(57)【要約】  本発明は、スイッチング装置及びそのような装置の製造方法であって、基本スイッチング・セルを得るために、第１及び第２の直列分路ダイオード構造体（Ｄ１／Ｄ２、Ｄ３／Ｄ４）が鏡像型構成で互いに接続される、装置及び方法に関する。この基本スイッチング・セルは、ＳＰＤＴスイッチを構築するのに用いることができ、それをＤＰＤＴスイッチ又は、より複雑なスイッチを構築するのに用いることができる。それにより、高アイソレーション及び低電力消費が、さらなるモジュール性の利点と共に実現される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのモジュール式スイッチング・セルを備えるスイッチング装置であって、前記モジュール式スイッチング・セルは、
前記スイッチング・セルの入力端に設けられた第１の直列接続ダイオード手段と、中間ノードと第１の分路接続ダイオード手段のスイッチング状態を制御するための第１の制御端子との間に接続された前記第１の分路接続ダイオード手段とを有する、第１の直列分路ダイオード構造体と、
前記スイッチング・セルの出力端に設けられた第２の直列接続ダイオード手段と、前記中間ノードと第２の分路接続ダイオード手段のスイッチング状態を制御するための第２の制御端子との間に接続された前記第２の分路接続ダイオード手段とを有する、第２の直列分路ダイオード構造体と、
前記入力端及び出力端の１つと前記第１及び第２の制御端子の少なくとも１つとの間に接続された極性化手段と、
を備えるスイッチング装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の制御端子の１つに供給される制御電圧を反転し、前記第１及び第２の制御端子の他方に反転された制御電圧を供給するためのインバータ手段をさらに備える、請求項１に記載のスイッチング装置。
【請求項３】
前記極性化手段が、前記入力端と前記第１の制御端子との間に接続された第１の抵抗器と、前記出力端と前記第２の制御端子との間に接続された第２の抵抗器とを備える、請求項１又は２に記載のスイッチング装置。
【請求項４】
２入力１出力スイッチが形成されるように、前記第１の制御端子及び前記出力端子において互いに接続された前記スイッチング・セルの第１の対を備える、前記請求項のいずれか一項に記載のスイッチング装置。
【請求項５】
前記第１の対と同様に互いに接続された前記スイッチング・セルの第２の対を備え、前記第１及び第２の対は、２入力２出力スイッチを形成するように、それぞれの入力端子において互いに接続される、請求項４に記載のスイッチング装置。
【請求項６】
第１の数の入力端と第２の数の出力端とを有するスイッチを形成するように互いに接続された前記スイッチング・セルの複数の対を備える、請求項４に記載のスイッチング装置。
【請求項７】
選択されたスイッチング・セルの出力端子をディスエーブルするように、前記選択されたスイッチング・セルのすべての極性化ノードに所定の電圧を印加するためのディスエーブル手段をさらに備える、請求項４から６のいずれか一項に記載のスイッチング装置。
【請求項８】
前記スイッチング装置がマイクロ波スイッチング装置であり、前記第１及び第２の直列分路ダイオード構造体がＰＮダイオードを備える、前記請求項のいずれか一項に記載のスイッチング装置。
【請求項９】
前記スイッチング装置がシングル・チップ上に集積される、前記請求項のいずれか一項に記載のスイッチング装置。
【請求項１０】
請求項４に記載のスイッチング装置を製造する方法であって、
１つの出力端用の、前記スイッチング・セルの第１の対を形成するステップと、
必要な出力端の数だけ、前記第１の対を複製するステップと、
複数の出力極性化ノードを配置するステップと
を備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング装置に関し、特に、第１の所定数の入力端子と第２の所定数の出力端子の間を選択的に切り替えるためのダイオードスイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチング装置は、例えばマイクロ波用途、又はその他の高周波用途で用いられる送受信器システムの主要構成部品である。このようなスイッチング装置の一般的な用途は、無線システムでの送信／受信スイッチであり、これは受信モードでのアンテナの低雑音増幅器（ＬＮＡ）への接続と、送信モードでのアンテナの電力増幅器（ＰＡ）への接続を切り替えるために用いることができる。このようなスイッチは単極双投（ＳＰＤＴ）スイッチと呼ばれる。
【０００３】
他の用途では２つの入力と２つの出力を必要とすることがあり、この場合は二極双投（ＤＰＤＴ）スイッチと呼ばれる。例えば、民生用衛星通信システムでは、受信入力端では、２つの極性、すなわち垂直及び水平極性を受け取ることができる。衛星受信器の監視記録能力を実現するためには、２つのダウンコンバータが必要であり、１つは監視機能用に偏波及び帯域選択を得るためのもので、もう１つは記録機能用に偏波及び帯域選択を選択するためのものである。スイッチング機能は、２つのアンテナと２つのダウンコンバータの間のインターフェイスとしてＤＰＤＴスイッチを用いることによって実現することができる。
【０００４】
ＤＰＤＴスイッチは又、一般にトランスファー・スイッチとして知られており、１０ＭＨｚから２ＧＨｚの範囲のＵＨＦ／ＶＨＦ（極超短波／超短波）帯域、及び１０ＭＨｚから２０ＧＨｚ及びそれより高い範囲のマイクロ波帯域で利用可能である。
【０００５】
図１は、ＤＰＤＴスイッチの４つの可能なスイッチング状態ＡからＤ、及び可能な実装形態のブロック図を示す。スイッチング状態Ｃ及びＤは単一の入力端を２つの出力端へ切り換え、一方、第２の入力端は接続されないままとなることに留意すべきである。図１の右側のブロック図はＳＰＤＴスイッチ１１、１２の並列組合せとしてのＤＰＤＴスイッチ１０を示す。スイッチング状態ＡからＤは、ＤＰＤＴスイッチの対応する制御端子に供給される制御電圧に基づいて選択することができる。
【０００６】
多くのマイクロ波スイッチは、その実装にＰＩＮダイオードを使用する。順バイアスされたＰＩＮダイオードは電流制御型抵抗器とみなすことができ、真性ゾーン（Ｉ）で増加された電荷密度による順方向電流の増加と共に抵抗値は減少する。逆バイアスされたＰＩＮダイオードは電圧制御型コンデンサとみなすことができ、逆電圧が増加すると真性ゾーン（Ｉ）の幅が増加することにより容量は減少する。
【０００７】
Ｒ．Ｔａｙｒａｎｉらによる、「Ｂｒｏａｄ−Ｂａｎｄ  ＳｉＧｅ  ＭＭＩＣｓ  ｆｏｒ  Ｐｈａｓｅｄ−Ａｒｒａｙ  Ｒａｄａｒ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、ＩＥＥＥ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＦ  ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ  ＣＩＲＣＵＩＴＳ，３８（９）、１４６２〜１４７０頁、２００３年９月には、ＰＩＮダイオードの代わりに、本流のＩＣ（集積回路）技術で利用可能な標準のダイオード（真性ゾーンを有しないＰＮダイオード）の使用が記載されている。それには特に、ＰＮダイオードを用いたＳＰＤＴスイッチが記載されている。
【０００８】
図２は、上述の従来技術に記載されるＳＰＤＴスイッチの概略回路図を示し、第２のポートＰ２及び第３のポートＰ３に接続された２つの分枝は、各経路中にそれぞれ、直列ダイオードＤ１、Ｄ３、及び分路ダイオードＤ２、Ｄ４を有する。直列ダイオードと分路ダイオードからなるこのようなダイオード構造は直列分路ダイオード構造体と呼ばれる。第１のポートＰ１が第２のポートＰ２に接続される場合は、直列ダイオードＤ１は所与のＤＣ電流値により順バイアスされ、分路ダイオードＤ２は逆バイアスされそれにより信号経路と並列に小さい寄生容量を生じる。同時に、第３のポートＰ３の分枝中の直列ダイオードＤ３は逆バイアスに設定され、分路ダイオードＤ４はＤＣ電流によってバイアスされ、それにより第３のポートＰ３を実効的に接地へ短絡する。この構成は、信号経路中の単一の直列ダイオードに比べて、アイソレーションを改善する。ダイオードのバイアスは、バイアス電圧Ｖｂ１からＶｂ３を印加することによって得られる。
【０００９】
図２の回路図は、矩形のブロック又はＴ字型ブロックで示されたマイクロストリップ又はストリップライン部を有する、マイクロストリップ又はストリップライン技術に基づくことに留意すべきである。図２で抵抗器Ｒ１からＲ３は、三角波の形として示される。これに対して以下の図では、抵抗器は矩形ブロックとして示される。
【００１０】
従ってＰＮダイオードは、伝送線路に直列又は並列に接続される。アイソレーションは、直列接続ダイオードを逆バイアスすることにより、又は分路接続ダイオードを順バイアスすることによって得られる。分路接続ダイオードは、広帯域かつ比較的周波数に依存しないアイソレーションをもたらす最も有効な手段である。これは理想的には周波数に依存しないが、実際には一般に、小さな寄生容量が広帯域特性に影響を及ぼす。アイソレーションは又、直列接続ダイオードを逆バイアスすることによって得られる。直列接続ダイオードのアイソレーションは周波数の増加と共に減少する。直列分路ダイオードを組み合わせた構成又は構造は、簡単な構造で比較的高いアイソレーションを得るために、広帯域の多投型スイッチにおいてしばしば使用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、上述の従来型のスイッチング装置は、０Ｖ、３．８Ｖ、及び負の値の−６．８Ｖの制御電圧を必要とする点で不利である。さらに、得られるアイソレーションは、特定の用途には十分良好ではないことがあり、かつ例えば２ｍＡの比較的大きな電流消費が見られる。
【００１２】
さらにもう１つの欠点は、図２のＤＰＤＴスイッチは、図１のＳＰＤＴスイッチなどの高次のスイッチを構築するためのモジュール式スイッチとして用いることができないということにある。その理由は、図２のＳＰＤＴスイッチで使用されない入力端は、上述のようにアイソレーションを改善するために、接地に分路すなわち短絡されるからである。これはしかし、上記の図１のスイッチング状態Ａ及びＢには適合しない。
【００１３】
従って本発明の一目的は、ＳＰＤＴ、ＤＰＤＴ、及び高次のスイッチを構築するのに用いることができる、モジュール式スイッチング・セル構造体を有する改良されたスイッチング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この目的は、請求項１に記載のスイッチング装置、及び請求項１０に記載の製造方法によって達成される。
【００１５】
それによれば、あるスイッチング装置が提案され、これは鏡像型構成の２つの直列分路ダイオード構造体を有する、新しいモジュール式スイッチ・ビルディング・ブロック又はスイッチング・セルに基づく。このモジュール式ビルディング・ブロック又はスイッチング・セルは、ＳＰＤＴ、ＤＰＤＴ、及び他のより複雑なスイッチなどの、異なるスイッチ構成を生成するために用いることができる。提案されたスイッチング装置は、標準のダイオード（ＰＮダイオード）を用いて構築することができ、改善されたアイソレーション、低減された電力消費、及び低電圧ディジタル信号による制御を実現する。
【００１６】
第１及び第２の直列分路ダイオード構造体の鏡像型構成を考えると、第１及び第２の制御端子に印加される制御電圧は互いに反転の関係にあり、従って第１及び第２の制御端子の１つに印加される制御電圧を反転し、第１及び第２の制御端子の他方に反転された制御電圧を供給するために、インバータ手段を設けても良い。それにより、１つのタイプの制御電圧を発生するだけで良く、他方の値は演算増幅器又は論理インバータ回路などの一般に知られたインバータ回路によって得ることができる。
【００１７】
極性化手段（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｍｅａｎｓ）は、入力端と第１の制御端子との間に接続された第１の抵抗器と、出力端と第２の制御端子との間に接続された第２の抵抗器とを備えることができる。これは、印加される制御電圧に基づいて、入力及び出力ノードを極性化する働きをする。
【００１８】
スイッチング装置は、２入力１出力スイッチすなわちＳＰＤＴスイッチが形成されるように、第１の制御端子及び出力端子にて互いに接続されたスイッチング・セルの第１の対を備えることができる。
【００１９】
代替形態として、スイッチング装置は、第１の対と同じように互いに接続されたスイッチング・セルの第２の対を備えることができ、２入力２出力スイッチすなわちＤＰＤＴスイッチを形成するように、第１及び第２の対は、それらのそれぞれの入力端子にて互いに接続される。それにより、ＳＰＤＴスイッチ又はＤＰＤＴスイッチをモジュール式に構築するために、モジュール式スイッチング・セルを用いることができる。特定の出力端子が使用されない場合は、選択されたスイッチング・セルのすべての極性化ノードに所定の電圧を印加するための、ディスエーブル手段を設けることができる。
【００２０】
高次のスイッチ用に、スイッチング装置は、第１の数の入力端と第２の数の出力端とを有するスイッチを形成するように互いに接続された、スイッチング・セルの複数の対を備えることができる。
【００２１】
スイッチング装置は、マイクロ波スイッチング装置とすることができ、第１及び第２の直列分路ダイオード構造体は、ＰＮダイオードを備えることができる。さらに、スイッチング装置はシングル・チップ上に集積することができる。
【００２２】
次に、本発明について、添付の図面を参照し、好ましい実施形態に基づいて説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に、好ましい実施形態について、良好なアイソレーションを保つが、入力が接地に短絡されることは回避するために、直列分路ダイオード構造体を用いる、モジュール式スイッチング・セルに基づいて説明する。
【００２４】
図３は、短絡されるノードすなわち分路ノードを入力端Ｉ及び出力端Ｏから分離するように、互いに鏡像関係にある２つの直列分路ダイオード構造体からなる、提案されたスイッチング・セル構造体の概略回路図を示す。例えば、第１の直列ダイオードＤ１及び第１の分路ダイオードＤ２によって入力端Ｉが短絡される場合は、第２の直列ダイオードＤ４及び第２の分路ダイオードＤ３からなる第２の直列分路ダイオード構造体によって出力端を分離することができ、これらは共に、適切な制御電圧すなわち極性化電圧（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）Ｖｐ２によって逆バイアス状態に設定することができ、それにより出力端Ｏを入力端Ｉの状態から分離する。入力状態は他の任意の制御電圧すなわち極性化電圧Ｖｐ１によって制御することができる。
【００２５】
従って、図３のスイッチング・セルを制御するには、ディジタル信号（例えば０Ｖ又は３．３Ｖ）が印加されなければならない。図３の各直列分路ダイオード構造体は、基本構造体上で開路するため又は切り換えるために、別々に用いることができる。それぞれダイオードＤ１、Ｄ２、及びＤ３、Ｄ４からなる２つの直列分路ダイオード構造体が、１つの制御電圧だけによって、別々に用いられる場合には、インバータを用いることができる。それにより、一方の制御入力ノードには制御電圧Ｖｃを印加することができ、他方の制御ノードには反転制御電圧
【数１】
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を印加することができる。
【００２６】
図４は、反転制御電圧を有する、提案されたスイッチング・セルの概略回路図を示す。図４において、２つの直列分路ダイオード構造体Ｄ１／Ｄ２及びＤ３／Ｄ４は、中央分路ノードＳにて互いに接続され、このノードは、入力端Ｉからは第１の直列ダイオードＤ１により、出力端Ｏからは第２の直列ダイオードＤ４により、分離することができる。さらに、入力及び出力ノードＩ、Ｏは、それらを、それぞれの極性化抵抗器（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｒｅｓｉｓｔｏｒ）Ｒｐを介して、それぞれ制御電圧Ｖｃ及び反転制御電圧
【数２】
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の１つに接続することによって極性化される。図４には、反転制御電圧
【数３】
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を発生するために用いられるインバータ又はインバータ回路は示されず、任意の適切なアナログ又はディジタル変換回路とすることができる。極性化抵抗器Ｒｐは、それぞれの直列ダイオードＤ１又はＤ４が非導通状態にある場合に、入力端Ｉ及び出力端Ｏの論理状態を規定する働きをする。直列抵抗器Ｒの値は、ダイオードの所定の極性化電流（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を得るように選択され、これは例えば５００μＡとすることができる。この値は、ダイオード直列抵抗による損失と極性化抵抗器Ｒｐによる損失とのトレードオフとして選ばれる。
【００２７】
図５は、２つの図４のスイッチング・セルを、それらの出力端Ｏと、制御電圧Ｖｃが印加されるそれらの制御端子とにおいて、共に接続することによって得られるモジュール式ＳＰＤＴスイッチの例を示す。それにより、適切な論理値を有する制御電圧Ｖｃを印加することによって、２つの入力端Ｉ１及びＩ２を、単一の出力端Ｏに選択的に切り換えることができる。この新しいＳＰＤＴスイッチの概念は、図２に示す従来型のＳＰＤＴスイッチのアイソレーションより約１７ｄＢ良い、改善されたアイソレーションをもたらす。さらに、本発明による提案されたＳＰＤＴスイッチは、１つの電圧値の制御電圧Ｖｃ（例えば３．３Ｖ）のみを必要とする。負の電圧値は用いられない。図５のＳＰＤＴスイッチの電流消費は、従来型スイッチの電流消費の少なくとも約半分、例えば約１ｍＡである。さらなる利点として、ＳＰＤＴスイッチの大きさは、整合回路網有りで約４００μｍ×４００μｍ、整合回路網無しで約２００μｍ×２５０μｍに縮小することができる。
【００２８】
図６は、第２の好ましい実施形態によるモジュール式ＤＰＤＴ構造体を示し、図４の４つのスイッチング・セル、すなわち図５の２つのＳＰＤＴスイッチが互いに接続される。特に、ＤＰＤＴスイッチは、２つのＳＰＤＴスイッチをそれらの入力端Ｉ１及びＩ２において接続し、それにより２つの入力端Ｉ１及びＩ２と、２つの出力端Ｏ１及びＯ２を有するＤＰＤＴ構造体を得ることによって得られる。このＤＰＤＴ構造体では、４つの分路ノードＳ１からＳ４が設けられ、それらはそれぞれの入力ノード及び出力ノードから選択的に分離することができる。さらに、入力ノードＩ１及びＩ２と、出力ノードＯ１及びＯ２の選択的切り換えは、それぞれの制御電圧Ｖｃ１、Ｖｃ２と、反転値
【数４】
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及び
【数５】
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によって制御される。
【００２９】
このモジュール式ＤＰＤＴスイッチの挿入損失は、図５のＳＰＤＴスイッチの挿入損失とほぼ同じであることを示すことができる。これは、図４のスイッチング・セルのモジュール性の能力を実証している。ここでは、ＳＰＤＴスイッチは、もう１つのＳＰＤＴスイッチを追加するだけで、ＤＰＤＴスイッチに変形することができる。図１のスイッチ状態Ｃでは、挿入損失はスイッチ状態Ａに比べて約３ｄＢ増大する。これは、１入力で２出力の場合における電力分配原理により、電力が２で除算されることから生ずる。好ましい実施形態によるモジュール式スイッチング装置の主な利点は、図４のスイッチング・セルによって得られるモジュール性である。
【００３０】
入力端と出力端の任意の組合せを有する、より複雑なスイッチが望ましい場合は、ディスエーブル機能を容易に実装することができる。この機能は、すべてのＤＣ極性化ノードを同じ電圧にする、論理機能又は手段である。これにより、任意の出力端をある入力端に接続する又は非接続にすることができることから、異なる構成のスイッチを構築することが可能になる。２つの入力端と５つの出力端を有するスイッチの場合、３つの出力端を第１の入力端に接続し、１つの出力端を第２の入力端に接続し、かつ最後の出力端をディスエーブルするすなわちディスエーブル機能を用いて接続を断つことができる。
【００３１】
図７は、第３の好ましい実施形態によるＳＰＤＴセルの概略回路図、及びそれに対応する、より複雑な方式のビルディング・ブロック２０としての表示を示す。図５のＳＰＤＴセルとは異なり、反転制御端子は、極性化電圧Ｖｐが印加される単一の制御端子として組み合わされる。さらに、第３の極性化抵抗器Ｒｐ３は、取り除かれている。ここでは、ＳＰＤＴセル２０がディスエーブルされるべき場合は、ディスエーブル機能は単に、同じ電圧Ｖｃ及びＶｐを、ＳＰＤＴセル２０の制御端子に印加するように機能する。従って、一例として、ディスエーブル機能は、非反転電圧Ｖｃから反転電圧Ｖｐを発生するインバータ機能を単にバイパスすることによって実装することができる。
【００３２】
図８は、４つの図７のＳＰＤＴセルを組み合わせることによって実装される、４入力２出力スイッチの概略ブロック図である。図８から分かるように、この構成は、それぞれ２つのＳＰＤＴセル２０−１／２０−３及び２０−２／２０−４を、それぞれの入力端Ｉ１／Ｉ２及びＩ３／Ｉ４で接続してそれぞれＤＰＤＴ構造体とし、これらは出力端Ｏ１及びＯ２にて並列に接続され、それにより４つの入力端Ｉ１からＩ４及び２つの出力端Ｏ１及びＯ２を有するスイッチング装置又はスイッチング構造体を得ることによって実現され、スイッチング状態は制御電圧Ｖｃ１からＶｃ４及びＶｐ１からＶｐ４によって制御される。
【００３３】
本発明は、上記の好ましい実施形態に限定されることなく、モジュール式構成として、第１の所定の数の入力端と、第２の所定の数の出力端とを有する、任意のスイッチング装置を得るために使用することができることに留意すべきである。さらに、好ましい実施形態のダイオードは、バルブ動作を示す任意の種類の電子装置又は半導体装置によって置き換えても良い。特にダイオードは、トランジスタ素子又は他の半導体スイッチに置き換えることができる。極性化抵抗器は、インダクタなど、他の任意の極性化素子又は手段によって置き換えることができる。
【００３４】
説明した好ましい実施形態は、回路基板上に設けられた電子回路として、又はシングル・チップ上に設けられた集積回路として実施することができる。後者の場合は、上記の好ましい実施形態は、以下のステップによって製造又は設計することができる。
１．モジュール式スイッチング・セルを得るために、ただ１つの出力用の構造体又はマスクを生成する。
２．必要な出力端の数だけ、構造体を複製する。
３．得られるモジュール式スイッチング装置のスイッチング動作、又はスイッチング状態を制御するための、ＤＣ出力極性化ノードを配置する。
【００３５】
好ましい実施形態による提案されたスイッチング装置のマイクロ波用途向けの実施として、上記の製造又は設計手順は、ＲＦ  ＩＣ（無線周波集積回路）技術用の最先端のＢｉＣＭＯＳ（バイポーラ相補型金属酸化膜半導体）プロセスであるＱＵＢｉＣ４Ｇプロセスを用いて行うことができる。これは、受動構成部品をチップ上に集積することを可能にし、部品表及び必要な周辺構成部品数の大幅な低減を可能にする。これは又、広い範囲のアナログ及び混成信号ＩＰブロック用に低電力消費を提供する。従ってＱＵＢｉＣ４Ｇ（ＳｉＧｅ）は、最先端のＲＦ用途向けに、強化された性能を提供する。代替形態として、提案されたスイッチング装置を実施するために、ＲＦ  ＣＭＯＳ、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）、及びバイポーラ技術を用いても良く、改良された製造又は設計手順は、モジュール式処理によって、より効果的な製造になる。
【００３６】
要約すると、本発明は、スイッチング装置及びそのような装置の製造方法であって、基本スイッチング・セルを得るために、第１及び第２の直列分路ダイオード構造体が鏡像型構成で互いに接続される、装置及び方法に関する。この基本スイッチング・セルは、ＳＰＤＴスイッチに用いることができ、それをＤＰＤＴスイッチ又は、より複雑なスイッチを構築するのに用いることができる。それにより、高アイソレーション及び低電力消費が、さらなるモジュール性の利点と共に実現される。スイッチング装置は、低いディジタル制御電圧を有し、高アイソレーションが必要な、衛星テレビジョン受信などのマイクロ波用途、又はセルラー送受信器などのその他の用途向けに用いることができる。
【００３７】
上述の実施形態は、本発明を限定するものではなく例示するものであり、当業者なら、添付の縦続請求項で定義される本発明の範囲から逸脱することなく、多くの代替実施形態を設計することが可能になることに、さらに留意すべきである。特許請求の範囲において括弧内に置かれたいずれの参照記号も、特許請求の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。「備える」という用語及び同様の語は、請求項のいずれか又は明細書全体に記載されたもの以外の要素又はステップの存在を除外するものではない。要素の単数での参照は、そのような要素の複数での参照を除外するものではなく、その逆も同様である。互いに異なる従属請求項中に何らかの方策が記載されている場合は、これらの方策の組合せを有利に用いることができないことを示すものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】ＤＰＤＴスイッチの異なるスイッチ状態、及びブロック図を示す図である。
【図２】従来型のＳＰＤＴスイッチの概略回路図である。
【図３】鏡像型構成の２つの直列分路ダイオード構造体の概略回路図である。
【図４】図３の鏡像型直列分路ダイオード構造体を使用したスイッチング・セルを示す図である。
【図５】第１の好ましい実施形態による、モジュール式ＳＰＤＴ構造体を示す図である。
【図６】第２の好ましい実施形態による、モジュール式ＤＰＤＴ構造体を示す図である。
【図７】第３の好ましい実施形態による、ＳＰＤＴセルの概略回路図である。
【図８】第４の好ましい実施形態による、モジュール式４入力２出力スイッチの概略ブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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