(57)【要約】  太陽電池アレイは、太陽に向いている前面と、後面とを有し、活性領域を有する光起電構造と、光起電構造の活性領域と電気的に並列に接続されるアイソタイプヘテロ接合ダイオードとを含む、少なくとも１つの太陽電池を有する。
2008541429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの太陽電池を有する太陽電池アレイであって、前記太陽電池は、
太陽に向いている前面と、後面とを有し、活性領域を有する光起電構造と、
前記光起電構造の前記活性領域と電気的に並列に接続されるアイソタイプヘテロ接合ダイオードとを含む、太陽電池アレイ。
【請求項２】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、前記光起電構造の前記前面および前記後面の一方の上に堆積される、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項３】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、前記光起電構造の前記前面の上に堆積される、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項４】
前記光起電構造は、活性領域と、前記活性領域から電気的に絶縁されている非活性領域とに分けられ、前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、前記光起電構造の前記非活性領域の前面に堆積される、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項５】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、基礎ダイオードユニットを含み、前記基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する狭いバンドギャップ半導体層である第３の層とを含み、
前記基礎ダイオードユニットは、前記第１の層から前記第３の層への方向における電流電圧特性が、前記第３の層から前記第１の層への方向における電流電圧特性と異なるように、非対称な導電性を有する、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項６】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、基礎ダイオードユニットを含み、前記基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
前記第２の層の上に堆積される金属である第３の層とを含み、
前記基礎ダイオードユニットは、前記第１の層から前記第３の層への方向における電流電圧特性が、前記第３の層から前記第１の層への方向における電流電圧特性と異なるように、非対称な導電性を有する、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項７】
前記第１の層と前記第３の層との合計の厚みは少なくとも約１．５μｍであり、前記第２の層の厚みは少なくとも約１．５μｍである、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項８】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、基礎ダイオードユニットを含み、前記基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
金属である第３の層、または、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する狭いバンドギャップ半導体層であって、前記第２のヘテロ接合は、前記第２のヘテロ接合の電気抵抗を低減するようドープされる第３の層とを含む、請求項１に記載の太陽電池アレイ
。
【請求項９】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、少なくとも２つの電気的に直列な基礎ダイオードユニットを含み、各基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する広いバンドギャップ半導体層である、第２の層と、
金属である第３の層、または、
前記第２の層の上に堆積され前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する狭いバンドギャップ半導体層であって、前記第２のヘテロ接合は、前記第２のヘテロ接合の電気抵抗を低減するようドープされる第３の層とを含む、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１０】
すべての第１の層と第３の層との合計の厚みは少なくとも約１．５μｍであり、すべての第２の層の合計の厚みは少なくとも約１．５μｍである、請求項９に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１１】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、基礎ダイオードユニットを含み、前記基礎ダイオードユニットは、
ｎドープされた狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する、ｎドープされた広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する、ｎドープされた狭いバンドギャップ半導体層であって、前記第２のヘテロ接合は、前記第２のヘテロ接合の電気抵抗を低減するようドープされる第３の層とを含む、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１２】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、基礎ダイオードユニットを含み、前記基礎ダイオードユニットは、
ｐドープされた狭いバンドギャップの半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する、ｐドープされた広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する、ｐドープされた狭いバンドギャップ半導体層であって、前記第２のヘテロ接合は、前記第２のヘテロ接合の電気抵抗を低減するようドープされる第３の層とを含む、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１３】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、基礎ダイオードユニットを含み、前記基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する、広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
金属である第３の層、または、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する狭いバンドギャップ半導体層である第３の層とを含み、
前記第２の層は、前記第１のヘテロ接合の近くでは高く、前記第２のヘテロ接合の近くでは低いバンドギャップを有する、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１４】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、少なくとも２つの電気的に直列な基礎ダイオードユニットを含み、各基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
金属である第３の層、または、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する狭いバンドギャップ半導体層である第３の層とを含み、
前記第２の層は、前記第１のヘテロ接合の近くでは高く、前記第２のヘテロ接合の近くでは低いバンドギャップを有する、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１５】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、タイプ１構造を有する、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１６】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、タイプ２構造を有する、請求項１に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１７】
少なくとも２つの太陽電池を有する太陽電池アレイであって、各太陽電池は、
太陽に向いている前面と、後面とを有する光起電構造を含み、前記光起電構造は活性領域と前記活性領域から電気的に絶縁される非活性領域とに分けられ、各太陽電池はさらに、
前記光起電構造の前記前面および前記後面の一方の上に堆積されるアイソタイプヘテロ接合ダイオードを含み、前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、前記光起電構造の前記非活性領域の上に堆積され、前記非活性領域と前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードとは電気的に並列に接続され、前記太陽電池は電気的に相互接続される、太陽電池アレイ。
【請求項１８】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、基礎ダイオードユニットを含み、前記基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
金属である第３の層、または、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する狭いバンドギャップ半導体層である第３の層とを含み、
前記第１の層から前記第３の層への方向における電流の流れが、前記第３の層から前記第１の層への方向における電流の流れと異なるように、前記基礎ダイオードユニットは非対称な導電性を有する、請求項１７に記載の太陽電池アレイ。
【請求項１９】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、基礎ダイオードユニットを含み、前記基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
金属である第３の層、または、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する狭いバンドギャップ半導体層であって、前記第２のヘテロ接合は、前記第２のヘテロ接合の電気抵抗を低減するようドープされる第３の層とを含む、請求項１７に記載の太陽電池アレイ。
【請求項２０】
前記アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、少なくとも２つの電気的に直列な基礎ダイオードユニットを含み、各基礎ダイオードユニットは、
狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、
前記第１の層の上に堆積され、前記第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する広いバンドギャップ半導体層である第２の層と、
金属である第３の層、または、
前記第２の層の上に堆積され、前記第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する狭いバンドギャップ半導体層である第３の層とを含み、
前記第２の層は、前記第１のヘテロ接合の近くでは高く、前記第２のヘテロ接合の近くでは低いバンドギャップを有する、請求項１７に記載の太陽電池アレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は太陽電池に関し、より特定的には、逆バイアス状態における損傷から太陽電池を保護するよう統合されたダイオードを有する太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
太陽電池は、半導体接合において互いに向かい合って接する２つの半導体層から形成される。太陽または別の光源に照らされると、太陽電池は、これら半導体層の間に電圧を生成する。高度な太陽電池の場合は、２つより多くの半導体層と、それらの半導体層のそれぞれの対になる半導体接合を有していることがある。高度な太陽電池におけるさまざまな対の半導体層はサブセルを形成し、各サブセルは、電力出力を最大化するよう、太陽の特定のスペクトル成分に合うように調整される。太陽電池の電圧および電流出力は、構造の材料および太陽電池の表面領域によって制限される。大抵、単接合太陽電池で可能な電圧よりも高い電圧を生成可能な太陽電池構造を形成するよう、多数のサブセルが直列に電気的に相互接続される。３つまでのサブセルを有したこのような多接合太陽電池構造は、現在、宇宙および地球における適用例において用いられる。これら太陽電池構造は、すべてのサブセルがほぼ同じ光子束を吸収して同じ電流を生成しているときには、よく動作する。
【０００３】
単接合または多接合太陽電池が、直列で接続された装置の回路を形成し、その回路における太陽電池のうちの１つが、他の太陽電池が完全に照らされたままであるのに、陰になった際には、その陰になった太陽電池は、陰になっていない太陽電池の継続する電圧および電流出力による逆バイアス状態に晒される。幸いなことに、各太陽電池は、太陽電池が逆バイアスされていないときには電流を通さないが、太陽電池が逆バイアスされたときには印加電流を通す電気的に並列なダイオードによって、逆バイアス状態時に起こり得る潜在的損傷に対して保護されていてもよい。このように、ダイオードは、逆バイアスによる損傷に対して、個々の電池を保護する。
【０００４】
多数のダイオード構成が用いられ機能しているが、このようなダイオード構成には各々欠点がある。ある構成において、ディスクリートダイオードは、太陽電池の後ろ側へ接合され、リードを介して太陽電池の半導体層へ相互接続される。この方策は、相互接続用のタップとリードとの接合を必要とするため、太陽電池回路において多数の太陽電池が存在する場合、この接合は時間のかかる工程となる。別の構成においては、堆積工程の一部として、太陽電池の前表面にまでダイオードを成長させ、そのダイオードを次の太陽電池へ直列に相互接続させる。これらの利用可能な方策は、複雑であり、組立を困難にするとともに、製造歩留まりを低減し、太陽電池の効率を低減させる。また別の構成においては、ダイオードを太陽電池の前表面内にも形成し、ディスクリート技術またはリソグラフィ技術を用いて相互接続させる。この方策も、複雑であり、製造歩留まりを低減させ、太陽電池の効率を低減させる。
【０００５】
逆バイアスによる損傷に対する太陽電池の保護に関して、改善された方策が必要とされている。この発明は、この必要を満たし、改善された動作効率および他の関連する利点をさらに提供する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明の概要
この発明は、ダイオードを、太陽電池の活性光起電構造と同じモノリシック構造内に成長させる、統合されたアイソタイプヘテロ接合ダイオード構造を有する太陽電池を提供する。このダイオードは、逆バイアス下において低電流を維持したまま、順電圧の低下を最小限にし、その結果、電力消散が最小限になる。アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、宇宙環境において帯電された粒子線によって生じる不具合に対して、少数キャリア装置よりも敏感でない多数キャリア装置である。このため、この発明の方策を用い、かつ宇宙船上で動作する太陽電池は、他のタイプのダイオード構造によって保護される太陽電池と比較して、動作性能において、長期にわたってより安定している。
【０００７】
この発明に従えば、太陽電池アレイは、太陽に向いている前面、後面、および照らされたときに出力電圧を生成する活性領域を有する光起電構造と、光起電構造の活性領域に電気的に並列に接続されるアイソタイプヘテロ接合ダイオードとを含む少なくとも１つの太陽電池とを有する。アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、望ましくは、光起電構造の前面および後面の一方の上に堆積され、好ましくは、光起電構造の前面の上に堆積される。１つの好ましい実施例においては、光起電構造は、活性領域と、活性領域から電気的に絶縁される非活性領域とに分割され、アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、光起電構造の非活性領域の前面の上に堆積される。
【０００８】
アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、異なる組成であるが同じドーパント特徴を有する２つの半導体層（すなわち、両層は、ネガティブにドープされるか、またはポジティブにドープされるが、互いに反対にドープをされてはならない）の間に界面、具体的にはヘテロ界面、が形成される基礎ダイオードユニットを含む。この２つの層の間のエネルギのオフセットまたは隔たりによって、電流の流れにおける非対称、または整流がこのヘテロ界面にわたって起こり得る。このエネルギの隔たりはバンドオフセットと呼ばれ、この２つの層の伝導帯端または価電子帯端の間のエネルギの差に起因する。十分なバンドオフセット、すなわち熱バックグラウンドエネルギの何倍ものエネルギ、を生成するよう並んでいる帯端を、アイソタイプヘテロ接合を形成するのに用いてもよい。エネルギの隔たりが、２つの層の伝導帯端の間のバンドオフセットでの整流に有利な場合には、ドーパント特徴はネガティブとし、電子の流れに関しての整流を可能にする。エネルギの隔たりが２つの層の価電子帯端の間のバンドオフセットでの整流に有利な場合には、ドーパント特徴をポジティブとし、正孔の流れに関しての整流を可能にする。電子の流れ、正孔の流れのいずれも、層の間を流れる電流を整流するために用い得る。さらに、これらのバンドオフセットは、ドーパント特徴が、伝導帯および価電子帯オフセットにおいて上述した条件に合致する限り、タイプ１およびタイプ２のヘテロ界面で生成されてもよい。タイプ１のヘテロ界面においては、価電子帯オフセットΔＥVと伝導帯オフセットΔＥCとが、電圧において逆方向にずれており、電子および正孔が同じ層に閉じ込められる。タイプ２のヘテロ界面においては、ΔＥVとΔＥCとが、電圧において同じ方向にずれており、電子および正孔が異なる層に閉じ込められる。全体の直列抵抗を低減するのを助けるよう、半導体または金属である第３の層が加えられてもよい。
【０００９】
ある形態では、タイプ１のヘテロ界面を用い、電流の流れを整流するのに電子または正孔を用い得る。この条件においては、アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、狭いバンドギャップ半導体層である第１の層と、第１の層の上に堆積された広いバンドギャップ半導体層であって、第１の層との間に第１のヘテロ接合を形成する第２の層と、金属、または第２の層の上に堆積された狭いバンドギャップ半導体層であって、第２の層との間に第２のヘテロ接合を形成する第３の層とを有する。第３の層が金属の場合、第２の層への低い電気抵抗接触が存在する。第３の層が半導体の場合、第１の界面で電流の制御が行なわれ続けるように、第２の界面におけるドーピング濃度は、第２の界面の電気抵抗を低減するよう増加させる。それから、この基礎ダイオードユニットは、第１の層から第３の層への方向における電流電圧特性が、第３の層から第１の層への方向における電流電圧特性と異
なるように、非対称な導電性を有する。第１の層と第２の層とは、同じタイプのドーパントでドープされ、第３の層が半導体の場合は、第３層も同様である。よって、（第３の層が半導体の場合）これら３つの層はすべてｎドープまたはｐドープされてもよい。しかしながら、これと異なり、多くの半導体装置でのように、ｎｐｎまたはｐｎｐの形でドープされてはならない。この方策は、電子、正孔のいずれかが多数キャリアであっても機能する。第１の層と第３の層との合計の厚みが、少なくとも約１．５μｍであり、第２の層の厚みが少なくとも約１．５μｍであることが望ましい。
【００１０】
このような非対称な電流電圧特性は、うまく機能するのであれば、どのような方法で得てもよい。ある好ましい方策では、第２のヘテロ接合のような、ヘテロ接合のうちの１つが、そのヘテロ接合の電気抵抗を減らすようドープされる。これにより、非対称な電流電圧特性を達成する。別の好ましい実施例では、第２の層は、第１のヘテロ接合の近くでは高く、第２のヘテロ接合の近くでは低いバンドギャップを有する。これにより、この場合も非対称な電流電圧特性を達成する。
【００１１】
いくつかの場合、アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、電気的に直列な少なくとも２つ以上の基礎ダイオードユニットを含むことが好ましい。各基礎ダイオードユニットは、前述したような構造を含む。この場合、すべての第１の層と第３の層との合計の厚みは、少なくとも約１．５μｍであり、すべての第２の層の合計の厚みは、少なくとも約１．５μｍである。
【００１２】
実際のほとんどの適用例において、太陽電池アレイは、少なくとも２つの電気的に相互接続された太陽電池を有する。各太陽電池は、ここで記述したような構造を有する。各太陽電池は、活性領域と電気的に並列なアイソタイプヘテロ接合ダイオードを有する。ここで議論した他の機能的な特徴が、この実施例において用いられてもよい。
【００１３】
この発明の方策は、各太陽電池が、加えられた逆電流の流れによる損傷に対して、各太陽電池の構造に統合される電気的に並列なバイパスダイオードによって、保護される太陽電池アレイを提供する。このアイソタイプヘテロ接合ダイオードは、多数キャリア装置であり、そのため宇宙環境に存在する帯電された粒子線によって生じる不具合に対して比較的敏感でない。アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、同程度の電流電圧特性を有する多くの他のタイプのダイオードよりも小さい静電容量を持つ。アイソタイプヘテロ接合ダイオードは、逆バイアス下で低電流を保ったまま、順電流の低下を最小限にし、この結果電力消散が最小限になる。
【００１４】
この発明の他の特徴および利点は、例を用いてこの発明の原理を示す添付の図面と併せて、下記の好ましい実施例のさらに詳細な説明から明らかになるであろう。しかしながら、この発明の範囲はこの好ましい実施例に限定されない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
発明の詳細な説明
図１は、少なくとも１つの太陽電池、この場合は３つの太陽電池２２、２４、および２６を有する太陽電池アレイ２０を示す。この太陽電池２２、２４、および２６は、電気的に直列に接続される。各太陽電池２２、２４、および２６は、それぞれ、照らされたときに、光起電出力を生成する活性領域２８、３０、および３２と、これら活性領域２８、３０、３２とそれぞれ電気的に並列に接続されたアイソタイプヘテロ接合ダイオード３４、３６、および３８とを含む。もしこれら活性領域のうちの１つが、たとえば活性領域３０が、電気出力の生成を止めた場合、対応するダイオード３６がなければ、他の直列に接続された太陽電池２２および２６によって活性領域３０へ印加された電流によって、太陽電池２４は損傷する。しかしながら、このアイソタイプヘテロ接合ダイオード３６は、並列
な電流路を活性領域３０の周りに提供し、これにより太陽電池２４をこのような損傷から保護する。
【００１６】
図２はこのような太陽電池２４の例示的なものを示す。この太陽電池２４において、活性領域３０およびアイソタイプヘテロ接合ダイオード３６は、１つの構造へと統合されている。光起電構造４０は、稼動時に太陽を向いている前面４２、および後面４４とともに、活性領域３０を有する。アイソタイプヘテロ接合ダイオード３６を含むアイソタイプヘテロ接合ダイオード構造４８は、活性領域３０と同じ基板３６上に設けられる。
【００１７】
活性領域３０は、基板４６の後ろ側に堆積されたオーミックバック接触層４９と、基板４６の前側に堆積された底接触層５０と、底接触層５０に堆積された光起電電池５２と、光起電電池５２に堆積された最上接触層５４と、最上接触層５４に堆積されたオーミック接触５６とを含む。光起電電池５２は、活性領域３０が前面４２から照らされたとき、電流出力を生成する。機能するならば、どのような光起電電池５２が用いられてもよい。たとえば、光起電電池５２は、太陽光を電気エネルギに変換するよう単接合電池または多接合電池を含んでもよく、通常の太陽の光強度で、または集光用太陽電池の一部として動作してもよい。このような光起電電池５２は、当該技術において公知である。
【００１８】
アイソタイプヘテロ接合ダイオード４８は、活性領域３０と同じ要素５０、５２、および５４を含んでいるが、活性領域３０からは、この場合、ギャップ５８によって、電気的に絶縁されている。要素５０、５２、および５４は、自身の上に横たわる構造によって、太陽からは遮られて陰になるため、電流出力を生成しない非活性領域６０を形成する。アイソタイプヘテロ接合ダイオード３６は、光起電構造４０の前面４２および後面４４の一方に堆積され、この実施例では、光起電構造４０の前面４２に堆積される。アイソタイプヘテロ接合ダイオード３６の上にはキャップ層６２が横たわり、このキャップ層６２の上にはオーミック接触６４が横たわる。金属製短絡ストリップ６６により、基板４６と最上接触層５４とを接続する。よって電流は、半導体要素５２を流れてアイソタイプヘテロ接合ダイオード３６へ辿りつくことはない。使用時には、太陽電池２４の後ろ側の基板４６、および太陽電池２４の前側のオーミック接触５６および６４に対して外部の電気的接続がなされる。
【００１９】
図３に示す他の実施例は、次に議論される点を除いて、図２の実施例と、構造において似ており、上述した要素に関する議論をここでは援用する。図３の実施例では、活性領域３０は、図２の実施例におけるギャップ５８によってではなく、固体の絶縁体６８によって、アイソタイプヘテロ接合ダイオード構造４８から隔てられる。オーミック接触５６は、活性領域３０の最上接触層５４からアイソタイプヘテロ接合ダイオード構造４８の最上接触層５４へ橋渡しをするように堆積される。図３の実施例においては、誘電性絶縁層７２によって要素５０、５２、５４、３６、および６２から電気的に絶縁されているコネクタストリップ７０が、基板４６からオーミック層６４へ延在する。これらの電流路は、活性領域３０とアイソタイプヘテロ接合ダイオード３０との電気的に並列な構成の別の形態を作り出す。
【００２０】
図１〜図３の実施例で用いられるアイソタイプヘテロ接合ダイオード３６は、機能するものであれば、どのようなタイプのものでもよい。図４〜図５は、このアイソタイプヘテロ接合ダイオード３６に関係する２つの実施例を示す。（図４〜図５の実施例の図は、図２〜図３において図示された向きに対して９０°回転したものである。）各々の場合において、アイソタイプヘテロ接合ダイオード３６は基礎ダイオードユニット８０を含む。基礎ダイオードユニット８０は、狭いギャップバンド半導体層である第１の層８２を含む。第２の層８４は、第１の層８２と第２の層８４との間に第１のヘテロ接合８６を形成するよう第１の層８２の上に堆積された、広いバンドギャップ半導体層である。第３の層８８
は、第２の層８４に対して低い電気抵抗接触を有する金属、または第２の層８４と第３の層８８との間で第２のヘテロ接合９０を形成するよう第２の層８４の上に堆積される狭いバンドギャップ半導体層である。
【００２１】
ここで使われているように、「狭いバンドギャップ」および「広いバンドギャップ」という用語は、単に互いの比較関係において用いられているだけであり、バンドギャップの特定の値を暗に意味しているわけではない。狭いバンドギャップ材料は、広いバンドギャップ材料よりも小さいバンドギャップを有する。
【００２２】
層８２、８４、および８８はアイソタイプ半導体である。層８８が半導体の場合、層８８も層８２および８４と同様にアイソタイプ半導体である。すなわち、層８２、８４および８８はすべて、同じタイプのドーピングをされる。つまり、層８２、８４、および８８（層８８が半導体ならば）は、すべてｎタイプのドーピングがなされてもよい。また代わりに、層８２、８４、および８８（層８８が半導体ならば）は、すべてｐタイプのドーピングがなされてもよい。第３の層８８は金属であってもよいが、層８２、８４のいずれも金属であってはならない。層８２、８４、および８８は、トランジスタのような多くの他のタイプの半導体装置でのように、ｐｎｐタイプまたはｎｐｎタイプの半導体構造であってはならない。ｐｎｐまたはｎｐｎドーピングのような、これら他の構成または材料のいずれも、アイソタイプヘテロ接合ダイオード３６を動作不能にしてしまう。
【００２３】
ダイオードの機能性を達成するために、第１の層８２から第２の層８８への方向における電流電圧特性が、第３の層８８から第１の層８２への方向における電流電圧特性と異なるように、電流電圧関係を非対称とする。図４〜図５の実施例は、この非対称を達成するための２つの異なる方策を表す。
【００２４】
第３の層８８が半導体である場合の図４の実施例において、第２のヘテロ接合９０は、図４に関係するグラフに示されるように、第２のヘテロ接合９０の電気抵抗を低減するよう導電性が高いタイプのドーパントでドープされる。第３の層８８が半導体である図５の実施例において、図５に関係するグラフに示すように、第２の層８４は、第１のヘテロ接合８６の近くでは高く、第２のヘテロ接合９０の近くでは低いバンドギャップを有する。すなわち、バンドギャップは、層８２および８８においては低く、第２の層８４において、第２のヘテロ接合９０からの距離が増すにつれて、バンドギャップは低から高へと増加する。距離に対して線形に増加しているよう図示されているが、必ずしもそうである必要はない。
【００２５】
場合によっては、アイソタイプヘテロ接合ダイオード３６において基礎ダイオードユニット８０をいくつか直列に設置するのが好ましいことがある。図６に、このような複数の基礎ダイオードユニット８０が設けられた構造を示す。これら基礎ダイオードユニット８０の各々は、図４〜図５に関連して議論した要素８２、８４、８６、８８、および９０を含んでおり、各々が、上記で議論したような態様、または機能し得るならば他の態様によって、導電性において非対称となる。製造において、同じ材料の第１の層８２および第３の層８８を作る（第３の層が金属でなく半導体の場合）のが最も便利であり、そうすると、各連続するアイソタイプヘテロ接合の第１の層８２および第３の層８８は一緒に堆積される。よって、よく見てみると、図６の構造は、電流電圧特性が非対称になるよう適切な修正がなされた状態で、広いバンドギャップ材料および狭いバンドギャップ材料の層が交互に配置されているように見える。
【００２６】
アイソタイプヘテロ接合ダイオード３６が（図４〜図５にあるように）１つの基礎ダイオードユニット８０から形成されているか、（図６にあるように）１つより多い基礎ダイオードユニット８０から形成されているかにかかわらず、狭いバンドギャップ材料（すな
わち、層８２および８８）の合計の厚みは少なくとも約１．５μｍであるべきであり、広いバンドギャップ材料（すなわち、層８４）の合計の厚みは少なくとも約１．５μｍであるべきである。層８２および８８における狭いバンドギャップ材料の厚みが、逆バイアス下におけるパンチスルー条件を決定する。広いバンドギャップ材料の層８４のドーピング濃度が、１立方センチメートル当たり、１−３×１０16原子のオーダであるとしたら、この１．５μｍの厚みにより、パンチスルーの開始前のスタンドオフ電圧は、十分な約１０ボルトに決定される。狭いバンドギャップ材料の合計の厚みと広いバンドギャップ材料の合計の厚みとはほぼ同じであることが好ましい。
【００２７】
この発明の特定の実施例を例示のために詳述してきたが、この発明の精神と範囲から逸脱することがなければ、さまざまな修正および改善がなされてもよい。したがって、この発明は、特許請求の範囲によって以外では限定されることはない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】太陽電池アレイの概略回路図である。
【図２】統合されたアイソタイプヘテロ接合ダイオードを有する太陽電池の第１の実施例の概略断面図である。
【図３】統合されたアイソタイプヘテロ接合ダイオードを有する太陽電池の第２の実施例の概略断面図である。
【図４】アイソタイプヘテロ接合ダイオードの第１の実施例の拡大概略断面図と、非対称のドーパント濃度を示す関連するグラフである。
【図５】アイソタイプヘテロ接合ダイオードの第２の実施例の拡大概略断面図と、非対称のバンドギャップを示す関連するグラフである。
【図６】いくつかの基礎ダイオードユニットが直列で設けられた、アイソタイプヘテロ接合ダイオードの第３の実施例の拡大概略断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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