(57)【要約】本発明は、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、またはビス（１−ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオンの少なくとも１つを含有し、該アルキル基または１−ヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖が、それぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、イオン性液体中における、基板上へのタンタルおよび／または銅の電気化学的沈着方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン性液体中で、基板上にタンタルおよび／または銅を電気化学的に沈着させる方法であって、該イオン性液体がテトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、または１，３−ビス（ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオンの少なくとも１つを含有し、該アルキル基またはヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖がそれぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、前記方法。
【請求項２】
イオン性液体が、分岐カソードにおいて、フェロセン／フェロセニウムに対して−２０００ｍＶ〜−３５００ｍＶの広い電気化学窓を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
イオン性液体のアニオンが、パーフルオロアルキルスルホン酸塩、パーフルオロ酢酸塩、ビス（フルオロスルホニル）イミド、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド、トリス（パーフルオロアルキル）トリフルオロリン酸塩、ビス（パーフルオロアルキル）テトラフルオロリン酸塩、トリス（パーフルオロアルキルスルホニル）メチドまたはパーフルオロアルキルホウ酸塩の群から選択されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
カチオンが、直鎖または分枝状のテトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘプチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、テトラノニルアンモニウム、テトラデシルアンモニウム、トリメチルアルキルアンモニウム、トリメチル（エチル）アンモニウム、トリエチル（メチル）アンモニウム、トリヘキシルアンモニウム、メチル（トリオクチル）アンモニウム、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、テトラペンチルホスホニウム、テトラヘキシルホスホニウム、テトラヘプチルホスホニウム、テトラオクチルホスホニウム、テトラノニルホスホニウム、テトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリイソブチル（メチル）ホスホニウム、トリブチル（エチル）ホスホニウム、トリブチル（メチル）ホスホニウム、１，１−ジメチルピロリジニウム、１−メチル−１−エチルピロリジニウム、１−メチル−１−プロピルピロリジニウム、１−メチル−１−ブチルピロリジニウム、１−メチル−１−ペンチルピロリジニウム、１−メチル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−メチル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−メチル−１−オクチルピロリジニウム、１−メチル−１−ノニルピロリジニウム、１−メチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジエチルピロリジニウム、１−エチル−１−プロピルピロリジニウム、１−エチル−１−ブチルピロリジニウム、１−エチル−１−ペンチルピロリジニウム、１−エチル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−エチル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−エチル−１−オクチルピロリジニウム、１−エチル−１−ノニルピロリジニウム、１−エチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジプロピルピロリジニウム、１−プロピル−１−ブチルピロリジニウム、１−プロピル−１−ペンチルピロリジニウム、１−プロピル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−プロピル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−プロピル−１−オクチルピロリジニウム、１−プロピル−１−ノニルピロリジニウム、１−プロピル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジブチルピロリジニウム、１−ブチル−１−ペンチルピロリジニウム、１−ブチル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−ブチル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−ブチル−１−オクチルピロリジニウム、１−ブチル−１−ノニルピロリジニウム、１−ブチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジペンチルピロリジニウム、１−ペンチル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−ペンチル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−ペンチル−１−オクチルピロリジニウム、１−ペンチル−１−ノニルピロリジニウム、１−ペンチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジヘキシルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−オクチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−ノニルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジヘキシルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−オクチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−ノニルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジヘプチルピロリジニウム、１−ヘプチル−１−オクチルピロリジニウム、１−ヘプチル−１−ノニルピロリジニウム、１−ヘプチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジオクチルピロリジニウム、１−オクチル−１−ノニルピロリジニウム、１−オクチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジノニルピロリジニウム、１−ノニル−１−デシルピロリジニウム、または１，１−ジデシルピロリジニウム、１−ヒドロキシメチル−１−メチルピロリジニウム、１−ヒドロキシメチル−１−エチルピロリジニウム、１−ヒドロキシメチル−１−プロピルピロリジニウム、１−ヒドロキシメチル−１−ブチルピロリジニウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−１−メチルピロリジニウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−１−エチルピロリジニウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−１−プロピルピロリジニウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−１−ブチルピロリジニウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−１−メチルピロリジニウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−１−エチルピロリジニウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−１−プロピルピロリジニウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−１−ブチルピロリジニウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−１−メチルピロリジニウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−１−エチルピロリジニウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−１−プロピルピロリジニウム、または１−（４−ヒドロキシブチル）−１−ブチルピロリジニウム、１−（１−ヒドロキシメチル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（１−ヒドロキシメチル）−３−エチルイミダゾリウム、１−（１−ヒドロキシメチル）−３−プロピルイミダゾリウム、１−（１−ヒドロキシメチル）−３−ブチルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−エチルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−プロピルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−ブチルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−エチルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−プロピルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−ブチルイミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−エチルイミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−プロピルイミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−ブチルイミダゾリウム、１，３−ビス（１−ヒドロキシメチル）イミダゾリウム、１，３−ビス（２−ヒドロキシエチル）イミダゾリウム、１，３−ビス（３−ヒドロキシプロピル）イミダゾリウム、１，３−ビス（４−ヒドロキシブチル）イミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−（１−ヒドロキシメチル）イミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−（３−ヒドロキシプロピル）イミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−（４−ヒドロキシブチル）イミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−（１−ヒドロキシメチル）イミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−（２−ヒドロキシエチル）イミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−（４−ヒドロキシブチル）イミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−（１−ヒドロキシメチル）イミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−（２−ヒドロキシエチル）イミダゾリウム、または１−（４−ヒドロキシブチル）−３−（３−ヒドロキシプロピル）イミダゾリウムの群から選択されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
タンタルまたは銅のイオンがイオン性液体中に溶解した形態であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
タンタルまたは銅のイオンがアノード酸化により生成することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
タンタルまたは銅のイオンが、タンタルまたは銅の塩の分解により生成することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
タンタルの電気化学的沈着のために、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物がイオン性液体中に存在することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物のタンタル塩に対する比が２：１から１：１であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基板が非金属、半金属、金属、金属合金または導電性および／または金属化セラミックスあるいは導電性および／または金属化プラスチックであることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
タンタルおよび／または銅を沈着させた後、イオン性液体を有機溶媒または銅の場合は水により洗い落とすことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
まず、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウムまたは１，３−ビス（ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオン、ここで、該アルキル基またはヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖はそれぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、の少なくとも１つを含有するイオン性液体中のタンタルをまず請求項２〜４に記載の構造化したシリコンチップ上に沈着させ、電位の電気化学的制御によりタンタルイオンを含有するイオン性液体を純粋なイオン性液体で置き換え、次いで電位の制御により銅イオンを含有するイオン性液体を導入し、銅を沈着させる、タンタルおよび次いで銅を沈着させる電気化学的方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、または１，３−ビス（ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオン、ここで、該アルキル基またはヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖はそれぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、の少なくとも１つを含有するイオン性液体中で、基板上にタンタルおよび／または銅を電気化学的に沈着させる方法に関する。
【０００２】
タンタルはプラチナ−グレイであり、硬く、非常に強靭で、弾性があり、伸張性を有し、研磨可能な金属であり、ロールし、鍛造することができる。空気中で、タンタルは保護酸化膜によって被覆されるか、水によって自然発生的に酸化される。薄いタンタル層は、例えば障壁層、保護層または密封層、それはタンク内張り用、（マイクロ）電子部品用、または例えばタンタル電界質コンデンサ等のデバイス用の内層であってもよい、として多様な用途において用いることができ、白熱線もしくは金ボンディングワイヤー、磁気記録媒体またはインク−ジェットプリンターのサーマルプリントヘッドの製造において用いることができる。
【０００３】
原子番号の高いタンタルは、チタンと同様に高い生体適合性および血液適合性を有するため、手術においてタンタルは、ボーンネイル（ｂｏｎｅ ｎａｉｌ）、代用骨、関節インプラント、クランプ、顎ねじ（ｊａｗ ｓｃｒｅｗ）および他の装置用の材料として用いられる。移植物は、しばしば実質的にタンタルの薄層で被覆された移植材料（Dresdner Transferbrief, 04/2001 edition, Volume 9, pub. TU Dresden, BTI - Beratungsgesellschaft fuer Technologietransfer and Innovationsfoerderung mbH, Technologie Zentrum Dresden: Ion Treatment of Vascular Stents Increases Haemocompatibility and X-ray Contrast or Aerzte-Zeitung of 17.04.2002, A Universal Type of Prosthesis - That’s Old Hat）からなる。
【０００４】
銅は、良好な電気伝導度および熱伝導度を有し、また非常に低いエレクトロマイグレーション（ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ）の挙動を示す耐腐食性貴金属である。チップ技術において、銅の薄層は半導体構造の接点材料としてそれまで使用されていたアルミニウムの代わりに何年間か用いられてきた。
【０００５】
基板に薄層を適用するための、いくつかの物理的および化学的な蒸着法、例えばスパッタリング法または真空蒸着法が当業者に知られている。水性媒体からの銅の電気化学的沈着が同様に知られている（A. Thies, Galvanotechnik, 11 (2002)2837-2843）。水性媒体中でタンタル上に銅を電気化学的沈着する場合、いわゆるダマシンプロセスが必要とされ、蒸着によりシリコンチップが２０〜７０ｎｍの厚さのタンタル薄層で被覆され、次いで銅の接触が水性媒体中で行われ、銅が沈着する前にタンタルが水により自然に酸化されるという問題が起こる。これにより、銅と表面が酸化されたタンタルの間で無視することのできない接触障害が生じる。
【０００６】
その反応特性のため、タンタルは銅とは異なり水性媒体中で沈着することができない。爆発の危険性および無水にするという問題のため有機溶媒は排除される。
【０００７】
高温の塩融液、例えばＬｉＦ／ＮａＦ／ＣａＦ２融液中、５００℃で（Mehmood et al., Materials Transactions, 44 (2003), 1659-1662）、または例えば共晶混合物ＬｉＦ／ＮａＦ／ＫＦ （５０／３０／２０）のＫ２ＴａＦ７の混合物から６００〜９００℃で鉄の上にタンタルを沈着させる電気化学的方法が知られている（特開平６−５７４７９号）。高温塩融液の極度に高い温度および腐食性は、これらの方法がいくつかの用途、例えばチップ技術における使用には不向きであるか、沈着を実施する間の安全性の観点および高コストから経済的でないことを意味する。
【０００８】
特開２００１−２７９４８６号は、タンタルを沈着するための電気化学的方法であって、沈着を五塩化タンタル、塩化アルキルイミダゾリウムおよびアルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物からなる融解塩中で行う方法を記載している。沈着は、好ましくはＴａＣｌ５、ＬｉＦおよび１−エチル−３−メチルイミダゾリウムクロライドの系において、モル比を３０モル：６０モル：１０モルとし、約１００℃で行われる。この操作の繰り返しにおいて、純粋な成分が沈着せず、代わりに大量の塩化物が常に存在することが見出された。
【０００９】
本発明の目的は、タンタルおよび／または銅の無水条件下での電気化学的沈着についての代替法を見出すことであった。かかる目的は本発明の方法により達成される。
【００１０】
本発明は、イオン性液体中で、基板上にタンタルおよび／または銅を電気化学的に沈着させる方法であって、該イオン性液体がテトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、または１，３−ビス（ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオンの少なくとも１つを含有し、該アルキル基またはヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖が、それぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、前記方法に関する。
【００１１】
タンタルおよび銅は互いに独立して、非常に広範な種類の用途において、非常に広範な種類の基板上に沈着する。しかし、タンタルおよび銅は、特にチップ技術の用途において必要とされるように、一方の上に他方を沈着させることもできる。すなわち、本発明の方法を用いて、まずタンタルをシリコン、例えばシリコンウェハ上に電気化学的に沈着させ、次いで銅をタンタルを被覆したシリコンの上に同じ媒体中で沈着させる。従来技術のタンタル蒸着法の欠点である、シリコンウェハの角およびエッジが必要とする２０ｎｍのタンタル層の厚さに対応しないことは、本発明の方法により克服することができる。
【００１２】
テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウムまたは１，３−ビス（ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオン、ここで、該ヒドロキシアルキル基のアルキル基またはアルキレン鎖はそれぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、の少なくとも１つを含有する本発明の方法に適するイオン性液体は、高い導電性と一般に４００℃までの熱安定性を有する。それらは、例えば、フェロセン／フェロセニウムに対して−２０００ｍＶ〜−３５００ｍＶ、好ましくはフェロセン／フェロセニウムに対して−２７００ｍＶ〜−３０００ｍＶの分岐カソード（cathodic branch）における広い電気化学窓（electrochemical window）を有する。
【００１３】
炭素原子数１〜１０のアルキル基は、例えば、メチル、エチル、イソプロピル、プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチル、さらに、ペンチル、１−，２−もしくは３−メチルブチル、１，１−、１，２−もしくは２，２−ジメチルプロピル、１−エチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニルまたはデシルを意味する。該アルキル基はフッ素原子により部分的にまたは完全に置換されていてもよい。フッ素化されたアルキル基は、例えば、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ペンタフルオロプロピル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタフルオロブチルまたはノナフルオロブチルであってもよい。
【００１４】
炭素原子数１〜１０のヒドロキシアルキル基は、例えば、１−ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、さらに５−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシヘキシル、７−ヒドロキシヘプチル、８−ヒドロキシオクチル、９−ヒドロキシノニルまたは１０−ヒドロキシデシルを意味する。ヒドロキシ基のアルキレン鎖はフッ素原子により部分的にもしくは完全に置換されていてもよい。フッ素化されたヒドロキシアルキル基は、例えば、−（ＣＨＦ）ｎ−ＯＨまたは−（ＣＦ２）ｎ−ＯＨ、ここで、ｎは１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０を示すことができる、の従属式によって記載することができる。
【００１５】
本発明によるカチオンとの組み合わせにおいて上記の条件を満たす適切なアニオンは、
パーフルオロアルキルスルホン酸塩、パーフルオロ酢酸塩、ビス（フルオロスルホニル）イミド、ビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド、トリス（パーフルオロアルキル）トリフルオロリン酸塩、ビス（パーフルオロアルキル）テトラフルオロリン酸塩、トリス（パーフルオロアルキルスルホニル）メチドまたはパーフルオロアルキルホウ酸塩の群から選択することができる。
【００１６】
用語パーフルオロアルキル基は、対応するアルキル基のすべてのＨ原子がＦ原子によって置き換えられていることを意味する。アニオン中のパーフルオロアルキル基は、好ましくはそれぞれ、互いに独立して炭素原子数１〜１０、特に好ましくは炭素原子数１、２、３または４である。
【００１７】
本発明に好適なアニオンは、例えば、トリフルオロメチルスルホン酸塩、ペンタフルオロエチルスルホン酸塩、ヘプタフルオロプロピルスルホン酸塩、ノナフルオロブチルスルホン酸塩、ビス（フルオロスルホニル）イミド、パーフルオロ酢酸塩、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、ビス（ヘプタフルオロプロピルスルホニル）イミド、ビス（ノナフルオロブチルスルホニル）イミド、トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、トリス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド、トリス（ヘプタフルオロプロピルスルホニル）メチド、トリス（ノナフルオロブチルスルホニル）メチド、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸塩、トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸塩、トリス（ノナフルオロブチル）トリフルオロリン酸塩、ビス（ペンタフルオロエチル）テトラフルオロリン酸塩、テトラキス（トリフルオロメチル）ホウ酸塩、テトラキス（ペンタフルオロエチル）ホウ酸塩、トリフルオロメチルトリフルオロホウ酸塩、ペンタフルオロエチルトリフルオロホウ酸塩、ビス（トリフルオロメチル）ジフルオロホウ酸塩、ビス（ペンタフルオロエチル）ジフルオロホウ酸塩、トリス（トリフルオロメチル）フルオロホウ酸塩、トリス（ペンタフルオロエチル）フルオロホウ酸塩、またはビス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロメチルフルオロホウ酸塩の群から選択することができる。
【００１８】
アニオン中に複数のパーフルオロアルキル基を生じ次第、これらは、互いに独立して、異なるパーフルオロアルキル基を示すことができる。したがって、上記の定義はまた、例えば、トリフルオロメチルスルホニルペンタフルオロエチルスルホニルイミド、ビス（トリフルオロメチル）スルホニルペンタフルオロエチルスルホニルメチド等の混合アニオンを含む。アニオンとしては、トリフルオロメタンスルホン酸塩、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドまたはトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸塩を選択するのが特に好ましい。
【００１９】
好適なカチオンは、直鎖または分枝状であってよい、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘプチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、テトラノニルアンモニウム、テトラデシルアンモニウム、トリメチルアルキルアンモニウム、トリメチル（エチル）アンモニウム、トリエチル（メチル）アンモニウム、トリヘキシルアンモニウム、メチル（トリオクチル）アンモニウム、テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラプロピルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、テトラペンチルホスホニウム、テトラヘキシルホスホニウム、テトラヘプチルホスホニウム、テトラオクチルホスホニウム、
【００２０】
テトラノニルホスホニウム、テトラデシルホスホニウム、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリイソブチル（メチル）ホスホニウム、トリブチル（エチル）ホスホニウム、トリブチル（メチル）ホスホニウム、１，１−ジメチルピロリジニウム、１−メチル−１−エチルピロリジニウム、１−メチル−１−プロピルピロリジニウム、１−メチル−１−ブチルピロリジニウム、１−メチル−１−ペンチルピロリジニウム、１−メチル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−メチル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−メチル−１−オクチルピロリジニウム、１−メチル−１−ノニルピロリジニウム、１−メチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジエチルピロリジニウム、１−エチル−１−プロピルピロリジニウム、１−エチル−１−ブチルピロリジニウム、
【００２１】
１−エチル−１−ペンチルピロリジニウム、１−エチル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−エチル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−エチル−１−オクチルピロリジニウム、１−エチル−１−ノニルピロリジニウム、１−エチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジプロピルピロリジニウム、１−プロピル−１−ブチルピロリジニウム、１−プロピル−１−ペンチルピロリジニウム、１−プロピル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−プロピル−１−ヘプチルピロリジニウム、
【００２２】
１−プロピル−１−オクチルピロリジニウム、１−プロピル−１−ノニルピロリジニウム、１−プロピル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジブチルピロリジニウム、１−ブチル−１−ペンチルピロリジニウム、１−ブチル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−ブチル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−ブチル−１−オクチルピロリジニウム、１−ブチル−１−ノニルピロリジニウム、１−ブチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジペンチルピロリジニウム、１−ペンチル−１−ヘキシルピロリジニウム、１−ペンチル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−ペンチル−１−オクチルピロリジニウム、
【００２３】
１−ペンチル−１−ノニルピロリジニウム、１−ペンチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジヘキシルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−オクチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−ノニルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジヘキシルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−ヘプチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−オクチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−ノニルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジヘプチルピロリジニウム、１−ヘプチル−１−オクチルピロリジニウム、
【００２４】
１−ヘプチル−１−ノニルピロリジニウム、１−ヘプチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジオクチルピロリジニウム、１−オクチル−１−ノニルピロリジニウム、１−オクチル−１−デシルピロリジニウム、１，１−ジノニルピロリジニウム、１−ノニル−１−デシルピロリジニウム、または１，１−ジデシルピロリジニウム、１−ヒドロキシメチル−１−メチルピロリジニウム、１−ヒドロキシメチル−１−エチルピロリジニウム、１−ヒドロキシメチル−１−プロピルピロリジニウム、１−ヒドロキシメチル−１−ブチルピロリジニウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−１−メチルピロリジニウム、
【００２５】
１−（２−ヒドロキシエチル）−１−エチルピロリジニウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−１−プロピルピロリジニウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−１−ブチルピロリジニウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−１−メチルピロリジニウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−１−エチルピロリジニウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−１−プロピルピロリジニウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−１−ブチルピロリジニウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−１−メチルピロリジニウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−１−エチルピロリジニウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−１−プロピルピロリジニウム、または１−（４−ヒドロキシブチル）−１−ブチルピロリジニウム、
【００２６】
１−（１−ヒドロキシメチル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（１−ヒドロキシメチル）−３−エチルイミダゾリウム、１−（１−ヒドロキシメチル）−３−プロピルイミダゾリウム、１−（１−ヒドロキシメチル）−３−ブチルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−エチルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−プロピルイミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−ブチルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−メチルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−エチルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−プロピルイミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−ブチルイミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−メチルイミダゾリウム、
【００２７】
１−（４−ヒドロキシブチル）−３−エチルイミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−プロピルイミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−ブチルイミダゾリウム、１，３−ビス（１−ヒドロキシメチル）イミダゾリウム、１，３−ビス（２−ヒドロキシエチル）イミダゾリウム、１，３−ビス（３−ヒドロキシプロピル）イミダゾリウム、１，３−ビス（４−ヒドロキシブチル）イミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−（１−ヒドロキシメチル）イミダゾリウム、１−（２−ヒドロキシエチル）−３−（３−ヒドロキシプロピル）イミダゾリウム、
【００２８】
１−（２−ヒドロキシエチル）−３−（４−ヒドロキシブチル）イミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−（１−ヒドロキシメチル）イミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−（２−ヒドロキシエチル）イミダゾリウム、１−（３−ヒドロキシプロピル）−３−（４−ヒドロキシブチル）イミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−（１−ヒドロキシメチル）イミダゾリウム、１−（４−ヒドロキシブチル）−３−（２−ヒドロキシエチル）イミダゾリウム、または１−（４−ヒドロキシブチル）−３−（３−ヒドロキシプロピル）イミダゾリウムである。
【００２９】
特に好適なカチオンは、テトラメチルアンモニウム、トリメチルアルキルアンモニウム、ここで、該アルキル基は炭素原子数１〜１０であってよい、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム、トリイソブチル（メチル）ホスホニウム、トリブチル（エチル）ホスホニウム、トリブチル（メチル）ホスホニウム、１−ブチル−１−メチルピロリジニウム、１−ブチル−１−エチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−メチルピロリジニウム、１−メチル−１−オクチルピロリジニウム、または１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウムであり、非常に好適なカチオンは１−ブチル−１−メチルピロリジニウム、１−ヘキシル−１−メチルピロリジニウム、１−メチル−１−オクチルピロリジニウム、または１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウムである。
【００３０】
本発明の方法において使用する特に好適なイオン性液体は、
１−ブチル−１−メチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、
１−ブチル−１−メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、
１−ブチル−１−メチルピロリジニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸塩、
１−ヘキシル−１−メチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、
１−ヘキシル−１−メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、
１−ヘキシル−１−メチルピロリジニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸塩、
１−メチル−１−オクチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、
１−メチル−１−オクチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、
１−メチル−１−オクチルピロリジニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸塩、
１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホン酸塩、
１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、または
１−（２−ヒドロキシエチル）−３−メチルイミダゾリウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸塩である。
【００３１】
本発明の方法に従って、タンタルまたは銅のイオンを、上記の適切なイオン性液体に溶解する。これは、金属または適切な金属塩、例えばＴａＨ４またはＴａＨ５のイオン性液体へのアノード溶解（anodic dissolution）あるいはタンタルまたは銅の塩のイオン性液体への溶解のいずれによっても行うことができる。
【００３２】
好適な銅またはタンタル塩は、例えば銅（ＩＩ）、銅（Ｉ）、タンタル（ＩＶ）またはタンタル（Ｖ）のハロゲン化物、例えば塩化物、臭化物、ヨウ化物またはフッ化物、イミド、例えば銅（ＩＩ）、銅（Ｉ）、タンタル（ＩＶ）またはタンタル（Ｖ）のビス（パーフルオロアルキルスルホニル）イミド、アミド、例えばＴａ（ＮＲ２）４またはＴａ（ＮＲ２）5、ここで、Ｒは炭素原子数１〜４のアルキル基を示す、アルコキシド、例えば銅（ＩＩ）、銅（Ｉ）、タンタル（ＩＶ）またはタンタル（Ｖ）メトキシド、銅（ＩＩ）、銅（Ｉ）、タンタル（ＩＶ）またはタンタル（Ｖ）エトキシド、または銅（ＩＩ）、銅（Ｉ）、タンタル（ＩＶ）またはタンタル（Ｖ）酒石酸塩である。好適なタンタル塩はまたＴａＸｙ（ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド）ｚの塩、ここでＸ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩであり、ｙ＝１、２、３または４であり、およびｚ＝１、２、３または４であり、ｙ＋ｚの合計が4または５である、である。
【００３３】
該塩は好ましくは無水の形態である。しかし、該塩はクラウンエーテル類を含有してもよく、銅塩を含有するイオン性液体は乾燥してもよい。特に好適な銅またはタンタルの塩は、そのアニオンがイオン性液体のアニオンに対応する塩であるか、イオン性液体のアニオンに化学的に非常に類似する塩である。
【００３４】
一つの実施態様において、第１のタンタルの沈着を本発明に従ってイオン性液体にタンタル塩を溶解することにより実施し、第２の銅の沈着を本発明に従ってアノード酸化により銅イオンをイオン性液体中に導入することにより実施し、それにより水が存在しないことを保証する。
【００３５】
本発明によるタンタルの電気化学的に沈着において、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物の存在は有益であることが判明した。フッ化物は好ましくは２：１（フッ化物／タンタル塩）から１：１（フッ化物／タンタル塩）の比率、より好ましくは１：１の比率で添加する。好ましいアルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物は、例えばフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、またはフッ化カルシウムである。フッ化リチウムを添加するのが特に好ましい。
【００３６】
特に好ましいタンタル塩は、タンタルテトラフルオライド、タンタルペンタフルオライド、タンタルテトラクロリド、タンタルテトラブロミド、タンタルテトラヨージド、タンタルペンタブロミドまたはタンタルペンタヨージドである。特にタンタルペンタフルオライドが非常に好ましい。
【００３７】
金属沈着用のイオン性液体中のイオン濃度は好ましくは１０−５から１０ｍｏｌ／Ｌである。１０−３から１０−１ｍｏｌ／Ｌのイオン濃度を用いるのが好ましい。アルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物、特にフッ化リチウムの存在下での本発明によるタンタルの沈着について、それぞれの場合０．２５ｍｏｌ／Ｌから１ｍｏｌ／Ｌのイオン濃度が好ましい範囲であると判明している。
【００３８】
本発明による金属沈着は、保護ガス雰囲気中、例えばアルゴン下、酸素および水の含量が１ｐｐｍ以下となる雰囲気で実施する。沈着は当業者に知られている（例えば、A.J. Bard, L.R. Faulkner, Electrochemical Methods, Wileyにより）３電極セル（3-electrode cell）中で実施する。適切な基板上に銅を沈着させる場合、銅線を対極及び参照電極として使用する。タンタルを沈着させる場合、プラチナ線を疑似参照極及び対極として使用する。しかし、一般に作用電極における処理と干渉することのない対極において生成物の形成が実験設定によって確実となる場合は、任意の電極材料を使用可能である。
【００３９】
本発明の方法は、好ましくはポテンショスタットを用い、タンタルの沈着に対し０から−２０００ｍＶの電極電位で、及び１０℃から３５０℃、好ましくは１００℃から３００℃の温度で実施する。
【００４０】
しかし、本発明の方法は当業者に知られているパルス技術、例えばJ.-C. Puippe, F. Leaman, Pulse-Plating：Elektrolytische Metallabscheidung mit Pulsstrom [Pulse Plating: Electrolytic Deposition of Metal with Pulsed Current], Eugen G. Leuze Verlag, 1990に記載されている技術より実施することができる。
【００４１】
本発明の方法は、マイクロ結晶またはナノ結晶からなる連続層においてタンタルまたは銅の金属が２００μｍから２００ｐｍの厚さの層に沈着するのを可能にする。望ましい層の厚さは、電極電位および流量（flowed）および電気化学パラメータを有する電荷により制御する。
【００４２】
この相関関係はファラデーの法則：
【数１】
2008523242.tif 000002
ここで、Ｆはファラデー定数を示し、Ａは面積を示し、ρは金属の密度を示し、Ｉは電流を示し、ｔは時間を示し、およびＭは金属のモル質量を示す、による一般に有効な方法において記載される。最終的に膜厚は電流および時間により設定することができる。
【００４３】
図１に基づいて、タンタルペンタフルオライドは本発明の方法における還元工程の数を明らかに減らす。ＬｉＦをＴａＦ５／１−ブチル−１−メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドに加えると、新たな還元ピークが生じ（図２参照）、図３に示すようにタンタルが得られる。
【００４４】
２つの連続したスキャンを示す図４は、Ａｕ（１１１）上の２つおよび３つの還元プロセスをそれぞれ示し、−１０００ｍＶおよび−１７００ｍＶにおけるプロセスは銅沈着を可能にする。本発明の方法は非常に高い品質の銅を沈着させ、特にナノスケールで銅の沈着を形成する。
【００４５】
高温で、同じサイクリックボルタモグラムが定性的に得られるが、より高い電流密度を伴う。カソードとして使用可能な広範な種類の基板が本発明の電気化学的金属沈着に使用可能である。これらの基板の形状、構造等は自由に選択することができ、限定されない。
【００４６】
好適な基板は、例えばすべてのカテゴリーから選択可能であり、例えば非金属、半金属（semi-metal）、金属、金属合金、導電性もしくは金属化セラミックスまたは導電性もしくは金属化プラスチックが使用可能である。好ましい非金属は、例えばグラファイトである。好ましい半金属は、例えばシリコンである。好ましい金属は、例えば金、プラチナ、銅、鉄、コバルト、ニッケルまたはモリブデンである。好ましい金属合金は、例えば非常に広範な種類の鋼またはニッケル合金である。
【００４７】
好適な基板は、例えば、さらにタンタルまたは銅の層が中間層または最終層として本発明の方法により適用される複数の層からなるものであってもよい。したがって、該基板のリストはいかなる意味においても限定するものとして考えるべきではない。本願に関連する技術分野の熟練者はそれ以上の情報がなくとも適切な基板を選択することが可能である。
【００４８】
タンタルおよび／または銅の沈着後、イオン性液体を有機溶媒または銅の場合は水により洗い落すことができる。好適な有機溶媒は、例えばトルエン、ベンゼン、塩化メチレン、アセトニトリル、アセトン、メタノール、エタノールまたはイソプロパノールである。
【００４９】
本発明はまた方法の特定の実施態様に関連し、その実施態様において第１に、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、または１，３−ビス（ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオンの少なくとも１つを含有する、ここで、アルキル基またはヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖はそれぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、イオン性液体中のタンタルが構造化したシリコンチップ上に沈着し、タンタルイオンを含有するイオン性液体が電位の電気化学的制御により純粋なイオン性液体によって置き換わり、次いで銅イオンを含有するイオン性液体が電位の制御により導入され、銅が沈着する。
【００５０】
沈着および適切なイオン性液体および被覆基板の後処理の詳細な条件は、上記の説明において明らかにしている。
【００５１】
さらなるコメントがなくとも、当業者は上記記載を最も広い範囲において利用することができる。したがって、好ましい実施態様および例は、いかなる意味においても限定されることの全くない記述的開示として考えるべきである。
【００５２】
例：電気化学的測定は、Princeton Applied Research (EG & G) PAR 2263のポテンシオスタット／ガルバノスタットを用いて実施した。一般に、パルス発生器を備えたまたは備えていない任意のポテンシオスタットが好適である。
【００５３】
例１：ＴａＦ５からのタンタルの沈着
イオン性液体１−ブチル−１−メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド中のＴａＦ５およびＬｉＦの飽和溶液を調製し、保護ガス雰囲気中、室温で３電極測定セル中に移した。例えば、A.J. Bard and L.R. Faulkner, Electrochemical Methods, Wileyに記載されている典型的な３電極測定セルを用いた。３電極測定セルは作用電極（カソード）として金電極、および疑似参照極および対極として働くプラチナ線を有する。
【００５４】
電極電位をプラチナ疑似参照極に対し−１３００ｍＶに設定する。タンタルの沈着は−１２５０ｍＶで開始する。−１２００ｍＶにおけるＡｕ（１１１）表面のその場（in-situ）でのＳＴＭ顕微鏡写真（図５）は、数ナノメートルの高さの小結晶が沈着しているのを明らかに示す。これらは約１００ｎｍの厚さの層を形成する。電流／電圧トンネルスペクトルによる金属特性を示す（図６）。
【００５５】
例２：プラチナ上へのＴａＦ５からのタンタルの沈着
例１と同様に、イオン性液体１−ブチル−１−メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド中に０．２５モルのＴａＦ５およびＬｉＦを含む溶液を調製し、保護ガス雰囲気中、室温で３電極測定セル中に移す。上記のように、例えば、A.J. Bard and L.R. Faulkner, Electrochemical Methods, Wileyに記載されている典型的な３電極測定セルを用いた。３電極測定セルは作用電極（カソード）としてプラチナ電極、および疑似参照極および対極として働くプラチナ線を有する。
【００５６】
電極電位をプラチナ疑似参照極に対し−１３００ｍＶに設定する。タンタルの沈着は−１２５０ｍＶで開始する。ここで同様に、ＳＥＭ顕微鏡写真により確認されるように、タンタルの小結晶の約１００ｎｍの厚さの層が沈着する（図９）。
【００５７】
例３：銅イオン含有１−ブチル−１−メチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩からの銅の沈着
無水イオン性液体１−ブチル−１−メチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩を含有する３電極測定セル中、電量分析により銅イオン濃度を１０−１ｍｏｌ／Ｌに設定する。３電極測定セルは、作用電極としてコイル状にした銅、参照電極として銅、対極としてプラチナからなる。銅作用電極の電極電位はＣｕ／Ｃｕ＋に対し＋５００ｍＶに設定する。銅イオンの溶解量を以下の式により計算可能な電荷量により設定する。
【数２】
2008523242.tif 000003
ここで、ｃはイオン濃度を示し、Ｉは電流を示し、Ｖは容量を示し、およびＦは９６４８５ｃ／ｍｏｌを示す。
【００５８】
理想的には、プラチナ対極は銅の再沈着を避けるために、空間的に分離している。ＳＥＭ顕微鏡写真（図７）は、銅がナノスケールで沈着していることを示す。ここでは１０μｍの厚さの層が生成した。原則として層の厚さは制限されない、すなわち、用途によって必要とする厚さにすることが可能である。
【００５９】
例４：
例３と同様に、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド中で銅を沈着させた。銅は同様にこのイオン性液体中でナノスケールで沈着し、層の厚さを可変的に設定することができる。
【００６０】
例５：
１−ブチル−１−メチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩中での銅（ＩＩ）トリフルオロメタンスルホン酸塩からの銅の沈着
第１段階において、結晶水含有銅（ＩＩ）トリフルオロメタンスルホン酸塩を１−ブチル−１−メチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩に溶解して１モル溶液とし、保護ガス下、３電極測定セル中に移す。
【００６１】
３電極測定セルは作用電極（カソード）として金電極、および参照極および対極として働く銅線を有する。電極電位はＣｕ／Ｃｕ＋に対し−５００ｍＶに設定する。
【００６２】
図８中のサイクリックボルタモグラムにおいて、還元用の２つのレドックスプロセスおよび酸化用の２つのあまりよく分離されていないプロセスを見ることができる。銅の沈着は体積相において約−１０００ｍＶで開始する。約−２５０ｍＶの第１の還元ピークの領域において、電極表面に変化がないのは明らかである。
【００６３】
例３と同様に、このイオン性液体中において銅がナノスケール（＜５９ｎｍ）で沈着させ、層の厚さを可変的に設定することが可能であった。典型的には１０μｍの厚さの層が沈着した。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】１−ブチル−１−メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド中に約１モルのＴａＦ５を含む溶液のＡｕ（１１１）上での室温におけるサイクリックボルタモグラムを示す。
【図２】１−ブチル−１−メチルピロリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド中に０．２５モルのＴａＦ５を含む溶液および０．２５モルのＬｉＦを含む溶液のＡｕ（１１１）上での２００℃におけるサイクリックボルタモグラムを示す。
【図３】ＴａＦ５／ＬｉＦ／ＢＭＰ Ｔｆ２Ｎ ［ＢＭＰ Ｔｆ２Ｎ中の０．５ｍｏｌ／ＬのＴａＦ５および０．５ｍｏｌ／ＬのＬｉＦ］から沈着したタンタルの２００℃におけるＸ線回折パターン（ＸＲＤ＝Ｘ線回折、Ｘ線放射としてのコバルトＫアルファ）を示す。
【図４】Ａｕ（１１１）上において予め銅がアノード溶解した１−ブチル−１−メチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩のサイクリックボルタモグラムを示す。イオン性液体中の銅イオンの濃度は１０−１ｍｏｌ／Ｌである。
【００６５】
【図５】Ａｕ（１１１）上に沈着するタンタルの−１２００ｍＶにおけるＳＴＭ顕微鏡写真である。
【図６】電流／電圧トンネルスペクトルによる金属特性を示す。
【図７】１−ブチル−１−メチルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸塩含有銅イオンからの銅の沈着を示すＳＥＭ顕微鏡写真である。
【図８】還元に対する２つのレドックスプロセスおよび酸化に対する２つのあまりよく分離されていないプロセスを有するサイクリックボルタモグラムを示す。
【図９】プラチナ上へのＴａＦ５からのタンタルの沈着を示すＳＥＭ顕微鏡写真である。
【図１】
2008523242.tif 000004
【図２】
2008523242.tif 000005
【図３】
2008523242.tif 000006
【図４】
2008523242.tif 000007
【図５】
2008523242.tif 000008
【図６】
2008523242.tif 000009
【図７】
2008523242.tif 000010
【図８】
2008523242.tif 000011
【図９】
2008523242.tif 000012
【国際調査報告】
2008523242.tif 000013
2008523242.tif 000014
2008523242.tif 000015
2008523242.tif 000016
2008523242.tif 000017
2008523242.tif 000018
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