(57)【要約】  本発明は、発光素子及び発光素子の製造方法に関し、本発明に係る発光素子において、無機発光素子は、透明電極と接触する上部ドーピング層に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成した後、プラズマ処理してプラズマエッチング層を形成し、透明電極と上部ドーピング層との接触力を向上させたものである。また、本発明に係る発光素子において、有機発光素子は、透明電極が接触する基板、特にプラスチック基板の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成した後、プラズマ処理してプラズマエッチング層を形成し、基板と透明電極との接触力を向上させたものである。このように、本発明に係る発光素子は、透明電極の接触力を改善させることによって、層分離を防止することができ、発光素子の効率を改善させることができると同時に、生産収率を向上させることができる。
2008517477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された下部ドーピング層と、
前記下部ドーピング層の上部に形成された発光層と、
前記発光層の上部に形成された上部ドーピング層と、
前記上部ドーピング層の上部に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択されて形成されたプラズマエッチング層と、
前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、を含むことを特徴とする無機発光素子。
【請求項２】
前記上部ドーピング層が除外されたことを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
【請求項３】
前記基板は、ｐ型またはｎ型半導体基板であり、前記下部ドーピング層は、ｐ型またはｎ型ドーピング層であり、前記上部ドーピング層は、ｎ型またはｐ型ドーピング層であることを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
【請求項４】
前記プラズマエッチング層は、１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
【請求項５】
前記酸化膜は、ＳｉＯ２で形成され、前記窒化膜は、Ｓｉ３Ｎ４で形成され、前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕよりなる群から１種以上選択された金属で形成されることを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
【請求項６】
前記透明電極は、ＩＴＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯ及びＣｕ２ＳｒＯ２よりなる群から選択された１種以上の酸化物で形成されたり、ＣｕＩｎＯ２：ＣａまたはＩｎＯ：Ｍｏの酸化物にｎ型またはｐ型物質をドーピングして形成されることを特徴とする請求項１に記載の無機発光素子。
【請求項７】
基板上に下部ドーピング層を形成する段階と、
前記下部ドーピング層の上部に発光層を形成する段階と、
前記発光層の上部に上部ドーピング層を形成する段階と、
前記上部ドーピング層の上部に、酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から選択された１種以上で膜を形成する段階と、
前記膜の上部にプラズマを用いて表面をエッチングし、プラズマエッチング層を形成する段階と、
前記プラズマエッチング層の上部に透明電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする無機発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記プラズマは、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３よりなる群から１種以上選択されたガスを用いて、１×１０−４乃至５×１０−５ｔｏｒｒの圧力下で１０ｓｃｃｍ乃至２０ｓｃｃｍ速度で５乃至１０秒間処理されることを特徴とする請求項７に記載の無機発光素子の製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択されたプラズマエッチング層と、
前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、
前記透明電極層の上部に形成された有機層と、
前記有機層の上部に形成された金属電極層と、を含むことを特徴とする有機発光素子。
【請求項１０】
前記基板は、プラスチック基板であり、前記有機層は、発光層であることを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記プラズマエッチング層は、１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記酸化膜は、ＳｉＯ２で形成され、前記窒化膜は、Ｓｉ３Ｎ４で形成され、前記金属膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕよりなる群から１種以上選択された金属で形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記透明電極は、ＩＴＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯ及びＣｕ２ＳｒＯ２よりなる群から選択された１種以上の酸化物で形成されたり、ＣｕＩｎＯ２：ＣａまたはＩｎＯ：Ｍｏの酸化物電極にｎ型またはｐ型物質をドーピングして形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
プラスチック基板上に、酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜を形成する段階と、
前記膜の上部にプラズマを用いて表面をエッチングし、プラズマエッチング層を形成する段階と、
前記プラズマエッチング層の上部に有機層を形成する段階と、
前記有機層の上部に金属電極層を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記プラズマは、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３よりなる群から１種以上選択されたガスを用いて、１×１０−４乃至５×１０−５ｔｏｒｒの圧力下で１０ｓｃｃｍ乃至２０ｓｃｃｍ速度で５乃至１０秒間処理されることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及び発光素子の製造方法に関する。より詳細には、透明電極を使用する発光素子において、透明電極と接触する層の表面にプラズマ処理を通じて表面粗度を増加させることによって接触力を向上させることができる発光素子及び発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、無機発光素子の場合、ｎ型またはｐ型の半導体基板上にｎ型またはｐ型を示す下部ドーピング層を形成した後、発光層を形成し、次いで、ｐ型またはｎ型を示す上部ドーピング層を形成した後、透明電極を形成する順に積層されている。また、有機発光素子の場合、ガラスのような基板上に透明電極を形成し、次いで、有機層を形成し、金属電極を順次に積層している。この場合、透明電極物質として酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化亜鉛とアルミニウム（ＺｎＯ／Ａｌ）をマグネトロンスパッタリング蒸着、パルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）、または化学気相蒸着（ＣＶＤ）などの方法を使用して比較的大面積で蒸着してきた。
【０００３】
しかしながら、マイクロサイズの超小型無機発光素子の製作に際して、前述のような一般的な蒸着方法を利用する場合、透明電極と発光層または上部ドーピング層との接触力が弱いため、エッチングなどの工程で透明電極と上部ドーピング層が分離される現象が発生し、素子特性及び収率を減少させている。一方、フレキシブルディスプレイの場合、プラスチック基板を主に使用するようになるが、プラスチック基板を使用してプラスチック基板上に透明電極層を一般的な蒸着方法により形成する場合にも、接触が不良となり、エッチングなどの工程で基板と透明電極が分離され、素子特性及び収率を減少させている。
【０００４】
これより、本発明者らは、無機または有機発光素子において、透明電極と接触する層の表面を改質することで接触力を補強する方法を研究しながら、透明電極と接触するような層に酸化膜、窒化膜及び金属膜を形成した後、これらをプラズマ処理して表面をエッチングした後、透明電極を形成する場合、透明電極と接触する層の表面粗度が増加しつつ接触力が向上し、これにより、発光素子の素子特性と効率をさらに向上させることができると同時に、生産収率をも高めることができることを知見し、本発明を完成した。
【発明の開示】
【０００５】
技術的解決課題
従って、本発明の第１目的は、透明電極が形成される層の上部にプラズマエッチング層を含む無機発光素子を提供することにある。
【０００６】
本発明の第２目的は、透明電極が形成される層の上部にプラズマエッチング層を形成する無機発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の第３目的は、透明電極が形成される基板の上部にプラズマエッチング層を含む有機発光素子を提供することにある。
【０００８】
本発明の第４目的は、透明電極が形成される基板の上部にプラズマエッチング層を形成する有機発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００９】
技術的解決手段
上記第１目的を達成するために、本発明に係る無機発光素子は、基板と、前記基板上に形成された下部ドーピング層と、前記下部ドーピング層の上部に形成された発光層と、前記発光層の上部に形成された上部ドーピング層と、前記上部ドーピング層の上部に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜で形成されたプラズマエッチング層と、前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、を含む。
【００１０】
上記第２目的を達成するために、本発明に係る無機発光素子の製造方法は、基板の上部に下部ドーピング層を形成する段階と、前記下部ドーピング層の上部に発光層を形成する段階と、前記発光層の上部に上部ドーピング層を形成する段階と、前記上部ドーピング層の上部に、酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から選択された１種以上の膜を形成する段階と、プラズマを用いて前記膜の表面をエッチングし、プラズマエッチング層を形成する段階と、前記プラズマエッチング層の上部に透明電極を形成する段階と、を含む。
【００１１】
上記第３目的を達成するために、本発明に係る有機発光素子は、基板と、前記基板上に形成され、且つ酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜で形成されたプラズマエッチング層と、前記プラズマエッチング層の上部に形成された透明電極層と、前記透明電極層の上部に形成された電子又は正孔伝達用下部有機層と、前記下部有機層の上部に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上部に形成された電子又は正孔伝達用上部有機層と、前記上部有機層の上部に形成された金属電極層と、を含む。
【００１２】
上記第４目的を達成するために、本発明に係る有機発光素子の製造方法は、基板の上部に、酸化膜、窒化膜及び金属膜よりなる群から１種以上選択された膜を形成する段階と、プラズマを用いて前記膜の表面をエッチングし、プラズマエッチング層を形成する段階と、前記プラズマエッチング層の上部に電子又は正孔伝達用下部有機層を形成する段階と、前記下部有機層の上部に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層の上部に電子又は正孔伝達用上部有機層を形成する段階と、前記上部有機層の上部に金属伝達層を形成する段階と、を含む。
【００１３】
発明の効果
本発明に係る無機発光素子は、透明電極と接触する上部ドーピング層または発光層の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成し、プラズマ処理することで表面粗度を増加させた後、透明電極を形成して、接触力を向上させることによって、透明電極との層分離を防止することができ、無機発光素子の性能を改善させることができる。
【００１４】
また、本発明に係る有機発光素子は、透明電極と接触する基板、特にプラスチック基板の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を形成し、プラズマ処理することで表面粗度を増加させた後、透明電極を形成して、基板と透明電極との分離を防止することによって、発光素子の効率を向上させることができる。
【００１５】
また、本発明に係る発光素子は、層間接触力を改善させることによって、生産工程上、発生し得る層分離を防止することができ、生産収率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付の図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施例に係る無機発光素子の構造を概略的に示す断面図であり、図２は、本発明の他の実施例に係る無機発光素子の構造を概略的に示す断面である。
【００１８】
図１及び図２を参照すれば、本発明に係る無機発光素子の構造は、基板１００／下部ドーピング層２００／発光層３００／上部ドーピング層４００／プラズマエッチング層５００／透明電極６００が順に積層された構造であるか、または、基板１００／下部ドーピング層２００／発光層３００／プラズマエッチング層５００／透明電極６００が順に積層された構造である。その他、発光素子の効率を向上させるための中間層がさらに積層されることができる。
【００１９】
本発明に係る無機発光素子は、シリコン系発光素子または窒化物系発光素子であることができる。
【００２０】
前記基板１００は、この分野において一般的に使われるｐ型またはｎ型半導体基板であることができ、サファイア、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＧａＡｓまたはＳｉなどが用いられることができる。
【００２１】
前記基板１００の上部に形成される下部ドーピング層２００は、ｐ型またはｎ型ドーピング層であって、ｐ型またはｎ型を示す化合物のいずれを使用してもよく、好ましくは、ＧａＡｓ：Ｂｅ、ＧａＡｓ：Ｓｉ、ＧａＮ：Ｍｇ、ＳｉＣ：Ｎ、ＳｉＣ：Ｐ、ＳｉＣ：Ｂ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ａｌなどが使われることができる。前記下部ドーピング層２００は、この分野において一般的に使われる方法により適切な厚さで形成されることができ、好ましくは、５０ｎｍ乃至５００ｎｍの厚さでマグネトロンスパッタリング蒸着、パルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）、または化学気相蒸着（ＣＶＤ）などの方法により形成されるものである。
【００２２】
前記下部ドーピング層２００上の所定領域に形成される発光層３００は、ｐ−ｎ接合層であって、周期律表III−Ｖ族、II−VI族、IV−IV族で構成された化合物が使われることができ、発光波長によって適宜選択されることができる。例えば、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａｌｎＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＡＩＰ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＧａＡｌＮなどが使われることができる。
【００２３】
前記発光層３００もこの分野において一般的な方法により適切な厚さで形成されることができ、好ましくは、５０ｎｍ乃至５００ｎｍの厚さで前述した成長方法により形成するものである。
【００２４】
前記発光層３００の上部に、外部から印加される電流を均一に供給するために形成され得る上部ドーピング層４００は、下部ドーピング層２００がｐ型である場合、ｎ型ドーピング層であり、下部ドーピング層２００がｎ型である場合、ｐ型ドーピング層である。例えば、ＧａＡｓ：Ｂｅ、ＧａＡｓ：Ｓｉ、ＧａＮ：Ｍｇ、ＳｉＣ：Ｎ、ＳｉＣ：Ｐ、ＳｉＣ：Ｂ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ａｌなどが使われることができる。
【００２５】
前記上部ドーピング層４００は、この分野において一般的に使われる方法により適切な厚さで形成されることができ、好ましくは、５０ｎｍ乃至５００ｎｍの厚さで前述した成長方法により形成されるものである。
【００２６】
前記発光層３００または前記上部ドーピング層４００の上部に、接触力向上のためのプラズマエッチング層５００を形成する。プラズマエッチング層５００は、前記発光層３００または上部ドーピング層４００の上部に、酸化膜、窒化膜または金属膜を１０ｎｍ以下の厚さで形成した後に、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３の単一ガスまたは混合ガスを用いてプラズマ処理を通じて部分的にエッチングし、表面粗度を増加させる。過多エッチングされて形成された酸化膜や酸化膜または金属膜が損傷されることを防止するために、前記プラズマは、前記選択されたガスを１×１０−４乃至５×１０−５ｔｏｒｒの圧力下で１０ｓｃｃｍ乃至２０ｓｃｃｍ速度で５乃至１０秒間処理する。この時に使われるプラズマのパワーは、１００Ｗ未満である。
【００２７】
一方、前記発光層３００または上部ドーピング層４００の上部に既に酸化膜や窒化膜が形成されている場合には、酸化膜または窒化膜を形成する必要なく、そのままプラズマ処理が進行されることができる。一方、金属膜は、素子の特性上、酸化膜や窒化膜の形成が容易でない場合に形成することができ、金属膜を形成した後、プラズマ処理または素子特性が劣化しない条件下で熱処理し、表面粗度を増加させることができる。
【００２８】
この時、酸化膜としては、ＳｉＯ２などが使われることができ、窒化膜としては、Ｓｉ３Ｎ４などが使われることができ、金属膜としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＮｉまたはＣｕの単一金属または合金が使われることができる。
【００２９】
また、前記プラズマ処理される膜の厚さは、１０ｎｍ以下であり、好ましくは、１乃至８ｎｍであることが好ましい。１０ｎｍを超過する場合、形成された酸化膜や窒化膜または金属膜が破壊される問題が発生することができる。
【００３０】
前記プラズマエッチング層５００の上部に、金属電極のための透明電極６００が形成される。透明電極６００は、ＩＴＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯまたはＣｕ２ＳｒＯ２の酸化物を用いて形成されることができ、または、ＣｕＩｎＯ２：Ｃａ、ＩｎＯ：Ｍｏのように酸化物にｎ型またはｐ型ドーピングしたものが用いられることができる。透明電極６００の厚さは、５０ｎｍ乃至２００ｎｍであることが好ましく、この分野において一般的に使用する方法により形成されることが好ましい。
【００３１】
図３は、本発明の一実施例に係る有機発光素子の構造を概略的に示す断面図である。
【００３２】
図３を参照すれば、本発明に係る有機発光素子の構造は、基板７００／プラズマエッチング層８００／透明電極層９００／有機層１０００／金属電極層１１００が積層されている構造である。前記有機層１０００には、発光層が含まれ、その他、透明電極層と発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層が含まれることができ、発光層と金属電極層との間に正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層が含まれることができ、その他、層間界面特性を改善させるための中間層が含まれることができる。
【００３３】
前記基板７００としては、この分野において一般的に使われる基板を使用することができ、特に透明性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板であることが好ましい。また、前記プラスチック基板としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などの高分子化合物で構成された基板が使われることができる。
【００３４】
前記基板７００の上部に、接触力向上のためのプラズマエッチング層８００を形成する。プラズマエッチング層８００は、前記基板７００の上部に酸化膜、窒化膜または金属膜を１０ｎｍ以下の厚さで形成した後に、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、ＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３の単一ガスまたは混合ガスを用いてプラズマ処理を通じて部分的にエッチングし、表面粗度を増加させる。前記プラズマは、上記で選択されたガスを１×１０−４乃至５×１０−５ｔｏｒｒの圧力下で１０ｓｃｃｍ乃至２０ｓｃｃｍ速度で５乃至１０秒間処理する。この時に使われるプラズマのパワーは、１００Ｗ未満である。
【００３５】
一方、前記基板７００の上部に既に酸化膜や窒化膜が形成されている場合には、酸化膜または窒化膜を形成する必要なく、そのままプラズマ処理が進行されることができる。一方、金属膜は、素子の特性上、酸化膜や窒化膜の形成が容易でない場合に形成することができ、金属膜を形成した後、プラズマ処理または素子特性が劣化しない条件下で熱処理し、表面粗度を増加させることができる。
【００３６】
この時、酸化膜としては、ＳｉＯ２などが使われることができ、窒化膜としては、Ｓｉ３Ｎ４などが使われることができ、金属膜としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＮｉまたはＣｕの単一金属または合金が使われることができる。
【００３７】
また、前記プラズマ処理される膜の厚さは、１０ｎｍ以下であり、１乃至８ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍを超過する場合には、形成された酸化膜や窒化膜または金属膜が破壊される問題が発生することができる。
【００３８】
前記プラズマエッチング層８００の上部には、この分野においての一般的な方法により透明電極層９００が形成される。透明電極層９００は、ＩＴＯ、ＩｎＳｎＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＮｉＯまたはＣｕ２ＳｒＯ２の酸化物を用いて形成されることができ、または、ＣｕＩｎＯ２：Ｃａ、ＩｎＯ：Ｍｏのように酸化物にｎ型またはｐ型ドーピングしたものが用いられることができる。透明電極層９００は、５０ｎｍ乃至２００ｎｍであることが好ましく、この分野において一般的に使用する方法により形成されることが好ましい。
【００３９】
次いで、透明電極層９００の上部に有機層１０００が形成される。前記有機層１０００には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層などを含むことができる。
【００４０】
前記正孔注入層は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）またはスターバースト（Starburst）型アミン類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＩＤＥ４０６（イデミツ社製材料）などで形成されることができ、正孔輸送層は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン：α−ＮＰＤ）、ＩＤＥ３２０（イデミツ社製材料）などで形成されることができる。
【００４１】
前記発光層としては、通常使われるものを使用し、特に制限されるものではなく、具体的な例として、アルミニウム錯体（例：Ａｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）−アルミニウム（tris(8-quinolinolato)-aluminium）、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑ、Ａｌｍｑ３、ガリウム錯体（例：Ｇａｑ’２ＯＰｉｖ、Ｇａｑ’２ＯＡｃ、２Ｇａｑ’２）、フルオレン（fluorene）系高分子、ポリパラフェニレンビニレンまたはその誘導体、ビフェニル誘導体、スピロポリフルオレン（spiropolyfluorne）系高分子などを利用する。
【００４２】
前記正孔抑制層は、電子輸送能力を有し、且つ発光化合物より高いイオン化ポテンシャルを有するＢＡｌｑ、ＢＣＰ、ＴＰＢＩなどを使用して形成されることができる。
【００４３】
また、電子輸送層は、Ａｌｑ３のような電子輸送物質を使用して形成されることができる。
【００４４】
電子注入層を形成する電子注入物質としては、特に制限されるものではなく、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｌｉなどが使われることができる。
【００４５】
前記有機層１０００に含まれることができる正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層または電子注入層は、真空蒸着やスピンコーティングのような方法により形成されることができ、これらの厚さは、この分野において一般的に使われる厚さで形成されることができる。
【００４６】
前記有機層１０００の上部に金属電極層１１００が形成されることができ、これらは、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などを用いて形成されることができる。形成される金属電極層１１００の厚さは、２００ｎｍ乃至３００ｎｍであることが好ましい。
【００４７】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４８】
無機発光素子の製造
Ｓｉ基板の上部にＳｉＣ：Ｂを用いてｐ型ドーピング層を２００ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下で形成した。次いで、ｐ型ドーピング層の上部にＳｉＨ４を用いて発光層を５０ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下で形成した。前記発光層の上部にＳｉＣ：Ｐを用いてｎ型ドーピング層を２００ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下に形成した。
【００４９】
前記ｎ型ドーピング層の上部にＳｉＨ４とＯ２を使用して酸化膜を７ｎｍの厚さで５００ｍＴｏｒｒの真空下で成長させる。次いで、Ａｒガスを２０ｓｃｃｍで４．６×１０−４ｔｏｒｒの圧力下でプラズマパワーを１００Ｗにし、バイアス電圧を２３０Ｖに維持しながら１０秒間ドライエッチングした。次いで、ＩＴＯを１００ｎｍの厚さで１５ｍＴｏｒｒの真空下で形成し、無機発光素子を製造した。
【実施例２】
【００５０】
有機発光素子の製造
ポリエチレンスルホン（ＰＥＳ）基板上にマグネトロンスパッタリングを使用して酸化膜を７ｎｍの厚さで１０ｍＴｏｒｒの真空下で成長させた。次いで、Ａｒガスを２０ｓｃｃｍで４．６×１０−４ｔｏｒｒの圧力下でプラズマパワーを１００Ｗにし、バイアス電圧を２３０Ｖに維持しながら１０秒間処理し、表面をエッチングした。次いで、ＩＴＯを１８０ｎｍの厚さで１５ｍＴｏｒｒの真空下で蒸着して、透明電極層を形成した。次いで、前記透明電極層の上部にＮＰＤを５０ｎｍの厚さで真空熱蒸着して、ＮＰＤ層を形成し、ＮＰＤ層の上部にＡｌｑ３を蒸着して、５０ｎｍ厚さのＡｌｑ３層を形成し、有機層を形成した。
【００５１】
前記有機層の上部にＡｌを真空熱蒸着して、金属電極を１５０ｎｍの厚さで形成し、有機発光素子を製造した。
【００５２】
前記ポリエチレンスルホン基板上にＡｒガスを用いてプラズマを処理した後、ＩＴＯを蒸着した場合の断面（ａ）、及びプラズマ処理しない状態でポリエチレンスルホン基板上にＩＴＯを蒸着した場合の断面（ｂ）のＳＥＭイメージを図４に各々（ａ）及び（ｂ）で示す。また、これらの発光イメージを図５に各々（ａ）及び（ｂ）で示す。
【００５３】
図４（ａ）に示されたように、プラズマ処理した場合、基板とＩＴＯ層の分離が生じないことを確認することができ、また、このため、図５（ａ）に示されたように、発光面の全てが非常に均一な発光特性を示すことが分かった。これに対し、図４（ｂ）に示されたように、プラズマ処理しない場合の基板とＩＴＯ層は、若干分離が生じたことを確認することができ、このため、図５（ｂ）に示されたように、局部的な発光特性を示した。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施例に係る無機発光素子の概略的な構造を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る無機発光素子の概略的な構造を示す断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例に係る有機発光素子の概略的な構造を示す断面図である。
【図４】図３の有機発光素子のプラズマ処理有無による断面を示すＳＥＭ写真である。
【図５】図３の有機発光素子のプラズマ処理有無による発光イメージを示す光学顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５５】
１００  基板
６００、９００  透明電極層  
２００  下部ドーピング層
１０００  有機層
３００  発光層
１１００  金属電極層
４００  上部ドーピング層
５００、８００  プラズマエッチング層
【図１】
2008517477.tif 000003
【図２】
2008517477.tif 000004
【図３】
2008517477.tif 000005
【図４】
2008517477.tif 000006
【図５】
2008517477.tif 000007
【国際調査報告】
2008517477.tif 000008
2008517477.tif 000009