(57)【要約】【課題】薄型化および小型化を図ることのできるセンサ基板を提供すること。【解決手段】センサ基板１は、ベース樹脂基板４、および、集積回路３に電気的に接続されるための導体パターン５を有する配線回路基板２を備え、ベース樹脂基板４は、配線形成領域９と端子形成領域１０とを有する。導体パターン５は、配線形成領域９においてベース樹脂基板４の下側に形成され、前後方向に延びる第１長配線１５と、配線形成領域９においてベース絶縁樹脂基板の上側に形成され、前後方向に延び、厚み方向に投影したときに第１長配線１５と交差する第２長配線２０と、端子形成領域１０に形成され、第１長配線１５および集積回路３に電気的に接続される第１端子１２と、端子形成領域１０に形成され、第２長配線２０および集積回路３に電気的に接続される第２端子１４とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層、および、集積回路に電気的に接続されるための導体パターンを有する配線回路基板を備え、
前記ベース絶縁層は、配線形成領域と端子形成領域とを有し、
導体パターンは、
前記配線形成領域において前記ベース絶縁層の厚み方向一方側に形成され、第１方向に延びる第１配線と、
前記配線形成領域において前記ベース絶縁層の厚み方向他方側に形成され、前記第１方向と交差する第２方向に延び、前記厚み方向に投影したときに前記第１配線と交差する第２配線と、
前記端子形成領域に形成され、前記第１配線、および、前記端子形成領域に搭載される前記集積回路に電気的に接続される第１端子と、
前記端子形成領域に形成され、前記第２配線および前記集積回路に電気的に接続される第２端子と
を備える
ことを特徴とする、センサ基板。
【請求項２】
前記配線回路基板は、前記ベース絶縁層の厚み方向一方側に配置される磁性層をさらに備える
ことを特徴とする、請求項１に記載のセンサ基板。
【請求項３】
前記配線回路基板は、前記磁性層の厚み方向一方側に配置される金属層をさらに備える
ことを特徴とする、請求項２に記載のセンサ基板。
【請求項４】
前記配線回路基板は、前記ベース絶縁層と前記磁性層との間に配置される絶縁層をさらに備える
ことを特徴とする、請求項３に記載のセンサ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ基板、詳しくは、位置検出装置などに用いるセンサ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペン型の位置指示器を位置検出平面上で移動させて位置を検出する、座標入力装置などの位置検出装置は、携帯型端末（タブレット型パソコン、スマートフォン）、デジタイザなどのコンピュータの入力装置として普及している。この位置検出装置は、位置検出平面板と、その下に配置され、ループコイルが基板の表面に形成されたセンサ基板（センス部）とを備えている。そして、位置指示器とループコイルとによって発生する電磁誘導を利用することにより、位置指示器の位置を検出する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１では、複数のループコイル配線の端子を基板の一部分に集約させた端子部が形成されており、そして、コントロール回線基板およびフラットケーブルが、折り曲げられた状態で、その端子部に接続されている座標入力装置が提案されている。
【０００４】
特許文献１に記載の座標入力装置では、コントロール回線基板とループコイル配線の端子部との接続を容易にし、小型化が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１６５４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、位置検出装置には、薄型化を図りたいという要求があり、近年、特にその要求が厳しく求められている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１の座標入力装置では、コントロール回線基板およびフラットケーブルが、センス部の裏面に折り返して取り付けられている。特に、コントロール回線基板では、リジッド基板に集積回路が搭載されている。そのため、折り返し部分の厚みが増加しているという不具合が生じている。
【０００８】
一方、特許文献１の座標入力装置では、フラットケーブルおよびコントロール回線基板を折り返さずに、センス部の端部に取り付けることも可能である。
【０００９】
しかしながら、その場合では、フラットケーブルおよびコントロール回線基板が、センス部の端部から大きく突出するため、小型化が図れないという不具合が生じる。
【００１０】
本発明の目的は、薄型化および小型化を図ることのできるセンサ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明のセンサ基板は、ベース絶縁層、および、集積回路に電気的に接続されるための導体パターンを有する配線回路基板を備え、前記ベース絶縁層は、配線形成領域と端子形成領域とを有し、導体パターンは、前記配線形成領域において前記ベース絶縁層の厚み方向一方側に形成され、第１方向に延びる第１配線と、前記配線形成領域において前記ベース絶縁層の厚み方向他方側に形成され、前記第１方向と交差する第２方向に延び、前記厚み方向に投影したときに前記第１配線と交差する第２配線と、前記端子形成領域に形成され、前記第１配線、および、前記端子形成領域に搭載される前記集積回路に電気的に接続される第１端子と、前記端子形成領域に形成され、前記第２配線および前記集積回路に電気的に接続される第２端子とを備えることを特徴としている。
【００１２】
このセンサ基板では、第１配線および端子形成領域に接続される集積回路に電気的に接続される第１端子、ならびに、第２配線および集積回路に電気的に接続される第２端子がベース絶縁層の端子形成領域に形成されている。そのため、フラットケーブルおよび集積回路を形成するためのリジッド基板が不要となり、小型化が図れる。また、フラットケーブルや集積回路をセンサ基板の厚み方向一方側に折り返す必要がないため、薄膜化が図れる。
【００１３】
また、本発明のセンサ基板では、前記配線回路基板は、前記ベース絶縁層の厚み方向一方側に配置される磁性層をさらに備えることが好適である。
【００１４】
このセンサ基板では、磁性層により、配線回路基板の第１配線および第２配線に生じる磁束を磁性層内に収束し、第１配線および第２配線によるセンシングを効率的に行うことができる。
【００１５】
また、本発明のセンサ基板では、前記配線回路基板は、前記磁性層の厚み方向一方側に配置される金属層をさらに備えることが好適である。
【００１６】
このセンサ基板では、金属層によって、磁性層からわずかに漏れてしまった磁束を消失させることができ、位置検出の装置を高めることができる。
【００１７】
また、本発明のセンサ基板では、前記配線回路基板は、前記ベース絶縁層と前記磁性層との間に配置される絶縁層をさらに備えることが好適である。
【００１８】
このセンサ基板では、センサ基板の厚みの増大を抑えつつ、磁性層を介して生じる第１配線の短絡を防止することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のセンサ基板では、薄膜化および小型化が図られている。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明のセンサ基板の一実施形態を示す概略平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示すセンサ基板のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図３】図３は、図１に示すセンサ基板の製造工程のＡ−Ａ線に沿う一部断面図であって、図３Ａは、ベース樹脂基板を用意する工程、図３Ｂは、ベース樹脂基板の下面に、導体パターンを形成する工程、図３Ｃは、ベース樹脂基板にスルーホールを形成する工程、図３Ｄは、ベース樹脂基板の上面に、導体パターンを形成する工程、図３Ｅは、ベース樹脂基板の上面に、接着剤層を形成する工程、図３Ｆは、接着剤層の上面に、カバー層を積層する工程を示す。
【図４】図４は、図３に続いて、図１に示すセンサ基板の製造工程のＡ−Ａ線に沿う一部断面図であって、図４Ｇは、ベース樹脂基板の下面に、第２絶縁層を形成する工程、図４Ｈは、第２絶縁層の下面に、磁性層を積層する工程、図４Ｉは、磁性層の下面に、金属層を積層する工程、図４Ｊは、集積回路を搭載する工程を示す。
【図５】図５は、本発明のセンサ基板の他の実施形態（端子形成領域が平面視略Ｌ字型状）を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１において、紙面上側を「前側」（第１方向一方側）とし、紙面下側を「後側」（第１方向他方側）とし、紙面左側を「左側」（第２方向一方側）とし、紙面右側を「右側」（第２方向他方側）とし、紙厚方向奥側を「下側」（第３方向一方側または後述するベース樹脂基板４の厚み方向一方側）とし、紙厚方向手前側を「上側」（第３方向他方側または後述するベース樹脂基板４の厚み方向他方側）とし、具体的には、図１に記載の方向矢印に準拠する。図１以外の図面についても、図１の方向を基準とする。なお、図１において、導体パターン５の配置を明確にするため、カバー層６および接着剤層２５を省略している。
【００２２】
図１において、このセンサ基板１は、配線回路基板２と、集積回路３とを備えている。
【００２３】
配線回路基板２は、図１および図２に示すように、ベース絶縁層としてのベース樹脂基板４と、ベース樹脂基板４に接触して形成される導体パターン５と、ベース樹脂基板４の上側に形成される、導体パターン５を被覆するように配置されるカバー層６と、ベース樹脂基板４の下側に形成される、導体パターン５を被覆するように配置される磁性層７と、磁性層７の下側に配置される金属層８とを備えている。
【００２４】
ベース樹脂基板４は、平面視において、センサ基板１の外形をなし、略矩形状に形成され、その前端部の左右方向中央部が凸状に突出するように形成されている。
【００２５】
ベース樹脂基板４は、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどの樹脂フィルムから形成されている。
【００２６】
ベース樹脂基板４は、配線形成領域９と端子形成領域１０とを有する。
【００２７】
配線形成領域９は、図１に示すように、平面視において略矩形状に区画されている。
【００２８】
配線形成領域９の前後方向長さおよび左右方向長さは、センサ基板１の目的、用途などによって適宜決定される。
【００２９】
配線形成領域９には、第１ループコイル用導通部２８に対応する第１ループコイル用スルーホール２７（図２参照）、および、第２ループコイル用導通部に対応する第１ループコイル用スルーホール（図示せず）が、ベース樹脂基板４の厚み方向を貫通するように、形成されている。
【００３０】
端子形成領域１０は、ベース樹脂基板４において、配線形成領域９の前端部に区画され、左右方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。すなわち、端子形成領域１０は、平面視において、ベース樹脂基板４の前端部の左右方向中央部から突出している凸部に相当する。
【００３１】
端子形成領域１０は、配線形成領域９と連続するように形成されている。そして、端子形成領域１０は、ベース樹脂基板４の厚み方向に投影したときに、配線形成領域９と重複しないように形成されている。また、端子形成領域１０は、配線形成領域９と同一平面上にある。より具体的には、左右方向に投影したときに、端子形成領域１０と配線形成領域９とは、直線状に形成されている、すなわち、ベース樹脂基板４は、配線形成領域９と端子形成領域１０との境界部分で折れ曲がらないように形成されている。
【００３２】
端子形成領域１０には、第１導通部１７に対応する第１端子用スルーホール１９（図２参照）、および、第２導通部２２に対応する第２端子用スルーホール２４（図２参照）が、ベース樹脂基板４の厚み方向を貫通するように、形成されている。
【００３３】
端子形成領域１０の左右方向長さおよび前後方向長さのそれぞれは、配線形成領域９の左右方向長さおよび前後方向長さのそれぞれよりも短くなるように、形成されている。具体的には、端子形成領域１０の前後方向長さおよび左右方向長さは、搭載する集積回路３の種類、大きさなどに応じて適宜決定されるが、例えば、配線形成領域９の前後方向長さおよび左右方向長さを１００％としたときに、５％以上、好ましくは、１０％以上であり、また、例えば、５０％以下、好ましくは、３０％以下である。
【００３４】
ベース樹脂基板４の厚みは、例えば、６μｍ以上、好ましくは、１２μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下である。
【００３５】
導体パターン５は、複数（４つ）の第１方向（前後方向）に延びる第１ループコイル１１と、複数対（４対）の第１端子１２と、複数（３つ）の第２方向（左右方向）に延びる第２ループコイル１３と、複数対（３対）の第２端子１４とを備えている。
【００３６】
複数の第１ループコイル１１は、配線形成領域９の中央部において、左右方向に、互いに間隔を隔てて配置されている。
【００３７】
複数の第１ループコイル１１のそれぞれは、前後方向に延び、左右方向に互いに間隔を隔てて配置される、第１配線としての１対の第１長配線１５と、1対の第１長配線１５の前後方向両端部を接続する、１対の第１短配線１６とを一体的に備えている。
【００３８】
第１長配線１５は、図２に示すように、配線形成領域９において、ベース樹脂基板４の厚み方向一方側の表面（下面）に直接形成されている。
【００３９】
第１短配線１６は、図１に示すように、左右方向に延び、互いに間隔を隔てて配置され、その長さ（左右方向長さ）が第１長配線１５の長さ（前後方向長さ）より短くなるように形成されている。第１短配線１６は、図２に示すように、配線形成領域９においてベース樹脂基板４の厚み方向他方側の表面（上面）に直接形成されている。そして、前側の第１短配線１６は、図２に示すように、１対の第１ループコイル用導通部２８を介して、１対の第１長配線１５の前端部に接続され、後側の第１短配線１６は、１対の第１ループコイル用導通部２８を介して、１対の第１長配線１５の後端部に接続されている。
【００４０】
複数対の第１端子１２のそれぞれが、複数の第１ループコイル１１のそれぞれに対応するように、端子形成領域１０に形成されている。第１端子１２は、端子形成領域１０において、集積回路３と厚み方向に重複するように、形成されている。すなわち、１対の第１端子１２は、端子形成領域１０において、前後方向に互いに間隔を隔てて対向配置されており、複数対の第１端子１２は、端子形成領域１０において、左右方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００４１】
図１および図２に示すように、複数の第１端子１２のそれぞれは、ベース樹脂基板４の上面に、平面視略矩形状に形成されている。第１端子１２は、第１導通部１７および第１接続配線１８（図１において図示せず）を介して、第１ループコイル１１と電気的に接続されている。
【００４２】
第１導通部１７は、第１端子用スルーホール１９に充填されるように、形成されている。これにより、第１導通部１７は、第１端子１２と第１接続配線１８とを導通させている。
【００４３】
第１接続配線１８は、配線形成領域９および端子形成領域１０に跨って、ベース樹脂基板４の下面に直接形成されている。第１接続配線１８の一端（後端）は、第１ループコイル１１に電気的に接続され、他端（前端）は、第１導通部１７を介して１対の第１端子１２に電気的に接続されている。なお、図１において、第１接続配線１８を省略しているが、公知のパターンにより、第１ループコイル１１と第１端子１２とを電気的に接続することができる。
【００４４】
複数の第２ループコイル１３は、配線形成領域９の中央部において、前後方向に、互いに間隔を隔てて配置されている。
【００４５】
複数の第２ループコイル１３のそれぞれは、左右方向に延び、前後方向に互いに間隔を隔てて配置される、第２配線としての１対の第２長配線２０と、１対の第２長配線２０の左右方向両端部を接続する、１対の第２短配線２１とを一体的に備えている。
【００４６】
第２長配線２０は、配線形成領域９において、ベース樹脂基板４の上面に直接形成されている。
【００４７】
第２長配線２０は、ベース樹脂基板４の厚み方向に投影したときに、第１長配線１５と交差する。詳しくは、複数の第２長配線２０の全ては、ベース樹脂基板４の厚み方向に投影したときに、複数の第１長配線１５の全てと交差している。第１長配線１５と第２長配線２０のなす角度は、例えば、４５〜１３５度であり、好ましくは、７５〜１０５度であり、より好ましくは、直角である。
【００４８】
第２短配線２１は、前後方向に延び、互いに間隔を隔てて配置され、その長さ（前後方向長さ）が第２長配線２０の長さ（左右方向長さ）より短くなるように形成され、配線形成領域９においてベース樹脂基板４の下面に直接形成されている。そして、左側の第２短配線２１は、１対の第２ループコイル用導通部（図示せず）を介して、１対の第２長配線２０の左端部に接続され、右側の第２短配線２１は、１対の第２ループコイル用導通部を介して、１対の第２長配線２０の右端部に接続されている。
【００４９】
複数対の第２端子１４のそれぞれが、複数の第２ループコイル１３のそれぞれに対応するように、端子形成領域１０に形成されている。第２端子１４は、端子形成領域１０において、集積回路３と厚み方向に重複するように、形成されている。すなわち、１対の第２端子１４は、端子形成領域１０において、左右方向に互いに間隔を隔てて対向配置されており、複数対の第２端子１４は、端子形成領域１０において、前後方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００５０】
図２に示すように、複数の第２端子１４のそれぞれは、ベース樹脂基板４の上面に、平面視略矩形状に形成されている。第２端子１４は、第２導通部２２および第２接続配線２３（図１において図示せず）を介して、第２ループコイル１３と電気的に接続されている。
【００５１】
第２導通部２２は、第２端子用スルーホール２４に充填されるように、形成されている。これにより、第２導通部２２は、第２端子１４と第２接続配線２３とを導通させている。
【００５２】
第２接続配線２３は、配線形成領域９および端子形成領域１０に跨って、ベース樹脂基板４の下面に直接形成されている。第２接続配線２３の一端（後端）は、第２ループコイル１３に電気的に接続され、他端（前端）は、第２導通部２２を介して１対の第２端子１４に電気的に接続されている。なお、図１において、第２接続配線２３を省略しているが、公知のパターンにより、第２ループコイル１３と第２端子１４とを電気的に接続することができる。
【００５３】
導体パターン５の各部材は、同一の導体材料から形成される。具体的には、第１ループコイル１１、第１端子１２、第１導通部１７、第１接続配線１８、第１ループコイル用導通部２８、第２ループコイル１３、第２端子１４、第２導通部２２、第２接続配線２３および第２ループコイル用導通部は、同一の導体材料から形成されている。導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などが挙げられる。
【００５４】
第１ループコイル１１および第２ループコイル１３の厚みは、例えば、６μｍ以上、好ましくは、９μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下である。また、第１ループコイル１１の１対の第１長配線１５の間隔および第２ループコイル１３の１対の第２長配線２０の間隔は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、８０μｍ以上であり、例えば、３ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。第１ループコイル１１および第２ループコイル１３の配線の幅は、例えば、６μｍ以上、好ましくは、９μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、７５μｍ以下である。
【００５５】
第１端子１２および第２端子１４の幅は、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、３．０ｍｍ以下、好ましくは、２．０ｍｍ以下である。第１端子１２および第２端子１４の厚みは、例えば、０．２５μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、３．０μｍ以下、好ましくは、２．０μｍ以下である。
【００５６】
カバー層６は、公知の接着剤からなる接着剤層２５を介して、配線形成領域９におけるベース樹脂基板４の上面を被覆するように配置されている。より具体的には、カバー層６は、第２ループコイル１３の第２長配線２０の上面、前面および後面、第１ループコイルの第１短配線１６の上面、前面および後面、ならびに、ベース樹脂基板４の上面を被覆する。カバー層６は、ベース樹脂基板４の厚み方向に投影したときに、配線形成領域９と重複するように積層されている。
【００５７】
カバー層６は、ベース樹脂基板４と同様の樹脂フィルムから形成されている。カバー層６の厚みは、例えば、６μｍ以上、好ましくは、９μｍ以上であり、また、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【００５８】
接着剤層２５の厚み、具体的には、ベース樹脂基板４の上面からカバー層６の下面までの距離（接着剤層２５の最大厚み）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３５μｍ以上であり、また、例えば、７０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【００５９】
磁性層７は、ベース樹脂基板４に対して集積回路３の厚み方向一方側（下側）に配置されている。より具体的には、磁性層７は、第２絶縁層２６を介して、配線形成領域９および端子形成領域１０の全領域において、ベース樹脂基板４の下面を被覆するように形成されている。すなわち、第１ループコイル１１の第１長配線１５の上面、左面および右面、第２ループコイルの第２短配線２１の上面、左面および右面、第１接続配線１８、第２接続配線２３、ならびに、ベース樹脂基板４の下面を被覆する。磁性層７は、ベース樹脂基板４の厚み方向に投影したときに、配線形成領域９および端子形成領域１０と重複するように形成されている。換言すると、磁性層７は、平面視において、ベース樹脂基板４と同一形状となるように形成されている。
【００６０】
磁性層７は、磁性体粒子および樹脂成分を含有する磁性組成物から形成されている。
【００６１】
磁性体粒子を形成する磁性体としては、例えば、強磁性体、反磁性体などが挙げられ、好ましくは、強磁性体が挙げられる。
【００６２】
強磁性体は、磁場によりその方向に強く磁化し、磁場を取り除いても残留磁化を残す磁性体であり、そのような強磁性体として、例えば、軟磁性体、硬磁性体が挙げられる。好ましくは、軟磁性体が挙げられる。
【００６３】
軟磁性体としては、例えば、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ―Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、フェライトなどが挙げられる。これらの中でも、磁気特性の点から、好ましくは、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）が挙げられる。
【００６４】
磁性体粒子の形状としては、例えば、扁平状(板状）が挙げられる。
【００６５】
樹脂成分としては、例えば、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体など）、アクリル樹脂、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド（ナイロン（登録商標））、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリルスルホン、熱可塑性ポリイミド、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリアミノビスマレイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリメチルペンテン、フッ化樹脂、液晶ポリマー、オレフィン−ビニルアルコール共重合体、アイオノマー、ポリアリレート、アクリロニトリル−エチレン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体などの熱可塑性樹脂が挙げられる。また、樹脂として、例えば、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などが挙げられる。
【００６６】
好ましくは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂からなる熱硬化性樹脂成分が挙げられる。
【００６７】
また、磁性組成物は、必要に応じて、熱硬化触媒、無機添加剤、架橋剤などの添加剤を含有することもできる。
【００６８】
磁性層７は、磁性組成物を溶媒に溶解または分散させた磁性組成物溶液を、基材に塗布し、乾燥(必要に応じて加熱)することにより得られる。そして、磁性層７は、第２絶縁層２６を介して、ベース樹脂基板４の下面に貼着される。
【００６９】
磁性層７の厚みとしては、例えば、５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。
【００７０】
第２絶縁層２６は、平面視において、ベース樹脂基板４と同一形状となるように形成されている。
【００７１】
第２絶縁層は、絶縁性、および、ベース樹脂基板４と磁性層７とを接着させる接着性を備える層から形成されている。
【００７２】
第２絶縁層２６の材料としては、樹脂成分を含有し、磁性体粒子を含有しない組成物が挙げられる。樹脂成分としては、磁性層７で例示した樹脂成分が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂成分、より具体的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂からなる熱硬化性樹脂成分が挙げられる。
【００７３】
第２絶縁層２６の厚み、具体的には、ベース樹脂基板４の下面から磁性層７の上面までの距離（第２絶縁層の最大厚み）は、例えば、７μｍ以上、好ましくは、１１μｍ以上であり、また、例えば、５５μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。
【００７４】
金属層８は、磁性層７の厚み方向一方側（下側）に配置されている。より具体的には、金属層８は、配線形成領域９および端子形成領域１０の全領域において、磁性層７の下面を被覆するように形成されている。金属層８は、磁性層７の下面全面に形成されている。金属層８は、厚み方向に投影したときに、ベース樹脂基板４の配線形成領域９および端子形成領域１０と重複するように形成されている。換言すると、金属層８は、平面視において、ベース樹脂基板４と同一形状となるように形成されている。
【００７５】
金属層８は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属層８の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【００７６】
集積回路３は、第１ループコイル１１および第２ループコイル１３に対して給電および信号送出を実施し、第１ループコイル１１および第２ループコイル１３からの信号を処理する制御回路である。集積回路３は、平面視略矩形状に形成され、図示しない端子、半導体層、および、可撓性の絶縁層を備えている。一方、集積回路３は、ガラスエポキシなどの材料から形成される剛性のリジッド基板を備えていない。
【００７７】
集積回路３は、端子形成領域１０に搭載されている。より具体的には、集積回路３は、集積回路３の下面に形成される端子（集積回路端子、図示せず）と、第１端子１２および第２端子１４の上面とが接触するように、端子形成領域１０に配置されている。集積回路３の前後方向長さおよび左右方向長さのそれぞれは、端子形成領域１０の前後方向長さおよび左右方向長さのそれぞれよりも、短くなるように構成されており、集積回路３は、端子形成領域１０の前後方向略中央および左右方向略中央に配置されている。
【００７８】
次に、センサ基板１の製造方法について図３および図４を参照して、説明する。
【００７９】
まず、この方法では、図３Ａに示すように、ベース樹脂基板４を用意する。ベース樹脂基板４は、配線形成領域９および端子形成領域１０が画定するように、外形加工されている。
【００８０】
次いで、図３Ｂに示すように、ベース樹脂基板４の下面に、導体パターン５のうち下面側のパターン（下面側導体パターン）を形成する。より具体的には、ベース樹脂基板４の下面に、第１長配線１５、第２短配線２１、第１接続配線１８および第２接続配線２３を形成する。
【００８１】
導体パターン５は、例えば、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターニング法、好ましくは、アディティブ法によって、上記の導体パターンを、上記したパターンとして形成する。
【００８２】
アディティブ法では、まず、ベース樹脂基板４の下面に、導体薄膜（種膜）を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
【００８３】
次いで、この導体薄膜の下面に、下面側導体パターンのパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の下面に、電解めっきにより、下面側導体パターンを形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
【００８４】
次いで、図３Ｃに示すように、ベース樹脂基板４にスルーホールを形成する。すなわち、ベース樹脂基板４に、第１端子用スルーホール１９と、第２端子用スルーホール２４と、第１ループコイル用スルーホール２７と、第２ループコイル用スルーホール（図示せず）とを形成する。
【００８５】
スルーホールの形成は、例えば、エッチングにより実施することができる。エッチングとしては、エッチング液、レーザーなどの公知のエッチング方法が挙げられる。  
【００８６】
次いで、図３Ｄに示すように、スルーホールに導通部を充填するとともに、ベース樹脂基板４の上面に、導体パターン５のうちの上面側の導体パターン（上面側導体パターン）を形成する。より具体的には、第１端子用スルーホール１９、第２端子用スルーホール２４、第１ループコイル用スルーホール２７および第２ループコイル用スルーホールのそれぞれに導通部（第１導通部１７、第２導通部２２、第１ループコイル用導通部２８および第２ループコイル用導通部（図示せず））のそれぞれを充填するとともに、ベース樹脂基板４の上面に、第１短配線１６、第２長配線２０、第１端子１２および第２端子１４を形成する。
【００８７】
導通部の充填および上面側導体パターンの形成は、図３Ｂにおけるパターンの形成と同様の方法にて実施する。
【００８８】
次いで、図３Ｅに示すように、配線形成領域９におけるベース樹脂基板４の上面に、接着剤層２５を形成する。より具体的には、第１短配線１６および第２長配線２０を被覆するように接着剤層２５を形成する。
【００８９】
接着剤層２５は、例えば、公知の接着剤を、ベース樹脂基板４の上面に、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、均一に塗布することにより形成される。
【００９０】
次いで、図３Ｆに示すように、接着剤層２５の上面にカバー層６を配置する。より具体的には、接着剤層２５の上面および側面を被覆するように、カバー層６を直接積層する。
【００９１】
次いで、図４Ｇに示すように、配線形成領域９および端子形成領域１０におけるベース樹脂基板４の下面に、第２絶縁層２６を形成する。より具体的には、ベース樹脂基板４下面の第１長配線１５、第２短配線２１（図１参照）、第１接続配線１８および第２接続配線２３を被覆するように第２絶縁層２６を形成する。  
【００９２】
第２絶縁層２６は、上記樹脂成分を含有する組成物を溶媒に溶解または分散させた組成物溶液を調製し、その組成物溶液をベース樹脂基板４の下面に、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、均一に塗布および乾燥することにより、第２絶縁層２６を形成する。なお、樹脂成分が熱硬化性樹脂成分である場合は、半硬化（Ｂステージ）状態の第２絶縁層２６が形成される。
【００９３】
次いで、図４Ｈに示すように、第２絶縁層２６の下面に、磁性層７を配置する。より具体的には、第２絶縁層２６の下面全面を被覆するように、磁性層７を直接積層する。
【００９４】
なお、第２絶縁層２６の樹脂成分が熱硬化性樹脂成分である場合は、磁性層７が積層された半硬化状態の第２絶縁層２６を加熱することにより、硬化（Ｃステージ）状態の第２絶縁層２６を形成し、磁性層７をベース樹脂基板４の下側に確実に固定する。
【００９５】
また、磁性層７の樹脂成分が熱硬化性樹脂成分である場合は、硬化状態である磁性層７を第２絶縁層２６に積層させてもよく、半硬化状態である磁性層７を第２絶縁層２６に積層させてもよい。半硬化状態の磁性層７を第２絶縁層２６に積層させる場合は、積層後に、例えば、半硬化状態の磁性層７を半硬化状態の第２絶縁層２６とともに加熱し、磁性層７および第２絶縁層２６を硬化状態とする。
【００９６】
次いで、図４Ｉに示すように、磁性層７の下面に、金属層８を配置する。より具体的には、磁性層７の下面全面を被覆するように、金属層８を直接積層する。
【００９７】
これにより、集積回路３が搭載される前のセンサ基板１を得る。
【００９８】
その後、図４Ｊに示すように、集積回路３を端子形成領域１０に搭載する。より具体的には、集積回路３の端子（図示せず）を、第１端子１２および第２端子１４に接触させ、固定する。これにより、集積回路３が、第１端子１２および第２端子１４と電気的に接続される。
【００９９】
このセンサ基板１は、例えば、位置検出装置用のセンサ基板として好適に用いることができる。位置検出装置の用途としては、例えば、スマートフォン、タブレット型パソコンなどの携帯型端末、例えば、デジタイザなどが挙げられる。
【０１００】
そして、このセンサ基板１では、ベース樹脂基板４、および、集積回路３に電気的に接続されるための導体パターン５を有する配線回路基板２を備えており、ベース樹脂基板４が、配線形成領域９と端子形成領域１０とを有している。また、導体パターン５は、配線形成領域９においてベース樹脂基板４の下面に形成され、前後方向に延びる第１長配線１５と、配線形成領域９においてベース樹脂基板４の上面に形成され、左右方向に延び、厚み方向に投影したときに第１長配線１５と交差する第２長配線２０とを備えている。また、端子形成領域１０に形成され、第１長配線１５および集積回路３に電気的に接続される第１端子１２と、端子形成領域１０に形成され、第２長配線２０および集積回路３に電気的に接続される第２端子１４とを備えている。
【０１０１】
このセンサ基板１では、第１長配線１５および第２長配線２０が配線形成領域９に形成され、第１長配線１５および集積回路３に電気的に接続される第１端子１２、ならびに、第２長配線２０および集積回路３に電気的に接続される第２端子１４が、ベース樹脂基板４の端子形成領域１０に形成されている。そのため、フラットケーブルおよび集積回路３を形成するためのリジッド基板が不要となり、小型化が図れる。特に、配線形成領域９の周囲にある端子形成領域１０を小型化できる。そのため、開口部と開口部を形成する額縁とを備える位置検出装置用筐体に、配線形成領域９が開口部から露出させ端子形成領域１０が額縁に被覆されるように、センサ基板１を収容する際に、額縁の面積を小さくでき、額縁の幅を狭くすることができる。
【０１０２】
また、配線回路基板２に集積回路３を搭載する際に、フラットケーブルおよびリジッド基板などの接続部材を必要としない。さらに、端子形成領域１０をセンサ基板１の下面に折り返す必要がない、すなわち、端子形成領域１０を、配線形成領域９と厚み方向に重複するように、センサ基板１を折り畳む必要がない。従って、センサ基板１の薄膜化、ひいては、センサ基板１を備える位置検出装置の薄膜化を図ることができる。
【０１０３】
また、このセンサ基板１では、配線回路基板２は、ベース樹脂基板４の下面に配置される磁性層７をさらに備えている。
【０１０４】
そのため、このセンサ基板では、磁性層７により、配線回路基板２の第１長配線１５および第２長配線２０に生じる磁束を磁性層７内部に収束し、第１長配線１５および第２長配線２０によるセンシングを効率的に行うことができる。
【０１０５】
また、このセンサ基板１では、配線回路基板２は、磁性層７の下面に配置される金属層８をさらに備えている。
【０１０６】
そのため、このセンサ基板１では、金属層８によって、磁性層７からわずかに漏れてしまった磁束を消失させることができ、位置検出の装置を高めることができる。
【０１０７】
また、このセンサ基板１では、配線回路基板２は、ベース樹脂基板４と磁性層７との間に配置される第２絶縁層２６をさらに備える。
【０１０８】
磁性層７をベース樹脂基板４および第１長配線１５の下面に確実に固定する観点から、接着剤層を、ベース樹脂基板４と磁性層７との間に配置する形態が考えられる。この形態では、磁性層７をベース樹脂基板４および第１長配線１５の下面に直接配置することによる第１長配線１５の短絡が生じるおそれがある。また、この短絡を改善するため、カバー層およびその両面に付着される接着剤層からなる接着カバー層を、ベース樹脂基板４と磁性層７との間に配置する形態が考えられる。この形態では、２層の接着剤層を必要とし、センサ基板１の厚みが増大する。これに対し、ベース樹脂基板４と磁性層７との間に配置される第２絶縁層２６をさらに備える実施形態によれば、第２絶縁層２６が、ベース樹脂基板４および磁性層７に直接接触し、それらを固定している。そのため、第１長配線１５の短絡を防止しながら、２層の接着剤層を要せず、部材の厚みを薄くすることができる。その結果、センサ基板１の厚みの増大を抑えることができる。
【０１０９】
また、図２の実施形態では、端子形成領域１０は、平面視略矩形状に形成され、配線形成領域９の前端部の左右方向中央部に配置されているが、例えば、図５に示すように、平面視略Ｌ字状に形成し、配線形成領域９の前端部および左端部に配置することもできる。
【０１１０】
図５の実施形態では、配線形成領域９および端子形成領域１０からなるベース樹脂基板４は、平面視において、凸部を有しない略矩形状に形成されている。また、集積回路３は、平面視において、略Ｌ字型に形成されている。第１端子１２は、厚み方向に投影したときに集積回路３の右側の後端部と重複するように、端子形成領域１０におけるベース樹脂基板４の上面に形成されており、第２端子１４は、厚み方向に投影したときに集積回路３の下側の右端部と重複するように、端子形成領域１０におけるベース樹脂基板４の上面に形成されている。
【０１１１】
好ましくは、図１の実施形態のように、端子形成領域１０は、平面視略矩形状に形成され、配線形成領域９の前端部の左右方向中央部に配置する。このため、センサ基板を収容する筐体の額縁をより一層小型化することができる。
【０１１２】
また、図２の実施形態では、ベース樹脂基板４の下面に金属層８が配置されているが、例えば、図示しないが、ベース樹脂基板４の下面に金属層８を配置せずに、磁性層７を露出することができる。
【０１１３】
また、図１および２の実施形態では、カバー層６が上面から露出しているが、例えば、図示しないが、カバー層６の上面に、画像表示装置を配置することもできる。
【符号の説明】
【０１１４】
１  センサ基板  
２  配線回路基板
３  集積回路
４  ベース樹脂基板
５  導体パターン
７  磁性層
８  金属層
９  配線形成領域
１０  端子形成領域
１２  第１端子
１４  第２端子
１５  第１長配線
２０  第２長配線
【図１】
2015005263.tif 000003
【図２】
2015005263.tif 000004
【図３】
2015005263.tif 000005
【図４】
2015005263.tif 000006
【図５】
2015005263.tif 000007