(57)【要約】反射防止コーティング層構造（１９）内のフィーチャ（５６、５７、５９）の限界寸法を縮小する方法は、重合剤を利用することができる。反射防止コーティング層構造を用いて、種々の集積回路構造を形成することができる。反射防止コーティング層構造を用いて、ポリシリコン（５４）及び誘電体層（５２）から成るゲートスタック、導電線（８４）又は他のＩＣ構造を形成することができる。重合剤は、炭素、水素及びフッ素を含むことができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を形成する方法であって、
基板（１２）の上方に反射防止コーティング層（１９）を設けるステップと、
前記反射防止コーティング層の上方にフォトレジスト層（１６）を設けるステップと、
前記フォトレジスト層（１６）をパターニングするステップと、
前記フォトレジスト層によって画定される第１のフィーチャに従って前記反射防止コーティング層を除去するステップとを含み、
前記除去するステップは重合ガスの供給するステップを含み、それにより前記反射防止コーティング層内の前記フィーチャの限界寸法が縮減される方法。
【請求項２】
前記反射防止コーティング層に従って、前記基板の上方にある絶縁層、導電層又は半導体層（８２、５４）をエッチングするステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記縮減された限界寸法はスペーシングである、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記重合ガスは、ＣＨ２Ｆ２またはＣＨ３Ｆのうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記反射防止コーティング（１９）は３５０から４００オングストロームの厚みである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記除去するステップは、前記重合ガスを１０パーセント含むガス混合物を利用する、請求項１乃至３のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
前記重合ガスは、１５ｓｃｃｍ未満の流量を有する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記流量は７ｓｃｃｍから１５ｓｃｃｍの間である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記重合ガスは、７ｓｃｃｍから１２ｓｃｃｍの間の流量を有する、請求項１乃至３のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
前記縮減された限界寸法は前記スペーシングの幅である、請求項１乃至３のいずれか一項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は集積回路（ＩＣ）の製造に関する。より具体的には、本明細書は、集積回路機構を形成するための限界寸法（ＣＤ）縮減プロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス又は集積回路（ＩＣ）は、トランジスタのような無数のデバイスを含むことができる。超大規模集積（ＵＬＳＩ）回路は、相補形金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含むことができる。従来のシステム及び工程によれば、ＩＣ上に無数のデバイスを製造することができるが、それでも、ＩＣデバイス機構のサイズを小さくすること、それゆえ、ＩＣ上のデバイスの数を増やすことが依然として必要とされている。
【０００３】
ＩＣの限界寸法を小さくすることへの制約の１つに、従来のリソグラフィがある。一般的に、投影リソグラフィは、種々の媒体間でパターンを転写するための工程を指している。従来の投影リソグラフィによれば、シリコンスライス、すなわちウェーハが、感放射性薄膜又はコーティング、すなわちフォトレジストで均一にコーティングされる。特定のパターンを形成するために介在するマスターテンプレート、すなわちマスク又はレチクルを通して、その表面の選択されたエリアが放射の曝露源によって照射される。放射として、紫外光、真空紫外（ＶＵＶ）光及び深紫外光のような光を用いることができる。放射として、ｘ線放射、電子ビーム放射等を用いることもできる。
【０００４】
限界寸法を縮減するための従来の方法は、リソグラフィ工程を改善することに頼っている。そのような改善は、時間及びコストがかかることがあり、多くの場合に高額の新たな装置を必要とする。リソグラフィを改善することができたとしても、リソグラフィによるＣＤ縮小は、多くの場合に、欠陥密度の上昇を伴う。
【０００５】
１つの従来の非リソグラフィＣＤ縮小プロセスによれば、マスク層をスペーサエッチングプロセスの対象とすることによって、リソグラフィフィーチャ縮小している。これらのスペーサエッチングプロセスは通常、酸化物材料又は窒化物材料から構成されるスペーサ材料を利用する。スペーサ材料は通常、ポリシリコンゲート又は窒化物／酸化物ハードマスクのような、相性の良い材料層の周囲に堆積され、エッチングされる。
【０００６】
従来、反射防止コーティング（ＡＲＣ）をフォトレジスト材料又はハードマスクの下に設けて、反射率を低減し、それゆえ、レジストノッチング、リフティング及び得られるパターンの限界寸法の変動を低減してきた。一般的に、ＡＲＣ（有機又は無機）層は相対的に薄い層であり、あまりにも薄く、光学設計パラメータに起因して厚みの柔軟性を許さないので、ハードマスクとしては用いられない。従来のスペーサエッチングプロセスは、一般的に、酸化物スペーサプロセス及び窒化物スペーサプロセスとの関連で、材料との相性が良くないという問題があることに起因して、有機ＡＲＣ層と共に用いられてこなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、従来にはない重合エッチング技法を用いて、ＣＤフィーチャを縮小することが必要とされている。さらに、ＡＲＣ層ステップをエッチングする、より小さなＣＤ寸法を形成するプロセスが必要とされている。さらに、エッチングによってＣＤサイズを縮減する有機ＡＲＣプロセスが必要とされている。さらに、ＡＲＣフィーチャのＣＤサイズを実効的に縮減するエッチングレシピが必要とされている。さらに、確立された有機ＡＲＣエッチングプロセスに対して重合ガス添加物を用いて、有機ポリマースペーサ材料のＣＤ又は最終検査限界寸法（ＦＩＣＤ）を縮減することが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
例示的な一実施形態は、集積回路を形成する方法に関する。当該方法は、基板の上方に反射防止コーティング層を設けるステップと、反射防止コーティング層の上方にフォトレジスト層を設けるステップと、フォトレジスト層をパターニングするステップを含む。当該方法は、フォトレジスト層によって画定される第１のフィーチャに従って反射防止コーティング層を除去するステップを含む。上記除去するステップは重合ガスを供給するステップを含む。反射防止コーティング層内のフィーチャは、限界寸法が縮小される。
【０００９】
別の例示的な実施形態は、集積回路を形成する方法に関する。当該方法は、有機反射防止コーティングを設けるステップと、フィーチャに従って、反射防止コーティングをプラズマドライエッチングするステップとを含む。そのフィーチャはスペーシング（間隔）を画定する。プラズマドライエッチングは、重合剤の供給を含む。その反射防止コーティングのスペーシングは、限界寸法が縮小されている。
【００１０】
さらに別の実施形態は、集積回路のためのスペーシングを形成する方法に関する。当該方法は、基板の上方に、又は基板上にある層の上方に有機コーティングを設けるステップと、有機コーティングの上方にあるフォトレジストをパターンニングするステップと、フィーチャに従って有機コーティングを選択的に除去するステップとを含む。そのコーティングは、重合剤を用いて除去される。
【００１１】
以下で添付の図面を参照しながら例示的な実施形態を説明する。なお、図面においては、同様の番号は同様の構成要素を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１を参照すると、エッチングシステム１０内にある基板１２が示される。その基板１２として、シリコン、ガリウムヒ素、ゲルマニウム又は他の基板材料のような、半導体基板を用いることができる。基板１２は、その上に、１つ又は複数の材料層を含むことができる。それらの層として、絶縁層、導電層、障壁層、又は本明細書において説明されるプロセスを用いてエッチング、又は選択的に除去されることになる他の材料層を用いることができる。
【００１３】
基板１２は、線、相互接続、バイア、ドープされた部分等の１つまたは複数の材料層および／またはフィーチャ（feature）を含むことができ、さらに、トランジスタ、マイクロアクチュエータ、マイクロセンサ、キャパシタ、抵抗器、ダイオード等のデバイスを備えうる。基板１２は、ＩＣウェハ全体であっても、またはＩＣウェハの一部であってもよい。基板１２は、メモリ、処理ユニット、入力／出力デバイス等の集積回路の一部であってもよい。
【００１４】
エッチングシステム１０は、リソグラフィパターンに従って、基板１２上に、又は基板１２の上方にある層上にフィーチャ（またはパターン）を形成するためのドライエッチングシステムであることが好ましい。システム１０はチャンバ５０を備えることができる。一実施形態では、システム１０は、プラズマ２６を利用して、基板１２および／または基板１２上の層（たとえば、層５２）をエッチングするためのプラズマドライエッチングシステムである。チャンバ５０は、エッチングガスを受け取るための１つ又は複数のガス注入口２８を含むことができる。チャンバ５０は、多数のタイプの雰囲気のうちの任意のものを含むことができる。システム１０は、選択されたエネルギー、温度、圧力及び流量において、１つ又は複数のガス化学種を受け取ることができることが好ましい。図１に示されるシステム１０の構成は例示である。
【００１５】
一実施形態では、基板１２上の層は、ゲートスタックを形成するために用いられる誘電体層及びゲート導体層（層５２等）である。誘電体層としてゲート酸化物を用いることができ、ゲート導体層としてポリシリコン又は金属を用いることができる。ゲートスタックは、以下に記述されるプロセスを用いて構成される。別の実施形態では、基板上１２上の層として、導電線のための導電層、及び中間の誘電体層が用いられることがある。種々の集積回路パターンを、以下に記述される方法を用いて形成することができる。
【００１６】
基板１２及び後続の材料層は、説明されるものに限定されない。本発明の原理は、任意の集積回路基板、ウェハ、マスク層又は他の層に適用することができる。基板１２は、導電性、半導電性又は絶縁性にすることができる。
【００１７】
フォトレジスト層又は材料１６のような、リソグラフィ材料層が、反射防止コーティング（ＡＲＣ）層１９上に堆積又は被着される。一実施形態では、反射防止コーティング層１９として、層５４又は基板１２上に設けられる有機ＡＲＣ材料を用いることができる。層５４は、層１６及び１９に従って、ドープされるか、イオン注入されるか、またはエッチングされることが好ましい。層１９は、基板１２上の層、または基板１２上にある層（層１４等）上の層を後にエッチングするためのマスクとして、および反射を低減することによって、解像度を光学的に高めるためのコーティングとしての役割を果たすことが好ましい。層１９の厚み及び材料は、材料１６を侵食することなくエッチングされるほど十分に薄いが、それでも限界寸法を制御し、且つ層１９の下にある層のエッチングに耐えるほど十分に厚くなるように選択される。
【００１８】
フォトレジスト材料１６は、リソグラフィに用いるのに適した種々のフォトレジスト化学物質のうちの任意のものを含むことができる。材料１６は、マトリックス材料または樹脂、増感剤又は抑制剤、及び溶媒から構成することができる。フォトレジスト材料１６は、高コントラストのフォトレジストであることが好ましいが、代替的に、低コントラストのフォトレジストを用いることもできる。
【００１９】
フォトレジスト材料１６は、基板１４の層上に、たとえばスピンコーティングによって堆積される。材料１６は、０．５ミクロン未満の厚みで設けることができる。フォトレジスト材料１６は、０．１ミクロンから０．０５ミクロンの厚みを有することが好ましい。さらに、フォトレジスト材料１６は、ポジフォトレジスト、ネガフォトレジストのいずれかにすることができ、多層レジスト材料にすることができる。リソグラフィ及びフォトレジスト材料１６のタイプ及び構造は例示にすぎない。
【００２０】
図１乃至図１０を参照して、ゲートスタック又はゲート構造を形成するための例示的な工程が、以下のように説明される。図２を参照すると、流れ図２００が、反射防止コーティング（ＡＲＬ）層内に、限界寸法（ＣＤ）を縮小した機構を形成する工程を示す。工程２００は、限界寸法縮小制御を生み出すためにエッチングすることができるマスクを提供するという利点を有する。工程２００は、製造するのを簡単にし、製造コストを削減し、さらには密度を改善する。工程２００は、限界寸法に関連付けられる精度を改善する。
【００２１】
工程２００は、標準的な有機反射防止コーティング（ＡＲＣ）エッチング工程に重合ガス添加物を加えることによって、ＣＤを縮小することへの度重なる要求が増え続けることに対処する点で好都合である。正確な量の重合ガス添加物を加えることによって、必要とされる垂直有機ＡＲＣプロファイルを維持しながら、それでも、最終検査限界寸法（ＦＩＣＤ）の大幅な縮小を達成することができる。重合剤又はガスは、チャンバ５０の注入口アセンブリ２８において、従来のＢＡＲＣエッチング化学物質とのガス混合物として加えることができる。
【００２２】
重合エッチング工程によってＣＤを縮小することは、既に確立されている、低コストのリソグラフィ技法を用いて、現在の工程装置と共に用いることができるので、安価で、簡単で、しかも堅実な解決策である。高度なリソグラフィ装置は極めてコストがかかり、装置を変更することによって、工程の付加的な変更を必要とすることがあり、さらに工程検査の追加を必要とすることがある。
【００２３】
工程２００は、線又は他のフィーチャ間に空間（代替的に、開口部、トレンチ等）を設けるために都合良く用いられる点で好ましい。一実施形態では、それらの空間は、限界寸法を有するフィーチャである。それらの空間は、エッチング工程中にＡＲＣ層１９の外側側壁上に材料を成長させることによって縮小される。逆説的ではあるが、本出願人らは、エッチング工程中に外側側壁上に材料を成長させ、それにより、材料を除去してパターンを形成するのと同時に、そのパターン内の空間又は穴を縮小する方法を見つけた。
【００２４】
工程２００は、ＡＲＣ（たとえば、層１９）が利用されるビット線、ゲート導体又は任意のエリアのために用いることができる。好都合の工程２００は、空間寸法（たとえば、線、導体又は他の構造間の寸法）を低減する。好ましい一実施形態では、工程２００は、イオン爆撃（ボンバードメント）を用いるプラズマドライエッチングのようなドライエッチングを用いて、フォトレジスト材料１６の真下にないＡＲＣ層１９を除去する。エッチング中に用いられる重合剤によって、ＡＲＣ層１９が水平方向に成長し、それにより限界寸法を縮小する。
【００２５】
一実施形態では、重合剤として、ＣＨ３Ｆ、ＣＨ２Ｆ２又はＣＨＦ３のような重合ガスを用いることができる。しかしながら、工程２００は、特定の種の重合剤には限定されない。一実施形態では、重合ガスの流れが厳密に制御される。余分な重合剤が流れる結果として、エッチストップ条件が生じるのに対して、重合剤の流れがあまりにも少ないと、結果としてＦＩＣＤが十分とは言えない程度にしか低減されない。本出願人らは、有機ＡＲＣエッチング工程への重合剤を注意深く最適化する結果として、垂直方向の有機ＡＲＣフォトレジストを維持しながら、それでも、ＣＤを１０から２０ナノメートルだけ低減できることを確認している。
【００２６】
一実施形態によれば、従来の７５ＣＦ４／２５ＨＢｒ  ＢＡＲＣエッチング化学薬品に重合剤（１０ｓｃｃｍのＣＨ３Ｆ）が加えられる結果として、当初の９０ナノメートルから２０ナノメートルだけＣＤが縮小する。重合剤を用いる結果として、元の非ＣＨ３Ｆ  ＢＡＲＣ工程に比べて、同等の欠陥密度がもたらされる。
【００２７】
一例によれば、本出願人らは、約１０標準立方センチメートル／分（ｓｃｃｍ）（供給原料の９％）で、従来の有機下層反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）エッチング工程に対してＣＨ３Ｆの重合剤を使用する結果として、２０ナノメートルだけＣＤが低減されることを確認している。また本出願人らは、１２ｓｃｃｍの重合剤を混入する結果として、３０ナノメートルだけＣＤが低減されることを確認している。さらに、本出願人らは、供給原料に１５ｓｃｃｍ以上を混入する結果として、エッチストップ条件が生じることを確認している。
【００２８】
システム判定基準及び被着パラメータが、重合剤の導入のための条件の最適化に影響を及ぼすことがある。たとえば、適当な透過を達成するために必要とされる重合ガスのパーセンテージは、選択される重合剤のＣ／Ｆ比に依存することがある。重合ガスとして、ＣＨ３Ｆの代わりにＣＨ２Ｆ２を使用する結果として、供給ガスのパーセンテージを増やしても、それほどＣＤは低減されなくなる。さらに、ＡＲＣ材料のタイプ、その厚み、温度、圧力及びエネルギーレベルが、重合剤の導入のための条件に影響を及ぼすことがある。たとえば、温度を高くするほど、ＡＲＣ層上で成長速度を下げることができ、圧力を高くするほど、ＡＲＣ層上での成長速度を上げることができる。
【００２９】
工程２００が、以下のように、図２に関してさらに詳細に説明される。ステップ２０２では、層１９のような反射防止コーティング（ＡＲＣ）層が、基板１２上に堆積される。ＡＲＣ層２１は、図３を参照して後に説明されるように、有機ＡＲＣ層であることが好ましい。上述したように、ＡＲＣ層１９の材料及び厚みは、優れた光学特性を有するように選択することができる。また、層１９として、いくつかのＡＲＣの化合物又は複合層を用いることもできる。
【００３０】
ステップ２０６では、ＡＲＣ層（層１９）上にフォトレジスト層が被着される。フォトレジスト層として、フォトレジスト材料１６（図１）を用いることができる。ステップ２０８では、リソグラフィシステムにおいて、フォトレジスト層がパターニングされる。任意のパターニング技法を用いることができる。
【００３１】
ステップ２１２では、パターンフォトレジスト材料１６に従って、ＡＲＣ層１９がエッチングされる。ＡＲＣ層１９は従来のＡＲＣエッチング化学薬品に従ってエッチングされるが、ガス混合物に重合剤が加えられることが好ましい。一実施形態では、炭素、水素及びフッ素を含む重合ガスと共に、ドライプラズマエッチングが用いられる。プラズマと共に、重合剤を使用することによって、層１９の外側側壁上で水平方向への成長が生じる。水平方向への成長は、フォトレジスト材料１６のパターンの間隔に関連付けられる限界寸法を低減する。ＡＲＣ層１９は、ゲートスタック、コンタクト、導電線又は他のＩＣ構造のような集積回路構造を形成するためのマスクとして用いることができる。層１６及び１９は、下層又は基板をエッチングするためのマスクとして、一緒に用いられることが好ましい。
【００３２】
ステップ２１４では、材料１６及び層１９をパターンとして用いて、下層（層５２）又は基板１２がエッチングされる。重合剤を使用することによって、間隔（スペーシング）が縮小される。本発明は、特許請求の範囲において具体的に列挙されない限り、そのタイプのＩＣ構造が形成されることに限定されない。
【００３３】
図３を参照すると、基板１２は、誘電体層５２と、ゲート導体層５４とを含む。層５２及び５４は、ゲート構造を形成するための導電性／誘電性スタックである。層５２及び５４は種々の厚みを有することができ、種々の材料から製造することができる。一実施形態では、ゲート導体層５４は、５００オングストロームから２０００オングストローム厚のポリシリコン層であり、層５２は、５オングストロームから２０オングストローム厚の二酸化シリコン又は窒化シリコン層である。層５４は、層５２上に、化学気相成長（ＣＶＤ）によって堆積することができる。層５２は、基板１２上に成長させるか、又は堆積（ＣＶＤ）することができる。
【００３４】
代替的に、層５２及び５４として、ＩＣ製造において用いられる任意のタイプの層を用いることができる。層５２及び５４は、基板１２上に設けられる付加的な層の例にすぎない。別の代替形態では、層１９は基板１２上に設けられ、基板１２にフィーチャを形成するために用いられる（図９）。さらに別の実施形態では、層１９は金属層８２上に設けられ、導電線を形成するために用いられる。
【００３５】
層５４上に反射防止コーティング層１９が設けられる（工程２００のステップ２０２）。反射防止コーティング層１９はＣＶＤによって堆積することができる。一実施形態では、層１９は、３５０オングストロームから４００オングストローム厚の有機ＡＲＣ材料（たとえば、ＡＲ１０またはＡＲ３０）の層として堆積される。層１９の厚みは、リソグラフィに関連付けられる光学パラメータに基づいて選択される。
【００３６】
図４を参照すると、層１９上にフォトレジスト材料１６の層を付着する（工程２００のステップ２０６）。材料１６は、１００から５００００オングストロームの厚みまでスピンコーティングによって付着することができる。フォトレジスト材料１６は、種々の従来の工程において付着又は堆積することができる。
【００３７】
図５を参照すると、フォトレジスト材料１６が、従来のリソグラフィ工程に従って、フィーチャ５６を有するように構成される（工程２００のステップ２０８）。リソグラフィ工程は、層１９の反射防止特性を利用することが好都合である。
【００３８】
一実施形態では、材料１６内にフィーチャ５６をパターニングするために、放射線が利用される。放射線に曝露された後に、材料１６は現像され、フィーチャ５６及び５７が残される。フィーチャ５６及び５７は間隔（スペーシング）５９だけ分離される。
【００３９】
図６を参照すると、フィーチャ１６に従って、層１９が除去される。ドライエッチング工程を用いて、層１９を除去することが好ましい。一実施形態では、層５４の材料に対して、材料１９に選択性があるプラズマドライエッチング工程が用いられる。従来のＢＡＲＣエッチング工程が用いられることが好ましい。好ましい一実施形態では、７５ＣＦ４２５ＨＢＲのエッチング化学薬品が、プラズマエッチング工程において用いられる。さらに、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２、ＨＦ２又はＣＨ３Ｆのような重合剤が、ガス混合物に含まれる（工程２００のステップ２１４）。
【００４０】
図７を参照すると、材料１６に従って層１９がエッチングされるとき、重合剤を含むドライエッチング工程は、間隔５９の限界寸法を縮小する。図に示されるように、寸法６９は、間隔５９に関連付けられる寸法よりも小さい。材料６５が、層１９の側壁６１（図６）上に成長して、寸法６９を縮減する。図８を参照すると、層１９に従って層５４がエッチングされ、層５４は、層１９の寸法６９に関連付けられる寸法を有する間隔を含む（工程２００のステップ２１４）。
【００４１】
図９を参照すると、間隔６９を用いて基板１２をエッチングするために、工程２００が用いられる。この実施形態によれば、層１９が基板１２上に直に設けられる。図１０を参照すると、別の実施形態では、別の金属層７８の上にある層間誘電体８２上にある金属層８４をエッチングするために、工程２００が用いられる。層５５はトランジスタを含む。本願全体を通して説明されるように、工程２００は、ＡＲＣ材料が用いられる任意の回路構造を製造するために適用することができる。
【００４２】
以下の表１は、エッチング要因を示すことに関連するような、層１９のためのエッチング化学薬品のための種々のプロセスパラメータの例を与える。
【００４３】
【表１】
2008535280.tif 000003
【００４４】
表１において示されるように、例２から例５は重合剤を利用する。各例におけるプラズマは、エッチストップ条件又は終点条件に達した時点を判定するためにモニタした。終点条件に達した場合には、可能な場合に、間隔が縮減されたことを判定した。例１では、元のフォトレジスト間隔が９０ｎｍであり、９６ｎｍまで成長した。例２では、その間隔が９０ｎｍから７９．１ｎｍまで縮小し、重合剤が１０．９ｎｍだけ間隔を縮減するための役割を果たしたことを示す。例３では、間隔は９０ｎｍから６９ｎｍまで減少した。例４では、間隔は９０ｎｍから７９．１ｎｍまで縮小し、ＣＤ縮小の度合いが、用いられる重合剤のＣ／Ｆ比によって調節できることを示している。例５では、エッチストップ条件が生じ、重合条件が高すぎる結果として、エッチストップ条件が生じる可能性があることを示す。
【００４５】
所与の詳細な図面、具体的な例、材料タイプ、厚み、寸法及び個々の値は、本発明の好ましい例示的な実施形態を提供するが、その好ましい例示的な実施形態は、例示にすぎないことは理解されたい。本発明の方法及び装置は、開示されるのと全く同じ細部及び条件には限定されない。たとえば、具体的なタイプのＡＲＣ材料及び厚み、プロセスが述べられるが、他の材料及び工程ステップを用いることもできる。添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の精神から逸脱することなく、開示される細部に対して種々の変更を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】例示的な一実施形態による、集積回路ウェハを処理するためのエッチングシステムの包括的な概略ブロック図である。
【図２】基板、又は基板の上方にある層のための反射防止コーティング層エッチング工程を示す流れ図である。
【図３】図２に示される工程の例示的な一実施形態による、反射防止コーティング層堆積ステップを示す、図１に示される基板の概略的な断面図である。
【図４】図２に示される工程の例示的な一実施形態による、フォトレジスト層付加ステップを示す、図３に示される基板の概略的な断面図である。
【図５】図２に示される工程の例示的な一実施形態による、フォトレジストパターニングステップを示す、図４に示される基板の概略的な断面図である。
【図６】図２に示される工程の例示的な一実施形態による、反射防止コーティング層のエッチングを示す、図５に示される基板の概略的な断面図である。
【図７】図２に示される工程の例示的な一実施形態による、反射防止コーティング層の外側側壁上の成長を示す、図６に示される基板の概略的な断面図である。
【図８】図２に示される工程の例示的な一実施形態による、層エッチングステップを示す、図７に示される基板の概略的な断面図である。
【図９】図２に示される工程の例示的な一実施形態による、基板エッチングステップを示す、図１に示される基板の概略的な断面図である。
【図１０】図２に示される工程の例示的な一実施形態による、導電線エッチングステップを示す、図１に示される基板の概略的な断面図である。
【図１】
2008535280.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008535280.tif 000009
【図７】
2008535280.tif 000010
【図８】
2008535280.tif 000011
【図９】
2008535280.tif 000012
【図１０】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年2月7日(2007.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を形成する方法であって、
基板（１２）の上方に反射防止コーティング層（１９）を設けるステップと、
前記反射防止コーティング層の上方にフォトレジスト層（１６）を設けるステップと、
前記フォトレジスト層をパターニングするステップと
前記パターニングされたフォトレジスト層に従って、前記反射防止コーティング層（１９）を除去するステップとを含み、
前記除去するステップは、ＨＢｒ及び重合ガスを含むガス混合物を利用して、前記反射防止コーティング層（１９）内に、限界寸法が縮減されたフィーチャを形成する方法。
【請求項２】
前記反射防止コーティング層に従って、前記基板の上方にある絶縁層、導電層又は半導体層（８２、５４）をエッチングするステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記縮減された限界寸法はスペーシングである、請求項２に記載の集積回路を形成する方法。
【請求項４】
前記重合ガスは、ＣＨ２Ｆ２又はＣＨ３Ｆのうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記反射防止コーティング（１９）は３５０オングストロームから４００オングストロームの厚みである、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記除去するステップは、前記重合ガスを１０パーセント含むガス混合物を利用する、請求項１乃至３のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
前記重合ガスは、１５ｓｃｃｍ未満の流量を有する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記流量は７ｓｃｃｍから１５ｓｃｃｍの間である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記重合ガスは、７ｓｃｃｍから１２ｓｃｃｍの間の流量を有する、請求項１乃至３のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
前記フィーチャは前記スペーシングであり、前記縮減された限界寸法は前記スペーシングの幅であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項記載の方法。
【国際調査報告】
2008535280.tif 000014
2008535280.tif 000015