(57)【要約】  本発明は、粒子ビーム（６）が電気素子（２、３）の位置に印加され、電荷が粒子ビーム（６）の印加の影響下で発散され、発散された電荷が集電極（９）によって収集され、収集された電荷の量が測定され、そして、電気的特徴が、収集された電荷の量の測定から推定されることを特徴とする、電気素子を検査または測定するための方法に関するものである。本発明は、特にプリント回路の抵抗及び／または静電容量の測定に適用されると共に、フラットスクリーン、電子部品を装備した回路、及び半導体チップのようなあらゆる他のタイプの基板に適用される。
2008529021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気素子（２、３）を検査または測定するための方法であって、
粒子ビーム（６）が前記電気素子（２、３）の第１の位置（４、４−１）に印加され、
電荷が前記粒子ビーム（６）の印加の影響下で発散され、
発散された前記電荷が集電極（９）によって収集され、
収集された前記電荷の量が測定され、
そして、前記電気素子の電気的特徴が、収集された前記電荷の量の測定から推定される
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記粒子ビーム（６）がレーザビームである
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電気素子（２、３）が、絶縁基板（１）に内蔵されるか、または絶縁基板（１）の上に蒸着された導電路であると共に、その２つの端部の各々において金属パッドを備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の位置が前記金属パッド（４、４−１）である
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記金属パッド（４、４−１）がＣ４タイプの金属パッドである
ことを特徴とする請求項３または請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
収集された前記電荷の量の測定は、収集された前記電荷を測定するための装置（１０）によって、静電容量を含むことを保証されると共に、収集された前記電荷の量の測定が、この静電容量の電荷を評価することによって実行される
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
リセットユニット（１７）が、収集された前記電荷の量の測定を前記粒子ビーム（６）のパルス（１６）に同期させる
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
電荷が、前記粒子ビームの作用で抽出された電荷の損失を補償するために、前記電気素子（２、３）の第２の位置（４−２、５）に注入されると共に、
注入された前記電荷を測定するための装置（１２）を用いて注入された前記電荷の量が測定される
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記電気素子の静電容量が注入された前記電荷の量から推定される
ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記電気的特徴が、前記電気素子の電気抵抗、または前記電気素子の静電容量である
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記電気的特徴が、別の電気素子に対する前記電気素子の電気的導通性、または前記電気素子の電気的絶縁性である
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
相互接続担体、または前記相互接続担体に配置された電子回路を製造する方法であって、
前記相互接続担体、または前記電子回路が、電気素子を含み、
前記方法が、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の検査または測定する方法に従って実装された前記相互接続担体の電気素子または前記電子回路の電気素子の全部または一部を検査または測定する段階を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
電気素子（２、３）を検査または測定するためのシステムであって、
前記電気素子（２、３）の第１の位置（４、４−１）に印加されると共に、前記第１の位置への印加が電荷の発散を引き起こす粒子ビーム（６）を生成するための手段と、
発散された前記電荷の集電極（９）と、
収集された前記電荷の量を測定するための装置（１０）と、
前記電気素子の電気的特徴を、収集された前記電荷の量の測定から推定するための手段と
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１４】
前記粒子ビームのショットの開始に先行するパルス（１６）を生成するための手段を備え、
前記パルス（１６）が、前記集電極（９）によって収集された前記電荷の量を測定するための前記装置（１０）のリセットユニット（１７）の入力を形成する
ことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記粒子ビームの作用で抽出された電荷の損失を補償するために、前記電気素子（２、３）の第２の位置（４−２、５）に対する電荷の注入に割り当てられた信号源（１１）を備える
ことを特徴とする請求項１３または請求項１４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１６】
注入された前記電荷の量を測定するための装置（１２）を備える
ことを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
静電容量を備えると共に、
収集された前記電荷の量の測定が前記静電容量の電荷を測定することによって実行される
ことを特徴とする請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記電気素子の電気抵抗、または前記電気素子の電気静電容量である電気的特徴を推定するように配置される
ことを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１９】
別の電気素子と比較される前記電気素子の電気的導通性、または前記電気素子の電気的絶縁性である電気的特徴を推定するように配置される
ことを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気素子を検査または測定するための方法、及び対応するシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体、または集積回路チップ、及びプリント基板のような電気部品は、市場に出される前に、それらの製造工程の不可欠な部分である検査段階を必要とする。実行された検査の中で、いくつかの検査は、導電路の導通性及び絶縁性を判定することを可能にする。他の検査は、導電路の抵抗を評価することを可能にする。
【０００３】
文書、米国特許第6,369,591号明細書（Cugini等）は、レーザビームを使用する、絶縁基板の導電路を検査するための非接触型の方法を説明する。導電路の導通性が判定されることを、この方法のみが可能にするが、しかしこれらの導電路の抵抗及び／または静電容量の測定を提供しない。同一のものが、文書、欧州特許第1,233,275号明細書（日本電産リード株式会社）に説明された検査方法に適用される。この文書は、導電路の導通性を、それらが交差しているかどうか（すなわち、導電路が基板を通過しているか、あるいは通過していないか）に従って判定するための様々な方法を提案する。しかしながら、これらの様々な方法は、導電路の抵抗または静電容量を測定すること、すなわち、抵抗値または静電容量値を取得するための測定を可能にしない。交差導電路の導通性は、以下の方法で測定される。電子は、光電効果によって、導電路の第１の端部から抽出され、集電極によって収集される電子は、独自の電位を有すると共に、この集電極を導電路の第２の端部と連結する回路を流れる電流の強度が、その場合に測定される。この電流の強度は、不良部分が存在しない基板（最高のボード）の対応する導電路によって取得されたであろう既知の電流の強度と比較されると共に、交差する導電路の導通性または絶縁性が、この比較から推定される。非交差導電路の導通性は、２つの方法に従って測定される。両方の方法において、検査されるべき導電路は、基板の反対側に位置するボードと容量結合されている。第１の方法によれば、電子は、光電効果によって導電路の一方の端部から抽出され、電流は、その場合に、集電極を通じて導電路とボードとの間で生成されると共に、この電流の強度は、最高のボードによって以前に取得された値と比較される値を取得するために、測定されて、積分される。第２の方法によれば、同一の手順が適用されると共に、導電路とボードとの間で形成される静電容量の充電電流の強度が測定されるが、しかし、２つのレーザショットを実行することにより、光電効果によって導電路の各端部から電荷を抽出する。ここで再び、取得された結果は、最高のボードを用いて取得された既知の結果と比較される。
【０００４】
文書、欧州特許第1,236,052号明細書（Vaucher Christophe）は、絶縁基板の導電路の抵抗が測定されることを可能にする検査方法を説明する。この方法によれば、あらゆる調整可能な電位を個別に有することが可能ないくらかの導電領域を有するボードは、検査されるように、集電極と向かい合うように、その近くに配置される。粒子ビームは、特にレーザビームであって、その場合に、光電効果によって電子を抽出するために、導体の第１のポイントに印加される。同時に、電子が、導体の第２のポイントに注入され、従って、この導体を通じて電流を流れさせる。２点間の電流の強度が、その場合に、測定されると共に、導体の抵抗は、オームの法則：Ｕ＝Ｒ×Ｉを用いることによって、そこから推定される。
【特許文献１】米国特許第6,369,591号明細書
【特許文献２】欧州特許第1,233,275号明細書
【特許文献３】欧州特許第1,236,052号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この方法の実装は複雑であることが分かる。実際には、使用されるレーザのパルス持続時間は、一般的に約２、３［ｎｓ］である。従って、そのような期間に対する電流：Ｉ＝Ｕ／Ｒの測定は、２、３［ＧＨｚ］で動作する電子回路を必要とすると共に、それは非常に高価である。更に、これらの高周波で動作することは、測定に対して妨害となる、検査される回路の自己インダクタンスに関連付けられた困難性を含む。
【０００６】
最先端のものを与えられて、本発明は、電気素子を検査または測定するための方法、及びこの方法を実行するシステムを目指す。この方法を実装することは、２つの検査点の間の電流強度の直接的な測定を必要とせず、その結果として、同様に非常に高価である一方、測定に対して妨害となる、検査される回路の自己インダクタンスに関連付けられた困難性を含む２、３［ＧＨｚ］で動作する電子回路を必要としない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、粒子ビームが電気素子の第１の位置に印加され、電荷が粒子ビームの印加の影響下で発散され、発散された電荷が集電極によって収集され、収集された電荷の量が測定され、そして、電気素子の電気的特徴が、収集された電荷の量の測定から推定されることを特徴とする、電気素子を検査または測定する方法の提供によって達成される。
【０００８】
一実施例によれば、粒子ビームは、レーザビームである。
【０００９】
一実施例によれば、電気素子は、絶縁基板に内蔵されるか、または絶縁基板の上に蒸着された導電路であると共に、その２つの端部の各々において金属パッドを備える。
【００１０】
一実施例によれば、第１の位置は金属パッドである。
【００１１】
一実施例によれば、金属パッドはＣ４タイプの金属パッドである。
【００１２】
有利に、収集された電荷の量の測定は、収集された電荷を測定するための装置によって、静電容量を含むことを保証されると共に、収集された電荷の量の測定が、この静電容量の電荷を評価することによって実行される。
【００１３】
一実施例によれば、リセットユニットは、収集された電荷の量の測定を粒子ビームのパルスに同期させる。
【００１４】
一実施例によれば、電荷は、粒子ビームの作用で抽出された電荷の損失を補償するために、電気素子の第２の位置に注入されると共に、注入された電荷を測定するための装置を用いて注入された電荷の量が測定される。
【００１５】
一実施例によれば、電気素子の静電容量は注入された電荷の量から推定される。
【００１６】
一実施例によれば、電気的特徴は、電気素子の電気抵抗、または電気素子の静電容量である。
【００１７】
一実施例によれば、電気的特徴は、別の電気素子に対する電気素子の電気的導通性、または電気素子の電気的絶縁性である。
【００１８】
本発明は、同様に、相互接続担体（support：サポート）、または相互接続担体に配置された電子回路を製造する方法に関係する。相互接続担体、または電子回路は、電気素子を含み、方法は、本発明による検査または測定する方法に従って実装された相互接続担体の電気素子または電子回路の電気素子の全部または一部を検査または測定する段階を含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明は、同様に、電気素子の第１の位置に印加されると共に、第１の位置への印加が電荷の発散を引き起こす粒子ビームを生成するための手段と、発散された電荷の集電極と、収集された電荷の量を測定するための装置と、電気素子の電気的特徴を、収集された電荷の量の測定から推定するための手段とを備えることを特徴とする、電気素子を検査または測定するためのシステムに関連する。
【００２０】
一実施例によれば、システムは、粒子ビームのショットの開始に先行するパルスを生成するための手段を備え、パルスが、集電極によって収集された電荷の量を測定するための装置のリセットユニットの入力を形成する。
【００２１】
一実施例によれば、システムは、粒子ビームの作用で抽出された電荷の損失を補償するために、電気素子の第２の位置に対する電荷の注入に割り当てられた信号源を備える。
【００２２】
一実施例によれば、システムは、注入された電荷の量を測定するための装置を備える。
【００２３】
一実施例によれば、システムは、静電容量を備えると共に、収集された電荷の量の測定が静電容量の電荷を測定することによって実行される。
【００２４】
一実施例によれば、システムは、電気素子の電気抵抗、または電気素子の電気静電容量である電気的特徴を推定するように配置される。
【００２５】
一実施例によれば、システムは、別の電気素子と比較される電気素子の電気的導通性、または電気素子の電気的絶縁性である電気的特徴を推定するように配置される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、収集された電荷の量は、主として、２つのパラメータに伴って変動すると共に、それらは、電気素子の抵抗及び静電容量である。例えば、２回測定を行うか、または検査されるべき電気素子の設計資料からそれらの内の１つの良好な近似を得られることによっって、もし電気素子の静電容量の値または抵抗の値が分かっている場合、もしくはこれらの２つのパラメータの内の１つを無視することが可能である場合、粒子ビームを印加する間に収集された電荷の量は、測定することが必要とされる電気的特徴であるこの抵抗、及び／またはこの静電容量だけに伴って変化する。従って、前述の文書、欧州特許第1,236,052号明細書に記載されるような、素子を流れる電流強度から電気素子の抵抗を測定することは、必要ではない。電子的な測定は、従って著しく単純化される。電子は、最先端のものと同様に、導電路を流れる電流の強度を測定することによって、測定電子回路の動作の動作通過帯域より約６倍低くなる通過帯域に従っている約２、３［ｋＨｚ］の通過帯域に従って動作しそうである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明は、本発明の方法の実施例、及び添付の図面との関係において与えられるが、しかしそれに制限されない本発明に基づくシステムの以下の説明を読むことで、更によく理解されることになる。
【００２８】
本発明による方法及びシステムは、基板とは独立した、もしくはプリント回路半導体チップ、またはフラットスクリーンを作るために使用されるガラス質の基板上の電子回路のような、基板に内蔵された能動素子、もしくは受動素子のような電気素子を検査するために使用される。
【００２９】
本発明による方法及びシステムは、同様に、判定されるべき検査される電気素子の電気的特徴、特に電気的導通性、検査の電気素子の電気抵抗または電気静電容量、もしくはそれらの間に連結された別の素子または他の素子の一群に対する素子の電気的絶縁性を提供する。電気素子は、例えば、絶縁基板に内蔵されるか、または絶縁基板の上に蒸着された導電路であると共に、その端部の各々において、平面、もしくはあらゆる他の幾何学的図形のいずれかの金属パッドが取り付けられている。絶縁基板は、例えば、携帯電話、ＭＰ３プレーヤ、ＣＤまたはＤＶＤリーダ、もしくはデジタルカメラのような携帯用電子機器の大多数において、及びマイクロプロセッサまたはメモリのような半導体チップのためのパッケージの合成において使用される非常に高密度のプリント回路基板、またはＨＤＩ(High Density Interconnect)プリント回路基板であり、対応するプリント回路は“ＩＣパッケージ基板”または“チップキャリア”と呼ばれる。これらの基板は、高密度のプリントされた金属の導電路を備えると共に、これらの導電路は、時には十数ミクロンより狭い幅であると共に、２つの導電路の間の間隔幅はその半分ほどであり、金属の導電路は１００［μｍ］より狭い寸法を有する検査にアクセス可能である。しかしながら、本発明は、同様に、カプセル化前の半導体チップと同様に、基板成形液晶表示装置、もしくはプラズマフラットスクリーンのような１つ以上の段階に配置された導電路を有するあらゆるタイプの基板に適用される。また、本発明は、更に、“現場検査”と呼ばれる部品を装備されるカードの検査、導通性及び絶縁性の検査、抵抗または静電容量のような受動素子の値の検査に適用される。
【００３０】
実際上、絶縁基板の導電路の抵抗及び／または静電容量を測定することは、恐らくは基板のいくつかの絶縁層に配置されると共に、金属被覆が施された穴またはビア（via）によって連結された全ての導電路によって形成された相互接続ネットワークを検査することを目的として、特に導電路の導通性及び絶縁性をチェックすることを目指す。
【００３１】
図１Ａ、及び図１Ｂの例において、検査の基板１は、スパークギャップタイプのチップキャリアであり、それは、ポイントの間で約１ミリメートルである標準のプリント回路の１つのピッチに、はるかに高い接続密度を有する半導体チップタイプの電子部品をもたらすことを意図している。基板１の導電路２、３は、基板の表面（導電路３）に配置されるか、もしくは基板の上面または基板の下面に配置されるか、もしくは基板に交差する（導電路２）と共に基板の両方の表面を連結する。導電路の各端部は、金属パッドを備える。金属パッドは、基板１の上面（パッド４、４−１、４−２）、及び基板１の下面（パッド５）に配置される。特に基板の上面に配置されるパッドは、チップがフリップチップ技術（flip-chip technique）を用いてマウント（搭載）されることを可能にする。パッドは、例えば“Controlled Collapsed Chip Connection”を意味するＣ４タイプのパッドである。そのような場合、それらは、鉛の金属合金で作られる−ステインタイプ（stain type）か、または同等の無鉛合金で作られるものがある。基板の下面に位置するパッド５は、“ボールグリッドアレイ（Ball Grid Array）”を意味するＢＧＡタイプのパッドである。Ｃ４タイプの金属パッド、及びＢＧＡタイプの金属パッドは、基板１の表面上のマトリクス構造に基づいて配置された相互接続の接点を形成する。
【００３２】
本発明による抵抗の測定を受ける導電路は、基板の上面にあるＣ４タイプの２つの金属パッドを連結するＣ４−Ｃ４タイプの非交差導電路か、または基板の下面にあるＢＧＡタイプの２つの金属パッドを連結するＢＧＡ−ＢＧＡタイプの非交差導電路か、または基板の上面にあるＣ４金属パッドを基板の下面にあるＢＧＡパッドに連結するＣ４−ＢＧＡタイプの交差導電路か、またはより一般的には、あらゆる他のタイプの交差導電路のいずれかである。
【００３３】
図１Ａで示された本発明の特別な一実施例によれば、粒子ビーム６は、交差導電路２の位置に対して印加されると共に、位置は、その導通性、抵抗及び／または静電容量の測定が求められる導電路の端部を構成するＣ４タイプのパッド４によって形成される。この粒子ビームは、例えば、周波数において、そのパルス持続時間が好ましくは２、３［ｎｓ］である５つの係数が乗算された、ＹＡＧタイプのパルスレーザによって供給されるレーザビーム６である。レーザエネルギーは、レーザエネルギーを測定するための装置１５と連結される熱量計１４を用いて測定される。
【００３４】
水平のボードは、基板１の近くで、この基板１と実質的に平行なレーザビーム６の経路に配置される。アース８に対して配置される発電機７を使用して、このボードは、正の電圧Ｖｃになる。従って、導電路がレーザビーム６を受けるとき、そのボードは、導電路によって発散された電子を収集することができる集電極９を構成する。本発明によると、この集電極９は、本発明に基づく本明細書において以下で説明される収集された電荷を測定するための第１の装置１０に連結される。
【００３５】
交差導電路２の抵抗、及び／または静電容量を測定するために、導電路２の反対側の端部に配置された金属パッド５は、電子１１の無限の信号源と連結される。この信号源は、基板１の下面上にある、導電路２の下側の金属パッド５の下に配置されている。それは、アドレス指定電子回路に取り付けられた配線盤、異方性の導電性エラストマー、マイクロチップカソード、カーボンナノチューブカソード、または逆光電効果を生み出す第２のレーザビームによって構成され得る。本発明によると、それは、第２の測定装置１２、及びアース１３に連結される。本発明に基づく本明細書において、第２の測定装置１２は、第１の測定装置１０のように、以下の更なる詳細において説明されることになる。
【００３６】
実際には、紫外線領域の短波長のビーム６がパッド４に達するとき、電子は、光電効果により、パッドによって発散される。これらの電子は、集電極９によって収集される。
【００３７】
粒子ビーム６の作用で、金属パッド４と集電極９とによって形成された双極子を通じて電流が流れる。この電流は、パッドの幾何学的配置及び空間電荷の可能性に応じた法則Ｉ（Ｖ）に従って、粒子ビームのエネルギー及び集電極９の電圧によって変わる。
【００３８】
図２は、全体が導電路２によって形成されると共に、パッド４及び正の電圧Ｖｃが印加される集電極９が点在する等価的な電気回路を示す。導電路２は、電圧Ｖが印加される静電容量Ｃ及び抵抗Ｒの回路によってモデル化され得る。電子１１の信号源によってアースに接続されると仮定する。平らな金属パッドの場合、及び空間電荷の存在において、金属パッド４と集電極９との間に流れる電流は、ラングミュア（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）法に従うと共に、以下の方程式に適合する。
【００３９】
【数１】
2008529021.tif 000003
【００４０】
それが問題の双極子の特性であると仮定すると、この双極子の幾何学的配置とビーム６の幾何学的配置に特有であるので、それは情報としてのみ与えられる。
【００４１】
数値シミュレーションは、この特有の電気回路に基づいて行われる。この回路は、以下の関係に適合する。
【００４２】
【数２】
2008529021.tif 000004
【００４３】
シミュレーションに使用されるパラメータは、以下の表１において説明される。
【００４４】
【表１】
2008529021.tif 000005
【００４５】
図３Ａの曲線Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、及びＶ４は、表１のパラメータを考慮するシミュレーションについて、導電路の静電容量Ｃ＝１０［ｆＦ］に対して、Ｒ１＝１０［Ω］、Ｒ２＝１０００［Ω］、Ｒ３＝１［ＭΩ］、及びＲ４＝１０００［ＧΩ］という、導電路の抵抗の異なる値に関する特性であって、単位を［ｎｓ］とする時間ｔに基づくレーザショットの後における、単位を［ボルト］とするパッド４の電圧Ｖｐの発生を例証する。図４Ａの曲線Ｖ’１、Ｖ’２、Ｖ’３、及びＶ’４、及び図５Ａの曲線Ｖ”１、Ｖ”２、Ｖ”３、及びＶ”４は、表１の同一のパラメータに従い、図４Ａでは導電路の静電容量Ｃ＝１００［ｆＦ］に対して、図５Ａでは導電路の静電容量Ｃ＝１［ｐＦ］に対して、上で言及されたのと同じである導電路の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の値に関する電圧Ｖｐの発生を例証する。図３Ｂの曲線Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、及びＱ４は、表１のパラメータを考慮するシミュレーションについて、導電路の静電容量Ｃ＝１０［ｆＦ］に対して、前述の導電路の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の異なる値に関する特性であって、単位を［ｎｓ］とする時間ｔに基づく、単位を［ｐＣ］とする収集された電荷Ｑの放出を例証する。図４Ｂの曲線Ｑ’１、Ｑ’２、Ｑ’３、及びＱ’４、及び図５Ｂの曲線Ｑ”１、Ｑ”２、Ｑ”３、及びＱ”４は、図４Ｂでは導電路の静電容量Ｃ＝１００［ｆＦ］に対して、図５Ｂでは導電路の静電容量Ｃ＝１［ｐＦ］に対して、上で言及されたのと同じである導電路の抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の値に関する収集された電荷Ｑの放出を例証する。
【００４６】
非常に高い抵抗（Ｒ＝１０００［ＧΩ］）に関して、電圧Ｖｐは、時間と共に非常にゆっくりと増加して、ゆっくりと減少する。これに反して、非常に低い抵抗（Ｒ＝１０［Ω］）に関して、電圧Ｖｐは、ほとんど変わらず、０［Ｖ］近辺を維持する。中間の抵抗（Ｒ＝１０００［Ω］、または１［ＭΩ］）に関して、パッド４の電圧は、検査された静電容量値では、４［ｎｓ］の周辺で極大値に達するように増加し、そして次第に減少する。全ての場合において、収集された電荷は、時間と共に増大する。この電荷は、抵抗に伴って変動する。実際には、抵抗が低ければ低いほど、収集された電荷はより顕著である。ショットの間の電位の上昇は、収集された電荷の変化を明らかにする。
【００４７】
図６において、曲線ＱＡ、ＱＢ、ＱＣ、ＱＤ、及びＱＥは、以下の導電路の静電容量Ｃの値、それぞれ１［ｆＦ］、１０［ｆＦ］、１００［ｆＦ］、１［ｐＦ］、及び１０［ｐＦ］に対して、単位を［Ω］とする導電路の抵抗に基づいて集電極によって収集された、単位を［ｐＣ］とする電荷Ｑの発生を例証する。この図面において示されるように、収集された電荷は、導電路の抵抗に伴って変動する。抵抗が高ければ高いほど、収集された電荷はより低くなる。全ての曲線は、反転されたＳにおいて、同一のプロファイルを有しており、その結果として各曲線は変曲点を有している。静電容量が低ければ低いほど、この変曲点はより低いものとなる。
【００４８】
従って、もし集電極に収集された電荷の量、及び導電路の静電容量が知られている場合、この導電路の抵抗をそこから推定することが可能である。この電荷の量は、検査の導電路を実際に流れる電荷の量である。電荷の量は、直接測定されると共に、積分されたであろう電流の強度からは単純に評価されない。
【００４９】
同一の手続きが、非交差導電路を検査するために適用され得る。
【００５０】
この場合に、図１Ｂにおいて示されるように、レーザビーム６は、その抵抗及び／または静電容量の測定が望まれる非交差導電路３の位置に対して、そして更に具体的には、金属パッド４−１によって形成された導電路の端部に対して印加される。
【００５１】
導電路３の抵抗及び／または静電容量を測定するために、金属パッド４−２は、電子１１の無限の信号源と連結される。この電子１１の信号源は、例えば、基板１の上面にある検討される導電路の金属パッド４−２の上に配置される。信号源は、マイクロチップカソードか、カーボンナノチューブカソードか、または逆光電効果を生み出す第２のレーザビームによって構成される。本発明によると、それは、第２の測定装置１２、及びアース１３に対して連結される。
【００５２】
図１Ａの場合のように、ビーム６が金属パッド４−１に達するとき、光電効果により、電子がパッドによって発散される。これらの電子は、集電極９によって収集される。
【００５３】
測定原理は、従って、上で示された交差導電路の測定原理と同じである。
【００５４】
図７は、本発明による測定システムの異なる機能ブロックを示す図である。この図面において示されるように、このシステムは、レーザの電源によって供給される正のパルス１６を生成するための手段を備えると共に、その立ち上がりエッジは、レーザショットの点火の開始点と一致する。システムは、更に、測定装置をリセットするためのユニット１７、アース側に配置される測定装置１２、集電極側に配置される測定装置１０、レーザのエネルギーを測定するための装置１５、及び獲得カード１８を備える。パルス１６は、測定装置をリセットするためのユニット１７の入力を構成する。ユニット１７の出力信号Ｔ５は、装置１０、１２、及び１５の入力に印加されるリセット信号を構成する。ユニット１７の出力信号Ｔ３は、装置１０の静電容量を再充電するための信号を構成する。装置１２、１０、及び１５の他の入力信号は、電子１１の信号源、集電極９、発電機７、及び熱量計１４からもたらされる。更に、図１０を参照して詳述されることになる命令３４は、装置１０の入力に印加される。装置１２、１０、及び１５の出力信号は、獲得カード１８の入力信号を構成する。
【００５５】
レーザショットの開始点の同期パルス１６に加えて、本発明による測定システムは、図８Ａで示された四角い信号Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、及びＴ５を生成することを含む。この図面は、リセットユニット１７の機能線図である。Ｔ１は、処理信号である。Ｔ２は、リセット信号に対応する。Ｔ３は、以下で定義されることになる、図１０において示された集電極の静電容量Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３を再充電するための信号に対応する。Ｔ４は、測定システムの目盛りを調整するための信号である。本発明の特別な実施例によれば、リセットユニットは、４つのリターダ（retarder）１９、２０、２１、及び２２と、信号Ｔ２を形成するための手段２３を備える。第１のリターダ１９は、レーザショットの開始点において同期パルス１６から信号Ｔ１を生成する。第２のリターダ２０は、同じパルス１６から信号Ｔ２を生成する。第３のリターダ２１は、信号Ｔ１から信号Ｔ３を生成する。第４のリターダ２２は、信号Ｔ２から信号Ｔ４を生成する。信号Ｔ２を形成するための手段２３は、信号Ｔ５が信号Ｔ２から生成されることを可能にする。
【００５６】
レーザショットの開始点の同期パルス１６は、信号Ｔ１及びＴ２を誘起するために使用される。レーザパルス２４そのものは、パルス１６の立ち上がりエッジの２１０［μｓ］後に現れる。信号Ｔ１の立ち下がりエッジは、静電容量Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３（図１０）を再充電するために使用されることになるパルスＴ３を誘起する。信号Ｔ２の立ち下がりエッジは、測定システムの較正のために使用される信号Ｔ４を誘起する。信号Ｔ２は、電荷増幅器として配置された装置回路のリセット期間を決定する。
【００５７】
図８Ｂにおいて示される測定システムの特別な実施例によれば、特にフラッシュポンプレーザ（flash-pumped laser）を使用することを目的として、信号Ｔ１及びＴ２の立ち上がりエッジは、フラッシュレーザの開始点の同期パルス１６の立ち上がりエッジと同期している。信号Ｔ３の立ち上がりエッジは、信号Ｔ１の立ち下がりエッジと同期している。信号Ｔ１の持続時間は、１［ｍｓ］に等しい。信号Ｔ２の持続時間は、１９０［μｓ］である。信号Ｔ３の持続時間は、２００［μｓ］である。
【００５８】
図９は、アース側に配置される、本発明によるシステムの測定装置１２の機能線図である。この装置１２は、電荷を測定するための回路２５、第１のフィルタ２６、利得１０の増幅器２７、第２のフィルタ２８、及び従動部２９を備える。回路２５の入力において、リセット信号Ｔ５、電子１１の信号源からもたらされる電荷の測定の入力信号、及びドリフト修正信号３０が存在する。電荷測定回路２５の出力信号は、第１のフィルタ２６によってフィルタ処理される。このように取得されるフィルタ処理された信号３１は、装置１２の出力信号に対応する。それは、増幅器２７によって増幅され得ると共に、増幅された信号３２を供給するために、フィルタ２８によって再度フィルタ処理され得る。従動部２９は、第２のフィルタ２８によってフィルタ処理された出力信号を取り込み、従動部２９の出力で取得された信号は獲得カード１８の入力を構成する。
【００５９】
実際には、装置１２は、第１の回路が演算増幅器であると共に、増幅器が積分器として配置される回路を備える。この増幅器は、非常に高い入力インピーダンスＺｅによって、そして非常に小さい入力電流ｉｅによって特徴付けられる。別の回路は、増幅器ドリフトを最適化するために、ドリフト修正信号３０が、抵抗器を通じて増幅器の“反転”入力に注入されることを可能にする。もし積分静電容量がＣｉである場合、クーロンとボルトを乗算して表された感度は、Ｃｉに等しい。この感度は、Ｃｉ＝１０［ｐＦ］に等しくなるように選ばれた。もしＶｓがショットの後の積分器の出力電圧である場合、測定された電気量Ｑｍは、その場合に、Ｑｍ＝Ｖｓｘ１０−１１［Ｃ］である。電子の無限の信号源を通過する電気量を測定することは、抵抗器を通じて演算増幅器の入力に注入された静電容量の充電電流（または放電電流）によって伝達される電気量を測定することによって実行される。
【００６０】
図１０は、集電極９側に配置される、本発明によるシステムの測定装置１０を示す。この装置は、命令３４によって駆動されるハイインピーダンスの“０／Ｖｃ”の切り替え回路３３、真空タンク、参照符号３５を付けられる１つの壁、及びアース側の測定装置１２のような、信号Ｔ５が印加される電荷測定回路３６、及びドリフト修正信号４３、集電極９によって測定された電荷を表す信号３８を供給する第１のフィルタ３７、利得１０の増幅器３９、倍率１０の増幅された信号４１を供給する第２のフィルタ４０、及び従動部４２を備える。この装置の動作は、測定装置１２の動作と類似している。しかしながら、この回路は、集電極９によって収集された電荷が計算されることを可能にする。実際には、出力電圧Ｖｓは、Ｖｓ＝１／Ｃｉｘ∫ｉｘｄｔによって与えられると共に、ここで∫ｉｘｄｔは、システムの入力において収集された電気量Ｑである。その結果、Ｃｉ＝１０［ｐＦ］において、Ｓ＝Ｑ／Ｖ＝Ｃｉである。測定回路のリセットの間、もし命令３４が活性化されない場合、集電極９は、回路３３によって抵抗器Ｒ１及びＲ２を通じて電圧Ｖｃになる。レーザパルスが印加される間、命令３４はまだ活性化されず、この回路３３は、発電機７から集電極９を分離する。静電容量Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３は、その場合に、測定に必要な電流を供給する。レーザパルスの後で、もし命令３４が活性化されない場合、信号Ｔ３は、回路３３を通じてこれらの静電容量Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３を再充電する。測定回路のリセットの間、もし命令３４が活性化される場合、集電極９は、回路３３によって抵抗器Ｒ１及びＲ２を通じてアースに接続される。レーザパルスが印加される間、命令はまだ活性化されており、この回路３３は、発電機７から集電極９を分離する。静電容量Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３は、充電すると共に、その場合に、測定に必要な電流を供給する。レーザパルスの後で、もし命令３４が活性化される場合、信号Ｔ３は、回路３３を通じてこれらの静電容量Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３を放電する。この構成は、以下で示されたように、導電路の電位をリセットするために使用される。
【００６１】
実際には、装置１２のように、装置１０は、第１の回路が演算増幅器であると共に、増幅器が積分器として配置される回路を備える。この増幅器は、非常に高い入力インピーダンスＺｅによって、そして非常に小さい入力電流ｉｅによって特徴付けられる。別の回路は、増幅器ドリフトを最適化するために、ドリフト修正信号４３が、抵抗器を通じて増幅器の“反転”入力に注入されることを可能にする。もし積分静電容量がＣｉである場合、クーロンとボルトを乗算して表された感度は、Ｃｉに等しい。集電極側における測定の場合、この感度は、Ｃｉ＝１０−１１［Ｆ］に等しくなるように選ばれた。もしＶｓがショットの後の積分器の出力電圧である場合、測定された電気量Ｑｍは、その場合に、Ｑｍ＝Ｖｓｘ１０−１１［Ｃ］である。集電極を通過する電気量の測定は、抵抗器を通じて演算増幅器の入力に注入された静電容量の充電電流（または放電電流）によって伝達される電気量を測定することによって実行される。
【００６２】
最終的には、本発明によれば、３つの測定が各導電路で実行される。
【００６３】
第１の測定は、導電路の導通性をチェックすることを目的とする。この第１の測定は、通常は導電路の抵抗を測定することを伴う。この第１の測定は、導電路の金属パッドの内の１つと、もう一方の金属パッド上の電子の信号源に光電効果を使用することによって実現される。この測定は、各ショットにおいて収集された電荷に基づいていると共に、この電荷は導電路の抵抗によって決まる。測定は、上述の測定装置を用いて実行される。抵抗の測定は、光電子の双極子の特徴の知識のおかげか、及び／または、回路の抵抗に従って収集された電荷を示す計算盤（abacus：アバクス）または計算結果を使用することによって実行される。入射エネルギーの測定によって、各ショットにおける目盛りが調整される。導電路の抵抗及び／または静電容量の高い値に関して、測定回路から収集された電荷の一時的な発生に続いて測定が実行される。導電路の静電容量の値にアクセスする簡単な方法は、同様に、導電路がショットの後で完全に充電されるときに収集された電荷を測定することである。実際には、もしＱがこの電荷である場合に、集電極の電圧をＶ、及び導電路の静電容量をＣとすると、Ｃ＝Ｑ／Ｖである。この関係を利用することができるように、導電路の電位を“リセットする”ことによって生成される導電路の開始電位を知ることが必要である。これを受けて、命令３４との関係において上で説明されたように、その集電極は、放電ショットの直前に発生するこの予備段階の間アースに接続される。
【００６４】
第２の測定は、相互接続ネットワークの間で連結された、もしくは同じ電位に連結された相互接続ネットワークの他の全ての導電路に対する導電路の一次絶縁をチェックすることを目的とする。
【００６５】
最終的には、第３の測定は、個々に考察された他の全ての導電路と比較して導電路の二次絶縁を順次にチェックすることを目的とする。この第３の測定は、導電路が完全に相互接続ネットワークにおいて絶縁されていないことを第２の測定の結果が示す場合にだけ実行される。
【００６６】
本発明によれば、その精度は約１０［％］であると共に、その動的範囲が10-13クーロンから10-8クーロンまで変動し得る、電気量を測定するためのシステムが従って供給される。
【００６７】
本発明は、明らかに、上述の実施例には制限されない。
【００６８】
特に、本発明の実現のために、パルスレーザの代わりに連続的レーザを使用することが可能である。導電路のレベルにおいて電子の発散を引き起こすために、レーザより他の手段、例えば電子またはイオンの銃を使用することが更に可能である。電子は、従って光電効果によって発散されない。それでもなお、測定原理は、同一の状態を維持する。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１Ａ】本発明による、基板を横切るＣ４−ＢＧＡタイプの導電路の抵抗及び／または静電容量を測定するためのシステムの実施例を概略的に示す図である。
【図１Ｂ】本発明による、非交差のＣ４−Ｃ４タイプの導電路の抵抗及び／または静電容量を測定するためのシステムの実施例を概略的に示す図である。
【図２】本発明によるシステムにおける、全体が導電路及び集電極によって形成された電気回路図である。
【図３Ａ】導電路の抵抗の異なる値、及び導電路の静電容量の第１の値に関して、レーザショットの間、及びその後の金属パッドの電圧の発生を例証する図である。
【図３Ｂ】導電路の抵抗の異なる値、及び導電路の静電容量の第１の値に関して、時間に基づいて収集された電荷の発生を例証する図である。
【図４Ａ】導電路の抵抗の異なる値、及び導電路の静電容量の第２の値に関して、レーザショットの間、及びその後の金属パッドの電圧の発生を例証する図である。
【図４Ｂ】導電路の抵抗の異なる値、及び導電路の静電容量の第２の値に関して、時間に基づいて収集された電荷の発生を例証する図である。
【図５Ａ】導電路の抵抗の異なる値、及び導電路の静電容量の第３の値に関して、レーザショットの間、及びその後の金属パッドの電圧の発生を例証する図である。
【図５Ｂ】導電路の抵抗の異なる値、及び導電路の静電容量の第３の値に関して、時間に基づいて収集された電荷の発生を例証する図である。
【図６】導電路の静電容量の異なる値に対する導電路の抵抗に基づいて、本発明によるシステムの集電極によって収集された電荷の変化を例証する図である。
【図７】本発明による測定システムの機能線図である、
【図８Ａ】本発明によるシステムのリセットユニットの特別な実施例の機能線図である。
【図８Ｂ】本発明によるシステムのリセットユニットの特別な実施例によって生成された異なる信号を例証する図である。
【図９】アース側に配置される、本発明によるシステムの測定装置の特別な実施例の機能線図である。
【図１０】集電極側に配置される、本発明によるシステムの測定装置の実施例の機能線図である。
【符号の説明】
【００７０】
１    基板
２、３    導電路
４、４−１、４−２    金属パッド
５    金属パッド
６    粒子ビーム（レーザビーム）
７    発電機
８    アース
９    集電極
１０    第１の装置（集電極側に配置される測定装置）
１１    電子
１２    第２の測定装置（アース側に配置される測定装置）
１３    アース
１４    熱量計
１５    レーザエネルギーを測定するための装置
１６    正の同期パルス
１７    リセットユニット
１８    獲得カード
１９    第１のリターダ
２０    第２のリターダ
２１    第３のリターダ
２２    第４のリターダ
２３    信号Ｔ２を形成するための手段
２４    レーザパルス
２５    電荷を測定するための回路
２６    第１のフィルタ
２７    増幅器
２８    第２のフィルタ
２９    従動部
３０    ドリフト修正信号
３１    フィルタ処理された信号
３２    増幅された信号
３３    切り替え回路
３４    命令
３５    壁
３６    電荷測定回路
３７    第１のフィルタ
３８    集電極によって測定された電荷を表す信号
３９    増幅器
４０    第２のフィルタ
４１    増幅された信号
４２    従動部
４３    ドリフト修正信号
【図１Ａ】
2008529021.tif 000006
【図１Ｂ】
2008529021.tif 000007
【図２】
2008529021.tif 000008
【図３Ａ】
2008529021.tif 000009
【図３Ｂ】
2008529021.tif 000010
【図４Ａ】
2008529021.tif 000011
【図４Ｂ】
2008529021.tif 000012
【図５Ａ】
2008529021.tif 000013
【図５Ｂ】
2008529021.tif 000014
【図６】
2008529021.tif 000015
【図７】
2008529021.tif 000016
【図８Ａ】
2008529021.tif 000017
【図８Ｂ】
2008529021.tif 000018
【図９】
2008529021.tif 000019
【図１０】
2008529021.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月17日(2006.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気素子（２、３）を検査または測定するための方法であって、
粒子ビーム（６）が前記電気素子（２、３）の第１の位置（４、４−１）に印加され、
電荷が前記粒子ビーム（６）の印加の影響下で発散され、
発散された前記電荷が、前記電気素子と双極子を形成する集電極（９）によって収集され、
収集された前記電荷の量が測定され、
そして、前記電気素子の電気的特徴の値が、前記双極子の特徴を考慮に入れるか、もしくは測定された前記双極子の特徴に対して、前記電気素子の電気的特徴に従って収集された前記電荷を示す計算盤または計算結果を使用することによって、収集された前記電荷の量の測定から推定される
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記粒子ビーム（６）がレーザビームである
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電気素子（２、３）が、絶縁基板（１）に内蔵されるか、または絶縁基板（１）の上に蒸着された導電路であると共に、その２つの端部の各々において金属パッドを備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の位置が前記金属パッド（４、４−１）である
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記金属パッド（４、４−１）がＣ４タイプの金属パッドである
ことを特徴とする請求項３または請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
収集された前記電荷の量の測定は、収集された前記電荷を測定するための装置（１０）によって、静電容量を含むことを保証されると共に、収集された前記電荷の量の測定が、この静電容量の電荷を評価することによって実行される
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
リセットユニット（１７）が、収集された前記電荷の量の測定を前記粒子ビーム（６）のパルス（１６）に同期させる
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
電荷が、前記粒子ビームの作用で抽出された電荷の損失を補償するために、前記電気素子（２、３）の第２の位置（４−２、５）に注入されると共に、
注入された前記電荷を測定するための装置（１２）を用いて注入された前記電荷の量が測定される
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記電気素子の静電容量が注入された前記電荷の量から推定される
ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記電気的特徴が、前記電気素子の電気抵抗、または前記電気素子の静電容量である
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記電気的特徴が、別の電気素子に対する前記電気素子の電気的導通性、または前記電気素子の電気的絶縁性である
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
相互接続担体、または前記相互接続担体に配置された電子回路を製造する方法であって、
前記相互接続担体、または前記電子回路が、電気素子を含み、
前記方法が、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の検査または測定する方法に従って実装された前記相互接続担体の電気素子または前記電子回路の電気素子の全部または一部を検査または測定する段階を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
電気素子（２、３）を検査または測定するためのシステムであって、
前記電気素子（２、３）の第１の位置（４、４−１）に印加されると共に、前記第１の位置への印加が電荷の発散を引き起こす粒子ビーム（６）を生成するための手段と、
前記電気素子と双極子を形成する、発散された前記電荷の集電極（９）と、
収集された前記電荷の量を測定するための装置（１０）と、
前記電気素子の電気的特徴の値を、前記双極子の特徴を考慮に入れるか、もしくは測定された前記双極子の特徴に対して、前記電気素子の電気的特徴に従って収集された前記電荷を示す計算盤または計算結果を使用することによって、収集された前記電荷の量の測定から推定するための手段と
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１４】
前記粒子ビームのショットの開始に先行するパルス（１６）を生成するための手段を備え、
前記パルス（１６）が、前記集電極（９）によって収集された前記電荷の量を測定するための前記装置（１０）のリセットユニット（１７）の入力を形成する
ことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記粒子ビームの作用で抽出された電荷の損失を補償するために、前記電気素子（２、３）の第２の位置（４−２、５）に対する電荷の注入に割り当てられた信号源（１１）を備える
ことを特徴とする請求項１３または請求項１４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１６】
注入された前記電荷の量を測定するための装置（１２）を備える
ことを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
静電容量を備えると共に、
収集された前記電荷の量の測定が前記静電容量の電荷を測定することによって実行される
ことを特徴とする請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１８】
前記電気素子の電気抵抗、または前記電気素子の電気静電容量である電気的特徴を推定するように配置される
ことを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１９】
別の電気素子と比較される前記電気素子の電気的導通性、または前記電気素子の電気的絶縁性である電気的特徴を推定するように配置される
ことを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、この方法の実装は複雑であることが分かる。実際には、使用されるレーザのパルス持続時間は、一般的に約２、３［ｎｓ］である。従って、そのような期間に対する電流：Ｉ＝Ｕ／Ｒの測定は、２、３［ＧＨｚ］で動作する電子回路を必要とすると共に、それは非常に高価である。更に、これらの高周波で動作することは、測定に対して妨害となる、検査される回路の自己インダクタンスに関連付けられた困難性を含む。
更に、米国特許出願公開第2005/0017729号明細書は、説明された大部分の構成における電流の測定に基づく導通性及び絶縁性の試験方法を説明する。この文書の図８から図１４Ｂに記載された実施例において、導電性金属プレート（２４１）は、絶縁体（２４２）を通して、検査されるべき相互接続担体（２１１）の後面上に配置されると共に、集電極と比較すると負の電位を有する。従って、集電極は、静電容量によって電気的にバイアスされる。電流検出器（２８０）は、電圧源（２７０）の負の電位と金属プレート（２１０）との間に配置される。この電流検出器は、そのデジタル出力が、測定された電流の積分によって電荷を測定する制御器（２０１）によって読み込まれる、アナログ−デジタル変換器を備える。開回路の検出、または短絡回路の検出は、金属プレートと相互接続担体の後面上のパッドとの間に生成された静電容量を通して導体がバイアスされるという事実によって必要とされる、測定された電荷の量の観測に基づいている。電気的特徴の値は測定されない。
【国際調査報告】
2008529021.tif 000021
2008529021.tif 000022
2008529021.tif 000023
2008529021.tif 000024