(57)【要約】【課題】マスクの撓み量に基づいたマスクの撓み調整を、アライメント計測と同時に行う並列シーケンスとすることで、スループットの向上した露光装置を提供する。【解決手段】マスクを任意に撓ませた状態においてマスクのアライメントマークの計測を行い、マスク撓み量およびマスクマークのデフォーカスしたときのズレ量をテーブルに記録し、管理しておく。露光処理開始時、マスクの撓み調整とアライメント計測とを同時に行い、アライメント計測値から、あらかじめ作成しておいたテーブルに基づいて求めたズレ量を除去する。このようにして、マスク撓み調整と同時に計測したアライメント計測値に対して、マスクの撓み量の影響を取り除く補正を行う。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクの片面にチャンバ部材を設けて密閉した空間を形成する密閉手段と、
前記チャンバ部材とマスクとの間に形成された密閉空間の圧力を所定の圧力に調整する圧力調整手段、および、圧力値を計測する圧力計測手段と、
マスクの面形状を計測してマスクの撓み量を計測する撓み量計測手段と、
マスクおよび基板に配置された各アライメントマークを計測するアライメント計測手段とを備え、
前記マスクの面形状を計測し、その計測結果に基づいて前記マスクに形成されたパターン像を投影光学系を介して基板上に投影する露光方法において、
前記圧力調整手段および撓み量計測手段およびアライメント計測手段を用いて、露光前に、各アライメント計測位置毎に圧力値に対するマスク撓み量とアライメント計測値との関係をまとめたテーブルをあらかじめ作成し管理する工程と、
前記圧力調整手段および撓み計測手段およびアライメント計測手段とを用いて、露光時に、１ショット目にて、前記各アライメントマークを使用し各アライメント計測位置にてアライメント計測を行うと同時に、アライメント計測を行った時点でのマスクの撓み量を前記撓み量計測手段を用いて計測し、前記チャンバ部材およびマスク間の圧力を調整するための目標圧力値を算出する第１算出工程と、
１ショット目の各アライメント計測時点でのマスクの撓み量から、前記テーブルを用いてアライメント補正量を算出する第２算出工程、および、各アライメント計測位置での各アライメント計測値から、前記第２算出工程で算出したアライメント補正量を加味することで補正を行う第１補正工程と、
露光時に、２ショット目以降では、前記第１算出工程で算出した目標圧力値に基づいて圧力調整するとともに、各アライメント計測位置にてアライメント計測を行い、かつ、各アライメント計測時点での圧力値を計測し、前記テーブルを用いてアライメント補正量を算出する第３算出工程、および、各アライメント計測位置での各アライメント計測値から、前記第３算出工程で算出したアライメント補正量を加味することで補正を行う第２補正工程
とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
露光時に、最終ショットにて、前記各アライメントマークを使用して各アライメント計測位置にてアライメント計測を行うと同時に、各アライメント計測位置でのマスクの撓み量を前記撓み量計測手段を用いて計測し、マスクが所定の形状となっているかを確認することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
各アライメントマークを計測するためのアライメントマーク計測手段とマスクの撓み量計測手段とを、マスクのスキャン方向の同一位置に配置できない場合でも、マスクをスキャンさせて各アライメント計測とマスク撓み量とを個別に計測することで前記テーブルと同等のテーブルをあらかじめ作成して、各アライメント計測位置での各アライメント計測値からアライメント補正量を加味して補正することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクの面形状を計測し、その計測結果に基づいて、前記マスクに形成されたパターン像を投影光学系を介して基板上に露光する露光方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示デバイスや半導体デバイスは、マスクに形成されたパターンを感光基板上に転写するフォトリソグラフィ工程を通して製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、基板を保持して二次元移動する基板ステージと、マスクを保持して二次元移動するマスクステージとを有し、マスクに形成されたパターンをマスクステージ及び基板ステージを逐次移動させながら投影光学系を介して基板に転写する。液晶表示デバイスを製造する際には、表示領域の大型化の要求から、マスクステージと基板ステージとを同期走査しながらマスクのパターンを連続的に基板上に転写する走査型露光装置が主に用いられている。
【０００３】
図１２は、液晶ディスプレイパネル等の大型の基板への回路パターンの転写に用いられる投影露光装置の概略構成を示す側面図である。マスクＭに形成された回路パターンは、台形ミラー５２、凸面鏡５３、凹面鏡５４等を含んで構成される投影系を通して基板Ｐ上に投影され転写される。マスクＭは、マスクステージＭＳＴによって保持され、基板Ｐは、プレートステージＰＳＴによって保持される。この露光装置において、基板Ｐ上に回路パターンを転写する場合、マスクＭを照明系ＩＬにより露光光で照明する。マスクＭに形成されたパターン（いわゆるマスクパターン）を透過した露光光は、投影系を構成する台形ミラー５２、凸面鏡５３及び凹面鏡５４を介してマスクパターン像を基板Ｐ上に形成する。
【０００４】
ところで、マスクは大型化することで自重により撓む。このマスクの撓みにより基板に転写されるパターンがデフォーカスするという問題がある。マスクの撓みを調整する技術として、特許文献１には、マスクの片面にチャンバ部材を設け、このチャンバ部材とマスクとの間に形成された空間の圧力を負圧にすることでマスクの撓みを調整する技術が開示されている(特許文献１参照）。
【０００５】
チャンバ部材が付されたマスクがマスクステージに保持され、感光基板が基板ステージ上に保持されると、アライメント処理の後に走査露光を開始する。
【０００６】
図１３を参照しながら、従来の露光シーケンスについて説明する。図１３では、基板上の各投影領域（ショット領域）が４ショットの場合を例に説明している。
【０００７】
従来の露光シーケンスでは、マスクをマスクステージに積載後、マスクおよびマスクステージにそれぞれ配置されている位置合わせ用のアライメントマークをアライメント計測器を用いて計測し、マスクおよびマスクステージの位置を合わせた後、次に述べる３段階を踏むことによりマスクの自重撓みを調整していた。まず、チャンバ部材とマスクとの間に形成された空間の圧力をあらかじめ決めておいた暫定的な圧力値に調整してマスクの撓みを粗調整する段階１、マスクの撓みを粗調整後、撓み測定装置によってマスクの撓み量を計測する段階２、計測されたマスクの撓み量に基づき、さらにマスクの撓みを調整する段階３である。そして、前記３段階を経た後、マスクおよび基板にあらかじめ配置された各アライメントマークをアライメント計測器によって計測することにより、マスクおよび基板の位置合わせを行い、露光を開始していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−３１５２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記の３段階のマスクの撓み調整シーケンスおよびアライメント計測シーケンスは、直列のシーケンスのため、各々の処理の分だけスループットがかかっていた。しかし、マスクの撓みを調整しないままアライメント計測を行うと、マスクの撓み量の影響でアライメント計測値が変化してしまうため、並列シーケンスにすることができなかった。
【００１０】
本発明は、マスクの撓み粗調整後のマスクの撓み量計測、および、マスクの撓み量計測に基づいたマスクの撓み調整を、アライメント計測と同時に行う並列シーケンスとする露光装置及び方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
事前にキャリブレーションシーケンスを実施してマスクの撓みによるマスクアライメントマークのズレ量を計測したテーブルを作成しておくことで、マスクの撓み調整が未実施の状態でアライメント計測を行った場合でも、アライメント計測値から、事前に作成したテーブルのデータを用いてマスクの撓み量の影響を取り除く補正をすることで、マスクの撓み粗調整後のマスクの撓み量計測、および、マスクの撓み量計測に基づいたマスクの撓み調整を、アライメント計測と同時に行う並列シーケンスとすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、マスクの撓み粗調整後のマスクの撓み量計測、および、マスクの撓み量計測に基づいたマスクの撓み調整を、アライメント計測と同時に行う並列シーケンスとすることが可能になるとともに、従来のシーケンスと比較してスループットを短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】投影露光装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】図１の一部を拡大し、簡略化した図である。
【図３】マスクのアライメントマークについて説明した図である。
【図４】マスクパターン面をＺ方向に動かした場合の、撓み量とアライメント計測値について説明した図である。
【図５】撓み量とアライメント計測値の関係をまとめたテーブルについて示した図である。
【図６】本発明のキャリブレーションシーケンスについて説明するフロー図である。
【図７】本発明の露光シーケンスについて説明するフロー図である。
【図８】撓み制御空間Ｓの圧力値の変移と、本発明の露光シーケンスについての関係を表した図である。
【図９】本発明のアライメント計測値補正シーケンスについて説明するフロー図である。
【図１０】本発明の実施例２における投影露光装置の概略構成を示す側面図である。
【図１１】本発明の実施例２におけるテーブル作成時の投影露光装置の側面図である。
【図１２】従来の投影露光装置の概略構成を示す側面図である。
【図１３】従来の露光シーケンスについて説明するフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［実施例１］
図１は、本発明を適用できる液晶露光装置の構成概略図である。図２は、図１の一部を拡大し、簡略化した図である。
【００１５】
図１、図２において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持して移動するマスクステージＭＳＴと、感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されたマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンを基板ステージＰＳＴに保持された感光基板Ｐに投影し転写する投影光学系ＰＬと、アライメント計測を行うアライメントスコープＡＳ（ＣＣＤ）とを備えている。マスクおよび基板に配置された位置合わせ用マーク（アライメントマーク）を計測する際には、アライメントスコープＡＳで画像信号を取り込み、取り込まれた画像信号を画像処理装置７０で処理することによりマーク位置を計測する。また、マスクＭの上部は、マスクＭの面を境界の一部とする撓み制御空間Ｓを形成する撓み制御ユニット（空間Ｓを定義する空間定義部材）１が配置される。
【００１６】
露光装置ＥＸは、更に、マスクＭの撓み量を計測する撓み計測装置６０を備える。撓み計測装置６０は、例えばマスクＭの下方に配置され、マスクＭの下面のＺ軸方向の位置を計測する。撓み計測装置６０の計測結果は、演算装置ＣＬに提供される。演算装置ＣＬは、提供された計測結果に基づいて、マスクＭの撓みを調整するための圧力指令値を演算し、その圧力指令値を圧力制御装置ＰＲＣに提供する。圧力制御装置ＰＲＣは、提供される圧力指令値に基づき、撓み制御空間Ｓの圧力を検知する圧力センサの出力に基づいて撓み制御空間Ｓの圧力を制御する。
【００１７】
この実施形態の露光装置ＥＸは、大型凹面鏡を有するいわゆるミラースキャン型露光装置として構成されている。感光基板Ｐは、典型的には、ガラスプレート（ガラス基板）に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものである。この実施形態では、露光装置ＥＸは、走査型露光装置として構成され、露光光ＥＬを射出する照明光学系ＩＬに対してマスクＭと感光基板Ｐとを同期して移動させて、マスクＭのパターンを感光基板Ｐに走査露光により転写する。
【００１８】
なお、ここでは、アライメントスコープＡＳと撓み計測装置６０は、スキャン方向（Y方向）の同一位置に配置されているものとする。
【００１９】
マスクＭは、図２に示すように、自重により下方に凸になるように撓んでいるものとする。撓み制御ユニット１が付されたマスクＭがマスクステージＭＳＴに保持され、感光基板Ｐが基板ステージＰＳＴ上に保持されると、主制御系は、アライメント処理の後に走査露光を開始する。
【００２０】
撓み制御ユニット１とマスクＭとの間に形成された撓み制御空間Ｓの圧力を調整せず、マスクＭが撓んだ状態のままマスクＭおよび基板Ｐに配置されたアライメントマークの計測を行うと、アライメント計測値がマスクの撓みによる影響で変化してしまう。つまり、圧力調整後の撓みの無いマスクＭでアライメント計測を実施した際に得られる本来のアライメント計測値に、マスクＭの撓みによるズレ量が含まれた値が計測されることになる。よって、マスクＭが撓んだままアライメント計測を行った場合、アライメント計測値からマスクの撓みによるズレ量を除去する必要がある。そこであらかじめ、各アライメント計測位置でのマスク撓み量と、撓みによるデフォーカス時のマスクアライメントマークのズレ量を計測しておき、計測結果をまとめたテーブルＴを作成しておく（テーブルＴについては後述する）。そして、マスクＭの撓み調整とアライメント計測とを同時に行った際のアライメント計測値から、あらかじめ求めておいたテーブルＴのデータを利用して、ズレ量を除去することでアライメント計測値の補正をし、走査露光を開始する。なお、テーブルＴは演算装置ＣＬ内にメモリされており、演算装置ＣＬによってアライメント計測値の補正が実行される。
【００２１】
これにより、マスクの撓み調整とマスクＭおよび基板Ｐのアライメント計測とを同時に行った場合でも、アライメント計測値を精度良く補正した状態で露光を開始することが可能となる。
【００２２】
次に、図３、図４、図５、図６を参照しながら、先述したテーブルＴを作成するための本発明のキャリブレーションシーケンス動作について説明する。なお、テーブルＴは露光シーケンス中に使用するため、露光シーケンス開始前までにあらかじめ作成しておく必要がある。
【００２３】
図３に示すように、マスクＭのパターン面には、マスクＭと基板Ｐの位置合わせを行うためのアライメント計測用のマークが配置されている。本例では、マークを計６点（マスクのスキャン方向に、Ｐｏｓ１、Ｐｏｓ２、Ｐｏｓ３、と３組のマーク）を有しているが、マーク数は任意数とする。
【００２４】
テーブルＴを作成するための本発明のキャリブレーションシーケンス動作について、マスクＭのアライメントマークＰｏｓ１位置の場合を例に、図６に沿って説明する。
【００２５】
＜ステップＳ６０１（Ａ時点）＞
撓み制御ユニット１とマスクＭとの間に形成された撓み制御空間Ｓの圧力を変化させ、マスクの撓みを変化させることで、図４のようにマスクパターン面をＺ方向に動かす。当然、マスクＭのアライメントマークＰｏｓ１もＺ方向に変化し、アライメントマークＰｏｓ１がデフォーカスする。この時点をＡ時点とする。
【００２６】
＜ステップＳ６０２（Ａ時点）＞
Ａ時点での下記の値を計測する。
・撓み制御空間Ｓの圧力値Ａ１ｃを圧力センサによって計測する。
・Ｐｏｓ１位置のマスク撓み量Ａ１ｂを、撓み測定装置６０によって計測する。
・アライメントマークＰｏｓ１をアライメントスコープＡＳによって計測する。（アライメント計測値Ａ１ａ）
＜ステップＳ６０３（Ａ時点）＞
Ａ時点でのステップＳ６０２の計測結果（撓み制御空間Ｓの圧力値Ａ１ｃおよびＰｏｓ１位置の撓み量計測値Ａ１ｂおよびＰｏｓ１のアライメント計測値Ａ１ａ）をアライメントマークがデフォーカスしたときのズレ量としてテーブルＴ１に記録する。
【００２７】
＜ステップＳ６０１（Ｂ時点）＞
Ａ時点でのステップＳ６０１と同様に、撓み制御空間Ｓの圧力をさらに変化させ、マスクパターン面をＺ方向に動かし、マスクＭのアライメントマークＰｏｓ１をＺ方向に変化させる。この時点をＢ時点とする。
【００２８】
＜ステップＳ６０２（Ｂ時点）＞
Ａ時点でのステップＳ６０２と同様に、Ｂ時点での下記の値を計測する。
・撓み制御空間Ｓの圧力値Ｂ１ｃ
・アライメントマークＰｏｓ１位置のマスク撓み量計測値Ｂ１ｂ
・アライメントマークＰｏｓ１のアライメント計測値Ｂ１ａ
＜ステップＳ６０３（Ｂ時点）＞
Ａ時点でのステップＳ６０３と同様に、Ｂ時点での撓み制御空間Ｓの圧力値Ｂ１ｃおよびＰｏｓ１位置のマスク撓み量計測値Ｂ１ｂおよびＰｏｓ１のアライメント計測値Ｂ１ａを、テーブルＴ１に記録する。
【００２９】
この計測動作を任意回数（ｎ時点まで）繰り返し、図５のようにテーブルＴ１にデータを記録していく。
【００３０】
このように、アライメントマークのＺ位置に対するアライメント計測値のズレ量を、アライメント計測位置毎（Ｐｏｓ１、Ｐｏｓ２、Ｐｏｓ３毎）に計測しておき、アライメント計測位置毎にテーブルを作成しておく（テーブルＴ１、テーブルＴ２、テーブルＴ３）。マスクアライメントマークはマスクＭに依存するため、マスク毎に撓み量とマークを計測し、テーブルＴを作成しておく必要がある。
【００３１】
次に、図７、図８、図９を参照しながら、本発明の露光シーケンス動作、およびアライメント計測値の補正動作、アライメント計測値補正シーケンス動作について説明する。図７、図８では、基板上の各投影領域（ショット領域）が４ショットの場合を例に説明している。
【００３２】
＜ステップＳ７０１＞
まず、マスクＭをマスクステージＭＳＴに積載する。
【００３３】
＜ステップＳ７０２＞
マスクＭおよびマスクステージＭＳＴにそれぞれ配置されている位置合わせ用のアライメントマークを、アライメントスコープＡＳによって計測し、マスクＭおよびマスクステージＭＳＴの位置を合わせる。
【００３４】
＜ステップＳ７０３＞
撓み制御ユニット１とマスクＭとの間に形成された撓み制御空間Ｓの圧力を、あらかじめ決めておいた暫定的な圧力値に調整してマスクの撓みを粗調整する。撓み粗調整後、ステップＳ７０４ａおよびステップＳ７０４ｂに遷移する。ステップＳ７０４ａおよびステップＳ７０４ｂは同時に並行して実行される。
【００３５】
＜ステップＳ７０４ａ＞
マスクを保持したマスクステージをスキャン方向（Ｙ方向）に走査駆動し、アライメントスコープＡＳによってマスクのアライメントマーク位置および基板Ｐの１ショット目のアライメントマーク位置を合わせる。そして、１ショット目のマスクＭおよび基板Ｐのアライメント計測を行う。１ショット目のアライメント計測位置分（Ｐｏｓ１、Ｐｏｓ２、Ｐｏｓ３分）計測を行う。マスク撓み調整前にアライメント計測を行うため、ここで計測したアライメント計測値は、マスクの撓みによるズレ量を含んでいる。そのため、アライメント計測値からマスクの撓み量の影響を取り除く補正を行う。補正は、前記で作成したテーブルから、ステップＳ７０４ｂで計測するマスク撓み量に基づいてズレ量を求め、各アライメント計測値からそのズレ量を除去することで補正する。
【００３６】
＜ステップＳ７０４ｂ＞
前記ステップＳ７０４ａのアライメント計測と同時に、撓み計測装置６０によってマスクの撓み量を計測する。マスクをＹ方向に走査駆動し、マスクのアライメントマーク（Ｐｏｓ１、Ｐｏｓ２、Ｐｏｓ３）のＺ位置を計測することで、マスクの撓み量を計測する。１ショット目で計測したマスク撓み量から、マスクＭを撓み無く調整するための目標となる圧力値（目標圧力値）を算出する。
【００３７】
＜ステップＳ７０５ａ、Ｓ７０５ｂ＞
次に、２ショット目以降にて、目標圧力値に基づき圧力を調整する（ステップＳ７０５ｂ）と同時にアライメント計測を行う（ステップＳ７０５ａ）。
【００３８】
マスク撓み調整中にアライメント計測を行うため、ここで計測したアライメント計測値は、マスクの撓みによるズレ量を含んでいる。そのため、アライメント計測値からマスクの撓み量の影響を取り除く補正を行う。アライメント計測値補正シーケンスについて、図９を参照しながら説明する。
【００３９】
＜ステップＳ７０５ｘ＞
各ショットの各アライメント計測時、各アライメント計測位置での圧力値を圧力センサによってリアルタイムに計測する。
【００４０】
＜ステップＳ７０５ｙ＞
露光シーケンス開始前までに事前に作成しておいた前記テーブルＴより、ステップＳ７０５ｘで計測した圧力値での、圧力に対するズレ量を算出する。
【００４１】
＜ステップＳ７０５ｚ＞
ステップＳ７０５ａのマスクの撓みによるズレ量を含んだアライメント計測値から、ステップＳ７０５ｙで算出したズレ量を除去することでアライメント計測値を補正する。
【００４２】
ショット数にもよるが、本例では最終ショットのアライメント計測前までに、圧力調整が終了するものとする。
【００４３】
なお、最終ショットのアライメント計測前までに、圧力調整が終了しなかった場合は、最終ショットのアライメント計測前で圧力調整が終了するのを待ち、圧力調整終了後にステップＳ７０６ａおよびＳ７０６ｂに遷移するものとする。
【００４４】
＜ステップＳ７０６ａ、Ｓ７０６ｂ＞
最終ショットのアライメント計測（ステップＳ７０６ａ）と同時に、確認のため、マスク撓み量を計測する（ステップＳ７０６ｂ）。
【００４５】
マスクの撓みが計測されなかった場合、１ショット目から最終ショット目までのアライメント計測値は、各々の補正動作で正しく補正されていると判断され、そのままステップＳ７０７へ遷移する。
【００４６】
マスクの撓みが計測された場合、その撓み量を補正値として、さらにアライメント計測値に反映させ補正する。アライメント計測値を再補正後、ステップＳ７０７へ遷移する。
【００４７】
＜ステップＳ７０７＞
正しく補正したアライメント計測値を使用して、露光処理を開始する。
【００４８】
以上より、マスクの撓み量計測および撓み量計測に基づいたマスクの撓み調整と、アライメント計測とを同時に行った場合でも、前記テーブルを利用してアライメント計測値を精度良く補正をした状態で露光処理を実施することができる。また、アライメント計測時に、マスクの撓み量計測および撓み調整を同時に行うことで、スループットを短縮することができる。
【００４９】
［実施例２］
アライメントスコープＡＳと撓み測定装置６０は、スキャン方向（Ｙ方向）同一位置に配置されていることが望ましい。しかし、マスクＭと投影光学系ＰＬの間の空間は狭く、マスクＭと投影光学系ＰＬの間に撓み測定装置６０を配置することは、光学的・物理的性質上困難である。よって、撓み測定装置６０をアライメントスコープＡＳとＹ方向同一位置に配置することが困難である。
【００５０】
このため、図１０に示すように、撓み測定装置６０を投影光学系ＰＬの側面に配置する。すると、あるマスク撓みが発生している状態でアライメント計測を実施した際の、そのアライメントマークが存在する位置でのマスクの撓み量は、同時には計測することはできなくなってしまう。
【００５１】
そこで、図１１に示すように、マスクマークのアライメント計測を実施後、圧力を変更せずマスク撓みを変更しないまま、マスクを載せたマスクステージをＹ方向に駆動させてマスクのアライメントマークを撓み測定装置６０上に移動し、撓み量を計測する。これを任意の回数繰り返して、前記と同様のテーブルを作成しておく。
【００５２】
これにより、アライメントスコープＡＳと撓み測定装置６０がスキャン方向同一位置に配置されていなくとも、マスクの撓み粗調整後のマスクの撓み量計測、および、マスクの撓み量計測に基づいたマスクの撓み調整を、アライメント計測と同時に行うことが可能となる。
【符号の説明】
【００５３】
Ｍ            ：マスク
ＭＳＴ        ：マスクステージ
ＭＳＴＤ      ：マスクステージ駆動部
Ｐ            ：感光基板
ＰＳＴ        ：基板ステージ
ＰＳＴＤ      ：基板ステージ駆動部
ＩＬ          ：照明光学系
ＰＬ          ：投影光学系
ＥＬ          ：露光光
ＥＸ          ：露光装置
ＡＳ          ：アライメントスコープ
１            ：撓み制御ユニット
Ｓ            ：撓み制御空間
ＰＲＣ        ：圧力制御装置
６０          ：撓み測定装置
７０          ：画像処理装置
ＣＬ          ：演算装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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