(57)【要約】【課題】本発明は、エッチング溶液として環境や作業性への配慮がなされたものでありながら、経時的にも安定であり、かつ、高精細化が可能なエッチング溶液を提供する。【解決手段】銅膜または銅合金膜をエッチングするためのエッチング溶液である。メタンスルホン酸、過酸化水素、及びホスホン酸系キレート剤、特には１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸を含有し、ｐＨが１〜５の範囲に調整されている。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅膜または銅合金膜をエッチングするためのエッチング溶液であって、メタンスルホン酸、過酸化水素、及びホスホン酸系キレート剤を含有し、ｐＨが１〜５の範囲に調整されていることを特徴とするエッチング溶液。
【請求項２】
前記ホスホン酸系キレート剤が、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、ポリアミノメチレンホスホン酸、及びビスヘキサメチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種のホスホン酸系キレート剤である請求項１に記載のエッチング溶液。
【請求項３】
前記ホスホン酸系キレート剤が、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸である請求項１に記載のエッチング溶液。
【請求項４】
前記メタンスルホン酸の濃度が、３質量％〜２０質量％の範囲内である請求項１乃至３のいずれかに記載のエッチング溶液。
【請求項５】
前記過酸化水素の濃度が、２質量％〜３０質量％の範囲内である請求項１乃至４のいずれかに記載のエッチング溶液。
【請求項６】
前記ホスホン酸系キレート剤の濃度が、０．０５質量％〜１０質量％の範囲内である請求項１乃至５のいずれかに記載のエッチング溶液。
【請求項７】
液晶表示装置用ガラス基板上に、液晶表示装置のデータ配線形成用の銅膜または銅合金膜を積層する工程と、請求項１乃至６のいずれかに記載のエッチング溶液を使用して前記銅膜または銅合金膜をエッチングする工程を含むことを特徴とするエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は金属膜の湿式エッチングに使用されるエッチング溶液及びそのエッチング方法に係り、特に、銅膜または銅合金膜をエッチングするのに好適なエッチング溶液及びそのエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、フラットパネルディスプレイ（ＦＤＰ）などの表示デバイスや半導体装置の配線材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金が広く利用されてきた。しかし、ディスプレイの大型化及び高精細化に伴い、このようなアルミニウム系の配線材料では配線抵抗などの特性に起因した信号遅延が課題となっている。
【０００３】
このため、アルミニウム(Ａｌ比抵抗：2.65x10-8Ωm)系の配線材料から抵抗の小さい銅または銅を主成分とする配線材料への変換が検討されている。
【０００４】
ここで、銅や銅を主成分とする銅合金を含む積層膜は、スパッタ法などの成膜プロセスにより基板上に形成され、次いでフォトレジストなどをマスクにしてエッチングするエッチング工程を経て配線（細線）化される。しかしながら、銅膜は抵抗が低いという利点を有する一方、フォトレジストによるパターニング工程での難点が指摘されている。加えて銅膜は、ガラスやシリコン絶縁膜などの基板表面との密着性が十分ではないという課題もある。さらに、ゲート配線で用いる場合、またはソース・ドレイン配線で用いる場合にはその下地となるシリコン半導体膜への拡散が生じる場合があるといった問題がある。そのため、このような銅膜の短所を補完するための研究が行われている。
【０００５】
例えば、金属膜の表面を粗化することによりフォトレジストとの密着性を改善させることが提案され、例えば、特許文献１によれば、硫酸、過酸化水素、テトラゾール、及びホスホン酸系キレート剤を含有する表面粗化剤が提案されている。
【０００６】
また、ガラスなどの基板との密着性が高く、シリコン半導体膜への拡散が生じにくいバリア性をも兼ね備えたバリア膜の積層の検討が行われており、モリブデン（Ｍｏ）の膜を積層させる技術が注目されている。例えば、特許文献２または３によれば、銅膜の上層または下層、若しくは両層(上下層)にモリブデン膜を積層させた多層膜（以下、銅及びモリブデン膜または単に銅モリブデン膜という。）が提案され、このような多層膜に適したエッチング溶液も提案されている。
【０００７】
例えば、特許文献２または特許文献３の従来技術の欄によれば、燐酸、窒素、酢酸を含むエッチング溶液を利用して銅モリブデン膜をエッチングする場合、エッチング速度が早すぎて、工程マージンに問題が発生し、また、テーパー角（銅配線端部のエッチング面と下層の基板面とのなす角度）が９０度以上となり、後続工程が困難となり、結果として銅モリブデンパターンの直線性も低下すると指摘されている。
【０００８】
また、特許文献２によれば、過酸化水素、有機酸、リン酸塩、窒素を含む２種類の窒素含有添加剤、及びフッ素化合物を含むエッチング溶液がこれらの課題を解決する旨開示している。また、特許文献３によれば、過酸化水素、フッ素原子を含有しない無機酸、有機酸、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、及び過酸化水素安定剤を含むエッチング溶液がこれらの課題を解決する旨開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４８８１９１６号
【特許文献２】特許第４４４８３２２号
【特許文献３】特許第５０５１３２３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、このようなエッチング溶液としては、ディスプレイの大型化及び高解像度化に対応するためにエッチング後の配線断面形状(プロファイル)を良好に維持すること、すなわちエッチングのむらが少ないこと、高い加工精度が求められる。
より具体的には、銅配線端部のエッチング面と下層の基板とのなす角度（テーパー角）が３０〜６０°の順テーパー形状、レジスト端部から配線の下に設けられるバリア膜と接する配線端部までの距離（ＣＤロス）が１．２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下であることが求められる。
【００１１】
さらに、エッチング溶液としては、エッチング対象となる銅または銅合金を含んだ配線材料の金属の溶解に対して、経時的にエッチング性能が安定していること（バスライフの延長効果）などに加えてエッチング残渣が少ないことも要求される。また、エッチング溶液としては、作業性が考慮され、さらには環境への配慮も行われなければならない。
【００１２】
ここで、特許文献２に記載のエッチング溶液では、フッ素化合物を含有しており、環境対策の観点から、必ずしも十分満足するものではない。
また、特許文献３に記載のエッチング溶液では、酸としてフッ素化合物を含有しない無機酸の使用が必須とされている。フッ素原子を含有しないので環境への配慮はなされるものの、エッチング溶液として無機酸（例えば硫酸など）を使用する場合には、使用する無機酸の純度の観点から半導体素子の表面に銅膜を形成する場合には半導体への製品汚染が懸念される。
【００１３】
そこで本発明は、エッチング溶液として環境や作業性への配慮がなされたものでありながら、経時的に安定であり、かつ、高精細化が可能なエッチング溶液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、環境や作業性への配慮がなされたエッチング溶液として、フッ素原子を含まず、かつ、硫酸などの無機酸を用いずとも経時的に安定であり、かつ、高精細化が可能なエッチング溶液を提供するべく配慮して鋭意研究した結果、本発明を完成したものである。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
(構成１)
銅膜または銅合金膜をエッチングするためのエッチング溶液であって、メタンスルホン酸、過酸化水素、及びホスホン酸系キレート剤を含有し、ｐＨが１〜５の範囲に調整されていることを特徴とするエッチング溶液。
【００１５】
（構成２）
前記ホスホン酸系キレート剤が、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、ポリアミノメチレンホスホン酸、及びビスヘキサメチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸からなる群より選ばれた少なくとも１種のホスホン酸系キレート剤である構成１に記載のエッチング溶液。
【００１６】
（構成３）
前記ホスホン酸系キレート剤が、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸である構成１に記載のエッチング溶液。
（構成４）
前記メタンスルホン酸の濃度が、３質量％〜２０質量％の範囲内である構成１乃至３のいずれかに記載のエッチング溶液。
【００１７】
（構成５）
前記過酸化水素の濃度が、２質量％〜３０質量％の範囲内である構成１乃至４のいずれかに記載のエッチング溶液。
（構成６）
前記ホスホン酸系キレート剤の濃度が、０．０５質量％〜１０質量％の範囲内である構成１乃至５のいずれかに記載のエッチング溶液。
【００１８】
（構成７）
液晶表示装置用ガラス基板上に、液晶表示装置のデータ配線形成用の銅膜または銅合金膜を積層する工程と、構成１乃至６のいずれかに記載のエッチング溶液を使用して前記銅膜または銅合金膜をエッチングする工程を含むことを特徴とするエッチング方法。
【００１９】
上記本発明のエッチング溶液に用いられる各成分は、半導体工程用の純度を持つことが望ましく、残余の成分として含有される水は、脱イオン水などの半導体工程用に使用される18MΩ/cm以上の超純水が用いられることが望ましい。また、上記エッチング溶液には、本発明の効果を損ねない範囲で他の添加剤を使用することもできるが、溶液のｐＨは、所定の範囲内に調整されるべきであり、その理由は後述する。
【００２０】
また、本発明においては、エッチング対象は、銅膜または銅を主成分とする銅合金を含む金属膜のほか、銅膜等の基板側に下層膜としてのモリブデン膜を配設した二層膜、銅膜等の上面にモリブデン膜を上層膜として積層した二層膜、あるいは銅膜等を中間層としてモリブデン膜を銅膜等の上層及び下層に配設して積層した三層膜またはそれ以上の多層膜も含む。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、エッチング溶液として環境や作業性への配慮がなされたものでありながら、経時的に安定であり、かつ、高精細化が可能なエッチング溶液を提供することができる。
すなわち、本発明によるエッチング溶液を用いれば、エッチング速度の調節が比較的自由であって、配線パターンのテーパー形状等が良好で、パターンを忠実に再現させることができる。また、本発明のエッチング溶液は経時的に安定であり、したがって多数の基板をエッチングしてもエッチングの特性が初期と同様に維持され、かつ、エッチング溶液の保管期間も伸ばすことができるという特長がある。
また、純度の高い原料を適用することができるので、最終的な製品汚染の問題の発生を抑制することができる。
従って、本発明に係るエッチング溶液を使用すれば、液晶表示装置の大画面、高解像度化を実現することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
(エッチング溶液)
まず、本発明に係るエッチング溶液は、銅膜または銅合金膜をエッチングするためのエッチング溶液であって、メタンスルホン酸、過酸化水素、及びホスホン酸系キレート剤を含有し、ｐＨが１〜５の範囲に調整されている。
ここで、メタンスルホン酸、過酸化水素及びホスホン酸系キレート剤は、通常の方法により製造可能であり、半導体工程用の純度を持つことが望ましい。このような各成分は、残余の成分としての脱イオン水（例えば、半導体工程用の18MΩ/cm以上の水）を含んでエッチング溶液を構成するが、さらに本発明の作用効果を損なわない範囲内で他の添加剤を包含させることもできる。ここで、本発明に係るエッチング溶液では、各組成を適宜組み合わせることによりそのｐＨが１〜５の範囲内となるように調整される。
【００２３】
(過酸化水素)
本発明において、過酸化水素は酸化剤として銅配線膜を酸化する機能を有する。エッチング溶液中の過酸化水素の含有量は、２質量％〜３０質量％の範囲内が好ましく、４．５質量％〜１２．５質量％の範囲内がより好ましい。
過酸化水素の含有量が上記の範囲内であれば、後述する他の成分と併用されることにより過酸化水素の管理が容易となり、かつ適度なエッチング速度が確保できるので、エッチング量の制御が容易となる。
【００２４】
(メタンスルホン酸)
本発明において、メタンスルホン酸は上述の過酸化水素とともに、銅膜等のエッチングに寄与する主要な成分であって、このメタンスルホン酸の役割は、エッチング溶液のｐＨを適当に合わせて銅膜等がエッチングされる環境を作る。すなわち、過酸化水素が存在しても、メタンスルホン酸が含まれていない場合には銅膜はエッチングされない場合がある。
【００２５】
本発明で用いるメタンスルホン酸（ＣＨ3ＳＯ3Ｈ）は、別名メチルスルホン酸とも呼称される無色透明な無臭の、そして常温常圧で安定な液体（融点：１９〜２０℃、沸点：１６７℃、分解温度：≧２００℃）である。
【００２６】
このようなメタンスルホン酸をエッチング溶液に含有させることによって、銅膜または銅合金膜を適切な速度でエッチング可能とするに加えて、エッチング溶液と疎水性のフォトレジスト樹脂層との親和性が向上する。これにより、フォトレジスト樹脂によって微細に形成された微細なレジストパターン間にエッチング溶液を浸透させ、結果として微細なパターンに沿って忠実に精度よくエッチングすることが可能となる。加えて、このメタンスルホン酸は酢酸などの有機酸と対比して蒸散し難いのでエッチング工程におけるエッチング溶液の経時的組成変化を抑制でき、作業の効率性やエッチング工程を安定化させる。また、このメタンスルホン酸は硫酸などの無機酸と対比して純度を保ちやすいので、エッチング対象物が半導体構造物を含む場合であっても汚染を極力低減させることが容易である。
【００２７】
エッチング溶液中のメタンスルホン酸の含有量は、少なすぎると効果が不十分となり、基板表面上のフォトレジスト樹脂層との親和性が阻害され、均一な或いは精度のよいエッチングができない場合がある。逆に含有量が多すぎても、フォトレジスト樹脂層にダメージを与える場合があり、更には、含有量の増加分に見合う効果の向上が見られず、経済的にも不利である。
本発明のエッチング溶液における、メタンスルホン酸の含有量は、エッチング溶液のｐＨを所望の範囲内に維持する目的で選定され、一般的には３質量％〜２０質量％の範囲内、好ましくは３質量％〜１５質量％の範囲内である。
【００２８】
(ホスホン酸系キレート剤)
本発明において、フッ素化合物は本質的に含まれず、フッ素化合物の代替物としてホスホン酸系キレート剤が用いられている。すなわち、銅膜等をエッチングする際に発生しやすいエッチング残渣をこのホスホン酸系キレート剤が除去する役割を果たしている。それと同時にこのホスホン酸系キレート剤は、メタンスルホン酸とともに溶液のｐＨを調節する作用も備え、これによりエッチング速度の制御にも寄与している。
このような機能を備えたホスホン酸系キレート剤としては、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、ポリアミノメチレンホスホン酸、及びビスヘキサメチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸等が例示される。このようなホスホン酸系キレート剤は、一種のみの単独でも選択可能であるが、同時に複数種類のキレート剤を併用してもよい。
【００２９】
これらのホスホン酸系キレート剤の中で、本発明においては１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）が特に好ましく用いられる。１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸は、例えば、比較的強い酸性条件で安定に存在し、例えば、ｐＨが１以上５未満の範囲内で本発明に適した機能が有効に作用する。ここで、ＨＥＤＰは、ｐＨ５．８の条件では、二ナトリウム塩の形態（ＨＥＤＰ・２Ｎａ）となり、アルカリ性であるｐＨ１１．５では四ナトリウム塩の形態（ＨＥＤＰ・４Ｎａ）となり、いずれの形態でもキレート剤としての機能が劣る。
【００３０】
本発明においてホスホン酸系キレート剤の役割は大変重要であり、仮に、エッチング溶液に添加されない場合は、エッチング速度の調節が難しいだけではなく、所望のパターンの幅を得られなくなって、不良が発生する確率が高く、工程マージンが小さくなり、量産時に問題が起きやすい。ホスホン酸系キレート剤は、銅膜等のエッチング速度を調節して、パターンのＣＤロスを減らせることができ、工程上のマージンを高める役割を有する。
【００３１】
一般的に過酸化水素を使用するエッチング溶液の場合、保管時に過酸化水素自体が分解して、その保存可能期間が短くなりやすい。これに対し、ホスホン酸系キレート剤がメタンスルホン酸とともに過酸化水素に添加されている場合には、保管時等の過酸化水素自体の分解速度が著しく減速されて、保存可能期間が延長され、また、安定性確保に有利である。
【００３２】
また、ホスホン酸系キレート剤は、銅膜の湿式エッチングにおいて必然的に発生する銅イオン等の金属イオンをキレーション(Chelation)反応を通じて、非活性化させる。これにより金属イオン等によって副次的に発生される不要な反応等を防いで、多数の基板をエッチングしてもエッチング溶液の特性が変化しないという長所を備える。特に、一般的な銅膜の湿式エッチングでは、エッチング溶液内に銅イオンが副次的に多量に残ってパッシベーション(Passivation)膜を形成して、黒く酸化された後、それ以上はエッチングされない場合が多数観察されるが、ホスホン酸系キレート剤を添加した場合、このような現象を防ぐことができる。
【００３３】
本発明で用いるホスホン酸系キレート剤の含有量は、０．０５質量％〜１０．０質量％の範囲内である。
【００３４】
以上の組成を有する本発明に係るエッチング溶液は、銅膜または銅合金膜、あるいは銅膜等を含む多層薄膜をエッチングする目的で使用される。本発明に係るエッチング溶液によれば、銅膜等の良好なエッチングを行うことができ、しかもエッチング後の良好な配線パターン断面形状を得ることができる。
【００３５】
(エッチング対象物)
本発明に適用可能なエッチング対象物としては、例えば、ガラスなどの基板上に、銅膜または銅合金膜、あるいはモリブデン系材料からなるバリア膜（モリブデン層）と銅又は銅を主成分とする材料からなる銅配線（銅層）とを積層してなる多層薄膜である。このような銅膜等は、その上に、さらにレジストが塗布され、所望の配線パターンが露光転写され、現像して所望のレジストパターンが形成されてエッチング対象物となる。ここで、本発明においては、銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜は、モリブデン層の上に銅層が存在する態様をはじめとし、さらに該銅層上にモリブデン層が存在する態様も含まれる。また、このような銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜は、フラットパネルディスプレイなどの表示デバイスなどの配線に好ましく用いられるものである。
【００３６】
基板と上記銅膜等との間には所望により表示装置用構造物等の半導体構造物が形成されていてもよい。このような半導体構造物は、ＬＣＤ，ＰＤＰ等の表示装置用半導体構造物を含んでいて、化学気相成長、スパッタリング等の方法による誘電体物質、導電性物質、非晶質または多結晶等のシリコン膜等の半導体膜等が包含できる。そのような表示装置用構造物としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の各種の酸化膜、非晶質シリコン、ポリシリコン等の半導体膜、ドーピングされた非晶質シリコンとポリシリコンが例示される。
例えば、前述した銅モリブデン膜は、TFT-LCDのゲート配線に用いるガラス基板、及びデータラインを構成するソース配線及びドレイン配線に用いるシリコン半導体膜の上面に形成される。TFT-LCDのソース配線及びドレイン配線は、特に、その抵抗が問題になるが、本発明によるエッチング液を使用したエッチング工程により形成すれば、TFT-LCDの大形化が可能になる。
【００３７】
（エッチング方法）
エッチング対象物に本発明に係るエッチング溶液を接触させる方法には特に制限はなく、例えばエッチング溶液を滴下（枚葉スピン処理）やスプレーなどの形式により対象物に接触させる方法や、対象物をエッチング溶液に浸漬させる方法などの湿式（ウェット）エッチング方法を採用することができる。本発明においては、エッチング溶液を対象物に滴下（枚葉スピン処理）して接触させる方法、対象物をエッチング溶液に浸漬して接触させる方法が好ましく採用される。
【００３８】
エッチング溶液の使用温度としては、２０〜６０℃の温度が好ましく、特に３０〜５０℃が好ましい。エッチング溶液の温度が２０℃以上であれば、エッチング速度が低くなりすぎないので、生産効率が著しく低下することがない。一方、沸点未満の温度であれば、液組成変化を抑制し、エッチング条件を一定に保つことができる。エッチング溶液の温度を高くすることで、エッチング速度は上昇するが、エッチング溶液の組成変化を小さく抑えることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すればよい。
【００３９】
本発明のエッチング液を使用するエッチング方法において、エッチング溶液に含まれる過酸化水素は、上記のように銅膜の酸化溶解などに消費され、また、それら溶解した銅が過酸化水素の分解を促進するため、過酸化水素濃度の低下に起因したエッチング溶液の性能の低下が生じる場合がある。このような場合には、適宜過酸化水素及び金属をマスキングするホスホン酸系キレート剤を同時に、あるいは別々に添加することにより、バスライフを延長させることができる。
【実施例】
【００４０】
次に、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが、本発明は、これらの例によって何ら限定されるものではない。
【００４１】
（テーパー角およびＣＤロスによる評価）
エッチングを行った後の銅膜パターン試料を切断し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察倍率３００００倍（加速電圧２ｋＶ、加速電流１０μＡ）で観察する。得られたＳＥＭ画像をもとに、テーパー角、ＣＤロス（μｍ）を測定する。テーパー角は３０〜６０°の基準範囲内、ＣＤロスは、１μｍ以下の基準範囲内であれば合格（○）として、エッチング溶液の性能を判断する。
【００４２】
（エッチング残渣の評価）
エッチングを行った後の銅膜パターン試料の表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察倍率５００００倍（加速電圧２ｋＶ、加速電流１０μＡ）で観察し、当該試料の残渣を評価する。評価基準は、残渣は全く確認できなかったものを良好（○）とし、残渣は若干確認されるが配線性能への影響はなく実用上問題ないと判断されるものを合格（△）とし、それ以外の残渣が多く確認された場合を不合格（×）とする３段階評価を行う。
【００４３】
まず、ガラス基板の一面に、モリブデン（Ｍｏ）をスパッタしモリブデンからなるバリア膜（モリブデン層）を形成し、次いで銅を主成分とする材料をスパッタして銅を主成分とする配線（銅層）を形成する。このときの厚さはモリブデン膜が約３００Å、銅膜が約３０００Åである。
【００４４】
次に、上記基板の銅層表面にフォトレジストを塗布し、所望のパターンを露光し、現像して、所望の配線パターンに対応するフォトレジストパターンを形成する。ここで、フォトレジストはネガ型またはポジ型のどちらも使用可能であり、ポジ型フォトレジストの場合は、露光された部分が現像されて、ネガ型フォトレジストは露光されない部分が現像される。また、このような工程では、アッシング、熱処理等の通常に行われる工程も付加される。
【００４５】
本発明のエッチング液の実施例として、過酸化水素の６質量％、純正化学株式会社製の特級メタンスルホン酸の１０質量％、ホスホン酸系キレート剤としての中部キレスト株式会社製のキレストＰＨ−２１０（１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸溶液）の２質量％、残余量としての脱イオン水で構成されたエッチング溶液を作製した。
この本発明のエッチング液を使用して、上記フォトレジストパターンを形成した基板のエッチングを行った。これにより、銅膜がエッチングされ銅パターンが形成され、同一エッチング溶液によってモリブデン膜がエッチングされモリブデンパターンが形成される。
【００４６】
このようなエッチング工程におけるエッチング液の供給方法は、例えば、浸漬、スプレー等が挙げられる。
エッチング工程時、エッチング溶液の温度は、３０℃以下までで、工程条件及び他の要因により変更できる。エッチング時間は、エッチング温度によって違う場合もあるが、普通は３０秒ないし１８０秒くらいの間で行われる。
エッチング後にフォトレジストパターンを除去することにより銅モリブデンの二層からなる配線パターンが形成される。
【００４７】
以上のようにして本発明の実施例のエッチング液を用いて形成された配線パターンを断面ＳＥＭにより観察して評価した。その結果、配線パターンは良好なテーパー形状を有しており、テーパー角およびＣＤロスによる評価はいずれも良好であった。また、エッチング後の基板上にエッチング残渣は確認されなかった。また、本発明に係るエッチング溶液によれば、半導体製品等の電子部品の配線に用いるエッチング溶液として適用する場合に、製品汚染のリスクが低減されるという効果も奏する。
【００４８】
これに対して、本発明のエッチング液に含有されるメタンスルホン酸、過酸化水素、及びホスホン酸系キレート剤のいずれかの成分を含有していないエッチング液を用いて上記と同様のパターン形成を行ったところ、テーパー角およびＣＤロスによる評価、エッチング残渣の評価のすべてを満足させることはできなかった。また、本発明のメタンスルホン酸に代替して硫酸を使用したエッチング液では、エッチング性能は比較的良好であるものの、半導体製品等の電子部品の配線に用いるエッチング溶液として適用する場合に、製品汚染のリスクが懸念される。また、本発明のメタンスルホン酸に代替して有機酸を使用したエッチング液では、テーパー形状（特にＣＤロス）があまり良好でなかった。
【００４９】
以上の実施例より、本発明に係るエッチング溶液で選択された三成分は、それぞれが相乗的に作用してエッチング溶液としての特性を発揮していることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明のエッチング液は、銅膜等あるいは銅膜等を含む多層薄膜のエッチングに好適に用いることができ、かつエッチング後の配線パターン断面形状を良好なものとすることができるので、高い生産性を達成することができる。また、本発明のエッチング溶液を構成する各必須成分として純度の高い原材料の選択が容易であることから、半導体構造物等の電子部品、例えば、液晶表示装置のデータ配線への実用的な応用が可能である。