(57)【要約】電離真空計１１０を少なくとも１つの他の真空センサに組み合わせることによってガス圧を測定するための方法および装置。真空ゲージ１６５に結合された不揮発性メモリ１４０が、工場での較正にもとづく個々のセンサに固有の較正パラメータを含んでいる。この不揮発性メモリ１４０は、電離真空計１１０によって引き起こされる温度勾配を補償するために、熱に影響されやすい真空センサのための較正パラメータを含むことができる。この較正パラメータは、電離真空計１１０がオンまたはオフの両方であるときに割り出された較正データの関数である。不揮発性メモリ１４０は、真空ゲージ１６５の不調または故障の原因の調査に役立つよう、所定の時間間隔で更新され、かつエラー事象などといった事象に応答して更新される真空ゲージ１６５の測定データのウインドウを保存することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲のガス圧を測定するための装置であって、
電離真空計、
感熱センサ、および
前記感熱センサに結合された不揮発性メモリを有しており、
前記不揮発性メモリが、前記電離真空計のオンおよびオフの両方において取得された較正データにもとづく前記感熱センサの温度補償較正パラメータを含んでいる装置。
【請求項２】
請求項１において、前記感熱センサが、熱損失センサである装置。
【請求項３】
請求項１において、前記不揮発性メモリが、前記電離真空計および前記感熱センサと一体である装置。
【請求項４】
請求項１において、さらに前記電離真空計および前記感熱センサに組み合わせられ、前記感熱センサの出力に応答して前記電離真空計をオンにするコントローラを有している装置。
【請求項５】
請求項４において、前記不揮発性メモリが、前記電離真空計および前記前記感熱センサと一体である装置。
【請求項６】
周囲のガス圧を測定するための方法であって、
電離真空計を用意するステップ、
感熱センサを用意するステップ、
前記電離真空計および前記感熱センサに結合され、前記電離真空計のオンおよびオフの両方において取得された較正データにもとづく前記感熱センサの温度補償較正パラメータを含んでいる不揮発性メモリを用意するステップ、および
前記感熱センサから出力される測定データに、前記較正パラメータを適用するステップ
を含んでいる方法。
【請求項７】
請求項６において、さらに前記感熱センサの出力に応答して前記電離真空計をオンにするステップを含んでいる方法。
【請求項８】
周囲のガス圧を測定するための装置であって、
電離真空計、
感熱センサ、および
前記電離真空計のオンおよびオフの両方において、前記感熱センサを較正するための手段を有している装置。
【請求項９】
周囲のガス圧を測定するための装置であって、
真空ゲージ、および
後段の計器の分析のために前記真空ゲージに結合され、前記真空ゲージの測定データを保存する不揮発性メモリを有している装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記不揮発性メモリが、前記真空ゲージと一体である装置。
【請求項１１】
請求項９において、前記不揮発性メモリが、所定の時間間隔で更新される装置。
【請求項１２】
請求項１１において、測定データのウインドウが、前記不揮発性メモリに保存される装置。
【請求項１３】
請求項９において、前記不揮発性メモリが、或る事象に応答して更新される装置。
【請求項１４】
請求項１３において、測定データのウインドウが、前記不揮発性メモリに保存される装置。
【請求項１５】
請求項１３において、前記事象が、エラーである装置。
【請求項１６】
請求項９において、前記真空ゲージが、電離真空計、熱損失センサ、およびダイヤフラムセンサを含んでいる装置。
【請求項１７】
請求項１６において、前記電離真空計の測定データが、フィラメント放射電流およびイオン電流を含んでいる装置。
【請求項１８】
請求項１６において、前記熱損失センサの測定データが、熱損失センサについて検出される電気的パラメータを含んでいる装置。
【請求項１９】
請求項１６において、前記ダイヤフラムセンサの測定データが、ダイヤフラムセンサの電子回路からの出力を含んでいる装置。
【請求項２０】
周囲のガス圧を測定するための方法であって、
真空ゲージを用意するステップ、
不揮発性メモリを、前記真空ゲージに結合して用意するステップ、および
前記真空ゲージの測定データを前記不揮発性メモリに保存するステップを含んでいる方法。
【請求項２１】
請求項２０において、前記不揮発性メモリが、前記真空ゲージと一体である方法。
【請求項２２】
請求項２０において、前記不揮発性メモリが、所定の時間間隔で更新される方法。
【請求項２３】
請求項２２において、測定データのウインドウが、前記不揮発性メモリに保存される方法。
【請求項２４】
請求項２０において、前記不揮発性メモリが、或る事象に応答して更新される方法。
【請求項２５】
請求項２４において、測定データのウインドウが、前記不揮発性メモリに保存される方法。
【請求項２６】
請求項２４において、前記事象が、エラーである方法。
【請求項２７】
請求項２０において、前記真空ゲージが、電離真空計、熱損失センサ、およびダイヤフラムセンサを含んでいる方法。
【請求項２８】
請求項２７において、前記電離真空計の測定データが、フィラメント放射電流およびイオン電流を含んでいる方法。
【請求項２９】
請求項２７において、前記熱損失センサの測定データが、熱損失センサについて検出される電気的パラメータを含んでいる方法。
【請求項３０】
請求項２７において、前記ダイヤフラムセンサの測定データが、ダイヤフラムセンサの電子回路からの出力を含んでいる方法。
【請求項３１】
周囲のガス圧を測定するための装置であって、
真空ゲージ、および
前記真空ゲージに結合され、前記真空ゲージの測定データを保存するための手段を有している装置。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
この出願は、２００４年１２月１４日に出願された米国特許出願第11/012,871号の継続出願である。上記出願の教示の全体が、ここでの言及によって本明細書に取り入れられたものとする。
【背景技術】
【０００２】
複合真空ゲージは、複数の真空センサで構成されており、これら複数の真空センサのそれぞれが、当該ゲージまたは当該ゲージに接続されたチャンバの内部の真空圧力を測定するための別個の物理的手段を使用している。測定者は複合真空ゲージによって、異なる真空測定範囲が重なり合うように、異なる種類のセンサを使用するので、センサをただ１つしか持たない真空ゲージに比べてより幅広い範囲の圧力を測定することができる。複合真空ゲージの出力を、ゲージ・アセンブリに取り付けることができ、あるいはケーブルによってゲージ・アセンブリに接続することができる連係する制御用電子機器に合成させることができる。
【０００３】
複合真空ゲージは、真空圧力を測定するための１つ以上の物理的手段を有しているため、正確な真空圧力の測定を得るために、真空センサのそれぞれについて異なる補正係数が必要とされる。これらの補正係数は、圧力、ゲージの動作パラメータ、温度、気体の種類、およびどのセンサが動作しているか、などといった事柄に依存して変化する。
【０００４】
複合真空ゲージのセンサを、包括的な補正係数によって較正することが、一般的な慣例となっている。しかしながら、このような慣例の較正では、たとえ同種のセンサであったとしてもすべてのセンサが同一ではなく、したがって異なる補正係数を必要とするため、真空圧力の測定が不正確なものになる。このような測定の不正確さは、２つのセンサからの測定値が所与の圧力範囲において重なり合っており、これら測定信号が合成された出力信号に組み合わせられる場合に、とくに顕著になる。そこで、複合真空ゲージの個々のセンサのそれぞれについて、固有の補正係数が工場において決定され、制御用電子機器に差し込むことができるメモリ・モジュールによって供給される。このやり方で、複合真空ゲージを、現場においてメモリ・モジュールと一緒に交換することができる。
【発明の開示】
【０００５】
複合真空ゲージにおいては、補正係数が真空センサ間の相互作用を考慮に入れていない場合にも、真空圧力測定の不正確さが生じる。例えば、多くの複合真空ゲージは、真空測定値のうちの低い圧力の範囲を測定するために、電離真空計を備えることができ、真空測定値のうちの高い圧力の範囲を測定するために、熱損失センサを備えることができる。複合真空ゲージにおける温度の変動の大きな原因は、電離真空計のフィラメントによって生成される熱である。電離真空計が熱損失センサに密に近接しているため、熱損失センサは、わずかな製造公差、材料のばらつき、および真空継手の相違ゆえの熱的なばらつきのため、それぞれの複合真空ゲージに固有の様相で、電離真空計との熱的な相互作用を有している。複合真空ゲージは電離真空計のフィラメントの近傍において最も高温となるため、熱損失センサの温度補償方程式に悪影響を及ぼす温度勾配であって、複合真空ゲージが工場においてオーブン内で種々の温度において較正されるときには存在しない温度勾配が存在している。
【０００６】
熱損失センサなどといった感熱センサについて、電離真空計によって引き起こされる温度勾配の不都合な影響を克服するために、感熱センサに不揮発性メモリを結合し、この不揮発性メモリに、電離真空計のオンおよびオフの両方において取得された較正データにもとづき、感熱センサの温度補償較正パラメータを収容する方法および装置が提供される。これらの較正パラメータが、感熱センサから出力される測定データに適用される。不揮発性メモリは、電離真空計および感熱センサと一体にでき、あるいは複合真空ゲージに結合されるコントローラと一体にすることができる。コントローラが、感熱センサの出力に応答して電離真空計をオンにする。
【０００７】
実務においては、複合真空ゲージなどの多くの真空ゲージが、ゲージの不調または故障を引き起こしうる厳しい環境において、長時間にわたって動作している。真空ゲージの不調（例えば、不安定な較正）または故障の場合、使用者は、典型的には、真空ゲージが「故障した」あるいは「機能しない」という注釈だけを添えて、真空ゲージを製造者に送り返す。結果として、製造者は、例えば、実物の複合真空ゲージそのものは、ゲージが過熱したのか否か、あるいは故障の発生時にどの電極が動作していたのかを知らせてくれないため、不調または故障の原因の割り出しに苦労することになる。したがって、不調または故障の前、ならびに不調または故障の時点での真空ゲージの動作状況を知らない限りは、真空ゲージの不調または故障を修理または補正することが、製造者にとって困難である。
【０００８】
真空ゲージに結合された不揮発性メモリを、不調または故障の理由を割り出すために、真空センサからの測定データを保存するために使用することができる。真空ゲージは、電離真空計、熱損失センサ、およびダイヤフラムセンサを備えることができる。保存される測定データは、使用される真空センサに固有である。電離真空計の測定データとしては、フィラメント放射電流およびイオン電流を挙げることができる。熱損失センサの測定データとしては、熱損失センサについて検出される電気的パラメータを挙げることができる。最後に、ダイヤフラムセンサの測定データとしては、ダイヤフラムセンサの電気回路からの出力を挙げることができる。不揮発性メモリを、所定の時間間隔にて、さらにはエラー事象などの事象に応答して、測定データのウインドウなどの測定データで更新することができる。
【０００９】
本発明の上記目的、特徴、および利点、ならびに他の目的、特徴、および利点が、添付の図面に示されるとおりの本発明の好ましい実施形態についての以下のさらに詳しい説明から、明らかになるであろう。添付の図面においては、種々の図を通して同様の符号が同じ部分を指し示している。図面は必ずしも比例尺ではなく、本発明の原理を示すことに重点が置かれている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下で、本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００１１】
図１を参照すると、本発明による複合真空ゲージ・システム１００が、複合真空ゲージ１６５およびコントローラである制御用電子機器１６０を有している。複合真空ゲージ１６５は、電離真空計１１０、熱損失センサ１２０、ダイヤフラムセンサ１３０、および不揮発性メモリ１４０を有している。電離真空計１１０は、ピン１８０ａおよびソケット１８０ｂを介して制御用電子機器１６０に電気的に接続される。熱損失センサ１２０および不揮発性メモリ１４０は、複合真空ゲージの回路基板１８５に接続され、回路基板１８５が、コネクタ１７０ａおよび１７０ｂを介して制御用電子機器１６０に接続される。ダイヤフラムセンサ１３０は、ピン１７５ならびにコネクタ１７０ａおよび１７０ｂへの可撓ケーブル（図示されていない）を介して、制御用電子機器１６０に電気的に接続される。制御用電子機器１６０は、複合真空ゲージ１６５に接続されたとき、ハウジング１５０内に収容される。
【００１２】
図２Ａは、６つのピン１８０ａを有する電離真空計１１０と、４つのピン１７５を有するダイヤフラムセンサ１３０と、熱損失センサ１２０と、不揮発性メモリ１４０と、コネクタ１７０ａを有する複合真空ゲージ回路基板１８５とを備える複合真空ゲージ１６５の斜視図を示している。他の実施形態においては、不揮発性メモリ１４０を、真空センサ１１０〜１３０のそれぞれに恒久的に取り付けることができる。不揮発性メモリ１４０は、電気的に消去が可能な読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）など、任意の不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）であってよい。
【００１３】
不揮発性メモリ１４０は、真空センサ１１０〜１３０のそれぞれに固有の較正パラメータを収容することができる。較正パラメータは、個々の真空センサ１１０〜１３０のそれぞれの工場での較正にもとづいて決定することができる。図５に示されているように、電離真空計、熱損失センサ、およびピエゾ抵抗ダイヤフラムセンサについての較正パラメータを、それぞれ不揮発性メモリ１４０の位置５１２、５１４、および５１６に保存することができる。さらに、部品番号、シリアル番号、改訂版コード、製造日、較正用の設備およびソフトウェアのシリアル番号および改訂版コード、ならびにゲージの構成の設定（例えば、材料の選択肢、様式、およびフィラメント量）などといったゲージの製造情報も、製造時に不揮発性メモリ１４０にロードすることができる。不揮発性メモリ１４０は、さらに後述されるように、適用履歴データも保存することが可能である。
【００１４】
較正および履歴データを、制御用電子機器１６０ではなく複合真空ゲージ１６５に保存することで、制御用電子機器１６０を取り替えることなく、複合真空ゲージ１６５を現場にて交換することができる。履歴データを、修理のプロセスにおいて工場で読み取ることができ、新たな交換用の複合真空ゲージ１６５が、自身の固有の工場構成データを保持している。他の手法は、不揮発性メモリ１４０を制御用電子機器１６０に差し込むが、そのメモリを複合真空ゲージを交換するときに取り替えることである。
【００１５】
図２Ｂが、複合真空ゲージ１６５の断面図を示している。真空センサ１１０〜１３０のそれぞれが、共通のゲージ開口２４０を介して真空システムの真空圧力を測定する。電離真空計１１０、熱損失センサ１２０、およびダイヤフラムセンサ１３０が、それぞれ電離真空計用開口２１０、熱損失センサ用開口２２０、およびダイヤフラムセンサ用開口２３０を介して、真空システムへのアクセスを有している。
【００１６】
米国特許第6,658,941号に記載されているように、熱損失センサ１２０は、得られる圧力測定値が温度の変化に左右されないよう、検出素子電圧（ＶＳ）および検出素子電流（ＩＳ）を数学的に組み合わせることによって温度補正される。換言すると、圧力測定値が、方程式ＰＸ＝ｆ（ＶＳ，ＩＳ）（三次元表面の計算）によって計算される。この方程式は、対象とする圧力および温度範囲の全体に広がる複数の既知の圧力ＰＣおよび周囲温度の値について較正方法によって得られたＶＳＣおよびＩＳＣの値の組から、三次元の曲線フィティングソフトウェアを使用して導出される。
【００１７】
複合真空ゲージ１６５における温度変化の大きな要因は、電離真空計のフィラメント２５０によって生み出される熱である。電離真空計１１０は、熱損失センサ１２０に密に近接しており、したがって熱損失センサ１２０は、わずかな製造公差、材料のばらつき、および真空継手の相違ゆえの熱的なばらつきのため、それぞれの複合真空ゲージ１６５に固有の様相で、電離真空計１１０との熱的な相互作用を有している。さらに、アセンブリは、電離真空計のフィラメント２５０の近傍において最も高温であるため、熱損失センサの温度補償方程式に悪影響を及ぼす温度勾配が存在している。
【００１８】
不揮発性メモリ１４０は、電離真空計１１０によって引き起こされる温度勾配を考慮し、また、それぞれの複合真空ゲージ１６５に固有である、改善された温度補償較正パラメータを収容することができる。これらの較正パラメータは、アルゴリズムの形態をとることができる。それぞれの複合真空ゲージ１６５について、較正パラメータが、電離真空計１１０がオンされているときに熱損失センサ１２０または熱に影響されやすい他のセンサについて第１組の構成データを取得し、電離真空計１１０がオフにされているときに熱損失センサについて第２組の構成データを取得することによって導出される。オンおよびオフの状態に対応する別個の組の較正パラメータを保存することができるが、好ましいシステムにおいては、較正データが、三次元の曲線フィティングソフトウェアを使用して数学的に組み合わせられる。すなわち、電離真空計がオンまたはオフのいずれであっても、ただ１つの較正曲線によって熱損失センサの較正が行われる。
【００１９】
簡単な形態では、較正データが、電離真空計をオン状態およびオフ状態のそれぞれにしつつ、熱損失センサの圧力測定範囲の両端に相当する２つの圧力において取得される。
【００２０】
図３を参照すると、制御用電子機器１６０が、ピンおよびソケットからなる接続部を介して、複合真空ゲージ１６５に接続されている。次いで、複合真空ゲージ１６５が、真空シール３０５を備えた真空開口接続部３０４を介して、真空システム３０２に接続されている。したがって、複合真空ゲージ１６５の不調または故障の場合に、複合真空ゲージ１６５を現場で交換することが可能である。
【００２１】
複合真空ゲージ・システム１００の動作時、電源／放射制御ブロック３２５が、電離真空計１１０のグリッドに電圧を、フィラメントに電力を供給し、フィードバック機構によってフィラメント放射電流の量を制御する。電離真空計１１０のコレクタ電流が、電位計増幅器３３０への入力として供給される。
【００２２】
センサ熱制御部３３５が、熱損失センサ１２０に入力される電力を制御する。熱損失センサ１２０は、電圧および電流の測定値を、増幅器３４０ａおよび３４０ｂへの入力として供給する。
【００２３】
最後に、安定化ブリッジ電源３４５が、ダイヤフラムセンサ１３０に電力を供給する。ダイヤフラムセンサ１３０からの電圧測定出力が、差動増幅器３５５への入力である。
【００２４】
増幅器３３０、３４０ａ、３４０ｂ、および３５５のそれぞれが、複合真空ゲージ１６５からの測定信号をマルチプレクサ３６５に供給する。マルチプレクサ３６５からの出力が、アナログ‐デジタル変換器３９０によってデジタル形式に変換される。次いで、これらのデジタル信号が、処理のためにマイクロコントローラ（ＣＰＵ）３８０に入力される。
【００２５】
ＣＰＵ用ＥＥＰＲＯＭ３７０が、とくには制御用電子機器１６０に固有の較正パラメータを保存するため、ＣＰＵ３８０に接続されている。複合真空ゲージ１６５および制御用電子機器１６０について別個の較正パラメータを有することで、複合真空ゲージ１６５および制御用電子機器１６０が交換可能になる（すなわち、任意の複合真空ゲージ１６５を任意の制御用電子機器１６０に接続できる）。また、制御用電子機器１６０を、複合真空ゲージ１６５と別個に較正することができる。
【００２６】
マイクロコントローラ３８０が、複合真空ゲージ１６５からの測定データにもとづいて、真空システム３０２の真空圧力を計算する。具体的には、電離真空計１１０のコレクタ電流が、ゲージ用ＥＥＰＲＯＭ１４０に保存された較正パラメータを使用して、ＣＰＵ３８０によって高真空の測定値に変換される。熱損失センサ１２０の電圧および電流データが、ゲージ用ＥＥＰＲＯＭ１４０に保存された温度補償較正パラメータを使用して、マイクロコントローラ３８０によって中真空の測定値に変換される。最後に、ダイヤフラムセンサ１３０の電圧出力が、ゲージ用ＥＥＰＲＯＭ１４０に保存された較正パラメータを使用して、低真空の測定値に変換される。真空システム３０２からのこれらの真空測定値に応じて、ＣＰＵ３８０が、適切なセンサ（あるいは、合成信号領域においては適切なセンサの組）からの真空測定値を選択することによって、真空測定値を生成する。また、ＣＰＵ３８０は、真空システム３０２の真空圧力が電離真空計１１０の真空範囲に入るとき、または電離真空計１１０の真空範囲から出るときに、電離真空計１１０をオンまたはオフにするよう電源／放射制御ブロック３２５に信号３６０を送信する。
【００２７】
図４を参照すると、図３のＣＰＵ３８０上で実行されるコンピュータ・インストラクションによって実現されるプロセス４００が、生のセンサ・データ（例えば、電圧、電流、シリアル・データ）を、図３の真空圧力表示装置３９５に表示され、入力／出力回路３５０および使用者・インターフェイス・コネクタ３９９を介して出力される真空データに変換する。
【００２８】
真空システムの真空圧力を測定するためのプロセス４００は、ステップ４０５にて開始される。ステップ４１０において、ＣＰＵ３８０が、熱損失センサの温度補償較正パラメータなど、真空センサの較正パラメータをゲージ用ＥＥＰＲＯＭ１４０から読み出す。ステップ４２０において、ＣＰＵ３８０は、アナログ‐デジタル変換器のデータ信号３８５（図３）を読み取る。ステップ４３０において、ＣＵ３８０は、電離真空計の真空圧力、熱損失センサの真空圧力、およびダイヤフラムセンサの真空圧力を計算する。ステップ４４０において、真空圧力の測定値が重なり合いの範囲に含まれる場合には、重なり合っている２つのセンサからの測定値が、ステップ４５０において合成される。合成は、２つのセンサからの測定値の重み付け平均を計算することによって達成される。ステップ４６０において、合成された信号測定値が、表示装置および入力／出力装置に送信される。真空測定データが重なり合いの範囲にない場合には、適切なセンサからの真空測定値が、ステップ４６０において表示装置および入力／出力装置に送信される。また、ステップ４６０においては、通常のゲージ動作データが、回線３２２を介してゲージ用ＥＥＰＲＯＭにおいて更新される。そのようなデータは、下記を含んでいる。
１．電子機器モジュールのシリアル番号およびファームウェア改訂版コード
２．電離真空計の各フィラメントおよびの複合真空ゲージ全体の動作時間
３．電離真空計の各フィラメントの脱ガス・サイクルの総回数
４．電離真空計の各フィラメントの動作サイクルの総回数
５．複合真空ゲージの動作サイクルの総回数
６．記録された最高の内部温度
【００２９】
すでに述べたように、真空ゲージは、ときには不調または故障となり、使用者が、不調または故障の原因について何ら説明することなく真空ゲージを製造者に送り返すことがある。この問題は、不揮発性メモリ１４０を真空ゲージに結合し、ゲージの故障や想定外の条件などといった事象が生じたときの真空センサの測定データを保存することによって、対処することができる。
【００３０】
測定データを、図５に示されているように不揮発性メモリ１４０に保存することができる。測定データのウインドウを、符号５２０で示された位置において不揮発性メモリに保存することができる。詳しくは、ＣＰＵ３８０が、所定の時間間隔で、測定データを不揮発性メモリ１４０の現行ウインドウ５２２の位置に書き込む。この単純なプロセスが、図６Ａにプロセス６００として示されている。ステップ６１０において、ＣＰＵ３８０が、指定の時間期間が経過したか否かを判断する。指定の時間期間が経過したと判断されたとき、ＣＰＵ３８０は、現行ウインドウ５２２に測定データを書き込み、この位置にすでに書き込まれている測定データがあれば、これを上書きする。次いで、プロセスはステップ６１０に戻り、指定の時間期間が再び経過したか否かが判断される。
【００３１】
再び図４を参照すると、プロセス４００は、ステップ４７０において、エラー事象を示すエラー・コードが生成されたか否かを判断する。エラー・コードが生成されていない場合、プロセスはステップ４２０に戻る。エラー・コードが生じている場合には、ステップ４８０において、現行ウインドウ５２２に収容されている測定データが、図５に示されているｎ個のウインドウからなる循環バッファ５２４のウインドウ１、ウインドウ２、・・・、またはウインドウｎ（５２４ａ、５２４ｂ、・・・、５２４ｘ）にコピーされる。この測定データには、下記が含まれている。
１．エラー・コード
２．熱損失センサの生データ（ＶｓおよびＩｓ）および真空圧力の指示値
３．電離真空計のコレクタ電流、放射電流、脱ガス状態、動作しているフィラメント数、および真空圧力の読み取り値
４．最後のオン以降の電離真空計の動作時間
５．内部の電子機器モジュールの温度
６．ダイヤフラムセンサの電圧および真空圧力の読み取り値
７．気圧の読み取り値
【００３２】
ｎ個のウインドウからなる循環バッファ５２４によって、一連の事象に応答して測定データの複数のウインドウを保存することができる。図６Ｂが、不揮発性メモリ１４０に測定データの複数のウインドウを保存するためのプロセス６０５を示している。プロセス６０５が、ステップ６３０において、所定の事象が発生したと判断すると、ステップ６４０において、現行ウインドウ５２２に収容されている測定データがウインドウ１（５２４ａ）にコピーされる。次いで、プロセス６０５は、指定の事象がさらに生じたか否かを判断すべく、ステップ６３０に戻る。指定の事象がさらに生じた場合、現行ウインドウ５２２に収容されている測定データが、ウインドウ２（５２４ｂ）にコピーされる。プロセス６０５は、再びステップ６３０に戻り、指定の事象がさらに生じたか否かを判断する。このやり方で、指定の時間間隔で更新されている現行ウインドウ５２２の測定データが、一連の指定の事象に応答して、ｎ個のウインドウからなる循環バッファ５２４の一連のウインドウ（５２４ａ、５２４ｂ、・・・、５２４ｘ）にコピーされる。
【００３３】
したがって、使用者が複合真空ゲージ１６５を製造者に返送した後に、製造者は、ゲージ用ＥＥＰＲＯＭ１４０に保存されたデータを使用し、ゲージの不調または故障の原因の割り出しに役立てることができる。
【００３４】
ステップ４９０において、プロセス４００は終了する。
【００３５】
以上、本発明を、本発明の好ましい実施形態を参照しつつ詳しく示して説明したが、添付の特許請求の範囲に包含される本発明の技術的範囲から離れることなく、これらの実施形態において形態および細部についてさまざまな変更が可能であることを、当業者であれば理解できるであろう。
【００３６】
ダイヤフラムセンサは、ピエゾ抵抗式のダイヤフラムセンサであってよく、絶対圧（すなわち、大気圧からの圧力の偏差）を測定しても、差圧を測定してもよい。
【００３７】
エラー・コードは、熱損失センサの電圧および電流測定値が、それらの物理的範囲から外れたときに生成できる。また、エラー・コードを、電離真空計のイオン電流に大きな異常が存在する場合に生成してもよい。
【００３８】
複合真空ゲージの真空センサに結合される不揮発性メモリは、複合真空ゲージまたは制御用電子機器に一体であってよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の複合真空ゲージの斜視図であり、制御用電子機器およびカバーから分離されており、カバーは部分的に切断されている。
【図２Ａ】複合真空ゲージの斜視図である。
【図２Ｂ】複合真空ゲージの断面図である。
【図３】複合真空ゲージ・システムのブロック図である。
【図４】複合真空ゲージ・システムの動作を示すフロー図である。
【図５】真空ゲージに結合された不揮発性メモリに保存された情報のブロック図である。
【図６Ａ】データを不揮発性メモリに書き込むプロセスを示すフロー図である。
【図６Ｂ】データを不揮発性メモリに書き込むプロセスを示すフロー図である。
【符号の説明】
【００４０】
１１０  電離真空計
１２０  熱損失センサ（感熱センサ）
１３０  ダイヤフラムセンサ
１４０  不揮発メモリ
１６０  制御用電子機器（コントローラ）
１６５  真空ゲージ
【図１】
2008523410.tif 000003
【図２Ａ】
2008523410.tif 000004
【図２Ｂ】
2008523410.tif 000005
【図３】
2008523410.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【国際調査報告】
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