(57)【要約】【課題】高精度な光量測定が実施可能な光学素子、光学デバイス、及び電子機器を提供する。【解決手段】光学素子５は、導電性の固定反射膜５４と、固定反射膜５４に対向する可動反射膜５５と、固定反射膜５４の可動反射膜５５とは反対側に設けられた透光性の第二絶縁膜５７３と、第二絶縁膜５７３の固定反射膜５４とは反対側で、かつ、固定反射膜５４及び可動反射膜５５の膜厚方向から見た素子平面視において、固定反射膜５４、可動反射膜５５、及び第二絶縁膜５７３が重なり合う受光領域内に設けられ、固定反射膜５４から出射された光を受光する受光部５８と、を備えている。【選択図】図３
2015087445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の第一反射膜と、
前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、
前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記第一反射膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部と、
を備えていることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
請求項１に記載の光学素子において、
前記受光部、及び前記第一反射膜が設けられた第一面を有する第一基板と、
前記第一基板の前記第一面に対向し、前記第二反射膜が設けられた第二基板と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜の少なくとも一部に対向した電極と、
を備えていることを特徴とする光学素子。
【請求項３】
第一反射膜と、
前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、
前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の導電膜と、
前記導電膜の前記第一反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記導電膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記導電膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部と、
を備えていることを特徴とする光学素子。
【請求項４】
請求項３に記載の光学素子において、
前記第一反射膜及び前記導電膜の間に、第２の絶縁膜が設けられている
ことを特徴とする光学素子。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光学素子において、
前記受光部の前記絶縁膜とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第３の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜の前記受光部とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第２の導電膜が設けられている
ことを特徴とする光学素子。
【請求項６】
請求項５に記載の光学素子において、
前記第２の導電膜は、反射率が所定値より小さい低反射金属により構成されている
ことを特徴とする光学素子。
【請求項７】
請求項１又は請求項２に記載の光学素子において、
前記受光部の前記絶縁膜とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第３の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜の前記受光部とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第２の導電膜が設けられ、
前記第一反射膜及び前記第２の導電膜は、電気的に接続されている
ことを特徴とする光学素子。
【請求項８】
請求項４又は請求項５に記載の光学素子において、
前記受光部の前記絶縁膜とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第３の絶縁膜が設けられ、
前記第３の絶縁膜の前記受光部とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第２の導電膜が設けられ、
前記導電膜及び前記第２の導電膜は、電気的に接続されている
ことを特徴とする光学素子。
【請求項９】
導電性の第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記第一反射膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部を備えた光学素子と、
前記光学素子を収納する筐体と、
を具備したことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１０】
第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の導電膜、前記導電膜の前記第一反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記導電膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記導電膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部を備えた光学素子と、
前記光学素子を収納する筐体と、
を具備したことを特徴とする光学デバイス。
【請求項１１】
導電性の第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記第一反射膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部を備えた光学素子と、
前記光学素子を制御する制御部と、
を具備したことを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の導電膜、前記導電膜の前記第一反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記導電膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記導電膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部を備えた光学素子と、
前記光学素子を制御する制御部と、
を具備したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子、光学デバイス、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、干渉フィルターと受光素子とを一体化した光学素子の構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載のファブリーペローエタロン（干渉フィルター）は、互いに対向する一対の鏡層を備え、一方の鏡層における他方の鏡層とは反対側に隣接して、干渉フィルターを透過した光を受光する受光部が設けられている。また、各鏡層には、層内に電極が介在し、これらの電極により静電アクチュエーターが構成される。そして、静電アクチュエーターに電圧を印加することで、一対の鏡層間のギャップ寸法を変更する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０８６５０２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特許文献１に記載の装置では、鏡層の直下に受光部が設けられている。ここで、ファブリーペローエタロンにおいて、鏡層間のギャップ寸法を変化させるためには、静電アクチュエーターに高電圧を印加する必要がある。
しかしながら、特許文献１に記載の装置では、鏡層の直下に受光部が設けられているため、上記のように静電アクチュエーターに高電圧を印加すると、受光部にも影響を及ぼし、受光部からの出力信号においてノイズ成分が増大し、光量測定精度が低下してしまうという課題がある。
【０００５】
本発明は、高精度な光量測定が実施可能な光学素子、光学デバイス、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光学素子は、導電性の第一反射膜と、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第一反射膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部と、を備えていることを特徴とする。
【０００７】
本発明では、第一反射膜が導電性であり、第一反射膜と受光部との間に絶縁膜が設けられている。
このような構成では、導電性の第一反射膜により、外部からの電気ノイズ（例えば第一反射膜及び第二反射膜間のギャップ寸法を変更するためのアクチュエーター等に印加した駆動電圧により発生する電圧ノイズ等）が受光部に入力される不都合を抑制できる。つまり、第一反射膜をシールド電極として機能させることができ、外部からの電気ノイズの受光部への入力を抑制できる。また、第一反射膜と受光部とが導通していると、第一反射膜に入力された電気ノイズ等の電気信号がそのまま受光部に入力されてしまうが、本発明では、第一反射膜と受光部との間に絶縁膜が設けられているので、第一反射膜に入力された電気信号の受光部への入力を抑制できる。
また、光学素子内に第一反射膜及び第二反射膜により構成されるファブリーペローエタロンと、受光部とが設けられる構成となるので、第一反射膜から受光部までの距離が短く、例えば第一反射膜を回り込んだ迷光等が受光部に入射される不都合を抑制できる。
したがって、受光部から出力される検出信号へのノイズ成分（電気ノイズや、迷光によるノイズ）の混入を抑制でき、受光部により高精度な光量測定を行うことができる。
【０００８】
本発明の光学素子において、前記受光部、及び前記第一反射膜が設けられた第一面を有する第一基板と、前記第一基板の前記第一面に対向し、前記第二反射膜が設けられた第二基板と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜の少なくとも一部に対向した電極と、を備えていることが好ましい。
【０００９】
本発明では、第二基板に、第一反射膜の一部に対向する電極が設けられているので、この電極と第一反射膜とを静電アクチュエーターとして機能させ、第一反射膜及び第二反射膜間のギャップ寸法を変化させることができる。
また、この場合、第一反射膜を接地し（グラウンド電位とし）、第二基板に設けられた電極に所望の電位を与えることが好ましい。これにより、第二基板の電極に電気信号を与えた際に当該電極から電気ノイズが発生した場合でも、第一反射膜によりシールドされることで、受光部に当該電気ノイズが入力されることがなく、かつ第一反射膜から電気ノイズを外部に逃がすことができる。したがって、受光部に電気ノイズが入力される不都合をより確実に抑制できる。
【００１０】
本発明の光学素子は、第一反射膜と、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の導電膜と、前記導電膜の前記第一反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜と、前記絶縁膜の前記導電膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記導電膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部と、を備えていることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、第一反射膜と受光部との間に導電膜及び絶縁膜が設けられており、導電膜と受光部とが絶縁膜により絶縁されている。
このような構成では、導電膜により、外部からの電気ノイズ（例えば第一反射膜及び第二反射膜間のギャップ寸法を変更するためのアクチュエーター等に印加した駆動電圧により発生する電圧ノイズ等）が受光部に入力される不都合を抑制できる。つまり、外部からの電気ノイズが導電膜に入力されても、導電膜をシールド電極として機能させることができ、受光部へのノイズの入力を抑制できる。また、導電膜と受光部とが導通していると、導電膜に入力された電気ノイズ等の電子信号がそのまま受光部に入力されてしまうが、本発明では、導電膜と受光部との間に絶縁膜が設けられているので、導電膜に入力された電気信号の受光部への入力を抑制できる。
また、光学素子内に第一反射膜及び第二反射膜により構成される干渉フィルターと、受光部とが設けられる構成となるので、第一反射膜から受光部までの距離が短く、例えば第一反射膜を回り込んだ迷光等が受光部に入射される不都合を抑制できる。
したがって、受光部から出力される検出信号へのノイズ成分（電気ノイズや、迷光によるノイズ）の混入を抑制でき、受光部により高精度な光量測定を行うことができる。
【００１２】
本発明の光学素子において、前記第一反射膜及び前記導電膜の間に、第２の絶縁膜が設けられていることが好ましい。
本発明では、第２の絶縁膜により、第一反射膜と導電膜とが絶縁される。この場合、例えば第一反射膜として導電性の膜材を用いて電極として機能させた場合でも、第一反射膜に入力された電気信号が導電膜に伝達されず、導電膜から受光部に電気ノイズが入力されない。また、第一反射膜に電気信号を入力した際に、電気ノイズが発生した場合でも、導電膜及び絶縁膜により受光部に当該電気ノイズが入力されず、受光部からの検出信号にノイズ成分が混入する不都合を抑制できる。
【００１３】
本発明の光学素子において、前記受光部の前記絶縁膜とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第３の絶縁膜が設けられ、前記第３の絶縁膜の前記受光部とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第２の導電膜が設けられていることが好ましい。
【００１４】
本発明では、受光部の第一反射膜とは反対側に、第３の絶縁膜を介して第２の導電膜が設けられている。このため、第一反射膜とは反対側から電気ノイズが入力された場合でも、第２の導電膜をシールド電極として機能させ、当該電気ノイズが受光部に入力される不都合を抑制できる。したがって、受光部からの検出信号にノイズ成分が混入する不都合をより確実に抑制できる。
【００１５】
本発明の光学素子において、前記第２の導電膜は、反射率が所定値より小さい低反射金属により構成されていることが好ましい。
本発明では、第２の導電膜が、低反射金属（例えば、酸化クロム等）により構成されている。所定値としては、測定の精度等により適宜設定可能であるが、例えば測定対象となる全波長に対して１％以下の反射率等とすることができる。
このような構成では、光学素子内に入射した光で、第二反射膜及び第一反射膜の間に入射しなかった迷光成分等が、第２の導電膜により反射されて受光部の裏（第一反射膜とは反対側）に入射してしまう不都合を抑制することができる。
【００１６】
本発明の光学素子において、前記受光部の前記絶縁膜とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第３の絶縁膜が設けられ、前記第３の絶縁膜の前記受光部とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第２の導電膜が設けられ、前記第一反射膜及び前記第２の導電膜は、電気的に接続されていることが好ましい。
本発明では、第一反射膜及び第２の導電膜が電気的に接続されている。この場合、導電膜及び第２の導電膜を接地することで、各導電膜に入力された電気ノイズを逃がすことができる。
【００１７】
本発明の光学素子において、前記受光部の前記絶縁膜とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第３の絶縁膜が設けられ、前記第３の絶縁膜の前記受光部とは反対側で、かつ、前記平面視において少なくとも前記受光部と重なる領域に、第２の導電膜が設けられ、前記導電膜及び前記第２の導電膜は、電気的に接続されていることが好ましい。
本発明では、導電膜及び第２の導電膜が電気的に接続されている。この場合、導電膜及び第２の導電膜を接地することで、これらの膜に電気ノイズが入力された場合に、容易に逃がすことができる。
【００１８】
本発明の光学デバイスは、導電性の第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記第一反射膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部を備えた光学素子と、前記光学素子を収納する筐体と、を具備したことを特徴とすることを特徴とする。
【００１９】
本発明では、上述したように、光学素子において受光部から出力される検出信号へのノイズ混入を抑制でき、精度の高い光量測定を実施することができる。
これに加え、当該光学素子が筐体内に収納されることで、例えば第一反射膜及び第二反射膜への異物の付着等を抑制でき、衝撃等から干渉フィルターを保護することもできる。
【００２０】
本発明の光学デバイスは、第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の導電膜、前記導電膜の前記第一反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記導電膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記導電膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部を備えた光学素子と、前記光学素子を収納する筐体と、を具備したことを特徴とする。
本発明では、上述したように、光学素子において受光部から出力される検出信号へのノイズ混入を抑制でき、精度の高い光量測定を実施することができる。
これに加え、当該光学素子が筐体内に収納されることで、例えば第一反射膜及び第二反射膜への異物の付着等を抑制でき、衝撃等から干渉フィルターを保護することもできる。
【００２１】
本発明の電子機器は、導電性の第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記第一反射膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部を備えた光学素子と、前記光学素子を制御する制御部と、を具備したことを特徴とする。
本発明では、上述したように、光学素子において受光部から出力される検出信号へのノイズ混入を抑制でき、精度の高い光量測定を実施することができる。このため、電子機器は、精度の高い測定結果に基づいて、精度の高い各種処理（例えば、測定結果に基づいた分光スペクトル測定処理や、成分分析処理等）を実施することができる。
【００２２】
本発明の電子機器は、第一反射膜、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一反射膜の前記第二反射膜とは反対側に設けられた透光性の導電膜、前記導電膜の前記第一反射膜とは反対側に設けられた透光性の絶縁膜、及び、前記絶縁膜の前記導電膜とは反対側で、かつ、前記第一反射膜及び前記第二反射膜の膜厚方向から見た平面視において、前記第一反射膜、前記第二反射膜、前記導電膜、及び前記絶縁膜が重なり合う領域内に設けられ、前記第一反射膜から出射された光を受光する受光部を備えた光学素子と、前記光学素子を制御する制御部と、を具備したことを特徴とする。
本発明では、上述したように、光学素子において受光部から出力される検出信号へのノイズ混入を抑制でき、精度の高い光量測定を実施することができる。このため、電子機器は、精度の高い測定結果に基づいて、精度の高い各種処理（例えば、測定結果に基づいた分光スペクトル測定処理や、成分分析処理等）を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第一実施形態に係る分光測定装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】本実施形態の光学素子の概略構成を示す平面図。
【図３】本実施形態の光学素子の概略構成を示す断面図。
【図４】本実施形態の光学素子の固定基板を可動基板側から見た平面図。
【図５】本実施形態の光学素子の可動基板を固定基板側から見た平面図。
【図６】本実施形態の光学素子の固定基板形成工程の各工程を示す図。
【図７】本実施形態の光学素子の固定基板形成工程の各工程を示す図。
【図８】本実施形態の光学素子の可動基板形成工程の各工程を示す図。
【図９】第二実施形態における光学素子の概略構成を示す断面図。
【図１０】第三実施形態における光学デバイスの概略構成を示す断面図。
【図１１】本発明の電子機器の他の一例である測色装置の概略構成を示すブロック図。
【図１２】本発明の電子機器の他の一例であるガス検出装置の概略図。
【図１３】図１２のガス検出装置の制御系を示すブロック図。
【図１４】本発明の電子機器の他の一例である食物分析装置の概略構成を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［第一実施形態］
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明の電子機器の一例であり、測定対象Ｘで反射した測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
そして、この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、光学モジュール１０から出力された信号を処理する制御部２０と、を備えている。
【００２５】
［光学モジュールの構成］
光学モジュール１０は、光学素子５と、受光処理回路１１と、素子駆動回路１２とを備える。
この光学モジュール１０は、測定対象Ｘで反射された測定対象光を、入射光学系（図示略）を通して、光学素子５に導く。光学素子５は、入射された光から所定の波長の光を選択してその光量を検出し、検出した光量に応じた検出信号を出力する。この検出信号は、受光処理回路１１を介して制御部２０に出力される。
【００２６】
［光学素子の構成］
本実施形態の光学素子５について、以下説明する。図２は、光学素子５の概略構成を示す平面図である。図３は、図２の波長可変干渉フィルターをＡ−Ａ´線で切断した際の断面図である。
光学素子５は、図２及び図３に示すように、例えば矩形板状の光学部材であり、固定基板５１（第一基板）および可動基板５２（第二基板）を備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ各種ガラスや水晶等の絶縁性素材により形成され、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜５３（図３参照）により接合されることで、一体的に構成されている。
【００２７】
固定基板５１の可動基板５２に対向する面（第一面）には、受光部５８が設けられ、この受光部５８を覆うように、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜５４が設けられている。また、可動基板５２には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜５５が設けられ、これらの反射膜５４，５５は、ギャップＧ１（図３参照）を介して対向配置されている。また、光学素子５には、静電アクチュエーター５６が設けられ、この静電アクチュエーター５６により、ギャップＧ１の寸法を変更することが可能となる。
すなわち、光学素子５は、固定反射膜５４及び可動反射膜５５により構成されるファブリーペローエタロンを備え、当該ファブリーペローエタロンを透過した所定波長の光を受光部５８で受光し、受光部５８から受光量に応じた検出信号を出力する。
【００２８】
なお、以降の説明に当たり、固定基板５１または可動基板５２の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板５１、接合膜５３、及び可動基板５２の積層方向から光学素子５を見た平面視を素子平面視と称する。また、本実施形態では、素子平面視において、固定反射膜５４の中心点及び可動反射膜５５の中心点は、一致し、平面視におけるこれらの反射膜の中心点を素子中心点Ｏと称する。
以下、本実施形態の光学素子５の各部の構成をより具体的に説明する。
【００２９】
（固定基板の構成）
図４は、光学素子の固定基板５１を可動基板５２側から見た平面図である。
固定基板５１は、図３及び図４に示すように、例えばエッチング等により形成された第一溝５１１、および第一溝５１１の中央部において可動基板５２側に突出した中央突出部５１２を備える。
第一溝５１１は、素子平面視で、固定基板５１の素子中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。中央突出部５１２は、素子平面視において、素子中心点Ｏを中心とした円柱状に形成され、突出先端面に受光部５８や固定反射膜５４等が設けられる。
また、固定基板５１には、第一溝５１１に連続する第二溝５１１Ａが設けられている。第二溝５１１Ａは、溝底面が第一溝５１１の溝底面と同一平面となり、固定基板５１の各頂点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に向かって延出する。また、固定基板５１の頂点Ｃ２、Ｃ４には切欠部５１４が設けられ、光学素子５を固定基板５１側から見た平面視において、後述する可動接続電極５６２Ａや、可動ミラー接続電極５５１の一部が露出する。
【００３０】
固定基板５１の可動基板に対向する面には、第一ノイズシールド電極５７１（本発明の第２の導電膜）、が設けられている。この第一ノイズシールド電極５７１は、例えば酸化クロム等の低反射（遮光性）金属により構成されている。
また、第一ノイズシールド電極５７１は、少なくとも中央突出部５１２の突出先端面を覆っていることが好ましい。本実施形態では、第一ノイズシールド電極５７１は、中央突出部５１２の突出先端面及び側面、第一溝５１１の溝底面、及び頂点Ｃ１，Ｃ３に向かって延出する２つの第二溝５１１Ａに亘って設けられている。なお、頂点Ｃ２，Ｃ４に向かって延出する第二溝５１１Ａ上にも第一ノイズシールド電極５７１が設けられる構成などとしてもよい。
【００３１】
第一ノイズシールド電極５７１上には、第一絶縁膜５７２（本発明の第３の絶縁膜）が設けられている。具体的には、この第一絶縁膜５７２は、第一ノイズシールド電極５７１のうち、中央突出部５１２の突出先端面及び側面、第一溝５１１、及び頂点Ｃ３に向かって延出する第二溝５１１Ａと重なる領域上に設けられている。つまり、頂点Ｃ１に向かって延出する第二溝５１１Ａに設けられた第一ノイズシールド電極５７１上には、第一絶縁膜５７２が設けられていない。このような第一絶縁膜５７２は、例えば、ＳｉＯ２やＴｉＯ２等により構成されている。なお、透光性の絶縁膜に限らず、遮光性の絶縁膜等を用いてもよい。
【００３２】
第一絶縁膜５７２上には、受光部５８を構成する第一受光接続電極５８１が設けられている。この第一受光接続電極５８１は、中央突出部５１２の突出先端面における中央領域であり、素子平面視において後述する受光素子５８２と重なる受光領域Ａｒ１（本実施形態では、図２、図４における円形領域）に設けられ、その一部から頂点Ｃ１に向かって延出している。つまり、第一受光接続電極５８１は、中央突出部５１２、第一溝５１１と重なる領域において、第一絶縁膜５７２上に設けられ、頂点Ｃ１に対応する第二溝５１１Ａと重なる領域において、第一ノイズシールド電極５７１上に設けられている。したがって、第一ノイズシールド電極５７１及び第一受光接続電極５８１は、頂点Ｃ１に対応した第二溝５１１Ａ上で導通している。
この第一受光接続電極５８１としては、導電性を有する素材であれば、特に問題なく、例えば酸化インジウムスズ（Ｓｎドープ酸化インジウム：ＩＴＯ）等を用いることができる。
【００３３】
そして、第一受光接続電極５８１上で、中央突出部５１２の突出先端面の中央部と重なる受光領域Ａｒ１には、上記のように、受光部５８を構成する受光素子５８２が設けられる。この受光素子５８２は、光を受光することで、電気信号を出力する光電変換素子であり、例えば、α−Ｓｉ等を用いることができる。
【００３４】
受光素子５８２上には、受光部５８を構成する第二受光接続電極５８３が設けられている。この第二受光接続電極５８３は、受光領域Ａｒ１と重なる円形領域に設けられ、その一部から頂点Ｃ３に向かって延出している。つまり、第二受光接続電極５８３は、中央突出部５１２において受光素子５８２上又は第一絶縁膜５７２上に設けられ、第一溝５１１及び頂点Ｃ３に対応した第二溝５１１Ａと重なる領域において第一絶縁膜５７２上に設けられる。この第二受光接続電極５８３は、頂点Ｃ３において、受光処理回路１１に接続される。
【００３５】
中央突出部５１２の突出先端面において、第一受光接続電極５８１、受光素子５８２、及び第二受光接続電極５８３により構成される受光部５８の上には、第二絶縁膜５７３（本発明における絶縁膜）が設けられる。この第二絶縁膜５７３は、中央突出部５１２から第一溝５１１に亘って設けられ、第一受光接続電極５８１や、第二受光接続電極５８３を覆う。一方、第二絶縁膜５７３は、第二溝５１１Ａ上には設けられない。
この第二絶縁膜５７３は、例えばＳｉＯ２やＴｉＯ２等、透光性を有する絶縁部材により構成される。
【００３６】
そして、第二絶縁膜５７３上には、固定反射膜５４が設けられる。本実施形態では、固定反射膜５４は、導電性の膜材により構成されており、例えば、Ａｇ合金等の合金膜、Ａｇ膜等の金属膜により構成される。
この固定反射膜５４は、中央突出部５１２から第一溝５１１に亘って設けられ、さらに、頂点Ｃ１に対応した第二溝５１１Ａに延出して設けられている。すなわち、固定反射膜５４は、第二絶縁膜５７３を介して受光部５８を覆って設けられている。また、固定反射膜５４のうち、頂点Ｃ１に対応した第二溝５１１Ａ上に対応する部分（固定ミラー接続電極５４１）は、第一受光接続電極５８１上に設けられている。また、固定反射膜５４は、第一溝５１１と重なる領域で、少なくとも、後述する可動基板５２の可動部５２１に対向する領域を覆っている。
本実施形態では、第一ノイズシールド電極５７１、第一受光接続電極５８１、及び固定反射膜５４の固定ミラー接続電極５４１は、頂点Ｃ１に対応した第二溝５１１Ａ上で積層され、互いに導通している。そして、固定ミラー接続電極５４１は、頂点Ｃ１において、素子駆動回路１２の接地回路１２３に接続される。これにより、本実施形態では、第一ノイズシールド電極５７１、第一受光接続電極５８１、及び固定反射膜５４は、接地され、基準電位（グラウンド電位）に設定される。
【００３７】
（可動基板の構成）
図５は、可動基板５２を固定基板５１側から見た平面視である。
可動基板５２は、図２、図３、及び図５に示すように、素子平面視において素子中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた第二接合部５２３とを備えている。また、可動基板５２の頂点Ｃ１，Ｃ３には、切欠部５２４が設けられており、光学素子５を可動基板５２側から見た際に、固定反射膜５４の一部、第二受光接続電極５８３の一部が露出する。
【００３８】
可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２（第二接合部５２３）の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、素子平面視において、少なくとも中央突出部１２突出先端面の外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１の固定基板５１に対向する可動面５２１Ａには、可動反射膜５５及び可動電極５６２が設けられている。可動反射膜５５は、可動面５２１Ａに直接設けてもよいし、可動面５２１Ａの上に他の薄膜（層）を設け、その上に設置してもよい。
【００３９】
可動電極５６２は、図３、図５に示すように、第一溝５１１上の固定反射膜５４に対向する位置に、素子中心点Ｏを中心とした円弧状（略Ｃ字状）に形成されている。可動電極５６２としては、導電性を有する素材であれば、いかなる素材を用いてもよく、例えば、Ｃｒ／Ａｕ積層体や、ＩＴＯ等を用いることができる。
可動基板５２には、この可動電極５６２の外周縁の一部から、可動基板５２の頂点Ｃ２に向かって延出する可動接続電極５６２Ａが設けられている。可動接続電極５６２Ａは、素子駆動回路１２の電圧制御部１２１に接続される。
【００４０】
可動反射膜５５は、可動面５２１Ａにおいて、少なくとも素子平面視において受光領域Ａｒ１に対向する領域を覆って設けられている。この可動反射膜５５は、固定反射膜５４と同じ膜材により構成されている。
また、可動基板５２には、可動反射膜５５の外周部の一部から可動基板５２の頂点Ｃ４に向かって延出する可動ミラー接続電極５５１が設けられている。この可動ミラー接続電極５５１は、素子駆動回路１２の容量検出部１２２に接続される。
【００４１】
なお、本実施形態では、図３に示すように、静電アクチュエーター５６を構成する固定反射膜５４及び可動電極５６２間のギャップＧ２は、反射膜５４，５５間のギャップＧ１よりも大きいが、これに限定されない。例えば、測定対象光として赤外線や遠赤外線を用いる場合等、測定対象光の波長域によっては、ギャップＧ１がギャップＧ２よりも大きくなる構成としてもよい。
【００４２】
保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、可動部５２１が静電引力により固定基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化をある程度抑制できる。
なお、本実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、可動部５２１の素子中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
【００４３】
［受光処理回路の構成］
次に、図１に戻り、受光処理回路１１について説明する。
受光処理回路１１は、第二受光接続電極５８３が接続され、ＡＤコンバーターや、アンプ等により構成されている。この受光処理回路１１は、受光素子５８２から出力された検出信号（アナログ信号）を、所定のゲインで増幅し、デジタル信号に変換して、制御部２０に出力する。
【００４４】
［素子駆動回路の構成］
素子駆動回路１２は、図１に示すように、電圧制御部１２１と、容量検出部１２２と、接地回路１２３と、を備えている。
電圧制御部１２１は、可動接続電極５６２Ａに接続され、制御部２０の制御の下、静電アクチュエーター５６に駆動電圧を印加する。
容量検出部１２２は、可動ミラー接続電極５５１に接続され、反射膜５４，５５間の静電容量を検出、つまり、ギャップＧ１の寸法を検出する。
接地回路１２３は、固定反射膜５４の固定ミラー接続電極５４１、第一ノイズシールド電極５７１、及び第一受光接続電極５８１に接続され、これらの電極５４１，５７１，５８１を接地する。
【００４５】
［制御部の構成］
次に、分光測定装置１の制御部２０について説明する。
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、波長設定部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備えている。また、制御部２０のメモリーには、光学素子５を透過させる光の波長と、当該波長に対応して静電アクチュエーター５６に印加する駆動電圧との関係を示すＶ−λデータが記憶されている。
【００４６】
波長設定部２１は、光学素子５により取り出す光の目的波長を設定し、Ｖ−λデータに基づいて、設定した目的波長に対応する駆動電圧を静電アクチュエーター５６に印加させる旨の指令信号を素子駆動回路１２に出力する。
光量取得部２２は、受光処理回路１１から入力された検出信号に基づいて、光学素子５で受光された目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。
【００４７】
［光学素子の製造方法］
次に、上述したような光学素子５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
光学素子５を製造するためには、固定基板５１及び可動基板５２をそれぞれ製造し、製造された固定基板５１と可動基板５２とを貼り合わせる。
【００４８】
（固定基板製造工程）
図６及び図７は、固定基板形成工程の各工程を示す図である。
固定基板形成工程では、まず、固定基板５１の製造素材である石英ガラス基板を用意し、この石英ガラス基板を、図６（Ａ）に示すように、例えば表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
そして、固定基板５１の可動基板５２に対向する面に第一溝５１１及び第二溝５１１Ａ形成用のレジストを塗布して、塗布されたレジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して、第一溝５１１、第二溝５１１Ａ、及び中央突出部５１２が形成される箇所をパターニングする。次に、第一溝５１１、第二溝５１１Ａ、及び中央突出部５１２を所望の深さ（中央突出部５１２の突出先端面の高さ）にエッチングする。なお、ここでのエッチングとしては、ＨＦ等のエッチング液を用いたウェットエッチングが用いられる。
そして、中央突出部５１２形成位置にフォトリソグラフィ法を用いてレジストを形成し、第一溝５１１及び第二溝５１１Ａを所望の深さまでエッチングする。この後、レジストを除去する。これにより、図６（Ｂ）に示すように、固定基板５１の基板形状が決定される。
【００４９】
次に、固定基板５１の第一溝５１１、第二溝５１１Ａ、及び中央突出部５１２が形成された面に、第一ノイズシールド電極５７１を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラフィ法により形成する。つまり、第一溝５１１、中央突出部５１２、頂点Ｃ１，Ｃ３に対応した第二溝５１１Ａと重なる領域が開口し、その他の領域を覆うレジストを形成する。そして、スパッタリング等のＰＶＤ法を用いて、例えばＴｉＷ／Ａｕ積層体の第一ノイズシールド電極５７１を形成し、レジストを除去する。これにより、図６（Ｃ）に示すように、第一ノイズシールド電極５７１が形成される。
【００５０】
この後、第一絶縁膜５７２を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラフィ法により形成する。つまり、第一溝５１１、中央突出部５１２、頂点Ｃ３に対応した第二溝５１１Ａと重なる領域が開口し、その他の領域を覆うレジストを形成する。この後、例えばＳｉＯ２等の絶縁部材をスパッタリング等のＰＶＤ法を用いて形成し、レジストを除去する。これにより、図６（Ｄ）に示すように、第一絶縁膜５７２が形成される。
【００５１】
次に、第一受光接続電極５８１を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラフィ法により形成する。つまり、受光領域Ａｒ１、頂点Ｃ１に対応した第二溝５１１Ａ、及び、素子平面視における受光領域Ａｒ１から頂点Ｃ１までの直線領域（第一溝５１１上及び中央突出部５１２上）が開口し、その他の領域を覆うレジストを形成する。この後、例えばＩＴＯ等の導電膜をスパッタリング等のＰＶＤ法を用いて形成し、レジストを除去する。これにより、図７（Ａ）に示すように、第一受光接続電極５８１が形成される。
【００５２】
そして、受光素子５８２を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラフィ法により形成する。つまり、受光領域Ａｒ１が開口し、その他の領域を覆うレジストを形成する。この後、例えばα―Ｓｉ等の光電交換素子をスパッタリング等のＰＶＤ法を用いて形成し、レジストを除去する。これにより、図７（Ｂ）に示すように、受光素子５８２が形成される。
【００５３】
その後、第二受光接続電極５８３を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラフィ法により形成する。つまり、受光領域Ａｒ１、頂点Ｃ３に対応した第二溝５１１Ａ、及び、素子平面視における受光領域Ａｒ１から頂点Ｃ３までの直線領域（第一溝５１１上及び中央突出部５１２上）が開口し、その他の領域を覆うレジストを形成する。この後、例えばＩＴＯ等の透光性の導電膜をスパッタリング等のＰＶＤ法を用いて形成し、レジストを除去する。これにより、図７（Ｃ）に示すように、第二受光接続電極５８３が形成される。
【００５４】
そして、第二絶縁膜５７３を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラフィ法により形成する。つまり、中央突出部５１２、及び第一溝５１１に重なる領域が開口し、その他の領域を覆うレジストを形成する。この後、例えばＳｉＯ２等の透光性の絶縁部材をスパッタリング等のＰＶＤ法を用いて形成し、レジストを除去する。これにより、図７（Ｄ）に示すように、第二絶縁膜５７３が形成される。
【００５５】
最後に、固定反射膜５４を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラフィ法により形成する。つまり、中央突出部５１２、第一溝５１１、及び頂点Ｃ１に対応した第二溝５１１Ａが開口し、その他の領域を覆うレジストを形成する。この後、例えばＡｇ合金等の反射膜をスパッタリング等のＰＶＤ法を用いて形成し、レジストを除去する。これにより、図７（Ｅ）に示すように、固定反射膜５４が形成される。
以上により、固定基板５１が形成される。
【００５６】
（可動基板製造工程）
図８は、可動基板製造工程の各工程を示す図である。
まず、可動基板５２の形成素材である石英ガラス基板を用意し、図８（Ａ）に示すように、このガラス基板の表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
そして、可動基板５２の全面にレジストを塗布し、塗布されたレジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して、保持部５２２に対応した領域が開口したレジストパターンを形成する。そして、石英ガラス基板をウェットエッチングすることで、図８（Ｂ）に示すように、可動部５２１及び保持部５２２が形成される。
【００５７】
この後、レジストを除去し、可動電極５６２を形成するためのレジストパターンをフォトリソグラフィ法により形成する。そして、例えば、ＴｉＷ／Ａｕ積層体等とスパッタリング等のＰＶＤ法により形成し、レジストを除去する。これにより、図８（Ｃ）に示すように、可動電極５６２が形成される。
【００５８】
次に、可動反射膜５５を形成するためのレジストパターンを、フォトリソグラフィ法により形成する。そして、Ａｇ合金等の反射膜をスパッタリング等のＰＶＤ法を用いて形成し、レジストを除去する。これにより、図８（Ｄ）に示すように、可動反射膜５５が形成される。
以上により、可動基板５２が形成される。
【００５９】
（接合工程）
次に、前述の固定基板製造工程及び可動基板製造工程で形成された各基板５１，５２を接合する。具体的には、各基板５１，５２の接合面に接合膜５３を形成する。なお、接合膜５３は、例えば、フォトリソグラフィ法により接合面が開口し、その他の領域を覆うレジストを形成し、プラズマ重合膜をスパッタリング等のＰＶＤ法を用いて形成する。
この後、接合膜５３を構成するプラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理は、Ｏ２流量３０ｃｃ／分、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理を行う。プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、固定基板５１の接合面と、可動基板５２の接合面とが、フィルター平面視において重なるように、２つの基板５１，５２のアライメントを行う。そして、各接合面の接合膜５３を介して各基板５１，５２を重ね合わせて、接合部分に荷重をかけることにより、基板５１，５２同士を接合させる。
【００６０】
［第一実施形態の作用効果］
本実施形態の光学素子５は、固定基板５１の可動基板５２に対向する面に、受光部５８が設けられ、その受光部５８と重なる受光領域Ａｒ１に、第二絶縁膜５７３を介して導電性の固定反射膜５４が設けられている。また、可動基板５２は、受光領域Ａｒ１と重なる領域に可動反射膜５５が設けられ、固定反射膜５４及び可動反射膜５５によりファブリーペローエタロンが構成されている。
このような構成では、固定反射膜５４が導電性を有し、かつ、固定反射膜５４と受光部５８との間に第二絶縁膜５７３が設けられているので、固定反射膜５４がノイズをシールドするシールド電極として機能し、受光部５８への電気ノイズの入力を抑制できる。
また、固定反射膜５４及び受光部５８の距離は、第二絶縁膜５７３の厚み寸法分となり、例えば、受光部５８を光学素子５の外部に設ける構成等に比べて、受光部５８への迷光の入射を抑制できる。
以上により、受光部５８から出力される検出信号に、電気ノイズや、迷光によるノイズ成分が混入してしまう不都合を抑制でき、反射膜５４，５５間のギャップＧ１の寸法に応じた所望波長の光に光量を高精度に検出することができる。
したがって、分光測定装置１における分光測定処理においても、高精度に取得された光量に基づいて、測定対象の正確な分光測定を実施することができる。
【００６１】
本実施形態では、固定反射膜５４に対向して可動電極５６２が設けられている。このため、固定反射膜５４と可動電極５６２とを静電アクチュエーター５６として機能させることができ、可動部５２１を、固定基板５１側に変位させ、ギャップＧ１を所望の寸法に設定することができる。この際、可動反射膜５５が可動ミラー接続電極５５１により容量検出部１２２に接続されているので、反射膜５４，５５間の容量を検出することで、精度の高いギャップ制御を行うことができる。
上記のように、固定反射膜５４を駆動用の電極として機能させる場合でも、当該固定反射膜５４が接地され、基準電位（グラウンド電位）に設定されているので、固定反射膜５４から受光部５８に電気ノイズが入力される不都合を抑制できる。
【００６２】
本実施形態では、受光部５８と固定基板５１との間に、第一ノイズシールド電極５７１が設けられ、この第一ノイズシールド電極５７１と受光部５８との間には、第一絶縁膜５７２が設けられている。したがって、第一ノイズシールド電極５７１により、固定反射膜５４とは反対側から入力された電気ノイズが受光部５８に入力される不都合も抑制できる。
【００６３】
また、第一ノイズシールド電極５７１が遮光性を有する低反射金属により構成されている。このため、光学素子５に入射された光のうち、反射膜５４，５５を回り込んだ光が、第一ノイズシールド電極５７１で反射されて受光部５８に入射される不都合を抑制できる。したがって、迷光によるノイズを低減できる。
【００６４】
本実施形態では、頂点Ｃ１に対応した第二溝５１１Ａにおいて、第一ノイズシールド電極５７１、第一受光接続電極５８１、及び固定反射膜５４の固定ミラー接続電極５４１が積層され、電気的に導通している。そして、固定反射膜５４は、接地回路１２３に接続され、これらの電極５７１，５８１，５４は、基準電位（グラウンド電位）に設定されている。
したがって、固定反射膜５４や第一ノイズシールド電極５７１に入力された電気ノイズを接地回路１２３に逃がすことができる。また、固定反射膜５４や第一受光接続電極５８１を基準電位として共通化することができるので、配線接続数の減少を図れ、構成の簡略化を図れる。
【００６５】
［第二実施形態］
次に、本実施形態における第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上述した第一実施形態では、固定反射膜５４及び可動反射膜５５として、導電性の反射膜（例えばＡｇ合金等）により構成され、固定反射膜５４をノイズシールド電極として機能させる例を示した。
これに対して、第二実施形態では、反射膜として導電性を有さない膜材（例えば誘電体多層膜等）を用い、別途ノイズシールド用の電極を設ける点で、上記第一実施形態と相違する。
【００６６】
図９は、本実施形態における光学素子の概略構成を示す断面図である。なお、上記第一実施形態と同様の構成については、その説明を省略、又は簡略化する。
本実施形態の光学素子５Ａでは、固定反射膜５４及び可動反射膜５５として誘電体多層膜を用いる。したがって、各反射膜５４，５５を電極として使用することができないため、別途ノイズシールド電極や、駆動電極を設ける。
【００６７】
［固定基板の構成］
本実施形態の固定基板５１では、第一溝５１１上に、静電アクチュエーター５６を構成する固定電極５６１が設けられている。この固定電極５６１は、可動基板５２に設けられる可動電極５６２に対向する位置に設けられている。なお、図示は省略するが、固定基板５１には、固定電極５６１に接続される固定接続電極が、例えば頂点Ｃ１に対応した第二溝５１１Ａに沿って設けられ、頂点Ｃ１において、素子駆動回路１２の電圧制御部１２１に接続される。
また、本実施形態では、第一ノイズシールド電極５７１は、中央突出部５１２における突出先端面に設けられる。従って、第一ノイズシールド電極５７１及び固定電極５６１は電気導通していない。なお、図示は省略するが、この第一ノイズシールド電極５７１は、例えば、頂点Ｃ３に対応した第二溝５１１Ａに沿って頂点Ｃ３まで延出し、頂点Ｃ３において、素子駆動回路１２の接地回路１２３に接続される。
【００６８】
そして、第一絶縁膜５７２は、第一ノイズシールド電極５７１上に設けられ、その上部に受光部５８が設けられ、この受光部５８を覆うように、第二絶縁膜５７３が設けられている。
そして、これらの第一絶縁膜５７２、受光部５８、及び第二絶縁膜５７３を覆って、本発明の導電膜である第二ノイズシールド電極５７４が設けられる。
この第二ノイズシールド電極５７４は、第一絶縁膜５７２及び第二絶縁膜５７３を覆い、端部が第一ノイズシールド電極５７１に接続される。従って、第二ノイズシールド電極５７４は、第一ノイズシールド電極５７１を介して接地回路１２３に接続されることになる。
また、第二ノイズシールド電極５７４としては、例えばＩＴＯ等の透光性を有する導電部材を用いることができる。
そして、第二ノイズシールド電極５７４上には、本発明の絶縁膜である第三絶縁膜５７５を介して、固定反射膜５４が設けられている。
【００６９】
なお、可動基板５２の構成については、可動反射膜５５を誘電体多層膜により構成している点、及び、可動反射膜５５に可動ミラー接続電極５５１が接続されていない点以外、同様の構成であり、ここでの説明は省略する。
また、固定反射膜５４上に、ＩＴＯ等の透明電極（固定ミラー電極）を設け、第一実施形態のように、容量検出電極等として機能させてもよい。この場合、可動反射膜５５上にも同様にＩＴＯ等の可動ミラー接続電極を設ける構成とする。このように、反射膜５４，５５上に電極を設けた場合でも、第三絶縁膜５７５が設けられることで、当該電極と第二ノイズシールド電極５７４とが電気導通されず、第二ノイズシールド電極５７４により、電気ノイズが受光部５８に入力される不都合を抑制できる。
【００７０】
［第二実施形態の作用効果］
本実施形態では、固定反射膜５４と、受光部５８との間に第二ノイズシールド電極５７４及び第二絶縁膜５７３が設けられている。従って、上記第一実施形態と同様、固定反射膜５４側から電気ノイズが入力された場合でも、第二ノイズシールド電極５７４により受光部５８への電気ノイズの入力を抑制できる。
また、固定反射膜５４から受光部５８までの距離が短いので、例えば固定反射膜５４を回り込んだ迷光等が受光部５８に入射される不都合を抑制でき、迷光によるノイズも低減できる。
【００７１】
本実施形態では、固定反射膜５４と第二ノイズシールド電極５７４との間に、第三絶縁膜５７５が設けられている。
このような構成では、例えば、固定反射膜５４を電極として用いるために、固定反射膜５４の最表面にＩＴＯ等の電極を形成した場合でも、当該電極への電気信号が第二ノイズシールドに入力されない。また、固定反射膜５４上の電極に駆動信号を入力した場合でも、その電気ノイズは第二ノイズシールド電極５７４によりシールドされるため、受光部５８への入力を抑制される。
【００７２】
［第三実施形態］
次に、本発明の第三実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の分光測定装置１では、光学モジュール１０に対して、光学素子５が直接設けられる構成とした。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型化の光学モジュールに対して、光学素子５を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、光学素子５を容易に設置可能にする光学デバイスについて、以下に説明する。なお、本実施形態では、筐体内に第一実施形態の光学素子５を収納する例を示すが、第二実施形態の光学素子５Ａを収納する構成としてもよい。
【００７３】
図１０は、本発明の第三実施形態に係る光学デバイスの概略構成を示す断面図である。
図１０に示すように、光学デバイス６００は、筐体６１０と、筐体６１０の内部に収納される光学素子５を備えている。
筐体６１０は、図１０に示すように、ベース６２０と、リッド６３０と、を備えている。これらのベース６２０及びリッド６３０が接合されることで、内部に収容空間が形成され、この収容空間内に光学素子５が収納される。
【００７４】
（ベースの構成）
ベース６２０は、例えばセラミック等により構成されている。このベース６２０は、台座部６２１と、側壁部６２２と、を備える。
台座部６２１は、フィルター平面視において例えば矩形状の外形を有する平板状に構成されており、この台座部６２１の外周部から筒状の側壁部６２２がリッド６３０に向かって立ち上がる。
【００７５】
台座部６２１は、厚み方向に貫通する開口部６２３を備えている。この開口部６２３は、台座部６２１に光学素子５を収容した状態で、台座部６２１を厚み方向から見た平面視において、反射膜５４，５５と重なる領域を含むように設けられている。
また、台座部６２１のリッド６３０とは反対側の面（ベース外側面６２１Ｂ）には、開口部６２３を覆うガラス部材６２７が接合されている。台座部６２１とガラス部材６２７との接合は、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリット（低融点ガラス）を用いた低融点ガラス接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。本実施形態では、収容空間内が減圧下に維持された状態で気密に維持する。したがって、台座部６２１及びガラス部材６２７は、低融点ガラス接合を用いて接合されることが好ましい。
【００７６】
また、台座部６２１のリッド６３０に対向する内面（ベース内側面６２１Ａ）には、光学素子５の固定ミラー接続電極５４１（第一ノイズシールド電極５７１，第一受光接続電極５８１）や可動接続電極５６２Ａ、可動ミラー接続電極５５１に接続される内側端子部６２４が設けられている。内側端子部６２４と、各電極５４１，５５１，５６２Ａとは、例えばワイヤーボンディングにより、Ａｕ等のワイヤーを用いて接続される。なお、本実施形態では、ワイヤーボンディングを例示するが、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等を用いてもよい。
また、台座部６２１は、内側端子部６２４が設けられる位置に、貫通孔６２５が形成されている。内側端子部６２４は、貫通孔６２５を介して、台座部６２１のベース外側面６２１Ｂに設けられた外側端子部６２６に接続されている。
【００７７】
側壁部６２２は、台座部６２１の縁部から立ち上がり、ベース内側面６２１Ａに載置された光学素子５の周囲を覆っている。側壁部６２２のリッド６３０に対向する面（端面６２２Ａ）は、例えばベース内側面６２１Ａに平行な平坦面となる。
【００７８】
そして、ベース６２０には、例えば接着剤等の固定材を用いて、光学素子５が固定される。この際、光学素子５は、台座部６２１に対して固定されていてもよく、側壁部６２２に対して固定されていてもよい。固定材を設ける位置としては、複数個所であってもよいが、固定材の応力が光学素子５に伝達するのを抑制するべく、１か所で光学素子５を固定することが好ましい。
【００７９】
（リッドの構成）
リッド６３０は、平面視において矩形状の外形を有する透明部材であり、例えば金属板等、非透光性部材により構成される。
リッド６３０は、図１０に示すように、ベース６２０の側壁部６２２に接合されている。この接合方法としては、例えば、低融点ガラスを用いた接合、溶接等が例示できる。
【００８０】
［第三実施形態の作用効果］
上述したような本実施形態の光学デバイス６００では、筐体６１０により光学素子５が保護されているため、外的要因による光学素子５の破損を防止できる。
【００８１】
［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００８２】
第一実施形態では、第一ノイズシールド電極５７１は、第一溝５１１、中央突出部５１２、及び頂点Ｃ１，Ｃ２に対応した第二溝５１１Ａに形成される例を示したが、例えば、固定基板５１における可動基板５２に対向する面全体に形成されていてもよい。
第一絶縁膜５７２も、同様であり、頂点Ｃ１の一部（第一ノイズシールド電極５７１と第一受光接続電極５８１との導通のために接触させる部位）以外の全体に形成されていてもよい。
【００８３】
第一実施形態において、固定反射膜５４を静電アクチュエーター５６における固定基板５１側の電極として用いたが、これに限定されない。例えば、第二実施形態のように、別途固定電極５６１を設けてもよい。この場合、固定電極５６１と固定反射膜５４とを電気的に絶縁させているのであれば、固定電極５６１に所定の電位を設定し、可動電極５６２との電位差により、可動部５２１を可動させることができる。また、固定電極５６１が固定反射膜５４上に設けられ、電気的に導通していてもよい。この場合は、第一実施形態と同様、固定電極５６１を接地することが好ましい。
【００８４】
第二実施形態において、第一ノイズシールド電極５７１を駆動用の電極として機能させてもよい。また、第二ノイズシールド電極５７４を中央突出部５１２から第一溝５１１に亘って形成し、この第二ノイズシールド電極５７４を駆動用の電極として機能させてもよい。
【００８５】
上記実施形態において、固定基板５１をガラス等の透明基板により構成する例を示したが、測定対象となる波長域に対して遮光性を有する基板により構成してもよい。例えば、分光測定装置において、可視光域の分光測定を実施する場合では、固定基板５１としてＳｉ基板を用いることで、外光の入射を抑制でき、ノイズ成分を減らしたより精度の高い測定が可能となる。
【００８６】
上記実施形態において、第一ノイズシールド電極５７１が遮光性を有する導電膜により構成される例を示したが、これに限定されない。例えば、第三実施形態に示すように、固定基板５１側が遮光性の光学デバイスの台座部６２１に固定される場合等では、遮光性を有さなくてもよい。ただし、可動基板５２側から入射した光が、第一ノイズシールド電極５７１で反射され、受光部５８に入力されることがあるため、上述した実施形態のように、遮光性の導電膜により構成されることが好ましい。
また、第一ノイズシールド電極５７１が遮光性を有していなくても、第一絶縁膜５７２が遮光性を有する絶縁部材により構成されていればよい。この場合でも、受光部５８への迷光の入射を抑制でき、迷光によるノイズ成分を低減させることができる。
【００８７】
第一実施形態において、可動電極５６２が、可動反射膜５５の外側（受光領域Ａｒ１より外側）に設けられる例を示したが、これに限定されない。例えば、可動反射膜５５上にＩＴＯ等の透明電極により構成された可動電極５６２が設けられてもよい。また、可動反射膜５５を容量検出量の電極としたが、例えば、可動ミラー接続電極５５１を電圧制御部１２１に接続し、駆動用の電極として用いてもよい。この場合でも、固定反射膜５４がノイズシールド電極として機能するため、駆動電圧に係るノイズが受光部５８に入力される不都合を抑制できる。
【００８８】
第二実施形態において、可動電極５６２に対向する固定電極５６１を設ける構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、第二ノイズシールド電極５７４を中央突出部５１２から第一溝５１１の可動電極５６２に対向する領域に亘って形成し、第二ノイズシールド電極５７４及び可動電極５６２により静電アクチュエーター５６を構成してもよい。
【００８９】
本発明の電子機器として、上記各実施形態では、分光測定装置１を例示したが、その他、様々な分野により本発明の光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。
【００９０】
例えば、図１１に示すように、本発明の電子機器を、色を測定するための測色装置に適用することもできる。
図１１は、波長可変干渉フィルターを備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。
この測色装置４００は、図１１に示すように、測定対象Ｘに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を測定対象Ｘにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー４２０にて受光させ、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Ｘの色を分析して測定する装置である。
【００９１】
光源装置４１０、光源４１１、複数のレンズ４１２（図１１には１つのみ記載）を備え、測定対象Ｘに対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ４１２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置４１０は、光源４１１から射出された基準光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Ｘに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置４１０を備える測色装置４００を例示するが、例えば測定対象Ｘが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置４１０が設けられない構成としてもよい。
【００９２】
測色センサー４２０は、図１１に示すように、光学素子５と、光学素子５で受光させる光の波長を可変する素子駆動回路１２とを備える。また、測色センサー４２０は、光学素子５に対向する位置に、測定対象Ｘで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー４２０は、光学素子５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光の光量に基づいた検出信号を出力する。なお、光学素子５の代わりに光学素子５Ａや、光学デバイス６００が設けられる構成としてもよい。
【００９３】
制御装置４３０は、測色装置４００の全体動作を制御する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図１１に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、及び測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の素子駆動回路１２は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６に電圧を印加し、光学素子５を駆動させる。
測色処理部４３３は、光学素子５により検出された光量に基づいた検出信号に基づき、測定対象Ｘの色度を分析する。
【００９４】
また、本発明の電子機器の他の例として、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムが挙げられる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の光学素子を用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
【００９５】
図１２は、本発明の光学モジュールを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図１３は、図１２のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１２に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、及び光学素子５等を含む検出装置（光学モジュール）と、光学素子５で受光された光に応じて出力された信号の処理や検出装置や光源部の制御を実施する制御部１３８、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。なお、光学素子５の代わりに光学素子５Ａや光学デバイス６００が設けられる構成としてもよい。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を光学素子５側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図１３に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
更に、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図１３に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、光学素子５を制御するための素子駆動回路１２や受光処理回路１１、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。
【００９６】
次に、上記のようなガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出す
ると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
【００９７】
そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度や光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。なお、吸引口１２０Ａには、除塵フィルター１２０Ａ１が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。
【００９８】
また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が光学素子５に入射する。そして、信号処理部１４４は、素子駆動回路１２に対して制御信号を出力する。これにより、素子駆動回路１２は、上記第一実施形態と同様にして光学素子５の静電アクチュエーター５６を駆動させ、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を光学素子５で分光させる。分光された光を受光部５８で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光処理回路１１を介して信号処理部１４４に出力される。この場合、光学素子５から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。
【００９９】
なお、上記図１２及び図１３において、ラマン散乱光を光学素子５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。
【０１００】
また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
【０１０１】
図１４は、本発明の光学モジュールを利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置２００は、図１４に示すように、検出器２１０と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する光学素子５と、を備えている。なお、光学素子５の代わりに光学素子５Ａや光学デバイス６００が設けられる構成としてもよい。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、光学素子５を制御する素子駆動回路１２と、光学素子５において検出された光量を取得する受光処理回路１１と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。
【０１０２】
この食物分析装置２００は、システムを駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って光学素子５に入射する。光学素子５は素子駆動回路１２の制御により、上記第一実施形態に示すような駆動方法で駆動される。これにより、光学素子５から精度よく目的波長の光を検出することができる。そして、信号処理部２２４は、素子駆動回路１２を制御して光学素子５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する光量を取得する。
【０１０３】
そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各波長に対応する光量を演算処理し、測定点におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象の測定点に含まれる食物成分を求める。
【０１０４】
また、図１４において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
【０１０５】
更には、本発明の光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
【０１０６】
また、本発明の光学モジュールを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
更には、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、光学素子により、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
【０１０７】
上記に示すように、本発明の光学素子は、入射光から所定の光を分光し、その光量を検出するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の光学素子は、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができ、かる別途ディテクター等の受光装置を必要としない。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。
【０１０８】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。
【符号の説明】
【０１０９】
１…分光測定装置、５…光学素子、５Ａ…光学素子、１１…受光処理回路、１２…素子駆動回路、２０…制御部、５１…固定基板（第一基板）、５２…可動基板（第二基板）、５４…固定反射膜（第一反射膜）、５５…可動反射膜（第二反射膜）、５６…静電アクチュエーター、５８…受光部、１００…ガス検出装置、１３８…制御部、２００…食物分析装置、２２０…制御部、４００…測色装置、４３０…制御装置、５１１…第一溝、５１１Ａ…第二溝、５１２…中央突出部、５４１…固定ミラー接続電極、５５１…可動ミラー接続電極、５６１…固定電極、５６２…可動電極、５６２Ａ…可動接続電極、５７１…第一ノイズシールド電極、５７２…第一絶縁膜、５７３…第二絶縁膜、５７４…第二ノイズシールド電極、５７５…第三絶縁膜、５８１…第一受光接続電極、５８２…受光素子、５８３…第二受光接続電極、６００…光学デバイス、６１０…筐体、６２０…ベース、６２１…台座部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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