(57)【要約】【解決手段】ＭＥＭＳディスプレイ素子をアクチュエートする装置及び方法。実施形態は、ビデオデータのフレームを表示する素子を制御する装置である。アレイ（３０）を備える素子は、素子を第１のディスプレイ状態にするため、フレームディスプレイ書込処理の第１の部分（１００）の間、素子に電位差をアサートし、素子を第２のディスプレイ状態にしてビデオデータのフレームを表示するために、フレームディスプレイ書込処理の第２の部分（１０１）の間、素子上に電位差をアサートするアレイコントローラ（２２）を含む。第１のディスプレイ状態は、第２のディスプレイ状態とは異なる。別の実施形態では、アレイコントローラ（２２）は、電荷蓄積及びオフセット電圧レベルに対して影響を与える素子に大きな電位差をアサートする。別の実施形態では、アレイコントローラ（２２）は、素子の動作に影響を与える逆境条件に打ち勝つため状態間で素子を迅速に切り替えるためパルスをアサートする。【選択図】      図１１Ｂ
2008515002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＭＥＭＳディスプレイ素子と、
アレイコントローラとを備え、
前記アレイコントローラは、イメージデータ書込み処理の第１の部分の間、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかに対して、第１のディスプレイ状態に対応する第１の電位を印加し、前記イメージデータ書込み処理の第２の部分の間、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかに対して、第２の異なるディスプレイ状態に対応する第２の電位を印加し、
前記イメージデータのうちの少なくとも一部は、前記第２の状態である前記ＭＥＭＳディスプレイ素子によって表示されるディスプレイ装置。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかは、１又は複数の干渉変調器を備える請求項１の装置。
【請求項３】
前記第１のディスプレイ状態は、前記第２のディスプレイ状態の反対の状態である請求項１の装置。
【請求項４】
前記第１のディスプレイ状態が弛緩され、前記第２のディスプレイ状態がアクチュエートされる請求項３の装置。
【請求項５】
前記第１のディスプレイ状態がアクチュエートされ、前記第２のディスプレイ状態が弛緩される請求項３の装置。
【請求項６】
前記アレイコントローラは更に、前記データを表示するために、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも１つの列電極に、電圧バイアスをアサートするように構成され、更に、前記ＭＥＭＳデバイス素子のうちの少なくとも幾つかの行電極に、２つの部分を備えた行電圧パルスをアサートするように構成され、
前記行電圧パルスの第１の部分は、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかを、前記第１のディスプレイ状態にし、
前記行電圧パルスの第２の部分は、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかを、前記第２のディスプレイ状態にする請求項１の装置。
【請求項７】
前記イメージデータを処理するように構成され、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかと電気的に通信するプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと
を更に備える請求項１の装置。
【請求項８】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかに少なくとも１つの信号を送るように構成された駆動回路を更に備える請求項７の装置。
【請求項９】
前記駆動回路に前記イメージデータのうちの少なくとも一部を送るように構成されたコントローラを更に備える請求項８の装置。
【請求項１０】
前記プロセッサに前記イメージデータを送るように構成されたイメージソースモジュールを更に備える請求項７の装置。
【請求項１１】
前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを備える請求項１０の装置。
【請求項１２】
入力データを受信し、かつ前記入力データを前記プロセッサに通信するように構成された入力デバイスを更に備える請求項７の装置。
【請求項１３】
それぞれがアクチュエート状態及び弛緩状態を有するＭＥＭＳディスプレイ素子からなるアレイ上に、少なくとも幾つかのイメージデータを表示する方法であって、
前記イメージデータは、弛緩されたディスプレイ素子からなる第１のセットと、アクチュエートされたディスプレイ素子からなる第２のセットとを定義し、
前記方法は、
前記ディスプレイ素子からなる第１のセットにアクチュエート電位を印加することと、
前記ディスプレイ素子からなる第２のセットに弛緩電位を印加することと、
前記ディスプレイ素子からなる第１のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第１のセットに弛緩電位を印加することと、
前記ディスプレイ素子からなる第２のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットにアクチュエート電位を印加することとを含む方法。
【請求項１４】
前記ディスプレイ素子からなる第１のセットへアクチュエート電位を印加することと、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットへ弛緩電位を印加することとは、同時に起こる請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記ディスプレイ素子からなる第１のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第１のセットに弛緩電位を印加することと、前記ディスプレイ素子からなる第２のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットにアクチュエート電位を印加することとは、同時に起こる請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記アレイは、ＭＥＭＳディスプレイ素子の行及び列を含む請求項１３の方法。
【請求項１７】
前記ディスプレイ素子からなる第１のセットと、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットとは、ディスプレイ素子の行の一部を含む請求項１６の方法。
【請求項１８】
複数のＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも１つに、イメージデータのフレームの少なくとも一部を表示する方法であって、
イメージデータ書き込み処理の第１の部分中に、少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を第１のディスプレイ状態にすることと、
前記イメージデータのフレームの前記一部を表示するために、前記イメージデータ書き込み処理の第２の部分中に、少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を第２の異なるディスプレイ状態にすることとを含み、
前記イメージデータのフレームの前記一部は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子が前記第２のディスプレイ状態にある場合に表示される方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子は、干渉変調器を備える請求項１８の方法。
【請求項２０】
前記第１のディスプレイ状態は、前記第２のディスプレイ状態の反対の状態である請求項１８の方法。
【請求項２１】
前記第１のディスプレイ状態はリリースされ、前記第２のディスプレイ状態はアクチュエートされている請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記第１のディスプレイ状態はアクチュエートされ、前記第２のディスプレイ状態はリリースされている請求項２０の方法。
【請求項２３】
前記第１及び第２のディスプレイ状態にすることは、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に接続された列電極上に電圧バイアスをアサートすることと、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に接続された行電極上に、２つの部分を含む行電圧パルスをアサートすることとを含み、
前記行電圧パルスの第１の部分は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を、前記第１のディスプレイ状態にし、前記行電圧パルスの第２の部分は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を、前記第２のディスプレイ状態にする請求項１８の方法。
【請求項２４】
光を変調して、イメージの少なくとも一部を表示する変調手段と、
イメージデータ書き込み処理の第１の部分の間、第１のディスプレイ状態に対応する第１の電位を前記変調手段に印加する手段と、
前記イメージデータ書き込み処理の第２の部分の間、第２のディスプレイ状態に対応する第２の電位を前記変調手段に印加する手段とを備え、
前記イメージの一部は、前記変調手段が前記第２のディスプレイ状態にある場合に表示されるディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記変調手段は、１又は複数のＭＥＭＳディスプレイ素子を備える請求項２４の装置。
【請求項２６】
前記第１の電位を印加する手段は、アレイコントローラを備える請求項２４又は２５の装置。
【請求項２７】
前記第２の電位を印加する手段は、アレイコントローラを備える請求項２４、２５又は２６の装置。
【請求項２８】
ＭＥＭＳディスプレイ素子を操作する方法であって、
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子は、アクチュエーション部及び弛緩部を有するヒステリシス曲線から生じる両安定性を示し、
前記方法は、
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子を組み込んだディスプレイの操作中に、一連のアクチュエーション電圧を前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加することによって前記ヒステリシス曲線のシフトを生成することと、
前記一連のアクチュエーション電圧よりも大きな値を有し、かつ前記ヒステリシス曲線の前記シフトを低減するのに十分である回復電圧を前記ＭＥＭＳディスプレイ素子へ印加することとを含む方法。
【請求項２９】
前記回復電圧は、大振幅負電位が続く大振幅正電位を含む請求項２８の方法。
【請求項３０】
前記回復電圧は、大振幅正電位が続く大振幅負電位を含む請求項２８の方法。
【請求項３１】
前記回復電圧は、大振幅正電位と大振幅負電位との間をトグルするＡＣ波形を含む請求項２８の方法。
【請求項３２】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子は、干渉変調器を備える請求項２８の方法。
【請求項３３】
前記回復電圧は、前記一連のアクチュエーション電位の約１．２５倍より高い電位である請求項２８の方法。
【請求項３４】
前記回復電圧は、前記一連のアクチュエーション電位の約１．５倍より高い電位である請求項２８の方法。
【請求項３５】
前記回復電圧は、前記一連のアクチュエーション電位の約２．０倍より高い電位である請求項２８の方法。
【請求項３６】
前記回復電圧は、蓄積した既存の電荷の反対の極性を持つ請求項２８の方法。
【請求項３７】
前記印加することは、予め定めた時に行なわれる請求項２８の方法。
【請求項３８】
ディスプレイ装置であって、
少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に接続されたアレイコントローラとを備え、
前記アレイコントローラは、１／Ｔより高い周波数でＡＣ電圧信号を、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に印加するように構成され、Ｔは、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間である装置。
【請求項３９】
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子は、干渉変調器を備える請求項３８の装置。
【請求項４０】
前記少なくとも１つの干渉変調器ディスプレイ素子は、定義されたディスプレイ状態において固着し易い可動光変調素子を備える請求項３８の装置。
【請求項４１】
前記ＡＣ電圧信号は、前記少なくとも１つの干渉変調器ディスプレイ素子のアクチュエーション電圧よりも高いピーク電圧振幅を含む請求項３８の装置。
【請求項４２】
前記周波数は、前記少なくとも１つの干渉変調器の共振周波数にほぼ等しい請求項３８の装置。
【請求項４３】
前記周波数は、約１０００Ｈｚよりも大きい請求項３８の装置。
【請求項４４】
前記周波数は約１００ｋＨｚよりも大きい請求項３８の装置。
【請求項４５】
前記周波数は約１ＭＨｚよりも大きい請求項３８の装置。
【請求項４６】
前記ＡＣ電圧信号は、前記ディスプレイの停止処理の間にアサートされる請求項３８の装置。
【請求項４７】
前記ＡＣ電圧は、予め定めた時間において自動的に印加される請求項３８の装置。
【請求項４８】
イメージデータを処理するように構成され、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子と電気的に通信するプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと
を更に備える請求項３８の装置。
【請求項４９】
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に対して少なくとも１つの信号を送るように構成された駆動回路を更に備える請求項４８の装置。
【請求項５０】
前記駆動回路に対して前記イメージデータのうちの少なくとも一部を送るように構成されたコントローラを更に備える請求項４９の装置。
【請求項５１】
前記プロセッサに対して前記イメージデータを送るように構成されたイメージソースモジュールを更に備える請求項４８の装置。
【請求項５２】
前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを備える請求項５１の装置。
【請求項５３】
入力データを受け取り、かつ前記入力データを前記プロセッサへ通信するように構成された入力デバイスを更に備える請求項４８の装置。
【請求項５４】
固着したＭＥＭＳディスプレイ素子を解放する方法であって、
ＡＣ電圧信号を１／Ｔより高い周波数で前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加することを含み、Ｔは、少なくとも１つの前記ＭＥＭＳディスプレイ素子を、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための応答時間である方法。
【請求項５５】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子は、干渉変調器を備える請求項５４の方法。
【請求項５６】
前記ＡＣ電圧は、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のアクチュエーション電圧よりも大きな振幅を備える請求項５４の方法。
【請求項５７】
前記周波数は、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子の共鳴周波数程度である請求項５４の方法。
【請求項５８】
前記周波数は約１０００Ｈｚより大きい請求項５４の方法。
【請求項５９】
前記周波数は約１００ｋＨｚより大きい請求項５４の方法。
【請求項６０】
前記周波数は約１ＭＨｚより大きい請求項５４の方法。
【請求項６１】
光を変調する変調手段と、
前記変調手段に電圧を印加する印加手段とを備え、
前記印加手段は、１／Ｔより高い周波数でＡＣ電圧信号を印加するように構成され、Ｔは、前記変調手段を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間であるディスプレイ装置。
【請求項６２】
前記変調手段は、ディスプレイ状態において固着し易い可動光変調素子を備える１又は複数のＭＥＭＳディスプレイ素子を備える請求項５９の装置。
【請求項６３】
前記印加手段はアレイコントローラを備える請求項６１又は６２の装置。
【請求項６４】
ＭＥＭＳディスプレイ素子のアレイを駆動する方法であって、
データフレームをフレーム更新レートで前記アレイに書き込むことと、
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも１つにＡＣ電圧信号を印加することとを含み、
前記ＡＣ電圧信号は、１／Ｔよりも高い周波数を持ち、Ｔは、少なくとも１つの前記ＭＥＭＳディスプレイ素子が、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へ変化するための応答時間であり、前記電圧信号は、前記フレーム更新レートよりも低い反復レートで前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加される方法。
【請求項６５】
アクチュエーション部及び弛緩部を有するヒステリシス曲線から生じる両安定性を示す少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子と、
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子を組み込んだディスプレイの操作中に、一連のアクチュエーション電圧を前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加し、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に回復電圧を印加することによって前記ヒステリシス曲線のシフトを生成するように構成されたアレイコントローラとを備え、
前記回復電圧は、前記一連のアクチュエーション電圧よりも大きな値を有し、かつ前記ヒステリシス曲線の前記シフトを低減するのに十分であるディスプレイ装置。
【請求項６６】
前記回復電圧は、大振幅負電位が続く大振幅正電位を含む請求項６５の装置。
【請求項６７】
前記回復電圧は、大振幅正電位が続く大振幅負電位を含む請求項６５の装置。
【請求項６８】
前記回復電圧は、大きな正電位と大きな負電位との間をトグルするＡＣ波形を含む請求項６５の装置。
【請求項６９】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子は干渉変調器を備える請求項６５の装置。
【請求項７０】
前記回復電圧は、前記一連のアクチュエーション電位の約１．２５倍より高い電位である請求項６５の装置。
【請求項７１】
前記回復電圧は、前記一連のアクチュエーション電位の約１．５倍より高い電位である請求項６５の装置。
【請求項７２】
前記回復電圧は、前記一連のアクチュエーション電位の約２．０倍より高い電位である請求項６５の装置。
【請求項７３】
前記回復電圧は、蓄積した既存の電荷の反対の極性を持つ請求項６５の装置。
【請求項７４】
前記印加することは、予め定めた時に行われる請求項６５の装置。
【請求項７５】
イメージデータを処理するように構成され、少なくとも１つの前記ＭＥＭＳディスプレイ素子と電気的に通信するプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと
を更に備える請求項６５の装置。
【請求項７６】
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に対して少なくとも１つの信号を送るように構成された駆動回路を更に備える請求項７５の装置。
【請求項７７】
前記イメージデータのうちの少なくとも一部を前記駆動回路に送るように構成されたコントローラを更に備える請求項７６の装置。
【請求項７８】
前記イメージデータを前記プロセッサに送るように構成されたイメージソースモジュール を更に備える請求項７５の装置。
【請求項７９】
前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを備える請求項７８の装置。
【請求項８０】
入力データを受け取り、かつ前記入力データを前記プロセッサへ通信するように構成された入力デバイスを更に備える請求項７５の装置。
【請求項８１】
アクチュエーション部及び弛緩部を有するヒステリシス曲線から生じる両安定性を示し、ディスプレイにおいて光を変調する変調手段と、
前記変調手段を組み込んだディスプレイの操作中に、一連のアクチュエーション電圧を前記変調手段に印加し、前記ヒステリシス曲線のシフトを生成する手段と、
前記一連のアクチュエーション電圧よりも大きな値を有し、かつ前記ヒステリシス曲線の前記シフトを低減するのに十分である回復電圧を、前記変調手段に印加する手段と
を備えるディスプレイ装置。
【請求項８２】
前記変調手段は、少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を備える請求項８１の装置。
【請求項８３】
前記一連のアクチュエーション電圧を印加する手段は、アレイコントローラを備える請求項８１又は８２の装置。
【請求項８４】
前記回復電圧を印加する手段は、アレイコントローラを備える請求項８１、８２、又は８３の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関連する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械素子、アクチュエータ、及び電子機器を含む。微小機械素子は、堆積、エッチング、及びその他の微小機械加工処理を用いて生成される。この微小機械加工処理は、基板及び／又は堆積した材料層部分をエッチングにより取り去ったり、又は、層を加えて、電子デバイス及び電気機械デバイスを形成する。ＭＥＭＳデバイスの１つのタイプは、干渉変調器と呼ばれる。干渉変調器は、一対の電導性プレートからなる。この片方あるいは両方は、全体又は部分的に透過及び／又は反射し、適切な電気信号が加えられると、関連動作を行うことができる。一方のプレートは、基板上に堆積された固定層からなり、他方のプレートは、エアギャップによって固定層から分離された可動金属膜を備えている。そのようなデバイスは、幅広い範囲の用途を持ち、これらのタイプのデバイスの特性を利用及び／又は変えることは、当該技術分野において有益であろう。これによって、これら特性が、既存の製品の改良や、未開発の新製品の創造に活用できるようになる。
【発明の開示】
【０００３】
本発明のシステム、方法、及びデバイスは、それぞれ幾つかの局面を持ち、そのうちの１つが単独で望ましい特性をもたらしているのではない。本発明の範囲を限定することなく、そのより顕著な特徴が手短に説明される。この記述を考慮した後に、また、特に、実施形態を読んだ後に、本発明の特徴が、他のディスプレイデバイスよりも優れた点を、どのようにして提供するのかが理解されるであろう。
【０００４】
１つの実施形態では、ディスプレイ装置は、複数のＭＥＭＳディスプレイ素子と、アレイコントローラとを備える。アレイコントローラは、イメージデータ書込処理の第１の部分の間、ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかに、第１のディスプレイ状態に対応する第１の電位を印加し、イメージデータ書込処理の第２の部分の間、ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかに、第２の異なるディスプレイ状態に対応する第２の電位を印加するように構成されている。ここで、イメージデータの少なくとも一部は、前記第２のディスプレイ状態にあるＭＥＭＳディスプレイ素子によって表示される。
【０００５】
別の実施形態は、ＭＥＭＳディスプレイ素子のアレイ上に、少なくともいくつかのイメージデータを表示する方法である。各素子は、アクチュエート状態及び弛緩状態を有し、前記イメージデータは、弛緩ディスプレイ素子からなる第１のセットと、アクチュエートディスプレイ素子からなる第２のセットとを定義する。この方法は、ディスプレイ素子からなる第１のセットに、アクチュエート電位を印加することと、ディスプレイ素子からなる第２のセットに弛緩電位を印加することと、ディスプレイ素子からなる第１のセットに弛緩電位を印加して、ディスプレイ素子からなる第１のセット上にイメージデータを表示することと、ディスプレイ素子からなる第２のセットにアクチュエート電位を印加して、ディスプレイ素子からなる第２のセット上にイメージデータを表示することとを含む。
【０００６】
別の実施形態では、複数のＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも１つの上に、イメージデータからなるフレームの少なくとも一部を表示する方法である。この方法は、イメージデータ書込処理の第１の部分の間、少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を、第１のディスプレイ状態にすることと、イメージデータ書込処理の第２の部分の間、少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を、第２の異なるディスプレイ状態にし、イメージデータからなるフレームの一部を表示することとを含む。ここで、イメージデータからなるフレームの一部は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子が、前記第２のディスプレイ状態にある場合に表示される。
【０００７】
別の実施形態では、ディスプレイ装置は、光を変調し、イメージの少なくとも一部を表示する変調手段と、イメージデータ書込処理の第１の部分の間、第１のディスプレイ状態に対応する第１の電位を、前記変調手段に対して印加する手段と、イメージデータ書込処理の第２の部分の間、第２の異なるディスプレイ状態に対応する第２の電位を、前記変調手段に対して印加する手段とを備え、前記変調手段が前記第２の状態にある場合、イメージの一部が表示される。
【０００８】
別の実施形態は、ＭＥＭＳディスプレイ素子を操作する方法である。ここで、ＭＥＭＳディスプレイ素子は、アクチュエーション部と弛緩部とを有するヒステリシス曲線から生じる両安定性を示す。この方法は、ＭＥＭＳディスプレイ素子を組み込むディスプレイの動作中、ＭＥＭＳディスプレイ素子に対して一連のアクチュエーション電圧を印加することによって、前記ヒステリシス曲線のシフトを生成することと、一連のアクチュエーション電圧よりも高く、前記ヒステリシス曲線のシフトを低減するのに十分である回復電圧を、ＭＥＭＳディスプレイ素子に対して印加することとを含む。
【０００９】
別の実施形態では、ディスプレイ装置は、少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子と、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に接続されたアレイコントローラとを備える。前記アレイコントローラは、１／Ｔよりも高い周波数で、ＡＣ電圧信号を、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に印加するように構成されている。ここでＴは、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子が、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へ変化するための特徴的な応答時間である。
【００１０】
別の実施形態では、固着した（stuck）ＭＥＭＳディスプレイ素子を解放する方法は、１／Ｔよりも高い周波数でＡＣ電圧信号を前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加することを含む。ここでＴは、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子が、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へ変化するための応答時間である。
【００１１】
別の実施形態では、ＭＥＭＳディスプレイ素子のアレイを駆動する方法は、前記アレイに対してデータフレームをフレーム更新レートで書き込むことと、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも１つに対してＡＣ電圧信号を印加することとを含む。ここで、ＡＣ電圧信号は、１／Ｔよりも高い周波数を持ち、Ｔは、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子が、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へ変化するための応答時間である。また、前記電圧信号は、前記フレーム更新レートよりも低い反復レートで前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加される。
【００１２】
別の実施形態では、ディスプレイ装置は、ディスプレイ状態において固着し易い可動光変調素子を備え、かつ光を変調する変調手段と、１／Ｔよりも高い周波数でＡＣ電圧をアサートするように構成され、かつ前記変調手段に電圧を印加する印加手段とを備える。ここでＴは、前記変調手段が、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へ変化するための特徴的な応答時間である。
【００１３】
別の実施形態では、ディスプレイ装置は、アクチュエーション部及び弛緩部を有するヒステリシス曲線から生じる両安定性を示す少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子と、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子を組み込んだディスプレイの動作中、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に一連のアクチュエーション電圧を印加し、更に、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に回復電圧を印加することによって、前記ヒステリシス曲線のシフトを生成するように構成されたアレイコントローラとを備える。前記回復電圧は、前記一連のアクチュエーション電圧よりも大きい値を持ち、前記ヒステリシス曲線のシフトを低減するのに十分である。
【００１４】
別の実施形態では、ディスプレイ装置は、アクチュエーション部と弛緩部とを有するヒステリシス曲線から生じる両安定性を示し、ディスプレイにおいて光を変調する変調手段と、前記変調手段を組み込んだ前記ディスプレイの動作中、一連のアクチュエーション電圧を前記変調手段に加え、前記ヒステリシス曲線のシフトを生成する手段と、前記一連のアクチュエーション電圧よりも大きい値を持ち、前記ヒステリシス曲線のシフトを低減するのに十分である回復電圧を前記変調手段に印加する手段とを備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のこれら及び他の局面は、本発明を例示することが意図され、限定することが意図されていない以下の説明、及び添付図面から容易に明らかになるであろう。
【００１６】
以下の詳細な説明は、本発明のある具体的な実施形態に向けられる。しかしながら、本発明は、複数の別の方法でも具体化することができる。この記述では、同一部位が、全体を通じて同一符号で示されている図面が参照される。以下の記述から明らかになるように、本実施形態は、動画（例えばビデオ）あるいは静止画（例えば、静止画像）、及びテキストや写真であろうとも、イメージを表示するように構成された任意のデバイス内で実現される。本実施形態は、限定される訳ではないが、例えば、モバイル電話、無線デバイス、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、ハンドヘルドあるいはポータブルコンピュータ、ＧＳＰ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲームコンソール、腕時計、時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（例えば、走行距離ディスプレイ等）、コクピットコントロール及び／又はディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、自動車の後方ビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子広告板又はサイン、プロジェクタ、建築物、パッケージ、及び芸術的構造物（例えば、宝石片のイメージのディスプレイ）において、又はこれら種々の電子デバイスと関連して実現される。ここで記述されたものと同様の構造のＭＥＭＳデバイスはまた、例えば電子スイッチングデバイスのようなディスプレイではない用途にも使用されうる。
【００１７】
特に、デバイスがアクチュエートされ、常に同じ方向にある電場によってアクチュエート状態に保持される場合、デバイスの層の間の誘電体上に電荷が蓄積されるＭＥＭＳデバイスの１つの局面である。例えば、デバイスがアクチュエートされる場合、移動している層が、固定層に対して常に高い電位であれば、誘電体上にゆっくり増加して蓄積される電荷は、ヒステリシス曲線が所望の電圧に集中しないように、例えば、ヒステリシス曲線が集中するオフセット電圧が、指定された値から変わるように、デバイスのヒステリシス曲線のシフトを開始することができる。例えば、図３の安定性ウィンドウは、ゼロボルトの周りに集中しており、これは、理想的な非電荷デバイスの場合であることに留意されたい。しかしながら、電荷が、ＭＥＭＳ素子内の誘電体上に蓄積すれば、両安定ウィンドウは、チャージの極性に依存して、左又は右へシフトするであろう。これは、時間とともにディスプレイ性能を変化させるので望ましいことではない。更に、このシフトは、ピクセル毎に異なるので、画像コンテンツは一般に別々にアクチュエートされねばならなくなる。本発明の１つの局面では、蓄積した電荷を除去又は低減し、オフセット電圧を所望レベルに維持するために、大きな電位差（例えば、電圧パルス）をＭＥＭＳデバイスに周期的にアサートする。この大きな電圧パルスは、負又は正の何れかの極性を持つか、あるいは両方の局からなる一連のパルスを持つことができる。更に、周期的な時間間隔に従って、あるいは起動、停止、診断条件、又はユーザからの入力等のイベントの発生に基づいてアサートすることができる。
【００１８】
ＭＥＭＳデバイスの別の局面は、変調位置のうちの１つに光変調素子が固着する(stuck)ことである。本明細書に記述する干渉変調器では、可動反射プレートは、静止反射プレート上の誘電性スタック（アクチュエート位置）に接して置かれる場合、特に、かなり長い間その位置に置かれた時に可動反射プレートが固着する(stuck)。本発明の局面では、固着した可動反射層を振り放す（"shake" loose）ために、一連の電位差がＭＥＭＳデバイスをまたいでアサートされる。いくつかの実施形態では、通常のリフレッシュレート周波数よりも高く、かつＭＥＭＳデバイスの共振周波数程度の周波数で一連の電位差が印加される。本明細書ではしばしば「共振パルス」と称される一連の電位差は、デバイスのリフレッシュレートよりもゆっくりとした周期的な時間間隔に従ってアサートすることができる。あるいは、起動、停止、診断条件、又はユーザからの入力のようなイベントの発生に基づいてアサートすることができる。
【００１９】
ＭＥＭＳデバイスが、アクチュエート状態と弛緩状態との間で周期的にあるいは頻繁にトグルされる場合、光変調可動素子が、アサートされた電圧に対してより予測可能な方法で応答することはＭＥＭＳデバイスの別の局面である。特に、本明細書に記述された干渉変調器では、状態間の周期的なトグルは、可動反射プレートがアクチュエート状態にある時間を最小化することによって、固着することを阻止することができる。表示されたイメージデータを更新することが、状態の変化を必要としない場合、アクチュエート状態とリリース状態との間で光変調素子を周期的にトグルするために、駆動電圧がＭＥＭＳデバイス上にアサートされることは本発明の局面である。１つの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、先ず、イメージデータの所望のフレームを表示するために必要な反対状態を達成するためにＭＥＭＳデバイスを変え、次に、このイメージデータを表示するために、ＭＥＭＳデバイスを所望の状態へトグルすることによってトグルされる。これによって、イメージデータの表示のために必要な状態が何であれ、ＭＥＭＳデバイスの状態を少なくとも一度変化させる。
【００２０】
干渉ＭＥＭＳディスプレイ素子を備えた１つの干渉変調器ディスプレイの実施形態が、図１に示されている。これらデバイスでは、ピクセルが、明るい状態、あるいは暗い状態かの何れかにある。明るい（「オン」又は「オープンな」）状態では、ディスプレイ素子が、入射可視光の大部分をユーザに反射する。暗い（「オフ」又は「クローズな」）状態では、ディスプレイ素子が、入射可視光をほとんどユーザに反射しない。この実施形態によれば、「オン」状態と、「オフ」状態とで、光反射特性は逆転する。ＭＥＭＳピクセルは、選択された色を主に反射するように構成されている。これによって、黒と白だけではなく、カラー表示が可能となる。
【００２１】
図１は、ビジュアルディスプレイの一連のピクセルにおける隣接した２つのピクセルを示す等測図である。ここでは、各ピクセルが、ＭＥＭＳ干渉変調器を備えている。いくつかの実施形態では、干渉変調器ディスプレイは、これら複数の干渉変調器の行／列アレイからなる。各干渉変調器は、互いに可変であり制御可能な距離に位置した一対の反射層を含み、少なくとも１つの可変寸法を持つ共鳴光学キャビティを形成する。１つの実施形態では、反射層の一方が、２つの位置の間を移動することができる。弛緩位置とここで称する第１の位置では、可動反射層が、固定された部分反射層から相対的に大きく離れた距離に位置される。本明細書でアクチュエート位置と称される第２の位置では、可動層が、部分反射層により近くに隣接するように位置している。この２つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に依存して、強めあうように又は弱めあうように干渉する。これによって、各ピクセルについて、全体的に反射的な状態になるか、あるいは非反射的な状態になるかの何れかとなる。
【００２２】
図１のピクセルアレイの図示された部分は、２つの隣接する干渉変調器１２ａ，１２ｂを含む。左側の干渉変調器１２ａでは、可動反射層１４ａが、部分反射層を含む光学スタック１６ａから予め定めた距離である弛緩位置にあるように示されている。右側の干渉変調器１２ｂでは、可動反射層１４ｂが、光学スタック１６ｂに隣接したアクチュエート位置にあるように示されている。
【００２３】
本明細書で参照される光学スタック１６ａ，１６ｂ（集合的に光学スタック１６と称される）は、一般的に、インジウム酸化錫（ＩＴＯ）のような電極層、クロムのような部分反射層、及び透明誘電体を含む幾つかの溶融（ｆｕｓｅｄ）層からなる。光学スタック１６は電導性であり、部分的に透過性であり、部分的に反射性である。そして、例えば、上記層からなる１つ又は複数の層を、透明基板２０上に堆積することによって製造される。いくつかの実施形態では、これら層は、平行なストリップにパターニングされ、以下に記述するようにディスプレイデバイス内に行電極を形成する。可動反射層１４ａ，１４ｂは、支柱１８の頂上及び複数の支柱１８の間に介在する犠牲材料上に堆積された（行電極１６ａ，１６ｂに直交する）１層又は複数の金属層の一連の平行なストリップとして形成されることができる。犠牲材料がエッチング除去されると、可動反射層１４ａ，１４ｂは、決められたエアギャップ１９まで光学スタック１６ａ，１６ｂから離される。アルミニウムのように非常に電導性があり反射性の材料が、反射層１４として使用され、そして、これらストリップは、ディスプレイデバイスにおいて列電極を形成する。
【００２４】
印加電圧がないと、キャビティ１９が、可動反射層１４ａと光学スタック１６ａとの間に維持され、可動反射層１４ａは、図１のピクセル１２ａに例示するように機械的弛緩状態にある。しかしながら、電位差が、選択された行及び列に印加されると、対応するピクセルにおける行電極及び列電極の交点に形成されたキャパシタが充電され、静電力がこれら電極を強制的に引きつける。電圧が十分に高ければ、可動反射層１４が変形され、光学スタック１６へ押し付けられる。光学スタック１６内の誘電層（図示せず）は、短絡を防止し、図１の右側のピクセル１２ｂに例示するように、層１４と層１６との間の隔離距離を制御する。この動作は、印加された電位差の極性に拘わらず同じである。このように、反射ピクセル状態対非反射ピクセル状態を制御できる行／列アクチュエーションは、従来のＬＣＤ及びその他のディスプレイ技術において使用される多くの方法に類似している。
【００２５】
図２から図５は、ディスプレイ用途において干渉変調器のアレイを使用する１つの典型的なプロセス及びシステムを示している。
【００２６】
図２は、本発明の局面を具体化できる電子デバイスの１つの実施形態を示すシステムブロック図である。典型的な実施形態において、この電子デバイスは、プロセッサ２１を含む。このプロセッサ２１は、例えば、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）のような任意の汎用シングルチップ又はマルチチップのマイクロプロセッサであるか、又は例えばディジタルシグナルプロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルゲートアレイのような特殊用途マイクロプロセッサでありうる。当該技術分野において従来からあるように、プロセッサ２１は、１つ又は複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成されうる。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、若しくはその他何れかのソフトウェアアプリケーションを含む１つ又は複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されうる。
【００２７】
１つの実施形態では、プロセッサ２１はまた、アレイドライバ２２と通信するように構成されている。１つの実施形態では、このアレイドライバ２２は、パネル又はディスプレイアレイ（ディスプレイ）３０に信号を供給する行ドライバ回路２４及び列ドライバ回路２６を含む。図１に示すアレイの断面は、図２内の線１−１により示される。ＭＥＭＳ干渉変調器の場合、行／列アクチュエーションプロトコルは、図３に例示するようなデバイスのヒステリシス特性を利用することができる。例えば、弛緩状態からアクチュエート状態へと可動層を変形させるために、１０ボルトの電位差を必要とするかもしれない。しかしながら、電圧がその値から減少する場合、電圧が１０ボルト未満に戻ると、可動層はその状態を維持する。図３に示す典型的な実施形態では、可動層は、電圧が２ボルト未満まで降下するまで完全には弛緩しない。したがって、図３に例示する例では、約３Ｖから７Ｖの電圧範囲に、デバイスが弛緩状態又はアクチュエート状態のいずれかで安定である印加電圧のウィンドウが存在する。これは、「ヒステリシスウィンドウ」、又は「安定ウィンドウ」と称される。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイの場合、行／列アクチュエーションプロトコルは、行ストローブの間、アクチュエートされるストローブ行におけるピクセルが、約１０ボルトの電圧差を受け、弛緩されるピクセルが、零ボルトに近い電圧差を受けるように設計することができる。ストローブの後、ピクセルは、約５ボルトの定常状態電圧差を受け、その結果、ピクセルは、行ストローブが立ち寄ったどんな状態にでもとどまることができる。書き込まれた後、各ピクセルは、この例では電位差が３〜７ボルトの「安定ウィンドウ」の範囲内であることが分かる。この特徴は、事前に存在するアクチュエート状態、又は弛緩状態かのいずれかに同様に印加された電圧条件の下で、図１に例示したピクセル設計を安定にする。アクチュエート状態又は弛緩状態であるかに拘わらず、干渉変調器の各ピクセルは、本質的には、固定反射層と移動反射層とにより形成されるキャパシタであるので、この安定状態は、ほとんど電力消費なしにヒステリシスウィンドウ内の電圧に保持されることができる。印加電位が一定であるならば、実質的に電流は、ピクセルに流れ込まない。
【００２８】
典型的な用途では、ディスプレイフレームは、第１行内のアクチュエートされたピクセルの所望のセットにしたがって列電極のセットをアサートすることによって生成される。その後、行パルスが行１の電極に印加され、アサートされた列ラインに対応するピクセルをアクチュエートする。その後、列電極のアサートされたセットが、第２行内のアクチュエートされたピクセルの所望のセットに対応するように変更される。その後、パルスが行２の電極に印加され、アサートされた列電極にしたがって行２内の適切なピクセルをアクチュエートする。行１ピクセルは、行２パルスに影響されず、行１パルスの間に設定された状態にとどまる。これが、連続した方式で一連の行全体に対して繰り返され、フレームが生成される。一般に、１秒当たり所望数のフレームでこの処理を連続的に繰り返すことにより、フレームは、新たなディスプレイデータでリフレッシュ及び／又は更新される。ディスプレイフレームを生成するためにピクセルアレイの行電極及び列電極を駆動するための広範なプロトコルもまた周知であり、本発明とともに使用されうる。
【００２９】
図４及び図５は、図２の３×３アレイでディスプレイフレームを生成するための１つの可能なアクチュエーションプロトコルを示している。図４は、列電圧レベル及び行電圧レベルの可能なセットを示している。このセットは、図３のヒステリシス曲線を示すピクセルのために使用されうる。図４の実施形態では、ピクセルをアクチュエートすることは、適切な列を−Ｖｂｉａｓに、適切な行＋ΔＶに設定することを含む。これらはそれぞれ−５Ｖ及び＋５Ｖかもしれない。ピクセルを弛緩することは、適切な列を＋Ｖｂｉａｓに、適切な行を同じ＋ΔＶに設定することにより達成され、これによって、ピクセル間で零ボルトの電位差を生成する。行電圧が零ボルトに保持される行では、列が＋Ｖｂｉａｓ又は−Ｖｂｉａｓであるかに拘らず、ピクセルが元々どの状態にあろうとも、ピクセルはその状態で安定である。図４にも示すように、上述したものとは異なる反対の極性の電圧が用いられることも認められよう。例えば、ピクセルをアクチュエートすることは、適切な列を＋Ｖｂｉａｓに設定し、適切な行を−ΔＶに設定することを含む。この実施形態では、ピクセルをリリースすることは、適切な列を−Ｖｂｉａｓを、適切な行を同じ−ΔＶに設定することにより達成され、これによって、ピクセル間で零ボルトの電位差を生成する。
【００３０】
図５Ｂは、図２の３×３アレイに加えられる一連の行信号及び列信号を示すタイミング図である。図２の３×３アレイは、結果的に、アクチュエートされたピクセルが非反射性である図５Ａに示すディスプレイ配列となる。図５Ａに示すフレームを書き込む前に、ピクセルは、任意の状態にあることができ、この例では、全ての行が０ボルトであり、全ての列が＋５ボルトである。これらの印加電圧で、全てのピクセルが、自身の現在のアクチュエート状態又は弛緩状態で安定である。
【００３１】
図５Ａのフレームでは、ピクセル（１，１），（１，２），（２，２），（３，２）及び（３，３）がアクチュエートされる。これを実現するために、行１に対する“ライン時間”中に、列１及び列２は、−５ボルトに設定され、列３は、＋５ボルトに設定される。全てのピクセルが３〜７ボルトの安定ウィンドウの中にとどまるため、これは、どのピクセルの状態も変えない。行１は、その後、０から最大５ボルトまで上がり、零に戻るパルスでストローブされる。これは、（１，１）及び（１，２）ピクセルをアクチュエートし、（１，３）ピクセルを弛緩する。アレイ内のその他のピクセルは、影響されない。所望するように行２を設定するために、列２は、−５ボルトに設定され、列１及び列３は、＋５ボルトに設定される。行２に印加された同じストローブは、その後、ピクセル（２，２）をアクチュエートし、ピクセル（２，１）及び（２，３）を弛緩する。同様に、アレイのその他のピクセルは、影響されない。行３は、列２及び列３を−５ボルトに、そして列１を＋５ボルトに設定することより同様に設定される。行３ストローブは、図５Ａに示されたように行３ピクセルを設定する。フレームを書き込んだ後、行電位は零に、そして列電位は＋５又は−５ボルトのいずれかにとどまることができ、ディスプレイは、その後、図５Ａの配列で安定する。同じ手順が数十から数百の行及び列のアレイに対して適用可能であることが認識されるであろう。しかも、行及び列アクチュエーションを実行するために使用される電圧のタイミング、シーケンス、及びレベルは、上記に概説された一般的原理において広範に変形でき、上記例は、典型例にすぎず、任意のアクチュエーション電圧方法が、ここで記載されたシステム及び方法とともに使用可能であることが認識されるであろう。
【００３２】
図６Ａ及び図６Ｂは、ディスプレイデバイス４０の実施形態を説明するシステムブロック図である。ディスプレイデバイス４０は、例えば、セルラ電話又はモバイル電話でありうる。しかしながら、ディスプレイデバイス４０の同じ構成要素又はそのわずかな変形も、例えばテレビ及び携帯型メディアプレーヤのような種々のタイプのディスプレイデバイスを示している。
【００３３】
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１、ディスプレイ３０、アンテナ４３、スピーカ４５、入力デバイス４８、及びマイクロフォン４６を含む。ハウジング４１は、射出成型、及び真空形成を含み、一般に当業者に周知の各種の製造技術の何れかで形成される。更に、ハウジング４１は、限定される訳ではないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、及びセラミックス、又はこれらの組み合わせを含む種々の材料から形成することができる。１つの実施形態では、ハウジング４１は、取り外し可能部（図示せず）を含む。この部分は、異なる色からなるか、又は異なるロゴ、絵柄、又はシンボルを含み、別の取り外し可能部と交換することができる。
【００３４】
典型的なディスプレイデバイス４０のディスプレイ３０は、本明細書で説明したように、バイステイブルディスプレイを含む種々のディスプレイのうちの何れかでありうる。その他の実施形態では、当業者に周知であるように、ディスプレイ３０は、上記に説明したように、例えばプラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ、又はＴＦＴ  ＬＣＤのようなフラットパネルディスプレイ、若しくはＣＲＴ又はその他の真空管デバイスのような、非フラットパネルディスプレイを含む。しかしながら、本実施形態を説明する目的のために、ディスプレイ３０は、本明細書で説明した干渉変調器ディスプレイを含む。
【００３５】
典型的なディスプレイデバイス４０の１つの実施形態の構成要素が、図６Ｂに模式的に図示される。図示された典型的なディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１を含み、その中に、少なくとも部分的に閉じ込められた付加的な構成要素を含むことができる。例えば、１つの実施形態では、典型的なディスプレイデバイス４０は、トランシーバ４７に接続されたアンテナ４３を含むネットワークインタフェース２７を含む。トランシーバ４７は、プロセッサ２１に接続され、プロセッサ２１は調整ハードウェア５２に接続される。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例えば、信号をフィルタする）ように構成されうる。調整ハードウェア５２は、スピーカ４５及びマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１は、入力デバイス４８及びドライバコントローラ２９にも接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８、及びアレイドライバ２２に接続される。また、アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイ３０にも接続されている。電源５０は、特定の典型的なディスプレイデバイス４０設計によって必要とされるような全ての構成要素に電力を供給する。
【００３６】
ネットワークインタフェース２７は、アンテナ４３及びトランシーバ４７を含んでいる。これによって、典型的なディスプレイデバイス４０は、ネットワークを介して１又は複数のデバイスと通信することができる。１つの実施形態では、ネットワークインタフェース２７は、プロセッサ２１の要求を低減させるための処理能力を持つことができる。アンテナ４３は、信号を送受信するために当業者に周知な何れかのアンテナである。１つの実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ８０２．１１（ａ），（ｂ），又は（ｇ）を含む、ＩＥＥＥ８０２．１１規格にしたがってＲＦ信号を送信し、受信する。他の１つの実施形態では、アンテナは、ブルートゥース（ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ（登録商標））規格にしたがってＲＦ信号を送信し、受信する。セルラ電話の場合、アンテナは、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、又は無線セル電話ネットワーク内で通信するために使用されるその他の公知の信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、アンテナ４３から受信された信号を前処理する。これによって、信号がプロセッサ２１によって受信され、更に操作されるようになる。またトランシーバ４７は、プロセッサ２１から受信された信号を処理する。これによって、信号はアンテナ４３を経由して、典型的なディスプレイデバイス４０から送信されるようになる。
【００３７】
代替実施形態では、トランシーバ４７は、受信機によって置き換えることが可能である。更に、別の代替実施形態では、ネットワークインタフェース２７は、イメージソースによって置き換えることができる。イメージソースは、プロセッサ２１に送られるべきイメージデータを記憶又は生成することができる。例えば、イメージソースは、イメージデータを含むディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）又はハードディスクドライブであるか、あるいはイメージデータを生成するソフトウェアモジュールでありうる。
【００３８】
プロセッサ２１は、典型的なディスプレイデバイス４０の全体動作を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインタフェース２７又はイメージソースからの圧縮イメージデータのようなデータを受信し、このデータを、生のイメージデータ、又は生のイメージデータに容易に処理できるフォーマットに処理する。プロセッサ２１は、その後、この処理されたデータをドライバコントローラ２９へ、又は記憶するためにフレームバッファ２８へ送る。生のデータは、一般に、イメージ内の各位置におけるイメージ特性を識別する情報を称する。例えば、そのようなイメージ特性は、色彩、彩度、及びグレースケールレベルを含むことができる。
【００３９】
１つの実施形態では、プロセッサ２１は、マイクロコントローラ、ＣＰＵ、若しくは論理ユニットを含み、典型的なディスプレイデバイス４０の動作を制御する。調整ハードウェア５２は、スピーカ４５に信号を送信するために、及びマイクロフォン４６から信号を受信するために、一般に増幅器及びフィルタを含む。調整ハードウェア５２は、典型的なディスプレイデバイス４０内部のディスクリートな構成要素、若しくは、プロセッサ２１又はその他の構成要素の内部に組み込まれることができる。
【００４０】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１により生成された生のイメージデータをプロセッサ２１から又はフレームバッファ２８から直接的に取得し、アレイドライバ２２への高速送信に適切であるように生のイメージデータを再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ２９は、生のイメージデータを、ラスタ状のフォーマットを有するデータフローに再フォーマットする。これによって、ディスプレイアレイ３０全体をスキャンするための適切な時間順を有するようになる。そして、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２２へ送る。ＬＣＤコントローラのようなドライバコントローラ２９が、スタンドアローンの集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１にしばしば関連付けられるが、そのようなコントローラは、多くの方法で実現することができる。これらは、ハードウェアとしてプロセッサ２１に搭載されたり、ソフトウェアとしてプロセッサ２１に組み込まれたり、あるいはアレイドライバ２２と共にハードウェアに完全に統合されうる。
【００４１】
一般に、アレイドライバ２２は、フォーマットされた情報をドライバコントローラ２９から取得し、ディスプレイのピクセルのｘ−ｙ行列から到来する数百本、ときには数千本の導線に毎秒何回も適用される波形のパラレルセットに、ビデオデータを再フォーマットする。
【００４２】
１つの実施形態では、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２、及びディスプレイアレイ３０は、本明細書に記載した何れのタイプのディスプレイに対しても適切である。例えば、１つの実施形態では、ドライバコントローラ２９は、従来型のディスプレイコントローラ又はバイステイブルディスプレイコントローラ（例えば、干渉変調器コントローラ）である。別の実施形態では、アレイドライバ２２は、従来型のドライバ又はバイステイブルディスプレイドライバ（例えば、干渉変調器ディスプレイ）である。１つの実施形態では、ドライバコントローラ２９は、アレイドライバ２２と統合される。そのような実施形態は、例えばセルラ電話、時計、及びその他の小面積ディスプレイのような高度に集積されたシステムにおいて一般的である。更に別の実施形態では、ディスプレイアレイ３０は、典型的なディスプレイアレイ又はバイステイブルディスプレイアレイ（例えば、干渉変調器のアレイを含んでいるディスプレイ）である。
【００４３】
入力デバイス４８によって、ユーザは、典型的なディスプレイデバイス４０の動作を制御することが可能となる。１つの実施形態では、入力デバイス４８は、クワーティ（ＱＷＥＲＴＹ）キーボード又は電話キーパッドのようなキーパッド、ボタン、スイッチ、接触感応スクリーン、感圧又は感熱膜を含む。１つの実施形態では、マイクロフォン４６は、典型的なディスプレイデバイス４０のための入力デバイスである。マイクロフォン４６がこのデバイスにデータを入力するために使用される時、典型的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するために、ユーザによって音声命令が与えられる場合がある。
【００４４】
電源５０は、当該技術分野において周知の各種のエネルギー貯蔵デバイスを含むことができる。例えば、１つの実施形態では、電源５０は、例えばニッケル−カドミウム電池又はリチウムイオン電池のような、充電可能な電池である。別の実施形態では、電源５０は、キャパシタ、若しくはプラスチック太陽電池、及びソーラーセル塗料を含む太陽電池や、キャパシタ、あるいは再充電可能なエネルギー源である。別の実施形態では、電源５０は、壁のコンセントから電力を受け取るように構成される。
【００４５】
いくつかの実施では、上述したように、制御プログラム機能が、電子ディスプレイシステム内の幾つかの場所に位置することができるドライバコントローラ内に常駐する。いくつかの場合では、制御プログラム機能が、アレイドライバ２２内に常駐する。当業者であれば、上述した最適化が、任意の数のハードウェア及び／又はハードウェア構成要素において、種々の構成で実施されうることを認識するであろう。
【００４６】
上述された原理にしたがって動作する干渉変調器の構造の詳細は、広範に変形可能である。例えば、図７Ａ乃至図７Ｅは、可動反射層１４及びそのサポート構造の５つの異なる実施形態を図示している。図７Ａは、図１の実施形態の断面であり、金属材料１４のストリップが、直交して延びている支柱１８上に堆積されている。図７Ｂでは、可動反射層１４は、連結部３２において、そのコーナのみが支柱に固定される。図７Ｃでは、可動反射層１４は、可撓性金属からなる変形可能層３４から吊り下げられている。変形可能層３４は、変形可能層３４の端部において、基板２０に直接的又は間接的に接続している。これらの接続部は、本明細書では、サポートポストと称される。図７Ｄで例示する実施形態は、変形可能層３４が載るサポートポストプラグ４２を有している。図７Ａ乃至図７Ｃでは、可動反射層１４は、キャビティ上に吊るされたままであるが、変形可能層３４は、変形可能層３４と光学スタック１６との間のホールを満たすことにより、サポートポストを形成しない。むしろ、サポートポストは、サポートポストプラグ４２を形成するために使用される平坦化材料から形成される。図７Ｅに例示する実施形態は、図７Ｄで示される実施形態に基づくが、図示されていない追加の実施形態に加えて、図７Ａ乃至図７Ｃに例示される実施形態の任意と機能するように適応されうる。図７Ｅに示す実施形態では、金属あるいは他の電導材料からなる追加層が、バス構造４４を形成するために用いられた。これは、干渉変調器の裏側に沿った信号ルーティングを可能にし、基板２０上に形成されねばならない多くの電極を削減する。
【００４７】
図７で示されるような実施形態では、干渉変調器は、透明基板２０の正面側からイメージを見ることができ、その反対側に変調器が構成される直接表示デバイスとして機能する。これら実施形態では、反射層１４は、変形可能層３４及びバス構造４４を含む基板２０の反対側である反射層側上の干渉変調器のある部分を光学的にシールドする。これは、シールドされた領域が、イメージ品質に悪影響を与えずに構成され作動されることを可能にする。この分離可能な変調器アーキテクチャによって、この変調器の電気機械的局面及び光学的局面のために使用される構造設計及び材料が選択され、互いに独立して機能することを可能にする。更に、図７Ｃ乃至図７Ｅに示す実施形態は、反射層１４の光学特性を、その機械特性から切り離すことに由来する更なる利点を有している。これらは、変形可能層３４によって実行される。これは、反射層１４のために使用される構造設計及び材料が、光学特性の観点から最適化されることと、変形可能層３４のために使用される構造設計及び材料が、所望の機械特性の観点から最適化されることとを可能にする。
【００４８】
特に、デバイスがアクチュエートされ、常に同じ方向にある電場によってアクチュエート状態に保持される場合、デバイスのレイヤ間の誘電体に電荷が蓄積されることは、上述されたデバイスの１つの局面である。例えば、外部安定しきい値よりも大きな値を有する電位によってデバイスがアクチュエートされる場合、移動層が、固定層に対して常に高い電位にあるのであれば、誘電体上のゆっくりと増加する電荷蓄積は、デバイスのヒステリシス曲線をシフトし始めることができる。それは、時間とともにディスプレイ性能を変化させるので、望ましいものではない。図５Ｂに例示するように、与えられたピクセルは、アクチュエーション中、１０ボルトの差であることがわかる。そして、この一例では、常に、行電極は、列電極よりも１０Ｖ高い電圧にある。従って、アクチュエーション中、プレート間の電場は、常に、行電極から列電極へ向かう一方向を指す。
【００４９】
図８Ａ、図８Ｂ、及び図８Ｃは、図７Ａに示すデバイスに類似した構造を持つ干渉変調器の側断面図を示す。これらの図は、反射層７１２及び光学スタック７１４への電圧ソース７２４からの電圧の印加を示す。図８Ｂでは、反射層７１２は、アクチュエート状態において例示されている。そこでは、印加電圧によって生成された静電力によって光学スタック７２２近くに引かれている。図８Ｂに示すように、反射層７１２は、誘電性スタック７２２に対して接触するか、又は十分に接近するので、誘電性スタック７２２に電荷が移動する。図８Ｃは、反射層７１２が弛緩状態に戻ることができるように、電圧ソース７２４によって引き起こされた電位が除去又は低減された場合のデバイスを示している。しかしながら、反射層７１２がアクチュエートされ、誘電スタック７２２との接触がもたらされた場合、あるいはほとんど接触した場合、誘電スタック７２２は、そこに移動した電荷のいくつか又は全てを保持するものと理解される。図８Ｃに示すように、移動した電荷は正の電荷である。反対の極性の電位でアクチュエートしていれば、移動した電荷は負となる。
【００５０】
誘電性スタックが電荷を保持する特性は「電荷持続性」（"charge persistence"）と称することができる。誘電性スタックが電荷を保持している場合、その電荷は、「埋め込まれた電荷」（"embedded charge"）と呼ばれるかもしれない。
【００５１】
デバイス動作中に蓄積する電荷の量は、ディスプレイ書込処理の第１の部分の間、第１の極性の電位差を用いてＭＥＭＳディスプレイ素子をアクチュエートすることによって、及びディスプレイ書込処理の第２の部分の間、第１の極性とは反対の極性を持つ電位差を用いてＭＥＭＳディスプレイ素子をアクチュエートすることによって低減することができる。この基本原理は図９、図４、図５で例示される。
【００５２】
図９では、ディスプレイデータの２つのフレームが、フレームＮ及びフレームＮ＋１の順で書かれている。列のデータは、行１ライン時間中は行１が有効になり（例えば、行１のピクセルの所望の状態に依存して＋５Ｖか−５Ｖかの何れかになり）、列２ライン時間中は行２が有効になり、列３ライン時間中は行３が有効になる。行２に示されるように、フレームＮが書き込まれる。これは、本明細書では、正極と称され、ＭＥＭＳデバイスアクチュエーション中、行電極は、列電極よりも１０Ｖ高い。アクチュエーション中、列電極は−５Ｖかもしれない。また、この行におけるスキャン電圧は、この例では＋５Ｖである。
【００５３】
フレームＮ＋１は、列３に従って書き込まれる。フレームＮ＋１については、スキャン電圧は−５Ｖであり、列電圧は、アクチュエートするために＋５Ｖ、リレーするために−５Ｖに設定される。したがって、フレームＮ＋１では、列電圧は、ここでは負の極性を持つ行電圧よりも１０Ｖ高い。ディスプレイが連続的にリフレッシュ及び／又は更新されると、フレームＮ＋２が、フレームＮと同じように書き込まれ、フレームＮ＋３が、フレームＮ＋１と同じように書き込まれるようにフレーム間で交互に極性が変わる。このように、ピクセルのアクチュエーションは、両極性で引き起こる。この原理に従う実施形態では、反対の極性を持つ電位がそれぞれ、アレイのＭＥＭＳ素子にイメージデータが書き込まれるレートに基づく定義された時間において、及び定義された期間の間、所定のＭＥＭＳ素子に加えられる。そして、その反対の電位差が、ディスプレイが使用されている所定の期間にわたり、ほとんど同じ時間の間加えられる。これは、時間にわたる誘電体への電荷蓄積を低減することに役立つ。
【００５４】
このスキームの種々様々な変形を実行することができる。例えば、フレームＮ及びフレームＮ＋１は異なるディスプレイデータを含むことができる。あるいは、それは反対の極性でアレイに２度書き込まれた同じディスプレイデータでありうる。また、全てのピクセル又は実質的に全てのピクセルの状態を弛緩状態に設定するか、あるいは所望のディスプレイデータを書き込む前に、全てのピクセル又は実質的に全てのピクセルの状態をアクチュエート状態に設定することに幾つかのフレームを専念させることもまた都合が良い。全てのピクセルをコモン状態に設定することは、例えば、全ての列を＋５Ｖ（又は−５Ｖ）に設定し、全ての行を−５Ｖ（又は＋５Ｖ）で同時にスキャンすることによって、単一の行ライン時間で実行することができる。
【００５５】
１つのそのような実施形態では、所望のディスプレイデータが１つの極性でアレイに書かれ、全てのピクセルが弛緩され、同じディスプレイデータが、２回目は反対の極性で書かれる。これは、フレームＮが、フレームＮ＋１と同様に、フレーム間に挿入されたライン時間をアレイがリリースする図９に例示するスキームと類似する。
【００５６】
別の実施形態では、新たなディスプレイデータの各ディスプレイ更新は、行ライン時間のリリースに続いてなされる。別の実施形態では、行ライン時間が、アレイの全てのピクセルをアクチュエートするために使用され、第２のライン時間が、アレイの全てのピクセルを弛緩するために使用され、次に、ディスプレイデータがディスプレイに書き込まれる。この実施形態では、フレームＮ＋１は、先行するフレームＮのものとは反対の極性のアレイアクチュエーションライン時間及びアレイリリースライン時間の次に来る。その後、フレームＮ＋１が書き込まれる。いくつかの実施形態では、１つの極性のアクチュエーションライン時間、同じ極性のリリースライン時間、反対の極性のアクチュエーションライン時間、及び反対の極性のリリースライン時間は、全てのフレームに先行することができる。これらの実施形態は、全てあるいは実質的に全てのピクセルが、ディスプレイデータの全てのフレームに対して少なくとも一度アクチュエートされ、電荷蓄積を低減することと同様に、特異な老化効果を低減することを保証する。
【００５７】
また、行対行ベースで、これら極性反転及びアクチュエーション／弛緩プロトコルを実行することも可能である。これらの実施形態では、フレームの行はそれぞれ、フレーム書込処理の間、２度以上書き込まれるかもしれない。例えば、フレームＮの行１を書き込む場合、行１のピクセルが全て弛緩されるかもしれない。そして、行１のディスプレイデータが、正の極性で書き込まれる。２回目は、行１のピクセルが弛緩され、行１のディスプレイデータが、負の極性で書き込まれる。上述したように、全てのアレイに対して、行１の全てのピクセルをアクチュエートすることもまた実行されうる。更に、上述した弛緩及びアクチュエーションは、ディスプレイ更新／リフレッシュ処理の間、全ての行書込み又は全てのフレーム書込みよりも低い頻度で実行されうることが理解されるであろう。
【００５８】
上記方法が、電荷蓄積を最小化するために使用されても、電荷蓄積の影響が今まで通り引き起こる場合がある。例えば、ヒステリシス曲線は、通常０ボルト（例えば、図３に示すように）を中心としている。すなわち、正極（例えば、列が行よりも高い）又は負極であろうと、同じ電位が機械的な層を変形させ、ＭＥＭＳ素子をアクチュエートする。例えば、図１０Ａを参照されたい。この図は、ゼロボルトの両側でヒステリシスウィンドウが切り換わるＭＥＭＳ素子を横切る電圧を例示する。これは、書込処理の間、幾つかのアレイドライブスキームにおいて起きる。図１０Ａ及び図１０Ｂで示されるようなヒステリシスウィンドウは、図３に示す安定ウィンドウと同じであることに留意されたい。デバイスがチャージされると、ヒステリシス曲線がシフトし、もはやゼロの周りで対称にはならなくなる。この非対象性の程度は、デバイスのオフセット電圧と称することができる。オフセット電圧は必ずしもゼロである必要はなく、例えば、変調器の製造に使用される材料や製造プロセスによって変調器内に元々ある固定電荷量を含む様々な要因によって影響をうける。（例えば、電荷蓄積によって引き起こされる）望ましくないオフセット電圧の存在は、問題になりえる。なぜなら、列／行電圧を印加するコントローラは、ＭＥＭＳデバイスを確実にアクチュエート及び弛緩するのに必要な電圧をもはや印加していないからである。つまり、デバイスがチャージされていない場合、デバイスをアクチュエートする正の電圧の印加は、使用中、電荷が蓄積された後に、デバイスをアクチュエートするのに不十分になるかもしれない。更に、アレイコントローラによってＭＥＭＳディスプレイ素子に印加されたバイアス電圧は、ヒステリシスウィンドウ内で始まるかもしれないが、図１０Ｂに示すように、動作中、デバイスが電荷を蓄積するにつれて、その外側へドリフトするかもしれない。印加された駆動電圧が一定値を保ち、０Ｖを中心として対称である一方、アクチュエーション電圧及びリリース電圧は、正方向に増加し、正の電荷が変調器内に蓄積されたことを示す。従って、ヒステリシスウィンドウも正方向に移動する。これによって、印加されたバイアス電圧は、もはやヒステリシスウィンドウ内に入ることはない。
【００５９】
誘電スタック上で持続する電荷の影響は、緩和することが可能である。いくつかの実施形態では、これは、書込処理中に印加される通常電圧に加え、選択された振幅及び極性の電圧をデバイスの両端に印加することによりなされる。いくつかの実施形態では、それが全体動作として実施される。これは、全アレイに同時に印加されたことを意味する。他の実施形態では、一度に１つの行について行うことができる。有利なことに、この処理の時間は、視覚者に対して実質的に十分短い。いくつかの実施形態では、この処理は、１０ミリ秒も続かない。
【００６０】
オフセット電圧を制御するための１つの実施形態では、回復電位差と称されうる余分に高いアクチュエーション電圧が、デバイス内の誘電材料上のあらゆる残留電荷をクリアすることによって、一般に約ゼロボルトである望ましい電圧レベルにオフセット電圧を回復するために使用される。この回復電位差は、正極又は負極を持つことができる。１つの実施形態では、アレイの行内の全てのＭＥＭＳ素子が（例えば、全ての列が−５Ｖに保持された状態で）５Ｖの代わりに、７Ｖの行スキャン電圧を用いることによって書き込まれ、行内の全ての素子が、アクチュエート状態になる。これは、アレイの全ての行のために定期的に繰り返すことができる。コントローラが、同時行出力電圧が可能なように設計されていれば、全ての列を第１の電圧に、全ての行を第２の電圧に同時に設定することにより、単一のライン時間で、アレイ全体に所望の電圧をかけることができる。これらの実施形態では、ピクセルに印加される最大電圧は、これら「過剰アクチュエーション」（over-actuation）行、又はアレイアクチュエーション時に起こり、ディスプレイデータ更新中には起こらない。印加電圧は、例えば、比較的長い時間個別に印加されるか、あるいは、比較的長い時間、一方の極性又は両方の極性からなる２以上のパルスのグループ又はセットで印加される大きな振幅（大きな振幅とは、ディスプレイ更新中に使用される少なくとも１つの通常書込電圧よりも高いことを意味する）を持つ正又は負の極性パルスを含む。この文脈においては、「比較的長い期間」は、フレーム更新間の特有の期間よりも長いことを意味する。大きな正電位及び負電位の間をトグルする矩形波ＡＣ波形の複数のサイクルは、パルスセットとして使用されうる。そのようなＡＣ波形の使用は、ＡＣ「ウォッシュ」（"wash"）と呼ぶことができる。電荷を取り除くために使用される別の波形は、誘電性スタックの具体的特徴に部分的に依存して、異なる効果の利点を持ちうる。
【００６１】
１つの具体的な例では、フレーム書込動作中、行１のピクセルが、正極−負極の両極性による大電位差でスキャンされる。その後、フレームが普通に書き込まれる。次のフレームにおいては、フレームを書き込む前に、行２のピクセルが、正極−負極の両極性による大電位差でスキャンされる。これは、全ての行が、両極によるパルスを受けるまで続く。この方法は、まず負電位、次に正電位という処理を繰り返すことによって続く。その後、この処理は、オリジナルの正のパルス、次に負のパルスを繰り返す。他の実施形態では、回復電位差をアサートすることは、デバイスの起動又は停止において起こるか、あるいは、その他の予め定めた時間か、動的に定めた時間かにおいて起こる。いくつかの実施形態では、回復電位差は、ユーザ、自動タイミング処理、あるいは診断条件のようなＭＥＭＳデバイス自体の条件の何れかによってトリガされると、デバイスの動作中に実行される。
【００６２】
本発明の別の局面は、たとえ変調器が、書込動作が完了した後に同じ状態にとどまるべきであっても、その変調器に書き込んでいる間に、逆の状態に変調器をトグルする電圧波形を印加する方法を含む。
【００６３】
図１１Ａに示すように、トレース７５０は、別の駆動スキームで生成することができ、かつ、ビデオデータの次のフレームを表示するために状態変化を必要とするか否かに関わらず、干渉変調器をアクチュエート状態と非アクチュエート状態との間でトグルするために使用されるＭＥＭＳデバイスに印加された電圧波形（例えば、行と列との間の電位差）の１つの実施形態の例を示す。トレース７５０は、書込みが起こる前にアクチュエートされ、書込みが終わったときにもアクチュエートされる変調器に書込みを実行するために変調器に印加する電圧を例示する。状態７５２では、変調器がアクチュエートされる。状態７５４では、変調器をリリースするために必要とされる動作電圧へ電圧曲線７５０が降下する。その後、状態７５６では、電圧曲線７５０は、変調器を再びアクチュエートさせるために増加する。状態７５８では、変調器をその電流状態に維持するために電圧曲線がバイアス電圧まで低下する。この方法は、書き込み動作中に、１又は複数の変調器をトグルし、次に、変調器を、書き込み動作前と同じ状態にするために使用することができる。これによって、可動要素が、１つの状態に固定されたままになることを阻止するのに役立つ。図１１Ｂに示すように、トグルすることは、全ての書込みサイクルで行われる。別の実施形態では、「トグルすること」は、変調器の起動時に行われる。別の実施形態では、トグルすることは、計時された間隔又は周期ベースで行われる。行ＭＥＭＳディスプレイ素子を有するディスプレイを含む実施形態では、トグルすることは、例えば新たな行（又は行のセット）がトグルされるカスケード行ベースで行われ、その後、次の行（又は行のセット）がトグルされ、望まれる全ての行について繰り返される。別の実施形態では、この処理は、ユーザ又は診断等の自動処理によって受け取られた入力の結果として実行される。いくつかの実施形態では、トグルすることは、ディスプレイの一部であるが通常はアクチュエートされないＭＥＭＳデバイスをアクチュエートするために使用することができる。
【００６４】
図１１Ｂは、書込み処理における図１１Ａに示す行−列アクティベーション及び弛緩電位を生成する行パルスを例示する。図１１Ｂでは、ディスプレイデータの２つのフレームが、フレームＮ及びフレームＮ＋１の順に書き込まれる。図１１Ｂに例示するライン行時間は、一般に、図１０に例示する行ライン時間よりも長い。例えば、図１１Ｂにおけるライン行時間は、２倍長くなることができ、何れにせよ十分長いので、変調器は、行パルスにおける反対の極性を持つ電位の各々に対して応答する十分な時間を持つ。図１１Ｂでは、列用のデータは、行１ライン時間中は、行１に対して有効（すなわち、行１のピクセルの所望の状態に依存して＋５又は−５かの何れか）であり、行２ライン時間中は、行２に対して有効であり、行３ライン時間中は、行３に対して有効である。）図４の第２列は、フレームＮが最後に書き込まれた状態を決定する。これは、ＭＥＭＳデバイスアクチュエーション中、列電極よりも、行電極が１０Ｖ高く、正の極性と称される。ここで、フレームＮの行パルスは、−５Ｖにおいて第１の部分１００、＋５Ｖにおいて第２の部分１０１を示し、それぞれは、ほぼ同じ持続時間である。第１の部分１００を印加することによって、干渉変調器の現在の状態、及び列電極にアサートされた電圧に依存して、アクチュエーションか弛緩かを起こす。そして、＋５Ｖの第２の部分１０１を印加することによって、電圧に従って、各干渉変調器の状態変化を起こす。例えば、干渉変調器が、第１の部分１００の印加で弛緩状態にある場合、第２の部分１０１によってアクチュエートされる。またその逆もありうる。このように、図１１Ｂに示す行パルスを用いたピクセルのアクチュエーションは、両方の極性で起こる。図１１Ｂで例示された行パルスを使用して、最初のフレームＮを書き込んだ結果、この行電圧パルスに従う全ての干渉変調器は、少なくとも一度、場合によっては二度、状態を変化させるであろう。図１１に例示するような両極性行パルスを使用して、前述したように反対極性を用いて同じフレームデータを再書込みすることなく、効果的な電荷バランスが生成される。しかしながら、両極性パルスを用いて各行書込みのために割り当てられたライン時間は、単一極性の行パルス駆動スキームより２倍長くなりえる。
【００６５】
フレームＮ＋１は、図４の第３行に従って、フレームＮ＋１については、スキャン電圧−５Ｖで書き込まれ、列電圧は、アクチュエートのために＋５Ｖ、弛緩のために−５Ｖに設定される。フレームＮ＋１の行パルスはまた、それぞれ異なる電圧レベルにおいて２つの部分を持つ。ここで、第１の部分１０２は＋５Ｖ、第２の部分１０３は−５Ｖであり、それぞれはほぼ同じ持続時間である。そのような行パルスの適用によって、フレームＮの場合に示す行パルスと類似しているが反対の効果を持つであろう。例えば、フレームＮ＋１に対してアサートされた列電圧が＋５Ｖである場合、第１の部分１０２は、干渉変調器を弛緩させる（あるいは既に弛緩している場合、同じ状態を維持させる）であろう。そして、第２の部分は、アクチュエートさせるであろう。あるいは、フレームＮ＋１のアサートされた列電圧が−５Ｖである場合、第１の部分１０２は、干渉変調器をアクチュエートさせ（あるいは弛緩された状態を維持させ）、第２の部分は、干渉変調器を弛緩させるであろう。ディスプレイが連続的にリフレッシュ及び／又は更新されると、フレームＮ＋２がフレームＮと同じように書き込まれ、フレームＮ＋３がフレームＮ＋１と同じように書き込まれることによって、フレーム間で極性が変化しうる。
【００６６】
図１２は、干渉変調器がアクチュエートする場合に起こりうる別の悪条件を例示する。アレイ領域で表示されている情報が動的である場合、変調器の状態は急速に変わる場合があるが、例えば、アイコンの一定の表示の間、アレイ領域で表示される情報が変化しないのであれば、１又は複数の変調器が、無限時間にわたって同じ状態を維持する。特に、そのような条件は、可動反射層１４が、弛緩状態にトグルされることなく、比較的長期間、アクチュエート状態を維持する場合に生じうる。そのような条件はまた、干渉変調器が、比較的に短い時間にわたって、同じ極性を用いて頻繁にアクチュエートされる場合に生じる。図１２では、可動反射層１４は、アクチュエート状態で例示されている。いくつかの状況では、可動反射層１４は、１つ又は複数の接点１５，１７，２１において、誘電層１６に固着するようになる。
【００６７】
変調器を、所望の状態に切換可能に保つことを保証するために、電圧パルスが、変調器を振る（shake）ために印加される。このように振ることによって、固着が解放されるように、可動反射層を迅速に曲げるか、移動させる。１つの実施形態では、アレイコントローラは、例えば、通常の動作電圧よりも高い電圧を有する１又は複数の電圧パルスをアサートすることができる。いくつかの実施形態では、変調器の共振周波数が知られていれば、パルスの周波数を、変調器の共振周波数で生成することができる。別の実施形態では、１又は複数の共振周波数からなるパルスを取り扱うための電子機器が設計され、これら周波数を、デバイスを振る（shake）ために使用することができる。例えば、起動電圧が通常１０Ｖである場合、１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚにおいて２０Ｖピークである両極性矩形波（ピーク間で４０Ｖ）を、デバイスに印加することができる。振ること（shaking）は、デバイスの起動時又は停止時、又は別の予め定めた時間（例えば、定期的）、あるいは動的に定めた時間に起こるように設定することができる。いくつかの実施形態では、振ること（shaking）は、ユーザによって、自動タイミング処理によって、あるいは診断条件のようなＭＥＭＳデバイス自身の条件によってデバイスの動作中に実施されうる。いくつかの実施形態では、振ること（shaking）は、デバイスをクリアするために使用され、これによって例えば、所望の状態にある変調器の全て又は一部を設定する。
【００６８】
上記詳細説明が、様々な実施形態に適用された本発明の新規の特徴を示し、記述し、指摘した一方、例示されたデバイス又は処理の詳細及び形態における様々な変形、代替、及び省略が、本発明の精神から逸脱することなく当業者によってなされることが理解されるであろう。一例として、試験電圧駆動回路は、ディスプレイを生成するために使用されているアレイドライバ回路と分離しうることが認識されるであろう。電流センサのように、個別の電圧センサが、行電極を分離するために専用に使用されうる。本発明の範囲は、前述した説明ではなく、特許請求の範囲によって示される。特許請求の範囲の等価物の意味及び範囲内である全ての変更は、特許請求の範囲内に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は、干渉変調器ディスプレイの１つの実施形態の一部を示す等測図であり、第１の干渉変調器の可動反射層が弛緩位置にあり、第２の干渉変調器の可動反射層がアクチュエート位置にある図である。
【図２】図２は、３×３の干渉変調器ディスプレイを組み込んだ電子デバイスの１つの実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図３は、図１に示す干渉変調器の１つの典型的な実施形態における印加電圧に対する可動ミラー位置の図である。
【図４】図４は、干渉変調器ディスプレイを駆動するために使用される行電圧と列電圧のセットを示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ディスプレイデータのフレームを、図２に示す３×３干渉変調器ディスプレイに書き込むために使用される行信号及び列信号のための１つの典型的なタイミング図を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ディスプレイデータのフレームを、図２に示す３×３干渉変調器ディスプレイに書き込むために使用される行信号及び列信号のための１つの典型的なタイミング図を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、複数の干渉変調器を備えるビジュアルディスプレイデバイスの実施形態を例示するシステムブロック図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、複数の干渉変調器を備えるビジュアルディスプレイデバイスの実施形態を例示するシステムブロック図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図１に示すデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、干渉変調器の代替実施形態を示す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、干渉変調器の別の代替実施形態を示す断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、干渉変調器の更に別の代替実施形態を示す断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、干渉変調器の追加代替実施形態を示す断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、干渉変調器の誘電層に電荷を埋め込むプロセスを例示する干渉変調器についての概要側面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、干渉変調器の誘電層に電荷を埋め込むプロセスを例示する干渉変調器についての概要側面図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、干渉変調器の誘電層に電荷を埋め込むプロセスを例示する干渉変調器についての概要側面図である。
【図９】図９は、電荷持続式干渉変調器の動作の波形表示である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、０ボルトにおけるオフセット電圧の周りの正負のバイアス電圧を例示するグラフ表示である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、０ボルトにおいてではないオフセット電圧の周りの正負のバイアス電圧を例示するグラフ表示である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、干渉変調器の列電極に印加される駆動電圧波形を例示するグラフ表示である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、典型的なタイミング図における駆動電圧波形を例示するグラフ表示である。
【図１２】図１２は、固着した可動反射層を例示するアクチュエートされた干渉変調器の断面図である。
【図１】
2008515002.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＭＥＭＳディスプレイ素子と、
アレイコントローラとを備え、
前記アレイコントローラは、イメージデータ書込み処理の第１の部分の間、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかに対して、第１のディスプレイ状態に対応する第１の電位を印加し、前記イメージデータ書込み処理の第２の部分の間、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかに対して、第２の異なるディスプレイ状態に対応する第２の電位を印加し、
前記イメージデータのうちの少なくとも一部は、前記第２の状態である前記ＭＥＭＳディスプレイ素子によって表示されるディスプレイ装置。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかは、１又は複数の干渉変調器を備える請求項１の装置。
【請求項３】
前記第１のディスプレイ状態は、前記第２のディスプレイ状態の反対の状態である請求項１の装置。
【請求項４】
前記第１のディスプレイ状態が弛緩され、前記第２のディスプレイ状態がアクチュエートされる請求項３の装置。
【請求項５】
前記第１のディスプレイ状態がアクチュエートされ、前記第２のディスプレイ状態が弛緩される請求項３の装置。
【請求項６】
前記アレイコントローラは更に、前記データを表示するために、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかの列電極に、電圧バイアスをアサートするように構成され、更に、前記ＭＥＭＳデバイス素子のうちの少なくとも幾つかの行電極に、２つの部分を備えた行電圧パルスをアサートするように構成され、
前記行電圧パルスの第１の部分は、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかを、前記第１のディスプレイ状態にし、
前記行電圧パルスの第２の部分は、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかを、前記第２のディスプレイ状態にする請求項１の装置。
【請求項７】
前記イメージデータを処理するように構成され、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかと電気的に通信するプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと
を更に備える請求項１の装置。
【請求項８】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも幾つかに少なくとも１つの信号を送るように構成された駆動回路を更に備える請求項７の装置。
【請求項９】
前記駆動回路に前記イメージデータのうちの少なくとも一部を送るように構成されたコントローラを更に備える請求項８の装置。
【請求項１０】
前記プロセッサに前記イメージデータを送るように構成されたイメージソースモジュールを更に備える請求項７の装置。
【請求項１１】
前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを備える請求項１０の装置。
【請求項１２】
入力データを受信し、かつ前記入力データを前記プロセッサに通信するように構成された入力デバイスを更に備える請求項７の装置。
【請求項１３】
それぞれがアクチュエート状態及び弛緩状態を有するＭＥＭＳディスプレイ素子からなるアレイ上に、少なくとも幾つかのイメージデータを表示する方法であって、
前記イメージデータは、弛緩されたディスプレイ素子からなる第１のセットと、アクチュエートされたディスプレイ素子からなる第２のセットとを定義し、
前記方法は、
前記ディスプレイ素子からなる第１のセットにアクチュエート電位を印加することと、
前記ディスプレイ素子からなる第２のセットに弛緩電位を印加することと、
前記ディスプレイ素子からなる第１のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第１のセットに弛緩電位を印加することと、
前記ディスプレイ素子からなる第２のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットにアクチュエート電位を印加することとを含む方法。
【請求項１４】
前記ディスプレイ素子からなる第１のセットへアクチュエート電位を印加することと、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットへ弛緩電位を印加することとは、同時に起こる請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記ディスプレイ素子からなる第１のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第１のセットに弛緩電位を印加することと、前記ディスプレイ素子からなる第２のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットにアクチュエート電位を印加することとは、同時に起こる請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記アレイは、ＭＥＭＳディスプレイ素子の行及び列を含む請求項１３の方法。
【請求項１７】
前記ディスプレイ素子からなる第１のセットと、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットとは、ディスプレイ素子の行の一部を含む請求項１６の方法。
【請求項１８】
複数のＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも１つに、イメージデータのフレームの少なくとも一部を表示する方法であって、
イメージデータ書き込み処理の第１の部分中に、少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を第１のディスプレイ状態にすることと、
前記イメージデータのフレームの前記一部を表示するために、前記イメージデータ書き込み処理の第２の部分中に、少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を第２の異なるディスプレイ状態にすることとを含み、
前記イメージデータのフレームの前記一部は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子が前記第２のディスプレイ状態にある場合に表示される方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子は、干渉変調器を備える請求項１８の方法。
【請求項２０】
前記第１のディスプレイ状態は、前記第２のディスプレイ状態の反対の状態である請求項１８の方法。
【請求項２１】
前記第１のディスプレイ状態はリリースされ、前記第２のディスプレイ状態はアクチュエートされている請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記第１のディスプレイ状態はアクチュエートされ、前記第２のディスプレイ状態はリリースされている請求項２０の方法。
【請求項２３】
前記第１及び第２のディスプレイ状態にすることは、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に接続された列電極上に電圧バイアスをアサートすることと、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に接続された行電極上に、２つの部分を含む行電圧パルスをアサートすることとを含み、
前記行電圧パルスの第１の部分は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を、前記第１のディスプレイ状態にし、前記行電圧パルスの第２の部分は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を、前記第２のディスプレイ状態にする請求項１８の方法。
【請求項２４】
光を変調して、イメージの少なくとも一部を表示する変調手段と、
イメージデータ書き込み処理の第１の部分の間、第１のディスプレイ状態に対応する第１の電位を前記変調手段に印加する手段と、
前記イメージデータ書き込み処理の第２の部分の間、第２のディスプレイ状態に対応する第２の電位を前記変調手段に印加する手段とを備え、
前記イメージの一部は、前記変調手段が前記第２のディスプレイ状態にある場合に表示されるディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記変調手段は、１又は複数のＭＥＭＳディスプレイ素子を備える請求項２４の装置。
【請求項２６】
前記第１の電位を印加する手段は、アレイコントローラを備える請求項２４の装置。
【請求項２７】
前記第２の電位を印加する手段は、アレイコントローラを備える請求項２４の装置。
【請求項２８】
ディスプレイ装置であって、
定義されたディスプレイ状態内に固着するようになる可動光変調素子を備える少なくとも１つの干渉変調ＭＥＭＳディスプレイ素子と、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に接続されたアレイコントローラとを備え、
前記アレイコントローラは、前記ディスプレイ装置の予め定めた条件に基づいて、１／Ｔより高い周波数でＡＣ電圧信号を、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に印加するように構成され、Ｔは、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間である装置。
【請求項２９】
前記予め定めた条件は起動を含む請求項２８の装置。
【請求項３０】
前記予め定めた条件は停止を含む請求項２８の装置。
【請求項３１】
前記予め定めた条件は、ＭＥＭＳディスプレイ素子の条件を含む請求項２８の装置。
【請求項３２】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子の条件は診断条件を含む請求項３１の装置。
【請求項３３】
前記ＡＣ電圧信号は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子のアクチュエーション電圧よりも高いピーク電圧振幅を含む請求項２８の装置。
【請求項３４】
前記周波数は、前記少なくとも１つのＭＥＭＳの共振周波数にほぼ等しい請求項２８の装置。
【請求項３５】
前記周波数は、約１０００Ｈｚよりも大きい請求項２８の装置。
【請求項３６】
前記周波数は約１００ｋＨｚよりも大きい請求項２８の装置。
【請求項３７】
前記周波数は約１ＭＨｚよりも大きい請求項２８の装置。
【請求項３８】
前記ＡＣ電圧信号は、前記ディスプレイの停止処理の間にアサートされる請求項２８の装置。
【請求項３９】
前記ＡＣ電圧は、予め定めた時間において自動的に印加される請求項２８の装置。
【請求項４０】
イメージデータを処理するように構成され、前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子と電気的に通信するプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと
を更に備える請求項２８の装置。
【請求項４１】
前記少なくとも１つのＭＥＭＳディスプレイ素子に対して少なくとも１つの信号を送るように構成された駆動回路を更に備える請求項４０の装置。
【請求項４２】
前記駆動回路に対して前記イメージデータのうちの少なくとも一部を送るように構成されたコントローラを更に備える請求項４１の装置。
【請求項４３】
前記プロセッサに対して前記イメージデータを送るように構成されたイメージソースモジュールを更に備える請求項４０の装置。
【請求項４４】
前記イメージソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを備える請求項４３の装置。
【請求項４５】
入力データを受け取り、かつ前記入力データを前記プロセッサへ通信するように構成された入力デバイスを更に備える請求項４０の装置。
【請求項４６】
固着した干渉変調ＭＥＭＳディスプレイ素子を解放する方法であって、
１又は複数の予め定めた条件に基づいて、ＡＣ電圧信号を１／Ｔより高い周波数で前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加することであって、Ｔは、少なくとも１つの前記ＭＥＭＳディスプレイ素子を、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための応答時間であり、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子は、定義されたディスプレイ状態内に固着するようになる可動光変調素子を備えることと、
前記印加されたＡＣ電圧信号に応じて、前記可動光変調素子を移動させることと
を含む方法。
【請求項４７】
前記１又は複数の予め定めた条件は起動を含む請求項４６の方法。
【請求項４８】
前記１又は複数の予め定めた条件は停止を含む請求項４６の方法。
【請求項４９】
前記１又は複数の予め定めた条件は、ＭＥＭＳディスプレイ素子の条件を含む請求項４６の方法。
【請求項５０】
前記ＭＥＭＳディスプレイ素子の条件は診断条件を含む請求項４９の方法。
【請求項５１】
前記ＡＣ電圧信号は、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のアクチュエーション電圧よりも高い振幅を持つ請求項４６の方法。
【請求項５２】
前記周波数は、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子の共振周波数にほぼ等しい請求項４６の方法。
【請求項５３】
前記周波数は、約１０００Ｈｚよりも大きい請求項４６の方法。
【請求項５４】
前記周波数は約１００ｋＨｚよりも大きい請求項４６の方法。
【請求項５５】
前記周波数は約１ＭＨｚより大きい請求項４６の方法。
【請求項５６】
光を変調する変調手段と、
１又は複数の予め定めた条件に基づいて、前記変調手段に電圧を印加する印加手段とを備え、
前記印加手段は、１／Ｔより高い周波数でＡＣ電圧信号を印加するように構成され、Ｔは、前記変調手段を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間であるディスプレイ装置。
【請求項５７】
前記変調手段は、ディスプレイ状態において固着し易い可動光変調素子を備える１又は複数のＭＥＭＳディスプレイ素子を備える請求項５６の装置。
【請求項５８】
前記印加手段はアレイコントローラを備える請求項５６の装置。
【請求項５９】
ＭＥＭＳディスプレイ素子のアレイを駆動する方法であって、
データフレームをフレーム更新レートで前記アレイに書き込むことと、
１又は複数の予め定めた条件に基づいて、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも１つにＡＣ電圧信号を印加することとを含み、
前記ＡＣ電圧信号は、１／Ｔよりも高い周波数を持ち、Ｔは、少なくとも１つの前記ＭＥＭＳディスプレイ素子が、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へ変化するための応答時間であり、前記電圧信号は、前記フレーム更新レートよりも低い反復レートで前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加される方法。
【請求項６０】
それぞれがアクチュエート状態及び弛緩状態を有するＭＥＭＳディスプレイ素子からなるアレイ上に、少なくとも幾つかのイメージデータを表示するための命令を備える計算機読取可能媒体であって、
前記イメージデータは、弛緩されたディスプレイ素子からなる第１のセットと、アクチュエートされたディスプレイ素子からなる第２のセットとを定義し、
前記媒体は、
前記ディスプレイ素子からなる第１のセットにアクチュエート電位を印加する手段と、
前記ディスプレイ素子からなる第２のセットに弛緩電位を印加する手段と、
前記ディスプレイ素子からなる第１のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第１のセットに弛緩電位を印加する手段と、
前記ディスプレイ素子からなる第２のセット上に前記イメージデータを表示するために、前記ディスプレイ素子からなる第２のセットにアクチュエート電位を印加する手段と
を備える媒体。
【請求項６１】
干渉変調器のアレイを駆動するための命令を備える計算機読取可能媒体であって、
データフレームをフレーム更新レートで前記アレイに書き込む手段と、
１又は複数の予め定めた条件に基づいて、前記ＭＥＭＳディスプレイ素子のうちの少なくとも１つにＡＣ電圧信号を印加する手段とを含み、
前記ＡＣ電圧信号は、１／Ｔよりも高い周波数を持ち、Ｔは、少なくとも１つの前記ＭＥＭＳディスプレイ素子が、第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へ変化するための応答時間であり、前記電圧信号は、前記フレーム更新レートよりも低い反復レートで前記ＭＥＭＳディスプレイ素子に印加される媒体。
【国際調査報告】
2008515002.tif 000025
2008515002.tif 000026
2008515002.tif 000027
2008515002.tif 000028
2008515002.tif 000029