(57)【要約】【課題】フェライトなど鉄系の酸化物が含まれる電波吸収体であっても、金属膜やメタライズなどを施すことなしに、蓋体と高い接合強度で接合し、後工程のシーム溶接工程で４００℃程度に加熱されても、アウトガスが発生しない高周波装置の製造方法を提供すること。【解決手段】マイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペーストを蓋体上に印刷し、印刷した前記ペースト上に、０．５μｍ〜１０μｍの表面粗さＲａを有する電波吸収体を前記表面粗さを有する面と前記ペーストが接触するように配置した後、前記電波吸収体から前記蓋体の方向へ０．１ｍ／秒〜１ｍ／秒の速度で衝撃を加えるタッピング操作を３回以上行うことを含むことを特徴とする高周波装置の製造方法である。【選択図】図１
2015008257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペーストを蓋体上に印刷し、印刷した前記ペースト上に、０．５μｍ〜１０μｍの表面粗さＲａを有する電波吸収体を前記表面粗さを有する面と前記ペーストが接触するように配置した後、前記電波吸収体から前記蓋体の方向へ０．１ｍ／秒〜１ｍ／秒の速度で衝撃を加えるタッピング操作を３回以上行うことを含むことを特徴とする高周波装置の製造方法。
【請求項２】
前記タッピング操作後に、前記ペーストを前記蓋体と前記電波吸収体とで０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａの圧力で挟み込んだまま２００℃〜３５０℃で焼結すること含むことを特徴とする請求項１に記載の高周波装置の製造方法。
【請求項３】
前記電波吸収体として、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、２０重量％〜４５重量％のガラスを含有するものを焼結させたものを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波装置の製造方法。
【請求項４】
前記電波吸収体として、厚さ方向に貫通し、直径が１００μｍ〜１０００μｍである貫通孔を有するものを用いることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の高周波装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の方法で得られることを特徴とする高周波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、高周波装置では、金属又はセラミックス等からなる直方体状の蓋体を基板に取り付けて内部に実装される半導体素子や伝送線路等の保護を行う。従って、高周波装置内部には直方体状の空洞が形成されることから、高周波装置は方形空洞共振器と同様の性質を有する。そのため、空洞の寸法によって定まる遮断周波数より高い周波数帯域で空洞共振を生じるので、この周波数帯域で動作する高周波半導体素子あるいはその他の回路素子を高周波回路用パッケージに実装する場合には、空洞の寸法を小さくすることで、遮断周波数を素子が動作する周波数帯域よりも十分に高くしている。ところが、この方法では素子の動作周波数が高周波化するのに伴い、素子が動作する周波数帯域より空洞共振が生じる周波数の方が低くなるという問題があった。近年、この問題を解決するために、電磁波吸収体を高周波装置内部に装着して、空洞共振時の電界エネルギー又は磁界エネルギーを吸収することにより、空洞共振を抑制する方法が採られるようになってきている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、焼結した電波吸収体の片面にメタライズ層を形成し、このメタライズ層によってマイクロ波集積回路用パッケージの金属製蓋部の内面にろう付けした構造とすることで、マイクロ波集積回路用パッケージ内で生じるマイクロ波の反射共振を抑制する方法が提案されている。
【０００４】
また、特許文献２では、表面に金属膜を形成した金属又はセラミック製の基体と、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなる電波吸収体の表面の少なくとも一部に金属膜を形成したものとを、融点が１００℃〜４００℃のろう材を用いて止着した高周波回路用パッケージ蓋体が提案されている。特許文献２には、このろう材について、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ａｇ等の金属のうち２種以上の金属の合金を用いればよいが、金属膜との濡れ性及び融点温度を考慮し、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ、Ｉｎ−Ｓｎ等の合金を使用することが好ましいと記載されている。特許文献２には、金属膜の材料について、ろう材との濡れ性を考慮すると、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の金属、及びこれらを含む合金を使用することが好ましく、１層又は２層以上の構成としても構わないことが記載されている。特許文献２には、金属膜としては、化学的安定性が高いことから、Ａｕが好ましいが、特に半田との濡れ性及び封止接合の信頼性の高いことから、表面層をＡｕとし、その下地層をＮｉとすることが好ましく、更にＮｉ層と電波吸収体の密着性を向上させる目的で両者の間にＣｒ層を設けることが好ましいと記載されている。
【０００５】
他に、特許文献３では、金属核の周囲に有機被覆層を形成した複合金属ナノ粒子と、金属ナノフィラー粒子と、金属フィラー粒子を含有する複合ナノ金属ペーストが、電磁波吸収体等の接合に適用できることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】実公平２−２３０３５号公報
【特許文献２】特開２００５−７２１５６号公報
【特許文献３】特開２０１１−２１２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
高周波装置の製造工程上、最初に蓋体に電波吸収体をろう材等で接合し、後工程では、電波吸収体が搭載された蓋体を基板に高気密に接合する必要がある。このときの接合方法は、量産性の観点から、一般的にシーム溶接が用いられており、蓋体の温度は３００℃〜４００℃になる。そのため、蓋体への電波吸収体の接合材は４００℃以上の耐熱性が必要である。また、高周波装置は、内部が密閉されているため、接合後に内部からアウトガスが発生すると、半導体素子が腐食したり、劣化する懸念がある。また、製品の競争力強化には、出来る限りタクトタイムを小さく、安価であることが望ましい。
【０００８】
特許文献１では、電波吸収体の片面（接合面）にメタライズ層を形成してろう付けしているため、メタライズ層の形成プロセスが必要になるので製造コストが高くなり、タクトタイムが長くなる。
【０００９】
特許文献２では、特許文献１と同様に電波吸収体に金属膜を形成しており、具体的な金属膜の材質や構成が示されているが、例えＣｒを添加したとしても、電波吸収体がＦｅ２Ｏ３やＮｉＯなどの化学的に安定な酸化物であるため、金属膜の密着強度には限界がある。金属膜の初期の密着強度が低いと、後工程でのろう付け、シーム溶接で剥がれる可能性がある。また、特許文献２では、ろう材の具体例を挙げているが、Ａｕ−Ｓｎの共晶点（Ａｕ−２０Ｓｎ）は約２８０℃、Ｓｎ−Ｐｂの共晶点（Ｓｎ−３８Ｐｂ）は１８３℃、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの共晶点（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ）は約２２０℃、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ（Ｓｎ−５７Ｂｉ−１Ａｇ）は約１４０℃、Ｉｎ−Ｓｎの共晶点（Ｉｎ−４９Ｓｎ）は１２０℃といずれも融点が３００℃以下であり、耐熱性が不十分である。融点が４００℃以上のろう材としては、Ｚｎ（融点４２０℃）が挙げられるが、Ｚｎは酸化し易く、通常のハロゲンフリーのフラックスで接合するのは難しい。ハロゲン含有のフラックスを用いればＺｎろう材での接合は可能であるが、ハロゲンは腐食性が高く、一般的にはＦを含んでいるため、電波吸収体を劣化させる懸念がある。またフラックスを用いると残渣が残り、洗浄工程を要するため、タクトタイムが長くなる。フラックスを用いずに、真空炉や水素還元炉を用いれば、フラックスレスで接合が可能であるが、大掛かりな装置が必要になり、水素還元炉の場合、水素ガスも必要になるので製造コストが高くなる。
【００１０】
特許文献３では、複合ナノ金属ペーストを用いることで、３００℃以下の温度で接合して、接合後は金属のバルク体になるため、金属の融点（Ａｇであれば融点９６０℃）と同じ耐熱性が得られるが、電磁波吸収体への接合方法については詳細が示されていない。この複合ナノ金属ペーストの接合メカニズムは、複合金属ナノ粒子の有機被覆層及び溶剤が加熱によって揮発することで、ナノ粒子の金属面が生成され、ナノサイズの粒子が凝集し、結合することで金属のバルク体が接合部に形成される。このとき、接合プロセスが適正化されていないと、有機被覆層及び溶剤が残留し、接合後の再加熱でアウトガスを発生する可能性がある。また、電磁吸収体は、一般的にはフェライトなど鉄系の酸化物を使用しており、このような化学的に安定な酸化物の表面に高い接合強度で接合するのに、どのような接合メカニズムで接合するか詳細が明らかではない。
【００１１】
従って、本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、フェライトなど鉄系の酸化物が含まれる電波吸収体であっても、金属膜やメタライズなどを施すことなしに、蓋体と高い接合強度で接合し、後工程のシーム溶接工程で４００℃程度に加熱されても、アウトガスが発生しない高周波装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、マイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペーストを蓋体上に印刷し、印刷した前記ペースト上に、０．５μｍ〜１０μｍの表面粗さＲａを有する電波吸収体を前記表面粗さを有する面と前記ペーストが接触するように配置した後、前記電波吸収体から前記蓋体の方向へ０．１ｍ／秒〜１ｍ／秒の速度で衝撃を加えるタッピング操作を３回以上行うことを含むことを特徴とする高周波装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フェライトなど鉄系の酸化物が含まれる電波吸収体であっても、金属膜やメタライズなどを施すことなしに、蓋体と高い接合強度で接合し、後工程のシーム溶接工程で４００℃程度に加熱されても、アウトガスが発生しない高周波装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態１による高周波装置の製造工程を示す図である。
【図２】実施の形態１で用いることのできる電波吸収体の模式断面図である。
【図３】実施例及び比較例で作製したサンプルの断面観察結果である。
【図４】実施例及び比較例で作製したサンプルの断面観察結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１による高周波装置の製造方法は、マイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペーストを蓋体上に印刷し、印刷した前記ペースト上に、０．５μｍ〜１０μｍの表面粗さＲａを有する電波吸収体を前記表面粗さを有する面と前記ペーストが接触するように配置した後、前記電波吸収体から前記蓋体の方向へ０．１ｍ／秒〜１ｍ／秒の速度で衝撃を加えるタッピング操作を３回以上行うことを含むことを特徴とするものである。
【００１６】
図１は、実施の形態１による高周波装置の製造工程を示す図である。図１（ａ）に示されるように、マイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子１及び溶剤２を含有するペースト３を蓋体４上に印刷する。ここで用いるマイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子１としては、平均粒子径がマイクロサイズであり、オレイン酸、アビエチン酸、ジエチルへキサン、ステアリン酸、炭素数４以上のアルコール性水酸基を含む有機化合物などの有機成分で被覆されたＡｇ粒子であればよい。有機被覆Ａｇ粒子１は、粒子表面に有機被覆が形成されているので溶剤２中で凝集することなく、単分散する。有機被覆Ａｇ粒子１の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ〜５μｍであり、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍである。なお、本発明において、有機被覆Ａｇ粒子１の平均粒子径は、レーザ回折・散乱法で測定した値であり、この測定に用いる装置としては例えば日機装株式会社製マイクロトラック（Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ）粒度分布測定装置ＭＴ３３００が挙げられる。溶剤２としては、プロパノールなどのアルコール、ベンゼン、アセトン、トルエン、キシレン、エーテル、石油エーテルなどが挙げられる。ペースト３の粘度は、後述するタッピング操作により有機被覆Ａｇ粒子１をペースト３内で移動させ易いという点から、１０Ｐａ・ｓ〜２００Ｐａ・ｓが好ましい。また、ペースト３には、粘性付与剤を添加してもよい。粘性付与剤としては、例えば、テレピンオイル、ターピネオール、メチルセルロース、エチルセルロース、ブチラール、テルペン誘導体、イソボルニルシクロヘキサノール（ＩＢＣＨ）、グリセリン、常温で固体の炭素数１４以上のアルコールなどが挙げられる。テルペン誘導体としては、１，８−テルピンモノアセテート、１，８−テルピンジアセテートなどが挙げられる。
このようなマイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子１及び溶剤２を含有するペースト３は、市販されているものを用いてもよく、例えば、日本データマテリアル株式会社製のＭＡＸ１０１、ＭＡＸ１０２、化研テック株式会社製のＣＭ−３２１２などが挙げられる。
蓋体４としては、当該技術分野で使用されているものを制限なく用いることができ、例えば、コバールなどの合金からなるものを使用することができる。
ペースト３の印刷方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スクリーン印刷、ディスペンサが挙げられる。印刷するペーストの厚さは、焼結性及び焼結時のアウトガス抜け性の点から、２０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。
【００１７】
次に、図１（ｂ）に示されるように、印刷されたペースト３上に、電波吸収体５を配置する。ここで、電波吸収体５は、０．５μｍ〜１０μｍの表面粗さＲａを有する面を備えており、その面とペースト３とが接触するように配置されている。ペースト３と接触する面の表面粗さが０．５μｍよりも小さいと、アンカー効果が発揮されないため、十分な接合強度が得られず、一方、１０μｍよりも大きいと、接合部の厚さばらつきが生じ、また、電波吸収体５内部まで有機被覆Ａｇ粒子１が入り込み難くなるため、十分な接合強度が得られない。電波吸収体５としては、電波吸収特性が良好であり且つ上記表面粗さを有するものが得られ易いという点から、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、バインダとしてのガラスを２０重量％〜４５重量％含有するものを焼結させて得られるものが好ましい。ガラスとしては、ＳｉＯ２系及びＢｉ２Ｏ３系のものが挙げられる。
また、電波吸収体５として、図２に示すように、厚さ方向に貫通し、直径が１００μｍ〜１０００μｍである貫通孔８を有するものを用いることが好ましい。このような貫通孔８を有する電波吸収体５を用いることで、焼結時にアウトガスが抜け易くなり、良好な接合強度が得られる。
【００１８】
次に、図１（ｃ）に示されるように、蓋体４、ペースト３及び電波吸収体５がこの順に積層された積層体に、電波吸収体５から蓋体４の方向へ０．１ｍ／秒〜１ｍ／秒の速度で衝撃を加えるタッピング操作を３回以上行う。タッピング操作を行うことで、タッピング操作前は溶剤２中に均一に分散していた有機被覆Ａｇ粒子１を、蓋体４側に偏在させることができる。具体的なタッピング操作としては、例えば、蓋体４、ペースト３及び電波吸収体５がこの順に積層された積層体の蓋体４側をＳＵＳ製テーブルなどに打ち付ける方法などが挙げられる。タッピング速度が０．１ｍ／秒より小さいと、十分な接合強度が得られない上に、アウトガスが抜け難くなり、一方、１．０ｍ／秒よりも大きくすると、有機被覆Ａｇ粒子１がペースト３から流出してしまい、その結果、アウトガスが抜け難くなる。また、タッピング操作の回数が２回以下であると、十分な接合強度が得られない上に、アウトガスが抜け難くなる。タッピング操作の回数は、好ましくは３回〜２０回である。タッピング操作の回数が２０回を超えると、有機被覆Ａｇ粒子１がペースト３から流出してしまう場合があり、その結果、アウトガスが抜け難くなる場合がある。
【００１９】
上述のタッピング操作後、図１（ｄ）に示されるように、有機被覆Ａｇ粒子１が蓋体４側に偏在した状態のペースト３を蓋体４と電波吸収体５とで挟み込んで加圧すると、有機被覆Ａｇ粒子１の濃度が低い電波吸収体５側では溶剤２が流動して外部に排出される。ここでペースト３に加える圧力は、０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａであることが好ましい。０．１ＭＰａより小さいと、焼結時のＡｇの緻密性が低く、容易に剥離してしまう場合がある。一方、１０ＭＰａより大きいと、加圧時に電波吸収体５が割れる場合があり、極端な場合、この割れが焼結Ａｇ接合部にも進展し、接合部の強度がかえって低くなる懸念がある。このように加圧しながら２００℃〜３５０℃で焼結すると、ボイド発生の原因となる溶剤２が容易に揮発して内部に残存することがない。
【００２０】
図１（ｅ）に示されるように、こうして得られる接合構造体６は、Ａｇのバルク体からなる緻密な接合部７を介して蓋体４と電波吸収体５とが強固に接合されている。本実施の形態では、電波吸収体５にメタライズや金属膜を施す必要がないので、タクトタイムを短くすることができる上に、製造コストを低減することができ、また、接合部７に溶剤２が残存していないので、後工程のシーム溶接工程で４００℃程度に加熱されてもアウトガスを発生することがない。なお、本実施の形態による高周波装置の構成は、蓋体４と電波吸収体５との接合形態を除いて、公知の高周波装置と同様である。本実施の形態による高周波装置の製造方法は、高速情報通信用及び高周波計測用に使用される光素子装置にも適用することができる。
【実施例】
【００２１】
以下、実施例及び比較例により本発明の詳細を説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。
【００２２】
〔実施例１〕
材質がコバールである２５ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ１ｍｍの蓋体を用意した。蓋体の表面に２μｍ程度のＡｕめっきが施されている。
Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、３０重量％のＳｉＯ２をバインダとして含有するものを焼成した１４ｍｍ×９ｍｍ×厚さ１ｍｍの電波吸収体を用意した。この電波吸収体の表面粗さＲａを測定したところ、５μｍであった。
また、マイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペーストとして、日本データマテリアル株式会社製ＭＡＸ１０２を用意した。このペーストに含有される有機被覆Ａｇ粒子の平均粒子径は、０．５μｍであった。
開口部が電波吸収体のサイズと同じ１４ｍｍ×９ｍｍであり且つ厚さが１００μｍであるメタルマスクを用いて、蓋体上にペーストを印刷した。印刷したペースト上に、電波吸収体を配置したサンプルをピンセットでつまみ、高さ約５０ｍｍのところから、表面の材質がＳＵＳ３０４であるテーブルに打ち付ける操作（タッピング操作）を５回繰り返した。なお、タッピングの速度は０．５ｍ／秒であった。
その後、サンプルを無加圧の状態で大気中にて１００℃で３０分間乾燥させた。次いで、サンプルに２．５ＭＰａの圧力を加えた状態で、１００℃から３００℃まで約５０℃／分で昇温し、３００℃で１０分間保持して焼結させた後、加圧を開放して自然空冷し、実施例１のサンプルを得た。得られたサンプルの接合部断面をＳＥＭで観察したところ、接合部の厚さは約５０μｍであった。
【００２３】
次に、シェア試験装置（株式会社レスカ製ボンディングテスタＰＴＲ−１１０２）を用いて、実施例１のサンプルのシェア試験を実施したところ、電波吸収体が先に破壊され、接合強度が高いことが分かった。なお、シェア試験は、シェア速度：０．２ｍｍ／秒、ツール高さ：蓋材から５０μｍ上の位置、ツール幅：１０ｍｍとし、長さ７ｍｍの面から実施した。
【００２４】
また、アウトガス測定装置（日本電子株式会社製ＪＭＳ−Ｑ１０５０ＧＣ型ＧＣ−ＭＳ）を用いて、実施例１のサンプルのアウトガス分析を実施した。測定装置内でサンプルを４００℃で１０分間保持し、発生したガス成分（水分、水素、窒素、酸素、アルゴン、二酸化炭素（炭酸ガス）、メチルアルコール、エチルアルコール、ヘリウム、フルオロカーボン（フロリナート）、ネオン、一酸化炭素、クリプトン、キセノン、メタン、アンモニア）を測定した。リファレンスとして、電波吸収体単体も同様に測定した。実施例１のサンプルは、リファレンスの結果とほぼ同程度であり、良好な結果であった。
【００２５】
〔実施例２〕
タッピングの速度を０．１ｍ／秒に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例２のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００２６】
〔実施例３〕
タッピングの速度を０．２ｍ／秒に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例３のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００２７】
〔実施例４〕
タッピングの速度を１ｍ／秒に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例４のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００２８】
〔実施例５〕
タッピング操作の回数を３回に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例５のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００２９】
〔実施例６〕
タッピング操作の回数を１０回に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例６のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３０】
〔実施例７〕
タッピング操作の回数を２０回に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例７のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３１】
〔実施例８〕
表面粗さが５μｍの電波吸収体の代わりに、表面粗さが０．５μｍの電波吸収体を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例８のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３２】
〔実施例９〕
表面粗さが５μｍの電波吸収体の代わりに、表面粗さが１μｍの電波吸収体を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例９のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３３】
〔実施例１０〕
表面粗さが５μｍの電波吸収体の代わりに、表面粗さが１０μｍの電波吸収体を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。実施例１０のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３４】
〔比較例１〕
マイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペーストの代わりに、ナノサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペースト（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製Ｔ２Ｗ−Ａ２、有機被覆Ａｇ粒子の平均粒子径：３０ｎｍ）を用い、タッピング操作を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例１のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３５】
〔比較例２〕
マイクロサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペーストの代わりに、ナノサイズの有機被覆Ａｇ粒子及び溶剤を含有するペースト（ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製Ｔ２Ｗ−Ａ２、有機被覆Ａｇ粒子の平均粒子径：３０ｎｍ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例２のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３６】
〔比較例３〕
タッピング操作を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例３のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３７】
〔比較例４〕
タッピングの速度を０．０５ｍ／秒に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例４のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３８】
〔比較例５〕
タッピングの速度を１．２ｍ／秒に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例５のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００３９】
〔比較例６〕
タッピング操作の回数を１回に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例６のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００４０】
〔比較例７〕
タッピング操作の回数を３０回に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例７のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００４１】
〔比較例８〕
表面粗さが５μｍの電波吸収体の代わりに、表面粗さが０．３μｍの電波吸収体を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例８のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００４２】
〔比較例９〕
表面粗さが５μｍの電波吸収体の代わりに、表面粗さが１２μｍの電波吸収体を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてサンプルを作製した。比較例９のサンプルを実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
2015008257.tif 000003
【００４４】
なお、表１中のシェア試験及びアウトガスの結果は、各サンプルを５個ずつ作製して評価を行った結果である。また、表１のシェア試験結果欄に、×と記載されているサンプルは、接合部と電波吸収体との界面で剥離したものであり、○と記載されているサンプルは、電波吸収体が先に破壊され、接合部上に電波吸収体が残存したものである。また、表１のアウトガス欄に、○と記載されているサンプルは、リファレンスの結果（電波吸収体単体の場合）とほぼ同程度であったものであり、×と記載されているサンプルは、ガスの明らかな発生が認められたものである。また、比較例７のサンプルにおいて、評価を△としたのは、５個のサンプルのうち１個だけが×となったためである。
【００４５】
タッピング操作をすることで、何故、接合強度が向上し、アウトガスが少なくなったか、その理由が不明である。そこで、タッピング操作を行っていない比較例３のサンプルと、タッピング操作を行った実施例１のサンプルの断面観察を実施した。図３（ａ）は、比較例３のサンプルの断面観察結果であり、図３（ｂ）は、実施例１のサンプルの断面観察結果である。この結果から分かるように、実施例１のサンプルでは、接合部にポーラスな箇所が少なく、緻密に形成されていることが確認された。これは、シェア試験の結果と相関する傾向である。よって、シェア試験が良好であったのは、接合部が緻密であったということが明確に示された。
【００４６】
しかし、タッピング操作をすることで、何故、緻密になったか、そのメカニズムが不明である。そこで、焼結時間を１０分間から１分間に短縮したこと以外は実施例１及び比較例３と同様にしてサンプルを作製し、得られたサンプルの接合部の断面観察を実施した。図４（ａ）は、比較例３における焼結時間を１０分間から１分間に短縮して得られたサンプルの断面観察結果であり、図４（ｂ）は、実施例１における焼結時間を１０分間から１分間に短縮して得られたサンプルの断面観察結果である。この結果から分かるように、実施例１における焼結時間を１０分間から１分間に短縮して得られたサンプルでは、有機成分（黒い箇所）が少ないことが確認された。
【００４７】
なお、上述した実施例及び比較例では、タッピング操作を約５０ｍｍの高さまで持ち上げて、所定のタッピング速度で行ったが、タッピング速度が０．１〜１ｍ／秒の範囲であれば、高さを変えても（例えば３０ｍｍ〜１００ｍｍ）同様の効果が得られると推察される。
【符号の説明】
【００４８】
１  有機被覆Ａｇ粒子、２  溶剤、３  ペースト、４  蓋体、５  電波吸収体、６  接合構造体、７  接合部、８  貫通孔。
【図１】
2015008257.tif 000004
【図２】
2015008257.tif 000005
【図３】
2015008257.tif 000006
【図４】
2015008257.tif 000007