(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制できるとともに、ヒゲの発生を抑制できるダイシング・ダイボンディングフィルムを提供する。【解決手段】接着剤層３に厚さ１００μｍのウェハ４を貼り合わせた状態で、第１のダイシングブレードが切り込み深さ５０μｍでウェハを１００ｍ切り込んだ後、第１のダイシングブレードの切り込みに沿って、第２のダイシングブレードが少なくとも粘着剤層２に達する切り込み深さでウェハ及び接着剤層を１００ｍ切断したときの第２のダイシングブレードの摩耗量が２０〜２００μｍであり、第２のダイシングブレードの幅は、第１のダイシングブレードのド幅より小さく、第１のダイシングブレードによる切り込み形成条件が、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４００００ｒｐｍであり、第２のダイシングブレードによる切断条件が、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４５０００ｒｐｍである。【選択図】図１
2015005636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、粘着剤層及び接着剤層がこの順に積層したダイシング・ダイボンディングフィルムであって、
前記接着剤層に厚さ１００μｍのシリコンベアウェハを貼り合わせた状態で、第１のダイシングブレードが切り込み深さ５０μｍで前記シリコンベアウェハを１００ｍ切り込んだ後、
前記第１のダイシングブレードの切り込みに沿って、第２のダイシングブレードが少なくとも前記粘着剤層に達する切り込み深さで前記シリコンベアウェハ及び前記接着剤層を１００ｍ切断したときの前記第２のダイシングブレードの摩耗量が２０〜２００μｍであり、
前記第２のダイシングブレードのブレード幅は、前記第１のダイシングブレードのブレード幅より小さく、
前記第１のダイシングブレードによる切り込み形成条件が、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４００００ｒｐｍであり、
前記第２のダイシングブレードによる切断条件が、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４５０００ｒｐｍであるダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項２】
前記接着剤層の厚み／前記基材及び前記粘着剤層の合計厚みが０．０４５〜０．９である請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【請求項３】
前記接着剤層が研磨剤として球状アルミナフィラーを含み、
前記接着剤層中の前記球状アルミナフィラーの含有量が６０〜８８重量％である請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンディングフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング・ダイボンディングフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハをダイシングする工程では、半導体ウェハをダイシングフィルムに貼り付けた状態でダイシングすることがある。ダイシングフィルムとしては、基材上に粘着剤層が積層された構造を有するものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、ダイシングフィルムを用いて半導体ウェハをダイシングする場合、ダイシングラインにヒゲ状の異物（基材由来の研磨クズ）が残ることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９８９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１は、ヒゲの発生を低減するために、基材の構成成分として特定の樹脂を用いたダイシングフィルムを開示している。しかしながら、特許文献１などに記載の従来のダイシングフィルムを半導体ウェハに貼り合わせた状態で多量にダイシングすると、ダイシングブレードに研磨クズが付着し、目詰まりが発生して、ダイシングブレードの切れ味が低下してしまう。ダイシングブレードの切れ味の低下は、ヒゲを発生し易くさせる。
【０００６】
本発明は前記課題を解決し、ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制できるとともに、ヒゲの発生を抑制できるダイシング・ダイボンディングフィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基材、粘着剤層及び接着剤層がこの順に積層したダイシング・ダイボンディングフィルムであって、前記接着剤層に厚さ１００μｍのシリコンベアウェハを貼り合わせた状態で、第１のダイシングブレードが切り込み深さ５０μｍで前記シリコンベアウェハを１００ｍ切り込んだ後、前記第１のダイシングブレードの切り込みに沿って、第２のダイシングブレードが少なくとも前記粘着剤層に達する切り込み深さで前記シリコンベアウェハ及び前記接着剤層を１００ｍ切断したときの前記第２のダイシングブレードの摩耗量が２０〜２００μｍであり、前記第２のダイシングブレードのブレード幅は、前記第１のダイシングブレードのブレード幅より小さく、前記第１のダイシングブレードによる切り込み形成条件が、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４００００ｒｐｍであり、前記第２のダイシングブレードによる切断条件が、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４５０００ｒｐｍであるダイシング・ダイボンディングフィルムに関する。
【０００８】
摩耗量が２０μｍ以上であるので、ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制でき、ヒゲの発生を抑制できる。一方、摩耗量が２００μｍ以下であるので、ダイシングブレードの寿命が過度に短くなることを防止できる。
【０００９】
なお、本発明では、２種類のダイシングブレードを用いてシリコンベアウェハをステップカットした際の第２のダイシングブレードの摩耗量を規定しているが、本発明のダイシング・ダイボンディングフィルムはシングルカットなど他のダイシング方法を採用する場合でも、前述の効果を奏することができる。
【００１０】
前記接着剤層の厚み／前記基材及び前記粘着剤層の合計厚みが０．０４５〜０．９であることが好ましい。０．０４５以上であるので、ダイシングブレードの研磨（ドレス）効果が得られ、ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制できる。０．９以下であるので、ダイシングブレードの寿命が過度に短くなることを防止できる。
【００１１】
前記接着剤層が研磨剤として球状アルミナフィラーを含み、前記接着剤層中の前記球状アルミナフィラーの含有量が６０〜８８重量％であることが好ましい。ダイアモンドに次ぐ硬度のアルミナを接着剤層に含有させることでダイシングブレードを良好に研磨できる。また、アルミナの形状を高充填可能な球状とすることで、良好な研磨効果が得られる。さらに球状アルミナフィラーの含有量を上記範囲内とすることで、ダイシングブレードを良好に研磨でき、切れ味の低下を防止できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制できるとともに、ヒゲの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態１のダイシング・ダイボンディングフィルムの断面模式図である。
【図２】実施形態１のダイシング・ダイボンディングフィルムの変形例の断面模式図である。
【図３】半導体装置の製造工程の一部を模式的に示す図である。
【図４】（ａ）は第１のダイシングブレードがシリコンベアウェハを切り込む様子を模式的に示す図である。（ｂ）は第１のダイシングブレードにより切り込みが形成されたシリコンベアウェハの断面の一部を模式的に示す図である。
【図５】（ａ）は第２のダイシングブレードがシリコンベアウェハ及び接着剤層を切断する様子を模式的に示す図である。（ｂ）は第２のダイシングブレードにより切断されたシリコンベアウェハの断面の一部を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００１５】
［実施形態１］
図１は、実施形態１のダイシング・ダイボンディングフィルムの断面模式図である。図２は、実施形態１のダイシング・ダイボンディングフィルムの変形例の断面模式図である。
【００１６】
図１に示すように、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０は、ダイシングフィルム１１上に接着剤層３が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、接着剤層３はその粘着剤層２上に設けられている。またダイシング・ダイボンディングフィルム１０は、図２に示すように、ワーク（半導体ウェハ４など）貼り付け部分にのみ接着剤層３を形成した構成であってもよい。
【００１７】
ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の接着剤層３に厚さ１００μｍのシリコンベアウェハを貼り合わせた状態で、第１のダイシングブレードが切り込み深さ５０μｍでシリコンベアウェハを１００ｍ切り込んだ後、第１のダイシングブレードの切り込みに沿って、第２のダイシングブレードが少なくとも粘着剤層２に達する切り込み深さでシリコンベアウェハ及び接着剤層３を１００ｍ切断したときの第２のダイシングブレードの摩耗量が２０μｍ以上である。２０μｍ以上であるので、ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制でき、ヒゲの発生を抑制できる。ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制するという観点から摩耗量は大きいほど好ましい。このため、摩耗量は、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上である。
【００１８】
一方、ダイシングブレードの寿命の観点から、摩耗量は小さいほど好ましい。具体的には、摩耗量は２００μｍ以下であり、好ましくは１５０μｍ以下、より好ましくは１２０μｍ以下である。
【００１９】
シリコンベアウェハとは、パターン形成などの加工処理を行う前の状態のシリコンウェハである。第１のダイシングブレード及び第２のダイシングブレードとしては、ダイアモンド粒子が樹脂中に埋め込まれたものを好適に用いることができる。
【００２０】
なお、第２のダイシングブレードのブレード幅は、第１のダイシングブレードのブレード幅より小さい。また、第１のダイシングブレードによる切り込み形成は、送り速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４００００ｒｐｍの条件で行う。第２のダイシングブレードによる切断は、送り速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４５０００ｒｐｍの条件で行う。
【００２１】
摩耗量は、実施例に記載の方法で測定できる。
【００２２】
（接着剤層３）
接着剤層３は、例えば、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂により形成されたものが挙げられ、より具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びアクリル樹脂により形成されたものが挙げられる。
【００２３】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうち本発明においては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環等の芳香族環を有するエポキシ樹脂が特に好ましい。具体的には、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェノール型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。尚、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない。
【００２４】
前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は３００〜１５００の範囲内であることが好ましく、３５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が３００未満であると、熱硬化後のダイボンドフィルム３の機械的強度、耐熱性、耐湿性が低下する場合がある。その一方、１５００より大きいと、熱硬化後のダイボンドフィルムが剛直になって脆弱になる場合がある。尚、本発明に於ける重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロトマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値を意味する。
【００２５】
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうち、フェノールノボラック樹脂や、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００２６】
前記フェノール樹脂の重量平均分子量が３００〜１５００の範囲内であることが好ましく、３５０〜１０００の範囲内であることがより好ましい。重量平均分子量が３００未満であると、前記エポキシ樹脂の熱硬化が不十分となり十分な強靱性が得られない場合がある。その一方、重量平均分子量が１５００より大きいと、高粘度となって、ダイボンドフィルムの作製時の作業性が低下する場合がある。
【００２７】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００２８】
接着剤層３中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは９重量％以上である。５重量％以上であると、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の架橋反応によって、耐リフロー信頼性が得られる。また、接着剤層３中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下である。４０重量％以下であると、接着剤層３の脆弱化が抑制できる。エポキシ樹脂及びフェノール樹脂は一般に低分子量成分であり、室温での可とう性が低いため、合計含有量が多すぎると接着剤層３が割れ易くなる傾向がある。
【００２９】
前記アクリル樹脂としては特に限定されないが、本発明においてはカルボキシル基含有アクリル共重合体、エポキシ基含有アクリル共重合体が好ましい。前記カルボキシル基含有アクリル共重合体に用いる官能基モノマーとしてはアクリル酸又はメタクリル酸が挙げられる。アクリル酸又はメタクリル酸の含有量は酸価が１〜４の範囲内となる様に調節される。その残部は、メチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、スチレン、又はアクリロニトリル等の混合物を用いることができる。これらの中でも、エチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、後述する前記アクリル樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）を考慮して調整することが好ましい。また、重合方法としては特に限定されず、例えば、溶液重合法、隗状重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の従来公知の方法を採用することができる。
【００３０】
また、前記モノマー成分と共重合可能な他のモノマー成分としては特に限定されず、例えば、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分の使用量は、全モノマー成分に対し１重量％〜２０重量％の範囲内であることが好ましい。当該数値範囲内の他のモノマー成分を含有させることにより、凝集力、接着性などの改質が図れる。
【００３１】
接着剤層３中のアクリル樹脂の含有量は、好ましくは２重量％以上、より好ましくは５重量％以上である。２重量％以上であると、フィルムとしての形状を保ちやすい。また、アクリル樹脂の含有量は、好ましくは１５重量％以下、より好ましくは１０重量％以下である。１５重量％以下であると、高温での良好な凹凸追従性が得られる。
【００３２】
接着剤層３は通常、研磨剤を含む。接着剤層３に研磨剤を含有させることで、ダイシングブレード表面を研磨（ドレス）でき、ダイシングブレードの切れ味の低下を防止できる。
【００３３】
研磨剤としては、球状アルミナフィラーが好ましい。アルミナはダイアモンドに次ぐ硬度を有するため、アルミナを接着剤層３に含有させることでダイシングブレードを良好に研磨できる。また、アルミナが低充填量であると研磨効果が小さいが、アルミナの形状を高充填可能な球状とすることで、良好な研磨効果が得られる。
【００３４】
球状アルミナフィラーの平均粒径は、好ましくは０．３μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上である。０．３μｍ以上であるので、高温での凹凸追従性が得られ、かつ高充填が可能になる。また、球状アルミナフィラーの平均粒径は、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下である。１５μｍ以下であるので、接着剤層３の薄型化が可能になる。
球状アルミナフィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
【００３５】
球状アルミナフィラーの最大粒径は４０μｍ以下が好ましい。４０μｍ以下であると、薄型化に対応できる。接着剤層３の厚み要求は年々薄型化しており、４０ｕｍ以下のものが主流となっており、それ以上の大きな粒径のフィラーは適さない。
【００３６】
球状アルミナフィラーは、シランカップリング剤により処理（前処理）されたものが好ましい。これにより、球状アルミナフィラーの分散性が良好になり、球状アルミナフィラーの高充填化が可能になる。
【００３７】
シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。
【００３８】
加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解速度が速く、シランカップリング処理を良好に行えるという理由から、メトキシ基が好ましい。
【００３９】
有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、球状アルミナフィラーの分散性を高められるとともに、接着剤層３の流動性を高められるという理由から、エポキシ基、メタクリル基が好ましい。
【００４０】
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤（エポキシシラン系シランカップリング剤）；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤（メタクリルシラン系シランカップリング剤）；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。
【００４１】
シランカップリング剤により球状アルミナフィラーを処理する方法としては特に限定されず、溶媒中で球状アルミナフィラーとシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中で球状アルミナフィラーとシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。
【００４２】
シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、球状アルミナフィラー１００重量部に対して、シランカップリング剤を０．０５〜５重量部処理することが好ましい。
【００４３】
接着剤層３中の球状アルミナフィラーの含有量は、好ましくは６０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、さらに好ましくは７５重量％以上である。６０重量％以上であると、ダイシングブレードを良好に研磨でき、切れ味の低下を防止できる。接着剤層３中の球状アルミナフィラーの含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８８重量％以下である。９０重量％以下であると、ダイシングブレードの寿命が過度に短くなることを防止できる。
【００４４】
接着剤層３は、前記成分以外にも、接着剤層の製造に一般に使用される配合剤、例えば、架橋剤などを適宜含有してよい。
【００４５】
接着剤層３の製造方法は特に限定されないが、前記各成分（例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び球状アルミナフィラー）を含有する接着剤組成物溶液を作製する工程、接着剤組成物溶液をろ過して、ろ液を得る工程、及びろ液を基材セパレータ上に塗布して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させる工程を含む方法が好ましい。
【００４６】
接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。
【００４７】
ろ過に用いるろ材の目開きは５０μｍ以下が好ましい。これにより、球状アルミナフィラーの最大粒径を５０μｍ以下とすることができ、アルミナフィラーの凝集物が接着剤層３に混入することを抑制できる。
【００４８】
基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。
【００４９】
接着剤層３の厚みは特に限定されないが、５μｍ以上が好ましい。５μｍ以上であると、ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制できる。また、接着剤層３の厚みは１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。１００μｍ以下であると、ダイシングブレードの寿命が過度に短くなることを防止できる。
【００５０】
（基材１）
基材１は、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の強度母体となるものである。基材１としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などが挙げられる。これらのうち、ポリエチレン、ポリプロピレン等は、吸水率が小さいことから、基材１として好ましい。
【００５１】
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００５２】
基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。
【００５３】
基材１の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には６０〜１５０μｍ程度である。
【００５４】
（粘着剤層２）
粘着剤層２を構成する粘着剤としては、半導体ウェハ又はガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００５５】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００５６】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００５７】
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋されるため、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００５８】
前記アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。粘着剤層２は、ウェハの汚染防止等の点より低分子量物質の含有を抑制した組成が好ましく、かかる点より重量平均分子量が３０万以上、特に４０万〜３００万のアクリル系ポリマーを主成分とするものが好ましいことから粘着剤は、内部架橋方式や外部架橋方式等による適宜な架橋タイプとすることもできる。
【００５９】
また、粘着剤層２の架橋密度の制御のため、例えば多官能イソシアネート系化合物、多官能エポキシ系化合物、メラミン系化合物、金属塩系化合物、金属キレート系化合物、アミノ樹脂系化合物、又は過酸化物等の適宜な外部架橋剤を用いて架橋処理する方式や、炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子化合物を混合してエネルギー線の照射等により架橋処理する方式等の適亘な方式を採用することができる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１重量部〜５重量部配合するのが好ましい。尚、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００６０】
粘着剤層２を構成する粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤としては、前述の粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分や放射線硬化性のオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
【００６１】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらのモノマー成分は、１種又は２種以上併用できる。
【００６２】
また、放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５重量部〜５００重量部、好ましくは７０重量部〜１５０重量部程度である。
【００６３】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記添加型の放射線硬化型粘着剤の他に、ベースポリマーとして炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くを含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００６４】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００６５】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の上で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００６６】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００６７】
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の光重合性化合物を配合することもできる。当該光重合性化合物の配合量は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部以下の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲内である。
【００６８】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。
【００６９】
粘着剤層２を構成する粘着剤としては、特開２０１０−１２９７０１号公報に記載の活性エネルギー線硬化型粘着剤を特に好適に使用できる。前記活性エネルギー線硬化型粘着剤は下記アクリル系ポリマーＡを含む。
【００７０】
アクリル系ポリマーＡ：ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が６〜１０のアルキル基である）で表されるアクリル酸エステル５０重量％以上と、ヒドロキシル基含有モノマー１０重量％〜３０重量％を含み且つカルボキシル基含有モノマーを含まないモノマー組成物によるポリマーに、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物をヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％付加反応させた構成を有するアクリルポリマー
【００７１】
アクリル系ポリマーＡでは、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数６〜１０のアルキル基である）で表されるアクリル酸アルキルエステル（「アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステル」と称する場合がある）を用いる。アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が６未満であると、剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。一方、アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が１０を超えると、接着剤層３との接着性又は密着性が低下し、その結果、ダイシングの際にチップ飛びが発生する場合がある。アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が８〜９のアクリル酸アルキルエステルが特に好ましく、中でも、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソオクチルが最適である。
【００７２】
アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルとしては、その含有量は、モノマー成分全量に対して５０重量％（ｗｔ％）以上が好ましく、さらに好ましくは７０ｗｔ％〜９０ｗｔ％である。アクリル酸Ｃ６−１０アルキルエステルの含有量がモノマー成分全量に対して５０ｗｔ％未満であると、剥離力が大きくなり過ぎ、ピックアップ性が低下する場合がある。
【００７３】
ヒドロキシル基含有モノマーの含有量は、モノマー成分全量に対して１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲内であることが好ましく、１５ｗｔ％〜２５ｗｔ％の範囲内であることがより好ましい。ヒドロキシル基含有モノマーの含有量がモノマー成分全量に対して１０ｗｔ％未満であると、活性エネルギー線照射後の架橋が不足し、ピックアップ性の低下や、接着剤層３付き半導体チップに対し、糊残りが発生する場合がある。その一方、ヒドロキシル基含有モノマーの含有量がモノマー成分全量に対して３０ｗｔ％を超えると、粘着剤の極性が高くなり、接着剤層３との相互作用が高くなることによりピックアップ性が低下する。
【００７４】
アクリル系ポリマーＡは、必要に応じ、他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。
【００７５】
アクリル系ポリマーＡでは、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物（「二重結合含有イソシアネート化合物」と称する場合がある）が用いられる。すなわち、アクリルポリマーは、前記アクリル酸エステルやヒドロキシル基含有モノマー等のモノマー組成物によるポリマーに、二重結合含有イソシアネート化合物が付加反応された構成を有していることが好ましい。従って、アクリル系ポリマーは、その分子構造内に、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有していることが好ましい。これにより、活性エネルギー線（紫外線など）の照射によって硬化する活性エネルギー線硬化型粘着剤層（紫外線硬化型粘着剤層など）とすることができ、接着剤層３と粘着剤層２の剥離力を低下させることができる。
【００７６】
二重結合含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、アクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。二重結合含有イソシアネート化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
二重結合含有イソシアネート化合物の使用量は、ヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％〜９５ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましく、７５ｍｏｌ％〜９０ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。二重結合含有イソシアネート化合物の使用量がヒドロキシル基含有モノマーに対して５０ｍｏｌ％未満であると、活性エネルギー線照射後の架橋が不足し、ピックアップ性の低下や、接着剤層３付き半導体チップに対する糊残りが発生する場合がある。
【００７８】
また、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、活性エネルギー線照射前の粘着力や、活性エネルギー線照射後の粘着力を調整する為、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。外部架橋剤の使用量は、一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。更に、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、発泡剤等の添加剤が配合されていてもよい。
【００７９】
粘着剤層２の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００８０】
（接着剤層３の厚み／基材１及び粘着剤層２の合計厚み）
接着剤層３の厚み／基材１及び粘着剤層２の合計厚みが好ましくは０．０４５以上、より好ましくは０．０５以上である。０．０４５以上であると、ダイシングブレードの研磨（ドレス）効果が得られ、ダイシングブレードの切れ味の低下を抑制できる。接着剤層３の厚み／基材１及び粘着剤層２の合計厚みが好ましくは０．９以下、より好ましくは０．４５以下、さらに好ましくは０．３以下である。０．９以下であると、ダイシングブレードの寿命が過度に短くなることを防止できる。
【００８１】
（半導体装置の製造方法）
以下、図３を参照しながら、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法を説明する。図３は、半導体装置の製造工程の一部を模式的に示す図である。
【００８２】
先ず、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０における接着剤層３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り付け工程）。本工程は、圧着ロールなどの押圧手段により押圧しながら行う。
【００８３】
次に、ダイシングブレードで半導体ウェハ４を切断して個片化し、半導体チップ５を得る。ダイシング方法は特に限定されないが、ダイシングブレードＡで半導体ウェハ４の厚みの半分まで切り込んだ後、ダイシングブレードＡよりもブレード幅が小さいダイシングブレードＢで半導体ウェハ４と接着剤層３とを少なくとも切断する方法（ステップカット）が好ましい。
【００８４】
ダイシングブレードとしてはダイアモンド粒子が樹脂中に埋め込まれたものが好ましい。
【００８５】
ダイシングブレードの刃厚は薄ければ薄いほどよく、１５〜３０μｍ程度のものがよく用いられている。これはダイシングラインが狭いほど一枚の半導体ウェハ４から作成できるチップの数が増えるからである。ダイシングラインの多い半導体ウェハ４から小さい半導体チップ５を作製する際に、この傾向がより顕著である。
【００８６】
ダイシングブレードはダイシングを行うと摩耗していくので、刃出し量がダイシングブレードの寿命を決める。
【００８７】
ダイシングブレードが薄いとダイシングブレードの強度が弱くなるため、ダイシングブレードの刃出し量を小さくしなくては強度が保てなくなり、結果としてダイシングブレードの寿命は短くなる。一方、刃出し量を過度に大きくするとダイシング中にダイシングブレードが割れたり、ダイシング中にダイシングブレードが歪んでチップの割れや欠けを引き起こす。そのためこのような薄型のダイシングブレードの刃出し量は４００〜１０００μｍが好ましい。
【００８８】
ダイシング・ダイボンディングフィルム１０に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンディングフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。
【００８９】
ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２の接着剤層３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間などの条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。
【００９０】
ピックアップした半導体チップ５は、接着剤層３を介して被着体６に接着固定する（ダイアタッチ）。ダイアタッチ温度は特に限定されず、例えば、８０〜１５０℃である。
【００９１】
続いて、接着剤層３を加熱処理することにより、半導体チップ５と被着体６とを接着させる。加熱処理の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１７０℃以上である。加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱処理の温度が上記範囲であると、良好に接着できる。また、加熱処理の時間は、適宜設定できる。
【００９２】
次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線などが用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であり、該温度は、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは１７５℃以下である。また、その加熱時間は数秒〜数分間（例えば、１秒〜１分間）行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。
【００９３】
続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、好ましくは１６５℃以上、より好ましくは１７０℃以上であり、該加熱温度は、好ましくは１８５℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。
【００９４】
必要に応じて、封止物を更に加熱をしてもよい（後硬化工程）。これにより、封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化できる。加熱温度は適宜設定できる。
【００９５】
以上のとおり、ダイシング・ダイボンディングフィルム１０の接着剤層３と半導体ウェハ４を貼り合わせる工程（Ｉ）、半導体ウェハ４をダイシングして半導体チップ５を形成する工程（ＩＩ）、工程（ＩＩ）により形成された半導体チップ５を接着剤層３とともにピックアップする工程（ＩＩＩ）、及び工程（ＩＩＩ）によりピックアップした半導体チップ５を接着剤層３を介して被着体６にダイアタッチする工程（ＩＶ）を含む方法により、半導体装置を製造できる。
【実施例】
【００９６】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００９７】
実施例で使用した成分について説明する。
アルミナフィラー１：電気化学工業（株）製のＤＡＷ−０３（球状アルミナフィラー、平均粒径：５．１μｍ、比表面積：０．５ｍ２／ｇ）
アルミナフィラー２：電気化学工業（株）製のＡＳＦＰ−２０（球状アルミナフィラー、平均粒径：０．３μｍ、比表面積：１２．５ｍ２／ｇ）
アルミナフィラー３：（株）アドマテックス製のＡＯ８０２（球状アルミナフィラー、平均粒径：０．７μｍ、比表面積：７．５ｍ２／ｇ）
アクリルポリマー１：ナガセケムテックス（株）製のテイサンレジンＳＧ−７０Ｌ（アクリル共重合体、Ｍｗ：９０万、ガラス転移温度：−１３℃）
アクリルポリマー２：ナガセケムテックス（株）製のテイサンレジンＳＧ−Ｐ３（アクリル共重合体、Ｍｗ：８５万、ガラス転移温度：１２℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１Ｈ（フェノール樹脂、Ｍｗ：１５８０）
エポキシ樹脂：三菱化学（株）製のＪＥＲ８２７（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、Ｍｗ：３７０）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
【００９８】
アルミナフィラーの表面処理方法について説明する。
アルミナフィラー１〜３を、シランカップリング剤で表面処理し、表面処理アルミナフィラー１〜３を得た。表面処理は乾式法で行い、下記式で表される量のシランカップリング剤で処理した。
【００９９】
シランカップリング剤処理量＝（アルミナフィラーの重量（ｇ）×アルミナフィラーの比表面積（ｍ２／ｇ））／シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）
シランカップリング剤の最小被覆面積（ｍ２／ｇ）＝６．０２×１０２３×１３×１０−２０／シランカップリング剤の分子量
【０１００】
［実施例１〜６及び比較例２〜６］
（ダイボンディングフィルム（接着剤層）の作製）
表１に記載の配合比に従い、表面処理済みのアルミナフィラー、アクリルポリマー、フェノール樹脂及びエポキシ樹脂を１５０ｍＬのポリエチレン（ＰＥ）製容器に入れて、自転公転ミキサー（（株）シンキー製、ＡＲＥ−３１０）で２０００ｒｐｍで４分間撹拌した。次いでメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を追加し、更に２０００ｒｐｍで５分間撹拌し、塗工に適した粘度の接着剤組成物溶液を得た。その後、４００メッシュ（目開き４６μｍ）の綾織のＳＵＳメッシュを用いて接着剤組成物溶液をろ過し、ろ液をシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させて、ダイボンディングフィルム（厚さは表１に示す）を得た。
【０１０１】
（ダイシングフィルムの作製）
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２-エチルヘキシル（「２ＥＨＡ」と称する場合がある）：８０部、アクリル酸-２-ヒドロキシエチル（「ＨＥＡ」と称する場合がある）：２０部及びトルエン：６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をしてアクリル系ポリマーＸを得た。
【０１０２】
このアクリル系ポリマーＸ：１００部に、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（「ＭＯＩ」と称する場合がある）：２４．１部（ＨＥＡに対し９０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＹを得た。
【０１０３】
次に、アクリル系ポリマーＹ：１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」日本ポリウレタン工業株式会社製）：３部、発泡剤としての熱膨張性微小球（商品名「マイクロスフェアＦ-５０Ｄ」松本油脂製薬株式会社製；発泡開始温度：１２０℃）：３５部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）：５部を加えて、活性エネルギー線硬化型熱膨張性粘着剤の粘着剤溶液を調製した。
【０１０４】
続いて、厚さ１００μｍのポリプロピレンからなる基材（ポリプロピレン）上に、活性エネルギー線硬化型熱膨張性粘着剤の粘着剤溶液を塗布した後、乾燥させ、基材上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
【０１０５】
更に、粘着剤層上のウェハ貼り付け部分に対応する部分にのみ、５００ｍＪ／ｃｍ２（紫外線照射積算光量）の紫外線を照射し、当該対応する部分を紫外線硬化させたダイシングフィルムを作製した。
【０１０６】
（ダイシング・ダイボンディングフィルムの作製）
ダイシングフィルムの粘着剤層上にダイボンディングフィルムを転写して、ダイシング・ダイボンディングフィルムを作製した。
【０１０７】
［比較例１］
ダイボンディングフィルムの作製方法を変更した点以外は実施例１と同様の方法で、ダイシング・ダイボンディングフィルムを作製した。
（ダイボンディングフィルムの作製）
表１に記載の配合比に従い、アクリルポリマー、フェノール樹脂及びメチルエチルケトン（ＭＥＫ）をプラカップ容器に入れて、ディスパー装置で３０００ｒｐｍで４分間撹拌して、接着剤組成物溶液を得た。その後、４００メッシュ（目開き４６μｍ）の綾織のＳＵＳメッシュを用いて接着剤組成物溶液をろ過し、ろ液をシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させて、ダイボンディングフィルムを得た。
【０１０８】
［評価］
得られたダイシング・ダイボンディングフィルムを用いて以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０９】
（ブレード摩耗量）
研削装置(（株）ＤＩＳＣＯ製のＤＧＰ−８７６０)を用いて、シリコンベアウェハ（８インチ径、厚さ７５０μｍ）の厚さが１００μｍになるまでシリコンベアウェハ裏面を研削した。ラミネーターを用いてシリコンベアウェハ（厚さ１００μｍ、８インチ）を６０℃で速度１０ｍ／ｍｉｎ、０．１５ＭＰａの圧力で、ダイシング・ダイボンディングフィルムのダイボンディングフィルム（接着剤層）に貼りつけた。その後、ダイシングリングに貼りつけ、ＤＩＳＣＯ（株）社製のダイサー（ＤＦＤ６７６０）でステップカットを行った。
【０１１０】
以下、図４、５を参照しながら、ステップカットについて説明する。
第１のダイシングブレード２１（Ｚ１ブレード）がシリコンベアウェハ２４を深さ５０μｍまで切り込むようにブレードハイトを設定し、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４００００ｒｐｍの条件でシリコンベアウェハ２４を１００ｍ切り込んだ（図４参照）。その後、第２のダイシングブレード２３（Ｚ２ブレード）が基材１を深さ１０μｍ切り込むように設定し、速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数４５０００ｒｐｍの条件で、切り込み２２に沿って１００ｍ切り込み、シリコンベアウェハ２４及び接着剤層３を切断した（図５参照）。なお、洗浄水量は、クーラー、シャワー、スプレーをそれぞれ１Ｌ／ｍｉｎに設定した。
【０１１１】
Ｚ１ブレードとして、ＤＩＳＣＯ（株）社製の２０３Ｏ−ＳＥ  ２７ＨＣＤＤを用いた。
以下に、Ｚ１ブレードの仕様について説明する。
ＤＩＳＣＯ（株）社製の２０３Ｏ−ＳＥ  ２７ＨＣＤＤ
集中度（ダイアモンド粒子の濃度）：標準集中度
粒径（ダイアモンド粒子の粒径）：＃３５００
ボンド：標準タイプ
基台形状：シャープエッジ基台
内外径寸法：外径５５．５６ｍｍ（直径）、内径１９．０５ｍｍ（直径）
粒径記号：Ｃ
刃先出し量：０．７６〜０．８９ｍｍ
カーフ幅（ブレード幅）：０．０３０〜０．０３５ｍｍ
【０１１２】
Ｚ２ブレードとして、２０３Ｏ−ＳＥ  ２７ＨＣＢＢを用いた。
以下に、Ｚ２ブレードの仕様について説明する。
ＤＩＳＣＯ（株）社製の２０３Ｏ−ＳＥ  ２７ＨＣＢＢ
集中度（ダイアモンド粒子の濃度）：標準集中度
粒径（ダイアモンド粒子の粒径）：＃３５００
ボンド：標準タイプ
基台形状：シャープエッジ基台
内外径寸法：外径５５．５６ｍｍ（直径）、内径１９．０５ｍｍ（直径）
粒径記号：Ｃ
刃先出し量：０．５１〜０．６４ｍｍ
カーフ幅（ブレード幅）：０．０２０〜０．０２５ｍｍ
【０１１３】
ダイシング装置（ＤＦＤ６３６１、ＤＩＳＣＯ社製）の接触式のブレード位置合わせ機能で、Ｚ２ブレードの摩耗量を測定して求めた。
【０１１４】
（ヒゲ発生の有無（１））
３００ｍダイシングした点以外はブレード摩耗量で説明した方法と同様の方法でダイシングした。ダイシングフィルムから、個片化された接着剤付きのウェハ（接着剤付きのチップ）を剥がし、ダイシングラインを光学顕微鏡で観察した。２０μｍ以上の長さのヒゲ状異物が発生している場合を×と判定し、異物が２０μｍ未満又はヒゲ状異物がない場合を○と判定した。
【０１１５】
（ヒゲ発生の有無（２））
３００ｍダイシングした点以外はブレード摩耗量で説明した方法と同様の方法でダイシングした。ダイシングフィルムから接着剤付きのチップを剥がし、ダイシングラインの交点を光学顕微鏡で観察した。観察箇所は一枚のシリコンベアウェハにつき計５カ所であり、中央付近を１カ所観察し、ウェハの外周付近（外周から５ｃｍ以内）を４カ所観察した。計５カ所のうち、１００μｍ以上のヒゲが発生した箇所を数えた。表１中、「０／５」は、５カ所すべてにおいて１００μｍ以上のヒゲが発生しなかったことを示す。表１中、「５／５」は、５カ所すべてにおいて１００μｍ以上のヒゲが発生したことを示す。
【０１１６】
【表１】
2015005636.tif 000003
【０１１７】
接着剤層にアルミナフィラーを配合しなかった比較例１では、ブレード摩耗量が小さすぎ、ブレードの切れ味が低下し、ヒゲが発生した。また、接着剤層の厚みが大きい比較例２、３では、ブレード摩耗量が大きすぎ、ヒゲ発生の有無を評価することができなかった。接着剤層の厚みが小さい比較例４では、ブレード摩耗量が小さすぎ、ヒゲが発生した。アルミナフィラーが少ない比較例５でも、ブレード摩耗量が小さすぎ、ヒゲが発生した。また、アルミナフィラーが多い比較例６では、シリコンベアウェハが接着剤層に貼りつかず、摩耗量やヒゲの発生を評価できなかった。
【０１１８】
一方、接着剤層にアルミナフィラーを配合し、接着剤層の厚み／基材及び粘着剤層の合計厚みを特定範囲に設計した実施例１〜６では、ブレード摩耗量を最適化でき、ヒゲの発生を抑制できた。
【符号の説明】
【０１１９】
１    基材
２    粘着剤層
３    接着剤層
４    半導体ウェハ
５    半導体チップ
６    被着体
７    ボンディングワイヤー
８    封止樹脂
１０    ダイシング・ダイボンディングフィルム
１１    ダイシングフィルム
２１    第１のダイシングブレード
２２    切り込み
２３    第２のダイシングブレード
２４    シリコンベアウェハ
【図１】
2015005636.tif 000004
【図２】
2015005636.tif 000005
【図３】
2015005636.tif 000006
【図４】
2015005636.tif 000007
【図５】
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