(57)【要約】【課題】  ピーク光軸調整を行ことにより受光領域の中心部で光軸調整可能なアバランシェフォトダイオードを実現することを目的としている。【解決手段】  第１導電型半導体基板上に、第１導電型光吸収層と、この第１導電型光吸収層に接した第１導電型増倍層とを前記第１導電型半導体基板側から順に備え、前記第１導電型増倍層への第２導電型ドーパントの導入により第２導電型受光領域が形成され、この第２導電型受光領域の直下の前記第１導電型増倍層が第１導電型増倍領域を構成するアバランシェフォトダイオードであって、前記第１導電型増倍領域は、前記第２導電型受光領域の中心部の直下で最も厚いものである。【選択図】  図１
2015005555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板上に、第１導電型光吸収層と、この第１導電型光吸収層に接した第１導電型増倍層とを前記第１導電型半導体基板側から順に備え、前記第１導電型増倍層への第２導電型ドーパントの導入により第２導電型受光領域が形成され、この第２導電型受光領域の直下の前記第１導電型増倍層が第１導電型増倍領域を構成するアバランシェフォトダイオードであって、
前記第１導電型増倍領域は、前記第２導電型受光領域の中心部の直下で最も厚い
ことを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
【請求項２】
前記第１導電型増倍領域は、前記第２導電型受光領域の中心部の直下で最も厚く、この中心部から端部へ向かって次第に薄くなることを特徴とする請求項１に記載のアバランシェフォトダイオード。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のアバランシェフォトダイオードと、
このアバランシェフォトダイオードの前記第２導電型受光領域の中心部に光が入射するように光軸調整された光学部品と、
を備えたことを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の光モジュールと、
この光モジュールにより光信号から変換された電気信号を受信する受信器と、
を備えたことを特徴とする光受信機。
【請求項５】
請求項４に記載の光受信機と、
この光受信機により受信される光信号を、光伝送路を介して送信する光送信機と、
を備えたことを特徴とする光通信システム。
【請求項６】
第１導電型半導体基板上に、第１導電型光吸収層と、この第１導電型光吸収層に接した第１導電型増倍層と、この第１導電型増倍層に接した第１導電型光透過層とを前記第１導電型半導体基板側から順に備え、前記第１導電型光透過層の表面から前記第１導電型増倍層への第２導電型ドーパントの導入により第２導電型受光領域が形成され、この第２導電型受光領域の直下の前記第１導電型増倍層が第１導電型増倍領域を構成するアバランシェフォトダイオードの製造方法であって、
前記第１導電型光吸収層の表面に均一な厚さの前記第１導電型増倍層を形成する増倍層形成ステップと、
前記第１導電型増倍層の表面に均一な厚さの前記第１導電型光透過層を形成する光透過層形成ステップと、
前記第２導電型受光領域が形成される前記第１導電型光透過層の表面に第２導電型ドーピング拡散源を形成する拡散源形成ステップと、
前記第２導電型ドーピング拡散源の表面に、前記第２導電型ドーピング拡散源の中心部で最も薄く、この中心部から端部へ向かって次第に厚くなるような厚み分布をもつカバレッジ膜を形成するカバレッジ膜形成ステップと、
前記第２導電型ドーピング拡散源からの前記第２導電型ドーパントの熱拡散により、前記第２導電型受光領域の厚さが、前記第２導電型受光領域の中心部で最も薄く、この中心部から端部へ向かって次第に厚くなるように、前記第２導電型受光領域を形成する熱拡散ステップと、
を備えたことを特徴とするアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項７】
第１導電型半導体基板上に、第１導電型光吸収層と、この第１導電型光吸収層に接した第１導電型増倍層と、この第１導電型増倍層に接した第１導電型光透過層とを前記第１導電型半導体基板側から順に備え、前記第１導電型光透過層の表面から前記第１導電型増倍層への第２導電型ドーパントの導入により第２導電型受光領域が形成され、この第２導電型受光領域の直下の前記第１導電型増倍層が第１導電型増倍領域を構成するアバランシェフォトダイオードの製造方法であって、
前記第１導電型光吸収層の表面に均一な厚さの前記第１導電型増倍層を形成する増倍層形成ステップと、
前記第１導電型増倍層の表面に、前記第２導電型受光領域の中心部で最も厚く、この中心部から端部へ向かって次第に薄くなるように、前記第１導電型光透過層を形成する光透過層形成ステップと、
第２導電型受光領域が形成される前記第１導電型光透過層の表面に第２導電型ドーピング拡散源を形成する拡散源形成ステップと、
前記第２導電型ドーピング拡散源からの前記第２導電型ドーパントの熱拡散により均一な厚さの前記第２導電型受光領域を形成する熱拡散ステップと、
を備えたことを特徴とするアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、アバランシェフォトダイオード、光モジュール、光受信機、光通信システムおよびアバランシェフォトダイオードの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ｐ＋−拡散領域を形成したプレナー型のアバランシェフォトダイオードが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】米津宏雄著、「光通信素子工学」、工学図書、７版（平成１５年）、ｐ．４１９、図７．１８（ｂ）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、非特許文献１に開示されている従来のアバランシェフォトダイオードにおいては、後述するように、拡散領域を形成するプロセスのばらつきにより増倍率のピークが受光領域の端部にあるような場合があるので、光電流が最も流れる位置に光軸調整を行う、いわゆるピーク光軸調整を行うことでは受光領域の中心部に光軸調整を行うことができないという問題点があった。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、ピーク光軸調整を行ことにより受光領域の中心部に光軸調整可能なアバランシェフォトダイオードを実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係るアバランシェフォトダイオードは、第１導電型半導体基板上に、第１導電型光吸収層と、この第１導電型光吸収層に接した第１導電型増倍層とを前記第１導電型半導体基板側から順に備え、前記第１導電型増倍層への第２導電型ドーパントの導入により第２導電型受光領域が形成され、この第２導電型受光領域の直下の前記第１導電型増倍層が第１導電型増倍領域を構成するアバランシェフォトダイオードであって、前記第１導電型増倍領域は、前記第２導電型受光領域の中心部の直下で最も厚いものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明は、アバランシェフォトダイオードにおいて、ピーク光軸調整を行うことにより受光領域の中心部に光軸調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオードを示す構成図
【図２】この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオードを説明するための説明図
【図３】この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオードを説明するための説明図
【図４】この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオードを説明するための説明図
【図５】この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオードを説明するための説明図
【図６】この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオードを説明するための説明図
【図７】この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオードを説明するための説明図
【図８】この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオードを説明するための説明図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１によるアバランシェフォトダイオード（ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ、以下ＡＰＤという）を示す構成図であり、このＡＰＤの断面図を示す。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図１において、１はアノード（すなわちｐ型）電極、２は表面保護膜を兼ねたＳｉＮなどの絶縁膜である反射防止膜、３は第２導電型受光領域としてのｐ型選択拡散領域、４は第１導電型光吸収層としてのｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層、５はｎ型ＩｎＰ半導体層、６は第１導電型半導体基板としてのｎ型ＩｎＰ基板、７はカソード（すなわちｎ型）電極、８はｎ型ＩｎＰ光透過層（いわゆる窓層）、９は第１導電型増倍層としてのｎ型ＩｎＰ増倍層、９ａは第１導電型増倍領域としてのｐ型選択拡散領域３直下のｎ型ＩｎＰ増倍領域、１０はｐ型イオン注入領域（いわゆるガードリング）である。
【００１０】
なお、図１において、ｐ型選択拡散領域３が選択拡散により形成される前のｎ型ＩｎＰ光透過層８およびｎ型ＩｎＰ増倍層９は、略均一な層厚分布を有し、ｐ型選択拡散領域３は、その中心部で選択拡散の深さが浅くなり、円周上の端部で最も深くなる拡散分布を有する。これにより、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａは、その中心部で最も厚くなり、端部で薄くなる層厚分布を有する。
【００１１】
次に製造方法について説明する。図２は、この発明の実施の形態１によるＡＰＤを説明するための説明図であり、ＡＰＤの製造方法の実施例を示す。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。上述のような拡散分布を実現するために、図２に示すように、ｎ型ＩｎＰ光透過層８上に第２導電型ドーピング拡散源としての円板形状のｐ型ドーピング拡散源１１を形成し、ｐ型ドーピング拡散源１１の中心部で最も薄く、ｐ型ドーピング拡散源１１の端部で最も厚くなるような厚み分布をもつカバレッジ膜１２を形成し、ｐ型ドーピング拡散源１１からｎ型ＩｎＰ光透過層８およびｎ型ＩｎＰ増倍層９へのｐ型ドーパントの熱拡散により、ｐ型選択拡散領域３を形成する。
【００１２】
このとき、カバレッジ膜１２の厚みにより、ＩｎＰから気化するＰの圧力であるＰ圧が変化する。すなわち、カバレッジ膜１２の厚みが薄くなることによりＰ圧は小さくなり、カバレッジ膜１２の厚みが厚くなることによりＰ圧は大きくなる。そして、Ｐ圧が小さくなるほど、Ｐが置換されるｐ型ドーパントの拡散速度は遅くなる。この現象を利用し、ｐ型選択拡散領域３の中心部でｐ型ドーパント拡散深さが最も浅く、ｐ型選択拡散領域３の端部でｐ型ドーパント拡散深さが最も深い拡散分布を実現する。なお、カバレッジ膜１２の厚み分布は、ｐ型選択拡散領域３の中心部の周囲をマスクしての中心部からのサイドエッチングやカバレッジ膜１２の成膜時膜厚条件最適化などにより実現する。
【００１３】
また、図３は、この発明の実施の形態１によるＡＰＤを説明するための説明図であり、上述のようなｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａの層厚分布を実現する別の構造を製造するための製造方法を示す。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図３は、ｐ型選択拡散領域３が形成される領域を抜き出し拡大して示している。まず、ｎ型ＩｎＰ増倍層９およびｎ型ＩｎＰ光透過層８が結晶成長により略均一に形成される。そして、ｐ型選択拡散領域３が形成される前に、結晶成長により略均一に形成されたｎ型ＩｎＰ光透過層８の受光領域の中心部付近をマスクし、端部からサイドエッチングを行うことにより、ｎ型ＩｎＰ光透過層８の中心部が最も厚く、端部が薄くなるような層厚分布を形成している。このような層厚分布を形成することで、略均一な厚さのｐ型選択拡散領域３の直下のｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａは、その中心部で最も厚くなり、端部で薄くなる層厚分布を形成可能である。
【００１４】
次に動作について説明する。ＡＰＤは１５〜６０Ｖほどの逆バイアス電圧を印加して、すなわち、アノード電極１の電位がカソード電極７の電位に比べて低くなるようにして使用する。入射光は、図１の上側から、受光領域であるｐ型選択拡散領域３上の反射防止膜２、ｐ型選択拡散領域３およびｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａを通って、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４に入射する。この入射した光は、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４で吸収され、電子と正孔のキャリアが発生する。ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４の中は、逆バイアス電圧のために空乏層化している。空乏層中は電界がかかっており、電子はカソード電極７側に流れ、正孔はアノード電極１側に流れる。
【００１５】
図４は、この発明の実施の形態１によるＡＰＤを説明するための説明図であり、ＡＰＤの電圧−電流特性の一例を示している。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図４に示す電圧−電流特性におけるリーチスルー電圧以上の逆バイアス電圧を印加すると、図１において、正孔はｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａに流れ始める。ｐ型選択拡散領域３直下のｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａは、高い電界強度を有し、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａからｐ型選択拡散領域３まで流れる間に、アバランシェ増倍を起こすことで電流が増幅されて、アノード電極１より取り出される。このとき増幅される量、いわゆる増倍率は、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａに印加される印加電圧およびｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａの厚みであるキャリアの走行距離によって決まることから、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａの厚みがＡＰＤの特性を決定する大きな要因となる。
【００１６】
次に、光通信用にＡＰＤを使用するために行う組立方法について説明する。光通信用のＡＰＤは、光ファイバと光結合を取るため、レンズキャップなどの光学部品と一緒にパッケージに組立され、いわゆるモジュール化して光モジュールとして使用される。モジュール化する組立時には、光ファイバから出射された光が、ＡＰＤの受光領域であるｐ型選択拡散領域３に入射されるよう光軸調整しながら、組立を行う。この際、ＡＰＤにリーチスルー電圧以上を印加することで、受光領域に光を入射した場合、上述のアバランシェ増倍が起きるために大きな電流が流れることから、受光領域上に光軸調整し易くなる。そこで、通常ＡＰＤをモジュール化する際には、増倍が起きる電圧条件で光軸調整を行う。
【００１７】
ここで、非特許文献１に開示されている従来のＡＰＤは、選択拡散領域を形成するプロセスのばらつき等により受光領域内に増倍率の分布をもち、増倍率のピークが受光領域の端部にある場合がある。このようなＡＰＤのモジュール化組立時に、光電流が最も流れる位置であるピーク位置で組立を行うピーク光軸調整を行うと、光軸が受光領域の端部に調整されてしまい、組立時の応力で光軸がずれ、もしくは経年劣化により光軸がずれて、光が受光領域に当たらなくなる可能性がある。このため、非特許文献１に開示されている従来のＡＰＤにおいては、上述のように、ピーク光軸調整を行うことでは受光領域の中心部で光軸調整を行うことができない場合があるという問題点があった。
【００１８】
そこで、ピーク位置を検出した後に、光ファイバの光軸に垂直な面内におけるＸ、Ｙの２軸について、数１０μｍの範囲について、光電流と位置との関係を求めるトレランスカーブを測定することで、受光領域の中心部を求め、中心位置に移動してから組立を行うことがあった。この際に、トレランスカーブおよび受光領域の中心部を正しく算出するためには、例えば２分以上の非常に長い測定時間がかかり、製造する際のスループットを悪くするという問題点があった。
【００１９】
また、トレランスカーブを用いた中心部への位置合わせの場合、アノード電極部では光が反射され、電流が流れないため、アノード電極の位置で受光領域の端部の位置を検出することで、光軸調整を実施していたが、迷光などの影響により正しく受光領域の端部を検出できず、中心部に合わせられないことで光結合が取れず、組立工程の良品率である歩留りが低下するなどの問題点もあった。
【００２０】
これに対し、この発明の実施の形態１によるＡＰＤは、受光領域直下のｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａが、その中心部で最も厚くなり、端部で薄くなる層厚分布を有するので、受光領域の中心部に光電流のピークをもち、ピーク光軸調整を行うことにより受光領域の中心部に光軸調整を行うことができる。ひいては、スループットが良く、歩留りが高いモジュール化組立が可能となる。
【００２１】
図５は、この発明の実施の形態１によるＡＰＤを説明するための説明図であり、このＡＰＤの半導体層中の電界強度分布を示している。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図５において、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａからｐ型選択拡散領域３にかけて、電界強度は急激に増加し、ｐ型選択拡散領域３であるｐ型ＩｎＰ層中で電界強度は急激に低下する。ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４はｎ型にドーピングされているため、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａとの境界から緩い傾きで電界強度が減少する。このとき、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４からキャリアを引き抜くため、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４とｎ型ＩｎＰ半導体層５との境界で、ある程度電界を印加しておく。ｎ型ＩｎＰ半導体層５では、電界強度は急激に低下する。
【００２２】
ＡＰＤの降伏電圧Ｖｂｒはｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａの層厚である増倍層厚によって決まる。図６は、この発明の実施の形態１によるＡＰＤを説明するための説明図であり、増倍層厚と降伏電圧Ｖｂｒの関係を示している。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図６において、計算条件としてはｎ型ＩｎＰ光透過層８のキャリア濃度より大きいｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａのキャリア濃度を３．５×１０１６［ｃｍ−３］とし、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４のキャリア濃度を２×１０１５［ｃｍ−３］とした。
【００２３】
この計算結果より増倍層厚が薄くなるほど、すなわち拡散が深くなるほど、降伏電圧Ｖｂｒが増加することが分かる。これは、増倍層厚が厚くなるほど、キャリアをイオン化する回数が増えることで、雪崩増幅するまでの電圧が下がるためである。このように、図２に示した上述の製造方法で、受光領域であるｐ型選択拡散領域３の中心部が最も浅く、端部が最も深くなる拡散分布を形成することで、受光領域の中心部で最も降伏電圧Ｖｂｒが小さくなり、受光領域の端部で最も降伏電圧Ｖｂｒが大きくなる。
【００２４】
図７は、この発明の実施の形態１によるＡＰＤを説明するための説明図であり、ある降伏電圧Ｖｂｒでの増倍率ＭとＡＰＤに印加される電圧Ｖａｐｄとの関係を示す。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図７において、降伏電圧Ｖｂｒが低いＡＰＤの方が同じ電圧Ｖａｐｄでの増倍率Ｍが高くなる。これは、降伏電圧Ｖａｐｄが低いほど、小さい電圧Ｖａｐｄで先に雪崩増幅を始めるため、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａで増倍する電流量が増えるためである。これにより、受光領域であるｐ型選択拡散領域３の中心部が最も浅く、端部が最も深くなる拡散分布を形成することで、ある一定電圧を印加した場合、受光領域の中心部で増倍率Ｍのピークを持つ増倍分布を実現できる。
【００２５】
次に、この発明の実施の形態１によるＡＰＤにおける作用効果について詳細に説明する。図５において、円形状の受光領域であるｐ型選択拡散領域３の半径は３０μｍであり、ｐ型選択拡散領域３の中心部と円周上の端部とは拡散深さに０．０１μｍの差異がある場合の例について考える。ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４とｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａとの境界に印加される電界強度は、ｐ型選択拡散領域３の中心部と端部で等しく、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４とｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａとの境界での電界強度をＥａ＝１００［ｋＶ／ｃｍ］と仮定し、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａのキャリア濃度をＮＤ＝３．５×１０１６［ｃｍ−３］とすると、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａで増加する電界強度は、式（１）を用いて計算できる。
【００２６】
Ｅ（ｘ） ＝ （ｑＮＤ ÷ κε０ ）・ｘ ＋ Ｅａ        ・・・・（１）
【００２７】
Ｅ（ｘ）は、ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４とｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａとの境界を原点とする位置ｘでの電界強度、ｑは１電子当たりの単位電荷、κはＩｎＰの比誘電率、ε０は真空中の誘電率である。
【００２８】
式（１）から、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａとｐ型選択拡散領域３の中心部との境界での電界強度はＥｂ＝６２７［ｋＶ／ｃｍ］となり、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａとｐ型選択拡散領域３の端部との境界での電界強度はＥｃ＝６０１［ｋＶ／ｃｍ］となる。この電界強度の差異により、キャリアをイオン化する回数が増えることで、雪崩増幅するまでの電圧である降伏電圧Ｖｂｒが中心部で下がるのである。そして、ｐ型選択拡散領域３の端部と中心部との降伏電圧Ｖｂｒの差異ΔＶは、先ほどの図６に示す計算結果より、式（２）となる。
【００２９】
ΔＶ［Ｖ］ ＝ ６０．３（端部） −  ５８．８９（中心部）
＝ １．４１                                ・・・・（２）
【００３０】
そして、図７において、降伏電圧Ｖｂｒが１．４１Ｖだけ異なる場合、増倍率Ｍの値は３〜４だけ異なることが分かる。
【００３１】
図８は、この発明の実施の形態１によるＡＰＤを説明するための説明図であり、受光領域であるｐ型選択拡散領域３の増倍率Ｍの値の面内分布を計算した結果を示す。これは、図７に示す降伏電圧Ｖｂｒと増倍率Ｍの値の関係より、フィッティングして算出している。図１に示す構造では，ｐ型選択拡散領域３の直下がｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａとなるため、ｐ型選択拡散領域３とｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層４との距離が大きいほど、アバランシェ増幅を繰り返すため、増倍率Ｍが大きくなる。図８において、ｐ型選択拡散領域３の端部である受光部端に対して、ｐ型選択拡散領域３の中心部である受光部中心で増倍率Ｍが４０％程度大きい分布が実現できており、光軸調整時のピーク値調整が可能となる。
【００３２】
なお、受光領域の端部と中心部との増倍率差を大きくするため、式（１）からも分かるように、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａのキャリア濃度ＮＤを上げることにより、深さ方向の位置ｘに対するｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａでの電界強度の積分値の増加量を大きくして、降伏電圧Ｖｂｒの差異を大きくすることができる。
【００３３】
また、ｐ型選択拡散領域３形成時のプロセスばらつきを考慮して、ｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａのキャリア濃度ＮＤを設計することで、プロセスばらつきが発生しても、必ず受光領域の中心部で増倍率ＭのピークをもつＡＰＤを実現できる。
【００３４】
また、熱拡散時に曲率半径が小さくなることで発生する電界集中の影響による増倍は、ガードリングであるｐ型イオン注入領域１０を形成することで、ほぼ無視できる。
【００３５】
以上のように、この発明の実施の形態１によるＡＰＤにおいては、受光領域であるｐ型選択拡散領域３の直下のｎ型ＩｎＰ増倍領域９ａが、その中心部で最も厚くなり、端部で最も薄くなる層厚分布を有するようにしている。これにより、受光領域の中心部に光電流のピークをもち、ピーク光軸調整を行うことにより受光領域の中心部に光軸調整を行うことができるという作用効果を奏する。
【００３６】
なお、この発明の実施の形態１によるＡＰＤにおいては、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ系化合物半導体結晶を材料に用いる構成例を示したが、材料や構成は、これに限られるものではなく、他の材料、例えばＩｎＧａＡｓＰを用いるようにしても良く、また、ｎ型とｐ型との導電型を入れ替えるような構成も可能であり、同様の作用効果を奏する。
【００３７】
また、この発明の実施の形態１によるＡＰＤは、上述のピーク光軸調整を行うことにより受光領域の中心部に光が入射するように光軸調整された光ファイバやレンズキャップなどの光学部品と一緒にパッケージに組立てることで、光モジュールとして構成することができる。これにより、スループットが良く、歩留りが高いモジュール化組立され、経済的で光結合効率が高い光モジュールを実現できるという作用効果を奏する。
【００３８】
また、この発明の実施の形態１によるＡＰＤは、このＡＰＤを含む上述の光モジュールと、この光モジュールにより光信号から変換された電気信号を受信する受信器と、を備えた光受信機として構成することができる。これにより、光モジュールの光結合効率が高いことから、受信性能に優れた光受信機を実現できるという作用効果を奏する。
【００３９】
また、この発明の実施の形態１によるＡＰＤは、光送信機から送信された光信号を光ファイバといった光伝送路で伝送し、このＡＰＤを含む上述の光受信機で受信する光通信システムに適用するようにしても良い。これにより、光受信機の受信性能が優れていることから、光通信性能に優れた光通信システムを実現できるという作用効果を奏する。
【符号の説明】
【００４０】
１  アノード電極、２  反射防止膜、３  ｐ型選択拡散領域、４  ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層、５  ｎ型ＩｎＰ半導体層、６  ｎ型ＩｎＰ基板、７  カソード電極、８  ｎ型ＩｎＰ光透過層、９  ｎ型ＩｎＰ増倍層、９ａ  ｎ型ＩｎＰ増倍領域、１０  ｐ型イオン注入領域、１１  ｐ型ドーピング拡散源、１２  カバレッジ膜。
【図１】
2015005555.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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