(57)【要約】【課題】電子部品の劣化や損傷を低減または防止する半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、端子が設けられた第１の面と、前記第１の面の反対面である第２の面とを有する。前記第２の面側には、マークが印字され、第１の粗さを有する中央部と、前記中央部を囲み前記第１の粗さよりも滑らかな第２の粗さを有する外周部とを有する。前記第２の面上において前記端子側の反対側に係止部が設けられる。【選択図】図１
2015005140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子が設けられた第１の面と、
前記第１の面の反対面である第２の面と
前記第２の面側に設けられ、マークが印字され、第１の粗さを有する中央部と、
前記第２の面側に設けられ、前記端子側の反対側に設けられる係止部と、
前記中央部を囲み、前記第１の粗さよりも滑らかな第２の粗さを有する外周部と、
を有する半導体記憶装置。
【請求項２】
前記中央部から前記第１の面まで距離は、前記外周部から前記第１の面までの距離よりも短い請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記外周部の表面粗さは１．２以下であり、前記中央部における表面粗さは１．８以上である請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
端子が設けられた第１の面と、
前記第１の面の反対面である第２の面と
前記第２の面側に設けられ、マークが印字された中央部と、
前記第２の面側に設けられ、前記端子側の反対側に設けられる係止部と、
前記中央部を囲む外周部と、
を有し、
前記第２の面と前記中央部までの距離は前記第２の面と前記外周部までの距離よりも短い半導体記憶装置。
【請求項５】
半導体基板を用意する工程と、
半導体素子を実装する工程と、
導電性ワイヤで半導体基板と前記半導体素子を電気的に接続する工程と、
凸部を有する金型に樹脂及び半導体素子を配置して前記半導体素子を封止するとともに、前記マーク中央部及び前記外周部間に段差を設ける工程と、
を有する半導体記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体記憶装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＤカード等の半導体記憶装置はカードソケットの挿抜をスムーズに行えることが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１１９９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、電子部品の劣化や損傷を低減または防止する半導体記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために実施形態の半導体記憶装置は、端子が設けられた第１の面と、前記第１の面の反対面である第２の面とを有する。前記第２の面側には、マークが印字され、第１の粗さを有する中央部と、前記中央部を囲み前記第１の粗さよりも滑らかな第２の粗さを有する外周部とを有する。前記第２の面上において前記端子側の反対側に係止部が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態の半導体記憶装置を示す平面図。
【図２】第１の実施形態の半導体記憶装置を示す平面図。
【図３】第１の実施形態の半導体記憶装置を示す平面図。
【図４】第１の実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。
【図５】第１の実施形態の半導体記憶装置を示す平面図。
【図６】第１の実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。
【図７】第２の実施形態の半導体記憶装置の外形を示す斜視図。
【図８】第２の実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。
【図９】第２の実施形態の半導体記憶装置の製造工程を示すフローチャート図。
【図１０】第２の実施形態の半導体記憶装置の製造工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（第１の実施形態）
以下の実施形態では、半導体記憶装置１はｍｉｃｒｏＳＤカードを例にして説明する。以下、メモリカードとする。しかしながら、以下の記述におけるメモリカードは、ｍｉｃｒｏＳＤカードに限定されてない。ｍｉｃｒｏＳＤカードに課せられる制約及び課題と、後述の課題とが課せられるメモリカード全てに、本明細書の記述が適用される。
【０００８】
図１及び図２は、第１の実施形態の半導体記憶装置１の外形を示す平面図である。図に示すように、半導体記憶装置１は、モールド樹脂２（レジン）を有する。モールド樹脂２は、絶縁材料からなり、各チップ及び半導体基板３等を封止している。
【０００９】
半導体記憶装置１は、対向する上面４(第２の面)及び下面５（端子面、第１の面）を有しする。
【００１０】
上面４には係止部６、外周部７及び外周部７に囲まれる中央部８が設けられる。外周部７は、図に示すように、上面４の第１側面側の端部、第２の側面部の端部及び接続端子１０側の第１の側面部に設けられる。外周部７の表面粗さＲａは、中央部８の表面粗さよりも小さい。つまり、外周部７は中央部８よりも滑らかである。外周部７の表面粗さＲａは具体的には、表面粗さＲａ≦１．２であることが好ましい。
【００１１】
中央部８には、レーザー及びインクにより、ＳＤロゴ９ａ、原産国表示９ｂ及び識別コード９ｃ等のマーク９が印字されている。中央部８の表面粗さＲａは、粗い程よい。これにより、印刷されるマーク９のインクとモールド樹脂２との密着性が向上する。
【００１２】
一方、下面５には、複数（８個を例示）の接続端子１０が半導体記憶装置１のＸ軸方向に平行な一辺に沿って配列されている。また、接続端子１０は、モールド樹脂２に覆われておらず、半導体記憶装置１がホスト装置に挿入された際にホスト装置（外部機器）と半導体記憶装置１とを電気的に接続する。
【００１３】
図３及び図４は第１の実施形態の半導体記憶装置１の内部構造を示す平面図及び断面図である。図３に示すように、半導体記憶装置１の内部には、モールド樹脂２、半導体基板３、メモリチップ１１、コントローラチップ１２及び受動部品１３が設けられる。
【００１４】
また、半導体基板３上には、半導体基板３の内部の電気回路と電気的に接続されている複数の接続パッド１４が設けられ、導電性ワイヤ１５を介して、半導体基板２上の接続パッド１４に接続されている。
【００１５】
また、受動部品１３は、電気回路の内、例えば、抵抗、キャパシタ、インダクタ等である。また、受動部品１３の上面にはコントローラチップ１２内の回路と電気的に接続されている複数の接続パッド１４が設けられ、導電性ワイヤ１５を介して、半導体基板３上の接続パッド１４に接続されている。これらは、モールド樹脂２で封止される。
【００１６】
図４及び図５は、第１の実施形態の半導体記憶装置１を示す平面図及び断面図である。図４は、半導体記憶装置１がカードソケット１６に挿入される際の平面図を示している。図５は、半導体記憶装置１がカードソケット１６に挿入された際の断面図である。図５に示すように、半導体記憶装置１はカードソケット１６に収納される。この時、半導体記憶装置１は、コネクタピン１７によってカードソケット１６に固定され、外周部７がカードソケット１６の内部に接触する。
【００１７】
第１の実施形態の半導体記憶装置１の効果について説明する。本実施形態の半導体記憶装置１は、外周部７の摩擦力が中央部８の摩擦力と比較して小さいため、カードソケット１６の挿抜をスムーズに行うことができる。これにより、カードソケット１６に強く保持されることを防止することができる。カードソケット１６に強く保持された半導体記憶装置１を抜き取る場合、接続端子６又は半導体基板３が曲がったり、折れる等の虞があり、本実施形態の半導体記憶装置１はこれを防止することが出来る。
【００１８】
また、中央部８の表面粗さＲａを大きくすることで、インク及びモールド樹脂２との密着性が向上するため、ＳＤロゴマーク１０ａ、原産国表示１０ｂ、識別コード１０ｃ等のマーク９が印字しやすくなる。このため半導体記憶装置１を長期間にわたって管理しやすくなる。
【００１９】
なお、本実施形態において半導体記憶装置１全体に塗布されるインクの色は黒に限定されない。例えば、赤、黄色、緑、青、白であっても良い。これにより、デザイン性の向上が可能となる。
【００２０】
（第２の実施形態）
第２の実施形態の半導体記憶装置１について説明する。図７は第２の実施形態の半導体記憶装置１の外形を示す斜視図である。本実施形態の半導体記憶装置１の中央部８の厚さが外周部７と比較して薄い。中央部８と外周部７と表面粗さによる違いは第１の実施形態と同様であるが、表面粗さは同じであってもよい。
【００２１】
図８は第２の実施形態の半導体記憶装置１を示す断面図である。図に示すように、半導体記憶装置１がカードソケット１６に装着された際、中央部８が外周部７と比して窪んでいるため、外周部７がカードソケット１６の内部に接触しやすくなる。
【００２２】
本実施形態において、半導体記憶装置１をカードソケット１６から抜き取る際、中央部８はカードソケット１６の内部と接触しにくくなる。これにより、本実施形態の半導体記憶装置１は上面４又はマーク９が擦り減りにくくなる。つまり、上面４又はマーク９に傷が生じにくくすることで、上面４に設けられた印字を長期間安定して保つことができ、管理しやすくなる。
【００２３】
また、表面粗さの大きい中央部がカードソケット１６と接触しにくいので、カードソットに対してより挿抜しやすくなる。
【００２４】
次に、半導体記憶装置１０の製造工程について説明する。図９は、第２の実施形態の半導体記憶装置１の製造過程を示すフローチャート図である。まず、半導体基板３を用意する（ステップＳ１）。
【００２５】
次に、半導体基板３上に、接着剤が塗布されたメモリチップ１１及びコントローラチップ１２を載置する（ステップＳ２）。
【００２６】
次に、メモリチップ１１やコントローラチップ１２に塗布された接着剤を硬化させる（ステップＳ３）。
【００２７】
次に、コントローラチップ１２と半導体基板３間、およびコントローラチップ１２とメモリチップ１１間を導電性ワイヤ１５でワイヤボンディングを行う（ステップＳ４）。
【００２８】
次に、半導体基板３及びメモリチップ１１等をモールド樹脂２でモールドする（ステップＳ５）。図１０は、第２の実施形態の半導体記憶装置１の製造工程を示す断面図である。図に示すように、上金型１８の半導体記憶装置１の中央部８に対応する領域には凸部１８ａが設けられているため、上金型１８及び下金型１９でモールド樹脂をモールドした際、外周部７及び中央部８間に段差を設けることが出来る。
【００２９】
次に、モールド樹脂２でモールドされた半導体基板３を、ダイシングにより半導体記憶装置１の構成単位ごとに個片化する（ステップＳ６）ことで、半導体記憶装置１が製造される。本工程において１枚のフレームから複数の半導体記憶装置１を製造することができる。なお、半導体記憶装置１の個片化は、ダイシング以外の手法を用いてもよく、例えば、レーザーを用いて個片化してもよい。
【００３０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３１】
１  半導体記憶装置
２  モールド樹脂
３  半導体基板
４  上面（第２の面）
５  下面（第１の面）
６  係止部
７  外周部
８  中央部
９  マーク
９ａ  ＳＤロゴマーク
９ｂ  原産国表示
９ｃ  識別コード
１０  接続端子
１１  メモリチップ
１２  コントローラチップ
１３  受動部品
１４  接続パッド
１５  導電性ワイヤ
１６  カードソケット
１７  コネクタピン
１８  上金型
１８ａ  凸部
１９  下金型
【図１】
2015005140.tif 000003
【図２】
2015005140.tif 000004
【図３】
2015005140.tif 000005
【図４】
2015005140.tif 000006
【図５】
2015005140.tif 000007
【図６】
2015005140.tif 000008
【図７】
2015005140.tif 000009
【図８】
2015005140.tif 000010
【図９】
2015005140.tif 000011
【図１０】
2015005140.tif 000012