(57)【要約】  本発明は、少なくとも１つのアクチュエータ層（３）、殊に、圧電セラミック層が堆積されている坦体層（２）を備えており、アクチュエータ層（３）は、各コンタクト電極（４，５）間に設けられている固体アクチュエータ（１）、殊に圧電セラミックアクチュエータに関する。固体アクチュエータのクリープ特性を回避するために、アクチュエータ層（３）の固有抵抗は、１・１０８Ωｍ〜１・１０１０Ωｍのオーダーであるように選定し、及び／又は、各コンタクト電極（４，５）に制御電圧を印加するためのアクチュエータ制御手段（６）が設けられており、最大制御電圧は、固体アクチュエータ内での最大の機械的応力(mechanische Spannung)がコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)の下側であるように選定されているようにすることが提案されている。
2008515213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのアクチュエータ層（３）、殊に、圧電セラミック層が堆積されている坦体層（２）を備えており、前記アクチュエータ層（３）は、各コンタクト電極（４，５）間に設けられている固体アクチュエータ（１）、殊に圧電セラミックアクチュエータにおいて、アクチュエータ層（３）の固有抵抗は、１・１０８〜１・１０１０Ωｍのオーダーであることを特徴とする固体アクチュエータ。
【請求項２】
少なくとも１つのアクチュエータ層（３）、殊に、圧電セラミック層が堆積されている坦体層（２）を備えており、前記アクチュエータ層（３）は、各コンタクト電極（４，５）間に設けられている固体アクチュエータ（１）、殊に圧電セラミックアクチュエータにおいて、
各コンタクト電極（４，５）に制御電圧を印加するためのアクチュエータ制御手段（６）が設けられており、最大制御電圧は、固体アクチュエータ内での最大の機械的応力(mechanische Spannung)がコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)の下側であるように選定されていることを特徴とする固体アクチュエータ。
【請求項３】
少なくとも１つのアクチュエータ層（３）、殊に、圧電セラミック層が堆積されている坦体層（２）を備えており、前記アクチュエータ層（３）は、各コンタクト電極（４，５）間に設けられている固体アクチュエータ（１）、殊に圧電セラミックアクチュエータにおいて、
アクチュエータ層（３）の固有抵抗は、１・１０８〜１・１０１０Ωｍのオーダーであり、
各コンタクト電極（４，５）に制御電圧を印加するためのアクチュエータ制御手段（６）が設けられており、最大制御電圧は、固体アクチュエータ内での最大の機械的応力(mechanische Spannung)がコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)の下側であるように選定されていることを特徴とする固体アクチュエータ。
【請求項４】
制御電圧と固体アクチュエータ（１）内の最大の機械的応力(mechanische Spannung)との間の関係がテーブル内に記憶されているか、又は、算出によって求められる請求項２又は３記載の固体アクチュエータ。
【請求項５】
アクチュエータ層（３）は、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)から形成されていて、付加的に１価、又は、２価又は３価の陽イオンがドーピングされている請求項１から３までのいずれか１記載の固体アクチュエータ。
【請求項６】
１価の陽イオンは、ペロフスカイト単位格子（セル）のＡサイト（ｓｉｔｅ）上に形成されて、アクセプタドーピングを生成する請求項５又は６記載の固体アクチュエータ。
【請求項７】
２価又は３価の陽イオンは、ペロフスカイト単位格子（セル）のＢサイト（ｓｉｔｅ）上に形成されて、アクセプタドーピングを生成する請求項５記載の固体アクチュエータ。
【請求項８】
坦体層（２）が、２つのアクチュエータ層間に配置されている、請求項１から７までのいずれか１記載の固体アクチュエータ。
【請求項９】
坦体層（２）が、アクチュエータ層、殊に、圧電セラミック層として構成されている、請求項１から８までのいずれか１記載の固体アクチュエータ。
【請求項１０】
固体アクチュエータは、多層アクチュエータを構成するために多数のアクチュエータ層（３）を有しており、積層の内部に設けられた各コンタクト電極（８）は、等電位面を形成するためにアクチュエータ制御手段（６）によって制御される請求項１から９迄の何れか１記載の固体アクチュエータ。
【請求項１１】
多層アクチュエータの各アクチュエータ層（３）は、１０μｍ〜３０μｍの範囲内、殊に２０μｍの厚みを有している請求項１０記載の固体アクチュエータ。
【請求項１２】
固体アクチュエータは、圧電曲げモードトランスジューサ(bending mode transducer)を構成する請求項１から１１迄の何れか１記載の固体アクチュエータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのアクチュエータ層、殊に、圧電セラミック層が堆積されている坦体層を備えており、アクチュエータ層は、各コンタクト電極間に設けられている固体アクチュエータ、殊に圧電セラミックアクチュエータに関する。
【０００２】
簡単な場合、アクチュエータ材料と坦体層との結合部から構成された、又は、例えば、圧電セラミック材料製の多数の接合ディスクから構成された固体アクチュエータ及び殊に圧電セラミックアクチュエータが公知である。単数乃至複数のアクチュエータ層上の両側に各コンタクト電極を設けることによって、及び、各コンタクト電極に同じ電圧を印加することによって、各コンタクト電極間に電界を形成することができ、その結果、圧電セラミック材料上に、電界が作用し、この電界は、圧電セラミック材料の長さが変わるように作用する。
【０００３】
固体アクチュエータは、例えば、圧電セラミック曲げモードトランスジューサとして構成することができる。最も簡単な場合バイモルフと呼ばれる、このような結合部では、圧電セラミックアクチュエータ層は、非圧電性乃至非制御圧電性の坦体層上に設けられており、その際、アクチュエータ層は、一般的に、ドーピングされたジルコン酸チタン酸鉛であるＰＺＴセラミック製である。曲げモードトランスジューサは、通常のように取り付けられ、その際、固体アクチュエータの自由端に生起する力又は変位が、アクチュエータの特性として利用されている。曲げモードトランスジューサが電界によって厚み方向に制御されると、このトランスジューサは、当該トランスジューサの横方向に収縮し、それにより、当該トランスジューサの先端がアクチュエータ層の方向に変位する。
【０００４】
更に、別の圧電曲げモードトランスジューサが公知であり、このトランスジューサは、デザインの点、当該トランスジューサの構造の形式の点、坦体材料の選択の点及び他の判定基準の点で異なっている。トリモルフと呼ばれる固体アクチュエータは、例えば、２つの圧電アクチュエータから形成されており、これら２つの圧電アクチュエータ層は、中間層としての坦体層と結合されており、例えば、交互に制御される。更に、多層曲げモードトランスジューサも公知であり、このトランスジューサは、坦体層を有しておらず、多数の圧電セラミックアクチュエータ層からのみ形成されている。このトランスジューサでは、曲げを生じるために、各々半分だけが制御される。
【０００５】
上述の各曲げモードコンバータに共通している点は、各コンタクト電極を介して高速で電気制御した後、時間経過の点で即座に、共振周波数によって特定されるアクチュエータ応答を呈示するが、その後、付加的に、強いクリープ特性を示し、その結果、変位乃至力が長い時間に亘って更に上昇する。その際、「後続するクリープ("Nachkriechens")」の値は、曲げモードコンバータの全変位の２０％にも達することがある。後続するクリープの期間は、相応の制御の場合、数時間又は数日にもなることがある。実際には、この際、電圧を各コンタクト電極に印加並びに遮断した際に、クリープは、付加的な許容偏差として甘受せざるを得ないという欠点がある。そのために、利用可能な変位の行程又は力の行程として、一般的に、付加的なクリープを生起せずに即座に生じる短時間の行程が利用される。
【０００６】
従って、本発明の課題は、上述の欠点を有していないか、又は、少なくとも僅かな程度しか有していない固体アクチュエータを提供することにある。
【０００７】
この課題は、請求項１，２又は３記載の各要件を持った固体アクチュエータによって解決される。有利な実施例は、従属請求項に記載されている。
【０００８】
本発明の変形実施例によると、アクチュエータ層を形成する材料の導電率が、通常使用される材料、例えば、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)に較べて高いか、乃至、固有抵抗が小さくされる場合、クリープの現象を著しく低減することができる。本発明によると、殊に、圧電セラミック層として構成されたアクチュエータ層の固有抵抗は、１・１０８Ωｍ〜１・１０１０Ωｍのオーダーであるようにするとよい。従って、本発明のアクチュエータ層の固有抵抗は、数ツェナー電位分、典型的な圧電セラミック層の固有抵抗の下側に位置している。つまり、軟質ＰＺＴ(チタン酸ジルコン酸鉛)の固有抵抗は、１・１０１２Ωｍである。
【０００９】
導電率を高めることによって達成可能な利点は、通常の固体アクチュエータで達成可能な行程又は達成可能な変位が、クリープ過程によって達成可能な変位を含めて著しく短い時間内で実現可能であるという点にある。つまり、本発明の固体アクチュエータを用いると、従来技術の固体アクチュエータと比較して、同じ変位をもっと短い時間で達成可能であり、その結果、固体アクチュエータを、もっと高いクロックレートで駆動することができる。この結果、利用可能な変位又はクリープ行程として、付加的なクリープ過程なしの短時間の行程のみならず、固体アクチュエータの物理的に可能な行程も利用することができる。こうすることによって、固体アクチュエータの制御を簡単にすることができる。その理由は、電圧を印加した際、並びに、電圧を遮断した際、クリープを付加的な許容偏差として甘受しないですむからである。
【００１０】
同じ利点を、本発明の固体アクチュエータの第２の変形実施例で達成することができ、この固体アクチュエータでは、アクチュエータ制御手段が、制御電圧を各コンタクト電極に印加するために設けられており、最大制御電圧は、固体アクチュエータ内での、最大の機械的な応力がコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)の下側であるように選定される。機械的な応力は、一般的に使用されている圧電セラミック材料の場合、機械的な応力の作用下で、最大のドメインスイッチング（分域の反転）(Domaenenschalten: domain switching)が生じるような、前述のコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)値の範囲内に位置している。これは、所謂「強弾性特性(ferroelastic behavior)」と呼ばれる。この第２の変形実施例は、クリープが、少なくとも部分的にドメインスイッチング（分域の反転）又は強弾性処理によって、幾何的な応力がコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)レベルに達するような、曲げの領域内で生じるという重要な認識に基づいている。機械的な応力は、アクチュエータ層の厚みに沿って変化し、当該アクチュエータ層の長手方向には一定であることは公知である。ドメインスイッチング（分域の反転）処理は、核形成処理及び核生成処理(Keimbildungs- und wachstumsprozesse: nucleation and nucleus growth processes)であり、所定の時間を必要とすることによって特徴付けられる。強弾性のドメインスイッチング（分域の反転）を回避することによって、活性、即ち、固体アクチュエータの曲げが遅延されない。
【００１１】
本発明の上述の利点は、第１及び第２の変形実施例により記載された各要件を相互に組み合わせた、本発明の固体アクチュエータによっても達成することができる。従って、本発明の固体アクチュエータの第３の変形実施例によると、アクチュエータ層の固有抵抗は、１・１０８Ωｍ〜１・１０１０Ωｍのオーダーであり、各コンタクト電極に制御電圧を印加するためのアクチュエータ制御手段が設けられており、最大制御電圧は、固体アクチュエータ内での最大の機械的応力(mechanische Spannung)がコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)の下側であるように選定されている。
【００１２】
上述の各要件を備えた固体アクチュエータは、有利な実施例では、圧電曲げモードコンバータを構成し、このコンバータは、一端が、取付手段に設けられているか、又は、取付手段内に設けられており、その結果、他端だけが変位することができる。
【００１３】
本発明の別の実施例では、制御電圧と固体アクチュエータ内の機械的な応力との間の関係が、計算によって求められるか、又は、例えば、アクチュエータ制御手段内のテーブルに記憶されている。
【００１４】
本発明の構成により、アクチュエータ材料に１価、２価又は３価の陽イオンを付加的にドーピングすることによって、アクチュエータ層の材料の導電率を高めることができる。アクチュエータ出発原料としてジルコン酸チタン酸鉛(PZT)が有利である。１実施例では、１価の陽イオンが、ペロフスカイト単位格子（セル）のＡサイト（ｓｉｔｅ）上にアクセプタドーピングされている。別の実施例では、２価又は３価の陽イオンが、ペロフスカイト単位格子のＢサイト（ｓｉｔｅ）上にアクセプタドーピングされている。アクセプタドーピングの前述の両手段を組み合わせてもよい。
【００１５】
別の実施例では、固体アクチュエータは、所謂トリモルフとして構成されており、その際、坦体層は、２つのアクチュエータ層間に設けられている。
【００１６】
目的に適った別の実施例では、坦体層は、アクチュエータ層として、殊に圧電セラミック層として構成されており、その結果、固体アクチュエータは、少なくとも２つのアクチュエータ層からなる多層アクチュエータを形成する。
【００１７】
別の実施例では、固体アクチュエータは、多層アクチュエータの構成のために、多数のアクチュエータ層を有しており、その際、積層の内部に設けられた各コンタクト電極は、制御手段によって同様に等電位面を形成するように制御される。積層の内部に設けられた導電性の良好な各電極は、有利には、銀又は銀合金製であり、その際、各電極は等電位面として機能し、その結果、この各電極は、電界の有意部分を相応の電荷によって補償する。更に、各電極の銀は隣接した圧電セラミックアクチュエータ層内に拡散し、それにより、更に別の自由な荷電坦体がセラミック内に形成され、その結果、導電率は有利に更に高まる。この効果は、多数の電極を設けることにより特に顕著となる。そのように積層された多層アクチュエータは、これまで従来技術で使用されている固体アクチュエータに較べて、冒頭に記載したのと同じ利点を有している。殊に、クリープ過程を著しく低減することができるようになる。
【００１８】
１実施例では、多層アクチュエータの各アクチュエータ層は、１０μｍ〜３０μｍ、殊に、２０μｍの厚みを有している。前述の層厚のアクチュエータ層を有する多層アクチュエータは、当該アクチュエータの厚み全体の点で、公知の多層アクチュエータに較べて変わらない。つまり、本発明の多層アクチュエータは、相応の比較的多数の個別アクチュエータ層を有している。と言うのは、通常のアクチュエータ層の厚みは、８０μｍ以上の範囲内であるからである。
【００１９】
本発明の固体アクチュエータの他の特徴について、以下、図示の実施例を用いて詳細に説明する。ここで、
図１は、バイモル曲げモードトランスジューサ(bending mode transducer)として構成された本発明の固体アクチュエータを示す図、
図２は、図１に示された固体アクチュエータの各層の、ｚ軸に沿った長さの変化を示す図、
図３は、図１に示された固体アクチュエータの、ｚ軸に沿った機械的応力(mechanische Spannung)を示す図、
図４は、固体アクチュエータのアクチュエータ層の種々異なった導電率での制御信号の結果生じる固体アクチュエータの変位(displacement)を示す図、
図５は、本発明の、固体アクチュエータの制御を示す図、
図６は、従来技術から公知の多層アクチュエータと比較した本発明の多層アクチュエータを示す図である。
【００２０】
図１には、本発明の固体アクチュエータ１の横断面が示されている。本発明の固体アクチュエータ１は、導電材料製の坦体層２と、当該坦体層２の上に堆積された圧電材料、例えば、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)製のアクチュエータ層３を有している。アクチュエータ層３の両側には、各々コンタクト電極４，５が設けられており、各コンタクト電極４，５には、電圧を印加することができ、その結果、各コンタクト電極４，５間に電界が形成される。本発明の固体アクチュエータ１の機械的な構造は、公知の固体アクチュエータと原理的に異ならない。電圧の印加又は遮断時に形成されるクリープ特性(Kriechverhalten: creep behavior)を回避するために、公知の装置構成とは異なり、圧電セラミック材料が変更され、並びに、択一的に、又は、付加的に、固体アクチュエータが制御される。
【００２１】
各コンタクト電極４，５に電圧を印加することによって、アクチュエータ層３は、当該アクチュエータ層３のｚ軸に沿って伸張し、x方向に収縮し、その結果、固体アクチュエータは、上の方に曲がる。その際、坦体層及びアクチュエータ層３の内部に生起する長さの変化Δｌ／ｌ０が、図２に示されている。坦体層２が、所謂ニュートラルのファイバ(Faser)／フェーズ（ｐｈａｓｅ）７に達する迄伸張する間、アクチュエータ層３は圧縮される。坦体層２とアクチュエータ層３の材料特性は、種々異なるので、機械的な応力は、ゼロ点を通過する際にパルス状に変化する。
【００２２】
図３に示された式
σ＝Ｙ・Δｌ／ｌ０
によると、坦体層２の優位領域上に引っ張られ、その際、アクチュエータ層３の内部には、圧力が印加される。種々異なったヤング率y２乃至ｙ３により、坦体層２とアクチュエータ層３との移行部で、圧力負荷がパルス状に非連続的に変化し、それにより、更に、勾配も変化する。
【００２３】
従って、ｚ軸上に、アクチュエータ層３内で電界が不均一に分布した結果生起する、機械的に不均一な応力が生じる。従って、各コンタクト電極４，５に応力が加わる際に、アクチュエータ層３の内部に、一定の均一な電界が形成されず、放物線状に電位が分布したリニアな電界依存度が形成される。従って、均衡状態を形成するために、アクチュエータ層の内部に電荷を流入する必要がある。その際、電荷の均衡状態に起因するクリープの一部分を、従来技術により、できる限り絶縁された圧電セラミックの代わりに、所定の、比較的高い導電率のセラミックを使うことができる。その際、別の実験の範囲内で、アクチュエータ層３の固有抵抗は、１・１０８〜１・１０１０Ωｍのオーダーで、十分に速く電位均衡状態にすることができ、その結果、図１の曲げモードトランスジューサ１の後続するクリープ(Nachkriechen)をほぼ回避することができる。アクチュエータ層の導電率を複数のツェナーダイオード電位分高めることは、公知のやり方で、アクチュエータ層の材料内に僅かにアクセプタドーピングすることによって達成することができ、その際、それと同時に、それ以外の圧電特性が劣化されることはない。アクチュエータ層の出発原料として、更に、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)が提供され、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)では、１価の陽イオンが、例えば、ナトリウム、銅又は銀のようなペロフスカイト単位格子のＡサイト（ｓｉｔｅ）上にドーピングされるか、又は、択一的に、又は、付加的に２価乃至３価の陽イオンが、例えば、クロム、鉄、マンガンのようなＢサイト上にドーピングされる。
【００２４】
アクチュエータ層の種々異なる導電率の作用について、図４に図示されている。所定時点ｔ０で、固体アクチュエータ１の各コンタクト電極４，５に電圧が印加される。これにより、曲げモードトランスジューサが変位する。その際、導電率の小さなアクチュエータ層（セラミック）の変位が最も小さい。従来技術の圧電セラミックのように、導電率の小さなセラミックによると、時点ｔ１で、最終値Ｈ３に漸近する行程Ｈ１が達成される。その際、値Ｈ１を超えて変位が増大することは、クリープ特性と呼ばれる。この際、時点ｔ３では、変位Ｈ２が達成される。可能な最大の均衡状態Ｈ３は、制御信号が当該制御信号の、図示の値を含む場合に限って達成することができる。それに対して、本発明のように導電率の高いセラミックは、時点ｔ１で変位Ｈ２を有する。Ｈ２及びＨ３間の別の可能な変位は、実際上重要ではない。
【００２５】
図から分かるように、曲げモードトランスジューサは、同じ時間内で非常に高い変位を達成することができ、又は、択一的に、僅かな時間で所要の変位になるようにクロック制御することができる。
【００２６】
従って、アクチュエータ層内での付加的な自由荷電坦体によって、固体アクチュエータのクリープ効果を低減することができる。しかし、クリープは、別の効果によって、つまり、所謂ドメインスイッチング（分域の反転）(domain switching)によって影響されることがある。ドメインスイッチング（分域の反転）、即ち、元素の双極子の方向の変化は、電気的にも機械的にも引き起こすことができる。その際、可能な最大の機械的応力(mechanische Spannung)は、当該の機械的な応力の影響下で最大のドメインスイッチング（分域の反転）が生起する所謂コーアーシブ・ストレス乃至強制応力値（coercive voltage values: Koerzitivspannungswerte）の範囲内の通常の圧電セラミック層で生じる。これは、強弾性特性(ferroelastic behavior)と呼ばれる。ドメインスイッチング（分域の反転）の影響を回避するために、制御された固体アクチュエータ内で、最大の機械的な応力がコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)の明らかに下側のままである（図５）ように、制御電圧が限定される。相応の情報が、算出又はアクチュエータ手段内に記憶された値を介して得られる。圧電セラミックの材料特性に基づいて既に比較的高いコーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)を有している別の圧電セラミックを使用してもよい。この際、コーアーシブ・ストレス乃至強制応力(Koerzitivspannung)が２５ＭＰａよりも高い材料が適している。
【００２７】
固体アクチュエータが多層アクチュエータとして構成されている場合、クリープ特性は、変化された物理構造によって予め達成することができる。図６ａは、従来技術から公知であるような、多層アクチュエータ（３つの層３から構成された）を示す。各アクチュエータ層３の各々は、その際、約８０μｍ以上の層厚を有している。積層内に設けられた各電極は、アクチュエータ制御手段によって同様に制御される。
【００２８】
それとは異なり、図６ｂは、本発明の多層アクチュエータを示し、この多層アクチュエータでは、各々のアクチュエータ層３の層厚は、１０μｍ〜３０μｍの範囲内、殊に２０μｍである。積層の内部に位置している電極は、アクチュエータ制御手段によって制御され、各コンタクト電極４，５との結合部を多層アクチュエータの外側上に有している。有利には、銀又は銀合金から形成された、多層アクチュエータの内部に形成された電極は、従って、電界分布の大部分を相応の電荷によって補償することができる等電位面を形成する。更に、各電極の銀は隣接した圧電セラミックアクチュエータ層内に拡散し、それにより、更に別の自由な荷電坦体がセラミック内に形成され、その結果、導電率は有利に更に高まる。この効果は、多数の電極を設けることにより特に顕著となる。このようにして、クリープ特性を改善することができる。上述の改善策と組み合わせることによって、クリープ特性は更に最適化することができる。
【００２９】
例：
典型的な曲げモードトランスジューサの例を用いて、本発明について更に説明する。曲げモードトランスジューサは、絶縁坦体層上の両側に堆積された、２つの圧電セラミック層（４４×７．２×０．２６ｍｍ３）から形成されている。アクチュエータ層が２００Ｖで制御される場合、ソフトなＰＺＴ(チタン酸ジルコン酸鉛)の場合に典型的な固有抵抗１・１０１２Ωｍで、電流０．２４ｎＡが流れる。内部での電荷反転過程のための時定数は、１〜１０００秒の範囲内である。３つのツェナー電位分相応にドーピングすることによって、セラミック材料の固有抵抗を低下すると、クリープの原因である時定数はミリ秒〜秒の範囲内で低下する。それと同時に、曲げモードトランスジューサの定常電流は、更に明らかに１μＡの限界値以下のままである。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】バイモル曲げモードトランスジューサとして構成された本発明の固体アクチュエータを示す図
【図２】図１に示された固体アクチュエータの各層の、ｚ軸に沿った長さの変化を示す図
【図３】図１に示された固体アクチュエータの、ｚ軸に沿った機械的応力(mechanische Spannung)を示す図
【図４】固体アクチュエータのアクチュエータ層の種々異なった導電率での制御信号の結果生じる固体アクチュエータの変位を示す図
【図５】本発明の、固体アクチュエータの制御を示す図
【図６】従来技術から公知の多層アクチュエータと比較した本発明の多層アクチュエータを示す図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2008515213.tif 000009
【国際調査報告】
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