(57)【要約】  非ピクセル化セグメント化ディスプレイが開示される。前記ディスプレイが、第１のパターンを有する第１の電極（２）と、第２のパターンを有する絶縁体層（３）と、エレクトロルミネセント層（４）と、第２の非パターン化電極（５）とを含む。
2008520007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のパターンを有する第１の電極と、
第２のパターンを有する絶縁体層と、
エレクトロルミネセント層と、
第２の非パターン化電極とを含むことを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項２】
前記第１のパターンの少なくとも一部が、前記第２のパターンの相応する部分のネガであることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項３】
前記第２のパターンが多数の不連続な領域を有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項４】
前記第２のパターンが、２０ミクロン以下の幅を有する少なくとも１つのセグメントを有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項５】
１８ｍｍ×１８ｍｍ以下の表示領域を有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項６】
セグメント化されることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項７】
基材とカバーとをさらに含み、前記カバーがゲッタリング材料をその上に有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項８】
５ミクロン以下のディスプレイ厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項９】
２ｍｍ以下の拡大ディスプレイ厚さを有することを特徴とする請求項７に記載のディスプレイ。
【請求項１０】
表示領域と非表示領域とを有する非ピクセル化ディスプレイの製造方法であって、
第１の電極層を表示領域にパターン化して第１の電極パターンを形成する工程と、
絶縁層を付着する工程と、
前記絶縁層をパターン化して絶縁層パターンを形成する工程と、
有機エレクトロルミネセント材料を付着する工程と、
第２の電極を全体にわたり付着する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
表示領域と非表示領域とを有する非ピクセル化ディスプレイの製造方法であって、
第１の電極を少なくとも表示領域において基材上に付着する工程と、
絶縁層を付着する工程と、
前記絶縁層をパターン化して絶縁層パターンを形成する工程と、
有機エレクトロルミネセント材料を付着する工程と、
第２の電極を付着する工程と、
前記第２の電極をパターン化して第２の電極パターンを形成する工程とを含み、前記第２の電極を付着する工程と前記第２の電極をパターン化する工程とが同時に行われてもよいことを特徴とする方法。
【請求項１２】
導電性金属を少なくとも前記非表示領域に付着する工程と、
前記導電性金属をパターン化して導電性金属パターンを形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
緩衝層を前記有機エレクトロルミネセント材料と前記第１の電極との間に付着する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記絶縁材料がフォトレジストであり、前記フォトレジストのパターン化が画像様露光と現像とによって行われることを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記フォトレジストの前記現像後に焼成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ゲッタリング材料をその上に有するカバーを適用する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ディスプレイの活性領域が１８ｍｍ×１８ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ディスプレイが５ミクロン以下のディスプレイ厚さを有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記ディスプレイが２ｍｍ以下の拡大ディスプレイ厚さを有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項２０】
１８ｍｍ×１８ｍｍ以下の表示領域を有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項２１】
５ミクロン以下のディスプレイ厚さを有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項２２】
２ｍｍ以下の拡大ディスプレイ厚さを有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項２３】
セグメント化されることを特徴とする請求項２０、２１、または２２に記載のディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概してエレクトロルミネセントディスプレイに関する。特に、それはピクセル化されない少なくとも１つの画像を有するかかるディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電子デバイスは、多くの異なった種類の電子機器内に存在している。かかるデバイスにおいて、活性層が、２つの電気的接触層の間に挟まれる。光が電気的接触層を通過することができるように、電気的接触層の少なくとも１つが光透過性である。電子デバイスの１つのタイプは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、その高い電力変換効率および低い処理費のためにディスプレイの適用のために有望である。ＯＬＥＤは典型的に、アノードとカソードとの間に配置されたエレクトロルミネセント（ＥＬ）層を備える。
【０００３】
多くのＯＬＥＤ適用において、ディスプレイは、情報量の変更を可能にするためにピクセル化される。ピクセル化ディスプレイは、個々にオンまたはオフにして異なった画像を形成することができる小さなピクチャ要素（「ピクセル」）の均一な配列からなる。受動マトリクスディスプレイにおいて、単一ピクセルの領域は、単一縦列および横列電極の交点によって画定される。各ピクセルは、適切な電圧バイアスを縦列および横列電極に印加することによってアドレス指定される。能動マトリクスディスプレイにおいて、単一ピクセル回路を用いて各ピクセルをアドレス指定する。
【０００４】
これらのピクセル化ディスプレイは複雑な精密処理技術を必要とすることがあり、費用がかさむことがある。いくつかのディスプレイについては、単純な静止画像だけが必要とされ、複雑なピクセル化は不必要である。例えば、電子デバイスの制御パネルはしばしば、点灯して異なった従属機能を示すアイコンを有する。画像は同じままであり、オンまたはオフのどちらかである。これらのディスプレイは、ピクセル化を必要としない。しかしながら、電子デバイスが小さくなるにつれて、相応するディスプレイも小さくなる。ディスプレイは、ピクセル化されないが、高い解像度を必要とする。小さな、非ピクセル化セグメント化ディスプレイおよびそれらを製造するための方法が必要とされ続けている。
【０００５】
【特許文献１】国際公開第０２／０２７１４号パンフレット
【特許文献２】米国特許公開出願第２００１／００１９７８２号明細書
【特許文献３】欧州特許第１１９１６１２号明細書
【特許文献４】国際公開第０２／１５６４５号パンフレット
【特許文献５】欧州特許第１１９１６１４号明細書
【特許文献６】米国特許第６，３０３，２３８号明細書
【特許文献７】国際公開第００／７０６５５号パンフレット
【特許文献８】国際公開第０１／４１５１２号パンフレット
【非特許文献１】ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  ８１ｓｔ  Ｅｄｉｔｉｏｎ（２０００年）
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、
第１のパターンを有する第１の電極と、
第２のパターンを有する絶縁体層と、
エレクトロルミネセント層と、
第２の非パターン化電極と、を含む非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイに関する。
【０００７】
別の実施態様において、本発明は、
第１の電極層を表示領域にパターン化して第１の電極パターンを形成する工程と、
絶縁層を付着する工程と、
前記絶縁層をパターン化して絶縁層パターンを形成する工程と、
有機エレクトロルミネセント材料を付着する工程と、
第２の電極を全体にわたり付着する工程とを含む、表示領域と非表示領域とを有する非ピクセル化ディスプレイの製造方法に関する。
【０００８】
別の実施態様において、本発明は、
第１の電極を少なくとも表示領域において基材上に付着する工程と、
絶縁層を付着する工程と、
前記絶縁層をパターン化して絶縁層パターンを形成する工程と、
有機エレクトロルミネセント材料を付着する工程と、
第２の電極を付着する工程と、
前記第２の電極をパターン化して第２の電極パターンを形成する工程とを含み、前記第２の電極を付着する工程と前記第２の電極をパターン化する工程とが同時に行われてもよい、表示領域と非表示領域とを有する非ピクセル化ディスプレイの製造方法に関する。
【０００９】
本明細書中で用いられるとき、用語「表示領域」は、電子デバイス中で見られるディスプレイの領域を指す。
【００１０】
本明細書中で用いられるとき、用語「非表示領域」は電子デバイス中で見られないディスプレイの領域を指す。非表示領域は概して表示領域と同じ基材上にあり、電気リード、ボンドパッド、回路部品などが挙げられる。
【００１１】
本明細書中で用いられるとき、用語「非ピクセル化」は、ディスプレイに言及するとき、ディスプレイが、個々にアドレス指定されて異なった画像を形成することができる単一ピクチャ要素の規則的な配列から成らないことを意味するよう意図される。
【００１２】
本明細書中で用いられるとき、用語「セグメント化」は、ディスプレイに言及するとき、ディスプレイが２つ以上の静止画像を有することを意味するよう意図される。
【００１３】
本明細書中で用いられるとき、用語「静止画像」は、固定され、かつオンまたはオフのどちらかでありうる画像を意味するよう意図される。
【００１４】
本明細書中で用いられるとき、用語「ディスプレイ厚さ」は電極層とそれらの間の層との厚さの合計を指す。
【００１５】
本明細書中で用いられるとき、用語「拡大ディスプレイ厚さ」は、基材とカバー層とそれらの間の全ての層との厚さの合計を指す。
【００１６】
本明細書中で用いられるとき、用語「厚さ」は、それが層に言及するとき、ディスプレイに平行な平面においてその長さまたは幅と対照した場合の層にわたっての寸法の大きさを意味するよう意図される。
【００１７】
本明細書中で用いられるとき、用語「幅」は、それが層中のパターンに言及するとき、ディスプレイに平行な平面においてパターンの最小寸法を意味するよう意図される。
【００１８】
本明細書中で用いられるとき、用語「画像」および「画像要素」は、ディスプレイ中で照明されうる単一ピクチャを指す。例えば、画像要素は、制御パネル上のアイコンまたは機能を示す記号であってもよい。
【００１９】
本明細書中で用いられるとき、用語「フォトリソグラフィ技術」は材料をパターン化するための方法を指す。すなわち、材料を感光性層で覆い、感光性層を活性化放射線に画像様露光し、画像様露光された層を現像して露光または非露光領域のどちらかを除去し、材料および残りの感光性層を湿潤または乾燥エッチング剤で処理して残りの感光性層によって覆われていない材料の領域を除去する。
【００２０】
元素の周期表の縦列に相当する族番号は、（非特許文献１）に見られるように「新表記法」規約を使用する。
【００２１】
本明細書中で用いられるとき、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含める（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含める（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」またはそれらの他の何れかの変型は、非限定的な包含を扱うものとする。例えば、一連の要素を含む方法（ｐｒｏｃｅｓｓ、ｍｅｔｈｏｄ）、物品、または装置はそれらの要素だけに必ずしも制限されず、特に記載されていないかまたはかかる方法（ｐｒｏｃｅｓｓ、ｍｅｔｈｏｄ）、物品、または装置に固有の他の要素を含めてもよい。さらに、特に異なって記載しない限り、「または（ｏｒ）」は包括的な「または」を指し、限定的な「または」を指さない。例えば、条件ＡまたはＢは、以下の何れか１つによって満足させられる。Ａが真であり（または存在する）かつＢが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在しない）かつＢが真である（または存在する）、ＡおよびＢの両方が真である（か、または存在する）。
【００２２】
また、「ａ」または「ａｎ」の使用は、本発明の要素および成分を記載するために使用される。これは、単に便宜上のために、および本発明の一般的な意味を提供するために使用される。この説明は、１つまたは少なくとも１つを含めるように読まれるべきであり、また、他の意味であることが明白でない限り、単数は複数を含める。
【００２３】
特に記載しない限り、本明細書中で用いられるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解される同じ意味を有する。本明細書に記載された方法および材料と同様なまたは同等の方法および材料を本発明の実施または試験において用いることができるが、適した方法および材料は以下に記載される。本明細書に記載されたすべての出版物、特許出願、特許、および他の文献は、それらの全体において参照によって援用するものとする。対立する場合、定義を含めて本明細書が統括する。さらに、材料、方法、および実施例は例示にすぎず、限定的であることを意図しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明のエレクトロルミネセントディスプレイは非ピクセル化され、照明されうる１つまたは複数の静止画像を有する。ディスプレイは概して２つの電極層を含み、その一方が光透過性であり、パターン化された絶縁材料の層とエレクトロルミネセント材料の層とがそれらの間にある。電極層の一方がパターン化され、他方の電極が少なくとも表示領域において非パターン化される。また、ディスプレイは、基材と、付加的な機能性層と、カバーおよび／またはシーリング層とを備えてもよい。
【００２５】
本発明のディスプレイにおいて、アノードまたはカソードのどちらかをパターン化することができ、アノードおよびカソードのどちらか１つまたは両方が光透過性であってもよく、ディスプレイは、アノードまたはカソードのどちらかが基材により近いように構成されてもよい。
【００２６】
パターン化電極は、ディスプレイの画像要素を電気的に分離するパターンを有する。このように、パターンは、単純なグリッドであってもよく、そこで各画像要素は、グリッド単位の１つの中に含有される。パターンは端末線およびリード線を含有してもよい。このように、電極パターンは、ディスプレイの非表示領域中に延在してもよい。また、パターンは画像要素の１つまたは複数を含有してもよい。１つの実施態様において、アノードをパターン化して全ての画像要素およびそれに対するリード線を形成する。１つの実施態様において、カソードをパターン化して、画像要素の各々に相応するコンタクトパッドを形成する。
【００２７】
アノードは、カソード層に比べて正孔を注入するために、より効率的である電極である。アノードは、金属、混合金属、合金、金属酸化物または混合金属酸化物を含有する材料を含有することができる。適した材料には、１１族元素、４、５、および６族の金属、および８〜１０族の遷移金属がある。アノード層が光透過性である場合、インジウムスズ酸化物などの１２、１３および１４金属の混合金属酸化物を用いてもよい。アノード層のための材料のいくつかの非限定的な特定の例には、インジウムスズ酸化物（「ＩＴＯ」）、アルミニウムスズ酸化物、金、銀、銅、ニッケル、およびセレニウムなどがある。また、アノードが、ポリアニリンなどの有機材料を含んでもよい。
【００２８】
カソードが、電子または反対の電荷担体を注入するために特に効率的である電極である。カソード層が、第１の電気的接触層（この場合、アノード層）よりも低い仕事関数を有するどんな金属または非金属であってもよい。第２の電気的接触層のための材料が、１族のアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、２族の（アルカリ土類）金属、１２族の金属、希土類、ランタニド（例えば、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、等）、およびアクチニドから選択され得る。また、アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、イットリウム、およびマグネシウム、およびそれらの組み合わせなどの材料を用いてもよい。カソード層のための材料の特定の非限定的な例には、バリウム、リチウム、セリウム、セシウム、ユウロピウム、ルビジウム、イットリウム、マグネシウム、およびサマリウムなどがある。
【００２９】
電極の各々が、化学蒸着または物理蒸着法または液体付着法によって形成されてもよい。化学蒸着が、プラズマ強化化学蒸着（「ＰＥＣＶＤ」）または金属有機化学蒸着（「ＭＯＣＶＤ」）として行われてもよい。物理蒸着には、イオンビームスパッタリング、電子ビーム蒸発および抵抗蒸発など、スパッタリングの全ての形を含めることができる。物理蒸着の特定の形には、ｒｆマグネトロンスパッタリングまたは誘導結合プラズマ物理蒸着（「ＩＭＰ−ＰＶＤ」）などがある。これらの付着技術は、半導体製造技術には周知である。
【００３０】
パターン化電極は、所望のパターンで適用されてもよい。例えば、基材または基底層の上に配置されるパターン化マスクを通して電極材料を蒸着することができる。あるいは、電極材料を全層（ブランケット付着とも呼ばれる）として適用し、引き続いて、例えば、パターン化レジスト層および湿式化学または乾燥エッチング技術を用いてパターン化することができる。本技術分野に周知である他のパターン化方法もまた、用いることができる。
【００３１】
パターン化された絶縁層は、いずれの電気絶縁材料から製造されてもよい。１つの実施態様において、絶縁材料はフォトレジストである。これらの材料は、電子機器技術において、特にプリント回路板の製造において公知である。フォトレジストは、フィルムまたは液体の形状であってもよい。フィルムは、加圧、積層または他の同等の技術によって電極層に適用されてもよい。液体は、連続付着技術、例えばスピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、およびスロットダイコーティングの他、不連続付着技術、例えばインクジェット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、および熱転写方法などがあるがそれらに限定されないいずれの公知の液体付着技術によって電極層に適用されてもよい。
【００３２】
パターンは、フォトレジストを化学線、例えば、紫外線露光にマスクまたは写真ネガを通して画像様露光することによって形成される。露光は、レジストの露光領域と非露光領域との間に溶解性、膨潤性または分散性の差をもたらす。フォトレジストを液体現像剤で現像してより可溶性、膨潤性、または分散性である領域を除去する。ネガ型として機能するフォトレジストについては、非露光領域が現像剤で除去される。ポジ型として機能するフォトレジストについては、露光領域が現像剤で除去される。露光時間および現像条件はレジストの化学組成によって変化するが、公知である。通常、レジストが永久性であるとき、それは現像後に焼成される。
【００３３】
また、他の通常の絶縁材料を絶縁層のために用いることができる。これらには、ポリイミドおよびフルオロポリマーなどのポリマー、酸化ケイ素などの金属酸化物、窒化ケイ素などの金属窒化物、およびそれらの組合せなどがあるがそれらに限定されない。このような材料は、フォトレジストについて上に記載されたように感光性組成物中で用いられ、パターン化されてもよい。あるいは、材料は、液体付着、化学蒸着、または蒸着によって全体的な層として適用され、次いで、通常のフォトリソグラフィ技術を用いてパターン化されてもよい。
【００３４】
螢光染料、螢光および燐光金属錯体、共役ポリマー、およびそれらの混合物などがあるがそれらに限定されない、どのような有機エレクトロルミネセント（「ＥＬ」）材料を本発明のディスプレイにおいて用いてもよい。螢光染料の例には、ピレン、ペリレン、ルブレン、それらの誘導体、およびそれらの混合物などがあるがそれらに限定されない。金属錯体の例には、金属キレート化オキシノイド化合物、例えばトリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）、シクロ金属化イリジウムおよび白金エレクトロルミネセント化合物、例えばペトロフ（Ｐｅｔｒｏｖ）らの公開ＰＣＴ出願（特許文献１）に開示されたような、イリジウムとフェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジン配位子との錯体、および例えば、米国特許公報（特許文献２）、（特許文献３）、（特許文献４）、および（特許文献５）に記載された有機金属錯体、およびそれらの混合物などがあるがそれらに限定されない。電荷輸送母体材料と金属錯体とを含むエレクトロルミネセント発光層が、トンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）らの米国特許公報（特許文献６）、およびバロウ（Ｂｕｒｒｏｗｓ）およびトンプソンの公開ＰＣＴ出願（特許文献７）および（特許文献８）によって記載されている。共役ポリマーの例には、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（スピロビフルオレン）、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレン）、それらのコポリマー、およびそれらの混合物などがあるがそれらに限定されない。
【００３５】
ＥＬ層は、上に記載された全ての液体付着技術を含めて、いずれの通常の手段を用いて形成されてもよい。また、層は、熱パターン化、または化学蒸着または物理蒸着によって適用されてもよい。
【００３６】
デバイスは、アノード層またはカソード層に隣接しうる支持体または基材を備えてもよい。しばしば、支持体はアノード層に隣接している。支持体が、画像が見られるディスプレイの面上にある場合、支持体は光透過性である。支持体は、可撓性または硬質、有機または無機系であってもよい。概して、ガラスまたは可撓性有機フィルムが支持体として使用される。支持体は、有機フィルムであるとき、環境保護を提供するための１つまたは複数の付加的な層、例えば金属、セラミックス、またはガラスの薄い層を備えてもよい。
【００３７】
デバイスは、正孔注入および／または輸送を促進する、ＥＬ層とアノードとの間の層を備えてもよい。正孔注入／輸送を促進することができる材料の例は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）およびビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、正孔輸送ポリマー、例えばポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、（フェニルメチル）ポリシラン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、およびポリアニリン（ＰＡＮＩ）等、電子および正孔輸送材料、例えば４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＢＣＰ）、または良好な正孔輸送性質を有する発光材料、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）等のキレート化オキシノイド化合物を含む。
【００３８】
デバイスは、電子注入および／または輸送を促進する、ＥＬ層とカソードとの間の層を備えてもよい。電子注入／輸送を促進することができる材料の例は、金属−キレート化オキシノイド化合物（例えば、Ａｌｑ3等）、フェナンスロリン系化合物（例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナンスロリン（「ＤＤＰＡ」）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナンスロリン（「ＤＰＡ」）等）、アゾール化合物（例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（「ＰＢＤ」等）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（「ＴＡＺ」等）、他の同様な化合物、またはいずれか１つまたは複数のそれらの組み合わせを含む。あるいは、この層は、無機系であってもよく、ＢａＯ、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ等を含む。
【００３９】
正孔注入／輸送層および電子注入／輸送層は、上に記載された全ての液体付着技術を含めて、いずれの通常の手段を用いて形成されてもよい。また、層は、熱パターン化、または化学蒸着または物理蒸着によって適用されてもよい。
【００４０】
デバイスは、物理的および環境保護を提供するためのカバーを有してもよい。カバーは、ガラス、セラミック、または金属などのいずれかの比較的不浸透性の材料から製造されてもよい。あるいは、カバーは、パリレンまたはフルオロポリマーなどのポリマー、または金属、ガラスまたはセラミックとのポリマー複合体から製造されてもよい。カバーは、硬化性エポキシなど、通常の技術を用いて支持体にシールされてもよい。１つの実施態様において、カバーは、水および／または酸素を吸収または吸着するゲッター材料がそれに付着されている。１つの実施態様において、ゲッターは分子篩である。さらに別の実施態様において、有機結合剤中のゲッターをガラスカバーに適用し、加熱して高密度化および活性化する。加熱工程は、カバーをディスプレイに付着する前に行われる。
【００４１】
他の実施態様において、付加的な層が有機電子デバイス内に存在していてもよい。例えば、正孔注入／輸送層とＥＬ層との間の層が、正の電荷輸送、層のバンドギャップ整合、保護層としての機能等を容易にする場合がある。同様に、ＥＬ層と電子注入／輸送層との間の付加的な層が、負の電荷輸送、層間のバンドギャップ整合、保護層としての機能等を容易にする場合がある。本技術分野において公知である層を用いることができる。さらに、上記の層のいずれも、２つ以上の層から形成することができる。成分層の各々のための材料の選択は、高いデバイス効率を有するデバイスを提供する目標と製造コスト、製造の複雑さ、または場合によっては他の因子とのバランスをとることによって決定されてもよい。
【００４２】
本発明のディスプレイの１つの実施態様は、図１に示される。パターン化されたアノード２はガラス基材１上にある。アノードの上にパターン化された絶縁体層３がある。有機ＥＬ層４は、絶縁体の上にある。カソード層５は全体にわたる層である。
【００４３】
本発明の１つの実施態様において、非ピクセル化ディスプレイの製造方法の第１の工程は、第１の電極をパターン化する工程を含む。１つの実施態様において第１の電極は基材上にある。１つの実施態様において第１の電極は、光透過性支持体上の光透過性アノードである。１つの実施態様において、第１の電極は、ガラス支持体上にインジウムスズ酸化物（「ＩＴＯ」）を含む。ＩＴＯのコーティングされたガラス基材は市販されている。ＩＴＯは、第１の電極パターンを形成するためにフォトリソグラフィによってパターン化される。第１の電極パターンはディスプレイの表示領域にあり、また、非表示領域にあってもよい。１つの実施態様において、第１の電極パターンは、電気リードに接続される非表示領域の電極端子を備える。１つの実施態様において表示領域の第１の電極パターンは、リード線を有する画像要素を含む。リード線は、非表示領域の端子につながる。
【００４４】
あるいは、第１の電極はカソードであってもよい。カソードは、アノードについて上に記載されたようにパターン化されてもよい。
【００４５】
場合により、導電性金属は、トレース線および／または第２の電極のためのコンタクトパッドを形成するように付着されてもよい。導電性金属は少なくとも非表示領域に付着され、フォトリソグラフィによってパターン化される。導電性金属は概して、クロム、アルミニウム等の高い導電率を有する導電性金属である。
【００４６】
前記方法の次の工程は、絶縁層を付着およびパターン化する工程である。絶縁層パターンは、画像領域に照明があるように画像領域に開放領域を有する。また、絶縁層パターンは、第２の電極のための一切のコンタクトパッドのために開放領域を有する。
【００４７】
前記方法の次の工程は、デバイスの有機層を付着する工程である。典型的に、ポリマー発光材料に関して、デバイスは、アノードに隣接した正孔輸送材料の層、次いで発光材料の層を有する。小分子発光材料に関して、デバイスはまた、カソードに隣接した電子輸送層を有する。しかしながら、他の層が上に記載されたように存在してもよい。付着方法もまた、上に記載されている。有機層は、表示領域においてパターン化されない。
【００４８】
有機材料の付着後、第２の電極のためのコンタクトパッド上に有機材料があってもよい。有機材料はコンタクトパッドから除去される。これをいずれかの湿潤または乾燥エッチ技術を用いて、ディスプレイの他の領域を保護するためにマスクを用いて行うことができる。
【００４９】
前記方法の次の工程は、第２の電極を付着する工程である。第２の電極は、全ディスプレイの上に付着される。
【００５０】
ディスプレイを物理的および／または環境による損傷から保護するために、ディスプレイを酸素および湿分に対して比較的不浸透性である材料で覆うことができる。金属および／またはポリマー材料のカバーを典型的に化学蒸着または物理蒸着によって第２の電極の後にディスプレイ上に直接に付着してもよい。あるいは、カバーは、ディスプレイ領域の上のガラス基材に合う、金属、ガラス、またはセラミックの予備成形された蓋構造体であってもよい。蓋は、ディスプレイ領域の外側のガラスにシールされる。エポキシなどのどのような公知のシーラントも用いることができる。
【００５１】
別の実施態様において、非ピクセル化ディスプレイの製造方法の第１の工程は、表示領域において全くパターン化せずに第１の電極を基材上に付着する工程を含む。第１の電極を非表示領域においてパターン化して端子および／またはリード線を形成してもよいが、表示領域において第１の電極は連続した層である。
【００５２】
次いで、任意選択の導電性金属層、絶縁層、および有機層を上に記載されたように付着し、パターン化する。
【００５３】
前記方法の次の工程は、第２の電極を付着し、その後に第２の電極をパターン化する工程である。第２の電極をフォトリソグラフィによってパターン化して第２の電極パターンを形成する。第２の電極パターンは、ディスプレイの表示領域にあり、また、非表示領域にあってもよい。１つの実施態様において、第２の電極パターンは、電気リードに接続される非表示領域の電極端子を備える。１つの実施態様において表示領域の第２の電極パターンは、リード線を有する画像要素を含む。リード線は、非表示領域の端子につながる。
【００５４】
次に、環境カバーを上に記載されたように適用してもよい。
【００５５】
単一層として記載されるが、上に記載された層の各々は、同じまたは異なった組成を有する多数の層から製造されてもよい。
【実施例】
【００５６】
（実施例１）
この実施例は、非ピクセル化セグメント化エレクトロルミネセントディスプレイの形成を説明する。
【００５７】
約１５００Åのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）でコーティングされた厚さ０．７ｍｍのガラス基材を用いて、第１の電極パターンを形成した。全サイズは１１．０３ｍｍ×１１．２３ｍｍであり、その約５．５ｍｍ×３．１ｍｍは表示領域であることが意図された。ネガ型として機能するフォトレジストでＩＴＯ層をスピンコーティングし、画像様露光し、現像してＩＴＯ上にパターンを形成した。次にこれをエッチング剤で処理してフォトレジストによって覆われていない領域のＩＴＯを除去した。次に残りのフォトレジストを剥離した。これにより、図２に示されたパターン化された第１の電極が得られた。ディスプレイの表示領域は１０として示され、非表示領域は２０として示される。画像領域３０は、ＩＴＯの単離セグメントである。ＩＴＯパターンは、一方の端縁に端子４０を有し、電源と接続されることが意図された。
【００５８】
次に、Ｃｒ、Ａｌ、およびＣｒの導電性層を約３０００Åの全厚さにスパッタ付着した。ネガ型として機能するフォトレジストを適用し、画像様露光し、現像して導電性金属上にパターンを形成した。次にこれをエッチング剤で処理して、フォトレジストによって覆われていない領域の導電性金属を除去し、次いで残りのフォトレジストを剥離した。これにより、図３に示されるように非表示領域の金属トレース５０およびカソードコンタクトパッド６０が得られた。
【００５９】
ネガ型として機能するフォトレジストを約１．５ミクロンの厚さに適用した。フォトレジストを画像様露光し、現像して、図４に示されるように画像領域のＩＴＯパターンのネガでありかつ非表示領域のＩＴＯ端子を完全に覆った絶縁材料３のパターンを形成した。また、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒトレース５０は絶縁材料で覆われ、他方、カソードコンタクトパッド６０は覆われなかった。次に、残りのフォトレジストを３０分間、１７０℃において焼成した。
【００６０】
次に、有機層をスピンコーティングによって適用した。ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ＰＳＳＡ（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳＡ）の緩衝層が、約１７００Åの厚さに、ｎ−プロピルアルコールおよび１−メトキシ−２−プロパノールが添加されたベイトロン（Ｂａｙｔｒｏｎ）Ｐ（ドイツのＨ・Ｃ・スタルク社（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ  ＧｍｂＨ，Ｇｅｒｍａｎｙ））の水溶液をスピンコーティングすることによって適用された。これを３分間、１００℃の空気中で乾燥させた。次に、緩衝層は、ポリ（置換フェニレンビニレン）であるエレクトロルミネセント材料、ス−パー・イエロー（Ｓｕｐｅｒ−ｙｅｌｌｏｗ）ＰＤＹ１３１（ドイツ、フランクフルトのコビオン・カンパニー（Ｃｏｖｉｏｎ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｆｒａｎｋｆｕｒｔ，Ｇｅｒｍａｎｙ））のトルエン溶液で上塗りされた。エレクトロルミネセント（ＥＬ）層の厚さは約７００Åであった。全てのフィルムの厚さをテンコー（ＴＥＮＣＯＲ）５００表面形状測定装置で測定した。
【００６１】
次に有機材料をレーザー融蝕によってカソードコンタクトパッドから除去した。
【００６２】
カソードのために、ＢａおよびＡｌ層を１ｘ１０-6トールの真空下でＥＬ層の上に蒸着した。Ｂａ層の最終厚さは２０Åであり、Ａｌ層の厚さは３５００Åであった。
【００６３】
ディスプレイ用のカバーを作製するために、１ｍｌの水中の未焼成デシワファー（ＤＥＳＩＷＡＦＥＲ）３００／２０ゼオライト材料の０．７５タブレットのスラリーを水中に分散して２００ｍｌの分散体を製造した。シリンジを用いて手で分散体を０．５ｍｌのアリコートでガラス蓋プレート上のキャビティに適用した。ゼオライト材料を固化するために、７０℃において１時間、真空炉内に置き、水のほとんど全てを除去した。固化した後、次いでゼオライト層を活性化および高密度化するためにガラス蓋プレートを２時間５００℃において加熱し、自着したゲッターを有するガラス蓋を形成した。１０ｐｐｍ未満のＨ2ＯおよびＯ2を有する環境において、次いで自着したゲッター層を有するプレートをディスプレイ層の上に取り付け、紫外線硬化性エポキシでガラス基材に付着した。
【００６４】
３．５の電圧を電極間に印加し、画像領域を照明した。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の非ピクセル化ディスプレイ断面図である。
【図２】パターン化された第１の電極をその上に有する、ディスプレイのための基材の平面図である。
【図３】金属トレースをその上にさらに有する、図２の基材の平面図である。
【図４】パターン化絶縁体層を図２のパターン化された第１の電極の上に有する、ディスプレイのための基材の平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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