(57)【要約】  半導体量子井戸素子及びその製造方法を開示する。一態様では、素子は、半導体層（40-52）を含む量子井戸構造（38）からなり、半導体層（40-52）は交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定する。量子井戸のそれぞれは、障壁層の間に介在する量子井戸層を含む。軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの障壁層として機能する半導体層の一つは、重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの量子井戸層としても機能する。重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの障壁層として機能する他の半導体層は、軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの量子井戸層としても機能する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層（40-52）からなる量子井戸構造（38）を含む素子であって、該半導体層（40-52）が交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定し、該量子井戸のそれぞれが障壁層の間に介在する量子井戸層からなるものにおいて、
前記軽い正孔の量子井戸（60、62）の障壁層として機能する前記半導体層の一つが前記重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの量子井戸層としても機能し、前記重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの障壁層として機能する前記半導体層の他のものが前記軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの量子井戸層としても機能する素子。
【請求項２】
前記半導体層（40-52）の何れかが、伝導帯の電子に対する量子井戸層及び障壁層として機能する請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記伝導帯の電子に対する量子井戸層として機能する半導体層（42、46、50）が、前記重い正孔に対する量子井戸層としても機能する請求項２に記載の素子。
【請求項４】
電子-重い正孔の直接遷移がタイプIのエネルギーバンド配列を介して生じ、電子-軽い正孔の直接遷移がタイプIIのエネルギーバンド配列を介して生じる請求項３に記載の素子。
【請求項５】
前記伝導帯の電子に対する障壁層として機能する半導体層（40，44、48、52）の何れかが、前記軽い正孔に対する量子井戸層としても機能する請求項２に記載の素子。
【請求項６】
前記軽い正孔の量子井戸に対する量子井戸層として機能する半導体層（44，48）が第１の形式の歪み下にあり、前記重い正孔の量子井戸の量子井戸層として機能する半導体層（42，46、50）が、前記第１の形式の歪みとは異なる第２の形式の歪み下にある請求項１に記載の素子。
【請求項７】
前記軽い正孔及び重い正孔のそれぞれが、実質上等しい相対エネルギーレベルにあるそれぞれの最低バンド状態を有する請求項１に記載の素子。
【請求項８】
前記軽い正孔の量子井戸（60、62）によるTMモードの光吸収が、目標光学波長に対して、前記重い正孔の量子井戸（54、56、58）によるTEモードの光吸収と実質上等しい大きさである請求項１に記載の素子。
【請求項９】
第１及び第２の電極（82、84）と、
前記第１及び第２の電極（82、84）の間に配置されている第１及び第２のクラッド領域（86、88）と、
前記第１及び第２のクラッド領域（82、84）の間に配置され、前記半導体量子井戸構造（38）を含む活性領域（90）をさらに含む請求項１に記載の素子。
【請求項１０】
素子の製造方法であって、
半導体層（40-52）からなる量子井戸構造（38）を形成し、該半導体層（40-52）が交互に配置されている重い正孔と軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定し、該量子井戸のそれぞれが障壁層の間に介在する量子井戸層からなることを含み、
前記軽い正孔の量子井戸（60、62）の障壁層として機能する前記半導体層の一つが前記重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの量子井戸層としても機能し、前記重い正孔の量子井戸（54、56、58）の一つの障壁層として機能する前記半導体層の他のものが前記軽い正孔の量子井戸（60、62）の一つの量子井戸層としても機能する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体量子井戸素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
量子井戸は、典型的に、２つの広バンドギャップ半導体層の間に挟バンドギャップ半導体層を形成することによって製造される。挟バンドギャップ半導体層は量子井戸層と称され、また広バンドギャップ半導体層は障壁層と称される。多量子井戸を、一連の交互に配置された挟バンドギャップ半導体層と広バンドギャップ半導体層から形成することができる。
【０００３】
量子井戸構造は、電界吸収変調器（EAM）、電界吸収型変調レーザ（EML）、検出器、導波路、直列光増幅器及び、それらの素子の組み合わせを利用する集積構造を含む広範な光電子工学素子に組み込まれている。
【０００４】
偏光独立は、多くの種類の光電子工学素子に関して望ましい特徴である。しかしながら、半導体量子井戸素子における量子閉じ込めは、重い正孔及び軽い正孔の価電子帯の縮退を高める。緩和した半導体材料では、重い正孔の基底状態のエネルギーが対応する軽い正孔の基底状態のエネルギーよりも低い。軽い正孔と重い正孔に関する束縛状態エネルギーの結果生じる差によって、軽い正孔と重い正孔の電磁波に対して異なる結合を生じる。例えば、TE（transverse electric）モードの光は、伝導帯の電子と重い正孔の価電子帯を結合し、TM（transverse magnetic）モードの光は、伝導帯の電子と軽い正孔の価電子帯を結合する。半導体材料及び歪みの種類によって、軽い正孔の価電子帯又は重い正孔の価電子帯の一方が、より高いエネルギー準位にシフトし、一方、他方の価電子帯がより低いエネルギー準位にシフトする。したがって、多くの半導体量子井戸素子では、素子の光電子工学特性を画定するバンドギャップエネルギーは、量子井戸構造を介して進む偏光の関数である。
【０００５】
偏光に依存しない半導体量子井戸素子の異なる形式が提案されている。取り組みの一つでは、わずかな引張歪みが量子井戸内に導入され、軽い正孔及び重い正孔に対する遷移エネルギーがあるエネルギー準位に移動される。このような方法で、TE及びTM偏光に関する導波路分散は、偏光独立を達成するのに十分小さくなる。他の取り組みは、量子井戸の一つのグループがTEモードの光学結合をもたらし、量子井戸の第２の組がTMモードの光学結合をもたらすように適切に構成され、単一の活性領域に点在する量子井戸の二つのグループの組み合わせを利用する。この取り組みでは、TE及びTM偏光に関する導波路分散は、二つの量子井戸のグループ（第１の組はTEに関し、第２の組はTMに関する）を構成することによって実質上低減し、それによって、TEモードの光学結合の水準は、おおよそTMモードの光学結合の水準と同じになる。
【０００６】
偏光独立動作を達成する上記取り組みのそれぞれにおいて、電子-正孔遷移の全ては、量子井戸内で起こる。振動子強度/マトリックス効果の保持のため、わずかに引張歪みのある量子井戸の活性構造において利用できる振動子強度は、TMモード結合とTEモード結合の間を等しく分割する。したがって、所定の偏光に対して利用可能な光吸収の水準は、素子が偏光の単一の形式に対して設計されている場合のおおよそ半分である。量子井戸の二つの別個のグループ（一方の組がTE偏光であり、他方の組がTM偏光である）を備えている場合、相対的に厚い（例えば二倍の厚みの）量子井戸の活性領域が、これは常に実現可能であるわけではないが、単一形式の偏光に対して設計されている素子のように、各偏光モードに対する結合の同じ水準を達成するのに必要とされる。この取り組みでは、導波路が、両方の偏光に対する量子井戸を含むことによって、事実上弱められている。また、この取り組みでは、より強い光閉じこめのために、キャリア輸送問題及び出力結合問題のような複雑な状態が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、半導体量子井戸素子及びその製造方法の特徴を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様では、素子が、半導体層を含む量子井戸構造からなり、半導体層が交互に配置されている重い正孔及び軽い正孔の価電子帯量子井戸を画定する。量子井戸のそれぞれは、障壁層の間に介在する量子井戸層を含む。軽い正孔の量子井戸の一つの障壁層として機能する半導体層の一つは、重い正孔の量子井戸の一つの量子井戸層としても機能する。重い正孔の量子井戸の一つの障壁層として機能する他の半導体層は、軽い正孔の量子井戸の一つの量子井戸層としても機能する。
【０００９】
また本発明は、上記素子の製造方法の特徴を開示する。
【００１０】
本発明の他の特徴及び利点は、図面及び特許請求の範囲の記載を含む以下の詳細な説明から明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下の詳細な説明において、同様の構成要素を識別するのに同様の参照番号を使用する。さらに、図面は、線図の様式で、例示的な態様の主要な特徴を図解することを意図している。図面は、実際の態様の全ての特徴、又は表す構成要素の相対的な寸法を表すことを意図しておらず、縮尺通りに示されていない。
【００１２】
本明細書に開示する半導体量子井戸構造は、ある半導体層が、正孔の一形式に対して量子井戸層として、及び正孔の他の形式に対して障壁層として機能するように構成されている。そのような半導体層を交互に配置することによって、束縛された量子井戸状態が、一連の隣接半導体層内に作り出され、それぞれが入射光の二つの異なる入力偏光に対する光吸収に寄与する。ある実施形態では、束縛された量子井戸状態が、重い正孔の状態に対する光学的な結合の水準が軽い正孔に対する光学的な結合の水準とほぼ同じであるようなほぼ同じエネルギーレベルにある。このようにして、これらの半導体量子井戸構造は、実質上偏光独立動作をもたらす。他の偏光独立光電子工学素子の設計と比較して、本明細書で開示する実施形態は、所与の相互作用長及び所与の数の量子井戸に対して二倍の光学的な結合（例えば吸収又は利得）をもたらす。したがって、本明細書に開示する実施形態は、他の偏光独立の設計が有する相互作用長の半分の長さの相互作用長をもって製造され、同時に同程度の偏光独立の性能をもたらす。
【００１３】
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、軽い正孔及び重い正孔に対する第１の束縛された量子井戸状態（又はレベル）の歪みの効果を示す。図１Ａでは、価電子帯量子井戸が、半導体障壁層14、16の対の間に介在する歪みのない半導体量子層12に形成されている。半導体量子井戸層12に歪みがない場合、軽い正孔及び重い正孔に対する第１の束縛された量子井戸状態20、22では、それぞれの有効質量における相違の結果として、エネルギーが分離する。量子井戸層12に歪みがない場合、重い正孔及び軽い正孔に対する価電子帯のエッジは通常同じである。図１Ｂでは、半導体量子井戸層12が圧縮歪み下にある。圧縮歪みの結果として、重い正孔の価電子帯のエッジ26及び第１の重い正孔の量子井戸状態28がより低いエネルギーレベルにシフトし、同時に軽い正孔の価電子帯のエッジ30及び第１の軽い正孔の量子井戸状態32がより高いエネルギーレベルにシフトする。図１Ｃでは、半導体量子層12が引張歪み下にある。引張歪みの結果として、軽い正孔の価電子帯のエッジ33及び第１の軽い正孔の量子井戸状態34がより低いエネルギーレベルにシフトし、同時に重い正孔の価電子帯のエッジ36及び第１の重い正孔の量子井戸状態37がより高いエネルギーレベルにシフトする。
【００１４】
したがって、半導体量子井戸層における歪みの水準は、束縛された軽い正孔の状態及び束縛された重い正孔の状態に対する所望のエネルギーレベルが達成されるように変化される。この原則は、以下に詳細を開示する半導体量子井戸構造の設計に利用される。
【００１５】
図２は、重い正孔の価電子帯量子井戸54、56、58（図２において点線で示す）及び軽い正孔の価電子帯量子井戸60、62（図２において波線で示す）の組に対して、障壁層及び量子井戸層として機能する一連の半導体層40、42、44、46、48、50、52を含む半導体量子井戸構造38の実施形態を示す。重い正孔の価電子帯量子井戸54、56、58に、交互に軽い正孔の価電子帯量子井戸60、62が差し挟まれている。概して、半導体量子井戸構造38内の重い正孔の量子井戸の数と軽い正孔の量子井戸の数は、同じであっても、異なっていてもよい。図２に示す例示的な実施形態では、半導体量子井戸構造38は、３つの重い正孔の量子井戸54-58と、２つの軽い正孔の量子井戸60-62を有する。
【００１６】
図２の実施形態では、各量子井戸54-62が、量子井戸層として機能し、障壁層として機能する層間に介在する層を含む。例えば、重い正孔の量子井戸54、56、58に関して、半導体層42、46、50は量子井戸層として機能し、半導体層40、44、48、52は障壁層として機能する。一方、軽い正孔の量子井戸60、62に関して、半導体層42、46、50は障壁層として機能し、半導体層44、48は量子井戸層として機能する。したがって、軽い正孔の量子井戸の障壁層として機能する層は、重い正孔の量子井戸の量子井戸層としても機能する。同様に、また、重い正孔の量子井戸の障壁層として機能する層は、軽い正孔の量子井戸の量子井戸層としても機能する。
【００１７】
半導体量子井戸38の層40-52は、付加的に、伝導帯量子井戸64、66、68の組に対する障壁層及び量子井戸層として機能する。概して、電子の量子井戸層は、重い正孔の量子井戸54、56、58又は軽い正孔の量子井戸60、62の量子井戸層に対応する。図２に示す例示的な実施形態では、半導体層42、46、50が、電子の量子井戸64-68及び重い正孔の量子井戸54、56、58の双方の量子井戸層に対応する。
【００１８】
図２、３Ａ、３Ｂを参照すると、半導体層40-52の材料組成並びに、半導体層40-52に導入される歪みの水準及び種類が、重い正孔が半導体層42、46、50に閉じ込められ、また軽い正孔が半導体層44、48に閉じ込められるように選択されている。この目的を達成するために、隣接する半導体層の対の間に形成されているヘテロ接合における価電子エネルギーバンドの配列が、重い正孔及び軽い正孔に対する交互に配置されている一連の量子井戸及び障壁を形成する。
【００１９】
図２に示す例示的な実施形態では、重い正孔に関して、エネルギーバンド（ECB-EVB,HH）が、各ヘテロ接合におけるタイプIのエネルギーバンド配列を示す。図３Ａに示すように、タイプIのバンド配列において、量子井戸層の伝導帯のエッジ及び価電子帯のエッジのエネルギーレベルは、障壁層の伝導帯のエッジ及び価電子帯のエッジのエネルギーレべルの間に位置する。軽い正孔に関して、障壁層内にバンド状態は存在しない。図３Ａに示すように、タイプIIのバンド配列において、量子井戸層の伝導帯のエッジ及び価電子帯のエッジのエネルギーレベルは、障壁層の伝導帯のエッジ及び価電子帯のエッジのそれぞれのエネルギーレべルの下方に位置する。この場合、障壁層内に束縛された軽い正孔の状態が存在する。分離された層において、重い正孔と軽い正孔を閉じ込めることを必要とする形式のバンド配列（例えばタイプI及びタイプII）は、半導体層40-52の組成並びに、それらの層の歪みの種類及び水準に応じて相違する。例えば、ある実施形態では、重い正孔はタイプIIのエネルギーバンド配列を示す層内に閉じ込められ、軽い正孔はタイプIのエネルギーバンド配列を示す層内に閉じ込められる。
【００２０】
結果生じる重い正孔及び軽い正孔のエネルギーバンド図は、図２に示すエネルギーバンド図に重ね合わされている。価電子帯内の重い正孔に対する波動関数（ψHH）は、層42、46、50に形成されている重い正孔の量子井戸54-58に大部分閉じ込められ、価電子帯内の軽い正孔に対する波動関数（ψLH）は、層44、48に形成されている軽い正孔の量子井戸60-62に大部分閉じ込められている。伝導帯内の電子に対する波動関数（ψE）は、層42、46、50に形成されている電子の量子井戸64-68に大部分閉じ込められている。半導体層42、46、50における電子及び重い正孔の波動関数（ψE、ψHH）の重なりによって、半導体層42、46、50（タイプIのバンド配列に対応する）内のエネルギーギャップを介する電子-重い正孔（E-HH）の直接遷移が可能となる。加えて、半導体層44、48内への電子の波動関数（ψE）著しい侵入及び、半導体層42、46、50への軽い正孔の波動関数（ψLH）の侵入によって、半導体層44、48内のエネルギーギャップを介する電子-軽い正孔（E-LH）の直接遷移が可能となる。
【００２１】
このようにして、一連の隣接する量子井戸層42-50それぞれにおける束縛されたキャリアーは光学的な結合に寄与する。したがって、所与の厚みに対して、半導体量子井戸構造38は、光学的な結合が寄与することのない障壁層によって分離される量子井戸内に生じるに過ぎない同等の構造の光学的な結合強度のほぼ二倍をもたらす。この特徴によって、半導体量子井戸構造38を組み込んだ素子が可能となり、光学的な結合が寄与することのない障壁層によって分離される量子井戸内に生じるに過ぎない同等の構造を組み込んだ素子の相互作用長のほぼ半分の相互作用長をもって、同時にほぼ同じ性能をもたらすように製造することができる。
【００２２】
図２に示すように、図解する実施形態において、重い正孔の量子井戸54-58の第１の束縛された状態70、72、74は、軽い正孔の量子井戸60、62の第１の束縛された状態76、78とほぼ同じエネルギーレベルにある。このようにして、電子-重い正孔の光学遷移及び電子-軽い正孔の光学遷移は、ほぼ同じ波長で生じる。第１の重い正孔及び軽い正孔の束縛状態70-78のエネルギーレベル並びに、キャリアー状態密度は、TMモード光及びTEモード光に関する光学的な結合強度（例えば、吸収又は利得に関して）が偏光独立を達成するのとほぼ同じとなるように設計される。例えば、ある実施形態では、軽い正孔の量子井戸60、62によるTMモードの光学吸収の水準が、目標光学波長に関する重い正孔の量子井戸54-58によるTEモードの光学吸収に対して実質上等しい大きさである。これらの実施形態の幾つかでは、偏光独立動作は、TMモードの光学吸収及びTEモードの光学吸収が、目標光学波長に関して多くても１dB（デシベル）だけ違うように、量子井戸構造38を構成することによって達成される。
【００２３】
概して、半導体量子井戸構造38は、交互に配置されている重い正孔及び軽い正孔の量子井戸が形成されている任意の半導体層の形をなし、軽い正孔の量子井戸の障壁層として機能する少なくとも一つの層が重い正孔の量子井戸の量子井戸層としても機能し、重い正孔の量子井戸の障壁層として機能する少なくとも一つの層が軽い正孔の量子井戸の量子井戸層としても機能する。ある実施形態では、半導体層40-52のそれぞれは、約５nmから約12nmの範囲の厚みを有する。例示的な実施形態は、InxGa1-xAsyP1-y又はIn1-x-yAlxGayAs（0≦x≦1、0≦y≦1）のようなIII-V属及びII-IV属半導体材料を含む特定の半導体材料の異なる組成からなる一連の交互に配置された層を含む。
【００２４】
ある例示的な実施形態では、半導体層40-52のそれぞれは、InxGa1-xAsyP1-yから形成され、yの値は、シャープで安定なヘテロ接合を達成するために全ての層40-52に対して同じであり、xの値は、軽い正孔の量子井戸層44、48に対するよりも重い正孔及び電子の量子井戸層42、46、50に対してより大きい。この形式の一つの例示的な実施形態では、x=0.76、y=0.75の場合、圧縮歪みはおおよそ0.74%であり、層の厚みは、重い正孔及び電子の量子井戸層42、46、50に対しておおよそ8.5nmであり、x=0.51、y=0.75の場合、引張歪みはおおよそ-１%であり、層の厚みは、軽い正孔の量子井戸層44、48に対して８nmである。これらのパラメータとともに、重い正孔が、タイプIのエネルギーバンド配列を備えている層42、46、50に閉じ込められ、軽い正孔が、タイプIIのエネルギーバンド配列を備えている層44、48に閉じ込められる。この構造における重い正孔及び軽い正孔に対する推定遷移エネルギーはそれぞれ、1471nm及び1469nmである。
【００２５】
他の例示的な実施形態において、半導体層40-52のそれぞれはInxGa1-xAsyP1-yから形成され、yの値は一連の層40-52にわたって変化する。
【００２６】
図４は、第１及び第２の電極82、84、第１及び第２のクラッド領域86、88、活性領域90を含み、上記の半導体量子井戸構造38を組み込まれた電界吸収型光変調器80の実施形態を示す。
【００２７】
第１及び第２の電極82、84は、１又は２の金属層を含む。一つの例示的な実施形態では、第１及び第２の電極82、84のそれぞれは、電極82、84、支持半導体材料の間のオーム接続相互作用を形成し、密着性を促進するチタンからなる下位層、電界吸収型光変調器80に関する電気的接触を形成する金からなる上位層を含む。図解する実施形態では、第１の電極82は、図５Ａに示すように、電気的導電性材料の連続ストリップから又は、図５Ｂに示すように、個別の中間マイクロストリップ線83により接続されている単一電極セグメントの各対と直列に接続され、電気的導電性材料からなる複数の隔置された電極セグメントから形成されている進行波単一電極である。
【００２８】
ある実施形態では、第１及び第２の電極82、84は、それぞれのマイクロストリップ線により入力及び出力ボンディングパッドに接続されている。入力ボンディングパッドを、第１のボンディングワイヤにより外部の信号源に接続し、出力ボンディングパッドを、第２のボンディングワイヤを介して外部の終端負荷に接続することができる。電界吸収型光変調器80、入力及び出力ボンディングパッド、入力及び出力マイクロチップ線を、同じ基板92（例えば、InP又はGaAsのような半導体材料からなるウエハ）上に製造することができる。外部の信号源を、任意の無線周波数（RF）の電気的信号源を含む任意の適切な高周波の電気的信号源とすることができる。外部の終端負荷を、抵抗器のような任意の適する終端負荷とすることができる。終端負荷及び信号源は、概して、電界吸収型光変調器80の活性領域90を介して供給可能な電圧を最大化し、反射を低減するようにインピーダンス整合されている。
【００２９】
図解する実施形態では、基板92を導電性（例えば、n+ドープされたInP基板）又は絶縁性とすることができる。電界吸収型光変調器80、第１及び第２の金属膜伝送線路94、96を、基板92上に形成されている導電性半導体層98（例えば、n++InGaAs又はn++InGaAsP）の上に形成することができる。
【００３０】
図解する実施形態では、第１のクラッド領域86はp型にドープされ、第２のクラッド領域88はn型にドープされ、活性領域90はノンドープ、したがって比較的少ない量の不純物（例えば、約5×10-15cm-3未満）を含む。第１及び第２のクラッド領域86、88を、活性領域90の材料組成よりも低い屈折率を有する材料組成から形成することができる。このようにして、活性領域90は、電界吸収型光変調器80を介して進む光に対する導波路として動作する。活性領域90は、半導体量子井戸構造38を含む光吸収領域を含む。p+型キャップ（又は接点）層100を、p型クラッド層86及び信号電極82の間に介在させることができる。
【００３１】
図６は、電界吸収型光変調器80の製造方法の実施形態を示す。本方法にしたがって、導電層98が基板92上に形成される（ブロック110）。クラッド層88が導電層98上に形成される（ブロック112）。半導体量子井戸構造38を含む活性領域90がクラッド領域88上に形成される（ブロック114）。クラッド領域86が活性領域90上に形成される（ブロック116）。接触層100がクラッド領域86上に形成される（ブロック118）。第１及び第２の電極82、84が、接触層100及び基板の裏側に形成され、第１及び第２の伝送線路94、96が導電層98上に形成される（ブロック120）。
【００３２】
他の実施形態は、特許請求の範囲の記載の範囲に含まれる。
【００３３】
例えば、電界吸収型光変調器に加えて、半導体量子井戸構造38を、電界吸収型変調レーザ、検出器、導波路、直列光増幅器のような形式の光電子工学素子の任意の一つに組み込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１Ａ】半導体量子井戸層に形成されてた歪みのない正孔の量子井戸に対する従来技術の半導体量子井戸構造及び関連したエネルギーバンド図を示す線図である。
【図１Ｂ】半導体量子井戸層に形成された圧縮歪みがある正孔の量子井戸に対する従来技術の半導体量子井戸構造及び関連したエネルギーバンド図を示す線図である。
【図１Ｃ】半導体量子井戸層に形成された引張歪みがある正孔の量子井戸に対する従来技術の半導体量子井戸構造及び関連したエネルギーバンド図を示す線図である。
【図２】交互に配置されている重い正孔及び軽い正孔の価電子帯量子井戸に対する障壁層及び量子井戸層として機能する一連の半導体層を有する半導体量子井戸構造の実施形態と、関連するエネルギーバンド図を示す線図である。
【図３Ａ】タイプIのエネルギーバンド配列を示すヘテロ接合に対する重い正孔のエネルギーバンド図である。
【図３Ｂ】タイプIIのエネルギーバンド配列を示すヘテロ接合に対する軽い正孔のエネルギーバンド図である。
【図４】図２に示す半導体量子井戸構造の形態を組み込む電界吸収型光変調器の形態を示す線図である。
【図５Ａ】電気的導電性材料からなる連続ストリップより形成されている単一の電極を有する、図４の電界吸収型光変調器の実施形態の平面図である。
【図５Ｂ】中間マイクロストリップ線により直列に接続されている電気的導電性材料からなる複数の隔置された電極セグメントから形成されている単一の電極を有する、図４の電界吸収型光変調器の実施形態の平面図である。
【図６】図４の電界吸収型光変調器の実施形態を製造する方法の形態を示す流れ図である。
【図１Ａ】
2008502943.tif 000003
【図１Ｂ】
2008502943.tif 000004
【図１Ｃ】
2008502943.tif 000005
【図２】
2008502943.tif 000006
【図３Ａ】
2008502943.tif 000007
【図３Ｂ】
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【図４】
2008502943.tif 000009
【図５Ａ】
2008502943.tif 000010
【図５Ｂ】
2008502943.tif 000011
【図６】
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【国際調査報告】
2008502943.tif 000013
2008502943.tif 000014