(57)【要約】【課題】ＩＣ基板とコイル状の導線との接続に際しての位置合わせを容易にするＩＣモジュール、および、ＩＣモジュールの製造方法を提供する。【解決手段】ＩＣモジュールは、パッド電極１２を有するＩＣ基板１０と、パッド電極１２に接合されてコイル状に形成された導線２０とを備える。導線２０の端部は、被覆層によって被覆された被覆部と、１つの方向に沿って延び、かつ、被覆層によって被覆されていない露出部２３とを有し、導線２０の露出部２３とパッド電極１２とは、露出部２３が延びる方向に沿って互いに接合する。露出部２３の延びる方向と直交する方向を導線２０の幅方向とし、導線２０の幅方向にて、パッド電極１２の幅は、被覆部の幅よりも大きい。【選択図】図１
2015005170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッド電極を有するＩＣ基板と、
前記パッド電極に接合されてコイル状に形成された導線と、を備え、
前記導線の端部は、被覆層によって被覆された被覆部と、１つの方向に沿って延び、かつ、前記被覆層によって被覆されていない露出部とを有し、
前記導線の前記露出部と前記パッド電極とは、前記露出部が延びる方向に沿って互いに接合し、
前記露出部の延びる方向と直交する方向を前記導線の幅方向とし、
前記導線の幅方向にて、前記パッド電極の幅は、前記被覆部の幅よりも大きい
ＩＣモジュール。
【請求項２】
前記パッド電極と前記導線とが接合している部分にて、前記露出部の延びる方向での中心を中心位置とし、
前記露出部は、
前記中心位置から前記露出部の延びる方向に沿って３ｍｍ以内、および、前記導線のうち前記ＩＣ基板と重なる範囲内の少なくとも一方に形成されている
請求項１に記載のＩＣモジュール。
【請求項３】
前記パッド電極と前記導線とが接合している部分は、樹脂によって覆われている
請求項１または２に記載のＩＣモジュール。
【請求項４】
前記ＩＣ基板が、樹脂によって覆われている
請求項１〜３のいずれか一項に記載のＩＣモジュール。
【請求項５】
前記ＩＣ基板と前記導線の全体とが、樹脂によって覆われている
請求項１〜４のいずれか一項に記載のＩＣモジュール。
【請求項６】
パッド電極を有するＩＣ基板と、コイル状に形成されて前記パッド電極に接合された導線とを備えるＩＣモジュールの製造方法であって、
被覆層によって被覆された前記導線に対して前記被覆層の一部を除去することによって１つの方向に沿って延びる露出部を前記導線に区画する除去工程と、
前記露出部と前記パッド電極との接合を、前記露出部が延びる方向に沿って、熱によって形成する接合工程と、を含み、
前記露出部が延びる方向と直交する方向を前記導線の幅方向とし、
前記接合工程では、前記導線の幅方向にて、前記パッド電極の幅は、前記導線の前記被覆層を有する部分の幅よりも大きい
ＩＣモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記除去工程では、前記導線の一部に放熱部材を接触させ、前記導線のうちの前記放熱部材と接していない部分を加熱することによって、前記被覆層の一部を除去して前記露出部を形成する
請求項６に記載のＩＣモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記除去工程と前記接合工程とは別々の工程として行われ、前記除去工程は、前記接合工程よりも前に行われる
請求項６または７に記載のＩＣモジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか一項に記載のＩＣモジュールの製造方法によって製造された
ＩＣモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の技術は、コイル状に形成された導線とその導線に接続されるＩＣ基板とを備えるＩＣモジュール、および、このＩＣモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣカードやＩＣタグは、通信機能を担うＩＣモジュールを搭載している。ＩＣモジュールにてＩＣを搭載するＩＣ基板は、コイル状に形成された導線からなるアンテナと配線基板を介して接続されている。一方で、ＩＣモジュールの小型化が求められる近年では、配線基板を介さずに、ＩＣ基板とアンテナとを直接接続する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ＩＣ基板とアンテナとが直接接続される工程では、ＩＣ基板の端子部分に形成されたバンプ上にアンテナを構成する導線が配置され、導線に熱や超音波が加えられる。これにより、バンプと導線とが溶融して、ＩＣ基板とアンテナとが直接接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３１９９４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＩＣ基板とアンテナとが直接接続される工程において、溶融に必要とされる熱や超音波は、バンプ上の導線に押し当てられた溶融器具から導線に加えられる。この際に、導線とバンプとの位置を合わせることが必要となる一方で、バンプの大きさや導線の径は非常に小さい。そのため、導線とバンプとにずれが生じると、バンプと導線との位置を合わせる手作業に多大な時間が必要となる。結果として、ＩＣモジュールの生産効率の低下を招いてしまう。
【０００５】
本開示の技術は、ＩＣ基板とコイル状の導線との接続に際しての位置合わせを容易にするＩＣモジュール、および、ＩＣモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するＩＣモジュールは、パッド電極を有するＩＣ基板と、前記パッド電極に接合されてコイル状に形成された導線と、を備える。前記導線の端部は、被覆層によって被覆された被覆部と、１つの方向に沿って延び、かつ、前記被覆層によって被覆されていない露出部とを有し、前記導線の前記露出部と前記パッド電極とは、前記露出部が延びる方向に沿って互いに接合している。そして、前記露出部の延びる方向と直交する方向を前記導線の幅方向とし、前記導線の幅方向にて、前記パッド電極の幅は、前記被覆部の幅よりも大きい。
【０００７】
上記構成によれば、導線の幅方向におけるパッド電極の幅が、導線の被覆部の幅よりも大きいため、ＩＣ基板と導線との接続に際して、パッド電極の上に導線が配置されるときに、パッド電極と導線との位置を合わせる作業が容易である。
【０００８】
上記ＩＣモジュールにて、前記パッド電極と前記導線とが接合している部分にて、前記露出部の延びる方向での中心を中心位置とし、前記露出部は、前記中心位置から前記露出部の延びる方向に沿って３ｍｍ以内、および、前記導線のうち前記ＩＣ基板と重なる範囲内の少なくとも一方に形成されていることが好ましい。
【０００９】
上記構成によれば、ＩＣ基板以外の他の部材と露出部とが接触して導線における電気的な状態が変わることが抑えられる。
上記ＩＣモジュールにて、前記パッド電極と前記導線とが接合している部分は、樹脂によって覆われていることが好ましい。
【００１０】
上記構成によれば、パッド電極と導線とが互いに接合する部分は、樹脂によって保護される。そのため、パッド電極と導線との接合は、樹脂によって保護されていない場合と比べて、長期間にわたり保たれる。
【００１１】
上記ＩＣモジュールにて、前記ＩＣ基板は、樹脂によって覆われていることが好ましい。
上記構成によれば、ＩＣ基板が樹脂によって保護されるため、ＩＣ基板に対する外部からの衝撃によってＩＣ基板が破損したり、ＩＣ基板に水分が付着したりすることが抑えられる。
【００１２】
上記ＩＣモジュールにて、前記ＩＣ基板と前記導線の全体とは、樹脂によって覆われていることが好ましい。
上記構成によれば、ＩＣ基板と導線の全体とが樹脂によって保護されるため、ＩＣモジュールに対する外部からの衝撃に対し、ＩＣモジュールが破損することが抑えられる。また、ＩＣモジュールに水分が付着することも抑えられる。
【００１３】
上記課題を解決するＩＣモジュールの製造方法は、パッド電極を有するＩＣ基板と、コイル状に形成されて前記パッド電極に接合された導線とを備えるＩＣモジュールの製造方法である。被覆層によって被覆された前記導線に対して前記被覆層の一部を除去することによって１つの方向に沿って延びる露出部を前記導線に区画する除去工程と、前記露出部と前記パッド電極との接合を、前記露出部が延びる方向に沿って、熱によって形成する接合工程と、を含む。前記露出部が延びる方向と直交する方向を前記導線の幅方向とし、前記接合工程では、前記導線の幅方向にて、前記パッド電極の幅は、前記導線の前記被覆層を有する部分の幅よりも大きい。
【００１４】
上記方法によれば、導線の幅方向におけるパッド電極の幅が、導線の被覆部の幅よりも大きいため、接続工程において、パッド電極の上に導線が配置されるときに、パッド電極と導線との位置を合わせることが容易になる。
【００１５】
上記ＩＣモジュールの製造方法にて、前記除去工程では、前記導線の一部に放熱部材を接触させ、前記導線のうちの前記放熱部材と接していない部分を加熱することによって、前記被覆層の一部を除去して前記露出部を形成する。
【００１６】
上記方法によれば、導線と放熱部材とが接触している部分では、導線の熱が放熱部材を通じて放出される。そのため、被覆層の除去される範囲が必要以上に広がることが抑えられる。
【００１７】
上記ＩＣモジュールの製造方法にて、前記除去工程と前記接合工程とは別々の工程として行われ、前記除去工程は、前記接合工程よりも前に行われることが好ましい。
上記方法によれば、パッド電極と導線との接合工程の前に、導線の被覆層を除去する除去工程が行われる。そのため、パッド電極と導線とが互いに接合する部分に被覆層の残部が堆積することが抑えられる。
【００１８】
上記課題を解決するためのＩＣモジュールは、上記ＩＣモジュールの製造方法によって製造されたＩＣモジュールである。
上記構成によれば、導線の幅方向におけるパッド電極の幅が、導線の被覆部の幅よりも大きいため、ＩＣ基板と導線との接続に際して、パッド電極の上に導線を配置するときに、パッド電極と導線との位置を合わせることが容易になる。
【発明の効果】
【００１９】
本開示の技術によれば、ＩＣ基板とコイル状の導線との接続に際して、パッド電極と導線との位置合わせを容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本開示の技術における一実施形態でのＩＣモジュールの平面構造を示す平面図である。
【図２】一実施形態でのＩＣ基板の斜視構造を示す斜視図である。
【図３】一実施形態でのアンテナ導線の断面構造を示す断面図である。
【図４】一実施形態でのＩＣモジュールにおけるＩＣ基板とアンテナ導線との接合部分の平面構造を拡大して示す平面図である。
【図５】本開示の技術における一実施形態でのＩＣモジュールの製造方法に用いられる治具の平面構造を示す平面図である。
【図６】一実施形態でのＩＣモジュールの製造方法に用いられる治具の断面構造を示す断面図であって、図５の６−６線での断面構造を示す断面図である。
【図７】一実施形態でのＩＣモジュールの製造工程を示す工程図であって、治具にＩＣ基板と被覆導線とが設置された状態を示す図である。
【図８】一実施形態でのＩＣモジュールの製造工程を示す工程図であって、治具にＩＣ基板と被覆導線とヒートシンクとが設置された状態を示す図である。
【図９】一実施形態でのＩＣモジュールの製造工程を示す工程図であって、除去工程が行われた状態を示す図である。
【図１０】一実施形態でのＩＣモジュールの製造工程を示す工程図であって、接合工程を示す図である。
【図１１】変形例のＩＣモジュールの平面構造を示す平面図である。
【図１２】変形例のＩＣモジュールの平面構造を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１〜図１０を参照して、本開示におけるＩＣモジュール、および、ＩＣモジュールの製造方法の一実施形態について説明する。
［ＩＣモジュールの構成］
図１〜図４を参照して、ＩＣモジュールの構成について説明する。
【００２２】
図１に示されるように、ＩＣモジュールは、ＩＣ基板１０と、アンテナとして機能するアンテナ導線２０とを備えている。ＩＣ基板１０は、ＩＣを搭載するベアチップがパッケージに封入されたＩＣパッケージである。ＩＣパッケージの実装形式としては、表面実装型のパッケージの一種であるＳＯＴ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が好ましい。ＳＯＴであれば、ＩＣパッケージの耐久性が高く、かつ、ＩＣモジュールの小型化、および、薄型化が可能である。
【００２３】
ＩＣ基板１０は、ＩＣが封入されている本体部１１と、本体部１１の表面に露出した２つのパッド電極１２とを備えている。パッド電極１２は、ＩＣが有する端子と電気的に接続されている。
【００２４】
アンテナ導線２０は、被覆導線であり、導線の一例である金属線が、絶縁性を有する材料と、自己融着性を有する材料とによって二重に被覆されている。アンテナ導線２０が送受信する電波の周波数は、例えば、ＨＦ帯、ＵＨＦ帯、または、ＬＦ帯であり、本実施形態のアンテナ導線２０の使用周波数は、ＨＦ帯である。
【００２５】
アンテナ導線２０は、ＩＣ基板１０の外側でコイル状に巻かれている巻線部２１と、巻線部２１からＩＣ基板１０に向かって１つの方向に沿って引き出された２つの引出部２２とを有している。各引出部２２は、アンテナ導線２０の端部である。一方の引出部２２の先端は、アンテナ導線２０の始端であり、他方の引出部２２の先端は、アンテナ導線２０の終端である。
【００２６】
巻線部２１の径の大きさや巻き数は、ＩＣモジュールに求められる周波数特性や通信距離等の特性に応じて設定される。本実施形態では、巻線部２１の外径は１７ｍｍ、巻線部２１の内径は１５．５ｍｍ、巻線部２１の軸方向における厚みは０．３ｍｍである。
【００２７】
引出部２２は、被覆層によって被覆されていない部分である露出部２３を引出部２２の一部として有している。露出部２３は、パッド電極１２の表面でパッド電極１２と接合されている。パッド電極１２と露出部２３とが互いに接合する部分は、保護樹脂３０によって覆われている。２つの引出部２２は、各々の露出部２３にて、互いに異なるパッド電極１２と接合され、これによって、ＩＣ基板１０とアンテナ導線２０とが互いに接続している。
【００２８】
図２を参照して、ＩＣ基板１０の詳細な構成について説明する。
図２に示されるように、ＩＣ基板１０の本体部１１は、略直方体形状に形成されている。本体部１１における側面のうち、パッド電極１２が設けられている側面では、短辺の長さＷａは１．０ｍｍであり、長辺の長さＷｂは１．５ｍｍである。本体部１１の厚さ、すなわち、パッド電極１２が設けられている側面から垂直に延びる辺の長さＷｃは０．５ｍｍである。
【００２９】
パッド電極１２の短辺の長さＷｄは０．２５ｍｍであり、長辺の長さＷｅは０．５ｍｍである。パッド電極１２の短辺は、本体部１１の短辺に沿って配置され、２つのパッド電極１２の各々は、本体部１１の短辺が延びる方向である並設方向に沿って並んでいる。２つのパッド電極１２の間の間隔Ｐは、０．３ｍｍである。
【００３０】
パッド電極１２の形成材料は、パッド電極１２と接合されるアンテナ導線２０の材質や接合方法に応じて適宜選択される。例えば、パッド電極１２の形成材料には、金、銀、銅、錫、または、ニッケル等の金属が用いられる。あるいは、パッド電極１２は、導電性を有する材料の表面が上記の金属によって被覆されることによって形成されていてもよい。本実施形態では、パッド電極１２は錫で被覆されている。
【００３１】
図３を参照して、アンテナ導線２０の詳細な構成について説明する。
図３に示されるように、アンテナ導線２０は、金属線である主線部２４と、主線部２４を覆う絶縁層２５と、絶縁層２５を覆う自己融着層２６とから構成されている。絶縁層２５と自己融着層２６とが、アンテナ導線２０における被覆層として機能する。
【００３２】
主線部２４は、例えば、銅、アルミニウム、銀、金、または、これらの金属の合金から形成される。主線部２４の径は、１μｍ以上２００μｍ以下の範囲内で、求められるアンテナ導線２０の強度やＩＣモジュールの特性に応じて適宜選択される。
【００３３】
絶縁層２５は、例えば、ポリウレタン、ポリエステル、ポリエステルイミド、または、ポリアミドイミド等の絶縁性を有する材料から形成される。自己融着層２６は、例えば、ポリアミド系、ブチラール系、エポキシ系、または、エステル系の樹脂等の自己融着性を有する材料から形成される。絶縁層２５と自己融着層２６とは、はんだの溶融温度である２５０℃以下の温度で溶融する材料であることが好ましい。絶縁層２５と自己融着層２６とを合わせた厚みは、５μｍ以上２０μｍの範囲内で選択される。
【００３４】
本実施形態では、アンテナ導線２０として、主線部２４に銅線が用いられ、絶縁層２５がポリウレタンから形成され、自己融着層２６がポリアミド系の樹脂から形成された被覆導線が用いられる。また、本実施形態では、引出部２２の延びる方向と直交する方向が、導線の幅方向であり、導線の幅方向に沿ったアンテナ導線２０の長さが、アンテナ導線２０の幅である。主線部２４と絶縁層２５と自己融着層２６とを合わせたアンテナ導線２０全体の幅Ｄは０．０７ｍｍである。
【００３５】
図４を参照して、ＩＣ基板１０とアンテナ導線２０との接合部分の詳細構成について説明する。
図４に示されるように、アンテナ導線２０の引出部２２は、パッド電極１２の並設方向に沿って本体部１１の上に並び、引出部２２のうち露出部２３は、平面視にてパッド電極１２に重なっている。導線の幅方向に沿ったパッド電極１２の長さは、パッド電極１２の幅である。パッド電極１２の幅は、パッド電極１２の短辺の長さＷｄであり、パッド電極１２の短辺の長さＷｄは、アンテナ導線２０の幅Ｄよりも大きい。また、２つのパッド電極１２の間の隙間にて、導線の幅方向に沿った長さは間隔Ｐであり、２つのパッド電極１２の間の間隔Ｐは、アンテナ導線２０の幅Ｄの２倍よりも大きい。
【００３６】
パッド電極１２と露出部２３とが接合している部分にて、露出部２３の延びる方向での中心が中心位置Ｃである。引出部２２が延びる方向にて露出部２３の占める範囲Ｓは、引出部２２が延びる方向に沿って中心位置Ｃから３ｍｍ以内、および、引出部２２のうち平面視にて本体部１１と重なる範囲内の少なくとも一方に設定されている。露出部２３では、主線部２４の全周で、絶縁層２５と自己融着層２６とが除去されている。
【００３７】
［ＩＣモジュールの製造方法］
図５〜図１０を参照して、ＩＣモジュールの製造方法について説明する。まず、図５および図６を参照して、ＩＣモジュールの製造方法に用いられる治具の構成について説明する。
【００３８】
図５に示されるように、治具４０は、ＩＣモジュールの製造工程において、ＩＣ基板１０やアンテナ導線２０を支持する支持台として機能する。治具４０を形成する材料は、高い耐熱性と高い耐腐食性とを有することが好ましく、特にステンレスが好ましい。ステンレスの種類としては、例えば、ＪＩＳ規格におけるＳＵＳ３００番台やＳＵＳ４００番台が、切削加工に適しているために好ましい。
【００３９】
治具４０は、ＩＣ基板１０が収容される溝である１つの基板収容溝４１と、アンテナ導線２０となる被覆導線２７が収容される溝である４つの導線収容溝４２と、放熱部材の一例であるヒートシンク４４が収容される溝である２つのヒートシンク収容溝４３とを有する。これらの溝は、治具４０を形成するための母材に対する切削加工によって形成される。
【００４０】
基板収容溝４１は、ＩＣ基板１０の本体部１１が収まる大きさを有し、平面視にて、ＩＣ基板１０と略相似形状を有する。導線収容溝４２は、平面視にて、基板収容溝４１における長手方向の両端から、各別に、基板収容溝４１の長手方向に沿って２本ずつ延びている。導線収容溝４２は、平面視にて、引出部２２と略相似形状を有する。基板収容溝４１に対する導線収容溝４２の位置は、導線収容溝４２に設置された被覆導線２７が、基板収容溝４１に設置されたＩＣ基板１０のパッド電極１２上を通る位置に設定されている。
【００４１】
２つのヒートシンク収容溝４３は、平面視にて、基板収容溝４１における長手方向の両端部から、各別に、基板収容溝４１の長手方向、および、短手方向に沿って拡がっている。２つのヒートシンク収容溝４３は、平面視にて、ヒートシンク４４と相似形状を有する。２つのヒートシンク収容溝４３は、導線収容溝４２が延びる方向に沿って、露出部２３の長さに相当する間隔を空けている。２つのヒートシンク収容溝４３の位置は、導線収容溝４２に設置された被覆導線２７の露出部２３となる部分が、２つのヒートシンク収容溝４３の間に配置される位置に設定されている。
【００４２】
図６に示されるように、基板収容溝４１と導線収容溝４２とヒートシンク収容溝４３とのうち、基板収容溝４１が最も大きい深さを有し、ヒートシンク収容溝４３が最も浅い深さを有する。基板収容溝４１は、ＩＣモジュールにおける本体部１１の厚さよりも大きい深さを有する。導線収容溝４２は、被覆導線２７の幅よりも小さい深さを有する。基板収容溝４１と導線収容溝４２とヒートシンク収容溝４３とのすべての溝は、上方に向けて開口している。なお、治具４０は、被覆導線２７の巻き付けられる部分を図示しない位置に有している。
【００４３】
図７〜図１０を参照して、ＩＣモジュールの製造工程について説明する。
図７に示されるように、まず、治具４０の基板収容溝４１に、ＩＣ基板１０が収容される。ＩＣ基板１０は、パッド電極１２が形成されている面を上方に向けて配置される。次に、アンテナ導線２０となる被覆導線２７が、治具４０に巻き付けられて、巻線部２１が形成される。また、巻線部２１から延びる被覆導線２７が、導線収容溝４２に収容されて、導線収容溝４２に沿って張られる。これによって、ＩＣ基板１０の上に被覆導線２７が張り渡される。被覆導線２７は、２つのパッド電極１２の各々の上を通る位置に配置される。
【００４４】
図８に示されるように、ＩＣ基板１０と被覆導線２７の上から、ヒートシンク４４がヒートシンク収容溝４３に収容される。ヒートシンク４４は、ヒートシンク４４の下に配置される被覆導線２７に接触する。被覆導線２７のうち、ヒートシンク４４と接する部分は、ヒートシンク４４を通じて被覆導線２７の熱を放熱する放熱部２８として機能する。
【００４５】
ヒートシンク４４は、被覆導線２７と接する面とは反対側の面に、放熱効率を高めるためのフィンを有している。フィンは、丸棒状や剣山状や蛇腹状に形成される。ヒートシンク４４は、熱抵抗が小さく、安価で加工しやすい材料から形成されていることが好ましい。例えば、ヒートシンク４４は、ダイキャストによって銅やアルミニウムから形成される。
【００４６】
ヒートシンク４４がヒートシンク収容溝４３に設置されると、２つのヒートシンク４４の間からは、被覆導線２７にて露出部２３となる部分が露出する。
次いで、治具４０にＩＣ基板１０と被覆導線２７とヒートシンク４４とが収容された状態で、被覆導線２７の被覆層を除去する除去工程が行われる。除去工程では、ヒートシンク４４の間に露出する被覆導線２７に熱が加えられる。加熱温度は、被覆導線２７の絶縁層２５と自己融着層２６が溶融し、かつ、主線部２４が溶融しない温度に設定される。これにより、絶縁層２５と自己融着層２６とが溶融して被覆導線２７から被覆層が除去され、主線部２４が露出する。このとき、ヒートシンク４４と被覆導線２７とが接触する部分では、被覆導線２７の熱がヒートシンク４４から放散される。その結果、被覆導線２７にて被覆層の除かれる部分は、ヒートシンク４４の間に露出する部分に限られ、被覆層の除去される範囲が必要以上に広がることが抑えられる。
【００４７】
図９に示されるように、除去工程が行われることにより、被覆導線２７に露出部２３が区画され、露出部２３がパッド電極１２上に配置される。また、除去工程が行われた後の被覆導線２７の放熱部２８には、ヒートシンク４４との接触痕が形成される。
【００４８】
図１０に示されるように、除去工程の後に、パッド電極１２と露出部２３とを接合する接合工程が行われる。接合工程では、加熱工具５０が用いられる。加熱工具５０は、通電されることによって発熱する発熱部５１を備えている。発熱部５１は、例えば、白金、モリブデン、タンタル、または、タングステン等の高融点発熱材料から形成されることが好ましい。本実施形態では、発熱部５１はタングステンから形成されている。
【００４９】
発熱部５１の先端は、被覆導線２７の幅と同程度の幅に形成されている。接合工程では、パッド電極１２と、被覆導線２７の露出部２３と、発熱部５１の先端とが１つの直線上に配置されるように、パッド電極１２と被覆導線２７との位置が合わせられ、かつ、被覆導線２７と発熱部５１との位置が合わせられる。そして、発熱部５１によって露出部２３がパッド電極１２に押し付けられている状態で、発熱部５１に電流が流される。その結果、発熱部５１が発熱して露出部２３とパッド電極１２が加熱される。発熱部５１に流される電流の大きさは、加熱温度が、主線部２４とパッド電極１２の表面とが溶融する温度となる大きさに設定される。露出部２３とパッド電極１２とが加熱されることにより、露出部２３とパッド電極１２とが溶融して接合される。
【００５０】
接合工程の後に、被覆導線２７の不要な部分が切断されて、アンテナ導線２０が形成される。また、パッド電極１２と露出部２３との接合部分に、保護樹脂３０が付加される。保護樹脂３０は、液状で滴下された後に硬化される。保護樹脂３０としては、吸水率が２％以下、かつ、ガラス転移点が１３０℃以上、かつ、ガラス転移点未満での線膨張率が１００ｐｐｍ以下である樹脂が用いられることが好ましい。こうした条件を満たす樹脂であれば、ＩＣモジュールが熱衝撃環境下や高温高湿環境下で使用される場合であっても、パッド電極１２と露出部２３との接合部分が適切に固定されて、クラックの発生や接合部分への水分の侵入が抑えられる。本実施形態では、保護樹脂３０として、上記の条件を満たすエポキシ樹脂が用いられる。保護樹脂３０としては、エポキシ樹脂に代えて、珪素系やカルシウム系等の無機系の樹脂や、シリコーン樹脂やウレタン樹脂等の有機系の樹脂を用いてもよい。保護樹脂３０の硬化方法としては、常温硬化、加熱硬化、紫外線硬化、または、湿気硬化等の方法が、作業性がよいため好ましい。
【００５１】
なお、除去工程における被覆導線２７への加熱は、接合工程と同じ加熱工具５０を用いて行ってもよく、他の機器を用いて行ってもよい。除去工程と接合工程とで同じ加熱工具５０を用いる場合には、加熱温度を除去工程用の温度と接合工程用の温度との２段階に変化させることによって、除去工程と接合工程とを連続して行うことが可能である。したがって、製造工程を効率化することができる。
【００５２】
［作用］
本実施形態のＩＣモジュール、および、ＩＣモジュールの製造方法の作用について説明する。
【００５３】
本実施形態のＩＣモジュールでは、アンテナ導線２０の幅方向におけるパッド電極１２の幅が、アンテナ導線２０の幅Ｄよりも大きい。したがって、パッド電極１２の上へのアンテナ導線２０の配置が容易となる。従来のように、パッド電極の幅が導線の径よりも小さい構成では、パッド電極と導線とに加熱工具が押し当てられた際に、パッド電極の上から導線が外れやすい。これに対し、本実施形態では、パッド電極１２の幅がアンテナ導線２０の幅Ｄよりも大きいため、パッド電極１２と被覆導線２７とを接合する際に、パッド電極１２と被覆導線２７との位置を合わせること、および、被覆導線２７と加熱工具５０との位置を合わせることが容易になる。また、治具４０における各溝の大きさや、各溝へのＩＣ基板１０や被覆導線２７の配置に対し、高い寸法精度が必要とされないため、ＩＣモジュールの製造に要する負荷が軽減される。
【００５４】
さらに、２つのパッド電極１２の間の間隔Ｐは、アンテナ導線２０の幅Ｄの２倍よりも大きい。このため、パッド電極１２の端部にアンテナ導線２０が配置された場合であっても、２つのパッド電極１２上のアンテナ導線２０が接触して短絡を起こすことが抑えられる。
【００５５】
また、本実施形態では、パッド電極１２が錫で被覆され、アンテナ導線２０の主線部２４に銅線が用いられている。したがって、錫と銅との溶着によってパッド電極１２とアンテナ導線２０とが接合されるため、接合を好適に行うことができる。
【００５６】
また、露出部２３の形成される範囲Ｓが、引出部２２の延びる方向にて中心位置Ｃから３ｍｍ以内の範囲、および、平面視にて、引出部２２のうち本体部１１と重なる範囲の少なくとも一方の範囲内に設定される。露出部２３が形成される範囲Ｓが上記の範囲内であれば、露出部２３の範囲が大きすぎないため、露出部２３以外の他の部材と露出部２３とが接触してアンテナ導線２０における電気的な状態が変わることが抑えられる。なお、露出部２３が形成される範囲Ｓは、上記の範囲内であって、接合工程での加熱によって露出部２３に隣接する被覆層が溶融しない程度に大きいことが好ましい。
【００５７】
本実施形態のＩＣモジュールの製造方法では、パッド電極１２と被覆導線２７との接合工程の前に、被覆導線２７におけるパッド電極１２と接合される部分の被覆層を除去する除去工程が行われる。そのため、加熱によって、被覆層を除去しながら導線とパッド電極との接合を行う製造方法と比較して、パッド電極１２と被覆導線２７との接合部分に溶融した被覆層が残ることを抑えることができる。その結果、接合部分と保護樹脂３０との間に被覆層の残部が入り込むことが抑えられる。
【００５８】
ＩＣモジュールが熱衝撃環境下で使用される場合、接合部分と保護樹脂３０との間に被覆層の残部が介在していると、保護樹脂３０やアンテナ導線２０の主線部２４と被覆層との膨張率の差に起因して、断線やクラックが生じることがある。また、ＩＣモジュールが高温高湿環境下で使用される場合、接合部分と保護樹脂３０との間に介在する被覆層の残部が含水して、ＩＣモジュールの特性の低下やアンテナ導線２０の腐食等が起こる場合がある。本実施形態では、接合部分と保護樹脂３０との間に被覆層の残部が入り込むことが抑えられるため、上述のような被覆層の残部に起因した現象が生じることが抑えられる。
【００５９】
また、被覆層の除去工程では、被覆導線２７の一部にヒートシンク４４が接触し、被覆導線２７のうちのヒートシンク４４と接触していない部分が加熱されて、被覆層が除去される。したがって、ヒートシンク４４の放熱機能によって、被覆層の除去される範囲が必要以上に広がることが抑えられる。その結果、被覆層が除去されている部分でアンテナ導線２０の短絡等が起こることが抑えられる。特に、径の大きい被覆導線２７を用いる場合等、加熱時間が長くなる場合には、こうしたヒートシンク４４の設置による効果が高められる。
【００６０】
また、パッド電極１２と被覆導線２７との接合工程においても、露出部２３に隣接する被覆導線２７の被覆層が除去されていない部分にヒートシンク４４を接触させることによって、接合時の熱が被覆導線２７を伝わって被覆層の溶融が進行することが抑えられる。
【００６１】
本実施形態では、除去工程と接合工程との両方の工程で被覆導線２７が加熱される。除去工程と接合工程の加熱温度を異ならせることによって、被覆層の除去という除去工程の目的とパッド電極１２と被覆導線２７との接合という接合工程での目的とを、各工程で好適に実現できる。ここで、絶縁層２５と自己融着層２６とが、２５０℃以下の温度で溶融する材料から形成されていると、除去工程に要する加熱温度が高温になりすぎないため、除去工程で主線部２４が溶解することが抑えられて被覆層のみを適切に除去することができる。
【００６２】
また、同一の治具４０にＩＣ基板１０と被覆導線２７とが配置された状態で、除去工程と接合工程とが行われるため、ＩＣモジュールの製造を効率よく行うことができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
【００６３】
（１）アンテナ導線２０の幅方向におけるパッド電極１２の幅が、アンテナ導線２０の幅Ｄよりも大きいため、ＩＣ基板１０とアンテナ導線２０との接続に際して、パッド電極１２とアンテナ導線２０との位置合わせが容易になる。
【００６４】
（２）パッド電極１２と被覆導線２７との接合工程の前に、被覆導線２７におけるパッド電極１２と接合される部分の被覆層を除去する除去工程が行われる。そのため、接合部分に溶融した被覆層の残部が堆積することが抑えられる。
【００６５】
（３）除去工程では、被覆導線２７の一部にヒートシンク４４が接触させられ、ヒートシンク４４の間に露出する被覆導線２７に熱が加えられて被覆層が除去される。したがって、ヒートシンク４４の放熱機能によって、被覆層の除去される範囲が必要以上に広がることが抑えられる。
【００６６】
（４）露出部２３が形成される範囲Ｓが、アンテナ導線２０の長さ方向におけるアンテナ導線２０とパッド電極１２との接合部分の中心位置Ｃから３ｍｍ以内の範囲、および、本体部１１と重なる範囲の少なくとも一方の範囲内に設定される。その結果、露出部２３にてアンテナ導線２０が接触して短絡を起こすことが抑えられる。
【００６７】
（５）パッド電極１２とアンテナ導線２０との接合部分が保護樹脂３０によって覆われている。これにより、パッド電極１２とアンテナ導線２０との接合部分が保護樹脂３０で保護されるため、接合部分が適切に固定される。
【００６８】
上記の各実施形態は、以下のように変更して実施することが可能である。
・図１１に示されるように、パッド電極１２とアンテナ導線２０とが互いに接合する部分に加えて、ＩＣ基板１０の全体が保護樹脂３１によって覆われてもよい。この構成によれば、ＩＣ基板１０の全体が保護樹脂３１で保護されるため、外部からの衝撃に対するＩＣ基板１０の破損や、ＩＣ基板１０への水分の付着が抑えられる。
【００６９】
・図１２に示されるように、ＩＣ基板１０とアンテナ導線２０との全体が保護樹脂３２によって覆われてもよい。この構成によれば、ＩＣモジュールの全体が保護樹脂３２で保護されるため、外部からの衝撃に対するＩＣ基板１０およびアンテナ導線２０の破損や、ＩＣモジュールへの水分の付着が抑えられる。
【００７０】
・除去工程と接合工程とにおいて、加熱温度が高められる回数は、３段階以上であってもよい。
・除去工程における加熱温度と、接合工程における加熱温度とは、同一であってもよい。さらに、除去工程と接合工程とが１つの工程として行われ、被覆層を除去しながら、被覆導線２７とパッド電極１２との接合が行われてもよい。
【００７１】
・除去工程は、治具４０に収容された被覆導線２７が加熱される方法に限らず、他の方法によって行われてもよい。例えば、薬品の塗布、レーザ照射、ソフトビーム、熱風の送風、はんだ槽等による加熱、または、ヤスリ等による機械研磨等の方法を用いることができる。
【００７２】
・除去工程では、ヒートシンク４４に代えて、金属板等が用いられてもよい。要は、被覆導線２７が配置される雰囲気よりも高い熱伝導性を有し、被覆導線２７が有する熱を被覆導線２７の外部へ放熱する放熱部材が、被覆導線２７の上に配置されればよい。
【００７３】
・アンテナ導線２０が有する被覆層は、絶縁層２５のみから構成されてもよい。
・パッド電極１２の平面形状は、矩形に限らず円形であってもよい。アンテナ導線２０の幅方向におけるパッド電極１２の幅が一定でない場合には、幅の最大値が、アンテナ導線２０の幅Ｄよりも大きければよい。
【００７４】
・ＩＣモジュールには、保護樹脂３０が付加されていなくてもよい。
・ＩＣ基板１０は、ＩＣパッケージに限らず、ＩＣを搭載するベアチップや、ＩＣを搭載するプリント基板であってもよい。要は、ＩＣ基板１０は、ＩＣを含む基板であればよい。
【符号の説明】
【００７５】
１０…ＩＣ基板、１１…本体部、１２…パッド電極、２０…アンテナ導線、２１…巻線部、２２…引出部、２３…露出部、２４…主線部、２５…絶縁層、２６…自己融着層、２７…被覆導線、２８…放熱部、３０，３１，３２…保護樹脂、４０…治具、４１…基板収容溝、４２…導線収容溝、４３…ヒートシンク収容溝、４４…ヒートシンク、５０…加熱工具、５１…発熱部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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