(57)【要約】      （修正有）【課題】メンテナンスのために電子デバイス製造システムが動作を中断する時間を短縮し且つ電子デバイス製造施設の性能を向上させるためのシステムを提供する。【解決手段】電子デバイス製造施設の性能を改善するために、生産装置を使用して行われる電子デバイス製造部品のシーズニング工程の数を減らすことにより、電子デバイス製造システムの動作中断時間を短縮する工程を含ものであり、電子デバイス製造システムの部品をシーズニングするための方法は、現場外シーズニングをすることによる。【選択図】図２
2015008299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス製造システムの部品をシーズニングするためのシステムであって、部品は、正面と、背面と、第１及び第２端部を有し、正面と背面の間に延びるオリフィスを画定する面とを有し、システムは、
内部容積を画定するシーズニングチャンバと、
シーズニングチャンバに接続されたガス供給源と、
シーズニングチャンバの内部容積内に配置され、固定具の内部容積を画定する固定具であって、固定具はシーズニングチャンバの内部容積内で部品を支持するように構成され、これによって固定具の内部容積と流体連通する真空ポートを有する固定具上に部品がある場合に、オリフィスの第１端部はシーズニングチャンバの内部容積に露出し、オリフィスの第２端部は固定具の内部容積に露出する固定具と、
固定具の真空ポートに接続され、部品の正面と背面に亘って差圧を発生させるように操作可能な真空ポンプと、
シーズニングチャンバの内部容積内でプラズマを発生させるように操作可能な上方電極及び下方電極とを含み、
固定具は更に、部品の正面と背面に亘る差圧に応じて、部品のオリフィスを通して固定具の内部容積内にプラズマを引き込むように構成されるシステム。
【請求項２】
上方電極がシーズニングチャンバの壁部を含む請求項１記載のシステム。
【請求項３】
下方電極が固定具を含む請求項１記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
本願は、２００７年８月１０日に、「ＭＥＴＨＯＤＳ  ＡＮＤ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  
ＦＯＲ  ＣＯＮＤＩＴＩＯＮＩＮＧ  ＰＬＡＳＭＡ  ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ  ＣＯＭＰＯ
ＮＥＮＴＳ」の名称で出願された米国特許仮出願第６０／９５５２８１号（代理人整理番
号１２６３２／Ｌ）に基づく優先権を主張し、この特許仮出願は、引用により全ての目的
のため全体として本願に組み込まれる。
【発明の分野】
【０００２】
本発明は、概して、電子デバイス製造において使用される装置、より詳細には電子デバ
イス製造装置の部品を調整するための方法及び装置に関する。
【発明の背景】
【０００３】
電子デバイス（例えば、半導体デバイス、電子ディスプレイ、太陽電池を含む）の製造
は典型的には多くの処理を含み、これらの処理は電子デバイス製造システム上で行われる
。これらの処理には、限定するものではないが、堆積、化学的処理、エッチング、研磨、
イオン注入、エピタキシャル結晶成長、酸化、フォトリソグラフィ、拡散、金属化、洗浄
等が含まれる。
【０００４】
一般に、電子デバイス製造システムは購入、操業及びメンテナンスが高くつくシステム
である。典型的な電子デバイス製造施設又は製造工場はこのようなシステムの多くを有し
ており、資本投資が集中する施設となる。しかしながら、これらのシステムを運転して電
子デバイスを生産している間、これらのシステム、従って施設は極めて収益性が高いが、
電子デバイス製造システムの操業をメンテナンスのために停止すると（本願では、「メン
テナンスのために中断する」と記載する場合もある）、そのシステムを生産業務に戻すま
での間、施設は収益性の高い資本設備からの収益を逃すことになり、施設の運転コストは
上昇し、一方、その収益性は低下する。システムの動作中断時間が長ければ長いほど施設
の収益性は低くなる。従って、製造工場のオペレータは、一般に、可能な限り早くシステ
ムの操業を再開したいと望む。
【０００５】
メンテナンスのために電子デバイス製造システムが動作を中断する時間を短縮し且つ電
子デバイス製造施設の性能を向上させるための方法及び装置が望ましい。
【発明の概要】
【０００６】
一態様において、電子デバイス製造施設の性能を改善するための方法が提供され、本方
法は、生産装置を使用して行われる電子デバイス製造部品のシーズニング工程の数を減ら
すことにより、電子デバイス製造システムの動作中断時間を短縮する工程を含む。
【０００７】
別の態様において、電子デバイス製造システムの部品をシーズニングするための方法が
提供され、本方法は、部品を電子デバイス製造システムに取り付ける前に部品をシーズニ
ングする工程を含む。
【０００８】
更に別の態様において、オリフィスを有する電子デバイス製造システムの部品をシーズ
ニングするための方法が提供され、本方法は、部品をプラズマに曝露し、プラズマにオリ
フィスを強制的に通過させる工程を含む。
【０００９】
更に別の態様において、電子デバイス製造システムの部品をシーズニングするためのシ
ステムが提供され、本システムは、シーズニングチャンバと、シーズニングチャンバに接
続されたガス供給源と、シーズニングチャンバ内で部品を支持するように構成された固定
具と、固定具に接続された真空ポンプと、シーズニングチャンバ内でプラズマを発生させ
るように構成された上方電極及び下方電極とを含み、固定具は更に部品のオリフィスにプ
ラズマを引き込むように構成される。
【００１０】
多数のその他の態様が、本発明のこれら及びその他の態様に従って提供される。本発明
のその他の構成及び態様は、以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲及び添付の図面か
らより十分に明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】電子デバイス製造システムの部品を現場（ｉｎ  ｓｉｔｕ）シーズニングするための従来法を表すフローチャートである。
【図２】電子デバイス製造システムの部品を現場外（ｅｘ  ｓｉｔｕ）シーズニングするための本発明のある実施形態を表すフローチャートである。
【図２Ａ】電子デバイス製造システムの部品を現場外シーズニングするための本発明の別の実施形態を表すフローチャートである。
【図３】電子デバイス製造システムの部品を現場外シーズニングするための本発明の装置の概略図である。
【図４】本発明の現場外シーズニングシステムの概略図である。
【詳細な説明】
【００１２】
上述したように、電子デバイスの製造には一般に多くの処理が含まれ、これらの処理は
電子デバイス製造システム上で行われる。電子デバイス製造システムには、限定するもの
ではないが、処理チャンバが含まれる。これらの電子デバイス製造システムを構成する部
品の多くが、時間の経過と共に磨耗する又は別の形で望ましくない若しくは使用不能な状
態となり、交換及び／又は再生（ｒｅｆｕｒｂｉｓｈ）を必要とする傾向がある。新しい
又は再生した部品を電子デバイス製造システムに取り付ける場合、新しい部品の多くがな
んらかの形のシーズニング又は調整を必要とすることが判明しているが、これはそうしな
いとその新しい部品を取り付けたシステムを使用して製造された電子デバイスが所要の規
格値内で製造されないからである（例えば、電子デバイスの欠陥が多すぎる）。
【００１３】
以下の詳細な説明では、プラズマ処理部品の現場外シーズニングの特定の実施例を使用
して本発明の上位概念、すなわち電子デバイス製造施設の性能及び／又は処理能力は、施
設の製造システムの運転ステータスを施設のオペレータが予測し易くすることにより改善
されるということを説明する。この予測可能性は、選択されたシーズニング及び／又は調
整工程を製造施設及び生産機械から製造施設外部に位置する非生産機械へと移転させるこ
とにより得られる。従って、以下の説明では製造施設及びこの施設の生産機械から非生産
シーズニング装置へとプラズマ処理シーズニング工程を移転させることに焦点を置いてい
るが、本発明の上位概念は電子デバイス製造施設で起こる様々な処理の多く又は全て（化
学的機械的研磨、化学蒸着、イオン注入、エピタキシャル結晶成長、酸化、フォトリソグ
ラフィ、拡散、金属化、洗浄その他等）に有用となり得る。
【００１４】
一部の処理では処理中にプラズマを使用し、本願においてはプラズマ処理と称される。
時間の経過と共に、プラズマ処理で使用する装置は劣化し、装置の部品を新しい又は再生
した部品と交換する必要がでてくる。プラズマ処理装置における新しい又は再生した部品
の取り付けに関連した問題とは、新しい部品を装置に取り付けた後、その新しい又は再生
した部品からプラズマ処理中に粒子が落下することである。粒子が処理中のウェハ上に落
下すると、ウェハが許容限度を超えて損傷を受けたり規格外となったりして、廃棄する必
要のある場合がある。ウェハは１枚あたり約２５００ドル前後と極めて高価なことから、
損傷を与えたり廃棄するのは歓迎しがたい。
【００１５】
新しい部品によって引き起こされる損傷を回避するための既知の方法が、「現場（ｉｎ
ｓｉｔｕ）」シーズニングとして知られる処理における、取り付けた部品のシーズニン
グ又は調整である。現場シーズニングは、典型的には、生産処理装置内で行われる。現場
シーズニング処理は、新しい又は再生した部品をプラズマ処理装置内でプラズマに１００
ＲＦ時間（例えば、高周波エネルギーで生成されたプラズマに曝露される時間）より長く
曝露することを必要とする場合がある。この現場シーズニング処理を、新しい又は再生し
た部品を取り付けた処理装置が規格値内で機能可能であると試験又は経験により判明する
まで継続する。これはプラズマ処理装置内のテストウェハ上に落下する粒子の数が規格値
内であることを意味してもよい（現場シーズニング処理中は、テストウェハを使用するこ
とにより生産ウェハへの損傷を回避する）。現場シーズニング処理によりウェハの損傷又
は破壊を軽減する又は最低限に抑えることはできるが、現場シーズニング処理には欠点が
ある。例えば、現場シーズニング処理は「動作中断時間（ｄｏｗｎ  ｔｉｍｅ）」と見な
されるが、それはこの期間中、製品の生産が行われないからである。中断時間は、製造工
場の電子デバイス製造システムが製品を生産できない時間と定義できる。このような中断
時間は、施設の生産高の低下及び運転コストの上昇につながり得ることから望ましくない
（Ｃ００）。従って、電子デバイス製造装置の中断時間を短縮するための方法が望ましい
。
【００１６】
本発明の一実施形態において、電子デバイス製造システムの中断時間は、新しい又は再
生した部品を生産プラズマ処理装置に取り付ける前にシーズニング（事前シーズニングと
称する場合もある）する方法によって短縮される。この実施形態において、シーズニング
は、非生産シーズニングチャンバにおいて行われる。非生産シーズニングチャンバ又は製
造工場内の製品の生産に使用される処理チャンバの外部のどこかでの部品のシーズニング
は、本願において「現場外（ｅｘ  ｓｉｔｕ）」シーズニングと称される。
【００１７】
現場外シーズニングの利点の１つが、部品の現場シーズニングの必要性の低下又は喪失
である。部品の現場シーズニングの必要性の低下又は喪失により施設の生産高が上昇し、
それに対応して施設の運転コストが低下する。現場外シーズニングの別の利点は、製造工
場のオペレータによる予測が可能になることである。このような予測可能性とは、現場外
シーズニングを行った部品を電子デバイス製造システムに取り付けたら、電子デバイス製
造システムによる生産を再開させるのにそれ以上のシーズニングを必要としないか、或い
は既知の回数の減ったシーズニングサイクルを必要とするのかの知識である。場合によっ
ては、実行する現場外シーズニングに基づいて、より少ない回数の現場シーズニング工程
が必要となる。プラズマ処理の文脈において、シーズニングサイクルとは、テストウェハ
を処理チャンバに挿入することから始まって、新しく取り付けた部品及びテストウェハを
プラズマに曝露し、処理チャンバからテストウェハを取り出すことと定義される。
【００１８】
現場外シーズニングの別の利点は、部品の現場シーズニングに使用されていないことか
ら、生産処理装置の損耗が少なくなることである。
【００１９】
現場外シーズニングの更に別の利点は、現場シーズニングした部品の性能と比較すると
、現場外シーズニングにより部品の性能が改善されることである。
【００２０】
本発明の別の実施形態において、穴若しくはオリフィス並びに／又は正面（電子デバイ
ス製造システム内での使用中にプラズマとウェハに面する）及び背面（処理中、非プラズ
マガスに面する）を有するチャンバ部品は、シーズニングチャンバ及び固定具を使用して
現場外でシーズニングされ、これらのチャンバ及び固定具は、シーズニング処理中、部品
の穴及び／又は正面と背面との両方をシーズニングプラズマに曝露するように構成されて
いる。このような部品の現場シーズニングの間、穴及び／又は背面は、典型的には、部品
の正面ほど迅速にはシーズニングされず、本発明に従って現場外でシーズニングされた部
品よりずっと多い生産ウェハサイクルに亘って粒子を落下させ続ける。
【００２１】
図１は、電子デバイス製造システムの部品を現場シーズニングするための従来法１００
を表すフローチャートである。プラズマ処理で使用される部品は、既定の予防的メンテナ
ンススケジュールに従って又は部品の性能の低下により交換される。性能の低下は、発生
する粒子（粒子は「付加物（ａｄｄｅｒ）」及び「異物（ｆｏｒｅｉｇｎ  ｍａｔｅｒｉ
ａｌ）の短縮形である「ＦＭ」を含めた様々な名称で呼ばれる」）の数の上昇、処理の均
一性の不良、処理済みの基板への金属汚染、更にはプラズマ処理中のアーク放電によって
証明することができる。性能の低下は別の形でも起こり得る。付加物、均一性又は金属汚
染の許容可能なレベルは、電子デバイス製造業者、生産された製品の性質及び生産された
基板のサイズに応じて異なる。例えば、付加物の場合、３００ｍｍの基板を使用するプロ
セッサのデバイス製造業者は、サイズ０．１５ミクロン以上の付加物の数が１０個未満で
あることを要求する場合がある。別の実施例において、均一性の場合、デバイス製造業者
が、特定の処理の均一性が基板全体で９５％であること（つまり、別の言い方をすると、
５％未満が不均一である）を要求する場合がある。或いは、不均一性要件が基板全体で２
％未満もの過酷さになる場合もある。
【００２２】
プラズマ装置には、反応性イオンエッチャ（ＲＩＥ）又はスパッタエッチャ等のエッチ
ング装置が含まれる。プラズマ装置には、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）、高密度
プラズマ化学気相蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ）等の堆積装置及び自己イオン化プラズマ物理気
相蒸着（ＳｉＰ−ＰＶＤ）を含む物理的化学的気相蒸着（ＰＶＤ）装置の様々な実施形態
も含まれる。その他のプラズマ装置も含まれる。プラズマ装置には様々な数の部品が含ま
れるが、最も一般的に交換される部品には、シャワーヘッド、サセプタ、多種多様な周囲
リング／シールドが含まれ、装置のタイプに依存する。
【００２３】
従来法１００は工程１０２から始まる。工程１０４において、シーズニングしていない
部品を電子デバイス製造システムに取り付ける。工程１０６において、部品を現場でシー
ズニングする。
【００２４】
上述したように、現場シーズニング（装置にシャワーヘッドを取り付けた後のシーズニ
ングを意味する）が１００ＲＦ時間より長くかかる場合がある。ＲＦ時間は、プラズマを
発生させ部品と接触させる際に使用する高周波（ＲＦ）エネルギーに装置又は部品が曝露
される時間数である。現場シーズニングを行う場合、基板、典型的にはテスト基板を処理
チャンバにローディングし、プラズマシーズニング処理（チャンバタイプに適したもの）
を開始する。処理は３〜４分続き、次に基板を取り出して第２の基板をチャンバに挿入す
る。プラズマシーズニング処理を第２の基板に繰り返す。サイクルは３０００ウェハサイ
クルもの回数に亘って又は１００ＲＦ時間以上となるまで続く。総経過時間は、典型的に
は、ＲＦ時間数よりも長くなるが、これはＲＦ時間には基板のローディング及びアンロー
ディングが含まれないからである。
【００２５】
工程１０８において、部品が十分にシーズニングされたか否かを判断する。部品は十分
にシーズニングされていないと判断されたなら、工程１０６で現場シーズニングを継続す
る。工程１０８において、部品が十分にシーズニングされたと判断されたら、工程１１０
で現場シーズニング法１００を終了する。工程１０８を省略し、その代わりに既定の回数
のウェハ又はシーズニングサイクルを行ってから工程１１０に進んでもよい。
【００２６】
シーズニングにより中断時間は長くなるが、それでも使用前に部品をシーズニングする
ことにより新しく取り付けた部品で起こる粒子の落下を軽減する又は防止することが望ま
しい（部品は新しい又は再生されたもののいずれかである点に留意すべきである）。
【００２７】
本発明は、電子デバイス製造工場に現場外シーズニングした又は事前シーズニングした
部品を提供することにより、長い中断時間の問題に取り組む。新しい部品のシーズニング
を製造工場内の電子デバイス製造システムから製造施設の非生産シーズニングシステムに
移動させることにより、電子デバイス製造業者は、長い中断時間に煩わされることなく現
場外シーズニングした部品を取り付け、製品の生産を開始することができるようになる。
【００２８】
図２は、本発明の一実施形態による、電子デバイス製造システムの部品を現場外シーズ
ニングするための方法２００を表すフローチャートである。
【００２９】
方法２００は工程２０２から始まる。工程２０４において、電子デバイス製造システム
の部品を現場外でシーズニングする。上述したように、これは部品を処理チャンバ以外の
チャンバでシーズニングすることを意味しており、電子デバイスの生産での使用のために
部品は後ほど処理チャンバに取り付けられる。例えば、部品は部品製造業者又は再生業者
の施設内の非生産シーズニングチャンバでシーズニングされる。現場外での部品のシーズ
ニングが有利なのには幾つかの理由があり、シーズニング処理によって、製造工場内で行
う必要がある現場シーズニングが軽減される又は排除されること及び現場では使用できな
い有利なシーズニングレシピが現場外では使用可能となり得ることが含まれる。シーズニ
ングレシピには、部品を特定の化学組成物の１種以上のプラズマに１回以上の期間に亘っ
て１種以上のシーケンス、順序及び／又は組み合わせで曝露するレシピが含まれる。
【００３０】
工程２０４は、部品が十分にシーズニングされるまで、経験的に求められた既定の時間
に亘って続く。或いは、図示してはいない工程において、工程２０４においてシーズニン
グ中の部品を選択された基準に照らし合わせて評価することにより、部品が十分にシーズ
ニングされて既定の規格を満たすか否かの判断をする。このような選択された基準の例に
は、限定するものではないが、マイクロ表面モルホロジー／プロファイル、表面粗さ、表
面粒子及び／又は汚染レベル並びに基板除去率が含まれる。既定の規格とは、部品を現場
シーズニングなしで使用開始できる又は既知の限定回数の現場シーズニングをしてから部
品を使用開始できることであってもよい。例えば、規格は、２０、１５又は１０シーズニ
ング又はウェハサイクル以下で部品を生産業務に戻す準備ができていることである。方法
２００では次の工程２０６において、現場外シーズニングした部品を電子デバイス製造シ
ステムに取り付ける。部品が電子デバイス製造システムに一旦取り付けられたら、更なる
シーズニング、例えば現場シーズニングを工程２０８において行う。方法２００は工程２
１０で終了する。
【００３１】
図２Ａは、本発明の別の実施形態による、電子デバイス製造システムの部品を現場外シ
ーズニングするための方法２００Ａを表すフローチャートである。方法２００Ａは図２の
方法２００と同様であるが、方法２００Ａでは、部品を電子デバイス製造システムに取り
付けた後、部品をそれ以上シーズニングすることなくシステムの操業を開始する点て異な
る。
【００３２】
上述したように、本発明の方法の別の利点は、製造工場のオペレータが予測可能性及び
改善された性能を得られることである。例えば、部品の現場シーズニングには３０００回
以上のウェハ又はシーズニングサイクルが費やされ、達成できる性能レベルはウェハ１枚
あたり１０個以下の粒子である。本発明の実施形態では、シーズニングサイクルの回数が
約２０回未満又は約１０ウェハ若しくはシーズニングサイクル未満に減り且つウェハ１枚
あたり約１粒子未満の性能レベルが達成される。このような予測可能性及び改善された性
能を製造工場のオペレータが得られるようになることは、電子デバイス製造システムの部
品の製造において極めて重要である。
【００３３】
現場外シーズニングの別の利点は、生産プラズマ処理チャンバにおいて実行できないシ
ーズニング構成、方法及びレシピを非生産現場外シーズニングチャンバでは採用できるこ
とである。例えば、上述したように、穴又はオリフィスを有するチャンバ部品並びに正面
及び背面を有するチャンバ部品はシーズニングに関してより多くの技術的課題を抱える。
例えばシャワーヘッドの場合、落下する粒子がシャワーヘッドの穴のパターンと一致する
ことが判明している。同様に、穴を有するその他の部品（例えば、ネジ、昇降ピンその他
等）でも、穴のパターンを反映したパターンで粒子が落下する。生産プラズマ処理チャン
バにおいては、オリフィスを形成する内面のシーズニングが許容限度を超えるほどの長時
間に亘る場合がある。同様に、生産プラズマ処理チャンバ内で部品の背面をシーズニング
する速度が許容限度を超えるほど遅くなる場合がある。本発明は、穴並びに／又は正面及
び背面を有する部品をシーズニングするための実施形態を提供する。
【００３４】
図３は固定具３００の概略図であり、とりわけ穴並びに／又は正面及び背面を有する部
品をシーズニングするための本発明の一実施形態である。固定具３００を使用して、以下
に記載され且つ図４に図示されるような現場外事前シーズニングシステム内に部品を保持
する。固定具はいずれの適切な金属から形成してもよく、例えばアルミニウム、ステンレ
ススチール又は電極としても機能可能なその他のプラズマ処理対応材料である。固定具の
形状は、事前シーズニングされる部品に似たもの又はそれを補完するものであってもよい
。例えば、部品が直径約１６インチの円形のＳｉＣプレートの場合、固定具はこのＳｉＣ
プレートの直径と同様又はそれより若干小さい直径の円柱である。固定具は縁部３０２を
有し、その上に部品が載置される。縁部３０２は部品を支持し且つ部品と固定具３０４内
部との間に真空を作り出すのに十分な幅を有する。しかしながら、縁部３０２はシーズニ
ング対象の部品のいずれのオリフィスも覆わず、シーズニング処理は妨げられない。大き
な部品の場合、よりしっかりと支持するために、固定具は少なくとも１つの支柱（図示せ
ず）を含んでいてもよい。固定具の高さ３０６は１インチ未満〜約１０インチと異なり得
る。高さを最適化することにより、オリフィス及び／又は背面のシーズニングを損なうこ
となく体積を最小限に抑えることができる。固定具は、少なくとも１つの真空ポート接続
部３０８を含んでいてもよい。図において、真空接続部は底部中央に描かれている。しか
しながら、これは例として挙げたに過ぎず、全てのオリフィスが十分にシーズニングされ
る限り、真空接続部の位置はどこであってもよい。加えて、部品が極めて大きい場合（例
えば、フラットパネルディスプレイ製造に使用されるようなもの）等では、複数のポンプ
又は真空ポートを使用してもよい。
【００３５】
図４を参照すると、本発明の現場外シーズニングシステムのある実施形態であるシステ
ム４００が描かれている。システム４００はプラズマシーズニングシステムであってもよ
く、複数のチャンバ壁部４０２を含む。図４のシステムの形状は正方形又は長方形の箱型
である。しかしながら、様々な形状の部品を格納したり、ポンプ容量を最小限に抑えたり
或いはシステムをその他の処理ユニットと統合するためのその他の形状も可能である。シ
ステム４００は、第１及び第２電極も含んでいてよい。第１電極４０４をシステムの壁部
４０２によって形成し、接地してもよい。第２電極４０６は固定具４０８によって形成し
てもよい（固定具については、図３を参照してより詳細に説明した）。第２電極４０６（
例えば、固定具４０８）は高周波加熱性であってよい。その他の構成の電極を使用しても
よい。固定具を、複数の脚部４１０によって支持してもよい。脚部４１０はセラミック又
はいずれの適切な絶縁材料からも形成することができる。真空ポンプライン４１２によっ
て固定具をチャンバ壁部４０２外部の真空ポンプ（図示せず）に取り付けてもよい。シス
テム４００は少なくとも１本のガス供給ライン４１４を含んでいてもよい。システム４０
０はプラズマを見るための１つ以上の窓部４１６を有していてもよい。システム４００は
、扉部４１８又は部品をシステム内外に移動させるためのその他の手段（蓋部又はスリッ
トバルブ等）も含んでいてよい。図示してはいないものの、システムは、部品のロボット
ハンドラと共に使用するための昇降ピン又はその他の機構も含み得ることがわかる。
【００３６】
運転中、部品４２０を上向きで（例えば、正面を上にして）固定具４０８上に位置決め
することができる。１種以上のガスを供給ライン４０４を通して流し、固定具４０８に給
電することによりプラズマを発生させる。プラズマは部品及び固定具を取り囲み、次に固
定具４０８に接続された真空ポンプライン４１２に向かって部品のオリフィス内へと引き
込まれる。部品の正面から背面へとオリフィスにプラズマを引き込むことにより、部品の
オリフィス及び背面の事前シーズニングが可能になる。部品のオリフィス及び背面のシー
ズニングは現場シーズニングでは不可能であり、これは現場シーズニングの配置において
、プラズマ及びポンプは一般に部品の同じ側にあるからである。従って、現場シーズニン
グではプラズマが部品のオリフィスから背面へと引き込まれない。
【００３７】
以上の説明は、本発明の例示的な実施形態しか開示していない。本発明の範囲に含まれ
る上記で開示の装置及び方法の改変は当業者に明白である。一部の実施形態において、本
発明の装置及び方法は、半導体デバイス処理及び／又は電子デバイス製造に応用される。
その他の実施形態において、現場外シーズニング／調整は、プラズマ処理以外の処理、例
えば化学的機械的研磨、化学蒸着、イオン注入、エピタキシャル結晶成長、酸化、フォト
リソグラフィ、拡散、金属化、洗浄等に応用される。
【００３８】
従って、本発明をその例示的な実施形態に関連させて開示してきたが、以下の特許請求
の範囲に基づいて定められるように、その他の実施形態も本発明の精神及び範囲に含まれ
ることを理解すべきである。
【図２】
2015008299.tif 000003
【図２Ａ】
2015008299.tif 000004
【図１】
2015008299.tif 000005
【図３】
2015008299.tif 000006
【図４】
2015008299.tif 000007