(57)【要約】      （修正有）【課題】補助電極上の有機層を選択的に除去することができ、表示特性の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板２上に形成された複数の画素電極３と、上記画素電極３のエッジ部分を覆うように上記画素電極３の間に形成された絶縁層４と、上記画素電極の間に形成された突起構造物５と、上記突起構造物５上に形成された補助電極６と、上記画素電極３上に形成され、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層７とを有し、上記補助電極６が少なくとも１層の有機層で覆われた有機ＥＬ層側基板を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程、上記有機ＥＬ層側基板形成工程で得られた少なくとも１層の上記有機層を除去して上記補助電極が露出した接触部を形成する接触部形成工程、および、上記有機ＥＬ層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を有することを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法。【選択図】図１
2015005434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の画素電極と、少なくとも前記画素電極のエッジ部分を覆うように前記画素電極の間に形成された絶縁層と、前記画素電極の間に形成された突起構造物と、少なくとも前記突起構造物上に形成された補助電極と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層とを有し、前記補助電極が少なくとも１層の前記有機層で覆われた有機エレクトロルミネッセンス層側基板を形成する有機エレクトロルミネッセンス層側基板形成工程、
前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板形成工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板の前記補助電極を覆うように形成された少なくとも１層の前記有機層を除去して前記補助電極が露出した接触部を形成する接触部形成工程、
および、前記接触部において露出した前記補助電極に電気的に接続されるように、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程
を有することを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板形成工程が、前記基板上に複数の前記画素電極を形成し、前記画素電極を形成後に前記画素電極の間に前記絶縁層を形成し、前記絶縁層を形成後に前記絶縁層上に前記突起構造物を形成し、前記突起構造物を形成後に少なくとも前記突起構造物上に前記補助電極を形成し、前記補助電極を形成後に少なくとも前記画素電極上に前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成し、前記補助電極上に少なくとも１層の前記有機層を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板形成工程が、前記基板上に複数の前記画素電極を形成し、前記画素電極を形成後に前記画素電極の間に前記突起構造物を形成し、前記突起構造物を形成後に前記画素電極の間に前記突起構造物を覆うように前記絶縁層を形成し、前記絶縁層を形成後に少なくとも前記突起構造物上に前記絶縁層を介して前記補助電極を形成し、前記補助電極を形成後に少なくとも前記画素電極上に前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成し、前記補助電極上に少なくとも１層の前記有機層を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板形成工程が、前記基板上に前記突起構造物を形成し、前記突起構造物を形成後に前記基板上に複数の前記画素電極および少なくとも前記突起構造物上に前記補助電極を一括して形成し、前記画素電極および前記補助電極を形成後に前記突起構造物上の前記補助電極に対応する位置に開口部を有するように前記画素電極の間に前記絶縁層を形成し、前記絶縁層を形成後に少なくとも前記画素電極上に前記有機エレクトロルミネッセンス層を形成し、前記補助電極上に少なくとも１層の前記有機層を形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載のトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に形成された複数の画素電極と、
前記画素電極のエッジ部分を覆うように前記画素電極の間に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された突起構造物と、
少なくとも前記突起構造物上に形成された補助電極と、
前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、
前記突起構造物上の前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層と
を有し、
前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されていることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板上に形成された複数の画素電極と、
前記画素電極の間に形成された突起構造物と、
前記突起構造物および前記画素電極のエッジ部分を覆うように形成された絶縁層と、
前記突起構造物上に前記絶縁層を介して形成された補助電極と、
前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、
前記突起構造物上に前記絶縁層を介して形成された前記補助電極上の前記有機層の開口部である接触部と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層と
を有し、
前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されていることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成された複数の画素電極と、
前記画素電極の間に形成された突起構造物と、
少なくとも前記突起構造物上に形成された補助電極と、
前記突起構造物上の前記補助電極に対応する位置に開口部を有し、前記画素電極のエッジ部分を覆うように形成された絶縁層と、
前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記補助電極上に形成された少なくとも１層の前記有機層と、
前記突起構造物上の前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層と
を有し、
前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されていることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、補助電極を有するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発色により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および視野角が広いこと等の利点が注目されている。なお、以下、有機エレクトロルミネッセンスを有機ＥＬと略す場合がある。
【０００３】
有機ＥＬ素子の構成は、陽極と陰極との間に有機ＥＬ層が狭持された積層構造を基本としている。このような有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置の駆動方式には、パッシブマトリクス駆動およびアクティブマトリクス駆動があるが、大型ディスプレイを製造するにあたっては、低電圧による駆動が可能であるという観点から、アクティブマトリクス駆動が有利である。なお、アクティブマトリクス駆動とは、有機ＥＬ素子が形成された基板にＴＦＴ等の回路を形成し、上記ＴＦＴ等の回路により駆動する方式をいう。
【０００４】
このような有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ素子が形成された基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、有機ＥＬ素子が形成された基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型とがある。ここで、アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示装置の場合、ボトムエミッション型では、光の取り出し面である基板に形成されたＴＦＴ等の回路により開口率が制限され、光取り出し効率が低下してしまうという問題がある。これに対し、トップエミッション型では、基板とは反対側の面から光を取り出すため、ボトムエミッション型に比べて優れた光取り出し効率が得られる。なお、トップエミッション型の場合には、光取り出し面となる側の電極層として透明電極層が用いられる。
【０００５】
ここで、一般的な透明電極層は、ＡｌやＣｕ等の金属から構成される電極層に比べて抵抗が大きい。そのため、透明電極層を有する有機ＥＬ表示装置においては、透明電極層の抵抗によって電圧降下が生じ、結果として有機ＥＬ層の輝度の均一性が低下する、いわゆる輝度ムラの発生が問題になっている。また、透明電極層の面積が大きくなるほどその抵抗はより大きくなることから、上述した輝度ムラの問題は大型ディスプレイを製造する場合に顕著になる。
【０００６】
上記課題に対しては、抵抗値の低い補助電極を形成し、これを透明電極層と電気的に接続させることにより電圧降下を抑制する方法が知られている。ここで、補助電極は、通常、金属層を成膜した後にウェットプロセスによるエッチング処理を施し、パターン状に形成される。そのため、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ層を形成後に補助電極を形成する場合には、補助電極を形成する際に用いられるエッチング液により有機ＥＬ層が侵されるという問題があった。そこで、特許文献１〜４に記載されているように、有機ＥＬ層を形成する前に補助電極を形成する方法が知られている。
【０００７】
しかしながら、有機ＥＬ層を形成する前に補助電極を形成すると、有機ＥＬ層を全面に形成する場合や有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層を全面に形成する場合に、補助電極上に有機ＥＬ層や少なくとも１層の有機層が形成されることになる。そのため、補助電極と透明電極層との電気的な接続が、補助電極上の有機ＥＬ層や有機層によって妨げられてしまうという問題があった。
【０００８】
そこで、特許文献１〜３には、レーザー光により補助電極上の有機ＥＬ層を除去して、補助電極と透明電極層とが電気的に接続された有機ＥＬ表示装置を作製する方法が記載されている。しかしながら、この場合、レーザー光により除去された有機ＥＬ層が飛散して有機ＥＬ表示装置における画素領域が汚染され、表示特性が低下してしまうという問題等があり、更なる改善が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４９５９１１９号
【特許文献２】特表２０１０−５３８４４０号公報
【特許文献３】特許第４３４０９８２号
【特許文献４】特開２００７−２１４０００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献４では、次のような電気光学装置の製造方法が提案されている。すなわち、まず、図１２（ａ）に示すように、基板２０上に画素電極３０を形成し、図１２（ｂ）に示すように、画素電極３０に対応する位置に開口部を備えた絶縁層４０を形成する。次に、図１２（ｃ）に示すように、絶縁層４０上に補助電極６０を形成し、図１２（ｄ）に示すように、有機層７０を形成する。その後、図１２（ｅ）に示すように、補助電極６０上に形成された有機層７０を剥離し、図１２（ｆ）に示すように、透明電極層８０を形成することにより、補助電極６０と透明電極層８０とが電気的に接続された電気光学装置１００を作製する方法が記載されている。ここで、図１２（ｅ）に示す工程、すなわち補助電極６０上に形成された有機層７０を剥離する方法として、粘着性を有する転写部材を補助電極上の有機層に接触させて、上記補助電極上の有機層を剥離する方法が提案されている。しかしながら、特許文献４における電気光学装置の場合、補助電極上の有機層と画素電極上の有機層との高さの差は、絶縁層の高さに相当する程度である。そのため、転写部材を補助電極上の有機層に接触させる際に、補助電極上の有機層のみならず画素電極上の有機層にも転写部材が接触してしまい、画素電極上の有機層までもが剥離し表示特性に悪影響を及ぼしてしまう場合がある。また、通常では、絶縁層の高さを高くするのには製造上の問題から限界があるため、絶縁層の高さを調整して上記課題を解決することは困難である。
【００１１】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、補助電極上の有機層を選択的に除去することができ、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、基板上に形成された複数の画素電極と、少なくとも上記画素電極のエッジ部分を覆うように上記画素電極の間に形成された絶縁層と、上記画素電極の間に形成された突起構造物と、少なくとも上記突起構造物上に形成された補助電極と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層とを有し、上記補助電極が少なくとも１層の上記有機層で覆われた有機ＥＬ層側基板を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程、上記有機ＥＬ層側基板形成工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板の上記補助電極を覆うように形成された少なくとも１層の上記有機層を除去して上記補助電極が露出した接触部を形成する接触部形成工程、および、上記接触部において露出した上記補助電極に電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を有することを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、画素電極の間に絶縁層とは別部材である突起構造物が形成されることにより、従来の有機ＥＬ表示装置に比べて突起構造物に相当する分の高さを得ることができるとともに、その高さの自由度も増す。したがって、接触部形成工程において、補助電極上の有機層を除去するために剥離用部材等を有機ＥＬ層側基板の広い範囲に接触させる場合に、画素電極上の有機層に剥離用部材が接触するのを効果的に防ぐことができ、画素電極上の有機層に剥離用部材が接触することによる表示特性を低下を抑制することができる。また、本発明によれば、突起構造物が形成されることにより剥離用部材等を補助電極上の有機層に選択的に接触させることができるため、補助電極上の有機層に剥離用部材を接触させる際に有機層にかかる圧力を増大させることができる。これにより、従来の場合と比較して、剥離用部材と補助電極上の有機層との接触面における密着性を向上させ、補助電極上の有機層を確実に除去することができる。したがって、補助電極と透明電極層との電気的な接続を十分に確保することが可能になる。
【００１４】
また、本発明においては、上記有機ＥＬ層側基板形成工程が、上記基板上に複数の上記画素電極を形成し、上記画素電極を形成後に上記画素電極の間に上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に上記絶縁層上に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に少なくとも上記突起構造物上に上記補助電極を形成し、上記補助電極を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成する工程であることが好ましい。絶縁層上に突起構造物が形成されることにより、より高さを高くすることができる。そのため、接触部形成工程において、補助電極上の有機層を除去するために剥離用部材等を有機ＥＬ層側基板の広い範囲に接触させる場合に、画素電極上の有機層に剥離用部材が接触するのをより効果的に防ぐことができる。
【００１５】
さらに、本発明においては、上記有機ＥＬ層側基板形成工程が、上記基板上に複数の上記画素電極を形成し、上記画素電極を形成後に上記画素電極の間に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に上記画素電極の間に上記突起構造物を覆うように上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に少なくとも上記突起構造物上に上記絶縁層を介して上記補助電極を形成し、上記補助電極を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成する工程であることが好ましい。突起構造物上に絶縁層が形成されることにより、より高さを高くすることができる。そのため、接触部形成工程において、補助電極上の有機層を除去するために剥離用部材等を有機ＥＬ層側基板の広い範囲に接触させる場合に、画素電極上の有機層に剥離用部材が接触するのをより効果的に防ぐことができる。
【００１６】
本発明においては、上記有機ＥＬ層側基板形成工程が、上記基板上に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に上記基板上に複数の上記画素電極および少なくとも上記突起構造物上に上記補助電極を一括して形成し、上記画素電極および上記補助電極を形成後に上記突起構造物上の上記補助電極に対応する位置に開口部を有するように上記画素電極の間に上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成する工程であることが好ましい。上記画素電極および上記補助電極を一括して形成することができるため、工程数を削減して製造コストを低減することができる。
【００１７】
本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極のエッジ部分を覆うように上記画素電極の間に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された突起構造物と、少なくとも上記突起構造物上に形成された補助電極と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記突起構造物上の上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されていることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を提供する。
【００１８】
また、本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された突起構造物と、上記突起構造物および上記画素電極のエッジ部分を覆うように形成された絶縁層と、上記突起構造物上に上記絶縁層を介して形成された補助電極と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記突起構造物上に上記絶縁層を介して形成された上記補助電極上の上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されていることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を提供する。
【００１９】
本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、上述のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造することができるため、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００２０】
さらに、本発明は、基板と、上記基板上に形成された複数の画素電極と、上記画素電極の間に形成された突起構造物と、少なくとも上記突起構造物上に形成された補助電極と、上記突起構造物上の上記補助電極に対応する位置に開口部を有し、上記画素電極のエッジ部分を覆うように形成された絶縁層と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、上記補助電極上に形成された少なくとも１層の上記有機層と、上記突起構造物上の上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部と、上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層とを有し、上記透明電極層は、上記補助電極と上記接触部で電気的に接続されていることを特徴とするトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を提供する。
【００２１】
本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、上述した効果に加えて次の効果を得ることができる。すなわち、突起構造物がドット状に形成されている場合には、基板上に形成された補助電極上には絶縁層が形成されることになるため、基板上にて隣接する補助電極と画素電極との間の短絡を十分に防ぐことができ、また、補助電極上の絶縁層によって補助電極の腐食を防止することができるため、腐食防止層等の形成が不要となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明においては、表示特性の低下を抑制することが可能なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１態様のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明における突起構造物を説明する模式図である。
【図３】本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略平面図である。
【図４】本発明における接触部形成工程の一例を示す工程図である。
【図５】本発明における接触部形成工程の他の例を示す工程図である。
【図６】第２態様のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図７】第３態様のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図８】第３態様のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法により得られるトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略模式図である。
【図９】その他の態様のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１０】その他の態様のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図１１】第６態様のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略模式図である。
【図１２】従来のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の製造方法、およびトップエミッション型有機ＥＬ表示装置について詳細に説明する。なお、以下、トップエミッション型有機ＥＬ表示装置を有機ＥＬ表示装置と略す場合がある。
【００２５】
Ｉ．有機ＥＬ表示装置の製造方法
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上に形成された複数の画素電極と、少なくとも上記画素電極のエッジ部分を覆うように上記画素電極の間に形成された絶縁層と、上記画素電極の間に形成された突起構造物と、少なくとも上記突起構造物上に形成された補助電極と、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層とを有し、上記補助電極が少なくとも１層の上記有機層で覆われた有機ＥＬ層側基板を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程、上記有機ＥＬ層側基板形成工程で得られた上記有機ＥＬ層側基板の上記補助電極を覆うように形成された少なくとも１層の上記有機層を除去して上記補助電極が露出した接触部を形成する接触部形成工程、および、上記接触部において露出した上記補助電極に電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を有することを特徴とするものである。
【００２６】
従来の有機ＥＬ表示装置は突起構造物が形成されていないため、接触部形成工程において補助電極上の有機層を除去するために剥離用部材等を有機ＥＬ層側基板の広い範囲に接触させる際に、画素電極上の有機層と剥離用部材との接触を防ぐ方法としては、絶縁層の高さを高くするしかなかった。しかしながら、通常では、絶縁層の高さを高くするのには製造上の問題から限界があった。一方、本発明によれば、画素電極の間に絶縁層とは別部材である突起構造物が形成されることにより、突起構造物に相当する分の高さを得ることができるとともに、その高さの自由度も増す。したがって、接触部形成工程において、補助電極上の有機層を除去するために剥離用部材等を有機ＥＬ層側基板の広い範囲に接触させる場合に、画素電極上の有機層に剥離用部材が接触するのを効果的に防ぐことができ、画素電極上の有機層に剥離用部材が接触することによる表示特性を低下を抑制することができる。
また、本発明によれば、突起構造物が形成されることにより、剥離用部材等を接触させた際に剥離用部材と有機ＥＬ層側基板とが接触する面積を小さくすることができる。そのため、補助電極上の有機層に剥離用部材を接触させた際に接触面である有機層にかかる圧力を増大させることができ、従来の場合と比較して、剥離用部材と補助電極上の有機層との接触面における密着性を向上させることができる。したがって、補助電極上の有機層を確実に除去し、補助電極と透明電極層との電気的な接続を十分に確保することが可能になる。
【００２７】
ここで、本発明において「画素電極のエッジ部分」とは、画素電極表面の平坦方向とは略垂直の基板内部方向に形成された画素電極の側面部分を指す。
【００２８】
また、本発明において「補助電極が少なくとも１層の上記有機層で覆われた」とは、例えば図１（ｅ）に例示するように、有機ＥＬ層７を構成する全ての層が、少なくとも突起構造物５上に形成された補助電極４を覆うように形成された態様、また、この他にも、仮に有機ＥＬ層が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子注入層の４層から構成されている場合においては、上記４層のうち３層が画素電極上にパターン状に形成され、残りの１層が画素電極上および補助電極を覆うように形成されている態様や、上記４層のうち２層が画素電極上に形成され、残りの２層が画素電極上および補助電極を覆うように形成されている態様や、さらには上記４層のうち１層が画素電極上に形成され、残りの３層が画素電極上および補助電極を覆うように形成されている態様等を含む。
【００２９】
このような本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法には、以下に示す態様がある。
【００３０】
Ａ．第１態様
本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記有機ＥＬ層側基板形成工程が、上記基板上に複数の上記画素電極を形成し、上記画素電極を形成後に上記画素電極の間に上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に上記絶縁層上に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に少なくとも上記突起構造物上に上記補助電極を形成し、上記補助電極を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成する工程であることを特徴とするものである。
【００３１】
本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）〜（ｇ）は、本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図１（ａ）に例示するように、基板２上に複数の画素電極３を形成し、図１（ｂ）に例示するように、少なくとも上記画素電極３のエッジ部分を覆うように上記画素電極３の間に絶縁層４を形成する。次に、図１（ｃ）に例示するように、上記絶縁層４上に突起構造物５を形成し、図１（ｄ）に例示するように、少なくとも上記突起構造物５上に補助電極６を形成する。続いて、図１（ｅ）に例示するように、上記画素電極３上に、少なくとも発光層を含む複数の有機層から構成された有機ＥＬ層７を形成する。なお、このとき、有機ＥＬ層７を構成する少なくとも１層の有機層が、上記突起構造物５上に形成された上記補助電極６を覆うように形成する。このようにして、有機ＥＬ層側基板１を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程を行う。次いで、図１（ｆ）に例示するように、上記突起構造物５上に形成された上記補助電極６を覆うように形成された少なくとも１層の有機層を除去して、上記突起構造物５上の上記補助電極６が露出した接触部８を形成する接触部形成工程を行う。最後に、図１（ｇ）に例示するように、上記接触部８において露出した上記補助電極６に電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層側基板１上に透明電極層９を形成する透明電極層形成工程を行う。これにより、本態様における有機ＥＬ表示装置１０が得られる。
【００３２】
本態様においては、絶縁層上に突起構造物が形成されることにより、より高さを高くすることができる。そのため、接触部形成工程において、補助電極上の有機層を除去するために剥離用部材等を有機ＥＬ層側基板の広い範囲に接触させる際に、画素電極上の有機層に剥離用部材が接触するのをより効果的に防ぐことができる。
以下、本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法における各工程について説明する。
【００３３】
１．有機ＥＬ層側基板形成工程
本態様においては、上記基板上に複数の上記画素電極を形成し、上記画素電極を形成後に上記画素電極の間に上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に上記絶縁層上に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に少なくとも上記突起構造物上に上記補助電極を形成し、上記補助電極を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成することにより有機ＥＬ層側基板を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程を行う。
以下、本工程に用いられる各部材および具体的な形成方法について説明する。
【００３４】
（１）突起構造物
本工程における突起構造物は、後述する画素電極の間に形成されるものであれば特に限定されるものではないが、本態様においては後述する絶縁層上に形成されるものである。
【００３５】
突起構造物の厚みとしては、後述する接触部形成工程において、画素電極上に形成された有機ＥＬ層に悪影響を及ぼすことなく補助電極上に形成された少なくとも１層の有機層を選択的に除去し、有機ＥＬ表示装置の表示特性の低下を抑制することができる程度であれば特に限定されるものではないが、次のような条件を満たすことが好ましい。
すなわち、例えば、突起構造物の表面と画素電極上に形成された有機ＥＬ層の表面との高さの差が、１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１．５μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましく、特に２μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。なお、突起構造物の表面と画素電極上に形成された有機ＥＬ層の表面との高さの差とは、図１（ｅ）に示すΔＨ１を指す。
【００３６】
また、突起構造物の厚みとしては、後述する絶縁層の厚みや画素電極および画素電極上の有機ＥＬ層の厚みに応じて適宜調整されるものであるが、例えば、０．５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１μｍ〜４μｍの範囲内であることが好ましく、特に１．５μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。なお、突起構造物の厚みとは、図２に示すＨを指す。
【００３７】
また、突起構造物がドット状に形成される場合における突起構造物の数としては、接触部の数等に応じて適宜調整されるものである。突起構造物の数が極端に少ない場合には、後述する接触部形成工程において形成される接触部の数が減り接触面の面積が小さくなってしまうため、補助電極としての機能を十分に発揮できないおそれがある。また、フィルム状の剥離用部材等を補助電極上の有機層に接触させる際には、上記剥離用部材が撓むことにより上記剥離用部材と画素電極上の有機ＥＬ層とが接触してしまうおそれがある。一方、突起構造物の数が極端に多い場合には、後述する接触部形成工程において、剥離用部材等を補助電極上の有機層に接触させる際に、剥離用部材と有機層との接触面積が増大し、接触面である有機層にかかる圧力が弱まり剥離用部材と有機層との接触面における密着性が低下するおそれがある。
【００３８】
本工程において形成される突起構造物を厚み方向に観察した際の形状、すなわち平面形状としては、突起構造物を設けることによる所定の効果が得られる形状であれば特に限定されるものではないが、例えば、図３（ａ）、（ｃ）に例示するように、突起構造物５がドット状に形成されるものであってもよく、また図３（ｂ）に例示するように、突起構造物５がストライプ状に形成されるものであってもよく、さらには図３（ｄ）に例示するように、突起構造物５が格子状に形成されるものであってもよい。中でも、本発明においては、突起構造物がドット状に形成されていることが好ましい。後述する接触部形成工程において、剥離用部材等を補助電極上の有機層に接触させて上記剥離用部材を剥離させることにより補助電極上の有機層を除去して接触部を形成する際に、剥離用部材と有機層との接触面積を小さくすることができ、剥離用部材と有機層との接触面における密着性を向上させ、より確実に接触部を形成することができるからである。
ここで、図３（ａ）〜（ｄ）は、図１（ｇ）に示す有機ＥＬ表示装置の概略平面図である。なお、説明の簡単のため、図３（ａ）〜（ｄ）では有機層および透明電極層を省略している。
また、図３（ａ）〜（ｄ）において説明していない符号については、図１（ｇ）と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００３９】
さらに、突起構造物を長さ方向に観察した際の形状、すなわち側面の形状としては、突起構造物上に補助電極を形成することができる形状であれば特に限定されるものではない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。突起構造物上に形成される補助電極の断線を防ぐことができ、また、突起構造物を覆うように形成される各部材の厚みを均一にすることができるからである。
【００４０】
突起構造物の形状としては、上述のように、突起構造物上に補助電極を形成することができる形状であれば特に限定されないが、具体的には、突起構造物の頂部の幅が１μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも３μｍ〜４０μｍの範囲内であることが好ましく、特に１０μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。突起構造物の頂部の幅が上記範囲内であることにより、突起構造物上に補助電極を形成し、後述する接触部の面積を十分に確保することができるからである。なお、突起構造物の頂部の幅とは、例えば図２に例示する幅Ｕ１を指す。また、図２に例示する突起構造物は、ドット状に形成されたものであるが、上述した突起構造物の頂部の幅Ｕ１としては、突起構造物がストライプ状や格子状に形成された場合においても同様である。
【００４１】
また、突起構造物がドット状に形成されている場合における突起構造物の頂部の長さとしては、目的とする接触部の大きさに応じて適宜調整されるものであるが、例えば、１μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも３μｍ〜４０μｍの範囲内であることが好ましく、特に１０μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。突起構造物の頂部の長さが上記範囲内であることにより、後述する接触部形成工程において形成される接触部の面積を確保しつつ、剥離用部材等を突起構造物上に形成された補助電極上の有機層に接触させた際の接触面積をできるだけ小さくすることができる。これにより、剥離用部材と有機層との接触面における密着性を向上させて補助電極上の有機層を確実に除去することができ、補助電極と透明電極層との電気的な接続を十分に確保することが可能になる。なお、突起構造物の頂部の長さとは、例えば図２に例示する長さＵ２を指す。
【００４２】
このような突起構造物に用いられる材料としては、本態様により得られる有機ＥＬ表示装置の特性に悪影響を及ぼさないような材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、絶縁性材料を用いることができる。具体的な絶縁性材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等が挙げられる。
【００４３】
（２）基板
本工程における基板は、画素電極、絶縁層、突起構造物、補助電極、有機ＥＬ層および透明電極層を支持するものである。
【００４４】
本態様の製造方法により製造される有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であるため、基板は光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。
【００４５】
また、基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。このような基板の材料としては、例えば、ガラスや樹脂が挙げられる。
【００４６】
基板の厚みとしては、基板の材料および有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択され、具体的には０．００５ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
【００４７】
（３）画素電極
本工程における画素電極は、基板上に複数形成されるものである。
画素電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよいが、本態様の製造方法により製造される有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であり、透明電極層側から光を取り出すため、通常は光透過性を有さないものとされる。
【００４８】
画素電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
画素電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属；酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
【００４９】
また、画素電極が陰極である場合には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
【００５０】
画素電極の厚みとしては、画素電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度にすることができ、好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。なお、画素電極の厚みとしては、後述する補助電極の厚みと同じであってもよく異なっていてもよい。
【００５１】
（４）補助電極
本工程における補助電極は、上記突起構造物上に形成されるものである。
補助電極は、光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。
【００５２】
補助電極には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられる。なお、補助電極に用いられる材料については、上記画素電極に用いられる材料と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
また、補助電極に用いられる材料は、画素電極に用いられる材料と同じであってもよく異なってもよい。
【００５３】
補助電極の厚みとしては、補助電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、中でも２０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００５４】
このような補助電極を、補助電極の厚み方向に観察した際の形状、すなわち平面形状としては、透明電極層の抵抗による電圧降下を抑制するという補助電極の機能を発揮することができる形状であれば特に限定されるものではないが、有機ＥＬ表示装置の光取り出し効率を低下させないような形状であることが好ましい。例えば、図３（ａ）、（ｂ）に例示するようなストライプ状や、図３（ｃ）、（ｄ）に例示するような格子状等が挙げられる。
【００５５】
（５）絶縁層
本工程における絶縁層は、少なくとも上記画素電極のエッジ部分を覆うように上記画素電極の間に形成されるものであれば特に限定されるものではないが、本態様においては、図１（ｂ）に例示するように、画素電極３のエッジ部分を覆い、突起構造物５の下層になるように形成される。なお、通常は画素電極の間の全面に絶縁層が形成される。
このように、絶縁層は画素電極の間に形成されるものであるため、画素電極の配列に応じて適宜形成される。例えば格子状に形成することができる。なお、絶縁層により画素が画定される。
【００５６】
絶縁層の材料としては、有機ＥＬ表示装置における一般的な絶縁層の材料を用いることができ、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、無機材料等を挙げることができる。
【００５７】
絶縁層の厚みとしては、画素を画定し、画素電極を絶縁することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではないが、例えば、０．３μ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、中でも０．５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、特に１μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００５８】
（６）有機ＥＬ層
本工程における有機ＥＬ層は、上記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有するものであり、少なくとも１層の有機層が上記補助電極を覆うように形成されるものであれば特に限定されるものではない。
【００５９】
有機ＥＬ層を構成する有機層としては、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。
以下、有機ＥＬ層を構成する各有機層について説明する。
【００６０】
（ａ）発光層
本工程における発光層は、単色の発光層であってもよく、複数色の発光層であってもよく、有機ＥＬ装置の用途に応じて適宜選択される。有機ＥＬ装置が表示装置である場合には、通常、複数色の発光層が形成される。
【００６１】
発光層に用いられる発光材料としては、蛍光もしくは燐光を発するものであればよく例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等を挙げることができる。なお、具体的な色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料については、一般的に用いられるものと同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。
【００６２】
発光層の厚みとしては、電子および正孔の再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度にすることができる。
【００６３】
（ｂ）正孔注入輸送層
本工程において形成される有機ＥＬ層としては、発光層と陽極との間に正孔注入輸送層が形成されていてもよい。
正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
【００６４】
正孔注入輸送層に用いられる材料としては、発光層への正孔の注入、輸送を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的な材料を用いることができる。
【００６５】
正孔注入輸送層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００６６】
（ｃ）電子注入輸送層
本工程において形成される有機ＥＬ層としては、発光層と陰極との間に電子注入輸送層が形成されていてもよい。
電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
【００６７】
電子注入層に用いられる材料としては、発光層への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、また、電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではない。
電子注入層および電子輸送層に用いられる具体的な材料としては、一般的な材料を用いることができる。
【００６８】
電子注入輸送層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【００６９】
（７）有機ＥＬ層側基板形成工程
本態様における有機ＥＬ層側基板形成工程は、まず基板上に複数の画素電極を形成する工程を有する。画素電極の形成方法としては、基板上に画素電極を形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。例えば、マスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、蒸着法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等が挙げられる。
【００７０】
次に本工程は、画素電極の間に絶縁層を形成する工程を有する。絶縁層の形成方法としては、絶縁層を画素電極の間に形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、絶縁層の材料を塗布して、フォトリソグラフィー法によりパターニングする方法が挙げられる。また、印刷法等を用いることもできる。
【００７１】
続いて本工程は、絶縁層上に突起構造物を形成する工程を有する。突起構造物の形成方法としては、突起構造物を絶縁層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、ラミネーション法、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。また、鋳型等を用いて突起構造物を別途形成し、基板あるいは絶縁層上に接着剤等を用いて貼り合わせる方法を挙げることができる。
【００７２】
その後本工程は、少なくとも突起構造物上に補助電極を形成する工程を有する。補助電極の形成方法としては、少なくとも突起構造物上に補助電極を形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。なお、補助電極の形成方法については、上記画素電極の形成方法と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００７３】
最後に本工程は、少なくとも画素電極上に有機ＥＬ層を形成する工程を有する。なお、ここでは有機ＥＬ層が、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の順で積層される場合について説明する。
正孔注入輸送層の形成方法としては、少なくとも画素電極上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。
次に、発光層の形成方法としては、上記正孔注入輸送層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、発光材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた発光層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。中でも、効率およびコストの面から、ウェットプロセスが好ましい。
次に、電子注入輸送層の形成方法としては、上記発光層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた電子注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、真空蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。
【００７４】
また、有機ＥＬ層を形成する工程では、有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層が補助電極上に形成される。例えば、有機ＥＬ表示装置の画素毎に発光層を塗り分ける場合には、正孔注入輸送層や電子注入輸送層が画素電極上および補助電極上に形成され、発光層が画素電極上にパターン状に形成される。なお、有機層が画素電極上および補助電極上に形成される場合には、有機層は画素電極上および補助電極上に連続して形成されることが一般的である。
【００７５】
２．接触部形成工程
本態様においては、上記有機ＥＬ層側基板形成工程で得られた有機ＥＬ層側基板において、上記補助電極を覆うように形成された少なくとも１層の上記有機層を除去して上記補助電極が露出した接触部を形成する接触部形成工程を行う。
【００７６】
本工程において、補助電極を覆うように形成された少なくとも１層の有機層を除去して接触部を形成する方法としては、本発明の有機ＥＬ表示装置の特性に悪影響を及ぼさないような方法であれば特に限定されるものではないが、例えば剥離用部材を用いる方法が挙げられる。
剥離用部材を用いる方法としては、例えば、図４（ａ）に例示するように、有機ＥＬ層側基板１の表面に、剥離用部材として基材１１ａおよび粘着層１１ｂを有する粘着基材１１を接触させる。これにより、粘着基材１１と突起構造物５上に形成された補助電極６上の有機層とが接触し、次いで、図４（ｂ）に例示するように、粘着基材１１を剥離することにより、突起構造物５上に形成された補助電極６上の有機層を除去して接触部８を形成する方法が挙げられる。なお、上記粘着基材はフィルム状であってもよい。
また、例えば、図５（ａ）に例示するように、有機ＥＬ層側基板１の表面に、剥離用部材としてロール状の基材１２ａおよび粘着層１２ｂを有するロール状の粘着基材１２を回転させて接触させる。これにより、ロール状の粘着基材１２と突起構造物５上に形成された補助電極６上の有機層とが接触し、次いで、図５（ｂ）に例示するように、突起構造物５上に形成された補助電極６上の有機層をロール状の粘着基材１２で巻き取ることにより除去し、接触部８を形成する方法が挙げられる。
図４および図５において説明していない符号については、図１（ｅ）と同様であるためここでの説明は省略する。
【００７７】
上記剥離用部材としては、突起構造物上に形成された補助電極上の有機層を除去することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、基材単体からなる機能性基材であってもよく、あるいは図４および図５に例示するように、基材および粘着層からなる粘着基材であってもよい。
【００７８】
剥離用部材が機能性基材である場合、上記機能性基材に用いられる基材の材料としては、例えば樹脂が挙げられる。機能性基材として樹脂基材が用いられる場合、次のような処理を行うことにより機能性基材として用いることができる。すなわち、樹脂基材において有機層と接触する側の表面をプラズマ処理またはコロナ処理することにより活性化させる。
【００７９】
剥離用部材が粘着基材である場合、上記粘着基材に用いられる基材の材料としては、例えば、金属、ガラスや樹脂等が挙げられる。また、剥離用部材がフィルム状である場合には、一般的なフィルム状の基材として用いられる合成樹脂等が挙げられる。
【００８０】
また、上記粘着基材に用いられる粘着層としては、弾性を有するものであってもよく、弾性を有さないものであってもよいが、中でも弾性を有するものが好ましい。剥離用部材と突起構造物上に形成された補助電極上の有機層とを接触させた際の密着性を向上させることができるからである。
粘着層の材料としては、一般的なものであれば特に限定されるものではないが、例えば、アクリル系、スチレン系等の樹脂材料が挙げられる。
【００８１】
３．透明電極層形成工程
本態様においては、上記接触部において露出した上記補助電極に電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を行う。
【００８２】
本工程において形成される透明電極層は、透明性および導電性を有するものであればよく、例えば金属酸化物が挙げられる。具体的な金属酸化物としては、酸化インジウム錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、および酸化第二錫等が挙げられる。
【００８３】
透明電極層の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法、またはＣＶＤ法等を挙げることができる。
【００８４】
４．その他の工程
本態様においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、有機ＥＬ表示装置を封止基板により封止する封止工程が挙げられる。
以下、封止基板について説明する。
【００８５】
本態様における有機ＥＬ表示装置はトップエミッション型であるため、封止基板は光透過性を有している。封止基板の光透過性としては、可視光領域の波長に対して透過性を有していればよく、具体的には、可視光領域の全波長範囲に対する光透過率が８０％以上であることが好ましく、中でも８５％以上、特に９０％以上であることが好ましい。
ここで、光透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計ＵＶ−３６００により測定することができる。
【００８６】
また、封止基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機ＥＬ表示装置の用途により適宜選択される。
【００８７】
封止基板の材料としては、光透過性を有する封止基板が得られるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、石英、ガラス等の無機材料や、アクリル樹脂、ＣＯＰと称されるシクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂が挙げられる。
また、樹脂製の封止基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
【００８８】
封止基板の厚みとしては、封止基板の材料および有機ＥＬ装置の用途により適宜選択される。具体的に、封止基板の厚みは０．００１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
【００８９】
Ｂ．第２態様
本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記有機ＥＬ層側基板形成工程が、上記基板上に複数の上記画素電極を形成し、上記画素電極を形成後に上記画素電極の間に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に上記画素電極の間に上記突起構造物を覆うように上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に少なくとも上記突起構造物上に上記絶縁層を介して上記補助電極を形成し、上記補助電極を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成する工程であることを特徴とするものである。
【００９０】
本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図６（ａ）〜（ｇ）は、本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。図６（ａ）に例示するように、基板２上に複数の画素電極３を形成し、図６（ｂ）に例示するように、上記画素電極３の間に突起構造物５を形成する。次に、図６（ｃ）に例示するように、少なくとも上記画素電極３のエッジ部分および上記突起構造物５を覆うように、上記画素電極３の間に絶縁層４を形成する。続いて、図６（ｄ）に例示するように、少なくとも上記突起構造物５上に、上記絶縁層４を介して補助電極６を形成し、図６（ｅ）に例示するように、上記画素電極３上に、少なくとも発光層を含む複数の有機層から構成された有機ＥＬ層７を形成する。なお、このとき、有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層が、上記突起構造物５上の上記絶縁層４を介して形成された上記補助電極６を覆うように形成される。このようにして、有機ＥＬ層側基板１を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程を行う。図６（ｆ）〜（ｇ）に例示する接触部形成工程および透明電極層形成工程については、上記図１（ｆ）〜（ｇ）に例示する接触部形成工程および透明電極層形成工程と同様であるのでここでの説明は省略する。
【００９１】
本態様においては、突起構造物上に絶縁層が形成されることにより、より高さを高くすることができる。そのため、接触部形成工程において、補助電極上の有機層を除去するために剥離用部材等を有機ＥＬ層側基板の広い範囲に接触させる場合に、画素電極上の有機層に剥離用部材が接触するのをより効果的に防ぐことができる。
以下、本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法における各工程について説明する。
【００９２】
１．有機ＥＬ層側基板形成工程
本態様においては、上記基板上に複数の上記画素電極を形成し、上記画素電極を形成後に上記画素電極の間に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に上記画素電極の間に上記突起構造物を覆うように上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に少なくとも上記突起構造物上に上記絶縁層を介して上記補助電極を形成し、上記補助電極を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成することにより有機ＥＬ層側基板を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程を行う。
以下、本工程に用いられる突起構造物および絶縁層、ならびに具体的な形成方法について説明する。なお、突起構造物および絶縁層以外の各部材の説明は、上記「Ａ．第１態様  １．有機ＥＬ層側基板形成工程」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【００９３】
（１）突起構造物
本工程における突起構造物は、画素電極の間に形成されるものである。
【００９４】
突起構造物の厚みとしては、上述した第１態様の場合と同様の理由から、以下の条件を満たすことが好ましい。
すなわち、例えば、突起構造物上に形成された絶縁層の表面と画素電極上に形成された有機ＥＬ層の表面との高さの差が、１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１．５μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましく、特に２μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。なお、突起構造物上に形成された絶縁層の表面と画素電極上に形成された有機ＥＬ層の表面との高さの差とは、図６（ｅ）に示すΔＨ２を指す。
【００９５】
なお、突起構造物の形状や材料等のその他の詳しい内容については、上記「Ａ．第１態様  １．有機ＥＬ層側基板形成工程  （１）突起構造物」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【００９６】
（２）絶縁層
本工程における絶縁層は、少なくとも上記画素電極のエッジ部分を覆うように上記画素電極の間に形成されるものである。そのため、図６（ｃ）に例示するように、画素電極３のエッジ部分を覆い、突起構造物５上に形成される。なお、通常は画素電極の間の全面に絶縁層が形成される。
【００９７】
なお、絶縁層の材料や厚み等のその他の詳しい内容については、上記「Ａ．第１態様  １．有機ＥＬ層側基板形成工程  （５）絶縁層」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【００９８】
（３）有機ＥＬ層側基板形成工程
本態様における有機ＥＬ層側基板形成工程は、まず基板上に複数の画素電極を形成する工程を有する。次に、画素電極の間に突起構造物を形成する工程を有し、突起構造物を形成した後に、突起構造物を覆うように絶縁層を形成する工程を有する。続いて、突起構造物上の絶縁層を介して補助電極を形成する工程を有し、補助電極を形成した後に、画素電極上に有機ＥＬ層を形成し、補助電極上に少なくとも１層の有機層を形成する工程を有する。なお、各部材の形成方法については、上記「Ａ．第１態様  １．有機ＥＬ層側基板形成工程  （７）有機ＥＬ層側基板形成工程」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【００９９】
２．接触部形成工程
本態様においては、上記有機ＥＬ層側基板形成工程で得られた有機ＥＬ層側基板において、上記補助電極を覆うように形成された少なくとも１層の上記有機層を除去して上記補助電極が露出した接触部を形成する接触部形成工程を行う。
【０１００】
なお、本態様における接触部形成工程についての詳しい内容は、上記「Ａ．第１態様  ２．接触部形成工程」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１０１】
３．透明電極層形成工程
本態様においては、上記接触部において露出した上記補助電極に電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を行う。
【０１０２】
なお、本態様における透明電極層形成工程についての詳しい内容は、上記「Ａ．第１態様  ３．透明電極層形成工程」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１０３】
４．その他の工程
本態様においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程についての詳しい記載は、上記「Ａ．第１態様  ４．その他の態様」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１０４】
Ｃ．第３態様
本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記有機ＥＬ層側基板形成工程が、上記基板上に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に上記基板上に複数の上記画素電極および少なくとも上記突起構造物上に上記補助電極を一括して形成し、上記画素電極および上記補助電極を形成後に上記突起構造物上の上記補助電極に対応する位置に開口部を有するように上記画素電極の間に上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成する工程であることを特徴とするものである。
【０１０５】
本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図７（ａ）〜（ｆ）は、本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。図７（ａ）に例示するように、基板２上に突起構造物５を形成し、図７（ｂ）に例示するように、複数の画素電極３および補助電極６を一括して形成する。このとき、上記画素電極３は、上記突起構造物５の間に形成され、上記補助電極６は、少なくとも上記突起構造物５上に形成される。次に、図７（ｃ）に例示するように、少なくとも上記画素電極３のエッジ部分を覆い、また上記突起構造物５上の上記補助電極６に対応する位置に開口部を有するように、上記画素電極３の間に絶縁層４を形成する。続いて、図７（ｄ）に例示するように、上記画素電極３上に、少なくとも発光層を含む複数の有機層から構成された有機ＥＬ層７を形成する。なお、このとき、有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層が、上記突起構造物５上に形成された上記補助電極６を覆うように形成される。このようにして、有機ＥＬ層側基板１を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程を行う。以下、図７（ｅ）〜（ｆ）に例示する接触部形成工程および透明電極層形成工程については、上記図１（ｆ）〜（ｇ）に例示する接触部形成工程および透明電極層形成工程と同様であるのでここでの説明は省略する。
【０１０６】
本態様においては、画素電極および補助電極を一括して形成することができるため、工程数を削減して製造コストを低減することができる。また、図７（ａ）〜（ｆ）に例示するように、補助電極および画素電極が一括して形成され、かつ、突起構造物がドット状に形成された有機ＥＬ表示装置である場合には、画素電極と補助電極との間で発生し得るリーク電流による短絡を十分に防ぐことができるという効果が得られる。具体的な理由について、図を参照しながら説明する。
図８（ａ）〜（ｃ）は、本態様における有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略模式図である。なお、図８（ａ）は、本態様における有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、図８（ｃ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。また、図８（ａ）は、説明の簡単のため、有機ＥＬ層７および透明電極層９を省略したものである。
図８（ａ）〜（ｃ）に例示する有機ＥＬ表示装置１０は、上述した図７（ａ）〜（ｆ）に例示するように、補助電極６および画素電極３を一括して形成する方法により得られるものである。そのため、図８（ｃ）に例示するように、突起構造物５がドット状に形成される場合には、補助電極６が基板２上および突起構造物５上に形成されることになるため、補助電極６および画素電極３の形成後に形成される絶縁層４は、基板２上の補助電極６上に配置することになる。すなわち、絶縁層４により、基板２上において隣接する画素電極３および補助電極６の間で発生し得るリーク電流による短絡を十分に防ぐことが可能になる。なお、図８（ａ）〜（ｃ）において説明していない符号については、図７（ａ）〜（ｆ）と同様である。
また、本態様における有機ＥＬ表示装置が、突起構造物がドット状に形成された場合には、基板上の補助電極上に絶縁層が形成されることになるため、絶縁層により補助電極の腐食を防止することができる。したがって、補助電極の腐食を防止するための腐食防止層等の形成が不要になる。さらには、基板上の補助電極上に絶縁層が形成されることにより、光取り出し面側から入射した光が補助電極によって反射されて有機ＥＬ表示装置の表示特性に悪影響を及ぼすといった不具合を抑制することができる。
以下、本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法における各工程について説明する。
【０１０７】
１．有機ＥＬ層側基板形成工程
本態様においては、上記基板上に上記突起構造物を形成し、上記突起構造物を形成後に上記基板上に複数の上記画素電極および少なくとも上記突起構造物上に上記補助電極を一括して形成し、上記画素電極および上記補助電極を形成後に上記突起構造物上の上記補助電極に対応する位置に開口部を有するように上記画素電極の間に上記絶縁層を形成し、上記絶縁層を形成後に少なくとも上記画素電極上に上記有機ＥＬ層を形成し、上記補助電極上に少なくとも１層の上記有機層を形成することにより有機ＥＬ層側基板を形成する有機ＥＬ層側基板形成工程を行う。
以下、本工程に用いられる突起構造物および絶縁層、ならびに具体的な形成方法について説明する。なお、突起構造物および絶縁層以外の各部材の説明は、上記「Ａ．第１態様  １．有機ＥＬ層側基板形成工程」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１０８】
（１）突起構造物
本工程における突起構造物の厚みとしては、上述した第１態様の場合と同様の理由から、以下の条件を満たすことが好ましい。
すなわち、例えば、突起構造物の表面と画素電極上に形成された有機ＥＬ層の表面との高さの差が、１μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１．５μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましく、特に２μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。なお、突起構造物の表面と画素電極上に形成された有機ＥＬ層の表面との高さの差とは、図７（ｄ）に示すΔＨ３を指す。
また、本態様においては、絶縁層が突起構造物に対応する位置に開口部を有することから、例えば、突起構造物の表面と絶縁層の表面との高さの差が、０．５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１μｍ〜４μｍの範囲内であることが好ましく、特に１．５μｍ〜３μｍの範囲内であることが好ましい。突起構造物の表面と絶縁層の表面との高さの差が上記範囲内であることにより、補助電極上の有機層を除去するために剥離用部材等を有機ＥＬ層側基板の広い範囲に接触させる際に、補助電極上の有機層に選択的に剥離用部材を接触させることができ、十分に密着させることが可能になる。なお、突起構造物の表面と絶縁層の表面との高さの差とは、図７（ｃ）に示すΔＨ４を指す。
【０１０９】
なお、突起構造物の形状や材料等のその他の詳しい内容については、上記「Ａ．第１態様  １．有機ＥＬ層側基板形成工程  （１）突起構造物」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１１０】
（２）絶縁層
本工程における絶縁層は、少なくとも上記画素電極のエッジ部分を覆うように上記画素電極の間に形成されるものである。そのため、図７（ｃ）に例示するように、突起構造物５に対応する位置、または少なくとも突起構造物５上に形成される補助電極６に対応する位置に開口部を有するように、画素電極３の間に絶縁層４が形成されていてもよい。
【０１１１】
なお、絶縁層の材料や厚み等のその他の詳しい内容については、上記「Ａ．第１態様  １．有機ＥＬ層側基板形成工程  （５）絶縁層」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１１２】
（３）有機ＥＬ層側基板形成工程
本態様における有機ＥＬ層側基板形成工程は、まず基板上に突起構造物を形成する工程を有する。次に、基板上に複数の画素電極、および少なくとも突起構造物上に補助電極を一括して形成する工程を有する。続いて、突起構造物上の補助電極に対応する位置に開口部を有するように画素電極の間に絶縁層を形成する工程を有し、絶縁層を形成した後に、画素電極上に有機ＥＬ層を形成し、補助電極上に少なくとも１層の有機層を形成する工程を有する。なお、各部材の形成方法については、上記「Ａ．第１態様  １．有機ＥＬ層側基板形成工程  （７）有機ＥＬ層側基板形成工程」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１１３】
２．接触部形成工程
本態様においては、上記有機ＥＬ層側基板形成工程で得られた有機ＥＬ層側基板において、上記補助電極を覆うように形成された少なくとも１層の上記有機層を除去して上記補助電極が露出した接触部を形成する接触部形成工程を行う。
【０１１４】
なお、本態様における接触部形成工程についての詳しい内容は、上記「Ａ．第１態様  ２．接触部形成工程」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１１５】
３．透明電極層形成工程
本態様においては、上記接触部において露出した上記補助電極に電気的に接続されるように、上記有機ＥＬ層側基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程を行う。
【０１１６】
なお、本態様における透明電極層形成工程についての詳しい内容は、上記「Ａ．第１態様  ３．透明電極層形成工程」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１１７】
４．その他の工程
本態様においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程についての詳しい記載は、上記「Ａ．第１態様  ４．その他の態様」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１１８】
Ｄ．その他の態様
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述した第１態様〜第３態様の他にも、以下に示すような態様であってもよい。
【０１１９】
その他の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｇ）は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の他の例を示す工程図である。図９（ａ）に例示するように、基板２上に画素電極３を形成し、図９（ｂ）に例示するように、少なくとも上記画素電極３のエッジ部分を覆い、さらに、後に形成される突起構造物５に対応する位置に開口部を有するように、上記画素電極３の間に絶縁層４を形成する。次に、図９（ｃ）に例示するように、上記絶縁層４の開口部に突起構造物５を形成する。図９（ｄ）〜（ｇ）については、図１（ｄ）〜（ｇ）と同様であるのでここでの説明は省略する。
【０１２０】
また、図１０（ａ）〜（ｇ）は、その他の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法の他の例を示す工程図である。図１０（ａ）に例示するように、基板２上に画素電極３を形成し、図１０（ｂ）に例示するように、上記画素電極３の間に突起構造物５を形成する。次に、図１０（ｃ）に例示するように、少なくとも上記画素電極３のエッジ部分を覆い、さらに、上記突起構造物５に対応する位置に開口部を有するように、上記画素電極３の間に絶縁層４を形成する。図１０（ｄ）〜（ｇ）については、図１（ｄ）〜（ｇ）と同様であるのでここでの説明は省略する。
【０１２１】
上記図９および図１０に例示するような態様の場合には、有機ＥＬ層側基板形成工程で得られる絶縁層が、少なくとも突起構造物に対応する位置に開口部を有するように形成されるため、上記突起構造物の厚みを調整することにより補助電極の形成位置を最適なものにすることが可能になる。
【０１２２】
なお、その他の態様において形成される有機ＥＬ表示装置を構成する各部材についての説明、および具体的な形成方法の説明については、上記「Ａ．第１態様」の項に記載したものと同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１２３】
ＩＩ．有機ＥＬ表示装置
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述のような製造方法により得られるものであるため、表示特性の低下を抑制することができるといった効果を奏する。
このような有機ＥＬ表示装置としては、次のような第４態様〜第６態様が挙げられる。
以下、第４態様〜第６態様について、図を参照しながら説明する。
【０１２４】
まず、第４態様の有機ＥＬ表示装置について説明する。
図１（ｇ）は、上記第１態様の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略断面図である。第１態様の有機ＥＬ表示装置１０は、図１（ｇ）に例示するように、基板２と、上記基板２上に形成された複数の画素電極３と、上記画素電極３のエッジ部分を覆うように上記画素電極３の間に形成された絶縁層４と、上記絶縁層４上に形成された突起構造物５と、少なくとも上記突起構造物５上に形成された補助電極６と、上記画素電極３上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層７と、上記補助電極６上に形成された少なくとも１層の上記有機層（図示なし）と、上記突起構造物５上の上記補助電極６上に形成された上記有機層の開口部である接触部８と、上記有機ＥＬ層７および上記接触部８上に形成された透明電極層９とを有するものである。また、上記透明電極層９は、上記補助電極６と上記接触部８で電気的に接続されている。
【０１２５】
次に、第５態様の有機ＥＬ表示装置について説明する。
図６（ｇ）は、上記第５態様の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略断面図である。第５態様の有機ＥＬ表示装置１０は、図６（ｇ）に例示するように、基板２と、上記基板２上に形成された複数の画素電極３と、上記画素電極３の間に形成された突起構造物５と、上記突起構造物５および上記画素電極３のエッジ部分を覆うように形成された絶縁層４と、上記突起構造物５上に上記絶縁層４を介して形成された補助電極６と、少なくとも上記画素電極３上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層７と、上記補助電極６上に形成された少なくとも１層の上記有機層（図示なし）と、上記突起構造物５上に上記絶縁層４を介して形成された上記補助電極６上の上記有機層の開口部である接触部８と、少なくとも上記有機ＥＬ層７および上記接触部８上に形成された透明電極層９とを有するものである。また、上記透明電極層９は、上記補助電極６と上記接触部８で電気的に接続されている。
【０１２６】
さらに、第６態様の有機ＥＬ表示装置について説明する。
図７（ｆ）、図９（ｇ）および図１０（ｇ）は、上記第６態様の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略断面図である。第３態様の有機ＥＬ表示装置１０は、図７（ｆ）、図９（ｇ）および図１０（ｇ）に例示するように、基板２と、上記基板２上に形成された複数の画素電極３と、上記画素電極３の間に形成された突起構造物５と、少なくとも上記突起構造物５上に形成された補助電極６と、上記突起構造物５上の上記補助電極６に対応する位置に開口部を有し、上記画素電極３のエッジ部分を覆うように形成された絶縁層４と、少なくとも上記画素電極３上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層７と、上記補助電極６上に形成された少なくとも１層の上記有機層（図示なし）と、上記突起構造物５上の上記補助電極６上に形成された上記有機層の開口部である接触部８と、少なくとも上記有機ＥＬ層７および上記接触部８上に形成された透明電極層９とを有するものである。また、上記透明電極層９は、上記補助電極６と上記接触部８で電気的に接続されている。
【０１２７】
このような上記第６態様の有機ＥＬ表示装置には、大きく分けて次の２種類の構成が含まれる。なお、ここでの有機ＥＬ表示装置は、いずれも突起構造物がドット状に形成された場合である。
まず、１つ目の構成は、図７（ｆ）に例示する構成であり、具体的には、図８（ａ）〜（ｃ）に例示する構成である。図８（ａ）〜（ｃ）についての説明は、上記「Ｉ．有機ＥＬ表示装置の製造方法  Ｃ．第３態様」の項に記載した内容と同様であるため、ここでの記載は省略する。
次に、２つ目の構成は、図９（ｇ）および図１０（ｇ）に例示する構成であり、具体的には、図１１（ａ）〜（ｃ）に例示する構成である。図１１（ａ）〜（ｃ）は、第６態様の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略模式図である。なお、図１１（ａ）は、第６態様の有機ＥＬ表示装置の他の例を示す概略平面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＣ−Ｃ線断面図であり、図１１（ｃ）は、図１１（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。また、図１１（ａ）は、説明の簡単のため、有機ＥＬ層７および透明電極層９を省略したものである。図１１（ａ）〜（ｃ）に例示する有機ＥＬ表示装置１０は、上述した図９（ａ）〜（ｇ）および図１０（ａ）〜（ｇ）に例示するように、絶縁層４を形成後に補助電極６を形成する方法により得られるものである。そのため、この場合の有機ＥＬ表示装置１０は、図１１（ｃ）に例示するように、突起構造物５がドット状に形成される場合には、補助電極６が絶縁層４および突起構造物５上に形成された構成になる。
第６態様の有機ＥＬ表示装置においては、図８（ａ）〜（ｃ）に例示する１つ目構成であることが好ましい。突起構造物がドット状に形成されている場合には、基板上に形成された補助電極上に絶縁層が形成されることになる。そのため、基板上にて隣接する補助電極と画素電極との間の短絡を十分に防ぐことができ、また、補助電極上の絶縁層によって補助電極の腐食を防止することができるため、腐食防止層等の形成が不要となるからである。
なお、図１１（ａ）〜（ｃ）において説明していない符号については、図９（ｇ）および図１０（ｇ）と同様であるため、ここでの記載は省略する。
【０１２８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造することができるため、表示特性の低下を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【０１２９】
ここで、第４態様〜第６態様における「上記突起構造物上の上記補助電極上に形成された上記有機層の開口部である接触部」および「上記突起構造物上に上記絶縁層を介して形成された上記補助電極上の上記有機層の開口部である接触部」は、補助電極上に形成された有機層において突起構造物上に対応する領域、すなわち接触部が形成される領域の有機層が除去されて、上記有機層の下層である補助電極が露出することにより得られる。したがって、本態様の有機ＥＬ表示装置における有機層は、接触部の形成に伴い、上記接触部に対応した位置に開口部を有するものである。
【０１３０】
また、本発明において「少なくとも上記有機ＥＬ層および上記接触部上に形成された透明電極層」とは、透明電極層が有機ＥＬ層および接触部上に形成されていれば特に限定されるものではないが、通常は、例えば図１（ｅ）〜（ｇ）に例示するように、透明電極層９が、接触部８が形成された有機ＥＬ層側基板１の全面に連続して形成される。
【０１３１】
上記有機ＥＬ表示装置の各構成については、上記「Ｉ．有機ＥＬ表示装置の製造方法」の項に記載したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０１３２】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１３３】
１  …  有機ＥＬ層側基板
２  …  基板
３  …  画素電極
４  …  絶縁層
５  …  突起構造物
６  …  補助電極
７  …  有機ＥＬ層
８  …  接触部
９  …  透明電極層
１０  …  トップエミッション型有機ＥＬ表示装置
【図１】
2015005434.tif 000003
【図２】
2015005434.tif 000004
【図３】
2015005434.tif 000005
【図４】
2015005434.tif 000006
【図５】
2015005434.tif 000007
【図６】
2015005434.tif 000008
【図７】
2015005434.tif 000009
【図８】
2015005434.tif 000010
【図９】
2015005434.tif 000011
【図１０】
2015005434.tif 000012
【図１１】
2015005434.tif 000013
【図１２】
2015005434.tif 000014