(57)【要約】  本発明は、照射ユニット内の光学表面の清浄化処理および後処理の方法であって、前記照射ユニットは、EUV放射線および／または軟X線を放射する放射線源と、前記放射線源に続き、前記光学表面を有する第1の光学部品を収容する第1の空間と、前記第1の空間に続き、第2の光学部品を収容する第2の空間と、を有する。当該方法は、第1のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給される、少なくとも一つの清浄化ステップであって、これにより前記光学表面に堆積された汚染物との間で、揮発性の化合物が形成され、該化合物は、前記第1のガスまたは混合ガスとともに、前記第1の空間から排気される、ステップを有する。前記清浄化ステップに続く後処理ステップにおいて、前記第1の空間が前記第2の空間から分離された状態で、前記放射線源は、1回または数回作動され、前記EUV放射線または軟X線を前記光学表面に照射することにより、前記清浄化ステップの残留物が前記光学表面から放出され、前記放出された残留物は、前記第1の空間から排気される。この方法により、改良された清浄化結果が得られる。
2008547214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射ユニット内の光学表面の清浄化処理および後処理の方法であって、
前記照射ユニットは、EUV放射線および／または軟X線を放射する放射線源と、前記放射線源に続き、前記光学表面を有する第1の光学部品を収容する第1の空間と、前記第1の空間に続き、第2の光学部品を収容する第2の空間と、を有し、
当該方法は、
第1のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給される、少なくとも一つの清浄化ステップであって、これにより前記光学表面に堆積された汚染物との間で、揮発性の化合物が形成され、該化合物は、前記第1のガスまたは混合ガスとともに、前記第1の空間から排気される、ステップを有し、
前記清浄化ステップに続く後処理ステップにおいて、前記第1の空間が前記第2の空間から分離された状態で、前記放射線源は、1回または数回作動され、前記EUV放射線または軟X線を前記光学表面に照射することにより、前記清浄化ステップの残留物が前記光学表面から放出され、
前記放出された残留物は、前記第1の空間から排気されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも一つの清浄化ステップでは、前記第1のガスまたは混合ガスとして、水素含有ガスおよび／もしくはハロゲンおよび／もしくは気体を含むハロゲン化物および／もしくは対応するラジカルが使用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記後処理ステップの間、第2のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給され、
前記第2のガスもしくは混合ガスは、前記残留物の前記光学表面からの放出を助長し、および／または前記残留物を、前記放射線源の放射線に対する吸収がより少ない化合物に変換するように選定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記第2のガスとして、原子状の水素、分子状の水素、または水素含有化合物が使用されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記清浄化ステップに続く後処理ステップにおいて、第3のガスもしくはガス混合物が、前記光学表面と接触するように供給され、
前記第3のガスもしくはガス混合物は、前記光学表面上に、前記第1のガスもしくは混合ガスおよび／もしくは前記照射ユニットに使用される他のガスもしくは混合ガスに対する保護層を形成し、ならびに／または前記光学表面を不動態化処理するように選定されることを特徴とする請求項1または請求項1のプリアンブル部分に記載の方法。
【請求項６】
前記第3のガスもしくはガス混合物は、酸化物、窒化物、水酸化物、オキシ窒化物、炭化物、シリサイド、または硫化物の層を形成するように選定されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記第2のガスもしくはガス混合物は、前記光学表面を不動態化するように選定されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項８】
前記第2のガスとして、酸素が使用されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの清浄化ステップの前の、前記照射ユニットの作動休止の際に、前処理ステップが実施され、該前処理ステップでは、第4のガスまたは混合ガスが、前記光学表面と接触するように供給され、
前記第4のガスまたは混合ガスは、前記汚染物の一部と反応して、反応生成物を生成するように選定され、
前記一部は、前記第1のガスまたは混合ガスとの間で、揮発性の化合物を生成しないが、前記反応生成物は、前記第1のガスまたは混合ガスとの間で揮発性の化合物を形成することができることを特徴とする請求項1または5に記載の方法。
【請求項１０】
前記前処理ステップでは、前記第4のガスまたは混合ガスとして、還元効果を有する気体もしくは蒸気が使用されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記第4のガスまたは混合ガスとして、原子状の水素および／もしくは分子状の水素および／もしくは気体を含む水素含有化合物が使用されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記後処理ステップの後に、前記光学表面に、原子状もしくは分子状の水素または水素含有化合物を供給することにより、調製ステップが実施されることを特徴とする請求項1または5に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照射ユニット内の光学表面の清浄化処理および後処理の方法であって、前記照射ユニットは、EUV放射線および／または軟X線を放射する放射線源と、前記放射線源に続き、前記光学表面を有する第1の光学部品を収容する第1の空間と、前記第1の空間に続き、第2の光学部品を収容する第2の空間と、を有する方法に関する。当該方法は、第1のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給される清浄化ステップであって、これにより前記光学表面に堆積された汚染物との間で、揮発性の化合物が形成され、該化合物は、前記第1のガスまたは混合ガスとともに、前記第1の空間から排気される、ステップを有する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業における光リソグラフィーの分野では、必要な画質を確保するため、複雑な光学素子が使用される。これは、特に、EUV−リソグラフィー、すなわち極端紫外（EUV）放射線を用いたリソグラフィーに適用され、この分野では、放射線源と被照射ウェハ基板の間の真空チャンバ内に、斜入射ミラーおよび多層化ミラーが配置される。両方のタイプのミラーには、約1nm以上のミクロ粗さを有する極めて高い表面品質が要求される。この波長領域では、材料の高吸収性のため、光学レンズは使用できない。同じ理由により、放射線源と光学部品の間に、窓を配置することは難しいため、放射線源、光学部品、リソグラフィーマスクおよび基板は、相互に完全に分離した素子ではなく、連続した真空システムを形成する。
【０００３】
しかしながら、この連続した真空システムでは、ガスおよび粒子が放射線源から、光学部品の方に進行し得る。その結果、これらの光学部品の表面が汚染され、光学系全体の光学品質が低下する。
【０００４】
今日のEUV−リソグラフィーに使用される放射線源は、ガス放電プラズマまたはレーザプラズマである。いずれの場合も、極めて高温のプラズマが形成され、この中では、多重イオン化イオンが、EUV領域の短波長の放射線を放射する。ガス放電プラズマでは、プラズマは、放電の電気エネルギーにより形成され、加熱される。レーザプラズマでは、気体、液体または固体のターゲットに、高出力のレーザビームが集束され、高温のプラズマが形成する。
【０００５】
EUV領域、特に、多層化ミラーとの使用に適した13.5nmの波長の放射線を放射する物質は、キセノン、リチウム、錫、インジウム、アンチモン、およびテルルである。希ガスとしてのキセノンは、高揮発性であるが、大部分の金属材料は、低揮発性物質である。これらの物質は、放射線源から光学部品の方に移動し、光学表面で凝縮し得る。また放電の際の電極のエロージョンにより、またはレーザプラズマ形成の際のターゲットの構成に必要なノズルを介して、非揮発性の物質も放出され得る。放射線源から放出され、光学部品の方向に移動する材料は、破屑（debris）と呼ばれる。
【０００６】
光学部品上には、破屑層が堆積し、これによりこれらの部品の品質が低下する。1nmの極めて薄い堆積層であっても、ミラー上での吸収ロスのため、EUV放射線の反射強度が大きく低下する。また、層成長によって生じる稼働時間の間の劣化に加えて、ミラー上での材料堆積がミラー表面全体に均等に生じないことにより、空間的な不均一性が生じる。
【０００７】
そのような照射ユニットの光学部品の光学表面、特に、EUV照射ユニットの収集ミラーの光学表面は、光学表面に堆積した汚染物を除去するため、繰り返し清浄化する必要がある。図1には、EUVリソグラフィーシステムの典型的な構成を概略的に示す。EUV照射ユニットは、基本的に、真空管32内の、放射線源31、収集器33および多層化ミラー38により構成される。放射線源31から放射された放射線は、反射性収集器33により収集され、中間焦点35上に集束される。この中間焦点35の位置では、アパーチャ開口により、この第1の空間40が、照射ユニットの第2の空間41に接続される。この第2の空間41には、多層化ミラー38が配置されており、放射線は、中間焦点35からマスクおよびウェハ基板39の方に誘導される。ほとんどのEUVリソグラフィーシステムでは、放射線源31と収集器33の間に、破屑軽減用の手段37が配置される。リソグラフィーシステムの経済的な動作を行うため、破屑は、少なくとも7桁の値に抑制する必要がある。しかしながら、放射線源と収集器の間の短い距離では、そのような極端な軽減を行うことは、極めて難しく、現在のところ、実験的に実証されていない。従って、収集器の寿命を延伸するための適切な清浄化方法に関して、大きな要望がある。
【０００８】
国際公開WO2004／104707A2号には、特に、EUV放射線または軟X線用の照射ユニット内の少なくとも一つの光学部品を清浄化する方法および装置が示されている。開示された方法では、清浄化ステップにおいて、少なくとも一種類のガスが、光学表面と接触するように供給され、これにより、前記光学表面に堆積した汚染物の一部との間の反応により、揮発性の化合物が形成される。この清浄化ステップは、照射ユニットの作動中に、オンラインで、または照射ユニットが作動休止の際に、オフラインで実施することができる。この文献では、この清浄化ステップに適したガスとして、水素含有物質、ハロゲン、中間ハロゲン化物、およびハロゲン含有化合物が提案されている。UVまたはEUV放射線を用いた、これらのガスの追加照射により、ラジカルが形成され、汚染物との反応速度が高まる。また従来の文献では、真空管内の部品を不動態化処理して、これらを清浄化ガスから保護するため、追加のガスを供給することが示されている。
【特許文献１】国際公開WO2004／104707A2号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、清浄化処理結果を改善しおよび／または光学表面のより良い保護を行うため、照射ユニット内の光学表面を清浄化するそのような方法をより改良することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、本発明の請求項1および5に記載の方法により得られる。当該方法の有意な実施例は、従属請求項の主題となっており、さらに、本発明を実施する以下の説明および例に記載されている。
【００１１】
本発明の方法は、EUV放射線および／または軟Ｘ線を放射する放射線源と、該放射線源に続く、前記光学表面を有する第1の光学部品を収容する第1の空間と、前記第1の空間に続く、第2の光学部品を収容する第2の空間と、を有する照射ユニットの清浄化に関する。そのような照射ユニットでは、第1の光学部品および第2の光学部品は、例えば、EUVリソグラフィーにおけるマスクおよびウェハのような、対象を照射するための光放射線経路を形成する。本発明の方法は、清浄化するステップを有し、このステップでは、以降「クリーニングガス」とも呼ばれる第1のガスまたは混合ガスが、前記光学表面に接触するように供給され、前記光学表面に堆積された汚染物との間の反応により、揮発性の化合物、好ましくは高揮発性の化合物が形成される。前記化合物は、清浄化ステップ中に、または清浄化ステップの完了時に、第1のガスもしくは混合ガスとともに第1の空間から排出される。当該方法は、前記清浄化ステップに続く後処理ステップに特徴を有する。請求項1によるこの後処理ステップでは、前記照射ユニットの前記放射線源が1回または数回作動され、前記EUV放射線または軟X線を前記光学表面に照射することにより、前記清浄化ステップの残留物が前記光学表面から放出される。放出されたまたは脱着された残留物は、後処理ステップ中にまたは後処理ステップの完了時に、第1の空間から排気される。後処理ステップの間、第1の空間は、第2の空間から分離され、好ましくは気密式に分離される。ただし、第1の空間は、前記EUV放射線または軟X線での光学表面の照射が可能となるように、この後処理ステップの際に、放射線源からは分離されなくても良い。また、放射線源と第1の空間の間のいかなる破屑軽減システムも、放射線源の作動による光学表面のさらなるコンタミネーションを最小化するため、作動される必要がある。
【００１２】
後処理ステップ前の清浄化ステップは、照射ユニットの作動休止の際に行われることが好ましい。この場合、清浄化される前記光学表面を収容する第1の空間は、好ましくは気密式に、第2の空間および放射線源から分離することができる。清浄化ステップのため、この分離が行われる際、第1の空間と第2の空間の間の分離素子または閉止素子は、後処理ステップの間も残されるが、第1の空間と放射線源の間の分離素子または閉止素子は、後処理ステップの実行前に除去される必要がある。ただし、照射ユニットの通常作動中に、清浄化ステップを行うことも可能である。清浄化ステップに適した大部分のクリーニングガスは、あまりEUV放射線または軟X線を吸収しないため、これらのガスが照射ユニットの通常の動作を妨害することはないからである。この場合、後処理ステップの前に、またはこのステップの最初の措置として、第1の空間は、適当な分離素子により第2の空間から分離される必要がある。
【００１３】
請求項1に記載の方法は、清浄化ステップでは、全ての汚染物が完全に除去される訳ではなく、清浄化ステップからの残留物が、光学表面になお残存するという実験に基づくものである。しかしながら、本発明の後処理ステップにより、前記残留物の少なくとも一部が光学表面から放出され、これが第1の空間から排気される。これは、放射線源からの放射線を用いた光学表面の前記照射によって行われ、第1の空間が高い感度を有する光学部品を収容する第2の空間から分離されたまま、この放射線源が連続的にまたはパルス状に作動される。この後処理ステップの後、2つの空間の分離が解消され、再度、照射ユニットの通常の作動が開始される。
【００１４】
EUV放射線または軟X線の照射ユニット内の光学表面上の通常の汚染物は、無機材料であり、特に、錫、テルル、インジウム、タングステン、モリブデン、リチウム、またはアンチモンのような材料であり、これらの材料は、高温プラズマから放出される。当該方法では、適当なクリーニングガスを選択することにより、無機汚染物を大幅に除去することが可能となる。清浄化ステップ用の通常のクリーニングガスは、水素含有物質および／またはハロゲン、中間ハロゲン化物および／またはハロゲン含有化合物である。これらのクリーニングガスは、前述の国際公開第WO2004／104707A2号に記載のものと同じであっても良い。この文献は、本発明の清浄化ステップの詳細な説明に関する参照文献として取り入れられている。
【００１５】
請求項1に記載の方法の好適実施例では、前記後処理ステップの間、第2のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給される。前記第2のガスもしくは混合ガスは、前記残留物の前記光学表面からの放出を助長し、および／または前記照射ユニットの前記放射線源のEUV放射線または軟X線に対する吸収がより少ない化合物に、前記残留物を変換するように選定される。このため、例えば、水素、水素含有化合物または水素ラジカルのような原子水素が、前記第1の空間に供給される。この一例の第2のガスにより、ハロゲン残留物を除去することができる。第2のガスとして酸素を用いた場合、例えば、ヨウ化ルテニウムのようなEUV吸収化合物を、あまり吸収性のないルテニウム酸化物に変換することが可能である。前記第2のガスとしての酸素は、第1の空間内で、部品の表面を不動態化するという追加の利点を有する。酸素の他、他のガス、例えば窒素、炭素または他の元素を含むガスを使用することもでき、これにより、吸収性化合物から、より安定でより吸収性の低い化合物への、そのような変化を生じさせることができる。
【００１６】
請求項1の特徴的部分に記載の後処理ステップに加えてまたはこれに代えて、実施され得る請求項5による後処理ステップ（すなわち第1および第2の空間の分離または非分離、ならびにEUVまたはX線による照射）では、第3のガスまたは混合ガスが、前記光学表面と接触するように供給される。前記第3のガスまたは混合ガスは、前記光学表面上に、クリーニングガスおよび／もしくは照射ユニットで使用される他のガス、例えば前処理に使用される第4のガスに対する保護層を形成し、ならびに／または前記光学表面を不動態化するように選定される。前記第3のガスまたは混合ガスは、酸素、水素、窒素、炭素、シリコン、硫黄もしくは化合物、またはこれらの元素のラジカルの組み合わせを含むことが好ましい。そのようなガスを使用した場合、薄い保護層、特に金属酸化物、金属窒化物、金属水酸化物、金属酸窒化物、金属炭化物、金属シリサイド、または金属硫化物の層が光学表面に形成され、この光学表面は、元来の光学表面に比べて、クリーニングガスおよび他のガスに対して、化学的により耐性を有するようになる。従って、より強い清浄化処理を行うことが可能となり、より良い清浄化処理結果が得られる。また、各清浄化ステップの後に新たに形成することが可能なそのような保護層により、光学部品の寿命が向上する。また、当然のことながら、保護層は、EUV放射線または軟Ｘ線に対して、ある程度透明となるように選択されても良い。
【００１７】
本発明の方法では、例えば収集器表面のような光学部品の光学表面の高程度の清浄化処理を繰り返すことができる。これにより、時間的および空間的に均一な画像化が可能となり、特に、EUV照射ユニット内のマスクとウェハに対する時間的および空間的に均一なEUV照射が可能となる。また、本発明の方法では、そのようなユニット内の光学部品の長寿命化が可能となる。
【００１８】
本発明の方法の後処理ステップにより、第1の空間内の光学部品の最終清浄化処理が可能となる。この後処理ステップにより、反応生成物および反応ガスの残留物をこの空間に残留させないようにすることができる。これは、例えば、光学表面上の金属ハロゲン化物のような残留物または固体残留物に適用される。後処理ステップを実施するためには、第1の空間を第2の空間から分離し、EUV放射線源を1回または数回作動させ、放出された化合物を排気することしか必要ではない。好適実施例では、光学表面上の残留物の放出を加速するため、EUV放射線源は、通常の作動時よりも高出力で作動される。
【００１９】
別の任意ステップでは、後処理ステップに続いて、以降の動作および新たな清浄化ステップのため、別の処理により光学部品が調製される。光学表面は、例えば、分子水素を提供するステップにより調製することができ、この場合、照射ユニットの以降の通常の作動の間に、表面を汚染する破屑材料は、これらの表面で酸化されないようになる。この調製ステップにおいて、水素は、光学部品または他の部品の表面材料に組み込まれ、そこに停滞して、後に堆積される材料の酸化を抑制する。この方法では、汚染物のより少ない部分が酸化される結果、汚染物の大部分では、クリーニングガスとの反応により、揮発性または高揮発性の化合物が生成されるため、以降の清浄化ステップが助長される。
【００２０】
さらに別の実施例では、前処理ステップは、清浄化ステップの前に実施される。この前処理ステップでは、前記照射ユニットの作動休止の際に、第4のガスまたは混合ガスが、前記光学表面と接触するように供給され、前記第4のガスまたは混合ガスは、前記汚染物の一部と反応して、反応生成物を生成するように選定され、前記一部は、前記クリーニングガスまたは混合ガスとの間で、揮発性の化合物を生成しないが、前記反応生成物は、前記クリーニングガスまたは混合ガスとの間で、揮発性の化合物を形成することができる。この前処理ステップを用いることにより、通常、クリーニングガスとの反応により揮発性または高揮発性の化合物を生成することのない汚染物の一部が、後の清浄化ステップにおいて、クリーニングガスとの間で、そのような揮発性のまたは高揮発性の化合物を形成するような化合物に変換される。この方法では、清浄化ステップの間に除去することができる光学表面上の汚染物の部分を増加させることが可能となる。前記第4のガスまたは混合ガスとして、原子状および／もしくは分子状の水素および／もしくは気体を含む水素化合物のような、還元効果を有する気体または蒸気を使用することが好ましい。
【００２１】
本記載および特許請求の範囲において、「有する」という用語は、他の素子またはステップを排斥するものではなく、「一つの」という用語は、複数物を否定するものではない。また、請求項内のいかなる参照符号も、これらの請求項の範囲を限定するものと解してはならない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、一例としての実施例では、本発明の範囲を限定するものではない添付図面を参照して、本発明による方法の一例を示す。
【００２３】
EUV照射ユニットの典型的な構成は、本願の背景部において、図1を参照して既に説明した。そのようなEUV照射ユニットは、収集ミラー3を収容する第1の空間40と、第1の空間40に続く第2の空間41とにサブ分割され、前記第2の空間41は、発生したEUV放射線を、マスク（図示されていない）を介して、ウェハ基板39上に誘導する多層化ミラー38を収容している。さらにEUV照射ユニットは、放射線源1を有し、この放射線源は、破屑軽減システム2によって、収集ミラー3から分離されている。清浄化のため、ある場合には、この放射線源1および破屑軽減システム2は、収集ミラー3から離されても良い。それ以外の場合、これは、第1の空間40に接続された別のハウジング内に配置され、破屑軽減システム2および放射線源1は、清浄化のため、図2に示すような機械的な閉止素子5により、第1の空間40から分離することができる。同じ目的のため、第1の空間40は、同様に図2に示すような機械的な閉止素子6により、第2の空間41から分離することができる。
【００２４】
このEUV照射ユニットの通常動作の間、放射線源1から第1の空間40および第2の空間41を通り、ウェハ基板39に至る経路は、開いており、収集ミラー3、33および多層化ミラー38を通る光学放射線経路36は、妨害を受けない。EUV照射ユニットの通常の動作は、破屑により、収集ミラー3に特定量のコンタミネーションが生じたことが検出されるまで行われる。ミラーのコンタミネーションの制御のため、例えば光ダイオードまたはEUVフィルタを有するCCDカメラのような光センサが使用されても良い。センサによって測定された反射率がプリセット範囲に入った場合、以下の清浄化ステップが開始される。
【００２５】
まず、清浄化される必要のある照射ユニットの部分、すなわち第1の空間40が、図2に示すような機械的な閉止素子5および6により、放射線源1および第2の空間41から分離される。機械的な閉止素子5、6は、隣接する空間から第1の空間40を完全に分離することが好ましい。この第1の空間の分離後、第1の空間40の入口経路10を介して、本例ではハロゲンガスである、クリーニングガスの供給により、清浄化ステップが実施される。クリーニングガス中に有意な量のラジカルを得るため、入口経路10には、例えば高温フィラメントのようなラジカル発生ユニット20が配置される。そのようなラジカルは、清浄化処理を加速することができる。この清浄化ステップにおいて、生成された揮発性化合物は、残りのクリーニングガスとともに出口経路11から排気される。
【００２６】
この清浄化ステップの後、第1の空間40を放射線源1から分離していた閉止素子5が取り外され、放射線源1および破屑軽減システム2が作動する。この後処理ステップは、図3に示されている。EUV放射線の光学表面への照射により、これらの表面に依然として残留していた残留物が放出されまたは脱着されるため、これらを出口経路11を介して排気することができる。また必要であれば、原子状もしくは分子状の水素または水素含有化合物のような残留物の放出を助長するガスを、第1の空間に供給することも可能である。清浄化ステップの際のクリーニングガス、および後処理ステップの際の追加ガスのガス流れ方向12は、図2および3に示されている。
【００２７】
図4のフロー図には、本発明による方法における一連のステップの一例が示されている。なおこの例には、いくつかの任意のまたは代替の処理ステップも示されている。これらの任意のステップの一つは、原子状もしくは分子状の水素または水素含有化合物を第1の空間に供給する後処理後に、光学表面の追加の調製ステップを有する。このステップでは、光学部品および他の部品の表面材料内に、水素が取り込まれ、この水素は、ここに停滞して、その後この表面に堆積する材料の酸化を抑制する。
【００２８】
さらに別の追加のステップとして、既に述べたような前処理ステップが示されている。この前処理ステップにおいても、2つの閉止素子5、6を用いて、第1の空間40が隣接する空間から分離され、第1の空間40に原子状水素が供給され、この原子状水素は、このステップの最後に、以降の清浄化ステップの準備のため排気される。
【００２９】
これらの全てのステップの後に、通常の動作が繰り返されても良い。この場合、第1の空間40と第2の空間41とを分離していた閉止素子6が取り外され、放射線源1および破屑軽減システム2が作動され、通常の照射ユニットの動作が実施される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】EUV照射ユニットの概略構成を示した図である。
【図２】放射線源および第2の空間から分離された、EUV照射ユニットの第1の空間の概略図である。
【図３】後処理ステップを実施する際の照射ユニットの第1の空間の概略図である。
【図４】本発明による方法の一例を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００３１】
1  EUV放射線源、2  破屑軽減システム、3  収集ミラー、5  機械的な閉止素子、6  機械的な閉止素子、10  ガス入口経路、11  ガス出口経路、12  ガスの流れ方向、20  ラジカル発生ユニット、31  放射線源、32  真空管、33  収集器、34  排気管、35  中間焦点、36  放射線経路、37  破屑軽減手段、38  多層化ミラー、39  ウェハ基板、40  第1の空間、41  第2の空間。
【図１】
2008547214.tif 000003
【図２】
2008547214.tif 000004
【図３】
2008547214.tif 000005
【図４】
2008547214.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射ユニット内の光学表面の清浄化処理および後処理の方法であって、
前記照射ユニットは、EUV放射線および／または軟X線を放射する放射線源と、前記放射線源に続き、前記光学表面を有する第1の光学部品を収容する第1の空間と、前記第1の空間に続き、第2の光学部品を収容する第2の空間と、を有し、
当該方法は、
第1のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給される、少なくとも一つの清浄化ステップであって、これにより前記光学表面に堆積された汚染物との間で、揮発性の化合物が形成され、該化合物は、前記第1のガスまたは混合ガスとともに、前記第1の空間から排気される、ステップを有し、
前記清浄化ステップに続く後処理ステップにおいて、前記第1の空間が前記第2の空間から分離された状態で、前記放射線源は、1回または数回作動され、前記EUV放射線または軟X線を前記光学表面に照射することにより、前記清浄化ステップの残留物が前記光学表面から放出され、
前記放出された残留物は、前記第1の空間から排気されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも一つの清浄化ステップでは、前記第1のガスまたは混合ガスとして、水素含有ガスおよび／もしくはハロゲンおよび／もしくは気体を含むハロゲン化物および／もしくは対応するラジカルが使用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記後処理ステップの間、第2のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給され、
前記第2のガスもしくは混合ガスは、前記残留物の前記光学表面からの放出を助長し、および／または前記残留物を、前記放射線源の放射線に対する吸収がより少ない化合物に変換するように選定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記第2のガスとして、原子状の水素、分子状の水素、または水素含有化合物が使用されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記清浄化ステップに続く後処理ステップにおいて、第3のガスもしくはガス混合物が、前記光学表面と接触するように供給され、
前記第3のガスもしくはガス混合物は、前記光学表面上に、前記第1のガスもしくは混合ガスおよび／もしくは前記照射ユニットに使用される他のガスもしくは混合ガスに対する保護層を形成し、ならびに／または前記光学表面を不動態化処理するように選定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記第3のガスもしくはガス混合物は、酸化物、窒化物、水酸化物、オキシ窒化物、炭化物、シリサイド、または硫化物の層を形成するように選定されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記第2のガスもしくはガス混合物は、前記光学表面を不動態化するように選定されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
【請求項８】
前記第2のガスとして、酸素が使用されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの清浄化ステップの前の、前記照射ユニットの作動休止の際に、前処理ステップが実施され、該前処理ステップでは、第4のガスまたは混合ガスが、前記光学表面と接触するように供給され、
前記第4のガスまたは混合ガスは、前記汚染物の一部と反応して、反応生成物を生成するように選定され、
前記一部は、前記第1のガスまたは混合ガスとの間で、揮発性の化合物を生成しないが、前記反応生成物は、前記第1のガスまたは混合ガスとの間で揮発性の化合物を形成することができることを特徴とする請求項1または5に記載の方法。
【請求項１０】
前記前処理ステップでは、前記第4のガスまたは混合ガスとして、還元効果を有する気体もしくは蒸気が使用されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記第4のガスまたは混合ガスとして、原子状の水素および／もしくは分子状の水素および／もしくは気体を含む水素含有化合物が使用されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記後処理ステップの後に、前記光学表面に、原子状もしくは分子状の水素または水素含有化合物を供給することにより、調製ステップが実施されることを特徴とする請求項1または5に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照射ユニット内の光学表面の清浄化処理および後処理の方法であって、前記照射ユニットは、EUV放射線および／または軟X線を放射する放射線源と、前記放射線源に続き、前記光学表面を有する第1の光学部品を収容する第1の空間と、前記第1の空間に続き、第2の光学部品を収容する第2の空間と、を有する方法に関する。当該方法は、第1のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給される清浄化ステップであって、これにより前記光学表面に堆積された汚染物との間で、揮発性の化合物が形成され、該化合物は、前記第1のガスまたは混合ガスとともに、前記第1の空間から排気される、ステップを有する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業における光リソグラフィーの分野では、必要な画質を確保するため、複雑な光学素子が使用される。これは、特に、EUV−リソグラフィー、すなわち極端紫外（EUV）放射線を用いたリソグラフィーに適用され、この分野では、放射線源と被照射ウェハ基板の間の真空チャンバ内に、斜入射ミラーおよび多層化ミラーが配置される。両方のタイプのミラーには、約1nm以上のミクロ粗さを有する極めて高い表面品質が要求される。この波長領域では、材料の高吸収性のため、光学レンズは使用できない。同じ理由により、放射線源と光学部品の間に、窓を配置することは難しいため、放射線源、光学部品、リソグラフィーマスクおよび基板は、相互に完全に分離した素子ではなく、連続した真空システムを形成する。
【０００３】
しかしながら、この連続した真空システムでは、ガスおよび粒子が放射線源から、光学部品の方に進行し得る。その結果、これらの光学部品の表面が汚染され、光学系全体の光学品質が低下する。
【０００４】
今日のEUV−リソグラフィーに使用される放射線源は、ガス放電プラズマまたはレーザプラズマである。いずれの場合も、極めて高温のプラズマが形成され、この中では、多重イオン化イオンが、EUV領域の短波長の放射線を放射する。ガス放電プラズマでは、プラズマは、放電の電気エネルギーにより形成され、加熱される。レーザプラズマでは、気体、液体または固体のターゲットに、高出力のレーザビームが集束され、高温のプラズマが形成する。
【０００５】
EUV領域、特に、多層化ミラーとの使用に適した13.5nmの波長の放射線を放射する物質は、キセノン、リチウム、錫、インジウム、アンチモン、およびテルルである。希ガスとしてのキセノンは、高揮発性であるが、大部分の金属材料は、低揮発性物質である。これらの物質は、放射線源から光学部品の方に移動し、光学表面で凝縮し得る。また放電の際の電極のエロージョンにより、またはレーザプラズマ形成の際のターゲットの構成に必要なノズルを介して、非揮発性の物質も放出され得る。放射線源から放出され、光学部品の方向に移動する材料は、破屑（debris）と呼ばれる。
【０００６】
光学部品上には、破屑層が堆積し、これによりこれらの部品の品質が低下する。1nmの極めて薄い堆積層であっても、ミラー上での吸収ロスのため、EUV放射線の反射強度が大きく低下する。また、層成長によって生じる稼働時間の間の劣化に加えて、ミラー上での材料堆積がミラー表面全体に均等に生じないことにより、空間的な不均一性が生じる。
【０００７】
そのような照射ユニットの光学部品の光学表面、特に、EUV照射ユニットの収集ミラーの光学表面は、光学表面に堆積した汚染物を除去するため、繰り返し清浄化する必要がある。図1には、EUVリソグラフィーシステムの典型的な構成を概略的に示す。EUV照射ユニットは、基本的に、真空管32内の、放射線源31、収集ミラー33および多層化ミラー38により構成され、真空管32は、排気用の管34を有する。放射線源31から放射された放射線は、反射性収集ミラー33により収集され、中間焦点35上に集束される。この中間焦点35の位置では、アパーチャ開口により、この第1の空間40が、照射ユニットの第2の空間41に接続される。この第2の空間41には、多層化ミラー38が配置されており、放射線は、中間焦点35からマスクおよびウェハ基板39の方に誘導される。ほとんどのEUVリソグラフィーシステムでは、放射線源31と収集ミラー33の間に、破屑軽減用の手段37が配置される。リソグラフィーシステムの経済的な動作を行うため、破屑は、少なくとも7桁の値に抑制する必要がある。しかしながら、放射線源と収集ミラーの間の短い距離では、そのような極端な軽減を行うことは、極めて難しく、現在のところ、実験的に実証されていない。従って、収集ミラーの寿命を延伸するための適切な清浄化方法に関して、大きな要望がある。
【０００８】
国際公開WO2004／104707A2号には、特に、EUV放射線または軟X線用の照射ユニット内の少なくとも一つの光学部品を清浄化する方法および装置が示されている。開示された方法では、清浄化ステップにおいて、少なくとも一種類のガスが、光学表面と接触するように供給され、これにより、前記光学表面に堆積した汚染物の一部との間の反応により、揮発性の化合物が形成される。この清浄化ステップは、照射ユニットの作動中に、オンラインで、または照射ユニットが作動休止の際に、オフラインで実施することができる。この文献では、この清浄化ステップに適したガスとして、水素含有物質、ハロゲン、中間ハロゲン化物、およびハロゲン含有化合物が提案されている。UVまたはEUV放射線を用いた、これらのガスの追加照射により、ラジカルが形成され、汚染物との反応速度が高まる。また従来の文献では、真空管内の部品を不動態化処理して、これらを清浄化ガスから保護するため、追加のガスを供給することが示されている。
【０００９】
米国特許出願公開第2004／0007246A1号には、光源チャンバ内の収集光学素子を清浄化する方法およびシステムが示されており、この場合、光源は、リソグラフィー用のEUV放射線を形成する。開示されたある実施例では、清浄化ステップは、後処理ステップに続いて実施される。清浄化ステップでは、被清浄化収集光学素子を収容する空間に、エッチング剤が供給される。このエッチング剤を用いることにより、プラズマが形成し、そのイオンが収集光学素子の表面上の破屑と反応して、安定な気体化合物が形成される。これらの安定な化合物は、真空ポンプを用いて排気される。この後処理の後、この空間に、別のエッチング剤が導入され、このエッチング剤を用いて、第2のプラズマが形成される。このプラズマ中で、自由水素または酸素が、収集光学素子上の清浄化ステップからの残留物と反応して、揮発性の化合物が形成され、これは、その後排気される。
【特許文献１】国際公開WO2004／104707A2号パンフレット
【特許文献２】米国特許出願公開第2004／0007246号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、清浄化処理結果を改善しおよび／または光学表面のより良い保護を行うため、照射ユニット内の光学表面を清浄化するそのような方法をより改良することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的は、本発明の請求項1および5に記載の方法により得られる。当該方法の有意な実施例は、従属請求項の主題となっており、さらに、本発明を実施する以下の説明および例に記載されている。
【００１２】
本発明の方法は、EUV放射線および／または軟Ｘ線を放射する放射線源と、該放射線源に続く、前記光学表面を有する第1の光学部品を収容する第1の空間と、前記第1の空間に続く、第2の光学部品を収容する第2の空間と、を有する照射ユニットの清浄化に関する。そのような照射ユニットでは、第1の光学部品および第2の光学部品は、例えば、EUVリソグラフィーにおけるマスクおよびウェハのような、対象を照射するための光放射線経路を形成する。本発明の方法は、清浄化するステップを有し、このステップでは、以降「クリーニングガス」とも呼ばれる第1のガスまたは混合ガスが、前記光学表面に接触するように供給され、前記光学表面に堆積された汚染物との間の反応により、揮発性の化合物、好ましくは高揮発性の化合物が形成される。前記化合物は、清浄化ステップ中に、または清浄化ステップの完了時に、第1のガスもしくは混合ガスとともに第1の空間から排出される。当該方法は、前記清浄化ステップに続く後処理ステップに特徴を有する。請求項1によるこの後処理ステップでは、前記照射ユニットの前記放射線源が1回または数回作動され、前記EUV放射線または軟X線を前記光学表面に照射することにより、前記清浄化ステップの残留物が前記光学表面から放出される。放出されたまたは脱着された残留物は、後処理ステップ中にまたは後処理ステップの完了時に、第1の空間から排気される。後処理ステップの間、第1の空間は、第2の空間から分離され、好ましくは気密式に分離される。ただし、第1の空間は、前記EUV放射線または軟X線での光学表面の照射が可能となるように、この後処理ステップの際に、放射線源からは分離されなくても良い。また、放射線源と第1の空間の間のいかなる破屑軽減システムも、放射線源の作動による光学表面のさらなるコンタミネーションを最小化するため、作動される必要がある。
【００１３】
後処理ステップ前の清浄化ステップは、照射ユニットの作動休止の際に行われることが好ましい。この場合、清浄化される前記光学表面を収容する第1の空間は、好ましくは気密式に、第2の空間および放射線源から分離することができる。清浄化ステップのため、この分離が行われる際、第1の空間と第2の空間の間の分離素子または閉止素子は、後処理ステップの間も残されるが、第1の空間と放射線源の間の分離素子または閉止素子は、後処理ステップの実行前に除去される必要がある。ただし、照射ユニットの通常作動中に、清浄化ステップを行うことも可能である。清浄化ステップに適した大部分のクリーニングガスは、あまりEUV放射線または軟X線を吸収しないため、これらのガスが照射ユニットの通常の動作を妨害することはないからである。この場合、後処理ステップの前に、またはこのステップの最初の措置として、第1の空間は、適当な分離素子により第2の空間から分離される必要がある。
【００１４】
請求項1に記載の方法は、清浄化ステップでは、全ての汚染物が完全に除去される訳ではなく、清浄化ステップからの残留物が、光学表面になお残存するという実験に基づくものである。しかしながら、本発明の後処理ステップにより、前記残留物の少なくとも一部が光学表面から放出され、これが第1の空間から排気される。これは、放射線源からの放射線を用いた光学表面の前記照射によって行われ、第1の空間が高い感度を有する光学部品を収容する第2の空間から分離されたまま、この放射線源が連続的にまたはパルス状に作動される。この後処理ステップの後、2つの空間の分離が解消され、再度、照射ユニットの通常の作動が開始される。
【００１５】
EUV放射線または軟X線の照射ユニット内の光学表面上の通常の汚染物は、無機材料であり、特に、錫、テルル、インジウム、タングステン、モリブデン、リチウム、またはアンチモンのような材料であり、これらの材料は、高温プラズマから放出される。当該方法では、適当なクリーニングガスを選択することにより、無機汚染物を大幅に除去することが可能となる。清浄化ステップ用の通常のクリーニングガスは、水素含有物質および／またはハロゲン、中間ハロゲン化物および／またはハロゲン含有化合物である。これらのクリーニングガスは、前述の国際公開第WO2004／104707A2号に記載のものと同じであっても良い。この文献は、本発明の清浄化ステップの詳細な説明に関する参照文献として取り入れられている。
【００１６】
請求項1に記載の方法の好適実施例では、前記後処理ステップの間、第2のガスまたは混合ガスが前記光学表面と接触するように供給される。前記第2のガスもしくは混合ガスは、前記残留物の前記光学表面からの放出を助長し、および／または前記照射ユニットの前記放射線源のEUV放射線または軟X線に対する吸収がより少ない化合物に、前記残留物を変換するように選定される。このため、例えば、水素、水素含有化合物または水素ラジカルのような原子水素が、前記第1の空間に供給される。この一例の第2のガスにより、ハロゲン残留物を除去することができる。第2のガスとして酸素を用いた場合、例えば、ヨウ化ルテニウムのようなEUV吸収化合物を、あまり吸収性のないルテニウム酸化物に変換することが可能である。前記第2のガスとしての酸素は、第1の空間内で、部品の表面を不動態化するという追加の利点を有する。酸素の他、他のガス、例えば窒素、炭素または他の元素を含むガスを使用することもでき、これにより、吸収性化合物から、より安定でより吸収性の低い化合物への、そのような変化を生じさせることができる。
【００１７】
請求項1の特徴的部分に記載の後処理ステップに加えてまたはこれに代えて、実施され得る請求項5による後処理ステップ（すなわち第1および第2の空間の分離または非分離、ならびにEUVまたはX線による照射）では、第3のガスまたは混合ガスが、前記光学表面と接触するように供給される。前記第3のガスまたは混合ガスは、前記光学表面上に、クリーニングガスおよび／もしくは照射ユニットで使用される他のガス、例えば前処理に使用される第4のガスに対する保護層を形成し、ならびに／または前記光学表面を不動態化するように選定される。前記第3のガスまたは混合ガスは、酸素、水素、窒素、炭素、シリコン、硫黄もしくは化合物、またはこれらの元素のラジカルの組み合わせを含むことが好ましい。そのようなガスを使用した場合、薄い保護層、特に金属酸化物、金属窒化物、金属水酸化物、金属酸窒化物、金属炭化物、金属シリサイド、または金属硫化物の層が光学表面に形成され、この光学表面は、元来の光学表面に比べて、クリーニングガスおよび他のガスに対して、化学的により耐性を有するようになる。従って、より強い清浄化処理を行うことが可能となり、より良い清浄化処理結果が得られる。また、各清浄化ステップの後に新たに形成することが可能なそのような保護層により、光学部品の寿命が向上する。また、当然のことながら、保護層は、EUV放射線または軟Ｘ線に対して、ある程度透明となるように選択されても良い。
【００１８】
本発明の方法では、例えば収集ミラー表面のような光学部品の光学表面の高程度の清浄化処理を繰り返すことができる。これにより、時間的および空間的に均一な画像化が可能となり、特に、EUV照射ユニット内のマスクとウェハに対する時間的および空間的に均一なEUV照射が可能となる。また、本発明の方法では、そのようなユニット内の光学部品の長寿命化が可能となる。
【００１９】
本発明の方法の後処理ステップにより、第1の空間内の光学部品の最終清浄化処理が可能となる。この後処理ステップにより、反応生成物および反応ガスの残留物をこの空間に残留させないようにすることができる。これは、例えば、光学表面上の金属ハロゲン化物のような残留物または固体残留物に適用される。後処理ステップを実施するためには、第1の空間を第2の空間から分離し、EUV放射線源を1回または数回作動させ、放出された化合物を排気することしか必要ではない。好適実施例では、光学表面上の残留物の放出を加速するため、EUV放射線源は、通常の作動時よりも高出力で作動される。
【００２０】
別の任意ステップでは、後処理ステップに続いて、以降の動作および新たな清浄化ステップのため、別の処理により光学部品が調製される。光学表面は、例えば、分子水素を提供するステップにより調製することができ、この場合、照射ユニットの以降の通常の作動の間に、表面を汚染する破屑材料は、これらの表面で酸化されないようになる。この調製ステップにおいて、水素は、光学部品または他の部品の表面材料に組み込まれ、そこに停滞して、後に堆積される材料の酸化を抑制する。この方法では、汚染物のより少ない部分が酸化される結果、汚染物の大部分では、クリーニングガスとの反応により、揮発性または高揮発性の化合物が生成されるため、以降の清浄化ステップが助長される。
【００２１】
さらに別の実施例では、前処理ステップは、清浄化ステップの前に実施される。この前処理ステップでは、前記照射ユニットの作動休止の際に、第4のガスまたは混合ガスが、前記光学表面と接触するように供給され、前記第4のガスまたは混合ガスは、前記汚染物の一部と反応して、反応生成物を生成するように選定され、前記一部は、前記クリーニングガスまたは混合ガスとの間で、揮発性の化合物を生成しないが、前記反応生成物は、前記クリーニングガスまたは混合ガスとの間で、揮発性の化合物を形成することができる。この前処理ステップを用いることにより、通常、クリーニングガスとの反応により揮発性または高揮発性の化合物を生成することのない汚染物の一部が、後の清浄化ステップにおいて、クリーニングガスとの間で、そのような揮発性のまたは高揮発性の化合物を形成するような化合物に変換される。この方法では、清浄化ステップの間に除去することができる光学表面上の汚染物の部分を増加させることが可能となる。前記第4のガスまたは混合ガスとして、原子状および／もしくは分子状の水素および／もしくは気体を含む水素化合物のような、還元効果を有する気体または蒸気を使用することが好ましい。
【００２２】
本記載および特許請求の範囲において、「有する」という用語は、他の素子またはステップを排斥するものではなく、「一つの」という用語は、複数物を否定するものではない。また、請求項内のいかなる参照符号も、これらの請求項の範囲を限定するものと解してはならない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、一例としての実施例では、本発明の範囲を限定するものではない添付図面を参照して、本発明による方法の一例を示す。
【００２４】
EUV照射ユニットの典型的な構成は、本願の背景部において、図1を参照して既に説明した。そのようなEUV照射ユニットは、収集ミラー3を収容する第1の空間40と、第1の空間40に続く第2の空間41とにサブ分割され、前記第2の空間41は、発生したEUV放射線を、マスク（図示されていない）を介して、ウェハ基板39上に誘導する多層化ミラー38を収容している。さらにEUV照射ユニットは、放射線源1を有し、この放射線源は、破屑軽減システム2によって、収集ミラー3から分離されている。清浄化のため、ある場合には、この放射線源1および破屑軽減システム2は、収集ミラー3から離されても良い。それ以外の場合、これは、第1の空間40に接続された別のハウジング内に配置され、破屑軽減システム2および放射線源1は、清浄化のため、図2に示すような機械的な閉止素子5により、第1の空間40から分離することができる。同じ目的のため、第1の空間40は、同様に図2に示すような機械的な閉止素子6により、第2の空間41から分離することができる。
【００２５】
このEUV照射ユニットの通常動作の間、放射線源1から第1の空間40および第2の空間41を通り、ウェハ基板39に至る経路は、開いており、収集ミラー3、33および多層化ミラー38を通る光学放射線経路36は、妨害を受けない。EUV照射ユニットの通常の動作は、破屑により、収集ミラー3に特定量のコンタミネーションが生じたことが検出されるまで行われる。ミラーのコンタミネーションの制御のため、例えば光ダイオードまたはEUVフィルタを有するCCDカメラのような光センサが使用されても良い。センサによって測定された反射率がプリセット範囲に入った場合、以下の清浄化ステップが開始される。
【００２６】
まず、清浄化される必要のある照射ユニットの部分、すなわち第1の空間40が、図2に示すような機械的な閉止素子5および6により、放射線源1および第2の空間41から分離される。機械的な閉止素子5、6は、隣接する空間から第1の空間40を完全に分離することが好ましい。この第1の空間の分離後、第1の空間40の入口経路10を介して、本例ではハロゲンガスである、クリーニングガスの供給により、清浄化ステップが実施される。クリーニングガス中に有意な量のラジカルを得るため、入口経路10には、例えば高温フィラメントのようなラジカル発生ユニット20が配置される。そのようなラジカルは、清浄化処理を加速することができる。この清浄化ステップにおいて、生成された揮発性化合物は、残りのクリーニングガスとともに出口経路11から排気される。
【００２７】
この清浄化ステップの後、第1の空間40を放射線源1から分離していた閉止素子5が取り外され、放射線源1および破屑軽減システム2が作動する。この後処理ステップは、図3に示されている。EUV放射線の光学表面への照射により、これらの表面に依然として残留していた残留物が放出されまたは脱着されるため、これらを出口経路11を介して排気することができる。また必要であれば、原子状もしくは分子状の水素または水素含有化合物のような残留物の放出を助長するガスを、第1の空間に供給することも可能である。清浄化ステップの際のクリーニングガス、および後処理ステップの際の追加ガスのガス流れ方向12は、図2および3に示されている。
【００２８】
図4のフロー図には、本発明による方法における一連のステップの一例が示されている。なおこの例には、いくつかの任意のまたは代替の処理ステップも示されている。これらの任意のステップの一つは、原子状もしくは分子状の水素または水素含有化合物を第1の空間に供給する後処理後に、光学表面の追加の調製ステップを有する。このステップでは、光学部品および他の部品の表面材料内に、水素が取り込まれ、この水素は、ここに停滞して、その後この表面に堆積する材料の酸化を抑制する。
【００２９】
さらに別の追加のステップとして、既に述べたような前処理ステップが示されている。この前処理ステップにおいても、2つの閉止素子5、6を用いて、第1の空間40が隣接する空間から分離され、第1の空間40に原子状水素が供給され、この原子状水素は、このステップの最後に、以降の清浄化ステップの準備のため排気される。
【００３０】
これらの全てのステップの後に、通常の動作が繰り返されても良い。この場合、第1の空間40と第2の空間41とを分離していた閉止素子6が取り外され、放射線源1および破屑軽減システム2が作動され、通常の照射ユニットの動作が実施される。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】EUV照射ユニットの概略構成を示した図である。
【図２】放射線源および第2の空間から分離された、EUV照射ユニットの第1の空間の概略図である。
【図３】後処理ステップを実施する際の照射ユニットの第1の空間の概略図である。
【図４】本発明による方法の一例を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００３２】
1  EUV放射線源、2  破屑軽減システム、3  収集ミラー、5  機械的な閉止素子、6  機械的な閉止素子、10  ガス入口経路、11  ガス出口経路、12  ガスの流れ方向、20  ラジカル発生ユニット、31  放射線源、32  真空管、33  収集ミラー、34  排気管、35  中間焦点、36  放射線経路、37  破屑軽減手段、38  多層化ミラー、39  ウェハ基板、40  第1の空間、41  第2の空間。
【国際調査報告】
2008547214.tif 000007
2008547214.tif 000008
2008547214.tif 000009
2008547214.tif 000010
2008547214.tif 000011
2008547214.tif 000012