(57)【要約】【課題】  本発明の課題は、不揮発性記憶デバイスの耐久性の低下を抑制することである。【課題手段】  本発明に係る車載制御装置は、揮発性デバイスと不揮発性デバイスを備え、キーオフ操作時に、前記揮発性デバイスに記憶されたメモリを前記不揮発性デバイスへバックアップさせる処理時に、車両の走行経験の有無に基づいて、バックアップの可否を判断することを特徴とする。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性デバイスと不揮発性デバイスとを備え、
車両のキーオフ操作に基づいて前記揮発性デバイスに記憶された情報を前記不揮発性デバイスへバックアップさせるときに、前記車両の走行経験の有無に基づいて、バックアップの可否を判断することを特徴とする車載制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の車載制御装置であって、
車両の走行経験が無い場合には、前記バックアップ処理を行わないことを特徴とする車載制御装置。
【請求項３】
請求項２に記載の車載制御装置であって、
前記車両の走行経験が無いにおける前記バックアップ処理を行わないタイミングは、セルフシャットオフ処理時間中であることを特徴とする車載制御装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかの車載制御装置であって、
前記車両の走行経験を車速値、車載制御装置の動作ON時間、車両への初回キーオン操作でのクランキング可能レンジ状態、エンジン回転数の積分値のいずれか又は複数の組み合わせに基づき判定することを特徴とした車載制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車載制御装置に関し、特に制御系の演算装置内の不揮発性記憶デバイス（例えば、FlashROM・EEPROM）へのバックアップデータ書き込み方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ATCU（Automatic Transmission Control Unitの略）の制御装置においては、車両走行中での種々の制御で学習したデータ・各種動作履歴・故障情報等を不揮発性デバイスへ記憶し、次回の走行時の制御や診断時に前記不揮発性デバイスへ記憶されたデータを使用している。
【０００３】
ATCUでの不揮発性デバイスへの記憶方式は、キーオフ操作時での電源電圧低下をトリガーにより、不揮発性デバイスへ記憶するようになっており、キーオン操作時でのクランキング動作時での電源電圧低下等の特異な条件下でも不揮発性デバイスへの書き込みが発生する懸念があり、不揮発性デバイスの耐久性を低下させる要因にもなっている。また、最近のアイドルストップ車では、車載バッテリーへの負荷が高くなっており、通常車に比べて車載バッテリの劣化が早く進み、車両の初回キーオン操作時でのクランキング動作に伴い極端な電源電圧低下が頻発することも想定される。
【０００４】
ATCUでは、書き換え可能なROM(FlashROM)・通常RAM・EEPROMのみの廉価型制御装置の記憶デバイス構成を使用しているためキーオフ操作時に学習データ等を不揮発性デバイスへ記憶する方式を採用している。
【０００５】
キーオン操作後に学習データを不揮発デバイスへ記憶する方式で、特開平１０−２５２５４６公報（特許文献１）に開示されている。当該特許文献１に開示される制御装置では、バッテリーバックアップ用のRAMが必要であり、また、学習データに特化した内容と、車両が実際に運転されたか否かを検出する運転検出手段がエンジン回転数と車速のみでの判定しているため、ATCU特有のレーシングセレクトレンジ操作履歴等を不揮発性デバイスへ記憶できない懸念もあり、ATCUの制御装置への採用は不可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２５２５４６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
キーオフ操作時には上記従来技術では、記憶デバイスの構成差と記憶するデータが学習値に特化している事と運転検出手段がエンジン回転数と車速のみでの判定している理由で採用ができない。
【０００８】
したがって、車両走行経験が無い場合に、クランキング等でのATCUの入力電源電圧が低下した場合には、不必要な不揮発性記憶デバイスへのアクセスが発生してしまい、結果的に、不揮発性記憶デバイスの耐久性を低下させる。
【０００９】
本発明の解決しようとする課題は、不揮発性記憶デバイスの耐久性の低下を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る車載制御装置は、揮発性デバイスと不揮発性デバイスを備え、キーオフ操作時に、前記揮発性デバイスに記憶されたメモリを前記不揮発性デバイスへバックアップさせる処理時に、車両の走行経験の有無に基づいて、バックアップの可否を判断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、キーオフ時での記憶デバイスへのデータ記憶処理の場合において、車両の走行経験が無い場合は、非必要な記憶デバイスへのデータ記憶が回避できるので、その結果記憶デバイス自体の寿命が向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る演算装置を搭載した、AT用制御装置１のブロック図である。
【図２】ＡＴＣＵのソフト概略処理フロー図である。
【図３】比較例となるＡＴＣＵのセルフシャットオフ処理フロー図である。
【図４】本実施形態に係るＡＴＣＵのセルフシャットオフ処理フロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に本発明の実施例を図に基づいて説明する。
【００１４】
図１は、一般的なATCU用制御装置１を示しており、イグニッションスイッチ１６がオン時に、バッテリー１５からの電源が電源回路１９と電源ライン２４を経由して、ATCU用制御装置１へ電源が供給される。その後、CPU２は、FlashROM５内に内蔵されたソフウェア実行し、EEPROM３およびFlashROM５に保存されているバックアップデータを所定のRAM６内に書き込み後、制御アプリを実行し、RAM６にて各種制御データ等を蓄えて制御を実施し、データバス７を介して入出力装置８での種々のデータの受け渡しを実施する。
【００１５】
エンジン回転数９と油温１０とレンジ１１と電圧１２は、ATCU用制御装置１への入力データを示し、車速１３と油圧１４は、ATCU用制御装置１からの出力データを示している。シリアルデータライン４は、CPU２とEEPROM３との間のデータ通信を行う。
【００１６】
イグニションスイッチ１６がオフ時には、イグニション電圧１７が低下し、それをトリガーにCPU２は、セルフシャットオフ処理を実行し、RAM６内のデータを所定のバックアップメモリのEEPROM３およびFlashROM５へ書き込みを実施した後、マイクロコンピュータ暴走監視用のP-RUN信号出力を止め、最後にセルフシャットオフリレー２０をオフし、ATCU用制御装置１への電源供給を止める。
【００１７】
図２は、ATCUのソフト概略処理フロー図を示しており、キーオン時にリセット処理部S100にて、EEPROM３およびFlashROM５に保存されているバックアップデータを所定のRAM６内書き込み実施する。
【００１８】
電源・電圧監視処理部S110にて、電源回路１９内のイグニション電圧１７を定期的に取り込み後、電源・電圧低下無し判定S１２０にて、イグニション電圧１７低下を判定し、電源・電圧低下無しの場合（Yes判定）は、アプリ処理部S１４０実行し、電源・電圧監視処理部S110からアプリ処理部S１４０を繰り返し処理を行う。
【００１９】
キーオフ時には、イグニション電圧１７の電源・電圧低下に伴い、電源・電圧低下無し判定S１２０にて、電源・電圧低下有りを判定し（No判定）、セフルシャットオフ処理部S１３０（図３または、図４）へ処理を移行する。
【００２０】
図３は、ATCUのセルフシャットオフ処理フロー図（比較例）を示しており、前記S130からの処理の続きであり、ＣＰＵレジスタ操作処理部Ｓ２００にてセルフシャットオフ用のＣＰＵレジスタの設定を実施し、各入出力のデータを停止後、ＥＥＰＲＯＭ記憶処理部Ｓ２１０およびＦｌａｓｈＲＯＭ記憶処理部Ｓ２２０にて、RAM６内のデータを所定のバックアップメモリのEEPROM３およびＦlashＲＯＭ５へ書き込みを実施後、P-runOFFS230およびセルフシャットオフポートＯＦＦＳ２４０を実施し、ＡＴＣＵ用制御装置１の電源が遮断される。
【００２１】
この様に、従来のセルフシャットオフ処理では、イグニション電圧１７の低下のトリガーのみで実行されるため、通常のキーオフ操作以外での例えばキーオン操作時でのクランキング動作時にバッテリー１５の電源・電圧変動が発生した場合やキーオン操作後の即キーオフ操作時の走行経験無しの場合でも、セルフシャットオフ処理を実行される懸念があり、不要な不揮発性デバイスへのアクセスにより、不揮発性デバイス自体の耐久性が落ちてしまう。
【００２２】
図４は、ATCUのセルフシャットオフ処理フロー図（本実施形態）を示しており、前記S130からの処理の続きであり、今回の発明の説明である。
【００２３】
図３との違いは、走行経験判定Ｓ２１５を新たに設け、走行経験有りの場合は、図３と同様なＳ２１０からＳ２４０の処理を実行する。
【００２４】
走行経験が無い場合には、ＥＥＰＲＯＭ記憶処理部Ｓ２１０およびＦｌａｓｈＲＯＭ記憶処理部Ｓ２２０の実行を回避させ、非必要な記憶デバイスへのデータ記憶が回避できるので、その結果記憶デバイス自体の寿命が向上できる。また、非必要なメモリバックアップ処理が回避可能なため、セルフシャットオフ処理時間の短縮およびセルフシャットオフ処理実行途中からの復帰時間が短縮される。
【００２５】
走行経験判定S２１５での走行経験有りの判定は、車速＝５km/h以上の走行経験有りかつＡＴＣＵ用制御装置１のON時間＝５秒以上かつレンジ状態＝P・Nレンジ以外(R・D・Lレンジ)かつエンジン回転数積算値＝450000以上とした。また、各判定値の根拠は、下記となる。
【００２６】
車速判定値：フェール時の車速（5km/h）以上とし、正常に車両が走行したとした。
【００２７】
ＡＴＣＵ用制御装置１のON時間：異常処理での最大検知時間の５秒以上とした。
【００２８】
レンジ状態：車両への初回キーオン操作でのクランキング可能レンジとした。
【００２９】
エンジン回転数積算値：エンジン完爆後でのエンジン回転数450回転とし、10ms周期にて取り込んだ値とした。
【００３０】
但し、レンジ状態以外の値は、車両の状況等を踏まえてこの値とは限らない任意の値とする事も可能である。また、車両の走行経験は、車速値、車載制御装置の動作ON時間、車両への初回キーオン操作でのクランキング可能レンジ状態、エンジン回転数の積分値のいずれか又は複数の組み合わせに基づき判定することができる。
【符号の説明】
【００３１】
１：ATCU（AT用制御装置）
２：CPU（制御用演算装置）
３：EEPROM
４：シリアルデータライン
５：Flash ROM
６：RAM
７：データバス
８：入出力装置
９：エンジン回転数
１０：油温
１１：レンジ
１２：油圧
１３：車速
１４：油圧
１５：バッテリー
１６：イグニッションSW 
１７：VIGN(イグニション電圧)
１８：VB(バッテリー電圧）
１９：電源回路
２０：セルフシャットオフリレー
２１：WDTリレー 
２２：セルフシャットオフ出力ライン
２３：WDT出力ライン
２４：電源ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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