(57)【要約】【課題】ＬＰＰ、ＥＵＶ光源集光器侵食の緩和に関する技術を提供する。【解決手段】ＥＵＶ光生成プラズマ内に作成された材料との除去相互作用によって除去される被覆材料から成る集光器外面を備えた多層ミラー集光器を含む集光器と、除去相互作用によって除去される被覆材料を置換するのに十分な速度で集光器外面に被覆材料を含む置換材料を送出するように位置決めされた置換材料発生器とを含むことができるＥＵＶ光源集光器侵食緩和システム及び方法。置換材料発生器は、置換材料を集光器外面の選択された部分にそれぞれ送出するように位置決めされた複数の置換材料発生器を含むことができ、かつ集光器外面上に置換被覆材料をスパッタリングするスパッタリング機構を含むことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光生成プラズマ内に作成された材料との除去相互作用による除去を受ける被覆材料から成る集光器外面を備えた多層ミラー集光器を含む集光器と、
前記除去相互作用によって除去される前記被覆材料を置換するのに十分な速度で被覆材料を含む置換材料を前記集光器外面に送出するように位置決めされた置換材料発生器と、
を含むことを特徴とするＥＵＶ光源集光器侵食緩和システム。
【請求項２】
前記置換材料発生器は、前記集光器外面の選択された部分に置換材料をそれぞれ送出するように位置決めされた複数の置換材料発生器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記置換材料発生器は、置換被覆材料を前記集光器外面上にスパッタリングするスパッタリング機構を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記置換材料発生器は、置換被覆材料を前記集光器外面上にスパッタリングするスパッタリング機構を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記集光器のＥＵＶ反射率の表示を供給するＥＵＶ光検出器と、
前記集光器外面への置換材料の前記送出を制御する置換材料発生器制御機構と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記集光器のＥＵＶ反射率の表示を供給するＥＵＶ光検出器と、
前記集光器外面への置換材料の前記送出を制御する置換材料発生器制御機構と、
を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記集光器のＥＵＶ反射率の表示を供給するＥＵＶ光検出器と、
前記集光器外面への置換材料の前記送出を制御する置換材料発生器制御機構と、
を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項８】
前記集光器のＥＵＶ反射率の表示を供給するＥＵＶ光検出器と、
前記集光器外面への置換材料の前記送出を制御する置換材料発生器制御機構と、
を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項９】
前記置換材料発生器制御機構は、前記置換材料の前記送出の速度を制御する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記置換材料発生器制御機構は、前記置換材料の前記送出の速度を制御する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
前記置換材料発生器制御機構は、前記置換材料の前記送出の速度を制御する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記置換材料発生器制御機構は、前記置換材料の前記送出の速度を制御する、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
ＥＵＶ光生成プラズマ内に作成された材料との除去相互作用による除去を受ける被覆材料から成る集光器外面を備えた多層ミラー集光器を含む集光器のためのＥＵＶ光源集光器侵食緩和方法であって、
置換材料発生器を利用して、除去相互作用によって除去される被覆材料を置換するのに十分な速度で被覆材料を含む置換材料を集光器外面に送出する段階、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
本出願は、２００５年９月２８日出願の「ＥＵＶ光源集光器侵食の緩和」という名称の米国特許出願出願番号第１１／２３８、８２８号に対する優先権を請求するものであり、かつ２００５年６月２９日出願の「ＥＵＶ光源の内部構成要素に及ぼすプラズマ生成デブリの影響を低減するためのシステム及び方法」という名称の米国特許出願出願番号第１１／１７４、４４２号、及び２００５年６月２７日出願の米国特許出願出願番号第１１／１６８、１９０号の一部継続出願であり、これらの開示内容は、この記述により引用により組み込まれる。
本発明は、ＬＰＰ、ＥＵＶ光源集光器侵食の緩和に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
実験が示すように、例えば、プラズマ原料物質のための錫のような金属を使用してレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）によって生成された極紫外線（ＥＵＶ）光源は、主集光ミラーの侵食を受ける。この侵食は、例えば、活発な原料物質イオン、例えば錫イオン及びＬＰＰによって作成された中性物質によるスパッタリングによるものである。本出願人は、この問題に対処する装置及び方法を提案する。
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願出願番号第１１／２３８、８２８号
【特許文献２】米国特許出願出願番号第１１／１７４、４４２号
【特許文献３】米国特許出願出願番号第１１／１６８、１９０号
【発明の開示】
【０００４】
ＥＵＶ光生成プラズマ内に作成された材料との除去相互作用によって除去される被覆材料から成る集光器外面を備えた多層ミラー集光器を含む集光器と、除去相互作用によって除去される被覆材料を置換するのに十分な速度で集光器外面に被覆材料を含む置換材料を送出するように位置決めされた置換材料発生器とを含むことができるＥＵＶ光源集光器侵食緩和システム及び方法を開示する。置換材料発生器は、置換材料を集光器外面の選択された部分にそれぞれ送出するように位置決めされた複数の置換材料発生器を含むことができ、かつ集光器外面上に置換被覆材料をスパッタリングするスパッタリング機構を含むことができる。本発明のシステム及び方法は、更に、集光器のＥＵＶ反射率の表示を提供するＥＵＶ光検出器と、置換材料の送出速度を制御することを含むことができる、集光器外面への置換材料の送出を制御する置換材料発生器制御機構とを更に含むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
商業的に実行可能な集光器寿命を達成するために、本出願人は、本発明の実施形態の態様により、例えば、ＬＰＰ、ＥＵＶ光源作動中にプラズマ生成チャンバ内で原位置で材料を置換することによって侵食に対処するための装置及び方法を提案する。
本発明の実施形態の態様によれば、侵食されたミラー材料を置換するための装置及び方法は、例えば、プラズマ原料物質からのスパッタリング、例えば、錫スパッタリング又は他のスパッタリングによる除去速度に等しい速度でミラーコーティング材料を連続的に供給することができる、例えば、集光器アセンブリのパラメータ付近でのスパッタ源の設置を伴うことができる。例示的な構成を図１に概略的に示している。
【０００６】
ここで図１を参照すると、例えば、集光ミラーを完全に覆って、かつミラー表面にわたって侵食速度プロフィールに等しいミラー表面にわたる複合堆積速度プロフィールを生成するように、いくつかのスパッタ源を設置することができることが示されている。
スパッタ源の適正な堆積速度は、別々に及び集合的に慎重に選択すべきである。本発明の実施形態の態様によれば、これを行う１つの方法は、無保護ミラーの侵食プロフィールを特徴付け、例えば、適合する静的堆積プロフィールを生成することであり、堆積プロフィールに必要な制御は、正味材料除去速度がほぼ完全にゼロに接近するようなものであろう。
【０００７】
代替的に、本発明の実施形態の態様によれば、原位置での測定法を用いて堆積速度のフィードバック制御を行うことができる。このようなシステムの一例として、かつ例えば堆積材料がモリブデンであるべきであると仮定すると、ＥＵＶミラーのＥＵＶ反射率は、例えば、制御モリブデンスパッタリング源からのスパッタリングのために、例えば、モリブデンの表層厚が増大してある一定の限界値を超える時に減少し始める。これらのＥＵＶミラーは、多数の層を有することになるので、１つ又は２つのミラー層の損失による反射率の変化は殆どない。従って、本発明の実施形態の態様によれば、ＥＵＶ反射率を原位置でモニタし、反射率が、比較的正確に測定する計測法の一部の公差内で、また、反射率を犠牲にしながらも望ましいエネルギ出力を維持する機能の一部の限度内で、選択した量だけ、例えば、数％又は一部の場合には更にそれ以下だけ下がるまで、モリブデンを堆積させることができる。本発明の実施形態の態様によれば、例えば、以下で説明するように中間焦点で送出された時のシステム全体の出力ＥＵＶ光エネルギは、反射率のそのような尺度として使用することができ、又は個々のＥＵＶ検出器を、以下で説明するように、集光器の選択部分の反射率変化を検出するように位置決めすることができる。
【０００８】
次に、ＥＵＶ光源を操作して、プラズマ原料物質スパッタリング、例えば、錫スパッタリングによってミラー表面からのモリブデンの除去が開始される時に、ミラー反射率は増大し、コーティングなしの状態の値に戻る。この増大は、例えば、モニタしてモリブデンのスパッタコーティング速度のためのフィードバックとして使用することができる。この測定法は、集光器表面の異なる部分のサンプリングを行う複数の検出器、及び／又は検出器表面の異なる場所で侵食のシミュレーションを行うために位置決めされた複数の監視プレートを含むことができる。
【０００９】
概略的に示すように、かつ図１における一例として、ＬＰＰ、ＥＵＶ光源１０は、ＥＵＶ光集光器１２を含むことができる。ターゲット液滴発生器２４から送出されたターゲット液滴２２の形態で、プラズマ原料物質、例えば、錫又はリチウムをプラズマ開始サイト２０に送出することができる。ターゲット液滴は、例えば、レーザビーム（図示せず）によって照射され、例えば、約１３．５ｎｍの波長でＥＵＶ光を発するプラズマを形成することができる。集光器１２は、プラズマ中間サイト２０でミラー形状を形成する楕円焦点でＥＵＶ光を反射する楕円形多層ミラーを含み、楕円体の第２の焦点で中間焦点３２にＥＵＶ光３０の円錐体を集束させ、そこで、例えば、ＥＵＶ光３０をその光を利用するための装置、例えば、集積回路製造処理フォトリソグラフィ装置（図示せず）に送出することができる。
【００１０】
複数の置換材料送出装置４０は、そのうちの２つが図１に例示的に示されているが、円錐体３０の外側に位置決めされ、集光器１２を成す多層ミラーの外面１４に置換材料、例えば、モリブデンを送出することができる。置換材料送出装置４０は、ペンシルベニア州ピッツバーグ所在の「Ｋｕｒｔ  Ｔ．ｅｓｋｅｒ  Ｃｏｍｐａｎｙ」によって製造される「Ｔｏｒｕｓ」マグネトロン・スパッタラー・ソースのような集光器１２の外面１４の少なくとも何らかの部分上に置換材料、例えば、モリブデンをスパッタリングするための装置を含むことができる。スパッタリング機構４０には、スパッタリング機構４０によるスパッタリング速度、及び従って集光器１２外面１４への置換材料の送出速度を駆動するスパッタリング機構４０の一部とすることができるＲＦ源５０を設けることができる。
カリフォルニア州トーランス所在の「Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｄｅｃｔｏｒｓ、Ｉｎｃ．」によって製造される型式「ＸＵＶ  １００」のようなＥＵＶ光強度検出器６０は、集光器１２外面１４の選択部分からの反射率の変化を検出するように位置決めすることができる。
【００１１】
「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」を満足するために必要とされる詳細において本特許出願において説明しかつ例示した「ＥＵＶ光源集光器侵食の緩和」の実施形態の特定の態様は、上述の実施形態の態様のあらゆる上述の目的、及び上述の実施形態の態様により又はその目的のあらゆる他の理由で又はその目的にために解決すべき問題を完全に達成することができるが、本発明の上述の実施形態のここで説明した態様は、本発明による広義の主題を示しかつ表すことを当業者は理解すべきである。実施形態のここで説明しかつ主張する態様の範囲は、本明細書の教示内容に基づいて当業者に現在明らかであると考えられるか又は明らかになると考えられる他の実施形態を漏れなく包含するものである。本発明の「ＥＵＶ光源集光器侵食の緩和」の範囲は、単独にかつ完全に特許請求の範囲によってのみ限定され、いかなるものも特許請求の範囲の詳細説明を超えるものではない。単数形でのこのような請求項における要素への言及は、解釈において、明示的に説明していない限り、このような要素が「１つ及び１つのみ」であることを意味するように意図しておらず、かつ意味しないものとし、「１つ又はそれよりも多い」を意味する意図とし、かつ意味するものとする。当業者に公知か又は後で公知になる実施形態の上述の態様の要素のいずれかに対する全ての構造的及び機能的均等物は、引用により本明細書に明示的に組み込まれると共に、特許請求の範囲によって包含されるように意図されている。本明細書及び／又は本出願の請求項に使用され、かつ本明細書及び／又は本出願の請求項に明示的に意味を与えられたあらゆる用語は、このような用語に関するあらゆる辞書上の意味又は他の一般的に使用される意味によらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として本明細書で説明した装置又は方法は、それが特許請求の範囲によって包含されるように本出願において開示する実施形態の態様によって解決するように求められる各及び全て問題に対処することを意図しておらず、また必要でもない。本発明の開示内容におけるいかなる要素、構成要素、又は方法段階も、その要素、構成要素、又は方法段階が特許請求の範囲において明示的に詳細に説明されているか否かに関係なく、一般大衆に捧げられることを意図したものではない。特許請求の範囲におけるいかなる請求項の要素も、その要素が「〜のための手段」という語句を使用して明示的に列挙されるか又は方法の請求項の場合にはその要素が「作用」ではなく「段階」として列挙されていない限り、「３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１２」第６項の規定に基づいて解釈されないものとする。
【００１２】
上記で開示した本発明の実施形態の態様は、好ましい実施形態であることのみを意図しており、いかなる点においても本発明の開示内容を限定するものではなく、特に、特定の好ましい実施形態だけに限定するものではないものとすることが当業者によって理解されるであろう。開示した発明の実施形態の開示した態様には、当業者によって理解及び認められるような多くの変更及び修正を行うことができる。特許請求の範囲は、その範囲及び意味において、本発明の実施形態の開示した態様だけではなく、当業者には明らかになると思われる均等物及び他の修正及び変更も包含するものとする。上述の本発明の実施形態の開示して請求した態様に対する変更及び修正に加えて、他のものも実施することができると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態の態様によるＥＵＶ光源プラズマ開始サイト及び関連ＥＵＶ光集光器の例の概略図である。
【符号の説明】
【００１４】
１０  ＬＰＰ、ＥＵＶ光源
１２  集光器
２０  プラズマ開始サイト
２２  ターゲット液滴
【図１】
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【国際調査報告】
2008544574.tif 000004