(57)【要約】【課題】イリジウム製坩堝の早期におけるクラックの発生を抑制し、該坩堝の長寿命化が図られるガーネット系単結晶等複合酸化物単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を収容し、該複合酸化物の原料を融解させた後、原料融液から複合酸化物単結晶を育成する複合酸化物単結晶の製造方法において、原料に含まれるＰｔ（白金）濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物の原料を適用し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定することを特徴とし、イリジウム製坩堝の酸化やＰｔ不純物に起因したクラックの発生を抑制することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を収容し、該複合酸化物の原料を融解させた後、上記複合酸化物の原料融液から複合酸化物単結晶を育成する複合酸化物単結晶の製造方法において、
原料に含まれるＰｔ（白金）濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物の原料を用いると共に、イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、イリジウム製坩堝が配置された上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定することを特徴とする複合酸化物単結晶の製造方法。
【請求項２】
上記イリジウム製坩堝の温度が１０００℃を超えて原料が融解している温度域にあるとき、イリジウム製坩堝が配置された上記育成炉内の雰囲気を、０．５〜３体積％の酸素を含む不活性ガス雰囲気に設定することを特徴とする請求項１に記載の複合酸化物単結晶の製造方法。
【請求項３】
上記複合酸化物単結晶が、ガーネット系単結晶またはタンタル酸リチウム単結晶であることを特徴とする請求項１または２に記載の複合酸化物単結晶の製造方法。
【請求項４】
Ｐｔ坩堝を用いると共に、複数種類の酸化物原料および／または炭酸化物原料を大気中で仮焼してＰｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である請求項１に記載の複合酸化物原料を製造する方法において、
上記酸化物原料および／または炭酸化物原料の各粉末を混合し、成形して原料粉末の成形体を作製し、かつ、仮焼温度より高い融点を有するスペーサーが敷き詰められたＰｔ坩堝内に、原料粉末の成形体を該坩堝の壁面に上記成形体が接触しないように収容した後、大気中で仮焼することを特徴とする複合酸化物原料の製造方法。
【請求項５】
上記スペーサーが複合酸化物単結晶と同じ素材で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の複合酸化物原料の製造方法。
【請求項６】
上記スペーサーがガーネット系単結晶またはタンタル酸リチウム単結晶のいずれかであることを特徴とする請求項４または５に記載の複合酸化物原料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｉｒ（イリジウム）製坩堝を用いて、ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）、ＬＴ（タンタル酸リチウム）等の複合酸化物単結晶を育成する方法に係り、特に、イリジウム製坩堝の長寿命化が図られる複合酸化物単結晶の製造方法と白金坩堝を用いた複合酸化物原料の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、磁気光学デバイスに利用される希土類−鉄ガーネット結晶薄膜の育成には、ＧＧＧ［ガドリニウム・ガリウム・ガーネット、代表的には、Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12あるいは(Ｇｄ、Ｃａ)3(Ｇａ、Ｍｇ、Ｚｒ)5Ｏ12という組成式で表される複合酸化物］といったガーネット系の単結晶基板が用いられ、携帯電話等に利用されるＳＡＷデバイスの製造には、ＬＴ［タンタル酸リチウム、代表的には、ＬｉＴａＯ3という組成式で表される複合酸化物］といった強誘電体酸化物の単結晶基板が用いられている。
【０００３】
これ等複合酸化物の単結晶基板を製造するには、複数の高純度酸化物原料あるいは炭酸化物原料を混合した後、Ｐｔ（白金）坩堝を用いて、大気中、１０００℃〜１５００℃程度の温度で仮焼して複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料をまず調製する。次に、この原料を用い、Ｃｚ法（Czochralski Method）、ＶＢ法（Vertical Bridgman Method）、ＶＧＦ法（Vertical Gradient Freeze Method）、ＥＦＧ法（Edge-defined Film-fed Growth Method）等の方法により原料融液から単結晶を育成し（例えばＧＧＧの育成については特許文献１参照、ＬＴについては特許文献２〜３参照）、更に、この単結晶を機械加工することで所望形状の単結晶基板が得られる。
【０００４】
ところで、これ等複合酸化物の単結晶の内、融点がおおよそ１０００℃を越えるものについては、その育成温度が非常に高いこと、また、複合酸化物の融点以上の温度では昇華や還元等による結晶品質の劣化を防ぐため０．５〜３体積％程度の酸素を含む不活性雰囲気で結晶育成を行う必要があることから、通常、高融点貴金属であるイリジウム製の坩堝が用いられている（特許文献１の特許請求の範囲および特許文献３の実施例等参照）。
【０００５】
そして、ＧＧＧやＬＴ等の複合酸化物単結晶の製造コストを抑えるためには、非常に高価であるイリジウム製坩堝の寿命をいかに延ばすかという点が非常に重要になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭５５−１３６２００号公報
【特許文献２】特開昭６２−２９２６９８号公報
【特許文献３】特開平０６−２３４５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ＧＧＧやＬＴ等上記複合酸化物単結晶の育成にイリジウム製坩堝を使用した場合、使用開始から比較的早期の段階で坩堝にクラックが発生し、継続してイリジウム製坩堝を使用できなくなるといった問題が存在した。
【０００８】
本発明はこのような問題に着目してなされたもので、その課題とするところは、イリジウム製坩堝の早期におけるクラックの発生を抑制し、イリジウム製坩堝の長寿命化が図られる複合酸化物単結晶の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝を使用してＧＧＧやＬＴ等複合酸化物単結晶の育成を行なった場合、使用開始から比較的早期の段階でイリジウム製坩堝にクラックが発生し、融液漏れを引き起こして複合酸化物単結晶の育成を継続できなくなるという事態を本発明者等は経験した。
【００１０】
この原因について本発明者等が調べたところ、複合酸化物の原料から混入されるＰｔ（白金）不純物がクラックの発生に関係していることを突き止めた。
【００１１】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の加熱時において、複合酸化物の原料中に含まれるＰｔ不純物が上記坩堝を構成するイリジウム中に拡散して高濃度化することで、イリジウム製坩堝が硬化して脆くなり、その結果、結晶育成前後における昇温並びに降温により生ずる熱応力によってクラックが発生していることを突き止めるに至った。そして、上記Ｐｔ不純物は、複数の高純度酸化物原料あるいは炭酸化物原料を混合した後、上述したＰｔ坩堝を用い、大気中、１０００℃〜１５００℃程度の温度で仮焼して複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を調製する際、Ｐｔ坩堝から複合酸化物の原料に混入されると考えられる。尚、複合酸化物原料の調製にＰｔ坩堝が利用されているのは、大気中、１０００℃〜１５００℃程度の温度で仮焼しても坩堝の酸化による消耗や異物混入の可能性が低いといった製法上の理由による。
【００１２】
そこで、早期の段階でイリジウム製坩堝にクラックが発生する現象を回避する方法について本発明者等が研究を行なった結果、Ｐｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物の原料を用いた場合に達成できることを見出すに至った。
【００１３】
このような技術的知見に基づき、本発明者等は、Ｐｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物原料を適用してイリジウム製坩堝の寿命を改善させる複合酸化物単結晶の製造方法を提案している。
【００１４】
ところで、Ｐｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物原料を適用することでイリジウム製坩堝の寿命を延長させることが可能になったが、上記複合酸化物原料をイリジウム製坩堝に追加しながら複合酸化物単結晶の製造を複数回繰り返した場合、３０ロット〜４０ロットを超えた頃からイリジウム製坩堝にクラックが生ずることがあった。
【００１５】
そこで、この原因について本発明者等が研究を継続した結果、３００℃〜１０００℃の温度域でイリジウム製坩堝が酸化されていることを発見した。そして、イリジウム製坩堝が部分的に酸化イリジウムとなり、１０００℃を超える温度域において酸化イリジウムの還元が起こり、酸化と還元によりイリジウム製坩堝の粒界が膨張、収縮してクラックが発生していることを突き止めるに至った。
【００１６】
更に、３００℃〜１０００℃の温度域における酸化を原因としたイリジウム製坩堝のクラックと複合酸化物原料のＰｔ不純物を原因としたクラックは、それぞれ独立して発生していることも確認されている。このため、本発明者等は、イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、イリジウム製坩堝が配置された育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定してイリジウム製坩堝の寿命を改善させた複合酸化物単結晶の製造方法も提案している。
【００１７】
そして、上述した技術的発見に基づき、Ｐｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物原料を適用し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、イリジウム製坩堝が配置された育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定することにより、イリジウム製坩堝の寿命が飛躍的に改善されることを確認するに至った。本発明は一連の技術的発見と分析に基づき完成されたものである。
【００１８】
すなわち、請求項１に係る発明は、
育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を収容し、該複合酸化物の原料を融解させた後、上記複合酸化物の原料融液から複合酸化物単結晶を育成する複合酸化物単結晶の製造方法において、
原料に含まれるＰｔ（白金）濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物の原料を用いると共に、イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、イリジウム製坩堝が配置された上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定することを特徴とし、
請求項２に係る発明は、
請求項１に記載の複合酸化物単結晶の製造方法において、
上記イリジウム製坩堝の温度が１０００℃を超えて原料が融解している温度域にあるとき、イリジウム製坩堝が配置された上記育成炉内の雰囲気を、０．５〜３体積％の酸素を含む不活性ガス雰囲気に設定することを特徴とし、
また、請求項３に係る発明は、
請求項１または２に記載の複合酸化物単結晶の製造方法において、
上記複合酸化物単結晶が、ガーネット系単結晶またはタンタル酸リチウム単結晶であることを特徴とするものである。
【００１９】
次に、請求項４〜６に係る発明は、Ｐｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である請求項１に記載の複合酸化物原料を製造する方法に関する。
【００２０】
すなわち、請求項４に係る発明は、
Ｐｔ坩堝を用いると共に、複数種類の酸化物原料および／または炭酸化物原料を大気中で仮焼してＰｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である請求項１に記載の複合酸化物原料を製造する方法において、
上記酸化物原料および／または炭酸化物原料の各粉末を混合し、成形して原料粉末の成形体を作製し、かつ、仮焼温度より高い融点を有するスペーサーが敷き詰められたＰｔ坩堝内に、原料粉末の成形体を該坩堝の壁面に上記成形体が接触しないように収容した後、大気中で仮焼することを特徴とし、
請求項５に係る発明は、
請求項４に記載の複合酸化物原料の製造方法において、
上記スペーサーが複合酸化物単結晶と同じ素材で構成されていることを特徴とし、
また、請求項６に係る発明は、
請求項４または５に記載の複合酸化物原料の製造方法において、
上記スペーサーがガーネット系単結晶またはタンタル酸リチウム単結晶のいずれかであることを特徴とするものである。
【００２１】
本発明は、複合酸化物原料を追加しながら複合酸化物単結晶の製造を複数回繰り返してもイリジウム製坩堝にクラックが発生しないようにするため、Ｐｔ（白金）濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物の原料を用いると共に、イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定することを特徴としている。
【００２２】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、上記温度域（３００℃〜１０００℃の温度域）以外の３００℃未満の場合、および、１０００℃を超えて結晶が育成される温度条件未満の場合には、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の酸化が起こらないため、育成炉内の雰囲気について、０．５〜３体積％の酸素を含む不活性ガス雰囲気に設定してもよいし、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定してもよく任意である。
【００２３】
また、本発明に係る複合酸化物単結晶の製造方法は、ガーネット系単結晶やタンタル酸リチウム単結晶の育成に有効であるが、結晶育成の温度が１５００℃を越える他の複合酸化物単結晶の育成に応用することも可能である。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１〜３に記載の複合酸化物単結晶の製造方法によれば、
使用開始から比較的早期の段階でイリジウム製坩堝にクラックが発生する現象を回避でき、かつ、複合酸化物原料を追加しながら複合酸化物単結晶の製造を複数回繰り返してもイリジウム製坩堝にクラックが発生し難いため、イリジウム製坩堝の寿命が伸びる分、複合酸化物単結晶基板の製造コストを低減できる効果を有する。
【００２５】
また、請求項４〜６に記載の複合酸化物原料の製造方法によれば、
仮焼温度より高い融点を有するスペーサーが敷き詰められたＰｔ坩堝内に、原料粉末の成形体を該坩堝の壁面に上記成形体が接触しないように収容した後、大気中で仮焼している。そして、原料粉末の成形体とＰｔ坩堝間にスペーサーが介在して成形体とＰｔ坩堝との接触が防止され、Ｐｔ坩堝から成形体へのＰｔ不純物の混入（拡散）が起こらないため、Ｐｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物原料を製造できる効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
本発明は、上記２つの技術的発見に基づき完成されており、Ｐｔ（白金）濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物の原料を用いることと、イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定することを特徴としている。
【００２８】
（Ａ）複合酸化物原料のＰｔ（白金）濃度が６０ｐｐｍ未満であること。
【００２９】
本発明に係る複合酸化物単結晶の製造方法においては、まず、原料に含まれるＰｔ（白金）濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物の原料を用いることを特徴としている。
【００３０】
ＧＧＧやＬＴ等の複合酸化物単結晶の育成には、通常、高純度の酸化物原料あるいは炭酸化物原料が用いられるため、単結晶育成前に行なう複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物原料の調製時における不純物の混入（すなわち、酸化物原料あるいは炭酸化物原料の仮焼時における不純物の混入）を防止すれば、Ｐｔ不純物の問題は回避できる。
【００３１】
ところで、酸化物原料あるいは炭酸化物原料の仮焼は、上述したように、大気中、１０００〜１５００℃程度で行われるため、坩堝の酸化による消耗や異物混入の可能性、酸化物原料との反応による不純物混入の可能性等を考慮すると、Ｐｔ以外に適当な坩堝材が存在しないため、一般的にＰｔ坩堝が利用されている。
【００３２】
そして、Ｐｔ坩堝から複合酸化物原料へのＰｔ不純物の混入を防止するには、仮焼時におけるＰｔ坩堝と複合酸化物原料との直接の接触を回避すればよい。
【００３３】
すなわち、酸化物原料および／または炭酸化物原料の各粉末を混合し、ＣＩＰ装置や金型を用い原料粉末を成形して原料粉末の成形体を作製し、かつ、仮焼温度より高い融点を有するスペーサーが敷き詰められたＰｔ坩堝内に、原料粉末の成形体を該坩堝の壁面に上記成形体が接触しないように収容した後、大気中で仮焼すればよい。
【００３４】
上記スペーサーとしては、目的の複合酸化物単結晶と同じ素材で構成された板材が挙げられ、最も入手し易い複合酸化物単結晶（例えば、ガーネット系単結晶やタンタル酸リチウム単結晶）基板が例示される。
【００３５】
尚、適用される複合酸化物原料に含まれるＰｔ不純物濃度を６０ｐｐｍ未満としているのは、この濃度を越えるＰｔ不純物が含まれる複合酸化物原料を用いた場合、上述した理由からイリジウム製坩堝の寿命が極端に短くなるからである。そして、イリジウム製坩堝の寿命を延ばすには、当然のことながらＰｔ不純物濃度が低ければ低い程、良好であることは言うまでもない。
【００３６】
（Ｂ）イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定すること。
【００３７】
本発明に係る複合酸化物単結晶の製造方法においては、更に、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定することを特徴としている。
【００３８】
また、イリジウム製坩堝の温度が１０００℃を超えて原料が融解している温度域にあるときは、イリジウム製坩堝が配置された育成炉内の雰囲気を、酸素を含む不活性ガス雰囲気に設定することが好ましい。酸素を含む不活性ガス雰囲気に設定するのは、以下の理由による。すなわち、１０００℃を超えて原料が融解している温度域にあるときは、通常の単結晶育成の場合と同様、複合酸化物原料の昇華、還元や酸化イリジウム製介在物の発生等が起こって良質な単結晶が得られなくなるからである。ここで、不活性ガスに含まれる酸素濃度は、ＧＧＧやＬＴ等の単結晶育成時に用いられる酸素濃度であり、通常、０．５〜３体積％である。尚、上記不活性ガス雰囲気としては、窒素雰囲気、アルゴン（Ａｒ）等の不活性雰囲気が例示される。但し、単結晶育成中において上記雰囲気を維持するためには多量のガスを使用することが必要で、アルゴン等の高価なガスを使用することは実用的ではなく、工業的には安価な窒素を用いることが好ましい。
【００３９】
また、育成炉内における単結晶育成前の昇温過程と単結晶育成後の降温過程においても、上記イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるときは、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定することを要する。この理由は、上述したようにイリジウム製坩堝が部分的に酸化されてしまうからである。すなわち、３００℃〜１０００℃の温度域を、単結晶育成時と同様、酸素を含む雰囲気にすると、比較的早期の段階でイリジウム製坩堝にクラックが発生して坩堝の使用ができなくなるからである。尚、不活性ガス雰囲気として窒素雰囲気が選択された場合、工業用窒素には、通常、１０ｐｐｍ程度以下の酸素が含まれることから、１０ｐｐｍ以下の不純物としての酸素は許容される。また、３００℃〜１０００℃の温度域においては酸化物の昇華や還元はほとんど起こらないため、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定しても得られる単結晶の品質に特に問題は生じない。
【００４０】
上記イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、イリジウム製坩堝が配置された育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定する理由は、上述したように３００℃〜１０００℃の温度域でイリジウム製坩堝が酸化されて部分的に酸化イリジウムとなり、かつ、１０００℃を超える結晶育成の温度域において上記酸化イリジウムの還元が起こり、酸化と還元によりイリジウム製坩堝の粒界が膨張、収縮して上記クラックが発生してしまう現象を回避するためである。
【００４１】
尚、上記イリジウム製坩堝の温度については、育成炉に設けた窓を通して放射温度計を用いる等の手段を用い計測することができる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明の技術的内容が以下の実施例により限定されるものではない。
【００４３】
［実施例１］
ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）結晶用の原料として、５０．３重量％のＧｄ3Ｏ3、３８．５重量％のＧａ2Ｏ3、８．１重量％のＺｒＯ2、１．８重量％のＣａＯ、１．３重量％のＭｇＯを適用し、これ等原料粉末を攪拌機で混合した後、ビニール袋に詰め、更にゴム型に入れ、かつ、ＣＩＰ装置に収容して原料粉末の成形体を作製した。
【００４４】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められたＰｔ坩堝内に、作製された成形体を上記坩堝の壁面に成形体が接触しないように挿入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【００４５】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料についてＰｔの濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も６０ｐｐｍ未満であった。
【００４６】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【００４７】
すなわち、育成炉内に配置された外径φ１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍ、厚さ２ｍｍであるイリジウム製坩堝の温度が、３００℃〜１０００℃の温度域、および、１０００℃を超えて１４００℃の温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が１４００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【００４８】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域にあるときも、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定した。
【００４９】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施した。
【００５０】
そして、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【００５１】
その結果、６７ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【００５２】
［実施例２］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５４．０重量％のＧｄ3Ｏ3、４６．０重量％のＧａ2Ｏ3を適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【００５３】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められたＰｔ坩堝内に、作製された成形体を上記坩堝の壁面に成形体が接触しないように挿入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【００５４】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料についてＰｔの濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も６０ｐｐｍ未満であった。
【００５５】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【００５６】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、３００℃〜１０００℃の温度域、および、１０００℃を超えて１２００℃の温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が１２００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【００５７】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域にあるときも、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定した。
【００５８】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【００５９】
その結果、５３ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【００６０】
［実施例３］
ＬＴ（タンタル酸リチウム）結晶用の原料として、８６．４重量％のＴａ2Ｏ3、１３．６重量％のＬｉ2ＣＯ3を適用し、これ等原料粉末を攪拌機で混合した後、実施例１と同様に、ＣＩＰ装置を用いて原料粉末の成形体を作製した。
【００６１】
次に、ＬＴ基板が敷き詰められたＰｔ坩堝内に、作製された成形体を上記坩堝の壁面に成形体が接触しないように挿入し、この状態で、大気中、１５００℃、１５時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【００６２】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料についてＰｔの濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も６０ｐｐｍ未満であった。
【００６３】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＬＴ単結晶（融点：１７５０℃）の育成を実施した。
【００６４】
すなわち、育成炉内に配置された外径φ１５０ｍｍ、高さ１５０ｍｍ、厚さ２ｍｍであるイリジウム製坩堝の温度が、３００℃〜１０００℃の温度域、および、１０００℃を超えて１２００℃の温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が１２００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、２体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＬＴ単結晶の育成を行なった。
【００６５】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域にあるときも、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定した。
【００６６】
また、ＬＴ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【００６７】
その結果、５８ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【００６８】
［比較例１］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５０．３重量％のＧｄ3Ｏ3、３８．５重量％のＧａ2Ｏ3、８．１重量％のＺｒＯ2、１．８重量％のＣａＯ、１．３重量％のＭｇＯを適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【００６９】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【００７０】
尚、実施例１と同様、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も１１３〜２５８ｐｐｍであった。
【００７１】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【００７２】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域、３００℃〜１０００℃の温度域、１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域（全ての温度域）にあるとき、育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【００７３】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【００７４】
そして、３ロットのＧＧＧ単結晶の育成後においてクラックの発生が認められ、それ以上の結晶の育成を断念した。
【００７５】
［比較例２］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５４．０重量％のＧｄ3Ｏ3、４６．０重量％のＧａ2Ｏ3を適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【００７６】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【００７７】
尚、実施例１と同様、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も９９〜２９４ｐｐｍであった。
【００７８】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【００７９】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域、３００℃〜８００℃の温度域にあるときは、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、イリジウム製坩堝の温度が８００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【００８０】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【００８１】
そして、５ロットのＧＧＧ単結晶の育成後においてクラックの発生が認められ、それ以上の結晶の育成を断念した。
【００８２】
［比較例３］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５０．３重量％のＧｄ3Ｏ3、３８．５重量％のＧａ2Ｏ3、８．１重量％のＺｒＯ2、１．８重量％のＣａＯ、１．３重量％のＭｇＯを適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【００８３】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【００８４】
尚、実施例１と同様、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も７５〜５８１ｐｐｍであった。
【００８５】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【００８６】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、４００℃〜１０００℃の温度域にあるときは、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から４００℃未満の温度域、１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【００８７】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【００８８】
そして、１４ロットのＧＧＧ単結晶の育成後においてクラックの発生が認められ、それ以上の結晶の育成を断念した。
【００８９】
［比較例４］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５０．３重量％のＧｄ3Ｏ3、３８．５重量％のＧａ2Ｏ3、８．１重量％のＺｒＯ2、１．８重量％のＣａＯ、１．３重量％のＭｇＯを適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【００９０】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【００９１】
尚、実施例１と同様、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も８１〜３４２ｐｐｍであった。
【００９２】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【００９３】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、８００℃〜１０００℃の温度域にあるときは、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から８００℃未満の温度域、１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【００９４】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【００９５】
そして、７ロットのＧＧＧ単結晶の育成後においてクラックの発生が認められ、それ以上の結晶の育成を断念した。
【００９６】
［比較例５］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５０．３重量％のＧｄ3Ｏ3、３８．５重量％のＧａ2Ｏ3、８．１重量％のＺｒＯ2、１．８重量％のＣａＯ、１．３重量％のＭｇＯを適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【００９７】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【００９８】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も８２〜３２０ｐｐｍであった。
【００９９】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【０１００】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域、３００℃〜１０００℃の温度域、１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域（全ての温度域）にあるとき、育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【０１０１】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１０２】
そして、８ロットのＧＧＧ単結晶の育成後においてクラックの発生が認められ、それ以上の結晶の育成を断念した。
【０１０３】
［比較例６］
ＬＴ結晶用の原料として、８６．４重量％のＴａ2Ｏ3、１３．６重量％のＬｉ2ＣＯ3を適用し、かつ、実施例３と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【０１０４】
次に、ＬＴ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１５００℃、１５時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１０５】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も７０〜６２０ｐｐｍであった。
【０１０６】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＬＴ単結晶（融点：１７５０℃）の育成を実施した。
【０１０７】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域、３００℃〜１０００℃の温度域、１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域（全ての温度域）にあるとき、育成炉内の雰囲気を、２体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＬＴ単結晶の育成を行なった。
【０１０８】
また、ＬＴ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１０９】
そして、１０ロットのＧＧＧ単結晶の育成後においてクラックの発生が認められ、それ以上の結晶の育成を断念した。
【０１１０】
［比較例７］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５０．３重量％のＧｄ3Ｏ3、３８．５重量％のＧａ2Ｏ3、８．１重量％のＺｒＯ2、１．８重量％のＣａＯ、１．３重量％のＭｇＯを適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【０１１１】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１１２】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も１０８〜３２７ｐｐｍであった。
【０１１３】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【０１１４】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、３００℃〜１０００℃の温度域、および、１０００℃を超えて１４００℃の温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が１４００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【０１１５】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域にあるときも、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定した。
【０１１６】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１１７】
その結果、３２ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【０１１８】
［比較例８］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５０．３重量％のＧｄ3Ｏ3、３８．５重量％のＧａ2Ｏ3、８．１重量％のＺｒＯ2、１．８重量％のＣａＯ、１．３重量％のＭｇＯを適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【０１１９】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１２０】
尚、実施例１と同様、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も１１１〜３２９ｐｐｍであった。
【０１２１】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【０１２２】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、３００℃〜１０００℃の温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、イリジウム製坩堝の温度が１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【０１２３】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域にあるときも、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定した。
【０１２４】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１２５】
その結果、３０ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【０１２６】
［比較例９］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５４．０重量％のＧｄ3Ｏ3、４６．０重量％のＧａ2Ｏ3を適用し、かつ、実施例１と同様の方法により原料粉末の成形体を作製した。
【０１２７】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１２８】
尚、実施例１と同様、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も８９〜３６７ｐｐｍであった。
【０１２９】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【０１３０】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、３００℃〜１０００℃の温度域、および、１０００℃を超えて１２００℃の温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が１２００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【０１３１】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域にあるときも、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定した。
【０１３２】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１３３】
その結果、３２ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【０１３４】
［比較例１０］
ＬＴ結晶用の原料として、８６．４重量％のＴａ2Ｏ3、１３．６重量％のＬｉ2ＣＯ3を適用し、これ等原料粉末を攪拌機で混合した後、実施例１と同様にして原料粉末の成形体を作製した。
【０１３５】
次に、ＬＴ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１５００℃、１５時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１３６】
尚、実施例１と同様、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も７７〜５８２ｐｐｍであった。
【０１３７】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＬＴ単結晶（融点：１７５０℃）の育成を実施した。
【０１３８】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、３００℃〜１０００℃の温度域、および、１０００℃を超えて１２００℃の温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が１２００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、２体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＬＴ単結晶の育成を行なった。
【０１３９】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域にあるときも、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定した。
【０１４０】
また、ＬＴ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１４１】
その結果、３４ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【０１４２】
［比較例１１］
ＬＴ結晶用の原料として、８６．４重量％のＴａ2Ｏ3、１３．６重量％のＬｉ2ＣＯ3を適用し、これ等原料粉末を攪拌機で混合した後、実施例１と同様にして原料粉末の成形体を作製した。
【０１４３】
次に、ＬＴ基板が敷き詰められていないＰｔ坩堝内に、作製された原料粉末の成形体を直接投入し、この状態で、大気中、１５００℃、１５時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１４４】
尚、実施例１と同様、得られた複数ロットの複合酸化物原料におけるＰｔ濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も７３〜６１６ｐｐｍであった。
【０１４５】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＬＴ単結晶（融点：１７５０℃）の育成を実施した。
【０１４６】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、３００℃〜１０００℃の温度域、および、１０００℃を超えて１５００℃の温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定し、かつ、イリジウム製坩堝の温度が１５００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域にあるときは、上記育成炉内の雰囲気を、２体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＬＴ単結晶の育成を行なった。
【０１４７】
尚、イリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域にあるときも、上記育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない窒素雰囲気に設定した。
【０１４８】
また、ＬＴ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１４９】
その結果、３３ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【０１５０】
［比較例１２］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５０．３重量％のＧｄ3Ｏ3、３８．５重量％のＧａ2Ｏ3、８．１重量％のＺｒＯ2、１．８重量％のＣａＯ、１．３重量％のＭｇＯを適用し、実施例１と同様にして原料粉末の成形体を作製した。
【０１５１】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められたＰｔ坩堝内に、作製された成形体を上記坩堝の壁面に成形体が接触しないように挿入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１５２】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料についてＰｔの濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も６０ｐｐｍ未満であった。
【０１５３】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【０１５４】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域、３００℃〜１０００℃の温度域、１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域（全ての温度域）にあるとき、育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【０１５５】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施し、かつ、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１５６】
その結果、３１ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【０１５７】
［比較例１３］
ＧＧＧ結晶用の原料として、５４．０重量％のＧｄ3Ｏ3、４６．０重量％のＧａ2Ｏ3を適用し、これ等原料粉末を攪拌機で混合した後、ビニール袋に詰め、更にゴム型に入れ、かつ、ＣＩＰ装置に収容して原料粉末の成形体を作製した。
【０１５８】
次に、ＧＧＧ基板が敷き詰められたＰｔ坩堝内に、作製された成形体を上記坩堝の壁面に成形体が接触しないように挿入し、この状態で、大気中、１３５０℃、６時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１５９】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料についてＰｔの濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も６０ｐｐｍ未満であった。
【０１６０】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＧＧＧ単結晶（融点：１８５０℃）の育成を実施した。
【０１６１】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域、３００℃〜１０００℃の温度域、１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域（全ての温度域）にあるとき、育成炉内の雰囲気を、１体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＧＧＧ単結晶の育成を行なった。
【０１６２】
また、ＧＧＧ単結晶の育成は、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施した。
【０１６３】
そして、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１６４】
その結果、３３ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【０１６５】
［比較例１４］
ＬＴ結晶用の原料として、８６．４重量％のＴａ2Ｏ3、１３．６重量％のＬｉ2ＣＯ3を適用し、これ等原料粉末を攪拌機で混合した後、実施例１と同様にして原料粉末の成形体を作製した。
【０１６６】
次に、ＬＴ基板が敷き詰められたＰｔ坩堝内に、作製された成形体を上記坩堝の壁面に成形体が接触しないように挿入し、この状態で、大気中、１５００℃、１５時間仮焼して、複合酸化物化がある程度進行した複合酸化物の原料を得た。
【０１６７】
尚、得られた複数ロットの複合酸化物原料についてＰｔの濃度を分析したところ、いずれの複合酸化物原料も６０ｐｐｍ未満であった。
【０１６８】
こうして得られた複合酸化物の原料とイリジウム製坩堝を用い、Ｃｚ法によるＬＴ単結晶（融点：１７５０℃）の育成を実施した。
【０１６９】
すなわち、育成炉内に配置されたイリジウム製坩堝の温度が、初期温度から３００℃未満の温度域、３００℃〜１０００℃の温度域、１０００℃を超えて原料が融解するまでの温度域、および、原料が融解している温度域（全ての温度域）にあるとき、育成炉内の雰囲気を、２体積％の酸素を含む窒素雰囲気に設定してＣｚ法によるＬＴ単結晶の育成を行なった。
【０１７０】
また、ＬＴ単結晶の育成は、実施例１と同様、イリジウム製坩堝に複合酸化物の原料を追加しながら何度も繰り返し実施した。
【０１７１】
そして、単結晶の育成後に、イリジウム製坩堝の外観を観察してクラック発生の有無を確認した。
【０１７２】
その結果、３６ロットの単結晶育成後にもクラックの発生がないことを確認できた。
【０１７３】
［評  価］
（１）Ｐｔ濃度が６０ｐｐｍ未満である複合酸化物原料を適用する要件（Ａ）と、イリジウム製坩堝の温度が３００℃〜１０００℃の温度域にあるとき、育成炉内の雰囲気を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気に設定する要件（Ｂ）を満たす実施例１〜３に係る複合酸化物単結晶の製造方法は、５３ロット〜６７ロットの単結晶育成後においてもイリジウム製坩堝にクラックが発生しておらず、イリジウム製坩堝の長寿命化が飛躍的に改善されていることが確認される。
【０１７４】
（２）一方、上記要件（Ａ）と（Ｂ）を満たさない比較例１〜６に係る複合酸化物単結晶の製造方法は、３ロット〜１４ロットの単結晶育成後においてクラックの発生が認められ、実施例１〜３に係る複合酸化物単結晶の製造方法と比較してイリジウム製坩堝の長寿命化が図られていないことが確認される。
【０１７５】
（３）また、上記要件（Ａ）は満たさないが要件（Ｂ）を満たす比較例７〜１１に係る複合酸化物単結晶の製造方法は、３０ロット〜３４ロットの単結晶育成後においてもイリジウム製坩堝にクラックが発生しておらず、比較例１〜６に係る複合酸化物単結晶の製造方法との比較においてイリジウム製坩堝の長寿命化が図られているが、実施例１〜３に係る複合酸化物単結晶の製造方法と較べて若干劣ることも確認される。
【０１７６】
（４）更に、上記要件（Ａ）は満たすが要件（Ｂ）を満たさない比較例１２〜１４に係る複合酸化物単結晶の製造方法は、３１ロット〜３６ロットの単結晶育成後においてもイリジウム製坩堝にクラックが発生しておらず、比較例１〜６に係る複合酸化物単結晶の製造方法との比較においてイリジウム製坩堝の長寿命化が図られているが、実施例１〜３に係る複合酸化物単結晶の製造方法と較べて若干劣ることも確認される。
【０１７７】
（５）また、上記要件（Ａ）は満たさないが要件（Ｂ）を満たす比較例７〜１１に係る複合酸化物単結晶の製造方法と、上記要件（Ａ）は満たすが要件（Ｂ）を満たさない比較例１２〜１４に係る複合酸化物単結晶の製造方法は、上記要件（Ａ）と（Ｂ）を満たさない比較例１〜６に係る複合酸化物単結晶の製造方法との比較において、略同等のイリジウム製坩堝の長寿命化が図られていることも確認される。
【産業上の利用可能性】
【０１７８】
本発明に係る合酸化物単結晶の製造方法によれば、使用開始から比較的早期の段階でイリジウム製坩堝にクラックが発生する現象を回避でき、イリジウム製坩堝の寿命が伸びる分、複合酸化物単結晶基板の製造コストを低減できるため、ガーネット系単結晶やタンタル酸リチウム単結晶の製造に利用される産業上の利用可能性を有している。