(57)【要約】【課題】光導波路の出力端に光ファイバ等を接続することが容易な光導波路デバイスを提供する。【解決手段】本発明の光導波路デバイスは、基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路の入力側端部が設けられた入力面に入力される光のうち、光導波路に入力されない非入力光が、光導波路の出力側端部が設けられた出力面に到達することを抑制する抑制手段と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された光導波路と、
前記光導波路の入力側端部が設けられた入力面に入力される光のうち、前記光導波路の入力されない非入力光が、前記光導波路の出力側端部が設けられた出力面に到達することを抑制する抑制手段と、
を備えることを特徴とする光導波路デバイス。
【請求項２】
前記光導波路上に、一側面が前記出力面に含まれる出力側部材が設けられ、
前記抑制手段は、前記出力側部材に設けられている、請求項１に記載の光導波路デバイス。
【請求項３】
前記抑制手段は、前記非入力光の少なくとも一部を反射する反射素子である、請求項１または２に記載の光導波路デバイス。
【請求項４】
前記抑制手段は、前記非入力光の少なくとも一部を散乱する光散乱素子である、請求項１または２に記載の光導波路デバイス。
【請求項５】
前記抑制手段は、前記非入力光の少なくとも一部を吸収する吸収素子である、請求項１または２に記載の光導波路デバイス。
【請求項６】
前記抑制手段は、前記非入力光の光路方向に対して傾いた斜面を有する光学素子である、請求項１または２に記載の光導波路デバイス。
【請求項７】
前記光導波路上に、一側面が前記入力面に含まれる入力側部材が設けられ、
前記抑制手段は、前記入力側部材に設けられている、請求項１から６のいずれか一項に記載の光導波路デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に、光導波路が形成された光変調器が提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−５３１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような光変調器の光導波路には、光ファイバ等から射出された光が入力されるが、光ファイバ等から射出された光の一部は、光導波路に入力されない非入力光となる場合がある。非入力光は、その後、様々な経路を経由し、その一部は光導波路の出力端がある基板の面（出力面）から放出される。この場合、出力面には光導波路から出力される光と非入力光との両方が存在することになるため、光導波路の出力端に光ファイバを接続する際に、光導波路から出力される光と非入力光との識別ができなくなり、光導波路の出力端に光ファイバ等を接続することが困難になるという問題があった。
【０００５】
本発明の一つの態様は、上記問題点に鑑みて成されたものであって、光導波路の出力端に光ファイバ等を接続することが容易な光導波路デバイスを提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光導波路デバイスの一つの態様は、基板と、前記基板上に形成された光導波路と、前記光導波路の入力側端部が設けられた入力面に入力される光のうち、前記光導波路の入力されない非入力光が、前記光導波路の出力側端部が設けられた出力面に到達することを抑制する抑制手段と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
前記光導波路上に、一側面が前記出力面に含まれる出力側部材が設けられ、前記抑制手段は、前記出力側部材に設けられている構成としてもよい。
【０００８】
前記抑制手段は、前記非入力光の少なくとも一部を反射する反射素子である構成としてもよい。
【０００９】
前記抑制手段は、前記非入力光の少なくとも一部を散乱する光散乱素子である構成としてもよい。
【００１０】
前記抑制手段は、前記非入力光の少なくとも一部を吸収する吸収素子である構成としてもよい。
【００１１】
前記抑制手段は、前記非入力光の光路方向に対して傾いた斜面を有する光学素子である構成としてもよい。
【００１２】
前記光導波路上に、一側面が前記入力面に含まれる入力側部材が設けられ、前記抑制手段は、前記入力側部材に設けられている構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一つの態様によれば、光導波路の出力端に光ファイバ等を接続することが容易な光導波路デバイスが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の光導波路デバイスを示す斜視図である。
【図２】第１実施形態の光導波路デバイスを示す側断面図である。
【図３】第１実施形態の光導波路デバイスを示す正面図である。
【図４】第１実施形態の光導波路デバイスを示す部分拡大図である。
【図５】反射膜が設けられていない光導波路デバイスの側断面図である。
【図６】反射膜が設けられていない光導波路デバイスの背面図である。
【図７】第２実施形態の光導波路デバイスを示す側断面図である。
【図８】第３実施形態の光導波路デバイスを示す側断面図である。
【図９】第４実施形態の光導波路デバイスを示す斜視図である。
【図１０】第４実施形態の光導波路デバイスを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図を参照しながら、本発明の実施形態に係る光導波路デバイスについて説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００１６】
（第１実施形態）
図１から図３は、本実施形態の光導波路デバイス１０を示す図である。図１は、斜視図である。図２は、側断面図である。図３は、正面図である。図３においては、光ファイバ３０を二点鎖線で示している。
【００１７】
なお、以下の説明においてはＸＹＺ座標系を設定し、このＸＹＺ座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。この際、基板１１（図１参照）の厚み方向をＺ軸方向、基板１１の長手方向をＸ軸方向、基板１１の幅方向をＹ軸方向とする。
【００１８】
本実施形態の光導波路デバイス１０は、図１及び図２に示すように、基板１１と、クラッド層１２と、光導波路１３と、入力側部材２０と、出力側部材２１と、反射膜２２と、反射膜２３と、光ファイバ（光射出手段）３０と、光ファイバ３１とを備える。
【００１９】
基板１１は、直方体形状の部材であり、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３：ＬＮ）基板等である。基板１１の厚み（Ｚ軸方向長さ）は、例えば、０．５ｍｍ程度である。基板１１の長さは、例えば、５ｍｍ以上、３０ｍｍ以下程度である。基板１１上には、内部に光導波路１３が設けられたクラッド層１２が形成されている。
【００２０】
光導波路１３は、本実施形態の場合、クラッド層１２の内部における入力側（−Ｘ側）の端部から出力側（＋Ｘ側）の端部まで、直線的に形成されている。すなわち、光導波路１３は、いわゆるストレート型の光導波路である。光導波路１３の入力側端部１３ａは、光導波路デバイス１０の入力面１４に設けられている。光導波路１３の出力側端部１３ｂは、光導波路デバイス１０の出力面１５に設けられている。光導波路１３は、光ファイバ３０及び光ファイバ３１と、光学的に接続されている。
【００２１】
光導波路１３の断面形状は、図３に示すように、光ファイバ３０のコア３２から射出される入力光と比較して同程度か、小さくなっている。光導波路１３の断面における短軸方向長さ（Ｚ軸方向長さ）は、例えば、２μｍ以上、１０μｍ以下である。光導波路１３の断面における長軸方向長さ（Ｙ軸方向長さ）は、例えば、２μｍ以上、１０μｍ以下である。
【００２２】
光導波路１３は、少なくとも２種類以上の有機ポリマー、無機ポリマー、または有機無機複合材料などのポリマーで構成されている。
これらのポリマーとしては、光導波路１３を伝搬する光に対して高い透過率を有するものであれば用いることが可能である。これらのポリマーとしては、例えば、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリキノリン系樹脂、ポリキノキサリン系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、ポリベンゾチアゾール系樹脂、ポリベンゾイミダゾール系樹脂等が挙げられる。
【００２３】
また、上記ポリマーには必要に応じて、有機色素や無機微粒子など、他の成分を加えることで光導波路１３の特性を調整したり、機能性を付与することが可能である。これらの成分についても、ポリマー同様、光導波路１３を伝搬する光に対して高い透過率を有するものであれば、特に種類を限定せずに用いることができる。
【００２４】
クラッド層１２は、基板１１の上面（＋Ｚ側の面）に形成された有機ポリマーの層である。クラッド層１２の内部には、光導波路１３が設けられている。クラッド層１２は、例えば、光導波路１３に用いられる有機ポリマーと同様の有機ポリマーによって構成されている。クラッド層１２の厚み（Ｚ軸方向長さ）は、例えば、２μｍ以上、２０μｍ以下である。
【００２５】
入力面１４は、光導波路デバイス１０における光ファイバ３０が接続されている側面である。入力面１４は、本実施形態においては、入力側部材２０の入力側面（一側面）２０ａと、基板１１の入力側面１１ａと、クラッド層１２の入力側（−Ｘ側）の側面とで構成される面である。
【００２６】
出力面１５は、光導波路デバイス１０における光ファイバ３１が接続されている側面である。出力面１５は、本実施形態においては、出力側部材２１の出力側面（一側面）２１ａと、基板１１の出力側面１１ｂと、クラッド層１２の出力側（＋Ｘ側）の側面とで構成される面である。
【００２７】
入力側部材２０は、クラッド層１２上における入力側（−Ｘ側）の端部に設けられている。本実施形態においては、入力側部材２０は、直方体形状である。入力側部材２０の入力側面２０ａは、入力面１４に含まれている。すなわち、入力側部材２０は、入力側面２０ａが、基板１１の入力側面１１ａと面一となるように設けられている。「面一」とは、面と面とが、段差なく連続する平坦面を形成した状態である。入力側部材２０の出力側面２０ｂには、反射膜（反射素子，抑制手段）２２が形成されている。
【００２８】
入力側部材２０は、基板１１と同等の材料で構成されている。すなわち、入力側部材２０は、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板、ＬＮ基板等で構成されている。入力側部材２０は、基板１１と同一の材料でなくてもよいが、同一の材料で構成されていることがより好ましい。入力側部材２０と基板１１とを同一の材料とすることにより、入力側部材２０と基板１１との強度や、熱膨張係数を揃えることができる。
【００２９】
出力側部材２１は、クラッド層１２上における出力側（＋Ｘ側）の端部に設けられている。本実施形態においては、出力側部材２１は、直方体形状である。出力側部材２１の出力側面２１ｂは、出力面１５に含まれている。すなわち、出力側部材２１は、出力側面２１ｂが、基板１１の出力側面１１ｂと面一となるように設けられている。出力側部材２１の入力側面２１ａには、反射膜（反射素子，抑制手段）２３が形成されている。
【００３０】
出力側部材２１は、入力側部材２０と同様に、基板１１と同一の材料で構成されている。すなわち、出力側部材２１は、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板、ＬＮ基板等で構成されている。
【００３１】
入力側部材２０及び出力側部材２１は、光ファイバ３０及び光ファイバ３１を光導波路１３と接続させることを容易にする機能を有している。すなわち、入力側部材２０の入力側面２０ａによって、光導波路デバイス１０の入力面１４を拡張することができ、光ファイバ３０の接合端面全体を入力面１４に接合することができる。これにより、光ファイバ３０と入力面１４との接着強度を増加することができる。また、出力側部材２１の出力側面２１ｂによって、光導波路デバイス１０の出力面１５を拡張することができ、光ファイバ３１の接合端面全体を出力面１５に接合することができる。これにより、光ファイバ３１と出力面１５との接着強度を増加することができる。
【００３２】
光ファイバ３０は、光信号を伝送するためのケーブルである。光ファイバ３０は、図２及び図３に示すように、光を伝搬するコア３２と、コア３２の外側に設けられたクラッド３３とを備える。光ファイバ３０は、図３に示すように、コア３２が光導波路１３の入力側端部１３ａと正面視（ＹＺ面視）において重なるようにして、入力面１４に接続されている。
【００３３】
光ファイバ３０の直径は、例えば、１２５μｍ程度である。コア３２の直径は、例えば、１０μｍ程度である。コア３２及びクラッド３３は、例えば、石英ガラスやプラスチックにより構成されている。
【００３４】
光ファイバ３１は、光ファイバ３０と同様のケーブルである。光ファイバ３１は、図２及び図３に示すように、コア３４と、クラッド３５とを備えている。光ファイバ３１は、出力面１５に、光ファイバ３０と同様にして接続されている。
【００３５】
反射膜２２は、入力側部材２０の出力側面２０ｂの全体に形成されている。反射膜２３は、出力側部材２１の入力側面２１ａの全体に形成されている。反射膜２２及び反射膜２３は、光ファイバ３０から射出される光の少なくとも一部を反射する性質を有する。反射膜２２及び反射膜２３は、例えば、金や、銀、錫で構成されている。
【００３６】
本実施形態によれば、反射膜２２及び反射膜２３を備えているため、光導波路１３に入力されなかった光が出力面１５に到達することを抑制でき、光導波路１３の出力側端部１３ｂに光ファイバ３１を接続することが容易である。以下、詳細に説明する。
【００３７】
図４は、光導波路デバイス１０の部分拡大側断面図である。
図４に示すように、光ファイバ３０のコア３２から光Ｌがクラッド層１２中に形成された光導波路１３に入力される。このとき、コア３２の直径に対して、光導波路１３の直径が小さいため、光導波路１３に入力されない非入力光Ｌｅが生じる。非入力光Ｌｅは、入力側部材２０及び基板１１に入射され、出力側（＋Ｘ側）へと進む。そして、光導波路デバイスに反射膜が設けられていない場合においては、非入力光Ｌｅは、光導波路デバイスの出力面から射出される場合がある。
【００３８】
なお、以下の説明において非入力光Ｌｅとは、光導波路１３に入力されない光のうち、例えば、本実施形態の反射膜２２，２３のような抑制手段がない場合において、光導波路デバイスの出力面から射出される光のことを、特に意味するものとする。
【００３９】
図５は、反射膜が設けられていない光導波路デバイス１１０の側断面図である。図６は、光導波路デバイス１１０の背面図である。図６においては、光ファイバ３１を省略している。光導波路デバイス１１０は、反射膜が設けられていない点を除けば、光導波路デバイス１０と同様の構成である。
【００４０】
図５に示すように、光導波路デバイス１１０の入力側部材２０及び出力側部材２１には、反射膜が形成されていないため、上記説明した非入力光Ｌｅの少なくとも一部は、入力側部材２０を介して出力側部材２１に入射される。そして、出力側部材２１に入射された非入力光Ｌｅは、出力面１５、より詳細には、出力側部材２１の出力側面２１ｂから射出される。これにより、出力面１５には、図６に示すように、多数の光源像Ｌｍが視認されることとなる。
【００４１】
ここで、出力側部材２１から射出される非入力光Ｌｅが、多数の光源像Ｌｍを形成する原理については、詳細は不明ではあるものの、以下のような原理に基づくものと考えられる。すなわち、出力側部材２１に入射された非入力光Ｌｅは、図５に示すように、出力側部材２１内において多重反射され、その結果、光同士が干渉して、光の強弱が生じる。これにより、図６に示すように、出力面１５には、多重反射した光同士が干渉して強め合う部分である多数の光源像Ｌｍが視認されることとなると考えられる。また、場合によっては、入力側部材２０内においても非入力光Ｌｅが多重反射して、出力面１５における多数の光源像Ｌｍの形成に影響を与えていることも考えられる。
【００４２】
以上のようにして、反射膜が設けられていない光導波路デバイス１１０においては、出力面１５に多数の光源像Ｌｍが視認される結果、光導波路１３の出力側端部１３ｂの光が判別しにくくなり、光導波路１３の出力側端部１３ｂに光ファイバ３１を接続することが困難であるという問題があった。
【００４３】
上記のような問題は、入力側の光ファイバ３０の導波路形状と基板１１上の光導波路１３の形状とが異なる場合、つまり入力側の光ファイバ３０を伝播する光のモードフィールドと基板１１上の光導波路１３を伝播する光のモードフィールドとが異なる場合に発生する。特に、上記のような問題は、光導波路デバイスの長さを短くした場合において、顕著に発生する。これは、非入力光Ｌｅが出力面に到達するまでに減衰される度合いが低く、出力面から射出される非入力光の強度が大きいためである。
【００４４】
これに対して、本実施形態によれば、入力側部材２０及び出力側部材２１にそれぞれ反射膜２２及び反射膜２３が設けられているため、図２に示すように、非入力光Ｌｅは、反射膜２２及び反射膜２３によって反射され、出力面１５に到達することが抑制される。その結果、出力面１５から非入力光Ｌｅが射出されることを抑制でき、光導波路１３の出力側端部１３ｂの位置を判別することが容易である。したがって、本実施形態によれば、製造時において、光導波路１３の出力側端部１３ｂに光ファイバ３１を光学的に接続することが容易な光導波路デバイスが得られる。
【００４５】
なお、本実施形態においては、以下の構成を採用することもできる。
【００４６】
上記説明した実施形態においては、入力側部材２０の出力側面２０ｂの全体に反射膜２２が形成され、出力側部材２１の入力側面２１ａの全体に反射膜２３が形成されている構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、反射膜２２は、非入力光Ｌｅの少なくとも一部が反射膜２２に入射される範囲内において、入力側部材２０の出力側面２０ｂの一部に形成されていてもよいし、反射膜２３は、非入力光Ｌｅの少なくとも一部が反射膜２３に入射される範囲内において、出力側部材２１の入力側面２１ａの一部に形成されていてもよい。
【００４７】
また、上記説明した実施形態においては、入力側部材２０と出力側部材２１とに、反射膜２２と反射膜２３とが設けられている構成としたが、いずれか一方の反射膜は設けられていなくてもよい。
また、反射膜２２及び反射膜２３は、入射する光の一部を透過させてもよい。
【００４８】
また、本実施形態においては、反射膜２２，２３の代わりに、吸収膜（吸収素子，抑制手段）が設けられていてもよい。吸収膜は、入射する光の少なくとも一部を吸収する。これにより、非入力光Ｌｅが出力面１５に到達することを抑制できる。
【００４９】
また、本実施形態においては、反射膜２２，２３の代わりに、散乱膜（光散乱素子，抑制手段）が設けられていてもよい。散乱膜は、入射する光を散乱させる。これにより、非入力光Ｌｅが散乱されて強度が弱まり、非入力光Ｌｅが出力面１５に到達することを抑制できる。散乱膜としては、光を散乱させる性質を有する範囲内において、特に限定されない。本実施形態においては、散乱膜の構成として、例えば、透明樹脂内に屈折率の異なる微粒子が含まれているような構成を採用することができる。
なお、散乱膜は、入力側部材２０と出力側部材２１とのいずれか一方のみに設けられていてもよい。特に、散乱光は指向性を失い単位面積あたりの光強度が低下するため、散乱膜は出力面１５から遠い入力側部材２０に設けると効果的である。
【００５０】
また、本実施形態においては、散乱膜の代わりに、入力側部材２０の出力側面２０ｂ及び出力側部材２１の入力側面２１ａを凹凸形状に加工することによって、非入力光Ｌｅを散乱させるような構成としてもよい。凹凸形状は、例えば、サンドブラストによる砂目や、スリット形状等である。また、例えば、入力側部材２０及び出力側部材２１を母材から切り出して製造するような場合においては、入力側部材２０の出力側面２０ｂ及び出力側部材２１の入力側面２１ａを粗切りの状態とすることによって、凹凸形状を形成してもよい。
【００５１】
また、上記説明した実施形態においては、光導波路１３は、直線的に形成されたストレート型の光導波路としたが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、光導波路が、曲率を持っていてもよいし、分岐形状を有していてもよい。本実施形態においては、光導波路は、例えば、マッハツェンダー干渉計型光導波路であってもよい。
【００５２】
また、本実施形態においては、入力側の光ファイバ３０と出力側の光ファイバ３１とが一直線に並んでいなくてもよい。
また、上記説明した実施形態においては、出力側の光ファイバ３１が１つだけ設けられている構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、光導波路１３が分岐し、出力面１５に複数の出力側端部１３ｂが設けられるような場合に、出力側端部１３ｂの数に応じた複数の光ファイバ３１が、出力面１５に接続される構成であってもよい。
【００５３】
また、上記説明した実施形態においては、光ファイバ３０が直接光導波路１３に接続され、光ファイバ３０からの光Ｌが光導波路１３に入力される構成としたが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、光ファイバ３０と、光導波路１３との間にレンズが設けられ、レンズを介して、光ファイバ３０からの光Ｌが光導波路１３に入力される構成としてもよい。
この場合、レンズにより集光された光のモードフィールドと基板１１上の光導波路１３を伝播する光のモードフィールドとが異なる場合や、光の結合の調整が不十分な場合に非入力光Ｌｅが発生する。
【００５４】
また、本実施形態においては、基板１１上に、複数のポリマー材料を塗布して、積層構造の光導波路を形成してもよい。
【００５５】
また、上記説明した実施形態においては、光導波路として有機ポリマーを用いているが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、基板１１をＬＮ基板とし、ＬＮ基板表面からＴｉ等を熱拡散させることによって光導波路を形成するような構成としてもよい。
なお、光導波路１３を形成する基板１１としては、電気光学効果を有するものであればＬＮ基板以外でもよく、例えば、ＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｒ）Ｏ３）や、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）などを形成材料とする基板を用いてもよい。
【００５６】
また、本実施形態においては、基板１１上に、さらに光導波路が形成された厚みが１０μｍ程度のＬＮ基板等の電気光学効果を有する基板を接合するような構成としてもよい。この場合、基板１１は、ＬＮや、シリコン、ガラス、セラミックス等で構成されていてもよい。
なお、基板１１上に接合された光導波路が形成される基板としては、電気光学効果を有するものであればＬＮ基板以外でもよく、例えば、ＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｒ）Ｏ３）や、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）などを形成材料とする基板を用いてもよい。
【００５７】
（第２実施形態）
第２実施形態は、第１実施形態に対して、基板に吸収素子が設けられている点において異なる。
なお、以下の説明においては、上記実施形態と同様の構成については、適宜同一の記号を付す等により、説明を省略する場合がある。
【００５８】
図７は、第２実施形態の光導波路デバイス２１０を示す側断面図である。
本実施形態の光導波路デバイス２１０は、図７に示すように、基板２１１に凹部２２４が形成され、凹部２２４の内部に吸収剤（吸収素子，抑制手段）２２５が充填されている。
【００５９】
凹部２２４は、非入力光Ｌｅの少なくとも一部が、凹部２２４の内部に入射する範囲内において、基板２１１の幅方向（Ｙ軸方向）または、基板２１１の厚み方向（Ｚ軸方向）の一部に形成されていてもよいし、全体に亘って形成されていてもよい。また、凹部２２４の基板２１１における長さ方向（Ｘ軸方向）の位置は、非入力光Ｌｅが凹部２２４の内部に入射する範囲内において、特に限定されない。本実施形態においては、例えば、凹部２２４は、基板２１１の長さ方向（Ｘ軸方向）の中央に形成されている。
【００６０】
吸収剤２２５は、入射する光の少なくとも一部を吸収する性質を有している。
吸収剤２２５の材料は、光を吸収する性質を有する範囲内において、特に限定されず、例えば、カーボンブラック等、光を吸収するいかなる公知の材料を用いてもよい。
【００６１】
また、以上の実施形態においては、非入力光Ｌｅが出力面１５に到達することを抑制するための機能を設ける構成について説明したが、本実施形態においては、入力側部材２０及び出力側部材２１に反射防止膜を形成して積極的に非入力光Ｌｅを出力面１５に透過させる構成であってもよい。これにより、入力側部材２０及び出力側部材２１での多重反射が抑制されるため、出力面１５には、図６に示すような多数の光源像Ｌｍが発生しづらくなり、光導波路１３の出力側端部１３ｂに光ファイバ等を容易に接続することが可能となる。反射防止膜としては、誘電体多層膜などを用いることができる。
【００６２】
本実施形態によれば、光ファイバ３０から射出され、基板２１１に入射された非入力光Ｌｅが吸収剤２２５によって吸収されるため、非入力光Ｌｅが出力面２１５、より詳細には、基板２１１の出力側面２１１ｂに到達することを抑制できる。これにより、本実施形態によれば、製造時において、光導波路１３の出力端部側に光ファイバを接続することが容易な光導波路デバイスが得られる。
【００６３】
なお、本実施形態においては、以下の構成を採用することもできる。
【００６４】
本実施形態においては、吸収剤２２５は、凹部２２４の内部に充填されていなくてもよく、一部に設けられていてもよい。本実施形態においては、例えば、凹部２２４の内壁に吸収剤２２５が塗布されて、吸収膜を形成しているような構成であってもよい。
【００６５】
また、本実施形態においては、凹部２２４の内部、もしくは、内壁に、光を反射する反射膜を設ける構成であってもよい。
また、本実施形態においては、基板２１１の屈折率が空気に比べて、十分に大きいような場合には、基板２１１に凹部２２４のみを形成する構成であってもよい。この場合においては、基板２１１から凹部２２４の内部、すなわち、空気中に非入力光Ｌｅが射出される際に、非入力光Ｌｅが大きく屈折するため、再び基板２１１に入射することを抑制できる。また、空気と基板２１１との屈折率差が大きいため、空気中と基板２１１との境界面での反射率が大きくなり、境界面が反射部として機能する。その結果、非入力光Ｌｅが出力面２１５に到達することを抑制できる。すなわち、凹部２２４が、非入力光Ｌｅが出力面２１５に到達することを抑制する抑制手段として機能する。
【００６６】
また、本実施形態においては、凹部２２４の内壁に凹凸形状を形成する等により、凹部２２４に入射する光が散乱されるような構成としてもよい。
【００６７】
（第３実施形態）
第３実施形態は、第１実施形態に対して、反射膜の代わりに、入力側部材及び出力側部材に形成された凹部に吸収剤が充填されている点において異なる。
なお、以下の説明においては、上記実施形態と同様の構成については、適宜同一の記号を付す等により、説明を省略する場合がある。
【００６８】
図８は、本実施形態の光導波路デバイス３１０を示す側断面図である。
本実施形態の光導波路デバイス３１０は、図８に示すように、入力側部材３２０と、出力側部材３２１とを備えている。
入力側部材３２０には、基板１１側（−Ｚ側）に開口する凹部３２２が形成されている。出力側部材３２１には、基板１１側（−Ｚ側）に開口する凹部３２４が形成されている。凹部３２２及び凹部３２４の側面視（ＺＸ面視）形状は、特に限定されず、本実施形態においては、例えば、矩形状である。凹部３２２及び凹部３２４は、非入力光Ｌｅの少なくとも一部が、凹部３２２及び凹部３２４の内部に入射する範囲内において、光導波路デバイス３１０の幅方向（Ｙ軸方向）の一部に形成されていてもよいし、全体に亘って形成されていてもよい。
【００６９】
入力側部材３２０の凹部３２２の内部には、吸収剤（吸収素子，抑制手段）３２３が充填されている。出力側部材３２１の凹部３２４の内部には、吸収剤（吸収素子，抑制手段）３２５が充填されている。吸収剤３２３及び吸収剤３２５は、第２実施形態における吸収剤２２５と同様であり、入射する光の少なくとも一部を吸収する性質を有する。
【００７０】
入力側部材３２０及び出力側部材３２１の外形状、配置等は、第１実施形態の入力側部材２０及び出力側部材２１と同様である。
【００７１】
本実施形態によれば、非入力光が吸収剤３２３及び吸収剤３２５によって吸収され、出力面３１５に到達することを抑制できる。これにより、本実施形態によれば、製造時において、光導波路１３の出力端部側に光ファイバを接続することが容易な光導波路デバイスが得られる。
【００７２】
なお、本実施形態においては、以下の構成を採用することもできる。
【００７３】
本実施形態においては、吸収剤３２３及び吸収剤３２５は、凹部３２２及び凹部３２４の内部に充填されていなくてもよく、一部に設けられていてもよい。本実施形態においては、例えば、凹部３２２及び凹部３２４の内壁に吸収剤３２３及び吸収剤３２５が塗布されて、吸収膜を形成しているような構成であってもよい。
【００７４】
また、本実施形態においては、吸収剤３２３と吸収剤３２５とは、異なる物質で構成されていてもよい。
また、本実施形態においては、吸収剤３２３及び吸収剤３２５の代わりに、光を反射する物質が凹部３２２及び凹部３２４の内部の少なくとも一部に設けられていてもよい。
【００７５】
また、上記説明した実施形態においては、入力側部材３２０及び出力側部材３２１に基板１１側（−Ｚ側）に開口する凹部３２２及び凹部３２４が形成されているが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、入力側部材３２０及び出力側部材３２１の内部に、閉塞された空間が形成されていてもよい。この場合においては、閉塞された空間内に吸収剤や反射剤等が充填される。
【００７６】
また、本実施形態においては、例えば、入力側部材３２０及び出力側部材３２１に、光導波路デバイス３１０の厚み方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔が形成されていてもよい。
【００７７】
また、本実施形態においては、凹部３２２と凹部３２４とのうち、いずれか一方のみが形成されているような構成であってもよい。
【００７８】
（第４実施形態）
第４実施形態は、第１実施形態に対して、入力側部材及び出力側部材に斜面が形成されている点において異なる。
なお、以下の説明においては、上記実施形態と同様の構成については、適宜同一の記号を付す等により、説明を省略する場合がある。
【００７９】
図９及び図１０は、本実施形態の光導波路デバイス４１０を示す図である。図９は、斜視図である。図１０は、平面図である。
本実施形態の光導波路デバイス４１０は、図９及び図１０に示すように、入力側部材（光学素子，抑制手段）４２０と、出力側部材（光学素子，抑制手段）４２１と、反射膜（反射素子，抑制手段）４２４と、反射膜（反射素子，抑制手段）４２５とを備える。
【００８０】
入力側部材４２０は、光ファイバ３０から入力される光、より詳細には、非入力光Ｌｅの光路方向に対して、基板１１における主面の法線軸（Ｚ軸）回りに約４５°傾いた斜面４２２を有する光学素子である。斜面４２２は、光導波路デバイス４１０の側面側（−Ｙ側）に面している。斜面４２２には、反射膜４２４が形成されている。
【００８１】
出力側部材４２１は、光ファイバ３０から入力される光、より詳細には、非入力光Ｌｅの光路方向に対して、基板１１における主面の法線軸（Ｚ軸）回りに約４５°傾いた斜面４２３を有する光学素子である。非入力光Ｌｅに対する斜面４２３の傾く向きは、斜面４２２と同様である。斜面４２３は、光導波路デバイス４１０の側面側（＋Ｙ側）に面している。斜面４２３には、反射膜４２５が形成されている。
【００８２】
反射膜４２４及び反射膜４２５は、第１実施形態の反射膜２２及び反射膜２３と同様であり、図１０に示すように、非入力光Ｌｅの少なくとも一部を反射する性質を有する。本実施形態によれば、反射膜４２４及び反射膜４２５は、斜面４２２及び斜面４２３に形成されているため、反射膜４２４及び反射膜４２５に入射した非入力光Ｌｅの少なくとも一部は、光路方向が約９０°折り曲げられて反射される。本実施形態においては、反射膜４２４に入射した非入力光Ｌｅと、反射膜４２５に入射した非入力光Ｌｅとは、同じ側（＋Ｙ側）に反射される。これにより、非入力光Ｌｅが出力面４１５に到達することが抑制される。
【００８３】
本実施形態によれば、斜面４２２及び斜面４２３に反射膜４２４及び反射膜４２５が設けられているため、非入力光Ｌｅが出力面４１５に到達することが抑制される。これにより、本実施形態によれば、製造時において、光導波路１３の出力端部側に光ファイバを接続することが容易な光導波路デバイスが得られる。
【００８４】
なお、本実施形態においては、下記の構成を採用することもできる。
【００８５】
本実施形態においては、反射膜４２４及び反射膜４２５が設けられていなくてもよい。この場合においては、非入力光Ｌｅが斜面４２２及び斜面４２３に入射する際に、屈折され、非入力光Ｌｅが出力面４１５に到達することを抑制できる。また、本実施形態においては、斜面４２２及び斜面４２３の形成される角度を調整して、入射される非入力光Ｌｅを全反射させるような構成としてもよい。
【００８６】
また、上記説明した実施形態においては、斜面４２２及び斜面４２３は、光導波路デバイス４１０の側面側（±Ｙ側：Ｚ軸を回転軸とした場合）に面しているが、これに限られない。本実施形態においては、例えば、斜面が上面側（＋Ｚ側）、または底面側（−Ｚ側）に面するように形成されていてもよい。
【００８７】
また、本実施形態においては、斜面４２２及び斜面４２３は、いずれか一方のみが形成されていてもよい。
また、本実施形態においては、斜面４２２と斜面４２３との角度はそれぞれ異なっていてもよい。
【符号の説明】
【００８８】
Ｌ…光、Ｌｅ…非入力光、１０，２１０，３１０，４１０…光導波路デバイス、１１，２１１…基板、１３…光導波路、１３ａ…入力側端部、１３ｂ…出力側端部、１４…入力面、１５，２１５，３１５，４１５…出力面、２０，３２０…入力側部材、４２０…入力側部材（光学素子，抑制手段）、２０ａ…入力側面（一側面）、２１，３２１…出力側部材、４２１…出力側部材（光学素子，抑制手段）、２１ａ…出力側面（一側面）、２２，２３，４２４，４２５…反射膜（反射素子，抑制手段）、２２５，３２３，３２５…吸収剤（吸収素子，抑制手段）、４２２，４２３…斜面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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