(57)【要約】  積層体（４００）は、アルミニウム層（３００）、ニッケル層（３０１）およびニッケル層の保護層（３０２；７０１）を具える。前記アルミニウム層（３００）は、基板（２００）上に形成可能であり、前記ニッケル層（３０１）は、前記アルミニウム層（３００）上に形成され、かつ、前記保護層（３０２；７０１）は、前記ニッケル層（３０１）上に形成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム層、ニッケル層、および該ニッケル層を保護するための保護層を順次具える積層体であって、
前記アルミニウム層は、基板上に形成可能であり、前記ニッケル層は、前記アルミニウム層上に形成され、前記保護層は、前記ニッケル層上に形成される積層体。
【請求項２】
前記積層体は、さらに前記基板を具える請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記基板が、半導体基板である請求項２に記載の積層体。
【請求項４】
前記基板が、シリコン基板またはゲルマニウム基板である請求項２に記載の積層体。
【請求項５】
前記基板上および／または前記基板内に集積回路が形成され、前記アルミニウム層は、前記集積回路に電気的に接続される請求項２に記載の積層体。
【請求項６】
少なくとも１つのボンディングパッドは、前記アルミニウム層を前記集積回路に接続する前記基板の表面上に形成される請求項５に記載の積層体。
【請求項７】
前記保護層がチタン層である請求項１に記載の積層体。
【請求項８】
前記チタン層は、前記ニッケル層が覆われないようするため、パターニングされる請求項７に記載の積層体。
【請求項９】
前記保護層が銀層である請求項１に記載の積層体。
【請求項１０】
前記保護層上に形成されるか、または、前記アルミニウム層上に形成される不活性化層を具える請求項１に記載の積層体。
【請求項１１】
前記不活性化層が、シリコン窒化物層である請求項１に記載の積層体。
【請求項１２】
前記不活性化層は、前記ニッケル層または前記保護層が覆われないようにするため、パターニングされる請求項８に記載の積層体。
【請求項１３】
前記ニッケル層上または前記保護層上にはんだ構造を具える請求項１に記載の積層体。
【請求項１４】
前記はんだ構造がスズを具える請求項１３に記載の積層体。
【請求項１５】
請求項１に記載の積層体を、バンプ下地金属として使用する方法。
【請求項１６】
積層体の製造方法であって、該方法は、
基板上にアルミニウム層を形成する工程と、
前記アルミニウム層上にニッケル層を形成する工程と、
前記ニッケル層上に該ニッケル層を保護するための保護層を形成する工程と
を具えることを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項１７】
前記保護層上または前記アルミニウム層上に、不活性化層を形成する工程を具える請求項１６に記載の積層体の製造方法。
【請求項１８】
前記ニッケル層上または前記保護層上に、はんだ構造を形成する工程を具える請求項１６に記載の積層体の製造方法。
【請求項１９】
前記基板上および／または前記基板内に集積回路を製造するプロセスに組み入れられる請求項１６に記載の積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体に関するものである。
【０００２】
本発明は、さらに、積層体をバンプ下地金属として使用する方法に関するものである。
【０００３】
本発明は、さらに、積層体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００４】
半導体産業に関して、集積回路の製造は、種々の段階、すなわち、ウェーハを製造する段階と、集積回路を製造する段階と、例えば、前記集積回路をＰＣＢ（プリント基板）にはんだ付けすることによって、前記集積回路を周囲に接続する段階とを具える。
【０００５】
特許文献１は、接着層、バリア層および湿潤層(wettable layer)を具え、ダイまたは基板とはんだバンプとのボンディング間に設けられたバンプ下地金属構造を開示する。
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／００１２２１１号公報
【０００７】
特許文献２は、第１金属層、ライナー層、第２金属層および第３金属層を具える、バンプ下地金属（ＵＢＭ）層を開示する。さらにまた、不活性化層は、チップの表面上に形成されることができる。
【０００８】
【特許文献２】米国特許出願公開第２００５／００２９６７７号公報
【０００９】
しかしなから、前記特許文献２に従うバンプ下地金属（ＵＢＭ）は複雑であり、したがって、製造において、時間がかかり、かつ高価である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、単純なバンプ下地金属を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、独立項に従う、積層体、この積層体をバンプ下地金属として使用する方法、および、この積層体の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の典型的な実施形態によれば、アルミニウム層、ニッケル層、および保護層を順次具える積層体が提供される。前記アルミニウム層は、基板上に形成されるかまたは基板上に形成可能であり、前記ニッケル層は、前記アルミニウム層上に形成され、そして、前記保護層は、前記ニッケル層上に形成されることができる。
【００１３】
本発明の別の典型的な実施形態によれば、上述した特徴を有する積層体を、バンプ下地金属として使用する方法が提供される。
【００１４】
さらに、本発明のさらに別の典型的実施形態によれば、積層体の製造方法が提供され、この方法は、基板上にアルミニウム層を形成する工程と、前記アルミニウム層上にニッケル層を形成する工程と、前記ニッケル層上に保護層を形成する工程とを具える。
【００１５】
本発明に従う特徴は、特に、低労力かつ高品質で、バンプ下地金属（ＵＢＭ）を形成するため、アルミニウム層、ニッケル層および保護層の積層体を、記載された順序で、半導体基板上に設けることができるという利点を有する。このような構造の製造は容易で、標準設備で行われることができ、その結果、新たな設備または手段を開発することは不要である。
【００１６】
特に、ＡｌＮｉＴｉ構造またはＡｌＮｉＡｇ構造は、特にバンプ下地金属としての使用のために設けられることができ、前記アルミニウム／ニッケル部分は、金属間化合物相を形成し、かつ、前記チタン層または前記銀層は、保護層として機能を果たすことができる。
【００１７】
チタン層は、前記積層体の製造プロセスの間中、前記ニッケル層が望ましくなく酸化されることを防ぐ、酸化バリアとして機能を果たすことができる。これは、化学的および物理的影響に対する保護を含むことができる。銀層もまた、下層であるニッケル層の、酸化バリアとしておよび／または化学的または機械的損傷に対する保護として機能を果たすことができる。加えて、銀材料は、はんだ付けプロセスに適しているため、ニッケル層の保護層としての銀層は、前記積層体上にはんだバンプを形成する前に除去される必要がない。これとは対照的に、前記銀材料は、前記はんだ構造の一部を形成することができる。しかしなから、ニッケル層の保護層としてチタンが実装される場合、前記チタン材料は、覆われていないニッケル構造上に前記はんだ構造を形成する前に除去されるであろう。
【００１８】
ＣＳＰ（Chip Scale Packaging）デバイスの製造コストを減少させるため、本発明の典型的な実施形態によると、従来のバンプ下地金属を、ウェーハ上に酸化バリアを有する相互接続金属構造としての、ＡｌＮｉＴｉまたはＡｌＮｉＡｇの堆積と置き換えることは可能である。「チップ・スケール・パッケージング（Chip Scale Packaging）」という用語は、特に、シングルダイ、直接表面実装可能パッケージを意味するかもしれない。
【００１９】
前記金属堆積の後に、前記ウェーハレベル上のチップの特性を決定することは可能である。ＡｌＮｉＴｉを用いることにより、バックエンドソースからの追加の金属層は必要とされず、したがって、必要ないかもしれない。
【００２０】
第２金属モジュールの代わりに、本発明の典型的の実施形態に従う相互接続層は、「ＩＣプロセス」中、すなわち、半導体基板に集積回路を形成するプロセス中に、作り出されることができる。
【００２１】
前記標準金属（例えばアルミニウム）は、Ａｌ／Ｎｉ／Ｔｉの積層体によって置き換えられることができ、前記チタン層は、酸化保護としてのみ用いられることができる。または、前記標準金属（例えばアルミニウム）は、Ａｌ／Ｎｉ／Ａｇの積層体によって置き換えられることができ、前記銀層は、酸化保護として、および／または、形成されるべきはんだ構造の一部として用いられることができる。前記金属間化合物領域は、前記球体からの材料とともに前記ニッケル層から生成させることができる。
【００２２】
結果として、前記半導体表面上に、Ａｌ／Ｎｉの積層体のみを残存させることができ、一方、前記チタン層、および（窒化ケイ素、Ｓｉ３Ｎ４から製造されることができる）任意の不活性化層が構成され、例えば、本質的に、球体として形成されるはんだは、前記Ａｌ／Ｎｉの積層体との直接的な接触をもたらすことができる。
【００２３】
または、Ａｌ／Ｎｉ／Ａｇの積層体は残存させることができ、一方、前記銀層は、例えば、本質的に、球体として形成されるはんだの一部を形成することができる。言い換えれば、銀材料は、はんだプロセス中に溶解可能であることができる。
【００２４】
代案として、前記金属積層体は、前記不活性構造の堆積後に堆積されることができる。したがって、前記プロセスは、標準ＵＢＭ金属化（Ａｌ／ＮｉＶ／Ｃｕ）のための「ドロップイン（drop in）」として用いられることができる。
【００２５】
本発明の一の態様によれば、前記ＵＢＭモジュールは、拡散プロセスに組み込むことができる。これによって、前記プロセスモジュール全体は、スキップされることができ、このことは、前記製造法を著しく単純化することができる。そのうえ、前記プロセスは、社内製造フローに組み込むことができる。このように、本発明によれば、前記集積回路製品のための総コストを減少させることができる。
【００２６】
本発明の一の典型的な適用分野は、ＰＣＢ（プリント基板）にはんだ付けされることができるか、または、フリップチップパッケージングに用いられることができるダイである。
【００２７】
本発明の一の典型的な実施形態に従う積層体は、接着層として示されることができるアルミニウム層を具える。それは、前記積層体の半導体チップとの接着をサポートすることができるからである。その後、ニッケルのようなバリア層を用いることができ、はんだは、このニッケル層と直接接続することができる。さらにまた、チタンまたは銀によって実現されることができるニッケル層の保護層は、問題であるかもしれない。
【００２８】
前記積層体を構成する複数の単一層は、伝送回線に沿った電気移動を防止するため、十分に厚いということは、利点であるかもしれない。
【００２９】
本発明の典型的な実施形態によれば、シリコンウェーハまたはシリコンチップのような半導体基板上に、アルミニウム層がまず形成される。その後、ニッケルからなる層が、前記アルミニウム層上に堆積されることができ、その次に、チタンからなる層が、前記ニッケル層上に堆積されることができる。さらにまた、不活性化層が、前記得られた構造上に堆積されることができ、このような不活性化層は、窒化ケイ素からなることができる。これに関連して、前記チタン層は、前記不活性化層の製造の間中、前記アルミニウム層および前記ニッケル層を保護するための保護層としての機能を果たすことができる。
【００３０】
前記半導体構成部品の接続のはんだ付けのための接触領域の製造に関し、チタンおよび窒化ケイ素の積層体は、その後、または、同時にパターニングされることができる。言い換えれば、製造されるべき前記接触領域の辺りでエッチング工程を行うことができ、前記ニッケル層は、前記エッチング手段用のストッパー層としての機能を果たすことができる。その後、はんだは、例えばスズはんだとともに、前記ニッケル層に適用することができる。
【００３１】
要約すると、アルミニウム層、ニッケル層、およびチタン層からなる積層体は、化学的および物理的な観点から有利な材料の組み合わせであり、基板と、はんだバンプとの間で高品質のブリッジ構造を設けるため、安定で、導電性があり、かつ適正に接着するＵＢＭを提供することができる。
【００３２】
特に、前記ニッケル層の保護層は、チタンまたは銀のような酸化抑制材料からなることができ、これらは、前記下側層、特にニッケル層が、（侵攻型化学薬品、フォトリソグラフィ工程、研削工程などの存在を含むことができる）製造プロセスの間中に酸化されるのを、効率的に保護することができる。
【００３３】
本発明の一の態様によれば、ＮｉＡｇは、拡散ウェーハ上に配置されることができる、バンプ下地金属（ＵＢＭ）として用いられる。異なる拡散ソースから生じるウェーハをバンピングさせる機会を作り出すため、ＵＢＭ積層体が設けられ、アルミニウムのような標準拡散金属上に配置されることができる。前記金属は、前記アルミニウム層に対して適当な接着力を有し、かつ、はんだ付け可能な特性を有する。
【００３４】
この典型的な実施形態に従うＵＢＭモジュールは、存在する層に対する適当な代案として用いられることができ、したがって、柔軟性を増加させることができる。さらにまた、このプロセスは、前記バンピングプロセス全体を、１つの会社内で行うことができるという事実に起因して、製品に対する総コストを減少させる。それは、異なる拡散中心からの製品をバンプする機会を含む。
【００３５】
このようなプロセスの枠組みにおいて、ＮｉＡｇ積層体は、パッド上にアルミニウム金属を有する拡散ウェーハ上に堆積されることができる。前記ＮｉＡｇは、前記拡散金属と、はんだボールとの間の金属間化合物構造を発生させるために用いることができる。前記層は、スパッタリングされることができる。その後、フォトリソグラフィ工程は、はんだ付け可能な領域を画定するために行うことができる。
【００３６】
以下に、本発明のさらなる典型的な実施形態が説明されるであろう。
【００３７】
次に、前記積層体の典型的な実施形態は説明されるであろう。しかしながら、これらの実施形態はまた、バンプ下地金属としてのこのような積層体の使用方法に、また、積層体の製造方法に適合する。
【００３８】
その上にアルミニウム、ニッケルおよび（例えばチタンまたは銀のような）ニッケル層の保護層からなる３層を形成することができる前記基板は、シリコン基板またはゲルマニウム基板のような半導体基板であることができる。しかしなから、本発明は、ＩＶ族半導体に限定されず、ガリウムヒ素のような、ＩＩＩ−Ｖ族半導体の枠組みにおいて適用されることもできる。このような基板は、ウェーハまたはチップであってもよく、集積回路は、前記基板内および／または前記基板上に形成することができる。前記基板の表面上に、トランジスタ（例えば、ＭＯＳＦＥＴｓ）、メモリセル、論理回路、ダイオード、キャパシタなどのような、集積回路構成部品に接続される導電材料からなることができる１以上のボンディングパッドを形成することができる。
【００３９】
特に、チタン層として実現される前記保護層は、前記ニッケル層が覆われなくできるように、パターニングすることができる。言い換えれば、リソグラフィやエッチングプロセスは、前記保護層をパターニングするために行うことができる。これに関連して、前記ニッケル層は、前記エッチングプロセスの間中、ストッパー層として機能することができる。
【００４０】
さらにまた、前記積層体は、前記保護層上に形成されることができるか、または、前記基板上に形成されることができるか、または、前記アルミニウム層上に形成されることができる、不活性化層を具えることができる。窒化シリコン層であることができる、このような不活性化層は、前記構造全体を保護することができる。代案として、前記不活性化層は、酸化シリコン、ＰＳＧ（Phosphor-Silicate Glass：蛍光−ケイ酸塩ガラス）等からなることができる。
【００４１】
このような不活性化層は、前記基板に直接適用することができ、前記アルミニウム層、ニッケル層および保護層からなる積層体は、その後、特に、前記不活性化層をパターニングした後、あとで堆積することができる。代案として、前記不活性化層は、前記アルミニウム層、ニッケル層および保護層からなる前記積層体を堆積した後に適用することができる。さらに代案として、前記不活性化層は、前記アルミニウム層の堆積後で、かつ前記ニッケル層および保護層の堆積前に適用することができる。
【００４２】
さらにまた、前記不活性化層は、前記構造全体の表面の少なくとも一部がニッケル材料によって形成されるように、パターニングされていてもよい。この手法をとることによって、はんだ材料は、前記ニッケル層に直接適用されることができ、したがって、安定した結合を得ることができる。
【００４３】
例えば、前記はんだ構造は、スズ構造とすることができる。スズおよびニッケルからなる材料の組み合わせは、安定で、かつ、化学的に適した接続を形成する。より詳細には、前記はんだ構造の材料は、例えば、ＳｎＡｇ、ＳｎＡｇＢｉ、ＳｎＡｇＢｉＣｕ、ＳｎＡｇＢｉＣｕＧｅ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＢｉ、ＳｎＣｕ、ＳｎＺｎ、ＳｎＣｕＳｂＡｇ、ＳｎＳｂ、ＳｎＺｎＢｉ、ＳｎＰｂＡｇまたはＳｎＰｂであることができる。
【００４４】
さらにまた、集積回路は、前記基板に形成されることができ、前記アルミニウム層は、前記集積回路に電気的に結合されることができる。このように、前記積層体は、一方では、メモリセル、トランジスタ、導線、キャパシタなどのような集積回路構成部品と、他方では、前記はんだバンプとの間にブリッジを形成することができる。
【００４５】
以下に、積層体の製造方法のさらなる典型的な実施形態を説明するであろう。しかしながら、これらの実施形態はまた、前記積層体や、バンプ下地金属としての積層体の使用方法に適用する。
【００４６】
前記方法は、不活性化層を、前記保護層上または前記アルミニウム層上に形成する工程を具えることができる。
【００４７】
さらに、前記方法は、前記ニッケル層を覆われなくするため、前記不活性化層および／または前記保護層をパターニングする工程を具えることができる。
【００４８】
このようなパターニング工程は、パターニングされるべき前記２つの層のため同時に行われることができ、すなわち、特に、前記不活性化層および前記チタン層が、共通の方法での工程でパターニングされることができる。前記ニッケル層は、このエッチング進行の間、ストッパー層として役立つことができる。これは、前記積層体の単純な製造を可能にすることができる。
【００４９】
前記方法は、前記ニッケル層上および／または前記保護層上にはんだ構造を形成する工程をさらに具えることができ、前記はんだ構造は、例えば、本質的に球体（ボール）形状を有する。
【００５０】
従来、半導体技術における前工程（フロントエンド）のプロセスは、チップに集積回路を形成し、かつ、金属化を形成することを具える。後工程（バックエンド）のプロセスは、ＵＢＭとパッケージングを形成することを具えることができる。本発明の一の態様によれば、前記ＵＢＭの形成は、前記フロントエンドプロセスにシフトさせることができる。これは、前記バックエンドプロセスにおける一の金属を省略することを可能にすることができる。
【００５１】
本発明の上述した態様およびさらなる態様は、以下で説明されるべき実施形態の例から明らかであり、これら実施形態の例を参照して説明される。
【００５２】
本発明は、実施形態の例を参照して、以下でより詳細に説明されるが、これに限定されるものではない。
【００５３】
図面は、概略図である。種々の図面において、類似または同一の構成要素には、同じ参照符号を付してある。
【００５４】
以下に、図１を参照して、積層体１００は説明されるであろう。
【００５５】
前記積層体１００は、その上に相互接続金属層１０２を適用した半導体チップデバイス１０１を具える。不活性化層１０３は、前記相互接続金属層１０２上に堆積され、そして、パターニングされる。さらにまた、アルミニウム層１０４は、前記相互接続金属層１０２上、および、前記不活性化層１０３上に堆積される。さらに、ニッケル／バナジウム層１０５は、前記アルミニウム層１０４上に堆積される。加えて、銅層１０６は、前記ニッケル／バナジウム層１０５上に形成される。その後、鉛含有または鉛フリーのいずれかのはんだ球（ボール）１０７が、銅層１０６上に適用される。
【００５６】
図１に言及すると、ＵＢＭ（バンプ下地金属）は、予め形成されたはんだ球のための相互接続層として用いられる。前記金属積層体は、Ａｌ／ＮｉＶ／Ｃｕ（層１０４〜層１０６）から作り出され、前記アルミニウム層１０４は、パッド表面に対するコンタクト材料として用いられ、かつ、前記銅層１０６は、前記金属間化合物構造を作り出す。
【００５７】
前記アルミニウム層１０４は、約４００ｎｍの厚さを有することができ、前記ＮｉＶ層１０５は、約４００ｎｍの厚さを有することができ、そして、銅層１０６は、８００ｎｍの厚さを有することができる。
【００５８】
以下に、図２〜図５を参照して、本発明の典型的な実施形態に従う積層体の製造方法は、説明されるであろう。
【００５９】
図２は、集積回路（図示せず）が形成されるシリコンチップ２００を示す。このような集積回路は、例えば、論理回路およびメモリ回路または集積化ディスクリート回路を具えることができる。このような集積回路の構成部品は、トランジスタ、キャパシタ、ダイオード、誘導体、金属接続などを含むことができる。前記シリコンチップ２００は、前記集積回路と環境との間での信号の送信を可能にするため、巨視的な環境に接続されている。このために、ボンディングパッド（図示せず）は、以下で説明されるように、ボンディングパッドが、前記巨視的な環境に電気接続されるべきである前記シリコンチップ２００の表面上に形成される。
【００６０】
図３に示される構造を製造するため、アルミニウム層３００は、例えば、スパッタリングによって、前記シリコン基板２００上に堆積される。前記アルミニウム層３００は、０．８〜１．２μｍの厚さ、好ましくは１．０μｍの厚さを有することができる。
【００６１】
その後、ニッケル層３０１は、スパッタリングによって前記アルミニウム層３００上に堆積される。前記ニッケル層３０１は、０．５〜１．０μｍの厚さ、好ましくは０．８μｍの厚さを有することができる。
【００６２】
その後、チタン層３０２は、スパッタリングによって、前記ニッケル層３０１上に堆積される。前記チタン層３０２は、０．１〜０．２μｍの厚さ、好ましくは０．１２μｍの厚さを有することができる。
【００６３】
この後、（図面には示していないが、）金属層３００、３０１、３０２は、前記シリコンチップ２００の選択された部分だけが金属材料で覆われたままであるように、パターニングされることができる。
【００６４】
さらにまた、不活性化層としての機能を果たすシリコン窒化物層３０３は、例えば、ＰＥＣＶＤ（プラズマ励起化学気相成長法）によって、前記チタン層３０２上に堆積させることができる。
【００６５】
前記アルミニウム層３００は、前記シリコンチップ２００のシリコン材料に対する適正な接点を可能にすることができる。前記ニッケル層３０１は、バリアを提供することができ、また、製造されるべき積層体の上にはんだ付けされるべき導電性バンプとの適正なはんだ付けを可能にすることができる。前記チタン層３０２は、前記ニッケル層３０１が、シリコン窒化物層３０３の形成中における不所望に酸化されるのを防止することができる。
【００６６】
その後、前記シリコン窒化物層３０３の表面上にフォトレジスト３０４を堆積させる。前記アルミニウム層３００および前記ニッケル層３０１は、金属間化合物層を形成し、前記チタン層は、前記シリコン窒化物層３０３の堆積を改良するための酸化バリアとして機能する。
【００６７】
図４に示される構造を得るため、（フォト）リソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスは、図３に示される構造に基づいて行われる。このため、前記フォトレジスト３０４は、その後のエッチング工程が、前記シリコン窒化物層３０３からなる材料と前記チタン層３０２からなる材料を除去し、一方、前記ニッケル層３０１からなる材料は、エッチングによって除去されないような方法で、パターニングされる。従って、前記ニッケル層３０１の表面が覆われないように溝４０１が形成される。
【００６８】
図５に示すように、本発明の典型的な実施形態に従う積層体５００は、前記積層体４００の表面上にはんだ球（はんだボール）５０１を形成することによって得ることができ、前記はんだ球５０１は、特に、前記ニッケル層３０１とのボンディングを形成する。
【００６９】
以下に、図６に言及して、本発明の典型的な実施形態に従う積層体６００が説明されるであろう。
【００７０】
前記積層体６００は、前記シリコン窒化物層３０３、すなわち不活性化層が、前記シリコン基板２００上に堆積された、前記パターニングされたアルミニウム層３００に直接適用され、前記集積回路２００の構成部品を接続するための配線として機能するという点で、前記積層体５００とは異なる。前記シリコン窒化物層３０３をパターニングした後に、前記ニッケル層３０１と前記チタン層３０２は堆積される。
【００７１】
前記チタン層３０２は、前記ニッケル層３０１が、製造プロセス中における、酸化および／または化学的損傷および／または機械的損傷を受けるのを妨ぐための保護層として機能する。前記製造が終了した後、前記チタン層３０２は、フォトレジストを用いてパターニングされ、または、はんだ材料のその後の堆積のため、前記ニッケル層３０１の表面の少なくとも一部を覆わないように完全に除去して、ある種のはんだ球５０１を形成することができる。
【００７２】
前記アルミニウム層３００上に堆積された、前記ニッケル層３０１と前記チタン層３０２によって形成される前記ＮｉＴｉ積層体は、前記アルミニウム層３００上に堆積される、（図示しない）アルミニウム層、前記ニッケル層３０１および前記チタン層３０２から形成されるＡｌＮｉＴｉ積層体によって置き換えられることができる。
【００７３】
以下に、図７に言及して、本発明の典型的な実施形態に従う積層体７００が説明されるであろう。
【００７４】
前記積層体７００は、特に２つの態様に関して前記積層体５００とは異なる。第１に、図７におけるニッケル層の保護層は、前記チタン層３０２とは対照的に銀層７０１として実現される。第２に、前記銀層７０１は、図５に示される前記チタン層３０２とは対照的にパターニングされていない。前記銀材料は、はんだバンプ５０１を前記銀層７０１上に直接形成することができるため、はんだ付け可能だからである。
【００７５】
以下に、図８に言及して、本発明の典型的な実施形態に従う積層体８００が説明されるであろう。
【００７６】
前記積層体８００は、特に２つの態様に関して前記積層体６００とは異なる。第１に、図８における前記ニッケル層の保護層は、前記チタン層３０２とは対照的に銀層７０１として実現される。第２に、前記銀層７０１は、図６に示される前記チタン層３０２とは対照的に、前記はんだバンプ５０１が形成されるところの領域にある前記ニッケル層３０１の表面からは除去されない。前記銀材料は、はんだ付け可能である結果、はんだバンプ５０１を前記銀層７０１上に直接形成することができるからである。
【００７７】
「具える」、「有する」、「もつ」という用語は、他の要素または工程を除外せず、名詞の前に付く単数の“ａ”や“ａｎ”は、複数を除外しないということに留意すべきである。また、異なる実施形態に関連して説明された要素は、組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】図１は、積層体を示す図である。
【図２】図２は、本発明の典型的な実施形態に従う積層体の製造方法中に得られる一の構造を示す図である。
【図３】図３は、本発明の典型的な実施形態に従う積層体の製造方法中に得られる別の構造を示す図である。
【図４】図４は、本発明の典型的な実施形態に従う積層体を示す図である。
【図５】図５は、図４の積層体を示す図であって、この積層体上に設けられたはんだバンプを有する。
【図６】図６は、本発明の別の典型的な実施形態に従う積層体を示す図である。
【図７】図７は、本発明の別の典型的な実施形態に従う積層体を示す図である。
【図８】図８は、本発明の別の典型的な実施形態に従う積層体を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１００  積層体
１０１  チップデバイス
１０２  相互接続金属
１０３  不活性化層
１０４  アルミニウム層
１０５  ニッケル／バナジウム層
１０６  銅層
１０７  はんだ球（ボール）
２００  シリコンチップ
３００  アルミニウム層
３０１  ニッケル層
３０２  チタン層
３０３  シリコン窒化物層
３０４  フォトレジスト
４００  積層体
４０１  溝
５００  積層体
５０１  はんだ球
６００  積層体
７００  積層体
７０１  銀層
８００  積層体
【図１】
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【図２】
2008543604.tif 000004
【図３】
2008543604.tif 000005
【図４】
2008543604.tif 000006
【図５】
2008543604.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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