(57)【要約】   本発明は、受光部を大口径化できるフォトダイオードの構造に関する。本発明によれば、光電変換のための化合物半導体の接合構造を有した受光部と、前記受光部一面の光入射領域にオーム接触された網構造の第１電極と、前記第１電極と対応するように前記受光部の他面に形成される第２電極とを含むフォトダイオードが開示される。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換のための化合物半導体の接合構造を有した受光部と、
前記受光部の一面の光入射領域にオーム接触された網構造の第１電極と、
前記第１電極と対応するように前記受光部の他面に形成される第２電極とを含むフォトダイオード。
【請求項２】
前記第１電極の網構造は長さと幅が３０〜５０μｍの正方形パターンを有することを特徴とする請求項１に記載のフォトダイオード。
【請求項３】
前記第１電極は１〜４μｍの幅を有する配線からなることを特徴とする請求項１に記載のフォトダイオード。
【請求項４】
前記第１電極と電気的に接続され、前記受光部の光入射領域の縁に沿ってオーム接触されたリング型電極をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のフォトダイオード。
【請求項５】
前記受光部は、
Ｎ型ＩｎＰ基板と、
前記基板上に形成されるＮ型ＩｎＰバッファ層と、
前記バッファ層上に形成されるＩｎＧａＡｓ吸収層と、
前記吸収層上に形成されるＩｎＰ層とを備えることを特徴とする請求項１に記載のフォトダイオード。
【請求項６】
前記光入射領域周辺のＩｎＰ層上に形成される二酸化珪素絶縁膜と、
前記二酸化珪素絶縁膜上にパッシベーションされる無反射膜と、
前記無反射膜上に形成されて前記第１電極に接続される電極パッドとをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のフォトダイオード。
【請求項７】
前記ＩｎＧａＡｓ吸収層の厚さが２．０〜３．４μｍであることを特徴とする請求項５に記載のフォトダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトダイオードに関し、より詳細には、受光量を増大させるように大口径の受光部を構成することができる電極構造を有するフォトダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトダイオードは、受光面積が広いほど受光される光量が多く、光通信においてより正確なデータ転送動作を支援することになり、光ファイバーとの結合のとき整列させ易い。
【０００３】
しかし、その一方、受光面積を広げる場合、フォトダイオードの転移時間（ｒａｎｓｉｔ  ｔｉｍｅ）及びキャリア伝達時間が長くなり、動作速度が遅くなるだけでなくフォトダイオードの最も重要な電気的特性である周波数応答速度が遅くなる問題も発生する。
【０００４】
図１には、一般的なフォトダイオードの構成が示されている。図面を参照すれば、フォトダイオードはリン化インジウム（ＩｎＰ）の基板１０と、前記基板１０に形成される受光部１１と、前記受光部１１に隣接するように基板１０上にオーム接触（Ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）される電極パッド１２とを備える。このような構成によれば、受光部１１に吸収される光子（Ｐｈｏｔｏｎ）に対応して電子−正孔対（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｈｏｌｅ  ｐａｉｒ）が発生し、それによるキャリア（Ｃａｒｒｉｅｒ）は電極パッド１２を介して外部回路に伝達される。
【０００５】
前記のような構造を有するフォトダイオードは、リン化インジウム（ＩｎＰ）に光が入射したとき、価電子帯（Ｖａｌｅｎｃｅ  ｂａｎｄ）の電子が伝導帯（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  ｂａｎｄ）に励起される光電効果により、価電子帯には正孔が生成されて伝導帯には電子が生成されることで電子−正孔対が発生し、それによるキャリアはＰＮ接合構造によって提供される電場によって電極へ移動され外部回路に伝達される。特に、近年電場が加えられる領域を広く形成するためＩ層、すなわち真性（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）半導体層をＰＮ接合構造の間に介在したＰＩＮフォトダイオードに関する研究も活発に行われている。
【０００６】
一般的に、フォトダイオードが光信号を感知し易くするためには、光信号が入力されないときの電流、すなわち暗電流が小さくなければならず、入射光に対する出力電流の比である感応度（Ｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙ）値が大きくなければならない。その他、フォトダイオードの動作速度に影響を与える変数としては、ダイオード静電容量（ｄｉｏｄｅ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）、寄生静電容量（Ｐａｒａｓｉｔｉｃ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）、及び空乏層におけるキャリア伝達時間（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｔｉｍｅ）などが挙げられる。
【０００７】
一般的な平面型ＰＩＮフォトダイオードの場合、受光面積を広げるとき、下記の数式１によってダイオード静電容量Ｃｊ  が増加し素子の総静電容量が増加するようになるため、動作速度と周波数応答速度が低くなる問題が発生する。
【０００８】
【数１】
2008514025.tif 000003
【０００９】
前記数式１において、空乏層幅Ｗは下記の数式２のように表される。ここで、εは誘電率、Ａは接合面積、Ｖは逆バイアス電圧、Ｖｂｉは接合固有電圧（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ｂｕｉｌｔ−ｉｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）、ｑは電荷量、ＮＤ  はＩ層の純電荷濃度を示す。
【００１０】
【数２】
2008514025.tif 000004
【００１１】
図２には、受光面積の大口径化のとき問題になる静電容量を最小化するために二酸化珪素（ＳｉＯ２  ）の薄膜上に形成される電極パッド１２と、受光部１１の縁に沿って形成される金属のリング型電極１３とを備えたフォトダイオードが示されている。このような構成によれば、入射される光信号に対応して発生する電流を、受光部１１にオーム接触されたリング型電極１３と、前記リング型電極１３に接続された電極パッド１２を介して外部回路に伝達することで、寄生容量を最小化できる。
【００１２】
しかし、リング型電極１３を使う場合、ＯＳＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｕｂ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）を組み立てるとき、金属リングによる反射特性のため、整列のための工程時間が増加する問題があり、一定直径以上の大口径受光部１１を有する場合、キャリア伝達時間が長くなることによって周波数応答速度が低くなる問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記のような問題点に鑑みて創案されたものであり、光ファイバーとの整列工程のときに発生する反射問題を解消し、静電容量を最小化すると同時にキャリアの伝達時間を減らせる電極構造を有したフォトダイオードを提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記のような目的を達成するため、本発明によるフォトダイオードは、光電変換のための化合物半導体の接合構造を有した受光部と、前記受光部一面の光入射領域にオーム接触された網構造の第１電極と、前記第１電極と対応するように前記受光部の他面に形成される第２電極とを含む。
【００１５】
望ましくは、前記第１電極の網構造は長さと幅が３０〜５０μｍの正方形パターンを有し得る。
【００１６】
また、前記第１電極は１〜４μｍの幅を有する配線でなることが望ましい。
【００１７】
本発明には、前記第１電極と電気的に接続されるが、前記受光部の光入射領域の縁に沿ってオーム接触されたリング型電極をさらに備え得る。
【００１８】
前記受光部は、Ｎ型ＩｎＰ基板と、前記基板上に形成されるＮ型ＩｎＰバッファ層と、前記バッファ層上に形成されるＩｎＧａＡｓ吸収層と、前記吸収層上に形成されるＩｎＰ層とを備え得る。
【００１９】
望ましくは、本発明には前記光入射領域周辺のＩｎＰ層の上に形成される二酸化珪素絶縁膜と、前記二酸化珪素の絶縁膜上にパッシベーション（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）される無反射膜と、前記無反射膜上に形成されて前記第１電極に接続される電極パッドとがさらに含まれ得る。
【００２０】
前記ＩｎＧａＡｓ吸収層の厚さは、２．０〜３．４μｍの値を有することが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。これに先立ち、本明細書及び請求範囲に使われた用語や単語は通常的や辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者は自らが発明を最も最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義できるという原則に則して、本発明の技術的な思想に応ずる意味及び概念で解釈されねばならない。したがって、本明細書に記載された実施例及び図面に示された構成は、本発明の最も望ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的な思想を全て代弁するものではないため、本出願の時点においてこれらを代替できる多様な均等物及び変形例があり得ることを理解せねばならない。
【００２２】
図３は、本発明の望ましい実施例によるフォトダイオードの構成を示す平面図であり、図４は切開斜視図である。
【００２３】
図３及び図４を参照すれば、本発明の望ましい実施例によるフォトダイオードは、光電変換のための化合物半導体の多層接合構造を有した受光部１００と、前記受光部１００の光入射領域に備えられる網構造の第１電極１０１と、前記受光部１００の他面に形成される第２電極１０７とを含む。
【００２４】
受光部１００の光入射領域には、網構造の第１電極１０１が備えられる。第１電極１０１の網構造は、受光部１００の上部にオーム接触され、一般的な光通信用転送光の直径より大きいかまたは同じ３０〜５０μｍの正方形配線パターンが繰り返される構造を有する。ここで、第１電極１０１をなす網配線の幅は、フォトダイオードの反射特性に影響を及ぼさず、組み立て工程中のレーザー熔接（Ｌａｓｅｒ  ｗｅｌｄｉｎｇ）工程のときにも影響を及ぼさない程度である１〜４μｍの値を有することが望ましい。より望ましくは、第１電極１０１の配線は２〜４μｍの幅を有するように形成される。前記第１電極１０１は、Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＣｒ／Ａｕの多重層からなることが望ましい。
【００２５】
望ましくは、受光部１００の光入射領域の縁には、リング型電極１０２がさらに備えられ得る。受光部１００にオーム接触されるリング型電極１０２は、前記網構造の縁を円形に囲むと同時に第１電極１０１に電気的に接続される。
【００２６】
前記受光部１００の光入射領域の周辺には、第１電極１０１及びリング型電極１０２と電気的に接続されキャリアを外部回路に伝達する電極パッド１０３が備えられる。ここで、受光部１００の光入射領域の周辺には、略１μｍ厚の二酸化珪素（ＳｉＯ２  ）絶縁膜１０５と、前記二酸化珪素絶縁膜１０５上にパッシベーションされる略１０００〜２０００ÅのＳｉ３  Ｎ４  （窒化珪素膜）でなる無反射膜１０６とが備えられる。前記電極パッド１０３は、寄生容量を最小化するために無反射膜１０６上に形成され、Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはＣｒ／Ａｕの多重層からなることが望ましい。
【００２７】
受光部１００は、入射光に対応するキャリアの生成のための化合物半導体層を始めとして、キャリアを電極に伝達するための電場を提供するＰＮ接合構造を備える。望ましくは、受光部１００はＮ型のＩｎＰ基板１０８と、前記基板１０８上に形成されるＮ型ＩｎＰバッファ層１０９と、前記バッファ層１０９上に形成されるＩｎＧａＡｓ吸収層１１０と、前記吸収層１１０上に形成されるＩｎＰ層１１１とを備え得る。前記ＩｎＰ層１１１には、Ｚｎ拡散を通じたＰ型のＩｎＰ領域１０４が備えられ、前記基板１０８の下面には網構造の第１電極１０１と対応する第２電極１０７が形成される。ここで、受光部１００が前記のような構成に限定されず、公知のＰＩＮ接合構造が採用されるなど多様な変形例があり得ることはもちろんである。
【００２８】
フォトダイオードの性能に最も影響を及ぼす周波数応答は、吸収層１１０による転移時間と静電容量によって制限される。すなわち、吸収層１１０の厚さが厚くなり過ぎれば転移時間が多くかかり、薄くなり過ぎれば静電容量が増加するようになって周波数応答特性が悪くなる。このような点に鑑みるとき、前記ＩｎＧａＡｓ吸収層１１０の厚さは２．０〜３．４μｍであり、受光部１００の直径は約１００μｍ以上３００μｍ以下の値を有することが望ましい。特に、フォトダイオードが光通信のための受信用として使われる場合、受光部１００の直径は１００〜１５０μｍの値を有することが望ましい。
【００２９】
前記受光部１００のＩｎＰバッファ層１０９、ＩｎＧａＡｓ吸収層１１０、ＩｎＰ層１１１等は、通常の半導体製造工程で使われる薄膜成長技術によって順次形成できる。また、前記ＩｎＰ層１１１上部のＺｎ拡散領域１０４は、通常のＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いたマスキング技術、フォトリソグラフィ工程、リフトオフ技術、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）技術などによって形成でき、網パターンの第１電極１０１、リング型電極１０２、電極パッド１０３、第２電極１０７などの電極構造は、通常の電子ビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）蒸着技術、リフトオフ技術、あるいはウェットエッチング技術を用いて製作できる。
【００３０】
以下、受光部１００のＺｎ拡散領域１０４、電極等の形成工程を中心に、本発明によるフォトダイオードの製造工程を説明する。
【００３１】
まず、ＭＯＣＶＤ法によって成長され、基板１０８、ＩｎＰバッファ層１０９、ＩｎＧａＡｓ吸収層１１０、ＩｎＰ層１１１及び保護膜としてのＩｎＧａＡｓキャッピング層（図示せず）が形成されたエピタキシャルウエハーに対し、硫酸系エッチング溶液を用いて０．１μｍ厚のＩｎＧａＡｓキャッピング層を除去し、Ｚｎ拡散用マスクを作るためにＰＥＣＶＤ装備を用いてＳｉ３  Ｎ４  膜を蒸着する。
【００３２】
蒸着工程を完了した後には、Ｓｉ３  Ｎ４  膜上にフォトリソグラフィ工程でＺｎ拡散用フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ；以下、ＰＲ）パターンを作った後、ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｅｔｃｈａｎｔ）溶液を用いてＰＲパターンによって露出したＳｉ３  Ｎ４  をエッチングする。
【００３３】
ＢＯＥエッチングの終わったウエハーは、Ｚｎ３  Ｐ２  とともに熱蒸気チャンバ（Ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ  ｃｈａｍｂｅｒ）に投入され、２×１０−６Ｔｏｒｒの真空でＺｎ３  Ｐ２  をウエハー上に蒸着する工程を経る。蒸着の終わったウエハーは、Ｚｎを拡散するための部分のＺｎ３  Ｐ２  だけを残し、残り部分のＺｎ３  Ｐ２  及びＰＲを全て除去するリフトオフ工程を経る。ここで、リフトオフ工程は、アセトン溶液などを用いてＰＲを溶かすことで、ＰＲとその上に蒸着されているＺｎ３  Ｐ２  を基板から離す方式で行われる。
【００３４】
前記ウエハーは、ＰＥＣＶＤを用いてその上面にＳｉＯ２  を蒸着する工程を経ることで、高い温度においてＺｎが拡散するとき外部拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）されることが防止される。
【００３５】
次に、ＳｉＯ２  がキャッピングされたウエハーを窒素雰囲気のＲＴＡチャンバに入れた後、５５０℃で４分間Ｚｎ−ＲＴＡ拡散工程を施す。拡散工程を終えた後には、ＳｉＯ２  キャッピング層をＢＯＥで除去した後、窒素系エッチング溶液を用いて、拡散して残った受光部領域のＺｎ３  Ｐ２  を除去する。
【００３６】
次いで、電極パッドによる寄生容量を最小化するため、ＰＥＣＶＤ装備を用いてウエハーの上面にＳｉＯ２  絶縁層を１μｍ厚に蒸着した後、Ｚｎが拡散した部分のＳｉＯ２  をフォトリソグラフィ工程及びＢＯＥ溶液を用いて除去する工程が行われる。
【００３７】
続いて、ＰＥＣＶＤ工程で無反射膜（Ｓｉ３  Ｎ４  ）１０６を形成した後、フォトリソグラフィ工程及びリフトオフ工程を用いて網パターンを有する第１電極であるＰ−メタル電極を形成する。ここで、Ｐ−メタル電極の形成工程は、フォトリソグラフィ工程を経てＰＲパターンが形成されたウエハーに対し、電子ビーム蒸着装備（Ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）を用いて１×１０−６Ｔｏｒｒの高真空でＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを４００／６００／１２０００Åの厚さに蒸着し、リフトオフ工程で不要な部分の金属薄膜を除去した後、ＲＴＡチャンバでオーム接触熱処理（Ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を施す方式で行われる。このように網パターンのＰ−メタル電極を形成した後は、前記Ｐ−メタル電極に隣接したＳｉＯ２  絶縁層上の一側に電極パッドを形成する工程が行われる。
【００３８】
次いで、前記ウエハーの裏面に対してラッピング（Ｌａｐｐｉｎｇ）工程を行って１００μｍ程度の厚さにした後、ｎ−メタルとして採用されたＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを４００／６００／３０００Åの厚さに蒸着し、さらにＲＴＡでオーム接触熱処理を施せば、前記網パターンのＰ−メタル電極に対応する第２電極であるｎ−メタル電極が形成される。
【００３９】
以上のような単位工程が全て終わったウエハーを、図４のように一定の大きさに切断すれば受光部に網構造の電極が備えられたフォトダイオードが得られる。
【００４０】
以下、本発明の理解を助けるために、本発明の具体的な一実施例と従来技術によるフォトダイオード（比較例）を相互比較して説明する。
【００４１】
実施例
受光部の直径が１５０μｍ、ＩｎＧａＡｓ吸収層の厚さが２．０μｍであり、網構造の電極と電極パッドを有するフォトダイオードを製造した。
前記実施例に対して周波数応答速度を測定した結果、図５に示されたように、例えばＶＲ  ＝５Ｖであるとき、３ｄＢ帯域幅に対応する周波数が０．５８ＧＨｚであった。
【００４２】
比較例１
受光部の直径が１２０μｍで、ＩｎＧａＡｓ吸収層の厚さが３．４μｍであり、ＩｎＰ基板のすぐ上に形成された電極パッドだけを備えたフォトダイオード（図１参照）。
【００４３】
比較例２
受光部の直径が１２０μｍで、ＩｎＧａＡｓ吸収層の厚さが３．４μｍであり、リング型電極と、ＳｉＯ２  膜の上に形成される電極パッドを備えたフォトダイオード（図２参照）。
【００４４】
前記比較例１と比較例２に対し、受光整列の位置変化によるフォトダイオードの応答速度の変化をインパルス応答をもって調べた。図６に示されたように、通常のインパルス応答測定システムの光学ステージ（Ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｔａｇｅ）２００でフォトダイオードの感応度が最大になるように光軸を調整した後、ＬＳＡ  ３７０３Ａ  ２０１を用いてフォトダイオードのステップ応答を測定した。測定条件は、Ｔｅｓｔ  ｐｏｗｅｒ＝−２．５ｄＢｍ、ＶＲ  ＝５．０Ｖ、ＲＬ  ＝５０、λ＝１５５０ｎｍ、Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｄｅｌａｙ＝６ｎｓ、Ｔｉｍｅ  ｓｐａｎ＝５ｎｓにセットされ、図７及び図８のように光の位置を受光部１１の各地点Ａ、Ｂ、Ｃ…に対応するように変化させながらインパルス応答を測定比較した。
【００４５】
測定結果、図９及び図１０に示されたように、比較例２のフォトダイオードが比較例１のフォトダイオードに比べ、ビームの位置変化による応答速度の変化が小さいものと示された。したがって、本発明によって受光部を大口径で構成する場合には、リング型電極を付加して受光整列の位置変化による応答速度の変化を最小化することが望ましいことがわかる。
【００４６】
比較例３
受光部の直径が１５０μｍで、ＩｎＧａＡｓ吸収層の厚さが２．０μｍであり、ＩｎＰ基板のすぐ上に形成された電極パッドだけを備えたフォトダイオード（図１参照）。
【００４７】
比較例４
受光部の直径が１５０μｍで、ＩｎＧａＡｓ吸収層の厚さが２．０μｍであり、リング型電極と、ＳｉＯ２  膜上に形成される電極パッドを備えたフォトダイオード（図２参照）。
【００４８】
前記比較例３及び比較例４に対して周波数応答速度を測定した結果、図１１及び図１２にそれぞれ示されたように、ＶＲ  ＝５Ｖであるとき、比較例３の場合には３ｄＢ帯域幅に対応する周波数は０．３３ＧＨｚであり、比較例４の場合には３ｄＢ帯域幅に対応する周波数が０．５ＧＨｚであった。
【００４９】
以上のような測定結果によれば、受光部に網構造の電極を備えたフォトダイオードの場合、キャリアの伝達特性が向上することでリング型電極だけを備えた従来のフォトダイオードよりも３ｄＢ帯域幅に対応する周波数応答特性を向上できることがわかる。
【００５０】
以上、本発明を限定された実施例及び図面によって説明したが、本発明はこれによって限定されることなく、当業者によって本発明の技術的な思想及び特許請求の範囲の均等範囲内で多様な修正及び変形が可能であることはもちろんである。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上の説明の如く、本発明によるフォトダイオードは次のような効果を奏する。
【００５２】
第１、ＯＳＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｕｂ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）組み立て時の反射特性が改善するため、光ファイバー整列のための工程時間を節減でき、大口径受光部を備えているため、レーザー熔接工程時の整列精度の許容値を大きくでき、圧着方式の手動整列も可能である。
【００５３】
第２、網構造の特性上、電極配線の幅を狭く形成しても電極構造が安定的に維持されるため、反射特性改善はもとより外部回路へのキャリア伝達時間を減らせる。
【００５４】
第３、リング型電極だけを用いるフォトダイオードに比べ、同一受光部直径対比周波数応答特性を向上できる。
【００５５】
第４、例えば１００〜３００μｍ程度の大口径受光部が構成されるため、モニター用フォトダイオードはもちろん１５５Ｍｂｐｓ〜２．５Ｇｂｐｓの光信号受信用として有用に使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、従来技術によるフォトダイオードの構成を示す平面図である。
【図２】図２は、従来技術によるフォトダイオードの他の構成を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の望ましい実施例によるフォトダイオードの構成を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の望ましい実施例によるフォトダイオードの内部構成を示す切開斜視図である。
【図５】図５は、本発明の一実施例によるフォトダイオードの周波数応答特性を示すグラフである。
【図６】図６は、フォトダイオードのインパルス応答を測定するためのシステム構成図である。
【図７】図７は、比較例によるフォトダイオードのインパルス応答測定時、光の整列位置を示す平面図である。
【図８】図８は、比較例によるフォトダイオードのインパルス応答測定時、光の整列位置を示す平面図である。
【図９】図９は、比較例によるフォトダイオードの光整列に対応するインパルス特性を示すグラフである。
【図１０】図１０は、比較例によるフォトダイオードの光整列に対応するインパルス特性を示すグラフである。
【図１１】図１１は、比較例によるフォトダイオードの周波数応答特性を示すグラフである。
【図１２】図１２は、比較例によるフォトダイオードの周波数応答特性を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2008514025.tif 000013
【図１０】
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【図１１】
2008514025.tif 000015
【図１２】
2008514025.tif 000016
【国際調査報告】
2008514025.tif 000017
2008514025.tif 000018