(57)【要約】【課題】非可逆回路素子において、良品率や信頼性の低下を招くことなく軟磁性体部での磁界強度を調整し、従来よりも小型化しても良好な高周波特性を実現する。【解決手段】  アイソレータ１は、中心導体３７，３８とソフトフェライト３６と磁石部３１，３２とを備えている。中心導体３７，３８は、それぞれ伝送線路に接続されている。ソフトフェライト３６は、中心導体３７，３８に近接している。磁石部３１，３２は、ソフトフェライト３６および中心導体３７，３８に対向する磁極面を有しており、磁化部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃと磁化部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃとを備えている。ソフトフェライト３６の中央部に対向させた磁化部４１Ｂ，４２Ｂと、ソフトフェライト３６の外縁部に対向させた磁化部４１Ａ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｃとは、単位体積あたりの磁石の強さが異なっている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体を備える導体部と、
前記導体部に近接して設けられる軟磁性体部と、
前記軟磁性体部および前記導体部に対向する磁極面を有する磁石部と、
を備え、
前記磁石部は、単位体積あたりの磁石の強さが互いに異なる第１の磁化部と第２の磁化部とを備え、前記第１の磁化部を、少なくとも前記軟磁性体部の中央部に対向させ、前記第２の磁化部を、前記軟磁性体部の外縁部に対向させている、
非可逆回路素子。
【請求項２】
前記第２の磁化部と前記第１の磁化部とは、飽和磁化が異なる硬磁性材料からなる、
請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記磁石部は、前記磁極面に段差が形成されている、
請求項１または２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記第２の磁化部における単位体積当たりの磁石の強さは、前記第１の磁化部における単位体積当たりの磁石の強さよりも大きく、
前記第１の磁化部の前記磁極面側の磁極性と、前記第２の磁化部の前記磁極面側の磁極性とが一致している、
請求項１〜３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記磁石部として、前記軟磁性体部を間に挟んで互いに対向する第１の磁石部と第２の磁石部とを備える、
請求項１〜４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記軟磁性体部はソフトフェライトである、
請求項１〜５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記第１の磁化部および前記第２の磁化部は、それぞれ平板状であり、２つの第２の磁化部の間に第１の磁化部が配置されている、
請求項１〜６のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記第２の磁化部は、前記第１の磁化部の周りを前記磁極面の外縁部に沿って囲むように設けられている、
請求項１〜６のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
前記導体部は、前記軟磁性体部における前記磁石部との対向面にて、互いに絶縁体を介して交差する第１の導体および第２の導体を備える、
請求項１〜８のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
前記導体部は、前記軟磁性体部における前記磁石部との対向面にて、互いに絶縁体を介して交差する３つ以上の導体を備える、
請求項１〜８のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を特定方向にのみ伝送するアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来の非可逆回路素子（アイソレータ）１０１の分解斜視図である。ここで、非可逆回路素子１０１の左右方向に沿う軸をＸ軸、前後方向に沿う軸をＹ軸、上下（高さ）方向に沿う軸をＺ軸とする直交座標系を付記している。
【０００３】
非可逆回路素子１０１は、例えば、高周波信号を伝送する複数の伝送線路の中心導体に接続される導体部１０２と、導体部１０２に近接するように設けられているフェライト１０３と、接着部１０６，１０７と、導体部１０２およびフェライト１０３を挟み込むように配置されている永久磁石１０４，１０５と、を備えている。永久磁石１０４と永久磁石１０５とは、互いにＮ極面とＳ極面とで対向しており、接着部１０６，１０７を介して、導体部１０２およびフェライト１０３を挟み込むことで、導体部１０２およびフェライト１０３に対して略垂直に静磁場を印加している。
【０００４】
永久磁石１０４，１０５のＮ極面やＳ極面（以下、単に磁極面という。）から生じる静磁場は、磁極面の外縁部近傍では磁極面に対して非垂直となる。これにより、フェライト１０３の外縁部では、磁極面に対して垂直な方向の磁界強度（以下、Ｙ軸方向磁界強度という。）が強くなり、フェライト１０３の外縁部では、Ｙ軸方向磁界強度が弱くなる。
【０００５】
図９は、フェライト１０３での磁界強度分布を説明する図である。
【０００６】
図９（Ａ）は、非可逆回路素子１０１のＺ軸寸法（高さ寸法）を１０００μｍに設定し、Ｚ軸方向の中央を０μｍに設定した第１の従来例において、フェライト１０３におけるＹ軸方向磁界強度のＺ軸方向での分布を示すグラフである。該従来例では、フェライト１０３のＺ軸方向の中央部でＹ軸方向磁界強度がおよそ均等に分布しているが、フェライト１０３のＺ軸方向の外縁部でＹ軸方向磁界強度が急峻に立ち下がるように分布している。
【０００７】
図９（Ｂ）は、非可逆回路素子１０１のＺ軸寸法（高さ寸法）を５００μｍに設定し、Ｚ軸方向の中央を０μｍに設定した第２の従来例において、フェライト１０３におけるＹ軸方向磁界強度のＺ軸方向での分布を示すグラフである。該従来例では、フェライト１０３のＺ軸方向の外縁部でＹ軸方向磁界強度が立ち下がるように分布している領域の割合が第１の従来例よりも広がり、Ｚ軸方向の中央部でＹ軸方向磁界強度がおよそ均等に分布している領域の割合が第１の従来例よりも狭まっている。
【０００８】
図９（Ｃ）は、非可逆回路素子１０１のＺ軸寸法（高さ寸法）を３００μｍに設定し、Ｚ軸方向の中央を０μｍに設定した第３の従来例において、フェライト１０３におけるＹ軸方向磁界強度のＺ軸方向での分布を示すグラフである。該従来例では、フェライト１０３のＺ軸方向の外縁部でＹ軸方向磁界強度が立ち下がるように分布している領域の割合が第１の従来例や第２の従来例よりも広がり、Ｚ軸方向の中央部でＹ軸方向磁界強度がおよそ均等に分布している領域がほとんど生じていない。
【０００９】
このように、非可逆回路素子１０１の磁極面の寸法が小さいほど、フェライト１０３でのＹ軸方向磁界強度のＺ軸方向での分布の均等性は損なわれる。すると、非可逆回路素子１０１で適正なアイソレーション性能が得られる帯域が狭くなって、非可逆回路素子１０１の挿入損失が増大し易くなる等の問題が生じてしまう。
【００１０】
そこで、非可逆回路素子においてフェライトでの磁界強度分布の均等性を高める技術が提供されている（例えば特許文献１参照）。
【００１１】
図１０は、従来の非可逆回路素子（アイソレータ）１５１の分解斜視図である。該非可逆回路素子１５１は、導体部１０２と、フェライト１０３と、接着部１０６，１０７と、永久磁石１５４，１５５と、を備えている。永久磁石１５４，１５５は、接着部１０６，１０７を介して、導体部１０２およびフェライト１０３を挟み込むように配置されており、導体部１０２およびフェライト１０３に対向する磁極面におけるＺ軸方向での中央部付近およびＺ軸方向での外縁部付近は平坦であり、該磁極面とは反対側の磁極面におけるＺ軸方向での中央部付近とＺ軸方向での外縁部付近との間には段差１５６が形成されている。このように段差１５６が形成されているために、永久磁石１５４，１５５の磁極面間の厚みは、磁極面の中央部で薄く、磁極面の外縁部で厚くなっている。
【００１２】
通常、磁石の強さは、磁極面間の厚みが厚いほど強くなり、磁極面間の厚みが薄いほど弱くなる。したがって、上述の非可逆回路素子１５１においては、永久磁石１５４，１５５の外縁部で磁極面間を厚くし、永久磁石１５４，１５５の中央部で磁極面間を薄くすることにより、フェライト１０３の外縁部でのＹ軸方向磁界強度を補強し、これによりＹ軸方向磁界強度のＺ軸方向での分布の均等性を高めて適正なアイソレーション性能が得られる帯域を広げ、非可逆回路素子１０１の挿入損失が増大することを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】国際公開第２００９／０６９３６０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来の非可逆回路素子１５１では、永久磁石１５４，１５５の磁極面に段差が設けられているため、永久磁石１５４，１５５にチッピングや欠け等の破損が生じ易くなる。したがって、製造時に永久磁石１５４，１５５が破損して良品率が低下することや、使用時に永久磁石１５４，１５５が破損して信頼性が低下することがあった。
【００１５】
また、従来の非可逆回路素子１５１では、永久磁石１５４，１５５を小型化しようとすると、フェライト１０３での磁界強度分布の均等性を維持するために、磁極面の段差を大きくしなければならなかった。このため、永久磁石１５４，１５５を小型化するほど、前述のように永久磁石１５４，１５５は破損し易くなってしまっていた。
【００１６】
また、従来の非可逆回路素子１５１では、永久磁石１５４，１５５を更に小型化すると、磁極面の段差を大きくしてもフェライト１０３での磁界強度の変化が小さくなり、フェライト１０３での磁界強度分布の均等性を維持できないことがあった。
【００１７】
そこで本発明は、良品率や信頼性の低下を招くことなく磁界強度分布を調整することができ、従来よりも小型化しても、良好な高周波特性を実現できる非可逆回路素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る非可逆回路素子は、導体部と軟磁性体部と磁石部とを備えている。軟磁性体部は、導体部に近接して設けられている。磁石部は、軟磁性体部および導体部に対向する磁極面を有しており、単位体積あたりの磁石の強さが異なる第１の磁化部と第２の磁化部とを備えている。第１の磁化部は、軟磁性体部の中央部に対向させ、第２の磁化部は、軟磁性体部の外縁部に対向させる。なお、この発明でいう「単位体積あたりの磁石の強さ」とは、単位体積あたりの磁気モーメントのベクトル和の物理量として定義される「磁気分極」や、磁気分極を真空の透磁率で除した物理量として定義される「磁化」などと等価な概念である。
【００１９】
この構成では、各磁化部の単位体積あたりの磁石の強さを異ならせることにより、軟磁性体部での磁界強度を調整することができ、磁石部の磁極面に段差を設けて厚みを調整する必要が無くなる。また、非可逆回路素子を更に小型化しても、各磁化部の単位体積あたりの磁石の強さを調整することで、軟磁性体部での磁界強度分布を調整できる。
【００２０】
なお、第２の磁化部と第１の磁化部とは、飽和磁化が異なると好適である。飽和磁化とは、磁性体を最大限に着磁させて磁束密度が飽和された場合の磁石の強さを表わす物性値である。これにより、各磁化部を磁束密度が飽和するまで着磁させて、各磁化部の単位体積あたりの磁石の強さを異ならせることができ、磁化部を個別に着磁処理する必要が無くなり、磁石部の形成が容易となる。
【００２１】
また、磁石部は、磁極面に段差が形成されていてもよい。各磁化部の単位体積あたりの磁石の強さを異ならせることで、段差が小さくても、軟磁性体部での磁界強度分布を調整できる。
【００２２】
また、第２の磁化部における単位体積当たりの磁石の強さは、第１の磁化部における単位体積当たりの磁石の強さよりも強くてもよい。この場合には、第１の磁化部の磁極面側の磁極性と、第２の磁化部の磁極面側の磁極性とが一致していると、軟磁性体部の外縁部での磁界強度を強くできて好適である。
【００２３】
また、磁石部として、軟磁性体部を間に挟んで互いに対向する第１の磁石部と第２の磁石部とを備えていてもよい。
【００２４】
また、軟磁性体部はソフトフェライトであってもよい。
【００２５】
また、第１の磁化部および第２の磁化部はそれぞれ平板状であり、２つの第２の磁化部の間に第１の磁化部が積層されていてもよい。
【００２６】
また、第２の磁化部は、第１の磁化部の周りを磁極面の外縁部に沿って囲むように設けられていてもよい。
【００２７】
また、導体部は、軟磁性体部の磁石部との対向面にて、互いに絶縁体を介して交差する第１の中心導体および第２の中心導体を備えていてもよい。
【００２８】
また、導体部は、軟磁性体部の磁石部との対向面にて、互いに絶縁体を介して交差する、３つ以上の中心導体を備えていてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、各磁化部の単位体積あたりの磁石の強さを異ならせることにより軟磁性体部での磁界強度を調整するので、磁石部を破損し難く構成することができ、非可逆回路素子の良品率や信頼性を向上させることができる。また、非可逆回路素子を小型化しても、軟磁性体部での磁界強度分布を調整でき、軟磁性体部での磁界強度分布の均等性を維持して良好な高周波特性を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）を示す分解斜視図である。
【図２】２ポート型アイソレータを構成するソフトフェライト、中心導体、および磁石部からなる素子部を示す分解斜視図である。
【図３】２ポート型アイソレータを構成するソフトフェライトおよび中心導体からなるコア部を示す斜視図である。
【図４】２ポート型アイソレータを構成する磁石部の強さについて説明する図である。
【図５】２ポート型アイソレータの第１の変形例を示す斜視図である。
【図６】２ポート型アイソレータの他の変形例を示す斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る非可逆回路素子（３ポート型サーキュレータ）を示す分解斜視図である。
【図８】従来の非可逆回路素子の構成例に係る分解斜視図である。
【図９】従来の非可逆回路素子の磁界強度分布を説明する図である。
【図１０】従来の非可逆回路素子の他の構成例に係る分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明に係る非可逆回路素子について図を参照して説明する。なお、各図において、斜線を付した部分は導電体である。
【００３２】
第１の実施形態に係る非可逆回路素子は、２ポート型のアイソレータである。図１は、第１の実施形態に係るアイソレータ１の分解斜視図である。
【００３３】
アイソレータ１は、回路基板２と、素子部３と、接着シート（誘電体シート）４と、平板ヨーク５と、を備えている。
【００３４】
回路基板２は、図示しない整合用素子や終端抵抗とともに、外部接続ポートとなる底面電極２Ａと、素子部３との接続用の天面電極２Ｂとが設けられている。素子部３は、アイソレータ１の要部であり、回路基板２に表面実装されている。平板ヨーク５は、電磁シールド機能を有するもので、素子部３の上面に接着シート（誘電体シート）４を介して接合されている。平板ヨーク５の機能は、素子部３から磁気の漏れを抑えること、高周波電磁界の漏れを抑えること、外部からの磁気の影響を抑えること、チップマウンタ等を用いてアイソレータ１を図示しない基板に搭載する際に、バキュームノズルでピックアップする場所を提供することである。なお、平板ヨーク５は必ずしも接地されている必要はないが、はんだ付けや導電性接着剤などで接地してもよく、接地すると電磁シールドの効果が向上する。
【００３５】
図２は、素子部３の分解斜視図である。素子部３は、磁石部３１，３２とコア部３３と接着部３４，３５と、を備えている。
【００３６】
コア部３３は、直方体形状であり、表主面３３Ａと、裏主面３３Ｂと、上面３３Ｃと下面３３Ｄと、左端面３３Ｅと、右端面３３Ｆと、を有している。表主面３３Ａと上面３３Ｃと裏主面３３Ｂと下面３３Ｄとのそれぞれの境界は長辺となっており、表主面３３Ａ、上面３３Ｃ、裏主面３３Ｂ、および下面３３Ｄでは、左端面３３Ｅおよび右端面３３Ｆとの境界は短辺となっている。
【００３７】
磁石部３１は、直方体形状であり、表裏の磁極面３１Ａ，３１Ｂと、上面３１Ｃと、下面３１Ｄと、左端面３１Ｅと，右端面３１Ｆと、を有している。磁極面３１Ａと上面３１Ｃと磁極面３１Ｂと下面３１Ｄとのそれぞれの境界は長辺となっており、磁極面３１Ａ、上面３１Ｃ、磁極面３１Ｂ、および下面３１Ｄでは、左端面３１Ｅおよび右端面３１Ｆとの境界は短辺となっている。
【００３８】
磁石部３２は、直方体形状であり、表裏の磁極面３２Ａ，３２Ｂと、上面３２Ｃと、下面３２Ｄと、左端面３２Ｅと、右端面３２Ｆと、を有している。磁極面３２Ａと上面３２Ｃと磁極面３２Ｂと下面３２Ｄとのそれぞれの境界は長辺となっており、磁極面３２Ａ、上面３２Ｃ、磁極面３２Ｂ、および下面３２Ｄでは、左端面３２Ｅおよび右端面３２Ｆとの境界は短辺となっている。
【００３９】
磁石部３１，３２は、それぞれ直方体形状であり、従来のように磁極面に段差を有していないので、チッピングや欠け等の破損が生じ難い。したがって、このような磁石部３１，３２を備えるアイソレータ１は、良品率や信頼性が高いものである。
【００４０】
磁石部３１，３２の磁極面３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂはコア部３３の表主面３３Ａおよび裏主面３３Ｂと同一寸法である。磁石部３１とコア部３３とは、互いの外形が一致するように、磁極面３１Ｂと表主面３３Ａとを対向させて配置されている。磁石部３２とコア部３３とは、互いの外形が一致するように、磁極面３２Ａと裏主面３３Ｂとを対向させて配置されている。そして、磁石部３１の磁極面３１Ｂは、コア部３３の表主面３３Ａに、接着部３４を介して接合されている。磁石部３２の磁極面３２Ａは、コア部３３の裏主面３３Ｂに、接着部３５を介して接合されている。接着部３４，３５は、例えば一液性の熱硬化型エポキシ系接着剤からなる。
【００４１】
磁石部３１，３２の磁極面３１Ａ，３２Ａは、Ｎ極またはＳ極の、互いに同じ磁極性を有している。磁石部３１，３２の磁極面３１Ｂ，３２Ｂは、Ｓ極またはＮ極の、互いに同じで磁極面３１Ａ，３２Ａとは逆の磁極性を有している。したがって、磁石部３１と磁石部３２とは、コア部３３の表主面３３Ａと裏主面３３Ｂとの間に、Ｙ軸に平行な静磁場を印加している。
【００４２】
また、磁石部３１は、磁化部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃを備えている。磁化部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃは、それぞれ平板状であり、接着剤により接着して互いに積層されている。磁化部４１Ａは、磁石部３１の上面３１Ｃに面している。磁化部４１Ｃは、磁石部３１の下面３１Ｄに面している。磁化部４１Ｂは、磁化部４１Ａと磁化部４１Ｃとの間に設けられている。
【００４３】
また、磁石部３２は、磁化部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃを備えている。磁化部４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃは、それぞれ平板状であり、接着剤により接着して積層されている。磁化部４２Ａは、磁石部３２の上面３２Ｃに面している。磁化部４２Ｃは、磁石部３２の下面３２Ｄに面している。磁化部４２Ｂは、磁化部４２Ａと磁化部４２Ｃとの間に設けられている。
【００４４】
磁化部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃは、代表的には、La,Co置換型フェライト磁石と呼ばれる硬磁性体材料で構成する。なお、磁化部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃは、ストロンチウム系、バリウム系、またはネオジム系の磁石などであってもよい。
【００４５】
図３（Ａ）は、コア部３３の斜視図である。コア部３３は、ソフトフェライト３６を備えている。図３（Ｂ）は、ソフトフェライト３６の斜視図である。
【００４６】
コア部３３は、ソフトフェライト３６と、中心導体３７，３８と、接続電極３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃと、ダミー電極４０と、を備えている。
【００４７】
ソフトフェライト３６は、平板状であり、ＹＩＧ系フェライトやＣＶＧ系フェライトなどのファラデー効果を有する軟磁性体材料からなる。ソフトフェライト３６は、コア部３３の上面３３Ｃおよび下面３３Ｄとなる面に、一定間隔で複数の凹部３６Ａが設けられている。各凹部３６Ａには、電極用導体が塗布又は充填されており、これらの電極用導体が、ダミー電極４０、中心導体３７，３８の一部、および接続電極３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃを構成している。また、ソフトフェライト３６は、コア部３３の表主面３３Ａおよび裏主面３３Ｂとなる面に、中心導体３７，３８の一部を構成している銀や銀合金の厚膜又は薄膜が、印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成されている。
【００４８】
接続電極３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃは、前述の回路基板２の天面電極２Ｂに接続されて外部接続ポートである回路基板２の底面電極２Ａに接続される電極であり、コア部３３の下面３３Ｄに形成されている。ダミー電極４０は、中心導体に接続されていない電極であり、コア部３３の下面３３Ｄおよび上面３３Ｃに形成されている。
【００４９】
中心導体３７は、コア部３３の表主面３３Ａと裏主面３３Ｂと上面３３Ｃと下面３３Ｄとに形成され、ソフトフェライト３６に１ターン巻回されている。具体的には、中心導体３７は、表主面３３Ａの右下から上方に延伸して２本に分岐し、長辺に対して比較的小さな角度で傾斜しながら左上方に延伸し、１本に合流してから表主面３３Ａの左上まで上方に延伸してから上面３３Ｃに回り込む。そして、上面３３Ｃを後方に延伸して裏主面３３Ｂに回り込む。そして、裏主面３３Ｂにおいて表主面３３Ａと透視状態でほぼ重なるように２本に分岐して形成され、表主面３３Ａから見て裏主面３３Ｂの左上から右下まで延伸する。中心導体３７の表主面３３Ａ側の一端は、下面３３Ｄに形成されている接続電極３９Ａに接続されている。中心導体３７の裏主面３３Ｂ側の一端は、下面３３Ｄに形成されている接続電極３９Ｂに接続されている。
【００５０】
中心導体３８は、コア部３３の表主面３３Ａと裏主面３３Ｂと上面３３Ｃと下面３３Ｄとに形成され、図示していない絶縁膜を介して中心導体３７から電気的に絶縁された状態で、ソフトフェライト３６に４ターン巻回されている。なお、中心導体３７，３８の間を絶縁する絶縁膜は、ガラスやアルミナなどの誘電体厚膜、又は、ポリイミドなどの樹脂膜などとして印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成するとよい。
【００５１】
中心導体３８は、具体的には、表主面３３Ａの右下から長辺に対して比較的大きな角度で傾斜し中心導体３７に交差しながら左上方に延伸してから上面３３Ｃに回り込む。そして、上面３３Ｃを後方に延伸して裏主面３３Ｂに回り込む。そして、裏主面３３Ｂにおいて中心導体３７に交差しながら下方に延伸してから下面３３Ｄに回り込む。そして、下面３３Ｄを前方に延伸して表主面３３Ａに回り込む。このようにして中心導体３８は、１ターン目がソフトフェライト３６に巻回され、以下同様に２ターン目、３ターン目、４ターン目がソフトフェライト３６に巻回される。接続電極３８の４ターン目の端は、下面３３Ｄに形成されている接続電極３９Ｃに接続されている。接続電極３８の１ターン目の端は、下面３３Ｄに形成されている接続電極３９Ａに接続されている。なお、接続電極３９Ａは、中心導体３７の一端と中心導体３８の一端とが接続され、中心導体３７と中心導体３８とを外部接続ポートに接続させる共用の電極とされている。
【００５２】
以上のように構成されているアイソレータ１は、２ポート型の集中定数型アイソレータであり、回路基板２の底面電極２Ａに接続される伝送線路の間で高周波信号を非可逆に伝搬させる。
【００５３】
なお、中心導体３７，３８は、特許請求の範囲に記載の導体部を構成しており、前述の接続電極３９Ｂ，３９Ｃを介して、外部の高周波信号を伝送する伝送線路にそれぞれ接続される。また、ソフトフェライト３６は、特許請求の範囲に記載の軟磁性体部に相当しており、中心導体３７，３８に近接するように設けられ、中心導体３７，３８を伝搬される高周波信号に対するファラデー効果を有している。また、磁石部３１と磁石部３２とのそれぞれは、特許請求の範囲に記載の磁石部に相当しており、互いにＮ極面とＳ極面とで対向しており、中心導体３７，３８およびソフトフェライト３６にＮ極面またはＳ極面で対向するように設けられて、中心導体３７，３８およびソフトフェライト３６に対して略垂直に静磁場を印加している。
【００５４】
ここで、磁石部３１と磁石部３２との詳細について説明する。
【００５５】
図２に示した磁化部４１Ｂと磁化部４２Ｂとのそれぞれは、特許請求の範囲に記載の第１の磁化部に相当している。また、磁化部４１Ａ，４１Ｃと磁化部４２Ａ，４２Ｃとのそれぞれは、特許請求の範囲に記載の第２の磁化部に相当している。
【００５６】
即ち、磁化部４１Ｂ，４２Ｂは、ソフトフェライト３６のＺ軸方向の中央部に対向している。磁化部４１Ａ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｃは、ソフトフェライト３６のＺ軸方向の両端の外縁部に対向している。そして、磁化部４１Ｂ，４２Ｂは、互いに同じ硬磁性体材料からなり、互いに同じ飽和磁化を有している。そして、磁化部４１Ｂ，４２Ｂは、磁束密度が飽和するまで着磁されており、互いに同程度の単位体積当たりの磁石の強さを有している。また、磁化部４１Ａ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｃは、互いに同じ硬磁性体材料からなり、同じ飽和磁化を有している。そして、磁化部４１Ａ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｃは、磁束密度が飽和するまで着磁されており、互いに同程度の単位体積当たりの磁石の強さを有している。
【００５７】
ここで、磁化部４１Ａ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｃの単位体積当たりの磁石の強さは、磁化部４１Ｂ，４２Ｂよりも強くなるように、硬磁性体材料の選択および着磁処理がされている。また、磁化部４１Ａ〜４１Ｃと磁化部４２Ａ〜４２Ｃとは、いずれも同じ磁極面がソフトフェライト３６に対向するように設定している。このため、磁化部４１Ａ〜４１Ｃ，４２Ａ〜４２Ｃそれぞれの、Ｙ軸方向の寸法が等しくても、磁化部４１Ａ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｃによって生じる外部磁界の磁界強度は、磁化部４１Ｂ，４２Ｂによって生じる外部磁界の磁界強度よりも強いものになる。換言すると、磁化部４１Ａ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｃ単体での磁石の強さ、は、磁化部４１Ｂ，４２Ｂ単体での磁石の強さよりも強いものになる。
【００５８】
図４は、アイソレータ１の実施例における、各磁化部４１Ａ〜４１Ｃ単体または磁石部３１全体によって生じる外部磁界の磁極面に垂直な方向での磁界強度（以下、単にＹ軸方向磁界強度という。）について説明する図である。アイソレータ１の実施例としては、素子部３の高さ寸法（Ｚ軸寸法）を３５０μｍに設定し、Ｚ軸中央部を０μｍと設定した。また、各磁化部の厚み（Ｚ軸寸法）を等しく設定している。
【００５９】
なお、ここでは、各磁化部４１Ａ〜４１Ｃや磁石部３１によるＹ軸方向磁界強度については説明するが、各磁化部４２Ａ〜４２Ｃや磁石部３２については説明を省く。各磁化部４２Ａ〜４２Ｃや磁石部３２によるＹ軸方向磁界強度は、それぞれ、各磁化部４１Ａ〜４１Ｃや磁石部３１によるＹ軸方向磁界強度と正負の極性が逆になる。
【００６０】
図４（Ａ）は、単体の磁化部４１ＡによるＹ軸方向磁界強度のＺ軸方向での分布を示すグラフである。該磁化部４１Ａは、単体での磁石の強さを磁極面における磁束密度で表わすと０．３４Ｔ［テスラ］のものである。磁化部４１Ａは、ソフトフェライト３６の上側の外縁部に対向させるため、Ｙ軸方向磁界強度が、ソフトフェライト３６の上側の外縁部でピークとなり、ソフトフェライト３６の中央部で急峻に立ち下がり、ソフトフェライト３６の下側の外縁部ではゼロから極めて小さい負の間に位置するようにＺ軸に沿って分布している。
【００６１】
図４（Ｂ）は、単体の磁化部４１ＢによるＹ軸方向磁界強度のＺ軸方向での分布を示すグラフである。該磁化部４１Ｂは、単体での磁石の強さを磁極面における磁束密度で表わすと０．１７Ｔ［テスラ］のものである。磁化部４１Ｂは、ソフトフェライト３６の中央部に対向させるため、Ｙ軸方向磁界強度が、ソフトフェライト３６の中央部でピークとなり、ソフトフェライト３６の上側の外縁部と下側の外縁部とで急峻に立ち下がるようにＺ軸に沿って分布している。
【００６２】
図４（Ｃ）は、単体の磁化部４１ＣによるＹ軸方向磁界強度のＺ軸方向での分布を示すグラフである。該磁化部４１Ｃは、単体での磁石の強さを磁極面における磁束密度で表わすと０．３４Ｔ［テスラ］のものである。磁化部４１Ｃは、ソフトフェライト３６の下側の外縁部に対向させるため、Ｙ軸方向磁界強度が、ソフトフェライト３６の下側の外縁部でピークとなり、ソフトフェライト３６の中央部で急峻に立ち下がり、ソフトフェライト３６の上側の外縁部ではゼロから極めて小さい負の間に位置するようにＺ軸に沿って分布している。
【００６３】
磁化部４１Ｂの単体での磁石の強さ（磁束密度０．１７Ｔ）に比べて、磁化部４１Ａ，４１Ｃとの単体での磁石の強さ（磁束密度０．３４Ｔ）は、約２倍である。また、図４（Ｂ）に示す磁化部４１ＢによるＹ軸方向磁界強度のピーク高さと、図４（Ａ），４（Ｃ）に示す磁化部４１Ａ，４１ＣによるＹ軸方向磁界強度のピーク高さとを比較すると、磁化部４１Ｂと磁化部４１Ａ，４１Ｃとの単体での磁石の強さの比と同様に、磁化部４１Ａ，４１ＣによるＹ軸方向磁界強度のピーク高さは、磁化部４１ＢによるＹ軸方向磁界強度のピーク高さの、約２倍になっている。したがって、磁化部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃを組み合わせてなる磁石部３１においては、本来ならば、Ｚ軸方向の外縁部で低下するＹ軸方向磁界強度を、単体での磁石の強さがより強い磁化部４１Ａ，４１Ｃによって補強し、これにより、Ｚ軸方向の外縁部でのＹ軸方向磁界強度の低下を抑制することができる。
【００６４】
図４（Ｄ）は、磁化部４１Ａ〜４１Ｃを組み合わせてなる磁石部３１全体による磁界強度分布を示すグラフである。該磁石部３１は、ソフトフェライト３６の外縁部で磁界強度のある程度の立ち下がりがあるが、ソフトフェライト３６のＺ軸方向の中央部で磁界強度がおよそ均等に分布している。なお、磁石部３１全体による磁界は、磁化部４１Ａ，４１Ｃの単体での磁界をＺ軸方向の中央側に引き寄せてから磁化部４１Ｂの単体での磁界に重ね合わせるように合成される。そのため、磁化部４１Ｂ単体での磁石の強さは、磁化部４１Ａ，４１Ｃの単体での磁石の強さに比べて、十分に低くしておく必要がある。
【００６５】
このように、アイソレータ１においては、磁化部の単位体積当たりの磁石の強さを、高さ方向の外縁部で強くすることで、磁化部単体での磁石の強さを外縁部で強くしている。これにより、Ｚ軸方向の外縁部での磁界強度の低下を抑制することができ、引いてはソフトフェライト３６での磁界強度分布の均等性を高めることができる。したがって、アイソレータ１は、従来よりも小型化したとしても適正なアイソレーション性能が得られる帯域が広く、挿入損失が増大することを抑制できる。
【００６６】
なお、アイソレータ１においては、磁化部４１Ａ〜４１Ｃ，４２Ａ〜４２Ｃそれぞれの厚み寸法（Ｚ軸寸法）を等しいものとしたが、各磁化部の厚みは、ソフトフェライト３６での磁界強度分布の均等性が高まるように、適切に設定することが望ましい。また、磁化部４１Ａ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｃそれぞれの単体での磁石の強さを、磁化部４１Ｂ，４２Ｂそれぞれの単体での磁石の強さの約２倍としたが、各磁化部の単体での磁石の強さは、ソフトフェライト３６での磁界強度分布の均等性が高まるように、適切に設定することが望ましい。その他、ソフトフェライトや導体部の形状や寸法なども、適宜設定するとよい。
【００６７】
次に、第１の実施形態に係る非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）の第１の変形例について説明する。図５は、素子部５３Ａの分解斜視図である。
【００６８】
素子部５３Ａは、図示していない回路基板と接着シート（誘電体シート）と平板ヨークとともに２ポート型アイソレータを構成しており、磁石部３１，３２とコア部３３と接着部３４，３５と、を備えている。
【００６９】
この素子部５３Ａは、磁石部３１，３２の外側の磁極面に段差５４を有している。したがって、段差５４が無い場合よりは、磁石部３１，３２にはチッピングや欠け等の破損が生じ易くなっている。しかしながら、磁石部３１，３２には、磁化部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃを設け、コア部３３に印加される磁界強度を高さ方向の外縁部で補強しているので、磁石部３２，３２が単一の磁化部で構成される場合よりも段差５４を浅くすることができる。したがって、磁石部３１，３２の破損を抑制でき、深い段差を設ける場合よりも、素子部５３Ａの良品率や信頼性を高めることができる。なお、段差５４を設けずに磁石部３１，３２を作製しておき、磁石部３１，３２による磁界強度を測定した後に、段差５４を研削加工などで形成するようにすれば、コア部３３での磁界強度分布を精緻に調整することができる。
【００７０】
次に、第１の実施形態に係る非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）の第２の変形例について説明する。図６（Ａ）は、素子部５３Ｂの斜視図である。
【００７１】
素子部５３Ｂは、図示していない回路基板と接着シート（誘電体シート）と平板ヨークとともに２ポート型アイソレータを構成しており、磁石部３１，３２とコア部３３と接着部３４，３５と、を備えている。
【００７２】
この素子部５３Ｂは、磁石部３１を構成している磁化部４１Ａを、磁化部４１Ｂが磁極面で取り囲むように構成されている。なお、図示していないが磁石部３２においても同様に、磁化部４２Ａを磁化部４２Ｂが磁極面で取り囲むように構成されている。このように磁化部４１Ｂ，４２Ｂは、磁極面においてＺ軸方向の外縁部だけでなく、左右方向の外縁部にも設けられていてもよい。この場合には、コア部３３のソフトフェライトでのＹ軸方向磁界強度分布が高さ方向だけでなく、Ｘ軸方向にも均等化することになる。したがって、このアイソレータ５３Ｂでは、小型化したとしても適正なアイソレーション性能が得られる帯域が更に広くなり、挿入損失が増大することを抑制できる。
【００７３】
次に、第１の実施形態に係る非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）の第３の変形例について説明する。図６（Ｂ）は、素子部５３Ｃの斜視図である。
【００７４】
素子部５３Ｃは、図示していない回路基板と接着シート（誘電体シート）と平板ヨークとともに２ポート型アイソレータを構成しており、磁石部３１，３２とコア部３３と接着部３４，３５と、を備えている。
【００７５】
この素子部５３Ｃは、磁石部３１を構成している磁化部４１Ａを，Ｘ軸方向の外縁部に位置する磁化部４１Ｂが挟み込むように構成されている。なお、図示していないが磁石部３２においても同様に、磁化部４２ＡをＸ軸方向の外縁部に位置する磁化部４２Ｂが挟み込むように構成されている。このように磁化部４１Ｂ，４２Ｂが、磁極面においてＺ軸方向の外縁部ではなく、Ｘ軸方向の外縁部にのみ設けられていてもよい。
【００７６】
次に、第１の実施形態に係る非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）の第４の変形例について説明する。図６（Ｃ）は、素子部５３Ｄの分解斜視図である。
【００７７】
素子部５３Ｄは、図示していない回路基板と接着シート（誘電体シート）と平板ヨークとともに２ポート型アイソレータを構成しており、磁石部３１，３２とコア部３３と接着部３４，３５と、を備えている。
【００７８】
この素子部５３Ｃは、磁石部３１，３２の磁極面がマトリクス状に区画されるように、複数の磁化部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄが設けられている。磁化部４１Ａ，４２Ａは、磁極面のＺ軸方向およびＸ軸方向の中央部に設けられている。磁化部４１Ｂ，４２Ｂは、磁極面のＺ軸方向の外縁部に設けられている。磁化部４１Ｃ，４２Ｃは、磁極面のＸ軸方向の外縁部に設けられている。磁化部４１Ｄ，４２Ｄは、磁極面のＺ軸方向およびＸ軸方向の外縁部である角部に設けられている。このように磁石部３１，３２の磁極面が複数の磁化部によってマトリクス状に区画されていてもよい。この場合、例えば、磁化部４１Ａ，４２Ａと、磁化部４１Ｂ，４２Ｂと、磁化部４１Ｃ，４２Ｃと、磁化部４１Ｄ，４２Ｄとで、それぞれの単位体積当たりの磁石の強さを異ならせてもよい。このようにすれば、コア部３３のソフトフェライトでの磁界強度分布を更に精緻に設定することができ、素子部５３Ｄを更に小型化したとしても適正なアイソレーション性能が得られる帯域を広げることができる。
【００７９】
次に、本発明の第２の実施形態に係る非可逆回路素子について説明する。第２の実施形態に係る非可逆回路素子は、３ポート型のサーキュレータである。図７は、第２の実施形態に係るサーキュレータ７０の分解斜視図である。
【００８０】
サーキュレータ７０は、図示していない回路基板と接着シート（誘電体シート）と平板ヨークとともに、磁石部７１，７２と、ソフトフェライト７３と、配線部７４，７５と、を備えている。サーキュレータ７０は、天面側から底面側にかけて、磁石部７１、配線部７４、ソフトフェライト７３、配線部７５、磁石部７２を順に積層して構成されている。
【００８１】
ソフトフェライト７３は、ＹＩＧ系フェライトやＣＶＧ系フェライトなどのファラデー効果を有する軟磁性体材料からなる平板であり、上下（Ｚ軸方向）に主面を有し、前後（Ｙ軸方向）および左右（Ｘ軸方向）に端面を有している。磁石部７１は、平板状であり、上下に磁極面を有し、前後および左右に端面を有している。磁石部７２は、平板状であり、上下に磁極面を有し、前後および左右に端面を有している。
【００８２】
磁石部７１，７２は、ここでは磁極面に段差を有していないので、チッピングや欠け等の破損が生じ難い。したがって、このような磁石部７１，７２を備えるサーキュレータ７０は、良品率や信頼性が高いものである。なお、磁石部７１，７２は、磁極面に段差が設けられていてもよい。
【００８３】
磁石部７１，７２の上下の磁極面はソフトフェライト７３の上下の主面と同一寸法である。磁石部７１とソフトフェライト７３とは、互いの外形が一致するように、磁石部７１の下側の磁極面とソフトフェライト７３の上側の主面とを対向させて配置されている。磁石部７２とソフトフェライト７３とは、互いの外形が一致するように、磁石部７２の上側の磁極面とソフトフェライト７３の下側の主面とを対向させて配置されている。そして、磁石部７１は、ソフトフェライト７３に、配線部７４を介して接合されている。磁石部７２は、ソフトフェライト７３に、配線部７５を介して接合されている。配線部７４，７５は、それぞれ誘電体材料、または、軟磁性体材料からなる平板状の積層配線基板であり、それぞれ２つの基板層を積層して構成されており、表面電極と層間電極と貫通電極とを有している。
【００８４】
磁石部７１，７２それぞれの上側の磁極面は、Ｎ極またはＳ極の、互いに同じ磁極性を有している。磁石部７１，７２の下側の磁極面は、Ｓ極またはＮ極の、互いに同じで、上側の磁極面とは逆の磁極性を有している。したがって、磁石部７１と磁石部７２とは、ソフトフェライト７３の上側及び下側の主面に略垂直な静磁場を印加している。
【００８５】
また、磁石部７１は、１個の磁化部７１Ａおよび８個の磁化部７１Ｂを備えている。磁化部７１Ａおよび磁化部７１Ｂは、３×３のマトリクス状に磁極面が区画されるように配置されている。磁化部７１Ａは、磁石部７１の磁極面において中央部に配置されている。８個の磁化部７１Ｂは、磁石部７１の磁極面において磁化部７１Ａを囲む外縁部に配置されている。磁化部７１Ａ，７１Ｂは、それぞれブロック状であり、互いに接着剤により接着されている。
【００８６】
また、磁石部７２は、１個の磁化部７２Ａおよび８個の磁化部７２Ｂを備えている。磁化部７２Ａおよび磁化部７２Ｂは、３×３のマトリクス状に磁極面が区画されるように配置されている。磁化部７２Ａは、磁石部７２の磁極面において中央部に配置されている。８個の磁化部７２Ｂは、磁石部７２の磁極面において磁化部７２Ａを囲む外縁部に配置されている。磁化部７２Ａ，７２Ｂは、それぞれブロック状であり、互いに接着剤により接着されている。
【００８７】
また、配線部７４とソフトフェライト７３と配線部７５とには、中心導体７６，７７，７８と、接続電極７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃ，７９Ｄ，７９Ｅ，７９Ｆと、が設けられている。中心導体７６〜７８と接続電極７９Ａ〜７９Ｆとは、配線部７４とソフトフェライト７３と配線部７５といずれかに設けられた表面電極、層間電極、および貫通電極を接続してなる。
【００８８】
接続電極７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃ，７９Ｄ，７９Ｅ，７９Ｆは、配線部７４とソフトフェライト７３と配線部７５とのそれぞれを、上下に貫通して設けられており、回路基板に接続される。より具体的には、接続電極７９Ａ〜７９Ｃは、サーキュレータ７０を上側から視て、左側の辺に沿って前側から後側に配列されている。接続電極７９Ｄ〜７９Ｆは、サーキュレータ７０を上側から視て、右側の辺に沿って前側から後側に配列されている。
【００８９】
中心導体７６は、ソフトフェライト７３に２．５ターン巻回されている。具体的には、中心導体７６は、配線部７４の上面において接続電極７９Ａから接続電極７９Ｃと接続電極７９Ｆとの間まで延伸し、配線部７４およびソフトフェライト７３の貫通電極を介して、配線部７５の上面に回り込む。そして、接続電極７９Ｃと接続電極７９Ｆとの間から接続電極７９Ａと接続電極７９Ｄとの間まで延伸し、ソフトフェライト７３および配線部７４の貫通電極を介して、配線部７４の上面に回り込む。このようにして中心導体７６は、１ターン目がソフトフェライト７３に巻回され、以下同様に２ターン目がソフトフェライト７３に巻回され、最後に、配線部７４の上面において接続電極７９Ａと接続電極７９Ｄとの間から接続電極７９Ｆまで延伸する。
【００９０】
中心導体７７は、ソフトフェライト７３に２．５ターン巻回されている。具体的には、中心導体７７は、配線部７４の層間において接続電極７９Ｂから接続電極７９Ｅと接続電極７９Ｆとの間まで延伸し、配線部７４、ソフトフェライト７３、および配線部７５の貫通電極を介して、配線部７５の層間に回り込む。そして、接続電極７９Ｅと接続電極７９Ｆとの間から接続電極７９Ａと接続電極７９Ｂとの間まで延伸し、配線部７５、ソフトフェライト７３、および配線部７４の貫通電極を介して、配線部７４の層間に回り込む。このようにして中心導体７７は、１ターン目がソフトフェライト７３に巻回され、以下同様に２ターン目がソフトフェライト７３に巻回され、最後に、配線部７４の層間において接続電極７９Ａと接続電極７９Ｂとの間から接続電極７９Ｅまで延伸する。
【００９１】
中心導体７８は、ソフトフェライト７３に２．５ターン巻回されている。具体的には、中心導体７８は、ソフトフェライト７３の上面において接続電極７９Ｃから接続電極７９Ｄと接続電極７９Ｅとの間まで延伸し、ソフトフェライト７３、および配線部７５の貫通電極を介して、配線部７５の底面に回り込む。そして、接続電極７９Ｄと接続電極７９Ｅとの間から接続電極７９Ｂと接続電極７９Ｃとの間まで延伸し、配線部７５およびソフトフェライト７３の貫通電極を介して、ソフトフェライト７３の上面に回り込む。このようにして中心導体７８は、１ターン目がソフトフェライト７３に巻回され、以下同様に２ターン目がソフトフェライト７３に巻回され、最後に、配線部７４の上面において接続電極７９Ｄと接続電極７９Ｅとの間から接続電極７９Ｃまで延伸する。
【００９２】
以上のように構成されているサーキュレータ７０は、３ポート型の集中定数型サーキュレータであり、３つの伝送線路の間に接続されて各伝送線路を伝送される高周波信号を非可逆に伝搬させる。
【００９３】
なお、中心導体７６，７７，７８は、特許請求の範囲に記載の導体部を構成しており、前述の接続電極７９Ａ〜７９Ｆを介して、外部の高周波信号を伝送する３つの伝送線路にそれぞれ接続される。また、ソフトフェライト７３は、特許請求の範囲に記載の軟磁性体部に相当しており、中心導体７６，７７，７８に近接するように設けられて、中心導体７６，７７，７８を伝搬される高周波信号に対するファラデー効果を有している。また、磁石部７１と磁石部７２とのそれぞれは、互いにＮ極面とＳ極面とで対向しており、中心導体７６，７７，７８およびソフトフェライト７３にＮ極面とＳ極面とで対向するように設けられて、中心導体７６，７７，７８およびソフトフェライト７３の上側および下側主面に対して略垂直に静磁場を印加している。したがって、磁石部７１と磁石部７２とのそれぞれは、特許請求の範囲に記載の磁石部に相当している。
【００９４】
ここで、磁石部７１と磁石部７２との詳細について説明する。
【００９５】
前述の磁化部７１Ａと磁化部７２Ａとのそれぞれは、特許請求の範囲に記載の第１の磁化部に相当している。また、磁化部７１Ｂと磁化部７２Ｂとのそれぞれは、特許請求の範囲に記載の第２の磁化部に相当している。
【００９６】
即ち、磁化部７１Ａ，７２Ａは、ソフトフェライト７３のＹ軸方向およびＸ軸方向の中央部に対向している。磁化部７１Ｂと磁化部７２Ｂとのそれぞれはソフトフェライト７３のＹ軸方向およびＸ軸方向の外縁部に対向している。そして、磁化部７１Ａ，７２Ａは、互いに同じ硬磁性体材料からなり、互いに同じ飽和磁化を有している。磁化部７１Ａ，７２Ａのそれぞれは、磁束密度が飽和するまで着磁されており、互いに同程度の単位体積当たりの磁石の強さを有している。また、磁化部７１Ｂ，７２Ｂのそれぞれは、互いに同じ硬磁性体材料からなり、同じ飽和磁化を有している。そして、磁化部７１Ｂ，７２Ｂのそれぞれは、磁束密度が飽和するまで着磁されており、互いに同程度の単位体積当たりの磁石の強さを有している。
【００９７】
ここで、磁化部７１Ｂ，７２Ｂの単位体積当たりの磁石の強さは、硬磁性体材料の選択、または着磁処理によって、磁化部７１Ａ，７２Ａよりも大きくなるように設定している。また、磁化部７１Ａ，７１Ｂと磁化部７２Ａ，７２Ｂとは、いずれも同じ磁極面がソフトフェライト７３に対向するように設定している。このため、磁化部７１Ａ，７１Ｂ，７２Ａ，７２Ｂそれぞれの、Ｚ軸方向の寸法が等しくても、磁化部７１Ｂ，７２Ｂ単体での磁石の強さは、磁化部７１Ａ，７２Ａ単体での磁石の強さよりも強いものになる。
【００９８】
したがって、磁石部７１，７２においては、本来ならば、Ｙ軸方向およびＸ軸方向の外縁部で低下するＺ軸方向磁界強度を、単体での磁石の強さがより強い磁化部７１Ｂ，７２Ｂにより補強し、これにより、Ｙ軸方向およびＸ軸方向の外縁部でのＺ軸方向磁界強度の低下を抑制することができる。
【００９９】
このように、サーキュレータ７０においても、磁化部の単位体積当たりの磁石の強さを、前後方向や左右方向の外縁部で大きくすることで、磁化部単体での磁石の強さを強くしている。これにより、ソフトフェライト７３の外縁部でのＺ軸方向磁界強度の低下を抑制することができ、引いてはソフトフェライト７３でのＺ軸方向磁界強度のＸ軸方向およびＹ軸方向での分布の均等性を高めることができる。したがって、サーキュレータ７０は、従来よりも小型化したとしても適正なアイソレーション性能が得られる帯域が広く、挿入損失が増大することを抑制できる。
【０１００】
なお、サーキュレータ７０においても、第１の実施形態で示したアイソレータと同様に、複数の磁化部の配置を様々に変形させてもよい。例えば、磁石部７１，７２が、前後方向にのみ区画されるように、磁化部が配列されていてもよい。また、磁石部７１，７２が、左右方向にのみ区画されるように、複数の磁化部が配列されていてもよい。また、外縁部に位置する複数の磁化部それぞれの単位体積当たりの磁石の強さをが、互いに異なっていてもよい。また、一部の磁化部の高さ方向の寸法を異ならせて、段差を設けるようにしてもよい。
【０１０１】
また、サーキュレータ７０において配線部７４，７５は、上記以外の構成であってもよい。例えば、配線部７４，７５は、それぞれ２層よりも多くの基板層を積層して構成されていてもよい。また、配線部７４，７５に設ける中心導体７６〜７８や、接続電極７９Ａ〜７９Ｆを、上記以外の構成としてもよい。
【０１０２】
また、上述の各実施形態においては、２つの磁石部で軟磁性体部を挟み込む構成例を示したが、１つの磁石部のみを軟磁性体部に対向させてもよい。また、各磁石部において、磁極面に垂直な方向に単一の磁化部のみを配置させるのではなく、磁極面に垂直な方向にも複数の磁化部が配列させて、各磁石部が３次元的に区画されるようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
１，５３…アイソレータ
２…回路基板
２Ａ…底面電極
２Ｂ…天面電極
３…素子部
５…平板ヨーク
３１，３２，５１，５２，７１，７２…磁石部
３３…コア部
３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ…磁極面
３３Ａ…表主面
３３Ｂ…裏主面
３１Ｃ，３２Ｃ，３３Ｃ…上面
３１Ｄ，３２Ｄ，３３Ｄ…下面
３１Ｅ，３２Ｅ，３３Ｅ…左端面
３１Ｆ，３２Ｆ，３３Ｆ…右端面
３４，３５…接着部
３６，７３…ソフトフェライト
３６Ａ…凹部
３７，３８，７６，７７，７８…中心導体
３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ，７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃ，７９Ｄ，７９Ｅ，７９Ｆ…接続電極
４０…ダミー電極
４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，７１Ａ，７１Ｂ，７２Ａ，７２Ｂ…磁化部
５４…段差
７０…サーキュレータ
７４，７５…配線部
【図１】
2015005793.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2015005793.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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