(57)【要約】  電子デバイス（２０）は、インダクタ（４２）を含むデバイス回路（３２）を有する第１の基板（２２）と、多数の他のインダクタ（６２）を含むインダクタンス調整回路（６０）を有する第２の基板（２４）とから作成される。基板（２２、２４）は、互いに対向するように組み合わせる。他のインダクタ（６２）は、インダクタ（４２）に対して種々の相互インダクタンスの関係を選択するように構成する。これらの関係は、デバイスの動作期間中に選択することができ、デバイス回路（３２）に可変インダクタンスを提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のインダクタ（４２）を含む電圧制御発振器回路（４１）を支持している第１の基板（２２）、および第２のインダクタ（６２）を含むインダクタンス調整回路（６０）を支持している第２の基板（２４）を有する電子デバイス（２０）を利用するステップと、
前記第１のインダクタ（４２）および前記第２のインダクタ（６２）を電磁的に結合して、両者の間に相互インダクタンスを提供するステップと、
前記第１のインダクタ（４２）と前記第２のインダクタ（６２）との結合期間中、前記相互インダクタンスの関数として定められる第１の周波数範囲で前記電圧制御発振器回路（４１）を動作させるステップと、
前記インダクタンス調整回路（６０）を用いて前記第２のインダクタ（６２）の動作を変化させて、前記第１のインダクタ（４２）と前記第２のインダクタ（６２）との間の相互インダクタンスを変える変化ステップと、
前記第２のインダクタ（６２）の動作を変化させた後、前記電圧制御発振器回路（４１）を前記第１の周波数範囲とは異なる第２の周波数範囲で動作させるステップと、
を含む、可変インダクタンスを提供する方法。
【請求項２】
前記変化ステップは、前記第１のインダクタ（４２）と前記第２のインダクタ（６２）と間の相互インダクタンスを低減させるステップを含む、請求項１に記載の可変インダクタンス提供方法。
【請求項３】
前記低減させるステップを、前記第２のインダクタ（６２）に結合されるスイッチ（６６）を開放することによって実行する、請求項２に記載の可変インダクタンス提供方法。
【請求項４】
前記インダクタンス調整回路（６０）は第３のインダクタ（６２）を具え、さらに、
第３のインダクタ（６２）と第１のインダクタ（４２）と間に異なる相互インダクタンスを確立するステップと、
前記確立するステップの結果として生じる第３の周波数範囲にわたって、前記電圧制御発振器回路（４１）を動作させるステップと、
を含む、請求項１に記載の可変インダクタンス提供方法。
【請求項５】
前記電圧制御発振器回路（４１）の周波数を、該電圧制御発振器回路（４１）に含まれる１つ以上のコンポーネントで確立されるキャパシタンスを変えることによって、前記第１の周波数範囲内で調整するステップを含む、請求項１に記載の可変インダクタンス提供方法。
【請求項６】
前記インダクタンス調整回路（６０）は２つ以上のインダクタを具え、前記第２のインダクタ（６２）は前記２つ以上のインダクタのうちの１つとし、前記２つ以上のインダクタは前記第１のインダクタ（４２）に対して異なる相互インダクタンス関係を選択するように構成され、前記異なる相互インダクタンス関係は前記電圧制御発振器回路（４１）の動作周波数範囲を変えるように選択可能にし、前記第１の基板（２２）および前記第２の基板（２４）は対向する関係に組み合わせる、請求項１に記載の可変インダクタンス提供方法。
【請求項７】
前記異なる相互インダクタンス関係の１つを選択して、前記電圧制御発振器回路（４１）に所望のインダクタンスを提供するステップと、
前記所望のインダクタンスに従って決定される第３の周波数範囲にわたって前記電圧制御発振器回路（４１）を動作させるステップと、
前記電圧制御発振器回路（４１）の１つ以上のコンポーネントでキャパシタンスを変化させて、前記第３の周波数範囲内で周波数を調整するステップと、
を含む、請求項６に記載の可変インダクタンス提供方法。
【請求項８】
第１の基板（２２）と、
前記第１の基板（２２）に対向する位置関係で組み合わせた第２の基板（２４）と、
前記第１の基板（２２）上に支持される第１のインダクタ（４２）を含む電圧制御発振器回路（４１）と、
インダクタンス選択デバイス（６９）および第２のインダクタ（６２）を含んでいるインダクタンス調整回路（６０）と、
を具えている可変インダクタンス装置であって、
前記第２のインダクタ（６２）は前記第２の基板（２４）上に支持され、前記インダクタンス選択デバイス（６９）は、前記可変インダクタンス装置の動作期間中、前記第１のインダクタ（４２）と前記第２のインダクタとの間の相互インダクタンスを変えることによって、前記電圧制御発振器回路（４１）用のインダクタンス値を多数の異なる値のうちから選択するように構成し、前記異なるインダクタンス値の各々は、選択される際に、前記電圧制御発振器回路（４１）用の多数の対応する動作周波数範囲のうち異なる１つの範囲を確立するようにした可変インダクタンス装置。
【請求項９】
前記インダクタンス選択デバイス（６９）は、前記第２のインダクタ（６２）に直列に接続されたスイッチ（６６）を含み、該スイッチ（６６）を閉状態にして閉回路を形成することによって相互インダクタンスが確立されるようにし、かつ前記スイッチ（６６）を開状態にして開回路を形成することによって相互インダクタンスが低減または除去されるようにした、請求項８に記載の可変インダクタンス装置。
【請求項１０】
前記第１のインダクタ（４２）および前記第２のインダクタ（６２）の少なくとも１つは、各々がほぼ平坦となり、かつ各々が基準面に沿って同一平面上の基準点のまわりを少なくとも２７０度旋回する経路をたどるようにした、請求項９に記載の可変インダクタンス装置。
【請求項１１】
前記第１のインダクタ（４２）および前記第２のインダクタ（６２）のうち一方は、前記第１のインダクタ（４２）および前記第２のインダクタ（６２）のうち他方がたどる、基準面に沿った経路を含むのに十分な大きさを有する領域の対向側面に隣接する、前記基準面に沿った経路をたどるようにした、請求項９に記載の可変インダクタンス装置。
【請求項１２】
前記第１のインダクタ（４２）は第１の基板（２２）面（２３ｂ）上に支持され、前記第２のインダクタ（６２）は第２の基板（２４）面（２５ｂ）上に支持され、該第２の基板（２４）面（２５ｂ）は前記第１の基板（２２）面（２３ｂ）に対向するようにし、前記インダクタンス調整回路（６０）は、前記第２の基板（２４）面（２５ｂ）上に支持される多数の異なるインダクタ（６２）を含み、該異なるインダクタ（６２）は前記第２のインダクタ（６２）を含み、前記インダクタンス調整回路（６０）は、前記異なるインダクタンス値に応じて、前記第１のインダクタ（４２）に対して多数の異なる相互インダクタンス関係を選択的に提供するようにした、請求項９に記載の可変インダクタンス装置。
【請求項１３】
前記電圧制御発振器回路（４１）は、動作周波数範囲の各々１つの内で周波数を調整する手段を具えている、請求項１４に記載の可変インダクタンス装置。
【請求項１４】
インダクタ（４２）を含むデバイス回路（３２）を有する第１の基板（２２）、および多数の他のインダクタ（６２）を含むインダクタンス調整回路（６０）を有する第２の基板（２４）を用意するステップと、
前記インダクタ（４２）および１つ以上の前記他のインダクタ（６２）の電磁結合を所望の形態で選択的に提供するように設計した空間的関係にて、前記第１の基板（２２）および前記第２の基板（２４）を組み合わせるステップと、
前記他のインダクタ（６２）を、前記インダクタ（４２）との種々の相互インダクタンス関係のうち選択したものを提供するように配置するステップと、
を含み、前記種々の相互インダクタンス関係の各々は、前記電子デバイス（２０）の動作期間中に選択して、可変インダクタンスを提供し得るようにする電子デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記デバイス回路は、第１のインダクタ（４２）から提供されるインダクタンスに応じた周波数範囲を有する電圧制御発振器（４０）を規定するようにする、請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記電圧制御発振器（４０）の動作周波数を前記周波数範囲内で調整するためのキャパシタンスを変化させるように動作可能な１つ以上のコンポーネントで電圧制御発振器（４０）を規定するステップを含む、請求項１５に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記インダクタの配置ステップは、各々が前記他のインダクタ（６２）のそれぞれ１つと直列に接続される多数の異なるスイッチ（６６）を設けるステップを含み、
前記異なるスイッチは、各々が、前記他のインダクタ（６２）のそれぞれの１つに対して閉回路または開回路の経路の間で選択して動作可能にすることによって、異なる相互インダクタンス関係の間でそれ相当の選択をできるようにする、請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１８】
前記他のインダクタ（６２）を各々平坦にして、かつ互いに入れ子の関係に配置する、請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記他のインダクタ（６２）の数を少なくとも３つにする、請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記インダクタ（４２）は、第１の基板（２２）面（２３ｂ）上に支持され、かつ前記他のインダクタ（６２）は、第２の基板（２４）面（２５ｂ）上に支持されるようにし、前記第１の基板（２２）面（２３ｂ）は前記第２の基板（２４）面（２５ｂ）に対向するようにし、かつ前記インダクタ（４２）は、同一平面の基準点のまわりを少なくとも２７０度旋回する平坦な経路をたどるようにする、請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項２１】
前記他のインダクタ（６２）は、各々が、共通点のまわりを少なくとも２７０度旋回する多数のほぼ同一平面の経路のうち対応する１つをたどるようにする、請求項２０に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記第１の基板（２２）を半導体材料から作るステップと、前記第１の基板（２２）と共に支持される多数の半導体デバイスを形成するステップと、を含み、前記半導体デバイスは、各々が前記デバイス回路（３２）に含まれるようにする、請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項２３】
第１の基板（２２）上に支持されるインダクタ（４２）を含む電圧制御発振器（４０）と、
第２の基板（２４）上に支持される１つ以上の他のインダクタ（６２）と、
前記電圧制御発振器（４０）の周波数範囲を変化させる手段と、を具える可変インダクタンス装置であって、
前記第２の基板（２４）は、前記第１の基板（２２）および前記第２の基板（２４）を、前記インダクタ（４２）と前記１つ以上の他のインダクタ（６２）との間に電磁結合を提供するように規定された空間的関係にて選択的に位置付けるように、前記第１の基板（２２）と一緒に組み合わされ、
前記周波数範囲を変化させる手段は、前記インダクタ（４２）と前記１つ以上の他のインダクタ（６２）との間の相互インダクタンスを変えることによって、前記電圧制御発振器（４０）のインダクタンスを調整するための手段を具えるようにした、可変インダクタンス装置。
【請求項２４】
前記電圧制御発振器（４０）の動作周波数を前記周波数範囲内で変化させる手段を更に具えている、請求項２３に記載の可変インダクタンス装置。
【請求項２５】
前記他のインダクタ（６２）の数を少なくとも３つにし、かつ互いにほぼ同一平面上で入れ子の関係に配置した、請求項２３に記載の可変インダクタンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関し、特に、限定はされないが、電圧制御発信器（ＶＣＯ）の周波数制御のための可変インダクタンス回路に関する。インダクタンスを変化させる関連技術は、可調整インダクタンスが求められる他の用途にも適している。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、集積回路（ＩＣ）ベースのＶＣＯは、周波数の調整を対応する範囲にわたって可能にする、バラクタまたは他の可変容量デバイスを利用している。より広い周波数の調整範囲が求められるにつれて、より広い範囲の可変容量も求められるようになっている。より広い範囲の可変容量を提供するために、位相ロックループ（ＰＬＬ）制御を伴う金属酸化物半導体（ＭＯＳ）バラクタ、デジタルコントローラにより管理されるＭＯＳスイッチなどを含む回路が開発されてきた。ある場合には、このような回路の強化により、受け入れ難い量のＩＣの「土地」（“real estate”）を必要とし、および／または、他にも関連するデバイスが不所望に複雑になる。このような強化が受け入れ可能である他の場合にも、可変周波数範囲を更に拡張したいという要求がしばしばある。このように、この技術分野においては、依然として更なる貢献の必要性が求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的の１つは、ＶＣＯの周波数を変化させるのに適した独自の可変インダクタンスの配置を提供することにある。
【０００４】
他の目的は、電圧制御発振器および／または種々の用途の周波数制御のための可変インダクタンスを提供する独自の方法、システム、デバイス、および装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施態様は、ＶＣＯの周波数制御に適している独自の可変インダクタンスの配置にある。他の実施態様は、ＶＣＯおよび／または種々の用途の周波数制御のための可変インダクタンスを提供する独自の方法、システム、デバイス、および装置を含んでいる。
【０００６】
本発明の更なる実施態様は、デバイス回路を有する第１の基板と、可変インダクタンス回路を有する第２の基板とを含む電子デバイスを利用するステップを有するようにする。この実施態様は、第１および第２のインダクタを電磁的に結合して、相互インダクタンスを提供するステップを更に有する。一形態においては、この電磁結合は、第１の基板および第２の基板を、この結合の所望の形態を促進するように設計した空間関係にて組み合わせることによって、容易に達成することができる。非限定的な例では、基板を互いに対向させて配置して、インダクタを互いに接近させて位置付けるようにする。この実施態様はさらに、第１および第２のインダクタの結合期間中、相互インダクタンスの関数として定められる第１の周波数範囲でデバイス回路を動作させるステップと、第２のインダクタの動作を変化させて、両者間の相互インダクタンスを変えるステップと、このような変化の後に第１の周波数範囲と異なる第２の周波数範囲でデバイス回路を動作させるステップと、を含んでいる。非限定的な形態では、デバイス回路は、第１の周波数範囲および第２の周波数範囲の各々で動作する電圧制御発振器のこととする。
【０００７】
他の実施態様では、装置が、第１の基板と、第１の基板に対して予め規定した空間関係で組み合わせられる第２の基板と、第１の基板上に支持される第１のインダクタを有する電圧制御発振器回路と、インダクタンス選択デバイスおよび第２のインダクタを含むインダクタンス調整回路と、を具えるようにする。この第２のインダクタは、第２の基板上に支持される。インダクタンス選択デバイスは、装置の動作期間中に第１のインダクタと第２のインダクタとの間の相互インダクタンスを変更することによって、電圧制御発振器回路の多くのインダクタンス値の間で選択するように構成される。異なるインダクタンス値は、各々が、選択された際に、電圧制御発振器回路用の多くの対応する動作周波数範囲のうち異なる１つを確立する。
【０００８】
本発明のさらに他の実施態様は、インダクタを含むデバイス回路を有する第１の基板、および１つ以上の他のインダクタを含むインダクタンス調整回路を有する第２の基板を用立てるステップと、第１および第２の基板を組み合わせて、前記１つ以上のインダクタに、前記インダクタの所望の電磁結合を生じさせるステップと、前記１つ以上のインダクタを、前記インダクタと前記１つ以上のインダクタとの間にて種々の相互インダクタンスの関係が選択できるように配置するステップと、を含むようにする。これらの関係は、電子デバイスの動作期間中に選択できて、インダクタからデバイス回路に可変インダクタンスを提供するようにできる。１つの非限定的な形態では、前記１つ以上のインダクタの各々をスイッチに結合して、回路の経路を開閉することによって、相互インダクタンスを変化させる。代わりに、またはさらに、前記１つ以上の他のインダクタの数を少なくとも３つにする。
【０００９】
他の実施態様は、第１の基板上に支持されるインダクタを有する電圧制御発振器と、第２の基板上に支持される１つ以上の他のインダクタと、電圧制御発振器の周波数範囲を変化させる手段と、を具えるようにする。前記インダクタを、選択的な電磁結合を促進するように設計するやり方で、前記１つ以上の他のインダクタに対して位置付けるように、第２の基板を第１の基板に取り付ける。前記周波数範囲を変化させる手段は、前記インダクタと前記１つ以上の他のインダクタとの間の相互インダクタンスを変えることによって、電圧制御発振器内のインダクタンスを調整する手段を具える。
【００１０】
他の実施態様は、選択的な電磁結合用の１つ以上の第２のインダクタに対して位置付けた、１つ以上の第１のインダクタを含む可変インダクタンス回路を具えるようにする。多数の異なる相互インダクタンスの関係を、前記１つ以上の第１のインダクタと前記１つ以上の第２のインダクタとの間で確立して、可変インダクタンスを提供することができる。１つの形態では、前記関係を、各々前記インダクタの１つと結合されるスイッチで選択する。代わりに、またはさらに、他の形態では、前記１つ以上の第１のインダクタは第１の基板上に支持され、かつ前記１つ以上の第２のインダクタは第２の基板上に支持され、これら基板は互いに対向して位置付けられるように組み合わせる。
【００１１】
本願および本発明の更なる目的、実施例、形態、要点、利益、有利な点および特徴を、以下の説明および図面から明らかにする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の原理の理解を促すために、以下、図面にて示す実施例には参照符号を付してあり、これを説明するのに特定の用語を用いている。しかしながら、それによって本発明の範囲が限定されることはないことに留意すべきである。説明する実施例において幾多の変形例および更なる変更例、および本願で説明する本発明の原理の幾多の更なる応用も、本発明が関連する技術の当業者であれば当然に想到することが可能であろう。
【００１３】
図１は、本発明の一実施例の電子デバイス２０を概略的に示している。デバイス２０は、基板２２および基板２４を有している。基板２２および基板２４は、それぞれ長方形によって象徴的に示してあり、破線２６によって象徴的に分離して示してある。基板２２は、典型的には半導体ベースのタイプとする電子コンポーネントを含んでいる。このタイプのコンポーネントを含む実施例では、基板２２は、典型的には、対応する半導体材料を含んでいる。基板２４は、適切な材料から製造する他の電子部品を含んでおり、それは半導体ベースにすることも、そうしないようにもできる。線２６の左側に配置されるデバイス２０の電子的な機能部は基板２２によって支持され、線２６の右側に配置されるデバイス２０の機能部は基板２４によって支持される。図２および３に関連して以下更に詳細に説明するように、デバイス２０は「フリップチップ」の形態で組み立てるが、しかしながら、当業者であれば想到できるような他の形態を取ることもできる。
【００１４】
デバイス２０は、基板２２および２４によって支持される回路３０を具えている。基板２２では、回路３０はデバイス回路３２を有している。基板２４では、回路３０はデバイス回路３４を有している。デバイス回路３２は、ＶＣＯ回路４１で実現される電圧制御発信器（ＶＣＯ）４０を具えている。回路４１は、インダクタ４２、およびこれに結合したサブ回路４３を具えている。サブ回路４３は、所望の周波数帯域内で選択的にＶＣＯ４０の動作周波数を変化させる、帯域内周波数調整回路４４を含んでいる。回路４４は、可調整キャパシタンスを提供するように動作可能に構成した１つ以上のコンポーネント４５を具えている。１つ以上のコンポーネント４５は、少なくとも１つのバラクタ４６を含み、このコンポーネントには、帯域内周波数を所望に調整する他のコンポーネントまたはコンポーネントタイプのものを含めることができる。一実施例では、バラクタ４６はＭＯＳタイプのものとし、コンポーネント４５にはさらに、位相ロックループ（ＰＬＬ）制御部およびデジタルコントローラの管理のもとでスイッチングするＭＯＳを含めるようにする。
【００１５】
サブ回路４３は、周波数範囲（帯域）選択回路５０も具えている。回路５０は所望の周波数範囲を選択するように構成され、回路４４はこのような範囲内で動作周波数を調整するのに用いる。回路５０は、デバイス回路３４に動作可能に結合される。デバイス回路３４は、インダクタンス調整回路６０を具えている。回路６０は、多数の可調整回路６１ａ、６１ｂおよび６１ｃ（回路６１と総称する）を具えている。回路６１は各々が、それぞれのインダクタ６２ａ、６２ｂまたは６２ｃ（インダクタ６２と総称する）、ブロックにて図示した一括電気負荷６４ａ、６４ｂまたは６４ｃ（負荷６４と総称する）、およびスイッチ６６ａ、６６ｂまたは６６ｃ（スイッチ６６と総称する）を具えている。回路６１のそれぞれに対する電気ループまたは経路は閉成して、対応するスイッチ６６が閉じる時は「閉回路」を構成し、かつ対応するスイッチ６６が開放する時は「開回路」を成すようにする。
【００１６】
回路４１のインダクタ４２および回路６１のインダクタ６２を互いに相対的に所望な空間的配置にて位置付けて、所定の動作パラメータでＶＣＯ４０を附勢することによって、インダクタ４２と１つ以上のインダクタ６２との間に、選択的な相互インダクタンスを実現することができる。なお、この相互インダクタンスの大きさはスイッチ６６の状態に依存する。各スイッチ６６の閉成状態は、それぞれのインダクタ６２とインダクタ４２との間の電磁結合によって附勢される閉回路を提供する。この電磁結合は、インダクタ４２とそれぞれのインダクタ６２との間のそれぞれの相互インダクタンスに対応する。これに対し、各スイッチ６６の開放状態に対しては、これにより得られる開回路が、この相互インダクタンスを変化させ、理想的な場合には、それを除去する。回路６１に対して種々の閉／開の組合せでスイッチ６６を調整することによって、インダクタ４２とインダクタ６２との間の相互インダクタンスの大きさをまとめて調整することができる。インダクタ４２とインダクタ６２との間の相互インダクタンスが変化すると、ＶＣＯ回路４１のインダクタ４２によって提供される実効インダクタンスは、それぞれの回路の理想的な集中素子モデルに基づいて、以下の式（１）によって表されるように変化する。
Ｌ１＝Ｌ１−Ｍ１２−Ｍ１３−Ｍ１４    （１）
ここで、Ｌ１はインダクタ４２のインダクタンスであり、Ｍ１２は、スイッチ６６ａが閉じている時の、インダクタ４２に対する６２ａの相互インダクタンスであり、Ｍ１３は、スイッチ６６ｂが閉じている時の、インダクタ４２に対する６２ｂの相互インダクタンスであり、そしてＭ１４は、スイッチ６６ｃが閉じている時の、インダクタ４２に対する６２ｃの相互インダクタンスである。対応するスイッチ６６が開放状態にある場合、式（１）の理想的なモデルのもとでは、各相互インダクタンスＭ１２，Ｍ１３およびＭ１４は有効に除去される。したがって、全てのスイッチ６６が開放している状態では、インダクタ４２の実効インダクタンスは、この形態のモデルでは、Ｌ１になる。
【００１７】
理想的でない場合には、スイッチのリアクタンスおよび／または抵抗レベル、二次的効果などのために、「開放状態」（対応するスイッチ６６が開放している）での各回路６１は、やはりある程度の相互インダクタンスを提起することになる。しかしながら、適宜、このような要因を考慮すること、および／または較正を行うことによって、所定範囲の可変インダクタンスを実現することもできる。インダクタ４２、回路５０および回路６０によって提供される実効インダクタンスを、図１では可変インダクタ６８としても示してある。図示のように、スイッチ６６は、それぞれ、回路５０からの制御信号に応答する半導体タイプのものとする。しかしながら、他の実施例では、スイッチ６６を異なるタイプのものにすることもできる。さらに、スイッチ６６の各々は、参照番号６９によって示すように、個別にまたは任意の組合せで、インダクタンス選択デバイスとしても動作可能である。
【００１８】
前述したように、インダクタ４２は、ＶＣＯ４０の動作の周波数範囲（または帯域）を規定するのに利用され、このような範囲内での動作周波数の調整は調整回路４４で行われる。したがって、インダクタ４２の実効インダクタンスを、サブ回路４３によって変えることにより、ＶＣＯ４０に対する異なる動作周波数の範囲を選択することができる。図示した実施例では、回路５０は、スイッチ６６の各々の状態を制御して、インダクタ４２と１つ以上のインダクタ６２との間の相互インダクタンスの度合いを選択することによって、ＶＣＯ４０に対する種々の動作周波数帯域を選択し得るようにする。１つの方法として、ＶＣＯ４０のインダクタンスを可変インダクタ６８で変化させることによって、同じ可変容量の構成を使用する際に、比較的大きな動作範囲を実現することができる。また、ＶＣＯ４０が使用する可変容量の範囲を縮小させても、可変インダクタ６８の調整によって、同じ実行動作周波数範囲を提供することもできる。可変容量範囲を縮小する方法を選択する場合には、可変容量回路の少なくとも一部を場合によっては除去して、より簡単で、複雑でない設計にすることもできる。他の実施例では、これらの方法の組合せを用いることができる。さらに他の実施例では、可変容量回路をなくすこともできる。
【００１９】
図２には、デバイス２０をフリップチップ構体２１として部分断面図にて示してあり、同様の参照符号は同様の機能部を示している。フリップチップ構体２１は、基板２２および２４を、それぞれアクティブダイ２２ａおよびパッシブダイ２４ａの形態で具えている。基板２２は、面２３ｂとは反対側の面２３ａを有し、基板２４は、面２５ｂとは反対側の面２５ａを有している。基板２２および２４は、面２３ｂと２５ｂとの間で対向して離間した関係を成すように、互いに配置する。インダクタ４２は、基板２２の面２３ｂに支持され、基板２４の面２５ｂの方へ延在している。インダクタ６２は、基板２４の面２５ｂに支持され、各々が基板２２の面２３ｂの方へ延在している。インダクタ４２および６２は、各々断面図にて示してある。特に明記しない限り、修飾語「アクティブ」および「パッシブ」は、対応する使用電源について言及するために用いる相補的な用語であり、必ずしも所定のコンポーネントのタイプまたはコンポーネントの機能について言及している訳ではない。限定されない１つの例において、アクティブダイ２２のインダクタ４２との電磁結合は、パッシブダイ２４上の半導体コンポーネントを具えることができる回路６１に電力を供給する。他の実施例では、ダイ２２ａおよび／または２４ａは、パッシブまたはアクティブ専用とはしないようにもできる。
【００２０】
アクティブダイ２２ａは、台座７０に取り付ける。パッシブダイ２４ａは、結合構体７２ａおよび７２ｂによって支持体７４ａおよび７４ｂにそれぞれ取り付けて、これらがインダクタ４２とインダクタ６２との間のインターフェイスを成すようにする。さらに、図３には、図２の視線３−３に対するインダクタ４２および６２の図を示してあり、同様の参照符号は同様の機能部を示している。インダクタ４２および６２は、各々、十字印によって示した基準点Ｐに対してほぼ円形かつ同心になっている。円形のわずかな不連続箇所を、インダクタの終端部８２に示してあり、終端部の離間間隔は、明瞭化のために誇張して示してある。インダクタ４２およびインダクタ６２は、各々２つの終端部８２を有している。インダクタ４２の終端部８２は、回路４１に電気的に接続され、インダクタ６２の終端部８２は、対応する回路６１に電気的に接続される。
【００２１】
インダクタ４２および６２は、基準面Ｒに対して各々が概して平坦になるようにする。基準面Ｒは、図３の観測面に一致する面である。基準点Ｐは、基準面Ｒ上にある。なお、インダクタ４２および６２は、各々が、基準面Ｒ、または基準面Ｒと平行な共通平面と交わるようにする。したがって、インダクタ４２および６２の方に向かう、この共通平面内に含まれる線に沿って見ると、インダクタ４２はインダクタ６２に重なる関係にある。インダクタ４２および６２は各々、平面Ｒに沿って基準点Ｐのまわりを少なくとも２７０度旋回するほぼ平坦な経路をたどる。この経路は、インダクタ４２および６２の周囲に位置付けた矢印ＰＡの経路によって象徴的に示してある。インダクタ４２の対向する側面８４ａと８４ｂは、その間の領域Ａを規定し境界する。領域Ａは、インダクタ６２を中に受け入れるのに充分な大きさとする。したがって、インダクタ６２は、インダクタ４２内に集合的に入れ子構造になっており、インダクタ６２ｂおよび６２ｃは、インダクタ４２および６２ａ内に集合的に入れ子構造になっており、インダクタ６２ｃは、インダクタ４２、６２ａおよび６２ｂ内に入れ子構造になっている。
【００２２】
本願から他の多くの実施例を案出することができる。例えば、代替の実施例では、インダクタ、スイッチ、および／または電気負荷に対応する、回路６１を多くまたは少なくして、所望のインダクタンス調整特性を提供することもできる。更なる実施例において、インダクタ４２および６２のいくつかまたは全部を、図示したものに対して、および／または互いに、異なる形状または大きさにすることができる。また、インダクタ４２および／またはインダクタ６２のうち任意のものを、直列および／または並列配置の多数のコンポーネントの形態にすることもできる。代わりに、またはさらに、相互インダクタンスの調整は、インダクタ４２に対して生じる相互インダクタンスを変化させるように構成した、異なるタイプのスイッチまたは他のタイプの調整可能デバイスによって行うこともできる。さらに他の実施例では、基板２２および２４のいずれかは、本来はパッシブまたはアクティブなものとすることができ、周波数帯域を規定する相互インダクタンスの調整は、回路５０を用いて行う代わりに相互に行うようにすることができ、用いる基板を多くしたり、または少なくしたりすることもでき、および／または、インダクタ４２と１つ以上のインダクタ６２との間に異なる空間的関係を規定するようにもできる。さらに他の実施例では、上述した変更例の何れかと共に、またはこれらとは別に、可変インダクタを利用して、非ＶＣＯ回路に可調整のインダクタンスを設けることもできる。これらの変形例は、可能なもののうち少数を示したに過ぎない。
【００２３】
本発明を、図面および前述の記載にて詳細に図示し説明したが、これらは例示であり、その特徴を限定するものではなく、選択した実施例のみを図示し説明したものであり、前述の、および／または添付の請求項により規定される発明の範囲内にある全ての変形例、変更例、および均等物が保護されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】可調整インダクタンスを有するＶＣＯを含む電子デバイスの概略図である。
【図２】図１のデバイスの部分断面概略図である。
【図３】図１のデバイスに含まれるインダクタの位置関係を示す、図２の３−３線に沿う概略断面図である。
【国際調査報告】
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