(57)【要約】【課題】  基板上に作製されるゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルを有する、ｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴおよびｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴの両方を提供する。【解決手段】  傾斜ＳｉＧｅチャネルまたはＧｅチャネルを有する、シリコン基板（５０２）上の自己整列ＭＩＳＦＥＴトランジスタ（５００Ｈ）。チャネル（５２６）は、ガスクラスタイオンビーム（５２４）照射を用いて形成され、従来のシリコンチャネルＭＩＳＦＥＴより高いチャネル移動度を提供する。上記トランジスタの製造方法は、ガスクラスタイオンビーム処理ステップで強化され、ＳｉＧｅまたはＧｅチャネルを形成する置換ゲート工程に基づく。該チャネルは、補足ステップであるガスクラスタイオンビーム処理によって、あるいは、増移動度チャネルと同時にドープすることもできる。【選択図】  図５
2008547229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の選択領域上にダミーゲート構造を形成するステップと、
ダミーゲート構造の少なくとも１つの側壁に側壁スペーサを形成するステップと、
ダミーゲート構造および少なくとも１つの側壁スペーサをマスクとして使用して少なくとも１つのソース／ドレイン領域を形成し、ダミーゲート構造に隣接する層間誘電体膜を形成するステップと、
ダミーゲート構造を除去し、下にある半導体チャネル領域を露出させるステップと、
露出されたチャネル領域にＧＣＩＢを照射して、増移動度チャネルを形成するステップと、
増移動度チャネルに重なる高誘電率ゲート誘電体層を形成するステップと、
高誘電率ゲート誘電体に重なるゲート電極を形成するステップと、
を備えることを特徴とする半導体ＭＩＳＦＥＴ装置の形成方法。
【請求項２】
ＧＣＩＢがゲルマニウムを有する高エネルギーガスクラスタイオンを備え、半導体基板がシリコンを含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
ガスクラスタイオンがドーパント種をさらに備えることを特徴とする請求項２の方法。
【請求項４】
ドーパント種が、ホウ素、リン、アンチモン、およびヒ素（Ｂ、Ｐ、Ｓｂ、Ａｓ）の成分を含む群から選択されることを特徴とする請求項３の方法。
【請求項５】
ゲルマニウムを有する高エネルギーガスクラスタイオンを備え、半導体基板が絶縁体上シリコンを含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項６】
増移動度チャネルが傾斜ＳｉＧｅを含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項７】
増移動度チャネルが傾斜ＳｉＧｅに重なるＧｅを含むことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項８】
半導体基板の選択領域上にダミーゲート構造を形成するステップと、
ダミーゲート構造の少なくとも１部の周囲に壁構造を形成するステップと、
ダミーゲート構造および壁構造をマスクとして用いて少なくとも１つのソース／ドレイン領域を形成するステップと、
ダミーゲート構造を除去して、下にある半導体チャネル領域を露出させるステップと、
露出されたチャネル領域にＧＣＩＢを照射して、増移動度チャネルを形成するステップと、
増移動度チャネルに重なる高誘電率ゲート誘電体を形成するステップ、
高誘電率ゲート誘電体に重なるゲート電極を形成するステップと、
を備えることを特徴とする半導体ＭＩＳＦＥＴ装置の形成方法。
【請求項９】
壁構造を形成するステップが、ダミーゲート構造の少なくとも１つの側壁に側壁スペーサを形成することを含むことを特徴とする請求項８の方法。
【請求項１０】
ダミーゲート構造または壁構造に隣接する層間誘電体膜を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項８の方法。
【請求項１１】
ゲルマニウムを有するガスクラスタイオンを用いてガスクラスタイオンビームでの照射によってシリコン基板内に形成されて、シリコン基板内に注入ゲルマニウムを生成するチャネルと、
チャネルに重なる高誘電率誘電ゲート絶縁体と、
チャネルおよびゲート絶縁体に重なるゲート電極と、
を備えることを特徴とする、シリコン基板上に形成される半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項１２】
チャネルが、ゲルマニウムを有するガスクラスタイオンを用いてガスクラスタイオンビーム照射によって形成される傾斜ＳｉＧｅを含むことを特徴とする請求項１１の半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項１３】
傾斜ＳｉＧｅが、ゲルマニウムおよびドーパント種を有するガスクラスタイオンを用いてガスクラスタイオンビーム照射によって形成されることを特徴とする請求項１２の半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項１４】
チャネルが傾斜ＳｉＧｅに重なるゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１２の半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項１５】
重なるゲルマニウムが、ゲルマニウムを有するガスクラスタイオンを用いてガスクラスタイオンビーム照射によって形成されることを特徴とする請求項１３の半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項１６】
重なるゲルマニウムが、ゲルマニウムとドーパント種とを有するガスクラスタイオンを用いてガスクラスタイオンビーム照射によって形成されることを特徴とする請求項１４の半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項１７】
シリコン基板内に形成され、電子移動度を向上させるために注入ゲルマニウムを含むチャネルと、
チャネルに重なる高誘電率誘電体ゲート絶縁体と、
チャネルおよびゲート絶縁体に重なるゲート電極と、
を備えることを特徴とする、シリコン基板上に形成される半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項１８】
チャネルが傾斜ＳｉＧｅを含むことを特徴とする請求項１７の半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項１９】
チャネルが傾斜ＳｉＧｅに重なるゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１７の半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【請求項２０】
チャネルが、傾斜ＳｉＧｅ、あるいはゲルマニウムまたはゲルマニウムおよびドーパント種を備えるガスクラスタイオンを有するガスクラスタイオンビーム照射で形成される傾斜ＳｉＧｅに重なるゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項１７の半導体ＭＩＳＦＥＴ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体電界効果トランジスタおよびその製造方法、特に、ゲルマニウムチャネルを有する電界効果トランジスタおよびガスクラスタイオン照射を利用する製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連出願の相互参照）
本願は、２００５年６月２２日に提出された米国仮出願第６０／６９２、７９５号「ゲルマニウムチャネルでの置換ゲート電界効果トランジスタ、およびガスクラスタイオン照射を用いた同トランジスタの製造方法」に優先権を主張し、引用によりその全文を本明細書に組み込む。
【０００３】
シリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）などの半導体材料、およびその他の半導体材料の特性を活用して、電子工学、通信、電気光学、ナノテクノロジーなどの分野で、様々な有益な装置が形成されてきた。集積回路密度を向上させ、高速作業、高電流駆動能力、および低電力損などの優れた装置性能を生成しようとする苛烈な奮闘と著しい進歩が見られる。
【０００４】
性能向上の試みにおいて、旧式の従来のＳｉＯ２誘電体およびポリシリコンゲート電極ではなく高誘電率（高ｋ）ゲート誘電体と（好ましくは）金属ゲート電極を利用する金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）設計の使用に向かう傾向がある。金属ゲートを有する高ｋゲート誘電体の使用は、多くの用途で、その組み合わせの不十分な熱抵抗のため不都合があることが立証されている。高温熱処理は半導体処理において所望なステップである場合が多いため、製造工程の所望のステップでの高温処理を可能にしつつ、高ｋゲート誘電体を有する金属ゲート電極を使用できる技術が開発されてきている。
【０００５】
これらの技術の１つが、その工程を、より標準的な耐高温ゲート構造（ダミーゲート）が製造され、高温ステップ中に所定位置に保持され、高温処理後に除去される、いわゆる「ダミー」ゲートまたは「置換」ゲート工程に変更することである。高温処理が完了した後、（置換）ゲート電極と高ｋゲート誘電体構造が、完成した装置における高性能使用のために製造される。「ダミー」または「置換」ゲート工程は当該技術において既知であり、たとえば、米国特許第５、９６０、２７０号および米国特許第６、６６７、１９９号などの多数の米国特許に記載される。該技術は、ｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴおよびｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴの両方に適用される。
【０００６】
多数の材料が目下、高ｋゲート誘電体材料として使用されている、および／または、高ｋゲート誘電体材料としての利用に関して研究されている。従来のゲート誘電体材料であるＳｉＯ２は、約３．９の誘電率を有する。Ｓｉ３Ｎ４の誘電率は約７．８である。ＳｉＯ２を窒素でドープして、様々な化学量論の高濃度に窒素ドープされたオキシ窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）を生成することによって、Ｓｉ３Ｎ４の欠点のいくつかを備えずに、Ｓｉ３Ｎ４の誘電率に近い誘電率（約５．０〜約７．０の範囲）が結果的に得られる。近年、様々な化学量論を有するハフニウムベースの誘電体が利用されている。たとえば、窒化ケイ酸ハフニウム（ＨｆＳｉＯＮ）、ケイ酸ハフニウム（ＨｆＳｉＯ）、およびアルミン酸ハフニウム（ＨｆＡｌＯ）などで、約９〜約２６の誘電率を達成する。このような高ｋ材料は、現在製造されている装置および半導体装置性能の今後の改良にとって好ましい。
【０００７】
本明細書で使用されるように、「高ｋ」または「高ｋ誘電体」という用語は、約５．０より高い誘電率を有する誘電体を指すことを目的とする。本明細書で使用されるように、「ＭＩＳＦＥＴ」という用語は、金属またはポリシリコンゲート電極を備え、ＳｉＯ２を含まないが、オキシ窒化ケイ素やその他の高ｋ誘電材料を制限なく含む高ｋゲート絶縁体材料を採用する電界効果トランジスタを含むことを目的とする。
【０００８】
ハフニウムベースの誘電体を含むいくつかの高ｋゲート誘電体材料を使用すると、こうしたゲート誘電体を用いて形成されるＭＩＳＦＥＴのチャネル移動度が低減されることが分かっている。これによって、装置の速度性能が低下する。したがって、高ｋ誘電体の使用とともに、チャネル移動度向上技術が、実際の回路におけるＭＩＳＦＥＴ装置の性能を最適化するために必要とされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
改良移動度チャネルを作製するため、その上の基板としてＳｉＧｅ層上に大域歪シリコンを使用することに関心が寄せられている。しかし、コストが高く、ゲート長は０．２ミクロン未満に縮小するため結果として移動度は改良されないという結果になる。選択的な局所ＳｉＧｅも、歪チャネルを作製して移動度を向上させるために使用されているが、このような局所歪技術は、移動度を２倍未満に向上させるだけで、さらなる向上には先の装置が必要とされる。このため、業界は、電子移動度を約２．６倍、正孔移動度を４．２倍確実に向上させるゲルマニウムＣＭＯＳ装置を研究し始めた。改良されたｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴ装置を報告したグループはあるが、ｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴ装置はゲルマニウム基板の使用によって、ほとんどあるいは全く改良されないことがこれまでのところ判明している。ｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴ装置が十分に改良されない理由は、ゲルマニウム内での（ソース／ドレイン領域に使用される）ｎ型ドーパントの不十分な活性化にあると提示されている。また、シリコンと比較して、ゲルマニウム基板またはシリコン基板上の全体的なゲルマニウム膜はコストが高い。
【００１０】
表面のエッチング、清浄、および平滑化のためのガスクラスタイオンビーム（ＧＣＩＢ）の使用は、当該技術において既知である（たとえば、米国特許第５、８１４、１９４号、Ｄｅｇｕｃｈｉ、ｅｔ  ａｌ．を参照）。ＧＣＩＢは、蒸発炭素質材料製の膜の蒸着を支援するためにも使用される（たとえば、米国特許第６、４１６、８２０号、Ｙａｍａｄａ、ｅｔ  ａｌ．を参照）。
【００１１】
本明細書で使用されるように、ガスクラスタという用語は、通常の温度および圧力条件下で気体であるナノサイズの材料の集合である。上記クラスタは、数個から数千個の分子の集合を有する、あるいはより緩く結合してクラスタを形成することができる。クラスタは、電子衝撃またはその他の手段でイオン化することによって、それらを制御可能なエネルギーの有向ビームに形成することができる。上記イオンはそれぞれ通常、ｑ・ｅの正電荷を保持する（ｅは電子電荷の大きさで、ｑはクラスタイオンの電荷状態を表す１〜複数の整数である）。大型クラスタは、分子毎にはさほど大きくないエネルギーを有しつつ、クラスタイオン毎には相当量のエネルギーを保持することができるので最も有益であることが多い。クラスタは衝突時に崩壊し、個々の分子は総クラスタエネルギーのうちわずかな断片のみを保持する。したがって、大型クラスタの衝突効果は相当大きいが、非常に浅い表面領域に限定される。
【００１２】
このようなＧＣＩＢを生成し加速させる装置は、既に引用した米国特許第５、８１４、１９４号に記載されている。現在入手可能なイオンクラスタソースは、数千さらには数万のＮの幅広いサイズのクラスタイオンを生成する（ただし、Ｎは各クラスタの分子数である）。ガスクラスタイオンビーム注入の場合、最も有効なガスクラスタイオンは、サイズが約１００分子〜約１５０００分子の範囲で、最も好ましいサイズが約１０００分子〜約１００００分子の分布を有するイオンである。
【００１３】
ｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴまたはｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴにゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルを設けることによって、キャリア移動度が向上される。ゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルは、高エネルギーガスクラスタイオンビーム照射による選択的Ｇｅ注入を用いて、シリコンまたは絶縁体上シリコン基板上に形成されるＦＥＴ内に形成することができる。これは、「置換」ゲート工程フローと、ＧｅまたはＳｉＧｅチャネルがソース−ドレイン拡張形成およびソース−ドレイン形成後に形成されるマスキングステップを利用して達成することができる。Ｇｅは、高ｋゲート誘電体蒸着およびゲート形成前に置換ゲートマスクを介して注入される。注入されたＧｅまたはＳｉＧｅチャネルは、ｐ型またはｎ型ドーパントでドープし、最小限の拡散で低温下で活性化およびアニールすることができる。注入されたＧｅはチャネル領域のみに限定され、ソース−ドレイン拡張領域でも深いソース−ドレイン領域でもない。ガスクラスタイオンビームＧｅ注入後、高ｋゲート誘電ゲート絶縁膜が蒸着され、その後でゲート電極が製造される。ＧＣＩＢ照射によりＧｅおよび／またはＳｉＧｅ膜を形成するためのＧｅのＳｉへの注入は、Ｂｏｒｌａｎｄ  ｅｔ  ａｌ．による米国特許出願広報第２００５／０１８１６２１  Ａ１号の主題であり、引用によりその全文を本明細書に組み込む。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、金属またはポリシリコンゲート、高ｋゲート誘電絶縁体、およびシリコンまたは絶縁体上シリコン基板上に作製されるゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルを有する、ｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴおよびｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴの両方を提供することである。
【００１５】
本発明の別の目的は、金属またはポリシリコンゲート、高ｋゲート誘電絶縁体、および高エネルギーガスクラスタイオン照射によるゲルマニウムの選択的注入によってシリコンまたは絶縁体上シリコン基板上に作製されるゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルを有する、ｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴおよびｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴの両方を形成する方法を提供することである。
【００１６】
本発明の別の目的は、金属またはポリシリコンゲート、高ｋゲート誘電絶縁体、および高エネルギーガスクラスタイオン照射によるゲルマニウムおよびドーパントの選択的注入によってシリコンまたは絶縁体上シリコン基板上に作製されるゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルを有する、ｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴおよびｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴの両方を形成する方法を提供することである。
【００１７】
本発明の上記に記載される目的およびその他の目的と利点は、以下説明する本発明の実施形態によって達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本発明に係るＧＣＩＢを生成する処理装置１００の典型的な構成の基本的構成要素の概略図である。装置１００は、以下のように説明することができる。真空容器１０２は、３つの連通するチャンバであるソースチャンバ１０４、イオン化／加速チャンバ１０６、および処理チャンバ１０８に分割される。
【００１９】
３つのチャンバは、真空ポンプシステム１４６ａ、１４６ｂ、および１４６ｃによってそれぞれ適切な動作圧力まで空気を抜かれる。ガス保管シリンダ１１１に保管される凝縮可能な原料ガス１１２（たとえば、アルゴンまたはＮ２）は、圧力下でガス測定バルブ１１３およびガス供給管１１４を介して貯留チャンバ１１６に通され、適切な形状のノズル１１０を介して実質的に低圧な真空に排出される。超音速ガスジェット１１８が結果的に生じる。ジェット内の拡張から生じる冷却によって、ガスジェット１１８の１部はクラスタに凝縮し、各クラスタは緩く結合された数個から数千個の原子または分子から成る。
【００２０】
ガススキマー開口１２０は、高圧が不利益をもたらす下流領域（たとえば、イオナイザ１２２、高電圧電極１２６、および処理チャンバ１０８）において圧力を最低限に抑えるように、クラスタジェットに凝縮されていないガス分子とクラスタジェットとを部分的に分離する。適切な凝縮可能原料ガス１１２は、必ずしもこれらに限定されないが、アルゴン、窒素、二酸化炭素、酸素、およびその他のガスを含む。
【００２１】
ガスクラスタを含む超音速ガスジェット１１８が形成された後、クラスタはイオナイザ１２２でイオン化される。イオナイザ１２２は通常、１つまたは複数の白熱フィラメント１２４から熱電子を生成し、ガスジェット１１８内のガスクラスタと衝突するように電子を加速して方向付け、そこでジェットがイオナイザ１２２を通過する電子衝撃イオナイザである。電子衝撃はクラスタから電子を排出して、クラスタの１部は正イオン化される。１セットの適切にバイアスをかけられた高電圧電極１２６は、イオナイザからクラスタイオンを抽出してビームを形成し、その後、イオンを所望のエネルギーまで（通常、１ｋｅＶ〜数十ｋｅＶ）加速して、合焦させてＧＣＩＢ１２８を形成する。
【００２２】
フィラメント電源１３６は、イオナイザフィラメント１２４を加熱するフィラメント電圧Ｖｆを提供する。陽極電源１３４は、フィラメント１２４から放出される熱電子を加速する陽極電圧ＶＡを提供して、ガスジェット１１８を含むクラスタに熱電子を照射させてイオンを生成する。抽出電源１３８は、イオナイザ１２２のイオン化領域からイオンを抽出し、ＧＣＩＢ１２８を形成するために、高電圧電極にバイアスをかける抽出電圧ＶＥを提供する。加速器電源１４０は、結果的にＶＡＣＣと等しい総ＧＣＩＢ加速に達するように、イオナイザ１２２に対して高電圧電極にバイアスをかける加速電圧ＶＡＣＣを提供する。ＧＣＩＢ１２８を合焦させるために、焦点電圧（たとえば、ＶＬ１およびＶＬ２）で高電圧電極にバイアスをかける１つまたは複数のレンズ電源（たとえば、１４２および１４４で示される）を設けることができる。
【００２３】
加工物１５２は、  ＧＣＩＢ処理で処理される半導体ウェハまたはその他の加工物であってもよく、ＧＣＩＢ１２８の経路に配置される加工物ホルダ１５０上に保持される。大半の用途では、空間的に均一の結果を有する大型加工物の処理を企図しているため、走査システムは、空間的に同種の結果を生じるように、広い領域でＧＣＩＢ１２８を均等に走査することが望ましい。２組の直交に配向される静電走査プレート１３０および１３２は、所望の処理領域でラスタまたはその他の走査パターンを生成するように使用することができる。ビーム走査が実行されるとき、ＧＣＩＢ１２８は走査ＧＣＩＢ１４８に変換されて、加工物１５２の表面全体を走査する。
【００２４】
図２は、機械的に走査される加工物１５２での固定ビームと、ビーム測定用の従来のファラデーカップおよび従来の熱電子中和器とを有する、従来技術の機械的走査ＧＣＩＢ処理装置２００の基本的構成要素の概略図である。ガス測定バルブ２２３でガス保管シリンダ２２１に保管され、ガス供給管１１４を介して貯留チャンバ１１６につながる任意の第２の原料ガス２２２（通常、原料ガス１１２と異なる）が追加で提供されることを除き、ＧＣＩＢ形成は図１に示されるものと同様である。図示しないが、当業者にとっては、補足のガス保管シリンダ、配管、およびバルブを追加することによって３つ以上の原料ガスを容易に配置可能であることは簡単に認識されるであろう。この複数のガス配置によって、２つの異なる原料ガス１１２および２２２の制御可能な選択、またはガスクラスタ形成の際に使用される２つ（またはそれ以上）の原料ガスの混合物の形成が可能になる。
【００２５】
さらに、原料ガス１１２および２２２はそれ自体ガス混合物、たとえば、アルゴンと１％ジボラン、またはアルゴンと５％ゲルマンであってもよいことが認識される。さらに、図２のＧＣＩＢ処理装置２００を機械的に走査する際、ＧＣＩＢ１２８は静止しており（ＧＣＩＢ処理装置１００の場合のように静電的に走査されていない）、加工物１５２はＧＣＩＢ１２８を介して機械的に走査され、加工物１５２の表面全体にＧＣＩＢ１２８の作用を分布する。
【００２６】
Ｘ−走査アクチュエータ２０２は、Ｘ−走査運動２０８の方向（紙面に入出する方向）への加工物ホルダ１５０の直線運動を提供する。Ｙ−走査アクチュエータ２０４は、通常Ｘ−走査運動２０８に直交するＹ−走査運動２１０の方向に加工物ホルダ１５０の直線運動を提供する。Ｘ−およびＹ−走査運動の組み合わせは、加工物ホルダ１５０に保持された加工物１５２をＧＣＩＢ１２８を介してラスタ状運動で移動させ、加工物１５２の均一な処理のためにＧＣＩＢ１２８によって加工物１５２の表面を均一に照射する。加工物ホルダ１５０は、ＧＣＩＢ１２８が加工物１５２の表面に対してビーム入射角２０６を有するように、ＧＣＩＢ１２８の軸に対してある角度で加工物１５２を配置する。
【００２７】
ビーム入射角２０６は９０度またはその他の角度であってもよいが、通常は９０度か９０度に非常に近い。Ｙ−走査間、加工物ホルダ１５０に保持される加工物１５２は、示される位置から、符号１５２Ａおよび１５０Ａによってそれぞれ示される代替位置「Ａ」まで移動する。２つの位置間を移動する際、加工物１５２はＧＣＩＢ１２８によって両方の末端位置に走査され、ＧＣＩＢ１２８の経路から外に完全に移動させられる（過走査）ことに注意されたい。図２には明確に示されないが、同様の走査および過走査が、（通常）直交するＸ−走査運動２０８方向（紙面に入出する方向）でも実行される。
【００２８】
ビーム電流センサ２１８は、加工物ホルダ１５０がＧＣＩＢ１２８の経路から外に走査されるとき、ＧＣＩＢ１２８のサンプルを捕捉するようにＧＣＩＢ１２８の経路上で加工物ホルダ１５０の奥に配置される。ビーム電流センサ２１８は通常、ファラデーカップ等で、ビーム入射開口部を除き閉じており、電気絶縁マウント２１２で真空容器１０２の壁に固定される。
【００２９】
制御装置２２０はマイクロコンピュータベースの制御装置であってもよく、電気ケーブル２１６を介してＸ−走査アクチュエータ２０２およびＹ−走査アクチュエータ２０４につながり、加工物１５２をＧＣＩＢ１２８の内外に配置し、ＧＣＩＢ１２８に対して加工物１５２を均一に走査することによってＧＣＩＢ１２８による加工物１５２の均一処理を達成するように、Ｘ−走査アクチュエータ２０２およびＹ−走査アクチュエータ２０４を制御する。制御装置２２０は、リード線２１４を用いてビーム電流センサ２１８から収集されるサンプルビーム電流を受信することによって、ＧＣＩＢをモニタし、所定の所望線量が配送されるとＧＣＩＢ１２８から加工物１５２を取り外すことで加工物１５２の受け取るＧＣＩＢ線量を制御する。
【００３０】
固体ターゲット表面上への高エネルギーガスクラスタの衝突時、ターゲット表面へのクラスタ原子の貫入は、貫入深さが個々の成分原子の低エネルギーによって制限され、ガスクラスタイオン衝突時に生じる過渡的熱効果を主に原因とするため、通常非常に浅い。本明細書で使用されるように、「高エネルギーガスクラスタ」、「高エネルギーガスクラスタイオン」、および「高エネルギーガスクラスタイオンビーム」という用語は、電位差（加速電圧）、通常、約千ボルトから数十キロボルト、に落とすことによってガスクラスタイオンが加速されているガスクラスタイオンまたはガスクラスタイオンビームを意味することを目的とする。ガスクラスタは衝突時に崩壊し、個々のガス原子は自由に跳ね返り、ターゲット表面から脱する場合もある。個々のガス原子を逃すことによって解消されるエネルギー以外に、衝突前の高エネルギークラスタの総エネルギーはターゲット表面の衝突区域に堆積される。
【００３１】
これによって、イオンクラスタは、従来のイオンビーム処理の特徴である深い表面下損傷を起こす傾向なく、様々な表面変更処理に有効になる。ターゲット衝突区域の深さ寸法は、クラスタのエネルギーに依存するが、衝突するクラスタの断面寸法に近く小さい。たとえば、１０００個の原子から成るクラスタの場合、直径約３０オングストロームである。クラスタの保持する総エネルギーの大半をターゲット上の小さな衝突区域に堆積させるため、強烈だが非常に局所的な熱過渡が衝突地点においてターゲット材料内で生じる。エネルギーはターゲットへの深い伝導によって衝突区域から失われ、ターゲット全体がほとんど加熱されないため、熱過渡は急速に消散する。熱過渡の継続時間は、ターゲット材料の導電性によって決定されるが、通常は１０−６秒未満である。
【００３２】
クラスタ衝突地点近傍では、ターゲット表面の大半が、瞬間的に数百から数千ケルビン絶対温度に達する可能性がある。一例として、１０ｋｅＶ総エネルギーを保持するクラスタの衝突は、シリコン表面下の約１００オングストロームまで延びる高度に攪拌された略半球状の区域全体で、約２０００ケルビン絶対温度の瞬間的な温度上昇を生成することができると推定される。
【００３３】
高エネルギークラスタ衝突地点下のターゲット体積内での過渡的温度上昇の開始後、影響を受けた区域は急速に冷却する。この工程から逃れるクラスタ成分もあるが、残されて表面に組み込まれるクラスタ成分もある。元の表面材料の１部は、スパッタリングやその他の作用によって除去することもできる。概して、クラスタのより揮発性の高い不活性成分は脱出しやすいが、揮発性が比較的低く、化学的に反応性の高い成分は表面に組み込まれやすい。実際の工程はおそらくもっと複雑だが、便宜上、クラスタ衝突地点およびその周囲の被影響区域を、クラスタ原子が基板表面と短期間相互作用して混合し、クラスタ材料が表面から逃げる、あるいは、表面から被影響区域の深さまで注入される「溶解区域」と考える。「注入」という用語は、本明細書では、この工程を指し、該工程を大きく異なる結果を生む大きく異なる工程であるイオン「打ち込み」と区別するために使用される。従来のイオン打ち込みと異なり、ＧＣＩＢ注入は、処理される基板に相当量のパワーを投入しないため、結果的に基板の実質上の加熱とはならない低温（すなわち、室温）工程として実行することができる。
【００３４】
たとえば、揮発性かつ非反応性のアルゴンおよびキセノンなどの高エネルギークラスタイオン内の希ガスは被影響区域から脱出する可能性が高く、たとえば、揮発性が比較的低く、化学結合を形成しやすいホウ素、ゲルマニウム、リンなどの材料は被影響区域に残り、基板表面に組み込まれる可能性が高い。
【００３５】
アルゴンおよびキセノンなどの希不活性ガスは、限定的ではないが、たとえば、様々な選択成分を含む複合ガスクラスタを形成するため、ゲルマニウム含有ガス、および半導体材料、ホウ素、リン、アンチモン、およびヒ素のためのドーパントとしての役目を果たす成分を含むガスと混合することができる。
【００３６】
上記ガスクラスタは、ガスクラスタイオンビーム生成用の原料ガスとして適切な原料ガス混合物を使用する、あるいは、２つ以上のガス（またはガス混合物）をガスクラスタイオン内に供給してソースを形成し、ソース内でそれらを混合させることによって、図１および２に示されるＧＣＩＢ処理装置で形成することができる。
【００３７】
ゲルマン（ＧｅＨ４）または四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）などのゲルマニウム含有ガスは、たとえば、ゲルマニウムをガスクラスタに導入するのに採用することができる。ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、三フッ化ホウ素（ＢＦ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、五フッ化リン（ＰＦ５）、アルシン（ＡｓＨ３）、五フッ化ヒ素（ＡｓＦ５）、およびスチビン（ＳｂＨ３）、さらに、標準的な温度および圧力条件下で入手可能なその他の化合物などのドーパント含有ガスは、ドーパント  原子をガスクラスタに導入するのに採用することができる。アルゴンおよびゲルマンは、たとえば、クラスタを形成してゲルマニウムを注入するための原料ガスを作製するのに混合することができる。
【００３８】
別の例として、アルゴン、ゲルマン、およびジボランは、ゲルマニウムおよびホウ素を含有するクラスタを形成してゲルマニウムおよびホウ素を注入するための原料ガスを形成するのに混合することができる。さらに別の例として、アルゴン、ゲルマン、およびホスフィンは、ゲルマニウムおよびリンを表面に注入するためのゲルマニウムおよびリンの両方を含むクラスタを形成するための原料ガスを形成するのに混合することができる。注入に使用されるガス混合物に希不活性ガを導入することは好ましいが、本発明の実施に必須ではない。ゲルマニウム含有ガス、ドーパント含有ガス、または、希不活性ガスを含まないゲルマニウム含有ガスとドーパント含有ガスの混合物も、本発明の実施に際して採用することができる。
【００３９】
半導体製品によっては、ドーパントの半導体表面への導入、または膜の形成に関する重要な要件は、ドーパントが導入される最大深度または形成される膜の最大厚が相当浅く、約数百オングストローム未満であることである。ＧＣＩＢは、浅い膜の形成および処理に特に適する。ガスクラスタイオンは数十ｋｅＶのエネルギーまで加速されるが、クラスタは通常数千の原子から成るため、個々の原子はほとんどエネルギーを有さず、従来のイオン打ち込みおよびその他のモノマーイオン処理で発生するような深い深度まで、照射された表面に弾道的に貫入しない。ガスクラスタのエネルギーを制御することによって、高エネルギーガスクラスタ衝突効果の深度を制御することができ、上記制御を介して、１００オングストローム以下の膜を形成および／または処理することができる。注入された膜は非結晶または多結晶になりがちだが、急速アニールまたは炉アニールのいずれか、好ましくは、低温固体エピタキシャル再成長などの非拡散または低拡散アニールの熱アニールステップを適用することによって結晶膜に変換することができる。
【００４０】
図３は、本発明の実施のために採用されるように、ＧＣＩＢ注入によって形成される注入ドープＧｅ膜のＳＩＭＳ測定結果を示すグラフである。この例では、図２に示されるシステムと同様のガスクラスタイオンビーム処理システムが、シリコン半導体ウェハの表面処理に使用された。アルゴン内の５％ゲルマン（ＧｅＨ４）混合物をガスクラスタ形成用の第１の原料ガスとして使用し、アルゴン内の１％ジボラン（Ｂ２Ｈ６）混合物をガスクラスタ形成用の第２の原料ガスとして使用した。ジボランは、自然発生比でホウ素１０Ｂと１１Ｂ同位体を有する。２つの原料ガスは、貯留チャンバに流れ込む際に混合された。ゲルマン混合物は３００ｓｃｃｍの速度で供給され、ジボラン混合物は７５ｓｃｃｍの速度で供給された。
【００４１】
イオン化されたガスクラスタイオンビームは５ｋＶの加速電圧で加速され、線量１×１０１５のガスクラスタイオン／ｃｍ２がシリコンウェハに照射された。ＳＩＭＳ分析は、深度の関数としてゲルマニウムおよびホウ素の濃度を示し、ゲルマニウムイオンを注入され、シリコン／ゲルマニウム層をドーピングするために同時にホウ素イオンを注入された表面が形成されていることを立証する。グラフでは、「Ｇｅ」で示される曲線はゲルマニウム濃度を表し、「１０Ｂ」で示される曲線はホウ素同位体１０Ｂの濃度を表し、「１１Ｂ」で示される曲線はホウ素同位体１１Ｂの濃度を表す。ＳＩＭＳ濃度軸はゲルマニウムに関して精密に較正されていないが、表面ＸＰＳ測定が立証するように、約２０原子パーセントのゲルマニウム濃度が達成され、処理パラメータを変更することによって、数原子パーセント〜少なくとも数十原子パーセントのゲルマニウム濃度が達成可能である。
【００４２】
この範囲内のゲルマニウム濃度は、キャリア移動度を増強するためのシリコン歪を生成するのに有効である。ホウ素ドーピング深度は非常に浅く約１００オングストロームで、浅い接合部の形成に適することに注意されたい。ドープされたゲルマニウム注入領域は、熱処理を用いてアニールし活性化することができる。約５５０〜６００℃の低温熱処理を利用可能だが、概して、高い結晶性は、たとえば９００℃辺りの高温処理から生じる。
【００４３】
図４は、本発明の実施のために採用されるように、ＧＣＩＢ注入によって形成される２つの膜のＳＩＭＳ測定結果を示すグラフである。これらの例では、２つの同様に処理されるシリコン半導体ウェハサンプルが比較される。図２に示されるシステムと類似のガスクラスタイオンビーム処理システムが、両シリコン半導体ウェハの表面処理に使用された。両サンプルの場合、アルゴン内の５％ゲルマン（ＧｅＨ４）混合物が、ガスクラスタ形成用の原料ガスとして使用された。いずれのケースでも、イオン化されたガスクラスタイオンビームが５ｋＶ加速電圧で加速され、第１のサンプルの場合、１×１０１４線量のガスクラスタイオン／ｃｍ２がシリコンウェハに照射され、第２のサンプルの場合、１×１０１５線量のガスクラスタイオン／ｃｍ２がシリコンウェハに照射された。第１の（低線量）サンプルの場合、ＳＩＭＳ分析によると、約２００オングストローム深度の膜にゲルマニウムイオンが注入され、表面でゲルマニウム濃度の高い、約２００オングストローム以上の深度で純度の高いシリコンに傾斜する傾斜ＳｉＧｅ層が発生することが確認されている。
【００４４】
高線量サンプルの場合、ＳＩＭＳ分析が立証するように、約２００オングストロームのシリコンがゲルマニウムを注入され（傾斜ＳｉＧｅを形成）、約５００オングストロームの追加のゲルマニウム膜がゲルマニウム注入シリコン層の上に蒸着される、あるいは成長される。ＳＩＭＳ濃度軸は精密に較正されていないが、表面ＸＰＳ測定では、低線量サンプルではシリコンへのゲルマニウム注入、高線量サンプルでは純ゲルマニウム表面膜が確認されている。低線量のケースでは、高表面濃度のＧｅを有するゲルマニウム注入傾斜ＳｉＧｅが形成され、高線量のケースでは、ゲルマニウム膜が、傾斜ＳｉＧｅインタフェース領域を有するシリコン基板上に蒸着または成長されている。
【００４５】
このことが立証するように、Ｇｅのガスクラスタイオンビーム注入によって、傾斜ＳｉＧｅインタフェースを有するゲルマニウム表面層が形成され、ＧＣＩＢ線量を選択的に選定することによって、Ｇｅ領域の厚さを選択および制御することができる。さらに、ゲルマニウム注入がガスクラスタイオンに導入されるドーパント原子で実行されるとき（図３に示される）、ＳｉＧｅおよび／またはＧｅ領域は同時に（導入されたドーパントガスの選択に応じてｐ型またはｎ型に）ドープされた後、熱処理によってアニールし活性化することができる。
【００４６】
説明の明瞭化のため、図５Ａ〜５Ｈは必ずしも等縮尺として示さない。
図５Ａは、本発明の実施形態の製造、すなわち、本発明に係るｎ−チャネル増強モードＭＩＳＦＥＴの形成のステップを示す概略図である。図５Ａは、「置換ゲート」工程フローを使用するｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴの形成における初期段階５００Ａを示す。半導体基板５０２は好ましくは、ｐ型（ドープされ活性化される）の単結晶シリコン基板またはｐ型（ドープされ活性化される）の単結晶絶縁体上シリコン基板である（絶縁体上シリコン基板の絶縁体層は図示されない）。もしくは、図示しないが、ｐ型基板ではなく、基板はｎ型基板内のｐ型ウェルであってもよい。絶縁領域５０４（たとえば、ＳｉＯ２を充填される絶縁溝）が、半導体基板５０２の隣接領域から絶縁するために形成されている。酸化膜５０６（たとえば、数十オングストローム厚の熱形成ＳｉＯ２）は、半導体基板５０２および絶縁領域５０４に重なる。シリコン膜５０８（たとえば、約１０００オングストローム厚の多結晶シリコン）は酸化膜５０６に重なる。窒化ケイ素膜５１０（たとえば、数百オングストローム厚）はシリコン膜５０８に重なる。
【００４７】
図５Ｂは、図５Ａより後の処理段階５００Ｂを示す。従来のマスク形成技術および従来のエッチング技術を用いて、酸化膜５０６、シリコン膜５０８、および窒化ケイ素膜５１０のエッチングされていない残余を備えるダミーゲート構造５１２が形成されている。自己整列されたソース／ドレイン拡張領域５１４は、ダミーゲート構造５１２をマスクとして用いるイオン打ち込みによって形成されている。この段階で、追加の任意の従来のイオン打ち込みステップ、たとえば、アンチパンチスルー／ＨＡＬＯ／ポケット打ち込みを、既知の技術に従い所望されるように追加することができる。
【００４８】
図５Ｃは、図５Ｂより後の処理段階５００Ｃを示す。側壁スペーサ５１６は、ダミーゲート構造５１２の側壁上に従来の技術によって形成されている。この段階で、追加の任意の従来のイオン打ち込みステップ、たとえば、アンチパンチスルー／ＨＡＬＯ／ポケット打ち込みを、既知の技術に従い所望されるように追加することができる。従来のイオン注入によって、ソース／ドレイン領域５１８は、側壁スペーサ５１６を有するダミーゲート構造５１２をマスクとして使用して形成される。打ち込みされたソース／ドレイン領域５１８および拡張領域５１４と、任意の従来の打ち込み物は、この段階で、あるいはより後の処理段階で実行可能な熱処理によって活性化されアニールされる。
【００４９】
図５Ｄは、図５Ｃより後の処理段階５００Ｄを示す。厚い層間誘電体膜５２０（たとえば  二酸化ケイ素）は従来の技術によって蒸着され、平面化されており、窒化ケイ素膜５１０の残余は従来のエッチング技術によって除去されている。
【００５０】
図５Ｅは、図５Ｄより後の処理段階５００Ｅを示す。シリコン膜５０８残余および酸化膜５０６残余は両方とも従来のエッチング技術によって除去されるため、ダミーゲート構造５１２は完全に除去され、ゲート開口部５２２は作製中のＭＩＳＦＥＴのチャネル領域５２３の露出表面に残される。従来の「置換ゲート」工程フローでは、次のステップは、図５Ｆに示される本発明の次のステップに従い、ゲート開口部５２２内での高ｋ誘電ゲート絶縁体の生成となる。
【００５１】
図５Ｆは、図５Ｅより後の処理段階５００Ｆを示す。ガスクラスタイオンビーム５２４は、層間誘電体膜５２０の表面に均一に照射および注入され、ゲート開口部５２２を通ってチャネル領域５２３に注入される。好ましくは、（たとえば）アルゴン、ゲルマニウム含有ガス、およびドーパントガス（ｐ型ドーピングの場合はホウ素含有ガス、たとえば、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）またはその他のホウ素含有ガス）の混合物を備えるガスクラスタイオンで形成されるガスクラスタイオンビーム５２４を使用することによって、ｐ型にドープされたゲルマニウム注入層５２６がチャネル領域５２３の表面に形成される。ゲルマニウムとドーパントの両方を備える好適なガスクラスタイオンを用いることによって、ドープ膜はＧＣＩＢ注入で形成されるが、ドーパント成分を省略し、従来の方法でゲルマニウムを注入した後ドーピングすることもできる。ゲルマニウムのＧＣＩＢ注入とドーパントのＧＣＩＢ注入による２つの別個のＧＣＩＢ注入ステップを実行することもできる。もちろん、どのＧＣＩＢ注入方法によっても、ゲルマニウム／ドーパント注入層５２８は、チャネル領域注入工程のマスクとしての役割を果たす層間誘電体膜５２０の表面にも形成される。
【００５２】
ガスクラスタイオンビーム線量およびエネルギーパラメータの選択は、注入層５２６が傾斜ＳｉＧｅ膜、または傾斜ＳｉＧｅ膜上のＧｅ膜のいずれかを制御可能に決定し、図４に示されるように層の厚さを制御する。ガスクラスタイオンビーム内のゲルマニウムおよびドーパントの相対濃度は、注入ゲルマニウム層内のドーピングレベルを制御するために選択可能である。ｐドープされたゲルマニウム注入層５２６は、約５５０℃を越える熱処理で活性化されアニールされる。パラメータの適切な選択によって、この同じ熱処理は、予め形成されたソース／ドレイン領域、ソースドレイン拡張領域、およびその他のソース／ドレインまたは拡張領域で実行される任意の打ち込みで打ち込みされるドーパントを活性化する役割も果たすことができる。
【００５３】
注入工程は結果的に、注入間に真空システム内の残余ガスから生じる薄い不所望のＧｅＯ表面層（図示せず）を有するゲルマニウム注入層５２６を生成する場合がある。アニールおよび活性化熱処理は、ＧｅＯ表面層を除去するのにも供する。任意に、次のステップに進む前にＧｅＯ表面層を除去するため、従来の清浄技術を使用する別の作業を採用することができる。シリコン基板５０２のチャネル領域５２３のＧＣＩＢ照射により形成される注入層５２６は、チャネル領域の表面またはシリコン基板の表面「内」、「上」、「に」配置あるいは形成されるとして本明細書に記載される。この文脈で使用される「内」、「上」、「に」という表現は、注入層の１部が元の基板の表面の「内」または下に位置するが、注入パラメータに応じて、注入層の１部が元の基板の「上」で形成または成長することができるように、注入層を形成する概念を伝えることを目的とする。
【００５４】
本明細書に記載の方法を用いるが、ドーパント材料を含まずにＧｅ注入層が形成できることも容易に認識される。
【００５５】
図５Ｇは、図５Ｆより後の処理段階５００Ｇを示す。高ｋ誘電ゲート絶縁膜５３０（たとえば、ハフニウムベースの誘電体、またはオキシ窒化ケイ素を含むその他の高ｋ誘電体）は、従来の技術によって蒸着される。ゲート材料５３２は好ましくは金属だが、ポリシリコンでもよく、従来のゲート形成技術を用いて蒸着される。
【００５６】
図５Ｈは、図５Ｇより後の処理段階５００Ｈを示す。表面全体が平面化されて（たとえば、化学機械研磨による）、余分なゲート材料５３２、余分な高ｋ誘電体５３０、およびゲルマニウム注入層５２８を層間誘電体膜５２０から除去する。残りのゲート材料５３２は、作製されたｎ−チャネル増強モードＭＩＳＦＥＴのゲートを形成する。従来の技術によると、より複雑な回路を完成させるために、相互接続配線が追加される場合がある。
【００５７】
本発明のトランジスタはｎ−チャネル増強モードＭＩＳＦＥＴとして説明したが、当業者であれば、本発明が、基板（または、ウェル）のｐ型またはｎ型の適切な選択、および各種ドーピングステップのドーピングレベルの選択（すべて既知の技術による）によって、ｐ−チャネル増強モードＭＩＳＦＥＴ、およびｎ−チャネルとｐ−チャネル空乏モードＭＩＳＦＥＴに関して実行可能であることを認識するであろう。ただし、いずれのケースでも、「置換ゲート」工程フロー間の開口部を介したチャネル領域へのゲルマニウムおよびドーパント（適切な種類および線量の）ガスクラスタイオンビーム注入と、その後の低温アニールおよび活性化は必須である。
【００５８】
さらに、本発明は、（たとえば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＨｆＳｉＯＮ、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＡｌＯ、ＳｉＧｅ、ＧｅＯ、Ｇｅ、二酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、窒化ケイ酸ハフニウム、アルミン酸ハフニウム、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム酸化物、およびゲルマニウム）を含む様々な化合物を備える膜または層に関して説明したが、当業者であれば、本発明を実行する際に形成される多くの膜と層が最も純粋な形状であっても傾斜しており、化学式または化学名で示唆される正確な化学量ではなく大まかな化学量を有し、類似の用途で使用される膜と同様に、水素および／またはその他の不純物を追加で含むことができることを認識するであろう。
【００５９】
本明細書で使用されるように、「シリコン基板」という用語は、シリコン基板、絶縁体上シリコン基板、および、シリコン内での半導体素子製造に適合するその他の基礎材料とともに（ＦＦＴ製造の場合）実質的にシリコンである最上層を有するその他の基板を含むことを目的とする。
【００６０】
本発明を様々な実施形態に関して説明したが、本発明は、本発明および請求項の精神に属する幅広いさらなる、およびその他の実施形態を実施可能であると認識すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
本発明とその他のおよびさらなる目的に関する理解を深めるため、貼付の図面と詳細な説明を参照する。
【図１】静電走査ビームを用いる従来技術のＧＣＩＢ処理装置の基本的な構成要素を示す概略図である。
【図２】加工物の機械的走査に固定ビームを用い、原料ガスを混合する設備を含む、従来技術のＧＣＩＢ処理装置の基本的な構成要素を示す概略図である。
【図３】ゲルマニウムおよびホウ素を注入した、シリコン基板上の表面膜のＳＩＭＳ測定を示すグラフであって、該膜は本発明の使用に適したガスクラスタイオン処理によって形成されている。
【図４】２つの異なる処理条件下におけるシリコン半導体表面のゲルマニウム含有ガスクラスタイオンビーム処理のＳＩＭＳ測定値を比較するグラフであり、一方はゲルマニウムのシリコンへの注入、他方はシリコン表面でのゲルマニウム形成に帰着し、いずれも本発明に適用可能な概念を示す。
【図５】図５Ａから図５Ｈは、本発明に係るｎ−チャネル増強モードＭＩＳＦＥＴの形成における連続的なステップを示す概略図である。なステップを示す概略図である。
【符号の説明】
【００６２】
５００Ｈ  ＭＩＳＦＥＴトランジスタ
５０２  半導体基板
５０４  絶縁領域
５０６  酸化膜
５０８  シリコン膜
５２６  チャネル
５２４  ガスクラスタイオンビーム
【図１】
2008547229.tif 000003
【図２】
2008547229.tif 000004
【図３】
2008547229.tif 000005
【図４】
2008547229.tif 000006
【図５Ａ】
2008547229.tif 000007
【図５Ｂ】
2008547229.tif 000008
【図５Ｃ】
2008547229.tif 000009
【図５Ｄ】
2008547229.tif 000010
【図５Ｅ】
2008547229.tif 000011
【図５Ｆ】
2008547229.tif 000012
【図５Ｇ】
2008547229.tif 000013
【図５Ｈ】
2008547229.tif 000014
【国際調査報告】
2008547229.tif 000015