(57)【要約】【課題】  基板の特定の表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置し得る方法を提供する。【解決手段】  本発明は、パターン化されてない金属酸化物表面またはパターン化された金属酸化物表面上に形成された自己形成の単分子層が、カーボン・ナノチューブを含む拡散液からカーボン・ナノチューブを引き付けるかまたは撥ね付けるために使用される方法を提供する。本発明によれば、カーボン・ナノチューブは、金属酸化物表面に付着するように自己形成の単分子層に引き付けられるか、または自己形成の単分子層がその自己形成の単分子層を含む金属酸化物表面以外の所定表面に結合することによって撥ね付けられる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置する方法であって、
基板の金属酸化物の上側表面に自己形成の単分子層を選択的に配置するステップと、
拡散液から、前記自己形成の単分子層上にまたは前記自己形成の単分子層を含まない前記基板の表面上に、カーボン・ナノチューブを付着するステップと、
前記基板から余分なカーボン・ナノチューブを取り除くステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記基板はパターン化されてない金属酸化物から構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記自己形成の単分子層を選択的に配置するステップは、前記自己形成の単分子層のパターンを含むスタンプを提供するステップおよび前記自己形成の単分子層のパターンを前記金属酸化物に転写するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記自己形成の単分子層は構造式Ｒ−ＰＯ３Ｈ２を有するホスホン酸（該構造式において、Ｒは１乃至約２２個の炭素分子を含むアルキル基であるか、または１乃至１２個の環を含む芳香族化合物もしくは複素環式芳香族化合物である）、あるいは一般構造式Ｒ１−ＣＯＮＨＯＨのヒドロキサム酸（該構造式において、Ｒ１は１乃至２２個の炭素分子を含むアルキル基であるか、または１乃至１２個の環を含む芳香族化合物もしくは複素環式芳香族化合物である）を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記単分子層がホスホン酸を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ホスホン酸がヘキサデシルホスホン酸である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記単分子層がヒドロキサム酸を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記ヒドロキサム酸がヘキサデシルヒドロキサム酸である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記カーボン・ナノチューブを付着するステップは、前記自己形成の単分子層によってスタンプされない前記金属酸化物の領域上で生じる、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記カーボン・ナノチューブを付着するステップは、前記カーボン・ナノチューブを含む拡散液を使用して行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記拡散液は有機溶剤または水性溶媒および界面活性剤を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属酸化物の上側表面は、前記基板上に設けられたパターン化された金属酸化物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記自己形成の単分子層を選択的に配置するステップは、自己形成の単分子層前駆体を含む溶液を使用して行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記自己形成の単分子層前駆体は構造式Ｒ−ＰＯ３Ｈ２を有するホスホン酸（該構造式において、Ｒは１乃至約２２個の炭素分子を含むアルキル基であるか、または１乃至１２個の環を含む芳香族化合物もしくは複素環式芳香族化合物である）、あるいは一般構造式Ｒ１−ＣＯＮＨＯＨのヒドロキサム酸（該構造式において、Ｒ１は１乃至２２個の炭素分子を含むアルキル基であるか、または１乃至１２個の環を含む芳香族化合物もしくは複素環式芳香族化合物である）を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記単分子層前駆体はホスホン酸を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ホスホン酸はヘキサデシルホスホン酸である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記単分子層前駆体はヒドロキサム酸を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記ヒドロキサム酸はヘキサデシルヒドロキサム酸である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記カーボン・ナノチューブを付着するステップは、前記自己形成の単分子層を含まない前記基板の領域上で生じる、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記カーボン・ナノチューブを付着するステップは、前記カーボン・ナノチューブを含む拡散液を使用して行われる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記拡散液は有機溶剤または水性溶媒および界面活性剤を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記自己形成の単分子層前駆体は構造式Ｘ−Ｒ２−Ｚの化合物（該構造式において、Ｘはホスホン酸基またはヒドロキサム酸基であり、Ｚは−ＮＨ２、ＮＨＮＨ２、−ＯＮＨ２、−ＯＮＨＯＨ、または−Ａｒ−Ｎ＋であり、Ｒ２は１乃至２２個の−（ＣＨ２）ｎ部分を含む直鎖アルキル（ｎは３乃至２１である）、（ＣＨ２Ｏ）ｘのようなのアルコキシ基（ｘは３乃至２１である）、１乃至６個のフェニル基、ピリジル基、もしくはチエニル基を含むアリール基、または混合アルキル・アリール基である）を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記化合物はアミノブチルホスホン酸（ＡＢＰＡ）である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記カーボン・ナノチューブを付着するステップは前記自己形成の単分子層の表面において生じる、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記カーボン・ナノチューブを付着するステップは、前記カーボン・ナノチューブを含む拡散液を使用して行われる、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記拡散液は有機溶剤または水性溶媒および界面活性剤を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記自己形成の単分子層がシラン化表面を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
所定の表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置する方法であって、
マイクロコンタクト・プリンティングを使って、前記自己形成の単分子層を含むパターン化されたスタンプから金属酸化物上に自己形成の単分子層を選択的に配置するステップと、
拡散液から、前記自己形成の単分子層を含まない前記基板上に、カーボン・ナノチューブを付着するステップと、
前記基板から余分なカーボン・ナノチューブを取り除くステップと
を含む、方法。
【請求項２９】
所定の表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置する方法であって、
基板の表面を露出する少なくとも１つの開口部を含むパターン化された金属酸化物上に自己形成の単分子層を選択的に配置するステップと、
拡散液から、前記自己形成の単分子層上にまたは前記自己形成の単分子層を含まない前記基板の表面上に、カーボン・ナノチューブを付着するステップと、
前記基板から余分なカーボン・ナノチューブを取り除くステップと
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、特定の表面におけるカーボン・ナノチューブの選択的配置に関するものである。詳しく云えば、本発明は、特定の表面上に形成された自己形成の単分子層を使用して、カーボン・ナノチューブを含む拡散液からカーボン・ナノチューブを引き付けるかまたは撥ね付けるための方法を提供する。更に、本発明は、カーボン・ナノチューブ（ＣＮＴ）の選択的配置のために酸化物表面におけるホスホン酸の自己形成の単分子層を使用することに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
分子エレクトロニクスの分野において、幾つかの材料が、数オングストロームの直径を有する中空円筒状のグラファイトを含むカーボン・ナノチューブと同じ程度に有望であることを示している。ナノチューブは、そのナノチューブの特性次第で、例えば、ダイオードおよびトランジスタのような電子装置において具現化することが可能である。ナノチューブは、そのサイズ、形状、および物理的特性に関して独得である。例えば、炭素ベースのナノチューブは円筒形に丸められた炭素の六角格子に類似している。
【０００３】
ナノチューブは、室温で興味ある量子力学的振る舞いを示すことに加えて、少なくとも２つの重要な特性を示す。即ち、ナノチューブはそのキラリティ次第で、即ち、配座形状次第で金属的であったり、半導体的であったりし得る。金属ナノチューブは、一定の抵抗率を有する極めて大きい電流密度を保つことが可能である。半導体的ナノチューブは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のように電気的にスイッチ・オンまたはスイッチ・オフされ得る。一般に、半導体的カーボン・ナノチューブは、ＦＥＴにおける「チャネル」として使用することが可能である。その２つのタイプを共有結合（電子共用）することも可能である。これらの特性は、ナノチューブが、ナノメータ・サイズの半導体回路を作るための優れた材料であることを示唆している。
【０００４】
カーボン・ナノチューブＦＥＴを製造する最も一般的な従来技術は、液体懸濁液から酸化物薄膜上にナノチューブを付着することによって始まる。しかる後、ソースおよびドレイン接点が、ナノチューブ上にリソグラフィ的に形成される。酸化物層はゲート誘電体であり、バルク・シリコンが装置をバック・ゲートする。例えば、図１には、代表的な従来技術のカーボン・ナノチューブＦＥＴの概略図が示される。
【０００５】
単一のカーボン・ナノチューブＥＦＴを構成するための従来技術では、酸化物表面におけるカーボン・ナノチューブの付着に続いて、ソースおよびドレイン接点のリソグラフィ的パターン化がうまく使用されていた。しかし、ナノチューブからの集積回路の製造は、表面上に多数のカーボン・ナノチューブを正確に配置および整列させる（例えば、ソースおよびドレイン接点を橋渡しする）ことを必要とする。Microelectronic Engineering 誌の 61-62(2002), pp.491-496 おける E.Valentin 氏他による「High-density selective placement methods for carbon nanotubes」と題した論文はＳｉＯ２表面におけるカーボン・ナノチューブの接着がアミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＰＴＳ）を使用して改良される方法を開示している。この従来技術では、ＡＰＴＳは、カーボン・ナノチューブを選択的に配置するために使われるシラン化処理された表面をＳｉＯ２上に形成するために使用される。
【０００６】
当業者には知られているように、ＳｉＯ２および非金属の他の酸化物は、水と結合すると酸を形成する酸性酸化物である。そのような酸化物は、低い等電点を有することで知られている。用語「等電点」は、酸化物分子における実効電荷がゼロであるｐＨを示すために本明細書を通して使用される。
【０００７】
前記 E. Valentin 氏他による論文において開示された従来技術のプロセスに関する欠点は、トリアルコキシシレーンが溶液内で重合を受け、水分を除外する制御条件の下で自己形成が行われなければならないということである。更に、ＡＰＴＳは、通常のポリ（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）スタンプを使用してコンタクト・プリンティングで印刷することができない。それは、ＡＰＴＳために使用される溶剤がそのようなスタンプを膨張させて破壊することがあるためである。
【０００８】
上記の点から見て、ＡＰＴＳが使用される従来技術で開示された選択的配置プロセスに関する欠点を回避してカーボン・ナノチューブを選択的に配置し得る方法の提供を求める要求が存在する。
【非特許文献１】MicroelectronicEngineering 誌の 61-62(2002), pp.491-496 おける E. Valentin 氏他による「High-densityselective placement methods for carbon nanotubes」と題した論文。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、上記の従来技術のＡＰＴＳ選択的配置プロセスに関する問題点を回避してカーボン・ナノチューブを選択的に所定表面上に配置し得る方法を提供することにある。特に、本発明は、（パターン化された、またはパターン化されてない）金属酸化物表面上に形成された自己形成の単分子層が、それを含む分散からカーボン・ナノチューブを引き付けるかまたは撥ね付けるために使用される方法を提供する。本発明によれば、カーボン・ナノチューブは、金属酸化物表面に付着されるように自己形成の単分子層に引き付けられるか、または自己形成の単分子層が、その単分子層を含む金属酸化物表面以外の所定表面に結合することによって撥ね付けられる。本発明の方法は、上述の従来技術の場合のようにカーボン・ナノチューブを形成するためのシラン化された表面の形成を含まない。その代わり、非シラン化された自己形成の単分子層を形成するために、非シリル化単分子層前駆体が使用される。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
概して云えば、本発明の方法は、基板の上部金属酸化物表面の上に自己形成の単分子層を選択的に配置するステップと、拡散液から、前記自己形成の単分子層上にまたは前記自己形成の単分子層を含まない前記基板の表面上に、カーボン・ナノチューブを付着するステップと、前記基板から余分なカーボン・ナノチューブを取り除くステップとを含む。
【００１１】
本発明の基板は、金属酸化物基板、またはパターン化された金属酸化物層を含むＳｉＯ２のような非金属酸化物基板を含み得る。本発明において使用される自己形成の単分子層は、典型的には、例えば、金属酸化物表面に結合されるホスホン基（−ＰＯ３Ｈ２）を少なくとも含む有機ホスホン酸のようなシリル基を含まない単分子層前駆体を含む。これらの前駆体を使用して形成された単分子層は選択的なカーボン・ナノチューブ配置のためのシラン化表面を含まない。本発明は、有機ホスホン酸の他に、単分子層前駆体のような有機ヒドロキサム酸の使用も意図する。「自己形成の単分子層前駆体」という用語は、特定の表面への静電結合または共有結合によって高度にパックされた単分子層をその特定の表面上に形成することができる化合物を指すために、本明細書全体を通して使用される。
【００１２】
本発明の一実施例は、所定の領域が自己形成の単分子層によって被覆されないような方法（例えば、マイクロコンタクト・プリンティング）で金属酸化物基板を自己形成の単分子層でもって事前パターン化することによるカーボン・ナノチューブの選択的配置に関するものである。その後、カーボン・ナノチューブは、溶液からの浸漬またはドロップ・キャスティングを通して付着することによって所定の領域に形成される。
【００１３】
本発明のもう１つの実施例は、基板の所定領域を自己形成の単分子層でもって選択的に覆うこと、および、その後、基板をカーボン・ナノチューブの拡散液に浸漬することによって、基板の所定領域における金属酸化物の表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置するものである。この場合、カーボン・ナノチューブは、自己形成の単分子層が存在する領域にだけ形成される。本発明の更なる実施例は、シリコン酸化物のような酸性酸化物基板の所定表面が露出されるようにアルミニウム酸化物またはハフニウム酸化物のような金属酸化物でもってその基板の表面を事前パターン化することである。そこで、基板は、自己形成の単分子層を形成することができる溶液に浸漬され、その際、自己形成の単分子層は金属酸化物上にだけ形成される。カーボン・ナノチューブの溶液付着は、基板の所定（シリコン酸化物）領域におけるカーボン・ナノチューブの配置という結果を生じさせる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に、カーボン・ナノチューブに関する選択的配置方法を提供する本発明を、本願に添付された図面を参照することによって更に詳細に説明する。本発明の種々の処理実施例を示す断面図は説明目的で提供され、従って正確な縮尺で描かれてはいないことに留意されたい。
【００１５】
上述のように、本発明は、基板の所定表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置し得る方法を提供する。特に、本発明は、パターン化されてない金属酸化物表面またはパターン化された金属酸化物表面上に形成された自己形成の単分子層が、カーボン・ナノチューブを含む拡散液からカーボン・ナノチューブを引き付けるかまたは撥ね付けるために使用される方法を提供する。本発明によれば、カーボン・ナノチューブは、金属酸化物表面に付着するように自己形成の単分子層に引き付けられるか、または自己形成の単分子層がその自己形成の単分子層を含む金属酸化物表面以外の所定表面に結合することによって撥ね付けられる。
【００１６】
「カーボン・ナノチューブ」という用語は、ナノメータ・サイズの直径およびそれよりも遥かに長い長さを有する空洞を有する一次元のナノ材料を含むものとして本明細書全体を通して使用される。換言すれば、カーボン・ナノチューブは高い縦横比を有し、量子効果がこれらのシステムにとって重要となる。本発明において使用することが可能なナノチューブは、シングル・ウォール付きまたはマルチ・ウォール付きナノ材料であり、それらは、典型的には、約０.８nm 乃至約３０nm の外径を有し、約１.０nm 乃至約２.５nm の外径が更に典型的であり、また、典型的には、約５nm 乃至約１００μmの長さを有し、約１０nm 乃至約１０μm の長さが更に典型的である。本発明において使用することが可能なナノチューブは、上記のような外径を有することに加えて、典型的には、約０.８nm乃至約１５nm の内径を有し、約０.８nm 乃至約２.５nm の内径が更に典型的である。本発明において有用なナノチューブは、更に、典型的には、約５またはそれ以上の縦横比を有し、約５乃至約５０００の縦横比が更に典型的である。
【００１７】
形成されたナノチューブは、丸められた六角格子構造を有する炭素ベースのナノ材料を含む。
【００１８】
本発明において使用されるカーボン・ナノチューブは、当業者には周知の技術を使用して作られる。例えば、カーボン・ナノチューブは、レーザ・アブレーションや、一酸化炭素、メタン、およびエタノールのような化学蒸着法（ＣＶＤ）や、電気放電によって形成することが可能である。
【００１９】
先ず、本発明の一実施例を示す図２乃至図４を参照する。図示の実施例では、カーボン・ナノチューブの選択的配置のためのマイクロプリンティング方式が使用される。特に、自己形成の単分子層１２を含むスタンプ１４が、そのスタンプから金属酸化物１０にその自己形成の単分子層を転写するために使用されるマイクロコンタクト・プリンティングを使って、金属酸化物１０が自己形成の単分子層によりパターン化される。図２は、カーボン・ナノチューブ１２を含むスタンプ１４が設けられ、元素の周期律表におけるIVＢ、VＢ、VIＢ、VIIＢ、VIII、またはIIＡ族（ＣＡＳ版）からの少なくとも１つの金属を含む金属酸化物と接触させられる。例示的には、金属酸化物は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、またはＺｒＯ２を含んでもよい。金属酸化物１０は別の誘電体材料または半導体材料の上に設けられてもよい。
【００２０】
スタンプ１４は、カーボン・ナノチューブ１２にインク付着され得る一般的なスタンプ材料から成るパターン化された構造である。典型的には、スタンプ１４はポリ（ジメチルシロキサン）、即ち、ＰＤＭＳから成る。マイクロプリンティング分野の当業者には周知の技術を使用して、凹んだ自己形成の単分子層１２を有するスタンプ１４が作られる。
【００２１】
通常のインキ付着プロセスを使用して、自己形成の単分子層１２がスタンプ１４に塗布される。典型的には、スタンプ１４は、下記のことが可能な単分子層前駆体でよってインキ付着される。
（１）スタンプの表面上に自己形成の単分子層１２を形成する。
（２）基本酸化物、例えば、高い等電点をもつ金属酸化物との結合を形成する。
（３）カーボン・ナノチューブを含む表面へのカーボン・ナノチューブの接着を撥ね付ける。
例示的には、上記基準（１）〜（３）を満たす１つの前駆体材料が、構造式Ｒ−ＰＯ３Ｈ２を有するホスホン酸を含む。なお、Ｒは、１乃至約２２個の炭素原子、望ましくは、１乃至約１６個までの炭素原子を含むアルキル基であるか、または、Ｒは、１乃至１２個の環、望ましくは、３乃至６個の環を含む芳香族化合物または複素環式芳香族化合物である。複素環式芳香族化合物は、ヘテロ原子として窒素、硫黄、酸素の１つ、またはそれらの結合体を含むことが可能である。芳香族化合物または複素環式芳香族化合物は、場合によっては、１乃至約２２個の炭素原子を含むアルキル（直鎖または分鎖）でもって代用し得る。更に典型的には、自己形成の単分子層１２は、例えば、ヘキサデシルホスホン酸のようなアルキルホスホン酸から成る。
【００２２】
基準（１）〜（３）を満たすもう１つの前駆体は、一般式Ｒ１−ＣＯＮＨＯＨのヒドロキサム酸を含む。なお、Ｒ１は、１乃至約２２個の炭素原子、望ましくは、１乃至約１６個の炭素原子を含むアルキル基であるか、または１乃至１２個の環、望ましくは、３乃至６個の環を含む芳香族化合物または複素環式芳香族化合物である。複素環式芳香族化合物は、ヘテロ原子として窒素、硫黄、酸素の１つ、またはそれらの結合体を含むことが可能である。芳香族化合物または複素環式芳香族化合物は、場合によっては、１乃至約２２個の炭素原子を含むアルキル（直鎖または分鎖）でもって代用し得る。更に典型的には、自己形成の単分子層１２は、例えば、ヘキサデシルヒドロキサム酸のようなアルキルヒドロキサム酸から成る。
【００２３】
本発明は、カーボン・ナノチューブの選択的配置に関する前述の E.Valentin の論文に開示されているようなシリル化化学を使用することを意図するものではないことに留意されたい。
【００２４】
自己形成の単分子層１２は、前述の自己形成の単分子層前駆体の１つを含む溶液をスタンプ１４上に塗布、即ち、インキ付着することによってスタンプ１４上に形成される。溶液は、典型的には、前記単分子層を形成することができる十分な濃度の自己形成の単分子層前駆体を含む。典型的には、約０.５乃至約５０mM、望ましくは、約１乃至約１０mM の前記自己形成の単分子層前駆体がその溶液に存在する。溶液は、少なくとも自己形成の単分子層前駆体を溶解することができる溶剤を含む。その溶剤は、例えば、イソプロピル・アルコールのようなアルコールを含むことも可能である。自己形成の単分子層前駆体を溶解するために使用することができる他の溶剤は、ヘキサン、トルエン、塩素化炭化水素、およびエーテルを含む。図２に示されるインキ付着されたスタンプは、典型的には、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、またはＮ２のような不活性ガス流によって乾かされる。
【００２５】
自己形成の単分子層前駆体でもってスタンプ１４をインキ付着した後、スタンプ１４は金属酸化物１０と密接に接触させられる。即ち、酸化物表面がパターン、例えば、自己形成の単分子層１２を転写するようにスタンプを圧接される。パターンがスタンプ１４から金属酸化物１０に転写されてしまった後に形成される構造が図３に示される。次に、自己形成の単分子層１２’を含む金属酸化物１０は、自己形成の単分子層１２’を乾かすことができる条件の下で加熱される。典型的には、加熱は約１分乃至５分の期間の間、約８０℃乃至約１２０℃の温度で行われる。更に典型的には、この加熱は約２分間、約１１０℃の温度で行われる。
【００２６】
図４は、溶剤におけるカーボン・ナノチューブ１８の拡散液１７が図３に示された構造に塗布される次の処理ステップを示す。カーボン・ナノチューブ１８の拡散液１７はその分野では周知の技術を使用して準備される。典型的には、カーボン・ナノチューブ１８の拡散液１７は、有機溶媒（例えば、ジクロロエチレン、Ｎメチルピロリドン、またはジクロロメタンのような）における、または約０.１乃至１％の界面活性剤を含む水溶液におけるカーボン・ナノチューブの超音波分解によって準備される。カーボン・ナノチューブの水性拡散液を準備する場合に使用し得る界面活性剤の例は、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム塩（ＤＤＳ）およびトリトンＮ−１００またはトリトンＸ−１００のようなポリ（オキシエチレン）−置換芳香族化合物を含む。
【００２７】
本発明の実施例の図５に示されるように、カーボン・ナノチューブ１８は自己形成の単分子層１２’によって撥ね付けられ、自己形成の単分子層１２’を含まない金属酸化物１０の表面上に付着される。自己形成の単分子層１２’を含まない金属酸化物１０の表面におけるカーボン・ナノチューブ１８の付着の後、金属酸化物１０に結合されないカーボン・ナノチューブを溶解することができるジクロロエチレンのような有機溶剤でもってその構造体を洗浄することにより、いずれの余分なカーボン・ナノチューブも除去される。前にスタンプされた領域上のいずれのＣＮＴも除去するためには、そのサンプルを静かにかき混ぜることも可能である。上記の処理方式は、スタンプされなかった基板１０の領域におけるカーボン・ナノチューブ１８の付着を導く。下記の例１および図６が本発明のこの実施例に対応する。
【００２８】
カーボン・ナノチューブの付着に続いて、リソグラフィおよび金属付着を含む分野では周知の標準的な技術を使用してデバイス製造を行うことが可能である。
【００２９】
本発明の第２の方法は自己形成の単分子層前駆体を金属酸化物に選択的に結合することを利用する。図７〜図１２に示される本発明のこの実施例は、標準的なＳｉＯ２誘電体層上のカーボン・ナノチューブＦＥＴ製造を可能にする。特に、この実施例は、ＳｉＯ２のような酸性酸化物を含む基板２０または他と任意の非基本酸化物基板を向けることによって開始する。これが図７に示される。次に、図８に示されるように、少なくとも１つの開口部２３を有するパターン化された基本酸化物２２、即ち、金属酸化物が基板２０の表面上に形成される。そのパターン化された基本酸化物は、例えば、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、蒸着、溶液付着、メタルオルガノ付着、または原子層付着のような通常の付着プロセスによって形成される。基本酸化物層の厚さは本発明にとって重要ではない。付着後、下にある基板２０を露出させる少なくとも１つの開口部を基本酸化物層に設けるために、標準的なリソグラフィが使用される。それとは別に、パターン化された基本酸化物２２（下記のパターン化された金属酸化物２２）が、金属酸化物の付着時に、パターン化されたマスクを使って形成されてもよい。
【００３０】
図９および図１０は、それぞれ、パターン化された基本酸化物２２の表面における自己形成の単分子層１２’の形成中および形成後の構造を示す。特に、図９は自己形成の単分子層前駆体１２を含む溶液２１の塗布中の構造を示す。自己形成の単分子層前駆体および溶剤を含む溶液２１は、スタンプをインキ付けするための本発明の第１実施例において説明したものと同じである。その塗布は、典型的には、図８の構造体を前記溶液に約２時間乃至約２４時間浸すことによって行われる。この実施例では、図１０に示されるように、自己形成の単分子層１２’が金属酸化物表面２２上にのみ結合し、基板２０の露出した表面上に結合しない。
【００３１】
図１１および図１２は、基板２０の露出した表面におけるカーボン・ナノチューブ１８の形成中および形成後の構造を示す。ナノチューブ拡散が、本発明の第１実施例において説明したように行われる。その結果生じた構造は基板２０の露出した表面上に形成されたカーボン・ナノチューブ１８を含む。下記の例２および図１３が本発明のこの実施例に対応する。
【００３２】
上記の２つの方式は、高度に疎水性の自己形成の単分子層が存在する領域に、カーボン・ナノチューブが結合しない消極的パターン化と考えることもできるということに留意されたい。しかし、自己形成の単分子層は、アミンのようなカーボン・ナノチューブに対して親和性を有する官能性をもった自己形成の単分子層が終端する場合、カーボン・ナノチューブ吸着は妨げられるのではなくむしろ促進される。本発明のこの実施例が図１４〜図１９に示される。本発明のこの実施例は、図１４において示された構造を先ず提供することによって始まる。この構造は酸性酸化物のような非基本酸化物を含む基板２０を含む。次に、図１５に示されるように、少なくとも１つの開口部２３を有するパターン化された金属酸化物２２が、基板２０の表面部分を露出するように基板２０の表面上に形成される。図１５に示されたパターン化された金属酸化物２２の形成は、本発明の第２実施例において上述したものと同じである。図１６および図１７は、自己形成の単分子層前駆体１２を含む溶液２１と接触中および接触後の構造を示す。自己形成の単分子層が疎水性であった前の例とは異なり、この例は、カーボン・ナノチューブを反応させる（引き付ける）ことができる官能性を含む自己形成の単分子層前駆体を使用する。この実施例では、自己形成の単分子層前駆体は、構造式Ｘ−Ｒ２−Ｚの化合物を含む。なお、この構造式において、Ｘはホスホン酸基（−ＰＯ３Ｈ２）またはヒドロキサム酸基（−ＣＯＮＨＯＨ）であり、Ｚは−ＮＨ２、ＮＨＮＨ２、−ＯＮＨ２，−ＯＮＨＯＨ、または−Ａｒ（芳香族化合物）−Ｎ＋であり、Ｒ２は１乃至２２個の−（ＣＨ２）ｎ部分を含む直鎖アルキル（この場合、ｎは３乃至２１である）、（ＣＨ２Ｏ）ｘのようなアルコキシ基（この場合、ｘは３乃至２１である）、１乃至６個のフェニル基、ピリジル基、またはチエニル基を含むのアリール基、あるいは混合アルキル・アリール基である。本発明のこの実施例のための望ましい前駆体はアミノブチルホスホン酸（ＡＢＰＡ）のようなアミノアルキルホスホン酸である。自己形成の単分子層前駆体を含む溶液１７は、第２実施例において説明した溶剤を含み、それは前述のように塗布される。
【００３３】
図１８および図１９は、基板２０の露出した表面におけるカーボン・ナノチューブ１８の形成中および形成後の構造を示す。ナノチューブの拡散は、本発明の第１実施例において説明したように行われる。その結果生じた構造は、自己形成の単分子層１２’の表面上に形成されたカーボン・ナノチューブを含む。この実施例では、カーボン・ナノチューブは、それらが反応するかまたは自己形成の単分子層１２’に引き付けられるので、基板２０の露出した表面には形成されない。下記の例３および図７が本発明のこの実施例に対応する。
【００３４】
以下の例は、カーボン・ナノチューブを選択的に配置するための本発明の種々の処理方式を示すために提供される。
【００３５】
例１：
シリコン・ウエハが真空蒸着によって１００nm のハフニウム酸化物によって覆われた。事前パターン化フィーチャ（くぼみ）を有するポリ（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）スタンプがイソプロピル・アルコールにおけるヘキサデシルホスホン酸の５mM溶液に浸され、窒素流によって乾かれた。次にＰＤＭＳスタンプが、ハフニウム酸化物の表面を有する基板に押し当てられて数秒間保持され、しかる後、１００℃で１分間加熱された。次に、そのスタンプされた基板がジクロロエチレン内のカーボン・ナノチューブの拡散液でもって覆われ、窒素流の下で乾かされた。次に、基板がジクロロエチレン内に浸され、スタンプされた領域におけるいずれのカーボン・ナノチューブも除去するために静かに攪拌された。このプロセスは、図６に示されたように、スタンプされなかった（ハフニウム酸化物表面を露出した）基板の領域のみにおけるカーボン・ナノチューブの付着を導く。スタンプされた領域におけるナノチューブ形成は観察されなかった。
【００３６】
例２：
表面上に１００nm のシリコン酸化物を有するシリコン・ウエハがシャドウ・マスクを通した蒸着によって１０nmのアルミニウム酸化物でもってパターン化された。次に、基板がエタノールにおけるヘキサデシルホスホン酸の５mM 溶液に浸漬された。２時間後、基板が溶液から取り出され、エタノールでもって洗浄され、１００℃で１分間乾かされた。ジクロロエチレン内のカーボン・ナノチューブの拡散液が基板上に付着され、窒素流の下で乾かされた。次に、基板が溶剤でもって洗浄され、室温で乾かされた。この例では、図１３に示されるように、露出したシリコン酸化物表面上にカーボン・ナノチューブが付着された。この例では、カーボン・ナノチューブが、清浄されたＳｉＯ２表面に接着し、処理されたＡｌ２Ｏ３には接着しなかった。
【００３７】
例３：
基板上に１００nm のシリコン酸化物を有するシリコン・ウエハが標準的なリソグラフィを介して９nmのアルミニウム層でもってパターン化された。そこで、アルミニウム層は酸素プラズマで酸化された。このサンプルが低濃度（４mM のエタノール）の４−アミノブチルホスホン酸（ＡＢＰＡ）溶液内に数日間入れられた。ＡＢＰＡはＡｌ２Ｏ３のみに結合し、ＳｉＯ２には結合しない。そこで、サンプルが界面活性剤トリトン−Ｘおよび水の中にカーボン・ナノチューブを入れられた懸濁液に４時間入れられた。基板が溶液から取り出され、余分な溶剤を洗浄された。基板を検査すると、ＡＢＰＡが結合した領域、即ち、Ａｌ２Ｏ３のパターン化ライン（図２０）においてカーボン・ナノチューブが主として見られた。周囲のＳｉＯ２は、非常に低い密度のカーボン・ナノチューブまたはアモルファス・カーボンを示した。
【００３８】
本発明の好適な実施例に関して本発明を詳細に示し且つ説明したが、本発明の主旨および範囲を逸脱することなく、形式および細部における前述およびその他の変更を施し得ることは当業者には明らかであろう。従って、それは、本発明が、説明および図示された形式および細部に限定されず、「特許請求の範囲」における記載の範囲にあることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来技術のバック・ゲート型電界効果トランジスタを表わす概略図（断面図）である。
【図２】カーボン・ナノチューブを選択的に配置するためにマイクロプリンティング方式を使用する本発明の第１実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図３】本発明の上記第１実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図４】本発明の上記第１実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図５】本発明の上記第１実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図６】図２〜図５に示された技術を使用してナノチューブ付着に続いてＨＤＰＡをスタンプされた５.３nm 厚のＨｆＯ２表面のＳＥＭイメージを示す図である。
【図７】カーボン・ナノチューブを選択的に配置するために基板パターン化方式を使用する本発明の第２実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図８】本発明の上記第２実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図９】本発明の上記第２実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１０】本発明の上記第２実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１１】本発明の上記第２実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１２】本発明の上記第２実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１３】図７〜図１２に示された方式を使用して作成されたＳｉＯ２上のパターン化されたＡｌ２Ｏ３ラインのＳＥＭイメージを示す図である。
【図１４】図７〜図１２に示されたような未処理の表面の代わりに処理済の表面にカーボン・ナノチューブが引き付けられることを除けば、第２実施例と同様の本発明の第３実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１５】本発明の上記第３実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１６】本発明の上記第３実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１７】本発明の上記第３実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１８】本発明の上記第３実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図１９】本発明の上記第３実施例の一部を示す概略図（側断面図）である。
【図２０】図１４乃至図１９に示された方式を使用してＳｉＯ２上のパターン化されたＡｌ２Ｏ３ラインの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）イメージを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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