(57)【要約】各種のコンピュータに実装された方法が得られる。シミュレーション・プログラムのための入力を生成する一つのコンピュータに実装された方法は、部分的に製造されたレチクル上で検出された欠陥についての情報と、欠陥に近接したレチクルのエリアに割り当てられた位相についての情報とを組み合わせる工程を含んでいる。この位相は、欠陥が形成されているレベル以外のレベルで、レチクルに加えられることになる。この欠陥は、位相のレチクルへの追加の前に、レチクル上で検出される。別のコンピュータに実装された方法は、レチクルの一つのレベルの検査によって生成される欠陥についての情報を、レチクル上の異なるレベルについての情報と組合せで用いて、レチクル上の欠陥のシミュレート画像を生成する工程を含んでいる。
2008507728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シミュレーション・プログラムのための入力を生成するコンピュータに実装された方法であって、部分的に製造されたレチクル上で検出された欠陥についての情報と、該欠陥に近接した該レチクルのエリアに割り当てられた位相についての情報とを組み合わせる工程を含み、該位相は、該欠陥が形成されているレベル以外のレベルで、該レチクルに加えられることになることを特徴とする方法。
【請求項２】
位相についての情報は、データベースからの情報を含むこととする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
位相についての情報は、レチクル製造プロセスについての情報を含むこととする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
欠陥は、位相のレチクルへの追加の前に該レチクル上で検出されることとする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
欠陥は、レチクル製造プロセスの第一のパターン形成工程後、および該レチクル製造プロセスの第二のパターン形成工程前にレチクル上で検出されることとする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
欠陥は、いかなる位相情報も、レチクルに伝えられないレチクル製造プロセスの工程で形成されることとする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
シミュレーション・プログラムは、入力を用いて、欠陥のプリント性を判定することとする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
シミュレーション・プログラムは、入力を用いて、欠陥のリソグラフィックな重要性を判定することとする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
シミュレーション・プログラムのための入力を生成するコンピュータに実装された方法であって、部分的に製造されたレチクル上に形成された一つまたはそれ以上の形体についての情報と、該一つまたはそれ以上の形体に近接した該レチクルのエリアに割り当てられた位相についての情報とを組み合わせる工程を含み、該位相は、該一つまたはそれ以上の形体が形成されているレベル以外のレベル上で、該レチクルに加えられることになることを特徴とする方法。
【請求項１０】
コンピュータに実装された方法であって、レチクル上の欠陥のシミュレート画像を、該レチクルの一つのレベルの検査によって生成される該欠陥についての情報と、該レチクル上の異なるレベルについての情報とを組合せで用いて生成する生成工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
検査は、レチクルが完全に製造される前に行なわれることとする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
レチクルの一つのレベルは、全くパターン形成されていないレチクルを含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
検査は、レチクル製造プロセスの第一のパターン形成工程後、および該レチクル製造プロセスの第二のパターン形成工程前に行なわれることとする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
レチクル上の異なるレベルについての情報は、データベースからの情報を含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
一つのレベルは、レチクルの位相シフトされていないレベルを含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
生成工程は、位相情報を欠陥に割り当てる工程を含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
シミュレート画像から欠陥のプリント性を判定する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
シミュレート画像から欠陥のリソグラフィックな重要性を判定する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
欠陥のシミュレート画像からレチクルのプロセスウィンドウを判定する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
レチクルを用いて製造されることになるデバイスに対する欠陥の電気的インパクトを、シミュレート画像を用いて解析する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項２１】
シミュレート画像から、レチクルを不合格にすべきであるか、あるいは、該レチクルの追加の製造を行なうべきであるか、を判定する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項２２】
シミュレート画像から、欠陥を修理すべきか否かを判定する工程をさらにこととする含む請求項１０に記載の方法。
【請求項２３】
シミュレート画像、欠陥についての情報、またはその組合せに基づいて、該欠陥に対する修理プロセスレシピを生成する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項２４】
検査の直ぐ後で行なわれることになる一つまたはそれ以上の書込み工程のためのレチクルの設計を修正して欠陥を補正する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項２５】
修正された設計に基づいて、一つまたはそれ以上の書込み工程を行なうのに用いることができるマスク書込みツールのためのファイルを生成する工程をさらに含むこととする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
欠陥のシミュレート画像、欠陥についての情報、またはその組合せに基づいて、一つまたはそれ以上のウェーハ製造プロセスの一つまたはそれ以上のパラメータを判定する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項２７】
検査によって検出された欠陥および追加の欠陥によって生成されたレチクル内のクリチカルなエリアに基づいて、プロセス制御レシピを判定する工程をさらに含むこととする請求項１０に記載の方法。
【請求項２８】
コンピュータに実装された方法であって、レチクルの一つのレベル上の一つまたはそれ以上の形体のシミュレート画像を、メトロロジーによって生成された該一つまたはそれ以上の形体についての情報と、該レチクル上の異なるレベルについての情報とを組合せで用いて生成する生成工程を含み、該異なるレベルは、該メトロロジーの前には、該レチクル上に形成されていないことを特徴とする方法。
【請求項２９】
生成工程を異なるリソグラフィープロセスパラメータで行なって、追加のシミュレート画像を生成する工程と、該追加のシミュレート画像からレチクルのプロセスウィンドウを判定する工程と、をさらに含むこととする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
シミュレート画像を用いて、レチクルを用いてウェーハ上にプリントされるであろうデバイスパターンをシミュレートする工程と、該デバイスパターンの電気的特性を判定する工程と、該デバイスパターンから形成されるデバイスの電気的性能を判定する工程と、をさらに含むこととする請求項２８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にシミュレーション・プログラムのための入力生成、あるいは、レチクルのシミュレート画像生成のためのコンピュータに実装された方法に関する。ある種の実施形態は、部分的に製造されたレチクル上で検出された欠陥についての情報と、欠陥に近接したレチクルのエリアに割り当てられた位相についての情報とを組み合わせる工程を含むコンピュータに実装された方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下の説明および例は、それらがこのセクションに含まれるているからといって、それらが先行技術である、と認められるものではない。
【０００３】
半導体製造プロセスは、一般に、半導体デバイスの各種の形体およびマルチレベルを形成するためのリソグラフィー工程を多数含んでいる。リソグラフィーは、半導体基板（一般にウェーハと呼ばれることがある）上に形成されたレジストにパターンを転写する工程を含んでいる。レチクル（またはマスク）は、レジスト上に配設してよく、かつ、レジストに転写されてよいパターンに構成された実質的に透明な領域と実質的に不透明な領域を有していてよい。例えば、レチクルの実質的に不透明な領域は、レジストのその下にある領域を、エネルギー源への曝露から保護してよい。したがって、レジストは、レジストの領域を、紫外線、電子ビーム、またはＸ線源などのエネルギー源に選択的に曝露することによって、パターン形成してよい。次いで、パターン形成されたレジストを用いて、イオン注入およびエッチングなどの直ぐ後の半導体製造プロセスで、その下にある層をマスクしてよい。したがって、レジストは、実質的に、誘電体材料または半導体基板などのその下にある層を、イオンの注入またはエッチングによる除去から保護してよい。
【０００４】
市販のレチクルには、数種類がある。例えば、バイナリレチクルは、透明または不透明いずれかのパターン形成されたエリアを有するレチクルである。バイナリレチクルは、位相シフトマスク（PSM）とは異なるものであり、その一種のものは、部分的にしか光を伝送しない膜を含んでいてよく、これらのレチクルは、一般に、ハーフトーンまたはエンベッデド位相シフトレチクルと呼んでよい。フェーズシフティング材料が、レチクルの一つおきのクリアスペース上に置かれている場合は、このレチクルは、オールタネーティングPSM、ALTPSM、またはレベンソンPSMとも呼ばれている。任意のレイアウトパターンに適用されるフェーズシフティング材料の一種のものは、減衰またはハーフトーンPSMと呼ばれており、これは、不透明な材料を部分的に伝達可能なまたは「ハーフトーン」膜で置き換えることによって製造してよい。ターナリ減衰PSMは、完全に不透明な形体も同様に含んでいる減衰PSMである。上記のレチクルのそれぞれは、ペリクルを含んでいてもよく、これは、レチクル表面を空輸微粒子および他の形態の汚染物から遮断する光学的に透明な膜である。
【０００５】
レチクルを製造するためのプロセスは、ウェーハパターン形成プロセスと同様である。例えば、レチクル製造の目標は、ガラスなどの実質的に透明な基板上の、比較的薄いクロム層などの不透明な材料内に、パターンを形成することである。特に、レチクルの製造は、パターン生成などの多数の異なる工程を含んでいてよく、このパターン生成は、クロム層およびその上に形成されたレジスト層を有するガラス基板を光源の下で移動しながら、シャッターを移動し、かつ、開放して、正確に形成された光のパターンが、レジスト上に照射できるようにすることによって、所望のパターンを生成する工程を含んでいてよい。
【０００６】
別法として、レチクルは、レーザまたは電子ビームの直接的な書込み曝露で作成してよい。レーザ曝露は、標準の光学レジストの使用を可能にし、かつ、電子ビームの直接的な書込み曝露より速い。また、レーザシステムは、購入および運転費がより安価でもある。直接的な書込みレーザ源は、音響光学変調器（AOM）またはディジタルマルチミラーでオン・オフする。市販の直接的な書込みレーザシステムの一例は、Applied Materials, Inc., Santa Clara, CaliforniaからのALTA 3000（登録商標）レーザライターである。直接的な書込み電子ビームシステムは、レーザシステムより細かなライン解像度を生ずるので、複雑なレチクルを製造するのに使われることが多い。市販の直接的な書込み電子ビームシステムの例を挙げると、Applied MaterialsからのMEBES 4500および5000システムなどがある。ラスタ走査電子ビームシステム、ベクトル走査電子ビームシステム、および擬似ベクトル/ラスタ走査シービームシステムなどの他の曝露型も可能である。
【０００７】
曝露工程後、レチクルは、現像、検査、エッチング、ストリップ、および検査を通して処理される。レチクル内の欠陥は、集積回路製造における歩留減少の原因の一つである。したがって、レチクルの検査は、レチクル製造プロセスにおけるクリチカルな工程である。現今、最小パターンサイズは、小さくなり、集積回路は、より高いデバイス密度で設計されているので、以前には許された欠陥が、最早認容されない場合がある。例えば、ただ一つの欠陥が、ステッパーシステム内の各ダイで繰り返される場合があり、そのため、シングルダイ・リダクション・レチクル内の全てのダイが破壊される場合がある。また、VLSIおよびULSIレベル集積回路製造のクリチカル寸法（CD）バジェットにより、レチクルに許されるCDバジェットは、実質的に欠陥の無い、かつ、寸法的に完全なレチクルを必要とする。例えば、このような集積回路に対する総CDバジェットは、略10%またはそれ以下であり、それにより、レチクルに対するCDバジェットは、約4%のエラーマージンとなる場合がある。
【０００８】
欠陥は、レチクルパターンの不正確な設計、および（または）、パターン生成プロセス中にパターンに導入される傷の結果である場合がある。たとえ、設計が正確であっても、また、パターン生成プロセスが、満足に行なわれても、レチクル製造プロセスによって、また、直ぐ後の処理および取扱い中に、レチクルに欠陥が生成される場合がある。欠陥の多くの有り得る原因に加えて、多くの異なるタイプの欠陥も存在する。例えば、気泡、引掻き傷、ピット、および破面が、不完全な未加工ガラス基板から生ずる場合がある。不透明な材料内の欠陥は、材料内の微粒子混在物、材料表面内のピンホールまたはボイド、および、エラチックな局部エッチングおよび望ましくないパターンに至る場合がある窒化物または炭化物などの、不可視の化学的異常を含んでいてよい。レジスト層内のボイドなどの欠陥は、減衰膜内のボイドに至る場合があるピンホールを生ずる場合がある。また、レジスト内の局部化された特性も、レジスト溶解度などのレジストの特性の、レチクル基板全体のばらつきを生ずる場合がある。微粒子物体もまた、レチクルの処理および（または）取扱い中にレチクルに導入される場合がある。動作しないデバイスを生ずる場合がある欠陥、または、ダイが最終的なウェーハ検査で不合格となる欠陥は、一般に、「フェータル」または「キラー」欠陥と呼ばれており、一方、他の欠陥は、「ノンフェータル」欠陥と呼ばれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
レチクルの欠陥を検査するのに用いられてきた方法は、いくつかある。一つの方法は、第一のパターン形成／処理工程後に検出された全ての欠陥を検査し、かつ、修理する工程を含んでいる。欠陥が、あまりにも多く検出された場合は、そのレチクルは、不合格になる（すなわち、スクラップになる）。この方法では、欠陥の究極的な光学的性質についての知識が、部分的にしか存在しないので、欠陥のプリント性は、全く、あるいは、ほとんど考慮されない。したがって、この方法では、レチクルディスポジショニング決定における個々の欠陥のリソグラフィックな重要性が考慮されない。別の方法は、第二の、または、最終パターン形成／処理工程後に検出された全てのものを検査し、かつ、修理する工程を含んでいる。この方法では、検出された欠陥が、あまりにも多いか、あるいは、修理できない場合は、そのレチクルは、不合格となる。位相欠陥修理は、非常に難しく、かつ（あるいは）、高価であり、かつ（あるいは）、サイクルタイムに相当なインパクトを与えるので、この方法では、完成したマスク/レチクルが不合格となる可能性はより高い。
【００１０】
異なる方法では、検査は、第二の、または、最終パターン形成／処理工程後に行なわれ、かつ、欠陥のレチクルのプリント画像に対するインパクトが、エリアル画像解析ツールを用いて判定される。リソグラフィックに重要な欠陥だけが修理される。上記のように、位相欠陥修理は、非常に難しく、かつ（あるいは）、高価であり、かつ（あるいは）、サイクルタイムに相当なインパクトを与えるので、完成したマスク/レチクルが不合格となる可能性は、より高い。別の方法では、レチクルは、第二の、または、最終パターン形成／処理工程後に、エリアル画像検査ツールを用いて検査してよく、かつ、検出された欠陥は、修理してよい。定義によれば、これらの欠陥は、リソグラフィックに重要な欠陥であるはずである。しかしながら、この方法は、Δクリチカル寸法（ΔCD）欠陥基準を満足するのに、十分な感度を有するエリアル画像検査ツールが、得られることを前提にする。この方法の大きな欠点は、エリアル画像検査ツールを利用するのに、全てのパターン形成および処理工程を完了しなければならず、したがって、フルサイクルタイムおよび費用の投資を必要とすることである。
【００１１】
したがって、上記の方法の欠点のうちの一つまたはそれ以上のものを無くす、レチクルの欠陥の検査および（または）評価方法を開発することが望ましい場合がある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
コンピュータに実装された方法の各種の実施形態についての以下の説明は、いかなるやり方においても、添付のクレームの主題事項を限定すると、解釈すべきではない。
【００１３】
一般に、ここで述べる方法は、欠陥を修理すべきか、あるいは、放置すべきか、あるいは、プレートを不合格にすべきであるか、についての判定を行なうためのPROLITH（これはKLA-Tencor, San Jose, Californiaから市販されている）などのリソグラフィーシミュレーション・プログラムに「フィードフォワード」される固定されたマスク作成プロセスおよび現場欠陥検査に基づいた可能な欠陥位相情報についてのプリオリの知識を利用する。「現場」欠陥検査は、ここでは、一般にマスクまたはレチクルが完成する前に行なわれる検査と定義する。進歩した技術のマスクおよびレチクルは、多重パターン形成および処理工程を利用する。例えば、位相シフト型レチクルは、第一のパターン形成工程で伝送（すなわち、振幅）情報が加えられ、かつ、第二のパターン形成工程で位相情報が加えられる多重パターン形成および処理工程を用いて製造される。第一のパターン形成工程後に検出された欠陥は、第一のレベルのパターン形成データに対する第二のレベルのパターン形成データの空間関係に基づく第二のパターン形成工程後の位相構成要素を有していてもいなくてもよい。一般に、位相構成要素を含む欠陥は、位相構成要素を有していないものよりリソグラフィックな重要性がより大きい傾向がある。
【００１４】
サイクルタイムおよび製造コストを最小限に抑えるためには、マスク作成プロセスで、できるだけ早くレチクルの品質を判定するのが有利である。しかしながら、多くの解像度エンハンスメント法（RET）は、フェーズシフティングレチクルを利用し、これは、上記のような多重パターン形成および処理工程を用いて製造される。これらの多重工程は、相当なサイクルタイムおよび製造費を追加するものである。したがって、より早いパターン形成／処理工程によるフェータルな欠陥が存在する場合は、全てのパターン形成および処理工程が完了する前にレチクルの品質を判定して、さらなる値をレチクルに加えるのを避けるのが望ましい。この判定は、後のパターン形成／処理工程でレチクルに加えられることになるためまだレチクルに加えられていない位相構成要素を、第一のパターン形成工程で生成される欠陥が、有している場合といない場合があるので難しい場合がある。
【００１５】
ここで述べる方法は、第二のレベルパターン形成データを利用して、レチクル上の位相エリアの場所の判定を補助し、これは、光学リソグラフィーシミュレーション・プログラムにフィードフォワードすることができる。さらにまた、マスク作成プロセスおよび位相パターン情報に関連する欠陥場所のプリオリの知識に基づいて、位相情報を欠陥に割り当て、シミュレーション結果の正確さを向上させることができる。この方法は、データベースからの位相情報が、欠陥の光学画像とオーバレイするマルチレベルデータベース検査の構成要素として実行でき、かつ、光学シミュレーション・プログラムへの入力として使用されるファイルに格納できる。
【００１６】
ここで述べる方法は、欠陥のリソグラフィックな重要性を評価するのに、レチクルを完成しなくてもよいので、前の方法論の欠点のうちの多くのものが克服できる。さらにまた、ここで述べる方法は、第二のレベルの位相データが、データベースで生成され、かつ、欠陥の光学画像にオーバレイされる「ハイブリッド」なダイ・ツー・ダイモードで使用できる。それはまた、局部クリチカル寸法（CD）のばらつきなどのある種の欠陥タイプの検査後に、レチクルの第一のレベルについて、プリント性の査定を行なうことも可能である。
【００１７】
一実施形態は、シミュレーション・プログラムのための入力を生成するコンピュータに実装された方法に関する。この方法は、部分的に製造されたレチクル上で検出された欠陥についての情報と、欠陥に近接したレチクルのエリアに割り当てられた位相についての情報とを組み合わせる工程を含んでいる。この位相は、欠陥が形成されたレベル以外のレベルで、レチクルに加えられることになる。一実施形態では、位相についての情報は、データベースからの情報を含んでいる。別の実施形態では、位相についての情報は、レチクル製造プロセスについての情報を含んでいる。
【００１８】
一実施形態では、位相のレチクルへの追加の前に、レチクル上で欠陥を検出する。いくつかの実施形態では、レチクル製造プロセスの第一のパターン形成工程の後、および、レチクル製造プロセスの第二のパターン形成工程の前に、レチクル上で欠陥を検出する。追加の実施形態では、欠陥は、いかなる位相情報も、レチクルに伝えられないレチクル製造プロセスの工程で形成される。
【００１９】
別の実施形態では、シミュレーション・プログラムは、欠陥のプリント性を判定する入力を用いる。さらなる実施形態では、シミュレーション・プログラムは、欠陥のリソグラフィックな重要性を判定する入力を用いる。上記の方法の実施形態のそれぞれは、ここで述べる任意の他の工程を含んでいてよい。
【００２０】
別の実施形態は、シミュレーション・プログラムのための入力を生成するコンピュータに実装された方法に関する。この方法は、部分的に製造されたレチクル上に形成された一つまたはそれ以上の形体についての情報と、一つまたはそれ以上の形体に近接したレチクルのエリアに割り当てられた位相についての情報とを組み合わせる工程を含んでいる。この位相は、一つまたはそれ以上の形体が形成されているレベル以外のレベル上で、レチクルに加えられることになる。この方法のこの実施形態では、ここで述べる任意の他の工程（複数も可）を含んでいてもよい。
【００２１】
別の実施形態は、異なるコンピュータに実装された方法に関する。この方法は、レチクルの一つのレベルの検査によって生成される欠陥についての情報を、レチクル上の異なるレベルについての情報と組合せで用いて、レチクル上の欠陥のシミュレート画像を生成する工程を含んでいる。一実施形態では、検査は、レチクルが完全に製造される前に行なわれる。別の実施形態では、レチクルの一つのレベルは、全くパターン形成されていないレチクルを含んでいる。異なる実施形態では、検査は、レチクル製造プロセスの第一のパターン形成工程後、およびレチクル製造プロセスの第二のパターン形成工程前に行なわれる。
【００２２】
一実施形態では、レチクル上の異なるレベルについての情報は、データベースからの情報を含んでいる。いくつかの実施形態では、一つのレベルは、レチクルの位相シフトされていないレベルを含んでいる。別の実施形態では、シミュレート画像を生成する工程は、位相情報を欠陥に割り当てる工程を含んでいる。
【００２３】
この方法は、シミュレート画像から欠陥のプリント性を判定する工程を含んでいてもよい。別の実施形態では、この方法は、シミュレート画像から欠陥のリソグラフィックな重要性を判定する工程を含んでいる。追加の実施形態では、この方法は、欠陥のシミュレート画像から、レチクルのプロセスウィンドウを判定する工程を含んでいる。さらなる実施形態では、この方法は、レチクルを用いて製造されることになるデバイスに対する欠陥の電気的インパクトを、シミュレート画像を用いて解析する工程を含んでいる。
【００２４】
いくつかの実施形態では、この方法は、シミュレート画像から、レチクルを不合格にすべきであるか、あるいは、レチクルの追加の製造を行なうべきであるか、を判定する工程を含んでいる。追加の実施形態では、この方法は、シミュレート画像から、欠陥を修理すべきか否かを判定する工程を含んでいる。別の実施形態では、この方法は、シミュレート画像、欠陥についての情報、またはその組合せに基づいて、欠陥のための修理プロセスレシピを生成する工程を含んでいる。
【００２５】
さらなる実施形態では、この方法は、検査の直ぐ後で行なわれることになる一つまたはそれ以上の書込み工程のためのレチクルの設計を修正して、欠陥を補正する工程を含んでいる。一つのこのような実施形態では、この方法は、修正された設計に基づいて一つまたはそれ以上の書込み工程を行なうのに用いることができる、マスク書込みツールのためのファイルを生成する工程を含んでいる。
【００２６】
別の実施形態では、この方法は、欠陥のシミュレート画像、欠陥についての情報、またはその組合せに基づいて、一つまたはそれ以上のウェーハ製造プロセスの一つまたはそれ以上のパラメータを判定する工程を含んでいる。追加の実施形態では、この方法は、検査によって検出された欠陥および追加の欠陥によって生成されたレチクル内のクリチカルなエリアに基づいて、プロセス制御レシピを判定する工程を含んでいる。上記の方法の実施形態のそれぞれは、ここで述べる任意の他の工程（複数も可）を含んでいてよい。
【００２７】
異なる実施形態は、別のコンピュータに実装された方法に関する。この方法は、メトロロジーによって生成された一つまたはそれ以上の形体についての情報を、レチクル上の異なるレベルについての情報と組合せで用いて、レチクルの一つのレベル上の一つまたはそれ以上の形体のシミュレート画像を生成する工程を含んでいる。異なるレベルは、メトロロジーの前には、レチクル上に形成されていない。
【００２８】
一実施形態では、この方法は、上記のような一つまたはそれ以上の形体のシミュレート画像を異なるリソグラフィープロセスパラメータで生成して、一つまたはそれ以上の形体の追加のシミュレート画像を生成する工程を含んでいる。このような実施形態は、追加のシミュレート画像からレチクルのプロセスウィンドウを判定する工程を含んでいてもよい。別の実施形態では、この方法は、シミュレート画像を用いて、レチクルを用いてウェーハ上にプリントされるであろうデバイスパターンをシミュレートする工程を含んでいる。このような実施形態は、デバイスパターンの電気的特性を判定する工程、およびデバイスパターンから形成されるデバイスの電気的性能を判定する工程を含んでいてもよい。上記の方法の実施形態のそれぞれは、ここで述べる任意の他の工程（複数も可）を含んでいてよい。
【００２９】
さらなる実施形態は、プロセッサ上で実行して、ここで述べるコンピュータに実装された方法のうちの一つまたはそれ以上のものを行なうことが可能なプログラム命令を含むキャリア媒体に関する。追加の実施形態は、プロセッサ、および、プロセッサ上で実行して、ここで述べるコンピュータに実装された方法のうちの一つまたはそれ以上のものを行なうことが可能なプログラム命令を含むシステムに関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下の好適な実施形態の詳細な説明により、また、添付の図面を参照することにより、本発明のさらなる利点が、当業者には、明らかになるであろう。
【００３１】
本発明は、各種の変更態様および代わりの形態が可能であるが、その特定の実施形態が、図面の例により示され、ここに詳細に記述されるであろう。図面は、一定の縮尺ではない場合がある。しかしながら、図面およびそれに対する詳細な説明は、本発明を、開示された特定の形態に限定することを意図したものではなく、反対に、添付のクレームによって定義された本発明の趣旨および範囲内にある全ての変更態様、同等物および代替物を包含することを意図していることを理解されたい。
【００３２】
ここで使用される場合、術語「レチクル」は、レチクルまたはマスクを指す。レチクルは、一般に、その上に形成された不透明な材料の層を有する、ガラス、硼珪酸ガラス、および溶融石英などの透明基板を含んでいる。レチクルは、接着層などの不透明な材料の下に形成された追加の材料を含んでいてよい。また、レチクルは、下層反射防止膜、レジスト、および上層反射防止膜などの不透明な材料の上に形成された追加の材料を含んでいてよい。不透明材料層は、基板上に不透明な領域を形成するようパターン形成される。別法として、不透明な領域を、透明基板内にエッチングされた領域で置き換えてよい。レチクルは、ここで述べるように、ペリクルを含んでいてもいなくてもよい。
【００３３】
異なるタイプのレチクルは、明視野レチクル、暗視野レチクル、バイナリレチクル、位相シフトマスク（PSM）、オールタネーティングPSM、減衰またはハーフトーンPSM、およびターナリ減衰PSM（これらは、上でより詳細に記述されている）を含むが、それらに限定されない。レチクルは、光近接効果補正（OPC）形体を含んでいてもよい。OPC形体は、光近接効果を低減することによって、レチクルを用いてプリントされる画像の歪みを低減するよう設計されている。術語「光近接効果」は、一般に、レチクル上の他の形体の近接性による、プリントされた形体の横方向寸法または形状のばらつきを指す。このような効果は、光近接効果による歪みを判定し、かつ、このような歪みを補償するようレチクル上の形体を変えることによって、低減してよい。
【００３４】
術語「レチクル」は、ここで使用される場合、「完全に製造されたレチクル」などの術語を用いて特に指定しない限り、部分的に製造されたレチクルも指す。言い換えれば、術語「レチクル」および「部分的に製造されたレチクル」は、ここで、可換的に用いられる。部分的に製造されたレチクルは、レチクル製造プロセスの第一のパターン形成工程は行なわれたが、レチクル製造プロセスの第二のパターン形成工程は行なわれていないレチクルプレートであってよい。術語「第一のパターン形成工程」は、ここで使用される場合、別のパターン形成工程で（例えば、「第二のパターン形成工程」で）、位相がレチクルに加えられる前に行なわれるレチクルパターン形成工程と定義する。一つのこのような例では、第一のパターン形成工程では、いかなる位相情報も、レチクルプレートに伝えられなくてよい。代わりに、多くのレチクル製造プロセスでは、第一のパターン形成工程は、伝送（振幅）特性のみをレチクルプレートに加えるよう設計される。また、術語「第一の」および「第二の」は、相対的な術語である（すなわち、第一のパターン形成工程前に、一つまたはそれ以上のパターン形成工程が行なわれてよく、また、第二のパターン形成工程後に、一つまたはそれ以上のパターン形成工程が行なわれてよい）。
【００３５】
術語「位相」は、ここで使用される場合、レチクルの一部が、レチクルの一部を介して伝送される光の位相を変える度合いを指すのに用いられる。例えば、レチクルの一部は、レチクルのその一部を介して伝送される光の位相を、180度または別の固定の度数だけ変えるよう設計してよい。位相は、各種の異なる「フェーズシフティング形体」を用いて、レチクルを介して伝送される光に伝えられてよい。フェーズシフティング形体は、レチクル基板のエッチングされた一部を含むことができる。別法として、フェーズシフティング形体は、レチクルが用いられることになる光の波長にとって実質的に透明な、レチクルに加えられる材料を含むことができる。各種のタイプのフェーズシフティング形体および各種の製造方法の例が、Tanaka他に対する米国特許番号6,750,000（これは、あたかも、ここに完全に記載されたものとして、参照により組み込まれている）に示されている。
【００３６】
ここで図面を参照すると、図1は、シミュレーション・プログラムのための入力10を生成するコンピュータに実装された方法の一実施形態を示している。この入力は、ファイルの形態、または、シミュレーション・プログラムのための入力の任意の他の適当な形態を取ってよい。シミュレーション・プログラムは、光学シミュレーション・プログラムであってよい。例えば、シミュレーション・プログラムは、レチクルの光学的性能をシミュレートするよう構成されていてよい。シミュレーション・プログラムは、ここで述べる追加の機能を行なうよう構成されていてよい。適当なシミュレーション・プログラムの特定の一例は、PROLITH（これはKLA-Tencor, San Jose, Californiaから市販されている）を含んでいる。しかしながら、シミュレーション・プログラムは、技術上既知の任意の適当なシミュレーション・プログラムを含んでいてよい。
【００３７】
この方法は、部分的に製造されたレチクル上で検出された欠陥についての情報12と、欠陥に近接したレチクルのエリアに割り当てられた位相についての情報14とを組み合わせる工程を含んでいる。この位相は、欠陥が形成されているレベル以外のレベルで、レチクルに加えられることになる。言い換えれば、欠陥は、位相のレチクルへの追加の前に、レチクル上で検出され、かつ、欠陥についての情報は、レチクル検査の時点でまだレチクルに加えられていない位相についての情報と、組み合わされる。例えば、欠陥は、レチクルがパターン形成される前に、レチクル上で検出されてよい。言い換えれば、欠陥は、全くパターン形成されていないレチクル上で検出されてよい。別の例では、欠陥は、レチクル製造プロセスの第一のパターン形成工程後に、レチクル上で検出されてよい。この工程では、いかなる位相情報も、レチクルに伝えられない。言い換えれば、第一のパターン形成工程では、伝送情報のみがレチクルに加えられる。位相は、レチクル検査が行なわれた後に、レチクル製造プロセスの第二の、または直ぐ後の、パターン形成工程で、レチクルに加えられることになる。上に詳細に記載したように、術語「第一のパターン形成工程」は、ここで使用される場合、フェーズシフティング形体がレチクルに加えられる別のパターン形成工程がその後に続くパターン形成工程を指す。このような実施形態では、ここで述べる方法で用いられる位相についての情報は、一般に、まだレチクルに加えられていないフェーズシフティング形体についての情報のみを含むことになる。
【００３８】
位相についての情報は、データベース16からの情報を含んでいてよい。データベース16は、レチクルレイアウトについての情報を含むデータベースであってよい。レチクルのレイアウトは、回路パターンデータベース内のデータから判定してよい。レチクルのレイアウトは、一般に、レチクル上のパターン内の形体を定義する複数の多角形を含んでいる。フェーズシフティング形体を有するレチクルの場合は、このデータベースは、レチクルの異なるレベルのためのレイアウトを含んでいてよい。言い換えれば、このデータベースは、レチクルの異なる形体を形成するためにレチクル上で行なわれる異なるパターン形成工程のためのレイアウトを含んでいてよい。例えば、一つのレイアウトは、一つのパターン形成工程で加えられることになるトランスミッタンス形体を定義してよく、かつ、別のレイアウトは、異なるパターン形成工程で形成されることになるフェーズシフティング形体を定義してよい。
【００３９】
レチクルのレイアウトを表すデータは、ここで述べるようなシミュレーション・プログラムおよび（または）プロセッサによって読み取り可能な任意の形態を有していてよい。例えば、このデータは、レチクル、または、少なくとも、欠陥が存在するレチクルの領域に関する、GDSIIファイル、または他の標準のファイル記述として、シミュレーション・プログラムに与えられてよい。このデータは、一つまたはそれ以上の形体、および形体と関連した空間的位置を記述してよい。各形体は、一つまたはそれ以上の多角形、または、ここで述べるような他の形状を含んでいてもよく、かつ、レチクル内の空間的位置は、多角形または形状のそれぞれと関連していてもよい。
【００４０】
異なる実施形態では、位相についての情報14は、レチクル製造プロセスについての情報を含んでいてよい。このような情報は、工場データベースなどのデータベースから得てよい。工場データベースは、ツール履歴、ウェーハ履歴、およびレチクル履歴などの、工場で行なわれるプロセスのうちの任意のものと関連している情報を含んでいてよい。工場データベースは、全体的な工場管理システムでの使用に適したデータの任意のセットを含んでいてもよい。このようなシステムの一例が、Lamey他に対するPCT公開番号 WO 99/59200およびLamey, Jr他に対する米国特許番号6,408,219（これらは、あたかも、ここに完全に記載されたものとして、参照により組み込まれている）に示されている。
【００４１】
シミュレーション・プログラムは、ここで述べるような入力を用いるよう構成されていてよい。特に、この方法は、シミュレーション・プログラムが、レチクル上の欠陥（複数も可）、および、特に、レチクル上の欠陥（複数も可）が、レチクルに加えられることになる位相によって、どのように影響され得るか、を評価するのに用いることができる入力を生成してよい。また、シミュレーション・プログラムは、この入力を用いて、レチクルにまだ加えられていない位相が、レチクル上で検出された欠陥（複数も可）の光学的特性に、どのように影響することになるか、を判定してよい。例えば、一実施形態では、シミュレーション・プログラムは、この入力を用いて、位相の追加後に欠陥が有することになるプリント性を判定する。別の実施形態では、シミュレーション・プログラムは、この入力を用いて、位相の追加後に欠陥が有することになるリソグラフィックな重要性を判定する。図1に示した方法は、ここで述べる任意の他の工程（複数も可）を含んでいてよい。
【００４２】
上記のように、図1に示した方法は、欠陥を解析し、かつ（あるいは）、レチクル上の欠陥についての決定を行なうのに用いることができる入力を生成する。同様のやり方で、上記の方法を用いて、レチクル上に形成された形体を解析し、かつ（あるいは）、それについての決定を行なうのに用いることができる入力を生成してよい。例えば、一実施形態では、シミュレーション・プログラムのための入力は、部分的に製造されたレチクル上に形成された一つまたはそれ以上の形体についての情報と、形体（複数も可）に近接したレチクルのエリアに割り当てられた位相についての情報とを組み合わせることによって、生成される。この位相は、形体（複数も可）が形成されているレベル以外のレベル上で、レチクルに加えられることになる。
【００４３】
一実施形態では、形体は、伝送オルタリング形体（例えば、クロム線）を含んでいる。形体（複数も可）についての情報は、技術上既知の任意のメトロロジー技法（例えば、走査型電子顕微鏡法（SEM）、光波散乱計測など）を用いて生成してよい。また、形体（複数も可）についての情報は、形体（複数も可）の任意の測定可能な特性（例えば、クリチカル寸法（CD）、側壁角度、プロファイル、位置など）についての情報を含んでいてよい。このやり方で、上記の方法と同様、この方法を用いて、シミュレーション・プログラムが使用できる入力を生成し、レチクル上に形成された形体（複数も可）、および、それらの形体（複数も可）をまだレチクルに加えられていない位相によってどのように変え得るか、を評価してよい。特に、シミュレーション・プログラムは、好ましくは、この入力を用いて、位相が、ウェーハ上にプリントされることになる形体（複数も可）の画像に、どのように影響することになるか、を解析することができる。例えば、シミュレーション・プログラムは、フェーズシフティング形体がレチクルに加えられた後に、形体（複数も可）が有することになるプリント性および（または）リソグラフィックな重要性を判定することができる。
【００４４】
図2は、異なるコンピュータに実装された方法の一実施形態を示している。いくつかの実施形態では、この方法は、レチクル製造プロセスの第一のパターン形成工程18を含んでいる。第一のパターン形成工程は、上記のように行なわれてよい。第一のパターン形成工程後、およびレチクル製造プロセスの第二のパターン形成工程前に、レチクルの検査20が行なわれる。このやり方で、レチクルが完全に製造される前に、レチクルの検査が行なわれる。そのようなものとして、検査20は、一般に、「現場検査」と呼ばれることがある。検査20は、レチクル上の伝送オルタリング形体のパターン形成中に、かつ（あるいは）、その前に、および、フェーズオルタリング形体のパターン形成前に、形成される欠陥を検出する。したがって、検査20で検出された欠陥が、レチクル上に形成されることになるフェーズシフティング形体とのそれらの近接性により、何らかのフェーズオルタリング特性を有することになるか否かを知ることは、難しい。それらのフェーズシフティング特性の変化を生じるほど十分に欠陥に近接したフェーズシフティング形体は、欠陥と同じ場所に（すなわち、欠陥「の上に」）、あるいは、欠陥の比較的近くに（例えば、欠陥と隣り合って）形成されることになるフェーズシフティング形体を含んでいてよい。したがって、レチクル上で追加の製造プロセスが行なわれる前に、まだ形成されていないフェーズオルタリング形体が、欠陥に、かつ、特に、欠陥の光学的特性に、どのように影響することになるかを知ることは、有利であろう。
【００４５】
図2に示した方法は、工程22に示すように、レチクル上の欠陥のシミュレート画像を生成する工程も含んでいる。シミュレート画像は、ここで述べるシミュレーション・プログラムのうちの任意のものを用いて生成してよい。また、シミュレート画像は、レチクルの一つのレベルの検査20によって生成された情報を、ウェーハ上の異なるレベルについての情報と組合せで用いて生成される。言い換えれば、シミュレート画像は、図1に示した方法に従って生成される入力を用いて生成してよい。検査20によって生成された情報は、欠陥画像（複数も可）、または、レチクル検査によって生成されてよい任意の他のデータを含んでいてよい。レチクルの「一つのレベル」は、ここでは、第一のパターン形成工程中に形成されるレベルと定義する。一実施形態では、一つのレベルは、レチクルの位相シフトされていないレベルを含んでいる。言い換えれば、フェーズシフティング情報は、検査後にレチクルに加えられてよい。ウェーハ上の異なるレベルについての情報は、まだレチクルに加えられていない位相についての任意の情報を含んでいてよい。特に、異なるレベルは、直ぐ後のパターン形成工程でレチクルに加えられることになるフェーズシフティングレベルを含んでいる。異なるレベルについての情報は、上記の情報のうちの任意のもの（例えば、データベースからの情報など）を含んでいてよい。
【００４６】
シミュレート画像を生成する工程は、位相情報を、検査20によって検出された一つまたはそれ以上の欠陥に割り当てる工程を含んでいてよい。例えば、レチクル上で検出された欠陥（複数も可）の位置を用いて、異なるレベルの対応する位置にある、またはその近くにある異なるレベルの位相情報を判定してよい。次いで、対応する位置にある、またはその近くにある位相情報を、欠陥（複数も可）に割り当ててよい。また、欠陥（複数も可）に割り当てられた位相情報を用いて、直ぐ後のパターン形成工程でフェーズシフティング形体が加えられた後に、欠陥（複数も可）が有することになる欠陥（複数も可）の一つまたはそれ以上の特性をシミュレートしてよい。いかなるフェーズシフティング形体も含まないレチクルの異なるレベル上の位置に対応する欠陥は、検査およびシミュレート画像の両方において、実質的に同じ特性を有していてよい。しかしながら、フェーズシフティング形体を含む、またはそれに近接した、異なるレベル上の位置に対応する欠陥は、検査およびシミュレート画像において、実質的に異なる特性を有していてよい。
【００４７】
工程24に示すように、シミュレート画像（複数も可）を用いて、追加の製造工程を実際に行なうことなしに、レチクルの追加の製造後にレチクル上の欠陥が有することになる一つまたはそれ以上の特性を判定してよい。したがって、シミュレート画像（複数も可）を用いて、追加の製造工程を行なう費用を掛けることなしに、欠陥についての価値ある情報を判定してよい。例えば、この方法は、シミュレート画像から欠陥のプリント性を判定する工程を含んでいてよい。欠陥のプリント性は、具体的には、レチクルを用いて曝露されるウェーハ上に、欠陥がどのようにプリントされることになるかを指す。プリント性を判定する工程は、リソグラフィープロセスパラメータの一つまたはそれ以上のセットで、レチクルを用いて曝露されるレジスト上に投影されることになるレチクルのエリアル画像をシミュレートする工程を含んでいてよい。また、プリント性を判定する工程は、リソグラフィープロセスパラメータの一つまたはそれ以上のセット、およびレジストモデルを用いて、レジスト（これは、レチクルを用いて曝露される）内に最終的に形成されることになるパターンをシミュレートする工程を含んでいてよい。レチクル欠陥のプリント性を判定する方法の例が、「レチクル上の欠陥を分類および解析する方法およびシステム」と題する、Howard他によって2004年3月4日に出願された米国特許出願出願番号10/793,599（これは、あたかも、ここに完全に記載されたものとして、参照により組み込まれている）に示されている。ここで述べるシミュレート画像は、Howard他によって記述された欠陥画像の代わりに用いてよい。
【００４８】
さらにまた、この方法は、欠陥のシミュレート画像から、レチクルのプロセスウィンドウを判定する工程を含んでいてよい。例えば、この方法は、リソグラフィープロセスのプロセスウィンドウを越えて、レジスト上に投影されることになるエリアル画像、または、レジスト内に形成されることになるパターンをシミュレートする工程を含んでいてよい。言い換えれば、シミュレーションを上記のように行なって、欠陥のプリント性を判定してよいが、リソグラフィープロセスのプロセスウィンドウに及ぶリソグラフィープロセスパラメータを用いることになる。また、このようなシミュレーションは、（例えば、欠陥のシミュレート画像以外も用いて）レチクル全体またはレチクルの一部に対して行なってよい。このようなシミュレーションは、メトロロジーから判定してよいレチクルについての情報（例えば、レチクル上の形体についての情報）を用いて行なってよい。レチクル上の形体についての情報は、ここで述べる任意の他の情報を含んでいてよい。したがって、レチクルの使用可能なプロセスウィンドウを、シミュレート画像から判定し、かつ、レチクルのための設計されたプロセスウィンドウと比較してよい。
【００４９】
別の実施形態では、図2に示した方法を用いて、シミュレート画像を用いてレチクル上で検出された一つまたはそれ以上の欠陥のリソグラフィックな重要性を判定してよい。リソグラフィックな重要性は、レチクルを用いるリソグラフィープロセスによってパターン形成されるウェーハに、欠陥が、どのようにインパクトを与えるかの目安であってよい。いくつかの実施形態では、この方法は、シミュレート画像を用いて、レチクル上の欠陥（複数も可）の設計上の重要性、および（または）、レチクル上の欠陥（複数も可）の全体的な重要性を判定する工程を含んでいてもよい。設計上の重要性は、レチクルの設計に、欠陥が、どのようにインパクトを与えるかの目安であってよい。全体的な重要性は、リソグラフィックに、かつ、設計上重要である、単にリソグラフィックに重要である、単に設計上重要である、および重要ではない、からなるグループから選択してよい。レチクル欠陥の設計上の、リソグラフィックな、かつ（あるいは）、全体的な重要性を判定する方法の例が、「設計者意図データを用いるウェーハおよびレチクルの検査のための方法およびシステム」と題する、Marella他によって2004年7月1日に出願された米国特許出願出願番号10/883,372（これは、あたかも、ここに完全に記載されたものとして、参照により組み込まれている）に示されている。
【００５０】
別の実施形態では、この方法は、レチクルを用いて製造されることになるデバイスに対する欠陥の電気的インパクトを、シミュレート画像を用いて、解析する工程を含んでいてよい。解析は、例えば、タイミングおよびパワー解析を含んでいてよい。例えば、欠陥のシミュレート画像を用いて、レチクルを用いてウェーハ上にプリントされるであろうデバイスパターンをシミュレートしてよい。デバイスパターンは、最終的に、ウェーハ上にデバイス構造物を形成しないレジスト材料とは反対に、ウェーハ上のデバイス材料（例えば、絶縁材料、導体材料、半導体材料など）内に形成されるパターンである。このようなシミュレーションは、欠陥のシミュレート画像およびレチクルについての他の情報（例えば、レチクルレイアウトデータ、および（または）、ここでさらに述べるレチクルの一つまたはそれ以上の形体についての情報）を、レチクルおよびウェーハ製造プロセス（例えば、リソグラフィーおよびエッチングなどの、レチクル製造プロセスおよびウェーハ製造プロセス）のためのモデルへの入力として用いる工程を含んでいてよい。他の実施形態では、デバイスパターンをシミュレートする工程は、レチクル上の一つまたはそれ以上の形体についての情報のみを用いて行なってよい。このような情報は、ここでさらに述べるように（例えば、メトロロジーによって）取得してよい。このやり方で、この方法は、エッチング後にデバイス材料内に形成されるパターンの一つまたはそれ以上のシミュレート画像を生成する工程を含んでいてよい。同様のやり方で、この方法は、成膜、化学・機械研磨、清浄化、およびウェーハ上のデバイス材料の特性に影響する任意の他のプロセスなどの異なるプロセス後に、デバイス材料内に形成されるパターンの一つまたはそれ以上のシミュレート画像を生成する工程を含んでいてよい。次いで、シミュレートされたデバイスパターンを解析して、デバイスパターンの電気的特性を判定してよい。次いで、デバイスパターンの電気的特性を、設計された電気的特性と比較して、デバイスの電気的性能に対する欠陥の影響を判定してよい。同様のやり方で、電気的特性を、設計された電気的特性と比較して、レチクルの一つまたはそれ以上の形体の、デバイスの電気的性能に対する影響を判定してよい。
【００５１】
図2に示した方法は、欠陥および（または）レチクルについての一つまたはそれ以上の決定（すなわち、欠陥および（または）レチクル「ディスポジショニング」）を行なう工程を含んでいてもよい。例えば、この方法は、シミュレート画像から、欠陥を修理すべきか否かを判定する工程を含んでいてよい。欠陥を修理すべきか否かを決定する工程は、工程24で判定された欠陥の特性のうちの一つまたはそれ以上のものに基づいていてよい。例えば、欠陥が、レチクルのプリント性に不利に影響することになる場合は、欠陥を修理してよい。また、欠陥が、レチクルと共に使用できるプロセスウィンドウを相当に低減することになる場合は、欠陥を修理してよい。別の例では、欠陥が、リソグラフィックな、設計上の、あるいは、リソグラフィックおよび設計上の、重要性を有する場合は、欠陥を修理してよい。さらなる例では、欠陥が、レチクルを用いて製造されることになるデバイスの電気的性能に不利に影響することになる場合は、欠陥を修理してよい。欠陥を修理すべきか否かの決定は、米国出願番号10/793,599に記述されているように、修理のコスト、および修理中にレチクルを損傷するリスクなどの、他の変数を考慮してもよい。さらにまた、欠陥が、以下に述べるように、レチクルのフェーズシフティング層に欠陥を生じることになる場合は、特に、レチクルのフェーズシフティング層の欠陥は、米国特許番号6,593,040（これは、あたかも、ここに完全に記載されたものとして、参照により組み込まれている）において、Smithによって記述されたように、修理が特に難しい場合があるので、フェーズシフティング層の形成の前に、欠陥を修理すべきであると判定してよい。
【００５２】
欠陥（複数も可）を修理すべきであると判定された場合は、この方法は、工程26に示すように、欠陥（複数も可）を修理する工程を含んでいてよい。欠陥（複数も可）を修理する工程は、技術上既知の任意の修理技法またはツールを用いて行なってよい。例えば、欠陥（複数も可）は、集束イオンビーム（FIB）ツールを用いて修理してよい。また、欠陥は、個別的に（欠陥を一度に一つずつ）、または、集合的に（多重欠陥を実質的に同時に）、修理してよい。集合的な欠陥修理は、例えば、修理プロセスで保護されるべきレチクルの部分の上に、材料（例えば、レジスト）の層を形成する工程、および、レチクルの露出した部分上の欠陥を除去する工程（例えば、エッチングまたは清浄化する工程）を含んでいてよい。
【００５３】
いくつかの実施形態では、この方法は、シミュレート画像（複数も可）に基づいて修理プロセスレシピを生成する工程を含んでいてよい。例えば、この方法は、修理ツールが、レチクル上の欠陥（複数も可）を修理するのに用いることができるデータベースを生成する工程を含んでいてよい。閉ループ欠陥低減のためのシステムおよび方法の例が、2003年1月15日に出願されたMarellaによる米国特許出願出願番号10/342,819（これは、あたかも、ここに完全に記載されたものとして、参照により組み込まれている）に示されている。ここで述べる方法は、この特許出願に記述されている方法の一つまたはそれ以上の工程（複数も可）を含んでいてよい。
【００５４】
別の実施形態では、この方法は、シミュレート画像から、レチクルを不合格にすべきであるか、あるいは、レチクルの追加の製造を行なうべきであるか、を判定する工程を含んでいる。レチクルは、多数の理由で不合格になる（すなわち、「スクラップになる」）場合がある。特に、レチクルを不合格にすべきか、あるいは、レチクル上の製造を継続すべきか、の決定は、工程24で判定されたレチクル上の欠陥（複数も可）の一つまたはそれ以上の特性に基づいていてよい。例えば、レチクルのプリント性に不利に影響することになる相当な数の欠陥が、レチクル上に存在する場合は、レチクルは、スクラップにしてよい。このような例では、特に、このような相当な数の欠陥を修理する工程が、リスクが高すぎる、費用が掛かりすぎる、時間が掛かりすぎる、かつ（あるいは）、難しすぎる場合は、レチクルは、スクラップにしてよい。別の例では、リソグラフィックな、かつ（あるいは）、設計上の重要性を有する相当な数の欠陥が、レチクル上に存在する場合は、レチクルは、不合格にしてよい。上記のように、特に、このような欠陥を修理する工程が、リスクが高すぎる、費用が掛かりすぎる、時間が掛かりすぎる、かつ（あるいは）、難しすぎる場合は、レチクルは、スクラップにしてよい。
【００５５】
上記のように行なわれたレチクルディスポジショニング決定に基づいて、工程28に示すように、この方法は、レチクル上のレチクル製造を継続する工程を含んでいてよい。レチクル製造を継続する工程は、さらに上に述べたように、フェーズシフティング形体または情報がレチクルに加えられてよいレチクル製造プロセスの第二のパターン形成工程を行なう工程を含んでいてよい。レチクル製造の継続後に、追加の製造工程を、レチクル上で行なってもよい。いくつかの実施形態では、この方法は、直ぐ後の書込み工程（これは、継続されたレチクル製造中に行なわれる）のためのレチクル設計を修正して、より早い処理工程後に検出された欠陥を補正する工程を含んでいてよい。このやり方で、欠陥修理は、継続されたレチクル製造中に、効果的に行なわれてよい。このような実施形態では、この方法は、修正されたレチクル設計に基づいて、ライターのためのファイルまたはフォーマットを生成する工程を含んでいてよい。例えば、修正されたレチクル設計を、マスク書込みツールが、レチクル上にレチクル設計をプリントするのに用いることができるファイルに変換してよい。一つのこのような例では、この方法は、修正されたレチクル設計を、MEBESジョブデック、GDSIIファイル、またはOASISデータ（これらは、レチクル書込みツールのための標準のファイルタイプである）の形態に変換する工程を含んでいてよい。別法として、工程30に示すように、この方法は、レチクルを不合格にする工程を含んでいてよい。
【００５６】
いくつかの実施形態では、この方法は、レチクル上の欠陥についての情報に基づいて、ウェーハ製造プロセスの一つまたはそれ以上のパラメータを判定する工程を含んでいてもよい。この工程で用いられる欠陥についての情報は、工程22で生成されるシミュレート画像および（または）工程24で判定される欠陥の特性（複数も可）を含んでいてよい。ウェーハ製造プロセスは、例えば、リソグラフィー（例えば、レジスト曝露およびレジスト処理）およびエッチングを含んでいてよい。この方法によって判定されるウェーハ製造プロセスのパラメータは、例えば、ウェーハ製造プロセスのための特定のレシピ（例えば、プロセス命令）、特定のウェーハ製造ツール（例えば、作成および（または）モデル化）、特定のレシピおよび（または）特定のツールのための個々のパラメータを含んでいてよい。このやり方で、この方法は、レチクルの欠陥についての情報に基づくウェーハ製造プロセスのフィードフォワード制御を含んでいてよい。好ましくは、ウェーハ製造プロセスは、この方法によって、欠陥を補う（例えば、欠陥の、ウェーハ上で製造されているデバイスの特性に対する影響を軽減する）ように変えられる。
【００５７】
別の実施形態では、この方法は、欠陥によって生成されたレチクル内のクリチカルなエリアに基づいて、プロセス制御レシピを判定する工程を含んでいてよい。例えば、欠陥に近接したパターンが、欠陥による障害に対して脆弱であると判定された場合は、パターンが存在するエリアは、クリチカルなエリアとみなしてよく、かつ、モニタリングに対して、より高い優先順位を与えてよい。また、ここで述べるシステムおよび方法を用いて、シミュレーションから、脆弱な形体の場所および記述の出力を取って、これらの形体の検査および（または）モニタリングのためのレシピを自動的に生成してよい。
【００５８】
別の実施形態では、ここで述べる方法は、レチクルの欠陥により、製造中にレチクルの異なる形体に障害が生じる確率を判定する工程、および、異なる形体に障害が生じる確率に基づいて、一つまたはそれ以上のレチクルおよびウェーハ製造プロセスの一つまたはそれ以上のプロセス条件を制御するためのプロセスを生成する工程を含んでいる。したがって、ここで述べる方法およびシステムを用いて、レチクルおよびデバイス製造のためのプロセス制御スキームを生成することができる。例えば、制御プロセスは、比較的堅牢な形体は補正しないが、レチクルの欠陥により脆弱な形体は非常に厳密に制御する工程を含んでいてよい。この情報を用いて、製造プロセス（例えば、マスク書込み工程）に必要とされる制御を、パターンに固有なものとなるように駆動することもできる。例えば、堅牢な形体は、広い製造許容差を有することができるが、脆弱な形体は、非常に厳密な製造プロセスを有するべきである。
【００５９】
上記のように、図2に示した方法は、レチクルに加えられることになる位相についての情報を用いて、レチクル上で検出された欠陥のシミュレート画像を生成する工程を含んでいる。同様のやり方で、上記の方法を用いて、第一のパターン形成工程の前に、レチクル上で検出された欠陥を解析し、かつ（あるいは）、それについての決定を行なってよい。例えば、パターン形成されていないレチクルの検査を行なってよい。次いで、パターン形成されていないレチクルの欠陥に対して、シミュレート画像を生成してよい。これらの画像は、上記のようにシミュレートしてよい。また、パターン形成されていないレチクルの欠陥の一つまたはそれ以上の特性を、上記のように判定してよい。この方法は、パターン形成されていないレチクルの欠陥のシミュレート画像から、レチクルを不合格にすべきであるか、あるいは、レチクルの追加の製造を行なうべきであるか、を判定する工程を含んでいてもよい。このような決定は、さらに上に述べたように行なってよい。したがって、パターン形成されていないレチクル内で、欠陥を検出することができ、かつ、第一の書込み工程内であっても、パターン形成されていないレチクルを用いるべきか否かについて、判定を行なうことができる。
【００６０】
別の実施形態では、上記の方法を用いて、レチクルに加えられることになる位相についての情報を用いて、レチクル上に形成された形体を解析し、かつ（あるいは）、それについての決定を行なってよい。例えば、一実施形態では、異なるコンピュータに実装された方法は、メトロロジーによって生成された一つまたはそれ以上の形体についての情報を、レチクルの異なるレベルについての情報と組合せで用いて、レチクルの一つのレベル上の一つまたはそれ以上の形体のシミュレート画像を生成する工程を含んでいる。異なるレベルは、メトロロジーの前には、レチクル上に形成されていない。
【００６１】
一実施形態では、形体は、上記の形体、および（または）、技術上既知の任意の他のタイプのレチクル形体を含んでいてよい。形体（複数も可）についての情報は、上記の情報を含んでいてよい。また、形体（複数も可）についての情報は、形体の任意の測定可能な特性（例えば、CD、側壁角度、プロファイル、位置など）についての情報を含んでいてよい。このやり方で、上記の方法と同様、この方法を用いて、レチクル上の形体（複数も可）の一つまたはそれ以上の特性（例えば、プリント性、設計エラー、特性のうちの一つまたはそれ以上のものにおけるエラー、レチクル製造プロセスにおけるエラーなど）を判定するのに用いることができる形体のシミュレート画像を生成してよい。特に、シミュレーション・プログラムは、好ましくは、この入力を用いて、レチクルに加えられることになる位相が、ウェーハ上にプリントされることになる形体（複数も可）の画像、および（または）、形体（複数も可）の任意の他の特性に、どのように影響することになるか、を解析することができる。
【００６２】
図3〜6は、上記の方法の理解を補助することができる、レチクル製造プロセスの各種のステージにおけるレチクルの例を示している。図3に示すように、部分的に製造されたレチクル32は、基板34を含んでいる。基板34は、ガラス、硼珪酸ガラス、および溶融石英などの透明基板、または、技術上既知の任意の他の材料から形成されていてよい。基板34上には、不透明材料層36が形成されている。不透明材料層は、クロム、または、技術上既知の任意の他の適当な材料を含んでいてよい。
【００６３】
図4に示すように、不透明材料層36は、不透明な形体38を形成するように（例えば、第一のパターン形成工程で）パターン形成される。不透明な形体は、トランスミッタンス（振幅）情報をレチクルに伝える。不透明材料層は、技術上既知の任意の方法を用いてパターン形成してよい。例えば、レジスト層（図示せず）を、不透明材料層の上に形成してよい。レジスト層は、不透明材料層の一部を、エッチングプロセスに選択的に曝露するようパターン形成される。エッチングプロセスを用いて、不透明材料層をパターン形成してよく、次いで、レジスト層を除去してよい。
【００６４】
図4にさらに示すように、第一のパターン形成工程で、基板34上に、欠陥40および42が形成された。欠陥40および42は、例えば、レチクル上の無用な位置に存在する余剰クロムであってよい。余剰の無用なクロムは、エッチング中のクロム再析出、または、欠陥40および42として不透明材料層に現れるレジスト欠陥などの、各種のメカニズムによって生じる場合がある。
【００６５】
欠陥40および42は、実質的に同様の特性（例えば、実質的に同じ寸法、形状、および、形体38との近接性）を有しているが、これらの欠陥は、直ぐ後のパターン形成工程で加えられることになる位相情報に対するそれらの空間関係に基づいて、レチクルに対して劇的に異なるインパクトを有していてよい。例えば、直ぐ後の工程で、部分的に製造されたレチクルに加えられることになる位相についての情報は、シミュレーション・プログラムによって、欠陥および（または）レチクルの画像と「オーバレイ」させてよい。図5に概略的に示すように、例えば、フェーズシフティング形体44の予想される横方向寸法および位置を、レチクル検査データの位置と相関させてよく、次いで、これを、シミュレーション・プログラムが、位相が欠陥40および42に近接して加えられることになるかどうかを判定するのに用いてよい。
【００６６】
図5に示すように、欠陥40は、フェーズシフティング形体44のうちの任意のものが形成されることが予想される基板34上のエリアに、あるいは、それに近接して、配置されてはいない。しかしながら、欠陥42は、フェーズシフティング形体のうちの一つのものが形成されることが予想されるエリア46に配置されている。したがって、シミュレーション・プログラムは、欠陥およびフェーズシフティング形体の一つまたはそれ以上の特性に基づいて、位相を欠陥42に割り当ててよい。欠陥42の位相は、最終的に、欠陥40の位相とは異なるものになるので、これら二つの欠陥は、劇的に異なる特性（プリント性、リソグラフィックな重要性など）を有していてよい。また、ここで述べる方法は、直ぐ後のパターン形成工程で欠陥に伝えられることになる、予想される位相を考慮するので、この方法を用いて、欠陥（複数も可）およびレチクルについて、より知的なディスポジショニング決定を行なってよい。
【００６７】
図6に示すように、フェーズシフティング形体48は、レチクル内に形成してよい。この例では、フェーズシフティング形体は、図4に示したレチクル上に形成されたレジスト（図示せず）を、基板34の一部を露出するようにパターン形成し、かつ、基板34の露出した部分をエッチングすることによって、形成してよい。図6にさらに示すように、フェーズシフティング形体が形成されているレチクル上のエリアに存在する欠陥42は、フェーズシフティング形体48に欠陥50を生じる場合がある。例えば、欠陥42は、特に、実質的に異方性の、かつ、選択的なエッチングを用いてフェーズシフティング形体48を形成する場合は、欠陥の下のエリアにフェーズシフティング形体48が形成されるのを妨げる場合がある。したがって、たとえ、欠陥42自体が許容できるとみなされた（したがって、欠陥が修理されない、あるいは、レチクルが不合格にならない）場合でも、この欠陥は、重要であり、かつ、破局的でさえある欠陥を、フェーズシフティング形体48に生じる場合がある。
【００６８】
Smithに対する米国特許番号6,593,040に詳細に記載されているように、フェーズシフティング形体の欠陥は、例えば、それらの透明な性質および（または）基板材料との類似性により、修理が特に難しい場合がある。したがって、ここで述べる方法は、一つのレチクルパターン形成工程後に検出された欠陥が、位相がレチクルに加えられる後のパターン形成工程で、欠陥を生じ得るかどうかを判定する工程を含んでいてよい。欠陥が、より後の時点で、フェーズシフティング形体に欠陥を生じることが予想される場合は、欠陥を修理してよい。そのようなものとして、ここで述べる方法を有利に用いて、レチクルのフェーズシフティング形体に、欠陥（これは、修理が難しく、かつ、高価な場合がある）が生成するのを避けてよい。
【００６９】
ここで述べる方法は、上記のようなさらなる利点を有していてよい。例えば、ここで述べる方法は、それらを用いて、サイクルタイムおよび製造コストを最小限に抑えるために、マスク作成プロセスで、できるだけ早くレチクルの品質を判定することができるので、有利である。また、多くの解像度エンハンスメント法（RET）は、フェーズシフティングレチクルを利用し、これは、上記のような多重パターン形成および処理工程を必要とする。これらの多重工程は、相当なサイクルタイムおよび製造費を追加するものである。したがって、ここで述べる方法を有利に用いて、より早いパターン形成／処理工程によるフェータルな欠陥が存在する場合は、全てのパターン形成および処理工程が完了する前にレチクルの品質を判定して、さらなる値をレチクルに加えるのを避けることができる。この判定は、後のパターン形成／処理工程でレチクルに加えられることになるためまだレチクルに加えられていない位相構成要素を、第一のパターン形成工程で生成される欠陥が、有している場合といない場合があるので難しい場合がある。したがって、ここで述べる方法は、欠陥のリソグラフィックな重要性を評価するのに、レチクルを完成しなくてもよいので、上記の、前に用いられた方法論の欠点のうちの多くのものを克服する。また、局部CDのばらつきなどのある種の欠陥タイプの検査後に、レチクルの第一のレベルについて、プリント性の査定を行なうことが可能である。
【００７０】
しかしながら、ここで述べる方法は、第二のレベルのパターン形成データを利用して、レチクル上の位相エリアの場所の判定を補助し、これは、光学リソグラフィーシミュレーション・プログラムにフィードフォワードすることができる。さらにまた、マスク作成プロセスおよび位相パターン情報に関連する欠陥場所のプリオリの知識に基づいて、位相情報を欠陥に割り当て、シミュレーション結果の正確さを向上させることができる。これらの方法は、データベースからの位相情報が、欠陥の光学画像とオーバレイするマルチレベルデータベース検査の構成要素として実行でき、かつ、光学シミュレーション・プログラムへの入力として使用されるファイルに格納できる。したがって、ここで述べる方法は、第二のレベルの位相データが、データベースで生成され、かつ、欠陥の光学画像にオーバレイされる「ハイブリッド」なダイ・ツー・ダイモードで使用できる。
【００７１】
方法（例えば、ここで記述するもの）を実行するプログラム命令は、キャリア媒体を越えて伝送され、あるいは、その上に記憶されてよい。キャリア媒体は、伝送媒体（例えば、ワイヤー、ケーブル、または無線伝送リンク）であってよい。キャリア媒体は、記憶媒体（例えば、読取り専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気または光ディスク、あるいは、磁気テープ）であってもよい。
【００７２】
一実施形態では、プロセッサは、プログラム命令を実行して、上記の実施形態のうちの一つまたはそれ以上のものによるコンピュータに実装された方法を行なうよう構成してよい。プロセッサは、パーソナルコンピュータシステム、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワーク機器、インターネット機器、パーソナルデジタルアシスタント（「PDA」）、テレビジョンシステムまたは他のデバイスを含む、各種の形態を取ってよい。一般に、術語「コンピュータシステム」は、一つまたはそれ以上のプロセッサ（これは、メモリ媒体からの命令を実行する）を有する任意のデバイスを包含するよう広く定義されてよい。
【００７３】
プログラム命令は、とりわけ、手続きベースの技法、コンポーネントベースの技法、および（または）オブジェクト指向技法を含む、各種の方法のうちの任意のもので、実行されてよい。例えば、プログラム命令は、所望に応じて、ActiveXコントロール、C++オブジェクト、JavaBeans（登録商標）、Microsoft Foundation Class（「MFC」）、あるいは、他の技術または方法論を用いて、実行されてよい。
【００７４】
図7は、ここで述べる方法のうちの一つまたはそれ以上のものを実行するのに用いることができるシステムの一実施形態を示す。このシステムは、プロセッサ52を含んでいる。このプロセッサは、技術上既知の、任意の適当なプロセッサを含んでいてよい。例えば、このプロセッサは、画像コンピュータ、パラレルプロセッサ、または上記の別のプロセッサであってよい。このシステムは、キャリア媒体54も含んでいる。このキャリア媒体は、上記のように構成されていてよい。例えば、キャリア媒体54は、プログラム命令56を含んでおり、これは、プロセッサ52上で実行可能である。このプログラム命令は、上記の方法の実施形態のうちの任意のものが行なえるよう実行可能であってよい。このプログラム命令は、さらに上記のように構成されていてよい。
【００７５】
いくつかの実施形態では、このシステムは、レチクル検査および（または）メトロロジーツール58を含んでいてもよい。レチクル検査および（または）メトロロジーツール58は、部分的に製造されたレチクル60上の欠陥（図示せず）を検出するよう、かつ（あるいは）、部分的に製造されたレチクル60上に形成された形体（図示せず）の一つまたはそれ以上の特性を測定するよう構成されていてよい。レチクル検査および（または）メトロロジーツール58は、プロセッサ52に結合されていてよい。例えば、ツール58の一つまたはそれ以上の構成要素は、伝送媒体（図示せず）によって、プロセッサ52に結合されていてよい。この伝送媒体は、「有線」および「無線」部分も含んでいてよい。別の例では、ツール58の検出器62は、出力64を生成するよう構成されていてよい。この出力は、伝送媒体（図示せず）を越えて、検出器62からプロセッサ52に伝送されてよい。また、ツール58の検出器66は、出力68を生成するよう構成されていてよく、該出力は、伝送媒体（図示せず）を越えて、検出器66からプロセッサ52に伝送されてよい。いくつかの実施形態では、出力64および68は、検出器とプロセッサとの間に結合された一つまたはそれ以上の電子構成要素（図示せず）を介して伝送されてもよい。したがって、出力64および68は、ツール58からプロセッサに伝送される。出力64および68は、検査データおよび（または）メトロロジーデータを含んでいてよい。プログラム命令56は、プロセッサ上で実行して、ここで述べるコンピュータに実装された方法のうちの一つまたはそれ以上のものを、出力64および（または）68を用いて行なうことが可能であってよい。
【００７６】
レチクル検査および（または）メトロロジーツール58は、検査および（または）測定中、その上にレチクル60を配設してよいステージ70を含んでいる。このステージは、技術上既知の任意の適当な機械的またはロボチックアセンブリを含んでいてよい。レチクル検査および（または）メトロロジーツール58は、光源72も含んでいる。光源72は、技術上既知の任意の適当な光源を含んでいてよい。また、このツールは、ビームスプリッタ74を含んでいてよく、これは、光源72からの光を、レチクル60の上面に略垂直な角度で、レチクル60に向けるよう構成されている。このビームスプリッタは、技術上既知の任意の適当なビームスプリッタを含んでいてよい。別法として、光源およびツールは、光が、レチクル60の表面に斜めの入射角度で向けられるよう、構成されていてよい。検出器62は、レチクル60の上面から反射され、かつ、ビームスプリッタ74によって伝送される光を検出するよう構成されている。検出器62はまた、出力64を生成するよう構成されている。検出器66は、レチクル60によって伝送される光を検出するよう構成されている。検出器66はまた、出力68を生成する。このやり方で、ツール58は、反射および（または）伝送された光を用いて、レチクル上の欠陥を検出するよう構成されていてよい。この検出器は、技術上既知の任意の適当な検出器を含んでいてよい。
【００７７】
図7は、レチクル検査および（または）メトロロジーツールの一つの一般的な構成を示すが、このツールは、技術上既知の任意の適当な構成を有していてよいことを理解すべきである。例えば、このツールは、KLA-Tencorから発売されている8250、8250-R、または8450ツールのうちの一つを含んでいてよい。また、このツールは、光学イメージングシステム、エリプソメーターベースのシステム、スキャタロメーターベースのシステム、など、または、CD SEMなどの電子ビームシステムのような各種の構成を有していてよい。
【００７８】
さらに、この説明を考察すれば、本発明の各種のアスペクトの変更態様および代わりの実施形態が、当業者には明らかであろう。例えば、シミュレーション・プログラムのための入力生成、あるいは、レチクルのシミュレート画像生成のためのコンピュータに実装された方法が得られる。したがって、この説明は、単に説明的なものと解釈すべきであり、また、本発明を実施するための一般的なやり方を当業者に教示するのが目的である。ここで図示し、説明した本発明の形態は、現在好適な実施形態である、と取るべきであることを理解されたい。ここで図示し、説明した要素および材料の代わりに、他の要素および材料を用いてよく、部分およびプロセスを逆にしてよく、また、本発明のある形体を独立的に利用してよく、これらのことはすべて、本発明のこの説明を読んだ当業者には明らかであろう。ここで説明した要素は、以下のクレームに記述する本発明の主旨および範囲を逸脱しない限り、変更してよい。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】シミュレーション・プログラムのための入力を生成するコンピュータに実装された方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図２】異なるコンピュータに実装された方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図３】不透明な層が基板上に形成されているレチクルの部分横断面図を示す概略図である。
【図４】不透明な層がパターン形成されている図3のレチクルの部分横断面図を示す概略図である。
【図５】レチクルの異なるエリアに割り当てられた位相についての情報のオーバレイを有する部分横断面図を示す概略図である。
【図６】位相がレチクルに加えられている図4のレチクルの部分横断面図を示す概略図である。
【図７】ここで述べる方法のうちの一つまたはそれ以上のものを実施するのに用いてよいシステムの一実施形態の側面図を示す概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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