(57)【要約】  非常に大きなガラスのエリアの上に半導電層を堆積させるためのＲＦプラズマ反応器（４０）が提供される。ＲＦプラズマ反応器は、真空チャンバ（１８）と、反応器チャンバ（２４）と、ＲＦ電源（１２）と、整合回路網（１４）と、真空チャンバの内部に位置する第１の金属板（２２）および第２の金属板（２０）と、第１の金属板および第２の金属板の間に規定されるプラズマ放電領域（３０）とを含む。ＲＦプラズマ反応器はさらに、給電ライン（２６）と、インピーダンス変換回路（４２）とを含み、その両方は第１の金属板に電気的に接続される。インピーダンス変換回路はさらに、反応器のインピーダンスを変換するブロッキングチューナブルキャパシタ（Ｃａｒ）を含む。
2008520091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦプラズマ反応器であって、
真空チャンバ（１８）と、
ＲＦ電源（１２）と、
整合回路網（１４）と、
前記真空チャンバの内部に位置する第１の金属板（２２）および第２の金属板（２０）と、
前記第１の金属板および第２の金属板の間に規定されるプラズマ放電領域（３０）と、
前記第１の金属板（２２）、前記整合回路網（１４）および前記ＲＦ電源（１２）に電気的に接続される給電素子（２６）と、
前記第１の金属板（２２）に電気的に接続されるインピーダンス変換回路（４２）とを備える、プラズマ反応器。
【請求項２】
前記インピーダンス変換回路（４２）は、前記第１の金属板（２２）に電気的に接続される変換回路給電素子（４４）と、接地に電気的に接続されるブロッキングチューナブルキャパシタとを備える、請求項１に記載のプラズマ反応器。
【請求項３】
前記真空チャンバ（１８）の内部に位置する、反応器インピーダンスを有する反応器チャンバ（２４）をさらに備え、
前記インピーダンス変換回路（４２）は、低損失インダクタを備え、前記反応器インピーダンスを中間インピーダンスに変換し、
前記給電素子（２６）は、前記中間インピーダンスをフィードスルーインピーダンスに変換し、
それによって、前記フィードスルーインピーダンスが増大される、請求項１から２に記載のプラズマ反応器。
【請求項４】
前記第１の金属板（２２）はＲＦ電源（１２）に電気的に接続され、前記第２の金属板（２０）は接地に電気的に接続され、前記インピーダンス変換回路（４２）は接地に電気的に接続される、請求項１から３に記載のプラズマ反応器。
【請求項５】
前記整合回路網（１４）は、前記真空チャンバ（１８）の外側に位置し、前記給電素子に電気的に接続され、前記ブロッキングチューナブルキャパシタは前記整合回路網（１４’）の内部に位置する、請求項１から４に記載のプラズマ反応器。
【請求項６】
前記給電素子（２６）および前記変換回路給電素子（４４）は、前記真空チャンバの内部に位置する、請求項１から４に記載のプラズマ反応器。
【請求項７】
前記プラズマ反応器はＲＦ−ＰＥＣＶＤプラズマ反応器である、請求項１から６に記載のプラズマ反応器。
【請求項８】
ＲＦプラズマ反応器であって、
真空チャンバ（１８）と、
ＲＦ電源（１２）と、
整合回路網（１４）と、
前記真空チャンバの内部に位置する第１の金属板（２２）および第２の金属板（２０）と、
前記第１の金属板および第２の金属板の間に規定される、プラズマを封じ込めるためのプラズマ放電領域（３０）と、
前記第１の金属板（２２）、前記整合回路網（１４）および前記ＲＦ電源（１２）に電
気的に接続される給電素子（２６）と、
ブロッキングキャパシタを備える、前記第１の金属板（２２）に電気的に接続されるインピーダンス変換回路（４２）とを備える、プラズマ反応器。
【請求項９】
前記真空チャンバの内部に位置する、反応器インピーダンスを有する反応器チャンバ（１６）をさらに備え、
前記インピーダンス変換回路（４２）は、低損失インダクタであって、前記反応器インピーダンスを中間インピーダンスに変換し、
前記給電素子（２６）は、前記中間インピーダンスをフィードスルーインピーダンスに変換し、
それによって、前記フィードスルーインピーダンスが増大される、請求項８に記載のプラズマ反応器。
【請求項１０】
前記インピーダンス変換回路（４２）は、前記第１の金属板（２２）に電気的に接続される変換回路給電素子（４４）と、接地に電気的に接続されるブロッキングキャパシタとを備える、請求項８から９に記載のプラズマ反応器。
【請求項１１】
前記キャパシタはブロッキングチューナブルキャパシタである、請求項８から１０に記載のプラズマ反応器。
【請求項１２】
前記給電素子（２６）はＲＦ電源（１２）に電気的に接続され、前記変換回路給電素子（４４）は接地に電気的に接続され、前記第２の金属板（２０）は接地に電気的に接続される、請求項８から１１に記載のプラズマ反応器。
【請求項１３】
前記整合回路網（１４’）は、前記真空チャンバの外側に位置し、前記給電素子（２６）に電気的に接続され、前記ブロッキングチューナブルキャパシタは前記整合回路網の内部に位置する、請求項８から１２に記載のプラズマ反応器。
【請求項１４】
前記給電素子（２６）および前記変換回路給電素子（４４）は、前記真空チャンバ（１８）の内部に位置する、請求項８から１２に記載のプラズマ反応器。
【請求項１５】
真空の中で半導電層を堆積させる方法であって、
ＲＦ電源（１２）と、真空チャンバ（１８）と、整合回路網（１４）と、前記真空チャンバの内部に位置する、反応器インピーダンスを有する反応器チャンバ（１６）と、前記真空チャンバの内部に位置する第１の金属板（２２）および第２の金属板（２０）と、前記第１の金属板および第２の金属板の間に規定される、プラズマを封じ込めるためのプラズマ放電領域（３０）と、前記第１の金属板（２２）に電気的に接続される給電素子（２６）と、前記第１の金属板（２２）に電気的に接続されるインピーダンス変換回路（４２）とを有するプラズマ反応器を提供するステップと、
前記第２の金属板（２０）の上に基板を置くステップと、
ＲＦ電力を前記プラズマに送出するステップと、
前記インピーダンス変換回路（４２）で前記反応器インピーダンスを中間インピーダンスに変換するステップと、
前記給電素子（２６）で前記中間インピーダンスをフィードスルーインピーダンスに変換するステップとを備え、それによって、前記フィードスルーインピーダンスが増大される、方法。
【請求項１６】
前記基板の上に薄膜を堆積させるステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記インピーダンス変換回路（４２）は、前記第１の金属板（２２）に電気的に接続さ
れる変換回路給電素子（４４）と、接地に電気的に接続されるブロッキングチューナブルキャパシタとを備える、請求項１５から１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ブロッキングチューナブルキャパシタは、前記整合回路網（１４’）の内部に位置する、請求項１５から１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記給電素子（２６）および前記変換回路給電素子（４４）は、前記真空チャンバ（１８）の内部に位置する、請求項１５から１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、２００４年１１月１２日に出願された米国仮特許出願番号第６０／６２７，７８４号の利益を主張する。
【０００２】
発明の分野
この発明は概して、非常に大面積のディスプレイを処理するためのＲＦ容量結合型プラズマ反応器に関する。より具体的には、この発明は、典型的には１３．５６ＭＨｚまたはそれ未満の周波数でプラズマに送出されるＲＦ電力の結合効率の改善に関する。
【背景技術】
【０００３】
発明の背景
この発明は、ディスプレイおよび太陽光線を利用する製造業のために非常に大きなガラスのエリアの上に半導電層を堆積させる際に生じた問題および要件に基づいている。しかしながら、結果として生じる解決策は他の用途に適用され得る。したがって、たとえこの発明が非常に大面積のディスプレイ処理のためのプラズマ化学気相成長（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）（ＰＥＣＶＤ）システム用のプラズマ反応器に関連して記載されるとしても、この発明はプラズマ反応器に関連する他の用途にも適用されることができる。さらに、非常に大面積のディスプレイ処理のためのＰＥＣＶＤの開発は米国特許第６，２８１，４６９号に開示され、その内容は引用によって本明細書に援用される。
【０００４】
図１は、ＰＥＣＶＤシステム用の従来の容量結合型ＲＦプラズマ反応器システム１０を示す。反応器システム１０は、ＲＦ電源１２と、整合回路網１４と、反応器チャンバ１６と、真空チャンバ１８とを含む。反応器チャンバ１６は、金属製反応器ケーシング２４に密閉されて並列に配置された２つの金属板２０、２２を含む。第１の金属板２２は給電素子２６および整合回路網１４を介してＲＦ電源１２に電気的に接続され、したがって、第１の金属板２２は帯電電極である。第２の金属板２０は接地に接続され、したがって、接地電極である。堆積プロセス中に、基板は処理のために第２の金属板２０の上に置かれる。給電素子２６は、接地シールド２８で遮蔽されており、ＲＦストリップ線路、ＲＦリボンまたはトリプレートストリップ線路などの当該技術分野において公知の任意のタイプの電気的な給電素子であり得る。プラズマ放電領域３０は、２つの金属板２０、２２の間に規定される。図１に示されるように、ＲＦ電源１２および整合回路網１４は真空チャンバ１８の外側に位置し、反応器チャンバ１６および給電素子２６は真空チャンバ１８の内部に位置する。したがって、堆積プロセスの間、ＲＦ電源１２および整合回路網１４は大気条件下にあり、反応器チャンバ１６およびＲＦ給電ライン２８は真空条件下にある。ＰＥＣＶＤプロセスにおいてプラズマを形成するために使用される典型的なガスは、窒化ケイ素ＳｉＮガスである。しかしながら、有機金属、水素化物およびハロゲン化物などの、当該技術分野において一般に公知の他のガスがこのタイプの用途において使用されてもよい。
【０００５】
図２は、ＳｉＮを堆積させる間の従来のＰＥＣＶＤシステムの単純化された等価回路を示し、従来のＲＦプラズマ反応器システム１０の不利な点を示すために使用されることになる。点線の枠は、参照番号によって示されるように、従来のＲＦプラズマ反応器システム１０の一部を表わす。堆積プロセス中に、従来のＲＦプラズマ反応器では、必要な堆積速度を達成するためおよび妥当なスループットを維持するために、無線周波数が１３．５６ＭＨｚの、数キロワットのＲＦ電力がプラズマに送出されなければならない。大面積平行板反応器におけるこのプロセスの不利な点は、典型的には５０００ｐＦよりも大きい、
非常に大きな寄生反応器キャパシタンスＣRが帯電電極２２と接地された反応器ケーシング２４との間に生じることである。したがって、給電素子２６は、典型的には３００Ａよりも大きい、非常に大きなＲＦ電流ＩFに対応できなければならない。大きなＲＦ電流は非常に幅の広いストリップ線路の構成を必要とし、これは給電素子２６の帯電ワイヤと接地シールド２８との間に第２の寄生給電ラインキャパシタンスＣFをまねく。給電ラインキャパシタンスＣFは典型的には３０００ｐＦよりも大きい。反応器キャパシタンスＣRおよび給電ラインキャパシタンスＣFは、プラズマインピーダンスＺPを、典型的には０．０５オーム未満の非常に小さな値を有するフィードスルーインピーダンスＲｅ（ＺF）に変換する。フィードスルーインピーダンスＲｅ（ＺF）は、給電素子２６が真空チャンバ１８に入る真空チャンバ１８の入口で見られるインピーダンスである。フィードスルーインピーダンスＲｅ（ＺF）は次に、典型的には４００Ａよりも大きい、より大きなＲＦ電流ＩFを作り出し、このＲＦ電流ＩFはここで整合回路網１４および給電素子２６によって適合されなければならない。その結果、ＲＦ電源によって送出された電力の大半は、整合回路網１４の損失素子ＲMおよび給電素子２６の損失素子ＲFにおいてそれぞれに損失される。したがって、このシステムの効率は低く、典型的にはηｓ＜０．３である。ゆえに、必要なプラズマ電力密度および堆積速度を達成するために、非常に大きく、高価なＲＦ電源が必要である。さらに、ガラスの大きさが増大するにつれて、プラズマ電力結合効率の効率は、ＲＦ周波数が１３．５６ＭＨｚで２０％未満の値に減少する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の問題に対処するいくつかの解決策が存在してきたが、各々はさらなる不利な点を有する。たとえば、寄生キャパシタンスＣRおよびＣFは、帯電部、すなわち帯電電極２２および給電素子２６と、接地される部分、すなわち反応器ケーシング２４および接地シールド２８との間の間隙を増大させることによって低減され得るであろう。しかしながら、この解決策の不利な点は、間隙間のプラズマが発火する可能性があるというものである。別の解決策は、反応器を水冷するというものである。しかしながら、これは真空システムにおいては困難であり、水冷はプラズマ結合効率を著しく高めることはない。
【０００７】
別の解決策は、ＲＦプラズマ反応器システム１０にインピーダンス変換回路を加えるというものである。整合回路網１４における損失素子ＲMおよび給電素子２６における損失素子ＲFを通る電力損失はそれぞれに、ＲＦ電流ＩFを減少させることによって低減されることができる。プラズマ電力を維持しながらＲＦ電流ＩFを低減させることはインピーダンス変換回路で達成されることができ、これはフィードスルーインピーダンスＲｅ（ＺF）を増大させる。理論上は、帯電電極と接地との間にインダクタを接続することはインピーダンス変換回路として十分であろう。しかしながら、１つのインダクタのみで作られるインピーダンス変換回路はいくつかの理由で実用的でない。たとえば、インダクタは低損失インダクタである必要があり、短絡から接地へのＤＣ電圧を妨げるものがなく、チューニング機能がない。
【０００８】
したがって、望まれるものは、上述の不利な点を克服する、非常に大きな基板を処理するためのＲＦ容量結合型プラズマ反応器のための実用的なインピーダンス変換回路である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
発明の簡単な概要
この発明の一局面によれば、真空チャンバと、真空チャンバの内部に位置する第１の金属板および第２の金属板と、ＲＦ電源と、整合回路網と、第１の金属板および第２の金属板の間に規定される、プラズマを封じ込めるプラズマ放電領域と、第１の金属板に電気的に接続される給電素子と、第１の金属板に電気的に接続されるインピーダンス変換回路と
を備えるプラズマ反応器が提供される。
【００１０】
この発明の別の局面によれば、真空チャンバと、ＲＦ電源と、整合回路網と、真空チャンバの内部に位置する第１の金属板および第２の金属板と、第１の金属板および第２の金属板の間に規定される、プラズマを封じ込めるためのプラズマ放電領域と、第１の金属板に電気的に接続される給電素子と、後でブロッキングキャパシタと称される絶縁キャパシタを備える、第１の金属板に電気的に接続されるインピーダンス変換回路とを備えるプラズマ反応器が提供される。
【００１１】
この発明のさらに別の局面によれば、ＲＦ電源と、真空チャンバと、真空チャンバの内部に位置する、反応器インピーダンスを有する反応器チャンバと、真空チャンバの内部に位置する第１および第２の金属板と、第１の金属板および第２の金属板の間に規定される、プラズマを封じ込めるためのプラズマ放電領域と、第１の金属板に電気的に接続される給電素子と、第１の金属板に電気的に接続されるインピーダンス変換回路とをさらに含むプラズマ反応器を提供するステップと、第２の金属板の上に基板を置くステップと、ＲＦ電力をプラズマに送出するステップと、インピーダンス変換回路で反応器インピーダンスを中間インピーダンスに変換するステップと、給電素子で中間インピーダンスをフィードスルーインピーダンスに変換するステップとを備え、それによって、フィードスルーインピーダンスが増大される、真空の中で半導電層を堆積させる方法が提供される。
【００１２】
この発明のさらなる利益および利点は、以下の詳細な明細書を読み、理解すると、この発明が関連する当業者に明らかになるであろう。
【００１３】
この発明は特定の部品および部品の構成において物理的な形状を取ってもよく、この発明の好ましい実施例については、本明細書の中で詳細に説明し、明細書の一部を形成する添付の図面に示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
発明の詳細な説明
ここで図３および図４を参照して、より実用的なインピーダンス変換回路が図３の概略図に示され、電気的等価回路が図４の概略図に示される。図３および図４において同一の、上の図１および図２に記載された構成要素はすべて、繰返されることはない。
【００１５】
図３は、この発明による、図４に示されるインピーダンス変換回路４２を有するＰＥＣＶＤシステムのための容量結合型ＲＦプラズマ反応器システム４０（以下、「変形されたＲＦプラズマ反応器システム」）を示す。インピーダンス変換回路４２は、接地シールド４６を有する変換回路給電素子４４と、チューナブルブロッキングキャパシタＣBTとを含む。
【００１６】
図４を参照して、第２の給電素子４４は、等価回路において、寄生キャパシタンスＣTと、損失素子ＲTと、低損失インダクタＬTとを有するように表わされる。変換回路給電素子４４は、真空チャンバ１８の内部に位置し、チューナブルブロッキングキャパシタＣBTを介して接地に接続される。したがって、インピーダンス変換回路４２を加えると、変形されたＲＦプラズマ反応器システム４０はここで給電素子２６と変換回路給電素子４４とを含み、その両方が第１の金属板２２に電気的に接続される。チューナブルブロッキングキャパシタＣBTは、真空チャンバ１８の外側に位置し、整合回路網１４に統合されることができ、修正された整合回路網１４’（図３）をもたらす。チューナブルブロッキングキャパシタＣBTはフィードスルーインピーダンスＲｅ（ＺF’）を増大させることができ、それによって、堆積プロセス中の総ＲＦ電流ＩF’を減少させる。さらに、チューナブルブロッキングキャパシタＣBTは、システムに出口を付けることなく２つの給電素子２６、
４４の間で電流を均衡させることができる。
【００１７】
以下の式は、電力損失に関連するインピーダンス変換回路４２の効果を示す。最初に、図１および図２に示されるように、従来のＲＦプラズマ反応器システム１０では、整合回路網１４から、インピーダンス変換回路４２を持たない給電素子２６を通って流れる電流ＩFは、波長が電極の直径よりも大きいかまたは給電ラインよりも長いＲＦ信号に関して、およそ以下のとおりである。
【００１８】
【数１】
2008520091.tif 000003
【００１９】
ここで、ＰFは整合回路網１４の出力における電力であり、損失素子ＲMおよび給電素子２６における損失素子ＲPおよびプラズマを通って損失される。整合回路網１４における損失素子ＲMおよび給電素子２６における損失素子ＲFを通って失われる電力は、以下の式によって規定される。
【００２０】
【数２】
2008520091.tif 000004
【００２１】
整合回路網１４の効率は以下によって規定される。
【００２２】
【数３】
2008520091.tif 000005
【００２３】
さらに、Ｌ型またはＴ型の整合回路網の効率は以下によって与えられる。
【００２４】
【数４】
2008520091.tif 000006
【００２５】
ここで、ＱUは集中素子の無負荷Ｑ値であり、ＱLは集中素子の負荷Ｑ値である。
図３および図４に示されるように、インピーダンス変換回路４２を加えると、整合回路網１４から給電素子２６を通って流れる電流ＩF’は、変換回路素子４４およびチューナブルブロッキングキャパシタＣBTを通って流れる電流ＩTによって部分的に補償される。ＩF’とＩTとの間の最適なバランスは、チューナブルブロッキングキャパシタＣBTによって調整されることができ、給電素子２６および整合回路網１４の損失素子（ＲF’＋ＲM）の電力損失と変換回路給電素子４４の損失素子ＲTとの間のバランスに依存する。整合回路網１４および給電素子２６ならびに変換回路給電素子４４における総損失は、波長が電極の直径よりも大きいかまたは給電ラインよりも長いＲＦ信号に関して、以下のように規定される。
【００２６】
【数５】
2008520091.tif 000007
【００２７】
電流ＩF’、ＩTが等しいようにチューナブルブロッキングキャパシタＣBTが調整される
場合、ＩF’＝ＩT＝ＩF／２である。さらに、電流ＩF’、ＩTが等しい場合および損失素子ＲM、ＲF’、ＲTおよびＲFも等しい場合、ＲM＝ＲF’＝ＲT＝ＲFである。したがって、ＩF’、ＩTが等しい場合、ＰLoss1は以下のとおりになる。
【００２８】
【数６】
2008520091.tif 000008
【００２９】
ＰLoss2は以下のとおりになる。
【００３０】
【数７】
2008520091.tif 000009
【００３１】
したがって、（インピーダンス変換回路４２のない）従来のＲＦプラズマ反応器システム１０とインピーダンス変換回路４２を有する変形されたＲＦプラズマ反応器システム４０との間の損失比率は以下のとおりである。
【００３２】
【数８】
2008520091.tif 000010
【００３３】
これらの式が示すように、（インピーダンス変換回路４２のない）従来のＲＦプラズマ反応器システム１０における損失素子ＲM、ＲFを通って失われる電力は、インピーダンス変換回路４２を有する変形されたＲＦプラズマ反応器システム４０における損失素子ＲM、ＲF’、ＲTを通って失われる電力の２倍を超える。したがって、インピーダンス変換回路４２を有する変形されたＲＦプラズマ反応器システム４０では電力損失が減少するので、（インピーダンス変換回路４２のない）従来のＲＦプラズマ反応器システム１０と同一の堆積速度を維持するためにプラズマに送出される電力を低減できる。したがって、同一の堆積速度を達成するためにより小さなＲＦ電源を使用できる。一方、同一の大きさのＲＦ電源が使用される場合には、堆積速度が増加することになり、それによって、スループットが増加する。
【００３４】
図５は、インピーダンス変換回路４２がフィードスルーインピーダンスＲｅ（ＺF’）をいかに変換し、それによって、損失素子を通って失われる電力を減少させるかを示すグラフである。従来のＲＦプラズマ反応器システム１０では、プラズマインピーダンスＺPは、反応器キャパシタンスＣRおよび反応器インダクタンスＬRによって、給電素子２６の端部に位置する反応器インピーダンスＺRに変換される。給電素子２６は次いで、反応器インピーダンスＺRを、ＺFと呼ばれるフィードスルーインピーダンスに変換する。変形されたＲＦプラズマ反応器システム４０では、プラズマインピーダンスＺPは、従来のＲＦプラズマ反応器システム１０とちょうど同じように、反応器インピーダンスＺRに変換される。しかしながら、インピーダンス変換回路４２は反応器インピーダンスＺRを中間インピーダンスＺR’に変換する。給電素子２６は次いで、中間インピーダンスＺR’を、ＺF’と呼ばれるフィードスルーインピーダンスに変換する。図５に示されるように、フィードスルーインピーダンスＺF’は、フィードスルーインピーダンスＺFよりも高い抵抗部または実数部およびフィードスルーインピーダンスＺFよりも高い誘導性リアクタンス部または虚数部の両方を有する。換言すれば、Ｒｅ（ＺF’）＞Ｒｅ（ＺF）およびＩｍ（Ｚ
F’）＞Ｉｍ（ＺF）である。より具体的には、フィードスルーインピーダンスＲｅ（ＺF’）の実数部はおよそ０．１から０．２オームであるのに対して、フィードスルーインピーダンスＲｅ（ＺF）の実数部はおよそ０．０から０．１オームである。フィードスルーインピーダンスＩｍ（ＺF’）の虚数部はおよそ１から５オームであるのに対して、フィードスルーインピーダンスＩｍ（ＺF）の虚数部はおよそ−３から１オームである。さらに、インピーダンス変換回路４２はリアクティブインピーダンスを補償するまたは位相シフトを相殺するように意図されない。しかしながら、フィードスルーインピーダンスＺFが誘導性であればあるほど、整合回路網において必要とされるインダクタンスはより少なくなる。その結果、整合回路網の質はさらに高められることができる。なぜなら、ＲＦ電力損失は、銅から作られるインダクタなどの集中素子に主に関連付けられるためである。
【００３５】
この発明の具体的な実施例が記載され、示されてきたが、これらの実施例は単に例証として与えられており、この発明はそれらに限定されるように解釈されるべきではなく、特許請求の適正な範囲によってのみ限定されるように解釈されるべきであることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来の、キャパシタが結合されたＲＦプラズマ反応器システムの概略図である。
【図２】図１の反応器システムの等価回路である。
【図３】この発明によるインピーダンス変換回路を有する、キャパシタが結合されたＲＦプラズマ反応器システムの概略図である。
【図４】図３の反応器システムの等価回路である。
【図５】図２の従来の回路と図４のインピーダンス変換回路を有する回路との間のインピーダンス変換の比較を示すグラフである。
【図１】
2008520091.tif 000011
【図２】
2008520091.tif 000012
【図３】
2008520091.tif 000013
【図４】
2008520091.tif 000014
【図５】
2008520091.tif 000015
【国際調査報告】
2008520091.tif 000016
2008520091.tif 000017
2008520091.tif 000018