(57)【要約】本発明の方法は、液晶ディスプレイ用フィルタアレイに対応するパターンを含む第１フォトエッチングマスクを形成することと、フォトエッチング工具を利用して前記パターンの画像を基板における複数の位置に投影させて、デマスキングの基板を形成することと、前記デマスキングの基板を用いて第２フォトエッチングマスクを形成することとを備える。
2008542828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイ用フィルタアレイに対応するパターンを含む第１フォトエッチングマスクを形成することと、
フォトエッチング工具を利用して前記パターンの画像を基板における複数の位置に投影させて、デマスキングの基板を形成することと、
前記デマスキングの基板を用いて第２フォトエッチングマスクを形成することと
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記第１フォトエッチングマスクを形成することはマスク基板におけるマスク材料層にパターンを形成することを含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記第１フォトエッチングマスクを形成することは前記マスク材料層をエッチングする前に前記マスク基板に配置されているレジスト層の表面に対してビームを走査することを含む、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法において、前記ビームは電子ビームである、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記第２フォトエッチングマスクを利用して液晶ディスプレイ用フィルタアレイを形成することをさらに備える方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記フィルタアレイはフィルタウェーハにおけるフォトレジストをパターン化された輻射にデマスキングさせることによって形成され、前記パターン化された輻射は前記第２フォトエッチングマスクを利用して形成されている、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、前記パターン化された輻射は複数の液晶ディスプレイに用いるフィルタアレイのパターンに対応している、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法において、前記フォトレジスト層は接近式印刷を利用して露光されたものである、方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法において、前記フォトレジスト層は光学接触印刷を利用して露光されたものである、方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の方法において、前記フィルタアレイを形成することは前記露光後に前記フォトレジスト材料層の一部を除去することによってフィルタウェーハの表面の一部をデマスキングすることを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、前記除去された部分は前記パターン化された輻射に対応している、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法において、前記フィルタアレイを形成することは前記フィルタウェーハ表面のデマスキング部分と前記フォトレジスト材料層の残留部分に多層構造を沈着することを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、前記フィルタアレイを形成することは前記多層構造を沈着した後に前記フォトレジスト材料層の残留部分を除去することをさらに含む、方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法において、前記多層構造は複数の誘電材料層を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法において、前記多層構造における隣接する層は異なる屈折率を有する、方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法において、前記多層構造は干渉フィルタを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法において、前記干渉フィルタは電磁スペクトルにおける可視部分の波長範囲を基本的に透過する、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、前記波長範囲は赤、緑又は青の光に対応している、方法。
【請求項１９】
請求項５に記載の方法において、前記液晶ディスプレイはシリコンベース液晶（ＬＣｏＳ）マイクロディスプレイである、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記フィルタウェーハには、その他のフィルタアレイの透過波長と異なる電磁スペクトルにおける可視部分の波長を基本的に透過する干渉フィルタを含む追加のフィルタアレイを形成することをさらに備える方法。
【請求項２１】
基板表面を同時に複数のＬＣＤフィルタアレイに対応されるパターン化の輻射にデマスキングすることを備える方法。
【請求項２２】
基板表面に多層膜を形成することと、
前記表面から前記多層膜の一部を除去して、前記基板表面に液晶ディスプレイフィルタアレイの素子を提供することと
を備える方法。
【請求項２３】
基板表面に第１の複数の多層フィルタアレイを形成することと、
基板表面に第２の複数の多層フィルタアレイを形成することと
を備え、前記第１と第２の複数のフィルタアレイは異なる透過特性を有し、且つ、前記第１と第２の複数のフィルタアレイは液晶ディスプレイにおけるサブ画素に対応する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフィルタアレイ及びフィルタアレイの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の例としては、直視型ディスプレイと投写型ディスプレイ（例えば、リア投写方式ＬＣＤとフロント投写方式ＬＣＤ）がある。多くのＬＣＤ投写ディスプレイはＬＣＤマイクロディスプレイを備える。ＬＣＤマイクロディスプレイは光源からの光を変調することによって画像を生成する。該画像はその後すぐに光学投写システムによってスクリーンに投写される。ＬＣＤマイクロディスプレイの一種はシリコン基板に形成される。この種のＬＣＤマイクロディスプレイは通常、シリコンベースの液晶（ＬＣｏＳ）ディスプレイと呼ばれる。
【０００３】
多くのフルカラーＬＣＤはディスプレイ画素に対応するカラーフィルタアレイを備える。各ディスプレイ画素の赤、緑と青コンポーネントを変調することによってカラー画像を生成するディスプレイは一般的に、例えば赤、緑と青のサブ画素を備える。各サブ画素は可視スペクトルの一部を選択的に吸収・透過するカラーフィルタを有する。例えば、多くの直視型ディスプレイにおいて、赤サブ画素はこのようなカラーフィルタを備え、該カラーフィルタは可視スペクトルにおける青と緑の部分の輻射を吸収し、可視スペクトルにおける赤の部分の輻射を透過する。赤サブ画素は画像により反射（ディスプレイが反射型ディスプレイである場合）され又は透過（ディスプレイが透過型ディスプレイである場合）された光の量を変調することによって、画素の「赤」コンポーネントを変調する。同じように、緑と青のサブ画素により反射又は透過された光の量を変調することによって、画像の「緑」と「青」コンポーネントをそれぞれコントロールする。
【０００４】
カラーフィルタアレイは通常、空間合成カラー画像のディスプレイに用いられている。もしくは、ある種のディスプレイは異なるカラー光を順次変調する。人間の視覚システムは異なるカラー画像を融合してカラー画像を提供する。フルカラー画像を提供するために、例えば、応答が極めて速い光変調器（例えば、デジタル・マイクロミラーデバイス）を用いる投写ディスプレイはカラー回転ホイール（例えば、変調器に光を提供する光源を順序にろ過する回転デバイス）と一緒に使用することができる。フルカラー投写型ディスプレイの別例は複数の表示パネルからの画像（各画像は異なる色彩からなる）を重ねてフルカラー画像を提供する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、空間カラー合成のディスプレイに関しては、カラーフィルタアレイはディスプレイ中の各サブ画素に対応する素子を含むべきである。フィルタ素子の形状はディスプレイにおける画素電極の形状に対応すべきである。また、フィルタアレイは正確に画素電極にアラインメントすべきである。従って、効率が高く、且つ正確な製造技術と組立技術により、カラーフィルタアレイを作り、且つアレイをディスプレイのその他の部分に入れることが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
概して、一態様において、本発明の方法は、液晶ディスプレイ用フィルタアレイに対応するパターンを含む第１フォトエッチングマスクを形成することと、フォトエッチング工具を利用して前記パターンの画像を基板における複数の位置に投影させて、デマスキングの基板を形成することと、前記デマスキングの基板を用いて第２フォトエッチングマスクを形成することとを備える。
【０００７】
該方法は以下の特徴の一つ又はいくつかを含むように実現できる。第１フォトエッチングマスクを形成することはマスク基板におけるマスク材料層にパターンを形成することを含むことができる。例えば、第１フォトエッチングマスクを形成することは前記マスク材料層をエッチングする前に前記マスク基板に配置されているレジスト層の表面に対してビームを走査することを含むことができる。前記ビームは電子ビームであってもよい。
【０００８】
該方法は、第２フォトエッチングマスクを利用して液晶ディスプレイ用フィルタアレイを形成することをさらに備えていてもよい。フィルタアレイはフィルタウェーハにおけるフォトレジストをパターン化された輻射にデマスキングさせることによって形成され、前記パターン化された輻射は前記第２フォトエッチングマスクを利用して形成されている。パターン化された輻射は複数の液晶ディスプレイに用いるフィルタアレイのパターンに対応している。フォトレジスト層は接近式印刷（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｐｒｉｎｔ）を利用して露光可能である。その代わりに又はその他に、フォトレジスト層は光学接触印刷露光を利用してもよい。フィルタアレイを形成することは露光後フォトレジスト材料層の一部を除去することによってフィルタウェーハ表面の一部をデマスキングすることを含んでもよい。除去の部分はパターン化された輻射に対応してもよい。一部の実施例では、フィルタアレイを形成することはフィルタウェーハ表面のデマスキング部分とフォトレジスト材料層の残留部分に多層構造を沈着されることを含む。フィルタアレイを形成することは多層構造が沈着された後に、フォトレジスト材料層の残留部分を除去することをさらに含んでもよい。多層構造は複数の誘電材を含んでもよい。多層構造における隣接する層は異なる屈折率を有してもよい。多層構造は干渉フィルタを含んでもよい。干渉フィルタは電磁スペクトルにおける可視部分の波長を基本的に透過することができる。波長は赤、緑又は青の光に対応してもよい。
【０００９】
液晶ディスプレイはシリコンベース液晶（ＬＣｏＳ）マイクロディスプレイでもよい。該方法は、フィルタウェーハにその他のフィルタアレイの透過波長と異なる電磁スペクトルにおける可視部分の波長を基本的に透過する干渉フィルタを含む追加のフィルタアレイを形成することをさらに備える。
【００１０】
概して、別の態様において、本発明の方法は、基板表面を同時に複数のＬＣＤフィルタアレイに対応されるパターン化の輻射にデマスキングすることを備える。該方法は本発明のその他一つ又はいくつかの特徴を含むように実現できる。
【００１１】
概して、別の態様において、本発明の方法は、基板表面に多層膜を形成することと、前記表面から前記多層膜の一部を除去して、前記基板表面に液晶ディスプレイフィルタアレイの素子を提供することとを備える。該方法は本発明のその他の一つ又はいくつかの特徴を含むように実現できる。
【００１２】
概して、別の態様において、本発明の方法は、基板表面に第１の複数の多層フィルタアレイを形成することと、基板表面に第２の複数の多層フィルタアレイを形成することとを備え、前記第１と第２の複数のフィルタアレイは異なる透過特性を有し、且つ、前記第１と第２の複数のフィルタアレイは液晶ディスプレイにおけるサブ画素に対応する。該方法は本発明のその他の一つ又はいくつかの特徴を含むように実現できる。
【００１３】
これらの長所では、本発明は安価でＬＣＤマイクロディスプレイ（例えば、ＬＣｏＳディスプレイ）に用いる干渉フィルタアレイの製造を提供することができる。干渉フィルタアレイは接近式印刷又は光学接触印刷のフォトエッチング技術を利用して製造することができる。この２種類の技術はマスクパターンを１対１（イメージング無し）で基板上のフォトレジスト材料層に転写することに関わる。これらの技術はシングル基板に大量ディスプレイに用いるフィルタアレイをより高い効率で形成することに利用され得る。例えば、マスクと基板とを初めてアラインメントした後、基板全体は一つの露光ステップで露光することができる。また、フィルタ製造のための設備の設置に関連する資金の支出を減らすことができる。これは接近式印刷と光学接触印刷のフォトエッチングに用いる設備は、特に、フォトエッチングスキャナー、ステッパ（ｓｔｅｐｐｅｒ）及びステッパ・スキャナーシステムと比較する場合、相対的に安いからである。
【００１４】
その上に複数のマイクロディスプレイに用いるフィルタアレイを形成する基板は画素電極基板（例えば、ＬＣｏＳディスプレイに用いる）の形成に用いられるウェーハと同じサイズを有してもよい。例えば、個体マイクロディスプレイの画素電極基板は直径８インチ（２０．３２センチメートル）のシリコンウェーハのチップ位置に形成される時、フィルタアレイは直径８インチの基板（例えば、ガラス基板）に対応する位置に形成されてもよい。その後、ウェーハとフィルタ基板は切断される前にボンディングすることができる。従って、フィルタ基板をそれぞれ画素電極基板にアラインメントさせる必要性を低減する（例えば、なくす）ことができる。一方、もしディスプレイは各々実装されるものであれば、これが必要である。
【００１５】
接近式印刷又は光学接触印刷のフォトエッチングに用いるより大きなマスク（例えば、直径６インチ（１５．２４センチメートル）のマスク、直径８インチのマスク）は比較的に容易に準備できる。一部の実施例では、大きなマスクはフォトエッチング技術を利用して比較的に小さいマスクにて準備したものである。例えば、従来のマスク製造技術を利用して、直接書込みフォトエッチング（例えば、電子ビームフォトエッチング）のように、小さいマスクにより少ないフィルタアレイ（例えば、約二つ又は三つのフィルタアレイ）、一つのフィルタアレイ、ないし一つのフィルタアレイの一部のフィルタアレイパターンを形成することができる。投写フォトエッチング工具（例えば、ステッパ、スキャナー又はステッパ・スキャナーシステム）を利用して、マスクパターンをより忠実的に再現することができる。これらの工具は通常６インチ又は８インチのウェーハの処理に配置されているため、ウェーハと同じようなサイズのマスクをより容易に形成することができる。よって、マスクは接近式印刷又は光学接触印刷技術に用いられる時、それらは通常に使用している基板と同じサイズを有するので、これらのマスクの製造方法はより多くの長所を提供することができる。
【００１６】
次の図面と詳細な説明において、本発明の一つ又は複数の実施形態が詳しく示されている。本発明のその他の特徴と長所は以下の説明、図面及び特許請求の範囲において明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図面では、類似の符号は類似の素子を示す。
図１Ａに示すように、ＬＣｏＳマイクロディスプレイ１００は基板１１０と基板１２０との２つの基板の間に挟まれている液晶（ＬＣ）材料層１０１を備えている。画素電極層１１２は基板１１０に形成され、アラインメント層（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）１１４は画素電極層の表面に配置されている。アラインメント層１１４はアラインメント層に隣接する層１０１におけるＬＣ分子にアラインメントしている。基板１２０はその表面の１つに配置されるフィルタ層１２２と、フィルタ層１２２の表面に配置される共通電極層１２４とを有する。アラインメント層１２６は共通電極層１２４の表面に配置される。
【００１８】
マイクロディスプレイ１００は画素又は画像素子のアレイを備えている。図１Ａに４つの画素１３０，１３２，１３４，１３６が示されている。通常、アレイにおける画素の数が変わることができる。一部の実施形態では、アレイサイズはパターンアレイの基準に対応している。例えば、アレイはＶＧＡアレイ（６４０×４８０画素）、ＸＧＡアレイ（１０２４×７６８画素）、ＳＸＧＡアレイ（１２８０×１０２４画素）、ＵＸＧＡアレイ（１６００×１２００画素）、ＷＸＧＡアレイ（１３６６×７６８画素）、ＨＤＴＶアレイ（１２８０×７２０画素）、又は１９２０×１０８０画素を有するアレイでもよい。
【００１９】
各画素は３種類の補色（例えば、赤、緑と青又は青、フクシンと黄）の三つのサブ画素を備えている。例えば、画素１３６はサブ画素１３１，１３３，１３５を含む。
サブ画素に対応する電極にエネルギーを供給することによって、各サブ画素に電圧を印加することができる。ＬＣ分子は電圧により生じた電界中での再配向により、印加電圧に応答している。再配向はサブ画素がｚ軸に沿ってディスプレイに入射された光の複屈折性に対する変化を引き起こす。
【００２０】
マイクロディスプレイ１００が作動している間に、ＬＣ層上の信号（例えば、電圧幅又はパルス幅）を変えることによって、各サブ画素はｚ軸に沿って伝播された入射光を有する該サブ画素カラーの偏光状態を変調することができる。サブ画素はその他の色の光を反射するが、当該光の偏光を変調しない。そのため、偏光器（例えば、偏光ビームスプリッタ）が反射光の経路に位置する時、偏光器から発射され、各サブ画素より反射されたカラー光の強度は偏光器の通過状態において偏光化されたこのような光のコンポーネントを変調するによって変化される。
【００２１】
反射フィルタアレイを用いたＬＣｏＳディスプレイの実施例は２００３年５月１４日に提出した国際出願ＰＣＴ／ＣＮ０３／００３４８と２００４年８月３１日に提出した「Ａ  Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｂａｓｅｄ  Ｃｏｌｏｒ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｍｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅ」という米国特許出願１０／５０６，５６４において更に説明されている。ここで引用を通じてその全ての内容が本明細書に組み込まれる。
【００２２】
ディスプレイ１００のようなディスプレイを用いた投写ディスプレイの実施例は２００４年２月１０日に提出した国際出願ＰＣＴ／ＣＮ２００４／０００１１０と２００４年９月１日に提出した「Ａ  Ｃｏｌｏｒ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｓｙｓｔｅｍ」という米国特許出願１０／５０６，３０４において説明されている。ここで引用を通じてその全ての内容が本明細書に組み込まれる。
【００２３】
通常、層１０１におけるＬＣ材料はＬＣＤ１００の光学モードに基づいて選択される。該光学モードはＬＣ分子がエネルギー化と非エネルギー化のサブ画素においてどう配向するかに対応している。一般的に、ＬＣ材料はネマティックＬＣ又はスメクティックＬＣ（例えば、強誘電性ＬＣ）材料である。
【００２４】
アラインメント層１１４，１２６はアラインメント層表面におけるＬＣ材料の方向にコントロールされている。層１１４，１２６のアラインメント方向は平行、直交、又は中間角にあるようになってもよい。アラインメント層１１４，１２６は更にアラインメント層表面のＬＣ材料において予備的な傾斜（例えば、約０度〜約１０度まで）を引き起こしてもよい。一部の実施例では、アラインメント層はＬＣ材料を垂直に配向させる。通常、アラインメント方向と予備的な傾斜もＬＣＤ１００の光学モードに基づいて選択される。
【００２５】
アラインメント層１１４，１２６はアラインメント方向を利用してコーディングできる材料により形成可能である。例えば、一部の実施例では、アラインメント層１１４，１２６はポリマー材料（例えば、ポリイミド）により形成可能である。ポリマー材料はアラインメント層表面の物理的な艶出しを介してコーディングすることにより、アラインメント層を形成することができる。一部の実施例では、アラインメント層材料は材料を偏光（例えば、ＵＶ偏光）の下で露光することによってコーディングすることができる。
【００２６】
各アラインメント層の間のギャップ（ＬＣ層１０１の厚み）はアラインメント層１１４の表面に沈着されたスペーサによりコントロールされる。通常、ｚ方向に沿ったＬＣ層１０１の厚みは変更することができ、且つマイクロディスプレイ１００の光学モードとＬＣＤに用いるＬＣ材料の種類にも依存している。一般的に、ＬＣ層１０１は約０．５μｍ〜約１０μｍの厚みを有する。
【００２７】
例えばディスプレイ１００のようなＬＣｏＳディスプレイにおいて、基板１１０はシリコンにより形成されている。画素電極層１１２はシリコン基板に形成されたサブ画素電極のアレイを備えている。例えば、サブ画素１３１，１３３，１３５のサブ画素電極はそれぞれタブ１６０，１６２，１６４によって示される。各サブ画素電極にはサブ画素電極毎に独立にアドレッシングを行うことを許容する回路が結合されている。一部の実施例では、各サブ画素電極はトランジスタおよびシリコン基板１１０に集積されている一つ又は複数のその他のユニット（例えば、コンデンサー）を備えている。各サブ画素電極は基本的に反射特性（例えば、波長は約３８０ｎｍ〜約７８０ｎｍ）を呈している反射材料層を備えている。例えば、各サブ画素電極はアルミ層を含んでもよい。
【００２８】
基板１２０は透明材料により形成されているため、基板１２０は可視スペクトル部分（例えば、波長は約３８０ｎｍ〜約７８０ｎｍ）において基本的には透明である。
共通電極層１２４は例えば酸化インジウムスズのような透明導電材料により形成されている。フィルタ層１２２はサブ画素に対応する干渉フィルタ素子のアレイを備えている。サブ画素１３１，１３３，１３５のフィルタ素子はそれぞれタブ１４０，１４２，１４４によって示される。画素における各フィルタ素子は異なる透過スペクトルを有する。互いに隣接するフィルタ素子はブラックマトリクスと呼ばれる小さなダークエリアにより仕切られている。例えば、フィルタ素子１４０，１４２，１４４はブラックマトリクス材料部分１４６により仕切られている。
【００２９】
図１Ｂに示すように、干渉フィルタ素子としてのフィルタ１７０は交互に設けられている、低い屈折率を有する材料層１７１と高い屈折率を有する材料層１７２とを備えている。各層１７１と１７２の光学厚みはフィルタが望ましい透過スペクトルを提供するように選択される。例えば、緑色フィルタにおける層の光学厚みはフィルタの基本透過波長が可視スペクトルにおける緑色部分（例えば、約５２０ｎｍ〜約５８０ｎｍ）の光にあるように選択されるが、基本反射波長は可視スペクトルにおける緑色部分以外の光にある。同様に、赤色と青色フィルタにおける層の光学厚みは、対応するフィルタの基本透過波長が可視スペクトルにおける赤色部分と青色部分の光にあるように選択される。
【００３０】
通常、低屈折率層１７１と高屈折率層１７２の形成に用いる材料はその可視スペクトルにおける屈折率及び干渉フィルタの製造に用いる方法との整合性に基づいて選択される。一般的に、低屈折率と高屈折率の層は例えば、酸化物材料（例えば、金属酸化物材料）のような誘電材料により形成されている。
【００３１】
低屈折率層１７１における各層の成分は同じものであっても、又は異なるものであってもよい。同様に、高屈折率層１７２における各層の成分は同じものであっても、又は異なるものであってもよい。低屈折率層の形成に用いられる材料は氷晶石（ｎ＝約１．３５）、フッ化セリウム（ｎ＝約１．６３）、ＳｉＯ２（ｎ＝約１．６４）、ＬｉＦ（ｎ＝約１．３７）、ＴｈＦ４（ｎ＝約１．５２）、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝約１．６３）とフッ化マグネシウム（ｎ＝約１．３８）を含む。高屈折率層の形成に用いられる材料は二酸化ジルコニウム（ｎ＝約２．１）、二酸化チタン（ｎ＝約２．４０）、ＨｆＯ２（ｎ＝約１．９８）、ＣｅＯ２（ｎ＝約２．２０）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝約２．２０）、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝約２．１０）、Ｓｉ３Ｎ４（ｎ＝約２．０）と硫化亜鉛（ｎ＝約２．３２）を含む。引用された屈折率の値は電磁スペクトルの可視部分における材料の屈折率に対応している。
【００３２】
サブ画素における各フィルタ素子は異なる透過スペクトルを有するため、各サブ画素フィルタ素子の層の特性は異なるものである。通常、各サブ画素フィルタ素子における層の数は同じであっても、又は異なっていてもよい。また、各サブ画素フィルタ素子における高屈折率層及び／又は低屈折率層の形成に用いられる材料は同じものであっても、又は異なるものであってもよい。
【００３３】
フィルタ素子１７０は１０個の層を含んでいるが、通常、フィルタ素子における層の数は変更可能である。通常、層の数はフィルタの望ましい反射／透過特性に応じて選択される。例えば、大きな波長範囲を反射しようとする実施例では、反射される波長範囲が小さい実施例よりも層が多く含まれてもよい。また、反射される波長範囲において極めて高い反射率（例えば、約９８％以上、約９９％以上）を有する実施例では、同じ波長範囲の望ましい反射率がそれほど高くない（例えば、約９０％以下）実施例よりも層が多く含まれてもよい。一部の実施例では、フィルタ素子は約１５個以上の層（例えば、約２０個以上、約３０個以上、約４０個以上、約５０個以上）を含んでもよい。
【００３４】
図２Ａに示すように、フィルタ層１２２を形成するフィルタ素子はタイルのように並べられており、列２０１，２０２と２０３として示される赤色、緑色と青色のサブ画素フィルタ素子の列を代わる代わる備えている。各画素は隣接する赤色、緑色と青色のサブ画素フィルタ素子を含む。ある画素のフィルタ素子は図２Ａにおけるエリア２１０により示される。また、図２Ｂに示すように、画素フィルタ２１０は赤色のサブ画素フィルタ素子２２０と、緑色のサブ画素フィルタ素子２３０と、青色のサブ画素フィルタ素子２４０とを備えている。隣接するサブ画素フィルタ素子はｂを幅としたブラックマトリクス材料部分２５０により仕切られている。ブラックマトリクス部分は隣接するサブ画素間のＬＣＤ部分をシールディングしている。
【００３５】
画素フィルタ２１０において、各フィルタ素子は同じ寸法を有し、ピッチｐと高さｈを有する。ｐは水平方向に沿って見たフィルタ素子の最大サイズを指す。ｈは垂直方向に沿って見たフィルタ素子の最大サイズを指す。通常、ｐとｈはディスプレイのサイズと解像度に応じて変化する。一部の実施例では、ｐは約２μｍ以上（例えば、約３μｍ以上、約５μｍ以上、約１０μｍ以上、約１５μｍ以上、約２０μｍ以上）である。典型的に、ＬＣＤマイクロディスプレイに用いるフィルタアレイにおいて、ｐは約１５０μｍ以下（例えば、約１００μｍ以下、約８０μｍ以下、約５０μｍ以下）である。また、ｈは約３μｍ以上（例えば、約５μｍ以上、約８μｍ以上、約１０μｍ以上、約２０μｍ以上、約４０μｍ以上）である。典型的に、ｈは約３００μｍ以下（例えば、約２００μｍ以下、約１００μｍ以下、約８０μｍ以下）である。
【００３６】
各画素フィルタはディスプレイの画素ピッチ（水平方向に沿って）と対応するピッチπを有する。ピッチπもディスプレイのサイズと解像度に応じて変化する。一部の実施例では、πは約５μｍ以上（例えば、約１０μｍ以上、約２０μｍ以上、約３０μｍ以上、約４０μｍ以上、約５０μｍ以上）である。典型的に、ＬＣＤマイクロディスプレイに用いるフィルタアレイにおいて、πは約５００μｍ以下（例えば、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、約１００μｍ以下）である。
【００３７】
フィルタアレイ２００では、アレイのレイアウトのため、サブ画素の高さは画素の高さに対応している。
通常、フィルタアレイ２００のような干渉フィルタアレイは各種の方法（フォトエッチング方法を含む）を利用して準備できる。例えば、一部の実施例では、フィルタアレイのウェーハはフォトエッチングステッパ又はフォトエッチングスキャナーを利用して生成することができる。フォトエッチングステッパ又はフォトエッチングスキャナーはアレイパターンをマスクからウェーハ基板の複数の位置におけるフォトレジストに記録している。各位置はシングルＬＣｏＳディスプレイのフィルタアレイに対応している。デマスキングされたフォトレジストを処理して、フィルタ素子層を沈着できる基板部分に対する露光を行う。そして、複数のフィルタアレイの素子は全体的にシングルウェーハに形成され、且つ該シングルウェーハは相応なる数のディスプレイ基板を含む基板ウェーハにボンディングできる。ボンディングされた後の構造は各ディスプレイユニットに提供するように切断できる。
【００３８】
一部の実施例では、フォトエッチングステッパ又はスキャナーはフィルタアレイウェーハ自身だけではなく、更に大きなマスクの準備に利用できる。そして、更に大きなマスクパターンは光学接触印刷又は接近式印刷によってウェーハ上のレジスト層に転写できる。その後の沈着とエッチングステップは基板ウェーハにボンディングできるフィルタアレイウェーハの形成に用いられる。光学接触印刷では、マスクは露光している間にレジスト層に接触する。接近式印刷では、マスクは露光している間にレジスト層に接近（但し、接触せず）する。この２種類の技術は、マスクパターンを１対１でレジストに転写し、マスクパターンを拡大したり縮小したりせずにレジストに投写する投写システムである。そして、接近式印刷と光学接触印刷では、ステッパ又はスキャナーを用いる従来の方法に比べて、ウェーハ全体は一般的に一つの露光ステップにおいて露光する。従来の方法はマスクとウェーハとの双方に対して移動すると同時に連続的にウェーハの位置を露光する。そのため、接近式印刷又は光学接触印刷を利用して行われるウェーハの露光はより速く完成できる。
【００３９】
使用されている設備は一般的にフォトエッチングステッパ又はスキャナーより安価なので、光学接触印刷及び／又は接近式印刷を使用するのも有利である。よって、光学接触印刷及び／又は接近式印刷はフィルタアレイメーカー及び／又は干渉フィルタアレイを含むディスプレイメーカーに非常に経済的な長所を提供することができる。
【００４０】
フォトエッチング及びフォトエッチングシステムの様々な面に関しては、Ｍａｒｃｅｌ  Ｄｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．（Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ，ＮＹ）（１９９８）から出版されたＪ．Ｒ．Ｓｈｅａｔｓ  ＆  Ｂ．Ｗ．Ｓｍｉｔｈの「Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」において、詳しく述べられている。
【００４１】
以下、更に詳しくフィルタアレイの製造方法を説明する。
図３に示すように、一部の実施例では、メインフィルタマスク３００は製品フィルタマスクの準備に用いられ、そして、製品フィルタマスクを用いてフィルタアレイを製造する。メインフィルタマスク３００はサブ画素フィルタ素子に対応するフィルタ部分３２０のアレイを含む。メインフィルタマスクはリフトオフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）技術と一緒に使用するか、それとも、減法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）技術と一緒に使用するか、及びこれらの技術はポジティブレジストを使用するか、それとも、ネガティブレジストを使用するかにより、フィルタ部分はレジスト露光に対する輻射を遮断又は透過することできる。
【００４２】
従来、マスクは基本吸収及び／又は反射露光輻射の一種又は多種の材料を基本透過露光輻射の基板に沈着し、且つパターン化することによって形成されている。例えば、露光輻射はＵＶ輻射（例えば、約３５０ｎｍより小さい、約３００ｎｍより小さい、約２５０ｎｍより小さい、約２００ｎｍより小さい）である時、マスクはガラス（例えば、シリカガラス）又はクリスタル（例えば、フッ化物クリスタル、例えば、結晶化フッ化カルシウム、結晶化フッ化バリウム又は結晶化フッ化ストロンチウム）基板に形成される金属（例えば、クロム）遮断部分を含んでもよい。
【００４３】
一部の実施例では、メインフィルタマスク３００におけるフィルタ部分３２０のパターンはディスプレイにおける単色のサブ画素フィルタ素子のパターンに対応している。もしくは、一部の実施例では、メインフィルタマスク３００はディスプレイにおける単色のフィルタ素子の一部だけに対応するフィルタ部分を含み、且つ基板の複数の隣接部分はシングルのディスプレイのフィルタアレイの製造期間において、メインフィルタマスクにデマスキングされる。その他の実施例では、メインフィルタマスク３００は幾つかのディスプレイ（例えば、二つ以上、三つ以上、四つ以上）のサブ画素フィルタ素子に対応するフィルタ部分３２０を含む。
【００４４】
メインフィルタマスク３００は直接書込みフォトエッチング方法（例えば、電子ビームフォトエッチング）を利用して製造できる。
図４に示すように、フォトエッチング工具４００はメインフィルタマスク３００におけるフィルタアレイパターンをマスクウェーハ４０１におけるフォトレジスト層への転写に用いられる。マスクウェーハ４０１は製品フィルタマスクのベースを構成している。マスクウェーハ４０１は従来のシリコンウェーハ（例えば、直径８インチウェーハ又は直径６インチウェーハ）と同じサイズを有してもよい。
【００４５】
マスクウェーハ４０１はアラインメント特徴構造（ｆｅａｔｕｒｅ）を含んでもよい。該構造はフォトエッチング工具における視覚システム（例えば、アラインメント顕微鏡）によるマスクウェーハの位置決めを許容する。例えば、一部の実施例では、マスクウェーハはシリコン層（例えば、マスクウェーハの片側における全ての表面を覆う完全層、又は表面の一部のみを覆う非連続層）を含んでもよい。それによって、シリコンウェーハの位置決めに用いられる視覚システムと光学的に整合する部分を提供している。シリコンの光学属性（例えば、視覚システムと関わる波長を類似する屈折率）を有する類似のその他の材料を使用してもよい。
【００４６】
フォトエッチング工具４００は光源４１０（例えばＵＶ光源、たとえばＵＶレーザー）と照射システム４２０とを備えている。照射システム４２０は光源４１０からの光を誘導して、レチクル線ステージ（ｒｅｔｉｃｌｅ  ｓｔａｇｅ）４３２に位置するメインフィルタマスク３００を照射する。投写システムはマスク３００をマスクウェーハ４０１の表面にイメージングする。マスクウェーハ４０１は投写システムに対して台４４０上に位置する。
【００４７】
一部の実施例では、フォトエッチング工具４００はスキャナーであって、マスクとマスクウェーハは同時に投写システム４３０のフィールドを介して走査する。従来、該フィールドは極めて大きな円形フィールドのうちの一つの狭い円弧である。狭い円弧は基本補償画像差の半径に対応する。且つ、マスクウェーハの直径を超えている。従って、１回通過している間に、ウェーハ全体を露光する。
【００４８】
又は、フォトエッチング工具４００はステッパでもよい。その中、投写システム４３０のフィールドが十分に大きくて、１回でマスクウェーハ４０１上の一つ又は二つの位置を露光することができる。台４４０は露光の間におけるフィールドに対して改めてマスクウェーハ４０１の位置決めを行うことに伴って、これらのフィールドは順次露光される。
【００４９】
一部の実施例では、フォトエッチング工具４００はステッパ・スキャナーシステムであり、連続的にマスクウェーハ４０１の各部分におけるマスク３００の画像を走査し、且つ毎回走査する間にウェーハマスクを投写システム４３０に対してステッピングさせる。
【００５０】
フォトエッチングスキャナーとフォトエッチングステッパに関しては、例えば、前記ＳｈｅａｔｓとＳｍｉｔｈの文献の中で説明されており、Ｎｉｋｏｎ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｉｎｃ．（Ｂｅｌｍｏｎｔ，ＣＡ），Ｃａｎｏｎ  ＵＳＡ，Ｉｎｃ．（Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ，ＣＡ）とＡＳＭＬ  ＵＳ，Ｉｎｃ．（Ｔｅｍｐｅ，ＡＺ）から購入可能である。
【００５１】
通常、マスクウェーハにおけるマスクの画像はマスクと同じサイズを有してもよく、又は拡大もしくは縮小されてもよい。従来、スキャナーにおいて、画像はマスクの１倍（１Ｘ）の投影であるが、ステッパとステッパ・スキャナーシステムにおいて、画像はマスクに対して縮小されている。例えば、ステッパとステッパ・スキャナーシステムはマスクを約２倍以上縮小することができる（例えば、約３倍以上、約４倍以上、約５倍以上、約８倍以上、約１０倍以上）。
【００５２】
マスクウェーハ４０１が露光された後、フォトレジストに対して現像され、レジスト層の一部だけを残して、且つその他の部分における下層表面をデマスキングさせる。もしポジティブフォトレジストを用いる場合、現像された後に輻射にデマスキングされたその部分のレジストが保留される。逆に、もしネガティブフォトレジストを用いる場合、現像された後に輻射にマスキングされていないその部分のレジストが保留される。
【００５３】
減法技術において、マスクウェーハ４０１はマスク材料層を含む。露光後のフォトレジストの現像は、該層表面の一部がデマスキングされる。その後のマスクウェーハ４０１のエッチング（例えば、ウェットエッチング又はプラズマエッチング）はマスク材料層のデマスキング部分を除去する。マスクウェーハはウェーハ基板がデマスキングされるように十分長い時間でエッチングされる。
【００５４】
又は、リフトオフ工程において、現像によりデマスキングされたマスクウェーハ表面はマスクウェーハ基板の表面である。マスク材料層はその後、残留のフォトレジストとマスクウェーハ基板のデマスキング部分に沈着される。
【００５５】
いずれかの技術を用いた実施例において、残留フォトレジストはウェーハから剥離される。マスク材料を用いた減法エッチングの実施例では、剥離は残りのマスク材料だけをデマスキングし、それは製品フィルタマスクの遮断部分である。リフトオフ技術を用いた実施例では、剥離は残留のフォトレジスト部分を除去するだけではなく、残留フォトレジストに沈着されたマスク材料も除去する。
【００５６】
通常、剥離は残りのフォトレジストを溶解する溶剤においてウェーハを洗浄することによって行われる。ポジティブフォトレジストの剥離剤としてはアセトン、トリクロロエチレン及びフェノールに基づく剥離剤を含む。ネガティブフォトレジストの剥離剤としてはメチルエタンケトンとメチルイソブチルケトンを含む。又は、ウェーハを加熱してかしょうによって残留フォトレジストを除去してもよい。
【００５７】
一部の実施例では、マスクウェーハの露光に用いられるフォトエッチング工具はＬＣｏＳディスプレイの対応基板のシリコンウェーハを形成するための露光に用いてもよい。マスクウェーハとシリコンウェーハに対して同じ工具を用いることによって、工具におけるシステム的なアラインメント誤差を減少することができる。これは、同じ誤差はフィルタアレイに現れることがあり、又シリコン基板ウェーハに現れることもあるため、互いに相殺してしまう。
【００５８】
図５に示すように、製品フィルタマスク５００は各チップ位置５２０にあるフィルタアレイパターンを含む。製品フィルタマスク５００は７２個のチップ位置を含んでいるが、通常、製品マスクにおけるチップ位置の数は変更できる。通常、チップ位置の総数は各フィルタアレイのサイズ及びその上で形成する製品フィルタマスクのマスクウェーハのサイズに依存する。一部の実施例では、製品フィルタマスクは各ウェーハに対して約２０から約１５０個のチップ位置を含んでもよい。
【００５９】
縮小フォトエッチング（例えば、マスクパターンが縮小される）はマスクパターンにおける極めて小さな特徴構造を識別するのに用いられ、製品フィルタマスクに極めて小さな特徴構造を形成することができる。また、相対的に大きな製品フィルタマスクはこれらの技術を利用して生産することができる。例えば、マスクウェーハは集積回路の生産に用いる従来のシリコンウェーハ（例えば、直径６インチ又は８インチのウェーハ）と同じサイズを有してもよい。さらに、マスクパターンはウェーハマスクにおける各位置に忠実的に再現することができる。
【００６０】
図６Ａ−６Ｄ，７Ａ−７Ｄ及び８Ａ−８Ｄに示すように、一部の実施例では、フィルタウェーハに形成されたフィルタアレイは製品フィルタマスクを利用し、接近式印刷工程において製造されたものである。当該例では、ネガティブフォトレジストは、フィルタアレイを製造するためにリフトオフ工程において用いられる。
【００６１】
具体的には、図６Ａに示すように、フィルタウェーハ基板６０１の表面６０２における光感度エッチングレジスト層６１０はレジスト表面付近にある製品フィルタマスク６２５を介して、輻射６２０にデマスキングされる。マスク６２５は透過輻射６２０の部分を含むことで、レジスト層６１０の部分６１１に対して露光する。レジストの残留部分６１２はマスク６２５の遮断部分によりマスキングされる。
【００６２】
図６Ｂに示すように、露光後のレジスト層を現像して、レジストの露光部分を除去することで、エリア６１３にある基板６０１の表面６０２をデマスキングさせる。その後、誘電材料層は順次レジストのデマスキング表面及び表面６０２のデマスキング部分に沈着される。エリア６１３にあるフィルタアレイ素子６３０の沈着層と残留レジスト部分６１２の頂部における類似多層構造６３２は図６Ｃに示されている。
【００６３】
通常、フィルタアレイ素子を形成する高屈折率及び低屈折率の材料層は様々な方法を利用して沈着することができる。例えば、一部の実施例では、スパッタ（例えば、プラズマスパッタ）又は蒸着（例えば、熱又は電子ビーム蒸着）のような物理的な沈着方法は高屈折率層及び低屈折率層を沈着することができる。その代わりに又はその他に、化学沈着技術（例えば、化学反応による気相成長）を使用してもよい。
【００６４】
フィルタアレイ素子６３０が一旦形成されれば、残留のレジスト部分６１２は適切な剥離剤の中で現像し、又はレジスト材料を加熱して焼成することによって剥離を行う。該リフトオフ工程は更に基板６０１から多層構造６３２を除去して、図６Ｄに示すように、基板表面のみにフィルタアレイ素子６３０が残される。
【００６５】
図７Ａに示すように、新しいフォトレジスト層７１０はその後、表面６０２とフィルタアレイ素子６３０に沈着される。フォトレジスト層７１０は基板６０１に対して位置決めされた製品フィルタマスク７２５によって輻射７２０にデマスキングされることで、フィルタ素子６３０付近のレジスト部分７１１は輻射にデマスキングされ、レジスト層のその他の部分（即ち、部分７１２）は遮蔽される。
【００６６】
露光後のレジスト層を現像して、エリア７１３にある露光レジストを除去し（図７Ｂ参照）、そして、デマスキング部分７１３の表面６０２に多層構造を沈着することによってフィルタアレイ素子７３０を形成する（図７Ｃ参照）。残留のレジスト部分７１２と残留の多層構造７３２を除去することで、基板６０１にフィルタアレイ素子６３０と７３０を残す（図７Ｄ参照）。
【００６７】
第３組フィルタアレイ素子が提供されるように、フィルタアレイ素子６３０と７３０を形成するための一連のステップが繰り返される。図８Ａに示すように、フォトレジスト材料層８１０はフィルタアレイ素子６３０，７３０と表面６０２のデマスキング部分に沈着され、且つ製品フィルタマスク８２５によって輻射８２０にデマスキングされる。マスク８２５はフィルタアレイ素子６３０と７３０との間の部分８１１をデマスキングする。それから、デマスキングされた後のレジスト層を現像することで、部分８１１を除去してエリア８１３にある表面６０２をデマスキングすると同時に、フィルタアレイ素子６３０と７３０を覆うレジスト部分８１２を残す（図８Ｂ参照）。
【００６８】
図８Ｃに示すように、表面６０２のデマスキング部分に多層膜を沈着することによって、エリア８１３においてフィルタアレイ素子８３０が形成される。該沈着は更にレジスト層の残留部分８１２に多層構造８３２を形成する。レジスト部分８１２と多層構造８３２はその後除去される。
【００６９】
フィルタアレイ素子６３０，７３０，８３０を沈着する前又は沈着した後、ブラックマトリクス材料層は基板６０１に沈着されることで、フィルタアレイ素子６３０，７３０，８３０の間の空間を充填し、且つフィルタ層８０１を提供する。
【００７０】
フィルタアレイ素子６３０，７３０，８３０が同じ形状を有し、且つ同じパターンにて配列されている実施例では、シングルマスクはマスク６１２，７２５，８２５に用いることができる。もちろん、もしフィルタアレイ素子６３０，７３０，８３０がそれぞれ異なる形状を有し、又は異なるパターンで配列する場合、マスク６１２，７２５，８２５は異なる。
【００７１】
上記では図６Ａ−８Ｄに従ってステップを説明したが、通常、上述したフィルタウェーハでフィルタアレイを形成するための方法は追加のステップを含んでもよい。一部の実施例では、一つ又はいくつかの加熱ステップを使用してもよい。例えば、フォトレジスト材料は溶剤にてウェーハに置かれた時、フォトレジスト材料を加熱して次の工程ステップの前に層から残留溶剤を除去することができる。一部の実施例では、加熱ステップは例えばフォトレジスト材料層の硬化に用いてもよい。
【００７２】
通常、一つ又はいくつかの追加の層がフィルタ層８０１の頂部に沈着されてもよい。例えば、その後、レベリングすることのできる材料層はフィルタ層８０１の頂部に沈着されてもよい。ＬＣＤにおいてフィルタ層８０１は基板６０１と液晶材料との間に位置する実施例では、アラインメント材料（例えば、ポリイミド）層はフィルタ層８０１の頂部に沈着されてもよい。
【００７３】
更に、層６１０，７１０，８１０はネガティブフォトレジストにて形成されているが、通常、ポジティブ又はネガティブフォトレジストのいずれかを使用してもよい。通常、フォトレジスト層は単層または多層フォトレジストでもよい。
【００７４】
また、図６Ａ−８Ｄで説明した前記方法では、接近式印刷を用いてマスクパターンをフォトレジストに転写したが、一部の実施例では、光学接触式印刷を使用してもよい。
フィルタウェーハは、複数のディスプレイのフィルタアレイを含む実施例では、フィルタウェーハは各々のディスプレイフィルタアレイに分断される前に、対応する数のディスプレイ基板を含む基板ウェーハにボンディングすることができる。もしくは、一部の実施例では、フィルタウェーハはボンディングする前に分断されてもよく、且つディスプレイフィルタアレイはユニウェハをベースとしてディスプレイ基板にボンディングすることができる。
【００７５】
前記図６Ａ−８Ｄで説明したフィルタアレイにおけるフィルタアレイ素子は単層（即ち層８０１）を形成したが、それに限定されたものではない。例えば、一部の実施例では、異なるフィルタアレイ素子は異なる層に形成されてもよい。異なる層に形成される異なるフィルタを含んだフィルタアレイを示す例は図９に示すフィルタアレイ９００である。フィルタアレイ９００は基板９０１によって支持される三つのアレイ素子層を含む。第１層９１０は基板９０１の表面に形成されるフィルタ素子９１１を含む。透明材料は隣接するフィルタ素子９１１同士間のエリアに沈着され、且つ透明材料の表面とフィルタ素子９１１の表面は面一である。そして、フィルタ素子の第２層９２０は層９１０の上に形成されてもよい。層９２０はエリア９２２における透明材料によって分離されたフィルタ素子９２１を含む。フィルタアレイ素子の第３層９３０は層９２０の頂部に形成される。層９３０は透明材料エリア９３２によって分離されたフィルタ素子９３１を含む。
【００７６】
アレイ２００におけるサブ画素のフィルタ素子が列方向に並べられているが、通常、その他のアレイ幾何学構造を使用してもよい。その他のアレイ幾何構造が図１０に示されている。当該例では、フィルタアレイ１１００は、単色の行１１０２と２つの交互色の行１１０１にて並べられているサブ画素フィルタ素子を含む。各画素フィルタは、一つの行１１０１に沿った二つのサブ画素フィルタ素子と、隣接する行１１０２における一つのサブ画素フィルタ素子とを含む。例えば、画素フィルタ１１１０は上端行１１０１における第１色サブ画素フィルタ素子１１１１と第２色サブ画素フィルタ素子１１１２、及び隣接する行１１０２における第３色サブ画素フィルタ素子１１１３とを含む。
【００７７】
また、長方形フィルタ素子を既に説明したが、通常、その他のフィルタ素子の形状も実現可能である。一般的に、画素内にせよ画素毎のベースにせよ、フィルタ素子の形状はフィルタ素子が容易に貼付けて、覆わせることができるように選択される。
【００７８】
フィルタ素子の形状としては、例えば、三角形、正方形、長方形、六角形と八角形を含む。一部の実施例では、フィルタ素子の形状は曲線形でもよい（例えば、円形又は楕円形辺のような弓形辺含む）。
【００７９】
更に通常、画素における各サブ画素フィルタ素子の面積はその他のサブ画素フィルタ素子の面積と同じでもよいし、異なってもよい。
以上で本発明のいくつかの実施例を説明したが、本発明の要旨と範囲を逸脱しないこと前提にして、各種の修正、変更を行ってもよいと理解すべきである。従って、その他の実施例も本特許請求の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１Ａ】フルカラーシリコンベース液晶（ＬＣｏＳ）マイクロディスプレイの一部の断面図。
【図１Ｂ】フィルタアレイ素子の断面図。
【図２Ａ】ＬＣＤ用フィルタアレイの一部を示す平面図。
【図２Ｂ】シングルディスプレイ画素に対応する図２Ａのフィルタアレイの一部の平面図。
【図３】メインマスクの平面図。
【図４】フォトエッチング工具の一実施形態を示す説明図。
【図５】製品アレイマスクの一実施形態を示す説明図。
【図６Ａ】フィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の工程を示した説明図。
【図６Ｂ】フィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の工程を示した説明図。
【図６Ｃ】フィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の工程を示した説明図。
【図６Ｄ】フィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の工程を示した説明図。
【図７Ａ】図６Ａ−６Ｄのフィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の追加の工程を示した説明図。
【図７Ｂ】図６Ａ−６Ｄのフィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の追加の工程を示した説明図。
【図７Ｃ】図６Ａ−６Ｄのフィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の追加の工程を示した説明図。
【図７Ｄ】図６Ａ−６Ｄのフィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の追加の工程を示した説明図。
【図８Ａ】図６Ａ−６Ｄのフィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の追加の工程を示した説明図。
【図８Ｂ】図６Ａ−６Ｄのフィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の追加の工程を示した説明図。
【図８Ｃ】図６Ａ−６Ｄのフィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の追加の工程を示した説明図。
【図８Ｄ】図６Ａ−６Ｄのフィルタウェーハ基板におけるフィルタ素子を形成する際の追加の工程を示した説明図。
【図９】フィルタアレイの別例の断面図。
【図１０】フィルタアレイの別例の平面図。
【図１Ａ】
2008542828.tif 000003
【図１Ｂ】
2008542828.tif 000004
【図２Ａ】
2008542828.tif 000005
【図２Ｂ】
2008542828.tif 000006
【図３】
2008542828.tif 000007
【図４】
2008542828.tif 000008
【図５】
2008542828.tif 000009
【図６Ａ】
2008542828.tif 000010
【図６Ｂ】
2008542828.tif 000011
【図６Ｃ】
2008542828.tif 000012
【図６Ｄ】
2008542828.tif 000013
【図７Ａ】
2008542828.tif 000014
【図７Ｂ】
2008542828.tif 000015
【図７Ｃ】
2008542828.tif 000016
【図７Ｄ】
2008542828.tif 000017
【図８Ａ】
2008542828.tif 000018
【図８Ｂ】
2008542828.tif 000019
【図８Ｃ】
2008542828.tif 000020
【図８Ｄ】
2008542828.tif 000021
【図９】
2008542828.tif 000022
【図１０】
2008542828.tif 000023
【国際調査報告】
2008542828.tif 000024
2008542828.tif 000025
2008542828.tif 000026
2008542828.tif 000027
2008542828.tif 000028
2008542828.tif 000029
2008542828.tif 000030
2008542828.tif 000031
2008542828.tif 000032
2008542828.tif 000033
2008542828.tif 000034
2008542828.tif 000035