(57)【要約】【課題】ガラス基板の研削／研磨処理において、キャリアの主表面の摩耗を抑え、ガラス基板の研削／研磨レートの低下を抑えることにある。また、本発明は、ガラス基板の研削／研磨レートの低下を抑えることのできる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一態様に係るキャリアは、円板状のガラス基板を上定盤および下定盤で挟んで前記ガラス基板の主表面を研削または研磨する際に前記ガラス基板を保持するための保持穴を有するキャリアであって、前記キャリアは、繊維に樹脂を含浸してなる樹脂含浸材料からなり、前記キャリアの主表面の、研削中に用いられる研削液または研磨中に用いられる研磨液に対する接触角は３０°以下であることを特徴とする。【選択図】図２
2015123553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状のガラス基板を上定盤および下定盤で挟んで前記ガラス基板の主表面を研削または研磨する際に前記ガラス基板を保持するための保持穴を有するキャリアであって、
前記キャリアは、繊維に樹脂を含浸してなる樹脂含浸材料からなり、
前記キャリアの主表面の、研削中に用いられる研削液または研磨中に用いられる研磨液に対する接触角は３０°以下であることを特徴とするキャリア。
【請求項２】
前記キャリアの主表面は、親水性を有する親水性層からなる、請求項１に記載のキャリア。
【請求項３】
前記親水性層の厚さは、１μｍ以上である、請求項２に記載のキャリア。
【請求項４】
前記樹脂含浸材料からなる基体と、前記基体の表面に形成された前記親水性層と、を有する、請求項２または３に記載のキャリア。
【請求項５】
前記樹脂含浸材料からなる基体を有し、前記基体の表面改質によって前記基体の表面が前記親水性層で構成される、請求項２または３に記載のキャリア。
【請求項６】
円板状のガラス基板を上定盤および下定盤で挟んで前記ガラス基板の主表面を研削または研磨する際に前記ガラス基板を保持するための保持穴を有するキャリアの製造方法であって、
繊維に樹脂を含浸してなる樹脂含浸材料からなる基体であって前記キャリアとなる板状の基体に前記保持穴を形成する第１のステップと、
前記第１のステップの前または後に、前記基体の表面に親水性を付与する第２のステップと、を含むことを特徴とするキャリアの製造方法。
【請求項７】
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
請求項１から５のいずれか１項に記載のキャリアにガラス基板を保持させた状態で、あるいは、請求項６に記載のキャリアの製造方法により製造されたキャリアにガラス基板を保持させた状態で、前記ガラス基板の主表面を研削または研磨する研削処理または研磨処理を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア、キャリアの製造方法、および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板の主表面を研削する装置として、ガラス基板を上定盤および下定盤で挟んでその主表面を研削処理する両面研削装置が知られている。両面研削装置は、サンギア、インターナルギア、およびキャリアからなる遊星歯車機構を備える。キャリアには、サンギアおよびインターナルギアと係合するギア部が外周部に形成されるともに、ガラス基板を保持するための保持穴が形成されている。研削処理は、この保持穴にガラス基板を保持させた状態で、キャリアを遊星運動させることにより行われる。
研削処理は、キャリアと上定盤との間にクーラントと呼ばれる研削液を供給しながら行われる（例えば、特許文献１）。クーラントは、溶媒として主に水を含み、研削処理中の定盤に対するキャリアの滑りを良好にするほか、スラッジと呼ばれるガラスの削り屑の装置外への排出を促す機能を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２５４１６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のキャリアを用いてガラス基板の研削処理を行った場合、キャリアの摩耗が早く進行する場合があることが分かった。また、ガラス基板の研削レートが低下する場合があることが分かった。
本発明は、ガラス基板の研削／研磨処理において、キャリアの主表面の摩耗を抑え、ガラス基板の研削／研磨レートの低下を抑えることにある。また、本発明は、ガラス基板の研削／研磨レートの低下を抑えることのできる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、キャリアの摩耗の進行が早くなる原因の１つとして、キャリアとクーラントの親和性が乏しく、研削処理の際、クーラントがキャリアの主表面に安定して保持されないために、キャリアが局所的に定盤に貼り付くように変形する等してしまうことを見出した。また、本発明者は、キャリアとクーラントの親和性が乏しく、クーラントがキャリアの主表面に均一に供給されない結果、キャリアの定盤に対する滑りが悪くなり、ガラス基板の研削レートが低下する場合があることを見出した。また、クーラントがキャリアの主表面に均一に供給されない結果、研削処理に伴って生じるスラッジが排出されにくくなる、あるいは、定盤側の固定砥粒が目詰まりを起こす等して、ガラス基板の研削レートが低下する場合があることも見出された。
【０００６】
本発明の一態様は、円板状のガラス基板を上定盤および下定盤で挟んで前記ガラス基板の主表面を研削または研磨する際に前記ガラス基板を保持するための保持穴を有するキャリアであって、
前記キャリアは、繊維に樹脂を含浸してなる樹脂含浸材料からなり、
前記キャリアの主表面の、研削中に用いられる研削液または研磨中に用いられる研磨液に対する接触角は３０°以下であることを特徴とする。
【０００７】
前記キャリアの主表面は、親水性を有する親水性層からなることが好ましい。
【０００８】
前記親水性層の厚さは、１μｍ以上であることが好ましい。
【０００９】
前記キャリアは、前記樹脂含浸材料からなる基体と、前記基体の表面に形成された前記親水性層と、を有することが好ましい。
【００１０】
前記キャリアは、繊維に樹脂を含浸してなる樹脂含浸材料からなる基体を有し、前記基体の表面改質によって前記基体の表面が前記親水性層で構成されることが好ましい。
【００１１】
本発明の別の一態様は、円板状のガラス基板を上定盤および下定盤で挟んで前記ガラス基板の主表面を研削または研磨する際に前記ガラス基板を保持するための保持穴を有するキャリアの製造方法であって、
繊維に樹脂を含浸してなる樹脂含浸材料からなる基体であって前記キャリアとなる板状の基体に前記保持穴を形成する第１のステップと、
前記第１のステップの前または後に、前記基体の表面に親水性を付与する第２のステップと、を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明のさらに別の一態様は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記キャリアにガラス基板を保持させた状態であるいは前記キャリアの製造方法により製造されたキャリアにガラス基板を保持させた状態で、前記ガラス基板の主表面を研削または研磨する研削処理または研磨処理を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のキャリアおよびキャリアの製造方法によれば、キャリアの主表面の摩耗が抑えられるとともに、ガラス基板の研削／研磨レートの低下が抑えられる。また、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板の研削／研磨レートの低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態のキャリアを用いる研削装置（両面研削装置）の一例の分解斜視図である。
【図２】図１に示す研削装置の一例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明のキャリア、キャリアの製造方法、および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明する。
【００１６】
（キャリア）
図１に、本実施形態のキャリア３０を、当該キャリア３０が用いられる両面研削装置とともに示す。
キャリア３０は、後述する研削処理（粗研削処理及び精研削処理）および研磨処理（第１研磨処理、第２研磨処理）において、研削または研磨対象であるガラス基板を保持するものである。なお、本明細書において、両面研削装置は、特に断りのある場合をのぞいて、研削処理のほか、研磨処理を行うものであってもよい。また、単に研削という場合は、研磨も含む概念として理解される。
【００１７】
キャリア３０は、円板状のガラス基板Ｇを上定盤４０および下定盤６０で挟んでガラス基板Ｇの主表面を研削または研磨する際にガラス基板Ｇを保持するための保持穴３２を有し、キャリア３０の主表面の、研削中に用いられる研削液（クーラント）または研磨中に用いられる研磨液に対する接触角は３０°以下である。
接触角が３０°以下であることによって、キャリア３０の主表面の濡れ性が向上し、クーラントとの親和性が良好になる。このため、研削処理の間、キャリア３０と定盤との間にクーラントの水膜が安定して保持されるようになり、キャリア３０が局所的に定盤に貼り付くよう変形（波打ち）したり、クーラントが遊離砥粒を含む場合に当該遊離砥粒に直接接触したりすることが抑えられ、キャリア３０の主表面が削られ、摩耗してしまうのを抑えることができる。なお、このようなキャリアの変形は、親水性の程度が主表面において均一でないことに起因して生じていると考えられる。
また、接触角が３０°以下であることによって、研削処理の間、キャリア３０の主表面にクーラントを均一に供給できるため、キャリアの定盤に対する滑りが良好になる。このため、ガラス基板を安定して研削することができ、ガラス基板の研削レートが向上する。また、ガラス基板が研削されることで生じたスラッジがキャリア３０と定盤との間から速やかに排出される、あるいは、定盤側の固定砥粒や研磨パッドが目詰りすることが抑えられるのを抑制でき、研削レートの低下を抑えることができる。さらに、ガラス基板を安定して研削できる結果、ガラス基板の平坦度が改善される。
【００１８】
キャリア３０の主表面の接触角は、θ／２法を用いて測定される。θ／２法では、キャリア３０の主表面に載せた液滴の左右端点と頂点を結ぶ直線の、キャリア３０主表面に対する角度から接触角を求める。液滴には、クーラントと同じ組成のものが用いられる。なお、θ／２法は、液滴が球の一部であることを前提としているため、重力の影響を無視できる液滴量で測定される。キャリア３０の主表面の接触角は、キャリア３０の摩耗を抑えつつ、ガラス基板の研削レートの低下を抑える観点から、好ましくは２０°以下であり、より好ましくは、１０°以下である。接触角の下限値は特に制限されない。
【００１９】
キャリア３０の主表面は、親水性を有する親水性層（不図示）からなることが好ましい。キャリア３０の主表面が親水性層からなることで、キャリア３０の主表面の接触角が小さくなり、クーラントの濡れ性が向上する。親水性層の形態は特に制限されないが、例えば、キャリアが後述する樹脂含浸基板から作製されたものである場合は、当該樹脂含浸基板の表面に形成された膜（以降、親水性膜ともいう）や、当該樹脂含浸基板の表面が表面改質されることで当該基板の表層として形成された領域（以降、親水性領域ともいう）が例示される。これら親水性膜、親水性領域については後述する。
【００２０】
親水性膜の厚さは、１μｍ以上であることが好ましい。親水性の厚さが１μｍ以上であることで、仮にキャリア３０の主表面が多少摩耗した場合でも、キャリア３０の主表面の濡れ性を維持することができる。上記厚さは、２μｍ以上であることがより好ましい。一方、上記厚さは、キャリア３０の強度を確保する観点から、キャリア３０の全体の厚さの１０％以下であることが好ましい。また、親水性領域を形成する場合は、その厚みを５ｎｍ以上とすることが好ましい。親水性領域を形成する場合、新たに膜をつけるわけではないので、強度の劣化がほとんどないというメリットがある。
【００２１】
キャリア３０は、繊維に樹脂を含浸してなる樹脂含浸材料からなる基体（樹脂含浸基板）から作製され、親水性層として、基体の表面に親水性膜が形成されたものであることが好ましい。すなわち、キャリア３０は、基体と、基体の表面に形成された親水性膜と、を有することが好ましい。なお、キャリア３０が基体を有するという場合の当該基体は、上記保持穴３２および後述するギア部が形成されたものをいう。樹脂含浸材料の繊維には、例えばガラスクロスが用いられ、樹脂には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられる。樹脂含浸基板は、例えば、ガラスクロスに樹脂材料を含浸させた後、樹脂材料を乾燥させることで得られるプリプレグを複数枚積層し、圧着させることで得られる。
親水性膜を構成する材料は、キャリア３０の主表面に親水性を付与しうるものであれば特に制限されず、有機材料、無機（非金属）材料、金属材料のいずれであってもよい。好ましい親水性膜としては、ダイヤモンドライクカーボン（以下ＤＬＣと略す）等が挙げられる。なお、親水性膜は、キャリア３０の主表面の親水性を向上させるために、さらに窒化処理等によって表面改質されたものであってもよい。親水性膜は後述する方法によって作製できる。
【００２２】
親水性層は、親水性膜に代えて、樹脂含浸基板の表層として形成された親水性領域であってもよい。親水性領域は、例えば、樹脂含浸基板の樹脂材料の側鎖または末端に親水基が導入された領域である。親水基は、特に制限されないが、例えば、酸素、窒素のいずれかを含む官能基である。酸素を含む官能基としては、Ｃ−ＯＨ、Ｃ＝Ｏ、Ｏ−Ｃ＝Ｏ等が挙げられる。窒素を含む官能基としては、Ｃ≡Ｎ等が挙げられる。親水性領域は後述する方法によって作製できる。
【００２３】
（キャリアの製造方法）
次に、キャリアの製造方法について説明する。
本実施形態のキャリアの製造方法は、保持穴形成処理（第１のステップ）と、親水性付与処理（第２のステップ）と、を含む。
保持穴形成処理では、キャリア３０となる板状の基体に保持穴３２（図１参照）を形成する。例えば、上記樹脂含浸基板をエンドミルにより切削加工して保持穴３２を形成する。なお、当該切削加工により、保持穴３２のほかに、キャリア３０の外周形状となるギア部３１（図１参照）も形成される。
【００２４】
親水性付与処理では、保持穴形成処理の前または後に、基体の表面に親水性を付与する処理を行う。親水性を付与する処理では、例えば、樹脂含浸基板の表面に親水性膜を形成することにより、あるいは、樹脂含浸基板を表面改質して親水性領域を形成することにより行われる。
【００２５】
親水性膜を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ等の化学蒸着、イオンビームデポジション、スパッタリング等が挙げられる。中でも、プラズマＣＶＤが好ましく用いられる。化学蒸着を行う場合の原料ガスの種類、流量などの条件は、親水性膜に付与する親水性の程度に応じて適宜定められる。原料ガスには、例えば、炭素を含有する原料を含むガスが用いられる。なお、窒素、酸素を含有していてもよい。親水性膜の表面改質を行う場合は、例えば、プラズマＣＶＤによりＤＬＣの膜を形成し、当該膜にイオン注入法（プラズマイオン注入成膜法）により酸素原子または窒素原子を導入することで行うことができる。親水性膜の厚みは、処理回数、処理時間を調整することで、適宜調整できる。
【００２６】
親水性領域を形成する方法としては、イオン注入、紫外線照射、酸素や窒素のプラズマ処理等が挙げられる。各処理を行う際の処理時間などの条件は、親水性領域に付与する親水性の程度や厚みに応じて適宜定められる。親水性領域の厚みは、処理回数、処理時間を調整することで、適宜調整できる。
【００２７】
なお、親水性付与処理が保持穴形成処理の前に行われる場合は、キャリアの端面には親水性が付与されず、保持穴形成処理の後に行われる場合は、キャリアの端面にも親水性が付与される。キャリアの端面は、キャリアの主表面と交差する壁面であり、保持穴およびギア部の壁面を指す。
【００２８】
上記実施形態のキャリアあるいはキャリアの製造方法により製造されたキャリアは、研磨処理のみでなく、研削処理に用いられてもよい。
【００２９】
（磁気ディスク用ガラス基板の製造方法）
次に、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について説明する。
本製造方法は、上記説明したキャリアあるいはキャリアの製造方法により製造されたキャリアにガラス基板を保持させた状態で、ガラス基板の主表面を研磨する研磨処理を有する。以下の説明において、キャリアという場合は、上記説明したキャリアあるいはキャリアの製造方法により製造されたキャリアを指す。
【００３０】
本実施形態の製造方法の概略を説明すると、まず、一対の主表面を有する板状のガラスブランクを形成する成形処理が行われる。ガラスブランクは、磁気ディスク用ガラス基板の素材となる。次に、このガラスブランクに粗研削処理が施される。この後、ガラスブランクに形状加工処理が施されてガラス基板が形成され、さらに端面研磨処理が施される。この後、ガラス基板に固定砥粒を用いた精研削処理が施される。この後、第１研磨処理、および第２研磨処理がガラス基板に施される。なお、本実施形態では、上記流れで行うが、上記流れ、処理の種類に制限されず、また、上記処理は、必要に応じて適宜省略できる。以下、上記した各処理について、説明する。
【００３１】
（ａ）ガラスブランクの成形処理
成形処理では、例えばプレス成形法を用いて成形を行う。プレス成形法により、円板状のガラスブランクを得ることができる。プレス法に代えて、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の成形方法を用いて、ガラスブランクを製造してもよい。これらの方法で作られた板状ガラスブランクに対し、後述する形状加工処理を適宜施すことによって、磁気ディスク用ガラス基板の元となる円板状のガラス基板が得られる。  
【００３２】
（ｂ）粗研削処理
次に、粗研削処理が行われる。粗研削処理では、上記ガラスブランクを、周知の両面研削装置のキャリアに保持させながら、ガラスブランクの両側の主表面の研削を行う。具体的には、ガラスブランクを、キャリアに設けられた保持穴に保持させるとともに、上定盤と下定盤の間に挟持し、研削剤を含む研削液を供給しつつ、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させて、ガラス基板の両主表面を研削する。研削剤として、例えば遊離砥粒が用いられる。粗研削処理では、ガラスブランクが目標とする板厚寸法及び主表面の平坦度に略近づくように研削される。なお、粗研削処理は、成形されたガラスブランクの寸法精度あるいは表面粗さに応じて行われるが、適宜省略できる。
【００３３】
（ｃ）形状加工処理
次に、形状加工処理が行われる。形状加工処理では、ガラスブランクに、公知の加工方法を用いて円孔を形成することにより、円孔を有する円板状のガラス基板を得る。その後、ガラス基板の端面の面取りを行う。面取りは、ガラス基板の内周側および外周側の両方の端面に対して行われる。面取りが行われることで、ガラス基板の端面には、主表面と直交する側壁面と、側壁面と主表面を繋ぐ面取り面（介在面）とが形成される。
【００３４】
（ｄ）端面研磨処理
次に、ガラス基板の端面研磨処理が行われる。端面研磨処理では、研磨ブラシとガラス基板の端面との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して、研磨ブラシとガラス基板とをガラス基板の厚み方向に相対的に移動させることにより研磨を行う。端面研磨処理によって、ガラス基板の内周側及び外周側の端面が研磨され、鏡面状態にされる。
【００３５】
（ｅ）精研削処理
次に、ガラス基板の主表面に精研削処理が施される。精研削処理では、定盤に固定砥粒を貼り付けた両面研削装置を用いて、ガラス基板の主表面に対して研削を行う。具体的には、上記遊離砥粒の代わりに固定砥粒を用いて研削を行う点を除いて、上記粗研削処理とほぼ同様にガラス基板の両主表面を研削する。
【００３６】
精研削処理を行うための両面研削装置には、例えば、図１に示される周知の装置を用いることできる。当該装置は、一対の上下の定盤４０，６０と、上下の定盤４０，６０の間に挟まれるインターナルギア６２と、下定盤６０に設けられたサンギア６１と、インターナルギア６２およびサンギア６１と係合する複数のキャリア３０（図１において１つのみ図示）と、を備えている。各定盤４０，６０には、固定砥粒１０が貼り付けられている。この装置では、図２に示されるように、上下の定盤４０、６０の間にガラス基板Ｇを挟み、上下の定盤４０，６０を相対的に逆向きに回転させることで、ガラス基板を保持するキャリアが自転しながら公転し、遊星歯車運動を行う。図２は、図１に示す研削装置の断面図である。これにより、ガラス基板Ｇと固定砥粒とが相対移動し、ガラス基板Ｇの主表面が研削される。精研削処理の間、クーラントが供給タンク７１から１または複数の配管７２を経由してガラス基板Ｇと固定砥粒１０との間に供給される。クーラントとしては、例えば水を用いることができる。
【００３７】
精研削処理の間、ガラス基板は、上記実施形態のキャリア３０に保持されて、両面研削装置内で遊星歯車運動されながら研削される。キャリア３０の主表面は、接触角が３０°以下であり、濡れ性が向上している。このため、キャリア３０の主表面にクーラントの水膜が安定して保持され、キャリア３０が局所的に固定砥粒に接触するよう変形する等して摩耗することが抑えられる。また、キャリア３０の主表面にはクーラントが均一に供給されるため、これにより、安定して精研削処理を行うことができ、ガラス基板の研削レートが向上する。
【００３８】
精研削処理では、固定砥粒が貼り付けられた定盤の研削面とガラス基板の主表面とを接触させてガラス基板の主表面を研削するが、これに代えて、遊離砥粒を用いた研削を行ってもよい。また、精研削処理で用いた両面研削装置やその機構は、上述した粗研削処理や、後述する第１研磨処理および第２研磨処理で同様に用いることができる。
【００３９】
（ｆ）第１研磨処理
次に、ガラス基板の主表面に第１研磨処理が施される。第１研磨処理は、周知の両面研磨装置を用いて、ガラス基板を、キャリアに保持させてガラス基板の両側の主表面の研磨を行う。第１研磨処理では、遊離砥粒を用いて、定盤に貼り付けられた研磨パッドをガラス基板の主表面と接触させて研磨を行う。遊離砥粒は特に限定されないが、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などが用いられる。第１研磨処理では、例えば固定砥粒による研削を行った場合に主表面に残留するクラックや歪みの除去、あるいは、結晶化処理により主表面に生じた微小な表面凹凸の除去をする。取代量を適宜調整することで、主表面の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の表面粗さ、例えば算術平均粗さＲａを低減することができる。
【００４０】
（ｇ）第２研磨（鏡面研磨）処理
次に、第２研磨処理が施される。第２研磨処理は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨処理は、第１研磨処理で用いたのと同様の両面研磨装置及び研磨方法を用いてよいが、第１研磨処理よりも研磨砥粒のサイズを小さくすることが好ましい。これにより、主表面の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面の粗さを低減することができる。第２研磨処理後、ガラス基板は、キャリアごと両面研磨装置から取り出され、洗浄される。
【００４１】
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法では、上記説明したキャリアを用いて研削処理を行うため、キャリアの主表面にクーラントが均一に供給され、安定して研削が行われる。このため、ガラス基板の研削レートが向上する。
【００４２】
（実施例）
本実施形態の効果を確認するために、種々のキャリアを作製してキャリアの摩耗量、ガラス基板の研削レートを調べた。
エポキシ樹脂をガラスクロスに含浸させ、乾燥、硬化して得られるプリプレグを５枚積層し、圧着して得られる樹脂含浸基板を用意し、この樹脂含浸基板をエンドミルを用いて切削加工し、ギア部および保持穴を形成した。形状加工した樹脂含浸基板の表面に、プラズマＣＶＤによってＤＬＣの親水性膜を形成した（実施例１）。プラズマＣＶＤは、原料ガスとしてエチレンを用いた。その後、さらに、ＤＬＣの表面を窒素プラズマを用いて窒化処理を施した。親水性膜の膜厚は、１μｍであった。また、窒化層の厚みは５０ｎｍであった。
また、プラズマＣＶＤに代えて窒素プラズマ処理を施して表面改質した点を除き、実施例１と同様にしてキャリアを作製した（実施例２）。窒素プラズマ処理は、処理時間６０分で行った。キャリア表層における窒化層の深さをＸＰＳを用いて測定したところ、１００ｎｍであった。
【００４３】
（比較例）
上記形状加工した樹脂含浸基板に、上記親水性膜および上記親水性領域のいずれも形成せずに、キャリアとして用いた。
【００４４】
（接触角の測定）
実施例１，２および比較例のキャリアの接触角を、θ／２法により測定した。なお、接触角の測定は、実施例１，２については、親水性膜または親水性領域を作製した後、４８時間程度経過した時点で行った。
【００４５】
（摩耗量の測定）
次いで、実施例１，２および比較例のキャリアを用いて、遊星歯車機構を備える両面研削装置を用い、上下の定盤がガラス基板を押圧する圧力１００ｇ／ｃｍ２、定盤回転数２５ｒｐｍ、総研削時間１０時間の研削条件にて、ガラス基板に対し上記実施形態の精研削処理を行った。定盤には、樹脂で固めたダイヤモンド粒子からなる固定砥粒を貼り付けた。クーラントの供給量は、５Ｌ／分とした。ガラス基板には、厚さ１ｍｍ、２．５インチのアルミノシリケートガラスを、最低板厚になった時点で交換しながら用いた。精研削処理の前後のキャリアの厚みを、マイクロメータで測定し、摩耗量とした。
【００４６】
（研削レートの評価）
精研削処理の前後のガラス基板の厚みを、マイクロメータで測定し、研削時間あたりの削り代を計算し、研削レートとした。
以上の測定および評価結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】
2015123553.tif 000003
【００４８】
表１に示されるように、親水性層を有するキャリア（実施例１，２）を用いて研削処理を行った場合は、親水性層を有しないキャリア（比較例）を用いて研削処理を行った場合と比べて、摩耗量が少なく、研削レートが向上していることが分かった。
【００４９】
以上、本発明のキャリア、キャリアの製造方法、および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００５０】
１  キャリア
３  保持穴
４０  上定盤
６０  下定盤
Ｇ  ガラス基板
【図１】
2015123553.tif 000004
【図２】
2015123553.tif 000005