(57)【要約】【課題】可動電極とこれに接続される配線との間の電気抵抗を低減することができるＭＥＭＳ構造体を提供すること、また、かかるＭＥＭＳ構造体を備える電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明のＭＥＭＳ構造体１は、基板２と、基板２に配置されている下部電極５１と、基板２に配置されている下部電極５２と、下部電極５１に対して離間して対向配置されている可動部５３１、および、可動部５３１と繋がっていて下部電極５２に対して固定されている固定部５３２を有する上部電極５３と、固定部５３２および下部電極５２の双方に接触していて、金属を含んで構成されている金属部５４と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されている基板側電極と、
前記基板上に配置されている配線と、
前記基板側電極に対して離間して対向配置されている可動部、および、前記可動部および前記配線と繋がっている固定部を有する可動電極と、
前記固定部および前記配線の双方に接続していて、金属を含んで構成されている金属部と、
を備えることを特徴とするＭＥＭＳ構造体。
【請求項２】
前記金属は、前記配線および前記固定部よりも電気抵抗が小さい請求項１に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項３】
前記金属は、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、チタン、窒化チタンのうちのいずれか、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金である請求項２に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項４】
前記金属部は、前記固定部を貫通している請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項５】
前記金属部は、前記固定部と前記配線との界面と交差して配置されている請求項４に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項６】
前記金属部は、配線側よりも固定部側に幅が大きい幅広部を有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項７】
前記幅広部の少なくとも一部は、前記固定部に囲まれている請求項６に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項８】
前記幅広部の少なくとも一部は、前記配線とは反対側に向かうにつれて幅が漸次拡がっている請求項６または７に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項９】
前記可動部の数が複数である請求項１ないし８のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項１０】
前記基板側電極と前記可動部との間に周期的に変化する電界を生じさせて、前記可動部を振動させる静電駆動型の振動子である請求項１ないし９のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体を備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ構造体、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いて製造したＭＥＭＳ構造体は、可動部を有する様々な構造体（例えば、振動子、フィルター、センサー、モーター等）に適用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載のＭＥＭＳ構造体は、半導体基板と、この半導体基板上に配置された下部ＭＥＭＳ構造層（下部電極）および上部ＭＥＭＳ構造層（上部電極）と、を備え、上部ＭＥＭＳ構造層が、半導体基板に固定されている固定部と、この固定部に支持されていて下部ＭＥＭＳ構造層に対して間隔を隔てて対向配置されている可動部と、を有している。また、特許文献１に記載のＭＥＭＳ構造体では、下部ＭＥＭＳ構造層および上部ＭＥＭＳ構造層のそれぞれが、不純物をドープした多結晶シリコンで構成されている。
【０００４】
しかし、特許文献１に記載のＭＥＭＳ構造体では、上部電極にシリコンを用いて別層で構成された配線を接続する場合、上部電極と配線との界面における電気抵抗が大きくなるという問題があった。これは、配線表面の自然酸化膜や汚染等に起因して、上部電極と配線との界面における導電性が悪くなるためと推察される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−５１００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、可動電極とこれに接続される配線との間の電気抵抗を低減することができるＭＥＭＳ構造体を提供すること、また、かかるＭＥＭＳ構造体を備える電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明のＭＥＭＳ構造体は、基板と、
前記基板上に配置されている基板側電極と、
前記基板上に配置されている配線と、
前記基板側電極に対して離間して対向配置されている可動部、および、前記可動部および前記配線と繋がっている固定部を有する可動電極と、
前記固定部および前記配線の双方に接続していて、金属を含んで構成されている金属部と、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
このようなＭＥＭＳ構造体によれば、金属部自体の導電性が優れるとともに、金属部と固定部との界面、および、金属部と配線の界面での導電性が優れるため、可動電極と配線との間の電気抵抗を低減することができる。
【０００９】
［適用例２］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記金属は、前記配線および前記固定部よりも電気抵抗が小さいことが好ましい。
これにより、可動電極と配線との間の電気抵抗を効果的に低減することができる。
【００１０】
［適用例３］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記金属は、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、チタン、窒化チタンのうちのいずれか、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金であることが好ましい。
【００１１】
これらの金属は、導電性に優れるだけでなく、化学的安定性に優れるとともに、成膜が容易である。したがって、このような金属を用いて金属部を構成することにより、金属部を簡単かつ高精度に形成することができるとともに、金属部の劣化を低減して、ＭＥＭＳ構造体の信頼性を高めることができる。
【００１２】
［適用例４］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記金属部は、前記固定部を貫通していることが好ましい。
【００１３】
これにより、固定部および配線に対する金属部の接触面積を比較的大きく確保することができ、その結果、可動電極と配線との間の電気抵抗を効果的に低減することができる。また、半導体製造プロセスまたはそれに近似したプロセスを用いて簡単かつ高精度に金属部を形成することができる。
【００１４】
［適用例５］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記金属部は、前記固定部と前記配線との界面と交差して配置されていることが好ましい。
【００１５】
これにより、固定部および配線に対する金属部の接触面積をより大きく確保することができる。また、固定部および配線に対する金属部の接合強度を高め、その結果、ＭＥＭＳ構造体の信頼性を高めることができる。
【００１６】
［適用例６］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記金属部は、配線側よりも固定部側に幅が大きい幅広部を有することが好ましい。
【００１７】
これにより、固定部および配線のうちの少なくとも一方に対する金属部の接触面積を比較的大きく確保することができ、その結果、可動電極と配線との間の電気抵抗を効果的に低減することができる。
【００１８】
［適用例７］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記幅広部の少なくとも一部は、前記固定部に囲まれていることが好ましい。
【００１９】
これにより、固定部および配線のうちの少なくとも固定部に対する金属部の接触面積を比較的大きく確保することができる。
【００２０】
［適用例８］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記幅広部の少なくとも一部は、前記配線とは反対側に向かうにつれて幅が漸次拡がっていることが好ましい。
【００２１】
これにより、固定部および配線のうちの少なくとも固定部に対する金属部の接触面積をより大きく確保することができる。また、比較的簡単かつ高精度に金属部を形成することができる。
【００２２】
［適用例９］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記可動部の数が複数であることが好ましい。
【００２３】
これにより、可動部から外部への振動漏れを低減することができる。また、このようなＭＥＭＳ構造体は、小型化に伴い、固定部と配線との接触面積が小さくなってしまう。したがって、このようなＭＥＭＳ構造体に本発明を適用すると、その効果が顕著となる。
【００２４】
［適用例１０］
本発明のＭＥＭＳ構造体では、前記基板側電極と前記可動部との間に周期的に変化する電界を生じさせて、前記可動部を振動させる静電駆動型の振動子であることが好ましい。
【００２５】
これにより、可動電極とこれに接続される配線との間の電気抵抗を低減することができるＭＥＭＳ振動子を提供することができる。
【００２６】
［適用例１１］
本発明の電子機器は、本発明のＭＥＭＳ構造体を備えることを特徴とする。
【００２７】
これにより、可動電極とこれに接続される配線との間の電気抵抗を低減することができるＭＥＭＳ構造体を備える電子機器を提供することができる。
【００２８】
［適用例１２］
本発明の移動体は、本発明のＭＥＭＳ構造体を備えることを特徴とする。
【００２９】
これにより、可動電極とこれに接続される配線との間の電気抵抗を低減することができるＭＥＭＳ構造体を備える移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明のＭＥＭＳ構造体の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示すＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】図１に示すＭＥＭＳ構造体の製造工程（基板側電極形成工程）を示す図である。
【図４】図１に示すＭＥＭＳ構造体の製造工程（可動電極形成工程）を示す図である。
【図５】図１に示すＭＥＭＳ構造体の製造工程（キャビティ形成工程）を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１１】本発明のＭＥＭＳ構造体の第７実施形態を示す断面図である。
【図１２】本発明の電子機器の第１例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の電子機器の第２例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の電子機器の第３例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の移動体の一例である自動車の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明のＭＥＭＳ構造体、電子機器および移動体を添付図面に示す各実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３２】
＜第１実施形態＞
１．ＭＥＭＳ構造体
図１は、本発明のＭＥＭＳ構造体の第１実施形態を示す断面図である。また、図２は、図１に示すＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す図であって、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は平面図である。
【００３３】
図１に示すＭＥＭＳ構造体１は、基板２（基体）と、基板２上に配置されている振動素子５と、振動素子５を収納している空洞部Ｓ（キャビティ）を基板２との間に形成している積層構造体６と、を有している。本実施形態では、基板２の振動素子５側の面上には、振動素子５の他に、導体層３１が配置され、また、基板２と積層構造体６との間には、絶縁層３２が配置されている。以下これらの各部について順次説明する。
【００３４】
−基板２−
基板２は、半導体基板２１と、半導体基板２１の一方の面上に設けられた絶縁膜２２と、絶縁膜２２の半導体基板２１とは反対側の面上に設けられた絶縁膜２３と、を有している。
【００３５】
半導体基板２１は、シリコン等の半導体で構成されている。なお、半導体基板２１は、シリコン基板のような単一材料で構成された基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板のような積層構造を有する基板であってもよい。
【００３６】
絶縁膜２２は、例えば、シリコン酸化膜であり、絶縁性を有する。また、絶縁膜２３は、例えば、シリコン窒化膜であり、絶縁性を有するとともに、フッ酸を含むエッチング液に対する耐性をも有する。ここで、半導体基板２１（シリコン基板）と絶縁膜２３（シリコン窒化膜）との間に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）が介在していることにより、絶縁膜２３の成膜時に生じた応力が半導体基板２１に伝わるのを絶縁膜２２により緩和することができる。また、絶縁膜２２は、半導体基板２１およびその上方に半導体回路を形成する場合、素子間分離膜として用いることもできる。なお、絶縁膜２２、２３は、前述した構成材料に限定されず、また、必要に応じて、絶縁膜２２、２３のうちのいずれか一方を省略してもよい。
【００３７】
このような基板２の絶縁膜２３上には、パターニングされた導体層３１が配置されている。この導体層３１は、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）して構成されており、導電性を有する。また、導体層３１は、図示しないが、振動素子５に電気的に接続される配線を構成する第１部分と、その第１部分と離間して電気的に絶縁された第２部分とを有するようにパターニングされている。
【００３８】
また、導体層３１上には、絶縁層３２が配置されている。この絶縁層３２は、例えば、シリコン酸化膜である。なお、この絶縁層３２は、省略してもよい。
【００３９】
−振動素子５−
図２に示すように、振動素子５は、基板２の絶縁膜２３上に配置されている１対の下部電極５１、５２と、下部電極５２に支持されている上部電極５３と、を有している。
【００４０】
下部電極５１、５２は、それぞれ、基板２に沿った板状またはシート状なし、互いに離間して配置されている。また、図示しないが、下部電極５１、５２は、それぞれ、前述した導体層３１が有する配線に電気的に接続されている。ここで、下部電極５１は、「基板側電極（固定電極）」を構成している。また、下部電極５２は、上部電極５３を支持する「下地層」を構成しているとともに、上部電極５３に接続されている「配線」の少なくとも一部を構成していると言える。
【００４１】
上部電極５３は、下部電極５１に対して間隔を隔てて対向している板状またはシート状の可動部５３１と、下部電極５２に固定されている固定部５３２と、可動部５３１と固定部５３２とを連結している連結部５３３と、を有している。この上部電極５３は、前述した下部電極５２に電気的に接続されている。ここで、上部電極５３は、「可動電極」を構成している。
【００４２】
このような下部電極５１、５２および上部電極５３は、それぞれ、単結晶シリコン、多結晶シリコン（ポリシリコン）またはアモルファスシリコンにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）して構成されており、導電性を有する。
【００４３】
また、下部電極５１、５２の膜厚は、それぞれ、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上、１．０μｍ以下とすることができる。また、上部電極５３の膜厚は、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上、１．０μｍ以下とすることができる。
【００４４】
このような振動素子５が有する上部電極５３（可動電極）の固定部５３２には、複数の金属部５４が貫通して配置されている。この複数の金属部５４は、下部電極５２および上部電極５３の双方に接触していて、金属を含んで構成されている。これにより、下部電極５２と上部電極５３との間の電気抵抗を低減することができる。なお、金属部５４については、後に詳述する。
【００４５】
−積層構造体６−
積層構造体６は、振動素子５を収納している空洞部Ｓを画成するように形成されている。この積層構造体６は、基板２上に平面視で振動素子５を取り囲むように形成された層間絶縁膜６１と、層間絶縁膜６１上に形成された配線層６２と、配線層６２および層間絶縁膜６１上に形成された層間絶縁膜６３と、層間絶縁膜６３上に形成され、複数の細孔６４２（開孔）が形成された被覆層６４１を有する配線層６４と、配線層６４および層間絶縁膜６３上に形成された表面保護膜６５と、被覆層６４１上に設けられた封止層６６と、を有している。
【００４６】
層間絶縁膜６１、６３は、それぞれ、例えば、シリコン酸化膜である。また、配線層６２、６４および封止層６６は、それぞれ、アルミニウム等の金属で構成されている。また、表面保護膜６５は、例えば、シリコン窒化膜である。
【００４７】
なお、半導体基板２１上およびその上方には、上述した構成以外に、半導体回路が作り込まれていてもよい。この半導体回路は、ＭＯＳトランジスタ等の能動素子、その他必要に応じて形成されたコンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、配線（下部電極５１に接続されている配線や上部電極５３に接続されている配線、配線層６２、６４を含む）等の回路要素を有している。また、図示しないが、配線層６２と絶縁膜２３との間には、前述した振動素子５に電気的に接続された配線が空洞部Ｓの内外を跨って配置されており、配線層６２は、かかる配線に対して離間するように形成されている。
【００４８】
基板２と積層構造体６とによって画成された空洞部Ｓは、振動素子５を収容する収容部として機能している。また、空洞部Ｓは、密閉された空間である。本実施形態では、空洞部Ｓが真空状態（３００Ｐａ以下）となっている。これにより、振動素子５の振動特性を優れたものとすることができる。ただし、空洞部Ｓは、真空状態でなくてもよく、大気圧であってもよいし、大気圧よりも気圧が低い減圧状態であってもよいし、大気圧よりも気圧が高い加圧状態であってもよい。また、空洞部Ｓには、窒素ガス、希ガス等の不活性ガスが封入されていてもよい。
以上、ＭＥＭＳ構造体１の構成について簡単に説明した。
【００４９】
このように構成されたＭＥＭＳ構造体１では、下部電極５１と上部電極５３との間に周期的に変化する電圧を印加することにより、可動部５３１が下部電極５１に対して接近する方向と離間する方向とに交互に変位して屈曲振動する。このように、ＭＥＭＳ構造体１は、下部電極５１と可動部５３１との間に周期的に変化する電界を生じさせて可動部５３１を振動させる静電駆動型の振動子として用いることができる。
【００５０】
このようなＭＥＭＳ構造体１は、例えば、発振回路（駆動回路）と組み合わせることにより、所定の周波数の信号を取り出す発振器として用いることができる。なお、かかる発振回路は、基板２上に半導体回路として設けることができる。また、ＭＥＭＳ構造体１は、ジャイロセンサー、圧力センサー、加速度センサー、傾斜センサー等の各種のセンサーにも適用できる。
【００５１】
（金属部）
ここで、金属部５４について詳述する。
【００５２】
図２（ａ）に示すように、振動素子５の上部電極５３の固定部５３２には、複数（本実施形態では２つ）の金属部５４が固定部５３２の厚さ方向に貫通して配置されている。したがって、各金属部５４の側面が全周にわたって固定部５３２に接触している。また、本実施形態では、各金属部５４は、固定部５３２の下部電極５２側の面から突出している部分を有し、かかる部分が下部電極５２に埋没して接触している。
【００５３】
また、複数の金属部５４は、下部電極５２と上部電極５３とが並ぶ方向から見たときに（以下、「平面視」とも言う）、平面視で可動部５３１の固定端と自由端とが並ぶ方向（以下、「長さ方向」とも言う）に沿って並んでいる。また、複数の金属部５４は、それぞれ、平面視で可動部５３１の固定端と自由端とが並ぶ方向に対して垂直な方向（以下、「幅方向」とも言う）に沿って延びている。なお、金属部５４の平面視形状および数は、図示のものに限定されず、例えば、各金属部５４の平面視形状が屈曲または湾曲する部分や、円形、多角形、十字状等をなす部分を有してもよいし、金属部５４の数が１つまたは３つ以上であってもよい。
【００５４】
このように配置された金属部５４は、固定部５３２および下部電極５２（配線）の双方に接触（接続）していて、金属を含んで構成されている。ここで、固定部５３２および下部電極５２が互いに接触しており、これらの界面５５で導通をある程度確保することができるが、この界面５５での電気抵抗値は、通常、固定部５３２自体や下部電極５２自体の電気抵抗値よりも大きくなってしまう。これは、以下に述べるような理由であると推察される。
【００５５】
後に詳述するように下部電極５２および上部電極５３を形成するに際しては、下部電極５２を形成した後に、下部電極５２上に固定部５３２が重なるように上部電極５３を積層して形成する。シリコンを用いて下部電極５２および上部電極５３の双方を形成する場合においては、下部電極５２の形成後から上部電極５３を形成するまでの間に、下部電極５２の表面が自然酸化したり汚染されたりしてしまう。そのため、その状態でシリコンを用いて上部電極５３を形成すると、下部電極５２の表面に存在する自然酸化膜や汚染物が下部電極５２と上部電極５３との界面５５における結合を阻害し、かかる結合に欠損が生じやすくなる。その結果、界面５５における電気抵抗値が大きくなってしまうと推察される。
【００５６】
そこで、ＭＥＭＳ構造体１では、金属を含んで構成された金属部５４を固定部５３２および下部電極５２の双方に接触させている。金属は、それ自体導電性が優れるだけでなく、シリコンを用いて構成された構造体の表面に成膜したとき、その構造体の表面が自然酸化したり汚染されていたりしても、その構造体の表面に好適に結合・拡散する。したがって、金属部５４は、それ自体の導電性が優れるとともに、金属部５４と固定部５３２との界面、および、金属部５４と下部電極５２との界面での導電性を優れたものとすることができる。その結果、上部電極５３と下部電極５２との間の電気抵抗を低減することができる。
【００５７】
ここで、金属部５４が固定部５３２を貫通しているため、固定部５３２および下部電極５２に対する金属部５４の接触面積を比較的大きく確保することができ、その結果、上部電極５３と下部電極５２との間の電気抵抗を効果的に低減することができる。また、半導体製造プロセスまたはそれに近似したプロセスを用いて簡単かつ高精度に金属部５４を形成することができる。
【００５８】
しかも、本実施形態では、金属部５４が固定部５３２と下部電極５２との界面５５を貫通（交差）して配置されているため、固定部５３２だけでなく下部電極５２に対する金属部５４の接触面積をより大きく確保することができる。また、固定部５３２および下部電極５２に対する金属部５４の接合強度を高め、その結果、ＭＥＭＳ構造体１の信頼性を高めることができる。すなわち、金属部５４は、下部電極５２に対する固定部５３２の固定を補強する機能と、下部電極５２と固定部５３２との間の電気抵抗値を低める機能と、を有している。
【００５９】
また、金属部５４に含まれる金属としては、前述したような機能を有する金属部５４を構成し得るものであれば、特に限定されず、各種金属を用いることができるが、下部電極５２および固定部５３２を構成する材料（ドープしたシリコン）よりも電気抵抗が小さいことが好ましい。これにより、上部電極５３と下部電極５２との間の電気抵抗を効果的に低減することができる。
【００６０】
特に、金属部５４に含まれる金属は、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、チタン、窒化チタンのうちのいずれか、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金であることが好ましく、特に、タングステンまたはタングステン合金であることが好ましい。これらの金属は、導電性に優れるだけでなく、化学的安定性に優れるとともに、成膜が容易である（言い換えると、半導体製造プロセスとの親和性が高い）。したがって、このような金属を用いて金属部５４を構成することにより、金属部５４を簡単かつ高精度に形成することができるとともに、金属部５４の劣化を低減して、ＭＥＭＳ構造体１の信頼性を高めることができる。
【００６１】
なお、金属部５４は、金属のみで構成することができるが、金属以外の材料または元素が若干（１％以下程度）含まれていてもよい。また、金属部５４は、複数種の金属を混合、合金化、積層等により組み合わせて用いることもできる。
【００６２】
（ＭＥＭＳ構造体の製造方法）
次に、ＭＥＭＳ構造体１の製造方法を簡単に説明する。
【００６３】
図３は、図１に示すＭＥＭＳ構造体の製造工程（基板側電極形成工程）を示す図、図４は、図１に示すＭＥＭＳ構造体の製造工程（可動電極形成工程）を示す図、図５は、図１に示すＭＥＭＳ構造体の製造工程（キャビティ形成工程）を示す図である。以下、これらの図に基づいて説明する。
【００６４】
［振動素子形成工程］
−基板を準備する工程−
まず、図３（ａ）に示すように、半導体基板２１（シリコン基板）を用意する。
【００６５】
なお、半導体基板２１上およびその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面のうち絶縁膜２２および絶縁膜２３を形成しない部分に、半導体回路のＭＯＳトランジスタのソースおよびドレインをイオンドープして形成する。
【００６６】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基板２１の上面に絶縁膜２２（シリコン酸化膜）を形成する。
【００６７】
絶縁膜２２（シリコン酸化膜）の形成方法としては、特に限定されず、例えば、熱酸化法（ＬＯＣＯＳ法、ＳＴＩ法を含む）、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。なお、絶縁膜２２は、必要に応じてパターニングしてもよく、例えば、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面の一部が露出するように絶縁膜２２をパターニングする。
【００６８】
その後、図３（ｃ）に示すように、絶縁膜２２上に絶縁膜２３（シリコン窒化膜）を形成する。
【００６９】
絶縁膜２３（シリコン窒化膜）の形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いることができる。なお、絶縁膜２３は、必要に応じてパターニングしてもよく、例えば、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、半導体基板２１の上面の一部が露出するように絶縁膜２３をパターニングする。
【００７０】
−基板側電極形成用膜を形成する工程−
次に、図３（ｄ）に示すように、絶縁膜２３上に、導体層３１および下部電極５１、５２を形成するための導体膜７１（基板側電極形成用膜）を形成する。
【００７１】
具体的には、例えば、絶縁膜２３上に、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンで構成されたシリコン膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成した後に、そのシリコン膜にリン等の不純物をドープすることにより導体膜７１を形成する。なお、絶縁膜２３の構成によっては、エピタキシャル成長させたシリコン膜にリン等の不純物をドープすることによって導体膜７１を形成してもよい。
【００７２】
次に、導体膜７１をパターニングして、図３（ｅ）に示すように、導体層３１および下部電極５１、５２を形成する。
【００７３】
具体的には、例えば、導体膜７１上にフォトレジストを塗布し、導体層３１および下部電極５１、５２の形状（平面視形状）にパターニングして、フォトレジスト膜を形成する。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、導体膜７１をエッチングした後、フォトレジスト膜を除去する。これにより、導体層３１および下部電極５１、５２が形成される。
【００７４】
なお、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、例えば、下部電極５１、５２等のパターンニングと同時に導体膜７１をパターンニングして、半導体回路のＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する。
【００７５】
−犠牲層を形成する工程−
次に、図４（ａ）に示すように、下部電極５１上に、犠牲層７２を形成する。本実施形態では、下部電極５２上の一部（固定部５３２が形成される部分）以外の全域にわたって犠牲層７２を形成する。この犠牲層７２には、固定部５３２が形成される部分に対応して開口７２１が形成されている。
【００７６】
本実施形態では、犠牲層７２は、シリコン酸化膜であり、後述する工程において、一部が除去され、残部が絶縁層３２となる。なお、絶縁層３２を省略する場合、犠牲層７２は、下部電極５１のみを覆うように形成してもよい。また、犠牲層７２は、ＰＳＧ（リンドープガラス）等で構成されていてもよい。
【００７７】
また、犠牲層７２の形成方法としては、特に限定されず、例えば、スパッタリング法またはＣＶＤ法等を用いることができる。
【００７８】
−可動電極形成用膜を形成する工程−
次に、図４（ｂ）に示すように、開口７２１内および犠牲層７２上に、上部電極５３を形成するための導体膜７３（可動電極形成用膜）を形成する。
【００７９】
具体的には、例えば、開口７２１内および犠牲層７２上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを堆積させてシリコン膜を形成した後に、そのシリコン膜にリン等の不純物をドープすることにより導体膜７３を形成する。なお、犠牲層７２の構成によっては、エピタキシャル成長させたシリコン膜にリン等の不純物をドープすることによって導体膜７３を形成してもよい。また、シリコン膜は、エッチバックまたはＣＭＰ（chemical mechanical plishing）等により平坦化してもよい。
【００８０】
−金属部を形成する工程−
次に、図４（ｃ）に示すように、導体膜７３に貫通孔７３１を形成する。このとき、貫通孔７３１に連続するように、犠牲層７２に凹部７２２を形成する。すなわち、導体膜７３および犠牲層７２からなる積層体に、金属部５４に対応する形状をなすように、貫通孔７３１および凹部７２２で構成された凹部７０を形成する。
【００８１】
凹部７０の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ドライエッチングを用いることができる。これにより、貫通孔７３１を形成する際のオーバーエッチングを利用して、凹部７２２を簡単に形成することができる。また、ドライエッチングの際には、フォトリソグラフィを利用したレジスト膜をマスクとして用いることができる。
【００８２】
次に、凹部７０内に金属を充填して、図４（ｄ）に示すように、金属部５４を形成する。
【００８３】
具体的には、例えば、凹部７０内および導体膜７３上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によりタングステン等の金属を堆積させて金属膜を形成した後に、その金属膜をエッチバックまたはＣＭＰ等により凹部７０内以外の不要部分を除去し、凹部７０内のみに金属を残す。これにより、金属部５４を金属で形成することができる。なお、金属膜を形成する際、複数回に分けて金属を堆積させてもよく、この場合、１回目または２回目の金属の堆積において、金属としてチタンや窒化チタン等を用いてグルーレイヤを形成してもよい。
【００８４】
次に、図４（ｅ）に示すように、導体膜７３をパターニングして、上部電極５３を形成する。
【００８５】
具体的には、例えば、導体膜７３上にフォトレジストを塗布し、上部電極５３の形状（平面視形状）にパターニングして、フォトレジスト膜を形成する。そして、そのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、導体膜７３をエッチングした後、フォトレジスト膜を除去する。これにより、上部電極５３が形成される。
【００８６】
以上のようにして、下部電極５１、５２および上部電極５３を有する振動素子５が形成される。
【００８７】
［キャビティ形成工程］
図５（ａ）に示すように、上部電極５３および犠牲層７２の上側に、層間絶縁膜７４、７５、配線層６２、６４および表面保護膜６５を形成する。
【００８８】
具体的には、例えば、振動素子５および犠牲層７２上に、シリコン酸化膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、そのシリコン酸化膜をエッチングによりパターニングすることにより、配線層６２に対応した形状をなす貫通孔が形成された層間絶縁膜７４を形成する。そして、層間絶縁膜７４の貫通孔を埋めるように、層間絶縁膜７４上に、アルミニウムからなる膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、その膜をエッチングによりパターニング（不要部分を除去）することにより、配線層６２を形成する。
【００８９】
その後、層間絶縁膜７４と同様にして、層間絶縁膜７５を形成した後、配線層６２と同様にして、配線層６４を形成する。また、配線層６４の形成後、スパッタリング法、ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂等である表面保護膜６５を形成する。
【００９０】
なお、このような層間絶縁膜と配線層との積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスにより形成され、その積層数は、必要に応じて適宜に設定される。すなわち、必要に応じてさらに多くの配線層が層間絶縁膜を介して積層される場合もある。また、半導体基板２１の上面またはその上方に半導体回路を形成する場合には、例えば、配線層６２、６４の形成と同時に、半導体回路のＭＯＳトランジスタのゲート電極等に電気的に接続される配線層を形成する。
【００９１】
−犠牲層をエッチングする工程−
次に、図５（ｂ）に示すように、犠牲層７２および層間絶縁膜７４、７５の一部を除去することにより、空洞部Ｓおよび層間絶縁膜６１、６３を形成する。
【００９２】
具体的には、被覆層６４１に形成された複数の細孔６４２を通じたエッチングにより、振動素子５の周囲や下部電極５１と可動部５３１との間にある犠牲層７２および層間絶縁膜７４、７５を除去する。これにより、振動素子５が収納される空洞部Ｓが形成されるとともに、下部電極５１と可動部５３１との間に空隙が形成され、振動素子５が駆動し得る状態となる。
【００９３】
ここで、層間絶縁膜７４、７５および犠牲層７２の除去（リリース工程）は、例えば、複数の細孔６４２からエッチング液としてのフッ酸、緩衝フッ酸等を供給するウェットエッチングや、複数の細孔６４２からエッチングガスとしてフッ化水素酸ガス等を供給するドライエッチングにより行うことができる。このとき、金属部５４、絶縁膜２３および配線層６２、６４は、リリース工程において実施されるエッチングに対する耐性を有しており、いわゆるエッチングストップ層として機能する。なお、エッチングの前に、必要に応じて、エッチングの対象となる部分を含む構造体の外表面にフォトレジスト等で保護膜を形成してもよい。
【００９４】
次に、図５（ｃ）に示すように、被覆層６４１上に、封止層６６を形成する。
具体的には、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜等で構成された封止層６６をスパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成し、各細孔６４２を封止する。
以上のような工程により、ＭＥＭＳ構造体１を製造することができる。
【００９５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００９６】
図６は、本発明の第２実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す断面図である。
【００９７】
以下、本発明の第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第２実施形態は、金属部の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００９８】
図６に示すＭＥＭＳ構造体１Ａは、振動素子５Ａを備え、この振動素子５Ａが有する固定部５３２には、金属部５４Ａが貫通して配置されている。
【００９９】
この金属部５４Ａは、図６に示すように、縦断面において略Ｔ字のリベット状をなしている。すなわち、金属部５４Ａは、固定部５３２を貫通していて下部電極５２側の端部が下部電極５２に埋没している幅一定の幅狭部５４１と、この幅狭部５４１の下部電極５２とは反対側において固定部５３２から突出していて幅狭部５４１よりも幅が広い幅広部５４２と、を有している。このように金属部５４Ａが金属部５４Ａの下部電極５２とは反対側の端部において幅が拡がっている幅広部５４２を有することにより、固定部５３２に対する金属部５４Ａの接触面積を比較的大きく確保することができ、その結果、上部電極５３と下部電極５２との間の電気抵抗を効果的に低減することができる。また、下部電極５２と固定部５３２との接続強度を高め、その結果、振動素子５Ａの信頼性を向上させることができる。
【０１００】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【０１０１】
図７は、本発明の第３実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す断面図である。
【０１０２】
以下、本発明の第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第３実施形態は、金属部の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１０３】
図７に示すＭＥＭＳ構造体１Ｂは、振動素子５Ｂを備え、この振動素子５Ｂが有する固定部５３２には、金属部５４Ｂが貫通して配置されている。
【０１０４】
この金属部５４Ｂは、下部電極５２とは反対側に向かうにつれて幅が漸次拡がるテーパー形状をなしている。このような金属部５４Ｂは、金属部５４Ｂの途中または下部電極５２とは反対側の端部において幅が拡がっている「幅広部」を有すると言える。これにより、固定部５３２に対する金属部の接触面積を比較的大きく確保することができ、その結果、上部電極５３と下部電極５２との間の電気抵抗を効果的に低減することができる。特に、このような幅広部を有する金属部５４Ｂが固定部５３２に囲まれているため、固定部５３２に対する金属部５４Ｂの接触面積を比較的大きく確保することができる。また、金属部５４Ｂが前述したようにテーパー形状をなしていることにより、固定部５３２に対する金属部５４Ｂの接触面積をより大きく確保することができ、また、比較的簡単かつ高精度に金属部５４Ｂを形成することができる。
【０１０５】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
【０１０６】
図８は、本発明の第４実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す断面図である。
【０１０７】
以下、本発明の第４実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第４実施形態は、金属部の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１０８】
図８に示すＭＥＭＳ構造体１Ｃは、振動素子５Ｃを備え、この振動素子５Ｃが有する固定部５３２と下部電極５２との間には、金属部５４Ｃが埋め込まれて配置されている。
【０１０９】
この金属部５４Ｃは、固定部５３２と下部電極５２との界面を貫通して配置されているため、固定部５３２および下部電極５２に対する金属部５４Ｃの接触面積をより大きく確保することができる。また、固定部５３２および下部電極５２に対する金属部５４Ｃの接合強度を高め、その結果、ＭＥＭＳ構造体１Ｃの信頼性を高めることができる。
【０１１０】
なお、このような金属部５４Ｃを有する振動素子５Ｃを形成するに際しては、下部電極５２を形成した後、下部電極５２上に金属部５４Ｃを形成し、その後、上部電極５３を形成すればよい。
【０１１１】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
【０１１２】
図９は、本発明の第５実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す断面図である。
【０１１３】
以下、本発明の第５実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
第５実施形態は、金属部の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１１４】
図９に示すＭＥＭＳ構造体１Ｄは、振動素子５Ｄを備え、この振動素子５Ｄが有する固定部５３２には、複数の金属部５４Ｄが埋め込まれて配置されている。
【０１１５】
この金属部５４Ｄは、固定部５３２の下部電極５２側の面が突出しておらず、金属部５４Ｄの下部電極５２側の端面は、固定部５３２の下部電極５２側の面と同一面上となるように形成され、下部電極５２の固定部５３２側の面に接触している。
【０１１６】
このような金属部５４Ｄを用いても、上部電極５３と下部電極５２との間の電気抵抗を効果的に低減することができる。
【０１１７】
＜第６実施形態＞
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
【０１１８】
図１０は、本発明の第６実施形態に係るＭＥＭＳ構造体が備える振動素子を示す図であって、図１０（ａ）は、断面図、図１０（ｂ）は、平面図である。
【０１１９】
以下、本発明の第６実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１２０】
第６実施形態は、可動電極および基板側電極の数が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１２１】
図１０に示すＭＥＭＳ構造体１Ｅは、振動素子５Ｅを備えている。振動素子５Ｅは、４つの下部電極５１と、下部電極５２Ｅと、下部電極５２Ｅに支持されている上部電極５３Ｅと、を有している。
【０１２２】
４つの下部電極５１（基板側電極）は、平面視で、下部電極５２Ｅを挟んで第１方向（図１０（ｂ）中の左右方向）に沿って並んでいる２つの下部電極５１ａ、５１ｂと、下部電極５２Ｅを挟んで第１方向に直交する第２方向（図１０（ｂ）中の上下方向）に沿って並んでいる２つの下部電極５１ｃ、５１ｄと、で構成されている。また、４つの下部電極５１は、それぞれ、平面視で、下部電極５２Ｅに対して離間して配置されている。
【０１２３】
２つの下部電極５１ａ、５１ｂは、図示しない配線を介して互いに電気的に接続されていて、互いに同電位となるように構成されている。同様に、２つの下部電極５１ｃ、５ｄは、図示しない配線を介して互いに電気的に接続されていて、互いに同電位となるように構成されている。
【０１２４】
上部電極５３Ｅ（可動電極）は、４つの可動部５３１Ｅと、下部電極５２Ｅに固定されている固定部５３２Ｅと、各可動部５３１Ｅと固定部５３２Ｅとを連結している連結部５３３Ｅと、を有している。
【０１２５】
４つの可動部５３１Ｅは、前述した４つの下部電極５１に対応して設けられており、各可動部５３１Ｅは、対応する下部電極５１に対して間隔を隔てて対向している。すなわち、４つの可動部５３１Ｅは、固定部５３２Ｅを挟んで第１方向（図１０（ｂ）中の左右方向）に沿って並んでいる２つの可動部５３１ａ、５３１ｂと、固定部５３２Ｅを挟んで第１方向に直交する第２方向（図１０（ｂ）中の上下方向）に沿って並んでいる２つの可動部５３１ｃ、５３１ｄと、で構成されている。
【０１２６】
このような上部電極５３Ｅの固定部５３２Ｅには、複数の金属部５４Ｅが配置されている。
【０１２７】
このように構成されたＭＥＭＳ構造体１Ｅでは、下部電極５１ａ、５１ｂと上部電極５３Ｅとの間に周期的に変化する第１電圧（交番電圧）が印加されるとともに、下部電極５１ｃ、５１ｄと上部電極５３Ｅとの間に位相が１８０°ずれている以外は第１電圧と同様の第２電圧が印加される。
【０１２８】
すると、可動部５３１ａ、５３１ｂが下部電極５１ａ、５１ｂに対して接近する方向と離間する方向とに交互に変位して屈曲振動するとともに、可動部５３１ａ、５３１ｂとは逆相で、可動部５３１ｃ、５３１ｄが下部電極５１ｃ、５１ｄに対して接近する方向と離間する方向とに交互に変位して屈曲振動する。すなわち、可動部５３１ａ、５３１ｂが下部電極５１ａ、５１ｂに対して接近する方向に変位しているとき、可動部５３１ｃ、５３１ｄが下部電極５１ｃ、５１ｄに対して離間する方向に変位し、一方、可動部５３１ａ、５３１ｂが下部電極５１ａ、５１ｂに対して離間する方向に変位しているとき、可動部５３１ｃ、５３１ｄが下部電極５１ｃ、５１ｄに対して接近する方向に変位する。
【０１２９】
このように可動部５３１ａ、５３１ｂと可動部５３１ｃ、５３１ｄとを逆相で振動させることにより、可動部５３１ａ、５３１ｂから固定部５３２Ｅに伝わる振動と、可動部５３１ｃ、５３１ｄから固定部５３２Ｅに伝わる振動とを互いに相殺させることができる。その結果、これらの振動が固定部５３２Ｅを介して外部に漏れること、いわゆる振動漏れを低減し、ＭＥＭＳ構造体１Ｅの振動効率を高めることができる。このように、ＭＥＭＳ構造体１Ｅは、可動部５３１Ｅの数が複数であることにより、可動部５３１Ｅから外部への振動漏れを低減することができる。
【０１３０】
このようなＭＥＭＳ構造体１Ｅにおいても、金属部５４Ｅを設けることにより、上部電極５３Ｅと下部電極５２Ｅとの間の電気抵抗を効果的に低減することができる。また、このようなＭＥＭＳ構造体１Ｅは、小型化に伴い、固定部５３２Ｅと下部電極５２Ｅとの接触面積が小さくなってしまう。したがって、このようなＭＥＭＳ構造体１Ｅに本発明を適用すると、その効果が顕著となる。
【０１３１】
＜第７実施形態＞
次に、本発明の第７実施形態について説明する。
図１１は、本発明のＭＥＭＳ構造体の第７実施形態を示す断面図である。
【０１３２】
以下、本発明の第７実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１３３】
第７実施形態は、ダイヤフラム部を備えている以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【０１３４】
図１１に示すＭＥＭＳ構造体１Ｆは、圧力を検出可能に構成されている。このＭＥＭＳ構造体１Ｆは、第１実施形態のＭＥＭＳ構造体１において、基板２に代えて、ダイヤフラム部２０を有する基板２Ｆを備えている。
【０１３５】
基板２Ｆは、半導体基板２１Ｆと、半導体基板２１Ｆの一方の面に設けられた絶縁膜２２と、絶縁膜２２上に設けられた絶縁膜２３と、を有している。
【０１３６】
この基板２Ｆには、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイヤフラム部２０が設けられている。ダイヤフラム部２０は、半導体基板２１Ｆの下面に有底の凹部２１１を設けることで形成されている。このようなダイヤフラム部２０は、その下面が受圧面２１３となっている。なお、凹部２１１は、エッチングにより形成することができる。
【０１３７】
本実施形態の基板２Ｆでは、凹部２１１が半導体基板２１Ｆを貫通しておらず、ダイヤフラム部２０が半導体基板２１Ｆの薄肉部分２１２、絶縁膜２２および絶縁膜２３の３層で構成されている。
【０１３８】
このようなダイヤフラム部２０の受圧面２１３とは反対側の面上には、振動素子５が設けられている。本実施形態では、振動素子５は、平面視で、ダイヤフラム部２０の中央部に配置されている。
【０１３９】
また、振動素子５を収納している空洞部Ｓは、ＭＥＭＳ構造体１Ｆが検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。空洞部Ｓを真空状態とすることによって、ＭＥＭＳ構造体１Ｆを、真空状態を基準として圧力を検出する「絶対圧センサー」として用いることができ、その利便性が向上する。
【０１４０】
このような構成のＭＥＭＳ構造体１Ｆは、受圧面２１３に圧力が加わると、ダイヤフラム部２０が、空洞部Ｓ側に撓み変形する。その変形に伴って、上部電極５３の可動部５３１と下部電極５１との間のギャップ（離間距離）が変化する。
【０１４１】
上部電極５３の可動部５３１と下部電極５１との間のギャップが変化すると、下部電極５１および上部電極５３で構成される振動系の共振周波数が変化するため、この共振周波数の変化から、受圧面２１３で受けた圧力の大きさ（絶対圧）を求めることができる。
【０１４２】
２．電子機器
次いで、本発明の振動片を適用した電子機器（本発明の電子機器）について、図１２〜図１４に基づき、詳細に説明する。
【０１４３】
図１２は、本発明の電子機器の第１例であるモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部２０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、ＭＥＭＳ構造体１（発振器）が内蔵されている。
【０１４４】
図１３は、本発明の電子機器の第２例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部２０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、ＭＥＭＳ構造体１（発振器）が内蔵されている。
【０１４５】
図１４は、本発明の電子機器の第３例であるディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１４６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１４７】
撮影者が表示部１００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、ＭＥＭＳ構造体１（発振器）が内蔵されている。
以上説明したような電子機器は、優れた信頼性を有する。
【０１４８】
なお、本発明の振動片を備える電子機器は、図１２のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１３の携帯電話機、図１４のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１４９】
３．移動体
図１５は、本発明の移動体の一例である自動車の構成を示す斜視図である。
【０１５０】
この図において、移動体１５００は、車体１５０１と、４つの車輪１５０２とを有しており、車体１５０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪１５０２を回転させるように構成されている。このような移動体１５００には、ＭＥＭＳ構造体１（発振器）が内蔵されている。
【０１５１】
以上説明したような移動体は、優れた信頼性を有する。なお、本発明の移動体は、自動車に限定されず、例えば、航空機、船舶、オートバイ等の各種移動体に適用可能である。
【０１５２】
以上、本発明のＭＥＭＳ構造体、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１５３】
例えば、前述した実施形態では、金属部が固定部を貫通している場合について説明したが、金属部は、固定部および配線の双方に接触していれば、前述した実施形態に限定されず、例えば、固定部の外表面と配線の外表面とに跨って配置されていてもよい。
【０１５４】
また、前述した実施形態では、基板側電極の平面視における面積が、可動電極の可動部の面積よりも大きい場合について説明したが、基板側電極の平面視における面積は、可動電極の可動部の面積と同じであってもよいし、可動電極の可動部の面積よりも小さくてもよい。
【０１５５】
また、前述した実施形態では、振動素子の可動部が片持ち支持されている構成について説明したが、これに限定されず、可動部が両端固定されていてもよい。
【０１５６】
また、前述した実施形態では、基板側電極および可動電極を成膜により形成した場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、基板をエッチングすることにより基板側電極または可動電極を形成してもよい。
【符号の説明】
【０１５７】
１‥‥ＭＥＭＳ構造体
１Ａ‥‥ＭＥＭＳ構造体
１Ｂ‥‥ＭＥＭＳ構造体
１Ｃ‥‥ＭＥＭＳ構造体
１Ｄ‥‥ＭＥＭＳ構造体
１Ｅ‥‥ＭＥＭＳ構造体
１Ｆ‥‥ＭＥＭＳ構造体
２‥‥基板
２Ｆ‥‥基板
５‥‥振動素子
５Ａ‥‥振動素子
５Ｂ‥‥振動素子
５Ｃ‥‥振動素子
５Ｄ‥‥振動素子
５Ｅ‥‥振動素子
６‥‥積層構造体
２０‥‥ダイヤフラム部
２１‥‥半導体基板
２１Ｆ‥‥半導体基板
２２‥‥絶縁膜
２３‥‥絶縁膜
３１‥‥導体層
３２‥‥絶縁層
５１‥‥下部電極（基板側電極）
５１ａ‥‥下部電極（基板側電極）
５１ｂ‥‥下部電極（基板側電極）
５１ｃ‥‥下部電極（基板側電極）
５１ｄ‥‥下部電極（基板側電極）
５２‥‥下部電極（配線）
５２Ｅ‥‥下部電極（配線）
５３‥‥上部電極（可動電極）
５３Ｅ‥‥上部電極（可動電極）
５４‥‥金属部
５４Ａ‥‥金属部
５４Ｂ‥‥金属部
５４Ｃ‥‥金属部
５４Ｄ‥‥金属部
５４Ｅ‥‥金属部
５５‥‥界面
６１‥‥層間絶縁膜
６２‥‥配線層
６３‥‥層間絶縁膜
６４‥‥配線層
６５‥‥表面保護膜
６６‥‥封止層
７０‥‥凹部
７１‥‥導体膜
７２‥‥犠牲層
７３‥‥導体膜
７４‥‥層間絶縁膜
７５‥‥層間絶縁膜
１００‥‥表示部
２１１‥‥凹部
２１２‥‥薄肉部分
２１３‥‥受圧面
５３１‥‥可動部
５３１Ｅ‥‥可動部
５３１ａ‥‥可動部
５３１ｂ‥‥可動部
５３１ｃ‥‥可動部
５３１ｄ‥‥可動部
５３２‥‥固定部
５３２Ｅ‥‥固定部
５３３‥‥連結部
５３３Ｅ‥‥連結部
５４１‥‥幅狭部
５４２‥‥幅広部
６４１‥‥被覆層
６４２‥‥細孔
７２１‥‥開口
７２２‥‥凹部
７３１‥‥貫通孔
１１００‥‥パーソナルコンピューター
１１０２‥‥キーボード
１１０４‥‥本体部
１１０６‥‥表示ユニット
１２００‥‥携帯電話機
１２０２‥‥操作ボタン
１２０４‥‥受話口
１２０６‥‥送話口
１３００‥‥ディジタルスチルカメラ
１３０２‥‥ケース
１３０４‥‥受光ユニット
１３０６‥‥シャッタボタン
１３０８‥‥メモリー
１３１２‥‥ビデオ信号出力端子
１３１４‥‥入出力端子
１４３０‥‥テレビモニター
１４４０‥‥パーソナルコンピューター
１５００‥‥移動体
１５０１‥‥車体
１５０２‥‥車輪
２０００‥‥表示部
Ｓ‥‥空洞部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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