(57)【要約】電界放出特性は、金属酸化物で炭素材料をコーティングすることによっても改善し得る。こうした金属酸化物は、炭素材料の仕事関数を低下させることに寄与し、また、特に高電流密度での動作時において、炭素材料の電界放出特性の寿命を改善する。
2008541356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
金属酸化物でコーティングされ、前記基板上に配置されたカーボンエミッタとを備えた電界放出装置。
【請求項２】
前記基板と前記カーボンエミッタとの間に配置された導電層を更に備えた請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項３】
前記カーボンエミッタが単層カーボンナノチューブを含む請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項４】
前記カーボンエミッタが多層カーボンナノチューブを含む請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項５】
前記カーボンエミッタが二層カーボンナノチューブを含む請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項６】
前記カーボンエミッタがカーボンナノチューブを含む請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項７】
前記カーボンエミッタがカーボンファイバを含む請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項８】
前記カーボンエミッタがカーボンフレークを含む請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項９】
前記金属酸化物がアルカリ土類金属酸化物を含む請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項１０】
前記金属酸化物が、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯおよびこれらの組み合わせを含む群から選択されている請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項１１】
前記金属酸化物が前記カーボンエミッタの全体を実質的にコーティングしている請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項１２】
前記金属酸化物が前記カーボンエミッタを部分的にコーティングしている請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項１３】
前記金属酸化物による前記カーボンエミッタのコーティングが非一様である請求項１に記載の電界放出装置。
【請求項１４】
基板と、
低仕事関数のコーティングでコーティングされ、前記基板上に配置されたカーボンエミッタとを備え、前記低仕事関数のコーティングが８６０℃まで安定である電界放出装置。
【請求項１５】
前記低仕事関数のコーティングが金属酸化物である請求項１４に記載の電界放出装置。
【請求項１６】
前記低仕事関数のコーティングが９７０℃まで安定である請求項１４に記載の電界放出装置。
【請求項１７】
前記低仕事関数のコーティングが１６００℃まで安定である請求項１４に記載の電界放出装置。
【請求項１８】
基板と、
低仕事関数のコーティングでコーティングされ、前記基板上に配置されたカーボンエミッタとを備えた電界放出装置であり、該電界放出装置の温度が６００℃である電界放出装置。
【請求項１９】
基板と、
低仕事関数のコーティングでコーティングされ、前記基板上に配置されたカーボンエミッタとを備え、前記カーボンエミッタの温度が６００℃超である電界放出装置。
【請求項２０】
前記カーボンエミッタの温度が前記カーボンエミッタから放出された高電流の結果である請求項１９に記載の電界放出装置。
【請求項２１】
基板と
低仕事関数のコーティングでコーティングされ、前記基板上に配置されたカーボンエミッタとを備え、前記カーボンエミッタが白熱している（前記エミッタから可視光が出ている）電界放出装置。
【請求項２２】
前記低仕事関数のコーティングは金属酸化物である請求項２１に記載の電界放出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に電界放出装置に係り、特にカーボンナノチューブを備えた電界放出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ，ＣＮＴ）材料を含む炭素膜が、冷陰極応用に向けて開発されている。こうした応用には、電界放出ディスプレイ、Ｘ線管、マイクロ波装置、ＣＲＴ、衛星のスラスタや、電子源を必要とするあらゆる応用が含まれる。検討されている炭素膜には多くの種類が存在する。これらの炭素膜からの電子放出に対して信頼できると信じられている放出メカニズムは、ファウラー・ノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ‐Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）理論である。この理論は、導電性の炭素膜に対して特に当てはまる。この放出メカニズムに含まれるのは、電子が金属から抜け出ることを妨げる導体表面での電気的障壁である。しかしながら、強い電場が印加されると、この障壁は低くなるかまたは薄くなり、電子がバリアを“トンネル”することが可能になり、有限の放出電流を生成する。この障壁の高さは特に、物質の特定の表面での仕事関数によって決められる。仕事関数は、物質、電子を抽出しようとする試みがその物質のどの表面なのか、この表面上に不純物が存在しているか否か、そして、表面がどのように終端しているかに依存する。重要なのは、仕事関数が低くなるほど、障壁が低くなり、炭素膜から電子を抽出することが容易になるということである。仕事関数の値を低くする手段または処置が開発されれば、膜から電子を抽出することが容易になる。即ち、必要とされる抽出電場がより低くなり、同じ抽出電場において動作させた未処理の膜と比較して、より高い電流を処理された膜から得ることができるという意味において容易になる。
【０００３】
電界放出のデータ解析において、ファウラー・ノルドハイム（Ｆ‐Ｎ）方程式中に４つの未知数が存在する。それらは、ｎ、∀、∃、Ｍであり、ｎは放出サイト（例えばチップ）の数、∀はサイト当たりの放出面積、∃は電場の増強因子、Ｍは仕事関数である。Ｆ‐Ｎ方程式は
Ｉ＝∀ＡｅｘｐＢ
で与えられ、ここで、
Ａ＝１．５４×１０−６Ｅ２／Ｍ
Ｂ＝−６．８７×１０７Ｍ１．５ｖ／Ｅ
ｖ＝０．９５−ｙ２
ｙ＝３．７９×１０−４Ｅ０．５／Ｍ
である。
【０００４】
放出サイトでの電場はＥ＝Ｅ０であり、Ｅ０＝Ｖ／ｄである。ここで、Ｖは抽出電圧、ｄは陰極から陽極までの距離である。
【０００５】
仕事関数が電界放出電流に対して有する効果を見るため、図１のグラフは、仕事関数を４．６ｅＶから２．４ｅＶへと下げることが、如何に閾値電場を顕著に下げ、更に高い電流密度（数桁分）が所定の電場において許容されるかを示す。
【０００６】
単層カーボンナノチューブ（ｓｉｎｇｌｅ  ｗａｌｌ  ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ，ＳＷＮＴ）及び多層カーボンナノチューブ（ｍｕｌｔｉ  ｗａｌｌ  ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ，ＭＷＮＴ）は長くて薄く、また、先鋭な特徴部を有するため、電界放出応用に向けた炭素材料として用いることができる。この先鋭な特徴部は、その点において電場を（大いに）増強する。従って、より大きな電場が、印加された所定の電圧において達成可能である。また、炭素から成るものであるため、これらは導電性であり、機械的に非常に強靭で、化学的に丈夫である。本願において参照される非特許文献１に開示されているように、ＳＷＮＴ材料の仕事関数（４．８ｅＶ）は、グラファイトの仕事関数（４．６〜４．７ｅＶ）よりも若干高い。
【０００７】
必要なのは、炭素材料の仕事関数を低下させることによってこの材料の電界放出特性を最適化する手段である。これによって、ＳＷＮＴとＭＷＮＴの両方のカーボンナノチューブ材料の放出特性が改善される。
【０００８】
最近、カーボンナノチューブからの電子の電界放出中に、個々のカーボンナノチューブから光が放射されることが観測された。これは、炭素材料のジュール加熱であると説明されている。つまり、電界放出電流の結果としてチューブを通過する電流が、炭素材料の抵抗加熱を生じさせる（非特許文献２）。高温発光効果は他のグループによっても観測されている（非特許文献３、非特許文献４）。
【０００９】
局所的な加熱が原因のカーボンナノチューブ陰極からの高温発光性の赤色発光は、人間の目で直に観測可能である。蒸発するフィラメントの光高温計によって測定すると、一つのカーボンナノチューブの局所的な放出表面の温度は１６００℃を超え得る。我々は、個々の白熱しているＣＮＴからの電界放出電流は１μＡもの高さになるものと考えている。非特許文献２においては、電界放出中に個々の多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）の先端での温度を定量的に測定する電界放出スペクトロスコピーを用いて、２０００Ｋに達する温度が測定された。こうした高温においては、真空雰囲気中の残留酸素または水分子が、炭素原子と良く反応して、カーボンナノチューブをエッチングする可能性があり、カーボンナノチューブ陰極の燃え尽き及び電界放出特性の劣化をもたらす。残留酸素または水蒸気は、これらの分子とカーボンナノチューブから放出された電子ビームとの衝突によって、より良く反応するようになる。放出電流が増加すると、ナノチューブの温度が増大し、残留分子の反応性が増大し、従って、陰極の寿命を顕著に短くする。従って、高電流及び長期動作が必要とされる応用に対しては、カーボンナノチューブを超高真空（〜１０−１０Ｔｏｒｒ）で動作させて、こうした残留分子の数を減少させることが望ましい。大抵の応用においては、このことは実用的ではない。更に問題を悪化させるのは、カーボンナノチューブ間の非一様な電流分布である。即ち、一部のカーボンナノチューブは他のものよりも良いエミッタであり、従って、少量のナノチューブ上に放出電流が集中する。
【００１０】
ＣＮＴの自己発熱による温度が真空中で酸素と反応するのには十分に高くなければ、長寿命が可能である。このことは、図１３に示されるように、真空テストチャンバ（〜１０−７Ｔｏｒｒ）中において、比較的低い電界放出電流密度でＭＷＮＴエミッタを動作させることによって、確かめられた。カーボンナノチューブ陰極の寿命は８５時間までテストされ、陰極の電流密度が３３ｍＡ／ｃｍ２では劣化は１％未満であり、ＣＮＴに破壊的な損傷を与える高温の自己発熱をもたらすには十分ではなかった。蒸発するフィラメントの光高温計によって、高温が測定された。高電流密度で動作させたエミッタの温度が図１４に示されており、電子放出電流密度のＩ‐Ｖ曲線が、印加された電場の関数として示されている。こうした高い電流密度においては、上述の問題点の結果として、陰極が劣化し始めた。図１５は、６６ｍＡ／ｃｍ２において、ＣＣＤカメラで撮られた白熱しているＣＮＴからの光のデジタル画像を示す。
【００１１】
高電流密度で動作中のナノチューブの局所的な高温は、他の負の効果を有し得る。また、表面の仕事関数を低下させるのに用いられる材料のいくつかは、低い蒸気圧を有する。つまり、比較的低温で蒸発する。例えば、金属セシウム（Ｃｓ）である。以前の報告（非特許文献１、非特許文献５）によると、セシウムが挿入された（インターカレートされた）ＣＮＴはＣＮＴの仕事関数を低下させることができるが、高温でのＣｓの不安定は、自己発熱という性質が原因でＣＮＴエミッタの実用的な高電流応用を制限してしまう。セシウムが１０−４Ｔｏｒｒという高い蒸気圧を有するのは、僅か３０℃という温度においてである。１６００℃〜２０００℃の温度では、Ｃｓは非常に早く蒸発してしまい、長時間存在し続けない。
【００１２】
こうした事実に基づくと、動作中の真空環境における、残留ガスの衝撃及びエッチングからの損傷を防止することは、カーボンナノチューブからの長時間で安定的な電界放出を確実にするために重要である。また、高温動作に耐えられるようにＣＮＴを処置するための低仕事関数物質を見つけ出すことも、必要とされている。
【００１３】
【特許文献１】米国特許出願第５５４８１８５号明細書
【特許文献２】米国特許出願第６４３６２２１号明細書
【非特許文献１】Ｓｕｚｕｋｉ外、ＡＰＬ、２０００年６月２６日、第７６巻、ｐ．４００７
【非特許文献２】Ｓ．Ｔ．Ｐｕｒｃｅｌｌ、Ｐ．Ｖｉｎｃｅｎｔ、Ｃ．Ｊｏｕｒｎｅｔ、Ｖｕ  Ｔｈｉｅｎ  Ｂｉｎｈ、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．、２００２年、第８８巻、ｐ．１０５５０２
【非特許文献３】Ａ．Ｇ．Ｒｉｎｚｌｅｒ、Ｊ．Ｈ．Ｈａｆｎｅｒ、Ｐ．Ｎｉｋｏｌａｅｖ、Ｌ．Ｌｏｕ、Ｓ．Ｇ．Ｋｉｍ、Ｄ．Ｔｏｍａｎｅｋ、Ｐ．Ｎｏｒｄｌａｎｄｅｒ、Ｄ．Ｔ．Ｃｏｌｂｅｒｔ、Ｒ．Ｅ．Ｓｍａｌｌｅｙ、Ｓｃｉｅｎｃｅ、１９９５年、第２６９巻、ｐ．１５５０
【非特許文献４】Ｊ．Ｍ．Ｂｏｎａｒｄ、Ｊ．Ｐ．Ｓａｌｖｅｔａｔ、Ｔ．Ｓｔｏｃｋｌｉ、Ｌ．Ｆｏｒｒｏ、Ａ．Ｃｈａｔｅｌａｉｎ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ａ、１９９９年、第６９巻、ｐ．２４５
【非特許文献５】Ａ．Ｗａｄｈａｗａｎ、Ｒ．Ｅ．Ｓｔａｌｌｃｕｐ  ＩＩ、Ｊ．Ｍ．Ｐｅｒｅｚ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、２００１年、第７８巻、第１号、ｐ．１０８‐１１０
【非特許文献６】Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、第７８版、ＣＲＣ  Ｐｒｅｓｓ、１９９７年〜１９９８年、ｐ．１２‐１２４
【非特許文献７】Ｍ．Ｆ．Ｉｓｌａｍ、Ｅ．Ｒｏｊａｓ、Ｄ．Ｍ．Ｂｅｒｇｅｙ、Ａ．Ｔ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、Ａ．Ｇ．Ｙｏｄｈ、Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔ．、２００３年、第３巻、第２号、ｐ．２６９‐２７３
【非特許文献８】Ｆ．Ａ．Ｍ．Ｋｏｃｋ、Ｊ．Ｍ．Ｇａｒｇｕｉｌｏ、Ｂｉｌｌｙｄｅ  Ｂｒｏｗｎ、Ｒ．Ｊ．Ｎｅｍａｎｉｃｈ、Ｄｉａｍｏｎｄ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、２００２年、第１１巻、ｐ．７７４
【非特許文献９】Ｙｉ‐Ｃｈｕｎ  Ｃｈｅｎ、Ｈｓｉｕ‐Ｆｕｎｇ  Ｃｈｅｎｇ、Ｙｕｎ‐Ｓｈｕｏ  Ｈｓｉｅｈ、Ｙｏｕ‐Ｍｉｎｇ  Ｔｓａｕ、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、２００３年、第９４巻、ｐ．７７３９
【非特許文献１０】Ｔ．Ｗ．Ｅｂｂｅｓｅｎ、Ｎａｔｕｒｅ（Ｌｏｎｄｏｎ）、１９９６年、第３８２巻、ｐ．５４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
まとめると、解決すべき課題は、
１．電界放出モードで動作するカーボンナノチューブから電子を抽出し易くするようにカーボンナノチューブエミッタの仕事関数を低下させること、
２．高放出電流動作中に、従って局所的な高温動作中に安定であるような方法で仕事関数を低下させること、
３．酸素種、反応性イオン、分子のイオン衝撃からのより高度な保護を提供する、カーボンナノチューブ上のコーティングを提供すること
である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明及びその利点のより完全な理解のため、添付図面を参照して、以下の記載について説明する。
【００１６】
以前の開示（上述の開示を相互参照）においては、電界放出材料として用いるために、カーボンナノチューブ中に低仕事関数の金属及びそのような金属の塩を組み込ませることによって仕事関数を低下させることにより、炭素材料の電界放出特性を最適化する手段が開示されている。本開示においては、電界放出特性は、炭素材料を金属酸化物でコーティングすることによっても改善することが可能である。こうした金属酸化物は、特に超高電流密度での動作下において、炭素材料の電界放出特性の寿命を改善するだけではなく、炭素材料の仕事関数を低下させることに貢献する。
【００１７】
本発明によるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）には、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）、カーボンファイバ、バッキーチューブ、金属カーボンナノチューブ、半導体カーボンナノチューブ、半金属カーボンナノチューブ、カイラルカーボンナノチューブ、化学修飾カーボンナノチューブ、キャップ付きカーボンナノチューブ、開端カーボンナノチューブ、エンドヘドラルな修飾（ｅｎｄｏｈｅｄｒａｌｌｙ‐ｍｏｄｉｆｉｅｄ）カーボンナノチューブ、またはこれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されるものではない。本発明によるＣＮＴは既知の方法のいずれかによって作成可能である。こうした方法（これらの内のいくつかは金属触媒を必要とする）には、アーク合成、化学気相蒸着、担持または非担持触媒を用いた化学気相蒸着、レーザーオーブン合成、火炎合成、またはこれらの組み合わせが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【００１８】
本発明による金属材料は、仕事関数が一般的には略４ｅＶ未満、典型的には略３．５ｅＶ未満、更に典型的には３．０ｅＶ未満である周期表上の金属元素または元素の組み合わせから構成可能である。適切な金属の例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、希土類金属、Ｐブロック元素、金属合金、またはこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明による金属塩は、本願で説明される金属物質のいずれかから成るいずれかの塩であり得る。このような塩の例としては、ハロゲン化金属、金属硝酸塩、炭化金属、窒化金属、酸化金属、またはこれらの組合せが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
金属が如何にして表面の仕事関数に影響を与え得るかの例を挙げると、Ｃｓ（セシウム）原子は炭素材料に付着すると、仕事関数を減少させるが、ＳＷＮＴの抵抗はＣｓの取り込み量の単調な関数ではないことが分かっている。抵抗は、Ｃｓを取り込むと最初は減少し、最小値に達するが、更にドーピングすると増大し、最終的には飽和する。
【００２０】
更に、Ｃｓを用いて、負の電子親和力のＧａＡｓ表面を作り出すことができる。この場合、ＧａＡｓ表面上の酸素に結合したＣｓの単層は、表面の伝導バンド及び価電子バンドの最適な曲がりに繋がり、負の電子表面が作り出される。表面上でのＣｓ濃度の増加は、仕事関数が増大され、非常に不安的で、非常によく化学反応する金属表面に繋がる。
【００２１】
これと同様の原理がＳＷＮＴ及びＭＷＮＴに適用されると、ＣＮＴ材料の仕事関数が減少するが、仕事関数の減少における最適条件を得るために、この過程は最適化され得る（図２を参照）。
【００２２】
本発明の一部の実施例においては、ＣＮＴ層をその場（ｉｎ  ｓｉｔｕ）で基板上に成長させ、金属材料または金属塩をこの層の上に堆積させる。しかしながら、一部の実施例においては、金属材料または塩をカーボンナノチューブのその場（ｉｎ  ｓｉｔｕ）成長プロセス中に堆積させる。更に他の実施例においては、金属材料または金属塩は、ナノチューブの成長プロセスの後ではあるが、ナノチューブの基板上への堆積に先立って、カーボンナノチューブに取り込まれる。
【００２３】
本発明の一部の実施例においては、ＣＮＴを初め基板上に成長させ、引き続いて、金属材料及び／又は金属塩を取り込ませて、仕事関数を変更する。こうした実施例のいくつかの例示的な構成について、以下に説明する。
【００２４】
〈基板の準備〉
一部の実施例においては、基板は、その上にナノチューブを堆積させる材料であると考えられ、三つの構成要素の部分（層）を有する。即ち、基板基部、触媒、これらの間の界面層である。
【００２５】
多くの応用において、基板基部は７００℃のオーダーの温度に耐えられる誘電体である（例えば、コーニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ）１７２７Ｆガラス、Ｂ３‐９４フォルステライトセラミック材料）。ガラス上よりもフォルステライト基板上の方が、より広範な範囲の堆積条件にわたって、炭素が形を成すということが分かっている。
【００２６】
この特定の例においては、ナノチューブの堆積中に触媒が消費される（炭素が触媒界面上においてのみ成長し、従ってＮｉ粒子を持ち上げて、ＣＮＴを生じさせる際のＣＮＴ形成の特徴）。界面層の役割は、（１）エミッタへのフィードラインを提供すること、（２）ガラスと触媒またはナノチューブとの間の接着層になることである。Ｔｉ‐Ｗ（１０％‐９０％）は二つの機能をうまく満たす。一部の実施例においては、Ｔｉ‐Ｗコーティングの厚さは２０００Åであり得る。
【００２７】
用いられた触媒材料はＮｉ及びＦｅである。典型的なＮｉの堆積条件においては、鉄触媒上に炭素は生じない。Ｎｉは、Ｃ‐Ｈ結合を低い温度で切る可能性があるが、Ｆｅに対してはあまり実験が行われていない。
【００２８】
Ｎｉ触媒層の厚さは重要である。厚さが小さ過ぎると（＜略７０Å）、形成される炭素の結晶構造が幾分アモルファスである。２００Å以上の厚いＮｉコーティングに対しても同様である。有利な厚さの値は略１３０〜１７０Åの範囲である。
【００２９】
〈堆積条件〉
エチレンＣ２Ｈ４及び水素のガス状混合物中において、触媒を用いて、炭素を堆積させた。ガスの流速は標準リットル毎分のオーダーであり、同等の値を有する。典型的な流速は、Ｈ２に対して、６００から１０００ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｕｂｉｃ  ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｓ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ，標準立方センチメートル毎分）であり、エチレンに対して７００から９００ｓｃｃｍである。現在用いられる流速の比は、Ｈ２：Ｃ２Ｈ４＝６００：８００ｓｃｃｍである。炭素の堆積に用いられたガスはＨ２、Ｃ２Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈｅである。エチレンは炭素前駆体である。他のガスを用いて、エチレンを希釈して炭素を成長させることができる。温度は６００〜６９０℃に設定された。適切な加熱装置は、例えば６インチのミニブルート（Ｍｉｎｉ  Ｂｒｕｔｅ）の石英チューブ状炉のようなチューブ状炉を含む。
【００３０】
〈堆積手順及びタイミング（図６のステップ６０１〜６０２）〉
１．  サンプルのローディング及び排気。このステップは、圧力の基準値が略１５〜２０ｍＴｏｒｒに達するまで、略３〜５分間かかる。
２．  充填。このステップは、小型の炉の中の第一堆積ステップとして用いられるＨｅパージステージを交換する。大型の炉においては、チューブ内を大気圧にするのに１０分間かかる。水素が、温度の低いチューブの遠隔部分に熱を効率的に伝えるので、チューブ内の温度は減少する
３．  堆積領域への押し込み。
４．  予熱。基板がチューブ内部と平衡温度に達するには略１５分間かかる。
５．  堆積。水素が流れている間に、エチレンを流し始め、更に１５分間かけて、炭素を成長させる。
６．  パージ。実際には、チューブに沿った緩やかなガスの流れがあるので、パージを堆積の一部とみなすことができる。このステップではエチレンを切ることが必要であり、Ｈ２を５分間流し続ける。
７．  ローディング領域への引き出し‐排気‐通気‐アンローディング。
【００３１】
〈金属活性化の準備〉
炭素（ＣＮＴ）膜が準備できると（図６のステップ６０１〜６０２）、アルカリ金属の層でコーティングすることによって、サンプルを活性化させることができる（ステップ６０３）。こうした金属として、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）が挙げられる。Ｃｓは他のアルカリ金属よりも仕事関数を低下させる。この結果が、基板３０１上のアルカリ物質３０２を備えて最適化された炭素膜である。
【００３２】
〈上述の実施例の変形例〉
一部の実施例においては、炭素膜は真空チャンバ内に配置されて、Ｃｓ源が炭素膜とともに配置されて、蒸着、スパッタリング、または他の物理気相蒸着法によって、炭素膜上にＣｓ原子を堆積可能にする。Ｃｓ膜の厚さは、炭素膜の仕事関数を最小にするように最適化される。
【００３３】
炭素膜を金属またはアルカリ金属でコーティングする他の方法は、例えば、塩（例えばＣｓＣｌ）、酸化物、窒化物や同様の化合物等の金属またはアルカリ金属の化合物を、炭素膜上に、物理気相蒸着法（例えば、蒸着法）、塗装法、スプレー法、湿性溶液中への浸漬法により堆積させることによって、行うことができる。その後任意で、この化合物をプラズマ中でまたは熱によって分解させることができ（例えば、還元剤を用いた金属への還元）、金属Ｃｓのみが炭素膜上に残留するようにする。炭素膜上に配置された化合物の量を測定することによって、または、分解の方法を制御することによって、Ｃｓの量を制御することが可能である。
【００３４】
炭素膜を活性化させる他の方法は、炭素膜を備えた基板をアルカリ金属源と共に、真空または不活性ガス雰囲気（例えば、ヘリウム、窒素等）を有する密閉された炉の中に配置することである。サンプル及びＣｓ源は高圧下で高温へと加熱されて、アルカリ金属原子が炭素膜中に挿入（インターカレート）する。挿入（インターカレーション）とは、Ｃｓ原子が炭素膜中に拡散するが、膜中の炭素原子を置換することはなく、代わりに炭素膜の層間位置に収まるということを意味する。アルカリ金属のインターカレーションパラメータを制御することによって、最適化を制御可能である。
【００３５】
炭素膜を活性化させる他の方法は、炭素膜をアルカリ金属原子でドーピングすることである。これは、ＣＮＴマトリクス中の一部の炭素原子がアルカリ金属の原子に置換されるということを意味する。このことは、炭素膜の成長中、または膜が成長した後に行うことができる。
【００３６】
金属塩がＣＮＴ材料に組み込まれる一部の実施例においては、こうした金属塩の金属への分解または還元が必要ない。他の実施例においては、ＣＮＴに取り込まれた金属が、実際に金属塩に変換される（このことは、例えば、アルカリ金属が大気に晒されると、自然に生じ得る）。一部の実施例においては、ＣＮＴに取り込まれた金属塩を有することが望ましい。一部の実施例においては、ＣＮＴ材料中に取り込まれている金属塩のマイクロまたはナノ多孔質結晶（（例えば、ＣＮＴ表面上に吸着している）を、その分極特性により、電場中に配向させることが可能である。
【００３７】
〈金属堆積の最適化〉
アルカリ金属の堆積の最適化は、少なくとも一組の異なる方法で実施することが可能である。
【００３８】
最適性能のために、複数のサンプルを作成してテストすることができる。それぞれのサンプルは、他のサンプルとは異なる測定量の物質を有し得る。結果を活性化またはコーティングの量と相互比較することによって、調査したサンプルの種類に対する、最適な量を決定可能である。
【００３９】
他の方法は、上述のものと同様であるが、放出測定ツールがアルカリ源と共に同一の真空チャンバ内に存在する点が異なる。この方法においては、アルカリ金属がサンプルをコーティングするのと同時に、サンプルの放出を測定することができる。このことは、実時間のフィードバック及び大気への露出が結果を複雑にしないという利点を有する。結果が分かると、同じ量の物質を、結果をモニタする必要なく、他のサンプルに加えることができる。結果は再現可能なものであると予測されるので、全てのサンプルをモニタする必要がない。
【００４０】
そうして、アルカリ物質（３０２）を備えた炭素膜を、放出電子が利用できる多数の応用に対する陰極に使用できることができ、例えば参照される特許文献１のようなディスプレイ装置やＸ線設備が挙げられる。
【００４１】
図４は、上述のように作成されたまた図３に示されたような陰極を用いて製造した電界放出ディスプレイ５３８の一部を示す。陰極と共に含まれているのは、導電層４０１である。陽極はガラス基板４０２と、インジウムスズ層４０３と、蛍光体層４０４とから成り得る。電場が陽極と陰極との間にかけられる。こうしたディスプレイ５３８を、図５に示すようなデータ処理システム５１３において使用することができる。
【００４２】
本発明を実施するための代表的なハードウェア環境が図５に表されており、本発明によるデータ処理システム５１３の例示的なハードウェア構成が示されていて、例えば従来のマイクロプロセッサのような中央処理装置（ＣＰＵ）５１０と、システムバス５１２を介して相互接続された多数の他のユニットを有する。データ処理システム５１３は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）５１４と、リードオンリーメモリ（ＲＡＭ）５１６と、ディスクユニット５２０やテープ装置５４０等の周辺機器をバスに接続するための入力／出力（Ｉ／Ｏ）アダプタ５３８と、キーボード５２４、マウス５２６及び／又は他のユーザーインターフェイス装置（例えばタッチスクリーン装置等，図示せず）をバス５１２に接続するためのユーザーインターフェイスアダプタ５２２と、データ処理システム５１３をデータ処理ネットワークに接続するための通信アダプタ５３４と、バス５１２をディスプレイ装置５３８に接続するためのディスプレイアダプタ５３６とを含む。ＣＰＵ５１０は、図示されていない他の回路を有し得て、マイクロプロセッサ内部に一般的に見受けられる、例えば実行ユニット、インターフェイスユニット、算術論理演算ユニット等の回路を含む。また、ＣＰＵ５１０は単一の集積回路上に存在し得る。
【００４３】
〈カーボンナノチューブの金属塩処理〉
本発明に対して更に、カーボンナノチューブを金属塩溶液で処理することが、こうした材料の電界放出特性を顕著に改善可能であることを、本願発明者は発見した。こうした処置として一般的に、ＣＮＴを金属塩溶液中に浸漬させて、引き続いて金属塩溶液からＣＮＴ取り出して、任意でＣＮＴを洗浄及び／又は乾燥させることが挙げられる。
【００４４】
ＣＮＴ及び金属塩は上述のいずれかであり得る。ＣＮＴ、特にＳＷＮＴを、例えば、図７に示されるような単純なボールミルを用いて、金属塩溶液中への浸漬に先立って、粉末形状にすりつぶしてもよい。このようなすりつぶしによって、金属塩溶液中のＣＮＴの分散が容易になる。また、界面活性剤等の更なる分散剤を用いてもよい。
【００４５】
理論に縛られることをよしとする訳ではないが、上述の電界放出の改善は、ＣＮＴ表面上への金属イオンの吸着の結果であると考えられ、処理されていなければ略５．５ｅＶであるＣＮＴの仕事関数を低下させることができる。これに有効なアルカリ金属として、Ｌｉ（２．９３ｅＶ）、Ｎａ（２．３６ｅＶ）、Ｋ（２．２９ｅＶ）、Ｒｂ（２．２６１ｅＶ）、Ｃｓ（１．９５ｅＶ）が挙げられる（非特許文献６）。こうしたアルカリ元素に加えて、、仕事関数が一般的には略４ｅＶ未満、典型的には略３．５ｅＶ未満、更に典型的には３．０ｅＶ未満である他の物質も、カーボンナノチューブの電界放出特性を改善するのに有効であると考えられる。このような金属の例として、Ｂａ（２．５２ｅＶ）、Ｃａ（２．８７ｅＶ）、Ｃｅ（２．９ｅＶ）、Ｇｄ（２．９ｅＶ）、Ｓｍ（２．７ｅＶ）、Ｓｒ（２．５８ｅＶ）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
このプロセスが有する利点は、１）多量のＣＮＴを、この方法で比較的低コストで、容易且つ効率的に表面処理することができること、２）金属イオンをその対応する純金属に分解（例えば還元）する必要がないこと、そして、大面積の基板にわたる一様な堆積が、現在利用可能な低コストの設備を用いて、可能であるということである。こうした堆積法として、このように処理されたＣＮＴを基板表面上にスプレー分散させることが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
上述の実施例の変形例として、金属塩を金属に任意で還元することが挙げられる。理論に縛られることをよしとする訳ではないが、金属塩で処理されたＣＮＴを電界放出装置の陰極材料として用いると（図４を参照）、ＣＮＴ表面上に吸着された金属陽イオンの一部または全部が、陰極と陽極との間に電位が印加されると還元され、それらの間に放出電流が流れ始める可能性がある。更には、一部の実施例においては、こうした放出装置において用いられるＣＮＴを覆う、このような金属塩のマイクロまたはナノ結晶が、電場が発生すると配向され得る。
【００４８】
以下の実施例は、本発明の一部の実施例を更に完全に例示するため供される。実施例は、金属塩で処理されたＣＮＴを作成して、電界放出応用のために準備する方法を例示する。当業者であれば、以下の実施例に開示される方法が、本願発明者によって発見された方法を発明の実施において上手く機能するように示したものであり、従って、その実施に対する例示的な形態を構成するものとみなされるということを理解されたい。しかしながら、当業者であれば、本開示に基づいて、開示された特定の実施例に対して多くの変更を加えることが可能であり、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに同様の結果を得ることができるものである。
【００４９】
［実施例］
本実施例は、Ｃｓ塩で処理されたＣＮＴを作成するために用いられる方法と、その電界放出への応用のための準備を説明するものである。
【００５０】
〈１．  Ｃｓ塩でのカーボンナノチューブの処理〉
このプロセスは、アルカリ塩／水溶液を用いてカーボンナノチューブ粉末の表面上にＣｓイオンを接触させる方法を提供する。
【００５１】
Ａ）  Ｃｓ塩及びカーボンナノチューブ源
精製した単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）を、米国テキサス州ヒューストンのＣａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社から購入した。このＳＷＮＴは直径が略１〜２ｎｍであり、長さが略５〜２０μｍであった。他の業者からの直径及び長さが異なる単層、二層、多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）等の他の種類のカーボンナノチューブをこの実施例において代わりに用いることが可能であり、同様の結果が得られる。
【００５２】
硝酸セシウム（ＣｓＮＯ３）を米国カリフォルニア州ガーディナのＳｐｅｃｔｒｕｍ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ社から入手した。ここで、本願発明者は、ＣｓＣｌ、Ｃｓ２ＣＯ３、Ｃｓ２ＳＯ４等の他の種類のＣｓ塩をこの実施例においてＣｓＮＯ３の代わりに用いることが可能であり、同様の結果が得られるということを示唆しておく。
【００５３】
Ｂ）  ＳＷＮＴのすりつぶし
ＣＮＴは容易に凝集してクラスター及びバンドルを形成し、ファンデルワールス引力によって互いに保持される。従って、Ｃｓ塩／水溶液中に浸漬させる前に、分散させることが有益であることが多い。単純なボールミルを用いて、ＳＷＮＴバンドルをすりつぶした。図７は、ホイール７０２が第二ホイール７０４を駆動させるベルト７０３に取り付けられたモータ７０１を備えたボールミルの図である。この第二ホイール７０４は、タービン７０５、ギア７０６、チェイン７０７のアセンブリを介して、すりつぶし用チャンバ７００９を回転させるシャフト７０８を駆動させる。ＣＮＴ及び／又は粒子が配置されるのは、このすりつぶし用チャンバ７０９内である。この機械を動かす典型的な速さは、略５０〜６０回転毎分である。
【００５４】
この特定の実施例において、略０．５ｇのＳＷＮＴが、すりつぶし用に用いられる数十のＡｌ２Ｏ３球（直径〜５−１０ｍｍ）と共に、略１００ｍｌの水で混合させる。ＣＮＴ粉末は、１〜１４日間すりつぶされて、カーボンナノチューブを完全に分散させる。任意で、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（非特許文献７）等の界面活性剤や同様の物質を混合物に加えて、カーボンナノチューブのより良い分散を達成することができる。
【００５５】
Ｃ）  Ｃｓ塩溶液の準備
本実施例では、略２ｇのＣｓＮＯ３粉末を略４００ｍｌの水と共にビーカー内に入れて、粉末が溶解するまで、ガラス撹拌棒を用いて撹拌した。任意で、水溶液を一回以上濾過して、不純物及び／又は難溶性粒子を抽出することが可能である。
【００５６】
Ｄ）  すりつぶされたＣＮＴ分散物のＣｓ塩溶液中への浸漬
すりつぶされたカーボンナノチューブは略１００ｍｌの水に分散しているが、これをＣｓＮＯ３溶液に加えて、混合物を形成する。溶液の全量は５００ｍｌであり、ＣｓＮＯ３の濃度は０．０２Ｍであった（ＣＮＴからの電界放出特性を最高にするためには、他の濃度の方が適切であり得る）。その後、この溶液を、ホットプレート／磁気撹拌器上に置いて、略１５〜２０時間、磁気撹拌棒を用いて撹拌した（他の実施例においては、ＣＮＴ表面を金属イオンで飽和させるように、時間を変更することができる）。図８は、Ｃｓイオンが如何にしてＣＮＴ表面上に吸着され得るのかを示す。図８を参照すると、ビーカーには、ＣｓＮＯ３／水溶液８０２と、ＣＮＴ８０３と、磁気撹拌棒８０４とが含まれる。混合物は、撹拌ホットプレート８０５によって加熱／撹拌される。
【００５７】
Ｅ）  ＣＮＴの洗浄
混合物を略１５〜２０時間撹拌した後、脱イオン水を用いて、ＣＮＴを数回洗浄して、溶液中の塩の残留物を除去する。全てのＣＮＴがビーカーの底に沈んだ後で、水を除去した。そして、新しい水を加えた。ＣＮＴを洗浄した後、略４０〜１００℃で一定時間、オーブン中でＣＮＴを乾燥させることができた。この実験では、ＣＮＴ溶液はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で更に数回洗浄され、その後で、ＣＮＴ陰極を準備した。
【００５８】
〈２．  Ｃｓ塩で処理されたカーボンナノチューブの基板表面への適用〉
本実施例では、スプレー法を採用して、Ｃｓ塩で処理されたＣＮＴを基板上に堆積させた。ＣＮＴは複数存在すると容易に凝集するので、超音波ホーンまたはバスを用いて、基板上にスプレーする直前にＩＰＡ溶液中に再分散させた。本実施例では、ＣＮＴ‐ＩＰＡ溶液を、略２×２ｃｍ２の面積を有する従来のシリコン（Ｓｉ）基板上にスプレーした（また、このような溶液は、金属、セラミック、ガラス、半導体、プラスチック等の様々な他の基板上にもスプレー可能である）。基板上のコーティングのより良い一様性及び分散性を得るため、スプレーに先立って、上述の溶液中にＩＰＡを更に加えることができる。本実施例では、スプレーに用いられた溶液は、略１００ｍｌのＩＰＡ中の略０．２ｇのＣｓ塩で処理されたＣＮＴの混合物であった。代わりの実施例では、この溶液を、シャドウマスクを用いて、選択的な一つの領域または複数の領域に加えることが可能である。ＩＰＡが予期していない領域に流れることを防止するため、スプレープロセス中に基板を前面及び背面の両面から略７０℃に加熱して、ＩＰＡを素早く蒸発させた。表面全体が混合物でコーティングされるまで、基板は、前後及び／又は上下から数十回スプレーされた。混合物の厚さは略１〜１０μｍであった。その後、表面を大気中で乾燥させた。図９は本実施例で採用されたスプレー法を示し、凝縮ガス９０１を用いて、金属塩で処理されたカーボンナノチューブの溶媒に浮かせた混合物を含む噴霧器９０２を充填する。混合物９０３は基板９０４上にスプレーされ、任意で、ヒーター９０５に接触させるか及び／又は赤外線（ＩＲ）加熱ランプ９０６を用いて、金属塩で処理されたＣＮＴを備えた陰極材料層９０７を形成する。
【００５９】
スプレー法以外の方法を用いて、混合物を基板に加えることもできる。こうした方法として、電気泳動法、堆積法、ディッピング法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、分配法、ブラッシング法や、これらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、アセトンやメタノール等の他の溶媒を、Ｃｓ塩で処理されたＣＮＴを表面に適用する際のキャリア（ＩＰＡの代わり）として用いることもできる。
【００６０】
図１０のＡ〜Ｃは、スクリーン印刷法を示し、これによって、金属塩で処理されたカーボンナノチューブを、本発明の一部の実施例による基板上に堆積させることが可能である。図１０のＡを参照すると、基板１００１を基板用ステージ／チャック１００２上に配置して、イメージスクリーンステンシル１００３に接触させる。分散体１００４は、金属塩で処理されたカーボンナノチューブを含み（また分散体１００４は、アルミナやシリカや銀等の絶縁性または導電性粒子、また、標準的なペーストの賦形剤、このペーストの粘性と硬化性を調節する希釈剤を含み得る）、図１０のＢに示されるように、スクイージー１００５でイメージスクリーンステンシルにわたって“一掃される”。そうして、分散体１００４は、イメージスクリーンステンシル１００３の開口部の直下の領域においてのみ、基板１００１に接触する。その後、図１０のＣに示されるように、基板用ステージ／チャック１００２を降下させて、基板１００１上のパターニングされた陰極材料１００６を露出させる。その後、パターニングされた基板を基板用ステージ／チャックから取り外す。
【００６１】
図１１は、ディスペンサまたはインクジェットプリンタを用いて、金属塩で処理されたカーボンナノチューブを基板上に堆積させる実施例を示す。図１１を参照すると、印刷ヘッド１１０１を所望の方法で、基板１１０４上で平行移動させる。基板１１０４上で平行移動させると、印刷ヘッド１１０１は、溶媒中に分散した金属塩で処理されたカーボンナノチューブを含む小滴１１０２をスプレーする。この小滴１１０２が基板１１０４に接触すると、金属塩で処理されたカーボンナノチューブを含む、印刷された陰極材料１１０３が形成される。一部の実施例においては、基板が加熱されて、この小滴中の溶媒を急速に蒸発させる。分配中に、熱及び／又は超音波エネルギーを印刷ヘッド１１０１に加えてもよい。
【００６２】
〈３．  ＣＮＴの活性化〉
Ｃｓ塩で処理されたＣＮＴを基板表面上に堆積させると、粘着テープ材料をＣＮＴ膜に適用してその後粘着テープを引き剥がすする活性化法（“テープ活性化（ｔａｐｅ  ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）”と称す）をＣＮＴ膜に適用することができる（台湾新竹市のＩｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ＩｎｓｔｉｔｕｔｅのＹａｎｇ  Ｃｈａｎｇ，  Ｊｙｈ‐Ｒｏｎｇ  Ｓｈｅｕ、Ｃｈｅｎｇ‐Ｃｈｕｎｇ  Ｌｅｅによる“Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｆｏｒ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｔｔｅｒｓ”というタイトルの特許文献２を参照）。
【００６３】
カーボンナノチューブを基板上にスプレーした後で、基板から材料の最上層を除去するために、粘着テーププロセスが必要となる場合がある。本実施例では、透明テープ（３Ｍのカタログ番号＃３３６）を任意で用いて、材料の最上層を除去した。ラミネート加工を用いて、テープをＣｓ塩で処理されたＣＮＴ層に適用した。テープとＣＮＴ層との間に空気が存在しないように注意を払った（気泡が存在すると、その領域の混合物が、他の領域のようには除去または処理されない）。テープとＣｓ塩で処理されたＣＮＴ層とが交わる部分の空気を更に排除するために、ラバーロールを用いてテープを更に押した。最後に、テープを除去した。
【００６４】
〈４．  電界放出装置中のＣｓ塩で処理されたＣＮＴの電界放出テスト〉
電界放出特性を比較するため、Ｃｓ塩で処理されたサンプルと同一のスプレー及び活性化条件を用いて、未処理のＣＮＴも作成した。そうして、両方のサンプルを、図４に示されるようなダイオード構成の蛍光スクリーンに固定することによって、テストした。ここで、陽極と陰極との間のギャップは略０．６３ｍｍとした。テスト用アセンブリを真空チャンバ中に配置して、略１０−７Ｔｏｒｒまでポンピングした。そうして、負のパルス電圧（ＡＣ）を陰極に印加して、陽極は接地電位に保持して陽極での電流を測定することによって、陰極の電気的特性を計測した（ＤＣ電位をこのテストに用いることもできるが、蛍光スクリーンが損傷する可能性がある）。二つのサンプルに対する放出電流対電場のグラフを図１２に示す。
【００６５】
図１２から見て取れるように、Ｃｓ塩で処理されたＣＮＴは、未処理のＣＮＴよりも顕著に優れた電界放出特性を有する。０．９Ｖ／μｍ未満の閾値電場、及び、１．８４Ｖ／μｍでの３０ｍＡの放出電流が、Ｃｓ塩で処理されたＣＮＴにおいて達成された。一方、未処理のＣＮＴは、略１．３Ｖ／μｍの閾値電場を示し、３０ｍＡの放出電流を発生させるのに略２．８０Ｖ／μｍの電場を必要とした。
【００６６】
低仕事関数のコーティングが、熱陰極に対してしばらくの間用いられてきた。一つの例はショットキーエミッタである。ショットキーエミッタは、冷電界エミッタの低いエネルギーの広がり及び高い電流密度を組み合わせると共に、高い安定性及び熱エミッタの低いビームノイズを有する。実際のところ、電子は障壁をトンネルしないので、熱エネルギーは電子放出を補助する。このような“熱電界放出”に対しては、ＺｒＯ２での表面処理によって、放出特性、特にソースの安定性が改善される。
【００６７】
このような“ショットキー”エミッタは、走査型電子顕微鏡法において一般的になってきている。一例は、表面処理されたダイヤモンド陰極からの低温熱イオン電界放出の増強に対する最近の研究である（非特許文献８）。温度を７５０℃から９５０℃に上昇させた際に、電界放出電流（ＩＦＥ）の８倍の増加が観測された。また、陰極が７００℃に加熱された際にも、電界放出の増強がカーボンナノチューブから得られた（非特許文献９）。
【００６８】
ＭＷＮＴに対しては、自己発熱によるＣＮＴの局所的な温度は、個々のＣＮＴの抵抗及び放出電流に依存している。ＭＷＮＴに対しては、シミュレーション及び実験によって、自己発熱による温度は３００から２０００Ｋに及ぶということが示された。金属の抵抗は、温度とともに、大まかには線形に増加する。更に、表面拡散によって生じた金属チップの先鋭化プロセスは、局所場を増大させる。これによって、正の加熱フィードバックが生じ、極度に不安定な状況となり、金属チップは一般的に高温で予告なく崩壊する。対照的に、ＭＷＮＴの抵抗は、温度と共に顕著に減少することが示されており（非特許文献１０）、加熱に対する負のフィードバックを与える。金属チップとは異なり、共有結合性の炭素に対しては、表面拡散は遥かに緩やかであり、電場による先鋭化を抑制する。ＣＮＴ陰極は限られた寿命しか有さないが、素直で予測可能であり、システム設計者及び操作者がサービススケジュールを有する機会を与える。衛星のようにメンテナンスが不可能な場合でも、スケジュール通りの故障は、予測不可能な故障よりは許容可能なものである。
【００６９】
より低い電場でのより高い電流を達成するため、低仕事関数物質が必要であり、カーボンエミッタをコーティングして、略５．０ｅＶから仕事関数を低下させる。また、この仕事関数のコーティングは、高放出電流密度において誘発される高温に耐えることができなくてはならない。ファウラー・ノルドハイムの放出トンネリングの理論によると、放出表面の仕事関数の低下は、所定の印加電場における電界エミッタからの放出電流を増加させる。従って、電流密度を更に増加させてより安定な電子源を得るために、低仕事関数物質を、カーボンエミッタまたは他のナノエミッタ上にコーティングすることができる。カーボンエミッタは、多層カーボンナノチューブ、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、カーボンファイバ、カーボンフレークや、他の炭素ベースのエミッタとすることができる。ＣＮＴ陰極の短寿命の主な理由である、真空環境中の酸素のアタック及び反応性イオンフィードバックのアタックを避ける保護層としても機能するように、低仕事関数物質は注意深く選択されることが望ましい。こうした問題に向けて、本発明の一実施例は、コーティングとして一部の金属酸化物を用いて、カーボンエミッタの仕事関数を低下させる。特に、ＢａＯ、ＳｒＯ及びＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物の使用について開示されるが、例えばＳｃ２Ｏ３等の他の金属酸化物も機能し得る。また、こうした酸化物の化合物、並びに、こうした物質の混合物も機能し得る。酸化物材料のコーティングは、ナノチューブまたはナノエミッタの表面にわたって一様且つ完全にコーティングされていてもよく、非一様にコーティングされていてもよく（一部の場所では厚く、他の場所では薄く）、部分的にのみコーティングされていてもよい（一部の領域がコーティングされ、他の領域はコーティングされない）。
【００７０】
湿式化学堆積、電気化学析出、真空蒸着（スパッタリング、蒸着、レーザーアブレーション堆積等を含む）を採用して、ＣＮＴ上に低仕事関数物質をコーティングすることができる。図１６Ａ〜Ｄは、カーボンナノチューブまたはナノエミッタ上の低仕事関数物質のコーティングの様々な構成を示す。
【００７１】
図１６Ａは、導電性電極２（薄い金属膜や厚い金属膜等）を基板３上への金属ペーストのスクリーン印刷及び硬化によって堆積させる第一構成を示す。その後、ナノワイヤまたはナノチューブの電界エミッタ１を導電性電極２上に堆積させる。図１６Ｂは、電界エミッタ１をコーティングするための低仕事関数及び保護層を示す。図１６Ｃは、垂直に並べた電界エミッタ１上への部分的なコーティングを示す。図１６Ｄは、ランダムに並べた電界エミッタ５上への低仕事関数物質６の部分的なコーティングを示す。低仕事関数及び保護コーティングを、真空蒸着または電気化学析出を用いて、ナノサイズの電界エミッタ上に堆積させることができる。
【００７２】
〈実施例１〉
カーボンナノチューブ上の低仕事関数の金属酸化物コーティングの一例について、以下に説明する。
【００７３】
１．  金属薄膜（１０ｎｍ〜１０００ｎｍ）をガラス基板上に堆積させる。ＴｉＷ膜が好ましい。アルミナや剥き出しのＳｉウエハ等の他の基板物質も選択可能である。導電性基板を用いてもよい。純Ｔｉや純Ｗ等の他の多くの金属膜も機能し得る。一部の場合においては、ＴｉＷ膜が必要とされない。金属膜は、電気コンタクト層として機能する。基板が導電性であれば、コンタクト層は必要とされない。
【００７４】
２．  二つの金属薄層をＴｉＷ層の上に成長させて、ＣＮＴの炭素成長（次のステップ）のための触媒層として機能させる。まず、Ｃｕ／Ｎｉ（３〜８ｎｍ／３〜８ｎｍ）を堆積させ、その後、Ｎｉ（３〜８ｎｍ）を基板上に堆積させる。触媒層はｅビーム蒸発器を用いて堆積される。他の方法を用いてもよい。
【００７５】
３．  カーボンナノチューブを基板上に成長させる。触媒層を備えた基板を、カーボンナノチューブ堆積用のリアクタ内に固定する。用いられるリアクタは高温で動作しその内部の雰囲気が制御されている石英チューブ状炉であってもよい。プロセスは化学気相蒸着（ＣＶＤ）プロセスである。基板はリアクタの冷たい端部に配置される。リアクタ内にサンプルが配置されると、室内の雰囲気に対してリアクタが閉鎖され、標準的な粗びきポンプを用いて、略１０−２Ｔｏｒｒにまでポンピングされる。その後リアクタに略５０〜２００Ｔｏｒｒの圧力まで、窒素ガスが充填される。窒素は略５０〜２００ｓｃｃｍで流れ続けるが、圧力はポンプ上方のスロットルバルブによって制御される。その後、サンプルを、高温になる炉の中心に押し込む。サンプルが炉の中に押し込まれると、窒素ガスを切って、水素ガスを同じ様に１００ｓｃｃｍの流速で流し始める。温度は４５０℃から７５０℃の範囲であり得る。好ましい温度は６００℃であるが、これは他のパラメータに大きく依存する。サンプルは、この水素が流れている環境下に略１０〜３０分間置かれて、基板の温度が、その新しい環境と平衡になる。その後、水素を切り、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスを２０〜５０ｓｃｃｍで流し始める。圧力は５０〜２００Ｔｏｒｒのままである。この期間の時間は５〜６０分間である。この炭素成長期間後に、アセチレンガスを切り、窒素ガスを、５０〜２００ｓｃｃｍの流速で流し始める。同時に、サンプルをリアクタの熱い領域から冷たい領域へと引き出して、室温近くまで冷却する。１０分後、リアクタを排気して、その後空気に通気させる。圧力が１気圧に達すると、リアクタが開かれて、サンプルが取り外され、点検及びテストが行われる。他のリアクタに対しては、リアクタのサイズや他のパラメータに依存して、流速、温度、プロセス時間が異なり得る。当該分野で既知である同様のプロセスを用いてもよい。
【００７６】
４．  ＣＮＴを基板上に成長させた後で、ｅビーム蒸発器によって、略５ｎｍのＭｇＯ層をＣＶＤで成長させたＣＮＴ陰極上に堆積させる。ＭｇＯ層が蒸着によって堆積されたので、コーティングがＣＮＴを完全には覆わず、また一様ではないかもしれない。
【００７７】
標準的なダイオード構成を用いて、ＭｇＯでコーティングされたＣＮＴ陰極及びＣＶＤで成長させた剥き出しのＣＮＴ陰極の電界放出の寿命をテストした。ＣＮＴ陰極の活性表面を、蛍光体でコーティングされた陽極スクリーンに向けて配置した。ＣＮＴ層は蛍光体層に直接向き合う。二つのプレートは、陰極と陽極との間に配置されたスペーサによって略１ｍｍ離隔された。アセンブリは真空チャンバ内部に配置されて、１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気された。真空チャンバは陰極及び陽極の電極に接続された電気的フィードスルーを有し、チャンバ外部の電極に電力供給及び接地をおこなう。陽極は接地電位近くに保持された。陰極を、１０００Ｈｚの周波数及び２％の負荷時間率（デューティファクタ）で負にパルス動作させた。陰極からの指定された電界放出電流が達成されるまで、陰極の負のバイアスを増加させた。
【００７８】
図１７に示されるように、未処理のＣＮＴ陰極と比較して、ＭｇＯでコーティングされたＣＮＴ陰極に対しては、より長い寿命が観測された。６０ｍＡ／ｃｍ２の開始放出電流密度での寿命テスト中に、ナノチューブからの高温発光が観測された。
【００７９】
〈実施例２〉
カーボンナノチューブ上に酸化物の混合物（Ｎａ２Ｏ、ＭｇＯ、Ｌｉ２Ｏ及びＳｉＯｘ）の層を湿式化学的にコーティングすることによって、図１８に示されるように、３０ｍＡの放出電流に対するＣＮＴエミッタの電場が減少するという結果が示された。
【００８０】
カーボンナノチューブ上の低仕事関数の金属酸化物コーティングを形成する方法の一つについて、以下に説明する。
１）  ９５〜９９ｗｔ％の水と１〜５ｗｔ％のＬａｐｏｎｉｔｅ（登録商標）（Ｓｏｕｔｈｅｒｎ  Ｃｌａｙ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社から入手可能）という重量比にして、ビーカーに入れる。水をＬａｐｏｎｉｔｅに加えるが、その逆でもよい。
２）  撹拌器を用いて、５０〜２００ｒｐｍの回転数でビーカー内で混合して、ゲルを形成する。撹拌時間は１０から４０分間である。Ｌａｐｏｎｉｔｅは合成ケイ酸塩であり、Ｎａ＋、Ｌｉ＋、Ｍｇ２＋、ＳｉＯ４２−を含む。
３）  ９０〜９９ｗｔ％のゲルと、１〜４ｗｔ％の多層ＣＮＴ（複数のソースが利用可能である）と、５〜１０ｗｔ％のテルピネオール希釈剤とを混合して、ビーカー内にＣＮＴインクを配合する。
４）  ３ロールのミルを用いて、一時間混合物を混合して、ゲルインクの準備を更に進める。
５）  ２００メッシュのスクリーン及びスクリーンプリンタを採用して、当業者に既知の標準的なスクリーン印刷法を用いて、基板上にインクを堆積させる。
６）  印刷後、基板をオーブン内（大気雰囲気）で２３０℃で３０分間焼成する。焼成後、ゲル物質は酸化物に変換するが、カーボンナノチューブ上に留まっているかまたはカーボンナノチューブと混合されたままである。酸化物層の厚さは酸化物ゲル溶液の濃度によって調節可能である。
７）  ＣＮＴ陰極に対しては、透明なセロハンテープを適用することによる活性が必要とされることがある。ラミネーションマシンを用いて、透明テープをＣＮＴ陰極表面に貼り付ける。基板はラミネータを一回通過し、テープをＣＮＴ陰極表面に確実に接触させる。その後、テープをＣＮＴ陰極表面から引き剥がす。テープの除去により、一部のＣＮＴ及び酸化物材料が陰極表面から除去され得る。
【００８１】
図１８に示されるように、この混合物は、ＣＮＴベースの陰極の電界放出特性を改善するという結果が示された。この陰極の電界放出特性を、上述の実施例１と同様に、２％の負荷時間率のパルスモードでテストした。上述のように準備した酸化物でコーティングされた陰極は、未処理のＣＮＴと比較して、低い閾値電場を有した。
【００８２】
寿命テストの結果は、図１７に示されるサンプルと同様にして得られた。８０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度及び２．４Ｖ／μｍの電界放出電場強度での動作時には、３６０時間以上にわたって、何らの劣化も観測されなかった。図１９は上述のように準備されたＣＮＴ陰極のＳＥＭ像である。
【００８３】
〈実施例３〉
カーボンナノチューブエミッタの仕事関数を低下させ、並びに、電界放出応用におけるエミッタの寿命を延ばす他の方法も用いた。従来の低仕事関数物質（ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＺｒＯ等またはこれらの化合物や混合物）を、湿式化学堆積によって、ＣＮＴ陰極上に堆積させることが可能である。また、こうした酸化物はＣＮＴに対する保護層にもなり得て、ＣＮＴエミッタの寿命を延ばすため、並びに電界放出の閾値を減少させるために、真空チャンバ中の酸素種によるエッチングの危険性を減少させる。
【００８４】
本プロセスは以下の通りである。
１）  ＢａＯ（２０〜５０ｗｔ％）、ＳｒＯ（２０〜５０ｗｔ％）、ＣａＯ（１０〜２０ｗｔ％）を水中に溶解させる。
２）  Ｉｌｊｉｎ社製のカーボンナノチューブ（１〜１５ｗｔ％）を、ＢａＯ：ＳｒＯ：ＣａＯ水溶液に加える。この溶液を撹拌して４０〜９０℃まで加熱する。初期段階において、激しい反応がこの混合物の溶液中において観測可能である。これは、金属酸化物が水と反応して水酸化物を形成する結果であると考えられる。
３）  水溶液を１２時間撹拌して、水とＢａＯ：ＳｒＯ：ＣａＯとの間の反応を完全なものにする。一部の水酸化物及び酸化物が、この激しい反応中に、ＣＮＴに付着する。
４）  １２時間後、撹拌プロセスを停止して、カーボンナノチューブをビーカーの底に沈めた。水を注意深く移して、ビーカー内に処理されたＣＮＴを残した。再びビーカーに水を加えて、ＣＮＴがビーカーの底に沈むまで、そのままにした。水を再び移して、ビーカー内に処理されたＣＮＴを残した。この洗浄プロセスを５〜１０回繰り返した後、オーブン中で１００℃で水を蒸発させることによって、混合物を乾燥させた。
５）  ＣＮＴが乾燥した後には、一部の酸化物及び水酸化物材料がＣＮＴ上に残存したままであり、ＣＮＴ粉末上に明色が示されて、これがＣＮＴ上の残存物を示す。その後、０．３〜１ｗｔ％の処理されたＣＮＴ材料をビーカーに加え、９９〜９９．７ｗｔ％のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を加えて、ＣＮＴを分散させた。
６）  より良く分散させるため、ＣＮＴ‐ＩＰＡ溶液を超音波バス中で、２０分間超音波処理した。２×２ｃｍ２の正方形パターンを備えたマスクを用いて、溶液を基板上にスプレーした（エアブラシを用いて）。
７）  透明なセロハンテープによる活性化を、全てのＣＮＴ陰極に適用した。この詳細については、上述の実施例２に記載されている。
【００８５】
上述のプロセスにおいては、金属酸化物が水溶液中に溶解され、その後、カーボンナノチューブ粉末上にコーティングされた。他の低仕事関数物質及び化合物を用いてＣＮＴを処理し、高温安定性のために仕事関数を低下させてもよい。六ホウ化ランタン（ＬａＢ６）は、多くの高温（熱）電界放出応用において用いられる、一般的な低仕事関数物質である。ＺｒＣも候補である。カーボンナノチューブ上のＬａＢ６または上述の物質のコーティングを提供する方法については、本願で説明されないものも多数存在し得る。
【００８６】
上述のように準備されたサンプルを、上述のように電界放出特性用にテストした。未処理のサンプル（上述のような金属酸化物処理がされていない）も準備してテストした。この二つのサンプルの電界放出の結果のＩ‐Ｖ曲線を図２０にプロットする。図２０は、酸化物で処理されたＩｌｊｉｎ製の単層ＣＮＴ陰極（４ｃｍ２の活性領域）と、酸化物を有さない未処理の陰極（Ｉｌｊｉｎ製の純ＣＮＴ、４ｃｍ２の活性領域）とのＩ‐Ｖ曲線を示す。酸化物で処理されたサンプルの方が低い閾値を有する。両方の実験において同じナノチューブを用い、処理以外については同じ様に準備したので、これは、酸化物コーティングが、処理されたナノチューブの仕事関数を低下させたということを示す。
【００８７】
金属酸化物で処理された陰極と未処理の陰極の電界放出の寿命テストの結果を図２１に示す。図２１は、上述の実施例３で準備した酸化物で処理されたＩｌｊｉｎ製の単層ＣＮＴ陰極（０．２５ｃｍ２の有効領域）に対する２４時間の電界放出の寿命テストが、８０ｍＡ／ｃｍ２の開始電流密度から５％しか劣化していないことを示す。Ｉｌｊｉｎ製の純陰極（未処理）は２４時間の寿命テスト時に２５％の劣化を示した。どちらのサンプルも２４時間という期間中に減衰を示したが、処理されたサンプルの方が小さな減衰を示した。先程と同様に、両方の実験において同じカーボンナノチューブ材料を用い、両方の材料を同じ環境下でテストし、同じ電界放出強度を両方の場合に用いたので、これは、金属酸化物コーティングが、陰極の寿命を延ばすことに貢献したということを示す。
【００８８】
本発明及びその利点について詳細に説明してきたが、多様な変更、置換、修正が、特許請求の範囲に定められた発明の精神及び範囲から逸脱せずに可能であるということは理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】電流密度対電場のグラフを示す。
【図２】仕事関数対アルカリまたは金属原子の表面濃度のグラフを示す。
【図３】本発明の一実施例に従って構成された装置を示す。
【図４】ディスプレイを示す。
【図５】データ処理システムを示す。
【図６】本発明の一実施例に従った製造方法を示す。
【図７】カーボンナノチューブをすりつぶすのに用いられるボールミル装置を示す。
【図８】金属イオン（例えばＣｓ＋）が如何にカーボンナノチューブの表面上に吸着されるかを示す。
【図９】表面上に金属塩で処理されたカーボンナノチューブを堆積させるのに用いられるスプレー法を示す。
【図１０】基板上に金属塩で処理されたカーボンナノチューブの分散体を堆積させるのに使用可能なスクリーン印刷装置を示す。
【図１１】分配法またはインクジェット印刷法を用いて如何に基板上に金属塩で処理されたカーボンナノチューブの分散体を堆積可能であるかを示す。
【図１２】未処理のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）とＣｓ塩で処理されたカーボンナノチューブ（Ｃｓ‐ＣＮＴ）とに対する放出電流対電場のグラフを示す。
【図１３】適度な電流密度レベルで動作させた、ＣＶＤで成長させた多層カーボンナノチューブの寿命テストを示す。
【図１４】印加された電場の関数として電子放出電流密度のグラフを示す。
【図１５】６６ｍＡ／ｃｍ２の電流密度においてＣＣＤカメラによって撮られた白熱しているカーボンナノチューブからの光のデジタル画像である。
【図１６Ａ】カーボンナノチューブまたはナノエミッタ上の低仕事関数物質のコーティングの様々な構成を示す。
【図１６Ｂ】カーボンナノチューブまたはナノエミッタ上の低仕事関数物質のコーティングの様々な構成を示す。
【図１６Ｃ】カーボンナノチューブまたはナノエミッタ上の低仕事関数物質のコーティングの様々な構成を示す。
【図１６Ｄ】カーボンナノチューブまたはナノエミッタ上の低仕事関数物質のコーティングの様々な構成を示す。
【図１７】ＭｇＯでコーティングされたＣＮＴ陰極と未処理のＣＮＴ陰極の寿命テストの結果を示す。
【図１８】酸化物でコーティングされた多層ＣＮＴ陰極と酸化物を有さない他の陰極とのグラフを示す。
【図１９】実施例２に関し説明されるカーボンナノチューブ陰極のＳＥＭ像を示す。
【図２０】酸化物でコーティングされた単層カーボンナノチューブ陰極と酸化物を有さない未処理の陰極とによるＩ‐Ｖ曲線を示す。
【図２１】酸化物で処理された単層ＣＮＴ陰極の電界放出の寿命テストを示す。
【符号の説明】
【００９０】
１  電界エミッタ
２  導電性電極
３  基板
５  電界エミッタ
３０１  基板
３０２  アルカリ物質
４０１  導電層
４０２  ガラス基板
４０３  インジウムスズ層
４０４  蛍光体層
５１０  ＣＰＵ
５１２  システムバス
５１４  ＲＡＭ
５１６  ＲＯＭ
５１８  Ｉ／Ｏアダプタ
５２０  ディスクユニット
５２２  ユーザーインターフェイスアダプタ
５２４  キーボード
５２６  マウス
５３４  通信アダプタ
５３６  ディスプレイアダプタ
５３８  電界放出ディスプレイ
５４０  テープ装置
７０１  モータ
７０２  ホイール
７０３  ベルト
７０４  第２ホイール
７０５  タービン
７０６  ギア
７０７  チェイン
７０８  シャフト
７０９  すりつぶし用チャンバ
８０１  ビーカー
８０２  ＣｓＮＯ３／水溶液
８０３  ＣＮＴ
８０４  磁気撹拌棒
８０５  撹拌ホットプレート
９０１  濃縮ガス
９０２  噴霧器
９０３  混合物
９０４  基板
９０５  ヒーター
９０６  加熱ランプ
９０７  陰極材料層
１００１  基板
１００２  基板用ステージ／チャック
１００３  イメージスクリーンステンシル
１００４  分散体
１００５  スクイージー
１００６  パターニングされた陰極材料
１１０１  印刷ヘッド
１１０２  小滴
１１０３  印刷された陰極材料
１１０４  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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