(57)【要約】プラズマディスプレイの画素に属する第１電極に対して第１波形を生成し、この画素に属する第２電極に対して第２波形を生成するステップを含む方法が与えられる。第１波形は第１セットアップ波形および第１維持波形を含み、第２波形は第２セットアップ波形および第２維持波形を含む。第１および第２セットアップ波形は、画素の壁電荷を調整するセットアップ期間の間、生成され、第１および第２維持波形は、この画素の領域においてガスの放電を維持する維持期間の間、生成される。第１セットアップ波形は、第１維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達し、第２セットアップ波形は、第２維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達する。さらに、この方法を用いるプラズマディスプレイおよび制御部が与えられる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイの画素に属する第１電極に対して、第１波形を生成し、
前記画素に属する第２電極に対して、第２波形を生成する、ステップを有し、
前記第１波形は、第１セットアップ波形および第１維持波形を含み、
前記第２波形は、第２セットアップ波形および第２維持波形を含み、
前記第１および第２セットアップ波形は、前記画素の壁電荷を調整するセットアップ期間の間、生成され、
前記第１および第２維持波形は、前記画素の領域においてガスの放電を維持する維持期間の間、生成され、
前記第１セットアップ波形は、前記第１維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達し、
前記第２セットアップ波形は、前記第２維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達することを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記セットアップ期間は、前記維持期間の前に生じることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記セットアップ期間および前記維持期間は、両方とも、１フレーム内において前記画素の照度を制御する１つのサブフィールドの一部分であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記維持期間は、前記セットアップ期間の前に生じることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記維持期間は、１フレーム内において前記画素の照度を制御する第１サブフィールドの一部分であり、
前記セットアップ期間は、前記フレームにおける第２サブフィールドの一部分であり、
前記第２サブフィールドは、前記第１サブフィールドに連続することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２波形は、さらに、前記第１サブフィールドの間、前記画素の前記領域において前記ガスの初期放電を可能にするアドレス波形を含み、
前記第１波形は、さらに、前記第２サブフィールドの間、前記画素の前記領域において前記ガスの初期放電を可能にするアドレス波形を含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２セットアップ波形は、負の傾きの傾斜形状を備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１セットアップ波形は、正の傾きの傾斜形状を備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１波形は、第１ピーク・ツウ・ピーク電圧を備え、
前記第２波形は、第２ピーク・ツウ・ピーク電圧を備え、
前記第１および第２ピーク・ツウ・ピーク電圧は、互いに大略等しいことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ガスは、絶縁破壊電圧を備え、
前記第１および第２ピーク・ツウ・ピーク電圧は、前記絶縁破壊電圧の２倍に大略等しいことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
プラズマディスプレイであって、
前記プラズマディスプレイの画素に属する第１電極に対して、第１波形を生成し、
前記画素に属する第２電極に対して、第２波形を生成する、制御部を有し、
前記第１波形は、第１セットアップ波形および第１維持波形を含み、
前記第２波形は、第２セットアップ波形および第２維持波形を含み、
前記第１および第２セットアップ波形は、前記画素の壁電荷を調整するセットアップ期間の間、生成され、
前記第１および第２維持波形は、前記画素の領域においてガスの放電を維持する維持期間の間、生成され、
前記第１セットアップ波形は、前記第１維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達し、
前記第２セットアップ波形は、前記第２維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達することを特徴とする、プラズマディスプレイ。
【請求項１２】
前記セットアップ期間は、前記維持期間の前に生じることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項１３】
前記セットアップ期間および前記維持期間は、両方とも、１フレーム内において前記画素の照度を制御する１つのサブフィールドの一部分であることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項１４】
前記維持期間は、前記セットアップ期間の前に生じることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項１５】
前記維持期間は、１フレーム内において前記画素の照度を制御する第１サブフィールドの一部分であり、
前記セットアップ期間は、前記フレームにおける第２サブフィールドの一部分であり、
前記第２サブフィールドは、前記第１サブフィールドに連続することを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項１６】
前記第２波形は、さらに、前記第１サブフィールドの間、前記画素の前記領域において前記ガスの初期放電を可能にするアドレス波形を含み、
前記第１波形は、さらに、前記第２サブフィールドの間、前記画素の前記領域において前記ガスの初期放電を可能にするアドレス波形を含むことを特徴とする、請求項１５に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項１７】
前記第２セットアップ波形は、負の傾きの傾斜形状を備えることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項１８】
前記第１セットアップ波形は、正の傾きの傾斜形状を備えることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項１９】
前記第１波形は、第１ピーク・ツウ・ピーク電圧を備え、
前記第２波形は、第２ピーク・ツウ・ピーク電圧を備え、
前記第１および第２ピーク・ツウ・ピーク電圧は、互いに大略等しいことを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項２０】
前記第１および第２ピーク・ツウ・ピーク電圧は、前記絶縁破壊電圧の２倍に大略等しいことを特徴とする、請求項１９に記載のプラズマディスプレイ。
【請求項２１】
プラズマディスプレイの画素に属する第１電極に対して、第１波形を生成するモジュールと、
前記画素に属する第２電極に対して、第２波形を生成するモジュールと、を有し、
前記第１波形は、第１セットアップ波形および第１維持波形を含み、
前記第２波形は、第２セットアップ波形および第２維持波形を含み、
前記第１および第２セットアップ波形は、前記画素の壁電荷を調整するセットアップ期間の間、生成され、
前記第１および第２維持波形は、前記画素の領域においてガスの放電を維持する維持期間の間、生成され、
前記第１セットアップ波形は、前記第１維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達し、
前記第２セットアップ波形は、前記第２維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達することを特徴とする、制御部。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の開示はプラズマディスプレイに関し、さらに詳しくは、プラズマディスプレイ内の画素に属する電極に対して、画素の領域においてガスの放電の安定性を保持するように電圧を生成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイは前面平板および背面平板を含み、これらは密封され、その間のスペースは放電性ガスで充填される。前面平板は水平方向の行電極を含み、各行は走査電極とこれに平行の維持電極で構成される。走査電極および維持電極は、誘電体層およびマグネシウム酸化物（ＭｇＯ）層で覆われる。背面平板は、垂直方向の隔壁および複数の垂直方向の列導体を支える。カラーディスプレイでは、個々の列電極は、赤、緑、または青（ＲＧＢ）の蛍光体で覆われる。画素は、（ｉ）走査電極および維持電極と、（ｉｉ）各色に対応する３つの列導体と、の交点にもっとも近い領域として範囲を定められる。白黒ディスプレイでは、各画素に対して１つの列導体が用いられ、蛍光体の組み合わせを使用することにより白黒画が達成される。ガスを放電させるのに十分な大きさの電圧が、一団のガス全体に与えられ、その時紫外線（ＵＶ）が励起され、続いて蛍光体により可視光が放出される。ガスが放電し、ガスの原子が励起され、原子が緩むと、原子はＵＶ光子を放出し、次には蛍光体を励起する。
【０００３】
プラズマディスプレイは、動作状態において、１フレーム期間をサブフィールドに分割し、各サブフィールドは、各画素に適切な輝度を達成するのに必要な光量の一部分を生成する。各サブフィールドは、セットアップ期間、アドレス期間、および維持期間に分割される。維持期間は、さらに複数の維持サイクルに分割される。
【０００４】
セットアップ期間は、オン画素をオフ状態にリセットし、ガスおよびＭｇＯ表面にプライミングを与えることにより、後続するアドレス指定を可能にする。セットアップ期間では、画素に属する電極の各内側表面は、ガスの放電開始電圧に非常に接近した電圧に置かれる。
【０００５】
維持電極は、アドレス期間の間、共通の電位に駆動される。一方、走査電極は、画素の行が選択されるように駆動されることで、垂直列電極上に与えられるデータ電圧によりアドレス放電が引き起こされ、その行内の画素がアドレス指定される。したがって、各行は、アドレス期間の間、順次アドレス指定され、所望の画素をオン状態に置く。
【０００６】
維持期間の間、共通の維持パルスがすべての走査電極に与えられ、アドレス期間の間、アドレス指定された各画素において、プラズマ放電が繰り返し生成される。すなわち、アドレス期間の間、画素がオンされると、その画素は、所望の輝度を生成するように、維持期間において繰り返し放電される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
隣接した電極間のスペースの大きさおよび電極の全体の幅は、画素の放電容量に影響し、次には放電電力に影響し、それゆえ輝度に影響する。各放電があるレベルの輝度を与え、それゆえ所定期間内の放電数が、表示される映像全体の輝度の必要条件に合致するように選ばれる。
【０００８】
画素内の電極の内側表面電圧を精密に制御するセットアップ動作に対して、傾斜形状波形が用いられる。傾斜形状の傾きによりガス絶縁破壊の限度を超え、弱い正の抵抗放電を引き起こし、ちょうどガス絶縁破壊電圧未満に電圧を低下させる。画素に属する３電極トポロジーにおいて、３つの電極すべてについて一様にセットアップすることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
プラズマディスプレイの画素に属する第１電極に対して、第１波形を生成し、画素に属する第２電極に対して、第２波形を生成する、ステップを含む方法が与えられる。第１波形は、第１セットアップ波形および第１維持波形を含み、第２波形は、第２セットアップ波形および第２維持波形を含む。第１および第２セットアップ波形は、画素の壁電荷を調整するセットアップ期間の間、生成され、第１および第２維持波形は、画素の領域においてガスの放電を維持する維持期間の間、生成される。第１セットアップ波形は、第１維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達し、第２セットアップ波形は、第２維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達する。さらに、この方法を用いるプラズマディスプレイおよび制御部が、与えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
プラズマディスプレイ内の画素は、その前面電極が代表的には等しい幅を有するので、本質的に対称的な属性を備え、電極を分割する維持ギャップに関して対称的である。前面電極および背面電極間のギャップは一定であり、それゆえ、背面電極に対する各前面電極の電圧関係は本質的に対称的である。画素を駆動する技術は、ここで説明されるように、電極の対称的特質が、画素に対するセットアップ動作の間、安定したガス放電を与えることを巧みに利用する。
【００１１】
図１は、プラズマディスプレイ１００の一部分の説明図である。プラズマディスプレイ１００は、前面基板１０３、電極Ａ、電極Ｂ、誘電体層１０５、蛍光体表面１１０、データ電極１１５、背面基板１２０、および制御部１０４を含む。電極ＡおよびＢは、前面基板１０３上に配置される。誘電体層１０５は、電極ＡおよびＢを覆う。ＭｇＯ層（図示されない）は、誘電体層１０５上に堆積する。データ電極１１５は、背面基板１２０上に配置される。蛍光体表面１１０は、データ電極１１５を覆う。誘電体層１０５および蛍光体表面１１０間のスペースは、代表的にはキセノンおよびネオンガスを有する放電性混合ガスで満たされる。画素１０２は、電極Ａ、電極Ｂ、およびデータ電極１１５の交点にもっとも近い領域として範囲を定められる。
【００１２】
誘電体層１０５を覆うＭｇＯ層は、ガスがなだれ的に放電するのに必要な二次電子放出を与えることにより、ガスの放電を支援する。加えてＭｇＯは、放電活動後の長期間の間、低速レートで電子を放出する。この放出は、プラズマディスプレイをアドレス指定する助けとなる。
【００１３】
画素１０２は、電気容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、およびＣ５のように、図１に示されるいくつかの電気容量を含む。これらの電気容量自体は、実際の部品ではなく、画素１０２の形状の結果として生じる容量特性である。電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３は、強いガス放電の間、小さな抵抗となる。
【００１４】
電気容量Ｃ１およびＣ２は、誘電体層１０５表面と蛍光体表面１１０との間の電気容量を表す。電気容量Ｃ４は、電極Ａと誘電体層１０５表面との間の電気容量を表す。電気容量Ｃ５は、電極Ｂと誘電体層１０５表面との間の電気容量を表す。電気容量Ｃ４およびＣ５は、電気容量Ｃ１およびＣ２よりもそれぞれ大きい値を有する。本説明では、電気容量Ｃ４およびＣ５全体の電圧降下は、無視できる大きさと見なされる。したがって、本説明では、電極Ａ上の電圧は、Ｃ１の上端における電圧と同一であると見なされる。電極Ｂ上の電圧は、電気容量Ｃ２の上端における電圧と同一であると見なされる。電気容量Ｃ３は、ガス内における電極Ａおよび電極Ｂ間の電気容量を表す。
【００１５】
ガスは、絶縁破壊電圧を有する。一団のガス全体の電圧が絶縁破壊電圧を超える場合、ガスは放電する。ガス全体の電圧の大きさに依存して、放電は、弱い正の抵抗放電または強い負の抵抗放電のいずれか一方となる。
【００１６】
一団のガス全体に与えられる電圧が、絶縁破壊電圧よりも若干大きいにすぎない場合、弱い正の抵抗放電が生じる。弱い正の抵抗放電の間、ガスは抵抗特性を保持し、電圧が絶縁破壊電圧よりもわずかに小さいレベルに低下するまで、放電は持続する。したがって、放電が終了する場合、ガス全体の電圧は、絶縁破壊電圧よりもわずかに小さい。
【００１７】
一団のガス全体に与えられる電圧が、ガス放電電圧よりも若干以上に大きい場合、強い負の抵抗放電が生じる。強い負の抵抗放電の間、ガスの抵抗は非常に低くなり、ガス全体の電圧はすべて消散する。したがって、強い負の抵抗放電は、アバランシェ型の放電になる。
【００１８】
ガスは放電可能であるため、電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３全体で得ることが可能な最大電圧は、ガスの絶縁破壊電圧である。例えば、電気容量Ｃ１全体の電圧が絶縁破壊電圧を少量だけ超える場合、正の抵抗放電が生じ、電気容量Ｃ１全体の電圧を絶縁破壊電圧に、または絶縁破壊電圧よりもわずかに下方に低下させる。同様に、電気容量Ｃ２またはＣ３のいずれか一方の容量全体で絶縁破壊電圧を少量だけ超える場合、正の抵抗放電は、それぞれ電気容量Ｃ２またはＣ３全体の電圧を絶縁破壊電圧に、または絶縁破壊電圧よりもわずかに下方に低下させる。しかしながら、電気容量Ｃ１、Ｃ２、またはＣ３のいずれか一つの容量全体の電圧が十分な量だけ超えられる場合、強い負の抵抗放電が生じ、電圧を３つの電気容量全体にわたってゼロに低下させる。
【００１９】
電極Ａおよび電極Ｂは、電気容量Ｃ３全体にわたって弱い正の抵抗放電を生み出すように駆動される一方、電気容量Ｃ１およびＣ２全体には放電活動をほとんど生み出さない。これは、ピーク・ツウ・ピーク電圧に大略等しく極性が反対の電圧波形を、電極ＡおよびＢに与えることにより、達成される。誘電体層１０５は、電極Ａに隣接した誘電体領域ＤＡと、電極Ｂに隣接した誘電体領域ＤＢとを備える。電気容量Ｃ３全体にわたる弱い正の抵抗放電は、電気容量Ｃ３全体の電圧がガスの絶縁破壊電圧よりも若干低くなるように、誘電体領域ＤＡおよび誘電体領域ＤＢ上の電荷を調整する。同様に、誘電体領域ＤＡおよびＤＢを蛍光体表面１１０に参照付けるために、わずかな放電活動が電気容量Ｃ１およびＣ２全体にわたって必要となる。すなわち、データ電極１１５が固定電圧の状態で、電極Ａは電気容量Ｃ１およびＣ３全体にわたって弱い正の抵抗放電を生み出すように駆動され、電極Ｂは電気容量Ｃ２およびＣ３全体にわたって弱い正の抵抗放電を生み出すように駆動される。電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３のそれぞれ全体の電圧がガス絶縁破壊電圧に接近している状態で、データ電極１１５に与えられるアドレス電圧は、アドレス指定動作の間、最小限にされることができる。電気容量Ｃ３全体にわたって弱い正の抵抗放電を生み出す最小ピーク・ツウ・ピーク電圧は、代表的には、電気容量Ｃ１およびＣ２全体の絶縁破壊電圧の２倍よりも若干大きい。これは、電極Ａが行選択に用いられる場合、特に重要である。なぜならば、強いアドレス放電が、蛍光体表面１１０と選択された行との間の弱い放電により引き起こされるからである。いったんアドレス放電が引き起こされると、強い負の抵抗放電は、３つの電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３全体の電圧を激減させる。
【００２０】
制御部１０４は、モジュール１０６およびモジュール１０８を含む。モジュール１０６は電極Ａに対して電圧波形を生成し、モジュール１０８は電極Ｂに対して電圧波形を生成する。制御部１０４の動作は、図２ないし５に関連して、さらに詳細に以下で説明される。各図２ないし５は、電極ＡおよびＢに対して制御部１０４により生成される波形群のグラフである。
【００２１】
「モジュール」という用語は、ここでは、スタンドアロンの要素として、または複数の従属的な要素の統合された構成として、具現化される機能的動作を示すために用いられる。制御部１０４、およびモジュール１０６、１０８は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはこれらの組み合わせのいずれかで、実装されることが可能である。
【００２２】
図２は、２つのサブフィールド、すなわちサブフィールド１およびサブフィールド２を含む波形のグラフである。サブフィールド１およびサブフィールド２のそれぞれは、セットアップ期間、アドレス期間、および維持期間を含む。サブフィールド１に対して、これらの期間は、セットアップ１、アドレス１、および維持１と呼ばれる。サブフィールド２に対して、これらの期間は、セットアップ２、アドレス２、および維持２と呼ばれる。
【００２３】
電極Ａに対する波形は、電圧Ｖａ、Ｖｂ、およびＶｃに達する。電極Ｂに対する波形は、電圧Ｖｄ、Ｖｅ、およびＶｆに達する。電圧Ｖａ、Ｖｂ、およびＶｃは、電気容量Ｃ１の底部における蛍光体表面１１０上の点に参照付けられ、電圧Ｖｄ、Ｖｅ、およびＶｆは、電気容量Ｃ２の底部における蛍光体表面１１０上の点に参照付けられる。電圧Ｖａ、Ｖｂ、およびＶｃは、それぞれ電圧Ｖｄ、Ｖｅ、およびＶｆに大略等しい。したがって、電極Ａおよび電極Ｂに与えられるピーク・ツウ・ピーク電圧は、互いに大略等しい。すなわちＶａ−Ｖｃは、Ｖｄ−Ｖｆに大略等しい。その上、各ピーク・ツウ・ピーク電圧、すなわち、Ｖａ−ＶｃおよびＶｄ−Ｖｆは、ガスの絶縁破壊電圧の２倍に大略等しい。
【００２４】
制御部１０４は、セットアップ１の間、電極Ｂに対して負の傾きを有する傾斜形状を生成する一方、電極Ａに対して比較的高いレベルを生成する。傾斜形状は、電圧Ｖeから最大負電圧Ｖｆに横切る。電極Ａに対して生成されるレベルは、電圧Ｖａにある。このような波形構成により、傾斜形状の終端で、ガスの一団内における電気容量Ｃ３全体の電圧が、ガスの絶縁破壊電圧、またはその近傍にあるように、電極Ａおよび電極Ｂ間で弱い正の抵抗放電が生成される。加えて、電気容量Ｃ１全体の電圧が、電気容量Ｃ１全体にわたるガスの絶縁破壊電圧に接近するかまたは若干超えるように、電極Ａ上の最大正電圧Ｖａが選ばれる。同様に、電気容量Ｃ２全体の電圧が、電気容量Ｃ２全体にわたるガスの絶縁破壊電圧に接近するかまたは若干超えるように、電極Ｂに与えられる最大負電圧Ｖｆが選ばれる。したがってセットアップ１の終端において、電極Ａ上の電圧がＶａから正に増加する場合、電流が電極Ａから流れ出るとともに、放電活動が電気容量Ｃ１およびＣ３全体にわたって生じる。同様に、電極Ｂ上の電圧がＶｆから負に増加する場合、電流が電極Ｂに流れ込むとともに、放電活動が電気容量Ｃ２およびＣ３全体にわたって生じる。したがってＶａは電極Ａが放電活動を防止する上限であり、Ｖｆは電極Ｂが放電活動を防止する下限である。
【００２５】
制御部１０４は、アドレス１の間、電極Ａに対して電圧Ｖａを保持し、電極Ｂに対して行選択パルス２０５を生成する。データ電圧（図示されない）が、行選択パルス２０５に一致するデータ電極１１５に与えられる場合、すなわち、画素１０２がアドレス指定される場合、強い負の抵抗放電が電気容量Ｃ２全体にわたって形成され、電気容量Ｃ３全体に拡大する。その結果、電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３全体の電圧は激減し、電気容量Ｃ４およびＣ５は充電される。電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３がガス放電により短絡されると、電気容量Ｃ４およびＣ５は、電圧ＶａおよびＶｆ間で容量分割器を形成し、それぞれ電圧ＶｂおよびＶｅに接近したレベルに到達する。したがって、制御部１０４は、アドレス１の間、電極Ｂに対してアドレス波形を生成し、サブフィールド１の間、画素１０２の初期ガス放電を可能にする。
【００２６】
制御部１０４は、維持１の間、各電極ＡおよびＢに対して複数の維持パルスを生成する。電極Ａに対する維持パルスは、最大正電圧Ｖａおよび最大負電圧Ｖｂに到達する。電極Ｂに対する維持パルスは、最大正電圧Ｖｅおよび最大負電圧Ｖｆに到達する。アドレス１の間、画素１０２がアドレス指定される場合、電極ＡおよびＢ上の維持パルスは、維持１の間、画素１０２の領域においてガスを繰り返し放電させる。
【００２７】
絶縁破壊電圧よりも大きい電圧をガス全体に与えることにより、ガス放電が引き起こされるため、維持パルスの大きさは事実上絶縁破壊電圧により制限される。セットアップ１が電極Ａ上に正の境界を確立するから、維持１の間、電極Ａに与えられる維持パルスは、電圧レベルＶａに大略等しい、またはＶａ未満の電圧に制限され、電気容量Ｃ１が誤って放電することを防止する。アドレス指定されなかったオフ画素は、維持期間の間、オフ状態のままである必要がある。これは、セットアップ動作の間、確立された限界が超えられなかった場合、保証される。同様に、維持１の間、電極Ｂの低レベルはレベルＶｆに制限され、電気容量Ｃ２が誤って放電することを防止する。
【００２８】
制御部１０４は、セットアップ２の間、電極Ａに対して負の傾きを有する傾斜形状を生成する一方、電極Ｂに対して比較的高いレベルを生成する。傾斜形状は、電圧Ｖｂから最大負電圧Ｖｃに横切る。電極Ｂに対して生成されるレベルは、電圧Ｖｄにある。この波形構成は、傾斜形状の終端で、ガスの一団内における電気容量Ｃ３全体の電圧がガスの絶縁破壊電圧、またはその近傍にあるように、電極Ａおよび電極Ｂ間に弱い正の抵抗放電を生成する。したがって、電極Ａは負の境界レベルに調整され、一方、電極Ｂは正の境界レベルに調整される。電極Ａは上限にセットアップされるのではなく電圧Ｖｃの下限にセットアップされ、電極Ｂは下限にセットアップされるのではなく電圧Ｖｄの正の限界にセットアップされる。その他のセットアップ２の動作は、セットアップ１と同様である。したがって、セットアップ１およびセットアップ２が実行された後、電極Ａおよび電極Ｂの両方の動作範囲が定められ、データ電極１１５を覆う蛍光体表面１１０が、電極Ａおよび電極Ｂの両方に参照付けられる。さらに、セットアップ２における波形構成は、アドレス２に対して画素１０２を準備する。さらに具体的には、画素１０２が維持１の間、オンであった場合、セットアップ２における波形は、画素１０２をオフ状態に戻し、画素１０２がアドレス１の間、アドレス指定されなかった場合、それゆえ維持１の間、オンでなかった場合、画素１０２は、電極Ａ上の下降傾斜形状により、セットアップ１に比べて逆の境界にセットアップされる。
【００２９】
制御部１０４は、アドレス２の間、電極Ａに対して行選択パルス２１０を生成する。データ電圧（図示されない）が、行選択パルス２１０に一致するデータ電極１１５に与えられる場合、すなわち、画素１０２がアドレス指定される場合、強い負の抵抗放電がＣ１全体にわたって形成され、電気容量Ｃ３全体に拡大する。その結果、電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３全体の電圧は激減し、電気容量Ｃ４およびＣ５は充電される。したがって、制御部１０４は、アドレス２の間、電極Ｂに対してアドレス波形を生成し、サブフィールド２の間、画素１０２の初期ガス放電を可能にする。
【００３０】
制御部１０４は、維持２の間、各電極ＡおよびＢに対して複数の維持パルスを生成する。電極Ａに対する維持パルスは、最大正電圧Ｖｂおよび最大負電圧Ｖｃに到達する。電極Ｂに対する維持パルスは、最大正電圧Ｖｄおよび最大負電圧Ｖｅに到達する。画素１０２がアドレス１の間アドレス指定された場合、電極ＡおよびＢ上の維持パルスは、維持１の間、画素１０２の領域においてガスを繰り返し放電させる。
【００３１】
ここで留意すべきは、維持２における維持パルスの数が、維持１における維持パルスの数に、必ずしも等しくないことである。これは、異なるサブフィールドには異なる照度レベルが望ましく、ガス放電の数が所望の照度レベルに直接比例するからである。例えば、表示される映像の強弱に依存して、いくつかのサブフィールドは、比較的高い照度レベル、それゆえ比較的多数のガス放電を与えることが必要とされる。一方、他のサブフィールドは、比較的低い照度レベル、それゆえ比較的少数のガス放電を与えることが必要とされる。
【００３２】
図２には示されないが、電極ＡおよびＢに対する波形は、追加のサブフィールドを含む。奇数番目のサブフィールド、例えばサブフィールド３（図示されない）、に対するセットアップ期間における波形は、セットアップ１に対して示される波形と同様であり、偶数番目のサブフィールド、例えばサブフィールド４（図示されない）、に対するセットアップ期間における波形は、セットアップ２に対して示される波形と同様である。したがって、連続するサブフィールドにおいて、セットアップ１の波形は、セットアップ２の波形と交互に発生し、誘電体表面１０５を覆うＭｇＯ層（図示されない）を準備する各セットアップ期間において弱い正の抵抗放電を与え、画素１０２のアドレス指定能力を増進する。
【００３３】
電極Ａに対して、セットアップ１のセットアップ波形は、維持２における維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達する。すなわち、Ｖａは、Ｖｂよりもさらに正側にある。電極Ｂに対して、セットアップ１のセットアップ波形は、維持２における維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達する。すなわち、Ｖｆは、Ｖｅよりもさらに負側にある。その上、セットアップ１の波形は、セットアップ２の波形と交互に発生するから、電極Ａに対して、セットアップ３（図示されない）のセットアップ波形が、維持２における維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達し、電極Ｂに対して、セットアップ３のセットアップ波形が、維持２における維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達する。ここで留意すべきは、維持２およびセットアップ３の波形の比較に関して、維持２は、セットアップ３の前に生じることである。
【００３４】
上述したように、電極ＡおよびＢのセットアップは、従来例のセットアップ技術に対していくつかの有利な点を備える。第１番目には、両電極における正の境界および負の境界間のスイッチング動作は、内部電気容量の電圧の範囲をより良好に定め、ピーク電圧をより低くする結果、セットアップ放電により生成される背景輝度を低下させる効果がある。さらに、より低いピーク電圧は、パネルの誘電体材料の電圧要求を低下させる。第２番目には、各下降傾斜形状のセットアップは、各アドレス期間に先行する下降傾斜形状の間、ＭｇＯ層に弱い放電を与え、これによりアドレス指定能力が改善する。第３番目には、Ｃ３全体にわたる維持ギャップ放電を促進し、Ｃ１およびＣ２全体にわたる平板ギャップ放電を抑制することにより、傾斜形状による正の抵抗放電の安定性は増進する。維持ギャップ両表面がＭｇＯ層により覆われると、維持ギャップ放電はさらに安定化する。セットアップ動作に対して下降傾斜形状を用いれば、データ電極を覆う蛍光体表面が、下降傾斜形状を供給している間、陽極として動作するので、有利になる。通常の蛍光体材料は、無視できるほど低い二次電子放出特性を有し、したがって蛍光体は、正の抵抗放電に対して貧弱な陰極となる。しかしながら、蛍光体が陽極に利用される場合、正の抵抗放電が過度に成長し、不安定なアバランシェ型になることはほとんどありえない。アバランシェ型のセットアップ放電は、結果的に負の抵抗放電にし、次にはガス全体の電圧をゼロに低下させ、アドレス指定動作に関係なく画素を事実上オン状態にするため、望ましくない。最後に、同一の回路および電圧が各電極側に与えられ、電源の簡単化を可能にする。
【００３５】
図３は、サブフィールド１が、２つのセットアップ期間、１つのアドレス期間、および１つの維持期間、すなわち、それぞれセットアップ１Ａ、セットアップ１Ｂ、アドレス１、および維持１を含む波形のグラフである。サブフィールド２は、セットアップ期間、アドレス期間、維持期間、すなわち、それぞれセットアップ２、アドレス２、および維持２を含む。図２のように、（ｉ）電極Ａに対する波形は、電圧Ｖａ、Ｖｂ、およびＶｃに達し、（ｉｉ）電極Ｂに対する波形は、電圧Ｖｄ、Ｖｅ、およびＶｆに達し、（ｉｉｉ）電圧Ｖａ、Ｖｂ、およびＶｃは、それぞれ電圧Ｖｄ、Ｖｅ、およびＶｆに大略等しい。
【００３６】
制御部１０４は、セットアップ１Ａの間、電極Ａに対して電圧Ｖａを生成し、電極Ｂに対して負の傾きを有する傾斜形状を生成する。傾斜形状は、電圧Ｖeから最大負電圧Ｖfに横切る。セットアップ１Ａは、フレームの始まりにおけるサブフィールド１において、フレームごとに１回だけ生じ、電極ＡおよびＢに対して境界レベルにセットアップする。ここで、電極Ａは正の境界に調整され、電極Ｂは負の参照境界に調整される。電極Ｂ上の負の傾きが、電気容量Ｃ２に対して最小動作点の限界を定めるから、正および負の境界レベルにセットアップすることにより、画素１０２の動作範囲は十分に明確にされ、正の境界レベルでの動作時に、電気容量Ｃ２がその絶縁破壊電圧に接近かつ絶縁破壊電圧未満で動作することを確実にする。
【００３７】
制御部１０４は、セットアップ１Ｂの間、電極Ａに対して負の傾きを有する傾斜形状を生成し、電極Ｂに対して電圧Ｖｄを生成する。傾斜形状は、電圧Ｖｂから最大負電圧Ｖｃに横切る。この波形構成は、傾斜形状の終点で、ガスの一団内における電気容量Ｃ３全体の電圧がガスの絶縁破壊電圧にあるかまたは絶縁破壊電圧に近いように、電極Ａおよび電極Ｂ間に弱い正の抵抗放電を生成する。したがって、画素１０２は、アドレス２に対してセットアップされる。
【００３８】
制御部１０４は、アドレス１の間、電極Ａに対して行選択パルス３０５を生成し、電極Ｂに対して電圧Ｖｄを保持する。データ電圧（図示されない）が、行選択パルス３０５に一致するデータ電極１１５に与えられる場合、すなわち、画素１０２がアドレス指定される場合、強い負の抵抗放電がＣ１全体にわたって形成され、電気容量Ｃ３全体に拡大し、その結果、電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３全体の電圧を激減させる。放電電流は電極Ｂから電極Ａに流れるので、電気容量Ｃ３が放電の間、非常に低い抵抗のまま、電気容量Ｃ４およびＣ５は、電極Ａおよび電極Ｂ間のキャパシタ分割器を介して充電される。電気容量Ｃ４およびＣ５上の電荷は、画素１０２に対してオン状態を定める。ここで留意すべきは、放電後のオン状態において、各表面上の内側電圧は、電極Ａ上の電圧Ｖｂおよび電極Ｂ上のＶｅに接近し、したがってＶｂはＶｅに接近または等しいことである。
【００３９】
制御部１０４は、維持１の間、各電極ＡおよびＢに対して複数の維持パルスを生成する。電極Ａに対する維持パルスは、最大正電圧Ｖｂおよび最大負電圧Ｖｃに到達する。電極Ｂに対する維持パルスは、最大正電圧Ｖｄおよび最大負電圧Ｖｅに到達する。画素１０２がアドレス１の間アドレス指定される場合、電気容量Ｃ４およびＣ５上の電荷は、維持１の間、電極ＡおよびＢ上の維持パルスにより供給される電圧に加算され、画素１０２の領域において繰り返し放電させる。
【００４０】
制御部１０４は、セットアップ２、アドレス２、および維持２において、それぞれセットアップ１Ｂ、アドレス１、および維持１と同様な波形を生成する。セットアップ１Ｂは、あらゆるオン画素の電気容量Ｃ４およびＣ５から電荷を除去し、アドレス指定に備えて電気容量Ｃ１、Ｃ２、およびＣ３上に電荷を戻す。その上、図３には示されないが、電極ＡおよびＢに対する波形は、追加のサブフィールドを含む。制御部１０４は、各追加サブフィールドに対して、セットアップ１Ｂ、アドレス１、および維持１と同様な波形を生成するが、維持パルスの数は代表的には一つの維持期間と別の維持期間で変化する。
【００４１】
電極Ａに対して、セットアップ１Ａのセットアップ波形は、維持１および維持２における維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達する。すなわち、Ｖａは、Ｖｂよりもさらに正側にある。電極Ｂに対して、セットアップ１Ａのセットアップ波形は、維持１および維持２の維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達する。すなわち、Ｖｆは、Ｖｅよりもさらに負側にある。
【００４２】
図３において、電極Ａに与えられるピーク・ツウ・ピーク電圧と、電極Ｂに与えられるピーク・ツウ・ピーク電圧は、互いに大略等しい。すなわちＶａ−Ｖｃは、Ｖｄ−Ｖｆに大略等しい。加えて、セットアップ１Ａの間、電極Ｂ上の負の傾斜形状は、電極Ｂがセットアップ１Ｂにおいて電圧Ｖｄに駆動される場合、電極Ｂおよびデータ電極１１５間におけるガス全体の電圧がその最大値近くになるように、電極Ｂにバイアスをかける。したがって電極Ａおよび電極Ｂのそれぞれに与えられるピーク・ツウ・ピーク電圧は、Ｃ１全体のガス絶縁破壊電圧の２倍に接近する。さらに、セットアップ１Ａにおいて電極Ａ上への電圧Ｖａの供給は、電極Ａが電圧Ｖａに駆動される場合、電極Ａおよびデータ電極１１５間におけるガス全体の電圧が、電気容量Ｃ１全体のガス絶縁破壊電圧に接近または若干上回るように、電極Ａにバイアスをかける。電極Ａが行選択に対して用いられるから、図３の波形が、電極Ａのピーク・ツウ・ピーク電圧、すなわち、Ｖａ−Ｖｃを、電気容量Ｃ２全体にわたるガスの絶縁破壊電圧の２倍よりも大きくすることが望ましい。その結果、弱い正の抵抗放電が、セットアップ１Ｂにおける下降傾斜形状上において生じる。電極ＡおよびＢに与えられるピーク・ツウ・ピーク電圧は、電気容量Ｃ１およびＣ２を蛍光体表面１１０に参照付け、電極Ｂ上の負の傾斜形状が電極Ｂの最大負電圧に到達することと電極Ａに最大正電圧を与えることの同時発生により、蛍光体表面１１０への参照付けを保持した状態で、電極ＡおよびＢに対して境界電圧を正確に調整する。したがって、セットアップ１Ａおよびセットアップ１Ｂにおけるセットアップ放電はさらに安定し、負の傾斜形状を電極Ｂに与えないことに比べて、弱い正の抵抗放電が電気容量Ｃ３全体にわたって支配的に生じるから、電圧Ｖａはかなり低下する。
【００４３】
図３の波形は、片方の電極側のアドレス指定を与え、誘電体表面１０５を覆うＭｇＯ層（図示されない）にプライミングを与えるため、１系統で全部のセットアップを実行する能力を与える。一方、後続するセットアップ期間は、画素１０２をオン状態からオフ状態に戻すだけであり、したがって背景発光は減少する。
【００４４】
図４では、制御部１０４は、セットアップ１Ａにおいて、電極Ａに対して正の傾きの傾斜形状、および電極Ｂに対して負の傾きの傾斜形状を生成する。それ以外、図４は、図３と同様な波形を示す。ピーク・ツウ・ピーク電圧が、セットアップ放電の間、放電活動を増加させる目的で、電極Ｂよりも電極Ａに対して高くする場合、この波形構成は望ましい。増加する放電活動は、フレーム期間の間、ゆっくりと減衰するＭｇＯ材料の励起を増加させる。多くのサブフィールドが放電を含まない場合、ＭｇＯ表面の増加する放出は、アドレス期間の間、行選択に対して電極Ａが用いられるから、後半のサブフィールドにおけるアドレス指定を改善し、したがって放出の増加により利益を得る。
【００４５】
図４のセットアップ１Ａにおいて、電極ＡおよびＢに対する傾斜形状は、同時発生するか、または互いにずれて発生することができる。さらに、これらの傾斜形状の極性は正反対であり、傾き度合いは同じであっても異なってもよい。
【００４６】
電極Ａに対して、セットアップ１Ａのセットアップ波形は、維持１および維持２の維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達する。すなわち、Ｖａは、Ｖｂよりもさらに正側にある。電極Ｂに対して、セットアップ１Ａのセットアップ波形は、維持１および維持２の維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達する。すなわち、Ｖｆは、Ｖｅよりもさらに負側にある。
【００４７】
図５では、（ｉ）制御部１０４は、維持期間において電極Ａ対して、電圧Ｖｂではなく最大正電圧Ｖｇを有し、Ｖｃではなく最大負電圧Ｖｈを有する維持パルスを生成する。（ｉｉ）制御部１０４は、セットアップ１Ｂ、アドレス１、セットアップ２、およびアドレス２において電極Ｂに対して、電圧Ｖｄではなく電圧Ｖｉを生成する。それ以外、図５は、図３と同様な波形を示す。Ｖｃ＜Ｖｈ＜Ｖｂ＜Ｖｇ＜Ｖａ、およびＶｅ＜Ｖｉ＜Ｖｄである。したがって、図３の波形に比較して、電極Ｂ上の電圧は、セットアップおよびアドレス期間の間、低下することにより、電極Ａ上の下降傾斜形状の結果として生じる放電活動を弱める。これは、先行する維持期間からのオン画素をオフすることに起因する。
【００４８】
電極Ａに対して、セットアップ１Ａのセットアップ波形は、維持１および維持２の維持波形の最大正電圧よりもさらに正側の電圧に達する。すなわち、Ｖａは、Ｖｇよりもさらに正側にある。電極Ｂに対して、セットアップ１Ａのセットアップ波形は、維持１および維持２の維持波形の最大負電圧よりもさらに負側の電圧に達する。すなわち、Ｖｆは、Ｖｅよりもさらに負側にある。
【００４９】
先行する図に示すように、電極Ａの限界はＶａおよびＶｃであり、電極Ｂの限界はＶｄおよびＶｆである。一方、電極Ｂは、維持期間の間、その上限に達する。電極Ａの維持パルスは、ＶａおよびＶｃの限界以内で動作するが、負の限界がＶｃから電圧Ｖｈになるように上に移動される。この技術は、最初の維持放電に対して供給電圧を増加するように規定された限界を用い、弱いアドレス放電の後、最初の維持放電をゆっくりとしたまたは弱い状態にすることができる。したがって、動作マージンは改善される。
【００５０】
図２ないし５では、サブフィールドにおける各期間の相対的持続期間は、寸法が描かれていない。その上、実際には、維持期間の持続期間、および維持期間において生じる維持パルスの数は、図２ないし５で示されるよりも多い。
【００５１】
ここで説明された技術は代表例であり、本発明上にいかなる特定の制限も伴うと解釈されるべきではない。当然のことながら、種々の代替案、組み合わせ案、および修正案が、当業者により考案されるだろう。本発明は、添付された請求項の範囲内に入るようなすべての代替案、修正案、および変化案を包含するように意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】プラズマディスプレイの一部分の説明図である。
【図２】図１のプラズマディスプレイの画素に属する電極に対して与えられる電圧波形のグラフである。
【図３】図１のプラズマディスプレイの画素に属する電極に対して与えられる電圧波形のグラフである。
【図４】図１のプラズマディスプレイの画素に属する電極に対して与えられる電圧波形のグラフである。
【図５】図１のプラズマディスプレイの画素に属する電極に対して与えられる電圧波形のグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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