(57)【要約】【課題】本実施例は、ＯＦＤＭ通信におけるインターリービング又はデインターリービング時に全ての経路遅延に対して時間的に可変する相対的なメモリ住所を付与し、メモリアクセスに最適化させるＯＦＤＭ通信における信号送受信装置を提供する。【解決手段】送信装置からビットストリームを受信するデータ受信部と、前記ビットストリームを復調した復調データを生成する復調部と、前記復調データをデインターリービングするとき、時間的に可変する相対的な可変メモリ住所を生成し、前記可変メモリ住所に基づいてデインターリービングしたデインターリービングデータを生成するデインターリーバー部と、前記デインターリービングデータを復号化した復号化データを生成する復号化部とを含む直交周波数分割多重通信における受信装置を構成する。【選択図】図３
2015005968.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信装置であって、
送信装置からビットストリームを受信するデータ受信部と、
前記ビットストリームを復調した復調データを生成する復調部と、
前記復調データをデインターリービングするとき、時間的に可変する相対的な可変メモリ住所を生成し、前記可変メモリ住所に基づいてデインターリービングしたデインターリービングデータを生成するデインターリーバー部と、
前記デインターリービングデータを復号化した復号化データを生成する復号化部とを含む直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項２】
前記デインターリーバー部は、
前記復調データの該当のレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて前記使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出する使用メモリデプス算出部と、
前記復調データの前記の以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出する住所偏差算出部と、
以前のメモリ住所、前記の以前のメモリ住所偏差値及び前記使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて前記可変メモリ住所を生成する住所生成部と、
前記可変メモリ住所にデインターリービングしようとするデータを保存するタイムデインターリーバーメモリとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項３】
前記住所偏差算出部は、前記の以前のメモリ住所偏差値から既に設定された値を差し引いた値に、既に設定された絶対値でモジュラー演算した値を前記現在のメモリ住所偏差値として認識することを特徴とする請求項２に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項４】
前記住所偏差算出部は、現在のメモリ住所偏差値＝（以前のメモリ住所偏差値−５）ｍｏｄ  ９６（ｍｏｄ：モジュラー演算）の数式を用いて前記の以前のメモリ住所偏差値を算出することを特徴とする請求項２に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項５】
前記住所偏差算出部は、前記復調データのデータ有効信号（Ｄａｔａ＿Ｖａｌｉｄ）と既に設定された初期値に基づいて前記の以前のメモリ住所偏差値を算出することを特徴とする請求項２に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項６】
前記住所生成部は、前記の以前のメモリ住所から前記の以前のメモリ住所偏差値を差し引いた値を前記使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を前記可変メモリ住所として生成することを特徴とする請求項２に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項７】
前記住所生成部は、可変メモリ住所＝（以前のメモリ住所−以前のメモリ住所偏差）ｍｏｄ  使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）（ｍｏｄ：モジュラー演算）の数式を用いて前記可変メモリ住所を生成することを特徴とする請求項２に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項８】
複数のレイヤーの個数だけの前記レイヤー住所生成部をさらに含み、前記レイヤー住所生成部のそれぞれと連結され、前記複数のレイヤーによるレイヤー別可変メモリ住所を時間的に分離された状態で受信し、前記レイヤー別可変メモリ住所を統合した統合可変メモリ住所を生成するメモリ統合部と、
前記統合可変メモリ住所を保存する全体のレイヤータイムデインターリーバーメモリ部とを含むことを特徴とする請求項２に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項９】
前記メモリ統合部は、全体のメモリで前記複数のレイヤー別に前記タイムインターリーバー長さだけのレイヤー別領域を割り当て、前記レイヤー別領域ごとにメモリ住所方向（順方向又は逆方向）を設定し、前記住所方向に沿って基準住所を設定することを特徴とする請求項８に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項１０】
前記デインターリーバー部は、経路遅延（Ｂｒａｎｃｈ  Ｄｅｌａｙ）による出力時点の相対的な差を用いて以前の経路住所から減算しながら時間的に可変する相対的な前記可変メモリ住所を生成することを特徴とする請求項１に記載の直交周波数分割多重通信における受信装置。
【請求項１１】
送信装置であって、
入力されたビットストリームを符号化した符号化データを生成する符号化部と、
前記符号化データをインターリービングするとき、時間的に可変する相対的な可変メモリ住所を生成し、前記可変メモリ住所に基づいてインターリービングしたインターリービングデータを生成するインターリーバー部と、
前記インターリービングデータを変調した変調データを生成する変調部と、
前記変調データを受信装置に伝送する伝送部とを含む直交周波数分割多重通信における送信装置。
【請求項１２】
前記インターリーバー部は、
前記符号化データの該当のレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて前記使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出する使用メモリデプス算出部と、
前記符号化データの前記の以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出する住所偏差算出部と、
以前のメモリ住所、前記の以前のメモリ住所偏差値及び前記使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて前記可変メモリ住所を生成する住所生成部と、
前記可変メモリ住所を保存するタイムインターリーバーメモリとを含むことを特徴とする請求項１１に記載の直交周波数分割多重通信における送信装置。
【請求項１３】
前記住所偏差算出部は、前記の以前のメモリ住所偏差値に既に設定された値を加算した値に、既に設定された絶対値でモジュラー演算した値を前記現在のメモリ住所偏差値として認識することを特徴とする請求項１２に記載の直交周波数分割多重通信における送信装置。
【請求項１４】
前記住所生成部は、前記の以前のメモリ住所に前記の以前のメモリ住所偏差値を加算した値を前記使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を前記可変メモリ住所として生成することを特徴とする請求項１２に記載の直交周波数分割多重通信における送信装置。
【請求項１５】
複数のレイヤーの個数だけの前記レイヤー住所生成部をさらに含み、
前記レイヤー住所生成部のそれぞれと連結され、前記複数のレイヤーによるレイヤー別可変メモリ住所を受信し、前記レイヤー別可変メモリ住所を統合した統合可変メモリ住所を生成するメモリ統合部と、
前記統合可変メモリ住所を保存する全体のレイヤー用タイムインターリーバーメモリ部とを含むことを特徴とする請求項１２に記載の直交周波数分割多重通信における送信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施例は、直交周波数分割多重通信における送受信装置に関する。より詳細には、直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ：Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ、以下、‘ＯＦＤＭ'と称する）通信におけるインターリービング又はデインターリービング時に全ての経路遅延（Ｂｒａｎｃｈ  Ｄｅｌａｙ）に対して時間的に可変する相対的なメモリ住所を付与し、メモリアクセスに最適化させる直交周波数分割多重通信における送受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下で記述する内容は、単純に本実施例と関連する背景情報のみを提供するだけで、従来技術を構成するものではないことを明らかにしておく。
【０００３】
ＯＦＤＭ通信技術は、多重経路フェーディングチャンネル環境で効率的な伝送が可能であるという長所のため、現在多様な無線ネットワークで用いられており、特に、ＩＥＥＥ８０２．１１ａ、ＨＩＰＥＲＬＡＮ／２などの無線ＬＡＮ標準や、ＤＡＢ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｕｄｉｏ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ）、ＤＶＢ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｉｄｅｏ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ）及びＩＳＤＢ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｓｅｒｖｉｃｅｓ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ）などのように地上波デジタルマルチメディア放送の標準として用いられている。
【０００４】
ＩＳＤＢは、ＩＳＤＢ―Ｓ（衛星放送）、ＩＳＤＢ―Ｔ（地上波）、ＩＳＤＢ―Ｃ（ケーブル）及び２．６ＧＨｚ帯域の移動放送（Ｍｏｂｉｌｅ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ）であって、ＭＰＥＧ―２標準のビデオとオーディオ符号化と伝送ストリームを基盤にする。ＩＳＤＢ―Ｔ  ＤＭＢ（１―Ｓｅｇｍｅｎｔ）は、１３個の周波数セグメントのうち１個の固定された周波数セグメントのみを用いる地上デジタルＴＶ放送のモバイル用放送サービスを称する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施例は、ＯＦＤＭ通信におけるインターリービング又はデインターリービング時に全ての経路遅延に対して時間的に可変する相対的なメモリ住所を付与し、メモリアクセスに最適化させるＯＦＤＭ通信における信号送受信装置を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下で説明する本実施例は、ＡＲＩＢ（Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｒａｄｉｏ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ  ａｎｄ  Ｂｕｓｉｎｅｓｓｅｓ）で制定された標準であるＡＲＩＢ  ＳＴＤ―Ｂ３１  Ｖｅｒｓｉｏｎ  １．６（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｆｏｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ）を基準にする。
【０００７】
また、本実施例は、‘ＩＳＤＢ―Ｔ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ―Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ）'を基盤にする。このような‘ＩＳＤＢ―Ｔ'は、ＨＤＴＶ放送及び多チャンネルＳＤＴＶ放送、モバイル、ポータブルマルチメディアサービスを具現するための規格であって、ＯＦＤＭに基づいたＢＳ（Ｂａｎｄ  Ｓｅｇｍｅｎｔ）―ＯＦＤＭ方式を用いる。‘ＩＳＤＢ―Ｔ'は、一つのチャンネルの帯域幅が約‘５．６Ｍｈｚ'である。このとき、ＢＳ―ＯＦＤＭを用いることは、‘５．６Ｍｈｚ'の帯域幅を１３片に分け、一片をセグメントと定義することを意味する。ここで、一つのセグメントは４２９Ｋｈｚ（５．６Ｍ／１３）の帯域幅を有する。このような‘ＩＳＤＢ―Ｔ'は、各セグメント別に異なる変調／復調方式を用いることができる。すなわち、セグメント別にＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）、ＤＱＰＳＫ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）、１６ＱＡＭ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）、６４ＱＡＭ変調／復調方式のうち一つを選択して用いることができる。また、１３個のセグメントを用いてＨＤＴＶ放送を伝送したり、多チャンネルＳＤＴＶ放送を伝送し、モバイル放送を伝送することができる。‘ＩＳＤＢ―Ｔ'において、映像圧縮方式は‘ＭＰＥＧ―２  Ｖｉｄｅｏ'を用い、音声圧縮方式は‘ＭＰＥＧ―２（Ａｕｄｉｏ  ＡＡＣ）'を用いる。
【０００８】
本実施例の一側面によると、送信装置からビットストリームを受信するデータ受信部と、前記ビットストリームを復調した復調データを生成する復調部と、前記復調データをデインターリービングするとき、時間的に可変する相対的な可変メモリ住所を生成し、前記可変メモリ住所に基づいてデインターリービングしたデインターリービングデータを生成するデインターリーバー部と、前記デインターリービングデータを復号化した復号化データを生成する復号化部とを含む直交周波数分割多重通信における受信装置を提供する。
【０００９】
また、本実施例の他の側面によると、入力されたビットストリームを符号化した符号化データを生成する符号化部と、前記符号化データをインターリービングするとき、時間的に可変する相対的な可変メモリ住所を生成し、前記可変メモリ住所に基づいてインターリービングしたインターリービングデータを生成するインターリーバー部と、前記インターリービングデータを変調した変調データを生成する変調部と、前記変調データを受信装置に伝送する伝送部とを含む直交周波数分割多重通信における送信装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
以上で説明したように、本実施例によると、ＯＦＤＭ通信におけるインターリービング又はデインターリービング時に全ての経路遅延に対して時間的に可変する相対的なメモリ住所を付与し、メモリアクセスに最適化させるという効果がある。また、本実施例によると、複数のレイヤー別メモリ住所を統合する過程で全体のメモリ領域で複数のレイヤー別に割り当てられた領域の該当のレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）が変わったとしても、逆方向のレイヤーにおけるデータ遺失を防止するという効果がある。
【００１１】
また、本実施例によると、入出力が順次行われるという特性を用いて、経路遅延が最小単位になるように時間関係を考慮して経路を再構成し、ＯＦＤＭの特定モード（例えば、ＩＳＤＢ―Ｔにおけるモード１、モード２、モード３のうちいずれか一つ）とは関係なく、インターリービング又はデインターリービングを行うという効果がある。また、本実施例によると、インターリービング又はデインターリービング時、同一のレイヤーで現在のメモリ住所と次のメモリ住所との差が既に設定された値以下である場合、メモリアクセスにおけるＲＡＳ（Ｒｏｗ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｔｒｏｂｅ）頻度を減少させるという効果がある。また、本実施例によると、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）を使用したインターリーバー部又はデインターリーバー部が具現された場合、同一のレイヤーで現在と次のメモリ住所との差が既に設定された値以下（ＩＳＤＢ―Ｔでは９５以下）になり、メモリアクセスでのＲＡＳ（Ｒｏｗ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｔｒｏｂｅ）頻度が減少し、データ処理率（Ｄａｔａ  Ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）が上がるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施例に係るＯＦＤＭ通信における送信機を概略的に示したブロック構成図である。
【図２】本実施例に係るＯＦＤＭ通信における受信機を概略的に示したブロック構成図である。
【図３】本実施例に係るＩＳＤＢ―Ｔ送信機の単一レイヤーのための住所生成部を概略的に示したブロック構成図である。
【図４】本実施例に係るＩＳＤＢ―Ｔ受信機の単一レイヤーのための住所生成部’を概略的に示したブロック構成図である。
【図５】本実施例に係るＩＳＤＢ―Ｔ送信機のレイヤー別住所生成モジュールを概略的に示したブロック構成図である。
【図６】本実施例に係るＩＳＤＢ―Ｔ受信機のレイヤー別住所生成モジュールを概略的に示したブロック構成図である。
【図７ａ】本実施例に係るインターリービング及びデインターリービングを説明するための図である。
【図７ｂ】本実施例に係るインターリービング及びデインターリービングを説明するための図である。
【図７ｃ】本実施例に係るインターリービング及びデインターリービングを説明するための図である。
【図８ａ】本実施例に係るモード１であるときのデインターリービングを説明するための図である。
【図８ｂ】本実施例に係るモード１であるときのデインターリービングを説明するための図である。
【図８ｃ】本実施例に係るモード１であるときのデインターリービングを説明するための図である。
【図８ｄ】本実施例に係るモード１であるときのデインターリービングを説明するための図である。
【図９ａ】本実施例に係る可変メモリ住所を説明するための図である。
【図９ｂ】本実施例に係る可変メモリ住所を説明するための図である。
【図１０】本実施例に係るモード３であるときのデインターリービングを説明するための図である。
【図１１】本実施例に係る全体のメモリにおけるレイヤー別領域の割り当てを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本実施例を添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
以下、本実施例は、ＡＲＩＢ（Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｒａｄｉｏ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ  ａｎｄ  Ｂｕｓｉｎｅｓｓｅｓ）で制定された標準であるＡＲＩＢ  ＳＴＤ―Ｂ３１  Ｖｅｒｓｉｏｎ  １．６（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｆｏｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ）を基準にして説明する。
【００１５】
また、本実施例は、‘ＩＳＤＢ―Ｔ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ―Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ）'を基盤にする。このような‘ＩＳＤＢ―Ｔ'は、ＨＤＴＶ放送及び多チャンネルＳＤＴＶ放送、モバイル、ポータブルマルチメディアサービスを具現するための規格であって、ＯＦＤＭに基づいたＢＳ（Ｂａｎｄ  Ｓｅｇｍｅｎｔ）―ＯＦＤＭ方式を用いる。‘ＩＳＤＢ―Ｔ'は、一つのチャンネルの帯域幅が約‘５．６Ｍｈｚ'である。このとき、ＢＳ―ＯＦＤＭを用いることは、‘５．６Ｍｈｚ'の帯域幅を１３片に分け、一片をセグメントと定義することを意味する。ここで、一つのセグメントは４２９Ｋｈｚ（５．６Ｍ／１３）の帯域幅を有する。このような‘ＩＳＤＢ―Ｔ'は、各セグメント別に異なる変調／復調方式を用いることができ、すなわち、セグメント別にＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）、ＤＱＰＳＫ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）、１６ＱＡＭ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）、６４ＱＡＭ変調／復調方式のうち一つを選択して用いることができる。また、１３個のセグメントを用いてＨＤＴＶ放送を伝送したり、多チャンネルＳＤＴＶ放送を伝送し、モバイル放送を伝送することができる。‘ＩＳＤＢ―Ｔ'において、映像圧縮方式は‘ＭＰＥＧ―２  Ｖｉｄｅｏ'を用い、音声圧縮方式は‘ＭＰＥＧ―２（Ａｕｄｉｏ  ＡＡＣ）'を用いる。
【００１６】
図１は、本実施例に係るＯＦＤＭ通信における送信機を概略的に示したブロック構成図である。
【００１７】
本実施例に係る送信機１００は、望ましくはＯＦＤＭを用いてＩＳＤＢ―Ｔが適用されるタイプに適用され、データを受信機２００に伝送することができる。
【００１８】
このような送信機１００は、ＯＦＤＭ方式で高速の伝送率を有するデータ列（Ｄａｔａ  Ｓｔｒｅａｍ）を低い伝送率を有する多数のデータ列に分け、これらを多数の副搬送波を用いて同時に受信機２００に伝送する。すなわち、送信機１００は、データ列を複数のサブチャンネルに同時に並んで伝送する多重搬送波伝送方式でデータを伝送する。したがって、送信機１００が用いるＯＦＤＭ方式は、一つのチャンネルの高速データ列を多重のチャンネルに同時に伝送するという側面では‘多重化技術'を含み、一つのチャンネルの高速データ列を多重の搬送波に分割して載せて伝送するという側面では一種の‘変調技術'を含む。このとき、送信機１００で用いるそれぞれの副搬送波の波形は、時間軸上では直交するが、周波数軸上では重なる。 
【００１９】
本実施例に係るＯＦＤＭ通信における送信機１００は、符号化部１１０、インターリーバー部１２０、変調部１３０、パイロット挿入部１４０、ＩＦＦＴ部１５０、デジタルアナログコンバーター１６０及びＲＦ送信部１７０を含む。本実施例では、送信機１００が符号化部１１０、インターリーバー部１２０、変調部１３０、パイロット挿入部１４０、ＩＦＦＴ部１５０、デジタルアナログコンバーター１６０及びＲＦ送信部１７０のみを含む場合を記載しているが、必ずしもこれに限定されることはなく、本実施例の本質的な特性から逸脱しない範囲で送信機１００に含まれる構成要素に対して多様に修正又は変形して適用可能であろう。
【００２０】
符号化部１１０は、入力されたビットストリームのデータ列を符号化した符号化データを生成する。このとき、符号化部１１０は、畳み込みコード（Ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｄｅ）を用いた畳み込み（Ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎ）符号化を行ったり、格子符号化、ターボ（Ｔｕｒｂｏ）符号化、ＬＤＰＣ（Ｌｏｗ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐａｒｉｔｙ  Ｃｈｅｃｋ）符号化又はこれらのうち二つ以上を相互連接した連接符号化（Ｃｏｎｃａｔｅｎａｔｅｄ  Ｅｎｃｏｄｉｎｇ）などを行うことができる。また、符号化部１１０は、符号化率を調節することができ、符号化オーバーヘッド（Ｃｏｄｉｎｇ  Ｏｖｅｒｈｅａｄ）を減少させるために所定の選択ビットを削除することができる。
【００２１】
インターリーバー部１２０は、符号化部１１０から受信された符号化データ列の順序を一定単位（例えば、ブロックの列と行など）で再配列したインターリービングデータを生成する。すなわち、インターリーバー部１２０は、瞬間的な雑音によるデータ列の中間のビットが損失するとしても、その影響が局部的に表れるようにし、損失したビットを復旧できるようにする。例えば、特定時点で干渉などによってビットが損失した状態でデータ（信号）を受信する場合、該当のデータを再び元の順序どおり再配列することによって、損失した情報を分散させ、部分的のみにデータ（信号）を損失させる。結果的に、配列が変わった暗号のように伝送されながらパルス列が分散・再配置されることによって、いずれか一つの部分にエラーが集中（Ｂｕｒｓｔ  Ｅｒｒｏｒ）することを防止することができる。
【００２２】
インターリーバー部１２０で行うインターリービング方式としては、‘ブロックインターリービング'、‘畳み込みインターリービング'方式などがある。ここで、‘ブロックインターリービング'とは、ビット列（データ列）を一定のブロック単位で束ねた後、列と行を変えて伝送し、復号化時に逆順序で再生する方式である。すなわち、デジタルデータ列を一定のブロック単位で区分し、行列（Ｍａｔｒｉｘ）形態で配列した後、列と行を変えて伝送する方式である。このとき、１回に一つのブロック単位からなり、‘ｎ×ｍ'行列で表現され、一つブロック単位（ｎ×ｍ行列）で一度にインターリービングが行われる。また、‘インターリービングデプス（Ｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎｇ  Ｄｅｐｔｈ）'とは、一つのブロックで処理する数をいい、‘インターリービングスパン（Ｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎｇ  Ｓｐａｎ）'とは、一つのブロックにある総ビット数（ｎ×ｍ個）をいう。
【００２３】
本実施例に係るインターリーバー部１２０は、符号化データをインターリービングするとき、時間的に可変する相対的な可変メモリ住所を生成し、生成された可変メモリ住所に基づいてインターリービングしたインターリービングデータを生成する。ここで、メモリ住所は、メモリの区別のために用いる番地をいう。すなわち、インターリーバー部１２０は、再構成された経路遅延による出力時点の相対的な差を用いて、以前の経路遅延に対して加減しながら可変メモリ住所を付与する方式である。このとき、インターリーバー部１２０は、インターリービングのために以前のメモリ住所に以前のメモリ住所偏差値を加算する。また、インターリーバー部１２０は、メモリ総量を理想的メモリ（Ｉｄｅａｌ  Ｍｅｍｏｒｙ）より高く設定（例えば、＋１）し、入出力の一サイクル当たり、同一のメモリ住所の入出力を時間分配アクセス（Ｔｉｍｅ  Ｓｈａｒｉｎｇ  Ａｃｃｅｓｓ）する。このとき、メモリ総量を理想的メモリより高く（例えば＋１）設定する理由は、遅延のない経路も同一の住所に書き込み、読み取り動作を通して出力されるためである。すなわち、遅延のない経路も、１つのメモリアドレスを用いる。また、インターリーバー部１２０は、経路遅延による出力時点の相対的な差を用いて、以前の経路住所に加算しながら時間的に可変する相対的な可変メモリ住所を生成する。このとき、経路とは、経路ネットワークで二つのノードを直接つなぐ経路（Ｂｒａｎｃｈ）をいう。
【００２４】
このようなインターリーバー部１２０は、結果的に入出力が順次行われるという特性を用いて、経路遅延が最小単位になるように時間関係を考慮して経路を再構成し、ＩＳＤＢ―Ｔのタイムインターリーバーでは、ＯＦＤＭ特定モードとは関係なく動作させる。ここで、タイムインターリーバーは、内部インターリーバーといい、外部インターリーバーとしてはブロックインターリーバーがある。このようなインターリーバー部１２０が可変メモリ住所を生成する具体的な動作については、図３と図５を通して後で説明する。
【００２５】
このとき、タイムインターリーバーのための可変メモリ住所を生成するインターリーバー部１２０は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）に具現することができる。ここで、ＲＡＭは、電気信号によって記録及び削除が無限定に可能な揮発性半導体を意味する。すなわち、ＲＡＭは、マイクロプロセッサと最も密接に連結されて動く装置であって、マイクロプロセッサと共に狭い面積内に最も多くの回路が入っている装置である。すなわち、ＲＡＭは、読み取り（Ｒｅａｄ）と書き込み（Ｗｒｉｔｅ）が全て可能なメモリを総称する。これは、電気が供給されるときに又は一時的に情報を保存するもので、揮発性である。また、ＲＡＭは、再びシステムメモリやグラフィックメモリとして使用するＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  ＲＡＭ）（ＥＤＯ  ＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭなど）とキャッシュ（Ｃａｃｈｅ）メモリとして使用するＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  ＲＡＭ）とに区分する。
【００２６】
インターリーバー部１２０は、ＳＲＡＭを基盤にするが、ＤＲＡＭに具現された場合、同一のレイヤーでの現在のメモリ住所と次のメモリ住所との差が、モジュラー演算を除いては既に設定された値以下であるので（例えば、ＩＳＤＢ―Ｔで使用するメモリデプス（Ｍｅｍｏｒｙ  Ｄｅｐｔｈ）によるラップアラウンド（Ｗｒａｐ  Ａｒｏｕｎｄ）を除いてはＭａｘ  ９５以下）、メモリアクセスでのＲＡＳ（Ｒｏｗ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｔｒｏｂｅ）頻度を減少させることができる。
【００２７】
ここで、ＤＲＡＭとＳＲＡＭについて説明すると、ＳＲＡＭは、基本素材になる半導体の場合、電源が供給される限り、持続的に資料が維持される製品をいい、ＤＲＡＭは、電源が供給されたとしても、時間が経過すると放電されて記録が消される製品をいう。すなわち、ＤＲＡＭは、一定時間が経過すると、電源が供給されても自然に記録が消えてしまう半導体を素材として使用したＲＡＭである。ＤＲＡＭの場合、一度記録された資料も、時間が経過すると消えてしまうので、一定の間隔で再び記録する作業を繰り返さなければならない。このとき、記録された資料が消えないように一定周期で再び記録する作業を再充電（Ｒｅｆｒｅｓｈ）という。
【００２８】
変調部１３０は、インターリーバー部１２０から受信されたインターリービングデータに対してＢＰＳＫ（Ｂｉｎａｒｙ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）、ＱＰＳＫ、ＱＡＭなどの変調を行った変調データを生成する。パイロット挿入部１４０は、変調部１３０から受信された変調データを受け取って、既に設定されたパイロット配置方法に従ってパイロットを挿入したパイロット挿入データを生成する。ＩＦＦＴ部１５０は、パイロット挿入部１４０から受信されたパイロット挿入データを逆高速フーリエ変換（ＩＦＦＴ：Ｉｎｖｅｒｓｅ  Ｆａｓｔ  Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）した逆変換データを生成する。デジタルアナログコンバーター１６０は、データ伝送のためにＩＦＦＴ部１５０から受信された逆変換データをデジタルデータからアナログデータに切り替えてＲＦ送信部１７０に伝送する。ＲＦ送信部１７０は、デジタルアナログコンバーター１６０から受信されたアナログデータを、備えられた各チャンネル別送信アンテナを用いて受信機２００に伝送する。
【００２９】
図２は、本実施例に係るＯＦＤＭ通信における受信機を概略的に示したブロック構成図である。
【００３０】
本実施例に係る受信機２００は、望ましくはＯＦＤＭを用いてＩＳＤＢ―Ｔに適用され、データを送信機１００から受信することができる。
【００３１】
このような受信機２００は、基本的に送信機１００の動作を逆に行う。
【００３２】
本実施例に係るＯＦＤＭ通信における受信機２００は、ＲＦ受信部２１０、アナログデジタルコンバーター２２０、同期化部２３０、ＦＦＴ部２４０、復調部２５０、デインターリーバー部２６０及び復号化部２７０を含む。本実施例では、受信機２００がＲＦ受信部２１０、アナログデジタルコンバーター２２０、同期化部２３０、ＦＦＴ部２４０、復調部２５０、デインターリーバー部２６０及び復号化部２７０のみを含む場合を記載しているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、本実施例の本質的な特性から逸脱しない範囲で受信機２００に含まれる構成要素に対して多様に修正又は変形して適用可能であろう。
【００３３】
ＲＦ受信部２１０は、備えられたチャンネル別受信アンテナを用いて送信機１００からアナログデータ（ビットストリーム）を受信する。すなわち、ＲＦ受信部２１０は、送信機１００からビットストリームを受信する。アナログデジタルコンバーター２２０は、ＲＦ受信部２１０から受信されたアナログデータをデジタルデータに変換した後、これを同期化部２３０に伝送する。同期化部２３０は、アナログデジタルコンバーター２２０によって転換されたデジタル信号のタイミング及び周波数を同期化する。ＦＦＴ部２４０は、同期化部２３０によって同期化されたデジタル信号を周波数領域のデータに作る高速フーリエ変換（ＦＦＴ：Ｆａｓｔ  Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）を行った変換データを生成する。復調部２５０は、ＦＦＴ部２４０から受信された変換データに対してＢＰＳＫ、ＱＰＳＫ、ＱＡＭなどの復調を行った復調データを生成する。
【００３４】
デインターリーバー部２６０は、復調部２５０から受信された復調データのデータ列の順序を一定単位（例えば、ブロックの列と行など）で再配列したデインターリービングデータを生成する。すなわち、デインターリーバー部２６０は、瞬間的な雑音によるデータ列の中間のビットが損失するとしても、その影響が局部的に表れるようにし、損失したビットを復旧できるようにする。
【００３５】
本実施例に係るデインターリーバー部２６０は、復調部２５０から受信された復調データをデインターリービング（逆インターリービング、インターリービングとは逆の操作）するとき、時間的に可変する相対的な可変メモリ住所（可変のメモリアドレス）を生成し、可変メモリ住所に基づいてデインターリービングしたデインターリービングデータを生成する。ここで、メモリ住所は、メモリの区別のために用いる番地をいう。すなわち、デインターリーバー部２６０は、再構成された経路遅延による出力時点の相対的な差を用いて、以前の経路遅延に対して加減しながら可変メモリ住所を付与する方式である。このとき、デインターリーバー部２６０は、デインターリービングのために以前のメモリ住所から以前のメモリ住所偏差値（メモリのアドレスの偏差値）を差し引く。また、デインターリーバー部２６０は、メモリ総量を理想的メモリより高く（例えば＋１）設定し、入出力の１サイクル当たり、同一のメモリ住所の入出力を時間分配アクセスする。また、デインターリーバー部２６０は、経路遅延による出力時点の相対的な差を用いて、以前の経路住所から減算しながら時間的に可変する相対的な可変メモリ住所を生成する。
【００３６】
デインターリーバー部２６０は、ＳＲＡＭを基盤にするが、ＤＲＡＭに具現された場合、同一レイヤーでの現在のメモリ住所と次のメモリ住所との差がモジュラー演算を除いては既に設定された値以下であるので（例えば、ＩＳＤＢ―ＴではＭａｘ  ９５以下）メモリアクセスでのＲＡＳ頻度を減少させる。このようなデインターリーバー部２６０は、結果的に入出力が順次行われるという特性を用いて、経路遅延が最小単位になるように時間関係を考慮して経路を再構成し、ＩＳＤＢ―Ｔでは、ＯＦＤＭ特定モードとは関係なく動作させる。このとき、デインターリーバー部２６０が可変メモリ住所を生成する具体的な動作については、図４と図６を通して後で説明する。復号化部２７０は、デインターリーバー部２６０から受信されたデインターリービングデータのデータ列を復号化した復号化データを生成する。
【００３７】
図３は、本実施例に係るＩＳＤＢ―Ｔ送信機の単一レイヤーのための住所生成部を概略的に示したブロック構成図である。
【００３８】
本実施例に係る送信機１００のレイヤー住所生成部３００は、使用メモリデプス算出部３１０、住所偏差算出部３２０、住所生成部３３０及びタイムインターリーバーメモリ３４０を含む。本実施例では、送信機１００のレイヤー住所生成部３００が使用メモリデプス算出部３１０、住所偏差算出部３２０、住所生成部３３０及びタイムインターリーバーメモリ３４０のみを含む場合を記載しているが、必ずしもこれに限定されることはなく、本実施例の本質的な特性から逸脱しない範囲で送信機１００のレイヤー住所生成部３００に含まれる構成要素に対して多様に修正又は変形して適用可能であろう。
【００３９】
レイヤー住所生成部３００は、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。このようなレイヤー住所生成部３００は、使用メモリデプス算出部３１０、住所偏差算出部３２０及び住所生成部３３０を含む。
【００４０】
使用メモリデプス算出部３１０は、符号化データの該当のレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出する。すなわち、使用メモリデプス算出部３１０は、タイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）及びセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）を受け取る。ここで、使用メモリデプス算出部３１０は、ＴＭＣＣ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ａｎｄ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ  Ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）情報からタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）及びセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）を抽出した後、使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を生成する。
【００４１】
このとき、ＩＳＤＢ―Ｔにおけるタイムインターリービング長さは、表１に示す通りである。
【００４２】
【表１】
2015005968.tif 000003
また、各ＯＦＤＭセグメントパラメーターテーブルは、表２に示す通りである。
【００４３】
【表２】
2015005968.tif 000004
【００４４】
［表２］において、ＳＰ（Ｓｃａｔｔｅｒｅｄ  Ｐｉｌｏｔ）は分散パイロット信号を意味し、ＣＰ（Ｃｏｎｔｉｎｕａｌ  Ｐｉｌｏｔ）は連続パイロット信号を意味し、ＴＭＣＣ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ａｎｄ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ  Ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）は伝送及び多重化構成制御情報を意味し、ＡＣ（Ａｕｘｉｌｉａｒｙ  Ｃｈａｎｎｅｌ）は補助チャンネルを意味し、ＡＣ１（Ａｖａｉｌａｂｌｅ  ｉｎ  ａｎ  Ｅｑｕａｌ  Ｎｕｍｂｅｒ  ｉｎ  ａｌｌ  Ｓｅｇｍｅｎｔｓ）は、全体のセグメントのうち同一の数で有効なチャンネルを意味し、ＡＣ２（Ａｖａｉｌａｂｌｅ  Ｏｎｌｙ  ｉｎ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ  Ｓｅｇｍｅｎｔｓ）は、差等変調／復調されたセグメントのみで有効なチャンネルを意味する。
【００４５】
以下で説明する住所偏差値と可変メモリ住所に対する各数式は、ＩＳＤＢ―Ｔタイムインターリービング（Ｔｉｍｅ  Ｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎｇ）／デインターリービング（Ｄｅｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎｇ）の経路遅延を示した図７ｂの‘Ｉ×ｍｉ'、ここで、‘ｍｉ＝９５−（（ｉ×５）ｍｏｄ  ９６）'を適用する場合の計算式をいう。また、これら数式は、通信スペック（Ｓｐｅｃ．）が異なる場合に経路遅延に対する数式が変わるとしても、同一の方式を用いて適用可能である。
【００４６】
住所偏差算出部３２０は、符号化データの以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出する。また、住所偏差算出部３２０は、以前のメモリ住所偏差値に既に設定された値を加算した値に、既に設定された絶対値でモジュラー演算（Ｍｏｄｕｌａｒ  Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ）した値を現在のメモリ住所偏差値として認識する。すなわち、住所偏差算出部３２０は、［数１］を用いて現在のメモリ住所偏差値を算出する。
【００４７】
［数１］
現在のメモリ住所偏差値＝（以前のメモリ住所偏差値＋５）ｍｏｄ  ９６
【００４８】
ここで、ｍｏｄは、モジュラー演算を意味し、９６は、既に設定された絶対値を意味する。このような住所偏差算出部３２０は、‘初期値＝０'に設定し、［数１］を用いて以前のメモリ住所偏差値を算出することができる。また、住所偏差算出部３２０は、符号化データのデータ有効信号（Ｄａｔａ＿Ｖａｌｉｄ）と既に設定された初期値に基づいて以前のメモリ住所偏差値を算出する。このとき、［数１］は、必ずしもＯＦＤＭ通信のみで適用される数式ではなく、現在のメモリ住所偏差値算出と関連する全ての状況に適用することができる。
【００４９】
住所生成部３３０は、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。住所生成部３３０の動作についてより具体的に説明すると、住所生成部３３０は、以前のメモリ住所に以前のメモリ住所偏差値を加算した値を使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を可変メモリ住所として生成する。すなわち、住所生成部３３０は、［数２］を用いて可変メモリ住所を生成する。このような住所生成部３３０は、‘初期値＝０（無関）'に設定し、［数２］を用いて可変メモリ住所を生成することができる。
【００５０】
［数２］
可変メモリ住所＝（以前のメモリ住所＋以前のメモリ住所偏差）ｍｏｄ  使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）
【００５１】
ここで、ｍｏｄは、モジュラー演算を意味する。このとき、［数２］は、必ずしもＯＦＤＭ通信のみで適用される数式ではなく、可変メモリ住所算出と関連する全ての状況に適用することができる。
【００５２】
タイムインターリーバーメモリ３４０は、可変メモリ住所にインターリービングしようとするデータを保存する。タイムインターリーバーメモリ３４０は、キャリア変調されたサンプルデータをタイムインターリービングするための保存媒体である。このとき、タイムインターリーバーメモリ３４０は、インターリーバーデータの複数のレイヤーに対するそれぞれのメモリ領域を備えるメモリをいう。
【００５３】
図４は、本実施例に係るＩＳＤＢ―Ｔ受信機の単一レイヤーのための住所生成部’を概略的に示したブロック構成図である。
【００５４】
本実施例に係る受信機２００のレイヤー住所生成部’４００は、使用メモリデプス算出部’４１０、住所偏差算出部’４２０、住所生成部’４３０及びタイムデインターリーバーメモリ４４０を含む。本実施例では、受信機２００のレイヤー住所生成部’４００が使用メモリデプス算出部’４１０、住所偏差算出部’４２０、住所生成部’４３０及びタイムデインターリーバーメモリ４４０のみを含む場合を記載しているが、必ずしもこれに限定されることはなく、本実施例の本質的な特性から逸脱しない範囲で受信機２００のレイヤー住所生成部’４００に含まれる構成要素に対して多様に修正又は変形して適用可能であろう。
【００５５】
レイヤー住所生成部’４００は、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。このようなレイヤー住所生成部’４００は、使用メモリデプス算出部’４１０、住所生成部’４３０及び住所偏差算出部’４２０を含む。
【００５６】
使用メモリデプス算出部’４１０は、復調データの該当のレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出する。
【００５７】
住所偏差算出部’４２０は、復調データの以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出する。住所偏差算出部’４２０の動作についてより具体的に説明する。住所偏差算出部’４２０は、以前のメモリ住所偏差値から既に設定された値を差し引いた値に既に設定された絶対値でモジュラー演算した値を現在のメモリ住所偏差値として認識する。すなわち、住所偏差算出部’４２０は、［数３］を用いて以前のメモリ住所偏差値を算出する。
【００５８】
［数３］
現在のメモリ住所偏差値＝（以前のメモリ住所偏差値−５）ｍｏｄ  ９６（ｍｏｄ：モジュラー演算）
【００５９】
このような住所偏差算出部’４２０は、‘初期値＝０'に設定し、［数３］を用いて以前のメモリ住所偏差値を算出することができる。また、住所偏差算出部’４２０は、復調データのデータ有効信号（Ｄａｔａ＿Ｖａｌｉｄ）と既に設定された初期値に基づいて以前のメモリ住所偏差値を算出する。このとき、［数３］は、必ずしもＯＦＤＭ通信のみで適用される数式ではなく、現在のメモリ住所偏差値算出と関連する全ての状況に適用することができる。
【００６０】
住所生成部’４３０は、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。住所生成部’４３０の動作についてより具体的に説明する。住所生成部’４３０は、以前のメモリ住所から以前のメモリ住所偏差値を差し引いた値を使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を可変メモリ住所として生成する。すなわち、住所生成部’４３０は、［数４］を用いて可変メモリ住所を生成する。このような住所生成部’４３０は、‘初期値＝０（無関）'に設定し、［数４］を用いて可変メモリ住所を生成することができる。
【００６１】
［数４］
可変メモリ住所＝（以前のメモリ住所−以前のメモリ住所偏差）ｍｏｄ  使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）
【００６２】
ここで、ｍｏｄは、モジュラー演算を意味する。このとき、［数４］は、必ずしもＯＦＤＭ通信のみで適用される数式ではなく、可変メモリ住所算出と関連する全ての状況に適用することができる。
【００６３】
タイムデインターリーバーメモリ４４０は、可変メモリ住所にデインターリービングしようとするデータを保存する。タイムデインターリーバーメモリ４４０は、周波数デインターリービングされたサンプルデータをタイムデインターリービングするための保存媒体である。このとき、タイムデインターリーバーメモリ４４０は、デインターリーバーデータの複数のレイヤー（階層、層）に対するそれぞれのメモリ領域を備えるメモリをいう。
【００６４】
図５は、本実施例に係るＩＳＤＢ―Ｔ送信機のレイヤー別住所生成モジュールを概略的に示したブロック構成図である。
【００６５】
本実施例に係る送信機１００のレイヤー別住所生成モジュールは、Ａレイヤー住所生成部５１０、Ｂレイヤー住所生成部５２０、Ｃレイヤー住所生成部５３０、メモリ統合部（Ｍｅｍｏｒｙ  Ｍｅｒｇｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）５４０及び全体のレイヤータイムインターリーバーメモリ５５０を含む。本実施例では、送信機１００のレイヤー別住所生成モジュールは、Ａレイヤー住所生成部５１０、Ｂレイヤー住所生成部５２０、Ｃレイヤー住所生成部５３０、メモリ統合部５４０及び全体のレイヤータイムインターリーバーメモリ５５０のみを含む場合を記載しているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、本実施例の本質的な特性から逸脱しない範囲で送信機１００のレイヤー別住所生成モジュールに含まれる構成要素に対して多様に修正又は変形して適用可能であろう。
【００６６】
複数のレイヤー（Ｍｕｌｔｉ―Ｌａｙｅｒ）の個数だけのレイヤー住所生成部（Ａレイヤー住所生成部５１０、Ｂレイヤー住所生成部５２０、Ｃレイヤー住所生成部５３０）をさらに含む。すなわち、三つのレイヤー（Ａ、Ｂ、Ｃレイヤー）のためのタイムインターリーバーは、単一レイヤーのレイヤー住所生成部３００をレイヤーの個数だけ含む。
【００６７】
Ａレイヤー住所生成部５１０は、Ａレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出し、ビットストリームの以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出し、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。このとき、Ａレイヤー住所生成部５１０は、以前のメモリ住所偏差値に既に設定された値を加算した値に、既に設定された絶対値でモジュラー演算した値を現在のメモリ住所偏差値として認識する。また、Ａレイヤー住所生成部５１０は、以前のメモリ住所に以前のメモリ住所偏差値を加算した値を、使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を可変メモリ住所として生成する。
【００６８】
Ｂレイヤー住所生成部５２０は、Ｂレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出し、ビットストリームの以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出し、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。このとき、Ｂレイヤー住所生成部５２０は、以前のメモリ住所偏差値に既に設定された値を加算した値に、既に設定された絶対値でモジュラー演算した値を現在のメモリ住所偏差値として認識する。また、Ｂレイヤー住所生成部５２０は、以前のメモリ住所に以前のメモリ住所偏差値を加算した値を、使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を可変メモリ住所として生成する。
【００６９】
Ｃレイヤー住所生成部５３０は、Ｃレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出し、ビットストリームの以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出し、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。このとき、Ｃレイヤー住所生成部５３０は、以前のメモリ住所偏差値に既に設定された値を加算した値に、既に設定された絶対値でモジュラー演算した値を現在のメモリ住所偏差値として認識する。また、Ｃレイヤー住所生成部５３０は、以前のメモリ住所に以前のメモリ住所偏差値を加算した値を使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を可変メモリ住所として生成する。
【００７０】
メモリ統合部５４０は、レイヤー住所生成部（Ａレイヤー住所生成部５１０、Ｂレイヤー住所生成部５２０、Ｃレイヤー住所生成部５３０）のそれぞれと連結され、複数のレイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）によるレイヤー別可変メモリ住所を時間的に分離された状態で受信し、レイヤー別可変メモリ住所を統合した統合可変メモリ住所を生成する。すなわち、レイヤー別に割り当てられたメモリ領域を一つのメモリに具現するためのメモリ統合部５４０を含む。また、メモリ統合部５４０は、全体のメモリで複数のレイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）別にタイムインターリーバー長さだけのレイヤー別領域を割り当て、レイヤー別（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）領域ごとにメモリ住所方向（順方向又は逆方向）を設定し、住所方向に沿って基準住所（Ｂａｓｅ  Ａｄｄｒｅｓｓ）を設定する。このようなメモリ統合部５４０により、複数のレイヤーのうち特定レイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣのうちいずれか一つ）のタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）が変わったとしても、逆方向のレイヤーにおけるデータ遺失を防止することができる。
【００７１】
全体のレイヤータイムインターリーバーメモリ部５５０は、統合可変メモリ住所にインターリービングしようとするデータを保存する。全体のレイヤータイムインターリーバーメモリ部５５０は、全てのレイヤーに対するキャリア変調されたサンプルデータをタイムインターリービングするための保存媒体である。
【００７２】
図６は、本実施例に係るＩＳＤＢ―Ｔ受信機のレイヤー別住所生成モジュールを概略的に示したブロック構成図である。
【００７３】
本実施例に係る受信機２００のレイヤー別住所生成モジュールは、Ａレイヤー住所生成部’６１０、Ｂレイヤー住所生成部’６２０、Ｃレイヤー住所生成部’６３０、メモリ統合部’６４０及び全体のレイヤータイムデインターリーバーメモリ６５０を含む。本実施例では、受信機２００のレイヤー別住所生成モジュールであるＡレイヤー住所生成部’６１０、Ｂレイヤー住所生成部’６２０、Ｃレイヤー住所生成部’６３０、メモリ統合部’６４０及び全体のレイヤータイムデインターリーバーメモリ６５０のみを含む場合を記載しているが、必ずしもこれに限定されることはなく、本実施例の本質的な特性から逸脱しない範囲で受信機２００のレイヤー別住所生成モジュールに含まれる構成要素に対して多様に修正又は変形して適用可能であろう。
【００７４】
複数のレイヤーの個数だけのレイヤー住所生成部（Ａレイヤー住所生成部’６１０、Ｂレイヤー住所生成部’６２０、Ｃレイヤー住所生成部’６３０）をさらに含む。すなわち、三つのレイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）のためのタイムインターリーバーは、単一レイヤーのレイヤー住所生成部’４００をレイヤーの個数だけ含む。
【００７５】
Ａレイヤー住所生成部’６１０は、Ａレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出し、ビットストリームの以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出し、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。このとき、Ａレイヤー住所生成部’６１０は、以前のメモリ住所偏差値から既に設定された値を差し引いた値に、既に設定された絶対値でモジュラー演算した値を現在のメモリ住所偏差値として認識する。また、Ａレイヤー住所生成部’６１０は、以前のメモリ住所から以前のメモリ住所偏差値を差し引いた値を使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を可変メモリ住所として生成する。
【００７６】
Ｂレイヤー住所生成部’６２０は、Ｂレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出し、ビットストリームの以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出し、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。このとき、Ｂレイヤー住所生成部’６２０は、以前のメモリ住所偏差値から既に設定された値を差し引いた値に、既に設定された絶対値でモジュラー演算した値を現在のメモリ住所偏差値として認識する。また、Ｂレイヤー住所生成部’６２０は、以前のメモリ住所から以前のメモリ住所偏差値を差し引いた値を使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を可変メモリ住所として生成する。
【００７７】
Ｃレイヤー住所生成部’６３０は、Ｃレイヤーのタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）とセグメント数（Ｎｕｍ＿Ｓｅｇ）に基づいて使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出し、ビットストリームの以前のメモリ住所偏差値に基づいて現在のメモリ住所偏差値を算出し、以前のメモリ住所、以前のメモリ住所偏差値及び使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）に基づいて可変メモリ住所を生成する。このとき、Ｃレイヤー住所生成部’６３０は、以前のメモリ住所偏差値から既に設定された値を差し引いた値に既に、設定された絶対値でモジュラー演算した値を現在のメモリ住所偏差値として認識する。また、Ｃレイヤー住所生成部’６３０は、以前のメモリ住所から以前のメモリ住所偏差値を差し引いた値を使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）でモジュラー演算した値を可変メモリ住所として生成する。
【００７８】
メモリ統合部’６４０は、レイヤー住所生成部（Ａレイヤー住所生成部５１０、Ｂレイヤー住所生成部５２０、Ｃレイヤー住所生成部５３０）のそれぞれと連結され、複数のレイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）によるレイヤー別可変メモリ住所を時間的に分離された状態で受信し、レイヤー別可変メモリ住所を統合した統合可変メモリ住所を生成する。すなわち、レイヤー別に割り当てられたメモリ領域を一つのメモリに具現するためのメモリ統合部’６４０を含む。また、メモリ統合部’６４０は、全体のメモリで複数のレイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）別にタイムインターリーバー長さだけのレイヤー別領域を割り当て、レイヤー別（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）領域ごとにメモリ住所方向（順方向又は逆方向）を設定し、住所方向に沿って基準住所を設定する。このようなメモリ統合部’６４０により、複数のレイヤーのうち特定レイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣのうちいずれか一つ）のタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）が変わったとしても、逆方向のレイヤーにおけるデータ遺失を防止することができる。全体のレイヤータイムデインターリーバーメモリ６５０は、統合可変メモリ住所にデインターリービングしようとするデータを保存する。全体のレイヤータイムデインターリーバーメモリ６５０は、全てのレイヤーに対する周波数デインターリービングされたサンプルデータをタイムデインターリービングするための保存媒体である。
【００７９】
図７ａ、図７ｂ及び図７ｃは、本実施例に係るインターリービング及びデインターリービングを説明するための図である。
【００８０】
図７ａは、タイムインターリービングセクションの構成（Ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｔｉｍｅ  Ｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎｇ  Ｓｅｃｔｉｏｎ）を示した図である。図７ａに示したｎｃ（Ｎｕｍｂｅｒ  ｏｆ  ｄａｔａ  ｃａｒｒｉｅｒｓ）には、‘モード１'の場合は‘９６'、‘モード２'の場合は‘１９２'、‘モード３'の場合は‘３８４'が適用される（表２参照）。すなわち、‘モード１'の場合は‘０ないし９５'までタイムインターリービングが行われ、‘モード２'の場合は‘０ないし１９１'までタイムインターリービングが行われ、‘モード３'の場合は‘０ないし３８３'までタイムインターリービングが行われる。
【００８１】
図７ｂは、イントラ―セグメントタイムインターリービングセクションの構成（Ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｉｎｔｒａ―ｓｅｇｍｅｎｔ  Ｔｉｍｅ  Ｉｎｔｅｒｌｅａｖｉｎｇ  Ｓｅｃｔｉｏｎ）を示した図である。図７ｂに示したように、各シンボルバッファーは‘Ｉ×ｍ０'ないし‘Ｉ×ｍｎｃ−１'に適用される。また、図７ｂに示したｎｃには、‘モード１'の場合は‘９６'、‘モード２'の場合は‘１９２'、‘モード３'の場合は‘３８４'が適用される。また、図７ｂに示したように、‘ｍｉ＝（ｉ×５）ｍｏｄ  ９６'で算出される。すなわち、‘モード１'の場合は‘ｍ０＝（０×５）ｍｏｄ  ９６'ないし‘ｍ９５＝（９５×５）ｍｏｄ  ９６'が適用され、‘モード２'の場合は‘ｍ０＝（０×５）ｍｏｄ  ９６'ないし‘ｍ１９１＝（１９１×５）ｍｏｄ  ９６'が適用され、‘モード３'の場合は‘ｍ０＝（０×５）ｍｏｄ  ９６'ないし‘ｍ３８４＝（３８４×５）ｍｏｄ  ９６'が適用される。
【００８２】
図７ｃは、モード１（‘Ｍｏｄｅ１'）、インターリービング値Ｉ（‘Ｉ＝４'）、１―セグメントに対するタイムデインターリービングの例示図である。図７ｃに示したように、受信機２００のデインターリービングにおいて、ｎｃは‘モード１'の場合に‘９６'であるので、‘モード１'の場合、‘０ないし９５'までタイムデインターリービングが行われる。このとき、各シンボルバッファーは‘Ｉ×ｍ０'ないし'Ｉ×ｍｎｃ−１'に適用されるので、‘ｍｉ＝ｍ０〜ｍｎｃ−１'から見ると、各シンボルバッファーは‘Ｉ×ｍｉ'に適用することができる。ここで、ｍｉは、図７ｃに示したように、‘ｍｉ＝９５−（（ｉ×５）ｍｏｄ  ９６）'を適用する場合、‘モード１'では‘Ｉ＝４'であるので、‘４×９５（ｍ０＝９５）'ないし‘４×４（ｍｎｃ−１＝４）'までタイムデインターリービングが行われる。
【００８３】
デインターリーバー部２６０は、ＴＭＣＣ情報から抽出したタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）のみを用いてデインターリービングを行う。すなわち、デインターリーバー部２６０は、モード（例えば、モード１、２、３）とは関係なく、タイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）値が同一である場合は、同一の動作（インターリービング又はデインターリービング）を行う。例えば、タイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）が‘１'である場合、モード１（Ｉ＝４）、モード２（Ｉ＝２）及びモード３（Ｉ＝１）は同一の動作（インターリービング又はデインターリービング）を行う（表１参照）。
【００８４】
このように、図７ｃに示した１−セグメントに対する回路図を通して可変メモリ住所の付与方式について説明すると、‘Ｍｏｄｅ１、Ｉ＝４、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'に対する実施例と‘Ｍｏｄｅ２、Ｉ＝２、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'、‘Ｍｏｄｅ３、Ｉ＝１、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'では同一にデインターリービングが行われる。
【００８５】
図８ａ、図８ｂ、図８ｃ及び図８ｄは、本実施例に係るモード１のときのデインターリービングを説明するための図である。
【００８６】
図８ａ、図８ｂ、図８ｃ及び図８ｄは、‘Ｍｏｄｅ１、Ｉ＝４、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'に対するタイムデインターリーバーを再配置した例示図である。‘Ｍｏｄｅ１、Ｉ＝４、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'に対するタイムデインターリーバーを再配置した例示図を基盤にして、本実施例で生成する可変メモリ住所を適用すると、一つの可変メモリ住所生成のみでもデインターリービングが可能になる。
【００８７】
図８ａに示したように、受信機２００のデインターリービングにおいて、ｎｃは、‘モード１'の場合は‘９６'であるので、‘モード１'の場合、‘０ないし９５'までタイムデインターリービングが行われる。このとき、各シンボルバッファーは‘Ｉ×ｍ０'ないし‘Ｉ×ｍｎｃ−１'に適用されるので、‘ｍｉ＝ｍ０〜ｍｎｃ−１'から見ると、各シンボルバッファーは‘Ｉ×ｍｉ'に適用される。ここで、‘ｍｉ＝（ｉ×５）ｍｏｄ  ９６'で算出される。その結果、‘モード１'の場合、‘ｍ０＝（０×５）ｍｏｄ  ９６'ないし‘ｍ９５＝（９５×５）ｍｏｄ  ９６'が適用されるので、‘０ないし９５'までタイムデインターリービングが行われる場合、‘０'では‘９５（ｍ０＝９５）'が適用され、‘９５'では‘４（ｍｎｃ−１＝４）'が適用される。
【００８８】
図８ｂに示したように、受信機２００のデインターリービングにおいて、ｎｃは、‘モード１'の場合は‘９６'であるので、‘０ないし９５'までタイムデインターリービングが行われた後、‘９６＋０ないし９６＋９５'までタイムデインターリービングが行われる。このとき、各シンボルバッファーは、‘Ｉ×ｍ０'ないし‘Ｉ×ｍｎｃ−１'に適用されるので、‘ｍｉ＝ｍ０〜ｍｎｃ−１'から見ると、各シンボルバッファーは‘Ｉ×ｍｉ'に適用される。ここで、‘ｍｉ＝（ｉ×５）ｍｏｄ  ９６'で算出される。その結果、‘モード１'の場合は‘ｍ０＝（０×５）ｍｏｄ  ９６'ないし‘ｍ９５＝（９５×５）ｍｏｄ  ９６'が適用されるので、‘０ないし９５'以後、‘９６＋０ないし９６＋９５'までタイムデインターリービングが行われる場合、‘９６＋０'では‘９５（ｍ０＝９５）'が適用され、‘９６＋９５'では‘４（ｍｎｃ−１＝４）'が適用される。
【００８９】
図８ｃに示したように、受信機２００のデインターリービングにおいて、ｎｃは、‘モード１'の場合は‘９６'であるので、‘９６＋０ないし９６＋９５'までタイムデインターリービングが行われた後、‘１９２＋０ないし１９２＋９５'までタイムデインターリービングが行われる。このとき、各シンボルバッファーは、‘Ｉ×ｍ０'ないし‘Ｉ×ｍｎｃ−１'に適用されるので、‘ｍｉ＝ｍ０〜ｍｎｃ−１'から見ると、各シンボルバッファーは‘Ｉ×ｍｉ'に適用される。ここで、‘ｍｉ＝（ｉ×５）ｍｏｄ  ９６'に算出される。その結果、‘モード１'の場合、‘ｍ０＝（０×５）ｍｏｄ  ９６'ないし‘ｍ９５＝（９５×５）ｍｏｄ  ９６'が適用されるので、‘９６＋０ないし９６＋９５'以後、‘１９２＋０ないし１９２＋９５'までタイムデインターリービングが行われる場合、‘１９２＋０'では‘９５（ｍ０＝９５）'が適用され、‘１９２＋９５'では‘４（ｍｎｃ−１＝４）'が適用される。
【００９０】
図８ｄに示したように、受信機２００のデインターリービングにおいて、ｎｃは、‘モード１'の場合は‘９６'であるので、‘９６＋０ないし９６＋９５'及び‘１９２＋０ないし１９２＋９５'までタイムデインターリービングが行われた後、‘２８８＋０ないし２８８＋９５'までタイムデインターリービングが行われる。このとき、各シンボルバッファーは‘Ｉ×ｍ０'ないし‘Ｉ×ｍｎｃ−１'に適用されるので、‘ｍｉ＝ｍ０〜ｍｎｃ−１'から見ると、各シンボルバッファーは’‘Ｉ×ｍｉ'に適用される。ここで、‘ｍｉ＝（ｉ×５）ｍｏｄ  ９６'で算出される。その結果、‘モード１'の場合は、‘ｍ０＝（０×５）ｍｏｄ  ９６'ないし‘ｍ９５＝（９５×５）ｍｏｄ  ９６'が適用されるので、‘１９２＋０ないし１９２＋９５'以後、‘２８８＋０ないし２８８＋９５'までタイムデインターリービングが行われる場合、‘２８８＋０'では‘９５（ｍ０＝９５）'が適用され、‘２８８＋９５'では‘４（ｍｎｃ−１＝４）'が適用される。
【００９１】
図９ａ及び図９ｂは、本実施例に係る可変メモリ住所を説明するための図である。
【００９２】
本実施例に係るインターリービング又はデインターリービングはメモリで行われる。このとき、メモリはプロセッサの作業場として役割をする。プロセッサは、処理能力はあるが、記憶能力がないので、メモリを用いて作業結果を臨時保存する。
【００９３】
このようなメモリの動作について説明すると、プロセッサは、データ、計算結果、プログラム命令をメモリに保存した後、必要に応じて呼び込んで使用する。プロセッサは、メモリに住所を割り当てた後、その住所に従ってデータを保存したり、保存したデータを呼び込む。プロセッサとメモリはバス（Ｂｕｓ）（物理的な配線の集合）で連結されている。このようなバスは住所バスとデータバスで構成されているが、プロセッサは、住所バスを通してメモリに接続し、データバスを通してデータを伝送する。
【００９４】
図９ａは、使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）が‘１８２４１'である‘Ｍｏｄｅ１、Ｉ＝４、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'の場合のタイムインターリーバー住所生成を示す。すなわち、図９ａにおいて黄土色（‘１８１５１'、‘１８０６６'、‘１７９８６'、‘１７９１１'、‘１７８４１'、‘１７７７６'）は、基本単位で再配置した例示図における出力が出る順序のアドレスを示す。入力順序は、上から下に３８４個が順次入ってくると縦１列が終了し、次の横列にに進むことを表示する。このとき、経路‘０'の最初の入力が出力される時点は’‘３８４×９５＋１（＝使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ））’サイクル以後である。すなわち、図７ａは、初期の書き込み（Ｗｒｉｔｅ）時点を示す。
【００９５】
また、図９ｂは、経路‘０'に該当する書き込みデータ（Ｗｒｉｔｅ  Ｄａｔａ）が最初に出始めるときを示す。
【００９６】
以下では、使用メモリデプス算出部’４１０が使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）を算出する過程について説明する。１―セグメントでの使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）と最大メモリデプス（Ｍａｘ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）は、［数５］に示す通りである。
【００９７】
【数５】
2015005968.tif 000005
ここで、Ｍｏｄｅ＃はｎｃの割合を示す（表２参照）。例えば、‘Ｍｏｄｅ１＝１、（ｎｃ＝９６×１）'、‘Ｍｏｄｅ２＝２、（ｎｃ＝９６×２）'、‘Ｍｏｄｅ３＝４（ｎｃ＝９６×４）'になる。すなわち、このような［数５］で掲載した値は‘７２９６１'になり得る。
【００９８】
また、１３―セグメントでレイヤー別区分がない場合、使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）と最大メモリデプス（Ｍａｘ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）は、［数６］に示す通りである（レイヤー別に区分のないモード‘Ｉ'値が同一である場合）。
【００９９】
【数６】
2015005968.tif 000006
すなわち、このような［数６］で計算した値は‘９４８４８１'になり得る。
【０１００】
また、１３―セグメントでレイヤー別区分がある場合、使用メモリデプス（Ｕｓｅｄ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）と最大メモリデプス（Ｍａｘ＿Ｍ＿Ｄｅｐｔｈ）は、［数７］に示す通りである（レイヤー別に区分のあるモードで３レイヤーをサポートする場合）。
【０１０１】
【数７】
2015005968.tif 000007
すなわち、このような［数７］で計算した値は‘９４８４８３'になり得る。
【０１０２】
図１０は、本実施例に係るモード３であるときのデインターリービングを説明するための図である。
【０１０３】
‘Ｍｏｄｅ１、Ｉ＝４、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'に対するタイムデインターリーバーを再配置した例示図は、結果的には、図１０に示したタイムデインターリーバーで‘Ｍｏｄｅ３におけるｎｃ＝３８４、Ｉ＝１、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'を適用したものと同一である。すなわち、再配置は、入力が順次入ってくるという前提条件があるため可能である。ここで、‘モード３'において‘ｎｃ＝３８４'で、‘Ｉ＝１'である場合を図１０に適用すると、‘Ｍｏｄｅ１、Ｉ＝４、１―ｓｅｇｍｅｎｔ'と同一になる。
【０１０４】
すなわち、図１０は、モード３（‘Ｍｏｄｅ３'）、インターリービング値Ｉ（‘Ｉ＝１'）、１―セグメントに対するタイムデインターリービングの例示図である。図１０に示したように、受信機２００のデインターリービングにおいて、ｎｃは、‘モード３'の場合は‘３８３'であるので、‘モード３'の場合、‘０ないし３８３'までタイムデインターリービングが行われる。このとき、各シンボルバッファー（又は経路の遅延）は‘Ｉ×ｍ０'ないし‘Ｉ×ｍｎｃ−１'に適用されるので、‘ｍｉ＝ｍ０〜ｍｎｃ−１'から見ると、各シンボルバッファー（又は経路の遅延）は‘Ｉ×ｍｉ'に適用される。ここで、ｍｉは、図１０に示したように、‘ｍｉ＝９５−（（ｉ×５）ｍｏｄ  ９６）'を適用する場合、‘モード３'では‘Ｉ＝１'であるので、‘１×９５（ｍ０＝９５）'ないし‘１×４（ｍｎｃ−１＝４）'までタイムデインターリービングが行われる。
【０１０５】
図１１は、本実施例に係る全体のメモリにおけるレイヤー別領域の割り当てを説明するための図である。
【０１０６】
図１１に示したように、メモリ統合部５４０又はメモリ統合部’６４０は、全体のメモリで複数のレイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）別にタイムインターリーバー長さだけのレイヤー別領域を割り当て、レイヤー別（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣ）領域ごとにメモリ住所方向（順方向又は逆方向）を設定し、住所方向に沿って基準住所を設定する。このようなメモリ統合部５４０又はメモリ統合部’６４０は、‘レイヤーＡ'と‘レイヤーＢ'のメモリ住所の方向を互いに異なるように順方向／逆方向に適用可能であり、‘レイヤーＣ'の方向も設定可能であり、選択された方向に沿って基準住所が変わる。すなわち、特定レイヤー（レイヤーＡ、レイヤーＢ、レイヤーＣのうちいずれか一つ）のタイムインターリーバー長さ（ＴＩ＿Ｌｅｎｇｔｈ）が変わったとしても、反対方向のレイヤーにおけるデータ遺失はなくなる。
【０１０７】
以上の説明は、本実施例の技術思想を例示的に説明したものに過ぎなく、本実施例の属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性から逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能であろう。したがって、本実施例は、本実施例の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのもので、このような実施例によって本実施例の技術思想の範囲が限定されることはない。本実施例の保護範囲は、下記の特許請求の範囲によって解釈すべきであり、それと同等な範囲内の全ての技術思想は、本実施例の権利範囲に含まれるものと解釈すべきであろう。
【符号の説明】
【０１０８】
１１０：符号化部、１２０：インターリーバー部、１３０：変調部、１４０：パイロット挿入部、１５０：ＩＦＦＴ部、１６０：デジタルアナログコンバーター、１７０：ＲＦ送信部、２１０：ＲＦ受信部、２２０：アナログデジタルコンバーター、２３０：同期化部、２４０：ＦＦＴ部、２５０：復調部、２６０：デインターリーバー部、２７０：復号化部、３１０：レイヤー住所生成部、３１０：使用メモリデプス算出部、３２０：住所偏差算出部、３３０：住所生成部、３４０：タイムインターリーバーメモリ、４００：レイヤー住所生成部’、４１０：使用メモリデプス算出部’、４２０：住所偏差算出部’、４３０：住所生成部’、４４０：タイムデインターリーバーメモリ’、５１０：Ａレイヤー住所生成部、５２０：Ｂレイヤー住所生成部、５３０：Ｃレイヤー住所生成部、５４０：メモリ統合部、５５０：全体のレイヤータイムインターリーバーメモリ、６１０：Ａレイヤー住所生成部’、６２０：Ｂレイヤー住所生成部’、６３０：Ｃレイヤー住所生成部’、６４０：メモリ統合部’、６５０：全体のレイヤータイムデインターリーバーメモリ。
【図１】
2015005968.tif 000008
【図２】
2015005968.tif 000009
【図３】
2015005968.tif 000010
【図４】
2015005968.tif 000011
【図５】
2015005968.tif 000012
【図６】
2015005968.tif 000013
【図７ａ】
2015005968.tif 000014
【図７ｂ】
2015005968.tif 000015
【図７ｃ】
2015005968.tif 000016
【図８ａ】
2015005968.tif 000017
【図８ｂ】
2015005968.tif 000018
【図８ｃ】
2015005968.tif 000019
【図８ｄ】
2015005968.tif 000020
【図１０】
2015005968.tif 000021
【図１１】
2015005968.tif 000022
【図９ａ】
2015005968.tif 000023
【図９ｂ】
2015005968.tif 000024