(57)【要約】  本発明は、実質上平面状の変形可能な膜（１２、１３、１４）の上に配置され、かつ２つの異なる方向に沿って装着された少なくとも８つの抵抗ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）を備えるダブルホイートストンブリッジによる抵抗検知によって力を測定するためのデバイスに関する。ホイートストンブリッジのそれぞれの抵抗ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）は、膜（１２、１３、１４）に分離された部分のそれぞれ配置され、かつ、少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｙ１、Ｒｙ４）が膜（１２、１３、１４）の変形不可能な領域（１３）上に配置されている。
2008533481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変形可能な、かつ実質上平面状の膜（１２）の上に配置され、かつ２つの異なる方向（Ｘ、Ｙ）に配列された少なくとも８つの抵抗ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）を備えるダブルホイートストンブリッジを使用し、少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｙ１、Ｒｙ４）が膜（１２）の変形不可能な領域（１３）上に配置される、抵抗検知による力測定デバイスであって、
少なくとも１つのホイートストンブリッジの各抵抗ゲージ（Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）が、ホイートストンブリッジのそれぞれの抵抗ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）がそれぞれ別個の膜部分（１２、１３、１４）上に配置されるように、他のホイートストンブリッジの各ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４）の配列方向（Ｘ）の片側のみに位置された膜部分（１２、１３、１４）上に配置されることを特徴とする、力測定デバイス。
【請求項２】
それぞれ第１、第２のホイートストンブリッジの抵抗ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）が、それぞれ第２、第１のホイートストンブリッジの抵抗ゲージ（Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４、Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４）の配列方向の片側のみに位置された膜部分（１２、１３、１４）上に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の力測定デバイス。
【請求項３】
少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｘ２、Ｒｘ３；Ｒｙ１、Ｒｙ４）が、剛性ロッド（１０）に取り付けられた膜の中央領域（１３）上に配置されることを特徴とする、請求項１および２のいずれかに記載の力測定デバイス。
【請求項４】
少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｘ２、Ｒｘ３；Ｒｙ１、Ｒｙ４）が、膜の周縁領域（１４）上に位置され、この周縁領域（１４）が、変形可能な膜（１２）のための固定点を備えることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の力測定デバイス。
【請求項５】
それぞれのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｙ１、Ｒｙ４）が、膜の変形不可能な領域（１３、１４）上に配置されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の力測定デバイス。
【請求項６】
膜の変形可能な領域がディスクまたは別個のディスクセクタであることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の力測定デバイス。
【請求項７】
ダブルホイートストンブリッジ内の抵抗ゲージ（Ｒ）の相互接続を作成するための導電性材料の単一の被着を含むことを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の力測定デバイスを製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダブルホイートストンブリッジによる抵抗検知によって力を測定するためのデバイスに関する。
【０００２】
本発明はまた、このような測定デバイスを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般的に言えば、本発明は、２つの異なる方向に向けられた２つのホイートストンブリッジ内に配置された抵抗ゲージを使用した、すべてのタイプの力（力、圧力、モーメント、または角加速度または線形加速度）センサの分野に関する。
【０００４】
このタイプの力センサは、力（空気圧、ビデオゲーム用のジョイスティックなど）または加速度（自動車におけるエアバッグのトリガ、ペースメーカーなど）を測定することがその中で必要とされる、いかなるシステムにも組み込まれることができる。
【０００５】
従来技術の力センサが、文献ＵＳ  ４  ７４５  ８１２号に特に記載されている。
【０００６】
マイクロテクノロジー技術によって作成されたそのセンサは、変形可能な支持体の平面内のダブルホイートストンブリッジ内に配置された圧電抵抗検知要素を備える。これらのゲージは、変形可能な支持体に加えられる力の空間内での成分を検知するために、２つの直角な方向に配置されている。
【０００７】
第１の方向に配列された４つのゲージを相互接続することによって得られる、第１のホイートストンブリッジの不均衡は、その第１の方向の力の成分に比例する。第２の方向に配列された４つのゲージを相互接続することによって得られる、第２のホイートストンブリッジの不均衡は、その第２の方向での力の成分に比例する。２つのブリッジの共通モードは、変形可能な支持体の平面に対して垂直な方向の、加えられた力の成分に比例する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
マイクロテクノロジー手段によるこのようなセンサの構造の作成中、ホイートストンブリッジの相互接続は、導電性の経路の絶縁された交差を作成することを必要とする。実際には、これらの絶縁性の交差は、２つの金属レベル層を積層することによって得られる。このような積層は、製造上のオーバーコスト、および効率の低下を有するセンサの不具合のリスクを呈する。
【０００９】
本発明は、上記で述べた欠点を解決し、かつ製造がより簡単である力測定デバイスを提案とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、変形可能な、かつ実質上平面状の膜の上に配置され、かつ２つの異なる方向に配列された少なくとも８つの抵抗ゲージを備えるダブルホイートストンブリッジを使用し、少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージが膜の変形不可能な領域上に配置される、抵抗検知による力測定デバイスを目的とする。
【００１１】
本発明によると、少なくとも１つのホイートストンブリッジの各抵抗ゲージが、ホイートストンブリッジのそれぞれの各抵抗ゲージがそれぞれ別個の膜部分上に配置されるように、他のホイートストンブリッジの抵抗ゲージの配列方向の片側のみに位置された膜部分の上に配置される。
【００１２】
このようにして、別個の膜部分内に同じホイートストンブリッジのゲージを配置することによって、導電性の経路の交差を必要とすることなく、各ブリッジのゲージの相互接続を行うことが可能である。
【００１３】
したがって、ホイートストンブリッジのゲージの相互接続が、導電性材料の単一レベル層によって得られることができる。このため、製造コストが減少され、かつこのような測定デバイスの製造の効率が増加される。
【００１４】
実際には、変形可能な膜上のゲージのこの構成を得るため、および膜の平面内の方向でのゲージの配列を維持するために、ブリッジの少なくとも２つのゲージが、膜の変形不可能な領域上に配置される。
【００１５】
本発明の一実施形態では、少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージが、膜の中央領域上に配置され、それに剛性ロッドが固定される。
【００１６】
本発明の実施例のある実用的な形態によると、２つのホイートストンブリッジのそれぞれの２つのゲージが、膜の変形不可能な領域上に配置される。
【００１７】
第２の態様によると、本発明はまた、上記で説明されたような測定デバイスを製造する方法に関し、その製造方法は、ダブルホイートストンブリッジの抵抗ゲージの相互接続を作成するために導電性材料の単一の被着を含む。
【００１８】
本発明の他の態様および利点が、以下の説明の過程で、より明らかになるであろう。
【００１９】
添付の図面は非限定的な例として与えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の第１の実施形態による力測定デバイスが、図１を参照にして最初に説明される。
【００２１】
図示されている力センサは、「爪」タイプの特定の構造を有する。これは、ヘッド１１が上にある剛性ロッド１０を備える。
【００２２】
測定デバイスのこのヘッド１１は、ロッド１０が力またはモーメントによって作用された場合に、または加速度による完全な構造への荷重がこの膜１２の変形を誘発する場合に、変形されることができる、実質上平面状の変形可能な膜１２を備える。
【００２３】
この実施形態では、変形可能な膜は、中実の円形膜であり、ロッド１０とのその接続は、変形不可能な中心領域１３で行われる。
【００２４】
もちろん、この変形可能な膜は、たとえば、膜の中心領域１３と周縁領域１４の間に延びる様々なアームから作成される、様々な構造を有してもよい。
【００２５】
この周縁領域１４は、休止時に測定デバイスのロッド１０に対する位置を有し、かつロッドまたは構造全体が力によって作用されたときにその位置を実質上保持する固定点を備える。
【００２６】
図１および２の例では、膜１２の周縁領域１４上に延びている複数の連続する固定点がある。
【００２７】
もちろん、固定点はまた、離散した方式で作成されてもよい。
【００２８】
膜１２のこの周縁領域１４もまた、変形不可能である。
【００２９】
したがって、膜１２は、変形不可能な中心領域１３を備える、ディスク状の変形可能な領域を備える。これは、別個のディスクセクタから同様に成ってもよい。
【００３０】
変形可能な膜１２は、ここではダブルホイートストンブリッジとして構成された８つの圧電抵抗ゲージから成る測定要素を備える。
【００３１】
この実施形態では、圧電抵抗ゲージが、２つの異なる方向に４×４で、およびここでは変形可能な膜１２の平面内の２つの直角な方向に配置されている。
【００３２】
特に、最初の４つのゲージＲｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４は、膜１２の平面の第１の方向Ｘに配列され、かつ図３に示されているようなホイートストンブリッジ回路に接続されている。電圧差ＶＢ−ＶＡによって測定されるようなこのホイートストンブリッジの不均衡は、方向Ｘでの力および加速度の成分に比例する。
【００３３】
同様に、４つのゲージＲｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４は、方向Ｘに対して直角な第２の方向Ｙに配列され、これらのゲージは図３に示されているように、電位差ＶＤ−ＶＣによって表されるブリッジの不均衡がこの方向Ｙでの力および加速度の成分に比例するように、ホイートストンブリッジ回路に接続されている。
【００３４】
電位差（ＶＡ＋ＶＢ）−（ＶＣ＋ＶＤ）によって表される２つのホイートストンブリッジの共通モードは、膜１２に平面に対して垂直な方向Ｚでの力または加速度の成分に比例する。
【００３５】
それぞれのホイートストンブリッジに付随する抵抗ゲージは、それぞれ別個の膜部分１２の上に配置されている、すなわち、膜の平面が、各ブリッジの圧電抵抗ゲージが区画の別個の部分に属するように区分されることができる。
【００３６】
このようにして、様々な直線によって、独立して、導体交差なしに、図２に示されている様々な圧電ゲージの接続を作製することが可能である。
【００３７】
この実施形態では、各ホイートストンブリッジの抵抗ゲージが、他のホイートストンブリッジの抵抗ゲージの配列の方向の片側のみに位置された膜部分上に配置される。
【００３８】
測定デバイスの寸法に関する理由により、本願出願者は、膜１２の変形不可能な領域上に、（複数の）ホイートストンブリッジのそれぞれの少なくとも２つのゲージを配置することが可能であることを見出した。
【００３９】
この実施形態では、ホイートストンブリッジのそれぞれの２つのゲージＲｘ２、Ｒｘ３およびＲｙ１、Ｒｙ４が、膜１２の中央領域１３、すなわち、剛性ロッド１０に取り付けられた中央領域上に配置される。
【００４０】
それぞれの抵抗ゲージが細長い平行四辺形形状を有し、したがってある方向に大きい寸法を有するこの実施形態では、膜の変形不可能な領域上に配置されたゲージが、それらが属するホイートストンブリッジのゲージの配列方向に対して横方向に配置される。もちろん、それらは他のいずれの方式で方向付けられてもよい。
【００４１】
このようにして、ホイートストンブリッジのそれぞれのゲージのいくつかを膜の変形不可能領域へ移動させることによって、力センサのより低い感度が得られる。しかし、変形不可能な部分へのゲージのこの配置は、測定デバイスに加えられる力の強度および方向を測定するためのダブルホイートストンブリッジの計算式をより複雑にすることなく、別個の膜部分上へのブリッジのそれぞれの抵抗ゲージの装着を可能にする。
【００４２】
本発明を実施するための他の構成が、もちろん使用されてもよい。
【００４３】
図４および５に示されているように、ホイートストンブリッジのそれぞれのゲージが、膜１２の周縁領域１４上に配置されてもよく、この周縁領域１４は変形可能な膜１２の固定点を含む。
【００４４】
前の実施形態でのように、ホイートストンブリッジの抵抗ゲージは、他のホイートストンブリッジの抵抗ゲージの配列方向にのみ片側に位置された膜部分上に配置される。
【００４５】
別個の膜部分上へのゲージのこの配置は、様々なダブルホイートストンブリッジ抵抗ゲージの相互接続が、接続部の交差を必要とせずに行われることを可能にする。
【００４６】
図５に示されているゲージのダブルホイートストンブリッジ構成は、図３に示され、かつ前の実施形態を参照にして上記で説明されたものと同一である。
【００４７】
図６に明確に示されているように、１つのホイートストンブリッジ、ここでは、第２の方向Ｙに関連するホイートストンブリッジのゲージのみが、他のホイートストンブリッジの抵抗ゲージの配列の方向Ｘの片側にのみ位置された膜部分上に配置されることができる。
【００４８】
この実施形態では、第１の方向Ｘに関連するホイートストンブリッジの抵抗ゲージが、第２の方向Ｙのいずれかの側に配置される。
【００４９】
このタイプの実施形態もまた、ダブルホイートストンブリッジ回路での様々な抵抗ゲージの相互接続が、接続部の交差を必要とせずに行われることを可能にする。
【００５０】
様々な抵抗ゲージの接続は、図３を参照にして上記で説明されたものと同一である。
【００５１】
上記で説明された力測定デバイスを製造する方法が、図７Ａから７Ｊを参照にして次に説明される。
【００５２】
この実施形態で使用される製造プロセスは、マイクロテクノロジー技術を使用する。
【００５３】
もちろん、他のより簡便な技術もまた、本発明の力測定デバイスを作成するために使用されてもよい。
【００５４】
図７Ａに示されているような、ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板から始めると、たとえばＮタイプの基板内のＰタイプなどの、抵抗ゲージが埋め込まれる。２つの抵抗ゲージＲのみの埋込みが図７Ｂに示されているが、測定デバイスを実施するために必要なゲージのすべてが、もちろんこの段階で埋め込まれる。
【００５５】
図７Ｃに示されているように、パッシベーション層２０が、ゲージＲをカバーするためにＳＯＩ基板上に被着される。
【００５６】
次に、開口が、ゲージＲとの接触を提供する孔を得るために、図７Ｄに示すようにパッシベーション層２０内に作成される。
【００５７】
その後で、ゲージＲの電気的接続および様々な接続、および特にホイートストンブリッジ回路内でのゲージの実装および接続を提供する導体のエッチングが行われる。このエッチングは、図７Ｅに示されているような導電性材料２１の被着によって行われる。
【００５８】
導電性の材料は、たとえば、Ｔｉ−Ｎｉ―ＡｕまたはＣｒ−ＡｕまたはＴｉ−ＴｉＮ−Ａｕなどの導電性材料の１つまたは複数の層から成ってもよい。
【００５９】
上記で明確に説明されたように、様々なゲージＲは、膜の別個の部分の上に配置されており、導電性材料２１の単一の被着が、様々なゲージＲを備えるダブルホイートストンブリッジ回路を作成するために必要とされるすべての接続を作成する。
【００６０】
図７Ｆで明確に示されているように、ダブルエッチングマスク２２、２３が次に、ＳＯＩ基板の裏面上で作成される。
【００６１】
最初のディープエッチングが、測定デバイスの形成を開始するために、特に中央ロッド１０を作成するために、図７Ｇに示されるように行われる。
【００６２】
図７Ｈに示されているように、エッチングマスク２３の１つが、絶縁層まで基板をエッチングするための第２のディープエッチングを図７Ｉに示されているように行う前に、除去される。
【００６３】
他のエッチングマスク２２が次に、図７Ｊに示されているように除去され、裏面をエッチングする様々なステップが、このようにして本発明の測定デバイスの爪型の構造を得る。
【００６４】
上記で示されたように、このようなデバイスを作成するための伝統的な技術では、構造の様々な部分が、従来型の機械加工によって作成され、かつその後組み立てられることができる。金属性のゲージＲが次に、変形可能な部分と接合されてもよい。様々なゲージの接続が、次に導体を作成するための導電性材料の単一の被着によってステップ７Ｄおよび７Ｅを参照にして説明されたように行われる。
【００６５】
様々な修正が、もちろん、本発明の範囲から逸脱することなく上記で説明された実施形態に対して行われることができる。
【００６６】
このようにして、ホイートストンブリッジが、垂直でない２つの方向に方向付けられることができる。
【００６７】
他のタイプの抵抗ゲージもまた、それらが原則として接合されている構造の変形に等しいそれらの変形が、抵抗値の変化に反映されるならば、等しく使用されることができる。金属性のゲージ、または圧電抵抗ゲージ以外の半導体ゲージのタイプもまた、使用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施形態による力測定デバイスの断面図である。
【図２】ダブルホイートストンブリッジ回路を示す、図１による力測定デバイスの上面概略図である。
【図３】図１による力測定デバイスのダブルホイートストンブリッジにおけるゲージの相互接続を示す電気回路図である。
【図４】本発明の第２の実施形態による力測定デバイスの断面図である。
【図５】図４による測定デバイスのダブルホイートストンブリッジを示す上面概略図である。
【図６】本発明の第３の実施形態による力測定デバイスのダブルホイートストンブリッジを示す上面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｄ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｅ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｆ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｇ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｈ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｉ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図７Ｊ】本発明の一実施形態による製造方法のステップの連続を示す図である。
【図１】
2008533481.tif 000003
【図２】
2008533481.tif 000004
【図３】
2008533481.tif 000005
【図４】
2008533481.tif 000006
【図５】
2008533481.tif 000007
【図６】
2008533481.tif 000008
【図７Ａ】
2008533481.tif 000009
【図７Ｂ】
2008533481.tif 000010
【図７Ｃ】
2008533481.tif 000011
【図７Ｄ】
2008533481.tif 000012
【図７Ｅ】
2008533481.tif 000013
【図７Ｆ】
2008533481.tif 000014
【図７Ｇ】
2008533481.tif 000015
【図７Ｈ】
2008533481.tif 000016
【図７Ｉ】
2008533481.tif 000017
【図７Ｊ】
2008533481.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月16日(2007.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変形可能な、かつ実質上平面状の膜（１２）の上に配置され、かつ２つの異なる方向（Ｘ、Ｙ）に配列された少なくとも８つの抵抗ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）を備えるダブルホイートストンブリッジを使用し、少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｙ１、Ｒｙ４）が膜（１２）の変形不可能な領域（１３）上に配置される、抵抗検知による力測定デバイスであって、
少なくとも１つのホイートストンブリッジの各抵抗ゲージ（Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）が、ホイートストンブリッジのそれぞれの抵抗ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）がそれぞれ別個の膜部分（１２、１３、１４）上に配置されるように、他のホイートストンブリッジの各ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４）の配列方向（Ｘ）の片側のみに位置された膜部分（１２、１３、１４）上に配列されて配置されることを特徴とする、力測定デバイス。
【請求項２】
それぞれ第１、第２のホイートストンブリッジの抵抗ゲージ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４）が、それぞれ第２、第１のホイートストンブリッジの抵抗ゲージ（Ｒｙ１、Ｒｙ２、Ｒｙ３、Ｒｙ４、Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４）の配列方向の片側のみに位置された膜部分（１２、１３、１４）上に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の力測定デバイス。
【請求項３】
少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｘ２、Ｒｘ３；Ｒｙ１、Ｒｙ４）が、剛性ロッド（１０）に取り付けられた膜の中央領域（１３）上に配置されることを特徴とする、請求項１および２のいずれかに記載の力測定デバイス。
【請求項４】
少なくとも１つのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｘ２、Ｒｘ３；Ｒｙ１、Ｒｙ４）が、膜の周縁領域（１４）上に位置され、この周縁領域（１４）が、変形可能な膜（１２）のための固定点を備えることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の力測定デバイス。
【請求項５】
それぞれのホイートストンブリッジの２つのゲージ（Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｙ１、Ｒｙ４）が、膜の変形不可能な領域（１３、１４）上に配置されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の力測定デバイス。
【請求項６】
膜の変形可能な領域がディスクまたは別個のディスクセクタであることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の力測定デバイス。
【請求項７】
前記少なくとも８つの抵抗ゲージ（Ｒ）が、導電性材料の単一の被着によってダブルホイートストンブリッジ内で相互接続されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の力測定デバイス。
【請求項８】
前記少なくとも８つの抵抗ゲージ（Ｒ）が、導電性の経路の交差なしで相互接続されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の力測定デバイス。
【国際調査報告】
2008533481.tif 000019
2008533481.tif 000020
2008533481.tif 000021
2008533481.tif 000022
2008533481.tif 000023
2008533481.tif 000024