(57)【要約】  本発明は、半導体装置（１００）中の少なくとも一つの誘電層（４）を介して少なくとも一つの金属層（５）及び少なくとも一つの半導体基板（１）との間に接触部（６．１−６．ｎ）を形成する方法に関する。前記半導体装置（１００）に、少なくとも一つの表面（２）（半導体基板（１）のいわゆるベース）上に誘電層（４）が設けられている。金属層（５）は、誘電層（４）上に積層される。サポート（１２）上に組み立てられる複数の突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）の被加熱端部は、金属層（５）に同時に接触される。これにより、突出エレメント（１３．１〜１３．ｎ）の被加熱端部の下で溶融金属（１４．１−１４．ｎ）の領域を生成する。溶融金属は誘電体（４）を横断して、融解金属領域（１４．１−１４．ｎ）の高さで基板（１）の半導体と結合する。このように、接触部（６．１−６．ｎ）を形成する。
2008530775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置（１００）中の誘電体（４）の少なくとも一つの層を介して、少なくとも一つの金属層（５）及び少なくとも一つの半導体基板（１）間に接触部（６．１−６．ｎ）を形成する方法であって、
前記半導体装置（１００）は、前記半導体基板（１）において、「ベース」として知られる、少なくとも一つの表面（２）上に、前記金属層（５）が積層される前記誘電層（４）を備えており、
サポート（１２）上に組み立てられるいくつかの突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）の被加熱端部を前記金属層（５）に同時に接触させて、これにより、前記突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）の被加熱端部下で溶融金属（１４．１−１４．ｎ）の領域を生成し、
前記溶融金属は、前記誘電体（４）を横断して、前記溶融金属（１４．１−１４．ｎ）の領域の高さで前記基板（１）の半導体と融合して、これにより、前記接触部（６．１−６．ｎ）を生成する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）は、前記サポート（１２）上にマトリックス形態で配置されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）の端部は、約５７７℃及び１０００℃間の温度に加熱されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記金属層（５）に対する前記突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）の被加熱端部への印加時間は、約０．５秒及び１０秒の間であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
略１ｍ２の前記半導体基板（１）の表面積に対して、約５００及び３５０００の間の前記突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）が用いられることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）の端部は、その直径が約５０マイクロメートル及び１ミリメートルの間の、実質的に円形の形状であるか、又は、その側辺が約５０マイクロメートル及び１ミリメートルの間の寸法を有する、実質的に四角形状である、ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記半導体基板（１）は、結晶基板であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体基板（１）は、単結晶シリコン又は多結晶シリコンであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電層（４）は、シリコン酸化物又は窒化ケイ素であることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電層（４）は、プラズマ化学気相成長法の技術によって前記半導体基板（１）に堆積されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属層（５）は、蒸着、スパッタリング、又はシルクスクリーン印刷によって、前記誘電層（４）上に堆積されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属層（５）は、約１マイクロメートル及び５マイクロメートル間の厚さを有することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属層（５）は、アルミニウム等のドーピング材料をベースにしていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体基板（１）は、第一種の導電性であり、前記接触部（６．１−６．ｎ）の形成中に、前記金属層（５）の前記溶融金属が、金属／半導体の接触部（６．１−６．ｎ）周りで、前記半導体基板（１）中に第一種の導電性のオーバードーピング領域（１０．１−１０．ｎ）を生成する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法に従って形成される前記接触部（６．１−６．ｎ）を備え、前記半導体基板（１）が第一種の導電性を有する、半導体装置（１００）を形成する方法であって、
ａ）前記ベース（２）の反対側に、エミッタとして知られる他の面（３）の下に、第一種の導電性と反対の第二種の導電性で、オーバードーピングされた領域（８）を形成している、前記半導体基板（１）を熱処理すること、
ｂ）前記半導体基板（１）の前記エミッタ（３）上に非反射層（１１）を形成すること、
ｃ）前記非反射層（１１）上に金属格子（９）を堆積すること、
ｄ）前記非反射層（１１）を介して前記半導体基板（１）の前記エミッタ（３）と前記金属格子（９）を接触させること、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記非反射層（１１）を介して前記半導体基板（１）の前記エミッタ（３）と前記金属格子（９）を接触させることは、前記金属格子（９）の熱処理によって達成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属格子（９）は、銀等の貴金属をベースにしていることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記非反射層（１１）は、窒化ケイ素又は酸化チタンであることを特徴とする請求項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記半導体装置（１００）は、太陽電池であることを特徴とする請求項１５から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか一項に記載の方法に従って実施するための突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）を有する装置であって、
共通のサポート（１２）上に組み立てられる突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）を備え、
前記サポート（１２）は、加熱手段（１５）を備えることを特徴とする装置。
【請求項２１】
前記突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）の端部は、尖状であることを特徴とする請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記突出エレメント（１３．１−１３．ｎ）は、黒鉛又はタングステンをベースとして形成されることを特徴とする請求項２０又は２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記加熱手段（１５）は、抵抗であるか又は誘導性エレメントであることを特徴とする請求項２０から２２のいずれか一項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体による金属／半導体接触部を形成する方法に関し、特に半導体装置の形成に適している方法に関する。この種の方法は、例えば、ホモ接合太陽電池の背面上の金属／半導体接触部の形成のために用いられうる。
【背景技術】
【０００２】
産業レベルの太陽電池の製造は、２つの目的を追求している。太陽電池の効率を上昇させること、そして、これらの太陽電池を製造する生産性を上昇させること、である。製造される大多数の太陽電池は、結晶シリコンをベースにしている。太陽電池は２種類に区別され、これらは、ヘテロ接合太陽電池及びホモ接合太陽電池である。
【０００３】
従来の結晶シリコン・ホモ接合太陽電池の製造方法は以下の通りである。Ｎ又はＰにドーピングされたシリコンの基板は、シリコンがＮにドーピングされている場合にはＰ＋にドーピングされた領域を、シリコンがＰにドーピングされている場合にはＮ＋にドーピングされた領域を、その表面の１つに形成するために、拡散炉中に配置される。基板のこの面は「エミッタ」として公知である。これは、太陽電池の正面側に位置する。例えばアルミニウム等の金属層は、エミッタの反対側に、他の表面に置かれる。この他の表面は、「ベース」として公知である。基板及び金属層は、基板と同じタイプの導電性の基板のベースに過度に不純物を添加（オーバードーピング）するためにアニールされる。シリコンがＮにドーピングされた場合にＰ＋にドーピングされ、シリコンがＰにドーピングされた場合にＮ＋にドーピングされる、ゾーンは、基板の全てのベース上に形成される。この熱処理は、基板の金属層とベースとの間に良好な接触の保証を可能にする。そして、非反射層は、半導体基板のエミッタ上に堆積される。この非反射層は、太陽電池の内部の中で光子を「トラップ」することによって、光学損失を最小限にすることを保証しうる。この層は、例えば、窒化ケイ素において、又は、酸化チタンにおいて形成されうる。そして、金属格子は、非反射層上に形成される。この金属格子は、光に晒されるエミッタの表層ができるだけ大きくなるように、正面の陰影（シェーディング）を最小限にすることを保証しなければならない。この金属格子は、非反射層を横断して半導体基板のエミッタと接触するように、アニール（焼なまし）される。
【０００４】
より良好な効率を得るために、太陽電池の背面が、アルミニウムの金属層によって、完全に接触しなければならないというわけではない。実際、高効率のセルを得るために、セルにおける異なる層同士の間に良好に当接することは十分ではない。表層及び特に背面が完全に不動態化（パッシベート）されることも、必要である。良好な表面パッシベーションは、太陽電池によって光子の吸収によって生成される少数キャリヤ（換言すれば、Ｐ型シリコン中の電子）は、考慮される表面での再結合を行わないか、又はほとんど行わないということを示す。産業太陽電池において、背面のパッシベーションは、ＢＳＦ（背面領域）効果によって達成される。このＢＳＦは、基板のベース上に配置されるアルミニウムの金属層の焼なましによって生成され、そして、ベースの全ての表層上の基板と同じ型の導電性でのオーバードーピングを誘起する。
【０００５】
しかしながら、基板のベースの全ての表層のオーバードーピングによるこの表面パッシベーションが、誘電体による表面パッシベーションほど効率的であるというわけではない。誘電体による表面パッシベーションは、パッシベートされる表面上に誘電体の層を堆積させる。使用する誘電体は、例えばシリコン酸化物で、又は、窒化ケイ素であってもよい。
【０００６】
従って、最高の妥協案は、金属／半導体の接触位置を得るために、太陽電池の背面の一部を金属に接触させて、表面パッシベーションに関して最高の特徴を有する誘電体の堆積によってこの背面の残りを占有することである。この構造は、道具に、パッシベートされる全表面にオーバードーピングを用いるものよりも実行が複雑である。これは、通常高コストのフォトリソグラフィステップの使用を必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
米国特許第４，６２６，６１３号明細書及び米国特許第５，０１１，５６５号明細書には、誘電層による金属／半導体接触点を有する太陽電池が記述される。これらの２つの特許において、誘電体は、シリコンの基板のベース上に最初に堆積される。そして、レーザーは、誘電体を通る金属接触のスペースを刻み込む。最後に、金属は、刻み込まれたスペース中に配置される。この方法には、基板がレーザーによって損傷を受け、そして、良好な品質の接触を可能にするために金属接触のスペース中のエッチングという追加のステップが必要であるという不利な点がある。
【０００８】
欧州特許第１，３１９，２５４号明細書にも、誘電層による金属／半導体接触部を有する太陽電池が記述されている。誘電体は、シリコン基板の１面上に堆積される。そして、金属層は、カソードスパッタリング又は蒸着によって誘電層上に堆積される。レーザー源は、それから、局所的に金属層を加熱することによって、不規則な接触部を形成する。レーザー源によって溶解する金属は、誘電体を横断して、金属／半導体接触部を形成するために、シリコンと融合する。この方法の主な不利な点は、良好な生産性を保持し得ないということである。実際、レーザーはセル毎に１００及び５００以上の間の融解点を形成しなければならず、長い形成時間を必要とする。さらに、レーザーは、いくつかのセルの間の相互接続の間の劣化の源であるセルの背面上に過度な厚みを生成して、金属表面に損傷を与えるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的は、誘電体を介して金属／半導体接触部を形成する半導体装置のための方法を提案することである。そして、その方法には、誘電体を介して金属／半導体接触部を形成する従来の方法の不利な点、特に、生産性の縮小及び形成される装置の悪化のリスクがない。
【００１０】
これらの目的を達成するために、本発明は、半導体装置中の少なくとも一つの誘電体層を介して少なくとも一つの金属層と少なくとも一つの半導体基板との間に接触部を形成する方法を提案する。この半導体装置は、半導体基板において「ベース」として知られる少なくとも一面上に、上部に金属層が積層された誘電層を備える。サポート（支持体）上に組立てられるいくつかの突出エレメントの被加熱端部は、同時に金属層との接触に組み込まれ、それによって、突出エレメントの被加熱端部下での溶融金属領域を生成する。そして、この溶融金属は、誘電体を横断して、溶融金属領域のレベルで、基板の半導体に融合して、これによって、接触部を生成する。
【００１１】
このように、レーザー源を用いて、誘電体層を介した半導体層及び金属層との間に半導体装置上に連続した不規則な接触部を形成する代わりに、突出エレメントを使用して全ての接触部を一度に形成する。そして、その被加熱端は、同時に金属層に対して配置される。そして、これらの被加熱端の下で、溶融金属領域は、誘電体を横断して基板の半導体と融合する導通によって形成され、これによって、金属層及び半導体との間に接触部を作成する。この誘電層は、半導体基板の背面のパッシベーションを保証する。
【００１２】
突出エレメントは、サポート上にマトリックス形態で配置されることが好ましい。
【００１３】
金属層を急速に溶融させるために、突出エレメントの端部を約５７７℃及び１０００℃の間の温度まで加熱されることが想定されうる。
【００１４】
金属層に対する突出エレメントの被加熱端の印加時間は、約０．５秒及び１０秒の間にあることが好ましい。
【００１５】
約１ｍ２の半導体基板の表面積に対して使用される突出エレメントの数は、例えば約５００及び３５０００の間でありうる。
【００１６】
突出エレメントの端部は、その直径が約５０マイクロメートル及び１ミリメートルの間にある、実質的な円形形状であってもよい。又は、この端部は、その側辺部の寸法が約５０マイクロメートル及び１ミリメートルとの間にある、実質的な四角形状であってもよい。これらの突出エレメントの端部の形状は、これらの突出エレメントによって形成される金属／半導体接触部の形状と同一である。
【００１７】
半導体基板は、結晶基板であることが好ましい。
【００１８】
半導体基板は、例えば単結晶シリコン、又は、多結晶シリコンであってもよい。
【００１９】
誘電層がシリコン酸化物又は窒化ケイ素であることが想定されうる。
【００２０】
好ましくは、誘電層は、プラズマ化学気相成長法の技術によって、半導体基板上に堆積される。
【００２１】
金属層は、例えば蒸着、スパッタリング又はシルクスクリーン印刷（セリグラフィ）によって誘電層上に堆積されうる。
【００２２】
金属層が約１マイクロメートル及び５マイクロメートルの間の厚さを有することが想定されうる。
【００２３】
金属層は、例えばアルミニウム等のドーピング材料をベースにしうる。
【００２４】
そして、半導体基板が第一種の導電性であり、接触部の形成処理の間、溶融金属が、金属／半導体接触部の周りで、半導体基板中に複数の第一種のオーバードーピング領域を形成することが好ましい。これらの領域は、これにより金属層及び半導体基板の間に良好な接触部を有することを可能にする。
【００２５】
更に、本発明は、上述する方法に従って形成される接触部を備える半導体装置の形成方法に関する。この方法は、半導体基板は第一種の導電性であることが好ましい。この半導体装置の形成方法は、次の工程を含みうる。
ａ）ベースの反対側に、「エミッタ」として知られる他の面の下に、第一種の導電性と反対の第二種の導電性で、オーバードーピングされた領域を形成している、半導体基板を熱処理すること、
ｂ）半導体基板のエミッタ上に非反射層を形成すること、
ｃ）非反射層上に金属格子を堆積すること、
ｄ）非反射層を介して半導体基板のエミッタと金属格子を接触させること、を含む。
【００２６】
この非反射層を介して半導体基板のエミッタと金属格子を接触させることは、金属格子の熱処理によって達成されうる。
【００２７】
この金属格子は、貴金属（例えば銀）をベースにしてもよい。この金属格子は、半導体装置の２つの電極のうちの一方であり、そして、他方が金属層である。
【００２８】
非反射層は、例えば窒化ケイ素又は酸化チタンであってもよい。
【００２９】
この種の半導体装置は、有利には太陽電池であってもよい。
【００３０】
更なる本発明は、上述した方法の実施のための突出エレメントを有する装置に関する。この装置は、加熱手段を備える共通のサポートを組み込んでなる突出エレメントを備えると想定されうる。
【００３１】
突出エレメントの端部は、尖状であってもよい。
【００３２】
突出エレメントは、黒鉛又はタングステンをベースに形成されうる。
【００３３】
加熱手段は、抵抗であるか誘導性エレメントであることが好ましい。
【００３４】
本発明は、添付の図を参照して、決して制限的ではなく単に情報のために挙げられる形成の実施例の説明を読んだ後によりよく理解される。
図１は、本発明の主題である形成方法に従って形成される誘電体を介した金属／半導体接触部を備える半導体装置の実施例の断面を示す。図１は、誘電体を介して金属／半導体接触部を形成する方法の間に使用される突出エレメントを更に備える。
図２Ａ−図２Ｃは、本発明の主題である、誘電体を介した金属／半導体接触部の形成方法のステップの断面図を示す。
図３Ａは、同一のサポート上にマトリックスで配置される突出エレメントの底面図を示す。
図３Ｂは、同一のサポート上にマトリックスで配置される突出エレメントの斜視図を示す。
【００３５】
後述する異なる図において同一、類似、又は等価な部位は、１つの図から次の図への移行を容易にするために、同じ参照番号を有する。
【００３６】
これらの図をより容易に理解できるようにするために、これらの図に示される異なる部分の全てが必ずしも同じスケールにあるというわけではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明の主題である形成方法に従って形成される半導体装置１００の実施例を断面で示している図１が参照される。この装置は、「ベース」として知られる半導体基板１の少なくとも一つの面２、誘電体４の層、を備える。この誘電体層４には、金属層５が積層されている。半導体装置１００は、本発明の更なる主題である形成方法によって形成される、金属層５と半導体基板１との間に、誘電体層４を横断する、接触部６．１−６．ｎを更に備えている。図１においては、一連の接触部６．１から６．ｎの一部を形成する４つの接触部６．ｉ−１、６．ｉ、６．ｉ＋１、６．ｉ＋２のみが示されている。この例において、半導体装置は太陽電池であるが、他の半導体装置であってもよい。
【００３８】
半導体基板１は、例えば単結晶シリコン多結晶シリコンの、結晶基板であってもよい。半導体基板１は、例えば薄膜であってもよい。この基板は、第一種の導電性を有する。図１に示された例において、半導体基板１は、Ｐ型の結晶シリコンである。半導体基板１の厚さは、１０マイクロメートル及び数百マイクロメートルの間でありうる。
【００３９】
半導体基板１は、ベース２の反対側に、「エミッタ」として知られる他の面３を更に備える。このエミッタ３は、半導体装置１００の正面７側にある。図１の半導体装置１００の実施例は太陽電池であって、この正面７が光に晒される。
【００４０】
半導体装置１００は、半導体基板１のエミッタ３の下に、第一種の導電性に反対の、第二種の導電性にオーバードーピングした領域８を備える。図１の実施例において、この領域８は、Ｎ＋にドーピングされている。この領域は、例えば拡散炉中で、半導体基板１の熱処理によって形成される。
【００４１】
そして、非反射層１１は、半導体基板１の領域８上ｎ堆積される。この非反射層１１は、半導体装置１００内部中で光子を「トラップする」ことによって光学損失を最小限にすることを保証しうる。この層１１は、例えば、窒化ケイ素又は酸化チタンで形成されうる。
【００４２】
そして、金属格子９は、非反射層１１上に形成される。この金属格子９は、半導体装置１００の第二電極である。この格子は、貴金属（例えば銀）をベースにして形成される。この格子は、光に晒される前記正面７の表面ができるだけ大きくなるように、正面７の陰影を最小限にすることを保証しなければならない。この金属格子９は、領域８と接触して非反射層１１を横断するようにその後アニールされる、シルクスクリーン印刷ペーストの堆積によって、例えば形成される。
【００４３】
ここで、図１の半導体装置１００を形成する方法の一部を形成する、本発明の主題でもある、誘電体を介した金属／半導体接触部を形成する方法を対象とする。図２Ａ−図２Ｃにおいて、半導体基板１、及び、半導体基板１のベース２側に位置する半導体装置１００の要素のみが示される。実際、図１に示される半導体基板１のエミッタ３側に位置する要素は、半導体装置１００の好ましい実施の形態のものだけである。
【００４４】
図２Ａにおいて理解されるように、少なくとも誘電層４は、少なくとも半導体基板１のベース２に最初に堆積される。この誘電体層４は、半導体基板１のベース２の良好なパッシベーションを保証しうる。これは、光子の吸収によって生成される少数キャリヤが考慮される表面で、換言すれば半導体基板１のベース２で、再結合をしていないか、又は、ほとんど再結合をしていないことを示す。図１〜図２Ｃに示される実施例において、誘電層４は、窒化ケイ素又はシリコン酸化物である。この誘電体層４の堆積は、例えばＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法）又は他の任意の適切な技術によって、提供される。この誘電体層４の厚みは、約５ナノメートル及び１００ナノメートルの間にある。
【００４５】
そして、半導体基板１及び誘電層４は、誘電層４のパッシベーション特性を向上するために、約４００℃の温度でアニールされる。
【００４６】
そして、図２Ｂに図示するように、金属層５は、誘電層４上に積層される。この金属層５は、半導体装置１００の２つの電極のうちの一つである。この図２Ｂの実施例において、金属層５は、アルミニウムで形成されている。この層は、蒸着、スパッタリング又はシルクスクリーン印刷によって堆積される。その厚みは、約１マイクロメートル及び５マイクロメートルの間にある。
【００４７】
そして、突出エレメント１３．１−１３．ｎのいくつかの被加熱端部は、金属層５に対して同時に印加される。図２Ｃ及び図１において、これらの突出エレメントは、同じサポート１２上にマトリックス形態で配置される。これらの端部は、例えば尖状である。これらの２つの図において、４つの突出エレメント１３．ｉ−１、１３．ｉ、１３．ｉ＋１、１３．ｉ＋２のみが、サポート１２上に示されている。突出エレメント１３．１−１３．ｎの被加熱端部下に位置する金属層５は、この被加熱端部が金属表面に近接するときに、放射によって僅かに溶解し始める。突出エレメント１３．１−１３．ｎの被加熱端部が金属層５に接触してくると、被加熱端下に位置する金属は導通によって急速に溶解して、溶融金属の領域１４．１−１４．ｎを形成する。そして、基板１の半導体に接触する溶解金属の一部は、この半導体と融合して、半導体基板１及び金属層５を電気的に接続する接続部６．１−６．ｎを形成する。接続部６．１−６．ｎの数は、サポート１２を備える突出エレメント１３．１−１３．ｎの数に等しい。金属層５に対する突出エレメント１３．１−１３．ｎの被加熱端部の印加時間は、例えば約０．５秒及び１０秒の間である。これらの突出エレメント１３．１−１３．ｎは、約５７７℃及び１０００℃の間の温度に加熱される。この印加時間の間、金属層５がアルミニウムである図２Ｃ及び図１の実施例のようなドーピング特性を金属層５が有し、そして、半導体基板１が第一種の導電性である場合、第一種の導電性のオーバードーピング領域１０．１−１０．ｎは、接続部６．１−６．ｎの周りに形成される。これらのオーバードーピング領域１０．１−１０．ｎによって、半導体基板１及び金属層５との間のより良好な接触が保証されうる。
【００４８】
接触部６．１−６．ｎの形成後に、基板１の半導体と融合しなかった溶融金属１４．１−１４．ｎの金属領域は、金属層５の残りの金属と同じ状態に戻るために凝固する。
【００４９】
金属層５に対して位置する接触部６．１−６．ｎの表面は、突出エレメント１３．１−１３．ｎの端部と同じ形状を有する。図３Ａ及び図３Ｂにおいて、下方及び斜めから見られるように、サポート１２及び突出エレメント１３．１−１３．ｎの実施例が示される。突出エレメント１３．１−１３．ｎの各々が正方形状の端部を有し、その側辺は約２５０マイクロメートルの寸法を有することが理解される。これらは、マトリックス形態で配置され、そして、約２ミリメートルに等しい距離で規則的に配置される。概略的な方法において、突出エレメント１３．１−１３．ｎの端部は、その側辺が約５０マイクロメートル及び１ミリメートルの間の、実質的な四角形状であってもよく、又は、その直径が約５０マイクロメートル及び１ミリメートルの間の、実質的な円形形状であってもよい。約５００及び３５０００の間の突出エレメントが、約１ｍ２の半導体基板の表面積に対して使用されうる。突出エレメント１３．１−１３．ｎは、例えば、黒鉛又はタングステンをベースに形成される。
【００５０】
第１の製造方法は、黒鉛又はタングステンの固体ブロックからの突出エレメント１３．１−１３．ｎを直接生成するグラインダーを使用することを含む。この製造方法において、サポート１２及び突出エレメント１３．１−１３．ｎは、黒鉛又はタングステンの同一のブロックから形成される。第２の製造方法は、サポート１２である黒鉛又はタングステンのブロック中に穴を形成することを含む。これらの穴は、突出エレメント１３．１−１３．ｎのマトリックスパターンに従って形成される。黒鉛又はタングステンの他のブロックから形成されるこれらの突出エレメント１３．１は、以前に形成された穴に嵌入される。これらの２つの製造方法において、加熱手段１５（例えば図３Ｂの抵抗）は、サポート１２内部の中で統合される。これらの加熱手段１５は、突出エレメント１３．１−１３．ｎの加熱を可能にする。さらに一般的には、これらの加熱手段は、例えば誘導性又は抵抗要素であってもよい。
【００５１】
この方法の効果は、半導体基板の処理が単一処理で行われるために迅速であることである。さらに、この方法は、工業生産と互換性を持つ非常に良好な生産性を維持すると同時に、容易に自動化可能で、効率に関して著しい増大を可能にする。
【００５２】
本発明のいくつかの実施例が詳細な方法に記載されているが、異なる変更及び改造が本発明の範囲を越えずになされうることが理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、本発明の主題である形成方法に従って形成される誘電体を介した金属／半導体接触部を備える半導体装置の実施例の断面を示す。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の主題である、誘電体を介した金属／半導体接触部の形成方法のステップの断面図を示す。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の主題である、誘電体を介した金属／半導体接触部の形成方法のステップの断面図を示す。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の主題である、誘電体を介した金属／半導体接触部の形成方法のステップの断面図を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、同一のサポート上にマトリックスで配置される突出エレメントの底面図を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、同一のサポート上にマトリックスで配置される突出エレメントの斜視図を示す。
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体基板
２  一面（ベース）
３  他の面（エミッタ）
４  誘電体層
５  金属層
６．１−６．ｎ  接触部
９  金属格子
１１  非反射層
１２  サポート
１００  半導体装置
【図１】
2008530775.tif 000003
【図２Ａ】
2008530775.tif 000004
【図２Ｂ】
2008530775.tif 000005
【図２Ｃ】
2008530775.tif 000006
【図３Ａ】
2008530775.tif 000007
【図３Ｂ】
2008530775.tif 000008
【国際調査報告】
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