(57)【要約】  後に酸素含有環境に晒されるときに下地の金属層の特性及び形態を維持する不動態化された金属層を形成する方法が提供される。当該方法は、処理チャンバー（１）内に基板（５０、３０２、４０３、５１０）を設置する工程、化学的気相堆積法にて基板（５０、３０２、４０３、５１０）上にレニウム金属層（３０４、４０８、５８０）を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに基板（５０、３０２、４０３、５１０）を晒す工程、及びレニウム金属表面でのレニウム含有ノジュール（３０６）の酸素誘起成長を抑制するために、レニウム金属層（３０４、４０８、５８０）上にパッシベーション層（４１４、５９０）を形成する工程を有する。
2008515234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不動態化された金属層を形成する方法であって：
処理システムの処理チャンバー内に基板を設置する工程；
熱化学的気相堆積法にて前記基板上にレニウム金属層を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに前記基板を晒す工程；及び
前記レニウム金属層の表面でのレニウム含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するのに有効なパッシベーション層を前記レニウム金属層上に形成する工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記レニウムカルボニル前駆体はＲｅ２（ＣＯ）１０を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パッシベーション層は、プラズマ化学的気相堆積、原子層堆積、又は物理的気相堆積によって形成された、Ｗ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ若しくはＣｒ、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含有するパッシベーション金属層を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記パッシベーション層は、前記パッシベーション金属層上に形成されたＳｉ層を更に有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記パッシベーション層は、熱化学的気相堆積によってタングステン−カルボニル前駆体から形成されたタングステン金属層である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記パッシベーション層は、金属ケイ化物、金属炭化物、金属窒化物、金属酸化物若しくは金属ホウ化物、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含有する金属含有層を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記金属含有層の金属は、Ｗ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ若しくはＣｒ、又はこれらの２つ以上の組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記パッシベーション層を形成する工程は、シリコン、炭素、窒素、酸素若しくはホウ素、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含有するガスに前記金属層を晒すこと、及びそれぞれシリコン、炭素、窒素、酸素又はホウ素を前記金属層に拡散させるために前記基板をアニールすることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ガスはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２、Ｓｉ２Ｃｌ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ６、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ３ＣＯＣＨ３、Ｃ４Ｈ８Ｏ、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｏ２、ＢＨ４若しくはＢ２Ｈ６、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パッシベーション層を形成する工程は、金属ケイ化物層、金属炭化物層、金属窒化物層、金属酸化物層若しくは金属ホウ化物層、又はこれらの組み合わせの少なくとも１つを形成するために、金属カルボニル前駆体ガス、及びシリコン含有ガス、炭素含有ガス、窒素含有ガス、酸素含有ガス若しくはホウ素含有ガス又はこれらの２つ以上の組み合わせに前記基板を晒すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属−カルボニル前駆体はＷ（ＣＯ）６、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｒｈ４（ＣＯ）１２、Ｒｅ２（ＣＯ）１０、Ｏｓ３（ＣＯ）１２若しくはＣｒ（ＣＯ）６、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有し、前記シリコン含有ガスはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有し、前記炭素含有ガスはＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ６、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ３ＣＯＣＨ３若しくはＣ４Ｈ８Ｏ、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有し、前記窒素含有ガスはＮ２、ＮＨ３、ＮＯ、ＮＯ２若しくはＮ２Ｏ、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有し、前記酸素含有ガスはＯ２を有し、前記ホウ素含有ガスはＢＨ４若しくはＢ２Ｈ６、又はこれらの双方を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記パッシベーション層は、前記金属層上に形成されたシリコン含有層又は炭素含有層を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属層及び前記パッシベーション層が同一処理システム内で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属層及び前記パッシベーション層が相異なる処理システム内で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
不動態化されたレニウム層を形成する方法であって：
処理システムの処理チャンバー内に基板を設置する工程；
化学的気相堆積法にて前記基板上にレニウム層を堆積するために、Ｒｅ２（ＣＯ）１０前駆体を含有する処理ガスに前記基板を晒す工程；及び
前記レニウム層上に、前記レニウム層の表面でのレニウム含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するのに有効なパッシベーション層を形成する工程；
を有する方法。
【請求項１６】
前記パッシベーション層は、前記レニウム層をＷ（ＣＯ）６に晒すことによって化学的気相堆積法にて形成されるタングステン層を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記パッシベーション層は、前記レニウム層をＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はこれらの２つ以上の組み合わせに晒すことによって化学的気相堆積法にて形成されるシリコン含有層を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記レニウム層及び前記パッシベーション層が同一処理システム内で形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記レニウム層及び前記パッシベーション層が相異なる処理システム内で形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
プロセッサ上で実行するプログラム命令であり、前記プロセッサによって実行されるとき処理ツールに請求項１に記載の工程を実行させるプログラム命令、を格納するコンピュータ読み取り可能媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、堆積されたレニウム（Ｒｅ）金属層を半導体処理中に不動態化することに関し、より具体的には、レニウム金属表面へのレニウム含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するために、堆積されたレニウム金属層上にパッシベーション層を形成することに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロエレクトロニクスデバイスの最小形状サイズは、より高速でより低電力のマイクロプロセッサ及びデジタル回路への要求に応えるために深サブミクロン領域に接近しつつある。集積回路を製造する多層メタライゼーション手法への銅（Ｃｕ）金属の導入は、Ｃｕ層の密着性及び成長を促進するため、また誘電体材料へのＣｕの拡散を防止するため、拡散障壁／ライナーの使用を必要とさせ得るものである。誘電体材料上に堆積される障壁／ライナーは、例えばタングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びタンタル（Ｔａ）等の、Ｃｕに対して非反応性且つ実質的に非混合性であり、且つ低電気抵抗性を提供し得る耐熱材料を含み得る。Ｃｕメタライゼーションと誘電体材料とを集積する現行の集積手法は、低い基板温度で為される障壁／ライナー堆積プロセスを必要とし得る。先端マイクロエレクトロニクスデバイスにおける耐熱材料の他の一用途には、高誘電率誘電体材料（ここでは、“ｈｉｇｈ−ｋ”材料とも称される）と併用される金属ゲート電極が含まれる。金属ゲートはゲート積層体のスケーリングに、例えばポリシリコンの空乏化効果を除去するなどの、一連の利益をもたらすと期待されている。半導体デバイスにおける金属ゲートと金属障壁／ライナーとしての金属層との成功と言える集積化は、低い基板温度又は適度な基板温度においての十分に高い成長速度、低電気抵抗性、堆積された金属層の低い応力、金属層の下又は上に位置する材料との良好な密着性、良好な厚さ均一性、低い汚染物質レベル、及び良好な層形態（小さい表面粗さを含む）を要求する。
【０００３】
Ｒｅ金属層はＲｅカルボニル前駆体からの低温熱化学的気相堆積によって堆積されることができる。しかしながら、Ｒｅカルボニル前駆体は不完全な分解にさらされ、Ｒｅ金属層内又はＲｅ金属層の表面に吸収され得る反応副生成物を生じさせてしまう。これに続いてＲｅ金属層を雰囲気に晒すとき、金属層の表面に空気中の酸素とともに存在する副生成物によってノジュールの形成が促進されるＲｅ金属層の表面に、酸化レニウムのノジュール（ｎｏｄｕｌｅ）が生じてしまう。これらのノジュールはＲｅ金属層の特性及び形態に悪影響を及ぼし得る。
【０００４】
故に、この金属層を酸素に晒す際のＲｅ金属層表面でのノジュール形成を回避することへのニーズが存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、後に酸素含有環境に晒されるときにＲｅ金属層の特性及び形態を維持する不動態化された金属層を形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供される方法は、処理チャンバー内に基板を設置する工程、化学的気相堆積法にて前記基板上にＲｅ金属層を堆積するために、Ｒｅ−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに前記基板を晒す工程、及び前記Ｒｅ金属表面でのＲｅ含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するために、前記レニウム金属層上にパッシベーション層を形成する工程を有する。
【０００７】
本発明は更に、プロセッサ上で実行するプログラム命令を格納するコンピュータ読み取り可能媒体を提供し、それによって、化学気相堆積法にてＲｅ−カルボニル前駆体から基板上にＲｅ金属層を堆積し、前記Ｒｅ金属層の表面にパッシベーション層を形成し、それによって前記金属表面でのＲｅ含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制する方法が実行される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を形成する処理システムを示す簡略化されたブロック図である。処理システム１００はチャンバー１を有しており、チャンバー１はチャンバー上部１ａ、チャンバー下部１ｂ、及び排気チャンバー２３を含んでいる。チャンバー下部１ｂの中央に円形の開口２２が形成されており、そこで底部１ｂは排気チャンバー２３につながっている。
【０００９】
処理チャンバー１内には、処理されるべき基板（ウェハ）５０を水平に保持する基板ホルダー２が備えられている。基板ホルダー２は円筒形の支持体３によって支持されており、支持体３は排気チャンバー２３の下部の中心から上方に延在している。基板ホルダー２上に基板５０を位置決めするガイドリングが基板ホルダー２の端部に設けられている。さらに、基板ホルダー２は、電源６によって制御されて基板５０を加熱するために使用されるヒータ５を含んでいる。ヒータ５は抵抗ヒータとすることができる。他の例では、ヒータ５はランプヒータ又は他の如何なる種類のヒータとしてもよい。
【００１０】
加熱された基板５０は金属カルボニルガスを熱分解することができ、基板５０上に金属層が堆積される。基板ホルダー２は、基板５０上に所望の金属層を堆積するのに適した所定温度まで加熱される。チャンバー壁をある所定温度まで加熱するために、処理チャンバー１の壁にヒータ（図示せず）が内蔵されている。このヒータは処理チャンバー１の壁の温度を約４０℃から約２００℃に維持することができる。
【００１１】
処理チャンバー１のチャンバー上部１ａにシャワーヘッド１０が配置されている。シャワーヘッド１０底部のシャワーヘッド板１０ａは、金属カルボニル前駆体ガスを有する処理ガスを基板５０上に位置する処理ゾーン６０に供給するための複数のガス供給口１０ｂを含んでいる。
【００１２】
処理ガスをガス管線１２からガス分配室１０ｄに導入するための開口１０ｃがチャンバー上部１ａに設けられている。シャワーヘッド１０の温度を制御するために、同心の冷却剤流チャンネル１０ｅが設けられており、それによりシャワーヘッド１０内での金属カルボニル前駆体ガスの分解を防止している。例えば水である冷却剤流体は、冷却剤流体源１０ｆから冷却剤流チャンネル１０ｅに供給されることができ、シャワーヘッド１０の温度は約２０℃から約２００℃に制御される。
【００１３】
ガス管線１２は前駆体供給系１２０を処理チャンバー１に接続している。前駆体容器１３が金属カルボニル前駆体５５を収容しており、金属カルボニル前駆体５５を所望の気圧の金属カルボニル前駆体を作り出す温度に維持するように前駆体容器１３を加熱する前駆体ヒータ１３ａが設けられている。
【００１４】
本発明の一実施形態においては、処理チャンバー１への金属カルボニル前駆体の供給を促進するために搬送ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ）又はヘリウム（Ｈｅ））が用いられ得る。他の例では、金属カルボニル前駆体は搬送ガスを使用することなく処理チャンバー１に供給され得る。ガス管線１４は搬送ガスをガス源１５から前駆体容器１３まで供給することができ、搬送ガスの流速を制御するために質量流（ｍａｓｓ  ｆｌｏｗ）制御器（ＭＦＣ）１６とバルブ１７とが用いられ得る。搬送ガスが使用されるとき、搬送ガスは金属カルボニル前駆体５５を通って流れるように前駆体容器１３の下部に導入されてもよい。他の例では、搬送ガスは前駆体容器１３に導入され、金属カルボニル前駆体５５の頂部全体に分配されてもよい。
【００１５】
前駆体容器１３からの総ガス流速を測定するためにセンサー４５が設けられている。センサー４５は、例えば、ＭＦＣを有することができ、処理チャンバー１に供給される金属カルボニル前駆体ガスの量はセンサー４５及びＭＦＣ１６を用いて決定且つ制御されることができる。他の例では、センサー４５は、処理チャンバー１へのガス流中の金属カルボニル前駆体の濃度を測定する光吸収センサーを有することができる。本発明の他の一実施形態においては、金属カルボニル前駆体ガスを処理チャンバー１に届けるために液体供給系が使用されてもよい。
【００１６】
バイパス管線４１がセンサー４５から下流に配置されており、ガス管線１２を排気管線２４に接続している。バイパス管線４１はガス管線１２を排気するため、また処理チャンバー１への金属カルボニル前駆体ガスの供給を安定化させるために設けられている。加えて、バルブ４２がガス管線１２の分岐から下流に位置付けられてバイパス管線４１に設けられている。
【００１７】
ガス管線１２、１４及び４１を独立して加熱するためにヒータ（図示せず）が設けられ、ガス管線中での金属カルボニル前駆体の凝縮を回避するためにガス管線の温度が制御可能にされている。ガス管線の温度は約２０℃から約２００℃、又は約２５℃から約１５０℃に制御されることが可能である。
【００１８】
希釈ガス（例えば、Ａｒ又はＨｅ）がガス管線１８によってガス源１９からガス管線１２に供給され得る。希釈ガスは処理ガスを希釈するため、あるいは処理ガスの分圧を調整するために使用され得る。ガス管線１８はＭＦＣ２０及びバルブ２１を含んでいる。ＭＦＣ１６及び２０、並びにバルブ１７、２１及び４２は、搬送ガス、金属カルボニル前駆体ガス及び希釈ガスの供給、遮断及び流れを制御する制御器４０によって制御される。センサー４５もまた制御器４０に接続されており、制御器４０はセンサー４５の出力に基づいて、処理チャンバー１への金属カルボニル前駆体ガスの所望の流速を得るために、質量流制御器１６を流れる搬送ガスの流速を制御することができる。
【００１９】
さらに、還元ガス（例えば、水素（Ｈ２））がガス源６１からガス管線６４に供給され得る。また、堆積された金属層上にパッシベーション層を形成するための反応ガスが、ガス源６５からガス管線６４に供給されることができる。ＭＦＣ６３及び６７、並びにバルブ６６及び６２は、ガス源６１及び６５からのガスの供給、遮断及び流れを制御する制御器４０によって制御される。
【００２０】
排気管線２４は排気チャンバー２３を真空ポンプ系１３０に接続している。処理チャンバー１を所望の真空度まで排気するため、また処理中に処理チャンバー１からガス状の種（ｓｐｅｃｉｅｓ）を除去するために真空ポンプ２５が使用される。自動圧力制御器（ＡＰＣ）５９及びトラップ５７が真空ポンプ２５と直列に使用され得る。真空ポンプ２５はターボ分子ポンプを含んでもよい。他の例では、真空ポンプ２５はドライ式のポンプを含んでもよい。処理中、処理ガスは処理チャンバー１に導入されることが可能であり、チャンバー圧力はＡＰＣ５９によって調整される。ＡＰＣ５９はちょう形弁又は仕切り弁を有してもよい。トラップ５７は未反応の前駆物質及び副生成物を処理チャンバー１から収集することができる。
【００２１】
処理チャンバー１内には、基板５０を保持、上昇、及び下降させるための３つの基板リフトピン２６（２つのみが図示されている）が設けられている。基板リフトピン２６はプレート２７に添えられており、基板ホルダー２の上表面より下まで下降されることができる。例えば空気シリンダーを利用する駆動機構２８が、プレート２７を上昇及び下降させる手段を提供している。基板５０は、ロボット搬送系（図示せず）によって仕切り弁３０及びチャンバー貫通路２９を通って処理チャンバー１の内／外に搬送可能であり、また基板リフトピンによって受け取られることができる。基板５０は搬送系から受け取られると、基板リフトピン２６を下降させることによって基板ホルダー２の上表面まで下降させられる。
【００２２】
処理システム制御器１４０はマイクロプロセッサ、メモリ、及び、処理システム１００からの出力を監視するとともに処理システム１００の入力を伝達し且つアクティブにするに十分な制御電圧を生成可能なデジタル入／出力ポートを含んでいる。さらに、処理システム制御器１４０は、処理チャンバー１、制御器４０と前駆体ヒータ１３ａとを含む前駆体供給系１２０、真空ポンプ系１３０、電源６、及び冷却剤流体源１０ｆに結合されており、それらと情報を交換する。真空ポンプ系１３０において、処理システム制御器１４０は処理チャンバー１内の圧力を制御する自動圧力制御器５９に結合されており、それと情報を交換する。メモリ内に格納されたプログラムが、処理システム１００の上述の構成要素を蓄積されたプロセスレシピに従って制御するために使用される。処理システム制御器１４０の一例はＤＥＬＬ社から入手可能なＤＥＬＬ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ  ＷＯＲＫＳＴＡＴＩＯＮ６１０（登録商標）である。
【００２３】
図２は、本発明の一実施形態に従った処理ツールの簡略化されたブロック図を示している。処理ツール２００は処理システム２２０及び２３０、処理ツール２００内で基板を搬送するように構成された（ロボット）搬送系２１０、及び処理ツール２００の構成要素を制御するように構成された制御器２４０を含んでいる。本発明の一実施形態においては、処理ツール２００は、例えば図１に示された典型的な処理システム１００等の単一の処理システムを有してもよく、あるいは代わりに、処理ツール２００は３つ以上の処理システムを有してもよい。図２において、処理システム２２０及び２３０は、例えば、以下の処理の少なくとも１つを実行することができる：化学的気相堆積法にて金属カルボニル前駆体から、基板上に金属層を堆積すること、及び金属層上にパッシベーション層を形成すること。パッシベーション層は、例えば、熱化学的気相堆積法、原子層堆積法、プラズマ化学的気相堆積法、又は物理的気相堆積法にて形成されることができる。図１の制御器１４０と同様に、制御器２４０はＤＥＬＬ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ  ＷＯＲＫＳＴＡＴＩＯＮ６１０（登録商標）として実現されてもよい。さらに、図１又は２の何れかの制御器は、図６に関連して後述される制御器などの、汎用コンピュータシステムとして実現されてもよい。
【００２４】
図１の処理システム及び図２の処理ツールは単に例示目的のものであることは理解されるべきである。なぜなら、本発明に係る方法が実施され得るシステムを実現するため、具体的なハードウェア及びソフトウェアには数多の変形が為され得るし、これらの変形は当業者には容易に明らかになるからである。
【００２５】
一般的に、様々な金属層が対応する金属カルボニル前駆体から堆積され得る。これには、Ｗ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ及びＣｒ金属層の、ぞれぞれ、Ｗ（ＣＯ）６、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｒｈ４（ＣＯ）１２、Ｒｅ２（ＣＯ）１０、Ｏｓ３（ＣＯ）１２及びＣｒ（ＣＯ）６前駆体からの堆積が含まれる。金属カルボニル前駆体からの低抵抗性金属層の低温堆積は、低い基板温度を要求するバックエンド（ｂａｃｋ−ｅｎｄ−ｏｆ−ｌｉｎｅ（ＢＥＯＬ））プロセス系への金属層の融合を可能にするものである。
【００２６】
金属カルボニル前駆体の熱分解とその結果の金属堆積は、主として、基板からのＣＯの除去及びＣＯ副生成物の脱離によって進展すると考えられる。ＣＯ副生成物の金属層への混入は、金属カルボニル前駆体の不完全な分解、金属層からのＣＯ副生成物の不完全な除去、処理ゾーンから金属層上へのＣＯ副生成物の再吸着、及び背景ガスからの金属カルボニル前駆体の堆積金属層上への吸着に起因し得る。処理圧力を低下させることは、基板の上方の処理ゾーンにガス状の種（例えば、金属カルボニル前駆体、反応副生成物、搬送ガス、及び希釈ガス）をより短く滞留させることになり、このことは、基板上に堆積される金属層中のより低いＣＯ不純物レベルをもたらすことができる。加えて、処理ゾーンにおいて金属カルボニル前駆体の分圧を低下させることは、金属層のより遅い成長速度をもたらし得る。より遅い成長速度は、副生成物が金属層から脱離するのにより多くの時間を与えられることになり、金属層に混入（捕獲）され得る反応副生成物の量を減少させることができる。とは言うものの、Ｒｅの場合には、未反応の前駆体がＲｅ金属層の表面に捕獲され、その後、未反応の前駆体とＲｅ金属層とが空気中の酸素と反応して表面に酸化Ｒｅのノジュールを形成してしまい得る。Ｒｅ金属の酸化しやすさと相まって、Ｒｅ金属層の表面における未反応の前駆体の存在は、表面での酸化Ｒｅノジュールの形成を促進してしまう。
【００２７】
図３Ａは基板上の金属層の概略断面図を示している。Ｒｅ金属層３０４がＲｅカルボニル前駆体から堆積されている。一例において、図１に概略的に示された処理システムで、ＣＶＤ法にてＲｅ２（ＣＯ）１０前駆体を熱分解することによってＲｅ金属層３０４が基板３０２上に堆積された。堆積条件は、基板温度５００℃、処理チャンバー圧力５０ｍＴｏｒｒ、前駆体容器温度５０℃、Ａｒ搬送ガス流量２００規格化ｃｃ／分（ｓｃｃｍ）、及びＡｒ希釈ガス流量２０ｓｃｃｍとした。堆積されたＲｅ金属層は約１５０Åの厚さであり、Ｒｅの成長速度は約２２Å／分であった。堆積されたままのＲｅ金属層は小さい表面粗さを備えた良好な形態と約６１μΩ・ｃｍの電気抵抗率とを示した。
【００２８】
他の一例においては、Ｒｅ金属層３０４は、基板温度４２０℃、処理チャンバー圧力５０ｍＴｏｒｒ、前駆体容器温度６０℃、Ａｒ搬送ガス流量２００ｓｃｃｍ、及びＡｒ希釈ガス流量２０ｓｃｃｍで堆積された。堆積されたＲｅ金属層３０４は小さい表面粗さを備えた良好な形態を示した。Ｒｅ金属層は約１５０Åの厚さであり、Ｒｅの成長速度は約５３Å／分であった。
【００２９】
図３ＡのＲｅ金属層３０４の形態が、層３０４が周囲空気中の酸素に晒される間に劣化することを観察した。図３Ｂは、Ｒｅ金属層３０４とＲｅ金属層３０４の表面のＲｅ含有ノジュールとを含む基板３０２の概略断面図を示している。層３０４をさらに周囲空気に晒した後に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によってノジュール３０６を観察した。一例において、ノジュール３０６は直径で数百ナノメートル、厚さで数十ナノメートルであった。元素分析によって、ノジュールがＲｅとＯとを含有することが示された。元素分析の結果に基づけば、ノジュールの形成はＲｅ金属表面での、部分的に分解されたＲｅ２（ＣＯ）１２前駆体の周囲空気中の酸素との反応によって促進されると考えられる。
【００３０】
本発明の実施形態は、堆積されたＲｅ金属層上への金属含有ノジュールの成長を抑制する不動態化された金属層を形成する方法を提供する。この方法は、処理チャンバー内に基板を設置する工程、化学的気相堆積法にて基板上にＲｅ金属層を堆積するために、金属−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに基板を晒す工程、及びＲｅ金属層の表面での金属含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するために、金属層上にパッシベーション層を形成する工程を有する。パッシベーション層の（空気に晒さない）その場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）形成は、後に金属層を酸素含有環境に晒す如何なることも、その下にあるＲｅ金属層の特性及び形態に悪影響を及ぼさないことを確実にする。当業者に認識されるように、Ｒｅ金属層を堆積するためには、本発明の範囲及び意図を逸脱することなく、様々なＲｅカルボニル前駆体が様々な組み合わせで使用され得る。
【００３１】
図４Ａ乃至４Ｃは、本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を含有するゲート積層体について、それを形成する処理シーケンスの概略断面図を示している。図４Ａにて、ゲート積層体４００は基板４０３、界面層４０４、及びｈｉｇｈ−ｋ層４０６を含んでいる。基板４０３は、例えば、Ｓｉ基板、Ｇｅ含有Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、又は化合物半導体基板などの半導体基板とすることができ、多数の能動デバイス及び／又は分離領域（図示せず）を含むことができる。基板４０３は形成されるデバイスの種類に応じてｎ型又はｐ型とし得る。界面層４０４は、例えば、約１０Åと約３０Åとの間の厚さの酸化物層（例えば、ＳｉＯｘ）、窒化物層（ＳｉＮｘ）、又は酸窒化物層（例えば、ＳｉＯｘＮｙ）とし得る。ｈｉｇｈ−ｋ層４０６は、例えば金属酸化物層又は金属ケイ酸塩層、例えば、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＳｉＯｘ、ＨｆＯ２、ＺｒＳｉＯｘ、ＴａＳｉＯｘ、ＳｒＯｘ、ＳｒＳｉＯｘ、ＬａＯｘ、ＬａＳｉＯｘ、ＹＯｘ、及びＹＳｉＯｘとし得る。ｈｉｇｈ−ｋ層４０６は例えば約３０Åの厚さである。図４Ａのゲート積層体の形成方法は半導体プロセスの当業者に周知である。当業者に認識されるように、本発明の範囲及び意図を逸脱することなく、その他の材料が様々な組み合わせで用いられ得る。
【００３２】
図４Ｂは、ｈｉｇｈ−ｋ層４０６上に金属ゲート電極層４０８を含むゲート積層体４０１を示している。金属ゲート電極層４０８はＲｅを含むことができる。層４０８は化学的気相堆積法にてＲｅカルボニル前駆体から堆積されることができる。
【００３３】
熱化学的気相堆積法にて金属層４０８を堆積するための処理パラメータ空間は、例えば、約３００ｍＴｏｒｒ未満のチャンバー圧力を使用することができる。他の例では、圧力は約１００ｍＴｏｒｒ未満であるとしてもよい。Ｒｅカルボニル前駆体の流速は約０．１ｓｃｃｍから約２００ｓｃｃｍの間とすることができ、搬送ガスの流速は約５００ｓｃｃｍ未満とすることができ、また希釈ガスの流速は約２０００ｓｃｃｍ未満とすることができる。搬送ガス及び希釈ガスは、不活性ガス又はＨ２ガスの少なくとも１つを含有し得る。不活性ガスはＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ若しくはＮ２、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む。金属層は、例えば、約３００℃と約６００℃との間、又はこれより低い基板温度にて堆積され得る。
【００３４】
図４Ｃは、本発明の一実施形態に従って、金属ゲート電極層４０８上にパッシベーション層４１４、すなわち、不動態化された金属ゲート電極層、を含むゲート積層体４０２を示している。パッシベーション層４１４は数オングストロームと数十オングストロームとの間の厚さとし得る。本発明の一実施形態において、パッシベーション層４１４は、プラズマ化学的気相堆積法、原子層堆積法、又は物理的気相堆積法によって堆積された、Ｗ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ若しくはＣｒ、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含有する金属パッシベーション層とし得る。他の一実施形態においては、パッシベーション層４１４は、例えば、熱化学的気相堆積法において金属層４０８を対応する金属カルボニル前駆体ガス、例えばＷ（ＣＯ）６、に晒すことによって金属層４０８上に堆積されたＷを含有する金属パッシベーション層としてもよい。上述されたように、熱化学的気相堆積によってＲｅカルボニル前駆体から形成されたＲｅ金属層は、環境下でのノジュール形成を免れないが、それぞれの対応する金属カルボニル前駆体から形成された他の金属はノジュール形成を示さない。タングステンは熱化学的気相堆積によってその金属カルボニル前駆体からノジュール形成を示さずに堆積される金属層の一例である。故に、熱化学的気相堆積によって堆積される他の遷移金属もパッシベーション層として使用され得ることは認識されるところであり、それらの金属カルボニル前駆体は、その後のノジュール形成を防止するように熱プロセス中に実質的又は完全に分解する。
【００３５】
本発明の他の一実施形態においては、パッシベーション層４１４は、金属層４０８上に形成されたシリコン含有層又は炭素含有層とし得る。シリコン含有層はＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含むシリコン含有ガスに金属層４０８を晒すことによって形成可能である。炭素含有層はＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ６、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ３ＣＯＣＨ３若しくはＣ４Ｈ８Ｏ、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む炭素含有ガスに金属層４０８を晒すことによって形成可能である。当業者に認識されるように、本発明の範囲を逸脱することなく、その他のシリコン含有ガス及び炭素含有ガスも用いられ得る。また、用語“シリコン含有層”は、プロセスからの不純物又は下地の金属層からシリコン中に拡散若しくは移動する金属と一緒になったシリコンだけでなく、純粋なシリコン層をも意図するものである。また同様に、用語“炭素含有層”は、プロセスからの不純物又は下地の金属層から炭素中に拡散若しくは移動する金属と一緒になった炭素だけでなく、純粋な炭素層をも意図するものである。
【００３６】
本発明の更に他の一実施形態においては、パッシベーション層４１４は、金属ケイ化物層、金属炭化物層、金属窒化物層、金属酸化物層若しくは金属ホウ化物層、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む金属含有層とすることができ、パッシベーション層４１４は金属層４０８上に堆積される。金属含有層はＷ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ若しくはＣｒ又はこれらの２つ以上の組み合わせの、ケイ化物、炭化物、窒化物、酸化物若しくはホウ化物とし得る。パッシベーション層４１４は、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、ホウ素含有ガス、窒素含有ガス若しくは酸素含有ガス又はこれらの２つ以上の組み合わせを混合された金属含有ガス（例えば、金属カルボニル前駆体）に、金属層４０８を晒すことによって形成可能である。シリコン含有ガスはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６又はこれらの２つ以上の組み合わせを含み得る。炭素含有ガスはＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ６、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ３ＣＯＣＨ３若しくはＣ４Ｈ８Ｏ（テトラヒドラフラン）又はこれらの２つ以上の組み合わせを含み得る。窒素含有ガスはＮ２、ＮＨ３、ＮＯ、ＮＯ２若しくはＮ２Ｏ又はこれらの２つ以上の組み合わせを含み得る。酸素含有ガスはＯ２を、そしてホウ素含有ガスはＢＨ４若しくはＢ２Ｈ６又はこれらの双方を含み得る。当業者に認識されるように、他のシリコン含有ガス、炭素含有ガス、窒素含有ガス、酸素含有ガス、及びホウ素含有ガスも本発明の範囲を逸脱することなく用いられ得る。
【００３７】
他の例では、パッシベーション層４１４は、先ず薄い第２金属層を金属層４０８上に堆積し、その後、薄い第２金属層をシリコン含有ガス、炭素含有ガス、ホウ素含有ガス、窒素含有ガス若しくは酸素含有ガス、又はこれらの２つ以上の組み合わせに晒すことによって形成され得る。ガスに晒した後には、パッシベーション層４１４を形成するための高温処理（例えば、アニール）が行われ得る。これは、薄い第２金属層を、金属ケイ化物、金属炭化物、金属ホウ化物、金属窒化物及び／又は金属酸化物を含む金属含有パッシベーション層４１４に変化させるように金属層４０８上に形成された薄い第２金属層にシリコン、炭素、窒素、酸素又はホウ素原子を拡散させることによる。典型的な一実施形態において、薄い第２金属層はアニールされることにより、環境に晒される前に変化させられる。
【００３８】
本発明の一実施形態において、パッシベーション層４１４は、金属層４０８をシリコン含有ガス、炭素含有ガス、窒素含有ガス、酸素含有ガス若しくはホウ素含有ガス、又はこれらの２つ以上の組み合わせに晒して、シリコン、炭素、窒素、酸素若しくはホウ素、又はこれらの２つ以上の組み合わせを金属層４０８、例えばその表面部分、に組み込むことによって形成され得る。他の例では、Ｓｉ層又はＣ層は金属層４０８をシリコン含有ガス又は炭素含有ガスに晒すことによって金属層４０８上に堆積され得る。この後に、Ｓｉ原子又はＣ原子を金属層４０８に組み込み、それによって金属ケイ化物又は金属炭化物のパッシベーション層４１４を形成するための高温処理（例えば、アニール）が行われ得る。
【００３９】
本発明の一実施形態によれば、堆積された金属層４０８及びパッシベーション層４１４の双方は同一の処理システムにて形成され得る。これは処理ツールのスループットを増大させることができる。本発明の他の一実施形態においては、金属層及びパッシベーション層は、処理ツールに含まれる相異なる処理システムにて形成され得る。故に、図２を参照するに、一例として金属層は処理システム２２０にて堆積され、パッシベーション層は処理システム２３０にて形成され得る。
【００４０】
本発明の一例において、第１の処理システムにて、Ｒｅ２（ＣＯ）１０前駆体ガスを用いた熱化学的気相堆積法でＲｅ金属層を基板上に堆積した。その後、基板をその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で（周囲空気に晒されることなく）、Ｗ（ＣＯ）６前駆体ガスからＲｅ金属層上にＷパッシベーション層を堆積するように構成された第２処理システムに移送した。そして、基板（ウェハ）温度５００℃、処理チャンバー圧力１５０ｍＴｏｒｒ、Ｗ（ＣＯ）６前駆体容器温度３５℃、Ａｒ搬送ガス流量２００ｓｃｃｍ、及びＡｒ希釈ガス流量７００ｓｃｃｍにて、Ｗパッシベーション層の堆積を行った。Ｒｅ金属層上に形成されたＷパッシベーション層について、それ自体がノジュール形成を示さないこと、及びその後にゲート積層体を周囲空気に晒すときにＲｅ金属層上でのノジュール形成を妨げることを観測した。
【００４１】
本発明の他の一例においては、第１の処理システムにて、Ｒｅ２（ＣＯ）１０前駆体ガスを用いた熱化学的気相堆積法でＲｅ金属層を基板上に堆積した。その後、ＳｉＨ４ガスを用いてＲｅ金属層上にシリコン含有パッシベーション層を堆積するように構成された第２処理システムに基板を移送した。Ｒｅ金属層上に形成されたシリコン含有パッシベーション層は、ゲート積層体を周囲空気に晒すときにＲｅ金属層上でのノジュール形成を妨げることを観測した。
【００４２】
本発明の更に他の一例においては、処理システムにて、Ｒｅ２（ＣＯ）１０前駆体ガスからＲｅ金属層を基板上に堆積した。その後、Ｒｅ２（ＣＯ）１０前駆体ガス及びＮＨ３ガスの混合物にＲｅ金属層を晒すことによって、Ｒｅ金属層上に窒化Ｒｅパッシベーション層を形成した。その後、ＳｉＨ４ガス及びＨ２ガスの混合物に窒化Ｒｅパッシベーション層を晒すことによって、窒化Ｒｅパッシベーション層上にシリコン含有パッシベーション層を堆積した。ガスに晒すことの全ては、基板を周囲空気に晒すことなく行った。窒化Ｒｅ層上に形成されたシリコン含有層を含むパッシベーション層は、ゲート積層体を周囲空気に晒すときにＲｅ金属層上でのノジュール形成を妨げることを観測した。
【００４３】
図５は、本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を含むパターニングされたゲート電極構造の概略断面図を示している。ゲート電極構造５００は基板５１０、ソース及びドレイン領域５２０及び５３０、誘電体側壁スペーサ５４０及び５７０、界面層５５０、ｈｉｇｈ−ｋ層５６０、金属ゲート層５８０、及びパッシベーション層５９０を含んでいる。パッシベーション層５９０は、金属ゲート層５８０の堆積に続いて形成されることができ、ゲート電極構造５００を含む半導体デバイスを製造するために行われる後続処理工程において金属ゲート層５８０を保護する。
【００４４】
図６は、本発明の一実施形態が実施され得るコンピュータシステム１２０１を例示している。コンピュータシステム１２０１は、上述の機能の何れか又は全てを実行するために、図１及び２の制御器１４０及び２４０として使用されてもよい。コンピュータシステム１２０１はバス１２０２若しくは情報通信のための他の通信機構と、情報を処理するためにバス１２０２に結合されたプロセッサ１２０３とを含んでいる。コンピュータシステム１２０１はまた、バス１２０２に結合され且つ情報とプロセッサ１２０３によって実行される命令とを記憶する主メモリ１２０４を含んでいる。主メモリ１２０４は、例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）若しくは他の動的記憶装置（例えば、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、及び同期型ＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ））等である。さらに、主メモリ１２０４はプロセッサ１２０３による命令の実行中に一時的な変数、又は他の中間情報を記憶するために使用されてもよい。コンピュータシステム１２０１は更に、バス１２０２に結合され且つ静的情報及びプロセッサ１２０３用の命令を記憶する読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）１２０５又は他の静的記憶装置（例えば、プログラム可能ＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、消去可能ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、及び電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ））を含んでいる。
【００４５】
コンピュータシステム１２０１はまた、バス１２０２に結合されたディスク制御器１２０６を含んでおり、ディスク制御器１２０６は、情報及び命令を記憶するために、例えば磁気ハードディスク１２０７及び取り外し可能メディアドライブ１２０８（例えば、フロッピーディスクドライブ、読み出し専用コンパクトディスクドライブ、読み出し／書き込み型コンパクトディスクドライブ、テープドライブ、及び取り外し可能光磁気ドライブ）等の１つ以上の記憶装置を制御する。この記憶装置は適切な装置インターフェース（例えば、小型コンピュータ用インターフェース（ＳＣＳＩ）、インテグレイテッド・デバイス・エレクトロニクス（ＩＤＥ）、エンハンストＩＤＥ（Ｅ−ＩＤＥ）、ダイレクト・メモリ・アクセス（ＤＭＡ）、又はウルトラＤＭＡ）を用いてコンピュータシステム１２０１に付加され得る。
【００４６】
コンピュータシステム１２０１はまた特定目的の論理デバイス（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））、又は設定可能な論理デバイス（例えば、シンプルプログラマブル論理デバイス（ＳＰＬＤ）、結合プログラマブル論理デバイス（ＣＰＬＤ）、及びフィールドプログラム可能ゲートアレイ（ＦＰＧＡ））（図示せず）を含んでいてもよい。コンピュータシステムはまた、例えばテキサスインスツルメント社からのＴＭＳ３２０チップシリーズ、モトローラ社からのＤＳＰ５６０００、ＤＳＰ５６１００、ＤＳＰ５６３００、ＤＳＰ５６６００及びＤＳＰ９６０００チップシリーズ、ルーセントテクノロジー社からのＤＳＰ１６００及びＤＳＰ３２００シリーズ、又はアナログデバイセズ社からのＡＤＳＰ２１００及びＡＤＳＰ２１０００シリーズ等の、１つ以上のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）（図示せず）を含んでいてもよい。デジタル領域に変換されたアナログ信号を処理するために特別に設計された他のプロセッサも使用され得る。
【００４７】
コンピュータシステム１２０１はまた、バス１２０２に結合された表示制御器１２０９を含んでいてもよく、表示制御器１２０９は情報をコンピュータユーザに表示するためにディスプレー１２１０を制御する。コンピュータシステムは、コンピュータユーザとやり取りして情報をプロセッサ１２０３に提供するために、例えばキーボード１２１１及びポインティング装置１２１２等である入力装置を含んでいる。ポインティング装置１２１２は、例えば、指示情報及びコマンド選択をプロセッサ１２０３に伝達し、且つディスプレー１２１０上でのカーソル動作を制御するマウス、トラックボール、又はポインティングスティックとしてもよい。さらに、プリンタ（図示せず）が、コンピュータシステム１２０１によって記憶及び／又は生成されたデータの印刷されたリストを提供してもよい。
【００４８】
コンピュータシステム１２０１は、例えば主メモリ１２０４等のメモリに格納されている１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行するプロセッサ１２０３に応じて、本発明の処理工程の一部又は全てを行う。このような命令は、例えばハードディスク１２０７又は取り外し可能メディアドライブ１２０８等の、他のコンピュータ読み取り可能媒体から主メモリ１２０４に読み込まれてもよい。主メモリ１２０４に格納された命令シーケンスを実行するために、マルチ処理構成をした１つ以上のプロセッサが用いられてもよい。これに代わる実施形態においては、ソフトウェア命令の代わりに、あるいはソフトウェア命令と組み合わせて、配線接続された（ｈａｒｄ−ｗｉｒｅｄ）回路が用いられてもよい。故に、実施形態はハードウェア回路とソフトウェアとの特定の組み合わせの何れにも限定されるものではない。
【００４９】
上述のように、コンピュータシステム１２０１は、本発明の教示に従ってプログラムされた命令を保持し且つデータ構造、表、記録又はここで述べられた他のデータを格納する少なくとも１つのコンピュータ読み取り可能媒体又はメモリを含んでいる。コンピュータ読み取り可能媒体の例は、コンパクトディスク、ハードディスク、フロッピーディスク、テープ、光磁気ディスク、ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＰＲＯＭ）、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、何らかの他の磁気媒体、コンパクトディスク（例えば、ＣＤ−ＲＯＭ）、何らかの他の光媒体、パンチカード、紙テープ、穴パターンを有する他の物理媒体、搬送波（後述）、又はコンピュータが読み取り可能な何らかの他の媒体である。
【００５０】
本発明は、コンピュータ読み取り可能媒体の何れか１つ、又は組み合わせに記憶された、コンピュータシステム１２０１を制御し、本発明を実施する１つ又は複数の装置を駆動し、且つコンピュータシステム１２０１が人間のユーザ（例えば、システム処理要員）とやり取りすることを可能にするソフトウェアを含む。このようなソフトウェアは、以下には限定されないが、装置ドライバ、オペレーティングシステム、開発ツール、及びアプリケーションソフトウェアを含んでもよい。上記コンピュータ読み取り可能媒体は更に、本発明を実施する際に実行される処理の全て又は一部（処理が分散される場合）を行うための、本発明に係るコンピュータプログラム製品を含む。
【００５１】
本発明に係るコンピュータコード装置は如何なる解釈可能又は実行可能なコード機構であってもよく、以下には限られないが、スクリプト、解釈可能プログラム、動的リンクライブラリ（ＤＬＬ）、ジャバ（Ｊａｖａ）クラス、及び完全実行可能プログラムを含んでもよい。さらに、本発明に係る処理の部分群は、より優れた性能、信頼性、及び／又はコストのために分散されてもよい。
【００５２】
用語“コンピュータ読み取り可能媒体”は、ここでは、実行のためにプロセッサ１２０３に命令を提供することに関与する如何なる媒体をも指すものである。コンピュータ読み取り可能媒体は多くの形態を採ることができ、以下には限られないが、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含んでもよい。不揮発性媒体には、例えば、ハードディスク１２０７又は取り外し可能メディアドライブ１２０８等の、光ディスク、磁気ディスク、若しくは光磁気ディスクが含まれる。揮発性媒体には、例えば主メモリ１２０４等の、動的メモリが含まれる。伝送媒体には、バス１２０２を構成する配線を含め、同軸ケーブル、銅線、及び光ファイバが含まれる。伝送媒体はまた、電波及び赤外線データ通信中に発生されるような、音波又は光波の形態をとってもよい。
【００５３】
実行のためのプロセッサ１２０３への１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを行うにあたって、様々な形態のコンピュータ読み取り可能媒体が必要とされてもよい。例えば、命令は初期的に遠隔コンピュータの磁気ディスクに維持されてもよい。遠隔コンピュータは本発明の全て又は一部を遠隔で実行するために命令を動的メモリにロードし、モデムを用いて電話線上でその命令を送信し得る。コンピュータシステム１２０１にローカルなモデムは電話線上でデータを受信し、そのデータを赤外線信号に変換するために赤外線送信機を使用してもよい。バス１２０２に結合された赤外線検出器は赤外線信号で運ばれるデータを受信し、そのデータをバス１２０２上に置くことができる。バス１２０２はデータを主メモリ１２０４へと運び、主メモリ１２０４からプロセッサ１２０３が命令を取り出して実行する。主メモリ１２０４によって受け取られた命令は、必要に応じて、プロセッサ１２０３による実行の前又は後の何れかに記憶装置１２０７又は１２０８に記憶される。
【００５４】
コンピュータシステム１２０１はまた、バス１２０２に結合された通信インターフェース１２１３を含んでいる。通信インターフェース１２１３は、例えばローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１２１５、又はインターネット等の他の通信ネットワーク１２１６に接続されたネットワークリンクと結合して、双方向データ通信を提供する。例えば、通信インターフェース１２１３は何らかのパケット交換ＬＡＮに結合するためのネットワークインターフェースカードとしてもよい。他の一例として、通信インターフェース１２１３は非対称型デジタル加入者回線（ＡＤＳＬ）カード、総合デジタルサービス網（ＩＳＤＮ）カード、又は対応する種類の通信回線へのデータ通信接続を提供するモデムとしてもよい。無線リンクも同様に実装されてもよい。このような如何なる実施においても、通信インターフェース１２１３は様々な種類の情報を表すデジタルデータストリームを運ぶ電気的、電磁気的、又は光学的信号の送信と受信とを行う。
【００５５】
ネットワークリンク１２１４は、典型的に、１つ以上のネットワーク経由での他のデータ装置へのデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク１２１４は、ローカルネットワーク１２１５（例えば、ＬＡＮ）を介して、あるいは通信ネットワーク１２１６を介して通信サービスを提供するサービス提供者によって操作される設備を介して、別のコンピュータへの接続を提供してもよい。ローカルネットワーク１２１４及び通信ネットワーク１２１６は、例えば、デジタルデータストリームを運ぶ電気的、電磁気的又は光学的信号、及び関連する物質膜（例えば、ＣＡＴ５ケーブル、同軸ケーブル、光ファイバ等）を使用する。コンピュータシステム１２０１への或いはコンピュータシステム１２０１からのデジタルデータを運ぶ、様々なネットワークを通る信号、及びネットワークリンク１２１４上かつ通信インターフェース１２１３を通る信号はベースバンド信号すなわち搬送波ベースの信号にされてもよい。ベースバンド信号は、デジタルデータビットのストリームを記述する変調されていない電気パルスとしてデジタルデータを搬送する。ここで、用語“ビット”は、それぞれが少なくとも１つ以上の情報ビットを運搬する記号を意味するとして広く解釈されるべきである。デジタルデータはまた、導電媒体上を伝播される、或いは伝播媒体を介して電磁波として送信される、例えば振幅、位相及び／又は周波数シフト符号化信号などを用いて、搬送波を変調するように使用されてもよい。故に、デジタルデータは変調されていないベースバンド信号として“有線”通信チャンネルを介して送信されてもよく、且つ／或いは搬送波を変調することによってベースバンドとは異なる所定の周波数帯域内で送信されてもよい。コンピュータシステム１２０１はネットワーク１２１５及び１２１６、ネットワ−クリンク１２１４、並びに通信インターフェース１２１３を介してデータを、プログラムコードも含め、送受信することができる。さらに、ネットワークリンク１２１４は、例えば携帯情報端末（ＰＤＡ）、ノート型コンピュータ、又は携帯電話などの携帯型装置１２１７に、ＬＡＮ１２１５を介した接続を提供してもよい。
【００５６】
コンピュータシステム１２０１は、処理ツールにて不動態化された金属層を形成する本発明に係る方法を実行するように構成されてもよい。コンピュータシステム１２０１は更に、金属カルボニル前駆体を含有する処理ガスに基板を晒すことによって、熱化学的気相堆積法にて基板上に金属を堆積し、且つ金属層上にパッシベーション層を形成するように構成されてもよい。
【００５７】
以上では本発明に係る特定の実施形態についてのみ詳細に説明してきたが、当業者に容易に認識されるように、この典型的な実施形態には本発明の新規の教示及び効果を実質的に逸脱することなく多くの変更が為され得る。従って、このような全ての変更は本発明の範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を形成する処理システムを示す簡略化されたブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を形成する処理ツールを示す簡略化されたブロック図である。
【図３Ａ】基板上に形成された金属層を示す概略断面図である。
【図３Ｂ】基板上に形成された金属層を示す概略断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を含有するゲート積層体を形成する処理シーケンスを示す概略断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を含有するゲート積層体を形成する処理シーケンスを示す概略断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を含有するゲート積層体を形成する処理シーケンスを示す概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に従った不動態化された金属層を含有するパターニングされたゲート電極積層体を形成する処理シーケンスを示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施形態を実施するために使用され得る汎用コンピュータを示す図である。
【図１】
2008515234.tif 000003
【図２】
2008515234.tif 000004
【図３Ａ】
2008515234.tif 000005
【図３Ｂ】
2008515234.tif 000006
【図４Ａ】
2008515234.tif 000007
【図４Ｂ】
2008515234.tif 000008
【図４Ｃ】
2008515234.tif 000009
【図５】
2008515234.tif 000010
【図６】
2008515234.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月25日(2007.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路のゲート積層体に不動態化された金属層を形成する方法であって：
酸化物、窒化物、又は酸窒化物の界面層上に形成された高誘電率誘電体層を含む半導体基板を、処理システムの処理チャンバー内に設置する工程；
熱化学的気相堆積法にて前記高誘電率誘電体層上にレニウム金属層を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに前記基板を晒す工程；及び
前記レニウム金属層の表面でのレニウム含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するのに有効なシリコン含有パッシベーション層、又は炭素含有パッシベーション層を前記レニウム金属層上に形成する工程；
を有する方法。
【請求項２】
不動態化された金属層を形成する方法であって：
処理システムの処理チャンバー内に基板を設置する工程；
熱化学的気相堆積法にて前記基板上にレニウム金属層を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに前記基板を晒す工程；及び
シリコン、炭素、酸素若しくはホウ素、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含有するガスに前記レニウム金属層を晒し、且つそれぞれシリコン、炭素、酸素又はホウ素を前記レニウム金属層の少なくとも表面部分に拡散させて、前記表面部分を、前記レニウム金属層の表面でのレニウム含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するのに有効な、それぞれレニウムケイ化物、レニウム炭化物、レニウム酸化物又はレニウムホウ化物のパッシベーション層に変化させるために、前記基板をアニールする工程；
を有する方法。
【請求項３】
前記ガスはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２、Ｓｉ２Ｃｌ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ６、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ３ＣＯＣＨ３、Ｃ４Ｈ８Ｏ、Ｏ２、ＢＨ４若しくはＢ２Ｈ６、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
不動態化された金属層を形成する方法であって：
処理システムの処理チャンバー内に基板を設置する工程；
熱化学的気相堆積法にて前記基板上にレニウム金属層を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに前記基板を晒す工程；及び
金属−カルボニル前駆体ガス、及びシリコン含有ガス、炭素含有ガス、酸素含有ガス若しくはホウ素含有ガス又はこれらの２つ以上の組み合わせに前記レニウム金属層を晒すことによって前記レニウム金属層上にパッシベーション層を形成する工程であり、前記パッシベーション層は、金属ケイ化物層、金属炭化物層、金属酸化物層若しくは金属ホウ化物層、又はこれらの組み合わせの少なくとも１つであり、且つ前記レニウム金属層の表面でのレニウム含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するのに有効である形成工程；
を有する方法。
【請求項５】
前記金属−カルボニル前駆体はＷ（ＣＯ）６、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｒｈ４（ＣＯ）１２、Ｒｅ２（ＣＯ）１０、Ｏｓ３（ＣＯ）１２若しくはＣｒ（ＣＯ）６、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有し、前記シリコン含有ガスはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有し、前記炭素含有ガスはＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ６、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ３ＣＯＣＨ３若しくはＣ４Ｈ８Ｏ、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有し、前記酸素含有ガスはＯ２を有し、前記ホウ素含有ガスはＢＨ４若しくはＢ２Ｈ６、又はこれらの双方を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
シリコン又は炭素を前記レニウム金属層の少なくとも表面部分に拡散させて、前記表面部分をレニウムケイ化物又はレニウム炭化物のパッシベーション層に変化させるために、前記シリコン含有パッシベーション層又は前記炭素含有パッシベーション層をアニールする工程を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記レニウム金属層及び前記パッシベーション層が同一処理システム内で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記レニウム金属層及び前記パッシベーション層が相異なる処理システム内で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
不動態化されたレニウム層を形成する方法であって：
処理システムの処理チャンバー内に基板を設置する工程；
化学的気相堆積法にて前記基板上にレニウム層を堆積するために、レニウムカルボニル前駆体を含有する処理ガスに前記基板を晒す工程；
前記レニウム層上にタングステンパッシベーション層を形成する工程；及び
前記タングステンパッシベーション層上にシリコンパッシベーション層を形成する工程であり、前記タングステンパッシベーション層及びシリコンパッシベーション層は、前記レニウム層の表面でのレニウム含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するのに有効である形成工程；
を有する方法。
【請求項１０】
前記タングステンパッシベーション層は、前記レニウム層をＷ（ＣＯ）６に晒すことによって化学的気相堆積法にて形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコンパッシベーション層は、前記タングステンパッシベーション層をＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＣｌ２Ｈ２若しくはＳｉ２Ｃｌ６、又はこれらの２つ以上の組み合わせに晒すことによって化学的気相堆積法にて形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記レニウム層、並びに前記タングステンパッシベーション層及び前記シリコンパッシベーション層が同一処理システム内で形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記レニウム層、並びに前記タングステンパッシベーション層及び前記シリコンパッシベーション層が相異なる処理システム内で形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記レニウムカルボニル前駆体はＲｅ２（ＣＯ）１０を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記タングステンパッシベーション層及び前記シリコンパッシベーション層の少なくとも一部をタングステンケイ化物パッシベーション層に変化させるために、前記基板をアニールする工程を更に有する請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
不動態化された金属層を形成する方法であって：
処理システムの処理チャンバー内に基板を設置する工程；
熱化学的気相堆積法にて前記基板上にレニウム金属層を堆積するために、レニウムカルボニル前駆体を含有する処理ガスに前記基板を晒す工程；及び
前記レニウム金属層上にパッシベーション層を形成する工程であって：
第１に、前記レニウム金属層上に金属層を形成し、
第２に、シリコン含有ガス、炭素含有ガス、窒素含有ガス、酸素含有ガス若しくはホウ素含有ガス、又はこれらの２つ以上の組み合わせに前記金属層を晒し、且つ
第３に、シリコン、炭素、窒素、酸素及び／又はホウ素を前記金属層に拡散させて、前記金属層を金属ケイ化物、金属炭化物、金属窒化物、金属酸化物及び／又は金属ホウ化物に変化させる、
ことによる形成工程；
を有し、
前記パッシベーション層は、前記レニウム金属層の表面でのレニウム含有ノジュールの酸素誘起成長を抑制するのに有効である、方法。
【国際調査報告】
2008515234.tif 000012
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