(57)【要約】【課題】  固体粒子状酸化物が燃焼室内の側面壁に堆積することを防止するため、側面壁を通気性のセラミック壁とし、該セラミック壁を介して酸素含有ガスを燃焼室に噴出させる構成の燃焼式浄化装置において、セラミック壁のクラック、崩壊、欠け等を抑制または防止できる手段等を提供する。【解決手段】  前述のような燃焼式浄化装置において、セラミック壁を背後及び下方から支持するための金属支持体を設ける。好ましくは、さらにセラミック壁の下部の燃焼室側表面に、セラミック壁を燃焼室側から支持する金属支持体を設けた構成とする。【選択図】  図１
2015215133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる有害成分を燃焼する燃焼室、火炎を該燃焼室へ導入するノズル、排ガスを該燃焼室へ導入するノズル、該燃焼室の側面を構成する通気性のセラミック壁、該セラミック壁の外周に設けられた酸素含有ガス流路、該流路に酸素含有ガスを導入する酸素含有ガス導入口、及び燃焼処理後のガスを外部へ排出する排出口を備えた燃焼式浄化装置であって、燃焼室の側面を構成する通気性のセラミック壁を、背後及び下方から支持する金属支持体を設けてなることを特徴とする排ガスの燃焼式浄化装置。
【請求項２】
セラミック壁が、円筒の形状である請求項１に記載の排ガスの燃焼式浄化装置。
【請求項３】
酸素含有ガス流路が、環状である請求項１に記載の排ガスの燃焼式浄化装置。
【請求項４】
セラミック壁の背後から支持する金属支持体が、通気性の金属板からなる請求項１に記載の排ガスの燃焼式浄化装置。
【請求項５】
さらに、セラミック壁の下部の燃焼室側表面に、セラミック壁を燃焼室側から支持する金属支持体を設けた請求項１に記載の排ガスの燃焼式浄化装置。
【請求項６】
セラミック壁が、針孔を有するセラミック、線状の間隙を有するセラミック、格子窓状の間隙を有するセラミック、多孔質セラミック、多数の繊維状セラミックの積層体、または多数の粒子状セラミックの積層体で構成された請求項１に記載の排ガスの燃焼式浄化装置。
【請求項７】
燃焼室の排出側に、粉化物の除去部及び／または酸性ガスの除去部を設けた請求項１に記載の排ガスの燃焼式浄化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる有害成分を燃焼させて除去するための浄化装置に関する。さらに詳細には、半導体製造工程から排出される有害成分を、火炎及び酸素の存在下、高温で接触させ、燃焼することにより無害な物質あるいは容易に無害化できる物質に変えるための浄化装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体工業の発展とともに、半導体製造工程においては非常に多種のガスが使用されるようになってきている。しかし、これらのガスは人体及び環境にとって有害な物質が多く、工場外へ排出するに先立って浄化することが必須のこととなっている。これらのガス（有害成分）を燃焼させることにより分解処理する燃焼式浄化方法は、排ガスの組成や物性によらず適用することができる便利な方法であり、特に高濃度、大流量の場合は乾式浄化方法や湿式浄化方法と比較して効率的である。
【０００３】
燃焼式浄化方法においては、有害成分を含む排ガスと、プロパン、ＬＰＧ、ＬＮＧ等の燃料ガス、空気または酸素、必要に応じて不活性ガスを、燃焼室において混合し、燃焼させ、有害成分を無害な酸化物あるいは容易に無害化できる物質に変換する処理が行なわれる。従来から使用されている一般的な燃焼式浄化装置は、有害成分を燃焼するための燃焼室と、処理対象の有害成分を含む排ガス、燃料ガス、空気等の酸素含有ガスを燃焼室へ導入するための各配管、ノズルと、燃焼後のガスを燃焼室から排出するための配管等から構成されている。
【０００４】
このような構成の燃焼式浄化装置で有害成分は燃焼され、燃焼処理後の排ガスは排出口より排気されて大気に放出されるか、あるいは次の処理装置へ送られる。しかし、処理対象の有害成分が、例えばシラン、ホスフィン、アルシン、ジボランのようなガスである場合は、燃焼により各々ケイ素、リン、ヒ素、ホウ素の固体粒子状酸化物（粉化物）が生成し、大部分は燃焼室内を通過し、後工程で処理されるが、一部は燃焼室内の側面壁に堆積し、燃焼時間の経過とともにその付着面積、厚みが増加する。その結果、有害成分と、燃料ガス、空気、酸素等との均一な混合が妨げられて完全燃焼が阻害され、燃焼温度の低下、処理対象の有害成分の分解率の低下を生じるだけでなく、粉化物の堆積量が多い場合は失火する虞があった。
【０００５】
そのため、特許文献１〜５のように、燃焼室の側面をセラミックや焼結金属等からなる通気性の材料とし、その外周に空気や不活性ガス等の圧力ガス流路を設けて、側面壁を介して該圧力ガスを燃焼室に噴出させることにより、固体粒子状酸化物が燃焼室の側面壁に堆積することを防止する燃焼式浄化装置が開発されている。
【特許文献１】特開平１０−５４５３４号公報
【特許文献２】特開平１０−６１９３４号公報
【特許文献３】特開２００５−９８６８０号公報
【特許文献４】特開２００６−１９４５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記のような燃焼式浄化装置において、燃焼室の側面壁を通気性のセラミックとした場合、火炎に対する耐熱性、有害成分に対する耐腐食性が、金属等他の材料よりも優れた側面壁とすることができる。しかしながら、セラミックは脆いという欠点があり、火炎の影響によりクラック（裂け目、割れ）が生じ、崩壊したり欠けたりすることにより、燃焼式浄化装置自体や後工程の装置に悪影響を及ぼすことがある。従って、本発明が解決しようとする課題は、燃焼室の側面壁が通気性のセラミックである燃焼式浄化装置において、セラミック壁のクラック、崩壊、欠け等を抑制または防止できる手段等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、前述のような燃焼式浄化装置において、セラミック壁を背後及び下方から支持するための金属支持体を設けることにより、熱伝導率が低いセラミックからなる燃焼室の側面全体の温度が、金属支持体を設けない場合より均一化され、装置の長期使用によるクラック、崩壊、欠け等の進行が遅くなるとともに、崩壊や欠けが発生した場合であっても、金属支持体によりセラミック壁の破片の流出が抑制または防止され、燃焼式浄化装置や後工程の装置への悪影響を少なくできることを見出し、本発明の排ガスの浄化装置に到達した。
【０００８】
すなわち本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる有害成分を燃焼する燃焼室、火炎を該燃焼室へ導入するノズル、排ガスを該燃焼室へ導入するノズル、該燃焼室の側面を構成する通気性のセラミック壁、該セラミック壁の外周に設けられた酸素含有ガス流路、該流路に酸素含有ガスを導入する酸素含有ガス導入口、及び燃焼処理後のガスを外部へ排出する排出口を備えた燃焼式浄化装置であって、燃焼室の側面を構成する通気性のセラミック壁を、背後及び下方から支持する金属支持体を設けてなることを特徴とする排ガスの燃焼式浄化装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の排ガスの浄化装置においては、燃焼室の側面を構成する通気性のセラミック壁の背面に熱伝導率が高い金属支持体を設けるので、通気性のセラミック壁の温度が金属支持体を設けない場合より均一化され、火炎の影響によるセラミック壁の劣化を遅くすることが可能となる。その結果、セラミック壁のクラック、崩壊、欠け等の進行を抑制または防止することができる。また、セラミック壁の崩壊や欠けが発生した場合であっても、金属支持体によりセラミック壁の破片の流出が抑制または防止され、燃焼式浄化装置や後工程の装置への悪影響を抑制または防止することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる有害成分を燃焼する燃焼室、火炎を該燃焼室へ導入するノズル、排ガスを該燃焼室へ導入するノズル、該燃焼室の側面を構成する通気性のセラミック壁、該セラミック壁の外周に設けられた酸素含有ガス流路、該流路に酸素含有ガスを導入する酸素含有ガス導入口、及び燃焼処理後のガスを外部へ排出する排出口を備えた燃焼式浄化装置に適用される。
【００１１】
本発明の排ガスの燃焼式浄化装置で処理できる有害成分としては、アルシン、ホスフィン、シラン、ジシラン、ジクロロシラン、ジボラン、セレン化水素、ゲルマン等の水素化物ガス、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、四フッ化珪素、四塩化珪素、四塩化チタン、塩化アルミニウム、四フッ化ゲルマニウム、六フッ化タングステン等の酸性ガス、アンモニア、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ヒドラジン等の塩基性ガス、パーフルオロカーボン、ヒドロフルオロカーボン等のハロゲン化炭素等を例示することができる。また、燃料ガスとしては、プロパンガス、天然ガス等を使用することができる。これらのガスは、必要に応じ窒素等の不活性ガスと共に用いられる。
【００１２】
以下、本発明の排ガスの燃焼式浄化装置を、図１〜図６に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
尚、図１は、本発明の排ガスの燃焼式浄化装置の一例を示す縦断面の構成図である。図２は、図１におけるａ−ａ’断面図である。図３は、本発明の排ガスの燃焼式浄化装置の図１以外の一例を示す縦断面の構成図である。図４は、図３におけるｂ−ｂ’断面図である。図５は、本発明の排ガスの燃焼式浄化装置のセラミック壁の例を示す部分拡大断面図である。図６は、本発明の排ガスの燃焼式浄化装置に水槽及びスクラバーの設備を結合した浄化装置の例を示す縦断面の構成図である。
【００１３】
本発明の排ガスの燃焼式浄化装置は、図１、図２に示すように、半導体製造工程から排出される排ガスに含まれる有害成分を燃焼する燃焼室１、火炎を燃焼室１へ導入するノズル２、排ガスを燃焼室１へ導入するノズル３、燃焼室１の側面を構成する通気性のセラミック壁４、セラミック壁４の外周に設けられた酸素含有ガス流路５、流路５に酸素含有ガスを導入する酸素含有ガス導入口６、及び燃焼処理後のガスを外部へ排出する排出口７を備えた燃焼式浄化装置であって、燃焼室１の側面を構成する通気性のセラミック壁４を、背後及び下方から支持する金属支持体８を設けてなる燃焼式浄化装置である。
【００１４】
本発明の排ガスの燃焼式浄化装置は、燃焼室１の側面に、円筒の通気性及び断熱性を有するセラミックからなる側面壁が設けられ、燃焼室１において排ガスが高温度の火炎に接触するとともに、セラミック壁４から供給される空気等の酸素含有ガスと接触して、排ガスに含まれる有害成分が燃焼（熱分解）される。その際、有害成分の種類によっては粉化物が生成するが、図１において矢印で示すような酸素含有ガスの流れにより、粉化物のセラミック壁４の表面への堆積を防止することができる。
【００１５】
そして、本発明の排ガスの燃焼式浄化装置は、セラミック壁４が背後及び下方から金属支持体８により支持された構成を備えたものである。金属支持体８は、図１に示すように、セラミック壁４を背後から支持する金属支持体８’とセラミック壁４を下方から支持する金属支持体８”からなる。金属支持体８の材質としては、金属であれば特に制限されることはなく、炭素鋼、クロム鋼、モリブデン鋼、マンガン鋼、ニッケル鋼、ステンレス鋼等を使用することができるが、これらの中でもステンレス鋼を使用することが好ましい。
【００１６】
また、金属支持体８’は通常は円筒形であり、金属支持体８”は通常は円環状である。金属支持体８’の表面の形態としては、充分な通気性を有しセラミック壁４を支持することができれば、特に制限されることはないが、例えば後述するセラミック壁４の表面の形態と同一あるいは類似の形態とすることができる。尚、金属支持体８は、セラミック壁４と接着剤等により固定して接触していてもよいが、セラミック壁４に固定されることなく全部または一部が接触する形態であってもよい。金属支持体８’及び金属支持体８”の厚みは、通常は０．５〜２０ｍｍである。
【００１７】
本発明の排ガスの燃焼式浄化装置においては、図３及び図４に示すように、さらにセラミック壁４の下部の燃焼室側表面に、セラミック壁４を燃焼室側から支持する金属支持体８’’’を設けることができる。これにより、セラミック壁４の崩壊や欠けが発生した場合に、セラミック壁４の破片の下流側への流出、燃焼式浄化装置や後工程の装置への悪影響を抑制または防止する効果が向上する。金属支持体８’’’は、通常は円筒状または円環状であり、材質、厚み、及びセラミック壁４との接触状態も金属支持体８’と同様であるが、通気性であっても非通気性であってもよい。
【００１８】
本発明において、セラミック壁４の表面の形態としては、例えば図５に示すような構成を挙げることができる。図５（１）（２）は針孔を有する壁の部分拡大断面図であり、その孔径（直径）は、通常は０．０１〜３．０ｍｍ、好ましくは０．０２〜１．０ｍｍである。尚、孔９は円形に限られず、そのような場合の孔の大きさは、前記の孔径に相当する大きさである。孔の配列も縦横に規則的に配置したり、ランダムに配置したものを用いることができる。図５（３）は線状の間隙１０を有する壁の部分拡大断面図であり、その間隙は、通常は０．００５〜２．０ｍｍ、好ましくは０．０１〜１．０ｍｍである。図５（４）は格子窓状の間隙１１を有する壁の部分拡大断面図であり、その間隙は正方形に換算した場合の一辺の長さとして、通常は０．０１〜３．０ｍｍ、好ましくは０．０２〜１．０ｍｍである。また、セラミック壁４の表面の形態は、これらに限られるものではなく、例えばこれらのほかに、繊維状セラミックが積層された積層体、多数の粒子状セラミックが積層された積層体、細孔を有する多孔質セラミック等の形態を挙げることができる。
【００１９】
尚、セラミック壁４の孔、間隙が前記の範囲より大きい場合は、燃焼室１への酸素含有ガスの流れが偏り、ガスの流量が多い部分と少ない部分が生じる虞があり、ガスの流量が少ない部分では粉化物が堆積する虞がある。また、前記の範囲より小さい場合は、短時間で孔、間隙が粉化物等により閉塞する虞がある。さらに、セラミック壁４の通気性部分は、いずれの形態においても、好ましくは空隙率あるいは気孔率が５０〜９０％程度となるようにされる。空隙率あるいは気孔率が５０％未満の場合は、粉化物が壁面に堆積する虞があり、空隙率あるいは気孔率が９０％を越える場合は、側面壁の強度が低下する虞がある。
また、セラミック壁４の厚さは、燃焼室１の大きさ、有害成分の分解条件等により一概に特定することはできないが、通常は２〜５０ｍｍ、好ましくは５〜３０ｍｍである。
【００２０】
本発明の排ガスの燃焼式浄化装置においては、通常は前記のようなセラミック壁４の外周全体にわたり、酸素含有ガス流路５が設けられる。酸素含有ガス流路５の幅は、通常は５〜２００ｍｍ、好ましくは１０〜１００ｍｍである。有害成分を処理する際には燃焼室１の温度は５００〜１２００℃の高温になり、このような構成とすることにより、燃焼室１の熱が外部に拡散することを防止できる。尚、酸素含有ガス流路５の外壁は、セラミック壁４の形状と合ったものであり、通常は円筒形である。
【００２１】
また、本発明において、酸素含有ガスを流路５に導入するための酸素含有ガス導入口６は、導入口６から導入された酸素含有ガスが、環状の酸素含有ガス流路５を旋回するような方向に設定される。酸素含有ガス導入口６は、通常は環の接線方向に対して±３０度の角度の範囲内、好ましくは実質的に環の接線方向に酸素含有ガスが導入できるように設定される。このような構成とすることにより、流路５内のいずれの個所においても、酸素含有ガスが滞留、偏流することを防止でき、酸素含有ガスを均一な流量及び温度で燃焼室１へ導入することが可能となる。
【００２２】
また、酸素含有ガス流路５は、排ガスの導入方向（図１においては上下方向）に、複数個に区切り、各々の流路に導入する酸素含有ガスの流量等をコントロールすることも可能である。このような場合、酸素含有ガスの旋回方向は、互いに同じ方向となるように設定しても、互いに反対方向となるように設定してもよい。しかし、側面壁が酸素含有ガスを流路内の旋回方向を維持して燃焼室１へ導入できるような構成の場合は、隣接する流路内の酸素含有ガスの旋回方向を互いに反対方向となるように設定して、燃焼室内におけるガスの混合を容易にすることが好ましい。
【００２３】
本発明の排ガスの浄化装置においては、燃焼室１の直前で燃料と酸素含有ガスが混合され、燃焼するように設定される。燃料の燃焼の際には、火炎の先端が燃焼室１に入ってもよいし入らなくてもよい。また、図１に示すように、排ガスを燃焼室１へ導入するノズル３は、通常は、火炎を燃焼室１へ導入するノズル２の外周側に設置される。尚、本発明においては、酸素含有ガス流路５のほか、火炎を燃焼室１へ導入するノズル２の周辺にも、酸素含有ガスを燃焼室１へ導入するノズルを設けることができる。
【００２４】
本発明の排ガスの浄化装置において、燃焼処理後のガスは、図６に示すように、排出口７の下流側に設けられたスプレーノズル１３から噴出する冷却水により冷却された後、大気に放出されるか、あるいは次の処理工程に送られるが、次の処理工程に送られるような場合、本発明の排ガスの浄化装置においては、このような処理工程を実施するための設備を併せて装備することも可能である。
図６の水槽１７及びスクラバーの設備は、本発明の排ガスの浄化装置により処理した排ガスについて、処理後のガスに含まれる粉化物の除去、及び新たに生成した有害成分（容易に無害化できる成分）の除去を行なうためのものであり、本発明においては必須の設備ではないが、これらの設備を備えることが好ましい。すなわち、本発明においては、燃焼室１の排出側に、粉化物の除去部及び／または酸性ガスの除去部を設けた排ガスの浄化装置とすることが好ましい。
【００２５】
例えば、本発明の排ガスの浄化装置により、アルシン、ホスフィン、シラン、ジボラン等の水素化物を処理した場合は、燃焼により各々ヒ素、リン、ケイ素、ホウ素等の固体粒子状酸化物が生成する。また、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、四フッ化珪素、四塩化珪素、Ｃ２Ｆ６等のハロゲン化物を処理した場合は、新たに塩化水素、フッ化水素等の酸性ガス（容易に無害化できる成分）が生成する。図６の浄化装置においては、粉化物は主にスプレーノズル１３からの散水、及び多孔板１９における捕捉により除去することが可能である。また、本発明の排ガスの浄化装置とスクラバー設備間の配管１６は、粉化物が容易に水槽１７へ洗い流されるようにスクラバー設備側に傾斜させることが好ましい。
【００２６】
本発明の排ガスの浄化装置に、水槽１７及びスクラバーの設備を結合した図６に示すような浄化装置を用いた場合、塩化水素、フッ化水素等の酸性ガスは、主に充填材２０により除去することが可能である。また、デミスター２１により水分も併せて除去することができる。尚、図６において、１２は冷却配管、１４はフローメーター、１５はポンプ、１８は排水管、２２は処理後のガスを外部へ排出する排出口を表わす。
【実施例】
【００２７】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
【００２８】
［実施例１］
（浄化装置の製作）
円筒形の燃焼室１（高さ５００ｍｍ、直径２００ｍｍ）、火炎を該燃焼室１へ導入するノズル２、排ガスを燃焼室１へ導入するノズル３、燃焼室１の側面を構成するアルミナ製の円筒形のセラミック壁４（厚さ１５ｍｍ）、セラミック壁４を背後及び下方から支持するステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の金属支持体８（厚さ５ｍｍ）、環状の酸素含有ガス流路５（幅２０ｍｍ）、酸素含有ガス導入口６、及び燃焼後のガスを外部へ排出する排出口７を有する図１、図２に示すような構成の浄化装置を製作した。尚、セラミック壁４は、直径１０〜１００μｍに相当する微多孔を有し、セラミック壁４を背後から支持する金属支持体８’は、直径２ｍｍの孔を有しセラミック壁４よりも通気性が高い金属支持体であった。また、セラミック壁４の内部（厚み方向の中央部）に、５０ｍｍ間隔で上下方向に９個の温度センサーを設置した。
【００２９】
前述のように製作した浄化装置の燃焼室１の下部に、スプレーノズル１３、浄化装置の右下部には、縦３００ｍｍ、横３００ｍｍ、高さ３００ｍｍの水槽１７を設置し、さらに水槽１７の上部には、多孔板１９、ポリプロピレン樹脂を主材とする充填材２０、及びデミスター２１を有するスクラバーを設置した。また、浄化装置の下部と水槽を、傾斜した配管で接続し、フローメーター１４、ポンプ１５等を接続して、図６に示すような装置を完成した。尚、スプレーノズル１３は、噴出する冷却水がセラミック壁４に接触しないように、セラミック壁と充分な距離を設けて設置した。
【００３０】
（浄化装置の燃焼処理試験）
水槽に深さが１５０ｍｍになるまで水を注入した後、ポンプ等を稼動してスプレーノズル１３から水を噴出させた。また、プロパン（流量１５Ｌ／ｍｉｎ）と空気（流量４４０Ｌ／ｍｉｎ）を混合し燃焼させて、ノズルから燃焼室１に導入するとともに、空気を４個の酸素含有ガス導入口から３７．５Ｌ／ｍｉｎずつ、合計１５０Ｌ／ｍｉｎの流量で側面壁を介して燃焼室１に導入した。次に、排ガスとしてのシラン（流量１０Ｌ／ｍｉｎ）を含む窒素ガス（流量４９０Ｌ／ｍｉｎ）を、４個の各ノズルから１２５Ｌ／ｍｉｎ、合計５００Ｌ／ｍｉｎで燃焼室１に導入して燃焼処理を行なった。
【００３１】
シランの燃焼処理は燃焼状態が安定した後１時間行ない、この間セラミック壁４の温度分布を確認するために、温度センサーによりセラミック壁４の各測定場所の温度を測定した。その結果、上から３番目に設置された測定場所で最高温度約７８０℃が測定され、最下部の測定場所で測定された最低温度との差の平均は、約２００℃であることがわかった。
【００３２】
［実施例２］
（浄化装置の製作）
実施例１の浄化装置の製作において、セラミック壁４の厚さを１７ｍｍ、セラミック壁４を背後から支持する金属支持体８’の厚さを３ｍｍに変更し、新たにセラミック壁４を燃焼室側から支持する金属支持体８’’’（厚さ３ｍｍ、高さ２０ｍｍ）を設けたほかは、実施例１と同様にして浄化装置を製作した。さらに、実施例１と同様にして、燃焼室１の下部にスプレーノズル１３、浄化装置の右側にスクラバーを設置して、図６に示すような装置を完成した。
【００３３】
（浄化装置の燃焼処理試験）
実施例１の浄化装置の燃焼処理試験において、前述の浄化装置を用いたほかは、実施例１と同様にして、燃焼処理試験を行なった。その結果、上から３番目に設置された測定場所で最高温度約７９０℃が測定され、最下部の測定場所で測定された最低温度との差の平均は、約２３０℃であることがわかった。実施例１と比較して、セラミック壁４の最高温度と最低温度との差が大きくなったが、この原因はセラミック壁４を燃焼室側から支持する金属支持体８’’’の厚さを、実施例１の場合より２ｍｍ薄くしたため、熱伝導が悪化したことによると考えられる。
【００３４】
［比較例１］
（浄化装置の製作）
実施例１の浄化装置の製作において、セラミック壁４の厚さを２０ｍｍとし、金属支持体８を設けなかったほかは、実施例１と同様にして浄化装置を製作した。さらに、実施例１と同様にして、燃焼室１の下部にスプレーノズル１３、浄化装置の右側にスクラバーを設置して、図６に示すような装置を完成した。
【００３５】
（浄化装置の燃焼処理試験）
実施例１の浄化装置の燃焼処理試験において、前述の浄化装置を用いたほかは、実施例１と同様にして、燃焼処理試験を行なった。その結果、上から３番目に設置された測定場所で最高温度約８１０℃が測定され、最下部の測定場所で測定された最低温度との差の平均は、約３００℃であることがわかった。実施例１及び実施例２と比較して、セラミック壁４の最高温度と最低温度との差が大きくなったが、この原因はセラミック壁４を燃焼室側から支持する金属支持体８’’’がないため、熱伝導が大幅に悪化したことによると考えられる。
【００３６】
以上のように、本発明の排ガスの燃焼式浄化装置は、実施例に示すように、燃焼室の側面を構成する通気性のセラミック壁の背面に熱伝導率が高い金属支持体を設けるので、通気性のセラミック壁の最高温度と最低温度の差が小さくなり、金属支持体を設けない場合より温度が均一化される。その結果、火炎の影響によるセラミック壁の劣化を遅くさせることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の排ガスの燃焼式浄化装置の一例を示す縦断面の構成図
【図２】図１におけるａ−ａ’断面図
【図３】本発明の排ガスの燃焼式浄化装置の図１以外の一例を示す縦断面の構成図
【図４】図３におけるｂ−ｂ’断面図
【図５】本発明の排ガスの燃焼式浄化装置のセラミック壁の例を示す部分拡大断面図
【図６】本発明の排ガスの燃焼式浄化装置に水槽及びスクラバーの設備を結合した浄化装置の例を示す縦断面の構成図
【符号の説明】
【００３８】
１  燃焼室
２  火炎を燃焼室へ導入するノズル
３  排ガスを燃焼室へ導入するノズル
４  セラミック壁
５  酸素含有ガス流路
６  酸素含有ガスの導入口
７  排出口
８  金属支持体
８’セラミック壁を背後から支持する金属支持体
８”セラミック壁を下方から支持する金属支持体
８’’’ セラミック壁を燃焼室側から支持する金属支持体
９  孔
１０  線状の間隙
１１  格子窓状の間隙
１２  冷却配管
１３  スプレーノズル
１４  フローメーター
１５  ポンプ
１６  排ガスの浄化装置とスクラバー設備間の配管
１７  水槽
１８  排水管
１９  多孔板
２０  充填材
２１  デミスター
２２  処理後のガスを外部へ排出する排出口
【図１】
2015215133.tif 000003
【図２】
2015215133.tif 000004
【図３】
2015215133.tif 000005
【図４】
2015215133.tif 000006
【図５】
2015215133.tif 000007
【図６】
2015215133.tif 000008