(57)【要約】【課題】積層された半導体基板間に樹脂を注入する時間の増大が抑制された樹脂注入装置及び樹脂注入方法を提供する。【解決手段】複数の半導体基板が積層された積層基板の半導体基板間に樹脂を真空差圧法によって注入する樹脂注入装置であって、積層基板を格納するチャンバーと、チャンバー内で積層基板を一定の温度に加熱する基板加熱機構と、チャンバー内を減圧する減圧機構とを備え、半導体基板間が樹脂に浸漬された状態でチャンバー内の真空を破ることで樹脂を半導体基板間に注入しながら、基板加熱機構が積層基板を加熱する。【選択図】図１
2015005630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体基板が積層された積層基板の前記半導体基板間に樹脂を真空差圧法によって注入する樹脂注入装置であって、
前記積層基板を格納するチャンバーと、
前記チャンバー内で前記積層基板を一定の温度に加熱する基板加熱機構と、
前記チャンバー内を減圧する減圧機構と
を備え、前記半導体基板間が前記樹脂に浸漬された状態で前記チャンバー内の真空を破ることで前記樹脂を前記半導体基板間に注入しながら、前記基板加熱機構が前記積層基板を加熱することを特徴とする樹脂注入装置。
【請求項２】
前記積層基板が搭載される搭載板を更に備え、
前記基板加熱装置が前記搭載板の温度を上昇させることを特徴とする請求項１に記載の樹脂注入装置。
【請求項３】
前記基板加熱装置が、第１の主面に前記積層基板が搭載された前記搭載板を、前記第１の主面に対向する第２の主面側から加熱することを特徴とする請求項２に記載の樹脂注入装置。
【請求項４】
前記樹脂が充填され、前記チャンバー内に配置された樹脂容器と、
前記樹脂容器を加熱する容器加熱装置と
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の樹脂注入装置。
【請求項５】
前記基板加熱機構が、前記チャンバー内を雰囲気加熱して前記積層基板を加熱することを特徴とする請求項１に記載の樹脂注入装置。
【請求項６】
前記基板加熱機構が、前記チャンバー内に配置された内部加熱装置であることを特徴とする請求項５に記載の樹脂注入装置。
【請求項７】
前記基板加熱機構が、前記一定の温度に設定された温風を前記チャンバー内に送風することを特徴とする請求項５に記載の樹脂注入装置。
【請求項８】
前記半導体基板間の排気を行う排気機構を前記チャンバー内に備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の樹脂注入装置。
【請求項９】
複数の半導体基板が積層された積層基板の前記半導体基板間に樹脂を真空差圧法によって注入する樹脂注入方法であって、
チャンバー内に前記積層基板を格納するステップと、
前記チャンバー内で前記積層基板を一定の温度に加熱するステップと、
前記チャンバー内を減圧するステップと、
前記半導体基板間が前記樹脂に浸漬された状態で前記チャンバー内の真空を破ることにより、前記積層基板を加熱しながら前記樹脂を前記半導体基板間に注入するステップと
を含むことを特徴とする樹脂注入方法。
【請求項１０】
前記積層基板が搭載される搭載板の温度を上昇させることにより、前記積層基板を加熱することを特徴とする請求項９に記載の樹脂注入方法。
【請求項１１】
第１の主面に前記積層基板が搭載された前記搭載板を、前記第１の主面に対向する第２の主面側から加熱することを特徴とする請求項１０に記載の樹脂注入方法。
【請求項１２】
前記樹脂が充填されて前記チャンバー内に配置された樹脂容器を加熱するステップを更に備えることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の樹脂注入方法。
【請求項１３】
前記チャンバー内を雰囲気加熱して前記積層基板を加熱することを特徴とする請求項９に記載の樹脂注入方法。
【請求項１４】
前記チャンバー内に配置された内部加熱装置によって前記チャンバー内を雰囲気加熱することを特徴とする請求項１３に記載の樹脂注入方法。
【請求項１５】
前記一定の温度に設定された温風を前記チャンバー内に送風することによって前記チャンバー内を雰囲気加熱することを特徴とする請求項１３に記載の樹脂注入方法。
【請求項１６】
前記樹脂を前記半導体基板間に注入すると同時に前記半導体基板間を排気することを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか１項に記載の樹脂注入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層された半導体基板間に樹脂を注入する樹脂注入装置及び樹脂注入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路などがそれぞれ形成された複数の半導体基板を積層することによって、３次元半導体集積回路を有する半導体装置を実現できる。このとき、半導体基板間に注入した樹脂を接着剤として使用する方法が採用されている。
【０００３】
樹脂を使用する方法では、減圧したチャンバー内で積層した半導体基板を樹脂に浸漬させ、チャンバー内の真空を破ることによって樹脂を半導体基板間に注入する真空差圧法を採用できる。このとき、保管時に半導体基板に吸収されたガスが放出されることによって半導体基板間の隙間の圧力が上昇し、半導体基板間の隙間の全領域に樹脂を完全に注入することができないという問題があった。このため、樹脂注入中に半導体基板間を排気する方法が提案されている（例えば特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−４３９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、粘度などの樹脂の特性により、樹脂注入に要する時間が増大する。また、積層技術の向上に伴って積層した半導体基板間の隙間が狭くなるに従い、樹脂注入に要する時間が増大する。更に、半導体基板の間隔と樹脂の特性次第では、半導体基板間に樹脂を注入できない。
【０００６】
上記のように樹脂注入に要する時間が増大した場合には、注入中に樹脂の硬化が始まることで樹脂の粘度が高くなる場合がある。その結果、半導体基板間の隙間の全領域に樹脂を完全に注入できないという問題があった。
【０００７】
上記問題点に鑑み、本発明は、積層された半導体基板間に樹脂を注入する時間の増大が抑制された樹脂注入装置及び樹脂注入方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、複数の半導体基板が積層された積層基板の半導体基板間に樹脂を真空差圧法によって注入する樹脂注入装置であって、（イ）積層基板を格納するチャンバーと、（ロ）チャンバー内で積層基板を一定の温度に加熱する基板加熱機構と、（ハ）チャンバー内を減圧する減圧機構とを備え、半導体基板間が樹脂に浸漬された状態でチャンバー内の真空を破ることで樹脂を半導体基板間に注入しながら、基板加熱機構が積層基板を加熱する樹脂注入装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、複数の半導体基板が積層された積層基板の半導体基板間に樹脂を真空差圧法によって注入する樹脂注入方法であって、（イ）チャンバー内に積層基板を格納するステップと、（ロ）チャンバー内で積層基板を一定の温度に加熱するステップと、（ハ）チャンバー内を減圧するステップと、（ニ）半導体基板間が樹脂に浸漬された状態でチャンバー内の真空を破ることにより、積層基板を加熱しながら樹脂を半導体基板間に注入するステップとを含む樹脂注入方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、積層された半導体基板間に樹脂を注入する時間を短縮した樹脂注入装置及び樹脂注入方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂注入装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る樹脂注入装置の基板加熱機構の例を示す模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る樹脂注入装置において半導体基板間の隙間を排気する方法を説明するための模式図である。
【図４】積層基板をシールするシール樹脂膜を示す模式図であり、図４（ａ）は基板主面方向からみた正面図、図４（ｂ）は側面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る樹脂注入装置の動作を説明するための模式図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る樹脂注入方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る樹脂注入装置の構成を示す模式図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る樹脂注入方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】本発明の第２の実施形態の変形例に係る樹脂注入装置の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る樹脂注入装置１は、複数の半導体基板１００が積層された積層基板１１０の半導体基板１００間に、樹脂２００を真空差圧法によって注入する。
【００１４】
図１及び図２に示すように、樹脂注入装置１は、積層基板１１０を格納するチャンバー２０と、チャンバー２０内で積層基板１１０を一定の温度に加熱する基板加熱機構１０と、チャンバー２０内を減圧する減圧機構３０とを備える。減圧機構３０は、チャンバー２０に接続する減圧バルブ３１、及び減圧バルブ３１に接続する真空ポンプ３２を有する。即ち、真空ポンプ３２を駆動し、減圧バルブ３１を開くことで、チャンバー２０内が減圧される。
【００１５】
樹脂注入装置１では、半導体基板１００間が樹脂２００に浸漬された状態でチャンバー２０内の真空を破る。これにより、樹脂２００が半導体基板１００間に注入される。そして、樹脂２００を半導体基板１００間に注入しながら、基板加熱機構１０によって積層基板１１０が加熱される。
【００１６】
一般的に、樹脂２００の温度が高くなると、樹脂２００の粘度が低下する。一方で、温度が高くなると、樹脂２００の硬化速度は増大する。このため、積層基板１１０の温度を、樹脂注入中に樹脂２００が硬化しない範囲で、できるだけ樹脂２００の粘度が低下する温度に設定する。樹脂注入中の積層基板１１０の温度を上げることにより、積層基板１１０の半導体基板１００間に樹脂２００を注入する時間を短縮でき、更に、半導体基板１００間の隙間に樹脂２００を均一に注入することができる。積層基板１１０の温度は、注入する樹脂２００の粘度の温度特性及び硬化速度の温度特性を考慮して設定される。
【００１７】
図１に示した樹脂注入装置１では、搭載板６０の第１の主面６１上に積層基板１１０が搭載されている。そして、基板加熱機構１０が搭載板６０の温度を上昇させることにより、積層基板１１０が所定の温度に加熱される。
【００１８】
図２に示すように、樹脂注入装置１では、搭載板６０の第１の主面６１に対向する第２の主面６２上に、基板加熱機構１０として複数のヒータが配置されている。そして、基板加熱機構１０が第２の主面６２側から搭載板６０を加熱して、積層基板１１０を所定の温度に設定する。
【００１９】
半導体基板１００間の隙間に樹脂２００を均一に注入するためには、積層基板１１０の温度分布が均一であることが必要である。このため、搭載板６０の温度分布が均一になるように、基板加熱機構が配置される。図２では、基板加熱機構１０が４個のヒータによって構成されている例を示したが、搭載板６０の第２の主面６２上に配置されるヒータの数は４個に限定されないことはもちろんであり、ヒータの個数が１個であってもよい。ヒータにはプレート形状のヒータやラインヒータなどを採用可能である。
【００２０】
積層基板１１０を均一に加熱するために、搭載板６０はできるだけ積層基板１１０の全体に接触していることが好ましい。このため、図１に示した例では、積層基板１１０の樹脂２００に浸漬する領域以外の全域に、搭載板６０が接触している。
【００２１】
樹脂注入装置１は、樹脂容器５０を加熱する容器加熱装置５１を更に備える。容器加熱装置５１が樹脂容器５０に充填された樹脂２００を加熱することにより、注入前の状態で樹脂２００の粘度を低下させることができる。樹脂容器５０は、積層基板１１０と同程度に加熱される。
【００２２】
また、樹脂注入中に半導体基板１００間の隙間を排気するために、樹脂注入装置１は排気機構４０を備える。排気機構４０は、積層基板１１０の側周面の上部を覆うシール装置４１、及びシール装置４１に連結する排気ヘッド４２を有する。排気ヘッド４２は、排気バルブ４３を介して真空ポンプ３２に接続される。
【００２３】
図３に示すように、シール装置４１内部では、積層基板１１０の側周面の上方に空間４１０が形成されている。この空間４１０は、積層基板１１０の側周面に沿って半導体基板１００の基板厚さ方向に延伸している。シール装置４１には、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、フッ素ゴム（バイトン）、ポリイミドなどを採用可能である。
【００２４】
シール装置４１内の空間４１０に連結して、排気ヘッド４２に貫通孔（図示略）が設けられ、この貫通孔に排気バルブ４３が接続されている。このため、真空ポンプ３２を駆動させ、排気バルブ４３を開くことによって、半導体基板１００間の隙間が排気される。
【００２５】
排気機構４０は、半導体基板１００間の隙間に樹脂２００を注入するのと同時に、空間４１０を介して半導体基板１００間の隙間を排気する。半導体基板１００間の隙間を排気することによって、半導体基板１００に残留したガスや樹脂注入時に樹脂２００から排出されるガスなどに起因して樹脂注入が阻害されることが防止される。その結果、半導体基板１００間の上方まで隙間全体に樹脂２００を均一に注入できると共に、樹脂注入に要する時間を短縮できる。
【００２６】
なお、図３に示すように、搭載板６０と積層基板１１０との間に、クッション材７０を配置してもよい。搭載板６０に硬い材質を採用した場合にも、クッション材７０によって積層基板１１０へのダメージを軽減することができる。また、搭載板６０と積層基板１１０間にクッション材７０を配置することによって、基板加熱機構１０から積層基板１１０までの距離が長くなり、積層基板１１０の温度分布の均一性を向上することができる。このため、クッション材７０の材料には、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、フッ素ゴム（バイトン）、ポリイミドなどを採用可能である。クッション材７０には熱伝導性の高い材料が好ましい。
【００２７】
基板加熱機構１０によって設定される積層基板１１０の温度は、シール装置４１やクッション材７０などの耐熱性も考慮して設定する必要がある。例えばシール装置４１に耐熱温度が低い材料が使用される場合には、積層基板１１０の設定温度は低く設定され、例えば１００℃以下程度である。
【００２８】
図３に示すように、積層された半導体基板１００は、基板主面の面法線方向に沿って、隣接する半導体基板１００の基板主面が互いに対向して配置されている。半導体基板１００は、例えば、半導体集積回路などがそれぞれ形成されたウェハなどである。積層された半導体基板１００にそれぞれ形成された半導体集積回路を電気的に接続することによって、３次元半導体集積回路を有する半導体装置が構成される。１組の積層基板１１０に含まれる半導体基板１００の枚数は任意であるが、所望の３次元半導体集積回路を構成できるように半導体基板１００が積層される。
【００２９】
半導体基板１００の間隔は、各半導体基板１００にそれぞれ形成された半導体集積回路を相互に電気接続する配線（図示略）を配置できる程度の距離である。例えばバンプによって半導体集積回路間を接続する場合、半導体基板１００間の距離は数μｍ程度である。
【００３０】
半導体基板１００間に注入された樹脂２００が硬化することにより、複数の半導体基板１００が接着された積層基板１１０が形成される。半導体基板１００間に注入された樹脂２００は、接着剤として機能すると共に、積層基板１１０の強度向上、半導体基板１００間の絶縁、放熱などの機能を果たす。
【００３１】
図１〜図３では図示を省略したが、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、積層基板１１０の側周面に形成されたシール樹脂膜３００によって、半導体基板１００間はシールされている。ただし、シール樹脂膜３００の下端部には、樹脂２００を半導体基板１００間に注入するための注入口３０１が形成されている。また、シール樹脂膜３００の上端部には、半導体基板１００間を排気するための排気口３０２が形成されている。シール樹脂膜３００によって半導体基板１００間の隙間がシールされているため、差圧によって半導体基板１００間の隙間に樹脂２００が注入される。
【００３２】
シール装置４１は、排気口３０２が空間４１０と連続するように、積層基板１１０の側周面を覆うように配置される。そして、排気口３０２及び空間４１０を介して、排気機構４０が半導体基板１００間の隙間を排気する。
【００３３】
樹脂注入装置１では、容器移動機構５００によってチャンバー２０内で樹脂容器５０が上下動する。具体的には、容器移動機構５００は、樹脂容器５０内の樹脂２００に半導体基板１００の下部が浸漬される位置と、樹脂２００が半導体基板１００から離間した位置との間で、樹脂容器５０を上下方向に移動させる。容器移動機構５００は、樹脂容器５０を支持し、支持台５０２に固定された支持棒５０１を伸縮させることによって、樹脂容器５０の位置を変化させる。
【００３４】
即ち、半導体基板１００間に樹脂２００を注入させる場合には、容器移動機構５００によって樹脂容器５０を上昇させ、図１に示したように樹脂容器５０内の樹脂２００に半導体基板１００の下部を浸漬させる。一方、半導体基板１００間に樹脂２００を注入した後は、図５に示したように、容器移動機構５００によって樹脂容器５０を下降させて、樹脂２００を半導体基板１００から離間させる。
【００３５】
なお、図１や図３に示したように、積層基板１１０は、両端が搭載板６０に固定された帯状の支持具１５０によってチャンバー２０内で保持されている。具体的には、搭載板６０と支持具１５０とによって積層基板１１０が前後から挟まれ、積層基板１１０の外縁が支持具１５０によって下方から支えられている。このため、積層基板１１０へのダメージが抑制されている。
【００３６】
以下に、図６に示したフローチャートを参照して、第１の実施形態に係る樹脂注入装置１を用いて積層基板１１０の半導体基板１００間に樹脂２００を注入する方法の例を説明する。
【００３７】
先ず、ステップＳ１１において、基板加熱機構１０を装備した搭載板６０に積層基板１１０を搭載する。例えば、第２の主面６２上に基板加熱機構１０が配置された搭載板６０を用意する。そして、搭載板６０の第１の主面６１上に積層基板１１０を搭載する。
【００３８】
ステップＳ１２において、チャンバー２０内に積層基板１１０を格納する。次いで、ステップＳ１３において、積層基板１１０を設定された温度に加熱する。例えば、基板加熱機構１０によって第２の主面６２側から搭載板６０を加熱することによって、搭載板６０の第１の主面６１に搭載された積層基板１１０を加熱する。同時に、容器加熱装置５１によって樹脂容器５０を加熱することにより、樹脂容器５０に充填された樹脂２００を加熱する。
【００３９】
ステップＳ１４において、真空ポンプ３２を駆動して減圧バルブ３１を開放することによって、チャンバー２０内を減圧する。減圧されたチャンバー２０内の圧力は、例えば数パスカル程度である。この工程によって、半導体基板１００の脱ガスや脱水分が行われる。
【００４０】
次いで、ステップＳ１５において、容器移動機構５００によって樹脂容器５０を上昇させて、積層基板１１０の注入口３０１を樹脂容器５０中の樹脂２００に浸漬させる。半導体基板１００それぞれの下部が樹脂２００に浸漬された状態でチャンバー２０内の真空を破り、例えばチャンバー２０内を大気圧にする。このとき、シール装置４１やシール樹脂膜３００によって積層基板１１０の半導体基板１００間は真空シールされているため、差圧によって半導体基板１００間に樹脂２００が注入される。例えば、半導体基板１００間の上端まで樹脂２００が注入される時間を予め調査しておくことにより、半導体基板１００間の全体に樹脂２００を注入することができる。そして、樹脂注入中に排気機構４０によって半導体基板１００間の隙間を排気することによって、真空時の脱ガスで排気されずに半導体基板１００に残ったガスや注入時に樹脂２００から発生するガスが排気される。その結果、樹脂注入の時間が短縮されると共に半導体基板１００間に樹脂２００が均一に注入される。
【００４１】
ステップＳ１６において、半導体基板１００間に樹脂２００が注入された後、積層基板１１０を樹脂２００から引き出す。即ち、半導体基板１００が樹脂２００から離間するまで、容器移動機構５００によって樹脂容器５０を下降させる。以上により、加熱されて樹脂２００の粘度が低下した状態で、積層基板１１０の半導体基板１００間に樹脂２００を注入することができる。したがって、樹脂２００が硬化する前に樹脂注入が完了する。
【００４２】
なお、樹脂注入装置１によれば、チャンバー２０内を減圧する工程において、積層基板１１０が基板加熱機構１０によって加熱される。このため、積層基板１１０からの脱ガスや脱水分をより有効に行うことができる。
【００４３】
以上に説明したように、本発明の第１の実施形態に係る樹脂注入装置１では、樹脂２００を加熱することによって、樹脂２００の粘度を低下させる。このため、半導体基板１００間に樹脂注入する時間の増大が抑制される。これにより、複数の半導体基板１００を積層した構造の半導体装置の製造時間が短縮され、生産能力が向上する。また、樹脂２００が硬化する前に樹脂注入が完了するため、半導体基板１００間の隙間の全領域に樹脂２００を均一に注入することができる。
【００４４】
通常、半導体基板１００のそれぞれに形成された半導体集積回路を電気的に接続するために半導体基板１００間がバンプ等の配線によって接続される。樹脂注入装置１によれば、注入中の樹脂２００の粘度が低いために、配線が密集している領域にボイドを発生させることなく、半導体基板１００間に樹脂２００を注入できる。
【００４５】
（第２の実施形態）
上記では、積層基板１１０を搭載した搭載板６０を加熱する例を示したが、チャンバー２０内の雰囲気加熱によって、積層基板１１０を所定の設定温度まで加熱してもよい。雰囲気加熱によって積層基板１１０、樹脂２００、樹脂注入装置１の構成部品の温度を上昇させることにより、半導体基板１００間に注入する際の樹脂２００の粘度を低下させることができる。
【００４６】
例えば図７に示すように、基板加熱機構１０として、チャンバー２０内に雰囲気加熱用の内部加熱ヒータを配置する。内部加熱ヒータには、例えばランプヒータなどを採用可能である。
【００４７】
なお、図７では積層基板１１０をチャンバー２０内で支持する手段の記載を省略しているが、任意の公知の手段などによって積層基板１１０を支持することができる。例えば、チャンバー２０内部に固定された支持具によって積層基板１１０を保持すればよい。
【００４８】
雰囲気加熱の温度は、注入する樹脂２００の粘度の温度特性及び硬化速度の温度特性を考慮して設定される。即ち、雰囲気加熱の温度は、樹脂注入中に樹脂２００が硬化しない範囲で、できるだけ樹脂２００の粘度が低下する温度に設定される。ただし、樹脂注入装置１の構成部品の耐熱性も考慮されて、雰囲気加熱の温度は設定される。雰囲気加熱の温度は、例えば１００℃以下である。
【００４９】
樹脂注入中のチャンバー２０内の雰囲気加熱により、積層基板１１０の半導体基板１００間に樹脂２００を注入する時間を短縮でき、更に、半導体基板１００間の隙間に樹脂２００を均一に注入することができる。他は、第１の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００５０】
図８のフローチャートを参照して、図７に示した第２の実施形態に係る樹脂注入装置１によって樹脂注入を行う方法の例を、以下に説明する。
【００５１】
ステップＳ２１において、チャンバー２０内に積層基板１１０を格納する。そして、ステップＳ２２において、チャンバー２０内の雰囲気加熱によって積層基板１１０を設定された温度に加熱する。同時に、雰囲気加熱によって樹脂容器５０に充填された樹脂２００が加熱される。
【００５２】
ステップＳ２３において、真空ポンプ３２を駆動して減圧バルブ３１を開放することによって、チャンバー２０内を減圧する。
【００５３】
次いで、ステップＳ２４において、容器移動機構５００によって樹脂容器５０を上昇させ、半導体基板１００それぞれの下部を樹脂容器５０中の樹脂２００に浸漬させる。この状態でチャンバー２０内の真空を破り、例えばチャンバー２０内を大気圧にする。これにより、差圧によって半導体基板１００間に樹脂２００が注入される。このとき、排気機構４０によって半導体基板１００間の隙間を排気することによって、樹脂注入の時間が短縮されると共に、半導体基板１００間の隙間の全領域に樹脂２００が均一に注入される。
【００５４】
ステップＳ２５において、半導体基板１００間に樹脂２００が注入された後、積層基板１１０を樹脂２００から引き出す。以上により、加熱により樹脂２００の粘度が低下した状態で、積層基板１１０の半導体基板１００間に樹脂２００を注入することができる。
【００５５】
＜変形例＞
チャンバー２０内の雰囲気加熱のために、図９に示すようにチャンバー２０内に所定の温度に設定された温風Ｗを送風してもよい。図９に示した例では、チャンバー２０に配置された通風管９１を介して、温風送風機９０がチャンバー２０内に温風Ｗを送風する。即ち、温風送風機９０及び通風管９１によって基板加熱機構１０が構成される。
【００５６】
温風Ｗを送風することによる雰囲気加熱の温度は、樹脂注入中に樹脂２００が硬化しない範囲で、できるだけ樹脂２００の粘度が低下する温度に設定される。つまり、温風Ｗの温度は、注入する樹脂２００の粘度の温度特性や硬化速度の温度特性、及び樹脂注入装置１の構成部品の耐熱性などを考慮して設定される。
【００５７】
（その他の実施形態）
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００５８】
上記では、積層基板１１０が２枚の半導体基板１００で構成された例を示したが、３枚以上の半導体基板１００によって積層基板１１０を構成してもよい。
【００５９】
また、搭載板６０の第２の主面６２上に基板加熱機構１０を配置する例を示したが、搭載板６０自体が発熱体であってもよい。例えば、搭載板６０の内部にヒータを内蔵させてもよい。
【００６０】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００６１】
１…樹脂注入装置
１０…基板加熱機構
２０…チャンバー
３０…減圧機構
４０…排気機構
５０…樹脂容器
５１…容器加熱装置
６０…搭載板
７０…クッション材
９０…温風送風機
１００…半導体基板
１１０…積層基板
２００…樹脂
３００…シール樹脂膜
４１０…空間
５００…容器移動機構
【図１】
2015005630.tif 000003
【図２】
2015005630.tif 000004
【図３】
2015005630.tif 000005
【図４】
2015005630.tif 000006
【図５】
2015005630.tif 000007
【図６】
2015005630.tif 000008
【図７】
2015005630.tif 000009
【図８】
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【図９】
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