(57)【要約】【課題】自己組織化ドットの効率的な形成の容易化を図った，スタンパ，及びこのスタンパを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態のスタンパは，主面を有する基体部と，前記主面上に，互いに異なる第１および第２の方向に配列され，かつ複数の自己組織化ドットの配列の基準となる，複数のガイドと，を具備し，前記第１の方向でのガイドの配列に対応する第１のベクトルと，前記第２の方向でのガイドの配列に対応する第２のベクトルとを合成した第３のベクトルに対応する，第３の方向でのガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの整数ｍ１±０．０５倍の範囲内であり，前記第１の方向での前記複数のガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの整数ｍ２±０．１５倍の範囲外である。【選択図】図５
2015005321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基体部と，
前記主面上に，互いに異なる第１および第２の方向に配列され，かつ複数の自己組織化ドットの配列の基準となる，複数のガイドと，を具備し，
前記第１の方向でのガイドの配列に対応する第１のベクトルと，前記第２の方向でのガイドの配列に対応する第２のベクトルとを合成した第３のベクトルに対応する，第３の方向でのガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの整数ｍ１±０．０５倍の範囲内であり，
前記第１の方向での前記複数のガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの整数ｍ２±０．１５倍の範囲外である，
ビット・パターンド・メディアを作成するためのスタンパ。
【請求項２】
前記第１および第２の方向でのガイド間それぞれの距離が，略同一である
請求項１記載のスタンパ。
【請求項３】
前記距離が，前記自己組織化ドットのピッチの略２．７±０．０５倍，３．８±０．０５倍，４．６±０．０５倍，５．２±０．０５倍，５．８±０．０５倍，６．８±０．０５倍，または７．０±０．０５倍の範囲内である
請求項２記載のスタンパ。
【請求項４】
ビット・パターンド・メディアを作成するためのスタンパであって，
主面を有する基体部と，
前記主面上に，互いに異なる第１および第２の方向に配列され，かつ複数の自己組織化ドットの配列の基準となる，複数のガイドと，を具備し，
前記第１の方向での前記複数のガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの７．０±０．０５倍，９．０±０．０５倍，または１３．０±０．０５倍の範囲内である，
スタンパ。
【請求項５】
前記第１および第２の方向でのガイド間それぞれの距離が，略同一である
請求項４記載のスタンパ。
【請求項６】
前記第１および第２の方向のなす角度が，６０°±１０°の範囲内である，
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスタンパ。
【請求項７】
前記ガイドが，突起または凹みのいずれかである
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のスタンパ。
【請求項８】
基板上に形成された樹脂層に，請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスタンパを接触させる工程と，
前記スタンパが接触する樹脂層を硬化させる工程と，
前記硬化された樹脂層から前記スタンパを分離して，前記スタンパに対応する凹凸を有する樹脂層を形成する工程と，
前記樹脂層に自己組織化材料を塗布する工程と，
前記自己組織化材料を自己組織化して，前記スタンパのガイドに対応して配置される第１の相と，この第１の相を覆う第２の相を形成する工程と，
前記第２の相と，前記樹脂相をエッチングし，前記第１の相を残す工程と，
前記第１の相をマスクとして，前記基板をエッチングする工程と，
を具備する磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は，スタンパ，及びスタンパを用いた磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体（例えば，磁気ディスク（ハードディスクとも言う））の高密度化が進められる中，いわゆるビット・パターンド・メディア（Bit Patterned Media，以下，「ＢＰＭ」という）が提案されている。ＢＰＭでは，非磁性体によって，磁気記録する磁性体のドットが区分けされているため，熱揺らぎによる磁気信号の劣化を低減できる。
ＢＰＭの作製方法として，ブロックコポリマーの自己組織化能を利用して，自己組織化ドットを形成し，そのドットを加工することで，磁性体のドットパターンを得る方法が提案されている。
ここで，広いエリアに自己組織化ドットを規則的に配列することは容易ではない。このため，柱状等のガイドパターン（以下，「ポストガイド」という）によって，自己組織化ドットの配置を制御する手法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２１０３３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら，ポストガイドの精度，密度を抑えつつ，大面積にわたってドット配列を制御するためのポストガイドを配置することは必ずしも容易ではない。
本発明の目的は，自己組織化ドットの効率的な形成の容易化を図った，スタンパ，及びこのスタンパを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態のスタンパは，主面を有する基体部と，前記主面上に，互いに異なる第１および第２の方向に配列され，かつ複数の自己組織化ドットの配列の基準となる，複数のガイドと，を具備し，前記第１の方向でのガイドの配列に対応する第１のベクトルと，前記第２の方向でのガイドの配列に対応する第２のベクトルとを合成した第３のベクトルに対応する，第３の方向でのガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの整数ｍ１±０．０５倍の範囲内であり，前記第１の方向での前記複数のガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの整数ｍ２±０．１５倍の範囲外である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係る磁気記録媒体を表す図である。
【図２Ａ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図２Ｂ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図２Ｃ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図２Ｄ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図２Ｅ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図２Ｆ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図３Ａ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図３Ｂ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図３Ｃ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図３Ｄ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図３Ｅ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図３Ｆ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図４Ａ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図４Ｂ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図４Ｃ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図４Ｄ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図４Ｅ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図４Ｆ】磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図５】ポストガイドの配置を表す図である。
【図６】自己組織化ドットの配列方向とポストガイドのズレの関係を表す図である。
【図７】自己組織化ドットの配列方向とポストガイドのズレの関係を表す図である。
【図８】自己組織化ドットの配列状態を表すＳＥＭ写真である。
【図９】自己組織化ドットの配列状態を表すＳＥＭ写真である。
【図１０】自己組織化ドットの配列方向とポストガイドの位置誤差の関係を表す図である。
【図１１】自己組織化ドットの配列方向とポストガイドの位置誤差の関係を表す図である。
【図１２】方向（１，０）でのポストガイドの距離関係を表す図である。
【図１３】方向（１，１）でのポストガイドの距離関係を表す図である。
【図１４】方向（２，１）でのポストガイドの距離関係を表す図である。
【図１５】自己組織化ドットの配列を表す模式図である。
【図１６】ポストガイドおよび自己組織化ドットの配列の一例を表す模式図である。
【図１７】基本単位格子の一例を表す模式図である。
【図１８】単位格子の一例を表す模式図である。
【図１９】単位格子によって表現される配列を表す模式図である。
【図２０】ポストガイドの位置と距離の関係を表すグラフである。
【図２１】単位格子の一例を表す模式図である。
【図２２】単位格子によって表現される配列を表す模式図である。
【図２３】複数の単位格子によって表現される配列を表す模式図である。
【図２４】単位格子の一例を表す模式図である。
【図２５】複数の単位格子によって表現される配列を表す模式図である。
【図２６】単位格子の一例を表す模式図である。
【図２７】複数の単位格子によって表現される配列を表す模式図である。
【図２８】単位格子の一例を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下，図面を参照して，実施形態を詳細に説明する。
磁気記録媒体について説明する。図１は，実施形態に係る磁気記録媒体の一例としての磁気ディスク１０を表す模式図である。
【０００８】
磁気ディスク１０は，磁気記録再生装置において，磁気的に情報を記録，再生するための磁気記録媒体として用いられる。磁気ディスク１０の片面または両面に配置される磁気記録層３２ａに磁気的に情報が記録される（後述の図４Ｆ参照）。
【０００９】
実施形態に係る磁気ディスク１０は，ドーナツ型形状を有する。磁気ディスク１０を回転しながら磁気的に記録再生することから，一般に，磁気ディスク１０は，円盤形状，特にドーナツ型形状を有することが好ましい。
【００１０】
ここで，磁気ディスク１０のサイズは，方式上，特に限定されるものではない。しかしながら，後述の電子線による描画時間（スタンパの作成時間）が過大とならないよう，３．５インチ以下であることが望ましい。また，後述のインプリント時に要するプレス力が過大とならないために，２．５インチ以下であることが望ましい。
【００１１】
磁気ディスク１０の内部は，輪切り状の同心円状のトラック１０ａに区分され，そのトラック１０ａが一定角度毎に区切られたセクタを有する。磁気ディスク１０は，磁気記録再生装置のスピンドルモータに取り付けられて回転され，ヘッドにより各種のデジタルデータが記録，再生される。そのため，円周方向にユーザーデータ用のトラック１０ａが配置される。
【００１２】
位置制御のためのサーボマーク１０ｂが各トラック１０ａを跨ぐ方向に配置される。サーボマーク（サーボ領域）１０ｂは，プリアンブル部，アドレス部，バースト部などの領域を含み，必要に応じて，ギャップ部が設けられる。アドレス部には，トラックまたはセクタの番号情報が書きこまれる。バースト部は，トラック１０ａに対するヘッドの相対位置検出のための領域である。
なお，サーボマーク（サーボ領域）１０ｂは，セクタ内の１か所（１の角度範囲）のみに配置する必要はない。即ち，サーボマーク１０ｂを１のセクタ内の複数箇所に配置しても良い。この場合，同期を取るために，半径方向に延びるシンクマークがセクタ内の複数箇所に配置される。
【００１３】
磁気ディスク１０として，非磁性体によって，磁気記録する磁性体のドットが区分けされるＢＰＭを用いることができる。ＢＰＭは，スタンパ（型）を用いたインプリントにより作成できる。
【００１４】
このスタンパは，後述のファザースタンパ１４，ファザースタンパ１５，樹脂スタンパ１６であり，主面を有する基体部（平板部），この主面上に配置されるガイド（ポストガイド）Ｇを有する（後述の図２Ｅ，図２Ｆ，図３Ａ，図５，参照）。ポストガイドＧは，基体部の主面上の突起または凹みのいずれかである。
【００１５】
スタンパは，磁気ディスク１０の型であるから，磁気ディスク１０の内部構造に対応する領域を有する。即ち，スタンパは，例えば，データ領域とサーボ領域を備える。データ領域とそれに対応するサーボ領域の組はセクタである。データ領域は同心円状の複数のゾーン（トラック）を有する。サーボ領域は，同期のためのプリアンブル部，サーボアドレスが記述されたアドレス部，位置制御のためのバースト部などを含む。
【００１６】
データ領域には，複数のポストガイドＰからなるポストガイドパターンが設けられる（後述の図５参照）。ポストガイドＰを基準として，ジブロックコポリマーのドットＤが理想的には六方晶状に整列される。このため，ポストガイドパターンも六方晶状に配置される。また，このポストガイドＰの他に，円周方向にガイド延在部を延在させてもよい。なお，ポストガイドＰの詳細は後述する。
【００１７】
磁気ディスク１０と同様，スタンパの形状は，円盤形状，ドーナツ形状，あるいは，その他の形状で良い。スタンパの厚みは０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下であることが望ましい。あまり薄いと強度が得られないこととなる。一方，必要以上に厚いと，後述の電鋳に時間を要したり，その膜厚のバラツキが大きくなったりするからである。スタンパのサイズは，磁気記録媒体より大きいことが好ましいが，そのサイズは特に限定されるものではない。
【００１８】
次に本実施形態のスタンパを用いた磁気記録媒体の製造方法について説明する（図２Ａ〜図２Ｆ，図３Ａ〜図３Ｆ，図４Ａ〜図４Ｆ参照）。
【００１９】
（１）レジストパターン１２ａの形成（図２Ａ〜図２Ｃ参照）
基板１１上に感光性樹脂（以下，レジストという）１２を塗布する（図２Ａ参照）。レジスト１２は図２Ｂに示されるように電子線描画装置ＥＢＭを用いて電子線ＥＢにより露光される（電子線描画）。
【００２０】
このとき，ポストガイドパターン，サーボパターンの潜像が形成される。ポストガイドパターンは，ポストガイドＧを配列するパターンであり，後の工程で自己組織化材料２３のドット２３ａの配列を制御するために用いられる。電子線描画装置ＥＢＭは，ステージを１水平方向に移動させる移動機構と，ステージを回転させる回転機構と，を有することが，ドーナツ形状の磁気ディスク１０のパターンを形成する上で好ましい。
【００２１】
自己組織化材料２３を用いる場合，その配列を制御するためのガイド溝やポストパターンもこの電子線描画工程で形成できる。電子線描画の後，レジスト１２を，現像液によって現像し，レジスト原盤となるレジストパターン１２ａを形成する（図２Ｃ参照）。
なお，レジスト１２の現像前にポストベーク工程を行っても良く，現像の後に，リンス液で処理しても構わない。
【００２２】
ここで，上記製造工程では，ポジ型レジストを使用した場合を記載しているが，ネガ型のレジストを用いても良い。この場合，電子線の照射部と非照射部を反対にし，後の工程でパターンを反転させる。
【００２３】
基板１１の形状は，特に限定されるものではないが，円盤形状のもの，例えばシリコンウエハーなどが好ましい。ここで，円盤にノッチやオリフラがあっても構わない。基板１１として，ガラス基板，石英基板，Ａｌ系合金基板，セラミック基板，カーボン基板，化合物半導体基板などを用いることができる。ガラス基板には，アモルファスガラスまたは結晶化ガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては，ソーダライムガラス，アルミノシリケートガラスなどがある。結晶化ガラスとしては，リチウム系結晶化ガラスなどが挙げられる。セラミック基板としては，酸化アルミニウム，窒化アルミニウム，窒化珪素などを主成分とする焼結体や，これらの焼結体を繊維強化したものなどを用いることができる。化合物半導体基板としては，ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓなどが挙げられる。
【００２４】
なお，基板１１に，パターンを転写するための複数の膜が形成されていても良い。
【００２５】
（２）ガイドパターン原盤１１ａの形成
次に，レジスト原盤のレジストパターン１２ａをマスクとして基板１１をエッチングすることで，ガイドパターン原盤１１ａを形成する。その後，エッチングマスクとして用いたレジストパターン１２ａの残部が酸素ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理等により除去される。
【００２６】
なお，基板１１に複数の膜が形成されている場合，それらの膜にレジストパターン１２ａを転写する工程が含まれていても良い。
【００２７】
（３）ファザースタンパ１４の形成（図２Ｄ〜図２Ｅ参照）
ガイドパターン原盤１１ａ上にスパッタ処理によりＮｉ導電層１３を形成する（図２Ｄ参照）。この導電層１３上に，Ｎｉを電鋳することで，ガイドパターン原盤１１ａと凹凸が反転したＮｉのファザースタンパ１４を形成する（図２Ｅ参照）。なお，導電層１３はファザースタンパ１４の一部となる。
【００２８】
（４）ファザースタンパ１５の形成（図２Ｆ参照）
続いて，ファザースタンパ１４からガイドパターン原盤１１ａを剥離した後，ファザースタンパ１４を複製電鋳する。この結果，ガイドパターン原盤１１ａと凹凸が同じＮｉのファザースタンパ１５が得られる（図２Ｆ参照）。
【００２９】
（５）樹脂スタンパ１６の形成（図３Ａ参照）
次に，ファザースタンパ１５からファザースタンパ１４を剥離した後，ファザースタンパ１５を射出成形することで，樹脂スタンパ１６を形成する（図３Ａ参照）。
【００３０】
（６）フォトポリマーパターン２２ａの形成（図３Ｂ〜図３Ｃ参照）
次に，上面にフォトポリマー材料層２２が塗布されたＳｉ基板２１を用意する。樹脂スタンパ１６からファザースタンパ１５を剥離した後，フォトポリマー材料層２２上に樹脂スタンパ１６を用いてＵＶ（Ultra Violet）インプリントする（図３Ｂ参照）。インプリントで押された部分のＳｉ基板２１上に残置されたフォトポリマー材料を酸素ＲＩＥ処理することで，Ｓｉ基板２１の表面を露出させる。これにより，フォトポリマーパターン２２ａが得られる（図３Ｃ参照）。
【００３１】
（７）ドット２３ａの形成（図３Ｄ〜図３Ｅ参照）
続いて，フォトポリマーパターン２２ａの凹部に，自己組織化材料２３（例えば，ＰＳ−ＰＤＭＳ（ポリスチレン−ポリジメチルシロキサン）のような，ジブロックコポリマー溶液）を塗布し，アニールする。自己組織化材料２３は，球状またはシリンダー状に自己組織化する，第１の成分（例えば，ＰＤＭＳ），第１の成分を囲む第２の成分（ＰＳ）に区分できる。このため，アニールの結果，第１の成分のドット２３ａと，そのドットを囲む第２の成分の被覆２３ｂが形成される。
【００３２】
ここで，第１の成分には，第２の成分，フォトポリマーパターン２２ａより，エッチングレートが小さいものを用いられる。酸素ＲＩＥ処理することで，このエッチングレートの差から，ドット２３ａが残される（図３Ｅ）。
【００３３】
（８）Ｓｉマスターモールド２１ａの形成（図３Ｆ参照）
その後，ドット２３ａをマスクとして，ＣＦ４や酸素により，Ｓｉ基板２１をＲＩＥ処理する。その後，ドット２３ａを除去することで，Ｓｉ基板２１は突起２１ｂを有するＳｉマスターモールド２１ａになる（図３Ｆ）。
【００３４】
なお，Ｓｉ基板２１の表面には，パターンを転写するために適当なエッチングレートを有する複数の膜が形成されていても良い。この場合，自己組織化したドット２３ａを基に，それらの膜にパターンを転写する工程が実行される。
【００３５】
（９）樹脂スタンパ２６の形成（図４Ａ〜図４Ｃ参照）
次に，Ｓｉマスターモールド２１ａの表面に導電膜を形成し，Ｎｉ電鋳することで，Ｎｉのファザースタンパ２４を形成する（図４Ａ）。続いて，Ｓｉマスターモールド２１ａをファザースタンパ２４から剥離した後，ファザースタンパ２４を複製電鋳することで，Ｎｉのマザースタンパ２５が得られる（図４Ｂ）。
【００３６】
次に，マザースタンパ２５を射出成形することで樹脂スタンパ２６を形成する（図４Ｃ）。
【００３７】
（１０）磁気ディスク１０の形成（図４Ｄ〜図４Ｆ参照）
次に，基板３１の上面に磁性層３２が成膜された磁気ディスク基板３０を用意し，この磁性層３２上にフォトポリマー材料３３を塗布する。そして樹脂スタンパ２６を用いて，フォトポリマー材料３３にＵＶインプリントすることで，フォトポリマーパターン３３ａを形成する（図４Ｄ）。
【００３８】
続いて，樹脂スタンパ２６を剥離した後，形成されたフォトポリマーパターン３３ａをマスクとして磁性層３２をイオンミリング加工する。これにより，磁性層３２に磁性パターン３２ａが形成された磁気ディスク１０が得られる（図４Ｅ，図４Ｆ）。
【００３９】
なお，形成された磁性パターン３２ａ上には保護膜が塗布されても良いし，溝等の凹の部分を非磁性材料で埋め込む工程を有していても構わない。
【００４０】
（ポストガイドと配列モードの関係）
次にポストガイドＧのピッチＰｇ，自己組織化ドットＤのピッチＰｄと配列モードの関係について説明する。
【００４１】
図５は，スタンパ上でのポストガイドＧの配置を表す図である。既述のように，ポストガイドＧは，六方晶状に配置される。即ち，ポストガイドＧは，平面上に敷き詰められる略正三角形の角に配置される。即ち，ポストガイドＧは，この三角形の辺それぞれの方向に沿うＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に，周期的に配列される。Ｘ，Ｙ，Ｚ軸は，互いに略１２０°（６０°）の角度を有して配置される。正三角形の辺の長さが，ポストガイドＧ間の最短距離，即ち，ポストガイドＧのピッチＰｇである。
【００４２】
Ｘ，Ｙ軸方向はそれぞれ，スタンパの主面上での互いに異なる第１および第２の方向に対応する。また，Ｘ，Ｙ軸方向でのポストガイドＧ間それぞれの距離は，ピッチＰｇであり，略等しい。
【００４３】
なお，Ｘ，Ｙ，Ｚ軸の角度関係には，ある程度の誤差が許容される。即ち，Ｘ，Ｙ軸のなす角度は，１２０°±１０°（６０°±１０°）の範囲にある（より好ましくは，１２０°±５°（６０°±５°））。また，Ｘ，Ｙ軸方向でのポストガイドＧ間それぞれの距離には，±５％程度の誤差が許容される。
【００４４】
ここで，ポストガイドＧの位置は，その配置の周期性から，Ｘ，Ｙ軸方向の座標（ｘ，ｙ）で表すことができる（Ｚ軸方向での座標は不要）。任意のポストガイドＧを原点（０，０）とし，他のポストガイドＧの位置を座標（ｎｘ，ｎｙ）で表すことができる。ここで，ｎｘ，ｎｙはそれぞれ，Ｘ，Ｙ軸の方向での，原点（０，０）からのポストガイドＧの個数（番号）に対応する。ポストガイドＧは，Ｘ，Ｙ軸（Ｚ軸方向）の列Ｘ０，Ｘ１…Ｘｎｘ…，列Ｙ０，Ｙ１…Ｙｎｙ…（列Ｚ０，Ｚ２…Ｚｎｚ…）により２次元的に配列される。この列Ｘｎｘ，Ｙｎｙの交点が座標（ｎｘ，ｎｙ）となる。
【００４５】
スタンパ上での，原点（０，０）からの方向も，座標を用いて，方向（ｎｘ，ｎｙ）として表現できる。以下，このような表現を用いて，スタンパ上での方向を表すものとする。図５では，方向（０，１）〜（４，１），（２，３），（３，４）等が表される。このとき，方向（ｎｘ，ｎｙ）は，Ｘ，Ｙ軸方向での単位ベクトルＶｘ，Ｖｙ（Ｘ，Ｙ軸方向それぞれでのピッチＰｇに対応するベクトル）を用いて次の式（１）のように表される。
方向（ｎｘ，ｎｙ）＝  ｎｘ＊Ｖｘ  ＋  ｎｙ＊Ｖｙ    …式（１）
【００４６】
ポストガイドＧを基準として，自己組織化ドットＤが配置される。具体的には，ポストガイドＧの間に，個数ｎの自己組織化ドットＤが配置される。図５では，列Ｘ０，Ｘ１…Ｘｎｘ…，列Ｙ０，Ｙ１…Ｙｎｙ…のポストガイドＧの間に，３個の自己組織化ドットＤが配置されている。
【００４７】
自己組織化ドットＤの配列の安定性を確保するために，ポストガイドＧのピッチＰｇは，自己組織化ドットＤのピッチＰｄの整数ｍ（ｍ＝ｎ＋１，ｎ：ポストガイドＧ間での自己組織化ドットＤの個数）倍であることが望ましい（ピッチ比Ｒ（＝Ｐｇ／Ｐｄ）を整数とする）。自己組織化ドットＤは，それ自体で周期的に配列可能なピッチＰｄを有することから，このピッチＰｄとポストガイドＧのピッチＰｇを整合させないと，自己組織化ドットＤの配列が不安定になり，自己組織化ドットＤを広い範囲に周期的に配列することが困難となる。
【００４８】
ここで，ポストガイドＧの配列の密度および精度が問題となる。
ポストガイドＧの配列の密度について説明する。即ち，ピッチ比Ｒが大きい方が，ポストガイドＧの作成が容易となり好ましい。しかし，ピッチ比Ｒを大きくし過ぎると，自己組織化ドットＤの配列の安定性が低下する。例えば，自己組織化ドットＤのピッチＰｄの数十倍ごとにポストガイドＧを配置した場合，異なる配列モードが発生してしまう。
【００４９】
そのため，大きな面積にわたって，完全に配列を制御するためには，ピッチ比Ｒをできるだけ小さくすることが好ましい。具体的には，ピッチ比Ｒを２とし，自己組織化ドットＤのピッチＰｄの二倍の周期でポストガイドＧを配置する。
【００５０】
しかしながら，高密度に情報を記録するためには自己組織化ドットＤのピッチＰｄを小さくする必要があり，従って，ポストガイドＧのピッチＰｇも小さくする必要がある。ポストガイドＧは電子線描画装置を用いて形成するが，５０ｎｍ以下では近接効果によって正しく描画することが困難である。
【００５１】
以上のように，ポストガイドＧの配列の密度を大きくする（ピッチＰｇを小さくする）ことにも限界があり，高密度で自己組織化ドットＤを配列することは容易でない。ピッチ比Ｒに適正値があり，かつその値が整数とは限らないことが後に示される。
【００５２】
ポストガイドＧの配列の精度について説明する。ＢＰＭにおいては，各自己組織化ドットＤのピッチＰｄの偏差を抑える必要がある。
現状の電子線描画装置の位置精度の限界は１〜２ｎｍである。例えば，自己組織化ドットＤのピッチＰｄを２０ｎｍとすると，この位置精度は，５％〜１０％に相当する。ＢＰＭでは位置誤差を５％以下にする必要がある。従って，より高密度な情報記録媒体では，ポストガイドＧの位置誤差がより問題となる。
【００５３】
以上のように，ポストガイドＧの精度，密度を大きく上げることなく，大面積にわたってドット配列を制御することは容易でない。
【００５４】
例えば，ポストガイドＧの位置誤差のため，方向（１，０）ではなく，方向（２，１）（方向（１，０），（１，１）の間）でのポストガイドＧの距離が，自己組織化ドットＤのピッチＰｄの整数倍となることが考えられる。この場合，方向（２，１）に自己組織化ドットＤが配列する可能性が高い。方向（１，２）などでも同様である。このように，ポストガイドＧの位置誤差に起因して，本来の目標としていた方向と異なる方向に自己組織化ドットＤが配列する可能性がある。
【００５５】
ここで，自己組織化ドットＤの各配列方向での，ポストガイドＧの位置誤差Ｅの相違を検討する。ポストガイドＧの位置誤差Ｅは，自己組織化ドットＤの整合状態（整合ズレ）を表すものであり，位置誤差Ｅが最も小さい方向に自己組織化ドットＤが配列されると考えられる。自己組織化ドットＤが安定して配列するためには，この方向での位置誤差Ｅが他の方向での位置誤差Ｅより十分小さいことが好ましいと考えられる。即ち，位置誤差Ｅが小さい状態が異なる方向で存在する場合，そのどちらの方向にも自己組織化ドットＤが配列される可能性が生じる。以下，このことを具体的に示す。
【００５６】
ポストガイドＧの位置誤差Ｅ［％］は，次の式（２）を用いて算出できる。
Ｅ＝  ［（Ｌ（ｎｘ，ｎｙ）  ｍｏｄ  ｐｄ）／Ｐｄ］＊１００    …  式（２）
Ｌ（ｎｘ，ｎｙ）：  方向（ｎｘ，ｎｙ）でのポストガイドＧ間の距離
ｐｄ：  自己組織化ドットＤのピッチ
Ａ  ｍｏｄ  Ｂ：  値Ｂの整数倍と値Ａの差の最小値
【００５７】
例えば，Ａ＝５．１，Ｂ＝１の場合，「Ａ  ｍｏｄ  Ｂ」は５．１−１＊５＝０．１となる。また，Ａ＝５．８，Ｂ＝１の場合，「Ａ  ｍｏｄ  Ｂ」は，｜５．８−１＊６｜＝０．２となる。即ち，「Ａ  ｍｏｄ  Ｂ」は，値Ａを値Ｂで除した時の余りＲ，この余りＲからさらに値Ｂを引いた値の絶対値（｜Ｒ−Ｂ｜）の小さい方である。
【００５８】
図６，図７は，方向（１，０），（１，１），（２，１），（３，１），（４，１），（２，３）でのポストガイドＧの位置誤差Ｅ［％］の算出結果を表す。ここでは，自己組織化ドットＤのピッチＰｄを２０ｎｍとした。図６，図７はそれぞれ，ポストガイドＧのピッチＰｇをピッチＰｄの４倍（８０ｎｍ）（ピッチ比Ｒが４）の場合，５倍（１００ｎｍ）（ピッチ比Ｒが５）とした場合での位置誤差Ｅを表す。
【００５９】
図６に示すように，ピッチ比Ｒが４の場合，位置誤差Ｅ［％］が小さいのは，方向（１，０）以外に，方向（１，１）である。但し，方向（１，１）での位置誤差Ｅの値は７％と比較的大きい。
【００６０】
図７に示すように，ピッチ比Ｒが５の場合，位置誤差Ｅ［％］が小さいのは，方向（１，０）以外に，方向（３，１）である。そして，方向（３，１）での位置誤差Ｅの値は２．８％と比較的小さい。即ち，この場合，ポストガイドＧのピッチＰｇ誤差のため（１，０）配列と（３，１）配列が発生する可能性が比較的大きい。
【００６１】
図８，図９は，ポストガイドＧを用いて自己組織化ドットＤを配列したスタンパの電子顕微鏡観察像（＝ＳＥＭ）である。図１０，図１１は，図８，図９にそれぞれ対応し，自己組織化ドットＤの配列方向と位置誤差Ｅの関係を表すグラフである。図８，図１０では，位置誤差Ｅが最小の方向（２，３）に自己組織化ドットＤが配列される。図９，図１１では，位置誤差Ｅが最小の方向（１，１）に自己組織化ドットＤが配列される。
【００６２】
このように，位置誤差Ｅが最小の方向に自己組織化ドットＤが配列されることが判る。
【００６３】
ここで，特異なピッチ比Ｒを選択することで，自己組織化ドットＤの安定的な配列が可能であることを示す。即ち，この場合，ポストガイドＧのピッチＰｇに誤差が発生した場合でも，唯一の配列モードで大面積に配列させることが容易となる。
【００６４】
表１は，自己組織化ドットＤのピッチＰｄに対するポストガイドＧのピッチＰｇの比の適正値（適正ピッチ比Ｒｐ（＝Ｐｇ／Ｐｄ））を表す。この表は，図６，図７に示したような，特定のピッチ比Ｒでの方向（１，０）等でのポストガイドＧの位置誤差Ｅ［％］の算出結果に基づいて作成された。
【表１】
2015005321.tif 000003
【００６５】
表１は，適正ピッチ比Ｒｐ，そのときの自己組織化ドットＤの配列方向，および区分数ｍを表す。適正ピッチ比Ｒｐは，自己組織化ドットＤの安定的な配列が可能となるピッチ比Ｒ（＝Ｐｇ／Ｐｄ）である。区分数ｍは，自己組織化ドットＤの配列方向（ｎｘ，ｎｙ）におけるポストガイドＧ間の距離Ｌ（ｎｘ，ｎｙ）を自己組織化ドットＤのピッチＰｄで除した値（ｍ＝Ｌ（ｎｘ，ｎｙ）／Ｐｄ）である。自己組織化ドットＤの配列方向では，区分数ｍは整数となるのが好ましい。
【００６６】
表１に示すように，適正ピッチ比Ｒｐは，自己組織化ドットＤの配列方向は，方向（１，０）または（１，１）である。言い換えれば，自己組織化ドットＤの配列方向として，方向（１，０）に加えて，方向（１，１）を採用できる。
【００６７】
この配列方向での位置誤差Ｅがその他の方向での位置誤差Ｅに対して十分小さいことが好ましい。例えば，配列方向での位置誤差Ｅが５％以下で，他の方向での位置誤差Ｅが１５％を越えることが好ましい。
【００６８】
「配列方向での位置誤差Ｅが５％以下」とは，配列方向でのポストガイドＧ間の距離Ｌが，自己組織化ドットＤの平均ピッチＰｄの整数ｍ１±０．０５倍の範囲内となる，いずれかの整数ｍ１が存在することを意味する。
【００６９】
「配列方向での位置誤差Ｅが１５％を越える」とは，配列方向でのポストガイドＧ間の距離Ｌが，自己組織化ドットＤの平均ピッチＰｄの整数ｍ２±０．１５倍の範囲内となる，整数ｍ２が存在しないことを意味する。この場合，いずれの整数ｍ２においても，配列方向でのポストガイドＧ間の距離Ｌが，自己組織化ドットＤの平均ピッチＰｄの整数ｍ２±０．１５倍の範囲外となる。
【００７０】
配列方向（１，０）での，適正ピッチ比Ｒｐには，２．０，７．０，９．０，１３．０がある。逆にいえば，ピッチ比Ｒ（区分数ｍ）が，３〜６，８，１０〜１２の場合は，位置誤差Ｅが小さい複数の方向が存在し，自己組織化ドットＤの配列の安定性の確保が困難となる。
【００７１】
配列方向（１，１）での，適正ピッチ比Ｒｐには，２．７，３．８，４．６，５．２，５．８，６．８（区分数ｍ＝３〜８）がある。即ち，配列方向（１，１）での，適正ピッチ比Ｒｐは整数ではない。
【００７２】
ここで，方向（１，０），（１，１）で安定的な配列が可能であること，逆に言えば，他の方向で安定的な配列が困難であることを説明する。
【００７３】
図１２〜図１４はそれぞれ，方向（１，０），（１，１），（２，１）でのポストガイドＧの距離関係を表す図である。
図１２に示すように，方向（１，０）での距離および方向は，原点（０，０）と座標（１，０）を結ぶベクトルで表現できる。そして，この距離と同一の距離は，方向（１，−１），（０，−１），（−１，０），（−１，１），（０，１）でも実現できる。ここで，これらの方向が互いに角度θ（＝６０°）をなし，自己組織化ドットＤの配列の規則性と対応することから，これら方向（１，０）等での自己組織化ドットＤの配列が可能となる。
【００７４】
図１３に示すように，方向（１，１）での距離および方向は，原点（０，０）と座標（１，１）を結ぶベクトルで表現できる。そして，この距離と同一の距離は，方向（２，−１），（１，−２），（−１，−１），（−２，１），（−１，２）でも実現できる。ここで，これらの方向が互いに角度θ（＝６０°）をなし，自己組織化ドットＤの配列の規則性と対応することから，これら方向（１，１）等での自己組織化ドットＤの配列が可能となる。
【００７５】
以上のように，方向（１，０），（１，１）では，これらの方向と対応する方向が角度θ（＝６０°）をなすことで，自己組織化ドットＤの配列が可能となる。
【００７６】
図１４に示すように，方向（２，１）での距離および方向は，原点（０，０）と座標（２，１）を結ぶベクトルで表現できる。そして，この距離と同一の距離は，方向（３，−１），（３，−２），（２，−３），（１，−３），（−１，−２），（―２，−１），（−３，１），（−３，２），（−２，３），（−１，３），（１，２）でも実現できる。
【００７７】
ここで，方向（２，１），（３，−２），（１，−３），（−１，−２），（−３，２），（−１，３）（方向（２，１）等という）および方向（１，２），（３，−１），（２，−３），（−１，−２），（−３，１），（−２，３）（方向（１，２）等という）それぞれでは，これらの方向が互いに角度θ（＝６０°）をなし，自己組織化ドットＤの配列が可能となる。
【００７８】
しかし，方向（２，１）等，方向（１，２）等間では，角度θ（＝６０°）（およびその整数倍）をなしておらず，自己組織化ドットＤの配列の安定性の確保が困難となる。即ち，方向（２，１）等，方向（１，２）等それぞれに対応する２つの配列モード１，２が存在する。このため，ある程度大きな面積に自己組織化ドットＤを配列した場合，配列モード１，２それぞれに対応する複数のドメインが混在し，特にドメインの境界において，自己組織化ドットＤの配列が乱れることになる。
【００７９】
ここでは，方向（２，１）の場合を示したが他の場合も同様である。即ち，方向（ｎｘ，ｎｙ）は，ｎｘ，ｎｙの絶対値が互いに異なる１以上の整数の場合，複数の配列モードを有し，自己組織化ドットＤの配列の安定性の確保が困難となる。方向（ｎｘ，ｎｙ）と，ｎｘ，ｎｙを入れ換えた方向（ｎｙ，ｎｘ）において，ポストガイドＧ間の距離は同一であるが，互いのなす角度がθ（＝６０°）より小さいためである。
【００８０】
以上を纏めると，次のことが示される。
（１）方向（１，０）での自己組織化ドットＤの配列の安定化のために，ポストガイドＧと自己組織化ドットＤのピッチ比を特定の値２，４，７，９，１３等（±０．０５）とする必要がある（表１参照）。
なお，方向（１，０）は，方向（０，１），（１，−１）等と等価である（図１２参照）。
【００８１】
（２）方向（１，１）でも自己組織化ドットＤの安定な配列が可能である。この場合，ポストガイドＧと自己組織化ドットＤのピッチ比を特定の値２．７等（±０．０５）とする必要がある（表１参照）。
なお，方向（１，１）は，方向（２，−１），（１，−２）等と等価である（図１３参照）。
【００８２】
（３）方向（１，０），（１，１）およびこれらと等価な方向を除き，自己組織化ドットＤの安定な配列は困難である。この場合，複数の配列モードが混在する可能性が高い。
【００８３】
（単位格子による記述）
以上に示した実施形態において，ポストガイドＧおよび自己組織化ドットＤの配列は，周期性を有する。このため，後述のように，ポストガイドＧを単位とする単位格子によって，ポストガイドＧおよび自己組織化ドットＤの配列を記述できる。
【００８４】
（１）位置の表記
図１５は，自己組織化ドットＤの配列を表す模式図である。ここでは，後の説明の容易さのため，図１５での配列の表記（位置［ｎ，ｍ］，位置（ｘ，ｙ））は，図５と異なっている。
【００８５】
位置［ｎ，ｍ］，位置（ｘ，ｙ）はそれぞれ，自己組織化ドットＤの位置を表す。位置［ｎ，ｍ］は，左上を原点として，右方向に行くにつれ増加する整数ｎ，右下方向に行くにつれ増加する整数ｍによって，自己組織化ドットＤの位置を表す。位置（ｘ，ｙ）は，左上を原点とし，互いに直交するＸ軸，Ｙ軸を基準とするＸ−Ｙ座標によって，自己組織化ドットＤの位置を表す。
【００８６】
ここでは，自己組織化ドットＤ間の距離を１としている。例えば，位置［３，２］は原点から右に３つ，右下に２つ進んだ位置を表す。このときの位置は，座標（４，√３）で表される。
【００８７】
（２）基本単位格子ＵＬ０
図１６は，ポストガイドＧ０および自己組織化ドットＤの配列ＡＲ０を表す。縦横２方向に間隔４の位置（位置［４＊ｉ，４＊ｊ］，ｉ，ｊ：整数）にポストガイドＧ０が配置され，それ以外の位置［ｎ，ｍ］に自己組織化ドットＤが配置される。即ち，平行四辺形の格子点は自己組織化ドットＤが配置される位置を示す。丸印はポストガイドＧ０の位置を示す。図１６に表す配列ＡＲ０は，図５に表す配列と同一である。但し，図１６では，位置の表記を図１５に対応させている。
【００８８】
図１７は，配列ＡＲ０を表す単位となる基本単位格子ＵＬ０である。原点［０，０］にポストガイドＧ０が配置され，それ以外の位置［ｎ，ｍ］に自己組織化ドットＤが配置される。図１６に示すように，基本単位格子ＵＬ０を縦横に配列することで，配列ＡＲ０を構成でできる。
【００８９】
以上のように，ポストガイドＧ０の周期性を反映し，基本単位格子ＵＬ０を用いて，ポストガイドＧ０および自己組織化ドットＤの配列ＡＲ０を記述できる。
【００９０】
ここでは，原点［０，０］と位置［４，４］で規定される平行四辺形の単位格子を基本単位格子ＵＬ０としている。これを一般化して，原点［０，０］と位置［ｎ，ｍ］（ｎ，ｍ：整数）で規定される平行四辺形の単位格子を基本単位格子としても良い。
【００９１】
このとき，整数ｎ，ｍは，通常，３以上が選択される。整数ｎ，ｍが２の場合，原点［０，０］と位置［ｎ，ｍ］の間に自己組織化ドットＤを配置する余地が無いことになる。一方，整数ｎやｍが，例えば，１０以上になるのは，好ましくない。この場合，ポストガイドＧが配置される原点［０，０］と位置［ｎ，ｍ］の間に９個以上の自己組織化ドットＤが配置されることになり，自己組織化時に自己組織化ドットＤの配列の安定性が低下する可能性がある（自己組織化ドットＤの複数の配列が混在する可能性）。
【００９２】
（基本単位格子ＵＬ０のモディファイ）
以下，基本単位格子ＵＬ０をモディファイすることで，自己組織化ドットＤの配列を向上することを考える。
【００９３】
（１）基本単位格子ＵＬ０への１つのポストガイドＧ１の追加
基本単位格子ＵＬ０にポストガイドＧを追加することを考える。ポストガイドＧを追加することで，自己組織化ドットＤの配列の安定性を向上できると考えられる。
【００９４】
図１８，図１９は，単位格子ＵＬ１およびその単位格子ＵＬ１の配列によって表現される配列ＡＲ１を表す。単位格子ＵＬ１は，基本単位格子ＵＬ０に位置［３，０］のポストガイドＧ１を追加したものである。このように，ポストガイドＧ１を追加することで，自己組織化ドットＤの配列の安定性を向上できる。
【００９５】
（２）ポストガイドＧの位置と距離の対応関係の検討
さらに，基本単位格子ＵＬ０に２個以上のポストガイドＧ１，Ｇ２を追加することを考える。これに先だって，ポストガイドＧの位置と距離の対応関係を検討する。
【００９６】
所望の，自己組織化ドットＤの配列ＡＲ０１に対応するように，ポストガイドＧが配置される。このとき，このポストガイドＧが，配列ＡＲ１から想定されない配列ＡＲ０２（例えば，配列ＡＲ０１を３０度回転した配列）とも対応する位置に配置される可能性がある。この場合，形成される配列ＡＲ０３は，これら二種類の配列ＡＲ０１，ＡＲ０２が混合した状態，即ち，多ドメイン構造となる。
【００９７】
ここで，追加する２つのポストガイドＧの位置［ｎ，ｍ］，［ｎ’，ｍ’］と原点［０，０］からの距離が近ければ，多ドメイン構造が発生し易くなる。例えば，位置［２，１］と位置［１，２］のどちらも，原点からの距離が２．６４５８である。このため，位置［２，１］に配置されるポストガイドＧは，図１５の自己組織化ドットＤの配列とこれが回転した配列の両方に対してのポストガイドＧとなる。従って，この二つの配列が混在した多ドメイン構造が形成される可能性がある。また，距離が異なっても，ある程度近接していれば，同様に想定していない別の，自己組織化ドットＤの配列ＡＲが形成される可能性が高い。
【００９８】
逆に言えば，追加する２つのポストガイドＧの位置［ｎ，ｍ］，［ｎ’，ｍ’］と原点［０，０］間の距離が，ある程度異なれば，このような多ドメイン構造の発生を回避できる。
【００９９】
そこで，整数ｎ，ｍに対して距離を求め，距離の関係を調べた。その結果を表２に示す。この表２では，１２までの整数ｎ，ｍについて，距離を計算している。
【表２】
2015005321.tif 000004
【０１００】
この結果を５までの整数ｎ，ｍについてグラフ化したのが図２０である。図２０において，横軸は整数ｎを，各整数ｍに対する距離を縦軸に黒丸で示している。判り易いように，同じ整数ｍに対する黒丸を線で結んでいる。結んだ線のそばに，対応する整数ｍを書き添えている。
【０１０１】
この図２０を見ると，位置［２，２］に対して，位置［１，３］と位置［３，１］は，距離は異なるが，その差は小さい。従って，位置［２，２］に配置したポストガイドＧは，位置［１，３］や位置［３，１］方向に並ぶ自己組織化ドットＤの配列（少し回転した配列）に対しても，ポストガイドＧとして作用する可能性がある。このため，自己組織化ドットＤの複数の配列が混在する配列が形成される可能性がある。
【０１０２】
従って，ポストガイドＧ１，Ｇ２と原点間の距離の差が所定の閾値を満たさないように，ポストガイドＧ１，Ｇ２の位置［ｎ，ｍ］，［ｎ’，ｍ’］を選択することで，混在した，自己組織化ドットＤの配列を形成され難くできる。この閾値として，「距離の差が５％以下」とか，「距離の差が０．１以下」等が挙げられる。なお，これらの閾値は，例えば，作成する磁気記録媒体の仕様によって，適宜に選択される。
【０１０３】
このように，２つ以上のポストガイドＧを追加して単位格子を構成することで，混在した自己組織化ドットＤの配列を形成され難くできる。
【０１０４】
図２１，図２２は，単位格子ＵＬ１２およびその単位格子ＵＬ１２の配列によって表現される配列ＡＲ１２を表す。ポストガイドＧを有する基本単位格子ＵＬ０の位置［ｎ，ｍ］，［ｎ’，ｍ’］（ここでは，位置［３，０］，［２，２］）にポストガイドＧ１，Ｇ２を配置する。
【０１０５】
この位置［ｎ，ｍ］，［ｎ’，ｍ’］の組み合わせは，上記の閾値で決めた，自己組織化ドットＤの混在した配列が形成されにくいものである。原点から位置［３，０］までの距離は３で，原点から位置［２，２］までの距離は３．４６４１であり，これらの距離は，絶対値で０．４６違う。このため，自己組織化ドットＤの配列の混在は起こりにくいと考えられる。
【０１０６】
図２０から判るように，他の位置［ｎ’，ｍ’］に対しても距離の差はこの程度に大きいので，自己組織化ドットＤの別の配列が出現する可能性は低い。
このようにして，自己組織化ドットＤの混在した配列が形成しにくいポストガイドＧの配列を得ることができる（図２２参照）。
【０１０７】
（３）複数の単位格子の配列
図２２の例に示す距離の差でも，自己組織化ドットＤの配列の混在が起こる可能性がある。これを防ぐために，複数の単位格子を用いることが考えられる。
【０１０８】
その例を図２３に示す。単位格子ＵＬ１，ＵＬ２（図１８，図２４参照）を交互に配置することで，配列ＡＲ１２が構成される。単位格子ＵＬ１，ＵＬ２に含まれるポストガイドＧは，原点と位置［ｎ，ｍ］の２つである。単位格子ＵＬ１，ＵＬ２はそれぞれ，原点に加え，位置［３，０］，［２，２］にポストガイドＧ１，Ｇ２が配置される。
【０１０９】
複数の単位格子を配列することで，同一の単位格子を配列するよりも，自己組織化ドットＤの配列の混在の可能性を低減できる。ここでは，単位格子ＵＬ１，ＵＬ２が規則的に配列されているが，この配列をランダムとしても良い。
【０１１０】
他の例を図２５に示す。単位格子ＵＬ１，ＵＬ１０（図１８，図２６参照）を交互に配置することで，配列ＡＲ１０が構成される。単位格子ＵＬ１，ＵＬ１０はそれぞれ，位置［３，０］，［０，３］にポストガイドＧ１，Ｇ１０が配置される。単位格子ＵＬ１０は，単位格子ＵＬ１を回転したものである。
【０１１１】
ここでは，原点の他に位置［３，０］のポストガイドＧを含む単位格子ＵＬ１，およびそれを回転した単位格子ＵＬ１０を配列することで，自己組織化ドットＤの配列の混在を防ぐことができる。
【０１１２】
さらに他の例を図２７に示す。単位格子ＵＬ１２，ＵＬ１３（図２１，図２８参照）を交互に配置することで，配列ＡＲ１３が構成される。単位格子ＵＬ１２，ＵＬ１３はそれぞれ，原点からの距離が互いに異なる位置［３，０］と［２，２］および位置［３，０］と［１，１］に配置される２つの位置ポストガイドＧを含む。この結果，さらに効果的に，自己組織化ドットＤの配列の混在を防ぐことができる。
【０１１３】
以上のように，本実施形態によれば，ポストガイドＧの精度，密度を上げることなく，大面積にわたってドット配列を制御することが可能となる。
【０１１４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが，これらの実施形態は，例として提示したものであり，発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は，その他の様々な形態で実施されることが可能であり，発明の要旨を逸脱しない範囲で，種々の省略，置き換え，変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は，発明の範囲や要旨に含まれるとともに，特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１５】
１０   磁気ディスク
１０ａ トラック
１０ｂ サーボマーク
１００ 磁気記録再生装置
１１   基板
１１ａ ガイドパターン原盤
１２   レジスト
１２ａ レジストパターン
１３   導電層
１４   ファザースタンパ
１５   ファザースタンパ
１６   樹脂スタンパ
２１   基板
２１ａ マスターモールド
２１ｂ 突起
２２   フォトポリマー材料層
２２ａ フォトポリマーパターン
２３   自己組織化材料
２３ａ ドット
２３ｂ 被覆
２４   ファザースタンパ
２５   マザースタンパ
２６   樹脂スタンパ
３０   磁気ディスク基板
３１   基板
３２   磁性層
３２ａ 磁性パターン
３３   フォトポリマー材料
３３ａ フォトポリマーパターン
【図１】
2015005321.tif 000005
【図２Ａ】
2015005321.tif 000006
【図２Ｂ】
2015005321.tif 000007
【図２Ｃ】
2015005321.tif 000008
【図２Ｄ】
2015005321.tif 000009
【図２Ｅ】
2015005321.tif 000010
【図２Ｆ】
2015005321.tif 000011
【図３Ａ】
2015005321.tif 000012
【図３Ｂ】
2015005321.tif 000013
【図３Ｃ】
2015005321.tif 000014
【図３Ｄ】
2015005321.tif 000015
【図３Ｅ】
2015005321.tif 000016
【図３Ｆ】
2015005321.tif 000017
【図４Ａ】
2015005321.tif 000018
【図４Ｂ】
2015005321.tif 000019
【図４Ｃ】
2015005321.tif 000020
【図４Ｄ】
2015005321.tif 000021
【図４Ｅ】
2015005321.tif 000022
【図４Ｆ】
2015005321.tif 000023
【図５】
2015005321.tif 000024
【図６】
2015005321.tif 000025
【図７】
2015005321.tif 000026
【図８】
2015005321.tif 000027
【図９】
2015005321.tif 000028
【図１０】
2015005321.tif 000029
【図１１】
2015005321.tif 000030
【図１２】
2015005321.tif 000031
【図１３】
2015005321.tif 000032
【図１４】
2015005321.tif 000033
【図１５】
2015005321.tif 000034
【図１６】
2015005321.tif 000035
【図１７】
2015005321.tif 000036
【図１８】
2015005321.tif 000037
【図１９】
2015005321.tif 000038
【図２０】
2015005321.tif 000039
【図２１】
2015005321.tif 000040
【図２２】
2015005321.tif 000041
【図２３】
2015005321.tif 000042
【図２４】
2015005321.tif 000043
【図２５】
2015005321.tif 000044
【図２６】
2015005321.tif 000045
【図２７】
2015005321.tif 000046
【図２８】
2015005321.tif 000047
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基体部と，
前記主面上に，第１の方向、およびこの第１の方向に対して６０°±１０°の角度をなす第２の方向に配列され，かつ複数の自己組織化ドットの配列の基準となる，複数のガイドと，を具備し，
前記第１の方向でのガイドの配列に対応する第１のベクトルＶｘと，前記第２の方向でのガイドの配列に対応する第２のベクトルＶｙとを合成した第３のベクトルＶ（＝ｎｘ＊Ｖｘ＋ｎｙ＊Ｖｙ、ｎｘおよびｎｙ：整数）に対応する，第３の方向でのガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの整数ｍ１±０．０５倍の範囲内であり，
前記第１の方向での前記複数のガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの整数ｍ２±０．１５倍の範囲外である，
ビット・パターンド・メディアを作成するためのスタンパ。
【請求項２】
主面を有する基体部と，
前記主面上に，第１の方向、およびこの第１の方向に対して６０°±１０°の角度をなす第２の方向に配列され，かつ複数の自己組織化ドットの配列の基準となる，複数のガイドと，を具備し，
前記第１の方向でのガイドの配列に対応する第１のベクトルＶｘと，前記第２の方向でのガイドの配列に対応する第２のベクトルＶｙとを合成した第３のベクトルＶ（＝Ｖｘ＋Ｖｙ）に対応する，第３の方向でのガイド間での距離が，前記自己組織化ドットのピッチの略２．７±０．０５倍，３．８±０．０５倍，４．６±０．０５倍，５．２±０．０５倍，５．８±０．０５倍，または６．８±０．０５倍の範囲内である
ビット・パターンド・メディアを作成するためのスタンパ。
【請求項３】
ビット・パターンド・メディアを作成するためのスタンパであって，
主面を有する基体部と，
前記主面上に，第１の方向、およびこの第１の方向に対して６０°±１０°の角度をなす第２の方向に配列され，かつ複数の自己組織化ドットの配列の基準となる，複数のガイドと，を具備し，
前記第１の方向での前記複数のガイド間の距離が，前記複数の自己組織化ドットのピッチの７．０±０．０５倍，９．０±０．０５倍，または１３．０±０．０５倍の範囲内である，
スタンパ。
【請求項４】
前記第１および第２の方向でのガイド間それぞれの距離が，略同一である
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスタンパ。
【請求項５】
前記ガイドが，突起または凹みのいずれかである
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のスタンパ。
【請求項６】
基板上に形成された樹脂層に，請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスタンパを接触させる工程と，
前記スタンパが接触する樹脂層を硬化させる工程と，
前記硬化された樹脂層から前記スタンパを分離して，前記スタンパに対応する凹凸を有する樹脂層を形成する工程と，
前記樹脂層に自己組織化材料を塗布する工程と，
前記自己組織化材料を自己組織化して，前記スタンパのガイドに対応して配置される第１の相と，この第１の相を覆う第２の相を形成する工程と，
前記第２の相と，前記樹脂相をエッチングし，前記第１の相を残す工程と，
前記第１の相をマスクとして，前記基板をエッチングする工程と，
を具備する磁気記録媒体の製造方法。