(57)【要約】【課題】配線の腐食を防ぐことができ、かつ、接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませることができる粘着剤組成物を提供する。【解決手段】本発明に係る粘着剤組成物は、電子部品と半導体チップ２２とを接着する接着剤層２１を形成するために用いられ、かつ接着剤層２１内に配線１６が埋め込まれるように用いられるか又は接着剤層２１内に上記電子部品が埋め込まれるように用いられる。本発明に係る粘着剤組成物の１１０℃での粘度は１００００Ｐａ・ｓ以下である。本発明に係る粘着剤組成物では、溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と半導体チップとを接着する接着剤層を形成するために用いられ、かつ前記接着剤層内に配線が埋め込まれるように用いられるか又は前記接着剤層内に前記電子部品が埋め込まれるように用いられる粘着剤組成物であって、
１１０℃での粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であり、
溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下である、粘着剤組成物。
【請求項２】
前記溶剤がメチルエチルケトンである、請求項１に記載の粘着剤組成物。
【請求項３】
前記接着剤層内に前記配線が埋め込まれるように用いられる場合に、前記電子部品と前記半導体チップとの間で、得られる前記接着剤層の厚みが５０μｍ以上になるように、前記電子部品と前記半導体チップとの間に配置されて用いられる、請求項１又は２に記載の粘着剤組成物。
【請求項４】
前記接着剤層内に前記電子部品が埋め込まれるように用いられる場合に、前記電子部品の側方で、得られる前記接着剤層の厚みが１２０μｍ以上になるように、前記電子部品を埋め込むように配置されて用いられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の粘着剤組成物。
【請求項５】
乾燥工程を経て得られており、前記乾燥工程により、前記溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下に設定されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の粘着剤組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の粘着剤組成物を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記電子部品と前記半導体チップとの間に、前記粘着剤組成物内に前記配線が埋め込まれるように前記粘着剤組成物を配置するか、又は、前記半導体チップの前記電子部品側において、前記粘着剤組成物内に前記電子部品が埋め込まれるように前記粘着剤組成物を配置する工程と、
前記粘着剤組成物を硬化させて、前記電子部品と前記半導体チップとを接着している前記接着剤層を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記電子部品と前記半導体チップとの間に、前記粘着剤組成物内に前記配線が埋め込まれるように前記粘着剤組成物を配置する場合に、前記電子部品と前記半導体チップとの間で、前記接着剤層の厚みを５０μｍ以上にする、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体チップの前記電子部品側において、前記粘着剤組成物内に前記電子部品が埋め込まれるように前記粘着剤組成物を配置する場合に、前記電子部品の側方で、前記接着剤層の厚みを１２０μｍ以上にする、請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品と半導体チップとを接着する接着剤層を形成するために用いられ、かつ上記接着剤層内に配線が埋め込まれるように用いられるか又は上記接着剤層内に上記電子部品が埋め込まれるように用いられる粘着剤組成物に関する。また、本発明は、上記粘着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップが、接着剤層を介して積層された半導体装置が広く知られている。この種の半導体装置として、下方の半導体チップの上面に設けられた電極にボンディングワイヤーが接続されており、該ボンディングワイヤーの一部の領域が接着剤層に埋め込まれている半導体装置が提案されている。
【０００３】
上記半導体装置の一例として、下記の特許文献１には、電極を上面に有し、該電極にボンディングワイヤーの一端が接続されている第１の半導体チップ上に、下面に接着剤層が設けられた第２の半導体チップを接着剤層側から積層した半導体装置が開示されている。ここでは、第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを積層する際に、ボンディングワイヤーの一部の領域が接着剤層に埋め込まれている。ボンディングワイヤーの一部の領域が埋め込まれた後に、接着剤層が硬化されて半導体装置が作製されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−０３５８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、ボンディングワイヤーの一部の領域が埋め込まれる際の温度における接着剤層の溶融粘度が、１〜１００ｋＰａ・ｓ程度であることが記載されている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の接着剤層を形成するための粘着剤組成物では、接着剤層内に配線を埋め込んだ場合（第１の使用方法）に配線の腐食を防ぐことと、接着剤層内に半導体チップを埋め込む場合（第２の使用方法）に接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませることとの双方の性能を高いレベルで両立することができないことがある。従って、特許文献１に記載の粘着剤組成物は、上記第１の使用方法と上記第２の使用方法との双方に適用できず、汎用性が低いという問題がある。
【０００７】
本発明の目的は、配線の腐食を防ぐことができ、かつ、接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませることができる粘着剤組成物及び半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の広い局面によれば、電子部品と半導体チップとを接着する接着剤層を形成するために用いられ、かつ前記接着剤層内に配線が埋め込まれるように用いられるか又は前記接着剤層内に前記電子部品が埋め込まれるように用いられる粘着剤組成物であって、１１０℃での粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であり、溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下である、粘着剤組成物が提供される。
【０００９】
本発明に係る粘着剤組成物のある特定の局面では、前記溶剤がメチルエチルケトンである。
【００１０】
本発明に係る粘着剤組成物のある特定の局面では、前記接着剤層内に前記配線が埋め込まれるように用いられる場合に、前記電子部品と前記半導体チップとの間で、得られる前記接着剤層の厚みが５０μｍ以上になるように、前記電子部品と前記半導体チップとの間に配置されて用いられる。
【００１１】
本発明に係る粘着剤組成物のある特定の局面では、前記接着剤層内に前記電子部品が埋め込まれるように用いられる場合に、前記電子部品の側方で、得られる前記接着剤層の厚みが１２０μｍ以上になるように、前記電子部品を埋め込むように配置されて用いられる。
【００１２】
本発明に係る粘着剤組成物のある特定の局面では、前記粘着剤組成物は、乾燥工程を経て得られており、前記乾燥工程により、前記溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下に設定されている。
【００１３】
本発明の広い局面によれば、上述した粘着剤組成物を用いる半導体装置の製造方法であって、前記電子部品と前記半導体チップとの間に、前記粘着剤組成物内に前記配線が埋め込まれるように前記粘着剤組成物を配置するか、又は、前記半導体チップの前記電子部品側において、前記粘着剤組成物内に前記電子部品が埋め込まれるように前記粘着剤組成物を配置する工程と、前記粘着剤組成物を硬化させて、前記電子部品と前記半導体チップとを接着している前記接着剤層を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、前記電子部品と前記半導体チップとの間に、前記粘着剤組成物内に前記配線が埋め込まれるように前記粘着剤組成物を配置する場合に、前記電子部品と前記半導体チップとの間で、前記接着剤層の厚みを５０μｍ以上にする。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、前記半導体チップの前記電子部品側において、前記粘着剤組成物内に前記電子部品が埋め込まれるように前記粘着剤組成物を配置する場合に、前記電子部品の側方で、前記接着剤層の厚みを１２０μｍ以上にする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る粘着剤組成物は、１１０℃での粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であり、溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下であるので、配線の腐食を防ぐことができ、かつ、接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませることができる。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記電子部品と上記半導体チップとの間に、上記粘着剤組成物内に上記配線が埋め込まれるように上記粘着剤組成物を配置するか、又は、上記半導体チップの上記電子部品側において、上記粘着剤組成物内に上記電子部品が埋め込まれるように上記粘着剤組成物を配置する工程と、上記粘着剤組成物を硬化させて、上記電子部品と上記半導体チップとを接着している上記接着剤層を形成する工程とを備えるので、配線の腐食を防ぐことができ、かつ、接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る粘着剤組成物を用いた半導体装置を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、図１に示す半導体装置の製造方法の各工程を説明するための断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態に係る粘着剤組成物を用いた半導体装置を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２０】
本発明に係る粘着剤組成物は、電子部品と半導体チップとを接着する接着剤層を形成するために用いられる。さらに、本発明に係る粘着剤組成物は、上記接着剤層内に配線が埋め込まれるように用いられるか、又は、上記接着剤層内に上記電子部品が埋め込まれるように用いられる。本発明に係る粘着剤組成物の１１０℃での粘度は１００００Ｐａ・ｓ以下である。本発明に係る粘着剤組成物では、溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下である。
【００２１】
本発明に係る粘着剤組成物における上述した構成の採用によって、配線の腐食を防ぐことができ、かつ、接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませることができる。本発明に係る粘着剤組成物を上記接着剤層内に上記配線が埋め込まれるように用いた場合に、配線の腐食を効果的に防ぐことができる。さらに、本発明に係る粘着剤組成物を上記接着剤層内に上記電子部品が埋め込まれるように用いた場合に、接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませることができる。このため、本発明に係る粘着剤組成物は、上記接着剤層内に上記配線が埋め込まれるように用いる場合と、上記接着剤層内に上記電子部品が埋め込まれるように用いる場合との双方に適用することが可能であり、汎用性に優れている。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法では、上述した本発明に係る粘着剤組成物が用いられる。本発明に係る半導体装置は、上記電子部品と上記半導体チップとの間に、上記粘着剤組成物内に上記配線が埋め込まれるように上記粘着剤組成物を配置するか、又は、上記半導体チップの上記電子部品側において、上記粘着剤組成物内に上記電子部品が埋め込まれるように上記粘着剤組成物を配置する工程と、上記粘着剤組成物を硬化させて、上記電子部品と上記半導体チップとを接着している上記接着剤層を形成する工程とを備える。
【００２３】
本発明に係る半導体装置の製造方法では、本発明に係る粘着剤組成物が用いられるので、配線の腐食を防ぐことができ、かつ、接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませることができる。
【００２４】
上記粘着剤組成物の１１０℃での粘度は、１００００Ｐａ・ｓ以下である。接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませる観点からは、上記粘着剤組成物の１１０℃での粘度は、好ましくは８０００Ｐａ・ｓ以下である。
【００２５】
上記粘着剤組成物の１１０℃での粘度の下限は特に限定されない。上記粘着剤組成物の１１０℃での粘度は、２００Ｐａ・ｓ以上であってもよく、２０００Ｐａ・ｓ以上であってもよい。上記粘着剤組成物の１１０℃での粘度が上記下限以上であると、接着剤層の厚みを良好に維持できる。
【００２６】
なお、粘着剤組成物の粘度を規定した温度を１１０℃に設定しているのは、上記半導体チップと上記基板を上記粘着剤組成物を介して加熱接合する際に使われる温度に合わせたためである。
【００２７】
上記粘度は、レオメータ装置を用いて、３０〜１８０℃（５℃／ｍｉｎ）、周波数１Ｈｚ、及び歪み１％の条件で測定可能である。レオメータ装置としては、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製「ＨＡＡＫＥ  ＭＡＲＳＩＩＩ」等が挙げられる。
【００２８】
上記溶剤の含有量は、２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下である。上記溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上であるため、乾燥工程を経て粘着剤組成物を得る場合に、乾燥工程で、より簡便に乾燥条件の設定を行うことができる。上記溶剤の含有量が８０００ｐｐｍ以下であるため、配線の腐食を効果的に抑えることができる。
【００２９】
上記粘着剤組成物は、乾燥工程を経て得られていることが好ましい。上記粘着剤組成物は、溶剤を多く含む粘着剤組成物（溶剤の含有量が８０００ｐｐｍを超える）を、乾燥させることにより得られていることが好ましい。上記乾燥工程により、上記溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下に設定されていることが好ましい。
【００３０】
上記溶剤としては、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。本明細書において、「溶剤」は、メチルエチルケトンを意味することが好ましい。上記溶剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
上記溶剤は、メチルエチルケトンであることが好ましい。上記粘着剤組成物が溶剤としてメチルエチルケトンのみを含む場合に、上記粘着剤組成物において、メチルエチルケトンの含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下である。上記粘着剤組成物において、メチルエチルケトンの含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
配線の腐食をより一層効果的に防ぐ観点からは、上記粘着剤組成物は、上記接着剤層内に上記配線が埋め込まれるように用いられる場合（第１の使用方法）に、上記電子部品と上記半導体チップとの間で、得られる上記接着剤層の厚みが５０μｍ以上になるように、上記電子部品と上記半導体チップとの間に配置されて用いられることが好ましい。配線の腐食をより一層効果的に防ぐ観点からは、上記半導体装置の製造方法では、上記電子部品と上記半導体チップとの間に、上記粘着剤組成物内に上記配線が埋め込まれるように上記粘着剤組成物を配置する場合（第１の使用方法）に、上記電子部品と上記半導体チップとの間で、上記接着剤層の厚みを５０μｍ以上にすることが好ましい。
【００３３】
上記第１の使用方法では、上記電子部品と上記半導体チップとの間で、上記接着剤層の厚みは、より好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以下である。
【００３４】
上記粘着剤組成物が、上記接着剤層内に上記配線が埋め込まれるように用いられる場合（第１の使用方法）に、上記粘着剤組成物は、フィルム状に成形されて、フィルム（フィルム状の粘着剤組成物）とされた後に、上記電子部品と上記半導体チップとの間に、上記フィルム内に上記配線が埋め込まれるように上記粘着剤組成物を配置してもよい。この場合に、上記フィルムは、配線埋め込み型フィルムであり、上記フィルムの厚みは、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは４０μｍ以上、好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは７０μｍ以下である。上記配線埋め込み型フィルムは、ワイヤー埋め込み型フィルムであることが好ましい。
【００３５】
接着剤層内に半導体チップをより一層良好に埋め込ませる観点からは、上記粘着剤組成物は、上記接着剤層内に上記電子部品が埋め込まれるように用いられる場合（第２の使用方法）に、上記電子部品の側方で、得られる上記接着剤層の厚みが９０μｍ以上になるように、上記電子部品を埋め込むように配置されて用いられることが特に好ましい。接着剤層内に半導体チップをより一層良好に埋め込ませる観点からは、上記半導体装置の製造方法では、上記半導体チップの上記電子部品側において、上記粘着剤組成物内に上記電子部品が埋め込まれるように上記粘着剤組成物を配置する場合（第２の使用方法）に、上記電子部品の側方で、上記接着剤層の厚みを５０μｍ以上にすることが好ましい。
【００３６】
上記第２の使用方法では、上記電子部品の側方で、上記接着剤層の厚みは、好ましくは８０μｍ以上、より好ましくは９０μｍ以上、好ましくは１５０μｍ以下、より好ましくは１３５μｍ以下である。
【００３７】
上記粘着剤組成物が、上記接着剤層内に上記電子部品が埋め込まれるように用いられる場合（第２の使用方法）に、上記粘着剤組成物は、フィルム状に成形されて、フィルム（フィルム状の粘着剤組成物）とされた後に、上記フィルム内に上記電子部品が埋め込まれるように上記フィルムが配置されてもよい。この場合に、上記フィルムは、電子部品埋め込み型フィルムであり、上記フィルムの厚みは、好ましくは８０μｍ以上、より好ましくは９０μｍ以上、好ましくは１５０μｍ以下、より好ましくは１３５μｍ以下である。上記電子部品埋め込み型フィルムは、半導体チップ埋め込み型フィルムであることが好ましい。
【００３８】
上記粘着剤組成物は、上記接着剤層内に上記配線が埋め込まれるように用いられ、かつ、上記接着剤層内に上記電子部品が埋め込まれるように用いられてもよい。この場合には、配線の腐食を防ぐ効果と、接着剤層内に半導体チップを良好に埋め込ませる効果との双方が発揮される。
【００３９】
上記電子部品としては、基板及び半導体チップが挙げられる。上記電子部品は、半導体チップであることが好ましい。上記電子部品が半導体チップ（例えば接着剤層に埋め込まれる半導体チップ）である場合に、該半導体チップの厚みは、好ましくは１５μｍ以上、好ましくは８０μｍ以下である。また、上記電子部品が半導体チップ（例えば接着剤層に埋め込まれる半導体チップ）である場合に、該半導体チップは基板上に接着剤層（例えば接着剤層に埋め込まれる接着剤層）を介して接着されていることが好ましく、該接着剤層の厚みは、好ましくは５μｍ以上、好ましくは２５μｍ以下である。
【００４０】
上記配線の材料としては、金、銅、アルミニウム、チタン及びタングステン等が挙げられる。本発明において、配線の腐食を防ぐ効果がより一層得られることから、上記配線の材料はアルミニウムであることが好ましい。
【００４１】
上記粘着剤組成物は、熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記粘着剤組成物は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。
【００４２】
上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４３】
上記熱硬化剤としては、有機酸、アミン化合物、アミド化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、イミダゾリン化合物、フェノール化合物、ユリア化合物、ポリスルフィッド化合物及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤として、アミン−エポキシアダクトなどの変性ポリアミン化合物も挙げられる。
【００４４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００４５】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る粘着剤組成物を用いた半導体装置を模式的に示す断面図である。
【００４６】
図１に示す半導体装置１１は、積層構造体１２を備える。積層構造体１２は、基板１３と、接着剤層１４と、基板１３上に接着剤層１４を介して積層された第２の半導体チップ１５とを有する。接着材層１４は、基板１３と第２の半導体チップ１５とを接着している。基板１３上に、第２の半導体チップ１５が配置されている。基板１３上に、第２の半導体チップ１５は間接に積層されている。平面視において、基板１３は、第２の半導体チップ１５よりも大きい。基板１３は、第２の半導体チップ１５よりも側方に張り出している領域を有する。
【００４７】
図１では、電子部品として、第２の半導体チップ１５が用いられている。
【００４８】
接着剤層１４は、例えば、粘着剤組成物を硬化させることにより形成されている。硬化前の粘着剤組成物を用いた粘着剤組成物層は、粘着性を有する。硬化前の粘着剤組成物層を形成するために、フィルム状の粘着剤組成物を用いてもよい。
【００４９】
基板１３は上面に、第１の接続端子１３ａを有する。第２の半導体チップ１５は上面に、接続端子１５ａを有する。接続端子１５ａから配線１６が引き出されている。配線１６の一端は、第２の半導体チップ１５上に設けられた接続端子１５ａに接続されている。配線１６の他端は、基板１３上に設けられた第１の接続端子１３ａに接続されている。配線１６により、接続端子１５ａと第１の接続端子１３ａとが電気的に接続されている。配線１６の他端は、第１の接続端子１３ａ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線１６は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
【００５０】
積層構造体１２における第２の半導体チップ１５上に、接着剤層２１を介して、第１の半導体チップ２２が積層されている。接着剤層２１は、第２の半導体チップ１５と第１の半導体チップ２２とを接着している。第２の半導体チップ１５と第１の半導体チップ２２との間で、接着剤層２１の厚みＴ１は好ましくは５０μｍ以上である。
【００５１】
接着剤層２１は、本発明の第１の実施形態に係る粘着剤組成物を用いて形成されている。従って、この粘着剤組成物では、１１０℃での粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であり、溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下である。
【００５２】
配線１６の一部の領域は、接着剤層２１内に埋め込まれている。配線１６は、接着剤層２１内に埋め込まれている領域を有する。
【００５３】
基板１３は上面に、第２の接続端子１３ｂを有する。第１の半導体チップ２２は上面に、接続端子２２ａを有する。接続端子２２ａから配線２３が引き出されている。配線２３の一端は、第１の半導体チップ２２上に設けられた接続端子２２ａに接続されている。配線２３の他端は、基板１３上に設けられた第２の接続端子１３ｂに接続されている。配線２３により、接続端子２２ａと第２の接続端子１３ｂとが電気的に接続されている。配線２３の他端は、第１の接続端子１３ｂ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線２３は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
【００５４】
半導体装置１１は、図２（ａ），（ｂ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００５５】
図２（ａ）に示すように、積層構造体１２における第２の半導体チップ１５と、第１の半導体チップ２２との間に、粘着剤組成物２１Ｘ（粘着剤組成物層）を配置する。このとき、粘着剤組成物２１Ｘ内に配線１６を埋め込ませる。なお、第２の半導体チップ１５上に、粘着剤組成物を塗布してもよく、第１の半導体チップ２２の下面に予め粘着剤組成物を塗布した後、粘着剤組成物付き第１の半導体チップ２２を粘着剤組成物側から、第２の半導体チップ１５上に配置してもよい。
【００５６】
次に、図２（ｂ）に示すように、粘着剤組成物２１Ｘを硬化させて、第２の半導体チップ１５と第１の半導体チップ２２とを接着している接着剤層２１を形成する。粘着剤組成物２１Ｘを硬化させるために、加熱することが好ましい。
【００５７】
加熱により粘着剤組成物２１Ｘを充分に硬化させるための加熱温度は好ましくは８０℃以上、より好ましくは１１０℃以上、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下である。
【００５８】
粘着剤組成物２１Ｘを硬化させることにより、第２の半導体チップ１５と第１の半導体チップ２２とが、接着剤層２１を介して接続される。また、配線２３により、接続端子２２ａと第２の接続端子１３ｂとを電気的に接続する。このようにして、図１に示す半導体装置１１を得ることができる。
【００５９】
なお、粘着剤組成物２１Ｘを硬化させて接着剤層２１を形成する前に、配線２３により、接続端子２２ａと第２の接続端子１３ｂとを電気的に接続してもよい。
【００６０】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る粘着剤組成物を用いた半導体装置を模式的に示す断面図である。
【００６１】
図３に示す半導体装置１１Ａは、積層構造体１２Ａを備える。積層構造体１２Ａは、基板１３Ａと、接着剤層１４Ａと、基板１３Ａ上に接着剤層１４Ａを介して積層された第２の半導体チップ１５Ａとを有する。接着剤層１４Ａは、基板１３Ａと第２の半導体チップ１５Ａとを接着している。基板１３Ａ上に、第２の半導体チップ１５Ａが配置されている。基板１３Ａ上に、第２の半導体チップ１５Ａは間接に積層されている。平面視において、基板１３Ａは、第２の半導体チップ１５Ａよりも大きい。基板１３Ａは、第２の半導体チップ１５Ａよりも側方に張り出している領域を有する。
【００６２】
図３では、電子部品として、第２の半導体チップ１５Ａが用いられている。接着剤層１４Ａは、接着剤層１４と同様に形成できる。
【００６３】
基板１３Ａは上面に、第１の接続端子１３ａを有する。第２の半導体チップ１５Ａは上面に、接続端子１５ａを有する。接続端子１５ａから配線１６Ａが引き出されている。配線１６Ａの一端は、第２の半導体チップ１５Ａ上に設けられた接続端子１５ａに接続されている。配線１６Ａの他端は、基板１３Ａ上に設けられた第１の接続端子１３ａに接続されている。配線１６Ａにより、接続端子１５ａと第１の接続端子１３ａとが電気的に接続されている。配線１６Ａは、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
【００６４】
積層構造体１２Ａにおける第２の半導体チップ１５Ａ上に、接着剤層２１Ａを介して、第１の半導体チップ２２Ａが積層されている。接着剤層２１Ａは、第２の半導体チップ１５Ａと第１の半導体チップ２２Ａとを接着している。第２の半導体チップ１５Ａと第１の半導体チップ２２Ａとの間で、接着剤層２１Ａの厚みＴ１は好ましくは５０μｍ以上である。
【００６５】
接着剤層２１Ａは、本発明の第２の実施形態に係る粘着剤組成物を用いて形成されている。従って、この粘着剤組成物では、１１０℃での粘度が１００００Ｐａ・ｓ以下であり、溶剤の含有量が２０００ｐｐｍ以上、８０００ｐｐｍ以下である。
【００６６】
配線１６Ａの全領域、または一部が、接着剤層２１Ａ内に埋め込まれている。
【００６７】
また、半導体装置１１Ａでは、第２の半導体チップ１５Ａが接着剤層２１Ａ内に埋め込まれている。接着剤層１４も接着剤層２１Ａ内に埋め込まれている。第２の半導体チップ１５Ａの側方で、接着剤層２１Ａの厚みＴ２は好ましくは１２０μｍ以上である。接着剤層２１Ａの厚みＴ２は、例えば、接着剤層２１Ａの厚みＴ１と、接着剤層１４の厚みと第２の半導体チップ１５Ａの厚みとの合計である。
【００６８】
基板１３Ａは上面に、第２の接続端子１３ｂを有する。第１の半導体チップ２２は上面に、接続端子２２ａを有する。接続端子２２ａから配線２３Ａが引き出されている。配線２３Ａの一端は、第１の半導体チップ２２Ａ上に設けられた接続端子２２ａに接続されている。配線２３Ａの他端は、基板１３Ａ上に設けられた第２の接続端子１３ｂに接続されている。配線２３Ａにより、接続端子２２ａと第２の接続端子１３ｂとが電気的に接続されている。配線２３Ａの他端は、第１の接続端子１３ｂ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線２３Ａは、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
【００６９】
得られた半導体装置１１，１１Ａには、第２の半導体チップ２２，２２Ａ及び配線２３，２３Ａを封止するように樹脂モールド層を設けてもよい。
【００７０】
なお、図１，３に示す半導体装置１１，１１Ａは、本発明に係る粘着剤組成物を用いた半導体装置の一例にすぎず、半導体装置の構造は適宜変更され得る。
【００７１】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【００７２】
（実施例１）
ＮＢＲ変性エポキシ樹脂９重量部、エポキシ基含有アクリル樹脂３０重量部、ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂６１重量部、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂８重量部、架橋環式二環性酸無水物３５重量部、イソシアヌル変性イミダゾール５重量部、アミノシランカップリング剤０．４重量部、及び表面疎水化ヒュームドシリカ１０重量部をＭＥＫ（メチルエチルケトン）に溶解させ、ホモディスパー型攪拌機を用いて、攪拌速度３０００ｒｐｍで均一に攪拌混合して、固形分６０重量％の硬化性樹脂組成物のメチルエチルケトン溶液を調製した。
【００７３】
次に、得られた硬化性樹脂組成物のメチルエチルケトン溶液を、表面に離型処理が施された厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートの離型処理面上に、乾燥後の厚みが１３５μｍとなるようにバーコーターを用いて塗工した後、１１０℃で４００秒間乾燥することにより、粘着剤組成物を得た。ガスクロマトグラフィー測定による、得られた粘着剤組成物における溶剤の含有量は７２００ｐｐｍであった。
【００７４】
（実施例２）
乾燥時間を５００秒にしたこと以外は実施例１と同様にして、粘着剤組成物を得た。得られた粘着剤組成物における溶剤の含有量は５４００ｐｐｍであった。
【００７５】
（実施例３）
乾燥時間を９００秒に変更したこと以外は実施例１と同様にして、粘着剤組成物を得た。得られた粘着剤組成物における溶剤の含有量は２３００ｐｐｍであった。
【００７６】
（比較例１）
乾燥時間を３００秒に変更したこと以外は実施例１と同様にして、粘着剤組成物を得た。得られた粘着剤組成物における溶剤の含有量は１２０００ｐｐｍであった。
【００７７】
（比較例２）
乾燥時間を１２００秒に変更したこと以外は実施例１と同様にして、粘着剤組成物を得た。得られた粘着剤組成物における溶剤の含有量は１５００ｐｐｍであった。
【００７８】
（評価）
（１）粘度
レオメータ装置（Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製「ＨＡＡＫＥ  ＭＡＲＳＩＩＩ」）を用いて、３０〜１８０℃（５℃／ｍｉｎ）、周波数１Ｈｚ及び歪み１％の条件で、得られた粘着剤組成物の１１０℃での粘度を測定した。
【００７９】
（２）ＨＡＳＴ（Ｈｉｇｈｌｙ  Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ  Ｓｔｒｅｓｓ  Ｔｅｓｔ  ）
半導体装置の作製：
得られた粘着剤組成物を用いて、以下のようにして、図３に示す半導体装置を作製した。
【００８０】
上記のようにして得られた半導体装置８個について、１３０℃及び相対湿度８５％の条件下に３００時間放置するＨＡＳＴを行った。ＨＡＳＴ後に、アルミニウム製の配線の腐食が生じて、配線の色が銀白色から黒色に変色した場合を不良と判定した。不良の発生数及び不良の発生率を求めた。ＨＡＳＴを下記の基準で判定した。
【００８１】
［ＨＡＳＴの判定基準］
○：不良の発生率が１％未満
△：不良の発生率が１％以上、１０％未満
×：不良の発生率が１０％以上
【００８２】
（３）埋め込み性
上記（２）ＨＡＳＴの評価で得られた半導体装置において、埋め込まれた配線及び埋め込まれた半導体チップの周囲に空隙が生じているか否かを評価した。埋め込み性を下記の基準で判定した。
【００８３】
［埋め込み性の判定基準］
○：埋め込まれた配線及び埋め込まれた半導体チップの周囲の双方で、空隙が存在していない
×：埋め込まれた配線及び埋め込まれた半導体チップの周囲の双方で、空隙が存在している
【００８４】
結果を下記の表１に示す。
【００８５】
【表１】
2015005645.tif 000003
【符号の説明】
【００８６】
１１，１１Ａ…半導体装置
１２，１２Ａ…積層構造体
１３，１３Ａ…基板
１３ａ…第１の接続端子
１３ｂ…第２の接続端子
１４，１４Ａ…接着剤層
１５，１５Ａ…第２の半導体チップ
１５ａ…接続端子
１６，１６Ａ…配線
２１，２１Ａ…接着剤層
２１Ｘ…粘着剤組成物
２２，２２Ａ…第１の半導体チップ
２２ａ…接続端子
２３，２３Ａ…配線
【図１】
2015005645.tif 000004
【図２】
2015005645.tif 000005
【図３】
2015005645.tif 000006