(57)【要約】  光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）は、下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）と、少なくとも１つの可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）によって支持される、反射性の上側表面を含むピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）であって、可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）は当該ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）の概ね下に配置される、ピクセルプレートと、上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）とを備える。【特許請求の範囲】
【請求項１】
光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）であって、
下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）と、
少なくとも１つの可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）によって支持される、反射性の上側表面を含むピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）であって、該可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）は該反射性の上側表面の概ね下に配置される、ピクセルプレートと、
上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）と、
を備えることを特徴とする光変調デバイス。
【請求項２】
前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）と前記下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）との間に画定される静電ギャップ（２１５、５００）をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光変調デバイス。
【請求項３】
複数の可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光変調デバイス。
【請求項４】
前記上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）と前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）との間に画定される第２の静電ギャップ（２１５、５００）をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光変調デバイス。
【請求項５】
ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）と、
前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）に対する前記光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）の口径比を高めるために、前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）に接続され、該ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）の少なくとも１つのエッジを越えて延在するピクセル拡張部材（１１３０）と、
を備えることを特徴とする光変調デバイス。
【請求項６】
前記ピクセル拡張部材（１１３０）は金属材料を含むことを特徴とする請求項５に記載の光変調デバイス。
【請求項７】
前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）は酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項５に記載の光変調デバイス。
【請求項８】
光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）であって、
下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）と、
複数の可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）によって支持されるピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）であって、該可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）は該ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）の概ね下に配置される、ピクセルプレートと、
上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）と、
前記下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）と前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）との間に画定される電荷ギャップと、
前記上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）と前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）との間に画定される光学ギャップ（２２５、５４０、５５０）及び電気ギャップと、
を備えることを特徴とする光変調デバイス。
【請求項９】
前記下側電荷プレート（２０５、２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）に接続される第１の電源接続（５７０）及び第２の電源接続（５７５）をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の光変調デバイス。
【請求項１０】
前記上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）及び前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）は、概ね同様の電圧レベルに保持されるように構成されることを特徴とする請求項８に記載の光変調デバイス。
【請求項１１】
前記下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）は、前記可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）と該下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）とが接触するのを防ぐために、前記下側電荷プレートの中に画定される空所を含むことを特徴とする請求項８に記載の光変調デバイス。
【請求項１２】
光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）の製造方法であって、
下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）を形成することと、
前記下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）上に第１の犠牲層（６１５、６２０、６２５、６３０、６３５）を形成することと、
前記第１の犠牲層（６１５、６２０、６２５、６３０、６３５）上に可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）を形成することと、
前記可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）上にピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）を形成することと、
前記可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）が前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）の概ね下に配置されるように、前記第１の犠牲層（６１５、６２０、６２５、６３０、６３５）を除去することと、
を含むことを特徴とする光変調デバイスの製造方法。
【請求項１３】
バイア経路を確立するように前記第１の犠牲層（６１５、６２０、６２５、６３０、６３５）を処理することをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の光変調デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）を形成することは、該ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）のそれぞれの底面上に少なくとも１つのバンプ（３３５、５３０、５３０−１）を形成することを含むことを特徴とする請求項１２に記載の光変調デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）を形成することは、該可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）のそれぞれの底面上に少なくとも１つのバンプ（３３５、５３０、５３０−１）を形成することを含むことを特徴とする請求項１２に記載の光変調デバイスの製造方法。
【請求項１６】
光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）の製造方法であって、
ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）及びピクセル拡張部材（１１３０）を含むピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）を形成すること
を含むことを特徴とする光変調デバイスの製造方法。
【請求項１７】
表示システム（１００）であって、
複数の光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）を有する空間光変調器（１３０）を備え、該光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）のうちの少なくとも１つは、下側電荷プレート（２０５、２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）と、少なくとも１つの可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）によって支持されるピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）であって、該可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）が該ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）の概ね下に配置される、ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）と、上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）とを備えることを特徴とする表示システム。
【請求項１８】
該空間光変調器（１３０）に接続される画像処理ユニット（１１０）をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の表示システム。
【請求項１９】
該光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）のうちの少なくとも１つは、０．７５よりも大きな口径比を有することを特徴とする請求項１７に記載の表示システム。
【請求項２０】
前記光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）のうちの少なくとも１つは、前記ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）に接続されるピクセル拡張部材（１１３０）を備えることを特徴とする請求項１７に記載の表示システム。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
ＭＥＭＳは、光学表示システム等の種々の用途において用いられる。そのようなＭＥＭＳデバイスは、種々の手法を用いて開発されてきた。光変調デバイスの事例では、そのデバイスは、高さが変更可能であり、部分的に反射性のピクセルプレートと、固定された下側反射板との間にあるファブリ−ペロー干渉を通じて、白色光を有色光に変換する。ピクセルプレートと下側反射板との間のギャップは、静電界による力と、ピクセル可撓性部材の弾性変形による力とが釣り合うことによって制御される。
【０００２】
静電界は、導電性ピクセルプレートと、導電性下側キャパシタプレートとの間の電圧又は電荷の差によって生成される。静電界は、ピクセルプレートを、下側キャパシタプレートに向かって引っ張る。多くの場合に、長く、薄い可撓性部材が、固定される支柱とピクセルプレートとの間に延在する。これらの可撓性部材は、ピクセルプレートが下側キャパシタプレートに静電的に引き寄せられるのに応じて弾性変形する。ピクセルプレートと下側キャパシタプレートとの間の電圧又は電荷の差が解消されるとき、可撓性部材の中に蓄積される弾性エネルギーによって、ピクセルプレートが、その元の位置に戻される。
【０００３】
元のファブリ−ペローデバイスの光学的効率を最大にするために、相互接続バイアスを互いの上に積み重ねて、下側反射板の段における面積を低減する。適切に充填すること及び除去することができなくなるほど穴のアスペクト比が大きくなる可能性があるので、バイアスを積み重ねることは一般的には、集積回路（ＩＣ）設計及び製造可能性のための最良の方法であるとは考えられない。
【発明の開示】
【０００４】
光変調デバイスは、下側電荷プレートと、少なくとも１つの可撓性部材によって支持されるピクセルプレートであって、可撓性部材は当該ピクセルプレートの概ね下に配置される、ピクセルプレートと、上側電荷プレートとを備える。
【０００５】
添付の図面は、本発明の装置及び方法の種々の実施の形態を例示しており、本明細書の一部である。例示される実施の形態は、本発明の装置及び方法の例にすぎず、本開示の範囲を限定しない。
【０００６】
図面全体を通じて、同じ参照番号は、必ずしも同じではないが、同様の構成要素を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本明細書では、相対的に大きな口径比を有するＭＥＭＳ光変調デバイスが提供される。光変調デバイスの口径比は、全ピクセル面積に対する使用可能なピクセル面積の比である。本明細書において記述される光変調デバイスのうちのいくつかは、光学ギャップ及び静電ギャップを含み、それらのギャップは離隔される。光学ギャップ及び静電ギャップを離隔することによって、可撓性を高めることができ、光変調デバイスのデバイス性能を高めることができる。
【０００８】
また、この構成によって、可撓性部材設計の自由度を高めることもでき、口径比を大きくすることもできる。口径比を大きくすることにより、デバイスの光学的性能を高めることができる。さらに、そのような構成によって、所与のピクセルサイズの場合に、より長い可撓性部材を使用できるようになる。可撓性部材を長くすると、歪みが小さな可撓性部材を設計することができ、それにより信頼性を高め、必要とされる作動電圧を下げることができる。歪みを小さくし、作動電圧を下げる設計によって、ピクセルサイズを小さくできるようになり、結果として、デバイスのコストを下げることができる。最後に、隣接するデバイス間から外れるように可撓性部材を動かしても、可撓性部材がピクセルコンタクトと結合する可能性が小さくなる。
【０００９】
本明細書において記述される他の光変調デバイスは、多部品可動ピクセルプレートを利用する。これらのピクセルプレートは一般的には、可動ピクセル部材と、ピクセル拡張部材とを備える。ピクセル拡張部材は、そのような光変調デバイスの口径比を高める。
【００１０】
最初に表示システムが説明され、その後、ピクセルプレートの概ね下に配置される可撓性部材を含む光変調デバイスが包括的に説明される。その後、そのようなデバイスの製造方法を含む、１つの例示的な実施形態による光変調デバイスが説明される。その後、下側電荷プレート内に可撓性部材及び切り抜かれた部分、並びに可動ピクセル部材及びピクセル拡張部材を含むピクセルプレートを備える実施形態を含む、他の例示的な実施形態による光変調デバイスを含む、いくつかの他の例示的な光変調デバイスが説明される。
【００１１】
以下の説明では、本発明の方法及び装置を完全に理解してもらうために、説明を目的として、多数の具体的な細部が記述される。しかしながら、これらの具体的な細部を用いることなく、本発明の方法及び装置を実現できることは当業者には明らかであろう。本明細書において、「一実施形態」又は「或る実施形態」に言及することは、その実施形態に関連して説明される特定の特徴、構造、又は特性が、少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。本明細書の種々の場所において「一実施形態では」という言い回しが現われても、必ずしも全てが同じ実施形態を指しているとは限らない。
【００１２】
（表示システム）
図１は、１つの例示的な表示システム（１００）を示す。図１の構成要素は例示にすぎず、特定の用途に最も役立つように改変又は変更してもよい。図１に示されるように、画像処理ユニット（１１０）に画像データが入力される。画像データは、表示システム（１００）によって表示されることになる画像を定義する。画像処理ユニット（１１０）によって、１つの画像が処理されているように図示及び説明されるが、複数の、又は一連の画像が画像処理ユニット（１１０）によって処理されてもよいことは当業者には理解されよう。画像処理ユニット（１１０）は、光源（１２０）の照明を制御すること、及び空間光変調器（ＳＬＭ）（１３０）を制御することを含む種々の機能を実行する。ここで、ＳＬＭ（１３０）がさらに詳細に説明される。
【００１３】
ＳＬＭ（１３０）は、その中に光共振器を画定された、ＭＥＭＳ光変調デバイス、すなわちピクセルのアレイを含む。各光共振器は、２つの向かい合った反射板の間に形成される光学ギャップを有する。ギャップのサイズは、２つの反射板間でばね力と静電力とを釣り合わせることによって制御される。各ピクセルに入射する光は、所望の特性を達成するように変調又は操作される。これらの特性は、透過光の色相及び強度を含み、反射板間のギャップを変更することによって操作される。さらに、後にさらに詳細に説明されるように、各光変調デバイスの口径比は相対的に大きい。各光変調デバイスの口径比をこのように大きくすることによって、各光変調器によって透過される光の量が増加する。
【００１４】
表示システム（１００）の動作に戻ると、包括的には、ＳＬＭ（１３０）は、到来する光を操作して、画像を搬送する光ビームを形成し、その光ビームは最終的には、画面（図示せず）上にある表示光学系（１４０）によって表示又は投影される。表示光学系（１４０）は、画像を表示又は投影するように構成される任意のデバイスを含んでもよい。たとえば、表示光学系（１４０）は、限定はしないが、画像を画面上に投影し、合焦するように構成されるレンズであってもよい。画面は、限定はしないが、スクリーン、テレビ、壁、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、又はコンピュータモニタであってもよい。本明細書において説明されるピクセル構造によって、２つの反射板間、及び／又はピクセルの他の部品間の望ましくない接触を最小限に抑えるか、又は全く生じないようにしながら、反射板のサイズを正確に制御できるようになる。この制御は、ピクセルの黒状態の制御も含む。
【００１５】
（別々の光学ギャップ及び静電ギャップを有する光変調デバイス）
図２は、単一の光変調デバイスの動作を示す。光変調デバイス（２００）は、ピクセルプレート（２０５）と、下側電荷プレート（２１０）とを備え、それらのプレートは静電ギャップ（２１５）によって離隔される。光変調デバイス（２００）は、上側プレート（２２０）も備えており、上側プレートは光学ギャップ（２２５）によってピクセルプレート（２０５）から離隔される。後にさらに詳細に説明されるように、ピクセルプレート（２０５）は、光変調デバイス（２００）の全上側表面積のうちのかなり大きな割合を占有する。参照するのを容易にするために、光変調デバイスの表面積は、上から見た場合の光変調器の表面積を参照しながら説明される。
【００１６】
光変調デバイス（２００）は基板（２３０）によって支持される。たとえば、ピクセル支持構造がピクセルプレート（２０５）を支持し、外側支持構造が上側プレート（２２０）を支持する。ピクセル支持構造（２０５）は複数の可撓性部材（２３５）を含む。可撓性部材（２３５）はピクセルプレート（２０５）の概ね下に配置される。この構成によって、ピクセルプレート（２０５）の相対的なサイズを大きくすることができる。詳細には、ピクセルプレート（２０５）が可撓性部材（２３５）の概ね下の場所にあることによって、光変調デバイス（２００）の可撓性部材によって占有される表面積が低減される。
【００１７】
図示される光変調デバイス（２００）は、ファブリ−ペロー光変調器として機能する。結果として、ピクセルプレート（２０５）は反射性が高く、一方、上側プレート（２２０）は反射性が低い。光変調デバイス（２００）上に入射する光ビームの一部は、上側プレート（２２０）によって部分的に反射されるが、その光ビームの別の部分は、上側プレート（２２０）を透過して、光学ギャップ（２２５）に入射する。
【００１８】
光が光学ギャップ（２２５）に入射すると、その光は上側プレート（２２０）とピクセルプレート（２０５）との間で跳ね返る。光学ギャップ（２２５）の中の光が上側プレート（２２０）上に入射する度に、その光のうちの一部が上側プレート（２２０）を透過し、光変調デバイス（２００）から漏れ出る。こうして上側プレート（２２０）を透過することができる光の波長は、少なくとも或る程度、光学ギャップ（２２５）のサイズによって決まる。したがって、光学ギャップ（２２５）のサイズを変更することにより、光変調デバイス（２００）から出射する光の特性が制御される。
【００１９】
光学ギャップ（２２５）のサイズは、ピクセルプレート（２０５）を動かすことによって制御される。光変調デバイスの光学ギャップ（２２５）は、ピクセルプレート（２０５）との接触を最小限に抑えるか、又は全く生じないようにしながら、広範な変位、すなわち動作の変位範囲にわたって正確に制御することができる。この動作変位範囲は、黒状態応答を生成するための位置から、可視スペクトル内で選択された波長の光を生成するための位置を通って動くことを含む。
【００２０】
前述したように、光学ギャップ（２２５）のサイズを制御することにより、光変調デバイス（２００）の出力が制御される。さらに、前述したように、図示される光学ギャップ（２２５）のサイズは、少なくとも或る程度、静電ギャップ（２１５）のサイズによって決まる。
【００２１】
プレート（２０５、２１０）上に電荷を蓄積することによって、光学ギャップ（２２５）のサイズを変更して、所望の強度において所望の波長を選択することができる。ピクセルプレート（２０５）及び下側電荷プレート（２１０）上に電荷が蓄積される場合、可撓性部材（２３５）によって、静電ギャップ（２１５）が変化するようになる。電荷が蓄積される結果として、プレート（２０５、２１０）間に静電力が生成され、それにより、ピクセルプレート（２０５）が下側電荷プレート（２１０）に向かって引き寄せられる。この力は、可撓性部材（２３５）の撓みに関連付けられるばね力によって抵抗される。
【００２２】
プレート（２０５、２１０）間に静電力が存在する場合、ばね力及び静電力が平衡状態に達するまで、ピクセルプレート（２０５）は、下側電荷プレート（２１０）に向かって引き寄せられ続ける。これらの２つの力が平衡状態に達すると、ピクセルプレート（２０５）は、この場所に保持される。したがって、下側電荷プレート（２１０）及び上側プレート（２２０）に対するピクセルプレート（２０５）の相対的な位置は、プレート（２０５、２１０）間に供給される電荷の量によって変更することができる。蓄積された電荷を逃がすこと等によって、静電力が解除されると、ばね力が可撓性部材（２３５）を中立状態位置に戻す。
【００２３】
本明細書では、ピクセルプレート（２０５）の概ね下に配置される可撓性部材を含む、いくつかの例示的な構造が説明される。さらに、ピクセルプレートの概ね下に配置される可撓性部材を利用する１つの例示的な光変調デバイスが説明される。その後、その例示的なピクセルプレート、可撓性部材及び支柱が、図４及び図５を参照しながら、さらに詳細に説明される。後にさらに詳細に説明されるように、光学ギャップ及び静電ギャップを離隔することによって、さらに、より効率的に電気的接続を形成できるようになる。その後、図６を参照しながら、光変調デバイスを製造する１つの例示的な方法が説明される。その後、図７〜図１０を参照しながら、いくつかの他の構成が説明される。
【００２４】
（例示的な光変調デバイス）
図３は、光変調デバイス（３００）の上面図を示す。参照するのを容易にするために、上側電荷プレートは取り除かれているが、図５及び図６を参照しながら、さらに詳細に説明される。光変調デバイス（３００）は、下側電荷プレート（３１０）とピクセルプレート（３０５）との間に延在する複数の可撓性部材（３３５）を備える。これらの可撓性部材（３３５）は、風車状のパターンとして配列されており、可撓性部材（３３５）の大部分がピクセルプレート（３０５）の下に配置されることを強調するために、破線で示される。したがって、図３に示されるように、光変調デバイスの全表面積に対するピクセルプレートの表面積の比はかなり大きい。詳細には、アスペクト比とも呼ばれることがある、光変調デバイス（３００）全体に対するピクセルプレート（３０５）の比は、約０．７０である。結果として、ピクセルプレート（３０５）は、光変調デバイスの中でピクセルプレートが占める空間の全表面積のうちの約７０％を覆う。
【００２５】
前述したように、光変調デバイス（３００）の性能は、少なくとも或る程度、ピクセルプレート（３０５）のサイズによって決まる。したがって、本発明の構成は、可撓性部材（３３５）をピクセルプレート（３０５）の概ね下に配置することによりピクセルプレート（３０５）の相対的なサイズを大きくすることによって、光変調デバイス（３００）の性能を高めることができる。ここで、ピクセルプレート（３０５）及び可撓性部材（３３５）が、図４及び図５を参照しながら、さらに詳細に説明される。前置きとして、光変調デバイス（３００）は、複数の下側プレートバイア（３４０）と、相互接続バイア（３４５）と、可撓性部材バイア（３５０）と、ピクセルプレートバイア（３６０）とを備える。バイアの構成は、図６を参照しながら、さらに詳細に説明される。
【００２６】
図４は、光変調デバイス（３００）の残りの部分から分離されたピクセルプレート（３０５）及び可撓性部材（３３５）を示す。図４に示されるように、可撓性部材（３３５）は、ベース取付支柱（４００）に接続されており、スパン部（４１０）及びピクセルプレート取付部（４２０）を含む。ベース取付部（４００）は、相互接続バイア（図３の３４５）に固定され、ピクセルプレート取付部（４２０）はピクセルプレート（３０５）に固定される。図示されるスパン部（４１０）は、長さが約５．４μｍであり、幅が約１．０μｍである。この構成によって、スパン部（４１０）は、上記の静電力に応答して撓むことができるようになる。スパン部（４１０）が撓むのに応じて、ピクセルプレート（３０５）と下側電荷プレート（図３の３１０）との間の空間の量が変化する。この空間は、静電ギャップに相当し、ここで図５Ａ及び図５Ｂを参照しながら説明される。
【００２７】
静電ギャップ（５００）の構成が、図５Ａを参照しながら、さらに詳細に図示されており、図５Ａは、断面線Ｃ−Ｃに沿った光変調デバイス（図３の３００）の一部を切り取った図である。図５Ａに示されるように、静電ギャップ（５００）は、ピクセルプレート（３０５）と下側電荷プレート（図３の３１０）との間に画定される。この静電ギャップ（５００）は、可撓性部材（３３５）と下側電荷プレート（３１０）との間にある第１の犠牲層空間（５１０）と、ピクセルプレート（３０５）と可撓性部材（３３５）との間にある可撓性部材空間（５２０）とを含む。前述したように、ピクセルプレート（３０５）及び下側電荷プレート（３１０）のそれぞれの上に静電荷が確立され、それにより、ピクセルプレート（３０５）が下側電荷プレート（３１０）に向かって引き寄せられる。ピクセルプレート（３０５）が下側電荷プレート（３１０）に向かって引き寄せられるのに応じて、第１の犠牲空間（５１０）及び可撓性部材空間（５２０）の両方が小さくなる。これらの空間は、ピクセルプレート（３０５）が可撓性部材（３３５）と接触するまで、且つ／又は可撓性部材（３３５）が下側電荷プレート（３１０）と接触するまで、小さくなり続ける。
【００２８】
図５Ａでは、可撓性部材空間（５２０）は、第１の犠牲空間（５１０）よりも小さい。結果として、可撓性部材（３３５）が下側電荷プレート（３１０）と接触する前に、ピクセルプレート（３０５）が可撓性部材（３３５）と接触する。可撓性部材（３３５）とピクセルプレート（３０５）とがこのように接触することによって、電荷トラップ作用及びアーク溶接スティクション作用が低減される。これらの作用は、可撓性部材（３３５）とピクセルプレート（３０５）との間にバンプ（５３０）を含むことによって、さらに低減することができる。詳細には、そのような構成では、バンプ（５３０）がピクセルプレート（３０５）の下側に形成される。これらのスティクション作用を低減するために、複数のそのようなバンプが、ベース取付支柱（図４の４００）のそれぞれの上方に配置される。
【００２９】
図５Ｂでは、可撓性部材空間（５２０）は第１の犠牲空間（５１０）よりも大きい。この事例では、バンプ（５３０−１）を、可撓性部材及びピクセルプレート（３０５）が交差する部分の下の、可撓性部材（３３５）の下側に形成してもよい。したがって、スティクション又は他のそのような作用を低減するために、バンプは、ピクセルプレート（３０５）の下側又は可撓性部材（３３５）の下側のいずれか、或いはその両方の下側に設けることができる。
【００３０】
さらに、ピクセルプレート（３０５）が撓んでいないときのピクセルプレート（３０５）と下側電荷プレート（３１０）との間の総距離である、全初期静電ギャップは、ピクセルプレート（３０５）が下側電荷プレート（３１０）と接触する可能性を低減するようなサイズにしてもよい。前述したように、いくつかの構成では、静電力によって互いに引き寄せられる、ピクセルプレート（３０５）及び下側電荷プレート（３１０）のような２つの電極は、電荷暴走（charge runaway）に応答して、噛合することがある。このような接触を最小限に抑えるか、又は完全に生じないようにするために、全初期静電ギャップは、ピクセルプレート（３０５）の全動作変位範囲の３倍にすることができる。
【００３１】
さらに、図５Ａ及び図５Ｂは、ピクセルプレート（３０５）の上方に位置する上側電荷プレート（５４０）を示す。上側電荷プレート（５４０）は、上側電荷プレート（５４０）とピクセルプレート（３０５）との間に静電引力がほとんど、又は全く生じないように、ピクセルプレート（３０５）と同じ電圧レベルに接続してもよい。図５Ａ及び図５Ｂは、中立状態位置にあるピクセルプレート（３０５）を示す。
【００３２】
図示されるピクセルプレート（３０５）の中立状態位置は、ピクセルプレート（３０５）の黒状態位置にも対応しており、この構成における光学ギャップ（５５０）がその最小サイズになるようにする。より具体的には、光学ギャップ（５５０）は、上側電荷プレート（５４０）とピクセルプレート（３０５）との間に画定され、約１００ｎｍである。この静電ギャップによって、光変調デバイスが、十分な光を吸収して、黒状態になることができる。より具体的には、ピクセルプレート（３０５）が黒状態位置にあるときの光学ギャップ（５４０）のサイズによって、光変調デバイスがその中に入射する概ね全ての光を取り込むことができるようになり、光変調デバイスが黒出力を生成する。述べられたように、こうして導入される黒状態位置は、デフォルトの黒状態ギャップと見なすことができる。このギャップは、光学ギャップ（５５０）のサイズを制御することによって調整することができる。結果として、光変調デバイス（３００）は、ピクセルプレート（３０５）が、その中立状態位置に戻ることができるようにすることによって、確実に黒状態位置にすることができる。
【００３３】
したがって、可撓性部材（３３５）をピクセルプレート（３０５）の概ね下に配置して、光変調デバイス（３００）の上側表面積に対するピクセルプレート（３０５）の表面積の比を大きくし、それにより光変調デバイス（３００）の性能を高めることができる。さらに、光変調デバイス（３００）は、ピクセルプレート（３０５）が静電力に応答して動くのに応じて、ピクセルプレート（３０５）と下側電荷プレート（３１０）との間の接触を最小限に抑えるか、又は全く生じないようにしながら動作するように構成してもよい。
【００３４】
前述したように、光変調デバイス（３００）は、複数の下側プレートバイア（３４０）と、相互接続バイア（３４５）と、可撓性部材バイア（３５０）と、ピクセルプレートバイア（３６０）とを備える。ピクセルプレートは、ピクセルバイア（３６０）を通じて可撓性部材に接続される。可撓性部材バイア（３５０）は、ベース取付部（図４の４００）を貫通して可撓性部材（図４の３３５）まで延在する。図５Ａ及び図５Ｂに見られるように、下側プレートバイア（３４０）は下側酸化層（５６０）を貫通して延在し、そこで、下側プレートバイア（３４０）は、金属製の第１の電源接続（５７０）に接続される。第１の電源接続（５７０）は、外部電圧源に接続され、下側電荷プレート（３１０）に電圧を供給するように構成される。
【００３５】
また図５Ａ及び図５Ｂは、第２の電源接続（５７５）も示す。相互接続バイア（３４５）は下側酸化層（５６０）を貫通して、第２の電源接続（５７５）まで延在する。また相互接続バイア（３４５）は、下側酸化層（５６０）上に形成される中間電荷プレート（５８０）にも接続される。中間電荷プレート（５８０）はさらに、可撓性部材バイア（３５０）に接続される。可撓性部材バイア（３５０）は、ベース取付部（図４の４００）の内側部分を形成し、第２の電源接続（５７５）から、中間電荷プレート（５８０）及びベース取付支柱（図４の４００）を通って、可撓性部材（図４の３３５）まで電荷経路が確立されるようにする。図４に見られるように、ベース取付支柱（４００）は、スパン部（４１０）によって、ピクセルプレート取付部（４２０）に接続される。結果として、上記の電荷経路は、第２の電源接続（５７５）からピクセルプレート（図５の３０５）まで延在する。さらに、中間電荷プレート（５８０）は、ギャップ（５９０）によって、下側電荷プレート（３１０）から離隔される。ギャップ（５９０）は、下側電荷プレート（３１０）及び中間電荷プレート（５８０）が確実に短絡しないようにするのを助けるだけの十分な大きさを有する。
【００３６】
したがって、相互接続バイア（３４５）及び可撓性部材バイア（３５０）は、互いに直には積み重ねられない。この構成により、可撓性部材バイア（３５０）が相互接続バイア（３４５）と同じエリアを通って延在しないので、各バイアの側壁の急勾配が緩和される。結果として、各バイアの形状及びサイズは、デバイスの製造中に、ただ１つの層を通じてエッチングすることができる。その結果、工程がよりしっかりとしたものになり、図６を参照してさらに詳細に説明されるような、光変調デバイスが製造される。
【００３７】
（光変調デバイスの製造方法）
図６Ａ〜図６Ｑは、光変調デバイスを製造する１つの例示的な方法を示す。参照するのを容易にするために、その方法は、材料の層を形成及び処理することに関して説明されるであろう。図６Ａに示されるように、その方法は、電源接続層（６００）を形成することによって開始する。１つのそのような例示的な層は、基板上にある５０オングストロームのＴｉ、５００オングストロームのＴｉＮ、及び１５００オングストロームのＡｌＣｕを含む。その後、金属材料の層を処理して、電源接続（図６Ｂ及び図６Ｃの５７０、５７５）が形成される。電源接続層（６００）は、電源接続の最終的な形状に対応する電源接続フォトレジストパターンを被着することによって処理される。その後、電源接続層をエッチングして、余分な材料が除去され、それにより、完成した下側電源接続（５７０、５７５）が残される。
【００３８】
図６Ｄに示されるように、残された電源接続層上にＴＥＯＳ層のような下側酸化層（５６０）が形成される。１つの例示的な下側酸化層は約１μｍ厚である。図６Ｅに示されるように、その後、下側酸化層（５６０）が処理され、下側酸化層（５６０）を貫通し、電源接続（５７０、５７５）まで延在するバイア経路（６０５）が形成される。詳細には、第１のバイアフォトレジストパターンが第１の下側酸化層（５６０）に被着され、その後、露出したエリアが、電源接続層まで貫通するようにエッチングされる。第１のバイアフォトレジストパターンの露出したエリアは、バイアのサイズ、形状及び位置に対応する。これらのバイア経路は、第１の電源バイア又は下側電源バイア及び相互接続バイアに対応し、それらのバイアはそれぞれ、第１の金属電源接続（５７０）及び第２の金属電源接続（５７５）上に形成される。
【００３９】
図６Ｆ及び図６Ｇは、下側電荷プレート層（６１０）が堆積され、エッチングされた後のデバイスを示す。下側電荷プレート層を堆積することによって、下側酸化層（図６Ｄの５６０）を貫通して形成されるバイア経路（図６Ｅの６０５）内に材料の層が堆積される。したがって、バイアによって、電源接続層と下側電荷プレート層との間に電気的接続が確立される。その後、下側電荷プレート層が処理され、図６Ｆ〜図６Ｇに示される下側電荷プレートが形成される。この処理は、下側電荷プレートフォトレジストパターンを被着すること、及び露出したエリアを貫通して下側酸化層（５６０）までエッチングすることを含むことができる。下側電荷プレート層がエッチングされると、下側電荷プレート層（６１０）内に下側電荷プレート（３１０）及び中間電荷プレート（５８０）が確立される。
【００４０】
その後、下側電荷プレート層（６１０）上に、第１の犠牲層（図６Ｈの６１５）が形成される。１つの例示的な第１の犠牲層（図６Ｈの６１５）は、２００オングストロームのＳｉＮ層及び３３００オングストロームのａ‐Ｓｉ層を含む。図６ｌに示されるように、その後、第１の犠牲層（図６Ｈの６１５）が処理され、第１の犠牲層に可撓性プレートバイアフォトレジストパターンを被着し、その後、第１の犠牲層（６２０）を貫通して、下側電荷プレート層（図６Ｆの６１０）の一部である中間電荷プレート（５８０）までエッチングすることによって、可撓性プレートバイアのための経路（６２０）が形成される。
【００４１】
前述したように、可撓性部材（図５の３３５）は、その下側にバンプ（図５Ｂの５３０−１）を備えてもよい。これらのバンプは、第１の犠牲層（６１５）内に空所又は型を形成することによって形成することができる。これらの空所は、第１の犠牲層にバンプ空所フォトレジストパターンを被着することによって形成することができる。適切なバンプ空所フォトレジストパターンは、その中に、第１の犠牲層内に形成されるべき個々の空所のサイズ、形状及び位置に対応する空所を有してもよい。その後、第１の犠牲層（６１５）が、約５００〜１０００オングストロームの深さまでエッチングされて、空所が形成される。したがって、第１の犠牲層を処理して、可撓性部材の下側にあるバンプを設けることができる。
【００４２】
図６Ｊは可撓性部材層（６２５）を示す。可撓性部材層（６２５）は約１２００オングストローム厚であり、概ねＴａＡｌから形成される。可撓性部材層（６２５）は、可撓性部材層（６２５）に可撓性部材フォトレジストパターンを被着し、第１の犠牲層（図６Ｈの６１５）まで貫通するようにエッチングすることによって処理される。可撓性部材（３３５）を含む、結果として形成される可撓性部材パターンが図６Ｋに示される。
【００４３】
その後、図６Ｌに示されるように、可撓性部材空間犠牲層（図６Ｊ〜図６Ｋの６２５）上に、可撓性部材空間犠牲層（６３０）が堆積される。可撓性部材空間犠牲層（６２５）は、約３３００オングストロームのａ‐Ｓｉ材料及び２００オングストロームのＳｉＮ材料を含む。可撓性部材空間犠牲層（６２５）は、図５Ａ及び図５Ｂに示される可撓性部材空間（５２０）に対応する。その後、ピクセルバイア（３６０）が可撓性部材空間犠牲層（６２５）の中にエッチングされ、ピクセルプレートを可撓性部材に接続する。したがって、可撓性部材空間犠牲層（６２５）内に、前述したようなバンプ（図５Ｂの３３５）を形成するための空所を確立することができる。
【００４４】
図６Ｍに見られるように、その後、可撓性部材空間犠牲層（６２５）上にピクセルプレート層（６３０）が形成される。ピクセルプレート層は約１０，０００オングストローム厚であり、概ねＡｌＣｕから形成される。ピクセルプレート層（６３０）が堆積された後に、その層は、ピクセルプレートフォトレジストパターンをその層に被着し、可撓性部材空間犠牲層（６２５）まで貫通するようにエッチングすることによって処理される。結果として形成されるピクセルプレート（３０５）が、図６Ｎ及び図６Ｏに示される。
【００４５】
ピクセルプレート（３０５）が形成されると、第２の犠牲層（図６Ｐの６３５）がピクセルプレート層（６３０）上に形成される。１つの第２の犠牲層は、約２００オングストローム厚であるＳｉＮ層と、約２８００オングストローム厚であるａ‐Ｓｉ層とを含む。その後、図６Ｐに示されるように、第２の犠牲層（６３０）上に上側電荷プレート層（６４０）が形成される。この構造が形成されると、第１の犠牲層（６１５）、可撓性部材空間犠牲層（６２５）及び第２の犠牲層（６３５）を、選択性エッチング等によって除去することができる。その後、上側電荷プレート（６３５）の上に第３の電気的接続（６４５）が形成され、第３の電圧源に接続される。
【００４６】
上側電荷プレート（６４０）及びピクセルプレート（３０５）は同じ電圧源に、又は同じ電圧レベルの電源に接続してもよい。そのような事例では、上側電荷プレート（６４０）とピクセルプレート（３０５）との間に電圧の差はほとんど、又は全くないので、上側電荷プレート（６４０）とピクセルプレート（３０５）との間に静電引力はほとんど、又は全く存在しない。さらに、上側電荷プレート（６４０）及びピクセルプレート（３０５）は、異なる電圧レベルの電圧源に接続されてもよく、それによって上側電荷プレート（６４０）とピクセルプレート（３０５）との間に静電引力が確立されてもよい。
【００４７】
したがって、本発明の方法は、可撓性部材がピクセルプレートの概ね下に配置される光変調デバイスの製造を可能にする。さらに、本発明の方法は、光学ギャップ及び静電ギャップが離隔される光変調デバイスの製造を可能にする。さらに、本発明の方法は、ピクセルプレートの下側に、又は可撓性部材の下側に、又はその両方に配置されるバンプのようなスティクション緩和機構を含む光変調デバイスの製造を可能にする。さらに、本発明の方法は、バイア構造が積み重ねられないようにすることによって、そのような光変調デバイスの迅速且つしっかりとした製造を可能にする。これまで、１つの例示的な実施形態による光変調デバイスが説明されてきた。いくつかの異なる可撓性部材構造及びバイア構成を含む、いくつかの他の構成も実現可能である。ここで、これらの実現可能な構成のうちのいくつかが、さらに詳細に説明される。
【００４８】
（代替の実施形態）
図７は、１つの例示的な実施形態による別の光変調デバイス（３００−１）を示す。光変調デバイス（３００−１）は、細長い可撓性部材（３３５−１）を含む。たとえば、その可撓性部材は、長さが約７．８μｍ、幅が約１．０μｍであってもよい。細長い可撓性部材（３３５−１）を使用することによって、可撓性部材を動作させるために必要とされる電圧を下げることができ、光変調デバイス（３００−１）の動作中の可撓性部材そのものの歪みも少なくすることができる。
【００４９】
図８は、１つの例示的な実施形態による別の光変調デバイス（３００−２）を示しており、可撓性部材（３３５−２）は、さらに細長くされている。詳細には、可撓性部材（３３５−２）は、さらに別の曲がっている部分を備えており、それによってその可撓性部材は、ひじ型の可撓性部材になる。結果として、可撓性部材（３３５−２）の全長は、約９．５μｍにすることができ、幅は約１．０μｍである。したがって、可撓性部材の寸法は、所望のように変更してもよい。さらに、下側電荷プレートの構成も変更してもよく、ここでさらに詳細に説明される。
【００５０】
図９は、光変調デバイス（３００−３）の上面図を示しており、上側電荷プレート及びピクセルプレートが取り除かれ、下側電荷プレート（３１０−３）、及びそれと可撓性部材（３３５−３）との相互作用に焦点を当てている。下側電荷プレート（３１０−３）は、その中に画定される切り抜かれた部分（９００）を有する。これらの切り抜かれた部分（９００）によって、可撓性部材（３３５−３）と下側電荷プレート（３１０−３）との間の接触を最小限に抑えるか、又は全く生じないようにしながら、可撓性部材が、下側酸化層（図６の５６０）と接触できるようになる。下側電荷プレート（３１０−３）との接触を最小限に抑えることによって、さらに、スティクション及び他の作用を低減することができる。
【００５１】
さらに、別の例示的な実施形態による光変調デバイス（３００−４）は、より大きく切り抜かれた部分（９００−４）を利用する。図１０に示されるように、下側電荷プレート（３１０−４）の中に、さらに大きく切り抜かれた部分（９００−４）を画定してもよい。さらに大きく切り抜かれた部分（９００−４）を用いることによって、可撓性部材（３３５−４）が下側電荷プレートと接触する可能性がさらに小さくなる。したがって、下側電荷プレートは切り抜かれた部分とともに形成され、光変調デバイスの可撓性部材が下側電荷プレートと接触する可能性を小さくするのを助けることができる。さらに、１つの特定のタイプの可撓性部材とともに用いられる、２つの例示的な切り抜かれた部分が示されてきたが、切り抜かれた部分は、任意の数の可撓性部材構造とともに設けられてもよい。
【００５２】
（ピクセル拡張部材を備える光変調デバイス）
図１１は、１つの例示的な実施形態による光変調デバイス（１１００）の概略図を示す。詳細には、光変調デバイス（１１００）は、ピクセルプレート（１１２０）と、ピクセル拡張部材（１１３０）とを備える可動ピクセル素子（１１１０）を含む。ピクセル拡張部材（１１３０）は、可動ピクセル素子（１１１０）の有効なサイズを大きくする。
【００５３】
ピクセル部材（１１３０）と隣接するピクセルプレート（１１２０）との間の空間は極めて小さくすることができる。ピクセル拡張部材（１１３０）によって口径比を大きくすることによって、ピクセルサイズを小さくしてもよい。詳細には、可動ピクセル素子（１１１０）の有効なサイズは同じままであるので、より小さな全体サイズを有するデバイスによって、所与の用途の場合に同様の性能を達成することができる。
【００５４】
さらに、反射率のような可動ピクセル素子（１１１０）の性能特性を、種々の状況に相応しいように適合させてもよい。たとえば、ピクセルプレート（１１２０）及びピクセル拡張部材（１１３０）の電気的特性、化学的特性又は機械的特性を個別に適合させてもよい。たとえば、拡張層は、高い反射率を得るために、アルミニウム又は銀のような金属材料を含んでもよい。さらに、ピクセルプレートは、相対的に高い弾性率、良好な耐腐食特性、滑らかな構造、及び化学機械研磨（ＣＭＰ）特性を有する、アルミニウム合金又は他の材料のような異なる材料から形成してもよい。
【００５５】
ピクセル拡張部材（１１３０）は、層間拡散から、環境的な侵蝕から、又は後続の処理から薄膜を保護できるようにするために、或いはその光学的特性を最適化するために、多層薄膜から構成してもよい。たとえば、酸化物又は窒化物を用いて、銀が変色するのを防ぐか、又はアルミニウムがシリコンと相互拡散するのを防いでもよい。
【００５６】
したがって、ピクセル拡散部材（１１３０）は、可撓性部材を含むピクセル間の空間のような別の目的を果たす他の領域を利用する。ピクセルの有効なサイズは、可動ピクセルの第１の層の代わりに、ピクセル拡張部材（１１３０）によって設定されるので、第１の層をさらに変更して、可撓性部材を第１の層の限界寸法及び位置合わせ許容差まで大きくすることができるか、又は可撓性部材をさらに長くするのを可能にすることができる。このタイプの設計の場合、アスペクト比は、７５％から８５％を超えて大きくすることができる。
【００５７】
図１１を参照して説明された光変調デバイス（１１００）は、図６Ａ〜図６Ｑを参照して説明された工程のような堆積／フォト／エッチング工程を用いて製造してもよい。さらに、例示的なピクセル拡張部材（１１３０）は、任意の適切な手段によって形成してもよい。
【００５８】
結論として、本明細書において、光変調デバイスの全表面積と比べて比較的大きなピクセルプレートを有する、いくつかのＭＥＭＳ光変調デバイスが説明されてきた。本明細書において説明された光変調デバイスは、離隔される光学ギャップ及び静電ギャップを含む。光学ギャップ及び静電ギャップを離隔することによって、光変調デバイスの可撓性を高めることができ、デバイス性能を高めることができるようになる。また、この構成によって、可撓性部材の設計の自由度を高めることができ、光変調デバイスの全表面積と比べてピクセル面積の割合を高めることができるようになる。ピクセルプレートの面積の割合を高くすると、デバイスの光学的性能を高めることができる。さらに、そのような構成によって、所与のピクセルサイズのために、より長い可撓性部材を使用できるようになる。可撓性部材を長くすると、歪みが小さな可撓性部材を設計することができ、それにより信頼性を高め、必要とされる作動電圧を下げることができる。歪みを小さくし、作動電圧を下げる設計によって、ピクセルサイズを小さくできるようになり、結果として、デバイスのコストを下げることができる。最後に、ピクセル配列から外れるように可撓性部材を動かしても、元の構成では起こるような、可撓性部材がピクセルコンタクトと結合する可能性がなくなる。
【００５９】
これまでの説明は、本発明の方法及び装置を例示及び説明するためだけに提供されてきた。それは本開示を、網羅的に述べること、又は開示されるあらゆる全く同じ形態に限定することは意図していない。上記の教示に鑑みて、多数の改変及び変更が可能である。本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定されることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】１つの例示的な実施形態による、表示システムの概略図である。
【図２】１つの例示的な実施形態による、可撓性部材を見えなくしたピクセル構造を示す概略図である。
【図３】可撓性部材を見えなくした構造を有する光変調デバイスの部分的な上面図である。
【図４】１つの例示的な実施形態による、ピクセルプレート、例示的な可撓性部材及び支柱の斜視図である。
【図５Ａ】１つの例示的な実施形態による、光変調デバイスの一部を切り取った図である。
【図５Ｂ】１つの例示的な実施形態による、光変調デバイスの一部を切り取った図である。
【図６Ａ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｂ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｃ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｄ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｅ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｆ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｇ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｈ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｉ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｊ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｋ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｌ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｍ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｎ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｏ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｐ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図６Ｑ】１つの例示的な実施形態による、光変調器の製造方法を示す図である。
【図７】１つの例示的な実施形態による、可撓性部材を見えなくした構造を有する光変調デバイスの上面図である。
【図８】１つの例示的な実施形態による、可撓性部材を見えなくした構造を有する光変調デバイスの上面図である。
【図９】１つの例示的な実施形態による、下側電荷プレート内に画定される、切り抜かれた部分を有する光変調デバイスの上面図である。
【図１０】１つの例示的な実施形態による、下側電荷プレート内として画定される、切り抜かれた部分を有する光変調デバイスの上面図である。
【図１１】１つの例示的な実施形態による、光変調デバイス（１１００）の概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図６Ｋ】
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【図６Ｌ】
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【図６Ｍ】
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【図６Ｎ】
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【図６Ｏ】
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【図６Ｐ】
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【図６Ｑ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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