(57)【要約】  基板を処理する方法及びシステムは、上に酸化物を有する基板を処理チャンバ内に供する工程、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程、及び約９００℃よりも低い第１基板温度の基板を励起された水素ガスに曝露することによって基板から酸化物を除去する工程を有する。基板は第１基板温度とは異なる第２基板温度に維持され、第２基板温度に基板上にシリコン含有膜が形成される。
2008538161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理方法であって：
上に酸化膜が形成されている前記基板を処理チャンバ内に供する工程；
前記処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程；
約９００℃よりも低温である第１基板温度の前記基板を前記の励起した水素含有ガス流に曝露することで前記基板から前記酸化膜を除去する工程；
前記基板を前記第１基板温度とは異なる第２基板温度に維持する工程；及び
前記第２基板温度の前記基板上にシリコン含有膜を成膜する工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記水素含有ガスがＨ２ガスを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水素含有ガスが不活性ガスをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記不活性ガスが、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ若しくはＸｅ又はこれら２以上の混合ガスを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記水素含有ガスの流速が、約０．０１０ｓｌｍから約２０ｓｌｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記の成膜工程が、前記基板をシリコン含有ガスに曝露する工程を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン含有ガスが、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６又はこれら２以上の混合ガスを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記の成膜工程が、前記基板をシリコン含有ガス及びゲルマニウム含有ガスに曝露する工程を有し、
前記シリコン含有ガスは、ＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６又はこれら２以上の混合ガスを有し、
前記ゲルマニウム含有ガスは、ＧｅＨ４、ＧｅＣｌ４、又はこれらの混合ガスを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記の曝露工程及び前記の成膜工程が、約１００Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバ圧力で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記の曝露工程及び前記の成膜工程が、約１０Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバ圧力で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記の基板を供する工程が、前記基板をバッチ処理チャンバ内に供する工程を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板がシリコン含有膜材料を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン含有膜材料が、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、又はＳｉＣＯを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン含有膜が、多結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉ、エピタキシャル成長Ｓｉ又はＳｉＧｅを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１基板温度が前記第２基板温度よりも低温である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１基板温度が約５００℃よりも低温である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１基板温度が約２００℃から約３００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２基板温度が約５００℃から約９００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２基板温度が約５５０℃から約７５０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１基板温度が約２００℃から約３００℃である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板が、１以上のビア若しくは溝又はこれらの結合を有するパターニング基板を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記シリコン含有膜が、前記基板の曝露されたシリコン含有表面上に選択的に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記シリコン含有膜が、前記基板上に非選択的に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
基板を処理するシステムであって：
上に酸化膜が形成された基板を有するように備えられた処理チャンバ；
前記処理チャンバと結合し、及び水素含有ガスを励起するように備えられたリモートプラズマ源；
前記処理チャンバへガスを流すように備えられたガス供給ライン；
前記基板を加熱するように備えられた熱源；及び
制御装置；
を有し、
前記制御装置は、前記熱源に、基板を約９００℃よりも低温の第１温度に加熱させ、
前記ガス供給ラインによって、前記の励起した水素含有ガスが前記処理チャンバへ流れるように備えられ、それにより、前記第１温度に加熱された前記基板が、前記の励起した水素含有ガスに曝露され、
前記熱源に、前記基板を前記第１温度とは異なる第２温度に加熱させ、かつ、
前記処理チャンバへシリコン含有ガスを流すように備えられ、それにより、前記第２温度に加熱された前記基板が、前記シリコン含有ガスに曝露される、
システム。
【請求項２５】
前記処理チャンバが１から２００の基板を収容するように備えられている、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記リモートプラズマ源が、マイクロ波プラズマ源、ＲＦプラズマ源、又は光照射を利用するプラズマ源を有する、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２７】
プロセッサ上で実行されるプログラム命令を有するコンピュータによる読み取りが可能な媒体であって、前記プロセッサによって実行されるときに、基板処理装置に、請求項１に記載の方法中の工程を実行させる、コンピュータによる読み取りが可能な媒体
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理に関し、より詳細には低温で基板から酸化物を除去し、それに続く基板上へのシリコン含有膜の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン含有膜は、半導体残業において広範な用途に用いられている。シリコン含有膜は、たとえばエピタキシャル成長シリコン、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン、エピタキシャル成長シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンゲルマニウムカーバイド（ＳｉＧｅＣ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）、シリコンカルボナイトライド（ＳｉＣＮ）、及びシリコンカルボキサイド（ＳｉＣＯ）のようなシリコン膜を有する。回路の幾何学的構造がより小さな特徴部位サイズにまで縮小されることで、より低い成膜温度が望ましくなっている。その理由は、半導体素子に新たな材料を導入するため、並びにソース領域及びドレインでの浅い注入物への熱の蓄積を減少させるためである。しかも、シリコン含有膜の非選択（全体的）成長及び選択成長が、将来の素子に必要となることは明らかである。
【０００３】
シリコンのエピタキシャル成長とは、バルクのシリコンとは異なるドーピングレベルを有することのできる新たなシリコン含有膜の成長によって、バルクシリコンの結晶格子が引き延ばされる処理である。ターゲットであるエピタキシャル膜の厚さ及び抵抗のパラメータを適合させることは、続いて行われる適切に機能する素子の作製にとって重要である。基板上にシリコン含有膜を成膜させる前、たとえばシリコン基板上にシリコン又はシリコンゲルマニウムをエピタキシャル成長させる前に、高品質のエピタキシャル膜を成膜させるため、基板表面から自然酸化膜を除去する必要があると思われる。典型的には数Åの厚さである自然酸化膜は、たとえ室温でかつ大気圧であっても、清浄なシリコン表面上に容易に形成される。基板が、その上にシリコン含有膜を成膜させる前に清浄でない場合、つまり全ての酸素及び他の不純物が基板表面から除去される場合、続いて成膜されるシリコン含有膜は欠陥を含む。その欠陥により、その膜には大きな漏れ電流が生じ、マイクロエレクトロニクス素子が最適な状態で機能しなくなる。
【０００４】
同様に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜上に直接成膜されることで、電気コンタクトを形成して良い。他の処理は典型的にはｐｏｌｙ−Ｓｉ成膜工程間に行われるので、基板（ウエハ）は、成膜工程と別な成膜工程との間では処理システムから外に取り出されて良い。それにより、基板上に自然酸化膜が形成されてしまう。Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成膜前に自然酸化膜が除去されない場合、その結果として形成されるコンタクトは非常に高い電気抵抗を有してしまう。
【０００５】
従来、（垂直）バッチ型の処理システムでは、成膜処理前に、基板から自然酸化膜を除去しかつ他の不純物を除去するのには、水素雰囲気中で９００℃よりも高温にする高温アニーリングが用いられている。しかしそのような高温処理は、多くの先端処理にとっての現在又は未来の熱の蓄積に係る要求を満たさない。たとえば、現在のゲート長及び現代のマイクロエレクトロニクス構造に起因して、素子の熱蓄積を減少させることが求められていることは周知である。水素雰囲気中での高温アニーリングに代わる方法として、プラズマ処理であれば、処理中に基板温度を下げることが可能であることが見いだされた。しかし基板をプラズマ源に曝露する結果、基板に損傷を与える恐れがある。しかもプラズマの利用は、酸化物の除去温度を続いて行われる工程の温度と同一レベルの温度にまで下げることが提唱されている。しかし本発明者らは、このことは、処理工程の温度に望ましくない制約を課すものだと認識している。
【特許文献１】米国特許出願第１０／６７３３７５号明細書
【特許文献２】特開２００２−３２４７６０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って本発明の目的は、基板からの酸化物の除去に関連する上述の問題を解決することである。
【０００７】
本発明の別な目的は、基板への損傷を減少させながらも低処理温度での基板からの酸化物の除去を可能にすることである。
【０００８】
本発明のさらに別な目的は、酸化物除去工程の温度に自由度を供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
これら及び／又は他の目的は、基板の処理方法によって供されて良い。本発明の実施例に従うと、当該方法は、バッチ型処理システムの処理チャンバ内へ上に酸化膜が形成されている基板を供する工程、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程、約９００℃よりも低温である第１基板温度の基板を励起された水素含有ガス流に曝露することで基板から酸化膜を除去する工程、基板を第１基板温度とは異なる第２基板温度に維持する工程、及び第２基板温度の基板上にシリコン含有膜を成膜する工程を有する。
【００１０】
本発明の別な態様は基板処理システムを有する。その基板処理システムは、上に酸化膜が形成された基板を有するように備えられた処理チャンバ、並びに、処理チャンバと結合し、及び水素含有ガスを励起するように備えられたリモートプラズマ源を有する。またガスを処理チャンバへ流すように備えられたガス供給ライン、及び基板を加熱するように備えられた熱源も含まれる。制御装置は、熱源に、基板を約９００℃よりも低温の第１温度に加熱させ、かつガス供給ラインによって、励起した水素含有ガスが処理チャンバへ流れるように備えられている。それにより、第１温度に加熱された基板が、励起した水素含有ガスに曝露される。制御装置はさらに、熱源に、基板を第１温度とは異なる第２温度に加熱させ、かつ、シリコン含有ガスを処理チャンバへ流すように備えられている。それにより、第２温度に加熱された基板が、シリコン含有ガスに曝露される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以降の説明では、本発明についての一貫した理解を助けるため、及び限定ではない例示目的のため、堆積システムの具体的構成及び様々な構成要素の説明のような具体的詳細について説明する。しかし本発明は、これらの具体的詳細から逸脱した他の実施例でも実施可能であることに留意すべきである。
【００１２】
ここで図を参照する。図１は、本発明の実施例に従ったバッチ型処理システムの単純化されたブロック図を示している。バッチ型のプロセスシステム１は、処理チャンバ１０及び処理管２５を有する。処理管２５は、排気パイプ８０と接続する上側端部２３及び円筒形マニホールド２の蓋２７と密閉して接続する下側端部２４を有する。排気パイプ８０は、処理管２５から真空排気システム８８へガスを放出することで、処理システム１を所定の大気圧又は大気圧未満の圧力に維持する。複数の基板（ウエハ）４０を段重ねで（垂直方向に間隔が設けられた各水平面内に）保持する基板ホルダ３５が、処理管２５内に設けられている。基板ホルダ３５は回転台２６上に存在する。回転台２６は、蓋２７を貫通する回転シャフト２１上に設けられ、モーター２８によって駆動する。回転台２６は処理中に回転することで、全体の膜の均一性を改善させて良い。あるいはその代わりに回転台は、処理中に静止していても良い。処理管２５へ基板ホルダを入れかつ処理管２５から基板ホルダを出すための昇降機２２上に、蓋２７は設けられている。蓋２７は、最上の位置にあるときに、マニホールド２の開口端部を閉じるように備えられている。
【００１３】
ガス供給システム９７は、ガスを処理チャンバへ導入するように備えられている。複数のガス供給ラインが、ガス供給ラインを介して複数種類のガスを処理管２５へ供給するように、マニホールド２の周囲に備えられて良い。図１では、複数のガス供給ラインのうち１のガス供給ライン４５のみが図示されている。図示されたガス供給ライン４５はガス源９４と接続する。一般的には、ガス源９４は、基板４０を処理する処理ガスを供給して良い。処理ガスには、基板４０上に成膜するためのガス（たとえばシリコン含有膜を成膜するためのシリコン含有ガス）、基板４０をエッチングするためのガス、又は基板４０を酸化させるためのガスが含まれる。（リモート）プラズマ源９５は、ガス供給ライン４５によって処理チャンバ１０と動作可能なように結合する。プラズマ源９５は、ガス源９６からの水素含有ガスを励起するように備えられている。励起（分解）した水素含有ガスは、続いてガス供給システム９７のガス供給ライン４５によって処理管２５へ導入されて良い。プラズマ源９５はたとえば、マイクロ波プラズマ源、高周波（ＲＦ）プラズマ源、又は光照射によって起動するプラズマ源であって良い。マイクロ波プラズマ源の場合では、マイクロ波出力は、約５００ワット（Ｗ）から約５０００Ｗであって良い。マイクロ波プラズマはたとえば、２．４５ＧＨｚから８．３ＧＨｚであって良い。一例では、リモートプラズマ源は、ＭＫＳインスツルメンツによって製造されているＡＸ７６１０型のダウンストリームプラズマ源（Ｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ  ＴｙｐｅＡＸ７６１０）であって良い。
【００１４】
円筒形遮熱材３０は、反応管２５を覆うように設けられている。遮熱材３０は、鏡面仕上げの内側表面を有する。鏡面仕上げの内側表面は、主ヒーター２０、下部ヒーター６５、上部ヒーター１５及び排気パイプヒーター７０によって放出される放射熱の分散を抑制する。ヘリカル冷却水路（図示されていない）が、冷却媒体路として処理チャンバ１０の壁内に形成される。
【００１５】
真空排気システム８８は、真空ポンプ８６、トラップ８４及び自動圧力制御装置（ＡＰＣ）８２を有する。真空ポンプ８６はたとえば、最大２００００リットル／秒（以上）の排気速度での排気が可能なドライ真空ポンプを有して良い。処理中では、ガス注入システム９７のガス供給ライン４５を介してガスが処理チャンバ１０へ導入され、かつ処理圧力はＡＰＣ８２によって調節されて良い。トラップ８４は、処理チャンバ１０から未反応ルテニウムカルボニル先駆体材料及び副生成物を回収して良い。
【００１６】
処理監視システム９２は、リルタイムで処理を監視する能力を有するセンサ７５を有する。また処理監視システム９２は、たとえばＭＳ、ＦＴＩＲ分光計又はパーティクルカウンタを有して良い。制御装置９０は、マイクロプロセッサ、メモリ及びデジタルＩ／Ｏポートを有する。デジタルＩ／Ｏポートは、処理システム１からの出力を監視するのみならず、処理システム１の入力とやり取りし、かつ操作を行うのに十分な制御電圧を発生させる能力を有する。制御装置９０は、ガス注入システム９７、モーター２８、処理監視システム９２、ヒーター２０、ヒーター１５、ヒーター６５、ヒーター７０、及び真空排気システム８８と結合し、かつこれらと情報をやり取りする。制御装置９０は、デルコーポレーションから販売されているＤＥＬＬ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ  ＷＯＲＫＳＴＡＴＩＯＮ６１０（商標）で実装されて良い。制御装置９０はまた、汎用コンピュータシステムで実装されても良い。その制御装置は、基板処理装置に、コンピュータによる読み取りが可能な媒体から制御装置に格納されている１以上の命令に係る１以上のシーケンスを実行する制御装置９０に応答して、本発明に係る処理工程の一部又は全部を実行させる。コンピュータによる読み取りが可能な媒体又はメモリは、本発明の教示に従ってプログラミングされた命令を保持し、かつ本発明を実装するのに必要なデータ構造、テーブル、レコード又は他のデータを有する。
【００１７】
コンピュータによる読み取りが可能な媒体の例には、コンパクトディスク（たとえばＣＤ−ＲＯＭ）若しくは他の光学式媒体、ハードディスク、フロッピーディスク、テープ、磁気光学ディスク、ＰＲＯＭｓ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ）、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ若しくは他の磁気媒体、パンチカード、紙テープ若しくは穴のパターンを有する他の物理媒体、又は搬送波（後述）若しくはコンピュータによる読み取りが可能な他の媒体がある。
【００１８】
制御装置９０は、処理システム１に対して局所的に設置されても良いし、又はインターネット又はイントラネットを介して処理システム１に対して離れた場所に設置されても良い。よって制御装置９０は、直接接続、イントラネット、インターネット及びワイヤレス接続のうちの少なくとも１を用いることによって処理システム１とのデータのやり取りをして良い。制御装置９０は、たとえば顧客側（つまりデバイスメーカー等）のイントラネットと結合して良いし、又はたとえば売り手側（つまり装置製造者等）のイントラネットと結合しても良い。さらに別なコンピュータ（つまり制御装置、サーバー等）が、たとえば制御装置とアクセスすることで、直接接続、イントラネット及びインターネットのうちの少なくとも１を介してデータのやり取りをして良い。
【００１９】
本発明を実施するのに特定ハードウエアについての多くの変化型を用いることが可能であり、かつこれらの変化型は当業者にはすぐに思いつくので、図１に図示されているバッチ型の処理システム１は、例示目的でのみ図示されている。図１のプロセスシステム１はたとえば、２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板、又はそれ以上の大きさの基板というような如何なる大きさの基板をも処理して良い。さらに処理システム１は、最大で約２００以上の基板を同時に処理して良い。あるいはその代わりに、処理システムは、最大で約２５の基板を同時に処理しても良い。たとえばシリコンウエハのような半導体基板に加えて、基板は、たとえばＬＣＤ基板、ガラス基板、又は化合物半導体基板を有しても良い。
【００２０】
本発明者らは、処理前に基板から酸化膜及び他の不純物を除去するために実行される、９００℃よりも高温である従来の水素アニーリングは、現在又は未来の熱蓄積に関する要求を満たさないと考えた。よって小さな熱蓄積が求められる先端素子プロセスとの相性の良い、酸化膜を除去する低温処理が必要である。プラズマ源を利用するプラズマ処理が、低温で酸化膜を除去するのに用いることが可能な一方で、そのようなプラズマ処理はまた基板に損傷を起こしてしまう恐れがある。本発明者らは、この損傷は、プラズマ環境中の高エネルギー種（たとえばイオン及び電子）が基板と衝突することで生じると考えた。なぜなら基板は、プラズマの直接視野にあるからである。それに加えて、基板温度がたとえば約９００℃よりも高温というように高すぎる場合には、プラズマ処理の結果、基板材料（たとえばシリコン）の損傷又はエッチングが生じうる。
【００２１】
本発明者らは、処理（たとえば基板上にシリコン含有膜を成膜するような）前に基板から酸化膜を除去することに関連する上述の問題を解決することは、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起し、かつ励起した水素含有ガスに基板を曝露することによって解決されると考えた。ここでリモートプラズマ源は、処理チャンバ内の被処理基板には直接視野にない。この構成は、基板への損傷を減少させながら、９００℃よりも低温での低温プラズマ処理を供することが可能である。たとえば特許文献２では、リモートプラズマ源が自然酸化膜を除去するのに用いることが可能であることが示唆されているが、この参考文献はリモートプラズマを実装することで、酸化物除去工程が、その後に行われる処理工程と同一の温度で実行可能にしている。この制約が処理システムの処理能力を改善させるかもしれないが、本発明者らは、処理結果を最適化させるため、各異なる工程が各異なる温度で実行できることが望ましい場合がよくあることを認識していた。
【００２２】
この認識に基づき、本発明の実施例は、第１基板温度での酸化膜の除去に続いて、基板温度を異なる温度に維持し、基板をシリコン含有ガスに曝露することによって、シリコン含有膜を基板上に成膜する。よって本発明の酸化膜除去工程は、他の処理工程の処理温度に基づく制約を受けない。一の実施例では、シリコン含有膜は、第１基板温度よりも高温である第２基板温度の基板上に成膜される。それにより、素子製造にとって十分な成膜速度が実現され、かつ成膜されたシリコン含有膜が所望の材料特性を有することが確かめられた。所望の材料特性とは例えば、結晶構造（つまりエピタキシャル成長したものか、多結晶か、又はアモルファスか）及び元素組成を有して良い。さらに第２基板温度は、基板の曝露されたシリコン含有表面上での選択成長、又は基板全体上での非選択（全体的）成長を行うために選択されて良い。基板上に新たな酸化膜が生成されるのを防止するため、基板を大気曝露せずに、シリコン含有膜は基板上に成膜される。
【００２３】
ここで図２Ａ及び図２Ｂを参照する。図２Ａは、本発明の実施例に従った、バッチ型の処理システム内での基板からの酸化物の除去及びその後に続いて行われるその基板上へのシリコン含有膜の成膜についてのフローチャートである。図２Ｂは、本発明の実施例に従った、基板からの酸化物の除去及びその後に続いて行われるその基板上へのシリコン含有膜の成膜についての処理時間の関数として基板温度を図示している。ここで図２Ａを参照すると、処理２００は、２１０で、上に酸化膜を有する基板をバッチ型処理システムの処理チャンバ内に供する工程を有する。基板はたとえば、シリコン基板、ゲルマニウム含有シリコン基板、ゲルマニウム基板又は化合物半導体基板のような半導体基板であって良い。また基板は、多数の能動素子及び／又は分離領域を有して良い。さらに基板は、ビア若しくは溝又はこれらの結合を有して良い。
【００２４】
２１０で処理チャンバ内に基板を供した後、図２Ｂに図示されているように、基板は、時間周期ｔ１中に第１基板温度Ｔ１に加熱される。一の実施例では、Ｔ１は、基板へのエッチングによる損傷のような処理に係る損傷を減少するため、約５００℃未満である。しかし当業者にとって明らかなように、熱の蓄積及び損傷の許容度は、それぞれの処理及び素子で変化する。よって本発明の目的では、Ｔ１は、従来の酸化物除去に用いられてきた約９００℃より低温で十分である。時間周期ｔ１は遷移段階であり、たとえば約２分から約１５分であって良い。しかしこれは本発明にとって必須ではない。
【００２５】
２１２では、処理チャンバに結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスが励起される。プラズマ源はたとえば、マイクロ波プラズマ源、高周波（ＲＦ）プラズマ源、又は光照射によって起動するプラズマ源を有して良い。本発明の実施例に従うと、水素含有ガスは水素（Ｈ２）であって良い。本発明の別な実施例に従うと、水素含有ガスはＨ２及び不活性ガスを有して良い。不活性ガスはたとえば、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）若しくはキセノン（Ｘｅ）又はこれら２以上の混合ガスを有して良い。本発明の一実施例に従うと、水素含有ガスはＨ２及びＡｒを有して良い。励起した水素ガスにＡｒガスを加えることで、プラズマ源下流の原子状水素の再結合が減少することで、水素含有ガスを含むガス流内の原子状水素の寿命が延びることが示された。よってより効率的な酸化物の除去を可能にするより高濃度の原子状水素に（複数の）基板は曝露される。
【００２６】
２１４では、時間周期ｔ２中に、約９００℃よりも低い第１基板温度Ｔ１の基板が励起した水素含有ガス流に曝露されることで、基板のシリコン含有表面から酸化膜が除去される。第１基板温度Ｔ１は、全体の熱蓄積を考慮して、及び／又は、基板材料若しくは基板材料上に形成された他の材料のエッチングのような損傷を最小にしながら効率的に基板から酸化膜を除去できるように選ばれて良い。たとえばより高温での熱蓄積が許容され、かつ基板エッチングが重要でなくなることで、Ｔ１は従来温度である９００℃に近づいて良い。しかし本発明に従ったリモートプラズマ源を用いて、基板へ到達する高エネルギー種の数を減少させることで、基板への損傷を最小にすることが可能である。本発明の実施例に従うと、第１基板温度は、約０℃よりも高温でかつ約５００℃よりも低温であるか、又は２００℃と３００℃との間であって良い。酸化物除去に係る処理条件には、処理チャンバ内で約１００Ｔｏｒｒ未満のガス圧力が含まれて良い。あるいはその代わりにガス圧力は、処理チャンバ内で約１０Ｔｏｒｒ未満であって良い。標準状態で約０．０１０リットル／分（ｓｌｍ）から約２０ｓｌｍのガス流速が、水素含有ガスに用いられて良い。
【００２７】
基板からの酸化膜除去に続き、２１６では、基板は、時間周期ｔ３中に、第１基板温度Ｔ１から第１基板温度Ｔ１とは異なる第２基板温度Ｔ２に加熱される。図２Ｂに図示された実施例では、第２温度は第１温度よりも高温である。一の実施例では、水素含有ガスは、時間周期ｔ３前又は時間周期ｔ３中に排気されることで、基板へのエッチングによる損傷が最小となる。時間周期ｔ３は遷移段階であり、その長さは、システム設計、及び、基板温度Ｔ１での酸化物除去工程と基板温度Ｔ２との処理温度差に依存して変化して良い。時間周期ｔ３はたとえば、約５分から約４５分であって良いが、これは本発明にとって必須ではない。本発明の実施例に従うと、第２基板温度Ｔ２は、約５００℃から約９００℃であって良い。本発明の別な実施例に従うと、第２基板温度Ｔ２は、約５５０℃から約７５０℃であって良い。本発明の一実施例では、第１処理温度Ｔ１が約２００℃から３００℃であるのに対し、第２処理温度Ｔ２が約５５０℃から７５０℃である。しかし本発明に従った処理温度が用いられて良い。
【００２８】
２１８では、第２基板温度Ｔ２の基板上にシリコン含有膜が成膜される。基板上に酸化膜を形成する恐れのある大気にシリコン含有表面を曝露せずに酸化膜を除去した後、基板上にシリコン含有膜が成膜される。本発明の実施例に従うと、たとえばＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６又はこれら２以上の混合ガスのようなシリコン含有ガスに基板を曝露させることによって、その基板上にシリコン含有膜が成膜される。本発明の実施例に従うと、シリコン含有膜は、たとえばＧｅＨ４、ＧｅＣｌ４、又はこれらの混合ガスのようなゲルマニウム含有ガスをさらに有して良い。シリコン含有膜は、たとえば図１のガス源９４のような非プラズマガス源からシリコン含有ガスを供することによって成膜されて良い。しかしプラズマ源９５によって励起される、図１のガス源９６のようなガス源からのガスが、成膜を補助するのに用いられて良い。時間周期ｔ４は成膜段階であり、一般的には所望の膜厚に依存する。約５００Å未満の膜厚である多くの用途については、時間周期ｔ４は約１時間未満であって良い。
【００２９】
所望の厚さを有するシリコン含有膜が基板上に成膜されたとき、シリコン含有ガスの流れが止まり、基板は時間周期ｔ５中に冷却されて良く、その後処理チャンバから取り出される。時間周期ｔ１及びｔ３同様に、時間周期ｔ５も遷移段階であって、その長さは可変であって良い。時間周期ｔ１は、たとえば約２分から約１５分であって良い。しかしこれは本発明にとって必須ではない。
【００３０】
当業者にとって明らかなように、フローチャート図２Ｂ中の各工程又は各段階は、１以上の独立した工程及び／又は操作を含んで良い。従って２１０、２１２、２１４、２１６及び２１８において５工程のみ列挙しているのは、本発明を５工程又は段階に限定するものと解してはならない。しかもそれぞれの代表的工程又は段階２１０、２１２、２１４、２１６及び２１８を、単一処理のみであると解してはならない。
【００３１】
図３Ａ−図３Ｃは、図２Ａのフローダイヤグラムに記述された処理に従って、基板から酸化物を除去した後に清浄基板上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。図３Ａは、基板３１０を含む構造３００及び基板３１０上の酸化膜３２０を図示している。本発明の実施例に従うと、酸化膜３２０は自然酸化膜であって良い。基板３１０はたとえば、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、又はＳｉＣＯを有して良い。基板３１０上に酸化膜３２０が存在しているために、適切なシリコン含有シード（核化）層の形成が阻害されることで、構造体３００上のシリコン成膜に影響が及ぼされる。
【００３２】
図３Ｂは、本発明の実施例に従った、基板３１０から酸化膜３２０が除去された後の構造３００を図示している。図３Ｃは、続いて基板３１０上にシリコン含有膜が成膜された後の構造体３００を図示している。膜３３０はたとえば、エピタキシャル成長したシリコン膜であって良い。このとき新たなシリコン膜３３０の成長によって、シリコン基板３１０の結晶格子が引き延ばされる。あるいはその代わりに、成膜された膜３３０はｐｏｌｙ−Ｓｉ膜又はアモルファスＳｉ膜であって良い。またあるいはその代わりに、成膜された膜３３０はＳｉＧｅ膜であって良い。
【００３３】
図４Ａ−図４Ｄは、本発明の実施例に従って、パターニング構造から酸化物を除去した後に続いてそのパターニング構造上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。図４Ａは、基板４１０、パターニング膜４２０及び基板４１０上の開口部４３０中に成膜された酸化膜４４０を有するパターニング構造４００を図示している。開口部４３０はたとえば、ビア若しくは溝又はこれらの結合であって良い。パターニング構造４００は、素子作製に用いられる典型的な構造であって、シリコン基板４１０及びその上に存在するフォトリソグラフィによってパターニングされた酸化膜４２０を有して良い。
【００３４】
図４Ｂは、図２のフローダイヤグラムで記述された処理に従って、開口部４３０から酸化膜４４０を除去した後のパターニング構造４００を図示している。本発明の実施例に従うと、酸化膜は、バッチ型処理システムの処理チャンバ内に基板を供し、処理チャンバと操作可能なように結合するプラズマ源内で水素含有ガスを励起し、かつ約５００℃よりも低温の第１基板温度の基板を励起したガスに曝露することによって、基板のシリコン含有表面から除去される。
【００３５】
図４Ｃは、基板４１０の曝露部分上にシリコン含有膜４５０を選択的に堆積した後のパターニング構造４００を図示している。選択的に堆積された膜４５０はたとえば、シリコン基板４１０上に堆積されたエピタキシャル成長したシリコン膜であって良い。エピタキシャル成長したシリコン膜４５０はたとえば、図１に図示されたバッチ型処理システム１内において、たとえば基板温度約８００℃でＳｉ２Ｃｌ６を含む処理ガスを用いることによって、シリコン基板４１０の曝露部分上に選択的に堆積されて良い。あるいはその代わりに基板温度は約５５０℃から約７５０℃であって良い。ＨＣＤガスを用いたシリコン含有膜の成膜に関するさらなる詳細は特許文献１を参照のこと。
【００３６】
エピタキシャル成長したＳｉ含有膜４５０を選択的に堆積させることで、当業者にとって既知の方法を用いたパターニング膜の除去に続いて、隆起したエピタキシャル成長したシリコン含有膜４５０をシリコン基板４１０上に形成することが可能となる。一般的には、パターニング膜４２０は、酸化物マスク（たとえばＳｉＯ２）及び窒化物マスク（たとえばＳｉ３Ｎ４）のうちの少なくとも１を有して良い。エピタキシャル成長したＳｉ含有膜の選択成長は、隆起したソース及びドレイン領域を有する絶縁体上のシリコン（ＳＯＩ）素子の作製に用いられて良い。ＳＯＩ素子作製中、処理が、ソース及びドレイン領域で全シリコンを使い尽くすことで、別なシリコンがこれらの領域に必要となっても良い。このようなシリコンは、シリコン含有膜の選択エピタキシャル成長（ＳＥＧ）によって供されて良い。シリコン含有膜の選択成長によって、必要とされるフォトリソグラフィ及びエッチング工程の数を減少させることが可能である。これにより、全体的なコスト及び素子作製に含まれる複雑さを減少させることが可能である。
【００３７】
図４Ｄは、パターニング膜４００上にシリコン含有膜４６０を非選択的（全体的）に成長させた後のパターニング構造４００を図示している。本発明の一実施例に従うと、膜４６０はシリコン膜であって良い。シリコン膜４６０は、基板４１０及びパターニング膜４２０を有する材料の型によらず、ほぼ均一の厚さでパターニング構造４００上に成膜されて良い。一例では、シリコン膜４６０は、約５００℃以上の基板温度でＳｉ２Ｃｌ６を用いることによって、パターニング構造４００上に成膜されて良い。別な例では、Ｓｉ２Ｃｌ６及びＳｉＨ４を含む処理ガスが用いられて良い。当業者には明らかであるように、成膜されたシリコン含有膜の結晶構造は、基板温度、処理圧力及びガスの組成を含む処理条件の関数であって良い。
【００３８】
たとえ本発明のある典型的実施例のみが詳細に説明されたとしても、当業者は、本発明の新規な教示及び利点からほとんど逸脱することなく、多くの修正型が可能であることをすぐに理解する。従って多くの係る修正型は、本発明の技術的範囲内に含まれるものと解される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施例に従ったバッチ型処理システムの単純化されたブロック図を示している。
【図２Ａ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内で基板から酸化物を除去し、それに続いて基板上にシリコン含有膜を成膜するフローダイヤグラムである。
【図２Ｂ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内で基板から酸化物を除去し、それに続いて基板上にシリコン含有膜を成膜するための処理時間の関数としての基板温度を図示している。
【図３Ａ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内で基板から酸化物を除去し、それに続いて基板上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。
【図３Ｂ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内で基板から酸化物を除去し、それに続いて基板上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。
【図３Ｃ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内で基板から酸化物を除去し、それに続いて基板上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。
【図４Ａ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内でパターニング構造から酸化物を除去し、それに続いてパターニング構造上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。
【図４Ｂ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内でパターニング構造から酸化物を除去し、それに続いてパターニング構造上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。
【図４Ｃ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内でパターニング構造から酸化物を除去し、それに続いてパターニング構造上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。
【図４Ｄ】本発明の実施例に従って、バッチ型の処理システム内でパターニング構造から酸化物を除去し、それに続いてパターニング構造上にシリコン含有膜を成膜する様子を概略的に図示している。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【国際調査報告】
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