(57)【要約】本発明は、記録層（１２）と基板層（１４）とを有する光学式記録に対するマスタ基板（１０）に係る。記録層は、成長優位の位相変化材料を有し、その化学剤に対する化学的特性は、記録層上に光を投射することによってもたらされる位相変化によって変えられ得る。トラッキングする目的に対して、基板層は、プレグルーブ（１６）を有する。本発明は更に、高密度凹凸構造をレプリカするスタンパを作る方法に係る。
2008517413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層と基板層とを有する、光学式記録に対するマスタ基板であって、
前記記録層は、位相変化材料を有し、前記位相変化材料の化学剤に対する特性は、前記記録層上に光を投射することによってもたらされる位相変化によって変えられ得、
前記基板層は、トラッキングする目的に対する構造を有する、
マスタ基板。
【請求項２】
第１のインタフェース層は、前記記録層と前記基板層との間に配置される、
請求項１記載のマスタ基板。
【請求項３】
第２のインタフェース層は、前記第１のインタフェース層と前記基板層との間に配置され、前記第１のインタフェース層は、エッチング可能である、
請求項２記載のマスタ基板。
【請求項４】
ヒートシンク層は、前記記録層と前記基板層との間に配置される、
請求項１記載のマスタ基板。
【請求項５】
レベリング層は、前記記録層と前記基板層との間に配置される、
請求項１記載のマスタ基板。
【請求項６】
反射層は、前記記録層と前記基板層との間に配置される、
請求項１記載のマスタ基板。
【請求項７】
保護層は、前記記録層の上方に配置される、
請求項１記載のマスタ基板。
【請求項８】
前記トラッキングする目的に対する構造は、プレグルーブ構造を有する、
請求項１記載のマスタ基板。
【請求項９】
高密度凹凸構造をレプリカするスタンパを製造する方法であって、
集束及び変調された光ビームによって、従来の光ディスクドライブにおけるマスタ基板を照射する段階と、
前に照射されたマスタ基板を溶媒を有して処理し、それによって凹凸構造を得る段階と、
前記凹凸構造上に金属層を蒸着する段階と、
前記蒸着された層を所望の厚さに成長させる段階と、
前記成長された層を分離する段階と、
を有し、
前記マスタ基板は、記録層と基板層とを有し、前記記録層は、位相変化材料を有し、前記位相変化材料の化学剤に対する特性は、前記記録層上に光を投射することによってもたらされる位相変化によって変えられ得、前記基板層は、トラッキングする目的に対する構造を有する、
方法。
【請求項１０】
前記蒸着された層を所望の厚さまで成長させる段階は、電気化学的めっきを有する、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記トラッキングする目的に対する構造は、プレグルーブ構造を有し、前記プレグルーブ構造から検出器上へと投射されるインタフェースパターンは、トラッキングに対して使用される、
請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記トラッキングする目的に対する構造は、プレグルーブを有し、前記光ビームは、前記プレグルーブ構造に追随するよう制限されないデータパターンを書き込むよう、意図的にオフトラックに置かれる、
請求項９記載の方法。
【請求項１３】
光学式データ記憶媒体を作る方法であって、
請求項１乃至８のうちいずれか一項記載のマスタ基板を使用する、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスタ基板及び高密度凹凸構造を製造する方法に係る。特には、本発明は、従来の光学ドライブを使用して高密度凹凸構造を与えることに係る。
【背景技術】
【０００２】
光学的処理に基づき製造される凹凸構造は、例えば、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）並びにプレグルーブ（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅｄ）された追記型（Ｒ）及び書換可能（ＲＥ）ディスクの大量レプリケーションに対するスタンパとして使用され得る。レプリケーション工程において使用されるかかるスタンパの製造は、マスタリングとして既知である。
【０００３】
従来のマスタリングにおいて、ガラス基板上に回転塗布された薄い感光層は、変調された集束レーザビームを有して照射される。レーザビームの変調によって、ディスクのいくらかの部分はＵＶ光によって露出される一方、ピット間の中間範囲は露出されずに残される。ディスクが回転し、集束レーザビームがディスクの外側に徐々に引き寄せられる際、交互に照射される範囲のスパイラルは残る。第２の段階において、露出される範囲は、所謂現像工程において溶解され、フォトレジスト層の内部の物理的なホールで終わる。ＮａＯＨ及びＫＯＨ等であるアルカリ性の液体は、露出された範囲を溶解するよう使用される。構造化された表面は、その後、薄いＮｉ層を有して覆われる。ガルバニック工程において、このスパッタ蒸着されるＮｉ層は更に、逆ピット構造を有する厚く取り扱いやすいＮｉ基板に成長される。突出する隆起を有するこのＮｉ基板は、露出されない範囲を有する基板から分離され、スタンパと称される。
【０００４】
ＲＯＭディスクは、暗号化されたデータを示す交互性のピット及びランドのスパイラルを有する。反射層（金属、又は屈折係数の異なる指数を有する他の種類の材料）は、情報の読出しを促進するよう加えられる。光学的記録装置の大半において、データトラックピッチは、最善のデータ容量を確保するよう、光学読出し／書込みポイントの寸法と同一のオーダを有する。例えばブルーレイディスク（ＢＤ）の場合における３２０ｎｍのデータトラックピッチ、及び３０５ｎｍのｌ／ｅスポット半径（ｌ／ｅは、光学強度が最大強度のｌ／ｅまで低減されるところの半径）を比較する。追記型及び書換可能な光学マスタ基板とは対照的に、ＲＯＭディスクにおけるピット幅は典型的に、近接するデータトラック間のピッチの半分である。かかる小さなピットは、最適の読出しに対して必要である。ＲＯＭディスクが位相変調、即ち光線の建設的及び相殺的干渉を介して読み出される、ことは周知である。より長いピットの読出し中、ピットの下部から反射される光線と近接するランドのプラトーから反射される光線との間の相殺的干渉は発生し、より低い反射レベルにつながる。
【０００５】
光学読出しスポットの略半分のピットを有するピット構造のマスタリングは、典型的には、読出しに使用されるより低い波長を有するレーザを求める。ＣＤ／ＤＶＤのマスタリングに対して、レーザビームレコーダ（ＬＢＲ）は典型的に、４１３ｎｍの波長及びＮＡ＝０．９の対物レンズの開口数において、作動する。ＢＤのマスタリングに対して、２５７ｎｍの波長を有する深い（ｄｅｅｐ）ＵＶレーザは、高いＮＡレンズ（遠視野に対しては０．９、液浸マスタリングに対しては１．２５）と組み合わせて使用される。言い換えれば、次世代ＬＢＲは、現在の光ディスク世代に対するスタンパを作ることを要求される。従来のフォトレジストマスタリングの更なる不利点は、累積光子効果である。フォトレジスト層における感光性化合物の劣化は、照射の量に比例する。集束されたエアリー点の側部（ｓｉｄｅｓ）はまた、中央のトラックにおけるピットの書込み中、近接するトレースを照射する。この複数の露出は、ピットの局所的拡大につながり、それ故にピットノイズ（ジッター）の増大につながる。また、クロス照射の低減に対して、可能な限り小さい集束レーザスポットが求められる。従来のマスタリングにおいて使用されるフォトレジスト材料の他の不利点は、フォトレジストにおいて存在するポリマ鎖の長さである。照射された範囲の溶解は、長いポリマ鎖によって、多少粗い側端部をもたらす。特には、（ＲＯＭに対する）ピット及び（追記型（Ｒ）及び書換可能（ＲＥ）アプリケーションに対するプレグルーブ基板に対する）グルーブの場合において、この端部の粗さは、事前に記録されたＲＯＭのピット及び記録されたＲ／ＲＥデータの読出し信号の劣化に繋がり得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来の光学ドライブにおいて実行される光学式書込み工程に基づいて高密度凹凸構造を製造する方法及びマスタ基板を与える、ことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述された目的は、独立請求項の特徴によって解決される。本発明の更なる展開及び望ましい実施例は、従属請求項において概説される。
【０００８】
本発明によれば、記録層及び基板層を有する光学式記録に対するマスタ基板が与えられる。該記録層は、位相変化材料を有し、その化学剤に対する特性は、記録層上に光を投射することによってもたらされる位相変化によって変えられ得る。該基板層は、トラッキングする目的に対する構造を有する。位相変化材料は、ＤＶＤ＋ＲＷ及び近年導入されたブルーレイディスク（ＢＤ−ＲＥ）等の周知の書換可能なディスク形式において、適用される。位相変化材料は、蒸着された（ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）非晶質状態からレーザ加熱を介して結晶状態に変わり得る。多くの場合において、蒸着された非結晶質状態は、データの記録に先立って結晶質にされる。初期の結晶状態は、レーザによってもたらされる薄い位相変化層の加熱によって、非結晶質にされ得、該層は溶ける。溶融状態が大変急速に冷却される場合、固形の非結晶質状態は残る。非結晶質マーク（範囲）は、該非結晶質マークを結晶化温度を上回るまで加熱することによって、再度結晶質にされ得る。かかる機構は、書換可能な位相変化記録から既知である。本出願人は、加熱状態に依存して、エッチング速度における差異が結晶質相と非結晶質相との間に存在する、ことを見つけている。エッチングは、アルカリ性液体、酸性液体、又は他の種類における、あるいは溶媒における固体材料の溶解工程として既知である。エッチング速度における差異は、凹凸構造をもたらす。請求項に記載される材料の種類に対する適切なエッチング液体は、ＮａＯＨ，ＫＯＨ等のアルカリ性液体、及び、ＨＣ１及びＨＮＯ３等の酸性である。凹凸構造は、例えば、光学式読出し専用ＲＯＭディスク、並びに、可能であれば追記型及び書換可能ディスクに対するプレグルーブ基板の大量レプリケーションに対するスタンパを作るよう、使用され得る。得られた凹凸構造はまた、ディスプレイの高密度印刷（マイクロコンタクト印刷）に対して使用され得る。記録材料として使用される位相変化材料は、選択された波長使用する記録に対して適切である。マスタ基板が初期には非結晶質状態にある場合、非結晶質マークは記録される。現像中、２つの状態のうち一方は、アルカリ性又は酸性の液体において溶解され、凹凸構造をもたらす。また、溶解率（ｒａｔｅ）における差異が非結晶質状態と結晶質状態との間に存在し、凹凸構造がエッチング後に残る、ことは可能である。位相変化組成は、核生成優位（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ−ｄｏｍｉｎａｔｅｄ）及び成長優位の材料へと分類され得る。核生成優位の位相変化材料は、安定した結晶質の核を形成する比較的高い可能性を有し、該核から結晶質マークが形成され得る。対照的に、結晶化速度は、典型的には低い。核生成優位の材料の例は、Ｇｅ１Ｓｂ２Ｔｅ４及びＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５材料である。成長優位材料は、核生成の低い可能性及び高い成長率によって特徴付けられる。成長優位の位相変化組成の例は、Ｉｎ及びＧｅを有してドープされた組成Ｓｂ２Ｔｅ及びＳｎＧｅＳｂ合金である。結晶質マーク（ｍａｒｋ）が初期の非結晶質層において書き込まれる場合、典型的なマークは、集束レーザスポットの形状に適合して残される。結晶質マークの寸法は、適用されるレーザ出力を制御することによってある程度調整され得るが、書き込まれたマークは、光学スポットより殆ど小さくされ得ない。非結晶質マークが結晶質層において書き込まれる場合、位相変化材料の結晶化の特性は、光学スポット寸法より小さいマークを可能にする。特には、成長優位の位相変化材料が使用される場合、非結晶質マークの端部における再結晶化は、非結晶質のマークが書き込まれる時間に対する適切な時間的尺度における適切なレーザレベルの適用によってもたらされ得る。この再結晶化は、マークの書込みを光学スポット寸法より小さくし得る。本発明において使用される記録材料は、望ましくは高速成長の位相変化材料であり、望ましくは、ＳｎＧｅＳｂ（Ｓｎ１８．３−Ｇｅ１２．６−Ｓｂ６９．２（Ａｔ  ％））又は、ＩｎＧｅＳｂＴｅ等であるＩｎＧｅ等を有してドープされるＳｂ２Ｔｅという組成を有する。記録層の厚さは、５乃至８０ｎｍであり、望ましくは１０乃至４０ｎｍである。
【０００９】
望ましい一実施例によれば、第１のインタフェース層は、記録層と基板層の間に配置される。望ましい材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。層の厚さは、５乃至８０ｎｍであり、望ましくは１０乃至４０ｎｍである。
【００１０】
更なる望ましい一実施例によれば、第２のインタフェース層は、第１のインタフェース層と基板層との間に配置され、第１のインタフェース層はエッチング可能である。第１のインタフェース層がエッチング可能であり得る一方、第２のインタフェース層は、エッチング可能ではなく、自然の障壁（ｎａｔｕｒａｌ  ｂａｒｒｉｅｒ）として働く。この層は、厚さ約５０ｎｍである。望ましい実施例に関連して、パターン記録層は、第１のインタフェース層の更なる照射に対してマスク層として使用され得る。故に凹凸構造は、より深く作られ得、従ってより大きな縦横比をもたらす。該縦横比は、凹凸構造の障害（ｏｂｓｔａｃｌｅｓ）の高さと幅との比率として定義付けられる。第１のインタフェース層は、例えば、感光性ポリマを有して作られる。例えばＵＶ光を有するマスタ基板の照射は、マスク層を有して覆われていない範囲を露出させる。マスク層を有して覆われているインタフェース層の範囲は、マスク層が使用される光に対して遮光性があるため、照射に対して露出されない。露出されたインタフェース層は、マスク層をパターンするよう使用される液体とは必ずしも同一ではない現像の液体（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ  ｌｉｑｕｉｄ）を有して、第２の現像段階において処理され得る。このようにして、マスク層において存在する凹凸構造は、第１のインタフェース層に対して送られ、より深い凹凸構造が得られる。
【００１１】
本発明の他の望ましい一実施例によれば、ヒートシンク層は、記録層と基板層との間に配置される。望ましくは、半透明の金属層は、記録中に熱を除去するようヒートシンクとしての役割を果たす。薄いＡｇ等である半透明の金属、又はＩＴＯ又はＨｆＮ等である透明ヒートシンク層は、提案される。望ましい層の厚さは、５乃至４０ｎｍである。
【００１２】
望ましくは、レベリング層は、記録層と基板層との間に配置される。レベルリング層は、基板の構造を水平にするよう加えられ、平坦な記録スタックが残る。レベリング層は、望ましくは、回転塗布工程、又はグルーブの充填を可能にする他の種類の工程を介して蒸着される。レベリング層に対する材料は、望ましくは、非吸収性の回転塗布可能な有機材料である。他の可能性は、記録スタックを有するがレベリング層を有さない、プレグルーブ基板である。その場合、凹凸構造は、プレグルーブ構造上に重ねられる。凹凸構造を有する現像されたマスタ基板は更に、逆凹凸構造を有して金属スタンパに加工され得る。このスタンパは、ディスク／基板のレプリケーションに対して使用される。グルーブ構造上に重ねられるレプリカされたデータパターンの読出しは、グルーブ構造によって妨げられない。
【００１３】
特に望ましい一実施例によれば、保護層は、記録層の上方に配置される。保護層は、ＫＯＨ及びＮａＯＨ等である従来の現像液体においてよく溶解する材料を有して作られる。例えば、保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２又はフォトレジストを有して作られる。層の厚さは、５乃至１００ｎｍ、望ましくは１０乃至２５ｎｍである。
【００１４】
本発明の望ましい一実施例によれば、トラッキングする目的に対する構造は、プレグルーブ構造を有する。望ましくは、反射層は、トラッキングを促進するよう、プレグルーブ構造上に配置される。故に、アクティブなトラッキングは、可能であり、従来の光学ドライブにおけるトラッキングと大変類似する。ディスクにおいて存在するグルーブは、光学式トラッキングエラー信号を生成する。入射集束ビームの回折オーダは、重複及び発散（ｄｉｖｅｒｇｉｎｇ）円錐を形成する。その結果もたらされる干渉パターンは、ビームがグルーブに対して望ましくは中心に揃えられる場合に、対称となる。所謂プッシュプル信号である差分信号（ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｉｇｎａｌ）は、この場合はゼロである。中心位置からのずれは、２つの検出器部分のうち一方において多かれ少なかれ光をもたらす。差分信号は、ゼロではなくなり、グルーブに対してスポットを再度位置合わせするよう使用され得る。
【００１５】
本発明によれば、高密度凹凸構造をレプリカするスタンパを製造する方法が更に与えられる。当該方法は、
・  集束及び変調された光ビームによって、従来の光ディスクドライブにおけるマスタ基板を照射する段階、
・  前に照射されたマスタ基板を溶媒を有して処理し、それによって凹凸構造を得る段階、
・  凹凸構造上に金属層を蒸着する段階、
・  蒸着された層を所望の厚さに成長させる段階、及び、
・  成長された層を分離する段階、
を有する。マスタ基板は記録層と基板層とを有し、記録層は位相変化材料を有し、その化学剤に対する特性は、記録層上に光を投射することによってもたらされる位相変化によって変えられ得る。基板層は、トラッキングする目的に対する構造を有する。
【００１６】
当該方法に対して、所望の厚さまでの蒸着層の成長段階が電気化学的めっきを有する、ことは望ましい。
【００１７】
本発明に従った方法は、一実施例に基づいて特に有利である。該一実施例では、トラッキングする目的に対する構造は、プレグルーブ構造を有し、プレグルーブ構造から検出器上へと投射される干渉パターンは、トラッキングに対して使用される。故に、本発明に基づき、最適なプッシュプルトラッキングは、プレグルーブを完全に追随する光学スポットをもたらす。最適なトラッキングは、光ディスクの大量レプリケーションに対する高密度マスタが記録される場合に望ましい。かかる場合、凹凸構造は、異なる長さを有するピットとランドの交互のスパイラルであるべきであり、そこでデータがコード化される。
【００１８】
本発明の他の望ましい一実施例によれば、トラッキングをする目的に対する構造は、プレグルーブを有し、光ビームは、プレグルーブを追随するよう制限されないデータパターンを書き込むよう、意図的にオフトラックに置かれる。例えば、二次元の高密度凹凸構造が、二次元光カード、マイクロコンタクト印刷に対するスタンプ又はラスタ等であるスパイラル又は環状のデータパターンに基づかれ得ないことを所望される場合は、より正確な位置付けが所望される。これは、上述された通りプッシュプル信号を考慮して光ビームをオフトラックに置くことによって達成される。
【００１９】
提案されたマスタ基板は、特に近接場マスタリングに対して適切である。近接場記録は、大変高い開口数を有する対物レンズに基づく。かかるレンズは、望ましくは固体油浸レンズ（ＳＩＬ）として実現される。該レンズは、データ層に近接して置かれ、２０乃至１００ｎｍの距離が予測される。現在、波長４０５ｎｍのレーザ光と併せてＮＡ１．６及び更には２．０を有する装置は、次世代光学記憶装置に対して可能な装置として考えられる。かかる装置がフォトレジストに基づく従来のマスタリング基板と組み合わせて使用される場合、全ての種類のフォトレジスト構成要素の蒸発によって、レンズの汚れが発生し得る。しかしながら、無機の位相変化材料に基づくマスタ基板は、レンズの汚れを防ぐために使用される、ことは大変有利である。かかる近接場記録装置において、プレグルーブマスタ基板は、高密度データパターンをマスタするよう使用され得る。この凹凸パターンから、スタンパは、ＲＯＭディスク（プレピットを有するディスク）並びに追記型及び書換可能ディスク（プレグルーブを有するディスク）の両方である光ディスクの大量レプリケーションに対して使用されるよう作られ得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のこれらの及び他の態様は、以下に記載される実施例を参照して明らかに説明される。
【００２１】
図１は、本発明を有して使用され得る従来の光ディスクドライブの概略的な配置を示す。例えば半導体レーザである放射線源１１０は、発散放射ビーム１１２を放射する。ビーム１１２は、コリメータレンズ１１４によって実質的に平行にされ、該レンズからビームスプリッタ１１６に対して投射される。ビーム１１８の少なくとも一部分は、マスタ基板１０上へ集束ビーム１２２を集中させる対物レンズ１２０に対して投射される。マスタ基板１０は、添付の図面を参照して詳細に説明される。集束ビーム１２２は、マスタ基板の記録層において位相変化をもたらすことができる。一方、集束ビーム１２２は、発散ビーム１２４へと反射され、対物レンズ１２０によって実質的に平行なビーム１２６として更に投射される。反射されたビーム１２６の少なくとも一部分は、ビームスプリッタ１１６によって集光レンズ１２８に対して投射される。この集光レンズ１２８は、検出器装置１３２上へ集束ビーム１３０を集中させる。検出器装置１３２は、検出器装置１３２上へと投射される光から情報を抽出するよう、また、この情報を複数の電気信号１３４，１３６，１３８へと転換するよう、適合される。該電気信号は例えば、情報信号１３４、集束エラー信号１３６、及びトラッキングエラー信号１３８である。本発明を参照すると、トラッキングエラー信号１３８は、特に関連性がある。マスタ基板１９上の集束ビーム１２２の局在化は、マスタ基板１０におけるプレグルーブ構造を介して制御される。マスタ基板１０におけるグルーブは、光学トラッキングエラー信号を生成する。その結果もたらされる干渉パターンは、最終的に検出器装置１３２上へと投射され、ビームがグルーブに対して完全に中心にされる場合において対称性を有する。所謂プッシュプル信号である差分信号は、複数の検出器又は検出器装置１３２の複数の検出器セグメントに基づいて作られる。溝に対してビームのセンタリングが完全である場合は、ゼロである。中心位置からのずれは、一般的には２つの検出器部分上のおおよその光をもたらす（ｌｅａｄ  ｔｏ  ｍｏｒｅ  ｏｒ  ｌｅｓｓ  ｌｉｇｈｔ）。差分信号は、ゼロではなくなり、グルーブに対してスポットを再度位置合わせするよう使用され得る。
【００２２】
図２は、本発明に従った処理前のマスタ基板の概略的断面図である。マスタ基板１０の上部上には、保護層２８が与えられる。保護層２８は、ＫＯＨ及びＮａＯＨ等である従来の現像液体において十分溶解する材料を有して作られる。例えば、保護層２８は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２又はフォトレジストを有する。保護層２８の厚さは、５乃至１００ｎｍであり、望ましくは１０乃至２５ｎｍである。保護層２８の下方では、記録層１２が配置される。記録材料は、望ましくは所謂高速成長の位相変化材料であり、望ましくは、ＳｎＧｅＳｂ（Ｓｎ１８．３−Ｇｅ１２．６−Ｓｂ６９．２（Ａｔ  ％））、又はＩｎＧｅＳｂＴｅ等であるＩｎ，Ｇｅ等を有してドープされるＳｂ２Ｔｅという組成を有する。かかる成長優位の位相変化材料は、非結晶質及び結晶質のフェーズの溶解率において高いコントラストを保有する。非結晶質のマークは、結晶質材料の融解−急冷（ｍｅｌｔ−ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）によって得られ、ＫＯＨ及びＮａＯＨ等、またＨＣｌ及びＨＮＯ３である従来の現像液体において溶解され得る。マークの端部（ｔａｉｌ）における再結晶化は、制御されてマーク長さを低減するよう使用され得る。それによって、光学スポット寸法より短い長さを有するマークをつくることは可能である。このようにして、接線データ密度は、増大され得る。故に記録層１２上に書き込まれるデータパターンは、エッチングを介して凹凸構造に転換され得る。記録層１２の厚さは、５乃至８０ｎｍであり、望ましくは１０乃至４０ｎｍである。記録層１２の下方に、第１のインタフェース層１８が与えられる。このインタフェース層１８も、エッチングされ得る。続いてパターン記録層１２は、マスク層としての役割をなす。第１のインタフェース層１８に対する望ましい材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。第１のインタフェース層１８の厚さは、５乃至８０ｎｍであり、望ましくは１０乃至４０ｎｍである。第１のインタフェース層１８には第２のインタフェース層２０が続き、第２のインタフェース層２０は、エッチング可能であり、故に自然の障壁として作用する。この第２のインタフェース層２０は、約５０ｎｍの厚さである。第２のインタフェース層２０の下方には、半透明の金属層２２が与えられ、記録中に熱を除去するようヒートシンクとしての役割をなし、それによって融解−急冷を可能にする。Ａｇ等である半透明の金属、あるいはＩＴＯ又はＨｆＮ等の又は透明なヒートシンク層は、提案される。ヒートシンク層２２の望ましい層の厚さは、５乃至４０ｎｍである。ヒートシンク層２２の下方且つ基板１４の上方には、レベリング層２４が与えられ、プレグルーブを平坦にするよう与えられ、平坦な記録スタックが残るようにする。レベリング層２４は、回転塗布工程、又はグルーブの充填及びレベリングを可能にする他の種類の工程を介して蒸着される。レベリング層に対する材料は、望ましくは非吸収性の回転と不可能な有機材料である。最も下方の層は、前述された基板層１３であり、トラッキングする目的に対してプレグルーブ１６を有する。トラッキングエラー信号を強化するよう、反射層２６は、基板層上に蒸着される。
【００２３】
図３は、本発明に従った第１の処理段階におけるマスタ基板の概略的断面図である。この処理段階において、記録マーク３２は、記録層１２において生成されている。かかる記録マーク３２は、望ましくは結晶質のバックグラウンドにおいて書き込まれる非結晶質範囲である。保護層２８の代りに、あるいは保護層２８に加えて、光学ドライブに適合する基板を作るよう、カバー層が与えられ得る。例えば、ブルーレイディスクにおいて、１００μｍのカバーが、ディスクに対して加えられる。マークは、書換可能な光ディスクに対して適用される従来の方法を介して、記録層において書き込まれる。書込みストラテジー最適化は、書込みマークの検出に基づいて実行され得る。故に生成されるフィードバックループは、大変短く、従来のディスクドライブは、最低限の付加的努力に基づいてこの機会を与える。露出後、１００μｍのカバーは、アセトンにおいて溶解されるか、あるいは剥離を介して単純に除去される。また、マスタ基板と対物レンズとの間に１００μｍの補正ガラス基板を加えることは可能である。かかる場合、記録層の露出後に、１００μｍのカバー層を加えること及び除去することは必要ではない、記録マーク３２及び保護層２８は、その後、ＮａＯＨ又はＫＯＨ等である従来のエッチング液体において溶解され、高密度凹凸構造を有して終わるようにする。この高密度凹凸構造３０は、図４中に示される。
【００２４】
図５は、短いピット１４０を示す原子間顕微鏡からの画像（ＡＦＭ画像）を示す。ピット１４０は、提案されたマスタ基板を有して、また提案された方法に従って生成された。全溶解時間は、１０％ＮａＯＨにおいて１０分であった。ピットの形状は、最も短いマークの典型的な三日月形に似ている。ピットの幅は、ピットの長さの約２倍である。ピットの長さは、ピットの端部１４２における再結晶化効果を介して低減される。マークの三日月形は、凹凸構造に対して完全に移される。
【００２５】
図６は、グルーブ１４４，１４６，１４８を示すＡＦＭ画像である。４１３ｎｍの波長における継続的なレーザ出力は、画像６ａ，ｂ，及びｃの各々において供給され、レーザ出力は６ａから６ｃに向かって低減する。書き込まれた非結晶質のトレースは、１０％ＮａＯＨにおいて１０分間で溶解された。グルーブの深さは２０ｎｍであった。
【００２６】
図７は、パターンの配置を示す光学マスタ基板の一部分である。図１を参照して上述された最適なプッシュプルトラッキングは、プレグルーブを完全に追随する光学スポットをもたらす。最適なトラッキングは、光ディスクの大量レプリケーションに対する高密度マスタが記録される場合に、望ましい。かかる場合、凹凸構造は、異なる長さを有するランドとピットの交互のスパイラルであるべきであり、そこでデータがコード化される。二次元光カード、マイクロコンタクト印刷に対するスタンプ又はラスタ等である二次元の高密度凹凸構造が求められる場合、レーザスポットのより正確な位置付けが求められる。これを達成する１つの可能性は、より小さなトラックピッチを有するプレグルーブマスタ基板を選択することである。しかしながら、約２５０ｎｍである最小トラックピッチは、十分に大きなプッシュプル信号を与えるようトラッキングを可能にするよう求められる。プッシュプル信号におけるオフセットを有して、スポットは、意図的にオフトラックに置かれ得る。それによって、例えば、図５中に示される矩形のデータパターン３４は、達成され得る。矩形のデータパターン３４を形成するデータポイントは、ディスク上のいずれの位置に対しても位置付けられ得、望ましくは、集束レーザスポットの外側境界３８，４０及び中心スパイラル３６に対してオフセットにされ得る。スポットをオフトラックに意図的に置くことによって、位置付けの高い正確性は、プッシュプル信号に基づいて達成され得る。
【００２７】
図８は、本発明に従った方法の一実施例を示すフローチャートである。第１の段階Ｓ０１において、プレグルーブ構造を有するマスタ基板上の位相変化材料は、望ましくはレーザビームによって照射され、それによって位相変化材料の熱変形、特には結晶質フェーズから非結晶質フェーズへの移行をもたらす。それによって、溶媒に対する化学的特性は、変えられ得る。続いて、段階Ｓ０２において、作られたマスタ基板は、溶媒によって処理され、それによって非結晶質領域を除去することによって凹凸構造を生成する。この段階の後、凹凸構造上の金属層の蒸着段階Ｓ０３は、実施される。段階Ｓ０４において、蒸着層は、所望の厚さに成長される。最後に、段階Ｓ０５において、成長層は、分離され、それによって光ディスクのマスクレプリケーションに対するスタンパが得られる。
【００２８】
また、上述されていない同等のもの及び修正も、添付の請求項において定義付けられる本発明の範囲から逸脱せずに取り入れられ得る。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明を有して使用され得る従来の光ディスクドライブの概略的な配置を図示する。
【図２】本発明に従った処理前のマスタ基板の概略的断面図である。
【図３】本発明に従った第１の処理段階におけるマスタ基板の概略的断面図である。
【図４】本発明に従った第２の処理段階におけるマスタ基板の概略的断面図である。
【図５】短いピットを示す原子間力顕微鏡からの画像（ＡＦＭ画像）である。
【図６】グルーブを示すＡＦＭ画像である。
【図７】データパターンの配置を示す光学マスタ基板の一部を図示する。
【図８】本発明に従った方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図１】
2008517413.tif 000003
【図２】
2008517413.tif 000004
【図３】
2008517413.tif 000005
【図４】
2008517413.tif 000006
【図５ａ】
2008517413.tif 000007
【図５ｂ】
2008517413.tif 000008
【図６ａ】
2008517413.tif 000009
【図６ｂ】
2008517413.tif 000010
【図６ｃ】
2008517413.tif 000011
【図７】
2008517413.tif 000012
【図８】
2008517413.tif 000013
【国際調査報告】
2008517413.tif 000014
2008517413.tif 000015
2008517413.tif 000016