(57)【要約】【課題】焦点検出センサに向かう光量の低下が大きい。【解決手段】撮影装置を、撮影レンズを介した被写体光束の一部を反射すると共に残りを透過させる第一のミラーであって、Ｓ偏光の反射率特性とＰ偏光の反射率特性とが異なるものと、第一のミラーを透過した被写体光束が入射され、入射された被写体光束の偏光状態を変化させる１／４波長板と、１／４波長板により偏光状態が変化された被写体光束が入射され、入射された被写体光束を第一のミラーに向けて反射させることにより、被写体光束を１／４波長板を介して第一のミラーに入射させる第二のミラーと、１／４波長板を介して第一のミラーに入射された被写体光束の反射光を受光する受光手段と、受光手段により受光された被写体光束に基づいて撮影レンズの焦点状態を検出する焦点検出手段と、から構成する。【選択図】図１
2015087404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影レンズを介した被写体光束の一部を反射すると共に残りを透過させる第一のミラーであって、Ｓ偏光の反射率特性とＰ偏光の反射率特性とが異なるものと、
前記第一のミラーを透過した被写体光束が入射され、入射された被写体光束の偏光状態を変化させる１／４波長板と、
前記１／４波長板により偏光状態が変化された被写体光束が入射され、入射された被写体光束を前記第一のミラーに向けて反射させることにより、該被写体光束を該１／４波長板を介して該第一のミラーに入射させる第二のミラーと、
前記１／４波長板を介して前記第一のミラーに入射された被写体光束の反射光を受光する受光手段と、
前記受光手段により受光された被写体光束に基づいて前記撮影レンズの焦点状態を検出する焦点検出手段と、
を備える、
撮影装置。
【請求項２】
前記第一のミラーのＳ偏光の波長４２０ｎｍ〜６８０ｎｍにおける平均反射率をＲｓと定義し、該第一のミラーのＰ偏光の波長４２０ｎｍ〜６８０ｎｍにおける平均反射率をＲｐと定義した場合に、該第一のミラーの波長４２０ｎｍ〜６８０ｎｍにおける平均反射率Ｒｍが次式
１．１×Ｒｍ＜Ｒｓ＜０．９５
Ｒｍ＝（Ｒｓ＋Ｒｐ）／２
を満たす、
請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
前記第二のミラーは、
凹面鏡である、
請求項１又は請求項２に記載の撮影装置。
【請求項４】
前記第二のミラーは、
凸面の内面側がミラー面となっている平凸レンズ状の裏面反射鏡であり、
前記１／４波長板は、
前記裏面反射鏡の平面に接着されている、
請求項１又は請求項２に記載の撮影装置。
【請求項５】
前記第二のミラーのミラー面の回転対称軸は、
撮影レンズの光軸と平行であり、
前記１／４波長板より入射される被写体光束を同一の光路に折り返すことにより、該被写体光束を該１／４波長板を介して前記第一のミラーに入射させる、
請求項１から請求項４の何れか一項に記載の撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮影レンズの焦点状態を検出することが可能な撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一眼レフカメラ等の撮影装置には、例えば位相差方式により焦点を自動的に検出する自動焦点検出装置が搭載されている。位相差方式は、瞳分割された対となる被写体像を焦点検出センサ上に照射し、焦点検出センサ上で対となる被写体像の位相差からデフォーカスを求める方式である。具体的には、焦点検出センサ上で形成された対となる被写体像の間隔が所定長のときに合焦と判定され、所定長より短いときには前ピンと判定され、所定長より長いときには後ピンと判定され、合焦位置からのピントずれの量がデフォーカス量として出力される。
【０００３】
撮影装置に搭載されるイメージセンサは高画素化・高画質化を達成するため、大型化が進んでいる。イメージセンサの大型化に合わせて焦点検出センサの焦点検出エリアを広げたいとの要請がある。焦点検出エリアを広げるためには、被写体光束を焦点検出センサに導くサブミラーを大型に設計する必要がある。
【０００４】
特許文献１〜３に例示されるように、サブミラーは、メインミラーを透過した被写体光束を焦点検出センサに向けて折り返すため、メインミラーとフォーカルプレーンシャッタとの間の限られたスペース内において光軸に対して傾けて配置される。このように、サブミラーをメインミラー及びフォーカルプレーンシャッタとの機械的干渉を避けつつ光軸に対して傾けて配置する必要上、サブミラーを大型に設計することは難しい。
【０００５】
そこで、特許文献４に、大型に設計されたサブミラーを撮影装置内に配置することが可能な構成が提案されている。特許文献４に記載の撮影装置において、サブミラーは、メインミラーを透過した被写体光束をメインミラーに向けて反射することにより、被写体光束をメインミラーを介して焦点検出センサに導く構成となっている。特許文献４に記載の構成では、サブミラーは、メインミラーとフォーカルプレーンシャッタとの間の限られたスペース内にて光軸と直交する姿勢で又は光軸に対して僅かに傾く姿勢で配置される。そのため、メインミラー及びフォーカルプレーンシャッタとの機械的干渉について特許文献１〜３に記載の構成ほど配慮する必要がなく、大型に設計されたサブミラーを配置しやすい構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−１８４９６５号公報
【特許文献２】特開平９−１８４９６６号公報
【特許文献３】特開２００１−８３４０２号公報
【特許文献４】特開２０１０−１０２３４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献４では、一例として、全体光量の２１％（メインミラーの透過率３０％×メインミラーの反射率７０％）が焦点検出センサに向かう光量であると記載されている。しかし、特許文献４では、メインミラーの偏光成分の反射率特性について何ら考慮されていない。本発明者は、鋭意検討を重ね、特許文献４に記載の構成では焦点検出センサに向かう光量がメインミラーの偏光成分の反射率特性に依存して上記の値（２１％）よりも低くなることを見出した。焦点検出センサに向かう光量が低下するほど自動焦点検出の精度が劣化するため、その改善が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態の撮影装置は、撮影レンズを介した被写体光束の一部を反射すると共に残りを透過させる第一のミラーであって、Ｓ偏光の反射率特性とＰ偏光の反射率特性とが異なるものと、第一のミラーを透過した被写体光束が入射され、入射された被写体光束の偏光状態を変化させる１／４波長板と、１／４波長板により偏光状態が変化された被写体光束が入射され、入射された被写体光束を第一のミラーに向けて反射させることにより、被写体光束を１／４波長板を介して第一のミラーに入射させる第二のミラーと、１／４波長板を介して第一のミラーに入射された被写体光束の反射光を受光する受光手段と、受光手段により受光された被写体光束に基づいて撮影レンズの焦点状態を検出する焦点検出手段とを備える。
【０００９】
本実施形態によれば、被写体光束の偏光状態を変化させない従来構成に比べて、第一のミラーにて受光手段に向けて反射される被写体光束のＳ偏光及びＰ偏光の一方の光量が増加し、これにより、受光手段に入射されるＳ偏光とＰ偏光の合成の光量が増加する。そのため、自動焦点検出の精度の劣化が抑えられる。
【００１０】
撮影装置は、第一のミラーのＳ偏光の波長４２０ｎｍ〜６８０ｎｍにおける平均反射率をＲｓと定義し、第一のミラーのＰ偏光の波長４２０ｎｍ〜６８０ｎｍにおける平均反射率をＲｐと定義した場合に、第一のミラーの波長４２０ｎｍ〜６８０ｎｍにおける平均反射率Ｒｍが次式
１．１×Ｒｍ＜Ｒｓ＜０．９５
Ｒｍ＝（Ｒｓ＋Ｒｐ）／２
を満たす構成としてもよい。
【００１１】
第二のミラーは、例えば凹面鏡である。また、第二のミラーは、凸面の内面側がミラー面となっている平凸レンズ状の裏面反射鏡であってもよい。後者の場合、例えば、１／４波長板が裏面反射鏡の平面に接着される。
【００１２】
第二のミラーのミラー面の回転対称軸は、例えば、撮影レンズの光軸と平行であり、１／４波長板より入射される被写体光束を同一の光路に折り返すことにより、被写体光束を１／４波長板を介して第一のミラーに入射させる。
【発明の効果】
【００１３】
本実施形態の撮影装置によれば、焦点検出センサに向かう光量低下が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態の撮影装置の構成を示すブロック図である。
【図２】平均反射率Ｒｍが７０％のメインミラーにおいて、Ｓ偏光の波長４２０ｎｍ〜６８０ｎｍにおける平均反射率Ｒｓと焦点検出センサに向けて反射される全体光量に対する合成の光量比Ｖｍとの関係を示す図である。
【図３】本発明の実施例１におけるメインミラーの反射率特性を示す図である。
【図４】本発明の実施例２におけるメインミラーの反射率特性を示す図である。
【図５】本発明の実施形態の変形例の撮影装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下においては、本発明の一実施形態として、自動焦点検出モジュールを搭載した撮影装置について説明する。
【００１６】
［撮影装置１の全体の構成］
図１は、本実施形態の撮影装置１の構成を示すブロック図である。本実施形態の撮影装置１は、デジタル一眼レフカメラ（クイックリターンミラー付）である。
【００１７】
図１に示されるように、撮影装置１は、カメラボディ１０と、カメラボディ１０に対して着脱することにより交換することが可能な交換レンズ５０を備えている。交換レンズ５０内には、撮影レンズ５１が配置されている。カメラボディ１０内には、メインミラー１１が配置されている。メインミラー１１はハーフミラーであり、ハーフミラー面が撮影レンズ５１の光軸ＡＸに対して約４５°をなす姿勢で配置されている。
【００１８】
被写体からの光束（被写体光束）は、撮影レンズ５１を透過してメインミラー１１に入射される。メインミラー１１に入射された被写体光束の一部は、メインミラー１１によってファインダ光学系を構成するペンタプリズム１２に向けて反射され、更に、ペンタプリズム１２にて反射されてファインダルーペ１３より射出される。撮影者は、ファインダルーペ１３を覗くことにより被写体像を観察することができる。
【００１９】
メインミラー１１に入射された被写体光束の残りは、メインミラー１１を透過してメインミラー１１の背面に配置された１／４波長板１４に入射される。１／４波長板１４に入射された被写体光束は、１／４波長板１４により、Ｓ偏光及びＰ偏光の一方の成分が他方の成分に対して１／４波長（９０°）の位相遅延が与えられる。これにより、被写体光束の偏光状態は円偏光となる。
【００２０】
１／４波長板１４を透過した被写体光束は、１／４波長板１４の背面に配置されたサブミラー１５に入射される。サブミラー１５は凹面鏡であり、ミラー面（凹面１５ｍ）が撮影レンズ５１の光軸ＡＸ（被写体光束の光路）とその交点で直交する姿勢（光軸ＡＸと凹面鏡の回転対称軸とが同軸となる姿勢）で配置されている。そのため、サブミラー１５に入射された被写体光束は、凹面１５ｍにより、メインミラー１１に向けて同一の光路に折り返される。
【００２１】
サブミラー１５により折り返された被写体光束は、サブミラー１５の凹面１５ｍの収束作用により撮影レンズ５１の射出瞳を自動焦点検出モジュール１８内にリレーすることが可能となる。このように、本実施形態では、サブミラー１５に収束作用を負担させているため、コンデンサレンズが不要である。なお、別の実施形態では、サブミラー１５を平面ミラーに代えてもよい。平面ミラーに代えた場合、撮影レンズ５１による被写体像（一次像）が形成される予定焦点面（一次結像面）よりも後方にコンデンサレンズを配置する必要がある。
【００２２】
サブミラー１５により折り返された被写体光束は、収束されながら１／４波長板１４に入射される。１／４波長板１４に入射された被写体光束は、再度、Ｓ偏光及びＰ偏光の一方の成分が他方の成分に対して１／４波長の位相遅延が与えられることにより、直線偏光となる。具体的には、メインミラー１１より１／４波長板１４に入射され、Ｓ偏光から円偏光に変化された被写体光束は、１／４波長板１４を再度透過することにより、円偏光からＰ偏光に変化される。また、メインミラー１１より１／４波長板１４に入射され、Ｐ偏光から円偏光に変化された被写体光束は、１／４波長板１４を再度透過することにより、円偏光からＳ偏光に変化される。
【００２３】
このように、本実施形態では、撮影レンズ５１よりメインミラー１１に入射されたＰ偏光は、サブミラー１５による折り返しを挟んで１／４波長板１４を２度透過することでＳ偏光となり、撮影レンズ５１よりメインミラー１１に入射されたＳ偏光は、サブミラー１５による折り返しを挟んで１／４波長板１４を２度透過することでＰ偏光となる。
【００２４】
１／４波長板１４よりメインミラー１１に入射された被写体光束の一部は、メインミラー１１によって下方に反射され、自動焦点検出モジュール１８の焦点検出センサ１８ｓに受光される。自動焦点検出モジュール１８は、焦点検出センサ１８ｓにより受光された被写体の焦点状態を検出し、検出結果に応じた信号をボディＣＰＵ２０に出力する。ボディＣＰＵ２０は、自動焦点検出モジュール１８より入力された信号を用いてデフォーカス演算を行い、演算によって求められたデフォーカス量に基づいて撮影レンズ５１の焦点調節を行う。なお、この種の焦点調節は周知であるため、詳細な説明については省略する。また、図１中、各ブロックの電気的な結線については、図面を簡素化する便宜上省略する。
【００２５】
レリーズスイッチ（不図示）が押されると、ボディＣＰＵ２０は、メインミラー１１をクイックリターンさせる。すなわち、ボディＣＰＵ２０は不図示の駆動機構を動作させることにより、フォーカルプレーンシャッタ１６の先幕走行開始直前から後幕走行終了直後の期間に限り、メインミラー１１、１／４波長板１４及びサブミラー１５を上方に折りたたむ。これにより、撮影レンズ５１の光軸ＡＸと平行な光路からメインミラー１１、１／４波長板１４及びサブミラー１５が退避され、撮影レンズ５１を透過した被写体光束がイメージセンサ１７に到達する。
【００２６】
イメージセンサ１７は例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサであり、撮像面上の各画素で結像した光学像を光量に応じた電荷として蓄積して、撮像信号に変換する。変換された撮像信号は、画像処理回路２１で所定の処理を経て、画像としてメモリ２２（内蔵メモリ又は着脱可能なメモリカード）に保存される。撮影者は、カメラボディ１０の背面に設けられたＬＣＤモニタ１９を通じて撮影画像を視認することができる。
【００２７】
［自動焦点検出のための光学構成］
次に、メインミラー１１を含むメインミラー１１周りの構成についてより詳細に説明する。
【００２８】
メインミラー１１の反射率特性（又は透過率特性）は、ミラー面を構成する、誘電体による多層膜コートに応じて決定される。多層膜コートでは、入射角がゼロ以外ではＳ偏光の反射率特性とＰ偏光の反射率特性とが異なる。また、Ｐ偏光は、ブリュースタ角で反射率がゼロとなる。そのため、メインミラー１１を含む一般的なメインミラーは、Ｓ偏光の反射率の方がＰ偏光の反射率よりも高い。以下においては、説明の便宜上、メインミラー１１のＳ偏光の可視光領域（波長４２０ｎｍ〜６８０ｎｍ）における平均反射率をＲｓと定義し、メインミラー１１のＰ偏光の可視光領域における平均反射率をＲｐと定義し、メインミラー１１の可視光領域における平均反射率をＲｍ（＝（Ｒｓ＋Ｒｐ）／２）と定義する。
【００２９】
本実施形態に対する比較例として、特許文献４に記載の構成において、メインミラーの偏光成分の反射率特性を考慮したものを考える。具体的には、平均反射率Ｒｍが７０％のメインミラーにおいて、平均反射率Ｒｓが８０％であり、平均反射率Ｒｐが６０％であるものと考える。この例において、撮影レンズより入射されメインミラーを透過するＳ偏光、Ｐ偏光の全体光量に対するそれぞれの光量比Ｔｓ、Ｔｐは、次に示す通りである。
Ｔｓ＝１−Ｒｓ＝０．２
Ｔｓ＝１−Ｒｐ＝０．４
【００３０】
特許文献４に記載の構成では、メインミラーを透過した被写体光束は、サブミラーによって折り返されることでメインミラーへ戻され、メインミラーにより焦点検出センサに向けて反射される。焦点検出センサに向けて反射されるＳ偏光、Ｐ偏光の全体光量に対するそれぞれの光量比Ｔｓ’、Ｔｐ’は、次に示す通りである。
Ｔｓ’＝Ｔｓ×Ｒｓ＝０．１６
Ｔｐ’＝Ｔｐ×Ｒｐ＝０．２４
また、焦点検出センサに向けて反射される全体光量に対する合成の光量比をＶｍ’で示すとすると、Ｖｍ’は次に示す通りである。
Ｖｍ’＝（Ｔｓ’＋Ｔｐ’）／２＝０．２（＝２０％）
【００３１】
上記の例では、特許文献４に記載の構成において、Ｓ偏光の反射率特性とＰ偏光の反射率特性とが異なる場合、光量比が当該文献４に記載の値（２１％）よりも低くなることが判る。
【００３２】
図２に、平均反射率Ｒｍが７０％のメインミラーにおけるＳ偏光の平均反射率Ｒｓと焦点検出センサ１８ｓに向けて反射される全体光量に対する合成の光量比Ｖｍとの関係を示す。図２中、縦軸は光量比Ｖｍを示し、横軸は平均反射率Ｒｓを示す。なお、各軸の値は正規化された値である。また、図２中、実線は、本実施形態における平均反射率Ｒｓと光量比Ｖｍ”との関係を示し、点線は、特許文献４に記載の構成における平均反射率Ｒｓと光量比Ｖｍ’との関係を示す。図２の例では、平均反射率Ｒｍが７０％であるため、計算上、平均反射率Ｒｓが７０％のときに平均反射率Ｒｐも７０％となる。また、平均反射率Ｒｓが７０％以外の値のときには、平均反射率Ｒｐも７０％以外であって平均反射率Ｒｓと異なる値となる。
【００３３】
図２中、点線にて示されるように、特許文献４に記載の構成では、平均反射率Ｒｓと平均反射率Ｒｐとが等しい場合に限り当該文献４に記載の値（２１％）が達成される。平均反射率Ｒｓと平均反射率Ｒｐとが異なる場合には当該文献４に記載の値（２１％）が達成されず、平均反射率Ｒｓと平均反射率Ｒｐとが異なるほど光量比Ｖｍ’が低くなることが判る。
【００３４】
次に、本実施形態において、特許文献４に記載の構成に適用した上記例と同じく、メインミラー１１の平均反射率Ｒｍが７０％、Ｓ偏光Ｐ偏光の平均反射率Ｒｓ、Ｒｐがそれぞれ８０％、６０％である場合を考える。この例において、撮影レンズ５１より入射されメインミラー１１を透過するＳ偏光、Ｐ偏光の全体光量に対するそれぞれの光量比Ｔｓ、Ｔｐは、次に示す通りである。
Ｔｓ＝１−Ｒｓ＝０．２
Ｔｓ＝１−Ｒｐ＝０．４
【００３５】
本実施形態では、メインミラー１１を透過した被写体光束は、１／４波長板１４を透過し、サブミラー１５にて折り返されて、１／４波長板１４を再度透過した後、メインミラー１１へ戻され、メインミラー１１により焦点検出センサ１８ｓに向けて反射される。焦点検出センサ１８ｓに向けて反射されるＳ偏光、Ｐ偏光の全体光量に対するそれぞれの光量比Ｔｓ”、Ｔｐ”は、次に示す通りである。
Ｔｓ”＝Ｔｓ×Ｒｐ＝０．１２
Ｔｐ”＝Ｔｐ×Ｒｓ＝０．３２
また、焦点検出センサ１８ｓに向けて反射される全体光量に対する合成の光量比をＶｍ”で示すとすると、Ｖｍ”は次に示す通りである。
Ｖｍ”＝（Ｔｓ”＋Ｔｐ”）／２＝０．２２（＝２２％）
【００３６】
このように、本実施形態における上記例では、Ｓ偏光の反射率特性とＰ偏光の反射率特性とが異なる場合、焦点検出センサ１８ｓに向けて反射されるＳ偏光及びＰ偏光の一方の光量が大きく増加し、この結果、光量比Ｖｍ”が当該文献４に記載の値（２１％）よりも高くなることが判る。また、図２中、実線にて示されるように、本実施形態では、平均反射率Ｒｓと平均反射率Ｒｐとが等しい場合に限り当該文献４に記載の値（２１％）と同一であるが、平均反射率Ｒｓと平均反射率Ｒｐとが異なる場合には当該文献４に記載の値（２１％）よりも高くなることが判る。附言するに、平均反射率Ｒｓと平均反射率Ｒｐとが異なるほど光量比Ｖｍ”が高くなる。
【００３７】
本実施形態の撮影装置１は、好適な例として、次式（１）
１．１×Ｒｍ＜Ｒｓ＜０．９５・・・（１）
が満たされる構成としてもよい。
【００３８】
式（１）の下限を下回る場合、メインミラー１１とサブミラー１５との間に１／４波長板１４を配置したことによる光量比Ｖｍ”の上昇効果が小さい。そのため、１／４波長板１４の表面反射による光量損失を考慮すると、光量比Ｖｍ”の上昇効果が極僅かにしか得られない。また、式（１）の上限を上回る構成を達成する場合、メインミラー１１の多層膜コートの層数を大幅に増加させる必要があるため、コスト面の問題が生じる。また、被写体の偏光特性に偏りがある場合（被写体の偏光成分が主にＳ偏光の場合）、光量不足により焦点検出の精度が劣化する虞がある。式（１）が満たされる場合は、上記の各問題が避けられる。
【００３９】
［実施例１］
図３に、本実施例１におけるメインミラー１１の反射率特性を示す。図３中、縦軸は反射率（正規化された値）を示し、横軸は波長（単位：ｎｍ）を示す。また、図３中、破線は、Ｓ偏光の反射率を示し、一点鎖線は、Ｐ偏光の反射率を示し、実線は、Ｓ偏光とＰ偏光の合成の反射率を示す。本実施例１における各値は次に示す通りである。
Ｒｓ：０．８２
Ｒｐ：０．５７
Ｒｍ：０．７０
Ｖｍ”：０．２３
【００４０】
このように、本実施例１では、光量比Ｖｍ”が２３％である。また、本実施例１では、式（１）が満たされる。そのため、コート膜の多層化によるコストアップが抑えられると共に、被写体の偏光特性に偏りがある場合（被写体の偏光成分が主にＳ偏光の場合）であっても光量不足による焦点検出精度の劣化が避けられる。
【００４１】
［実施例２］
図４に、本実施例２におけるメインミラー１１の反射率特性を示す。本実施例２における各値は次に示す通りである。
Ｒｓ：０．９２
Ｒｐ：０．４８
Ｒｍ：０．７０
Ｖｍ”：０．２６
【００４２】
このように、本実施例２では、光量比Ｖｍ”が２６％である。また、本実施例２では、式（１）が満たされる。そのため、コート膜の多層化によるコストアップが抑えられると共に、被写体の偏光特性に偏りがある場合（被写体の偏光成分が主にＳ偏光の場合）であっても光量不足による焦点検出精度の劣化が避けられる。
【００４３】
［変形例］
図５は、本実施形態の変形例の撮影装置１ｚの構成を示すブロック図である。本変形例の撮影装置１ｚにおいて、図１の撮影装置１と同一の又は同様の構成には同一の又は同様の符号を付して説明を簡略又は省略する。
【００４４】
本変形例の撮影装置１ｚは、サブミラー１５ｚを備えている。サブミラー１５ｚは、凸面の内面１５ｍｚ側がミラー面となっている平凸レンズ状の裏面反射鏡である。平凸レンズ形状の凸面で裏面反射させる構成を採用することにより、被写体光束を収束させる面（すなわち、凸面の内面１５ｚｉ）の曲率半径を大きくすることができる。内面１５ｚｉの曲率半径を大きくすることにより、サブミラー１５ｚが薄型化される。また、本変形例において、１／４波長板１４は、サブミラー１５ｚの平面１５ｐｚに接着されている。そのため、１／４波長板１４を保持する保持機構が省かれると共に、１／４波長板１４とサブミラー１５ｚとの間の空気層が無くなることにより、１／４波長板１４やサブミラー１５ｚでの表面反射による光量損失が低減される。
【００４５】
以上が本発明の例示的な実施形態の説明である。本発明の実施形態は、上記に説明したものに限定されず、本発明の技術的思想の範囲において様々な変形が可能である。例えば明細書中に例示的に明示される実施形態等又は自明な実施形態等を適宜組み合わせた内容も本願の実施形態に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
１、１ｚ  撮影装置
１０  カメラボディ
１１  メインミラー
１２  ペンタプリズム
１３  ファインダルーペ
１４  １／４波長板
１５、１５ｚ  サブミラー
１６  フォーカルプレーンシャッタ
１７  イメージセンサ
１８  自動焦点検出モジュール
１９  ＬＣＤモニタ
２０  ボディＣＰＵ
２１  画像処理回路
２２  メモリ
５０  交換レンズ
５１  撮影レンズ
【図１】
2015087404.tif 000003
【図２】
2015087404.tif 000004
【図３】
2015087404.tif 000005
【図４】
2015087404.tif 000006
【図５】
2015087404.tif 000007