(57)【要約】      （修正有）【課題】セラミック電子部品の電子部品本体における機械的歪みに伴う実装基板の振動に基づく振動音の発生の抑制に寄与するセラミック電子部品を提供する。【解決手段】セラミック電子部品１は、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとを備えている。電子部品本体１０は、セラミック素体１６と外部電極１８ａ，１８ｂとを有する。一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、外部電極１８ａ，１８ｂに接合部材によって接続される。一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、端子本体および端子本体の表面に形成されためっき膜を有する。また、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、端子接合部４８，４８、実装部５０および端子接合部４８，４８と実装部５０との間に設けられる延長部５２，５２により構成される。少なくとも、実装部５０の周囲面４６には、めっき膜が除去されためっき除去部５８が形成されて、端子本体の表面が露出している。【選択図】図１
2015008270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する２つの主面と、互いに対向する２つの端面と、互いに対向する２つの側面と、を有するセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記端面及び前記側面の一部を覆うように形成された外部電極と、を有する電子部品本体と、
前記セラミック素体の両側面の位置における前記外部電極に接続される金属端子と、を有するセラミック電子部品であって、
前記金属端子は、
端子本体と前記端子本体の表面に形成されるめっき膜とを有し、かつ、
前記セラミック素体の側面の位置において前記外部電極に接続される端子接合部と、
前記セラミック電子部品が搭載される実装基板の電極に接続され、前記セラミック素体の下面に対向するように設けられる実装部と、
前記セラミック素体における前記実装基板に対向する面と前記実装部との間に隙間を有するように、前記端子接合部と前記実装部との間に設けられる延長部と、
を有し、
前記実装部の周囲面において、前記端子本体の表面が露出していることを特徴とする、セラミック電子部品。
【請求項２】
前記延長部の周囲面において、前記端子本体の表面が露出していることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記端子接合部の周囲面において、前記端子本体の表面が露出していることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記端子接合部と前記実装部と前記延長部は一体形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば、積層セラミックコンデンサ等を含むセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・高機能化が急速に進んでおり、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサについても、小型化が要求されている。たとえば、積層セラミックコンデンサの場合、薄層化技術および多層化技術の進展により、アルミ電解コンデンサに代替できる高静電容量を有するものが商品化されるようになった。
【０００３】
電子部品本体である積層セラミックコンデンサ２は、図２６に示すように、複数のセラミック層３と内部電極４とが交互に積層されたセラミック素体５を含む。複数の内部電極４のうちの隣接するものが、セラミック素体５の対向する端面に交互に引き出される。内部電極４が引き出されたセラミック素体５の端面には、内部電極４に電気的に接続される外部電極６が形成される。このような構成により、セラミック素体５の対向する端部に設けられた外部電極６間に静電容量が形成される。積層セラミックコンデンサ２は、実装用はんだ６ａによって実装基板７上に取り付けられる。このとき、積層セラミックコンデンサ２の外部電極６が、実装用はんだ６ａによって実装基板７上に取り付けられる。
【０００４】
このような積層セラミックコンデンサ２において、セラミック層３の材料として、誘電率の比較的高いチタン酸バリウムなどの強誘電体材料が一般的に用いられているが、このような強誘電体材料は圧電性および電歪性を有する。積層セラミックコンデンサ２に交流電圧が加わると、セラミック層３に機械的歪みが生じる。その振動が外部電極６を介して実装基板７に伝達されると、実装基板７全体が音響放射面となって、雑音となる振動音（鳴き）を発生する恐れがある。
【０００５】
この対策として、特許文献１や特許文献２に示される、たとえば、図２７に示すような、積層セラミックコンデンサ２の外部電極６に一対の金属端子８を端子接合用はんだで接続してセラミック電子部品９を作製し、実装基板７と積層セラミックコンデンサ２とが間隔を隔てるようにして、一対の金属端子８を実装基板７に半田付けする構成が考えられている。このような構成とすることにより、これら一対の金属端子８の弾性的変形によって、交流電圧の周波数に同期して生じる応力を緩和するという技術が開示されている。この特許文献１および特許文献２に記載によると、一対の金属端子８の表面に、Ｓｎなどのめっき膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２３５９３２号公報
【特許文献２】特開２０１０−０１６３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載のセラミック電子部品９のように、金属端子８の表面にめっき膜が形成されると、セラミック電子部品９を実装基板７に実装用はんだで実装する際に実装用はんだの金属端子８に対するはんだの濡れ性が向上する。そのため、セラミック電子部品９を実装基板７に実装用はんだで実装する際、実装用はんだが金属端子８の表面のめっき膜を伝って、積層セラミックコンデンサ２と金属端子８との間、つまり、金属端子８の実装基板７と平行に延び、実装基板７に実装される実装部のセラミック電子部品９と対向する面、及び、金属端子８の実装基板７と垂直に延びる延長部のセラミック電子部品９の端面と対向する面に実装用はんだが濡れ上がりやすくなり、濡れ上がった実装用はんだが積層セラミックコンデンサ２と金属端子８との間の空間部（積層セラミックコンデンサ２の下面から金属端子８の実装部までの空間）に充填されてしまうことがある。具体的には、金属端子８の実装部のセラミック電子部品９と対向する面から金属端子８の実装基板７と垂直に延びる延長部のセラミック電子部品９の端面と対向する面にかけて、金属端子８の実装部のセラミック電子部品９と対向する面と金属端子８の実装基板７と垂直に延びる延長部のセラミック電子部品９の端面と対向する面とが交わるコーナー部に実装用はんだが溜まりやすくなる。これにより、実装基板７と積層セラミックコンデンサ２との間の間隔を十分に確保できないということが生じたり、金属端子８の弾性的変形を妨げることになるため、積層セラミックコンデンサ２の振動の伝達を抑制する本来の金属端子８の機能を損失してしまうことがある。
【０００８】
また、たとえば、積層セラミックコンデンサ２の内部電極４の積層方向が実装面と主面を結ぶ方向の場合、電界の方向は上下方向となる。この際、図２８、図２９のように積層セラミックコンデンサ２の収縮について、積層セラミックコンデンサ２の第２の方向ｙにおける中央部が、第２の方向ｙにおける両端部に対して上下方向ｚに大きく伸長する一方、第１の方向ｘに大きく収縮する。積層セラミックコンデンサ２の上下方向ｚにおける中央部は、上下方向ｚにおける両端部に対して第１の方向ｘ及び第２の方向ｙの両方において大きく収縮する。
【０００９】
このため、たとえば、図３０に示すように、一対の金属端子８が、外部電極６の全面に接合されているセラミック電子部品９においては、図３１に示すように、積層セラミックコンデンサ２の変形に伴って一対の金属端子８が大きく変形する。よって、積層セラミックコンデンサ２の振動が一対の金属端子８を介して実装基板７に伝搬されやすくなり、基板鳴きが発生しやすくなる。また、積層セラミックコンデンサ２の端面と側面においては、側面の長さの方が端面の長さよりも長いため、積層セラミックコンデンサ２の端面と側面の中央部において同じ大きさの変形が生じた場合、側面の長さが長いため積層セラミックコンデンサ２の端面側よりも積層セラミックコンデンサ２の側面側の方が積層セラミックコンデンサ２の外部電極６が形成される角部の変形量は小さくなる傾向にある。
【００１０】
それゆえに、この発明の主たる目的は、セラミック電子部品の電子部品本体における機械的歪みに伴う実装基板の振動に基づく振動音の発生の抑制に寄与するセラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明にかかるセラミック電子部品は、互いに対向する２つの主面と、互いに対向する２つの端面と、互いに対向する２つの側面と、を有するセラミック素体と、セラミック素体の端面及び側面の一部を覆うように形成された外部電極と、を有する電子部品本体と、セラミック素体の両側面位置における外部電極に接続される金属端子と、を有するセラミック電子部品であって、金属端子は、端子本体と端子本体の表面に形成されるめっき膜とを有し、かつ、セラミック素体の側面位置において前記外部電極に接続される端子接合部と、セラミック電子部品が搭載される実装基板の電極に接続され、セラミック素体の下面に対向するように設けられる実装部と、セラミック素体における実装基板に対向する面と実装部との間に隙間を有するように、端子接合部と実装部との間に設けられる延長部と、を有し、実装部の周囲面において、端子本体の表面が露出していることを特徴とする、セラミック電子部品である。
また、この発明にかかるセラミック電子部品は、延長部の周囲面において、端子本体の表面が露出していることが好ましい。
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品は、端子接合部の周囲面において、端子本体の表面が露出していることが好ましい。
また、この発明にかかるセラミック電子部品は、端子接合部と実装部と延長部が一体形成されていることが好ましい。
【００１２】
この発明にかかるセラミック電子部品によれば、金属端子の実装部における周囲面においてめっき膜が除去されためっき除去部が形成されており、金属端子の母材が露出していいるため、セラミック電子部品を実装基板に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだの金属端子への濡れ上がりを抑制することが可能となることから、電子部品本体と金属端子との間の浮き部分に実装用はんだが濡れ上がることを抑制することができ、前述の浮き部分に実装用はんだが充填されることを防止することができる。したがって、浮き部分の空間を十分に確保することができるため、金属端子の弾性変形を妨げることなく、実装基板への振動の伝達を抑制することができ、セラミック電子部品の電子部品本体における機械的歪みに伴う実装基板の振動に基づく振動音の発生を抑制することができる。
また、延長部の周囲面において、前記めっき除去部が形成されている場合、より実装用はんだの金属端子への濡れ上がりを抑制することが可能となることから、電子部品本体と金属端子との間の浮き部分に実装用はんだが濡れ上がることをより抑制することができる。
さらに、端子接合部の周囲面において、めっき除去部が形成されている場合、さらに、実装用はんだの金属端子への濡れ上がりを抑制することが可能となることから、電子部品本体と金属端子との間の浮き部分に実装用はんだが濡れ上がることをより抑制することができる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、セラミック電子部品の電子部品本体における機械的歪みに伴う実装基板の振動に基づく振動音の発生の抑制に寄与するセラミック電子部品が得られる。
【００１４】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。
【図２】この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。
【図３】この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す上面図である。
【図４】（ａ）は図３のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図であり、（ｂ）は図３のＢ−Ｂ線における断面を示す断面図解図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ線における断面における断面図解図である。
【図６】この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の外観斜視図である。
【図７】この発明にかかるセラミック電子部品の他の例であって、（ａ）はセラミック電子部品の外観斜視図であり、（ｂ）はセラミック電子部品の正面図である。
【図８】図７に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図である。
【図９】この発明にかかるセラミック電子部品のさらに他の例であって、（ａ）はセラミック電子部品の正面図であり、（ｂ）は（ａ）に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図である。
【図１０】この発明にかかるセラミック電子部品の別の例であって、（ａ）はセラミック電子部品の正面図であり、（ｂ）は（ａ）に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の第３の変形例を示す外観斜視図である。
【図１１】金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第４の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第５の変形例を示し、（ｃ）は金属端子の第６の変形例を示す。
【図１２】金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第７の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第８の変形例を示す。
【図１３】金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第９の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第１０の変形例を示し、（ｃ）は金属端子の第１１の変形例を示す。
【図１４】金属端子の第１２の変形例を示す外観斜視図である。
【図１５】金属端子の第１３の変形例を示す外観斜視図である。
【図１６】金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第１４の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第１５の変形例を示す。
【図１７】金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第１６の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第１７の変形例を示す。
【図１８】金属端子の第１８の変形例を示す外観斜視図である。
【図１９】電子部品本体に金属端子を取り付ける方法を説明したフロー図である。
【図２０】金属端子の取り付け方法において、金属端子が第１の振込み治具に吸引保持された状態を示す斜視図である。
【図２１】金属端子の取り付け方法において、端子接合用はんだが第２の振込み治具に塗布された状態を示す斜視図である。
【図２２】金属端子の取り付け方法において、電子部品本体が第２の振込み治具に整列された状態を示す斜視図である。
【図２３】金属端子の取り付け方法において、第１の振込み治具を反転した状態を示す斜視図である。
【図２４】金属端子の取り付け方法において、第２の振込み治具に整列された電子部品本体に第１の振込み治具に保持された金属端子をかぶせた状態でリフロー処理する状態を示す斜視図である。
【図２５】セラミック電子部品を実装した実装基板の振動音を測定するための装置の一例を示す図解図である。
【図２６】従来の積層セラミックコンデンサを実装基板に実装した状態を示す図解図である。
【図２７】図２６に示す積層セラミックコンデンサの問題点を解決するために提案された従来の積層セラミックコンデンサを含むセラミック電子部品を示す外観斜視図である。
【図２８】図２７に示す積層セラミックコンデンサを模式的に示した上面図である。
【図２９】図２８のＤ−Ｄ線における断面における断面図解図である。
【図３０】図２９のＥ−Ｅ線における断面における断面図解図である。
【図３１】図２９のＦ−Ｆ線における断面における断面図解図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（セラミック電子部品）
本発明にかかるセラミック電子部品の一実施の形態の一例について説明する。図１は、この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図を示し、図２は、この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す側面図であり、図３は、この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す上面図である。図４（ａ）は図３のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図であり、図４（ｂ）は図３のＢ−Ｂ線における断面を示す断面図解図である。図５は、図２のＣ−Ｃ線における断面を示す断面図解図である。図６は、この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の外観斜視図である。この実施の形態にかかる電子部品本体は、積層セラミックコンデンサを例として示す。
【００１７】
この実施の形態にかかるセラミック電子部品１は、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとにより構成される。電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとは、接合部材１４を介して接続される。また、電子部品本体１０は、セラミック素体１６（積層体）と、セラミック素体１６の表面に形成される第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂとから構成される。
【００１８】
セラミック素体１６は、複数の積層されたセラミック層２０ａ，２０ｂから構成される。そして、セラミック素体１６は、直方体状に形成され、長さ方向および幅方向に沿って延びる第１主面２２ａおよび第２主面２２ｂと、長さ方向および高さ方向に沿って延びる第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂと、幅方向および高さ方向に沿って延びる第１端面２６ａおよび第２端面２６ｂとを有する。第１主面２２ａおよび第２主面２２ｂは、セラミック電子部品１が実装される面と平行な面をさす。なお、セラミック素体１６は、角部２８および稜部３０に丸みがつけられていることが好ましい。
【００１９】
セラミック層２０ａ，２０ｂとしては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックが用いられる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。なお、誘電体セラミックは大きな静電容量を得るために、強誘電体セラミックスにより構成されていることが好ましい。
強誘電体セラミックスの比誘電率は、２０００以上であることが好ましく、３０００以上であることがより好ましい。この場合、上述の電子部品本体１０の寸法範囲内で１μＦ以上や１０μＦ以上の静電容量を実現できる。このようなセラミック電子部品１は鳴きが発生しやすく、本発明を好適に適用し得る。セラミック層２０ａ，２０ｂの厚みは０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
なお、この実施の形態にかかるセラミック素体１６については、誘電体セラミックを用いるので、コンデンサとして機能する。
【００２１】
セラミック素体１６は、複数のセラミック層２０ａおよびセラミック層２０ｂに挟まれるように複数の第１の内部電極３２ａおよび第２の内部電極３２ｂを有する。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂは、セラミック層２０ａ，２０ｂを挟んで対向しており、対向部分により電気特性（例えば、静電容量など）が発生する。なお、複数のセラミック層２０ａおよびセラミック層２０ｂに挟まれるように複数の第１の内部電極３２ａおよび第２の内部電極３２ｂは、実装面に対して平行になるように配置されていてもよく、垂直になるように配置されていてもよい。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂの材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂの厚みは、０．３μｍ以上２．０μｍ以下である。なお、電子部品本体１０が積層タイプでない場合には、第１および第２の内部電極３２ａ，３２ｂは形成されない。
【００２２】
第１の内部電極３２ａは、対向部３４ａと引出し部３６ａとを有する。対向部３４ａは、第２の内部電極３２ｂと対向する。引出し部３６ａは、対向部３４ａからセラミック素体１６の第１端面２６ａに引出される。そして、第１の内部電極３２ａの引出し部３６ａの端部がセラミック素体１６の第１端面２６ａに延びて露出するように形成される。
【００２３】
また、第２の内部電極３２ｂは、第１の内部電極３２ａと同様に、第１の内部電極３２ａと対向する対向部３４ｂと、対向部３４ｂからセラミック素体１２の第２端面２６ｂに引出された引出し部３６ｂとを有する。第２の内部電極３２ｂの引出し部３６ｂの端部がセラミック素体１６の第２端面２６ｂに延びて露出するように形成される。
【００２４】
セラミック素体１６の第１端面２６ａには、第１の外部電極１８ａが第１の内部電極３２ａに電気的に接続され、第１端面２６ａ及び第１の内部電極３２ａを覆うように形成される。また、第１の外部電極１８ａは、第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂの一部を覆うように形成される。同様に、セラミック素体１６の第２端面２６ｂには、第２の外部電極１８ｂが第２の内部電極３２ｂに電気的に接続され、第２端面２６ｂ及び第２の内部電極３２ｂを覆うように形成される。また、第２の外部電極１８ｂは、第１の側面２４ａおよび第２の側面２４ｂの一部を覆うように形成される。
【００２５】
第１の外部電極１８ａは、下地層３８ａと下地層３８ａの表面に形成されるめっき層４０ａとを有する。また、第２の外部電極１８ｂは、下地層３８ｂと下地層３８ｂの表面に形成されるめっき層４０ｂとを有する。
【００２６】
下地層３８ａ，３８ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等を用いることができる。このうち、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ等の卑金属を用いることが好ましい。下地層３８ａ，３８ｂは、内部電極３２ａ，３２ｂと同時焼成したコファイアによるものでもよく、導電性ペーストを塗布して焼き付けたポストファイアによるものでもよい。また、直接めっきにより形成されていてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されていてもよい。下地層３８ａ，３８ｂの厚みは、最も厚い部分において、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２７】
一方、めっき層４０ａ，４０ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｂ合金、Ａｕ等を用いることができる。めっき層４０ａ，４０ｂは、複数層に形成されていてもよい。好ましくは、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきの２層構造である。めっき層４０ａ，４０ｂの一層あたりの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、下地層３８ａ，３８ｂとめっき層４０ａ，４０ｂとの間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。
【００２８】
一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、セラミック電子部品１を実装基板に実装するため、及び、振動音（鳴き）を抑制するために設けられる。金属端子１２Ａは、セラミック素体１６の第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂの位置において第１の外部電極１８ａと接続される第１主面４２、第１主面４２と対向する第２主面４４および第１主面４２と第２主面４４とを連結している金属端子１２Ａの厚みを形成する部分である周囲面４６を有する。また、金属端子１３Ａは、セラミック素体１６の第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂの位置において第２の外部電極１８ｂと接続される第１主面４２、第１主面４２と対向する第２主面４４および第１主面４２と第２主面４４とを連結している金属端子１３Ａの厚みを形成する部分である周囲面４６を有する。そして、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、断面の形状がＵ字形状に形成されている。
【００２９】
一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、たとえば、セラミック素体１６の第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂの位置における第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂに接続される端子接合部４８，４８と、セラミック素体１６の第２主面２２ｂと対向するように設けられる実装部５０と、セラミック素体１６の第２主面２２ｂと実装部５０，５０との間に隙間を有するように、端子接合部４８，４８と実装部５０との間に設けられる延長部５２，５２により構成される。
したがって、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａのそれぞれを構成する端子接合部４８，４８と実装部５０と延長部５２，５２は、一体形成されている。
【００３０】
金属端子１２Ａの端子接合部４８，４８は、セラミック素体１６の第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂに対向し、第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂに位置する第１の外部電極１８ａに接続される部分である。また、金属端子１３Ａの端子接合部４８，４８は、セラミック素体１６の第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂに対向し、第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂに位置する第２の外部電極１８ｂに接続される部分である。金属端子１２Ａの端子接合部４８，４８は、たとえばセラミック素体１６の第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂに位置する第１の外部電極１８ａの幅と同等の大きさの矩形板状に形成され、金属端子１２Ａの第１主面４２側が第１の外部電極１８ａに接合部材１４で接続される。また、金属端子１３Ａの端子接合部４８，４８は、たとえばセラミック素体１６の第１側面２４ａおよび第２側面２４ｂに位置する第２の外部電極１８ｂの幅と同等の大きさの矩形板状に形成され、金属端子１３Ａの第１主面４２側が第２の外部電極１８ｂに接合部材１４で接続される。
【００３１】
一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５０は、セラミック電子部品１が実装する実装基板の電極に接続するために設けられる。一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５０は、セラミック素体１６の第２主面２２ｂと対向するように設けられている。金属端子１２Ａの実装部５０は、金属端子１２Ａの延長部５２の端部および延長部５２の端部の間において、第２主面２２ｂに平行するように、延長部５２，５２に対して直角になるように形成される。なお、実装部５０の折り曲げられる方向は、電子部品本体１０側に曲げられている。また、金属端子１３Ａの実装部５０は、金属端子１３Ａの延長部５２の端部および延長部５２の端部の間において、第２主面２２ｂに平行するように、延長部５２，５２に対して直角になるように形成される。なお、実装部５０の折り曲げられる方向は、電子部品本体１０側に曲げられている。
【００３２】
また、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５２，５２と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５０とが直角に交わる角部は、丸みがつけられていてもよい。
【００３３】
一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５２，５２は、電子部品本体１０を実装する実装基板から浮かせるために設けられ、実装基板に接するまでの部分である。一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５２，５２は、セラミック素体１６の第２主面２２ｂと実装部５０との間に隙間を有するように端子接合部４８，４８と実装部５０との間に設けられている。そして、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５２，５２は、たとえば、長方形板状をしており、端子接合部４８，４８から実装面方向に第２主面２２ｂと直交する高さ方向に延び、端子接合部４８，４８と一平面状に形成されている。この延長部５２，５２が設けられることにより、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの弾性変形によって交流電圧が加わる際にセラミック層に生じる機械的歪みを吸収することができ、その振動が第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂを介して実装基板に伝達されることを抑えて雑音の発生を減少することができる。
【００３４】
一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、端子本体５４と端子本体５４の表面に形成されるめっき膜５６とを有する。
【００３５】
端子本体５４は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。端子本体５４は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。
具体的には、たとえば、端子本体５４の母材の金属をＦｅ−４２Ｎｉ合金やＦｅ−１８Ｃｒ合金とするのが好ましい。これは、一般的にこれらの金属は、表面に酸化皮膜が形成されているので、はんだの主成分であるＳｎが濡れ上がらないためである。本発明では、このはんだの濡れ上がらない端子本体５４が露出しているため、セラミック電子部品１を実装基板に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだの一対の金属端子１２Ａ，１３Ａへの濡れ上がりを抑制することが可能となることから、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとの間の浮き部分に実装用はんだが濡れ上がることを抑制することができ、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの浮き部分に実装用はんだが充填されることを防止することができる。したがって、浮き部分の空間を十分に確保することができるため、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの弾性変形を妨げることなく、実装基板への振動の伝達を抑制することができ、セラミック電子部品１の電子部品本体１０における機械的歪みに伴う実装基板の振動に基づく振動音の発生を抑制することができる。
また、これらの金属は、耐食性に優れており、セラミック素体１６との線膨脹係数差が小さく、熱衝撃サイクルなどでセラミック素体１６にクラックが入ることを抑制することができる。
端子本体５４の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下程度であることが好ましい。また、端子本体５４を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの耐熱性を向上させることができる。
【００３６】
ここで、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５０および実装部５２の周囲面４６において、めっき膜５６が除去されているめっき除去部５８が形成されている。このめっき除去部５８は、端子本体５４の表面が露出している部分である。めっき膜５６は、たとえば、下層めっき膜６０と上層めっき膜６２とを有する。
【００３７】
下層めっき膜６０は、端子本体５４の上に形成されており、上層めっき膜６２は、下層めっき膜６０の上に形成されている。なお、下層めっき膜６０および上層めっき膜６２のそれぞれは、複数のめっき膜により構成されていてもよい。下層めっき膜６０は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。下層めっき膜６０のそれぞれは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなることが好ましい。下層めっき膜６０を、高融点のＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金により形成することにより、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの耐熱性を向上させることができる。下層めっき膜６０の厚みは０．２μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００３８】
上層めっき膜６２は、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの金属のうちの一種以上の金属を主成分として含む合金からなる。上層めっき膜６２は、ＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金からなることが好ましい。上層めっき膜６２をＳｎまたはＳｎを主成分として含む合金により形成することにより、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂとのはんだ付き性を向上させることができる。上層めっき膜６２の厚みは、１．０μｍ以上５．０μｍ以下程度であることが好ましい。なお、めっき膜５６として、１層形成の場合には、はんだ付き性のよい上層めっき膜６２を形成するのが好ましい。
【００３９】
接合部材１４は、第１の外部電極１８ａと金属端子１２Ａの端子接合部４８とを接合するために用いられる。また、接合部材１４は、第２の外部電極１８ｂと金属端子１３Ａの端子接合部４８とを接合するために用いられる。接合部材１４には、たとえば、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系などのＬＦはんだを用いることができる。特に、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだの場合は、Ｓｂの含有率が５％以上１５％以下程度であることが好ましい。
また、接合部材１４としては、導電性樹脂や導電性接着剤を使用してもよい。
【００４０】
本実施の形態にかかるセラミック電子部品１によれば、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５０の周囲面４６においてめっき膜５６が除去されためっき除去部５８が形成されることで、端子本体５４の表面が露出しており、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの母材が露出しているため、セラミック電子部品１を実装基板に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだの一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの内面への濡れ上がりを抑制することが可能になる。そのため、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとの間（浮き部分）に実装用はんだが濡れ上がることを抑制することができ、浮き部分に実装用はんだが充填されることを防止することができる。よって、浮き部分の空間を十分に確保することができるため、金属端子の弾性的変形を妨げることなく、実装基板への振動伝達を抑制することができ、結果、安定してセラミック電子部品の鳴き抑制効果を発揮することが可能になる。
【００４１】
また、本実施の形態にかかるセラミック電子部品１によれば、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａにおける延長部５２，５２の周囲面４６においてめっき膜５６が除去されためっき除去部５８が形成される（実装部の周囲面および延長部の周囲面においてめっき膜５６がない）ことで、端子本体５４の表面が露出しており、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの母材が露出しているため、実装部５０のみではなく、延長部５２，５２の周囲面においてもめっき膜５６が形成されていないことから、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの電子部品本体１０とは反対側の面に濡れ上がった実装用はんだが、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５２，５２から一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの内面への濡れ上がることも抑制することが可能になる。そのため、より電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの間（浮き部分）に実装用はんだが濡れ上がることを抑制することができ、上記の効果を顕著にすることが可能になる。
【００４２】
また、Ｌ字形状の金属端子の場合、実装時にはんだの濡れ上がるきっかけとなる金属端子の面（たとえば、金属端子の実装部における電子部品本体の下面と垂直な面、いわゆる実装部の周囲面）が１端子に対して３面あるところ、この実施の形態にかかるセラミック電子部品１に使用される一対の金属端子１２Ａ，１３ＡのようなＵ字形状の一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの場合は、実装時にはんだの濡れ上がるきっかけとなる面（たとえば、金属端子の実装部における電子部品本体の下面と垂直な面、いわゆる実装部の周囲面）が１端子に対して２面であることから、従来のＬ字形状の金属端子よりもこの発明のＵ字形状の一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの場合の方が、はんだが濡れ上がるきっかけとなる面が少ない。よって、はんだの濡れ上がりを抑制することができる。
また、たとえ、実装用はんだが濡れ上がったとしてもＬ字形状の金属端子よりも一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの方がはんだの濡れ上がる面が少ないことから、はんだの濡れ上がり抑制効果に優れる。
【００４３】
次に、この発明にかかるセラミック電子部品１の他の例について説明する。
図７は、この発明にかかるセラミック電子部品の他の例であって、（ａ）はセラミック電子部品の外観斜視図であり、（ｂ）はセラミック電子部品の正面図である。図８は、図７に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の第１の変形例を示す外観斜視図である。なお、図７において、図１に示したセラミック電子部品１と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。また、図８において、図６に示した金属端子１２Ａと同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。さらに、金属端子１３Ｂについて、金属端子１２Ｂと構造が同一であるので、その図および説明を省略する。以下、図９ないし図１８も同様に扱う。
【００４４】
図８に示す金属端子１２Ｂは、金属端子１２Ａと異なり、端子接合部４８，４８に第１主面４２の方向に凸状に形成された突起部４８ａ，４８ａが設けられている。突起部４８ａ，４８ａの周辺には周辺部４８ｂ，４８ｂが形成されている。この突起部４８ａ，４８ａおよび周辺部４８ｂ，４８ｂと、第１の外部電極１８ａとが接合部材１４によって接合されている。接合部材１４は、毛細管現象により突起部４８ａ，４８ａに集まる。これにより第１の外部電極１８ａと金属端子１２Ｂの間に隙間が形成される。
【００４５】
一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、突起部４８ａ，４８ａの長さの分だけ電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂ間の距離が長くなり、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂと第１の外部電極１８ａ，第２の外部電極１８ｂとの間に隙間を設けることができるため、その隙間に接合部材１４の層を形成することができ、電子部品本体１０の振動をこの接合部材１４により形成される層（接合層）を介して一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂに伝達する構造になるため、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂへの振動の伝達を減衰することができ、鳴き抑制効果が得られる。なお、接合部材１４は、端子接合用はんだでもよいが、導電性樹脂や、導電性接着剤でもよい。
また、突起部４８ａ，４８ａ間の接合部分においては、接合部材１４が存在しない領域を設けてもよい。これにより、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂと第１の外部電極１８ａ，第２の外部電極１８ｂの接合を分割することにより、金属端子への振動の伝達を減衰させることができる。
【００４６】
また、接合部材１４の量が多いと、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５２に接合部材１４が垂れてしまうことがあるが、この場合、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの延長部５２に垂れた接合部材１４により、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａのバネ性が失われることがある。このため、鳴き抑制効果が低減する。そこで、突起部４８ａ，４８ａを設けることで、接合部材１４は毛細管現象により突起部４８ａ，４８ａにより作られた隙間へ集まるため、接合部材１４の量が多い場合でも一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂの延長部５２に接合部材１４が垂れるのを抑制することができる。
【００４７】
さらに、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂにおいて、突起部４８ａ，４８ａを設けることで、電子部品本体１０の組み立て工程において、電子部品本体１０を一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂへ挿入する際に、間口（端子接合部４８と端子接合部４８の間の間隔）が広がり、電子部品本体１０の幅方向の大きさのばらつきを吸収することができる。
【００４８】
さらにまた、突起部４８ａ，４８ａで、上下方向を保持することで、セラミック電子部品１を実装する際において、リフロー処理時に電子部品本体１０の脱落を防止することができる。
【００４９】
次に、この発明にかかるセラミック電子部品１のさらに他の例について説明する。
図９は、この発明にかかるセラミック電子部品のさらに他の例であって、（ａ）はセラミック電子部品の正面図であり、（ｂ）は（ａ）に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の第２の変形例を示す外観斜視図である。また、図１０は、この発明にかかるセラミック電子部品の別の例であって、（ａ）はセラミック電子部品の正面図であり、（ｂ）は（ａ）に記載のセラミック電子部品に使用される金属端子の第３の変形例を示す外観斜視図である。
【００５０】
図９に示す金属端子１２Ｃは、その延長部５２，５２に、セラミック素体１６の第１側面２４ａまたは第２側面２４ｂから離れる方向に向けて湾曲されて形成された湾曲部５２ａ，５２ａが設けられている。また、図１０に示す金属端子１２Ｄは、端子接合部４８，４８の第１主面４２に突起部４８ａ，４８ａが設けられるとともに、湾曲部５２ａ，５２ａが設けられている。
【００５１】
一対の金属端子１２Ｃ，１３Ｃは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、一対の金属端子１２Ｃ，１３Ｃの延長部５２，５２において、セラミック素体１６の第１側面２４ａ側または第２側面２４ｂから離れる方向へ湾曲させて形成された湾曲部５２ａ，５２ａを設けることで、セラミック電子部品１の部品の高さ寸法はそのままで、延長部５２，５２の経路を長くすることができるため、電子部品本体１０からの振動経路が長くなり、より鳴き抑制効果を得ることができる。
【００５２】
また、図１０に示す一対の金属端子１２Ｄ，１３Ｄは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａ、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂおよび一対の金属端子１２Ｃ，１３Ｃと同様の作用効果を奏する。
【００５３】
次に、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第４の変形例、第５の変形例および第６の変形例を示す。
図１１は、金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第４の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第５の変形例を示し、（ｃ）は金属端子の第６の変形例を示す。
【００５４】
図１１（ａ）に示す金属端子１２Ｅは、延長部５２，５２に対して開口部が同一の方向となるように切り欠き４８ｃ1，４８ｃ1が設けられている。図１１（ｂ）に示す金属端子１２Ｆは、延長部５２，５２に対して開口部が互いに反対方向となるように切り欠き４８ｃ1，４８ｃ1が設けられている。図１１（ｃ）に示す金属端子１２Ｇは、延長部５２，５２の中間部に抜け穴４８ｄ1，４８ｄ1が設けられている。なお、図１１（ａ）ないし図１１（ｃ）に示す金属端子１２Ｅ〜１２Ｇの端子接合部４８，４８には、突起部４８ａ，４８ａが形成されている。
【００５５】
一対の金属端子１２Ｅ〜１２Ｇ，１３Ｅ〜１３Ｇは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａおよび一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、一対の金属端子１２Ｅ，１３Ｅおよび一対の金属端子１２Ｆ，１３Ｆの延長部５２，５２に切り欠き４８ｃ1，４８ｃ1が形成され、一対の金属端子１２Ｇ，１３Ｇに抜け穴４８ｄ1，４８ｄ1が形成されているので、一対の金属端子１２Ｅ〜１２Ｇ，１３Ｅ〜１３Ｇの剛性を下げることができ、その結果、一対の金属端子１２Ｅ〜１２Ｇ，１３Ｅ〜１３Ｇの弾性変形によってセラミック電子部品１のセラミック層２０ａ，２０ｂに生じる機械的歪みに基づく振動を吸収する効果がより向上する（すなわち、一対の金属端子１２Ｅ〜１２Ｇ，１３Ｅ〜１３Ｇのバネ性が向上する）。よって、鳴き抑制効果もより向上させることができる。
【００５６】
なお、一対の金属端子１２Ｅ〜１２Ｇ，１３Ｅ〜１３Ｇには、突起部４８ａ，４８ａが形成されているが、これに限るものではなく、形成されていなくてもよい。また、切り欠き４８ｃ1，４８ｃ1や抜け穴４８ｄ1，４８ｄ1の形状は、特に限定されず、たとえば、丸形状や楕円形状でもよい。さらに、切り欠き４８ｃ1，４８ｃ1や抜け穴４８ｄ1，４８ｄ1を設ける場所も特に限定されず、延長部５２，５２内に形成されていてもよいし、延長部５２，５２の端にかかるように形成されていてもよい。
【００５７】
次に、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第７の変形例および第８の変形例を示す。
図１２は、金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第７の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第８の変形例を示す。
【００５８】
図１２（ａ）に示す金属端子１２Ｈおよび図１２（ｂ）に示す金属端子１２Ｉは、端子接合部４８，４８の先端（すなわち、端子接合部４８，４８において、延長部５２，５２が形成される端部とは反対側の端部）に切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2が設けられている。図１２（ａ）に示す金属端子１２Ｈに形成される切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2は、矩形状であり、図１２（ｂ）に示す金属端子１２Ｉに形成される切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2は、丸形状である。
【００５９】
一対の金属端子１２Ｈ，１３Ｈおよび一対の金属端子１２Ｉ，１３Ｉは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａおよび一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、電子部品本体１０をテーピングする際に、テーピング機でのパーツフィーダによる電子部品本体１０の整列が必須である。このとき、通常の設計では、電子部品本体１０の上面と下面とが同一の形状、色をしているため、パーツフィーダでの表裏選別が困難となる場合がある。したがって、電子部品本体１０に対して、一対の金属端子１２Ｈ，１３Ｈあるいは一対の金属端子１２Ｉ，１３Ｉの端子接合部４８，４８の先端に切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2を形成することで、正常な方向の状態である場合と裏返った状態である場合とでは摩擦抵抗が変わるので、搬送速度に差が生じ、表裏選別が可能となる。なお、一般的に、横転したものに関しては、電子部品本体１０の幅方向の長さと高さ方向の長さの差があるので、容易に選別することができる一方、表裏選別は、寸法の差が無いことから、色の違いなどで判断しなければいけないが、センサによる誤検出が顕著であり、その選別は困難である。
【００６０】
また、一対の金属端子１２Ｈ，１３Ｈあるいは一対の金属端子１２Ｉ，１３Ｉの端子接合部４８，４８の先端に切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2が形成されることで、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ｈ，１３Ｈあるいは一対の金属端子１２Ｉ，１３Ｉとを接合部材１４により接合する際に、リフロー処理時に接合部材１４は、この切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2の部分から吸い上げられやすくなり、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ｈ，１３Ｈあるいは一対の金属端子１２Ｉ，１３Ｉの間に入りやすくなる。すなわち、この切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2が、接合部材１４である端子接合用はんだの通路となる。したがって、電子部品本体１０と金属端子との安定した接合が可能になる。
【００６１】
なお、一対の金属端子１２Ｈ，１３Ｈあるいは一対の金属端子１２Ｉ，１３Ｉには、突起部４８ａ，４８ａが形成されているが、これに限るものではなく、形成されていなくてもよい。また、切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2の形状は、特に限定されず、たとえば、図１２（ｂ）に示す金属端子１２Ｉのように丸形状以外にも楕円形状でもよい。さらに、切り欠き４８ｃ2，４８ｃ2を設ける場所も特に限定されず、延長部５２，５２内に形成されていてもよいし、延長部５２，５２の端にかかるように形成されていてもよい。
【００６２】
次に、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第９の変形例、第１０の変形例および第１１の変形例を示す。
図１３は、金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第９の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第１０の変形例を示し、（ｃ）は金属端子の第１１の変形例を示す。
【００６３】
図１３（ａ）に示す金属端子１２Ｊの実装部５０において延長部５２，５２が接続されていない端部の中間部に突起が形成されることによって、それぞれ支持部５０ａ1，５０ａ1が形成されている。支持部５０ａ1，５０ａ1は、たとえばバーリングのようなプレスにより形成される。また、図１３（ｂ）に示す金属端子１２Ｋにおいては、実装部５０の中央部に突起が形成されることによって、支持部５０ａ2が形成される。また、図１３（ｃ）に示す金属端子１２Ｌは、延長部５２，５２に電子部品本体１０が配置される側の方向に向けて、電子部品本体１０の両側面を結ぶ方向の幅よりも、金属端子１２Ｌの両延長部５２，５２を結ぶ方向の幅が狭くなるように内向きに湾曲されることによって、支持部５０ａ3，５０ａ3が形成されている。
【００６４】
一対の金属端子１２Ｊ〜１２Ｌ，１３Ｊ〜１３Ｌは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａおよび一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、図１３（ａ）および（ｂ）に示す一対の金属端子１２Ｊ，１３Ｊあるいは一対の金属端子１２Ｋ，１３Ｋでは、セラミック電子部品１を実装基板に実装する際において、仮に、接合部材１４が溶融したとしても、この支持部５０ａ1，５０ａ2に電子部品本体１０が支えられることによって浮き量を確保することができ、一対の金属端子１２Ｊ，１３Ｊあるいは一対の金属端子１２Ｋ，１３Ｋからの電子部品本体１０の脱落を防止することができる。
【００６５】
また、接合部材１４を使わずに電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ｊ，１３Ｊあるいは一対の金属端子１２Ｋ，１３Ｋを接合する場合、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ｊ，１３Ｊあるいは一対の金属端子１２Ｋ，１３Ｋとは、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂのＳｎめっきと一対の金属端子１２Ｊ，１３Ｊあるいは一対の金属端子１２Ｋ，１３Ｋのめっき膜５６，５６のＳｎとで接合することになる。第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂは、外向きに凸の湾曲した形状であるため、実際に接合に寄与する接合面積は極めて少なくなる（外部電極における端面の平面な部分）。このような場合、本変形例による一対の金属端子１２Ｊ，１３Ｊあるいは一対の金属端子１２Ｋ，１３Ｋによる上述した効果が有効に発揮する。
【００６６】
また、図１３（ｃ）に示す一対の金属端子１２Ｌ，１３Ｌの場合にも、仮に、接合部材１４が溶融したとしても、延長部５２，５２を結ぶ方向の幅が狭くなるように内向きに湾曲することにより幅が狭くなることにより形成された支持部５０ａ3，５０ａ3の段差部分に電子部品本体１０が支えられることによって浮き量を確保することができ、一対の金属端子１２Ｌ，１３Ｌからの電子部品本体１０の脱落を防止することができる。
【００６７】
なお、一対の金属端子１２Ｊ〜１２Ｌ，１３Ｊ〜１３Ｌには、突起部４８ａ，４８ａが形成されているが、これに限るものではなく、形成されていなくてもよい。
【００６８】
次に、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第１２の変形例を示す。
図１４は、金属端子の第１２の変形例を示す外観斜視図である。
【００６９】
図１４に示す金属端子１２Ｍは、実装部５０および延長部５２，５２において、セラミック素体１６の長さ方向（第１端面２６ａと第２端面２６を結んだ方向）における幅を、金属端子１２Ｍの端子接合部４８，４８において、セラミック素体１６の長さ方向（第１端面２６ａと第２端面２６を結んだ方向）における幅よりも短くなるように形成されている。
【００７０】
一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍは、実装部５０および延長部５２，５２において、セラミック素体１６の長さ方向（第１端面２６ａと第２端面２６を結んだ方向）における幅を、一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍの端子接合部４８，４８において、セラミック素体１６の長さ方向（第１端面２６ａと第２端面２６を結んだ方向）における幅よりも短くなるように形成されているので、電子部品本体１０の振動を吸収する延長部５２，５２の剛性を下げることができ、一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍの弾性変形によって交流電圧が加わることでセラミック層２０ａ，２０ｂに生じる機械的歪みを吸収する効果が向上する（すなわち、一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍのバネ性が向上する）。よって、セラミック電子部品１の鳴き抑制効果を向上させることができる。
【００７１】
また、一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍのような形状とすることで、後述するような、電子部品本体１０に金属端子を取り付ける製造工程において、金属端子の振り込み時に、金属端子を吸引保持する第１の振込み治具のキャビティ（ポケット）に一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍが横転して挿入されてしまうことを防止することができる。ただし、一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍの端子接合部４８，４８において、セラミック素体１６の長さ方向（第１端面２６ａと第２端面２６を結んだ方向）における幅が、金属端子１２Ｍ，１３Ｍを振り込むための（後述する）第１の振込み治具６４のキャビティの幅の大きさよりも大きいことが必要である。
【００７２】
なお、一対の金属端子１２Ｍ，１３Ｍには、突起部４８ａ，４８ａが形成されていないが、これに限るものではなく、形成されていてもよい。その場合は、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂと同様の作用効果を奏する。
【００７３】
次に、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第１３の変形例を示す。
図１５は、金属端子の第１３の変形例を示す外観斜視図である。
【００７４】
図１５に示す金属端子１２Ｎは、端子接合部４８，４８に抜け穴４８ｄ2，４８ｄ2が設けられている。
【００７５】
一対の金属端子１２Ｎ，１３Ｎは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、一対の金属端子１２Ｎ，１３Ｎの端子接合部４８，４８の一部を削除することで、熱衝撃サイクルにおいて、セラミックへのクラックを抑制することができる。熱衝撃サイクル時のクラックの原因は、金属端子とセラミックとの線膨脹係数の違いに起因する応力であるところ、本変形例のように、一対の金属端子１２Ｎ，１３Ｎの端子接合部４８，４８の一部を取り除くことで、応力を低減することができる。
【００７６】
なお、一対の金属端子１２Ｎ，１３Ｎには、端子接合部４８，４８に抜け穴４８ｄ2，４８ｄ2が設けられているが、これに限るものではなく、切り欠きが設けられていても、一対の金属端子１２Ｎ，１３Ｎと同様の作用効果を奏する。
【００７７】
次に、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第１４の変形例および第１５の変形例を示す。
図１６は、金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第１４の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第１５の変形例を示す。
【００７８】
図１６（ａ）に示す金属端子１２Ｏあるいは図１６（ｂ）に示す金属端子１２Ｐは、実装部５０におけるセラミック素体１６の長さ方向（第１端面２６ａと第２端面２６を結んだ方向）の幅を、金属端子１２Ｏ，１２Ｐの端子接合部４８，４８の長さ方向（第１端面２６ａと第２端面２６を結んだ方向）の幅よりも長くなるように形成されている。すなわち、金属端子１２Ｏ，１２Ｐは、実装部５０におけるセラミック素体１６の長さ方向（第１端面２６ａと第２端面２６を結んだ方向）の幅が、実装基板に形成されているランド電極の幅よりも長くなるように形成されている。
【００７９】
一対の金属端子１２Ｏ，１３Ｏあるいは一対の金属端子１２Ｐ，１３Ｐは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、セラミック電子部品１を実装基板に実装用はんだを使用して実装する際に、電子部品本体１０と金属端子との間、つまり、金属端子１２Ａ，１３Ａの実装基板と平行に延び、実装基板に実装される実装部５０の電子部品本体１０と対向する面、及び、金属端子１２Ａ、１３Ａの実装基板と垂直に延びる延長部５２，５２の電子部品本体１０の端面と対向する面に実装用はんだが濡れ上がると浮き部分である電子部品本体１０と金属端子の間の空間を埋めてしまい、電子部品本体１０の振動の伝達を抑制する本来の金属端子の機能（バネ性の機能）を損失してしまう場合があるところ、セラミック電子部品１を実装基板に実装した際には、実装基板のランド電極の幅よりも一対の金属端子１２Ｏ，１３Ｏあるいは一対の金属端子１２Ｐ，１３Ｐの実装部５０の幅が長くなるため、一対の金属端子１２Ｏ，１３Ｏあるいは一対の金属端子１２Ｐ，１３Ｐの実装部５０の内側（電子部品本体１０と対向する面）に実装用はんだが濡れ上がることを抑制することができる。したがって、十分に電子部品本体１０と実装部５０との間に空間部（すなわち、浮き量）を設けることができ、鳴き抑制効果を十分に安定して発揮することが可能になる。
【００８０】
なお、一対の金属端子１２Ｏ，１３Ｏあるいは一対の金属端子１２Ｐ，１３Ｐには、突起部４８ａ，４８ａが形成されていないが、これに限るものではなく、形成されていてもよい。その場合は、一対の金属端子１２Ｏ，１３Ｏあるいは一対の金属端子１２Ｐ，１３Ｐは、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂと同様の作用効果を奏する。
【００８１】
次に、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第１６の変形例および第１７の変形例を示す。
図１７は、金属端子を示す外観斜視図であって、（ａ）は金属端子の第１６の変形例を示し、（ｂ）は金属端子の第１７の変形例を示す。
【００８２】
図１７（ａ）に示す金属端子１２Ｑは、電子部品本体１０の接続される部分以外の金属端子１２Ｑの端子接合部４８，４８間の距離および金属端子１２Ｑの延長部５２，５２間の距離Ｗ１が、セラミック素体１６の第１側面２４ａと第２側面２４ｂとを結ぶ長さよりも短くなるように、電子部品本体１０の接続される部分の金属端子１２Ｑの端子接合部４８，４８間の距離Ｗ２よりも狭く形成されている。また、金属端子１２Ｑの端子接合部４８，４８間の距離および金属端子１２Ｑの延長部５２，５２間の距離が狭くなる湾曲した部分の形状は、保持する電子部品本体１０の第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂのそれぞれの稜部３０の形状に対応するように形成されている。
また、図１７（ｂ）に示す金属端子１２Ｒについても、同様の構成により形成されている。なお、図１７（ｂ）に示す金属端子１２Ｒの端子接合部４８，４８の先端は、金属端子１２Ｑとは異なり、互いに外方向を向くように湾曲して形成されている。
したがって、金属端子１２Ｑ，１２Ｒを上述したような形状とすることにより、電子部品本体１０の接続される部分の金属端子１２Ｑ，１２Ｒの端子接合部４８，４８間に電子部品本体１０を嵌め込むことができ、結果、金属端子１２Ｑ，１２Ｒにより電子部品本体１０が保持される。
【００８３】
一対の金属端子１２Ｑ，１３Ｑあるいは一対の金属端子１２Ｒ，１３Ｒは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、電子部品本体１０の接続される部分以外の端子接合部４８，４８間の距離およびの延長部５２，５２間の距離が、電子部品本体１０の第１側面２４ａと第２側面２４ｂとを結ぶ長さよりも短くなるように、電子部品本体１０の接続される部分の端子接合部４８，４８間の距離よりも狭く形成されているので、電子部品本体１０を接合するための接合面積を確保することにより、金属端子における電子部品本体１０に対する固着力を確保することができ、さらに、セラミック電子部品１を実装する際の実装荷重に耐えることが可能になる。なお、一対の金属端子１２Ｑ，１３Ｑあるいは一対の金属端子１２Ｒ，１３Ｒに電子部品本体１０を嵌め込むことにより、端子接合用はんだを使用しない接合にも適応することができる。
また、一対の金属端子１２Ｒ，１３Ｒは、一対の金属端子１２Ｒ，１３Ｒの端子接合部４８，４８の先端が、互いに外方向を向くように湾曲して形成されているので、端子接合部４８，４８の先端の間隔が広くなることから、電子部品本体１０を金属端子１２Ｒ，１３Ｒに嵌め込みやすい。
【００８４】
次に、セラミック電子部品１に使用される金属端子の第１８の変形例を示す。
図１８は、金属端子の第１８の変形例を示す外観斜視図である。
【００８５】
図１８に示す金属端子１２Ｓは、延長部５２，５２の一部においてその他の部分よりも金属端子の厚みの薄く形成された薄厚部５２ｂ，５２ｂが設けられている。
【００８６】
図１８に示す一対の金属端子１２Ｓ，１３Ｓは、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａと同様の作用効果を奏するとともに、次の効果を奏する。
すなわち、一対の金属端子１２Ｓ，１３Ｓは、延長部５２，５２の一部においてその他の部分よりも金属端子の厚みの薄く形成された薄厚部５２ｂ，５２ｂを設けることで、一対の金属端子１２Ｓ，１３Ｓの剛性を下げることができ、一対の金属端子１２Ｓ，１３Ｓの弾性変形によって交流電圧が加わることによりセラミック層２０ａ，２０ｂに生じる機械的歪みを吸収する効果を向上させることができる（すなわち、一対の金属端子１２Ｓ，１３Ｓのバネ性が向上する）。よって、セラミック電子部品１の鳴き抑制効果を向上させることができる。
【００８７】
なお、一対の金属端子１２Ｓ，１３Ｓには、突起部４８ａ，４８ａが形成されていないが、これに限るものではなく、形成されていてもよい。その場合は、一対の金属端子１２Ｓ，１３Ｓは、一対の金属端子１２Ｂ，１３Ｂと同様の作用効果を奏する。
【００８８】
（セラミック電子部品の製造方法）
続いて、以上の構成からなるセラミック電子部品の製造方法の一実施の形態について、セラミック電子部品１を例にして説明する。
【００８９】
まず、セラミックグリーンシート、内部電極３２ａ，３２ｂを形成するための内部電極用導電性ペーストおよび第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂを形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００９０】
そして、セラミックグリーンシート上に、例えば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極のパターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷法などの公知の方法により印刷することができる。
【００９１】
次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、マザー積層体が作製される。必要に応じて、このマザー積層体は、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。
【００９２】
その後、マザー積層体が所定の形状寸法に切断され、生のセラミック積層体が切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。続いて、切り出された生のセラミック積層体が焼成され、積層体であるセラミック素体が生成される。なお、生のセラミック積層体の焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００９３】
次に、焼成後のセラミック素体の両端面に外部電極用導電性ペーストを、たとえばディップ工法等によって塗布し、焼き付け、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂの下地層３８ａ，３８ｂが形成される。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。また、必要に応じて、下地層３８ａ，３８ｂの表面にめっき層４０ａ，４０ｂが形成される。なお、外部電極用導電性ペーストの焼成および生のセラミック積層体の焼成は、たとえば、大気中、Ｎ2雰囲気中、水蒸気＋Ｎ2雰囲気中などにおいて行われる。また、ディップ工法とは、外部電極用導電性ペースト中にセラミック素体を浸漬させることにより、そのセラミック素体に外部電極を形成する塗布方法のことである。
【００９４】
続いて、本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法における金属端子の取り付け工程について、説明する。図１９は、電子部品本体に金属端子を取り付ける方法を説明したフロー図である。以下、詳細に説明する。
【００９５】
図２０は、金属端子の取り付け方法において、金属端子が第１の振込み治具に吸引保持された状態を示す斜視図である。図２１は、金属端子の取り付け方法において、端子接合用はんだが第２の振込み治具に塗布された状態を示す斜視図である。図２２は、金属端子の取り付け方法において、電子部品本体が第２の振込み治具に整列された状態を示す斜視図である。図２３は、金属端子の取り付け方法において、第１の振込み治具を反転した状態を示す斜視図である。図２４は、金属端子の取り付け方法において、第２の振込み治具に整列された電子部品本体に第１の振込み治具に保持された金属端子をかぶせた状態でリフロー処理する状態を示す斜視図である。
【００９６】
まず、ステップＳ１において、めっき膜５６a，５６ｂを有する複数の一対の金属端子１２Ａ，１３Ａが準備される。
【００９７】
すなわち、この一対の金属端子１２Ａ，１３Ａは、端子本体５４にめっき膜５６を形成した後に、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの周囲面４６におけるめっき膜５６が機械的（切削、研磨）に除去されるか、または、レーザートリミングによる除去、めっき剥離剤（たとえば、水酸化ナトリウム）による除去といった方法で、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａのめっき膜４０ａ，４０ｂが除去され、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａが準備される。なお、めっき膜５６を除去する方法としては、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａのめっき膜４０ａ，４０ｂの形成前に、レジストでめっきを形成しない部分を覆って一対の金属端子１２Ａ，１３Ａにめっき膜を形成した後に、レジストを除去するといった方法を用いることもできる。
【００９８】
次に、ステップＳ２において、図２０に示すように、第１の振込み治具６４に前記金属端子１２Ａ，１３Ａの端子接合部４８，４８を上にして整列させ吸引保持させる。
【００９９】
続いて、ステップＳ３において、図２１に示すように、第２の振込み治具６６に電子部品本体１０が搭載される位置において、スクリーン印刷により予め接合部材１４として端子接合用はんだが塗布される。
次に、ステップＳ４において、図２２に示すように、第２の振込み治具に電子部品本体１０が整列される。
そして、ステップＳ５において、図２３に示すように、準備された複数の金属端子１２Ａ，１３Ａが吸引保持された状態で前記第１の振込み治具が反転される。
【０１００】
次に、ステップＳ６において、図２４に示すように、第２の振込み治具６６に整列させられた電子部品本体１０に、第１の振込み治具６４に保持された前記一対の金属端子１２Ａ，１３Ａがかぶせられ、そして、ステップＳ７において、第２の振込み治具６６に整列させられた電子部品本体１０に、第１の振込み治具６４に保持された一対の金属端子１２Ａ，１３Ａがかぶせられた状態でリフロー処理される。
なお、この一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの取り付けの際、接合部材１４によるはんだ付けのリフロー温度は、２７０℃以上２９０℃以下とし、その熱を３０秒以上与えることによって行われることが好ましい。
接合部材１４として端子接合用はんだは、ステップＳ７におけるリフロー処理時に、毛細管現象により、第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂと一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとの間に吸い上げられて充填されることにより、端子接合用はんだを介して、一対の金属端子１２Ａ、１３Ａと第１および第２の外部電極１８ａ，１８ｂとを接合する。
【０１０１】
なお、第１６および第１７の変形例のような金属端子の形状の金属端子を使用することにより、接合部材１４として端子接合用はんだを用いることなく一対の金属端子が電子部品本体１０を保持し、第１および第２の外部電極１８ａ、１８ｂと接続することも可能である。この場合、金属端子が有する弾性により電子部品本体１０が保持される。
【０１０２】
最後に、ステップＳ８において、第２の振込み治具６６からセラミック電子部品１が取り外されて、所望のセラミック電子部品１が得られる。
【０１０３】
ここで、ステップＳ４における電子部品本体１０を整列させる方法として、次のような工程により実行されてもよい。すなわち、まず、ステップＳ４において、電子部品本体１０を第２の振込み治具６６には整列させずに、別途、第３の振込み治具（図示せず）に電子部品本体１０を吸着し整列させる。その後、第３の振込み治具に電子部品本体１０を整列させた状態で、その第３の振込み治具を反転させ、第２の振込み治具６６に電子部品本体１０を移し替え整列させる。
【０１０４】
また、第２の振込み治具６６の代わりに、吸引ノズルによるピック／プレイス機構（たとえば、マウンタを使用して実装するような形態）を用いてもよい。
【０１０５】
（実験例）
次に、上述の方法により得られたセラミック電子部品１について、実装基板の振動音（鳴き）との関係についての評価試験を行った。
【０１０６】
まず、実施例として、上述したセラミック電子部品の製造方法にしたがって、長さが２．０（±０．１５）ｍｍ、幅が１．２５（±０．１５）ｍｍ、高さが１．２５（±０．１５）ｍｍのサイズであり（各±０．１５は、製造公差である）、容量が１０μＦの積層セラミックコンデンサである電子部品本体１０を準備し、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５０および延長部５２，５２の周囲面４６のめっき膜５６が除去され、めっき除去部５８が形成された一対の金属端子１２Ａ，１３Ａを取り付け、セラミック電子部品１を作製した。なお、本実施例においては、めっき膜５６を形成しない一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの実装部５０および延長部５２，５２の周囲面４６の部分をレジストで覆って一対の金属端子１２，１３にめっき膜５６を形成した後にレジストを除去する方法により得られた一対の金属端子１２，１３を準備した。
【０１０７】
実施例１としては、セラミック電子部品１を実装基板に実装した際の内部電極３２ａ，３２ｂの向きは実装面に対して垂直としたものを、実施例２としては、セラミック電子部品１を実装基板に実装した際の内部電極３２ａ，３２ｂの向きは、実装面に対して平行（水平）としたセラミック電子部品１を準備した。
【０１０８】
なお、電子部品本体１０に対する一対の金属端子１２Ａ，１３Ａの取り付けに使用した接合部材は、Ｓｂが１０％含有されたＳｎ−Ｓｂはんだを使用した。電子部品本体１０の浮き量は、０．５ｍｍとした。
【０１０９】
また、比較例１として、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａを取り付けていない電子部品本体１０単体であって、実装基板に実装した際の内部電極の向きは、実装面に対して垂直としたものを、比較例２として、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａを取り付けてない電子部品本体１０単体であって、実装基板に実装した際の内部電極の向きは、実装面に対して平行（水平）としたものを準備した。また、比較例３として、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａ（すなわち、Ｕ字形状の金属端子）においてめっき除去部５８が形成されていない金属端子であって、実装基板に実装した際の内部電極の向きは、実装面に対して、垂直としたものを、比較例４として、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａにおいてめっき除去部５８が形成されていない金属端子であって、実装基板に実装した際の内部電極の向きは、実装面に対して、平行（水平）としたものを準備した。また、その他の条件は実施例と同じとした。
なお、実施例１および実施例２ならびに比較例１ないし比較例４の各サンプルは、それぞれ５個ずつとした。
【０１１０】
（鳴きの測定方法）
図２５は、セラミック電子部品を実装した実装基板の振動音を測定するための装置の一例を示す図解図である。
セラミック電子部品１を一定量の実装用はんだにより厚み１．６ｍｍのガラスエポキシの実装基板７０に取り付け、図２５に示すような鳴き測定装置８０により、実装基板７０の振動音（鳴き）を測定した。
セラミック電子部品１を実装した実装基板７０を無響箱８２の内部に設置し、セラミック電子部品１に対して、周波数：３ｋＨｚ、電圧：１Ｖｐｐの交流電圧を印加した。そして、その際に発生する振動音（鳴き）を集音マイク８４で集音し、騒音計８６およびＦＦＴアナライザ（株式会社小野測器製  ＣＦ−５２２０）８８で集音された音の音圧レベルを測定した。なお、集音マイク８４は、実装基板７０から３ｍｍだけ離して設置した。
測定結果について、実施例１および実施例２ならびに比較例１ないし比較例４のそれぞれのサンプルの５つのデータの平均化したものを表１に示す。
【０１１１】
【表１】
2015008270.tif 000003
【０１１２】
結果、比較例１の音圧レベルである４９．４２ｄＢ、比較例２の音圧レベルである３９．６１ｄＢ、比較例３の音圧レベルである３５．２０ｄＢおよび比較例４の音圧レベル３３．１５ｄＢに比べて、実施例１および実施例２にかかるセラミック電子部品１の音圧レベルは、２６．８５ｄＢおよび２４．３７ｄＢと、低くなっている。したがって、浮き部分の空間を十分に確保することができるため、実装基板への振動伝達を抑制することができ、結果、安定してセラミック電子部品の鳴き抑制効果を発揮することが可能になることが確認できた。このことは、実施例１および実施例２にかかるセラミック電子部品１は、一対の金属端子１２Ａ，１３Ａにおける延長部５０および実装部５２の周囲面４６において、めっき膜５６が除去されためっき除去部５８が形成されて、端子本体５４の表面が露出していることから、セラミック電子部品１を実装基板７０に実装用はんだにより実装する際に、実装用はんだの一対の金属端子１２Ａ，１３Ａへの濡れ上がりを抑制することが可能になるためと考えられる。このことより、電子部品本体１０と一対の金属端子１２Ａ，１３Ａとの間（浮き部分）に実装用はんだが濡れ上がることを抑制することができ、浮き部分には実装用はんだが充填されることを防止することができる。
【０１１３】
なお、上述の実施の形態にかかるセラミック電子部品１では、一対の金属端子のめっき除去部が、一対の金属端子における延長部および実装部の周囲面において形成されているが、それに限るものではなく、一対の金属端子の実装部における周囲面においてのみめっき膜の除去されためっき除去部が形成されてもよい。また、一対の金属端子の端子接合部の周囲面においてもめっき膜の除去されためっき除去部が形成されていてもよい。すなわち、一対の金属端子の全周囲面において、めっき除去部が形成されていてもよい。
【０１１４】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。また、積層セラミックコンデンサのセラミック層の厚み、層数、対向電極面積および外形寸法は、これに限定されるものではない。
【符号の説明】
【０１１５】
１  セラミック電子部品
１０  電子部品本体
１２Ａ〜１２Ｓ，１３Ａ〜１３Ｓ  金属端子
１４  接合部材
１６  セラミック素体
１８ａ  第１の外部電極
１８ｂ  第２の外部電極
２０ａ、２０ｂ  セラミック層
２２ａ  第１主面
２２ｂ  第２主面
２４ａ  第１側面
２４ｂ  第２側面
２６ａ  第１端面
２６ｂ  第２端面
２８  角部
３０  稜部
３２ａ  第１の内部電極
３２ｂ  第２の内部電極
３４ａ、３４ｂ  対向部
３６ａ、３６ｂ  引出し部
３８ａ、３８ｂ  下地層
４０ａ、４０ｂ  めっき層
４２  第１主面
４４  第２主面
４６  周囲面
４８  端子接合部
４８ａ  突起部
４８ｂ  周辺部
４８ｃ1、４８ｃ2  切り欠き
４８ｄ1，４８ｄ2  抜け穴
５０  実装部
５０ａ1、５０ａ2、５０ａ3  支持部
５２  延長部
５２ａ  湾曲部
５２ｂ  薄厚部
５４  端子本体
５６  めっき膜
５８  めっき除去部
６０  下層めっき膜
６２  上層めっき膜
６４  第１の振込み治具
６６  第２の振込み治具
【図１】
2015008270.tif 000004
【図２】
2015008270.tif 000005
【図３】
2015008270.tif 000006
【図４】
2015008270.tif 000007
【図５】
2015008270.tif 000008
【図６】
2015008270.tif 000009
【図７】
2015008270.tif 000010
【図８】
2015008270.tif 000011
【図９】
2015008270.tif 000012
【図１０】
2015008270.tif 000013
【図１１】
2015008270.tif 000014
【図１２】
2015008270.tif 000015
【図１３】
2015008270.tif 000016
【図１４】
2015008270.tif 000017
【図１５】
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【図１６】
2015008270.tif 000019
【図１７】
2015008270.tif 000020
【図１８】
2015008270.tif 000021
【図１９】
2015008270.tif 000022
【図２０】
2015008270.tif 000023
【図２１】
2015008270.tif 000024
【図２２】
2015008270.tif 000025
【図２３】
2015008270.tif 000026
【図２４】
2015008270.tif 000027
【図２５】
2015008270.tif 000028
【図２６】
2015008270.tif 000029
【図２７】
2015008270.tif 000030
【図２８】
2015008270.tif 000031
【図２９】
2015008270.tif 000032
【図３０】
2015008270.tif 000033
【図３１】
2015008270.tif 000034