(57)【要約】  本発明の１つの実施形態では、インターフェロメトリック光変調デバイス内において内部双極子モーメントを形成する方法が開示される。特定の実施形態では、該方法は、インターフェロメトリック光変調デバイスの誘電体層に熱および電場を加えることを含む。該方法を実施される前は、誘電体層は、可動電荷を有する、またはランダムな双極子を含む。しかしながら、該方法を実施された後は、これらのランダムな双極子は、概ね揃えられ、その結果、誘電体層内に、一定の双極子モーメントが誘起される。電場は、誘電体層内に双極子モーメントを形成し、熱は、更なる活性化エネルギを供給することによってプロセスの速度を増大させる働きをする。誘電体層内に双極子モーメントを誘起されると、インターフェロメトリック光変調デバイスの作動に必要とされる電圧の少なくとも一部を提供する内部電圧源を得ることができる。誘起された双極子モーメントは、また、動作中にデバイス内で制御不能な電荷シフトが生じる可能性を低減させる。
2008542843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極および第二の電極を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを形成する方法であって、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に位置する第一の層を提供するステップと、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に第一の電圧を印加しながら前記第一の層に熱を加えるステップと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第一の層は、前記第一の電極と前記第二の電極との間に第一の電圧を印加しながら前記第一の層に熱を加えた後に非ゼロの双極子モーメントを蓄えるように構成され、前記非ゼロの双極子モーメントは、前記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧が印加されていないときに存在し続ける、方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、更に、
少なくとも部分的に光反射性の第二の層と、実質的に光反射性の第三の層とを提供するステップを備え、前記第三の層は、動作可能な程度に前記第二の層に近接しており、前記第二の層および前記第三の層は、互いの間にギャップを形成するように構成され、前記第二の層は、前記第一の電極を含み、前記第三の層は、前記第二の電極を含み、前記第三の層は、前記第一の電極と前記第二の電極との間に第二の電圧を印加されると前記第二の層に対して移動可能である、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に印加される前記第一の電圧は、前記第二の層と前記第三の層との間の前記ギャップを実質的に閉じるのに十分な量だけ前記第三の層を移動させるのに必要とされる第三の電圧の大きさを上回る大きさを有する、方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であって、
前記第一の層を提供するステップは、前記第二の層の上に前記第一の層をスパッタリングすることを含む、方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一に記載の方法であって、更に、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に前記第一の電圧を維持しつつ前記第一の層を冷却するステップを備える方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一に記載の方法であって、
前記第一の層は、前記第一の層内に前記非ゼロの双極子モーメントを誘起する前は正味ゼロの双極子モーメントを有する、方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一に記載の方法であって、
前記熱を加えるステップは、前記第一の層の温度を少なくとも摂氏５０度に上昇させることを含む、方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一に記載の方法であって、
前記熱を加えるステップは、前記第一の層の温度を少なくとも摂氏７０度に上昇させることを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一に記載の方法であって、
前記第一の層は、誘電材料を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか一に記載の方法であって、
前記第一の層は、強誘電材料を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか一に記載の方法であって、
前記第一の層はＳｉＯxを含み、ｘは２未満である、方法。
【請求項１３】
請求項１ないし９のいずれか一に記載の方法であって、
前記第一の層は、シリコン窒化物を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１ないし９のいずれか一に記載の方法であって、
前記第一の層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、窒化ＳｉＯ2、チタン酸化物、半絶縁性多結晶シリコン、および酸窒化物よりなる群から選択される材料を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれか一に記載の方法によって形成されるＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
第一の電極と、
第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に位置する第一の層であって、前記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧が印加されていないときに非ゼロの双極子モーメントを含む第一の層と、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、誘電材料を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項１８】
請求項１６に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、強誘電材料を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項１９】
請求項１６に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層はＳｉＯxを含み、ｘは２未満である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２０】
請求項１６に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、シリコン窒化物を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２１】
請求項１６に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、窒化ＳｉＯ2、チタン酸化物、半絶縁性多結晶シリコン、および酸窒化物よりなる群から選択される材料を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２２】
請求項１６ないし２１のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
少なくとも部分的に光反射性の第二の層と、実質的に光反射性の第三の層とを備え、前記第三の層は、動作可能な程度に前記第二の層に近接しており、前記第二の層は、前記第一の電極を含み、前記第三の層は、前記第二の電極を含み、前記第三の層は、前記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧を印加されると前記第二の層に対して移動可能である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２３】
請求項２２に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、前記第二の層の上にスパッタリングされる、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２４】
請求項１６ないし２３のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
ディスプレイと、
前記ディスプレイと電気的に通信するプロセッサであって、画像データを処理するように構成される、プロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項２５】
請求項２４に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送信するように構成される第一のコントローラと、
前記第一のコントローラに前記画像データの少なくとも一部を送信するように構成される第二のコントローラと、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項２６】
請求項２４または２５に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成される画像ソースモジュールを備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項２７】
請求項２６に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記画像ソースモジュールは、レシーバ、トランシーバ、およびトランスミッタの少なくとも１つを含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２８】
請求項２４ないし２７のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
入力データを受信して、前記入力データを前記プロセッサに伝達するように構成される入力デバイスを備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項２９】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
電気信号を伝導するための第一の伝導手段と、
電気信号を伝導するための第二の伝導手段と、
前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段との間に電圧が印加されていないときに前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段との間に非ゼロの双極子モーメントを提供するための提供手段と、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項３０】
請求項２９に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の伝導手段は、電極を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３１】
請求項２９または３０に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第二の伝導手段は、電極を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３２】
請求項２９ないし３１のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記提供手段は、誘電体層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３３】
請求項２９ないし３１のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記提供手段は、強誘電体層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３４】
請求項２９ないし３１のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記提供手段はＳｉＯxの層を含み、ｘは２未満である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３５】
請求項２９ないし３１のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記提供手段は、シリコン窒化物の層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３６】
請求項２９ないし３１のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記提供手段は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、窒化ＳｉＯ2、チタン酸化物、半絶縁性多結晶シリコン、および酸窒化物よりなる群から選択される層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３７】
請求項２９ないし３６のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
少なくとも部分的に光を反射するための手段と、
光を実質的に反射するための手段であって、動作可能な程度に前記少なくとも部分的に反射する手段に近接しており、前記少なくとも部分的に反射する手段は、前記第一の伝導手段を含み、前記実質的に反射する手段は、前記第二の伝導手段を含み、前記実質的に反射する手段は、前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段との間に電圧を印加されると前記少なくとも部分的に反射する手段に対して移動可能である、手段と、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項３８】
請求項３７に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記少なくとも部分的に反射する手段は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３９】
請求項３７または３８に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記実質的に反射する手段は、アルミニウムの層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項４０】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスに動作電圧を提供する方法であって、
第一の電極を含む第一の層を提供するステップと、
第二の電極を含む第二の層を提供するステップであって、前記第二の層は、前記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧が印加されると前記第一の層に対して移動可能である、ステップと、
前記第一の層と前記第二の層との間に位置する第三の層を提供するステップであって、前記第三の層は、前記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧が印加されていないときに非ゼロの双極子モーメントを含む、ステップと、
前記第一の層に第一の電位を提供するステップと、
前記第二の層に第二の電位を提供するステップであって、前記第二の電位の大きさは、前記第一の電位の大きさを上回り、前記動作電圧は、前記第一の電位と、前記第二の電位と、前記第三の層の前記非ゼロの双極子モーメントによって提供される第三の電位との和を含む、ステップと、
を備える方法。
【請求項４１】
請求項４０に記載の方法であって、
前記第三の電位と前記第一の電位とを合わせた大きさは、前記第二の電位の大きさに実質的に等しい、方法。
【請求項４２】
請求項４０に記載の方法であって、
前記第一の電位および前記第三の電位は負であり、前記第二の電位は正であり、前記第一の電位と前記第二の電位は非対称的である、方法。
【請求項４３】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
第一の電極と、
第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に位置し、動作中に非ゼロの双極子モーメントを維持するように構成される第一の層と、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項４４】
請求項４３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記動作は、作動を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項４５】
請求項４３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記動作は、解放を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項４６】
請求項４３ないし４５のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、誘電材料を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項４７】
請求項４３ないし４５のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、強誘電材料を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項４８】
請求項４３ないし４５のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層はＳｉＯxを含み、ｘは２未満である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項４９】
請求項４３ないし４５のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、シリコン窒化物を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５０】
請求項４３ないし４５のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、窒化ＳｉＯ2、チタン酸化物、半絶縁性多結晶シリコン、および酸窒化物よりなる群から選択される材料を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５１】
請求項４３ないし５０のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
少なくとも部分的に光反射性の第二の層と、実質的に光反射性の第三の層とを備え、前記第三の層は、動作可能な程度に前記第二の層に近接しており、前記第二の層は、前記第一の電極を含み、前記第三の層は、前記第二の電極を含み、前記第三の層は、前記第一の電極と前記第二の電極との間に電圧を印加されると前記第二の層に対して移動可能である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５２】
請求項５１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の層は、前記第二の層の上にスパッタリングされる、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５３】
請求項４３ないし５２のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
ディスプレイと、
前記ディスプレイと電気的に通信するプロセッサであって、画像データを処理するように構成される、プロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項５４】
請求項５３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送信するように構成される第一のコントローラと、
前記第一のコントローラに前記画像データの少なくとも一部を送信するように構成される第二のコントローラと、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項５５】
請求項５３または５４に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成される画像ソースモジュールを備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項５６】
請求項５５に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記画像ソースモジュールは、レシーバ、トランシーバ、およびトランスミッタの少なくとも１つを含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５７】
請求項５３ないし５６のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
入力データを受信して、前記入力データを前記プロセッサに伝達するように構成される入力デバイスを備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項５８】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
電気信号を伝導するための第一の伝導手段と、
電気信号を伝導するための第二の伝導手段と、
動作中に前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段との間に非ゼロの双極子モーメントを維持するための維持手段と、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項５９】
請求項５８に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記動作は、作動を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６０】
請求項５８に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記動作は、解放を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６１】
請求項５８に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第一の伝導手段は、電極を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６２】
請求項５８または５９に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記第二の伝導手段は、電極を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６３】
請求項５８ないし６２のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記維持手段は、誘電体層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６４】
請求項５８ないし６２のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記維持手段は、強誘電体層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６５】
請求項５８ないし６２のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記維持手段はＳｉＯxの層を含み、ｘは２未満である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６６】
請求項５８ないし６２のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記維持手段は、シリコン窒化物の層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６７】
請求項５８ないし６２のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記維持手段は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、窒化ＳｉＯ2、チタン酸化物、半絶縁性多結晶シリコン、および酸窒化物よりなる群から選択される層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６８】
請求項５８ないし６７のいずれか一に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
少なくとも部分的に光を反射するための手段と、
光を実質的に反射するための手段であって、動作可能な程度に前記少なくとも部分的に反射する手段に近接しており、前記少なくとも部分的に反射する手段は、前記第一の伝導手段を含み、前記実質的に反射する手段は、前記第二の伝導手段を含み、前記実質的に反射する手段は、前記第一の伝導手段と前記第二の伝導手段との間に電圧を印加されると前記少なくとも部分的に反射する手段に対して移動可能である、手段と、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項６９】
請求項６８に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記少なくとも部分的に反射する手段は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項７０】
請求項６８または６９に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記実質的に反射する手段は、アルミニウムの層を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関する。
【０００２】
＜背景＞
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械要素、アクチュエータ、および電子機器を含む。微小機械要素は、デポジションプロセス、エッチングプロセス、および／またはその他のマイクロマシニングプロセスであって、基板および／またはデポジションされた材料層を部分的にエッチング除去するかまたは層を追加するかによって電気デバイスおよび電気機械デバイスを形成するマイクロマシニングプロセスを使用して製作することができる。ＭＥＭＳデバイスの１つのタイプは、インターフェロメトリックモジュレータ（干渉型変調器）と称される。本明細書において使用されるインターフェロメトリックモジュレータまたはインターフェロメトリック光モジュレータという用語は、光干渉の原理を使用して光を選択的に吸収するおよび／または反射させるデバイスを意味する。特定の実施形態において、インターフェロメトリックモジュレータは、一対の伝導板を具備してよく、それらの板の一方または両方が、全体もしくは一部が透明および／もしくは反射性であってよく且つ適切な電気信号の印加によって相対運動することができる。具体的な１つの実施形態においては、一方の板が、基板上にデポジションされた静止層を具備してよく、他方の板が、エアギャップによって静止層から隔てられた金属膜を具備してよい。本明細書において更に詳述されるように、他方の板に対する一方の板の位置は、インターフェロメトリックモジュレータに入射する光の光干渉を変化させることができる。このようなデバイスは、非常に広範な用途を有しており、当該分野においては、これらのタイプのデバイスの特徴を既存製品の改良およびまだ開発されていない新製品の製造に生かせるようにするために、これらのタイプのデバイスの特性を利用および／または変更することが有益だと考えられる。
【０００３】
＜概要＞
本発明のシステム、方法、およびデバイスは、その各々がいくつかの側面を有しており、そのいずれの単一の側面も、本発明の望ましい属性に対する役割を単独で任っているわけではない。以下では、本発明の顕著な特徴について、本発明の範囲を限定することなく概説する。この記述を考慮に入れ、とりわけ、「特定の実施形態の詳細な説明」と題されたセクションを読了すれば、本発明の特徴が他のディスプレイデバイスに対してどのような利点を有するかを理解できるであろう。
【０００４】
１つの実施形態では、第一の電極および第二の電極を有するＭＥＭＳデバイスを形成する方法が提供される。該方法は、第一の電極と第二の電極との間に位置する第一の層を提供するステップと、第一の電極と第二の電極との間に第一の電圧を印加しながら第一の層に熱を加えるステップと、を含む。
【０００５】
もう１つの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスが提供される。該ＭＥＭＳデバイスは、第一の電極と、第二の電極と、第一の電極と第二の電極との間に位置する第一の層であって、第一の電極と第二の電極との間に電圧が印加されていないときに非ゼロの双極子モーメントを含む第一の層と、を含む。
【０００６】
もう１つの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスが提供される。該ＭＥＭＳデバイスは、電気信号を伝導するための第一の手段と、電気信号を伝導するための第二の手段と、第一の伝導手段と第二の伝導手段との間に電圧が印加されていないときに第一の伝導手段と第二の伝導手段との間に非ゼロの双極子モーメントを提供するための手段と、を含む。
【０００７】
もう１つの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスに動作電圧を提供する方法が提供される。該方法は、第一の電極を含む第一の層を提供するステップと、第二の電極を含む第二の層を提供するステップであって、第二の層は、第一の電極と第二の電極との間に電圧が印加されると第一の層に対して移動可能である、ステップと、第一の層と第二の層との間に位置する第三の層を提供するステップであって、第三の層は、第一の電極と第二の電極との間に電圧が印加されていないときに非ゼロの双極子モーメントを含む、ステップと、第一の層に第一の電位を提供するステップと、第二の層に第二の電位を提供するステップであって、第二の電位の大きさは、第一の電位の大きさを上回り、動作電圧は、第一の電位と、第二の電位と、第三の層の非ゼロの双極子モーメントによって提供される第三の電位との和を含む、ステップと、を含む。
【０００８】
もう１つの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスが提供される。該ＭＥＭＳデバイスは、第一の電圧を受けるように構成される第一の層と、第二の電圧を受けるように構成される第二の層と、第一の層と第二の層との間に位置し、第三の電圧を提供するように構成される第三の層と、を含み、第一の電圧と、第二の電圧と、第三の電圧との合計は、所定の電圧に概ね等しい。
【０００９】
もう１つの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスが提供される。該ＭＥＭＳデバイスは、第一の電極と、第二の電極と、第一の電極と第二の電極との間に位置する第一の層であって、動作中に非ゼロの双極子モーメントを維持するように構成される第一の層と、を含む。
【００１０】
もう１つの実施形態では、ＭＥＭＳデバイスが提供される。該ＭＥＭＳデバイスは、電気信号を伝導するための第一の手段と、電気信号を伝導するための第二の手段と、動作中に第一の伝導手段と第二の伝導手段との間に非ゼロの双極子モーメントを維持するための手段と、を含む。
【００１１】
＜詳細な説明＞
以下の詳細な説明は、本発明の特定の具体的実施形態に関する。しかしながら、本発明は、複数の異なる方法で実現することができる。この説明では、図面が参照され、図中、類似の構成要素は一貫して類似の符号を使用して示される。以下の説明から明らかなように、これらの実施形態は、動いているもの（例：ビデオ）であれ静止しているもの（例：静止画像）であれ、テキスト形式であれ映像形式であれ、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実現可能である。より具体的には、これらの実施形態は、携帯電話、ワイヤレス機器、携帯情報端末（ＰＤＡ）、手持ちサイズの、すなわち携帯用のコンピュータ、ＧＰＳレシーバ／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、時計、計算機、テレビ用モニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータ用モニタ、自動車用ディスプレイ（例：走行距離計等など）、コックピットのコントロールパネルおよび／もしくはディスプレイ、カメラ視野のディスプレイ（例：車の後方確認用カメラのディスプレイ）、電子写真、電光の掲示板もしくはサイン、プロジェクタ、建造物、パッケージング、ならびに美的構造物（例：宝石の画像のディスプレイ）を非限定的に含む、様々な電子デバイスにおいて実現可能である、またはそのような電子デバイスに関連付けることが可能であると考えられる。また、本明細書において説明されるものと類似の構造のＭＥＭＳデバイスを、電子的切り替えデバイス等の非ディスプレイ用途に使用することも可能である。
【００１２】
本発明の１つの実施形態では、インターフェロメトリック光変調デバイス内において内部双極子モーメントを形成する方法が開示される。特定の実施形態では、該方法は、インターフェロメトリック光変調デバイスの誘電体層に熱および電場を加えることを含む。該方法を実施される前は、誘電体層は、可動電荷を有する、またはランダムな双極子を含む
。しかしながら、該方法を実施された後は、これらのランダムな双極子は、概ね揃えられ、その結果、誘電体層内に概ね一定の双極子モーメントが誘起される。電場は、誘電体層内に双極子モーメントを形成し、熱は、更なる活性化エネルギを供給することによってプロセスの速度を増大させる働きをする。誘電体層内に双極子モーメントを誘起されると、インターフェロメトリック光変調デバイスの作動に必要とされる電圧の少なくとも一部を提供する内部電圧源を得ることができる。誘起された双極子モーメントは、また、動作中にデバイス内で制御不能な電荷シフトが生じる可能性を低減させる。
【００１３】
インターフェロメトリックＭＥＭＳディスプレイ素子を備えるインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの１つの実施形態が、図１に説明されている。これらのデバイスにおいて、ピクセルは、明るい状態または暗い状態のいずれかにある。明るい（「オン」または「開」）状態では、ディスプレイ素子は、入射する可視光の大半をユーザへと反射させる。暗い（「オフ」または「閉」）状態では、ディスプレイ素子は、入射する可視光をほとんどユーザへと反射させない。「オン」状態および「オフ」状態における光反射特性は、実施形態に応じて逆転可能である。ＭＥＭＳピクセルは、主に選択された色で反射するように構成することができる。これは、白黒に加えてカラーの表示を可能にする。
【００１４】
図１は、視覚的ディスプレイの一連のピクセルのなかの２つの隣接するピクセルを示した等角図である。図中、各ピクセルは、ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータを含む。実施形態によっては、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイは、これらのインターフェロメトリックモジュレータの行列からなる配列を含む。各インターフェロメトリックモジュレータは、少なくとも１つの可変次元を伴う共振光学キャビティを形成するために、可変で且つ制御可能な距離で互いに隔てて配置された一対の反射層を含む。１つの実施形態において、反射層の一方は、２つの位置の間で移動可能である。本明細書において解放位置と称される第一の位置では、この移動可能な層は、固定の部分反射層から比較的大きな距離を隔てて配置されている。第二の位置では、この移動可能な層は、部分反射層に対してより近くに隣接して配置されている。これらの２層から反射される入射光は、移動可能な反射層の位置に応じて建設的または破壊的に干渉することによって、ピクセル毎に全反射または非反射のいずれかの状態を生じる。
【００１５】
図１に示された部分のピクセル配列は、２つの隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１２ａ，１２ｂを含む。左側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ａでは、移動可能な高反射層１４ａは、固定の部分反射層１６ａから所定距離の解放位置に示されている。右側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ｂでは、移動可能な高反射層１４ｂは、固定の部分反射層１６ｂに隣接する作動位置に示されている。
【００１６】
固定層１６ａ，１６ｂは、導電性であり、部分的に透明で且つ部分的に反射性であり、例えば、クロムおよびインジウムスズ酸化物からそれぞれなる１枚または２枚以上の層を透明基板２０上にデポジションすることによって作成することができる。こららの層は、平行な帯状片となるようにパターン形成され、後ほど詳述されるように、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成することができる。移動可能な層１４ａ，１４ｂは、支柱１８の上にデポジションされた１枚または２枚以上の金属層（行電極１６ａ，１６ｂに直交する）と、支柱１８間にデポジションされた介在犠牲材料と、からなる一連の平行な帯状片となるように形成することができる。犠牲材料がエッチング除去されると、変形可能な金属層１４ａ，１４ｂは、定められたギャップ１９によって固定の金属層から隔てられる。変形可能な層としては、アルミニウム等の高伝導性の反射材料が使用されてよく、これらの帯状片は、ディスプレイデバイスにおける列電極を形成することができる。
【００１７】
電圧を印加されていないとき、キャビティ１９は、層１４ａと層１６ａとの間に維持さ
れ、変形可能な層は、図１のピクセル１２ａによって示されるように、機械的に解放された状態にある。しかしながら、選択された行および列に電位差が印加されると、対応するピクセルでは、その行電極と列電極との交差位置に形成されるコンデンサが帯電され、静電力がこれらの電極を引き合わされる。電圧が十分に高い場合、移動可能な層は、図１の右側のピクセル１２ｂによって示されるように、変形されて固定層に押し付けられる（短絡を阻止するため、そして分離距離を制御するために、固定層上に誘電体（不図示）をデポジションする（重ねる）ことが可能である）。この挙動は、印加される電位差の極性にかかわらず同じである。このように、反射と非反射との間でピクセルの状態を制御することができる行／列作動は、従来のＬＣＤ技術およびその他のディスプレイ技術で使用されるものと、多くの意味で類似している。
【００１８】
図２〜５は、ディスプレイの用途でインターフェロメトリックモジュレータの配列を使用するための、代表的なプロセスおよびシステムの１つを示している。
【００１９】
図２は、本発明の態様を組み込むことができる電子デバイスの１つの実施形態を示したシステムブロック図である。この代表的な実施形態において、電子デバイスは、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  II（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  III（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  IV（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）  Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）等の任意の汎用のシングルチップマイクロプロセッサもしくはマルチチップマイクロプロセッサ、またはデジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、もしくはプログラマブルゲートアレイ等の任意の専用マイクロプロセッサでありうるプロセッサ２１を含む。当該分野において常であるように、プロセッサ２１は、１つまたは２つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成可能である。オペレーティングシステムの実行に加えて、プロセッサは、Ｗｅｂブラウザ、テレフォンアプリケーション、電子メールプログラム、もしくは任意の他のアプリケーションソフトを含む、１つまたは２つ以上のアプリケーションソフトを実行するように構成可能である。
【００２０】
１つの実施形態において、プロセッサ２１は、また、配列コントローラ２２と通信するようにも構成される。１つの実施形態において、配列コントローラ２２は、ディスプレイ配列またはディスプレイパネル３０に信号を提供する行ドライバ回路２４および列ドライバ回路２６を含む。図１に示されている配列の断面は、図２において線１−１で表されている。ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータについて、行／列作動プロトコルは、図３に示されるこれらのデバイスのヒステリシス特性を上手く活用することができる。例えば、移動可能な層を解放状態から作動状態へと変形させるために、１０ボルトの電位差が必要とされる。しかしながら、この値から電圧が減少する際、移動可能な層は、自身の状態を、電圧が１０ボルト未満に降下する間維持する。図３の代表的な実施形態では、移動可能な層は、電圧が２ボルト未満に降下するまで完全には解放されない。したがって、デバイスが解放状態または作動状態のいずれかで安定する印加電圧ウィンドウが存在する電圧の範囲があり、図３に示されている例では、例えば約３〜７ボルトの範囲である。これは、本明細書において「ヒステリシスウィンドウ」または「安定性ウィンドウ」と称される。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイ配列に対しては、行／列作動プロトコルは、行ストローブ中、ストローブされた行にある作動対象のピクセルは約１０ボルトの電圧差をかけられ、解放対象のピクセルは０ボルトに近い電圧差をかけられるように設計することができる。ストローブ後、ピクセルは、その行ストローブによって置かれた状態に留まるように、約５ボルトの定常状態電圧差をかけられる。書き込みを経た各ピクセルは、この例では３〜７ボルトの「安定性ウィンドウ」内の電位差をかけられる。この特徴は、図１に示されているピクセル設計を、同じ印加電圧条件下で、既存の作動状態または解放状態のいずれかで安定させる。インターフェロメトリックモジュレータの各ピクセルは、作動状態であれ解放状態であれ、本質的に、固定の反射層と移動可能な反射層
とによって形成されるコンデンサであるので、この安定状態は、ほとんど電力損失を生じることなく、ヒステリシスウィンドウ内の電圧で維持することができる。印加電圧が固定されている間は、基本的に、ピクセルに電流は流れない。
【００２１】
代表的な用途では、第一の行における作動ピクセルの所望のセットに応じて列電極セットをアサートすることによって、表示フレームを作成することができる。次いで、行１の電極に行パルスが印加され、アサートされた列ラインに対応するピクセルが作動される。アサートされた列電極セットは、次いで、第二の行における作動ピクセルの所望のセットに対応するように変化される。次いで、行２電極にパルスが印加され、アサートされた列電極に応じて行２における適切なピクセルが作動される。行１のピクセルは、行２パルスによって影響されず、行１パルス中に設定された状態に留まる。これは、フレームを生成するために、一連の全ての行に対して順次繰り返すことができる。一般に、フレームは、このプロセスをいくらかの所望の毎秒フレーム数で絶えず繰り返すことによって、リフレッシュされる、且つ／または新しい表示データに更新される。この他にも、ピクセル配列の行電極および列電極を駆動して表示フレームを生成するための様々なプロトコルがよく知られており、これらもまた、本発明に関連して使用することができる。
【００２２】
図４および図５は、図２の３×３配列上に表示フレームを作成するための、考えられる１つの作動プロトコルを示している。図４は、図３のヒステリシス曲線を呈するピクセルに使用可能な列電圧レベルおよび行電圧レベルとして考えられるセットを示している。図４の実施形態において、ピクセルの作動は、適切な列を−Ｖbiasに設定すると共に適切な行を＋ΔＶに設定することを伴い、これらは、−５ボルトおよび＋５ボルトにそれぞれ対応することができる。ピクセルの解放は、適切な列を＋Ｖbiasに設定すると共に適切な行を＋ΔＶに設定することによって達成され、これは、そのピクセルの両端に０ボルトの電位差を生成する。行電圧を０ボルトに保持されている行では、ピクセルは、その列が＋Ｖbiasまたは−Ｖbiasはのいずれであるかにかかわらず、もとからの状態に安定して維持される。図４にも示されるように、上述された場合と逆の極性の電圧を使用することも可能である。例えば、ピクセルの作動は、適切な列を＋Ｖbiasに設定すると共に適切な行を−ΔＶに設定することを伴うことができる。この実施形態では、ピクセルの解放は、適切な列を−Ｖbiasに設定すると共に適切な行を−ΔＶに設定することによって達成され、これは、そのピクセルの両端に０ボルトの電位差を生成する。
【００２３】
図５Ｂは、図２の３×３配列に印加される一連の行信号および列信号を示したタイミング図であり、その結果、作動ピクセルが非反射となる図５Ａに示されるディスプレイ構成が得られる。図５Ａに示されるフレームの書き込みに先立って、ピクセルは、任意の状態にあることが可能である。この例では、全ての行は０ボルトに、そして全ての列は＋５ボルトにある。これらの信号を印加された状態で、全てのピクセルは、自身の既存の作動状態または解放状態で安定している。
【００２４】
図５Ａのフレームでは、ピクセル（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）、および（３，３）が作動されている。これを達成するため、行１用の「ライン時間」中、列１および列２が−５ボルトに設定され、列３が＋５ボルトに設定される。これは、いずれのピクセルの状態も変化させない。なぜならば、全てのピクセルは、３〜７ボルトの安定性ウィンドウ内に留まるからである。次いで、０から５ボルトに上昇して再び０に戻るパルスによって、行１がストローブされる。これは、（１，１）ピクセルおよび（１，２）ピクセルを作動させ、（１，３）ピクセルを解放させる。配列内の他のピクセルは、いずれも影響を受けない。行２を望むとおりに設定するため、列２は−５ボルトに設定され、列１および列３は＋５ボルトに設定される。次いで、行２に対しても同じストローブを印加すると、ピクセル（２，２）が作動され、ピクセル（２，１）およびピクセル（２，３）が解放される。やはり、配列内の他のピクセルは影響を受けない。行３も、列２およ
び列３を−５ボルトに、そして列１を＋５ボルトに設定することによって、同様に設定される。行３ストローブは、行３のピクセルを、図５Ａに示されるように設定する。フレームの書き込み後、行の電位はゼロであり、列の電位は＋５ボルトまたは−５ボルトのいずれかに留まることができる。そして、ディスプレイは、図５Ａの構成で安定する。同様の手続きは、もちろん、数十または数百の行および列を有する配列にも用いることができる。また、行および列の作動を実施するために使用されるタイミング、順序、および電圧レベルは、上記に概略を記された一般的原理の範囲内で様々に可変であり、上記の実施例は、例示を目的としたものに過ぎず、本明細書で説明されるシステムおよび方法では、任意の作動電圧方法を使用することが可能である。
【００２５】
図６Ａおよび図６Ｂは、ディスプレイデバイス４０の１つの実施形態を示したシステムブロック図である。ディスプレイデバイス４０は、例えば、セルラー式電話、すなわち携帯電話であることが可能である。しかしながら、ディスプレイデバイス４０と同じ構成要素、またはそれらを僅かに変更した形態は、テレビおよびポータブルメディアプレーヤ等の様々なタイプのディスプレイデバイスも可能であることを例示するものである。
【００２６】
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１、ディスプレイ３０、アンテナ４３、スピーカ４５、入力デバイス４８、およびマイクロフォン４６を含む。ハウジング４１は、一般に、射出成形および真空成形を含む、当該分野の当業者に周知の様々な製造プロセスのうちの任意のプロセスによって形成される。また、ハウジング４１は、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組み合わせを非限定的に含む、様々な材料のうちの任意の材料で作成可能である。１つの実施形態において、ハウジング４１は、取り外し可能部分（不図示）を含み、これらの部分は、異なる色の、または異なるロゴ、絵、もしくはマークを含む、他の取り外し可能部分と交換可能である。
【００２７】
代表的ディスプレイデバイス４０のディスプレイ３０は、本明細書において説明されるように、双安定ディスプレイを含む様々なディスプレイのうちの任意のディスプレイであることが可能である。他の実施形態では、ディスプレイ３０は、上述のように、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ、もしくはＴＦＴ  ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ、または当業者に良く知られているような、ＣＲＴもしくは他の管デバイス等の非フラットパネルディスプレイを含む。ただし、本実施形態の説明のため、ディスプレイ３０は、本明細書において説明されるように、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを含むものとする。
【００２８】
代表的ディスプレイデバイス４０の１つの実施形態の構成要素が、図６Ｂに略示されている。図示されている代表的ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１を含み、更に、ハウジング４１に少なくとも部分的に囲まれた追加の構成要素を含むことができる。例えば、１つの実施形態において、代表的ディスプレイデバイス４０は、トランシーバ４７に結合されたアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含む。トランシーバ４７は、プロセッサ２１に接続され、プロセッサ２１は、調整ハードウェア５２に接続される。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例：信号をフィルタリングする）ように構成可能である。調整ハードウェア５２は、スピーカ４４およびマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１は、また、入力デバイス４８およびドライバコントローラ２９に接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８および配列ドライバ２２に結合され、配列ドライバ２２は、更に、ディスプレイ配列３０に結合される。電源５０は、特定の代表的ディスプレイデバイス４０の設計要件に応じて全ての構成要素に電力を供給する。
【００２９】
ネットワークインターフェース２７は、代表的ディスプレイデバイス４０がネットワークを通じて１つまたは２つ以上のデバイスと通信することができるように、アンテナ４３
およびトランシーバ４７を含む。１つの実施形態では、ネットワークインターフェース２７は、プロセッサ２１の要件を軽減するために、いくらかの処理能力を有することもできる。アンテナ４３は、当業者に知られている任意の信号送受信用アンテナである。１つの実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ  ８０２．１１（ａ）、（ｂ）、または（ｇ）を含むＩＥＥＥ  ８０２．１１標準にしたがってＲＦ信号の送受信を行う。もう１つの実施形態では、アンテナは、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ標準にしたがってＲＦ信号の送受信を行う。セルラー式電話の場合、アンテナは、ワイヤレスセルフォンネットワーク内における通信に使用されるＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、または他の既知の信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、アンテナ４３から受信される信号に前処理を施すことによって、それらをプロセッサ２１によって受信して更なる操作を行うことを可能にする。トランシーバ４７は、また、プロセッサ２１から受信される信号を処理することによって、それらをアンテナ４３を介して代表的ディスプレイデバイス４０から送出することを可能にする。
【００３０】
１つの代替の実施形態では、トランシーバ４７をレシーバで置き換えることができる。もう１つの代替の実施形態では、ネットワークインターフェース２７を、プロセッサ２に送る画像データを格納または生成することができる画像ソースで置き換えることができる。例えば、画像ソースは、画像データを含むデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）もしくはハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールであることが可能である。
【００３１】
プロセッサ２１は、一般に、代表的ディスプレイデバイス４０の全体の動作を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインターフェース２７または画像ソースから圧縮画像データ等のデータを受信し、そのデータを処理することによって、生（ｒａｗ）画像データ、または処理によって容易に生画像データにすることができるフォーマットにする。プロセッサ２１は、次いで、処理されたデータを、ドライバコントローラ２９に送信する、または格納のためにフレームバッファ２８に送信する。生（ｒａｗ）データは、通常、画像内の各位置における画像特性を識別する情報を表している。例えば、このような画像特性は、色、彩度、およびグレースケールレベルを含むことができる。
【００３２】
１つの実施形態において、プロセッサ２１は、代表的ディスプレイデバイス４０の動作を制御するためのマイクロコントローラ、ＣＰＵ、または論理ユニットを含む。調整ハードウェア５２は、一般に、スピーカ４４に信号を伝送するための、およびマイクロフォン４６からの信号を受信するための、増幅器とフィルタとを含む。調整ハードウェア５２は、代表的ディスプレイデバイス４０内における個別の構成要素であってもよいし、またはプロセッサ２１もしくは他の構成要素の中に組み込まれてもよい。
【００３３】
ドラバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された生画像データを、プロセッサ２１から直接取得する、またはフレームバッファ２８から取得して、その生画像データを、配列ドライバ２２への高速伝送に適するように再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ２９は、生画像データを、ラスタ状のフォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることによって、ディスプレイ配列３０の走査に適した時間順序を付与する。次いで、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報を配列ドライバ２２に送信する。ＬＣＤコントローラ等のドライバコントローラ２９は、独立型の集積回路（ＩＣ）の形でシステムプロセッサ２１と関連付けられることが多いが、このようなコントローラは、様々な形で実現することが可能である。例えば、ハードウェアの形でプロセッサ２１に埋め込まれてもよいし、ソフトウェアの形でプロセッサ２１に埋め込まれてもよいし、または配列ドライバ２２を伴う形でハードウェアにまるごと組み込まれてもよい。
【００３４】
通常、配列ドライバ２２は、フォーマットされた情報をドライバコントローラ２９から受信し、そのビデオデータを平行波長のセットに再フォーマットする。これらの平行波長のセットは、ディスプレイのｘ−ｙピクセル行列から引かれる何百本もの、ときには何千本ものリード線に１秒当たり多くの回数で印加される。
【００３５】
１つの実施形態において、ドライバコントローラ２９、配列ドライバ２２、およびディスプレイ配列３０は、本明細書において説明される任意のタイプのディスプレイに適している。例えば、１つの実施形態では、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ（例：インターフェロメトリックモジュレータコントローラ）である。別の１つの実施形態では、配列ドライバ２２は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（例：インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ）である。１つの実施形態では、ドライバコントローラ２９は、配列ドライバ２２に統合されている。このような１つの実施形態は、セルラー式電話、腕時計、およびその他の小面積型ディスプレイ等の高度に集積されたシステムにおいて一般的である。更にもう１つの実施形態では、ディスプレイ配列３０は、通常のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ（例：インターフェロメトリックモジュレータの配列を含むディスプレイ）である。
【００３６】
入力デバイス４８は、ユーザによる代表的ディスプレイデバイス４０の動作の制御を可能にする。１つの実施形態では、入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッド等のキーパッド、ボタン、スイッチ、タッチセンサ式画面、感圧式または感熱式の膜等を含む。１つの実施形態では、マイクロフォン４６は、代表的ディスプレイデバイス４０のための入力デバイスである。デバイスに対するデータの入力にマイクロフォン４６が使用される場合は、代表的ディスプレイデバイス４０の動作を制御するためにユーザによって音声命令を提供することができる。
【００３７】
電源５０は、当該分野において周知であるように、様々なエネルギ蓄積デバイスを含むことが可能である。例えば、１つの実施形態では、電源５０は、ニッケルカドミウム電池またはリチウムイオン電池等の充電式電池である。もう１つの実施形態では、電源５０は、再生可能なエネルギ源、コンデンサ、またはプラスチック太陽電池および太陽電池塗装を含む太陽電池である。もう１つの実施形態では、電源５０は、壁コンセントから電力を受け取るように構成される。
【００３８】
実装形態によっては、制御のプログラム可能性が、上述のとおり、電子ディスプレイシステム内の複数個所に配置可能ドライバコントローラ内にある。制御のプログラム可能性は、また、配列ドライバ２２内にある場合もある。当業者ならば、上記の最適化が、任意の数のハードウェアおよび／またはソフトウェアコンポーネント、ならびに様々な構成において実装可能であることがわかるであろう。
【００３９】
上記の原理にしたがって動作するインターフェロメトリックモジュレータの構造の詳細は、様々に可変である。例えば、図７Ａ〜７Ｃは、移動するミラー構造の、３つの異なる実施形態を示している。図７Ａは、図１の実施形態の断面図であり、帯状の金属材料１４が、直交する支持構造１８上にデポジションされて（重ねられて）いる。図７Ｂにおいて、移動可能な反射材料１４は、その角部のみを接続線３２を介して支持構造に取り付けられている。図７Ｃにおいて、移動可能な反射層１４は、変形可能な層３４から吊り下げられている。この実施形態には、メリットがある。なぜならば、反射性の材料１４に使用される構造設計および材料は、光学特性に対して最適化することが可能であり、また、変形可能な層３４に使用される構造設計および材料は、所望の機械的特性に対して最適化することが可能であるからである。様々なタイプのインターフェロメトリックデバイスの製造は、例えば米国の公開出願２００４／００５１９２９を含む様々な公開文献に記載されて
いる。上記の構造の製造には、材料のデポジション、パターニング、エッチングの一連のステップを含む広範囲の様々な既知の技術を使用することが可能である。
【００４０】
図７Ａ〜７Ｃは、また、移動可能な反射材料１４と固定の部分反射層１６との間における絶縁層１５の使用も示している。これらの実施形態では、先ず、透明基板２０の上に固定の部分反射層１６が形成される。次いで固定の部分反射層１６の上に、絶縁材料１５が形成される。
【００４１】
図７Ｃに示されるように、固定の部分反射層１６は、一般に、何枚かの副層を含む。例えば、図７Ｃの固定の部分反射層１６は、透明基板２０の上に形成された電極副層２５を有する。電極副層２５は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）など、やはり少なくとも部分的に光透過性の適切な導電性材料で形成することができる。次いで、電極層２５の上に、一般にクロム等の金属材料で作成される部分反射層２６が形成される。部分反射性の副層２６は、少なくとも部分的に光反射性の光学部品として機能する。透明基板２０の画面は、基板２０のうち、電極副層２５および部分反射性の副層２６を形成される面とは反対側の、基板２０の底面に位置する。パターニングやエッチング等のプロセスを通じて、電極副層２５および部分反射性の副層２６は、電極の列、電極の行、またはディスプレイ設計によって求められるその他の有用な形状を形成することができる。
【００４２】
図７Ａ〜７Ｃは、インターフェロメトリックモジュレータ１００内に存在しうる何枚かの層を例示しているに過ぎない。例えば、図７Ａ〜７Ｃに示されている任意の層または副層の間には、犠牲材料（不図示）を形成することが可能である。また、その他の層または副層をインターフェロメトリックモジュレータ１００に組み込むことも可能である。例えば、電極層、反射層、透過層、光吸収層、または絶縁層を追加で使用することが可能である。１つの実施形態では、移動可能な反射層１４は、高反射性材料の上に設けられた電極層を含む何枚かの副層を有する。その他の実施形態は、移動可能な反射層１４の上に設けることができる図７Ｃの変形可能な層３４のような変形可能な層としての電極を有することができる。インターフェロメトリックモジュレータ１００内の層および副層は、例えばスパッタリング等の標準的なデポジション技術および標準的なフォトリソグラフィ技術を使用して形成することができる。
【００４３】
本明細書で使用される層または副層という用語は、最も広義の一般的な意味を持つものとする。更に、層または副層は、何枚かの追加の副層を含んでよく、均一な厚さの薄い均質体に限定されない。例えば、絶縁層１５は、均一な厚さを有しても有さなくてもよく、単一の材料で形成されてもそうでなくてもよく、且つ比較的薄くてもそうでなくてもよい。図７Ａ〜７Ｃの層または副層の多くは、上下に重なり合う比較的薄いのシート状の広がりもしくは範囲を有するものとして図示されているが、本明細書で使用される層または副層は、より短い広がりもしくは範囲、または複数の広がりもしくは範囲を含むことが可能である。例えば、絶縁層１５は、固定の部分反射層１６の全領域に広がるのではない１つまたは複数のより短い断片を含むことが可能である。
【００４４】
図７Ａ〜７Ｃに示されるように、絶縁層１５は、インターフェロメトリック変調デバイス１００内に設けられる。本明細書で使用される絶縁材料という用語は、帯電して電流の流れに抵抗する材料を含むがこのような材料に限定されない最も広義の一般的意味を持つものとする。このような絶縁材料の例として、誘電材料が非限定的に挙げられる。絶縁材料１５は、また、通常高い誘電率を有する強誘電材料で形成することも可能である。絶縁材料１５は、シリコンに富む酸化物（例：ＳｉＯx、ｘは２未満）、半絶縁性多結晶シリコン（ＳＩＰＯＳ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ2を含む）、シリコン窒化物、窒化シリコン酸化物、チタン酸化物（ＴｉＯおよびＴｉＯ2を含む）、ならびに酸窒化物で形成することができるがこれらに限定されない。他の実施形態では、絶縁材料１５は、高い誘電率
を有する（シリコン窒化物より高い誘電率を有するものとして分類される）と共に分極することが可能な材料で作成される。
【００４５】
２種類の異なる誘電材料または絶縁材料の間の界面は、一般に、捕獲サイトを形成することによって、分極を誘導および維持するための好ましい構造を形成する。図８Ａ〜８Ｇに示されるように、絶縁材料１５は、任意の２枚の副層間に界面５１を有する何枚かの副層で形成することができる。副層は、連続ウルトラドライ（ＣＵＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、または他の標準的なデポジションおよび／もしくはフォトリソグラフィ技術によって形成することができる。図８Ａは、シリコン窒化物の副層５２の下方にシリコン酸化物の副層５３を有する絶縁材料１５を示している。シリコン窒化物の副層５２とシリコン酸化物の副層５３とを有する積層体は、金属−絶縁体−シリコンメモリデバイス（ＭＮＯＳ）内で一定量の電荷を保持する能力を向上させられることを示した。したがって、これは、分極の形成にとって好ましい材料である。絶縁材料１５内の誘導電荷は、シリコン窒化物の副層５２とシリコン酸化物の副層５３との間の界面５１にある電荷によって、更に強化され、安定化される。
【００４６】
図８Ｂに示された類似の構造では、シリコン酸化物の副層を、ＳＩＰＯＳ等のシリコンに富む酸化物５５で置き換えることができる。ＳＩＰＯＳは、高電圧の横方向二重拡散金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）内で誘導電荷を保持する能力を有することを示した。ＳＩＰＯＳの副層５５の上にシリコン窒化物の副層５４を配置すれば、絶縁材料１５によって保持される誘導電荷を安定化させるのに役立つ。この安定化は、一部には、シリコン窒化物の副層５４とＳＩＰＯＳの副層５５との間の界面５１によって可能にされる。図８Ｃは、窒化シリコン酸化物の副層５６の下にシリコンに富む酸化物の副層５７を有するもう１つのタイプの絶縁材料１５を示している。
【００４７】
図８Ａのヴァリエーションが、図８Ｄに示されている。図中、絶縁材料１５は、酸窒化物の副層５８の下にシリコン窒化物の副層５９を有する。酸窒化物５８は、酸素雰囲気環境内でシリコン窒化物を変換して得られるシリコン酸化物の薄層である。このような構造は、図８Ａの積層体を反転させたものに類似しており、誘電分極を保持する能力を向上させられると予想される。
【００４８】
図８Ｅは、シリコンに富む酸化物６０の下にシリコン酸化物の副層６１を有する絶縁材料１５を示しており、これは、図８Ｃのヴァリエーションである。図８Ｆは、スパッタリングによって形成されるシリコン酸化物の別の副層６３の上に、ＣＵＤによって形成されるシリコン酸化物の副層６２を有する絶縁材料１５を示している。このような構造は、異なるプロセスによって形成されて異なる微細構造を有する２枚の酸化物層を含む。このような微細構造の差は、界面５１と、誘導分極による捕獲電荷を保持するための領域とを形成する。図８Ｇは、チタン酸化物の副層６４の下にシリコン酸化物の副層６５を有する絶縁材料１５を示している。この実施形態は、誘導分極による捕獲電荷を保持するために、チタン酸化物の高誘電率およびそれに関連した分極能力を利用する。
【００４９】
図９に示されるように、絶縁材料１５は、実質的にランダムな電荷分布を有するのが一般的である。電荷分布が実質的にランダムであるゆえに、通常、電場または内部双極子モーメントは正味ゼロである。このランダムな電荷分布は、制御不能な電荷シフト等の望ましくない効果をデバイスの動作中にインターフェロメトリックモジュレータ内で生じる可能性がある。
【００５０】
図１０に示されるように、電圧源３５によって、インターフェロメトリック変調デバイス１００に作動電圧が供給される。作動電圧は、移動可能な反射層１４と、固定の部分反射層１６の電極副層２６とに印加される。本明細書で使用される作動電圧という用語は、
移動可能な反射層１４を固定の部分反射層１６に向けて移動させて光キャビティ１９を崩壊させるのに必要とされる電圧を意味する。図１０では、電圧源３５がコンデンサの形で図示されているが、作動電圧の供給には、任意の適切な電圧源が使用可能である。
【００５１】
図１０に示されるように、移動可能な反射層１４は、作動電圧を印加されると固定の部分反射層１６に向けて引き寄せられ、光キャビティ１９を崩壊させる。移動可能な反射層１４と固定の部分反射層１６との間に電位差が印加されると、これらの２層の間にコンデンサが形成される。これは、移動可能な反射層１４を固定の部分反射層１６に向けて引っ張る静電力を生成することによって、光キャビティ１９を崩壊させる。もし作動電圧が十分に高い場合は、移動可能な反射層１４は、変形され、固定の部分反射層１６の上に設けられた絶縁層１５に押し付けられる。しかしながら、もし電位差が印加されない場合は、移動可能な反射層１４およびその周辺構造の機械的回復力が、移動可能な反射層１４を元の位置に戻し、光キャビティ１９を回復させる。したがって、インターフェロメトリック光変調デバイス１００の正常な動作および反応性を確保するためには、移動可能な反射層１４のこの機械的回復力を、移動可能な反射層１４と固定の部分反射層１６との間に生じる静電力と注意深くバランスさせることが望まれる。
【００５２】
絶縁層１５内における実質的にランダムな電荷分布は、インターフェロメトリックモジュレータ内の電荷を望ましくない形で移動させる可能性がある。例えば、図１０および図１１に示されるように、たとえ、実質的にランダムな電荷分布によって正味ゼロの電場が形成されている場合でも、図１１の、距離（ｄ）で隔てられた一時的に揃えられた電荷３６のように、もし絶縁層１５内のランダムな電荷の一部が期せずして揃えられ、電気双極子モーメントが形成されると、これらの一時的に揃えられた電荷３６によって、光キャビティ１９を崩壊または解放させるために必要とされる作動電圧の一部が不必要に供給される可能性がある。これは、絶縁層１５内の一時的に揃えられた電荷３６が、電場（Ｅ）を形成し、内蔵電池として機能するからである。インターフェロメトリックモジュレータ１００の動作中、電荷が特定の方向に制御不能に揃えられ（３６）、双極子モーメントが一時的であれ永続的であれランダムに形成されると、動作電圧は、初期の正味中立の分布状態から偏りを生じる。本明細書で使用される動作電圧という用語は、インターフェロメトリックモジュレータ１００に印加される電圧を意味する。電荷が制御不能に揃えられる（３６）結果、絶縁層１５からインターフェロメトリックモジュレータ１００へと、制御不能な追加の電圧が供給される。この動作電圧の差（ΔＶ）は、式：ΔＶ＝Ｅｄに対応しうる。
【００５３】
したがって、動作電圧が概ね一定に維持されるように、より予測可能な内部双極子モーメントを絶縁層１５内に形成することが望まれる。したがって、動作電圧を予め決定しておくことによって、動作電圧の制御不能な変化を概ね回避することができる。絶縁層１５内のランダムな電荷分布を概ね固定して揃えることによって、絶縁層１５内の制御不能な電荷シフトを概ね回避することができる。更に、絶縁層１５内の電荷を概ね固定して揃え、インターフェロメトリック変調デバイス１００を駆動するのに有用な電池として機能する内部双極子モーメントを生成することによって生成される電場に対応する量の電圧を提供することによって、光キャビティ１９を崩壊または解放させるために必要とされる作動電圧の一部を予測可能な形で供給することができる。更に、ランダムな電荷を指定の方向に揃えて固定することによって、インターフェロメトリックモジュレータデバイス１００を動作させる用の駆動波形を簡略化することも可能である。極性を固定すれば、電荷のシフトが生じないので、単一極性の駆動パルスを使用することも、また、電荷を概ね固定して揃えるために考えられる１つの選択肢である。したがって、電荷のシフトは、もはや、デバイス１００の長期動作させる際の問題とはならない。
【００５４】
図１２は、絶縁材料内に内部双極子モーメントを誘起するために使用される方法を説明
したフローチャートである。該方法は、ステップ６６において、絶縁材料を熱に暴露する（さらす）ことによって開始する。熱への暴露は、絶縁材料内のランダムな電荷を揃えて固定するプロセスを加速させる。温度の上昇は、反応を加速させることが良く知られている。これは、温度が高いほど、反応を開始または完了させるために必要となる活性化エネルギの量が減少するからである。例えば、この方法を摂氏５０度で実施すれば、この方法を室温（摂氏２２度）で実施する場合のおよそ３倍の速さで反応を起こすことができる。同様に、この方法を摂氏７０度で実施すれば、この方法を摂氏５０度で実施する場合のおよそ３倍の速さで反応を起こすことができる。絶縁材料が熱に暴露されたら、今度はステップ６７において、絶縁材料に電位（Ｖ）を印加することによって、絶縁材料内のランダムな電荷分布を概ね揃えて固定させる。必須ではないが、この電位（Ｖ）の大きさは、インターフェロメトリック変調デバイスを動作させるのに必要とされる通常の作動電圧より大きくてよい。例えば、図１０に示されるように、電位（Ｖ）の大きさは、インターフェロメトリックモジュレータ１００の光キャビティ１９を概ね崩壊させるために電圧源３５によって印加される作動電圧より大きくてよい。絶縁材料にかかる電位が大きいほど、絶縁材料内の電荷を概ね揃えて固定するのに必要とされる時間が短縮される。方法は、次いで、ステップ６７の後に終了する。図１２の方法は、ステップ６６，６７に限定されず、且ついかなる特定の順序にも限定されない。例えば、加熱のステップより前に、絶縁材料に電位をかけることが可能である。更に、電荷を概ね固定して揃えることを確実にするために、電位をかけたままの状態で絶縁材料を冷却して室温に戻すことも可能である。
【００５５】
次に、図１３および図１４を参照しつつ、図１２の方法について議論する。図１３に示されるように、絶縁層１５は、その温度を上昇させる目的で熱３７に暴露される。絶縁層１５が熱に暴露されると、絶縁層１５内のランダムな電荷分布は、移動可能な反射層１４内の電極と固定の部分反射層１６内の電極との間に電位（Ｖ）を印加することによって、概ね揃えられ固定される。繰り返し述べるが、この電位（Ｖ）の大きさは、移動可能な反射層１４を固定の部分反射層１６に向けて引っ張って光キャビティ１９を概ね崩壊させるのに必要とされる通常の作動電圧より大きくてよい。
【００５６】
熱３７および電位（Ｖ）に十分な長さの時間に渡って暴露された後、絶縁層１５内のランダムな電荷は、図１４に示されるように、概ね固定され揃えられた状態になる。絶縁層１５内の電荷を概ね固定して揃えるのに十分な長さの時間は、絶縁層１５の材料、絶縁層１６の温度を上昇させるために使用される熱の量、および絶縁層１５にかけられる電位の量に応じて可変である。
【００５７】
図１４に示された絶縁材料１５のような、内部双極子モーメントを誘起された絶縁材料は、移動可能な反射層１４の電極と固定の部分反射層１６の電極との間に電圧が印加されていないときにこれらの電極間に非ゼロの双極子モーメントを提供するための手段を含む。更に、絶縁材料１５は、図１２〜１４で説明され例示された方法を実施された後、実質的に固定され揃えられた双極子モーメントを有するので、絶縁材料１５は、移動可能な反射層１４の電極と固定の部分反射層１６の電極との間に電圧が印加されていないときに存在する非ゼロの内部双極子モーメントを有する。絶縁層１５内のこの非ゼロの双極子モーメントは、より予測可能な電場を形成する。このような電場は、次いで、インターフェロメトリックモジュレータデバイス１００を駆動するために用いることができる。
【００５８】
図１４に示された実施形態では、インターフェロメトリックモジュレータ１００を動作させるために電圧源３５によって通常的に供給される電圧（Ｖ）が、絶縁材料１５の非ゼロの内部双極子モーメントによって供給される電場に対応する量だけ低減される。絶縁材料１５の非ゼロの内部双極子モーメントによって供給される電圧の量（ΔＶ）は、式：ΔＶ＝Ｅｄによって示されるように、絶縁材料１５の内部双極子モーメントによって供給される電場（Ｅ）の強さと、双極子モーメント間の距離（ｄ）とに対応している。
【００５９】
図１２〜１４に説明され示された方法を使用した結果として起こる、絶縁層１５内における電荷の移動は、インターフェロメトリック変調デバイスの動作電圧のシフトを測定することによって観測することができる。ここで、動作電圧は、絶縁層１５の両側の電極と電極との間に印加される作動電圧を意味する。具体的には、インターフェロメトリック変調デバイスにおいて、動作電圧は、移動可能な反射層１４内の電極（薄膜、機械層、または列電極とも称される）と固定の部分反射層１６内の電極（光スタック、または行電極とも称される）との間に印加される電圧である。電圧のシフトは、金属−絶縁体−シリコン構造を含むテストサンプルの電圧レスポンスを測定することによって得ることができる。ここで、絶縁体は、インターフェロメトリック変調デバイス内の絶縁層１５を形成する材料と同じ材料で形成される。
【００６０】
一例として、１０００オングストロームのＳｉ3Ｎ4（シリコン窒化物、誘電率７．１）の層に、７０℃の温度で２０分間に渡って１５ボルトのバイアスを印加すると、１．６７ｅ−１２ Ｃ−ｃｍ−１の分極密度が生成され、その結果、観測可能な２ボルトの電圧シフトが生じる。この誘導分極は、膜の材料およびこのような膜を用意するために使用される方法に応じて異なる。もう１つの例として、化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を使用して堆積された１０００オングストロームのＳｉＯ2を、上記と同じ手順で処理すると、約４．４５ｅ−１３ Ｃ−ｃｍ−１の分極が誘導され、その結果、観測可能な１ボルトの電圧シフトが生じる。誘導される分極は、層の厚さ、層の材料、および前処理の方法に依存しうる。処理の結果は、印加される電圧、温度、このような処理の継続時間によって影響される。温度が高いほど、一般に、より短い期間で、より大きい分極が生じる。同様に、印加される電圧が構造の耐性の範囲内で高いほど、一般に、より大きな分極が誘導される。集積化マクロデバイスのテストおよび測定に使用される一般的な温度上昇範囲は、５０℃から８０℃の間である。この温度範囲は、インターフェロメトリック変調デバイスの耐性に適合しており、したがって、本処理を行うのに適している。スパッタリングされたシリコン酸化物は、一般に、ＣＶＤ酸化物よりも多くの捕獲サイトおよび不純物を含んでいるので、より明確な電荷移動および分極を可能にする。
【００６１】
最後に、絶縁層内の内部双極子モーメントによって形成される電場を、インターフェロメトリック変調デバイスを駆動するために用いることができる。例えば、インターフェロメトリック光変調デバイスを駆動するのに必要とされる作動電圧の一部を、絶縁層内の内部双極子モーメントによって形成される電場によって提供することができる。図１５は、本発明の１つの実施形態にしたがった、インターフェロメトリック変調デバイスを駆動する方法を説明した流れ図である。該方法は開始され、次いで、ステップ６８において、インターフェロメトリック変調デバイスの絶縁材料内に内部双極子モーメントが誘起され、絶縁材料内の電荷が概ね揃えられ、固定される。このステップは、例えば、図１２〜１４を参照して説明され例示される方法によって実現することができる。次いで、ステップ６９において、負の電圧と正の電圧との間で非対称的な電圧源３５によって提供される非対称的な電圧によって、インターフェロメトリックモジュレータを駆動することができる（すなわち、光キャビティが少なくとも部分的に崩壊される）。この非対称的な電圧は、ステップ６８において、絶縁層内の内部双極子モーメントによって形成される電場に対応するオフセット電圧を含んでいる。方法は、次いで、ステップ６９の後に終了する。
【００６２】
図１３および図１４に示されるように、絶縁層１５は、一般に、電位（Ｖ）の負の成分を受ける固定の部分反射層１６の上に設けられるので、ステップ６９より電圧源３５によって提供される電圧は、正と負との間で非対称であることが可能である。ステップ６８の後、電荷は、絶縁層１５内で概ね固定され揃えられ、このとき、正の電荷は、移動可能な反射層１４に向けて引っ張られ、負の電荷は、固定の部分反射層１６に向けて引っ張られる。このように、絶縁層１５は、誘起された双極子モーメントの負の電荷を固定の部分反
射層１６の上に有するので、インターフェロメトリックモジュレータ１００の光キャビティ１９を崩壊または解放させるために必要とされる電圧源３５からの電圧は、負の電位の大きさが正の電位の大きさより小さい非対称性のものであることが可能である。
【００６３】
上記の詳細な説明は、本発明の新規の特徴を、様々な実施形態に照らして図示、説明、および指摘してきたが、当業者ならば、説明されたデバイスまたはプロセスの形態および詳細について、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な省略、置換、および変更を成せることが理解されるであろう。特徴のいくつかは、他の特徴とは別個に使用または実施することができるので、本発明は、本明細書に明記された特徴および利点の全てを提供するのではない形態の範囲内で実現可能であることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第一のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能反射層が解放位置にあり、第二のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能反射層が作動位置にあるインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの１つの実施形態の一部分を描いた等角図である。第一第二
【図２】３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを組み込んだ電子デバイスの１つの実施形態を示したシステムブロック図である。
【図３】図１のインターフェロメトリックモジュレータの１つの代表的実施形態について、移動可能なミラー位置と印加される電圧との関係を示した図である。
【図４】インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを駆動するために使用することができる行電圧および列電圧のセットを示した説明図である。
【図５Ａ】図２の３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイに１フレームのディスプレイデータを書き込むために使用することができる行信号および列信号に関する１つの代表的なタイミング図である。
【図５Ｂ】図２の３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイに１フレームのディスプレイデータを書き込むために使用することができる行信号および列信号に関する１つの代表的なタイミング図である。
【図６Ａ】ディスプレイデバイスの１つの実施形態を示したシステムブロック図である
【図６Ｂ】ディスプレイデバイスの１つの実施形態を示したシステムブロック図である
【図７Ａ】図１のデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】インターフェロメトリックモジュレータの１つの代替の実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】インターフェロメトリックモジュレータのもう1つの代替の実施形態の断面図である。
【図８Ａ】絶縁層の実施形態の断面図である。
【図８Ｂ】絶縁層の実施形態の断面図である。
【図８Ｃ】絶縁層の実施形態の断面図である。
【図８Ｄ】絶縁層の実施形態の断面図である。
【図８Ｅ】絶縁層の実施形態の断面図である。
【図８Ｆ】絶縁層の実施形態の断面図である。
【図８Ｇ】絶縁層の実施形態の断面図である。
【図９】ランダムな電荷分布を有する絶縁層の１つの実施形態の断面図である。
【図１０】ランダムな電荷分布の絶縁層を有するインターフェロメトリックモジュレータの１つの実施形態の断面図である。
【図１１】一部の双極子を一時的に揃えられたランダムな電荷分布を有する絶縁層の１つの実施形態の断面図である。
【図１２】本発明の１つの実施形態にしたがった、絶縁層内に内部双極子モーメントを誘起する方法の流れ図である。
【図１３】熱および電位に暴露された絶縁層を有するインターフェロメトリックモジュレータの１つの実施形態の断面図である。
【図１４】双極子モーメントを誘起された絶縁層を有するインターフェロメトリックモジュレータの１つの実施形態の断面図である。
【図１５】本発明の１つの実施形態にしたがった、内部双極子モーメントを伴う絶縁層を有するインターフェロメトリック変調デバイスを駆動する方法の流れ図である。
【図１】
2008542843.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
2008542843.tif 000013
【図８Ａ】
2008542843.tif 000014
【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
2008542843.tif 000019
【図８Ｇ】
2008542843.tif 000020
【図９】
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【図１０】
2008542843.tif 000022
【図１１】
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【図１２】
2008542843.tif 000024
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
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【国際調査報告】
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