(57)【要約】本発明は、原子層付着法もしくは化学気相蒸着法をする際に利用可能な、付着方法および付着装置を含む。半導体基板の積層（スタック）と、前駆体注入口との間に、加熱面を用意する。そして、問題となる副反応が、半導体基板の近傍では無く、この加熱面の近傍で起こるように構成する。この前駆体注入口は、複数の前駆体注入口のうちのひとつであるようにもできる。また、この加熱面も、複数の加熱面のうちのひとつであるようにもできる。【選択図】図８
2008541450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
付着装置の反応室内部に、半導体基板の積層を用意するステップと、
前記半導体基板を、前記反応室内で第一の温度まで加熱するステップと、
前記反応室内に、低くともほぼ前記第一の温度まで加熱された、前記半導体基板の前記積層と或る距離をとって隔てられている面を用意するステップと、
付着物質を前記表面の方へと流して、前記半導体基板の前記積層の方へと流すステップと
を含み、ここで、
前記付着物質が、加熱された前記面と相互作用して、副反応が起き、また、
前記副反応によって、問題を起こしうる一種類以上の産物が生じ、また、
加熱された前記面と、前記半導体基板の前記積層との間の前記距離が、前記問題を起こしうる一種類以上の産物のほぼすべてが前記半導体基板の前記積層に達しないようにする上で充分なものである
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項２】
加熱された前記面が、低くともほぼ前記第一の温度まで熱され、且つ、付着物質が相互作用をして、前記副反応が前記半導体基板の前記積層から充分な距離をおいて発生することで、前記問題を起こしうる一種類以上の産物のほぼすべてが前記半導体基板の前記積層に届かないような、加熱された複数の面のうちのひとつである
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
原子層付着法であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項４】
化学気相蒸着法であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項５】
原子層付着法である請求項１記載の方法であって、
前記付着物質が、加熱された前記面に曝露されることで分解して、前記副反応に関与する第一の成分と、前記一枚以上の半導体基板の表面と反応して所望する原子層付着反応をする第二の成分と、を生じる、前駆体を含む
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記付着物質が、前記副反応に関与する一種類以上の不純物を含む
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項７】
加熱された前記面が、前記反応室の側壁の内面である
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項８】
加熱された前記面が、前記反応室内の、注入口と前記半導体基板の前記積層との間に設置された、板の表面であり、また、
前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込む
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
加熱された前記面が、前記反応室内の、注入口と前記半導体基板の前記積層との間に設置された、遮蔽板の表面であり、また、
前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込む
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
注入口が、前記反応室内に在り、且つ、前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込み、また、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記付着物質を、前記管の壁に接触させるようになっており、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、前記付着物質が、前記管の前記壁と接触するように向けられた後に、前記管の前記一個以上の開口部を通り抜けて前記反応室内に入り込むようになっており、また、
前記管の前記壁が、加熱された前記面である
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
付着装置の内部に、一枚以上の半導体基板を用意するステップであって、ここで前記装置は、反応室と、前記反応室内へと流体を注入するよう構成された注入口と、前記反応室内の前記注入口の近傍に設置された加熱面とを含み、また、前記一枚以上の半導体基板が、前記反応室内に在る、というステップと、
前記一枚以上の半導体基板を、前記装置内で第一の温度まで加熱し、且つ、前記加熱面を、低くとも前記第一の温度とほぼ同じである第二の温度まで加熱するステップと、
前記注入口を通じて、一種類以上の前駆体のバルク流を、前記加熱面の方へと与え、さらに前記一枚以上の半導体基板の方へと与えるステップと、
前記バルク流が前記加熱面を越えて前記一枚以上の半導体基板の方へと移動する前に、望まざる副反応が発生するようにする上で充分な時間をかけて、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記加熱面と相互作用させるステップと
を含むことを特徴とする、付着方法。
【請求項１３】
前記注入口が、前記一種類以上の前駆体が前記反応室内へと入り込む際に通る複数の注入口のうちのひとつであって、また、
前記加熱面が、低くとも前記第一の温度とほぼ同じである温度まで加熱される、前記反応室内の複数の加熱面のうちのひとつであって、また、
前記複数の加熱面が、前記複数の注入口と対を成している
ことを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記加熱面への前記バルク流が、前記反応室内での放散速度とほぼ同じ速度である
ことを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
原子層付着法である請求項１２記載の方法であって、
前記一種類以上の前駆体が、主として、前記加熱面に曝露されると分解して第一の成分および第二の成分をつくりだす単独の前駆体であり、また、
前記第一の成分は、前記半導体基板に達する前に、前記望まざる副反応に関与し、また、
前記第二の成分は、前記一枚以上の半導体基板の表面と、所望の原子層付着反応をし、また、
前記半導体基板と前記加熱面との間の距離が、前記半導体基板に前記第一の成分のほぼすべてが届かないようにする上で充分なものである
ことを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
前記望まざる副反応に関与して、問題を起こしうる一種類以上の産物を形成するような不純物を、前記一種類以上の前駆体が含み、また、
前記半導体基板と前記加熱面との間の距離が、前記半導体基板に問題を起こしうる産物のほぼすべてが届かないようにする上で充分なものである
ことを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
原子層付着法であることを特徴とする、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
化学気相蒸着法であることを特徴とする、請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記加熱面が、前記反応室の側壁の内面であることを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項２０】
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記一枚以上の半導体基板との間に配置された、板の表面であることを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項２１】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記一枚以上の半導体基板との間に設置された、遮蔽板の表面である
ことを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項２３】
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記管の壁にぶつかる方へと向け、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、前記一種類以上の前駆体が、前記管の前記壁にぶつかる方へと向けられた後に、前記管の前記一個以上の開口部を通り抜けて前記反応室内に入り込むようになっており、また、
前記管の前記壁が、前記加熱面である
ことを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項２４】
前記反応室内に、前記半導体基板が二枚以上在ることを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項２５】
反応室と、
前記反応室内部の一枚以上の半導体基板を保持するように構成された、基板支持具と、
前記反応室内に流体を注入するように構成された、注入口と、
前記反応室内の、前記注入口の近傍に設置された、加熱面と
を含み、ここで、
前記注入口および前記加熱面および前記基板支持具が、
前記反応室への一種類以上の前駆体のバルク流が、前記注入口を通り抜けて、前記注入口によって、前記基板支持具に保持された基板のいずれかに達するよりも前に前記加熱面と相互作用するように制御される
ように構成される
ことを特徴とする、付着装置。
【請求項２６】
前記注入口が、複数の注入口のうちのひとつであり、また、
前記加熱面が、複数の加熱面のうちのひとつである
ことを特徴とする、請求項２５記載の装置。
【請求項２７】
前記注入口が、複数の注入口のうちのひとつであり、また、
前記加熱面が、複数の加熱面のうちのひとつであり、また、
前記複数の加熱面が、前記複数の注入口と対を成す
ことを特徴とする、請求項２５記載の装置。
【請求項２８】
前記加熱面が、前記反応室の側壁の内面であることを特徴とする、請求項２５記載の装置。
【請求項２９】
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記基板支持具との間に配置された、板の表面である
ことを特徴とする、請求項２５記載の装置。
【請求項３０】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項２９記載の装置。
【請求項３１】
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記基板支持具との間に設置された、遮蔽板の表面である
ことを特徴とする、請求項２５記載の装置。
【請求項３２】
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記管の壁にぶつかる方へと向け、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、また、
前記管の前記壁が、前記加熱面である
ことを特徴とする、請求項２５記載の装置。
【請求項３３】
前記基板支持具が、前記反応室内で、二枚以上の半導体ウェハをまとめて保持するように構成される
ことを特徴とする、請求項２５記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、付着（堆積）方法と、付着（堆積）装置とに関する。具体的な態様においては、本発明は、原子層付着法（原子層成膜法； 原子層堆積法）および原子層付着装置、ならびに／あるいは、化学気相蒸着方法および化学気相蒸着装置、に関する。
【背景技術】
【０００２】
本開示を理解する上で、読者にはALDおよびCVDについての背景技術が助けとなるだろう。ALDとは一般に、前駆体が、露出した表面で、その露出した表面以外の場所では直接相互作用が発生しないように則ち自己制御的に、次々と反応してゆくという工程を含むものであると考えられている。CVDとは一般に、一種以上の前駆体が、表面上で反応して、最終的に、連続的な付着もしくは非自己制御的なかたちで表面を覆うような物質を形成する工程を含むものであると考えられている。しかし、実際の用途においては、ALD工程とCVD工程との差異は鮮明であるとは限らない。ALD主体で進行する工程に、CVD型がいくらか関与していることもある。
【０００３】
典型的には、ALDは、初期状態の基板（initial substrate）を第一の化学種に曝し、基板上にこの化学種が化学吸着するようにする工程を含む。こうした化学吸着によって、理論上は、均等に一原子もしくは一分子の厚さであって、曝露した初期状態の基板の全体を覆うような単分子層（monolayer）が形成されることになる。換言すれば、飽和単分子層である。実際には、後述するように化学吸着は基板のすべての箇所では起こらない、と考えられる。そうではあっても、本明細書においては、こうした不完全な単分子層のことも単分子層であると見做す。多くの用途では、ほぼ飽和した単分子層が適切であると思われる。ほぼ飽和した単分子層でも、こうした層に望まれる品質および／もしくは特性を呈する付着層が得られるのである。
【０００４】
この第一の化学種を、基板上からパージしてから、第二の化学種を用意し、第一の化学種から成る第一の単分子層の上に化学吸着されるようにする。その後、この第二の化学種をパージして、さらに、第二の化学種の単分子層を第一の化学種に曝露して先のステップをくりかえす。特定の場合には、これら二種の単分子層が同一の化学種から成っていてもよい。また、第三の化学種（もしくはさらに多くの化学種）を、第一の化学種・第二の化学種についての上述の記載に沿って、化学吸着とパージとを連続的に行うことも可能である。ここで、第一の化学種、第二の化学種、ならびに第三の化学種のうちの一種もしくは複数種を、不活性気体と混ぜ合わせて、反応室内での圧力飽和を早めることができる、ということに留意されたい。
【０００５】
パージを行うにあたっては、種々の技法を併せて用いることもでき、こうした技法としては例えば、基板および／もしくは単分子層をキャリアーガスと接触させること、ならびに／あるいは、圧力を付着圧以下に降下させて基板および／もしくは化学吸着した化学種と接触する化学種の濃度を低下させること、が含まれるが、これらに限定はされない。キャリアーガスの例としては、N2、Ar、He、Ne、Kr、Xe、などが含まれる。さらにはまた、パージを行うにあたっては、化学吸着副産物を脱着させ、且つ別の化学種が入り込む下地となってしまう化学種の濃度を減らすような、任意の物質を、基板および／もしくは単分子層に接触させること、も含めることが可能である。当業者に知られているように、適切なパージの量は、実験的に定められる。成膜速度を増すことができるパージ時間へと、順を追ってパージ時間を減らしてゆくことが可能である。成膜速度の増大は、非ALD工法への変化が起こったことを示す指標となると考えられ、パージ時間限界を確定するために用いることができる。
【０００６】
ALDは、第一の化学種が化学結合を形成できるのは基板上の有限な数の箇所であることから、自己制御的工程として記載されることもある。第二の化学種は、第一の化学種にのみ結合すると考えられるので、やはり自己制御的であると見做せる。基板上の有限な数の箇所のすべてが第一の化学種と結合するに至ると、第一の化学種は基板と既に結合した別の第一の化学種とは結合しないことが多い。しかしながら、ALD工程の条件を変化させて、こうした結合を促進し、ALDが自己制御的では無くするようなこともまた可能である。したがって、ALDは、化学種を堆積させる期間にひとつ以外の単分子層を形成し、一原子もしくは一分子よりも大きな厚みを有する層を形成するような化学種をも包摂する。本明細書に記載した本発明にかかる種々の態様については、ALDが望まれるような任意の状況に適用できる。さらには、ALD中には局所的な化学反応も発生しうる（例えば、飛来した反応性分子が、基板上に単分子層を形成するのでは無く、既存の表面の分子を転位させることなど）、ということにも留意されたい。こうした化学反応は、通常は、表面の最上位の単分子層の内部にとどまる程度で発生する。
【０００７】
旧来のALDは、常用される温度範囲内および圧力範囲の内 で起こり、ALD層全体の形成に望まれる定まったパージ基準に基づいて、一度につきひとつの単分子層が形成される。とは云え、特定の前駆体、層の組成、付着用設備、および当業者に知られた基準に従う他の因子、に依って、ALDの条件は大きく変化する。温度、圧力、およびパージについての旧来の条件を維持すると、単分子層形成と、得られるALD層全体の品質とに悪影響をもたらしかねない望まざる反応を最小限に抑えられる。したがって、旧来の温度範囲および圧力範囲から逸脱しての作業は、欠陥のある単分子層を形成してしまう危険を孕んでいる。
【０００８】
一般に、化学気相蒸着法（CVD）の技法には、多様なより具体的な工程（プラズマ増強CVD法などが含まれるがこれらに限定はされない）が含まれる。通常、CVDは、基板上に非選択的に完全付着した物質を形成するために使われる。CVDの特性のひとつとして、付着室内に複数種の化学種が同時に存在して反応し、付着物質を形成する、ということがある。こうした条件は、基板が単独の付着化学種と接触して、その化学種が基板もしくは既に付着した別の化学種に化学吸着する、という旧来のALDのパージ基準とは対照的なものである。ALD工法では、複数種類の同時に接触する化学種が提供されるか、あるいは、ALD工法は、CVD反応が起こる条件下では無く、ALD化学吸着条件下で行われる。これらの化学種群を共に反応させる代わりに、基板もしくは既に付着した化学種へと化学吸着させて、後続する化学種がその上へとさらに化学吸着できるような表面をつくることで、所望の物質の完全層を形成できる。
【０００９】
付着法（原子層付着法（ALD）および化学気相蒸着法（CVD）など）は、半導体装置組立の際に、物質を形成する目的で通常用いられている。こうした付着法を行うことで、一度あたりに一枚の半導体ウェハを加工することもでき、または、一度に複数枚の半導体ウェハを加工することも可能である。複数枚の半導体ウェハをまとめて処理（バッチ処理）し、組立工程全般に亘る取扱量を増やすことが望ましいが、こうした処理法を行うと、物質を、処理した半導体ウェハ群に跨って均一な厚みで形成することが難しくなりかねない。
【００１０】
図１および図２は、ALD工程もしくはCVD工程に使用可能な、例示的な付着装置 10 を示している。図１と図２は同じ装置を描いたものであるが、図２の描画方法の方が図１のそれよりも概括的なものになっている。例えば、図１に示した装置は円筒状であって、外壁 15 の裡 に直線導路 17 を内包している。その一方、図２では、装置の形状や直線導路の存在に関する具体的な詳細は記していない。図１の方が図２よりも細かく記載されているとは云え、図１もまた概要図ではあって、図１に示した要素に加えてさらに別の要素を含むことも可能なものである、ということを理解されたい。例えば、加熱用コイルをこの装置に含めることができる。
【００１１】
装置 10 は反応室 12 を含み、この反応室 12 の内部には、複数枚の半導体ウェハ基板 14, 16, 18, 20, 22 が保持されている。これらの基板は、概要図１および概要図２には示していない基板支持構造の内部に保持されている、と考えられる。
【００１２】
注入口 24 および排出口 28 が、反応室 12 内に突き出している。作業時には、前駆体をこの注入口を介して反応室内へ流しこみ、且つ、物質（反応副産物、反応しなかった前駆体、など）を排出口を介して排出する。前駆体は、物質流 30 （こうした物質流のことを、前駆体のバルク流とも称する）として流れると考えられる。バルブ（図示せず）を設けて、反応室へ入出する物質の流れを制御できる。また、種々のポンプ、および装置 10 に関連する他の流体流量制御装置（図示せず）によって、反応室に入出する物質の流れを援けることも可能である。
【００１３】
図１および図２の例示的な装置では、反応室へと入る前駆体流が、基板 14, 16, 18, 20, 22 の側端に沿って上昇する。その後、前駆体が基板間に放散され（図２では、こうした放散を、基板の上と間を通る物質流 30 としておおざっぱに描いてある）、物質を形成する（図１および図２には記していない）。そうして最終的には、この物質が基板 14, 16, 18, 20, 22 の表面を覆うように付着（堆積）する。
【００１４】
CVD工程では、前駆体が付着物質を形成する反応速度が比較的遅いため、前駆体混合物が基板の上と間に放散するにしたがって、物質が基板 14, 16, 18, 20, 22 の表面に跨り比較的均一に分配されることが望ましい。換言すれば、前駆体が付着物質を形成する反応速度を、前駆体が半導体ウェハ基板の上と間に放散する速度が最適となるようなものとすることが望ましいと云える。反応速度が大きすぎると、基板の端での付着物質が堆積する速度が、基板の中央付近でのそれよりも速くなってしまう。
【００１５】
付着物質の形成を比較的遅くすることが望ましいので、通常は、一括（バッチ）式CVD工程では比較的ゆっくり反応する前駆体を用いることになる。一例として、窒化珪素付着層を作成するにあたっては、前駆体としてジクロロシランおよびアンモニアを使うことができ、あるいは、前駆体としてシランおよびアンモニアを使うこともできる。単独のウェハをCVD工程で扱う場合、前駆体としてシランおよびアンモニアを使うことが多い。というのは、これらの化合物は高速で反応する前駆体であるため、こうした前駆体を使うと取扱量が増すがゆえである。別の手法として、一括式CVD工程を使う場合、前駆体として（典型的には）ジクロロシランとアンモニアを用いて、より高速な反応をする前駆体を使った場合よりも、複数枚の基板に跨ってより均一な層を付着できるようにすることも可能である。
【００１６】
比較的ゆっくり反応する前駆体を使う場合であっても、一括式CVD工程をする際に、半導体ウェハ基板表面に亘って均一な付着がなされるようにする上では、なお数々の問題がある。例えば、図３には、半導体ウェハ基板 20 に、層（言い換えれば付着物質） 50 が基板の上面に亘って形成された状態を示している。基板 20 は、中央部位 21 と、その中央部位 21 をとり繞いた 端部位 23 とを含むと考えられる。図３の破線 25 は、中央部位 21 と端部位 23 とのおおまかな境界を表している。層 50 は、端部位に在る部分の厚みの方が、中央部位に在る部分の厚みよりも著しく大きくなって形成されている。層 50 の付着がこのように不均一であると、後続の処理が非常にやりづらくなってしまいかねない。
【００１７】
図４から図７では、図３で提示した問題に的を絞って開発された、従来技術にかかる方法を示している。まず図４では、下拵え段階に存る半導体ウェハ基板 60 を含んだ部材 63 を示している。当業者に知られているように、半導体ウェハ基板は、数多の半導体材料のうちから任意のものを含むことが可能であって、こうした基板は、珪素（シリコン）を含むか、もしくは珪素から実質的に成るか、もしくは珪素から成ることが多い。添付する請求項を解釈する援けとなるよう、「半導電性基板」（"semiconductive substrate"）および「半導体基板」（"semiconductor substrate"）という語は、半導電性物質を含んだ任意の構造体のことを意味すると定義されるものであって、こうした半導電性物質としては、半導体ウェハなどのバルクの半導電性物質（単独で用いてもよいし、または他の物質を併せ持つ部材として用いてもよい）、ならびに、半導電性物質層（単独であってもよいし、または他の物質を併せ持つ部材であってもよい）、が含まれるが、これらに限定はされない。「基板」（"substrate"）という語は、任意の支持構造のことを指し、上述した半導電性基板のことを含むが、それに限定はされない。
【００１８】
部材 63 の基板 60 は、軌条 59 に接続した支持具 61 により保持されている。また、部材 63 は、ボート 62 （リングボートとも称する）も含み、このボートは基板に近接した物理的な持ち手となり、またこのボートは支持具 61 で支えられている。ボート 62 は、石英を含むか、もしくは石英から実質的に成るか、もしくは石英から成る。ボート 62 および基板 60 が、図５に上面を示した小部材 58 を形成すると見做すことも可能である。
【００１９】
図４および図５では、間隙 65 を基板とボート 62 との間に示してあり、読者がボートと基板を区別しやすいようになっている。実際には、ボートは基板に非常に近接しているか、または基板の端に接触している。
【００２０】
図５の上面図では、半導体ウェハ基板 60 が円状のかたちをとることができ、ボート 62 が基板を取り囲んだ同心円状となるようにできる。
【００２１】
図６には、図３にからめて述べた種類の一括式CVD工程にかけた後の、構造体 58 を示してある。こうした工程によって、基板 60 の上面と、ボート 62 の上面とに亘って付着層 50 が形成される。
【００２２】
続いて図７では、ボート 62 （図６）を取り除いて、比較的均一な付着層 50 に覆われた基板を残すようにできる。
【００２３】
図４から図７での工程における問題点は、ボートには余計な費用がかかり、且つボートの寿命が限られているということである。
【００２４】
図３にからめて上述したものと同様の問題は、ALD工程においても発生する。理論的には、工程が完全にALDのみであるならば、自己制御的であるALDのさなかに行う付着にこうした問題は発生しないはずである。したがって、付着法では基板表面に亘る単分子層が形成されることになり、基板の端で付着層が盛り上がってしまうことに伴う問題は発生しないはずである。しかしながら、ALD工程はCVD型の要素をも有することが多く、こうした要素からは、CVD工程を説明した図３での盛り上がりに匹敵するような、端部での盛り上がり問題が引き起こされかねない。
【００２５】
図３の問題は一括式工程について述べたものだが、同様の問題は、単独のウェハを処理する際にも発生しうるということを理解されたい。
【００２６】
また、図３の問題は、図１および図２に示した装置例などの付着装置を使用するときに発生しうる数々の問題のひとつに過ぎない。起こりうる他の問題としては、物質流が装置の反応室を通り抜けてゆくにつれて、物質流 30 の中の前駆体が減少していってしまうことがある。
【００２７】
CVD工程およびALD工程を説明した図３に関して上述した端部盛り上がり問題を、軽減および（好ましくは）抑止できるような、方法ならびに装置を開発することが望ましいと云える。さらには、付着工程に伴うその他の問題群（一括式工程で起こりうる前駆体減少問題など）にも取り組まんとする方法および装置を開発することが望ましいとも云える。
【発明の開示】
【００２８】
或る態様として、本発明は付着方法を含む。一枚以上の半導体ウェハ基板を、付着装置の反応室内に用意する。半導体ウェハ基板を、反応室内で第一の温度まで加熱する。反応室内に面を用意し、低くともほぼ第一の温度まで加熱する。この面は、半導体ウェハ基板と或る距離を隔てている。付着物質をこの面に沿って流してから、さらに半導体ウェハ基板に沿って流す。付着物質は、加熱された面と相互作用し、副反応が起こる。この副反応によって問題を起こしうる一種類以上の産物が生じる。問題を起こしうる一種類以上の産物が半導体ウェハ基板にまで達しないように、加熱面と半導体ウェハ基板との間隔を充分にとる。
【００２９】
或る態様として、本発明は別の付着方法も包摂する。一枚以上の半導体ウェハ基板を内部 に保持した付着装置を用意する。この装置は、反応室と、流体（特に前駆体含有流体）を反応室に注入する注入口と、反応室内で注入口の近傍に位置する加熱面と、を含む。反応室内部には、一枚以上の半導体ウェハ基板が在る。この一枚以上の半導体ウェハ基板を、装置内で第一の温度まで加熱する。加熱面を、低くともほぼ第一の温度と等しい第二の温度まで、加熱する。一種類以上の前駆体のバルク流を、注入口を通じて加熱面に沿って送り込んだ後に、さらに一枚以上の半導体ウェハ基板に沿うよう送り込む。こうした一種類以上の前駆体のバルク流は、加熱面と充分な時間をかけて相互作用するので、バルク流が加熱面を越えて一枚以上の半導体ウェハ基板のほうへと移動する前に、望まざる副反応が発生することになる。いくつかの態様では、この注入口は複数個の注入口のうちのひとつであり、且つこの加熱面は複数個の加熱面のうちのひとつである。
【００３０】
或る態様として、本発明は付着装置を包摂する。この装置は、反応室と、反応室内の基板支持具と、反応室内に突き出した注入口と、反応室内で注入口の近傍に位置する加熱面と、を含む。この基板支持具は、反応室内の一枚以上の半導体基板を保持するように構成されている。こうした注入口および加熱面および基板支持具の構成は、一種類以上の前駆体のバルク流が、注入口を通じて反応室内へと入り、且つ、注入口によって、基板支持具に保持されるいずれかの基板にまで届く前に、加熱面と相互作用するように振り向けられるようにするものとなっている。いくつかの態様では、この注入口は複数個の注入口のうちのひとつであり、且つこの加熱面は複数個の加熱面のうちのひとつである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明は、一個以上の加熱面を付着室に組み込むことで、注入された流体が、半導体ウェハ基板に達する前に、加熱面と相互作用するようにすること、を含む。こうした半導体ウェハ基板は、従来技術にかかる付着工程での温度になるよう加熱され、そして加熱面は、低くとも半導体ウェハ基板の温度付近にまで熱せられる。具体的には、熱せられた基板の近傍で発生しかねない望まざる熱反応が、代わりに加熱面の傍らで起こるようにするために充分な温度にまで、加熱面を熱する。ゆえに、「低くとも半導体ウェハ基板の温度付近（あるいは、低くとも半導体基板のだいたいの温度）」にまで熱せられる加熱面について言及した場合には、加熱面を充分な温度になるまで熱して、さもなくば熱せられた基板により誘発されうるような熱反応を誘発するようにすること、を言わんとしているのである。
【００３２】
反応室内に注入された流体は、典型的には気体であると考えられ、また典型的には、キャリアーガスと混合した一種類以上の前駆体を含んだものであると考えられる。加熱面は、任意の適切な物質から作成でき、また、具体的な態様としては、加熱面は、セラミック材料もしくは金属材料を含む。本発明にかかる方法および装置は、単独のウェハ用の器具もしくは一括式反応器と併せて使用できるわけであるが、特段の効果を得るには、本発明の態様を、一括式反応器を用いる用途に組み込むのがよい。本発明は、CVD工程もしくはALD工程のいずれかで使用可能であって、図３にからめて上述した不均一な付着を軽減もしくは緩和できる。
【００３３】
具体的な態様として、本発明をALD工程で用いて、付着の均一性を高めることができる。前述したように、図３に関して述べた類の付着の不均一性は、理論的には完全ALD工程では発生しないはずである。そうした不均一性が発生しないためこうした工程は自己制御的となるので、ALD前駆体に曝露する反応性表面の全体に亘って単分子層が形成されるはずである。しかしながら実際には、多くのALD工程はCVD要素を有することが発見されており、図３に関して上述したような厚さの変動は、ALD工程においても発生することが知られている。
【００３４】
ALD工程におけるCVD問題の原因は厖大であり、例えば、不充分なポンプ／パージ、ウェハに達する前の気体分解、ALD前駆体気体中の不純物、ならびに／あるいは、ALD反応の副産物、といったものが含まれる。
【００３５】
通常の付着工程では、基板表面を、付着装置内の平均温度を超える温度にまで加熱する。本発明の或る態様は、ALD工程が孕むCVD的な側面が、前駆物質が熱せられた基板表面に接近するにつれて熱で誘発されるように見える、という認識である。本発明の例示的な態様には、一個以上の加熱面を、反応室内に、前駆体の流路に沿って且つ基板表面の上流となるように配置すること、が含まれる。こうした加熱面を使うことで、半導体基板の上流で、問題を起こしうる反応を熱をもって誘発して、問題を起こしうる成分の前駆体流を、半導体基板に達する前に大幅に消費するかもしくはすべて消費してしまうことができる。
【００３６】
本発明の態様により、特定の種類のALD用途におけるCVD型の問題を大幅に削減できる。例えば、CVD型の問題が、半導体ウェハが帯びている熱に曝されたときの、前駆物質の分解から生じるものである場合には、本発明の方法論を用いることで、CVD型の問題を大幅に削減できる。また、CVD型の問題が、ALD前駆気体中に存在する不純物から生じるものである場合にも、本発明の方法論を用いることで、CVD型の問題を大幅に削減できる。
【００３７】
物質の盛り上がりを引き起こしてしまう望ましくないCVD型の副反応を起こしうるようなALD前駆体の例としては、テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム（TDMAH）、テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム（TEMAH）、およびテトラキス(メチルエチルアミノ)ハフニウム（TMEAH）、があり、これらはハフニウムの付着をする際に普通に使われるものである。これらの前駆体は、熱せられた半導体ウェハ基板と反応して、ハフニウム含有成分となり、また、CVD型反応に関与しうる一種類以上の他の成分にもなる。ハフニウム含有成分は、半導体ウェハ基板表面と相互作用して、表面上に所望のALD付着層を形成し、且つ同時に、他の成分がCVD型反応に関与することで、表面上に累積する付加的な付着層も形成する。こうした付加的な付着層は、基板の中央部上よりも、基板の端部上で高速に蓄積しやすく、図３に関して上述した問題を生じうる。本発明の具体的な態様として、加熱面を、前駆体注入口の近傍に設置することで、CVD型の副反応が、半導体ウェハ基板から適切な距離をとって発生するようにして、CVD型副反応から生じる、問題を起こしうる産物のすべてが半導体ウェハ基板に届かないようにするか、または少なくとも問題を起こしうる産物のほぼすべてが半導体ウェハ基板に届かないようにする（ここで、「ほぼすべて」（"substantially all"）という語は、問題を起こしうる産物の量を著しく削減することを意味するものであって、さらに、いくつかの態様では、問題を起こしうる産物が半導体ウェハ基板に達した量が検出できない程度であるということをも意味する）。
【００３８】
本発明の他の態様として、概して純粋なALD型反応に関与することになる前駆体が、CVD型反応に関与することになる別の前駆体で汚染されている。ALD型反応およびCVD型反応は、前駆体混合物が、反応室内の半導体基板表面の加熱環境下に達すると亢進する。したがって、不純物から生じるCVD型反応から、半導体ウェハ基板の近傍に付着層が形成されて、図３に関して上述したような不均一な付着層となりうる。或る態様として、本発明は、加熱面を前駆体注入口の傍らに設置することで、CVD型副反応が、この加熱面で、則ち半導体ウェハ基板から充分な距離をとって、発生するようにして、こうした副反応から生じてくる問題を起こしうる産物が、半導体ウェハ基板に届かないようにすること、を含む。
【００３９】
ここまでは、本発明の具体的な態様をALD工程に関して述べてきたが、本発明はCVD工程にも適用できるということを理解されたい。例えば、所望するような遅い反応をして付着層を形成するCVD反応体が、速い反応をして付着層を形成する別の反応体で汚染されることがありえる。すると、こうした不純物により、図３に関して上述したような問題を起こしうる作用が増大しかねないということになる。
【００４０】
CVD工程の例としては、本明細書の背景技術の項にて上述したような、一括式反応器を用いてジクロロシランおよびアンモニアを使い窒化珪素を形成するCVD工程、がある。またこれも上述したことではあるが、一括式反応器を用いてシランおよびアンモニアを使い窒化珪素を形成する手法はあまり望ましいものでは無く、と云うのはシランはアンモニアと速く反応しすぎるので、図３にからめて述べた作用が過剰になってしまうためである。
【００４１】
比較的遅い反応をするCVD物質であるジクロロシランが、比較的速い反応をする物質であるシランで汚染されると、汚染された物質から生じる窒化珪素が形成される際に、図３の問題が起こってくる。したがって、処理された半導体基板の端部に形成される窒化珪素の量が、半導体基板の中央部に形成される量に較べて大幅に過剰なものとなる。
【００４２】
反応室内の基板が加熱されると、通常、反応室内の大部分での温度は充分に低いため、CVD反応の大半が熱された基板の近傍で起こる。したがって、問題を起こしうるCVD反応が、熱せられた基板により熱的に加速することになる。
【００４３】
本発明のいくつかの態様として、加熱面をCVD反応器内の前駆体注入口の傍らに設置することで、この加熱面で汚染物質が熱的に活性化されて反応し、問題を起こしうる産物を生じるようにする。この加熱面を、半導体ウェハ基板から適切な距離をとって設置することにより、問題を起こしうる産物が半導体ウェハ基板に届かないようにするか、または少なくとも、問題を起こしうる産物のほぼすべてが半導体ウェハ基板に届かないようにする。特定の反応室設計において、複数の前駆体注入口が存在する場合には、複数の加熱面を設置して、前駆体注入口のいくらか（いくつかの態様では、前駆体注入口のすべて）が、対となる加熱面を持つようにする。
【００４４】
本発明の多様な態様例にしたがって使用可能である、具体的な反応器の設計群については、図８から図１６を参照して記載してある。
図８では、本発明の態様にしたがい構成された付着装置 100 を描いている。装置 100 を説明する参照番号には、図１および図２の従来技術にかかる装置を記載した際に用いた参照番号と同様のものを（適切であれば）使用している。
【００４５】
装置 100 は、従前に記載した反応室 12 と、その中に保持された半導体ウェハ基板 14, 16, 18, 20, 22 とを含む。これらの基板は、基板支持具（図示せず）で保持されていると考えられる。示している装置は一括式反応器であって、複数の半導体ウェハ基板を同時に処理できるように構成されている。しかしながら、本発明の態様を、一括式ウェハ処理用では無く単独ウェハ処理用に構成された装置を使用した付着方法に適用することも可能である、ということを理解されたい。
【００４６】
注入口 24 および排出口 28 は、反応室の側壁を抜けて突き出している。前駆体が反応室に入る注入口の開口部のことを、注入ポートとも呼びならわす。作業時には、付着物質（即ち、一種類以上の付着前駆体）流 30 が、注入口を介して反応室内へと流れ、また、反応副産物は、反応しなかった前駆体と共になって、反応室から排出口 28 を介して排出される。
【００４７】
図８の装置 100 が、図１および図２の装置 10 と異なっているところは、注入口 24 の前に設けられた板 102 の存在である。このため、付着物質流はまずこの板に接触し、板を回り込むようにして反応室内に流れてゆく。
【００４８】
通常の作業においては、付着工程中に、半導体ウェハ基板 14, 16, 18, 20, 22 が第一の温度まで加熱されることになる。板 102 は、低くともほぼ第一の温度まで加熱されることになる。板 102 は、注入口 24 に向かいあった面 103 を有する。注入口から注入される付着物質は、加熱面 103 に衝突することになると考えられる。加熱面 103 に衝突すると、種々の副反応が付着物質内で発生しうる。例えば、付着物質が、基板 14, 16, 18, 20, 22 の温度でCVD型副反応に関与する不純物を含んだALD前駆体であった場合には、そうした副反応が、前駆体が面 103 に衝突する際に発生する可能性がある。こういった副反応によって、問題を起こしうる一種類以上の産物が生じることになる。しかしながら、加熱面 103 と基板 14, 16, 18, 20, 22 との間の距離は、問題を起こしうる産物のほぼすべてが、半導体基板に達しないようにする上で充分なものであることが好ましい。このため、問題を起こしうる産物は、付着物質からこぼれ落ちて反応室の底部に溜まるか、あるいは、加熱板の面 103 に付着して層を成す。
【００４９】
いくつかの態様では、これらの副反応は不純物によって起こるものでは無く、むしろALD前駆体が面 103 に達したことにより分解し、CVD型反応に関与する第一の成分と、ALD型反応に関与することになる第二の成分とができるために起こるものである。ALD型反応に関与する成分は、加熱板を回り込むように流れてから、基板 14, 16, 18, 20, 22 の方へと流れていくことができる。その一方で、CVD型反応に関与する成分は、加熱板の近傍でそうした反応をし、問題を起こしうる産物をつくりだすことになるため、加熱板のところで生じた産物は、基板 14, 16, 18, 20, 22 には決して届くことは無い。
【００５０】
別の態様として、流れ 30 に乗って反応室に入る付着物質には、比較的遅いCVD型反応にかかわるCVD前駆体と、比較的速いCVD型反応にかかわる不純前駆体とが、含まれうる。こうした不純物が、面 103 により熱されると、問題を起こしうる産物ができて、付着物質のバルク流 30 からこぼれ落ちる。こうして、バルク流が基板 14, 16, 18, 20, 22 に辿り着く頃には、残ったバルク流中の比較的遅い反応をするCVD前駆体の純度が増している。
【００５１】
板 102 と注入口 24 との間の距離は、任意の適切な距離とすることができる。いくつかの態様として、面 103 に衝突して板を回り込んで流れる物質が、物質の拡散速度とほぼ同じ速度で伝播してゆくことが好ましい。このため、物質が加熱面 103 を過って移動してゆく速度が、この物質が基板 14, 16, 18, 20, 22 の熱せられた表面から放散される速度と、だいたい合致することになる。こうして、基板 14, 16, 18, 20, 22 を過って流れる付着物質によって発生する可能性のあった、問題を起こしうる副反応のすべてが、この付着物質が面 103 を過るときに先に発生してしまうことになる。
【００５２】
付着物質中の問題を起こしうる反応体の量に制限がある場合（例えば、こうした反応体が不純物であるような場合や、或る温度の基板の傍で物質が分解して生じるような熱分解副産物である場合など）では、流れ 30 が基板 14, 16, 18, 20, 22 に辿り着いたときには、流れ 30 からこうした問題を起こしうる反応体が取り除かれていることであろう。さらには、板 102 と基板との間の距離を、この板の近傍で作られた問題を起こしうる産物のすべてがこの基板には達しないようなものとすることが好ましい。いくつかの態様として、板 102 の近傍での前駆体の熱分解により生じる反応性副産物のすべてが基板に達する前に、互いに反応して産物を生じる上で充分な時間がとれ、且つ、付着物質流 30 が基板に達する前に、これらの産物が付着物質流 30 からこぼれ落ちる上で充分な時間をもとれるような距離を、板と基板との間に設定する。
【００５３】
いくつかの態様では、付着物質流を、一種類以上の前駆体のバルク流 30 と見做せる。図８の構成は、こうしたバルク流中の一種類以上の前駆体が加熱面 103 と相互作用することで、バルク流が加熱面を越えて半導体ウェハ基板 14, 16, 18, 20, 22 の方へと移動するよりも前に、望まざる副反応が起こるようにするもの、と見做せる。
【００５４】
しかしながら図８の構成は、付着装置内部の注入口の近傍に加熱面を配置するような数ある適切な構成のうちのひとつに過ぎない。本発明にかかる別の態様例については、図９にからめて説明する。
【００５５】
図９は、装置 101 の側方からの断面図であって、この装置内に保持された半導体ウェハ基板 22 を示してある。装置 101 は、注入口 24 と注入口 25 の対を含み、さらには排出口 28 も含む。また、装置 101 は、加熱板 102 と加熱板 105 の対も含み、ここで加熱板 102 は注入口 24 の前に配置され、加熱板 105 は注入口 25 の前に配置される。加熱板 102 は注入口 24 と、加熱板 105 は注入口 25 と、それぞれ対となっていると見做せる。加熱板 102 と加熱板 105 とを、同一の大きさおよび同一の組成のものとすることもでき、あるいは、大きさと組成のうちの一方もしくは双方が異なるようにしてもよい。
【００５６】
装置 101 の板 102 および板 105 は、図８の装置 100 の板 102 と同様に使用可能である。したがって、板 102 および板 105 を、低くともほぼ基板 22 の温度にまで熱して、且つ、これらの板を使って、問題を起こしうる副産物および付着物質の不純物が、基板 22 にほぼ達しないようにすることができるような距離を、基板 22 とこれらの板の間にとる。
【００５７】
本発明にかかるなおも別の態様例について、図１０にからめて説明する。図１０では、装置107 の側方からの断面図を描いており、この装置内には半導体ウェハ基板 14, 16, 18, 20, 22 が保持されている。
【００５８】
装置 107 は、複数の注入口 24, 25, 27, 29, 31, 33 を含み、またさらに複数の排出口 28, 111, 113, 115, 117 も含む。排出口の個数は、注入口の個数と同じにしてもよいし、または異ならせてもよい。いくつかの態様では、複数の注入口を単独の排出口と併せて設置できる。
【００５９】
複数の加熱板 102, 105, 119, 121, 123, 125 を複数の注入口の前に配置し、且つ、複数の邪魔板（baffles） 109 （半導体ウェハと同じ大きさだが別の組成でできたダミー基板、とすることができる）を基板間に配置する。
【００６０】
加熱板 102, 105, 119, 121, 123, 125 は、互いに同一の大きさおよび組成にすることもでき、あるいは、これらの加熱板のうちの少なくともいくつかが、他の加熱板とは異なる大きさおよび／もしくは組成を持つようにもできる。また、複数の邪魔板 109 も、互いに同一の大きさおよび組成を持つようにでき、あるいは、これらの邪魔板のうちの少なくともいくつかが、他の邪魔板とは異なる大きさおよび／もしくは組成を持つようにもできる。
【００６１】
装置 107 の板 102, 105, 119, 121, 123, 125 は、図８の装置 100 の板 102 と同様に使用可能である。したがって、板 102, 105, 119, 121, 123, 125 を、低くともほぼ基板の温度にまで熱して、且つ、これらの板を使って、流れ 30 中の問題を起こしうる副産物および付着物質前駆体の不純物が、基板 22 にほぼ達しないようにすることができるような距離を、基板とこれらの板の間にとるようにすることができる。複数の注入口（注入ポート）を用いることで、従来技術において一括式反応器内に単独の注入口しか無い場合に生じた、前駆体が欠乏する問題を、軽減できるかもしくは抑止することすら可能となる。邪魔板 109 は任意付加のものではあるが、基板周辺の前駆体流の向きを調整する援けとなりうる。
【００６２】
本発明にかかるなおも別の態様例を、図１１にからめて説明する。図１１では、装置 127 の上方からの断面図を示しており、この装置内には半導体ウェハ基板 22 が保持してある。
【００６３】
装置 127 は、注入口 24 および排出口 28 を含む。また、装置 127 は、加熱板 102 を注入口の前に具えており、さらには基板の周りに複数の加熱部位 129 を具えてもいる。これらの加熱部位によって、基板を或る温度まで熱する。また加熱板は、基板の温度と等しいかそれ以上の温度とするのが好ましい。こうした構成をとることで、加熱板を使って、流れ 30 中の問題を起こしうる副産物および付着物質前駆体の不純物が、ほぼ基板に達しないようにすることができる。
【００６４】
本発明にかかるなおも別の態様例を、図１２と図１３を使って説明する。図１２には装置150 の上方からの断面図を、図１３には装置 150 の側方からの断面図を、それぞれ示してある。装置 150 は反応室 12 を含み、反応室 12 は内側壁 151 を有する。基板支持具 159 は装置 150 内に在り、半導体基板 14, 16, 18, 20, 22 を保持している。注入口 152 は反応室 12 内に在り、複数の口 154 を有している。流れ 30 中の一種類以上の前駆体の流れが、側壁 151 の方へと向くように、注入口 152 を構成する。側壁 151 は加熱可能であるため、板 102 の表面 103 に関して上述したような機能に類似した機能を有する加熱面に対応すると見做せる。
【００６５】
図１４には、付着装置 160 の上方からの断面図を示しており、この装置 160 は図１２の装置 150 と似た構成を有している。装置 160 は、反応室 12 を含む。基板支持具 169 は装置 150 内に在り、これが半導体ウェハ基板 22 を支持しているさまが描かれている。装置 160 は注入管 162 を含み、注入管 162 は装置 160 内に突き出した口 164 を有する。また、装置 160 は、口 164 の前に、加熱板 166 も含む。示した板 166 は、彎曲した板であって、注入管 162 の周りを部分的に囲んでいる。他の態様（図示せず）では、板 166 を、注入管の全周を繞くようにも配置できる。板 166 が注入管の全周を繞いている場合には、板 166 の底面および／もしくは上面に開口部をつくって、前駆体が板 166 を越えて流れることができるようにする。別の手法として、またはつけくわえとして、この板に種々の開口部を穿って、前駆体が板を通り抜けられるようにすることもできる。さらにいくつかの態様では、この板の少なくとも一部が、前駆体が通り抜けて流れられるような遮蔽板でできているようにも構成可能である。
【００６６】
前駆体流 30 は、注入口 164 から板 166 の方へと向かうように描いてある。その後、前駆体流 30 は板 166 の周りを動いてゆき、やがては半導体基板 22 の方へと向かう。板 166 は、図８の板 102 と類似した機能を持っており、流れ 30 が基板 22 へと流れるよりも前に、流れ 30 内の物質中に望まざる副反応が発生するようにできる。
【００６７】
図１５と図１６には、本発明にかかる別の態様を示す、付着装置 170 を描いてある。装置 170 は、反応室 12 を含む。基板支持具 179 は装置 170 内に在り、これが半導体ウェハ基板 22 を保持している。注入管 172 は反応室 12 内に在り、この注入管 172 は口 174 を含む。注入管 172 は、注入ノズルであるとも見做せ、そうすると注入口 174 はこうしたノズルの側壁にひらいた孔となる。管 176 は、この注入ノズルを全体的に取り囲んでおり、この注入ノズルによって、流れ 30 内の付着物質が、管 176 の壁に接触するようにしている。管 176 には、一個以上の孔 178 が穿たれている。作業時には、付着物質流 30 が、管 176 の内部を循環し、孔 178 から管 176 を抜け出して、基板 14, 16, 18, 20, 22 の方へと動いてゆくことになる。管 176 を熱することも可能であり、こうすると、管 176 の内壁は、図８の面 103 と類似した機能を持つことになり、流れ 30 が基板の方へと動くよりも前に、流れ 30 中の物質に副反応を起こさせることが可能となる。
【００６８】
管 176 が、注入ノズルの周囲を全体的に繞くようにもでき、あるいは、注入ノズルの周囲をほぼ全体的に繞くようにもできる。また、管 176 には、単独の孔 178 を穿つことができ、または、数個の孔を穿つこともできる。あるいはいくつかの態様では、管 176 の少なくとも一部が、前駆体流 30 が通り抜けられるような多数の孔を有しうる遮蔽板からできているようにも構成可能である。
【００６９】
本発明にかかる装置および方法が、図４〜図７に関して説明した従来技術にかかる装置および方法よりもとりわけ優れているところは、高価につきがちであって消耗品でもあるボート 62 についてである。対照的に、本発明の方法を遂行する上での反応室の変更点は、経済的なものとすることができる。また、本発明の方法論において用いられる加熱面は、従来技術の方法論において用いられるボートよりも、長保ちすると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
本発明の好ましい実施形態については、下記の図面を参照して記載する。
【図１】図１は、従来技術にかかる付着装置の中に複数枚の基板を収めているさまを描いた、模式的な断面図である。
【図２】図２は、図１の複数枚の基板を収めている従来技術にかかる付着装置を、さらに概略化して描いた断面図である。
【図３】図３は、付着した物質で上面を覆われた半導体ウェハ基板の模式的な断面図である。
【図４】図４は、半導体ウェハ基板とリングボートとを含んだ部材の、模式的な断面図である。
【図５】図５は、図４の部材の一部の上面図であって、図４で示した断面が図５の線 4-4 に相当する。
【図６】図６は、基板およびリングボートに被さる付着層が形成された後の処理段階における、図４の部材の一部の模式的な断面図である。
【図７】図７は、リングボートを取り去った後の、図６の部材の模式的な断面図である。
【図８】図８は、本発明の或る態様にしたがって使用できる付着装置の模式的な断面図であって、この装置内には複数枚の半導体ウェハ基板が保持されている。
【図９】図９は、本発明の或る態様にしたがって使用できる別の付着装置の模式的な断面図であって、この装置内には一枚の半導体ウェハ基板が保持されている。
【図１０】図１０は、本発明の或る態様にしたがって使用できる別の付着装置の模式的な断面図であって、この装置内には複数枚の半導体ウェハ基板が保持されている。
【図１１】図１１は、本発明の或る態様にしたがって使用できる別の例示的な付着装置の上面からの模式的な断面図であって、この装置内には一枚の半導体ウェハ基板が保持されている。
【図１２】図１２は、本発明の別の態様にしたがって使用できる別の付着装置の上面からの模式的な断面図であって、この装置内には一枚の半導体ウェハ基板が保持されている。
【図１３】図１３は、図１２の付着装置の側方からの模式的な断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の或る態様にしたがって使用できる別の付着装置の上面からの模式的な断面図であって、この装置内には一枚の半導体ウェハ基板が保持されている。
【図１５】図１５は、本発明の或る態様にしたがって使用できる別の付着装置の上面からの模式的な断面図であって、この装置内には一枚の半導体ウェハ基板が保持されている。
【図１６】図１６は、図１５の付着装置の、側方からの模式的な断面図である。
【図１】
2008541450.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年1月25日(2007.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項８】
付着装置の反応室内部に、半導体基板の積層を用意するステップと、
前記半導体基板を、前記反応室内で第一の温度まで加熱するステップと、
前記反応室内に、低くともほぼ前記第一の温度まで加熱された、前記半導体基板の前記積層と或る距離をとって隔てられている面を用意するステップと、
付着物質を前記表面の方へと流して、前記半導体基板の前記積層の方へと流すステップと
を含み、ここで、
前記付着物質が、加熱された前記面と相互作用して、副反応が起き、また、
前記副反応によって、問題を起こしうる一種類以上の産物が生じ、また、
加熱された前記面と、前記半導体基板の前記積層との間の前記距離が、前記問題を起こしうる一種類以上の産物のほぼすべてが前記半導体基板の前記積層に達しないようにする上で充分なものであり、また、
加熱された前記面が、前記反応室内の、注入口と前記半導体基板の前記積層との間に設置された、板の表面であり、また、
前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込む
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項９】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
付着装置の反応室内部に、半導体基板の積層を用意するステップと、
前記半導体基板を、前記反応室内で第一の温度まで加熱するステップと、
前記反応室内に、低くともほぼ前記第一の温度まで加熱された、前記半導体基板の前記積層と或る距離をとって隔てられている面を用意するステップと、
付着物質を前記表面の方へと流して、前記半導体基板の前記積層の方へと流すステップと
を含み、ここで、
前記付着物質が、加熱された前記面と相互作用して、副反応が起き、また、
前記副反応によって、問題を起こしうる一種類以上の産物が生じ、また、
加熱された前記面と、前記半導体基板の前記積層との間の前記距離が、前記問題を起こしうる一種類以上の産物のほぼすべてが前記半導体基板の前記積層に達しないようにする上で充分なものであり、また、
注入口が、前記反応室内に在り、且つ、前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込み、また、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記付着物質を、前記管の壁に接触させるようになっており、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、前記付着物質が、前記管の前記壁と接触するように向けられた後に、前記管の前記一個以上の開口部を通り抜けて前記反応室内に入り込むようになっており、また、
前記管の前記壁が、加熱された前記面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項２０】
付着装置の内部に、一枚以上の半導体基板を用意するステップであって、ここで前記装置は、反応室と、前記反応室内へと流体を注入するよう構成された注入口と、前記反応室内の前記注入口の近傍に設置された加熱面とを含み、また、前記一枚以上の半導体基板が、前記反応室内に在る、というステップと、
前記一枚以上の半導体基板を、前記装置内で第一の温度まで加熱し、且つ、前記加熱面を、低くとも前記第一の温度とほぼ同じである第二の温度まで加熱するステップと、
前記注入口を通じて、一種類以上の前駆体のバルク流を、前記加熱面の方へと与え、さらに前記一枚以上の半導体基板の方へと与えるステップと、
前記バルク流が前記加熱面を越えて前記一枚以上の半導体基板の方へと移動する前に、望まざる副反応が発生するようにする上で充分な時間をかけて、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記加熱面と相互作用させるステップと
を含み、ここで、
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記一枚以上の半導体基板との間に配置された、板の表面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項２１】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
付着装置の内部に、一枚以上の半導体基板を用意するステップであって、ここで前記装置は、反応室と、前記反応室内へと流体を注入するよう構成された注入口と、前記反応室内の前記注入口の近傍に設置された加熱面とを含み、また、前記一枚以上の半導体基板が、前記反応室内に在る、というステップと、
前記一枚以上の半導体基板を、前記装置内で第一の温度まで加熱し、且つ、前記加熱面を、低くとも前記第一の温度とほぼ同じである第二の温度まで加熱するステップと、
前記注入口を通じて、一種類以上の前駆体のバルク流を、前記加熱面の方へと与え、さらに前記一枚以上の半導体基板の方へと与えるステップと、
前記バルク流が前記加熱面を越えて前記一枚以上の半導体基板の方へと移動する前に、望まざる副反応が発生するようにする上で充分な時間をかけて、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記加熱面と相互作用させるステップと
を含み、ここで、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記管の壁にぶつかる方へと向け、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、前記一種類以上の前駆体が、前記管の前記壁にぶつかる方へと向けられた後に、前記管の前記一個以上の開口部を通り抜けて前記反応室内に入り込むようになっており、また、
前記管の前記壁が、前記加熱面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項２９】
反応室と、
前記反応室内部の一枚以上の半導体基板を保持するように構成された、基板支持具と、
前記反応室内に流体を注入するように構成された、注入口と、
前記反応室内の、前記注入口の近傍に設置された、加熱面と
を含み、ここで、
前記注入口および前記加熱面および前記基板支持具が、
前記反応室への一種類以上の前駆体のバルク流が、前記注入口を通り抜けて、前記注入口によって、前記基板支持具に保持された基板のいずれかに達するよりも前に前記加熱面と相互作用するように制御される
ように構成され、また、
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記基板支持具との間に配置された、板の表面である
ことを特徴とする、付着装置。
【請求項３０】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項２９記載の方法。
【請求項３２】
反応室と、
前記反応室内部の一枚以上の半導体基板を保持するように構成された、基板支持具と、
前記反応室内に流体を注入するように構成された、注入口と、
前記反応室内の、前記注入口の近傍に設置された、加熱面と
を含み、ここで、
前記注入口および前記加熱面および前記基板支持具が、
前記反応室への一種類以上の前駆体のバルク流が、前記注入口を通り抜けて、前記注入口によって、前記基板支持具に保持された基板のいずれかに達するよりも前に前記加熱面と相互作用するように制御される
ように構成され、また、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記管の壁にぶつかる方へと向け、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、また、
前記管の前記壁が、前記加熱面である
ことを特徴とする、付着装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
付着装置の反応室内部に、半導体基板の積層を用意するステップと、
前記半導体基板を、前記反応室内で第一の温度まで加熱するステップと、
前記反応室内に、低くともほぼ前記第一の温度まで加熱された、前記半導体基板の前記積層と或る距離をとって隔てられている面を用意するステップと、
付着物質を前記表面の方へと流して、前記半導体基板の前記積層の方へと流すステップと
を含み、ここで、
前記付着物質が、加熱された前記面と相互作用して、副反応が起き、また、
前記副反応によって、問題を起こしうる一種類以上の産物が生じ、また、
加熱された前記面と、前記半導体基板の前記積層との間の前記距離が、前記問題を起こしうる一種類以上の産物のほぼすべてが前記半導体基板の前記積層に達しないようにする上で充分なものであり、また、
加熱された前記面が、前記反応室内の、注入口と前記半導体基板の前記積層との間に設置された、板の表面であり、また、
前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込む
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項２】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
付着装置の反応室内部に、半導体基板の積層を用意するステップと、
前記半導体基板を、前記反応室内で第一の温度まで加熱するステップと、
前記反応室内に、低くともほぼ前記第一の温度まで加熱された、前記半導体基板の前記積層と或る距離をとって隔てられている面を用意するステップと、
付着物質を前記表面の方へと流して、前記半導体基板の前記積層の方へと流すステップと
を含み、ここで、
前記付着物質が、加熱された前記面と相互作用して、副反応が起き、また、
前記副反応によって、問題を起こしうる一種類以上の産物が生じ、また、
加熱された前記面と、前記半導体基板の前記積層との間の前記距離が、前記問題を起こしうる一種類以上の産物のほぼすべてが前記半導体基板の前記積層に達しないようにする上で充分なものであり、また、
注入口が、前記反応室内に在り、且つ、前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込み、また、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記付着物質を、前記管の壁に接触させるようになっており、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、前記付着物質が、前記管の前記壁と接触するように向けられた後に、前記管の前記一個以上の開口部を通り抜けて前記反応室内に入り込むようになっており、また、
前記管の前記壁が、加熱された前記面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項４】
付着装置の内部に、一枚以上の半導体基板を用意するステップであって、ここで前記装置は、反応室と、前記反応室内へと流体を注入するよう構成された注入口と、前記反応室内の前記注入口の近傍に設置された加熱面とを含み、また、前記一枚以上の半導体基板が、前記反応室内に在る、というステップと、
前記一枚以上の半導体基板を、前記装置内で第一の温度まで加熱し、且つ、前記加熱面を、低くとも前記第一の温度とほぼ同じである第二の温度まで加熱するステップと、
前記注入口を通じて、一種類以上の前駆体のバルク流を、前記加熱面の方へと与え、さらに前記一枚以上の半導体基板の方へと与えるステップと、
前記バルク流が前記加熱面を越えて前記一枚以上の半導体基板の方へと移動する前に、望まざる副反応が発生するようにする上で充分な時間をかけて、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記加熱面と相互作用させるステップと
を含み、ここで、
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記一枚以上の半導体基板との間に配置された、板の表面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項５】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項６】
付着装置の内部に、一枚以上の半導体基板を用意するステップであって、ここで前記装置は、反応室と、前記反応室内へと流体を注入するよう構成された注入口と、前記反応室内の前記注入口の近傍に設置された加熱面とを含み、また、前記一枚以上の半導体基板が、前記反応室内に在る、というステップと、
前記一枚以上の半導体基板を、前記装置内で第一の温度まで加熱し、且つ、前記加熱面を、低くとも前記第一の温度とほぼ同じである第二の温度まで加熱するステップと、
前記注入口を通じて、一種類以上の前駆体のバルク流を、前記加熱面の方へと与え、さらに前記一枚以上の半導体基板の方へと与えるステップと、
前記バルク流が前記加熱面を越えて前記一枚以上の半導体基板の方へと移動する前に、望まざる副反応が発生するようにする上で充分な時間をかけて、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記加熱面と相互作用させるステップと
を含み、ここで、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記管の壁にぶつかる方へと向け、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、前記一種類以上の前駆体が、前記管の前記壁にぶつかる方へと向けられた後に、前記管の前記一個以上の開口部を通り抜けて前記反応室内に入り込むようになっており、また、
前記管の前記壁が、前記加熱面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項７】
反応室と、
前記反応室内部の一枚以上の半導体基板を保持するように構成された、基板支持具と、
前記反応室内に流体を注入するように構成された、注入口と、
前記反応室内の、前記注入口の近傍に設置された、加熱面と
を含み、ここで、
前記注入口および前記加熱面および前記基板支持具が、
前記反応室への一種類以上の前駆体のバルク流が、前記注入口を通り抜けて、前記注入口によって、前記基板支持具に保持された基板のいずれかに達するよりも前に前記加熱面と相互作用するように制御される
ように構成され、また、
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記基板支持具との間に配置された、板の表面である
ことを特徴とする、付着装置。
【請求項８】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項７記載の方法。
【請求項９】
反応室と、
前記反応室内部の一枚以上の半導体基板を保持するように構成された、基板支持具と、
前記反応室内に流体を注入するように構成された、注入口と、
前記反応室内の、前記注入口の近傍に設置された、加熱面と
を含み、ここで、
前記注入口および前記加熱面および前記基板支持具が、
前記反応室への一種類以上の前駆体のバルク流が、前記注入口を通り抜けて、前記注入口によって、前記基板支持具に保持された基板のいずれかに達するよりも前に前記加熱面と相互作用するように制御される
ように構成され、また、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記管の壁にぶつかる方へと向け、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、また、
前記管の前記壁が、前記加熱面である
ことを特徴とする、付着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
物質の盛り上がりを引き起こしてしまう望ましくないCVD型の副反応を起こしうるようなALD前駆体の例としては、テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム（TDMAH）、テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム（TEMAH）、およびテトラキス(メチルエチルアミノ)ハフニウム（TMEAH）、があり、これらはハフニウムの付着をする際に普通に使われるものである。これらの前駆体は、熱せられた半導体ウェハ基板と反応して、ハフニウム含有成分となり、また、CVD型反応に関与しうる一種類以上の他の成分にもなる。ハフニウム含有成分は、半導体ウェハ基板表面と相互作用して、表面上に所望のALD付着層を形成し、且つ同時に、他の成分がCVD型反応に関与することで、表面上に累積する付加的な付着層も形成する。こうした付加的な付着層は、基板の中央部上よりも、基板の端部上で高速に蓄積しやすく、図３に関して上述した問題を生じうる。本発明の具体的な態様として、加熱面を、前駆体注入口の近傍に設置することで、CVD型の副反応が、半導体ウェハ基板から適切な距離をとって発生するようにして、CVD型副反応から生じる、問題を起こしうる産物のすべてが半導体ウェハ基板に届かないようにするか、または少なくとも問題を起こしうる産物のほぼすべてが半導体ウェハ基板に届かないようにする（ここで、「ほぼすべて」（"substantially all"）という語は、問題を起こしうる産物の量を著しく削減することを意味するものであって、さらに、いくつかの態様では、問題を起こしうる産物が半導体ウェハ基板に達した量が検出できない程度であるということをも意味する）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象項目名】手続補正１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
削除
【請求項２】
削除
【請求項３】
削除
【請求項４】
削除
【請求項５】
削除
【請求項６】
削除
【請求項７】
削除
【請求項８】
付着装置の反応室内部に、半導体基板の積層を用意するステップと、
前記半導体基板を、前記反応室内で第一の温度まで加熱するステップと、
前記反応室内に、低くともほぼ前記第一の温度まで加熱された、前記半導体基板の前記積層と或る距離をとって隔てられている面を用意するステップと、
付着物質を前記表面の方へと流して、前記半導体基板の前記積層の方へと流すステップと
を含み、ここで、
前記付着物質が、加熱された前記面と相互作用して、副反応が起き、また、
前記副反応によって、問題を起こしうる一種類以上の産物が生じ、また、
加熱された前記面と、前記半導体基板の前記積層との間の前記距離が、前記問題を起こしうる一種類以上の産物のほぼすべてが前記半導体基板の前記積層に達しないようにする上で充分なものであり、また、
加熱された前記面が、前記反応室内の、注入口と前記半導体基板の前記積層との間に設置された、板の表面であり、また、
前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込む
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項９】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
削除
【請求項１１】
付着装置の反応室内部に、半導体基板の積層を用意するステップと、
前記半導体基板を、前記反応室内で第一の温度まで加熱するステップと、
前記反応室内に、低くともほぼ前記第一の温度まで加熱された、前記半導体基板の前記積層と或る距離をとって隔てられている面を用意するステップと、
付着物質を前記表面の方へと流して、前記半導体基板の前記積層の方へと流すステップと
を含み、ここで、
前記付着物質が、加熱された前記面と相互作用して、副反応が起き、また、
前記副反応によって、問題を起こしうる一種類以上の産物が生じ、また、
加熱された前記面と、前記半導体基板の前記積層との間の前記距離が、前記問題を起こしうる一種類以上の産物のほぼすべてが前記半導体基板の前記積層に達しないようにする上で充分なものであり、また、
注入口が、前記反応室内に在り、且つ、前記付着物質が、前記注入口を通って前記反応室内に流れ込み、また、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記付着物質を、前記管の壁に接触させるようになっており、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、前記付着物質が、前記管の前記壁と接触するように向けられた後に、前記管の前記一個以上の開口部を通り抜けて前記反応室内に入り込むようになっており、また、
前記管の前記壁が、加熱された前記面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項１２】
削除
【請求項１３】
削除
【請求項１４】
削除
【請求項１５】
削除
【請求項１６】
削除
【請求項１７】
削除
【請求項１８】
削除
【請求項１９】
削除
【請求項２０】
付着装置の内部に、一枚以上の半導体基板を用意するステップであって、ここで前記装置は、反応室と、前記反応室内へと流体を注入するよう構成された注入口と、前記反応室内の前記注入口の近傍に設置された加熱面とを含み、また、前記一枚以上の半導体基板が、前記反応室内に在る、というステップと、
前記一枚以上の半導体基板を、前記装置内で第一の温度まで加熱し、且つ、前記加熱面を、低くとも前記第一の温度とほぼ同じである第二の温度まで加熱するステップと、
前記注入口を通じて、一種類以上の前駆体のバルク流を、前記加熱面の方へと与え、さらに前記一枚以上の半導体基板の方へと与えるステップと、
前記バルク流が前記加熱面を越えて前記一枚以上の半導体基板の方へと移動する前に、望まざる副反応が発生するようにする上で充分な時間をかけて、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記加熱面と相互作用させるステップと
を含み、ここで、
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記一枚以上の半導体基板との間に配置された、板の表面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項２１】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
削除
【請求項２３】
付着装置の内部に、一枚以上の半導体基板を用意するステップであって、ここで前記装置は、反応室と、前記反応室内へと流体を注入するよう構成された注入口と、前記反応室内の前記注入口の近傍に設置された加熱面とを含み、また、前記一枚以上の半導体基板が、前記反応室内に在る、というステップと、
前記一枚以上の半導体基板を、前記装置内で第一の温度まで加熱し、且つ、前記加熱面を、低くとも前記第一の温度とほぼ同じである第二の温度まで加熱するステップと、
前記注入口を通じて、一種類以上の前駆体のバルク流を、前記加熱面の方へと与え、さらに前記一枚以上の半導体基板の方へと与えるステップと、
前記バルク流が前記加熱面を越えて前記一枚以上の半導体基板の方へと移動する前に、望まざる副反応が発生するようにする上で充分な時間をかけて、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記加熱面と相互作用させるステップと
を含み、ここで、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記管の壁にぶつかる方へと向け、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、前記一種類以上の前駆体が、前記管の前記壁にぶつかる方へと向けられた後に、前記管の前記一個以上の開口部を通り抜けて前記反応室内に入り込むようになっており、また、
前記管の前記壁が、前記加熱面である
ことを特徴とする、付着方法。
【請求項２４】
削除
【請求項２５】
削除
【請求項２６】
削除
【請求項２７】
削除
【請求項２８】
削除
【請求項２９】
反応室と、
前記反応室内部の一枚以上の半導体基板を保持するように構成された、基板支持具と、
前記反応室内に流体を注入するように構成された、注入口と、
前記反応室内の、前記注入口の近傍に設置された、加熱面と
を含み、ここで、
前記注入口および前記加熱面および前記基板支持具が、
前記反応室への一種類以上の前駆体のバルク流が、前記注入口を通り抜けて、前記注入口によって、前記基板支持具に保持された基板のいずれかに達するよりも前に前記加熱面と相互作用するように制御される
ように構成され、また、
前記加熱面が、前記反応室内の、前記注入口と前記基板支持具との間に配置された、板の表面である
ことを特徴とする、付着装置。
【請求項３０】
前記板の加熱された前記表面が、少なくとも部分的に、前記注入口の周囲で彎曲している
ことを特徴とする、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
削除
【請求項３２】
反応室と、
前記反応室内部の一枚以上の半導体基板を保持するように構成された、基板支持具と、
前記反応室内に流体を注入するように構成された、注入口と、
前記反応室内の、前記注入口の近傍に設置された、加熱面と
を含み、ここで、
前記注入口および前記加熱面および前記基板支持具が、
前記反応室への一種類以上の前駆体のバルク流が、前記注入口を通り抜けて、前記注入口によって、前記基板支持具に保持された基板のいずれかに達するよりも前に前記加熱面と相互作用するように制御される
ように構成され、また、
前記注入口が、注入ノズルの側壁に穿たれた孔であり、また、
管が、前記注入ノズルを全体的に繞いていることにより、前記注入口が、前記一種類以上の前駆体の前記バルク流を、前記管の壁にぶつかる方へと向け、また、
前記管に、前記反応室内へとつながった一個以上の開口部が穿たれており、また、
前記管の前記壁が、前記加熱面である
ことを特徴とする、付着装置。
【請求項３３】
削除
【国際調査報告】
2008541450.tif 000019
2008541450.tif 000020