(57)【要約】  本発明は、下記の２工程の剥離工程を含む２段階の剥離方法に関する：ａ）基体を、塩基を含有する水溶液で処理する工程、ｂ）次いで、さらに基体を、塩基と、へキシレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートよりなる群から選択される少なくとも一種の剥離促進剤とを含有する溶液で処理する工程。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の工程を含む、基体上のフォトレジストフィルムを剥離する方法：
ａ）基体を、塩基を含有する水溶液で処理する工程、
ｂ）次いで、さらに基体を、塩基と、
へキシレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートよりなる群から選択される少なくとも一種の剥離促進剤とを含有する溶液で処理する工程。
【請求項２】
上記工程ｂ）で使用される溶液が、さらに第四級アンモニウム塩および／またはトリアゾール、ベンズトリアゾール、イミダゾールおよびテトラゾールよりなる群から選択される化合物を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記工程ｂ）で使用される溶液が、５〜１０重量％のエチレングリコールモノイソプロピルエーテルおよび５〜１０重量％のジエチレングリコールモノブチルエーテルを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記工程ａ）で使用される溶液に含有される塩基が、水酸化物、好ましくは水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
水酸化物が、上記工程ａ）で使用される溶液に０．０５〜１５重量％、好ましくは１〜５重量％の量で含有される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記工程ａ）で使用される溶液に含有される塩基が、一般式
ＮＲ３Ｒ４Ｒ５
ここで、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は同一または異なり、水素原子または炭素原子数１〜１８のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基、フェニル基、アルキルの炭素原子数が１〜１８であるアルキルフェニル基もしくはヒドロキシアルキルフェニル基である、
のアミンである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記アミンが、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、フェニルジメチルアミン、ドデシルジメチルアミン、ヘキサデシルジメチルアミン、オクタデシルジメチルアミン、ドデシルジエチルアミン、ヘキサデシルジエチルアミン、オクタデシルジエチルアミン、ドデシルジ−ｎ−プロピルアミン、ドデシルジイソプロピルアミン、ベンジルメチルヘキサデシルアミン、メチルエチルヘキサデシルアミン、ｐ−ドデシルベンジルジメチルアミンおよびベンジルメチルオクタデシルアミンよりなる群から選択されるものである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記アミンが、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロピルアミン、メタノールジエタノールアミン、プロパノールジエタノールアミンおよびプロパノールエタノールアミンよりなる群から選択されるアルカノールアミンである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
上記溶液が上記アミンを０．０５〜３５重量％、好ましくは１〜１０重量％の量で含有する、請求項６〜８に記載の方法。
【請求項１０】
上記工程ａ）における溶液が、可溶性ケイ酸塩、好ましくはオルトケイ酸ナトリウムまたはケイ酸ナトリウムをさらに含有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
上記工程ｂ）における溶液が、可溶性ケイ酸塩、好ましくはオルトケイ酸ナトリウムまたはケイ酸ナトリウムをさらに含有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
上記工程ａ）における溶液が、銅のキレート剤、好ましくはグルコン酸ナトリウム、ホスホン酸ナトリウムまたはＥＤＴＡをさらに含有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
上記工程ａ）における溶液が、表面にフォトレジストフィルムを有する基体上に、１．０〜１０．０ｂａｒ、好ましくは１．５〜５．０ｂａｒの圧力、３０〜９０℃、好ましくは４０〜７０℃の温度および１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜３分の処理時間でスプレーされる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
上記工程ｂ）における溶液が、塩基を請求項４または５の条件に従って含有するか、または塩基を請求項６〜９の条件に従って含有するかのどちらか一方である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
第四級アンモニウム塩が一般式
ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｘ
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同一または異なり、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基およびヒドロキシアルキルフェニル基、ただしアルキルの炭素原子数は１〜１８である、よりなる群から選択され、Ｘはアニオン、好ましくは水酸化物、硫酸およびハロゲン化物よりなる群から選択される、
で表される、請求項２〜１４に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも一種の第四級アンモニウム塩が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化コリンおよび水酸化トリスヒドロキシエチルメチルアンモニウムよりなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
溶液中における少なくとも一種の第四級アンモニウム塩の濃度が２％〜３５重量％、好ましくは２％〜１０重量％である、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
上記工程ｂ）で使用される溶液が、ベンズイミダゾール、５−アミノテトラゾール、５−フェニルテトラゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾールおよび／またはエチルベンゾトリアゾールを含有する、請求項２〜１７に記載の方法。
【請求項１９】
剥離促進剤が、９０℃を超える沸点を有し、プロセス温度において気化しないものである、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
上記工程ｂ）における溶液が、表面にフォトレジストフィルムを有する基体上に、１．０〜１０．０ｂａｒ、好ましくは１．５〜５．０ｂａｒの圧力、３０〜９０℃、好ましくは４０〜７０℃の温度および０．５〜１０分、好ましくは０．５〜３分の処理時間でスプレーされる、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
使用される基体が、Ｌ値およびＳ値が５０μｍ未満、好ましくは２５μｍ未満であるＬ／Ｓ値を有するものである、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
基板としてプリント基板が使用される、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体からドライフィルムおよびフォトレジスト材料を剥離する方法に関する。基体は、一般的には半導体デバイスまたはプリント基板である。
【背景技術】
【０００２】
集積回路製造技術において、ポジ型のフォトレジスト材料が、基体上に、プロセス上、後に湿式または乾式のエッチング技術によりエッチされることになるパターンの境界をフォトリソグラフィー的に画するために使用されている。
イメージングは、回路となる金属導体を形作るプロセスである。このプロセスは、材料をイメージングし、装置をイメージングし、そして基体上にマスターパターンを再生するメタライゼーションプロセスの条件で処理する、複数のプロセスの集大成である。大きな加工寸法（２００μｍ以上）は、スクリーン印刷により非常に経済的に形成することができる。しかし、加工寸法が２００μｍ未満では、フォトリソグラフィープロセスを用いて形成される。
ここ数年、回路の密度が上がるに連れて、イメージングプロセスはより小さな加工寸法の商業的製造を可能とすべく、継続して発展してきた。高密度実装基板（ＨＤＩ）の要求は、５０μｍ以下の加工寸法を工業的に促進した。イメージング装置および材料は、この目標に到達しようと発展してきた。
【０００３】
フォトリソグラフィープロセスは、基本的に、感光性の高分子材料（フォトレジスト）を目的の基体上に塗布し、このフォトレジストを所望のパターン状の光で露光し、そして露光したパターンを現像する、イメージングのための一連のプロセスである。この現像されたパターンは、掘り下げる（エッチングする）ためにも、金属パターンを付け加える（メッキする）ためにも用いられる。メタライゼーションの後、フォトレジストは表面から剥離され、パネルは引き続くプロセスに供しうることとなる。
このような完全なリソグラフィープロセスでは、フォトレジスト材料、引き続くパターン化、露光および非露光双方の領域の更なる処理を可能とするために相等しくそして完全に除去する必要がある。フォトレジスト材料の残存は、処理される領域にレジスト被覆がほんの部分的に残存していたとしても集積回路の合格品の歩留まりに悪影響を及ぼし得ることとなり、好ましくない。
パターンを転移した後のフォトレジストの完全な除去は、濃度１Ｍ以上の水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムの溶液中、加熱条件によって実現される。この溶液には、よく、銅の酸化を抑制するため防曇剤が添加される。一般に、これらの材料は酸性溶液に対して高度の安定性を有するが、更に強い酸溶液およびアルカリ溶液に対する安定性は区々である。実際、材料には下位分類が存在する：銅の酸エッチ用および銅のアルカリ（通常はアンモニア性）エッチ用である。向上された耐酸性は、溶液のｐＨが１未満であることも多い酸性銅メッキ用途に要求される。
【０００４】
さらに、レジスト材料は、下記のひとつ以上により除去することができる；
塩化メチレンの如きハロゲン化炭化水素、アミン及びジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの如きその誘導体、エチレングリコールモノメチルエーテルの如きグリコールエーテル、エタノール、メチルエチルケトンの如きケトンおよびアセトンならびにイソプロピルアルコール、硫酸、過硫酸アンモニウムならびに苛性剤およびフェノール誘導体の混合物の如き材料、種々の他の材料。
ドライフィルムフォトレジストは、メッキおよびエッチングの双方に先行するパターン形成に一般に用いられている。これらフィルムは、感光性材料がポリエステル製カバーシートおよびポリエチレン製剥離シートにサンドイッチされた三層構造を有する。
液体状のフォトレジストには、種々の化学作用が使われている。多くは単にドライフィルム材料が塗布可能な形態をとっているだけである。これらは、内層のパターニングに先立って使用されており、ローラー、スプレー、カーテンまたは静電塗布法により基体に塗布される。塗布厚さは典型的には６〜１５μｍであり、通常は厚さのより厚いドライフィルムに比べて優れた解像度を与える。解像度は厚さに近い値となるので、液体状フォトレジストは２５μｍ未満の加工寸法を解像する可能性を有する。一般に、液体状フォトレジストは銅基体に対して非常によく適合し、５０μｍ以下の加工寸法において高い歩留まりを達成することができる。
【０００５】
一般に、アルカリ可溶性レジストインクが好ましい。熱硬化性およびＵＶ硬化性レジストの場合、剥離は２重量％水酸化ナトリウム溶液中または特許溶液中で行われる。レジストはもろくなり、水スプレーによりすすぎ落とされる。苛性剤は有害なので、適当な安全上の予防措置が必要である。搬送可能化されたレジスト剥離およびエッチング機は、高温のアルカリ溶液を基板の両面にスプレーする高圧のポンプシステムを使用する。ポリイミドの如きある種の積層材料は、アルカリ剥離液によって攻撃される。剥離剤がエポキシまたは他の基体を攻撃すると、白斑、しみまたは他の欠陥が現れる。濃度、温度および浸漬時間の制御により、通常は深刻な問題を回避しうる。スクリーン印刷されたビニル系レジストは、塩化物、石油またはグリコールエーテル溶媒の溶液中における溶解作用により除去される。低温剥離法では、塩化メチレンおよびトルエンが（ともに現在では使用できないが）排他的に使用されていた。
【０００６】
ＷＯ９５／２３９９９は、高分子レジスト層を除去するための、塩基および可溶性ケイ酸塩、例えばエタノールアミンおよびオルトケイ酸ナトリウム（実施例２）または水酸化カリウムおよびケイ酸ナトリウム（実施例４）を含有する水性組成物を開示する。
ＵＳ５，１０２，７７７は、アミンおよび脂肪酸を含有するフォトレジスト剥離用組成物を開示する。
【０００７】
剥離のための通常の装置はスプレー式の搬送可能なものであり、水平方向の搬送または垂直方向の搬送の双方がある。発泡を防ぐため、現像溶液には添加剤が使用される。
剥離溶液はフォトレジストを膨潤し、溶解して、これをシート状または小片状に剥離する。装置は、被覆を効率的に除去し、分離するようにデザインされねばならない。レジスト除去を促進するために、よくブラシ処理および超音波振動が加えられる。現像液を使用する際には、スプレーノズルを清浄に保ち、パネルに到達する溶液を新鮮に保つための濾過が重要である。銅を酸化する剥離の化学作用のため、剥離溶液またはリンス液のどちらにもよく防曇剤が加えられる。
【０００８】
フォトレジストとしてかかる光造形性組成物を用いる場合のひとつの問題は、電解的にメッキされた回路基板から、通常のアルカリ性の水性剥離溶液、例えば３重量％のＮａＯＨ溶液により剥離することが困難な点である。この問題は、機能的キャパシティを増大しつつプリント基板のサイズを減少したいとの回路基板製造における近年の要求から出て来たものである。そして、より狭い表面上に更なる回路構成部品を装着するべき要求とともに、回路基板上の回路のラインおよびスペースは縮小し続けてきた。
このことは、加工寸法が５０μｍ、今日では２５μｍ以下にもなる高密度実装基板（ＨＤＩ）のファインラインに特によく当てはまる。寸法は、特にＬ／Ｓ値と関連付けられる。Ｌ／Ｓ値は、電導体トラック（Ｌ）の幅と、二つの導電体トラックの間のスペース（Ｓ）の幅とを規定する。典型的にはＬ値およびＳ値がそれぞれ５０μｍ以下のＬ／Ｓ値で表現されるのがファインラインの利用である。より特別にはＬ値およびＳ値が２５μｍ以下である。ほとんどの場合には、Ｌ値およびＳ値は同じ値であるが、５０μｍ／２５μｍ、３０μｍ／２５μｍ、２５μｍ／５０μｍも可能である。
【０００９】
大多数は、より小さい剥離片を生成して剥離を容易にする有機系（アミンまたは有機溶媒を含有する）アルカリ剥離溶液が使用されている。これらの有機剥離剤、例えばトリメチルアミンまたは水酸化テトラメチルアンモニウムを含有する溶液は、レジストをよりよく剥離するが、これらは（ＮａＯＨやＫＯＨに比べて）高価であり、またこれらを使用するとより多くの廃棄物処理を要し、環境上の配慮も要する。さらに、作業場における溶媒の排出量削減が近年重要視されていることから、溶媒で剥離されるフォトレジストは、水溶液で剥離されるものに比べてとても嫌われている。
ＥＰ１  ０４３  ６２９は、窒素原子を有するヒドロキシ有機化合物、一般式：ＨＯ−（ＣｐＨ２ｐＯ）ｑ−Ｒ、ここでＲはＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ｐは２または３であり、ｑは１、２または３である、で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、糖または糖アルコール、リン原子を有する化合物および水を含有するフォトレジスト剥離組成物を開示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、基体からフォトレジストフィルムを効果的且つ残滓なく除去するための方法、特に加工寸法５０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下のファインラインのフォトレジストに好適な方法を提供することにある。
【００１１】
本発名の別の目的は、ファインライン剥離に特に好適な溶液の寿命を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
したがって、本発明は以下の剥離工程：
ａ）基体を、塩基を含有する水溶液で処理する工程、
ｂ）次いで、さらに基体を、塩基と、
へキシレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートよりなる群から選択される少なくとも一種の剥離促進剤とを含有する溶液で処理する工程
を含む２段階の剥離方法を適用することにより、フォトレジストフィルムの完全な除去を行なうと同時により有益なファインライン剥離溶液の寿命を向上するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
前処理およびリンスなどの後処理工程は、剥離の結果をさらに向上するために適用することができる。
上記第一の剥離溶液は、塩基、好ましくは水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムの如き金属水酸化物を含有する。水酸化物の含有量は０．０５〜１５重量％、好ましくは１〜５重量％である。
塩基としてアミンを使用することもできる。
かかるアミンの例として、下記一般式のアミンを挙げることができる。
ＮＲ３Ｒ４Ｒ５
ここで、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は同一または異なり、水素原子または炭素原子数１〜１８のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基、フェニル基、アルキルの炭素原子数が１〜１８であるアルキルフェニル基もしくはヒドロキシアルキルフェニル基である。これらアミンの具体例として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、フェニルジメチルアミン、ドデシルジメチルアミン、ヘキサデシルジメチルアミン、オクタデシルジメチルアミン、ドデシルジエチルアミン、ヘキサデシルジエチルアミン、オクタデシルジエチルアミン、ドデシルジ−ｎ−プロピルアミン、ドデシルジイソプロピルアミン、ベンジルメチルヘキサデシルアミン、メチルエチルヘキサデシルアミン、ｐ−ドデシルベンジルジメチルアミンおよびベンジルメチルオクタデシルアミンなどを挙げることができる。
【００１４】
好ましいアルカノールアミンとして、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロピルアミン、メタノールジエタノールアミン、プロパノールジエタノールアミンおよびプロパノールエタノールアミンなどを挙げることができる。
アミンの含有量は０．０５〜３５重量％であり、好ましくは１〜１０重量％である。
この剥離溶液は、任意的にさらに可溶性ケイ酸塩、例えばオルトケイ酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、オルトケイ酸カリウムまたはケイ酸カリウムなどを含有することができる。同様に任意的に、グルコン酸ナトリウム、ホスホン酸ナトリウム、ＥＤＴＡなどの銅の錯化剤を加えてもよい。
溶液はフォトレジストフィルムを有する基体の表面上に、１．０〜１０．０ｂａｒ、好ましくは１．５〜５．０ｂａｒの圧力、３０〜９０℃、好ましくは４０〜７０℃の温度でスプレーされる。処理時間は１０秒〜１０分、好ましくは３０秒〜３分である。その後、基体は水中でリンスされることが好ましい。倍率２００倍の蛍光顕微鏡による検討によると、ほとんどのフォトレジストが除去されたものの、基体上に残る残滓の量は後工程において許容できる量ではないことが分かった。
次いで基体は、塩基を再び含有し、そしてそのほかに上記で定義した剥離促進剤を含有する第二の剥離溶液で処理される。
【００１５】
本発明による好ましい実施態様によると、第二の剥離溶液はさらに剥離促進剤として第四級アンモニウム塩および／またはトリアゾール、ベンゾトリアゾール、イミダゾールおよびテトラゾールよりなる群から選択される化合物を含有する。
塩基は、本方法の工程１ａ）にしたがって、上記に詳述した水酸化物およびアミンから選択することができる。塩基としては水酸化物が好ましい。
第四級アンモニウム塩は下記一般式で表される。
ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｘ
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同一または異なり、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基およびヒドロキシアルキルフェニル基、ただしアルキルの炭素原子数は１〜１８である、よりなる群から選択され、Ｘはアニオン、好ましくは水酸化物、硫酸およびハロゲン化物よりなる群から選択される。第四級アンモニウム塩の好ましい例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化コリンおよび水酸化トリスヒドロキシエチルメチルアンモニウムを挙げることができる。好ましいイミダゾール化合物は、ベンズイミダゾールである。５−アミノテトラゾール、５−フェニルテトラゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾールおよびエチルベンゾトリアゾールも好ましい化合物である。
請求項１で定義した好ましい剥離促進剤は、９０℃を超える沸点を持ち、プロセス温度において気化しない。
【００１６】
本発明の好ましい実施態様によると、へキシレングリコールおよびエチレングリコールモノイソプロピルエーテルの混合物を含む工程ｂ）において剥離促進剤が使用される。より好ましくは、これらの化合物は工程ｂ）で使用される溶液の全重量に対して５〜１０重量％の量で含有される。
工程ｂ）の溶液は、フォトレジストフィルムを有する基体表面に、１．０〜１０．０ｂａｒ、好ましくは１．５〜５．０ｂａｒの圧力、３０〜９０℃、好ましくは４０〜７０℃の温度でスプレーされる。処理時間は０．５〜１０分、好ましくは０．５〜３分である。
工程ｂ）で使用される剥離溶液は、任意的にさらに可溶性ケイ酸塩、例えばオルトケイ酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、オルトケイ酸カリウムまたはケイ酸カリウムを含有することができる。
【実施例】
【００１７】
本発明につき、以下の実施例によりさらに説明する：
試料基板は、ドライフィルムレジスト型のＭｏｒｔｏｎ  ＳＩＴ  ２０２５で被覆されたＢＧＡ  ｃｏｕｐｏｎである。試料Ａは３０μｍ  Ｌ／Ｓの解像度を有し、試料Ｂは１５μｍ  Ｌ／Ｓの解像度を有する。
両試料ともレジスト剥離後に蛍光顕微鏡によりレジスト残滓および表面美感の可視検査を行なった。
【００１８】
実施例１（比較）：
試料Ａに、水中に３０ｇ／ＬのＫＯＨを含有する溶液を６０℃において１．５ｂａｒの圧力にて１分間スプレーした。レジスト被覆のいくらかの部分が試料から剥離溶液中にシート状に剥離した。リンスおよび乾燥後、資料を倍率２００倍の蛍光顕微鏡で調べた。その結果、試料Ａにはレジスト残滓が全面に見られた。剥離の結果は満足できるものではなかった。基板表面上のレジストフィルムの少なくとも大部分を除去するためには、更なる処理工程の段階が必要であった。それでも剥離は不完全であった。
【００１９】
実施例２（比較）：
試料Ａに、水中に３０ｇ／Ｌのモノエタノールアミン、５ｇ／Ｌの水酸化テトラメチルアンモニウムおよび５ｇ／Ｌの水酸化コリンならびに０．５ｇ／Ｌのベンゾトリアゾールを含有する溶液を６０℃において１．５ｂａｒの圧力にて１分間スプレーした。レジストは試料から４〜５ｍｍの小片として溶液中に剥離した。リンスおよび乾燥後、資料を倍率２００倍の蛍光顕微鏡で調べた。その結果、試料Ａにはいくらかのレジスト残滓が残り、剥離した領域の銅の表面美感は良好であった。しかし、剥離結果は満足できるものではなかった。基板表面上のレジストフィルムの少なくとも大部分を除去するためには、更なる処理工程の段階が必要であった。それでも剥離は不完全であった。
【００２０】
実施例３：
第一工程において、試料Ｂに、水中に３０ｇ／ＬのＫＯＨを含有する溶液を、６０℃において１．５ｂａｒの圧力で１分間スプレーした。その後、第二工程において試料Ａに、水中に３０ｇ／ＬのＫＯＨおよび１００ｍＬ／Ｌのジエチレングリコールモノブチルエーテルを含有する溶液を６０℃において１．５ｂａｒの圧力にて１分間スプレーした。レジストは、第一工程中において試料Ｂからシート状に剥離溶液中に剥離し、第二工程において０．５〜１ｍｍの小片状に剥離溶液中に剥離した。リンスおよび乾燥後、資料を倍率２００倍の蛍光顕微鏡で調べた。その結果、試料Ａにはレジスト残滓は見られず、剥離領域の銅表面の美感は良好であった。卓越しているといえる剥離結果であった。
【国際調査報告】
2008542830.tif 000002
2008542830.tif 000003