パラメータを含むことができる。計測データリポートは、特に、ウェーハ、現場、構造及び組成データを含むことができ、該ツールは、該ウェーハに対する実際の設定を報告することができる。
【００５４】
上記ＩＭＭシステムは、分光偏光解析法、反射率測定法、又は他の光学的手段を用いて、正確なデバイスプロファイル、厳密なＣＤ及びウェーハの多数の層膜厚を測定する、ティンバー・テクノロジーズ社製のオプティカル・デジタル・プロフィロメトリ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｐｒｏｆｉｌｏｍｅｔｒｙ；ＯＤＰ）システム等の光学測定システムを含むことができる。ティンバー・テクノロジーズ社は、カリフォルニア州サンタクララにある、東京エレクトロン社の子会社である。ＯＤＰ、ｉＯＤＰ、ＰＡＳ、ＰＡＳ  プロファイラ、ＴｅｒａＧｅｎ、Ａｅｔｈｅｒ、及びＴｕｒｂｏ  Ｌｉｂｒａｒｙは、ティンバー・テクノロジーズ社の登録商標である。
【００５５】
上記プロセスは、インラインで実行され、このことは、解析を実行するためのウェーハを破損する必要をなくす。ＯＤＰは、インラインプロファイル及びＣＤ測定のための現存する薄膜計測ツールと共に用いることができ、また、ＴＥＬ処理ツールと一体化して、リアルタイムのプロセスモニタリング及び制御を実現することができる。ＯＤＰプロファイラは、実際のプロファイル、ＣＤ、膜厚結果を実行する高精度計測ツールとして、及びインラインプロセスの逸脱又はプロセス障害を検知する歩留まり向上ツールとして用いることができる。
【００５６】
ＯＤＰソリューションは、３つの鍵となる要素を有し、すなわち、ＯＤＰプロファイラライブラリは、光学スペクトルの特定用途データベースと、この対応する半導体プロファイルと、ＣＤ、膜厚とを備える。プロファイラアプリケーションサーバ（Ｐｒｏｆｉｌｅｒ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｅｒｖｅｒ；ＰＡＳ）は、光学ハードウェア及びコンピュータネットワークと接続するコンピュータサーバを備える。このＰＡＳは、データ通信、ＯＤＰライブラリ操作、測定プロセス、結果生成、結果解析及び結果出力を処理する。ＯＤＰプロファイラソフトウェアは、測定レシピ、ＯＤＰプロファイラライブラリ、ＯＤＰプロファイラデータ、ＯＤＰプロファイラ結果の検索／マッチング、ＯＤＰプロファイラ結果の計算／解析、データ通信、及び様々な計測ツール及びコンピュータネットワークに対するＰＡＳインタフェースを管理するためにＰＡＳにインストールされたソフトウェアを含む。
【００５７】
東京エレクトロン社のＩｎｇｅｎｉｏ  ＥＳ（Ｉｎｇｅｎｉｏは、東京エレクトロン社の登録商標であり、また「ＥＳ」は、「エッチングシステム（Ｅｔｃｈ  Ｓｙｓｔｅｍ）」の略語である）システム等の制御システムは、Ｉｎｇｅｎｉｏレシピマネジメントアプリケーション等のマネジメントアプリケーションを備えることができる。例えば、このＩｎｇｅｎｉｏ  レシピマネジメントは、Ｉｎｇｅｎｉｏ  ＥＳクライアントからのネットワーク環境を介して設備と同期されるＩｎｇｅｎｉｏ  ＥＳマネジメントサーバレシピデータベースに格納されたレシピを見る及び／又は制御するのに用いることができる。工場から離れたところに独立して配置することができるＩｎｇｅｎｉｏ  ＥＳクライアントは、多数の装置ユニットに対する包括的管理機能を実行できる。Ｉｎｇｅｎｉｏ  ＥＳクライアントユーティリティ等のＩｎｇｅｎｉｏレシピマネジメントは、このＩｎｇｅｎｉｏ  ＥＳに格納されたレシピを見るため及び制御するためのマネジメントアプリケーションと、このＩｎｇｅｎｉｏ  ＥＳマネジメントサーバに格納されたレシピデータを編集するためのアプリケーションとを備えることができる。
【００５８】
レシピは、レシピセット、クラス、及びオブジェクトとして表示することができるレシピを備えることができるツリー構造で体系化することができる。レシピは、プロセスレシピデータ、システムレシピデータ及びＩＭＭレシピデータを含むことができる。データは、レシピセットを用いて格納及び体系化することができる。例えば、このレシピセットは、設備レシピセット、バックアップレシピ及びユーザレシピセットを含むことができる。また、このデータは、クラスによって体系化することができ、クラスは、ＳＹＳＴＥＭ、ＰＭ、ＬＬＭ及びＩＭＭクラスを含むことができる。定義目的のため、ＳＹＳＴＥＭは、システムレベルオブジェクトを指し、ＰＭは、プロセスモジュールオブジェクトを指し、ＬＬＭは、ロードロックモジュールオブジェクトを指し、ＩＭＭは、統合メトロロジモジュールオブジェクトを指す。
【００５９】
上記処理ツール上にあるＩＭＭレシピは、ウェーハサンプリング、及びスロットとＩＭレシピとの関係を決めるのに用いることができる。ＩＭレシピは、ＩＭ測定ハードウェア上に存在することができ、Ｔｅｌｉｕｓ  ＩＭＭレシピ内で選択することができ、パターン認識情報を含むことができ、各ウェーハ上でチップを識別してサンプリングするのに用いることができ、及びどのＰＡＳレシピを用いるかを決めるのに用いることができる。ＰＡＳレシピは、どのＯＤＰライブラリを用いるかを判断するのに、及びＣＤ、ＳＷＡ、厚さ、トレンチ幅及びＧＯＦ等の測定尺度を定義してリポートするのに用いることができる。定義目的のため、ＳＷＡは、サイドウォールアングルを指し、ＧＯＦは、適合度を指す。
【００６０】
Ｉｎｇｅｎｉｏ  ＡＰＣレシピは制御戦略として作動し、制御戦略は、Ｔｅｌｉｕｓ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｒｅｃｉｐｅ等の処理ツールレシピと関連付けることができる。ランタイムでのウェーハレベル状況マッチングは、ウェーハによるカスタムコンフィギュレーション（スロット、ウェーハＩＤ、ロットＩＤ等）を可能にする。制御戦略は、１つ以上の制御プランを含むことができ、制御されているプロセスモジュール及び／又は測定モジュールは、このプロセスモジュール及び／又は測定モジュールへの巡視のために定義された少なくとも１つの制御プランを有する。制御プランは、モデル、制御限界、ターゲットを含むことができ、また、固定レシピ、定型モデル及びフィードバックプランを含むことができる。
【００６１】
制御プランは、モジュール内の多数のプロセスステップをカバーすることができ、また、工場によって制御することができる。各プロセス及び／又は測定モジュールに対して、パラメータ範囲を定義することができ、また、変数パラメータ「Ｌｉｍｉｔ  Ｒａｎｇｅ」が各制御パラメータに与えられる。
【００６２】
図３は、本発明の実施形態によるマルチステッププロセスシーケンスの単純化したフロー図を示す。図示の実施形態においては、多数の測定ステップが示されており、また、多数の処理ステップが示されている。図示した各測定ステップ及び／又は処理ステップに対して、１つ以上の制御戦略を作成することができる。このプロセスシーケンスは、本発明に必要なものではない。代替として、他のプロセスシーケンスを用いることができ、また、異なる数の制御戦略及び／又はシステムレシピを用いることができる。
【００６３】
図示の実施形態においては、フォトレジストが現像された後のウェーハを特性化するための測定を行うことができる最初のステップが示されている。測定データは、該ウェーハ上の入れ子及び分離した領域に対して得ることができる。場合によっては、入れ子ＣＤを分離ＣＤよりも大きくすることができる。図示の第２のステップは、２層フォトレジスト層を処理することができる「ゲートマスク」エッチングステップを示す。第３のステップにおいては、ＴＥＯＳ（すなわち、テトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａｅｔｈｌｙｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ））ハードマスクをエッチングすることができる。第４のステップにおいては、アッシングプロセスを実行することができる。第５のステップにおいては、ＣＯＲプロセス等のトリミングプロセスを実行することができる。第６のステップにおいては、ポリエッチステップを実行することができる。
【００６４】
また、図３は、ウェーハが６つのステップを進む際の測定値の収束（正弦波曲線）も示す。また、この図には、情報が転送（フィードフォワード又は「ＦＦ」）される場所に関する２つの表示／インスタンスと、情報が返される（フィードバック又は「ＦＢ」）２つのインスタンスとが記載されている。当業者は認識できるように、これら２つのＦＦ及びＦＢの存在は、単に説明のためのものであり、本発明を多少なりとも制限するものであると解釈すべきではない。
【００６５】
図４は、本発明の別の実施形態による制御プロセスの単純化したブロック図を示す。図示の実施形態においては、制御プランの単純化したブロック図が示されている。処理モジュール及び測定モジュール制御プラン及び／又は戦略を生成及び実行することができる。
【００６６】
図示の実施形態においては、プリメトロロジデータ及びポストメトロロジデータアイテムが示されているが、これは必要なものではない。代替として、事前測定及び事後測定は、各プロセスに必要ない。
【００６７】
また、Ｗ２Ｗフィードフォワードプロセスが示され、Ｌ２Ｌフィードバックプロセスが示されているが、これは必要なものではない。代替の実施形態においては、他の構成を用いることができる。個々のステップ及びそれらの相互関係に関するさらなる議論は、いくつかの理由により、本明細書には記載しない。第一に、プロセスとステップの厳密な組み合わせは、本発明を実施するのに必要ではない。第二に、多くのステップが詳細に上述されており、又は、以下により詳細に論じられる。
【００６８】
図５は、本発明の実施形態による処理システムの単純化したブロック図を示す。図示の実施形態においては、（ＴＥＬＩＵＳ）処理ツール５１０が示されており、また、ＩＭツール５２０が示されている。
【００６９】
スペクトルデータは、二重ビームＳＥシステムを用いて収集することができる。ＩＭモジュールによって生成されたスペクトルデータは、ＯＤＰ／ＰＡＳライブラリ内のシミュレートしたスペクトルと比較することができる。整合したスペクトルは、ＣＤ、膜厚及びサイドウォールアングル情報を有するプロファイルに相当する。粗密（Ｉｓｏ／Ｄｅｎｓｅ）のような様々な格子を連続して測定することができる。
【００７０】
分離／入れ子測定シーケンスの間、上記処理ツールは、用いる１つのＩＭレシピを選択し、独立したＩＭＭレシピは、分離した及び入れ子形構造に対して用いることができる。各ウェーハは、各ピッチ及び構造に対して、別々に測定することができる。
【００７１】
例えば、ウェーハをＩＭモジュールに装填することができ、ＩＭレシピをこのＩＭモジュールにロードすることができ、ＰＡＳレシピをＩＭコントローラにロードすることができる。次に、このウェーハを測定することができ、ＯＤＰレシピをこのＩＭコントローラにロードすることができる。そして、測定したスペクトルを用いて、ライブラリを検索することができ、また、１つ以上の分離した構造を識別することができる。分離した構造を測定する場合、分離した構造のためのＩＭ、ＰＡＳ及びＯＤＰレシピを用いることができる。
【００７２】
その後、別のＩＭレシピをＩＭモジュールにロードすることができ、また、別のＰＡＳレシピを上記ＩＭコントローラにロードすることができる。上記ウェーハを測定することができ、又は、前の測定データを用いることができ、別のＯＤＰレシピをこのＩＭコントローラにロードすることができる。次いで、測定したスペクトルを用いて、上記ライブラリを検索することができ、また、１つ以上の入れ子形構造を識別することができる。入れ子形構造を測定する場合、入れ子形構造のためのＩＭ、ＰＡＳ及びＯＤＰレシピを用いることができる。この測定シーケンスは、ウェーハ上の１つ以上の異なる位置に対して実行することができ、また、このウェーハは、払い出さなくてもよい。
【００７３】
図６は、本発明の実施形態によるレシピ生成プロセスのための単純化したフロー図を示す。図示の実施形態において、モジュールレシピは、トリム量を所望のプロセス結果として用い、かつガス流量を可変プロセスパラメータとして用いて生成される。
【００７４】
入力データは、上記処理ツール及び上記ファクトリーシステムを含む様々なソースから受け取ることができる。受け取ったデータはフィルタリングすることができ、また、フィルタリングしたデータは、ホストデータベース及び／又は処理ツールに関連するデータベース等のデータベースへ送ることができる。フィルタルールは、このフィルタリングの本質を判断するのに用いることができる。例えば、フィルタルールを設定するのに、機能ルールを用いることができる。
【００７５】
入力データは、測定データ及び基準データを含むことができる。ＣＤ  ＳＥＭデータ等の基準データは、入ってくるウェーハ又はウェーハからなる群の予測した状態に対する基準点を得るのに用いることができる。測定したデータは、入ってくるウェーハ又はウェーハからなる群の入力状態を得るのに用いることができる。一般的に、この入力状態を予測した状態と相互に関連付けるために確立された等式又は等式のセットが存在する。例えば、測定したメトロロジデータは、ＣＤ  ＳＥＭデータ等の基準データと相互に関連付けることができる。
【００７６】
フィルタリングしたデータは、トリム量等の所望のプロセス結果を確立するのに用いることができる。ターゲット情報を用いることができる。例えば、不良ウィンドウ及びプロセスウィンドウを設定するのに、限界を用いることができる。この所望のプロセス結果を実現するのに必要なレシピ条件は、計算することができる。用いる最良のレシピを判断するのに、実験計画法（Ｄｅｓｉｇｎ  ｏｆ  Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ；「ＤＯＥ」）技法を用いることができ、制御プランは、制御要素のうちの１つとして用いることができる。レシピは、利用可能な処理ツール及び処理モジュールの処理限界に基づいて設定することができる。
【００７７】
モジュールレシピを設定する場合、このモジュールレシピは、上記処理ツールによって確認することができ、また、データベース内に格納することができる。プロセスターゲット、モデル及びルールは、ファクトリーレベルで格納し、制御し、及び管理することができる。
【００７８】
図７は、本発明の実施形態による、測定データに対する等式関連基準データの例示的なグラフを示す。図示の実施形態においては、ＣＤ  ＳＥＭデータをＯＤＰデータに関連付けるグラフが示されているが、これは、本発明に必要なものではない。代替として、基準データ及び／又は測定データの他の形態を用いることができる。図示のデータは、ウェーハ上の入れ子形ＣＤに関連する。分離ＣＤのためのデータ等のデータの他のセットのための等式を確立するのに他のグラフ（図示せず）を用いることができる。ＴＭＵ（Ｔｏｔａｌ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｕｎｃｅｒｔａｉｎｔｙ）データが示されている。
【００７９】
図８は、本発明の実施形態による例示的なトリム方程式のグラフを示す。図示の実施形態において、（Ｉｓｏトリム量）、（Ｎｅｓｔトリム量）及び（Ｉｓｏ−Ｎｅｓｔ）に対する一次方程式が示されている。代替として、非線形方程式を用いることができる。
【００８０】
１つの場合において、分離した構造のエッチングは入れ子形構造よりも速い。代替として、他のレートを用いることができる。また、分離ＣＤは、入れ子ＣＤよりも大きくすることができる。代替として、他の関係を作ることができる。また、入れ子ＣＤ内での変動は、大きくすることができる。
【００８１】
上記処理手順の一部において、分離／入れ子バイアスを計算することができる。例えば、各構造に対するＯＤＰデータは、ＣＤ  ＳＥＭデータ等の基準データと相互に関連付けることができる。
【００８２】
一実施形態において、第１のピッチを有する測定格子は、特定の製品及び技術の場合の分離構造／形態と一致して設けられ、また、第２のピッチを有する別の測定格子は、この製品及び技術の場合の入れ子形構造／形態と一致して設けられる。例えば、５９５ｎｍの格子は、分離構造に用いることができ、また、２４５ｎｍの格子は、入れ子構造に用いることができる。代替の実施形態においては、追加的な測定格子を設けることができ、また、異なるピッチを設けることができる。
【００８３】
計算した分離データ値は、式
【数１】
2008513997.tif 000003
【００８４】
を用いて確定することができ、ただし、Ｉｓｏ＿Ｍａｎｄｅｌ＿Ｓｌｏｐｅは、分離構造の場合の、ＣＤ  ＳＥＭデータをＯＤＰデータに関連付けるラインの勾配であり、Ｉｓｏ＿ＯＤＰは、分離構造のうちの１つの場合の、ＯＤＰ測定値のうちの１つの値であり、Ｉｓｏ＿Ｍａｎｄｅｌ＿Ｉｎｔｅｒｃｅｐｔは、分離構造の場合の、ＣＤ  ＳＥＭデータをＯＤＰデータに関連付けるラインのインターセプトポイントである。
【００８５】
計算した分離データ値は、式
【数２】
2008513997.tif 000004
【００８６】
を用いて確定することができ、ただし、Ｎｅｓｔｅｄ＿Ｍａｎｄｅｌ＿Ｓｌｏｐｅは、入れ子形構造の場合の、ＣＤ  ＳＥＭデータをＯＤＰデータに関連付けるラインの勾配であり、Ｎｅｓｔｅｄ＿ＯＤＰは、入れ子形構造のうちの１つの場合の、ＯＤＰ測定値のうちの１つの値であり、Ｎｅｓｔｅｄ＿Ｍａｎｄｅｌ＿Ｉｎｔｅｒｃｅｐｔは、入れ子形構造の場合の、ＣＤ  ＳＥＭデータをＯＤＰデータに関連付けるラインのインターセプトポイントである。
【００８７】
バイアス量に対する値は、式
【数３】
2008513997.tif 000005
【００８８】
を用いて確定することができる。
【００８９】
必要なトリム調整量は、式
【数４】
2008513997.tif 000006
【００９０】
を用いて確定することができる。
【００９１】
必要なレシピ設定は、式
【数５】
2008513997.tif 000007
【００９２】
を用いて確定することができる。
【００９３】
例えば、１つの制御パラメータは、ステッププロセス時間（秒）に等しく設定することができ、また、式
【数６】
2008513997.tif 000008
【００９４】
を用いて確定することができ、ただし、Ｓｔｅｐ＿Ｔｉｍｅは、「分離／入れ子形制御ステップ」である。
【００９５】
ハードマスクエッチングを制御する他の方法（プロセスは、完全な入れ子形と分離形の間の中間のピッチを形成するためのものである）。この場合、分離／入れ子形の調整は、これまでに示したように計算することができる。必要なトリム量を計算することができ、制御構造のＣＤは、追加的な測定に基づいて決定することができ、相関関係は、制御ピッチと別のピッチとの間で明らかにすることができ、現存の測定値は、この制御ピッチに対して較正することができ、トリム量は、式
【数７】
2008513997.tif 000009
【００９６】
を用いて計算することができる。
【００９７】
表１は、分離した及び入れ子形の構造を有するウェーハを処理するためのプロセスパラメータの例示的なセットを示す。多数のトリムプロセスが示されているが、これらは、本発明に必要なものではない。代替として、異なるセットのプロセスパラメータを用いてもよく、また、追加的なプロセスガスを用いることが可能である。
【００９８】
一実施形態において、このプロセス化学反応は、分離した構造のためのトリム量が、入れ子形構造のためのトリム量よりも大きい場合には、ＨＢｒ／Ｏ２を含み、このプロセス化学反応は、分離した構造のためのトリム量が、入れ子形構造のためのトリム量よりも小さい場合には、Ｃ４Ｆ８／Ｏ２を含み、このプロセスは、分離した構造のためのトリム量が、入れ子形構造のためのトリム量とほぼ等しい場合には、ＨＢｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｏ２を含む。代替の実施形態においては、このプロセス化学反応に不活性ガスを含めてもよい。
【表１】
2008513997.tif 000010
【００９９】
条件  圧力  電力  ギャップ    温度
トリム
次に、追加的なトリム（残りのＢＡＲＣトリム）を、バイアストリムプロセス中に形成されたＢＡＲＣトリムの量に基づいて確定することができる。ＢＡＲＣ＿Ｂｉａｓ＿Ｔｒｉｍ変数値は、分離エッチングレートの場合の平均値を用いて概算することができ、ｓｔｅｐ＿ｔｉｍｅ変数値は、別の制御プランから回すことができる。
【０１００】
例えば、次の式を用いることができる。
【数８】
2008513997.tif 000011
【０１０１】
代替の実施形態においては、この計算は、入れ子形の値に基づかせることができる。
【０１０２】
また、最終的なＢＡＲＣトリムのためのレシピ設を計算することができる。例えば、Ｏ２／ＣＦ４比を用いる場合、方程式を生成することができる。
【数９】
2008513997.tif 000012
【０１０３】
ただし、ｘは、Ｏ２フローであり、また、
【数１０】
2008513997.tif 000013
【０１０４】
である。
【０１０５】
ある場合においては、範囲外の例外が生じる可能性がある。例えば、算出した分離／入れ子形の値は、総トリム量よりも大きくなる可能性があり、又は、分離の値は、入れ子形の入ってくるＣＤよりも大きくなる可能性がある。１つの解決法は、兆候をチェックし、入れ子形を成長させる必要性に基づいて、一連の計算を実行することである。この値が、分離／入れ子形バイアストリム曲線から外れている場合には、最大バイアス調整を用いることができる。この値が、このトリム曲線の下端から外れている場合には、この解決法は、このトリムをスキップすることであり、また、この値が、このトリム曲線の上端から外れている場合には、この解決法は、最大トリムを用い、ホストへの警告を生成することである。
【０１０６】
図９は、本発明の実施形態による例示的なプロセスの結果を示すＳＥＭの写真を示す。図示の実施形態においては、中心プロファイル及びエッジプロファイルの場合のＳＥＭグラフが示されている。また、ＢＡＲＣエッチング及び複合ＢＡＲＣエッチング及びトリムプロセス（１５秒）の場合のＳＥＭグラフが示されている。これらの写真から明らかなように、（図の右側に示す）複合プロセスを用いた結果がより良好である。
【０１０７】
図１０は、本発明の実施形態による処理システムを作動させる方法に対する単純化したシーケンス図を示す。図示の実施形態においては、カスケードフィードフォワードウェーハ間計算シーケンス１０００が示されているが、これは、本発明に必要なものではない。代替として、このシーケンスは、種々の変形例の中でも特に、ロットベース又はバッチベースとすることができる。
【０１０８】
図示の実施形態において、シーケンス１０００は、２つの制御プラン、すなわち、第１の制御プランＣＰ１と第２の制御プランＣＰ２とを含むが、このことは、本発明に必要なことではない。代替として、異なる数の制御プランを用いてもよい。例えば、分離及び入れ子条件に対して、別々の制御プランを用いてもよく、また、他の制御プランを用いてもよい。
【０１０９】
図１０〜図１６に示す実施形態において、「第１の制御プランＣＰ１」及び「第２の制御プランＣＰ２」という用語は、図示の２つの制御プランを指す。当業者には理解されるように、これらの実施形態の各々は、必要に応じて、より多くの数の制御プラン（あるいは、単一の制御プラン）を含んでもよい。「第１の制御プランＣＰ１」及び「第２の制御プランＣＰ２」という表現は、記載した実施形態のうちのいくつかに関して用いられ、この約束ごとは、以下の議論を単純化するために採用されている。説明を明瞭にするため、個々の制御プランの厳密な構成は、同じ説明及び参照数字の繰り返し使用にもかかわらず、１つのプラント次のプラントで異ならせる。
【０１１０】
第１の制御プランＣＰ１は、第１の入力要素１０１０に結合することができ、また、参照符号１０２０及び１０２５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の入力要素及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１０２０は、「分離」データを含むことができ、また、分離した構造、トレンチ又はビア、あるいはこれらの組み合わせを備えるウェーハ上の少なくとも１つの領域の場合のメトロロジデータを含むことができる。データ要素１０２５は、「入れ子形」のデータを含むことができ、また、入れ子形構造／形態、トレンチ又はビア、あるいはこれらの組み合わせを備える該ウェーハ上の少なくとも１つの領域の場合のメトロロジデータを含むことができる。代替として、「基準」、「混合」又は「公称」データ要素等の他のデータ要素（図示せず）を含ませることができる。
【０１１１】
第１の入力要素１０１０は、東京エレクトロン社製のｉＯＤＰモジュール等のＩＭＭからのＯＤＰデータを備えることができる。代替として、第１の入力要素１０１０は、ＳＥＭデータ及び／又はＴＥＭデータを含んでもよい。
【０１１２】
第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１０３０及び１０３５等のデータ変換要素も含むことができる。データ変換要素１０３０は、データ要素１０２０に結合することができ、また、データ要素１０２０内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１０３０は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「分離」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「分離」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。データ変換要素１０３５は、データ要素１０２５に結合することができ、また、データ要素１０２５内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１０３５は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「入れ子形」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「入れ子形」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。１つのメトロロジモジュールは、「基準」データを生成するのに用いることができる。
【０１１３】
第２の入力要素１０１５は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第２の入力要素１０１５は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第２の入力要素１０１５は、「バイアスターゲット」等のプロセスパラメータのための所望の値を備えることができる。
【０１１４】
また、第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１０４０及び１０４５等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１０４０は、第２の入力要素１０１５、データ変換要素１０３０、１０３５の一方又は両方、及び１つ以上の他の制御プランに結合することができる。一実施形態において、計算要素１０４０は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子形構造に対してこのエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「バイアストリム」とすることができる。
【０１１５】
計算要素１０４５は、計算要素１０４０に結合することができ、また、１つ以上の出力１０５０を生成することができる。一実施形態において、計算要素１０４５は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１０５０は、１つ以上のプロセスステップの場合の「ステップ時間」データを含んでもよい。代替として、出力１０５０は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１１６】
第３の入力要素１０６０は、第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第３の入力要素１０６０は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第３の入力要素１０６０は、「最終的なＣＤターゲット」等のプロセス結果に対する所望の値を備えることができる。
【０１１７】
第２の制御プランＣＰ２は、第１の制御プランＣＰ１等の１つ以上の他の制御プランに結合することができ、また、参照符号１０５５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の制御プラン及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１０５５は、「バイアストリム」データ及び／又は「ステップ時間」データ等の計算したデータを備えることができる。代替として、データ要素１０５５は、他のフィードフォワード及び／又はフィードバックデータアイテムを含んでもよい。
【０１１８】
また、上記第２の制御プランＣＰ２は、参照符号１０６５及び１０７０等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１０６５は、第３の入力要素１０６０、データ要素１０５５及び参照符号１０７０等の１つ以上の他の計算要素に結合することができる。一実施形態において、計算要素１０６５は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子構造の場合のエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「ＢＡＲＣトリム」とすることができる。
【０１１９】
計算要素１０７０は、計算要素１０６５に結合することができ、また、１つ以上の出力１０７５を生成することができる。一実施形態において、計算要素１０７０は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１０７５は、１つ以上のプロセスガスのためのフローデータ、又は、このプロセスガスのための１つ以上の流量比を含んでもよい。例えば、流量比は、Ｏ２及びＣＦ４のために生成することができる。代替として、出力１０７５は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１２０】
シーケンス１０００は、制御戦略要素１０８０も備えることができる。１つ以上のシステムコントローラ(図示せず)は、このシステムの動作を制御するための多数のＡＰＣレシピ（制御戦略）を含むことができ、また、制御戦略は、処理ツールのためのシステムレシピと関連付けることができる。
【０１２１】
一実施形態において、「分離／入れ子形」制御戦略を用いることができる。この「分離／入れ子形」制御戦略は、制御プランＣＰ１及びＣＰ２等の１つ以上の「分離／入れ子形」制御プランを含むことができる。物理的モジュールは、この物理的モジュールへの各巡視のために定義された少なくとも１つの制御プランを有することができる。上記第１及び第２の制御プランＣＰ１及びＣＰ２は、モデル、限界、ターゲット、レシピを含み、１つのモジュール内の多数のプロセスステップをカバーすることができる。一実施形態において、「分離／入れ子形」制御戦略及び／又はプランを確立することができ、該プランを物理的モジュールに対応付けることができる。制御戦略及び／又はプランは、プロセスジョブ（ＰＪ）を受け取ったとき及び／又はこのＰＪが生成されたときに確立することができる。
【０１２２】
システムコントローラは、上記プロセスシーケンスにおける「分離／入れ子形」制御プランが実行されるときに、「分離／入れ子形」制御戦略を実行することができる。この「分離／入れ子形」制御戦略は、１つ以上の「分離／入れ子形」制御プランを含むことができる。制御戦略の選択及び起動は、コンテキストベースとすることができる。「分離／入れ子形」制御戦略を実行した場合、ウェーハを物理的モジュール内で処理することができる。代替として、このコントローラが、ウェーハのための処理状況に適合する「分離／入れ子形」制御戦略が存在しないと判断した場合には、このコントローラは、新たな「分離／入れ子形」制御戦略を生成して実行することができる。
【０１２３】
状況マッチングは、状況アイテムを含む全てのレシピを適合させるＳＱＬ（Ｓｅｑｕｅｌ）ステートメントを用いて実施することができる。代替として、ＳＱＬステートメントは必要ではなく、また、該ステートメントがＳＱＬフォーマットで書かれることも必要ではない。当業者には理解されるように、本発明の範囲を逸脱することなく、ＳＱＬ以外のフォーマットを用いることができる。
【０１２４】
また、上記処理システムコントローラは、「分離／入れ子形」データ収集（ｄａｔａ  ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ；ＤＣ）戦略を実行することができ、「分離／入れ子形」ＤＣ戦略は、少なくとも１つの「分離／入れ子形」ＤＣプランを備えることができる。「分離／入れ子形」ＤＣ戦略の選択及び起動もコンテキストベースとすることができる。「分離／入れ子形」ＤＣ戦略を実行した場合、分離及び入れ子形構造の場合のデータを、処理されているウェーハのために収集することができる。
【０１２５】
上記「分離／入れ子形」ＤＣプランは、どのデータを収集し、このデータをどのように収集するか、及びこのデータをどこに格納するかを決める。上記コントローラは、物理的モジュールのためのデータ収集プランを自動生成することができる。典型的には、１つのデータ収集プランを、特定のモジュールに対して、一度にアクティブにすることができ、このコントローラは、ウェーハの状況に適合するデータ収集プランを選択して用いることができる。データは、トレースデータ、プロセスログ情報、レシピデータ、メンテナンスカウンタデータ、ＯＥＳデータ、ＶＩＰデータ、又はアナログデータ、あるいは、それらのうちの２つ以上の組み合わせを含むことができる。測定デバイス及び／又はセンサは、ＤＣプランによって始動及び停止させることができる。また、ＤＣプランは、データをトリミングする、データをクリップする、及びスパイクデータ及び異常値を処理するための情報を生成することもできる。
【０１２６】
さらに、上記システムコントローラは、ウェーハを処理する場合に、「分離／入れ子形」解析戦略を実行することができる。この「分離／入れ子形」解析戦略は、「分離／入れ子形」解析プラン、又は、「分離／入れ子形」判断プラン、又は、これらの組み合わせを備えることができる。「分離／入れ子形」解析戦略を実行した場合、ウェーハデータ、プロセスデータ、及び／又はモジュールデータを解析することができ、また、故障状況を識別することができる。
【０１２７】
例えば、データを収集した後、このデータは、作動ルール評価のための故障検出プログラムへ送ることができる。故障限界は、履歴データに基づいて自動的に計算することができ、顧客の経験又はプロセス知識に基づいて手動で入力することができ、又は、ホストコンピュータから得ることができる。このデータは、警告限界及び制御限界と比較することができ、また、作動ルールが破られた場合、このプロセスが統計的限界を超えたことを示すアラームを発生させることができる。アラームが発生すると、上記コントローラは、通知又は介入のいずれかを実行することができる。通知は、電子メールを介したものとすることができ、又は、電子メール起動ページャによるものとすることができる。また、該コントローラは、介入を実行することができ、すなわち、現在のロットの終了時にプロセスを中断し、又は、現在のウェーハの終了時に該プロセスを中断させることができる。該コントローラは、このアラームを発生させた処理モジュールを識別することができる。
【０１２８】
図１１は、本発明の別の実施形態による処理システムを作動させる方法に対する単純化したシーケンス図を示す。図示の実施形態においては、ポスト測定計算シーケンス１０００が示されているが、これは、本発明に必要なものではない。代替として、このシーケンスは、異なるシーケンスとすることができる。
【０１２９】
図示の実施形態において、シーケンス１１００は、２つの制御プラン、すなわち、第１の制御プランＣＰ１と第２の制御プランＣＰ２とを含むが、このことは、本発明に必要なことではない。代替として、異なる数の制御プランを用いてもよい。例えば、分離及び入れ子形状態に対して、別々の制御プランを用いてもよく、また、他の制御プランを用いてもよい。
【０１３０】
第１の制御プランＣＰ１は、第１の入力要素１１１０に結合することができ、また、参照符号１１２０及び１１２５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の入力要素及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１１２０は、「分離」データを含むことができ、また、分離した構造／形態、トレンチ又はビア、あるいはこれらの組み合わせを備えるウェーハ上の少なくとも１つの領域の場合のメトロロジデータを含むことができる。データ要素１１２５は、「入れ子形」のデータを含むことができ、また、入れ子形構造／形態、トレンチ又はビア、あるいはこれらの組み合わせを備える該ウェーハ上の少なくとも１つの領域の場合のメトロロジデータを含むことができる。代替として、「基準」、「混合」又は「公称」データ要素等の他のデータ要素（図示せず）を含ませることができる。
【０１３１】
第１の入力要素１１１０は、東京エレクトロン社製のｉＯＤＰモジュール等のＩＭＭからのＯＤＰデータを備えることができる。代替として、第１の入力要素１１１０は、ＳＥＭデータ及び／又はＴＥＭデータを含んでもよい。
【０１３２】
第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１１３０及び１１３５等のデータ変換要素も含むことができる。データ変換要素１１３０は、データ要素１１２０に結合することができ、また、データ要素１１２０内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１１３０は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「分離」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「分離」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。データ変換要素１１３５は、データ要素１１２５に結合することができ、また、データ要素１１２５内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１１３５は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「入れ子形」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「入れ子形」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。代替として、「基準」データを用いることができる。また、データ変換要素１１３０及びデータ変換要素１１３５は、第２の制御プランＣＰ２等の１つ以上の他の制御プランに結合することができる。
【０１３３】
第２の入力要素１１１５は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第２の入力要素１１１５は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第２の入力要素１１１５は、「バイアスターゲット」等のプロセスパラメータのための所望の値を備えることができる。
【０１３４】
また、第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１１４０等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１１４０は、第２の入力要素１１１５、データ変換要素１１３０、１１３５に結合することができ、１つ以上の出力１１５０を生成する。一実施形態において、計算要素１１４０は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子形構造に対してこのエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「バイアスエラー」とすることができる。代替として、出力１１５０は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１３５】
第３の入力要素１０６０は、第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第３の入力要素１０６０は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第３の入力要素１０６０は、「最終的なＣＤターゲット」等のプロセス結果に対する所望の値を備えることができる。
【０１３６】
第２の制御プランＣＰ２は、第１の制御プランＣＰ１等の１つ以上の他の制御プランに結合することができ、また、参照符号１１６５等の１つ以上の計算要素を含むことができる。代替として、異なる数の制御プラン及び／又は計算要素を用いることができる。計算要素１１６５は、第３の入力要素１１６０、別の制御プラン、及び参照符号１１７０等の１つ以上の出力要素に結合することができる。一実施形態において、計算要素１１６５は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子形構造のためのエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「ＢＡＲＣトリムエラー」とすることができ、また、この出力要素は、「トリムエラー」を含むことができる。代替として、出力１１７５は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１３７】
図１２は、本発明の実施形態による処理システムを作動させる方法に対する単純化したシーケンス図を示す。図示の実施形態においては、カスケードフィードフォワード及びフィードバックウェーハ間計算シーケンス１２００が示されているが、これは、本発明に必要なものではない。代替として、シーケンス１２００は、ロットベース又はバッチベースとすることができる。
【０１３８】
図示の実施形態において、シーケンス１２００は、２つの制御プラン、すなわち、第１の制御プランＣＰ１と第２の制御プランＣＰ２とを含むが、このことは、本発明に必要なことではない。代替として、異なる数の制御プランを用いてもよい。例えば、分離及び入れ子条件に対して、別々の制御プランを用いてもよく、また、他の制御プランを用いてもよい。
【０１３９】
第１の制御プランＣＰ１は、第１の入力要素１２１０に結合することができ、また、参照符号１２２０及び１２２５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の入力要素及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１２２０は、「分離」データを含むことができ、また、分離した構造／形態、トレンチ又はビア、あるいはこれらの組み合わせを備えるウェーハ上の少なくとも１つの領域の場合のメトロロジデータを含むことができる。データ要素１２２５は、「入れ子形」のデータを含むことができ、また、入れ子形構造／形態、トレンチ又はビア、あるいはこれらの組み合わせを備える該ウェーハ上の少なくとも１つの領域の場合のメトロロジデータを含むことができる。代替として、「基準」、「混合」又は「公称」データ要素等の他のデータ要素（図示せず）を含ませることができる。
【０１４０】
第１の入力要素１２１０は、東京エレクトロン社製のｉＯＤＰモジュール等のＩＭＭからのＯＤＰデータを備えることができる。代替として、第１の入力要素１２１０は、ＳＥＭデータ及び／又はＴＥＭデータを含んでもよい。
【０１４１】
第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１２３０及び１２３５等のデータ変換要素も含むことができる。データ変換要素１２３０は、データ要素１２２０に結合することができ、また、データ要素１２２０内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１２３０は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「分離」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「分離」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。データ変換要素１２３５は、データ要素１２２５に結合することができ、また、データ要素１２２５内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１２３５は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「入れ子形」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「入れ子形」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。１つのメトロロジモジュールは、「基準」データを生成するのに用いることができる。
【０１４２】
第２の入力要素１２１５は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第２の入力要素１２１５は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第２の入力要素１２１５は、「バイアスターゲット」等のプロセスパラメータのための所望の値を備えることができる。
【０１４３】
第３の入力要素１２１２は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのためのフィードバックデータ及び／又はフィードフォワードデータを備えることができる。代替として、第３の入力要素１２１２は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第３の入力要素１２１２は、「バイアスエラー」等のプロセスパラメータに対して、実際の値と所望の値との間に差（エラー値）を備えることができる。
【０１４４】
また、上記第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１２４０及び１２４５等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１２４０は、第２の入力要素１２１５、第３の入力要素１２１２、データ変換要素１２３０、１２３５、及び１つ以上の他の制御プランに結合することができる。一実施形態において、計算要素１２４０は、フィードフォワードデータ及びフィードバックデータを用いて、１つ以上の処理パラメータを計算することができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子構造の場合のエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このフィードフォワードデータは、「バイアスターゲット」データを含むことができ、このフィードバックデータは、「バイアスエラー」データを含むことができ、このプロセスパラメータは、「バイアストリム」値等のエッチング量を含むことができる。
【０１４５】
計算要素１２４５は、計算要素１２４０に結合することができ、また、１つ以上の出力１２５０を生成することができる。一実施形態において、計算要素１２４５は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１２５０は、１つ以上のプロセスステップのための「ステップ時間」データを含んでもよい。代替として、出力１２５０は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１４６】
第４の入力要素１２６０及び第５の入力要素１２６２は、第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第４の入力要素１２６０及び／又は第５の入力要素１２６２は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第４の入力要素１２６０は、プロセス結果に対する所望の値等のフィードフォワードデータを備えることができ、また、第５の入力要素１２６２は、プロセス結果に対するエラーデータ等のフィードバックデータを備えることができる。例えば、エラーデータは、「ＢＡＲＣエラー」を含むことができる。
【０１４７】
第２の制御プランＣＰ２は、第１の制御プランＣＰ１等の１つ以上の制御プランに結合することができ、また、参照符号１２５５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の制御プラン及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１２５５は、「バイアストリム」データ及び／又は「ステップ時間」データ等の算出したデータを備えることができる。代替として、データ要素１２５５は、他のフィードフォワード及び／又はフィードバックデータアイテムを含んでもよい。
【０１４８】
また、第２の制御プランＣＰ２は、参照符号１２６５及び１２７０等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１２６５は、第３の入力要素１２６０、データ要素１２５５及び参照符号１２７０等の１つ以上の他の計算要素に結合することができる。一実施形態において、計算要素１２６５は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子形構造のためのエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「ＢＡＲＣトリム」とすることができる。
【０１４９】
計算要素１２７０は、計算要素１２６５に結合することができ、また、１つ以上の出力１２７５を生成することができる。一実施形態において、計算要素１２７０は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１２７５は、１つ以上のプロセスガスのためのフローデータ、又は、これらのプロセスガスのための１つ以上の流量比を含んでもよい。例えば、流量比は、Ｏ２及びＣＦ４のために生成することができる。代替として、出力１２７５は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１５０】
シーケンス１２００は、制御戦略要素１２８０も備えることができる。１つ以上のシステムコントローラ(図示せず)は、このシステムの動作を制御するための多数のＡＰＣレシピ（制御戦略）を含むことができ、また、制御戦略は、処理ツールのためのシステムレシピと関連付けることができる。
【０１５１】
一実施形態において、ＢＡＲＣ制御戦略は、１つ以上のＢＡＲＣレシピを確立して、１つ以上のＢＡＲＣエッチングプロセスを制御するのに用いることができる。このＢＡＲＣ制御戦略は、第１の制御プランＣＰ１及び第２の制御プランＣＰ２等の１つ以上の「分離／入れ子形」制御プランを含むことができる。処理モジュール及び／又は測定モジュールは、このモジュールへの各巡視のために定義された少なくとも１つの制御プランを有することができる。これらの制御プランは、モデル、限界、ターゲット、レシピを含むことができ、１つのプロセスシーケンス内の多数のプロセスステップをカバーすることができる。一実施形態において、「分離／入れ子形」制御戦略及び／又はプランを確立することができ、該プランをモジュールに対応付けることができる。制御戦略及び／又はプランは、プロセスジョブ（ＰＪ）を受け取ったとき及び／又はこのＰＪが生成されたときに確立することができる。
【０１５２】
図１３は、本発明の実施形態による処理システムを作動させる方法に対する単純化したシーケンス図を示す。図示の実施形態においては、「プロセスモデルアップデートを伴うポスト測定計算」シーケンス１３００が示されているが、これは、本発明に必要なものではない。代替として、シーケンス１３００は、異なるシーケンスとすることができる。
【０１５３】
図示の実施形態において、シーケンス１３００は、２つの制御プラン、すなわち、第１の制御プランＣＰ１と第２の制御プランＣＰ２とを含むが、このことは、本発明に必要なことではない。代替として、異なる数の制御プランを用いてもよい。例えば、分離及び入れ子条件に対して、別々の制御プランを用いてもよく、また、他の制御プランを用いてもよい。
【０１５４】
第１の制御プランＣＰ１は、第１の入力要素１３１０に結合することができ、また、参照符号１３２０及び１３２５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の入力要素及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１３２０は、「分離」データを含むことができ、また、分離した構造／形態、トレンチ又はビア、あるいはこれらの組み合わせを備えるウェーハ上の少なくとも１つの領域の場合のメトロロジデータを含むことができる。データ要素１３２５は、「入れ子形」のデータを含むことができ、また、入れ子形構造／形態、トレンチ又はビア、あるいはこれらの組み合わせを備える該ウェーハ上の少なくとも１つの領域の場合のメトロロジデータを含むことができる。代替として、「基準」、「混合」又は「公称」データ要素等の他のデータ要素（図示せず）を含ませることができる。
【０１５５】
第１の入力要素１３１０は、東京エレクトロン社製のｉＯＤＰモジュール等のＩＭＭからのＯＤＰデータを備えることができる。代替として、第１の入力要素１３１０は、ＳＥＭデータ及び／又はＴＥＭデータを含んでもよい。
【０１５６】
第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１３３０及び１３３５等のデータ変換要素も含むことができる。データ変換要素１３３０は、データ要素１３２０及び第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、データ変換要素１３３０は、データ要素１３２０から受け取った１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１３３０は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「分離」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「分離」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。データ変換要素１３３５は、データ要素１３２５及び第２の制御プランＣＰ２、及びデータ変換要素１３３５に結合することができ、また、データ要素１３２５内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１３３５は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「入れ子形」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「入れ子形」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。代替として、「基準」データを用いることができる。また、データ変換要素１３３０及びデータ変換要素１３３５は、１つ以上の他の制御プランに結合することができる。
【０１５７】
第２の入力要素１３１５は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第２の入力要素１３１５は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第２の入力要素１３１５は、「バイアスターゲット」等のプロセスパラメータのための所望の値を備えることができる。
【０１５８】
また、上記第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１３４０及び１３４５等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１３４０は、第２の入力要素１３１５、データ変換要素１３３０、１３３５、及び計算要素１３４５に結合することができる。一実施形態において、計算要素１３４０は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子構造の場合のエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「バイアスエラー」とすることができる。
【０１５９】
計算要素１３４５は、計算要素１３４０に結合することができ、また、１つ以上の出力１３５０を生成することができる。一実施形態において、計算要素１３４５は、１つ以上のプロセスモデルを更新するのに用いることができ、また、出力１３５０は、「分離した」モデルデータ、「入れ子形」モデルデータ又は「分離／入れ子形」モデルデータ、あるいはこれらの組み合わせを含むことができる。代替として、出力１３５０は、更新されたモデルデータを含んでもよい。
【０１６０】
第３の入力要素１３６０は、第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第３の入力要素１３６０は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第３の入力要素１３６０は、「最終的なＣＤターゲット」等のプロセス結果に対する所望の値を備えることができる。
【０１６１】
第２の制御プランＣＰ２は、第１の制御プランＣＰ１等の１つ以上の他の制御プランに結合することができ、また、参照符号１３６５及び１３７０等の１つ以上の計算要素を含むことができる。代替として、異なる数の制御プラン及び／又は計算要素を用いることができる。計算要素１３６５は、第３の入力要素１３６０、別の制御プラン、及び参照符号１３７０等の１つ以上の計算要素に結合することができる。一実施形態において、計算要素１３６５は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子形構造のためのエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「ＢＡＲＣトリムエラー」とすることができ、また、この出力要素は、「トリムエラー」を含むことができる。代替として、この出力は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１６２】
計算要素１３７０は、計算要素１３６５に結合することができ、また、１つ以上の出力１３８０を生成することができる。一実施形態において、計算要素１３７０は、１つ以上のプロセスモデルを更新するのに用いることができ、また、出力１３８０は、「エッチング」モデルデータ又は「トリム」モデルデータ、あるいはこれらの組み合わせを含むことができる。代替として、出力１３８０は、更新されたモデルデータを含んでもよい。
【０１６３】
図１４は、本発明の別の実施形態による処理システムを作動させる方法に対する単純化したシーケンス図を示す。図示の実施形態においては、「フィードバックモデル調整を用いたカスケードフィードフォワードウェーハ間計算」シーケンス１４００が示されているが、これは本発明に必要なものではない。代替として、このシーケンスは、ロットベース又はバッチベースとすることができる。
【０１６４】
図示の実施形態において、シーケンス１４００は、２つの制御プラン、すなわち、第１の制御プランＣＰ１と第２の制御プランＣＰ２とを含むが、このことは、本発明に必要なことではない。代替として、異なる数の制御プランを用いてもよい。例えば、分離及び入れ子条件に対して、別々の制御プランを用いてもよく、また、他の制御プランを用いてもよい。
【０１６５】
第１の入力要素１４１０は、東京エレクトロン社製のｉＯＤＰモジュール等のＩＭＭからのＯＤＰデータを備えることができる。代替として、第１の入力要素１４１０は、ＳＥＭデータ及び／又はＴＥＭデータを含んでもよい。
【０１６６】
第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１４３０及び１４３５等のデータ変換要素も含むことができる。データ変換要素１４３０は、データ要素１４２０及び第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、データ変換要素１４３０は、データ要素１４２０から受け取った１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１４３０は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「分離」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「分離」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。データ変換要素１４３５は、データ要素１４２５及び第２の制御プランＣＰ２、及びデータ変換要素１４３５に結合することができ、また、データ要素１４２５内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１４３５は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「入れ子形」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「入れ子形」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。代替として、「基準」データを用いることができる。また、データ変換要素１４３０及びデータ変換要素１４３５は、１つ以上の他の制御プランに結合することができる。
【０１６７】
第２の入力要素１４１５は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第２の入力要素１４１５は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第２の入力要素１４１５は、「バイアスターゲット」等のプロセスパラメータのための所望の値を備えることができる。
【０１６８】
第３の入力要素１４１２は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのためのフィードバックデータ及び／又はフィードフォワードデータを備えることができる。代替として、第３の入力要素１４１２は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第３の入力要素１４１２は、「分離／入れ子形」モデルデータ等のプロセスモデルデータを備えることができる。
【０１６９】
また、上記第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１４４０及び１４４５等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１４４０は、第２の入力要素１４１５、第３の入力要素１４１２、データ変換要素１４３０、１４３５、及び１つ以上の他の制御プランに結合することができる。一実施形態において、計算要素１４４０は、フィードフォワードデータ及びフィードバックデータを用いて、１つ以上の処理パラメータを計算することができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子構造の場合のエッチングプロセスを最適化するために、プロセスモデルを用いることができる。１つのケースにおいて、このフィードフォワードデータは、「バイアスターゲット」データを含むことができ、このフィードバックデータは、「分離入れ子形」モデルデータを含むことができ、このプロセスパラメータは、「バイアストリム」値等のエッチング量を含むことができる。
【０１７０】
計算要素１４４５は、計算要素１４４０に結合することができ、また、１つ以上の出力１４５０を生成することができる。一実施形態において、計算要素１４４５は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１４５０は、１つ以上のプロセスステップのための「ステップ時間」データを含んでもよい。代替として、出力１４５０は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１７１】
第４の入力要素１４６０及び第５の入力要素１４６２は、第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第４の入力要素１４６０及び／又は第５の入力要素１４６２は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第４の入力要素１４６０は、プロセス結果に対する所望の値等のフィードフォワードデータを備えることができ、また、第５の入力要素１４６２は、モデルデータ及び／又はモデル更新データ等のフィードバックデータを備えることができる。例えば、モデルデータは、「トリム」モデルデータを含むことができる。
【０１７２】
第２の制御プランＣＰ２は、第１の制御プランＣＰ１等の１つ以上の制御プランに結合することができ、また、参照符号１４５５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の制御プラン及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１４５５は、「バイアストリム」データ及び／又は「ステップ時間」データ等の算出したデータを備えることができる。代替として、データ要素１４５５は、他のフィードフォワード及び／又はフィードバックデータアイテムを含んでもよい。
【０１７３】
また、第２の制御プランＣＰ２は、参照符号１４６５及び１４７０等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１４６５は、参照符号１４６０及び１４６２等の１つ以上の入力要素、データ要素１４５５及び参照符号１４７０等の１つ以上の他の計算要素に結合することができる。一実施形態において、計算要素１４６５は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子形構造のためのエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「ＢＡＲＣトリム」とすることができる。
【０１７４】
計算要素１４７０は、計算要素１４６５に結合することができ、また、１つ以上の出力１４７５を生成することができる。一実施形態において、計算要素１４７０は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１４７５は、１つ以上のプロセスガスのためのフローデータ、又は、これらのプロセスガスのための１つ以上の流量比を含んでもよい。例えば、流量比は、Ｏ２及びＣＦ４のために生成することができる。代替として、出力１４７５は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１７５】
シーケンス１４００は、制御戦略要素１４８０も備えることができる。１つ以上のシステムコントローラ(図示せず)は、このシステムの動作を制御するための多数のＡＰＣレシピ（制御戦略）を含むことができ、また、制御戦略は、処理ツールのためのシステムレシピと関連付けることができる。
【０１７６】
一実施形態において、ＢＡＲＣ制御戦略は、１つ以上のＢＡＲＣレシピを確立して、１つ以上のＢＡＲＣエッチングプロセスを制御するのに用いることができる。このＢＡＲＣ制御戦略は、第１の制御プランＣＰ１及び第２の制御プランＣＰ２等の１つ以上の「分離／入れ子形」制御プランを含むことができる。処理モジュール及び／又は測定モジュールは、このモジュールへの各巡視のために定義された少なくとも１つの制御プランを有することができる。これらの制御プランは、モデル、限界、ターゲット、レシピを含むことができ、１つのプロセスシーケンス内の多数のプロセスステップをカバーすることができる。一実施形態において、「分離／入れ子形」制御戦略及び／又はプランを確立することができ、該プランをモジュールに対応付けることができる。制御戦略及び／又はプランは、プロセスジョブ（ＰＪ）を受け取ったとき及び／又はこのＰＪが生成されたときに確立することができる。
【０１７７】
図１５は、本発明の別の実施形態による処理システムを作動させる方法に対する単純化したシーケンス図を示す。図示の実施形態においては、トリム制御のための異なる構造を有する別のカスケードフィードフォワードウェーハ間計算シーケンス１５００が示されているが、これは本発明に必要なものではない。代替として、このシーケンスは、ロットベース又はバッチベースとすることができる。
【０１７８】
図示の実施形態において、シーケンス１５００は、２つの制御プラン、すなわち、第１の制御プランＣＰ１と第２の制御プランＣＰ２とを含むが、このことは、本発明に必要なことではない。代替として、異なる数の制御プランを用いてもよい。例えば、分離及び入れ子条件に対して、別々の制御プランを用いてもよく、また、他の制御プランを用いてもよい。
【０１７９】
第１の入力要素１５１０は、東京エレクトロン社製のｉＯＤＰモジュール等のＩＭＭからのＯＤＰデータを備えることができる。代替として、第１の入力要素１５１０は、ＳＥＭデータ及び／又はＴＥＭデータを含んでもよい。
【０１８０】
第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１５３０及び１５３５等のデータ変換要素も含むことができる。データ変換要素１５３０は、データ要素１５２０に結合することができ、また、データ変換要素１５３０は、データ要素１５２０から受け取った１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１５３０は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「分離」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「分離」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。データ変換要素１５３５は、データ要素１５２５及びデータ変換要素１５３５に結合することができ、また、データ要素１５２５内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１５３５は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「入れ子形」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「入れ子形」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。代替として、「基準」データを用いることができる。また、データ変換要素１５３０及びデータ変換要素１５３５は、１つ以上の他の制御プランに結合することができる。
【０１８１】
第２の入力要素１５１５は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第２の入力要素１５１５は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第２の入力要素１５１５は、「バイアスターゲット」等のプロセスパラメータのための所望の値を備えることができる。
【０１８２】
第３の入力要素１５１２は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのためのフィードバックデータ及び／又はフィードフォワードデータを備えることができる。代替として、第３の入力要素１５１２は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第３の入力要素１５１２は、「分離／入れ子形」モデルデータ等のプロセスモデルデータを備えることができる。
【０１８３】
また、上記第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１５４０及び１５４５等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１５４０は、第２の入力要素１５１５、第３の入力要素１５１２、データ変換要素１５３０、１５３５、及び１つ以上の他の制御プランに結合することができる。一実施形態において、計算要素１５４０は、フィードフォワードデータ及びフィードバックデータを用いて、１つ以上の処理パラメータを計算することができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子構造の場合のエッチングプロセスを最適化するために、プロセスモデルを用いることができる。１つのケースにおいて、このフィードフォワードデータは、「バイアスターゲット」データを含むことができ、このフィードバックデータは、「分離入れ子形」モデルデータを含むことができ、このプロセスパラメータは、「バイアストリム」値及び／又は「ステップ時間」値等のエッチング量を含むことができる。
【０１８４】
計算要素１５４５は、計算要素１５４０に結合することができ、また、１つ以上の出力１５５０を生成することができる。一実施形態において、計算要素１５４５は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１５５０は、１つ以上のプロセスステップのための「ステップ時間」データを含んでもよい。代替として、出力１５５０は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１８５】
第４の入力要素１５６０及び第５の入力要素１５６２は、第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第４の入力要素１５６０及び／又は第５の入力要素１５６２は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第４の入力要素１５６０は、プロセス結果（すなわち、最終的なＣＤターゲット）に対する所望の値等のフィードフォワードデータを備えることができ、また、第５の入力要素１５６２は、モデルデータ及び／又はモデル更新データ等のフィードバックデータを備えることができる。例えば、モデルデータは、「トリム」モデルデータを含むことができる。
【０１８６】
第２の制御プランＣＰ２は、第１の制御プランＣＰ１等の１つ以上の制御プランに結合することができ、また、参照符号１５５５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の制御プラン及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１５５５は、「バイアストリム」データ及び／又は「ステップ時間」データ等の算出したデータを備えることができる。代替として、データ要素１５５５は、他のフィードフォワード及び／又はフィードバックデータアイテムを含んでもよい。
【０１８７】
また、第２の制御プランＣＰ２は、参照符号１５６５及び１５７０等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１５６５は、第４の入力要素１５６０、第５の入力要素１５６２、データ要素１５５５及び参照符号１５７０等の１つ以上の他の計算要素に結合することができる。一実施形態において、計算要素１５６５は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子形構造のためのエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「ＢＡＲＣトリム」とすることができる。
【０１８８】
計算要素１５７０は、計算要素１５６５に結合することができ、また、１つ以上の出力１５７５を生成することができる。一実施形態において、計算要素１５７０は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１５７５は、１つ以上のプロセスガスのためのフローデータ、又は、これらのプロセスガスのための１つ以上の流量比を含んでもよい。例えば、流量比は、Ｏ２及びＣＦ４のために生成することができる。代替として、出力１５７５は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０１８９】
第２の制御プランＣＰ２は、参照符号１５９５等のデータ変換要素も含むことができる。データ変換要素１５９５は、制御要素１５９２に結合することができ、また、データ変換要素１５９５は、制御要素１５９２から受け取った１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１５９５は、ＣＤ−ＳＥＭデータ等の基準システムデータに対して、１つの測定システムからのメトロロジデータを較正するのに用いることができる。また、制御要素１５９２は、メトロロジデータを含むことができる入力要素１５９０に結合することができる。
【０１９０】
シーケンス１５００は、制御戦略要素１５８０も備えることができる。１つ以上のシステムコントローラ(図示せず)は、このシステムの動作を制御するための多数のＡＰＣレシピ（制御戦略）を含むことができ、また、制御戦略は、処理ツールのためのシステムレシピと関連付けることができる。
【０１９１】
一実施形態において、ＢＡＲＣ制御戦略は、１つ以上のＢＡＲＣレシピを確立して、１つ以上のＢＡＲＣエッチングプロセスを制御するのに用いることができる。このＢＡＲＣ制御戦略は、第１の制御プランＣＰ１及び第２の制御プランＣＰ２等の１つ以上の「分離／入れ子形」制御プランを含むことができる。処理モジュール及び／又は測定モジュールは、このモジュールへの各巡視のために定義された少なくとも１つの制御プランを有することができる。これらの制御プランは、モデル、限界、ターゲット、レシピを含むことができ、１つのプロセスシーケンス内の多数のプロセスステップをカバーすることができる。一実施形態において、「分離／入れ子形」制御戦略及び／又はプランを確立することができ、該プランをモジュールに対応付けることができる。制御戦略及び／又はプランは、プロセスジョブ（ＰＪ）を受け取ったとき及び／又はこのＰＪが生成されたときに確立することができる。
【０１９２】
図１６は、本発明の別の実施形態による処理システムを作動させる方法に対する単純化したシーケンス図を示す。図示の実施形態においては、仮想測定を含む別のカスケードフィードフォワードウェーハ間計算シーケンス１６００が示されているが、これは本発明に必要なものではない。代替として、このシーケンスは、ロットベース又はバッチベースとすることができる。
【０１９３】
図示の実施形態において、シーケンス１６００は、２つの制御プラン、すなわち、第１の制御プランＣＰ１と第２の制御プランＣＰ２とを含むが、このことは、本発明に必要なことではない。代替として、異なる数の制御プランを用いてもよい。例えば、分離及び入れ子条件に対して、別々の制御プランを用いてもよく、また、他の制御プランを用いてもよい。
【０１９４】
第１の入力要素１６１０は、東京エレクトロン社製のｉＯＤＰモジュール等のＩＭＭからのＯＤＰデータを備えることができる。代替として、第１の入力要素１６１０は、ＳＥＭデータ及び／又はＴＥＭデータを含んでもよい。
【０１９５】
第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１６３０及び１６３５等のデータ変換要素も含むことができる。データ変換要素１６３０は、データ要素１６３０及び第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、データ変換要素１６３０は、データ要素１６２０から受け取った１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１６３０は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「分離」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「分離」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。変換要素１６３５は、データ要素１６２５及び第２の制御プランＣＰ２、及びデータ変換要素１６３５に結合することができ、また、データ要素１６２５内の１つ以上のデータアイテムを変換するのに用いることができる。例えば、データ変換要素１６３５は、「ＣＤ−ＳＥＭ」データに対して「入れ子形」データを較正するのに用いることができる。１つのＩＭＭからの、「入れ子形」構造の場合のメトロロジデータを別のメトロロジモジュール（ＳＥＭ）に関連付ける方程式及び／又は表を確立することができる。代替として、「基準」データを用いることができる。また、データ変換要素１６３０及びデータ変換要素１６３５は、１つ以上の他の制御プランに結合することができる。
【０１９６】
第２の入力要素１６１５は、ＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第２の入力要素１６１５は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第２の入力要素１６１５は、「バイアスターゲット」等のプロセスパラメータのための所望の値を備えることができる。
【０１９７】
第３の入力要素１６１２は、第１の制御プランＣＰ１に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのためのフィードバックデータ及び／又はフィードフォワードデータを備えることができる。代替として、第３の入力要素１６１２は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第３の入力要素１６１２は、「分離／入れ子形」モデルデータ等のプロセスモデルデータを備えることができる。
【０１９８】
また、上記第１の制御プランＣＰ１は、参照符号１６４０及び１６４５等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１６４０は、第２の入力要素１６１５、第３の入力要素１６１２、データ変換要素１６３０、１６３５、及び１つ以上の他の制御プランに結合することができる。一実施形態において、計算要素１６４０は、フィードフォワードデータ及びフィードバックデータを用いて、１つ以上の処理パラメータを計算することができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子構造の場合のエッチングプロセスを最適化するために、プロセスモデルを用いることができる。１つのケースにおいて、このフィードフォワードデータは、「バイアスターゲット」データを含むことができ、このフィードバックデータは、「分離入れ子形」モデルデータを含むことができ、このプロセスパラメータは、「バイアストリム」値等のエッチング量を含むことができる。
【０１９９】
計算要素１６４５は、計算要素１６４０に結合することができ、また、１つ以上の出力１６５０を生成することができる。一実施形態において、計算要素１６４５は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１６５０は、１つ以上のプロセスステップのための「ステップ時間」データを含んでもよい。代替として、出力１６５０は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０２００】
第４の入力要素１６６０及び第５の入力要素１６６２は、第２の制御プランＣＰ２に結合することができ、また、東京エレクトロン社製のＴＥＬＩＵＳツール等の処理ツール内のプロセスモジュールのための入力データ及び／又は出力データを備えることができる。代替として、第４の入力要素１６６０及び／又は第５の入力要素１６６２は、履歴データを含んでもよい。一実施形態において、第４の入力要素１６６０は、プロセス結果に対する所望の値等のフィードフォワードデータを備えることができ、また、第５の入力要素１６６２は、モデルデータ及び／又はモデル更新データ等のフィードバックデータを備えることができる。例えば、モデルデータは、「トリム」モデルデータを含むことができる。
【０２０１】
第２の制御プランＣＰ２は、第１の制御プランＣＰ１等の１つ以上の制御プランに結合することができ、また、参照符号１６５５等の１つ以上のデータ要素を含むことができる。代替として、異なる数の制御プラン及び／又はデータ要素を用いることができる。データ要素１６５５は、「バイアストリム」データ及び／又は「ステップ時間」データ等の算出したデータを備えることができる。代替として、データ要素１６５５は、他のフィードフォワード及び／又はフィードバックデータアイテムを含んでもよい。
【０２０２】
また、第２の制御プランＣＰ２は、参照符号１６６５及び１６７０等の１つ以上の計算要素を含むことができる。計算要素１６６５は、参照符号１６６０及び１６６２等の１つ以上の入力要素、データ要素１６５５及び参照符号１６７０等の１つ以上の他の計算要素に結合することができる。一実施形態において、計算要素１６６５は、１つ以上の処理パラメータを計算するのに用いることができる。例えば、エッチングプロセスにおいて、分離した及び／又は入れ子形構造のためのエッチングプロセスを最適化するために、１つ以上のプロセスパラメータを制御することができる。１つのケースにおいて、このプロセスパラメータは、「ＢＡＲＣトリム」とすることができる。
【０２０３】
計算要素１６７０は、計算要素１６６５に結合することができ、また、１つ以上の出力１６７５を生成することができる。一実施形態において、計算要素１６７０は、１つ以上のレシピパラメータを計算するのに用いることができ、また、出力１６７５は、１つ以上のプロセスガスのためのフローデータ、又は、これらのプロセスガスのための１つ以上の流量比を含んでもよい。例えば、流量比は、Ｏ２及びＣＦ４のために生成することができる。代替として、出力１６７５は、他のプロセスデータ及び／又はツールデータを含んでもよい。
【０２０４】
さらに、上記第２の制御プランＣＰ２は、データ変換要素１６３０、データ変換要素１６３５及びデータ変換要素１６６５に結合することができる追加的な計算要素１６９０を備えることができる。計算要素１６９０は、仮想測定を計算するのに用いることができる。
【０２０５】
シーケンス１６００は、制御戦略要素１６８０も備えることができる。１つ以上のシステムコントローラ(図示せず)は、このシステムの動作を制御するための多数のＡＰＣレシピ（制御戦略）を含むことができ、また、制御戦略は、処理ツールのためのシステムレシピと関連付けることができる。
【０２０６】
一実施形態において、ＢＡＲＣ制御戦略は、１つ以上のＢＡＲＣレシピを確立して、１つ以上のＢＡＲＣエッチングプロセスを制御するのに用いることができる。このＢＡＲＣ制御戦略は、第１の制御プランＣＰ１及び第２の制御プランＣＰ２等の１つ以上の「分離／入れ子形」制御プランを含むことができる。処理モジュール及び／又は測定モジュールは、このモジュールへの各巡視のために定義された少なくとも１つの制御プランを有することができる。これらの制御プランは、モデル、限界、ターゲット、レシピを含むことができ、１つのプロセスシーケンス内の多数のプロセスステップをカバーすることができる。一実施形態において、「分離／入れ子形」制御戦略及び／又はプランを確立することができ、該プランをモジュールに対応付けることができる。制御戦略及び／又はプランは、プロセスジョブ（ＰＪ）を受け取ったとき及び／又はこのＰＪが生成されたときに確立することができる。
【０２０７】
上記処理システムは、１入力１出力（ｓｉｎｇｌｅ  ｉｎｐｕｔ  ｓｉｎｇｌｅ  ｏｕｔｐｕｔ；ＳＩＳＯ）デバイスとして、１入力多出力（ｓｉｎｇｌｅ  ｉｎｐｕｔ  ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｏｕｔｐｕｔ；ＳＩＭＯ）デバイスとして、多出力１入力（ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｉｎｐｕｔ  ｓｉｎｇｌｅ  ｏｕｔｐｕｔ；ＭＩＳＯ）デバイスとして、及び多入力多出力（ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｉｎｐｕｔ  ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｏｕｔｐｕｔ；ＭＩＭＯ）デバイスとして作動することができるコントローラを含むことができる。また、入力及び出力は、１つのコントローラ内で、及び／又は１つ以上のコントローラ間で行うことができる。例えば、ＣＤ及びサイドウォールアングル等の多数の入力を用いている場合、入力及び出力は、２つのモジュール間で順方向及び逆方向に供給することができる（すなわち、１つをＣＤ制御のために、１つをサイドウォールアングルのために）。また、マスクオープンコントローラを用いることもできる。多数のモジュールを含むマルチプロセスの場合、情報を、一方のコントローラから他方のコントローラへ順方向又は逆方向に供給することができる。
【０２０８】
前述したフィードフォワード及びフィードバックシーケンスは、多数の入力及び／又は多数の出力を用いて実行することができる。上記制御プラン、レシピ、モデル、データ要素、データ変換要素、計算要素及び／又は制御戦略要素は、多数の入力及び／又は多数の出力を含むことができる。
【０２０９】
一実施形態において、上記処理システムと上記ホストシステムは協働して、的確なプロセスシーケンスを判断して使用し、ウェーハを処理する。例えば、ハードマスク又はソフトマスクのトリムプロセス等のトリミングプロセスにおいて、一部のウェーハは、１つのエッチングモジュールを通る必要がある可能性があり、また他のウェーハは、１つ以上のエッチングモジュールを通る必要がある可能性がある。この場合、ホストシステムは、処理システムがエッチングモジュールを介して多数のパスを判断することを可能にし、そして制御プラン及び／又は戦略は、異なるウェーハのためのプロセスシーケンスにおいて、異なる数のプロセスオブジェクトを管理するように確立することができる。
【０２１０】
システムコントローラは、上記ホストシステムから受け取った１つ以上の所望の結果を用いて、ウェーハのための１つ以上の制御プランを備えることができる制御戦略を生成することができる。一実施形態において、「分離」及び「入れ子形」制御プランを備えることができる「分離／入れ子形」制御戦略を生成することができる。代替として、「分離／入れ子形」システムレシピを生成することができる。「分離／入れ子形」制御戦略の選択及び始動は、状況ベースとすることができる。「分離／入れ子形」制御戦略を実行する場合、ウェーハは、１つ以上のモジュールで処理することができる。
【０２１１】
また、システムコントローラは、「分離／入れ子形」ＤＣ戦略を実行することができ、また、「分離／入れ子形」ＤＣ戦略は、少なくとも１つのＤＣプランを備えることができる。「分離／入れ子形」ＤＣ戦略の選択及び始動も、状況ベースとすることができる。「分離／入れ子形」ＤＣ戦略を実行する場合、「分離」及び／又は「入れ子形」データは、処理されているウェーハのために収集することができる。
【０２１２】
さらに、システムコントローラは、ウェーハが処理されるときに、「分離／入れ子形」解析戦略を実行することができる。この「分離／入れ子形」解析戦略は、「分離／入れ子形」解析プラン、又は「分離／入れ子形」判断プラン、あるいはこれらの組み合わせを備えることができる。「分離／入れ子形」解析戦略を実行する場合、ウェーハデータ、プロセスデータ及び／又はモジュールデータを解析することができ、また、故障状況を識別することができる。代替として、フィードバックデータを計算することができ、プロセスレシピ及び／又はプロセスモデルを更新するのに用いることができる。
【０２１３】
一実施形態において、上記処理システムコントローラは、プロセスシーケンスにおける各要素のための制御戦略（レシピ）を判断することができる。代替として、制御戦略（レシピ）は、上記ホストシステムにより、判断し、送り、及び／又は確認することができる。
【０２１４】
図１７は、本発明の実施形態による分離／入れ子形制御戦略スクリーン１７００の例示的な図を示す。分離／入れ子形制御戦略スクリーン１７００は、多数の設定項目を備えることができる。分離／入れ子形制御戦略スクリーン１７００を用いれば、ユーザは、分離／入れ子形制御戦略設定を実行することができ、現在の分離／入れ子形制御戦略を見ることができ、新たな分離／入れ子形制御戦略を生成することができ、現在の分離／入れ子形制御戦略をコピーすることができ、現在の分離／入れ子形制御戦略を編集することができ、現在の分離／入れ子形制御戦略を削除することができ、かつ分離／入れ子形制御戦略をテストすることができる。例えば、手順を選定するために、ドロップダウンリストを用いることができる。
【０２１５】
図１８は、本発明の実施形態による入れ子形制御プランエディタスクリーン１８００の例示的な図を示す。代替として、他のプランが使用できる。
【０２１６】
図１９は、本発明の実施形態による入れ子形制御プランエディタスクリーン１９００の例示的な図を示す。
【０２１７】
入れ子形及び／又は分離形制御プランを生成するために、ユーザは、このプランの名称項目を選択し、新たな制御プラン又は現在のプラン又はモデルを選択することができる。例えば、分離／入れ子形制御戦略スクリーン上に、ドロップダウンメニューを出すことができ、追加プラン選択（図示せず）を選択することができる。
【０２１８】
入れ子形及び／又は分離形制御プランエディタスクリーン１８００、１９００は、多数の欄を備えることができる。プラン名欄は、入れ子形及び／又は分離形制御プランのための名称を入力／編集するのに用いることができる。モジュール欄は、モジュール名を入力／編集するのに用いることができる。例えば、このプランが戦略と関連している場合、このモジュール欄は、自動的に入力することができる。このプランが関係ない場合には、このモジュール欄は、プロセスモジュール又は測定モジュールを選択するのに用いることができる。レシピ欄は、レシピを入力／編集するのに用いることができる。例えば、このプランが戦略と関連している場合、このレシピ欄は、自動的に入力することができる。このプランが関係ない場合には、この欄は、プロセスモジュールのためのプロセスレシピ又は測定モジュールのための測定レシピを選択するのに用いることができる。
【０２１９】
説明欄は、このプランのための説明を入力／編集するのに用いることができる。更新欄は、プランが変更された最後の日時を表示する。
【０２２０】
データソーステーブルは、データソースを入力／編集するのに用いることができる。例えば、入れ子形及び／又は分離形プランデータソーススクリーンを開くことができる。このデータソーステーブルは、ソース種別、データソース説明及びデータソースパラメータ／値を含むことができる。例えば、選択したソース種別は、このデータソーススクリーン上に表示されるオプションを決定し、「Ｔｅｌｉｕｓ  ＯＤＰ」タイプは、上記処理ツールの一部であるＩＭＭデータソースを定義するのに用いることができ、「所望の出力」タイプは、ユーザが、上記コントローラのための固定ユニットを入力できるようにし、「フィードバックオフセット」タイプは、ユーザが、不変のフィードバック変数を定義できるようにし、「制御プラン値」は、ユーザが、異なる制御プランの結果を引用する変数を生成する（入れ子形プランを生成する）ことを可能にし、「統合メトロロジサイトフィルタリング」タイプは、各データソースが選択された場合の各オプションの説明を有するテーブルを生成し、「状況項目」タイプは、ユーザが、Ｓｌｏｔ＿Ｉｄ、Ｗａｆｅｒ＿ｉｄ、又はウェーハ番号等の状況項目を引用する変数を生成できるようにする。
【０２２１】
シンボルは、シンボルドロップダウンリストから選択することができ、ソースタイプは、データソースタイプドロップダウンメニューから選択することができる。例えば、データソース情報欄は、選択されたデータソースによって変化することが可能である。
【０２２２】
３つの入力データソース（ｄ１，ｄ２，ｏ１）が示されているが、これは必要なことではない。異なる数の入力データソースを用いることができ、各入力データソースは、異なるシンボル値を有することができる。データソースは、所望のプロセス結果又は較正したデータ項目等の制御プラン値とすることができる。また、データソースは、ＯＤＰツールとすることができ、これは、Ｔｅｌｉｕｓ等の処理ツールの一部とすることができる。さらに、他のデータソースはＳＥＭとすることができ、パラメータ／値は、ＣＤ  ＳＥＭデータ等の実際の測定データとすることができる。
【０２２３】
一般的に、プロセス制御は、ウェーハに関して測定したメトロロジ情報が上記プロセスモジュールに届く前に、この情報を用いてこのプロセスモジュールを更新することを含む。上記コントローラは、前処理データを用いて、様々な物理的モジュールに対してどのくらいの巡視が必要かを判断することができる。所望のプロセス結果は、モデル方程式における「ｙ」の値とすることができる。タスクは、所望のプロセス結果「ｙ」が正しい値である場合に決まる。
【０２２４】
ターゲット計算欄においては、入れ子形及び／又は分離形制御プランスクリーン上で、このターゲット計算を入力することができる。例えば、このターゲット計算は、データソース項目と同じに設定することができる。代替として、１つのデータのセットと別のデータのセットを関連付ける方程式を入力することができる。また、ターゲット計算は、追加的な補正項を備えてもよい。例えば、フォトレジスト工程等の別の工程に導入されたエラーを補正するのに、追加補正係数を用いることができる。新たなターゲット値は、ランタイム時又はその前に計算される変数とすることができ、方程式は、このターゲット値を計算するのに用いることができる。
【０２２５】
また、新たな下限値又は上限値を用いることができ、これらの値は、下限値欄及び上限値欄に入力することができる。例えば、この新たな下限値及び上限値は、ランタイム時又はその前に計算される定数又は変数とすることができ、また、方程式は、この新たな下限値及び上限値を計算するのに用いることができる。
【０２２６】
モデル選択欄は、静的モデル及び／又は公式モデルを編集／入力するのに用いることができる。例えば、モデル種別選択項目の下で、テーブル内の選択項目は、モデルタイプを入力及び／又は編集するのに用いることができる。ドロップダウンリストは、テーブル項目から開くことができ、また、このドロップダウンリストによって選択を実行することができる。このドロップダウンリスト内の１つのオプションは、新たなモデルを生成できるようにし、他のオプションは、現在のモデルを表示しかつ選択して、用いるために又は変更するのに用いることができる。各モデルタイプは、このモデルタイプに関連付けられたモジュール名、ターゲット値、下限値、上限値及びレシピ出力を有することができる。新たなモデルを生成する場合、新たなモデルタイプを用いることができ、及びモデルタイプ欄に入力することができ、新たなモデル名を用いることができ、及びこのモデル名欄に入力することができる。
【０２２７】
予想結果計算欄は、新たな予想結果値を入力するのに、又は、現在の予想結果値を選択するのに用いることができる。この予想結果値は、予測結果のための方程式とすることができる。例えば、制御プランは、名称、ターゲット計算及びモデル選択情報が入力された場合に保存することができる。
【０２２８】
＃欄は、モデルのリスト内の多数のモデルを備える。モデルタイプは、静的モデル又は公式モデルを選択できるようにする。モデル名欄は、使用可能なモデルの名称を一覧にしたものである。例えば、新たなモデルを生成するために、ドロップダウンリストから「新たな静的レシピ」オプション、又は「新たな公式レシピ」オプションを選択することができる。１つ以上の静的レシピを備える静的制御プランを生成することができる。例えば、１０以上の静的モデルを示すことができる。これらの静的モデルは、同じターゲット値（ｔ１）を有して示されるが、このことは必要なことではない。異なる数の静的及び／又は公式モデルを用いることができ、各モデルは、異なるターゲット値を有することができる。新たなターゲット値は、各静的レシピが用いられるときに計算することができる。これらの静的レシピモデルは、上記下限値及び上限値によって規定される異なる作動範囲を有することができる。また、この静的レシピモデルは、異なる静的レシピ出力を有することができ、また、異なる静的レシピ出力は、各静的レシピに対して決定することができる。
【０２２９】
上記入れ子形及び／又は分離形制御プランは、静的モデルレシピ、又は公式モデルレシピ、あるいはこれらの組み合わせを含むことができる。上記コントローラは、モジュールのための制御プランを自動生成することができる。プロセスレシピは、各々が１つ以上の処理ステップを備える１つ以上のプロセスを備えることができる。このプロセスレシピは、単一のチャンバ又は複数のチャンバ内で実行することができる。このプロセスレシピは、公称レシピ、静的レシピ及び公式モデルのうちの少なくとも１つを用いて構成することができる。
【０２３０】
静的レシピは、特定のプロセス結果を実現するのに用いられるレシピ調整の単一のセットとすることができる。静的レシピのセットは、テーブルベースのコントローラを設定するのに用いることができ、又は、静的レシピは、所望の出力の範囲に対応する公式モデルと共に用いることができ、この場合、同じレシピを用いるべきである。静的レシピと共にフィードバックを用いる場合、使用する各静的レシピのための制御プランに、単一の予想プロセス結果を指定することができる。
【０２３１】
図２０は、本発明の実施形態による公式モデルエディタスクリーン２０００の例示的な図を示す。公式モデルは、プリモデル調整、モデル方程式、一連のポストモデル調整及びレシピパラメータ割当マップを備えることができる。このプリモデル調整は、所望のプロセス結果（通常ｔ１）の、（値ｙを生じる）モデル方程式に用いられる正しいユニットへの再表現を可能にすることができ、このモデル方程式は、予想プロセス結果を１つの操作変数（ｘ）の関数として計算する式とすることができる。このモデルが実行される場合、このモデルは、再表現された所望のプロセス結果（ｙ）を前提としてｘの値を求める。一旦、ｘが決まると、ポストモデル調整を計算することができ、これらの値は、レシピパラメータマップで指定された適切なレシピパラメータに割当てられることになる。
【０２３２】
また、１つ以上のプロセスモデルを与えることができる。プロセスモデルは、プロセススペースを定義するのに用いることができる。プロセスモデルは、所望の結果（出力）と、これらの結果を実現するのに必要な受け取った変数との間の確認された関係を表す。プロセスモデルは、公式ベースのモデルを含むことができる方程式を含むことができる。公式ベースのモデルは、いくつかの評価済みの実験データに基づくレシピ変数を有する所望の結果の区分的関連性を含む方程式を備えることができる。プロセスモデルは、線形又は非線形とすることができる。プロセスモデルは、新たなプロセスモデルを確認し、現在のプロセスモデルを更新するのに用いることができる。
【０２３３】
当業者には理解されるように、本明細書に記載した様々な構成要素は、配線を介して、又はワイヤレスで、あるいはインターネットを介して互いに接続することができる。このため、これらの接続は、どれか特定の１つの種類又はタイプであると見るべきではない。
【０２３４】
この発明の特定の実施形態のみを詳細に説明してきたが、当業者は、該実施形態において、この発明の新規の教示及び効果から著しく逸脱することなく、多くの変更が可能であることは容易に理解するであろう。従って、このような全ての変更は、この発明の範囲内に含まれることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【０２３５】
【図１】本発明の実施形態による処理システムの例示的なブロック図を示す。
【図２】本発明の実施形態による統合処理システムの単純化したブロック図を示す。
【図３】本発明の実施形態によるマルチステッププロセスシーケンスの単純化したフロー図を示す。
【図４】本発明の実施形態による制御プロセスの単純化したブロック図を示す。
【図５】本発明の実施形態による処理システムの単純化したブロック図を示す。
【図６】本発明の実施形態によるレシピ生成プロセスのための単純化したフロー図を示す。
【図７】本発明の実施形態による基準データと測定データの関係を示す式の例示的なグラフを示す。
【図８】本発明の実施形態による例示的なトリムの等式のグラフを示す。
【図９】本発明の実施形態による例示的なプロセスからの結果を示すＳＥＭ写真を示す。
【図１０】本発明の実施形態による、処理システムを作動させる方法のための単純化したシーケンス図を示す。
【図１１】本発明の別の実施形態による、処理システムを作動させる方法のための単純化したシーケンス図を示す。
【図１２】本発明の他の実施形態による、処理システムを作動させる方法のための単純化したシーケンス図を示す。
【図１３】本発明の別の実施形態による、処理システムを作動させる方法のための単純化したシーケンス図を示す。
【図１４】本発明の他の実施形態による、処理システムを作動させる方法のための単純化したシーケンス図を示す。
【図１５】本発明の別の実施形態による、処理システムを作動させる方法のための単純化したシーケンス図を示す。
【図１６】本発明の他の実施形態による、処理システムを作動させる方法のための単純化したシーケンス図を示す。
【図１７】本発明の実施形態による、分離された／入れ子形制御戦略スクリーンの例示的な画面を示す。
【図１８】本発明の実施形態による、入れ子形制御プラン編集スクリーンの例示的な画面を示す。
【図１９】本発明の実施形態による、分離形制御プラン編集スクリーンの例示的な画面を示す。
【図２０】本発明の実施形態による製法モデル編集スクリーンの例示的な画面を示す。
【図１】
2008513997.tif 000014
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2008513997.tif 000029
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
2008513997.tif 000034
2008513997.tif 000035
2008513997.tif 000036