(57)【要約】  中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。【選択図】図１６
2008511992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法であって：
少なくとも一つのタングステンの構造および少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つを半導体基板の上に有する中間の半導体デバイス構造を用意すること；および
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すこと；
を含む前記方法。
【請求項２】
中間の半導体デバイス構造の上にニッケルをめっきする方法であって：
少なくとも一つのタングステンの構造および少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つを半導体基板の上に有する中間の半導体デバイス構造を用意すること；および
少なくとも一つのタングステンの構造および少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つを同時にニッケルめっきすること；
を含む前記方法。
【請求項３】
少なくとも一つのタングステンの構造および少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つを有する中間の半導体デバイス構造を用意することは、少なくとも一つのアルミニウムのボンドパッドまたは少なくとも一つの銅のボンドパッドを有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも一つのタングステンの構造および少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つを有する中間の半導体デバイス構造を用意することは、内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアを有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すことは、アルミニウム、銅、またはタングステンに対して選択的なニッケルめっきの化学剤を選択することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すことは、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきに対して活性化することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきに対して活性化することは、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの表面を活性化することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきに対して活性化することは、中間の半導体デバイス構造を亜鉛酸塩の溶液に晒し、それによって少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つを活性化することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
中間の半導体デバイス構造を亜鉛酸塩の溶液に晒すことは、中間の半導体デバイス構造を酸化亜鉛と水酸化ナトリウムを含む水溶液に晒すことを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきに対して活性化することは、中間の半導体デバイス構造をパラジウムの溶液に晒し、それによって少なくとも一つのタングステンの構造を活性化することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
中間の半導体デバイス構造をパラジウムの溶液に晒すことは、中間の半導体デバイス構造をパラジウム(II)イオンを含む水溶液に晒すことを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すことは、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの活性化した表面をニッケルめっきすることを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つのうちで、少なくとも一つのめっきされていない構造をニッケルめっきすることをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すことは、少なくとも一つのアルミニウムのボンドパッドと少なくとも一つの銅のボンドパッドのうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアをめっきしないまま残すことを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すことは、内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアをニッケルめっきして、少なくとも一つのアルミニウムのボンドパッドと少なくとも一つの銅のボンドパッドのうちの少なくとも一つをめっきしないまま残すことを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すことは、活性化した少なくとも一つのタングステンの構造または活性化した少なくとも一つのアルミニウムの構造と活性化した少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきすることを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すことは、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルで無電解めっきすることを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つをニッケルめっきして、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方をめっきしないまま残すことは、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、臭化ニッケル、フロオロホウ酸ニッケル、スルホン酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、およびニッケルアルキルスルホネートからなる群から選択されるニッケル塩と、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ホウ水素化ナトリウム、およびジメチルアミノベンズアルデヒドからなる群から選択される還元剤とを含む無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
中間の半導体デバイス構造であって、少なくとも一つのタングステンの構造および少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つを有する半導体基板を含み、このとき、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つはニッケルでめっきされていて、少なくとも一つのタングステンの構造または少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つの銅の構造のうちの少なくとも一つの他方はめっきされないまま残っている、前記デバイス構造。
【請求項２０】
中間の半導体デバイス構造であって、上に第一のニッケル層がめっきされた少なくとも一つのアルミニウムの構造または少なくとも一つの銅の構造と上に第二のニッケル層がめっきされた少なくとも一つのタングステンの構造とを有する半導体基板を含み、このとき、第一のニッケル層と第二のニッケル層のうちの少なくとも一つは、アルミニウム、銅、またはタングステンに対して選択的なニッケルめっきの化学剤を配合することによって形成されたものである、前記デバイス構造。
【請求項２１】
少なくとも一つのアルミニウムの構造または少なくとも一つの銅の構造は、少なくとも一つのアルミニウムのボンドパッドまたは少なくとも一つの銅のボンドパッドを含む、請求項１９または２０に記載の中間の半導体デバイス構造。
【請求項２２】
少なくとも一つのタングステンの構造は、内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアを含む、請求項１９または２０に記載の中間の半導体デバイス構造。
【請求項２３】
内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアは、スルーウエーハ相互接続を含む、請求項２２に記載の中間の半導体デバイス構造。
【請求項２４】
内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアは、ブラインドウエーハ相互接続を含む、請求項２２に記載の中間の半導体デバイス構造。
【請求項２５】
アルミニウムまたは銅に対して選択的なニッケルめっきの化学剤は、アルミニウムの活性剤または銅の活性剤と無電解ニッケルめっき溶液を含む、請求項２０に記載の中間の半導体デバイス構造。
【請求項２６】
アルミニウムの活性剤または銅の活性剤は、酸化亜鉛と水酸化ナトリウムを含む亜鉛酸塩の水溶液を含む、請求項２５に記載の中間の半導体デバイス構造。
【請求項２７】
タングステンに対して選択的なニッケルめっきの化学剤は、タングステンの活性剤と無電解ニッケルめっき溶液を含む、請求項２０に記載の中間の半導体デバイス構造。
【請求項２８】
無電解ニッケルめっき溶液は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、臭化ニッケル、フロオロホウ酸ニッケル、スルホン酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、およびニッケルアルキルスルホネートからなる群から選択されるニッケル塩と、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ホウ水素化ナトリウム、およびジメチルアミノベンズアルデヒドからなる群から選択される還元剤とを含む、請求項２５または２７に記載の中間の半導体デバイス構造。
【請求項２９】
タングステンの活性剤はパラジウム(II)イオンの水溶液を含む、請求項２７に記載の中間の半導体デバイス構造。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
技術分野
本発明は半導体の製造に関する。より具体的には、本発明はアルミニウム、銅、またはタングステンの構造をニッケルで選択的にめっきする方法に関する。
【０００２】
背景
集積回路を有する半導体デバイスは、フォトリソグラフィを用いて様々なその他のプロセスを組み合わせて、半導体ウエーハの上に多数の同一の回路パターンを組み付けることによって製造される。半導体デバイスの収量の増大とその性能の向上を達成するために、所定のサイズの半導体基板の上に組み付けられる半導体デバイスの密度を増大させることが、半導体製造業者の絶え間のない目標である。近年において、半導体の組立てにおいて半導体デバイスの密度を増大させる努力も強められている。半導体の組立てにおいて半導体デバイスの密度を増大させるための一つの手段は、半導体のダイを互いに積層させることである。半導体のダイの中にビアホールすなわちスルーホールを形成することによって、半導体のダイは相互に連結される。ビアは導電性の材料で充填され、それにより半導体のダイの活性表面の上に組み付けられた集積回路にビアが電気的に接続される。従って、ビアは半導体ダイの活性表面からそれぞれの裏面への導電性通路を与え、それにより別の半導体ダイまたはキャリア基板の外部電気接点への半導体ダイの裏面の相互接続を可能にする。ビアはエッチング、レーザーによる削摩（ablation）または孔あけ、あるいはこれらの組合せによって形成される。ビアをエッチングするには、フォトレジストのフォトリソグラフィ加工と、それに続くウエット（化学）エッチングまたはドライ（反応性イオン）エッチングを用いる。レーザーによる孔あけは、半導体材料を除去することによってビアを形成し、それにより半導体ダイの全体の厚さを通して延びるスルーホールを形成するために用いられてきた。
【０００３】
ビアは、半導体ダイ上の様々な金属の相互接続構造（例えばアニュラーリング、ボンドパッド、コンポーネントリード、メタルワイヤ、またはその他の金属層など）を互いに電気的に接続する。半導体ダイ上のボンドパッドは典型的に、アルミニウム、銅、または約０.５％未満の銅を有するアルミニウム-銅合金から形成される。アルミニウムは、その低い抵抗率、優れた接着特性、高い熱安定性、および加工の容易さのために、ボンドパッドにおいて用いられる。しかし、アルミニウムの一つの不利な点は、それが容易に酸化して酸化アルミニウムを形成することであり、これによりボンドパッドの電気的接続の品質と効率が低下する。ボンドパッドを保護するために、アルミニウムはエッチングされて酸化アルミニウムが除去され、そしてニッケル層などのバリヤーメタルで被覆される。タングステンも相互接続材料として一般的に用いられ、その理由は、タングステンはシリコンのものと近似した熱膨張率を有し、また高いアスペクト比を有する半導体構造において良好な充填能を有するためである。タングステンは典型的に、ビアを形成する間に生成される開口を充填するか、あるいは開口の表面を裏打ちするために用いられる。次いで、ビアにおけるタングステンの裏打ちは、ニッケル層などの金属層で被覆される。ビアがニッケルでめっきされた後、ボンドパッドは典型的にニッケルめっきされる。というのは、酸化アルミニウムを除去するために用いられるエッチング液が、ビアの内側からニッケルめっきをも除去するからである。
【０００４】
発明の開示
本発明は、中間の（intermediate）半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法に関する。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を半導体基板の上に有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造の他方はめっきされないまま残る。ニッケルは無電解めっきされてもよい。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造は少なくとも一つのアルミニウムまたは銅のボンドパッドであってもよく、そして少なくとも一つのタングステンの構造は内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアであってもよい。一つの態様において、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅のボンドパッドはニッケルめっきされてもよく、一方、内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアはめっきされないまま残る。別の態様において、内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアはニッケルでめっきされてもよく、一方、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅のボンドパッドはめっきされないまま残る。
【０００５】
少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造のうちの一方はめっきされてもよく、他方はアルミニウム、銅、およびタングステンのうちの一つに対して選択的なニッケルめっきの化学剤（chemistry）を選択することによってめっきされないまま残る。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造のうちの一方をニッケルめっきして他方をめっきされないまま残すために、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造のうちの一つはニッケルめっきに対して活性化されてもよい。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造は、中間の半導体デバイス構造を亜鉛酸塩（zincate）の溶液に晒すことによって活性化することができる。亜鉛酸塩溶液は酸化亜鉛と水酸化ナトリウムを含む水溶液であってもよい。少なくとも一つのタングステンの構造は、中間の半導体デバイス構造をパラジウムの溶液に晒すことによってニッケルめっきに対して活性化されてもよい。パラジウム溶液はパラジウム(II)イオンを含む水溶液であってもよい。
【０００６】
少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造のうちの活性化したものは、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、臭化ニッケル、フロオロホウ酸ニッケル、スルホン酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、およびニッケルアルキルスルホネートからなる群から選択されるニッケル塩と、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ホウ水素化ナトリウム、およびジメチルアミノベンズ-アルデヒド（「DMAB」）からなる群から選択される還元剤とを含む無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造のうちのめっきされていないものは、このめっきされていない構造を活性化し、次いでこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。
【０００７】
本発明はまた、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する半導体基板を含む中間の半導体デバイス構造に関する。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造のうちの一方はニッケルでめっきされ、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造の他方はめっきされないまま残る。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造は少なくとも一つのアルミニウムまたは銅のボンドパッドであってもよく、そして少なくとも一つのタングステンの構造は内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアであってもよい。内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアは、スルーウエーハ相互接続あるいはブラインドウエーハ相互接続とすることができる。
【０００８】
本発明はまた、上に第一のニッケル層がめっきされた少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と上に第二のニッケル層がめっきされた少なくとも一つのタングステンの構造とを有する半導体基板を含む中間の半導体デバイス構造に関する。第一のニッケル層と第二のニッケル層のうちの少なくとも一つは、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造のうちの一つに対して選択的なニッケルめっきの化学剤を配合することによって形成される。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造は少なくとも一つのアルミニウムまたは銅のボンドパッドであってもよく、そして少なくとも一つのタングステンの構造は内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアであってもよい。内部にタングステンの層を有する少なくとも一つのビアは、スルーウエーハ相互接続あるいはブラインドウエーハ相互接続とすることができる。
【０００９】
少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造に対して選択的なニッケルめっきの化学剤は、アルミニウムまたは銅の活性剤と無電解ニッケルめっき溶液を含んでいてもよい。アルミニウムまたは銅の活性剤は前述したように亜鉛酸塩溶液であってもよく、また無電解ニッケルめっき溶液は前述したものであってもよい。少なくとも一つのタングステンの構造に対して選択的なニッケルめっきの化学剤は、タングステンの活性剤と無電解ニッケルめっき溶液を含んでいてもよい。タングステンの活性剤は前述したようにパラジウム溶液であってもよく、また無電解ニッケルめっき溶液は前述したものであってもよい。
【００１０】
本発明はまた、中間の半導体デバイス構造の上にニッケルをめっきする方法に関する。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を半導体基板の上に有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造は、ニッケルで同時にめっきされる。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造は、この少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造の表面を活性化することによってニッケルめっきされてもよい。少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造の表面を活性化するために、中間の半導体デバイス構造は、前述したように亜鉛酸塩溶液に晒してもよい。少なくとも一つのタングステンの構造の表面を活性化するために、中間の半導体デバイス構造は、前述したようにパラジウム溶液に晒してもよい。活性化した少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と活性化した少なくとも一つのタングステンの構造は、前述したように、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルで同時にめっきされる。
【００１１】
本明細書は、発明とみなされるものを特に指摘しそして明確に権利請求している特許請求の範囲をもって完結するが、本発明の利点は、本発明についての以下の説明を添付図面とともに読むことによって、より容易に確かめることができる。
【００１２】
発明を実施するための最良の形態
半導体基板の上に存在するアルミニウムの構造とタングステンの構造のいずれかの上にニッケルを選択的にめっきする方法が開示される。半導体基板はアルミニウムの構造とタングステンの構造の両方を有する。一つの態様において、タングステンの構造の上にニッケルを付着させることなく、アルミニウムの構造がニッケルでめっきされる。アルミニウムの構造は、アルミニウムに対して選択的なニッケルめっきの化学剤を用いてニッケルめっきされる。ここで用いるとき、「ニッケルめっきの化学剤（nickel plating chemistry）」という用語は、構造を洗浄するか、構造を活性化するか、あるいは構造をニッケルでめっきするために用いられる化学剤を含む。別の態様において、タングステンに対して選択的なニッケルめっきの化学剤を用いて、アルミニウムの構造をニッケルめっきすることなく、タングステンの構造がニッケルでめっきされてもよい。別の態様において、タングステンの構造とアルミニウムの構造がニッケルで実質的に同時にめっきされてよい。
【００１３】
ニッケルは、アルミニウムの構造とタングステンの構造のいずれかの上に無電解めっきによって付着されてもよい。ニッケルを付着させるために、アルミニウムの構造とタングステンの構造のいずれかは、アルミニウムとタングステンのいずれかに対して選択的な活性剤に構造を晒すことによって、ニッケルめっきに対して活性化されてもよい。例えば、アルミニウムの構造がニッケルめっきされるべきである場合、活性剤はアルミニウムに対して選択的であってよい。反対に、タングステンの構造がニッケルめっきされるべきである場合、活性剤はタングステンに対して選択的であってよい。次いで、活性化した構造の表面をニッケルでめっきすることができ、一方、活性化しない構造の表面はめっきされないまま残る。めっきされていない表面は、このめっきされていない表面に対して選択的な別のニッケルめっき化学剤（例えば別の活性剤）に構造を晒すことによって、後にニッケルでめっきされてもよい。めっきされていない表面は、活性化したならば、ニッケルめっきすることができる。
【００１４】
アルミニウムまたはタングステンに対して選択的な活性剤に構造を晒すことによって、アルミニウムの構造またはタングステンの構造を活性化して、そしてニッケルでめっきすることができ、一方、活性化しない構造はめっきされないまま残る。例えば、アルミニウムに対して選択的な活性剤に構造を晒した場合、タングステンの構造をニッケルめっきすることなく、アルミニウムの構造の上にニッケルを無電解めっきすることができる。アルミニウムの構造をニッケルめっきした後、別のニッケルめっき化学剤を用いてタングステンの構造の上にニッケルをめっきすることができる。同様に、タングステンに対して選択的な活性剤に構造を晒した場合、アルミニウムの構造をめっきすることなく、タングステンの構造の上にニッケルを無電解めっきすることができる。続いて、別のニッケルめっき化学剤を用いて、アルミニウムの構造の上にニッケルをめっきすることができる。
【００１５】
ここに開示される態様は、アルミニウムの構造はアルミニウムのボンドパッドであってタングステンの構造はタングステンで裏打ちされたビアであるものを記述するが、本発明は、追加のアルミニウムまたはタングステンの構造の上にニッケルを選択的にめっきするために用いることもできる。
【００１６】
少なくとも一つのアルミニウムの構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造２の上に、ニッケルを選択的にめっきすることができる。図１と図２に示すように、タングステンの構造はビア４であってもよく、アルミニウムの構造はボンドパッド６であってもよい。ここで用いるとき、「ビア」という用語は、半導体基板８における開口であって、半導体基板８を貫く導電性の通路を与えるために導電性材料で後に充填されるかまたは裏打ちされるものを指す。明快にするために、図１と図２では一つのビア４と二つのボンドパッド６が示されている。しかし、中間の半導体デバイス構造２は、多数のビア４と多数のボンドパッド６を有していてもよい。ビア４とボンドパッド６は両者とも、中間の半導体デバイス構造２の外側表面または露出した表面上に存在していてもよく、従って両者とも露出していてもよい。ボンドパッド６は、半導体基板８の上に慣用の方法によってアルミニウムなどの導電性金属から形成することができる。ボンドパッド６は約１.０μmから約１.５μmまでの範囲の厚さを有していてもよい。ビア４は導電性の通路を与えるために導電性材料で充填されるかまたは裏打ちされてもよい。ビア４は、図１に示すように半導体基板８の全体の厚さを貫いて延びていてもよいし、あるいは図２に示すように半導体基板８の中で盲孔を形成していてもよい。ビア４が半導体基板８の層を貫いて延びている場合、ビア４はスルーウエーハ相互接続（through-wafer-interconnect：TWI）と呼ぶことができる。TWIは、半導体基板の一方の側にある集積回路を反対側にある別の要素または装置へ電気的に接続するだろう。ビア４が半導体基板の中で盲孔を形成している場合、ビア４はブラインドウエーハ相互接続（blind-wafer-interconnect：BWI）と呼ぶことができる。
【００１７】
中間の半導体デバイス構造２はまた、図３に示すように、半導体基板８、この半導体基板８の表面を覆う第一の酸化物層10、およびこの第一の酸化物層10の一部を覆う不動態層12を有していてもよい。半導体基板８は、半導体の材料からなる層を含む半導体ウエーハまたはその他の塊状の基板であってもよい。ここで用いられる「塊状の基板（bulk substrate）」という用語は、シリコンのウエーハ（例えば単結晶シリコンまたは多結晶シリコン）だけでなく、絶縁体上のシリコン（「SOI」）基板、サファイア上のシリコン（「SOS」）基板、ガラス上のシリコン（「SOG」）基板、ベースの半導体基材上のシリコンのエピタキシャル層、および例えばシリコン-ゲルマニウム、ゲルマニウム、ルビー、石英、サファイア、ガリウムヒ素、ダイヤモンド、炭化ケイ素、あるいはインジウムリンなど、その他の半導体材料も含む。第一の酸化物層10は、ケイ酸リンガラス（「PSG」）、ホウケイ酸ガラス（「BSG」）、ホウリンケイ酸ガラス（「BPSG」）、または塗布シリコン酸化膜（「SOD」）の層などの酸化ケイ素の層であってもよい。一つの態様において、第一の酸化物層10はBPSG層である。不動態層12は、二酸化ケイ素（「SiO2」）、窒化ケイ素（「SiN」）、酸化窒化ケイ素、BPSG、PSG、BSG、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、これらの混合物、または当分野で知られているその他の非導電性材料から形成することができる。一つの態様において、不動態層12は当分野で知られているSiO2とSiNのサンドイッチ構造である。不動態層12は、およそ０.５μmから１０μmまでの範囲の厚さを有していてもよい。第一の酸化物層10と不動態層12は、半導体基板８の上に慣用の方法によって前もって形成されていてもよい。
【００１８】
ビア４がTWIである場合、図３〜図７に示すように、半導体基板８の層を貫いて延びる少なくとも一つの開口14を形成することによって、ビア４を中間の半導体デバイス構造２に形成することができる。開口14は、レーザーによる孔あけまたは削摩、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング、光化学エッチング、マスキングと異方性エッチング、機械的な孔あけ、あるいは半導体基板８に開口を形成するためのあらゆるその他の公知のプロセスによって形成することができる。例示の目的だけのために説明すると、ボンドパッド６と不動態層12の上にフォトレジスト層16を付着させることによって、開口14を形成することができる。図４に示すように、フォトレジスト層16をエッチングすることにより、ボンドパッド６の少なくとも一部を露出させることができる。フォトレジスト層16は一般的なフォトレジストであってもよく、慣用の方法によって付着される。ボンドパッド６の露出した部分を除去することにより、第一の酸化物層10の少なくとも一部を露出させることができる。図５に示すように、第一の酸化物層10の露出した部分を除去することによって半導体基板８の一部を露出させることができ、次いで、図６に示すように、基板８を除去することによって開口14が形成される。次いで、図７に示すように、フォトレジスト層16の残りの部分を除去することができる。あるいは、第一の酸化物層10の露出した部分と下にある半導体基板８の部分を実質的に同時にエッチングすることによって、開口14を形成してもよい。形成された開口14は、およそ４：１（基板の厚さ：ビアの直径）からおよそ３０：１までの範囲の高いアスペクト比を有する。
【００１９】
あるいは、開口14は、当分野で知られているようなウエットエッチングの化学剤を用いてボンドパッド６を貫く孔をエッチングすることによって形成してもよい。反応性イオンエッチング（「RIE」）などのドライ酸化物エッチングを用いて孔を延ばし、それによって第一の酸化物層10をエッチングし、そして半導体基板８を露出させてもよい。水酸化テトラメチルアンモニウム（「TMAH」）とプロピレングリコールなどの有機溶媒の溶液を含むウエットエッチングの化学剤を用いると、半導体基板８に小さなくぼみが形成されるかもしれない。くぼみの大きさは約１０μmから約１５μmまでの範囲であろう。エッチング溶液は、約１重量％から約１０重量％のTMAHと約９０重量％から約９９重量％の有機溶媒を含んでいてもよい。一つの態様において、エッチング溶液は約６％のTMAHと約９４％のプロピレングリコールを含む。
【００２０】
孔は、半導体基板８の一部をレーザーで削摩することによって半導体基板８を貫いて延ばしてもよい。半導体基板８の裏面からくぼみに向けてレーザービームを当てることによって、半導体基板８をレーザーで削摩してもよい。くぼみは、レーザービームによって集積回路の活性表面から生成するエネルギーを保存するだろう。レーザービームからのエネルギーは半導体基板８の一部を削摩し、孔を延ばし、そして開口14を形成するだろう。しかし、レーザービームからのエネルギーは半導体基板８を開口14の周囲で過度に加熱して、熱影響部（「HAZ」）を生成させるかもしれない。この熱影響部とは、開口14の周囲のシリコンが損傷した領域である。HAZの材料は一般に「スラグ」と呼ばれていて、シリコンと酸素を含むだろう。半導体基板８に形成されたくぼみは、集積回路の活性表面上にスラグが付着するのを防ぎもするだろう。開口14が十分な幅または直径を有して必要な導電性通路が形成されるように、HAZは除去されるかもしれない。前述のTMAHとプロピレングリコールのエッチング溶液を用いてHAZを除去することができる。このエッチング溶液は、ボンドパッド６または第一の酸化物層10など、集積回路の他の部分を損傷させることなく、HAZを選択的に除去するだろう。
【００２１】
フォトレジスト層16、ボンドパッド６の露出した部分、第一の酸化物層10の露出した部分、および半導体基板８の露出した部分は、通常のドライエッチングの化学剤、通常のウエットエッチングの化学剤、またはレーザーエッチングを用いることによって、中間の半導体デバイス構造２から除去することができる。エッチングの方法と条件は、これらの層の各々において用いられる材料に基づいて、当業者が選択することができる。従って、エッチングの方法と条件については、ここで詳細には説明しない。例示の目的だけのために説明すると、第一の酸化物層10は、テトラフルオロメタン（「CF4」）の化学剤またはトリフルオロメタン（「CHF3」）と酸素（「O2」）の化学剤を利用するプラズマエッチングを用いてエッチングすることができる。あるいは、第一の酸化物層10は、稀薄なフッ化水素（「HF」）の水溶液を用いてエッチングすることができる。半導体基板８は、NF3 、HBr/Cl、C2F4 、またはSF6の化学剤を利用するプラズマエッチングを用いてエッチングすることができる。
【００２２】
開口14を形成するときに露出する半導体基板８の部分を密封するために、開口14を第二の酸化物層18で裏打ちしてもよい。第二の酸化物層18は低応力または低Siの酸化物（「LSO」）から形成することができ、これは一般的な方法によって半導体基板８の上に付着される。第二の酸化物層18は、０.１μmから約５μmまでの範囲の厚さ、例えば約１μmから約２μmまでの範囲の厚さで付着させてもよい。第二の酸化物層18の上にタングステンの層20を形成してもよく、これは後に上にニッケルを付着させるための種層を与える。タングステンの層20は約０.０２μmから約１μmまでの範囲の厚さを有していてもよい。タングステン層20は、当分野で知られている原子層堆積（「ALD」）、無電解堆積、電気めっき、化学気相成長（「CVD」）、プラズマCVD（「PECVD」）、または物理気相成長（「PVD」）によって形成することができる。場合により、タングステン層20が第二の酸化物層18により強固に付着するように、タングステン層20と第二の酸化物層18の間に粘着性の層が存在していてもよい。粘着性の層はALD、CVD、PECVD、PVD、真空蒸発、またはスパッタリングによって形成することができる。一つの態様において、粘着性の層は窒化チタン（「TiN」）から形成される。粘着性の層は約５０Åから約２００Åまでの範囲の厚さを有していてもよい。粘着性の層は、タングステン層20の厚さに応じて開口14の中で用いることができる。タングステン層20が約５００Å未満の厚さである場合、タングステン層20を第二の酸化物層18に付着させるために粘着性の層は必要ではないだろう。しかし、タングステン層20が約５００Åを超える厚さである場合、タングステン層20を第二の酸化物層18に適切に付着させるために粘着性の層を用いてもよい。
【００２３】
ビア４がBWIである場合、図２に示すように、半導体基板８の中に選ばれた深さだけ延びる少なくとも一つの開口14を形成することによって、ビア４を中間の半導体デバイス構造２に形成することができる。この場合、開口14は上述したようにして形成することができるが、ただし、開口14は半導体基板８の全体の厚さを貫いて延びてはいない。開口14は、上述したように第二の酸化物層18とタングステン層20で裏打ちしてもよい。
【００２４】
図８と図９に示すように、中間の半導体デバイス構造２の第二の酸化物層18、タングステン層20、および（存在する場合）粘着性の層をエッチングすることによって、ボンドパッド６と不動態層12の上にあるこれらの層の部分を除去することができる。第二の酸化物層18とタングステン層20の部分をビア４の中に残してもよい。このエッチング工程をここでは「スペーサーエッチング」と呼ぶ。第二の酸化物層18、タングステン層20、および（存在する場合）粘着性の層を除去するために用いられるエッチングの方法と条件は、これらの層における材料に基づいて、当業者が選択することができる。従って、それらについては、ここで詳細には説明しない。例示の目的だけのために説明すると、タングステン層20と（存在する場合）粘着性の層は通常のドライエッチングを用いて除去することができる。第二の酸化物層18は通常のウエットエッチングを用いて除去することができる。
【００２５】
次いで、図１０と図１１に示すように、タングステン層20の上にはニッケルをめっきせずに、露出したボンドパッド６の上に第一のニッケル層22をめっきすることができる。第一のニッケル層22を形成するために、ボンドパッド６の表面を洗浄することによって酸化アルミニウムを除去してもよい。例えば、酸化アルミニウムを除去するために用いられる洗浄溶液は水酸化ナトリウム（「NaOH」）と硝酸（「HNO3」）またはリン酸の水溶液であろう。NaOHはボンドパッド６の表面上で酸化アルミニウムを分解し、一方、HNO3またはリン酸はボンドパッド６の表面をエッチングして、最終的に上に第一のニッケル層22がめっきされる清浄なアルミニウム表面を与えるだろう。洗浄溶液は約１％〜約５％のNaOHと約５０％のHNO3 、および残部の水を含んでいてもよい。中間の半導体デバイス構造２を洗浄溶液の中に浸漬するか、あるいは中間の半導体デバイス構造２に洗浄溶液を噴霧することによって、ボンドパッド６を洗浄してもよい。次いで、ボンドパッド６を脱イオン水ですすぐことによって、NaOHとHNO3またはリン酸を除去することができる。ボンドパッド６の上に形成された酸化アルミニウムを除去するために、当分野で知られているその他のウエットエッチングを用いることもできる。
【００２６】
酸化アルミニウムを除去した後、アルミニウムに対して選択的な活性剤を用いて、ボンドパッド６の表面をニッケルめっきに対して活性化してもよい。アルミニウムの活性剤はアルミニウムに対して選択的であるので、タングステン層20の表面はニッケルめっきに対して活性化しないだろう。アルミニウムの活性剤は、酸化亜鉛（ZnO）などの亜鉛源物質とNaOHまたはその他のアルカリ金属水酸化物などの苛性アルカリ塩基を含む亜鉛酸塩（zincate）の水溶液であってもよい。アルカリ性のpHにおいて、亜鉛源物質は亜鉛酸塩溶液の中にZn(OH)4として存在するだろう。ボンドパッド６の表面上に亜鉛含有層が付着するのに十分な時間にわたって、中間の半導体デバイス構造２を亜鉛酸塩溶液に晒してもよい。亜鉛含有層は、亜鉛で富化した層からなるおよそ一つの単層からおよそ二つの単層までを含むだろう。亜鉛含有層は第一のニッケル層22に対する種層として機能するだろう。中間の半導体デバイス構造２は、約１０秒から約１分までにわたって亜鉛酸塩溶液に晒してもよい。亜鉛酸塩溶液はLeaRonal Inc.（バッファロー、NY）またはPacTech GmbH（ベルリン、ドイツ）など、様々な製造業者から商業的に入手できる。中間の半導体デバイス構造２をアルミニウムの活性剤の中に浸漬するか、あるいは中間の半導体デバイス構造２にアルミニウムの活性剤を噴霧することによって、中間の半導体デバイス構造２のボンドパッド６を活性化することができる。アルミニウムの活性剤を約２０℃から約４０℃までの範囲の温度に維持してもよい。
【００２７】
ボンドパッド６がニッケルめっきに対して活性化されたならば、中間の半導体デバイス構造２を脱イオン水ですすぎ、そして無電解ニッケルめっき溶液を収容している浴の中に浸漬することによって、第一のニッケル層22を形成することができる。第一のニッケル層22は、溶融したはんだでビア４がより効果的に充填されるのを可能にする湿潤層として作用するだろう。また第一のニッケル層22はバリヤー層としても作用するだろう。無電解ニッケルめっき溶液は、無電解ニッケル-リンめっき溶液または無電解ニッケル-ホウ素めっき溶液などが当分野で知られている。そのような無電解ニッケルめっき溶液は、PacTech GmbH（ベルリン、ドイツ）から入手できるNicPac 2.1、 NicPac 2.2 、およびNicPac 2.3や、Rohm and Haas Electronic Materials（フィラデルフィア、PA）から入手できるRonamax（登録商標）SMT、Duraposit（登録商標）、Niposit（登録商標）、Niplate（商品名）などが商業的に入手できる。これらの無電解ニッケルめっき溶液は、ニッケルイオンの供給源として硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、臭化ニッケル、フロオロホウ酸ニッケル、スルホン酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、およびニッケルアルキルスルホネートなどのニッケル塩を含む。無電解ニッケルめっき溶液は、リン化合物またはホウ素化合物などの還元剤も含んでいてもよい。還元剤の例としては、次亜リン酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ホウ水素化ナトリウム、およびDMABがある。また無電解ニッケルめっき溶液は、溶液のpHを維持するためのNaOHと、クエン酸、乳酸、またはリンゴ酸などの錯化剤も含んでいてもよい。無電解ニッケルめっき溶液のpHは、約４から約６までに維持されてもよい。無電解めっきを行う間、還元剤の酸化によってニッケルイオンはニッケルに還元される。一つの態様において、無電解ニッケルめっき溶液は、塩化ニッケル、ヒドロキシ酢酸ナトリウム、および次亜リン酸ナトリウムを含む。別の態様において、無電解ニッケルめっき溶液は硫酸ニッケルと次亜リン酸ナトリウムを含む。浴中の無電解ニッケルめっき溶液は、約６０℃から約１００℃までの範囲の温度、例えば約８０℃から約９０℃までの範囲に維持してもよい。
【００２８】
ボンドパッド６の上の第一のニッケル層22の厚さは、無電解ニッケルめっき溶液中のニッケルの濃度と中間の半導体デバイス構造２を無電解ニッケルめっき溶液の中に浸漬させる時間の長さに依存するだろう。第一のニッケル層22は約５００Åから約１０μmの範囲の厚さを有していてもよい。一つの態様において、第一のニッケル層22は約１μmの厚さを有する。中間の半導体デバイス構造２を無電解ニッケルめっき溶液の中に、ボンドパッド６の上に所望の厚さの第一のニッケル層22が付着するのに十分な時間にわたって、例えば約１分から約５分の間、浸漬させてもよい。ニッケルめっきを行う間に、ボンドパッド６の上の亜鉛含有層は第一のニッケル層22で置き換えられるかもしれない。ニッケルめっきの化学剤はアルミニウムに対して選択的であるために、ボンドパッド６は実質的にニッケルでめっきされ、一方、ビア４の中のタングステン層20の上にはニッケルは実質的にめっきされないだろう。
【００２９】
銅の上に直接めっきするようにニッケルめっきの化学剤が用いられるので、タングステン層20をニッケルめっきすることなく、銅から形成されるボンドパッド６はニッケルで選択的にめっきされるだろう。アルミニウムのボンドパッド６に関して上述したようにして、銅から形成されるボンドパッド６の活性化が実質的に起こるだろう。あるいは、銅のボンドパッド６は、亜鉛酸塩溶液で活性化されるのではなく、ニッケルめっきする前にパラジウムの溶液で活性化されるかもしれない。
【００３０】
ボンドパッド６の上に第一のニッケル層22が形成された後、図１２と図１３に示すように、開口14の中で第二のニッケル層24を付着させることによって、ビア４を裏打ちしてもよい。第二のニッケル層24は、溶融したはんだでビア４がより効果的に充填されるのを可能にする湿潤層として作用するだろう。第二のニッケル層24は、最初にタングステン層20から酸化物を除去した後に、タングステン層20の上に付着させてもよい。タングステン層20は、水酸化カリウム（「KOH」）の水溶液を用いるなど、化学的に洗浄することができる。
【００３１】
次いで、タングステンに対して選択的な活性剤を用いて、タングステン層20をニッケルめっきに対して活性化してもよい。タングステンの活性剤はタングステンに対して選択的であるので、ボンドパッド６はニッケルめっきに対して活性化しないだろう。タングステンの活性剤は、パラジウム(II)イオンを含むパラジウム水溶液であってもよい。タングステン層20の表面上にパラジウムの薄い層が付着するのに十分な時間にわたって、中間の半導体デバイス構造２をタングステンの活性剤に晒してもよい。例えば、中間の半導体デバイス構造は、約１０秒から約１分までにわたってタングステンの活性剤に晒してもよい。中間の半導体デバイス構造２をタングステンの活性剤の中に浸漬するか、あるいは中間の半導体デバイス構造２にタングステンの活性剤を噴霧することによって、中間の半導体デバイス構造２のタングステン層20を活性化することができる。
【００３２】
タングステン層20がニッケルめっきに対して活性化された後、無電解ニッケルめっき溶液を収容している浴の中に中間の半導体デバイス構造２を浸漬することによって、タングステン層20の上に第二のニッケル層24を形成することができる。無電解ニッケルめっき溶液は一般的なニッケルめっき溶液であってもよい。無電解ニッケルめっき溶液は第一のニッケル層22をめっきするのに用いられたものと同じ無電解ニッケルめっき溶液であってもよく、あるいは異なる無電解ニッケルめっき溶液であってもよい。無電解ニッケルめっき溶液は前述した通りのものである。第二のニッケル層24は約５００Åから約１０μmの範囲の厚さを有していてもよい。一つの態様において、第二のニッケル層24は約３μmから約５μmの範囲の厚さを有する。中間の半導体デバイス構造２を無電解ニッケルめっき溶液の中に、ボンドパッド６の上に所望の厚さの第二のニッケル層24が付着するのに十分な時間にわたって、例えば約１分から約５分の間、浸漬させてもよい。ニッケルめっきを行う間に、タングステン層20の上のパラジウムの層は第二のニッケル層24で置き換えられるかもしれない。無電解ニッケルめっきの溶液はタングステンに対して選択的であるために、タングステン層20は実質的にニッケルでめっきされ、一方、ボンドパッド６の上にはニッケルは実質的にめっきされないだろう。
【００３３】
次いで、図１４と図１５に示すように、ビア４をはんだ26で充填することによって導電性の通路を与えることができる。はんだは、スズ、鉛、インジウム、アンチモン、銀、銅、およびこれらの混合物を含む一般的なはんだの配合物であってもよい。はんだはビア４を濡らすか、または充填することができるだろう。適当なはんだの配合物としては、限定するものではないが、９５％鉛/５％スズ、６０％鉛/４０％スズ、６３％インジウム/３７％スズ、１００％スズ、および６２％鉛/３６％スズ/２％銀が挙げられる。ビア４をはんだ26で充填するために、はんだ26が溶融するのに十分な温度、例えば１８０℃から約３００℃までの温度にはんだ26を加熱してもよい。次いで、溶融したはんだをビア４の中あるいはボンドパッド６の近傍に付着させることができる。溶融したはんだをボンドパッド６の近傍に付着させた場合、それをビア４の中にリフロー（reflow：再溶融）させることにより導電性の通路を与えることができる。はんだ26をウエーブはんだ付け法を用いて付着させてもよく、これにおいては、ビア４がTWIである場合、中間の半導体デバイス構造２の裏面に溶融したはんだが塗布される。次いで、溶融したはんだは、ビア４の中に毛管作用と湿潤力によって引き込まれるだろう。
【００３４】
ビア４がBWIである場合、はんだボールなどのはんだの塊をビア４の入口に置き、これを溶融させ、そしてビア４の中に毛管作用によって引き込ませることができる。図１６に示すように、半導体基板８の裏面を除去することによってビア４を露出させてもよい。当分野で知られているように、半導体基板８の裏面は裏面研削によって除去することができる。半導体基板８の裏面研削は化学的機械研磨（「CMP」）または研磨手段によって達成することができる。裏面を除去した後は、ビア４は半導体基板８の厚さを貫いて延びて、TWIを形成するだろう。従って、TWIは直接形成してもよいし、あるいは最初にBWIを形成した後に形成してもよい。
【００３５】
あるいは、図１７に示すように、第一のニッケル層22をボンドパッド６の上を覆うように形成してもよい。第一のニッケル層22は前述したようにして形成することができる。次いで、図１８に示すように、開口14を半導体基板８に形成することができる。開口14は前述したようにして形成することができる。次いで、第二の酸化物層18、タングステン層20、および場合により粘着性の層を開口14の中に付着させて、ビア４を形成することができる。図１９に示すように、第二の酸化物層18、タングステン層20、および（存在する場合）粘着性の層を、中間の半導体デバイス構造２の表面からスペーサーエッチングを用いて除去してもよい。次いで、図２０に示すように、タングステン層20の上に第二のニッケル層24をめっきすることができる。第二のニッケル層24は前述したようにしてめっきすることができる。次いで、図１４に関して前述したようにして、ビア４をはんだ26で充填することができる。ビア４が形成される前にボンドパッド６の上に第一のニッケル層22を付着させることによって、開口14が形成された後に露出する半導体基板８の部分の上にニッケルを付着させなくてもよい。
【００３６】
タングステンの構造の上に第二のニッケル層24を付着させる前にアルミニウムの構造の上に第一のニッケル層22を付着させることによって、後続の加工処理工程の間、アルミニウムの構造を保護することができるだろう。例えば、第一のニッケル層22は、アルミニウムの構造がタングステンの活性剤に晒されることから保護するためのニッケルマスクとして作用するだろう。次いで、アルミニウムの構造をさらに保護することなく、タングステンの構造をニッケルめっきすることができる。さらに、アルミニウムの構造をニッケルめっきした後にタングステンの構造がニッケルめっきされるので、アルミニウムの構造をめっきするために用いられる洗浄、活性化、およびめっきの化学剤によってニッケルはタングステンの構造からは除去されない。言い換えると、酸化アルミニウムを除去するために用いられるエッチングの化学剤は、ビア４の内側から第二のニッケル層24の部分を除去しないだろう。
【００３７】
前述したように、別の態様において、アルミニウムの構造をニッケルめっきする前に、タングステンの構造がニッケルでめっきされる。前述したように、タングステンの構造をニッケルめっきに対して活性化して、次いでニッケルを付着させることによって、タングステンの構造をニッケルで選択的にめっきすることができる。次いで、前述したように、アルミニウムの構造をニッケルめっきに対して活性化して、次にニッケルを付着させることによって、アルミニウムの構造をニッケルめっきすることができる。
【００３８】
別の態様において、ニッケルめっきする前にタングステンの構造とアルミニウムの構造の両者の表面を活性化することによって、タングステンの構造とアルミニウムの構造は実質的に同時にニッケルでめっきされる。前述したように、アルミニウムの構造は、中間の半導体デバイス構造２を亜鉛酸塩溶液に晒すことによって活性化することができる。次いで、中間の半導体デバイス構造２をタングステンの活性剤に晒すことによって、タングステンの構造を活性化することができる。次いで、前述したように、活性化したタングステンの構造とアルミニウムの構造をニッケルめっきすることができる。
【００３９】
アルミニウムの構造とタングステンの構造のうちの一つをニッケルで選択的にめっきすることに加えて、本発明の方法は、銅の構造とタングステンの構造のうちの一つをニッケルで選択的にめっきするために用いることもできる。従って、ボンドパッド６は、銅から、またはアルミニウムと銅の混合物から形成してもよい。一般的なニッケルめっきの化学剤を銅の上に直接めっきすることができるので、銅から形成されるボンドパッド６をニッケルで選択的にめっきすることができる。
【００４０】
本発明は様々な修正や代替の形態を許容することができるけれども、図面における実施例を用いて特定の態様が示され、そして本明細書で詳細に説明された。しかし、本発明は開示された特定の形態に限定されることは意図されていない、と理解されるべきである。そうではなく、本発明は、添付した特許請求の範囲によって定義される発明の精神と範囲に含まれる全ての修正、同等物、および代替物に及ぶのである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図２】図２はブラインドウエーハ相互接続が形成されている集積回路の態様の断面図を概略的に示す。
【図３】図３はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図４】図４はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図５】図５はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図６】図６はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図７】図７はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図８】図８はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図９】図９はブラインドウエーハ相互接続が形成されている集積回路の態様の断面図を概略的に示す。
【図１０】図１０はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図１１】図１１はブラインドウエーハ相互接続が形成されている集積回路の態様の断面図を概略的に示す。
【図１２】図１２はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図１３】図１３はブラインドウエーハ相互接続が形成されている集積回路の態様の断面図を概略的に示す。
【図１４】図１４はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図１５】図１５はブラインドウエーハ相互接続が形成されている集積回路の態様の断面図を概略的に示す。
【図１６】図１６はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の一つの態様の断面図を概略的に示す。
【図１７】図１７はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の別の態様の断面図を概略的に示す。
【図１８】図１８はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の別の態様の断面図を概略的に示す。
【図１９】図１９はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の別の態様の断面図を概略的に示す。
【図２０】図２０はスルーウエーハ相互接続が形成されている集積回路の別の態様の断面図を概略的に示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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