(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の感度モードを有する放射線撮像装置において、被写体の撮像対象に応じた高品質な放射線画像を取得するのに有利な技術を提供する。【解決手段】複数のセンサと、各センサで生じた電荷量に基づく信号レベルを保持し、信号レベルをモニタし、各センサは、第１感度で放射線を検出する第１モードと、第１感度よりも高い第２感度で放射線を検出する第２モードとを有し、各センサを第１モードに設定して撮像を行う場合には、複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルをモニタする第１制御と、モニタ結果に基づいて複数のセンサのうちの一部のセンサを選択する第２制御と、選択されたセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルに基づいて、複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルの読出動作を制御する第３制御と、を行い、第１制御では各センサを第２モードに設定し、第３制御では各センサを第１モードに設定する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセンサと、各センサで生じた電荷量に基づく信号レベルを保持する保持部と、前記保持部の信号レベルをモニタするモニタ部と、制御部とを備え、各センサは、第１感度で放射線を検出する第１モードと、前記第１感度よりも高い第２感度で放射線を検出する第２モードと、を有する放射線撮像装置であって、
各センサを前記第１モードに設定して撮像を行う場合には、
前記制御部は、
前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルを前記モニタ部によりモニタする第１制御と、
前記第１制御によるモニタ結果に基づいて前記複数のセンサのうちの一部のセンサを選択する第２制御と、
前記第２制御により選択されたセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルに基づいて、前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルの読出動作を制御する第３制御と、を行い、
前記制御部は、前記第１制御では各センサを前記第２モードに設定し、前記第３制御では各センサを前記第１モードに設定する、
ことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
被検者の撮像対象を特定するための情報が前記第１制御の前に予め設定されており、
前記制御部は、前記第２制御では、前記設定された情報と前記第１制御によるモニタ結果とに基づいて前記複数のセンサのうちの一部のセンサを選択する、
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第３制御を、前記第２制御により選択されたセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルが所定値に達した場合に、前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルが読み出されるように行う、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記第２制御の後かつ前記第３制御の前に、前記モニタ部によるモニタ結果に基づいて、前記第２制御により選択されたセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルが所定値に達する時間を算出し、
前記第２制御の後かつ前記算出された時間より前に、該信号レベルが前記所定値に達したか否かの判断を前記モニタ部により行う、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記モニタ部は、前記第１制御では、前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルのモニタを周期的に行う、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記保持部は、各センサに対応して設けられたスイッチおよびキャパシタを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
互いに隣接するセンサに対応する前記キャパシタを接続する接続部をさらに備え、
前記制御部は、前記第１制御では、前記接続部により、前記互いに隣接するセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルを加算する、
ことを特徴とする請求項６に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記第１制御を行う前に、放射線の照射を開始するための制御信号を出力し、
前記第３制御を行う際に、放射線の照射を終了するための制御信号を出力する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記第１制御を行う前に、放射線の照射を開始するための制御信号を出力し、
前記放射線の照射が開始されてから所定時間が経過した場合には、前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルが読み出されるように制御すると共に、放射線の照射を終了するための制御信号を出力する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第１制御の前に、前記複数のセンサおよび前記保持部を初期化する
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する処理部と、
放射線を発生するための放射線源と、
前記放射線源を制御するための放射線源制御部と、を具備する、
ことを特徴とする放射線検査装置。
【請求項１２】
複数のセンサと、各センサで生じた電荷量に基づく信号レベルを保持する保持部と、前記保持部の信号レベルをモニタするモニタ部とを備え、各センサは、第１感度で放射線を検出する第１モードと、前記第１感度よりも高い第２感度で放射線を検出する第２モードと、を有する放射線撮像装置の制御方法であって、
各センサを前記第１モードに設定して撮像を行う場合には、
前記放射線撮像装置の制御方法は、
前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルを前記モニタ部によりモニタする第１工程と、
前記第１工程でのモニタ結果に基づいて前記複数のセンサのうちの一部のセンサを選択する第２工程と、
前記第２制御により選択されたセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルに基づいて、前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルの読出動作を制御する第３工程と、を含み、
前記第１工程では各センサを前記第２モードに設定し、前記第３工程では各センサを前記第１モードに設定する、
ことを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置、その制御方法、及び放射線検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線撮像装置は、複数のセンサを備えており、各センサで生じた電荷量に基づく信号を用いて被写体の放射線画像を形成する。
【０００３】
特許文献１には、放射線の照射開始後に、各センサで生じた電荷量に基づく信号レベルをモニタし、該モニタ結果に基づいて、放射線の照射終了前でも信号読出を開始する放射線撮像装置が開示されている。特許文献１によると、信号読出の開始のタイミングは、被写体の撮像対象（例えば肺や胃など）に応じて制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２６０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、放射線撮像装置には、感度モード（高感度モード、低感度モード等）を切り替えることが可能なセンサが用いられるものがある。特許文献１では、いずれの感度モードで撮影を行うかによって信号読出の開始のタイミングをどのように制御するかについては考慮されていない。
【０００６】
本発明の目的は、複数の感度モードを有する放射線撮像装置において、被写体の撮像対象に応じた高品質な放射線画像を取得するのに有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの側面は放射線撮像装置にかかり、前記放射線撮像装置は、複数のセンサと、各センサで生じた電荷量に基づく信号レベルを保持する保持部と、前記保持部の信号レベルをモニタするモニタ部と、制御部とを備え、各センサは、第１感度で放射線を検出する第１モードと、前記第１感度よりも高い第２感度で放射線を検出する第２モードと、を有する放射線撮像装置であって、各センサを前記第１モードに設定して撮像を行う場合には、前記制御部は、前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルを前記モニタ部によりモニタする第１制御と、前記第１制御によるモニタ結果に基づいて前記複数のセンサのうちの一部のセンサを選択する第２制御と、前記第２制御により選択されたセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルに基づいて、前記複数のセンサで生じた電荷量に基づく信号レベルの読出動作を制御する第３制御と、を行い、前記制御部は、前記第１制御では各センサを前記第２モードに設定し、前記第３制御では各センサを前記第１モードに設定することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、上記被写体の撮像対象に応じた高品質な放射線画像を取得するのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】放射線撮像システムの構成例を説明する図。
【図２】センサの構成例を説明する図。
【図３】センサの駆動方法の例を説明する図。
【図４】センサユニットの構成例を説明する図。
【図５】ＡＤ変換部の構成例を説明する図。
【図６】放射線撮像装置の制御方法の例を説明するタイミングチャート。
【図７】放射線撮像装置の制御方法の例を説明するフローチャート。
【図８】簡易読出の方法の例を説明する図。
【図９】放射線撮像装置の制御方法の例を説明するタイミングチャート。
【図１０】放射線撮像装置の制御方法の例を説明するフローチャート。
【図１１】信号レベルの放射線照射時間依存性を説明する図。
【図１２】放射線撮像装置の制御方法の例を説明するタイミングチャート。
【図１３】放射線撮像装置の制御方法の例を説明するフローチャート。
【図１４】放射線撮像装置の制御方法の例を説明するタイミングチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（放射線撮像装置の構成例）
図１は、放射線検査装置に代表される放射線撮像システムＳＹＳの構成例を例示している。放射線撮像システムＳＹＳは、放射線撮像装置１００（以下、撮像装置１００）、放射線源１０４、放射線源制御部１０３、処理部１０１及び表示部１０２を具備する。放射線源１０４は放射線を発生する。放射線源制御部１０３は放射線源１０４を制御する。処理部１０１は画像処理およびシステム制御を行う。表示部１０２はユーザに撮像装置１００の状態や撮像結果等を通知するディスプレイを含む。
【００１１】
放射線撮影を行う際には、処理部１０１によって撮像装置１００と放射線源制御部１０３とが同期制御されうる。被検者を通過した放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線等）は、撮像装置１００によって検知され、処理部１０１等において所定の処理が為された後、当該放射線に基づく画像データが生成される。当該画像データは表示部１０２に放射線画像として表示される。
【００１２】
撮像装置１００は、センサパネル１０５を有するセンサアレイ１０と、センサアレイ１０から信号を読み出す信号読出部２０と、各ユニットを制御する制御部１０９とを備える。センサアレイ１０は、複数のセンサが配列されたセンサ領域であり、該複数のセンサは複数の行および複数の列を形成するように配列されている。
【００１３】
センサパネル１０５は、複数のセンサユニット１０６が板状の基台の上にタイリング（２次元配列）されて構成され、このような構成により大型のセンサパネル１０５が形成されうる。なお、各センサユニット１０６には複数のセンサが配列されている。また、ここでは、複数のセンサユニット１０６が１４列×２行を形成するようにタイリングされた構成が例示されているが、この数量ないし構成に限られるものではない。
【００１４】
各センサユニット１０６は、例えば、公知の半導体製造方法によって、シリコンウエハを用いて製造された単位チップである。隣接センサユニット１０６同士は、ダイシングによって物理的に分離されたものでもよいし、分離されてなくてもよい。例えば、シリコンウエハ上に形成された各センサユニット１０６を検査し、該検査結果が所定の基準を満たしたセンサユニット１０６を選択的に用いてセンサパネル１０５を形成することが可能である。なお、図中において、実線はダイシングされたことを示し、破線はダイシングされていないことを示している。
【００１５】
センサアレイ１０の上には、例えば、放射線を光に変換するシンチレータ（不図示）が設けられうる。なお、各センサには、光電変換を行う公知のセンサが用いられればよい。これにより、照射された放射線量に基づく電気信号が得られる。
【００１６】
信号読出部２０は、例えば、マルチプレクサ１３１〜１３８と、差動アンプ等を含む信号増幅部１４１〜１４８と、アナログデジタル変換（ＡＤ変換）を行うＡＤ変換部１５１〜１５８とを有しうる。
【００１７】
また、センサパネル１０５の上辺部および下辺部には、電気信号の入出力又は電源の供給を行うための複数の電極が配列されうる。電極は、フライングリード式プリント配線板（不図示）により外部回路に接続されうる。例えば、センサアレイ１０からの信号は、電極を介して信号読出部２０により読み出され、また、制御部１０９からの制御信号は、電極を介してセンサアレイ１０に入力される。
【００１８】
制御部１０９は、例えば処理部１０１との間で、制御コマンドの通信を行い、同期信号の通信を行い、また、処理部１０１への画像データの出力を行う。また、制御部１０９は、センサアレイ１０その他の各ユニットを制御し、例えば、各センサの駆動制御や動作モード制御を行う。また、制御部１０９は、信号読出部２０のＡＤ変換部１０８によりＡＤ変換された各センサユニット１０６の画像データ（デジタルデータ）を用いて１つのフレームデータに合成し、処理部１０１に出力する。
【００１９】
制御部１０９と処理部１０１との間では、各種インターフェースを介して、制御コマンドないし制御信号および画像データの授受が行われる。処理部１０１は、制御用インターフェース１１０を介して、動作モードや各種パラメータなどの設定情報ないし撮影情報を制御部１０９に出力する。また、制御部１０９は、制御用インターフェース１１０を介して、撮像装置１００の動作状態などの装置情報を処理部１０１に出力する。また、制御部１０９は、画像データインターフェース１１１を介して、撮像装置１００で得られた画像データを処理部１０１に出力する。また、制御部１０９は、ＲＥＡＤＹ信号１１２を用いて、撮像装置１００が撮影可能な状態になったことを処理部１０１に通知する。また、処理部１０１は、外部同期信号１１３を用いて、制御部１０９からのＲＥＡＤＹ信号１１２に応答して制御部１０９に、放射線の照射開始（曝射）のタイミングを通知する。また、制御部１０９は、曝射許可信号１１４がイネーブル状態の間に、放射線源制御部１０３に制御信号を出力して放射線照射を開始させる。
【００２０】
図２は、センサアレイ１０を形成する単位センサＳの回路構成を例示している。センサＳは、例えば、第１部分ｐｓ１と第２部分ｐｓ２と第３部分ｐｓ３とを含みうる。
【００２１】
第１部分ｐｓ１は、フォトダイオードＰＤと、トランジスタＭ１〜Ｍ３と、フローティングディフュージョン容量ＣＦＤ（以下、ＦＤ容量ＣＦＤ）と、感度切り替え用の容量ＣＦＤ’とを有しうる。フォトダイオードＰＤは光電変換素子であり、照射された放射線に応じて前述のシンチレータで生じた光を電気信号に変換する。具体的には、当該光に応じた量の電荷がフォトダイオードＰＤで発生し、発生した電荷量に応じたＦＤ容量ＣＦＤの電圧が第２部分ｐｓ２に出力される。
【００２２】
また、感度切り替え用の容量ＣＦＤ’は、センサＳの放射線に対する感度を切り替えるために用いられ、トランジスタＭ１（スイッチ素子）を介してフォトダイオードＰＤに接続されている。信号ＷＩＤＥが活性化されることによってトランジスタＭ１が導通状態になり、ＦＤ容量ＣＦＤと容量ＣＦＤ’との合成容量の電圧が第２部分ｐｓ２に出力される。
【００２３】
センサＳは、ここでは、信号ＷＩＤＥがＨｉレベルのときは低感度モード（第１モード）となり、Ｌｏｗレベルのときに高感度モード（第２モード）となる。このように、センサＳは、容量ＣＦＤ’を用いるか否かで放射線に対する感度を変更することが可能である。
【００２４】
また、トランジスタＭ２は、ＰＲＥＳ信号が活性化されることによってフォトダイオードＰＤの電荷を初期化し、第２部分ｐｓ２に出力される電圧をリセットする。
【００２５】
第２部分ｐｓ２は、トランジスタＭ３〜Ｍ７とクランプ容量ＣＣＬと定電流源とを有しうる。トランジスタＭ３とトランジスタＭ４と定電流源（例えばカレントミラー構成のトランジスタ）とは電流経路を形成するように直列に接続されている。トランジスタＭ３のゲートに入力されるイネーブル信号ＥＮが活性化されることによって、第１部分ｐｓ１からの電圧を受けるトランジスタＭ４が動作状態となる。このようにしてソースフォロワ回路が形成され、第１部分ｐｓ１からの電圧に応じた電圧が出力される。
【００２６】
その後段には、トランジスタＭ５〜７とクランプ容量ＣＣＬとで構成されたクランプ回路が設けられている。具体的には、クランプ容量ＣＣＬの一方の端子ｎ１が、第１部分ｐｓ１のトランジスタＭ３とトランジスタＭ４との間のノードに接続されており、他方の端子ｎ２が、クランプスイッチとして機能するトランジスタＭ５に接続されている。また、トランジスタＭ６とトランジスタＭ７と定電流源とは電流経路を形成するように直接に接続されており、当該他方の端子ｎ２は、トランジスタＭ７のゲートに接続されている。この構成により、第１部分ｐｓ１のフォトダイオードＰＤで生じるｋＴＣノイズ（いわゆるリセットノイズ）が除去される。
【００２７】
具体的には、前述のリセット時における第１部分ｐｓ１からの電圧に応じた電圧がクランプ容量ＣＣＬの端子ｎ１に入力される。また、クランプ信号ＰＣＬが活性化されることによりトランジスタＭ５が導通状態になり、クランプ電圧ＶＣＬがクランプ容量ＣＣＬの端子ｎ２に入力される。このようにして、クランプ容量ＣＣＬの両端子ｎ１−ｎ２間で生じた電位差をノイズ成分としてクランプし、その後のフォトダイオードＰＤでの電荷の発生および蓄積に伴う電圧の変化分を信号成分として出力する。
【００２８】
また、イネーブル信号ＥＮはトランジスタＭ６のゲートにも入力され、イネーブル信号ＥＮが活性化されることによってトランジスタＭ７が動作状態となる。このようにしてソースフォロワ回路が形成され、トランジスタＭ７のゲート電圧に応じた電圧が第３部分ｐｓ３に出力される。
【００２９】
第３部分ｐｓ３は、トランジスタＭ８、Ｍ１０、Ｍ１１及びＭ１３と、アナログスイッチＳＷ９及びＳＷ１２と、容量ＣＳ及びＣＮと、を有しうる。トランジスタＭ８及びＭ１０とアナログスイッチＳＷ９と容量ＣＳ（キャパシタ）とが形成するユニットを「第１のユニットＵＳＨＳ」と称する。
【００３０】
第１のユニットＵＳＨＳにおいて、トランジスタＭ８と容量ＣＳとはサンプルホールド回路を形成しており、第２部分ｐｓ２からの出力値を保持する保持部として機能する。具体的には、制御信号ＴＳを用いてトランジスタＭ８の状態（導通状態または非導通状態）を切り替えることによって、第２部分ｐｓ２から得られる信号（光成分にしたがう信号）を容量ＣＳに保持している。また、トランジスタＭ１０は、そのソースフォロワ動作によってアンプとして機能し、これによって当該信号は増幅される。当該増幅された信号は、制御信号ＶＳＲを用いてアナログスイッチＳＷ９を導通状態にすることより、端子ｔｓから出力される。
【００３１】
この構成により、センサで生じた電荷量に基づく信号レベルをモニタすることが可能であり、該信号レベルのサンプリングを行うことが可能である。換言すると、センサで生じた電荷量に基づく電圧が容量ＣＳに保持されており、該電荷量に基づく信号レベルの非破壊読出を任意のタイミングで行うことが可能である。
【００３２】
第１のユニットＵＳＨＳと同様にして、トランジスタＭ１１及びＭ１３とアナログスイッチＳＷ１２と容量ＣＮとは、端子ｔｎから信号を出力する「第２のユニットＵＳＨＮ」を形成している。
【００３３】
なお、後述するが、第２のユニットＵＳＨＮでは基準信号が保持され、信号読出部２０は、端子ｔｓ及びｔｎを介して、センサで生じた電荷量に基づく信号レベルと基準信号レベルとの差分を読み出す。これにより、第２部分ｐｓ２に起因する固定パターンノイズ（ＦＰＮ：Ｆｉｔｔｅｄ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｎｏｉｓｅ）が除去される。
【００３４】
以下、図３を参照しながら、例として高感度モード（制御信号ＷＩＤＥがＬｏｗレベル）の場合について、上記センサＳの駆動方法を述べる。
【００３５】
図３の（Ａ）に示されるように、まず、時刻ｔ５０で、動作モードの設定等、撮影を行うのに必要な情報の設定がユーザにより為される。時刻ｔ５１で、各センサＳおよび保持部（容量ＣＳ及びＣＮ）を初期化するためのリセット駆動ＲＤが為される。時刻ｔ６０で、画像信号を読み出すためのサンプリング駆動ＳＤが為される。時刻ｔ８１で、センサアレイ１０から信号読出を行う読出動作ＲＯが為される。
【００３６】
図３の（Ｂ）は、リセット駆動ＲＤの具体的なタイミングチャートを示している。リセット駆動ＲＤでは、リセット動作と、リセット時の出力成分をノイズ成分としてクランプする動作と、を行う。
【００３７】
時刻ｔ５１では、イネーブル信号ＥＮをＨｉレベルにして、トランジスタＭ３及びＭ６を導通状態にする。これにより、トランジスタＭ４及びＭ７がソースフォロア動作を行う状態になる。
【００３８】
時刻ｔ５２では、信号ＰＲＥＳをＨｉレベルにしてリセット用のトランジスタＭ２を導通状態にする。これにより、フォトダイオードＰＤが基準電圧ＶＲＥＳに接続され、フォトダイオードＰＤがリセットされると共に容量ＣＦＤの電圧もリセットされる。また、リセット直後のトランジスタＭ４のゲート電圧に応じた電圧が、クランプ容量ＣＣＬの一方の端子ｎ１（トランジスタＭ４側の端子）に入力される。なお、低感度モードの場合には、時刻ｔ５２で、信号ＷＩＤＥをＨｉレベルにして感度切替え用のトランジスタＭ１を導通状態にし、容量ＣＦＤ’の電圧をリセットしてもよい。
【００３９】
時刻ｔ５３では、信号ＰＣＬをＨｉレベルにして、前述のクランプを行うためのトランジスタＭ５を導通状態にする。これにより、クランプ電圧ＶＣＬがクランプ容量ＣＣＬの他方の端子ｎ２（トランジスタＭ７側の端子）に入力される。また、時刻ｔ５３では、信号ＴＳ及びＴＮをＨｉレベルにして、前述のサンプリングを行うためのトランジスタＭ８及びＭ１１を導通状態にし、容量ＣＳ及びＣＮを初期化してもよい。
【００４０】
時刻ｔ５４では、信号ＰＲＥＳをＬｏｗレベルにして、トランジスタＭ２を非導通状態にすることにより、クランプ容量ＣＣＬの端子ｎ１は、リセット直後のトランジスタＭ４のゲート電圧に応じた電圧にセットされる。なお、低感度モードの場合は、信号ＷＩＤＥをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ１を非導通状態にすることにより、容量ＣＦＤ’は、リセット直後の電圧で固定される。
【００４１】
時刻ｔ５５では、信号ＰＣＬをＬｏｗレベルにして、トランジスタＭ５を非導通状態にする。これにより、端子ｎ１と端子ｎ２との電位差（基準電圧ＶＲＥＳにしたがう電圧と基準電圧ＶＣＬとの電位差）に応じた電荷がクランプ容量ＣＣＬに保持され、前述のｋＴＣノイズのクランプが完了する。また、時刻ｔ５３で容量ＣＳ及びＣＮを初期化した場合には、時刻ｔ５５で信号ＴＳ及びＴＮをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ８及びＭ１１を非導通状態にすることにより、容量ＣＳ及びＣＮの電圧が固定される。
【００４２】
時刻ｔ５６では、イネーブル信号ＥＮをＬｏｗレベルにして、トランジスタＭ３及びＭ６を非導通状態にする。これにより、トランジスタＭ４及びＭ７を非動作状態にする。その後、前述の曝射許可信号１１４をＨｉレベル（許可状態）にし、放射線の照射にしたがって、フォトダイオードＰＤでは、照射された放射線量に応じた電荷が発生し蓄積される。
【００４３】
以上のようにして、リセット駆動ＲＤの一連の動作が終了する。即ち、リセット駆動ＲＤでは、フォトダイオードＰＤをリセットすると共に、第１部分ｐｓ１のフォトダイオードＰＤに起因するｋＴＣノイズに相当する電圧がクランプ容量ＣＣＬに保持され、また、必要に応じて容量ＣＳ及びＣＮが初期化される。なお、リセット駆動ＲＤは、全てのセンサについて一括で為され、制御タイミングのずれを防ぐことによって、隣接センサユニット間や隣接センサ間でのデータの連続性が維持されうる。
【００４４】
図３の（Ｃ）は、サンプリング駆動ＳＤの具体的なタイミングチャートを示している。サンプリング駆動ＳＤでは、センサＳの電荷量に応じた信号レベルを容量ＣＳに保持する動作を行う。また、サンプリング駆動ＳＤでは、第２部分ｐｓ２の回路構成に依存する熱ノイズ、１／ｆノイズ、温度差、プロセスばらつき等の固定パターンノイズに相当するノイズレベルを容量ＣＮに保持する動作を行う。
【００４５】
時刻ｔ６０では、イネーブル信号ＥＮをＨｉレベルにしてトランジスタＭ３及びＭ６を導通状態にし、トランジスタＭ４及びＭ７がソースフォロア動作を行う状態になる。トランジスタＭ４のゲート電圧は、フォトダイオードＰＤで発生し蓄積された電荷量に応じて変化しており、当該変化したゲート電圧に応じた電圧がクランプ容量ＣＣＬの一方の端子ｎ１に入力され、端子ｎ１の電位が変化する。クランプ容量ＣＣＬの他方の端子ｎ２の電位変化は、当該端子ｎ１の電位変化にしたがう。ここで、前述のとおり、クランプ容量ＣＣＬにはｋＴＣノイズに相当する電圧が保持されているため、この電位変化の量が信号成分として第３部分ｐｓ３に出力される。
【００４６】
時刻ｔ６１では、信号ＴＳをＨｉレベルにしてトランジスタＭ８を導通状態にすることにより、第２部分ｐｓ２からの出力電圧が容量ＣＳに保持される。即ち、容量ＣＳの電圧は、第２部分ｐｓ２の出力電圧（トランジスタＭ７のゲート電圧に応じた電圧）になる。
【００４７】
時刻ｔ６２では、時刻ｔ６１でサンプリングを開始したので、曝射許可信号１１４をＬｏｗレベル（禁止状態）にする。
【００４８】
時刻ｔ６３では、信号ＴＳをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ８を非導通状態にすることにより、第２部分ｐｓ２の出力電圧が容量ＣＳに固定される。
【００４９】
即ち、時刻ｔ６０〜ｔ６３では、センサＳで生じた電荷量に応じた信号レベルが、容量ＣＳに保持される。
【００５０】
時刻ｔ６４では、信号ＰＲＥＳをＨｉレベルにして、リセット用のトランジスタＭ２を導通状態にし、ＦＤ容量ＣＦＤ（及びＣＦＤ’）の電圧をリセットして基準電圧ＶＲＥＳにすると共に、端子ｎ１の電圧も時刻ｔ５２と同じ状態になる。
【００５１】
時刻ｔ６５では、信号ＰＣＬをＨｉレベルにしてトランジスタＭ５を導通状態にすることにより、クランプ電圧ＶＣＬがクランプ容量ＣＣＬの他方の端子ｎ２（トランジスタＭ７側の端子）に入力される。
【００５２】
時刻ｔ６６では、信号ＰＲＥＳをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ２を非導通状態にすることにより、クランプ容量ＣＣＬの端子ｎ１は、リセット直後のトランジスタＭ４のゲート電圧に応じた電圧にセットされる。なお、低感度モードの場合は、信号ＷＩＤＥをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ１を非導通状態にすることにより、容量ＣＦＤ’はリセット直後の電圧で固定されうる。
【００５３】
時刻ｔ６７では、信号ＴＮをＨｉレベルにしてトランジスタＭ１４を導通状態にすることにより、容量ＣＮの電圧は、トランジスタＭ７のゲート電圧が基準電圧ＶＣＬのときの第２部分ｐｓ２の出力電圧になる。
【００５４】
時刻ｔ６８では、信号ＴＮをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ１４を非導通状態にすることにより、容量ＣＮの電圧が固定される。
【００５５】
即ち、時刻ｔ６４〜ｔ６８では、第２部分ｐｓ２の回路構成に依存する熱ノイズ、１／ｆノイズ、温度差、プロセスばらつき等の固定パターンノイズに相当するノイズレベルが容量ＣＮに保持される。
【００５６】
最後に、時刻ｔ６９では信号ＰＣＬをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ５を非導通状態にし、時刻ｔ７０では、イネーブル信号ＥＮをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ３及びＭ６を非導通状態（トランジスタＭ４及びＭ７を非動作状態）にする。
【００５７】
以上のようにして、サンプリング駆動ＳＤの一連の動作が終了する。即ち、サンプリング駆動ＳＤでは、センサＳの電荷量に応じた信号レベルが容量ＣＳに保持されると共に、第２部分ｐｓ２に起因する固定パターンノイズに相当する電圧が容量ＣＮに保持される。なお、サンプリング駆動ＳＤは、前述のリセット駆動ＲＤと同様に、各センサユニット１０６の制御タイミングのずれを防ぐため、全てのセンサについて一括で為されうる。
【００５８】
次に、図４を参照しながら、前述の各センサユニット１０６の構成例を述べる。前述のとおり、複数のセンサユニット１０６が基台の上にタイリングされることによって大型のセンサパネル１０５が形成されうる。各センサユニット１０６は、ｍ行×ｎ列で配列された複数のセンサＳと、各センサＳを駆動するための垂直走査回路３０３と、各センサＳから信号読出を行うための水平走査回路３０４と、を備える。
【００５９】
垂直走査回路３０３および水平走査回路３０４は、例えばシフトレジスタで構成されており、前述の制御部１０９からの制御信号に基づいて動作する。垂直走査回路３０３は、制御線３０５を介して各センサＳに制御信号を入力し、当該制御信号に基づいて各センサＳを行単位で駆動する。例えば、垂直走査回路３０３は行選択部として機能し、信号読出を行うべきセンサＳを行ごとに選択する。また、水平走査回路３０４は列選択部として機能し、制御信号に基づいて各センサＳを列ごとに選択して、当該各センサＳからの信号を順に出力させる（水平転送）。
【００６０】
また、各センサユニット１０６は、各センサＳの容量ＣＳに保持された信号レベルを読み出すための端子ＥＳと、容量ＣＮに保持されたノイズレベルを読み出すための端子ＥＮと、を有する。また、各センサユニット１０６はセレクト端子ＥＣＳをさらに有し、端子ＥＣＳが受ける信号が活性化されることによって、当該センサユニット１０６の各センサＳの信号が、端子ＥＳ及びＥＮを介して読み出されうる。
【００６１】
具体的には、前述の各センサＳの端子ｔｓ及びｔｎは、各端子に対応する列信号線３０６及び３０７に接続されている。当該列信号線３０６及び３０７は、水平走査回路３０４からの制御信号に応答して導通状態になるスイッチＳＷＨを介して、アナログ出力線３０８及び３０９に接続されている。当該アナログ出力線３０８及び３０９の信号は、端子ＥＣＳが受ける信号に応答して導通状態になるスイッチＳＷＣＳを介して、端子ＥＳ及びＥＮから出力される。
【００６２】
また、各センサユニット１０６は、垂直走査回路３０３および水平走査回路３０４を制御するための各制御信号を受ける端子ＨＳＴ、ＣＬＫＨ、ＶＳＴおよびＣＬＫＶをさらに有する。端子ＨＳＴは、水平走査回路３０４に入力されるスタートパルスを受ける。端子ＣＬＫＨは、水平走査回路３０４に入力されるクロック信号を受ける。端子ＶＳＴは、垂直走査回路３０３に入力されるスタートパルスを受ける。端子ＣＬＫＶは、垂直走査回路３０３に入力されるクロック信号を受ける。これらの各制御信号は、制御部１０９から入力される。
【００６３】
以上に例示された構成により、センサユニット１０６では、各センサＳは行単位で制御され、各保持部に保持された信号が列単位で出力され（水平転送が為され）、信号読出が為される。
【００６４】
図５は、前述の信号読出部２０の回路構成の一部を示している。端子ＥＳからの信号は、信号増幅部１０７の反転入力端子に入力され、端子ＥＮからの信号は、信号増幅部１０７の非反転入力端子に入力される。信号増幅部１０７では、端子ＥＳからの信号と端子ＥＮからの信号との差分が増幅され、当該差分はＡＤ変換部１０８でＣＬＫＡＤ端子を介して入力されるクロック信号に基づいてＡＤ変換される。このような構成により、前述の固定パターンノイズが除去されると共に、センサユニット１０６の画像データ（デジタルデータ）が得られ、ＡＤＯＵＴ端子を介して制御部１０９に出力される。なお、ここでは説明を容易にするため、信号増幅部１４１およびＡＤ変換部１５１を例示して述べるが、マルチプレクサ１３１をさらに含む場合についても同様である。
【００６５】
次に、図６を参照しながら、読出動作ＲＯのための撮像装置１００の制御方法を述べる。図６は、読出動作ＲＯを行うためのタイミングチャートを、各制御信号について例示している。ここでは、説明を容易にするため、４つのセンサユニット１０６（センサユニット１０６０〜１０６３とする）から信号読出を行う場合について述べる。
【００６６】
選択信号Ｓｅｌ（Ｓｅｌ０〜Ｓｅｌ３）は、それぞれ、センサユニット１０６０〜１０６３から信号読出の対象となるものを選択するための制御信号を示す。即ち、選択信号Ｓｅｌは、対応するセンサユニット１０６の端子ＥＣＳに入力される。その他の制御信号は、各端子に入力される制御信号を示しており、例えば、端子ＶＳＴに入力される制御信号を信号ＶＳＴと示す（他の制御信号についても同様である）。
【００６７】
信号ＶＳＴはスタートパルス信号であり、この信号により、第１行目の各センサＳが垂直走査回路３０３により選択される。信号ＣＬＫＶはクロック信号であり、端子ＣＬＫＶで該クロック信号を受けるたびに、選択されている行が第１行目から第ｍ行目まで順にシフトされる（即ち、各センサＳが、第１行目から第ｍ行目まで行ごとに順に選択される）。信号ＨＳＴはスタートパルス信号であり、端子ＨＳＴで該スタートパルス信号を受けることにより、第１列目の各センサＳが水平走査回路３０４により選択される。信号ＣＬＫＨはクロック信号であり、端子ＣＬＫＨで該クロック信号を受けるたびに、選択されている列が第１列目から第ｎ列目まで順にシフトされる（即ち、各センサＳが、第１列目から第ｎ列目まで行ごとに順に選択される）。信号ＣＬＫＡＤはクロック信号であり、端子ＣＬＫＡＤで該クロック信号を受けることにより、前述のＡＤ変換部１０８でＡＤ変換が為される。
【００６８】
まず、信号ＶＳＴおよび信号ＣＬＫＶがＨｉレベルになった後、選択信号Ｓｅｌ０〜Ｓｅｌ３が順にＨｉレベルになり、センサユニット１０６０〜１０６３が順に選択される。そして、選択信号ＳｅｌがＨｉレベルになるタイミングで信号ＨＳＴがＨｉレベルになり、この間、クロック信号ＣＬＫＨとＣＬＫＡＤとが入力される。
【００６９】
以上のように撮像装置１００を制御することにより、例えば、図中の第１期間Ｔ１では、センサユニット１０６０〜１０６３の其々から、第１行目の各センサＳからの信号読出が為される。具体的には、まず、センサユニット１０６０の第１行目の各センサＳについて第１列目から第ｎ列目まで、順に、該各センサＳにより得られた信号のＡＤ変換が為される。次に、同様にして、センサユニット１０６１の第１行目の各センサＳにより得られた信号のＡＤ変換が為される。さらに同様にして、センサユニット１０６２と１０６３とについて、順に、第１行目の各センサＳにより得られた信号のＡＤ変換が為される。
【００７０】
第２期間Ｔ２（各センサユニット１０６の第２行目の各センサＳからの信号読出）以降についても第１期間Ｔ１と同様である。
【００７１】
（第１実施形態）
図７〜９を参照しながら、第１実施形態を説明する。
【００７２】
図７は、本実施形態にかかる記録装置１００の制御方法を示すフローチャート図である。ステップＳ１０１（以下、単に「Ｓ１０１」と称する。他のステップについても同様。）では、動作モードの設定等、撮影を行うのに必要な情報の設定がユーザにより為される。Ｓ１０２では、同期制御により記録装置１００がスタンバイ状態になっていることを確認して、Ｓ１０３に進む。
【００７３】
Ｓ１０３では、前述のリセット駆動ＲＤを行って全センサＳ等を初期化する。これと共に、各センサＳでは、該センサＳで生じた電荷の蓄積が為される。このとき、各センサＳは高感度モード（信号ＷＩＤＥがＬｏｗレベル）に設定され、放射線照射の開始直後（放射線照射量がまだ少ない期間）においても、放射線が高精度で検出される。
【００７４】
Ｓ１０４では、制御部１０９は、Ｓ１０３後に生じた電荷量に基づく信号レベルを、全センサＳについて非破壊読出により読み出す。換言すると、制御部１０９は、モニタ部を含み、全センサＳで生じた電荷量に基づく信号レベルをモニタする。
【００７５】
ここで、制御部１０９は、上記全センサＳについての信号レベル（モニタ結果）に基づいて、照射された放射線の強度分布を判断することが可能である。放射線の吸収率は、被検者の体の部位（撮像対象）によって異なる。そのため、後述するように、制御部１０９は、上記放射線の強度分布を参照しつつ、撮像対象を高品質で撮影するのに、全センサＳのうちのいずれのセンサＳについてモニタを継続すべきかを特定する。即ち、制御部１０９は、全センサＳのうちの注目すべきセンサを選択する。
【００７６】
Ｓ１０５では、全センサＳについての信号レベルが所定値よりも大きいか否か（所定値に達したか否か）の判断を行う。該信号レベルが所定値よりも大きくない場合にはＳ１０６に進み、大きい場合にはＳ１０７に進む。
【００７７】
Ｓ１０６では、Ｓ１０３のリセット駆動ＲＤから（各センサＳでの蓄積が開始されてから）所定期間が経過しているか否かの判断を行う。所定期間が経過していない場合にはＳ１０４に戻り、経過している場合にはＳ１１１に進む。なお、所定期間は、例えば、各センサＳでの電荷蓄積の時間の上限値でもよいし、放射線の照射可能な時間の上限値でもよく、任意に設定されうる。
【００７８】
即ち、Ｓ１０４〜Ｓ１０６によると、全センサＳについての信号レベルのモニタ動作が周期的に為され、該信号レベルが所定値を超えた場合にはＳ１０７に進み、所定値を超えなくても所定期間が経過した場合にはＳ１１１に進む。なお、Ｓ１０６は、放射線の照射が開始されてからの経過時間に基づいて為されてもよく、いずれの基準も、過度の放射線量が照射されないように定められればよい。
【００７９】
Ｓ１０７では、Ｓ１０４〜Ｓ１０５により得られた放射線の強度分布を参照しつつ、全センサＳのうちのいずれのセンサＳについてモニタを継続すべきかを、例えばＳ１０１で設定された撮影情報に基づいて選択する。即ち、制御部１０９は、該撮影情報に基づいて全センサＳのうちの一部を選択する。或いは、処理部１０１が、全センサＳのうちの一部を選択し、該選択された一部について信号レベルのモニタを継続するように、制御部１０９に制御信号を出力してもよい。
【００８０】
以下、選択されたセンサを、「注目センサ」と称する。なお、Ｓ１０５で述べた所定値は、該注目センサを選択するのに十分な信号レベルであればよく、任意に定められうる。
【００８１】
Ｓ１０８では、Ｓ１０７で選択された注目センサについての信号レベルをモニタする（即ち、非破壊読出により読み出す）。このとき、注目センサは、Ｓ１０１で設定された感度モードに設定される。具体的には、低感度モード設定の場合には信号ＷＩＤＥはＨｉレベルとなり、高感度モード設定の場合には信号ＷＩＤＥはＬｏｗレベルのままである。
【００８２】
Ｓ１０９では、注目センサについての信号レベルが所定値よりも大きいか否かの判断を行う。該信号レベルが所定値よりも大きくない場合にはＳ１１０に進み、大きい場合にはＳ１１１に進む。
【００８３】
Ｓ１１０では、Ｓ１０３のリセット駆動ＲＤから所定期間が経過しているか否かの判断を行う。所定期間が経過していない場合にはＳ１０８に戻り、経過している場合にはＳ１１１に進む。
【００８４】
即ち、Ｓ１０８〜Ｓ１１０によると、Ｓ１０７で選択された注目センサについての信号レベルのモニタ動作が周期的に為され、該信号レベルが所定値を超えた場合にはＳ１１１に進み、所定値を超えなくても所定期間が経過した場合にはＳ１１１に進む。
【００８５】
Ｓ１１１では、前述のサンプリング駆動ＳＤを行って全センサＳからの信号読出が、Ｓ１０１で設定された感度モードで為される。
【００８６】
Ｓ１１２では、撮影終了か否かの判断を行う。撮影終了でない場合にはＳ１０２に戻り、撮影終了の場合は、本撮影を終了し、必要に応じて次の撮影動作に移行する。
【００８７】
以上の制御シーケンスによると、センサＳについての信号レベルのモニタを、全センサＳのうちの、撮影情報に基づく一部、即ち、注目センサについて行うことにより、モニタ動作が簡易化されうる。そして、低感度モードで撮影する場合においても、注目センサが選択されるまでは高感度モードで動作することにより、注目すべきセンサが高い精度で特定されうる。注目センサが選択された後は、該注目センサについて信号レベルのモニタを行い、全センサについてのモニタを行わないため、モニタの高速化および高精度化にも有利である。
【００８８】
なお、注目センサは、１つでもよいし２以上でもよい。また、注目センサが２以上の場合において、これら２以上の注目センサは、センサアレイ１０上の一ヶ所にまとまっている必要はなく、全センサＳから離散的に選択されてもよい。
【００８９】
なお、ここでは、注目センサが選択された後（Ｓ１０８）に、Ｓ１０１で設定された感度モードに各センサＳを設定する態様を例示した。しかしながら、感度モードの切り替えのタイミングは、この態様に限られるものではなく、例えば、注目センサの信号レベルが飽和してから感度モードの切り替えがなされてもよい。そして、該感度モードは、いずれのセンサＳの信号レベルも飽和しないタイミングで切り替えられるとよい。
【００９０】
また、Ｓ１０４〜Ｓ１０６で為される信号レベルのモニタ動作は、高速化のため、以下に例示される簡易読出によって為されてもよい。
【００９１】
図８は、各センサＳからの信号の簡易読出の方法の一例を説明するための図であり、図８の（Ａ）は、互いに隣接するセンサＳ（１，１）とＳ（１，２）とを、第１部分ｐｓ１、第２部分ｐｓ２および第３部分ｐｓ３を簡略化して示している。
【００９２】
即ち、センサＳ（１，１）について、ダイオード１６０は、図２のフォトダイオードＰＤに対応し、回路ユニット１６２は、図２のトランジスタＭ１〜Ｍ４に対応する。容量１６４は、図２のクランプ容量ＣＣＬに対応する。回路ユニット１６６は、図２のトランジスタＭ５〜Ｍ７に対応する。
【００９３】
また、スイッチ１６８は、図２のトランジスタＭ８（又はＭ１１）に対応し、容量１７０は、図２の容量ＣＳ（又はＣＮ）に対応し、回路ユニット１７２は、図２のトランジスタＭ１０（又はＭ１３）に対応する。なお、ここでは、説明の容易化のため、前述の第１のユニットＵＳＨＳと第２のユニットＵＳＨＮとをまとめて示している。
【００９４】
センサＳ（１，２）の、ダイオード１６１、回路ユニット１６３、１６７及び１７３、スイッチ１６９、並びに、容量１６５及び１７１についても、センサＳ（１，１）と同様である。
【００９５】
容量１７０及び１７１は、接続部である加算用スイッチＳＷａｄｄ（ここでは、トランジスタ１７４及び１７５）によって、互いに接続されている。加算用スイッチＳＷａｄｄが導通状態になることにより、容量１７０の電圧と容量１７１の電圧との加算平均が得られ、即ち、センサＳ（１，１）及びＳ（１，２）について信号レベルの加算平均が為される。
【００９６】
図８の（Ｂ）は、センサアレイ１０における、互いに隣接するセンサＳの加算用スイッチＳＷａｄｄによる接続関係を例示している。制御信号ＡＤＤ０及びＡＤＤ１により加算用スイッチＳＷａｄｄを導通状態にすることにより、隣接センサＳ間での信号レベルの加算平均を行う。
【００９７】
例えば、制御信号ＡＤＤ０が活性化されることにより、２行×２列の４つのセンサＳについて信号レベルの加算平均が為される。これにより、センサ４個単位で信号レベルのモニタを行い、該モニタのためのフレームレートを４倍向上させることが可能である。また、例えば、制御信号ＡＤＤ０及びＡＤＤ１が活性化されることにより、４行×４列の１６個のセンサＳについて信号レベルの加算平均が為される。これにより、センサ１６個単位で信号レベルのモニタを行い、該モニタのためのフレームレートを１６倍向上させることが可能である。
【００９８】
図９は、本実施形態にかかる記録装置１００の制御方法を説明するためのタイミングチャートを示している。図中の時刻ｔ１５０〜ｔ１５６については、前述（図３）の時刻ｔ５０〜ｔ５６と同様であるため、説明を省略する。
【００９９】
時刻ｔ１９０では、イネーブル信号ＥＮをＨｉレベルにしてトランジスタＭ３及びＭ６を導通状態にし、トランジスタＭ４及びＭ７がソースフォロア動作を行う状態になる。イネーブル信号ＥＮをＨｉレベルにすると共に、制御信号ＡＤＤ０及びＡＤＤ１をＨｉレベルにして、上述の４行×４列の１６個のセンサＳについて信号レベルの加算平均が為されてもよい。
【０１００】
時刻ｔ１９１では、信号ＴＳをＨｉレベルにしてトランジスタＭ８を導通状態にすることにより、各センサＳで生じた電荷量に基づく信号レベルが容量ＣＳに保持される。その後、時刻ｔ１９２では、信号ＴＳをＬｏｗレベルにしてトランジスタＭ８を非導通状態にすることにより、該信号レベルが容量ＣＳに固定される。この間、ノイズレベルが容量ＣＮに保持されるように、信号ＴＮを活性化させてもよい。
【０１０１】
時刻ｔ１９３では、４行×４列の１６個のセンサＳを１単位とした簡易読出（図８参照）を行うため、信号ＡＤＤ０及びＡＤＤ１をＨｉレベルにする。時刻ｔ１９４では、４行×４列の１６個のセンサＳを１単位とした簡易読出による、信号レベルのモニタ動作ＭＯが為される。この簡易読出は、モニタ動作ＭＯを短い時間で行うのに有利である。モニタ動作ＭＯは、前述のとおり非破壊読出で為される。時刻ｔ１９５では、信号ＴＳ、ＡＤＤ０及びＡＤＤ１をＬｏｗレベルにする。
【０１０２】
以上の時刻ｔ１９１〜ｔ１９５のモニタ動作ＭＯは、前述（図７）のＳ１０４〜Ｓ１０６にしたがい、前述の注目センサが選択されるまでの間、繰り返し為されうる。ここでは、説明の容易化のため、該動作が３回為された時点で注目センサが選択されたものとして、その後の動作を述べる。
【０１０３】
時刻ｔ１９７〜ｔ１９８間の動作は、前述（図７）のＳ１０７〜Ｓ１１０にしたがう。時刻ｔ１９７では、注目センサが選択される。その後は、該注目センサについての信号レベルのモニタ動作ＭＯ’が繰り返し為され、全センサＳについてのモニタを行わないため、該モニタは高速かつ高精度に為されうる。その後、時刻ｔ１９８では、注目センサについての信号レベルが所定値よりも大きくなったと判断され、それに応答して、曝射許可信号１１４をＬｏｗレベル（禁止状態）にする。なお、この間、信号ＡＤＤ０及びＡＤＤ１は活性化されなくてもよい。
【０１０４】
時刻ｔ１９９では、イネーブル信号ＥＮをＬｏｗレベルにして、トランジスタＭ３及びＭ６を非導通状態にし、トランジスタＭ４及びＭ７を非動作状態にする。これにより、モニタ動作ＭＯ’を終了する。
【０１０５】
その後の時刻ｔ２６０〜ｔ２８１については、前述（図３）の時刻ｔ６０〜ｔ８１と同様であるため、説明を省略する。
【０１０６】
以上、本実施形態によると、センサＳの信号レベルのモニタを、全センサＳのうちの撮影情報に基づく一部（注目センサ）について行うことにより、モニタ動作が簡易化されうる。モニタ動作は、高速化のため、簡易読出によって為されてもよい。そして、撮影を低感度モードで行う場合においても、該注目センサが選択されるまでは各センサＳは高感度モードに設定され、注目センサが高い精度で特定されうる。注目センサが選択された後は、該注目センサについて信号レベルのモニタが為される。この方式によると、全センサＳについてのモニタ動作を行う必要がないため、モニタの高速化および高精度化にも有利である。その後、注目センサについての信号レベルが所定値よりも大きくなったとき、放射線の照射を終了させ、全センサＳからの信号読出を行えばよい。このように、本実施形態によると放射線撮像装置の高性能化に有利である
なお、本実施形態では、簡易読出が、２行×２列の４個または４行×４列の１６個のセンサＳを１単位として為される態様を例示したが、３２行×３２列や１２８行×１２８列のように１単位の数量を変更してもよい。また、該数量の変更をユーザが任意に行えるように回路が構成されてもよい。
【０１０７】
（第２実施形態）
図１０〜１２を参照しながら、第２実施形態を説明する。
【０１０８】
前述の第１実施形態によると、各センサＳで生じた電荷を蓄積している間にモニタ動作が繰り返し為されるため、センサアレイ１０を含む各ユニットの温度が上昇し、熱ノイズをもたらしうる。また、該繰り返し為されるモニタ動作によって消費電力が増大しうる。
【０１０９】
そこで、本実施形態では、注目センサについての信号レベルのモニタ結果に基づいて、該信号レベルが所定値よりも大きくなる時間を算出（又は予想）すると共に、モニタ動作を終了する。そして、該算出された時間に全センサＳからの信号読出を行うと共に放射線の照射を終了させる。本実施形態によると、第１実施形態の効果が得られる他、注目センサについてのモニタの回数が低減されるため、熱ノイズの影響が低減され、また、低消費電力化にも有利である。
【０１１０】
図１０は、本実施形態にかかる記録装置１００の制御方法を示すフローチャート図である。図中において、第１実施形態と同様の内容のステップについては第１実施形態と同じ符号を付しており、以下では、第１実施形態との差異点について説明する。
【０１１１】
Ｓ１０８で注目センサについての信号レベルをモニタした後、Ｓ２０１では、そのモニタ結果に基づいて、該信号レベルの時間依存性を算出する。具体的には、単位時間あたりの信号レベルの変化量を取得し、信号レベルの時間を変数とする一次式を算出する。
【０１１２】
Ｓ２０２では、Ｓ２０１で算出した一次式に基づいて、注目センサの信号レベルが所定値よりも大きくなる時間を算出する。
【０１１３】
ここで、図１１は、厚さが互いに異なる銅板をＸ線撮影した場合の撮像装置１００からの信号レベルを、横軸を、放射線の照射時間［ｍｓ（ｍｓｅｃ）］とし、縦軸を、該信号レベルに対応する画素値［ＬＳＢ］として示している。この図によると、放射線の照射時間と画素値とは、ほぼ比例関係になっており、信号レベルの時間依存性を一次式で算出してもよいことが分かる。
【０１１４】
Ｓ２０３では、Ｓ２０２で算出された時間が、所定時間よりも小さいか否かの判断を行い、所定時間よりも小さい場合にはＳ２０４に進み、そうでない場合にはＳ１１０に進む。なお、所定時間とは、前述（第１実施形態）と同様に、例えば、各センサＳでの電荷蓄積の時間の上限値でもよいし、放射線の照射可能な時間の上限値でもよく、仕様等に応じて任意に設定されうる。
【０１１５】
Ｓ２０４では、Ｓ２０２で算出された時間が経過したか否かの判断を行い、該算出された時間が経過した時点でＳ１１１に進む。
【０１１６】
図１２は、本実施形態にかかる記録装置１００の制御方法を説明するためのタイミングチャートを示している。図中の時刻ｔ１５０〜ｔ１５６については、第１実施形態（図９参照）と同様であるため、説明を省略する。
【０１１７】
時刻ｔ１９７〜ｔ２００間の動作は、前述（図１０）のＳ１０８、２０１及びＳ２０２にしたがう。時刻ｔ１９７では、注目センサが選択される。その後、時刻ｔ２００まで、該注目センサについての信号レベルのモニタ動作ＭＯ’が繰り返し（ここでは４回）為される。これらのモニタ結果に基づいて、注目センサについての信号レベルが所定値よりも大きくなる時刻（時刻ｔ２４０）が算出される。また、時刻ｔ２００では、イネーブル信号ＥＮをＬｏｗレベルにし、モニタ動作ＭＯ’を終了する。
【０１１８】
その後、時刻ｔ２４０では、注目センサについての信号レベルが所定値よりも大きくなったと判断され、それに応答して、曝射許可信号１１４をＬｏｗレベル（禁止状態）にする。
【０１１９】
図中の時刻ｔ２６０〜ｔ２８１については、第１実施形態（図９参照）と同様であるため、説明を省略する。
【０１２０】
以上、本実施形態によると、第１実施形態の効果が得られる他、注目センサについてのモニタの回数が低減されるため、熱ノイズの影響が低減され、また、低消費電力化にも有利である。
【０１２１】
（第３実施形態）
図１３〜１４を参照しながら、第３実施形態を説明する。
【０１２２】
第２実施形態では、選択された注目センサの信号レベルを任意の回数だけモニタし、それらのモニタ結果に基づいて、該注目センサの信号レベルが所定値よりも大きくなる時刻を算出すると共に、モニタ動作を終了した。本実施形態は、注目センサの信号レベルのモニタ結果に基づいて算出された時刻の前に、再度、該注目センサの信号レベルのモニタを行うという点で、前述の第２実施形態と異なる。本実施形態によると、熱ノイズおよび消費電力を低減しつつ、放射線の照射の終了と全センサＳからの信号読出とを、より高精度で行うことができる。
【０１２３】
図１３は、本実施形態にかかる記録装置１００の制御方法を示すフローチャート図である。図中において、第１〜第２実施形態と同様の内容のステップについては第１実施形態と同じ符号を付しており、以下では、第２実施形態との差異点について説明する。Ｓ２０３では、Ｓ２０２で算出された時間が、所定時間よりも小さいか否かの判断を行い、所定時間よりも小さい場合にはＳ３０１に進み、そうでない場合にはＳ１１０に進む。なお、所定時間は、前述同様、例えば、各センサＳでの電荷蓄積の時間の上限値でもよいし、放射線の照射可能な時間の上限値でもよく、仕様等に応じて任意に設定されうる。
【０１２４】
Ｓ３０１では、Ｓ２０２で算出された時間よりも前に、注目センサについての信号レベルのモニタ動作が再開される。その後、Ｓ１０９では、Ｓ３０１のモニタで得られた注目センサについての信号レベルが所定値よりも大きい場合にはＳ１１１に進み、そうでない場合にはＳ３０２に進む。なお、Ｓ３０１のタイミングは、Ｓ２０２で算出された時間の少し前であればよく、そのタイミングは仕様等に合せて任意に設定されてもよい。
【０１２５】
Ｓ３０２では、Ｓ１０３のリセット駆動ＲＤから所定期間が経過しているか否かの判断を行う。所定期間が経過していない場合にはＳ３０１に戻り、経過している場合にはＳ１１１に進む。
【０１２６】
図１４は、本実施形態にかかる記録装置１００の制御方法を説明するためのタイミングチャートを示している。図中の時刻ｔ１５０〜ｔ１５６については、第１実施形態（図９参照）と同様であるため、説明を省略する。また、時刻ｔ１９７〜ｔ２００間の動作は、第２実施形態（図１２参照）と同様である。
【０１２７】
時刻ｔ２３０は、第２実施形態で算出された時刻ｔ２４０よりも前の時刻である。時刻ｔ２００で、注目センサについての信号レベルのモニタ動作ＭＯ’が中断された後、時刻ｔ２３０では、前述のＳ３０１にしたがってモニタ動作ＭＯ’が再開される。そして、再開されたモニタで得られた注目センサについての信号レベルが、所定値よりも大きいか否かの判断が為される。該信号レベルが所定値よりも大きい場合には、全センサＳからの信号読出を行うと共に放射線の照射を終了させる。なお、該信号レベルが所定値より小さい場合でも、所定時間が経過したときは、全センサＳからの信号読出を行うと共に放射線の照射を終了させる。
【０１２８】
図中の時刻ｔ２６０〜ｔ２８１については、前述（第１実施形態）と同様であるため、説明を省略する。
【０１２９】
本実施形態によると、熱ノイズおよび消費電力を低減しつつ、放射線の照射の終了と全センサＳからの信号読出とを、より高精度で行うことができる。
【０１３０】
以上、３つの実施形態を述べたが、本発明はこれらの態様に限られないことは言うまでもなく、目的等に応じて、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜、変更が可能であり、他の実施形態によっても為されうる。また、本発明は、システムや装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が、各実施形態の機能を実現するためのプログラムを、ネットワークや記憶媒体を介して読み出して実行することによっても為されうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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