(57)【要約】【課題】製造コストおよび複雑度の増大または部品性能の低下をさせることなく多物理刺激感知および／または多軸感知機能を有するＭＥＭＳデバイスパッケージを提供すること。【解決手段】デバイス（５０）は、検知される磁場（３８）を示す出力信号（３０）を生成する磁力計（５４）と、第２のセンサ（２４）と、磁力計および第２のセンサの各々に接続された処理部（５６）とを備える。処理部は、第２のセンサが、第２のセンサが電流（８２、８６）を引き込んでいる動作状態（９４）にあるか否かを検出すること（１８８）、第２のセンサが動作状態にあるときトリムパラメータ（７２）を出力信号に適用すること（１９４、１９６）を含む動作を実行するように構成され、トリムパラメータは、出力信号における信号誤差（７０）の少なくとも一部を相殺し、信号誤差は、動作状態にある第２のセンサによって引き込まれる電流に応答して磁力計において生成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁力計および第２のセンサを含むデバイスにおいて、前記磁力計の出力信号における信号誤差を補償する方法であって、
前記第２のセンサが、前記第２のセンサが電流を引き込んでいる動作状態にあるか否かを検出すること、
前記第２のセンサが前記動作状態にあるとき、トリムパラメータを前記出力信号に適用することとを備え、
前記トリムパラメータは、前記出力信号における前記信号誤差の少なくとも一部を相殺し、前記信号誤差は、前記動作状態にある前記第２のセンサによって引き込まれる前記電流に応答して前記磁力計において生成される、方法。
【請求項２】
前記検出する動作は、前記電流が実質的に不変の電流であるか否かを判定することを含み、
前記電流が前記実質的に不変の電流であるとき、前記適用する動作によって、前記トリムパラメータのオフセットトリム値を前記出力信号に適用し、前記オフセットトリム値は、前記不変の電流と関連付けられている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オフセットトリム値は、
前記第２のセンサに関連付けられているセンサ回路と前記磁力計との間の固定距離、および前記不変の電流の関数である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記適用する動作は、前記オフセットトリム値および前記出力信号の和を加算によって求めて、補償された磁力計出力信号を取得することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記検出する動作は、前記電流が可変電流であるか否かを判定することを含み、
前記電流が前記可変電流であるとき、前記適用する動作によって、前記トリムパラメータの感受性シフト値を前記出力信号に適用し、前記感受性シフト値は、前記可変電流と関連付けられている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記感受性シフト値を、前記可変電流および前記磁力計に付与されるストレス条件の関数として決定することをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記感受性シフト値は、磁場の検出に対する前記磁力計の感受性の変化を特性化し、前記感受性の変化は、前記可変電流に起因する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記適用する動作は、前記感受性シフト値および前記出力信号の積を乗算によって求めて、補償された磁力計出力信号を取得することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のセンサはジャイロスコープを含み、
前記検出する動作は、
前記ジャイロスコープの動作状態が待機モードおよびアクティブモードのうちの一方であるかを判定することを含み、
前記適用する動作は、
前記ジャイロスコープが前記待機モードにあるときに、前記トリムパラメータのオフセットトリム値を前記出力信号に適用すること、
前記ジャイロスコープが前記アクティブモードにあるときに、前記トリムパラメータの感受性シフト値を前記出力信号に適用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記出力信号は、前記磁力計からのアナログ出力信号であり、
前記適用する動作によって、前記トリムパラメータを前記アナログ出力信号に適用する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記検出する動作によって前記第２のセンサが該第２のセンサが前記電流を引き込んでいない非動作状態にあることを検出するとき、前記適用する動作を実行しない、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記検出する動作の前に、前記第２のセンサが前記動作状態にあるときに、前記第２のセンサによって引き込まれる電流に基づいて前記トリムパラメータを生成すること、
前記磁力計と関連付けられているメモリ要素に前記トリムパラメータを記憶することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
デバイスであって、
検知される磁場を示すアナログ出力信号を生成するように構成されている磁力計と、
第２のセンサと、
前記磁力計および前記第２のセンサの各々に接続されている処理部とを備え、
前記処理部は、
前記第２のセンサが、前記第２のセンサが電流を引き込んでいる動作状態にあるか否かを検出すること、
前記第２のセンサが前記動作状態にあるとき、トリムパラメータを前記アナログ出力信号に適用することを備える動作を実行するように構成され、
前記トリムパラメータは、前記アナログ出力信号における信号誤差の少なくとも一部を相殺し、前記信号誤差は、前記動作状態にある前記第２のセンサによって引き込まれる電流に応答して前記磁力計において生成される、デバイス。
【請求項１４】
前記第２のセンサはセンサ回路を含み、
前記センサ回路は、前記磁力計から固定空間距離だけ離れて位置付けられ、
前記トリムパラメータは、前記電流および前記固定空間距離の関数である、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記第２のセンサは、ジャイロスコープを含む、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記磁力計と関連付けられているメモリ要素をさらに備え、
前記メモリ要素は、該メモリ要素に記憶された前記トリムパラメータを有する、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記トリムパラメータは、前記メモリ要素内の不変の電流と関連付けられているオフセットトリム値を含み、
前記電流が前記不変の電流であるとき、前記処理部は、前記オフセットトリム値および前記アナログ出力信号の和を加算によって求めて、補償された磁力計出力信号を取得する、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記トリムパラメータは、前記メモリ要素内の可変電流と関連付けられている感受性シフト値を含み、
前記電流が前記可変電流であるとき、前記処理部は、前記感受性シフト値および前記アナログ出力信号の積を乗算によって求め、前記積は、補償された磁力計出力信号である、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１９】
磁力計および第２のセンサを含むデバイスにおいて、前記磁力計の出力信号における信号誤差を補償する方法であって、
前記第２のセンサの電流の引き込みに基づいてトリムパラメータを生成すること、
前記トリムパラメータを、前記磁力計と関連付けられているメモリ要素に記憶すること、
前記第２のセンサが、前記第２のセンサが前記電流を引き込んでいる動作状態にあるか否かを検出すること、
前記検出する動作によって前記第２のセンサが前記動作状態にあることを検出するとき、前記トリムパラメータを前記メモリ要素から選択して、前記トリムパラメータを前記出力信号に適用することであって、前記トリムパラメータは、前記出力信号における前記信号誤差の少なくとも一部を相殺し、前記信号誤差は、前記動作状態にある前記第２のセンサによって引き込まれる前記電流に応答して前記磁力計において生成される、前記トリムパラメータを前記出力信号に適用すること、
前記検出する動作によって前記第２のセンサが該第２のセンサが電流を引き込んでいない非動作状態にあることを検出するとき、前記トリムパラメータを前記出力信号に適用しないことを備える、方法。
【請求項２０】
前記検出する動作は、前記電流が実質的に不変の電流であるか、または可変電流であるかを判定することを含み、
前記電流が前記実質的に不変の電流であるとき、前記適用する動作によって、前記トリムパラメータのオフセットトリム値および前記出力信号の和を加算によって求めて、補償された磁力計出力信号を取得し、前記オフセットトリム値は、前記不変の電流と関連付けられ、
前記電流が前記可変電流であるとき、前記適用する動作によって、前記トリムパラメータの感受性シフト値および前記出力信号の積を乗算によって求めて、補償された磁力計出力信号を取得し、前記感受性シフト値は、前記可変電流と関連付けられている、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサデバイスに関する。より具体的には、本発明は、多刺激感知機能（multiple stimulus sensing capability）を有するＭＥＭＳデバイスパッケージ、および多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ内の磁力計からの出力信号における信号誤差を補償するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術は、非常に小さな機械構造を作成し、従来のバッチ半導体処理技法（batch semiconductor processing techniques）を使用して単一の基板上に電気デバイスとこれらの構造を取り入れる方法を提供するため、近年において広く高い評判を得ている。ＭＥＭＳの１つの一般的な用途が、センサデバイスの設計および製造である。ＭＥＭＳセンサデバイスはたとえば、加速度計、ジャイロスコープ、圧力センサ、磁場センサ、マイクロフォン、ガスセンサ、デジタルミラーディスプレイ、微小流体デバイスなどを含む。ＭＥＭＳセンサデバイスは、自動車、慣性誘導システム、家庭電化製品、ゲームデバイス、さまざまなデバイスのための保護システム、ならびに、多くの他の産業、科学、および工学システムのような用途に広く使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１２／０２１７９５８号明細書
【特許文献２】国際公開第２００８／０６８５４２号パンフレット
【特許文献３】国際公開第２０１１／１２３１４９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＭＥＭＳデバイスの用途が増大および多様化し続けるにつれ、向上した感度における多刺激感知が可能であり、複数のタイプのセンサを同じパッケージ内に組み込むためのデバイスの開発にますます重点が置かれるようになってきている。「組み合わせセンサ（combination sensor）」または単純に「コンボセンサ（combo sensor）」と称されることがある多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージは、種々の物理的刺激（たとえば、直線加速、角速度、磁場、圧力など）を感知することが可能であり、さらに多軸感知が可能であり得る。加えて、製造コストおよび複雑度を増大させることなく、また部品性能を犠牲にすることなく多物理刺激感知および／または多軸感知機能を有するＭＥＭＳデバイスパッケージの作製方法にますます重点が置かれるようになってきている。これらの取り組みは、自動車、医療、商用、および消費者製品における既存のおよび将来の高容量用途によって主に推し進められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面は、磁力計および第２のセンサを含むデバイスにおいて、前記磁力計の出力信号における信号誤差を補償する方法であって、前記第２のセンサが、前記第２のセンサが電流を引き込んでいる動作状態にあるか否かを検出すること、前記第２のセンサが前記動作状態にあるとき、トリムパラメータを前記出力信号に適用することとを備え、前記トリムパラメータは、前記出力信号における前記信号誤差の少なくとも一部を相殺し、前記信号誤差は、前記動作状態にある前記第２のセンサによって引き込まれる前記電流に応答して前記磁力計において生成される。
【０００６】
本発明の一側面は、デバイスであって、検知される磁場を示すアナログ出力信号を生成するように構成されている磁力計と、第２のセンサと、前記磁力計および前記第２のセンサの各々に接続されている処理部とを備え、前記処理部は、前記第２のセンサが、前記第２のセンサが電流を引き込んでいる動作状態にあるか否かを検出すること、前記第２のセンサが前記動作状態にあるとき、トリムパラメータを前記アナログ出力信号に適用することを備える動作を実行するように構成され、前記トリムパラメータは、前記出力信号における信号誤差の少なくとも一部を相殺し、前記信号誤差は、前記動作状態にある前記第２のセンサによって引き込まれる電流に応答して前記磁力計において生成される。
【０００７】
本発明の一側面は、磁力計および第２のセンサを含むデバイスにおいて、前記磁力計の出力信号における信号誤差を補償する方法であって、前記第２のセンサの電流の引き込みに基づいてトリムパラメータを生成すること、前記トリムパラメータを、前記磁力計と関連付けられているメモリ要素に記憶すること、前記第２のセンサが、前記第２のセンサが前記電流を引き込んでいる動作状態にあるか否かを検出すること、前記検出する動作によって前記第２のセンサが前記動作状態にあることを検出するとき、前記トリムパラメータを前記メモリ要素から選択して、前記トリムパラメータを前記出力信号に適用することであって、前記トリムパラメータは、前記出力信号における前記信号誤差の少なくとも一部を相殺し、前記信号誤差は、前記動作状態にある前記第２のセンサによって引き込まれる前記電流に応答して前記磁力計において生成される、前記トリムパラメータを前記出力信号に適用すること、前記検出する動作によって前記第２のセンサが該第２のセンサが電流を引き込んでいない非動作状態にあることを検出するとき、前記トリムパラメータを前記出力信号に適用しないことを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】多刺激感知機能を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスパッケージのブロック図。
【図２】多刺激感知機能を有する別の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスパッケージのブロック図。
【図３】一実施形態に応じた多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージの概念ブロック図。
【図４】図３のＭＥＭＳデバイスパッケージ内のセンサの動作状態を示す例示的な状態図。
【図５】図３のＭＥＭＳデバイスパッケージのトリムパラメータを決定するための試験環境を示す図。
【図６】ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値決定プロセスのフローチャート。
【図７】感度シフト値決定プロセスのフローチャート。
【図８】感度シフト決定プロセスのうちのリアルタイム計算サブプロセスのフローチャート。
【図９】一実施形態に応じた磁力計の信号誤差補償プロセスのフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下の図面と併せて考察して詳細な説明および請求項を参照することで、より完全に本発明を理解することができる。これらの図面では全般にわたり同様の参照符号は類似の項目を示しており、図面は必ずしも原寸に比例して描かれてはいない。
【００１０】
いくつかの用途は、磁力計およびジャイロスコープの両方を含む多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージを必要とする。概して、磁場センサとも称される磁力計は、磁場の大きさおよび／または向きを検出するための電子デバイスである。ジャイロスコープは広く、ジャイロスコープを第１の運動をするように駆動し、当該第１の運動および感知されるべき角運動速度の両方に応答したジャイロスコープの第２の運動を測定することによって機能する。磁力計およびジャイロスコープを含むＭＥＭＳデバイスパッケージにおいて、特定の動作状態の間、ジャイロスコープは電流を引き込むことになる。電流の引き込みによって磁場が生成され、これは磁力計において検出され得る。したがって、ジャイロスコープによる電流の引き込みに応答して生成される磁場が、磁力計の出力信号に信号誤差を付与する（impose）可能性がある。
【００１１】
実施形態は、磁力計と、ジャイロスコープのような別のセンサの両方を含む多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ、および、他方のセンサが動作状態にあるときに磁力計出力信号に付与される信号誤差を補償するための方法をもたらす。方法は、エンドユーザ論理を実装する必要なしに信号精度を改善し、メモリ必要量（memory requirements）を低減し、エンドユーザに誤差補償信号を提供するために、磁力計のアナログ・フロント・エンドおよびデジタル処理特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）において実施される。
【００１２】
本明細書における実施形態は、磁力計出力信号における信号誤差源としてのジャイロスコープに関連して説明されているが、磁力計出力信号における信号誤差を補償するための方法は、別のセンサが、結果として誤差信号として磁力計出力信号に付与され、そのためにそのような誤差信号を補償することが必要とされる磁場を生成する電流を引き込む、他の多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージにおいて実施されてもよいことは理解されたい。
【００１３】
図１は、多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ２０のブロック図を示す。ＭＥＭＳデバイスパッケージ２０は概して、積層構造にある磁力計ダイ（magnetometer die）２２およびジャイロスコープダイ（gyroscope die）２４を含み、ダイ取付材料（die attach material）２６が磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４をともに結合するか、または固定するのに使用される。磁力計ダイ２２は、１つ以上の磁場検出素子５４と、磁力計回路５６とを含むことができる。同様に、ジャイロスコープダイ２４は、１つ以上のジャイロスコープ検出素子５８と、ジャイロスコープ回路６０とを含むことができる。磁力計回路５６および磁場検出素子５４は、磁力計ダイ２２内に積層構造で設けられている。しかしながら、代替的な実施形態において、磁力計回路５６は、磁場検出素子５４から側方にずれていてもよい。同様に、ジャイロスコープ回路６０およびジャイロスコープ検出素子５８は、ジャイロスコープダイ２４内で積層構造で設けられている。しかしながら、代替的な実施形態において、ジャイロスコープ回路６０は、ジャイロスコープ検出素子５８から側方にずれていてもよい。
【００１４】
磁力計回路５６は、補償アルゴリズムが実行され、かつトリムパラメータが記憶される磁力計ダイ２２内の特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）アナログ・フロント・エンドおよびデジタルブロックであってもよい。同様に、ジャイロスコープダイ２４は、補償アルゴリズムが実行されるジャイロスコープダイ２４内のＡＳＩＣアナログ・フロント・エンドおよびデジタルブロックであってもよい。概して、磁力計回路５６は、磁場検出素子５４から、ＭＡＧＲＡＷとラベリングされている、本明細書において磁力計出力信号３０と呼称される未処理の（raw）、すなわち、アナログの出力信号を受信するように構成されている。同様に、ジャイロスコープ回路６０は、ジャイロスコープ検出素子５８から、ＧＹＲＯＲＡＷとラベリングされている、本明細書においてジャイロスコープ出力信号３２と呼称される未処理の、すなわち、アナログの出力信号を受信するように構成されている。
【００１５】
磁力計出力信号３０およびジャイロスコープ出力信号３２の受信に応答して、磁力計回路５６およびジャイロスコープ回路６０は、補償アルゴリズムを実行して、信号誤差成分を除去して磁力計出力信号３０およびジャイロスコープ出力信号３２の特性を改善する。固定補償係数が、温度オフセット、温度感受性（temperature sensitivity）、ならびに、そうでなければ磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４の特性に悪影響を及ぼしかねない他の要因を補正することができる。誤差補償に加えて、磁力計回路５６およびジャイロスコープ回路６０は、未処理のアナログの磁力計出力信号３０および未処理のアナログのジャイロスコープ出力信号３２を既知の方法に応じてデジタル形式に変換するための特定の処理動作を実行してもよい。したがって、磁力計回路５６は、磁力計出力信号３０に対応する、ＭＡＧＣＯＭＰとラベリングされている、本明細書において補償された磁力計出力信号３４と称する、補償されたデジタル出力信号を出力することになる。加えて、ジャイロスコープ回路６０は、ＧＹＲＯＣＯＭＰとラベリングされている、本明細書において補償されたジャイロスコープ出力信号３６と称する、補償されたデジタル出力信号を出力することになる。
【００１６】
ＭＥＭＳデバイスパッケージ２０において、特定の動作状態下で、ジャイロスコープダイ２４、より詳細にはジャイロスコープ回路６０は電流を引き込む。ジャイロスコープダイ２４が待機状態にあるとき、電流の引き込み（current draw）は実質的に一定であり得、これは実質的に不変であるということもできる。待機状態とは、ジャイロスコープダイ２４の不可欠な要素のみが活性化されている状態であり得る。したがって、ジャイロスコープダイ２４による電流の引き込みは相対的に低く、不変であり得る。代替的に、電流の引き込みは変化している、すなわち、可変である場合があり、ジャイロスコープダイ２４の追加の構成要素が選択的に活性化され、ジャイロスコープダイ２４は角速度を受ける場合がある。いずれにせよ、電流の引き込みは図１において曲線３８によって示されている磁場を生成し、これは磁力計ダイ２２の磁場検出素子５４において検出され得る。したがって、ジャイロスコープダイ２４による電流の引き込みに応答して生成される磁場３８が、磁力計出力信号３０に信号誤差を付与する可能性がある。信号誤差は、電流の引き込みの大きさおよび変動の両方、ならびに、磁場検出素子５４とジャイロスコープ回路６０との間の、図１においてＤとラベリングされている距離４０の関数である。この信号誤差はアンペアの法則によって特性化することができ、電流の周囲の空間内の磁場はその発生源としての役割を果たす電流に比例する。したがって、信号誤差は以下の式によって表すことができる。
【００１７】
Ｂ＝ｕ０＊ｕｒ＊Ｉ（２πｒ）
式中、Ｂは信号誤差であり、ｕ０およびｕｒは固定係数であり、Ｉは電流であり、ｒは距離４０である。一実施形態に応じて、磁力計回路５６に、特に、既存の補償アルゴリズムに付加するものとして、補償アルゴリズムが実装されて、ジャイロスコープダイ２４が動作状態にあるとき、ジャイロスコープダイ２４によって生成される磁場３８からの磁力計出力信号３０における信号誤差を補償する。
【００１８】
図２は、別の多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ４２のブロック図を示す。ＭＥＭＳデバイスパッケージ２０と同様に、ＭＥＭＳデバイスパッケージ４２も、磁力計ダイ２２、ジャイロスコープダイ２４を含み、磁力計ダイ２２は磁力計出力信号３０を生成し、ジャイロスコープダイ２４はジャイロスコープ出力信号３２を生成し、磁力計回路５６は補償磁力計出力信号３４を生成し、ジャイロスコープ回路６０は補償ジャイロスコープ出力信号３６を生成する。
【００１９】
しかしながら、図２に示す構成において、磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４は図１の積層構造ではない。代わりに、磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４は各々、Ｄとラベリングされている距離４６だけ互いから側方にずれた箇所において基板４４上に載置されている。ジャイロスコープダイ２４のジャイロスコープ回路６０は動作状態にあるときに磁場３８を生成し、この磁場３８は依然として磁力計ダイ２２の磁場検出素子５４において磁力計出力信号３０における信号誤差として検出可能であり得る。したがって、ＭＥＭＳセンサデバイス４２に補償アルゴリズムが実装されて、ジャイロスコープダイ２４によって生成される磁場３８からの磁力計出力信号３０における信号誤差を補償こともできる。
【００２０】
磁力計出力信号３０における信号誤差を補償するための補償方法は、様々な構造的構成を有する広範な多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ内に実装されてもよいことが容易に諒解されるはずである。さらに、補償方法は、多軸感知構成において実装することができる。
【００２１】
図３は、一実施形態に応じた多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の概念ブロック図を示す。ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０は、図１のパッケージ２０または図２のパッケージ４２のいずれかであってもよい。代替的に、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０は、少なくとも１つの単軸または多軸磁力計と、もう１つのセンサであって、特定の状況下で電流を引き込み、磁力計に近接近していて、当該他方のセンサによって引き込まれる電流によって生成される磁場に応答して誤差信号が磁力計出力信号に付与されるもう１つのセンサとを含む任意の多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージであってもよい。
【００２２】
例示を目的として、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０は、磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４の両方を含む。無論、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０は、単純にするために本明細書には記載または図示されていない他のセンサおよびＭＥＭＳ構成要素をさらに含んでもよい。上述のように、磁力計ダイ２２は、１つ以上の軸に沿って磁場を感知することが可能な１つ以上の検出素子５４と、関連する磁力計回路５６とを含む。同様に、上述のように、ジャイロスコープダイ２４は、１つ以上の軸に沿って角速度を感知することが可能な１つ以上の検出素子５８と、関連するジャイロスコープ回路６０とを含む。磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４は、様々な単軸および多軸構造設計のいずれかとすることができる。
【００２３】
磁力計回路５６は、磁力計ダイ２２の磁場検出素子５４から磁力計出力信号３０を受信し、補償された磁力計出力信号３４を生成する処理部６２を含んでもよい。ジャイロスコープ回路６０は、ジャイロスコープダイ２４のジャイロスコープの検出素子５８からジャイロスコープ出力信号３２を受信し、補償されたジャイロスコープ出力信号３６を生成する処理部６４を含んでもよい。処理部６４は、既知の方法に応じて、トリム調整、利得、温度オフセット補正などの形態で、ジャイロスコープ出力信号３６に対する補償を実施してもよい。
【００２４】
処理部６２は、トリムオフセット、利得調整、温度オフセット、温度感受性などのような、磁力計出力信号３０に対する従来の補償（conventional compensation）を実行するための補償アルゴリズム６６を含んでもよい。一実施形態に応じて、処理部６２は、破線７０によって表されているジャイロスコープダイ２４が動作状態にあるときに磁力計出力信号３０に付与される信号誤差を補償するための別の補償アルゴリズム６８をさらに含む。
【００２５】
一実施形態において、補償アルゴリズム６６および６８は、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０のシリコン上の論理ゲートとして実装される。補償アルゴリズム６６は、磁力計出力信号３０を較正または他の様態でトリミングするための「通常の」または従来の補償アルゴリズムを指す。補償アルゴリズム６８は、ジャイロスコープダイ２４が動作状態にあるときに磁力計出力信号３０に付与される信号誤差７０を補償する、すなわち、少なくともその一部を相殺するための、一実施形態に応じたアルゴリズムを指す。したがって、アルゴリズム６６および６８は、例示を目的として別個の要素として図示されている。現実の実践において、補償アルゴリズム６８は、デバイスパッケージ５０のような多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ内の磁力計ダイ２２が、別のセンサデバイス、たとえば、ジャイロスコープダイ２４からの電流によって生成される信号誤差７０を受けるときに、従来の補償アルゴリズム（conventional compensation algorithm）６６に付加するものとして実装される。
【００２６】
補償アルゴリズム６８の実行を通じて、ジャイロスコープダイ２４による電流の引き込みから生じる信号誤差７０を補償するために、トリムパラメータ７２が磁力計出力信号３０に選択的に適用されてもよい。この信号誤差７０は、ジャイロスコープに起因するオフセット成分（gyroscope-based offset component）７４および／または感受性シフト成分（sensitivity shift component）７６を含み得る。概して、ジャイロスコープに起因するオフセット成分７４は、誤差信号７０が付与されることに起因する磁力計出力信号３０の変化を引き起こす、ジャイロスコープダイ２４による、不変、すなわち一定の電流の引き込みがある条件下で発生する可能性がある。感受性シフト成分７６は、ジャイロスコープダイ２４上の負荷キャパシタンスに起因してジャイロスコープダイ２４によって生成されるアクティブな電流の変化、すなわち、可変電流がある条件下で発生する可能性がある。感受性シフト成分７６は、ジャイロスコープ２４からの電流が直線的に増大または直線的に低減するときに発生する場合もある。
【００２７】
一実施形態において、トリムパラメータ（trim parameters）７２は、デバイス試験中に決定することができる（図５に関連して説明する）。その後、トリムパラメータ７２は、補償アルゴリズム６８と関連付けられているメモリ要素７８に記憶することができる。トリムパラメータ７２は、ジャイロスコープダイ２４の不変待機電流８２と関連付けられる１つ以上のジャイロスコープに起因するオフセットトリム値（gyroscope-based offset trim value）８０を含むことができる。ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０は、信号誤差７０のジャイロスコープに起因するオフセット成分７４を補償するのに使用され得る。ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０の決定は図６に関連して説明する。加えて、または代替的に、トリムパラメータ７２は、ジャイロスコープダイ２４に関する可変電流８６と関連付けられる１つ以上の感受性シフト値８４を含むことができる。感受性シフト値８４は、信号誤差７０の感受性シフト成分７６を補償するのに使用され得る。感受性シフト値８４の決定は図７に関連して説明する。
【００２８】
図４は、図３のＭＥＭＳデバイスパッケージ５０内のセンサ２２、２４の複数の動作状態９２を示す例示的な状態図９０を示す。状態図９０に示すように、任意の瞬間（instant）において、磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４の各々は、動作状態９４または非動作状態９６のうちの一方にあり得る。動作状態９４は数字「１」によって表され、非動作状態９６は数字「０」によって表される。
【００２９】
状態図９０は、磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４のいずれが、その特定の動作状態に応じて出力信号（Ｏ／Ｐ）を生成することを可能にされているかも示す。例として、ジャイロスコープダイ２４および磁力計ダイ２２の両方が非動作状態９６にある（すなわち、状態図９０において「０」かつ「０」）、ジャイロスコープダイ２４および磁力計ダイ２２のいずれも、それらのそれぞれのジャイロスコープ出力信号３２および磁力計出力信号３０を生成することを可能にされていない。ジャイロスコープダイ２４が非動作状態９６にあり、かつ磁力計ダイ２２が動作状態９４にあるとき（すなわち、状態図９０において「０」かつ「１」）、磁力計ダイ２２のみが磁力計出力信号３０を生成することを可能にされている。同様に、ジャイロスコープダイ２４が動作状態９４にあり、かつ磁力計ダイ２２が非動作状態９６にあるとき（すなわち、状態図９０において「１」かつ「０」）、ジャイロスコープダイ２４のみがジャイロスコープ出力信号３２を生成することを可能にされている。
【００３０】
本明細書において特に関心事であることには、ジャイロスコープダイ２４および磁力計ダイ２２の両方が動作状態９４にある場合（すなわち、状態図９０において「１」かつ「１」）、ジャイロスコープダイ２４および磁力計ダイ２２の両方が、それらのそれぞれのジャイロスコープ出力信号３２および磁力計出力信号３０を生成することを可能にされている。したがって、図３の信号誤差７０が磁力計出力信号３０に付与される可能性があるのは、この二重動作状態９４である。
【００３１】
ジャイロスコープダイ２４の動作状態９４は、２つのモード、すなわち、待機モード９８およびアクティブモード１００のうちの一方であってもよい。待機モード９８において、ジャイロスコープダイ２４は起動されている／動作可能である。しかしながら、ジャイロスコープダイ２４は、一定の電流、より詳細には、図４においてＩＳとラベリングされている不変待機電流８２を引き込んでいる。逆に、アクティブモード１００において、ジャイロスコープは起動されている／動作可能である。しかしながら、ジャイロスコープダイ２４は、一定でない電流、より詳細には、図４においてＩＶＡＲとラベリングされている可変電流８６を引き込んでいる。したがって、以下の説明において、ジャイロスコープダイ２４は、１）動作状態９４、待機モード９８、２）動作状態９４、アクティブモード１００、または３）非動作状態９６とすることができる。図９に関連して説明する補償方法は、ジャイロスコープダイ２４の現在の動作状態およびモードに基づいて図３の信号誤差７０を補償する。
【００３２】
図５は、図３のＭＥＭＳデバイスパッケージ５０について、図３のトリムパラメータ７２を決定するための試験環境１０６を示す。概して、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０のような各ＭＥＭＳデバイスの電気機械的特性は、様々な要因（製造公差、処理、温度オフセット、温度感受性などにおけるわずかな差）に起因して異なり得る。これは、一定の大きさの刺激に応答した１つのＭＥＭＳデバイスの電気出力が、まったく同じ大きさの刺激に応答した第２のＭＥＭＳデバイスの電気出力と異なる場合があることを意味する。無論、システムが、ＭＥＭＳセンサからの所与の電気出力を、所定量の加えられる刺激に相関付けることができるように、ＭＥＭＳデバイスを較正することができることが重要である。一般的に、この較正／補償は、ＭＥＭＳセンサを採用するシステムの出荷前に行われ、システムに実際の物理的刺激（たとえば、磁場または角速度）を加え、ＭＥＭＳセンサの電気的応答を測定し、「補正」されたＭＥＭＳセンサ出力が加えられた刺激の大きさに対応することを確実にするためにＭＥＭＳセンサの電気出力に適用する必要がある任意の「補正」因子を表す値をシステム内に記憶することによって達成され得る。
【００３３】
したがって、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０は、従来の補償アルゴリズム６６に応じて、たとえば、感受性パラメータ、温度オフセットパラメータ、温度感受性パラメータなどを計算するための試験機器１０８に結合され得る。一実施形態において、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０は、図３の補償アルゴリズム６８に応じて、トリムパラメータ７２を計算するために、より具体的には、図３のジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０および／または図３の感受性シフト値８４を決定するために、試験機器１０８に結合されてもよい。
【００３４】
試験環境１０６において、試験機器１０８は、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０が試験機器１０８に未処理の磁力計出力信号３０および未処理のジャイロスコープ出力信号３２を出力するように、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０と適切に結合されてもよい。一実施形態において、試験機器１０８は、ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値決定プロセス１１０を実行し、１つ以上のジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０を、図３のメモリ要素７８に記憶するためにＭＥＭＳデバイスパッケージ５０に提供する。試験機器１０８は、感受性シフト値決定プロセス１１２をさらに実行し、１つ以上の感受性シフト値８４をＭＥＭＳデバイスパッケージ５０に提供してメモリ要素７８に記憶してもよい。
【００３５】
試験環境１０６は、「工場ベース」であってもよく、試験は、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０が基板に取り付けられる前に行われてもよい。たとえば、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０は、パッケージが顧客アプリケーション内の基板に取り付けられる前にＭＥＭＳデバイスパッケージ５０に対する試験を実行するために試験機器１０８の従来のソケット（図示せず）内に結合されてもよい。代替的に、試験環境１０６は、「顧客ベース」であってもよく、試験は、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０が顧客アプリケーション内で基板に取り付けられた後に行われてもよい。下記により詳細に説明するように、磁力計ダイ２２の感受性シフトが、ジャイロスコープダイ２４から生じる信号誤差７０の図３の感受性シフト成分７６の結果として生じる可能性がある。加えて、感受性シフトは、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０が顧客アプリケーション内で基板に取り付けられた後にも生じる可能性がある。したがって、磁力計ダイ２２に対するストレスが可能性として、磁力計ダイ２２の図３の磁場検出素子５４の特性を変化させ得る。
【００３６】
感受性シフト値決定プロセス１１２は、試験環境１０６が工場ベースであるときは基板に取り付ける前に実行されてもよく、それによって、プロセス１１２を実行することによって決定される１つ以上の感受性シフト値８４は、ジャイロスコープダイ２４の特性に左右される。代替的に、または付加的に、感受性シフト値決定プロセス１１２は、顧客ベースの試験環境１０６においては基板に取り付けた後に実行されるように適合されてもよく、それによって、プロセス１１２を実行することによって決定される１つ以上の感受性シフト値８４は、ジャイロスコープダイ２４の特性、および、顧客アプリケーション内で磁力計ダイ２２に付与されるストレス条件の両方に左右される。感受性シフトは、簡潔にするために本明細書には説明されていない他の要因に起因して発生する場合があることを、当業者は認識されたい。
【００３７】
ここで、図５および図６を参照すると、図６は、試験環境１０６内の試験機器１０８を使用して図３のＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の試験中に実行される、ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値決定プロセス１１０のフローチャートを示す。試験機器１０８によって実行されるプロセス１１０は、本明細書において例示を目的として提供されている。しかしながら、図６に示すプロセスブロックのうちの特定のものは互いに並行して、または他のプロセスの実行とともに実行されてもよいことは理解されたい。加えて、図６に示すプロセスブロックの特定の順序は、実質的に同じ結果を達成しながら変更されてもよいことは理解されたい。したがって、そのような変更は本発明の主題の範囲内に含まれるものとして意図されている。
【００３８】
概して、「オフセット」という用語は、予測される出力信号からのずれに適用される。特に、「ジャイロスコープに起因するオフセット」という用語は、信号誤差７０に起因する、予測される磁力計出力信号からのずれを指す。したがって、ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値決定プロセス１１０は、ジャイロスコープに起因するオフセット値８０を求めて、このずれを補正するために信号誤差７０の図３のジャイロスコープに起因するオフセット成分７４を補償するように実行される。
【００３９】
トリム値決定プロセス１１０はタスク１１４によって開始する。タスク１１４において、磁力計ダイ２２が起動され、すなわち、動作状態９４に置かれ、ジャイロスコープダイ２４が動作停止される、すなわち、非動作状態９６に置かれる（図４に示す状態図９０における０−１）。
【００４０】
タスク１１６がタスク１１４に関連して実行される。タスク１１６において、磁力計ダイ２２からの磁力計出力信号３０が試験機器１０８において検出される。タスクブロック１１６に示すように、磁力計出力信号３０は、ジャイロスコープダイ２４が非動作状態９６にあることを強調するために、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＯＦＦとして参照される。したがって、磁力計出力信号３０は信号誤差７０を付与されないことになる。
【００４１】
プロセス１１０はタスク１１８によって継続する。タスク１１８において、磁力計ダイ２２が起動され、すなわち、動作状態９４に置かれ、ジャイロスコープダイ２４も起動される、すなわち、動作状態９４に置かれる（図４に示す状態図９０における１−１）。加えて、ジャイロスコープダイ２４は図４の待機モード９８に置かれ、それによって、ジャイロスコープダイ２４は図３の不変待機電流８２を引き込む。これらの条件下で、待機電流８２は、磁力計出力信号３０に付与される可能性がある図１の磁場３８を生成する。
【００４２】
したがって、タスク１２０がタスク１１８に関連して実行される。タスク１２０において、磁力計出力信号３０が再び試験機器１０８において検出される。しかしながら、磁力計出力信号３０は、図３のジャイロスコープに起因するオフセット成分７４の形態の磁場３８から生じる信号誤差７０を含む場合がある。したがって、タスクブロック１２０に示すように、磁力計出力信号３０は、ジャイロスコープダイ２４が図４の動作状態９４にあるが、図４の待機モード９８にあることを強調するために、ＭＡＧＳＴＡＮＤＢＹとして参照される。
【００４３】
トリム値決定プロセス１１０はタスク１２２によって継続する。タスク１２２において、ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０は概して、磁力計出力信号３０の間の差、すなわち、ＭＡＧＳＴＡＮＤＢＹ−ＭＡＧＧＹＲＯ−ＯＦＦとして計算される。
【００４４】
タスク１２２の後、プロセス１１０はタスク１２４によって継続する。タスク１２４において、ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０は、ジャイロ誤差補償アルゴリズム６８内で実装するために図３のメモリ要素７８に記憶される。いくつかの実施形態において、ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０は、不変待機電流８２と関連付けて記憶されてもよい。トリム値決定プロセス１１０はタスク１２４の後に終了する。
【００４５】
上記に提示したトリム値決定プロセス１１０は、単一検出軸の磁力計ダイ２２についてのトリム値８０の決定に関する説明を提供している。いくつかの実施形態において、磁力計ダイ２２は、２つ以上の軸に沿って磁場を感知し、各軸についての対応する磁力計出力信号を出力することが可能であってもよい。そのような構成を用いて、複数のジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０を計算するために磁力計ダイの各センス軸について検出タスク１１６および１２０が実行され、各トリム値８０は磁力計ダイ２２のその特定のセンス軸と関連付けられる。したがって、ジャイロスコープに起因するオフセット成分７４に対する図３のトリムパラメータ７２は、複数のジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０（図３においてＸ、Ｙ、Ｚによって表されている）を含んでもよい。
【００４６】
ここで、図５および図７を参照すると、図７は、試験環境１０６内の試験機器１０８を使用して図３のＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の試験中に実行される感受性シフト値決定プロセス１１２のフローチャートを示す。試験機器１０８によって実行されるプロセス１１２は、本明細書において例示を目的として提供されている。しかしながら、図７に示すプロセスブロックのうちの特定のものは互いに並行して、または他のプロセスの実行とともに実行されてもよいことは理解されたい。加えて、図７に示すプロセスブロックの特定の順序は、実質的に同じ結果を達成しながら変更されてもよいことは理解されたい。したがって、そのような変更は本発明の主題の範囲内に含まれるものとして意図されている。さらに、図６のジャイロスコープに起因するオフセットトリム値決定プロセス１１０および感受性シフト値決定プロセス１１２は明瞭にするために別個に記載されている。しかしながら、２つのプロセス１１０および１１２はいくつかの共通の動作を有し、それゆえ、単一のプロセスに組み合わされてもよいことは理解されたい。
【００４７】
概して、「感受性（sensitivity）」という用語は、磁力計ダイ２２によって検出可能な磁場の変化に応答した磁力計出力信号３０の変化を指す。この磁場の変化は所定の仕様内にあるべきである。磁場の変化が所定の仕様よりも大きいまたは小さい場合、これは感受性シフト７６と称される。いくつかの事例において、可変電流８４に応答して生成される磁場３８が、所定の仕様から逸脱する、検出される磁場、すなわち、磁力計出力信号３０の変化を引き起こす可能性がある。したがって、感受性シフト値決定プロセス１１２は、感受性シフト値８４を決定して、図３の補償された磁力計出力信号３４が事前定義の仕様内に入るように、信号誤差７０の図３の感受性シフト成分７６を補償するように実行される。
【００４８】
一実施形態において、感受性シフト値決定プロセス１１２は、パッケージ５０が顧客アプリケーション内で基板に取り付けられる前にＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の「工場試験」中に実行される。したがって、決定される感受性シフト値８４は、ジャイロスコープダイ２４の特性、すなわち、電流の引き込みに左右される。しかしながら、上記のように、感受性シフトは、基板取り付け後に磁力計ダイ２２に付与されるストレス（stress）に起因して発生する可能性もある。したがって、いくつかの実施形態において、感受性シフト値決定プロセス１１２は、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の基板取り付け後に使用するように構成されてもよく、決定される感受性シフト値８４は、ジャイロスコープダイ２４の性能および磁力計ダイ２２に付与されるストレス条件（stress condition）の両方に左右される。
【００４９】
感受性シフト値決定プロセス１１２はタスク１２６によって開始する。タスク１２６において、磁力計ダイ２２が起動され、すなわち、動作状態９４に置かれ、ジャイロスコープダイ２４が動作停止される、すなわち、非動作状態９６に置かれる（図４に示す状態図９０における０−１）。
【００５０】
タスク１２８がタスク１２６に関連して実行される。タスク１２８において、磁力計ダイ２２からの磁力計出力信号３０が試験機器１０８において検出される。タスクブロック１２８に示すように、磁力計出力信号３０は、ジャイロスコープダイ２４が非動作状態９６にあることを強調するために、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＯＦＦとして参照される。したがって、磁力計出力信号３０は信号誤差７０を付与されないことになる。
【００５１】
プロセス１１２はタスク１３０によって継続する。タスク１３０において、磁力計ダイ２２が起動され、すなわち、動作状態９４に置かれ、ジャイロスコープダイ２４も起動される、すなわち、動作状態９４に置かれる（図４に示す状態図９０における１−１）。加えて、ジャイロスコープダイ２４は図４のアクティブモード１００に置かれて、ジャイロスコープダイ２４は可変電流８４を引き込む。これらの条件下で、可変電流８４は、磁力計出力信号３０に付与される可能性がある図１の磁場３８を生成する。
【００５２】
したがって、タスク１３２がタスク１３０に関連して実行される。タスク１３２において、磁力計出力信号３０が再び試験機器１０８において検出される。しかしながら、磁力計出力信号３０は、図３の感受性シフト成分７６の形態の磁場３８によって引き起こされる信号誤差７０を含む場合がある。感受性シフト成分７６は、ジャイロスコープダイ２４が図４のアクティブモード１００にあるとき、可変電流８４の変動性または変化に応答し得る。したがって、タスクブロック１３２に示すように、磁力計出力信号３０は、ジャイロスコープダイ２４が図４の動作状態９４にあり、特にアクティブモード１００にあることを強調するために、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＡＣＴＩＶＥとして参照される。
【００５３】
感受性シフト値決定プロセス１１２は問い合わせタスク（query task）１３４によって継続する。問い合わせタスク１３４において、デジタル論理割り込み信号（digital logic interrupt signal）が１に設定されているか否かについて判定が行われる。いくつかの実施形態において、デジタル論理割り込み信号は、図３の磁力計回路５６から供給される。デジタル論理割り込み信号は、磁力計出力信号３０の変化を連続的にモニタリングするために実装され得る。連続モニタリングによって、感受性シフト値８４が図３の可変電流８６が顧客アプリケーション（customer application）内で変化するときに変化するように、感受性シフト値８４、Ｍをリアルタイムに変化させることが可能になる。問い合わせタスク１３４において、デジタル論理割り込み信号が１に設定されていない、すなわち、デジタル論理信号が０に等しいという判定が為されたとき、プロセス１１２はタスク１３６によって継続する。
【００５４】
タスク１３６において、感受性シフト値８４、Ｍは概して、磁力計出力信号３０、すなわち、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＡＣＴＩＶＥおよびＭＡＧＧＹＲＯ−ＯＦＦの間の差に応答して計算される。したがって、感受性シフト値８４、Ｍは磁力計出力信号３０に応答して特性化される。
【００５５】
タスク１３６の後、プログラム制御はタスク１３８に進む。タスク１３８において、感受性シフト値８４、Ｍは、ジャイロ誤差補償アルゴリズム６８内で実装するために図３のメモリ要素７８に記憶される。いくつかの実施形態において、感受性シフト値８４、Ｍは可変電流８６と関連付けて記憶されてもよい。感受性シフト値決定プロセス１１２はタスク１３８の後に終了する。
【００５６】
ここで問い合わせタスク１３４に戻り、デジタル論理割り込み信号が１に設定されているという判定が為されたとき、プロセス１１２はタスク１４０によって継続する。タスク１４０において、事前定義のレジスタ値が、たとえば、図３の磁力計回路６０から読み出される。一実施形態において、この所定のレジスタ値は「００」、「０１」、「１０」、または「１１」であってもよい。所定のレジスタ値は、感受性シフト値８４、ＭがＭＥＭＳデバイスパッケージ５０のためにどのようにプログラムされるべきかを決定するために実装され得る。代替的な実施形態は、後述するように、感受性シフト値８４がどのようにプログラムされ得るかを決定するために、４つよりも少ないかまたは多い変化形を含んでもよい。
【００５７】
タスク１４０に応答して、問い合わせタスク１４２が、所定のレジスタ値が「００」に等しいか否かを判定する。所定のレジスタ値が「００」に等しい場合、プロセス制御はタスク１３６に進み、磁力計出力信号３０、すなわち、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＡＣＴＩＶＥおよびＭＡＧＧＹＲＯ−ＯＦＦの間の差に応答して感受性シフト値８４、Ｍが計算される。この感受性シフト値８４は、上述したようにタスク１３８において図３のメモリ要素７８に記憶することができる。しかしながら、問い合わせタスク１４２が、所定のレジスタ値が「００」に等しくないと判定したとき、プロセス１１２は問い合わせタスク１４４によって継続する。
【００５８】
問い合わせタスク１４４が、所定のレジスタ値が「０１」に等しいか否かを判定する。所定のレジスタ値が「０１」に等しい場合、プロセス制御はタスク１４６に進む。タスク１４６において、感受性シフト値８４、Ｍが１に設定される。タスク１４６の後、プロセス１１２はタスク１３８によって継続して、１の感受性シフト値８４がメモリ要素７８に記憶される。したがって、この構成において、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０は、信号誤差７０の図３の感受性シフト成分７６に対する補償機能を含まないことになる。しかしながら、問い合わせタスク１４４が、所定のレジスタ値が「０１」に等しくないと判定したとき、プロセス１１２は問い合わせタスク１４８によって継続する。
【００５９】
問い合わせタスク１４８が、所定のレジスタ値が「１０」に等しいか否かを判定する。所定のレジスタ値が「１０」に等しい場合、プロセス制御はタスク１５０に進む。タスク１５０において、リアルタイム計算サブプロセスが実行されて、感受性シフト値８４が求められる。例示的なリアルタイム計算サブプロセスは、図８に関連して下記に説明される。しかしながら、リアルタイム計算サブプロセスが実行された後、感受性シフト値決定プロセス１１２はタスク１３８によって継続して、リアルタイム計算サブプロセスの結果、すなわち、１つ以上の感受性シフト値８４が、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の図３のメモリ要素７８に記憶され得る。
【００６０】
問い合わせタスク１４８において、所定のレジスタ値が「１０」に等しくないという判定が為されたとき、結果として、消去法によってこれは「１１」に等しい。したがって、問い合わせタスク１４８の否定的な結果によって、プロセス１１２はタスク１５２によって継続することになる。タスク１５２において、感受性シフト値８４、Ｍがプログラムされないままにされる。そのため、タスク１５２の後、感受性シフト値決定プロセス１１２は終了する。したがって、タスク１３６、１４６、および１５０のいずれかにおいて決定される感受性シフト値８４は、ＭＥＭＳデバイスパッケージが顧客アプリケーション内で基板に取り付けられる（board mounted in a customer application）前に決定される。したがって、感受性シフト値８４は、それゆえ、ジャイロスコープダイ２４、特に、ジャイロスコープダイ２４の図３のジャイロスコープ回路６０の性能に左右される。
【００６１】
一実施形態において、「１１」の所定のレジスタ値はプログラムされないままであり、それによって、感受性シフト値８４は顧客アプリケーション内の基板取り付け（board mount）後にプログラムされることができる。したがって、プロセス１１２と関連付けられる動作は、顧客ベースの試験環境において基板取り付け後に実行するように適合されてもよい。例として、タスク１２６、１２８、１３０、１３２は、磁力計ダイ２２が、ＭＡＧＰＲＥ−ＡＣＴＩＶＥ＠１ＧおよびＭＡＧＰＲＥ−ＡＣＴＩＶＥ＠２Ｇを生成するために１ガウス磁場および２ガウス磁場にさらされている状態でＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の基板取り付けの前に実行されてもよい。タスク１２６、１２８、１３０、１３２は、磁力計ダイ２２が、ＭＡＧＰＯＳＴ−ＡＣＴＩＶＥ＠１ＧおよびＭＡＧＰＯＳＴ−ＡＣＴＩＶＥ＠２Ｇを生成するために１ガウス磁場および２ガウス磁場にさらされている状態で、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の基板取り付けの後に再び繰り返されてもよい。上記で使用される下付き文字のある用語は、ジャイロスコープダイ２４がアクティブモード（可変電流）にあり、磁力計ダイ２４が１ガウス（１Ｇ）または２ガウス（２Ｇ）のいずれかにさらされていて、基板取り付け前または後であることを示している。
【００６２】
したがって、感受性シフト値８４、Ｍは、以下のように、顧客ベースの試験環境において解決されてもよい。
Ｍ≒（ＭＡＧＰＲＥ−ＡＣＴＩＶＥ＠１Ｇ−ＭＡＧＰＲＥ−ＡＣＴＩＶＥ＠２Ｇ）／（ＭＡＧＰＯＳＴ−ＡＣＴＩＶＥ＠１Ｇ−ＭＡＧＰＯＳＴ−ＡＣＴＩＶＥ＠２Ｇ）
したがって、顧客ベースの試験環境において決定される１つ以上の感受性シフト値８４、Ｍは、ジャイロスコープダイ２４の性能、および、基板取り付け後に磁力計ダイ２２に付与されるストレス条件の両方を考慮に入れる。１つ以上の感受性シフト値８４は、その後、図３のメモリ要素７８に記憶され得る。
【００６３】
上記に提示した感受性シフト値決定プロセス１１２は、単一検出軸の磁力計ダイ２２についての感受性シフト値８４の決定に関する説明を提供している。いくつかの実施形態において、磁力計ダイ２２は、２つ以上の軸に沿って磁場を感知し、各軸についての対応する磁力計出力信号を出力することが可能であってもよい。そのような構成を用いて、複数の感受性シフト値８４を計算するために磁力計ダイ２２の各センス軸について検出タスク１２８および１３２が実行され、各感受性シフト値８４は磁力計ダイ２２のその特定のセンス軸と関連付けられる。したがって、感受性シフト値８４に関する図３のトリムパラメータ７２は、図３においてＸ、Ｙ、Ｚによって表されている複数の感受性シフト値８４を含んでもよい。
【００６４】
図８は、図７の感受性シフト値決定プロセス１１２のタスク１５０に関連して実行されるリアルタイム計算サブプロセス１６０のフローチャートを示す。サブプロセス１６０は、図５の試験環境１０６内で工場ベースの試験中に実行されてもよい。リアルタイム計算サブプロセス１６０に応じて、感受性シフト値８４は決定されメモリ要素７８に記憶されることになる。しかしながら、感受性シフト値８４は、ジャイロスコープダイ２４の性能に左右され、感受性シフト値８４は図３の可変電流８６に基づいて変化し、可変電流８６が変化するにつれて感受性シフト値８４は変化する。
【００６５】
リアルタイム計算サブプロセス１６０はタスク１６２によって開始する。タスク１６２において、磁力計ダイ２２が起動され、すなわち、動作状態９４に置かれ、ジャイロスコープダイ２４が動作停止される、すなわち、非動作状態９６に置かれる（図４に示す状態図９０における０−１）。
【００６６】
タスク１６４がタスク１６２に関連して実行される。タスク１６４において、磁力計ダイ２２からの磁力計出力信号３０が試験機器１０８において検出される。タスクブロック１６４に示すように、磁力計出力信号３０は、ジャイロスコープダイ２４が非動作状態９６にあることを強調するために、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＯＦＦとして参照される。したがって、磁力計出力信号３０は信号誤差７０を付与されないことになる。
【００６７】
サブプロセス１６０はタスク１６６によって継続する。タスク１６６において、磁力計ダイ２２が起動され、すなわち、動作状態９４に置かれ、ジャイロスコープダイ２４も起動される、すなわち、動作状態９４に置かれる（図４に示す状態図９０における１−１）。加えて、ジャイロスコープダイ２４は図４のアクティブモード１００に置かれ、それによって、ジャイロスコープダイ２４は可変電流８４を引き込む。これらの条件下で、可変電流８４は、磁力計出力信号３０に付与される可能性がある図１の磁場３８を生成する。
【００６８】
したがって、タスク１６８がタスク１６６に関連して実行される。タスク１６８において、磁力計出力信号３０が再び試験機器１０８において検出される、すなわち、読み取られる。しかしながら、磁力計出力信号３０は、図３の感受性シフト成分７６の形態の、磁場３８によって引き起こされる信号誤差７０を含む場合がある。感受性シフト成分７６は、ジャイロスコープダイ２４が図４のアクティブモード１００にあるとき、可変電流８４の変動性または変化に応答し得る。したがって、タスクブロック１６８に示すように、磁力計出力信号３０は、ジャイロスコープダイ２４が図４の動作状態９４にあり、特にアクティブモード１００にあることを強調するために、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＡＣＴＩＶＥとして参照される。磁力計出力信号３０、すなわち、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＡＣＴＩＶＥがタスク１６８において「Ｓ１」として保存される。
【００６９】
リアルタイム計算サブプロセス１６０はタスク１７０によって継続する。タスク１７０において、試験機器１０８は、磁力計出力信号３０、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＡＣＴＩＶＥをモニタリングして、可変電流８６に応答して変化しているか否かを判定する。
【００７０】
タスク１７２がタスク１７０に関連して実行される。タスク１７２において、磁力計出力信号３０が再び試験機器１０８において検出される、すなわち、読み取られる。磁力計出力信号３０、すなわち、ＭＡＧＧＹＲＯ−ＡＣＴＩＶＥがタスク１７２において「Ｓ２」として保存される。
【００７１】
リアルタイム計算サブプロセス１６０は問い合わせタスク１７４によって継続する。問い合わせタスク１７４において、磁力計出力信号３０の間の差、すなわち、Ｓ１−Ｓ２が０よりも大きいか否かについて判定が行われる。Ｓ１−Ｓ２が０よりも大きいとき、サブプロセス１６０はタスク１７６に進む。タスク１７６において、感受性シフト値８４、Ｍが１だけ増大され、ここで、１は１段階である。この段階の刻み幅は、何らかの所定の分解能によって定義されてもよい。タスク１７６の後、プロセス制御はタスク１６８にループバックして、磁力計信号３０の追加の読み値が取られる。しかしながら、問い合わせタスク１７４において、磁力計出力信号３０の間の差、すなわち、Ｓ１−Ｓ２が０以下であるという判定が為されると、サブプロセス１６０の実行は問い合わせタスク１７８によって継続する。
【００７２】
問い合わせタスク１７８において、磁力計出力信号３０の間の差、すなわち、Ｓ１−Ｓ２が０よりも小さいか否かについて判定が行われる。Ｓ１−Ｓ２が０よりも小さいとき、サブプロセス１６０はタスク１８０に進む。タスク１８０において、感受性シフト値８４が１だけ低減され、ここで、１は、何らかの所定の分解能によって定義される１段階である。タスク１８０の後、プロセス制御はここでもタスク１６８にループバックして、磁力計信号３０の追加の読み値が取得される。しかしながら、問い合わせタスク１７８において、磁力計出力信号３０の間の差、すなわち、Ｓ１−Ｓ２が０以上であるという判定が為されると、サブプロセス１６０の実行は終了する。したがって、リアルタイム計算サブプロセス１６０の実行は、タスク１６８および１７２において読み取られる磁力計出力信号３０が等しくなる、すなわち、Ｓ１＝Ｓ２になるまで継続する。Ｓ１およびＳ２が等しくなると、結果もたらされる感受性シフト値８４が、感受性シフト値決定プロセス１１２の図７のタスク１３８に応じて磁力計ダイ２２のメモリ要素７８に記憶される。
【００７３】
図７の感受性シフト値決定プロセス１１２およびリアルタイム計算サブプロセス１６０の実行を通じて、感受性シフト値８４は１になり得、複数のデバイスの平均になり得、デジタル論理状態機械に基づいてリアルタイムに変化し得る。付加的にまたは代替的に、感受性シフト値８４は、エンドユーザがプログラムするためにプログラムされないままにされることができ、または、感受性シフト値８４は、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の基板取り付け後にプログラムされることができる。
【００７４】
図９は、一実施形態に応じた磁力計信号誤差補償プロセス１８２のフローチャートを示す。磁力計信号誤差補償プロセス１８２は、ジャイロスコープダイ２４が図４の動作状態９４にあり、図４の待機モード９８または図４のアクティブモード１００のいずれかにあるときに、図１の磁力計出力信号３０に付与される図３の信号誤差７０を補償するために例示的な方法を提供する。したがって、補償プロセス１８２は、図３のジャイロ誤差補償アルゴリズム６８として、図３の従来の補償アルゴリズム６６に付加するものとして実施されてもよい。
【００７５】
一実施形態において、磁力計信号誤差補償プロセス１８２は、図３の磁力計ダイ２２の図３の磁力計回路５６内に実装され、そこで実行される。一般的に、ＭＥＭＳセンサパッケージは、アプリケーションレベル、すなわち、エンドユーザ論理に適用される補償アルゴリズムを有する。この従来の補償手法に伴う問題は、未処理のアナログセンサ信号に存在する誤差信号が一般的に、処理され最終的にデジタル化されるとより大きくなることである。それゆえ、エンドユーザ論理はより複雑になり、そのようなエンドユーザ論理に対するメモリ必要量は不都合に高くなり、結果もたらされる補償信号は依然としていくらかの信号誤差を含み得る。磁力計信号誤差補償プロセス１８２を磁力計回路５６のデジタル入力において図３のＭＥＭＳデバイスパッケージ５０のシリコン上に配置することによって、補償のためのメモリ必要量が大幅に低くなり得る。加えて、フロントエンド補償方法の結果として、よりクリアな信号出力、すなわち、図３の補償磁力計出力信号３４をもたらして、信号精度の改善を達成することができる。さらに、磁力計回路５６内のそのような補償方法は、顧客が、エンドユーザ論理に追加の要件を課すことなく多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０を独立型ユニットとして使用することを可能にし、結果として顧客にとって単純性が増し、コストの節約になる。
【００７６】
補償プロセス１８２は問い合わせタスク１８４によって開始する。問い合わせタスク１８４において、磁力計ダイ２２が図４の動作状態９４にあるか否かについて判定が行われる。磁力計ダイ２２が現在動作状態９４にないとき、プロセス制御は問い合わせタスク１８６に進む。
【００７７】
問い合わせタスク１８６は、磁力計信号誤差補償プロセス１８２の実行を継続すべきか否かを判定する。無論、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０がエンド・ユーザ・デバイスにインストールされているとき、パッケージ５０内の個々のセンサの動作状態のモニタリングは連続的である可能性が高いことは諒解されるべきである。したがって、プロセス１８２の実行を継続すべきであるとき、プログラム制御は問い合わせタスク１８４にループバックする。しかしながら、問い合わせタスク１８６において、磁力計信号誤差補償プロセス１８２の実行を中断すべきであるとき、プロセス１８２は終了する。
【００７８】
ここで、問い合わせタスク１８４において、磁力計ダイ２２が動作状態９４にあるという判定が為されたとき、補償プロセス１８２は問い合わせタスク１８８によって継続する。問い合わせタスク１８８において、図３のジャイロスコープダイ２４が動作状態９４にあるか否かについても判定が行われる。したがって、問い合わせタスク１８４および１８８の組み合わせは、磁力計ダイ２２およびジャイロスコープダイ２４の両方が動作状態９４にある状態（図４の状態図９０における１−１）を模索している。ジャイロスコープダイ２４が動作状態９４にないとき、すなわち、非動作状態９６にあるとき、補償プロセス１８２はタスク１９０によって継続する。タスク１９０において、補償磁力計信号を生成するために、トリムオフセット、利得調整、温度オフセット、温度感受性などのような、従来の補償が、補償アルゴリズム６６に応じて磁力計出力信号３０に対して実行される。しかしながら、図３の信号誤差７０のジャイロスコープに起因するオフセット成分７４または感受性シフト成分７６のいずれかに対応するトリムパラメータ７２は磁力計出力信号３０に適用されない。すなわち、タスク１９０はトリムパラメータ７２を適用しない。タスク１９０の実行後、プロセス制御は問い合わせタスク１８６に進み、上述のようにモニタリングを継続すべきか否かが判定される。
【００７９】
ここで問い合わせタスク１８８に戻ると、ジャイロスコープダイ２４が動作状態９４にあるという判定が為されたとき、問い合わせタスク１９２が実行される。問い合わせタスク１９２において、ジャイロスコープダイ２４が図４の待機モード９８にあるか否かについて判定が行われる。問い合わせタスク１９２において、ジャイロスコープダイ２４が待機モード９８にあるという判定が為されたとき、補償プロセス１８２はタスク１９４によって継続して、待機モード９８に応じて補償が実行される。代替的に、問い合わせタスク１９２において、ジャイロスコープダイ２４が待機モード９８にない、すなわち、図４のアクティブモード１００にあるという判定が為されたとき、補償プロセス１８２はタスク１９６によって継続して、アクティブモード１００に応じて補償が実行される。
【００８０】
タスク１９４に関連して図３を参照すると、ジャイロスコープダイ２４が待機モード９８にあるとき、タスク１９４が実行されて、トリムパラメータ７２、特にメモリ要素７８に記憶されているジャイロオフセットトリム値（複数の場合もあり）８０が磁力計出力信号３０に適用されて、信号誤差７０のジャイロスコープに起因するオフセット成分７４が補償される。加えて、いくつかの実施形態において、感受性シフト値８４、Ｍが、感受性シフト成分７６が信号誤差７０に大きくは寄与していないことを示す１に設定され得る。タスク１９４に応答して、補償プロセス１８２はタスク１９８によって継続する（後述）。
【００８１】
タスク１９６に関連して図３を参照すると、ジャイロスコープダイ２４がアクティブモード１００にあるとき、タスク１９６が実行されて、トリムパラメータ７２、特にメモリ要素７８に記憶されている感受性シフト値（複数の場合もあり）８４が磁力計出力信号３０に適用されて、信号誤差７０の感受性シフト成分７６が補償される。いくつかの実施形態において、感受性シフト値（複数の場合もあり）８４は、基板取り付けに応答して、信号誤差７０の感受性シフト成分７６（すなわち、ジャイロスコープダイ２４の性能）および磁力計ダイ２２に付与されるストレス条件の両方を計上するように、ＭＥＭＳデバイスパッケージ５０の基板取り付け後に計算されるものであってもよい。加えて、いくつかの実施形態において、ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０が、ジャイロスコープに起因するオフセット成分７４が信号誤差７０に大きくは寄与していないことを示す０に設定され得る。タスク１９６と同様に、補償プロセス１８２はタスク１９８によって継続する。
【００８２】
タスク１９８において、タスク１９４または１９６のいずれかの実行から決定されるトリムパラメータ７２が、図３の補償磁力計出力信号３４を得るために適用される。タスク１９８において提供されている例示的なトリム計算式（trim equation）２００は、ＲＥＧＵＬＡＲ  ＣＯＭＰＥＮＳＳＡＴＩＯＮとラベリングされている、従来の補償アルゴリズム６６の結果２０２が感受性シフト値８４、Ｍと乗算され、従来の補償アルゴリズム６６の結果２０２にジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０が加算されて、補償磁力計出力信号３４が得られることを明らかにしている。一実施形態において、トリム式１５８は以下のように導き出されてもよい。
【００８３】
Ｘ軸について、
ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ１＿ｘ＝Ｃ１ｘ＊（ＭＡＧＲＡＷ（ｘ）＋Ｃ０ｘ）      （１）
ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ２＿ｘ＝Ｄ１ｘ＊Ｔ      （２）
ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ３＿ｘ＝Ｅ１ｘ＊（ＭＡＧＲＡＷ（ｘ）＋Ｃ０ｘ）＊Ｔ      （３）
ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ４＿ｘ＝Ｇｙｒｏｓｃｏｐｅ−ｂａｓｅｄ  Ｏｆｆｓｅｔ  Ｔｒｉｍ  Ｖａｌｕｅ      （４）
ＭＡＧＣＯＭ（Ｘ）＝Ｍ（ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ１＿ｘ＋ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ２＿ｘ＋ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ３＿ｘ）−ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ４＿ｘ
＝Ｍ（ＲＥＧＵＬＡＲ  ＣＯＭＰＥＮＳＡＴＩＯＮ）＋ＴＲＩＭ  ＶＡＬＵＥ
定義
ＭＡＧＲＡＷ（ｘ），ＭＡＧＲＡＷ（Ｙ），ＭＡＧＲＡＷ（Ｚ）＝Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸についての未処理の磁力計出力信号３０
Ｃ０ｘ，Ｃ０ｙ，Ｃ０ｚ＝２５℃におけるＸ軸，Ｙ軸，およびＺ軸のオフセット
Ｃ１ｘ，Ｃ１ｙ，Ｃ１ｚ＝それぞれＸ軸，Ｙ軸，およびＺ軸の一次感受性係数
Ｄ１ｘ，Ｄ１ｙ，Ｄ１ｚ＝それぞれＸ軸，Ｙ軸，およびＺ軸の一次温度オフセット係数（ＴＣＯ）
Ｅ１ｘ，Ｅ１ｙ，Ｅ１ｚ＝それぞれＸ軸，Ｙ軸，およびＺ軸の温度感受性係数（ＴＣＳ１）
例示的な実施形態において、ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ１＿ｘ、ｔｒｉｍ＿ｏｕｔ２＿ｘ、およびｔｒｉｍ＿ｏｕｔ３＿ｘに対応する式は、従来の補償アルゴリズム６６に応じて、Ｘ軸に関して、感受性、温度オフセット、および温度感受性に対するトリム係数を磁力計出力信号３０に適用することに関する。多センス軸磁力計ダイ２２において、上記に提供された定義を使用して、同様のトリム式をＹ軸およびＺ軸に対して導き出すことができる。無論、従来の補償アルゴリズムは本明細書に示すものよりも多いまたは少ないトリム係数を有してもよく、トリム係数は異なる較正／補償パラメータを含んでもよいことを当業者は認識しよう。
【００８４】
感受性シフト値８４、Ｍは通常の、または従来の補償の結果２０２に適用される。それゆえ、感受性シフト値８４は、補償磁力計出力信号３４、ＭＡＧＣＯＭを得るために乗算によって磁力計出力信号３０に適用される。ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０は、補償磁力計出力信号３４、ＭＡＧＣＯＭを取得するために加算によって磁力計出力信号３０に適用される。
【００８５】
例示的な実施形態において、タスク１９４において感受性シフト値８４が１に設定されると、トリム計算式２００内で通常の補償の結果２０２に加算されるジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０のみが、補償磁力計出力信号３４に影響を与える。すなわち、補償が必要とされる信号誤差７０にはほとんどまたはまったく感受性シフト成分７６がない場合がある。代替的に、例示的な実施形態において、タスク１９６においてジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０が０に設定されると、トリム計算式２００内で通常の補償の結果２０２に乗算される感受性シフト値８４のみが、補償磁力計出力信号３４を生成するのに使用される。すなわち、補償が必要とされる信号誤差７０にはほとんどまたはまったくジャイロスコープに起因するオフセット成分７４がない場合がある。しかしながら、他の実施形態において、感受性シフト成分７６およびジャイロスコープに起因するオフセット成分７４の両方が信号誤差７０内に生じる可能性がある。そのような事例において、補償磁力計出力信号３４を取得するために、感受性シフト値８４、Ｍは、１以外の何らかの値に設定されてもよく、ジャイロスコープに起因するオフセットトリム値８０は０以外の何らかの値に設定されてもよい。
【００８６】
したがって、磁力計およびもう１つのセンサを含む多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ、および、他方のセンサによる電流の引き込みから生じる、磁力計の出力信号における信号誤差を補償する方法が説明された。磁力計および第２のセンサを含むデバイスにおいて、磁力計の出力信号における信号誤差を補償する方法の一実施形態は、第２のセンサが、第２のセンサが電流を引き込んでいる動作状態にあるか否かを検出する工程と、第２のセンサが動作状態にあるとき、トリムパラメータを出力信号に適用する工程とを備え、トリムパラメータは、出力信号における信号誤差の少なくとも一部を相殺し、信号誤差は、動作状態にある第２のセンサによって引き込まれる電流に応答して磁力計において生成される。
【００８７】
デバイスの一実施形態は、感知される磁場を示す出力信号を生成するように適合されている磁力計と、第２のセンサと、磁力計および第２のセンサの各々に接続されている処理部とを備える。処理部は、第２のセンサが、第２のセンサが電流を引き込んでいる動作状態にあるか否かを検出する工程と、第２のセンサが動作状態にあるとき、トリムパラメータを出力信号に適用する工程とを備える動作を実行するように構成されており、トリムパラメータは、出力信号における信号誤差の少なくとも一部を相殺し、信号誤差は、動作状態にある第２のセンサによって引き込まれる電流に応答して磁力計において生成される。
【００８８】
したがって、実施形態は、磁力計と、ジャイロスコープのような別のセンサの両方を含む多刺激感知ＭＥＭＳデバイスパッケージ、および、他方のセンサが動作状態にあるときに磁力計出力信号に付与される信号誤差を補償するための方法をもたらす。補償方法は、エンドユーザ論理を実装する必要なしに信号精度を改善し、メモリ必要量を低減し、エンドユーザに誤差補償信号を提供するために、ＭＥＭＳデバイスパッケージのアナログ・フロント・エンドおよびデジタル処理特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）において実施される。
【００８９】
本発明の主題の原理が特定の装置および方法に関連して上記で説明されてきたが、この説明は例示のみを目的として為されており、本発明の主題に対する限定としてではないことは明瞭に理解されたい。さらに、本明細書において採用されている表現または専門用語は説明を目的としており、限定ではない。
【００９０】
特定の実施形態の上記の記載は、他者が、現在の知識を適用することによって、一般的な概念から逸脱することなくさまざまな用途のためにそれを容易に改変および／または適合することができるように十分に本発明の主題の一般的な性質を公開している。したがって、このような適合および改変は開示されている実施形態の均等物の意図および範囲内にある。本発明の主題は、すべてのこのような代替形態、改変形態、均等物、および変形形態を、添付の特許請求の範囲の精神および広い範囲内に入るものとして包含する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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