(57)【要約】本発明は、行（１０，１２）及び列（１４，１６）に分けられたネットワークを形成する幾つかの発光体（２，４，６，８；６２，６４）と、夫々の発光体（２，４，６，８；６２，６４）ごとの電流変調器（３６）と、少なくとも１つの逆バイアス電圧発生器（５２，５４；６９）とを有するアクティブマトリクス画像表示装置（６０）に関する。本発明の装置は、（ｉ）夫々の変調器（３６）及び（ｉｉ）夫々の逆バイアス電圧発生器（５２，５４；６９）へ接続された、夫々の発光体（２，４，６，８；６２，６４）ごとの逆バイアススイッチ（５９）と、発光体の１つの行にある逆バイアススイッチ（５９）の全てを制御可能な制御電極（７０，７１，７２，７４）とを有することを特徴とする。本発明は、また、そのような表示装置の制御方法に関する。
2008530604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）行及び列に分けられ、ネットワークを形成する多数の発光体と、
ｂ）前記発光体へ電力を供給する手段と、
ｃ）前記発光体を制御する手段と、
ｄ）特に、夫々の変調器のトリガ閾値電圧の変動を補償するよう、夫々の変調器のゲート電極とソース電極との間で前記アドレス指定データのバイアスの逆バイアス電圧を加える少なくとも１つの逆バイアス電圧発生器とを有し、
前記発光体を制御する手段は、
−ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を有する、夫々の発光体ごとの電流変調器であって、該変調器のトリガ閾値電圧よりも大きいか、あるいは前記トリガ閾値電圧に等しい、前記ソース電極と前記ゲート電極との間の電圧を前記発光体へ供給するようドレイン電圧を流すことが可能な電流変調器と、
−第１の端子及び第２の端子を有し、夫々の変調器のゲート電極で電荷を蓄えることが可能な、夫々の発光体ごとの蓄積コンデンサと、
−夫々の列の前記発光体へ表示データを入力することが可能なアドレス指定手段と、
−夫々の発光体ごとの選択スイッチを有し、該選択スイッチが、特に、夫々の変調器のゲート電極とソース電極との間に加えられるべき前記アドレス指定手段によって供給されるアドレス指定データを有効にするために用いられる、夫々の行の前記発光体を選択することが可能な選択手段とを有する、アクティブマトリクスを備えた画像表示装置であって、
−一方で夫々の変調器のゲート電極及び当該発光体の前記蓄積コンデンサの第１の端子と、他方で前記逆バイアス電圧発生器及び当該発光体の前記蓄積コンデンサの第２の端子との間に接続された、夫々の発光体ごとの逆バイアススイッチと、
−夫々が発光体の行の前記逆バイアススイッチの全てを駆動することが可能な制御電極とを更に有する、ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記選択手段は、特に前記選択スイッチを駆動するための選択電極を有し、
該選択電極は、別個であり、前記制御電極から独立している、ことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記発光体によって形成されるネットワークは、第１群の発光体の行と、第２群の発光体の行とを有し、前記第１群及び前記第２の群の行は間に挟まれ、
夫々の制御電極は、前記第１群の発光体の行の前記逆バイアススイッチのゲートへ、及び前記第２群の発光体の行の前記選択スイッチのゲートへ接続されて、これら発光体の行に属する前記選択スイッチ及び前記制御スイッチの同時の閉成を制御する、ことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
当該装置の全ての前記逆バイアススイッチへ接続された単一の逆バイアス電圧発生器を有する、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項５】
多数の逆バイアス電圧発生器を有し、
前記逆バイアス電圧発生器は、夫々、特に、他の発生器によって生成された逆バイアス電圧とは異なる特有の逆バイアス電圧を生成するために用いられ、夫々の発生器は、発光体の行の全ての前記逆バイアススイッチへのみ接続される、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の装置。
【請求項６】
第１行の発光体及び第２行の発光体を有する請求項３記載の画像表示装置の駆動方法であって、
−所定周波数で前記第１行の発光体の選択スイッチへ接続された制御電極へ第１の選択電圧を印加するステップと、
−前記所定周波数と同じ周波数で前記第２行の発光体の選択スイッチへ接続された制御電極へ第２の選択電圧を印加するステップとを有し、
前記第１の選択電圧及び前記第２の選択電圧の印加は、半周期だけオフセットされ、該半周期の存続期間は、画像ハーフフレームの存続期間に等しい、ことを特徴とする方法。
【請求項７】
第１行の発光体及び第２行の発光体を有する請求項２記載の画像表示装置の駆動方法であって、
−所定周波数で前記選択電極へ選択電圧を印加するステップと、
−前記所定周波数と同じ周波数で前記制御電極へ制御電圧を印加するステップとを有し、
前記制御電圧の印加は、前記選択電圧の印加に対して一部の周期だけ時間においてオフセットされる、ことを特徴とする駆動方法。
【請求項８】
前記一部の周期は半周期に等しい、ことを特徴とする請求項７記載の駆動方法。
【請求項９】
前記一部の周期は３分の１周期に等しい、ことを特徴とする請求項７記載の駆動方法。
【請求項１０】
周期の存続期間は画像フレームの存続期間に等しい、ことを特徴とする請求項７乃至９のうちいずれか一項記載の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、
ａ）行及び列に分けられ、ネットワークを形成する多数の発光体と、
ｂ）前記発光体へ電力を供給する手段と、
ｃ）前記発光体を制御する手段と、
ｄ）少なくとも１つの逆バイアス電圧発生器とを有し、
前記発光体を制御する手段は、
−ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を有する、夫々の発光体ごとの電流変調器であって、該変調器のトリガ閾値電圧よりも大きいか、あるいは前記トリガ閾値電圧に等しい、前記ソース電極と前記ゲート電極との間の電圧を前記発光体へ供給するようドレイン電圧を流すことが可能な電流変調器と、
−第１の端子及び第２の端子を有し、夫々の変調器のゲート電極で電荷を蓄えることが可能な、夫々の発光体ごとの蓄積コンデンサと、
−夫々の列の前記発光体へ表示データを入力することが可能なアドレス指定手段と、
−夫々の発光体ごとの選択スイッチを有し、該選択スイッチは、特に、夫々の変調器のゲート電極とソース電極との間に加えられるべき前記アドレス指定手段によって供給されるアドレス指定データを有効にするために用いられるところの、夫々の行の前記発光体を選択することが可能な選択手段とを有し、
前記少なくとも１つの逆バイアス電圧発生器は、特に、夫々の変調器のトリガ閾値電圧の変動を補償するよう、夫々の変調器のゲート電極とソース電極との間で前記アドレス指定データのバイアスの逆バイアス電圧を加える、アクティブマトリクスを備えた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）形式のアクティブマトリクス表示装置は、有機発光セルから形成される発光体を有する。
【０００３】
これらの発光体を制御するよう、このような装置は、ＴＦＴトランジスタと呼ばれる薄膜トランジスタを有する。これらのトランジスタは、電流を発光体に流すことができる。それらは、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）技術を用いて、あるいは、直接的にアモルファスシリコンを用いて、多結晶シリコンから作られる。
【０００４】
しかし、ＴＦＴ製造技術は、これらのトランジスタのトリガ閾値電圧の局所空間的な変動を導入する。
【０００５】
結果として、同じ電源電圧を供給され、同一電圧によって制御されるＴＦＴトランジスタは、異なる強さの電流を発生させる。この電流は、このようなトランジスタから作られる表示装置の輝度に非均一性を引き起こすことがある。その結果、表示されるべき画像の、均一な輝度の所与の対象に関して、表示装置の画素の輝度における空間的な変動、及び、ユーザに対する明らかな視覚的不快感がもたらされる。
【０００６】
アモルファスシリコンの不安定性は、電圧がＴＦＴのゲートとソースとの間に印加される場合に、ＴＦＴの特性変動において反映される。より具体的には、ＴＦＴトランジスタのトリガ閾値電圧は、正のバイアス電圧がそれらのゲートとソースとの間に印加される場合には増大し、負のバイアス電圧がそれらのゲートとソースとの間に印加される場合には低下する。トランジスタのゲートとソースとの間に印加される電圧は、概して、表示されるべき画像の画素の輝度差に従ってトランジスタ間で異なるので、トリガ閾値電圧のばらつきの程度はトランジスタ間で異なる。結果として、結果として得られる輝度変動は表示装置全体で非均一に分布し、これは、表示装置の画素の輝度における経時変化と、ユーザに対する明らかな視覚的不快感とをもたらす。
【０００７】
これらの欠点を制限するために、トリガ閾値電圧のドリフトを補償するための様々な回路が提案されてきた。
【０００８】
例えば、文献ＵＳ２００３／００５２６１４は、上述された形式の画像表示装置について記載する。この装置は、特に、夫々の発光体の列に関して、逆バイアス発生器への接続の位置と、列ドライバユニットへの接続の位置との間で動くよう制御電極によって駆動される制御スイッチを有する。
【０００９】
逆バイアス発生器は、特に、列の発光体に関連する変調器のゲートとソースとの間で、変調器の所謂再生（ｒｅｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）相の間に、変調器のトリガ閾値電圧におけるドリフトを補償するのに適した逆バイアス電圧を印加するために用いられる。この逆バイアス電圧は、発光体照射相の間に、これら同じ変調器のゲートとソースとの間に印加されるアドレス指定電圧のバイアスの逆バイアスを有する。
【００１０】
留意すべきは、文献ＵＳ２００３／０１１２２０５に記載される装置は、逆バイアス電圧が、同一の行の発光体に関連する変調器のゲートとソースとの間に印加されることを可能にしない点である。実際上、この文献で、逆バイアスが印加される場合に（セクション４４参照。）、それは発光体の端子へ印加されるのであって、変調器のゲートとソースとの間に印加されるのではない。実際には、ここで記載される逆バイアス相の間に、変調器のゲート及びソースは、スイッチＴｒ３及びＴｒ４の同時の閉成によって同じ電位まで上昇し、ゲートとソースとの間には、逆の又はその反対のバイアスは存在しない。
【特許文献１】ＵＳ２００３／００５２６１４
【特許文献２】ＵＳ２００３／０１１２２０５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、具体的に、特にトリガ閾値電圧における経時変化を補償するための代替の表示装置を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の主題は、上述された形式の表示装置であって、
−一方で夫々の変調器のゲート電極及び当該発光体の前記蓄積コンデンサの第１の端子と、他方で前記逆バイアス電圧発生器及び当該発光体の前記蓄積コンデンサの第２の端子との間に接続された、夫々の発光体ごとの逆バイアススイッチと、
−夫々が発光体の行の前記逆バイアススイッチの全てを駆動することが可能な制御電極とを更に有する、ことを特徴とする画像表示装置である。
【００１３】
特定の実施例に従って、当該表示装置は、以下の特徴、即ち、
−前記選択手段は、特に前記選択スイッチを駆動するための選択電極を有し、該選択電極は、別個であり、前記制御電極から独立していること、
−前記発光体によって形成されるネットワークは、第１群の発光体の行と、第２群の発光体の行とを有し、前記第１群及び前記第２の群の行は間に挟まれ、夫々の制御電極は、前記第１群の発光体の行の前記逆バイアススイッチのゲートへ、及び前記第２群の発光体の行の前記選択スイッチのゲートへ接続されて、これら発光体の行に属する前記選択スイッチ及び前記制御スイッチの同時の閉成を制御すること、
−当該装置は、当該装置の全ての前記逆バイアススイッチへ接続された単一の逆バイアス電圧発生器を有すること、及び
−当該装置は、多数の逆バイアス電圧発生器を有し、該逆バイアス電圧発生器は、夫々、特に、他の発生器によって生成された逆バイアス電圧とは異なる特有の逆バイアス電圧を生成するために用いられ、夫々の発生器は、発光体の行の全ての前記逆バイアススイッチへのみ接続されること、
のうちの１又はそれ以上を有する。
【００１４】
有利に、当該装置は、当該装置に含まれる行電極の数を２で割る。
【００１５】
本発明の他の主題は、第１行の発光体及び第２行の発光体を有する請求項３記載の画像表示装置の駆動方法であって、
−所定周波数で前記第１行の発光体の選択スイッチへ接続された制御電極へ第１の選択電圧を印加するステップと、
−前記所定周波数と同じ周波数で前記第２行の発光体の選択スイッチへ接続された制御電極へ第２の選択電圧を印加するステップとを有し、
前記第１の選択電圧及び前記第２の選択電圧の印加は、半周期だけオフセットされ、該半周期の存続期間は、画像ハーフフレームの存続期間に等しい、ことを特徴とする方法である。
【００１６】
特定の実施例に従って、前記表示装置の駆動方法は、以下の特徴、即ち、
−所定周波数で前記選択電極へ選択電圧を印加するステップと、前記所定周波数と同じ周波数で前記制御電極へ制御電圧を印加するステップとを有し、前記制御電圧の印加は、前記選択電圧の印加に対して一部の周期だけ時間においてオフセットされること、
−前記一部の周期は半周期に等しいこと、
−前記一部の周期は３分の１周期に等しいこと、及び
−周期の存続期間は画像フレームの存続期間に等しいこと、
のうちの１又はそれ以上を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、単に一例として与えられた以下の記載を読むことで、且つ、添付の図面を参照してより良く理解されるであろう。
【００１８】
本発明の第１の実施例に従う表示装置１の一部は、図１で図式的に表される。表示装置１は、発光体の行及び列を有するネットワークに分けられた発光体２、４、６、８を有する。
【００１９】
図１には、第１の発光体行１０及び第２の発光体の行１２並びに第１の発光体の列１４及び第２の発光体の列１６しか表されない。
【００２０】
発光体２、４、６、８は、有機発光ダイオードである。それらは、陽極及び陰極を有する。それらは、それらを流れる電流に直接に比例する光度を放射する。夫々の発光体は、表示装置の個々の画素を構成する。
【００２１】
表示装置は、また、ネットワークに分けられたアドレス指定回路１８、２０、２２
２４を有する。
【００２２】
夫々のアドレス指定回路は、発光体２、４、６、８を駆動するよう、発光体２、４、６、８へ接続されている。
【００２３】
発光体の夫々の列１４、１６のアドレス指定回路１８、２２；２０、２４は、当該発光体の列のアドレス指定電極２６、２８を介してアドレス指定される。夫々のアドレス指定電極２６、２８は、列ドライバユニット３０へ接続されている。
【００２４】
ドライバユニット３０は、特に、画像表示信号を受け取って、同時に、当該列でアドレス指定されるべき発光体に関する表示データ項目を表すアドレス指定電圧Ｖｄａｔａを、列の夫々のアドレス指定電極２６、２８へ送るために用いられる。
【００２５】
発光体の夫々の行１０、１２のアドレス指定回路１８、２０；２２、２４は、選択ドライバユニット３３、３５へ夫々接続された選択電極３２、３４を介して選択される。
【００２６】
発光体の行１０、１２の選択ドライバユニット３３、３５は、当該行１０、１２の全ての発光体２、４及び６、８を選択するよう、所定周波数で、当該行１０、１２の選択電極３２、３４において選択信号Ｖ３２、Ｖ３４を発生させるのに適する。
【００２７】
この選択信号は、夫々の新しい画像フレームで発生する一連のパルスを含む。これらのパルスは、発光体の行から発光体を選択する論理データである。
【００２８】
アドレス指定回路１８、２０、２２及び２４は同一であるから、回路１８についてのみ詳細に記載する。
【００２９】
この回路１８は、電流変調器３６と、選択スイッチ３８と、（第２の発光体の行１２の青ドレス指定回路２２では４１で参照される）蓄積コンデンサ４０と、２つの電源電極４２、４４を有する。
【００３０】
電流変調器３６及びスイッチ３８は、ガラス基板上の薄膜に蒸着された多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）又は単結晶シリコン（ｍｉｃｒｏ−Ｓｉ）を用いる技術に基づく薄膜トランジスタである。このような部品は、３つの電極、即ち、ドレイン電極、ソース電極、及びゲート電極を有し、ドレイン電極とソース電極との間には、ドレイン電流と呼ばれる変調電流が流れる。
【００３１】
図１で表される変調器３６はＮ形であり、従って、動作において、そのドレイン電流は、そのドレインからそのソースへと流れる。明らかなように、本発明に従う装置は、また、Ｐ形ＴＦＴトランジスタを駆動するために使用され得る。
【００３２】
コンデンサ４０は、アドレス指定電圧の伝送の後に変調器３６のゲートで電圧を保持するよう電荷を蓄えることができる。
【００３３】
コンデンサ４０は、変調器３６のゲートへ接続された第１の端子４０ａと、逆バイアス電極５２へ接続された第２の端子４０ｂとを有する。
【００３４】
変調器３６のドレインは、発光体２の陰極へ接続される。変調器３６のソースは、一定電位に保持された供給電極４４へ接続される。変調器３６のゲートは、一方ではコンデンサ４０の第１の端子へ、また、他方ではスイッチ３８の電流通過電極（ドレイン又はソース）へ接続される。スイッチ３８の他の電流通過電極（ソース又はドレイン）は、アドレス指定電極２６へ接続される。スイッチ３８のゲートは、選択電極３２へ接続される。発光体２の陽極は、電源電極４２へ接続される。
【００３５】
表示装置１は、また、発光体の夫々の行１０、１２ごとに、逆バイアス電極５２、５４へ接続された逆バイアス発生器４６、４８と、逆バイアス制御電極５６、５８へ接続された逆バイアス制御発生器５３、５５とを有する。
【００３６】
逆バイアス発生器４６及び４８は、夫々、変調器３６のゲートとソースとの間で、発生器４６と４８との間で異なる値のバイアス電圧であって、発光体２、４、６、８の発光相において変調器３６のゲートとソースとの間に印加されるアドレス指定電圧Ｖｇａｔｅのバイアスの逆バイアスであるバイアス電圧Ｖｐを発生させることができる。
【００３７】
逆バイアス電極５２、５４は、発光体の行１０、１２の夫々のアドレス指定回路のコンデンサ４０、４１の第２の端子へ接続される。
【００３８】
逆バイアス制御発生器５３、５５は、同じ周波数の選択信号Ｖ３２、Ｖ３４に類似しており、この選択信号に対して変化する半周期又は周期によってオフセットされる逆バイアス制御信号Ｖ５６、Ｖ５８を生成するのに適する。
【００３９】
装置１は、また、夫々のアドレス指定回路１８、２０、２２、２４において逆バイアススイッチ５９を有する。
【００４０】
このスイッチ５９は、スイッチ３８及び変調器３６と同じ形式の薄膜トランジスタである。
【００４１】
発光体の行１０、１２の夫々のアドレス指定回路のスイッチ５９の電流通過電極（ソース又はドレイン）は、この発光体の行１０、１２の逆バイアス電極５２、５４へ、結果として、更にコンデンサ４０、４１の第２の端子４０ｂ、４１ｂへ接続される。スイッチ５９の他の電流通過電極（ドレイン又はソース）は、変調器３６のゲートへ、結果として、更にコンデンサ４０、４１の第１の端子４０ａ、４１ａへ接続される。発光体の行１０、１２の夫々のアドレス指定回路のスイッチ５９のゲートは、この同じ発光体の行１０、１２の逆バイアス制御電極５６、５８へ接続される。
【００４２】
第１の発光体の列１４並びに第１の発光体の行１０及び第２の発光体の行１２の発光体２、６の動作についてのみ詳細に記載する。
【００４３】
時間Ｔ＝Ｔ０で、図２で表される選択信号Ｖ３２のパルスは、第１の発光体の行１０の選択電極３２で発生する。同時に、ドライバユニット３０は、アドレス指定電極２６へアドレス指定電圧Ｖｄａｔａ２を入力する。このアドレス指定電圧の値は、電源電極４４の一定電位を基準とする。
【００４４】
結果として、第１の発光体の行１０のスイッチ３８は閉じられ、図６から明らかなように、電圧Ｖｄａｔａ２は、アドレス指定回路１８のコンデンサ４０の第１の端子４０ａ及び、変調器３６のゲートとソースとの間へ印加される。選択信号Ｖ３２のパルスの終了後、第１の発光体の行１０のスイッチ３８は開き、図６から明らかなように、電圧Ｖｄａｔａ２は、アドレス指定回路１８の変調器３６のゲートとソースとの間でコンデンサ４０によって保持される。
【００４５】
電圧Ｖｄａｔａ２は変調器３６のトリガ閾値電圧よりも大きいので、図示されるドレイン電流が発光体２を流れる。
【００４６】
時間Ｔ＝Ｔ１で、図４で表される選択信号Ｖ３４のパルスは、選択電極３４へ印加される。同時に、ドライバユニット３０は、アドレス指定電極２６へアドレス指定電圧Ｖｄａｔａ６を入力する。このアドレス指定電圧の値は、やはり、電源電極４４の一定電位を基準とする。
【００４７】
結果として、第２の発光体の行１２のスイッチ３８は閉じ、電圧Ｖｄａｔａ６は、第２の発光体の行１２のアドレス指定回路２２のコンデンサ４１及び、変調器３６のゲートとソースとの間へ印加される。電圧Ｖｄａｔａ６は変調器３６のトリガ閾値電圧よりも大きいので、図示されるドレイン電流が発光体６を流れる。選択信号Ｖ３４のパルスの終了後、第２の発光体の行１２のスイッチ３８は開き、図７から明らかなように、電圧ｄａｔａ６は、アドレス指定回路２２の変調器３６のゲートとソースとの間でコンデンサ４１によって保持される。
【００４８】
このステップは、Ｔ＝Ｔ１からＴ＝Ｔ４までの範囲に及ぶ期間の間、表示装置の全ての行に対して行ごとに、行の夫々の発光体に対して順次に繰り返される。
【００４９】
同時に、時間Ｔ＝Ｔ２で、図３で表される制御信号Ｖ５６のパルスは、制御電極５６へ印加される。
【００５０】
このパルスは、第１の発光体の行１０のスイッチ５９を閉じ、従って、発生器４６によって発生した逆バイアス電圧Ｖｐは、アドレス指定回路１８の変調器３６のゲートとソースとの間に印加される。その場合にスイッチ５９はコンデンサ４０の２つの端子を短絡するので、このコンデンサ４０は放電される。制御信号Ｖ５６のパルスの終了後、第１の発光体の行１０のスイッチ５９は開き、コンデンサ４０がゼロ充電のままであるため、図６から明らかなように、電圧Ｖｐは、アドレス指定回路１８の変調器３６のゲートとソースとの間で保持される。
【００５１】
次いで、時間Ｔ＝Ｔ３で、図５で表される制御信号Ｖ５８のパルスは、第２の発光体の行１２の制御電極５８へ印加され、この第２行１２のスイッチ５９を閉じる。結果として、発生器４８によって発生する逆バイアス電圧Ｖｐは、第２の発光体の行１２のアドレス指定回路２２のコンデンサ４１の第２の端子及び変調器３６のゲートへ印加される。その場合にスイッチ５９はコンデンサ４１の２つの端子を短絡するので、このコンデンサ４１は放電される。制御信号Ｖ５８のパルスの終了後、第２の発光体の行１２のスイッチ５９は開き、コンデンサ４１がゼロ充電のままであるため、図７から明らかなように、電圧Ｖｐはアドレス指定回路２２の変調器３６のゲートとソースとの間で保持される。
【００５２】
時間Ｔ＝Ｔ４で、時間Ｔ＝Ｔ０で実行されたステップが繰り返される。従って、図２で表される選択信号Ｖ３２のパルスは、選択電極３２へ印加される。同時に、ドライバユニット３０は、アドレス指定電極２６へ新しいアドレス指定電圧を入力する。
【００５３】
時間Ｔ＝Ｔ５で、時間Ｔ＝Ｔ１で実行されたステップが繰り返される。
【００５４】
次いで、本発明に従う装置の動作方法は、上述されたステップを繰り返すことによって続く。
【００５５】
Ｔ０からＴ４の存続期間は、画像フレームの存続期間に対応する。画像フレームの存続期間は、２つの相、この場合にはＴ０からＴ２及びＴ２からＴ４に分けられる。例えば、それらの存続期間の夫々は、画像ハーフフレームの存続期間に等しい。
【００５６】
（Ｔ＝Ｔ０からＴ＝Ｔ２及びＴ＝Ｔ１からＴ＝Ｔ３の存続期間に対応する）第１相の間、スクリーンの発光体は照射され、（Ｔ＝Ｔ２からＴ＝Ｔ４及びＴ＝Ｔ３からＴ＝Ｔ５の存続期間に対応する）第２相の間、発光体はオフである。第１相と第２相との間のこれらの存続期間の比は５０／５０である。
【００５７】
変形例では、第１相と第２相との間の存続期間の比は６０／４０又は７０／３０である。
【００５８】
発光体の発光相の間、これらの発光体へ接続された変調器３６のゲートとソースとの間に印加される表示データのアドレス指定電圧Ｖｄａｔａは、特に、第１の方向で変調器３６のトリガ閾値電圧を変化させるために用いられる。
【００５９】
発光体のオフ相の間、逆バイアス電圧Ｖｐは、これらの発光体へ接続された変調器３６のゲートとソースとの間で印加され、それらのトリガ閾値電圧における如何なるドリフトも補償するように逆方向でこの閾値電圧を変化させる。
【００６０】
図６及び７で表される逆バイアス電圧Ｖｐは、変調器３６へ予め印加されるアドレス指定電圧Ｖｄａｔａ２、Ｖｄａｔａ６のバイアスの逆であるバイアスを有するので、それらは、特に、（アドレス指定電圧の印加の前に）初期トリガ閾値電圧へ戻るために、変調器３６のトリガ閾値電圧を低減するために用いられる。
【００６１】
本発明の第２の実施例に従う表示装置６０の一部は、図８に図式的に表される。
【００６２】
図１で表される第１の実施例の要素と同一の又は類似する図８で表される第２の実施例の要素は、図１と同じ参照番号によって示され、もう一度説明されることはない。
【００６３】
装置６０を表す図８は、図１で表される装置１の一部に加えて、アドレス指定回路６６、６７によって夫々駆動される発光体６２及び６４を有する第３の発光体の行６１と、詳細には図示されない第４の発光体の行６８とを有する。
【００６４】
回路６６は、回路１８、２０、２２、２４と同じである。それは、第１の端子７６ａ及び第２の端子７６ｂを有するコンデンサ７６と、電極５２及び５４と同じであって、コンデンサ７６の第２の端子７６ｂへ及びスイッチ５９の電流通過電極へ接続される逆バイアス電極６９とを有する。
【００６５】
電極５２、５４及び６９へ接続される逆バイアス発生器４６、４８は、図８を簡単化するよう図示されない。
【００６６】
装置６０は、装置１の選択電極３２、３４と、逆バイアス制御電極５６及び５８とを置換することによる選択及び逆バイアスのための制御電極７０、７１及び７２と、付加的な制御電極７４とを有する。
【００６７】
制御電極７０は、第１行１０の真上に位置する、図示されていない発光体の行の全ての逆バイアス制御スイッチ５９へ及び、第１の発光体の行１０の全ての選択スイッチ３８へ接続されている。
【００６８】
制御電極７１は、第１の発光体の行１０の全ての逆バイアス制御スイッチ５９へ及び、第２の発光体の行１２の全ての選択スイッチ３８へ接続されている。
【００６９】
同様に、制御電極７２及び制御電極７４は、夫々、第２の発光体の行１２及び第３の発光体の行６１の夫々の逆バイアス制御スイッチ５９の全てへ及び、第３の発光体の行６１及び第４の発光体の行６８の夫々の全ての選択スイッチ３８へ接続されている。
【００７０】
このようにして、行の逆バイアス制御スイッチ５９は、次の行の選択スイッチ３８と同じ制御電極へ接続される。
【００７１】
装置６０は、また、制御電極７０、７１、７２、７４へ夫々接続された制御発生器８０、８２、８４、８６を有する。
【００７２】
発生器８０、８２、８４、８６は、特に、同じ周波数の制御信号Ｖ７０、Ｖ７１、Ｖ７２、Ｖ７４を生成するために用いられる。図９から１２で明らかなように、２つの隣接する行１０、１２の電極へ印加される制御信号Ｖ７０、Ｖ７１は、画像半周期によってオフセットされる。
【００７３】
第１の発光体の列１４並びに第１の発光体の行１０、第２の発光体の行１２及び第３の発光体の行６１のうちの発光体６及び６２のみが詳細に記載される。
【００７４】
時間Ｔ＝Ｔ０で、図１０で表される制御信号Ｖ７１は、制御電極７１へ送られる。このパルスは、第１の発光体の行１０の逆バイアス制御スイッチ５９及び、第２の発光体の行１２の選択スイッチ３８の閉成を引き起こす。
【００７５】
同時に、画像データ項目を表すアドレス指定電圧Ｖｄａｔａ６は、ドライバユニット３０によってアドレス指定電極２６へ印加される。このアドレス指定電圧の値は、電源電極４４の一定電位を基準とする。
【００７６】
第１の発光体の行１０のスイッチ５９は閉じられているので、逆バイアス電極５２から得られる逆バイアス電圧Ｖｐは、変調器３６のゲートとソースとの間と、第１の発光体の行１０のコンデンサ４０の端子とへ印加される。その場合に、スイッチ５９はコンデンサ４０の２つの端子を短絡するので、このコンデンサ４０は放電される。制御信号Ｖ７１のパルスの終了後、第１の発光体の行１０のスイッチ５９は開き、コンデンサ４０がゼロ充電のままであるので、図１３から明らかなように、電圧Ｖｐは、アドレス指定回路１８の変調器３６のゲートとソースとの間で保持される。
【００７７】
並行して、第２の発光体の行１２のスイッチ３８は同時に閉じられるので、図１４から明らかなように、電極２６から得られるアドレス指定電圧Ｖｄａｔａ６は、コンデンサ４１の第１の端子４１ａと、第２の発光体の行１２の変調器３６のゲートとへ印加される。
【００７８】
結果として、発光体２はオフであり、発光体６は照射される。制御信号Ｖ７１のパルスの終了後、第２の発光体の行１２のスイッチ３８は開き、図１４から明らかなように、電圧Ｖｄａｔａ６は、コンデンサ４１によって、アドレス指定回路２２の変調器３６のゲートとソースとの間で保持される。
【００７９】
時間Ｔ＝Ｔ１で、図１２で表される制御信号Ｖ７４のパルスは、制御電極７４へ印加される。このパルスの印加は、第３の発光体の行６１のスイッチ５９の閉成を引き起こす。図１５から明らかなように、この閉成に続いて、逆バイアス電極６９の逆バイアス電圧Ｖｐは、変調器３６のゲートとソースとの間と、第３の発光体の行６１のコンデンサ７６の端子とへ印加される。
【００８０】
結果として、発光体６２はオフとなる。
【００８１】
その場合に、スイッチ５９は、コンデンサ７６の２つの端子を短絡するので、このコンデンサ７６は放電される。制御信号Ｖ７４のパルスの終了後、第３の発光体の行６１のスイッチ５９は開き、コンデンサ７６はゼロ充電のままであるので、図１５から明らかなように、電圧Ｖｐは、アドレス指定回路６６の変調器３６のゲートとソースとの間に保持される。
【００８２】
時間Ｔ＝Ｔ２で、図９で表される制御信号Ｖ７０のパルスは、発生器８０によって制御電極７０へ印加され、また、アドレス指定電圧Ｖｄａｔａ２は、アドレス指定ドライバユニット３０によってアドレス指定電極２６へ印加される。このアドレス指定電圧の値は、また、電源電極４４の一定電位を基準とする。
【００８３】
結果として、図１３で表されるように、アドレス指定電圧Ｖｄａｔａ２は、第１の発光体の行１０の変調器３６のゲートと、コンデンサ４０の端子とへ印加され、発光体２は照射される。
【００８４】
制御信号Ｖ７０のパルスの終了後、第１の発光体の行１０のスイッチ３８は開き、図１３から明らかなように、電圧Ｖｄａｔａ２は、コンデンサ４０によって、アドレス指定回路１８の変調器３６のゲートとソースとの間で保持される。
【００８５】
時間Ｔ＝Ｔ３で、図１１で表される制御信号Ｖ７２のパルスは、制御電極７２へ印加される。これは、第２の発光体の行１２の逆バイアススイッチ５９の閉成と、第３の発光体の行６１の選択スイッチ３８の閉成とを引き起こす。その場合に、スイッチ５９は、コンデンサ４１の２つの端子を短絡するので、このコンデンサ４１は放電される。制御信号Ｖ７２のパルスの終了後、第２の発光体の行１２のスイッチ５９は開き、コンデンサ４１はゼロ充電のままであるから、図１４から明らかなように、電圧Ｖｐは、アドレス指定回路２２の変調器３６のゲートとソースとの間で保持される。
【００８６】
結果として、逆バイアス電極５４の逆バイアス電圧Ｖｐは、図１４から明らかなように、第２の発光体の行１２の変調器３６のゲートとソースとの間と、コンデンサ４１の端子とへ印加される。
【００８７】
その場合に、発光体６はオフとなる。
【００８８】
並行して、図１５で表されるように、アドレス指定電圧Ｖｄａｔａ６２は電極２６によって伝送され、第３の発光体の行６１の変調器３６のゲートと、コンデンサ７６の電極とへ印加される。結果として、発光体６２は照射される。
【００８９】
時間Ｔ＝Ｔ４及びＴ＝Ｔ５で、時間Ｔ＝Ｔ０及びＴ＝Ｔ１で実行されるステップは、夫々繰り返される。
【００９０】
Ｔ＝Ｔ０からＴ＝Ｔ４まで及びＴ＝Ｔ１からＴ＝Ｔ５までの範囲の時間期間は、夫々、この場合に２つのインターレース・フレームを有する画像の存続期間に対応する。
【００９１】
本発明のこの実施例に従って、当該装置の奇数行１０、６１を含む群の発光体は、第１のフレームＴ０〜Ｔ２又はＴ１〜Ｔ３の間はオフであり、次いで第２の期間Ｔ２〜Ｔ４又はＴ３〜Ｔ５の間は照射される。
【００９２】
反対に、当該装置の偶数行１２、６８を含む他の群の発光体は、第１のフレームＴ０〜Ｔ２又はＴ１〜Ｔ３の間は照射され、次いで第２のフレームＴ２〜Ｔ４又はＴ３〜Ｔ５の間はオフである。
【００９３】
本発明から逸脱することなく、奇数フレームと偶数フレームとの間の順序は逆にされても良い。
【００９４】
第１行１０の発光体２、４がオフである場合に、第２行１２の発光体６、８は照射され、逆もまた同様である。
【００９５】
有利に、本発明のこの第２の実施例は、表示モードがインターレース式に配置される場合に、ドライバユニット３０が、「前進（ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｖｅ）モード」へ戻すよう、受信した表示信号の、アドレス指定されるべきデータのスケーリングを再計算するので、表示データのアドレス指定を容易にする。
【００９６】
実際には、インターレース式に配置された表示モードを用いる場合に、行の発光体は、第１フレームでは全ての偶数行に関して、次いで第２フレームでは全ての奇数行に関して、同時に全ての列でアドレス指定される。
【００９７】
有利に、本発明のこの第２の実施例は、制御電極７０、７１，７２、７４が、アドレス指定電圧の入力（ａｄｒｅｓｓｉｎｇ）及び逆バイアス電圧の入力（ａｄｒｅｓｓｉｎｇ）の両方を制御するために使用され得るので、行電極の数を低減することを可能にする。
【００９８】
有利に、当該装置は、特に正及び負のバイアス電圧をアドレス指定するためのドライバユニットを使わないことを可能にする。このような形式ドライバユニットは、実用上費用がかかる。
【００９９】
変形例として、全ての表示装置の逆バイアス電極５２、５４、６９は、単一の逆バイアス電圧発生器へ接続される。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の第一の実施例に従う表示装置の一部の概略図である。
【図２】特に図１で表される装置の第１の発光体を選択するための選択信号の経時変化を表すグラフである。
【図３】特に図１で表される装置の第１の発光体を制御するための制御信号の経時変化を表すグラフである。
【図４】特に図１で表される装置の第２の発光体を選択するための選択信号の経時変化を表すグラフである。
【図５】特に図１で表される装置の第２の発光体を制御するための制御信号の経時変化を表すグラフである。
【図６】図１で表される装置の第１の発光体に関連する電圧の経時変化を表すグラフである。
【図７】図１で表される装置の第２の発光体に関連する電圧の経時変化を表すグラフである。
【図８】本発明の第２の実施例に従う表示装置の一部の概略図である。
【図９】特に図８で表される装置の発光体の第１行の発光体を制御するための制御信号の経時変化を表すグラフである。
【図１０】特に図８で表される装置の発光体の第２行の発光体を制御するための制御信号の経時変化を表すグラフである。
【図１１】特に図８で表される装置の発光体の第３行の発光体を制御するための制御信号の経時変化を表すグラフである。
【図１２】特に図８で表される装置の発光体の第４行の発光体を制御するための制御信号の経時変化を表すグラフである。
【図１３】図８で表される装置の発光体の第１行の発光体に関連するコンデンサによって蓄えられた電圧の経時変化を表すグラフである。
【図１４】図８で表される装置の発光体の第２行の発光体に関連するコンデンサによって蓄えられた電圧の経時変化を表すグラフである。
【図１５】図８で表される装置の発光体の第３行の発光体に関連するコンデンサによって蓄えられた電圧の経時変化を表すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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