(57)【要約】【課題】温度変化による変形量が小さく、加熱を伴う加工後も圧電層と支持層とが高い接着強度を有する圧電基板の提供を目的とする。【解決手段】本発明の圧電基板は、圧電層と、この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層とを備え、上記接着剤層の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率が１％以下である。上記接着剤層が主成分としてエポキシ樹脂を含有するとよい。上記接着剤層を構成する接着剤の２５℃における粘度が５０ｃＰ以上４００ｃＰ以下であるとよい。上記圧電層及び支持層の接着直後の反りが２００μｍ以下であるとよい。上記圧電層の主成分がタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムであるとよい。上記支持層の主成分がサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンであるとよい。【選択図】図１
2015005931.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電層と、
この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層と
を備え、
上記接着剤層の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率が１％以下である圧電基板。
【請求項２】
上記接着剤層が主成分としてエポキシ樹脂を含有する請求項１に記載の圧電基板。
【請求項３】
上記接着剤層を構成する接着剤の２５℃における粘度が５０ｃＰ以上４００ｃＰ以下である請求項１又は請求項２に記載の圧電基板。
【請求項４】
上記圧電層及び支持層の接着直後の反りが２００μｍ以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載の圧電基板。
【請求項５】
上記圧電層の主成分がタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムである請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の圧電基板。
【請求項６】
上記支持層の主成分がサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンである請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の圧電基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の圧電基板を用いた弾性表面波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板及び弾性表面波素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の通信端末や、基地局等で用いられる通信機器には、任意の周波数の電気信号を取り出すために弾性表面波を利用したフィルタ（ＳＡＷフィルタ）が一般に備えられる。このＳＡＷフィルタは、圧電基板の表面に櫛型電極が配設されたもので、櫛形電極のピッチに応じた周波数の表面弾性波信号を受発信するものである。このＳＡＷフィルタに用いられる圧電基板が熱により膨張すると、櫛形電極のピッチが変化しフィルタの中心周波数が変化してしまうため、圧電基板には、電気信号から機械的振動への変換効率（電気機械結合係数）の高さに加えて温度変化による変形量の低さが求められる。
【０００３】
上記圧電基板の材料としては、一般にニオブ酸リチウム（ＬＮ）やタンタル酸リチウム（ＬＴ）に代表される高結合圧電単結晶が用いられる。これらの結晶は、選択周波数の帯域幅が大きくかつ電気信号の損失も少ないため、これらの結晶を用いることで高性能の圧電基板を得ることができる。
【０００４】
しかし、ＬＮやＬＴの単結晶板は劈開割れが生じやすいため、加工性が悪く、小さな応力や衝撃によっても破損するおそれがある。また、線膨張係数（熱膨張率）が比較的大きいため、温度変化によってＳＡＷフィルタの中心周波数が著しく変化する。さらには、結晶内の方位によって線膨張係数が異なるため、加熱により内部に応力歪みが生じて基板が割れるという不都合がある。
【０００５】
そこで、上記単結晶板（圧電層）にこの単結晶板よりも線膨張係数の小さい支持板（支持層）を張り合わせることで、圧電層の温度変化による変形を抑えてフィルタ中心周波数の変化（周波数温度係数の絶対値）の低減及び割れ防止を図った圧電基板が提案されている（特開平０２−６２１０８号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０２−６２１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のような圧電基板は、弾性表面波素子に加工する際の金属膜形成工程や無機絶縁保護膜形成工程等において、例えば約１２０℃で１時間程度加熱される。しかし、従来の圧電基板では、接着剤の耐熱性について十分考慮されているとは言い難く、この加熱によって圧電層と支持層とを接着する接着剤の一部の成分が揮発し、接着強度が低下するおそれがあった。
【０００８】
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、温度変化による変形量が小さく、加熱を伴う加工後も圧電層と支持層とが高い接着強度を有する圧電基板及びこの圧電基板を用いた弾性表面波素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明者らは、加熱時の質量減少率の小さい接着剤を用いることで、圧電層と支持層との接着強度の低下を抑制できることを見出した。
【００１０】
すなわち、上記課題を解決するためになされた発明は、
圧電層と、
この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層と
を備え、
上記接着剤層の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率が１％以下である圧電基板である。
【００１１】
また、上記課題を解決するためになされた別の発明は、
当該圧電基板を用いた弾性表面波素子である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の圧電基板及びこの圧電基板を用いた弾性表面波素子は、温度変化による変形量が小さい。また、本発明の圧電基板及びこの圧電基板を用いた弾性表面波素子は、加熱時の接着剤の減少量を低減できるため、圧電層と支持層とが高い接着強度を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態の圧電基板を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［本発明の実施形態の説明］
本発明は、
圧電層と、
この圧電層の裏面に接着剤層を介して積層され、上記圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層と
を備え、
上記接着剤層の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率が１％以下である圧電基板である。
【００１５】
当該圧電基板は、圧電層よりも線膨張係数が小さい支持層を備えるため、温度変化による変形量が小さい。また当該圧電基板は、接着剤層の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率を上記上限以下とすることで、圧電基板に加熱を伴う加工を施した際に接着剤の物量減少が抑制されると共に、この物量減少に伴う接着剤層の厚さのバラツキの発生も抑制される。その結果、接着剤層の接着強度の低下が防止されるため、当該圧電基板は１２０℃前後の加熱を要する加工を経ても圧電層及び支持層間の接着強度を高く維持することができる。
【００１６】
上記接着剤層の主成分としてはエポキシ樹脂が好ましい。このようにエポキシ樹脂を接着剤に用いることで、当該圧電基板の耐熱性、耐久性等をより向上させることができる。
【００１７】
上記接着剤層を構成する接着剤の２５℃における粘度としては５０ｃＰ以上４００ｃＰ以下が好ましい。このように接着剤層を構成する接着剤の２５℃における粘度を上記範囲内とすることで、圧電層及び支持層間の接着剤層の厚さを容易に均一化することができ、接着強度をさらに高めることができる。さらにこのように接着剤層の厚さを均一化することで、接着剤層の質量が加熱によって減少しても厚さのバラツキの度合いを小さく抑えることができる。その結果、上述の質量減少の低減効果と相まって、当該圧電基板を加熱後の圧電層と支持層との接着強度をより高く維持することができる。
【００１８】
上記圧電層及び支持層の接着直後の反りとしては２００μｍ以下が好ましい。このように圧電層及び支持層の接着直後の反りを上記上限以下とすることで、圧電層と支持層との接着強度を高めると共に、当該圧電基板の平坦性を確保することができ、当該圧電基板の品質をさらに向上させることができる。
【００１９】
上記圧電層の主成分としてはタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムが好ましい。このようにタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムを圧電層に用いることで、圧電層の電気機械結合係数を高め、当該圧電基板の周波数フィルタ特性を向上させることができる。
【００２０】
上記支持層の主成分としてはサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンが好ましい。このようにサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンを支持層に用いることで、当該圧電基板の温度変化による変形及び機械的強度をより改善することができる。
【００２１】
従って、当該圧電基板を用いた弾性表面波素子は、温度変化による変形量が小さく、加熱を伴う加工を経ても圧電層と支持層とが高い接着強度を有するため、高い信頼性を備える。
【００２２】
ここで、「粘度」とは、ＪＩＳ−Ｋ６８３３−１（２００８）に準拠して測定される値である。「反り」とは、圧電層と支持層との積層体を反り方向が上方となるよう水平面に静置した際の水平面からこの積層体の最上点までの距離を意味する。「接着直後」とは、圧電層と支持層とを接着した後、これらの積層体に研削等の加工を行う前の状態を意味する。
【００２３】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明に係る圧電基板の各実施形態について図面を参照しつつ詳説する。
【００２４】
図１の圧電基板１は、圧電層２と、この圧電層２の裏面側に積層され、上記圧電層２よりも線膨張係数が小さい支持層３と、圧電層２と支持層３との間に配設される接着剤層４とを備えている。
【００２５】
＜圧電層＞
圧電層２は、電気信号を機械的振動へ変換する圧電効果を奏する層である。圧電層２の主成分としては、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウム等を用いることができる。これらの中でも、電気機械結合係数に優れるタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムが好ましい。圧電層２は、例えばチョクラルスキー法で上記成分の単結晶棒を生成し、これをスライスすることで得ることができる。なお、基板方位（カット角度）としては、例えば３６°〜５０°とすることができ、ＳＡＷフィルタの用途等に応じて適宜選択することができる。
【００２６】
圧電層２の平均厚さの下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましく、２０μｍがさらに好ましい。圧電層２の平均厚さが上記下限未満の場合、弾性表面波の伝搬ロスが大きくなるおそれや、圧電層２の加工等が困難になるおそれがある。一方、圧電層２の平均厚さの上限としては、５０μｍが好ましく、４０μｍがより好ましく、３０μｍがさらに好ましい。圧電層２の平均厚さが上記上限を超える場合、圧電層２の温度変化による膨張又は収縮が大きくなるおそれや、当該圧電基板１が不要に厚くなるおそれがある。
【００２７】
圧電層２裏面の算術平均粗さ（Ｒａ）の上限としては、１μｍが好ましく、０．８μｍがより好ましい。圧電層２裏面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記上限を超える場合、接着剤層４の厚さのバラツキが大きくなり、接着強度が低下するおそれがある。一方、圧電層２裏面の算術平均粗さ（Ｒａ）の下限としては、０．０５μｍが好ましい。圧電層２裏面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記下限未満の場合、バルク波が圧電層２と支持層３との間で反射し易くなってスプリアス応答が増加するおそれや、接着剤層４と圧電層２との接着面積や接着剤のアンカー効果が低減し圧電層２と接着剤層４との接着強度が低下するおそれがある。
【００２８】
なお圧電層２は、上記主成分以外の成分を含んでいてもよく、例えば金属等の元素を添加してもよい。金属元素を添加することで圧電層２の機械的強度や耐熱性等を改善することができる。
【００２９】
＜支持層＞
支持層３は、当該圧電基板１の強度を高めると共に、温度変化による変形を抑えるための支持基材である。支持層３の主成分としては、圧電層２よりも線膨張係数が小さい単結晶やセラミックスを用いることができ、例えばサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル（酸化アルミニウムと酸化マグネシウムの混合焼結体）、シリコン、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、コージェライト、チタン酸アルミニウム、ムライト等を挙げることができる。これらの中でも、線膨張係数が小さく、ヤング率及び硬度が高いサファイア、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、スピネル、ムライト又はシリコンが好ましく、機械的特性とコストや加工性とのバランスに優れたスピネルが特に好ましい。
【００３０】
支持層３の平均厚さの下限としては、１００μｍが好ましく、１５０μｍがより好ましく、２００μｍがさらに好ましい。支持層３の平均厚さが上記下限未満の場合、当該圧電基板１の温度変化による変形を十分に低減させることができないおそれがある。一方、支持層３の平均厚さの上限としては、５００μｍが好ましく、４００μｍがより好ましく、３００μｍがさらに好ましい。支持層３の平均厚さが上記上限を超える場合、バルク波が圧電層２と支持層３との境界で反射を起こしやすくなるおそれや、当該圧電基板１が不要に厚くなるおそれがある。
【００３１】
支持層３表面の算術平均粗さ（Ｒａ）の下限としては、０．０５μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。支持層３表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記下限未満の場合、バルク波が圧電層２と支持層３との間で反射し易くなってスプリアス応答が増加するおそれや、接着剤層４と支持層３との接着面積や接着剤のアンカー効果が低減し支持層３と接着剤層４との接着強度が低下するおそれがある。一方、支持層３表面の算術平均粗さ（Ｒａ）の上限としては、１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。支持層３表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が上記上限を超える場合、接着剤層４の厚さのバラツキが大きくなり、接着強度が低下するおそれがある。
【００３２】
支持層３の線膨張係数の上限としては、１６×１０−６／℃が好ましく、８×１０−６／℃がより好ましい。支持層３の線膨張係数が上記上限を超える場合、当該圧電基板１の温度変化による変形量を十分に低減させることができないおそれがある。一方、支持層３の線膨張係数の下限としては、１×１０−６／℃が好ましい。支持層３の線膨張係数が上記下限未満の場合、圧電層２との線膨張係数の差が大きくなって温度変化時に支持層３の歪みが大きくなるおそれがある。
【００３３】
また、支持層３と圧電層２との線膨張係数の差の下限としては、５×１０−６／℃が好ましく、７×１０−６／℃がより好ましい。支持層３と圧電層２との線膨張係数の差が上記下限未満の場合、当該圧電基板１の温度変化による変形量を十分に低減させることができないおそれがある。一方、支持層３と圧電層２との線膨張係数の差の上限としては、２０×１０−６／℃が好ましい。支持層３と圧電層２との線膨張係数の差が上記上限を超える場合、温度変化時に支持層３の歪みが大きくなるおそれがある。
【００３４】
支持層３のヤング率の下限としては、１００ＧＰａが好ましく、２００ＧＰａがより好ましい。支持層３のヤング率が上記下限未満の場合、支持層３が割れやすくなるおそれがある。一方、支持層３のヤング率の上限としては、５００ＧＰａが好ましく、４００ＧＰａがより好ましい。支持層３のヤング率が上記上限を超える場合、支持層３の加工が困難になるおそれがある。
【００３５】
支持層３のヌープ硬度の下限としては、１０００が好ましく、１２００がより好ましい。支持層３のヌープ硬度が上記下限未満の場合、支持層３が割れやすくなるおそれがある。一方、支持層３のヌープ硬度の上限としては、２５００が好ましく、１８００がより好ましい。支持層３のヌープ硬度が上記上限を超える場合、支持層３の加工が困難になるおそれがある。
【００３６】
＜接着剤層＞
接着剤層４は、圧電層２と支持層３とを接着する接着剤で構成される層である。この接着剤としては後述の質量減少率が一定値以下となるものであれば特に限定されず、公知の熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤等を用いることができる。接着剤層４には、耐熱性及び耐久性に優れたエポキシ樹脂を主成分とした接着剤を好適に用いることができる。特に、加熱の必要がなく製造コストを低減することができる室温硬化型又はＵＶ硬化型のエポキシ樹脂を接着剤層４に用いることが好ましい。
【００３７】
接着剤層４の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率の上限としては、１％であり、０．８％がより好ましく、０．５％がさらに好ましい。上記質量減少率が上記上限を超える場合、当該圧電基板１を加熱加工した際に接着剤の物量が低減し、さらには接着剤層４の厚さにバラツキが発生するため、接着強度が著しく低下して圧電層２と支持層３とが剥離するおそれがある。なお、接着剤層４の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率の下限は特に限定されないが、例えば０．０１％とすることができる。
【００３８】
接着剤層４を構成する接着剤の２５℃における粘度の上限としては、４００ｃＰが好ましく、３５０ｃＰがより好ましく、３００ｃＰがさらに好ましい。上記粘度が上記上限を超える場合、接着剤の取り扱いや、接着剤を圧電層２と支持層３との間に積層することが困難となるおそれがある。一方、接着剤層４を構成する接着剤の２５℃における粘度の下限としては、５０ｃＰが好ましく、６０ｃＰがより好ましく、７０ｃＰがさらに好ましい。上記粘度が上記下限未満の場合、接着剤を圧電層２と支持層３との間に均一な厚さで積層することが困難になるおそれがある。
【００３９】
接着剤層４の平均厚さの下限としては、１μｍが好ましく、１．２μｍがより好ましく、１．５μｍがさらに好ましい。接着剤層４の平均厚さが上記下限未満の場合、圧電層２と支持層３との接着強度が低下するおそれがある。一方、接着剤層４の平均厚さの上限としては、３μｍが好ましく、２．５μｍがより好ましく、２μｍがさらに好ましい。接着剤層４の平均厚さが上記上限を超える場合、支持層３による圧電層２の変形抑制効果が低下し、当該圧電基板１の温度変化による変形を十分に低減できないおそれや、不要に当該圧電基板１が厚くなるおそれがある。
【００４０】
接着剤層４の最大厚さと最小厚さとの差の上限としては、１μｍが好ましく、０．８μｍがより好ましく、０．６μｍがさらに好ましい。接着剤層４の最大厚さと最小厚さとの差が上記上限を超える場合、接着剤層４の接着力が不均一となって圧電層２と支持層３との接着強度が低下するおそれがある。なお、接着剤層４の最大厚さと最小厚さとの差の下限は０μｍである。
【００４１】
＜利点＞
当該圧電基板１は、圧電層２よりも線膨張係数が小さい支持層３を備えるため、温度変化による変形量が小さい。また当該圧電基板１は、接着剤層４の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率を一定値以下とすることで、当該圧電基板１に加熱を伴う加工を施した際に接着剤層４の物量減少が抑制されると共に、この物量減少に伴う接着剤層４の厚さのバラツキの発生も抑制される。その結果、接着剤層４の接着強度の低下が防止されるため、当該圧電基板１は１２０℃前後の加熱を要する加工を経ても圧電層２及び支持層３間の接着強度を高く維持することができる。
【００４２】
＜圧電基板の製造方法＞
当該圧電基板１は、例えば以下の工程を有する製造方法により容易かつ確実に製造することができる。
（１）圧電層２、接着剤層４及び支持層３をこの順に積層する工程
（２）接着剤層４を硬化させる工程
（３）圧電層２の表面を研削する工程
【００４３】
＜（１）積層工程＞
積層工程において、圧電層２と支持層３とを接着剤層４を介して積層する。接着剤層４は、圧電層２裏面又は支持層３表面に接着剤を塗工することで積層してもよいし、シート状に形成した接着剤を圧電層２と支持層３との間に配設してもよい。なお、圧電層２裏面及び支持層３表面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が上述した範囲内となるように研磨しておくことが好ましい。なお、密着性を向上させるために、圧電層２、接着剤層４及び支持層３を積層した後、真空下でこの積層体を加圧することが好ましい。
【００４４】
＜（２）接着剤層硬化工程＞
接着剤層硬化工程において、接着剤層４を硬化させて圧電層２と支持層３とを接着する。接着剤層４の硬化方法としては、例えば室温硬化型接着剤を用いる場合は室温条件下での一定時間静置、ＵＶ硬化型接着剤を用いる場合はＵＶ照射等が用いられる。
【００４５】
圧電層２及び支持層３の接着直後（圧電層の研削前）の当該圧電基板１の反りの上限としては、２００μｍが好ましく、１５０μｍがより好ましい。接着直後の当該圧電基板１の反りが上記上限を超える場合、この反りに伴うせん断力によって接着剤層４に亀裂等が発生し、圧電層２と支持層３との接着強度が低下するおそれや、当該圧電基板１の平坦性が低下するおそれがある。
【００４６】
＜（３）圧電層表面研削工程＞
圧電層表面研削工程において、圧電層２の表面を研削することで、圧電層２の厚さを調整する。
【００４７】
＜弾性表面波素子＞
当該圧電基板１は、上述のように温度変化による変形を起こし難く、かつ加熱を伴う加工後も圧電層と支持層とが高い接着強度を有する。そのため、当該圧電基板１を切断し、表面に櫛形電極及び保護膜を加熱形成した弾性表面波素子は、温度によるフィルタ中心波長の変化が小さく、機械的強度にも優れるため、ＳＡＷフィルタとして携帯電話等の通信機器に好適に用いることができる。
【実施例】
【００４８】
以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４９】
［実施例１］
砥粒♯８００の緑色炭化ケイ素（ＧＣ）で両面をラップ加工した平均厚さ２５０μｍ、直径４インチ（１００ｍｍ）のスピネル製の基板（支持層）と、同様のラップ加工をした平均厚さ２５０μｍ、直径４インチ（１００ｍｍ）の回転４８°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウムの基板（圧電層）とを用意した。これらの基板の表面を硫酸と過酸化水素水とで洗浄して有機不純物を除去し、加熱乾燥した。次に上記支持層の表面にエポキシ系のＵＶ硬化型接着剤を滴下し、スピンコーターを用いて均一に塗布した後、上記圧電層をオリフラを用いて位置合わせをしながら積層し、３００Ｐａの真空下で３０Ｎ／ｃｍ２の圧力を加えた。その後照度２０ｍＷ／ｃｍ２の高圧水銀灯を１時間照射して接着剤を硬化させ接着剤層を形成し、圧電層と支持層とを接着した。その後、圧電層が任意の平均厚さ２５μｍになるまでその表面を研削しポリッシュ仕上げを行い実施例１の圧電基板を得た。上記接着剤の硬化後の２５℃における粘度、並びに接着剤層の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率、最大厚さ、最小厚さ及び平均厚さは表１に示すとおりである。また、これらの数値は以下の方法で計測した。
【００５０】
（接着剤の２５℃における粘度）
接着剤の２５℃における粘度は、Ｅ型粘度計（東機産業株式会社製「ＴＶ−２０」）を用いて計測した。
【００５１】
（接着剤層の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率）
接着剤層の２５℃から１５０℃に加熱した時の質量減少率は、示差熱・熱重量同時測定装置（株式会社島津製作所製「ＤＴＧ６０」）を用いて計測した。
【００５２】
（接着剤層の厚さ）
接着剤層の厚さは、上記圧電基板から小片を切り出して樹脂中に埋め込み、研磨を行った後、断面部から測長顕微鏡を用いて計測した。
【００５３】
次に、上記圧電基板を１１０℃に加熱しながら圧電層の表面全体にチタン、アルミニウムの順に金属層を積層した。この金属層に対して一般的なフォトリソグラフィーによって周期が３．６μｍの櫛形電極のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして塩素系ガスを用いたドライエッチング法により厚さが０．２μｍの櫛形電極を形成した。その後、圧電基板を１２０℃に加熱しながら電極の上から圧電層の表面全体にＳｉＯ２からなる保護膜をＣＶＤ法にて形成した。さらに、外部信号線と接続するための電極パッド部を開口し、中心周波数が１０２０ＭＨｚの１ポートＳＡＷ共振器と、この共振器を挟む形で両側に各々２つの反射器を有する実施例１の圧電基板を備える弾性表面波素子を得た。
【００５４】
［実施例２〜４及び比較例１、２］
接着剤の粘度、並びに接着剤層の質量減少率及び厚さを表１にそれぞれ記載した値とした以外は、実施例１と同様の条件で実施例２〜４及び比較例１、２の圧電基板を製作した。さらに実施例１と同様の手順で、これらの圧電基板をそれぞれ備える弾性表面波素子を得た。
【００５５】
上記実施例１〜４及び比較例１、２の圧電基板を備える弾性表面波素子について、以下の計測を行った。計測結果について表１に示す。
【００５６】
［接着力］
各弾性表面波素子に対し、常温硬化接着剤によって引張試験機のステージに圧電層側を、ロードセルに繋がるプローブに支持層側を固定し、支持層表面と垂直な方向に剥離を行って圧電層と支持層とが剥離した時の力を接着力として計測した。
【００５７】
【表１】
2015005931.tif 000003
【００５８】
表１の結果から示されるように、実施例１〜４の圧電基板を用いた弾性表面波素子は、接着力が１０ＭＰａ以上となっており、加熱を伴う加工後も圧電層と支持層とが高い接着強度を有することがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上のように、本発明の圧電基板は、温度変化による変形量が小さく、加熱を伴う加工後も圧電層と支持層とが高い接着強度を有する。従って、当該圧電基板を用いた弾性表面波素子は、例えば携帯電話等の通信機器に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１  圧電基板
２  圧電層
３  支持層
４  接着剤層
【図１】
2015005931.tif 000004