(57)【要約】  本発明は,マーク及びランドの列１４,１５,２３を有する記録担体であって、最短長のマーク１及び他の長さのマーク２を有する複数のマークを持ち，マーク及びランドの前記列の方向にあるマークとマークとの間に最短長のランド２８及び他の長さのランド２７を有する複数のランドを持ち，マーク及びランドの前記列１４,１５,２３は光ビームを照射して読み出される情報を持ち，マーク及びランドの前記列の部分ではないランド領域も持つ記録担体に関する。記録担体にすべてのマークにわたってその接線方向の記録密度を犠牲にすることなく，より良い変調度を与え，かつ更に記録担体に，より少ない非対称性，又は実質的に非対称性を持たないような特性を与えるために,最短長のマーク１と前記他の長さのマーク２のリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部３とが，前記他のマーク２のリーディングエッジ部とトレーリングエッジ部３との間の中央部のマーク区間４の幅よりも広い幅を持つことと、マーク及びランドの前記列の方向に位置するマークとマーク１９との間に位置するランドが，上記ランド領域の反射率よりも低い反射率を持つこととを提案する。本発明は，更にこのような記録担体を製造するための方法及び装置にも関する。
2008502086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マーク及びランドの列を有する記録担体であって，
最短長のマーク及び他の長さのマークを有する複数のマークを持ち，
マーク及びランドの前記列の方向にあるマークとマークとの間に最短長のランド及び他の長さのランドを有する複数のランドを持ち，
マーク及びランドの前記列は光ビームを照射されて読み出される情報を持ち，
マーク及びランドの前記列の部分ではないランド領域も持つ記録担体において，
前記最短長のマークと前記他の長さのマークのリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部とが，前記他の長さのマークの前記リーディングエッジ部と前記トレーリングエッジ部との間の中央部のマーク区間の幅よりも広い幅を持つことを特徴とする記録担体。
【請求項２】
請求項１に記載の記録担体において，
マーク及びランドの前記列の方向にあるマークとマークとの間のランドが，前記ランド領域の反射率より低い反射率を持つことを特徴とする記録担体。
【請求項３】
請求項１に記載の記録担体において，
マーク及びランドの前記列の方向にあるマークとマークとの間のランドが，前記最短長のランドの反射率より低い反射率を持つことを特徴とする記録担体。
【請求項４】
請求項１に記載の記録担体において，
マーク及びランドの前記列の方向にあるランドのリーディングエッジ部と前記トレーリングエッジ部との間のランドの中央区間が，前記ランドのリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部より低い反射率を持つことを特徴とする記録担体。
【請求項５】
請求項４に記載の記録担体において，
前記ランドの前記リーディングエッジ部/トレーリングエッジ部の長さが，前記最短長ランドの長さの1/4から2倍の長さを持つことを特徴とする記録担体。
【請求項６】
請求項１に記載の記録担体において，
前記最短長マークが実質的に楕円形状を持つことを特徴とする記録担体。
【請求項７】
請求項２に記載の記録担体において，
前記低反射率は，前記マークに比べてより浅い深さを持つランドマーク又は/及び前記ランドにグルーブを形成することにより実現することを特徴とする記録担体。
【請求項８】
マーク及びランドの列を有する記録担体の製造方法であって，
この記録担体は最短長マーク及び他の長さのマークを有する複数のマークを持ち，
ランド及びマークの前記列の方向にあるマークとマークとの間に最短長のランド及び他の長さのランドを有する複数のランドを持ち，
マーク及びランドの前記列は光ビームを照射して読み出される情報を持ち，
マーク及びランドの前記列ではないランド領域も持つ，記録担体の製造方法であって，
−記録される情報信号に従って変調された露光用光ビームの照射を行ってマスタ上にマーク及びランドの列を形成し，
−光ビームを記録担体に照射して情報の記録された，読み出し可能なマーク及びランドの列を持つ記録担体を前記マスタを使用して製造する記録担体の製造方法において， 
前記露光用光ビームは，第1の組み合わせの記録パラメータを用いて最短長のマーク及び他の長さのマークのリーディングエッジ部及びトレーリングエッジ部を形成し，第2の組み合わせの記録パラメータを用いて，前記他の長さのマークのリーディングエッジ部とトレーリングエッジ部との間に位置するマークの中央区間を形成する記録ストラテジに従って照射され，
最短長マーク及び他の長さのマークのリーディングエッジ部及びトレーリングエッジ部は，前記マークの中央区間の幅よりも広い幅で形成されることを特徴とする記録担体の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の記録担体の製造方法において，
前記露光用光ビームはマーク及びランドの列の方向にある前記マークの間の前記ランドに，第3の組み合わせの記録パラメータを用いて前記ランド領域よりも低い反射率を持つランドを形成するために照射されることを特徴とする記録担体の製造方法。
【請求項１０】
マーク及びランドの列を有する記録担体を製造する装置であって，
前記記録担体は，最短長マーク及び他の長さのマークを有する複数のマークを持ち，
ランド及びマークの前記列の方向にあるマークとマークとの間に最短長のランド及び他の長さのランドを有する複数のランドを持ち，
マーク及びランドの前記列は光ビームを照射して読まれる情報を持ち，
マーク及びランドの前記列ではないランド領域も持つ記録担体を製造する装置であって，
−記録されるべき情報信号に従って変調された露光用光ビームを照射してマスタ上にマーク及びランドの列を形成する手段と，
−記録担体へ光ビームを照射することにより情報が記録されたマーク及びランドの読み出し可能な列を持つ，記録担体を前記マスタを用いて製造する手段とを持つ記録担体を製造する装置において，
前記露光用光ビームを第1の組み合わせの記録パラメータにて最短長のマーク及び前記他の長さのマークのリーディングエッジ部及びトレーリングエッジ部を形成し，第2の組み合わせの記録パラメータにて他のマークの長さのリーディングエッジ部とトレーリングエッジ部との間のマークの中央区間を形成し，最短長マークと他の長さのマークのリーディングエッジ部及びトレーリングエッジ部とはその幅が前記マークの中央区間の幅よりも広い幅で形成されるような記録ストラテジに従って照射する前記手段を有することを特徴とする記録担体を製造する装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，マーク及びランドの列を有する記録担体であって,最短長のマーク及び他の長さのマークを有する複数のマークを持ち，マーク及びランドの前記列の方向にあるマークとマークとの間に，最短長のランド及び他の長さのランドを有する複数のランドを持ち，マーク及びランドの前記列は光ビームを照射されて読み出される情報を持ち，マーク及びランドの前記列の部分ではないランド領域も持つ記録担体に関するものである。本発明は，更にこのような記録担体を製造するための方法及び装置にも関連する。
【背景技術】
【０００２】
冒頭で述べた記録担体及びその製造方法は，US 6,026,072からも既知である。その記録担体の最短長マークは他の長さのマークよりもより広い幅を持つ。これにより最短長のマークの変調度が増し，変調伝達関数（MTF）のカットオフ周波数が効果的に上がる。
【０００３】
最近紹介されたBlu-rayディスク（BD） ROM規格によれば，25GB のデータが直径12cmの単層リライタブルディスクに記録可能である。この記録密度に対応する最短のマークの長さは149nmである（d = 1 code）。この長さは，実質的に記録担体の記録層に入射する光学的な輪郭の幅よりも小さい。このように短いマークの記録を可能にする要因は，相変化材料に記録されたマークのトレーリングエッジでの再結晶化で，これが結果として典型的な三日月の形をしたマークとなる。これらの短いマークの幅は，より長いマークのそれと等しいので，これらの短いマークの光学的変調度は，信頼できるデータの読み出しに十分である。
【０００４】
書き換え可能なBD規格に加えて，BD-ROM規格が提案されている。BD-ROM規格では3つのデータ容量が規定されている，即ち，23.3，25及び27GB の3つである。
【０００５】
規定されたデータ容量を持つROMディスクの複製のために，いくつかの製造工程が現在考えられている。即ち，相変換マスタリング，深UVマスタリング，浸水深UVマスタリング及び電子ビームマスタリングである。これらのすべての工程は共通して，小さな焦点のビーム（レーザー又は電子）を材料の薄膜に局部的に投射し，その薄膜の状態を変化させる。これは中央のトラックへの記録が，隣接するトラックへも部分的なビームの投射の影響を招くという累積的な工程である。前記の薄膜材料は，例えば深UV法ではレジストと呼ばれるものであり，電子ビームマスタリングでは有機 / 無機材料である。続く処理工程では，材料の照射された部分は化学的に除去され，結果として物理的なピットがその材料の表面に残る。小さなマークを持つこの層の表面の凹凸が，通常スタンパと呼ばれるメタルマスタに転写される。このスタンパがガラス / 2P 工程，又は大量生産向けにはインジェクションモールド工程経由にて複製ディスクの製造に使用される。こうして当初の光学スポットの形状は，直接マスタ工程でのマークに置き換わる。小さなスポット径は，高密度のマスタリングにとって有利である。
【０００６】
深UVマスタリング装置においては，UV照射（257nm）が，高開口比（NA），約0.9，の遠距離場（Far-field）対物レンズを用いて行われる。結果として得られるスポットは約170nmの1/e直径を持つ。このような装置でマスタリングされたマーク又はピットはかなり小さいが，これまでそれをBD仕様による23.3GBのディスクにマスタすることは困難であった。更に小さな約130nm（1/e直径）のスポット径が浸水マスタリングでは得られる。実質的に空気より大きな屈折率を持つ液体の膜が対物レンズと薄膜レジストとの間に充填され，結果としてより大きな開口比を得られる。薄い水の膜の場合，1.2〜1.25のNAが得られる。電子ビームによるマスタでは更に小さいスポットが可能で100nm以下という典型例がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
Blu-rayディスク規格の要件を満たす27GBの高データ密度BD-ROMディスクを作るために，最短長のマークの1.5倍の長さに相当するチャネルビット長は74.5nmから69nmに減少した 。この減少は，特に最短長のマークの小ささによる，変調度の低下につながった。たとえもし，記録担体の製造のためにUS 6,026,072の方法が適用されたとしても，最短長マークのMTFのみしか向上せず，他のマークの変調度は向上しないまま残るという欠点が依然として存在する。更なる欠点は最短長のマークの幅を拡げると，変調度の向上だけでなく，前記最短長のマークと前記他の長さのマークとの間の平均信号振幅の非対称性が増すか又は現れる。これらの欠点は，記録担体のデータ密度の更なる向上を覆い隠してしまう。
【０００８】
本発明の目的は，記録担体に接線方向の密度を犠牲にすることなく，全てのマークの変調度を向上させること，及び記録担体に，少ない又は実質的に非対称性の無い特性を与えることにある。更なる目的として，このような記録担体を製造するための方法及び装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するために請求項1で記載しているような，前記最短長記録マークと前記の他の長さのマークのリーディングエッジ部とトレーリングエッジ部とが，前記他の長さのマークのリーディングエッジ部とトレーリングエッジ部との間の中央区間の幅よりも広い幅を有することを特徴とする記録担体を提案する。
【００１０】
本発明は以下の工夫に基づく。すなわち前記の他の長さのマークの変調度は，そのリーディングエッジ部及びトレーリングエッジ部の幅を拡げることにより向上することができる。前記中央部分の幅は変更しないので接線方向の密度には実質的に影響をおよぼさない。拡げた幅の部分はより大きな変調度を得る。
【００１１】
ここで，要約で述べた"低下した反射率"という用語は，光を反射する能力の物理的特性の減少に関連するばかりでなく，有害な位相干渉に起因して明らかに低下した物理的反射率を持つランド又はランド区間の特性とも関連することを注記する。
【００１２】
記録担体は，当該記録担体の中央からの半径方向の距離が，その中心周りにスパイラル状に増してゆくようなマーク及びランドの列を有する。隣接する二つのマーク及びランドの列の中央線間の半径方向の距離はトラックピッチと呼ばれる。マーク及びランドの前記列は記録担体の全ての表面領域を完全にカバーはしていないので，ここではランド領域と呼ばれる，マーク及びランドの前記列の部分では無く，実際にはマーク及びランドの前記列からなる２本の隣接しているトラックの間に位置している部分が存在する。
【００１３】
本発明の好ましい実施例は，マーク及びランドの前記列の方向にあるマークとマークとの間のランドが，前記ランド領域よりも低い反射率を持つことを特徴とする。前記ランドの反射率の調整により，平均信号振幅を調整して非対称性を減少することが可能である。マーク間に位置する前記ランドの反射率を低くすることは，変調信号の最大値の減少につながり，これにより非対称性も減少又は発生しないことが可能になる。
【００１４】
本発明による記録担体の特別な実施例は，マーク及びランドの列の方向にあるマークとマークとの間の最短長以外のランドが，最短長ランドの反射率よりも低い反射率を持つことを特徴とする。非対称性は，前記最短長のランドの反射率に比べ前記他の長さのランドの反射率により影響される。それに加え，前記最短長のランドの反射率の低下は，変調度の望ましくない低下につながる場合もある。
【００１５】
本発明による記録担体の好ましい実施例は，前記マーク及びランドの列の方向に位置する前記ランドのリーディングエッジ部とトレーリングエッジ部との間のランドの中央区間が，前記ランドのリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部の反射率に比べて，より低い反射率を持つことを特徴とする。前記ランドの中央区間の反射率の低下及びリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部の，前記ランド部分の中央部に比べて相対的に高い反射率は，より良い変調率に帰結する。
【００１６】
本発明による記録担体の更なる実施例は，前記ランドのリーディングエッジ部及びトレーリングエッジ部は前記最短長のランドの長さの1/4から2倍の範囲の長さを持つことを特徴とする。前記リーディングエッジ部及びトレーリングエッジ部の長さは，最短長のランド及び他の短かめの長さのランドを反射率の減じた部分から容易に除くために使用できる記録ストラテジのパラメータである。
【００１７】
本発明による記録担体のもうひとつの実施例は，最短長マークは実質上楕円形状を持つ，即ち接線方向の幅に対して半径方向の幅の方がより長いことを特徴とする。最短長のマークの幅及びマークの他の区間の幅を増加するための簡便な手法は，楕円形の光スポットを使うことである。このようなスポットは，実質的に楕円形状の最短長マークをディスク上に作る。そしてマスタリング工程で受けたレーザーの照射の総量がディスク上に記録されたマークの寸法を決定する。記録層の化学的感光の工程もマーク形成に一定の閾値として関与する。即ち，一定量のレーザー光照射を受けたレジストの領域のみが効率良くマークとして形成され，その受光量が不十分だった領域は，なんら変化することはないままである。全受光量はエアリ状（またはガウシアン状の）強度分布の和となる。これゆえマスタリングで形成されたマークは，常に照射されたディスク上の領域に類似する。できる限り小さなスポット形状を実現するために，実際はこれが浸水マスタリングを使う理由であるが，よく吟味された光学スポットが求められる。全受光量の増大はマークが，その接線方向及び半径方向共に大きくなることを意味する。より小さなスポットは，照射量が減少した場合に得られる。即ち，エアリ状強度分布の尖塔部のみが実際のマークを記録するのに使われる。このように強度分布の変化により，又はレーザースポットの照射時間の変化（照射時の基板の線速度）により，マークの大きさは影響される。
【００１８】
このような楕円形状の光スポットを得るために異なるいくつかの可能性がある。
‐半径方向の実効開口比を減少させる。
‐レーザーの波面の非点収差を利用する（非点収差の結果として2箇所の合焦点位置の間に楕円領域が形成される）。記録時に，非点収差を適当な方向に選ぶことにより，半径方向に長いスポット形状をマスタリング工程のために得ることが可能になる。非点収差は例えばLCセルによりレーザービームに発生させることもできるし，又はレーザー光の持つ本来の非点収差を使用することも可能である。追記型光ディスク記録での非点収差の用例の詳細は，国際特許出願のIB2003/050019（PHNL021225）に記されている。
‐瞳充填による方法
‐楕円瞳の利用
‐光路へのマスキング/絞り  及び
‐偏光効果
半径方向のNAの減少の利用に比較して非点収差の利用による長所は，半径方向NA減少法が常に入射ビームの一部を使用せずに捨てているのに対して，ビームをすべて活用していることにある。NAを接線方向に拡げることも有効であるが，実際にはレンズ系の再設計が必要となるためより困難である。
【００１９】
光スポットの変形は，最短長マークのマスタリング時にのみ所望されるかも知れない。楕円と円スポットを互いに切り替える方法も考え得るが，切り替えに必要な周波数がMHz単位であることを考慮すると実現は難しい。同様の理由により機械的な手段での切り替えも，その設計及び実現は容易ではない。電子-光学又は音響光学素子もまた使用することができるかも知れない。
【００２０】
前記最短長のマーク及びマークの他の区間の幅を拡げる可能性として，異方性のある光-化学感光特性をもったレジストを使うことも含まれる。異方性材料を使うにはスピンコーテイング処理が使われるであろう。そして異方性は，レジストと基板との間の中間層をパターン化することで導入されると考えられる。
【００２１】
本発明による記録担体のもうひとつの好ましい実施例は，前記低反射率は，前記マークよりもより浅い深さを持つランドマーク及び/又はランドに溝を形成することによって達成されることを特徴とする。これによる低反射率は，マークを形成するのに用いたのと同じ手段を使って実現できる。これゆえ，追加の装置を必要としない。
【００２２】
本発明による記録担体の製造方法は，請求項8により規定され，
‐記録される情報信号に従って変調された露光用光ビームの照射を行ってマスタ上にマーク及びランドの列を形成し
‐光ビームを照射して情報が記録された，読み出し可能なマーク及びランドの列を持つ記録担体を，前記マスタを用いて製造する方法において,
前記露光用光ビームは，第1の組み合わせの記録パラメータを使って最短長のマーク及び他の長さのマークのリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部を形成し, 第2の組み合わせの記録パラメータを使って他の長さのマークのリーディングエッジ部とトレーリングエッジ部との間に位置するマークの中央区間を形成する記録ストラテジに従って照射され、最短長マーク及び他の長さのマークのリーディングエッジ部及びトレーリングエッジ部は，前記マークの中央区間の幅よりも広い幅で形成されるステップを有する。
【００２３】
本発明による記録担体を製造する装置は請求項10で規定される。
【００２４】
以下に，本発明による記録担体の実施例及びその製造法について図を参照しながらその詳細を説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
スカラ量の屈折率計算プログラム"InterUp"を用い，隣接トラックに存在するデータに起因する光学的クロストークについて，より幅の広いマークがどう影響するかを計算した。ここでのデータトラックのピッチは320nmとした。中央トラックに位置するI2-I2信号のデータ間ジッタを，中央トラック及び隣接トラックに位置する全てのマークの幅であるマーク幅の関数として計算した。その結果を図1に与える。同図には二つの計算の結果を示す。第1の結果は（四角い形状のドットで示す）全てのマーク（I2〜I8）は同じ公称の幅を有する場合である。第2の結果は（三角形のドットで示す）I2を除いた全てのマークは同じ公称の幅を持ち，I2マークは，その公称幅を50nmだけ拡げた場合である。また中空のドットはマークジッタに関連し，黒く埋めたマークはランドジッタに関連する。典型的なバスタブ形の形状は，最適なマーク幅があることを例示している。マーク幅が狭まった場合，変調度は低下し，これはジッタの増加を招く。小さなマークについては，ジッタは変調度により制限される。またマーク幅が広すぎる場合は，隣接トラックまで延在する。
【００２６】
この光学的クロストークはジッタレベルの上昇を招くが，その影響は大変急激に現れる。それゆえマークの幅は，光学的クロストークによってその上限が制限される。明らかに，最適なマーク幅の値が，変調度と光学的クロストークとの間で妥協した値である約150〜170nmに存在する。いくらかより良い性能が，I2マークの幅のみを拡げた場合に得られる。I2マークは，最短長マークに対応し，それは前記最短長マークが2クロック期間に相当して形成される。I8マークは前記他の長さのマークの例で，接線方向に前記最短長マークの長さの4倍の長さを持つ。
【００２７】
図2aは，本発明による最短長マーク1及び他のマークの例として，すなわち，接線方向Tに，前記最短長マーク1よりも長いマーク2の形状を示す。最短長マークは実質的に楕円形状を持つ。すなわち，接線方向Tに対するより，半径方向Rに対してより大きな長さを持つ。他のマーク2は，リーディングエッジ部/トレーリングエッジ部3及びマークの中央部分4を有する。リーディングエッジ部/トレーリングエッジ部3は，マークの中央区間4の幅よりもより大きな幅を持つ。これらの拡げられた幅は，より良い変調度を与える結果となる。
【００２８】
図2b〜2dは，本発明による異なる記録ストラテジを，時間tと記録パワーレベルすなわち記録パワー強度iとの関係を与える幾つかの形式として例示する。記録ストラテジは，記録パワーレベルすなわち照射光ビームの強度，パルスのレート，及び前記照射光ビームのパルス幅という記録パラメータを有する。
【００２９】
図2bに示される第1の記録ストラテジによれば，照射光ビームは，前記最短長マークを形成するために，事前に決められた時間，すなわち1又は2クロック期間にわたり，バイアスパワーレベル5より高い第1の記録パワーレベル6を付与される。他の長さのマーク2の形成のために，2番目，3番目及び4番目の記録パワーレベル7,  8及び9が付与される。これら7,  8及び9のパワーレベルは，前記バイアスパワー5よりも高く，各々前記リーディングエッジ3，中央マーク部分4及び前記トレーリングエッジ3を形成するのに必要な時間だけ照射される。3番目の記録パワーレベル8は，7及び9のそれよりも低い。記録パワーレベル6，7及び9は，実質的には同一である必要はない。これは，ただ単に異なる光強度を要し，形成されたマーク又はマークの一部の幅は付与された記録パワーレベルに直接依存するという大変直裁な記録ストラテジである。
【００３０】
図2cは，図2bの記録ストラテジと比較し得る記録ストラテジを示す。最短長マークの記録パラメータは図2bのそれに対応する。前記他のマークを形成するための記録パラメータは，バイアスパワーレベルすなわち光強度5にてギャップ幅の期間中断されるパルス幅を持つパルス列を有する記録パワーレベルすなわち 記録光強度10，11及び12を持つパルス列を与える。光強度6，10及び12は同じでも良いが実質的には同じである必要はない。光強度11のレベルは光強度10及び12より低い。この記録ストラテジは，図2bに示されたものに比べて次のような長所を持つ。すなわち，マーク形成時にパルス幅及び光強度10，11及び12の割合を調節することにより，マーク及びランドの列の領域での意図しない熱効果を減少せしめる，又は発生させないことが可能であるという長所である。
【００３１】
図2dは，更に別の記録ストラテジを示す。ここではマークを形成する光強度のレベルは13のみであるが，図2cで示す記録ストラテジにあるように，記録信号はパルス列となっている。マークの異なる形状が，異なるパルス幅を持つ前記照射光ビームのパルスを付与することにより形成される。マークの中央部4を記録するためのパルス幅は，前記最短長マーク1及び他のマーク2の前記リーディングエッジ部/トレーリングエッジ部3のそれよりも短いので，より短いパルスが，これらのマーク中央区間の形成に使用される。これは図2cで示された記録ストラテジと同様に，意図しない熱効果を防ぐまたは減少させ，複雑になりがちな制御回路を必要とする照射光ビームの光強度の変化の必要もないという長所を持つ。
【００３２】
更なる計算が前記"IntersUP"プログラムにて，マークの変調度に関するマーク幅の拡大の優位性を探るため実行された。そこではI2-I2信号又はI8-I8信号は中央トラックに位置すると仮定された。チャネルビット長は69nmとし，これによりI2及びI8マーク長は各々138nm及び552nmになった。マークの幅は0nmから400nmの間で変化させた。トラックピッチは320nmとしたが，隣接間トラックについてはデータは存在しなかった。I2-I2及びI8-I8反射信号の最大及び最小の計算結果（アイパターン）を図3にマーク幅対信号振幅の関係として与える。同図において中抜きのドットは最小信号を示し，最大信号による結果は黒色のドットで示される。マークの存在しないトラックは位相変調を持たないので結果としてその正規化したレベルは1となる。トラック中にマークが存在する場合は，位相変調は，反射率が周期的に変化する結果となる。より幅の広いマークでの結果は，より大きな位相変調となり，図示のように最小I8信号を低下させる。I8マークは最大変調度に達するのに十分な長さとなり，その最大（I8−ランド）信号はそれゆえその初期レベル，すなわち1に留まる。I2マークは小さすぎて最大変調に達することができない。このため，そのマーク幅の増加は平均I2の反射率のシフトを招く。無限に長いマーク，例えば400nmを超えるマーク，に対しては同図の4本の曲線の漸近線の様子に見られるようにキャリア変調度はマークの長さと無関係になる。更に同図からマーク幅の増加に対してI2-I2及びI8-I8信号の平均信号振幅のキャリアはもはや等しくないことが示されている。このいわゆる非対称性はかなりの欠点である。
【００３３】
図4a及び4bは，従来のマーク/ランドの列14と本発明によるマーク/ランドの列15及びこの二つの列に対応する反射率を32，33に示す。従来のマーク及びランドの列14のマーク16は，このマーク16の間のランドが高い反射率18を持つのに対して，低い反射率17を持つ。本発明によるマーク/ランドの列15のマーク19は，前記従来のマーク16の反射率17と実質的に等しい反射率20を持つ。
【００３４】
前記マーク19の間のランドの反射率を下げるために，幾つかの可能性がある：
‐ランド領域の溝のマスタリングを，照射時のレーザパワーを減じて行う。この方法により，狭いピーク幅を持つエアリ（またはガウシアン）分布の光線がレジストの照射に実際に使われている。
‐ランド領域もまた小さなピットまたはマークの列で覆われることも出来る。ここでは通常の記録パワーで極小の記録パルス，または記録パワーレベルを落とした，より長い記録パルスにてマスタリングされる。
‐ランド部分も，データマークの深さを減じた大きく浅いピット又はマークで覆われることができる。深さを減じることで，位相変調が少なくなり，マーク及び未記録ランドの反射率に比較して中間的な反射率が得られる。
【００３５】
図4bに示される発明の実施例において，溝（グルーブ）21を前記マーク19の間に有するランドは，反射率22を持つ。この反射率は前記反射率20よりも高く，前記反射率18よりも低い。前記ランドの低い反射率は，最短長マーク1及び他のマーク2のリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部3の拡幅に起因して生じる非対称性の低下を招く。非対称性の低下は中間ランド，特に長いものの例えば浅いピット，溝（グルーブ）又はランド領域の他のデータパターンの記録による反射レベルの低下により達成される。
【００３６】
図5は本発明によるマーク29及びランド27，28からなる他の列23を示す。前記ランド27，28のリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部30，31の間のランドの中央区間24，25及び26は溝（グルーブ）を有し，かつ前記ランド27，28の前記リーディングエッジ部/トレーリングエッジ部30，31より低い反射率を持つ。ランド27は長さLを持つ。ランド27のリーディングエッジは長さSを持つ。
【００３７】
長さSを持つランドのリーディングエッジ部30及び長さSを持つトレーリングエッジ部31を残したランドの中にグルーブを形成するための記録ストラテジでは，Sの2倍以下の短かさの最短長ランド28ではいかなるグルーブも形成されないであろう。より長いランドの中央区間24，25及び 26のみの反射率の低下は，最短長マーク1の拡幅及び他のマーク2のリーディングエッジ部/トレーリングエッジ部3の拡幅に由来する非対称性が，より短いランドまたは最短長のランド28の変調度が変化しないため，低下するか又は発生しないという長所を持つ。
【００３８】
本発明は，より良い変調度及び非対称性をもつ記録担体を提案している。変調度は前記最短長マーク及び他の長さのマークのリーディングエッジ/トレーリングエッジ部の幅を拡げることにより高められる。それに起因して生じる非対称性は前記ランド又はランドの区間の反射率が低くなることにより低くなるか又は改善される。これゆえ記録担体のデータ密度の更なる増加が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は前記最短長マークの拡幅したもの及びそうでないもののジッタ対マーク幅を示す。
【図２ａ】図２ａは本発明による最短長マーク及び他のマークの形状を示す。
【図２ｂ】図２ｂは上記の形を実現する記録ストラテジを例示する。
【図２ｃ】図２ｃは上記の形を実現する記録ストラテジを例示する。
【図２ｄ】図２ｄは上記の形を実現する記録ストラテジを例示する。
【図３】図３は信号振幅とマーク幅との関係を示す。
【図４ａ】図４ａは従来のマークとランドとの列の反射率及び本発明によるマークとランドとの列の反射率を示す。
【図４ｂ】図４ｂは従来のマークとランドとの列の反射率及び本発明によるマークとランドとの列の反射率を示す。
【図５】図５は本発明によるマーク及びランドの他の列を示す。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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