(57)【要約】過熱検出のシステム及び方法は、処理装置の内部温度及び制御温度閾値に基づいて処理装置を含むダイで制御信号を発生させることを提供する。制御信号の挙動に基づいてダイで警告温度イベントを発生させるべきかどうかが決定されうる。一実施例では、警告温度イベントは、自動データ保存プロセスの開始をもたらす。これは、従来の警告温度停止の突発性を軽減する。他の実施例は、停止温度閾値が到達される前にユーザの作業を保存する選択肢をユーザに与える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理装置の内部温度及び制御温度閾値に基づいて前記処理装置を含むダイで制御信号を発生させるステップと、
前記制御信号の挙動に基づいて前記ダイで警告温度イベントを発生させるべきかどうかを決定するステップとを有する方法。
【請求項２】
前記決定は、
前記制御信号のアクティブレベルを探知するステップと、
前記制御信号の前記アクティブレベルが警告閾値に達する場合に前記警告温度イベントを発生させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記探知は、前記制御信号のデューティーサイクルを監視するステップを有する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記探知は、
前記制御信号がアクティブである場合にカウンタを増分するステップと、
前記制御信号がアクティブでない場合にカウンタを減少させるステップとを有し、
前記カウンタは、前記制御信号の前記アクティブレベルが前記警告閾値に達したかどうかを表す、
請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記探知は、
前記制御信号がアクティブである場合にカウンタを増分するステップと、
前記内部温度が前記制御温度閾値を下回る場合に前記警告閾値を下回る値に前記カウンタをリセットするステップとを有し、
前記カウンタは、前記制御信号の前記アクティブレベルが前記警告閾値に達したかどうかを表す、
請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記探知は、
前記制御信号がアクティブである場合にカウンタを減少させるステップと、
前記内部温度が前記制御温度閾値を下回る場合に前記警告閾値を上回る値に前記カウンタをリセットするステップとを有し、
前記カウンタは、前記制御信号の前記アクティブレベルが前記警告閾値に達したかどうかを表す、
請求項２記載の方法。
【請求項７】
前記探知は、有限状態機械により前記制御信号を探知するステップを有する、請求項２記載の方法。
【請求項８】
前記警告温度イベントを発生させるステップは、ユーザ通知を発生させるステップを有し、
該ユーザ通知は、手動データ保存プロセスを開始するための忠告を含む、請求項２記載の方法。
【請求項９】
前記警告温度イベントを発生させるステップは、自動データ保存プロセス、オペレーティング・システム・プロシージャー、システム管理ソフトウェアルーチン及びプラットフォーム制御機能を含むグループから選択されたプロセスを開始するステップを有する、請求項２記載の方法。
【請求項１０】
前記内部温度を測定するステップを更に有する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記内部温度が停止温度閾値に達する場合に前記ダイでシステム停止信号を発生させるステップを更に有する、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記処理装置の二次的な内部温度を測定するステップを更に有する、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
処理装置の内部温度及び制御温度閾値に基づいて制御信号を発生させる前記処理装置の制御装置と、
該制御装置へ結合され、前記制御信号の挙動に基づいて警告温度イベントを発生させるべきかどうかを決定する探知モジュールとを有する装置。
【請求項１４】
前記探知モジュールは、
前記制御信号のアクティブレベルを探知する探知ロジックと、
前記制御信号の前記アクティブレベルが警告閾値に達する場合に前記警告温度イベントを発生させるイベントロジックとを有する、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記探知ロジックは、前記制御信号のデューティーサイクルを監視する、請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記探知ロジックは、前記制御信号の前記アクティブレベルが前記警告閾値に達したかどうかを表すカウンタを有し、
前記カウンタは、前記制御信号がアクティブである場合に増分し、前記制御信号がアクティブでない場合に減少する、
請求項１４記載の装置。
【請求項１７】
前記探知ロジックは、前記制御信号の前記アクティブレベルが前記警告閾値に達したかどうかを表すカウンタを有し、
前記カウンタは、前記制御信号がアクティブである場合に増分し、前記内部温度が前記制御温度閾値を下回る場合に前記警告閾値を下回る値にリセットする、
請求項１４記載の装置。
【請求項１８】
前記探知ロジックは、前記制御信号の前記アクティブレベルが前記警告閾値に達したかどうかを表すカウンタを有し、
前記カウンタは、前記制御信号がアクティブである場合に減少し、前記内部温度が前記制御温度閾値を下回る場合に前記警告閾値を上回る値にリセットする、
請求項１４記載の装置。
【請求項１９】
前記探知ロジックは、前記制御信号の前記アクティブレベルを探知する有限状態機械を有する、請求項１４記載の装置。
【請求項２０】
前記警告温度イベントは、手動データ保存プロセスを開始する忠告を含むユーザ通知を有する、請求項１４記載の装置。
【請求項２１】
前記警告温度イベントは、自動データ保存プロセス、オペレーティング・システム・プロシージャー、システム管理ソフトウェアルーチン及びプラットフォーム制御機能を含むグループから選択されたプロセスの開始を有する、請求項１４記載の装置。
【請求項２２】
前記処理装置の前記内部温度を測定する温度測定装置を更に有する、請求項１３記載の装置。
【請求項２３】
前記内部温度が停止温度閾値に達する場合にシステム停止信号を発生させる停止装置を更に有する、請求項１３記載の装置。
【請求項２４】
前記処理装置の二次的な内部温度を測定する二次温度測定デバイスを更に有する、請求項１３の装置。
【請求項２５】
処理装置の内部温度及び制御温度閾値に基づいて制御信号を発生させる制御装置を備える前記処理装置と、前記制御装置へ結合され、前記制御信号の挙動に基づいて警告温度イベントを発生させるべきかどうかを決定する探知モジュールとを有する半導体ダイと、
該ダイへ結合され、前記警告温度イベントに応答して自動データ保存プロセスに対応する不揮発性メモリサブシステムとを有するシステム。
【請求項２６】
前記探知モジュールは、
前記制御信号のアクティブレベルを探知する探知ロジックと、
前記制御信号の前記アクティブレベルが警告閾値に達する場合に前記警告温度イベントを発生させるイベントロジックとを有する、請求項２５記載のシステム。
【請求項２７】
前記処理装置は、当該処理装置の前記内部温度を測定する温度測定装置を更に有する、請求項２５記載のシステム。
【請求項２８】
前記処理装置は、前記内部温度が停止温度閾値に達する場合にシステム停止信号を発生させる停止装置を更に有する、請求項２５記載のシステム。
【請求項２９】
前記ダイは、前記処理装置へ結合され、前記制御信号及び前記システム停止信号に応答して前記処理装置に対して温度管理を実施する埋め込み制御器を更に有する、請求項２８記載のシステム。
【請求項３０】
前記処理装置は、当該処理装置の二次的な内部温度を測定する二次温度測定デバイスを更に有する、請求項２５記載のシステム。
【請求項３１】
前記二次温度測定デバイスへ結合され、前記二次的な内部温度をデジタル信号に変換する変換装置を更に有する、請求項３０記載のシステム。
【請求項３２】
前記半導体ダイと前記メモリサブシステムとの間に配置されるチップセットを更に有する、請求項２５記載のシステム。
【請求項３３】
処理装置の内部温度を測定するステップと、
前記内部温度及び制御温度閾値に基づいて前記処理装置を含むダイにおいて制御信号を発生させるステップと、
前記制御信号に応答して前記処理装置のクロックを減速するステップと、
前記制御信号のアクティブレベルを探知するステップと、
前記制御信号の前記アクティブレベルが警告閾値に達する場合に前記ダイで警告温度イベントを発生させるイベントとを有し、
前記警告温度イベントの発生は、自動データ保存プロセスの開始及びユーザ通知の発生のうちの少なくとも１つを含み、
前記ユーザ通知は、手動データ保存プロセスを開始するための忠告を含む、方法。
【請求項３４】
前記内部温度が停止温度閾値に達する場合に前記ダイでシステム停止信号を発生させるステップと、
前記システム停止信号に応答して前記処理装置を停止するステップとを更に有する、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
前記警告温度イベントを発生させるステップは、オペレーティング・システム低電力モードを開始するステップを更に有する、請求項３３記載の方法。
【請求項３６】
前記処理装置の二次的な内部温度を測定するステップを更に有する、請求項３３記載の方法。
【請求項３７】
前記探知ステップは、スキューカウンタにより前記アクティブレベルを探知するステップを有する、請求項３３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の１又はそれ以上の実施形態は、概して、温度制御に関する。特に、ある実施形態は、熱的に制御される装置における過熱検出に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューティング・システムの人気は成長し続け、例えばノート型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、パーソナル・デジタル・アシスタント（ＰＤＡ）、及び無線高度自動機能電話などのモバイル・コンピューティング・システムの需要は、特に、歴史的な拡大を経験している。コンピュータの小型化及び処理速度の高速化への傾向は、消費者にとって魅力的である一方、それは、製造者は勿論、コンピュータの設計者に多くの課題を与える。特定の懸念事項分野は、過熱（ｏｖｅｒｈｅａｔｉｎｇ）に関する。
【０００３】
より高速で動作するコンピュータ処理装置は、より低速で動作する同じ状況の処理装置よりも、より電力を消費し、より熱を発生する傾向があることが、よく立証されている。温度の上昇は、処理装置の性能及び直ぐ近くの部品の性能にマイナスの影響を与えうる。例えば、装置の速度及び長期の信頼性は、温度が上昇するにつれて低下する。温度が非常に高温に達する場合には、その熱は、その部分に対して、機能不良、耐用年数の減少、又は永久的な損傷を引き起こしうる。
【０００４】
コンピュータ処理装置におけるオンダイ（ｏｎ−ｄｉｅ）の過熱検出に対する最新のアプローチは、下限温度閾値及び上限温度閾値によって決定される温度保護帯域の設定を含む。処理装置の内部温度は監視され、その内部温度が保護帯域の下限閾値を超える場合に、例えばクロック減速又は電圧／周波数調整などの温度管理技術が作動する。図１Ａは、保護帯域が下限制御温度閾値１２及び上限停止温度閾値１４によって定められるところの温度管理プロット１０を示す。内部温度曲線１６が下限閾値１２に達する場合に、温度管理が作動する。成功すれば、これにより、平均温度１８は時間と共に低下する。他方で、図１Ｂは、温度管理が成功せずに、平均温度２２が時間と共に上昇するところの内部温度曲線２０を有するプロット２１を示す。このような場合に、保護帯域の上限閾値１４は、突発故障を防ぐために、システム停止を示すよう用いられる。このようなアプローチは、ある環境下では受け入れられてきたが、相当な改善の余地が残っている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、従来の過熱検出アプローチは、温度管理失敗に対する保護のための唯一のメカニズムとして、上限閾値１４に関連付けられたシステム停止に依存する。結果として、過熱に起因するシステム停止は、むしろ突然であるようにユーザに見えうる。例えば、幾つかの場合で、データは、差し迫った停止の事前通知の欠落により失われる。更に、システム停止が起こる前に平均温度を下げるための十分な時間を温度管理技術に提供するために、保護帯域を極めて大きく設計することが一般的である。保護帯域が大きくなるほど必然的に熱包絡は小さくなり、より高度な処理装置を使用することができないので、可能な処理リソースは少なくなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の様々な利点は、本明細書及び添付の特許請求の範囲を読み、添付の図面を参照することによって当業者に明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図２は、従来の処理装置に対して大幅に改善されたアーキテクチャを有する処理装置２４を示す。処理装置２４は、例えば温度測定３２などの内部温度測定が行われるところのオンダイ熱保護方式を実施する。一実施形態において、温度測定３２は、熱ダイオードから取得される連続信号である。処理装置２４は、カリフォルニア州サンタクララにあるインテルコーポレーション（登録商標）から市販されているインテル（登録商標）ペンティアム（登録商標）Ｍプロセッサと同様であっても良く、例えばノート型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、パーソナル・デジタル・アシスタント（ＰＤＡ）、無線高度自動機能電話などのモバイル・コンピューティング・システムの一部であっても良い。特定の例がモバイル・コンピューティング・システムに関して説明されるが、本発明の実施形態はそのように限定されない。実際には、過熱が関心事項であるところの如何なるコンピューティング・システムも、本願で記載される原理の利益を享受することができる。それにも関わらず、当該実施形態がうまく適するところのモバイル・コンピューティング・システムの多数の態様が存在する。
【０００８】
表される処理装置２４は、内部温度測定３２及び制御温度閾値に基づいて制御信号３０を発生させる制御装置２６を有する。制御温度閾値は、上限境界が停止温度閾値であるところの温度保護帯域の下限境界を表し、温度管理は、内部温度測定３２が２つの境界の間にある場合に実行される。処理装置２４は、また、探知モジュール２８を有する。探知モジュール２８は、制御信号３０の挙動に基づいて警告温度イベント３４を発生すべきかどうかを決定することができる。以下で更に詳細に述べられるように、警告温度イベント３４の発生は、システム／処理装置の停止が起こる場合に未保存の作業が保護されうる自動データ保存プロセスの開始を含みうる。他の実施形態では、警告温度イベント３４は、ユーザ通知を含みうる。この場合に、ユーザ通知は、ユーザが手動データ保存プロセスを開始するよう勧める。警告温度イベント３４の発生は、また、例えばオペレーティング・システム（ＯＳ）・プロシージャー、システム管理ソフトウェアルーチン又はプラットフォーム制御機能などのプロセスの開始を含みうる。ＯＳプロシージャーは、例えばスリープ又は休止（ｈｉｂｅｒｎａｔｅ）モードなどの低電力モードにシステムを置く。システム管理ルーチンは、基本入出力システム（ＢＩＯＳ）の一部であっても良く、プラットフォーム制御機能は、埋め込み制御器又はチップセットによって管理されても良い。このようにして、温度探知はダイで行われ、停止機能性はダイ外部にある。
【０００９】
内部温度測定３２よりむしろ制御信号３０に基づいて警告温度イベント３４を発生させることは、処理装置２４が、温度管理技術の失敗になお一層応答することを可能にする。例えば、制御信号３０における好ましくない傾向は、停止温度閾値が達成されるより以前から温度管理の失敗を示すことがある。結果として、特定の保護対策（例えば、データ保存）は、停止プロセスがそれ程不意ではなくなるよう、起こり得る停止を見越して行われる。事前通知は、また、制御温度閾値が、急な減速（“ｒｕｎａｗａｙ”  ｔｈｒｏｔｔｉｎｇ）に関する懸念事項を伴うことなく、なお一層高い値に設定されることを可能にする。制御温度閾値が高くなるほど、所定のボックスに関して処理装置性能は向上し、熱包絡は大きくなり、保護帯域は狭くなる。
【００１０】
次に図３を参照すると、処理装置２４’の探知モジュール２８’が更に詳細に示される。具体的には、表される探知モジュール２８’は、探知ロジック３６及びイベントロジック３８を有する。探知ロジック３６は、制御信号３０’のアクティブレベルを探知するためにカウンタ４２を用いる。この場合に、カウンタ４２は、制御信号のアクティブレベルが警告閾値４０に達したかどうかを示す。アクティブレベルが警告閾値４０に達した場合には、イベントロジック３８は警告温度イベント３４’を発生させる。
【００１１】
図４Ａ〜４Ｃは、カウンタ４２（図３）の実施に対する様々なアプローチを明示する。例えば、図４Ａは、既に説明したカウンタ４２（図３）に容易に置き換えることができるカウンタ４４を示す。表されるカウンタ４４は、制御信号３０の状態に依存してカウントアップ又はカウントダウンのいずれか一方を行うことが可能であり、時間と共に制御信号３０’を有効に積分する。カウンタ４４は、上限又は下限のいずれか一方の飽和点に達するまでカウントするので、飽和カウンタと考えられることもある。この実施形態で、カウンタ４４は、制御信号３０’がアクティブである間は増分し、制御信号３０’がアクティブでない間は減少する。信号３０’は、温度が低下する（熱制御がアクティブである）間はアクティブであり、温度が上昇する間はアクティブではない。加熱及び冷却は、対称的な動作である。例えば、処理装置が加熱する速度は、処理装置が冷める速度に等しい。５０％のデューティーサイクルは、温度が安定していることを示す。従って、制御信号３０’のデューティーサイクルは、警告温度イベント３４’（図３）が発生しうるかどうかを有効に決定する。
【００１２】
温度管理が成功する場合に、制御信号３０’はしばしばアクティブではなく（即ち、デューティーサイクル＜５０％）、カウンタ４４はカウントダウンを行う。しかし、温度管理が失敗である場合に、制御信号３０’はしばしばアクティブであり（即ち、デューティーサイクル＞５０％）、カウンタ４４は警告閾値４０（図３）へとカウントアップを行う。このようなアプローチは、高度な感度を提供する。例えば、カウンタは１つずつ増分するが、２つずつ減少するようにスキュー（ｓｋｅｗ）を生成することも可能である。この技術は、温度管理メカニズムの感度のなお一層の調整を提供することができる。また、留意すべきは、例えばシフトレジスタ、有限状態機械などの他の構造は、制御信号３０’のデューティーサイクルを監視するために用いられても良いことである。
【００１３】
次に図４Ｂを参照すると、カウンタ４４’が示される。図４Ｂでは、制御信号３０’がアクティブである場合に、カウンタ４４’はカウントダウンではなくカウントアップを行う。むしろ、カウンタ４４’は、内部温度が制御温度閾値を下回るたびに、警告閾値４０（図３）を下回る値にリセットされる。警告閾値４０（図３）及びリセット値が十分に遠く離れている場合には、カウンタ４４’は、制御信号３０’が連続的にアクティブである場合にのみ、警告温度イベント３４をトリガしうる。このようなアプローチは、緩やかな感度レベルが受け入れられる場合に用いられうる。図４Ｃは、制御信号３０’がアクティブである間は減少し、内部温度が制御温度閾値を下回るたびに警告閾値４０（図３）を上回る値にリセットする点を除いて、既に説明されたカウンタ４４’（図４Ｂ）と同様のカウンタ４４”を示す。
【００１４】
ここで図３に戻ると、明らかなように、表される処理装置２４’は、制御装置として比較器２６’を用いる。この場合に、比較器２６’は、熱ダイオード４６によって供給される内部温度測定に基づいて制御信号３０’を発生させる。従って、Ｘ℃のバイアス値は、保護帯域の下限閾値である制御温度閾値を表す。処理装置２４’は、また、例えば比較器４８のような停止装置を有する。比較器４８は、内部温度が停止温度閾値に達する場合にシステム停止信号５０を発生させる。停止温度閾値は、保護帯域の上限閾値であっても良く、表される実施形態ではＹ℃として示される。従って、処理装置２４’の保護帯域のサイズは、Ｙ−Ｘに等しい。既に言及したように、高精度の探知モジュール２８’の使用は、制御温度閾値が増大することを可能にする。これは、保護帯域のサイズを低減する。また、留意すべきは、比較器４８は、探知モジュール２８’がその機能性に取って代わるので、実際には取り除かれても良い点である。それにも関わらず、温度Ｙ℃は、依然として、最高許容動作温度を表す。
【００１５】
表される処理装置２４’は、また、例えば熱ダイオード５２のような二次温度測定デバイスを有する。この場合に、熱ダイオード５２は、処理装置２４’の二次的な内部温度を測定する。二次的な内部温度は、アナログ温度を明示する電圧差として報告される。この場合に、二次温度測定デバイスは、オフダイ（ｏｆｆ−ｄｉｅ）の温度制御が用いられるところのレガシー・システム（ｌｅｇａｃｙ  ｓｙｓｔｅｍ）に適合するよう設けられても良い。温度測定デバイスは、熱ダイオードとして示されるが、例えばトランジスタや抵抗などの他のデバイスが、また、環境に依存して用いられても良い。
【００１６】
図５は、半導体コンピュータプラットフォーム（幾つかの部品を伴うＰＣＢ）が処理装置２４’及び埋め込み制御器５８を有するところのシステム５４を示す。部品の幾つか又は全ては、単一の集積チップ／ダイ５６に集積されても良い。埋め込み制御器５８は、完全なシステム・オン・チップ（ＳＯＣ）であっても良い。例えば、埋め込み制御器５８は、中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）、局部ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、局部読み込み専用メモリ（ＲＯＭ）又は消去可能なプログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ／フラッシュメモリ）、クロック及び制御回路、並びにシリアル及びパラレル入出力（Ｉ／Ｏ）ポートを有しうる。表される埋め込み制御器５８は、処理装置２４’の内部温度を低下させるために、制御信号３０’を受信して、処理装置２４’に、例えばクロック減速及び／又は電圧／周波数調整などの温度管理を行うことができる。特定のシステム構造に依存して、温度管理の一部又は全ては、チップセット６０に組み込まれても良い。チップセット６０は、また、処理装置２４’へ結合されている。温度管理に加えて、表される埋め込み制御器５８は、システム停止信号５０に応答してシステム／処理装置停止を作動させることができる。
【００１７】
埋め込み制御器５８は、また、制御信号３０’の前出の探知を実行し、制御信号３０’のデューティーサイクルに基づいて停止を行うことができる。例えば、探知モジュール２８（図２）は、この目的のために、埋め込み制御器５８に組み込まれても良い。システム５４は、また、二次温度測定デバイスへ結合され、アナログ温度（二次的な内部温度）６４をデジタル信号に変換する変換装置６２を有する。その場合に、変換装置６２は、デジタル信号をシステム５４の他の部分へ供給し、且つ／あるいは、それ自体の割り込みを発行することができる。
【００１８】
システム５４は、また、チップセット６０を介して処理装置２４’へ結合された入出力（Ｉ／Ｏ）装置６６及び不揮発性メモリ（ＮＶＭ）サブシステム６８を有する。ＮＶＭサブシステム６８は、例えば磁気ディスクＲＯＭやコンパクトディスクＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）などのメモリデバイスを有し、電力がサブシステム６８から除かれた後にデータを保持することができる。この点で、ＮＶＭサブシステム６８は、処理装置２４’、埋め込み制御器５８、又は他の部品の揮発性メモリ内のデータがシステム停止の前に保存可能であるところの自動データ保存プロセスに対応することによって、警告温度イベント３４’に応答することができる。代替的に、データは、処理装置２４’とは異なる電源で動作する揮発性メモリ（図示せず。）へ書き込まれても良い。警告温度イベント３４’は、また、Ｉ／Ｏ装置６６へ送信されて、システム５４のユーザが手動データ保存プロセスを開始することを勧めるユーザ通知を供給しうる。このようなアプローチは、例えば「警告。温度停止発生。全ての作業を保存してください。」というようなメッセージを発生させうる。更に、警告温度イベントの発生は、例えばスリープモード又は休止モードなどのＯＳ低電力モードの開始を含みうる。
【００１９】
次に図６を参照すると、オンダイの温度保護を管理する方法が６８で示される。方法６８は、如何なる利用可能なハードウェア及び／又はソフトウェアプログラミング技術を用いて処理装置において実施されても良い。例えば、方法６８は、トランジスタ−トランジスタ・ロジック（ＴＴＬ）又はＣＭＯＳ技術のような特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）に、例えば読み込み専用メモリ（ＲＯＭ）、コンパクトディスクＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリなどメモリに保存される一組の命令に、あるいは、それらのいずれかの組合せに組み込まれうる。
【００２０】
処理ブロック７０は、処理装置の内部温度の測定を提供し、ブロック７２は、処理装置を含むダイでの制御信号の発生を提供する。制御信号は、内部温度及び制御温度閾値に基づいて発生する。ブロック７４は、概して、制御信号の挙動に基づいて警告温度イベントを発生させるべきかどうかの決定を提供する。具体的には、表される例は、ブロック７６で、制御信号のアクティブレベルの探知を提供する。制御信号のアクティブレベルが警告閾値に達したとブロック７８で判断される場合に、ブロック８０は、警告温度イベントの発生を提供する。さもなければ、方法６８は、処理装置の内部温度の連続測定のためにブロック７０へ戻る。
【００２１】
図７Ａは、８２で更に詳細に制御信号のアクティブレベルを探知するための１つのアプローチを示す。従って、ブロック８２は、上述されたブロック７６（図６）と容易に置換可能である。表される例で、ブロック８４は、制御信号がアクティブであるかどうかの判断を提供する。制御信号がアクティブである場合には、カウンタはブロック８６で増分する。さもなければ、カウンタはブロック８８で減少する。このようにして、表されるアプローチは、例えば、既に説明された飽和アップ／ダウンカウンタ４４（図４Ａ）のようなカウンタを用いる。従って、ブロック８２は、制御信号の高精度な探知を提供する。
【００２２】
次に図７Ｂを参照すると、制御信号のアクティブレベルの探知に対する他のアプローチがブロック９０で示される。ブロック９０は、また、上述されたブロック７６（図６）と置換可能である。このアプローチでは、制御信号がアクティブでないとブロック８４で判断されると、カウンタは、ブロック９４で警告閾値を下回る値にリセットされる。制御信号がアクティブである場合には、カウンタはブロック８６で増分する。このようにして、本例は、カウントアップのみを行うカウンタ４４’（図４Ｂ）を用いる。内部温度が制御温度閾値を下回るたびにカウンタをリセットすることによって、表される実施例は、図７Ａで表される実施例よりも多少感度の劣るアプローチを提供する。
【００２３】
図７Ｃは、ブロック９６で制御信号の探知に対する更なる他のアプローチを示し、ブロック９６は、上述されたブロック７６（図６）と容易に置換可能である。表される実施例は、カウンタがカウントアップではなくカウントダウンを行う点を除いて、ブロック９０（図７Ｂ）で示されるアプローチと同様である。このようにして、制御信号がアクティブでないとブロック８４で判断されると、ブロック９８は、警告閾値を上回る値へのカウンタのリセットを提供する。制御信号がアクティブである場合には、カウンタはブロック８８で減少する。
【００２４】
当業者には先の記載から明らかであるように、本発明の実施形態の広い技術的範囲は、様々な態様で実施可能である。従って、本発明の実施形態がその特定の例に関連して説明されたが、本発明の実施形態の真の適用範囲はそれらに限定されず、他の変形が、図面、明細書、及び特許請求の範囲を読むことで当業者には自明となるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１Ａ】温度管理の成功例のプロットである。
【図１Ｂ】温度管理の失敗例のプロットである。
【図２】本発明の一実施形態に従う処理装置温度管理システムの一例のブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態に従う探知モジュールの一例のブロック図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に従うカウンタの一例のブロック図である。
【図４Ｂ】本発明の第１の代替の実施形態に従うカウンタの一例のブロック図である。
【図４Ｃ】本発明の第２の代替の実施形態に従うカウンタの一例のブロック図である。
【図５】本発明の一実施形態に従うシステムの一例のブロック図である。
【図６】本発明の一実施形態に従う方法の一例のフローチャートである。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に従う制御信号のアクティブレベルを探知するプロセスの一例のフローチャートである。
【図７Ｂ】本発明の第１の代替の実施形態に従う制御信号のアクティブレベルを探知するプロセスの一例のフローチャートである。
【図７Ｃ】本発明の第２の代替の実施形態に従う制御信号のアクティブレベルを探知するプロセスの一例のフローチャートである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【国際調査報告】
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2008508636.tif 000016
2008508636.tif 000017