(57)【要約】      （修正有）【課題】高品質の傾斜磁場コイル及び磁気共鳴イメージング装置を提供する。【解決手段】傾斜磁場コイル１０３は、導電性の部材で円筒形状に形成されるサドルコイル型の導体部を備える。前記導体部は、渦巻き状の第１パターンが形成された第１領域と、前記渦巻き状の第１パターンとは異なる第２パターンが形成された第２領域とを有する。【選択図】図１
2015008923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の部材で円筒形状に形成されるサドルコイル型の導体部を備え、
前記導体部は、渦巻き状の第１パターンが形成された第１領域と、前記渦巻き状の第１パターンとは異なる第２パターンが形成された第２領域とを有することを特徴とする傾斜磁場コイル。
【請求項２】
前記第２パターンは、前記円筒形状の軸方向に略平行な縞のパターンであることを特徴とする請求項１に記載の傾斜磁場コイル。
【請求項３】
前記導体部は、前記渦巻き状の第１パターンの内側及び前記渦巻き状の第１パターンの外側のうち、少なくとも一方に、前記第２領域を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の傾斜磁場コイル。
【請求項４】
前記導体部は、前記第１パターン及び前記第２パターンが加工された導電性の板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の傾斜磁場コイル。
【請求項５】
前記導体部は、Ｘコイル及びＹコイルとしてそれぞれ備えられ、
各導体部は、積層されて円筒形状に形成され、積層された各導体部の隙間には、樹脂が含浸されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の傾斜磁場コイル。
【請求項６】
前記導体部は、円周方向に沿って螺旋状に、テープが巻き付けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の傾斜磁場コイル。
【請求項７】
前記テープは、前記円筒形状の軸方向において２以上に分割された領域の単位で、前記導体部に巻き付けられていることを特徴とする請求項６に記載の傾斜磁場コイル。
【請求項８】
前記導体部は、前記円筒形状の軸方向に複数の導電性の板が並ぶことによって形成され、
前記テープは、前記導電性の板毎に巻き付けられていることを特徴とする請求項６に記載の傾斜磁場コイル。
【請求項９】
前記テープは、前記導体部のうち、前記第２領域上に巻き付けられることを特徴とする請求項６に記載の傾斜磁場コイル。
【請求項１０】
静磁場を発生する静磁場磁石と、
傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイルとを備え、
前記傾斜磁場コイルは、
導電性の部材で円筒形状に形成されるサドルコイル型の導体部を備え、
前記導体部は、導電性の線材によって渦巻き状の第１パターンが形成された第１領域と、前記渦巻き状の第１パターンとは異なる第２パターンが形成された第２領域とを有することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、傾斜磁場コイル及び磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージングは、静磁場中に置かれた被検体の原子核スピンを、そのラーモア（Larmor）周波数のＲＦ（Radio  Frequency）パルスで磁気的に励起し、励起に伴い発生する磁気共鳴信号のデータから画像を生成する撮像法である。
【０００３】
従来、磁気共鳴イメージング装置が備える傾斜磁場コイルは、複数のコイルや冷却管等を積層の上、樹脂（レジン（resin））を含浸（注入）させ、この樹脂を硬化させて、製造される。しかしながら、樹脂は、硬化の過程で収縮するため、含浸樹脂の量が多い箇所では、クラックや剥離が生じてしまうおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０８８６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、高品質の傾斜磁場コイル及び磁気共鳴イメージング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る傾斜磁場コイルは、導電性の部材で円筒形状に形成されるサドルコイル型の導体部を備える。前記導体部は、渦巻き状の第１パターンが形成された第１領域と、前記渦巻き状の第１パターンとは異なる第２パターンが形成された第２領域とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置の構成を示す機能ブロック図。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る傾斜磁場コイルの構造を示す斜視図。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る導体部に形成されたパターンを示す図。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る導体部に形成された第２パターンを示す図。
【図５】図５は、第１の実施形態に係るＸコイルを示す図。
【図６】図６は、第１の実施形態に係るＹコイルを示す図。
【図７】図７は、第２の実施形態に係るＸコイルのテープによる固定を示す図。
【図８】図８は、第２の実施形態に係るＹコイルのテープによる固定を示す図。
【図９】図９は、第２の実施形態における傾斜磁場コイルの断面を示す図。
【図１０】図１０は、第２の実施形態の変形例に係るＸコイルのテープによる固定を示す図。
【図１１】図１１は、第２の実施形態の変形例に係るＹコイルのテープによる固定を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら、実施形態に係る傾斜磁場コイル及び磁気共鳴イメージング装置（以下、適宜「ＭＲＩ（Magnetic  Resonance  Imaging）装置」）を説明する。なお、実施形態は、以下の実施形態に限られるものではない。また、各実施形態において説明する内容は、原則として、他の実施形態においても同様に適用することができる。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００の構成を示す機能ブロック図である。図１に示すように、ＭＲＩ装置１００は、静磁場磁石１０１と、静磁場電源１０２と、傾斜磁場コイル１０３と、傾斜磁場電源１０４と、ＲＦコイル１０５と、送信部１０６と、受信部１０７と、寝台１０８と、シーケンス制御部１２０と、計算機１３０とを備える。なお、ＭＲＩ装置１００に、被検体Ｐ（例えば、人体）は含まれない。また、図１に示す構成は一例に過ぎない。各部は、適宜統合若しくは分離して構成されてもよい。
【００１０】
静磁場磁石１０１は、中空の円筒形状に形成された磁石であり、円筒内部の空間に、静磁場を発生する。静磁場磁石１０１は、例えば、超伝導磁石等であり、静磁場電源１０２から電流の供給を受けて励磁する。静磁場電源１０２は、静磁場磁石１０１に電流を供給する。なお、静磁場磁石１０１は、永久磁石でもよく、この場合、ＭＲＩ装置１００は、静磁場電源１０２を備えなくてもよい。また、静磁場電源１０２は、ＭＲＩ装置１００とは別に備えられてもよい。
【００１１】
傾斜磁場コイル１０３は、静磁場磁石１０１の内側に配置され、中空の円筒形状に形成されたコイルである。傾斜磁場コイル１０３は、傾斜磁場電源１０４から電流の供給を受けて傾斜磁場を発生する。なお、傾斜磁場コイル１０３については、後に詳述する。傾斜磁場電源１０４は、傾斜磁場コイル１０３に電流を供給する。
【００１２】
ＲＦコイル１０５は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置され、送信部１０６からＲＦパルスの供給を受けて高周波磁場を発生する。また、ＲＦコイル１０５は、高周波磁場の影響によって被検体Ｐから発せられる磁気共鳴信号（以下、適宜「ＭＲ（Magnetic  Resonance）信号」）を受信し、受信したＭＲ信号を受信部１０７に出力する。
【００１３】
なお、上述したＲＦコイル１０５は一例に過ぎない。ＲＦコイル１０５は、送信機能のみを備えたコイル、受信機能のみを備えたコイル、若しくは送受信機能を備えたコイルのうち、１つ若しくは複数を組み合わせることによって構成されればよい。例えば、ＲＦコイル１０５は、送受信機能を備えたＷＢ（Whole  Body）コイルと、受信機能を備えたＰＡ（Phased  Array）コイルとの組み合わせによって構成される。
【００１４】
送信部１０６は、対象とする原子の種類及び磁場強度で定まるラーモア周波数に対応するＲＦパルスをＲＦコイル１０５に供給する。受信部１０７は、ＲＦコイル１０５から出力されるＭＲ信号を検出し、検出したＭＲ信号に基づいてＭＲデータを生成する。具体的には、受信部１０７は、ＲＦコイル１０５から出力されるＭＲ信号をデジタル変換することによってＭＲデータを生成する。また、受信部１０７は、生成したＭＲデータをシーケンス制御部１２０に送る。なお、受信部１０７は、静磁場磁石１０１や、傾斜磁場コイル１０３等を備える架台装置側に備えられてもよい。
【００１５】
寝台１０８は、被検体Ｐが載置される天板を備える。図１においては、説明の便宜上、この天板のみを図示する。通常、寝台１０８は、静磁場磁石１０１の円筒の中心軸と長手方向が平行になるように設置される。また、天板は、長手方向及び上下方向に移動可能であり、被検体Ｐが載置された状態で、ＲＦコイル１０５の内側の円筒内部の空間に挿入される。なお、この円筒内部の空間を「ボア」等と称する場合がある。
【００１６】
シーケンス制御部１２０は、計算機１３０から送信されるシーケンス情報に基づいて、傾斜磁場電源１０４、送信部１０６、及び受信部１０７を駆動することによって、被検体Ｐの撮像を行う。ここで、シーケンス情報は、撮像を行う手順を定義した情報である。シーケンス情報には、傾斜磁場電源１０４が傾斜磁場コイル１０３に供給する電流の強さや電流を供給するタイミング、送信部１０６がＲＦコイル１０５に供給するＲＦパルスの強さやＲＦパルスを印加するタイミング、受信部１０７がＭＲ信号を検出するタイミング等が定義される。
【００１７】
例えば、シーケンス制御部１２０は、ＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）、ＦＰＧＡ（Field  Programmable  Gate  Array）等の集積回路、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＭＰＵ（Micro  Processing  Unit）等の電子回路である。
【００１８】
なお、シーケンス制御部１２０は、傾斜磁場電源１０４、送信部１０６、及び受信部１０７を駆動して被検体Ｐを撮像した結果、受信部１０７からＭＲデータを受信すると、受信したＭＲデータを計算機１３０に転送する。
【００１９】
計算機１３０は、ＭＲＩ装置１００の全体制御を行う。また、計算機１３０は、シーケンス制御部１２０から転送されたＭＲデータに、フーリエ変換等の再構成処理を施すことで、ＭＲ画像の生成等を行う。例えば、計算機１３０は、制御部、記憶部、入力部、表示部を備える。制御部は、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等の集積回路、ＣＰＵ、ＭＰＵ等の電子回路である。記憶部は、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等である。入力部は、マウスやトラックボール等のポインティングデバイス、モード切替スイッチ等の選択デバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスである。表示部は、液晶表示器等の表示デバイスである。
【００２０】
図２は、第１の実施形態に係る傾斜磁場コイル１０３の構造を示す斜視図である。ここで、第１の実施形態において、傾斜磁場コイル１０３は、ＡＳＧＣ（Actively  Shielded  Gradient  Coil）であり、傾斜磁場を発生するメインコイル１０３ａと、漏洩磁場を打ち消すシールド用の磁場を発生するシールドコイル１０３ｂとを有する。図２に示すように、傾斜磁場コイル１０３においては、円筒内部の空間からの距離が近い内側から順に、メインコイル１０３ａと、冷却管が配管される冷却層１０３ｄと、シムトレイが配置されるシム層１０３ｃと、冷却管が配管される冷却層１０３ｅと、シールドコイル１０３ｂとが、積層される。
【００２１】
シム層１０３ｃには、複数本分（例えば２４本分）のシムトレイ挿入ガイド１０３ｆが形成される。シムトレイ挿入ガイド１０３ｆは、典型的には、図２に示すように、傾斜磁場コイル１０３の長軸方向全長に亘って貫通する穴であり、円周方向に等間隔に形成される。シムトレイ挿入ガイド１０３ｆに挿入されるシムトレイ（図示を省略）それぞれは、例えば、長手方向に複数（例えば１５個）のポケットを有し、静磁場の不均一性を補正するために、所定のポケットに所定の枚数の鉄シムが収納される。
【００２２】
冷却層１０３ｄ及び冷却層１０３ｅには、典型的には、円筒形状に沿って螺旋状に冷却管が配管される（図２において図示を省略）。図１において図示を省略したが、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、熱交換器や循環ポンプを有する冷却装置を更に備え、この冷却装置が、冷却管に水等の冷媒を循環させることで、傾斜磁場コイル１０３を冷却する。
【００２３】
ところで、メインコイル１０３ａは、互いに直交するＸ、Ｙ、及びＺの各軸に対応する３つのコイル、即ち、Ｘコイル、Ｙコイル、及びＺコイルが積層されて形成されている。Ｘコイルは、サドルコイル型に加工されたコイルであり、Ｘ軸、即ち、傾斜磁場コイル１０３の円筒の水平軸に沿って、傾斜磁場を発生する。また、Ｙコイルは、Ｘコイルと同様、サドルコイル型に加工されたコイルであるが、Ｙ軸、即ち、傾斜磁場コイル１０３の円筒の垂直軸に沿って、傾斜磁場を発生する。また、Ｚコイルは、螺旋状に加工されたコイルであり、Ｚ軸、即ち、傾斜磁場コイル１０３の円筒の長軸に沿って、傾斜磁場を発生する。これら、Ｘコイル、Ｙコイル、及びＺコイルのそれぞれは、傾斜磁場電源１０４から個別に電流の供給を受け、Ｘ、Ｙ、及びＺの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生する。なお、シールドコイル１０３ｂも同様に、互いに直交するＸ、Ｙ、及びＺの各軸に対応する３つのコイル、即ち、Ｘコイル、Ｙコイル、及びＺコイルが積層されて形成されている。また、各コイルの積層順は、適宜変更することができる。
【００２４】
以下では、上述した各コイルのうち、メインコイル１０３ａのＸコイル及びＹコイル、並びに、シールドコイル１０３ｂのＸコイル及びＹコイルを説明する。なお、以下では、メインコイル１０３ａ及びシールドコイル１０３ｂを区別せずに、単に、Ｘコイル、Ｙコイルと表記する場合がある。
【００２５】
第１の実施形態において、Ｘコイル及びＹコイルは、それぞれ、４枚の導電性の板が、傾斜磁場コイル１０３のボビンに巻き付けられることで、形成される。なお、以下では、このように導電性の板の組み合わせで形成されたＸコイル、Ｙコイルを、「導体部１０Ｘ」、「導体部１０Ｙ」、若しくは区別せずに「導体部」と称する場合がある。
【００２６】
図３は、第１の実施形態に係る導体部のうちの１枚の導電性の板を示す図であり、導電性の板に形成されたパターンを示す図である。第１の実施形態において、Ｘコイル及びＹコイルは、導電性の板（例えば、銅板、アルミ板等）に所定のパターンが加工（例えば、切断加工、エッジング加工等）されることで、形成されている。具体的には、図３に示すように、導電性の板には、渦巻き状の第１パターンと、渦巻き状の第１パターンとは異なる第２パターンとが形成されている。第２パターンは、傾斜磁場コイル１０３の円筒形状の軸方向にほぼ平行な縞のパターンである。
【００２７】
渦巻き状の第１パターンは、１枚の導電性の板のほぼ全面に亘り形成されている。この第１パターンが、サドルコイルとして機能する。一方、縞の第２パターンは、図３に示すように、渦巻き状の第１パターンの内側の中央部や、渦巻き状の第１パターンの外側の外周角部に形成されている。言い換えると、縞の第２パターンは、導電性の板のうち、第１パターンが形成されていない空きスペースに、形成されている。
【００２８】
図４は、第１の実施形態に係る導体部に形成された第２パターンを示す図である。図４では、図３に示す第２パターンのうち、渦巻き状の第１パターンの外側の外周角部に形成された第２パターンの斜視図を示す。なお、図４においては、導電性の板の表面をドットで示し、断面を斜線で示す。
【００２９】
図４に示すように、第１の実施形態において、第２パターンは、導電性の板の裏まで貫通し、板に対して細い線状に刻み込まれた、スリットである。また、図示を省略するが、図３に示す第２パターンのうち、渦巻き状の第１パターンの内側の中央部に形成された第２パターンも、導電性の板の裏まで貫通し、板に対して細い線状に刻み込まれた、スリットである。
【００３０】
このように、第１の実施形態においては、導電性の板のうち、第１パターンが形成されていない部分についても、導電性の板を切り落とさずに残すので、含浸樹脂の量、即ち隙間に注入される樹脂の量を減らすことができ、クラックや剥離を抑制することができる。ひいては、絶縁劣化を抑制することができる。
【００３１】
また、単に導電性の板を残した場合には、その部分に渦電流を生じるおそれがあるが、第１の実施形態においては、導電性の板を残した部分において、円筒形状の軸方向、即ち静磁場方向にほぼ平行な方向のスリットが形成されるので、渦電流の発生を防止することができる。また、静磁場方向にほぼ平行な方向のスリットが形成された場合、第２パターンの領域にローレンツ力が作用することもないので、第２パターンが形成された領域（例えば、外周角部等）が撮像中に動いてしまうおそれもない。また、静磁場方向にほぼ平行な方向のスリットが形成された場合、第２パターンが形成された領域は、撮像で用いられる磁場成分（Ｂｚ成分）を生成することもないので、撮像への影響も排除することができる。
【００３２】
更に、第１の実施形態においては、第１パターン及び第２パターンを、導電性の板に対する機械的な加工によって形成する。このため、例えば、クラックや剥離を抑制すべく、空きスペースに手作業で詰め物をする手法に比較して、傾斜磁場コイル１０３を製造する工数を削減することができる。また、手作業で詰め物をする手法に比較して、品質を安定させることもできる。
【００３３】
なお、実施形態は、図３及び図４に示す第１パターン及び第２パターンに限られるものではない。第１パターンの渦巻きの形状や、ターン数、パターン幅、パターンとパターンとの間の幅等は、任意に変更することができる。また、図３においては、第２パターンが、渦巻き状の第１パターンの内側の中央部や渦巻き状の第１パターンの外側の外周角部に形成されている例を説明したが、実施形態はこれに限られるものではない。例えば、第２パターンは、渦巻き状の第１パターン自体の中で、パターン幅が広い箇所や、パターンとパターンとの間の幅が広い箇所等に適宜形成されてもよい。言い換えると、第２パターンが形成される領域は、図３の例に限定されるものではなく、クラックや剥離の抑制の観点から望まれる箇所に適宜設けられればよい。
【００３４】
図５は、第１の実施形態に係るＸコイルを示す図であり、図６は、第１の実施形態に係るＹコイルを示す図である。上述したように、第１の実施形態において、Ｘコイル及びＹコイルは、それぞれ、４枚の導電性の板が、傾斜磁場コイル１０３のボビンに巻き付けられることで形成される。具体的には、図５及び図６に示すように、傾斜磁場コイル１０３の芯であるボビンの軸方向において２枚の導電性の板が横に並び、この２枚の導電性の板の組が円周方向に２組、ボビンに巻き付くことで、形成される。図５と図６とを比較すると分かるように、Ｙコイルは、円筒の軸を中心にＸコイルを９０°回転させたものと同じ構成を有する。
【００３５】
なお、傾斜磁場コイル１０３は、上述したように、複数の層が積層されて形成されるが、図５及び図６においては、Ｘコイル以外の各層やＹコイル以外の各層を省略している。また、図５及び図６においては、４枚の導電性の板を隙間なく敷き詰めた例を示しているが、実施形態はこれに限られるものではなく、４枚の板の配置関係は、適宜変更することができる。
【００３６】
上述したように、第１の実施形態によれば、サドルコイル型のコイルにおいて渦巻き状のパターンが形成されていない部分にも部材を残すので、含浸樹脂の量を減らすことができ、クラックや剥離を抑制することができる。また、第１の実施形態によれば、残した導電性の部材において静磁場方向にほぼ平行な方向のスリットが形成されるので、渦電流やローレンツ力、撮像に影響を与える磁場成分の発生を防止することができる。更に、第１の実施形態によれば、導電性の板に対する機械的な加工による手法であるので、傾斜磁場コイル１０３の製造工数の削減や品質の安定に寄与することができる。
【００３７】
（第２の実施形態）
第２の実施形態においては、傾斜磁場コイル１０３のボビンに巻き付けられたＸコイル及びＹコイルを、更に、テープ等で固定する手法を説明する。
【００３８】
図７は、第２の実施形態に係るＸコイルのテープによる固定を示す図であり、図８は、第２の実施形態に係るＹコイルのテープによる固定を示す図である。図７及び図８に示すように、第２の実施形態においては、ＸコイルやＹコイルに対してテープを巻き付けて、固定する。なお、図７及び図８においては、テープが巻き付けられることでテープの下に隠れるＸコイルやＹコイルのパターンを、説明の便宜上、破線で示す。テープが透過性を有する素材の場合には、ＸコイルやＹコイルのパターンを視認し得る。
【００３９】
ここで、図７及び図８に示すように、第２の実施形態において、テープは、ボビンの円周方向に沿って螺旋状に巻き付けられる。螺旋状に巻き付けられる際のテープ同士の重複度合いは適宜調整することができる。また、図７及び図８に示すように、テープは、第１の固定範囲と、第２の固定範囲とに分けて巻き付けられる。即ち、第１の固定範囲に巻き付けられるテープと、第２の固定範囲に巻き付けられるテープとは、一連のテープではなく、別々のテープである。言い換えると、テープは、ボビンの軸方向において２以上に分割された領域の単位で、第２の実施形態においては導電性の板毎に、巻き付けられる。
【００４０】
テープとしては、撮像中に各コイルに対して働くローレンツ力等に鑑みて、ある一定の引張強度や弾性率を有するものを用いることが望ましい。例えば、ポリパラフェニレン  ベンゾビスオキサゾール（poly-paraphenylene  benzobisoxazole）の素材（「ザイロン（Zylon）（登録商標）」の名称で知られている）のテープを用いることができる。また、例えば、ポリパラフェニレン  テレフタルアミド（poly-paraphenylene  terephthalamide）の素材（「ケブラー（KEVLAR）（登録商標）」の名称で知られている）のテープを用いることができる。なお、テープの素材は上述した素材に限られるものではない。
【００４１】
図９は、第２の実施形態における傾斜磁場コイル１０３の断面を示す図である。なお、傾斜磁場コイル１０３の一部の断面であり、例えば、シールドコイル１０３ｂ側の断面を示す。例えば、図９に示すように、下から順に、冷却管、Ｚコイル、Ｙコイル、Ｘコイルが絶縁板を適宜挟みながら順に積層される場合、例えば、Ｙコイル及びＸコイルの外側に、それぞれ、テープが巻き付けられる。なお、テープの巻き付けは、図９の例に限られるものではない。例えば、各コイルの積層順は、適宜変更することができる。また、コイルのパターン幅とテープの幅との関係も、適宜変更することができる。また、テープの重複度合いも、適宜変更することができる。また、図９においては、Ｙコイル及びＸコイルの両方に対してテープを巻き付ける例を説明したが、実施形態はこれに限られるものではない。例えば、いずれか一方のみにテープを巻き付けてもよい。また、更にＺコイルに対して巻き付けてもよい。
【００４２】
このように、第２の実施形態によれば、ＸコイルやＹコイルに円周方向に沿って螺旋状にテープが巻き付けられるので、撮像中に発生するローレンツ力の影響によって各コイルが動いてしまう状況を、適切に抑制することができる。また、第２の実施形態によれば、第１の実施形態において説明したように、渦巻き状のパターンが形成されていない部分にも部材が残されているので、テープによる締め付け力も下の層に適切に伝達され、適切に固定することができる。例えば、テープで固定する際に、テープの面圧によって絶縁板を損傷させてしまう事態を回避することができる。特に、傾斜磁場コイル１０３の円筒の両端部に発生するローレンツ力は大きくなる傾向があるが、その両端部に、第２パターンで部材が残されており、テープは、この第２パターン上に巻き付けられるので、テープによる締め付けが適切に行われる。
【００４３】
（第２の実施形態の変形例）
図１０は、第２の実施形態の変形例に係るＸコイルのテープによる固定を示す図であり、図１１は、第２の実施形態の変形例に係るＹコイルのテープによる固定を示す図である。図７及び図８では、テープが、導電性の板全体に亘って巻き付けられる例を示したが、実施形態はこれに限られるものではない。例えば、図１０及び図１１に示すように、テープは、傾斜磁場コイル１０３の円筒の両端部にのみ、巻き付けられてもよい。その巻き付けの幅等も、適宜変更することができる。
【００４４】
（その他の実施形態）
実施形態は、上述した実施形態に限られるものではない。
【００４５】
（第２パターン）
上述した実施形態において、第２パターンは、傾斜磁場コイル１０３の円筒形状の軸方向にほぼ平行な縞のパターンであるが、実施形態はこれに限られるものではない。第２パターンは、含浸樹脂の量を適切に減らし、また、渦電流の発生を適切に抑制するものであれば、他のパターンであってもよい。例えば、必ずしも直線で形成される「縞」でなくとも、曲線を含むパターンでもよい。また、第２パターンは、１種類に限らず、複数種類の組み合わせでもよい。
【００４６】
また、上述した実施形態においては、ＸコイルやＹコイルとして導電性の板を加工して形成されたものを想定したが、実施形態はこれに限られるものではない。導電性の線材を渦巻き状に巻くことで、ＸコイルやＹコイルの第１パターンを形成してもよい。この場合、第２パターンは、例えば、導電性若しくは非導電性の線材を用いて、第１パターンの空スペースを埋めるように形成される。
【００４７】
また、上述した実施形態においては、傾斜磁場コイル１０３として、ＡＳＧＣコイルを想定したが、実施形態はこれに限られるものではない。また、上述した実施形態においては、サドルコイルであるＸコイルやＹコイルが、４枚の導電性の板を用いて形成される例を説明したが、実施形態はこれに限られるものではない。導電性の板の枚数や、配置手法等は、適宜変更することができる。
【００４８】
以上述べた少なくとも１つの実施形態によれば、高品質の傾斜磁場コイル及び磁気共鳴イメージング装置を提供することができる。
【００４９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５０】
１００  ＭＲＩ装置
１０３  傾斜磁場コイル
１０３ａ  メインコイル
１０３ｂ  シールドコイル
１０Ｘ  導体部（Ｘコイル）
１０Ｙ  導体部（Ｙコイル）
【図１】
2015008923.tif 000003
【図２】
2015008923.tif 000004
【図３】
2015008923.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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