(57)【要約】【課題】２種以上の材料を混合して基板に蒸着する場合に、基板の各位置間における有機ＥＬ素子の発光特性のばらつきを低減する。【解決手段】蒸着装置１００は、有機ＥＬ素子の製造過程において、基板１に第１の材料と第２の材料とを含む膜を真空蒸着法によって形成する。蒸着装置１００は、収容した第１の材料を加熱して蒸発させる第１の収容部と、収容した第２の材料を加熱して蒸発させる第２の収容部と、基板１を軸線ＡＸ周りに回転させる基板回転手段３０と、第１の収容部及び第２の収容部と、基板１との間に位置し、蒸着経路を開閉するシャッター４０と、シャッター４０の開閉を制御する制御部５０と、を備える。制御部５０は、基板１が基準位置から、軸線ＡＸ周りに予め定められた特定角だけ回転した際に、シャッター４０を開状態にし、基板１への第１の材料及び第２の材料の蒸着を開始する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子の製造過程において、基板に第１の材料と第２の材料とを含む膜を真空蒸着法によって形成する蒸着装置であって、
収容した前記第１の材料を加熱して蒸発させる第１の収容部と、
収容した前記第２の材料を加熱して蒸発させる第２の収容部と、
前記基板を保持すると共に、前記基板の被蒸着面の法線と平行な軸線周りに回転させる基板回転手段と、
前記第１の収容部及び前記第２の収容部と、前記基板との間に位置し、蒸着経路を開閉するシャッターと、
前記シャッターの開閉を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記基板が所定の基準位置から、前記軸線周りに予め定められた角度だけ回転した際に、前記シャッターを開状態にし、前記基板への前記第１の材料及び前記第２の材料の蒸着を開始する、
ことを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記膜は、発光層であり、
前記第１の材料と前記第２の材料との少なくとも一方は、ゲスト材料である、
ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記基板回転手段は、前記基板を一定の回転速度で回転させ、
前記制御手段は、前記回転速度と前記基板の回転動作期間とに基づいて、前記基板が前記基準位置から前記角度だけ回転した際に、前記シャッターを開状態にする、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
基板に第１の材料と第２の材料とを含む膜を真空蒸着法によって形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記第１の材料及び前記第２の材料を加熱して蒸発させるステップと、
前記基板を、前記基板の被蒸着面の法線と平行な軸線周りに回転させるステップと、
前記基板が所定の基準位置から、前記軸線周りに予め定められた角度だけ回転した際に、蒸着経路を開閉するシャッターを開状態にし、前記基板への前記第１の材料及び前記第２の材料の蒸着を開始するステップと、を備える、
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置及び有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の蒸着装置として、特許文献１に開示されたものがある。特許文献１に開示された蒸着装置は、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子の製造過程において、透光性基板に有機層を構成する各層を真空蒸着法によって形成するものである。この蒸着装置は、真空チャンバー内で回転可能に保持された基板に材料を蒸着させることにより、基板面に発光層などの有機層を構成する各層を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１９３２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の蒸着装置では、２種以上の蒸着材料が混合された膜を基板に形成する場合、材料毎に蒸着源を設置する。この場合、蒸着により形成される膜厚を均一にするために基板を回転させながら材料を蒸着させるが、回転する基板と蒸着源との相対的な位置関係によって、基板の各位置間で蒸着材料の分量にムラが生じることは避けられない。
【０００５】
このようにムラが生じると、基板に形成する膜が、例えば発光層である場合、１つの基板から複数の有機ＥＬ素子を切り出して得る手法では、素子毎の発光特性にばらつきが生じてしまう。また、１つの基板から１つの有機ＥＬ素子を得る手法では、基板面内の各位置の発光特性にばらつきが生じてしまう。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、２種以上の材料を混合して基板に蒸着する場合に、基板の各位置間における有機ＥＬ素子の発光特性のばらつきを低減することができる蒸着装置及び有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る蒸着装置は、
有機ＥＬ素子の製造過程において、基板に第１の材料と第２の材料とを含む膜を真空蒸着法によって形成する蒸着装置であって、
収容した前記第１の材料を加熱して蒸発させる第１の収容部と、
収容した前記第２の材料を加熱して蒸発させる第２の収容部と、
前記基板を保持すると共に、前記基板の被蒸着面の法線と平行な軸線周りに回転させる基板回転手段と、
前記第１の収容部及び前記第２の収容部と、前記基板との間に位置し、蒸着経路を開閉するシャッターと、
前記シャッターの開閉を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記基板が所定の基準位置から、前記軸線周りに予め定められた角度だけ回転した際に、前記シャッターを開状態にし、前記基板への前記第１の材料及び前記第２の材料の蒸着を開始する、
ことを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、
基板に第１の材料と第２の材料とを含む膜を真空蒸着法によって形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記第１の材料及び前記第２の材料を加熱して蒸発させるステップと、
前記基板を、前記基板の被蒸着面の法線と平行な軸線周りに回転させるステップと、
前記基板が所定の基準位置から、前記軸線周りに予め定められた角度だけ回転した際に、蒸着経路を開閉するシャッターを開状態にし、前記基板への前記第１の材料及び前記第２の材料の蒸着を開始するステップと、を備える、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、２種以上の材料を混合して基板に蒸着する場合に、基板の各位置間における有機ＥＬ素子の発光特性のばらつきを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る蒸着装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る蒸着対象の基板の概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る収容部の概略構成図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板と収容部との位置関係を説明するための概略平面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る基板の回転動作を説明するための図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る基板から得られる複数の有機ＥＬ素子の各々に対応する位置を説明するための図である。
【図７】基板の回転位置を変化させた場合における基板内の任意の位置での色度を示す図であり、（ａ）は色度のｘ座標値を示した表の図であり、（ｂ）は色度のｙ座標値を示した表の図である。
【図８】（ａ）は図７（ａ）に示す色度のｘ座標値をグラフ化した図であり、（ｂ）は図７（ｂ）に示す色度のｙ座標値をグラフ化した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一実施形態に係る蒸着装置を、図面を参照して説明する。
【００１２】
図１に示す本実施形態に係る蒸着装置１００は、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子の製造過程において、基板１に発光層を真空蒸着法によって形成するものである。
【００１３】
蒸着装置１００における蒸着対象の基板１は、図２に示すように、ガラス、プラスティック等からなる透光性基板１ａの一方の面上に透明電極（陽極）１ｂ及び絶縁層１ｃが形成され、透明電極１ｂ上に正孔注入層、正孔輸送層の順で積層されてなる層１ｄが形成されたものである。これらの透光性基板１ａ上の各部は、蒸着装置１００での工程前に既に形成されているものである。例えば、透明電極１ｂはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からスパッタリング法で形成され、絶縁層１ｃはスピンコートにより形成され、正孔注入層及び正孔輸送層は、蒸着により形成される。
本実施形態に係る蒸着装置１００は、基板１の層１ｄ上（正孔輸送層上）に発光層を形成するための装置である。
【００１４】
蒸着装置１００は、真空室１０と、収容部２０と、基板回転手段３０と、シャッター４０と、制御部５０と、を備える。
【００１５】
真空室１０は、排気ポート１１を介して、図示しない真空ポンプにより排気され、高真空に保たれる。真空室１０内に、収容部２０、基板回転手段３０、及びシャッター４０が配設される。
【００１６】
収容部（蒸着源）２０は、収容した蒸着材料を加熱して蒸発させるものであり、図３に示すように、ルツボ２１と、加熱コイル２２と、熱遮蔽板２３と、を有する。ルツボ２１は、基板１に蒸着する材料を収容する。加熱コイル２２は、ルツボ２１に巻き回され、ルツボ２１を加熱する。加熱コイル２２は、加熱制御手段（図示せず）からの電流供給により発熱し、ルツボ２１を適宜の温度に加熱する。熱遮蔽板２３は、加熱コイル２２が巻き回されたルツボ２１を取り囲むように配置され、加熱コイル２２による熱を効率良くルツボ２１に伝達する。
【００１７】
本実施形態では、真空室１０内に収容部２０が３つ配設されている。以下では、これら３つの収容部２０の構成は同様であるが、各々、収容する材料及び配設位置が異なる。以下では、３つの収容部２０に、２０ａ，２０ｂ，２０ｃの符号を付して説明する。
【００１８】
収容部２０ａは、ホスト材料２ａ（例えば、アントラセン誘導体）を加熱して蒸発させる。収容部２０ｂは、ゲスト材料２ｂ（例えば、芳香族化合物）を加熱して蒸発させる。収容部２０ｃは、ゲスト材料２ｂとは色味が異なるゲスト材料２ｃ（例えば、アントラセン誘導体）を加熱して蒸発させる。
【００１９】
収容部２０ａ〜２０ｃの各々は、図４に示す位置関係で、後述する基板ホルダー３１に保持された基板１の下方に位置する。
なお、図４は、基板１に対する収容部２０ａ〜２０ｃの位置関係の理解を容易にするために模式的に示したものである。また、図１、図４に、蒸着材料が蒸発し、基板１に到るまでの代表的な経路（蒸着経路）を示した（ホスト材料２ａの蒸着経路Ｊ１、ゲスト材料２ｂの蒸着経路Ｊ２、ゲスト材料２ｃの蒸着経路Ｊ３）。図４では、蒸着経路Ｊ１〜Ｊ３の外縁の一部を破線で示している。これらの蒸着経路Ｊ１〜Ｊ３は、説明の理解を容易にするために模式的に示したものである。実際には、蒸着経路Ｊ１〜Ｊ３は、ルツボ２１の形状等に依存する。
【００２０】
蒸着装置１００は、前記の加熱制御手段の制御により、各収容部を適宜の温度で加熱することで蒸着材料を蒸発させ、ホスト材料２ａ中にゲスト材料２ｂ，２ｃがドーピング（混合）されてなる発光層を基板１に形成する。各蒸着材料の分量は、所望の発光色（例えば白色）の発光層を得るために、適宜設定されている。
【００２１】
基板回転手段３０は、基板１を保持すると共に、基板１の被蒸着面の法線と平行な軸線ＡＸ周りに回転させる。基板回転手段３０は、図１に示すように収容部２０の上方に位置し、基板ホルダー３１と、蒸着マスク３２と、マスクホルダー３３と、保持部３４と、回転駆動部３５と、を有する。
【００２２】
基板ホルダー３１は、基板１を、被蒸着面を下側に向けて（層１ｄの正孔輸送層が収容部２０に向くように）保持する。例えば、基板１は、層１ｄ（正孔注入層、正孔輸送層）の形成工程を経て、搬送ロボットにより基板ホルダー３１に設置される。
【００２３】
蒸着マスク３２は、マスクホルダー３３に保持されることで、基板１の被蒸着面側に位置する。蒸着マスク３２は、基板１に所定の蒸着パターンを形成するために設けられる。
【００２４】
保持部３４は、基板ホルダー３１及びマスクホルダー３３を保持し、収容部２０（２０ａ〜２０ｃ）に対する、基板１と蒸着マスク３２の位置を決める。具体的には、保持部３４は、収容部２０ａ〜２０ｃ各々の蒸着経路Ｊ１〜Ｊ３が重なる領域（重合領域Ｊ）に、基板１及び蒸着マスク３２を位置させる。
【００２５】
回転駆動部３５は、保持部３４を軸線ＡＸ周りに回転させる（つまり、基板１を軸線ＡＸ周りに回転させる）ものである。これにより、重合領域Ｊにおいて、ホスト材料２ａとゲスト材料２ｂ，２ｃとを良好に混合する。回転駆動部３５は、制御部５０の制御の下で動作するステッピングモータ、サーボモータ等から構成されている。回転駆動部３５は、保持部３４の所定箇所と連結された回転軸（図示せず）を有し、保持部３４を回転させる。
【００２６】
このように構成される基板回転手段３０においては、基板１の幅方向における中心が、回転の中心軸線（つまり、軸線ＡＸ）となるように調整されている。また、回転駆動部３５は、制御部５０の制御の下で、保持部３４を一定の回転速度で回転させる。
【００２７】
シャッター４０は、収容部２０ａ〜２０ｃと基板回転手段３０との間に位置し、蒸着経路Ｊ１〜Ｊ３を開閉する。シャッター４０は、制御部５０の制御によって開閉動作を行い、シャッター４０が開状態になると、基板１への蒸着が開始される。
【００２８】
制御部５０は、基板回転手段３０とシャッター４０の動作を制御するものであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等からなる記憶部とを有する。ＣＰＵは、ＲＯＭ内に予め記憶された動作プログラムを読み出し、実行することで、各種ドライバ（図示せず）を介して、基板回転手段３０及びシャッター４０各々の動作を制御する。また、ＣＰＵは、内蔵されたタイマで適宜、計時を行う。また、記憶部には、後述の特定角を示すデータが予め記憶されている。
【００２９】
制御部５０は、発光層形成前の工程を経て基板１が基板ホルダー３１に設置された後、回転駆動部３５を制御して、基板１を軸線ＡＸ周りに回転させる際の基準位置（原点）へと復帰させる（原点復帰運転）。制御部５０は、例えば、基板回転手段３０の適宜の位置に設けられた原点検出センサ（リミットスイッチなど）からの信号に基づいて、原点復帰運転を行う。
【００３０】
また、制御部５０は、前記の加熱制御手段が収容部２０ａ〜２０ｃの各々を適宜の温度に加熱した後、各収容部２０ａ〜２０ｃの温度を検出する温度センサ（図示せず）、各蒸着材料の浮遊量を検出する濃度センサ（図示せず）等から入力された信号に基づき、基板１の回転を開始するか否かを判別する。
【００３１】
また、制御部５０は、基板１を回転開始可能と判別すると、回転駆動部３５を駆動して基板１を回転させる。そして、制御部５０は、基板１が基準位置から、予め定められた角度（以下、特定角）だけ回転した際に、シャッター４０を開状態とし、蒸着経路Ｊ１〜Ｊ３を開放する。つまり、制御部５０は、基板１が基準位置から特定角だけ回転した際に、基板１への発光層の蒸着を開始する。
【００３２】
特定角は、基板１内の各位置間での有機ＥＬ素子の発光特性のばらつきが効果的に低減できる角度として予め定められる。この特定角は、発光層を形成する蒸着材料・有機層を構成する発光層以外の各層の組成・基板１の大きさ等の諸要因により、適切な角度が変わる。つまり、特定角は、有機ＥＬ素子の仕様毎に適切な値が異なる。そのため、蒸着装置１００は、図示しない入力手段を介して、所定の入力操作により、所望の有機ＥＬ素子に適した特定角の値を制御部５０に対し入力可能（設定可能）に構成されている。特定角をどのようにして定めるかについては、後述する。
【００３３】
基板１を回転させる際、制御部５０は、回転駆動部３５を制御して、基板１を一定の回転速度で回転させる。例えば、制御部５０は、基板１の回転開始と同時に計時を開始し、一定の回転速度と、経過時間とに基づいて、現在の基板１の回転位置（回転角度）を算出する。そして、算出した回転角度が特定角に達すると、制御部５０は、シャッター４０を開状態にする。
【００３４】
なお、基板１の回転速度が一定であるならば、制御部５０は回転角度を算出せずに、経過時間が予め定めた期間に達したか否かに基づいて、回転角度が特定角に達したか否かを判別してもよい。また、基板回転手段３０の適宜の位置に、基板１の回転角度を検出する回転角センサを設け、このセンサからの信号に基づいて、制御部５０は、現在の基板１の回転角度を求めてもよい。また、制御部５０は、回転駆動部３５の制御データ（モータ電気角を示すデータなど）に基づいて、現在の基板１の回転角度を求めてもよい。
また、上述の制御部５０は、機能部であればよく、基板回転手段３０及びシャッター４０の各々の動作を個別に制御するＩＣ（Integrated Circuit）が協働することで実現されてもよい。また、収容部２０ａ〜２０ｃの加熱温度を制御する加熱制御手段は、制御部５０の機能の一部として実現されてもよい。
【００３５】
以上のように構成される蒸着装置１００によって基板１の層１ｄ上（正孔輸送層上）に発光層が形成された後、他の蒸着装置により電子輸送層が形成される。これにより、基板１には、層１ｄ（正孔注入層及び正孔輸送層）、発光層、及び電子輸送層からなる有機層が形成される。そして、有機層上に、さらに電子注入層と金属等からなる陰極とが形成されることで、有機ＥＬ素子を複数有する基板１が得られる。
こうして得られる基板１からは、図６に示すように、複数の有機ＥＬ素子が切り出される（同図で破線に囲まれた領域が、１つの有機ＥＬ素子に対応する）。つまり、本実施形態の基板１は、複数の有機ＥＬ素子を得るための、所謂マルチ取り基板である。
【００３６】
図６では、行列により、各有機ＥＬ素子の位置を示している。図示例では、基板１から切り出される２４個の有機ＥＬ素子を各々の位置を、６つの行（１〜６行）と、４つの列（Ａ〜Ｄ列）との組合せにより表した。例えば「Ａ６」と記した領域は、Ａ列６行の位置にある有機ＥＬ素子を示す。なお、基板１の形状、切り出される有機ＥＬ素子の形状・個数などは、これに限られるものではないが、以下では理解を容易にするため、図６に示した例を用いて説明する。
【００３７】
前記の課題で述べた通り、２種以上の蒸着材料が混合された膜を基板１に形成する場合、前に形成された膜との界面付近において基板１の各位置間で蒸着材料の分量にムラが生じてしまう。例えば、基板１内の位置Ａ１と位置Ｂ３とでは、各収容部２０ａ〜２０ｃからの距離が異なるため、蒸着材料の分量にムラが生じる。位置Ａ１と位置Ｄ６とは軸線ＡＸに対して対称な位置にあるため、両者間に蒸着材料の分量で差が生じないようにも思えるが、シャッター４０が開いた時の基板１と各収容部２０ａ〜２０ｃとの位置関係に依存して、やはり蒸着材料の分量にムラが生じてしまう。
【００３８】
そこで、本願発明者らは、シャッター４０が開く時の基板１と各収容部２０ａ〜２０ｃとの位置関係に着目し、シャッター４０を開く時の基板１の回転位置を変化させて、基板１の各位置間での有機ＥＬ素子の発光特性のばらつきを測定する実験を行った。具体的には、発光層を形成した後に得られる有機ＥＬ素子の発光色度を、ＣＩＥ表色系のｘ，ｙ座標値で測定した。
ここでは、基板１の回転位置を図５に示す回転角θで表す。また、基板１は基板回転手段３０により平面視で時計回りに回転するものとする。また、θが０°の時に、基板１が基準位置（原点）にあるものとする。
【００３９】
図７（ａ）（ｂ）、図８（ａ）、（ｂ）に実験結果を示す。
図７（ａ）は、回転角θを０°〜３６０°の範囲で６０°毎に変化させた場合の各位置Ａ１、Ａ６、Ｄ１、Ｄ６におけるＣＩＥ表色系でのｘ座標値を示し、図７（ｂ）はｙ座標値を示したものである。図８（ａ）は、図７（ａ）に示すｘ座標値を回転角θ毎にプロットして得たグラフであり、図８（ｂ）は、図７（ｂ）に示すｙ座標値を回転角θ毎にプロットして得たグラフである。
【００４０】
図８（ａ）、（ｂ）を参照すると、回転角θが２４０°の場合に、他の回転角に比べて、ｘ，ｙ座標共にＡ１，Ａ６，Ｄ１，Ｄ６の各位置間の色度のばらつきが少ないことがわかる。これはつまり、基板１を基準位置（θ＝０°）から回転させ、θが２４０°に達した際に、シャッター４０を開いて蒸着を開始すれば、各素子間の発光特性のばらつきを小さくできることを意味する。従って、この実験の仕様の場合、特定角を２４０°近傍の値に設定すれば良いことがわかる。
【００４１】
なお、この実験結果はあくまで一例である。色度の比較対象となる位置をさらに増やし、回転角θをより細かく設定して実験を行えば、発光特性のばらつきを低減するのに、より効果的な特定角を見出すことも可能である。
【００４２】
以上に説明した蒸着装置１００は、収容した第１の材料（ホスト材料２ａ、ゲスト材料２ｂ，２ｃのうちいずれか）を加熱して蒸発させる第１の収容部と、収容した第２の材料（ホスト材料２ａ、ゲスト材料２ｂ，２ｃのうち第１の材料と異なるもの）を加熱して蒸発させる第２の収容部と、基板１を保持すると共に、軸線ＡＸ周りに回転させる基板回転手段３０と、第１の収容部及び第２の収容部と、基板１との間に位置し、蒸着経路を開閉するシャッター４０と、シャッター４０の開閉を制御する制御部５０と、を備える。制御部５０は、基板１が基準位置から、軸線ＡＸ周りに予め定められた特定角だけ回転した際に、シャッター４０を開状態にし、基板１への第１の材料及び第２の材料の蒸着を開始する。
また、蒸着装置１００を用いて、基板１に第１の材料と第２の材料とを含む膜を真空蒸着法によって形成する有機ＥＬ素子の製造方法は、第１の材料及び第２の材料を加熱して蒸発させるステップと、基板１を軸線ＡＸ周りに回転させるステップと、基板１が基準位置から、軸線ＡＸ周りに予め定められた特定角だけ回転した際に、蒸着経路を開閉するシャッター４０を開状態にし、基板１への第１の材料及び第２の材料の蒸着を開始するステップと、を備える。
このようにしたから、前述したように、２種以上の材料を混合して基板１に蒸着する場合に、基板１の各位置間における有機ＥＬ素子の発光特性のばらつきを低減することができる。また、異なる基板１間でシャッター４０を開状態とする角度が同じ特定角になるため、異なる基板１間における有機ＥＬ素子の発光特性のばらつきも低減することができる。
【００４３】
なお、本発明は以上の実施形態及び図面によって限定されるものではない。本発明の要旨を変更しない範囲で、適宜、変更（構成要素の削除も含む）を加えることが可能である。
【００４４】
以上では、ホスト材料に２種類のゲスト材料を混合して発光層を形成する例を示したが、これに限られない。ホスト材料に１種類のゲスト材料を混合して発光層を形成してもよい。つまり、収容部（蒸着源）は２つであってもよい。
【００４５】
また、以上では、蒸着装置１００で発光層を形成する例を示したが、これに限られない。２種以上の材料を混合して蒸着によって基板上に所定の層を形成する場合であれば、蒸着装置１００で、有機層における発光層以外の層（正孔注入層、正孔輸送層など）を形成することもできる。この場合、特定角は、形成後の膜の物質組成比などを測定することで定めればよい。
ただし、以上に説明した蒸着装置１００は、基板１内の各位置間の蒸着材料の分量のばらつきが、有機ＥＬ素子の発光特性の変化として顕著に生じ易い発光層を形成するのに、特に好適である。
【００４６】
以上では、基板１が所謂マルチ取り基板である例を説明したが、一つの基板１から一つの有機ＥＬ素子を得てもよい。
【００４７】
また、以上では、基板１を一定の回転速度で回転させる例を示したが、各蒸着材料の分量に過度なムラが生じない限りにおいては、基板１の回転速度を可変にすることも可能である。
【００４８】
また、以上の説明における基板１の基準位置、回転方向、収容部の配設箇所などはあくまで例示であり、適宜変更が可能である。
【００４９】
以上の説明では、本発明の理解を容易にするために、重要でない公知の技術的事項の説明を適宜省略した。
【符号の説明】
【００５０】
１００  蒸着装置
１０  真空室
２０（２０ａ〜２０ｃ）  収容部（蒸着源）
２１  ルツボ
２２  加熱コイル
２３  熱遮蔽板
２ａ  ホスト材料
２ｂ，２ｃ  ゲスト材料
３０  基板回転手段
３１  基板ホルダー
３２  蒸着マスク
３３  マスクホルダー
３４  保持部
３５  回転駆動部
４０  シャッター
５０  制御部
ＡＸ  軸線
Ｊ１〜Ｊ３  蒸着経路
Ｊ  重合領域
【図１】
2015224370.tif 000003
【図２】
2015224370.tif 000004
【図３】
2015224370.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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