(57)【要約】  コリメートされたビームが、平面ミラーと位置合わせされる代わりに、再帰反射レンズ(10)で導光される、改良された外部共振器レーザー装置(20)が開示される。そのレンズの前面(12)は集光レンズ機能を有する。そのレンズの背面は反射材によってコーティングされる。コリメートされたビームは、そのレンズの背面で集光され、入射方法とは反対方向にある、外部共振器レーザーの調節素子、コリメーションレンズ及び利得媒質(22)へ向かう。再帰反射レンズの位置合わせ許容度は、平面ミラー素子と比較して大幅に緩和される。その結果、外部共振器レーザーの製造が容易になり、製作費用が減少し、処理能力が増大し、かつその結果製造された素子の有効寿命の間の位置合わせの失敗が減少又は除去されるので、その素子の信頼性が向上する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前部及び後部を有する基板を有する再帰反射レンズであって、
前記後部は、反射材層でコーティングされ、又は反射材層を支持し、
前記前部はレンズを有し、
前記レンズは、該レンズを通過して、前記背面へ入射するように導光される光を集光する、
再帰反射レンズ。
【請求項２】
前記レンズが、基板からリソグラフィによって作製される、請求項1に記載の再帰反射レンズ。
【請求項３】
前記レンズと前記背面との間での前記基板の厚さが、リソグラフィによって、かつ前記レンズ及び前面を研磨することによって、制御される、請求項2に記載の再帰反射レンズ。
【請求項４】
前記研磨が化学機械研磨(CMP)である、請求項3に記載の再帰反射レンズ。
【請求項５】
前記レンズが凸レンズで、かつ前記基板の背面から外側へ延在する、請求項1に記載の再帰反射レンズ。
【請求項６】
前記レンズが球形状で、
前記のレンズ前部が前方に曲率を有する半球で、
前記のレンズ後部が後方に曲率を有する半球で、かつ
前記後方半球が反射材でコーティングされている、
請求項1に記載の再帰反射レンズ。
【請求項７】
前記レンズが半球形状で、
前記のレンズ前部が半球で、かつ
前記のレンズ後部が平面でかつ反射材でコーティングされている、
請求項1に記載の再帰反射レンズ。
【請求項８】
前記レンズが回折レンズプロファイルを有する、請求項1に記載の再帰反射レンズ。
【請求項９】
前記レンズの中心部が凸面である、請求項8に記載の再帰反射レンズ。
【請求項１０】
前記レンズの中心部が凹面である、請求項8に記載の再帰反射レンズ。
【請求項１１】
前記レンズが、前記の基板前部に取り付けられているGRINレンズである、請求項1に記載の再帰反射レンズ。
【請求項１２】
前記レンズが、前記の基板前部上でモールドされている、請求項1に記載の再帰反射レンズ。
【請求項１３】
光をコリメーションレンズへ導光する利得媒質を有する外部共振器レーザーであって、
前記コリメーションレンズは再帰反射レンズへ光を導光し、
前記再帰反射レンズは、前部及び後部を有し、
前記後部は、反射材層でコーティングされ、又は反射材層を支持し、
前記前部はレンズを有し、
前記レンズは、該レンズを通過して、前記背面へ入射するように導光される光を集光する、
外部共振器レーザー。
【請求項１４】
前記基板が、屈折率を有する材料で作られ、
前記再帰反射レンズへ導光される光は、周波数を有し、かつ
前記前面に存在する前記レンズと前記背面上の焦点との間での前記再帰反射レンズの作動距離は、前記基板の屈折率及び前記再帰反射レンズを通過する前記光の周波数の関数である、
請求項13に記載の外部共振器レーザー。
【請求項１５】
前記再帰反射レンズが、ある厚さを有する基板から作製され、かつ
前記レンズが屈折率プロファイルを有する、
請求項13に記載の外部共振器レーザー。
【請求項１６】
前記レンズがボールレンズで、
前記のレンズ前部は前方に曲率を有する半球で、かつ
前記のレンズ後部は反射材でコーティングされた後方に曲率を有する半球である、
請求項13に記載の外部共振器レーザー。
【請求項１７】
前記レンズが半球レンズで、
前記前部が前方に曲率を有する半球で、かつ
前記後部は、前記反射材でコーティングされた、又は前記反射材を支持する平面である、
請求項13に記載の外部共振器レーザー。
【請求項１８】
前記レンズが回折プロファイルを有する、請求項13に記載の外部共振器レーザー。
【請求項１９】
前面及び背面を有する基板を供する工程、
前記の基板前面及び背面のうちの少なくとも1を研磨することで、第1基本厚さを得る工程、及び
前記前面に凸レンズをリソグラフィによるエッチングを行う工程、
を有する、再帰反射レンズの作製方法。
【請求項２０】
前記研磨及び前記リソグラフィによるエッチングが、前記基板が作製される材料の屈折率、及び前記再帰反射レンズを通過する光の周波数の関数として、前記前面上に存在する前記凸レンズと前記背面上の焦点との間での前記再帰反射レンズの作動距離を供する、請求項19に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
再帰反射レンズが図示され、かつ記載されている。開示された再帰反射レンズは、外部共振器型ダイオードレーザー(ECDLs)に用いられている従来の再帰共振器ミラーに代わるものとして特に有用である。開示されたレンズは、従来の平面ミラーほどには厳格な位置合わせ許容度を要求しないので、ECDLの構築を容易にする。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバー通信における広帯域の要求により、単一の光ファイバーを介して多数の分離したデータストリームを並列させて伝搬させるのに必要な高密度波長分割多重方式(DWDM)に適する洗練された投光器レーザーの開発が促進されてきた。各データストリームは、特定のチャネル周波数又は波長での半導体レーザーの変調された出力によって生成される。多数の変調された出力は、単一ファイバー上で1つになる。
【０００３】
国際電気通信連合(ITU)は、ほぼ0.4nm又は約50GHzのチャネル間隔を現在求めている。このことにより、現在利用可能なファイバー又はファイバー増幅器の帯域範囲内において、単一のファイバーによって、最大で128チャンネルの伝搬が可能である。帯域への要求が今よりも強くなることで、将来的にはチャネル間隔が今よりも小さくなると考えられている。
【０００４】
通信用DWDMシステムは、その大部分を分布帰還(DFB)型レーザーに基づいてきた。DFBレーザーは、調節不可能な波長選択回折格子によって安定化する。残念なことに、個々のDFBレーザーの製造に係る統計的なばらつきが生じる結果、波長チャネル中心に分布が生じてしまう。従ってITUグリッドを満たす通信波長の固定されたグリッドでの、動作及び動作中での温度感受性に関する要求を満たすためには、DFBsは、外付けの参照用エタロン又はフィルタによって改善されてきた。またDFBsは、フィードバック制御ループを必要とする。DFB動作温度が変化することにより、ある動作波長範囲でサーボ制御を可能となる。しかし高い光強度、長寿命、及び低電力損失という矛盾する要求のため、単一チャネル又は隣接チャネル数を少なくすること以上のことが要求される用途でDFBを使うことができなかった。
【０００５】
連続可変外部共振器レーザー(ECL)が、個々のDFB素子の限界を克服するために開発された。レーザー調節機構の多くは、たとえば透過及び反射に用いられる機械的に調節可能な回折格子のような、外部共振器に波長選択を供するために開発されてきた。外部共振器レーザーの調節は、共振器の利得帯域幅内の外部共振モードに係るレーザー発振を有効に抑制しながら、選択された波長において安定でかつ単一モード出力を供することを可能にしなければならない。これらの目標を実現する結果として、可変外部共振器レーザー又は外部共振器レーザーダイオード(ECDL)のサイズ、コスト、複雑性及び感度が増大する。
【０００６】
連続可変通信レーザーの出現によって、通信における送信システムに新たな複雑性が導入された。具体的には、係るレーザーのチューニングを行う際には、使用中の汚染及び劣化に敏感な多数の光学面が含まれる。温度制御を利用したバーニアエタロン対フィルタの調節が、特許文献1、特許文献2その他の出願人らによって開示されている一方で、ECDL素子の作製に関しては依然として問題が存在する。
【０００７】
具体的には、ECDLの共振器部分は一般的に、利得媒質からの光を1対のフィルタへ導光するコリメーションレンズを有する。そのフィルタは、通常バーニアエタロンフィルタ素子で、加熱素子又は他の電気化学機構を用いて調節可能である。エタロン対を調節することで、波長の選択が可能となる。コリメートされた光路はエンドミラーで反射され、エタロン及びコリメーションレンズを介して利得媒質へ向かう。そのため、コリメートされた光路の光を正確に反射して、エタロンフィルタを介して利得媒質へ向かうようにするため、エンドミラーの厳密な位置合わせが必要となる。
【０００８】
係るエンドミラーすなわち外部共振器ミラーの角度許容度は、典型的には波長とビーム径との比の1/100のオーダー、すなわち典型的には約40μラジアンである。このように許容度が狭いことで、その制限された許容度がもたらす位置合わせの問題に起因して、欠陥製品及びコスト上昇を発生させるので問題である。さらにこのような位置合わせ問題は、その製品の動作寿命の間悪化する。特にECDLが、エンドミラーの位置合わせエラーを将来生じさせる恐れのある大きな温度変化を伴う厳しい周辺環境で用いられる場合に、上記の位置合わせ問題は悪化する。従って製造中でのエンドミラーの位置合わせだけが問題なのではなく、製品の使用中での位置合わせも問題である。
【特許文献１】米国特許第6853654号明細書
【特許文献２】米国特許第6667998号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そのため、位置合わせが容易で、かつECDLの使用中での位置合わせの変化に影響を受けにくいことによって、ECDLの製造コストを抑え、かつECDLを使用中に故障しにくくする、改良されたエンドミラーすなわち背面ミラー素子を有する改良されたECDLを設計することが必要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図は必ずしも正しいスケールで描かれているわけではない。実施例は、概略図及び部分図によって表されている。開示された実施例を理解するのに必要ない特定の詳細、又は他の詳細の認識を困難にすると思われる特定の詳細は省略した。当然のことだが、本開示は、図示された特定の実施例に限定されないことに留意して欲しい。
【００１１】
開示された装置の構成及び部品の詳細は、本明細書で開示されている基本思想から逸脱することなく変化させて良いことに留意して欲しい。また開示された方法の詳細及び他の行為も、本明細書で開示されている基本思想から逸脱することなく変化させて良いことにも留意して欲しい。開示されている再帰反射レンズが基本的に、外部共振器レーザーでの使用について説明されているとはいえ、その開示されている再帰反射レンズは、様々な種類のレーザー素子及び光学系での使用が可能である。本明細書で用いられている用語は、特定実施例を説明するためだけに用いられていて、かつ本開示を限定する意図はないことにも留意して欲しい。本開示の技術的範囲は、「特許請求の範囲」に記載された請求項によってのみ限定される。図示された部品及び部品間の間隔に係る相対的な大きさは、多くの場合において簡明を期すために誇張されている。またこれらの相対的な大きさも本開示を限定するものではない。
【００１２】
ここで図1Aを参照すると、基板11から作製された再帰反射レンズ10が開示されている。基板11は、前面12及び背面13を有する。背面13は反射材でコーティングされることで、ミラーとして機能することが好ましい。基板11の前面12はレンズとして機能するように形成される。好適実施例では、基板11のレンズ12はリソグラフィによって形成される。
【００１３】
具体的には、基板11は、たとえば化学機械研磨(CMP)のような従来技術を用いることによって、所望の厚さTにまで研磨されて良い。続いてレンズ12は、リソグラフィによって形成されて良い。基板11の円周部は、たとえばフォトレジストパターンのような保護パターンによって覆われる。その保護パターンは、中心線14で厚く、かつマスクが中心線から遠ざかるように延在するにしたがって薄くなる。よってレンズ12の外側部分は、より厚いマスクパターンによって覆われている中心線14に位置する中心部よりも速くエッチングされる。それに加えて、図1Aのレンズで表されているような小さな小型レンズが、領域12でパターニングされて良い。それによって、階段状構造を有するレンズ12が作製されても良い。
【００１４】
さらにレンズ12は、図1Bに図示されているような回折レンズプロファイル、すなわち鋸歯パターンを有するレンズが得られるようにエッチングされて良い。図1Bでは、回折レンズは、凸レンズ中心部12bと共に図示されている。図1Cは、レンズ12が、屈折率が約2である球形材料で作製された他の実施例を図示している。1の適した材料は、ディポジション・サイエンス社(http://www.depsci.com)によってLASF39（商標）の名前で販売されている。さらにディポジション・サイエンス社は、そのような材料でもボールレンズを作製している。従ってレンズ12cも入手可能である。反射防止コーティング13cは、レンズ12cの1の半球上にコーティングされる。また図1Dに図示されているように、半球レンズ12dが、反射材でコーティングされた表面13dにマウントされても良い。繰り返しになるが、レンズ12dが作製される材料は、約2の屈折率を有していなければならない。
【００１５】
レンズ12についての他の技術には、GRINレンズ及びモールドレンズが含まれるが、これらに限定されるわけではない。基板前面にマウントされるGRINレンズはコストがかかり、他方基板前面にマウントされるモールドレンズは精密ではない。
【００１６】
図2に移ると、利得媒質22及び終端すなわち外部反射素子10を有するレーザー装置20が図示されている。外部反射素子10は、開示された再帰反射レンズ10の形態をとる。利得媒質22は、従来のファブリ-ペローダイオードエミッタチップを有して良い。また利得媒質22は、反射防止(AR)コーティングされた前方ファセット26、及び（部分）反射性後方ファセット28を有する。外部レーザー共振器30は、後方ファセット28及び再帰反射レンズ10によってその輪郭が画定されている。利得媒質22は、前方ファセット26からコヒーレントな光ビームを放出する。そのコヒーレントな光ビームは、レンズ32によってコリメートされることで、光路を画定する。
【００１７】
利得媒質22の後方ファセット28からの出力を41に図示されている光ファイバーへ結合する、従来の出力カプラ光学系が40に図示されている。具体的には、利得媒質22から受けた光ビーム43をコリメートして、光アイソレータ45への光路44を画定するコリメーションレンズが42に図示されている。アイソレータ45は、出力光ビーム47を集光する集光レンズ46へ光を導光する。それにより、光はファイバー41に入射する。
【００１８】
図2のECDLの一部30に戻ると、第1可変素子51及び第2可変素子52は、レンズ10及びファセット28によって画定された外部共振器30内部に設けられている。可変素子51及び52は、レーザー装置20の動作中、一体となって選ばれた波長の光を優先的に利得媒質22へフィードバックさせるように操作することができる。例示目的で、第1及び第2可変ファブリ-ペローエタロンの形態をとる可変素子51及び52が、図示されている。第1及び第2可変ファブリ-ペローエタロンは、固体、液体、又は気体で満たされた平行板エタロンを有して良く、かつ厳密な光学厚さすなわち光路長によって調節可能である。他の実施例では、エタロン51及び/又はエタロン52は、後述するように、回折格子、可変薄膜干渉フィルタ、又は他の可変素子に置き換えられて良い。第1エタロン51は面53及び54を有する。また第1エタロン51は、面53と面54との間の間隔による第1自由スペクトル範囲FSR1、及びエタロン51の材料の屈折率(n)を有する。第2エタロン52は面55及び56を有する。また第2エタロン52は、面55と面56との間の間隔による第2自由スペクトル範囲FSR2、及びエタロン52の材料の屈折率(n)を有する。エタロン51及び52は、同一材料を有しても良いし、又はそれぞれが屈折率の異なる材料を有しても良い。
【００１９】
エタロン51及び52はそれぞれ、光学厚さを調節することで、FSR1及びFSR2の調節すなわちチューニングを行うことができる。そのようなチューニングによって、後述するようにレーザー装置20の選択的波長チューニングが供される。エタロン51及び52のチューニングには、面53,54と面55,56との間隔の調節、及び/又はエタロン材料の屈折率の調節が含まれて良い。またエタロン51及び52のチューニングは、様々な方法を用いることによって実行されて良い。様々な方法とはたとえば、機械的な角度のチューニング、及び/又は熱的チューニングによってエタロンの面間隔を変化させる方法のみならず、熱光学、電子光学、音響光学、及び圧電光学チューニングによって屈折率を変化させる方法も含まれる。2以上のそのようなチューニングが、エタロン51及びエタロン52のうちの少なくとも1に同時に適用されても良い。
【００２０】
図2に図示されている実施例では、第1エタロン51及び第2エタロン52はそれぞれ熱光学的にチューニング可能である。“熱光学”チューニングとは、温度によって誘起されるエタロン材料の屈折率変化によるチューニング、温度によって誘起されるエタロン材料の物理的な厚さ変化によるチューニング、又はこれら両方によるチューニングを意味する。ある実施例で用いられるエタロン材料は、温度依存する屈折率及び熱膨張係数を有する。そのため、熱光学チューニングには、選択的加熱又は冷却による、エタロン材料の屈折率及びエタロンの物理的厚さを同時に熱制御するチューニングも含まれる。有効な熱光学チューニングのためのエタロン材料の選択は、当業者にとって既知である。また特許文献1及び特許文献2に見いだすことができる。
【００２１】
熱光学チューニングを供するため、熱制御素子57が操作可能なようにエタロン51と結合し、熱制御素子58が操作可能なようにエタロン52と結合することで、熱伝導を介して両エタロンを加熱及び冷却する。熱制御素子57,58は、操作可能なように制御装置60と結合する。制御装置60は、従来のデータプロセッサを有して良い。また制御装置60は、チューニング信号を熱制御素子57,58に供することで、参照テーブルに保存された選択可能な波長の情報、又は他の波長選択基準に従って、エタロン51,52の熱的調節すなわちチューニングを行う。エタロン51,52はまた、制御装置60と操作可能なように結合する温度監視素子61,62をも有する。それによって温度監視素子61,62は、レーザー動作中にエタロン温度を監視し、かつエタロンの温度情報を制御装置60へ送ることができる。熱制御素子57,58の各々は、制御装置60からの指示に従ってエタロン温度を調節できる加熱素子（図示されていない）を有する。
【００２２】
熱制御素子57,58によるエタロン51,52の熱制御は、伝導、対流、又はその両方によって実現されて良い。多くの実施例では、熱伝導は、熱流の主要な経路であり、かつエタロン51,52の温度調節、及び、意図しないすなわち不要な熱揺らぎをエタロン51,52に生じさせる恐れのある対流効果は抑制されなければならない。外部共振器レーザー装置20は、そのレーザーの動作温度範囲にわたって、熱対流による熱流の効果を補償又は考慮するように、設計、又はさもなければ構成されて良い。たとえば装置20は、エタロン51,52付近の空気流を制限するように構成されて良い。他の実施例では、エタロン51,52は、低熱伝導率雰囲気中、又は真空中において、それぞれ隔離されて良い。エタロン51,52付近である、それぞれ温度の異なる構造への太い空気流路、及びエタロン51,52付近に設けられている部品に熱的に断熱材料を用いることが、エタロンからの意図しない伝熱又はエタロンへの意図しない伝熱を抑制するのに利用されても良い。装置20の設計はさらに、エタロン付近に層流の空気又は大気流を供するように構成されて良い。それによって、乱流に係る有害となる恐れのある熱的効果が回避される。
【００２３】
エタロン51,52は、単一の熱制御素子又はヒートシンクが、エタロン51と52の両方へ同時に実効的なチューニングを供することができるように、構築及び構成されて良い。エタロン51,52は、副集合体（図示されていない）によって結合又は関連づけられて良い。副集合体内では、エタロン51,52は、エタロン51と52との間での意図しない光結合を回避するようにして互いに位置設定又は角度設定されている。適切な熱的特性を有する材料でエタロン51,52を実装することで、チューニングの間に、エタロン51と52との間での意図しない熱的結合を回避することができる。
【００２４】
利得媒質22のファセット26,28もまたファブリ-ペローエタロンを画定する。熱制御素子65は、操作可能なように利得媒質22と結合することで、ファセット26と28との間の距離を安定化し、かつ利得媒質22からの安定な出力を供する。熱制御素子65はまた、図2に図示されているように、動作可能なように制御素子60と結合する。
【００２５】
装置20の動作時には、光ビーム31は利得媒質22のファセット26を飛び出し、エタロン51及び52を通過し、再帰反射レンズ10で反射されて、かつエタロン51及び52を介して利得媒質22へ戻る。エタロン51と52との間に自由スペクトル範囲の差異が生じる結果、エタロン51及び52によって単一の結合透過ピークが画定される。結合透過ピークの波長の光は、エタロン51及び52から利得媒質22へ戻されることで、結合透過ピーク波長での装置20のレーザー発振が供される。
【００２６】
レーザー装置20の動作中でのエタロン51及び52の結合透過ピークのチューニングは、たとえば国際電気通信連合(ITU)通信グリッドのような特定組の通信チャネルに従って実行されて良い。たとえばグリッド生成装置等の波長参照装置(wavelength  reference)（図示されていない）が、装置20に用いられて良い。また波長参照装置は、装置20の外部共振器30の内部に設けられても良いし、又は外部に設けられても良い。しかしDWDMシステムは、自然な状態で次第に動的すなわち再構成可能となる。一定の波長グリッドに従ってチューニング可能な外部共振器レーザーを動作させるのは次第に望ましくなくなる。開示されたレーザー装置20は、一定である所定の波長グリッドに独立でかつDWDMシステムの迅速な再構成が可能となるように、広い波長範囲にわたって、連続的でかつ選択的な波長チューニングを供して良い。
【００２７】
外部共振器レーザーでの波長選択用に2の熱光学的にチューニングされるエタロン51及び52を用いることで、回折格子によってチューニングされる外部共振器レーザーのような機械的チューニングが不要となる。熱光学的チューニングは、自然な状態では固体で状態である。また熱光学的チューニングは、より迅速なチューニングすなわち応答時間、より良好な衝撃及び振動耐性、並びにより大きなモード結合効率を有しながら、回折格子によってチューニングされるレーザーで可能な実装サイズよりも、より小型での実装を可能にする。2のチューニング可能なエタロンを同時にチューニングすることで、1の静的エタロンと併用される単一のチューニング可能なエタロンによって実現可能なレーザーチューニングよりも、より効率的なレーザーチューニングが供される。
【００２８】
たとえばSi、Ge及びGaAsのような半導体材料は、比較的高い屈折率、屈折率の高い温度感受性、及び高い熱拡散を供するので、本発明の熱光学的にチューニングされた実施例用の良好なエタロン材料を供する。半導体材料用の多くの微細加工技術が利用可能である。半導体エタロン材料を用いることで、熱制御機能及び他の電気的機能を、エタロンに直接一体化することが可能となる。これにより、チューニング精度が改善され、電力消費が減少し、アセンブリに係る操作が減少し、かつより小型の実装が可能となる。エタロン材料としてのシリコンは、室温において、屈折率が約3.478で、かつ熱膨張係数(CTE)が約2.62×10-6/Kであるため、注目すべきである。シリコンは分散性で、かつng=3.607の群屈折率を有する。後述するように、熱制御素子を、シリコン製エタロン上又は内部に直接一体化することを可能にする膨大なシリコンプロセス技術が存在する。
【００２９】
利得媒質22から見て外部共振器30の反対側端部に設けられた単純ミラー反射素子とは対照的に、開示された装置20は、再帰反射レンズ10を組み込んでいる。そのレンズ10は、単純ミラー素子と比較して明白な利点を供する。具体的には、光路33の厳密な位置合わせは不要である。その理由は、図1A-1E及び2に図示されているように、基板11の前面に存在するレンズ素子は、光を背面13で集光するように機能するからである。これにより、反射面と光路33との間での厳密な位置合わせの必要性が減少する。
【００３０】
たとえば再帰反射レンズ10によって供される角度許容度は、従来技術に係る平面ミラー素子と比較して大幅に緩和される。具体的には、外部共振器平面ミラーの角度許容度は、典型的には波長をビーム半径で割った値の0.01倍のオーダーである。よって、波長が1.55μmで、かつビーム直径が400μmのときには、正味の許容度は、約40μラジアンとなる。開示された再帰反射体10は、波長をビーム半径で割った値0.01倍の角度許容度を有する。ビーム直径が400μmで、かつ焦点距離が約2mmの場合では正味の角度許容度は、約1000μラジアンである。このように許容度が大きくなることで、外部共振器レーザー20の組み立て時での位置合わせが容易になる。それによりコストが減少して、生産性が向上する。加工コストもまた減少させることができる。
【００３１】
たとえ特定実施例について説明しているとはいえ、上記の記載から、他の実施例及び様々な修正型は、当業者にとって明らかである。これら及び他の代替型は、均等物と見なされ、かつ本開示の技術的思想の範囲内及び技術的範囲内に属するとみなされる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１Ａ】本開示に従って基板からリソグラフィによって作製された再帰反射性屈折レンズの側面図である。
【図１Ｂ】他の再帰反射レンズの側面図が、回折プロファイルと共に図示されている。
【図１Ｃ】屈折率が約2である材料で作製された他の球面再帰反射レンズであって、背面の半球が反射材によってコーティングされている球面再帰反射レンズの側面図である。
【図１Ｄ】屈折率が約2である材料で作製された他の球面再帰反射レンズであって、半球構造を有する球面再帰反射レンズの側面図である。
【図２】本開示に従って作製された再帰反射レンズを内蔵する可変ECDL素子を、利得媒質の出力側と共に図示している。
【図１Ａ】
2008544579.tif 000003
【図１Ｂ】
2008544579.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【国際調査報告】
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2008544579.tif 000009
2008544579.tif 000010