(57)【要約】  複数の実質的に同一平面上のボンディングパッドを有する基板を製造するための方法および装置が提供される。基板は、ウェハに取付けられた半導体集積回路のウェハテストに使用されるプローブ装置に用いられる。ボンディングパッドは、ディスペンサ機構を用いて導電性材料の複数のバンプを基板の取付け面に与えることによって形成される。バンプは後で平坦化ツールを用いて複数の実質的に同一平面上のボンディングパッドに変形される。ボンディングパッドはプローブを取付けることができる平坦な表面を提供するので、プローブチップの位置付けについての正確さおよび精度を向上させる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
導電性材料の複数のバンプを基板の導電性領域に与えるステップと、
バンプの少なくとも一部を変形して、変形された各バンプの表面が互いに実質的に同一平面上となるようにするステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記与えるステップはボンディングツールを用いて複数のバンプを与えるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変形するステップはボンディングツールと統合された平坦化ツールを用いて、バンプの少なくとも一部を変形するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記変形するステップの前に、少なくとも基板または複数の与えられたバンプの一方を加熱するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記与えるステップの前に、導電性領域上に付加的材料を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記形成するステップは、相対的に軟質な金の材料を導電性領域に形成するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記与えるステップは、バンプを基板の導電性領域にスクリーン印刷するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記変形するステップは、複数のバンプのグループを実質的に同時に変形するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
集積回路のウェハテストに用いられる基板を処理する方法であって、
導電性材料の複数のバンプを基板の導電性領域に与えるステップと、
バンプの少なくとも一部を変形して、変形された各バンプの表面が実質的に互いに同一平面上にあるようにするステップと、
プローブ要素を変形されたバンプに結合するステップとを含む、方法。
【請求項１０】
前記与えるステップは、ボンディングツールを用いて複数のバンプを与えるステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記変形するステップは、ボンディングツールと統合された平坦化ツールを用いて、バンプの少なくとも一部を変形するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記変形するステップの前に、基板または複数の与えられたバンプの少なくとも一方を加熱するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記与えるステップの前に、付加的材料を導電性領域に形成するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記形成するステップは、相対的に軟質な金の材料を導電性領域に形成するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記与えるステップは、バンプを基板の導電性領域にスクリーン印刷するステップを含
む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記変形するステップは、複数のバンプのグループを実質的に同時に変形するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
基板上に複数の同一平面上のボンディングパッドを製造するための装置であって、
基板を支持するための固定具と、
複数のおよび別の所定量の導電性材料を基板の導電性領域に付着させるためのバンプ形成機構と、
前記所定量の材料を複数の実質的に面一の平坦面に平坦化するための平坦化ツールとを含む、装置。
【請求項１８】
前記平坦化バンプ形成機構はボンディングツールを含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記バンプ形成機構および前記平坦化ツールは１つのツールに統合される、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記平坦化ツールは複数の所定量の導電性材を実質的に同時に平坦化するよう構成されている、請求項１７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願との相互参照
本願は２００４年７月２８日に出願された米国仮出願第６０／５９１，８２８号の利益を主張する。
【０００２】
発明の背景
本発明は集積回路をテストするための装置に関する。より特定的には、本発明は半導体集積回路のウェハテスト用に、プローブを基板に取付けるための実質的に同一平面上のボンディングパッドを製造するための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体集積回路の製造において、製造の際におよび出荷の前に、集積回路（ＩＣ）をテストして正しい動作を保証することが従来行なわれている。ウェハテストは、ウェハ取付け半導体ＩＣの製造検査で一般的に用いられる周知の検査技術であり、テスト装置（たとえば、ＡＴＥとしても知られている自動テスト装置）とウェハ上にある各ＩＣとの間に電流を一時的に流して、ＩＣの適性な性能を立証する。ウェハテストで用いられる典型的なコンポーネントはＡＴＥテストボードおよびプローブカードを含む。典型的なＡＴＥテストボードは多層プリント回路基板であり、ＡＴＥに接続されて、ＡＴＥとプローブカードとの間でテスト信号をやり取りさせる。典型的なプローブカードは一般的に数百ものプローブ針を含むプリント回路基板であり、プローブ針はＩＣウェハの一連の接続端子と電気的に接続するために位置付けられている。
【０００４】
プローブカードはペンシルベニア州のウイログローブにあるKulicke＆Soffa社から入手できるプローブカードを含む。このようなプローブカードは、プリント回路基板、複数のフレキシブルプローブを有するプローブヘッド、およびプローブをプリント回路基板に電気的に接続するスペーストランスフォーマを含む。たとえば、トランスフォーマは多層セラミック基板または多層有機基板を含み得る。
【０００５】
複数のフレキシブルプローブの各々をスペーストランスフォーマの取付け面に取付けることも知られている。典型的に、プローブは、半導体製造分野の当業者にとって周知である従来のめっきまたはエッチング技術によって、基板上に形成される（またはその一部として集積される）導電性の、好ましくは金属のボンディングパッドまたは回路トレースに取付けられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
プローブカードの製造で難しいのは、スペーストランスフォーマ（および基板全体）の取付け面が表面うねりまたは非平坦性になりやすいことであり、その結果プローブの取付け面は平らでなくなる。プローブを平坦ではない表面に乗せると、ＩＣ接続端子と接続されるプローブチップの位置が変動することになり、これは望ましくない。個々のプローブチップとテストされるチップの端子との間で同じ接続条件を確立して維持するためには、プローブアセンブリ内のプローブチップすべての位置的許容誤差が小さいことが望ましい。位置的許容誤差は、対応する端子に対するプローブチップの位置、およびプローブとＩＣ接続端子との間に満足のゆく電気的接続をもたらすために必要な力、両方に影響する。プローブカードのプローブチップが実質的に互いに平坦ではない場合、テスト時の集積回路のプロービングには、すべてのプローブとテストされる集積回路の対応する端子との間
の接続を確実にするために、オーバトラベルが必要となるかも知れない。このようなオーバトラベルはプローブの寿命を減らし、プローブチップとテストされる集積回路の対応する端子との間の接触抵抗を増加させるかも知れない。
【０００７】
ウェハテストの際、製造された半導体装置の品質を確かめる目的で電圧を印加して検知するために、テストプローブチップのアレイは半導体パッド／端子のアレイと接触させられる。ウェハの表面は、光学的リソグラフィ処理およびミクロンオーダ以下の線幅を実現するために用いられる寸法上の精度の要求に従い、典型的に非常に平坦に維持される。シリコンウェハは典型的に非常に平らに研磨され、処理過程においてその平坦性を維持するために平坦化技法がよく用いられている。セラミックや有機基板に用いられる製造方法は、ウェハの製造に用いられる精度の許容誤差には合せられていない。基板に用いられる異なる材料（たとえば金属、誘電体）、用いられる方法（多層セラミック、めっき）および（典型的には半導体ダイの表面上の金属および誘電体薄膜よりも遥かに大きい）個々の厚さすべてが全体の非平坦性をもたらす。
【０００８】
基板を準備する最終工程は、基板の上層を典型的になすトレース（たとえば銅トレース）の表面に対するめっき（たとえばニッケルおよび金）を一般的に伴う。電気めっきは非常に滑らかな表面フィーチャをもたらすが、下地のビアおよびその製造手段は、パッドの非平坦性の一因となり得る。基板本体の処理に用いられる、熱膨張率、内部応力、および温度も非平坦性の別の要因となり得る。プローブチップの位置的許容誤差を細かく制御するためには、複数のプローブの取付け面が実施できる限りにおいてできるだけ平らまたは平坦であることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
発明の概要
本発明の具体的な実施例に従い、基板上に実質的に同一平面上の複数のボンディングパッドを製造するための方法が提供される。集積回路のウェハテストに用いられるプローブカードの複数のプローブがボンディングパッド上に取付け可能である。この方法は、導電性材料の複数のバンプを基板の取付け面に与えるステップと、ボンディングパッドを形成するようにバンプの部分を実質的に平らな平坦化表面に変形するステップとを含む。その結果、ボンディングパッドは実質的に面一となる。たとえば、導電性材料は、金、銅、プラチナイリジウム、または他の導電性材であり得る。
【００１０】
本発明の別の実施例に従い、基板上に実質的に同一平面上の複数のボンディングパッドを製造するための装置が提供される。この装置は基板を保持するための固定具と、複数の別の所定量の導電性材料を基板の取付け面に付着させるためのバンプ形成機構とを含む。この装置は、ボンディングパッドを形成するために、所定量の材料を複数の実質的に平らな平面に平坦化するための平坦化ツールをさらに含む。
【００１１】
本発明の具体的実施例に従い、集積回路のウェハテストに用いられるプローブカードで使用するための基板が提供され、この基板は複数の実質的に同一平面上のボンディングパッドを含む。
【００１２】
本発明を示すために、現在好ましい形で発明が図面に示されるが、本発明は示されるそのとおりの配置および手段に限定されない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
発明の詳細な説明
ここでは、「バンプ」の用語は、ボンディングのために、たとえば基板がプローブカードまたはプローブカードアセンブリの一部である実施例において、プローブカードのプロ
ーブをボンディングするために、電気的コンタクトとして用いられる基板または他の電気的コンポーネントに形成される少量の導電性材（たとえば、こぶ、ボールなど）を意味する。
【００１４】
ここでは、「ボンディングパッド」の用語は、基板の表面上にまたは隣接して形成される、導電性領域を意味する。例示のボンディングパッドは、バンプを基板上に設け、バンプを平坦化してボンディングパッドを形成することによってもたらされる。ボンディングパッドは、コンタクトパッド、導電性端子、導電性ビア、回路トレースなどを含めて、基板の何らかの導電性部分と電気的に接続するよう形成できる。こうして、基板表面上に形成されるボンディングパッドは、基板上の導電性領域（たとえばトレースまたは端子）上に形成されるボンディングパッドを含むことが意図される。
【００１５】
ここでは、「同一平面上」および「実質的に同一平面上」の用語は互いに置き換えることができる。したがって、本発明に従い、基板のボンディングパッドの各々は完全に面一である必要はない。
【００１６】
図面では、同様のコンポーネントには同様の参照符号が用いられるが、現在好ましいと想定される本発明の実施例が示される。図１および図２は取付け面１２を有する基板１０を示す。基板１０には、複数のプローブ２０が複数のボンディングパッド３０を介して取付けられている。基板１０および複数のプローブ２０は、集積回路のウェハテストに用いられるプローブカード（完全には示されていない）に組込むことができる。ウェハテスト分野において、例示の基板１０は「スペーストランスフォーマ」であってもよい。
【００１７】
図示される例示のプローブ２０は細長いＬ字形の本体２２を有し、第１端であるプローブベース２４および第２端であるプローブチップ２６で終端する。プローブ２０は好ましくはアルミニウムまたは銅のような導電性金属からなる。プローブカードの一部としてウェハテストで用いられる場合、および上述の場合のように、プローブチップ２６はテストプロシージャを受ける集積回路ウェハ上の接続端子と接続する。ウェハテストプロシージャの際にプローブカードの正しい動作を確実にするために、プローブチップ２６は互いに非常に正確に位置付けられるのが望ましい。
【００１８】
基板１０はたとえば、多層セラミック材または多層有機材を含んでもよい。図３Ａから図３Ｂならびに図４Ａから図４Ｂを参照して、基板１０の製造処理および基板１０の後で行なわれる処理によってもたらされる平面うねりまたは非平坦性を基板１０が被る傾向があるとする。プローブ２０が非平坦な取付け面１２に取付けられると、取付け面１２の平面うねりまたは非平坦性は、プローブチップ２６が別のプローブチップ２６に対して位置付けられる精度を低下させる傾向がある。非平坦性の程度は、たとえば基板の全体の大きさ、基板１０における層の数、基板１０の製造に用いられる材料、および製造処理などを含む、多様なファクタの関数となり得る。
【００１９】
基板１０にある平面うねりに伴う問題を解消するために、本発明は同一平面上の複数のボンディングパッド３０を取付け面１２上に形成する。特に図３Ａおよび図５を参照して、複数のバンプ４０は取付け面１２に与えられる。バンプ４０は導電性材料からなり、取付け面１２上に配置されるベース部４２と上部４４とを含む。図３Ａおよび図３Ｂでは、基板１２の非平坦性がはっきりと図示されており、この場合導通経路が基板寸法の境界内にある。図面ではバンプ４０すべてが実質的に同様の形（たとえば毛管のようなボンディングツールの開口の形）および実質的に類似したサイズで模式的に示されているが、バンプの形およびサイズは平坦な取付けパッドをもたらす要求に従って変えることができることは明らかである。より特定的には、バンプ４０はボンディングツールによって取付け面１２に形成される。ベース４２は一般的に円形領域上に平坦化され、バンプ４０の取付け
面１２への装着をなす。上部４４は取付け面１２から上に延在し、以下でより詳細に説明されるバンピングツール５０の排出口５４と相補的な形を有する。バンプを形成するのに用いられる例示的な導電性材料は、金、銅、プラチナ、パラジウム、銀、またはその合金もしくは組合せを含む。プローブカードの動作上の目的は半導体を電気的にアクセスするためのものなので、基板のボンドパッドに与えられるバンプは、好ましくは直列電気抵抗に実質的に寄与しない。したがって、高い導電性を有する材料をバンプに用いて、その高い導電性が冷間加工後でも維持されることが有利となる。なぜなら、バンプは基板の平坦性を得るために平坦化されるからである。さらに、バンプ材の特性である熱膨張、熱電接合器電圧、および疲労強度は、プローブカードアセンブリの全体の電気的特性、熱特性、および機械的特性に影響を与えないことが好ましい。展性特性に優れた材料が望ましい。要求される用途に応じて、パラジウムコバルトのような材料をさらに用いてもよい。
【００２０】
図３Ｂおよび図６を参照して、バンプ４０が取付け面１２に与えられた後、上部４４はボンディングパッド３０を形成するために後で変形される。この変形は、プローブの脚を後で取付けるために、実質的に平坦なプローブ取付け面３４を形成するために、ボンディングパッドを平坦化するよう意図される。プローブ取付け面３４が実質的に面一となるためには、上部が変形される取付け面１２上の高さを制御することができる。こうして、バンプの変形は全く変形がないものから実質的な変形したものに変わり得る。図４Ａおよび図４Ｂでは、基板１２に対して上昇したボンドパッド１６における非平坦性の影響がはっきりと示され、図３Ａおよび図３Ｂに示される基板の平面うねりまたは非平坦性に対して、さらなる高さの変更が上昇したパッド１６からもたらされ、本発明によりこれらを源とする非平坦性は実質的に補うことができる。
【００２１】
本発明の特定の具体的実施例では、相対的に硬質の導電性バンプ（たとえば硬質金バンプ）が基板表面上または隣接した相対的に硬質の導電性領域（たとえば硬質金導電性領域）に形成されると、その間に確実なボンドを形成することは困難かも知れない。このような実施例では、導電性バンプを配置する前に、添加材（たとえば軟質金材料）を硬質導電領域に形成してより確実なボンドを与えてもよい。
【００２２】
図４Ａは図３Ａと類似しており、複数のバンプ４０が基板１５にあり、各バンプ４０はベース部４２と上部４４とを含む。しかし、図３Ａに示される本発明の具体的実施例と異なるのは、図４Ａにおいてバンプが基板１５の表面に対して寸法的に上にある導電性領域１６（たとえば、コンタクトパッド、導電性端子、回路トレース）上に形成されることである。導電性領域は互いに平坦ではないので、バンプ４０は平坦化されて、図４Ｂに示される実質的に同一平面上のボンディングパッド３０を形成する。
【００２３】
本発明は基板上に複数の同一平面上のボンディングパッドを製造するための装置にも向けられている。（完全には図示されていない）装置は、基板１０を装置の残り部分に対して精度よく位置付けるための固定具（図示されていない）を含む。装置は複数の別の所定量の導電性材料（すなわち、バンプ４０）を取付け面１２に与えるためのディスペンサ機構（たとえば、バンピング機構）をさらに含む。図７を参照して、例示のバンピング機構はバンピングツール５０（たとえば毛管ツール５０）を含み、これは内部流路５２および排出口５４を有し、そこから導電性材料が取付け面１２に与えられる。図８を参照して、装置はバンプ４０をボンディングパッド３０に平坦化するための、平打ちヘッド６２を有する平坦化ツール６０をさらに含む。バンピングツール５０および平坦化ツール６０は別個のコンポーネントとして、または代替的に、図９に示されるように、単一の組合せツール７０として組合せられてもよい。
【００２４】
第３の局面において、本発明は集積回路のウェハテストで用いられる、プローブカードで用いる基板であり、この基板は複数の実質的に同一平面上のボンディングパッドを含む
。
【００２５】
複数の実質的に同一平面上のボンディングパッドを含む基板１０を製造するための例示の方法および装置は、以下のようにまとめることができる。基板１０は（図示されていない）固定具の上または中に取付けられて、基板１０の取付け面１２に対する基準面を規定する。基板１０はバンピングツール５０の動作上の包絡線内に移動させられる。バンピングツール５０は基板１０のさまざまな所定の場所上に動かされてバンプ４０のパターンを定める。好ましくは、バンプ４０は個々に与えられるが、バンピングツール５０は複数のバンプ４０を同時に与えるようにも変形できる。上述のように、バンプ４０は好ましくは展性のある材料からなる。バンプ４０は、半導体製造分野において当業者に既知のボンディング技術（たとえば、超音波ボンディング、サーモソニックボンディングなど）を用いて基板１０に付着させられる。基板１０はボンディング処理の際に加熱されてもよい。バンプ４０を形成するのに銅が用いられた場合、バンピングを与える処理は好ましくは非酸化性雰囲気で行なわれる。
【００２６】
大部分のプローブカードの用途では、バンプ４０は非常に小さい。たとえば、直径は１００μｍ（約０．００４インチ）のオーダであり、高さも同程度である。
【００２７】
バンプ４０が取付け面１２に与えられた後、各バンプ４０をボンディングパッド３０に個々に平坦化するために平坦化ツール６０が用いられる。代替的に、平坦化ツール６０は複数のバンプ４０を同時に平坦化するよう変更され得る。平坦化ツール６０の移動は基準面に対して精密に制御され、平坦化処理の際、平坦化ツール６０の平打ちヘッド６２は基準面に対して正確な高さに移動し、平打ちヘッドは基準面に対して正確に配向される。こうして、バンプ４０はボンディングパッド３０に平坦化される。ボンディングパッド３０は、平坦化処理の際に、基準面に対する平打ちヘッド６２の位置によって定められる公称高さを有する。平坦化ツール６０は取付け面１２に対して好ましくは垂直に移動する。こうして形成されたボンディングパッド３０は一般的に円形であり、約１２０μｍのオーダの直径および１０μｍのオーダの高さを有する。
【００２８】
当業者なら、ボンディングパッドの実際の高さは、所与のボンディングパッド３０場所における基板の局地的非平坦性に基づき、公称高さに対して増加または減少されることは認識するであろう。本発明の具体的実施例に従い、公称高さは取付け面１２の非平坦性の統計的分布に基づき選択できる。本発明の特定の実施例において、同一平面上のプローブ取付け面３４を得るための機能は、平坦化ツール６０の動作速度と大体無関係であることがわかっている。
【００２９】
図１０はプローブカードのプローブの位置付け（たとえばＸ−Ｙ面の少なくとも一方におけるプローブの位置付け）を示す図である。具体的には、図１０の実線は、基板の表面１０００上のボンディングパッド１００２に結合されるプローブ１００６を示す。図１０からわかるように、基板上の他のボンディングパッド（図示されていない）に対して、プローブ１００６は平坦化されていないボンディングパッドに結合されたので「傾いて」いる。さらに図１０には（破線で）本発明に従い平坦化されたボンディングパッド１００４に結合されたプローブ１００８が示される。図１０に示されるように、プローブ１００８の下部は基板の表面１０００に対して実質的に垂直であり、表面１０００に対するプローブの位置付けに関して、反復性および予測可能性が向上する。
【００３０】
本発明は向上した寸法的制御でボンディングパッドを有する基板またはスペーストランスフォーマを提供し、それにより正確性および精度が向上して位置付けられるプローブチップがもたらされる。半導体装置に電圧を印加して検知する操作の際にプローブに与えられるばね力を与えて、プローブチップが確実に装置のボンドパッドの金属と擦り合わせら
れることにより、低い抵抗の電気的接続を一時的に行なうことができるのは当業者にとって理解されるであろう。プローブチップ高さの全体の分布に対して十分な程度の擦り合わせを実現するために行なわれなければならないオーバトラベルに鑑み、装置のパッド表面から最も遠いプローブチップから最も近いプローブチップまでのものに与えられる力の分布の範囲は関連がある。基板およびそのボンドパッドの最初のレベルを高い平坦性に維持することにより、プローブの一定の形および精密な配置もほぼ平坦なプローブチップアレイをもたらすと思われる。これはプローブカードのいくつかの望ましい品質を伴う。たとえば、プローブチップの高さの範囲が小さいので、オーバトラベルを減らすことができ、撓みの範囲も小さいので力の分布も小さく、プローブ内の応力のピークがより小さい力の分布に従い小さいと予期され、より低い応力のピークに従い全体の疲労寿命も長くなると思われる。
【００３１】
本発明の範囲は図示される構成に限定されない。たとえば、導電性材（たとえばバンプ）は必ずしもボンディングツールを介して形成されるものではない。代替の構成（たとえば、はんだボール生成、スクリーン印刷など）も考えられる。同様に、ボンディングパッドは図示されるような平坦化ツールによって平坦化される必要はない。たとえば、バンプはいくつかの平坦化／プレーナ機構を用いて一群構成（たとえば、グループ毎、列毎など）で平坦化されてもよい。
【００３２】
さらに、本発明の基板は特定の設計または構成に限定されない。たとえば、基板はスペーストランスフォーマであってもよい。基板は多層セラミック基板、多層有機基板、または単層基板であり得る。
【００３３】
本発明の特定の実施例に従い、基板の片面、または両面に実質的に平坦なボンディングパッドを設けてもよい。プローブカード基板（たとえばスペーストランスフォーマ）の場合、基板の反対側（プローブと接触するよう構成されている側ではない）は、プローブカード／プローブカードアセンブリのインターポーザ（たとえば、ばね接点ピン、その他を含む）とのプレーナコンタクトのために、ここに記載される平坦化されたコンタクトパッドが設けられてもよい。
【００３４】
本発明はここに示される精神または本質的属性から逸脱することなく他の形で実現されてもよい。本発明は実施例について記載および図示されているが、当業者にとって、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、上記したおよび他のさまざまな変更、省略、および追加ができることは理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の具体的実施例に従い、集積回路のウェハテストに用いられるプローブカードの基板部分に取付けられる複数のプローブの非常に拡大された斜視図である。
【図２】図１の１個のプローブのベース部のさらに拡大された図である。
【図３Ａ】集積回路のウェハテストに用いられるプローブカードの基板部分の概略側面図であり、本発明の具体的実施例に従い、基板の取付け面に与えられる複数のバンプを示す図である。
【図３Ｂ】図３Ａのプローブカードの基板部分の概略側面図であり、本発明の具体的実施例に従い、実質的に同一平面上のボンディングパッドに平坦化された複数のバンプを示す図である。
【図４Ａ】集積回路のウェハテストに用いられる他のプローブカードの他の基板部分の概略側面図であり、本発明の具体的実施例に従い、基板上のボンディングパッドに与えられる複数のバンプを示す図である。
【図４Ｂ】図４Ａのプローブカードの基板部分の概略側面図であり、本発明の具体的実施例に従い、実質的に同一平面上のボンディングパッドに平坦化される複数のバンプを示す図である。
【図５】本発明の具体的実施例に従い、集積回路のウェハテストに用いられるプローブカードの基板部分の取付け面に与えられるバンプの非常に拡大された斜視図である。
【図６】図５のバンプの非常に拡大された斜視図であり、本発明の具体的実施例に従い、ボンディングパッドに平坦化される様子を示す図である。
【図７】本発明の具体的実施例に従い、基板上に複数のボンディングパッドを製造するための装置のバンピングツールコンポーネントの概略断面図である。
【図８】本発明の具体的実施例に従い、基板に与えられるバンプを平坦化するための装置の平坦化ツールコンポーネントの概略断面図である。
【図９】本発明の具体的実施例に従い、基板上に複数のボンディングパッドを製造するための装置における組合せられたバンピングおよび平坦化ツールコンポーネントの概略断面図である。
【図１０】非平坦化ボンディングパッドに結合されたプローブの位置付けおよび平坦化されたボンディングパッドに結合されたプローブの位置付けを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008508519.tif 000011
【図８】
2008508519.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
2008508519.tif 000015
2008508519.tif 000016
2008508519.tif 000017