(57)【要約】  いくつかの実施例においては、本発明は、略円筒形のターゲットと、スパッタリング工程において、ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべくターゲット内に保持されている細長い磁石と、ターゲット内において回転に抗して磁石を支持するフレーム構造と、磁石を同期することなしにターゲット内においてその軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するパワートレインと、を有する基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用される円筒形の陰極ターゲットアセンブリと、その使用法と、を含んでいる。いくつかの実施例においては、磁石は、ターゲットの回転に応答して振動している。
2008505250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用する陰極ターゲットアセンブリにおいて、
略円筒形のターゲットと、
スパッタリング工程において、前記ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、
前記ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべく前記ターゲット内に保持されている細長い磁石と、
前記ターゲット内において回転に抗して前記磁石を支持するフレーム構造と、
前記磁石を実質的に同期することなしに前記ターゲット内においてその軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するパワートレインと、
を備えるターゲットアセンブリ。
【請求項２】
前記パワートレインは、前記ターゲットの回転に応答して回転可能なカムと、前記磁石に対して動作可能に接続されると共に、前記カムに係合してターゲットの回転に応答して前記ターゲットの軸方向に前記磁石を移動させるカム従動子と、を備える請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項３】
前記カムは、全体的に蛇行した経路を有しており、前記カム従動子は、前記経路の表面と係合してターゲットの回転に応答して前記ターゲットの軸方向に前記磁石を移動させる表面を備える請求項２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項４】
前記ターゲットは、前記ターゲットの端部に隣接した端部セクションを含んでおり、前記端部セクションは、前記磁石によって保持されている前記カム従動子と係合可能な前記カムを備える請求項２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項５】
前記カムは、前記ターゲットとは異なる軸を中心に回転する請求項２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項６】
前記カムは、前記ターゲットとは異なる速度で回転する請求項２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項７】
前記パワートレインは、前記ターゲットの回転に応答して前記磁石の振動を駆動する請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項８】
前記磁石は、少なくとも１センチメートルだけ、軸方向に移動可能である請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項９】
前記パワートレインは、前記ターゲットアセンブリに対して機能的に結合された端部ブロック内に少なくとも部分的に配置されている請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１０】
前記パワートレインは、アクチュエータを備える請求項１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１１】
基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用する陰極ターゲットアセンブリにおいて、
略円筒形のターゲットと、
スパッタリング工程において、前記ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、
前記ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべく前記ターゲット内に保持されている細長い磁石と、
前記ターゲット内において回転に抗して前記磁石を支持するフレーム構造と、
前記磁石を前記ターゲットの回転に応答して前記ターゲット内においてその軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するパワートレインと、
を備えるターゲットアセンブリ。
【請求項１２】
前記パワートレインは、前記ターゲットの回転に応答して回転可能なカムと、前記磁石に機能的に接続されると共に前記カムに係合しているカム従動子と、を有しており、前記カムは、前記カムの軸方向に変化するカム表面を具備している請求項１１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１３】
前記カムは、全体的に蛇行した経路を有しており、前記カム従動子は、前記経路の表面と係合することにより、前記カムがその軸を中心として回転するのに伴って前記ターゲットの軸方向に前記磁石を移動させる表面を備える請求項１２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１４】
前記ターゲットは、前記ターゲットの端部に隣接した端部セクションを含んでおり、前記端部セクションは、前記磁石によって保持されているカム従動子と係合可能な前記カムを備える請求項１２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１５】
前記カムは、前記ターゲットとは異なる軸を中心として回転する請求項１２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１６】
前記カムは、前記ターゲットとは異なる速度で回転する請求項１２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１７】
前記パワートレインは、実質的に同期することなしに、前記磁石の振動を駆動する請求項１１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１８】
前記磁石は、少なくとも１センチメートルだけ、軸方向に移動可能である請求項１１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１９】
前記パワートレインは、前記ターゲットアセンブリに機能的に結合された端部ブロック内に少なくとも部分的に配置されている請求項１１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項２０】
基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用される陰極ターゲットアセンブリにおいて、
略円筒形のターゲットと、
スパッタリング工程において、前記ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、
前記ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべく前記ターゲット内に保持されている細長い磁石と、
前記ターゲット内において回転に抗して前記磁石を支持するフレーム構造と、
前記磁石を実質的に同期することなしに前記ターゲットの回転に応答して前記ターゲット内においてその軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するパワートレインと、
を備えるターゲットアセンブリ。
【請求項２１】
前記パワートレインは、前記ターゲットの回転に応答して回転可能なカムと、前記磁石に対して機能的に接続されていると共に前記カムに係合しているカム従動子と、を有しており、前記カムは、前記カムの軸方向に変化するカム表面を具備する請求項２０に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項２２】
前記カムは、全体的に蛇行した経路を有しており、前記カム従動子は、前記経路の表面と係合することにより、前記ターゲットがその軸を中心として回転するのに伴って前記ターゲットの軸方向に前記磁石を移動させる表面を備える請求項２１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項２３】
基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用される陰極ターゲットアセンブリにおいて、
略円筒形のターゲットと、
スパッタリング工程において、前記ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、
前記ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべく前記ターゲット内に保持されている細長い磁石と、
前記ターゲット内において回転に抗して前記磁石を支持するフレーム構造と、
前記磁石を前記ターゲットの軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するのに有用なアクチュエータと、
を備えるターゲットアセンブリ。
【請求項２４】
前記アクチュエータは、前記磁石アセンブリを支持する前記フレーム構造に対して機能的に結合されたノブを備える請求項２３に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項２５】
回転に抗して前記磁石を支持する前記フレーム構造は、前記磁石を支持すると共に冷却水を搬送するのに有用な内部チューブを含む請求項２３に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項２６】
マグネトロンスパッタリング工程において、基板上にターゲット材料をスパッタリングする方法において、
略円筒形の回転するターゲットと、前記ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべく前記ターゲット内に保持されている細長い磁石と、を提供する段階と、
前記ターゲットをその軸を中心として回転させる段階と、
同期することなしに前記ターゲットの軸方向において前記磁石を振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進する段階と、
を備える方法。
【請求項２７】
前記磁石は、前記ターゲットの回転に応答して振動する請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記磁石は、アクチュエータに応答して振動する請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記磁石は、少なくとも１センチメートルだけ、軸方向に振動する請求項２６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリングに有用な円筒形のターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ガラス板などの基板上への様々な材料のマグネトロンスパッタリングには、陰極ターゲットと、このターゲットに隣接して磁界を生成する磁石と、磁界によって閉じ込められるプラズマを形成するアルゴンなどの不活性ガスと、が必要である。ターゲットは、様々な構成のものであってよいが、スパッタリング工程においてその軸を中心として回転する円筒形のターゲットが広く使用されている。これらのターゲットは、通常、管状であって、ターゲットの内部に配置された磁石を利用している。ターゲットは、その軸を中心として回転するが、磁石は、一般に回転せず、磁石は、ターゲットが回転する際に、静止位置に保持されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
残念ながら、ターゲットの外部表面から材料をスパッタリングする際に、ターゲットが、その長さに沿って均一且つ均等に消費されないという現象が明らかになっている。その両端の間において同様に発生する侵食が、均一ではなく、ターゲットの中央付近においては、侵食の均一性が多少存在しているが、ターゲットの端部付近においては、大きな侵食が発生するのである。
【０００４】
不均一な侵食パターンの結果、時間の経過と共に、ターゲットの端部付近における略完全な侵食に起因し、ターゲットの中央部分がスパッタリング可能な十分な量のターゲット材料を保持した状態で、ターゲットを交換しなければならない。磁石の端部が互いにオフセットされているデュアル磁石を利用することにより、効率を多少改善することは可能である。しかしながら、更なるターゲット利用率の向上が課題となっている。スパッタリング装置からのターゲットの交換は、かなりの作業であり、当然のことながら、ターゲットを交換する際には、スパッタリングラインを休止しなければならないからである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
ターゲット内において磁石をターゲットの軸方向に振動させることにより、円筒形のスパッタリングターゲットの侵食パターンの均一性を向上させることが可能であることを発見した。いくつかの実施例においては、この磁石の動きは、ターゲットの回転の（並びに、これから導出された）関数である。更なる実施例においては、磁石は、ターゲットの回転と同期することなしに振動している。その他の実施例においては、磁石を手動で移動可能である。
【０００６】
従って、いくつかの実施例においては、本発明は、ガラスなどの基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用される陰極ターゲットアセンブリに関するものである。このアセンブリは、略円筒形のターゲットと、スパッタリング工程においてターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、を有している。ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべく、細長い磁石がターゲットの内部に保持されている。ターゲット内において回転に抗して磁石を支持するべく、フレーム構造が提供されているが、磁石は、ターゲット内において軸方向に移動可能な状態にある。磁石を実質的に同期することなしにターゲットの軸方向にその長さに沿って振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するべく、パワートレインが提供されている。いくつかの実施例においては、磁石は、ターゲットの回転に応答して振動している。
【０００７】
特定の実施例においては、パワートレインは、カムと、カム従動子（cam follower）と、を有することが可能であり、これらのいずれかがターゲットによって保持され、他方が磁石によって保持されており、カムとカム従動子は、ターゲットの回転に伴って磁石を軸方向に駆動するべく係合した状態にある。例えば、カムは、ターゲットによって保持可能であり、カム従動子は、カムに係合した位置において磁石によって保持可能である。カムは、ターゲットがその軸を中心に回転するのに伴ってターゲットの軸方向に変化するカム表面を具備しており、この結果、カム従動子と、従って、磁石が、ターゲットの軸方向にその回転に応答してカム駆動される。特定の実施例においては、カムは、ターゲットの内部円周を中心として全体的に蛇行（serpentine）した経路を有しており、カム従動子は、磁石から突出すると共に蛇行した経路の表面と係合してターゲットのその軸を中心とした回転に応答して軸方向に磁石を移動させる表面を有している。特定の実施例においては、ターゲットは、ターゲットの開放端に隣接する端部セクションを包含可能であり、この端部セクションは、磁石によって保持されているカム従動子と係合可能なカムを有している。その他の実施例においては、磁石のフレーム構造が、蛇行した経路を具備したカム本体を含んでおり、パワートレインが、ターゲットの回転に応答して本体と磁石を軸方向に移動させるべく機能している。この場合には、ターゲットが、蛇行した経路と係合すると共に磁石とカム本体を軸方向に駆動するカム従動子を包含可能である。更なる実施例においては、軸方向の移動は、カム表面を有するカムディスクによって提供されている。カムディスクの回転に伴って、カムプロファイルにより、磁石アセンブリが軸方向に移動する。スプリングなどのバイアス手段を使用することにより、磁石アセンブリをカムプロファイルに向かってバイアス可能である。その他の実施例においては、手動又は自動メカニズムのいずれかによって定期的に作動するアクチュエータにより、軸方向の移動を提供可能である。
【０００８】
ターゲットに対する磁石の移動は、望ましくは、実質的に同期しておらず、即ち、ターゲットの回転の任意のポイントにおけるターゲットに対する磁石の瞬間的な軸方向の位置は、ターゲットが連続した３６０°の回転を通じて回転する際に変化しており、この結果、ターゲットの単一の回転位置は、その端部付近におけるターゲットの相当に不均等な円周部の消費を引き起こす反復的な方式によって磁石のいずれの単一の軸方向の位置にも対応していない。いくつかの実施例においては、ターゲットの単一の回転位置は、ターゲットの２回の連続した回転における磁石のいずれの単一の軸方向の位置にも対応していない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下の詳細な説明は、添付図面との関連において参照されたい。尚、添付図面においては、異なる図面中の類似した要素に対して類似の参照符号を付与している。これらの図面は、選択された実施例を示しており、その縮尺は、必ずしも正確なものではなく、且つ、本発明の範囲を限定することを意図したものでもない。当業者であれば、本明細書に提供されている例が、本発明の範囲内に属する多数の有用な代替肢を具備していることを認識するであろう。
【実施例】
【００１０】
図１及び図２は、本発明の一実施例による回転可能なターゲットアセンブリを示している。図１に及び図２に示されているように、ターゲットアセンブリ１０は、スパッタリングプロセスにおいて円筒形のターゲット３０から材料を基板２０にコーティングするのに有用である。円筒形のターゲット３０は、一般に、電動機やその他の原動装置により、その長手方向の軸を中心として回転可能である。いくつかの実施例においては、回転手段は、円筒形ターゲット３０を回転させるのに有用な電動機を収容する駆動端部ブロック４０を有している。ターゲットアセンブリ１０には、支持端部ブロック５０を提供可能であり、これは、駆動端部ブロック４０の反対側において円筒形のターゲット３０を支持するのに有用である。いくつかの実施例においては、支持端部ブロック５０は、冷却流体注入口６０と冷却流体排出口７０を収容している。冷却流体注入口６０及び冷却流体排出口７０は、スパッタリングプロセスにおいて円筒形のターゲットを冷却するべく、冷却水を円筒形のターゲット３０に供給するのに有用である。或いは、この代わりに、ターゲットアセンブリ１０を片持ち支持することも可能であり、この場合には、支持端部ブロック５０を包含しなくてもよい。
【００１１】
ターゲットアセンブリ１０は、ターゲット３０の外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべく、円筒形ターゲット３０内に保持されている少なくとも１つの細長い磁石アセンブリ８０を含んでいる。磁石アセンブリ８０は、円筒形のターゲット３０内に配設可能である。ターゲット内において回転に抗して磁石を支持するべく、フレーム構造８２を提供可能である。図２に示されている実施例においては、フレーム構造８２は、キー８４を包含している。キー８４は、磁石アセンブリの長手方向における移動を許容しつつ、回転に抗して磁石アセンブリ８０を保持している。本発明は、図３に示されているように、ターゲットの消費パターン８６を改善するべく、円筒形のターゲット３０内において磁石アセンブリ８０の長手方向の振動を提供する。望ましくは、磁石アセンブリ８０は、少なくとも０．５センチメートルだけ（更に望ましくは、少なくなくとも１センチメートルだけ）、軸方向に移動可能であり、この移動は、特定のターゲットアセンブリの消費パターンを実質的に均等にするのに十分なものである。
【００１２】
磁石アセンブリ８０の長手方向の振動は、いくつかの方法によって提供可能である。いくつかの実施例においては、磁石アセンブリ８０の長手方向の振動は、詳しく後述するパワートレイン９０によって提供されている。パワートレイン９０は、例えば、ターゲットの端部に隣接する端部セクションの近傍など、ターゲット３０の内部に収容可能である。或いは、この代わりに、パワートレイン９０は、図４及び図５に示されているように、駆動ケーシング１００内に収容することも可能である。望ましくは、駆動ケーシング１００は、絶縁されており、この結果、相対的に高電圧の円筒形ターゲット３０と駆動端部ブロック４０の間に電気的な障壁が提供されている。いくつかの実施例においては、駆動ケーシング１００は、シャフト部１０２を包含可能である。シャフト部１０２は、駆動端部ブロック４０内に収容可能である。このような実施例においては、駆動端部ブロック４０は、シャフト部１０２に対して回転力を付与することにより、これをその長手方向の軸を中心として回転させている。シャフト部１０２は、駆動端部ブロック４０からの回転力の伝達を実現するのに有用な形状又は特徴を有することができる。例えば、図４に示されている実施例においては、シャフト部１０２は、６角形の形状を有している。シャフト部１０２は、駆動端部ブロック４０からターゲット駆動プレート１１０に回転力を伝達するのが有用である。ターゲット駆動プレート１１０は、シャフト部１０２と一体で形成するか、又はこれに装着可能であり、これは、円筒形ターゲット３０をその長手方向の軸を中心として回転させるのに有用である。
【００１３】
図４及び図５には、磁石ユニオン１２０の一実施例も示されている。磁石ユニオン１２０は、長手方向の動きをパワートレイン９０から磁石アセンブリ８０に伝達するのに有用である。図示の実施例においては、磁石ユニオン１２０は、ターゲット駆動プレート１１０内のアパーチャを通じて延長している。磁石ユニット１２０は、一般に、ターゲット駆動プレート１１０と一緒に回転しない。いくつかの実施例においては、磁石ユニオン１２０には、磁石アセンブリ８０に対して付与される回転力を低減するべく、スリップユニオンが提供されている。
【００１４】
図６は、本発明の一実施例によるパワートレイン９０の断面である。パワートレイン９０は、長手方向の移動を磁石アセンブリ８０に対して付与するのに有用な構造を有することができる。図６に示されている実施例においては、パワートレイン９０は、略円筒形の形状を具備すると共にカムベアリング１３２上においてその長手方向の軸を中心として回転するべく適合されたカム１３０を有している。カム１３０は、端部プレート１３４により、一端において支持可能であり、この端部プレートは、少なくとも１つのカムベアリング１３２を支持するのに有用である。カム１３０の他端は、線形運動ケーシング１３６によって支持可能である。線形運動ケーシング１３６は、回転に抗して保持可能である。この結果、カム１３０は、円筒形ターゲット３０とは異なる軸を中心として及び／又は異なる速度において回転可能である。更に、カム１３０は、駆動ケーシング１００が回転する軸に対して静止した状態に保持されつつ、その独自の軸を中心として回転可能である。図６に示されているように、円筒形のターゲット３０は、軸Ａを中心として回転可能であり、カム１３０は、軸Ｂを中心として回転可能である。
【００１５】
カム１３０（これは、その形状が略円筒形であってよい）には、カム表面１３８を提供可能である。表面１３８は、磁石アセンブリ８０の線形振動に有用な任意の構造又は形状を有することができる。図６に示されている実施例においては、カム表面１３８は、全体的に蛇行した経路１４０を含んでいる。全体的に蛇行した経路１４０は、カム１３０の外部表面に沿った溝又はノッチであってよい。この蛇行した経路は、カム１３０の表面に沿った任意の経路を辿ることが可能であるが、カムの表面において連続した経路を形成していることが望ましい。
【００１６】
パワートレイン９０は、カム１３０と係合するのに有用なカム従動子１５０を包含可能である。カム従動子１５０は、回転移動に対しては、固定可能であるが、長手方向に移動自在であってよい。カム従動子１５０は、カム１３０の回転に伴って蛇行した溝１４０に沿って移動するのに有用であり、カム１３０のその軸を中心とした回転運動に応答して長手方向に移動する。後述するように、磁石アセンブリ８０は、カム従動子１５０に対して機能的に結合されており、この結果、カム１３０の回転に応答したカム従動子１５０の移動に伴って、磁石アセンブリ８０が、円筒形のターゲット３０内において、これに対して長手方向に移動することになる。
【００１７】
カム従動子１５０と磁石アセンブリ８０は、様々な方法によって機能的に接続可能である。いくつかの実施例においては、カム従動子１５０は、線形運動シャフト１６０に対して堅固に結合されており、この線形運動シャフトは、円筒形のターゲット３０に関連して回転運動しないように線形運動ケーシング１３６を抑制するべく、矩形のプロファイルを有することができる。線形運動シャフト１６０は、少なくとも部分的に、線形運動ケーシング１３６によって支持可能であり、線形運動ケーション１３６は、その内部における線形運動シャフト１６０の線形の平行運動を許容するべく適合可能である。
【００１８】
線形運動シャフト１６０は、磁石ユニオン１２０に結合可能である。或いは、この代わりに、線形運動シャフト１６０が線形運動ユニオン１７０に結合し、この線形運動ユニオンが磁石ユニオン１２０に結合することも可能である。これらの部分には、これらの長手方向の平行運動を支援するべく、潤滑油を施すことができる。図６に示されている実施例においては、線形運動シャフト１６０、線形運動ユニオン１７０、及び磁石ユニオン１２０が線形運動アセンブリボルト１８０によって１つに結合されている。従って、カム１３０の回転に伴って、蛇行した溝１４０と接触状態にあるカム従動子１５０が長手方向に平行運動することになる。カム従動子１５０は、線形運動シャフト１６０、線形運動ユニオン１７０、及び磁石ユニオン１２０を介して長手方向の移動を磁石アセンブリ８０に対して付与し、これらは、線形運動アセンブリボルト１８０によって１つに結合された際に、１つのアセンブリとして一緒に移動する。この結果、磁石アセンブリ８０は、蛇行した溝１４０の形状に従って、その長手方向の軸を中心として振動することになる。
【００１９】
回転は、様々な方法によってカム１３０に対して付与可能である。図６及び図７に示されている実施例においては、回転は、駆動ピン１９０及びスプロケット２００を介してカム１３０に対して付与されている。従って、駆動ピン１９０（これは、回転するターゲット３０に対して動作可能に接続可能である）は、円筒形ターゲット３０と同一の速度で回転可能であり、且つ、図７に示されているように、ターゲットの回転ごとに１度ずつスプロケット２００の歯と接触するべく配置されている。カム１３０は、スプロケット２００と共に回転する。スプロケット２００は、カム１３０に結合することも可能であり、或いは、これと一体で形成することも可能である。図７に示されている実施例においては、スプロケット２００は、６つの歯を具備している。従って、この実施例においては、カム１３０は、駆動ピン１９０の６回の回転ごとに１回だけ完全に回転し、これにより、カム１３０の回転ごとに１回ずつ（並びに、円筒形ターゲット３０の６回の回転ごとに１回ずつ）、磁石アセンブリ８０をそのオリジナルの位置に復帰させることになる。当然のことながら、本発明の範囲を逸脱することなしに、更に多数の又は更に少数の歯又は複数の駆動ピンを提供することも可能である。
【００２０】
本発明のこのような実施例においては、円筒形ターゲット３０に対する磁石アセンブリ８０の移動は、実質的に同期していない。即ち、ターゲット３０の回転の任意のポイントにおけるターゲット３０に対する磁石アセンブリ８０の瞬間的な軸方向の位置は、ターゲット３０が連続した３６０°の回転を通じて回転するのに伴って変化しており、この結果、磁石アセンブリ８０の単一の軸方向の位置は、その端部の円周部の近傍のターゲットの大きな不均等な消費を引き起こす反復的な方式によってターゲット３０のいずれの単一の軸方向の位置にも対応していない。従って、いくつかの実施例においては、磁石は、ターゲットの連続した回転又は連続した複数の回転において１つの軸方向の位置から別の位置に移動している（例えば、磁石は、それぞれの２回又は３回のターゲットの回転の後に軸方向に移動可能である）。当然のことながら、磁石は、ターゲットの回転に応答して移動するごとに同一の距離だけ移動する必要はない。その他の実施例においては、ターゲットは、ターゲットの回転に伴って軸方向に連続的に移動可能である。
【００２１】
駆動ピン１９０は、図８に示されているように、駆動ケーシング１００によって（又は、これと共に）回転可能である。いくつかの実施例においては、駆動ピン１９０は、駆動ピンベアリング２１２を中心として回転可能であり、この駆動ピンベアリングは、端部プレーン１３４によって支持可能である。駆動クランプ２２０を提供することにより、駆動ピン１９０を駆動ケーシング１００に結合可能である。いくつかの実施例においては、アセンブリチューブ２１０を駆動ケーシング１００の内部表面に結合可能である。例えば、アセンブリチューブ２１０は、この表面に溶接可能である。このような実施例においては、クランプ２２０により、駆動ピン１９０をアセンブリチューブ２１０にクランプ可能である。
【００２２】
パワートレイン９０は、少なくとも１つのパワートレイン支持ベアリング２４０によって駆動ケーシング１００に対して支持可能である。パワートレイン支持ベアリング２４０は、パワートレイン９０が回転に抗して保持された状態で、駆動ケーショング１００がパワートレイン９０を中心として回転することを許容するのに有用である。図８及び図９に示されている実施例においては、第１パワートレイン支持ベアリング２４０が線形運動ケーシング１３６に隣接して提供されており、第２パワートレイン支持ベアリング２４０が線形運動ユニオン１７０に隣接して提供されている。複数のパワートレイン支持ベアリング２４０が提供されている実施例においては、ベアリングスペーサ２４２を提供することにより、ベアリング２４０を分離、離隔、及び／又は長手方向において支持可能である。ベアリングスペーサ２４２は、駆動ケーシング１００内におけるパワートレイン９０の深さを決定するのにも有用であり、この深さは、回転ターゲット３０内における磁石アセンブリ８０の深さに対して影響を与える。パワートレイン支持ベアリング２４０の外部表面は、アセンブリチューブ２１０によって支持可能である。いくつかの実施例においては、パワートレイン支持ベアリング２４０の外部表面は、ベアリングシム２５０によって支持されており、このベアリングシムは、例えば、溶接により、アセンブリチューブ２１０に結合されている。
【００２３】
パワートレイン９０は、円筒形のターゲット及び／又はその内部においてこれが利用されている真空チャンバと実質的に分離可能である。そのような分離は、例えば、駆動ケーシング１００内における汚染物質の存在を低減し、真空チャンバ内に提供されている圧力とは異なる圧力においてパワートレイン９０を作動させると共に／又は、冷却水がパワートレイン９０に接触することを防止するべく、望ましいものである。真空チャンバからパワートレイン９０を分離するべく、端部キャップ２６０を提供することにより、駆動ケーシング１００のシャフト部１０２の端部を覆うことができる。又、Ｏリングなどの端部キャップシール２７０を端部キャップ２６０の外部表面付近に提供することにより、シーリングを促進することも可能である。パワートレイン９０は、シール２８０により、駆動ケーシング１００のターゲット駆動プレート１１０の端部近傍において、円筒形ターゲット３０から分離可能である。シール２８０は、線形運動ユニオン１７０をシーリング表面として使用可能である。シール２８０は、冷却水が駆動ケーシング１００に進入してパワートレイン９０に接触することを防止するのに有用である。
【００２４】
使用の際には、図１〜図９に示されている実施例の場合には、駆動端部ブロック４０が回転力を駆動ケーシング１００に対して提供する。駆動ケーシング１００は、ターゲット駆動プレート１１０を介して円筒形ターゲット３０をその長手方向の軸を中心として回転させるのに伴って駆動ピン１９０を回転させる。駆動ケーシング１００内において、パワートレイン９０は、回転しないように抑制されている。駆動ピン１９０は、その回転に伴って、カム１３０に結合されているスプロケット２９９と接触する。カム従動子１５０が、カム１３０内の蛇行した溝１４０のプロファイルに応答して線形に移動し、この結果、蛇行した溝１４０のプロファイルに従って、線形運動シャフト１６０、線形運動ユニオン１７０、及び磁石ユニオン１２０が移動する。磁石ユニオン１２０は、磁石アセンブリ８０に結合されており、この結果、磁石アセンブリ８０が、蛇行した溝１４０のプロファイルに従って円筒形ターゲット３０内において線形で振動することになる。従って、円筒形ターゲット３０をその長手方向の軸を中心として回転させるのに使用されている回転力を使用することにより、円筒形ターゲット３０内において磁石アセンブリ８０を（回転させるのではなく）線形に振動させている。このような実施例においては、磁石アセンブリ８０は、円筒形ターゲット３０と同期することなしに振動している。
【００２５】
従って、前述のように、且つ、円筒形ターゲット３０の回転速度に応じて、磁石アセンブリ８０は、個別のインターバルで振動可能である。即ち、駆動ピン１９０とスプロケット２００の間の１回の接続により、カム１３０と、従って、磁石アセンブリ８０が、個別の距離だけ移動することになる。駆動ピン１９０とスプロケット２００の間の次回の接続が発生する前に、知覚可能な時間的インターバルが発生可能であり、この結果、磁石アセンブリ８０が更なる個別の距離だけ移動する前に、知覚可能な時間的インターバルが生成されることになる。
【００２６】
図１０及び図１１は、回転ターゲットアセンブリ２９０を含む本発明の一実施例を示している。図１０及び図１１に示されている実施例においては、ターゲットアセンブリ２９０は、片持ち支持されている。メカニズムの明瞭な図を提示するべく、アセンブリの特定の詳細事項については図示されていないことに留意されたい。一般に、いくつかの実施例においては、回転ターゲットアセンブリ２９０は、第１ベアリング表面３１０及び第２ベアリング表面３２０においてベアリング（図示されていない）によって基板（図示されていない）上に支持されているターゲット線形材料を保持するのに有用なターゲット線形チューブ３００を包含可能である。図１０に示されている実施例においては、ターゲット線形チューブ３００は、第１ベアリング表面３１０におけるベアリング上の片持ち負荷を軽減するべく、第２ベアリング表面３２０においてベアリングによって支持されている。回転ターゲットアセンブリ２９０のその他の実施例においては、第２ベアリング表面３２０におけるベアリングが含まれていない。図１１からわかるように、第１ベアリング表面３２０は、ハウジング３２２内に収容可能である。ハウジング３２２は、真空シーリング、電気整流、及び円筒形ターゲット３０の回転手段などの回転ターゲットアセンブリ２９０の様々なコンポーネントを収容することも可能である。
【００２７】
回転ターゲットアセンブリ２９０に対して冷却水システムを提供することも可能である。このようなシステムにおいては、冷却水は、流入ポート３３０において回転ターゲットアセンブリ２９０内に流入し、内部チューブ３４０を通じて移動し、開口部３６０において空洞３５０内に流入可能である。空洞３５０は、ターゲット線形チューブ３００、第１端部キャップ３７０、第２端部キャップ３８０、及び磁石アセンブリ８０によって限定されている。磁石アセンブリ８０は、第１磁石端部キャップ３９０及び第２磁石端部キャップ３９２を提供することにより、空洞３５０からシーリング可能であり、従って、冷却水に接触することを防止可能である。開口部３６０から流れ出た水は、空洞３５０を充填し、ターゲット線形チューブ３００及び円筒形ターゲット３０を冷却する。次いで、冷却水は、磁石ベアリング４００を通じて空洞２５０から排出され、チューブ４１０を通じて流れ、排出ポート４２０を通じて排出される。回転式水継ぎ手４２２を提供することにより、排出ポート４２０を収容又は定義することも可能である。図１０及び図１１に示されている回転式水継ぎ手４２２の実施例においては、チューブ４１０は、それ自体及び内部チューブ３４０内に流入させ、通過させることができる。
【００２８】
内部チューブ３４０は、様々な機能を提供可能である。例えば、内部チューブ３４０により、円筒形ターゲット３０内において回転しないように磁石アセンブリ８０を抑制可能である。更には、内部チューブ３４０は、円筒形ターゲット３０内において磁石アセンブリ８０を配置するのに有用であろう。いくつかの実施例においては、アクチュエータ４３０などのパワートレインを包含することにより、円筒形ターゲット３０内における磁石アセンブリ８０の配置を円滑に実行している。アクチュエータ４３０は、磁石アセンブリ８０をその長手方向の軸に沿って線形に配置及び／又は再配置するのに有用な任意の構造を包含可能であり、且つ、操作者によって手動で又は自動的な手段によって作動させることも可能である。望ましくは、アクチュエータ４３０は、実質的に同期することなしにターゲット３０内において磁石アセンブリ８０を移動させるのに有用である。図１０に示されている実施例においては、アクチュエータ４３０は、ノブ４３２を有している。いくつかの実施例においては、ノブ４３２は、例えば、ポリエチレンなどの誘電材料から少なくとも部分的に構築されている。更には、必要に応じて、電圧保護シールドを提供することにより、ノブ４３２をスパッタリングプロセスにおいて手動による操作に適したものすることも可能である。例えば、電圧保護シールドは、ハウジング３２２、回転式継ぎ手４２２、及び内部チューブ３４０の周りに提供可能である。
【００２９】
磁石アセンブリ８０は、磁石ベアリング４００及び４４０により、円筒形ターゲット３０内において支持可能である。これらのベアリングは、円筒形ターゲット３０と半径方向においてアライメントした状態に磁石アセンブリ８０を維持するのに有用である。望ましくは、磁石ベアリング４００及び４４０は、磁石アセンブリ８０が円筒形ターゲット３０の軸に沿って長手方向に移動することをも許容している。従って、手動でノブ４３２を操作することにより、内部チューブ３４０を線形に移動させて円筒形ターゲット３０内において磁石アセンブリ８０の場所を変更可能である。
【００３０】
望ましくは、磁石アセンブリ８０は、円筒形ターゲット３０の利用率を向上させるべく、所望の量だけ、円筒形ターゲット３０に対して軸方向に移動可能である。例えば、方向転換の場所を、図示のように距離「Ｓ」だけ移動可能である。望ましくは、磁石アセンブリ８０は、少なくとも０．５センチメートル（恐らく、更に望ましくは、少なくとも１センチメートル）だけ、円筒形ターゲット３０内において軸方向に移動可能である。
【００３１】
いくつかの実施例の動作の際には、ハウジング３２２内に収容されている回転手段により、磁石アセンブリ８０が円筒形ターゲット３０内において回転しないように抑制された状態で、円筒形ターゲット３０をその長手方向の軸を中心として回転させる。一実施例においては、磁石アセンブリ８０は、設定された期間にわたって静止状態に留まることができる。この時間の間にターゲット消費パターン８６が生成されることになる。ターゲット消費パターン８６は、方向転換４５０付近に、相対的に深い又は広い溝を包含可能であり、操作者は、これを視認可能であろう。溝が特定の望ましくないサイズを超過した場合に、操作者は、押すか又は引くことにより、ノブ４３２を操作可能である。この動作により、円筒形のターゲット３０に対する磁石アセンブリ８０の軸方向における場所が変更されると共に新しいターゲット消費パターンの場所が決定され、この結果、円筒形ターゲット３０の利用率が向上することになる。操作者は、必要に応じた頻度で何回でもこれらの段階を反復可能である。望ましくは、磁石アセンブリ８０は、同期することなしに、ターゲット３０に対して移動する。
【００３２】
いくつかの実施例においては、アクチュエータ４３０を介した円筒形ターゲット３０内における磁石アセンブリ８０の振動が自動化されている。例えば、クロックメカニズムを使用することにより、ターゲット３０内において磁石アセンブリ８０を定期的に移動可能である。望ましくは、クロックメカニズムは、同期することなしに磁石の移動を開始する。恐らくは、更に望ましくは、クロックは、ランダムなインターバルで、ターゲット３０内において磁石アセンブリ８０を移動可能である。別の例として、自動化メカニズムを使用することにより、ターゲット３０内においてその回転に伴って実質的に連続的に磁石８０を移動可能である。磁石アセンブリ８０の線形の移動速度をターゲット３０の回転速度と無関係なものとすることにより、ターゲットと磁石アセンブリの間に同期していない運動を提供することが望ましい。
【００３３】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明の精神及び添付の請求項の範囲を逸脱することなしに、これらの実施例に対して様々な変更、適合、及び変形を実施可能であることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施例による回転可能なマグネトロンターゲットアセンブリの部分切り取り３次元図である。
【図２】図１のターゲットアセンブリの断面図である。
【図３】図１のターゲットアセンブリの概略図である。
【図４】本発明の一実施例による駆動ケーシングの透視図である。
【図５】本発明の一実施例による駆動ケーシング及びパワートレインの断面図である。
【図６】本発明の一実施例によるパワートレインの断面図である。
【図７】図６のパワートレインの端部断面図である。
【図８】図６のパワートレインの断面図である。
【図９】図６のパワートレインの部分切り取り透視図である。
【図１０】本発明の一実施例による片持ち支持された回転可能なマグネトロン陰極の透視図である。
【図１１】図１０の片持ち支持された回転可能なマグネトロン陰極の概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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