(57)【要約】  トレンチ絶縁とキャリア基板コンタクトとを可能にする、厚いアクティブ層を持つＳＯＩウェハの構造の簡単な作製方法を提供する。高耐圧コンポーネントを持つ集積回路のため、ＳＯＩウェハ内に、電気的なキャリア基板コンタクトを、絶縁トレンチと共に作製する。埋込み絶縁性酸化物層（２）より厚いマスキング層により、一方は絶縁トレンチ（８）用で幅が狭く、もう一方はキャリア基板コンタクト（９）用で幅が広い２つのトレンチが、エッチングにより形成され、埋込み絶縁性酸化物層（２）まで達する。幅広のトレンチ（９）内の側壁には、各々一つのスペーサー（１２）が、その前に形成されたポリシリコン層（１１）の残存物として残される。少なくとも埋込み酸化物（２，１０）は、幅広のトレンチ（９）の底面においてエッチングで除去され、酸化物層（１３）が表面に残る。導電性の第２充填層（１４）の堆積により、幅広の絶縁トレンチ（１９）も充填される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩウェハ内において、集積回路のために、キャリア基板の電気的コンタクトを、絶縁トレンチと一緒に作製する方法において、
−マスキング層（７）により、該絶縁トレンチのための第１の幅を持つ第１トレンチ（８）、及び、第１の幅より広い第２の幅を持つ、キャリア基板コンタクトのための第２トレンチ（９）を、第１及び第２トレンチが埋込み層（２）まで達するように作製するステップ、
−少なくとも第１及び第２トレンチ（８，９）の側壁に絶縁層（１０）を形成するステップ、
−第１トレンチを第１の充填材（１１，１８）で充填し、その際、第２トレンチ内では該第１充填材（１１）により側壁及びトレンチ底のみが覆われるステップ、
−第２トレンチ（９）のトレンチ底にある充填材が除去されるまで第１充填材をエッチングして、第２トレンチ（９、９＊）内に充填材から側方スペーサー（１２）を形成するステップ、
−第２トレンチ（９＊）においてキャリア基板（１）までさらなるエッチングを行うステップ、
−第２のトレンチ（９＊＊）を導電性の第２の充填材（１４、１９）で充填するステップ
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも第１及び第２のトレンチの側壁への絶縁層の形成が、絶縁性材料（１０）の堆積により行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも第１及び第２のトレンチ（８、９）の側壁への絶縁層の形成が、酸化による絶縁性層の形成であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記マスキング層（７）が二酸化シリコンからできていて第１の厚さを呈しており、この第１の厚さが、前記埋込み絶縁性層（２）の第２の厚さより厚いことを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記マスキング層が窒化シリコンでできていることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の充填材料（１１）がポリシリコンであることを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１及び第２のトレンチ深さが基本的に５０μｍより大きいことを特徴とする、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
キャリア基板へのエッチングがプラズマケミカル・エッチングにより行われることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記ポリシリコンが少なくとも基本的に導電性でないことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
ポリシリコン製の第２充填物が、導電性の層部分と非導電性の層部分とに結合していることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
高耐圧コンポーネントを備える集積回路のために、ＳＯＩウェハ内で、キャリア基板の電気的コンタクトの作製と、絶縁トレンチの作製とを一緒に行う方法であって、その際、そのプロセスの初めに、埋込み絶縁性酸化物層（２）より厚みが厚い二酸化シリコン製のマスキング層（７）により、一方は絶縁トレンチ（１８）用に幅がより狭く、もう一方はキャリア基板コンタクト（１９）用に幅がより広い、幅の異なる２つのトレンチ（８，９）が、埋込み絶縁性の酸化物層（２）までエッチングされる方法において、
−まずトレンチ絶縁層（１０）が堆積または酸化により形成され、次いでポリシリコン層（１１）の堆積が行われ、幅の狭いトレンチ（８）は該ポリシリコン層（１１）により絶縁的に完全に充填される（１８）が、幅広のトレンチ（９’）は側方のトレンチ側面及び底面が覆われるだけであり、次いで、ポリシリコン・エッチング・ステップにより、該ポリシリコン（１１）が表面及び幅広トレンチ（９’）の側壁から除去されるステップ、
−そのために幅広のトレンチ内では側壁においてそれぞれ一つのポリシリコン・スペーサー（１２）が形成され、該ポリシリコン・エッチングを特定の目的に合わせて調整することにより、該ポリシリコン・スペーサー（１２）に望みの高さを与えるステップ、
−少なくとも該幅広トレンチの底面の埋込み酸化物（２、１０ａ）がエッチングで除去され、その際に該絶縁層または酸化物（１０，７）の一部が表面から除去されるために、表面には残存酸化物層（１３）が残り、次に、導電性の充填層（１４，１９）を堆積させることにより幅広の絶縁トレンチも充填され（１９）、その後に表面が平坦化されるステップ、
を有する方法。
【請求項１２】
前記トレンチ（８，９）の深さが５０μｍ以上であることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記埋込み酸化物（２、１０ａ）が、前記の、より幅広のトレンチ（９）の底において、プラズマケミカル・エッチングにより除去されることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ポリシリコン層（１１）が導電性でないことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記導電性充填層が、特にポリシリコン製の、導電性の層部分及び非導電性の層部分が組み合わされたものであることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
ＳＯＩウェハ上にある、少なくとも一つの（高）耐圧コンポーネントを備える集積回路であって、一方は幅が狭くて絶縁トレンチ（８，１８）を形成し、もう一方は幅が広くてキャリア基板コンタクト（９，１９）を形成している、同じ方法ステップで作製され、厚さが異なる２つの異なる種類のトレンチ（８，９）を備え、この２つのトレンチの壁が、同じ厚さで同じ方法で作製された絶縁層（１０）により覆われている、集積回路において、
−絶縁トレンチ（８）は非導電性のポリシリコンにより完全に充填され（１８）、該同じポリシリコンは、薄くなってそれぞれキャリア基板コンタクト・トレンチ（９）の側壁の中間層（１２）として存在しており、
−この２つのトレンチ内において酸化物層（１０）の深さが、埋込み酸化物層（２）まで達しており、
−幅広トレンチ（９）が、埋込み絶縁性層（２）を貫いてキャリア基板（１）に接触する導電性のポリシリコン層（１４）により充填され、
トレンチ（８，９）内に存在するすべての層が、平坦な表面（２０）で終了していることを特徴とする、集積回路。
【請求項１７】
幅の狭いトレンチと幅広のトレンチの幅の比が、１対１．５から１対３の範囲にあることを特徴とする請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１８】
前記トレンチの深さが５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１９】
前記ポリシリコン層（１１）が少なくとも基本的に導電性ではないことを特徴とする請求項１６に記載の集積回路。
【請求項２０】
前記導電性のポリシリコン層（１４，１９）が、導電性の層部分及び非導電性の層部分が組み合わされたものであることを特徴とする請求項１６に記載の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩ技術に基づいて、厚さ５０μｍ以上の厚いシリコン層のために、高電圧コンポーネントを持つ集積回路のキャリア基板コンタクトの製造及び絶縁トレンチの製造を同時に行う方法及び対応するトレンチ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＯＩウェハには、キャリア基板（ハンドルウェハ）が電気的に絶縁されているという問題がある。このキャリア基板に固定的な電位を与えられるように、電気的コンタクトがあるのが望ましい。これはウェハ背面から行うこともできる。しかし、該コンタクトを前面から実現することが必要または好適なこともある。キャリア基板へのこのようなコンタクトにより、キャリア基板に所与の電位を与えることが可能になる。
【０００３】
このようなコンタクトがなければ、キャリア基板は「フロート」、つまり、キャリア基板の電位が変動してしまい、そのために活性基板の上面において集積回路の電気的機能が悪影響を受ける可能性がある（フローティングボディ効果）。
【０００４】
ＳＯＩウェハの誘電性絶縁の長所を利用するためには、特に、回路の異なる複数の部分が、たとえばアースと６００Ｖなど、部分的に大きく異なる電位を持つ高性能電源（スマートパワー）集積回路においては、該回路の異なる領域を電気的に互いに絶縁する絶縁構造も必要である。その際、特に、たとえば厚型アクティブシリコン層の厚さが最低でも５０μｍのＳＯＩウェハを用いる技術においてよく使われるのが、トレンチ絶縁である。
【０００５】
特許文献１には、キャリア基板コンタクトの作製について記述されており、その形成の際にはトレンチが、活性基板及び埋込み酸化物を貫通してエッチングされる。該キャリア基板の露出面はソース／ドレーン注入の際にドーピングされ、通常の金属化により接触させる。
【０００６】
同様の構造が特許文献２に記載されている。薄型アクティブシリコン及び埋込み酸化物（絶縁層として表示）を貫通してエッチングが行われ、通常のＩＣ金属化により一緒に接触させる。
【０００７】
特許文献３にも類似の記述があり、薄型シリコンと埋込み酸化物を貫通してエッチングが行われ、露出されたキャリアウェハの領域は注入によりドーピングされる。通常のＩＣ金属化により、キャリア基板は通常のシリコン化／金属化により電気的に接続される。
【０００８】
特許文献４にも同様の方法及び構造が記述されており、そこでは、埋込み酸化物の下まで到達するトレンチを「金属」及びタングステンで充填することにより、キャリアウェハ内のコンタクト領域を、アクティブ層（トランジスタの「ボディ」）の一つの部分に導電的に接続する。
【０００９】
これらの解決法の短所は、非常に平坦な絶縁トレンチの場合においてのみＳＴＩとして薄型ＳＯＩ技術に利用できるという点である。深さと幅の比が１０対１またはそれ以上の場合は、この方法ではキャリア基板の接触を行うことができない。先述のこれらの構造と方法においては、トレンチ内での金属化も短所であり、そのために４００℃以上でのさらなる高温プロセスが不可能になる。しかし重要な点は、これらの構造と方法では、トレンチ絶縁と、キャリア基板へのコンタクトとを同時に作製することが不可能なことである。
【００１０】
特許文献５では、先述の文献と原理的に類似した方法が用いられている。ここではコンタクト材料として、金属の代わりにポリシリコンが用いられている。
【００１１】
特許文献６では、以下の方法が記述されている。ＳＯＩウェハに、エッチングにより幅の異なる複数のトレンチが形成される。これらのトレンチは、埋込み酸化物より深く、該酸化物をある程度「貫いて」いる。次に、ポリシリコンまたはアモルファスシリコンの半導体層が形成され、斜めに注入することによりドーピングが行われる。異方性エッチングを行うことにより、ドーピングされたシリコンからいわゆるスペーサーがトレンチ側壁に形成され、このスペーサーはＳＯＩウェハの表面からキャリアウェハまで達する。その後いくつかのトレンチ内では金属化が行われて構造化されるため、トレンチ構造化のほかに少なくともさらに一つのフォトレジストマスクが必要である。二酸化シリコンが堆積されることによりトレンチが充填され、ＣＭＰプロセス（化学機械研磨）によりウェハが平坦化される。
【００１２】
この方法には以下の短所がある。少なくとも２つの構造化ステップが必要である。金属化が実行されるため、金属化に続いて高温プロセスを実行することができない。ドーピングされたスペーサーにより、キャリア基板は継続的に活性基板と導電的に接続されている。したがって、アクティブシリコンウェハから絶縁された、キャリア基板のコンタクトは不可能である。記述された構造においては、アクティブ層のすべての領域がキャリア基板に接続されており、そのため短絡している。
【００１３】
特許文献５には、まず平坦な絶縁トレンチ（ＳＴＩ）のエッチングが行われる構造と方法が記述されている。その結果として、窒化物によりカバーされたシリコン・アイランドが形成される。次に、酸化膜が形成される。シリコン・アイランドから離れた領域では、純粋な酸化エッチングによりトレンチが形成され、このトレンチは、形成された酸化物層及び埋込み酸化物を貫通してＳＯＩウェハに到達する。酸化物を貫通して基板まで達するトレンチは、次いでポリシリコンで充填される。このようにして、絶縁トレンチとキャリア基板へのコンタクトを備える構造が形成される。しかしこの構造の短所として、この構造を形成するには、該絶縁トレンチ及び該コンタクトのために２つの異なる構造化及び２つの異なるエッチングステップを実施する必要があることが挙げられる。このことは、一方ではコストを意味し、他方では、この構造はこの形では、代表的な深さ５０μｍの深い絶縁トレンチには利用できないということを意味している。
【特許文献１】米国特許第５３１４８４１号明細書
【特許文献２】米国特許第５９４５７１２号明細書
【特許文献３】米国特許第６３００６６６号明細書
【特許文献４】米国特許第６７９４７１６号明細書
【特許文献５】米国特許第６５２１９４７号明細書
【特許文献６】米国特許第６６４９９６４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の課題は、トレンチ絶縁と、厚型（５０μｍ以上）アクティブ層を備えるＳＯＩウェハのキャリア基板コンタクトを可能にし、また少ないプロセスステップでよりいっそう簡単に作製可能な構造を作製する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この課題は、請求項１及び請求項１６または請求項１１のいずれかに記載された製造方法及び回路により解決できる。
【００１６】
本発明では、高電圧コンポーネントが組み込まれたＳＯＩウェハの、基本的に５０μｍ以上の厚さのアクティブシリコン層のためのトレンチ絶縁として及びキャリア基板コンタクトとして使用でき、また、同じプロセスステップにより、すなわちわずかなコストで作製できるトレンチ構造を作製するための方法が提供される。
【００１７】
本発明の長所は、高電圧に対して絶縁する絶縁トレンチ、及び、キャリア基板への導電性コンタクトトレンチが、同じプロセスステップにおいて作製されることである。誘電性トレンチ絶縁と、ＳＯＩ構造のキャリア基板への電気的コンタクトとを一緒に作製することにより、プロセスステップを減らし、それにより、回路の信頼性に対して良い影響を与え、また、歩留まりを高め、そのうえコストが節約される。
【００１８】
トレンチから形成された、導電可能な充填層を持つコンタクトの出発点は、幅広のトレンチである。それに隣接した、誘電性充填層で充填された、絶縁性のトレンチの出発点は、より幅の狭いトレンチである。これらのトレンチはまず、エッチングステップによりアクティブ層に形成されるが、その際、マスキング層により、これらトレンチを、ＳＯＩウェハの埋込み絶縁層までのどの深さまで形成すべきかが指定される。これらトレンチの幅は異なる。より幅広のトレンチの幅は、より幅の狭いトレンチの幅の３倍以下である（請求項１７）が、該幅広のトレンチの幅は、より幅の狭いトレンチの幅より少なくとも５０％広い。次に、これら処理前の状態のトレンチをさらに処理または加工する。２つのトレンチに関係する一つの絶縁層が形成され、その層は少なくともこれらトレンチの側壁に配置されるが、また、これら絶縁層と、埋込み酸化物層が重なる底に配置することも可能である。
【００１９】
次いで、より幅の狭いトレンチが充填されるが、幅広トレンチはまだ完全には充填されておらず、その側壁は、第１の充填材料の絶縁性の層によりカバーされているだけである。当然ながら、より幅の狭いトレンチを完全に充填するとその底もカバーされ、より幅広のトレンチにおいてもその底がカバーされる。
【００２０】
高耐圧コンポーネントは明白には示されていないが、本書に記述した仕上げステップの前または後にアクティブ基板に取り付けることができるため、異なる機能を備える２つのトレンチを備えた、加工済みのこの基板は、適切な半導体技術によるこのような高耐圧半導体を取り付けられるという特性を持っている。
【００２１】
より幅の狭いトレンチを完全に充填する、絶縁性の第１層は、望ましくはポリシリコンである。マスキング層も、望ましくは、埋込み酸化物層より大きな（厚い）厚みを備えている。
【００２２】
前記トレンチの中まで到達するエッチングステップにおいて、表面にある層は、その厚さが減少するため、たとえば、該幅の狭いトレンチを充填する第１充填層は、後に幅広のトレンチ内で、該幅広のトレンチを完全には充填せず、厚さは薄くなることが理解できる。その際はこの層の表面も、トレンチの外側において厚さが減少する。より幅広のトレンチの、絶縁性の底面が除去される際には埋込み酸化膜、及び、底部に最初に形成されたトレンチ絶縁層も除去されるが、表面においても絶縁層が減少する。この絶縁層は、先に述べたように、より厚みがあるため、この絶縁層の一部は、幅広トレンチの底にある絶縁層が完全に除去される前にまだ残存している。そのため、絶縁性の前記スペーサーの間に形成され、より幅広のトレンチ内に残存したスペーサーの、導電可能なコンタクト層としての機能を実現する導電可能な充填層のための空間及び経路が形成される。
【００２３】
そうして異なる機能を持つ２つのトレンチが形成され、より幅の狭いトレンチは絶縁性であり、より幅の広いトレンチは導電性である。この２つは隣接しており、請求項に記載され、以下に詳述するプロセスステップにより一緒に形成される。
【００２４】
必要であれば、表面の平坦化も追加することができ、該表面の平坦化は、前記トレンチ内を垂直に走るすべての層が、この平坦な表面で終わるように実施され、その際、より幅広のトレンチでは、より幅が狭いトレンチより、垂直方向に伸び、かつ平行に走る層の数が多い。
【００２５】
本発明の好適な実施形態は、従属請求項及び以下の詳細な説明に記述されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図を参照しながらさらなる実施形態について説明する。
図１における出発点は、埋込み酸化物２によりキャリア基板１がアクティブシリコン層３から電気的に絶縁されているＳＯＩウェハである。絶縁トレンチ６は、該トレンチの側壁にあるたとえば二酸化シリコンの絶縁性層４、及び、たとえばポリシリコンの充填層５で構成することができる。
【００２７】
例の一つにおいてはやはり、キャリア基板１、埋込み絶縁物２、アクティブシリコン層またはシリコンウェハ３から構成されたＳＯＩウェハから出発し、該アクティブシリコン層３の上にマスキング層７が形成されて構造化され、該マスキング層７は一つの実施形態においては二酸化シリコンで構成され、その他の実施形態においてはたとえば窒化シリコンなどその他の適切な材料も利用できる。図２を参照のこと。
【００２８】
図示された実施形態においては、マスキング層７は酸化物層として設けられており、そのためにこの層は、マスキング酸化物層７とも表現され、その厚さは、埋込み酸化物である前記層２の厚さより厚い。
【００２９】
たとえば窒化シリコンを利用した場合、マスキング層７はより厚みを薄く形成することもできる。該マスキング層７により、トレンチ８及び９が、異なる幅で、埋込み酸化物層２までエッチングされる。図３を参照のこと。
【００３０】
ついで、トレンチ絶縁層１０が堆積される（上に成層）か、または、（熱的に）形成される。
【００３１】
図４による第１実施形態においては、このトレンチ絶縁層１０はＣＶＤ層である。残ったトレンチ９’または８’の幅は、出発点のトレンチ９または８より狭い。その他の実施形態においては、トレンチ絶縁層１０’（特に図示はしないが、当業者にとっては十分に想定可能）が、熱酸化により基本的に選択的にトレンチ側壁に形成される。
【００３２】
たとえばポリシリコン層１１の形で、充填材料を堆積させることにより、狭いトレンチ８’は充填層１８により充填されるが、幅広のトレンチ９’は、向かい合うトレンチ側壁に層が形成されるだけで、図５に示すように完全には充填されない。残っているのはさらに幅の狭くなった開放トレンチ９’’であり、その側方と底は、第１実施例においては層１１の堆積した層部分１１ａ，１１ｂ，１１ｃにより形成されている。
【００３３】
図６には、ポリシリコン・エッチング・ステップ後の構造が図示されている。ポリシリコン１１は、表面及び幅広のトレンチ９’’のトレンチ底９ａから除去されるため、トレンチ絶縁層１０がＣＶＤで形成されている場合はトレンチ絶縁層１０及びその底の層１０ａが露出される。
【００３４】
たとえば熱酸化により側壁に選択的に形成されたトレンチ絶縁層１０’のために、このエッチングステップにより埋込み層２が露出される。
【００３５】
幅の狭いトレンチ８はポリシリコンで充填されたままである。幅が広くなったトレンチ９＊では、各側壁にポリシリコンスペーサー１２が残ったままである。
【００３６】
ポリシリコン・エッチングを（目的に合わせて）調整することにより、ポリシリコンスペーサー１２に望みどおりの高さを与えることができる。図７には、望ましくはプラズマケミカル・エッチングにより行われた酸化物エッチング後の構造が示されており、該酸化物エッチングにより、新たに幅が広くなったトレンチ９＊＊の底９ａにある埋込み酸化物２、及び、（層１０の一部である）底の層１０ａまでエッチングされる。その他の（熱的な）実施形態においては、トレンチ底の層部分１０ａは基本的に形成されず、したがって基本的に、埋込み層２のみがエッチングされる。
【００３７】
図示された実施形態においては、酸化物の一部も表面から除去される。マスキング層７が酸化物で構成されている場合、このマスキング層の厚みは、埋込み層２より厚いため、表面には残存酸化物層１３が残る。
【００３８】
マスキング層７が窒化シリコンである場合、埋込み層２の酸化物及び、層部分１０ａの酸化物（そこで形成された場合）は、マスキング層７の窒化シリコンについて選択的に除去することができ、その際、該マスキング層の厚みは重要とはならない。
【００３９】
図７において、左側にある、より幅の狭い絶縁トレンチ８は絶縁性充填物１８で完全に充填されたままである。
【００４０】
次に、図８に示すように、対応する導電性を備えた第２の充填層１４を形成することにより、ここでは９＊＊と示した幅を持つ、より幅の広い絶縁トレンチ９は導電性充填材１９で充填される。図９に示すように、ＣＭＰ（化学機械研磨）により表面２０は望ましくは平坦化される。
【００４１】
２つのトレンチ９、８のすべての垂直層は、平坦化された表面に達している。
【００４２】
たとえば３００ｖより高い阻止電圧を持つ高耐圧半導体などのコンポーネントを、アクティブ層の上または中に取り付けることができる。そのための半導体技術的方法は公知である。
【００４３】
導電性を持つ第２の充填層１９により、キャリア基板１は表面から電気的に接続可能になる。さらに、絶縁性のトレンチ８も利用できる。該基板はもはや電位的に浮遊することはない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】従来技術に対応した、ＳＯＩ層構造における絶縁トレンチの断面図である。
【図２】ＳＯＩ層構造に二つのトレンチ構造を形成するための、本発明による複数の例を作製するステップをそれぞれのステップごとに図示したものである。
【図３】ＳＯＩ層構造に二つのトレンチ構造を形成するための、本発明の複数の例を作製するステップをそれぞれのステップごとに図示したものである。
【図４】ＳＯＩ層構造に二つのトレンチ構造を形成するための、本発明の複数の例を作製するステップをそれぞれのステップごとに図示したものである。
【図５】ＳＯＩ層構造に二つのトレンチ構造を形成するための、本発明の複数の例を作製するステップをそれぞれのステップごとに図示したものである。
【図６】ＳＯＩ層構造に二つのトレンチ構造を形成するための、本発明の複数の例を作製するステップをそれぞれのステップごとに図示したものである。
【図７】ＳＯＩ層構造に二つのトレンチ構造を形成するための、本発明の複数の例を作製するステップをそれぞれのステップごとに図示したものである。
【図８】ＳＯＩ層構造に二つのトレンチ構造を形成するための、本発明の複数の例を作製するステップをそれぞれのステップごとに図示したものである。
【図９】ＳＯＩ層構造に二つのトレンチ構造を形成するための、本発明の複数の例を作製するステップをそれぞれのステップごとに図示したものである。
【符号の説明】
【００４５】
１  ＳＯＩウェハのキャリア基板、「ハンドルウェハ」
２  たとえばＢＯＸとしての二酸化シリコンなど埋込み絶縁層
３  アクティブシリコン層「デバイスウェハ」
４  二酸化シリコンなどの絶縁性層
５  ポリシリコンなどの充填層
６  絶縁トレンチ（「トレンチ」）
７  二酸化シリコン製のマスキング層
８  幅の狭い絶縁トレンチ
８’  加工途中の絶縁トレンチ
９  幅の広いトレンチ
９’、９’’、９＊、９＊＊  加工途中のトレンチ９
９ａ  トレンチ底
１０ａ  トレンチ底における絶縁部分
１０  絶縁酸化物
１１  第１の充填層（絶縁性）
１２  スペーサー１２として、幅広のトレンチ内でエッチングし残された充填層１１
１３  エッチングし残されたマスキング層７であり、たとえば酸化物
１４  第２の導電性充填層
１８  幅の狭い絶縁トレンチ８の充填
１９  幅の広いトレンチ９の充填
２０  平坦化された表面
【図１】
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【図２】
2008533705.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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2008533705.tif 000013
2008533705.tif 000014
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