(57)【要約】【課題】  積層体を利用してガラス基板を製造する際に、処理を終えたガラスフィルムの円滑な剥離を可能とし、且つガラス基板の品質の低下を防止すること。【解決手段】  ガラスフィルム１と支持ガラス２とを、面接触させて相互に密着させた積層体３を作製する積層体作製工程と、積層体３におけるガラスフィルム１に電子デバイス材４を形成してガラス基板５とする処理工程と、支持ガラス２からガラス基板５の全体を剥離させる剥離工程とを含んだガラス基板の製造方法であって、処理工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、積層体３にパルスレーザー６を照射して、その照射領域６ｘを含んだ包含領域６ｙで支持ガラス２からガラス基板５の一部を剥離させることで、剥離工程の起点となる剥離起点部５ｘを形成する剥離起点部形成工程を実行するようにした。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するガラスフィルムと、該ガラスフィルムを支持する支持ガラスとを、面接触させて相互に密着させた積層体を作製する積層体作製工程と、
前記積層体における前記ガラスフィルムに電子デバイス材を形成して、該ガラスフィルムをガラス基板とする処理工程と、
前記支持ガラスから前記ガラス基板の全体を剥離させる剥離工程とを含んだガラス基板の製造方法であって、
前記処理工程の実行後で、且つ前記剥離工程の実行前に、前記積層体にパルスレーザーを照射して、その照射領域を含んだ包含領域で前記支持ガラスから前記ガラス基板の一部を剥離させることで、前記剥離工程の起点となる剥離起点部を形成する剥離起点部形成工程を実行することを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記剥離起点部形成工程の実行後で、且つ前記剥離工程の実行前に、前記ガラス基板と前記支持ガラスとの少なくとも一方について、前記包含領域に対応する部位から前記照射領域に対応する部位を切断によって取り除く切断除去工程を実行することを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記パルスレーザーの焦点位置を前記積層体の厚みの範囲内に位置させることを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持ガラスの厚みを前記ガラスフィルムよりも大きくし、
前記パルスレーザーを前記ガラス基板側から照射することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記パルスレーザーを前記支持ガラス側から照射することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記パルスレーザーの光軸が前記積層体の厚み方向に沿って延びるように、該パルスレーザーを照射することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記ガラスフィルムが矩形の形状を有し、
前記剥離起点部を前記ガラス基板のコーナー部に形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスフィルムに液晶素子等の電子デバイス材を形成して、ガラス基板を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年急速に普及しているスマートフォンや、タブレット型ＰＣ等のモバイル機器は、軽量であることが要求されるため、これらの製品に組み込まれるガラス基板においては、薄肉化が推進されているのが現状である。そして、このような要求に応えるものとして、板ガラスをフィルム状にまで薄肉化（例えば、厚みが３００μｍ以下）したガラスフィルムが開発されるに至っている。このガラスフィルムは、その厚みが極めて薄いことから、可撓性に富んだ性質を有している。
【０００３】
このガラスフィルムに対して、例えば、透明導電膜等の電子デバイス材を形成する処理を施し、ガラス基板を製造するような場合には、ガラスフィルムの取り扱いを容易にするため、ガラスフィルムと、これを支持する支持ガラスとを重ね合わせた積層体を利用する場合がある。この積層体を利用すれば、支持ガラスと重ね合わせたことで、ガラスフィルムの可撓性に富んだ性質を一時的に排除することができる。また、重ね合わせた両ガラスの間に密着力が作用することから、パターニングの位置ずれが生じにくいという利点もある。
【０００４】
このような優れた機能を有する積層体であるが、処理を終えたガラスフィルムをガラス基板として製品に組み込むにあたり、支持ガラスから剥離させる際には、以下のような不具合を生じることがある。すなわち、積層体におけるガラスフィルムと支持ガラスとの間には、水素結合に起因して発生しているものと想定される密着力が作用している。そのため、この密着力によって支持ガラスからガラスフィルムを円滑に剥離させることが困難となる場合があった。
【０００５】
そこで、このような不具合を解消し得る技術が特許文献１に開示されている。同文献には、支持ガラスからガラスフィルムを剥離させやすくするための積層体が開示されている。この積層体は、矩形のガラスフィルムを支持ガラスが支持する構成となっている。そして、支持ガラスには、その厚み方向に延びる孔が形成されており、この孔上にガラスフィルムのコーナー部の一つ（以下、特定コーナー部と表記する）が位置するように、両ガラスが重ね合わされている。つまり、この積層体では、ガラスフィルムの特定コーナー部が支持ガラスと非接触の状態下にある。
【０００６】
このため、ガラスフィルムを支持ガラスから剥離させる際には、支持ガラスと密着することのない特定コーナー部を起点として、ガラスフィルムの剥離を開始することができると共に、剥離させるために要する力をガラスフィルムに好適に作用させることが可能になる。これにより、支持ガラスからガラスフィルムを円滑に剥離させやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−３０４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記の技術によっても、未だ下記のような解決すべき問題が残存している。すなわち、上記の積層体においては、剥離の起点となるガラスフィルムの特定コーナー部を支持ガラスと非接触の状態とするために、支持ガラスに孔が形成されている。そして、この孔の内周部においては、他の部位とは異なり、不可避的にガラスフィルムと支持ガラスとの相互間に隙間ができやすい傾向がある。
【０００９】
このため、ガラスフィルムに対して、例えば、フォトレジストの形成等の液体を使用する必要がある処理を施す際には、当該液体が両ガラスの相互間に形成された隙間に入り込んでしまう場合がある。このような事態が発生すると、ガラスフィルムを好適に剥離させることが困難となり、ひいては、製造されるガラス基板の品質を低下させる結果を招いてしまう。
【００１０】
このように、上記の技術においては、支持ガラスからのガラスフィルムの円滑な剥離と、製造されるガラス基板における品質の低下の防止とを両立させることが困難であった。このような事情に鑑みなされた本発明は、積層体を利用してガラス基板を製造する際に、処理を終えたガラスフィルムの円滑な剥離を可能とし、且つガラス基板の品質の低下を防止することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために創案された本発明は、可撓性を有するガラスフィルムと、ガラスフィルムを支持する支持ガラスとを、面接触させて相互に密着させた積層体を作製する積層体作製工程と、積層体におけるガラスフィルムに電子デバイス材を形成して、ガラスフィルムをガラス基板とする処理工程と、支持ガラスからガラス基板の全体を剥離させる剥離工程とを含んだガラス基板の製造方法であって、処理工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、積層体にパルスレーザーを照射して、その照射領域を含んだ包含領域で支持ガラスからガラス基板の一部を剥離させることで、剥離工程の起点となる剥離起点部を形成する剥離起点部形成工程を実行することに特徴付けられる。ここで、「包含領域」とは、照射領域の全域を包含する領域のみでなく、照射領域における一部の領域のみを包含する領域をも含む。
【００１２】
このような方法によれば、処理工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、剥離起点部形成工程を実行することから、処理工程の実行時においては、剥離工程の起点となる剥離起点部が当然に未形成の状態にある。従って、剥離起点部の形成に起因して、支持ガラスとガラスフィルムとの相互間に隙間が形成された状態の下で、処理工程が実行されてしまうような状況が生じ得なくなる。その結果、ガラスフィルムに電子デバイス材を好適に形成することができ、隙間の形成に起因したガラス基板の品質の低下を確実に防止することが可能となる。また、この方法では、剥離起点部形成工程の実行時には、以下のような作用が生じる。すなわち、積層体へのパルスレーザーの照射に伴って、当該パルスレーザーによる加熱に起因したガスが発生する。そして、このガスが、ガラス基板と支持ガラスとを分離させるように両ガラスを押し分ける。この作用により、パルスレーザーの照射領域を含んだ包含領域において、ガラス基板の一部が支持ガラスから剥離して剥離起点部が形成される。これにより、剥離起点部を起点にガラス基板の剥離を開始することができると共に、ガラス基板を剥離させるために要する力を効率よく作用させることが可能になる。その結果、ガラス基板の全体を円滑に支持ガラスから剥離させることができる。
【００１３】
上記の方法において、剥離起点部形成工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、ガラス基板と支持ガラスとの少なくとも一方について、包含領域に対応する部位から照射領域に対応する部位を切断によって取り除く切断除去工程を実行することが好ましい。
【００１４】
剥離起点部形成工程を実行する際、パルスレーザーの照射領域では、当該レーザーによる加熱に起因して、一旦は支持ガラスから剥離したガラス基板が、再び支持ガラスと密着してしまうような事態を生じるおそれがある。これに対し、包含領域のうち、照射領域を除く領域においては、パルスレーザーが照射されていないため、このような事態を生じるおそれが可及的に排除され、ガラス基板が支持ガラスから確実に剥離した状態とすることができる。このことから、剥離起点部形成工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、切断除去工程を実行して、ガラス基板と支持ガラスとの少なくとも一方について、包含領域に対応する部位から照射領域に対応する部位を切断によって取り除けば、以下のような好ましい態様が得られる。すなわち、切断除去工程の実行後における剥離起点部に、ガラス基板が支持ガラスから確実に剥離した箇所のみを残存させることが可能となる。その結果、ガラス基板の全体を支持ガラスから円滑に剥離させる上で、より好適な状態とすることができる。
【００１５】
上記の方法において、パルスレーザーの焦点位置を積層体の厚みの範囲内に位置させることが好ましい。
【００１６】
このようにすれば、パルスレーザーによる加熱に起因して発生するガスが界面付近に発生しやすくなる。その結果、両ガラスを好適に押し分けることができ、剥離起点部を効率よく形成することが可能となる。
【００１７】
上記の方法において、支持ガラスの厚みをガラスフィルムよりも大きくし、パルスレーザーをガラス基板側から照射してもよい。
【００１８】
このようにすれば、支持ガラスの厚みがガラスフィルムよりも大きいことで、積層体におけるガラスフィルム側の表面から両ガラスの界面までの距離と、支持ガラス側の表面から両ガラスの界面までの距離とでは、前者の方が短くなる。そのため、パルスレーザーをガラス基板側（電子デバイス材が形成されたガラスフィルム側）から照射すれば、両ガラスの界面にガスを発生させる上で好適となり、一層効率よく剥離起点部を形成することができる。
【００１９】
上記の方法において、パルスレーザーを支持ガラス側から照射してもよい。
【００２０】
このようにすれば、積層体に対して電子デバイス材が形成されていない側からパルスレーザーを照射することになる。これにより、当該レーザーの照射による電子デバイス材への影響を可及的に排除することが可能となる。
【００２１】
上記の方法において、パルスレーザーの光軸が積層体の厚み方向に沿って延びるように、パルスレーザーを照射することが好ましい。
【００２２】
このようにすれば、パルスレーザーの焦点位置について、その制御を簡便化することができる。従って、ガスが発生する位置を調節しやすくなり、剥離起点部を効率よく形成する上でさらに有利となる。
【００２３】
上記の方法において、ガラスフィルムが矩形の形状を有し、剥離起点部をガラス基板のコーナー部に形成することが好ましい。
【００２４】
このようにすれば、剥離工程において、ガラス基板の支持ガラスからの剥離を、コーナー部を起点として開始することができる。これにより、ガラス基板を剥離させるために要する力を一層効率よく作用させることが可能となる。その結果、ガラス基板を支持ガラスから簡便に剥離させることができる。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明によれば、積層体を利用してガラス基板を製造する際に、処理を終えたガラスフィルムを円滑に剥離させることができると共に、製造されたガラス基板の品質の低下を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法における積層体作製工程を示す側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法における処理工程を示す側面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す側面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法における切断除去工程を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法における切断除去工程を示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離工程を示す側面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す側面図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す平面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係るガラス基板の製造方法における剥離起点部形成工程を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法について、添付の図面を参照して説明する。
【００２８】
図１〜図７は、本発明の実施形態に係るガラス基板の製造方法に含まれる各工程を示す図である。これらの図に示すように、このガラス基板の製造方法は、ガラスフィルム１と支持ガラス２とを、相互に密着させた積層体３を作製する積層体作製工程（図１）と、ガラスフィルム１に電子デバイス材４を形成して、ガラス基板５とする処理工程（図２）と、積層体３にパルスレーザー６を照射して、その照射領域６ｘを含んだ包含領域６ｙで支持ガラス２からガラス基板５の一部を剥離させ、剥離起点部５ｘを形成する剥離起点部形成工程（図３，図４）と、ガラス基板５について、包含領域６ｙに対応する部位から照射領域６ｘに対応する部位を切断によって取り除く切断除去工程（図５，図６）と、支持ガラス２からガラス基板５の全体を剥離させる剥離工程（図７）とを含んでいる。
【００２９】
積層体作製工程では、まず、可撓性を有するガラスフィルム１と、ガラスフィルム１を支持し、且つガラスフィルム１よりも厚みの大きい支持ガラス２との各々について、相互に密着する側の面の表面粗さＲａを２．０ｎｍ以下の平滑な面に仕上げる。この表面粗さＲａは、例えば、オーバーフローダウンドロー法で成形されたガラスを未研磨で使用したり、ガラスにケミカルエッチングを施すにあたってエッチング液の濃度、液温度、処理時間の調整を行ったり、ガラスに鏡面研磨や光学研磨を施したりすること等で制御することが可能である。次に、両ガラス１，２を面接触させて相互に密着させることで、積層体３を作製する。なお、本実施形態においては、両ガラス１，２は共に矩形の形状を有しており、支持ガラス２はガラスフィルム１に対して、ひとまわり大きいサイズを有している。
【００３０】
処理工程では、積層体作製工程で作製された積層体３について、ガラスフィルム１に電子デバイス材４を形成して、ガラスフィルム１をガラス基板５とする。ここで、電子デバイス材４としては、例えば、液晶素子、有機ＥＬ素子、タッチパネル素子、太陽電池素子、圧電素子、受光素子、リチウムイオン２次電池等の電池素子、ＭＥＭＳ素子、半導体素子等を形成する。
【００３１】
剥離起点部形成工程では、図３に示すように、パルスレーザー６を支持ガラス２側からガラス基板５の表面に集光させる（ガラス基板５の表面をパルスレーザー６の焦点位置とする）。このパルスレーザー６は、ガルバノミラー（図示省略）とｆ−θレンズ（図示省略）とによって、その光軸が積層体３の厚み方向に延びるように照射される。なお、図４に示すように、本実施形態においては、パルスレーザー６の照射領域６ｘは、ガラス基板５のコーナー部に位置する円形の領域として設定されている。そして、パルスレーザー６の照射スポット６ａが、設定された照射領域６ｘの中心部から、渦巻き状に延びる走査経路Ｓに沿って漸次に外側へと移動するように、パルスレーザー６を走査させる。このようにして、設定された照射領域６ｘをパルスレーザー６で万遍なく走査する。
【００３２】
これにより、積層体３へのパルスレーザー６の照射に伴って、当該レーザー６による加熱に起因したガスが発生する。そして、このガスが支持ガラス２とガラス基板５とを分離させるように両ガラス２，５を押し分ける。この作用により、パルスレーザー６の照射領域６ｘを含んだ包含領域６ｙ（本実施形態においては、照射領域６ｘの全域が包含領域６ｙに含まれている）において、ガラス基板５の一部が支持ガラス２から剥離して、ガラス基板５のコーナー部に剥離起点部５ｘが形成される。なお、ガラス基板５が支持ガラス２から剥離した箇所には、支持ガラス２とガラス基板５との間にナノメートルオーダーのギャップが発生する。これにより、ニュートンリングが形成されることから、剥離した箇所を目視で確認することができる。そして、ニュートンリングの形成状態に基づき、剥離起点部５ｘの形成が不十分である場合には、走査経路Ｓに沿ったパルスレーザー６の走査を繰り返し実行する。なお、パルスレーザー６の走査を繰り返し実行する場合には、焦点位置を積層体の厚み方向において変更してもよい。パルスレーザー６の走査を繰り返し実行するか否かについては、例えば、以下ようにして判断すればよい。すなわち、照射領域６ｘの周囲に形成されたニュートンリングの形成幅（照射領域６ｘの中心を中心とする円の半径方向に沿った幅）を測定し、測定された値の大小に基づいて判断すればよい。なお、ニュートンリングの外周端は、包含領域６ｙの外周輪郭と一致する。
【００３３】
ここで、パルスレーザー６の種類としては、固体レーザー、ＬＤレーザー、ディスクレーザー、ファイバーレーザー、エキシマレーザー等を使用することができる。また、パルスレーザー６の波長としては、２５０ｎｍ〜５０００ｎｍとすることが好ましい。さらに、パルス幅としては、１００ｐｓ〜１０００ｎｓとすることが好ましい。加えて、周波数としては、１ｋＨｚ〜５０ＭＨｚとすることが好ましい。また、パルスエネルギーとしては、１０μＪ〜１ｍＪとすることが好ましい。さらに、走査速度（照射スポット６ａの移動速度）としては、１０ｍｍ／ｓ〜１００００ｍｍ／ｓであることが好ましい。加えて、図４に示すパルスレーザー６の照射ピッチＰとしては、０．１μｍ〜１００μｍとすることが好ましい。また、照射領域６ｘの径（照射範囲）Ｄは、０．１ｍｍ〜１００ｍｍとすることが好ましい。
【００３４】
切断除去工程では、図５に示すように、包含領域６ｙ内に延びた切断予定線７に沿ってガラス基板５側からパルスレーザーを照射する。そして、当該パルスレーザーの照射スポット８を切断予定線７に沿って移動させ、ガラスが除去された被除去部９を順次に形成していくことで、照射領域６ｘを含んだガラス基板５のコーナー部を切断する。これにより、ガラス基板５について、包含領域６ｙに対応する部位から照射領域６ｘに対応する部位を取り除く。つまり、図６に示すように、切断除去工程の実行後には、剥離起点部５ｘとして包含領域６ｙの一部のみが残存する。
【００３５】
剥離工程では、支持ガラス２からのガラス基板５の剥離に、複数の吸着パッド１０を使用する。この吸着パッド１０の各々は、ガラス基板５との当接部に複数の吸引孔を有しており、この吸引孔を介してガラス基板５に負圧を発生させることで、ガラス基板５を吸着する。そして、ガラス基板５を吸着した各吸着パッド１０が、剥離起点部５ｘの側から順次に上方へと移動することで、支持ガラス２からガラス基板５の全体を剥離させる。以上の各工程を経てガラス基板５が製造される。
【００３６】
以下、上記のガラス基板の製造方法の作用・効果について説明する。
【００３７】
このガラス基板の製造方法によれば、処理工程の実行後で、且つ剥離工程の実行前に、剥離起点部形成工程を実行することから、処理工程の実行時においては、剥離工程の起点となる剥離起点部５ｘが当然に未形成の状態にある。従って、剥離起点部５ｘの形成に起因して、ガラスフィルム１と支持ガラス２との相互間に隙間が形成された状態の下で、処理工程が実行されてしまうような状況が生じ得なくなる。従って、水等の液体を使用する必要のある処理を行う場合であっても、当該液体が隙間に入り込むようなおそれがない。その結果、ガラスフィルム１に電子デバイス材４を好適に形成することができ、隙間の形成に起因したガラス基板５の品質の低下を確実に防止することが可能となる。
【００３８】
また、この方法では、剥離起点部５ｘを起点にガラス基板５の剥離を開始することができると共に、ガラス基板５を剥離させるために要する力を効率よく作用させることが可能になる。なお、この効果は、剥離起点部５ｘをガラス基板５のコーナー部に形成したことで、より高められる。その結果、ガラス基板５の全体を円滑に支持ガラス２から剥離させることができる。
【００３９】
ところで、剥離起点部形成工程を実行する際、パルスレーザー６の照射領域６ｘでは、当該レーザー６による加熱に起因して、一旦は支持ガラス２から剥離したガラス基板５が、再び支持ガラス２と密着してしまうような事態を生じるおそれがある。これに対し、包含領域６ｙのうち、照射領域６ｘを除く領域においては、パルスレーザー６が照射されていないため、このような事態を生じるおそれが可及的に排除され、ガラス基板５が支持ガラス２から確実に剥離した状態とすることができる。
【００４０】
このことから、切断除去工程の実行により、ガラス基板５について、包含領域６ｙに対応する部位から照射領域６ｘに対応する部位を切断によって取り除くことで、以下のような作用・効果をも得ることができる。すなわち、切断除去工程の実行後における剥離起点部５ｘに、ガラス基板５が支持ガラス２から確実に剥離した箇所（図６に示す包含領域６ｙの一部）のみを残存させることが可能となる。その結果、ガラス基板５の全体を支持ガラス２から円滑に剥離させる上で、より好適な状態とすることができる。
【００４１】
さらに、この方法では、剥離起点部形成工程において、パルスレーザー６を支持ガラス２側からガラス基板５の表面に集光させている。これにより、パルスレーザー６の照射によってガラスに生じた欠陥が、ガラス基板５の表面から支持ガラス２側へと向かって形成されていく。そのため、特にパルスレーザー６の走査を繰り返し実行した場合には、両ガラス２，５の界面付近にガスを発生させやすくなる。その上、パルスレーザー６の光軸が積層体３の厚み方向に延びるように、当該レーザー６を照射しているため、パルスレーザー６の焦点位置について、その制御を簡便化することができ、ガスが発生する位置を調節しやすくなる。その結果、両ガラス２，５を好適に押し分けることができ、剥離起点部５ｘを効率よく形成することが可能となる。
【００４２】
また、この方法では、剥離起点部形成工程において、パルスレーザー６を支持ガラス２側から照射している。つまり、積層体３に対して電子デバイス材４が形成されていない側からパルスレーザー６を照射している。これにより、当該レーザー６の照射による電子デバイス材４への影響を可及的に排除することができる。
【００４３】
ここで、本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の実施形態で説明した態様に限定されるものではない。上記の実施形態では、剥離起点部形成工程において、パルスレーザーを支持ガラス側から照射しているが、ガラス基板側から照射してもよい。支持ガラスの厚みがガラスフィルム（ガラス基板）の厚みよりも大きい場合、積層体におけるガラスフィルム側の表面から両ガラスの界面までの距離と、支持ガラス側の表面から両ガラスの界面までの距離とでは、前者の方が短くなる。そのため、パルスレーザーをガラス基板側から照射すれば、両ガラスの界面にガスを発生させる上で好適となり、一層効率よく剥離起点部を形成することができる。
【００４４】
また、上記の実施形態では、剥離起点部形成工程において、パルスレーザーを支持ガラスとガラス基板との界面に集光させているが、この限りではない。例えば、積層体の厚みの範囲内の任意の位置に集光させてもよい。この他、図８（ａ）に示すように、ガラスフィルム１側から照射するパルスレーザー６を、ガラス基板５の表面に集光させてもよいし、図８（ｂ）に示すように、支持ガラス２側から照射するパルスレーザー６を、支持ガラス２とガラス基板５との界面に集光させてもよい。さらには、ガラスフィルム側の表面から５００μｍ程度までの距離であれば、パルスレーザーの焦点位置が積層体の厚みの範囲外に位置していてもよい。加えて、上記の実施形態では、光軸が積層体の厚み方向に沿って延びるようにパルスレーザーを照射しているが、積層体の厚み方向に対して傾斜した方向に光軸が延びるようにパルスレーザーを照射してもよい。
【００４５】
また、上記の実施形態では、剥離起点部形成工程において、パルスレーザーの照射領域が円形の領域として設定されている。しかしながら、この照射領域の形状は任意の形状としてよい。例えば、楕円形であってもよいし、三角形や矩形であってもよい。さらに、上記の実施形態では、パルスレーザーの照射領域をガラス基板のコーナー部に位置させているが、任意の位置に照射領域を位置させてよい。例えば、矩形のガラス基板における一の辺部に沿った領域を照射領域としてもよい。また、図９に示すように、照射領域６ｘの一部がガラス基板５から食み出すように位置させてもよい（この場合、照射領域６ｘのうち、ガラス基板５のコーナー部に位置した領域のみが包含領域６ｙに含まれる）。加えて、パルスレーザーの走査経路についても、上記の実施形態で説明した経路に限られるものではなく、設定された照射領域を万遍なく走査できる経路であれば、任意の経路としてよい。一例としては、図１０に示すような走査経路Ｓが挙げられる。
【００４６】
また、上記の実施形態では、切断除去工程において、切断予定線に沿ってパルスレーザーを照射して、照射領域を含んだガラス基板のコーナー部を切断することで、包含領域に対応する部位から照射領域に対応する部位を取り除いているが、この限りではない。例えば、切断予定線に沿ってガラス基板にスクライブラインを形成した後、当該スクライブラインの周辺に曲げモーメントを作用させ、照射領域を含んだガラス基板のコーナー部を折割ることで、照射領域に対応する部位を取り除いてもよい。この他、照射領域の周辺に発生した引張応力により、当該領域の周辺に形成したクラックを進展させ、照射領域を含んだガラス基板のコーナー部を切断することで、照射領域に対応する部位を取り除いてもよい。また、上記の実施形態では、ガラス基板についてのみ、包含領域に対応する部位から照射領域に対応する部位を取り除く態様となっているが、この限りではない。すなわち、支持ガラスについてのみ、或いは、支持ガラスとガラス基板との双方について、照射領域に対応する部位を取り除く態様としてもよい。
【００４７】
また、上記の実施形態では、剥離工程において、支持ガラスからのガラス基板の剥離に吸着パッドを使用しているが、この限りではない。例えば、ブレードを使用し、剥離起点部から支持ガラスとガラス基板との間に当該ブレードを進入させることで、支持ガラスからガラス基板を剥離させてもよい。また、この他、樹脂シート等を使用することにより、支持ガラスからガラス基板を剥離させてもよい。
【００４８】
なお、本発明に係るガラス基板の製造方法は、例えば、以下のような場合にも適用することができる。すなわち、液晶パネルを製造する際に、液晶を封入するためのシール部材を挟んで二枚のガラス基板が貼り合わされるように、二つの積層体を対向させた後、両積層体の各々について、支持ガラスからガラス基板を剥離させるような場合に適用することが可能である。
【実施例】
【００４９】
本発明の実施例として、ガラス基板の製造方法を下記の各実施条件の下で実施し、支持ガラスからのガラス基板の剥離の可否について検証を行った。なお、実施例については七つの条件の下で検証を行い、比較例については二つの条件の下で検証を行った。
【００５０】
以下、実施例１〜７の全てに共通する実施条件について説明する。ガラスフィルム、及び支持ガラスとして、日本電気硝子社製のＯＡ−１０Ｇ（無アルカリガラス）を準備した。ガラスフィルムの厚みは０．２ｍｍ、支持ガラスの厚みは０．５ｍｍである。次に、積層体作製工程として、両ガラスを常温下で密着させて積層体を作製した。次に、処理工程を実行した。なお、処理工程では、電子デバイス材の形成を省略しており、その代替として、電子デバイス材を形成する場合の温度変化を積層体に与えるべく当該積層体の加熱を行うと共に、レジストインクの塗布、硬化、除去を行っている。レジストインクは加熱後の積層体に塗布し、オーブンで乾燥させた後、ＵＶ光を照射することで硬化させた。さらに、レジスト剥離剤を用いることで硬化したレジストを除去した。次に、剥離起点部形成工程として、ガルバノミラーとｆ−θレンズとによって、パルスレーザーを積層体に照射した。パルスレーザーの波長は３５５ｎｍ、パルス幅は４０ｎｓ、周波数は１００ｋＨｚ、出力は１０Ｗ、焦点距離は１００ｍｍ、照射スポットの径は２０μｍ、走査速度４０００ｍｍ／ｓとした。また、パルスレーザーの照射領域は径が１０ｍｍの円形、走査経路は渦巻き状の経路、照射ピッチは２０μｍとした。最後に、剥離工程として、複数の吸着パッドによってガラス基板を吸着し、支持ガラスからのガラス基板の剥離を試みた。
【００５１】
以下、実施例１〜７のそれぞれに固有の実施条件について説明する。実施例１〜７において、（１）積層体の加熱温度、（２）走査経路に沿ったパルスレーザーの走査の繰り返し回数、（３）走査を繰り返す際に、パルスレーザーの焦点位置（集光位置）を積層体の厚み方向において変更した回数、（４）パルスレーザーの照射元側、（５）パルスレーザーの焦点位置（走査を繰り返す際に焦点位置を変更した場合においては、最初の焦点位置）、（６）パルスレーザーの照射領域の位置、（７）切断除去工程の有無、（８）切断除去工程の実行態様の八点については、それぞれに固有の実施条件とした。
【００５２】
（１）について、実施例２及び実施例５のみ、電気マッフル炉で積層体を２５０℃まで加熱した。その他の実施例では積層体の加熱を実施しなかった。（２）について、実施例１、実施例２及び実施例７では２０回とした。実施例３では５回とした。実施例４及び実施例５では１００回とした。実施例６では５００回とした。（３）について、実施例１及び実施例２のみ、パルスレーザーの焦点位置を７回変更した。そして、変更を１回行う度に、支持ガラス側からガラス基板側に向かって０．１ｍｍずつ焦点位置を移動させた。つまり、７回変更を行った後の焦点位置と最初の焦点位置との間には、積層体の厚み方向において０．７ｍｍのずれがある。その他の実施例では、パルスレーザーの焦点位置の変更は行っていない。（４）について、実施例１〜６では支持ガラス側をパルスレーザーの照射元側とした。実施例７ではガラスフィルム側をパルスレーザーの照射元側とした。（５）について、実施例１及び実施例２では、積層体における支持ガラス側の表面とした。実施例３〜７では、積層体におけるガラスフィルム側の表面とした。（６）について、実施例１及び実施例２では、図９に示す位置とした。実施例３〜７では、図４に示す位置とした。（７）について、実施例１及び実施例２のみ、切断除去工程を実施しなかった。その他の実施例では、切断除去工程を実施した。（８）について、実施例３〜５、及び実施例７では、パルスレーザーを照射することで、照射領域を含んだガラス基板のコーナー部を切断して取り除いた（検証の結果を示す〔表１〕では、除去切断と表記）。実施例６では、照射領域の周辺に発生した引張応力により、当該領域の周辺に形成したクラックを進展させることで、照射領域を含んだガラス基板のコーナー部を切断して取り除いた（検証の結果を示す〔表１〕では、応力切断と表記）。
【００５３】
以下、比較例１及び２の実施条件について説明する。比較例１及び２が、共通して実施例１〜７と相違している点は、積層体作製工程と処理工程とを実行した後、剥離起点部形成工程を実行せずに、剥離工程を実行している点である。比較例１と比較例２との間における相違点は、以下のとおりである。比較例１のみ、支持ガラスに孔を設け、この孔上にガラス基板のコーナー部の一つを位置させることで、当該コーナー部を剥離工程における起点とした。また、比較例１では、積層体の加熱を実施しなかったのに対し、比較例２では、電気マッフル炉で積層体を２５０℃まで加熱した。
【００５４】
〔表１〕に、各条件の下において、支持ガラスからのガラス基板の剥離の可否について検証を行った結果を示す。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
〔表１〕の結果から、実施例１〜７においては、比較例１及び２とは異なり、良好な結果が得られていることが分かる。以上のことから、本発明に係るガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板の支持ガラスからの円滑な剥離が可能となるものと推認される。
【符号の説明】
【００５７】
１          ガラスフィルム
２          支持ガラス
３          積層体
４          電子デバイス材
５          ガラス基板
５ｘ        剥離起点部
６          パルスレーザー
６ｘ        照射領域
６ｙ        包含領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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