(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、トランジスタに対する遮光性を高めつつ、開口率を向上させる。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、データ線（６ａ）に電気的に接続されたトランジスタ（３０）と、トランジスタに対応して設けられた画素電極（９ａ）と、トランジスタの半導体層を覆うように設けられた遮光部（１１）と、遮光部と重なるように設けられ、画素電極より下層側且つ半導体層より上層側に形成された第１導電膜（７１）と、第１導電膜より層間絶縁膜（４２）を介して上層側に形成されると共にコンタクトホール（８４）を介して第１導電膜と電気的に接続された第２導電膜（９１）とを備える。更に、遮光部は、画素電極に対応した各画素の開口領域の隅に張り出した張出部分（１１ｔ）を有しており、コンタクトホールは、基板上で平面的に見て、張出部分と少なくとも部分的に重なる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
データ線と、
該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、
該トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスタの半導体層を覆うように設けられた遮光部と、
前記遮光部と重なるように設けられ、前記画素電極より下層側且つ前記半導体層より上層側に形成された第１導電膜と、
該第１導電膜より層間絶縁膜を介して上層側に形成されると共に前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記第１導電膜と電気的に接続された第２導電膜と
を備え、
前記遮光部は、前記画素電極に対応した各画素の開口領域の隅に張り出した張出部分を有しており、
前記コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て、前記張出部分と少なくとも部分的に重なる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記張出部分は、前記開口領域の四隅の各々に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２導電膜は、金属膜を含んでなり、前記コンタクトホール内に形成された部分を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記遮光部は、前記基板上において下層側から順次に積層された下部容量電極及び上部容量電極を有すると共に前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち一方の電極が前記画素電極に電気的に接続された容量素子であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１導電膜は、前記一方の電極として形成されると共に前記半導体層と電気的に接続され、
前記第２導電膜は、前記画素電極と電気的に接続される
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記容量素子及び前記第２導電膜より上層側に形成され、前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち前記一方の電極と異なる他の電極に電気的に接続された容量線を備え、
前記第１導電膜は、前記他の電極として形成され、
前記第２導電膜は、前記容量線と電気的に接続される
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２導電膜は、前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち前記一方の電極と異なる他の電極に電気的に接続された容量線として形成され、
前記第１導電膜は、前記他の電極と電気的に接続される
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１導電膜は、前記半導体層と電気的に接続されており、
前記第２導電膜は、前記一方の電極として形成されると共に前記画素電極と電気的に接続される
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記上部容量電極及び前記下部容量電極の各々は、金属膜から形成されることを特徴とする請求項３から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。より具体的には、このような遮光膜は、画素毎に画素電極を駆動するために、表示領域において縦横に交差して配線されたデータ線及び走査線、更には画素毎に走査線及びデータ線に電気的に接続されたＴＦＴを含む各種電子素子等を構成する導電膜の少なくとも一部により形成されるか、或いはこれに加えて若しくは代えて、別途、単に入射光を遮る遮光手段としての役割のみを担うためにデータ線及び走査線の平面的なパターン形状に対応する格子状或いはストライプ状のパターンとして形成されることもある。
【０００３】
このような基板上における遮光膜が形成された領域、即ち基板上において光を透過させない非開口領域に、ＴＦＴと画素電極とを電気的に接続させるためのコンタクトホールが、画素電極と、それよりも下層側に形成された各種配線やＴＦＴ等の電子素子とを層間絶縁する層間絶縁膜に開孔される（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１９８８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表示画像の高品位化という一般的要請に沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの微細化を図るために、更には明るい画像を表示すべく画素の高開口率化を図るために、相互に隣接する画素間に設けられた遮光膜の幅を単純に狭めた場合、ＴＦＴへ光が入射しやすくなってしまう、即ち、ＴＦＴに対する遮光性が低下してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。更に、このような遮光膜の幅を単純に狭めた場合、非開口領域においてコンタクトホールを設けるためのスペースを確保することが、製造プロセス上或いは設計上、困難となるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、トランジスタに対する遮光性を高めつつ、開口率を向上させることができ、明るく高品位な画像を表示可能な電気光学装置、該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、データ線と、該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、該トランジスタに対応して設けられた画素電極と、前記トランジスタの半導体層を覆うように設けられた遮光部と、前記遮光部と重なるように設けられ、前記画素電極より下層側且つ前記半導体層より上層側に形成された第１導電膜と、該第１導電膜より層間絶縁膜を介して上層側に形成されると共に前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記第１導電膜と電気的に接続された第２導電膜とを備え、前記遮光部は、前記画素電極に対応した各画素の開口領域の隅に張り出した張出部分を有しており、前記コンタクトホールは、前記基板上で平面的に見て、前記張出部分と少なくとも部分的に重なる。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、例えば、データ線から画素電極への画像信号の供給が制御される、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。
【０００９】
ここで、本発明に係る「開口領域」とは、実質的に表示光を出射させる画素内の領域であり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極が形成され、光が透過する領域であって、透過率の変更に応じて液晶等の電気光学物質を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域である。言い換えれば、「開口領域」とは、画素に集光される光が光を透過させない、或いは光透過率が透明電極に比べて相対的に小さい配線、遮光膜、及び各種素子等の遮光体で遮られる非開口領域を除く領域を意味する。ここに「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線或いは電極、若しくは各種素子等の遮光体が配設されている領域を意味する。更に、「開口率」とは、開口領域及び非開口領域を加えた画素のサイズにおける開口領域の割合を意味する。
【００１０】
画素電極は、基板上において表示領域となるべき領域に例えばマトリクス状に複数設けられる。また、データ線、トランジスタ、第１及び第２導電膜、並びにその他、画素電極を駆動するための各種構成要素は、非開口領域に形成される。
【００１１】
トランジスタが有する半導体層は、例えば、非開口領域のうち、データ線及び走査線の交差に対応する交差領域に形成される。
【００１２】
第１導電膜は、画素電極より下層側且つ半導体層より上層側に形成される。第２導電膜は、第１導電膜より層間絶縁膜を介して上層側に形成される。第１及び第２導電膜は、層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続される。尚、層間絶縁膜は１層からなる単層膜として形成されてもよいし、２層以上の積層構造を有する多層膜として形成されてもよい。
【００１３】
遮光部は、トランジスタの半導体層を覆うように設けられている。即ち、遮光部は、非開口領域を少なくとも部分的に規定するように、半導体層と互いに異なる層（即ち、半導体層より上層側或いは下層側）に形成される。更に、遮光部は、基板上で平面的に見て半導体層の少なくとも一部と重なる。言い換えれば、遮光部は、半導体層の少なくとも一部を上層側或いは下層側から覆うように形成される。よって、半導体層に対して、それよりも上層側から垂直に或いは斜めに入射する入射光、或いはそれよりも下層側から入射する戻り光を遮光部によって基本的に遮ることができる。尚、「戻り光」には、例えば、基板における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などが含まれる。これにより、トランジスタに対する遮光性を高めることができ、例えばトランジスタにおける光リーク電流を低減できる。
【００１４】
尚、遮光部は、遮光性材料を含む単層膜或いは多層膜として形成される。遮光部は、データ線として形成されてもよいし、トランジスタと電気的に接続された容量素子として形成されてもよいし、走査線として形成されてもよい。
【００１５】
本発明では特に、遮光部は、開口領域の隅に張り出した張り出し部分を有する。例えば、データ線及び走査線が交差する交差領域において、開口領域の隅から開口領域の中央に向かって張り出した張出部分を有する。即ち、四角形の開口領域を基準に考えれば、張出部分は、開口領域の四隅において長方形状或いは正方形状を有するように、開口領域の隅から開口領域の中央に向かって張り出している。よって、交差領域に設けられた半導体層に入射する光を、遮光部における張出部分によって有効に遮光できる。即ち、仮に、このような張出部分が存在しない場合と比べて、例えば張出部分が半導体層より上層側に形成される場合には、半導体層に対して、それよりも上層側から垂直に或いは斜めに入射する入射光やこれに基づく乱反射光及び迷光などを張出部分によってより確実に遮ることができ、例えば張出部分が半導体層より下層側に形成される場合には、半導体層に対して、それよりも下層側から垂直に或いは斜めに入射する戻り光やこれに基づく乱反射光及び迷光などを、張出部分によってより確実に遮ることができる。即ち、半導体層に対する遮光性を張出部分によって高める或いは強化することが可能となる。これにより、例えばトランジスタにおける光リーク電流をより確実に低減できる。
【００１６】
更に本発明では特に、コンタクトホールは、基板上で平面的に見て、張出部分と少なくとも部分的に重なる。即ち、層間絶縁膜には、基板上で平面的に見て、張出部分と少なくとも部分的に重なる位置にコンタクトホールが開孔される。典型的には、非開口領域のうち、遮光部における張出部分が形成される領域（言い換えれば、トランジスタに対する遮光性を高めるための遮光領域）に、コンタクトホールが配置される。従って、コンタクトホールの配置のためのみに、非開口領域のうちデータ線に沿って延びる領域或いは走査線に沿って延びる領域の幅を不要に拡大してしまうことや、別途、非開口領域の一部を不要に拡大してしまうことを防止でき、各画素における開口領域のサイズをより大きく確保することが可能となる。即ち、開口率を向上させることが可能となる。
【００１７】
加えて、コンタクトホールが、張出部分と少なくとも部分的に重なるように配置されることにより、コンタクトホールによって（即ち、コンタクトホール内に形成された第２導電膜の一部、或いはコンタクトホール内に遮光性導電材料からなるプラグとして形成された導電部によって）、半導体層に入射する光を低減できる。即ち、半導体層に対して、それよりも上層側から斜めに入射する光を、コンタクトホールによって遮光できる。
【００１８】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、各画素で、トランジスタに対する遮光性を高めつつ開口率を向上させることができ、最終的に明るく高品位な画像を表示できる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記張出部分は、前記開口領域の四隅の各々に形成される。
【００２０】
この態様によれば、張出部分は、トランジスタの半導体層の周囲に４つ設けられる。よって、トランジスタの半導体層に入射する光を、張出部分によってより確実に遮光できる。更に、コンタクトホールを、張出部分に少なくとも部分的に重なるように容易に配置できる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２導電膜は、金属膜を含んでなり、前記コンタクトホール内に形成された部分を有する。
【００２２】
この態様によれば、コンタクトホール内に金属膜を含んでなる第２導電膜の一部として形成された部分によって、トランジスタの半導体層に入射する光をより一層低減できる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光部は、前記基板上において下層側から順次に積層された下部容量電極及び上部容量電極を有すると共に前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち一方の電極が前記画素電極に電気的に接続された容量素子である。
【００２４】
この態様によれば、各画素において、容量素子の有する上部及び下部容量電極のうち一方の電極に、画素電極に供給される画像信号が供給されることにより、容量素子を画素電極の電位を一時的に保持する保持容量として機能させることができる。これにより、各画素で画素電極を画像信号に応じた電位に保持する保持特性を向上させることが可能となる。
【００２５】
更に、この態様では、容量素子を遮光部として兼用することが可能となり、これとは別途遮光膜を設ける場合に比べて、各画素で、データ線及び走査線や、トランジスタ等の各種構成要素の各々の配置に係る構成をより簡略化することができる。
【００２６】
上述した、遮光部が容量素子である態様では、前記第１導電膜は、前記一方の電極から延在されてなると共に前記半導体層と電気的に接続され、前記第２導電膜は、前記画素電極と電気的に接続されるように構成してもよい。
【００２７】
この場合には、第１及び第２導電膜の各々は、トランジスタの半導体層と画素電極とを電気的に中継接続する中継層として機能する。よって、トランジスタの半導体層と画素電極との間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。更に、第１導電膜は、容量素子の一方の電極から延在されてなるので、積層構造及び製造工程の複雑化を殆ど招かない。
【００２８】
上述した、遮光部が容量素子である態様では、前記容量素子及び前記第２導電膜より上層側に形成され、前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち前記一方の電極と異なる他の電極に電気的に接続された容量線を備え、前記第１導電膜は、前記他の電極として形成され、前記第２導電膜は、前記容量線と電気的に接続されるように構成してもよい。
【００２９】
この場合には、第２導電膜は、容量素子の他の電極（言い換えれば、第１導電膜）と容量線とを電気的に中継する中継層として機能する。よって、容量素子の他の電極と容量線との間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。
【００３０】
上述した、遮光部が容量素子である態様では、前記第２導電膜は、前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうち前記一方の電極と異なる他の電極に電気的に接続された容量線として形成され、前記第１導電膜は、前記他の電極と電気的に接続されるように構成してもよい。
【００３１】
この場合には、第１導電膜は、容量線（言い換えれば、第２導電膜）と容量素子の他の電極とを電気的に中継する中継層として機能する。よって、容量線と容量素子の他の電極との間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。
【００３２】
上述した、遮光部が容量素子である態様では、前記第１導電膜は、前記半導体層と電気的に接続されており、前記第２導電膜は、前記一方の電極から延在されてなり、前記画素電極と電気的に接続されるように構成してもよい。
【００３３】
この場合には、第１及び第２導電膜の各々は、トランジスタの半導体層と画素電極とを電気的に中継接続する中継層として機能する。よって、トランジスタの半導体層と画素電極との間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。更に、第２導電膜は、容量素子の一方の電極から延在されてなるので、積層構造及び製造工程の複雑化を殆ど招かない。
【００３４】
上述した、遮光部が容量素子である態様では、前記上部容量電極及び前記下部容量電極の各々は、金属膜から形成されてもよい。
【００３５】
この場合には、容量素子は、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜が積層されてなる、所謂ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有する。このような容量素子によれば、一対の上部及び下部容量電極に供給される各種信号に応じて当該一対の容量電極で消費される消費電力を低減できる。加えて、一対の容量電極のいずれか一方を半導体膜により形成する場合と比べて、この一方の電極における導電率を高め、容量素子の保持容量としての機能をより向上させることが可能となる。
【００３６】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３７】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、明るく高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００３８】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】第１実施形態における複数の画素部（下層部分）の平面図である。
【図５】第１実施形態における複数の画素部（上層部分）の平面図である。
【図６】図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ’断面図である。
【図７】第１実施形態における張出部分を示す平面図である。
【図８】第２実施形態における複数の画素部（下層部分）の平面図である。
【図９】第２実施形態における複数の画素部（上層部分）の平面図である。
【図１０】図８及び図９を重ね合わせた場合のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１１】第３実施形態における複数の画素部（下層部分）の平面図である。
【図１２】第３実施形態における複数の画素部（上層部分）の平面図である。
【図１３】図１１及び図１２を重ね合わせた場合のＣ−Ｃ’断面図である。
【図１４】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図７を参照して説明する。
【００４１】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【００４２】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４３】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４４】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００４５】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４６】
尚、本実施形態では、画像表示領域１０ａにおける液晶層５０に対して対向基板２０側から入射される入射光が、ＴＦＴアレイ基板１０側から表示光として出射されることを前提としている。
【００４７】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４８】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４９】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５０】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶層５０（図２参照）を構成する液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５１】
液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５２】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に電気的に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。尚、蓄積容量７０は、後述するように、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る内蔵遮光膜としても機能する。
【００５３】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４から図７を参照して説明する。ここに図４及び図５は、本実施形態における複数の画素部の平面図である。図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）とを分かって図示している。図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ’断面図である。図７は、走査線の一部から延設されてなる張出部分を示す平面図である。
【００５４】
尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図５及び図６では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【００５５】
図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている（点線によって、その輪郭が示されている）。
【００５６】
図４及び図５に示すように、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ（即ち、データ線６ａ１及び６ａ２）及び走査線１１が設けられている。即ち、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する交差領域の各々にはＴＦＴ３０（図４参照）が設けられている。
【００５７】
走査線１１、データ線６ａ、蓄積容量７０、中継層９１及び９２並びにＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線１１、蓄積容量７０、データ線６ａ、中継層９１及び９２並びにＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。尚、走査線１１、蓄積容量７０及びデータ線６ａは、非開口領域の一部をそれぞれ規定している。
【００５８】
図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、データ線６ａ１及び６ａ２、画素電極９ａ等の各種の構成要素が積層構造をなして設けられている。この積層構造は、下から順に、走査線１１を含む第１層、ゲート電極３を有するＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ１等を含む第４層、データ線６ａ２等を含む第５層、画素電極９ａ等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４がそれぞれ設けられており、上述した各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中のデータ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１等が形成されている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。尚、上述した積層構造のうち第１層から第１層間絶縁膜までが、下層部分として図４に図示されており、第３層から第６層までが上層部分として図５に図示されている。
【００５９】
（第１層の構成―走査線１１等―）
図６において、第１層として、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えばＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）等の高融点金属材料等の遮光性導電材料からなる。尚、走査線１１は、本発明に係る「遮光部」の一例を構成する。
【００６０】
図４に示すように、走査線１１は、Ｘ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。
【００６１】
図４に加えて図７に示すように、より詳しく見ると、走査線１１は、Ｘ方向に沿うように延びる本線部分１１ｘと、該本線部分１１ｘからＹ方向に沿ってデータ線６ａに重なるように延設された延設部分１１ｙとを備えている。相隣接する走査線１１の延設部分１１ｙは相互に接続されることはなく、従って、該走査線１１は１本１本分断された形となっている。走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０の半導体層１ａ（特に、チャネル領域１ａ’及びその周辺）を遮光する下側遮光膜として機能する。
【００６２】
ここで、本実施形態では特に、張出部分１１ｔが設けられている。張出部分１１ｔは、走査線１１の本線部分１１ｘ及び延設部分１１ｙから延設されてなり、走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する交差領域において開口領域の隅から開口領域の中央へ向かって張り出すように形成されている。よって、仮に張出部分１１ｔが存在しない場合と比べて、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに入射する戻り光を、下側遮光膜としての本線部分１１ｘ及び延設部分１１ｙに加えて、張出部分１１ｔによって有効に遮光できる。これにより、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めることができ、例えばＴＦＴ３０における光リーク電流の発生をより確実に低減できる。
【００６３】
更に、本実施形態では特に、張出部分１１ｔは、各画素の開口領域の四隅の各々に形成されている。言い換えれば、張出部分１１ｔは、交差領域に設けられた半導体層１ａ毎に、その周囲に４つ設けられている。よって、半導体層１ａに入射する戻り光を、張出部分１１ｔによってより確実に遮光できる。
【００６４】
（第２層の構成―ＴＦＴ３０等―）
図６において、第２層として、ＴＦＴ３０が設けられている。
【００６５】
図４及び図６に示すように、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３を含んで構成されている。
【００６６】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００６７】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下及びオフリーク電流の上昇を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６８】
走査線１１及び半導体層１ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁層１２は、走査線１１から半導体層１ａを絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６９】
図４及び図６に示すように、ゲート電極３は、半導体層１ａよりもゲート絶縁膜２ａ及び２ｂを介して上層側に配置されている。即ち、ＴＦＴ３０は、トップゲート型のＴＦＴとして形成されている。ゲート電極３は、例えばＷ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。尚、ゲート電極３は、例えば導電性ポリシリコンから形成されてもよい。
【００７０】
図４に示すように、ゲート電極３は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に重なる本体部分３ａと、該本体部分３ａからＹ方向に沿って延設される延設部分３１とを有している。ゲート電極３は、ゲート絶縁膜２ｂ及び下地絶縁膜１２を貫通して開孔されたコンタクトホール８２を介して、走査線１１と互いに電気的に接続されている。
【００７１】
コンタクトホール８２は、半導体層１ａの両側にそれぞれ１つずつ、Ｙ方向に沿った壁状の遮光体として形成されている。よって、半導体層１ａに対して両側から斜めに入射される光を遮光できる。従って、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めることができ、例えばＴＦＴ３０における光リーク電流をより確実に低減できる。
【００７２】
尚、本実施形態では、各ＴＦＴ３０のゲート電極３をそれぞれ分離して形成したが、例えば、同一の走査線１１に対応するＴＦＴ３０（即ち、Ｘ方向に沿って互いに隣接するＴＦＴ３０）のゲート電極３を互いに繋ぐように形成してもよい。言い換えれば、同一の走査線１１に対応するＴＦＴ３０のゲート電極３を含む、半導体層１ａに対して走査線１１とは反対側の層に配置された他の走査線として形成してもよい。この場合には、走査線を二重配線として構成でき、ゲート電極３に走査信号をより確実に供給できる。
【００７３】
（第３層の構成―蓄積容量７０等―）
図６において、第３層として蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０よりも、第１層間絶縁膜４１を介して上層側に設けられている。
【００７４】
蓄積容量７０は、上部容量電極３００ａと下部容量電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。下部容量電極７１、誘電体膜７５及び上部容量電極３００ａは、下層側からこの順に積層されている。尚、下側容量電極７１は、本発明に係る「第１導電膜」の一例であり、上部容量電極３００ａは、本発明に係る「第２導電膜」の一例である。
【００７５】
図５及び図６に示すように、上部容量電極３００ａは、容量線３００の一部として形成されている。容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ａは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極３００ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
【００７６】
下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３（図４参照）を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８４を介して、後述するデータ線６ａ１と同層（即ち、第４層）に配置された中継層９１に電気的に接続されている。更に、中継層９１は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８５を介して後述するデータ線６ａ２と同層（即ち、第５層）に配置された中継層９２に電気的に接続されている。更に、中継層９２は、第４層間絶縁膜４４に開孔されたコンタクトホール８６を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９１及び９２と共に画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ構造を有している。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００ａとＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。
【００７７】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜若しくは窒化シリコン膜又はアルミナやハフニア等の絶縁性を有する金属酸化物等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００７８】
尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００ａと同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ構造を有するように形成してもよい。
【００７９】
図５に示すように、蓄積容量７０は、走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する交差領域において開口領域の隅から開口領域の中央へ向かって張り出した張出部分７０ｔを有している。言い換えれば、上側遮光膜として機能する上部容量電極３００ａ及び下部容量電極７１の各々は、走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する交差領域において開口領域の隅から開口領域の中央へ向かって張り出すように形成されている。張出部分７０ｔは、図４及び図７を参照して上述した張出部分１１ｔに概ね重なると共に非開口領域の一部を規定するように形成されている。よって、仮に張出部分７０ｔが存在しない場合と比べて、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに上層側から入射する光を、張出部分７０ｔによって有効に遮光できる。これにより、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生をより確実に低減できる。
【００８０】
（第４層の構成―データ線６ａ１等―）
図６において、第４層としてデータ線６ａ１が設けられている。また、第４層には、中継層９１が、データ線６ａ１と同一膜から形成されている。ここで、同一膜とは、同一の導電材料からなる薄膜を同時にパターニングすることを意味する。
【００８１】
図５及び図６に示すように、データ線６ａ１は、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、ゲート絶縁膜２ａ及び２ｂを貫通するコンタクトホール８１（図４参照）を介して電気的に接続されている。データ線６ａ１及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａ１は、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００８２】
中継層９１は、第２層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａ１と同層に形成されている。データ線６ａ１及び中継層９１は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を第２層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ１及び中継層９１を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００８３】
ここで、本実施形態では特に、下部容量電極７１と中継層９１とを電気的に接続するコンタクトホール８４は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、張出部分１１ｔ及び７０ｔと重なるように配置されている。即ち、第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、張出部分１１ｔと重なる位置にコンタクトホール８４が開孔されている。よって、非開口領域のうち、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めるための遮光領域として張出部分１１ｔが形成される領域に、コンタクトホール８４が配置されている。従って、コンタクトホール８４の配置のためのみに、非開口領域のうちデータ線６ａに沿って延びる領域の幅ｄ１或いは走査線１１に沿って延びる領域の幅ｄ２を不要に拡大してしまうことや、別途、非開口領域の一部を不要に拡大してしまうことを防止でき、各画素における開口領域のサイズをより大きく確保することが可能となる。即ち、開口率を向上させることが可能となる。
【００８４】
加えて、コンタクトホール８４が、張出部分１１ｔと重なるように配置されることにより、半導体層１ａに対して、それよりも上層側から斜めに入射する光を、コンタクトホール８４によって（即ち、中継層９１のうちコンタクトホール８４内に形成された部分によって）より確実に遮光できる。
【００８５】
（第５層の構成―データ線６ａ２等―）
図６において、第５層としてデータ線６ａ２が設けられている。また、第５層には、中継層９２が、データ線６ａ２と同一膜から形成されている。
【００８６】
図５に示すように、データ線６ａ２は、データ線６ａ１に沿って（即ちＹ方向に沿って）延びるように形成されており、データ線６ａ１と第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール（図示省略）を介して電気的に接続されている。即ち、データ線６ａは、データ線６ａ１及び６ａ２からなる二重配線として構成されている。データ線６ａ２は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａ２は、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００８７】
中継層９２は、第３層間絶縁膜４３上においてデータ線６ａ２と同層に形成されている。
【００８８】
尚、中継層９１と中継層９２とを電気的に接続するコンタクトホール８５と下部容量電極７１と中継層９１とを電気的に接続するコンタクトホール８４とは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て互いに位置が入れ替わるように配置されてもよい。この場合にも、コンタクトホール８４及び８５の配置のためのみに、非開口領域を不要に拡大してしまうことを防止できる。
【００８９】
尚、本実施形態では、第５層の配線を２層目のデータ線６ａ２として構成しているが、固定電位を供給し、データ線６ａ１と画素電極９ａとの間のシールド層として構成してもよい（言い換えれば、固定電位が供給される固定電位線を、データ線６ａ２に代えて第５層に形成し、該固定電位線を、データ線６ａ１と画素電極９ａとの間の電磁的な干渉を低減或いは防止する電磁シールド膜として機能させてもよい）。また、後述する第２実施形態のように、容量電位を供給し、上部容量電極３００ａと電気的に接続してもよい。この場合、容量線が二重配線として構成される。
【００９０】
（第６層の構成―画素電極９ａ等―）
図６において、第６層として画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、データ線６ａ２よりも第４層間絶縁膜４４を介して上層側に形成されている。
【００９１】
図５及び図６に示すように、画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４、８５及び８６、並びに中継層９１及び９２を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００９２】
上述した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００９３】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めつつ開口率を向上させることができ、最終的に明るく高品位な画像を表示できる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置について、図８から図１０を参照して説明する。ここに図８及び図９は、本実施形態における複数の画素部の平面図である。図８及び図９は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図８）と上層部分（図９）とを分かって図示している。図１０は、図８及び図９を重ね合わせた場合のＢ−Ｂ’断面図である。
【００９４】
尚、図１０においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図９及び図１０では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【００９５】
尚、図８から図１０において、図１から図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００９６】
図８から図１０において、第２実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態におけるデータ線６ａ、蓄積容量７０及び容量線３００の各々に代えてデータ線６ｂ、蓄積容量７０ｂ及び容量線３２０を備える点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【００９７】
図８及び図９に示すように、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ｂ及び走査線１１が設けられている。走査線１１及びデータ線６ｂが互いに交差する交差領域の各々にはＴＦＴ３０が設けられている。
【００９８】
走査線１１、データ線６ｂ、蓄積容量７０ｂ、中継層９１ｂ、９２ｂ及び９３並びにＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域を囲む非開口領域内に配置されている。尚、走査線１１、蓄積容量７０ｂ及びデータ線６ｂは、非開口領域の一部をそれぞれ規定している。
【００９９】
図１０に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０ｂ、データ線６ｂ、画素電極９ａ等の各種の構成要素が積層構造をなして設けられている。この積層構造は、下から順に、走査線１１を含む第１層、ゲート電極３を有するＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０ｂを含む第３層、データ線６ｂ等を含む第４層、容量線３２０等を含む第５層、画素電極９ａ等を含む第６層からなる。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。尚、上述した積層構造のうち第１層から第１層間絶縁膜４１までが、下層部分として図８に図示されており、第３層から第６層までが上層部分として図９に図示されている。
【０１００】
（第１層の構成―走査線１１等―）
図１０において、第１層として、走査線１１が設けられている。走査線１１は、上述した第１実施形態と同様に構成されおり、Ｘ方向に沿うように延びる本線部分１１ｘと、該本線部分１１ｘからＹ方向に沿ってデータ線６ａに重なるように延設された延設部分１１ｙとを備えている。
【０１０１】
本実施形態では、上述した第１実施形態と同様に、張出部分１１ｔが設けられている。よって、仮に張出部分１１ｔが存在しない場合と比べて、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに入射する戻り光を、張出部分１１ｔによって有効に遮光できる。
【０１０２】
（第２層の構成―ＴＦＴ３０等―）
図１０において、第２層として、ＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、上述した第１実施形態と同様に構成されおり、半導体層１ａ及びゲート電極３を含んで構成されている。
【０１０３】
（第３層の構成―蓄積容量７０ｂ等―）
図１０において、第３層として蓄積容量７０ｂが設けられている。蓄積容量７０ｂは、ＴＦＴ３０よりも、第１層間絶縁膜４１を介して上層側に設けられている。
【０１０４】
蓄積容量７０ｂは、上部容量電極３００ｂと下部容量電極７１ｂとが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。下部容量電極７１ｂ、誘電体膜７５及び上部容量電極３００ｂは、下層側からこの順に積層されている。
【０１０５】
図９及び図１０に示すように、上部容量電極３００ｂは、ＴＦＴ３０毎に、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及びその周辺を覆うように島状に形成されている。上部容量電極３００ｂは、後述する容量線３２０を介して定電位電源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。より具体的には、上部容量電極３００ｂは、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８７を介して、後述するデータ線６ｂと同層（即ち、第４層）に配置された中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８８を介して容量線３２０に電気的に接続されている。即ち、中継層９３は、上部容量電極３００ｂ及び容量線３２０間の電気的な接続を中継する。上部容量電極３００ｂは、例えばＡｌ、Ａｇ等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜としても機能する。尚、上部容量電極３００ｂ及び中継層９３は夫々、本発明に係る「第１導電膜」及び「第２導電膜」の一例を構成すると共に、中継層９３及び容量線３２０は夫々、本発明に係る「第１導電膜」及び「第２導電膜」の一例を構成する。
【０１０６】
下部容量電極７１ｂは、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１ｂは、コンタクトホール８３ｂを介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されると共に、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８４ｂを介して、データ線６ｂと同層（即ち、第４層）に配置された中継層９１ｂに電気的に接続されている。更に、中継層９１ｂは、第３層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８５ｂを介して容量線３２０と同層（即ち、第５層）に配置された中継層９２ｂに電気的に接続されている。更に、中継層９２ｂは、第４層間絶縁膜４４に開孔されたコンタクトホール８６ｂを介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１ｂは、中継層９１ｂ及び９２ｂと共に画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０ｂは、所謂ＭＩＳ構造を有している。
【０１０７】
図９に示すように、本実施形態では特に、蓄積容量７０ｂは、走査線１１及びデータ線６ｂが互いに交差する交差領域において開口領域の隅から開口領域の中央へ向かって張り出した張出部分７０ｂｔを有している。言い換えれば、上側遮光膜として機能する上部容量電極３００ｂ及び下部容量電極７１ｂの各々は、走査線１１及びデータ線６ｂが互いに交差する交差領域において開口領域の隅から開口領域の中央へ向かって張り出すように形成されている。張出部分７０ｂｔは、張出部分１１ｔ（図８或いは図７参照）に概ね重なると共に非開口領域の一部を規定するように形成されている。よって、仮に張出部分７０ｂｔが存在しない場合と比べて、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに上層側から入射する光を、張出部分７０ｂｔによって有効に遮光できる。これにより、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めることができ、例えばＴＦＴ３０における光リーク電流の発生をより確実に低減できる。
【０１０８】
更に、本実施形態では特に、張出部分７０ｂｔは、各画素の開口領域の四隅の各々に形成されている。言い換えれば、張出部分７０ｂｔは、交差領域に設けられた半導体層１ａ毎に、その周囲に４つ設けられている。よって、半導体層１ａに上層側から入射する光を、張出部分７０ｂｔによってより確実に遮光できる。
【０１０９】
（第４層の構成―データ線６ｂ等―）
図１０において、第４層としてデータ線６ｂが設けられている。また、第４層には、中継層９３及び９１ｂが、データ線６ｂと同一膜から夫々形成されている。
【０１１０】
図９及び図１０に示すように、データ線６ｂは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、ゲート絶縁膜２ａ及び２ｂを貫通するコンタクトホール８１ｂを介して電気的に接続されている。データ線６ｂ及びコンタクトホール８１ｂ内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ｂは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【０１１１】
中継層９１ｂ及び９３は、第２層間絶縁膜４２上においてデータ線６ｂと同層に夫々形成されている。
【０１１２】
ここで、本実施形態では特に、上部容量電極３００ｂと中継層９３とを電気的に接続するコンタクトホール８７は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、張出部分１１ｔ及び７０ｂｔと重なるように配置されている。即ち、第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、張出部分１１ｔ及び７０ｂｔと重なる位置にコンタクトホール８７が開孔されている。よって、データ線６ｂ、走査線１１及び蓄積容量７０ｂによって規定される非開口領域のうち、ＴＦＴ３０の光リーク電流をより確実に低減するための遮光領域として張出部分１１ｔ及び７０ｂｔが形成される領域に、コンタクトホール８７が配置されている。従って、コンタクトホール８７の配置のためのみに、非開口領域のうちデータ線６ｂに沿って延びる領域の幅ｄ１或いは走査線１１に沿って延びる領域の幅ｄ２を不要に拡大してしまうことや、別途、非開口領域の一部を不要に拡大してしまうことを防止でき、各画素における開口領域のサイズをより大きく確保することが可能となる。
【０１１３】
加えて、コンタクトホール８７が、張出部分１１ｔ及び７０ｂｔと重なるように配置されることにより、半導体層１ａに対して、それよりも上層側から斜めに入射する光を、コンタクトホール８７によって（即ち、中継層９３のうちコンタクトホール８７内に形成された部分によって）より確実に遮光できる。
【０１１４】
（第５層の構成―容量線３２０等―）
図１０において、第５層として容量線３２０が設けられている。また、第５層には、中継層９２ｂが、容量線３２０と同一膜から形成されている。
【０１１５】
図９に示すように、容量線３２０は、データ線６ｂに沿って（即ちＹ方向に沿って）延びる本線部分と該本線部分からＸ方向に沿って延設された延設部分３２０ｘとを有している。容量線３２０は、延設部分３２０ｘにおいて、コンタクトホール８８を介して中継層９３と電気的に接続されている。容量線３２０は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。容量線３２０は、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【０１１６】
ここで、本実施形態では特に、容量線３２０と中継層９３とを電気的に接続するコンタクトホール８８は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、張出部分１１ｔ及び７０ｂｔと重なるように配置されている。即ち、第３層間絶縁膜４３には、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、張出部分１１ｔ及び７０ｂｔと重なる位置にコンタクトホール８８が開孔されている。よって、データ線６ｂ、走査線１１及び蓄積容量７０ｂによって規定される非開口領域のうち、ＴＦＴ３０の光リーク電流をより確実に低減するための遮光領域として張出部分１１ｔ及び７０ｂｔが形成される領域に、コンタクトホール８８が配置されている。従って、コンタクトホール８８の配置のためのみに、非開口領域のうちデータ線６ｂに沿って延びる領域の幅ｄ１或いは走査線１１に沿って延びる領域の幅ｄ２を不要に拡大してしまうことや、別途、非開口領域の一部を不要に拡大してしまうことを防止でき、各画素における開口領域のサイズをより大きく確保することが可能となる。
【０１１７】
加えて、コンタクトホール８８が、張出部分１１ｔ及び７０ｂｔと重なるように配置されることにより、半導体層１ａに対して、それよりも上層側から斜めに入射する光を、コンタクトホール８８によって（即ち、容量線３２０のうちコンタクトホール８８内に形成された部分によって）より確実に遮光できる。
【０１１８】
中継層９２ｂは、第３層間絶縁膜４３上において容量線３２０と同層に形成されている。
【０１１９】
（第６層の構成―画素電極９ａ等―）
図１０において、第６層として画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、容量線３２０よりも第４層間絶縁膜４４を介して上層側に形成されている。
【０１２０】
図９及び図１０に示すように、画素電極９ａは、下部容量電極７１ｂ、コンタクトホール８３ｂ、８４ｂ、８５ｂ及び８６ｂ、並びに中継層９１ｂ及び９２ｂを介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【０１２１】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、ＴＦＴ３０に対する遮光性を高めつつ開口率を向上させることができ、最終的に明るく高品位な画像を表示できる。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る液晶装置について、図１１から図１３を参照して説明する。ここに図１１及び図１２は、本実施形態における複数の画素部の平面図である。図１１及び図１２は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図１１）と上層部分（図１２）とを分かって図示している。図１３は、図１１及び図１２を重ね合わせた場合のＣ−Ｃ’断面図である。
【０１２２】
尚、図１３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図１２及び図１３では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【０１２３】
尚、図１１から図１３において、図１から図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１２４】
図１１から図１３において、第３実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態におけるＴＦＴ３０、データ線６ａ及び蓄積容量７０の各々に代えてＴＦＴ３０ｃ、データ線６ｃ及び蓄積容量７０ｃを備える点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【０１２５】
図１１に示すように、画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ｃ及び走査線１１が設けられている。即ち、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ｃは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１及びデータ線６ｃが互いに交差する交差領域の各々には、半導体層４ａを有するＴＦＴ３０ｃが設けられている。
【０１２６】
図１１及び図１２に示すように、走査線１１、データ線６ｃ、蓄積容量７０ｃ、中継層９４並びにＴＦＴ３０ｃは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域を囲む非開口領域内に配置されている。尚、走査線１１、蓄積容量７０ｃ及びデータ線６ｃは、非開口領域の一部をそれぞれ規定している。
【０１２７】
図１３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１、ＴＦＴ３０ｃ、蓄積容量７０ｃ、データ線６ｃ、画素電極９ａ等の各種の構成要素が積層構造をなして設けられている。この積層構造は、下から順に、走査線１１を含む第１層、ゲート電極３を有するＴＦＴ３０ｃ等を含む第２層、データ線６ｃ等を含む第３層、蓄積容量７０ｃ等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられており、上述した各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２及び４３には、例えば、ＴＦＴ３０ｃの半導体層４ａ中のデータ線側ソースドレイン領域４ｄとデータ線６ｃとを電気的に接続するコンタクトホール８１ｃ等が形成されている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。尚、上述した積層構造のうち第１層から第３層までが、下層部分として図１２に図示されており、第２層間絶縁膜４２から第６層までが上層部分として図１３に図示されている。
【０１２８】
（第１層の構成―走査線１１等―）
図１３において、第１層として、走査線１１が設けられている。走査線１１は、上述した第１実施形態と同様に構成されており、Ｘ方向に沿うように延びる本線部分１１ｘと、該本線部分１１ｘからＹ方向に沿ってデータ線６ｃに重なるように延設された延設部分１１ｙとを備えている。
【０１２９】
本実施形態では、上述した第１実施形態と同様に、張出部分１１ｔが設けられている。よって、仮に張出部分１１ｔが存在しない場合と比べて、ＴＦＴ３０ｃの半導体層４ａに入射する戻り光を、張出部分１１ｔによって有効に遮光できる。
【０１３０】
（第２層の構成―ＴＦＴ３０ｃ等―）
図１３において、第２層として、ＴＦＴ３０ｃが設けられている。
【０１３１】
図１１及び図１３に示すように、ＴＦＴ３０ｃは、半導体層４ａ及びゲート電極３ｃを含んで構成されている。
【０１３２】
半導体層４ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｘ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域４ａ’、データ線側ＬＤＤ領域４ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域４ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０ｃはＬＤＤ構造を有している。
【０１３３】
データ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅは、チャネル領域４ａ’を基準として、Ｘ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域４ｂは、チャネル領域４ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域４ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域４ｃは、チャネル領域４ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域４ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域４ｃ、データ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層４ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域４ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域４ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域４ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域４ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０ｃの非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０ｃの動作時に流れるオン電流の低下及びオフリーク電流の上昇を抑制できる。
【０１３４】
走査線１１及び半導体層４ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。
【０１３５】
図１１及び図１３に示すように、ゲート電極３ｃは、半導体層４ａよりもゲート絶縁膜２ａを介して上層側に配置されている。即ち、ＴＦＴ３０ｃは、トップゲート型のＴＦＴとして形成されている。ゲート電極３ｃは、例えばＷ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。尚、ゲート電極３ｃは、例えば導電性ポリシリコンから形成されてもよい。
【０１３６】
図１１に示すように、ゲート電極３ｃは、ＴＦＴ３０ｃのチャネル領域４ａ’に重なる本体部分３ｃａと、該本体部分３ｃａからＸ方向に沿って延設される延設部分３２とを有している。ゲート電極３ｃは、下地絶縁膜１２に開孔されたコンタクトホール８２ｃを介して、走査線１１と互いに電気的に接続されている。
【０１３７】
コンタクトホール８２ｃは、半導体層４ａの両側にそれぞれ１つずつ、Ｘ方向に沿った壁状の遮光体として形成されている。よって、半導体層４ａに対して両側から斜めに入射される光を遮光できる。従って、ＴＦＴ３０ｃにおける光リーク電流をより確実に低減できる。
【０１３８】
尚、本実施形態では、各ＴＦＴ３０ｃのゲート電極３ｃをそれぞれ分離して形成したが、例えば、同一の走査線１１に対応するＴＦＴ３０ｃのゲート電極３ｃを互いに繋ぐように形成してもよい。言い換えれば、同一の走査線１１に対応するＴＦＴ３０ｃのゲート電極３ｃを含む、半導体層４ａに対して走査線１１とは反対側の層に配置された他の走査線として形成してもよい。この場合には、走査線を二重配線として構成でき、ゲート電極３ｃに走査信号をより確実に供給できる。
【０１３９】
（第３層の構成―データ線６ｃ等―）
図１３において、第３層としてデータ線６ｃが設けられている。また、第３層には、中継層９４が、データ線６ｃと同一膜から形成されている。
【０１４０】
図１１及び図１３に示すように、データ線６ｃは、Ｙ方向に沿って延びる本線部分と該本線部分からＸ方向に沿って延設された延設部分６ｃｘとを有している。データ線６ｃは、延設部分６ｃｘにおいて、半導体層４ａのデータ線側ソースドレイン領域４ｄに、第１層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２ａを貫通して開孔されたコンタクトホール８１ｃを介して電気的に接続されている。データ線６ｃ及びコンタクトホール８１ｃ内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ｃは、ＴＦＴ３０ｃを遮光する機能も有している。
【０１４１】
中継層９４は、第１層間絶縁膜４１上においてデータ線６ｃと同層に形成されている。中継層９４は、第１層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜２ａを貫通して開孔されたコンタクトホール８３ｃを介して画素電極側ソースドレイン領域４ｅに電気的に接続される共に、第２層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８４ｃ（図１２参照）を介して後述する蓄積容量７０ｃの下部容量電極７１ｃに電気的に接続されている。更に、下部容量電極７１ｃは、後述する絶縁膜６１及び第３層間絶縁膜４３を貫通して開孔されたコンタクトホール８５ｃ（図１２参照）を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、中継層９４は、下部容量電極７１ｂと共に画素電極側ソースドレイン領域４ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。
【０１４２】
尚、中継層９４は、本発明に係る「第１導電膜」の一例であり、下部容量電極７１は、本発明に係る「第２導電膜」の一例である。
【０１４３】
（第４層の構成―蓄積容量７０ｃ等―）
図１３において、第４層として蓄積容量７０ｃが設けられている。蓄積容量７０ｃは、データ線６ｃよりも、第２層間絶縁膜４２を介して上層側に設けられている。
【０１４４】
蓄積容量７０ｃは、上部容量電極３００ｃと下部容量電極７１ｃとが誘電体膜７５ｃを介して対向配置されることにより形成されている。下部容量電極７１ｃ、誘電体膜７５ｃ及び上部容量電極３００ｃは、下層側からこの順に積層されている。
【０１４５】
第２層間絶縁膜４２及び第３層間絶縁膜４３間には、絶縁膜６１が、下部容量電極７１ｃ及び上部容量電極３００ｃ間に部分的に介在するように設けられている。
【０１４６】
図１２及び図１３に示すように、上部容量電極３００ｃは、容量線３００の一部として形成されている。容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ｃは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ｃは、例えばＡｌ、Ａｇ等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０ｃを遮光する上側遮光膜としても機能する。尚、上部容量電極３００ｃは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
【０１４７】
下部容量電極７１ｃは、ＴＦＴ３０ｃの画素電極側ソースドレイン領域４ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８４ｃ、中継層９４及びコンタクトホール８３ｃを介して画素電極側ソースドレイン領域４ｅに電気的に接続されると共に、コンタクトホール８５ｃを介して画素電極９ａに電気的に接続されている。下部容量電極７１ｃは、例えばＡｌ、Ａｇ等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０ｃを遮光する上側遮光膜としても機能する。尚、下部容量電極７１ｃは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
【０１４８】
よって、蓄積容量７０ｃは、所謂ＭＩＭ構造を有している。従って、上部容量電極３００ｃ及び下部容量電極７１ｃに供給される各種信号に応じて上部容量電極３００ｃ及び下部容量電極７１ｃで消費される消費電力を低減できる。加えて、上部容量電極３００ｃ及び下部容量電極７１ｃのいずれか一方を半導体膜により形成する場合と比べて、この一方の電極における導電率を高め、蓄積容量７０ｃの保持容量としての機能をより向上させることができる。
【０１４９】
誘電体膜７５ｃは、例えばＨＴＯ膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜若しくは窒化シリコン膜又はアルミナやハフニア等の絶縁性を有する金属酸化物等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【０１５０】
図１２に示すように、本実施形態では特に、下部容量電極７１ｃは、走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する交差領域において開口領域の隅から開口領域の中央へ向かって張り出した張出部分７１ｃｔを有している。張出部分７１ｃｔは、図４及び図７を参照して上述した張出部分１１ｔに概ね重なると共に非開口領域の一部を規定するように形成されている。よって、仮に張出部分７１ｃｔが存在しない場合と比べて、ＴＦＴ３０ｃの半導体層４ａに上層側から入射する光を、張出部分７１ｃｔによって有効に遮光できる。これにより、ＴＦＴ３０ｃに対する遮光性を高めることができ、例えばＴＦＴ３０ｃにおける光リーク電流の発生をより確実に低減できる。
【０１５１】
更に、本実施形態では特に、張出部分７１ｃｔは、各画素の開口領域の四隅の各々に形成されている。言い換えれば、張出部分７１ｃｔは、交差領域に設けられた半導体層４ａ毎に、その周囲に４つ設けられている。よって、半導体層４ａに上層側から斜めに入射する光を、張出部分７１ｃｔによってより確実に遮光できる。
【０１５２】
加えて、本実施形態では特に、下部容量電極７１ｃと中継層９４とを電気的に接続するコンタクトホール８４ｃは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、張出部分１１ｔ及び７１ｃｔと重なるように配置されている。即ち、第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、張出部分１１ｔ及び７１ｃｔと重なる位置にコンタクトホール８４ｃが開孔されている。よって、データ線６ｃ、走査線１１及び蓄積容量７０ｃによって規定される非開口領域のうち、ＴＦＴ３０ｃに対する遮光性を高めるための遮光領域として張出部分１１ｔ及び７１ｃｔが形成される領域に、コンタクトホール８４ｃが配置されている。従って、コンタクトホール８４ｃの配置のためのみに、非開口領域のうちデータ線６ｃに沿って延びる領域の幅ｄ１或いは走査線１１に沿って延びる領域の幅ｄ２を不要に拡大してしまうことや、別途、非開口領域の一部を不要に拡大してしまうことを防止でき、各画素における開口領域のサイズをより大きく確保することが可能となる。即ち、開口率を向上させることが可能となる。
【０１５３】
加えて、コンタクトホール８４ｃが、張出部分１１ｔ及び７１ｃｔと重なるように配置されることにより、半導体層４ａに対して、それよりも上層側から斜めに入射する光を、コンタクトホール８４ｃによって（即ち、下部容量電極７１ｃのうちコンタクトホール８４ｃ内に形成された部分によって）より確実に遮光できる。
【０１５４】
（第５層の構成―画素電極９ａ等―）
図１３において、第５層として画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａは、蓄積容量７１ｃよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。
【０１５５】
図１２及び図１３に示すように、画素電極９ａは、下部容量電極７１ｃ、コンタクトホール８３ｃ、８４ｃ及び８５ｃ、並びに中継層９４を介して半導体層４ａの画素電極側ソースドレイン領域４ｅに電気的に接続されている。
【０１５６】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、ＴＦＴ３０ｃに対する遮光性を高めつつ開口率を向上させることができ、最終的に明るく高品位な画像を表示できる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について、図１４を参照して説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【０１５７】
図１４に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１５８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１５９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１６０】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１６１】
尚、図１４を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１６２】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１６３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１６４】
６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１１ｔ…張出部分、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、４１、４２、４３、４４…層間絶縁膜、５０…液晶層、８１、８２、８３、８４、８５、８６…コンタクトホール、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年7月23日(2015.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスタと前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極側の面が平坦面である第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の前記平坦面に設けられた遮光性の導電膜と、
前記導電膜と前記画素電極との間に設けられた第２絶縁膜と、を有し、
前記導電膜は、画素の開口領域の隅に張り出した張出部分を含み、
前記画素電極は、前記第２絶縁膜の前記張出部分と平面視で重なる位置に設けられた第１コンタクトホールを介して前記導電膜と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第２絶縁膜は、前記画素電極側の面が平坦面であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記トランジスタと前記導電膜との間に設けられた中継電極を有し、
前記中継電極は、張出部分とは重ならない位置に設けられた第２コンタクトホールを介して前記導電膜と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置において、
第１方向に延在する走査線を有し、
前記第２コンタクトホールは走査線と平面視で重なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする
電子機器。