(57)【要約】【課題】サブトラクティブ法により両面フレキシブルプリント基板に形成される差動信号伝送回路において、所望の差動インピーダンスの許容公差を確保しつつ広い範囲の製造公差を実現する。【解決手段】差動信号伝送回路は、ベースフィルム１と、このベースフィルム１の一方の面に並設された差動信号を伝送する２本の信号線４と、ベースフィルム１の一方の面に２本の信号線４の外側にそれぞれ形成されたＧＮＤ線３と、ベースフィルム１の他方の面に形成されたＧＮＤパターン５とを有し、信号線４、ＧＮＤ線３及びＧＮＤパターン５をサブトラクティブ法により形成したマイクロストリップ構造を有する。信号線４及びＧＮＤ線３は、信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘに対する２本の信号線４間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるように形成されている。【選択図】図１
2015005668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
この絶縁層の一方の面に並設された差動信号を伝送する２本の信号線と、
前記絶縁層の一方の面に前記２本の信号線の外側にそれぞれ形成されたＧＮＤ線と、
前記絶縁層の他方の面に形成された配線層と
を有し、前記信号線、ＧＮＤ線及び配線層を、前記絶縁層にサブトラクティブ法により形成した両面フレキシブルプリント基板によるマイクロストリップ構造の差動信号伝送回路において、
前記信号線及びＧＮＤ線は、前記信号線と前記ＧＮＤ線との間の距離Ｘに対する前記２本の信号線間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるように形成されている
ことを特徴とする差動信号伝送回路。
【請求項２】
前記信号線の導体厚ｔは、１８μｍ〜２７μｍである
ことを特徴とする請求項１記載の差動信号伝送回路。
【請求項３】
前記比率Ｕは、１．８±０．５である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の差動信号伝送回路。
【請求項４】
サブトラクティブ法により絶縁層の一方の面に、並設された差動信号を伝送する２本の信号線と、その外側のＧＮＤ線を形成し、他方の面に配線層を形成する、両面フレキシブルプリント基板によるマイクロストリップ構造の差動信号伝送回路の製造方法において、
前記絶縁層の一方の面に設けられた導体層の上に、前記信号線と前記ＧＮＤ線との間の距離Ｘに対する前記２本の信号線間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるようにレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより前記導体層を選択的に除去し、
前記レジストパターンを前記導体層から剥離して除去する
ことを特徴とする差動信号伝送回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フレキシブルプリント基板の絶縁層上に形成される差動信号伝送回路及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高速信号伝送技術においては、一対の信号線を使用してデータ信号を伝送する差動伝送技術が多用されている。差動信号伝送では、差動信号伝送回路を構成する２本の信号線で互いに逆位相の信号を伝送するようにしている。このため、シングルエンド伝送に比べて耐ノイズ性に優れ、小さな信号振幅で高速にデータ信号を伝送することができる。
【０００３】
差動信号伝送は、種々の規格によってその回路上の特性インピーダンスである差動インピーダンスＺｄｉｆｆが定められている。差動インピーダンスＺｄｉｆｆは、例えば２本の信号線間距離Ｓや回路幅Ｗ、信号線と接地（ＧＮＤ）線との間の距離Ｘ、基板の絶縁層を挟んで信号線と反対側の面に形成された回路と信号線との間の距離ｈ等の種々の要素によって求まることが知られている。
【０００４】
差動信号伝送においては、例えば携帯情報端末の小型化や伝送するデータ量の増加等に伴いつつも更に耐ノイズ性を改善するために、一般的には２本の信号線を近付けて配置する（すなわち、信号線間距離Ｓを小さくする）ことが好ましいとされている。こうすることで、一方の信号線を流れる電流により発生する磁力線の多くが他方の信号線へ終端するような閉じた系とすることができ、外部からのノイズ耐性を高めることができるからである。
【０００５】
また、同様の理由により、信号線とＧＮＤ線との間の距離Ｘは極力広い方が好ましいとされている。例えば、下記非特許文献１には、信号線間で十分な結合を得るには、信号線間距離Ｓに対し、信号線とＧＮＤ線との間の距離Ｘが、Ｘ≧２Ｓであることが望ましいとされている。すなわち、信号線とＧＮＤ線との間の距離Ｘに対する信号線間距離Ｓの比率（Ｓ／Ｘ）をＵとすると、Ｕ＝０．５となるように回路設計されることが好ましいとされている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】ＬＶＤＳオーナーズ・マニュアル  第３版−２００４年１２月，ナショナルセミコンダクタージャパン株式会社発行，ｐ３−８，３−９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した非特許文献１に開示されているような比率Ｕが０．５となるような差動信号回路を、例えばサブトラクティブ法により作製しようとすると、導体パターンのエッチング工程においてエッチングの進行度合いに差が生じてしまう。このため、サブトラクティブ法での製造性を考慮すると信号線とＧＮＤ線との間の距離Ｘと信号線間距離Ｓは同じであった方が良く、所望の割合の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの許容公差を確保した状態で比率Ｕが１．０となるように回路設計することが好ましい。そして、差動信号伝送回路の広い範囲での製造公差を実現するためには、信号線間距離Ｓが長い方が望ましいので、比率Ｕを含めた回路設計においては更なる改良の余地があるといえる。
【０００８】
この発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、サブトラクティブ法により両面フレキシブルプリント基板に形成される差動信号伝送回路において、所望の差動インピーダンスの許容公差を確保しつつ広い範囲の製造公差を実現することができる差動信号伝送回路及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る差動信号伝送回路は、絶縁層と、この絶縁層の一方の面に並設された差動信号を伝送する２本の信号線と、前記絶縁層の一方の面に前記２本の信号線の外側にそれぞれ形成されたＧＮＤ線と、前記絶縁層の他方の面に形成された配線層とを有し、前記信号線、ＧＮＤ線及び配線層を、前記絶縁層にサブトラクティブ法により形成した両面フレキシブルプリント基板によるマイクロストリップ構造の差動信号伝送回路において、前記信号線及びＧＮＤ線は、前記信号線と前記ＧＮＤ線との間の距離Ｘに対する前記２本の信号線間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるように形成されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る差動信号伝送回路によれば、信号線とＧＮＤ線との間の距離Ｘに対する２本の信号線間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるように形成されているので、サブトラクティブ法での両面フレキシブルプリント基板における製造性を向上させつつ、所望の差動インピーダンスの許容公差を確保して広い範囲の製造公差を実現することができる。
【００１１】
本発明の一実施形態においては、前記信号線の導体厚ｔは、１８μｍ〜２７μｍである。
【００１２】
本発明の他の実施形態においては、前記比率Ｕは、１．８±０．５である。
【００１３】
本発明に係る差動信号伝送回路の製造方法は、サブトラクティブ法により絶縁層の一方の面に、並設された差動信号を伝送する２本の信号線と、その外側のＧＮＤ線を形成し、他方の面に配線層を形成する、両面フレキシブルプリント基板によるマイクロストリップ構造の差動信号伝送回路の製造方法において、前記絶縁層の一方の面に設けられた導体層の上に、前記信号線と前記ＧＮＤ線との間の距離Ｘに対する前記２本の信号線間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるようにレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより前記導体層を選択的に除去し、前記レジストパターンを前記導体層から剥離して除去することを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る差動信号伝送回路の製造方法によれば、上記差動信号伝送回路の作用効果と同様に、サブトラクティブ法での製造性を向上させつつ、所望の差動インピーダンスの許容公差を確保して広い範囲の製造公差を実現することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、サブトラクティブ法により両面フレキシブルプリント基板に形成されるマイクロストリップ構造の差動信号伝送回路において、所望の差動インピーダンスの許容公差を確保しつつ広い範囲の製造公差を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る差動信号伝送回路が形成された両面フレキシブルプリント基板の断面図である。
【図２】従来の設計指針で設計した差動信号伝送回路の一例における２本の信号線間の距離Ｓと差動インピーダンスとの関係を示すグラフである。
【図３】従来の設計指針で設計した差動信号伝送回路における回路設計例を表す図である。
【図４】同回路設計例における製造公差と差動インピーダンスとの関係を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施形態に係る差動信号伝送回路における回路設計例を表す図である。
【図６】同差動信号伝送回路における製造公差と差動インピーダンスとの関係を示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施形態に係る差動信号伝送回路における回路設計例を表す図である。
【図８】同差動信号伝送回路における製造公差と差動インピーダンスとの関係を示すグラフである。
【図９】同差動信号伝送回路における比率Ｕと差動インピーダンスの１０％管理公差との関係を示すグラフである。
【図１０】同差動信号伝送回路の実施例における比率Ｕと１０％管理公差との計算結果に基づく関係を示すグラフである。
【図１１】同差動信号伝送回路の実施例において計算結果をオフセットした比率Ｕとパターン幅の製造管理公差との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付の図面を参照して、この発明の実施の形態に係る差動信号伝送回路及びその製造方法を詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態に係る差動信号伝送回路が形成された両面フレキシブルプリント基板の断面図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態に係る差動信号伝送回路は、例えば両面フレキシブルプリント基板（以下、「両面ＦＰＣ」と呼ぶ。）１００により形成され、可撓性及び絶縁性を有するベースフィルム１と、このベースフィルム１の一方の面側に形成された接地（ＧＮＤ）線３からなるＧＮＤパターンと、これらＧＮＤ線３の間に形成された差動信号を伝送する一対の平行な信号線４からなる信号伝送パターンと、ベースフィルム１の他方の面側に形成されたベタパターン状のＧＮＤパターン５とから構成される。なお、ＧＮＤパターン５は、他の配線層であっても良い。
【００２０】
両面ＦＰＣ１００は、導体層としての銅箔がベースフィルム１の両面に予め設けられている銅張積層板や、銅箔がベースフィルム１に接着剤等を介して貼り合わされた構造の基板等からなる。両面ＦＰＣ１００のベースフィルム１は、例えば厚さが２５μｍ〜５０μｍ程度のＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＩ、ＰＡ又は液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の絶縁材料からなる。
【００２１】
ＧＮＤ線３、信号線４及びＧＮＤパターン５は、例えば厚さ１２μｍ〜３０μｍ程度、好ましくは１８μｍ〜２７μｍの銅箔等の導電性材料から形成されている。なお、ＧＮＤ線３は、信号線４の回路幅Ｗよりも十分に大きな回路幅で形成されている。また、図示は省略するが、ＧＮＤ線３及び信号線４上やＧＮＤパターン５上には、これらを保護することを主目的としたカバーレイフィルムが接着層を介して貼着されていても良い。
【００２２】
差動信号伝送回路は、ＧＮＤ線３と信号線４との間の距離Ｘに対する一対の信号線４間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるように、好ましくは１．８±０．５となるように形成されている。ここで、この差動信号伝送回路の製造方法による製造処理について説明する。
【００２３】
差動信号伝送回路の製造処理においては、まず、例えば両面に銅からなる導体層が形成された両面銅張積層板を準備する。そして、この両面銅張積層板の一方の面側の導体層の上に、形成される信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘに対する２本の信号線４間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるように設計されたレジストパターンを形成する。
【００２４】
次に、形成したレジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、一方の面側の導体層を選択的に除去し、最後に、レジストパターンを導体層から剥離して除去することで、ベースフィルム１の一方の面側に上述したような信号線４及びＧＮＤ線３が形成された両面ＦＰＣ１００からなる差動信号伝送回路を製造する。
【００２５】
上述したように、本実施形態に係る差動信号伝送回路においては、信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘに対する２本の信号線４間の距離Ｓの比率Ｕが、１．０〜２．８となるように回路設計されることが重要である。このため、本発明者は、まず、ＬＶＤＳオーナーズ・マニュアルに則った従来の設計指針に基づく差動信号伝送回路を作製した。
【００２６】
図２は、従来の設計指針で設計した差動信号伝送回路の一例における２本の信号線間の距離Ｓと差動インピーダンスとの関係を示すグラフである。図３は、従来の設計指針で設計した差動信号伝送回路における回路設計例を表す図である。図４は、回路設計例における製造公差と差動インピーダンスとの関係を示すグラフである。
【００２７】
図２のグラフにおいては、横軸が２本の信号線４間の距離Ｓを表し、縦軸が差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値（Ω）を表しており、これらの関係が線３１により表されている。一例として、従来の設計指針で設計した差動信号伝送回路は、設計差動インピーダンスＺｄｉｆｆを１００Ωとし、ベースフィルム１に５０μｍ厚のＰＩを用いた両面ＦＰＣに形成されたマイクロストリップ構造を有するもので、図２に示すように、２本の信号線４間の距離Ｓが５０μｍ程度のときに差動インピーダンスＺｄｉｆｆが１００Ωを多少超えた位になる。
【００２８】
そして、上記距離Ｓが５８μｍ程度のときに差動インピーダンスＺｄｉｆｆが１０１Ωを多少超えたピークとなり、距離Ｓが５８μｍ程度を超えた辺りから差動インピーダンスＺｄｉｆｆがピークを下回るようになり、距離Ｓが１２５μｍ程度のときに差動インピーダンスＺｄｉｆｆが８７Ω程度となるような回路特性を有する。
【００２９】
このような差動信号伝送回路においては、差動インピーダンスＺｄｉｆｆが１００Ω以上になっているものであれば、信号線４の回路幅Ｗを調整して差動インピーダンスＺｄｉｆｆを１００Ωまで下げることができる。しかし、サブトラクティブ法による製造性を考慮したときには、回路幅Ｗや距離Ｓの最小値ができるだけ大きい方が製造しやすいといえる。従って、この差動信号伝送回路の好ましい回路設計例は、次のようになる。
【００３０】
すなわち、図３に示すように、回路設計例による設計値は、２本の信号線４のそれぞれの回路幅Ｗが７０μｍ、２本の信号線４間の距離Ｓが７０μｍで、信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘが１４０μｍとなり、全体の回路パターンの線間部分を含むパターン幅の総計は４９０μｍとなる。
【００３１】
そして、この設計値によれば、従来の設計指針にて推奨されている通り、信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘに対する２本の信号線４間の距離Ｓの比率Ｕは０．５となる。なお、このような比率Ｕが０．５となるときの差動信号伝送回路の製造公差を考慮すると、次のようになる。
【００３２】
図４のグラフにおいては、横軸が製造公差（μｍ）を表し、縦軸が差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値（Ω）を表しており、比率Ｕが０．５のときのこれらの値が線３２により表されている。図４に示すように、例えば差動インピーダンスＺｄｉｆｆの設計差動インピーダンスＺｄｉｆｆに対する管理公差を１０％以内に抑えようとした場合は、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値は１００Ω±１０Ωとなり９０Ω〜１１０Ωの範囲内となる。この場合、回路パターンの製造管理幅は線３２より導かれて−１２μｍ〜１０μｍ程度（すなわち、１０％管理公差２２μｍ程度）となることが分かる。
【００３３】
一方、上記従来の設計指針で設計した差動信号伝送回路と同様に、設計差動インピーダンスＺｄｉｆｆを１００Ωとし、ベースフィルム１に５０μｍ厚のＰＩを用いた両面ＦＰＣに形成されたマイクロストリップ構造を有し、全体の回路パターンの線間部分を含むパターン幅の総計を４９０μｍとしたもので、エッチングによるパターン形成性を考慮した場合の回路設計例は、例えば次のようになる。
【００３４】
図５は、本発明の一実施形態に係る差動信号伝送回路における回路設計例を表す図である。図５に示すように、本回路設計例においては、信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘに対する２本の信号線４間の距離Ｓの比率Ｕが１．０（すなわち、距離Ｘと距離Ｓとが均等）となっている。
【００３５】
そして、本回路設計例による設計値は、２本の信号線４のそれぞれの回路幅Ｗが８６μｍ、２本の信号線４間の距離Ｓが１０６μｍであり、信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘが１０６μｍとなる。なお、このような比率Ｕが１．０となるときの差動信号伝送回路の製造公差を考慮すると、次のようになる。
【００３６】
図６は、差動信号伝送回路における製造公差と差動インピーダンスとの関係を示すグラフである。図６のグラフにおいては、図４と同様に横軸が製造公差（μｍ）を表し、縦軸が差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値（Ω）を表しており、比率Ｕが１．０のときのこれらの値が線３３により表されている。
【００３７】
図６に示すように、上記のような差動インピーダンスＺｄｉｆｆの管理公差を１０％以内に抑えようとした場合は、回路パターンの製造管理幅は線３３より導かれて−１５μｍ〜１３μｍ程度（すなわち、１０％管理公差２８μｍ程度）となることが分かる。このように、設計差動インピーダンスＺｄｉｆｆを一定の管理公差の範囲内に設定した場合においては、上述した比率Ｕが０．５となる従来の設計指針に従った差動信号伝送回路よりも、本実施形態に係る回路設計のように比率Ｕが１．０となる設計指針に従った差動信号伝送回路の方が、回路パターンの製造管理幅の範囲が広くなることが分かる。そして、本発明者の検証により、比率Ｕは１．０のみならず、１．０〜２．８まで広く設定できることが判明した。
【００３８】
従って、本実施形態に係る差動信号伝送回路は、サブトラクティブ法での製造性を向上させることができる。また、所望の差動インピーダンスの許容公差を確保してつつ広い範囲の製造公差を実現することができる。なお、本発明者は、上記比率Ｕが１．０〜２．８の範囲において、よりも好ましくなる場合があるかを検証するために、上述した条件下の差動信号伝送回路において回路設計を変更した種々の実験を繰り返し、次のような結果を得た。
【００３９】
図７は、本発明の他の実施形態に係る差動信号伝送回路における回路設計例を表す図である。図８は、差動信号伝送回路における製造公差と差動インピーダンスとの関係を示すグラフである。図９は、差動信号伝送回路における比率Ｕと差動インピーダンスの１０％管理公差との関係を示すグラフである。本発明者が実施した実験結果によると、次のような比率Ｕが導き出された。
【００４０】
すなわち、設計差動インピーダンスＺｄｉｆｆを１００Ωとし、ベースフィルム１に５０μｍ厚のＰＩを用いた両面ＦＰＣに形成されたマイクロストリップ構造を有し、全体の回路パターンの線間部分を含むパターン幅の総計を４９０μｍとした上で、信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘに対する２本の信号線４間の距離Ｓの比率Ｕが、１．８±０．５となるものが好ましいことが判明した。
【００４１】
具体的には、比率Ｕを１．８程度にした場合の回路設計例による設計値は、図７に示すように、２本の信号線４のそれぞれの回路幅Ｗが９２．５μｍ、２本の信号線４間の距離Ｓが１４５μｍであり、信号線４とＧＮＤ線３との間の距離Ｘが８０μｍとなった。そして、このような比率Ｕが１．８となるときの差動信号伝送回路の製造公差を考慮すると、次のようになった。
【００４２】
図８のグラフにおいては、図４や図６と同様に横軸が製造公差（μｍ）を表し、縦軸が差動インピーダンスＺｄｉｆｆの値（Ω）を表しており、比率Ｕが１．８のときのこれらの値が線３４により表されている。図８に示すように、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの管理公差を１０％以内に抑えようとした場合は、回路パターンの製造管理幅は線３４より導かれて−１６μｍ〜１５μｍ程度（すなわち、１０％管理公差３１μｍ程度）となった。この場合においては、例えば上述した比率Ｕが１．０となる設計指針に従った差動信号伝送回路よりも、更に回路パターンの製造管理幅の範囲が広くなることが判明した。
【００４３】
なお、上述した実施形態に係る差動信号伝送回路において、比率Ｕが１．０〜２．８となることは、図９からも把握することができる。図９のグラフにおいては、横軸が比率Ｕを表し、縦軸が差動インピーダンスＺｄｉｆｆの１０％管理公差の値（μｍ）を表しており、これらの関係が線３５により表されている。
【００４４】
図９に示すように、比率Ｕが１．０〜２．８の範囲内では、１０％管理公差が２８μｍ以上となり、ピークの１０％管理公差である３１μｍのときは比率Ｕが１．８となっていることが分かる。このように、比率Ｕが１．０〜２．８、好ましくは１．８±０．５の範囲においては、サブトラクティブ法を用いた回路形成を行った場合に、安定してインピーダンスコントロールされた差動信号伝送回路の製造を可能にし、安定的に高速信号伝送を行うことが可能となる。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例により差動信号伝送回路について具体的に説明する。図１０は、差動信号伝送回路の実施例における比率Ｕと１０％管理公差との計算結果に基づく関係を示すグラフである。また、図１１は、差動信号伝送回路の実施例において計算結果をオフセットした比率Ｕとパターン幅の製造管理公差との関係を示すグラフである。
【００４６】
本実施例においては、設計差動インピーダンスＺｄｉｆｆを１００Ωとし、ベースフィルム１の材質及び厚さを変更した。また、信号線４やＧＮＤ線３の厚さを変更し、ベースフィルム１とこれら信号線４やＧＮＤ線３との間の接着剤の有無に基づく厚さを考慮して、サンプル１〜サンプル４までの４種類の差動信号伝送回路のサンプルを作製した。そして、各サンプル１〜４について、上記比率Ｕ及び差動インピーダンスＺｄｉｆｆの１０％管理公差を計算した。
【００４７】
サンプル１のベースフィルム１の材質はＰＩで厚さは５０μｍ、信号線４等の厚さは１８μｍとした。サンプル２のベースフィルム１の材質はＰＩで厚さは２５μｍ、接着剤の厚さは１０μｍ、信号線４等の厚さは１２μｍとした。サンプル３のベースフィルム１の材質はＰＩで厚さは５０μｍ、接着剤の厚さは１０μｍ、信号線４等の厚さは２７μｍとした。更に、サンプル４のベースフィルム１の材質は液晶ポリマーで厚さは５０μｍ、信号線４等の厚さは１８μｍとした。
【００４８】
これら各サンプル１〜４の計算結果に基づく比率Ｕと１０％管理公差との関係は、図１０に示すようになった。例えば、サンプル１については、比率Ｕが０．５のときは１０％管理公差が２２μｍとなり、比率Ｕが１．０のときは１０％管理公差が２９μｍとなった。また、比率Ｕが１．５或いは２．０のときは１０％管理公差が３０．５μｍとなり、比率Ｕが２．５のときは１０％管理公差が２９．５μｍとなった。
【００４９】
サンプル２については、比率Ｕが０．５のときは１０％管理公差が２０．５μｍとなり、比率Ｕが１．０のときは１０％管理公差が２６μｍとなった。また、比率Ｕが１．５或いは２．０のときは１０％管理公差が２８μｍとなり、比率Ｕが２．５のときは１０％管理公差が２７μｍとなった。
【００５０】
サンプル３については、比率Ｕが０．５のときは１０％管理公差が３１．５μｍとなり、比率Ｕが１．０のときは１０％管理公差が４１μｍとなった。また、比率Ｕが１．５或いは２．０のときは１０％管理公差が４３．５μｍとなり、比率Ｕが２．５のときは１０％管理公差が４２μｍとなった。
【００５１】
サンプル４については、比率Ｕが０．５のときは１０％管理公差が２７μｍとなり、比率Ｕが１．０のときは１０％管理公差が３４μｍとなった。また、比率Ｕが１．５或いは２．０のときは１０％管理公差が３６μｍとなり、比率Ｕが２．５のときは１０％管理公差が３５μｍとなった。
【００５２】
そして、各サンプル１〜４の計算結果を、それぞれ例えば比率Ｕが１．０で全体の回路パターンの線間部分を含むパターン幅の製造管理公差が０となるようにオフセット変換すると、図１１に示すようになる。図１１においては、各サンプル１〜４の全てにおいて、比率Ｕが１．０〜２．８の範囲で製造管理公差を０よりプラス側の領域にすることが可能であり、これにより、設計差動インピーダンスＺｄｉｆｆに基づく差動インピーダンスＺｄｉｆｆの管理公差を十分満たすことが可能であることが判明した。
【００５３】
以上のような結果から、本発明に係る差動信号伝送回路によれば、マイクロストリップ構造における従来の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの設計方式に比べて製造公差を広く得ることができ、よりインピーダンスマッチングされた信号伝送路を高確率で製造することができて、差動信号の伝送特性を向上させることが可能となった。
【符号の説明】
【００５４】
１          ベースフィルム
３          ＧＮＤ線
４          信号線
５          ＧＮＤパターン
１００      両面フレキシブルプリント基板
【図１】
2015005668.tif 000003
【図２】
2015005668.tif 000004
【図３】
2015005668.tif 000005
【図４】
2015005668.tif 000006
【図５】
2015005668.tif 000007
【図６】
2015005668.tif 000008
【図７】
2015005668.tif 000009
【図８】
2015005668.tif 000010
【図９】
2015005668.tif 000011
【図１０】
2015005668.tif 000012
【図１１】
2015005668.tif 000013