(57)【要約】【課題】インターフェロメトリック変調器の動特性の測定【解決手段】ディスプレイを照らす様々なシステム及び方法を開示する。一実施形態において、例えば、１つの方法は、電圧波形をインターフェロメトリック変調器に印加することと、電圧パルスをこのインターフェロメトリック変調器に印加することと、このインターフェロメトリック変調器からの光の反射率を検知することと、この光の反射率を検知することに基づいて、このインターフェロメトリック変調器の１つ以上の品質パラメータを測定することとを含み、印加された電圧パルスは、このインターフェロメトリック変調器を、作動状態と非作動状態の間、又は、非作動状態と作動状態の間で変化させる。【選択図】      図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法であって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器の状態を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させることと、
前記電圧波形が印加されている間に、前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を時間の関数として検知することと、
前記検知することに基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定することと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記印加することは、１０Ｈｚ〜５０００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記印加することは、５０Ｈｚ〜５００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加することを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記印加することは、５０Ｈｚ〜１５０Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加することを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記印加することは、約１００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加することを備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記波形は、全てのインターフェロメトリック変調器に同時に印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記検知することは、全てではない前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を検知することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記検知することは、光検知器を用いて、反射光を測定することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記検知することは、前記インターフェロメトリック変調器の前部に配置されたディフューザを介して前記反射光を測定することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記検知することは、前記インターフェロメトリック変調器と実質的に直角な角度で前記反射光を測定することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記電圧波形は、オフセット電圧レベル付近の第１の部分と、作動電圧レベルの第２の部分とを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記波形の振幅は、前記インターフェロメトリック変調器の作動を引き起こすのに必要な電圧の２倍未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記波形の振幅は、前記インターフェロメトリック変調器の作動を引き起こすのに必要な電圧の約１．２５倍である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記電圧波形は、作動電圧の第１の部分と、オフセット電圧レベル付近の第２の部分とを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記測定することは、前記インターフェロメトリック変調器の正の作動応答時間（Ｔｐａ）の応答時間を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記測定することは、前記インターフェロメトリック変調器の負の作動応答時間（Ｔｎａ）の応答時間を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記測定することは、前記インターフェロメトリック変調器の正の解放応答時間（Ｔｐｒ）の応答時間を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記測定することは、前記インターフェロメトリック変調器の負の解放応答時間（Ｔｎｒ）の応答時間を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記応答時間パラメータは、前記複数のインターフェロメトリック変調器の１つ以上のうちの最も遅い応答時間に基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
複数のインターフェロメトリック変調器への入射光を生成するように適合された照明源と、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させるように構成された電圧源と、
前記複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知して、この検知した光に対応する信号を生成するように構成された光検知器と、
前記光検知器からの信号を受け取って、前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されたコンピュータと、
を備えるシステム。
【請求項２１】
前記電圧源はさらに、１０Ｈｚ〜５０００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記電圧源はさらに、５０Ｈｚ〜５００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加するように構成されている、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記電圧源はさらに、５０Ｈｚ〜１５０Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２４】
前記波形は、全てのインターフェロメトリック変調器に同時に印加される、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２５】
前記光検知器はさらに、光検出器を用いて前記反射光を検知するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２６】
前記光検知器はさらに、前記インターフェロメトリック変調器の前部に配置されたディフューザを介して反射光を測定することにより、前記反射光を検知するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２７】
前記光検知器はさらに、前記インターフェロメトリック変調器と実質的に直角な角度で前記反射光を測定することにより、前記反射光を検知するように構成されている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２８】
前記コンピュータは、前記電圧源から、前記インターフェロメトリック変調器に電圧が印加されたときを表す信号を受け取る、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２９】
前記測定した応答時間パラメータは、前記インターフェロメトリック変調器の正の作動応答時間（Ｔｐａ）である、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３０】
前記測定した応答時間パラメータは、前記インターフェロメトリック変調器の負の作動応答時間（Ｔｎａ）である、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３１】
前記測定した応答時間パラメータは、前記インターフェロメトリック変調器の正の解放応答時間（Ｔｐｒ）である、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３２】
前記測定した応答時間パラメータは、前記インターフェロメトリック変調器の負の解放応答時間（Ｔｎｒ）である、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３３】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、前記複数のインターフェロメトリック変調器の１つ以上のうちの最も遅い応答時間に基づいている、請求項２０に記載のシステム。
【請求項３４】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
前記複数のインターフェロメトリック変調器への光を生成する手段と、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させる手段と、
前記複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知する手段と、
検知した光に対応する信号を生成する手段と、
前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定する手段と、
を備える、システム。
【請求項３５】
前記光生成手段は、広帯域光源を備える、請求項３４に記載のシステム。
【請求項３６】
前記電圧印加手段は、電圧源を備える、請求項３４又は３５に記載のシステム。
【請求項３７】
前記検知手段は、光検知器を備える、請求項３４、３５又は３６に記載のシステム。
【請求項３８】
前記検知手段は、分光器を備える、請求項３４、３５又は３６に記載のシステム。
【請求項３９】
前記信号生成手段は、光検知器を備える、請求項３４、３５、３６、３７又は３８に記載のシステム。
【請求項４０】
前記測定手段は、前記検知手段から前記信号を受け取るように構成されたコンピュータを備える、請求項３４、３５、３６、３７、３８又は３９に記載のシステム。
【請求項４１】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、前記複数のインターフェロメトリック変調器の１つ以上のうちの最も遅い応答時間に基づいている、請求項３４に記載のシステム。
【請求項４２】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法であって、
複数のインターフェロメトリック変調器への入射光を生成するように適合された照明源を配置することと、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させるように適合された電圧源を配置することと、
前記複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知して、この検知した光に対応する信号を生成するように適合された光検知器を配置することと、
前記光検知器からの信号を受け取って、前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されたコンピュータを配置することと、
を備える、方法。
【請求項４３】
請求項４２に記載の方法によって製造された複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法。
【請求項４４】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法であって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させることであって、前記インターフェロメトリック変調器にバイアス電圧がかけられている間は、前記インターフェロメトリック変調器の状態を変化させるために印加される電圧が印加されることと、
前記電圧波形が印加されている間に、前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を検知することと、
前記反射された光を検知することに基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の１つ以上の応答時間パラメータを測定することと、
を備える方法。
【請求項４５】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器のうちの最も遅い作動時間に基づいている、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記測定することは、負の作動電圧を印加することによって作動された前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動時間を測定する、請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】
前記測定することは、正の作動電圧を有する前記電圧波形の一部を印加することによって作動された前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動時間を測定する、請求項４４に記載の方法。
【請求項４８】
前記測定することは、正の解放電圧を有する前記電圧波形の一部を印加することによって解放された前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の解放時間を測定する、請求項４４に記載の方法。
【請求項４９】
前記判断することは、負の解放電圧を有する前記電圧波形の一部の印加中に、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の解放時間を測定する、請求項４４に記載の方法。
【請求項５０】
前記電圧波形は、前記インターフェロメトリック変調器を作動状態にする電圧レベルの第１の部分と、バイアス電圧レベルの第２の部分と、前記インターフェロメトリック変調器を解放するのに十分な電圧レベルの第３の部分とを備える、請求項４４に記載の方法。
【請求項５１】
前記電圧波形は、前記インターフェロメトリック変調器を解放状態にする電圧レベルの第１の部分と、バイアス電圧レベルの第２の部分と、前記インターフェロメトリック変調器を作動させるのに十分な電圧レベルの第３の部分とを備える、請求項４４に記載の方法。
【請求項５２】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させるように構成された電圧源と、
前記インターフェロメトリック変調器を照明するように配置された光源と、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取って、対応する信号を生成するように配置された検知器と、
前記検知器からの信号を受け取って、作動電圧又は解放電圧の印加中に、前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されたコンピュータと、
を備える、システム。
【請求項５３】
前記１つ以上の応答パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器のうちの最も遅い作動時間に基づいている、請求項５２に記載のシステム。
【請求項５４】
前記コンピュータはさらに、負の作動電圧レベルを有する前記電圧波形の一部の印加中に、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動応答時間を測定するように構成されている、請求項５２に記載のシステム。
【請求項５５】
前記コンピュータはさらに、正の作動電圧レベルを有する前記電圧波形の一部の印加中に、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動応答時間を測定するように構成されている、請求項５２に記載のシステム。
【請求項５６】
コンピュータがさらに、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の解放応答時間を測定するように構成されている、請求項５２に記載のシステム。
【請求項５７】
コンピュータがさらに、負の解放電圧を有する前記電圧波形の一部の印加中に、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の解放時間を測定するように構成されている、請求項５２に記載のシステム。
【請求項５８】
コンピュータがさらに、負の作動電圧の印加中に、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動時間を測定するように構成されている、請求項５２に記載のシステム。
【請求項５９】
コンピュータがさらに、正の作動電圧の印加中に、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動時間を測定するように構成されている、請求項５２に記載のシステム。
【請求項６０】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させる手段と、
前記インターフェロメトリック変調器を照明する手段と、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を感知して、対応する信号を生成する手段と、
作動電圧又は解放電圧の印加中に、前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定する手段と、
を備えるシステム。
【請求項６１】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の最も遅い応答時間に基づいている、請求項６０に記載のシステム。
【請求項６２】
前記印加手段は、制御可能な電圧源を備える、請求項６０に記載のシステム。
【請求項６３】
前記照明手段は光源を備える、請求項６０又は６２に記載のシステム。
【請求項６４】
前記感知手段は光検知器を備える、請求項６０、６２又は６３に記載のシステム。
【請求項６５】
前記測定手段は、コンピュータを備える、請求項６０、６２、６３又は６４に記載のシステム。
【請求項６６】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法であって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させるように構成された電圧源を設けることと、
前記インターフェロメトリック変調器を照明する光源を配置することと、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取る検知器を配置することであって、前記検知器は、受け取った光に対応する信号を生成するように構成されていることと、
前記検知器にコンピュータを結合することであって、前記コンピュータは、作動電圧又は解放電圧の印加中に、前記検知器からの信号を受け取って、前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されていることと、
を備える、方法。
【請求項６７】
請求項６６に記載の方法によって製造される複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステム。
【請求項６８】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法であって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を設定することであって、前記スイッチング電圧レベルは、これらのインターフェロメトリック変調器を、解放状態と作動状態の間、又は、作動状態と解放状態の間で変化させるのに十分なものであることと、
前記スイッチング電圧レベルを備える電圧波形を前記期間に印加することと、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を検知することと、
前記検知することに基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定することと、
前記設定する、印加する、検知する及び測定するステップを繰り返して、しきい値が達成される最小期間を識別することであって、前記しきい値は、作動した又は解放された所定数の画素を示すことと、
を備える、方法。
【請求項６９】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の最も遅い作動時間に基づいている、請求項６８に記載の方法。
【請求項７０】
前記インターフェロメトリック変調器の状態を変化させるために印加される電圧は、前記インターフェロメトリック変調器にバイアス電圧がかけられている間に印加される、請求項６８に記載の方法。
【請求項７１】
前記反射光を検知することは、視覚的分析を備える、請求項６８に記載の方法。
【請求項７２】
前記反射光を検知することは、光学系内の光を受け取ることと、コントラストを測定することとを備える、請求項６８に記載の方法。
【請求項７３】
１つ以上の応答時間パラメータを測定することが、作動応答時間を測定することを備える、請求項６８に記載の方法。
【請求項７４】
１つ以上の応答時間パラメータを測定することが、解放応答時間を測定することを備える、請求項６８に記載の方法。
【請求項７５】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を判断するように構成されたコンピュータであって、前記スイッチング電圧レベルは、所定数の前記インターフェロメトリック変調器を、解放状態と作動状態の間、又は、作動状態と解放状態の間で変化させるのに十分なものである、コンピュータと、
前記コンピュータによって制御される電圧源であって、前記スイッチング電圧レベルを備える電圧波形をこの期間、印加するように構成されている、電圧源と、
前記インターフェロメトリック変調器を照明するように配置された光源と、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取って、受け取った光に対応する信号を生成するように配置された検知器と、
を備え、
前記コンピュータは、前記検知器からの信号を受け取って、前記信号に基づいて、前記電圧波形を印加する時間の長さを繰り返し変化させて、前記判断された期間中に作動した、又は解放された画素の数がしきい値を満たす最小期間を識別し、前記識別した最小期間に基づいて、１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されている、システム。
【請求項７６】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の最も遅い作動時間又は解放時間に基づいている、請求項７５に記載のシステム。
【請求項７７】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を判断する手段であって、前記スイッチング電圧レベルは、前記複数のインターフェロメトリック変調器を、非作動状態と作動状態の間、又は、作動状態と非作動状態の間で変化させるのに十分なものである手段と、
電圧波形を前記複数のインターフェロメトリック変調器に印加する手段であって、前記電圧波形を前記判断された期間、印加するように構成されている手段と、
前記インターフェロメトリック変調器を照明する手段と、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を感知し、受け取った光に対応する信号を生成する手段と、
を備え、
前記判断する手段は、前記感知手段から前記信号を受け取り、また前記判断する手段は、前記印加する手段を制御して、前記電圧波形を複数の判断された期間、繰り返し印加し、前記信号に基づいて、作動した、又は解放された画素の数がしきい値を満たす、前記判断された期間の最小期間を識別するように構成されている、システム。
【請求項７８】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の最も遅い作動時間又は解放時間に基づいている、請求項７７に記載のシステム。
【請求項７９】
前記判断手段はコンピュータを備える、請求項７７に記載のシステム。
【請求項８０】
前記印加手段は電圧源を備える、請求項７７又は７９に記載のシステム。
【請求項８１】
前記照明手段は光源を備える、請求項７７、７９又は８０に記載のシステム。
【請求項８２】
前記感知手段は光検知器を備える、請求項７７、７９、８０又は８１に記載のシステム。
【請求項８３】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法であって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を判断するように構成されたコンピュータを設けることであって、前記スイッチング電圧レベルは、前記インターフェロメトリック変調器を、解放状態と作動状態の間、又は、作動状態と解放状態の間で変化させるのに十分なものであることと、
電圧源を前記コンピュータに結合することであって、前記電圧源は、前記スイッチング電圧レベルを備える電圧波形を前記期間、印加するように構成されていることと、
前記インターフェロメトリック変調器を照明する光源を配置することと、
前記インターフェロメトリック変調器から反射される光を受け取って、受け取った光に対応する信号を生成する検知器を配置することと、
を備え、
前記コンピュータは、前記検知器からの信号を受け取り、前記信号に基づいて、前記電圧波形を印加する時間の長さを繰り返し制御して、前記判断された期間中に作動し、又は解放された画素の数がしきい値を満たす最小期間を識別し、前記識別した最小期間に基づいて、１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されている、方法。
【請求項８４】
請求項８３に記載の方法によって製造される複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、微小電気機械素子（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ；ＭＥＭＳ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微少機械要素、アクチュエータ及び電子機器を含む。微少機械要素は、堆積、エッチング、及び又は、基板及び／又は堆積材料層の部分をエッチング除去し、あるいは、層を加えて電気素子及び電気機械素子を形成する他のミクロ機械加工プロセスを用いて形成することができる。ＭＥＭＳデバイスの一つのタイプは、インターフェロメトリック変調器（interferometric modulator）と称される。本明細書中で用いる場合、インターフェロメトリック変調器又は干渉光変調装置とは、光学的干渉の原理を用いて光を選択的に吸収し及び／又は反射するデバイスを指す。ある実施形態において、インターフェロメトリック変調器は、一方又は両方が、この全体又は一部が透過性及び／又は反射性であってもよく、かつ適当な電気信号を印加したときに相対運動が可能な、１組の導電性プレートを備えてもよい。特定の実施形態において、一方のプレートは、基板上に堆積された固定層を備えてもよく、また他方のプレートは、この固定層からエアギャップだけ離れている金属膜を備えてもよい。本明細書に詳細に記載されているように、一方のプレートの他方に対する位置は、このインターフェロメトリック変調器に入射する光の光学的干渉を変えることができる。これらのパフォーマンスを示す、このインターフェロメトリック変調器のパラメータを測定して、これらのインターフェロメトリック変調器が特定の用途に適しているか否かを判断できることが有益である。このＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器がディスプレイ製品に組み込まれる前に、このＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器のパフォーマンスを検査することは、このディスプレイ製品の製造プロセスにおいて、製造上の問題を発見し、かつ不具合がある変調装置を識別するのに有用である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明のシステム、方法及びデバイスは、各々がいくつかの態様を有し、単独でその望ましい特性の原因となる単一の態様はない。この発明の範囲を限定することなく、そのより顕著な特徴についてこれから簡単に論じる。この論考の後、及び特に、”発明を実施するための最良の形態”という部分を読んだ後には、この発明の特徴が、他のディスプレイデバイスより勝る効果をもたらすことが理解される。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施形態において、複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法は、電圧波形をこれらのインターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器を、作動状態と非作動状態の間、又は、非作動状態と作動状態の間で変化させることと、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知することと、前記検知することに基づいて、これらのインターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定することとを含む。
【０００５】
別の実施形態においては、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムは、複数のインターフェロメトリック変調器への入射光を生成するように適合された照明源と、電圧波形をこれらのインターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器を、作動状態と非作動状態の間、又は、非作動状態と作動状態の間で変化させるように適合された電圧源と、この複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知して、この検知した光に対応する信号を生成するように適合された光検知器と、この光検知器からの信号を受け取って、この信号に基づいて、これらのインターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されたコンピュータとを備える。
【０００６】
他の実施形態においては、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムは、この複数のインターフェロメトリック変調器への光を生成する手段と、電圧波形をこれらのインターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器を、作動状態と非作動状態の間、又は、非作動状態と作動状態の間で変化させる手段と、この複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知する手段と、検知した光に対応する信号を生成する手段と、この信号に基づいて、これらのインターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定する手段とを備える。
【０００７】
別の実施形態において、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法は、複数のインターフェロメトリック変調器への入射光を生成するように適合された照明源を配置することと、電圧波形をこれらのインターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させるように適合された電圧源を配置することと、この複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知して、この検知した光に対応する信号を生成するように適合された光検知器を配置することと、この光検知器からの信号を受け取って、この信号に基づいて、これらのインターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されたコンピュータを配置することとを備える。
【０００８】
他の実施形態において、複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法は、電圧波形をこれらのインターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させることであって、これらのインターフェロメトリック変調器にバイアス電圧がかけられている間は、これらのインターフェロメトリック変調器の状態を変化させるために印加される電圧が印加されることと、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知すると共に、この電圧波形を印加することと、前記反射された光を検知することに基づいて、これらのインターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の１つ以上の応答時間パラメータを測定することとを備える。
【０００９】
別の実施形態においては、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムは、電圧波形をこれらのインターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器を、作動状態と非作動状態の間、又は、非作動状態と作動状態の間で変化させるように構成された電圧源と、これらのインターフェロメトリック変調器を照明するように配置された光源と、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取って、対応する信号を生成するように配置された検知器と、作動電圧又は解放電圧の印加中に、上記検知器からの信号を受け取って、この信号に基づいて、これらのインターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されたコンピュータとを備える。
【００１０】
他の実施形態においては、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムは、電圧波形をこれらのインターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器を、作動状態と非作動状態の間、又は、非作動状態と作動状態の間で変化させる手段と、これらのインターフェロメトリック変調器を照明する手段と、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を感知して、対応する信号を生成する手段と、作動電圧又は解放電圧の印加中に、この信号に基づいて、これらのインターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定する手段とを備える。
【００１１】
別の実施形態において、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法は、電圧波形をこれらのインターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は、解放状態と作動状態の間で変化させるように構成された電圧源を設けることと、これらのインターフェロメトリック変調器を照明するための光源を配置することと、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取る検知器を配置することであって、前記検知器が、この受け取った光に対応する信号を生成するように構成されていることと、前記検知器にコンピュータを結合することであって、前記コンピュータが、作動電圧又は解放電圧の印加中に、前記検知器からの信号を受け取って、前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されていることとを備える。
【００１２】
他の実施形態において、複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法は、スイッチング電圧レベルを印加する期間を設定することであって、前記スイッチング電圧レベルが、これらのインターフェロメトリック変調器を、解放状態と作動状態の間、又は、作動状態と解放状態の間で変化させるのに十分なものであることと、このスイッチング電圧レベルを備える電圧波形をこの期間に印加することと、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知することと、前記検知することに基づいて、これらのインターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定することと、前記設定する、印加する、検知する及び測定するステップを繰り返して、しきい値が達成される最小期間を識別することであって、このしきい値が、作動した又は解放された所定数の画素を示すこととを備える。
【００１３】
別の実施形態において、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムは、スイッチング電圧レベルを印加する期間を判断するように構成されたコンピュータであって、前記スイッチング電圧レベルが、これらのインターフェロメトリック変調器を、非作動状態と作動状態の間、又は、作動状態と非作動状態の間で変化させるのに十分なものである、コンピュータと、前記コンピュータによって制御される電圧源であって、前記電圧源が、このスイッチング電圧レベルを備える電圧波形をこの期間、印加するように構成されている、電圧源と、これらのインターフェロメトリック変調器を照明するように配置された光源と、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取って、この受け取った光に対応する信号を生成するように配置された検知器とを備え、前記コンピュータは、この検知器からの信号を受け取って、この信号に基づいて、１つ以上の応答時間パラメータを測定し、前記コンピュータはさらに、所定期間、電圧波形の印加を繰り返し制御して、最小期間を識別するように構成されており、この場合、この所定期間に作動し、又は解放された画素の数は、しきい値を満たす。
【００１４】
他の実施形態において、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムは、スイッチング電圧レベルを印加する期間を判断する手段であって、前記スイッチング電圧レベルが、前記複数のインターフェロメトリック変調器を、非作動状態と作動状態の間、又は、作動状態と非作動状態の間で変化させるのに十分なものである手段と、電圧波形を前記複数のインターフェロメトリック変調器に印加する手段であって、前記電圧波形を前記判断された期間、印加するように構成されている手段と、これらのインターフェロメトリック変調器を照明する手段と、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を感知し、受け取った光に対応する信号を生成する手段とを備え、前記判断する手段は前記感知手段から前記信号を受け取り、また前記判断する手段は、前記印加する手段を制御して、前記電圧波形を複数の判断された期間、繰り返し印加し、前記信号に基づいて、作動した、又は解放された画素の数がしきい値を満たす、前記判断された期間の最小期間を識別するように構成されている。
【００１５】
別の実施形態において、複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法は、スイッチング電圧レベルを印加する期間を判断するように構成されたコンピュータを設けることであって、前記スイッチング電圧レベルが、これらのインターフェロメトリック変調器を、解放状態と作動状態の間、又は、作動状態と解放状態の間で変化させるのに十分なものであることと、電圧源を前記コンピュータに結合することであって、前記電圧源が、このスイッチング電圧レベルを備える電圧波形をこの期間、印加するように構成されていることと、これらのインターフェロメトリック変調器を照明する光源を配置することと、これらのインターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取って、受け取った光に対応する信号を生成する検知器を配置することとを備え、この場合、このコンピュータは、この検知器からの信号を受け取り、この信号に基づいて、この電圧波形を印加する時間の長さを繰り返し変化させて、この判断された期間中に作動し、又は解放された画素の数がしきい値を満たす最小期間を識別し、前記識別した最小期間に基づいて、１つ以上の応答時間パラメータを測定するように構成されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下の詳細な説明は、本発明のある特定の実施形態に関する。しかし、本発明は、多くの異なる方法で実施することができる。この説明においては、図面に関して説明し、同様の部分は、全体を通して、同様の数字を用いて表わすことにする。
【００１７】
以下の説明から容易に理解できるように、本実施形態は、動いていようと（例えば、ビデオ）、静止していようと（例えば、静止イメージ）、及びテキストであろうと写真であろうと、イメージを表示するように構成されているいかなるデバイスでも実施することができる。より具体的には、本実施形態を、限定するものではないが、移動電話、無線装置、ＰＤＡｓ（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄａｔａ  ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ハンドヘルドコンピュータ又はポータブルコンピュータ、ＧＰＳレシーバ／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダー、ゲームコンソール、腕時計、時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、オートディスプレイ（例えば、走行距離計等）、コックピット制御部及び／又はディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、自動車のリアビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子掲示板又は電子サイン、プロジェクタ、建築構造物、パッケージング及び審美的構造（例えば、宝石に関するイメージの表示）等の様々な電子デバイスで、又は該様々な電子デバイスに付随して実施することができることが意図されている。また、本明細書中で説明したのと同様の構造のＭＥＭＳデバイスは、電子スイッチングデバイスにおける等の非表示用途で用いることもできる。
【００１８】
これらのインターフェロメトリック変調器をディスプレイ製品に組み込む前に、これらのインターフェロメトリック変調器のパフォーマンスを検査することは、このディスプレイ製品の製造プロセスの初期において、製造上の問題を発見し、不具合がある変調装置を識別するのに有用である。いくつかの実施形態において、これらのインターフェロメトリック変調器のアレイの動作は、意図した用途のための応答時間の適正基準を満たすことができるように検査される。一般的に、この応答時間は、適切な印加電圧信号に応答して、これらのインターフェロメトリック変調器が作動状態から解放状態に、又はその逆に変化するのにかかる時間の長さである。
【００１９】
いくつかの実施形態において、上記インターフェロメトリック変調器のアレイの動作は、これらのインターフェロメトリック変調器を作動状態又は解放状態に設定している間に、このアレイから反射された光を検知することによって検査される。まず、反射した光の量を、作動した又は解放されたインターフェロメトリック変調器の数と関連付けるしきい値を判断することにより、これらのインターフェロメトリック変調器のアレイの応答時間を、これらのインターフェロメトリック変調器のアレイの状態を変化させる駆動電圧を印加し、このアレイから反射した光に基づいて、所定数のインターフェロメトリック変調器が状態を変化させるのにどれくらい時間がかかるかを判断することによって測定することができる。この反射した光は、オペレータによって視覚的に、又は、（例えば、コンピュータ化された検査システムにより）自動的に検知される。作動及び解放応答時間を測定することは、これらのインターフェロメトリック変調器を、比較的速いリフレッシュ速度を要するデバイスに使用する場合、例えば、ビデオデータレートでイメージデータを表示する場合に、特に重要である。多数のインターフェロメトリック変調器のための応答時間を検査する典型的な用途においては、測定した応答時間は、応答時間に影響を及ぼす変数のうちの最も遅い応答を反映する。
【００２０】
応答時間を測定する１つの方法は、まず、オフセット電圧を上記インターフェロメトリック変調器に印加して、これらのインターフェロメトリック変調器が確実に解放状態になるようにした後、作動電圧が印加されることである。別の検査において、オフセット電圧は、まず、これらのインターフェロメトリック変調器を解放するために印加され、次いで、バイアス電圧が印加され、最後に、作動電圧が印加されて、それによって、これらのインターフェロメトリック変調器が（例えば、ヒステリシスウィンドウ内で）典型的に作動するような方法で応答時間を検査する。どちらの検査の場合にも、作動電圧は、この応答時間と比べて比較的長い時間、印加される。代替として、作動（又は、解放）電圧が印加される時間の長さは、所定数のインターフェロメトリック変調器を作動（又は、解放）するのに必要な時間の最小量を判断するために変化させることができる。
【００２１】
干渉ＭＥＭＳディスプレイ要素を備える１つの干渉変調ディスプレイの実施形態を図１に示す。これらのデバイスにおいて、画素は、明るい状態又は暗い状態のいずれかにある。この明るい（「オン」又は「オープン」）状態において、このディスプレイ要素は、入射可視光の大部分をユーザに対して反射させる。この暗い（「オフ」又は「クローズド」）状態の場合、このディスプレイ要素は、わずかな入射可視光を該ユーザに対して反射させる。実施形態によっては、これらの「オン」及び「オフ」状態の光反射特性は、逆にしてもよい。ＭＥＭＳ画素は、選択された色で主に反射するように構成することができ、黒及び白に加えてカラー表示を可能にする。
【００２２】
図１は、ビジュアルディスプレイの一連の画素における隣接する２つの画素を示す等角図であり、各画素は、ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器を備える。いくつかの実施形態においては、干渉変調ディスプレイは、これらのインターフェロメトリック変調器の行／列アレイを備える。各インターフェロメトリック変調器は、互いに可変かつ制御可能な距離をおいて配置され、少なくとも１つの可変寸法を有する光空洞共振器を形成する１対の反射層を含む。一実施形態において、これらの反射層の一方は、２つの位置の間で移動することができる。本明細書において弛緩位置と称する第１の位置においては、この移動可能な反射層は、固定された部分的反射層から比較的大きな距離をおいて配置されている。本明細書において作動位置と称する第２の位置においては、この移動可能な反射層は、この部分的反射層により近接して配置されている。これらの２つの層から反射する入射光は、この移動可能な反射層の位置により、建設的に又は破壊的に干渉し、各画素に対して全体的反射状態又は非反射状態のいずれかをもたらす。
【００２３】
図１の画素アレイの図示した部分は、隣接する２つのインターフェロメトリック変調器１２ａ及び１２ｂを含む。左側のインターフェロメトリック変調器１２ａにおいては、移動可能な高反射層１４ａが、部分的反射層を含む光学的スタック１６ａから所定の距離の弛緩位置に示されている。右側のインターフェロメトリック変調器１２ｂにおいては、移動可能な反射層１４ｂが、光学的スタック１６ｂに隣接する作動位置に示されている。
【００２４】
本明細書で言及されているような光学的スタック１６ａ、１６ｂ（まとめて光学的スタック１６と称する）は、典型的には、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）等の電子層、クロム等の部分的反射層、及び透明誘電体を含むことができるいくつかの融合層から構成される。このため、光学的スタック１６は導電性であり、部分的に透明であり、かつ部分的に反射性であり、例えば、これらの層の１つ以上を透明基板２０上に堆積させることにより製造することができる。いくつかの実施形態において、これらの層は、平行なストリップにパターン化され、また、以下にさらに説明するように、ディスプレイ装置に行電極を形成することができる。移動可能な反射層１４ａ、１４ｂは、ポスト１８の上部に堆積させた（行電極１６ａ、１６ｂと直交する）堆積した１枚の金属層及び複数の金属層と、ポスト１８の間に堆積させた介在犠牲材料とからなる一連の平行なストリップとして形成することができる。この犠牲材料がエッチング除去されると、移動可能な反射層１４ａ、１４ｂは、画定されたエアギャップ１９だけ、光学的スタック１６ａ、１６ｂから分離される。アルミニウム等の高導電性及び反射性の材料は、反射層１４に用いることができ、また、これらのストリップは、ディスプレイ装置内に列電極を形成してもよい。
【００２５】
電圧を印加しない場合、空洞１９は、図１における画素１２ａによって示すように、移動可能な反射層１４ａが物理的に弛緩した状態で、移動可能な反射層１４ａと光学的スタック１６ａとの間に存続する。しかし、選択した行及び列に対して電位差を加えると、対応する画素におけるこの行及び列電極の交差部に形成されたキャパシタが充電されて、静電力がこれらの電極を一緒に引っ張る。この電圧が充分高い場合、移動可能な反射層１４は変形し、かつ光学的スタック１６に向かって押し込まれる。光学的スタック１６内の（この図面には示されていない）誘電体層は、短絡を防止することができ、また、図１の右側の画素１２ｂに示すように、層１４と層１６との間の隔離距離を制御することができる。この作用は、印加された電位差の極性に関係なく同じである。このように、反射性対非反射性の画素状態を制御することができる行／列動作は、従来のＬＣＤ及び他の表示技術で用いられるものと多くの点で似ている。
【００２６】
図２〜図５は、表示用途において、インターフェロメトリック変調器のアレイを用いる１つの例示的なプロセス及びシステムを示す。
【００２７】
図２は、本発明の態様を組み込んでもよい電子装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。例示的な実施形態において、この電子装置は、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ    ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  Ｐｒｏ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）等のどのような汎用の単一又はマルチチップマイクロプロセッサ、あるいは、ディジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ又はプログラマブルゲートアレイ等のどのような専用マイクロプロセッサであってもよいプロセッサ２１を含む。従来技術と同様に、プロセッサ２１は、１つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。このプロセッサは、オペレーティングシステムを実行するのに加えて、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、又は他のソフトウェアアプリケーションを含む１つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成することができる。
【００２８】
一実施形態においては、プロセッサ２１も、アレイドライバ２２と通信するように構成されている。一実施形態において、アレイドライバ２２は、信号を表示アレイ又はパネル３０へ供給する行ドライバ回路２４及び列ドライバ回路２６を含む。図１に示すこのアレイの断面は、図２の線１−１によって示されている。ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の場合、この行／列作動プロトコルは、図３に示すそれらのデバイスのヒステリシス特性を利用してもよい。例えば、移動可能な層を、上記弛緩状態から作動状態に変形させるために、１０ボルトの電位差を要求してもよい。しかし、この電圧がこの値から低下した場合、この移動可能な層は、この電圧が１０ボルト以下に低下したときにその状態を維持する。図３の例示的な実施形態において、この移動可能な層は、この電圧が２ボルト以下に低下するまで、完全に弛緩しない。それに伴って、図３に示した実施例には、約３〜７Ｖの電圧範囲があり、この場合、その範囲内でこのデバイスが、この弛緩状態又は作動状態のいずれかで安定している印加電圧のウィンドウが存在する。本明細書では、これを「ヒステリシスウィンドウ」又は「安定ウィンドウ」と称する。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイの場合、上記行／列作動プロトコルは、行ストロービングの間、作動されるべきこのストローブされた行の画素が、約１０ボルトの電圧差にさらされ、かつ弛緩されるべき画素が、０ボルトに近い電圧差にさらされるように設計することができる。このストローブの後、これらの画素は、どのような状態においても、行ストローブのままであるように、約５ボルトの定常電圧差にさらされる。書き込まれた後、各画素は、この実施例において３〜７Ｖの「安定ウィンドウ」内の電位差を参照する。この特徴は、図１に示す画素デザインを、作動又は弛緩先在状態のいずれかにおける同じ印加電圧条件の下で安定させる。上記インターフェロメトリック変調器の各画素は、作動状態であろうと弛緩状態であろうと、本質的に、固定された反射層と移動可能な層とによって形成されたキャパシタであるため、この安定状態は、ほとんど電力消失を伴わずに、このヒステリシスウィンドウ内の電圧で保持することができる。印加電位が固定されている場合、本質的に、電流はこの画素へは流れない。
【００２９】
典型的な用途において、ディスプレイフレームは、第１の行における作動画素の所望のセットに従って、列電極のセットをアサートすることによって生成することができる。そして、行パルスは、行１電極に印加され、このアサートされた列ラインに対応する画素が作動される。次に、列電極のこのアサートされたセットは、第２の行の作動画素の所望のセットに対応させるため変化する。次いで、パルスが行２電極に印加され、このアサートされた列電極に従って、行２の適当な画素が作動される。行１画素は、行２パルスによる影響を受けず、行１パルスの間に設定された状態のままである。これは、フレームを生成するために、一連の行に対して繰り返すことができる。一般に、これらのフレームは、毎秒所望数のフレームにおいて、このプロセスを連続的に繰り返すことにより、新たな表示データに伴ってリフレッシュ及び／又は更新される。画素アレイの行及び列電極を駆動して表示フレームを生成する幅広いプロトコルもまた周知であり、本発明と共に用いることができる。
【００３０】
図４、図５は、図２の３×３アレイに表示フレームを生成する１つの可能な作動プロトコルを示す。図４は、図３のヒステリシス曲線を示す画素に用いることができる列及び行電圧レベルの可能なセットを示す。図４の実施形態において、画素を作動させることは、適当な行を−Ｖｂｉａｓに、適当な列を＋ΔＶに設定することを含み、これらはそれぞれ、−５Ｖ及び＋５Ｖに相当する。画素を弛緩させることは、適当な行を＋Ｖｂｉａｓに、適当な列を同じく＋ΔＶに設定して、この画素の両端に０Ｖの電位差を生じることにより実現される。行電圧が０Ｖに保持される行においては、これらの画素は、この列が＋Ｖｂｉａｓ又は−Ｖｂｉａｓであることに関係なく、これらの画素が元々どのような状態にあろうとも安定している。図４にも示されているように、上述したもの以外の反対極性の電圧を用いることができること、例えば、画素を作動させることが、適当な列を＋Ｖｂｉａｓに、及び適当な行を−ΔＶに設定することを含むことができることは、正しく理解される。この実施形態において、画素を解放することは、適当な行を−Ｖｂｉａｓに、及び適当な行を同じく−ΔＶに設定して、この画素の両端に０Ｖの電位差を生じさせることによって実現される。図４にも示されているように、上述したもの以外の反対極性の電圧を用いることができること、例えば、画素を作動させることが、適当な列を＋Ｖｂｉａｓに、及び適当な行を−ΔＶに設定することを含むことができることは、正しく理解される。この実施形態において、画素を解放することは、適当な行を−Ｖｂｉａｓに、及び適当な行を同じく−ΔＶに設定して、この画素の両端に０Ｖの電位差を生じさせることによって実現される。
【００３１】
図５Ｂは、作動画素が非反射性である、図５Ａに示す表示構成を生じる、図２の３×３アレイに印加される一連の行及び列信号を示すタイミング図である。図５Ａに示すフレームに書き込む前に、画素は、どのような状態も可能であり、この実施例においては、全ての行が０Ｖであり、全ての列が＋５Ｖである。これらの印加電圧によって、全ての画素は、これらの現在の作動又は弛緩状態において安定している。
【００３２】
図５Ａのフレームにおいては、画素（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）及び（３，３）が作動している。これを実現するため、行１のための「ラインタイム」の間には、列１及び列２が−５Ｖに設定され、かつ列３が＋５Ｖに設定される。このことは、全ての画素が３〜７Ｖの安定ウィンドウに入ったままであるため、どの画素の状態も変えない。そして、行１は、０から５Ｖに上昇した後０に戻るパルスによってストローブされる。このことは、（１，１）及び（１，２）画素を作動させ、（１，３）画素を弛緩させる。このアレイ内の他の画素は影響を受けない。行２を要望通りに設定するため、列２は−５Ｖに設定され、列１及び列３は＋５Ｖに設定される。次いで、行２に印加される同じストローブが画素（２，２）を作動させ、かつ画素（２，１）及び（２，３）を弛緩させる。ここでも、このアレイの他の画素は影響を受けない。行３は、列２及び列３を−５Ｖに、及び列１を＋５Ｖに設定することにより、同様に設定される。行３のストローブは、行３の画素を図５Ａに示すように設定する。このフレームを書き込んだ後、この行電位は０であり、この列電位は、＋５又は−５Ｖのいずれかのままとすることができ、上記ディスプレイは、図５Ａの構成において安定している。数十又は数百の行及び列のアレイに対して同じ処理手順を用いることができることは正しく認識される。また、行及び列の作動を実行するのに用いる電圧のタイミング、シーケンス及びレベルを、上述した包括的な原理の範囲内で大きく変化させることができること、及び上記の実施例が単に例示であり、どのような作動電圧方法も本明細書に記載したシステム及び方法と共に用いることができることは正しく認識される。
【００３３】
図６Ａ及び図６Ｂは、ディスプレイ装置４０の実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイ装置４０は、例えば、携帯電話又は移動電話とすることができる。しかし、ディスプレイ装置４０又は、そのわずかな変形例の同じ構成要素も、テレビ及びポータブルメディアプレーヤ等の様々なタイプのディスプレイ装置の例証である。
【００３４】
ディスプレイ装置４０は、ハウジング４１と、ディスプレイ３０と、アンテナ４３と、スピーカ４４と、入力装置４８と、マイクロフォン４６とを含む。ハウジング４１は、一般に、射出成形及び真空成形を含む、当業者には周知の種々の製造プロセスのうちのいずれかによって形成されている。また、ハウジング４１は、限定するものではないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム及びセラミック又はこれらの組合せを含む様々な材料のうちのいずれかから形成することができる。一実施形態において、ハウジング４１は、異なる色の、又は、異なるロゴ、写真又はシンボルからなる他の取外し可能な部分と交換することができる取外し可能な部分（図示せず）を含む。
【００３５】
例示的なディスプレイ装置４０のディスプレイ３０は、本明細書で説明したようなバイステイブルディスプレイを含む様々なディスプレイのうちのいずれかとすることができる。他の実施形態においては、ディスプレイ３０は、上述したように、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ及びＴＦＴ  ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ、あるいは、当業者には周知のＣＲＴ又は他のブラウン管装置等の非フラットパネルディスプレイを含む。しかし、本実施形態を説明するため、ディスプレイ３０は、本明細書に記載したように、干渉変調ディスプレイを含む。
【００３６】
例示的なディスプレイ装置４０の一実施形態の構成要素を図６Ｂに概略的に示す。図示した例示的なディスプレイ装置４０は、ハウジング４１を含み、またこのハウジングの中に少なくとも部分的に閉じ込められた追加的な構成要素を含むことができる。例えば、一実施形態において、例示的なディスプレイ装置４０は、トランシーバ４７に結合されているアンテナ４３を含むネットワークインタフェース２７を含む。トランシーバ４７はプロセッサ２１に接続されており、このプロセッサは、調整ハードウェア５２に接続されている。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例えば、信号をフィルタリングする）ように構成してもよい。調整ハードウェア５２は、スピーカ４５及びマイクロフォン４６に接続されている。また、プロセッサ２１は、入力装置４８及びドライバコントローラ２９にも接続されている。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８及びアレイドライバ２２に結合されており、このアレイドライバは、ディスプレイアレイ３０にも結合されている。電源５０は、特定の例示的なディスプレイ装置４０デザインに要求される全ての構成要素に電力を供給する。
【００３７】
ネットワークインタフェース２７は、例示的なディスプレイ装置４０が、ネットワークを介して１つ以上のデバイスと通信することができるように、アンテナ４３及びトランシーバ４７を含む。一実施形態において、ネットワークインタフェース２７は、プロセッサ２１の要求を軽減するためのいくつかの処理能力も有してもよい。アンテナ４３は、当業者は既知である、信号を送受信する何らかのアンテナである。一実施形態において、このアンテナは、ＩＥＥＥ８０２．１１（ａ）、（ｂ）又は（ｇ）を含むＩＥＥＥ８０２．１１規格に従ってＲＦ信号を送受信する。別の実施形態においては、このアンテナは、ブルートゥース規格に従ってＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合、このアンテナは、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、又は、無線セル電話ネットワーク内で通信するのに用いられる他の公知の信号を受信するように設計されている。トランシーバ４７は、アンテナ４３から受け取った信号をプロセッサ２１によって受け取り、かつこのプロセッサによってさらに処理できるようにこの信号を前処理する。また、トランシーバ４７は、プロセッサ２１から受け取った信号を、アンテナ４３を介して例示的なディスプレイ装置４０から送信できるように、この信号を処理する。
【００３８】
代替の実施形態においては、トランシーバ４７は、レシーバと置き換えることができる。また別の代替の実施形態においては、ネットワークインタフェース２７は、イメージソースと置き換えることができ、このイメージソースは、プロセッサ２１へ送るべきイメージデータを格納又は生成することができる。例えば、このイメージソースは、イメージデータを含むＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｉｄｅｏ  ｄｉｓｃ）又はハードディスクドライブ、あるいは、イメージデータを生成するソフトウェアモジュールとすることができる。
【００３９】
プロセッサ２１は、一般に、例示的なディスプレイ装置４０の全体の動作を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインタフェース２７又はイメージソースからの圧縮されたイメージデータ等のデータを受け取り、このデータを処理して生イメージデータに、又は生イメージデータに容易に処理されるフォーマットにする。そして、プロセッサ２１は、この処理されたデータをドライバコントローラ２９に、又は格納のためにフレームバッファ２８へ送る。生データとは、典型的には、イメージ内の各位置におけるイメージ特性を識別する情報を指す。例えば、このようなイメージ特性は、色、飽和及びグレースケールレベルを含むことができる。
【００４０】
一実施形態において、プロセッサ２１は、マイクロコントローラ、ＣＰＵ、又は、例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御する論理ユニットを含む。調整ハードウェア５２は、一般に、信号をスピーカ４５へ転送し、かつマイクロフォン４６から信号を受け取る増幅器及びフィルタを含む。調整ハードウェア５２は、例示的なディスプレイ装置４０内の個別の構成要素であってもよく、あるいは、プロセッサ２１又は他の構成要素に組み込んでもよい。
【００４１】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された生イメージデータを、プロセッサ２１から直接、又はフレームバッファ２８から取得して、アレイドライバ２２への高速転送に適した生イメージデータに再フォーマット化する。具体的には、ドライバコントローラ２９は、表示アレイ３０の全域を走査するのに適した時間順序を有するように、この生イメージデータを、ラスタ状フォーマットを有するデータフローに再フォーマット化する。そして、ドライバコントローラ２９は、このフォーマット化した情報をアレイドライバ２２へ送る。ＬＣＤコントローラ等のドライバコントローラ２９は、独立型集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１と関連付けられる場合があるが、このようなコントローラは、多くの方法で実施することができる。このコントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ２１に、ソフトウェアとしてプロセッサ２１に埋め込んでもよく、又は、ハードウェア内で、アレイドライバ２２と完全に一体化してもよい。
【００４２】
典型的には、アレイドライバ２２は、ドライバコントローラ２９から上記フォーマット化された情報を受け取って、このビデオデータを、上記ディスプレイの画素のｘ−ｙマトリックスからくる何百及び時には何千ものリードに毎秒多数回印加される波形の並行セットに再フォーマット化する。
【００４３】
一実施形態において、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２及び表示アレイ３０は、本明細書に記載したいずれかの種類のディスプレイに適している。例えば、一実施形態において、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラ又はバイステイブルディスプレイコントローラ（例えば、干渉変調コントローラ）である。別の実施形態においては、アレイドライバ２２は、従来のドライバ又はバイステイブルディスプレイドライバ（例えば、干渉変調ディスプレイ）である。一実施形態において、ドライバコントローラ２９は、アレイドライバ２２と一体化されている。このような実施形態は、携帯電話、時計及び他の小面積ディスプレイ等の高度に一体化されたシステムにおいては共通である。また別の実施形態においては、表示アレイ３０は、典型的な表示アレイ又はバイステイブルディスプレイアレイ（例えば、インターフェロメトリック変調器のアレイを含むディスプレイ）である。
【００４４】
入力装置４８は、ユーザが例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御できるようにする。一実施形態において、入力装置４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボード又は電話キーパッド、ボタン、スイッチ、タッチスクリーン、圧力又は熱センシティブ膜等のキーパッドを含む。一実施形態において、マイクロフォン４６は、例示的なディスプレイ装置４０のための入力装置である。マイクロフォン４６を、この装置にデータを入力するのに使用する場合、例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御するために、ユーザがボイスコマンドを与えてもよい。
【００４５】
電源５０は、公知の様々なエネルギストレージデバイスを含むことができる。例えば、一実施形態において、電源５０は、ニッケル−カドミウム電池又はリチウムイオン電池等の充電可能な電池である。別の実施形態において、電源５０は、回復可能なエネルギ源、コンデンサ、又は、プラスチックソーラーセル及びソーラーセルペイントを含む太陽電池である。別の実施形態において、電源５０は、壁コンセントから電力を受け取るように構成される。
【００４６】
いくつかの実施においては、制御プログラム性は、上述したように、電子表示システムのいくつかの箇所に配置することができるドライバコントローラに存する。制御プログラム性は、アレイドライバ２２に存する場合もある。当業者は、上述した最適化を、多数のハードウェア及び／又はソフトウェア構成要素のどれでも、及び様々な構成で実施することができることを正しく認識する。
【００４７】
上述した原理に従って作動するインターフェロメトリック変調器の構成の細部は、大幅に変更してもよい。例えば、図７Ａ〜図７Ｅは、移動可能な反射層１４及びこれの支持構造の５つの異なる実施形態を示す。図７Ａは、図１の実施形態の断面であり、金属材料からなるストリップ１４が、直交して伸びる支持体１８の上に堆積されている。図７Ｂにおいては、移動可能な反射層１４が、その隅においてのみテザー３２上で支持体に取付けられている。図７Ｃにおいては、移動可能な反射層１４が、柔軟な材料を備えてもよい変形可能な層３４から吊り下げられている。変形可能な層３４は、変形可能な層３４の周辺部で基板２０に直接的又は間接的に接続する。これらの接続は、本明細書においては、支持ポストと称する。図７Ｄに示す実施形態は、変形可能な層３４がその上に載る支持ポストプラグ４２を有する。移動可能な反射層１４は、図７Ａ〜図７Ｃと同様に、この空間上に吊り下げられたままであるが、変形可能な層３４は、変形可能な層３４と光学的スタック１６との間の穴を充填することにより、この支持ポストを形成しない。正確に言えば、この支持ポストは、支持ポストプラグ４２を形成するのに使われる平坦化材料で形成される。図７Ｅに示す実施形態は、図７Ｄに示す実施形態に基づいているが、図７Ａ〜図７Ｃに示す実施形態のうちのいずれかならびに図示していない追加的な実施形態と共に機能するように適応させることもできる。図７Ｅに示す実施形態においては、金属からなる追加の層又は他の導電性材料が、バス構造４４を形成するのに用いられている。このことは、このインターフェロメトリック変調器の裏に沿った信号ルーティングを可能にし、別の方法で基板２０上に形成されなければならない可能性がある多数の電極を排除できる。
【００４８】
図７に示すような実施形態において、上記インターフェロメトリック変調器は、イメージが、光透過性基板２０の前面、すなわち、この変調装置が配置されている面と反対側の面から見られる直視型デバイスとして機能する。これらの実施形態において、反射層１４は、変形可能な層３４及びバス構造４４を含む、基板２０と反対側の反射層の側のインターフェロメトリック変調器の部分を光学的に遮蔽する。このことは、この遮断された領域を、イメージ品質に悪い影響を与えることなく構成し、かつ作動できるようにする。この切り離し可能な変調装置構造は、この変調装置の電気機械的態様及び光学的態様に用いられる構造デザイン及び材料を選択できるようにし、かつ互いに無関係に機能できるようにする。また、図７Ｃ〜図７Ｅに示す実施形態は、反射層１４の光学的特性の、該反射層の機械的特性からの分離から得られる追加的な利益を有し、この分離は、変形可能な層３４によって行われる。このことは、反射層１４に用いられる構造デザイン及び材料を、その光学的特性に対して最適化できるようにし、また、変形可能な層３４に用いられる構造デザイン及び材料を所望の機械的特性に対して最適化できるようにする。
【００４９】
ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の製造は、フォトリソグラフィ、堆積（例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）等の「乾式」方法及びスピンコート等の湿式方法）、マスキング、及びエッチング（例えば、プラズマエッチング及び湿式方法）等の従来の半導体製造技術を用いることができる。ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器がディスプレイ製品に組み込まれる前に、このインターフェロメトリック変調器のパフォーマンスを検査することは、このディスプレイ製品の製造プロセスの初期において、製造上の問題を発見し、不具合がある変調装置を識別するのに有用である。
【００５０】
いくつかの実施形態において、上記インターフェロメトリック変調器のアレイの動作は、所定のプロセス、例えば、本明細書でさらに説明するプロセスで、これらのインターフェロメトリック変調器を作動状態又は解放状態に設定している間に、このアレイから反射された光を検知することによって検査される。このような検査は、解放又は作動状態のこのアレイの均一性を検査すること、又は、作動及び／又は解放応答時間を測定することを含む、所望の品質チェックを判断するために行うことができる。この検査手法により、この反射した光は、（例えば、オペレータによって）視覚的に、又は（例えば、コンピュータ化された検査システムにより）自動的に検知することができる。例えば、図８は、アレイを様々な既知の状態に駆動している間に、照明されたアレイから反射した光を視覚的に検査することにより、このアレイの不具合を検出するシステムの実施形態を示す。ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器アレイは、プローブマウント１０２に配置される。プローブマウント１０２は、本明細書において以下に記載されているドライブスキームを用いて、このアレイの駆動状態を制御するために、スイッチボックス１０４及び／又は制御コンピュータ１０６とインタフェースされる。いくつかの実施形態においては、検査者１１０が非鏡面ディスプレイを観察するために、このアレイの上にディフューザプレート１０８を配置してもよい。この反射した光の視覚的観測を支援するために、連続スペクトル光源１１２を設けることができる。いくつかの実施形態においては、スループットを向上させるために、検査者１１０が多数のディスプレイを視てもよい。本明細書で開示した、アレイを検査する上記システム及びプロセスは、アレイ状に構成されていない単一又は複数のインターフェロメトリック変調器を検査するのに用いることもできる。
【００５１】
いくつかの実施形態において、この検査プロセスは、自動化することができる。例えば、印加電圧刺激の関数としての反射率の検知は、インターフェロメトリック変調器アレイ上の所定の領域で自動的に実行することができる。パラメータの計算及び品質管理測定は、コンピュータデバイス上で実行される適当なアルゴリズムを用いて自動的に実行することができる。さらに、これらのインターフェロメトリック変調器アレイの、検査装置内での配置は、大量生産されるインターフェロメトリック変調器ディスプレイの高スループットを実現するために自動化してもよい。いくつかの実施形態において、大量生産されるディスプレイのうちの選定された割合のサンプルが、品質管理目的のために検査される。
【００５２】
自動化された検知システムを用いる、インターフェロメトリック変調器のアレイの反射率を測定するのに適した装置の一実施形態を図９に示す。例えば、図１に示すインターフェロメトリック変調器と同様に、複数のインターフェロメトリック変調器を含むアレイ１２０は、電圧駆動源１２２に電気的に接続されている。電圧駆動源１２２は、矩形電圧波形等の時変電圧刺激をアレイ１２０に加える。この電圧信号は、アレイ１２０内の全てのインターフェロメトリック変調器に同時に印加することができる。代替として、電圧信号は、反射率を測定しているインターフェロメトリック変調器のみに印加してもよい。光源１２４は、アレイ１２０を照明する。一実施形態において、標準的なＤ６５光源が光源１２４に用いられる。光源１２４は、光をインターフェロメトリック変調器１２０に供給し、この光は、その後、上方へ反射される。
【００５３】
光検知器１２８は、インターフェロメトリック変調器アレイ１２０からの反射光１３０の強度を検知するのに用いることができる。ディフューザ膜１３２は、場合によって、インターフェロメトリック変調器アレイ１２０の上に配置することができる。ディフューザ膜１３２は、インターフェロメトリック変調器アレイ１２０から反射した光１３０を散乱させる。このような散乱は、光源１２４及び検出器１２８を、アレイ１２０に対して角度１３４及び１３６で配置できるようにする。アレイ１２０から反射した入射光は、角度１３４及び１３６が相補的な場合に最大になり、ディフューザ膜１３２の使用は、最大正反射の角度と異なるある角度での検知を可能にする。ディフューザ膜１３２を使用しない場合には、入射光１２６が、アレイ１２０に対して直角に近い角度でアレイ１２０に入射して、このアレイから反射することが有利である。このような構成は、インターフェロメトリック変調器が、反射光の強度を幅広い角度で急速に低下させる狭い視覚を有することができるため望ましい。
【００５４】
検知器１２８と繋がっているコンピュータ１３８は、反射率対電圧特性（例えば、ヒステリシス曲線）を記録し、電気的パラメータを計算するのに用いることができる。駆動電圧がアレイ１２０に印加されたときに、時間に対するインターフェロメトリック変調器の応答時間情報を生成するために、コンピュータ１３８を電圧駆動源１２２に接続することができる。多数のインターフェロメトリック変調器、例えば、インターフェロメトリック変調器のアレイの応答時間を検査する典型的な用途においては、測定した応答時間は、応答時間に影響を及ぼす変数のうちの最も遅い応答を反映する。
【００５５】
ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器ディスプレイは、本質的に反射性であり、かつ正反射性であるため、共に基板面に対して垂直である（例えば、インライン照明）入射光及び反射光のアレイのある程度の反射率を検知するのが有利である。一実施形態において、インライン照明は、図１０に示すシステムを用いて実現される。このシステムにおいては、光源１５２からの光を、評価するアレイ１２０上に反射させるビームスプリッタ１５０が設けられている。ビームスプリッタ１５０によって反射された光１２６の経路は、アレイ１２０に対して垂直である。電圧駆動源１２２は、光源１５２がアレイ１２０を照明している間、所望の時変電圧刺激をアレイ１２０に印加する。
【００５６】
検知モジュール１２８は、アレイ１２０から反射し、かつビームスプリッタ１５０を通過する光１３０を検知するように配置されている。このように、入射光１２６及び反射光１３０は共に、アレイ１２０に対して垂直である。いくつかの実施形態において、このシステムは、全活性表面領域の一部のみを評価する顕微鏡対物レンズ１５４を追加的に備えてもよい。アレイ１２０は、この活性領域の所望部分が、評価のために顕微鏡対物レンズ１５４の下にくるように、アレイ１２０を動かすＸ−Ｙステージ１５８に固着することができるプローブマウント１５６内に配置することができる。検知モジュール１２８は、光検知器等の１つ以上の検知器と、ＣＣＤカメラ１６０とを備えてもよい。
【００５７】
１つ以上のビームスプリッタ１６２を、１つ以上の検知器による同時測定に用いることができる。光源１５２は、所望のスペクトル及び強度特性を有する光を生成するように選定することができる。例えば、アレイ１２０が中に組み込まれることが意図されているディスプレイを視るのに典型的に用いられる光源の特性に近い光源１５２を有することが望ましい。一実施形態においては、標準的なＤ６５光源が用いられる。いくつかの実施形態においては、光源１５２は、好ましくは、ケーラー・デザイン（ｋｏｅｈｌｅｒ  ｄｅｓｉｇｎ）社の照明制御装置１６４に結合することができる。照明制御装置１６４の開口は、アレイ１２０上の関心対象の領域のみを照明するように調節することができる。
【００５８】
検知器１２８と繋がれたコンピュータ１３８は、反射率対電圧特性（例えば、ヒステリシス曲線）を記録し、かつこのインターフェロメトリック変調器の応答時間を含むパラメータを計算するのに用いることができる。駆動電圧がアレイ１２０に印加されたときに、時間に対するインターフェロメトリック変調器の応答時間情報を生成するために、コンピュータ１３８を電圧駆動源１２２に接続することができる。いくつかの実施形態において、コンピュータ１３８は、これらのインターフェロメトリック変調器の検査中に、駆動電圧源１２２を制御するのにも用いることができる。
【００５９】
上記システムの他の実施形態は、インライン照明及び検知を実現するために利用可能である。例えば、いくつかの実施形態において、一部が入射光を生成し、かつ他が反射光を検知する光ファイバの束を、アレイ１２０の所望領域の上に位置合わせすることができる。この束における１つ以上のファイバは、光源に接続することができ、この束における１つ以上の他のファイバは検知器に接続される。一実施形態において、この束における多数の外側のファイバは光源に接続され、この束における１つ以上の内側のファイバは、分光器及び／又は光検知器等の１つ以上の検知器に接続される。いくつかの実施形態において、このファイバ束の端部は、図１０のビームスプリッタ１５０等のビームスプリッタが、入射光及び反射光をアレイ１２０に垂直に向けるように配置される。この構成は、ＣＣＤカメラ１６０等の、検知モジュール１２８における追加的な検知器を同時に使用できるようにする。代替として、このファイバ束は、これの端部が既にアレイ１２０に対して垂直になっているように配置してもよい。
【００６０】
図１１は、複数の干渉変調素子２０２を含むインターフェロメトリック変調器アレイ１２０を示す。上述したように、顕微鏡レンズ１５４は、このアレイが、図１２〜図１９に関して論じたように、所望の電圧波形を用いて駆動されている間、反射率の検知をインターフェロメトリック変調器アレイ１２０の一部に集中させるのに用いることができる。例えば、領域２０４は、検査中に検知される領域とすることができる。検査される領域２０４は、適当なサイズとすることができる。一実施形態においては、数個の干渉変調素子２０２のみが含まれる。一実施形態において、約１ｍｍ径のスポットが測定される。いくつかの実施形態においては、領域２０４、２０６、２０８、２１０及び２１２等の多数の領域が、同じアレイ１２０上で逐次的に測定される。これらの領域の数、及びこれらの領域の配置は、所望の検査基準に基づいて選定することができる。例えば、ＡＮＳＩ（米国規格協会）又はＶＥＳＡが推奨する、ディスプレイ検査のためのスポット測定の数及びそれらの配置を用いることができる。一実施形態においては、アレイ１２０の中心付近の単一の領域２０４が測定される。
【００６１】
図８〜図１１に関して説明したような光学系は、作動及び／又は解放されるように駆動されている間に、上記アレイの１つ以上の画素又は領域の電気光学的特性を特徴付けるのに用いることができる。一実施形態においては、上記インターフェロメトリック変調器がメモリ波形によって駆動されているときの明暗状態の均一性が測定される。このアレイ全体は、全てのインターフェロメトリック変調器が一緒に駆動される（例えば、全ての行が短絡され、かつ接地されると共に、全ての列が短絡されて駆動される）ように集団駆動により駆動することができる。これらのインターフェロメトリック変調器アレイの領域は、例えば、検知器１２８及び解析コンピュータ１３８を有する、図１０に記載したシステムを用いて検査することができる。いくつかの実施形態において、検査者は、ＣＣＤイメージを目で観察することによって、明暗状態の均一性を判断することができる。代替として、これらのＣＣＤイメージの解析は、コンピュータアルゴリズムを用いて自動化することができる。
【００６２】
いくつかの実施形態においては、画素又は領域の１つ以上のメモリ特性が、顕微鏡対物レンズ２３０の焦点を単一の画素又は画素の群に合わせて、これらの画素又は群を照明するようにインライン照明を調節することにより、検査及び／又は測定される。他の実施形態においては、このアレイ全体又はこのアレイの広い領域の１つ以上のメモリ特性が検査される。いくつかの検査においては、例えば、全ての行リードを接地し、かつ全ての列リードを同じ電圧波形に接続することにより、このアレイを「集団」駆動することが望ましく、その結果、画素又はこのアレイの群全体は、均一な反射特性を呈することができる。図１２は、集団駆動されるインターフェロメトリック変調器のアレイの一実施形態の作動及び解放特性を例示する。ここで、このメモリ特性は、電圧波形２２８でこのアレイを駆動することにより実証されている。このアレイ内のこれらのインターフェロメトリック変調器を作動させるのに必要な電圧差が、これらの変調装置をそれらの現在の状態に維持するのに必要な電圧よりも高く、この電圧も、このアレイ内のこれらのインターフェロメトリック変調器を解放するのに必要な電圧よりも高いため、ヒステリシスが生じる。このため、この電圧が変化しても、このアレイが状態を変えない電圧のウィンドウが存在する。図１２は、駆動電圧２２８と、（例えば、上記光検知器によって測定したような）このアレイからの反射率２３０とを時間の関数として示す。代替として、この応答は、図１３に示すようなヒステリシス曲線として示すことができ、この図は、反射率を駆動電圧の関数としてプロットする。図１３の予想したヒステリシス形状を示さない応答は、このアレイの画素又は領域における例外を示す。
【００６３】
いくつかの実施形態において、上記インターフェロメトリック変調器の応答は、４つの電圧レベル、すなわち、正作動（＋Ｖａｃｔ）、正解放（＋Ｖｒｅｌ）、負作動（−Ｖａｃｔ）及び負解放電圧（−Ｖｒｅｌ）によって特徴付けることができる。これらの電圧レベル自体は、実際の正作動電圧、正解放電圧、負作動電圧及び負解放電圧が、特定のインターフェロメトリック変調器の構造によって変化するため、任意である。これらの電圧レベルは、図１２又は図１３のプロットから決めることができる。＋Ｖａｃｔ２２０は、電圧が増加したときに、このＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器が、解放状態から作動状態に駆動される電圧に相当する。＋Ｖｒｅｌ２２２は、この電圧が低下したときに、このＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器が作動状態から解放される電圧に相当する。−Ｖａｃｔ２２４は、電圧が低下したときに、このＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器が、解放状態から作動状態に駆動される電圧に相当する。−Ｖｒｅｌ２２６は、この電圧が増加したときに、このＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器が、作動状態から解放される電圧に相当する。
【００６４】
いくつかの検査プロセスの場合のメモリ波形を設定する適切なパラメータは、これら４つの電圧レベルを用いて決めることができる。これらのパラメータは、バイアスの振幅（Ｖｂｉａｓ）、ＤＣオフセット電圧（Ｖｏｆｆｓｅｔ）、メモリウィンドウ（ΔＶｍｅｍ）及び画素を作動させるのに必要なパルス（Ｖａｃｔ）を含む。いくつかの実施形態において、これらのパラメータは、次のように決めることができる。
【００６５】
Ｖｂｉａｓ＝［（（＋Ｖａｃｔ＋  ＋Ｖｒｅｌ）／２）−（（−Ｖａｃｔ＋  −Ｖｒｅｌ）／２）］／２
Ｖｏｆｆｓｅｔ＝［（（＋Ｖａｃｔ＋  ＋Ｖｒｅｌ）／２）＋（（−Ｖａｃｔ＋  −Ｖｒｅｌ）／２）］／２
ΔＶｍｅｍ＝Ｍｉｎ［（＋Ｖａｃｔ−  ＋Ｖｒｅｌ），（−（−Ｖａｃｔ−  −Ｖｒｅｌ）］
Ｖａｃｔ＝２Ｘ＋Ｖｂｉａｓ
図１３を参照して、Ｖｂｉａｓは、一般に、上記メモリウィンドウの中心が、このヒステリシス曲線の対称中心からずれている電圧に相当する。Ｖｏｆｆｓｅｔは、この対称中心が０Ｖからずれている電圧に相当し、例えば、これは、典型的には、正作動電圧（＋Ｖａｃｔ）と負作動電圧（−Ｖａｃｔ）の平均として計算される。ΔＶｍｅｍは、上記インターフェロメトリック変調器の状態が変化しない電圧ウィンドウに相当する。この作動電圧は、このインターフェロメトリック変調器の作動を確実にする電位に相当する。これらのパラメータは、検査中に、このアレイのための適切な制御電圧を決めるのに、又は、このアレイが、所望の用途に適するか否かを判断するのに用いることができる。例えば、ディスプレイ用途においては、０．５Ｖ以下のメモリウィンドウ（ΔＶｍｅｍ）は、このアレイが、検査に落ちて、使用できないことを表している。
【００６６】
一実施形態において、ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器アレイ（ここでは、両方共、「インターフェロメトリック変調器」と称する)の画素又は領域（例えば、部分）の応答時間は、駆動電圧ステップをこれらのインターフェロメトリック変調器の全域に対して行い、光検知器を用いて反射応答を測定することにより、測定することができる。図１４は、このような電圧ステップを含む電圧波形の一実施例を示す。図１４において、プロット３００は、駆動電圧波形を時間の関数として示すグラフ表示である。ここで、アサートされた電圧波形は、これらのインターフェロメトリック変調器が、その電圧で解放状態になるオフセット電圧（Ｖｏｆｆ）程度の第１の電圧レベル３０１から、正の作動電圧（Ｖａｃｔ）の第２の電圧レベル３０２までの電圧ステップ３０４を含む。この電圧ステップのアサート時に、これらのインターフェロメトリック変調器は、その反射特性を、（解放された）明状態から（作動した）暗状態に変え始める。これらのインターフェロメトリック変調器から反射する光が、この電圧ステップの印加時に検知される場合、正の作動のための応答時間（Ｔｐａ）は、これらのインターフェロメトリック変調器が反射率の一定の変化を実現するのにかかる時間を測定することによって、判断することができる。正の作動電圧レベル３０２から解放電圧レベル３０６への電圧ステップ３０８は、正の解放応答時間（Ｔｐｒ）の同様の検知を可能にする。同様に、負の作動応答時間（Ｔｎａ）３１４及び負の解放応答時間（Ｔｎｒ）３１６は、これらのインターフェロメトリック変調器が、負の作動電圧（−Ｖａｃｔ）の電圧ステップで作動している間、及びその後の、これらのインターフェロメトリック変調器を解放させる電圧レベル３１６がアサートされている間に、反射光を検知することによって測定することができる。「オフセット電圧」という用語は、図１２に示す正の作動電圧（＋Ｖａｃｔ）と負の作動電圧（−Ｖａｃｔ）の平均を表現するのに用いることができる。応答時間を検査する典型的な用途において、測定した応答時間は、検査したインターフェロメトリック変調器の最も遅い応答を反映する。
【００６７】
上記インターフェロメトリック変調器が作動し、又は解放されたときに生じる反射の実施例を図１４の下のプロット３１０に示す。ここで、これらのインターフェロメトリック変調器の反射の変化は、時間の関数として示されている。反射の相対変化の測定は、明（解放）状態から暗（作動状態）への反射の変化、及び暗状態から明状態への変化の両方を説明するのに用いることができる。一実施形態において、応答時間は、電圧レベル変化によってトリガされて、これらのインターフェロメトリック変調器が作動又は解放された場合に、これらのインターフェロメトリック変調器の反射応答３１２が一定のレベルの全反射応答に到達するのにかかる時間として定義される。一実施形態において、応答時間は、これらのインターフェロメトリック変調器の反射応答３１２が、全反射応答の９０％に到達するのにかかる時間として定義される。他の実施形態においては、９０％未満又は９０％以上という他の割合（又は、レベル）を用いることもできる。いくつかの実施形態において、この応答時間は、一致性を判断するために、繰り返し測定される。許容可能な応答時間の基準は、用途によって変えてもよい。例えば、表示する画像の急激な変化を必要としない表示用途の場合、より長い応答時間を許容することができる。
【００６８】
当業者は、図１４に示した電圧波形に関して、多くの代替の実施形態があることを正しく認識する。表示用途により、応答時間波形の好ましい実施形態は、最終的な表示の予想した駆動信号に似るように変更することができる。図１４に示す波形は、応答時間を測定するのに用いることができる波形の一実施例である。いくつかの実施形態においては、波形の一部のみが用いられ、例えば、数字３０１と３０６の間に示されているような第１の部分を、正の（上記オフセット電圧に対して正の）作動応答時間及び解放応答時間を検査するのに用いることもできる。いくつかの検査においては、波形のこの部分を、上記インターフェロメトリック変調器に多数回、印加することができる。このような場合、波形のこの部分の期間を定義することができ（例えば、数字３０３と３０６の間で）、この波形部分を印加する頻度も定義することができる。同様の期間及び頻度は、本明細書に記載した全ての波形及び／又は波形の部分に対して定義することができる。例えば、別の周期的波形を、数字３０３と３１６の間で定義してもよく、これは、正の作動及び解放と、負の作動及び解放の両方を含む。いくつかの用途において、これらの波形、又は、これらの波形の部分は、測定される応答時間により、約１０Ｈｚ〜５０００Ｈｚの周波数で、これらのインターフェロメトリック変調器に印加される。
【００６９】
図１５は、上記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを測定するプロセス３３０のフローチャートである。状態３３２においては、上記画素の状態を作動状態から解放状態に、又は、解放状態から作動状態に変化させるために、電圧波形が上記アレイに印加される。応答時間を測定するため、この電圧波形は、全てのインターフェロメトリック変調器の作動又は解放を可能にするのに十分に長くアサートすべきであり、すなわち、この電圧をアサートする時間の長さは、この時間の長さが、この応答時間の測定に対して制限要因にならないように、この応答時間よりも長くすべきである。状態３３４においては、このアレイの反射率が、検知器を用いて、この電圧波形を印加する時間に関して測定される。次いで、状態３３６において、プロセス３３０は、例えば、図１４、又は図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、検知した反射率に基づいて、この画素の１つ以上の応答時間パラメータを測定する。いくつかの応答時間測定の場合、作動電圧は、これらのインターフェロメトリック変調器にバイアス電圧がかけられずに（例えば、図１４）、これらのインターフェロメトリック変調器に印加される。他の応答時間測定は、最初に、バイアス電圧がかけられている（例えば、図１６Ａ及び図１６Ｂ）これらのインターフェロメトリック変調器に作動電圧を印加することによって行われる。
【００７０】
図１６Ａは、１つ以上のＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器を駆動して、応答時間を測定するのに用いることができる電圧波形３８０の、時間の関数としてのグラフ表示である。図１６Ｂは、図１６Ａに示す電圧波形３８０によって駆動されるインターフェロメトリック変調器からの対応する測定反射率３８２の時間の関数としてのグラフ表示である。電圧波形３８０は、オフセット電圧を中心にして示されており、これは、ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器及び／又は駆動スキームの様々な実施形態において、異なる電圧レベルに設定することができる。従って、正及び負のバイアス電圧、及び正及び負の作動電圧は、このオフセット電圧に関して論じ、これらの電圧が、接地電圧ゼロに対して、正又は負である必要はないことは示さない。
【００７１】
この実施形態において、正及び負の両方の上記作動応答時間及び解放応答時間は、ヒステリシスウィンドウ内にある電圧レベルの影響下にあるインターフェロメトリック変調器のために測定される。時刻３５０において、この電圧波形は、これらのインターフェロメトリック変調器のヒステリシスウィンドウ内にある正のバイアス電圧（＋Ｖｂｉａｓ）であり、本明細書における数字は、ｘ軸（時間）にそって示されているような時点を指す時間に関連している。時刻３５２において、電圧波形３８０は、上記オフセット電圧に設定されて、その後、正のバイアス電圧（＋Ｖｂｉａｓ）まで増加される。この電圧をオフセット電圧に設定することは、時刻３５４において、上記画素が解放状態にあることを確実にする。時刻３５６において、この電圧は、この正のバイアス電圧（＋Ｖｂｉａｓ）から正の作動電圧（＋Ｖａｃｔ）へ増加され、時刻３５８まで及ぶ期間Δｔの間、そこで保持される。この作動電圧が印加されると、上記画素は、それに応じて、個々の期間、作動し、これらの画素の反射率を明状態から暗状態へ変化させる。この作動電圧ならびにバイアス電圧は、これらのインターフェロメトリック変調器の構成により、変えることができる。一実施例において、この正の作動電圧は、この正のバイアス電圧の約２倍であり、この負の作動電圧は、この負のバイアス電圧の約２倍である。
【００７２】
図１６Ｂは、上記インターフェロメトリック変調器の反射率３８２の変化を時間の関数として示し、図１６Ａの時間軸は、図１６Ｂの時間軸に対応する。図１６Ｂに示すように、これらのインターフェロメトリック変調器が、時刻３５６において作動している場合、この反射率が変化し、この反射率が変化している間の時間は、正の応答時間（Ｔｐａ）である。上記画素の反射率は、本明細書でこれまでに説明したシステムのうちの１つを含む様々なシステムを用いることにより、測定することができる。
【００７３】
様々な実施形態において、この応答は、この反射率が、全反射応答の９０％、９５％、又は９９％等の一定のしきい値まで低下した場合に、完全であると見なすことができる。上記画素を組み込むことができる様々なディスプレイに対して、異なるしきい値を適合させることができる。これらのしきい値は、予め決めることができ、又は、１つ以上の作動条件又は用途要件に基づいて、動的に決めることができる。この作動電圧がアサートされている期間Δｔは、作動することができる画素をどれも作動させるように判断されている応答時間に比べて、比較的長い期間からなる。
【００７４】
時刻３６０において、この電圧は、上記オフセット電圧まで低下され、これは、上記画素のための解放電圧である。このことが起きた場合、これらの画素は解放され、これらの画素の反射率は増加する。図１６Ｂに示すように、上記インターフェロメトリック変調器が解放される期間は、正の解放応答時間（Ｔｐｒ）である。正の作動応答時間と同様に、この正の解放応答時間は、この電圧が、時刻３６０において、一旦、このオフセット電圧に設定された時点で、これらの画素の反射率が一定のしきい値に達するのにかかる期間を測定することにより、判断することができる。
【００７５】
時刻３６４において、電圧波形３８０は、負のバイアス電圧（−Ｖｂｉａｓ）に設定される。次に、時刻３６６において、電圧波形３８０は、上記インターフェロメトリック変調器を作動させるために、負の作動電圧（−Ｖａｃｔ）に設定される。この電圧が、時刻３６６において、−Ｖｂｉａｓから−Ｖａｃｔに変化された場合、上記画素は、暗くなるように作動され、負の作動応答時間（Ｔｎａ）は、これらの画素の反射率を測定することに基づいて判断することができる。この電圧が、時刻３７０において、−Ｖｂｉａｓから上記オフセット電圧に変化されると、これらの画素が解放され、明るい状態に変化するにつれて、それらの反射率は増加する。本明細書で説明した他の応答時間の測定と同様に、負の解放応答時間（Ｔｎｒ）は、これらのインターフェロメトリック変調器の反射率の変化が一定のしきい値に達するのにどれくらいかかるかを測定することに基づいて判断することができる。また、図１６Ｂは、それぞれ、時刻３６６における負の作動及び時刻３７０における負の解放に相当する負の作動時間（Ｔｎａ）及び負の解放時間（Ｔｎａ）を示す。ここで測定されたこれらの応答時間は、ヒステリシスを用いて作動されているインターフェロメトリック変調器に基づいており、例えば、これらの応答時間は、この電圧を、上記ヒステリシスウィンドウ内にある電圧、例えば、＋Ｖｂｉａｓから、このヒステリシスヒステリシスの外の電圧、例えば、＋Ｖａｃｔに変化させることに基づいている。これらのインターフェロメトリック変調器が、このヒステリシスヒステリシス内の電圧レベルの影響下にあるときに、これらのインターフェロメトリック変調器を作動及び解放することにより、これらの画素が、実際の作動状態に近い作動状態の下で検査される。
【００７６】
次に、図１７Ａ及び図１７Ｂについて説明すると、別の実施形態において、ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の場合に、上記作動応答時間及び解放応答時間が、これらの画素をモニタリングして、これらの画素が作動し、又は解放されているときを判断しながら、（正又は負の）作動電圧を印加する時間の長さΔｔを変化させることにより計算される。期間Δｔは、許容可能な数（又は、割合）の画素を最小期間内で作動（又は、解放）させることができる最小時間値が判断されるまで変化される。このプロセスは、本明細書において、「最小タイムラインプロセス」と称する。
【００７７】
図１７Ａは、図１６Ａに示す電圧波３８０と概して同様の電圧波形４８０を示す。しかし、電圧波形４８０、又はこの電圧波形の一部（例えば、正又は負の作動電圧部分）は、上記インターフェロメトリック変調器に複数回、印加され、毎回、これまでに説明したように、これらのインターフェロメトリック変調器から反射する光を検知することに基づいて、応答時間が測定される。作動電圧が印加される期間の長さは、図１７ＢにΔｔ１及びΔｔ３で示す、これらのインターフェロメトリック変調器を作動させることができる作動電圧を印加する最小時間を判断するために、変化させることができる。同様に、解放電圧が印加される期間の長さは、図１７ＢにΔｔ２及びΔｔ４で示す、これらのインターフェロメトリック変調器を解放することができる解放電圧を印加する最小時間を判断するために、変化させることができる。これらの最小時間（Δｔ１、Δｔ２、Δｔ３及びΔｔ４）は、これらのインターフェロメトリック変調器が的確に応答してこれらの電圧を印加するのに十分に長い。Δｔ１が短過ぎる場合には、これらのインターフェロメトリック変調器は、正の作動電圧に応答することができないため、反射率曲線４８２は、第１の点線４８３のように見えることになる。１つの処理手順は、作動電圧が印加される時間Δｔ１を、例えば、その動作を視る観察者によって、又は、測定システムによって作動が観察されるまで増加させることである。同様に、時間Δｔ３が短過ぎる場合には、これらのインターフェロメトリック変調器は、負の作動電圧に応答しないため、反射率曲線４８２は第３の点線４８５のように見えることになり、また、時間Δｔ２又はΔｔ４が短過ぎる場合には、これらのインターフェロメトリック変調器は、印加されたそれぞれの正又は負の解放電圧に応答しないため、反射率曲線４８２は第２及び第４の点線４８４、４８５のように見えることになる。これらの時間（Δｔ２、Δｔ３及びΔｔ４）は、所望の応答が観測されるまで、増加させることもできる。
【００７８】
図１７Ｂは、反射率対時間のプロットを解析することにより、最小タイムラインプロセスを用いて、全ての応答時間を測定する１つの方法を示す。上記画素の作動及び／又は解放は、本明細書に記載したシステムのうちの１つ、又は別の適当なシステムを用いて、これらの画素の反射率を検知することを含む様々な方法によって、検知することができる。感知した又は測定した作動又は解放は、最も遅く応答するインターフェロメトリック変調器の作動又は解放を表す。反射率は、一定の許容可能な割合の画素が作動又は解放されていることを示す、一定の反射率しきい値が満たされているかを判断するために測定される。いくつかの実施形態において、作動する及び／又は解放される、測定した許容可能なしきい値の割合の画素は、９０％以上であり、また他の実施形態においては、この割合は、９０％より低く、例えば、８０％にすることができる。
【００７９】
上記最小タイムラインプロセスは、標準化することができる定性的測定を可能にするため、上記画素を、速いリフレッシュ速度を要するデバイスに使用する場合、例えば、イメージデータをビデオデータレートで表示する場合に、画素応答時間を測定するのに有利に用いられる。また、標準化された値を用いることは、その実施及び様々な製造も容易にすることができる。
【００８０】
図１８は、複数のインターフェロメトリック変調器の画素を検査するプロセス４００を説明するフローチャートである。状態４０２において、プロセス４００は、作動電圧レベルを印加する期間を設定し、この作動電圧レベルは、これらのインターフェロメトリック変調器を、非作動状態と作動状態の間で、又は、作動状態と非作動状態の間で変化させるのに十分なものである。状態４０４において、この期間の作動電圧を含む電圧波形がこれらの画素に印加される。状態４０６において、これらの画素の反射率が検知されて、十分な数の画素が作動又は解放されているかを判断するのに用いられる。状態４０８において、これらの画素の応答時間パラメータが、検知した反射光に基づいて測定される。次に、状態４１０において、このプロセスは、設定、印加、検知及び判断ステップを繰り返して、十分な数の画素が作動又は解放される最小期間を識別し、前記期間のその後の設定は、１つ以上の測定した応答時間パラメータに基づいて行われる。
【００８１】
上述したように、上記インターフェロメトリック変調器の反射率の視覚観察又は測定は、品質パラメータを測定するのに用いることができる。例えば、いくつかの検査においては、これらのインターフェロメトリック変調器が全て作動又は解放状態に駆動されているときのこれらのインターフェロメトリック変調器の均一性が評価され、又は、他の検査においては、これらのインターフェロメトリック変調器の作動又は解放応答時間が測定される。別の実施形態においては、この品質パラメータは、これらのインターフェロメトリック変調器の色応答を用いることにより、例えば、コントラストの変化を利用して、これらのインターフェロメトリック変調器が作動又は解放されたとき、時間に対する作動又は解放の均一性、又は、作動又は解放応答時間を判断することにより、測定することができる。これらのインターフェロメトリック変調器のアレイ１２０の色応答は、反射光１３０から検知することができ、また、図１０と同様のシステムを用いて測定することができ、この場合、検知器１２８は、分光器を備える。上述したようなシステムは、アレイ１２０の単一の画素又は領域に集中するように調節することができる。単一の画素を検査する場合には、このアレイ内の穴、ポスト又は領域がこの検査領域に含まれないことが有利になる可能性がある。一実施形態において、このアレイは、上述したような集団駆動に接続される。
【００８２】
色測定は、様々な刺激波形の影響下で実行することができる。一実施形態において、上記インターフェロメトリック変調器は、非駆動状態で、及び上述したような駆動メモリ波形の影響下で測定される。この駆動メモリ波形の影響下での明暗状態は、スペクトル的に測定することができる。反射光１３０から集めた色情報は、色パラメータ、例えば、Ｘ、Ｙ、ＺのＣＩＥ色３刺激値に変換することができる。このＸ、Ｙ、ＺのＣＩＥ色３刺激値におけるＹは、全ての照明情報を含むため、Ｙ明（例えば、非作動）とＹ暗（例えば、作動）の比は、コントラスト特性のためのコントラスト比を生成し、これは、反射率と同様の均一性の測定を判断するのに用いることができる。いくつかの実施形態においては、１つ以上の色測定が別々に行われる。いくつかの実施形態において、この測定は、異なる色照明源でこれらのインターフェロメトリック変調器を照明して、各照明源により反射された光を測定することにより実行される。他の実施形態においては、この反射光は、所定のフィルタを通過して、測定すべき所望の波長が選択される。
【００８３】
上記の詳細な説明は、様々な実施形態に適用される本発明の新規な特徴を示し、説明し、かつ指摘してきたが、当業者には、本発明の趣旨から逸脱することなく、例示した上記デバイス又はプロセスの構成及び詳細の様々な省略、置換及び変更が可能であることが理解される。正しく認識できるように、本発明は、いくつかの特徴を、他の特徴とは別に用い、又は実施することができるので、本明細書に記載した全ての特徴及び利益を提供しない形態に具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】第１のインターフェロメトリック変調器の可動反射層が弛緩位置にあり、かつ第２のインターフェロメトリック変調器の可動反射層が作動位置にある、干渉変調ディスプレイの一実施形態の一部を示す等角図である。
【図２】３×３干渉変調ディスプレイを組み入れた電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図１のインターフェロメトリック変調器の例示的な一実施形態の場合の可動ミラー位置対印加電圧の図である。
【図４】干渉変調ディスプレイを駆動するのに用いることができる、行及び列電圧のセットの図である。
【図５Ａ】図２の３×３干渉変調ディスプレイにおける表示データの１つの例示的なフレームを示す。
【図５Ｂ】図５Ａのフレームを書き込むのに用いることができる、行及び列信号のための１つの例示的なタイミング図を示す。
【図６Ａ】複数のインターフェロメトリック変調器を備えるビジュアルディスプレイデバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数のインターフェロメトリック変調器を備えるビジュアルディスプレイデバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１のデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】インターフェロメトリック変調器の代替の実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】インターフェロメトリック変調器の別の代替の実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】インターフェロメトリック変調器のまた別の代替の実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】インターフェロメトリック変調器の追加的な代替の実施形態の断面図である。
【図８】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の反射率を視覚的に観察するシステムを示す概略図である。
【図９】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の反射率を自動的に測定するシステムを示す概略図である。
【図１０】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の反射率を自動的に測定するシステムの別の実施形態を示す概略図である。
【図１１】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器のアレイの一部を観察することを示す概略図である。
【図１２】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器のための駆動電圧と、その結果として生じる該インターフェロメトリック変調器の反射率とを示すグラフである。
【図１３】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の光学的応答を示すグラフである。
【図１４】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器画素を駆動して、品質特性及び結果として生じる光学的応答を測定するのに用いられる別の波形図を示す概略図である。
【図１５】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の応答時間を測定するプロセスを示すフローチャートである。
【図１６Ａ】インターフェロメトリック変調器を駆動して応答時間を測定するのに用いられる波形をグラフで示す概略図である。
【図１６Ｂ】インターフェロメトリック変調器の光学的応答をグラフで示す概略図である。
【図１７Ａ】インターフェロメトリック変調器を駆動して応答時間を測定するのに用いられる波形をグラフで示す概略図である。
【図１７Ｂ】インターフェロメトリック変調器の光学的応答をグラフで示す概略図である。
【図１８】ＭＥＭＳインターフェロメトリック変調器の最小応答時間を測定するプロセスを示すフローチャートである。
【図１】
2008515003.tif 000003
【図２】
2008515003.tif 000004
【図３】
2008515003.tif 000005
【図４】
2008515003.tif 000006
【図５Ａ】
2008515003.tif 000007
【図５Ｂ】
2008515003.tif 000008
【図６Ａ】
2008515003.tif 000009
【図６Ｂ】
2008515003.tif 000010
【図７Ａ】
2008515003.tif 000011
【図７Ｂ】
2008515003.tif 000012
【図７Ｃ】
2008515003.tif 000013
【図７Ｄ】
2008515003.tif 000014
【図７Ｅ】
2008515003.tif 000015
【図８】
2008515003.tif 000016
【図９】
2008515003.tif 000017
【図１０】
2008515003.tif 000018
【図１１】
2008515003.tif 000019
【図１２】
2008515003.tif 000020
【図１３】
2008515003.tif 000021
【図１４】
2008515003.tif 000022
【図１５】
2008515003.tif 000023
【図１６Ａ】
2008515003.tif 000024
【図１６Ｂ】
2008515003.tif 000025
【図１７Ａ】
2008515003.tif 000026
【図１７Ｂ】
2008515003.tif 000027
【図１８】
2008515003.tif 000028
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法であって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器の状態を、作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させることと、
前記電圧波形が印加されている間に、前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を時間の関数として検知することと、
前記検知することに基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを決定することと、を備える、方法。
【請求項２】
前記印加することは、１０Ｈｚ乃至５０００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加することを備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記印加することは、５０Ｈｚ〜５００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加することを備える請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記印加することは、５０Ｈｚ〜１５０Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加することを備える請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記印加することは、約１００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加することを備える請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記波形は、全てのインターフェロメトリック変調器に同時に印加される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記検知することは、全てのインターフェロメトリック変調器よりも少ないインターフェロメトリック変調器から反射された前記光を検知することを備える請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記検知することは、光検知器を用いて、前記反射光を測定することを備える請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記検知することは、前記インターフェロメトリック変調器の前部に配置されたディフューザを介して前記反射光を測定することを備える請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記検知することは、前記インターフェロメトリック変調器と実質的に垂直な角度で前記反射光を測定することを備える請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記電圧波形は、オフセット電圧レベル付近の第１の部分と、作動電圧レベルの第２の部分と、を備える請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記波形の振幅は、前記インターフェロメトリック変調器の作動を引き起こすのに必要な前記電圧の約２倍未満である請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記波形の前記振幅は、前記インターフェロメトリック変調器の作動を引き起こすのに必要な前記電圧の約１．２５倍である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記電圧波形は、作動電圧レベルの第１の部分と、オフセット電圧レベル付近の第２の部分と、を備える請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記決定することは、前記インターフェロメトリック変調器の正の作動応答時間（Ｔｐａ）に関する前記応答時間を決定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記決定することは、前記インターフェロメトリック変調器の負の作動応答時間（Ｔｎａ）に関する前記応答時間を決定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記決定することは、前記インターフェロメトリック変調器の正の解放応答時間（Ｔｐｒ）に関する前記応答時間を決定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記決定することは、前記インターフェロメトリック変調器の負の解放応答時間（Ｔｎｒ）に関する前記応答時間を決定することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記応答時間パラメータは、前記複数のインターフェロメトリック変調器の１つ以上のうちの最も遅い応答時間に基づく請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
複数のインターフェロメトリック変調器に入射光を提供するように適合化された照明源と、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させるように構成された電圧源と、
前記複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知するように及び前記検知された光に対応する信号を生成するように構成された光検知器と、
前記光検知器から前記信号を受信するように及び前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを前記信号に基づいて決定するように構成されたコンピュータと、を備える、システム。
【請求項２１】
前記電圧源は、１０Ｈｚ〜５０００Ｈｚ周波数で前記電圧波形を印加するようにさらに構成される請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記電圧源は、５０Ｈｚ〜５００Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加するようにさらに構成される請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記電圧源はさらに、５０Ｈｚ〜１５０Ｈｚの周波数で前記電圧波形を印加するように構成される請求項２０に記載のシステム。
【請求項２４】
前記波形は、全てのインターフェロメトリック変調器に同時に印加される請求項２０に記載のシステム。
【請求項２５】
前記光検知器はさらに、光検知器を用いて前記反射光を検知するように構成される請求項２０に記載のシステム。
【請求項２６】
前記光検知器はさらに、前記インターフェロメトリック変調器の前部に配置されたディフューザを介して前記反射光を測定することにより、前記反射された光を検知するように構成される請求項２０に記載のシステム。
【請求項２７】
前記光検知器はさらに、前記インターフェロメトリック変調器と実質的に垂直な角度で前記反射光を測定することにより、前記反射光を検知するように構成される請求項２０に記載のシステム。
【請求項２８】
前記コンピュータは、前記電圧源から、前記インターフェロメトリック変調器に電圧が印加されたときを示す信号を受け取る請求項２０に記載のシステム。
【請求項２９】
前記決定された応答時間パラメータは、前記インターフェロメトリック変調器の正の作動応答時間（Ｔｐａ）である請求項２０に記載のシステム。
【請求項３０】
前記決定された応答時間パラメータは、前記インターフェロメトリック変調器の負の作動応答時間（Ｔｎａ）である請求項２０に記載のシステム。
【請求項３１】
前記決定された応答時間パラメータは、前記インターフェロメトリック変調器の正の解放応答時間（Ｔｐｒ）である請求項２０に記載のシステム。
【請求項３２】
前記決定された応答時間パラメータは、前記インターフェロメトリック変調器の負の解放応答時間（Ｔｎｒ）である請求項２０に記載のシステム。
【請求項３３】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、前記複数のインターフェロメトリック変調器の１つ以上のうちの前記最も遅い応答時間に基づく請求項２０に記載のシステム。
【請求項３４】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
前記複数のインターフェロメトリック変調器に光を提供する手段と、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させる手段と、
前記複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知する手段と、
前記検知された光に対応する信号を生成する手段と、
前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを前記信号に基づいて決定する手段と、を備える、システム。
【請求項３５】
前記光提供手段は、広帯域光源を備える請求項３４に記載のシステム。
【請求項３６】
前記電圧印加手段は、電圧源を備える請求項３４又は３５に記載のシステム。
【請求項３７】
前記検知手段は、光検知器を備える請求項３４、３５、又は３６に記載のシステム。
【請求項３８】
前記検知手段は、分光器を備える請求項３４、３５、又は３６に記載のシステム。
【請求項３９】
前記信号生成手段は、光検知器を備える請求項３４、３５、３６、３７、又は３８に記載のシステム。
【請求項４０】
前記決定手段は、前記検知手段から前記信号を受け取るように構成されたコンピュータを備える請求項３４、３５、３６、３７、３８、又は３９に記載のシステム。
【請求項４１】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、前記複数のインターフェロメトリック変調器の１つ以上のうちの前記最も遅い応答時間に基づく請求項３４に記載のシステム。
【請求項４２】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法であって、
複数のインターフェロメトリック変調器に入射光を提供するように適合化された照明源を配置することと、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させるように適合化された電圧源を配置することと、
前記複数のインターフェロメトリック変調器から反射された光を検知して、この検知した光に対応する信号を生成するように適合化された光検知器を配置することと、
前記光検知器から前記信号を受け取って、前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを決定するように構成されたコンピュータを配置することと、を備える、方法。
【請求項４３】
請求項４２に記載の方法によって製造された複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステム。
【請求項４４】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法であって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させることであって、前記インターフェロメトリック変調器の前記状態を変化させるために印加される前記電圧は、前記インターフェロメトリック変調器にバイアス電圧がかけられている間に印加されることと、
前記電圧波形を印加している間に前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を検知することと、
反射された光を前記検知することに基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の１つ以上の応答時間パラメータを前記決定することと、を備える、方法。
【請求項４５】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の前記最も遅い作動時間に基づいている請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記決定することは、負の作動電圧を印加することによって作動された前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動時間を決定する請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】
前記決定することは、正の作動電圧を有する前記電圧波形の一部を印加することによって作動された前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動時間を決定する請求項４４に記載の方法。
【請求項４８】
前記決定することは、正の解放電圧を有する前記電圧波形の一部を印加することによって解放された前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の解放時間を決定する請求項４４に記載の方法。
【請求項４９】
前記決定することは、負の解放電圧を有する前記電圧波形の一部を前記印加している間に前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の解放時間を決定する請求項４４に記載の方法。
【請求項５０】
前記電圧波形は、前記インターフェロメトリック変調器を作動状態にする電圧レベルの第１の部分と、バイアス電圧レベルの第２の部分と、前記インターフェロメトリック変調器を解放するのに十分な電圧レベルの第３の部分と、を備える請求項４４に記載の方法。
【請求項５１】
前記電圧波形は、前記インターフェロメトリック変調器を解放状態にする電圧レベルの第１の部分と、バイアス電圧レベルの第２の部分と、前記インターフェロメトリック変調器を作動させるのに十分な電圧レベルの第３の部分と、を備える請求項４４に記載の方法。
【請求項５２】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を、作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態との間で変化させるように構成された電圧源と、
前記インターフェロメトリック変調器を照明するように配置された照明源と、
前記インターフェロメトリック変調器から光を受け取って、対応する信号を生成するように配置された検知器と、
前記検知器から前記信号を受け取って、前記信号に基づいて、作動電圧又は解放電圧を印加中に前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを決定するように構成されたコンピュータと、を備える、システム。
【請求項５３】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の前記最も遅い作動時間に基づく請求項５２に記載のシステム。
【請求項５４】
前記コンピュータは、負の作動電圧レベルを有する前記電圧波形の一部を前記印加中に前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動応答時間を決定するようにさらに構成される請求項５２に記載のシステム。
【請求項５５】
前記コンピュータはさらに、正の作動電圧レベルを有する前記電圧波形の一部を前記印加中に前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部分の作動応答時間を決定するように構成される請求項５２に記載のシステム。
【請求項５６】
コンピュータはさらに、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の解放応答時間を決定するように構成される請求項５２に記載のシステム。
【請求項５７】
コンピュータはさらに、負の解放電圧を有する前記電圧波形の一部を前記印加中に前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の解放時間を決定するように構成される請求項５２に記載のシステム。
【請求項５８】
コンピュータはさらに、負の作動電圧を印加中に前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動時間を決定するように構成される請求項５２に記載のシステム。
【請求項５９】
コンピュータはさらに、正の作動電圧を印加中に前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の作動時間を決定するように構成される請求項５２に記載のシステム。
【請求項６０】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させる手段と、
前記インターフェロメトリック変調器を照明する手段と、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を感知して、対応する信号を生成する手段と、
前記信号に基づいて、作動電圧又は解放電圧を印加中に前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを決定する手段と、を備える、システム。
【請求項６１】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の前記最も遅い作動時間に基づく請求項６０に記載のシステム。
【請求項６２】
前記印加手段は、制御可能な電圧源を備える請求項６０に記載のシステム。
【請求項６３】
前記照明手段は、光源を備える請求項６０又は６２に記載のシステム。
【請求項６４】
前記感知手段は、光検知器を備える請求項６０、６２、又は６３に記載のシステム。
【請求項６５】
前記決定手段は、コンピュータを備える請求項６０，６２、６３、又は６４に記載のシステム。
【請求項６６】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法であって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させるように構成された電圧源を提供することと、
前記インターフェロメトリック変調器を照明する光源を配置することと、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取る検知器を配置することであって、前記検知器は、前記受け取られた光に対応する信号を生成するように構成されることと、
前記検知器にコンピュータを結合させることであって、前記コンピュータは、作動電圧又は解放電圧を印加中に、前記検知器から前記信号を受け取って、前記信号に基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを決定するように構成されることと、を備える、方法。
【請求項６７】
請求項６６に記載の方法によって製造された複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステム。
【請求項６８】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査する方法であって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を設定することであって、前記スイッチング電圧レベルは、前記インターフェロメトリック変調器、解放状態と作動状態の間、又は作動状態と解放状態の間で変化させる上で十分なものであることと、
前記スイッチング電圧レベルを備える電圧波形を前記期間の間印加することと、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を検知することと、
前記検知することに基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを決定することと、
前記設定する、印加する、検知する、及び決定するステップを繰り返して、しきい値が達成される最小期間を識別することであって、前記しきい値は、所定数の画素が作動しているか又は解放されていることを示すことと、を備える、方法。
【請求項６９】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の前記最も遅い作動時間に基づく請求項６８に記載の方法。
【請求項７０】
前記インターフェロメトリック変調器の前記状態を変化させるために印加される前記電圧は、前記インターフェロメトリック変調器にバイアス電圧がかけられている間に印加される請求項６８に記載の方法。
【請求項７１】
前記反射光を検知することは、目視解析を備える請求項６８に記載の方法。
【請求項７２】
反射光を前記検知することは、光学システムにおいて前記光を受け取ることと、コントラストを測定することと、を備える請求項６８に記載の方法。
【請求項７３】
１つ以上の応答時間パラメータを決定することは、作動応答時間を決定することを備える請求項６８に記載の方法。
【請求項７４】
１つ以上の応答時間を決定することは、解放応答時間を決定することを備える請求項６８に記載の方法。
【請求項７５】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を決定するように構成されたコンピュータであって、前記スイッチング電圧レベルは、所定数のインターフェロメトリック変調器を、解放状態と作動状態の間、又は作動状態と解放状態の間で変化させるのに十分であるコンピュータと、
前記コンピュータによって制御される電圧源であって、前記スイッチング電圧レベルを備える電圧波形を前記期間の間印加するように構成された電圧源と、
前記インターフェロメトリック変調器を照明するために配置された光源と、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取って、受け取られた光に対応する信号を生成するために配置された検知器と、を備え、
前記コンピュータは、前記検知器から前記信号を受け取って、前記信号に基づいて、前記電圧波形を印加するための時間の長さを繰り返し変化させて、前記決定された期間中に作動しているか又は解放されている画素数がしきい値を満たしている最小期間を識別し、識別された最小期間に基づいて、１つ以上の応答時間パラメータを決定するように構成される、システム。
【請求項７６】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の前記最も遅い作動時間又は解放時間に基づく請求項７５に記載のシステム。
【請求項７７】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムであって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を決定する手段であって、前記スイッチング電圧レベルは、前記複数のインターフェロメトリック変調器を、非作動状態と作動状態の間、又は作動状態と非作動状態の間で変化させるのに十分なものである手段と、
電圧波形を前記複数のインターフェロメトリック変調器に印加する手段であって、前記決定された期間の間前記電圧波形を印加するように構成された手段と、
前記インターフェロメトリック変調器を照明する手段と、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を感知し、前記受け取られた光に対応する信号を生成する手段と、を具備し、
前記決定する手段は、前記感知する手段から前記信号を受け取り、前記決定する手段は、複数の決定された期間の間前記電圧波形を繰り返し印加し、前記信号に基づいて、作動又は解放している画像素数がしきい値を満たしている前記決定された期間の最小期間を識別するために前記印加する手段を制御するように構成される、システム。
【請求項７８】
前記１つ以上の応答時間パラメータは、１つ以上のインターフェロメトリック変調器の前記最も遅い作動時間又は解放時間に基づく請求項７７に記載のシステム。
【請求項７９】
前記決定手段は、コンピュータを備える請求項７７に記載のシステム。
【請求項８０】
前記印加手段は、電圧源を備える請求項７７又は７９に記載のシステム。
【請求項８１】
前記照明手段は、光源を備える請求項７７、７９、又は８０に記載のシステム。
【請求項８２】
前記感知手段は、光検知器を備える請求項７７、７９、８０、又は８１に記載のシステム。
【請求項８３】
複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステムを製造する方法であって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を決定するように構成されたコンピュータを提供することであって、前記スイッチング電圧レベルは、前記インターフェロメトリック変調器を、解放状態と作動状態の間、又は作動状態と解放状態の間で変化させるのに上で十分なものであることと、
前記コンピュータに電圧源を結合することであって、前記電圧源は、前記スイッチング電圧レベルを備える電圧波形を前記期間の間印加するように構成されることと、
前記インターフェロメトリック変調器を照明するために光源を配置することと、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を受け取って、受け取った光に対応する信号を生成するために検知器を配置することと、を具備し、
前記コンピュータは、前記検知器から前記信号を受け取り、前記信号に基づいて、前記電圧波形を印加するための時間の長さを繰り返し変化させて前記決定された期間中に作動又は解放している画素数がしきい値を満たしている最小期間を識別するように、及び、前記識別された最小期間に基づいて１つ以上の応答時間パラメータを決定するように構成される、方法。
【請求項８４】
請求項８３に記載の方法によって製造された複数のインターフェロメトリック変調器を検査するシステム。
【請求項８５】
装置が計算機に結合されているときに前記装置内において具体化されている命令に基づいて前記機械を制御するための装置であって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器の前記状態を、作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させる手段と、
前記電圧波形を印加中に前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を時間の関数として検知する手段と、
前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを前記検知することに基づいて決定する手段と、を備える、装置。
【請求項８６】
装置が計算機に結合されているときに前記装置内において具体化されている命令に基づいて前記機械を制御するための装置であって、
電圧波形を前記インターフェロメトリック変調器に印加して、前記インターフェロメトリック変調器を作動状態と解放状態の間、又は解放状態と作動状態の間で変化させる手段であって、前記インターフェロメトリック変調器の前記状態を変化させるために印加される前記電圧は、前記インターフェロメトリック変調器がバイアス電圧の影響を受けやすい間に印加される手段と、
前記電圧波形を印加中に前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を検知する手段と、
前記反射された光を前記検知することに基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の少なくとも一部の１つ以上の応答時間パラメータを決定する手段と、を備える、装置。
【請求項８７】
装置が計算機に結合されているときに前記装置内において具体化されている命令に基づいて前記機械を制御するための装置であって、
スイッチング電圧レベルを印加する期間を設定する手段であって、前記スイッチング電圧レベルは、前記インターフェロメトリック変調器を、解放状態と作動状態の間で、又は作動状態と解放状態の間で変化させるのに十分なものである手段と、
前記スイッチング電圧レベルを備える電圧波形を前記期間の間印加する手段と、
前記インターフェロメトリック変調器から反射された光を検知する手段と、
前記検知することに基づいて、前記インターフェロメトリック変調器の１つ以上の応答時間パラメータを決定する手段と、
前記設定する、印加する、検知する、及び決定するステップを繰り返してしきい値が達成される最小期間を識別する手段であって、前記しきい値は、所定数の画素が作動している又は解放されていることを示す手段と、を備える、装置。
【国際調査報告】
2008515003.tif 000029
2008515003.tif 000030
2008515003.tif 000031