(57)【要約】【課題】内部に部品を効率よく配置させることが可能な光トランシーバを提供する。【解決手段】外部の光コネクタＣ１，Ｃ２を受容するレセプタクル１８と、局発光を出射するＩＴＬＡ１３と、当該局発光を変調する変調器１２とを含む光学部品と、当該光学部品を電気的に駆動する電気回路を搭載する回路基板と、当該光学部品を光学的に接続する内部ファイバＦ１〜Ｆ５と、当該光学部品、内部ファイバＦ１〜Ｆ５、及び当該回路基板を搭載する上ハウジング２とを備える。内部ファイバＦ３は、上記回路基板を挟んでレセプタクル１８と反対側において、上ハウジング２を飛び出して配線されている。【選択図】図１０
2015215402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の光コネクタを受容するレセプタクルと、局発光を出射する光源と、当該局発光を変調する変調器とを含む光学部品と、
前記光学部品を電気的に駆動する電子回路を搭載する回路基板と、
前記光学部品を光学的に接続する内部ファイバと、
前記光学部品、前記内部ファイバ、及び前記回路基板を搭載するハウジングとを備え、
前記内部ファイバは、前記回路基板を挟んで前記レセプタクルと反対側において、前記ハウジングを飛び出して配線されている、
光トランシーバ。
【請求項２】
前記ハウジングは前記反対側において壁部を備えており、当該壁部は前記内部ファイバを挿通する溝部を備える、
請求項１の光トランシーバ。
【請求項３】
前記溝部は、前記壁部の少なくとも２箇所に設けられており、
前記内部ファイバは、一方の前記溝部に挿通されて前記ハウジングの外側に引き出され、前記ハウジングの外側で折り返されて他方の前記溝部に挿通されており、
前記ハウジングの外側に引き出された前記内部ファイバは、カバーによって保護される、
請求項２に記載の光トランシーバ。
【請求項４】
前記トランシーバはさらに前記回路基板とは独立に電気プラグを備えており、
該電気プラグは、前記内部ファイバのうち前記ハウジングを飛び出して配線された部分と干渉せずに前記壁部の外部に配置されている、
請求項２に記載の光トランシーバ。
【請求項５】
前記ハウジングは前記レセプタクルを露出するフロントパネルから突出する予備空間を有し、
前記予備空間に前記内部ファイバが配置されている、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の光トランシーバ。
【請求項６】
前記予備空間には前記光学部品の少なくとも一部がさらに配置されている、
請求項５に記載の光トランシーバ。
【請求項７】
外部の光コネクタを受容するレセプタクルと、局発光を出射する光源と、前記局発光を変調する変調器とを含む光学部品と、
前記光学部品を光学的に接続する内部ファイバと、
前記光学部品及び前記内部ファイバを搭載するハウジングと、
を備え、
前記ハウジングは、前記レセプタクルを露出するフロントパネルから突出する予備空間を有し、
前記予備空間に前記内部ファイバが配置される、
光トランシーバ。
【請求項８】
前記予備空間には、前記光学部品の一部が搭載されている、
請求項７に記載の光トランシーバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光トランシーバに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＸＦＰ（10 Gigabit Small Form Factor Pluggable）規格に準拠した光トランシーバが記載されている。この光トランシーバは、金属製のハウジングを有しており、当該ハウジングの内部には、光信号を送信するＴＯＳＡと光信号を受信するＲＯＳＡと主基板とが収容されている。ＴＯＳＡとＲＯＳＡとは、主基板に搭載された電気回路にフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）基板を介して電気的に接続されている。
【０００３】
特許文献２には、ＣＦＰ（Centum Form factor Pluggable）規格の光トランシーバが記載されている。ＣＦＰ規格の光トランシーバは業界の一標準（ＭＳＡ）として知られている。ＭＳＡが制定された当初は、１０Ｇｂｐｓ×１０又は２５Ｇｂｐｓ×４の構成で総計１００Ｇｐｓの光伝送を行うことが意図されていた。ＣＦＰ規格に準拠する光トランシーバの筐体の大きさは、１０レーン又は４レーンの電気部品を内部に搭載する必要上、長さ１４４ｍｍ×幅７５ｍｍ×高さ１３．５ｍｍとなっており、従前のＭＳＡで規定された光トランシーバ（ＳＦＰ、ＸＦＰ、Ｘ２等）と比較して、特に平面サイズが大きく設定されている。
【０００４】
また、光トランシーバでは、伝送周波数を増加させる努力とは別に、振幅変調と他の変調方式とを併用して総伝送容量を高める努力がなされている。他の変調方式としては、偏波モード変調、位相変調、又は偏波（Polarization Modulation）と位相（phase modulation）と振幅とを相互に組み合わせた変調が挙げられる。この偏波、位相及び振幅を相互に組み合わせた変調方式は、いわゆるコヒーレント方式による伝送モードとして知られている。コヒーレント方式では、光の位相情報が伝送に利用される。また、局発信号との位相差における０°成分と９０°成分の信号強度に対して、それぞれ１又は０の状態を作成及び検知し、この作成及び検知を偏波成分０°及び９０°について行うことによって、４倍の伝送容量を確保する。この方式は、ＤＰ−ＱＰＳＫ（Dual Polarization Quadrature Phase Shift Keying）と呼ばれる。
【０００５】
ＤＰ−ＱＰＳＫ又は一般的なコヒーレント方式では、局発光の安定化（低位相ジッタ）と変調器の小型化とが求められている。良好な位相変調特性を確保するためには、ＬＤ光源から出射された光に外部変調方式で変調を加えることが必須である。また、差動光信号として伝送を行うことが伝送距離の延長には有利であり、差動光を得るにはＭＺ（Mach-Zender）変調器を用いるのが効率的である。ＭＺ変調器は２本のアーム導波路を有しており、２本のアーム導波路における光学特性の均一化が容易であるためである。
【０００６】
ただし、ＭＺ変調器の母材として石英を採用した場合には、ＬＮ（Lithium niobate、強誘電体）の電気光学係数が小さいため、変調度を確保すべくアーム導波路の長さ（アーム長）を長くしなければならない。また、変調に必要な電気信号の強度を大きくする必要がある。この強度はアーム長との関係によって決定される。すなわち、電気信号の強度が小さい場合には所定の変調度を確保するためにアーム長を確保して電気光相互作用領域を長くする必要があり、一方、電気信号の強度を大きく設定できる場合にはアーム長を短くすることができる。また、ＭＺ変調器の母材として光透過材料であるＬＮを用いた場合には、光学ロスを小さくすることができる。
【０００７】
一方、母材として半導体を採用したＭＺ変調器（半導体ＭＺ変調器）も知られている。半導体を採用した変調器では、ＬＮと比較して半導体の屈折率が大きいので（ＬＮの屈折率の最大２．５倍程度）変調器全体を小型化させることができる。また、半導体の電気光効果はＬＮの電気光効果よりも高いので、ＭＺ変調器のアーム長を短くすることができ、装置全体をコンパクトに形成することが可能となる。しかしながら、ＭＺ導波路の単一モード性を確保するためにはＭＺ導波路を小さくしなければならず、変調器の外部との光結合において大きな結合損失を生じるという問題がある。
【０００８】
また、上述したＤＰ−ＱＰＳＫ方式を採用したコヒーレントトランシーバでは、筐体の内部に、Ｔｘ側の光源（４チャンネル分のＤＣ光）と、変調器と、ＩＣＲ（Integrated Coherent Receiver）側の４チャンネル分の受信器と、局発光源とを搭載しなければならない。ここで、上述したように、半導体ＭＺ変調器を採用すると、小型化の実現は可能となるが、結合ロスが大きいという問題がある。一方、ガラス製の変調器（ＬＮ変調器）では、装置が大型化する問題、又は変調駆動信号の振幅を高めなければならないという問題が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−１４２８１５号公報
【特許文献２】特開２０１３−１５６４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ＣＦＰ規格に準拠する光トランシーバでは、ハウジングの大きさが定められており、決められた大きさのハウジングの中にＩＣＲ及びＩＴＬＡ（Intelligent Tunable Laser Assembly）等、多くの部品を効率よく配置する必要がある。また、上述したＬＮ変調器は、適切な変調度とすべく長い光路を形成する必要があるので細長い形状となり、このようなＬＮ変調器も上記のハウジングの内部に搭載しなければならない。更に、上述した光トランシーバでは、各部品を光ファイバで連結させた光学回路を内部に形成しなければならない。光ファイバは、曲げ径をある程度確保した状態で搭載しなければならないので、光トランシーバの内部には、このような光ファイバを効率よく配置する必要もある。
【００１１】
本発明は、内部に部品を効率よく配置させることが可能な光トランシーバを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一形態による光トランシーバは、外部の光コネクタを受容するレセプタクルと、局発光を出射する光源と、当該局発光を変調する変調器とを含む光学部品と、光学部品を電気的に駆動する電子回路を搭載する回路基板と、光学部品を光学的に接続する内部ファイバと、光学部品、内部ファイバ、及び回路基板を搭載するハウジングとを備え、内部ファイバは、回路基板を挟んでレセプタクルと反対側において、ハウジングを飛び出して配線されている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一形態では、内部に部品を効率よく配置させることが可能な光トランシーバを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態に係る光トランシーバを示す斜視図である。
【図２】図１の光トランシーバから上ハウジングを外した状態を示す斜視図である。
【図３】図２に示されるＩＣＲ付近を拡大させた斜視図である。
【図４】図１の光トランシーバから下ハウジングを外した状態を示す斜視図である。
【図５】図１の光トランシーバの機能を示すブロック図である。
【図６】ＩＴＬＡを示す斜視図である。
【図７】ＩＴＬＡの機能を説明するための図である。
【図８】（ａ）はＩＣＲの機能を示すＩＣＲの断面図であり、（ｂ）はＩＣＲの機能を示す図である。
【図９】上ハウジング、下ハウジング及びフロントパネルを示す斜視図である。
【図１０】上ハウジングの内部に位置する内部ファイバと、上ハウジングの後端で内部ファイバを保護するカバーとを示す斜視図である。
【図１１】上ハウジングの後壁付近を拡大させた斜視図である。
【図１２】図１１の後壁とファイバを挿通させる溝部とを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る光トランシーバの実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１６】
図１は、本実施形態に係る光トランシーバ１の外観を示す斜視図である。光トランシーバ１は、ＣＦＰ規格に準拠するコヒーレントトランシーバである。光トランシーバ１は、上ハウジング（ハウジング）２と、下ハウジング（ハウジング）３と、２本のねじ４と、フロントパネル５とを備えている。以下では、図面において「前後方向」、「上下方向」及び「左右方向」の語を用いるが、これらの語は図示する状態に基づく便宜的なものである。以下の説明において、上方向は下ハウジング３から見て上ハウジング２が設けられる方向であり、前方向は上ハウジング２及び下ハウジング３から見てフロントパネル５が設けられる方向であり、左右方向は２個のねじ４が並設される方向である。
【００１７】
上ハウジング２及び下ハウジング３は、金属製（金属ダイキャスト製）である。上ハウジング２及び下ハウジング３の後端からフロントパネル５の前端までの長さは１４４ｍｍ、フロントパネル５の左右方向の長さは７５ｍｍである。フロントパネル５における左右方向の両側部分には、２本のねじ４がフロントパネル５から前方に突き出ている。ねじ４は、光トランシーバ１をホストシステムのケージに取り付けるためのものである。
【００１８】
図２は、光トランシーバ１の内部における各部品の配置を示す図である。図３は、光トランシーバ１の内部におけるＩＣＲ１５付近を拡大させた斜視図である。図４は、光トランシーバ１から下ハウジング３を外した状態を示す斜視図である。図２〜図４に示されるように、ねじ４は、上ハウジング２及び下ハウジング３の内部を通ると共に、下ハウジング３の内部に形成された凹部３ａ（図９参照）に載置される。
【００１９】
ねじ４の後端部４ａは、光トランシーバ１の後端に位置する電気プラグ６の両脇において後方に突き出ることとなる。光トランシーバ１の電気プラグ６には、信号用のピンと電源用のピンとが設けられており、合計１４８個のピンが配置されている。電気プラグ６における各ピンのピッチは０．８ｍｍである。左右方向に並ぶ１４８個のピンは、電気プラグ６の両脇に設けられた２本のねじ４をホストシステムの筐体に形成された孔部に係合させることにより、ホストシステムに接続される。
【００２０】
上ハウジング２と下ハウジング３とによって囲まれる光トランシーバ１の内部空間には、電気信号を出力する２個のドライバ１１と、変調器１２と、ＩＴＬＡ（Intelligent Tunable Laser Assembly）１３と、偏波保持カプラ（ＰＭＣ：Polarization MaintainingCoupler）１４と、ＩＣＲ（Integrated Coherent Receiver）１５と、ＤＳＰ（Digital Signal Processing）１６と、セミリジットケーブル１７と、レセプタクル１８とが搭載されている。また、光トランシーバ１の内部空間には、レセプタクル１８とＩＴＬＡ１３と変調器１２とを含む光学部品を電気的に駆動する電子回路を搭載する回路基板が設けられている。なお、電気プラグ６は、上記回路基板とは独立に設けられている。
【００２１】
光トランシーバ１の内部空間において、細長く延びる直方体状の変調器１２は、ドライバ１１の側方で光トランシーバ１の長手方向（前後方向）に延在している。変調器１２とドライバ１１とは、４本のセミリジットケーブル１７を介して接続されている。セミリジットケーブル１７は、銅等の金属によって被覆された同軸ケーブルである。セミリジットケーブル１７は、自由に加工が可能であり且つ加工後にセミリジットケーブル１７の形状が維持される。よって、上ハウジング２及び下ハウジング３によって形成された内部空間へのセミリジットケーブル１７の配置を柔軟に行うことが可能となっているので、各部品の効率的な配置に寄与する。
【００２２】
また、光トランシーバ１の内部には、５本の内部ファイバＦ１〜Ｆ５が配置されている。これらの内部ファイバＦ１〜Ｆ５は、変調器１２、ＩＴＬＡ１３、偏波保持カプラ１４、ＩＣＲ１５及びレセプタクル１８を相互に光接続するためのものである。変調器１２は、変調器１２から前方に伸びると共に後方に折り返される内部ファイバＦ１（後に詳述）を介してレセプタクル１８に接続されている。また、変調器１２によって変調された４本の光信号は、変調器１２の内部で合波されてレセプタクル１８に受容された光コネクタＣ１から出力される。一方、光コネクタＣ２から光トランシーバ１には外部からの入力信号光が入力される。
【００２３】
レセプタクル１８は、フロントパネル５から前方に露出している。このレセプタクル１８は、レセプタクル１８から後方に伸びて上ハウジング２及び下ハウジング３の内部を一周する内部ファイバＦ２（後に詳述）を介してＩＣＲ１５に接続されている。光コネクタＣ２から入力された入力信号光は、内部ファイバＦ２を介してＩＣＲ１５に入力される。
【００２４】
ＩＴＬＡ１３は、フロントパネル５の開口５ａを貫通して前後方向に延在している。偏波保持カプラ１４は、レセプタクル１８の後方且つＩＣＲ１５の左側で前後方向に延在している。ＩＣＲ１５は、ドライバ１１における変調器１２の反対側（ドライバ１１の左側）に設けられている。ＤＳＰ１６は、ＩＣＲ１５の後方に位置している。レセプタクル１８は、開口５ａを貫通した状態で光コネクタＣ１，Ｃ２を受容する。
【００２５】
図５は、光トランシーバ１の機能を示すブロック図である。図５における中抜き線は光の経路を示し、図５における実線は電気信号の経路を示している。ＩＴＬＡ１３は、波長可変ＬＤモジュールであり、局発光を出射する光源として機能する。ＩＴＬＡ１３から出射される局発光の波長は、１．５５μｍ帯に属し、１．５３μｍ〜１．５７μｍ程度である。
【００２６】
図６に示されるように、ＩＴＬＡ１３は、チューナブルＬＤ１３Ａと、放熱板１３Ｂと、制御基板１３Ｃと、制御ＦＰＣ接続コネクタ１３Ｄとを備えている。チューナブルＬＤ１３Ａからは後方（図６に示される矢印の方向）に局発光が出力される。制御基板１３Ｃ及び制御ＦＰＣ接続コネクタ１３ＤにはＦＰＣが接続され、このＦＰＣを介してＩＴＬＡ１３は光トランシーバ１内の基板に接続される。また、図７に示されるように、ＩＴＬＡ１３の内部には、ＬＤ（Laser Diode）１３ａと、波長ロッカ１３ｂと、エタロン１３ｃと、モニタＰＤ１３ｄ，１３ｅとが内蔵されている。ＬＤ１３ａは高精度に温度制御される。ＩＴＬＡ１３から出力される局発光のスペクトル幅は、１００ｋＨｚ以下程度に抑えられている。また、局発光の波長が１．５５μｍ帯に属する場合には局発光の周波数が１９５ＴＨｚ程度となるので、周波数が１００ｋＨｚに属する場合におけるスペクトル幅は５．０×１０−８程度となる。
【００２７】
このようなＩＴＬＡ１３から出力される局発光は、図５に示されるように、偏波保持カプラ１４によって、偏光方向が維持されると共に分離される。偏波保持カプラ１４によって分離された一方の局発光は変調器１２に入力され、他方の局発光はＩＣＲ１５に入力される。変調器１２は、ＬＮ（Lithium niobate、強誘電体）で構成されたＬＮ変調器である。変調器１２は、ＩＴＬＡ１３から偏波保持カプラ１４を介して入力された局発光を、ドライバ１１から出力された電気信号に従って変調する。この電気信号の周波数は、例えば、１０ＧＨｚ、２５ＧＨｚ又は４０ＧＨｚである。上述した４本のセミリジットケーブル１７は、それぞれ電気信号ＱＸ、ＱＹ、ＩＸ、ＩＹに対応している。電気信号ＱＸ，ＱＹ、ＩＸ、ＩＹは、それぞれ各偏光の実部及び虚部に対応する信号である。
【００２８】
ＩＣＲ１５（受信ユニット）は、偏波保持カプラ１４によって分離された局発光が入力され、この局発光とレセプタクル１８に受容された光コネクタＣ２から入力される入力信号光との間で積演算を行い、入力信号光の位相情報を検出する。また、ＩＣＲ１５は、信号光の送受信を行う光モジュールとして機能する。ＩＣＲ１５の内部では光学的演算（積演算）が行われるので２つの偏波成分が必要である。
【００２９】
図８（ａ）に示されるように、ＩＣＲ１５は、ＩＴＬＡ１３から偏波保持カプラ１４を介して入力された局発光の偏波を９０°回転させるため２個のλ／２素子１５Ａを内蔵している。また、ＩＣＲ１５は、ＶＯＡ１５ａと、２個のディレイ回路１５ｂと、２個のハイブリッド回路１５ｃと、２個のアンプ１５ｄとを備えている。λ／２素子１５Ａでは、その結晶軸と入力光の偏波方向とが４５°の角度のときに偏波を９０°回転させる機能を有するので、局発光の偏波方向を特定させる必要がある。そこで、ＩＴＬＡ１３からＩＣＲ１５に至る光学経路には偏波を保持させる素子が挿入される。
【００３０】
ＩＣＲ１５には、ＩＴＬＡ１３から偏波保持カプラ１４を介して局発光が入力されており、図８（ｂ）に示されるように、ＩＣＲ１５の内部で入力光信号のＩＸ、ＱＸ、ＩＹ、ＱＹの各成分に対応する４つの電気信号が生成される。ＩＣＲ１５の内部で生成された電気信号はＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、４つの電気信号を再生して受信データを回復させる機能を有する。また、ＤＳＰ１６は、４つの電気信号の位相乱れ等を補償する機能を有し、１０×１０ＧＨｚの送信データを再生し、この送信データを電気プラグ６を介してホストシステムに伝送する。
【００３１】
ところで、変調器１２、ＩＴＬＡ１３及びＩＣＲ１５では、多数のバイアス信号が必要とされる。例えば変調器１２の場合、変調電極に加えて、位相補償電極、差動バランス電極、及び各アーム導波路を伝播する光信号のモニタ電極等が必要である。ＩＴＬＡ１３の場合には、２つの波長可変ミラーの温度を制御する電極、活性層バイアス電極、波長可変ＬＤ全体の温度を制御するためのＴＥＣ電極、並びに、出射光の強度及び波長のモニタ結果を出力する電極等が必要である。ＩＣＲ１５では、内蔵する８個のＰＤへのバイアス電極、プリアンプの利得調整電極等が必要である。
【００３２】
図９は、上ハウジング２、下ハウジング３及びフロントパネル５の分解斜視図である。上ハウジング２の内面における左右方向の両側には、ねじ４を載置するための凹部２Ａが形成されている。凹部２Ａは、上ハウジング２の前端から後端にまで延在しているので、ねじ４は、上ハウジング２を前後方向に貫通するように凹部２Ａに載置される。上ハウジング２の前端には前側に突出する突出部２Ｂが設けられており、突出部２Ｂの内部には予備空間Ｓ１が形成されている。突出部２Ｂは、下ハウジング３の前端において前側に突出する蓋部３Ａによって封止される。突出部２Ｂのフロントパネル５からの飛び出しの程度は、光コネクタＣ１，Ｃ２から光トランシーバ１の外部に伸びる光ファイバの取り回しに影響を与えない程度である。この程度のフロントパネル５からの飛び出しは、当該光トランシーバ１の実使用に影響を与えない。
【００３３】
図１０に示されるように、上ハウジング２の突出部２Ｂに設けられた予備空間Ｓ１には、変調器１２の前端部とＩＴＬＡ１３の一部（前側部分）とが配置される。上ハウジング２における突出部２Ｂの高さと下ハウジング３における蓋部３Ａの厚さとの和は、図９に示されるフロントパネル５の高さよりも小さくなっている。よって、下ハウジング３の蓋部３Ａで封止された上ハウジング２の突出部２Ｂは、フロントパネル５の開口５ａに挿通され、フロントパネル５から前方に突出される。
【００３４】
図１０及び図１１に示されるように、上ハウジング２は、上ハウジング２の後端において後方に突出する板状の突出部（庇）２Ｃと、上ハウジング２の後側で左右方向に延在する後壁２Ｄ（壁部）と、を有する。前後方向における上ハウジング２の後壁２Ｄの位置は、前後方向における下ハウジング３の後端３Ｂ（図９参照）の位置に相当する。後壁２Ｄ上には電気プラグ６が搭載される。この突出部２Ｃは、誤って光トランシーバ１を落下させてしまった際に、電気プラグ６を保護する機能を有する。なお、電気プラグ６は、後述する内部ファイバＦ３のうち上ハウジング２を飛び出して配線された部分と干渉せずに後壁２Ｄの外部に配置されている。
【００３５】
後壁２Ｄは、左右方向に延在する溝部２ｂを備えており、この溝部２ｂには電気プラグ６を上ハウジング２に固定するための部材が挿入される。上ハウジング２において、後壁２Ｄは、左右方向中央部に形成されて前後方向に貫通する溝部２ｃと、右側（変調器１２側）の端部に形成されて前後方向に貫通する溝部２ｄとを有する。左右方向における変調器１２の位置と溝部２ｄの位置とは整合している。溝部２ｃ，２ｄは、上ハウジング２の底部近傍にまで達している。溝部２ｃ，２ｄには、光トランシーバ１に搭載される内部ファイバＦ３（後に詳述）が挿通される。
【００３６】
溝部２ｃ，２ｄ内には、偏波保持カプラ１４から後方に伸び出し変調器１２に向かう内部ファイバＦ３が設置される。具体的には、内部ファイバＦ３は、偏波保持カプラ１４の後側から後方に伸び、上ハウジング２内における左右方向中央付近で折り返されてからマイクロコネクタ１９を介して前方に伸び、突出部２Ｂの予備空間Ｓ１で再度折り返されてから後方に伸び、変調器１２の脇を通過して溝部２ｃに入り込み、突出部２Ｃで折り返されて溝部２ｄに入り込んでから変調器１２の後側に接続される。また、ＩＴＬＡ１３が出射した局発光は、内部ファイバＦ４を伝播する。この内部ファイバＦ４は、ＩＴＬＡ１３の後側から後方に伸び、変調器１２付近で２周回されてから偏波保持カプラ１４の前側に接続される。
【００３７】
また、偏波保持カプラ１４の後端に接続されて偏波保持カプラ１４から後方に伸びる内部ファイバＦ５は、上ハウジング２の後側で左右方向に伸び、変調器１２の側方を通って上ハウジング２内の前側で再び折り返されてからＩＣＲ１５の前端に位置するプラグＰに接続される。レセプタクル１８の光コネクタＣ２から後方に伸びる受信光用の内部ファイバＦ２は、上ハウジング２の中央空間の両側部において大きく一周回されてからＩＣＲ１５の前端に位置する信号コネクタＣ３に接続される。
【００３８】
また、変調器１２の前端に位置する出力端子１２Ａから前方に伸びる内部ファイバＦ１は、予備空間Ｓ１で折り返されてから上ハウジング２の中央部付近を通り、上ハウジング２の後側で再度折り返されてからレセプタクル１８の光コネクタＣ１の後方に位置する出力側端子１８Ａに接続される。なお、偏波保持カプラ１４から伸びる３本の内部ファイバＦ３，Ｆ４，Ｆ５のうち、ＩＣＲ１５と接続されている内部ファイバＦ５を除く２本の内部ファイバＦ３，Ｆ４については、途中にマイクロコネクタ１９が接続されているので、偏波保持カプラ１４の交換を容易に行うことが可能となっている。
【００３９】
更に、上ハウジング２の突出部２Ｃ上に配線された内部ファイバＦ３を保護するため、突出部２Ｃにおける内部ファイバＦ３が通る箇所の上部に金属製のカバー２０が設けられる。このカバー２０は、３箇所に二等辺三角形状となるように爪部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを有している。これらの爪部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃは、図１１及び図１２に示されるように、突出部２Ｃに形成された孔部２ｅ，２ｆ，２ｇにそれぞれ係合することによって、突出部２Ｃ上に取り付けられる。このように爪部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを孔部２ｅ，２ｆ，２ｇに係合させるだけで簡単にカバー２０を上ハウジング２に取り付けることができ、上ハウジング２の突出部２Ｃ上に位置する内部ファイバＦ３を保護する構造を簡易にすることができる。
【００４０】
また、上ハウジング２の突出部２Ｃにおける内部ファイバＦ３が通る領域Ｓ２は、半円状に切り欠かれることによって形成されており、この領域Ｓ２の外周に沿うように内部ファイバＦ３が通される。この領域Ｓ２の外縁の曲率は１５ｍｍよりも大きくなっており、内部ファイバＦ３を領域Ｓ２の外縁に当てるように配置すれば必然的に内部ファイバＦ３の曲げ径が１５ｍｍよりも大きくなる。従って、内部ファイバＦ３を領域Ｓ２の外縁に沿うように配置するだけで簡単に内部ファイバＦ３の曲げ径を大きくすることができ、内部ファイバＦ３に過剰な応力が生じる事態を簡単に回避することができる。
【００４１】
以上、本実施形態の光トランシーバ１では、上ハウジング２がフロントパネル５から突出する予備空間Ｓ１を有している。よって、図１０に示されるように、予備空間Ｓ１に変調器１２の前端部とＩＴＬＡ１３の一部とを配置しているように、予備空間Ｓ１を、各部品や内部ファイバを配置するためのスペースとして有効利用することができる。すなわち、光トランシーバ１では、細長い形状を有する変調器１２、ＩＴＬＡ１３及びＩＣＲ１５等、多くの部品を効率よく配置することが可能となっており、内部ファイバＦ１〜Ｆ５も効率よく配置されている。従って、光トランシーバ１では、内部に部品を効率よく配置することができる。なお、本実施形態では、予備空間Ｓ１に変調器１２の前端部とＩＴＬＡ１３の一部とを配置したが、この配置に限られず、予備空間Ｓ１には、変調器１２、ＩＴＬＡ１３、偏波保持カプラ１４及びＩＣＲ１５の少なくともいずれかが配置されていればよい。
【００４２】
また、光トランシーバ１では、図１０に示されるように、上ハウジング２における予備空間Ｓ１の反対側に後壁２Ｄが設けられており、後壁２Ｄは、内部ファイバＦ３が挿通される溝部２ｃ，２ｄを備える。そして、内部ファイバＦ３は、一方の溝部２ｃに挿通されると共に上ハウジング２の外側に引き出され、上ハウジング２の外側で折り返されて他方の溝部２ｄに挿通される。このように後壁２Ｄの溝部２ｃ，２ｄに内部ファイバＦ３を挿通させることによって、内部ファイバＦ３を配置するスペースとして、上ハウジング２の内外を有効利用することができる。
【００４３】
また、上ハウジング２の外側に引き出された内部ファイバＦ３は、カバー２０によって保護される。カバー２０は、上ハウジング２に形成された孔部２ｅ，２ｆ，２ｇに係合する爪部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを有し、爪部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃが孔部２ｅ，２ｆ，２ｇに係合することによって、上ハウジング２に装着される。よって、上ハウジング２の外側に引き出された内部ファイバＦ３をカバー２０によって保護することができる。また、上ハウジング２にカバー２０を装着させる構造が爪部２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃと孔部２ｅ，２ｆ，２ｇによって構成されるため、カバー２０の装着構造を簡易にすることができる。
【００４４】
以上、本発明に係る好適な実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能であることは、当業者によって容易に認識される。
【符号の説明】
【００４５】
１…光トランシーバ、２…上ハウジング、２Ａ…凹部、２Ｂ，２Ｃ…突出部、２Ｄ…後壁、２ｂ，２ｃ，２ｄ…溝部、３…下ハウジング、３Ａ…蓋部、３Ｂ…後端、４…ねじ、４ａ…後端部、５…フロントパネル、５ａ…開口、６…電気プラグ、１１…ドライバ、１２…変調器、１３…ＩＴＬＡ、１４…偏波保持カプラ、１５…ＩＣＲ（光モジュール）、１５Ａ…λ／２素子、１６…ＤＳＰ、１７…セミリジットケーブル、１８…レセプタクル、１９…マイクロコネクタ、２０…カバー、２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ…爪部、Ｃ１，Ｃ２…光コネクタ、Ｃ３…信号コネクタ、Ｆ１〜Ｆ５…内部ファイバ、Ｐ…プラグ、Ｓ１…予備空間、Ｓ２…領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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