(57)【要約】  本発明は、別の基板に移動される薄層（２８）又はチップの前処理方法に関する。本方法によれば、薄層又はチップ面の表面上に、接着層（２５）と呼ばれる少なくとも一つの層と、第一の境界層（２２）と呼ばれる少なくとも一つの別の層を形成し、接着層は、境界層の材料に対して選択的にエッチングされる材料で構成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄層（２８、３８、４８）又はチップを基板上に移動する方法であって、この薄層又はチップが支持ウエハ（２４、３４）によって保持されて表面トポロジー、即ち薄層によって画定される平面に対して垂直な方向に高低差を有しており、
−前記薄層又は前記チップの表面上に、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層（２２、２４、３２、５８、５４、４２）と、第一のバリヤー層と呼ばれる少なくとも一つの層（２０、２１、５１、５２）を構築し、接着層は、バリヤー層の材料に対して選択的にエッチングできる材料から形成すること、
−薄層又はチップを前記基板上に移動すること、及び
−接着層及び第一のバリヤー層を除去して当初のトポロジーを再度出現させること
を含む方法。
【請求項２】
移動することが、接着層とハンドル基板（４０、６０）とを事前に組み立てること、及び支持ウエハの全部又は一部を除去することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ハンドル基板を除去することを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
薄層（２８、３８、４８）又はチップの加工方法であって、この薄層又はチップは支持ウエハ（２４、３４）によって保持されて表面トポロジー、即ち薄層によって画定される平面に垂直な方向に沿った高低差を有しており、
−前記薄層又は前記チップの表面の上方に、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層（２２、２４、３２、５８、５４、４２）と、第一のバリヤー層と呼ばれる少なくとも一つの層（２０、２１、５１、５２）を構築し、接着層は、バリヤー層の材料に対して選択的にエッチングできる材料から形成すること、
−接着層とハンドル基板（４０、６０）とを組み立てること、
−支持ウエハの全部又は一部を削除した後に
＊前記ハンドル基板と組み立てられていない表面（４７）の側から薄層又はチップを加工すること、或いは、
＊薄層又はチップと組み立てられていない支持ウエハの表面（４９、４９’）を加工すること、
−ハンドル基板を削除すること、及び
−接着層及び第一のバリヤー層を除去して当初のトポロジーを再度出現させること
を含む方法。
【請求項５】
薄層又はチップ、或いは支持ウエハ面の加工が、金属層の蒸着、及び／又はリソグラフィー、及び／又はエッチング、及び／又はイオン注入、及び／又は洗浄、及び／又は薄膜化のステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第一のバリヤー層を、このバリヤー層の直接下方に位置する材料に対して選択的にエッチングできる材料から形成する、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
第一のバリヤー層が１０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有し、及び／又は前記薄層又は前記チップの表面と一致するか、或いは５００ｎｍより大きな厚さを有し、前記薄層又は前記チップの表面と一致する、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
高低差が１０ｎｍ〜５μｍである、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
薄層又はチップの表面が電気的接触領域（２４、４６）を含む、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
接着層（４２）が無機物から形成されている、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
接着層が二酸化ケイ素から形成されている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
接着層が有機物から形成されている、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
接着層がＢＣＢタイプのポリマー又は接着剤から形成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第一のバリヤー層（２２）が窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）、又はアモルファスシリコンから形成され、接着層（３２）が酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から形成されている、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
第一のバリヤー層（２２）が酸化物（ＳｉＯ２）から形成され、接着層（３２）が窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）から形成されている、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
薄層（３８）又はチップがバリヤー層の直接下方に位置する、請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
薄層又はチップの表面の少なくとも一部（３９）が、酸化物、オキシナイトライド、又は窒化物から形成されている、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
薄層又はチップの表面の少なくとも他の一部が接触領域を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
第二のバリヤー層（２０）、又は保護層が、第一のバリヤー層（２２）と薄層又はチップの表面との間に位置する、請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記第二のバリヤー層（２０）が、薄層又はチップの表面材料に対して選択的にエッチングできる材料から形成されている、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
第二のバリヤー層（２０）の厚さが１０ｎｍ〜５００ｎｍである、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
第二のバリヤー層が酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から形成される、請求項１９ないし２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
接合面の前処理ステップを更に含む、請求項１ないし２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
薄層（３８）又はチップを基板上に移動する方法であって、この薄層又はチップは、支持ウエハ（３４）によって保持されて、表面トポロジー、即ち、薄層によって画定される平面に垂直な方向に沿って高低差を有し、この薄層又はチップの表面は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又はシリコンオキシナイトライドからなる少なくとも一つの層と、金属性接触パッド（５６）とを有し、
−前記薄層又はチップ表面の上方に、窒化物に対して選択的にエッチングできる材料から形成された、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層（２２、２４、３２、５８、５４、４２）を構築すること、
−薄層又はチップを前記基板上に移動すること、
−接着層を除去して当初のトポロジーを再度出現させること
を含む方法。
【請求項２５】
移動することが、接着層とハンドル基板（４０、６０）とを事前に組み立てること、及び支持ウエハの全部又は一部を除去することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
基板上に移動することの後に、ハンドル基板を除去することを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
薄層（３８）又はチップを加工する方法であって、この薄層又はチップは支持ウエハ（３４）によって保持されて、表面トポロジー、即ち薄層によって画定される平面に垂直な方向に沿って高低差を有し、この薄層又はチップの表面は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又はシリコンオキシナイトライドから形成される少なくとも一つの層と、金属性接触パッド（５６）とを含み、
−前記薄層又はチップ表面の上方に、窒化物に対して選択的にエッチングできる材料から形成された、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層（２２、２４、３２、５８、５４、４２）を構築すること、
−接着層とハンドル基板（４０、６０）とを組み立てること、
−支持ウエハの全部又は一部を除去した後で、
＊前記ハンドルウエハと組み立てられていない面（４７）から、薄層又はチップを加工すること、或いは、
＊薄層又はチップと組み立てられていない支持ウエハの面（４９、４９’）を加工すること、
−ハンドルウエハを除去すること、及び
−接着層を除去して当初のトポロジーを再度出現させること
を含む方法。
【請求項２８】
薄層又はチップ、或いは支持ウエハ面の加工が、金属層を蒸着するステップ、及び／又はリソグラフィーのステップ、及び／又はエッチングのステップ、及び／又はイオン注入及び／又は洗浄のステップ、及び／又は薄膜化のステップを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
接着層が、二酸化ケイ素又はポリマーから形成される、請求項２４ないし２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
場合によっては第二のバリヤー層を除去することを更に含む、請求項１ないし２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
第一の基板及び／又は第二の基板への前記接合が分子接着である、請求項１ないし３０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記エッチングの選択性が、２〜１０、又は１０〜１０００、或いは１０００より大きい、請求項１ないし３１のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の開示】
【０００１】
技術分野及び先行技術
本発明はマイクロエレクトロニクスの分野に関し、本分野で使用されるウエハ又は基板の移動技術、或いはウエハ表面の加工技術に関する。
マイクロエレクトロニクスの分野において、回路を含む薄層が移動可能であることは特に重要である。薄層の移動により、特に、回路が構築されたウエハから異なるウエハへと回路を移動させることが可能となる。
例えば、これらウエハは、半導体材料からなるウエハである溶融シリカウエハとすることができ、電子コンポーネントを含んでも含まなくともよい。
【０００２】
加工済みの薄層を移動するために、複数の技術を使用することができる。
図１Ａ〜図１Ｄに示す技術は、加工層５（例えば、回路３及び電気接触パッド６を含む：図１Ａ）を含むウエハ２を、恒久ウエハ８（図１Ｃ）に接合することを含む。
【０００３】
この場合、加工済み領域を含まない当初のウエハ２の部分１は、例えば、研削、機械的又は化学―機械的研磨、或いは、エッチング（ドライ又はウエット）によって除去されている。
このとき、回路及び接触パッド６を含むウエハ５の表面は、接合面の水平面に埋め込まれている（図１Ｄ）。
【０００４】
場合によっては、ウエハ５の表面の高さを最終構造の表面と同じにすることが必要である。その場合は二重移動を行うことにより加工面を上方に戻さなければならない。このようにして接触パッドが表面に再度現われ、接触パッドを通常の方法で回復できる。
この場合、最初の移動は前述のように行われるが、回路を含むウエハ５はまず「ハンドルウエハ」と呼ばれる中間ウエハ（図１Ｄのウエハ８）に接合される。
【０００５】
当初のウエハの不要な部分は、研削、研磨、又は化学エッチングなどによって除去される。
次に、加工層の裏面を薄膜化し、有利には恒久的支持体とすることができる支持体１０に接着できるように前処理する（図２Ａ）。
【０００６】
次に、ハンドルウエハ８を、例えば接合面１２の高さで分解するか、或いは機械的及び／又は化学的除去によって除去する（図２Ｂ）。
ウエハ同士の接合は、方法の仕様又は最終構造の仕様に応じて、例えば分子接着による接合又は接着物質７の使用により行われる（図１Ｂ−図１Ｄ）。接着物質を使用する場合、接着物質は後で除去することができる。
【０００７】
ウエハと回路との接合の困難さは、層５の表面のトポロジー、即ちこの表面の隆起した領域と低位の領域の高低差ｅの存在にある。この高低差は、異なる領域における金属の高さが複数に亘ること、又は更に一般的には、異なる領域における材料の蓄積具合が様々であることによる。このような高低差は数μｍ、例えば５００ｎｍ〜５μｍに達する場合もある。
接着剤又は接着物質を使用してウエハを互いに接合することができる。この場合、表面のトポロジーによる不利を受けずに接合可能な粘性を有する接着剤又は接着物質を選択することができる。
【０００８】
分子接着による接合の場合、一般に、層４の材料を表面上に配置する（図１Ａ）。
次いで、この層を平坦化し、中間ウエハ又は最終的支持体の上に接合する。
【０００９】
このような層４が存在しない場合、接合面及び薄層が移動される境界面の高さに接合領域は無くともよい。
場合によっては、特に二重移動を行う場合（図２Ａ及び図２Ｂに示すように、加工面を最終構造の最上面に戻す）には、接合に使用する層４を部分的に除去して接触パッドとの接触を可能にしなければならない。
【００１０】
これは、例えば、回路を有する当初の層５の接触パッド６が当初オープン状態であり、パッド移動後に再度オープン状態にしなければならない場合（図３）には更に重要である。
加工層を最初の支持体上に移動した後で、リソグラフィー又はエッチング処理を行って接触パッド６を再度オープン状態にする。
【００１１】
しかしながら、これら付加的なリソグラフィー及びエッチング処理には、大変な装備が必要となる。
これらの処理には、オープン状態にすべき高さに応じて１以上のリソグラフィー用マスキングも必要となる場合がある。
更に、場合によっては、これらのステップは、回路の移動先である恒久的支持体に適合しない。
【００１２】
或いは、図１Ｄに示すステップの後で、表面９の側から層５に直接加工を施そうとするとき、やはり加工後に層５の面９とは反対側の表面のトポロジーを出現させなければならない。
或いは、図１Ｃのステップの後、例えば支持体１を部分的に除去した後で、前記支持体１を直接加工しようとするとき、やはり加工後にこの支持体１とは反対側に位置する層５のトポロジーを出現させなければならない。
【００１３】
また、回路又はコンポーネントを含むことができる、及び／又は表面トポロジーを有することができる層の移動を容易にする新規の方法を見出さなければならない。
好ましくは、層が元々表面接触パッドを含む場合、リソグラフィー処理を行うことなく接触パッドを再度オープン状態にできることが好ましい。
【００１４】
発明の概要
この問題を解決するために、本発明の目的は、基板上に移動される薄層又はチップの前処理方法を提供することであり、本方法は、前記薄層又は前記チップの表面の上方に、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層と、接着層と前記薄層又はチップの表面との間の、第一のバリヤー層と呼ばれる少なくとも一つの層とを構築することを含み、この接着層は、バリヤー層の材料に対して選択的にエッチングを行った材料から形成する。これは、接着層のエッチングレートがバリヤー層より高いことを意味する。
薄層又はチップは表面トポロジーを有する場合があるので、薄層によって画定される平面に対して垂直な方向に沿った高さは変化する。このような高低差は、数ｎｍ〜数μｍの幅を有する場合がある。
【００１５】
本発明は、薄層又はチップを基板上に移動させる方法にも関し、このような薄層又はチップは支持ウエハによって保持され、表面トポロジー、即ち薄層によって画定される平面に垂直な方向に沿った幅又は高低差を有する。本方法は：
−前記薄層又はチップの表面の上方に、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層と、第一のバリヤー層と呼ばれる少なくとも一つの別の層とを構築し、この接着層を、バリヤー層の材料に対して選択的にエッチングされる材料から形成すること、
−薄層又はチップを前記基板へ移動すること、及び
−接着層と第一のバリヤー層を除去し、当初の表面トポロジーを再度出現させること
を含む。
【００１６】
移動は、接着層とウエハ又は基板とを前もって組み立てること、並びに支持ウエハ又は基板の全部又は一部を除去することを含む。
次いで、前記ウエハ又は基板を除去する。
【００１７】
本発明は、薄層又はチップの加工方法にも関し、この薄層又はチップは支持ウエハ上に保持され、表面トポロジー、即ち、薄層によって定義される面に対して垂直な方向に沿った幅又は高低差を有する。本方法は：
−前記薄層又はチップの表面の上方に、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層と、第一のバリヤー層と呼ばれる少なくとも一つの層とを構築し、この接着層をバリヤー層の材料に対して選択的にエッチングされる材料から形成すること、
−接着層とハンドルウエハ又は基板とを組み立てること、
−支持ウエハの全部又は一部を除去し、次いで：
＊前記ハンドルウエハ又は基板と組み立てられていない側から薄層又はチップを加工すること、又は
＊支持ウエハの、薄層又はチップと組み立てられていない一方の面を加工すること、
−ハンドルウエハ又は基板を除去すること、
−接着層と第一のバリヤー層とを除去し、当初の表面トポロジーを再度出現させること、
【００１８】
薄層、チップ、又は支持ウエハ表面の加工は、金属層の蒸着及び／又はリソグラフィー加工及び／又はエッチング及び／又はイオン注入を含むことができる。
接着層は、例えば、分子接着の場合は表面特性（粗さ、平坦性、親水性）によって、又は接着剤の場合は層自体の性質によって、二つの表面を接着することが可能な有機材料又は無機材料から形成される。
【００１９】
バリヤー層は、このバリヤー層の下層の材料に対して選択的にエッチングできる材料から形成される。
一変形例では、第一のバリヤー層は、例えば、１０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有し及び／又はその表面に適合するか、或いは５００ｎｍ以上の厚さを有し且つその表面に適合する。
【００２０】
薄層又はチップの表面は電気的接触領域を含むことができる。
接着層の種類は、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、又はポリシリコン等からなる無機質でも、ＢＣＢポリマーなどの有機質でもよい。
【００２１】
第一のバリヤー層の材料は、バリヤー層に関して選択的に接着層をエッチングできるように、接着層に応じて選択することが好ましい。例えば、接着層の材料が酸化ケイ素であるとき、バリヤー層の材料は窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）又はアモルファスシリコンとすることができる。
別の実施例では、第一のバリヤー層を酸化物（ＳｉＯ２）とし、接着層の材料を窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）とすることができる。
【００２２】
薄層又はチップはバリヤー層の直下に配置することができる。
この場合、薄層又はチップの表面の少なくとも一部は、酸化物、オキシナイトライド、又は窒化物から形成することができ、この部分は、例えば不活性化層に対応する。他の部分は、例えばアルミニウム、銅等の金属から形成することができ、接触領域に対応する。
【００２３】
第二のバリヤー層又は保護層を、第一のバリヤー層と薄層又はチップ面との間に配置することができる。
第二のバリヤー層は、第一のバリヤー層を第二のバリヤー層に対して選択的にエッチングできるように選択される。
【００２４】
第二のバリヤー層は、薄層又はチップの表面上の材料に対して選択的にエッチングできる材料から形成される。
このようなバリヤー層の存在は、移動される表面の材料の保護を可能にし、特に第一のバリヤー層を除去する際に第一のバリヤー層より先にこれらの材料がエッチングされることを防ぐ。
【００２５】
有利には、二つのバリヤー層は、第一のバリヤー層より薄い第二のバリヤー層を持つことを可能にし、これにより、移動される薄層又はチップを傷つけることなく第二のバリヤー層を容易に除去することができる。
第二のバリヤー層は薄く、例えばその厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
第二のバリヤー層は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から形成することができる。
【００２６】
前述の方法は、更に、接合用の表面を前処理するステップ、例えば接着層を平坦化するステップを含むことができる。
特殊な場合では、バリヤー層は、移動される層の表面上において、一又は複数の材料から形成される。
【００２７】
従って、本発明は、基板上に移動する薄層又はチップを前処理する方法にも関し、この薄層又はチップの表面は、例えば、窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）又はシリコンオキシナイトライドから形成される少なくとも一つの層と金属接触パッドとを含み、本方法は、前記薄層又はチップの表面の上方に、下層の材料に対して極めて選択的にエッチングできる材料からなる、接着層と呼ばれる一つの層を構築することを含む。
本発明はまた、トポロジーの大きな薄層又はチップを第一の基板上に移動する方法にも関し、前述の前処理方法の後で、薄層又はチップの接着層を第一の基板に接合することを含む。
【００２８】
本方法は更に、第一の基板に接合した後で、大きなトポロジーを有する薄層又はチップを支持するウエハの裏面の全部又は一部を除去することを含むことができる。
本方法はまた、第一の基板に接合し、薄層又はチップを支持するウエハの全部又は一部を除去した後で、一又は複数の技術的ステップを含む加工を行うことを含むことができる。これは、金属層、又はリソグラフィー、及び／又はエッチング、又はイオン注入とすることができる。
次いで、薄層又はチップの裏面を、第二の最終的な基板に組み立てるか、又は接合することができ、この場合第一の基板は除去することができる。
【００２９】
本発明はまた、薄層又はチップを基板上に移動する方法にも関し、この薄層又はチップは支持ウエハによって支持され、表面トポロジー、即ち薄層によって画定される平面に対して垂直な方向に高さの変化を有し、この薄層又はチップの表面は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又はシリコンオキシナイトライドから形成される少なくとも一つの層、及び金属接触パッドを有し、本移動方法は、
−窒化物に対して選択的にエッチングできる材料から形成される、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層を、前記薄層又はチップの表面の上方に構築すること、
−薄層又はチップを前記基板上に移動すること、
−接着層を除去し、当初のトポロジーを再度出現させること
を含む。
【００３０】
本移動は、接着層とハンドルウエハ又は基板を前もって組み立てること、並びに支持ウエハの全部又は一部を除去することを含むことができる。
このような方法はまた、基板に移動した後、又は加工後に、ハンドルウエハ又は基板を除去することを含むことができる。
【００３１】
本発明はまた、薄層又はチップを加工する方法に関し、この薄層又はチップは支持ウエハによって保持され、表面トポロジー、即ち薄層によって画定される平面に対して垂直な方向に沿った高さの変化を有しており、この薄層又はチップの表面は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又はシリコンオキシナイトライドから形成された少なくとも一つの層、及び金属接触パッドを含み、この方法は：
−窒化物に対して選択的にエッチングできる材料から形成される、接着層と呼ばれる少なくとも一つの層を、前記薄層又はチップの表面の上方に構築すること、
−接着層とハンドルウエハ又は基板を組み立てること、
−支持ウエハの全部又は一部を除去した後で、
＊前記ハンドルウエハ又は基板と組み立てられていない面から薄層又はチップを加工すること、又は
＊支持ウエハの、薄層又はチップと組み立てられていない一方の面を加工すること、
−ハンドルウエハ又は基板を除去すること、
−接着層を除去し、当初の表面トポロジーを再度出現させること
を含む。
【００３２】
薄層、チップ、又は支持ウエハの一方の側の加工は、金属層の蒸着、及び／又はリソグラフィー、及び／又はエッチング、及び／又はイオン注入を含むことができる。
基板上への接合は、分子接着（又は分子接合）による接着とするか、或いは接着性基板を援用して行うことができる。
【００３３】
薄層又はチップは、特にトポロジーを有し、及び／又はオープン状態の接触パッドを有することを特徴とすることができる。
本発明の適用は、接触パッドが移動前にオープン状態である場合、及びこの層を最終的な支持体上に移動した後でそれらパッドを再度オープン状態しなければならない場合に特に有利である。この場合、本方法は更に、先に積層された一又は複数のバリヤー層を除去するステップを含む。
【実施例】
【００３４】
特定の実施形態の詳細な説明
まず図４Ａを参照して本発明を説明する。
本図において、層２８は、一又は複数のコンポーネント（図示せず）、並びにこれらコンポーネント用の接触パッド２６を含む層である。層２８は基板２４の上にある。
【００３５】
これらのコンポーネントは、電子部品及び／又は光学回路、及び／又はマイクロシステムであり、コンポーネントの一又は複数の機能は接触パッド２６のようなパッドを介して制御可能である。
コンポーネント及び接触パッドを含む層は、表面トポロジー、即ちこの表面の高低差を含むことができ、これは、例えば金属面の複数の高さ、一般的には異なる材料が積層されている異なる領域の複数の高さに相当する（図４Ａ）。
【００３６】
これらの高低差は、数μｍ程度（層２８により定義される平面であって、図４ＡのＡＡ’で示す平面に垂直なｚ方向に）に達する場合があり、これらの値は、例えば数十ｎｍ〜数μｍ、例えば１０ｎｍ、５０ｎｍ又は５００ｎｍ〜１μｍ又は５μｍである。
高低差には以下の二種類があり、それらは
−表面の最高地点と、再度オープン状態にされる領域（例えば接触パッド２６）との高低差ｅ、及び
−表面の最高地点と、最低地点１９（例えば細線で示す底部）との高低差ｈであって、表面全体に良好な平坦性を確保することを可能にする接着層の厚みを決定する際に考慮される厚み
である。
【００３７】
本発明はまた、均一な表面に適用可能であり、例えば、いずれの領域にも金属を有さず、それぞれが表面トポロジー、即ち特に上記の範囲に亘る上述のような高低差を有する表面に適用可能である。
【００３８】
第一の層２０は、加工済みのウエハ２８の表面に積層される。
層２０は、「保護層」、及び／又は「第二のバリヤー層」とも呼ばれ、第一のバリヤー層（後述）として定義される表面層２２をエッチングする間にバリヤー層として機能するように選択される。また、有利には、層２０を最終的に除去する際に（例えば、最終支持体への移動後にコンポーネントの接触パッド部２６をオープン状態にするため）、層２０に対して適用されるエッチング（ウエット及び／又はドライエッチング、及び／又は機械的及び／又は化学的エッチング）が、層２８の表面材料（特に、接触パッド２６の高さにおける金属化を含む）に対して、殆ど又は全く影響しないように、層２０を選択することができる。
【００３９】
第一の変形例において、この第一の層２０は、第一のバリヤー層の材料とは異なる材料で形成されており、これら二つの層が加工ウエハ２８の表面上に配置されていることで、層２０を除去するエッチングにより層２０の下方に位置する層２８の表面が被る影響が可能な限り限定される。
換言すると、層２０は、バリヤー層と呼ばれる第一の層に対するバリヤー層の特徴を示す材料から構築され、ウエハ２８を構成する材料に対して選択的にエッチングできる。層２０を除去するためのエッチング又は他のあらゆる技術がウエハ２８に与える影響は無視できる程度である。
【００４０】
一般に、二つの材料のエッチングレートの関係を選択性と呼び、本明細書では、層２０の材料と層２８の材料と（又は後述の層２２と層２０、並びに層２５と層２２）の関係を選択性と呼ぶ。例えば、エッチングレートの比率（Ａ層のエッチングレート／Ｂ層のエッチングレート）が１より大きければ、Ａ層のエッチングは、Ｂ層に関して選択的に行うことができる。
この比率が、１０より大きいか、１０〜１０００であるか、又は１０００より大きい場合、エッチングの選択性が高いと言える。
【００４１】
エッチングレートの比率が２〜１０である場合、選択性は中程度であると言える。
比率が２未満であるが１より大きい場合、選択性は低いと言える。
【００４２】
前記実施例では、層２０のエッチングレートと層２８のエッチングレートとの比率、又は層２２のエッチングレートと層２０のエッチングレートとの比率を考慮して、エッチングの選択性が高いか、中程度か、又は低いかを判断する。
選択性は、最も高い領域と再度オープン状態にするべき領域との間のトポロジーｅにより選択される。つまり、例えば、層２５のエッチングは、層２２に関して選択的に行わなければならない。
【００４３】
複数の材料と一部のエッチング溶液の代表的なエッチングレートを下の表１に示す。
表１
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【００４４】
第二の変形例においては、保護層は、層２８の表面の一部と同一であり（例えば、不活性化部分）、従って除去可能な過剰な厚みを有する例えばＳｉＯ２から構成できる。
通常、層２０のオーバーエッチングも可能である。層２０をオーバーエッチングし、よって、金属部分２６をエッチングすることなく層２８を少しだけエッチングすることが可能である。
【００４５】
アルミニウムの接触パッドを有するオキシナイトライド又は窒化ケイ素から形成されたウエハ２８の場合、層２０は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から作成される。
層２０は更に、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍの薄い層にすることができ、よってこの層２０のエッチング処理全般の制御を向上させることができる。
【００４６】
このように厚さが１０ｎｍ〜５００ｎｍに限定されていても、層２０の材料が層２８の表面に存在する材料と略、同じ性質を有する場合であっても、層２０のエッチングを制御するのに十分である。例えば、層２０を、厚さ１０ｎｍ〜１００ｎｍ、例えば、５０ｎｍのＳｉＯ２からなる層とし、層２８の表面領域もＳｉＯ２から形成できる。
第二の層２２は、第三の層２５に対し、第一のバリヤー層と呼ばれるいわゆる「バリヤー層」を形成し、この層自体が接合用又は接着性の層として選択される。
【００４７】
層２２のエッチング特性は第一の層２０の特性とは異なり、よって層２２は、層２０に影響を与えることなく、或いは表面に影響を与えるだけで、後でエッチングによって除去することができる。オーバーエッチングも可能であり、つまり層２２のエッチングにより、層２０を、いずれの部分も消滅させることなく、若干エッチングできることを意味する。
換言すると、層２２は、最終的な除去の際に、そのエッチング処理（ウエット及び／又はドライエッチング、及び／又は機械的及び／又は化学的エッチング）が、層２２の下の層２０の表面に全く又は殆ど影響を与えないか、或いはこの層２０の基礎となる材料を可能な限り制限しないように選択される。
【００４８】
更に言い換えると、層２２は、層２０を形成する材料に対する上述したエッチング選択性が、例えば少なくとも＞１．５である材料から形成される。層２２を除去するためのエッチング又はいずれかの技術は、層２０に無視できる程度の影響を与えるだけであるか、或いは若干の影響を与えるがその影響は部分的に過ぎない。
層２５は、接合特性により選択される。この層は、例えば分子接着による接合を可能にする層であり、例えばＳｉＯ２の層である。これらの接着特性は、層の表面を、例えば機械―化学研磨、又は化学及び／又は機械的洗浄によって前処理することにより向上する。
【００４９】
この層の厚さは、ｈの関数、即ちウエハの初期トポロジーの関数であることが好ましい。良好な平坦性と均一な接合状態を得るには、この層の厚さは、例えば２ｘｈである。
第一のバリヤー層の厚さは、接合層と第一のバリヤー層とのエッチング選択性に基づいて決めることが好ましいが、高低差ｅと接着層の平均厚さに基づいて決めてもよい。
この接着層を除去する間に、層２２は、殆ど又は全く影響を受けない。
【００５０】
一実施例によれば、層２２は、ＳｉＯ２からなる薄層２０（厚さ１０ｎｍ〜１００ｎｍ）の上に、窒化ケイ素から形成され、接合層２５はＳｉＯ２で形成され、薄層２８もＳｉＯ２から形成されて、例えばアルミニウムの接触パッドを有する。本実施例については、図５Ａ−図５Ｃを参照して、以下に更に詳細に説明する。
【００５１】
図４Ｂに示す本発明の別の実施例によれば、第一の層２１（第一のバリヤー層に相当）を層２８の表面に配置することができる。
これは、例えば厚さ１０ｎｍ〜１００ｎｍの窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４の層２１である。
【００５２】
次に、第二の材料からなる第二の層３２を積層する。これは接合層である。この第二の材料の物理的特性は、層２１の材料とは異なり、層２１は層３２のエッチング溶液全てに対して「バリヤー層」の役割を果たす。
従って、層３２のエッチング特性は、第一のバリヤー層２１のエッチング特性とは異なり、よって層２０に影響を与えることなく、又は表面的に影響するだけで、層３２を後でエッチングにより除去することができる。
【００５３】
換言すると、層３２は、この層を最終的に除去する際のエッチング処理（ウエット又はドライエッチング、及び／又は化学又は機械−化学的エッチング）が、下方に位置する層２１の表面の材料に全く又は殆ど影響を与えないように選択されるか、或いは下方に位置する層２１の材料をできるだけ制限しないように選択される。
更に言い換えると、層３２は、上記で説明したように、層２１を形成する材料に対して選択的にエッチング可能な材料から形成される。層３２を除去するためのエッチング又はいずれかの技術が層２１に対して与える影響は無視できる程度である。場合によってはオーバーエッチングも可能であり、即ち層３２をエッチングすることによって、層２１を若干エッチング又は除去することが可能であるが、その際層２１のいずれの部分も完全に消失することはない。
【００５４】
第二の層３２は、例えばＳｉＯ２（酸化物）から形成される。この層は、ポリマータイプの接着物質（樹脂、ＢＣＢ等）であってもよい。
積層された層２１、３２の特徴が、直接的な分子接合と適合しない場合（即ち、平坦化が不十分、及び／又は表面粗さが大きい）、機械−化学的平坦化ステップを行ってから表面３３を洗浄し、その後処理されたウエハを、ハンドルウエハ又は基板などの基板４０に接合することができる。
【００５５】
このような別の実施形態によれば、層２１に対して層３２を選択的にエッチングできることにより、後で層２１をエッチングすることなく層３２を除去し、次いで第二のステップとしてこの層２１をエッチングすることができる。層２１の性質及び／又は厚さが限定されていることにより、エッチングを確実に制御できる。従って、ウエハ２８を傷つける危険はない。
別の実施例においては、層２８が酸化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、又は窒化ケイ素から形成される場合、層２１はアモルファスシリコンから形成され、層３２は二酸化シリコンから形成される。この場合、層２１がバリヤー層として機能し、やはり後で行われる接着層３２のエッチングの間に保護層としての役割を果たす。
【００５６】
図５Ａ−図５Ｃに示す本発明の実施形態においては、連続的に、保護層、及び第二のバリヤー層と呼ばれ、例えばＳｉＯ２から形成される薄い（例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍ）層５０と、次いで窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）からなるバリヤー層５２とを配置することができ、更にはウエハ４８の表面もＳｉＯ２から形成することができる。
ＳｉＯ２に関してＳｉ３Ｎ４を選択的にエッチングできることにより、薄い酸化物層５０を深くエッチングすることなく、層５２をエッチングすることが可能である。
【００５７】
また、層５０は薄いので、制御可能な方法で容易に除去することが可能であり、その際ウエハ４８又は金属パッド４６をエッチングするリスクは殆ど又は全くない。
層５２を平坦化することにより、平坦な表面を有するサブ層５１と呼ばれる部分だけを残すことが可能である（図５Ｂ）。
【００５８】
別の基板６０、例えばハンドルウエハ又は基板に対する接合を強化するために、特に分子接着を目的とした、接合又は良好な接着のための追加層５４、例えばＳｉＯ２からなる層を、サブ層５１の上に加えることも可能である（図５Ｃ）。
追加的な接合層５８、例えばＳｉＯ２層はまた、平坦化されていない層５２（図５Ａ参照）に直接追加することができ、よって基板６０との接合、特に分子接着を行うための接合面全体の前処理、特に平坦化を行うことができる。
【００５９】
このような追加層５４又は５８により、層５１又は層５２の厚さを制限することができ、後で、例えばエッチングにより、限定された厚みを有する層５１又は５２を除去するだけでよい。この後で行うエッチング工程は、層５０又はウエハ４８を損なう危険無く、非常に良好に制御された方法で行うことが可能である。
二つの第一の層５０と層５１とのエッチング選択性が十分でない場合、又は第二の層の平坦化が分子接着に十分でない場合、第三の層５４、５８の使用は特に有利である。
【００６０】
本変形例は、積層された第二の層５２自体が接合に余り適していない場合にも有効である。
前述したように、追加層５４、５８は、層５１、５２に関して選択的に除去することが可能なエッチング特性を有しており、層５１、５２はエッチングステップの間にバリヤー層の役割を果たす。
【００６１】
次に、この構造を別のウエハ４０又は６０、例えばハンドルウエハ又は基板に接合する。本接合技術は、特に分子接合（図５Ｂの場合）、或いは図４Ａ又は４Ｂに示す層２５、３２、又は図５Ａ又は図５Ｃに示す層５４、５８のような接着物質を使用することができる。
接合強度を向上させるため、熱処理を行うこともできる。
【００６２】
次に、移動される薄層を搭載する基板２４又は４４を、例えば研削、機械−化学的研磨、又はＴＭＡＨエッチング等の機械的及び／又は化学的手段によって除去する。
次いで、ハンドルウエハ、或いは基板４０又は６０に接合された、加工層２８、４８の薄膜化された裏面２７又は４７を前処理して最終的支持体に取り付け可能にする。
【００６３】
この前処理手段は、例えば機械−化学研磨、化学洗浄、及び機械洗浄の中から選択することができる。
このような裏面２７又は４７を、恒久的基板（例えば、ガラス、シリコン、又はサファイアの基板か、その熱特性、電気特性（絶縁性又は導電性）、又は光学特性によって選択された基板か、或いは、加工済み又は未加工の、電子的及び／又は光学的及び／又は機械的コンポーネントを含むか、又は含まない半導体基板）に接合した後で、分子接着、又は接着物質（糊、樹脂．．．）の使用により、ハンドルウエハ、或いは基板４０又は６０を除去することができる。
【００６４】
接合を強化するため、熱処理などの特定の後処理を行うことができる。
ハンドルウエハ又は基板４０、６０の除去は、当初の基板２４、４４の全部又は一部を除去するために使用した方法と同一の方法によって、或いはハンドルウエハ又は基板の解体を可能にする手段によって行うことができる。
【００６５】
好適には、このような解体は、回路ウエハ基板４０、６０と、移動される薄層２８、４８との間の接合面で行うことができる。
次に、この層２８、４８の移動が完了した後で、その表面上に配置された層２０、２１、２２、２５、３２、５０、５１、５２、５４、５８を、様々な手段、例えば、プラズマエッチング及び／又は溶液又はガス相での化学エッチング、及び／又はイオンエッチング、及び／又はエッチング及び／又は機械−化学研磨により漸次除去する。
【００６６】
多層積層の利点は、第一の堆積層２０、２１、５０によって保護された接触パッド２６、４６、及びウエハ２８、４８の表面を傷つけることなく、複数の層を、連続的に且つ個別に、制御された方式でエッチングできることである。これらの層は、前述のように、層４８の表面に影響を与えることなく、最後に除去される。
【００６７】
図６に示す別の実施例によれば、移動される基板３８の表面上には、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）又はシリコンオキシナイトライドからなる層３９、及び／又は、例えば銅又はアルミニウムの金属接触パッド５６が含まれている。
接合層４２は、分子接着の場合は例えば二酸化ケイ素ＳｉＯ２から形成され、接着層の場合はＢＣＢポリマーから直接ウエハ３８上に形成される。
【００６８】
一般的には、移動される基板３８の上に、層３８の表面上の材料３９、５６に対して選択的にエッチングされる材料からなる層４２を形成することができ、これにより、ウエハ３８、即ち材料３９と接触パッド５６のいずれにも損傷を与えることなく、接着層４２を確実に除去することができる。
次に、前述したように、例えばハンドルウエハ又は基板上への移動が行われ、二重移動の場合には次いで恒久的基板上への移動が行われる。
次いで、表面３９又は接触パッド５６を傷つけることなく、層４２をエッチングによって除去することができる。
【００６９】
従って、本発明は、薄層、特に移動後に再度出現させる大きなトポロジーを含む薄層の移動方法にも関連し、本方法は、
ａ）前述のような、バリヤー層と呼ばれる接着層又は複数の層のスタックを、薄層の表面に構築すること、及び
ｂ）支持ウエハ又は基板（例えば図４Ｂ−図５Ｃに示すウエハ４０、６０）上で、この接着層又はスタック、及び薄層を接合すること
を含む。
【００７０】
この支持ウエハが一時的なものである場合、本方法は更に、
−大きなトポロジーを有する薄層を保持しているウエハ（例えば図４Ａ−図６に示すウエハ２４、３４、４４）の裏面部分の全部又は一部分を除去すること、
−この薄層の裏面を最終的な支持体に接合すること、
−一時的な支持ウエハ又は基板を除去すること、及び
−図４Ａ−図６を参照して上述した実施形態の一つに従って、接着層又は複数層のスタックを除去して当初のトポロジーを再度出現させ、接着層又は積層スタックの特性を可能にすること
を含むことができる。
【００７１】
同様に一時的に支持ウエハ又は基板を用いる一変形例では、本方法は、前記ステップａ）及びｂ）の後に、
−大きなトポロジーを有する薄層を保持するウエハの表面４９を加工すること（例えば図５Ａの参照記号をそのまま引用する図７Ａに示すように、基板４４、チップ４８、及び積層スタック５０−５１から構成された部分とサポート６０とを組み立て、ウエハ４４を表面４９の側から加工する。加工は基板４４を部分的に除去した後で表面４９’から行ってもよい。本加工は、例えば、金属層を蒸着する１ステップ、及び／又は１又は複数のリソグラフィー／エッチングステップ、及び／又はイオン注入及び／又は洗浄及び／又は薄層化のための１又は複数のステップ処理を含んでもよい）、或いは
−薄層又はチップ４８を保持するこのウエハ４４を除去し、この薄層又はチップを加工すること（例えば図７Ａと同じ参照符号を用いて図７Ｂに示すように、支持ウエハ４４を除去し、表面４７の側からチップを加工できる）
を更に含むことができる。
次に一時的な支持ウエハ又は基板６０を除去し、その後多層スタック５０−５１を除去することができる。
【００７２】
支持ウエハ、特にウエハ６０のような一時的な支持体又は基板への、分子接着による接着に適した平坦な表面を得ることが可能になるので、前述の様々な事例においては、多層スタックを使用することが好ましい。
更に、上述のように、それぞれ異なるエッチング特性のためにスタック層が選択されて、下方に位置する層が、上に直接接する層を除去する間にバリヤー層として機能する。
【００７３】
このような実施方法により、接触パッドを再度出現させるために層の最終的な除去を行うことが容易になる。
多層スタックは、バリヤー層として窒化ケイ素からなる少なくとも一つの層を含むことができる。
接着層は、例えば酸化ケイ素からなる層とすることができる。
【００７４】
本発明による方法は、例えば「チップ」等の小さな対象物を移動する場合にも適用できる。
前述の方法では、接着層又は中間層は、ＰＥＣＶＤ蒸着法又はＬＰＣＶＤ蒸着法によって得ることができる。
【００７５】
一例示的実施形態は加工ウエハ（例えばＳＯＩ基板上の）に関し、この加工ウエハにおいてはコンポーネント又は回路がＳｉからなる表面を有する薄層内に配置されており、表面にはオープン状態の接触領域（アルミニウム：Ａｌ）及び不活性化領域（窒化ケイ素：ＳｉＮ）が含まれる。このウエハの表面上で測定される最大のトポロジーｈは、例えば２μｍ（例えば細線で示す最も高い領域と最も低い領域との高低差）である。前述のように、好適には接着層の厚さをｈに基づいて選択することにより、良好な平坦性及び表面全体に亘る均一な接合を可能にする。
最も高い領域と、再度オープン状態にする接触領域との間の高低差であるｅは、ｈと異なってもよい。本明細書では、これを例えば１μｍとする。
【００７６】
図４Ａの概略図に示すように、本発明の一実施形態により、この種のスタックを次のように形成できる。
−「保護」層と呼ばれる厚さ５０ｎｍの層２０を（加工された表面上に）、例えばＰＥＣＶＤ法により、ＳｉＯ２  ＴＥＯＳ又はオルトケイ酸塩から形成する。
−「バリヤー」層と呼ばれる厚さ５００ｎｍの層２２を（層２０の上に）、例えばＰＥＣＶＤ法により、ＳｉＮから形成する。
−「接着」層と呼ばれる厚さ４μｍの層２５を（層２２の上に）、やはりＰＥＣＤＶ法によってＳｉＯ２  ＴＥＯＳから形成する。
次に、ハンドルウエハ又は基板に接合するために、層２５を平坦化及び洗浄する。接合力を向上させるため、有利には、低温（例えば２００℃）での熱処理を行うことができる。次に、加工ウエハの裏面２４を機械研削によって薄くし、次いでＳＯＩ基板に埋め込まれた酸化層に達するまでエッチングする。次いでの酸化層の表面を前処理し、溶融シリカに接合する。例えば２００℃での熱強化処理を行うことができる。次いで、ハンドルウエハ又は基板を削除する（例えば、機械研削及び化学エッチングにより）。
【００７７】
このようにして、平坦化した層２５、層２２、層２０及び、最終的にはオープンな状態の接触領域と不活性化領域を有するウエハの当初の表面を再度表面に出現させることができる。層２５（「接着」層と呼ばれる）は、化学的に（例えば、２５％でのＨＦ処理、及び／又はＢＯＥ３０／１）によって除去することができる。繰り返すが、本発明の目的は、接触領域の高さ（高さｅ）まで接着層を除去することであり、トポロジーの最下点（高さｈ：例えば細線）まで削除することは必ずしも必要でない。この時、層２２は層２５（３−５程度の選択性）を除去する際にバリヤーとなる高さとして機能する。このステップの間に、層２２は若干エッチングされてもよい（例えば厚さ約２００ｎｍ以上）。次に、Ｈ３ＰＯ４エッチング（１６０℃での）により層２２（初期表面と一致することが好ましい）を除去することができる。層２２を除去する間には「保護」層と呼ばれる層２０がバリヤー層（選択性〜１０）として機能し、また下部の材料（加工層）に対する保護層として機能する。最後に、層２０（表面と一致）は、化学槽への急速浸漬（例えば、ＢＯＥ（「バッファード・オキサイド・エッチ」）３０／１）、又はプラズマエッチングによって除去する。
【００７８】
別の実施例は、加工されてオープン状態の接触領域（銅：Ｃｕ）と不活性化領域（酸化ケイ素：ＳｉＯ２）とを有するウエハ（例えば、バルク基板又は塊状Ｓｉ基板）に関する。本ウエハの表面上で測定される最大のトポロジーｈは、例えば３μｍである（最も高い領域点と最も低い領域との間、例えば細線で示す）。最も高い領域と、再度オープン状態にされる接触領域との間の高低差ｅは、ｈと異なってもよく、ここでは５００ｎｍと仮定する。
よって、本発明の別の実施形態に従って、図４Ｂに示すような積層スタックを次のように形成することができる。
−「保護及びバリヤー」層と呼ばれる厚さ２００ｎｍの層２１を（加工表面の上に）ＳｉＮから形成する。
−「接着」層と呼ばれる厚さ５μｍの層３２を（層２１の上に）、例えばＰＥＣＶＤにより、ＳｉＯ２、ＴＥＯＳから得る。
【００７９】
次いで層３２の平坦化と洗浄を行い、ウエハ又は基板に接合する。有利には、低温（例えば、３００℃）での熱処理を行うことにより、接合面の強度を向上させる。次に、加工ウエハ２８の裏面２４を機械研削によって削り、次いで機械−化学研磨により移動層の最終的な厚さを６μｍに研磨する。このようにしてＳｉ基板２８の表面２７を前処理し、溶融シリカの基板に接合する。熱強化処理は例えば２００℃で行うことができる。次いで、「回路ウエハ」基板４０を除去する（例えば機械研削及び化学エッチングを用いる処理によって）。
このようにして、平坦化した層３２、層２１、及び最後にオープン接触領域と不活性化領域とを有するウエハの当初の表面を、再度表面上に出現させることができる。層３２（「接着」層と呼ばれる）は化学的に除去することができる（例えば５０％でのＨＦ処理、及び／又はＢＯＥ  ３０／１により）。繰り返すが、本発明の目的は、接触領域の高さ（高さｅ）まで接着層を除去することであり、必ずしもトポロジーの最下点まで除去することではない。この時、層２１は、層３２を除去するためのバリヤーの高さ（選択性は３〜５程度）として機能する。層２１は、このステップの間に若干エッチングされてもよい（例えば厚さ約１２０ｎｍに亘って）。次いで、層２１（当初の表面と一致）を、ドライエッチングによって除去することができる。特定の方法では、下部の材料（加工層：ここではＣｕ及びＳｉＯ２）に対する選択性が＞１０となり得る。
【００８０】
最後に、以下の表２に、図４Ａに示すような構造における材料の可能な組み合わせの例を示す。
表２
2008502129.tif 000004
2008502129.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】Ａ−Ｄは、既存の単一回移動法のステップを示す。
【図２】Ａ及びＢは、既存の二重移動法のステップを示す。
【図３】回路を含む層を有する構造を示す。
【図４】Ａ及びＢは、本発明による方法のステップを示す。
【図５】Ａ−Ｃは、本発明による第二の方法のステップを示す。
【図６】本発明による第三の方法を示す。
【図７】Ａ及びＢは、本発明による別の方法のステップを示す。
【図１Ａ】
2008502129.tif 000006
【図１Ｂ】
2008502129.tif 000007
【図１Ｃ】
2008502129.tif 000008
【図１Ｄ】
2008502129.tif 000009
【図２Ａ】
2008502129.tif 000010
【図２Ｂ】
2008502129.tif 000011
【図３】
2008502129.tif 000012
【図４Ａ】
2008502129.tif 000013
【図４Ｂ】
2008502129.tif 000014
【図５Ａ】
2008502129.tif 000015
【図５Ｂ】
2008502129.tif 000016
【図５Ｃ】
2008502129.tif 000017
【図６】
2008502129.tif 000018
【図７Ａ】
2008502129.tif 000019
【図７Ｂ】
2008502129.tif 000020
【国際調査報告】
2008502129.tif 000021
2008502129.tif 000022
2008502129.tif 000023
2008502129.tif 000024
2008502129.tif 000025
2008502129.tif 000026