(57)【要約】  不斉水素化、不斉還元、不斉ヒドロホウ素化、不斉オレフィン異性化、不斉ヒドロシリル化、不斉アリル化、不斉共役付加及び不斉有機金属付加のような種々の反応を行うために触媒活性金属と組合せて使用できる新規ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物が開示される。また、ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物の製造方法、少なくとも１種のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物と触媒活性金属を含む金属錯体化合物、並びに前記金属錯体化合物を使用する水素化方法が開示される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式１：
【化１】
2008504261.tif 000010
［式中、Ｒ及びＲ3は、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
Ｒ1及びＲ2は、独立して、アキラル若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであるか、又はＲ1とＲ2とが合わさって、置換若しくは非置換の、アキラル、キラル及びラセミ、若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な二価アルキレン、シクロアルキレン若しくはアリーレン基を表し（式１中のアミダイト酸素原子を結合する主鎖中の炭素原子鎖は２〜８個の炭素原子を含む）；
Ｌは、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキレン、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキレン、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリーレン、１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリーレン、又は置換若しくは非置換のメタロセニルメチレンであり、Ｌは実質的にエナンチオマーとして純粋である］
を有する化合物。
【請求項２】
式２又は３：
【化２】
2008504261.tif 000011
［式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は独立して、水素、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
ｎは０〜３であり；
ｍは０〜５であり；そして
Ｍは第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属である］
を有する請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式２又は３：
【化３】
2008504261.tif 000012
［式中、Ｒはアリールであり；Ｒ1とＲ2は個別にアリールであるか又は合わさって、１，２−エタンジイル、１，３−プロパンジイル、１，２−ベンゼンジイル、２，２’−ビフェニルジイル、ラセミ１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル、（Ｒ，Ｒ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル若しくは（Ｓ，Ｓ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイルであり；Ｒ3は水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル若しくはアリールであり；Ｒ4は水素若しくはＣ1〜Ｃ6アルキルであり；Ｒ5及びＲ6は水素であり；
ｎは０であり；
ｍは０であり；そして
Ｍは鉄である］
を有する請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
（１）式４：
Ｒ2Ｐ−Ｌ−ＮＨＲ3
４
を有するアミンを不活性溶媒中で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、式５：
Ｒ2Ｐ−Ｌ−Ｎ（Ｒ3）Ｐ−Ｘ2
５
を有する中間体二ハロゲン化物を生成し；そして
（２）中間体二ハロゲン化物５を式６、７又は８：
Ｒ1−ＯＨ，Ｒ2−ＯＨ  ｏｒ  ＨＯ−Ｒ1−Ｒ2−ＯＨ
６           ７                    ８
を有する１種又はそれ以上のヒドロキシル含有反応体と接触させる［式中、Ｘはハロゲンである］
ことを含んでなる請求項１に記載の式１の化合物の製造方法。
【請求項５】
前記方法を不活性有機溶媒の存在下で実施し；工程（１）を−１００℃〜前記溶媒の沸点の温度で酸受容体の存在下で実施し；且つ工程（２）を−１００℃〜前記溶媒の沸点の温度で実施する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記方法を、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン又はこれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物から選ばれた不活性有機溶媒中で実施し；前記方法の工程（１）を−８０℃〜４０℃の温度においてＣ3〜Ｃ15第三級アミン又はピリジン類から選ばれた酸受容体の存在下で実施し；且つ工程（２）を−８０℃〜４０℃の温度において場合によっては、Ｃ3〜Ｃ15第三級アミン又はピリジン類から選ばれた酸受容体の存在下で実施する請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記方法をトルエン中でトリメチルアミンの存在下で実施し、且つヒドロキシル含有反応体がフェノール、４−メトキシフェノール、トリフルオロメチルフェノール、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコール、ｏ−ヒドロキノン、２，２’−ビフェノール、ラセミ１，１’−ビ−２−ナフトール、（Ｓ）−１，１’−ビ−２−ナフトール、（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール又はそれらの混合物である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載の式１の化合物及び第ＶＩＩＩ族金属から選ばれた触媒活性金属を含んでなる金属錯体化合物。
【請求項９】
請求項２に記載の式２又は３の化合物及びロジウム、イリジウム又はルテニウムを含んでなる金属錯体化合物。
【請求項１０】
請求項３に記載の式２又は３の化合物及びロジウムを含んでなる金属錯体化合物。
【請求項１１】
不活性溶媒及び請求項８に記載の触媒錯体化合物の存在下で水素化可能な化合物を水素と接触させることを含んでなる水素化可能な化合物の水素化方法。
【請求項１２】
０．５〜２００バール（ゲージ）の圧力及び周囲温度〜反応混合物の最も沸点の低い成分の沸点の温度において不活性有機溶媒中で触媒量の、請求項９に記載の錯体化合物の存在下で式１０：
【化４】
2008504261.tif 000013
を有するエナミドを水素と接触させて、反応混合物を形成することを含んでなる、式９：
【化５】
2008504261.tif 000014
［式中、Ｒ9、Ｒ10及びＲ12は、独立して、水素、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；且つ
Ｒ11は、水素、置換若しくは非置換のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ1〜Ｃ20アルコキシ、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルコキシ、置換若しくは非置換の炭素環式Ｃ6〜Ｃ20アリール、置換若しくは非置換の炭素環式Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ、１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素又は酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールオキシである］
を有する化合物の製造方法。
【請求項１３】
前記錯体化合物がロジウム及び式２又は３［式中、Ｒはアリールであり；Ｒ1とＲ2は個別にアリールであるか又は合わさって、１，２−エタンジイル、１，３−プロパンジイル、１，２−ベンゼンジイル、２，２’−ビフェニルジイル、ラセミ１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル、（Ｒ，Ｒ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル若しくは（Ｓ，Ｓ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイルであり；Ｒ3は水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル若しくはアリールであり；Ｒ4は水素若しくはＣ1〜Ｃ6アルキルであり；Ｒ5及びＲ6は水素であり；ｎは０であり；ｍは０であり；且つＭは鉄である］の化合物を含んでなる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
０．５〜２００バール（ゲージ）の圧力及び周囲温度〜反応混合物の沸点の最も低い成分の沸点の温度において不活性溶媒中で触媒量の、請求項９に記載の錯体化合物の存在下で式１２：
【化６】
2008504261.tif 000015
のイタコネート化合物を水素と接触させて反応混合物を形成することを含んでなる、式１１：
【化７】
2008504261.tif 000016
［式中、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は、独立して、水素、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールである］
を有する化合物の製造方法。
【請求項１５】
前記錯体化合物が、ロジウム及び式２又は３［式中、Ｒはアリールであり；Ｒ1とＲ2は個別にアリールであるか又は合わさって、１，２−エタンジイル、１，３−プロパンジイル、１，２−ベンゼンジイル、２，２’−ビフェニルジイル、ラセミ１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル、（Ｒ，Ｒ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル若しくは（Ｓ，Ｓ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイルであり；Ｒ3は水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル若しくはアリールであり；Ｒ4は水素若しくはＣ1〜Ｃ6アルキルであり；Ｒ5及びＲ6は水素であり；ｎは０であり；ｍは０であり；且つＭは鉄である］の化合物を含んでなる請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の反応の実施に使用できる触媒の形成において有用ないくつかの新規リン含有配位子に関する。更に詳しくは、本発明は、触媒活性金属と組合せて種々の反応、例えば不斉水素化、不斉還元、不斉ヒドロホウ素化、不斉オレフィン異性化、不斉ヒドロシリル化、不斉アリル化、不斉共役付加及び不斉有機金属付加の実施に使用できる新規ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物の類に関する。
【背景技術】
【０００２】
キラル生成物の生成において触媒の不斉が何倍にも増やされるので、不斉触媒反応はエナンチオマー純度の高い生成物を生成するための最も効率的な方法である。これらのキラル生成物は、単純なエナンチオマー医薬品のための構成単位として及びいくつかの農薬において多く利用されてきた。使用された不斉触媒は本質的に酵素触媒又は合成触媒であることができる。後者の型の触媒は前者の型の触媒よりも適用可能な反応型の許容範囲がはるかに大きいのではるかに有望である。合成不斉触媒は通常、１個又はそれ以上の有機配位子によって取り囲まれた金属反応中心から成る。配位子は通常、高エナンチオマー純度で生成され、不斉を引き起こす作用因子である。これらの配位子は概して、製造が困難であり、従って高価である。注目すべき例外は、特許文献１にＢｏａｚらによって記載されたホスフィン−アミン骨格に基づくキラルホスフィン−アミノホスフィン配位子である。これらのホスフィン−アミノホスフィン化合物は、不斉触媒反応のための金属錯体として有用であり、容易に製造され、空気中で安定である。
【０００３】
不斉触媒反応に有用な単座ホスホロアミダイト配位子は、非特許文献１〜１３によって報告されている。これらの単座配位子は、単一の配位基を有し、不斉水素化を含む種々の不斉触媒反応に対して中程度から高いエナンチオ選択性を示している。単座配位子は一般に、ジオールと三塩化燐とを反応させ、次いでアミンと反応させることによって製造される（非特許文献１）。或いは、三塩化燐と、前もって形成されたリチウムアミド（アミンとｎ−ブチルリチウムから製造される）との反応によるこれらの型の配位子の製造が、非特許文献９によって報告されている。ホスフィン−アミン骨格上に製造されるホスフィン−ホスホロアミダイト化合物に関する報告は全くない。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６５９０１１５号
【非特許文献１】ｄｅ  Ｖｒｉｅｓ，ｅｔ  ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９６，３５，２３７４〜２３７６
【非特許文献２】Ｍａｌｄａ，ｅｔ  ａｌ．，Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００１，３，１１６９〜１１７１
【非特許文献３】Ａｌｅｘａｋｉｓ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００２，１２４，５２６２〜５２６３
【非特許文献４】Ｐｅｎａ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００２，１２４，１４５５２〜１４５５３
【非特許文献５】Ｏｈｍｕｒａ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００２，１２４，１５１６４〜１５１６５
【非特許文献６】Ｕｒｂａｎｅｊａ．ｅｔ  ａｌ．，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．２００２，４３，７８８７〜７８９０
【非特許文献７】Ｊｉａ，ｅｔ  ａｌ．，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．２００２，４３，５５４１〜５５４４
【非特許文献８】Ｚｅｎｇ，ｅｔ  ａｌ．，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍ．２００２，１３，１１５〜１１７
【非特許文献９】Ｃｈｏｉ，ｅｔ  ａｌ．，Ｔｅｔｒａｈｄｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍ．２００２，１３，８０１〜８０４
【非特許文献１０】Ｌｉ，ｅｔ  ａｌ．，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ：Ａｓｙｍｍ．２００３，１４，２６８７〜２６９１
【非特許文献１１】Ｂｏｉｔｅａｕ，ｅｔ  ａｌ．，Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００３，５，６８１〜６８４
【非特許文献１２】Ｌｏｐｅｚ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００３，１２５，３４２６〜３４２７
【非特許文献１３】Ｚｈｏｕｒ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００３，６８，１５８２〜１５８４
【発明の開示】
【０００５】
本発明者らは、触媒活性金属と組合せて種々の反応、例えば不斉水素化、不斉還元、不斉ヒドロホウ素化、不斉オレフィン異性化、不斉ヒドロシリル化、不斉アリル化、不斉共役付加及び不斉有機金属付加の実施に使用できる新規ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物の類を見出した。本発明の新規化合物は式：
【０００６】
【化１】
2008504261.tif 000002
【０００７】
［式中、Ｒ及びＲ3は、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
Ｒ1及びＲ2は、独立して、アキラル若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な（即ち、９０％又はそれ以上のエナンチオマー過剰）置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであるか、又はＲ1とＲ2とが合わさって、置換若しくは非置換のアキラル、キラル及びラセミ、若しくは実質的にエナンチオマーとして純粋な二価アルキレン、シクロアルキレン若しくはアリーレン基を表し（式１中のアミダイト酸素原子を結合する主鎖中の炭素原子鎖は２〜８個の炭素原子を含む）；
Ｌは、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキレン、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキレン、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリーレン、１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリーレン、又は置換若しくは非置換のメタロセニルメチレンであり、Ｌは実質的にエナンチオマーとして純粋である］
を有する。
【０００８】
本発明の第２の実施態様は、
（１）式：
Ｒ2Ｐ−Ｌ−ＮＨＲ3
４
を有するアミンを不活性有機溶媒中で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、式５：
Ｒ2Ｐ−Ｌ−Ｎ（Ｒ3）Ｐ−Ｘ2
５
を有する中間体二ハロゲン化物を生成し；そして
（２）中間体二ハロゲン化物５を式６、７又は８：
Ｒ1−ＯＨ，Ｒ2−ＯＨ  ｏｒ  ＨＯ−Ｒ1−Ｒ2−ＯＨ
６           ７                      ８
を有する１種又はそれ以上のヒドロキシル含有反応体と接触させる［式中、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前に定義した通りであり；Ｘはハロゲン、好ましくはブロモ、又は特にクロロである］
工程を含む、式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物の製造方法である。
【０００９】
本発明の第３の実施態様は、式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物及び第ＶＩＩＩ族金属から選ばれた触媒活性金属を含む金属錯体化合物に関する。
【００１０】
本発明の第４の実施態様は、水素化可能な化合物を、式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物と触媒活性金属の触媒錯体の存在下で水素と接触させることを含む、水素化可能な化合物の水素化方法に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3のそれぞれが表すことができるアルキル基は、１から炭素数２０までの直鎖又は分岐鎖脂肪族炭化水素基であることができ、また、例えばＣ1〜Ｃ6アルコキシ、シアノ、Ｃ2〜Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ2〜Ｃ6−アルカノイルオキシ、アリール及びハロゲンから選ばれた１〜３個の基で置換されることができる。用語「Ｃ1〜Ｃ6−アルコキシ」、「Ｃ2〜Ｃ6−アルコキシカルボニル」及び「Ｃ2〜Ｃ6−アルカノイルオキシ」はそれぞれ、構造−ＯＲ7、−ＣＯ2Ｒ7及び−ＯＣＯＲ7に対応する基を示すのに用い、Ｒ7はＣ1〜Ｃ6−アルキル又は置換Ｃ1〜Ｃ6−アルキルである。用語「Ｃ3〜Ｃ8−シクロアルキル」は、炭素数３〜８の飽和炭素環式炭化水素基を示すのに用いる。Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3のそれぞれが表すことができるアリール基としては、フェニル、ナフチル若しくはアントラセニル；又はＣ1〜Ｃ6−アルキル、置換Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、Ｃ6〜Ｃ10アリール、置換Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ1〜Ｃ6−アルコキシ、ハロゲン、シアノ、Ｃ1〜Ｃ6−アルカノイルオキシ、Ｃ1〜Ｃ6−アルキルチオ、Ｃ1〜Ｃ6−アルキルスルホニル、トリフルオロメチル、Ｃ2〜Ｃ6−アルコキシカルボニル、Ｃ2〜Ｃ6−アルカノイルアミノ並びに−Ｏ−Ｒ8、Ｓ−Ｒ8、−ＳＯ2−Ｒ8、−ＮＨＳＯ2Ｒ8及び−ＮＨＣＯ2Ｒ8［Ｒ8はフェニル若しくはナフチル；又はＣ1〜Ｃ6−アルキル、Ｃ6〜Ｃ10アリール、Ｃ1〜Ｃ6−アルコキシ及びハロゲンから選ばれた１〜３個の基で置換されたフェニル若しくはナフチルである］から選ばれた１〜３個の置換基で置換されたフェニル、ナフチル又はアントラセニルを挙げることができる。
【００１２】
Ｃ4〜Ｃ20ヘテロアリール基としては、酸素、硫黄及び窒素から選ばれた１〜３個のヘテロ原子を含む５員環又は６員環が挙げられる。このようなヘテロアリール基の例は、チエニル、フリル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、トリアゾリル、チアジアゾリル、オキサジアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、インドリルなどである。ヘテロアリール基は例えば、Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、Ｃ1〜Ｃ6−アルコキシ、置換Ｃ1〜Ｃ6−アルキル、ハロゲン、Ｃ1〜Ｃ6−アルキルチオ、アリール、アリールチオ、アリールオキシ、Ｃ2〜Ｃ6−アルオキシカルボニル及びＣ2〜Ｃ6−アルカノイルアミノのような３個以下の基で置換されることができる。ヘテロアリール基はまた、例えば前記文中に記載した３個以下の基で置換されてもよいし非置換でもよい縮合環系、例えばベンゾ又はナフト残基で置換されることができる。用語「ハロゲン」はフッ素、塩素、臭素及びヨウ素を含めるために使用する。
【００１３】
Ｒ1とＲ2とは合わさって、二価アルキレン、シクロアルキレン又はアリーレン基を表すことができ、式１中のアミダイト酸素原子を結合する主鎖中の炭素原子鎖、例えばアルキレン又はアルケニレン基は２〜８個の炭素原子を含む。更に詳しくは、Ｒ1及びＲ2が合わさって表す二価基は、合計２〜２０個の炭素原子を含むことができ、２〜８個の炭素の鎖で２つのアミダイト酸素原子を結びつける。Ｒ1及びＲ2が合わさって表す二価基は、前記パラブラフに記載した置換基で置換されることができる。このような二価基の例としては、１，２−エタンジイル（エチレン）、１，３−プロパンジイル（トリメチレン）、１，４−ブタンジイル（テトラメチレン）、２，３−ブタンジイル、２，２’−ビフェニルジイル、１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイルなどを挙げることができ、二価基はアキラル、キラル及びラセミ、又はキラルで実質的にエナンチオマーとして純粋であることができる。
【００１４】
当業者ならば、「Ｃ1〜Ｃ6−アルキル」のような、前記範囲の炭素原子を有する基又は部分へのここでの言及はそれぞれ、Ｃ1基（メチル）及びＣ6基（ヘキシル）端点だけでなく、対応する個々のＣ2、Ｃ3、Ｃ4及びＣ5基のそれぞれも含むことがわかるであろう。更に、前記の炭素数範囲内の個々の点のそれぞれを更に組合せて、記載した全範囲内に本質的に含まれる部分的範囲を記載することができることがわかるであろう。例えば、用語「Ｃ1〜Ｃ6−アルキル」は個々の部分Ｃ1〜Ｃ6だけでなく、「Ｃ2〜Ｃ5−アルキル」のような部分的範囲も含む。
【００１５】
本発明によって提供される新規化合物の好ましい類は、式２又は３（２のエナンチオマー）を有する：
【００１６】
【化２】
2008504261.tif 000003
【００１７】
［式中、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前述の通りであり；
Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、独立して、水素、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；
ｎは０〜３であり；
ｍは０〜５であり；そして
Ｍは第ＩＶＢ族、第ＶＢ族、第ＶＩＢ族、第ＶＩＩＢ族又は第ＶＩＩＩ族の金属から選ばれた金属である］。
Ｒ4、Ｒ5及びＲ6によって表される非置換の若しくは置換された基の例は、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3が表すことができる基の説明において前述した通りである。Ｍによって表される金属の例としては、鉄、ルテニウム及びオスミウムが挙げられる。
【００１８】
新規ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物のより好ましい群は、式２又は３（２のエナンチオマー）を有する：
【００１９】
【化３】
2008504261.tif 000004
【００２０】
［式中、Ｒはアリール、最も好ましくはフェニルであり；Ｒ1はアリール、最も好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル若しくは４−トリフルオロメチルフェニルであり；Ｒ2はアリール、最も好ましくはフェニル、４−メトキシフェニル若しくは４−トリフルオロメチルフェニルであり；又はＲ1とＲ2が合わさって、１，２−エタンジイル、１，３−プロパンジイル、１，２−ベンゼンジイル、２，２’−ビフェニルジイル、ラセミ１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル、（Ｒ，Ｒ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル若しくは（Ｓ，Ｓ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイルであり；Ｒ3は水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル若しくはアリール、最も好ましくはメチルであり；Ｒ4は水素若しくはＣ1〜Ｃ6アルキル、最も好ましくはメチルであり；Ｒ5及びＲ6は水素であり；
ｎは０であり；
ｍは０であり；そして
Ｍは鉄である］。
【００２１】
本発明の更なる実施態様は、
（１）式４：
Ｒ2Ｐ−Ｌ−ＮＨＲ3
４
を有するアミンを不活性有機溶媒中で三ハロゲン化燐ＰＸ3と接触させて、式５：
Ｒ2Ｐ−Ｌ−Ｎ（Ｒ3）Ｐ−Ｘ2
５
を有する中間体二ハロゲン化物を生成し；そして
（２）二ハロゲン化物５を式６、７又は８：
Ｒ1−ＯＨ，Ｒ2−ＯＨ  ｏｒ  ＨＯ−Ｒ1−Ｒ2−ＯＨ
６             ７                 ８
を有する１種又はそれ以上のヒドロキシル含有反応体と接触させる［式中、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前に定義した通りであり；Ｘはハロゲン、好ましくはブロモ、又は特にクロロである］
ことを含む、
式１：
【００２２】
【化４】
2008504261.tif 000005
【００２３】
を有するホスフィン−ホスホロアミダイト化合物の製造方法である。以下に記載するように、工程（１）及び（２）は場合によっては、酸受容体の存在下で実施できる。
【００２４】
この方法は不活性有機溶媒、例えば環状若しくは非環状エーテル、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル若しくはテトラヒドロフラン；芳香族炭化水素、例えばベンゼン、トルエン若しくはキシレン；脂肪族及び脂環式炭化水素、例えばヘキサン、ヘプタン若しくはシクロヘキサン；又はそれらの任意の２種若しくはそれ以上の混合物中で実施できる。この方法の工程（１）は、−１００℃〜溶媒の沸点の温度、好ましくは−８０℃〜４０℃で実施できる。
【００２５】
工程（１）は、場合によっては、酸受容体、好ましくはＣ3〜Ｃ15第三級アミン又はピリジンの存在下で実施でき、好ましいアミンはトリエチルアミンである。工程（１）において使用する反応体４と三ハロゲン化燐ＰＸ3の相対量は、典型的には、反応体４対三ハロゲン化燐ＰＸ3のモル比０．５：１〜４：１、好ましくは１：１〜１．５：１を与える。酸受容体の量は、反応体４のモル当たり少なくとも１．０モルであり、典型的には、反応体４のモル当たり酸受容体１．０〜２．０モルである。明確には測定されていないが、それに続く反応によって得られる結果は、この反応において（即ち、Ｌがメタロセニルメチレンである場合に）生成された目的とするジハロアミノホスフィン５には実質的に、モノハロジアミノホスフィン及びトリアミノホスフィンが混入していないことを示している。これらの種の統計的混合物が予想され得るので、これは驚くべきことである。理論によって拘束するつもりはないが、これらの結果は、使用されるアミンによって引き起こされた立体的過密が、三ハロゲン化燐と反応できるアミンの数を制限するためである可能性がある。必要ではないが、二ハロゲン化物中間体５は、この方法の第２工程の実施前に単離することができる。
【００２６】
この方法の工程（２）は、−１００℃〜溶媒の沸点、好ましくは−８０℃〜４０℃の温度で実施できる。この工程は、場合によっては酸受容体、好ましくはＣ3〜Ｃ15第三級アミン又はピリジンの存在下で実施でき、好ましいアミンはトリエチルアミンである。酸受容体の量は、中間体５のモル当たり典型的には２．０〜５．０モルである。ヒドロキシル反応体の使用量は通常、二ハロゲン化物中間体５のモル当たり少なくとも２当量で１０当量以下のヒドロキシルを与えるべきである。好ましい量は、二ハロゲン化物５のモル当たり、ヒドロキシル反応体２当量である。ヒドロキシル反応体６及び７は好ましくは同一であり、好ましくはフェノール、４−メトキシフェノール又はトリフルオロメチルフェノールである。ジオール反応体８は好ましくはエチレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，２−ベンゼンジオール、２，２’−ビフェノール、ラセミ１，１’−ビ−２−ナフトール、（Ｓ）−１，１’−ビ−２−ナフトール、又は（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトールである。
【００２７】
生成物１は、当業者によく知られた方法に従って反応混合物から単離できる。このような方法の例としては、抽出、濾過及び結晶化が挙げられる。生成物１は必要ならば常法、例えば抽出、クロマトグラフィー及び結晶化方法を用いて精製できる。
【００２８】
本発明はまた、式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物と触媒活性金属との錯体に関する。このような錯体は、種々の反応体を使用する多数の可能な反応を促進するのに有効な触媒である。可能な反応の例としては、不斉水素化、不斉還元、不斉ヒドロホウ素化、不斉オレフィン異性化、不斉ヒドロシリル化、不斉アリル化、不斉共役付加及び不斉有機金属付加が挙げられる。
【００２９】
式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物との錯形成のために選択される金属は、目的とする反応によって決まる。金属は、第ＶＩＩＩ族金属から選ばれることができ、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムが好ましい。錯体は製造してから、使用前に単離することもできるが、溶媒中でホスフィン−ホスホロアミダイト化合物１及び金属プレ触媒から錯体の溶液をその場で（ｉｎ  ｓｉｔｕ）製造し且つこの溶液を次の反応で直接使用するのが好ましい。使用するホスフィン−ホスホロアミダイト化合物１及び触媒活性金属の相対量は典型的には、燐：金属原子比１：１〜５：１、好ましくは２：１〜３：１を与える。
【００３０】
本発明の錯体は、一般に、金属プレ触媒及びホスフィン−ホスホロアミダイト化合物１を、脂肪族炭化水素、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタンなど；芳香族炭化水素、例えばトルエン、キシレン類など；環状及び非環状エーテル、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）など；低級アルカノール、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールなど；ハロゲン化脂肪族又は芳香族炭化水素、例えばジクロロメタン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなど；ジアルキルケトン、例えばアセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトンなどから選ばれた不活性溶媒中で混合することによって製造する。好ましい溶媒はメタノール、エタノール、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン又はアセトンである。溶媒は、次の反応に使用するのと同一であることもできるが、そうである必要はない。錯体は一般に、−５０〜５０℃、好ましくは０〜４０℃の範囲の温度において不活性ガス雰囲気下で製造する。
【００３１】
式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物と触媒活性金属との錯体は、不斉水素化反応の実施において特に有用である。従って、本発明は、水素化可能な化合物を、式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物及び触媒活性金属の触媒錯体の存在下において水素化条件の温度及び圧力下で水素と接触させることを含む、水素化可能な化合物の水素化方法を含む。不斉水素化反応の場合には、式１の化合物と錯形成される触媒活性金属は、好ましくはロジウム、イリジウム又はルテニウムであり、最も好ましくはロジウムである。水素化方法において使用する錯体の量は、水素化可能な出発原料に基づき、０．００００５〜０．５モル当量であることができ、通常は錯体が多いほど反応速度が速くなる。反応雰囲気は水素であるが、反応条件に不活性の他の材料を含むこともできる。反応は大気圧又は高圧で、例えば０．５〜２００バール（ゲージ）（ｂａｒｇ）で実施できる。反応は、妥当な転化速度を生じる温度で実施する。この温度は−５０℃の低温であることもできるが、通常は周囲温度〜反応混合物の最も沸点の低い成分の沸点（又は高圧における見掛けの沸点）である。
【００３２】
本発明の新規な水素化方法は通常、脂肪族炭化水素、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタンなど；芳香族炭化水素、例えばトルエン、キシレン類など；環状及び非環状エーテル、例えばｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）など；低級アルカノール、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールなど；ハロゲン化脂肪族又は芳香族炭化水素、例えばジクロロメタン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなど；ジアルキルケトン、例えばアセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトンなど；又は双極性非プロトン溶媒、例えばジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどから選ばれた不活性溶媒の存在下で実施する。
【００３３】
本発明の錯体を用いて実施できる、製薬業界にとって特に重要な水素化は、対応するアミノ酸誘導体を生成するためのデヒドロアミノ酸誘導体（「エナミド」）の不斉水素化である。式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物及び触媒活性金属の触媒錯体は、対応するアミノ酸誘導体を生成するためのエナミドの不斉水素化に特に高いエナンチオ選択性を示す。本発明に従って水素化できるエナミド化合物は、本発明に従って高エナンチオ選択率で目的生成物に水素化される分子骨格Ｃ＝Ｃ（Ｎ−Ｃ＝Ｏ）−Ｃ＝Ｏを特徴とする。
【００３４】
従って、本発明の新規な水素化方法は、例えば式１０：
【００３５】
【化５】
2008504261.tif 000006
【００３６】
を有するエナミドを、式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物１とロジウム、イリジウム若しくはルテニウムから選ばれた触媒活性金属との錯体の触媒量の存在下で水素と接触させることを含む、式９：
【００３７】
【化６】
2008504261.tif 000007
【００３８】
を有する化合物の製造を含む。前記式において、
Ｒ9、Ｒ10及びＲ12は、独立して、水素、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール、又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素又は酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールであり；そして
Ｒ11は、水素、置換若しくは非置換のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ1〜Ｃ20アルコキシ、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルコキシ、置換若しくは非置換の炭素環式Ｃ6〜Ｃ20アリール、置換若しくは非置換の炭素環式Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ、１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素又は酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリール又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールオキシである。Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11及びＲ12で表される置換基の例は、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3の説明において、前に記載した通りである。
【００３９】
式１０を有するエナミド出発原料は、Ｓｃｈｍｉｄｔ  ｅｔ  ａｌ．，Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  １９８４，５３〜６０；及びＳｃｈｍｉｄｔ  ｅｔ  ａｌ．，Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  １９９２，４８７〜４９０によって記載された方法を用いて製造できる。式９を有する生成物は、一般に、非常に高いエナンチオ選択率（＞９０＆％ｅｅ）で生成され、生成される個々のエナンチオマーは、ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物１のどのエナンチオマー又はジアステレオマーを用いるかによって異なる。
【００４０】
本発明の新規な水素化方法の別の好ましい実施態様は、式１２：
【００４１】
【化７】
2008504261.tif 000008
【００４２】
を有するイタコネート化合物を、式１のホスフィン−ホスホロアミダイト化合物１とロジウム、イリジウム又はルテニウムから選ばれた触媒活性金属との錯体の触媒量の存在下で水素と接触させることを含む、式１１：
【００４３】
【化８】
2008504261.tif 000009
【００４４】
を有する化合物の製造を含む。前記式において、
Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は、独立して、水素、置換若しくは非置換、分岐鎖若しくは直鎖のＣ1〜Ｃ20アルキル、置換若しくは非置換のＣ3〜Ｃ8シクロアルキル、置換若しくは非置換のＣ6〜Ｃ20炭素環式アリール又は１〜３個のヘテロ原子（前記ヘテロ原子は硫黄、窒素及び酸素から選ばれる）を有する置換若しくは非置換のＣ4〜Ｃ20ヘテロアリールである。式１２のイタコネート出発原料は一般に市販されており、又は当業者に知られた方法によって製造できる。化合物１１は、典型的には、非常に高いエナンチオ選択率（＞９０％ｅｅ）で生成され、生成されるエナンチオマーは、ホスフィン−ホスホロアミダイト化合物１のどのエナンチオマー又はジアステレオマーを用いるかによって異なる。
【実施例】
【００４５】
本発明によって提供される新規化合物、錯体及び方法を、以下の実施例によって更に説明する。特に断らない限り、実施例中に記載する全ての％及び比はモルに基づく。
【００４６】
実施例１
（Ｒ）−Ｎ−ジフェノキシホスフィノ−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（２ａ）の製造
トルエン（５ｍＬ）を１００ｍＬの３つ口フラスコに加え、これをドライアイス−アセトン浴中で−７０℃未満に冷却した。三塩化燐（０．２６ｍＬ；３．０ミリモル；１．０当量）を添加し、次いでトリエチルアミン（０．５０ｍＬ；３．６ミリモル；１．２当量）を添加した。トルエン１５ｍＬ中に溶解した（Ｒ）−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（４ａ）（１．２８ｇ；３．０ミリモル）を、温度が−５０℃未満であり続けるようにして滴加した。反応混合物をドライアイス−アセトン中で１時間撹拌し、次いで１時間かけて周囲温度まで加温し、周囲温度で２時間撹拌した。反応混合物を−７０℃未満に冷却し、トリエチルアミン（１．０５ｍＬ；７．７ミリモル；２．５当量）を添加し、次いでトルエン１０ｍＬ中フェノール（５６５ｍｇ；６．０ミリモル；２当量）を添加した。反応混合物を一晩、周囲温度に加温した。薄層クロマトグラフィー（ｔｌｃ）分析によると、４ａは完全に消費されていた。ヘプタン（３０ｍＬ）を添加し、反応混合物をセライトを通して濾過し、ヘプタン及び酢酸エチルで溶離させた。得られた濾液をストリッピングし、残渣をフラッシュシリカゲルのパッドを通して濾過し、トリエチルアミンが５％添加された酢酸エチル：ヘプタン（１：９）で溶離させて、２ａを１．５２ｇ（７９％）生成した。
【００４７】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ７．６０（ｍ，２Ｈ）；７．３７（ｍ，３Ｈ）；７．２１（ｍ，２Ｈ）；７．１〜６．８（ｍ，１１Ｈ）；６．６２（ｍ，２Ｈ）；５．１３（ｍ，１Ｈ）；４．４９２（ｂｒ  ｓ，１Ｈ）；４，３４９（ｍ，１Ｈ）；３．９４３（ｍ，１Ｈ）；３．８７９（ｓ，５Ｈ）；２．３９０（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝４．９４Ｈｚ）；１．４９１（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）。ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ  ６４３．５３（Ｍ+）。
【００４８】
実施例２
（Ｒ）−Ｎ−［ビス（４−メトキシフェノキシ）ホスフィノ］−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（２ｂ）の製造
トルエン（５ｍＬ）を１００ｍＬの３つ口フラスコに加え、これを氷水浴中で＜５℃に冷却した。三塩化燐（０．２６ｍＬ；３．０ミリモル；１．０当量）を添加し、次いでトリエチルアミン（０．５０ｍＬ；３．６ミリモル；１．２当量）を添加した。トルエン１５ｍＬ中に溶解した（Ｒ）−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（４ａ）（１．２８ｇ；３．０ミリモル）を、温度が１５℃未満であり続けるようにして滴加した。反応混合物を氷水中で１５分間撹拌し、次いで周囲温度まで４５分間加温した。反応混合物を氷水中で＜５℃に冷却し、トリエチルアミン（１．０５ｍＬ；７．７ミリモル；２．５当量）を添加し、次いで温度が１５℃未満であり続けるような速度で、トルエン１０ｍＬ中４−メトキシフェノール（７４５ｍｇ；６．０ミリモル；２当量）を添加した。反応混合物を一晩、周囲温度に加温した。ｔｌｃ分析によると、４ａはほとんど完全に消費されていた。ヘプタン（３０ｍＬ）を添加し、反応混合物をセライトを通して濾過し、ヘプタン及び酢酸エチルで溶離させた。得られた濾液をストリッピングし、残渣をフラッシュシリカゲルのパッドを通して濾過し、トリエチルアミンが５％添加された酢酸エチル：ヘプタン（１：９）で溶離させて、２ｂを１．３８ｇ（６５％）生成した。
【００４９】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ７．５９（ｍ，２Ｈ）；７．３７４（ｍ，３Ｈ）；７．１〜６．９（ｍ，５Ｈ）；６．８３５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．５２Ｈｚ）；６．７５７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．４７，６．８７Ｈｚ）；６．５９８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９．０７Ｈｚ）；６．５００（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．３７，９．０７Ｈｚ）；５．０７（ｍ，１Ｈ）；４．４８９（ｂｒ  ｓ，１Ｈ）；４．３４７（ｍ，１Ｈ）；３．９５０（ｍ，１Ｈ）；３．８６６（ｓ，５Ｈ）；３．７５７（ｓ，３Ｈ）；３．７１０（ｓ，３Ｈ）；２．３７６（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝４．６７Ｈｚ）；１．４９３（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）。ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ  ７０３．０１（Ｍ+）。
【００５０】
実施例３
（Ｒ）−Ｎ−［ビス（４−トリフルオロメチルフェノキシ）ホスフィノ］−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（２ｃ）の製造
トルエン（５ｍＬ）を１００ｍＬの３つ口フラスコに加え、これを氷水浴中で＜５℃に冷却した。三塩化燐（０．２６ｍＬ；３．０ミリモル；１．０当量）を添加し、次いでトリエチルアミン（０．５０ｍＬ；３．６ミリモル；１．２当量）を添加した。トルエン１５ｍＬ中に溶解した（Ｒ）−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（４ａ）（１．２８ｇ；３．０ミリモル）を、温度が１５℃未満であり続けるようにして滴加した。反応混合物を氷水中で１５分間撹拌し、次いで周囲温度まで４５分間加温した。反応混合物を氷水中で＜５℃に冷却し、トリエチルアミン（１．０５ｍＬ；７．７ミリモル；２．５当量）を添加し、次いで温度が１５℃未満であり続けるような速度で、トルエン１０ｍＬ中４−トリフルオロメチルフェノール（９７３ｍｇ；６．０ミリモル；２当量）を添加した。反応混合物を一晩、周囲温度に加温した。ｔｌｃ分析によると、４ａはほとんど完全に消費されていた。ヘプタン（３０ｍＬ）を添加し、反応混合物をセライトを通して濾過し、ヘプタン及び酢酸エチルで溶離させた。得られた濾液をストリッピングし、残渣をフラッシュシリカゲルのパッドを通して濾過し、トリエチルアミンが５％添加された酢酸エチル：ヘプタン（１：９）で溶離させて、２ｃを１．２９ｇ（５５％）生成した。
【００５１】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ７．５８（ｍ，２Ｈ）；７．５０２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１０．７１Ｈｚ）；７．４〜７．３（ｍ，５Ｈ）；７．１〜６．９（ｍ，５Ｈ）；６．８７（ｍ，２Ｈ）；６．６６７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ）；５．１７（ｍ，１Ｈ）；４．５０２（ｂｒ  ｓ，１Ｈ）；４．３８２（ｍ，１Ｈ）；３．９９（ｍ，１Ｈ）；３．８７３（ｓ，５Ｈ）；２．４１０（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝４．９５Ｈｚ）；１．５０７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８７Ｈｚ）。ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ  ７７９．７８（Ｍ+）。
【００５２】
実施例４
（Ｒ）−Ｎ−［（Ｒ），（Ｒ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジオキシホスフィノ］−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（２ｄ）の製造
トルエン（５ｍＬ）を１００ｍＬの３つ口フラスコに加え、これをドライアイス−アセトン浴中で−７０℃未満に冷却した。三塩化燐（１７４μＬ；２．０ミリモル；１．０当量）を添加し、次いでトリエチルアミン（０．３３ｍＬ；２．４ミリモル；１．２当量）を添加した。トルエン１０ｍＬ中に溶解した（Ｒ）−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（４ａ）（８５５ｍｇ；２．０ミリモル）を、温度が−５０℃未満であり続けるようにして滴加した。反応混合物をドライアイス−アセトン中で１時間撹拌し、次いで１．５時間かけて周囲温度まで加温し、周囲温度で２時間撹拌した。反応混合物を−７０℃未満に冷却し、トリエチルアミン（０．７０ｍＬ；５．０ミリモル；２．５当量）を添加し、次いで（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトール（５７３ｍｇ；２．０ミリモル；１当量）の温トルエン（１５ｍＬ）溶液を添加した。これをトルエン５ｍＬで洗浄した。反応混合物を一晩、周囲温度に加温した。ｔｌｃ分析によると、４ａはほとんど完全に消費されていた。ヘプタン（３０ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、ヘプタン及び酢酸エチルで溶離させた。得られた濾液をストリッピングし、残渣をフラッシュシリカゲルのパッドを通して濾過し、トリエチルアミンが５％添加された酢酸エチル：ヘプタン（１５：８５）で溶離させて、２ｄを１．０６ｇ（７１％）生成した。
【００５３】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ７．９〜７．１（ｍ，２１Ｈ）；６．７３８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５２Ｈｚ）；５．３３（ｍ，１Ｈ）；４．４６２（ｂｒ  ｓ，１Ｈ）；４．３２５（ｍ，１Ｈ）；３．９６８（ｓ，５Ｈ）；３．８９５（ｍ，１Ｈ）；１．８０５（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝７．１４Ｈｚ）；１．７３７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝３．５７Ｈｚ）。ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ  ７４０．３（Ｍ−Ｈ+）。
【００５４】
実施例５
（Ｒ）−Ｎ−［（Ｓ），（Ｓ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジオキシホスフィノ］−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（２ｅ）の製造
トルエン（５ｍＬ）を１００ｍＬの３つ口フラスコに加え、これをドライアイス−アセトン浴中で−７０℃未満に冷却した。三塩化燐（１７４μＬ；２．０ミリモル；１．０当量）を添加し、次いでトリエチルアミン（０．３３ｍＬ；２．４ミリモル；１．２当量）を添加した。トルエン１０ｍＬ中に溶解した（Ｒ）−Ｎ−メチル−１−［（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン（４ａ）（８５５ｍｇ；２．０ミリモル）を、温度が−５０℃未満であり続けるようにして滴加した。反応混合物をドライアイス−アセトン中で１時間撹拌し、次いで１．５時間かけて周囲温度まで加温し、周囲温度で２時間撹拌した。反応混合物を−７０℃未満に冷却し、トリエチルアミン（０．７０ｍＬ；５．０ミリモル；２．５当量）を添加し、次いで（Ｓ）−１，１’−ビ−２−ナフトール（５７３ｍｇ；２．０ミリモル；１当量）の温トルエン（１５ｍＬ）溶液を添加した。これをトルエン５ｍＬで洗浄した。反応混合物を一晩、周囲温度に加温した。ｔｌｃ分析によると、４ａはほとんど完全に消費されていた。ヘプタン（３０ｍＬ）を添加し、反応混合物を濾過し、ヘプタン及び酢酸エチルで溶離させた。得られた濾液をストリッピングし、残渣をフラッシュシリカゲルのパッドを通して濾過し、トリエチルアミンが５％添加された酢酸エチル：ヘプタン（１：９）で溶離させて、２ｅを０．９３ｇ（６３％）生成した。この物質を熱トルエンで微細化し、ヘプタンで希釈し、周囲温度に冷却し、濾過した。沈澱をトルエン：ヘプタン（１：４）で洗浄し、乾燥させて、２ｅを７５２ｍｇ（５１％）生成した。
【００５５】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ７．９〜７．１（ｍ，２１Ｈ）；６．０５６（ｄ，１Ｈ，Ｉ＝９．０７Ｈｚ）；５．１９（ｍ，１Ｈ）；４．５１９（ｂｒ  ｓ，１Ｈ）；４．４０２（ｍ，１Ｈ）；４．１１２（ｍ，１Ｈ）；３．８９１（ｓ，５Ｈ）；１．９３２（ｄ，３Ｈ，Ｉ＝３．５７Ｈｚ）；１．６９４（ｄ，３Ｈ，Ｉ＝６．８７Ｈｚ）。ＦＤＭＳ：ｍ／ｚ  ７４０．３（Ｍ−Ｈ+）。
【００５６】
実施例６
配位子２ａのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−９ａ）の製造
エナミド１０ａ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ10＝Ｒ11＝メチル，Ｒ12＝Ｈ）（１１０ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ，４．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例１からの配位子２ａ（３．９ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（１．０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ａの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ポンド／平方インチ（ゲージ）−ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌して、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９２．６％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ａ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ10＝Ｒ12＝メチル，Ｒ13＝Ｈ）への９９．７％の転化を得た。
【００５７】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤ3ＯＤ，４００ＭＨｚ）δ７．２８〜７．１６（ｍ，５Ｈ），４．６４〜４．６１（ｍ，１Ｈ），３．６５（ｓ，３Ｈ），３．１３〜３．０８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５，１３．９Ｈｚ），２．９４〜２．８８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９，１３．９Ｈｚ），１．８７（ｓ，３Ｈ）。キラルＧＣ条件：Ｃｈｉｒａｓｉｌ  Ｌ−Ｖａｌｉｎｅ［Ｖａｒｉａｎ］２５ｍ×内径０．２５ｍｍ，フィルム厚０．１２μｍ，１６０℃で９分間，１６０〜１８５℃  ７０℃／分，１８５℃で５分間，Ｈｅ  １５ｐｓｉｇ。ｔR（Ｒ−９ａ）７．７７分，ｔR（Ｓ−９ａ）８．２９分，ｔR（１０ａ）１３．２４分。
【００５８】
実施例７
配位子２ａのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニン（Ｓ−９ｂ）の製造
エナミド１０ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）（１０２ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（４．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例１からの配位子２ａ（３．９ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（１．０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ｂの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌した。この時点で、サンプル（０．０２４ミリモル）を、メタノール（１ｍＬ）中で３０分間撹拌することによってトリメチルシリルジアゾメタン（ヘキサン中２．０Ｍ；６０μＬ；０．１２ミリモル；５当量）の作用によって、メチルエステル９ａに転化した。酢酸クエンチ後、サンプルを直接分析すると、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９７．０％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）への９７．４％の転化を示した。
【００５９】
実施例８
配位子２ｂのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−９ａ）の製造
エナミド１０ａ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ10＝Ｒ11＝メチル，Ｒ12＝Ｈ）（１１０ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例２からの配位子２ｂ（４．２ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（０．７５ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ａの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌して、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９５．２％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ａ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ10＝Ｒ12＝メチル，Ｒ13＝Ｈ）への１００％の転化を得た。
【００６０】
実施例９
配位子２ｂのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニン（Ｓ−９ｂ）の製造
エナミド１０ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）（１０２ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例２からの配位子２ｂ（４．２ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（０．７５ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ｂの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌した。この時点で、サンプル（０．０２４ミリモル）を、メタノール（１ｍＬ）中で３０分間撹拌することによってトリメチルシリルジアゾメタン（ヘキサン中２．０Ｍ；６０μＬ；０．１２ミリモル；５当量）の作用によって、メチルエステル９ａに転化した。酢酸クエンチ後、サンプルを直接分析すると、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９８．０％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）への１００％の転化を示した。
【００６１】
実施例１０
配位子２ｃのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−９ａ）の製造
エナミド１０ａ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ10＝Ｒ11＝メチル，Ｒ12＝Ｈ）（１１０ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例３からの配位子２ｃ（４．７ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ａの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌して、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９１．０％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ａ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ10＝Ｒ12＝メチル，Ｒ13＝Ｈ）への１００％の転化を得た。
【００６２】
実施例１１
配位子２ｃのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニン（Ｓ−９ｂ）の製造
エナミド１０ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル、Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）（１０２ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例３からの配位子２ｃ（４．７ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ｂの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌した。この時点で、サンプル（０．０２４ミリモル）を、メタノール（１ｍＬ）中で３０分間撹拌することによってトリメチルシリルジアゾメタン（ヘキサン中２．０Ｍ；６０μＬ；０．１２ミリモル；５当量）の作用によって、メチルエステル９ａに転化した。酢酸クエンチ後、サンプルを直接分析すると、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９７．２％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）への１００％の転化を示した。
【００６３】
実施例１２
配位子２ｃのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−アラニン（Ｓ−９ｃ）の製造
エナミド１０ｃ（Ｒ9＝Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ，Ｒ11＝メチル）（６５ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例３からの配位子２ｃ（４．７ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ｃの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌した。この時点で、サンプル（０．０２４ミリモル）を、メタノール（１ｍＬ）中で３０分間撹拌することによってトリメチルシリルジアゾメタン（ヘキサン中２．０Ｍ；６０μＬ；０．１２ミリモル；５当量）の作用によって、メチルエステルに転化した。酢酸クエンチ後、サンプルを直接分析すると、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９０．０％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ｃ（Ｒ9＝Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ，Ｒ11＝メチル）への３３．０％の転化を示した。
【００６４】
キラルＧＣ条件：Ｃｙｃｌｏｓｉｌ−Ｂ［Ｊ＆Ｗ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ］３０ｍ×内径０．２５ｍｍ，フィルム厚０．２５μｍ，４０〜１００℃  ７０℃／分，１００℃で１５分，１００〜１７０℃  １５℃／分，１７０℃で７分，Ｈｅ  ６ｐｓｉｇ  ６分，Ｈｅ  ６〜２０ｐｓｉｇ  ８０ｐｓｉｇ／分，２０ｐｓｉｇ  ２２分。ｔR（Ｒ−Ｎ−アセチルアラニンメチルエステル）１９．３６分，ｔR（Ｓ−Ｎ−アセチルアラニンメチルエステル）１９．１２分，ｔR（メチル２−アセトアミドアクリレート）１７．９１分。
【００６５】
実施例１３
配位子２ｄのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−９ａ）の製造
エナミド１０ａ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ10＝Ｒ11＝メチル，Ｒ12＝Ｈ）（１１０ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例４からの配位子２ｄ（４．４ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ａの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌して、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９９．１％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ａ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ10＝Ｒ12＝メチル，Ｒ13＝Ｈ）への３４．１％の転化を得た。
【００６６】
実施例１４
配位子２ｄのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニン（Ｓ−９ｂ）の製造
エナミド１０ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）（１０２ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例４からの配位子２ｄ（４．４ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ，０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ｂの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌した。この時点で、サンプル（０．０２４ミリモル）を、メタノール（１ｍＬ）中で３０分間撹拌することによってトリメチルシリルジアゾメタン（ヘキサン中２．０Ｍ；６０μＬ；０．１２ミリモル；５当量）の作用によって、メチルエステル９ａに転化した。酢酸クエンチ後、サンプルを直接分析すると、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９９．９％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）への９８．８％の転化を示した。
【００６７】
実施例１５
基質：触媒比２５００：１で配位子２ｄのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−フェニルアラニン（Ｓ−９ｂ）の製造
エナミド１０ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）（２．０５ｇ；１０．０ミリモル）を耐圧瓶中で、アルゴンでガス抜きされたメタノール（１２．３ｍＬ）中に溶解させた。圧力ヘッドを取り付け、耐圧瓶の排気及びヘリウムの充填を１０回行った。別のフラスコ中で、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（５．６ｍｇ；０．０１２ミリモル）及び実施例４からの配位子２ｄ（１０．７ｍｇ；０．０１４４モル；０．０１２当量（ロジウムに基づく））を合した。フラスコをアルゴンで５分間パージし、アルゴンでガス抜きされたメタノール（３．０ｍＬ）を添加した。これを２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌して、４ｍＭの触媒溶液を生成した。耐圧瓶中の１０ｂの溶液に、この触媒溶液１．０ｍＬ（０．００４ミリモル；０．０００４当量；Ｓ：Ｃ  ２５００：１）を添加し、得られた混合物について、排気及びヘリウムの充填を１０回行った。この混合物について、排気及び水素の充填を５回行い、次いで水素で２．７６ｂａｒｇ（４０ｐｓｉｇ）まで加圧し、シールし、激しく撹拌した。反応の進行を容器内の圧力降下によって追跡した。１．９時間で水素消費が止まり、そして容器の排気及びヘリウムの充填を５回行った。反応混合物の一部（３１μＬ；０．０２４ミリモル）を、メタノール（１ｍＬ）中で３０分間撹拌することによってトリメチルシリルジアゾメタン（ヘキサン中２．０Ｍ；６０μＬ；０．１２ミリモル；５当量）の作用によって、メチルエステル９ａに転化した。酢酸クエンチ後、サンプルを直接分析すると、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９９．８２％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）への９９．５％の転化を示した。圧力降下と反応度との相関（最終転化率及び圧力の数値を用いる）及び存在する触媒量の調整による圧力対時間のデータの分析は、反応初期においてターンオーバー６０００／時の触媒ターンオーバー頻度を示した。反応混合物の残りをストリッピングして、Ｓ−９ｂ（Ｒ9＝フェニル，Ｒ11＝メチル，Ｒ10＝Ｒ12＝Ｈ）を２．０５ｇ（９９％）生成した。
【００６８】
実施例１６
配位子２ｄのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−４−クロロフェニルアラニンメチルエステル（Ｓ−９ｄ）の製造
エナミド１０ｄ（Ｒ9＝４−クロロフェニル，Ｒ10＝Ｒ11＝メチル、Ｒ12＝Ｈ）（１２６ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例４からの配位子２ｄ（４．４ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ｄの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌して、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９９．１％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ｄ（Ｒ9＝４−クロロフェニル，Ｒ10＝Ｒ12＝メチル，Ｒ13＝Ｈ）への８６．０％の転化を得た。
【００６９】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤ3ＯＤ，６００ＭＨｚ）δ７．２７〜７．２５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．７Ｈｚ），７．１８〜７．１６（ｄ，２Ｈ，Ｉ＝８．７Ｈｚ），４．６４〜４．６２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５，９．２Ｈｚ），３．７０（ｓ，１Ｈ），３．６７（ｓ，３Ｈ），３．１３〜３．０９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．５，１３．７Ｈｚ），２．９３〜２．８９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝９．２，１３．９Ｈｚ），１．８８（ｓ，３Ｈ）。キラルＧＣ条件：Ｃｈｉｒａｓｉｌ  Ｌ−Ｖａｌｉｎｅ［Ｖａｒｉａｎ］２５ｍ×内径０．２５ｍｍ，フィルム厚０．１２μｍ，１７５℃で２５分，Ｈｅ  ２０ｐｓｉｇ，ｔR（Ｒ−９ｄ）７．２９分，ｔR（Ｓ−９ｄ）７．７６分，ｔR（１０ｄ）１５．７２分。
【００７０】
実施例１７
配位子２ｄのロジウム錯体を用いたＮ−アセチルＬ−２−ナフチルアラニンメチルエステル（Ｓ−９ｅ）の製造
エナミド１０ｅ（Ｒ9＝２−ナフチル，Ｒ10＝Ｒ11＝メチル，Ｒ12＝Ｈ）（１３５ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例４からの配位子２ｄ（４．４ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水ＴＨＦ（０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１０ｅの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌して、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９７．７％ｅｅのアミノ酸誘導体Ｓ−９ｅ（Ｒ9＝２−ナフチル，Ｒ10＝Ｒ12＝メチル，Ｒ13＝Ｈ）への９９．７％の転化を得た。
【００７１】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，３００ＭＨｚ）δ７．８５〜７．７５（ｍ，３Ｈ）；７．５５３（ｓ，１Ｈ）；７．４７（ｍ，２Ｈ）；７．２１８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．５２Ｈｚ）；６．０１（ｂｒ  ｓ，１Ｈ）；４．９９６（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．０４Ｈｚ）；３．７２７（ｓ，３Ｈ）；３．３１４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５．７７，１３．７４Ｈｚ）；３．２４４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝６．０４，１４．０１Ｈｚ）；１．９７３（ｓ，３Ｈ）。キラルＧＣ条件：Ｃｈｉｒａｓｉｌ  Ｌ−Ｖａｌｉｎｅ［Ｖａｒｉａｎ］２５ｍ×内径０．２５ｍｍ，フィルム厚０．１２μｍ，１８５℃で３０分，Ｈｅ  １５ｐｓｉｇ，ｔR（Ｒ−９ｅ）２２．０２分，ｔR（Ｓ−９ｅ）２３．２６分。
【００７２】
実施例１８
配位子２ｄのロジウム錯体を用いたＲ−２−メチルコハク酸（Ｓ−１１ａ）の製造
イタコン酸（１２ａ，Ｒ13＝Ｒ14＝Ｒ15＝Ｈ）（６５ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水メタノール（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例４からの配位子２ｄ（４．４ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水メタノール（０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１２ａの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌した。この時点で、サンプル（０．０２４ミリモル）を、メタノール（１ｍＬ）中で３０分間撹拌することによってトリメチルシリルジアゾメタン（ヘキサン中２．０Ｍ；１２０μＬ；０．１２ミリモル；５当量）の作用によってジメチルエステル１１ｂに転化した。酢酸クエンチ後、サンプルを直接分析すると、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９５．７％ｅｅのＲ−２−メチルコハク酸（Ｒ−１１ａ，Ｒ13＝Ｒ14＝Ｒ15＝Ｈ）への９９．２％の転化を示した。
【００７３】
１１ｂ（Ｒ13＝Ｈ，Ｒ14＝Ｒ15＝メチル）のキラルＧＣ［Ｃｙｃｌｏｓｉｌ−Ｂ，Ｊ＆Ｗ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ，３０ｍ×内径０．２５ｍｍ，フィルム厚０．２５μｍ，９０℃等温，Ｈｅ  １５ｐｓｉｇ］：ｔR（Ｒ−１１ｂ）１７．３６分，ｔR（Ｓ−１１ｂ）１７．８２分，ｔR（１２ｂ）２３．１６分。
【００７４】
実施例１９
配位子２ｅのロジウム錯体を用いたＲ−２−メチルコハク酸（Ｓ−１１ａ）の製造
イタコン酸（１２ａ，Ｒ13＝Ｒ14＝Ｒ15＝Ｈ）（６５ｍｇ；０．５ミリモル）を反応器中で無水メタノール（５．０ｍＬ）中に溶解させ、アルゴンで１５分間ガス抜きした。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウムトリフルオロメタンスルホネート（２．３ｍｇ；５μモル；０．０１当量）及び実施例５からの配位子２ｅ（４．４ｍｇ；６μモル；０．０１２当量）を合し、アルゴンでガス抜きされた無水メタノール（０．５０ｍＬ）を添加した。この溶液を２５℃においてアルゴン下で１５分間撹拌し、次いで１２ａの溶液に添加した。次に、得られた溶液を水素でフラッシュし、水素０．６９〜１．３８バール（ゲージ）（１０〜２０ｐｓｉｇ）まで加圧した。反応混合物を６時間撹拌した。この時点で、サンプル（０．０２４ミリモル）を、メタノール（１ｍＬ）中で３０分間撹拌することによってトリメチルシリルジアゾメタン（ヘキサン中２．０Ｍ；１２０μＬ；０．１２ミリモル；５当量）の作用によってジメチルエステル１１ｂに転化した。酢酸クエンチ後、サンプルを直接分析すると、キラルＧＣ分析によって測定した場合に９２．６％ｅｅのＲ−２−メチルコハク酸（Ｒ−１１ａ，Ｒ13＝Ｒ14＝Ｒ15＝Ｈ）への１００％の転化を示した。
【国際調査報告】
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