(57)【要約】  ハンドル層（１０８）とハンドル層（１０８）の上に載っているキャップを備えている基板（５００）から微小電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）装置（１００）を形成するための方法が提供されている。或る代表的な実施形態では、本方法は、基板（５００）を貫いて切断して基板（５００）を第１ダイ（１４８）と第２ダイ（１５０）に分離する段階であって、第１ダイ（１４８）が第１側壁（１３８）を有している、段階と、導電材料（１８２）を第１側壁（１３８）の上に堆積させてキャップ（１３２）をハンドル層（１０８）と電気的に連結する段階を含んでいる。【選択図】        図１
2008543594.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドル層と前記ハンドル層の上に載っているキャップを備えている基板から超小型電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）装置を形成する方法において、
前記基板を貫いて切断して前記基板を第１ダイと第２ダイに分離する段階であって、前記第１ダイは第１側壁を有している、切断する段階と、
導電材料を前記第１側壁上に堆積させて前記キャップを前記ハンドル層に電気的に連結する段階と、から成る方法。  
【請求項２】
前記切断する段階は、前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて第１傾斜切断を施して前記第１側壁を形成する段階を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記切断する段階は、前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて、前記第１側壁に対して或る角度で、第２傾斜切断を施して第２側壁を形成する段階を更に含んでいる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記切断する段階は、前記第１及び第２側壁の間に直線的切断を施して前記基板を前記第１及び第２ダイに分離する段階を更に含んでいる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記切断する段階は、前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて直線的切断を施して前記第１側壁を形成する段階を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記切断する段階は、前記ハンドル層の第２部分を切断して第２側壁と前記第１及び前記第２側壁の間の棚部とを形成する段階を更に含んでいる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記切断する段階は、前記ハンドル層の第３部分を切断して前記第１ダイを前記第２ダイから分離する段階を更に含んでいる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記導電材料を堆積させる段階は、導電材料を前記第１側壁上に分注する段階を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記導電材料は、導電性エポキシである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記堆積させる段階の前に、前記第１ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記堆積させる段階の前に、前記第１ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ハンドル層と前記ハンドル層の上に載っているキャップを備えている基板から超小型電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）装置を形成する方法において、
前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて第１傾斜切断を施して第１側壁を形成する段階と、
前記キャップと前記ハンドル層の少なくとも一部分とを貫いて、前記第１側壁に対して或る角度で、第２傾斜切断を施して前記第２側壁を形成する段階と、
前記第１と第２の側壁の間に直線的切断を施して前記基板を第１ダイと第２ダイに分離する段階であって、前記第１ダイは前記第１側壁を含んでおり、前記第２側壁は前記第２側壁を含んでいる、直線的切断を施す段階と、
導電材料を前記第１側壁上に堆積させて前記キャップを前記ハンドル層に電気的に連結する段階と、から成る方法。
【請求項１３】
前記導電材料を堆積させる段階は、導電材料を前記第１側壁上に分注する段階を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記導電材料は、導電性エポキシである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記堆積させる段階の前に、前記第１ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記堆積させる段階の前に、前記第１ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
ハンドル層と前記ハンドル層の上に載っているキャップを備えている基板から超小型電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）装置を形成する方法において、
前記キャップと前記ハンドル層の第１部分とを貫く直線的切断を施して第１側壁を形成する段階と、
前記ハンドル層の第２部分を切断して第２側壁と前記第１及び前記第２側壁の間の棚部とを形成する段階と、
前記ハンドル層の第３部分を切断して第１ダイを第２ダイから分離する段階と、
導電材料を前記第１側壁上に堆積させて前記キャップを前記ハンドル層に電気的に連結する段階と、から成る方法。
【請求項１８】
導電材料を堆積させる段階は、導電材料を前記第１側壁上に分注する段階を含んでいる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記堆積させる段階の前に、前記第１ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記堆積させる段階の前に、前記第１ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいる、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概括的には、超小型電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）に関し、より具体的には、ＭＥＭＳで使用される接点を構築することに関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの装置及びシステムは、様々な監視及び／又は制御機能を遂行する多くの異なる型式のセンサーを備えている。微細機械加工及び／又は他の微細加工工程における進歩は、多種多様な超小型電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）装置の製造を可能にした。近年、監視及び／又は制御機能を遂行するために使用される多くのセンサーが、ＭＥＭＳ装置に実相されてきている。
【０００３】
或る特定の型式のＭＥＭＳセンサーは、加速度計である。通常、ＭＥＭＳ加速度計は、各種構成部品の中でとりわけ、シリコン・オン・インシュレータウェーハ上に構築される保証質量を含んでいる。保証質量は、１つ又はそれ以上の懸架ばねでウェーハの或る区域へ弾性的に懸垂されている。ＭＥＭＳ加速度計に加速が掛かると、保証質量は動き、動きは、加速度に比例するパラメータ等級（例えば、電圧、電流、周波数など）を有する電気信号に変換される。
【０００４】
ＭＥＭＳ加速度計は、通常、多くの電子装置を有するシステムに実装されている。各装置は電磁干渉波を発することがあり、ＭＥＭＳ加速度計を別の装置に接近させ過ぎて設置してしまうと、作動中に、その装置からの寄生電気容量を受ける場合がある。この現象を最小化するために、通常、キャップを使って保証質量を被包し、結合ワイヤを介してキャップをウェーハに接地させている。
【０００５】
ＭＥＭＳ加速度計は、益々小型化し、而して、微細及び極微細ピッチと小さくなった直径を有する結合ワイヤが、通常使用されている。しかしながら、その様な結合ワイヤの使用には、或る欠点がある。例えば、ピッチと直径が小さくなったため、結合ワイヤの取扱及び結合作業が困難になっている。具体的には、結合ワイヤは、ＭＥＭＳ加速度計の他の導電構造に、不用意に短絡する場合がある。その上、結合ワイヤの構成部品への取り付けは、相対的に費用の掛かる工程である。
【０００６】
従って、相対的に安価且つ簡単に実施可能であり、他の導電構造に不用意に短絡することのないＭＥＭＳ加速度計を製造するための工程を提供することが、望まれている。加えて、追加の製造設備を使用しない工程が望まれている。本発明の他の望ましい特徴及び特性は、以下の詳細な説明と特許請求の範囲を、添付図面及び先に述べた技術分野及び背景と併せて読めば、明白になるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明を添付図面と関連付けながら説明するが、各図を通して、類似の数字は類似の要素を示している。
【０００８】
以下の詳細な説明は、事実上、単に代表例を示すものであり、本発明又は本発明の適用や使用に制限を課す意図はない。更に、前述の技術分野、背景、要約、又は以下の詳細な説明の中で、表現され、又は暗示されている如何なる理論によっても、境界を定める意図はない。この点に関して、本発明を加速度計に関連付けて表示及び説明しているが、本発明は、少なくとも、基板面の上方に可動的に懸垂されている保証質量を含んでいる数多くの装置の何れか、又は電磁干渉から保護する必要のあるあらゆる超小型電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）装置に使用することができるものと理解されたい。
【０００９】
次に説明に移るが、図１は、代表的なＭＥＭＳ装置１００の断面図である。ＭＥＭＳ装置１００は、加速度計の様な慣性センサーであり、ウェーハ１０６上に形成されているフィールド領域１０２と１０４センサー領域１０４を含んでいる。ウェーハ１０６は、多数の従来から使用されているウェーハの中の何れでもよい。例えば、図１に示すように、ウェーハ１０６は、ＳＯＩ（「シリコン・オン・インシュレータ」）ウェーハでもよい。その場合、ウェーハ１０６は、一般的に、ハンドル層１０８、アクティブ層１１２、及びハンドル層１０８とアクティブ層１１２との間に配置された犠牲層１１４を含んでいる。フィールド領域１０２とセンサー領域１０４は、共に、アクティブ層１１２の中に形成されている。フィールド領域１０２は、犠牲層１１４を介して、ハンドル層１０８に取り付けられたままになっているアクティブ層１１２の領域である。逆に、センサー領域１０４は、フィールド領域１０２に連結されてはいるが、部分的にはハンドル層１０８から解放されている。具体的には、センサー領域１０４は、センサー領域１０４の下の犠牲層１１４の部分を除去することによって部分的にアンダーカットされている。このアンダーカットによって、センサー領域１０４の部分をハンドル層１０８から解放している解放溝１１６が形成されている。而して、センサー領域１０４の解放部は、ウェーハ１０６の上方に懸垂されている。
【００１０】
センサー領域１０４は、複数のセンサー要素を含んでおり、これらは、例えば、実装されている具体的なＭＥＭＳ装置１００によって、様々である。しかしながら、ここに示している実施形態では、ＭＥＭＳ装置１００は加速度計であり、センサー要素は、懸架ばね１２２と、この場合は震動マスである構造体１２４と、可動電極１２６と、固定電極１２８を含んでいる。懸架ばね１２２は、ハンドル層１０８の上方で震動マス１２４と可動電極１２６を弾性的に懸垂しており、弾性的に可撓性を有するように構成されていることが望ましい。懸架ばね１２２、震動マス１２４、及び可動電極１２６は、各々が解放溝１１６の上にあるので、全てウェーハ１０６から解放されており、その上方に懸垂されている。しかしながら、固定電極１２８は、例えば、犠牲層１１４を介してウェーハ１０６に取り付けられたままである。
【００１１】
図解を明瞭且つ容易にするため、センサー領域１０４は、図１では、単一の懸架ばね１２２、単一の可動電極１２６、及び単一の固定電極１２８のみを含んでいるように図示している旨理解されたい。しかしながら、図２でより明瞭に示し、以後詳細に説明する特定の物理的な実施形態では、センサー領域１０４は、一対の懸架ばね１２２、複数の可動電極１２６、及び複数の固定電極１２８を含んでいる。各懸架ばね１２２は、それぞれ、フィールド領域１０２と震動マス１２４の間に連結されており、先に述べたように、解放時には、ウェーハ１０６の上部に震動マス１２４を弾性的に懸垂している。各可動電極１２６は、それぞれ、震動マス１２４に連結されているので、解放時には、これもウェーハ１０６の上部に懸架されている。これも図２に示すように、各可動電極１２６は、それぞれ、２つの固定電極１２８の間に配置されている。固定電極１２８は、先に述べたように、解放されはいない。そうではなく、固定電極１２８は、複数のアンカー２０２を介してウェーハ１０６に固定されたままである。
【００１２】
図１に戻るが、ＭＥＭＳ装置１００が作動している間の寄生電気容量を低減するため、保護キャップ１３２と相互接続部材１３６が設けられている。保護キャップ１３２は、ウェーハ１０６に連結されており、少なくともセンサー領域１０４の上を伸長し、その物理的防護を提供している。保護キャップ１３２は、センサー領域１０４とは部分的に間隙を空けて設けられ、センサー領域１０４の少なくとも一部分が動けるようになっているのが望ましい。保護キャップ１３２とウェーハ１０６は、多くの中の何れの様式で相互に連結されていてもよい。例えば、図示の実施形態では、保護キャップ１３２は、キャップアンカー１３４を介してフィールド領域１０２に連結されている。キャップアンカー１３４は、例えば、フリットシールの様な、保護キャップ１３２をウェーハ１０６に密封連結するのに適した多くの装置の中の何れであってもよい。或いは、保護キャップ１３２は、１つ又はそれ以上の固定電極１２８の様な、センサー領域１０４の１つ又はそれ以上の非可動部分に連結されている。
【００１３】
作動中に、ＭＥＭＳ装置１００に加速度が掛かると、震動マス１２４は、掛かっている加速度の大きさに比例する距離だけ動く。可動電極１２６は、震動マス１２４に接続されているので、震動マス１２４と同じ距離だけ動く。可動電極１２６と固定電極１２８は、一体となって可変差動コンデンサを形成している。而して、ＭＥＭＳ装置１００に加速度が掛かると、可動電極1２６は、固定電極１２８に近づくか又は離れる方向に動く。可動電極１２６が動く距離は、固定電極１２６と可動電極１２８の間の電気容量に比例的変化を生じる。この電気容量の変化は、測定され、加速度の大きさを求めるのに使用される。
【００１４】
相互接続部材１３６は、寄生電気容量が上記電気容量測定を妨害しないように、保護キャップ１３２をハンドル層１０８に接地している。相互接続部材１３６は、アクティブ層１１２、犠牲層１１４、保護キャップ１３２、及びキャップアンカー１３４の縁部で画定されている側壁１３８に連結されている。側壁１３８は、図１に示すように、斜めになっていてもよいし、実質的に直線状又は垂直に切断されていてもよい。図３に示す実施形態の様な、直線的な形状では、側壁１３８は、相互接続部材１３６を側壁１３８上に保持するように構成されている、側壁１３８と第２壁部１７２の間に形成されている棚部１７４を介して、第２壁部１７２に接続されている。相互接続部材１３６は、少なくとも保護キャップ１３２とハンドル層１０８が電気的に連結されるように、側壁１３８に接着されている。或いは、相互接続部材１３６は、側壁１３８を越えて伸長し、上面部の様な、保護キャップ１３２の他の部分を覆っていてもよい。
【００１５】
相互接続部材１３６は、多くの導電材料の何れで作られていてもよい。例えば、相互接続部材１３６は、金属で構成されていてもよいし、アルミニウムの様な単層金属でもよいし、チタン又はクロムとアルミニウムの様な二層金属でもよい。他の適切な金属を使用してもよいと理解されたい。別の例では、相互接続部材１３６は、導電性エポキシである。
【００１６】
図４は、ＭＥＭＳ装置１００を製造するための代表的な方法４００のフローチャートを示している。先ず、少なくともハンドル層を覆う保護キャップを有する基板が調達される（段階４０２）。次に、基板が切断されて第１ダイと第２ダイに分離されるが、第１ダイは側壁を有している（段階４０４）。その後、第１ダイは、リードフレームに連結される（段階４０６）。次に、導電材料が、側壁上に堆積される（段階４０８）。
【００１７】
段階４０２は、多くの従来技法の何れか１つを用いて行われる。例えば、適した基板は、在庫品から入手してもよいし、新たに製造してもよい。図５は、代表的な適した基板５００の断面図を示す。基板５００は、ハンドル層１０８、ハンドル層１０８を覆って配置されている犠牲層１１４、犠牲層１１４を覆って配置されているアクティブ層１１２、アクティブ層１１２内に形成されているセンサー領域１５７と１５９、及び保護キャップ１３２を含んでいる。キャップアンカー１３４は、保護キャップ１３２とアクティブ層１１２の間に配置されている。基板５００は、更に、破線１４２で画定されている第１ダイ区画１４１と第２ダイ区画１４３も含んでおり、各区画は、センサー領域１５７と１５９の内の１つを含んでいる。図５には２つのダイ区画１４１と１４３を示しているが、通常は、もっと多くの区画が基板内に形成されるものと理解されたい。例えば、図６に提供されている基板５００の上面図に示すように、基板５００は、複数のダイ区画１４１、１４３、１４５、１４７、１４９、１５１、１５３、１５５を含んでおり、それらの区画は、センサー領域１５７、１５９、１６１、１６３、１６５、１６７、１６９、１７１と、その上に形成されている結合パッド１７３、１７５、１７７、１７９、１８１、１８３、１８５、１８７を含んでいる。各ダイ区画１４１、１４３、１４５、１４７、１４９、１５１、１５３、１５５は、図６では、直交する破線、例えば、線１４４と１４６によって画定されている。各ダイ区画１４１、１４３、１４５、１４７、１４９、１５１、１５３、１５５は、長方形であるように示しているが、ダイ区画は、例えば、円形、卵型、五角形、六角形、七角形等の様な、任意の他の適した形状でもよいものと理解されたい。
【００１８】
次に、保護キャップ１３２とハンドル層１０８を貫いて切断が施され、基板５００は第１ダイ１４８と第２ダイ１５０に分離され、第１ダイ１４８が側壁１３８を有している（段階４０４）。或る代表的な実施形態では、図６に示す破線の少なくとも１つに沿って、例えば、破線１４４又は破線１４６に沿って、切断が施される。或いは、ダイ区画１４１、１４３、１４５、１４７、１４９、１５１、１５３、１５５が長方形以外の形状を有している場合、ダイ区画１４１、１４３、１４５、１４７、１４９、１５１、１５３、１５５の任意の非アクティブ領域で切断が施される。第１ダイ１４８を第２ダイ１５０から分離させるのに、基板５００を貫いてどの様な切断を施してもよく、例えば、直線的切断でも傾斜した切断でもよいものと理解されたい。
【００１９】
段階４０４の或る代表的な実施形態では、Ｖ字型のブレードを使用して、単一の傾斜切断が、第１ダイ区画１４１と第２ダイ区画１４３の間に施される。ブレードは、６０度の傾斜角を有している。別の代表的な実施形態では、複数の切断が施される。例えば、第１切断が先ず施され、次に第２切断が、第１切断に対して或る角度で施され、Ｖ字型の谷部が形成される。第１切断と第２切断の間の角度は、約６０度が望ましいが、任意の他の角度が代わりに適している場合もある。次に、直線的切断を用いて、第２ダイ１５０から第１ダイ１４８が分離される。
【００２０】
図７は、第１ダイ区画１４１と第２ダイ区画１４３の間にＶ字型ブレードによって施された傾斜切断を含んでいる基板５００の或る代表的な実施形態を示している。この実施形態では、切断は、保護キャップ１３２、キャップアンカー１３４、アクティブ層１１２、犠牲層１１４、及びハンドル層１０８を貫いて伸長している。図６に示すように、ハンドル層１０８は一部分のみが切断されているので、第１ダイ区画１４１と第２ダイ区画１４３は、互いに繋がったままである。保護キャップ１３２、キャップアンカー１３４、アクティブ層１１２、犠牲層１１４、及びハンドル層１０８は、それぞれ、一体となって第１側壁１３８と第２側壁１５２を画定している露出した縁部を有している。第１側壁１３８と第２側壁１５２は、谷部１５４を形成している。
【００２１】
次に、第１ダイ区画１４１は、第２ダイ区画１４３から単独化される。単独化は、多くの従来型の技法の何れか１つ、例えば鋸引きを用いて行われ、任意の切断型式、例えば、直線的切断を用いて達成される。何れにしても、基板５００は切断され、ダイ区画１４１と１４３を第１ダイ１４８と第２ダイ１５０に分離する。切断は、谷部１５４の区画を貫いて施されるのが望ましい。例えば、切断は、第１側壁１３８と第２側壁１５２の間で行われる。
【００２２】
段階４０４の別の代表的実施形態では、直線的切断が、第１ダイ区画１４１と第２ダイ区画１４３の間に施される。或る実施形態では、単一の切断が、ハンドル層１０８を貫いて施され、第１ダイ区画１４１を第２ダイ区画１４３から分離させる。段階４０４の別の代表的な実施形態では、複数の切断が、第１ダイ区画１４１と第２ダイ区画１４３の間で施される。ここでは、図８に示すように、先ず、実質的に垂直な切断が保護キャップ１３２とハンドル層１０８の第１部分を貫いて施され、第１側壁１３８が形成される。次に、第２切断が、ハンドル層１０８の第２部分を貫いて横方向に施され、棚部１７４が形成される。次に、第３切断が、ハンドル層１０８の残っている第３部分を実質的に垂直方向に貫いて施され、第１ダイ区画１４１を第２ダイ区画１４３から分離させて、第１ダイ区画１４１上に、第２壁１７２を形成する。ダイ区画１４１と１４３を単独化させ、壁部１３８と１７２を構成する多くの他の様式の何れか１つを、代わりに組み込んでもよいものと理解されたい。
【００２３】
ダイ区画１４１と１４３が単独化された後、第１ダイ１４８は、図９で示すように、リードフレーム１５８に取り付けられる（段階４０６）。ダイを従来様式で取り付けるリードフレームには、どの様なものを使用してもよいものと理解されたい。また、第１ダイ１４８は、リードフレーム１５８に、多くの方法の内の何れで、例えば、はんだ、エポキシ、又は接着剤などで、取り付けてもよい。追加して、第１ダイ１４８は更に加工される。例えば、第１ダイ１４８は、リードフレーム１５８に、ワイヤボンディングされる。或いは、リードフレーム１５８が、制御ダイ１６０の様な別のダイを含んでいる場合、第１ダイ１４８は、図９に示すように、ワイヤ１８０を介してダイ１６０にワイヤボンディングされる。
【００２４】
次に、導電材料１８２が第１ダイ１４８の側壁１３８の上に堆積され、相互接続部材１３６が形成される（段階４０８）。導電材料１８２は、例えば、導電性エポキシ、金属、又は何らかの他の材料の様な、導電特性を有するどの様な材料でもよい。導電材料１８２は、保護キャップ１３２をハンドル層１０８に接地できることが望ましい。
【００２５】
導電材料１８２は、どの様な従来方式で側壁１３８上に堆積させてもよい。或る代表的な実施形態では、図１０に示すように、分注針の様なディスペンサー１６２が、図示していない導電材料供給源に接続されている。ディスペンサー１６２は、導電材料１８２を側壁１３８の上に堆積させる。ディスペンサー１６２は、十分な量の導電材料１８２を側壁１３８の上に堆積させて、保護キャップ１３２をハンドル層１０８に電気的に連結させることができるように構成されているのが望ましい。
【００２６】
段階４０８の後、第１ダイ１４８とリードフレーム１５８は、更に処理される。例えば、第１ダイ１４８とリードフレーム１５８には、第１ダイ１４８をリードフレーム１５８へ確実に連結させるため、リフロー処理が施される。或いは、第１ダイ１４８に、適切な成形材料が第１ダイ１４８上に堆積される、封入処理を施してもよい。
【００２７】
ハンドル層とハンドル層の上に載っているキャップとを備えている基板から微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置を形成するための方法が、提供されている。或る代表的な実施形態では、本方法は、基板を貫いて切断して基板を第１ダイと第２ダイに分割する段階であって、第１ダイが第１側壁を有している、段階と、導電材料を第１側壁の上に堆積させてキャップをハンドル層に電気的に接続する段階と、を含んでいる。切断の段階は、キャップとハンドル層の少なくとも一部分を貫いて傾斜切断を施して第１側壁を形成する段階を含んでいる。或いは、切断の段階は、キャップとハンドル層の少なくとも一部分を貫いて、第１側壁に対して或る角度で、第２傾斜切断を施して第２側壁を形成する段階を、更に含んでいる。別の代替形態では、切断の段階は、第１と第２の側壁の間に直線的切断を施して基板を第１及び第２ダイに分離する段階を、更に含んでいる。更に別の代替形態では、切断の段階は、キャップとハンドル層の第１部分を貫いて直線的切断を施して第１側壁を形成する段階を、更に含んでいる。更に別の代替実施形態では、切断の段階は、ハンドル層の第２部分を切断して第２側壁と第１及び第２側壁の間の棚部を形成する段階を、更に備えている。或いは、切断の段階は、ハンドル層の第３部分を切断して第１ダイを第２ダイから分離する段階を、更に含んでいる。
【００２８】
別の代表的な実施形態では、導電材料を堆積させる段階は、導電材料を第１側壁の上に分注する段階を含んでいる。或る代表的な実施形態では、導電材料は導電性エポキシである。更に別の実施形態では、本方法は、堆積の段階の前に、第１ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいる。別の実施形態では、本方法は、堆積の段階の前に、第１ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいる。
【００２９】
別の代表的な実施形態では、本方法は、キャプとハンドル層の少なくとも一部分を貫いて第１傾斜切断を施して第１側壁を形成する段階と、キャプとハンドル層の少なくとも一部分を貫いて、第１側壁に対して或る角度で、第２傾斜切断を施して第２側壁を形成する段階と、第１と第２の側壁の間に直線的切断を施して基板を第１及び第２ダイに分割する段階であって、第１ダイが第１側壁を含んでおり、第２ダイが第２側壁を含んでいる、段階と、導電材料を第１側壁の上に堆積させてキャップをハンドル層に電気的に連結する段階と、を備えている。導電材料を堆積させる段階は、導電材料を第１側壁の上に分注する段階を含んでいる。導電材料は、導電性エポキシでもよい。本方法は、堆積の段階の前に、第１ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいてもよい。本方法は、堆積の段階の前に、第１ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいてもよい。
【００３０】
更に別の代表的な実施形態では、本方法は、キャプとハンドル層の第１部分を貫いて直線的切断を施して第１側壁を形成する段階と、ハンドル層の第２部分を切断して第２側壁と第１及び第２側壁の間の棚部とを形成する段階と、ハンドル層の第３部分を切断して第１ダイを第２ダイから分離する段階と、導電材料を第１側壁の上に堆積させてキャップをハンドル層に電気的に連結する段階と、を含んでいる。導電材料を堆積させる段階は、導電材料を第１側壁の上に分注する段階を含んでいる。本方法は、堆積の段階の前に、第１ダイをリードフレームにダイボンディングする段階を更に含んでいてもよい。或いは、本方法は、堆積の段階の前に、第１ダイをリードフレームにワイヤボンディングする段階を更に含んでいてもよい。
【００３１】
以上の本発明の詳細な説明では、少なくとも１つの代表的な実施形態を示してきたが、膨大な数の変形例が存在するものと理解頂きたい。また、この１つ又は複数の代表的な実施形態は、実施例に過ぎず、本発明の範囲、適用性、又は構成をなんら制限する意図はないものと理解頂きたい。そうではなく、以上の詳細な説明は、当業者に、本発明の代表的な実施形態を実施するための好都合な道筋を提供するものであり、代表的な実施形態において説明している要素の機能及び配置には、特許請求の範囲及びその法的等価物で述べている本発明の範囲を逸脱することなく、様々な変更が施せるものと理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】代表的なＭＥＭＳ装置の断面図である。
【図２】図１に示す代表的なＭＥＭＳセンサーの上面図である。
【図３】別の代表的なＭＥＭＳ装置の断面図である。
【図４】図１及び図２に示す代表的なＭＥＭＳ装置を製造するための代表的な方法を示すフローチャートである。
【図５】図４に示す方法で使用される代表的な基板の断面図である。
【図６】図５に示す代表的な基板の上面図である。
【図７】図４に示す代表的な方法の別の段階における、図５の代表的な基板の断面図である。
【図８】図４に示す代表的な方法の別の段階における、図５の代表的な基板の断面図である。
【図９】図４に示す代表的な方法の別の段階における、図５の代表的な基板の断面図である。
【図１０】図４に示す代表的な方法の別の段階における、図５の代表的な基板の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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