(57)【要約】【課題】好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を効率よく製造することができる有機半導体膜の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の有機半導体膜の製造方法は、基板上に有機半導体材料が溶媒に溶解した溶液を所定のパターンで付与する溶液付与工程と、前記溶媒を揮発させることにより前記有機半導体材料を結晶化させる結晶化工程とを有し、前記パターンは、その一部に、他の部位に比べて優先的に、前記溶媒の揮発、前記有機半導体材料の結晶化が進行する特異領域を有するものであることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に有機半導体材料が溶媒に溶解した溶液を所定のパターンで付与する溶液付与工程と、
前記溶媒を揮発させることにより前記有機半導体材料を結晶化させる結晶化工程とを有し、
前記パターンは、その一部に、他の部位に比べて優先的に、前記溶媒の揮発、前記有機半導体材料の結晶化が進行する特異領域を有するものであることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
【請求項２】
前記特異領域は、前記パターンの他の部位に比べて幅が小さいものである請求項１に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項３】
前記特異領域の幅は、前記特異領域の長さよりも小さいものである請求項１または２に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項４】
前記特異領域は、鋭角部を有するものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項５】
前記特異領域は、前記パターンの外周部のうちの一部のみを含む領域であり、前記基材に対する前記溶液の接触角が前記パターンの他の部位に比べて小さいものである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項６】
前記結晶化工程において、前記特異領域にエネルギー線を選択的に照射する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項７】
前記有機半導体材料は、チニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン類、ポリ（ｐ−フェニレン）類、アセン類、アセン類のうちの炭素の一部が官能基により置換された誘導体、金属フタロシアニン類、テトラチアフルバレン類、テトラチアペンタレン類およびこれらの誘導体よりなる群から選択される１種または２種以上である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項８】
前記溶媒は、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、１，４−ジオキサン、インダン、インデン、エチルナフタレン、メチルナフタレン、ベンゾフラン、トリメチルベンゼン、キシレン、トルエン、シクロヘキシルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエタン、テトラヒドロナフタレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ブタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、メシチレン、テトラリン、デカリン、アニソールおよびブチルアセテートよりなる群から選択される１種または２種以上である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の有機半導体膜の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする有機半導体膜。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機半導体膜を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
請求項９に記載の有機半導体膜を備えたことを特徴とするアクティブマトリクス装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の有機半導体膜を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の有機半導体膜を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、無機半導体材料を用いた薄膜トランジスタを置き換え得るデバイスとして、有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタが注目されている。
この薄膜トランジスタは、有機半導体層を高温・高真空を必要としない液相プロセスによって形成することができる。特に、結晶性を有する有機半導体材料は、高移動度を示す特徴を有している。
【０００３】
しかしながら、従来においては、有機半導体膜の配向、結晶粒を制御することは難しく、半導体膜を構成する結晶の粒径が小さく、結晶の粒径の大きさのばらつきも大きく、結晶の配向もランダムになっていた。
そのため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）性能も低く面内やロット毎の均一性の確保が困難であった。
【０００４】
また、全面に一様に半導体層をダイコーター等で塗布することで、乾燥時間差を利用して端部より成長することで結晶性を向上させた事例もあるが（特許文献１参照）、全面に半導体層が形成されているためその後パターニングする必要がありコストの面で不利であった。
また、ソースドレイン電極間の長さを異ならせ乾燥速度の差を発生させ結晶性を向上させる方法も提案されているが（特許文献２参照）、この方法では、トランジスタの設計の自由度が制限され効率的に設計できない課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】再表２００７／１１９７０３号公報
【特許文献２】特開２００７−１４２３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を提供すること、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を効率よく製造することができる有機半導体膜の製造方法を提供すること、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた薄膜トランジスタを提供すること、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えたアクティブマトリクス装置を提供すること、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた電気光学装置を提供すること、また、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機半導体膜の製造方法は、基材上に有機半導体材料が溶媒に溶解した溶液を所定のパターンで付与する溶液付与工程と、
前記溶媒を揮発させることにより前記有機半導体材料を結晶化させる結晶化工程とを有し、
前記パターンは、その一部に、他の部位に比べて優先的に、前記溶媒の揮発、前記有機半導体材料の結晶化が進行する特異領域を有するものであることを特徴とする。
これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を効率よく製造することができる有機半導体膜の製造方法を提供することができる。
【０００８】
本発明の有機半導体膜の製造方法では、前記特異領域は、前記パターンの他の部位に比べて幅が小さいものであることが好ましい。
これにより、有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
本発明の有機半導体膜の製造方法では、前記特異領域の幅は、前記特異領域の長さよりも小さいものであることが好ましい。
これにより、有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
【０００９】
本発明の有機半導体膜の製造方法では、前記特異領域は、鋭角部を有するものであることが好ましい。
これにより、有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
本発明の有機半導体膜の製造方法では、前記特異領域は、前記パターンの外周部のうちの一部のみを含む領域であり、前記基材に対する前記溶液の接触角が前記パターンの他の部位に比べて小さいものであることが好ましい。
これにより、有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
【００１０】
本発明の有機半導体膜の製造方法では、前記結晶化工程において、前記特異領域にエネルギー線を選択的に照射することが好ましい。
これにより、有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができるとともに、有機半導体膜の生産性を特に優れたものとすることができる。
本発明の有機半導体膜の製造方法では、前記有機半導体材料は、チニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン類、ポリ（ｐ−フェニレン）類、アセン類、アセン類のうちの炭素の一部が官能基により置換された誘導体、金属フタロシアニン類、テトラチアフルバレン類、テトラチアペンタレン類およびこれらの誘導体よりなる群から選択される１種または２種以上であることが好ましい。
これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を効率よく製造することができるという効果がより顕著に発揮される。また、例えば、有機半導体膜を備えた薄膜トランジスタ等の素子性能の向上の観点からも有利である。
【００１１】
本発明の有機半導体膜の製造方法では、前記溶媒は、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、１，４−ジオキサン、インダン、インデン、エチルナフタレン、メチルナフタレン、ベンゾフラン、トリメチルベンゼン、キシレン、トルエン、シクロヘキシルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエタン、テトラヒドロナフタレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ブタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、メシチレン、テトラリン、デカリン、アニソールおよびブチルアセテートよりなる群から選択される１種または２種以上であることが好ましい。
これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を効率よく製造することができるという効果がより顕著に発揮される。
【００１２】
本発明の有機半導体膜は、本発明の方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を提供することができる。
本発明の薄膜トランジスタは、本発明の有機半導体膜を備えたことを特徴とする。
これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することができる。
【００１３】
本発明のアクティブマトリクス装置は、本発明の有機半導体膜を備えたことを特徴とする。
これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた信頼性の高いアクティブマトリクス装置を提供することができる。
本発明の電気光学装置は、本発明の有機半導体膜を備えたことを特徴とする。
これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機半導体膜を備えたことを特徴とする。
これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の有機半導体膜の製造方法の好適な実施形態において、基材上に付与された溶液の付与パターンを説明するための平面図である。
【図２】本発明の有機半導体膜の製造方法の好適な実施形態において、基材上に付与された溶液の付与パターンを説明するための平面図である。
【図３】本発明の有機半導体膜の製造方法の好適な実施形態において、基材上に付与された溶液の基材に対する濡れ状態を説明するための縦断面図である。
【図４】本発明の薄膜トランジスタの好適な実施形態を示す概略図である。
【図５】図４に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図６】電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図７】図６に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
≪有機半導体膜の製造方法≫
まず、本発明の有機半導体膜の製造方法について説明する。
図１、図２は、本発明の有機半導体膜の製造方法の好適な実施形態において、基材上に付与された溶液の付与パターンを説明するための平面図、図３は、本発明の有機半導体膜の製造方法の好適な実施形態において、基材上に付与された溶液の基材に対する濡れ状態を説明するための縦断面図である。
【００１６】
本発明の有機半導体膜の製造方法は、基材上に有機半導体材料が溶媒に溶解した溶液（有機半導体膜用組成物）を所定のパターンで付与する溶液付与工程（１ａ）と、溶媒を揮発させることにより、溶液中に含まれる有機半導体材料を結晶化させる結晶化工程（１ｂ）とを有している。そして、基材上に形成される前記パターンは、その一部に、他の部位に比べて優先的に、溶媒の揮発、有機半導体材料の結晶化が進行する特異領域を有するものである。
【００１７】
このように、特異領域において、溶媒の揮発、有機半導体材料の結晶化が優先的に進行することにより、特異領域に比べて、前記パターンの他の部位（特異領域以外の部位）での有機半導体材料の結晶化の速度を遅いものとすることができるとともに、前記パターンの他の部位（特異領域以外の部位）での有機半導体材料の結晶化において、特異領域の境界部分における結晶の配向の影響を受けさせることができる。その結果、前記パターンの他の部位（特異領域以外の部位）（例えば、有機半導体膜の有効領域）での有機半導体材料の結晶の配向は、好適に揃った状態となる。その結果、例えば、低コストのプロセスで、有機半導体膜を備えた薄膜トランジスタ等の素子性能を大幅に向上させることができる。また、有機半導体膜の生産性を優れたものとすることができる。これに対し、本発明のように特異領域を設けなかった場合には、有効領域内で結晶の配向を好適に揃えることが困難になり、また、結晶の粒径が小さく、結晶の粒径の大きさのばらつきも大きくなる。
【００１８】
＜溶液付与工程＞
基材１０上に溶液（有機半導体膜用組成物）を付与する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法のような塗布法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法のような印刷法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、微細なパターンを精確にかつ効率よく形成することができるという点等で、インクジェット法が好ましい。
【００１９】
以下、溶液（有機半導体膜用組成物）の組成について説明する。
有機半導体材料としては、例えば、チニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン類、ポリ（ｐ−フェニレン）類、アセン類、アセン類のうちの炭素の一部が窒素、硫黄、酸素などの官能基により置換された誘導体、金属フタロシアニン類、テトラチアフルバレン類、テトラチアペンタレン類またはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。このような有機半導体材料を用いることにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を効率よく製造することができるという効果がより顕著に発揮される。また、例えば、有機半導体膜を備えた薄膜トランジスタ等の素子性能の向上の観点からも有利である。
【００２０】
チニレンビニレン類としては、例えば、ポリチオフェン、ポリチェニレンビニレン等が挙げられる。
アセン類としては、例えば、ペンタセン、TIPSペンタセン、ルブレン、コロネン等が挙げられる。
アセン類のうちの炭素の一部が窒素、硫黄、酸素などの官能基により置換された誘導体としては、例えば、チエノアセン類等が挙げられる。
【００２１】
有機半導体材料を溶解する溶媒としては、例えば、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、１，４−ジオキサン、インダン、インデン、エチルナフタレン、メチルナフタレン、ベンゾフラン、トリメチルベンゼン、キシレン、トルエン、シクロヘキシルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエタン、テトラヒドロナフタレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ブタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、メシチレン、テトラリン、デカリン、アニソール、ブチルアセテート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて選択することができる。このような溶媒を用いることにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を効率よく製造することができるという効果がより顕著に発揮される。
【００２２】
また、溶液（有機半導体膜用組成物）中における有機半導体材料の含有率は、０．１質量％以上５質量％以下であるのが好ましく、０．５質量％以上２質量％以下であるのがより好ましい。これにより、保存時等における不本意な有機半導体材料の析出を確実に防止しつつ、十分な膜厚の有機半導体層を形成することができる。また、特異領域等における有機半導体材料の結晶化を円滑に進行させることができ、有機半導体膜の製造効率を特に優れたものとすることができる。
【００２３】
前述したように、本発明は、溶液付与工程において、溶液（有機半導体膜用組成物）によるパターンを、その一部に、他の部位に比べて優先的に、溶媒の揮発、有機半導体材料の結晶化が進行する特異領域を有するものとして形成するものであるが、特異領域は、有機半導体層を形成すべき領域の外周部のうち一部のみを含む領域であるのが好ましい。
特異領域は、前記パターンにおいて、１箇所にのみ設けられたものであってもよいし、複数の箇所に設けられたものであってもよい。前記パターンにおいて、特異領域が１箇所にのみ設けられたものであると、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。また、前記パターンにおいて、特異領域が複数の箇所に設けられたものであると、有機半導体膜の生産性をより優れたものとすることができる。特に、前記パターンにおいて、特異領域が２箇所に設けられたものであると、有機半導体材料の結晶の配向性と、有機半導体膜の生産性とをより高いレベルで両立することができる。また、前記パターンにおいて特異領域が２箇所に設けられたものである場合、これらの特異領域は、有機半導体膜を形成すべき領域において、互いに対向する部位に設けられたものであるのが好ましい。これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００２４】
特に、図１に示す構成では、特異領域３０５’は、前記パターンの他の部位（特異領域３０５’以外の領域）３０６’に比べて、幅が小さいものである。このような構成であることにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
特異領域３０５’の幅は、その他の部位３０６’の幅に対し、１％以上２５％以下であるのが好ましく、５％以上１５％以下であるのがより好ましい。これにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をさらに好適に揃えることができる。
【００２５】
また、図１に示す構成では、特異領域３０５’の幅は、特異領域３０５’の長さよりも小さいものである。このような構成であることにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
特異領域３０５’の幅をＷ’［ｍｍ］、特異領域３０５’の長さをＬ’［ｍｍ］としたとき、２≦Ｌ’／Ｗ’≦５０の関係を満足するのが好ましく、３≦Ｌ’／Ｗ’≦２０の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をさらに好適に揃えることができるとともに、有機半導体膜の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００２６】
また、図２に示す構成では、特異領域３０５’は、鋭角部３０５１’を有するものである。このような構成であることにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
鋭角部３０５１’の角度は、１°以上８５°以下であるのが好ましく、５°以上６０°以下であるのがより好ましい。これにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をさらに好適に揃えることができる。
【００２７】
また、図３に示す構成では、特異領域３０５’は、前記パターンの外周部のうちの一部のみを含む領域であり、基材１０に対する溶液（有機半導体膜用組成物）３０’の接触角が、その他の部位（特異領域３０５’以外の領域）３０６’に比べて小さいものである。このような構成であることにより、有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
【００２８】
前記のような条件を満足するものとするためには、例えば、基材１０のうち前記パターンの特異領域３０５’と接触する領域に親液化処理（溶液３０’に対する親液化処理）を施す方法、基材１０のうち前記パターンのその他の部位（特異領域３０５’以外の領域）３０６’と接触する領域に疎液化処理（溶液３０’に対する疎液化処理）を施す方法、これらを組み合わせた方法が挙げられる。
【００２９】
親液化処理・疎液化処理（撥液性処理）は、例えば、基材１０上の一部のみに、ＳＡＭ膜（自己組織化単分子膜）を形成することにより行うことができる。
ＳＡＭ膜は、印刷法（インクジェット法、グラビアオフセット法等）により部分的に形成してもよいし、いったん基材１０の全面に形成した後に、部分的な除去（分解）を行うことにより形成してもよい。
【００３０】
より具体的には、例えば、基材１０の有機半導体膜を形成すべき側の面全体に撥液性ＳＡＭ膜を形成した後、部分的なＶＵＶ光の照射（例えば、マスクを介したＶＵＶ光の照射）により、撥液性が不要な部位のＳＡＭ膜を分解し親液性を向上させる方法、有機半導体膜を形成すべき領域のうち、撥液性を持たせたい外周部等のみに対してレジストのパターニングを行い、その後、撥液性ＳＡＭ膜を形成し、さらに、レジストを除去する方法、感光性アクリルバンク等を用いてバンクを形成し、バンク材料と下地材料との撥液性の違い、ＳＡＭ膜に対する反応性の違い、プラズマ処理等の手段により、バンク内とバンク周囲との間に撥液性の差異を設ける方法、等が挙げられる。
【００３１】
親液化処理に用いられる化合物としては、例えば、チオール系化合物等が挙げられる。
疎液化処理（撥液性処理）に用いられる化合物としては、例えば、シラン化合物（パーフルオロシラン化合物、部分フッ化シラン化合物等）、フッ素系化合物等が挙げられる。
特に、基材１０の溶液３０’に対する撥液性の大きさが、その他の部位３０６’の外周部、特異領域３０５’の外周部、その他の部位３０６’の外周部以外の領域の順で小さくなる関係を満足するのが好ましい。これにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができるととともに、有機半導体膜の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００３２】
このような関係を満足させるためには、例えば、以下のような方法を採用することができる。
すなわち、有機半導体膜を形成する面全体に、塗布やベーパー処理等により、第１の撥液ＳＡＭ膜（例えばパーフルオロシラン化合物）を形成後、マスクを介してＶＵＶ光により撥液性が不要な半導体パターン部等のＳＡＭ膜を分解する。次に、前記第１の撥液ＳＡＭ膜よりも撥液性に劣る第２の撥液ＳＡＭ膜（准撥液ＳＡＭ膜）（例えば、部分フッ化シラン化合物）を、再度、結晶化の起点となる部位のみに形成するようにＶＵＶパターニングを行う。
【００３３】
また、前記と同様に、バンクを形成することにより親撥液の差異を設けた後、結晶化の起点となる部分のみにＶＵＶ光等を照射し、フッ素ＳＡＭ等を部分的に分解し撥液性を下げる方法を採用することもできる。
また、後に詳述するように、電極上に有機半導体膜が設けられた薄膜トランジスタを製造する場合には、下地層側のＳＡＭ膜の材料（例えばシラン系ＳＡＭ）と電極側のＳＡＭ膜の材料（例えば、チオール系ＳＡＭ）とを異なるものとすることで、それぞれのＳＡＭの吸着場所を制御することができる。より具体的には、シラン系ＳＡＭ下地全面形成後、マスクを介してＶＵＶパターニングし、その後、チオール系ＳＡＭを電極表面のみに形成する方法を採用することができる。
【００３４】
特異領域３０５’の縁部における基材１０に対する溶液（有機半導体膜用組成物）３０’の接触角は、５°以上６０°以下であるのが好ましく、１０°以上５０°以下であるのがより好ましい。これにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をさらに好適に揃えることができるとともに、有機半導体膜の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００３５】
また、その他の部位（特異領域３０５’以外の領域）３０６’の縁部における基材１０に対する溶液（有機半導体膜用組成物）３０’の接触角は、３０°以上１４０°以下であるのが好ましく、４０°以上１４０°以下であるのがより好ましい。これにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をさらに好適に揃えることができるとともに、有機半導体膜の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００３６】
＜結晶化工程＞
溶液付与工程の後に、基材上に付与された溶液液中に含まれる溶媒を揮発させることにより、有機半導体材料を結晶化させる。
本工程は、いかなる方法で行うものであってもよいが、例えば、基材１０上の溶液３０’を加熱する方法、基材１０上の溶液３０’にエネルギー線（例えば、赤外線等）を照射する方法、溶液３０’が付与された基材１０を減圧雰囲気下に置く方法、これらの２種以上を組み合わせた方法等が挙げられる。
【００３７】
溶液付与工程で形成されるパターンが図示のような構成である場合において、本工程を上記のような方法で行う場合には、前記パターン全体に対して、同一の条件で処理を施してもよいし、特異領域３０５’に選択的に処理を施してもよい。
特に、溶液付与工程で形成されるパターンが図示のような構成である場合において、本工程において、上記のような処理を特異領域３０５’に選択的に処理を施すことにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をより好適に揃えることができる。
【００３８】
また、本工程をエネルギー線（例えば、赤外線）の照射により行う場合、特異領域３０５’にエネルギー線を選択的に照射するのが好ましい。これにより、他の部位３０６’における有機半導体材料の結晶の配向をさらに好適に揃えることができるとともに、有機半導体膜の生産性を特に優れたものとすることができる。
エネルギー線としては、例えば、赤外線、近赤外線、可視光、紫外線等を用いることができるが、赤外線が好ましい。これにより、有機半導体材料等の不本意な劣化、変質等をより確実に防止しつつ、有機半導体膜の生産性を特に優れたものとすることができる。また、有機半導体膜の製造に用いる装置の大型化等を効果的に防止することができる。
【００３９】
本工程においてエネルギー線を照射する場合、基材１０の特異領域３０５’に対応する部位や、前記パターンの特異領域３０５’にエネルギー線吸収剤が含まれていてもよい。これにより、より効率よくエネルギー線を吸収し、特異領域における優先的な溶媒の揮発、有機半導体材料の結晶化をより好適に進行させることができ、有機半導体膜の生産性を特に優れたものとすることができる。
【００４０】
エネルギー線吸収剤は、照射するエネルギー線の種類により異なるが、エネルギー線が赤外線である場合のエネルギー線吸収剤（赤外線吸収剤）としては、例えば、カーボンブラックなどの炭素材料、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子のない近赤外線吸収剤（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３‐ＴｉＯ２系）、ＡＴＯ（ＺｎＯ‐ＴｉＯ２系）、ホウ化ランタン等の無機材料）、フタロシアニン系、アゾ系、チオアミド系等の有機金属錯体、ジイミニウム系、アントラキノン系、ポリメチン系、アズレニウム系、スクワリリウム系、チオピリリウム系等の有機系赤外線吸収剤等が挙げられる。
【００４１】
また、紫外線吸収剤（紫外線を吸収するエネルギー線吸収剤）としては、例えば、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、マイカ、カオリン、セリサイト等の無機材料、フェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリシレートおよびｐ−オクチルフェニルサリシレートなどのサリチル酸系紫外線吸収剤、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノンおよび２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系紫外線吸収剤、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールおよび２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３’−ジフェニルアクリレートおよびエチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレートなどのシアノアクリレート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
市販されている赤外線吸収剤としては、例えば、ＮＩＲ−ＩＭ１・ＮＩＲ−ＡＭ１（ナガセケムテックス社製）、ＫＰ  Ｄｅｅｐｅｒ  ＮＲ  Ｐａｓｔｅ（日本化薬社製）、イーエクスカラー（日本触媒社製）等が挙げられる。
【００４２】
≪有機半導体膜≫
本発明の有機半導体膜は、上述したような本発明の方法を用いて製造されたものである。これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を提供することができる。
本発明の有機半導体膜の平均厚さは、特に限定されないが、０．１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのがより好ましく、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのがさらに好ましい。
【００４３】
≪薄膜トランジスタ≫
次に、本発明の薄膜トランジスタについて説明する。
図４は、本発明の薄膜トランジスタの好適な実施形態を示す概略図（図４中（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図）である。
なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４４】
本発明の薄膜トランジスタは、前述した本発明の有機半導体膜を備えたことを特徴とする。これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することができる。
図４に示す薄膜トランジスタ１は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが、有機半導体層３０およびゲート絶縁層４０を介して、ゲート電極５０より基板（基材）１０側に位置するトップゲートボトムコンタクト型の薄膜トランジスタである。
【００４５】
以下、各部の構成について、順次説明する。
基板（基材）１０は、薄膜トランジスタ１を構成する各層（各部）を支持するものである。
基板１０には、例えば、ガラス基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
【００４６】
薄膜トランジスタ１に可撓性を付与する場合には、基板１０には、プラスチック基板、あるいは、薄い（比較的膜厚の小さい）金属基板が選択される。
基板１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．５μｍ以上５００μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以下３００μｍ以下であるのがより好ましい。
基板１０上には、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂ（一対の電極）が設けられている。すなわち、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、ほぼ同一平面上に設けられている。
【００４７】
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成材料としては、公知の電極材料であれば、種類は特に限定されるものではない。具体的には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏまたはこれらを含む合金のような金属材料、およびそれらの酸化物等を用いることができる。
【００４８】
また、ソース電極２０ａ、ドレイン電極２０ｂは、導電性有機材料で構成することもできる。
また、有機半導体層３０がｐ型である場合には、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成材料としては、それぞれ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔまたはこれらを含む合金を主とするものが好ましい。これらのものは、比較的仕事関数が大きいため、ソース電極２０ａをこれらの材料で構成することにより、有機半導体層３０への正孔（キャリア）の注入効率を向上させることができる。
【００４９】
なお、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であるのが好ましく、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの距離、すなわち、図４に示すチャネル長Ｌは、２μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、２μｍ以上２０μｍ以下であるのがより好ましい。このような範囲にチャネル長Ｌの値を設定することにより、薄膜トランジスタ１の特性の向上（特に、ＯＮ電流値の上昇）を図ることができる。
【００５０】
また、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの長さ、すなわち、図４に示すチャネル幅Ｗは、０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であるのが好ましく、０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下であるのがより好ましい。このような範囲にチャネル幅Ｗの値を設定することにより、寄生容量を低減させることができ、薄膜トランジスタ１の特性の劣化を防止することができる。また、薄膜トランジスタ１の大型化を防止することもできる。
【００５１】
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを含む基板１０上には、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと接触して有機半導体層（有機半導体膜）３０が設けられている。この有機半導体層３０は、ゲート電極５０によって付与された電界により、ソース電極２０ａからドレイン電極２０ｂに電気を流す機能を有する。
【００５２】
なお、有機半導体層３０は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように設けられていなくてもよく、少なくともソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間の領域（チャネル領域）に設けられていればよい。
有機半導体層３０の上面（ゲート電極５０と、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間）には、ゲート絶縁層４０が形成されている。
【００５３】
このゲート絶縁層４０は、ゲート電極５０を、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに対して絶縁するものである。
ゲート絶縁層４０の構成材料としては、公知のゲート絶縁体材料であれば、種類は特に限定されるものではなく、有機材料、無機材料のいずれも使用可能である。
有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリビニルフェノール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
一方、無機材料としては、シリカ、窒化珪素、酸化アルミ、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
ゲート絶縁層４０の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であるのがより好ましい。ゲート絶縁層４０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとゲート電極５０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１の動作電圧を低くすることができる。
【００５５】
なお、ゲート絶縁層４０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
ゲート絶縁層４０のソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域に対応する位置には、ゲート電極５０が設けられている。
このゲート電極５０の構成材料としては、前記ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂで挙げた材料と同様のものを用いることができる。
【００５６】
ゲート電極５０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であるのが好ましく、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのがより好ましい。
なお、ゲート電極５０上には、ポリビニルフェノール、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルアルコールなどのポリオレフィン系ポリマーで構成された受容層（図示しない）が設けられていてもよい。
【００５７】
このような薄膜トランジスタ１では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加した状態で、ゲート電極５０にゲート電圧を印加すると、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０との界面付近にチャネルが形成され、チャネル領域をキャリア（正孔）が移動することで、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電流が流れる。
すなわち、ゲート電極５０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間に電圧を印加しても、有機半導体層３０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。
【００５８】
一方、ゲート電極５０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル（キャリアの流路）が形成される。この状態でソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加すると、チャネル領域を通って電流が流れる。
このような薄膜トランジスタ１は、例えば、次のようにして製造することができる。以下、薄膜トランジスタ１の製造方法について説明する。
【００５９】
図５は、図４に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
図５に示す薄膜トランジスタ１の製造方法は、基板１０上にソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを形成する工程（ソース電極およびドレイン電極形成工程）［Ａ１］と、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとを覆うように、基板１０上に所定のパターン（特異領域３０５’を有するパターン）で有機半導体材料が溶媒に溶解した溶液（有機半導体膜用組成物）３０’を付与する工程（溶液付与工程）［Ａ２］と、有機半導体材料を構成する溶媒を揮発させることにより有機半導体材料を結晶化させる工程（結晶化工程）［Ａ３］と、有機半導体層３０の基板１０と反対の面側に、ゲート絶縁層４０を形成する工程（ゲート絶縁層形成工程）［Ａ４］と、ゲート絶縁層４０上にゲート電極５０を形成する工程（ゲート電極形成工程）［Ａ５］とを有している。
【００６０】
［Ａ１］  ソース電極およびドレイン電極形成工程
まず、図５（ａ）に示すように、基板１０の上面に、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを形成する。
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、電子ビーム蒸着、パルスレーザー蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合、フォトリソグラフィ法等により形成することができる。
【００６１】
なお、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、基板１０上に、例えば、導電性粒子や、導電性有機材料を含む導電性材料を塗布（供給）して塗膜を形成した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することもできる。
導電性粒子を含む導電性材料としては、金属微粒子を分散させた溶液、導電性粒子を含むポリマー混合物等が挙げられる。
【００６２】
また、導電性有機材料を含む導電性材料としては、導電性有機材料の溶液または分散液が挙げられる。
基板１０上に導電性材料を塗布（供給）する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法のような塗布法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法のような印刷法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６３】
［Ａ２］  溶液付与工程
次に、図５（ｂ）に示すように、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとを覆うように、基板１０の上面に溶液３０’を付与する。
本工程は、前述した≪有機半導体膜の製造方法≫で説明したような方法で行うことができる。
【００６４】
なお、溶液３０’の付与領域は、図示の構成に限定されず、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域（チャネル領域）にのみ形成してもよい。これにより、同一基板上に、複数の薄膜トランジスタ１を並設する場合に、各装置１の有機半導体層３０を独立して形成することにより、リーク電流、各素子間のクロストークを抑えることができる。また、有機半導体材料の使用量を削減することができ、製造コストの削減を図ることもできる。
【００６５】
［Ａ３］  結晶化工程
次に、溶液３０’から溶媒を揮発させることにより有機半導体材料を結晶化させ、有機半導体層（有機半導体膜）を形成する。
本工程は、前述した≪有機半導体膜の製造方法≫で説明したような方法で行うことができる。
【００６６】
［Ａ４］  ゲート絶縁層形成工程
次に、図５（ｄ）に示すように、有機半導体層３０上に、ゲート絶縁層４０を形成する。
例えば、ゲート絶縁層４０を有機高分子材料で構成する場合、ゲート絶縁層４０は、有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、有機半導体層３０上を覆うように塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【００６７】
有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、ゲート電極５０上へ塗布（供給）する方法としては、例えば、スピンコート法やディップコート法のような塗布法、インクジェット印刷法（液滴吐出法）やスクリーン印刷法のような印刷法等を用いることができる。
また、ゲート絶縁層４０を無機材料で構成する場合、ゲート絶縁層４０は、例えば、熱酸化法、ＣＶＤ法、ＳＯＧ法により形成することができる。また、原材料にポリシラザンを用いることにより、ゲート絶縁層４０として、シリカ膜、窒化珪素膜を湿式プロセスで成膜することが可能となる。
【００６８】
［Ａ５］  ゲート電極形成工程
最後に、図５（ｅ）に示すように、ゲート絶縁層４０上にゲート電極５０を形成する。
ゲート電極５０は、［Ａ１］のソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと同様の方法により、形成することができる。
以上のような工程を経て、図４に示すような薄膜トランジスタ１が得られる。
【００６９】
≪アクティブマトリクス装置、電気光学装置≫
次に、本発明のアクティブマトリクス装置、電気光学装置について説明する。
本発明のアクティブマトリクス装置は、前述した本発明の有機半導体膜を備えたことを特徴とする。これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた信頼性の高いアクティブマトリクス装置を提供することができる。
【００７０】
また、本発明の電気光学装置は、前述した本発明の有機半導体膜を備えたことを特徴とする。これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
以下の説明では、前述したような薄膜トランジスタ１を備えるアクティブマトリクス装置（基板上に前述の電子デバイスが形成されたもの）が組み込まれた本発明の電気光学装置について、電気泳動表示装置を一例に説明する。なお、アクティブマトリクス装置は基板上に前述の電子デバイスを複数形成することで製造される。
【００７１】
図６は、電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図、図７は、図６に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。
図６に示す電気泳動表示装置２００は、基板５００上に設けられたアクティブマトリクス装置３００と、このアクティブマトリクス装置３００に電気的に接続された電気泳動表示部４００とで構成されている。
【００７２】
図７に示すように、アクティブマトリクス装置３００は、互いに直交する複数のデータ線３０１と、複数の走査線３０２と、これらのデータ線３０１と走査線３０２との各交点付近に設けられた薄膜トランジスタ１とを有している。
そして、薄膜トランジスタ１が有するゲート電極５０は走査線３０２に、ソース電極２０ａはデータ線３０１に、ドレイン電極２０ｂは後述する画素電極（個別電極）４０１に、それぞれ接続されている。
【００７３】
図６に示すように、電気泳動表示部４００は、基板５００上に、順次積層された、画素電極４０１と、マイクロカプセル４０２と、透明電極（共通電極）４０３および透明基板４０４とを有している。
そして、マイクロカプセル４０２がバインダ材４０５により、画素電極４０１と透明電極４０３との間に固定されている。
【００７４】
画素電極４０１は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。
各マイクロカプセル４０２内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４２１、４２２を含む電気泳動分散液４２０が封入されている。
このような電気泳動表示装置２００では、１本あるいは複数本の走査線３０２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３０２に接続されている薄膜トランジスタ１がＯＮとなる。
【００７５】
これにより、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極４０１とは、実質的に導通する。このとき、データ線３０１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極４０１に供給される。
これにより、画素電極４０１と透明電極４０３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４２１、４２２の特性等に応じて、電気泳動粒子４２１、４２２は、いずれかの電極に向かって電気泳動する。
【００７６】
一方、この状態から、走査線３０２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、薄膜トランジスタ１はＯＦＦとなり、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極４０１とは非導通状態となる。
したがって、走査線３０２への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線３０１へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２００の表示面側（透明基板４０４側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
【００７７】
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２００では、電気泳動粒子４２１、４２２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、アクティブマトリクス装置３００を有することにより、特定の走査線３０２に接続された薄膜トランジスタ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
【００７８】
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
なお、前述したような薄膜トランジスタ１を備えるアクティブマトリクス装置が組み込まれた電気光学装置は、このような電気泳動表示装置２００への適用に限定されるものではなく、例えば、液晶装置、有機または無機ＥＬ装置等の表示装置または発光装置に適用することもできる。
【００７９】
この電気光学装置の製造方法は、例えば前述の電気泳動表示装置の製造方法の場合、前述の透明電極４０３に前記バインダ材４０５でマイクロカプセル４０２が固定されている、いわゆる電気泳動表示シートに対し、アクティブマトリクス装置を貼り合わせる製造工程を有する。また、例えば、液晶装置の場合、図示はないが、アクティブマトリクス装置を対向基板に貼り合わせ、その間に液晶材料を注入する製造工程を含む。
【００８０】
≪電子機器≫
次に、本発明の電子機器について説明する。
本発明の電子機器は、前述した本発明の有機半導体膜を備えたことを特徴とする。これにより、好適な結晶状態の有機材料で構成された有機半導体膜を備えた信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
ところで、上述したような電気泳動表示装置２００は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２００を備える本発明の電子機器について説明する。
【００８１】
＜電子ペーパー＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
図８は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
【００８２】
＜ディスプレイ＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図９は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図７に示す構成と同様のものである。
【００８３】
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
【００８４】
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
【００８５】
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
【００８６】
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２００を適用することが可能である。また、本発明の電子機器は、本発明の有機半導体膜を備えたものであればよく、電気光学装置を備えたものに限定されない。
【００８７】
以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の有機半導体膜の製造方法は、溶液付与工程と、結晶化工程とを有するものであればよく、さらに他の工程を有していてもよい。
また、本発明の薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
例えば、前述した実施形態では、薄膜トランジスタとして、トップゲートボトムコンタクト構造のものについて代表的に説明したが、本発明は、その他の構造（例えば、ボトムゲートボトムコンタクト構造、ボトムゲートトップコンタクト構造、トップゲートトップコンタクト構造等）の薄膜トランジスタに適用されるものであってもよい。
【符号の説明】
【００８８】
１…薄膜トランジスタ  １０…基材（基板）  ２０ａ…ソース電極  ２０ｂ…ドレイン電極  ３０’…溶液（有機半導体膜用組成物）  ３０５’…特異領域  ３０５１’…鋭角部  ３０６’…その他の部位（特異領域以外の領域）  ３０…有機半導体膜（有機半導体層）  ４０…ゲート絶縁層  ５０…ゲート電極  ２００…電気泳動表示装置  ３００…アクティブマトリクス装置  ３０１…データ線  ３０２…走査線  ４００…電気泳動表示部  ４０１…画素電極  ４０２…マイクロカプセル  ４２０…電気泳動分散液  ４２１、４２２…電気泳動粒子  ４０３…透明電極  ４０４…透明基板  ４０５…バインダ材  ５００…基板  ６００…電子ペーパー  ６０１…本体  ６０２…表示ユニット  ８００…ディスプレイ  ８０１…本体部  ８０２ａ、８０２ｂ…搬送ローラ対  ８０３…孔部  ８０４…透明ガラス板  ８０５…挿入口  ８０６…端子部  ８０７…ソケット  ８０８…コントローラー  ８０９…操作部
【図１】
2015005618.tif 000002
【図２】
2015005618.tif 000003
【図３】
2015005618.tif 000004
【図４】
2015005618.tif 000005
【図５】
2015005618.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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