(57)【要約】  本発明は、例えば、測定構造部（１１）を有するセンサチップ（１０）と、前記センサチップ（１０）上に取り付けられていて、当該センサチップ（１０）と共にセンサスペース（２３）を形成するキャップチップ（２０）からなる少なくとも１つの前記測定構造部（１１）を有する赤外線センサに関しており、その際、前記キャップチップ（２０）の上側面（２４）上に、内側絞り領域（２５ｂ，３２ｂ）と、当該内側絞り領域（２５ｂ，３２ｂ）を取り囲む外側絞り領域（２５ａ，３２ａ）を有する絞り（２５，３２）が形成されており、その際、前記内側絞り領域（２５ｂ，３２ｂ）は、前記測定構造部（１１）の上側に形成されていて、且つ、検出すべき赤外線ビーム（ＩＲ１）に対して透過性であり、前記外側絞り領域（２５ａ，３２ａ）は、入射赤外線ビーム（ＩＲ２）に対して少なくとも部分的に不透過性である。この際、外側絞り領域は、殊に、金属又は誘電体層からなる反射コーティングとして、斜め面を有する各溝又は吸収構造部によって反射構造化部として形成することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線センサにおいて、少なくとも１つのセンサチップ（１０）と、キャップチップ（２０）を有しており、前記センサチップ（１０）は、測定構造部（１１）を有しており、前記キャップチップ（２０）は、前記センサチップ（１０）上に取り付けられていて、前記センサチップ（１０）と共にセンサスペース（２３）を形成し、前記キャップチップ（２０）の上側面（２４）上に、内側絞り領域（２５ｂ，３２ｂ）と当該内側絞り領域（２５ｂ，３２ｂ）を取り囲む外側絞り領域（２５ａ，３２ａ）を有する絞り（２５，３２）が形成されており、
前記内側絞り領域（２５ｂ，３２ｂ）は、前記測定構造部（１１）の上側に形成されていて、且つ、検出すべき赤外線ビーム（ＩＲ１）に対して透過性であり、前記外側絞り領域（２５ａ，３２ａ）は、入射赤外線ビーム（ＩＲ２）に対して少なくとも部分的に不透過性であることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】
測定構造部（１１）は、ダイアフラム（１２）、前記ダイアフラム（１２）の下側に形成された空洞部（１３）、前記ダイアフラム（１２）上に形成された少なくとも１つのサーモパイル構造部（１４）及び当該サーモパイル構造部（１４）をカバーする吸収層（１６）を有しており、前記サーモパイル構造部（１４）は、相互に接触接続された２つの導体路（１４ａ，１４ｂ）を有している請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項３】
内側絞り領域（２５ｂ）乃至外側絞り領域（２５ａ）は、キャップチップ（２０）の上側面（２４）上に堆積されたコーティングを有している請求項１または２記載の赤外線センサ。
【請求項４】
外側絞り領域（２５ａ）は、入射赤外線ビーム（ＩＲ２）に対して少なくとも１つ所定の波長（λ）を反射する反射コーティング（２５ａ）を有している請求項３記載の赤外線センサ。
【請求項５】
反射コーティング（２５ａ）は、金属層又は各波長を特別に反射する誘電体層であり、前記誘電体層は、キャップチップ（２０）に対して種々異なる屈折率（ｎ２）を有している請求項４記載の赤外線センサ。
【請求項６】
反射コーティング（２５ａ）は、キャップチップ（２０）よりも小さな屈折率（ｎ２）を有しており、ｄ＝（（２ｍ＋１）λ／２・ｎ２の厚みを有しており、該式において、ｄは、前記反射コーティング（２５ａ）の厚み、λは、検出すべき波長、ｍは、自然整数(natuerliche ganze Zahl)、ｎ２は、前記反射コーティング（２５ａ）の屈折率、である請求項５記載の赤外線センサ（ガスセンサ）。
【請求項７】
内側絞り領域（２５ｂ）は、キャップチップ（２０）の材料とは異なった屈折率（ｎ２）の誘電体反射防止コーティング（２５ｂ）を有している請求項３から６迄の何れか１記載の赤外線センサ。
【請求項８】
反射コーティング（２５ａ）は、キャップチップ（２０）よりも小さな屈折率（ｎ２）を有しており、ｄ＝（（２ｍ＋１）λ／４・ｎ２の厚みを有しており、該式において、ｄは、前記反射コーティング（２５ａ）の厚み、λは、検出すべき波長、ｍは、自然整数(natuerliche ganze Zahl)、ｎ２は、前記反射コーティング（２５ａ）の屈折率、である請求項５記載の赤外線センサ（ガスセンサ）。
【請求項９】
誘電体コーティング（２５ａ，２５ｂ）は、シリコンニトリド（Si3N4）又はシリコンジオキシド(SiO2)を有している請求項６から８迄の何れか１記載の赤外線センサ。
【請求項１０】
絞り（３２）の外側絞り領域（３２ａ）は、キャップチップ（２０）の上側面（２４）の反射乃至反射防止構造部を有している請求項１又は２記載の赤外線センサ。
【請求項１１】
外側絞り領域（３２ａ）は、斜めに低下する側面（４０）、例えば、Ｖ字形の横断面を有する溝（３４）を有する請求項１０記載の赤外線センサ。
【請求項１２】
キャップチップ（２０）の下側面（２２）上にも下側溝（３６）が形成されており、該下側溝（３６）は、横方向に各々キャップチップ（２０）の上側面（２４）上に延在する各溝（３４）間に設けられている請求項１１記載の赤外線センサ。
【請求項１３】
外側絞り領域（３２ａ）は、入射赤外線ビーム（ＩＲ２）の吸収用の粗面化部を有している請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項１４】
絞り（２５，３２）上に、入射赤外線ビーム（ＩＲ２，ＩＲ１）の、各波長を特別に透過するための赤外線ビームフィルタ（２９）が取り付けられている請求項１から１３迄の何れか１記載の赤外線センサ。
【請求項１５】
請求項１から１４迄の何れか１記載の赤外線センサを有するセンサモジュールにおいて、赤外線センサ（９，３０）は、ケーシング（４）内に収容されており、該ケーシングには、窓（６）があるカバー（５）が取り付けられており、前記窓（６）は、内側絞り領域（２５ｂ，３２ｂ）の上側に設けられており、前記内側絞り領域（２５ｂ，３２ｂ）よりも大きな、赤外線ビームの立体角を透過することを特徴とするセンサモジュール。
【請求項１６】
赤外線センサの製造方法において、
少なくとも以下の各ステップ：
センサウエーハに複数の測定構造部（１１）を構造化するステップ、キャップウエーハに当該キャップウエーハの下側面上に形成された複数の空洞部（２３）と、該空洞部（２３）の上側の、前記キャップウエーハの上側面上に形成された各絞り（２５，３２）を構造化するステップ、前記キャップウエーハを前記センサウエーハ上に、真空密の結合領域（２１）内で、前記センサウエーハと前記キャップウエーハとの間のセンサスペース（２３）内に各々真空部を形成して取り付けるステップ、前記キャップウエーハと前記センサウエーハとからなるウエーハ積層部から、赤外線センサ（９，３０）を切り離すステップを有することを特徴とする赤外線センサの製造方法。
【請求項１７】
絞り（２５，３２）を、キャップウエーハの上側面上に形成されたコーティング乃至構造化部として形成する請求項１６記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ構造赤外線センサ及び当該マイクロ構造赤外線センサの製造方法に関する。
【０００２】
マイクロ構造赤外線センサは、例えば、ガス検出器で使用することができ、このガス検出器では、ビーム源、例えば、低電流領域内で作動される白熱電球又はＩＲ−ＬＥＤから放射されたＩＲビームが、吸収区間を介して送出され、その後続いて、赤外線センサによって検出され、特定の波長領域内での赤外線ビームの吸収から、吸収区間内での検出すべきガスの濃度を推定することができる。そのようなガスセンサは、例えば、自動車の領域内で、例えば、CO2で作動されるエアコンでの漏れの検出のため、又は、室内空気の質を検査するために使用することができる。
【０００３】
マイクロメカニック赤外線センサは、通常、赤外線ビームに対して感応性のある測定構造を持ったセンサチップと、当該センサチップを被覆するキャップチップを有している。センサチップとキャップチップとの間に、外側に対して真空密に密閉されたセンサスペースが構成されており、その際、このために、一般的にキャップチップの下側面上に空洞部が形成されている。
【０００４】
赤外線ビームに対して感応性のある測定構造は、通常、下側に空洞部が形成されたダイアフラムと、ダイアフラム上に形成された少なくとも１つのサーモパイル構造を有しており、サーモパイル構造は、種々異なった導電材料、例えば、多結晶シリコンと金属が相互に接触接続された２つの導体路から構成されている。導体路の接触接続領域上に、入射ＩＲビームを加熱下で吸収する吸収層が堆積されている。上から入射した赤外線ビームは、赤外線ビームに対して透過性の、シリコン製のキャップチップを通過してセンサスペース内に達し、吸収層に入射し、この吸収層の温度上昇が、サーモパイル構造のサーモ電圧として読み出すことができる。
【０００５】
赤外線センサは、一般的に１つ又は複数の窓が設けられたケーシング内に組みこまれる。この際、この窓は、吸収層が完全に赤外線ビームによって照射されるような大きさである。何れにせよ、センサをケーシング底面上に許容偏差に依存して組みこんだ状況では、窓を吸収層の横方向の拡がりに精確に適合させることができない。従って、窓は、一般的に、赤外線ビームが、吸収層以外のシリコンの塊状材料上にもダイアフラムにも、従って、サーモパイル構造の常温端部にも照射されるような大きさに構成される。
赤外線センサの感度は、吸収層の下側に設けられた熱接触接続領域と、塊状材料内に設けられた、導体路の常温端部との間の温度差によって決められるので、横方向に更に外側に向かって達する赤外線ビームによって、赤外線センサの感度が低減される。更に、ケーシング内での赤外線センサの僅かに誤った位置決め、乃至、窓が設けられたカバーの、ケーシング上での誤った位置決めによって既に、サーモパイル構造と吸収層との部分陰影が生じ、その結果、感度が更に低減される。従って、組込みの際に生じる各許容偏差の列は、赤外線センサをセンサケーシング内に取り付けることによって、及び、窓が設けられたカバーをケーシング上に取り付けることによって定められる。
【０００６】
それに対して、本発明の、赤外線センサ及び当該赤外線センサの製造方法は、絞りのコスト上有利な構成及び赤外線感応測定構造の位置に対して相対的な、絞りの精確な位置決めが可能であるという利点を有している。
【０００７】
本発明によると、絞りは、キャップチップの上側面に形成されている。この絞りは、適切なコーティングによって形成することができる一方、絞り領域の外側に、反射又は吸収コーティングを形成してもよいし、乃至、絞り領域内側に、反射防止コーティングを形成してもよい。反射コーティングは、例えば、金属層として堆積することができ、更に、絞り領域の内側乃至外側を、センサチップの材料に対して異なった屈折率の所定厚の誘電体コーティングとして、波長特有の反射又は反射防止作用するようにしてもよく、この際、絞り領域の外側を誘電体ミラーとして、絞り領域の内側を誘電体の反射防止ミラー乃至コーティングとして堆積してもよい。キャップチップのシリコンに対して異なった屈折率の材料として、簡単且つコスト上有利に、例えば、シリコンニトリド（窒化物）又はシリコンジオキシドを堆積することができる。
【０００８】
別の実施例によると、絞り領域の外側に、キャップチップの上側面を適切に構造化することによって、赤外線ビームの反射部、散乱部又は吸収部を設けてもよい。従って、付加的な材料をコーティングする必要はない。構造化は、例えば、V字形の溝として形成することができ、これは、簡単に、ウェットエッチング、例えば、ＫＯＨエッチングによって形成することができ、当該ＫＯＨエッチングによって、結晶面に沿って斜め面が形成される。入射赤外線ビームの吸収は、適切な粗面化によって調整することができ、例えば、ウェットエッチング又はプラズマエッチングによって達成することができる。
【０００９】
キャップチップの下側面にも、キャップチップの上側面に形成された各溝間を貫通するビームを捕捉する溝を有する構造化を形成して補完してもよい。
【００１０】
以下では本発明を実施形態についての添付の図面に基づき詳細に説明する。
【００１１】
図面
図１は、赤外線ビーム源と、キャップチップ上に絞りコーティングされた赤外線センサを備えた赤外線センサ装置の断面図、
図２は、外側の反射絞り領域を備えた実施例による図１の赤外線センサを示す図、
図３は、反射防止中間絞り領域を備えた、図２の実施例に対して択一的な実施例による赤外線センサを示す図、
図４は、反射絞り領域及び反射防止絞り領域を備えた、図２の実施例に対して択一的な別の実施例による赤外線センサを示す図、
図５は、赤外線ビーム源と、キャップチップ上に構造化された絞り領域を備えた赤外線センサを有する、図１の実施例に対して択一的な実施例による赤外線センサ装置の断面図、
図６は、外側絞り領域の反射構造化部を備えた図５のキャップチップの部分拡大断面図、
図７は、反射外側絞り領域を備えた別の実施例の図５の赤外線センサの平面図、
図８は、図７の赤外線センサの断面図、
図９は、キャップチップの上側面及び下側面の反射構造化部を備えた図７，８の実施例に対して択一的な実施例の赤外線センサの断面図、
図１０は、構造化によって形成された吸収外側絞り領域を備えた図５の装置のキャップチップの部分拡大断面図である。
【００１２】
図１に示された赤外線（ＩＲ）センサ装置１は、ＩＲビーム源２、例えば、低電流領域で作動する白熱電球、及び、例えば、プラスチック又はモールドコンパウンド及びケーシング４に取り付けられた、窓６付きのカバー５を有している。ケーシング４とカバー５との間に形成されたケーシング室７内に、例えば、ケーシング４の底面上に接着された赤外線センサ９が設けられている。赤外線センサ９は、ＩＲビームを検出する測定構造部１１を有しており、その際、測定構造部１１は、センサチップ１０の上側面に構成されたダイアフラム１２、ダイアフラム１２の下側に形成された空洞部１３、及び、ダイアフラム１２上に形成された、少なくとも１つの、２つの導体路１４ａ，１４ｂからなるサーモパイル構造部１４を有している。導体路１４a及び１４ｂは、各々導電性の異なった材料製であり、例えば、多結晶シリコン及び金属、例えば、アルミニウムから形成されている。導体路１４a及び１４ｂは、ダイアフラム１２の中間領域内で接触接続されて、横方向にダイアフラム１２から外側に向かって延在している。サーモパイル構造１４の接触接続領域上に、赤外線ビームを吸収する材料、例えば、金属酸化物からなる吸収層１６が堆積されている。赤外線ビームの吸収時に、吸収層１６は加熱し、その結果、サーモパイル構造１４は、その接触接続領域内で温度が上昇し、この温度上昇が、熱電圧として読み出され得る。
【００１３】
センサチップ１０上に、キャップチップ２０が、真空密な結合領域２１内に取り付けられている。結合領域２１は、例えば、低溶融性鉛ガラスによって形成するとよい。キャップチップ２０の下側面には、センサスペース２３が、空洞部として形成されており、この空洞部内に、ダイアフラム１２がサーモパイル構造部１４及び吸収領域１６と一緒に収容されている。センサスペース２３内には、この際、真空部が形成されており、この真空部は、結合領域２１によってケーシング内側空間７に対して密閉されている。
【００１４】
キャップチップ２０の上側面２４に、外側絞り領域２５ａと内側絞り領域２５ｂを備えた絞り２５が形成されている。図１〜４の実施例では、絞り２５は、キャップチップ２０の上側面２４の絞りコーティングとして形成されており、その際、図２〜４は、絞り２５の種々の択一的な構成を示す。
【００１５】
絞り２５上、従って、カバー５の下側には、赤外線ビームフィルタ２９が取り付けられている。赤外線ビームフィルタ２９は、所定の波長領域の選択的な赤外線ビームを透過し、それ以外の波長領域を吸収する。この際、取付は、例えば、接着層によって行うとよい。これに対して択一的に、ＩＲビームフィルタ２９を基本的に例えばカバー５の下側に取り付けてもよい。
【００１６】
赤外線ビーム源２は、光軸Ａに沿って赤外線ビームＩＲをセンサモジュール３に送出し、その際、ＩＲビーム源２とセンサモジュール３との間の中間空間は、吸収区間２７として使われ、この吸収空間内で、各々のガス濃度、例えば、ＣＯ２濃度に依存して、所定の波長領域の赤外線ビームが吸収される。光軸Ａを中心とした内側立体角領域内で送出される赤外線ビームＩＲ１は、後続して、窓６、ビームフィルタ２９、絞り２５の内側絞り領域２５ｂ及びシリコンからなるキャップチップ２０を通ってセンサスペース２３内に入射し、吸収層１６によって吸収される。外側立体角領域内で送出される外側赤外線ビームＩＲ２は、先ず、カバー５の窓６及びビームフィルタ２９を透過するが、外側絞り領域２５ａを通過せず、従って、キャップチップ２０内に達しない。
【００１７】
図２〜４は、キャップチップ２０の上側面２４のコーティングとしての絞り２５の択一的な構成を示す。図２は、図１の図示に相応するが、その際、外側絞り領域２５ａは、例えば、金属、例えば、アルミニウムからなる反射コーティングとして形成されていて、内側絞り領域２５ｂは、あけられている。従って、ＩＲビームＩＲ１が透過され、外側ＩＲビームＩＲ２が反射される。
【００１８】
図３によると、内側絞り領域２５ｂは、反射防止絞りコーティングとして形成されている。そのような反射防止コーティングは、光学構成素子のコーティングに相応しており、絞り領域２５ｂの上側境界面及び下側境界面で反射される各部分波動の破壊的な干渉を生じる。このために、内側絞りコーティング２５ｂの厚みｄは、ＩＲビームの波長Ａ、及び、キャップチップ２０のシリコンの屈折率ｎ１及び内側絞り領域２５ｂの屈折率ｎ２に依存して選択される。キャップチップ２０の屈折率ｎ１が、内側絞り領域２５ｂの屈折率ｎ２よりも大きい場合、反射防止作用は、例えば、厚みｄ＝（λ／４）／ｎ２で達成することができる。内側絞り領域２５ｂの材料として、例えば、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を選択するとよい。
【００１９】
図４は、図３のように、内側絞り領域２５ｂが反射防止するように形成されており、付加的に、外側絞り領域２５ａが反射するように形成されている実施例を示す。外側絞り領域２５ａは、この際、少なくとも１つの誘電体層を備えた誘電体ミラーとして作用する。外側絞り領域２５ａを１つの層として形成した場合の厚みは、例えば、ｄ＝（λ／２）／ｎ２として、即ち、内側絞り領域２５ｂの厚みの２倍の厚みを有するようにするとよい。
【００２０】
図２でも、外側絞り領域２５ａは、誘電体ミラーとして形成することができ、その結果、図４は、図２及び図３の各実施例の組合せをなす。
【００２１】
図５は、ほぼ、図１の赤外線センサ装置１の構造に相応する赤外線センサ装置３１を示す。ＩＲセンサ３０では、絞りコーティング２５の代わりに、キャップチップ２０の上側面２４上に、絞り３２が構造化によって形成されている。絞り３２は、更に、外側絞り領域３２ａ及び内側絞り領域３２ｂを有していて、後述の、図６〜１０の実施例に相応して、種々異なって構成することができる。
【００２２】
図６の実施例によると、キャップチップ２０の上側面２４上の外側絞り領域３２ａ内に、Ｖ字形の横断面の、複数の比較的小さな溝３４が形成されている。図７及び８は、比較的僅かな個数のＶ字形溝３４を備えた相応の実施例を示し、その際、例えば、内側絞り領域３２ｂの各側面に各々３つのＶ字形溝３４を形成するとよい。この際、各溝３４は、各々直線状であり、図７の平面図によると、有利に、当該溝の各端で相互に重なり合わずに各々別の溝に移行している。これらの各溝は、上側面２４上にマスク層をコーティングすることによって、後続のエッチング、例えば、ＫＯＨエッチングを用いて直接形成するとよい。この際、マスク層は、溝３４をあける。ＫＯＨエッチングでは、エッチング溝は、結晶面、例えば、（１１１）結晶面に沿ったキャップウエーハの通常の（１００）配向で形成され、その結果、自動的に、図６及び図８に図示されたＶ字形の形状に形成され、従って、エッチング過程は、キャップチップ２０の下側面の空洞部２３のエッチングの過程に相応している。
【００２３】
従って、図６〜９の実施例では、内側絞り領域３２ｂに入射したＩＲビームＩＲ１は作用を及ぼさず、キャップチップ２０を通って吸収層１６に達する。外側絞り領域３２ａに入射したＩＲビームＩＲ２は、溝３４の斜めに下降する各側面４０で複数回反射される。この際、ＫＯＨエッチングによって形成された側面４０では、ＩＲビームＩＲ２は、ほぼ完全に反射され、この際、例えば、相互に対向している２つの側面４０で、複数回反射することによって、ＩＲビームは、キャップチップ２０の上側面２４から上の方に反射される。
【００２４】
キャップチップ２０の上側面２４上の各個別溝３４間に、斜め側面４０で反射されないＩＲビームＩＲ２が入射することができるので、図９の実施例では、補完的に、キャップチップ２０の下側面２２にも、Ｖ字形の溝３６が形成されており、この溝３６は、キャップチップ２０の上側面２４の溝３４に相応しているが、これらの溝３６は、１／２のラスタの程度だけ相互にずらされて、即ち、各溝３４間に１／２の間隔だけずらされて設けられている。従って、図９の破線から分かるように、上側溝３４のＶ字形の各端３９は、各々精確に、下側溝３６の各端３９間に位置し、且つ、下側溝３６の各端３９は、各々精確に、上側溝３４のＶ字形の各端３９間に位置する。従って、上側の各Ｖ字形溝３２間に入射されたＩＲビームは、下側のＶ字形溝３６の各側面４０で反射される。
【００２５】
図９の実施例では、図８の実施例とは異なって、センサスペース２３は、横方向に小さく形成されており、従って、キャップチップ２０の下側面２２の平坦な領域は、外側絞り領域３２ａの下側に至る迄延びていて、下側溝３６を上側溝３４の下側に形成することができるようになる。
【００２６】
図１０の実施例は、キャップチップ２０の上側面２４の形成の別の手段を示す。この際、外側絞り領域３２ａは、ビームを反射せず、吸収するように構成されている。このために、外側絞り領域３２a内で上側面２４は、例えば、適切なエッチングによって粗面化するとよい。粗面化された外側絞り領域３２ａは、例えば、ＩＲビームの波長λと同じオーダーの構造を有しており、例えば、プラズマエッチングによって製造された、所謂「ブラックシリコン(Black Silicon)」を有することができる。内側絞り領域は、更に透過される。
【００２７】
IRセンサ９乃至３０は、完全にウエーハ面上に製造される。この際、公知のように、センサウエーハは、空洞部１３、ダイアフラム１２、サーモパイル構造１４及び吸収層１６の形成によって構造化される。更に、キャップウエーハが製造され、その際、公知のように、センサスペース２３は、空洞部として、例えば、ＫＯＨエッチングによって形成される。図１〜４の実施例では、後続して、絞り２５は、上側面２４上に、反射特性又は反射防止特性を持った金属層乃至光学的に透過性の、所定厚の誘電体層、例えば、ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４としてコーティングすることによって堆積される。このコーティングは、ウエーハ面上で行われるので、キャップチップ２０毎の付加的なコストは僅かである。図５〜１０の実施例では、コーティングの代わりに、キャップチップ２０の上側面２４の構造化が、例えば、ＫＯＨエッチングによって実行される。図６〜９のＶ字形溝の形成時に、相応のマスク技術が使われ、図９の実施例では、空洞部２３に対して付加的に、Ｖ字形の溝３６が、キャップウエーハの下側面２２に形成される。図１０では、例えば、プラズマエッチングを用いて、上側面２４の粗面化が行われる。
【００２８】
全ての実施例で、後続して、センサウエーハ及びキャップウエーハを相互に上下に重畳して載置して、真空密な結合領域２１で固定してもよい。そのようにして形成されたウエーハ積層は、後続して引き離され、そうすることによって、個別ＩＲセンサ９乃至３０が製造される。ＩＲビームフィルタ２９は、切り離しの前又は後に取り付けることができる。
【００２９】
そのように製造されたＩＲセンサ９，３０は、相応して、カバー５を備えたケーシング４の中に収容することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】赤外線ビーム源と、キャップチップ上に絞りコーティングされた赤外線センサを備えた赤外線センサ装置の断面図
【図２】外側の反射絞り領域を備えた実施例による図１の赤外線センサを示す図
【図３】反射防止中間絞り領域を備えた、図２の実施例に対して択一的な実施例による赤外線センサを示す図
【図４】反射絞り領域及び反射防止絞り領域を備えた、図２の実施例に対して択一的な別の実施例による赤外線センサを示す図
【図５】赤外線ビーム源と、キャップチップ上に構造化された絞り領域を備えた赤外線センサを有する、図１の実施例に対して択一的な実施例による赤外線センサ装置の断面図
【図６】外側絞り領域の反射構造化部を備えた図５のキャップチップの部分拡大断面図
【図７】反射外側絞り領域を備えた別の実施例の図５の赤外線センサの平面図、
【図８】図７の赤外線センサの断面図、
【図９】キャップチップの上側面及び下側面の反射構造化部を備えた図７，８の実施例に対して択一的な実施例の赤外線センサの断面図、
【図１０】構造化によって形成された吸収外側絞り領域を備えた図５の装置のキャップチップの部分拡大断面図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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2008505331.tif 000014
2008505331.tif 000015
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