(57)【要約】  基板を熱処理する装置は、低速軸に沿って配列された複数のダイオードレーザを備えるレーザ放射ソースと、該ソースから該基板に該レーザ放射を向ける光学部品と、該低速軸に直交する高速軸に沿って配列され、該光学部品を介して該基板から反射された該レーザ放射の一部を受け取る光検出器アレイと、を含んでいる。【選択図】  図６
2008520004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を熱処理する装置であって、
低速軸に沿って配列された複数のダイオードレーザを備えるレーザ放射ソースと、
前記ソースから前記基板に前記レーザ放射を向ける光学部品と、
前記低速軸に直交する高速軸に沿って配列され、前記光学部品を介して前記基板から反射された前記レーザ放射の一部を受け取る光検出器アレイと、
を備える装置。
【請求項２】
前記複数のダイオードレーザが前記低速軸に沿ったダイオードレーザの平行列を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
（ａ）前記基板と（ｂ）前記光学部品との間の距離を変更する第１の変換機構と、
前記光検出器アレイの出力を受け取り、前記出力に応答して前記レーザ放射を前記基板に焦点を合わせるために前記変換機構をコントロールするコントローラと、をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記光学部品が、前記低速軸に沿った長い寸法と前記高速軸に沿った短い寸法とを有するラインビームにおいて前記レーザ放射を前記基板に焦点を合わせるように構成されている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記光学部品および前記基板を少なくとも前記高速方向において相互に対して移動させるための第２の変換機構をさらに備える、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記ソースと前記基板との間に配列された、前記低速軸に沿って前記ビームを均質化するための単軸光パイプをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
基板を熱処理する方法であって、
前記基板を、低速軸に沿った短い寸法と高速軸に沿った長い寸法とを有するラインビームを備えるレーザ放射によって、前記低速軸に沿って配列されたそれぞれのエリアから発せられる複数のレーザダイオードから照射するステップと、
前記基板から反射された前記レーザ放射の一部の前記高速軸に沿ってプロファイルを判断するステップと、
前記光学部品と前記基板との間の距離を変化させて前記プロファイルを修正するステップと、
を備える方法。
【請求項８】
前記光学部品と前記基板との間の距離を変化させる前記ステップが、前記基板上の前記ラインビームの焦点を改善するために実施される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記光学部品と前記基板との間の距離を変化させる前記ステップに、前記プロファイルを理想プロファイルと比較するステップが先行し、前記光学部品と前記基板との間の距離を変化させる前記ステップが前記比較に応答して実施される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記理想プロファイルが、焦点が合った条件に対応する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記照射および判断ステップが少なくとも部分的に、共通の１セットの光学部品を使用する、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記共通の1セットの光学部品内で前記低速軸に沿って前記レーザ放射を均質化するステップをさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記照射ステップが、前記レーザ放射をフォワード方向に前記共通の光学部品を介して前記基板に通過させる工程を備えており、
前記高速軸に沿ってプロファイルを判断する前記ステップが、前記基板から反射された前記レーザ放射の一部を前記共通の光学部品を介してリバース方向に光検出器アレイに向けて通過させ、前記光検出器の出力を検知する工程を備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記光学部品と前記基板との間の距離を変化させる前記ステップに、前記光学部品と前記基板との間の距離が（ａ）大きすぎる、（ｂ）小さすぎる、（ｃ）正確のうちのいずれの１つかを前記プロファイルから見つけるステップが先行する、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記光学部品と前記基板との間の距離が、（ａ）大きすぎる、（ｂ）小さすぎる、（ｃ）正確のうちのいずれか１つを前記プロファイルから見つける前記ステップが、それぞれ大きすぎる、小さすぎるおよび理想的である光学部品／基板間距離を表す所定のプロファイルと前記プロファイルとの比較に対応する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記光学部品および基板を少なくとも前記高速軸に沿って相互に対して変換するステップをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
前記高速軸に沿って前記基板にわたって前記ラインビームを走査するステップをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明者】
【０００１】
Ｄｅａｎ  ＪｅｎｎｉｎｇｓおよびＴｉｍｏｔｈｙ  Ｎ．Ｔｈｏｍａｓ
【関連出願の相互参照】
【０００２】
[001]本出願は、２００４年１１月１２日に出願された米国仮特許出願第６０／６２７，５３０号の利益を主張するものである。
【発明の分野】
【０００３】
[002]本発明は一般的に、半導体基板の熱処理に関する。とりわけ、本発明は、半導体基板のレーザ熱処理に関する。
【発明の背景】
【０００４】
[003]熱処理は、シリコンウェーハや、ディスプレイ用のガラスパネルなどの他の基板に形成されたシリコンおよび半導体集積回路の製作に必要とされる。必要とされる温度は、２５０℃未満の比較的低い温度から、１０００℃、１２００℃、さらには１４００℃よりも高い温度に及ぶことがあり、またドーパント注入アニーリング、結晶化、酸化、窒化、シリコン化および化学気相堆積法などのさまざまなプロセスに使用されてもよい。
【０００５】
[004]高度な集積回路に必要な非常に浅い回路特徴について、必要な熱処理を達成する際に全熱量を減らすことが大いに望まれる。熱量は、所望の処理温度を達成するのに必要な高温での全時間とみなされることがある。ウェーハが最高温度にとどまる必要がある時間は極めて短い可能性がある。
【０００６】
[005]急速加熱処理（ＲＴＰ）は、チャンバの残りの部分ではなくウェーハのみを加熱するために極めて迅速にＯＮおよびＯＦＦにされることが可能な放射ランプを使用する。極めて短い（約２０ｎｓ）レーザパルスを使用するパルスレーザアニーリングは、下地ウェーハではなく表面層のみを加熱するのに効果的であるため、極めて短いランプアップおよびランプダウンレートを許容することができる。
【０００７】
[006]熱流束レーザアニーリングや動的表面アニーリング（ＤＳＡ）と称されることもある種々の形態の近年開発された手法が、２００２年１２月１８日に出願された米国特許出願第１０／３２５，４９７号に基づいたＪｅｎｎｉｎｇｓらによるＰＣＴ／２００３／００１９６９６６号に説明されており、これは全体を参照として個々に組み込まれている。Ｍａｒｋｌｅは異なる形態を米国特許第６，５３１，６８１号に、Ｔａｌｗａｒはさらに別のバージョンを米国特許第６，７４７，２４５号に説明している。
【０００８】
[007]ＪｅｎｎｉｎｇｓおよびＭａｒｋｌｅのバージョンは、ウェーハに衝突する極めて強力な光ビームを放射の細長いラインとして生成するためにＣＷダイオードレーザを使用する。このラインは次いで、ラインビームの長い寸法に直交する方向でウェーハの表面に走査される。
【発明の概要】
【０００９】
[008]基板を熱処理する装置は、低速軸に沿って配列された複数のダイオードレーザを備えるレーザ放射ソースと、該レーザ放射を該ソースから該基板に向ける光学部品と、該低速軸に直交する高速軸に沿って配列され、かつ該光学部品を介して該基板から反射された該レーザ放射の一部を受け取るための光検出器のアレイとを含んでいる。該ダイオードレーザは、該低速軸に沿ったダイオードレーザの平行列として実現されてもよい。該装置はさらに、（ａ）該基板と（ｂ）該光学部品との間の距離を変更する第１の変換機構と、該光検出器アレイの出力を受け取り、該出力に応答して該レーザ放射を該基板に焦点を合わせるために該変換機構をコントロールするコントローラとを含むことができる。好ましくは、該光学部品は、該低速軸に沿った長い寸法と該高速軸に沿った短い寸法とを有するラインビームにおいて該レーザ放射を該基板に焦点を合わせるように構成されている。第２の変換機構は該光学部品および該基板を少なくとも該高速方向において相互に対して移動させる。
【発明の詳細な説明】
【００１０】
[0018]Ｊｅｎｎｉｎｇｓらによる上記参照された出願に説明されている装置の一実施形態が図１の概略的正投影図に図示されている。２次元走査用の構台構造１０は、１対の固定パラレルレール１２、１４を含んでいる。２つのパラレル構台ビーム１６、１８は、固定レール１２、１４から離れて、かつこれにサポートされている設定距離において共に固定され、図示されていないモータと、固定レール１２、１４に沿ってローラやボール軸受上をスライドするドライブ機構とによってコントロールされる。ビームソース２０は構台ビーム１６、１８にスライド可能にサポートされており、図示されていないモータと、これらに沿ってスライドするドライブ機構とによってコントロールされるビーム１６、１８の下方に吊るされることがある。シリコンウェーハ２２や他の基板は構台構造１０の下方に静止してサポートされる。ビームソース２０は、レーザ光ソースと、ウェーハ２２に衝突する下方ファン形状ビーム２４を、従来低速方向と称される固定レール１２、１４に略平行に延びるラインビーム２６として生成するための光学部品とを含んでいる。本明細書に図示されていないが、構台構造はさらに、ファン形状ビーム２４に略平行な方向にレーザ光ソースおよび光学部品を移動させるためのＺ軸ステージを含んでいるため、ビームソース２０とウェーハ２２間の距離をコントロール可能に変更させることができ、したがってウェーハ２２に対するラインビーム２６の焦点合わせをコントロールすることができる。ラインビーム２６の例示的な寸法は長さ１ｃｍかつ幅６６ミクロンであり、例示的な電力密度は２２０ｋＷ／ｃｍ２である。代替的に、ビームソースおよび関連光学部品は静止していてもよいのに対して、ウェーハは、２次元に走査するステージ上にサポートされる。
【００１１】
[0019]通常の動作において、構台ビーム１６、１８は固定レール１２、１４に沿った特定の位置に設定され、ビームソース２０は構台ビーム１６、１８に沿って均一な速度で移動されて、従来高速方向と称される方向の長い寸法に直交するラインビーム２６を走査する。したがって、ラインビーム２６は、ウェーハ２２の一方の側から他方に走査されて、ウェーハ２２の１ｃｍ範囲を照射する。ラインビーム２６は十分狭く、高速方向の走査速度は、ウェーハの特定のエリアがラインビーム２６の光学放射に瞬間的にだけ暴露される程度高速であるが、ラインビームのピークの強度は、表面領域を極めて高い温度に加熱するのに十分である。しかしながら、ウェーハ２２のより深い部分はそれほど加熱されず、さらに表面領域を迅速に冷却するためのヒートシンクとして作用する。高速走査が完了されると、ラインビーム２６が、低速軸に沿って延びる長い寸法に沿って移動されるように、構台ビーム１６、１８は固定レール１２、１４に沿って新たな位置に移動される。次いで高速走査が実行されて、ウェーハ２２の近接する範囲を照射する。ウェーハ２２全体が熱処理されるまで、交互の高速および低速走査が、恐らくビームソース２０の蛇行経路で反復される。
【００１２】
[0020]光学ビームソース２０はレーザアレイを含んでいる。一例が図２および図３に正投影的に図示されており、ここで約８１０ｎｍのレーザ放射が２つのレーザバースタック３２から光学システム３０に生成され、このうちの一方が図４の端面図に図示されている。各レーザバースタック３２は、ＧａＡｓ半導体構造の垂直ｐ−ｎ接合に一般的に対応し、横方向に約１ｃｍ延び、かつ約０．９ｍｍで分離されている１４個のパラレルバー３４を含んでいる。通常、水冷却層はバー３４間に配置される。４９個のエミッタ３６が各バー３４に形成され、各々は、直交方向に異なる発散角を有するそれぞれのビームを発する個別ＧａＡｓレーザを構成する。図示されているバー３４は、長い寸法が多くのエミッタ３６に対して延びるように位置決めされ、低速軸に沿って整列され、この短い寸法は高速軸に沿って整列された１ミクロン未満のｐ−ｎ空乏層に対応する。高速軸に沿った小型ソースサイズは高速軸に沿った効果的なコリメーションを許容する。発散角は高速軸に沿って大きく、低速軸に沿っては比較的小さい。
【００１３】
[0021]図２および図３に戻ると、２つの円筒形小型レンズアレイ４０がレーザバー３４に沿って位置決めされ、高速軸に沿って狭ビームのレーザ光をコリメートする。これらは接着剤によってレーザスタック３２に固着され、発光エリア３６に延びるようにバー３４と整列されてもよい。
【００１４】
[0022]光学ビームソース２０はさらに従来の光学要素を含むことができる。当業者によるこのような要素の選択はこのような例に制限されないが、このような従来の光学要素は、インタリーバおよび偏光マルチプレクサを含むことができる。図２および３の実施例において、２つのバースタック３２からの２セットのビームがインタリーバ４２に入力され、これは、多ビームスプリッタータイプの構造を有しており、２つの内部斜面、例えば光を選択的に反射および透過させる反射パラレルバンド上に特殊コーティングを有している。このようなインタリーバはＲｅｓｅａｒｃｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｏｐｔｉｃｓ（ＲＥＯ）から市販されている。インタリーバ４２において、バー３４からスタック３２の一方の側へビームが代替的に反射または透過されることによって、対応する選択的な透過／反射を経るバー３４からのビームとスタック３２のもう一方の側でインタリーブされて、個別エミッタ３６から他の方法で間隔をあけられた放射プロファイルを充填することができるように、パターン化金属反射バンドが、２つのバースタック３２から１セットのビームごとに角度付き表面に形成される。
【００１５】
[0023]第１のセットのインタリーブビームが４分の１波長板４８を通過して、第２のセットのインタリーブビームに対してその偏光を回転させる。両セットのインタリーブビームは、ダブル偏光ビームスプリッタの構造を有する偏光マルチプレクサ（ＰＭＵＸ）５２に入力される。このようなＰＭＵＸはＲｅｓｅａｒｃｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｏｐｔｉｃｓから市販されている。第１の対角インタフェース層５４および第２の対角インタフェース層５６によって２つのセットのインタリーブビームは、その前面から共通軸に沿って反射される。第１のインタフェース５４は通常、ハードリフレクタ（ＨＲ）として設計された誘電干渉フィルタとして実現されるのに対して、第２のインタフェース５６はレーザ波長で偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）として設計された誘電干渉フィルタとして実現される。結果として、第１のインタフェース層５４から反射された第１のセットのインタリーブビームは第２のインタフェース層５６の背面に衝突する。４分の１波長板４８によって導入された偏光回転ゆえに、第１のセットのインタリーブビームは第２のインタフェース層５６を通過する。ＰＭＵＸ５２によって出力されたソースビーム５８の強度は、２つのセットのインタリーブビームのどちらかの強度から倍増される。
【００１６】
[0024]図面において個別に示されているが、インタリーバ４２、４分の１波長板４８およびＰＭＵＸ５２およびこのインタフェース５４、５６、ならびに入力および出力面に取り付けられることがある追加フィルタは通常、ＵＶ硬化性エポキシなどのプラスチックカプセル材料によって共に接合されて、剛性光学システムを提供する。重要なインタフェースは、レーザスタック３２への小型レンズ４０のプラスチック固着であり、この上でこれらはバー３４に整列されなければならない。ソースビーム５８は１セットの円筒形レンズ６２、６４、６６を通過して、低速軸に沿ってソースビーム５８に焦点に合わせる。
【００１７】
[0025]１次元光パイプ７０は低速軸に沿ってソースビームを均質化する。円筒形レンズ６２、６４、６６によって焦点を合わされたソースビームは光パイプ７０に入り、有限発散角は低速軸に沿っているが、実質的には高速軸に沿ってコリメートされている。図５の正投影図により明確に図示されている光パイプ７０はビームホモゲナイザーとて作用し、低速軸上で間隔をあけられているバースタック３２において多くのエミッタ３６によって導入された低速軸に沿ってビーム構造を減らす。光パイプ７０は、全内部反射を減らすためにかなり高い屈折率を有する光学ガラスの矩形スラブ７２として実現されてもよい。これは低速軸に沿った短い寸法と、高速軸に沿った長い寸法とを有している。スラブ７２は、入力面７６上の低速軸に沿って収束するソースビーム５８の軸７４に沿って実質的な距離を延びている。ソースビーム５８は、スラブ７２の上部および底部表面から数回内部反射されることによって、低速軸に沿ってテクスチャリングの多くを除去することができ、かつ、これが出力面７８に延びる場合に低速軸に沿ってビームを均質化することができる。しかしながら、ソースビーム５８はすでに、高速軸に沿って（円筒形小型レンズ４０によって）十分コリメートされ、スラブ７２は、ソースビーム５８がスラブ７２のサイド表面に内部反射されないが、高速軸に沿ってそのコリメーションを維持するのに十分幅広いものである。光パイプ７０は、出入りアパーチャとビームの収束および発散をコントロールするために軸方向に沿って先細りされてもよい。１次元光パイプは代替的に、スラブ７２の上面および下面に一般的に対応する２つの平行反射表面として実現可能であり、ソースビームはこれらの間を通過する。
【００１８】
[0026]光パイプ７０によって出力されたソースビームは一般的に均一である。図６の概略図にさらに図示されているように、さらなるアナモルフィックレンズセット、つまり光学部品８０、８２は低速軸において出力ビームを拡大させ、またウェーハ２２上に所望のラインビーム２６を投影するために略球状レンズを含んでいる。アナモルフィック光学部品８０、８２はソースビームを２次元に成形し、制限長の狭ラインビームを生成する。高速軸の方向において、（システムは有限ソース共役によって設計されてもよいよいが）出力光学部品は、光パイプの出力のソースの無限共役と、ウェーハ２２の結像平面の有限共役とを有しているのに対して、低速軸の方向においては、出力光学部品は、光パイプ７０の出力におけるソースの有限共役と、結像平面の有限共役とを有している。さらに、低速軸の方向において、レーザバーの多くのレーザダイオードからの不均一放射は光パイプ７０によって均質化される。光パイプ７０の均質化能力は、光が光パイプ７０を横切って反射される回数に大きく左右される。この回数は、光パイプ７０の長さ、もしあれば先細りの方向、出入りアパーチャのサイズならびに光パイプ７０への発射角によって判断される。さらなるアナモルフィック光学部品は、ウェーハ２２の表面上の所望の寸法のラインビームにソースビームの焦点を合わせる。
【００１９】
[0027]光学部品とウェーハ２２間の距離がリアルタイムで自動調整されてウェーハ２２上に良好に焦点が合わされたラインビームを提供できるようにオートフォーカス性能を提供することが望ましい。オートフォーカスはカメラにおいて周知である。しかしながら、従来のオートフォーカス技術は、図２および３に示された複雑な光学部品には容易に適用することができない。とりわけ、低速軸に沿ってビーム均質化を提供する単軸光パイプ７０は、従来のオートフォーカス技術および機構と矛盾している。
【００２０】
[0028]本発明の一態様において、ウェーハからのラインビーム２６の反射は高速軸のみに沿った変形について監視される。図６および図７の正投影図に図示されているように、ラインビーム２６をウェーハ２２に投影する同じ光学部品６２、６４、６６、８０はまた、ウェーハ２２の反対側のＰＭＵＸ５２の一方の側に位置決めされたＣＣＤアレイ９０に対してウェーハ２２から反射されたレーザ光をガイドするために使用される。光パイプ７０は光学部品８０および光レンズ６２、６４、６６を仲介する。ＣＣＤアレイ９０は１本の軸に沿って、あるいは２本の軸に沿って配列された複数の感光電荷結合デバイスを含んでいる。しかしながら、他のタイプの線形または矩形光検出器が用いられてもよい。ＰＭＵＸ５２における波長選択反射表面５４、５６は極めて不十分である（つまり、１００％未満の反射係数を有している）ため、ウェーハ２２から反射されたレーザ光の少量であるが限られた量がこれらを介して、反射光を低速軸に沿って焦点を合わせるが、これがＣＣＤアレイ９０に衝突すると高速軸に沿って実質的にコリメートされたままにする円筒形レンズ９２（図６）へ通過する。（高速および低速軸はウェーハ２２とＣＣＤアレイ９０の両方に投影されてもよい。）円筒形レンズ９２は、光パイプ７０がこの方向の情報を抑制するため、低速方向のアパーチャを減らして光学スループットを増加させるために使用されてもよい。ＣＣＤアレイ９０は光の高速軸プロファイルをソースコントローラ９４に提供して、これはラインビーム２６がウェーハ２２上に適切に焦点を合わせられているか否か、あるいはビームソース２０とウェーハ間の分離が大きすぎるか小さすぎるかを判断する。したがって、ソースコントローラ９４によって、ビームソース２０が図１の構台構造において搭載されているＺ軸ステージ９６は、良好な焦点のためにウェーハに向かって、またはこれから離してビームソース２０を移動させる。ウェーハ２２はＺ軸ステージにサポート可能であるため、ビームソース２０に向かってまたはこれから離して移動可能であり、そうでなければＺ軸に沿って静止していることが当然理解されるべきである。
【００２１】
[0029]高速軸に沿った光の環状分布は、反射平面、つまりウェーハ２２の場所に関する情報を含有している。ＣＣＤアレイ９０における理想的な（焦点が合った）高速軸光分布またはプロファイルのモデルは、想定された焦点が外れた位置の高速軸分布として判断される。リターンまたは反射光分布は最良のモデルにフィットし、これによって焦点条件が判断される。名目上の最良の焦点は、すべての光が、レーザバー３２からウェーハに最初に向けられた光のソースアパーチャと同じ、（ＣＣＤアレイ９０において）高速軸に沿ったアパーチャサイズに戻る条件である。
【００２２】
[0030]図８は、光学部品６２、６４、６６、８０が実質的にコリメートされたレーザ放射１００をウェーハ２２上のラインビームに焦点を合わせる、高速軸に沿った名目上最良の焦点を示している。アウトラインはさらに、中心軸１０６の周りに配列されたビームの周辺の光線に対する入射経路１０２および反射経路１０４を示している。しかしながら、ウェーハ２２が光学部品に対して近すぎると、図９に図示されているように、反射経路１０４ｂは中心軸１０６により近くなり、より狭いコリメートリターンビームを生成する。他方で、ウェーハ２２が光学部品から離れすぎていると、図１０に図示されているように、リターン経路１０４ｃはさらに中心軸１０６から離れ、より幅広いコリメートリターンビームを生成する。入射光線が、高速軸プロファイルを提供するために中心軸１０６の各側から追跡される必要があることが理解される。
【００２３】
[0031]より複雑なシミュレーションが、図１１の名目上最良の焦点の条件、図１２のソースに非常に近いウェーハの条件、および図１３のソースからは非常に離れているウェーハの条件についてＰＭＵＸ付近のコリメートソースビーム１１０およびコリメートリターンビーム１１２を示している。図１４のグラフのライン１１４は、名目上最良の焦点の高速軸強度プロファイルを示しており、ライン１１６がソースから非常に離れている５００ミクロンのウェーハの条件を示している。
【００２４】
[0032]ラインビームの走査を必要としない本発明のいくつかのより基本的な態様においては、高速および低速軸は単に直交する第１の軸および第２の軸として理解されることが可能である点が理解される。高速および低速軸は、光学部品が主要な光軸をリダイレクトすると絶対的空間を変化させることがある点も理解される。
【００２５】
[0033]レーザビームの焦点を合わせる際に、いくつかの代替実施形態においては、光学ソース２０の他のコンポーネント（例えば、レンズ６２、６４、６６、８０およびホモゲナイザー７０）が基板２２に対して移動されるならばレーザ３２を基板２２に対して移動させたり、レーザ３２を光学ソース２０内に含めたりすることも必要ない場合がある。
【００２６】
[0034]インタリーバ４２または偏光マルチプレクサ５２のどちらかはなしで、あるいはこれら両方ともなしで本発明を実施可能である。考えられる一例として、反射表面５４、５６に類似の（あるいはこれらのうちの１つに類似の）光学要素が本発明を実施するのに用いられてもよく、この要素は偏光マルチプレクサの一部ではない。本発明は好ましい実施形態を具体的に参照して詳細に説明されてきたが、この変形および修正が本発明の主旨および範囲から逸脱することなくなされてもよいことが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明で用いられる熱流束レーザアニーリング装置の正投影図である。
【図２】図１の装置の光学コンポーネントの異なる視点からの正投影図である。
【図３】図１の装置の光学コンポーネントの異なる視点からの正投影図である。
【図４】図１の装置の半導体レーザアレイの一部の端面図である。
【図５】図１の装置の均質化光パイプの正投影図である。
【図６】好ましい実施形態の概略図である。
【図７】図６の実施形態の正投影図である。
【図８】焦点が合った光学部品／基板間距離に対応する図７の装置の光線追跡の図である。
【図９】非常に近い光学部品／基板間距離に対応する図７の装置の光線追跡の図である。
【図１０】非常に離れている光学部品／基板間距離に対応する図７の装置の光線追跡の図である。
【図１１】焦点が合った光学部品／基板間距離についての、高速軸に沿った入射かつ反射光ビームのグラフィック図である。
【図１２】非常に近い光学部品／基板間距離についての、高速軸に沿った入射かつ反射光ビームのグラフィック図である。
【図１３】非常に離れた光学部品／基板間距離についての、高速軸に沿った入射かつ反射光ビームのグラフィック図である。
【図１４】２つの異なる光学部品／基板間距離についての名目上最良の焦点高速軸光強度プロファイルのグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008520004.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008520004.tif 000013
【図１２】
2008520004.tif 000014
【図１３】
2008520004.tif 000015
【図１４】
2008520004.tif 000016
【国際調査報告】
2008520004.tif 000017
2008520004.tif 000018