(57)【要約】  本発明は、所与の波長範囲の入射放射から少なくとも１つの波長域を選択するためのモノクロメーター装置（１４）に関する。本発明は、選択される上記少なくとも１つの波長域に適する結晶線を有する単結晶材料の少なくとも１つの光学層（３０）と、メカニカル基板（３２）とを含むことを特徴とする。本発明によれば、上記少なくとも１つの光学層とメカニカル基板とは、分子結合によって組み合わせられている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所与の波長範囲の入射放射から少なくとも１つの波長域を選択するためのモノクロメーター装置（１４）であって、
単結晶材料の結晶線が、選択される前記少なくとも１つの波長域に適する、該単結晶材料からなる少なくとも１つの光学層（３０）と、
メカニカル基板（３２）とを含み、
前記少なくとも１つの光学層とメカニカル基板とは、分子結合によって組み合わせられていることを特徴とする、モノクロメーター装置。
【請求項２】
メカニカル基板（３２）が、前記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料より良好な機械的特性を有する材料から製造されていることを特徴とする、請求項１に記載のモノクロメーター装置。
【請求項３】
メカニカル基板を構成する前記少なくとも１つの材料が、前記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料より曲げに対して高い機械抵抗を有することを特徴とする、請求項１または２に記載のモノクロメーター装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの光学層（３０）が、厚みが０．２μｍ〜１００μｍであることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料が、ゲルマニウムであることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料が、ＡｓＧａ、ＩｎＳｂ、ＧａＮ、ＩｎＰから特に選択されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料が、炭化ケイ素、ダイヤモンド、サファイア、フッ化リチウム、石英、ＢＧＯ、ＹＡＧ、ＧＧＧ、ＧＳＧＧ、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウムから特に選択されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項８】
少なくとも２つの光学層を含み、一方の光学層が、他方の光学層上に接合され、異なる波長域を選択することを可能とし、光学層の１つの単結晶材料が、他の光学層の単結晶材料とは異なる結晶方向を有することを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項９】
メカニカル基板を構成する前記少なくとも１つの材料が、シリコンであることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項１０】
メカニカル基板（３２）が、櫛状の一般的形状を有し、裏面上に、実質的に互いに平行で、前記基板の表面に接合された前記少なくとも１つの光学層（３０）に垂直の一連の溝を有することを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項１１】
前記装置によって回折された放射が、前記少なくとも１つの光学層によって反射されることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項１２】
前記装置によって回折された放射が、前記少なくとも１つの光学層によって伝達されることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載のモノクロメーター装置。
【請求項１３】
所与の波長範囲の入射放射から少なくとも１つの波長域を選択するためのモノクロメーター装置を製造する方法であって、
メカニカル基板と、選択される前記少なくとも１つの波長域に適する結晶線を有する単結晶材料の少なくとも１つの光学層とを、分子結合によって組み合わせるステップを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１４】
メカニカル基板が、前記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料より良好な機械的特性を有する少なくとも１つの材料から製造されていることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
互いに接合された光学層と基板とのそれぞれの２つの表面間で分子結合力を強固にするための熱処理ステップを含むことを特徴とする、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの光学層を薄くするステップを含むことを特徴とする、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所与の波長範囲の入射放射から波長域を選択するためのモノクロメーター装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
材料の様々な分析を達成するために、Ｘ線または中性子ビームを使用することが知られている。
【０００３】
このためにはＸ線源や中性子源が必要であり、波長の範囲が、想定される用途には大きすぎるＸ線源や中性子源のスペクトルから、より広いまたはより狭い波長域（つまり、エネルギー）を選択する目的で、モノクロメーター装置が、一般的に使用されている。
【０００４】
Ｘ線については、波長域の選択は、完全結晶によるＸ線の回析現象によって達成される。
【０００５】
したがって、所与の入射角で完全結晶によって受けた所与の波長範囲にわたってスペクトルが広がる入射Ｘ線は、より狭い波長域で放射の回析を生じさせる。
【０００６】
結晶によって回折された波長域の幅が、使用される結晶の性質（格子定数、結晶の対称）および選択される結晶線（ｒａｉｅ  ｃｒｉｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｑｕｅ）に依存することが留意される。
【０００７】
特に、結晶の質および十分な大きさ、容易に加工されることが可能であること、および低価格のためによく知られた材料であるシリコンを完全結晶として使用することが知られている。
【０００８】
しかし、シリコンの帯域幅は、使用されるＸ線源や中性子源の帯域幅と比較して小さすぎることが分かっており、これは、放射束のかなりな損失をもたらす。例えば、研究室（例えば、カソード管または回転式アノードを使用する）で使用されるＸ線源について、銅やモリブデンなどの金属の輝線から、蛍光線の幅が、従来、ΔＥ／Ｅ＝３−５×１０−４のオーダーであり、一方、シリコン１１１の帯域幅は、１．３×１０−４であり、それは、入射放射の強度の３分の２が失われることを意味する。シリコンは、Ｘ線回折技術を使用して、用途に対してあまりにも高い分解能を有する。
【０００９】
完全結晶としてゲルマニウムを使用することも知られており、それは、大きな完全結晶の形態で利用可能な材料であり、シリコンより高い電子密度であり、そしてより大きな線幅のために、シリコン結晶によって伝達された放射束の３倍を伝達する。
【００１０】
例えば、１１１ゲルマニウム（Δλ／λ＝３×１０−４）の線幅は、幅が約３−５×１０−４のオーダーの蛍光線から形成されたＸ線源や中性子源の場合によく適する（上記参照）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、ゲルマニウムなどの材料のコストは、シリコンより高く、その機械的特性（特に、その弾性限界）およびその熱特性（特に、その熱伝導率）は、シリコンより悪い。このため、結晶としてのゲルマニウムを用いて、結晶の曲率が可変でなければならない用途を想定し、用途に応じて変化させることは困難である。そのような用途は、例えば、可変距離でＸ線を集中させて装置に放射を適用する、または一定距離で異なるエネルギーを集中させることが必要とされる場合に直面する。
【００１２】
この集中の目的は、分析されるサンプルの位置で生成されたビームの大きさを低減することである。
【００１３】
本発明は、所与の波長範囲の入射放射から少なくとも１つの波長域を選択するためのモノクロメーター装置であって、選択される上記少なくとも１つの波長域に適する結晶線を有する単結晶材料の少なくとも１つの光学層と、メカニカル基板とを含み、上記少なくとも１つの光学層とメカニカル基板とは、分子結合によって組み合わせられていることを特徴とするモノクロメーター装置を提案することによって、上述した欠点の少なくとも１つを改善することを目的とする。
【００１４】
光学層の材料の単結晶の特徴は、結晶の配置のために、入射放射の回析を確実にする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
したがって、本発明は、光学特性が、Ｘ線および中性子ビームに関して、基板の機械的特性および／または熱特性から分離されるモノクロメーター装置を提供する。
【００１６】
この分離を可能にするために、光学層は、十分に薄くなければならない。しかし、光学層は、回析を確実にする十分な結晶面を有していなければならない。この目的のために、その厚みは、材料の消滅長より大きく、例えば、それは、選択された材料の結晶線に依存する。
【００１７】
したがって、本発明のモノクロメーター装置は、単結晶材料回折光学層によって、入射放射に光学的によく適する。メカニカル基板によって、装置は、操作するのが容易であり、メカニカル基板が回折層の曲げを付与する役目をしながら、装置は、変形、例えば、曲げられる用途で使用され得る。
【００１８】
さらに、分子結合によって単結晶材料の層をメカニカル基板に固定することによって、モノクロメーター装置（焦点が時間内および／または装置の範囲にわたって変動する）の光学特性を低下する傾向があり、結晶に示される高い放射束への耐性が不十分である傾向があり、このために、特性の低下、特に、熱特性（熱伝導率など）および／または機械的特性（機械的強度など）の低下を生じさせる、粘着性物質を添加しない。
【００１９】
さらに、モノクロメーター装置の光学層は、メカニカル基板を構成する材料より一般的に高価な材料からなり、モノクロメーター装置の一部のみを構成し、例えば、ゲルマニウムなどの単一の単結晶材料からなるモノクロメーター装置と比較して、モノクロメーター装置のコストの低減に寄与する。
【００２０】
１つの特徴によれば、メカニカル基板は、上記少なくとも１つの光学層を構成する材料より良好な機械的特性を有する材料から製造される。
【００２１】
より詳細には、メカニカル基板を構成する上記少なくとも１つの材料は、上記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料より曲げに対して高い機械抵抗を有する。
【００２２】
１つの特徴によれば、上記少なくとも１つの光学層は、厚みが０．２μｍ〜１００μｍである。
【００２３】
１つの特徴によれば、上記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料は、ゲルマニウムである。
【００２４】
１つの特徴によれば、上記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料は、ＡｓＧａ、ＩｎＳｂ、ＧａＮ、ＩｎＰから特に選択される。
【００２５】
１つの特徴によれば、上記少なくとも１つの光学層を構成する単結晶材料は、炭化ケイ素、ダイヤモンド、サファイア、フッ化リチウム、石英、ＢＧＯ（ビスマスゲルマニウム酸化物）、ＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）、ＧＧＧ（ガドリニウムガリウムガーネット）、ＧＳＧＧ（ガドリニウムスカンジウムガリウムガーネット）、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウムから特に選択される。
【００２６】
１つの特徴によれば、装置は、少なくとも２つの光学層を含み、一方の光学層は、他方の光学層上に接合され、異なる波長域を選択することを可能とし、光学層の１つの単結晶材料は、他の光学層の単結晶材料とは異なる結晶方向を有する。これら２つの層は、同じ結晶材料からなることができ、この場合、これらの層は、選択される波長域に応じて異なる結晶方向を有する。
【００２７】
他方の光学層は、有利には、メカニカル基板とすることができ、この場合、単結晶材料からなる。
【００２８】
相補的光学装置も、選択された２つの波長域のうちの１つを選択するためのモノクロメーターに使用され得る。
【００２９】
１つの特徴によれば、メカニカル基板を構成する上記少なくとも１つの材料は、シリコンである。
【００３０】
１つの特徴によれば、メカニカル基板は、櫛状一般的形状を有し、裏面上に、実質的に互いに平行で、上記基板の表面に接合された上記少なくとも１つの光学層に垂直の一連の溝を有する。
【００３１】
１つの特徴によれば、上記装置によって回折された放射は、上記少なくとも１つの光学層によって反射される。または、回折された放射は、モノクロメーターによって伝達されることができ、この場合、メカニカル基板は、選択された波長域に対して透明であるので、または上記基板に開口を形成する結果、そのような伝達を可能にするように構成される。
【００３２】
本発明はまた、所与の波長範囲の入射放射から少なくとも１つの波長域を選択するためのモノクロメーター装置を製造する方法であって、メカニカル基板と、選択される上記少なくとも１つの波長域に適した結晶線を有する単結晶材料の少なくとも１つの光学層とを、分子結合によって組み合わせるステップを含むことを特徴とする方法からなる。
【００３３】
１つの特徴によれば、メカニカル基板は、上記少なくとも１つの光学層を構成する材料より良好な機械的特性を有する少なくとも１つの材料から製造される。
【００３４】
１つの特徴によれば、方法は、互いに接合された光学層と基板のそれぞれの２つの表面間で分子結合力を強固にするための熱処理ステップを含む。
【００３５】
この熱処理の温度は、特に、このステップの間にモノクロメーターの完全性を確実にするために、２つの材料の熱膨張率（光学層の熱膨張率およびメカニカル基板の熱膨張率）の差に応じるものでなければならない。
【００３６】
他の特徴によれば、方法は、上記少なくとも１つの光学層を薄くするステップを含む。
【００３７】
他の特徴および利点は、限定しない実施例のみによって、および添付図面を参照して、以下の記載の過程で明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
図１に示されるように、光学系１０は、Ｘ線源１２、例えば、銅の輝線に基づき、蛍光線の幅ΔＥ／Ｅが、約３×１０−４のオーダーであるＸ線管を含む。このＸ線源は、例えば、５ｋｅＶ〜５０ｋｅＶの連続的エネルギースペクトルでＸ線を放射するシンクロトロン源に同様になり得る。
【００３９】
システム１０はまた、光学層を構成する材料の結晶線および入射放射１６の入射角に応じて、少なくとも１つの波長域を選択するようになされたモノクロメーター装置１４を含む。このように、装置１４は、分析される目標物２０（サンプル）の方向に、幅ΔＥ／Ｅが、例えば１０−４の波長域の回折ビーム１８を反射する。または、装置１４は、回折ビームを伝達することができる。
【００４０】
選択された帯域は、Ｘ線源の帯域幅内で、より狭くまたはより広くなり得ることが留意される。
【００４１】
図１に示されるように、モノクロメーター装置１４の曲率は、光の標準法則にしたがってサンプル２０上にＸ線源１２によって放射された入射Ｘ線１６を集中させる。
【００４２】
入射角が異なる波長域を選択するために修正される場合、波長の前の帯域を使用する場合と同じ距離で放射を集中させることができるために、モノクロメーターの曲率を修正することは有益とすることができる。
【００４３】
モノクロメーター装置１４は、例えば、凹凸のない滑らかな状態で、図２に図式的に表わされる。
【００４４】
この装置は、Ｘ線を回折するように構成された単結晶材料で製造された光学層３０を含み、この材料は、その格子定数、その結晶対称およびその結晶線が、選択されるＸ線の波長域に適するように選択される。
【００４５】
この光学層は、単結晶ゲルマニウム、例えば、より詳細には１１１ゲルマニウムからなる。
【００４６】
光学層を構成する結晶材料は、ＡｓＧａ、ＩｎＳｂ、ＩｎＰ、ＧａＮのうちの１つによって置換されて特定の波長域を得ることができることが留意される。
【００４７】
モノクロメーター装置のエネルギー分解能を改善することが必要な場合、光学層に使用される単結晶材料は、ゲルマニウムより低い電子密度であり得、例えば、炭化ケイ素、ダイヤモンド、サファイア、フッ化リチウム、石英、ＢＧＯ、ＹＡＧ、ＧＧＧ、ＧＳＧＧ、酸化ジルコニウムおよびチタン酸ストロンチウムが、代わりに使用されてもよい。
【００４８】
光学層は、厚みが、一般に、０．２μｍ〜１００μｍ、例えば、１０μｍである。
【００４９】
Ｘ線を回折するのに必要な単結晶材料の厚みは小さく（数結晶面のオーダーで）、それは、光学層の小さな厚みを説明し、したがって、光学層は薄層と考えられることができる。また、これは、光学層に使用される単結晶材料のコストを低減するという点で有利である。
【００５０】
モノクロメーター装置１４はまた、図２からアセンブリの２つの構成要素間のインターフェース３４で分子結合によって光学層３０に組み合わせられるメカニカル基板３２を含む。
【００５１】
このアセンブリ技術の結果、光学層とメカニカル基板とを接合するために粘着性物質は必要ではない。
【００５２】
したがって、これは、粘着性物質の機械的特性および熱的特性を低下する危険性を伴って、モノクロメーター装置が極度の放射にさらされる傾向にあるという点で、モノクロメーター装置の想定される用途には特に有益である。そのような放射はまた、モノクロメーター装置の性能の点から悪影響を有することもあり得る。さらに、接着剤の添加は、厚みの変動、例えば、したがって、モノクロメーターの範囲および／または長時間にわたって、光学的挙動の変動をもたらすことがあり得る。
【００５３】
メカニカル基板３２は、光学層３０を構成する単結晶材料より良好な機械的特性を有し、分子結合と直接または中間層を介して適合された少なくとも１つの材料からなることが有利である。
【００５４】
特に、図１に示され、想定される用途について、モノクロメーター装置を破損することなく、得られた構造（図２）が繰り返し曲げられることが可能であるように、メカニカル基板を構成する材料は、光学層３０を構成する材料より曲げに対してより高い抵抗を有することが、特に望ましい。
【００５５】
基板３２を構成する材料としてシリコンが使用され、例えば、そのコストは、光学層３０に使用される回折材料よりはるかに低い。
【００５６】
したがって、モノクロメーター装置１４の構造の大部分は、比較的低価格の材料からなることが分かり、その結果、全体として、その構造の製造は、ゲルマニウムなどの材料のみからなる構造より低価格である。
【００５７】
図１で表わされるような用途のために、モノクロメーター装置１４が曲げられることができるためには、特に、特性の疲労または悪化なしに、１ｍから無限の曲率半径の範囲で、曲げおよび水平状態に戻るサイクルにさらされ得るためには、例えば、基板３２は、適切な櫛状の一般的形状を有する。
【００５８】
したがって、基板３２の裏面には、互いに実質的に平行で、光学層３０に接合された基板の表面に垂直な一連の溝が見られる。
【００５９】
したがって、この種の構造は、その構造に垂直な方向の溝によって付与される大きな柔軟性のために、可変曲率の使用に特によく適する。
【００６０】
さらに、構造は、溝と平行な方向に大きな剛性を有し、入射ビームの入射角を完全に画定し、したがって、波長域が選択される。
【００６１】
メカニカル基板は、厚みが、１センチメートルのオーダーであり、例えば、一般に光学層およびモノクロメーターの操作を促進する。しかし、厚みは、想定される用途に応じて約数センチメートルであってもよい。
【００６２】
一つの光学系でＸ線の同じ入射ビームから複数の波長域を得ることが必要な場合、本発明のモノクロメーター装置はまた、有益な用途を見つけることができる。
【００６３】
例えば、少なくとも２つの適切な光学層（光学層のうちの１つが適切な場合、特に、単結晶材料である場合、他の光学層は基板になり得る）を含むモノクロメーター装置を含む光学系を、「白」シンクロトロン放射（例えば、５ｋｅＶ〜５０ｋｅＶの全てのエネルギーを有する）で照射する場合、２つの光学層は、各々、異なる波長域を反射する。次いで、１つまたは他のアクセス可能帯域を任意に選択することができることが望まれる場合、光学装置は、モノクロメーターに加えられることができる。
【００６４】
例えば、非常に簡単な光学系で、吸収しきい値の一方の側で、これらの２つの波長域を調節することが可能である。
【００６５】
この用途で使用されるモノクロメーター装置１６の構造は、シリコンメカニカル基板、例えば、結晶方向が異なり、それぞれの結晶パラメーターが５．４３Åおよび５．６５Åである２つの材料上に、ゲルマニウム光学層を組み合わせることにより製造され得る。
【００６６】
単純化された光学系が上述され、したがって、差分コントラスト測定結果を得ること、例えば、ヨウ素しきい値血管造影法を行うことが可能である。この分析の原理は、ヨウ素が循環する生体組織領域（例えば、動脈）を観察することである。結果の差分処理によって、ヨウ素吸収しきい値の一方の側に配列された２つの波長域を有する放射を使用して、ヨウ素を含有する領域を見つけるために、ヨウ素を含有しない組織から出る放射を無視することが可能である。
【００６７】
指数が高い単結晶材料の線が、指数が低い材料の線より狭い反射を示すという点で、モノクロメーター装置が、２つの重ねられた光学層を有する構造によって、必要な分解能に適用され得る。
【００６８】
想定される用途に応じて、必要ならば、２つを越える光学層を重ねることが想定され得ることが留意されるべきである。
【００６９】
図２に表わされたモノクロメーター装置を製造する方法の１つの実施形態は以下に説明される。
【００７０】
製造方法は、メカニカル基板、例えば、シリコンの平行六面体形状の基板の使用を提供し、例えば、長さ１２０ｍｍ、高さ１２ｍｍおよび長さ８０ｍｍであり、例えば、幅は、図２の平面に垂直な次元である。
【００７１】
図２に表わされるように、基板は、その裏面上に、例えば、１．５ｍｍのピッチで一定間隔で配置され、幅１ｍｍ、深さ１１．３ｍｍの複数の溝を有する。
【００７２】
この種の配置は、基板上に特に有益な曲げ特性を付与し、特に、溝の方向に十分な剛性を付与し、溝に垂直な方向に大きな柔軟性を付与する。
【００７３】
溝のピッチ、幅および深さの異なる配置の他の基板は、十分な曲げ特性を付与することもできることが留意される。
【００７４】
さらに、他の配置が、メカニカル基板上に十分な曲げ特性を付与して、例えば、可変距離でＸ線を集中させることを必要とする用途では、次いで、反復して曲げられることが可能となることが留意されるべきである。
【００７５】
Ｘ線を回折する単結晶材料の光学層３０は、単結晶ゲルマニウム基板から製造され得る。
【００７６】
例えば、５００Åの厚い酸化層は、次の分子結合を促進するために、メカニカル基板３２の表面に固定されるゲルマニウム基板の表面に堆積される。
【００７７】
例えば、この酸化層は、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって形成される。
【００７８】
必要に応じて、メカニカル基板の表面も、酸化物層で被覆され得る。
【００７９】
図２のインターフェース３４で互いに固定されることを目的とするシリコン基板およびゲルマニウム基板の面は、特に、表面粗さ、親水性、または疎水性の観点では、２つの基板面間の直接分子付着に適合する表面状態を得るために、当分野で知られている（ウェットまたはドライ）化学処理によって次いで調製される。
【００８０】
基板に適用される処理は、機械的−化学的タイプとすることが可能であることが留意される。
【００８１】
次いで、組み合わせられる基板は、分子結合を目的に接触させられる。
【００８２】
製造方法は、分子結合が達成されるとすぐに、それぞれの２つの基板の接触で、２つの面間の結合力を強固にする熱処理ステップを含む。
【００８３】
この熱処理は、例えば、１５０℃〜２５０℃の温度に２つの基板を加熱することにあり、それは、シリコンとゲルマニウムとの熱膨張率の差に適している。
【００８４】
製造方法はまた、薄い、例えば１０μｍの厚みの光学層を得るために、ゲルマニウム基板を薄くする次のステップを提供する。
【００８５】
薄くするステップは、機械的に、例えば、研削、または、ウェットまたはドライエッチング方法を使用する化学的手段、またはメカノケミカル的に行うことができる。
【００８６】
一旦、薄くしたら、光学層３０は、図２に表わされるような低い加工硬化および低い表面粗さの層を得るために、メカノケミカル的に研磨され得る。
【００８７】
したがって、上述された製造方法は、図２のモノクロメーター装置の構造をもたらし、ここで、
支持体３２は、例えば、シリコンからなり、比較的安価であり、繰り返される曲げに適合する機械的特性を有し、
上層３０は、例えば、ゲルマニウムからなり、Ｘ線を回折するように構成され、特に、入射放射に適するフィルムを構成して、使用されるＸ線源の強度の効果的な利用を可能にする。
【００８８】
モノクロメーター装置１４のこの種の解像力は、波長と、装置が識別可能な最も小さな波長差との比率λ／Δλによって測定され、１／３×１０−４＝３  ３００である（シリコン光学層上のゲルマニウムに関して）。
【００８９】
モノクロメーター装置は、Ｘ線蛍光に使用され得ることが留意される。
【００９０】
装置は、同様にＳｅｅｍａｎ−Ｂｏｈｌｉｎ反射室で使用され得る。
【００９１】
上記されたモノクロメーター装置１４は、さらに、中性子ビームで使用され得る。
【００９２】
中性子ビームは、原子炉によって一般的に得られ、１ＭｅＶ〜５００ＭｅＶのエネルギーを一般的に有する。
【００９３】
ほとんどの元素について、Ｘ線と比較して、中性子の吸収は非常に小さく、その結果、多数のサンプルは、中性子ビームを使用して処理され得る。
【００９４】
中性子を用いて、Ｘ線と異なる原子の対比を得ることが可能であり、それは、類似の原子番号の元素から形成される構造を検討するために必要とされる場合、有益になり得る。
【００９５】
本発明の単色装置で得られたＸ線または中性子の単色ビームは、例えば、
材料の結晶パラメーターを決定するために、
材料中の結晶相を識別するために、
材料中の結晶構造を決定するために、
使用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明のモノクロメーター装置の状態の１つの実施例を示す。
【図２】図１のモノクロメーター装置を概略的に表す。
【図１】
2008528959.tif 000003
【図２】
2008528959.tif 000004
【国際調査報告】
2008528959.tif 000005
2008528959.tif 000006
2008528959.tif 000007
2008528959.tif 000008
2008528959.tif 000009
2008528959.tif 000010