(57)【要約】  半導体プロセスでは、ウエハ上に形成される構造物の限界寸法は、ウエハ上に設けられた膜上部での現像ツールを用いた第１現像フォトレジストによって制御される。フォトレジストの現像は、現像温度及び現像時間の長さを含む現像プロセス変数の関数である。前記フォトレジストの現像後、１工程以上のエッチング工程が、ウエハ上に設けられた膜上で、エッチングツールを用いて実行される。前記１工程以上のエッチング工程の実行後、ウエハ上の複数の場所における構造物の限界寸法が、光学計測ツールを用いて測定される。前記限界寸法の測定後、１つ以上の現像ツール処理変数が、ウエハ上の複数の場所で測定された構造物の限界寸法に基づいて調節される。
2008512003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上に形成される構造物の限界寸法を制御する方法であって：
現像ツールを用いてウエハ上の膜上部でフォトレジストを現像する工程であって、前記フォトレジストの現像は、現像温度及び現像時間の長さを含む現像ツールプロセス変数の関数である、現像工程；
前記現像工程後、エッチングツールを用いて、前記ウエハ上にある前記膜上で１工程以上のエッチング工程を実行する工程；
前記１工程以上のエッチング工程の後、光学計測ツールを用いて、前記ウエハ上の複数の位置で構造物の限界寸法を測定する測定工程；及び、
前記ウエハ上の前記の複数位置で測定された構造物の前記限界寸法に基づいて、１種類以上の前記現像ツールプロセス変数を調節する調節工程；
を有する方法。
【請求項２】
付加的ウエハについて、前記現像工程、前記１工程以上のエッチング工程、前記測定工程及び前記調節工程が繰り返され、かつ、
前記測定工程で測定された前記限界寸法が許容可能な基準内にある均一性を有するときには、前記調節工程は省略される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記調節工程が：
前記測定工程からの測定結果に基づいて、前記ウエハにわたる限界寸法測定のプロファイルを生成する工程；及び、
前記現像工程後に前記フォトレジスト中に形成された構造物の限界寸法のプロファイルを、前記の生成されたプロファイルとは反対となるように生成するために、１種類以上の前記現像ツールプロセス変数を調節する工程；
を有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記現像工程後、別な光学計測ツールを用いて、前記フォトレジスト中に形成される構造物の前記限界寸法を測定する工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記別な光学計測ツールが前記現像ツールに一体化される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記光学計測ツールが前記エッチングツールに一体化される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記光学計測ツールが、前記測定工程の際に１ｎｍ未満の誤差の範囲内で、前記限界寸法を測定する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記光学計測ツールが、前記測定工程の際に０．２又は０．３ｎｍ未満の誤差の範囲内で、前記限界寸法を測定する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記現像ツールが、それぞれが独立した温度設定を有する領域を有するホットプレートを有し、かつ、
前記調節工程が、前記ウエハ上の前記複数の位置で測定された構造物の前記限界寸法に基づいて、前記のホットプレートの領域のうちの１つ以上の前記温度設定を調節する工程を有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記のウエハ中心部近傍の位置で測定された構造物の前記限界寸法が、前記のウエハ端部近傍の位置で測定された構造物の前記限界寸法よりも大きいとき、前記の温度設定を調節する工程は、前記ウエハの前記端部近傍である前記ホットプレートの領域の前記温度設定に対して、前記のウエハ中心部近傍である前記ホットプレートの領域の前記温度設定を増加させる工程を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ウエハ上に形成される構造物の限界寸法を制御する方法であって：
現像ツールを用いてウエハ上の膜上部でフォトレジストを現像する工程であって、前記現像ツール中に設けられている、それぞれが独立した温度設定を有する領域を有するホットプレートによって前記ウエハが加熱される現像工程；
前記現像工程後、エッチングツールを用いて、前記のウエハ上にある膜をエッチングするエッチング工程；
前記エッチング工程後、光学計測ツールを用いて、前記ウエハ上の複数の位置で構造物の限界寸法を測定する測定工程；及び、
前記ウエハ上の前記複数位置で測定された構造物の前記限界寸法に基づいて、前記のホットプレートの領域のうちの１つ以上の前記温度設定を調節する調節工程；
を有する方法。
【請求項１２】
付加的ウエハについて、前記現像工程、前記エッチング工程、前記測定工程及び前記調節工程が繰り返され、かつ、
前記測定工程で測定された前記限界寸法が許容可能な基準内にある均一性を有するときには、前記調節工程は省略される、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記温度設定を調節する工程が、前記のウエハ中心部近傍の位置で測定された構造物の前記限界寸法が、前記のウエハ端部近傍の位置で測定された構造物の前記限界寸法よりも大きいとき、前記のウエハ端部近傍である前記ホットプレートの領域の前記温度設定に対して、前記のウエハ中心部近傍である前記ホットプレートの領域の前記温度設定を増加させる工程を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記調節工程が：
前記測定工程からの測定結果に基づいて、前記ウエハにわたる限界寸法測定のプロファイルを生成する工程；及び、
前記現像工程後に前記フォトレジスト中に形成された構造物の限界寸法のプロファイルを、前記の生成されたプロファイルとは反対となるように生成するために、前記のホットプレートの領域のうちの１つ以上の前記温度設定を調節する工程；
を有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記現像工程後、別な光学計測ツールを用いて、前記フォトレジスト中に形成される構造物の前記限界寸法を測定する工程をさらに有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
ウエハ上に形成される構造物の限界寸法を制御する方法であって：
コーティングツールを用いてウエハ上の膜上部にフォトレジストをコーティングするコーティング工程；
ステッピングツールを用いて前記フォトレジストに、構造物のパターンを転写するために前記フォトレジストを露光する露光工程；
現像ツールを用いてウエハ上にある膜上でフォトレジストを現像する工程であって、前記現像ツール中に設けられている、それぞれが独立した温度設定を有する領域を有するホットプレートによって前記ウエハが加熱される現像工程；
前記現像工程後、エッチングツールを用いて、前記ウエハ上にある前記膜をエッチングするエッチング工程；
前記エッチング工程後、光学計測ツールを用いて、前記ウエハ上の複数の位置で構造物の限界寸法を測定する工程；及び、
前記ウエハ上の前記の複数位置で測定された構造物の前記限界寸法に基づいて、前記ホットプレートの前記領域のうちの１つ以上の前記温度設定を調節する調節工程；
をさらに有する方法。
【請求項１７】
ウエハ上に形成される構造物の限界寸法を制御するシステムであって：
ウエハ上にある膜上部でフォトレジストを現像し、現像ツールプロセス変数によって制御される現像ツール；
前記現像ツール中で前記フォトレジストが現像された後、前記膜をエッチングするエッチングツール；及び、
前記エッチングツールによって前記膜がエッチングされた後、前記ウエハ上の複数の位置で構造物の限界寸法を測定する光学計測ツール；
を有し、
１種類以上の前記現像ツールプロセス変数は、前記ウエハ上の前記の複数位置で測定された構造物の前記限界寸法に基づいて調節される、
システム。
【請求項１８】
付加的ウエハが前記現像ツール及び前記エッチングツールで処理され、かつ前記第１光学計測ツールによって測定され、並びに、
ウエハ上の、前記第１光学計測ツールによって測定された前記限界寸法が許容基準内の均一性を有するまで、１種類以上の前記現像ツールプロセス変数は調節される、
請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記現像ツール中で、前記フォトレジスト中に形成された構造物の前記限界寸法を測定する、第２光学計測ツールをさらに有する、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記第２光学計測ツールが前記現像ツールに統合される、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記第１光学計測ツールが前記エッチングツールに統合される、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２２】
前記第１光学計測ツールが、前記測定工程の際に１ｎｍ未満の誤差の範囲内で、前記限界寸法を測定する、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２３】
前記第１光学計測ツールが、前記測定工程の際に０．２又は０．３ｎｍ未満の誤差の範囲内で、前記限界寸法を測定する、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記エッチングツールがプラズマエッチングツールである、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２５】
前記現像ツールが、それぞれが独立した温度設定を有する領域を有するホットプレートを有し、かつ、
前記ホットプレートの前記領域のうちの１つ以上の前記温度設定が、前記ウエハ上の前記複数の位置で測定された構造物の前記限界寸法に基づく、
請求項１７に記載のシステム。
【請求項２６】
前記のウエハ中心部近傍の位置で測定された構造物の前記限界寸法が、前記のウエハ端部近傍の位置で測定された構造物の前記限界寸法よりも大きいとき、前記温度設定を調節する工程は、前記のウエハ端部近傍である前記ホットプレートの領域の前記温度設定に対して、前記のウエハ中心部近傍である前記ホットプレートの領域の前記温度設定が増加する、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前のホットプレートの領域の１つ以上の前記温度設定が、前記現像ツール中で、前記フォトレジスト中に形成される構造物の限界寸法のプロファイルを、前記第１光学計測ツールによって測定される、ウエハにわたる限界寸法測定のプロファイルの反対となるように生成するように調節される、請求項２５に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体プロセスに関し、より詳細にはウエハ上に形成される構造物の限界寸法制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセスでは、半導体素子／回路は、材料の層を堆積し、パターニングすることによってウエハ上に形成される。一般的には、素子／回路の特徴となる部品（ｆｅａｔｕｒｅｓ）は、パターニング処理を利用することによって、堆積された材料の層上に形成される。
【０００３】
従来のパターニング処理では、素子／回路の特徴となる部品が形成される膜の上にフォトレジスト層が堆積される。素子／回路の特徴となる部品のレイアウトを有するフォトマスクがフォトレジストの上に設置され、そのフォトレジストは露光される。フォトマスクを介して露光された部分、又は露光されない部分を除去するには現像溶液が使用される。フォトレジストによって保護されていない膜の一部を剥離するにはエッチング系が使用される。この方法では、フォトマスク上の特徴となる部品は、膜上の構造物として形成される。
【特許文献１】米国特許第６９４３９００号明細書
【特許文献２】米国特許第６９６１６７９号明細書
【特許文献３】米国特許出願第６０８３００号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしパターニング処理に関連して生じる不均一性は、パターニング処理によって形成される限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）の望ましくないばらつきを引き起こす恐れがある。たとえば一般的には、パターニング処理で用いられるレジスト現像ツール及び、プラズマドライエッチングのような従来のエッチングツールを用いると、中心部から端部にかけて構造物の限界寸法が不均一にばらついてしまう。従来のエッチングツールにおいてそのような不均一なばらつきを補正するのは難しいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
典型的実施例では、ウエハ上に形成される構造物の限界寸法は、ウエハ上の膜上部での現像ツールを用いた第１現像フォトレジストによって制御される。フォトレジストの現像は、現像温度及び現像時間の長さを含む現像プロセス変数の関数である。前記フォトレジストの現像後、１工程以上のエッチング工程が、ウエハ上に設けられた膜上で、エッチングツールを用いて実行される。前記１工程以上のエッチング工程の実行後、ウエハ上の複数の場所における構造物の限界寸法が、光学計測ツールを用いて測定される。前記限界寸法の測定後、１つ以上の現像ツール処理変数が、ウエハ上の複数の場所で測定された構造物の限界寸法に基づいて調節される。
【実施例１】
【０００６】
以降では、様々な特定配置、パラメータ等について説明する。しかし、以降の説明は本発明の技術的範囲を限定することを意図しておらず、典型的実施例を説明することを意図している。
【０００７】
図１を参照すると、前述したように、構造物としての半導体素子／回路の特徴となる部品をウエハ１０２上に形成する方法は、ウエハ１０２上に材料層を堆積する工程及び、該材料層をパターニングする工程を有する。より詳細には、半導体素子／回路の特徴となる部品は、材料層を堆積し、続いて堆積された前記材料層の一部を除去することによって、１層中での構造物として一度に形成される。
【０００８】
材料層を堆積する方法は一般的に堆積プロセスと呼ばれる。典型的な堆積プロセスには、化学気相成長（ＣＶＤ）、酸化、スピンコーティング、スパッタリング等が含まれる。典型的な堆積される物質には、高分子、酸化物、金属等が含まれる。
【０００９】
堆積された材料層上に特徴となる部品を形成する方法は一般的に、パターニングプロセスと呼ばれる。パターニングプロセスは一般的に、フォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスを有する。より詳細には、典型的なリソグラフィプロセスでは、半導体素子／回路の特徴となる部品は、一連のフォトマスク上で一度に１層中に配備される。単一のフォトマスクは一般的に、ウエハ１０２全体における１つ以上のチップのうちの１層を有する。
【００１０】
ここで図２Ａから図２Ｆを参照すると、堆積プロセス及びパターニングプロセスの典型例が図示されている。以降の説明は、理解のためよりもむしろ例示を意図していることに留意すべきである。そのため、堆積プロセス及びパターニングプロセスは、いくつかの処理工程を有して良い。
【００１１】
図２Ａを参照すると、膜２００がウエハ１０２上に堆積される。上述したように、膜２００は、高分子、酸化物、金属等の様々な物質を含んで良い。膜２００は、ウエハ１０２上に直接堆積されるよりはむしろ、基板に堆積された層の上に堆積されうることに留意すべきである。
【００１２】
図２Ｂを参照すると、フォトレジスト層２０２が膜２００上部に堆積される。フォトレジスト層２０２は、材料層２００の上に堆積されずに、ウエハ１０２上に直接堆積されても良いことに留意すべきである。図３を参照すると、フォトレジスト層２０２を堆積するのにコーティングツール３０２が使用されて良い（図２Ｂ）。
【００１３】
図２Ｃを参照すると、フォトマスク２０４がウエハ１０２、膜２００及びフォトレジスト層２０２の上に設置されている。フォトマスク２０４は、光を遮断する部分２０６、及び光を透過する部分２０８を有する。フォトマスク２０４の光を遮断する部分２０６は、形成されるべき構造物と同一の形状を有するようにパターニングされて良い。このような型のフォトマスクは一般的に、“明視野（ｌｉｇｈｔ  ｆｉｅｌｄ）”マスクと呼ばれる。あるいはその代わりに、フォトマスク２０４の光を透過する部分２０８が、形成されるべき構造物と同一の形状を有するようにパターニングされても良い。このような型のフォトマスクは一般的に、“暗視野（ｄａｒｋ  ｆｉｅｌｄ）”マスクと呼ばれる。簡便を期すため、フォトマスク２０４を“明視野”マスクとして図示及び説明する。
【００１４】
図２Ｄを参照すると、形成されるべき構造物が意図した位置に適切に設置されるように、フォトマスク２０４は、ウエハ１０２に対して位置合わせされている。フォトマスク２０４が適切に位置合わせされるとき、フォトマスク２０４及びフォトレジスト２０２の一部が露光される。図２Ｄに図示されているように、フォトレジスト２０２の特定部分、つまりフォトマスク２０４の光を透過する部分２０８（図２Ｃ）の下の部分のみが露光される。図３を参照すると、フォトマスク２０４を設置及び露光するのにステッピングツール３０４が使用されて良い（図２Ｃ）。
【００１５】
図２Ｄを参照すると、この例では、フォトレジスト層２０２は、溶解度が露光に敏感であるという材料特性を有する。より詳細には、フォトレジストの中には、露光されたときに、溶解性から不溶性に条件を変化させるものがある。このような型のフォトレジストは一般的に、“ネガの”レジストとして知られている。対照的に、フォトレジストの中には、露光されたときに、不溶性から溶解性に条件を変化させるものもある。このような型のフォトレジストは一般的に、“ポジの”レジストとして知られている。
【００１６】
簡便を期すため、フォトレジスト層２０２は“ポジの”レジストであるものとする。そのため、ここで図２Ｅを参照すると、フォトレジスト層２０２が適当な化学溶媒（つまり現像液）に曝露されるとき、フォトレジスト層２０２の露光部分は溶解する。図３を参照すると、現像ツール３０６は、フォトレジスト層２０２を現像するのに使用することができる（図２Ｅ）。フォトレジストの現像は、現像温度及び現像時間の長さを含む、現像ツールのプロセス変数の関数である。
【００１７】
ここで図２Ｆを参照すると、膜２００がエッチングされることで、フォトレジスト層２０２によって保護されていない膜２００の部分は除去される。複数のエッチング工程が用いられて良いことは留意すべきである。図３を参照すると、エッチングツール３０８は、膜２００のエッチングに用いられて良い。
【００１８】
再度図２Ｆを参照すると、一の典型的実施例では、膜２００がエッチングされた後、ウエハ１０２上に形成される構造物の限界寸法がウエハ１０２上の複数の位置で測定される。複数の位置での限界寸法測定に基づいて、ウエハにわたる限界寸法の測定のプロファイルが生成可能となる。本例では、ウエハ１０２上で形成された構造物は、膜２００及びフォトレジスト層２０２の残された部分を有する。この典型的実施例では、測定された限界寸法には、幅（たとえば上部の幅、中間部の幅、底部の幅等）、高さ、側壁の角度等が含まれて良い。
【００１９】
図３を参照すると、限界寸法を測定するのに光学計測ツール３１０が使用されて良い。この典型的実施例では、光学計測ツール３１０は、１ｎｍ未満の誤差で限界寸法を測定するのが好ましく、０．２又は０．３ｎｍ未満であることがより好ましい。一般的には、光学計測は、構造物へ入射ビームを導光する工程、結果として回折されたビームを測定する工程、及び、たとえばその構造物の限界寸法のような、様々な特性を決定するために解析する工程を有する。光学計測の詳細については、特許文献１、特許文献２及び特許文献３を参照のこと。
【００２０】
続いて図３を参照すると、この典型的実施例では、１つ以上の現像ツール３０６のプロセス変数が、ウエハ上の複数の位置で測定された構造物の限界寸法に基づいて調節される。特に、現像ツールプロセス変数は、ウエハにわたる限界寸法測定のプロファイルにおける不均一性を補償するために調節される。
【００２１】
たとえば、測定された限界寸法がウエハ中心部で高く、ウエハ端部で低い場合、１つ以上の現像ツールプロセス変数は、現像ツール３０６を使用する際に、ウエハ中心部で低く、ウエハ端部で高い限界寸法を作製するように調節される。よって、ウエハがエッチングツール３０８内で処理されるときには、ウエハにわたって均一な限界寸法が作製される。
【００２２】
一の典型的実施例では、現像ツール３０６を使用したフォトレジストの現像方法、エッチングツール３０８を使用した膜のエッチング方法、光学計測ツール３１０を使用した構造物の限界寸法の測定方法、及び１つ以上の現像ツールプロセス変数の調節方法は、ウエハ上で測定される限界寸法が許容される基準内の均一さになるまで任意の回数だけ繰り返されて良い。限界寸法において許容される均一性が得られるときには、現像ツール３０６の現像ツールプロセス変数を調節せずに、現像ツール３０６及びエッチングツール３０８を使用して付加的なウエハが処理される。処理を監視し続けるため、ウエハ上の構造物の限界寸法は、光学ツール３１０を使用して測定され続けられて良い。
【００２３】
図４を参照すると、一の典型的実施例では、ウエハが現像ツール３０６で処理された後でかつエッチングツール３０８によって処理される前に、限界寸法を測定するのに、別な計測ツール４０２が使用される。計測ツール４０２によって得られる測定は、エッチングツール３０８で処理される前の、ウエハにわたる限界寸法のばらつきのプロファイルを提供する。光学計測ツール４０２及び３１０によって測定された限界寸法のばらつきプロファイルの変化は、エッチングツール３０８に関連する不均一性を決定するのに用いることができる。
【００２４】
光学計測ツール４０２及び３１０はスタンドアローンのツールであって良いことは明記すべきである。あるいはその代わりに、光学計測ツール４０２及び３１０は一体化されるツールであっても良い。たとえば、光学計測ツール４０２は現像ツール３０６に一体化され、光学計測ツール３１０はエッチングツール３０８に一体化されても良い。また、２つの光学計測ツール４０２及び３１０を使用するよりもむしろ、１つ以上のウエハが現像ツール３０６で処理された後、及びエッチングツール３０８で処理された後の限界寸法を得るため、単一スタンドアローンの光学計測ツールが用いられて良い。
【００２５】
図５を参照すると、一の典型的実施例では、現像ツール４０２（図３）はホットプレート５０２を有する。ホットプレート５０２は、露光後のベーキング時にウエハを加熱するのに用いられる。図５に図示されているように、ホットプレート５０２は、複数の領域５０４ａ−５０４ｇを有して良く、各領域はそれぞれ別個の温度設定を有する。たとえ７つの領域を有するホットプレート５０２が図示されているとしても、ホットプレートは任意の数の領域を有して良いことは明記されるべきである。
【００２６】
領域５０４ａ−５０４ｇのそれぞれ別個の温度設定は、ウエハの各異なる領域を各異なる温度に加熱することを可能にする。図６に図示されているように、一般的には、温度が上昇することで、ウエハ上に形成される構造物の限界寸法は減少する。よって、ウエハにわたる構造物の限界寸法プロファイルは、領域５０４ａ−５０４ｇ（図５）の温度設定を調節することによって調節可能である。
【００２７】
たとえば図７を参照すると、プロファイル７０２は、ウエハがエッチングツール３０８（図３）によって処理された後のウエハにわたる限界寸法のプロファイルを図示している。上述したように、エッチングツールは、ウエハ中心部での限界寸法がウエハ端部での値よりも大きくなる構造物を作製しがちである。よって、この例では、プロファイル７０２の不均一性を補償するため、現像ツール３０６を用いる際の領域５０４ａ−５０４ｇ（図５）の温度設定が調節されることで、プロファイル７０２の反対となる、現像ツール３０６（図３）で処理された後のウエハにわたる限界寸法プロファイルが生成されて良い。特に図５を参照すると、ウエハ中心部に近い領域５０４ａ−５０４ｇの温度設定は、ウエハ端部に近い領域５０４ａ−５０４ｇの温度設定に対して増大させて良い。エッチングツール３０８（図３）によって精製される、ウエハにわたる限界寸法の不均一性を補償するために、現像ツール３０６（図３）での現像処理を調節する利点の１つは、現像ツール３０６（図３）での現像処理は一般的に、エッチングツール３０８（図３）でのエッチングプロセスよりも良好に制御できることである。
【００２８】
特定実施例に関する前記の記述は、例示及び説明を目的としている。前記の記述は、網羅的ではなく、本発明を開示されている厳密な形態に限定することを意図していない。多くの修正型及び変化型が可能であることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】ウエハの一例を図示している。
【図２Ａ】堆積処理及びパターニング処理の例を図示している。
【図２Ｂ】堆積処理及びパターニング処理の例を図示している。
【図２Ｃ】堆積処理及びパターニング処理の例を図示している。
【図２Ｄ】堆積処理及びパターニング処理の例を図示している。
【図２Ｅ】堆積処理及びパターニング処理の例を図示している。
【図２Ｆ】堆積処理及びパターニング処理の例を図示している。
【図３】典型的な堆積処理及びパターニング処理で用いられるツールの例を図示している。
【図４】典型的な堆積処理及びパターニング処理で用いられるツールの例を図示している。
【図５】典型的な現像ツール中のホットプレートの一例を図示している。
【図６】限界寸法と温度との関係を図示したグラフの一例である。
【図７】ウエハにわたる限界寸法のばらつきを表すプロファイルの一例を図示するグラフの一例である。
【図１】
2008512003.tif 000003
【図２−Ａ】
2008512003.tif 000004
【図２−Ｂ】
2008512003.tif 000005
【図２−Ｃ】
2008512003.tif 000006
【図２−Ｄ】
2008512003.tif 000007
【図２−Ｅ】
2008512003.tif 000008
【図２−Ｆ】
2008512003.tif 000009
【図３】
2008512003.tif 000010
【図４】
2008512003.tif 000011
【図５】
2008512003.tif 000012
【図６】
2008512003.tif 000013
【図７】
2008512003.tif 000014