(57)【要約】【課題】レンズ層の成膜条件に関わらずクラックの発生を抑止できるマイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、および電子機器を提供する。【解決手段】マイクロレンズアレイ基板６０の製造方法は、光透過性を有する基板１４の面１４ｂの第２領域Ｇに導電層１５を形成する工程と、基板１４の面１４ｂの第１領域Ｆに複数の凹部１２を形成する工程と、基板１４の面１４ｂの複数の凹部１２および導電層１５を覆うように、光透過性を有し基板１４とは異なる屈折率を有するレンズ材料層１３ａを形成する工程と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図６
2015087571.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基板の第１面の第２領域に第１の層を形成する工程と、
前記基板の前記第１面の第１領域に複数の凹部を形成する工程と、
前記基板の前記第１面の前記複数の凹部および前記第１の層を覆うように、光透過性を有し前記基板とは異なる屈折率を有する第２の層を形成する工程と、を備えていることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記第１の層を、前記基板の側端部まで形成することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記第１の層を形成する工程は、
前記基板の前記第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を覆うように導電層を形成する工程と、
前記導電層のうち、前記第１面の前記第１領域を覆う部分を除去する工程と、を含み、
前記第１の層は、前記導電層の一部であることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記第１の層の材料のポアソン比は、前記基板のポアソン比および前記第２の層の材料のポアソン比よりも大きいことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記第１の層の材料は、シリコンであることを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造されたことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項７】
第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された電気光学層と、を備え、
前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に、請求項６に記載のマイクロレンズアレイ基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子基板と対向基板との間に電気光学物質（例えば、液晶など）を備えた電気光学装置が知られている。電気光学装置として、例えば、プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる液晶装置などを挙げることができる。このような液晶装置においては、高い光利用効率を実現することが求められている。
【０００３】
そこで、例えば、液晶装置の素子基板および対向基板の少なくとも一方にマイクロレンズアレイ基板を備え、液晶装置に入射する光のうち遮光層で遮光されてしまう光をマイクロレンズで集光して画素の開口領域内に入射させることにより、液晶装置の実質的な開口率の向上を図る構成が知られている。マイクロレンズアレイ基板は、例えば、石英などの無機材料からなる基板の表面に設けられた複数の凹部を、基板と異なる屈折率を有する無機材料からなるレンズ層で埋め込むことにより形成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０９８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、レンズ層を形成する工程において、基板上にレンズ層が凹部の深さよりも厚く形成されるため、レンズ層に曲げモーメントが作用することでレンズ層の周縁部に応力がかかってクラックが生じる場合がある。レンズ層の成膜条件を調整することでクラックの発生を抑えようとすると、レンズ層を形成する工程において様々な制約を受けることとなる。そのため、レンズ層の成膜条件に関わらずクラックの発生を抑止できるマイクロレンズアレイ基板の製造方法が要望されている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、光透過性を有する基板の第１面の第２領域に第１の層を形成する工程と、前記基板の前記第１面の第１領域に複数の凹部を形成する工程と、前記基板の前記第１面の前記複数の凹部および前記第１の層を覆うように、光透過性を有し前記基板とは異なる屈折率を有する第２の層を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
本適用例の製造方法によれば、基板の第１領域に形成された複数の凹部を、基板とは異なる屈折率を有する第２の層で埋めることにより、複数のマイクロレンズが構成される。また、第２の層は、第２領域に形成された第１の層を覆うように形成される。すなわち、第２領域において、基板と第２の層との間に第１の層が介在する。そのため、基板上に形成された第２の層に曲げモーメントが作用しても、曲げモーメントにより生じる応力が第１の層により緩和されるので、第１の層が設けられていない場合と比べて、第２の層にクラックが生じることを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記第１の層を、前記基板の側端部まで形成することが好ましい。
【００１０】
本適用例の製造方法によれば、第１の層が基板の側端部まで形成されるので、基板と第２の層の周縁部との間に第１の層が介在する。そのため、曲げモーメントによる応力が集中し易い第２の層の周縁部において、応力を第１の層により緩和することができるので、第２の層にクラックが生じることをより確実に抑えることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記第１の層を形成する工程は、前記基板の前記第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を覆うように導電層を形成する工程と、前記導電層のうち、前記第１面の前記第１領域を覆う部分を除去する工程と、を含み、前記第１の層は、前記導電層の一部であることが好ましい。
【００１２】
本適用例の製造方法によれば、基板の第２面に導電層を形成するので、基板の第２面側を静電チャック（静電吸着）により固定して、第１面側の加工を行うことが可能となる。また、第１の層は導電層の一部であるため、第１の層を別途形成する場合と比べて、工程を削減できるので生産性を向上することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記第１の層の材料のポアソン比は、前記基板のポアソン比および前記第２の層の材料のポアソン比よりも大きいことが好ましい。
【００１４】
本適用例の製造方法によれば、第１の層の材料のポアソン比が基板のポアソン比および第２の層の材料のポアソン比よりも大きいので、第１の層は、基板および第２の層と比べて、一つの方向に応力がかかって歪みが生じたとき、その方向と垂直な方向に生じる歪みが大きい。すなわち、第１の層は、基板および第２の層と比べて、応力がかかると断面の変形が起き易い。したがって、基板と第２の層との間に第１の層が介在することにより、第２の層にかかる応力を緩和することができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記第１の層は、シリコンからなることが好ましい。
【００１６】
本適用例の製造方法によれば、導電性を有し、基板および第２の層よりもポアソン比が大きいシリコンで第１の層が構成されるので、第１の層と導電層とを同一の材料で形成できる。また、シリコンを用いることで、第１の層を容易に基板の側端部まで成膜することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板は、上記適用例のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造されたことを特徴とする。
【００１８】
本適用例の構成によれば、第２の層を形成する工程において、第２の層に作用する曲げモーメントによる応力を第１の層により緩和して、第２の層にクラックが生じることを抑えることができるので、製造工程における歩留まりが向上する。これにより、コスト競争力に優れたマイクロレンズアレイ基板を提供できる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る電気光学装置は、第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置された電気光学層と、を備え、前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方に、上記適用例のマイクロレンズアレイ基板を備えていることを特徴とする。
【００２０】
本適用例の構成によれば、コスト競争力に優れた電気光学装置を提供できる。
【００２１】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２２】
本適用例の構成によれば、コスト競争力に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図４】第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を説明する図。
【図５】第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を説明する図。
【図６】第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を説明する図。
【図７】第２の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図８】第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を説明する図。
【図９】第３の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。
【図１０】変形例に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す部分断面図。
【図１１】従来のマイクロレンズアレイ基板の構成の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大、縮小、あるいは誇張して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００２５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２６】
（第１の実施形態）
＜電気光学装置＞
ここでは、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２７】
まず、第１の実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置について、図１、図２、および図３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【００２８】
図１および図３に示すように、第１の実施形態に係る液晶装置１は、第１の基板としての素子基板２０と、素子基板２０に対向配置された第２の基板としての対向基板３０と、シール材４２と、電気光学層としての液晶層４０とを備えている。図１に示すように、素子基板２０および対向基板３０は、平面視で略矩形である。素子基板２０は対向基板３０よりも大きく、両基板は、対向基板３０の縁部に沿って額縁状に配置されたシール材４２を介して接合されている。
【００２９】
液晶層４０は、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とによって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３０】
額縁状に配置されたシール材４２の内側には、素子基板２０に設けられた遮光層２２，２６と、対向基板３０に設けられた遮光層３２とが配置されている。遮光層２２，２６，３２は、額縁状の周縁部を有し、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで形成されている。額縁状の遮光層２２，２６，３２の内側は、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅとなっている。画素Ｐは、例えば、略矩形状を有し、マトリックス状に配列されている。
【００３１】
表示領域Ｅは、液晶装置１において、実質的に表示に寄与する領域である。素子基板２０に設けられた遮光層２２，２６は、表示領域Ｅにおいて、複数の画素Ｐを平面的に区画するように、例えば格子状に設けられている。なお、液晶装置１は、表示領域Ｅの周囲を囲むように設けられた、実質的に表示に寄与しないダミー領域を備えていてもよい。
【００３２】
素子基板２０の第１辺に沿って形成されたシール材４２の表示領域Ｅと反対側には、第１辺に沿ってデータ線駆動回路５１および複数の外部接続端子５４が設けられている。また、その第１辺に対向する他の第２辺に沿ったシール材４２の表示領域Ｅ側には、検査回路５３が設けられている。さらに、これらの２辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿ったシール材４２の内側には、走査線駆動回路５２が設けられている。
【００３３】
検査回路５３が設けられた第２辺のシール材４２の表示領域Ｅ側には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、複数の外部接続端子５４に接続されている。また、対向基板３０の角部には、素子基板２０と対向基板３０との間で電気的導通をとるための上下導通部５６が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３４】
以下の説明では、データ線駆動回路５１が設けられた第１辺に沿った方向をＸ方向とし、この第１辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿った方向をＹ方向とする。Ｘ方向は、図１のＡ−Ａ’線に沿った方向である。画素Ｐは、遮光層２２，２６，３２によって格子状に区画され、Ｘ方向とＹ方向とに沿ったマトリックス状に配列されている。遮光層２２，２６，３２は、Ｘ方向とＹ方向とに沿った格子状または島状に設けられている。
【００３５】
また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し図１における上方に向かう方向をＺ方向とする。なお、本明細書では、液晶装置１の対向基板３０側表面の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。
【００３６】
図２に示すように、表示領域Ｅには、走査線２とデータ線３とが互いに交差するように形成され、走査線２とデータ線３との交差に対応して画素Ｐが設けられている。画素Ｐのそれぞれには、画素電極２８と、スイッチング素子としてのＴＦＴ２４とが設けられている。
【００３７】
ＴＦＴ２４のソース電極（図示しない）は、データ線駆動回路５１から延在するデータ線３に電気的に接続されている。データ線３には、データ線駆動回路５１（図１参照）から画像信号（データ信号）Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のゲート電極（図示しない）は、走査線駆動回路５２から延在する走査線２の一部である。走査線２には、走査線駆動回路５２から走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のドレイン電極（図示しない）は、画素電極２８に電気的に接続されている。
【００３８】
画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、ＴＦＴ２４を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線３を介して画素電極２８に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極２８を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板３０に設けられた共通電極３４（図３参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。
【００３９】
なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するため、走査線２に沿って形成された容量線４と画素電極２８との間に蓄積容量５が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素Ｐの液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶層４０（図３参照）に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００４０】
液晶層４０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。
【００４１】
図３に示すように、対向基板３０は、マイクロレンズアレイ基板１０と、光路長調整層３１と、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。
【００４２】
マイクロレンズアレイ基板１０は、基板１１と、レンズ層１３とを備えている。基板１１は、例えば、ガラスや石英などの光透過性を有する無機材料からなる。基板１１の液晶層４０側の面を、第１面としての面１１ｂとする。基板１１の液晶層４０とは反対側の面を、第２面としての面１１ａとする。基板１１は、面１１ｂ側に形成された複数の凹部１２を有している。各凹部１２は、画素Ｐに対応して設けられている。
【００４３】
レンズ層１３は、基板１１の面１１ｂ側を覆うように設けられている。レンズ層１３は、凹部１２の深さよりも厚く形成されており、複数の凹部１２を埋め込むように形成されている。レンズ層１３は、光透過性を有し、基板１１とは異なる屈折率を有する材料からなる。より具体的には、レンズ層１３は、基板１１よりも光屈折率の高い無機材料からなる。このような無機材料としては、例えばＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。
【００４４】
レンズ層１３を形成する材料で凹部１２を埋め込むことにより、凸状のマイクロレンズＭＬが構成される。したがって、各マイクロレンズＭＬは、画素Ｐに対応して設けられている。また、複数のマイクロレンズＭＬによりマイクロレンズアレイＭＬＡが構成される。マイクロレンズアレイ基板１０の表面、すなわちレンズ層１３の表面は、略平坦な面となっている。
【００４５】
光路長調整層３１は、マイクロレンズアレイ基板１０（レンズ層１３）を覆うように設けられている。光路長調整層３１は、光透過性を有し、例えば、基板１１とほぼ同じ屈折率を有する無機材料からなる。光路長調整層３１は、マイクロレンズＭＬから遮光層３２までの距離を所望の値に合わせる機能を有する。したがって、光路長調整層３１の層厚は、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬの焦点距離などの光学条件に基づいて適宜設定される。
【００４６】
遮光層３２は、光路長調整層３１上に設けられている。遮光層３２は、素子基板２０の遮光層２２および遮光層２６に平面視で重なるように、格子状または島状に形成されている。図３は、遮光層３２が格子状に形成されており、開口部３２ａを有する場合を示している。この場合、遮光層３２の開口部３２ａ内が、光が透過する領域となる。
【００４７】
保護層３３は、光路長調整層３１と遮光層３２とを覆うように設けられている。共通電極３４は、保護層３３を覆うように設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成されている。共通電極３４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜３５は、共通電極３４を覆うように設けられている。
【００４８】
なお、保護層３３は、遮光層３２を覆って共通電極３４が形成される液晶層４０側の表面を平坦化するためのものである。例えば、導電性の遮光層３２を直接覆うように共通電極３４を形成する構成としてもよく、その場合は保護層３３を省略してもよい。
【００４９】
素子基板２０は、基板２１と、遮光層２２と、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光層２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを備えている。基板２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる。
【００５０】
遮光層２２は、基板２１上に設けられている。遮光層２２は、上層の遮光層２６とともに、遮光層３２と平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層２２および遮光層２６は、素子基板２０の厚さ方向（Ｚ方向）において、ＴＦＴ２４を間に挟むように配置されている。遮光層２２は、ＴＦＴ２４の少なくともチャネル領域と平面視で重なっている。
【００５１】
遮光層２２および遮光層２６が設けられていることにより、ＴＦＴ２４への光の入射が抑制される。遮光層２２に囲まれた領域（開口部２２ａ内）、および、遮光層２６に囲まれた領域（開口部２６ａ内）は、平面視で互いに重なっており光が透過する領域となる。
【００５２】
絶縁層２３は、基板２１と遮光層２２とを覆うように設けられている。絶縁層２３は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。
【００５３】
ＴＦＴ２４は、絶縁層２３上に設けられている。ＴＦＴ２４は、画素電極２８を駆動するスイッチング素子である。ＴＦＴ２４は、図示しない半導体層、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極で構成されている。半導体層には、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、又は、チャネル領域とドレイン領域との界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００５４】
ゲート電極は、素子基板２０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ２４をオン／オフ制御している。
【００５５】
絶縁層２５は、絶縁層２３とＴＦＴ２４とを覆うように設けられている。絶縁層２５は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。絶縁層２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層２５により、ＴＦＴ２４によって生じる表面の凹凸が緩和される。絶縁層２５上には、遮光層２６が設けられている。そして、絶縁層２５と遮光層２６とを覆うように、無機材料からなる絶縁層２７が設けられている。
【００５６】
画素電極２８は、絶縁層２７上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２８は、遮光層２２の開口部２２ａおよび遮光層２６の開口部２６ａに平面視で重なる領域に配置されている。画素電極２８は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜２９は、画素電極２８を覆うように設けられている。液晶層４０は、素子基板２０側の配向膜２９と対向基板３０側の配向膜３５との間に挟持されている。
【００５７】
なお、ＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４に電気信号を供給する電極や配線など（図示しない）とは、平面視で遮光層２２および遮光層２６に重なる領域に設けられている。これらの電極や配線などが遮光層２２や遮光層２６を兼ねる構成であってもよい。
【００５８】
第１の実施形態に係る液晶装置１では、例えば、光源などから発せられた光は、マイクロレンズＭＬを備える対向基板３０（基板１１）側から入射し、マイクロレンズＭＬによって集光される。基板１１側から面１１ａの法線方向に沿ってマイクロレンズＭＬに入射する光のうち、画素Ｐの領域の平面的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬをそのまま直進し、液晶層４０を通過して素子基板２０側に射出される。
【００５９】
入射光Ｌ１よりも外側の平面視で遮光層３２（または遮光層２６）と重なる領域からマイクロレンズＭＬの周縁部に入射した入射光Ｌ２は、仮にそのまま直進した場合、破線で示すように遮光層３２（または遮光層２６）で遮光されてしまうが、基板１１とレンズ層１３との間の光屈折率の差により、画素Ｐの領域の平面的な中心側へ屈折する。
【００６０】
液晶装置１では、このように直進した場合に遮光層３２（または遮光層２６）で遮光されてしまう入射光Ｌ２も、マイクロレンズＭＬの作用により開口部３２ａ内（または開口部２６ａ内）に入射させて液晶層４０を通過させることができる。この結果、素子基板２０側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。
【００６１】
＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を説明する。図４、図５、および図６は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を説明する図である。詳しくは、図４（ａ）は大型のマイクロレンズアレイ基板の概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＣ部のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。図５および図６の各図は、図４（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図に相当する。
【００６２】
図４（ａ）は、マイクロレンズアレイ基板１０を複数枚取りできる大型のマイクロレンズアレイ基板６０を、図３における液晶層４０側の方向から見た平面図である。マイクロレンズアレイ基板１０の製造工程では、大型のマイクロレンズアレイ基板６０の状態で加工が行われ、最終的にマイクロレンズアレイ基板６０を切断して個片化することにより、複数のマイクロレンズアレイ基板１０が得られる。
【００６３】
図４（ａ）に示すように、マイクロレンズアレイ基板６０の基材は、平面視で略円形のウェハ状の基板１４からなる。マイクロレンズアレイ基板１０の基板１１（図３参照）は、基板１４がマイクロレンズアレイ基板１０毎に個片化されたものである。マイクロレンズアレイ基板６０は、複数のマイクロレンズアレイ基板１０が形成される第１領域Ｆと、第１領域Ｆの外側に第１領域Ｆを囲むように配置された第２領域Ｇとを有している。第１領域Ｆには、マイクロレンズアレイ基板１０毎にマイクロレンズアレイＭＬＡ（図３参照）が設けられる。
【００６４】
図４（ａ）および（ｂ）では、基板１４上に、後述する第２の層としてのレンズ材料層１３ａが形成された状態（図６（ｂ）参照）を示している。図４（ｂ）は、図３に対して上下（Ｚ方向）が反転している。図４（ｂ）に示すように、基板１４は、基板１１の面１１ｂに対応する第１面としての面１４ｂと、基板１１の面１１ａに対応する第２面としての面１４ａとを有する。
【００６５】
マイクロレンズアレイ基板６０において、基板１４の面１４ｂの外周端部と面１４ａの外周端部との間の部分を側端部Ｈという。側端部Ｈにおいて、基板１４の面１４ｂと側面１４ｃとの角部および面１４ａと側面１４ｃとの角部は、基板１４の外周に沿って面取りされており、面１４ｂと側面１４ｃとの間、および面１４ａと側面１４ｃとの間に斜面１４ｄが設けられている。
【００６６】
基板１４の面１４ｂの第２領域Ｇには、導電層１５が設けられている。導電層１５は、面１４ｂにおける第２領域Ｇ全体を覆うように設けられていてもよい。また、導電層１５は、面１４ａにおいて第１領域Ｆと第２領域Ｇとに亘って設けられている。さらに、導電層１５は、側端部Ｈ（面１４ａと側面１４ｃとの間の斜面１４ｄ、側面１４ｃ、および側面１４ｃと面１４ｂとの間の斜面１４ｄ）にも設けられていることが好ましい。換言すれば、導電層１５は、基板１４の面１４ｂに少なくとも第１領域Ｆを含む大きさの開口部１５ａを有し、基板１４の開口部１５ａ以外の部分を覆うように設けられていることが好ましい。
【００６７】
導電層１５は、マイクロレンズアレイ基板６０の製造工程において、基板１４の面１４ａ側を静電チャック（静電吸着）により固定するための機能と、レンズ材料層１３ａに生じる応力を緩和する機能とを兼ね備えている。換言すれば、導電層１５のうち、面１４ａ側に設けられた部分は静電吸着層であり、面１４ｂ側に設けられた部分が本発明の第１の層としての応力緩和層である。図４（ｂ）に示すように、導電層１５が側端部Ｈにも設けられている場合は、導電層１５のこの部分も応力緩和層としての役割を担う。
【００６８】
導電層１５は、導電性を有するとともに、基板１４のポアソン比およびレンズ材料層１３ａのポアソン比よりも大きいポアソン比を有する材料からなる。このような導電層１５の材料として、例えば、シリコンを用いることができる。導電層１５の材料は、アルミニウムなどの金属であってもよい。導電層１５の膜厚は、例えば、３５０ｎｍ〜２０００ｎｍ程度である。導電層１５のＸ方向における幅（側端部Ｈ側から開口部１５ａまでの距離）は、例えば、３ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
【００６９】
レンズ材料層１３ａは、基板１４の面１４ｂの第１領域Ｆと第２領域Ｇとに亘って設けられている。レンズ材料層１３ａの周縁部と基板１４との間には、導電層１５が配置されている。レンズ材料層１３ａは、その周縁部が側端部Ｈ、すなわち、基板１４の面１４ｂから斜面１４ｄおよび側面１４ｃに到達する範囲まで設けられていてもよい。なお、後述するが、レンズ材料層１３ａの上面を研磨して平坦化することにより、レンズ層１３が形成される。
【００７０】
続いて、マイクロレンズアレイ基板６０（マイクロレンズアレイ基板１０）を製造する工程を図５および図６を参照して説明する。なお、図５および図６の各図に示す第１領域Ｆの部分は、１つのマイクロレンズアレイ基板１０のうちのマイクロレンズＭＬが形成される部分である。
【００７１】
まず、図５（ａ）に示すように、石英などからなる光透過性を有する基板１４の表面、すなわち、面１４ａおよび面１４ｂにおける第１領域Ｆおよび第２領域Ｇとを覆うように、導電層１５を形成する。基板１４の面１４ａ側に導電層１５を形成することにより、以降の工程で基板１４の面１４ａ側を静電チャック（静電吸着）により固定して、面１４ｂ側の加工を行うことが可能となる。
【００７２】
導電層１５の材料として、例えば、シリコンを用いることができる。導電層１５を形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いることができる。ＣＶＤ法を用いることで、導電層１５となるシリコン膜を容易に側端部Ｈ（面１４ａと側面１４ｃとの間の斜面１４ｄ、側面１４ｃ、および側面１４ｃと面１４ｂとの間の斜面１４ｄ）にも成膜することができる。
【００７３】
次に、図５（ｂ）に示すように、導電層１５のうち基板１４の面１４ｂ側において、少なくとも第１領域Ｆを覆う部分を除去し、それ以外の部分を残す。これにより、導電層１５に、少なくとも第１領域Ｆを含む大きさの開口部１５ａが形成される。開口部１５ａ内には、基板１４の面１４ｂが露出する。
【００７４】
導電層１５を部分的に除去する方法としては、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などのドライエッチングを用いることができる。ＲＩＥは、ＲＩＥ装置内でプラズマから生成されたイオンを加速して被エッチング物に衝撃させるものであり、基板１４を支持するステージを介して基板１４にバイアスを印加することで、導電層１５のうち平面視でステージと重なる部分を除去できる。導電層１５を部分的に除去する方法として、ウエットエッチングを用いることも可能である。
【００７５】
なお、図示を省略するが、各マイクロレンズアレイ基板１０にはアライメントマークが設けられている。このアライメントマークは、各マイクロレンズアレイ基板１０の４隅などに配置され、例えば遮光層３２のフォトリソグラフィ法によるパターニングで用いるマスクなどとの位置合わせを行うためのものである。本実施形態では、アライメントマークは、導電層１５として基板１４（基板１１）の面１４ｂ（面１１ｂ）側に成膜されたシリコン膜のうち、アライメントマーク以外の部分をドライエッチングにより除去して形成される。
【００７６】
したがって、図５（ｂ）に示す工程では、基板１４の面１４ｂ側に成膜されたシリコン膜のうち、第１領域Ｆ内においてマイクロレンズアレイ基板１０毎にアライメントマーク以外の部分を除去することによりアライメントマークを形成し、かつ、第２領域Ｇに成膜された部分を残すことにより第１の層としての応力緩和層となる導電層１５を形成することができる。すなわち、静電吸着層と応力緩和層とアライメントマークとを同一の工程で形成することができる。
【００７７】
次に、図５（ｃ）に示すように、基板１４の面１４ｂ側を覆うようにマスク層７１を形成する。そして、マスク層７１をパターニングして、マスク層７１のうち第１領域Ｆ内の部分に複数の開口部７１ａを形成する。開口部７１ａは、マイクロレンズアレイ基板１０毎に、後の工程で得られるマイクロレンズＭＬ（凹部１２）の平面的な中心位置、すなわち、画素Ｐの領域（図３参照）の平面的な中心位置に対応して設けられる。これにより、開口部７１ａ内に基板１４の面１４ｂが露出する。
【００７８】
次に、図５（ｄ）に示すように、マスク層７１の開口部７１ａを介して基板１４に等方性エッチング処理を施すことにより、基板１４の第１領域Ｆ内の部分に複数の凹部１２を形成する。等方性エッチング処理としては、例えばフッ酸溶液などのエッチング液を用いたウエットエッチングを用いることができる。
【００７９】
この等方性エッチング処理により、基板１４の面１４ｂ側から複数の開口部７１ａのそれぞれを中心として等方的にエッチングされ、断面視で略半球状の領域が除去されて、複数の凹部１２が形成される。凹部１２の断面形状は、球面状に限定されるものではなく、底部に略平坦な部分や、周縁部にテーパー状の部分を含む形状などであってもよい。
【００８０】
なお、マスク層７１を形成する前に、基板１４上に等方性エッチングにおけるエッチングレートが基板１４と異なるＳｉＯ2などの酸化膜を形成してもよい。このようにすることで、凹部１２を形成する際の深さ方向（Ｚ方向）のエッチングレートに対する幅方向（Ｗ方向）のエッチングレートを適宜調整して、所望の凹部１２の断面形状を得ることができる。等方性エッチング処理が終了したら、図６（ａ）に示すように、基板１４からマスク層７１を除去する。
【００８１】
次に、図６（ｂ）に示すように、基板１４の面１４ｂ側の第１領域Ｆおよび第２領域Ｇにレンズ層１３の材料を配置して、複数の凹部１２を埋め込むとともに平面視で導電層１５と重なるように、レンズ材料層１３ａを形成する。レンズ層１３の材料としては、光透過性を有し、基板１４よりも高い屈折率を有する無機材料である酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）などが用いられる。レンズ材料層１３ａは、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成できる。
【００８２】
レンズ材料層１３ａは、凹部１２の深さよりも厚く形成される。第１領域Ｆに形成されたレンズ材料層１３ａの上面は、凹部１２と凹部１２同士の境界部や凹部１２が形成されていない部分との段差が反映された凹凸形状となる。レンズ材料層１３ａは、第２領域Ｇにおいては導電層１５を覆うように形成される。レンズ材料層１３ａは、側端部Ｈまで形成されていてもよい。
【００８３】
次に、図６（ｂ）に示すレンズ材料層１３ａに対して平坦化処理を施す。平坦化処理の方法として、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などが用いられ、レンズ材料層１３ａのうち上側の凹凸が形成された部分（図６（ｂ）に示す２点鎖線の上の部分）を研磨して除去し表面を平坦化する。平坦化処理の方法としては、エッチバック法を用いてもよい。
【００８４】
この結果、図６（ｃ）に示すように、レンズ材料層１３ａの上面が平坦化されてレンズ層１３が得られ、凹部１２を埋めるレンズ層１３によりマイクロレンズＭＬが構成される。これにより、マイクロレンズアレイ基板６０の第１領域Ｆに、マイクロレンズアレイＭＬＡを備えた複数のマイクロレンズアレイ基板１０（図４（ａ）参照）が形成される。
【００８５】
次に、図示を省略するが、基板１４の面１４ａを覆う導電層１５を除去した後、マイクロレンズアレイ基板６０のうち第１領域Ｆの部分をマイクロレンズアレイ基板１０毎に切断して個片化することにより、複数のマイクロレンズアレイ基板１０が得られる。なお、マイクロレンズアレイ基板１０が個片化された後は、マイクロレンズアレイ基板６０のうち第２領域Ｇの部分および側端部Ｈの部分は不要となる。
【００８６】
マイクロレンズアレイ基板１０を備えた対向基板３０を製造する場合は、図３に示すように、マイクロレンズアレイ基板１０上に、光路長調整層３１と、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを順に形成する。なお、遮光層３２は、光路長調整層３１を覆うように形成した遮光膜をパターニンして形成されるが、パターニングの際に上述のアライメントマークを基準としてマスクの位置合わせが行なわれる。
【００８７】
このように対向基板３０を製造する場合、切断する前のマイクロレンズアレイ基板６０の状態でマイクロレンズアレイ基板１０毎に上述の対向基板３０を構成する各層を形成し、最後に切断して個片化してもよい。また、この場合、基板１４の面１４ａ側を覆う導電層１５を、これらの層を形成した後に除去することとしてもよい。
【００８８】
ここで、基板１４の面１４ｂ側に設けられた導電層１５の応力緩和層としての効果を、従来の導電層１５が設けられていない場合と比較して説明する。図１１は、従来のマイクロレンズアレイ基板の構成の一例を示す図である。詳しくは、図１１（ａ）は従来のマイクロレンズアレイ基板の概略平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＣ部をＸ方向から見た側面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）のＣ部のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。
【００８９】
図１１（ａ）に示すように、従来のマイクロレンズアレイ基板６５は、本実施形態のマイクロレンズアレイ基板６０に対して、導電層１５が設けられていない点以外はほぼ同様の構成を有しているものとする。
【００９０】
図１１（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、従来のマイクロレンズアレイ基板６５では、レンズ材料層１３ａの周縁部にクラックＫが生じ易いという課題があった。クラックＫは、例えば、図６（ｂ）に示すレンズ材料層１３ａを形成する工程において、レンズ材料層１３ａに側端部Ｈ側から第２領域Ｇに向かって発生する。レンズ材料層１３ａの周縁部に発生したクラックＫが第１領域Ｆまで到達する場合もある。
【００９１】
クラックＫは、基板１４にレンズ材料層１３ａが積層された構成において、基板１４およびレンズ材料層１３ａの径方向（図１１（ｃ）におけるＸ方向）に曲げモーメントが作用することで、レンズ材料層１３ａの周縁部に応力がかかって発生すると考えられる。クラックＫは、基板１４の径が大きいほど発生し易く、また、レンズ材料層１３ａの厚さが厚いほど発生し易い。
【００９２】
図４（ｂ）に示すように、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板６０では、レンズ材料層１３ａの周縁部と基板１４との間に導電層１５が配置されている。石英からなる基板１４のポアソン比は０．１４〜０．１７程度であり、レンズ材料層１３ａのポアソン比も同程度である。これに対して、シリコンからなる導電層１５のポアソン比は、０．２６〜０．２８程度であり、基板１４のポアソン比およびレンズ材料層１３ａのポアソン比よりも大きい。
【００９３】
そのため、導電層１５は、基板１４およびレンズ材料層１３ａと比べて、一つの方向（例えば、Ｘ方向）に応力がかかって歪みが生じたとき、その方向と垂直な方向（例えば、Ｙ方向）に生じる歪みが大きい。すなわち、導電層１５は、基板１４およびレンズ材料層１３ａと比べて、応力がかかると断面の変形が起き易い。したがって、基板１４とレンズ材料層１３ａとの間に導電層１５が介在することにより、レンズ材料層１３ａにかかる応力が緩和されるので、レンズ材料層１３ａにクラックＫが生じることを抑えることができる。
【００９４】
また、導電層１５が側端部Ｈ（面１４ａと側面１４ｃとの間の斜面１４ｄ、側面１４ｃ、および側面１４ｃと面１４ｂとの間の斜面１４ｄ）にも設けられているので、レンズ材料層１３ａが側端部Ｈに回り込んで形成されても、レンズ材料層１３ａの周縁部と基板１４との間に導電層１５が介在する。これにより、曲げモーメントによる応力が集中し易いレンズ材料層１３ａの周縁部において、Ａ応力を導電層１５により緩和することができるので、レンズ材料層１３ａにクラックＫが生じることをより確実に抑えることができる。
【００９５】
導電層１５の応力緩和層としての効果は、導電層１５の膜厚が厚いほど大きく、導電層１５の幅（面積）が大きいほど大きい。なお、導電層１５の材料として、アルミニウムを用いることもできる。アルミニウムのポアソン比は０．３４５程度でありシリコンのポアソン比よりも高いが、シリコンはアルミニウムよりも耐熱性に優れる点で好ましい。
【００９６】
上述したように、本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法によれば、基板１４の面１４ｂ側に第１の層（応力緩和層）として機能する導電層１５を形成することで、基板１４上にレンズ材料層１３ａを形成する工程においてレンズ材料層１３ａにクラックが生じることを抑えることができる。これにより、マイクロレンズアレイ基板６０（マイクロレンズアレイ基板１０）の製造歩留まりが向上する。
【００９７】
また、第１の層（応力緩和層）は静電吸着層としての導電層１５の一部であり、導電層１５を形成する工程をアライメントマークを形成する工程と共通化できるので、第１の層を形成するための製造工程を追加する必要がない。したがって、コスト競争力に優れたマイクロレンズアレイ基板１０を提供することができる。
【００９８】
（第２の実施形態）
＜電気光学装置＞
次に、第２の実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置１Ａを説明する。第２の実施形態に係る液晶装置１Ａは、第１の実施形態に対して、基板１４（基板１１）の面１４ｂ（面１１ｂ）上に透光層１７が設けられている点、および、レンズ層１３上に遮光層３２が設けられている点以外はほぼ同様の構成を有している。図７は、第２の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００９９】
図７に示すように、第２の実施形態に係る液晶装置１Ａは、素子基板２０と対向基板３０Ａと液晶層４０とを備えている。対向基板３０Ａは、マイクロレンズアレイ基板１０Ａと、遮光層３２と、光路長調整層３１と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。
【０１００】
第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａは、基板１１と、透光層１７と、レンズ層１３とを備えている。透光層１７は、基板１１の面１１ｂ上に設けられている。透光層１７は、例えば、ＳｉＯ2などの透光性を有する酸化膜からなる。後述するが、透光層１７は、マイクロレンズアレイ基板１０Ａを製造する工程において、マスク層７１（図８（ｂ）参照）を除去する際に導電層１５を保護する保護膜としての機能を有する。
【０１０１】
凹部１２は、透光層１７が成膜された基板１１の面１１ｂ側をエッチング処理することにより形成される。そのため、透光層１７は、隣り合う凹部１２同士の間、および凹部１２が設けられていない部分に配置されている。レンズ層１３は、複数の凹部１２を埋め込むとともに、透光層１７を覆うように設けられている。
【０１０２】
遮光層３２は、レンズ層１３上に設けられている。光路長調整層３１は、レンズ層１３と遮光層３２とを覆うように設けられている。第２の実施形態に係る対向基板３０Ａでは、光路長調整層３１が遮光層３２を覆って共通電極３４が形成される液晶層４０側の表面を平坦化する役割を兼ねるので、第１の実施形態の保護層３３（図３参照）を省略できる。
【０１０３】
＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
次に、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を説明する。図８は、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を説明する図である。第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、第１の実施形態に対して、マスク層７１を形成する前に導電層１５上に透光層１７を形成する工程を有している点以外はほぼ同様の工程を有している。
【０１０４】
第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法では、図５（ｂ）に示す導電層１５を部分的に除去して開口部１５ａを形成した後、図８（ａ）に示すように、基板１４（基板１１）の面１４ｂ（１１ｂ）と導電層１５とを覆うように透光層１７を形成する。この工程では、透光層１７となる透光性を有する酸化膜を、例えばＳｉＯ2などの材料で成膜した後、この酸化膜に対して所定の温度でアニールを行うことにより、透光層１７が形成される。
【０１０５】
次に、図８（ｂ）に示すように、透光層１７を覆うようにマスク層７１を形成し、マスク層７１をパターニングして複数の開口部７１ａを形成する。これにより、開口部７１ａ内に透光層１７が露出する。
【０１０６】
次に、図８（ｃ）に示すように、マスク層７１の開口部７１ａを介して透光層１７および基板１４に等方性エッチング処理を施すことにより、複数の凹部１２を形成する。この工程では、第１領域Ｆにおいて、透光層１７も基板１４とともにエッチングされるため、図８（ｂ）で形成された透光層１７のうち、凹部１２が形成されない部分が残る。
【０１０７】
次に、図８（ｄ）に示すように、基板１４からマスク層７１を除去する。この工程では、第２領域Ｇにおいて、導電層１５を覆う透光層１７が導電層１５の保護膜として機能する。例えば、第１の実施形態のように導電層１５上にマスク層７１を形成する場合、マスク層７１を除去する際に導電層１５が損傷を受けることや、マスク層７１と一緒に導電層１５も除去されてしまうことがある。第２の実施形態では、このような場合でも、導電層１５を透光層１７で覆うことにより保護することができる。
【０１０８】
続いて、第１の実施形態と同様に、図６（ｂ）以降の工程が行われ、マイクロレンズアレイ基板６０（図４（ａ）参照）の第１領域Ｆに、複数のマイクロレンズアレイ基板１０Ａ（図７参照）が形成される。なお、図示を省略するが、マイクロレンズアレイ基板１０Ａを備えた対向基板３０Ａを製造する場合、遮光層３２をレンズ層１３上に形成し、遮光層３２およびレンズ層１３上に光路長調整層３１を形成する。
【０１０９】
（第３の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第３の実施形態に係る電子機器について図９を参照して説明する。図９は、第３の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。
【０１１０】
図９に示すように、第３の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクター（投射型表示装置）１００は、偏光照明装置１１０と、２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、クロスダイクロイックプリズム１１６と、投射レンズ１１７とを備えている。
【０１１１】
偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌｘに沿って配置されている。
【０１１２】
ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１１３】
ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。
【０１１４】
光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて射出される。
【０１１５】
クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１１７によってスクリーン１３０上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１１６】
液晶ライトバルブ１２１は、上述した実施形態のマイクロレンズアレイ基板１０を備える液晶装置１、またはマイクロレンズアレイ基板１０Ａを備える液晶装置１Ａが適用されたものである。液晶ライトバルブ１２１は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２，１２３も同様である。
【０１１７】
第３の実施形態に係るプロジェクター１００の構成によれば、複数の画素Ｐが高精細に配置されていても、明るい表示を得ることができる液晶装置１または液晶装置１Ａを備えているので、品質が高く明るいプロジェクター１００を提供することができる。
【０１１８】
上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形および応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。
【０１１９】
（変形例１）
上記の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板６０では、側端部Ｈにおいて、基板１４の側面１４ｃと面１４ｂとの間、および側面１４ｃと面１４ａとの間に斜面１４ｄが設けられた構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。図１０（ａ），（ｂ）は、変形例１に係るマイクロレンズアレイ基板の構成を示す部分断面図である。上記実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１２０】
図１０（ａ）に示すマイクロレンズアレイ基板６１のように、基板１４の側面１４ｃと面１４ｂとの間、および側面１４ｃと面１４ａとの間に曲面１４ｅが設けられた構成を有していてもよい。また、図１０（ｂ）に示すマイクロレンズアレイ基板６２のように、基板１４の側面１４ｃと面１４ｂとの間、および側面１４ｃと面１４ａとの間に、斜面１４ｄや曲面１４ｅが設けられていない構成を有していてもよい。このような基板１４の断面形状に関わらず、導電層１５を設けることでレンズ材料層１３ａにクラックＫが生じることを抑えることができる。
【０１２１】
（変形例２）
上記の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板６０では、導電層１５が基板１４の面１４ｂ側と面１４ａ側とに設けられ、導電層１５のうち面１４ａ側に設けられた部分が静電吸着層として機能する構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。静電吸着層を必要としない場合は、図１０（ｃ）に示すマイクロレンズアレイ基板６３のように、第１の層（応力緩和層）としての機能を有する導電層１６を、基板１４の面１４ｂ側のみに設ける構成としてもよい。この場合、導電層１６を側端部Ｈ（側面１４ｃおよび斜面１４ｄ）にも設けることが好ましい。
【０１２２】
（変形例３）
上述した液晶装置１，１Ａでは、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａを対向基板３０に備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、マイクロレンズアレイ基板１０を素子基板２０に備えた構成としてもよい。また、マイクロレンズアレイ基板１０を素子基板２０および対向基板３０の双方に備えた構成としてもよい。
【０１２３】
（変形例４）
上記の実施形態に係る液晶装置１，１Ａを適用可能な電子機器は、プロジェクター１００に限定されない。液晶装置１，１Ａは、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１２４】
１，１Ａ…液晶装置（電気光学装置）、１０，１０Ａ，６０，６１，６２，６３，６５…マイクロレンズアレイ基板、１１，１４…基板、１１ａ，１４ａ…面（第２面）、１１ｂ，１４ｂ…面（第１面）、１２…凹部、１３…レンズ層、１３ａ…レンズ材料層（第２の層）、１５，１６…導電層（第１の層）、２０…素子基板（第１の基板）、３０，３０Ａ…対向基板（第２の基板）、４０…液晶層（電気光学層）、１００…プロジェクター（電子機器）、Ｆ…第１領域、Ｇ…第２領域、Ｈ…側端部、ＭＬ…マイクロレンズ。
【図１】
2015087571.tif 000003
【図２】
2015087571.tif 000004
【図３】
2015087571.tif 000005
【図４】
2015087571.tif 000006
【図５】
2015087571.tif 000007
【図６】
2015087571.tif 000008
【図７】
2015087571.tif 000009
【図８】
2015087571.tif 000010
【図９】
2015087571.tif 000011
【図１０】
2015087571.tif 000012
【図１１】
2015087571.tif 000013