(57)【要約】【課題】基板１０がケース６０に対して共振することを抑制する。【解決手段】電子装置Ｓ１は、基板１０の一面１１に実装されている電子部品２０、・・・３２と、基板１０を電子部品２０、・・・３２とともに収納するケース６０と、基板１０をケース６０に対して固定する機械的接続部６４とを備える。基板１０は、絶縁層１５と、導電性膜から構成されている補強梁１７とを備える。補強梁１７は、機械的接続部６４によって６０ケースに対して固定されている。このため、補強梁１７によって基板１０の剛性を向上させることができる。これに加えて、補強梁１７が４つの機械的接続部６４によってケース６０に対して固定されている。【選択図】図２
2015008214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）と、
前記基板に実装されている電子部品（２０、・・・３２）と、
前記基板を前記電子部品とともに収納するケース（６０）と、
前記基板を前記ケースに対して固定する固定部材（６４）と、を備え、
前記基板は、電気絶縁材料から構成されている絶縁層（１５、１５Ａ、１５Ｂ）と、導電性材料によって前記絶縁層の一面に沿うように形成されている導電性膜から構成されて、かつ前記絶縁層の一面に接合されている補強梁（１７）と、を備え、
前記補強梁は、前記固定部材によって前記ケースに対して固定されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記補強梁のうち前記絶縁層側の面の全体が前記絶縁層に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記補強梁は、前記基板の面方向に対する直交方向から視てＸ字状に前記導電性膜が形成されているものであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記絶縁層の一面は、その面方向に対する直交方向から視て矩形に形成されており、
前記補強梁のうち、前記導電性膜の長手方向の４つの端部（１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅ）は、それぞれ、前記絶縁層の一面の四隅に分散して位置することを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記補強梁は、前記基板の面方向に対する直交方向から視て十字状に前記導電性膜が形成されているものであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項６】
前記絶縁層の一面は、その面方向に対する直交方向から視て４つの辺（１５ｆ、１５ｇ、１５ｈ、１５ｉ）を有する矩形に形成されており、
前記補強梁のうち、前記導電性膜の長手方向の４つの端部（１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅ）は、それぞれ、前記４つの辺のうち対応する辺の長手方向中央部側に位置することを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記補強梁のうち前記４つの端部側は、それぞれ、前記固定部材によって前記ケースに対して固定されていることを特徴とする請求項４または６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記補強梁は、前記絶縁層の一面に沿って互いに平行に延びる第１、第２の前記導電性膜（１７Ａ、１７Ｂ）と、前記第１、第２の導電性膜のうち一方の導電性膜の長手方向中央部から他方の導電性膜の長手方向中央部に延びる第３の前記導電性膜（１７Ｃ）とを備え、
前記第１、第２、第３の導電性膜は、前記基板の面方向に対する直交方向から視てＨ字状を形成していることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項９】
前記絶縁層の一面は、その面方向に対する直交方向から視て矩形に形成されており、
前記第１の導電性膜の長手方向の一端および他端と、前記第２の導電性膜の長手方向の一端および他端とは、それぞれ、前記絶縁層の一面の四隅に分散して位置することを特徴とする請求項８に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記第１の導電性膜の長手方向の一端側および他端側と、前記第２の導電性膜の長手方向の一端側および他端側とは、それぞれ、前記固定部材によって前記ケースに対して固定されていることを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
【請求項１１】
前記補強梁は、前記基板のうち前記電子部品が実装されている表層に形成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項１２】
前記補強梁は、前記基板のうち前記電子部品が実装されている第１表層に対して裏表の関係にある第２表層に形成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項１３】
前記補強梁は、前記基板の内層に形成されていること特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項１４】
前記電子部品は、その作動に伴って熱を発生する発熱部品であり、
前記補強梁は、前記基板の面方向に対する直交方向で前記発熱部品に重なるように配置されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１つに記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板がケース内に収納されてなる電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子装置において、基板に対してネジ止めされた補強部材としての金属板と、左右両側の内側面にスリット溝が設けられているケースと備え、ケースの両側のスリット溝に基板の両側縁部が嵌め込まれた状態で基板および金属板がケースに収納されたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２９８２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１の電子装置では、基板に対して金属板をネジ止めすることにより基板を補強するため、ケースに対する基板の耐振動性を向上させることができるものの、基板以外の別部品として金属板を必要とする。このため、電子装置の構成が複雑になる。
【０００５】
本発明は上記点に鑑みて、簡素な構成で、ケースに対する基板の耐振性を向上させるようにした電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（１０）と、基板の一面に実装されている電子部品（２０、・・・３２）と、基板を電子部品とともに収納するケース（６０）と、基板をケースに対して固定する固定部材（６４）と、を備え、基板は、電気絶縁材料から構成されている絶縁層（１５）と、導電性材料によって絶縁層に沿うように形成される導電性膜材から構成されて、かつ絶縁層の一面に接合されている補強梁（１７）と、を備え、補強梁は、固定部材によってケースに対して固定されていることを特徴とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、基板には、絶縁層に接合されている補強梁が設けられている。したがって、補強梁によって基板自体の剛性を向上させることができる。これに加えて、補強梁が固定部材によってケースに対して固定されている。このため、ケースに対して基板が共振することを抑制することができる。これにより、簡素な構成で、ケースに対する基板の耐振性を向上させることができる。
【０００８】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態における電子装置Ｓ１の断面構成を示す図である。
【図２】図１中のII−IIの断面構成を示す図である。
【図３】図２中のIII−IIIの断面構成を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態における電子装置の断面構成を示す図である。
【図５】本発明の第３実施形態における電子装置の断面構成を示す図である。
【図６】本発明の第４実施形態における電子装置の断面構成を示す図である。
【図７】本発明の第５実施形態における電子装置の断面構成を示す図である。
【図８】本発明の第６実施形態における電子装置の断面構成を示す図である。
【図９】本発明の第７実施形態における電子装置の断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１１】
（第１実施形態）
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態にかかる電子装置Ｓ１の全体構成について説明する。この電子装置Ｓ１は、例えば自動車などの車両に搭載され、車両用の各装置を駆動するための装置として適用される。
【００１２】
図１〜図３に示すように、電子装置Ｓ１は、基板１０、電子部品２０、２２、２４、２６、２８、３０、３２、モールド部材４０、ヒートシンク５０、ケース６０、蓋７０、および放熱ゲル８０などを有した構成とされている。
【００１３】
図１に示すように、基板１０は、電子部品２０、・・・３０、３２が実装されると共にモールド部材４０にて覆われる一面１１と、その反対面となる他面１２とを有する板状部材をなすものである。本実施形態では、基板１０は、図２に示すように、他面１２の形状が面方向に対する直交方向（以下、面直方向という）から視て矩形状の板状部材とされている。
【００１４】
具体的には、基板１０は、ガラスクロスにエポキシ樹脂等の電気絶縁性の樹脂材料を含浸してなる絶縁層１５を基材とした配線基板とされ、例えば、貫通基板やビルドアップ基板などによって構成されている。本実施形態では、基板１０は、電子部品２０、・・・３０、３２およびモールド部材４０とともに半導体装置９０を構成している。
【００１５】
基板１０には、絶縁層１５の内層もしくは表層に構成される図示しない配線パターンが形成されており、配線パターンがモールド部材４０の外部まで延設されることで、配線パターンを通じて電子部品２０、・・・３０、３２との電気的な接続が図れるようになっている。配線パターンは、銅等の導電性材料によって薄膜状に形成されている導電性膜からなるもので、半導体装置９０の電気回路を構成するものである。
【００１６】
ここで、配線パターンのうち絶縁層１５側の面の全体が絶縁層１５にアンカー効果によって接合されている。アンカー効果は、絶縁層１５に配線パターンを成形する際に、絶縁層１５に設けられた複数の凹凸に、プレスにより配線パターンを構成する導電性材料が入り込んで配線パターンが絶縁層１５上に形成されることにより、配線パターンおよび絶縁層１５の間を接合するものである。
【００１７】
また、基板１０のうちの長手方向（図１の左右方向）の両側には、配線パターンに繋がる金属メッキなどが施された複数のスルーホール１３（図３参照）が備えられている。このスルーホール１３を通じて、配線パターンと基板外部との電気的な接続が行えるようになっている。
【００１８】
基板１０には、補強梁１７が設けられている。補強梁１７は、基板１０自体の剛性を向上させるためのものである。補強梁１７の構造は後述する。
【００１９】
このように構成された基板１０が四隅においてケース６０に支持されている。本実施形態の場合、基板１０の四隅には、貫通孔となる固定用孔１４がそれぞれ形成されている。これらの固定用孔１４内にケース６０の底面６１から突出させた機械的接続部６４を嵌め込んだ後、機械的接続部６４の先端を熱かしめすることで、基板１０がケース６０の４つの機械的接続部６４にそれぞれ固定されている。
【００２０】
電子部品２０、・・・３０、３２は、基板１０に実装されることで配線パターンに電気的に接続されるものであり、表面実装部品やスルーホール実装部品などどのようなものであってもよい。本実施形態の場合、電子部品２０、・・・３０、３２として、半導体素子２０および受動素子３０を例に挙げてある。半導体素子２０としては、マイコンや制御素子もしくはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子等が挙げられる。この半導体素子２０は、ボンディングワイヤ２１およびはんだ等のダイボンド材２２により、基板１０の配線パターンに繋がるランドもしくは配線パターンの一部によって構成されたランドに接続されている。また、受動素子３０としては、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等が挙げられる。この受動素子３０は、はんだ等のダイボンド材３１により基板１０に備えられたランドに接続されている。これらの構成により、電子部品２０、・・・３０、３２は、基板１０に形成された配線パターンに電気的に接続され、配線パターンに接続されたスルーホール１３を通じて外部と電気的に接続可能とされている。
【００２１】
モールド部材４０は、基板１０の一面１１側の電子部品２０、・・・３０、３２をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等によりモールドするためのものである。本実施形態では、モールド部材４０は、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法により形成されている。本実施形態の場合、基板１０の一面１１側をモールド部材４０で封止しつつ、基板１０の他面１２側をモールド部材４０で封止せずに露出させた、いわゆるハーフモールド構造とされている。
【００２２】
また、モールド部材４０は、図１、図３に示すように上面４１の形状が矩形状とされ、基板１０の相対する二辺、具体的には基板１０のうち長手方向と垂直な両辺１０ａ、１０ｂ（図２参照）を露出させるように、この両辺よりも内側にのみ形成されている。つまり、基板１０の長手方向両端がモールド部材４０からはみ出してモールド部材４０から露出させられている。モールド部材４０の上面４１（図１、図３参照）は、基板１０の面方向に平行に形成されている面である。モールド部材４０から露出させられている部分にスルーホール１３が配置されており、このスルーホール１３を通じて、基板１０に形成された配線パターンと外部との電気的接続が可能とされている。また、基板１０の両辺がモールド部材４０から露出させられることで、基板１０の四隅が露出させられており、このモールド部材４０から露出させられた部分において、上記したように基板１０がケース６０に支持されている。
【００２３】
図１のヒートシンク５０は、基板１０の他面１２側に、接合部材５１を介して密着させられている。接合部材５１としては、例えば金属フィラーを含有した導電性接着剤、はんだ材料などの導電材料、放熱ゲルや放熱シートなどの絶縁材料を用いている。ヒートシンク５０は、電子部品２０、・・・３０、３２が発した熱が基板１０の他面１２側から伝えられると、それを放熱させる役割を果たすものであり、熱伝導率の高い金属材料、例えば銅などにより構成されている。特に、半導体素子２０がＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴによって構成される場合、これらが発熱素子であることから、多くの熱を発するが、この熱がヒートシンク５０に伝えられることで、半導体素子２０や受動素子３０の高温化が抑制されるようになっている。本実施形態の場合、ヒートシンク５０は、放熱ゲル８０を介して蓋７０に対して熱的に接続されており、基板１０の裏面から伝えられた熱を更に放熱ゲル８０を通じて蓋７０に伝え、蓋７０から外部に放熱させるようにしている。
【００２４】
ケース６０は、基板１０の一面１１側に電子部品２０、・・・３０、３２を実装してモールド部材４０で封止したものを収容する長方体形状の筐体となるものである。本実施形態の場合、ケース６０は、底面６１の周囲を側壁面６２によって覆った収容凹部６３を構成する部材とされ、電子部品２０、・・・３０、３２を実装してモールド部材４０で封止した基板１０を、一面１１側が底面６１側を向くようにして収容凹部６３内に収容している。
【００２５】
ケース６０の底面６１には、上記したように基板１０を支持する機械的接続部６４が固定部材として形成されている。機械的接続部６４は、底面６１から垂直方向に突出し、部分的に断面寸法が変化させられた段付き棒状部材とされている。具体的には、機械的接続部６４は、基板１０を固定する前の状態では、底面側の断面寸法が基板１０に形成した固定用孔１４より大きく、先端側の断面寸法が固定用孔１４とほぼ同じもしくは若干小さくされている。このような寸法とされているため、機械的接続部６４は、先端側が固定用孔１４に挿入されつつ、先端側と底面側との段差部にて基板１０を保持する。そして、機械的接続部６４の先端側が固定用孔１４内に嵌め込まれてから熱かしめされることで、基板１０から突き出した部分が固定用孔１４よりも断面寸法が大きくされ、その部分と段差部との間に基板１０が挟み込まれて支持されている。
【００２６】
なお、機械的接続部６４の突き出し量は、側壁面６２の高さよりも低くされており、基板１０が側壁面６２の先端よりも収容凹部６３の内側に入り込むようにしてある。
【００２７】
ケース６０の底面６１には、図２および図３に示すように、複数本の接続端子６５が底面６１に対して垂直方向に立設されている。例えば、各接続端子６５は、銅合金に錫メッキやニッケルメッキが施されたものにより構成されている。複数本の接続端子６５は、それぞれ、基板１０に形成されたスルーホール１３に挿通させられており、はんだ等の接続部材１３ａを介してスルーホール１３に電気的に接続されている。
【００２８】
本実施形態の基板１０には、その辺１０ａ（図３参照）に沿うように一列に６個のスルーホール１３が配列されている。基板１０には、その辺１０ｂ（図３参照）に沿うように一列に６個のスルーホール１３が配列されている。
【００２９】
ケース６０は、基本的にはＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂をベースとした絶縁体によって構成されているが、ケース６０の外部まで延設された配線パターンを備えている。この配線パターンに対して複数本の接続端子６５が接続され、各接続端子６５および配線パターンを通じて、各電子部品２０、・・・３０、３２が実装された基板１０の配線パターンと外部との電気的接続がなされている。
【００３０】
さらに、本実施形態では、ケース６０の底面６１とモールド部材４０の上面４１とは互いに対向するように形成されている。
【００３１】
蓋７０は、ケース６０の開口端、つまり側壁面６２の先端に接続されることで、ケース６０内を密閉するものである。蓋７０は、例えば接着剤などを介してケース６０に固定される。本実施形態の場合、蓋７０は、熱伝達率の高い金属材料、例えばアルミニウムや銅によって構成されており、矩形板状部材によって構成されている。
【００３２】
放熱ゲル８０は、ヒートシンク５０と蓋７０との間に配置されており、これら両方に接するように配置されることで、ヒートシンク５０から蓋７０への伝熱を行う。例えば、放熱ゲル８０は、熱伝導率の高いシリコーンオイルコンパウンドなどによって構成されている。放熱ゲル８０をなくしてヒートシンク５０と蓋７０とが直接接する構造とすることもできるが、ヒートシンク５０の高さ合わせなどが難しく、蓋７０を固定する際にヒートシンク５０を押圧してしまう可能性があることから、変形自在な放熱ゲル８０を備えると好ましい。
【００３３】
次に、本実施形態の基板１０の補強梁１７について説明する。
【００３４】
補強梁１７は、図１、図３に示すように、基板１０の他面１２側に配置されている。つまり、補強梁１７は、基板１０のうち電子部品２０、・・・３０、３２が実装される第１の表層に対して裏表に関係にある第２の表層に形成されている。
【００３５】
補強梁１７は、絶縁層１５の一面１５ａに沿って延びる帯状の導電性膜からなるものである。導電性膜は、銅等の導電性材料によって薄膜状に形成されている。補強梁１７は、基板１０の面直方向から視てＸ字状に形成されている。補強梁１７のうち絶縁層１５側の面の全体が絶縁層１５に上述したアンカー効果によって接合されている。
【００３６】
ここで、絶縁層１５は、一面１５ａがその面直方向から視て４つの角部１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ（図３参照）を有する矩形に形成されている。補強梁１７の長手方向の４つの端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅは、それぞれ、４つの角部１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅのうち対応する角部側に位置している。つまり、補強梁１７の４つの端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅは、絶縁層１５の一面１５ａの四隅に分散して配置されている。
【００３７】
補強梁１７のうち端部１７ｂ側には、固定用孔１４が貫通している。補強梁１７のうち端部１７ｃ側には、固定用孔１４が貫通している。補強梁１７のうち端部１７ｄ側には、固定用孔１４が貫通している。補強梁１７のうち端部１７ｅ側には、固定用孔１４が貫通している。
【００３８】
ここで、端部毎に固定用孔１４内に機械的接続部６４の先端側が貫通して当該先端側が熱かしめされている。このことによって、補強梁１７のうち端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅ側がケース６０の４つの機械的接続部６４にそれぞれ固定されている。
【００３９】
以上のようにして、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１が構成されている。このような電子装置Ｓ１は、次のようにして構成される。
【００４０】
まず、配線パターンおよびスルーホール１３などが形成された基板１０を用意したのち、基板１０の一面１１上に電子部品２０、・・・３０、３２を実装する。  次に、基板１０に実装された電子部品２０、・・・３０、３２をトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法によってモールド部材４０で封止する。そして、基板１０の他面１２側に接合部材５１を介してヒートシンク５０を接合したのち、基板１０をケース６０の収容凹部６３内に、一面１１側が底面６１側を向くようにして配置する。
【００４１】
このとき、スルーホール１３に複数の接続端子６５が挿入され、４つの固定用孔１４内に機械的接続部６４の先端がそれぞれ嵌め込まれるようにする。その後、４つの機械的接続部６４の先端をそれぞれ熱かしめする。このことにより、補強梁１７の端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅがケース６０の４つの機械的接続部６４にそれぞれ固定される。これと共に、はんだ付けなどによりスルーホール１３と複数の接続端子６５とを接続部材１３ａにて接続する。最後に、ヒートシンク５０の表面に放熱ゲル８０を配置したのち、その上に蓋７０を配置し、蓋７０とケース６０の側壁面６２との間を接着剤などによって固定することで、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１が完成する。
【００４２】
以上説明した本実施形態によれば、電子装置Ｓ１は、基板１０の一面１１に実装されている電子部品２０、・・・３２と、基板１０を電子部品２０、・・・３２とともに収納するケース６０と、基板１０をケース６０に対して固定する機械的接続部６４とを備える。基板１０は、電気絶縁材料から構成されている絶縁層１５と、導電性材料によって絶縁層１５に沿うように形成されている導電性膜から構成されている補強梁１７とを備える。補強梁１７のうち絶縁層１５側の面の全体がアンカー効果によって絶縁層１５に接合されている。補強梁１７は、機械的接続部６４によって６０ケースに対して固定されている。
【００４３】
ここで、補強梁１７が基板１０に設けられていない場合において、基板１０の四隅が機械的接続部６４によってケース６０に固定されている場合には、基板１０がその面直方向に共振する場合がある。
【００４４】
これに対して、本実施形態では、基板１０には、絶縁層１５に接合されている補強梁１７が設けられている。このため、補強梁１７によって基板１０自体の剛性を向上させることができる。これに加えて、補強梁１７が４つの機械的接続部６４によってケース６０に対して固定されている。このため、よって、基板１０がケース６０に対して共振することを抑制することができる。これにより、簡素な構成で、基板１０として耐振性の優れた構造を提供することができる。
【００４５】
（第２実施形態）
本第２実施形態では、上記第１実施形態の補強梁１７を用いて電子部品２０の放熱性を高める例について説明する。
【００４６】
図４に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図４は図２に相当する園面図である。
【００４７】
本実施形態の補強梁１７の中央部は、絶縁層１５（すなわち、基板１０）の面方向中央部に位置している。電子部品２０は、基板１０の一面１１のうち面方向中央部に位置している。このため、補強梁１７と電子部品２０とが基板１０の面直方向で重なるように配置されている。
【００４８】
このように構成される本実施形態では、電子部品２０は、発熱素子として、その作動に伴って熱を発生する。このため、電子部品２０から発生した熱は、絶縁層１５を通して補強梁１７に伝わり、この熱は補強梁１７→接合部材５１→ヒートシンク５０→放熱ゲル８０→蓋７０の順に伝達されて、ケース６０の外側に放出される。したがって、電子部品２０の放熱性を高めることができる。
【００４９】
（第３実施形態）
上記第１、第２の実施形態では、補強梁１７をＸ字状に形成した例について説明したが、これに代えて、本第３実施形態では、十字状に補強梁１７を形成した例について説明する。
【００５０】
図５に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図５は図２に相当する断面図である。
【００５１】
補強梁１７は、絶縁層１５の一面１５ａに沿って延びる導電性膜を用いることにより、基板１０の面直方向から視て４つの端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅを有する十字状に形成されている。
【００５２】
本実施形態の基板１０は、モールド部材４０から４つの辺が露出するように形成されている。絶縁層１５の一面１５ａは、その面方向に対する直交方向から視て４つの辺１５ｆ、１５ｇ、１５ｈ、１５ｉを有する矩形に形成されている。このため、絶縁層１５の辺１５ｆ、１５ｇ、１５ｈ、１５ｉは、モールド部材４０から露出している。補強梁１７の長手方向の４つの端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅは、それぞれ、４つの辺１５ｆ、１５ｇ、１５ｈ、１５ｉのうち対応する辺の長手方向中央部側に位置する。
【００５３】
具体的には、補強梁１７の端部１７ｂは、辺１５ｆの長手方向中央部側に位置する。補強梁１７の端部１７ｃは、辺１５ｇの長手方向中央部側に位置する。補強梁１７の端部１７ｄは、辺１５ｈの長手方向中央部側に位置する。補強梁１７の端部１７ｄは、辺１５ｉの長手方向中央部側に位置する。
【００５４】
補強梁１７の端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅには、固定用孔１４がそれぞれ設けられている。このため、固定用孔１４を貫通した機械的接続部６４の先端が熱かしめされることによって、補強梁１７が４つの機械的接続部６４にそれぞれ固定されている。
【００５５】
（第４実施形態）
上記第１、第２の実施形態では、補強梁１７をＸ字状に形成した例について説明したが、これに代えて、本第４実施形態では、Ｈ字状に補強梁１７を形成した例について説明する。
【００５６】
図６に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図６は図２に相当する断面図である。
【００５７】
補強梁１７は、絶縁層１５の一面１５ａに沿って延びる導電性膜を用いることにより、基板１０の面直方向から視てＨ字状に形成されている。補強梁１７は、絶縁層１５の一面１５ａに沿って互いに平行に延びる導電性膜１７Ａ、１７Ｂと、導電性膜１７Ａ、１７Ｂのうち一方の長手方向中央部から他方の長手方向中央部に延びる導電性膜１７Ｃとを備える。導電性膜１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、基板１０の面方向に対する直交方向から視てＨ字状を形成している。
【００５８】
ここで、導電性膜１７Ａの端部１７ｂは、角部１５ｂ側に位置している。導電性膜１７Ｂの端部１７ｃは、角部１５ｃ側に位置している。導電性膜１７Ｂの端部１７ｄは、角部１５ｄ側に位置している。導電性膜１７Ａの端部１７ｅは、角部１５ｅ側に位置している。つまり、補強梁１７の４つの端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅは、絶縁層１５の一面１５ａの四隅に分散して配置されている。
【００５９】
補強梁１７の端部１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅには、上記第３実施形態と同様に、固定用孔１４がそれぞれ設けられている。このため、固定用孔１４を貫通した機械的接続部６４の先端が熱かしめされることによって、補強梁１７が４つの機械的接続部６４にそれぞれ固定されている。
【００６０】
（第５実施形態）
上記第１〜第４の実施形態では、補強梁１７を基板１０の他面１２側の表層に配置した例について説明したが、これに代えて、本第５実施形態では、補強梁１７を基板１０の内層に配置した例について説明する。
【００６１】
図７に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図７は図３に相当する断面図である。補強梁１７は、基板１０を構成する絶縁層１５Ａ、１５Ｂの間に狭持されている。絶縁層１５Ａ、１５Ｂは、上記第１実施形態の絶縁層１５と同様にガラスクロスにエポキシ樹脂等の電気絶縁性の樹脂材料を含浸したものである。
【００６２】
補強梁１７のうち絶縁層１５Ａ側の面の全体が絶縁層１５Ａにアンカー効果によって接合されている。補強梁１７のうち絶縁層１５Ｂ側の面の全体が絶縁層１５Ａにアンカー効果によって接合されている。
【００６３】
（第６実施形態）
上記第１〜第４の実施形態では、補強梁１７を基板１０の他面１２側の表層に配置した例について説明したが、これに代えて、本第６実施形態では、補強梁１７を基板１０の一面１１側の表層に配置した例について説明する。
【００６４】
図８に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図８は図３に相当する断面図である。
【００６５】
（第７実施形態）
本第７実施形態では、上記第１実施形態の補強梁１７と上記第５の実施形態の補強梁１７とを組み合わせた例について説明する。
【００６６】
図９に本実施形態の電子装置Ｓ１の断面図を示す。図９は図３に相当する断面図である。基板１０には、絶縁層１５Ａ、１５Ｂ以外に２つの補強梁１７が設けられている。２つの補強梁１７のうち一方の補強梁１７は、基板１０の他面１２側に配置されている。つまり、２つの補強梁１７のうち一方の補強梁１７は、絶縁層１５Ｂに対して他面１２側に配置されている。２つの補強梁１７のうち一方の補強梁１７以外の他方向の補強梁１７は、絶縁層１５Ａ、１５Ｂの間に狭持されている。すなわち、基板１０には、絶縁層１５Ａ、１５Ｂとともに、２つの補強梁１７が積層されている。
【００６７】
（他の実施形態）
上記第１〜７実施形態では、基板１０に対して１つの補強梁１７、或いは２つの補強梁１７を設けた例について説明したが、これに代えて、３つ以上の補強梁１７を基板１０に設けてもよい。
【００６８】
上記第１〜７実施形態では、基板１０の絶縁層１５をガラスクロスにエポキシ樹脂等の電気絶縁性の樹脂材料を含浸したものを用いた例について説明したが、これに代えて、セラミック基板の各種の絶縁性基板を絶縁層１５として用いてもよい。
【００６９】
上記第１〜７実施形態では、複数本の接続端子６５をはんだによってスルーホール１３に電気的に接続した例について説明したが、これに代えて、複数本の接続端子６５を基板１０に対してプレスフィット接続で接続してもよい。
【００７０】
上記第１〜７実施形態では、機械的接続部６４の熱かしめによって補強梁１７（つまり、基板１０）をケース６０に固定した例について説明したが、これに代えて、ネジ締め、はんだ付け、ろう付け等によって補強梁１７（つまり、基板１０）をケース６０に固定してもよい。
【００７１】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。
【符号の説明】
【００７２】
Ｓ１      電子装置
１０      基板
１７      補強梁
２０・・３２      電子部品
６０      ケース
６４      機械的接続部（固定部材）
【図１】
2015008214.tif 000003
【図２】
2015008214.tif 000004
【図３】
2015008214.tif 000005
【図４】
2015008214.tif 000006
【図５】
2015008214.tif 000007
【図６】
2015008214.tif 000008
【図７】
2015008214.tif 000009
【図８】
2015008214.tif 000010
【図９】
2015008214.tif 000011