(57)【要約】【課題】冷却媒体の漏れを防止すること。【解決手段】半導体チップ２０，８０は、デバイス面２１，８１に形成された電極パッド２３，８３により、中間基板３０の貫通電極３３に接続される。中間基板３０の内部には流路３６が形成され、この流路３６に対して冷却媒体が流入される。流路３６の内面にはストッパ５０，６０が取着されている。ストッパ５０，６０は、金属製の当接部材５１，６１を有している。当接部材５１，６１は、配管１１１，１１２の先端が当接され、配管１１１，１１２とはんだ５４，６４により接続される。【選択図】図１
2015008169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を冷却するための冷却装置であって、
前記電子部品が搭載され、内部に冷却媒体が流れる流路を有する基板本体と、
前記流路に前記冷却媒体を流入する流入口と、
前記流路から前記冷却媒体を流出する流出口と、
前記流路の内面に取着され、前記流入口に挿入される第１配管の先端が当接され、前記第１配管の外周面と接続される第１の係止部材と、
前記流路の内面に取着され、前記流出口に挿入される第２配管の先端が当接され、前記第２配管の外周面と接続される第２の係止部材と、
を有する冷却装置。
【請求項２】
前記第１の係止部材は、前記第１配管の先端が当接され、環状に形成された当接部材と、前記当接部材を前記流路の内面に接続する接続部材と、を有し、
前記第２の係止部材は、前記第２配管の先端が当接され、環状に形成された当接部材と、前記当接部材を前記流路の内面に接続する接続部材と、を有すること、
を特徴とする請求項１に記載の冷却装置。
【請求項３】
前記基板本体は、前記電子部品が搭載される第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、
前記基板本体を前記第１の面から前記第２の面にかけて貫通し、前記電子部品の端子と電気的に接続される複数の貫通電極を有すること、
を特徴とする請求項１または２に記載の冷却装置。
【請求項４】
電子部品を冷却するための冷却装置であって、
前記電子部品が搭載され、内部に冷却媒体が流れる流路を有する基板本体と、
前記流路に前記冷却媒体を流入する流入口と、
前記流路から前記冷却媒体を流出する流出口と、
前記流路の内面に取着された第１の係止部材と、
前記流路の内面に取着された第２の係止部材と、
第１端部が前記第１の係止部材に当接するように前記流入口に挿入され、第２端部が前記基板本体の第１の面から突出し、はんだにより前記第１の係止部材と接続された第１配管と、
第１端部が前記第２の係止部材に当接するように前記流出口に挿入され、第２端部が前記基板本体の第１の面から突出し、はんだにより前記第２の係止部材と接続された第２配管と、
を有する冷却装置。
【請求項５】
内部に冷却媒体が流れる流路を有し、前記流路に対して冷却媒体を循環するための第１配管と第２配管が接続される冷却装置の製造方法であって、
第１の基板に金属層を形成する工程と、
第２の基板に前記流路に応じた形状の凹部を形成する工程と、
前記第２の基板に形成した凹部内に前記金属層を配置するように、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせる工程と、
前記第１の基板の表面から前記金属層まで到達し、前記第１配管を挿入する流入口と前記第２配管を挿入する流出口を形成する工程と、
を有する、冷却装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基板には、前記流路に応じた凹部が形成されたこと、を特徴とする請求項５に記載の冷却装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属層は、前記第１の基板に形成された前記凹部の底面に形成されること、を特徴とする請求項６に記載の冷却装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜４の何れか一項に記載の冷却装置と、
前記冷却装置に実装された電子部品と、
を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
冷却装置、冷却装置の製造方法、及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップは、その動作により発熱する。半導体チップにおける熱は、半導体チップの動作異常や半導体チップの劣化を招く要因である。このため、半導体チップは、流路を含む基板に接続され、その基板の流路に冷却媒体を通過させて冷却される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５９６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、流路を含む基板には、冷却媒体を循環するための配管が、例えば樹脂などの接着剤を用いて接続される。冷却媒体は例えば水である。樹脂などの接着剤は、使用状態（温度）や経年変化により亀裂が生じ、その亀裂から冷却媒体が外部に漏れるおそれがある。このような冷却媒体の漏れは、基板に実装された半導体チップの故障等の要因となる。
【０００５】
この冷却装置で、冷却媒体の漏れを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、電子部品を冷却するための冷却装置であって、前記電子部品が搭載され、内部に冷却媒体が流れる流路を有する基板本体と、前記流路に前記冷却媒体を流入する流入口と、前記流路から前記冷却媒体を流出する流出口と、前記流路の内面に取着され、前記流入口に挿入される第１配管の先端が当接され、前記第１配管の外周面と接続される第１の係止部材と、前記流路の内面に取着され、前記流出口に挿入される第２配管の先端が当接され、前記第２配管の外周面と接続される第２の係止部材と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一観点によれば、冷却媒体の漏れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】半導体装置の概略説明図。
【図２】中間基板の概略断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は製造工程を示す概略断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は製造工程を示す概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は製造工程を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は製造工程を示す概略断面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は製造工程を示す概略断面図。
【図８】別の中間基板の概略断面図。
【図９】別の中間基板の概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は別の製造工程を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は別の製造工程を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は別の製造工程を示す概略断面図。
【図１３】（ａ），（ｂ）は別の製造工程を示す概略断面図。
【図１４】別の半導体装置の概略説明図。
【図１５】別の半導体装置の概略説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、各実施形態を、添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、部分的に拡大して示している場合があり、寸法，比率，数などは実際と異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部のハッチングを省略している。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置１０は、配線基板１００の上面に実装されている。配線基板１００は、例えばマザーボードである。
配線基板１００の上面には、複数の電極パッド１０１が形成されている。電極パッド１０１はバンプ１０２により半導体装置１０に接続されている。配線基板１００は、例えば有機基材の基板（有機基板）である。なお、有機基板は、ガラス等の繊維を含むことが好ましい。電極パッド１０１の材料は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル合金等である。バンプ１０２は例えばはんだバンプである。また、配線基板１００は、電極パッド１０１に接続された導電部材（図示略）を有している。例えば、導電部材は、配線基板１００の内部に形成された１つ又は複数の配線層、ビアを含む。配線基板１００は、例えばコア基板を有するコア付きビルドアップ基板やコア基板を含まないコアレス基板等である。
【００１１】
半導体装置１０は、半導体チップ２０，８０と中間基板３０を有している。
半導体チップ２０は、配線基板１００の上面に実装されている。中間基板３０は、半導体チップ２０の上面に実装されている。半導体チップ２０は、中間基板３０の上面に実装されている。
【００１２】
半導体チップ２０，８０は、電子部品の一例である。例えば、半導体チップ２０は、メモリであり、半導体チップ８０は、メモリをアクセスする回路（例えば、ＣＰＵ）を含む。なお、半導体チップ８０をメモリとし、半導体チップ２０をメモリと接続される回路（例えばＣＰＵ）としてもよい。
【００１３】
半導体チップ２０，８０は、例えば平面視矩形状に形成されている。
半導体チップ２０は、例えば論理回路（記憶回路）などの素子や配線（いずれも図示略）が形成されたデバイス面（図において上面）２１と、デバイス面２１と反対側の裏面（図において下面）２２を有している。
【００１４】
半導体チップ２０のデバイス面２１には電極パッド２３が形成されている。同様に、裏面２２には電極パッド２４が形成されている。電極パッド２３，２４の材料は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル合金等である。
【００１５】
また、半導体チップ２０は、デバイス面２１と裏面２２の間を貫通する貫通孔２５が形成されている。貫通孔２５内には貫通電極２６が形成されている。貫通電極２６の材料は、例えば銅である。なお、図では省略しているが、貫通孔２５の内周面には、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜が形成され、この絶縁膜により半導体チップ２０の基板本体（シリコン基板）に対して貫通電極２６が絶縁されている。貫通電極２６は、裏面２２の電極パッド２４を、デバイス面２１の配線（図示略）に電気的に接続する。したがって、半導体チップ２０のデバイス面２１に形成された素子等を含む回路は、貫通電極２６を介して裏面２２の電極パッド２４に接続される。
【００１６】
裏面２２の電極パッド２４は、バンプ１０２により配線基板１００の電極パッド１０１に電気的に接続されている。デバイス面２１の電極パッド２３は、バンプ９１により中間基板３０に接続されている。バンプ９１は、例えばはんだバンプである。
【００１７】
中間基板３０は、基板本体３１を有している。基板本体３１は、例えば平面視矩形状に形成されている。基板本体３１の材料は、例えばシリコン（Ｓｉ）である。
基板本体３１には、第１の面（上面）３１ａと第２の面（下面）３１ｂとの間を貫通する貫通孔３２が形成されている。貫通孔３２内には貫通電極３３が形成されている。貫通電極３３の材料は、例えば銅である。
【００１８】
基板本体３１の上面３１ａには複数の電極パッド３４が形成されている。電極パッド３４は、バンプ９２により半導体チップ８０に接続されている。基板本体３１の下面３１ｂには、複数の電極パッド３５が形成されている。電極パッド３５は端子の一例である。電極パッド３４，３５材料は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル合金等である。電極パッド３４と電極パッド３５は、貫通電極３３を介して互いに電気的に接続されている。電極パッド３５は、バンプ９１により半導体チップ２０の電極パッド２３に電気的に接続される。
【００１９】
半導体チップ８０は、例えば論理回路などの素子や配線（図示せず）が形成されたデバイス面（図において下面）８１と、デバイス面８１と反対側の裏面（図において上面）８２を有している。
【００２０】
半導体チップ８０のデバイス面８１には電極パッド８３が形成されている。電極パッド８３の材料は、例えば銅である。電極パッド８３は、バンプ９２により中間基板３０の電極パッド３４に電気的に接続されている。バンプ９２は、例えばはんだバンプである。したがって、半導体チップ８０は、中間基板３０に対してフリップチップ実装されている。
【００２１】
上記したように、中間基板３０は、基板本体３１の上面３１ａから下面３１ｂにかけて基板本体３１を貫通する貫通電極３３を有し、この貫通電極３３は、上面３１ａに形成された電極パッド３４と、下面３１ｂに形成された電極パッド３５とを互いに電気的に接続する。したがって、半導体チップ８０のデバイス面８１に形成された素子や配線を含む回路は、中間基板３０の貫通電極３３等を介して半導体チップ２０の回路に接続される。
【００２２】
配線基板１００と半導体チップ２０の間にはアンダーフィル樹脂１０３が充填されている。アンダーフィル樹脂１０３は、半導体チップ２０の側面下部から配線基板１００の上面に向ってなだらかに傾斜して広がるフィレットを有している。同様に、半導体チップ２０と中間基板３０の間にはアンダーフィル樹脂９３が充填されている。アンダーフィル樹脂９３は、中間基板３０の側面下部から半導体チップ２０のデバイス面２１に向ってなだらかに傾斜して広がるフィレットを有している。そして、中間基板３０と半導体チップ８０の間にはアンダーフィル樹脂９４が充填されている。アンダーフィル樹脂９４は、半導体チップ８０の側面下部から中間基板３０の上面（基板本体３１の上面３１ａ）に向ってなだらかに傾斜して広がるフィレットを有している。
【００２３】
各アンダーフィル樹脂９３，９４，１０３の材料は、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材である。各アンダーフィル樹脂９３，９４，１０３は、基板間の接続強度を向上させる。また、各アンダーフィル樹脂９３，９４，１０３は、基板に形成された電極パッドの腐食、エレクトロマイグレーションの発生、配線の信頼性低下（電極パッドに加わる応力による配線の断線）、等を抑制する。
【００２４】
アンダーフィル樹脂９３．９４に含まれるアルミナ等のフィラーは、アンダーフィル樹脂９３，９４の主成分より熱伝導率が高い。このようなフィラーは、アンダーフィル樹脂９３，９４の熱伝導率を大きくし、半導体チップ２０，８０のデバイス面２１，８１にて発生する熱を、中間基板３０に伝導する。なお、フィラーとして、金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），コバルト（Ｃｏ）等の金属材料、表面を絶縁材料（例えば樹脂材料）で被覆された金属材料を用いることができる。
【００２５】
中間基板３０の内部には、流路３６が形成されている。流路３６には、半導体チップ２０，８０を冷却するための冷却媒体が満たされる。冷却媒体は、例えば水、アルコール、フッ素などの液体、ガスである。
【００２６】
流路３６は、基板本体３１の中央部に形成された複数の主冷却流路３６ａと、主冷却流路３６ａに対して冷却媒体を流入するための流入流路３６ｂと、主冷却流路３６ａの冷却媒体を流出するための流出流路３６ｃを有している。流入流路３６ｂと流出流路３６ｃの幅は、主冷却流路３６ａの幅よりも大きく設定されている。
【００２７】
中間基板３０には、基板本体３１の上面３１ａから流入流路３６ｂの内面まで貫通する流入口３７が形成されている。流入口３７は、平面視円形状に形成されている。流入口３７には、冷却媒体を循環するための配管１１１の端部が挿入される。配管１１１は、例えば銅や真鍮などの金属からなる。配管１１１は第１配管の一例である。
【００２８】
流入流路３６ｂの内面（天井面）にはストッパ５０が取着されている。ストッパ５０は、配管１１１の先端が当接される当接部材５１と、この当接部材５１を流入流路３６ｂの内面に接続するための接続部材５２とを有している。当接部材５１及び接続部材５２は、円環状に形成されている。基板本体３１の上面には、流入口３７の周囲に接続パッド５３が形成されている。接続パッド５３は、例えば円環状に形成されている。
【００２９】
接続パッド５３とストッパ５０は、配管１１１を基板本体３１に固定するために用いられる。ストッパ５０（当接部材５１）の上面に配管１１１の先端が当接される。そして、配管１１１の周面と流入口３７の内面との間にはんだ５４が充填され、そのはんだ５４は配管１１１とストッパ５０を互いに接続する。そして、はんだ５４は、配管１１１の周面と接続パッド５３とを互いに接続する。ストッパ５０は第１の係止部材の一例である。
【００３０】
中間基板３０と配管１１１の接続部分は、樹脂５５により覆われている。この樹脂５５は、接続パッド５３と、その接続パッド５３と配管１１１を接続するはんだ５４を覆うように形成されている。樹脂５５の材料は、エポキシ系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリイミド系樹脂などの樹脂、またはこれらの樹脂にシリカ，アルミナ，窒化アルミニウム等のフィラーを混入した樹脂材である。
【００３１】
中間基板３０には、基板本体３１の上面３１ａから流出流路３６ｃの内面まで貫通する流出口３８が形成されている。流出口３８は、平面視円形状に形成されている。流出口３８には、冷却媒体を循環するための配管１１２の端部が挿入される。配管１１２は、例えば銅や真鍮などの金属からなる。配管１１２は第２配管の一例である。
【００３２】
流出流路３６ｃの内面（天井面）にはストッパ６０が取着されている。ストッパ６０は、配管１１２の先端が当接される当接部材６１と、この当接部材６１を流出流路３６ｃの内面に接続するための接続部材６２とを有している。当接部材６１及び接続部材６２は、円環状に形成されている。基板本体３１の上面には、流出口３８の周囲に接続パッド６３が形成されている。接続パッド６３は、例えば円環状に形成されている。
【００３３】
接続パッド６３とストッパ６０は、配管１１２を基板本体３１に固定するために用いられる。ストッパ６０（当接部材６１）の上面に配管１１２の先端が当接される。そして、配管１１２の周面と流出口３８の内面との間にはんだ６４が充填され、そのはんだ６４は配管１１２とストッパ６０を互いに接続する。そして、はんだ６４は、配管１１２の周面と接続パッド６３とを互いに接続する。ストッパ６０は第２の係止部材の一例である。
【００３４】
中間基板３０と配管１１２の接続部分は、樹脂６５により覆われている。この樹脂６５は、接続パッド６３と、その接続パッド６３と配管１１２を接続するはんだ６４を覆うように形成されている。樹脂６５の材料は、エポキシ系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリイミド系樹脂などの樹脂、またはこれらの樹脂にシリカ，アルミナ，窒化アルミニウム等のフィラーを混入した樹脂材である。
【００３５】
配管１１１，１１２は、図示しないポンプ、冷却媒体の熱を例えば大気中に放出する熱変換器に接続される。配管１１１は、矢印にて示すように、冷却媒体を流路３６に供給するために用いられる。配管１１２は、矢印にて示すように、流路３６から流出する冷却媒体を熱変換器に導くために用いられる。冷却媒体は、ポンプにより配管１１１，１１２を介して中間基板３０と熱変換器の間で循環される。この冷却媒体の循環により、中間基板３０と、その中間基板３０に接続された半導体チップ２０，８０が冷却される。
【００３６】
例えば、基板本体３１の厚さは、３００μｍ（マイクロメートル：ミクロン）である。流路３６の高さ（上下方向の長さ）は、例えば２００μｍである。流入流路３６ｂ、流出流路３６ｃの幅は、例えば５ｍｍ（ミリメートル）である。主冷却流路３６ａの幅は、例えば１００μｍである。流入口３７と流出口３８の直径は、例えば２，４ｍｍである。当接部材５１，６１の外径は例えば４．４ｍｍであり、内径は例えば１．４ｍｍである。接続部材５２，６２の外径は当接部材５１，６１の外径と等しく、接続部材５２，６２の内径は流入口３７、流出口３８の直径と等しい。
【００３７】
図２に示すように、中間基板３０の基板本体３１の表面（上面、下面、側面）には絶縁膜７１が形成されている。基板本体３１には貫通孔３２が形成され、その貫通孔３２の内周面には絶縁膜７２が形成されている。貫通孔３２内に形成された貫通電極３３は、絶縁膜７２により基板本体３１と絶縁されている。例えば、基板本体３１はシリコン基板であり、絶縁膜７１，７２はシリコン酸化膜（ＳｉＯ）である。
【００３８】
中間基板３０の中央部には複数の内壁３９が形成されている。複数の内壁３９は、中間基板３０の内部空間を区画して主冷却流路３６ａを形成する。冷却媒体は、主冷却流路３６ａを形成する内壁３９に沿って流れる。そして、上記の貫通電極３３は、基板本体３１の上面３１ａから下面３１ｂにかけて、内壁３９を貫通して設けられている。
【００３９】
例えば、中間基板３０は、２つの基板３１ｃ，３１ｄを貼り合わせて形成されている。第１の基板３１ｃには、上記の流入口３７と流出口３８が形成されている。第２の基板３１ｄには、流路３６に対応する凹部が形成され、その凹部を第１の基板３１ｃにより被覆することにより流路３６が形成されている。上記の貫通孔３２は、第１の基板３１ｃと第２の基板３１ｄを貫通して形成されている。
【００４０】
ストッパ５０は、当接部材５１と接続部材５２を有している。接続部材５２は、例えば２層構造であり、チタン（Ｔｉ）層５２ａとニッケル（Ｎｉ）層５２ｂを有している。チタン層５２ａは、流路３６の内壁（天井面）、つまり第１の基板３１ｃの下面に形成されている。そして、チタン層５２ａの下面にニッケル層５２ｂが形成され、そのニッケル層５２ｂの下面に当接部材５１が形成されている。当接部材５１は、例えば銅である。つまり、ニッケル層５２ｂの下面に銅層が形成されている。
【００４１】
ストッパ６０は、当接部材６１と接続部材６２を有している。接続部材６２は、例えば２層構造であり、チタン（Ｔｉ）層６２ａとニッケル（Ｎｉ）層６２ｂを有している。チタン層６２ａは、流路３６の内壁（天井面）、つまり第１の基板３１ｃの下面に形成されている。そして、チタン層６２ａの下面にニッケル層６２ｂが形成され、そのニッケル層６２ｂの下面に当接部材６１が形成されている。当接部材６１は、例えば銅である。つまり、ニッケル層６２ｂの下面に銅層が形成されている。
【００４２】
次に、半導体装置１０の作用を説明する。
図１に示すように、半導体装置１０は、中間基板３０と、半導体チップ２０，８０を有している。半導体チップ２０は、回路に含まれる素子（トランジスタ，抵抗等）が形成されるデバイス面２１側で主に発熱する。デバイス面２１に形成された電極パッド２３とバンプ９１は、半導体チップ２０のデバイス面２１において発生する熱を中間基板３０の貫通電極３３に伝導する。同様に、半導体チップ８０は、回路に含まれる素子（トランジスタ，抵抗等）が形成されるデバイス面８１側で主に発熱する。デバイス面８１に形成された電極パッド８３とバンプ９２は、半導体チップ８０のデバイス面８１において発生する熱を中間基板３０の貫通電極３３に伝導する。図２に示すように、貫通電極３３は、中間基板３０の内壁３９を貫通している。従って、貫通電極３３の熱は、内壁３９に伝わる。この内壁３９は、冷却媒体との間の熱交換により冷却される。したがって、図１に示す半導体チップ２０，８０は、デバイス面２１，８１の電極パッド２３，８３に接続された中間基板３０により冷却される。
【００４３】
中間基板３０の流路３６に対して冷却媒体を供給する配管１１１の先端は、流路３６の内面に取着されたストッパ５０に当接される。したがって、配管１１１は、ストッパ５０により位置決めされる。同様に、中間基板３０の流路３６から冷却媒体が流入する配管１１２の先端は、流路３６の内面に取着されたストッパ６０に当接される。したがって、配管１１２は、ストッパ６０により位置決めされる。流入口３７の内周面と配管１１１の外周面との間にはんだ５４が充填される。ストッパ５０に対して配管１１１がはんだ５４により接続される。接続パッド５３に対して配管１１１がはんだ５４により接続される。同様に、流出口３８の内周面と配管１１２の外周面との間にはんだ６４が充填される。ストッパ６０に対して配管１１２がはんだ６４により接続される。接続パッド６３に対して配管１１２がはんだ６４により接続される。したがって、配管１１１，１１２を例えば樹脂により基板本体３１に対して接続する場合と比べ、はんだ５４，６４により接続することで、配管１１１，１１２が外れることや、配管１１１，１１２と基板本体３１との間から冷却媒体が漏れること等の不具合が低減される。
【００４４】
次に、中間基板３０の製造工程を説明する。
なお、以下の説明において、工程に直接的に係わらない部材については図面上省略することがある。
【００４５】
先ず、図３（ａ）に示すように、所定の厚さの基板２００を用意する。この基板２００は、例えばシリコンウェーハである。
基板２００の一つの面（図において下面）２０１にストッパ５０，６０となる金属層２０３ａ，２０３ｂを形成する。金属層２０３ａは、チタン層２０４ａ、ニッケル層２０５ａ、銅層２０６ａを有している。同様に、金属層２０３ｂは、チタン層２０４ｂ、ニッケル層２０５ｂ、銅層２０６ｂを有している。
【００４６】
例えば、基板２００の面２０１全体に対して、例えばスパッタ法によりチタン層を形成する。チタン層の膜厚は、例えば０．１μｍである。次に、チタン層の表面に、例えばスパッタ法によりニッケル層を形成する。ニッケル層の膜厚は、例えば１μｍである。次に、ニッケル層の表面に、例えばスパッタ法により銅層を形成する。銅層の膜厚は、例えば０．５μｍである。次に、銅層の表面全体を覆うレジスト膜を形成する。レジスト膜は、例えば液状のレジスト材の塗布、またはシート状のレジスト材を貼付することにより得られる。そして、レジスト膜に例えばフォトリソグラフィによって開口部を形成する。開口部の形状及び大きさは、図１に示す当接部材５１，６１と同じ形状及び大きさである。そして、レジスト膜の開口部から銅層に対して銅めっきを施し、銅層を形成する。銅めっきの厚さは、例えば５μｍである。図示した銅層は、めっきにより形成された銅層とスパッタ法により形成された銅層を含む。これらの銅層により当接部材５１，６１が形成される。そして、レジスト膜を例えばアッシングにより除去し、スパッタ法により形成した金属層のうち、当接部材５１、６１から露出する部分を例えばドライエッチングにより除去する。これにより、上記の金属層２０３ａ，２０３ｂが得られる。
【００４７】
次に、図３（ｂ）に示すように、所定の厚さの基板２１０を用意する。この基板２１０は、例えばシリコンウェーハである。
基板２１０の１つの面（図において上面）２１１に、図１に示す流路３６に対応する凹部２１２ａ〜２１２ｃを形成する。凹部２１２ａは、図２に示す主冷却流路３６ａに対応する。また、凹部２１２ｂは、図２に示す流入流路３６ｂに対応する。そして、凹部２１２ｃは、図２に示す流出流路３６ｃに対応する。凹部２１２ａ〜２１２ｃの深さは、図２に示す流路３６の高さに対応し、例えば２００μｍである。
【００４８】
例えば、基板２１０の面２１１の全体を覆うレジスト膜を形成する。レジスト膜は、例えば液状のレジスト材の塗布、またはシート状のレジスト材を貼付することにより得られる。そして、レジスト膜に例えばフォトリソグラフィによって、図１に示す流路３６に対応する開口部を形成する。そして、レジスト膜の開口部から例えばドライエッチングを行い、基板２１０に凹部２１２ａ〜２１２ｃを形成する。そして、例えばアッシングによりレジスト膜を除去する。
【００４９】
次に、図４（ａ）に示すように、基板２００と基板２１０を、例えば常温接合により貼合せる。基板２００と基板２１０の貼合せにより流路３６が形成される。基板２００と基板２１０の貼合せを、プラズマ処理や加圧処理により行うこともできる。プラズマ処理は、２つの基板それぞれの接合面をプラズマ（例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスを用いたプラズマ）に曝すことによりそれぞれの接合面の酸化膜や汚染物等を除去し、それぞれの接合面を酸化膜等が全くない状態で当接させて、加圧して接合する処理である。加圧処理は、２つの基板に、顕著な塑性変形を生じない程度の圧力と熱を加えることにより接合する処理である。
【００５０】
次いで、図４（ｂ）に示すように、基板２００（図４（ａ）参照）を薄化して基板３１ｃを形成する。基板２００の薄化（基板３１ｃの形成）は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ:Chemical Mechanical Polishing）、硝酸（ＨＮＯ３）やフッ化水素（ＨＦ）を含む溶液をエッチング液に用いたウェットエッチング、プラズマエッチング（ドライエッチング）、または砥石による研削、研磨などにより行われる。
【００５１】
次に、基板３１ｃの上面から、基板３１ｃ及び基板２１０に対して、図１に示す貫通孔３２に対応する細穴２２１を形成する。例えば、基板３１ｃの上面全体を覆うレジスト膜を形成する。レジスト膜は、例えば、感光性を有するレジスト膜であり、シート状のレジスト膜（ドライフィルム）や液状のレジスト剤をもちいることができる。そして、レジスト膜に例えばフォトリソグラフィによって、図１に示す貫通孔３２に対応する開口部を形成する。そして、この開口部から例えば異方性エッチングにより細穴２２１を形成する。次いで、例えばアッシングによりレジスト膜を除去する。異方性エッチングは、例えば反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ：Deep Reactive Ion Etch）である。
【００５２】
次に、図４（ｃ）に示すように、基板２１０（図４（ｂ）参照）を薄化して基板３１ｄを形成する。そして、基板２１０の薄化（基板３１ｄの形成）により、基板３１ｃ、３１ｄを含む基板本体３１を形成するとともに、基板本体３１の上面３１ａから下面３１ｂまで基板本体３１を貫通する貫通孔３２を形成する。基板２１０の薄化（基板３１ｄの形成）は、例えば化学的機械的研磨（ＣＭＰ）、硝酸やフッ化水素を含む溶液をエッチング液に用いたウェットエッチング、プラズマエッチング（ドライエッチング）、または砥石による研削、研磨などにより行われる。
【００５３】
次に、図５（ａ）に示すように、絶縁膜７１，７２を形成する。図４（ｃ）に示す基板３１ｃ，３１ｄの表面と貫通孔３２の内壁面に、化学気相成長（ＣＶＤ:Chemical Vapor Deposition）により成膜したシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）により絶縁膜７１，７２を形成する。
【００５４】
次いで、貫通孔３２内に貫通電極３３を形成する。例えば、基板３１ｄの下面に銅箔等の金属箔を貼着し、貫通孔３２の基板３１ｄ側の開口を閉塞する。次に、金属箔を電極とする銅の電解めっきにより、めっき膜を金属箔上に析出させ、貫通孔３２内をめっき金属で満たす。その後、金属箔を除去し、基板３１ｃ側の貫通孔３２の開口から突出するめっき金属を例えばＣＭＰにより除去し、貫通電極３３とする。なお、導電性ペーストを貫通孔３２内に充填して貫通電極を形成してもよい。
【００５５】
次いで、図５（ｂ）に示すように、絶縁膜７１に、図１に示す流入口３７と流出口３８に対応する開口部７１ａ，７１ｂを形成する。例えば、絶縁膜７１を覆うレジスト膜を形成し、そのレジスト膜に開口部を形成する。そして、開口部から絶縁膜７１を例えはエッチングして開口部７１ａ，７１ｂを形成する。
【００５６】
次に、図５（ｃ）に示すように、流入口３７と流出口３８を形成する。上記のレジスト膜に形成された開口部から基板３１ｃを異方性エッチングし、流入口３７と流出口３８を形成する。異方性エッチングは、例えば反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）である。その後、例えばアッシングにより上記のレジスト膜を除去する。
【００５７】
次に、図６（ａ）に示すように、チタン層５２ａとニッケル層５２ｂを含む接続部材５２を形成する。同様に、チタン層６２ａとニッケル層６２ｂを含む接続部材６２を形成する。例えば、基板３１ｃ，３１ｄを覆うレジスト膜を形成し、レジスト膜をパターニングして開口部を形成する。その開口部からドライエッチングして図５（ｃ）に示す金属層２０４ａ，２０５ａの一部を除去し、チタン層５２ａとニッケル層５２ｂを含む接続部材５２を形成する。同様に、レジスト膜の開口部から金属層２０４ｂ，２０５ｂの一部を除去し、チタン層６２ａとニッケル層６２ｂを含む接続部材６２を形成する。なお、ウェットエッチング等により接続部材５２，６２を形成してもよい。
【００５８】
次いで、図６（ｂ）に示すように、電極パッド３４，３５と接続パッド５３，６３を形成する。例えば、所定の領域にシード層を、例えばスパッタ法や無電解めっきにより形成する。ついで、シード層を覆うレジスト膜を形成し、パターニングによりレジスト膜に開口部を形成する。そして、開口部からシード層に電解めっきを施す。例えば、シード層に対して銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）の電解めっきを順次施し、電極パッド３４，３５と接続パッド５３，６３を形成する。なお、ニッケルを電解めっきした後に金（Ａｕ）の電解めっきを施しても良い。また、無電解めっきでニッケル，金を形成してもよい。
【００５９】
次に、電極パッド３４，３５の上面に接続用のバンプ９２，９１を形成する。また、接続パッド５３，６３の上面に接続用のバンプ５４，６４を形成する。例えば、ペースト状のはんだを電極パッド３４，３５と接続パッド５３，６３の表面に塗布、またはボール状のはんだをパッドに積載し、リフローによりバンプ９１，９２，５４，６４を形成する。なお、各パッドの形成時に、各パッドの表面にはんだめっきを施し、バンプを形成してもよい。
【００６０】
このように形成した中間基板３０と、半導体チップ２０，８０を実装する。
例えば、図１に示すように、半導体チップ２０の上に中間基板３０を実装し、その中間基板３０の上に半導体チップ８０を実装する。
【００６１】
次いで、配管１１１，１１２を接続する。例えば、図６（ｃ）に示すバンプ５４，６４を例えばはんだごてにより加熱し、バンプ５４，６４を溶融して、配管１１１，１１２を、当接部材５１，６１、接続パッド５３，６３に接続する。
【００６２】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）半導体チップ２０，８０は、デバイス面２１，８１に形成された電極パッド２３，８３により、中間基板３０の貫通電極３３に接続される。中間基板３０の内部には流路３６が形成され、この流路３６に対して冷却媒体が流入される。そして、中間基板３０の内壁３９と冷却媒体の間で熱交換が行われる。したがって、例えば半導体チップ２０，８０の裏面から該半導体チップ２０，８０を冷却する場合と比べ、効率よく半導体チップ２０，８０を冷却することができる。
【００６３】
（２）流路３６の内面にはストッパ５０，６０が取着されている。ストッパ５０，６０は、金属製の当接部材５１，６１を有している。当接部材５１，６１は、配管１１１，１１２の先端が当接され、配管１１１，１１２とはんだ５４，６４により接続される。したがって、樹脂等により配管１１１，１１２を接続する場合と比べ、はんだ５４，６４は経年変化等の劣化が少ない。したがって、冷却媒体の漏れを防止することができる。
【００６４】
（３）当接部材５１，６１と配管１１１，１１２を接続するはんだ５４，６４は、樹脂５５，６５により覆われている。したがって、冷却媒体の漏れを防止することができる。
（４）流入口３７と流出口３８と配管１１１，１１２の間には、配管１１１，１１２をストッパ５０，６０に接続するためのはんだ５４，６４が充填される。したがって、配管１１１，１１２を固定することができ、はんだ５４，６４により冷却媒体の漏れを防止することができる。
【００６５】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・接続パッド５３，６３を省略してもよい。
・中間基板に樹脂層を形成してもよい。樹脂層は、例えば絶縁層と配線層を含む。配線層は、所定のパターンに形成され、貫通電極を適宜接続する。
【００６６】
樹脂層を有する中間基板の製造工程の概略を説明する。
先ず、図７（ａ）に示す構造を得るまでの工程を説明する。
例えば、図５（ｂ）に示すように、絶縁膜７１に開口部７１ａ、７１ｂを形成した基板３１ｃ，３１ｄに対し、図７（ａ）に示すように、樹脂層２３１，２３２を形成する。基板３１ｃの上面側の樹脂層２３１には、パターニングにより、絶縁膜７１の開口部７１ａ，７１ｂと貫通電極３３に対応する開口部２３１ａ，２３１ｂが形成される。次に、チタン（Ｔｉ）や銅（Ｃｕ）のシード層を形成し、そのシード層を覆うレジスト膜を形成する。このレジスト膜をパターニングして開口部を形成し、開口部から銅めっき、ニッケルめっき、はんだめっきを順次施し、電極パッド３４，３５、接続パッド５３，６３、はんだ層９２，９１，５４，６４を形成する。
【００６７】
次に、図７（ｂ）に示す構造体を得るまでの工程を説明する。
先ず、表面を覆うレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をパターニングして開口部を形成する。その開口部から基板３１ｃをエッチングして流入口３７と流出口３８を形成する。さらに、流入口３７と流出口３８からチタン層２０４ａ，２０４ｂとニッケル層２０５ａ，２０５ｂをエッチングして接続部材５２，６２を形成する。
【００６８】
次に、リフロー処理を行い、図７（ｃ）に示すように、バンプ９１，９２，５４，６４を有する中間基板３０を得る。
・中間基板３０に接続する配管の形状を適宜変更してもよい。
【００６９】
例えば、図８に示すように、所定の長さに形成されたパイプ１２１，１２２は、その中央部にフランジ１２１ａ，１２２ａを有する。パイプ１２１，１２２は、例えば銅や真鍮などの金属からなる。フランジ１２１ａは、接続パッド５３に対してはんだ５４により接続される。パイプ１２１の第１端部（図において下端部）は流入口３７内に挿入され、ストッパ５０と接続される。パイプ１２１の第２端部（図において上端部）は基板本体から突出している。なお、図８では、パイプ１２２は中間基板３０に対して離間して示しているが、パイプ１２１と同様に、フランジ１２２ａが接続パッド６３に対してはんだにより接続される。パイプ１２１，１２２の先端（上端）には、図示しないポンプ等を接続するための配管が接続される。
【００７０】
・図９に示すように、チタン層２０４ａ，２０４ｂの一部を除去し、ニッケル層２０５ａ，２０５ｂを残してストッパ５０，６０を形成するようにしてもよい。
・上記実施形態に対し、貼り合わせる２つの基板の形状を適宜変更してもよい。
【００７１】
例えば、図１０（ａ）に示すように、基板２４０に、金属層２０３ａ，２０３ｂと、流路３６（主冷却流路３６ａ）に応じた凹部２４１ａを形成する。凹部２４１ａの深さは、例えば流路３６の高さの１／２である。図１０（ｂ）に示すように、基板２５０に、流路３６に応じた凹部２５１ａ〜２５１ｃを形成する。凹部２５１ａ〜２５１ｃの深さは、例えば流路３６の高さの１／２である。なお、凹部２４１ａ，２５１ａ〜２５１ｃの高さは適宜の変更が可能である。次に、図１０（ｃ）に示すように、基板２４０と基板２５０を貼合せ、流路３６を形成する。次に、図１０（ｄ）に示すように、基板２４０，２５０を薄化し、絶縁層（図示略）、貫通電極３３、電極パッド３４，３５、接続パッド５３，６３を形成する。
【００７２】
また、図１１（ａ）に示すように、基板２６０に、流路３６に応じた凹部２６１ａ〜２６１ｃを形成する。凹部２６１ａ〜２６１ｃの深さは、例えば流路３６の高さの１／２である。凹部２６１ｂ，２６１ｃの底面に金属層２０３ａ，２０３ｂを形成する。図１１（ｂ）に示すように、基板２７０に、流路３６に応じた凹部２７１ａ〜２７１ｃを形成する。凹部２７１ａ〜２７１ｃの深さは、例えば流路３６の高さの１／２である。なお、凹部２６１ａ〜２６１ｃ，２７１ａ〜２７１ｃの高さは適宜の変更が可能である。次に、図１１（ｃ）に示すように、基板２６０と基板２７０を貼合せ、流路３６を形成する。次に、図１１（ｄ）に示すように、基板２６０，２７０を薄化し、絶縁層（図示略）、貫通電極３３、電極パッド３４，３５、接続パッド５３，６３を形成する。
【００７３】
・上記実施形態に対し、２つの基板の貼合せの前に貫通孔または貫通孔に対応する細穴を形成するようにしてもよい。例えば、図３（ａ）において、基板３１ｃに図１に示す貫通孔３２に応じた細穴を形成する。また、図３（ｂ）において、基板２１０に図１に示す貫通孔３２に応じた細穴を形成する。そして、基板２００と基板２１０を貼り合わせた後、両基板２００，３１ｄの薄化により貫通孔３２を形成する。
【００７４】
・上記実施形態に対し、２つの基板を薄化した後に貫通孔を形成してもよい。例えば、図４（ａ）に示す基板２００，２１０をそれぞれ薄化する。その後、貫通孔３２を形成する。
【００７５】
・貫通電極３３を以下に示す工程により形成してもよい。
先ず、図１２（ａ）に示すように、細穴２２１を形成した基板３１ｃ，２１０の表面及び細穴２２１の内壁面に、絶縁膜２８１，２８２を形成する。絶縁膜２８１，２８２は、例えばシリコン酸化膜である。絶縁膜２８１，２８２は、例えば図４（ｂ）に示すように、細穴２２１を形成した基板３１ｃ，２１０に対し、ＣＶＤ法により形成されるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜により得られる。
【００７６】
次に、図１２（ｂ）に示すように、絶縁膜２８１の上面を覆う金属層２８３を形成する。この金属層２８３は、細穴２２１内に充填される。金属層２８３は、例えば銅の電解めっきにより形成される。絶縁膜２８１の上面と細穴２２１内の絶縁膜２８２の表面に、図示しないシード層を形成する。シード層は、例えば銅であり、例えば無電解めっきにより形成される。なお、絶縁膜２８１，２８２の表面にチタン等のバリア層を形成し、そのバリア層の表面にシード層を形成してもよい。次に、シード層を電極とする銅の電解めっきにより金属層２８３を形成する。
【００７７】
次いで、図１２（ｃ）に示すように、絶縁膜２８１の表面を覆う金属層２８３を、例えばＣＭＰ法により除去する。これにより、細穴２２１内に、絶縁膜２８２により囲まれた金属層２８４が形成される。なお、絶縁膜２８１表面の金属層２８３を、ウェットエッチングやドライエッチングにより除去してもよい。
【００７８】
次に、図１３（ａ）に示すように、基板２１０（図１２（ｃ）参照）を薄化して基板３１ｄを形成する。基板２１０の薄化は、基板２１０の下面に対し、ＣＭＰとエッチング（ウェットエッチングやドライエッチング）を施すことにより成される。この基板２１０の薄化（基板３１ｄの形成）により、基板３１ｄの下面から、細穴２２１に形成された絶縁膜２８２及び金属層２８４が突出する。
【００７９】
次に、図１３（ｂ）に示すように、基板３１ｄの下面を覆う絶縁膜２８５を形成する。このとき、基板３１ｄの下面から突出する絶縁膜２８２及び金属層２８４を覆うように絶縁膜２８５を形成することが好ましい。絶縁膜２８５は、例えばＣＶＤによりシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を基板３１ｄの下面に形成して得られる。なお、基板３１ｄの下面を覆う絶縁膜２８５を、樹脂（例えばエポキシ樹脂）としてもよい。この樹脂は、例えば樹脂フィルムの貼付や液状の樹脂を塗布して得られる。
【００８０】
次いで、基板３１ｄの下面から突出する絶縁膜２８２と金属層２８４の先端と絶縁膜２８５を研磨して金属層２８４を露出させることで、図５（ａ）に示す貫通電極３３を得る。この際、基板３１ｄの下面に形成した絶縁膜２８５（図１３（ｂ）参照）を薄化して基板３１ｄの下面に残す。なお、絶縁膜２８２と金属層２８４の先端を研磨する際に絶縁膜２８５を全て除去した後、再び基板３１ｄの下面を覆う絶縁膜を形成してもよい。
【００８１】
・例えば、図１に示す中間基板３０の基板本体３１の材料に、ガラスやセラミック等を用いてもよい。また、図２に示すように、中間基板３０は、第１の基板３１ｃと第２の基板３１ｄを含む。第１の基板３１ｃと第２の基板３１ｄの一方の材料にガラスやセラミック等を用いても良い。例えば、基板の材料としてガラスを用いた場合、陽極接合などの接合方法により２つの基板を接合することができる。
【００８２】
・中間基板を配線基板に実装するようにしてもよい。
例えば、図１４に示すように、半導体装置３００は、配線基板３１０、中間基板３２０、複数（図において２つ）の半導体チップ３３０，３４０を有している。中間基板３２０の上面には半導体チップ３３０が実装され、中間基板３２０の下面には半導体チップ３４０が実装されている。中間基板３２０は、配線基板３１０の上面に実装されている。配線基板３１０は、図示しない実装基板（例えば、マザーボード）に実装される。半導体チップ３３０のデバイス面３３０ａに形成された電極パッド３３１は、バンプ３５１を介して中間基板３２０の基板本体３２１の上面に形成された電極パッド３２２に接続されている。半導体チップ３３０と中間基板３２０（基板本体３２１）の間にはアンダーフィル樹脂３６１が充填されている。同様に、半導体チップ３４０のデバイス面３４０ａに形成された電極パッド３４１は、バンプ３５２を介して基板本体３２１の下面に形成された電極パッド３２３に接続されている。半導体チップ３４０と中間基板３２０（基板本体３２１）の間にはアンダーフィル樹脂３６２が充填されている。中間基板３２０の基板本体３２１には、流路３２６が形成されている。したがって、中間基板３２０により２つの半導体チップ３３０，３４０を効率よく冷却することができる。
【００８３】
中間基板３２０は、基板本体３２１の下面に電極パッド３２４が形成され、その電極パッド３２４はバンプ３５３を介して配線基板３１０の上面に形成された電極パッド３１１に接続される。中間基板３２０は、基板本体３２１の上面から下面まで基板本体３２１を貫通する貫通電極３２７を有している。貫通電極３２７は、基板本体３２１上面の電極パッド３２２と、基板本体３２１下面の電極パッド３２３を互いに接続する。なお、図１４では、貫通電極３２７を示しているが、電極パッド３２２，３２３，３２４を適宜接続するために形成された配線（図示略）を有している。また、図１４では、基板本体３２１の表面等に形成された絶縁膜を省略している。配線基板３１０は、下面に形成された電極パッド３１２とバンプ３５４により、図示しない実装基板（例えば、マザーボード）に実装される。なお、図示しないが、配線基板３１０は、上面の電極パッド３１１と下面の電極パッド３１２を接続する配線を有している。なお、図１４では、中間基板３２０の上面と下面にそれぞれ実装された１つの半導体チップ３３０，３４０を示したが、上面と下面の少なくとも一方に複数の半導体チップを実装してもよい。
【００８４】
また、図１５に示すように、半導体装置４００は、配線基板４１０、中間基板４２０、１つの半導体チップ４３０を有している。中間基板４２０は配線基板４１０の上面に実装され、半導体チップ４３０は中間基板４２０の上面に実装されている。そして、配線基板４１０は、図示しない実装基板（例えば、マザーボード）に実装される。半導体チップ４３０のデバイス面４３０ａに形成された電極パッド４３１は、バンプ４５１を介して中間基板４２０の基板本体４２１の上面に形成された電極パッド４２２に接続されている。半導体チップ４３０と中間基板４２０（基板本体４２１）の間にはアンダーフィル樹脂４６１が充填されている。中間基板４２０の基板本体４２１には、流路４２６が形成されている。したがって、中間基板４２０により半導体チップ４３０を効率よく冷却することができる。
【００８５】
中間基板４２０は、基板本体４２１の下面に電極パッド４２３が形成され、その電極パッド３２３はバンプ４５２を介して配線基板４１０の上面に形成された電極パッド４１１に接続される。中間基板４２０（基板本体４２１）と配線基板４１０の間にはアンダーフィル樹脂４６２が充填されている。中間基板４２０は、基板本体４２１の上面から下面まで基板本体４２１を貫通する貫通電極４２７を有している。貫通電極４２７は、基板本体４２１上面の電極パッド４２２と、基板本体４２１下面の電極パッド４２３を互いに接続する。なお、図１５では、基板本体４２１の表面等に形成された絶縁膜を省略している。配線基板４１０は、下面に形成された電極パッド４１２とバンプ４５３により、図示しない実装基板（例えば、マザーボード）に実装される。なお、図示しないが、配線基板４１０は、上面の電極パッド４１１と下面の電極パッド４１２を接続する配線を有している。なお、図１５では、中間基板４２０の上面に実装された１つの半導体チップ４３０を示したが、複数の半導体チップを実装してもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１０  半導体装置
２０，８０  半導体チップ
３０  中間基板
３１  基板本体
３２  貫通孔
３３  貫通電極
３６  流路
３６ａ  主冷却流路
３６ｂ  流入流路
３６ｃ  流出流路
３７  流入口
３８  流出口
５０，６０  ストッパ
５１，６１  当接部材
５２，６２  接続部材
１１１，１１２  配管
【図１】
2015008169.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015008169.tif 000009
【図８】
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【図９】
2015008169.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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