(57)【要約】  本発明は、集積回路ダイ上に導電性配線部を形成するためのデュアルダマシン方法に関するものである。この方法は、１本のビア開口（３０）がその後形成される、多孔質の超ｌｏｗ−ｋ（ＵＬＫ）誘電材料からなる層（１６）を設ける工程を具える。熱分解性高分子「ポロゲン」材料（４２）は、前記多孔質のＵＬＫ誘電材料内に深く浸透するように、前記開口（３０）の側壁部に適用され（、それによって気孔をシールし、気孔の密度を増加させ）る。導電材料（３６）が前記開口（３０）を用いて設けられ、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて研磨されると、完成した構造に硬化工程が施されて、前記ＵＬＫ誘電層（１６）とともにポロゲン材料（４４）を分解と蒸発させ、それによって、前記誘電層（１６）の気孔率（およびｌｏｗ−ｋ値）に回復する。
2008535212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路ダイ上に導電性配線部の構造を形成する方法であって、
該方法は、
多孔質のｌｏｗ−ｋ誘電材料からなる層を設け、
それぞれの開口を形成するため、前記誘電材料の選択された部分を除去し、
ポロゲン材料が前記誘電材料内への浸透をもたらすため、前記ポロゲン材料を前記誘電材料に適用し、
前記配線部を形成するため、前記開口内に導電材料を設け、その後、
前記誘電材料の気孔率を回復するように、前記誘電材料から前記ポロゲン材料を除去するため硬化工程を行う
ことを具える、集積回路ダイ上への導電性配線部構造の形成方法。
【請求項２】
前記ポロゲン材料は、前記開口の形成前に、前記誘電材料からなる層に適用される請求項１に記載の形成方法。
【請求項３】
前記ポロゲン材料は、前記開口の形成後に、前記誘電材料に適用される請求項１に記載の形成方法。
【請求項４】
前記ポロゲン材料は、前記開口の側壁部に適用される請求項３に記載の形成方法。
【請求項５】
前記ポロゲン材料は、熱分解性高分子材料を具える請求項１に記載の形成方法。
【請求項６】
前記開口がビア開口であり、前記ポロゲン材料は、溝エッチングプロセスに関するレジスト層の形で設けられる、デュアルダマシンプロセスを具える請求項１に記載の形成方法。
【請求項７】
前記開口がビア開口であり、前記ポロゲン材料は、前記ビア開口の側壁部上に設けられ、かつ、レジスト層がその後の溝エッチングプロセスに関してその中に設けられる、デュアルダマシンプロセスを具える請求項１に記載の形成方法。
【請求項８】
前記開口の側壁部へのポロゲン材料の適用の後で、前記開口内に導電材料を設ける前に、バリア材料からなる層が前記側壁部に適用される請求項１に記載の形成方法。
【請求項９】
前記バリア材料からなる層は、原子層堆積プロセスを用いて設けられる請求項８に記載の形成方法。
【請求項１０】
前記導電材料は銅である請求項１に記載の形成方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法を用いて形成される導電性配線部。
【請求項１２】
請求項１１に従う複数の導電性配線部を具える集積回路ダイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、多孔質ｌｏｗ−ｋ誘電材料内に形成される配線部構造の劣化を防止するため、超ｌｏｗ−ｋ（ultra low-k）誘電体のための側壁封孔処理（side wall pore sealing）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
モノリシック集積回路（ＩＣ）技術の絶え間ない進歩において、長く認識されてきた重要な目的は、ＩＣ寸法の縮小化である。このようなＩＣ寸法の縮小化は、面積キャパシタンスを減少させ、集積回路のより高速性能を得るには限界がある。さらに、ＩＣダイの面積の減少は、ＩＣ製造におけるより高い歩留まりをもたらす。このような利点は、絶えずＩＣ寸法を縮小化する駆動力となる。しかしなから、ＩＣ寸法が縮小化されるにつれて、配線構造部間の距離が減少し、したがって、前記集積回路の速度性能を最大化させ、かつ、配線構造部間の電力浪費およびクロストークを最小化させるため、配線部が形成される絶縁層の誘電率を最小化することが必要となる。このため、多孔質の超ｌｏｗ−ｋ（ＵＬＫ）材料が、現状では、配線積層体内に定期的に集積化されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
配線積層体内に多孔質ＵＬＫ材料を集積化するときの主な懸念事項の１つは、製造中の気孔率の役割と、その信頼性能上の効果である。誘電率を減少させるため、誘電材料中の気孔の生成が、バリアおよび金属堆積、化学機械研磨（ＣＭＰ）、熱サイクルおよびパッケージングのようなその後の処理の間中、前記構造の機械的および電気的な完全性に関連する問題を引き起こすことはよく知られている。処理中における材料の浸透は、どんな犠牲を払っても回避されるべきである。これら気孔のネガティブな効果を軽減するため、金属ｌｏｗ−ｋ界面内の気孔をシール（封孔）するためのアプローチが必要とされる。前記多孔質ｌｏｗ−ｋ金属界面の改良は、通常、「封孔（pore sealing）」と称される。封孔は、（ｉ）絶縁破壊（誘電破壊）を低下させ、かつ、リーク電流を増加させる前記ＵＬＫ内に、化学気相蒸着（ＣＶＤ）バリアまたは原子層堆積（ＡＬＤ）バリアからの前駆物質の拡散、（ｉｉ）前記ＵＬＫ内に吸収される、エッチング後の環境条件からの吸湿、（ｉｉｉ）エッチング残渣の除去およびビア底部の銅のクリーニングのために用いられる洗浄液の浸透、および、（ｉｖ）多孔質ＵＬＫの側壁部上の不連続なバリア堆積に起因する熱応力の間中における前記ＵＬＫ内への容易なＣｕの浸透を防止することが必要とされる。
【０００４】
前記多孔質誘電体内への化学物質の拡散を防止するため、文献において、多数のアプローチが提案されてきた。これらのアプローチは、以下の通り、３つの主要な種類に分類することができる。
【０００５】
第１に、前記気孔を封鎖するため、非常に薄いライナを用いることができる。これらのライナは、ＰＥＣＶＤ−ＳｉＣのようなプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）や、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ポリマーのようなスピンコーティングによって、または、ポリ−Ｐ−キシリレンのようなＣＶＤのいずれかによって、堆積させることができる。少なくとも１０ｎｍのＰＥＣＶＤ−ＳｉＣライナが気孔を封鎖するために必要とされ、それによって、実効誘電率（実効ｋ値）および／または銅固有抵抗にネガティブに作用するということが示されている。実際に厚いライナが、気孔を封鎖するために必要とされる場合、インターメタル誘電体の比較的大きな部分は、全体のｋ値に対するマイナスの影響を有する大きいｋ値を有する。これら高分子膜は、均一膜を残したまま、前記気孔内に、部分的に浸透している。不利な点は、選択性が要求されること、またはビアの底部が、前記堆積された膜を完全に破壊／除去することができるプラズマエッチングにより開口される必要があることである。通常は、エッチング手段および剥ぎ取り（strip）手段は、ビア抵抗、歩留まり、および配線部信頼性を改良するため、高分子残渣を完全に除去するよう最適化される。したがって、ビアレベルでの一定量の高分子の制御は達成するのが難しい。さらに、追加の集積化工程は、全体の集積化をかなり高価にしている。
【０００６】
文献において、プラズマ表面処理は、前記界面を変更しかつ再構築するため、それによって、封孔処理を行うために広く提案されてきた。前記プラズマは、Ｎ２、Ｈ２およびＯ２ガスならびにこれらの混合ガスを用いた反応性リモートプラズマに基づくかまたは、反応性イオンエッチングに基づくものである。封孔はまた、エッチング副生成物を用いることによっても達成されてきた。他の提案は、前記側壁部表面を緻密にしかつ閉鎖するため、ガスクラスタイオンビーム（ＧＣＩＢ）を用いてきた。ＧＣＩＢは、高エネルギーガス分子のクラスタが、前記表面上で衝突し、ばらばらになり、それらの運動量を横方向に変換する技術である。前記表面の変更は、反応物の拡散がもはや生じないような方法で、前記側壁部での前記多孔質材料の緻密化に基づくものである。慣性および化学反応性の特定の必要性は、この再構築を達成するために必要とされる。壊れやすい誘電体内にエッチングされる線寸法を維持することができない危険性が常にある。特に、大きな気孔率および大きな気孔径を有する材料に対しては、再構築／再堆積されることが必要である材料の量は、前記表面を閉鎖するのに十分ではない。さらに、プラズマを用いる場合、前記ＵＬＫの誘電体の誘電率が変化する危険性が高まっている。
【０００７】
要約すると、ライナおよび表面改良技術の双方は、材料の堆積および／または再堆積に依存し、それによって、前記ｌｏｗ−ｋ材料の誘電率を潜在的に変更する。
【０００８】
拡散を防止するための比較的新しい３番目の方法は、バリアおよびＣｕ金属堆積後に、多孔質構造を作り出すことである。スピンオン誘電体において、気孔率は、通常、硬化工程におけるｌｏｗ−ｋ堆積の後に直接作り出される。そうするため、「ポロゲン（ｐｏｒｏｇｅｎ（いわゆる希釈剤））」と称される分解性の分子または高分子は、前記ｌｏｗ−ｋスピンオン製法に加えられ、硬化工程中に分解／蒸発し、このようにして、多孔質構造を残したままにする。例えば、米国特許第６５２８４０９号公報で言及された、この方法の明確な利点は、ビア洗浄液が、ス剥ぎ取り（strip）中に、多孔性ｌｏｗ−ｋ内に浸透できないこと、および、ＡＬＤ前駆物質が、バリア堆積中に誘電体内に拡散できないことである。不利な点は、前記ＵＬＫ膜がまだ完全には硬化されないこと、および、追加的な収縮が、集積化の間中、機械的応力を生じうることである。別の重大な欠点は、いわゆるソリッド・ファースト・アプローチが、ＰＥＣＶＤ―ＳｉＯＣ蒸着されたｌｏｗ−ｋ材料に適用することができないことである。今日では、ＰＥＣＶＤは、スピンオンアプローチに対抗するものとして好ましい蒸着技術である。したがって、ライナおよび表面処理に関連する問題を回避し、かつ、前記ソリッド・ファースト・アプローチの利点を用いる、ＰＥＣＶＤで蒸着されるＵＬＫ誘電体のため封孔アプローチが必要とされる。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、多孔質超ｌｏｗ−ｋ誘電体の内部に反応物質／溶剤の拡散を防止するように、層間絶縁膜（ＩＬＤ）の多孔質な側壁部を封鎖するための改良された方法を提供することにあり、それによって、その後の硬化工程は、多孔質ＩＬＤを作り出すためには必要とされない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このように、本発明によれば、集積回路ダイ上に導電性配線部の構造を形成する方法が提供され、この方法は、多孔質のｌｏｗ−ｋ誘電材料からなる層を設け、それぞれの開口を形成するため、前記誘電材料の選択された部分を除去し、ポロゲン材料が前記誘電材料内への浸透をもたらすため、前記ポロゲン材料を前記誘電材料に適用し、前記配線部を形成するため、前記開口内に導電材料を設け、その後、前記誘電材料の気孔率を回復するように、前記誘電材料から前記ポロゲン材料を除去するため硬化工程を行うことを具える、集積回路ダイ上への導電性配線部構造の形成方法を提供する。
【００１１】
一の実施形態では、前記ポロゲン材料は、前記開口の形成の前、すなわち、ブランケット多孔質ＵＬＫ堆積の後に、前記誘電材料に適用される。前記気孔サイズが十分に大きく、かつ、前記浸透深さが積層高さと等しい場合、これは、前記ポロゲンを適用することが比較的容易な方法である。このアプローチの潜在的な欠点は、特定のＵＬＫ材料に対して、気孔率勾配が存在するということであり、それによって、堆積された膜は、上部で比較的緻密であり、深さの増加とともにより多孔質化する。この場合、前記開口の形成後の誘電材料、好ましくはその側壁部に、前記ポロゲン材料を適用するのが好ましい。
【００１２】
したがって、本発明の方法を用いて、上記で規定したように、多孔質超ｌｏｗ−ｋ誘電体の内部への化学反応物質／溶剤の拡散は、前記多孔質構造を、熱分解性高分子材料（「ポロゲン」）で「詰め込み」、その後、多孔質（「ＳｉＯＣ」）マトリクスを残したままにするため、完成した集積化プロセスの後に行われるその後の硬化工程の間中、前記分解性高分子の分解および蒸発をもたらすことによって防止される。第１の実施形態では、前記硬化工程を用いたポロゲンの除去は、前記完成した集積化プロセスの後に行われることができ、この場合、残存する全ての誘電材料（例えば、ＳｉＣ誘電体バリア）は、全てのポロゲンを除去することができるように、特定の気孔率を有する必要があり、かつ、これは、前記金属線を覆うために必要とされるかもしれない特定のＳｉＣベースの誘電体バリアをもつことが可能であるということは示されてきた。前記配線部に関する将来的な展望は、上述した「ベークアウト（ｂａｋｅ  ｏｕｔ）」問題を軽減するであろうＣｏＷＰのような自己整合バリアを予想する。代案の実施形態では、前記ポロゲンは、各銅ＣＭＰ工程の後に、硬化工程またはベークアウト工程を行うことによって除去することができる。
【００１３】
一の典型的な実施形態では、デュアルダマシンプロセスにおいて、前記開口はビア開口であり、また、前記ポロゲン材料は、溝エッチングプロセスに関するレジスト層の形で設けられる。代案の典型的な実施形態では、前記ポロゲン材料が前記ビア開口の側壁部上に設けられ、また、レジスト層がその後の溝エッチングプロセスに関してその中に設けられる。好適な典型的な実施形態では、前記開口の側壁部へのポロゲン材料の適用後、前記開口内に導電材料を設ける前に、バリア材料からなる層が前記側壁部に適用される。前記バリア材料からなる層は、原子層堆積プロセスを用いて設けられるのが好ましい。前記導電材料は、有益には、銅である。
【００１４】
本発明の範囲は、上で定義された方法を用いて形成される導電性配線部にまで及び、また、そのような複数の導電性配線部を上に具える集積回路ダイにまで及ぶ。
【００１５】
本発明の、これらおよび他の態様は、ここで説明される実施形態から明らかであり、かつ、前記実施形態を参照しながら説明されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施形態は、実施例のみによって、また、添付した図面を参照しながら、以下で説明されるであろう。
【００１７】
当業者に知られているように、「デュアルダマシン」として知られる製造プロセスは、通常、最先端高性能集積回路に必要とされる、高密度の多層金属配線を作り出すために用いられ、そして、上述した超ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電体が、前記線間の寄生容量を減少させるのに対し、前記配線金属として銅を用いることは、アルミニウムと比較して、前記相互接続線の抵抗を減少させ（、かつ、それらの信頼性を増加させ）る。銅は揮発性の副生成物を形成しないため、エッチングすることは比較的非常に困難であり、したがって、銅メタライゼーションスキームは、アルミニウム金属線を形成するのに用いられる従来のサブトラクティブエッチングアプローチを用いて実現することができない。上述したデュアルダマシン技術は、層間絶縁膜（ＩＬＤ）中に、１本の柱状のホール（またはビア）および溝をエッチングし、その後、前記双方の構造に銅が充填され、この銅は、その後に行なわれる、前記ＩＬＤの表面に戻すように（ＣＭＰ法を用いて）研磨することによって、この問題を克服する。結果として、垂直銅ビア接続および象眼銅金属線が形成されることとなる。デュアルダマシンプロセスにおいて、前記溝または前記ビアが、最初にエッチングされうる。
【００１８】
図１ａ〜図１ｈに言及すると、知られた部分的な溝−第１（trench-first）集積化アプローチの場合、典型的には窒化ケイ素（ＳｉＮ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなるエッチング停止層１０は、第１ＩＬＤ１２と第１配線層からなる金属配線部１４との上方に設けられ、前記エッチング停止層１０上に、多孔質の超ｌｏｗ−ｋ誘電体を具える第２ＩＬＤ１６が設けられる。絶縁層１８（典型的にはＳｉＯ２）およびハードマスク層２０（典型的にはＴｉＮ）が、前記第２ＩＬＤ１６の上方に設けられる。前記第２ＩＬＤ１６の上にあるハードマスク層２０は、パターニングの理由のために最初に設けられる。すなわち、前記ＴｉＮハードマスク層を用いることで、線幅が画定され、かつ、このＴｉＮハードマスク層のＵＬＫに対する良好な選択性に起因して、ストレートエッチングプロファイルを得ることができる。加えて、前記ハードマスク層２０は、その後の銅研磨の間中、ＣＭＰ停止層として作用する。
【００１９】
次に、フォトレジスト層２２は、前記ハードマスク層２０上に堆積され、リソグラフィによりパターニングされた後、前記ハードマスク層２０内に１個の開口２４を形成するために剥ぎ取られる。有機下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）２６は、残存するハードマスク２０の上方および前記開口２４内に設けられ、第２フォトレジスト層２８は堆積され、そして、図示されるように、リソグラフィによりパターニングされた後、剥ぎ取られる。その後、前記エッチング停止層１０を貫通し前記金属配線部１４まで延在する１本のビア開口３０を作り出すために、エッチングプロセスが行われる。前記ビア開口３０は、樹脂材料３２で充填され、そして、溝３４を作り出すために、エッチングプロセスが行われる。次に、バリア層３５は、前記溝３４およびビア開口の側壁部および底部の上ならびに前記残存するハードマスク層２０の上方に堆積され、銅材料からなる層３６は、前記構造全体の上方に設けられ、その後、図１ｈに示される配線構造を作り出すために、ＣＭＰを施す。
【００２０】
このように、上記で説明したように、樹脂材料は、その後の溝エッチング用のエッチング停止層として作用するために、前記ビア開口の中に設けられる。前記樹脂は、前記溝エッチングの間中消費され、前記ビア開口の底部を保護する。これを用いたときの問題は、前記樹脂が、部分的に、超ｌｏｗ−ｋ誘電層１６の気孔内に部分的に浸透し、その後除去することができない高分子物質を残したままにするということである。
【００２１】
したがって、本発明のこの典型的な実施形態に従って、前記樹脂が堆積される前に、熱分解性の「ポロゲン（いわゆる希釈剤）」材料が適用されるのが好ましく、または、代案の典型的な実施形態では、前記熱分解性高分子は、上述したプロセスにおける樹脂と実際上、置換することができる。
【００２２】
したがって、図面の図２ａ〜図２ｉに言及すると、本発明の典型的な実施形態に従うプロセスでは、典型的には窒化ケイ素（ＳｉＮ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなるエッチング停止層１０が、第１ＩＬＤ１２と第１配線層からなる金属配線部１４との上方に設けられ、前記エッチング停止層１０上に、多孔質超ｌｏｗ−ｋ誘電体を具える第２ＩＬＤ１６が設けられる。絶縁層１８（典型的にはＳｉＯ２）およびハードマスク層２０（典型的にはＴｉＮ）は、前記第２ＩＬＤ１６の上方に設けられる。前記第２ＩＬＤ１６の上にあるハードマスク層２０は、前記フォトレジストストリッピングプロセスから前記ＩＬＤを保護するために必要とされる。これは、前記第２ＩＬＤ１６を形成するｌｏｗ−ｋ材料が、フォトレジストを剥ぎ取るのと同様の化学反応の影響を受けやすいためである。加えて、前記ハードマスク層２０は、その後の銅研磨の間中、ＣＭＰ停止層として作用する。
【００２３】
次に、フォトレジスト層２２は、前記ハードマスク層２０上に堆積され、そして、リソグラフィによりパターニングされた後、前記ハードマスク層２０内に１個の開口２４を形成するために剥ぎ取られる。有機下層反射防止膜（ＢＡＲＣ）２６は、残存するハードマスク２０の上方および前記開口２４内に設けられ、そして、第２フォトレジスト層２８が堆積され、図に示されるように、リソグラフィによりパターニングされた後、剥ぎ取られる。その後、前記エッチング停止層１０を貫通し前記金属配線部１４まで延在する１本のビア開口３０を作り出すために、エッチングプロセスが行われる。前記ビア開口３０は、例えば、ＰＭＡＡ（ポリメチル−メタクリレート）またはＤＭＡＥＭＡ（ジメチル−アミノエチル−メタクリレート）をベースとする共重合体材料のような、熱分解性高分子の「ポロゲン）材料（すなわち、置換活性の気孔生成材料）４２で充填される。このポロゲン材料４２は、前記ビア開口の側壁部を貫通し、前記ＵＬＫ  ＩＬＤバルク内に深く浸透する。これは、前記ＵＬＫ  ＩＬＤバルクの気孔を充填またはシールする効果と、参照符号４４によって示されるように、前記ビア開口の側壁部に隣接するＵＬＫ  ＩＬＤ材料の密度を著しく増加させる効果とを有する。代案の実施形態においては、前記ポロゲン材料が、前記ビア開口の側壁部を貫通し、前記ＵＬＫ  ＩＬＤバルク内に深く浸透することができるように、前記ポロゲン材料は、最初に、前記ビア開口３０の側壁部に適用されることができ、その次に、樹脂レジストが前記ビア開口３０内に設けられる。前記ＵＬＫ  ＩＬＤの空気への露出時間および吸湿量が最小化されることを確実にするために、前記ビアエッチングプロセスの後に、前記ポロゲンが適用されることは利点である。しかしなから、熱分解性ポロゲンは、ブランケット多孔質ＵＬＫ堆積の直後に適用されることができる。前記気孔のサイズが十分に大きく、かつ、前記浸透深さが積層高さと等しい場合、これは、前記ポロゲンを適用するための比較的簡単な方法である。この場合の潜在的な欠点は、特定のＵＬＫ材料に対して、気孔率勾配が存在するということである。前記膜は、上部で比較的高密度であり、深さの増加とともにより多孔質化する。この場合、ビアまたは線のエッチングの後に、前記ポロゲンを適用した方が良い。
【００２４】
いずれにせよ、その後、溝３４を作り出すために、エッチングプロセスが行われ、そして、バリア層３５が、前記溝およびビア（開口）の側壁部および底部の上ならびに残存するハードマスク層２０上に堆積される。１００ｎｍプロセス時代（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）に関し、均一バリア堆積が、従来の物理的気相蒸着技術（ＰＶＤ法）を用いて０．１０μｍ幅のビアにおいて問題となる。この目的は、非等角的ＰＶＤバリア蒸着に起因して生じる、ビアの上での特有のオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）を回避することである。前記バリアの非等角的な被覆率に起因して生じうる問題は、銅電気メッキの間中のボイドの発生と、前記誘電体内へのＣｕの急速な拡散を可能にする前記側壁部上のバリアの限定された厚さである。さらなるスケーリングは、最終的に、前記誘電体の内部への容易な銅の浸透経路や、前記活動領域内へのＣｕ拡散を作り出す、前記側壁部上の不連続膜をもたらす。したがって、等角的、連続的かつ薄いバリア膜は、ビアの完全なＣｕ充填のために必要とされる。ＡＬＤは、非常に等角的なバリアの蒸着のために用いることができる。前記ＡＬＤ技術は、非常に高いアスペクト比の、溝およびビアにおいて、優れたステップ被覆率を示す。したがって、ＡＬＤは、薄くて等角的な拡散バリアまたは核生成層を準備するための方法である。しかしながら、追加的な問題は、前記ＡＬＤ技術が多孔質ｌｏｗ−ｋ材料とともに集積化される場合に生じる。ＡＬＤ堆積中における前記ｌｏｗ−ｋ誘電体内への反応物質の拡散は、主要な懸案事項である。それにもかかわらず、拡散が起こりうる場合には、前記ＡＬＤプロセスは、内表面全体を覆うことができる。このように、多孔質誘電体の代わりにその上に堆積するために、（前記ポロゲンの前記ＵＬＫ  ＩＬＤバルク内への浸透の後に設けられるような）より高密度の材料を用いることによって、前記誘電体への前記ＡＬＤ反応物質拡散は防止することができる。それゆえに、堆積は、前記誘電体の内部への浸透なしに、前記エッチングされた側壁部上で起こるのみである。唯一の制約は、前記バリア堆積温度が、熱分解性高分子の分解温度よりも低くあるべきことである。前記ＡＬＤ技術を用いることの利点は、（ＣＶＤとは反対に、）高い反応性化学物質を用いることができ、低い堆積温度を可能にするということである。最も一般的に用いられるポロゲンの分解温度よりも低い、３００℃の堆積（蒸着）温度が、容易に実現可能である。
【００２５】
次に、銅材料からなる層３６は、前記構造全体の上方に設けられ、その後、ＣＭＰを施す。最後に、上述した各銅ＣＭＰ工程の後と、完成した集積化プロセスの後のいずれかで、前記構造は、前記熱分解性高分子ポロゲン材料を分解および蒸発させる（すなわち、前記ポロゲンの除去を生じさせる）ため、硬化工程を施し、多孔質ＳｉＯＣマトリックス（すなわち、有効多孔性low−ｋ材料）を残したままにし、そして、図２ｉに示される配線構造を作り出す。
【００２６】
上述した実施形態は、本発明を限定するよりはむしろ、説明するために用いたものであって、当業者は、特許請求の範囲によって定められるような本発明の範囲から逸脱することなく、多くの代案の実施形態を設計することができるであろうことに留意すべきである。「具える、有する、もつ」のような用語は、請求項、または、発明の詳細な説明のいずれかに全体として挙げられた以外の要素または工程の存在を除外していない。１つの要素の単数表示は、このような要素の複数表示を除外してなく、逆もまた同様である。本発明は、いくつかの異なる要素を具えるハードウェアを用いて、また、適当にプログラムされたコンピュータを用いて実施することができる。いくつかの手段を列挙する装置の請求項において、これら手段のうちのいくつかは、ハードウェアの同一のアイテムにより具現化することができる。特定の手段が、互いに異なる従属請求項に列挙されているという単なる事実は、これら手段の組合せが、利益をもたらすために用いることができないことを示すものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】ａ〜ｈは、従来技術に従う一の配線製造方法を示す概略図である。
【図２】ａ〜ｉは、本発明の典型的な実施形態に従う一の配線製造方法を示す概略図である。
【図１ａ】
2008535212.tif 000003
【図１ｂ】
2008535212.tif 000004
【図１ｃ】
2008535212.tif 000005
【図１ｄ】
2008535212.tif 000006
【図１ｅ】
2008535212.tif 000007
【図１ｆ】
2008535212.tif 000008
【図１ｇ】
2008535212.tif 000009
【図１ｈ】
2008535212.tif 000010
【図２ａ】
2008535212.tif 000011
【図２ｂ】
2008535212.tif 000012
【図２ｃ】
2008535212.tif 000013
【図２ｄ】
2008535212.tif 000014
【図２ｅ】
2008535212.tif 000015
【図２ｆ】
2008535212.tif 000016
【図２ｇ】
2008535212.tif 000017
【図２ｈ】
2008535212.tif 000018
【図２ｉ】
2008535212.tif 000019
【国際調査報告】
2008535212.tif 000020
2008535212.tif 000021
2008535212.tif 000022