(57)【要約】【課題】パターンの面内均一性を向上させる技術を提供する。【解決手段】レジスト膜付きマスクブランク１の製造方法であり、薄膜１１を有する基板１０を準備する基板準備工程と、薄膜１１の表面にレジスト膜１２を形成するレジスト膜形成工程と、レジスト膜１２における周縁部分を除去する除去工程と、が含まれており、除去工程において、薄膜１１とレジスト膜１２との間の平面視での位置関係によって、基板１０を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するように、レジスト膜１２における周縁部分を除去する。【選択図】図２
2015215404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜付きマスクブランクの製造方法であり、
薄膜を有する基板を準備する基板準備工程と、
前記薄膜の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜における周縁部分を除去する除去工程と、
が含まれており、
前記除去工程において、
前記薄膜と前記レジスト膜との間の平面視での位置関係によって、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するように、前記レジスト膜における周縁部分を除去することを特徴とする、レジスト膜付きマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
前記基板は平面視で対称性を有する形状であることを特徴とする、請求項１に記載のレジスト膜付きマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記除去工程において、前記レジスト膜における全ての周縁部分を除去する一方、所定の周縁部分での除去しろの幅を他の周縁部分よりも大きくまたは小さくすることにより前記方向性を付与することを特徴とする、請求項１または２に記載のレジスト膜付きマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記基板は平面視で四角形であり、前記所定の周縁部分は当該四角形の一辺である、請求項３に記載のレジスト膜付きマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
転写用マスクの製造方法であり、
薄膜を有する基板を準備する基板準備工程と、
レジスト膜における面内感度分布情報を取得する情報取得工程と、
前記薄膜の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜における周縁部分を除去する除去工程と、
前記除去工程後、前記面内感度分布情報に基づいて前記レジスト膜に対する露光を行う露光工程と、
前記露光工程後、現像を行い、前記レジスト膜に対して転写パターンを形成するパターン形成工程と、
が含まれており、
前記除去工程において、
前記薄膜と前記レジスト膜との間の平面視での位置関係によって、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するように、前記レジスト膜における周縁部分を除去し、
前記露光工程の際に、
前記除去工程によって付与された方向性と、前記面内感度分布情報における方向性とを一致させた上で前記露光工程を行うことを特徴とする、転写用マスクの製造方法。
【請求項６】
薄膜を有する基板と、前記薄膜の表面に形成されたレジスト膜とを備えるレジスト膜付きマスクブランクであり、
前記薄膜と前記レジスト膜との間の平面視での位置関係によって、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するように、前記レジスト膜が前記薄膜の表面に形成されていることを特徴とするレジスト膜付きマスクブランク。
【請求項７】
薄膜を有する基板を備えるマスクブランクの製造方法であり、
前記基板または前記薄膜に対し、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するマーキングを行うことを特徴とする、マスクブランクの製造方法。
【請求項８】
転写用マスクの製造方法であり、
薄膜を有する基板を準備する基板準備工程と、
レジスト膜における面内感度分布情報を取得する情報取得工程と、
前記薄膜の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記面内感度分布情報に基づいて前記レジスト膜に対する露光を行う露光工程と、
前記露光工程後、現像を行い、前記レジスト膜に対して転写パターンを形成するパターン形成工程と、
が含まれており、
前記基板準備工程において、
前記基板または前記薄膜に対し、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するマーキングを行い、
前記露光工程の際に、
前記基板準備工程において前記基板に付与された方向性と、前記面内感度分布情報における方向性とを一致させた上で前記露光工程を行うことを特徴とする、転写用マスクの製造方法。
【請求項９】
薄膜を有する基板を備えるマスクブランクであり、
前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するための指標が前記基板または前記薄膜にマーキングされていることを特徴とするマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜付きマスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、レジスト膜付きマスクブランク、マスクブランクの製造方法、およびマスクブランクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子に要求されるパターン寸法は微細化の一途をたどっている。これに伴って、半導体素子製造にかかる転写用マスクのパターン寸法も微細化がすすめられている。
【０００３】
転写用マスクのパターン形成にはリソグラフィー技術が用いられるので、マスクブランク上に形成されたレジストパターンの寸法精度が転写用マスクのパターン形状の寸法精度に直結する。リソグラフィー技術におけるレジストの露光には、微細なパターンの形成を実現できる電子線露光装置が用いられている。電子ビームによる描画では、設計通りの転写パターンを得るために、種々の要因による寸法変動を予測した補正が行われる。たとえば、特許文献１には、レジスト膜の膜厚に応じた電子線照射量の補正処理を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９８９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
マスクブランク上のレジストパターンの寸法精度に対する要求は、半導体デバイスの微細構造化に伴ってますます厳しくなってきている。具体的には、パターンの面内均一性の指標であるＣＤユニフォミティー（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ：ＣＤＵ）が５ｎｍ以下、さらに厳しく言うと３ｎｍ以下という厳しい数値が要求されている。
【０００６】
この要求事項を満たすための一つの手法としては、レジスト膜厚を面内で一定とすることが挙げられるが、それだけでは上記の要求を満たすことが難しくなってきている。そのような状況を解決するための手法としては、特許文献１に記載のように、レジスト膜の膜厚に応じた電子線照射量（露光量）の補正処理を行うことが考えられる。この手法を用いると、レジスト膜の膜厚が面内で不均一であっても、面内の各部分における膜厚に応じて各部分の露光量を設定することが可能となる。その結果、レジスト膜の面内において均一なパターン精度となるように露光を行うことが可能となる。
【０００７】
特許文献１においては、レジスト膜においてパターン形成可能となるのに必要な露光量がどのくらいなのかを示すパラメータ（以降、「レジスト感度」とも言う。）を、レジスト膜の膜厚と関連付けた上で、当該レジスト感度に応じて露光量を補正している。
【０００８】
ここで、本発明者により、以下の課題が見出された。
特許文献１のように、レジスト膜の面内における膜厚分布をマッピングし、それをレジスト感度分布図とする場合を考える。レジスト感度分布図（以降、「面内感度分布情報」とも言う。）が得られれば、マスクブランクを露光装置に装着し、その面内感度分布情報に応じて露光量を補正すれば、レジスト膜の面内において均一なパターン精度となるように露光を行うことが可能となるはずである。
【０００９】
しかしながら、マスクブランクは場合によっては平面視で正方形のものも多数存在する。その場合、マスクブランクにおいて平面視における上下左右方向が特定できなくなる。そうなると、面内感度分布情報を得たときのマスクブランクの方向性と、露光装置に装着する際のマスクブランクの方向性とが一致しなくなるおそれがあることに、本発明者は気づいた。
【００１０】
従来だと、上記の方向性が一致せずとも、レジストパターンを形成することに問題は生じなかった。また、レジスト液の塗布の際にスピン塗布を用いる場合、回転中心と基板中心が合致していれば、膜厚分布に関しては基本的に対称構造に近い分布となる。そうなると、上記の方向性が一致せずとも、さほど大きな影響は生じなかった。
【００１１】
しかしながら、先ほどから述べているように、近年、半導体素子に要求されるパターン寸法は微細化の一途をたどっている。そして、ＣＤＵが５ｎｍ以下、さらに厳しく言うと３ｎｍ以下という厳しい数値が要求されている。このような厳しいパターン精度が要求されると、上記のような方向性の不一致がＣＤＵに大きく影響を与えてしまうことになる。
【００１２】
本発明の目的は、パターンの面内均一性を向上させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、上記の課題を解決する手法について検討を加えた。その結果、面内感度分布情報を得る際および露光装置に装着する際に、平面視の際の上下左右方向を特定するものをマスクブランクが有していればよいという知見を得た。
この知見に基づいて成された本発明の構成は、以下の通りである。
【００１４】
＜構成１＞
本発明の第１の構成は、レジスト膜付きマスクブランクの製造方法である。
本製造方法は、薄膜を有する基板を準備する基板準備工程と、前記薄膜の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜における周縁部分を除去する除去工程と、が含まれている。
そして、除去工程において、前記薄膜と前記レジスト膜との間の平面視での位置関係によって、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するように、前記レジスト膜における周縁部分を除去することを特徴とする。
本構成によれば、面内感度分布情報を得たときのレジスト膜付きマスクブランクの方向性と、露光装置に装着する際のレジスト膜付きマスクブランクの方向性とを確実に一致させることが可能となる。その結果、ＣＤＵが５ｎｍ以下、さらに厳しく言うと３ｎｍ以下という厳しい数値が要求されている状況であっても、パターンの面内均一性を向上させられる。
【００１５】
＜構成２＞
本発明の第２の構成は、第１に記載の構成において、前記基板は平面視で対称性を有する形状であることを特徴とすることを特徴とする。
基板が、平面視で対称性を有する形状である場合、平面視の際の基板の外観に対して非対称性が新たに付与される。そうなると構成１で述べた効果を更に増幅させることになる。
【００１６】
＜構成３＞
本発明の第３の構成は、第１または第２に記載の構成であって、除去工程において、前記レジスト膜における全ての周縁部分を除去する一方、所定の周縁部分での除去しろの幅を他の周縁部分よりも大きくまたは小さくすることにより前記方向性を付与することを特徴とする。
レジスト膜付きマスクブランクの周縁部分においてレジスト膜が除去されると、平面視において額縁のようなメタルフレームが形成される。通常、レジスト膜と薄膜とは色が全く異なる。そのため、上辺のレジスト膜の周縁部分が大きく除去されていると、作業者は容易に方向性を認識することが可能となる。つまり、レジスト膜における全ての周縁部分を除去する一方、所定の周縁部分での除去しろの幅を他の周縁部分よりも大きくまたは小さくすることにより方向性が付与され、しかも作業者は容易に方向性を認識することが可能となる。
【００１７】
＜構成４＞
本発明の第４の構成は、第３に記載の構成であって、前記基板は平面視で四角形であり、前記所定の周縁部分は当該四角形の一辺であることを特徴とする。
上記の場合だと、薬液を用いたレジスト膜の除去を容易に行うことが可能となり、除去しろの幅を容易に調節可能となる。
【００１８】
＜構成５＞
本発明の第５の構成は、転写用マスクの製造方法である。
本製造方法は、薄膜を有する基板を準備する基板準備工程と、レジスト膜における面内感度分布情報を取得する情報取得工程と、前記薄膜の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜における周縁部分を除去する除去工程と、前記除去工程後、前記面内感度分布情報に基づいて前記レジスト膜に対する露光を行う露光工程と、前記露光工程後、現像を行い、前記レジスト膜に対して転写パターンを形成するパターン形成工程と、が含まれている。
そして、前記除去工程において、前記薄膜と前記レジスト膜との間の平面視での位置関係によって、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するように、前記レジスト膜における周縁部分を除去する。その上で、前記露光工程の際に、前記除去工程によって付与された方向性と、前記面内感度分布情報における方向性とを一致させた上で前記露光工程を行うことを特徴とする。
本構成によれば、構成１で述べたのと同様に、面内感度分布情報を得たときのレジスト膜付きマスクブランクの方向性と、露光装置に装着する際のレジスト膜付きマスクブランクの方向性とを確実に一致させることが可能となる。その結果、パターンの面内均一性を向上させられる。
【００１９】
＜構成６＞
本発明の第６の構成は、レジスト膜付きマスクブランクである。
本構成は、薄膜と前記レジスト膜との間の平面視での位置関係によって、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するように、前記レジスト膜が前記薄膜の表面に形成されていることを特徴とする。
本構成によれば、構成１で述べたのと同様に、面内感度分布情報を得たときのレジスト膜付きマスクブランクの方向性と、露光装置に装着する際のレジスト膜付きマスクブランクの方向性とを確実に一致させることが可能となる。その結果、パターンの面内均一性を向上させられる。
【００２０】
＜構成７＞
本発明の第７の構成は、薄膜を有する基板を備えるマスクブランクの製造方法である。
本製造方法は、基板または前記薄膜に対し、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するマーキングを行うことを特徴とする。
本構成によれば、構成１で述べたのと同様の効果が得られる。
【００２１】
＜構成８＞
本発明の第８の構成は、転写用マスクの製造方法である。
本製造方法は、薄膜を有する基板を準備する基板準備工程と、レジスト膜における面内感度分布情報を取得する情報取得工程と、前記薄膜の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記面内感度分布情報に基づいて前記レジスト膜に対する露光を行う露光工程と、前記露光工程後、現像を行い、前記レジスト膜に対して転写パターンを形成するパターン形成工程と、が含まれている。
そして、前記基板準備工程において、前記基板または前記薄膜に対し、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するマーキングを行う。その上で、前記露光工程の際に、前記基板準備工程において前記基板に付与された方向性と、前記面内感度分布情報における方向性とを一致させた上で前記露光工程を行うことを特徴とする。
本構成によれば、構成１で述べたのと同様の効果が得られる。
【００２２】
＜構成９＞
本発明の第９の構成は、薄膜を有する基板を備えるマスクブランクである。
本構成は、前記基板を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するための指標が前記基板または前記薄膜にマーキングされていることを特徴とする。
本構成によれば、構成１で述べたのと同様の効果が得られる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、パターンの面内均一性を向上させる技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態におけるマスクブランク、レジスト膜付きマスクブランクおよび転写用マスクの製造方法の断面視の工程図である。
【図２】本実施形態における除去工程における、平面視でのレジスト膜付きマスクブランクおよび除去用薬剤供給ノズルの配置を示す概略図である。
【図３】実施例におけるレジスト膜付きマスクブランクに対する光学顕微鏡観察を行った結果を示す写真である。
【図４】実施例および比較例において用いられるレジスト膜付きマスクブランクにおける面内感度分布情報を示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
【図５】実施例および比較例において用いられるレジスト膜付きマスクブランクを所定の条件で保管した後の面内感度分布情報を示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
【図６】実施例の結果を示す図であって、レジスト膜付きマスクブランクを所定の条件で保管した後の面内感度分布情報を得た際の方向性と、レジスト膜付きマスクブランクを露光装置に装着する際の方向性とを一致させた場合の、露光量の補正の度合いを示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
【図７】比較例の結果を示す図であって、レジスト膜付きマスクブランクにおける面内感度分布情報を得た際の方向性と、レジスト膜付きマスクブランクを露光装置に装着する際の方向性とを不一致とした（上下を逆にした）場合の、露光量の補正の度合いを示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
【図８】比較例の結果を示す図であって、レジスト膜付きマスクブランクを所定の条件で保管した後の面内感度分布情報を得た際の方向性と、レジスト膜付きマスクブランクを露光装置に装着する際の方向性とを不一致とした（上下を逆にした）場合の、露光量の補正の度合いを示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［実施の形態１］
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本実施形態においては、次の順序で説明を行う。
１．転写用マスクの製造方法
１−Ａ）薄膜付基板（マスクブランク）準備工程
１−Ａ−ａ）基板準備工程
１−Ａ−ｂ）薄膜形成工程
１−Ｂ）レジスト膜形成工程
１−Ｃ）除去工程
１−Ｄ）情報取得工程
１−Ｅ）露光工程
１−Ｆ）現像工程
１−Ｇ）エッチング工程
１−Ｈ）その他
２．レジスト膜付きマスクブランク
なお、以下に記載が無い構成については、公知の構成（例えば本出願人による特開２０１３−２１０５７６号公報）を適宜採用しても構わない。本明細書には、例えば薄膜の構成等特記のない事項に関し、特開２０１３−２１０５７６号公報の内容が記載されているものとする。
また、［実施の形態１］においては、方向性の付与のために、レジスト膜の平面視での位置に工夫を設ける例について述べる。
［実施の形態２］においては、マスクブランクを構成する薄膜または基板そのものに対し、方向性を付与するための指標をマーキングする例について述べる。
［実施の形態３］においては、その他の例について述べる。
【００２６】
＜１．転写用マスクの製造方法＞
本実施形態における転写用マスク５０の製造方法について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態におけるマスクブランク５、レジスト膜付きマスクブランク１および転写用マスク５０の製造方法の断面視の工程図である。なお、本実施形態では、以下の１−Ａ）薄膜付基板準備工程において、基板１０を用意しその基板１０の上に薄膜１１を成膜する例を示すが、あらかじめ薄膜１１が形成されているマスクブランク５を用意して、その上にレジスト膜を形成する形態も、本発明の形態に含まれる。
【００２７】
１−Ａ）薄膜付基板（マスクブランク）準備工程
１−Ａ−ａ）基板準備工程
まず、図１（ａ）に示すように、転写用マスク５０に用いられる基板１０を準備する。転写用マスク５０の基板１０としては、ガラス基板を用いることができる。透過型マスクの場合、基板１０は、ウェハ上にパターンを形成するときの露光光に対して高い透過率を有するガラス材のものが選択される。反射型マスクの場合、露光光のエネルギーに伴う基板１０の熱膨張が最小限にできる低熱膨張ガラスが選択される。
具体的には、透過型マスク（例えば、バイナリマスク、位相シフトマスク及びグレートーンマスク）の場合、基板１０の材質としては、合成石英ガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、無アルカリガラスなどが挙げられる。詳しい例として、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーや波長２５４ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを露光光として用いる転写型マスクの基板１０には、波長３００ｎｍ以下の光に対して高い透過率を有する合成石英ガラスを好ましく用いることができる。
また、反射型マスクであるＥＵＶマスクの場合、基板１０には、露光時の熱による被転写パターンの歪みを抑えるために、約０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは約０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するガラス材料であるＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスを好ましく用いることができる。
【００２８】
なお、本実施形態においては、基板１０は平面視で対称性を有する形状であるのが好ましい。本発明は、「半導体素子に要求されるパターン寸法は微細化の一途をたどっている」状況で、「平面視における上下左右方向が特定できなくなる。そうなると、面内感度分布情報を得たときのレジスト膜付きマスクブランク１の方向性と、露光装置に装着する際のレジスト膜付きマスクブランク１の方向性とが一致しなくなる」という課題に関する知見から創出されたものである。詳細は後述するが、本実施形態においては、薄膜１１とレジスト膜１２との間の平面視での位置関係によって、基板１０を水平に載置する際の平面視における方向性を付与している。つまり、平面視で対称性を有する形状の基板１０にレジスト膜１２が設けられたものに対し、レジスト膜１２の配置によって非対称性をもたらすのである。
そのため、基板１０が、平面視で対称性を有する形状である場合、平面視の際の外観が「対称性→非対称性」となり、特に本実施形態の効果を奏することになる。ただ、だからといって基板１０は平面視で対称性を有していなくとも、平面視の際の上下左右方向を特定しやすくなることに変わりはない。その場合であっても、面内感度分布情報を得たときのレジスト膜付きマスクブランク１の方向性と、露光装置に装着する際のレジスト膜付きマスクブランク１の方向性とを不一致としてしまうおそれを低減することが可能となる。その結果、パターンの面内均一性を向上させるという本実施形態の効果を発揮することが可能となる。
【００２９】
なお、基板１０は平面視で四角形であり、所定の周縁部分は当該四角形の一辺であるのが好ましい。もちろん、基板１０は平面視で多角形形状であっても構わないし、円形、一部が直線となった円形やその他の対称形状または非対称形状であっても構わないが、上記の場合だと、１−Ｃ）除去工程で後述するように薬液を用いたレジスト膜１２の除去を容易に行うことが可能となり、除去しろの幅を容易に調節可能となる。特に平面視で正方形の場合、上下左右方向が全く特定できない状況である。そのような中で１−Ｃ）除去工程を行うことにより、上下左右方向を特定することが可能となる。
【００３０】
１−Ａ−ｂ）薄膜形成工程
次に、図１（ｂ）に示すように、基板１０の主表面に対し、薄膜１１を形成する。基板１０の表面であってレジスト膜１２の下に形成される薄膜１１は、製造する転写用マスク５０の用途に応じて選択された薄膜１１である。列挙するならば、以下の（１）〜（５）が挙げられる。
【００３１】
（１）バイナリマスクの薄膜
バイナリマスクブランクを作製する場合、露光波長の光に対して透光性を有する基板１０上に、遮光膜を有する薄膜１１が形成される。
この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料からなる。例えば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したクロム化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。
また、薄膜１１は、遮光膜の構造が、遮光層と表面反射防止層の２層構造や、さらに遮光層と基板１０との間に裏面反射防止層を加えた３層構造としたものなどがある。また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
また、遮光膜上にエッチングマスク膜を有する薄膜１１の構成としてもよい。このエッチングマスク膜は、遷移金属シリサイドを含む遮光膜のエッチングに対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物からなる材料で構成することが好ましい。このとき、エッチングマスク膜に反射防止機能を持たせることにより、遮光膜上にエッチングマスク膜を残した状態で転写用マスク５０を作製してもよい。
【００３２】
（２）他の構成を有するバイナリマスクの薄膜
また、バイナリマスクの薄膜１１の他の例としては、遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む）の化合物を含む材料からなる遮光膜を有する構成も挙げることができる。
この遮光膜は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、遮光膜は、遷移金属と、酸素、窒素及び／又はホウ素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。
特に、遮光膜をモリブデンシリサイドの化合物で形成する場合であって、遮光層（ＭｏＳｉ等）と表面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）の２層構造や、さらに遮光層と基板１０との間に裏面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）を加えた３層構造がある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
【００３３】
（３）ハーフトーン型位相シフトマスクの薄膜
ハーフトーン型位相シフトマスクを作製する場合、転写時に使用する露光光の波長に対して透光性を有する基板１０上に遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む）の化合物を含む材料からなる光半透過膜を有する薄膜１１が形成される。
薄膜１１に含まれる光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光（例えば、露光波長に対して１％〜３０％）を透過させるものであって、所定の位相差（例えば１８０度）を有するものである。なお、ハーフトーン型位相シフトマスクは、この光半透過膜をパターニングした光半透過部と、光半透過膜が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち解像度を向上させるものである。
この光半透過膜は、例えば遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイドを含む）の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。
また、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合、上記光半透過膜の材料が遷移金属及びケイ素を含むので、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。
【００３４】
（４）多階調マスクの薄膜
多階調マスクの薄膜１１は、１以上の半透過膜と遮光膜との積層構造である。
半透過膜の材料については、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素のほか、クロム、タンタル、チタン、アルミニウムなどの金属単体や合金あるいはそれらの化合物を含む材料も含まれる。
各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。遮光膜の材料についても、のバイナリマスクブランクの遮光膜が適用可能であるが、半透過膜との積層構造で、所定の遮光性能（光学濃度）となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。
【００３５】
（５）反射型マスクの薄膜
反射型マスクの薄膜１１は、基板１０上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成された構造を有する。露光機（パターン転写装置）に搭載された反射型マスクに入射した光（ＥＵＶ光）は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板１０上に転写される。
多層反射膜は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して形成される。多層反射膜の例としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択することができる。
また、吸収体膜は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料を好ましく用いることができる。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。
【００３６】
１−Ｂ）レジスト膜形成工程
次に、図１（ｃ）に示すように、マスクブランク５の薄膜１１の上に、レジスト膜１２を形成する。当該レジスト膜１２は、レジスト液により形成される。レジスト液としては、公知のものを用いても構わない。なお、レジスト膜１２の具体的な形成方法は、公知の手法を用いても構わない。例えば、マスクブランク５の表面に対してレジスト液をスピンコートし、その後ベークを行っても構わない。
【００３７】
以上により、転写用マスク５０の製造に用いられるレジスト膜付きマスクブランク１が作製される。
【００３８】
１−Ｃ）除去工程
本工程においては、図１（ｄ）に示すように、レジスト膜１２における周縁部分を除去する。詳しく言うと、薄膜１１とレジスト膜１２との間の平面視での位置関係によって、基板１０を水平に載置した際の方向性を付与するように、レジスト膜１２における周縁部分を除去する。
以下、本工程の具体的な一例について、図２を用いて説明する。図２は、本実施形態における除去工程における、平面視でのレジスト膜付きマスクブランク１および除去用薬剤供給ノズル２０の配置を示す概略図である。なお、ここでは基板１０の平面視の形状を正方形としている。また、レジスト膜付きマスクブランク１から見て天の方向に設けられた除去用薬液供給ノズル２０（以降、単にノズル２０と言う。）を点線で表している。
【００３９】
まず、レジスト膜付きマスクブランク１を、レジスト膜１２を天の方向、基板１０が地の方向に位置するように載置する。つまり、レジスト膜１２の主表面が天の方向を向いており、基板１０の裏面（薄膜１１が形成されている面とは反対側の面）が地の方向を向くように載置する。そして、レジスト膜１２における周縁部分から見て天の方向に、レジスト膜１２を除去するための薬液を供給するノズル２０を複数配置する。ノズル２０の吐出口は、レジスト膜１２における周縁部分へと向いている。
【００４０】
ここで、薄膜１１とレジスト膜１２との間の平面視での位置関係によって、基板１０を水平に載置する際の平面視における方向性を付与するために、ノズル２０の配置に工夫を加える。具体的に言うと、平面視において基準となる方向（制限はないが、例えば上方向）における一辺（上辺とも言う。）に対応するノズル２０を、基板１０のさらに周縁寄り（外側）に配置しておく。この状態で、レジスト膜１２を除去するための薬液をノズル２０から吐出する。こうすることにより、図２に示すように、本実施形態においては、平面視において基準となる方向（上方向）における一辺（上辺とも言う。）におけるレジスト膜１２の周縁部分を、他の辺における周縁部分に比べ、小さく除去できる。
【００４１】
レジスト膜１２の周縁部分が除去され、薄膜１１が露出する。本実施形態における薄膜１１は金属製のものである。そのため、レジスト膜付きマスクブランク１の周縁部分には平面視において額縁のようなメタルフレームが形成される。通常、レジスト膜１２と薄膜１１とは色が異なる。そのため、上辺のレジスト膜１２の周縁部分が大きく除去されていると、作業者は容易に方向性を認識することが可能となる。つまり、レジスト膜１２における全ての周縁部分を除去する一方、所定の周縁部分での除去しろの幅を他の周縁部分よりも小さくすることにより方向性が付与され、しかも作業者は容易に方向性を認識することが可能となる。
また、本実施形態のように基板１０の平面視の形状を四角形（特に正方形）とする場合、一列に配置した複数のノズルを列ごと基板中央方向または外側方向へと移動させることにより、レジスト膜の除去しろの幅を容易に変更することが可能となり、作業性が著しく向上する。
【００４２】
なお、ここでは除去しろの幅を小さくすることにより方向性を付与したが、逆に、他の周縁部分よりも除去しろの幅を大きくしても方向性を付与可能である。その場合、上辺に対応するノズル２０を、基板１０の中央寄りに配置しておく。ただ、結局のところ、レジスト膜付きマスクブランク１に方向性を付与することができるのならば、レジスト膜１２の除去しろの大きさに制限はないし、除去しろの形状に制限はない。また、上辺以外のレジスト膜１２の除去しろの幅は同じでも構わないし、互いに相違していても構わない。結局、作業者が上辺を特定可能ならば、除去しろに関する制限はない。
【００４３】
ちなみに、薄膜１１上にレジスト液を塗布してレジスト膜１２を形成すると、薄膜１１における周縁部分において盛り上がるようにレジスト膜１２が形成されてしまう。レジスト膜付きマスクブランク１を運搬する際に、この盛り上がりの部分に他部材（装置内の部材等）が接触してしまうと、レジスト膜１２からパーティクルが発生してしまう。先ほど述べたように、ＣＤＵが５ｎｍ以下、さらに厳しく言うと３ｎｍ以下という厳しい数値が要求されている。そのような状況において、パーティクルの発生は、面内均一性を著しく低下させてしまう。ところが、本実施形態のようにレジスト膜１２における全ての周縁部分を除去することにより、レジスト膜１２からパーティクルが生じるのを抑制可能となる。もちろん、全ての周縁部分を除去しなくとも所定の周縁部分を除去することにより方向性を付与することは可能である。ただ、上記のパーティクルの事由を考慮に入れると、レジスト膜１２における全ての周縁部分を除去するのが好ましい。その上で、所定の周縁部分での除去しろの幅を他の周縁部分よりも大きくまたは小さくするのが好ましい。
【００４４】
本工程までがレジスト膜付きマスクブランク１の製造方法である。本工程においてレジスト膜付きマスクブランク１に方向性を付与することが可能となり、ひいてはパターンの面内均一性を向上させることが可能となる。
本工程までの工程に対して以下の工程を加えたものが転写用マスク５０の製造方法である。以下、説明する。
【００４５】
１−Ｄ）情報取得工程＆１−Ｅ）露光工程
図１（ｅ）に示すように、形成されたレジスト膜１２に対し、所定の形状の露光を行う。その際、面内感度分布情報に基づいてレジスト膜１２に対する露光を行う。面内感度分布情報は、レジスト膜１２を平面視した際の露光における感度分布を示す情報である。この情報としては数値情報でもよいし、レジスト感度分布図のような視覚的情報でもよい。この面内感度分布情報の取得手法としては、公知のものを用いても構わない。例えば、特許文献１に記載のように、レジスト膜１２の面内における膜厚分布をマッピングし、それをレジスト感度分布図としても構わない。レジスト膜１２の膜厚が大きければ、所定の露光量となるようにレジスト膜１２に露光したとしても、レジスト膜１２が十分に反応しない可能性がある。その一方、レジスト膜１２の膜厚が小さければ、レジスト膜１２が十分に反応する。この情報に基づいてレジスト感度分布図を作成する。そして、マスクブランク５を露光装置に装着し、その面内感度分布情報に応じて露光量を補正し、レジスト膜１２の面内において均一なパターン精度となるように露光を行う。なお、１−Ｄ）情報取得工程は、１−Ｅ）露光工程において露光を実際に行う前に実施していればよい。
【００４６】
本発明の課題でも挙げたように、マスクブランク５は場合によっては平面視で正方形のものも多数存在する。その場合、マスクブランク５において平面視における上下左右方向が特定できなくなる。そうなると、面内感度分布情報を得たときのレジスト膜付きマスクブランク１の方向性と、露光装置に装着する際のレジスト膜付きマスクブランク１の方向性とが一致しなくなるおそれがあった。しかしながら本実施形態においてはレジスト膜付きマスクブランク１に対して方向性が付与されており、除去工程によって付与された方向性と、面内感度分布情報における方向性とを一致させた上で露光工程を行うことが可能となる。
【００４７】
なお、具体的な露光の手法および露光量の補正の手法については、公知の手法を用いても構わない。例えば、電子線描画を用いても構わないし、１−Ａ−ｂ）薄膜形成工程で挙げた各マスクに用いられる露光方法を採用しても構わない。
【００４８】
１−Ｆ）現像工程
現像工程により、図１（ｆ）に示すように、レジストパターンを形成する。現像工程の具体的な操作や現像剤としては、公知の方法を用いても構わない。
【００４９】
１−Ｇ）エッチング工程
以上の工程を経て、レジストパターンを形成することが可能となる。レジストパターンを利用して、レジストパターン下の薄膜１１に対して所定のパターンを形成する。図１（ｇ）に示すように、所定のレジストパターンが形成されたレジスト膜１２をマスクとして薄膜１１をエッチングする。エッチングにより、薄膜１１に所定の転写パターンを形成する。
【００５０】
なお、エッチングの手法は、公知の手法を用いて構わない。好ましい例としては、薄膜１１をエッチングする工程においては反応性ガスをエッチャントとしたドライエッチングである。本形態のレジストパターンを利用すれば、反応性ガスに等方性のエッチングガスが含まれていても、精度のよい転写パターンを形成することができる。
【００５１】
また、薄膜１１の表層の組成にクロムが含まれ、その一方で反応性ガスは少なくとも酸素と塩素を含む混合ガスとするエッチング方法のものにも好ましく適用することができる。
【００５２】
１−Ｈ）その他
そして、図１（ｈ）に示すように、レジストパターンを除去し、洗浄などのその他の処理を適宜行うことにより、本実施形態における転写用マスク５０は製造される。これらの手法は、公知のものを用いればよい。
また、上記の構成以外にも、適宜、別の膜を設けても構わない。例えば、薄膜１１とレジスト膜１２との間にレジスト下地膜を設けても構わない。
【００５３】
＜２．レジスト膜付きマスクブランク１＞
上記の手法のうち１−Ｃ）除去工程までで製造されたレジスト膜付きマスクブランク１自体にも大きな特徴がある。本実施形態におけるレジスト膜付きマスクブランク１は、まず、薄膜１１を有する基板１０と、薄膜１１の表面に形成されたレジスト膜１２とを備えている。その上で、薄膜１１とレジスト膜１２との間の平面視での位置関係によって、基板１０を水平に載置した際の方向性を付与するように、レジスト膜１２が薄膜１１の表面に形成されている。
【００５４】
レジスト膜付きマスクブランク１の周縁部分においてレジスト膜１２が除去されると、平面視において額縁のようなメタルフレームが形成される。通常、レジスト膜１２と薄膜１１とは色が全く異なる。そのため、上辺のレジスト膜１２の周縁部分が大きく除去されていると、作業者は容易に方向性を認識することが可能となる。つまり、レジスト膜１２における全ての周縁部分を除去する一方、所定の周縁部分での除去しろの幅を他の周縁部分よりも大きくまたは小さくすることにより方向性が付与され、しかも作業者は容易に方向性を認識することが可能となる。
【００５５】
これにより、レジスト感度の分布状況を固定化した感度マップを作製することができる。この感度マップに基づいて、描画時の寸法補正にかかる露光条件（例えば電子線描画条件）マップを作製することにより、両者のマップの経緯が一致し、描画時における上下左右の取り違い（別の言い方をすると東西南北の取り違い）を防止することができる。これにより、寸法精度（ＣＤＵ）にすぐれたレジストパターンを形成することができるので、結果、寸法精度にすぐれた転写用マスク５０を製造することができる。
【００５６】
［実施の形態２］
本実施形態においては、マスクブランク５を構成する薄膜１１または基板１０そのものに対し、方向性を付与するための指標をマーキングする例について述べる。なお、以下に特記のない内容については［実施の形態１］と同様とする。
【００５７】
まず、１−Ａ−ａ）基板準備工程において、基板１０または薄膜１１に対し、マスクブランク５を水平に載置した際の方向性をマスクブランク５に対して付与するマーキングを行う。ここでのマーキングは、マスクブランク５に対して視標を付与することを指す。この指標は、マスクブランク５を水平に載置した際の方向性を付与可能なものなら特に制限はない。例えば、基板１０を平面視した際の上辺となる辺と他の辺との交差部分の角を落とす処理を行っても構わないし、基板１０または薄膜１１に対して矢印など方向を示す視標をマーキングしても構わない。このマーキングの位置は任意で構わず、例えば、基板１０の端面に視標をマーキングしても構わないし、基板１０の端面と主表面との交差部分のうち天の側の部分を面取りし、この面取り面に視標をマーキングしても構わない。基板１０の主表面に視標をマーキングする場合は、レジスト液を塗布した後でも視認可能な位置に視標をマーキングしておく。例えば、１−Ｃ）除去工程によりレジスト膜１２の周縁部分を全て除去することにより、薄膜１１の周縁部分にマーキングされていた視標が露わになるという構成を採用しても構わない。
また、１−Ｄ）情報取得工程＆１−Ｅ）露光工程以降については［実施の形態１］と同様の手法を用いても構わない。
なお、本実施形態においては、マスクブランク５自体にも特徴がある。まず、当該マスクブランク５は薄膜１１を有する基板１０を備えている。その上で、マスクブランク５を水平に載置した際の方向性を付与するための指標が基板１０または薄膜１１にマーキングされている。これにより、寸法精度（ＣＤＵ）にすぐれたレジストパターンを形成することができるので、結果、寸法精度にすぐれた転写用マスク５０を製造することができる。
【００５８】
［実施の形態３］
本実施形態においては、その他の例について述べる。
上記の実施形態では各工程を設けたが、本発明の技術思想をシンプルに記載すると、以下の通りである。
「基体と当該基体上に形成されるレジスト膜との間の平面視での位置関係によって、当該基体を水平に載置した際の方向性を決定するように、当該基体上に当該レジスト膜を形成する、レジスト膜付きマスクブランクの製造方法。」
「基体に対し、基体を水平に載置した際の方向性を付与するマーキングを行うことを特徴とする、レジスト膜付きマスクブランクの製造方法。」
もちろん上記の内容を転写用マスク５０の製造方法またはレジスト膜付きマスクブランク１自体に適用しても構わない。
【００５９】
ここで言う「基体」とは、レジスト液が塗布される対象となるものであり、上記の実施形態においては薄膜１１を有する基板１０のことを指す。もちろん、基体を基板１０そのものと解し、基板１０に対してレジスト膜１２を塗布する場合であっても、上記の実施形態で述べた手法を適用することは可能である。この場合としては、例えば、マスクブランク５からインプリントモールドを作製する場合が挙げられる。インプリントモールドは転写対象物上に塗布されたレジスト膜１２に直接押し付けてパターンを転写する方式のため、インプリント用モールドの表面に形成した微細パターンの形状に大きく影響する。
【００６０】
特に、インプリントモールドを作製する際の原盤となるマスターモールドは、多くの場合、合成石英ガラス等の基板１０の表面にクロム系薄膜１１やタンタル系薄膜１１等を形成し、その表面にレジスト膜１２を形成するという手法により製造される。この場合、レジスト膜１２をリソグラフィー法によってパターニングし、レジストパターンをマスクとして下方の薄膜１１や基板１０をエッチングしてインプリント用モールドの凹凸パターンを形成する。
つまり、インプリントモールドを作製する場合であっても、パターンの面内均一性は大きな課題である。面内均一性を向上させるためには、面内感度分布情報を得て、その情報に応じて露光量を補正することが重要となる。そうなると、転写用マスク５０の製造方法と同様に、面内感度分布情報を得たときの方向性と露光装置に装着する際の方向性とを一致させることが重要となる。
その結果、インプリントモールドを作製する場合であっても、上記の各工程を行うことになるため、本発明の思想を十分に適用可能である。
【００６１】
以上の通り、上記の各実施形態によれば、パターンの面内均一性を向上させる技術を提供できる。
【実施例】
【００６２】
次に実施例を示し、本発明について具体的に説明する。もちろん本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００６３】
＜実施例＞
本実施例においては、対称性が付与された場合に期待される「面内感度分布情報を得たときのレジスト膜付きマスクブランク１の方向性と、露光装置に装着する際のレジスト膜付きマスクブランク１の方向性とを確実に一致」がもたらす効果について検証した。そのために、１−Ｅ）露光工程において実際に露光を行う直前までを行った。つまり、面内感度分布情報に基づいた露光量の補正結果を調べた。この補正結果において面内均一性を良好なものに維持できているならば、最終的に得られるパターンの均一性も良好なものに維持できる。この考えに基づき、面内感度分布情報を得たときの方向性と露光装置に装着する際の方向性とを一致させた場合（実施例）と一致させない場合（比較例）とで、露光量の補正結果における面内均一性がどのように相違するかについて調査した。
【００６４】
１−Ａ）薄膜付基板（マスクブランク）準備工程
１−Ａ−ａ）基板準備工程
主表面の寸法が約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍで、厚さが約６．２５ｍｍの合成石英ガラスからなる透光性を有する基板１０（以下、透光性基板１０ともいう）を準備した。
【００６５】
１−Ａ−ｂ）薄膜形成工程
まず、透光性基板１０上に光半透過膜（下層）を成膜した。
合成石英ガラスからなる基板１０上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（原子％比  Ｍｏ：Ｓｉ＝１３：８７）を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＭｏＳｉＮ膜（下層）を膜厚６９ｎｍで成膜した。なお、透過率は６．０４％（λ＝１９３ｎｍ）とし、位相差は１７９．５°とした。
【００６６】
次に、光半透過膜上に３層構造の遮光膜（上層）を成膜した。
枚葉式ＤＣスパッタ装置で、クロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、窒素（Ｎ２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス（流量比  Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２２：３９：６：３３，圧力＝０．２Ｐａ）をスパッタリングガスとして反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング：ＤＣ電力１．９ｋＷ）により、をクロムリーンなＣｒＯＣＮ膜を膜厚３０ｎｍで成膜した。
その上に、同じクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）および窒素（Ｎ２）の混合ガス（流量比  Ａｒ：Ｎ２＝８３：１７，圧力＝０．１Ｐａ）をスパッタリングガスとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング：ＤＣ電力１．４ｋＷ）により、ＣｒＮ膜を４ｎｍの厚さで成膜した。
その上に、同じクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、窒素（Ｎ２）およびヘリウム（Ｈｅ）の混合ガス（流量比  Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２１：３７：１１：３１，圧力＝０．２Ｐａ）をスパッタリングガスとして反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング：ＤＣ電力１．９ｋＷ）により、をクロムリッチなＣｒＯＣＮ膜を膜厚１４ｎｍで成膜した。
以上の手順により、位相シフト膜側からＣｒＯＣＮからなる最下層、ＣｒＮからなる下層、ＣｒＯＣＮからなる上層の３層構造からなるクロム系材料の遮光膜３を合計膜厚４８ｎｍで形成した。
以上の手順により、薄膜１１付き基板１０を得た。なお、光半透過膜と遮光膜とを合わせたときの光学濃度を３．０（λ＝１９３ｎｍ）とした。
【００６７】
１−Ｂ）レジスト膜形成工程
まず前処理として、薄膜１１の上層である遮光膜に対し、レジスト膜１２との密着性を向上させるためにＨＭＤＳ処理を行った。その後、薄膜１１の表面に、電子線描画用の化学増幅型のポジ型レジスト（ＰＲＬ００９：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）をスピンコート法により塗布した。その後、１３０℃で６００秒間加熱することで、レジスト膜１２（厚さ１２０ｎｍ）を形成した。
【００６８】
１−Ｃ）除去工程
レジスト膜付きマスクブランク１を、図２に示す装置内に設置した。そして、平面視で正方形の基板１０の一辺（上辺）においてレジスト膜１２の除去しろの幅が小さくなるように、レジスト膜１２を除去するための薬液を吐出するノズル２０を配置した。そして、薬液を吐出し、レジスト膜１２の全ての周縁部分を除去し、かつ、上辺におけるレジスト膜１２の除去しろの幅を他の辺の除去しろの幅に比べて小さくした。なお、その様子を図３に示す。図３は、レジスト膜付きマスクブランク１に対する光学顕微鏡観察を行った結果を示す写真である。図３に示すように、上辺においてはレジスト膜１２の除去しろの幅が１．１ｍｍとなり、その他の辺（例えば左辺）においては除去しろの幅が１．５ｍｍとすることに成功していた。
【００６９】
１−Ｄ）情報取得工程
まず、レジスト膜１２における面内感度分布情報は、分光干渉式膜厚測定装置（Ｎａｎｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）を用い、レジスト膜１２の膜厚を測定（基板中央４．２インチ角領域内の４４１点（２１点×２１点））することにより視覚化した。この視覚化の結果を示すのが図４である。
図４は、実施例および比較例において用いられるレジスト膜付きマスクブランク１における面内感度分布情報を示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
ちなみに、図５は、実施例および比較例において用いられるレジスト膜付きマスクブランク１を所定の条件で保管した後の面内感度分布情報を示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
【００７０】
１−Ｅ）露光工程
次に、エリオニクス社製の電子線描画装置を用い、レジスト膜１２に形成されるパターンが均一となるように、面内感度分布情報に基づいて露光量を補正した。その結果を図６に示す。図６は、実施例の結果を示す図であって、レジスト膜付きマスクブランク１を上部に開閉可能な開口を有するケーシングに収納し、所定の条件（２３℃、３０ｈ）で保管した後の面内感度分布情報を得た際の方向性と、レジスト膜付きマスクブランク１を露光装置に装着する際の方向性とを一致させた場合の、露光量の補正の度合いを示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
図６を見ると、露光量の補正が正常に行われていることがわかった。このまま露光を行うことにより、レジスト膜１２に形成されるパターンの面内均一性を良好なものとすることができる。ひいては転写用マスク５０やインプリントモールドに形成されるパターンの面内均一性を良好なものとすることができることがわかった。
【００７１】
＜比較例＞
比較例においては、面内感度分布情報を得たときのレジスト膜付きマスクブランク１の方向性と、露光装置に装着する際のレジスト膜付きマスクブランク１の方向性とを不一致（上下逆）とした。それ以外は、実施例と同様とした。その結果を図７に示す。図７は、比較例の結果を示す図であって、レジスト膜付きマスクブランク１における面内感度分布情報を得た際の方向性と、レジスト膜付きマスクブランク１を露光装置に装着する際の方向性とを不一致とした（上下を逆にした）場合の、露光量の補正の度合いを示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
図７を見ると、露光量の補正が正常に行われていないことがわかった。このまま露光を行うと、レジスト膜１２に形成されるパターンの面内均一性が保てない。ひいては転写用マスク５０やインプリントモールドに形成されるパターンの面内均一性も保つことができないことがわかった。
【００７２】
なお、比較例においては、所定の条件で保管した後のレジスト膜付きマスクブランク１に対しても同様の試験を行った。その結果を図８に示す。図８は、比較例の結果を示す図であって、レジスト膜付きマスクブランク１を所定の条件で保管した後の面内感度分布情報を得た際の方向性と、レジスト膜付きマスクブランク１を露光装置に装着する際の方向性とを不一致とした（上下を逆にした）場合の、露光量の補正の度合いを示す図であり、（ａ）が二次元グラフであり、（ｂ）が三次元グラフである。
図８を見ると、露光量の補正が正常に行われていないことがわかった。このまま露光を行うと、レジスト膜１２に形成されるパターンの面内均一性が保てない。ひいては転写用マスク５０やインプリントモールドに形成されるパターンの面内均一性も保つことができないことがわかった。
【００７３】
以上の結果、本実施例ならば、パターンの面内均一性を向上させることができた。
【符号の説明】
【００７４】
１………レジスト膜付きマスクブランク
５………マスクブランク
１０……基板
１１……薄膜
１２……レジスト膜
２０……ノズル
５０……転写用マスク
【図２】
2015215404.tif 000003
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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