(57)【要約】【課題】基板に電気信号の授受を行うための配線が接続され、配線における電流の短絡が抑えられると共に、簡易に製造できる半導体デバイス、液体吐出ヘッド及び記録装置を提供する。【解決手段】半導体チップに形成されたパッド１１と半導体チップの外部に配置されたリード２１との間が、接続配線５によって接続される。接続配線５と半導体チップ１との間には、絶縁性を有する絶縁層によって被覆された被覆ワイヤー６が配置されている。【選択図】図２
2015093455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路が形成されると共に、前記電気回路に電気的に接続された電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの外部に配置され、前記電気回路との間で電流の授受を行うリードと、
前記電極と前記リードとの間を電気的に接続する接続配線と、
絶縁性を有する絶縁層によって被覆された配線部材とを有し、
前記接続配線と前記半導体チップとの間に、前記配線部材が配置されることによって、前記接続配線と前記半導体チップとが離間していることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記配線部材は、前記電気回路との間で電気的な接続の行われないダミー配線であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記半導体チップに、前記電気回路に電気的に接続されないダミーパッドが形成され、
前記ダミー配線は、金属によって形成された芯線に前記絶縁層が被覆され、前記芯線が前記ダミーパッドに接続されて、前記半導体チップに取り付けられることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体チップにおける前記接続配線の接続された位置の、前記接続配線の延びる方向に交差する方向に沿う両側部に位置するように、電気基盤が配置され、
前記電気基盤には、前記接続配線に電気的に接続されずに形成されたダミーリードが形成され、
前記ダミー配線は、金属によって形成された芯線に前記絶縁層が被覆され、前記芯線が前記ダミーリードに接続されて、前記電気基盤に取り付けられることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記半導体チップにおける前記電極の形成された面と、前記電極から前記リードに向かう方向に沿った端部の面とが直交して前記半導体チップが形成され、
前記電極の形成された面に直交する方向に沿った、前記半導体チップにおける前記電極の形成された面と、前記リードにおける前記接続配線と接続される側の表面と、の間の距離をｈとし、
前記電極から前記リードに向かう方向に沿った、前記半導体チップにおける前記電極から前記リードに向かう方向における端部の面と、前記接続配線と前記リードとの間の接続位置と、の間の距離をｇとし、
前記電極から前記リードに向かう方向における、前記接続配線に対向する前記半導体チップの稜線の位置と、前記配線部材の中心の位置と、の間の距離をｊとし、
前記配線部材の直径をｄとすると、
ｊ＜ｇ×ｄ／ｈ
の関係が成り立つことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記半導体チップに溝が形成され、
前記配線部材は、一部が前記溝の内部に配置されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記半導体チップに溝が形成され、
前記配線部材は、第１の配線部材及び第２の配線部材を有し、
前記第１の配線部材は、一部が前記溝の内部に位置するように配置され、
前記第２の配線部材は、前記第１の配線部材よりも前記リードに近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記半導体チップは、前記電極の形成された第１の面と、前記半導体チップにおける前記電極から前記リードに向かう方向に沿った端部に配置され、前記第１の面と交差する第２の面とを有し、
前記半導体チップから、前記第１の面と前記第２の面とが交差して形成される稜線を含む部分が除去されることで切欠きが形成され、
前記切欠きの内部に前記配線部材の一部が位置するように、前記配線部材が配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記切欠きが形成されることによって、前記半導体チップの前記電極から前記リードに向かう方向に沿った端部に、前記半導体チップに前記電極及び前記接続配線が積層される方向に関し前記第１の面よりも前記接続配線から離間し、前記第１の面と平行に形成された第３の面が形成され、
前記半導体チップに前記電極及び前記接続配線が積層される方向に沿った、前記第３の面と、前記リードにおける前記接続配線と接続される側の表面と、の間の距離をｈ’とし、
前記電極から前記リードに向かう方向に沿った、前記半導体チップにおける前記電極から前記リードに向かう方向における端部の面と、前記接続配線と前記リードとの間の接続位置と、の間の距離をｇとし、
前記配線部材の直径をｄとし、
前記電極から前記リードに向かう方向に沿った前記第３の面の長さをｆとすると、
ｆ＜ｇ×ｄ／ｈ’＋ｄ／２
の関係が成り立つことを特徴とする請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
液室が画成され、前記液室に連通して前記液室に貯留された液体を吐出する吐出口が形成されると共に、前記吐出口から液体を吐出するために液体にエネルギーを付与する記録素子の形成された記録素子基板と、
前記記録素子に電気エネルギーを伝送するために前記記録素子から延びている配線の端部に形成されている電極と、
前記記録素子基板の外部に配置され、前記電極を通じて前記記録素子を駆動させるための電気を伝送するために、前記電極との間で電流の授受を行うリードと、
前記電極と前記リードとの間を電気的に接続する接続配線と、
前記接続配線と前記記録素子基板との間に、絶縁性を有する絶縁層によって被覆された配線部材が配置されていることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１１】
液室が画成され、前記液室に連通して前記液室に貯留された液体を吐出する吐出口が形成されると共に、前記吐出口から液体を吐出するために液体にエネルギーを付与する記録素子の形成された記録素子基板と、
前記記録素子基板に形成され、前記吐出口から液体を吐出するために液体にエネルギーを付与する記録素子と、
前記記録素子に電気エネルギーを伝送するために前記記録素子から延びている配線の端部に形成されている電極と、
前記記録素子基板の外部に配置され、前記電極を通じて前記記録素子を駆動させるための電気を伝送するために、前記電極との間で電流の授受を行うリードと、
前記電極と前記リードとの間を電気的に接続する接続配線と
を有する液体吐出ヘッドと、
前記液体吐出ヘッドを搭載することが可能な液体吐出ヘッド搭載手段とを有し、
前記液体吐出ヘッドから記録媒体に液体を吐出する記録装置であって、
前記接続配線と前記記録素子基板との間に、絶縁性を有する絶縁層によって被覆された配線部材が配置されていることを特徴とする記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気信号の授受を行うために、基板に電気信号を供給すると共に、基板からの電気信号を送信するための配線が接続された半導体デバイス、記録ヘッド及び記録装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスにおける基板の電極に、外部からの配線が電気的に接続された場合、配線が基板の一部に接触する可能性がある。これにより、配線内を流れる電流が短絡し、電気信号の授受が適切に行われない可能性がある。
【０００３】
配線と基板との間の接触を抑えるためには、配線における基板からの距離を確保することが考えられる。しかしながら、配線と基板との間の距離を大きく取りすぎると、これによって配線の占めるスペースが大きくなってしまい、半導体デバイスが大型化してしまう可能性がある。
【０００４】
特許文献１には、基板における電極に対応する位置で、基板の端部まで絶縁層としての樹脂膜が形成された半導体ウェハーが所定の形状に切断されて形成された半導体デバイスが開示されている。これにより、配線と基板との間で電流の短絡が生じることが抑えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２-４３３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示された半導体デバイスにおいて、基板の端部での短絡が生じることを抑えるためには、配線と基板の端部とが直接接触しないように、樹脂膜が基板の端部まで覆っていることが求められる。しかしながら、半導体ウェハーの切断を行う際には、切断のためのブレードの通過する部分には、樹脂膜を配置しないことが求められる。半導体ウェハーの切断のためのブレードが樹脂膜の部分を切断すると、樹脂がブレードに付着して切断能力が低下する可能性があるからである。そのため、基板に樹脂膜を配置する際には、ブレードの通過する部分には樹脂膜を配置せず、且つ、基板の端部まで樹脂膜を配置することが求められている。従って、樹脂膜の配置には、高い位置精度が求められる。半導体デバイスの製造の際に、高い位置精度による樹脂膜の配置が求められているので、半導体デバイスの製造のためのコストが嵩んでしまう可能性がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記の事情に鑑み、基板に電気信号の授受を行うための配線が接続され、配線における電流の短絡が抑えられると共に、簡易に製造できる半導体デバイス、液体吐出ヘッド及び記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体デバイスは、電気回路が形成されると共に、前記電気回路に電気的に接続された電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップの外部に配置され、前記電気回路との間で電流の授受を行うリードと、前記電極と前記リードとの間を電気的に接続する接続配線と、絶縁性を有する絶縁層によって被覆された配線部材とを有し、前記接続配線と前記半導体チップとの間に、前記配線部材が配置されることによって、前記接続配線と前記半導体チップとが離間していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電流の短絡が抑えられた半導体デバイスを簡易に製造できるので、半導体デバイスの製造コストを少なく抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体デバイスにおいて、リードとパッドとの間の電気的な接続が行われる前の状態を模式的に示した平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩＢ−ＩＢ線に沿う断面図である。
【図２】（ａ）は、リードとパッドとの間の電気的な接続が行われた後の状態の、図１の半導体デバイスについて模式的に示した平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿う断面図である。
【図３】（ａ）は、被覆ワイヤーの配置位置の説明のために、半導体チップと電気基盤との間が接続配線によって電気的に接続された状態の接続部の周辺について示した断面図であり、（ｂ）は、（ａ）における被覆ワイヤーの周辺について拡大して示した断面図である。
【図４】（ａ）は、第１実施形態の別の実施形態の半導体デバイスにおいて、リードとパッドとの間の電気的な接続が行われる前の状態を示した平面図であり、（ｂ）はリードとパッドとの間の電気的な接続が行われた後の状態を示した平面図である。
【図５】図２の半導体デバイスが記録ヘッドとして適用されたときの、記録ヘッドについて示した斜視図である。
【図６】図５の記録ヘッドに用いられた記録素子基板の一部を破断して内部の構成について示した斜視図である。
【図７】図５の記録ヘッドを搭載可能なインクジェット記録装置について示した斜視図である。
【図８】（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体デバイスにおいて、リードとパッドとの間の電気的な接続が行われる前の状態を模式的に示した平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿う断面図である。
【図９】（ａ）は、リードとパッドとの間の電気的な接続が行われた後の状態の、図８の半導体デバイスについて模式的に示した平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩＸＢ−ＩＸＢ線に沿う断面図である。
【図１０】第２実施形態の別の実施形態の半導体デバイスについて、リードとパッドとの間の電気的な接続部分について示した断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る半導体デバイスにおいて、リードとパッドとの間の電気的な接続が行われる前の状態の、リードとパッドとの間の電気的な接続部分について示した断面図である。
【図１２】図１１の半導体デバイスにおいて、リードとパッドとの間の電気的な接続が行われた後の状態の、リードとパッドとの間の電気的な接続部分について示した断面図である。
【図１３】被覆ワイヤーの配置位置の説明のために、図１１の半導体チップと電気基盤との間が接続配線によって電気的に接続された状態の接続部の周辺について示した断面図であり、（ｂ）は、（ａ）における被覆ワイヤーの周辺について拡大して示した断面図である。
【図１４】第３実施形態の別の実施形態の半導体デバイスについて、半導体チップと電気基盤との間が接続配線によって電気的に接続された状態の接続部の周辺について示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る半導体デバイスとしての記録ヘッドについて、図面を参照して説明する。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体デバイスについて、図面を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明における第１実施形態の半導体デバイス１００における、電気的な接続部分の構成について、接続前の状態を模式的に示した平面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩＢ−ＩＢ線に沿う断面図である。図１（ａ）、（ｂ）は、後述するように接続配線５によって半導体チップ１と電気基盤２との間が電気的に接続される前の状態について示した図である。
【００１３】
半導体チップ１及び電気基盤２が、接着剤４を介してそれぞれ支持基板３上に配置されており、半導体チップ１及び電気基盤２と支持基板３とが接着剤４によって固定されている。半導体チップ１には、不図示の電気回路が形成されている。また、半導体チップ１には、電気回路に電気的に接続されたパッド（電極）１１が形成されている。パッド１１は、半導体チップ１における電極として形成されている。パッド１１に電流を供給することにより、パッド１１に接続された電気回路に電流を供給することができる。本実施形態では、半導体チップ１の周囲に、半導体チップ１を取り囲むように電気基盤２が配置されている。
【００１４】
電気基盤２には、半導体チップ１との間で電流の授受を行うためのリード２１が形成されている。リード２１は、半導体チップ１の外部に配置され、電気回路との間で電流の授受を行うために配置されている。本実施形態では、リード２１は、電気基盤２上に形成されている。
【００１５】
半導体チップ１には、パッド１１よりも半導体チップ１の端部に近い側に、複数のダミーパッド１２が配置されている。ダミーパッド１２は、半導体チップ１に形成された電気回路に電気的に接続されるわけではない。ダミーパッド１２は、電気回路との間で電流の授受には関与しないので、パッド１１あるいはリード２１と電気的に接続されずに形成されている。
【００１６】
図２（ａ）、（ｂ）に、接続配線５によって半導体チップ１と電気基盤２との間が電気的に接続された状態の半導体デバイス１００における電気的な接続部分の構成について模式的に示した平面図及び断面図を示す。図２（ａ）は、半導体デバイスにおける電気的な接続部について示した平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿う断面図である。パッド１１とチップエッジ５１との間には、芯線６０が絶縁性物質によって被覆されて形成された被覆ワイヤー（配線部材）６が配置されている。被覆ワイヤー６は、絶縁性を有する絶縁層７０を有しており、絶縁層７０によって外側の表面を被覆されている。被覆ワイヤー６における芯線６０は、金属によって形成されている。ここでは、特に、芯線６０が金によって形成されている。すなわち、被覆ワイヤー６は、金属によって形成された芯線６０の外側に絶縁層７０が被覆されて形成されている。被覆ワイヤー６は、半導体チップ１に形成された二つのダミーパッド１２の間を架け渡すように配置されている。本実施形態では、被覆ワイヤー６は、ワイヤーボンディングによってダミーパッド１２に接合されている。このように、被覆ワイヤー６は、芯線６０がダミーパッド１２に接続されて、半導体チップ１に取り付けられている。
【００１７】
半導体チップ１のパッド１１と電気基盤２のリード２１との間には、接続配線５が配置されている。接続配線５は、金属によって形成されたワイヤーによって形成されている。本実施形態では、接続配線５は金によって形成されている。半導体チップ１のパッド１１と電気基盤２のリード２１との間に接続配線５が配置されているので、パッド１１とリード２１との間が電気的に接続される。
【００１８】
接続配線５は、パッド１１とリード２１との間を電気的に接続し、それらの間を架け渡すように配置されている。本実施形態では、パッド１１と接続配線５との間がワイヤーボンディングによって接続されている。また、接続配線５とリード２１との間が、ワイヤーボンディングによって接続されている。
【００１９】
接続配線５は、被覆ワイヤー６よりも半導体チップ１から離れた位置を通るように配置されている。本実施形態では、接続配線５は、被覆ワイヤー６の上方を通るように配置されている。そのため、接続配線５と半導体チップ１との間に、被覆ワイヤー６が配置されることになる。また、被覆ワイヤー６は、接続配線５の延びる方向に対して交差する方向に延びるように配置されている。本実施形態では、被覆ワイヤー６は、接続配線５の延びる方向に対して直交する方向に延びるように配置されている。このように、接続配線５及び被覆ワイヤー６が配置されているので、接続配線５と半導体チップ１との間に被覆ワイヤー６が挟まれるように被覆ワイヤー６が配置されている。また、被覆ワイヤー６は、半導体チップ１における端部に近い側に配置されている。特に、半導体チップ１におけるパッド１１よりも、電気基盤２のリード２１に近い側の端部に近い側の位置に、被覆ワイヤー６が配置されている。
【００２０】
被覆ワイヤー６が、電気基盤２のリード２１に近い側の端部に近い側の位置に、接続配線５と半導体チップ１との間に挟まれるように配置されているので、接続配線５が半導体チップ１の端部に近い位置に直接接触することを抑えることができる。また、被覆ワイヤー６の表面には、絶縁性物質が配置されている。そのため、半導体チップ１と接続配線５との間に絶縁性物質によって被覆された被覆ワイヤー６が位置することになり、接続配線５を流れる電流の一部がパッド１１に到達する前に半導体チップ１の内部に流れ込むことを抑えることができる。
【００２１】
被覆ワイヤー６は、断面が略円形に形成されている。被覆ワイヤー６の芯線６０を被覆する絶縁層７０を形成する絶縁性物質としては、ポリイミド樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエステル樹脂などを適宜用いることができる。本実施形態においては、直径２５μｍの金によって形成されたワイヤーが、０．１μｍのポリエステル樹脂によって被覆されたものが用いられている。
【００２２】
図２（ａ）、（ｂ）に示されるように、接続配線５は、被覆ワイヤー６と接触した状態で、パッド１１から電気基盤２の方に延びるように配置されている。接続配線５は、被覆ワイヤー６と当接した部分で、断面が略円形に形成された被覆ワイヤー６の上部の形状に沿って湾曲している。そこから、下方に位置する電気基盤２のリード２１に向かって略直線状に延びて配置されている。
【００２３】
次に、望ましい被覆ワイヤー６の配置位置について説明する。被覆ワイヤー６の線径が小さすぎたり、被覆ワイヤー６の配置位置が半導体チップ１の端部から離れすぎたりしていると、接続配線５と半導体チップ１との間に被覆ワイヤー６が介在していても半導体チップ１と接続配線５とが直接接触する可能性がある。そのため、被覆ワイヤー６の線径と配置位置とについて考慮することが望ましい。
【００２４】
ここで、接続配線５と半導体チップ１との間の絶縁性を確保するために求められる被覆ワイヤー６の線径と配置位置との関係について、図３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図３（ａ）、（ｂ）では、被覆ワイヤー６の配置位置について説明するために、半導体チップ１の端部と接続配線５とが直接接触している状態について示されている。図３（ａ）、（ｂ）は、それぞれ半導体チップ１と電気基盤２との間が接続配線５によって電気的に接続された状態の接続部の周辺について示された断面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）における半導体チップ１に配置された被覆ワイヤー６の周辺について拡大して示した断面図である。
【００２５】
ここでは、半導体チップ１におけるパッド１１の形成された面と、半導体チップ１におけるパッド１１からリード２１に向かう方向に沿った端部の面とが略直交して、半導体チップ１が形成されている。チップエッジをＡ、リード２１と接続配線５との間のボンディングポイントをＢ、Ｂを通り支持基板３の表面に平行な直線と半導体チップ１との交点をＣ、被覆ワイヤー６とチップ１との接点をＤ、被覆ワイヤー６と接続配線５との接点をＥとする。線分ＡＣは、半導体チップ１におけるパッド１１の形成された側の表面とリード２１における接続配線５と接続される側の表面との間の高低差を示し、その長さをｈとする。線分ＢＣは、半導体チップ１におけるパッド１１からリード２１に向かう方向に沿った方向の端部の面と、半導体チップ１と接続配線５とリード２１との間の接続位置、つまりリード２１のボンディングポイントとの距離を示し、その長さをｇとする。線分ＡＤは、半導体チップ１における電気基盤２に近い側の端部の接続配線５に対向する稜線の位置と被覆ワイヤー６の中心との間の距離を示し、その長さをｊとする。線分ＤＥは、被覆ワイヤー６の直径を示し、その長さをｄとする。
【００２６】
半導体チップ１と接続配線５とが互いに接触した状態において、△ＡＢＣと△ＥＡＤは相似とみなすことができる。従って、ｇ：ｈ＝ｊ：ｄの関係が成り立つ。ｊ＝ｇ×ｄ／ｈのときに、半導体チップ１と接続配線５とが接触してしまうことから、半導体チップ１と接続配線５とが接触しないためには、半導体チップ１の端部と被覆ワイヤー６の中心との距離ｊは、このときの値よりも小さい必要がある。すなわち、以下の関係が成り立つように被覆ワイヤー６を配置すればよい。
ｊ＜ｇ×ｄ／ｈ  ・・・（１）
【００２７】
このような関係を満たすように被覆ワイヤー６が配置されることによって、接続配線５が半導体チップ１に直接接触することを抑えることができる。
【００２８】
パッド１１、リード２１、ダミーパッド１２を形成する材料は、金属ワイヤーと接合できる金属であればよく、通常はアルミや金メッキなどが用いられる。本実施形態においては、パッド１１、リード２１、ダミーパッド１２を形成する材料として、金のメッキが用いられている。
【００２９】
接続配線５を形成する材料としては、接続配線５とパッド１１あるいはリード２１との間の電気的な接続方法に応じて決めればよい。接続配線５とパッド１１あるいはリード２１との間の電気的な接続がＩＬＢ（インナーリードボンディング）によって行われる場合には、接続配線５の材料としてインナーリードが用いられればよい。また、接続配線５とパッド１１あるいはリード２１との間の電気的な接続がワイヤーボンディングによって行われる場合には、接続配線５の材料として金属ワイヤーが用いられればよい。本実施形態においては、接続配線５とパッド１１との間及び接続配線５とリード２１との間がワイヤーボンディングによって電気的に接続される。接続配線５としては、線径２５μｍの金ワイヤーが用いられている。半導体チップ１の表面の位置とリード２１表面の位置との間の高低差（ｈ）は５００μｍ、半導体チップ１とリード２１のボンディングポイントとの距離（ｇ）は１０００μｍとした。被覆ワイヤー６の直径（ｄ）が２５μｍであるから、半導体チップ１と接続配線５とが接触しないように被覆ワイヤー６が配置されるための条件は（１）式よりｊ＜５０μｍとなる。本実施形態においては、半導体チップ１の電気基盤２に近い側の端部であるエッジ５１と被覆ワイヤー６の中心との距離（ｊ）が３０μｍとなるように被覆ワイヤー６が配置されている。
【００３０】
次に、第１実施形態における、被覆ワイヤー６を用いた、リード２１とパッド１１との間の接続配線５による電気的な接続について説明する。まず、半導体チップ１上に形成された二つのダミーパッド１２の間に被覆ワイヤー６が配置される。本実施形態では、ワイヤーボンディングによって、被覆ワイヤー６のそれぞれの端部がダミーパッド１２に接合される。次に、パッド１１とリード２１との間に接続配線５が取り付けられることにより、パッド１１とリード２１との間が電気的に接続される。パッド１１と接続配線５との間の接続及びリード２１と接続配線５との間の接続は、ワイヤーボンディングによって行われている。
【００３１】
なお、（１）式の関係は、被覆ワイヤー６を配置する工程の直後のみならず、電気接続工程の終わった後にも成り立っていることが望ましい。しかしながら、被覆ワイヤー６及び接続配線５の取り付けの際に（１）式の関係が成り立つように被覆ワイヤー６を配置しても、その後に、被覆ワイヤー６が半導体チップ１のチップエッジ５１から離れる方向に動いてしまう場合がある。特に、電気接続工程で接続配線５が被覆ワイヤー６に接触した際に、被覆ワイヤー６が半導体チップ１のチップエッジ５１から離れる方向に動いてしまう場合がある。その結果として、電気接続工程の後に、（１）式の関係が成り立たなくなる場合がある。そのため、被覆ワイヤー６の配置工程では、（１）式の関係に限らず、なるべくｊの距離が小さくなるように被覆ワイヤー６を配置することが望ましい。
【００３２】
このように、半導体チップ１のパッド１１と電気基盤２のリード２１とを電気的に接続する接続配線５を配置する際に、接続配線５と半導体チップ１との間に、絶縁性を有する材料によって被覆された被覆ワイヤー６が配置される。従って、接続配線５と半導体チップ１とが直接接触することで、接続配線５を流れる電流の一部がパッド１１を介さずに半導体チップ１の内部に流れ込むことを抑えることができる。そのため、接続配線５から半導体チップ１への電流の短絡が生じることを抑えることができる。
【００３３】
また、半導体チップ１のチップエッジ５１は、面と面が交差した角に形成される。そのため、チップエッジ５１と接続配線５とが繰り返し接触すると、接続配線５に変形や断線が生じる可能性がある。しかしながら、本実施形態では、接続配線５がチップエッジ５１に接触しないように、被覆ワイヤー６がチップエッジ５１に近い位置に配置されている。これにより、半導体チップ１におけるチップエッジ５１と接続配線５とが接触することが抑えられ、接続配線５の変形や断線が抑えられる。
【００３４】
また、その際、接続配線５のループ高さを高くすることなく接続配線５が半導体チップ１に接触しないように接続配線５を配置することができ、接続配線５を半導体チップ１から大きく離間させて配置せずに済む。従って、接続配線５が占める領域を小さくすることができ、半導体デバイスを小型化することできる。
【００３５】
また、本実施形態では、ポリエステル樹脂によって被覆された被覆ワイヤー６が、接続配線５と半導体チップとの間に配置されている。被覆ワイヤー６は、柔軟性を有するポリエステル樹脂によって形成されているので、接続配線５に比較的大きな負荷が作用したとしても、被覆ワイヤー６が負荷を吸収することができる。従って、接続配線５に負荷が作用したときに、接続配線５の変形や断線が生じることを抑えることができる。
【００３６】
また、被覆ワイヤー６の断面が略円形となるように形成されているので、被覆ワイヤーの上方の形状に沿って湾曲するように配置される接続配線５は、なだらかに曲がって変形している。従って、接続配線５が急激に曲がることが抑えられるので、接続配線５に負荷が作用したとしても、それによって接続配線５の変形や断線が生じることを抑えることができる。
【００３７】
なお、本実施形態では、半導体チップ１上に二つのダミーパッド１２が形成され、その間に被覆ワイヤー６が配置されているが、本発明はこれに限定されない。図４（ａ）に、第１実施形態とは別の実施形態における、接続配線５及び被覆ワイヤー６が取り付けられる前の状態の、半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部分について示した模式的な平面図を示す。また、図４（ｂ）に、接続配線５及び被覆ワイヤー６が既に取り付けられた状態の、半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部分について示した模式的な平面図を示す。この実施形態では、図４（ｂ）に示されるように、電気基盤２上における半導体チップ１の両外側にダミーリード２２が形成され、これらのダミーリード２２の間を架け渡し、半導体チップ１を横断するように、被覆ワイヤー６が配置される。ダミーリード２２は、接続配線５とは電流の授受を行わず、被覆ワイヤー６を電気基盤２に取り付けるために形成される。
【００３８】
ダミーリード２２上に被覆ワイヤー６の一方の端部がワイヤーボンディングによって接合されることにより、被覆ワイヤー６が電気基盤２に取り付けられる。このように、少なくとも、半導体チップ１における接続配線５の接続された位置の、接続配線５の延びる方向に交差する方向に沿う両側部に、電気基盤２が配置されている。具体的には、半導体チップ１の周囲を取り囲むように、電気基盤２が配置されている。電気基盤２には、接続配線５に電気的に接続されずに形成されたダミーリード２２が形成されている。被覆ワイヤー６は、金属によって形成された芯線６０がダミーリード２２に接続されて、電気基盤２に取り付けられている。
【００３９】
この実施形態では、被覆ワイヤー６が電気基盤２側に取り付けられるので、半導体チップ１の端部位置の変化に対応して被覆ワイヤー６の取り付け位置を移動させることができる。半導体チップ１をウェハーから取り出す際に、ウェハーを切断する位置が公差の範囲内でずれて、チップエッジ５１とパッド１１との距離が変動する可能性がある。そのような場合であっても、この実施形態の半導体チップ１及び電気基盤２であれば、半導体チップ１における変動するチップエッジ５１の位置に応じて、被覆ワイヤー６の取り付け位置を調整することができる。こうすることで、変動するチップエッジ５１の位置に対応して、チップエッジ５１の近傍に被覆ワイヤー６を配置することが可能となる。これにより、チップエッジ５１の角の部分に接続配線５が接触することを抑えることができる。
【００４０】
被覆ワイヤー６における半導体チップ１上への配置方法として、上記実施形態ではワイヤーボンディングが用いられているが、本発明はワイヤーボンディングに限られるものではない。その他の方式が、半導体チップ１上への被覆ワイヤー６の取り付けに用いられてもよい。ただし、本実施形態では、被覆ワイヤー６における半導体チップ１上への配置方法として、その他の工程での配線の取り付け方法と同様にワイヤーボンディングが用いられている。被覆ワイヤー６の半導体チップ１への取り付けをその他の配線による電気的な接続と同様の方式とすることで、被覆ワイヤー６の取り付けの際に、その他の部分の電気的な接続と同一の装置を使用することができる。そのため、被覆ワイヤー６の半導体チップ１への取り付けのために別の装置を用意する必要がない。従って、半導体デバイスの製造コストを少なく抑えることができる。本実施形態では、被覆ワイヤー６の半導体チップ１への取り付け及びその他の配線での電気的な接続においてワイヤーボンディングが採用されている。
【００４１】
また本実施形態では、接続配線５に、絶縁層を用いない金ワイヤーを用いているが、本発明はこれに限定されない。接続配線５と、パッド１１あるいはリード２１との間で十分な接続を確保することができるのであれば、接続配線５を形成する材料として、他の材料が用いられてもよい。例えば、接続配線５を形成する材料として被覆ワイヤー６と同様のものを用いることができる。
【００４２】
この場合、接続配線５と被覆ワイヤー６とを形成する材料を同一とすることができるので、被覆ワイヤー６あるいは接続配線５のために別の材料によって形成された配線を用意する必要がない。従って、半導体デバイスの製造コストを低く抑えることができる。また、半導体デバイスが使用されていく過程で被覆ワイヤー６あるいは接続配線５を交換する必要が生じた際に、特別な材料のものを用意する必要がない。従って、メンテナンスの際のコストを低く抑えることができる。
【００４３】
本実施形態の半導体チップ１及び電気基盤２の用いられた半導体デバイスを適用した例として、インクジェット記録装置に搭載される記録ヘッドが挙げられる。以下、本発明の半導体デバイスを用いた適用例として、記録ヘッド及び記録装置を用いて説明するが、本発明はこれに限定されない。他の半導体デバイスに本発明が用いられてもよい。
【００４４】
図５に、本実施形態の半導体デバイス１００が記録ヘッド２００として適用された際の、記録ヘッド２００の斜視図を示す。また、図６に、半導体デバイス１００で用いられる半導体チップ１としての記録素子基板の斜視図を示す。
【００４５】
記録素子基板１は、電気基盤２におけるリード２１に電気的に接続されて記録ヘッド２００が形成される。記録ヘッド２００における記録素子基板１には、液室３０が画成されており、その液室３０の内部には記録ヘッド２００から吐出される液体としてのインクが貯留されている。記録素子基板１には、液室３０に連通して、液室３０に貯留されたインクを吐出する吐出口３２が形成されている。また、液室３０の内部には、液室３０に貯留されているインクを吐出口３２から吐出するためにインクにエネルギーを付与する記録素子３１が形成されている。液室３０内に配置された記録素子３１に対応する位置に、インクを吐出するための吐出口３２が形成されている。記録素子３１が駆動することで熱エネルギーが与えられたインクは液室３０の内部で膜沸騰を引き起こし、これにより吐出口３２から記録媒体に向かってインクが吐出される。
【００４６】
また、図６に示されるように、記録素子基板１には、記録素子３１に電気エネルギーを伝送するために記録素子３１から延びている配線の端部に形成されている電極としてのパッド１１が形成されている。
【００４７】
また、図示されてはいないが、記録素子基板１の外部には、パッド１１を通じて記録素子３１を駆動させるための電気を伝送するために、記録素子３１との間で電流の授受を行うリードが配置される。このリードと、記録素子基板３００におけるパッド１１が電気的に接続されることで、外部との間で電気信号の授受を行うことができる。
【００４８】
また、図７に、図５に示される記録ヘッド２００の搭載されるインクジェット記録装置１０００の斜視図を示す。本実施形態のインクジェット記録装置１０００では、キャリッジ（液体吐出ヘッド搭載手段）２１１の内部に、図５に示される記録ヘッド２００が搭載されて記録が行われる。キャリッジ２１１は、ガイドシャフト２０６に沿って矢印Ａの主走査方向に移動自在にガイドされている。ガイドシャフト２０６は、記録媒体の幅方向に沿って延びるように配置されている。キャリッジ２１１に搭載された記録ヘッド２００は、記録媒体の搬送される搬送方向と交差する方向に走査しながら記録を行う。このように、インクジェット記録装置１０００は、記録ヘッド２００の主走査方向の移動と、記録媒体の副走査方向の搬送と、を伴って画像を記録するいわゆるシリアルスキャンタイプのインクジェット記録装置である。キャリッジ２１１には、インクジェット記録装置から吐出可能なインクの種類に対応した複数もしくは単独の記録ヘッド２００が搭載される。記録媒体は、給紙部２１５に積載された後、搬送ローラによって矢印Ｂの副走査方向に搬送される。
【００４９】
インクジェット記録装置１０００は、記録ヘッド２００を主走査方向に移動させつつ、インクを吐出させる記録動作と、記録媒体を副走査方向に搬送する搬送動作と、を繰り返すことによって、記録媒体上に順次画像を記録する。インクの吐出の際には、記録データに応じて所定のタイミングで不図示のリードからパッドに電流が供給される。パッドに電流が供給されると、パッドから配線を通して記録素子に電流が供給される。このように記録素子に電流が供給されることによって、記録素子が駆動される。記録素子３１が駆動することで熱エネルギーが与えられたインクが液室３０の内部で膜沸騰が引き起こされる。これによって吐出口３２から記録媒体に向かってインクが吐出され、記録媒体に記録が行われる。
【００５０】
本実施形態の半導体デバイスが、インクジェット記録装置１０００における記録ヘッド２００の電気的な接続に適用されることにより、記録ヘッド２００との間で電流の授受を行う接続配線が記録素子基板の端部で短絡するのを抑えることができる。また、その際、接続配線のループが大きくなることが抑えられ、記録素子基板１から接続配線を大きく離間させずに、記録素子基板１とインクジェット記録装置１０００との間の電気的な接続を行うことができる。そのため、記録素子基板１に接続される接続配線が、記録媒体側に大きく突出することを抑えることができる。
【００５１】
接続配線が記録媒体側に大きく突出することを抑えることができるので、記録素子基板１における吐出口の形成された吐出口形成面を記録媒体へさらに近接させることができる。これによって吐出口と記録媒体との間の距離を小さくすることがきるので、吐出口から吐出されるインク滴の着弾精度を向上させることができる。また、接続配線の占める領域を小さくすることができるので、記録ヘッド及び記録ヘッドの搭載される記録装置を小型化することができる。また、これにより、液体吐出ヘッド及び記録装置の製造コストを少なく抑えることができる。
【００５２】
なお、上述した記録装置は、記録ヘッド２００の主走査方向の移動と、記録媒体の副走査方向の搬送と、を伴って画像を記録するいわゆるシリアルスキャンタイプの記録装置である。しかしながら、本発明は、記録媒体の幅方向の全域に亘って延在する記録ヘッドを用いるフルラインタイプの記録装置にも適用可能である。
【００５３】
また、記録ヘッド２００は発熱する記録素子３１によりインク内で膜沸騰を生じさせて発泡させインク滴を吐出する方式としたが、本発明はこれに限定されない。圧電素子を変形させ、これによって記録ヘッド内部の液体を吐出する形式の記録ヘッドがインクジェット記録装置に適用されても良く、また、他の形式の記録ヘッドが本発明の記録装置に適用されても良い。また、記録装置はインクジェット記録装置でなくとも良く、記録媒体を搬送しつつ記録媒体に記録が行われる記録装置であれば熱転写方式等、他の形式の記録装置であっても良い。
【００５４】
また、上記実施形態では、被覆ワイヤー６は、半導体チップ１における電気回路との間で電気的な接続が行われず、電流の授受の行われないダミー配線として設けられている。しかしながら、本発明はこれに限定されず、被覆ワイヤー６は、半導体チップ１における電気回路との間で電気的な接続の行われた配線の表面に絶縁層が被覆されたものであってもよい。
【００５５】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体デバイスについて説明する。なお、上記第１実施形態と同様に構成される部分については図中同一符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。第２実施形態では、半導体チップ１における被覆ワイヤーの配置される位置に溝が設けられている点で、第１実施形態と異なる。
【００５６】
図８に、第２実施形態における半導体デバイスの、半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部を、電気的な接続の行われる前の状態について示した平面図及び断面図を示す。図８（ａ）に、半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部についての平面図を示す。また、図８（ｂ）に、図８（ａ）におけるＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿う断面図を示す。
【００５７】
また、図９に、半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部を、電気的な接続の行われた状態について示した平面図及び断面図を示す。図９（ａ）に半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部についての平面図を示す。また、図９（ｂ）に図９（ａ）におけるＩＸＢ−ＩＸＢ線に沿う断面図を示す。
【００５８】
図８（ａ）に示されるように、第２実施形態では、被覆ワイヤー６を取り付けるために、電気的な信号の授受の行われないダミーの電極として、電気基盤２にダミーリード２２が配置されている。また、図８（ａ）、（ｂ）に示されるように、チップエッジ５１とパッド１１との間には、半導体チップ１を横切るように、接続配線５の延びる方向に対して交差する方向に溝７１が設けられている。
【００５９】
図９（ａ）に示されるように、半導体チップ１に設けられた溝７１の内部に第１の被覆ワイヤー（第１のダミー配線）６１が配置される。第１の被覆ワイヤー６１とチップエッジ５１との間に、第２の被覆ワイヤー（第２のダミー配線）６２が配置される。つまり、第２の被覆ワイヤー６２が、第１の被覆ワイヤー６１よりもリード２１に近い位置に配置されている。第１の被覆ワイヤー６１、第２の被覆ワイヤー６２ともに、被覆ワイヤーをワイヤーボンディングでダミーリード２２に接合することによって取り付けられている。接続配線５は、第１の被覆ワイヤー６１、第２の被覆ワイヤー６２の上方を通過してパッド１１とリード２１との間をワイヤーボンディングによって電気的に接続されている。
【００６０】
ダミーリード２２の材料は金のメッキとした。パッド１１、リード２１の材質、被覆ワイヤーの材質、直径は第１実施形態と同一とした。接続配線５には被覆ワイヤーを用いた。溝７１の深さは第１の被覆ワイヤー６１の直径の０．３〜０．９倍であればよい。本実施形態では、溝７１の深さは、第１の被覆ワイヤー６１の直径２５μｍに対し、１５μｍとした。
【００６１】
上記のように、接続配線５、第１の被覆ワイヤー６１及び第２の被覆ワイヤー６２が配置されているので、第１の被覆ワイヤー６１の上面の高さが半導体チップ１の表面の高さよりも高くなる。つまり、第１の被覆ワイヤー６は、一部が溝７１の内部に位置するように配置される。第１の被覆ワイヤー６における溝７１の内部に位置する部分以外の部分は、溝７１から突出する。第１の被覆ワイヤー６１が溝７１から半導体チップ１の表面よりも上方へ突出しているので、第２の被覆ワイヤー６２の移動を制限し、第２の被覆ワイヤー６２がパッド１１の方へ移動することを抑えることができる。
【００６２】
溝７１における、パッド１１からリード２１に向かう方向に沿った長さは、第１の被覆ワイヤー６１の線径の０．３〜１．５倍であればよい。本実施形態では、第１の被覆ワイヤー６１の直径２５μｍに対し、溝７１の接続配線５の延びる方向への長さを３０μｍとした。
【００６３】
この構成によれば、溝７１におけるパッド１１からリード２１に向かう方向に沿った長さは、第１の被覆ワイヤー６１の直径よりも５μｍ大きいだけである。従って、第１の被覆ワイヤー６１は、力が作用したとしても、チップエッジ５１から遠ざかる方向に対し最大でも５μｍしか移動しない。また、第１の被覆ワイヤー６１によって移動が止められるので、接続配線５の接続工程で、接続配線５が第２の被覆ワイヤー６２に強く接触しても、第２の被覆ワイヤー６２によるパッド１１側への移動が抑えられる。
【００６４】
本実施形態では、第１の被覆ワイヤー６１が溝７１の内部で接続配線５の延びる方向への移動が５μｍ以内なので、第２の被覆ワイヤー６２による接続配線５の延びる方向への移動が５μｍ以内に抑えられる。このように計算される第２の被覆ワイヤー６２の最大移動量を考慮した上で、（１）式の関係が成り立つようにチップエッジ５１と溝７１との位置関係や、溝７１の接続配線５の延びる方向への長さを決めることができる。そのようにして求められた構成とすることで、チップ１と接続配線５とが直接接触することを抑えることができる。すなわち、接続配線５のループ高さを高くすることなく半導体チップ１による絶縁性を確保することができる。
【００６５】
なお、本実施形態では、第１の被覆ワイヤー６１が溝７１の内部に配置され、第２の被覆ワイヤー６２が第１の被覆ワイヤー６１よりも電気基盤２寄りの位置に配置されることとしたが、本発明はこれに限定されない。図１０に示されるように、一つの被覆ワイヤー６３の一部が溝７１の内部に位置するように配置され、溝７１によって被覆ワイヤー６３の移動が制限される形態であってもよい。
【００６６】
また、上記実施形態では、溝７１は、半導体チップ１を、パッド１１からリード２１に向かう方向に直交する方向に沿って横断し、断面が長方形状となるように形成されているが、本発明はこれに限定されない。溝７１に被覆ワイヤーを安定して配置できるのであれば、他の形状であってもよい。例えば、半導体チップ１を、パッド１１からリード２１に向かう方向に直交する方向に沿って横断し、断面が円形となるような溝が形成されてもよい。
【００６７】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体デバイスについて説明する。なお、上記第１実施形態及び第２実施形態と同様に構成される部分については図中同一符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。第３実施形態では、半導体チップ１の一部が除去されて形成された切欠きに被覆ワイヤーが配置される点で、第１実施形態及び第２実施形態と異なる。
【００６８】
図１１に、第３実施形態における半導体デバイスの、半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部を、電気的な接続の行われる前の状態について示した断面図を示す。図１２に、半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部を、電気的な接続の行われた状態について示した断面図を示す。
【００６９】
図１１に示されるように、半導体チップ１には、エッジ部の一部が除去されることで切欠き部が形成されている。また、第２実施形態と同様に、電気基盤上にはダミーリードが配置されている。切欠き８１が形成されることによって、半導体チップ１には、切欠き８１上の表面（第３の面）が形成される。切欠き８１上の表面は、半導体チップ１のパッド１１からリード２１に向かう方向に沿った端部に、半導体チップ１にパッド１１及び接続配線５が積層される方向に関し、パッド１１の形成された面よりも接続配線５から離間して形成されている。
【００７０】
図１２に示されるように、被覆ワイヤー６をワイヤーボンディングでダミーリードに接合することで、被覆ワイヤー６がチップエッジ部に形成された切欠き８１上に配置されている。被覆ワイヤー６とダミーリードとの間の取り付けについては、第２実施形態と同様である。そのため、接続配線５は、被覆ワイヤー６の上方を通過するように配置され、ワイヤーボンディングでパッド１１及びリード２１と電気的に接続されている。切欠き８１の深さは被覆ワイヤー６の線径の０．３〜１倍であればよい。本実施形態では、被覆ワイヤー６の直径２５μｍに対し、深さが１５μｍとなるように切欠き８１を形成した。
【００７１】
このように、半導体チップ１は、パッド１１の形成された面（第１の面）と、半導体チップ１におけるパッド１１からリード２１に向かう方向に沿った端部（チップエッジ）に配置され、パッド１１の形成された面と交差する側面（第２の面）とを有している。そして、半導体チップ１から、パッド１１の形成された面と、パッド１１からリード２１に向かう方向に沿った端部の側面と、が交差して形成される稜線を含む部分が除去されることで、切欠き８１が形成されている。切欠き８１の内部に被覆ワイヤー６の一部が位置するように、切欠き８１上に被覆ワイヤー６が配置されている。
【００７２】
ここで、接続配線５とチップ１との絶縁性を確保するために必要な、被覆ワイヤー６の直径と切欠き８１における接続配線５の延びる方向に沿う長さとの関係について、図１３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図１３は、半導体チップ１と接続配線５とが接触した状態にあるときの半導体チップ１と電気基盤２との間の電気的な接続部を示している。図１３（ｂ）は半導体チップ１における電気基盤２側の端部の近傍について拡大した示した図である。
【００７３】
（１）式と同様に、チップ１と接続配線５とが接触しないためには以下の関係が成り立つ必要がある。  
ｊ＜ｇ×ｄ／ｈ’  ・・・（２）
（２）式におけるｈ’は、半導体チップ１にパッド１１及び接続配線５が積層される方向に沿った、切欠き８１上の面と、リード２１における接続配線５と接続される側の表面と、の間の距離である。本実施形態では、切欠き８１上の表面は、パッド１１の形成された面と略平行に形成されている。被覆ワイヤー６は、切欠き８１におけるパッド１１に近い側の側壁８２と接する部分まで移動しうる。被覆ワイヤー６が側壁８２と接する部分まで移動した際、パッド１１からリード２１に向かう方向に沿った切欠き８１の面の長さｆは（３）式で表すことができる。  
ｆ＝ｊ＋ｄ／２    ・・・（３）
（２）式及び（３）式より、被覆ワイヤー６が切欠き８１の側壁８２と接する部分まで移動しても、チップ１と接続配線５とが接触しないための切欠き幅ｆの条件は（４）式で表すことができる。  
ｆ＜ｇ×ｄ／ｈ’＋ｄ／２    ・・・（４）
【００７４】
本実施形態においては、切欠き８１表層とリード２１表層との高低差（ｈ’）を４００μｍ、リード２１のボンディングポイントとチップ１との距離（ｇ）を１０００μｍとした。被覆ワイヤー６の直径（ｄ）が２５μｍであるから、チップ１と接続配線５とが接触しないための条件は（４）式よりｆ＜７５μｍとなる。本実施例においては、切欠き幅ｆを５０μｍとすることでチップ１と接続配線５とが接触することなく、絶縁性を確保できた。
【００７５】
このように（４）式の関係が成り立つように切欠き８１の幅を決めれば、チップ１と接続配線５とが接触することを抑えることができる。また、接続配線５のループ高さを高くすることなく半導体チップ１の絶縁性を確保できる。
【００７６】
なお、切欠き幅ｆが（４）式で計算される値よりも大きくなってしまう場合には、図１４に示されるように、切欠き８１の内部に被覆ワイヤー６を複数本並べることでチップ１と接続配線５との接触を抑えることも可能である。
【００７７】
また、本実施形態では、切欠き８１によって形成される切欠き８１上の表面は、半導体チップ１におけるパッド１１の形成された面と略平行な面となり、階段状の形状を有することとしたが、本発明はこれに限定されない。切欠き８１の形状は、上記のものに限定されなくてもよい。切欠き８１の表面に被覆ワイヤー６を安定して配置できるようであれば他の形状であってもよい。例えば、切欠き８１上の表面は、リード２１からパッド１１に向かう方向に沿って、内側に向かうにつれて、パッド１１の形成された面から離間するように傾いた形状を有していてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１  半導体チップ
５  接続配線
６  被覆ワイヤー
１１  パッド
２１  リード
１００  半導体デバイス
【図１】
2015093455.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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