(57)【要約】      （修正有）【課題】サイズを抑制しつつ、高精度かつ高速で波長を検出することができる光学素子および波長モニタを提供する。【解決手段】光学素子は、光分岐器１２により入力光を分岐し、互いに光路長の異なる導波路２１、２２を経由した２つの出力を生成する分岐導波部と、２つの出力を合成し、入力光の波長に対して光強度が異なるとともに、互いに位相差を有する２つの光信号として出力する光合成部３０と、を備える。【選択図】図６
2015068854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力光を分岐し、互いに光路長の異なる経路を経由した２つの出力を生成する分岐導波部と、
前記２つの出力を合成し、前記入力光の波長に対して光強度が異なるとともに、互いに位相差を有する２つの光信号として出力する光合成部と、
を備えることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
前記光合成部の出力の位相差は９０°であることを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項３】
前記光合成部は、多モード干渉計を含み構成されてなることを特徴とする請求項１または２記載の光学素子。
【請求項４】
前記光合成部は、４入力４出力の多モード干渉計、２入力２出力の多モード干渉計および光遅延をなす光遅延部の組合せ、あるいは１入力２出力の多モード干渉計および２入力２出力の多モード干渉計の組合せの何れかを含み構成されてなることを特徴とする請求項３記載の光学素子。
【請求項５】
前記分岐導波部および前記光合成部は、同一基板上に集積されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項６】
前記入力光は、光分岐器の出力の一端と接続され、前記光分岐器の他端は前記入力光の強度を示す信号として出力されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光学素子。
【請求項７】
入力光を分岐し、互いに光路長の異なる経路を経由した２つの出力を生成する分岐導波部と、
前記２つの出力を合成し、前記入力光の波長に対して光強度が異なるとともに、互いに位相差を有する２つの光信号として出力する光合成部と、
前記光合成部から出力される２つの信号に対応して設けられた、第１モニタおよび第２モニタと、
を備えることを特徴とする波長モニタ。
【請求項８】
前記分岐導波部と前記光合成部の温度を指示された温度に保持する温度制御装置を更に備えることを特徴とする請求項７記載の波長モニタ。
【請求項９】
第３モニタと、
一端が前記分岐導波部と接続され、他端が前記第３モニタに接続される光分岐器を更に備えることを特徴とする請求項７または８記載の波長モニタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子および波長モニタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
波長周期性を持った光フィルタを透過する光をモニタする第１のフォトダイオード、光フィルタに入射する全光パワーをモニタする第２のフォトダイオードを備え、これら２つのフォトダイオードの出力を用いて波長をモニタする技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、単体のエタロンフィルタから振幅周期が相対的にπ／２ずれた２つの光透過特性を実現する光フィルタ手段を透過した２つの光ビーム出力をモニタする２つのフォトダイオードの出力を用いて波長をモニタする技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３０８４４４号公報
【特許文献２】特開２００２−２０２１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の技術では、透過特性の山または谷に相当する波長が不感帯となり、当該不感帯では波長をモニタすることが困難である。任意の波長をモニタするためには、エタロンフィルタの温度または角度を変えて透過特性の山または谷の位置をシフトさせる必要があり、高速動作が困難となる。特許文献２の技術では、ビームの入射角度を０．１°以下の精度で制御する必要がある。また、π／２の位相差を生じさせるために各エタロンの温度を独立して制御するためには、２つの温度制御装置が必要となり、サイズの問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、サイズを抑制しつつ、高精度かつ高速で波長を検出することができる光学素子および波長モニタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光学素子は、入力光を分岐し、互いに光路長の異なる経路を経由した２つの出力を生成する分岐導波部と、前記２つの出力を合成し、前記入力光の波長に対して光強度が異なるとともに、互いに位相差を有する２つの光信号として出力する光合成部と、を備えることを特徴とする。前記光合成部の出力の位相差は９０°としてもよい。前記光合成部は、多モード干渉計を含み構成されていてもよい。前記光合成部は、４入力４出力の多モード干渉計、２入力２出力の多モード干渉計および光遅延をなす光遅延部の組合せ、あるいは１入力２出力の多モード干渉計および２入力２出力の多モード干渉計の組合せの何れかを含み構成されていてもよい。前記分岐導波部および前記光合成部は、同一基板上に集積されていてもよい。前記入力光は、光分岐器の出力の一端と接続され、前記光分岐器の他端は前記入力光の強度を示す信号として出力されてもよい。
【０００８】
本発明に係る波長モニタは、入力光を分岐し、互いに光路長の異なる経路を経由した２つの出力を生成する分岐導波部と、前記２つの出力を合成し、前記入力光の波長に対して光強度が異なるとともに、互いに位相差を有する２つの光信号として出力する光合成部と、前記光合成部から出力される２つの信号に対応して設けられた、第１モニタおよび第２モニタと、を備えることを特徴とする。前記分岐導波部と前記光合成部の温度を指示された温度に保持する温度制御装置を更に備えていてもよい。第３モニタと、一端が前記分岐導波部と接続され、他端が前記第３モニタに接続される光分岐器を更に備えていてもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、サイズを抑制しつつ、高精度かつ高速で波長を検出することができる光学素子および波長モニタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】比較例１に係る波長モニタの構成例を示す図である。
【図２】エタロンの透過特性を表す図である。
【図３】比較例２に係る波長モニタの構成例を示す図である。
【図４】第１エタロンおよび第２エタロンの透過特性を示す図である。
【図５】図４の２つの透過特性の微分係数を示したグラフである。
【図６】実施例１に係る波長モニタの全体構成を示す図である。
【図７】（ａ）は導波路型デバイスを構成するチップサイズを表す図であり、（ｂ）は、導波路の製造プロセスの一例を表す図である。
【図８】９０°ハイブリッドの一例を表す図である。
【図９】９０°ハイブリッドの他の例を表す図である。
【図１０】９０°ハイブリッドの他の例を表す図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は各部のサイズの一例を表す図である。
【図１２】波長モニタを用いた波長制御システムの構成を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
インターネットトラフィックの爆発的な増大に応える大容量光通信システムを実現するため、より効率の良い波長資源の利用が必要となっている。現在では、一定の１００ＧＨｚまたは５０ＧＨｚ間隔で波長を並べて伝送する固定グリッド方式が主流である。しかしながら、ＩＴＵ−Ｔ  Ｇ．６９４．１で規定されているような６．２５ＧＨｚの整数倍の波長の利用を許したフレックスグリッドシステムや、任意の波長を使用するグリッドレスシステムの導入が検討され始めている。
【００１２】
このようなシステムで使用される波長可変光源は、発振波長の安定化のため波長モニタと組み合わせて使用されることが多い。この場合、波長モニタで波長可変光源の出力波長をモニタし、そのモニタ出力を使って光源を負帰還制御することで出力波長を安定化させることができる。
【００１３】
図１は、比較例１に係る波長モニタ２００の構成例を示す図である。図１に示すように、波長可変光源からの入力光がビームスプリッタ２０１に入射する。ビームスプリッタ２０１から出射される２分岐光のうち一方は、エタロン２０２を透過して第１受光素子２０３に入射し、他方は、エタロンを透過せずに第２受光素子２０４に入射する。エタロン２０２の透過特性は、周波数に対して周期的に変化する。エタロン２０２を用いることで、周波数変動が光強度変動に変化する。したがって、第１受光素子２０３の出力と第２受光素子２０４の出力との比を検出することによって、入力光の波長をモニタすることができる。
【００１４】
図２は、エタロン２０２の透過特性を表す図である。図２の実線で示すように、エタロン２０２の透過光強度のピークは、周波数に対して周期的に表れる。周波数変動を強度変動に変換するためには、透過特性のスロープ部分（例えばＡ点）を使って波長をモニタすることが望ましい。周波数に対する強度変動が大きいからである。
【００１５】
５０ＧＨｚ固定グリッドシステムにおいてＦＳＲ（自由スペクトル領域）＝５０ＧＨｚのエタロンを使用すれば、すべての波長でほぼ同じスロープ特性を利用することができる。この際、エタロン２０２は波長基準（周波数基準）となるよう正確な特性を持つことが要求される。エタロン２０２の透過特性は温度に応じて変化するため、所望の透過特性が得られるように、エタロン２０２の温度は、例えば温度制御装置２０５によって一定に制御される。温度制御装置２０５は、例えばＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｏｌｅｒ）であり、ペルチェ素子を含む。
【００１６】
波長モニタ２００をフレックスグリッドシステムやグリッドレスシステムに適用しようとすると、例えば、波長モニタ位置が図２の点Ｂにずれることがある。エタロン２０２の透過特性の山あるいは谷の部分では、周波数変動を強度変動に変換する微分利得が小さくなる。このような領域では波長制御が困難となる（あるいはこのような領域は不感帯となる）。
【００１７】
波長モニタ２００においてこのような不感帯を無くすためには、エタロン２０２の温度を変える、あるいはエタロン２０２の角度を変えることで、エタロン２０２の透過特性を図２の実線から破線にずらす必要がある。これにより、波長モニタ位置がスロープ部分の点Ｃとなり、点Ａと同様の微分利得が得られるからである。しかしながら、エタロン２０２の動作状態を変更するために、温度制御に時間を要する他、消費電力の点でも不利である。
【００１８】
また、エタロン２０２のＦＳＲを小さくすることで、波長設定可能な分解能を高めることが可能であるが、この場合にはエタロン２０２の厚さが大きくなってしまう。例えば、石英材料でＦＳＲ=５０ＧＨｚのエタロンの厚さは約２ｍｍであるが、ＦＳＲ＝５０ＧＨｚ→１２．５ＧＨｚで厚さが４倍になる。また、波長制御可能な範囲も狭くなってしまうため、限界がある。これは、周期フィルタを使った波長モニタでは波長範囲がＦＳＲ／２を超える波長変化をモニタできないためである。
【００１９】
このような課題に鑑み、比較例２に係る波長モニタ３００が考えられる。図３は、波長モニタ３００の構成例を示す図である。図３に示すように、波長可変光源からの入力光がビームスプリッタ３０１に入射する。ビームスプリッタ３０１から出射される２分岐光のうち一方は、ビームスプリッタ３０２に入射する。ビームスプリッタ３０２から出射される２分岐光のうち一方は、第１エタロン３０３を透過して第１受光素子３０４に入射し、他方は、第２エタロン３０５を透過して第２受光素子３０６に入射する。ビームスプリッタ３０１から出射される２分岐光のうち他方は、エタロンを透過せずに第３受光素子３０７に入射する。
【００２０】
図４は、第１エタロン３０３および第２エタロン３０５の透過特性を示す図である。図４において、破線は第１受光素子３０４の出力を表す。実線は第２受光素子３０６の出力を表す。図４に示すように、第１エタロン３０３および第２エタロン３０５は、同じＦＳＲを有している。第１エタロン３０３および第２エタロン３０５の透過特性は、周波数方向において、ＦＳＲ／４（位相ではπ／２）ずれるように設定されている。それにより、第１エタロン３０３および第２エタロン３０５の透過特性の山および谷の位置は、重ならないようになる。こうすることで、例えば第１受光素子３０４の出力が第１エタロン３０３の透過特性の山あるいは谷に近くなった場合（不感帯になった場合）に第２受光素子３０６の出力を波長制御信号生成に用いればよい。逆に、第２受光素子３０６の出力が不感帯になった場合に第１受光素子３０４の出力を用いればよい。このような動作によって、全波長域で不感帯を無くすことができる。
【００２１】
図５は、図４に示した２つの透過特性の微分係数を示したグラフである。Ａ→Ｂでは、第１受光素子３０４の出力（微分係数は正）を、Ｂ→Ｃでは第２受光素子３０６の出力（微分係数は正）を、Ｃ〜Ｄでは第１受光素子３０４の出力（微分係数は負）を、Ｄ→Ａでは第２受光素子３０６の出力（微分係数は負）を使うことで微分利得の大きな箇所を使いながら波長制御が可能となる。
【００２２】
波長モニタ３００では、制御する波長によって２つのエタロン出力のいずれか一方または両方を使うことでエタロンの動作状態（温度、角度等）を一定に保ったままでＦＳＲ／２の範囲で任意の波長のモニタが可能となる。なお、第３受光素子３０７の出力は、波長変動と入力パワー変動を識別するために用いられる。
【００２３】
しかしながら、２つの同構成のエタロンで入射角度を変えて互いの位相関係をπ／２ずらす場合、その入射角度精度として０．１°以下が要求される。入射角度精度が低いと、特定の波長でモニタ感度が低下し、不感体が生じる。このような角度を光学部品の実装精度のみで安定して実現するのは非常に困難である。あるいは、同構成のエタロンを２つ用い、それぞれのエタロン温度を例えばＴＥＣ等により独立して制御することで互いの位相関係を調整することも可能である。しかしながら、この場合は２つのＴＥＣが必要となり、波長モニタの小型化が困難となる。
【００２４】
以下の実施例では、サイズを抑制しつつ、高精度かつ高速で波長をモニタすることができる波長モニタについて説明する。
【実施例１】
【００２５】
図６は、実施例１に係る波長モニタ１００の全体構成を示す図である。図６に示すように、波長モニタ１００は、第１光分岐器１１、第２光分岐器１２、第１導波路２１、第２導波路２２、９０°ハイブリッド３０、第１受光素子４１、第２受光素子４２、第３受光素子４３、ＴＩＡ（トランスインピーダンス増幅器）５１〜５３などを備える。
【００２６】
第１光分岐器１１から出射される２分岐光のうち一方は、第２光分岐器１２に入射し、他方は、第３受光素子４３に入射する。第３受光素子４３の光電変換によって得られる電流信号は、ＴＩＡ５３に入力される。ＴＩＡ５３は、第３受光素子４３が出力する電流信号を電圧信号に変換する。第１光分岐器１１から第３受光素子４３に至るまでの間に、波長フィルタ等が配置されていないことから、ＴＩＡ５３の出力を検出することによって、入力光のパワーを、波長依存性無く検出することができる。ＴＩＡ５３の出力は、波長変動と入力光パワー変更との識別のために用いることができる。
【００２７】
第２光分岐器１２から出射される２分岐光のうち一方は、第１導波路２１を経由して９０°ハイブリッド３０の一方の入力端に入射する。第２光分岐器１２から出射される２分岐光のうち他方は、第２導波路２２を経由して９０°ハイブリッド３０の他方の入力端に入射する。第１導波路２１および第２導波路２２は、互いに異なる光路長を有する。それにより、第１導波路２１と第２導波路２２との間に、伝搬遅延差（位相差）が設けられる。この２つの導波路の位相差により、波長に対して周期的に透過強度が変化する光フィルタ特性が実現され、当該位相差は光フィルタのＦＳＲを決定する。すなわち、第１導波路２１および第２導波路２２は、周波数変動を光強度変動に変換する機能を有する。
【００２８】
ここで、第１導波路２１の光学長と第２導波路２２の光学長との差をΔＬとし、第１導波路２１および第２導波路２２の屈折率をｎとし、光速をｃとすると、ＦＳＲは以下のように表すことができる。
ＦＳＲ＝ｃ／（ｎ×ΔＬ）
【００２９】
９０°ハイブリッド３０は、図４に示したような、波長軸に対して位相関係がπ／２ずれた２つのフィルタ特性を生成する。９０°ハイブリッド３０から出力される一方の光信号は、第１受光素子４１に入射し、他方の光信号は、第２受光素子４２に入射する。第１受光素子４１の光電変換によって得られる電流信号は、ＴＩＡ５１に入力される。ＴＩＡ５１は、第１受光素子４１が出力する電流信号を電圧信号に変換する。第２受光素子４２の光電変換によって得られる電流信号は、ＴＩＡ５２に入力される。ＴＩＡ５２は、第２受光素子４２が出力する電流信号を電圧信号に変換する。ＴＩＡ５１およびＴＩＡ５２の出力のうち、どちらか、あるいは両方をモニタすることで、任意の波長に対する変動量をモニタすることができる。
【００３０】
本実施例によれば、比較例１のような波長フィルタの動的な温度制御が不要である。それにより、光速な波長検出が可能である。また、比較例２のような入射角度調整が不要となる。それにより、高精度な波長検出が可能である。波長フィルタの温度調整用の温度制御装置を複数備える必要もないことから、サイズを抑制することができる。以上のことから、本実施例によれば、サイズを抑制しつつ、高精度かつ高速で波長を検出することができる波長モニタを提供することができる。
【００３１】
波長モニタ１００においては、第２光分岐器１２、第１導波路２１、第２導波路２２、および９０°ハイブリッド３０が導波路型デバイスで実現されていてもよい。この場合、半導体プロセスによりシリコン基板やＩｎＰ基板等の化合物半導体基板上にモノリシック集積することが可能である。ＦＳＲおよび９０°ハイブリッド３０により生成される２つの信号の位相差は、半導体プロセスの精度により決まる。したがって、光学部品実装精度により決まる従来の波長モニタと比較して、安定した特性を得ることができる。なお、光入力モニタのための第１光分岐器１１、第１受光素子４１、第２受光素子４２、および第３受光素子４３も同様に集積してもよい。
【００３２】
図７（ａ）は、第１光分岐器１１、第２光分岐器１２、第１導波路２１、第２導波路２２、および９０°ハイブリッド３０が１チップ内に設けられることによって導波路型デバイスを構成する場合のチップサイズを表す図である。図７（ａ）に示すように、一例として、１．２ｍｍ×０．５ｍｍのチップ内に第１光分岐器１１、第２光分岐器１２、第１導波路２１、第２導波路２２、および９０°ハイブリッド３０が集積化されていてもよい。
【００３３】
図７（ｂ）は、導波路の製造プロセスの一例を表す図である。図７（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板上に、２μｍのＳｉＯ２層を形成し、その上に２２０ｎｍのＳｉ層を形成する。次に、Ｓｉ層に対してエッチング処理を行うことによって、導波路部分を形成する。その後、Ｓｉ層を覆うようにＳｉＯ２層を形成する。それにより、各導波路部分が形成される。なお、ＳｉＯ２層全体の厚みは、４μｍ程度である。なお、導波路は、例えばＩｎＰなどの半導体材料で形成されてもよい。
【００３４】
波長モニタ１００では、温度変動に対して光フィルタのＦＳＲ、２つの光フィルタ特性の位相差が変動することも考えられる。しかしながら、第１導波路２１、第２導波路２２、および９０°ハイブリッド３０が形成されている基板の温度をＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｏｌｅｒ）等の温度制御装置６０で一定に保つことで容易に達成される。波長モニタ１００を、小型のモノリシック集積素子で実現できれば、温調制御に伴う消費電力も削減可能である。
【００３５】
波長モニタ１００は、半導体プロセスにより同じＦＳＲで位相差が互いにπ／２ずれた光透過特性を作り出すことができる。それにより、光学部品実装により実現される従来の波長モニタと比較して特性が安定するほか、モノリシック集積が可能であることから、量産性の大幅な向上、および小型化・低消費電力化が可能である。
【００３６】
図８は、９０°ハイブリッド３０の一例を表す図である。図８に示すように、９０°ハイブリッド３０は、４つの２×２ＭＭＩカプラ３１〜３４と、９０°遅延部３５とを備えていてもよい。９０°遅延部３５は、９０度位相が遅れる長さの導波路である。第２光分岐器１２には、１×２ＭＭＩカプラを用いる。ＭＭＩとは、マルチモード干渉計（Ｍｕｌｔｉ  Ｍｏｄｅ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）である。１×２ＭＭＩでは、２つの出力端から出力される信号間において、位相差が生じない。２×２ＭＭＩでは、入力に対してバー側（まっすぐ進む側）とクロス側（斜めに進む側）とでπ／２の位相差が生じる。
【００３７】
第１導波路２１は、２×２ＭＭＩカプラ３１の一方の入力端に接続されている。第２導波路２２は、２×２ＭＭＩカプラ３２の一方の入力端に接続されている。２×２ＭＭＩカプラ３１の第１導波路２１に対するバー側の出力は、２×２ＭＭＩカプラ３３の一方の入力端に接続され、クロス側の出力は、２×２ＭＭＩカプラ３４の一方の入力端に接続されている。２×２ＭＭＩカプラ３２の第２導波路２２に対するクロス側の出力は、２×２ＭＭＩカプラ３３の他方の入力端に接続され、バー側の出力は、９０°遅延部３５を介して２×２ＭＭＩカプラ３４の他方の入力端に接続されている。第１受光素子４１は、２×２ＭＭＩカプラ３３の２×２ＭＭＩカプラ３１の出力に対するクロス側の一方の出力端から出力された出力光を受光する。第２受光素子４２は、２×２ＭＭＩカプラ３４の２×２ＭＭＩカプラ３２の出力に対するバー側の一方の出力端から出力された出力光を受光する。この構成により、第１受光素子４１および第２受光素子４２は、互いに９０°の位相差を有する２つの信号を受光する。なお、２×２ＭＭＩカプラ３１の他方の入力端に接続されている導波路、２×２ＭＭＩカプラ３２の他方の入力端に接続されている導波路、２×２ＭＭＩカプラ３３の他方の出力端に接続されている導波路、および２×２ＭＭＩカプラ３４の他方の出力端に接続されている導波路の終端部がどこにも接続されない。いわゆる自由空間端である。また、これらの導波路の終端部には、光吸収部が接続されていてもよい。
【００３８】
図９は、９０°ハイブリッド３０の他の例を表す図である。図９に示すように、２×２ＭＭＩカプラ３２の代わりに１×２ＭＭＩカプラ３６が備わっており、９０°遅延部３５が備わっていなくてもよい。図１０は、９０°ハイブリッド３０の他の例を表す図である。図１０に示すように、９０°ハイブリッド３０として４×４ＭＭＩカプラ３７を用いてもよい。この場合、４×４ＭＭＩカプラ３７のうち、位相差がπ／２となるように入力端と出力端を選択すればよい。
【００３９】
入力光パワーモニタの方法として、第１光分岐器１１の分岐光をモニタする方法だけでなく、９０°ハイブリッド３０から出力される位相がπずれた２つの信号の和をモニタしてもよい。例えば、４×４ＭＭＩカプラでは４つの出力端からの出力和をとることで、全パワーをモニタすることが可能であるが、４つの出力端の位相関係がそれぞれ０、π／２、π、３π／２となっているため、それぞれ位相差がπの関係にある２つの出力の和をとることで、全パワーをモニタすることができる。
【００４０】
図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、各部のサイズの一例を表す図である。図１１（ａ）は、導波路部のサイズを表す。図１１（ａ）に示すように、導波路部は、５００ｎｍの幅で２２０ｎｍの厚みを有していてもよい。図１１（ｂ）は、１×２ＭＭＩカプラのサイズを表す。図１１（ｂ）に示すように、１×２ＭＭＩは、３μｍの長さ、２μｍの幅で２２０ｎｍの厚みを有していてもよい。図１１（ｃ）は、２×２ＭＭＩカプラのサイズを表す。図１１（ｃ）に示すように、２×２ＭＭＩカプラは、１４μｍの長さ、２μｍの幅で２２０ｎｍの厚みを有していてもよい。図１１（ｄ）は、４×４ＭＭＩカプラのサイズを表す。図１１（ｄ）に示すように、４×４ＭＭＩカプラは、１８３μｍの長さ、１０μｍの幅で２２０ｎｍの厚みを有していてもよい。
【００４１】
図１２は、波長モニタ１００を用いた波長制御システムの構成を表す図である。図１２に示すように、コントローラ１１０は、波長モニタ１００の出力に応じて、波長可変光源１２０の出力波長を求める。コントローラ１１０は、求めた波長が所望の波長になるように、波長可変光源１２０を制御する。それにより、波長可変光源１２０の出力波長を所望の波長に制御することができる。
【００４２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１１  光分岐器
１２  光分岐器
２１  第１導波路
２２  第２導波路
３０  ９０°ハイブリッド
４１  第１受光素子
４２  第２受光素子
４３  第３受光素子
５１〜５３  ＴＩＡ
６０  温度制御装置
１００  波長モニタ
【図１】
2015068854.tif 000003
【図２】
2015068854.tif 000004
【図３】
2015068854.tif 000005
【図４】
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【図５】
2015068854.tif 000007
【図６】
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【図７】
2015068854.tif 000009
【図８】
2015068854.tif 000010
【図９】
2015068854.tif 000011
【図１０】
2015068854.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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