(57)【要約】【課題】多様な撮影条件に対応可能な放射線検出装置を提供する。【解決手段】放射線検出装置１は、光電変換素子１１３がマトリクス状に配列されるセンサ基板１０３とセンサ基板１０３に重ねて一体に配置されるシンチレータ部１０１とを有する複数の領域が配置される基台１１２と、複数の領域を収納する収納部１０８と、複数の領域を移動させる駆動／巻取部１０７と、複数の領域を位置決めする位置決め機構とを有し、光電変換素子１１３の配列のピッチは複数の領域ごとに異なる。【選択図】図１
2015068644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサがマトリクス状に配列されるセンサ部と、前記センサ部に重ねて配置されるシンチレータ部と、を有する領域が複数配置される基台と、
前記基台を収納する収納部と、
前記基台を移動させる駆動機構と、
前記領域を放射線が入射する領域に位置決めする位置決め機構と、
を有し、
前記センサの配列のピッチは、前記領域ごとに異なる
ことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
筺体の内部に配置されるセンサ部と、
シンチレータ部が設けられる領域が複数配置される基台と、
前記基台を収納する収納部と、
前記基台を移動させる駆動機構と、
前記シンチレータ部を放射線が入射する領域に位置決めする位置決め機構と、
を有し、
前記シンチレータ部は前記領域ごとに膜厚が異なる
ことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項３】
センサがマトリクス状に配列されるセンサ部が設けられる第１の領域が複数配置される第１の基台と、
シンチレータ部が設けられる第２の領域が複数配置され、前記第１の基台とは別体の第２の基台と、
前記第１の基台を収納する第１の収納部と、
前記第２の基台を収納する第２の収納部と、
前記第１の基台を移動させる第１の駆動機構と、
前記第２の基台を移動させる第２の駆動機構と、
前記第１の領域と前記第２の領域を放射線が入射する領域に位置決めする位置決め機構と、
を有し、
前記センサの配列のピッチは前記第１の領域ごとに異なり、
前記シンチレータ部は前記第２の領域ごとに膜厚が異なる
ことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項４】
センサがマトリクス状に配列されるセンサ部と、前記センサ部に重ねて形成されるシンチレータ部と、が設けられる第１の領域が複数配置される第１の基台と、
前記第１の基台とは別体で、反射層部が設けられる第２の領域が複数配置される第２の基台と、
前記第１の基台を収納する第１の収納部と、
前記第２の基台を収納する第２の収納部と、
前記第１の基台を移動させる第１の駆動機構と、
前記第２の基台を移動させる第２の駆動機構と、
前記第１の領域と前記第２の領域を位置決めする位置決め機構と、
を有し、
前記シンチレータ部の膜厚は前記第１の領域ごとに異なり、
前記反射層部は前記第２の領域ごとに反射率が異なる
ことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項５】
前記収納部には、前記基台の静電気を除去する除電機構が設けられる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記第１の収納部には、前記第１の基台の静電気を除去する除電機構が設けられ、
前記第２の収納部には、前記第２の基台の静電気を除去する除電機構が設けられる
ことを特徴とする請求項３または４に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記収納部には、前記基台を除塵する除塵機構が設けられる
ことを特徴とする請求項１、２、５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記第１の収納部には、前記第１の基台を除塵する除塵機構が設けられ、
前記第２の収納部には、前記第２の基台を除塵する除塵機構が設けられる
ことを特徴とする請求項３、４、６のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記収納部には、前記シンチレータ部を加熱する加熱機構を有する
ことを特徴とする請求項１、２、５、７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
前記第１の収納部と前記第２の収納部のいずれかには、前記シンチレータ部を加熱する加熱機構を有する
ことを特徴とする請求項３、４、６、８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
前記シンチレータ部はヨウ化セシウムを含む
ことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
前記シンチレータ部には、シンチレータ保護層が配置される
ことを特徴とする請求項１１に記載の放射線検出装置。
【請求項１３】
放射線を検出する放射線検出手段と、
前記放射線検出手段からの信号を処理する信号処理手段と、
を有し、
前記放射線検出手段には、請求項１から１２のいずれか１項に記載の放射線検出装置が適用されることを特徴とする放射線検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮影等に用いられる放射線検出装置および放射線検出システムに関する。特には、医療画像診断機器、非破壊検査機器等に用いられる放射線検出装置と、この放射線検出装置を用いた放射線検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、放射線検出装置を湾曲させることで収納可能にし、必要に応じて収納部のセンサを出し入れする構成が開示されている。特許文献１に記載の構成では、放射線連続照射に伴う放射線検出器の性能低下を、照射領域を適宜変更することで回避しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２２７０４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、デジタルラジオグラフィ（Digital Radiography：DR）において、撮影環境の多様化により、１台で様々な撮影条件に対応可能な装置が求められている。特許文献１に記載の構成では、放射線検出部の撮影領域を選択することができる。しかしながら、どの撮影領域も一様の特性を有しているため、撮影条件の多様化に対応できない。そこで、更なる撮影条件の多様化に対応可能な放射線検出装置、具体的には管電圧等の撮影条件が変化しても装置を取り換えることなく、１台で種々の撮影条件に対応可能な放射線検出装置が望まれている。上記実情に鑑み、本発明は、１台で多様な撮影条件に対応可能な放射線検出装置および放射線検出システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を鑑み、本発明は、センサがマトリクス状に配列されるセンサ部と前記センサ部に重ねて一体に配置されるシンチレータ部とを有する複数の領域が配置される基台と、前記複数の領域を収納する収納部と、前記複数の領域を移動させる駆動機構と、前記複数の領域を位置決めする位置決め機構と、を有し、前記センサの配列のピッチは、前記複数の領域ごとに異なることを特徴とする。また、本発明は、センサがマトリクス状に配列される複数のセンサ部が配置される基台と、複数のシンチレータ部が配置され、前記基台とは別体の他の基台と、前記複数のセンサ部を収納する第１の収納部と、前記複数のシンチレータ部を収納する第２の収納部と、前記複数のセンサ部を移動させる第１の駆動機構と、前記複数のシンチレータ部を移動させる第２の駆動機構と、前記シンチレータ部および前記センサ部を位置決めする位置決め機構と、を有し、前記複数のシンチレータ部は互いに膜厚が異なり、前記センサの配列のピッチは、前記複数のセンサ部ごとに異なることを特徴とする。また、本発明は、筺体の内部に配置されたセンサ部と、基台に配置された複数のシンチレータ部と、前記シンチレータ部を収納する収納部と、前記シンチレータ部を移動させる駆動機構と、前記シンチレータ部を位置決めする位置決め機構と、を有し、前記複数のシンチレータ部はたがいに膜厚が異なることを特徴とする。また、本発明は、センサがマトリクス状に配列されるセンサ部と、前記センサ部に重ねて一体に形成されるシンチレータ部とを有する複数の領域が配置される基台と、前記基台とは別体で、複数の反射層部が配置される他の基台と、前記複数の領域を収納する第１の収納部と、前記複数の反射層部を収納する第２の収納部と、前記複数の領域を移動させる第１の駆動機構と、前記複数の反射層部を移動させる第２の駆動機構と、前記複数の領域および前記複数の反射層部を位置決めする位置決め機構と、を有し、前記シンチレータ部の膜厚は、前記複数の領域ごとに異なり、前記複数の反射層部は、それぞれ反射率が異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、１台の放射線検出装置で、複数の撮影条件に対応可能な放射線検出装置および放射線検出システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態を説明するための断面および表面概念図である。
【図２】第１の実施形態のセンサおよびシンチレータの形態を説明するための断面概念図である。
【図３】第２の実施形態を説明するための断面概念図である。
【図４】第３の実施形態を説明するための断面概念図である。
【図５】第４の実施形態を説明するための断面概念図である。
【図６】第４の実施形態の反射層部を説明するための断面概念図である。
【図７】放射線検出装置を用いた放射線検出システムへの応用例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の放射線検出装置の各実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の各実施形態にかかる放射線検出装置は、シンチレータ部と、センサ部としてのセンサ基板とが組み合わされた装置である。シンチレータ部は、患者や被検者の撮影対象部位を透過した放射線を可視光に変換する。センサ部の例であるセンサ基板には、センサの例である光電変換素子とスイッチング素子とがマトリクス状に配列されてセンサアレイ（光電変換素子アレイ）が形成され、シンチレータ部によって放射線から変換された可視光を検出する。なお、本発明においては、放射線には、Ｘ線のみならず、α線、β線、γ線等の電磁波も含まれるものとする。また、各図において、矢印Ｘは放射線の入射方向を示す。
【０００９】
＜放射線検出装置について＞
＜第１の実施形態＞
図１（ａ）（ｂ）は、第１の実施形態にかかる放射線検出装置１の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、放射線の入射方向の側方から見た図であり、図１（ｂ）は、入射線の照射方向から見た図である。第１の実施形態は、１つの基台１１２に、複数のシンチレータ部１０１とセンサ基板１０３が配置される形態である。すなわち、フィルム状の基台１１２の表面に、センサ部の例であるセンサ基板１０３が配置され、さらにシンチレータ部１０１が、センサ基板１０３に重ねて一体に設けられる領域１１４が形成される。そして、１つのフィルム状の基台１１２には、センサ基板１０３とシンチレータ部１０１とが重ねて一体に形成される領域１１４が、複数配置される。なお、それぞれの領域１１４には、さらにシンチレータ部１０１を保護するシンチレータ保護層１０２が形成されてもよい。
【００１０】
基台１１２には、センサ基板１０３とシンチレータ部１０１が重ねて一体に形成される領域１１４が複数配置される。このような構成の基台１１２は、後述する収納部１０８の内部に、湾曲した状態（ロールに巻かれた状態）で収納される。そして、使用時においては、基台１１２が収納部１０８から引き出されて移動し、複数のうちの所定の領域１１４が選択されて、放射線照射領域１１０に位置決めされる。放射線照射領域１１０は、撮影時において、患者または被検者の撮影対象部位を透過した放射線が入射する領域である。
【００１１】
シンチレータ部１０１は、照射された放射線を、センサ基板１０３によって検出可能な波長の光に変換する。シンチレータ部１０１には、たとえばタリウム（Ｔｌ）が微量添加されたヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）ならなる針状結晶シンチレータが好適に用いられる。さらにシンチレータ部１０１は、収納状態または移動時において破損を抑制できる構成を有していてもよい。たとえば、シンチレータ部１０１は、センサ基板１０３上に設置された光電変換素子１１３（後述。図２参照）の画素単位で区画されて切断されていてもよい。具体的には、シンチレータ部１０１は、光電変換素子１１３と同様に、マトリクス状に区画されていてもよい。この場合には、基台１１２が収納部１０８に収納されている状態（ロールに巻かれた状態）においては、シンチレータ部１０１がセンサ基板１０３に対して外側に位置するように湾曲する構成が適用される。シンチレータ部１０１がマトリクス状に区画された構成であると、収納状態においてより容易に湾曲でき、かつ湾曲した状態での破損を防止または抑制できる。
【００１２】
シンチレータ部１０１に外部環境の影響によって劣化する材料が含まれる場合には、シンチレータ部１０１を覆うように、シンチレータ保護層１０２が設けられることが好ましい。外部環境の影響により劣化する材料としては、たとえば、ヨウ化セシウム等の潮解性材料などが挙げられる。なお、シンチレータ保護層１０２は、収納状態や移動時の湾曲に耐えうる材料と構造であればよく、具体的な材料や構造は限定されない。シンチレータ保護層１０２に使用可能な材料としては、たとえば、アルミニウム箔、マグネシウム箔、銅箔等の金属フィルム等が適用できる。このほか、水蒸気透過性が低い高分子フィルムが適用できる。水蒸気透過性が低い高分子フィルムとしては、たとえば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリパラキシリレン（パリレン）等の塩素系樹脂や、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、三フッ化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ化エチレンポリマー（ＦＥＰ）、パーフルオロアルコシキル（ＰＦＡ）等のフッ素系樹脂、ポリ尿素等の樹脂のフィルムが好適である。なお、これらのフィルムの水蒸気透過率は、１０ｇ／（ｍ2・ｄａｙ）以下であることが好ましく、５ｇ／（ｍ2・ｄａｙ）以下であることがより好ましい。また、シンチレータ保護層１０２は、防湿性能を維持できる厚さを有する。このためたとえば、シンチレータ保護層１０２の厚さは１２μｍ以上であることが好ましく、２５μｍ以上であることがより好ましい。なお、シンチレータ保護層１０２は、ベースフィルムに防湿性の高いフィルムが貼り合わせられる構成であってもよい。たとえば、シンチレータ保護層１０２は、ベースフィルムとしてのＰＥＴフィルムに、防湿性の高いフィルムであるＡｌ箔等の金属箔が接合された構成であってもよい。
【００１３】
センサ部の例であるセンサ基板１０３は、巻き取り可能な可撓性を有する基板が適用される。そしてこのセンサ基板１０３には、センサの例である複数の光電変換素子１１３（図２（ａ）参照）やスイッチング素子（図略）がマトリクス状に配列される。さらにセンサ基板１０３には、これらの光電変換素子１１３やスイッチング素子を保護する保護層（図略）が形成される。可撓性を有する基板には、例えば、ＰＥＴ（polyethylene terephthalate）基板等といった、プラスチック基板が好適に用いられる。また十分な可撓性が得られるのであれば、薄層化したガラス基板が用いられる構成であってもよい。この場合には、ガラス基板の破損防止の目的で、光電変換素子１１３が形成される面とは反対側に、補強フィルムが設けられることが好ましい。光電変換素子１１３は、シンチレータ部１０１によって放射線（患者情報を有するＸ線等）から変換された可視光を検知する。各々の光電変換素子１１３には、スイッチング素子と配線（図略）が接続される。そして、センサ基板１０３は、光電変換素子１１３で可視光から変換された電気信号を、収納部１０８に設けられる信号処理回路基板（図略）へ送信する。光電変換素子１１３やスイッチング素子には、湾曲に耐えられるものが適用される。たとえば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体、非晶質酸化物半導体、有機半導体、カーボンナノチューブ等が好適に用いられる。非晶質酸化物半導体としては、たとえばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の非晶質酸化物半導体が適用できる。有機半導体としては、たとえば、フタロシアニン化合物、ペンタセン化合物、ポリチオフェン化合物等が適用できる。また、光電変換素子１１３やスイッチング素子は、シンチレータ部１０１の形成工程により変質や破壊されないような材料が適用される。
【００１４】
センサ基板１０３には、光電変換素子１１３等を保護する保護層（図略）が設けられていてもよい。特に、シンチレータ部１０１の材料により腐食等の劣化が発生する場合には、保護層が形成されることが好ましい。保護層には、例えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等の無機保護層や、ポリイミド等の有機保護層が適用できる。ただし、保護層の材料は特に限定されるものではなく、収納状態の湾曲により劣化や破壊されないのであればよい。
【００１５】
本実施形態においては、１つの基台１１２に複数のセンサ基板１０３が設けられ、それぞれのセンサ基板１０３に一体に重ねてシンチレータ部１０１が設けられる。さらに、それぞれのシンチレータ部１０１を覆うように、シンチレータ保護層１０２が形成される。すなわち、センサ基板１０３とシンチレータ部１０１とシンチレータ保護層１０２とが重ねて一体に形成される領域１１４が、１つの基台１１２に複数配置される。そして、それぞれの領域１１４が、互いに異なる特性を有する。
【００１６】
図２は、基台１１２に配置される領域１１４の構成を模式的に示す図である。図２（ａ）に示すように、１つの基台１１２に領域Ａと領域Ｂの２つの領域１１４が形成される構成の例について説明する。領域Ａと領域Ｂのシンチレータ部１０１は、膜厚、解像度、感度特性などといった特性が同一である。これに対し、センサ基板１０３にマトリクス状に配列される光電変換素子１１３は、領域Ａと領域Ｂとで配列のピッチが異なる。たとえば、領域Ａにおける配列のピッチＰ１は５０μｍに設定され、領域Ｂにおける配列のピッチＰ２は１５０μｍに設定される。このように、センサ基板１０３の特性が、領域１１４ごとに異なる。このような構成であれば、高精細な画像が要求される場合には領域Ａを使用して撮影を行い、通常時は領域Ｂを使用して撮影を行う、といった使用方法を、１台の放射線検出装置１で行うことが可能となる。したがって、１台の放射線検出装置１で、多様な撮影条件に対応できる。
【００１７】
図２（ｂ）に示すように、１つの基台１１２に領域Ｃと領域Ｄの２つの領域が設けられる構成の例について説明する。センサ基板１０３の光電変換素子１１３の配列のピッチは、領域Ｃと領域Ｄとで同じである。これに対し、シンチレータ部１０１の膜厚は、領域Ｃと領域Ｄとで異なる。たとえば、領域Ｃのシンチレータ部１０１の膜厚Ｔ１は５００μｍに設定され、領域Ｄのシンチレータ部１０１の膜厚Ｔ２は１０００μｍに設定される。このように、１つの基台１１２に、複数のセンサ基板１０３が配置されるとともに、それぞれのセンサ基板１０３には、膜厚Ｔ１，Ｔ２が互いに異なるシンチレータ部１０１が重ねて一体に形成される。このような構成であると、たとえば、通常の撮影には、領域Ｃを使用し、高い管電圧での撮影が必要な場合には領域Ｄを使用する、といった使用方法を、１台の放射線検出装置１で行うことができる。したがって、１台の放射線検出装置１で多様な撮影条件に対応できる。
【００１８】
なお、前記説明では、マトリクス状に配列される光電変換素子１１３の配列のピッチと、シンチレータ部１０１の膜厚とが個別に設定される構成を示したが、これらが組み合わせて設定されてもよい。また、前記説明では、１つの基台１１２に２つの特性が異なる領域１１４が配置される構成を示したが、配置される領域１１４の数、すなわち特性の種類は２つに限定されるものではない。
【００１９】
次に、放射線検出装置１のその他の部分の構成について、図１を参照して説明する。放射線検出装置１は筺体１０９を有し、この筺体１０９の内部に、基台１１２と後述する各部や各機構が配置される。
【００２０】
収納部１０８には、基台１１２が湾曲した状態（ロールに巻かれた状態）で収納される。すなわち、収納部１０８には、基台１１２が巻かれたロールが回転可能に収納される。収納部１０８は、基台１１２が巻かれたロールを回転可能に収納できる構成であればよく、具体的な構成は限定されない。たとえば、収納部１０８は、筒状または箱状の容器が適用できる。また、収納部１０８には、センサ基板１０３を動作させるための信号処理回路基板（図略）が設けられる。信号処理回路基板には、駆動回路部、画像信号処理回路部、データ転送回路部などが設けられる。駆動回路部は、センサ基板１０３を駆動する。画像信号処理回路部は、センサ基板１０３が生成した画像信号（電気信号）を読み出して増幅するなど、画像信号に対して所定の画像処理を行う。データ転送回路部は、画像信号を外部装置へ出力する。外部装置とは、たとえば、画像像処理装置やデータ保管装置などである。なお、駆動回路部、画像信号処理回路部、データ転送回路部の一部または全部が、基台１１２に設けられる構成であってもよい。
【００２１】
収納部１０８には、取出部１０６が設けられる。取出部１０６は、領域１１４が複数配置された基台１１２が、収納部１０８の内部と外部との間で移動する際に通過する部分である。取出部１０６には、領域１１４が配置された基台１１２の移動方向を変更するためのガイド等が設置されてもよい。図１に示す例では、取出部１０６において基台１１２の進行方向を約６０°変えている。このような機構は、放射線検出装置１の小型化に寄与する。また、取出部１０６には、静電気を除去する除電機構が設けられてもよい。この除電機構の設置により、基台１１２が取出部１０６に接触する部分で生じる摩擦静電気を除去することができる。したがって、より安定した状態での撮影（画像信号の取得）が可能となる。なお、除電機構は、公知の構成が適用できる。要は、基台１１２のシンチレータ部１０１とセンサ基板１０３にたまった静電気を除去できる構成であればよい。さらに、取出部１０６には、前記の除電機構と併せて、除塵機構が設置されてもよい。このような機構によれば、基台１１２の領域１１４に付着した塵埃を除去できる。このため、放射線検出装置１の耐久性および信頼性を向上させることができる。なお、除塵機構は、基台１１２の領域１１４に付着した塵埃を除去できる構成であればよく、構成は限定されない。除塵機構には、公知の各種除塵機構が適用できる。
【００２２】
駆動機構の例である駆動／巻取部１０７は、基台１１２が巻かれたロールを回転駆動する。これにより、基台１１２に配置された複数の領域１１４うちの所定のものを放射線照射領域１１０へ移動させる。駆動／巻取部１０７は、基台１１２が巻かれたロールを回転駆動する駆動用のモータ（図略）を有する。本実施形態においては、駆動用のモータとして、たとえば、サーボモーターやステッピングモーター等といった比較的精密に位置決めを行うことが可能なモータが適用されることが好ましい。さらに収納部１０８には、駆動／巻取部１０７の駆動用のモータを駆動するモータ駆動回路部が設けられる。領域１１４の位置を検出する位置決めセンサ１０５（後述）を有する場合には、モータ駆動回路部は、位置決めセンサ１０５から位置情報のフィードバックを得て領域１１４の位置決定をするフィードバック制御を行う。
【００２３】
放射線検出装置１には、領域１１４を固定する固定機構として、押し当て機構１０４と、この押し当て機構１０４を駆動制御する押し当て機構駆動部（図略）が設けられる構成であることが好ましい。押し当て機構１０４は、基台１１２に配置される複数の領域１１４のうちの撮影に使用する１つを放射線照射領域１１０に移動させた後において、放射線照射領域１１０に領域１１４を固定する。押し当て機構１０４は、少なくとも領域１１４のシンチレータ保護層１０２に当接する側は平面に形成される。そして、押し当て機構駆動部は、押し当て機構１０４を領域１１４のシンチレータ保護層１０２に押し当てることによって、シンチレータ部１０１とセンサ基板１０３とが形成される領域１１４を、放射線照射領域１１０に固定する。したがって、シンチレータ部１０１とセンサ基板１０３が安定した状態での撮影が可能となる。図１に例示する押し当て機構１０４は、筺体１０９に着脱可能でかつ移動可能な機構である。押し当て機構駆動部は、押し当て機構１０４を往復動させることができる。たとえば、押し当て機構駆動部は、押し当て機構１０４を駆動する駆動力源（モータやアクチュエータなど）と、この駆動力源を制御する制御回路が実装された回路基板（制御回路部）などを有する。そして、押し当て機構駆動部は、使用する領域１１４を移動や変更する際には、押し当て機構１０４を、領域１１４のシンチレータ保護層１０２から離間させる。移動が完了して撮影を行う際には、押し当て機構駆動部は、押し当て機構１０４を、使用する領域１１４のシンチレータ保護層１０２に押し当てる。なお、センサ基板１０３とシンチレータ部１０１からなる領域１１４の固定が十分に行えるのであれば、押し当て機構１０４を用いない構成であってもよい。例えば駆動／巻取部１０７の駆動力によって基台１１２を引張り、張力をかけた状態を維持することによって移動しないように固定する構成であってもよい。
【００２４】
また、放射線検出装置１は、撮影に使用する領域１１４を精度よく放射線照射領域１１０に移動させるための位置決め機構を有していてもよい。位置決め機構として、基台１１２に設けられるマーカー１１１を検出できる位置決めセンサ１０５が適用できる。具体的には、位置決めセンサ１０５は、押し当て機構１０４の外周であって、放射線照射領域１１０の外側の複数の箇所に設けられる。マーカー１１１は、使用する領域１１４が放射線照射領域１１０に位置した場合に、位置決めセンサ１０５により検出される位置に設けられる。このような構成によれば、撮影に使用する領域１１４を、放射線照射領域１１０に正確に位置決めすることができる。位置決めセンサ１０５は、例えば光検出方式、レーザー検出方式（透過型、反射型）、磁気方式（例えばホール素子等）、赤外線検出方式、等の非接触型センサを用いることができる。マーカー１１１は、位置決めセンサ１０５で検出可能な構成であればよい。なお、基台１１２に位置決めセンサ１０５が設けられ、押し当て機構１０４にマーカー１１１が設けられる構成であってもよい。また、センサ基板１０３の駆動／巻取部１０７が基台１１２の送り量を精密に制御することで、使用する領域１１４の位置決めを行うこともできる。この場合には、前述の位置決めセンサ１０５（位置決め機構）などは特に必要ない。
【００２５】
このほか、放射線検出装置１には、使用者（検者）が放射線検出装置１を操作するための操作部が設けられる。操作部には、放射線検出装置１の操作や設定を行うための操作部材（たとえば、スイッチや操作パネルなど）が設けられる。使用者（検者）は、操作部の操作部材を操作することによって、撮影に使用する領域１１４を選択する。使用者による領域１１４の選択の操作を操作部が検出すると、まず、押し当て機構駆動部は、押し当て機構１０４を、現時点で放射線照射領域１１０に位置している領域１１４のシンチレータ保護層１０２から離す。そして、モータ駆動回路部は、駆動／巻取部１０７の駆動用のモータを駆動して、選択された領域１１４を放射線照射領域１１０に移動させる。この際、位置決めセンサ１０５が設けられる構成であれば、モータ駆動回路部は、駆動／巻取部１０７を、位置決めセンサ１０５の検出結果を用いてフィードバック制御する。選択された領域１１４が放射線照射領域１１０に位置決めされると、押し当て機構駆動部（図略）は、押し当て機構１０４を移動させて、位置決めされた領域１１４のシンチレータ保護層１０２に押し当てる。なお、操作部において使用者が撮影に使用する領域１１４を直接的に選択し、モータ駆動回路部は、選択された領域１１４を、放射線照射領域１１０に移動させる構成であってもよい。また、操作部において、使用者が撮影条件を入力する操作を行い、モータ駆動回路部は、入力された撮影条件に適した領域１１４を選択し、放射線照射領域１１０に移動させる構成であってもよい。
【００２６】
なお、本実施形態にかかる放射線検出装置１は、ＣＰＵとＲＯＭとＲＡＭとインターフェースを備えるコンピュータを有していてもよい。この場合には、放射線検出装置１を制御するためのコンピュータプログラムが、あらかじめＲＯＭに格納されている。そして、ＣＰＵは、ＲＯＭに格納されるこのコンピュータプログラムを読出し、ＲＡＭに展開して実行する。これによりコンピュータが放射線検出装置１の各部として機能し、前記の動作が実現される。
【００２７】
以上のように、モータ駆動回路部と信号処理回路基板とが、駆動／巻取部１０７を制御、駆動し、設定した撮影条件に対して適切な特性を有する領域１１４を選択して放射線照射領域１１０へ移動させる。
【００２８】
このほか、収納部１０８には、ヒーター等といった、シンチレータ部１０１を加熱する加熱機構が設けられてもよい。加熱機構は、シンチレータ部１０１が複数回の放射線照射により劣化した場合に、回復処理を行う。なお加熱機構は、シンチレータ部１０１を加熱できる構成であればよく、構成は限定されるものではない。加熱機構には、公知の各種ヒーターが適用できる。
【００２９】
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。なお、第１の実施形態と共通の構成については同じ符号を付し、説明を省略する。図３（ａ）（ｂ）は、第２の実施形態にかかる放射線検出装置１の概略構成を断面模式図である。なお、図３（ａ）は基台１１２の移動時の状態を示し、図３（ｂ）は撮影時の状態を示す。第２の実施形態は、センサ基板２０３とシンチレータ部１０１とが別体に形成される形態である。基台１１２には、シンチレータ部１０１とこのシンチレータ部１０１を保護するシンチレータ保護層１０２が形成された領域２１４が、複数配置される。また、１つのセンサ基板２０３が、放射線検出装置１の筺体１０９に設けられる。第２の実施形態では、撮影時において、センサ基板２０３と基台１１２の領域２１４のシンチレータ保護層１０２とを接触させる。
【００３０】
センサ基板２０３は、第１の実施形態と異なり、基台１１２と別体に形成される。そしてセンサ基板２０３は、筺体１０９の内部に設置される。第２の実施形態のセンサ基板２０３は、第１の実施形態のように可撓性を有する構成であってもよく、可撓性を有さない構成であってもよい。たとえば、センサ基板２０３が、ガラス板により形成される構成であってもよい。センサ基板２０３が可撓性を有さない構成である場合には、センサ基板２０３には、第１の実施形態と共通の材料のほか、多結晶シリコンや結晶シリコン等の半導体材料も使用することができる。
【００３１】
センサ基板２０３は、押し当て支持基台２１３等の部材によって筺体１０９の内部に支持される。押し当て支持基台２１３は、センサ基板２０３を固定するための基台である。照射放射線がセンサ基板２０３の側から放射線照射領域１１０に入射する場合には、押し当て支持基台２１３は、放射線透過性の材料により形成されることが好ましい。放射線透過性の高い材料としては、一般的なプラスチック材料（例えばＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、ＰＥＴ樹脂、テフロン（登録商標）、ＡＢＳ樹脂等）、アモルファスカーボン、ＣＦＲＰ等が好適である。そして撮影時には、図３（ｂ）に示すように、押し当て機構１０４と押し当て支持基台２１３とが、センサ基板２０３と、基台１１２に配置された領域２１４のシンチレータ部１０１およびシンチレータ保護層１０２とを挟み込む。そして、押し当て機構１０４は、領域２１４のシンチレータ部１０１とシンチレータ保護層１０２を傷つけないように圧力を印加する。なお、放射線検出装置１は、押し当て機構１０４と押し当て支持基台２１３を駆動する押し当て機構駆動部（図略）を有する。押し当て機構駆動部は、押し当て機構１０４と押し当て支持基台２１３の駆動源（たとえばモータやアクチュエータ）と、この駆動源を制御する制御部（たとえば、制御回路が構築された回路基板）とを有する。なお、図３（ａ）（ｂ）においては、押し当て機構１０４と押し当て支持基台２１３の両方が駆動される構成を示すが、少なくとも一方（例えば、押し当て機構１０４のみ）が駆動される構成であればよい。
【００３２】
基台１１２は、第１の実施形態と同様に、可撓性を有する。基台１１２は、実施形態１と共通の構成が適用できる。基台１１２に配置される領域２１４のシンチレータ部１０１とシンチレータ保護層１０２も、第１の実施形態と同じものが適用される。すなわち、基台１１２には、シンチレータ部１０１とシンチレータ保護層１０２とが形成される領域２１４が、複数配置される。シンチレータ部１０１の膜厚は、領域２１４ごとに異なる。そして、駆動／巻取部１０７は、操作部に対する操作に応じて、複数の領域２１４のうちから１つを選択し、選択した領域２１４をセンサ基板２０３に重なる位置に移動させて位置決めする。
このような構成によれば、複数の領域２１４から、特性が撮影条件に適したシンチレータ部１０１を有する１つを選択して撮影を行うことができる。したがって、第１の実施形態と同様に、多様な撮影条件に対応できる。
【００３３】
＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、センサ基板が設けられる第１の領域が複数配置される第１の基台と、シンチレータ部が設けられる第２の領域が複数配置される第２の基台とが別体に形成される形態である。さらに、第２の実施形態にかかる放射線検出装置１は、第１の基台を収納する第１の収納部と、第１の基台を移動させる第１の駆動機構と、第２の基台を収納する第２の収納部と、第２の基台を移動させる第２の駆動機構とを有する。そして、第１の基台と第２の基台とを別個独立して移動させることができる。図４は、第３の実施形態にかかる放射線検出装置１の概略構成を示す模式図である。図４（ａ）はシンチレータ部１０１とセンサ基板１０３の移動時の状態を示し、図４（ｂ）は撮影時の状態を示す。なお、第１または第２の実施形態と共通の構成には同じ符号を付し、説明を省略する。第１の基台の例である一方の基台３１２には、センサ基板１０３が設けられる第１の領域の例である領域３１４が複数配置される。センサ基板１０３は、第１の実施形態と同様の構成を有するものであり、特に可撓性を有する。そしてセンサ基板１０３の光電変換素子１１３の配列のピッチは、領域３１４ごとに異なる。第２の基台の例であるもう一方の基台１１２には、シンチレータ部１０１とシンチレータ保護層１０２とが形成される第２の領域の例である領域２１４が、複数配置される。シンチレータ部１０１は、領域２１４ごとに膜厚（すなわち特性）が異なる。この基台１１２は、第２の実施形態の基台１１２と共通の構成を有する。
【００３４】
本実施形態にかかる放射線検出装置１には、複数の収納部１０８が設けられる。そして、複数のうち、一方の基台３１２を収納する収納部１０８が第１の収納部の例であり、もう一方の基台１１２を収納する収納部１０８が第２の収納部の例である。本実施形態においては、一方の基台３１２を収納する収納部１０８と、もう一方の基台１１２を収納する収納部１０８は、個別に設けられる。それぞれの収納部１０８には、ロールを回転駆動する駆動／巻取部１０７が設けられる。このうち、一方の基台３１２が巻かれたロールを駆動する駆動／巻取部１０７が、第１の駆動機構の例である。もう一方の基台１１２が巻かれたロールを駆動する駆動／巻取部１０７が、第２の駆動機構の例である。これらの駆動／巻取部１０７は、別個独立してロールを回転駆動することができる。したがって、一方の基台３１２ともう一方の基台１１２とを別個独立して移動させることができる。
【００３５】
図４（ｂ）に示すように、撮影時には、一方の基台３１２の領域３１４のセンサ基板１０３と、もう一方の基台１１２の領域２１４のシンチレータ保護層１０２とが、放射線照射領域１１０に位置決めされて接触した状態となる。この状態を作り出すため、押し当て支持基台２１３と押し当て機構１０４とが、一方の基台３１２の領域３１４のシンチレータ部１０１と、もう一方の基台１１２の領域２１４のセンサ基板１０３とを挟持する。押し当て支持基台２１３と押し当て機構１０４とを駆動するための構成は、第２の実施形態と共通の構成が適用できる。それぞれの駆動／巻取部１０７は、操作部に対する操作に応じて、２つの基台１１２、３１２のそれぞれに配置される複数の領域２１４、３１４のうちから１つずつを選択する。そして、選択した領域２１４、３１４を放射線照射領域１１０に移動させて位置決めする。なお、領域２１４、３１４の位置決め機構には、実施形態１と共通の構成が適用できる。このような構成によれば、互いに異なる特性のシンチレータ部１０１とセンサ基板１０３とを撮影条件に応じて組み合わせることができる。したがって、多様な撮影条件に応じて撮影を行うことができる。また、収納部１０８には、基台１１２，３１２を除塵する除塵機構が設けられる。さらに、もう一方の基台１１２を収納する収納部１０８には、シンチレータ部１０１にたまった静電気を除去する除電機構が設けられる。除塵機構と除電機構は、第１の実施形態と共通である。
【００３６】
＜第４の実施形態＞
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態は、センサ基板およびシンチレータ部が設けられる第１の領域が複数配置される第１の基台と、反射層部が設けられる第２の領域が複数配置される第２の基台とが別体に形成される形態である。さらに、第２の実施形態にかかる放射線検出装置１は、第１の基台を収納する第１の収納部と、第１の基台を移動させる第１の駆動機構と、第２の基台を収納する第２の収納部と、第２の基台を移動させる第２の駆動機構とを有する。そして、第１の基台と第２の基台とを別個独立して移動させることができる。図５は、第４の実施形態にかかる放射線検出装置１の概略構成を示す模式図である。図５（ａ）は、２つの基台１１２、４１２の移動時の状態を示し、図５（ｂ）は、撮影時の状態を示す。なお、第１から第３の実施形態のいずれかと共通の構成には同じ符号を付し、説明を省略する。第４の実施形態は、別体に形成される２つの基台１１２，４１２が適用される形態である。第１の基台の例である一方の基台１１２には、センサ基板１０３とシンチレータ部１０１とが重ねて一体に形成される領域２１４が、複数配置される。第２の基台の例であるもう一方の基台４１２には、シンチレータ反射層部４１７が形成される領域４１４が、複数配置される。
【００３７】
図５（ａ）に示すように、放射線検出装置１には、複数の収納部１０８が設けられる。一方の基台１１２を収納する収納部１０８が、第１の収納部の例である。もう一方の基台４１２を収納する収納部１０８が、第２の収納部の例である。本実施形態では、一方の基台１１２を収納する収納部１０８と、もう一方の基台４１２を収納する収納部１０８とが、個別に設けられる。そして、それぞれの収納部１０８には、駆動／巻取部１０７が設けられる。このうち、一方の基台１１２が巻かれたロールを駆動する駆動／巻取部１０７が、第１の駆動機構の例である。もう一方の基台４１２が巻かれたロールを駆動する駆動／巻取部１０７が、第２の駆動機構の例である。これらの駆動／巻取部１０７は、別個独立してロールを回転駆動することができる。したがって、一方の基台１１２ともう一方の基台４１２とを別個独立して移動させることができる。それぞれの収納部１０８には、一方の基台１１２ともう一方の基台４１２のそれぞれを除塵する除塵機構が設けられる。さらに、一方の基台４１２が収納される収納部１０８には、シンチレータ部１０１を加熱する加熱機構が設けられる。これらの除塵機構と加熱機構は、第１の実施形態と共通の構成が適用できる。
【００３８】
図５（ａ）に示すように、一方の基台１１２には、センサ基板１０３とシンチレータ部１０１とシンチレータ保護層１０２とが重ねて一体に形成される領域２１４が、複数配置される。一方の基台１１２は、収納部１０８の内部に、湾曲した状態で（ロールに巻かれた状態で）収納される。駆動／巻取部１０７は、ロールを駆動することによって、基台１１２に複数配置された領域２１４を、選択的に放射線照射領域１１０に移動させることができる。なお、これらの構成は、第２の実施形態と共通である。もう一方の基台４１２には、シンチレータ反射層部４１７が形成される領域４１４が複数配置される。この基台４１２は、収納部１０８の内部に、湾曲した状態で（ロールに巻かれた状態で）収納される。駆動／巻取部１０７は、ロールを駆動することによって、基台４１２に複数配置された領域４１４を、選択的に放射線照射領域１１０に移動させることができる。これらの構成は、一方の基台１１２と共通の構成が適用できる。図５（ｂ）に示すように、撮影時には、押し当て支持基台２１３と押し当て機構１０４が、一方の基台１１２に複数配置される領域２１４から選択された１つと、もう一方の基台４１２に複数配置される領域４１４から選択された１つとを挟持して接触させる。
【００３９】
図６は、基台４１２の構成を模式的に示す図である。図６に示すように、基台４１２には、シンチレータ反射層部４１７が形成される領域４１４が複数配置される。シンチレータ反射層部４１７の特性は、領域４１４ごとに異なる。シンチレータ反射層部４１７の特性としては、たとえば反射率が挙げられる。この場合には、シンチレータ反射層部４１７の反射率は、領域４１４ごとに異なる。なお、図６では、２つの領域４１４が配置される構成の例（すなわち、反射率が２種類の例）を示すが、領域４１４の数（反射率の種類）は限定されるものではない。それぞれの駆動／巻取部１０７は、操作部への操作に応じて、基台１１２，４１２に配置される複数の領域２１４、４１４のうちからそれぞれ１つずつを選択し、放射線照射領域１１０に移動させる。そして、選択した２つの基台１１２，４１２の２つの領域２１４、４１４を重ね合わせて撮影を行う。このような構成によれば、シンチレータ反射層部４１７が形成される領域４１４と、シンチレータ部１０１およびセンサ基板１０３が一体に形成される領域２１４とを、撮影条件に適した組み合わせにできる。したがって、多様な撮影条件に対応できる。
【実施例】
【００４０】
[第１の実施例]
第１の実施例は、図１に記載の放射線検出装置の実施例である。
【００４１】
まず、基台１１２である厚さ２００μｍのポリイミドシート上に、センサ基板１０３を形成する。基台１１２であるポリイミドシートは、幅が３８０ｍｍで長さが１５００ｍｍである。センサ基板１０３の形成方法としては、まず、アモルファスシリコンを用いて光電変換素子とＴＦＴを形成し、最後に厚さ５μｍのポリイミドを用いてセンサ保護層を形成するという方法が適用される。光電変換素子１１３の配列のピッチは１００μｍである。センサ基板１０３が形成される領域を、前記のポリイミドシート上に３か所（領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃ）配置する。それぞれの領域の寸法は３６０×４４０ｍｍとする。また、位置決めセンサ１０５を設置する場所にセンサ駆動用の配線を形成する。次に、センサ保護層に重ねるように、シンチレータ部１０１としてタリウム添加ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）を蒸着にて形成する。タリウム添加ヨウ化セシウムの膜厚は、領域Ａでは２００μｍ、領域Ｂでは５００μｍ、領域Ｃでは８００μｍに設定される。また、タリウム添加ヨウ化セシウムは、湾曲された状態での破壊を防止するため、一定の間隔で切断されてマトリクス状に区画される。シンチレータ部１０１の形成後、領域Ａ〜Ｃの各領域のシンチレータ部１０１を覆うように、シンチレータ保護層１０２として厚さ１５μｍのポリパラキシリレンを形成する。その後、シンチレータ保護層１０２の表面に、厚さ１２μｍのＡｌ箔からなるシンチレータ反射層部を接着する。次に、基台１１２の所定の位置に、位置決めセンサ１０５として複数のホール素子を設置する。次に、基台１１２であるポリイミドシートの両端部に、センサ基板１０３を駆動する駆動回路部と、位置決めセンサ１０５を駆動するためのセンサ駆動回路部が設けられる。そして、以上の工程を経た基台１１２（シンチレータ部１０１、センサ基板１０３およびその他回路部が形成された基台１１２）を、ロールにて巻き取る。その後、基台１１２が巻かれたロールを収納部１０８に収納する。基台１１２を取り出す取出部１０６には、除電機構および除塵機構として、除電・除塵機能を備えた除電ブローを設置する。また、収納部１０８には、シンチレータ部１０１の特性回復を目的とした加熱機構が設けられる。加熱機構は、取出部１０６の近傍に、取出部１０６の形状に倣ってセラミックヒータが設置される。本実施例では、最も高温で約２００℃まで加熱可能なセラミックヒータを、加熱機構として設置する。シンチレータ部１０１およびセンサ基板１０３からなる領域１１４が複数配置された基台１１２を、筺体１０９の内部の所定に位置に設置されたガイドを介して固定する。さらに、筺体１０９の内部には、押し当て機構１０４と押し当て機構駆動部が配置される。押し当て機構１０４は、厚さが約５０ｍｍ、面方向寸法が３５０×４３０ｍｍの板状の部材である。押し当て機構１０４の表面には、厚さが約５ｍｍのシリコンゴムが設けられる。以上の工程を経て、第１の実施例にかかる放射線検出装置１が製造される。
【００４２】
第１の実施例にかかる放射線検出装置１によれば、複数の照射条件で撮影領域を変更して撮影を行うことができる。第１の実施例においては、放射線照射領域１１０に放射線（Ｘ線）の照射範囲を絞り、センサ基板１０３とシンチレータ保護層１０２とを通過させて、放射線をシンチレータ部１０１に入射させる。低管電圧（たとえば３０ｋＶｐ程度）での高精細な画像が要求される場合には、シンチレータ部１０１の膜厚が２００μｍである領域Ａが選択される。この領域Ａを使用することで、非撮影領域の微細組織を反映した画像が取得できる。中程度の管電圧（たとえば７０ｋＶｐ程度）では、シンチレータ部１０１の膜厚が５００μｍの領域Ｂが選択される。この領域Ｂでは一般的な撮影に用いることができ、感度と鮮鋭度がバランスよく両立した画像が取得できる。高管電圧（たとえば１３０ｋＶｐ程度）では、シンチレータ部１０１の膜厚が８００μｍの領域Ｃが選択される。この領域Ｃは、厚さが大きい被検物質等へ好適に適用される。
【００４３】
[第２の実施例]
第２の実施例は、第１の実施例の領域Ａ〜Ｃにおいてシンチレータ部１０１の膜厚を一定に設定し、光電変換素子１１３の配列のピッチを異ならせた例である。領域Ａ〜Ｃにおいて、シンチレータ部１０１の膜厚をいずれも５００μｍに設定する。一方、光電変換素子１１３の配列のピッチを、領域Ａでは５０μｍ、領域Ｂでは１００μｍ、領域Ｃでは２００μｍに設定する。その他の構成は、第１の実施例と同じである。第２の実施例にかかる放射線検出装置１によれば、通常は領域Ｂで撮影を行い、解像度が要求される用途には領域Ａを使用し、感度が要求される用途では領域Ｃを使用する。このように、１台の放射線検出装置１で、複数の撮影条件に対応できる。
【００４４】
[第３の実施例]
第３の実施例は、図３に示すように、１つのセンサ基板２０３と、シート状の基台１１２に配置された複数のシンチレータ部１０１とを有する実施例である。そして、複数のシンチレータ部１０１のいずれかを選択してセンサ基板２０３に接触させて撮影を行う。なお、ここでは、第１の実施例と異なる部分についてのみ説明する。まず、ガラス基板の表面に、光電変換素子１１３とＴＦＴとを形成する。また、光電変換素子１１３とＴＦＴが形成される領域の周辺には、光電変換素子１１３とＴＦＴを駆動する駆動回路部を設ける。そして、光電変換素子１１３とＴＦＴの表面に、厚さ５μｍのポリイミド樹脂を形成する。次に、基台１１２に、シンチレータおよびシンチレータ保護層１０２を形成する。本実施例では、基台１１２として、厚さ２００μｍのポリイミドシートを用いる。そして、基台１１２であるポリイミドシートの表面に、厚さ１２μｍのＡｌ箔を耐熱エポキシ接着剤（たとえば、太陽金網社製  耐熱エポキシ接着剤  デュラルコ７０５０）を介して接着する。次に、第１の実施例と同様の方法を用いて、複数のシンチレータ部１０１を形成する。これにより、基台１１２上に、領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃの３領域が配置される。シンチレータ部１０１として、ＣｓＩ：Ｔｌを形成する。シンチレータ部１０１の膜厚は、領域Ａでは２００μｍ、領域Ｂでは５００μｍ、領域Ｃでは８００μｍとする。そして、シンチレータ部１０１の形成後に、厚さが１５μｍのポリパラキシリレン膜を形成する。また、位置決めセンサをシンチレータ支持基台に設置し、押し当て機構に設置された位置決めセンサと共にシンチレータ位置を決定する。その後の工程は、第１の実施例と同様である。第２の実施例にかかる放射線検出装置１は、実施例１と同様の効果を奏する。ただし、センサ基板１０３は１つのみでよく、また、センサ基板１０３をフィルム状の基台１１２に配置しなくてもよいため、部品構成や製造工程の簡略化を図ることができる。
【００４５】
[第４の実施例]
第４の実施例は、図４に示すように、センサ基板１０３とシンチレータ部１０１とが別体であり、それぞれを別個独立して変更可能な例である。なお、ここでは、第１〜第３の実施例と異なる構成についてのみ説明し、共通する構成については説明を省略する。センサ基板１０３は、第１の実施例と同様に、可撓性を有する基板が適用される。また、シンチレータ部１０１とシンチレータ保護層１０２は、第３の実施例と共通の構成が適用される。センサ基板１０３を支持する基台３１２と、シンチレータ部１０１を支持する基台１１２のそれぞれに、位置決めセンサ１０５が設置される。また、押し当て支持基台２１３と押し当て機構１０４は、第３の実施例と共通の構成が適用される。第４の実施例にかかる放射線検出装置１は、撮影条件に適したセンサ基板１０３とシンチレータ部１０１の組み合わせを選定することができる。
【００４６】
［第５の実施例］
次に、前記いずれかの実施例にかかる放射線検出装置が適用された放射線検出システムの実施例について説明する。図７は、本発明の実施例にかかる放射線検出システムの構成を模式的に示す図である。
放射線発生手段の例であるＸ線チューブ６０５０はＸ線６０６０を発生させる。そしてＸ線６０６０は、患者または被検者６０６１の撮影対象部位（ここでは胸部６０６２示す）を透過し、前記いずれかの実施形態にかかる放射線検出装置１に入射する。放射線検出装置１に入射したＸ線には、患者または被検者６０６１の体の内部の情報が含まれている。シンチレータ部１０１は、Ｘ線の入射に対応して発光する。センサ基板１０３の光電変換素子１１３は、シンチレータ部１０１がＸ線に応じて発した光を光電変換する。これにより、患者または被検者６０６１の体の内部の情報を、電気信号として得られる。放射線検出装置１の信号処理回路は、この電気信号をデジタル形式に変換し、信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０に送信する。イメージプロセッサ６０７０は、送信された電気信号に画像処理を施し、制御室に設けられる表示手段の例であるディスプレイ６０８０に出力して表示させる。このため、検者等は、患者または被検者６０６１の体の内部の情報を画像として観察できる。また、イメージプロセッサ６０７０は、この電気信号を、電話、ＬＡＮ、インターネットなどのネットワーク６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送できる。たとえば、イメージプロセッサ６０７０は、この電気信号を、別の場所のドクタールームなどの表示手段となるディスプレイ６０８１に送信して表示させることができる。または光ディスク等の記録手段に保存することができる。このため、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。さらに、イメージプロセッサ６０７０は、この電気信号をフィルムプロセッサ６１００に送信することもできる。フィルムプロセッサ６１００は、受信した電気信号から、レーザープリンタを用いて、患者または被検者６０６１の体の内部の情報を含むフィルム６１１０を作成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の放射線検出装置は、医療用の放射線検出装置や、非破壊検査装置等の放射線を利用した医療用以外の分析・検査用途の装置への応用が可能である。
【図７】
2015068644.tif 000003
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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