(57)【要約】本発明は、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）からなる少なくとも１つの表面層２１と、ＳｉＧｅ層の下にある歪みシリコン層２２とを有するウェーハ２０を処理する方法に関する。回転するウェーハ上にエッチング液１１を供給することによるＳｉＧｅ層の選択エッチングの工程によって、歪みシリコン層２２が露出させられる。ついで、選択エッチングの後に、回転するウェーハ２０上に供給されるオゾン水溶液１２で歪みシリコン層２２の表面を洗浄する工程が続く。
2008541467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）からなる少なくとも１つの表面層（２１）と、前記ＳｉＧｅ層の下にあり、前記ＳｉＧｅ層の選択エッチングの工程によって露出させられる歪みシリコン層（２２）とを有するウェーハ（２０）を処理する方法であって、
選択エッチングの後に、前記歪みシリコン層の表面をオゾン水溶液（１２）で洗浄する工程を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記洗浄工程では、前記オゾン水溶液（１２）は、当該溶液を前記歪みシリコン層(２２)の表面上に広げるために、回転する前記ウェーハ上に直接供給される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択エッチング工程は、前記ウェーハを回転させるための手段、および回転する前記ウェーハ上にエッチング液（１１）を供給するための手段（１０）を備えた湿式化学処理装置を用いて実行され、前記洗浄工程は、前記処理装置上で前記選択エッチングと連続して実行され、前記オゾン水溶液（１２）は、前記装置の前記供給手段（１０）から供給される、ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記選択エッチング工程は、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、およびフッ化水素酸（ＨＦ）の混合物で構成されたエッチング液（１１）を用いて、２０℃以上６０℃以下の温度で、２０秒以上３００秒以下の時間、４００回転／分以上２０００回転／分以下のウェーハの回転速度で、実行される、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記洗浄工程は、脱イオン水中にオゾンが１５ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下の濃度で溶解された溶液（１２）を用いて、室温で、５秒以上３分以下の時間、４００回転／分以上２０００回転／分以下のウェーハの回転速度で、実行される、ことを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記洗浄工程の後に実行される、脱イオン水（１３）を用いた濯ぎ工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記湿式化学処理装置上で前記洗浄工程と連続して実行される、脱イオン水（１３）を用いた濯ぎ工程をさらに含み、前記脱イオン水（１３）は、前記装置の前記供給手段（１０）から供給される、ことを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記脱イオン水濯ぎ工程は、室温で、５秒以上３分以下の時間、４００回転／分以上２０００回転／分以下のウェーハの回転速度で、実行される、ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記洗浄工程は、約２０秒実行され、前記脱イオン水濯ぎ工程は、約１０秒の時間実行される、ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法に従って処理された、歪みシリコン(２２)からなる表面層を少なくとも１つ有するウェーハであって、
前記表面層は、約２００オングストロームの厚さ、２×２ミクロンの走査面積あたり１オングストロームＲＭＳ未満の粗さレベル、３．２未満の微粒子密度、および３．２未満の表面欠陥密度を有している、ウェーハ。
【請求項１１】
２００ｍｍの直径を有する、ことを特徴とする請求項１０に記載のウェーハ。
【請求項１２】
３００ｍｍの直径を有する、ことを特徴とする請求項１０に記載のウェーハ。
【請求項１３】
歪みシリコンオンインシュレータ（ｓＳＯＩ）構造を備える、ことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｓＳＯＩ（歪みシリコンオンインシュレータ）またはＳＧＯＩ（シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）オンインシュレータ）型のウェーハの製造時に、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層の選択エッチングによって露出させられた歪みシリコン（ｓＳｉ）層を洗浄することに関する。
【背景技術】
【０００２】
そのようなウェーハを作製するための多くの技術が存在する。ｓＳＯＩまたはＳＧＯＩ型のウェーハを製造するための最も効率的な現在の技術の１つの一例は、歪みシリコン（ｓＳｉ）または緩和ＳｉＧｅの活性層の形成であり、これは所望のヘテロ構造を形成するためのスマートカット（登録商標；以下同じ）法を用いたそれらの絶縁支持体（例えばシリコン基板上のＳｉＯ2層）上への転写によって行われる。そのような製造法を実現する例は、ＵＳ２００４／０５３４７７およびＷＯ２００４／００６３１１の文献に記載されている。
【０００３】
そのようなウェーハの仕上げ工程は、シリコン層上に存在するＳｉＧｅ層を、それらの「レシーバー」基板への転写および「ドナー」基板の分離の後に取り除く選択エッチング処置を伴う。選択エッチングは、化学溶液の組成を調整することにより、上側のＳｉＧｅ層を隣の歪みシリコン層を攻撃することなく選択的に除去できる化学的攻撃法であり、化学溶液は通常はＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ2／ＨＦ混合物である。
【０００４】
２番目に、洗浄液でウェーハを処理する洗浄工程が実行される。
【０００５】
半導体材料からなる表面層を有するウェーハの表面を洗浄するための「ＲＣＡ」と呼ばれる周知の標準的な方法は、
−水酸化アンモニウムまたはアンモニア性溶液（ＮＨ4ＯＨ）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、および脱イオン水（Ｈ2Ｏ）を含むＳＣ１（Standard Clean 1）液（またはＡＰＭ：アンモニウム−過酸化水素混合液）を使用する第１洗浄工程
−塩酸（ＨＣｌ）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、および脱イオン水を含むＳＣ２（Standard Clean 2）液（またはＨＰＭ：塩化水素−過酸化物混合液）を使用する第２洗浄工程
を含む。
【０００６】
第１のＳＣ１液は、通常は５０〜８０℃で使用され、ウェーハの表面上に浮いた微粒子と表面近くに埋まった微粒子を除去するとともに表面を親水性にすることを主目的としている。
【０００７】
第２のＳＣ２液は、通常は７０〜９０℃で使用され、ウェーハの表面上に堆積した金属不純物を、特に塩化物を形成することにより、除去することを主目的としている。
【０００８】
ＲＣＡ洗浄の不都合の１つは、ＳＣ１およびＳＣ２液を使用することから生じる。アンモニア性溶液の存在は、一定量のエッチングが避けられないことを意味する。その結果、ＳｉＧｅ層の選択エッチングによって開放された歪みシリコン層は、ＲＣＡ洗浄液によってエッチングされる。一般に、標準的なＲＣＡ洗浄後の粗さは、１〜２ÅＲＭＳ程度である。
【０００９】
ｓＳＯＩ製品を製造する場合、エッチングにより露出させられた歪みシリコン層は最終製品の有用層であり、そのため、最終的な粗さおよび厚さに関する制約は厳しい。それ故に、選択エッチングの次の洗浄工程は、最終的な層の粗さおよび厚さを悪化させないように、あまり攻撃的になることなく微粒子の効果的な除去についての要求を満足しなければならないことが理解されるであろう。一般に、ＲＣＡ洗浄が歪みシリコンを約１０Å／ｍｉｎでエッチングすることを考慮すると、ＳＣ１液によってエッチングされた厚さは、２００Åの歪みシリコン層に対して１０Åの厚さになることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、選択エッチング後に歪みシリコン層の表面を処理するための溶液であって、ＲＣＡ洗浄で見られる歪みシリコン層のエッチングという現象を避けながら、ＳｉＧｅ層の選択エッチングの後に歪みシリコン層の表面上の微粒子汚染および表面欠陥を排除するまたは減少させることのできる溶液を提案することにより、上述の不都合を克服することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的は、ＳｉＧｅ層の選択エッチングの工程の後に、オゾン水溶液で歪みシリコン層の表面を洗浄する工程を含む処理方法によって達成される。
【００１２】
以下に詳細に記載するように、出願人は、ＲＣＡ洗浄よりはむしろオゾン水溶液を用いた洗浄を受ける際に、選択エッチング工程の間に歪みシリコン層中に現れる微粒子および欠陥の数が非常に小さくなることを突き止めた。
【００１３】
さらに、ＳＣ１またはＳＣ２液の代わりにオゾンを主成分とする洗浄液を用いることは、歪みシリコン層のエッチングを避け、その結果、その層の表面粗さを小さくする。
【００１４】
本発明の処理方法の一実施形態によれば、オゾン水溶液は、当該溶液を歪みシリコン層の表面上に広げるために回転するウェーハ上に直接供給される。この形態では、洗浄工程は、選択エッチング工程のために採用された化学処理装置を用いて、当該洗浄工程が処理装置上で選択エッチング工程に連鎖させられうるように有利に実行される。
【００１５】
洗浄工程は、脱イオン水中にオゾンが１５ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下の濃度で溶解された溶液を用いて、室温で、５秒以上３分以下の時間、４００回転／分以上２０００回転／分以下のウェーハの回転速度で、実行される。
【００１６】
本発明のさらなる側面によれば、前記の方法は、洗浄工程の後に、湿式化学処理装置を用いて洗浄工程と連続して実行可能な、脱イオン水を用いた濯ぎ工程をさらに含む。
【００１７】
脱イオン水濯ぎ工程は、室温で、５秒以上３分以下の時間、４００回転／分以上２０００回転／分以下のウェーハの回転速度で、実行される。
【００１８】
本発明は、また、歪みシリコンからなる表面層であって、約２００オングストロームの厚さ、２００ｍｍまたは３００ｍｍの直径、２×２ミクロンの走査面積あたり１オングストロームＲＭＳ未満の粗さレベル、３．２未満の微粒子密度、および３．２未満の表面欠陥密度を有する表面層を少なくとも１つ有するウェーハを提供する。
【００１９】
このウェーハは、歪みシリコンオンインシュレータ（ｓＳＯＩ）構造を備えていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の処理方法は、歪みシリコン（ｓＳｉ）層上のシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層を少なくとも１つ有するどのようなウェーハにも広く適用可能であり、歪みシリコン層はＳｉＧｅ層の選択エッチングによって露出させられる。この処理方法は、歪みシリコン層の前にあるＳｉＧｅ層の選択エッチング工程を含むスマートカット法を用いたＳＳＯＩおよびＳＧＯＩ型の構造の製造の際に特に採用されうる。
【００２１】
図１Ａは、歪みシリコン層の前にあるＳｉＧｅ層の選択エッチングに適用されたエッチング工程の一実施形態をごく概略的に示している。この工程では、「シングルウェーハ（枚葉）」形式の湿式化学処理装置が使用され、歪みシリコン層２２を覆うＳｉＧｅの表面層２１を有するシングルウェーハ２０上にエッチング液１１を直接供給することにより選択エッチングが実行される。エッチング液１１は、回転させられたウェーハ２０上にノズル１０から供給される。ノズル１０は、ウェーハ２０上で径方向ＤRにノズルを移動させることのできる機構（不図示）に接続されている。エッチング液１１は、例えば、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、およびフッ化水素酸（ＨＦ）の周知の混合物で構成されている。
【００２２】
ＳｉＧｅ層がエッチングされるとすぐに、化学的エッチングから生じる微粒子および表面欠陥の数を減少させるために、露出させられた歪みシリコン層の表面を洗浄する必要がある。
【００２３】
本発明によれば、この洗浄工程は、オゾン水溶液を用いて実行される。以下に示すように、オゾン水溶液を用いた洗浄は、微粒子および表面欠陥の除去について、ＳＣ１またはＳＣ２液のような習慣的に使用される洗浄液を用いるよりも良い結果をもたらす。シリコン層の表面に存在する主な残留物は、選択エッチング工程において使用された酢酸からのものである。その残留物は、次式に従った酢酸へのオゾンの酸化作用による本発明の洗浄工程において取り除かれる。
ＣＨ3ＣＯＯＨ＋２Ｏ3→２ＣＯ2＋２Ｈ2Ｏ＋Ｏ2
【００２４】
この形式の洗浄は、バッチ洗浄、すなわちいくつかのウェーハを一度に実行可能な機械上で通常は行われる。それらのウェーハは同じ洗浄液中に浸され、これは「ウェットベンチ」形式の装置として知られている。
【００２５】
しかし、洗浄は、前述したような選択エッチング用のシングルウェーハ式装置を用いて実行されてもよい。この場合、図１Ｂに示すように、洗浄はオゾン水溶液１２でウェーハごとに実行され、オゾン水溶液１２は当該溶液がウェーハ表面上に広がるように回転する歪みシリコン層２２上にノズル１０から直接供給される。この態様（すなわち、シングルウェーハ装置を用いた洗浄）は、洗浄工程が選択エッチング工程と連続して実行可能であることを意味する。実際に、選択エッチング中の酢酸処理後に直ちに、ウェーハはオゾン水溶液で洗浄される。従って、選択エッチング工程と洗浄工程との間でウェーハを扱う必要がなく、ノズル１０から供給される溶液の性質が変化する（エッチング液の次に洗浄液）だけである。
【００２６】
さらに、微粒子の除去の効率については、本発明の洗浄工程（すなわち、オゾン水溶液を用いる）を用いて得られる結果が、当該洗浄工程がウェットベンチ式装置を用いるよりはむしろシングルウェーハ式装置を用いて実行されるとき、ＲＣＡ洗浄に比べて実質的によいことが見受けられる。
【００２７】
図２は、以下に示すものをそれぞれ行った直径２００ｍｍのウェーハについての、表面欠陥（ＳＯＤ：Sum Of Defects（欠陥の合計））を構成する、微粒子（ＬＰＤ：Light Point Defects（輝点欠陥））および凝集粒子（ＡＰ）の数量を示している。
−ＳｉＧｅ層の選択エッチングおよびウェットベンチ式装置でのＲＣＡ洗浄（ＰRCA（ＷＢ））
−ＳｉＧｅ層の選択エッチングおよびオゾン水溶液を用いたウェットベンチ式装置でのＲＣＡ洗浄（Ｐ03（ＷＢ））
−ＳｉＧｅ層の選択エッチングおよびオゾン水溶液を用いたシングルウェーハ式装置でのＲＣＡ洗浄（Ｐ03（ＳＷ））
−その後の洗浄を伴わないＳｉＧｅ層の選択エッチングのみ（参照）
【００２８】
このように、洗浄の前後での微粒子の数（図２中の柱ＬＰＤであり、これは、“Light Point Defects”または“Localized Light-Scatterer（局在化光散乱）”検査レーザーを用いた装置を使った光学的測定によって検知された微粒子の数を表す）、および表面欠陥の総数（欠陥／微粒子ＬＰＤおよびＡＰの合計に対応する図２中の柱ＳＯＤ）を考慮すれば、オゾン水溶液を用いたウェットベンチ式装置での洗浄（Ｐ03（ＷＢ））がＲＣＡ洗浄（ＰRCA（ＷＢ））に対してわずかに改善をもたらし、シングルウェーハ式装置を用いて実行したとき（Ｐ03（ＳＷ））に極めて効果的になることが分かる。図２中に示されたように、シングルウェーハ式装置によって供給されるオゾン水溶液を用いた洗浄工程の後には、非常に少ない微粒子（１０００未満、すなわち、直径２００ｍｍのウェーハについて密度３．２粒子／ｃｍ2未満）および表面欠陥（１０００未満、すなわち、直径２００ｍｍのウェーハについて密度３．２粒子／ｃｍ2未満）しか歪みシリコン層中に残らない。
【００２９】
さらに、異なる洗浄形式について歪みシリコン層の表面粗さを研究した。図３は、以下に示すものをそれぞれ行った直径２００ｍｍのウェーハについての歪みシリコン層の表面粗さを示している。
−ＳｉＧｅ層の選択エッチングおよび水を用いた濯ぎ（ＰEDI）
−ＳｉＧｅ層の選択エッチングおよびオゾン水溶液を用いたシングルウェーハ式装置でのＲＣＡ洗浄（Ｐ03（ＳＷ））
−ＳｉＧｅ層の選択エッチングおよびオゾン水溶液を用いたウェットベンチ式装置でのＲＣＡ洗浄（Ｐ03（ＷＢ））
−ＳｉＧｅ層の選択エッチングおよびウェットベンチ式装置でのＲＣＡ洗浄（ＰRCA（ＷＢ））
−その後の洗浄を伴わないＳｉＧｅ層の選択エッチングのみ（参照）
【００３０】
図３の結果は、ＲＣＡ洗浄に比べてオゾン水溶液を用いた洗浄の後に表面粗さがより小さくなることを示しているが、これはＳＣ１およびＳＣ２液の組成のためである。さらに、オゾン水溶液を用いた洗浄のときは、当該洗浄がウェットベンチ式装置を用いるよりはむしろシングルウェーハ装置を用いて実行されるときに表面粗さがより小さくなる。
【００３１】
さらには、本発明のオゾン水溶液を用いた洗浄工程の後に、脱イオン水（ＥＤＩ）で濯ぐ工程が続いてもよい。図１Ｃに示すように、この濯ぎ工程は、ノズル１０が歪みシリコン層２２上に脱イオン水１３を供給するのに使用されるシングルウェーハ式装置を用いて実行可能である。
【００３２】
このように、シングルウェーハ式装置を用いることにより、選択エッチング工程、オゾン水溶液を用いた洗浄工程、および脱イオン水を用いた濯ぎ工程は、１つずつ連続して連鎖して行うことが可能であり、これにより各ウェーハの処理時間を減少させて操作を最小限化することができる。
【００３３】
歪みシリコン層の前にあるＳｉＧｅ層の選択エッチングの工程は、次の条件下で実行すればよい。
−選択エッチング液：ＣＨ3ＣＯＯＨ／Ｈ2Ｏ2／ＨＦ
−エッチング温度：２５℃が好ましいが、２０℃〜６０℃であってもよい。
−エッチング時間：２０秒〜３００秒
−ウェーハ回転速度：約１０００回転／分だが、４００回転／分〜２０００回転／分であってもよい。
【００３４】
洗浄工程は、次の条件下で実行すればよい。
−脱イオン水中に溶解された濃度１５ｐｐｍ〜５０ｐｐｍのＯ3
−温度：室温（２０℃±５℃とする）が好ましいが、２０℃〜３０℃であってもよい。
−処理時間：２０秒が好ましいが、５秒〜３分の間であってもよい。
−ウェーハ回転速度：８００回転／分が好ましいが、４００回転／分〜２０００回転／分であってもよい。
【００３５】
必要に応じ、脱イオン水濯ぎ工程は、次の条件下で実行すればよい。
−温度：室温（２０℃±５℃とする）が好ましいが、２０℃〜３０℃であってもよい。
−処理時間：１０秒が好ましいが、５秒〜３分であってもよい。
−ウェーハ回転速度：１０００回転／分が好ましいが、４００回転／分〜２０００回転／分であってもよい。
【００３６】
選択エッチングの次の、オゾン水溶液を用いた洗浄工程および脱イオン水を用いた濯ぎ工程を含む処理における洗浄時間は、シングルウェーハ装置で実行される場合はウェーハごとに約３０秒、ウェットベンチ装置で実行される場合はバッチごとに２５０秒である一方、ウェットベンチ装置で実行される場合の選択エッチングの次のＲＣＡ洗浄を含む処理については、時間はバッチごとに１５００秒である。
【００３７】
選択エッチングの次の本発明の処理は、シングルウェーハ装置を使う場合もウェットベンチ装置を使う場合も、ＲＣＡ洗浄に比べて処理時間に関して実質的な有利性をも示す。
【００３８】
本記述の単純化の目的のために、直径２００ｍｍのウェーハについて本発明の処理方法およびこれにより得られる結果を記述してきた。しかしながら、当業者は、異なる直径のウェーハ、特に直径３００ｍｍのウェーハについて本発明の方法を実行したり同等の結果を得たりすることを直ちに予想するだろう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一実施形態に係る選択エッチング工程を示す概略的な斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の一実施形態に係る洗浄工程を示す概略的な斜視図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の一実施形態に係る濯ぎ工程を示す概略的な斜視図である。
【図２】図２は、適用された洗浄形式に応じて、選択エッチング後の歪みシリコン層中の微粒子および表面欠陥の数を示す棒グラフである。
【図３】図３は、適用された洗浄形式に応じて、歪みシリコン層の表面粗さを示す棒グラフである。
【図１Ａ】
2008541467.tif 000003
【図１Ｂ】
2008541467.tif 000004
【図１Ｃ】
2008541467.tif 000005
【図２】
2008541467.tif 000006
【図３】
2008541467.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法に従って処理された、歪みシリコン(２２)からなる表面層を少なくとも１つ有するウェーハであって、
前記表面層は、約２００オングストロームの厚さ、２×２ミクロンの走査面積あたり１オングストロームＲＭＳ未満の粗さレベル、３．２粒子／ｃｍ2未満の微粒子密度、および３．２欠陥／ｃｍ2未満の表面欠陥密度を有している、ウェーハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ＲＣＡ洗浄の不都合の１つは、ＳＣ１およびＳＣ２液を使用することから生じる。アンモニア性溶液の存在は、一定量のエッチングが避けられないことを意味する。その結果、ＳｉＧｅ層の選択エッチングによって開放された歪みシリコン層は、ＲＣＡ洗浄液によってエッチングされる。一般に、標準的なＲＣＡ洗浄後の粗さは、１〜２ÅＲＭＳ（root mean square）程度である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は、また、歪みシリコンからなる表面層であって、約２００オングストロームの厚さ、２００ｍｍまたは３００ｍｍの直径、２×２ミクロンの走査面積あたり１オングストロームＲＭＳ未満の粗さレベル、３．２粒子／ｃｍ2未満の微粒子密度、および３．２欠陥／ｃｍ2未満の表面欠陥密度を有する表面層を少なくとも１つ有するウェーハを提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このように、洗浄の前後での微粒子の数（図２中の柱ＬＰＤであり、これは、“Light
Point Defects”または“Localized Light-Scatterer（局在化光散乱）”検査レーザーを用いた装置を使った光学的測定によって検知された微粒子の数を表す）、および表面欠陥の総数（欠陥／微粒子ＬＰＤおよびＡＰの合計に対応する図２中の柱ＳＯＤ）を考慮すれば、オゾン水溶液を用いたウェットベンチ式装置での洗浄（Ｐ03（ＷＢ））がＲＣＡ洗浄（ＰRCA（ＷＢ））に対してわずかに改善をもたらし、シングルウェーハ式装置を用いて実行したとき（Ｐ03（ＳＷ））に極めて効果的になることが分かる。図２中に示されたように、シングルウェーハ式装置によって供給されるオゾン水溶液を用いた洗浄工程の後には、非常に少ない微粒子（１０００未満、すなわち、直径２００ｍｍのウェーハについて密度３．２粒子／ｃｍ2未満）および表面欠陥（１０００未満、すなわち、直径２００ｍｍのウェーハについて密度３．２欠陥／ｃｍ2未満）しか歪みシリコン層中に残らない。
【国際調査報告】
2008541467.tif 000008
2008541467.tif 000009
2008541467.tif 000010
2008541467.tif 000011
2008541467.tif 000012
2008541467.tif 000013