(57)【要約】  本発明の１つの観点は、被加工物上にパターンを生成するために、マスク書き込み装置または直接書き込み装置に与えられるパターン設計データ内の少なくとも１つのオブジェクトにおいてサブ・オブジェクトを再形成する方法であって、前記オブジェクトが第１の方向に複数のスライバを有している方法を含む。この方法は、ａ）スライバ・リストを生成する作業、および以下の作業を繰り返す作業、すなわちｂ）オブジェクト・リスト中の動的オブジェクトを前記スライバ・リスト中のスライバと比較して隣接するスライバを探す作業、ｃ）隣接するスライバを前記スライバ・リストから前記オブジェクト・リストへ移す作業、ｄ）隣接するスライバを前記動的オブジェクトと併合する作業、ｅ）前記スライバ・リスト中のどのスライバも前記オブジェクト・リスト中の前記動的オブジェクトに隣接しなくなったとき繰り返しを終了させる作業を繰り返す作業を含む。本発明の他の観点は、詳細な説明、図面および特許請求の範囲に示される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物上にパターンを生成するために、マスク書き込み装置または直接書き込み装置に与えられるパターン設計データ内の少なくとも１つのオブジェクトにおけるサブ・オブジェクトを再形成する方法であって、前記オブジェクトは第１の方向に複数のスライバを有している方法において、
ａ）スライバ・リストを生成する作業
を含み、また以下の作業を繰り返す作業、すなわち
ｂ）オブジェクト・リスト中の動的オブジェクトを前記スライバ・リスト中のスライバと比較して隣接するスライバを探す作業、
ｃ）隣接するスライバを前記スライバ・リストから前記オブジェクト・リストへ移動させる作業、
ｄ）隣接するスライバを前記動的オブジェクトと併合する作業、
ｅ）前記スライバ・リスト中のどのスライバも前記オブジェクト・リスト中の前記動的オブジェクトに隣接していないときに前記繰り返しを終了させる作業
を繰り返す作業を含む方法。
【請求項２】
前記動的オブジェクトを、少なくとも前記第１の方向に垂直な方向に再分割する作業をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記動的オブジェクトが、その下側と上側の両方の長辺について、前記スライバ・リスト中の各スライバの上側および下側の長辺とそれぞれ比較される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記動的オブジェクトがもとはスライバである請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記スライバがそのアスペクト比によって定義され、該アスペクト比は１：３以下である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記再分割する作業が、前記動的オブジェクトを長方形または台形に分割する請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記被加工物が半導体基板である請求項Ｉ５に記載の方法。
【請求項８】
前記被加工物がマスクまたはレチクル基板である請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記被加工物上にパターンを生成するために、前記マスク書き込み装置またはマスクレス書き込み装置がＳＬＭに基づいている請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記マスク書き込み装置またはマスクレス書き込み装置が、ラスタ型のマスク書き込み装置またはマスクレス書き込み装置である請求項Ｉ５に記載の方法。
【請求項１１】
前記スライバ・リストが、前記パターン設計データ中のスライバの総数より少ない数のスライバを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記サブ・オブジェクトの前記再形成が、前記パターン設計データ中の少なくとも１つのオブジェクトの周囲長を最小化する作業を含む請求項Ｉ５に記載の方法。
【請求項１３】
前記マスク書き込み装置またはマスクレス書き込み装置がＶＳＢタイプのものである請求項Ｉ５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィにおける全体の書き込み時間を短縮するための改善されたデータ処理方法に関し、特にマスクまたはマスクレス・リソグラフィ用の形状データをヒーリング（ｈｅａｌｉｎｇ：修正、再構築）する改善された方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
時間と共にプロセッサ、メモリ回路および他の半導体の容量が大きくなるにつれて、チップはますます複雑且つ高密度になっている。メモリ回路、特に小さいフィーチャを有する回路はすべて、一般により高密度になっている。これらの回路のためのパターンは、パターンに光学近接およびレーザ近接補正フィーチャが加えられているため、回路よりさらに複雑になっている。チップ上のより小さいフィーチャ、およびより厳しい限界寸法に対する要求に応じて、装置および書き込み方策はますます精巧になっている。
【０００３】
例えばマスク書き込み装置や直接書き込み装置（マスクレス書き込み装置）などのパターン生成装置に与えられるかなりの量の設計データは、大量に細長く分割（スライバー化）されている。例えばＣＩＦ（商標）、ＯＡＳＩＳ（商標）、Ａｐｐｌ１ｃｏｎ（商標）、ＤＸＦ（商標）、ＭＥＢＥＳ（商標）、ＧＤＳ−ＩＩ（商標）などの設計データにおける多量のオブジェクト／フィーチャは、複数のサブ・オブジェクト／フィーチャに分割される。これらのサブ・オブジェクト／フィーチャが生成されるのは、前記オブジェクト／フィーチャが、光学近接およびレーザ近接補正を規定する多数のジョグ（ｊｏｇ：凹凸）を含むためである。ある特定のアスペクト比を有するサブ・オブジェクト／フィーチャが、スライバとして定義される。設計データの処理はスライバによって、極端にとは言わないまでも、より計算集約的になり、さしあたり前記スライバの出現によって利益を得るマスク書き込み装置またはマスクレス書き込み装置は存在しないが、それにもかかわらず前記スライバは生成される。すべてのスライバが、プリントされるオブジェクトとして処理されるため、複数のスライバを有するある特定のフィーチャは、全体として不要に大きい周長を有することになる。例えばＭ１ｃｒｏｎ１ｃ  Ｓｉｇｍａ７３００やＭ１ｃｒｏｎ１ｃ  Ｏｍｅｇａ６６００などのラスタ・パターン生成装置では、多数のスライバの処理によって全体の書き込み時間が増加し、それが問題になる。例えばＪＥＯＬ  ＪＢＸ−３０３０ＭＶなどのベクトル型のビーム・パターン生成装置でも、きわめて幅の狭いスライバによってＣＤ（限界寸法）のばらつきが生じるため、やはりスライバに伴う問題が存在する。スライバが十分に小さくなると、ＶＳＢパターン生成装置を用いて書き込むことができなくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
製造業者はムーアの法則に追随しようとするので、大量の幾何形状（すなわち設計データ中のオブジェクト・フィーチャ）を処理し、被加工物上に正確なパターンを作成することができる書き込み装置に対する要求が絶えず存在する。当分野では、書き込み時間を短縮すると同時に、必要とされる正確なパターンを作成することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つの観点は、マスク書き込み装置または直接書き込み装置に与えられるパターン・データ内の少なくとも１つのオブジェクトの周囲長を最小化する方法であって、前記オブジェクトが第１の方向に複数のスライバを有している方法を含み、この方法は、（ａ）スライバ・リストを生成する作業、（ｂ）オブジェクト・リスト中の動的オブジェクトを前記スライバ・リスト中のスライバと比較して隣接するスライバを探す作業、（ｃ）隣接するスライバを前記スライバ・リストから前記オブジェクト・リストへ移動させる作業、（ｄ）隣接するスライバを前記動的オブジェクトと併合する作業、（ｅ）前記スライバ・リスト中のどのスライバも前記オブジェクト・リスト中の前記動的オブジェクトに隣接しなくなるまで、作業（ｂ）〜（ｄ）を繰り返す作業を含む。
【０００６】
本発明の他の態様は、詳細な説明、図面および特許請求の範囲に示される。
【０００７】
以下の詳細な記述は、図面を参照して行われる。好ましい実施例は、特許請求の範囲によって定められる本発明の範囲を限定するためではなく、例示のために記述される。当業者には、以下の説明に対して様々な同等の変更形態が認識されるであろう。
【実施例】
【０００８】
図３は、本発明の利益になり得る、被加工物６０にパターンを形成する従来技術による装置の実施例を示している。
【０００９】
前記装置は、電磁放射線を放出する放射線源１０、オブジェクト・レンズ装置５０、コンピュータ制御レチクル３０、ビーム調節装置２０、フーリエ面内の空間フィルタ７０、フーリエ・レンズ装置４０、および前記被加工物６０を有している。
【００１０】
放射線源１０は、７８０ｎｍから約２０μｍまでと定義される赤外線（ＴＲ）から、極紫外線（ＥＵＶ）までの波長範囲の放射線を放出することができ、本願では極紫外線は、１００ｎｍから、放射線が電磁放射線として処理されるまで、すなわち光学部品によって反射および集束されるまでの範囲として定義されている。放射線源１０は、パルス状または連続的に放射線を放出する。連続的な放射線源１０から放出された放射線を、前記放射線源１０と前記コンピュータ制御レチクル３０との間の放射線経路に配置されたシャッタを用いて、パルス状の放射線にすることができる。例えば放射線源を、２４８ｎｍでのパルス出力、約１０ｎｓのパルス長および１０００Ｈｚの反復率を有するＫｒＦエキシマ・レーザとすることができる。反復率は１０００Ｈｚより低くても高くてもよい。
【００１１】
ビーム調節装置２０は、単純なレンズまたはレンズの組立体とすることができる。ビーム調節装置２０は、放射線源１０から放出された放射線をコンピュータ制御レチクル３０の表面全体に均一に分配する。連続的な放射線源の場合には、そうした放射線源のビームをコンピュータ制御レチクルの表面全体にわたって走査してもよい。
【００１２】
被加工物６０はシステマティックに移動され、それによって光学系が所望のデバイス層パターンを合成する。
【００１３】
コンピュータ制御レチクル３０を、空間光変調器（ＳＬＭ）とすることができる。この実施例では、ＳＬＭは、被加工物６０のある特定の領域にパターンを形成するのに必要なすべての情報を単一時間有している。
【００１４】
本願の残りの部分では、静電気的に制御されるマイクロミラーの行列（１次元または２次元）を想定しているが、前述のように、その変調機構としてのＬＣＤ結晶体または電子光学材料に依存する透過式または反射式のＳＬＭ、あるいは圧電式または電気ひずみ式の動作を用いたマイクロメカニカルＳＬＭなど他の装置も可能である。
【００１５】
ＳＬＭ３０は、コンピュータからの個別の入力によって調節される出力放射線ビームを発生させるプログラム可能な装置である。ＳＬＭ３０は、コンピュータによって与えられたデータに応答して、明るいピクセルと暗いピクセルの生成を通してマスクの機能をシミュレートする。例えば、位相ＳＬＭ３０はエッチングされた固体ミラーのアレイである。各マイクロミラー素子は、ヒンジを戻すことによってシリコン基板の上に吊下され、それを別々の支柱または隣接するミラーによって支持することができる。マイクロミラー素子の下にはアドレス電極が存在する。１つのマイクロミラーが、オブジェクト面内の１つのピクセルを表す。画像面内のピクセルは、ここではマイクロミラーと同じ形状を有するように定義されるが、サイズは光学系によって異なり、すなわち光学系が拡大処理を行っているか縮小処理を行っているかに応じて大きくまたは小さくなる可能性がある。
【００１６】
マイクロミラーおよびアドレス電極はコンデンサとして働き、その結果、例えばマイクロミラーに印加された負電圧が、アドレス電極に対する正電圧と共にマイクロミラーを吊下しているトーション・ヒンジを捻り、それがマイクロミラーの回転または上下の移動を可能にし、それによって反射光の位相変調が生じる。
【００１７】
この実施例では、投影システムは、合成結像レンズとすることができるフーリエ・レンズ装置４０と、空間フィルタ７０と、オブジェクト・レンズ装置５０とを有している。フーリエ・レンズ装置４０および空間フィルタ７０は共に、一般にフーリエ・フィルタと呼ばれるものを形成する。フーリエ・レンズ装置４０は、空間フィルタ７０上に回折パターンを投影する。合成された最終レンズとすることができるオブジェクト・レンズ装置５０は、被加工物６０上に空間像を形成する。
【００１８】
この実施例では、空間周波数フィルタ７０はプレート内の開口部である。前記開口部は、１次またはそれよりも高い回折次数に回折されるすべての光線を本質的に遮蔽するように寸法を決められて配置されるが、例えば前記開口部をフーリエ・レンズ装置４０からの焦点距離に配置することができる。反射された放射線は、前記フーリエ・レンズ装置４０によって焦点面内で集められ、この焦点面は同時にオブジェクト・レンズ装置５０の瞳面（ｐｕｐｉｌ  ｐｌａｎｅ）として働く。開口部は、ＳＬＭにおいてアドレス指定されたマイクロミラーの１次およびそれよりも高い回折次数からの光線を遮断するが、アドレス指定されていないミラー表面からの放射線は開口部を通過することができる。その結果、通常のリソグラフィと同様、被加工物６０上には強度が調節された空間像が得られる。
【００１９】
図４は、リソグラフィのパターン生成装置、すなわちマスク書き込み装置またはマスクレス書き込み装置における、設計データからパターン形成ステップまでの概略的な流れ図を示している。第１のステップは、ＣＤＦ（商標）、Ａｐｐｌ１ｃｏｎ（商標）、ＤＸＦ（商標）、ＭＥＢＥＳ（商標）、ＯＡＳＩＳ（商標）またはＧＤＳ−ＩＩ（商標）から得られるパターン設計の未加工データを示している。例えばマスク基板や半導体基板などの被加工物上への前記設計データにパターンを形成するパターン生成装置を適合させるために、前記設計データは前処理ステップ４２０で前処理を受ける必要がある。前記前処理ステップは、本発明の方法を含むことができる。ラスタライザ４３０では、前記設計データがラスタライズされてピクセル・パターンになる。前記ピクセル・パターンは、パターン生成装置のピクセルより細かいことが好ましい。ＳＬＭベースのパターン生成装置では、前記ピクセルは、例えば一辺が１６μｍの矩形など、ある特定サイズのマイクロミラーである。そうしたサイズのマイクロミラーは２００倍の縮小率と共に、前記被加工物上に８０ｎｍのピクセル・サイズをもたらす。ＳＬＭの各ピクセルを６５の異なる階調の状態に設定することが可能なので、前記被加工物上での前記ピクセル・サイズは、１．２５ｎｍまで低下する。前記ラスタライズされた設計データのピクセル・サイズは、被加工物上への前記ＳＬＭの前記ピクセル・サイズと同程度、またはそれよりも小さくすることができる。ここではピクセルの形の前記ラスタライズされた設計データは、その後、前記ＳＬＭでマイクロミラー用の駆動信号に変換される。
【００２０】
前記被加工物上にパターンを生成する変調器としてＳＬＭを用いる代わりに、Ｏｍｅｇａ６６００として示されるＭｉｒｏｎ１ｃのパターン生成装置に用いられている、音響光学的偏向板と組み合わせた音響光学的変調器といった他のタイプのリソグラフィ方法を用いることもできる。前記被加工物上にレジスト層を露光する放射線源としてレーザを用いる代わりに、当分野でよく知られた技術による電子ビーム源を用いることも可能であり、したがって本開示でさらに詳しく説明する必要はない。
【００２１】
最後のパターン形成ステップ４５０では、前記ＳＬＭは、企図されたパターンを搭載し、そしてレーザ・パルスが前記ＳＬＭに当てられて前記被加工物に伝えられ、そこで、使用した波長に敏感な層がパターン設計データに従って露光される。
【００２２】
図１ａは、多数のサブ・フィーチャ／オブジェクト１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９、１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０を含むオブジェクト／フィーチャ１００を示している。図１ａに示したオブジェクト／フィーチャ１００は、ＣＩＦ（商標）、Ａｐｐｌ１ｃｏｎ（商標）、ＤＸＦ（商標）、ＭＥＢＥＳ（商標）、ＯＡＳＩＳ（商標）、ＧＤＳ−ＩＩ（商標）といったデータ形式から生成された設計データがどのように見えるかという典型的な例である。サブ・フィーチャ／オブジェクト１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９、１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０は、それぞれのジョグについてＹ方向に生成されている。前記サブ・フィーチャ／オブジェクトのいくつかは、スライバを定義するアスペクト比を有している（１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９）。スライバはサブ・フィーチャ／オブジェクトであり、第１の方向、すなわち図１ａのＸ方向において、その垂直方向、すなわち図１ａのＹ方向に比べてずっと長くなっている。スライバを定義するアスペクト比は様々であってよいが、１：１０の比をスライバの典型的な例とすることができる。アスペクト比が１：３より大きいとき、すなわち１：２または１：１であるときには、通常スライバとは言わないが、アスペクト比が１：３以下、すなわち１：４、１：５、１：６などでは、通常スライバであると言う。
【００２３】
図１ａでは、サブ・オブジェクト１２０、１１２、１２４、１２６、１２８、１３０はそのアスペクト比が大きすぎるため、スライバとして扱われない。
【００２４】
図１ａから分かるように、前記スライバ１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９、および他のサブ・オブジェクト／フィーチャ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０を考慮すると、前記オブジェクト／フィーチャ１００は、大きなフィーチャ輪郭すなわち周長を有しており、そのためパターン生成装置が処理を行うのに不要に計算集約的になる。この細長く分割されたオブジェクト／フィーチャがきわめて計算集約的になる理由は、多くのスライバが、プリントすべき同じオブジェクトに属している（この場合、図１ａにおいて前記スライバ１１０、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９はフィーチャ１００に属している）にもかかわらず、各スライバが別個のオブジェクトとして処理されるからである。
【００２５】
図１ｂは、図１ａに示したものと同じであるが、ここでは本発明の実施例に従ってすべてのスライバがヒーリングされているオブジェクト／フィーチャ１００が示されている。図１ａと図１ｂを互いに比較すれば、図１ａと比べて図１ｂでは全体的なフィーチャの輪郭または周長がより小さくなっていることは明らかである。サブ・オブジェクト１５０をサブ・オブジェクト１２０、１２２、１２４、１２６、１２８および１３０と共に処理するのにかかる時間は、サブ・オブジェクト１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０およびすべてのスライバ１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９の場合と比べてはるかに少なくなる。
【００２６】
図１ｃは、図１ｂに示したものと同じであるが、ここでは図１ｂのサブ・オブジェクト１５０が再分割された後のオブジェクト／フィーチャ１００を示している。図１ａに示したフィーチャ／オブジェクト１００のもとの設計データは、Ｘ方向に延びるスライバを有していた。この再分割は、Ｘ方向に延びる前記スライバを再現するためではなく、Ｘ方向ではなくＹ方向に、すなわちデータを＋／−９０°回転させて実施される。そのように実施することによって、もとのスライバが再現されることはない。その代わり、１７０、１７１、１７２、１７３、１７４、１７５、１７６、１７７、１７８、１７９、１８０で示される新しいサブ・オブジェクト／フィーチャが作成される。サブ・オブジェクト１９０は長方形であり、それは図１ｃの他のすべてのサブ・オブジェクト／フィーチャにあてはまる。ヒーリング処理または再分割処理の間、サブ・オブジェクト・フィーチャ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０は変更されない。
【００２７】
図２は、本発明によるヒーリング方法の一実施例の流れ図を示している。設計データ記憶装置２１０からオブジェクト／フィーチャが読み込まれる。すべてのオブジェクト／フィーチャは、それらオブジェクト／フィーチャがスライバかどうか調べられる（２２０）が、それは、例えば１：３より小さいなどと定義されたアスペクト比によって決定される。前記オブジェクト／フィーチャがスライバでない場合、そのオブジェクト／フィーチャをこのヒーリング方法から回避させ（２３０）て、設計データ記憶装置２１０からの次のオブジェクト／フィーチャを調べる。図１ａでは、サブ・フィーチャ／オブジェクト１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０が、そのアスペクト比のためにヒーリング方法から回避される。
【００２８】
前記オブジェクト／フィーチャがスライバである場合には、このスライバをスライバ・リスト２４０に格納する。本発明による一実施例では、前記スライバ・リストは、設計データ記憶装置２１０内のすべてのスライバを含むことができる。他の実施例では、前記スライバ・リストは、前記設計データ記憶装置２１０内のスライバの総数のうち限られた数だけを含む。最も一般的な形の設計データのヒーリングは、スライバのひとつひとつについて設計データ集合体における他のすべてのスライバに対する絶対的な近接性をテストする計算集約的な作業である。半導体設計において、膨大なオブジェクト／フィーチャ数を伴うそのようなテストは、すぐには克服できないものになっている。
【００２９】
スライバの発生を抑制するように作業を限定することによって、スライバが擬似的にシステマティックな方法で生成され、設計データにおいて空間近接性は相応関係を有する傾向があるという前提に依存することが可能になる。スライバは通常、それに隣接するものが設計データ記憶装置内で近くに配置されている。この観察を推し進めることによって、ヒーリング・アルゴリズムをオブジェクト／フィーチャの候補の領域のみに及ぶように限定し、条件テストの数を扱いやすいレベルまで減らすことが可能になる。
【００３０】
スライバ・リスト２４０は、オブジェクト・リスト２９０内の現在の動的オブジェクトに適合するかどうか走査されるスライバを保持する。先の説明から容易に理解されるように、スライバ・リストのサイズは調整パラメータであり、開始時点で定義されなければならない。スライバ・リストを大きくするとスライバが前記動的オブジェクトに適合する確率が高まるが、コンピュータの負荷も高まる。リストを小さくすると、一部の組合せを見落とす可能性があるが、より効率的に実行される。生成パターンを評価することによって、理想的なバランスを決定する必要がある。
【００３１】
オブジェクト・リストは、現在生成中の動的オブジェクトを保持する。リストのサイズは動的であり、適合することが分かったスライバの数と共に大きくなる。このことは、互いに結合またはヒーリングされて前記動的オブジェクトに入るスライバが多いほど前記動的オブジェクトを格納するために大きいスペースが必要になり、また前記スペースのサイズはうまく適合したものの数に依存するということからも容易に理解することができる。ただし、リストを扱いやすい数の範囲内に保つために、リストに最大サイズを適用してもよい。
【００３２】
調べるスライバの数がスライバの総数よりも少ない実施例では、前記スライバ・リストをロードするとき、前記リストがいっぱいかどうか調べられる（２３５）。次いで、前記スライバ・リスト中のスライバの１つが前記リストから前記オブジェクト・リスト２９０へ移され、あるいは、全く新しいスライバが設計データ記憶装置２１０から直接オブジェクト・リスト２９０へ移される。前記オブジェクト・リスト２９０内の前記スライバは、前記スライバ・リスト２４０中の他のスライバと比較される。ここでは、前記スライバ・リスト中の１つまたは複数のスライバが、オブジェクト・リスト２９０中の動的オブジェクトと隣接しているかどうかが比較される。前記動的オブジェクトの上側の長辺が、前記スライバ１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９の下側の長辺と比較され、前記動的オブジェクトの下側の長辺が、前記スライバ１１０、１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９の上側の長辺と比較される。前記動的オブジェクトの前記上側または下側の長辺は、１つまたは複数の前記スライバと併合された後、動的に変化する。
【００３３】
テストを１つの軸線（スライバの長辺）のみに沿った座標の厳密な一致に限定することによって、隣接するスライバの組合せを加速することができる。何らかの理由で前記スライバが短辺に隣接していれば、そのケースは異常と考え、無視することができる。最初のテストはＹ座標のみを用いて、厳密に一致するものを探す。一致した場合には、２つのスライバのＸインターバルが一致しているかどうかを調べる。最初の組合せを１つの軸線に限定することによってテストの数を著しく減少し、動的オブジェクトを格納する構造を単純にする。すなわちリストは、第１の次元としてのｙ座標、および第２の次元としてのｘ座標上に格納されることができる。
【００３４】
スライバに対するテスト（２２０）が存在するのは２つの理由による。第１に、それはデータ処理の下流で特定の問題を起こすことのない形状に対する不要な処理を抑制するためである。第２に、それは１つの特定の方向に広がりをもつフィーチャ／オブジェクトを選別するためである。後者は、分割が最適な方法で機能するのに必要である。
【００３５】
前記動的オブジェクトでは、あるスライバを別のスライバから区別していた内部のもとの境界線を取り除くことによって、スライバがヒーリングまたは互いに併合される。形状を画定する動的オブジェクトの外側の境界線だけは、変わらずに残される。ヒーリングされたオブジェクトは、任意の多角形の形を有することができる。
【００３６】
本発明による一実施例では、前記ヒーリングされたデータが再分割される。この再分割が行われるのは、パターン生成装置におけるデータ処理が、長方形および台形を含むパターン・データしか受け入れないためである。前記パターン生成装置が単調な多角形を受け入れる場合には、その多角形の形状次第で再分割が必要であるかもしれない。パターン生成装置が任意の形状の多角形を受け入れる場合、このステップは不要である。再分割は、ヒーリングされた多角形を各頂点でＹ方向に分割することによって働く。もともとはＸ方向のスライバを有する多角形では、結果として生じた多角形が再分割によってｙに切られ、図１ｃにおいては、サブ・フィーチャ／オブジェクト１７０、１７１、１７２、１７３、１７４、１７５、１７６、１７７、１７８、１７９および１８０が、再分割後に作成されたサブ・オブジェクト／フィーチャである。ヒーリング・アルゴリズムにおけるスライバのテストは、一般的な範囲の多角形の制御、再分割時にここで適用される情報を提供する。もちろん、ヒーリング・アルゴリズムをどの軸線に適用するかについて基本的な制限はない。処理能力の理由のためにパターン・データが回転を必要とする場合には、同様に諸条件も回転させることができる。スライバのテストは、ＸとＹの両方のスライバの検出を含むように拡張することも可能であり、それによって方向に関係なくすべてのスライバをヒーリングすることができるという利点がもたらされ、したがってアルゴリズムは回転に対して中立になる。スライバのテストからの出力は、それぞれがスライバの方向を表す２つの別個のチャネルを与える。
【００３７】
スライバを含むパターンが与えられたとすると、全体としての周囲長を減少させることができる本発明の方法によって、パターン内のファクタ０．３であるすべての長方形に対してヒーリングを行うことができる。ラスタ・パターン生成装置では、書き込むべき前記フィーチャ周長の減少によって、書き込み時間が短縮される可能性が高くなる。ＶＳＢパターン生成装置では、前記周長の減少、したがって最適化されたＸ／Ｙ比率によって、より適切なＣＤ制御がもたらされる。
【００３８】
ヒーリングの処理時間は、パターン・データ記憶装置２１０からパターン生成装置へのパターンの読み込み時間と同程度に短くすることができる。ヒーリングのオーバーヘッドは低く、それは、スライバが検出されなければ、処理時間が全く、またはほとんど増加しないことを意味している。
【００３９】
前述の実施例は方法の観点からの説明であるが、この方法を用いた装置およびシステムも容易に理解される。特許請求の範囲に記載の方法を実施することが可能なプログラムを含む磁気メモリは、そうした装置の１つである。特許請求の範囲に記載の方法を実施するプログラムを備えたメモリを有するコンピュータ・システムも、そうしたもう１つの装置である。
【００４０】
先に詳述した好ましい実施形態および実施例を参照することによって本発明が開示されているが、これらの実施例は限定の意味ではなく例示的な意味において意図されたものであることが理解される。当業者には変更および組合せを見いだすことが容易であると予想されるが、そうした変更および組合せは本発明の趣旨および添付の特許請求の範囲の範囲内であろう。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１ａ】マスク書き込み装置またはマスクレス書き込み装置に与えられる設計データのフィーチャを示す図である。
【図１ｂ】ヒーリング後の図１ａのフィーチャを示す図である。
【図１ｃ】再分割後の図１ｂに示したフィーチャを示す図である。
【図２】本発明によるヒーリング方法の一実施例を示す図である。
【図３】単純化されたＳＬＭマスクまたはマスクレス書き込み装置を示す図である。
【図４】リソグラフィのラスタ・パターン生成装置における、設計データからパターン形成ステップまでの概略的な流れ図である。
【図１ａ】
2008512710.tif 000003
【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
2008512710.tif 000009
2008512710.tif 000010