(57)【要約】【課題】実装基板への固定力を向上可能な側面発光型発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、直方体状のパッケージ１０と、発光素子２０と、ｎ側端子３０と、ｐ側端子４０と、を備える。ｎ側端子３０は、パッケージ１０の底面Ｓ３と左面Ｓ５から露出する。ｐ側端子４０は、パッケージ１０の底面Ｓ３と右面Ｓ６から露出する。【選択図】図３
2015008220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光面である前面と、実装面である底面と、前記底面に隣接する第１側面および第２側面を有し、発光素子とｎ側端子とｐ側端子とを埋設するパッケージを備え、
前記発光素子は、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を有し、少なくともその上面が前記前面から露出し、
前記ｎ側端子は、前記ｎ型半導体層と電気的に接続され、前記底面と前記第１側面から露出し、
前記ｐ側端子は、前記ｐ型半導体層と電気的に接続され、前記底面と前記第２側面から露出する、
側面発光型発光装置。
【請求項２】
前記ｎ側端子は、前記第１側面に露出する第１ｎ側端子面と、前記底面に露出する第２ｎ側端子面と、を含み、
前記ｐ側端子は、前記第２側面に露出する第１ｐ側端子面と、前記底面に露出する第２ｐ側端子面と、を含む、
請求項１に記載の側面発光型発光装置。
【請求項３】
前記第１ｎ側端子面と前記第２ｎ側端子面は、互いに連なり、
前記第１ｐ側端子面と前記第２ｐ側端子面は、互いに連なる、
請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１ｎ側端子面と前記第１ｐ側端子面それぞれは、前記底面に垂直な高さ方向に沿って延びる、
請求項２又は３に記載の側面発光型発光装置。
【請求項５】
前記高さ方向において、前記第１ｎ側端子面と前記第１ｐ側端子面それぞれの高さは、前記パッケージの高さの１／２以上である、
請求項４に記載の側面発光型発光装置。
【請求項６】
前記第２ｎ側端子面と前記第２ｐ側端子面それぞれは、前記第１側面に垂直な幅方向に沿って延びている、
請求項２乃至５のいずれかに記載の側面発光型発光装置。
【請求項７】
前記幅方向において、前記第２ｎ側端子面と前記第２ｐ側端子面それぞれの幅は、前記パッケージの幅の１／４以上である、
請求項６に記載の側面発光型発光装置。
【請求項８】
前記前面は、封止部材によって覆われている、
請求項１乃至７のいずれかに記載の側面発光型発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、側面発光型発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶テレビ用バックライトや照明器具などの光源として、発光素子（例えば、発光ダイオードやレーザーダイオード）を備える側面発光型発光装置が広く用いられている。
【０００３】
特許文献１では、発光素子と同程度の高さのパッケージに発光素子が埋設された側面発光型発光装置が開示されている。側面発光型発光装置とは、実装基板に固定された場合に、発光素子の光が実装基板に略平行な方向に出射するタイプの発光装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１４６８９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の側面発光型発光装置は、パッケージの底面に露出する一対の端子が実装基板にはんだ接続されることによって固定されている。このように、パッケージの底面側だけで発光装置が固定されているため、発光装置の固定力を向上させるにも限界がある。
【０００６】
本発明は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、実装基板への固定力を向上可能な発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る側面発光型発光装置は、発光面である前面と、実装面である底面と、底面に隣接する第１側面および第２側面を有する。側面発光型発光装置は、発光素子とｎ側端子とｐ側端子とを埋設する。発光素子は、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を有し、少なくともその上面が前面から露出する。ｎ側端子は、ｎ型半導体層と電気的に接続され、底面と第１側面から露出する。ｐ側端子は、ｐ型半導体層と電気的に接続され、底面と第２側面から露出する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、実装基板への固定力を向上可能な側面発光型発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実装基板に実装された発光装置の前面図
【図２】発光装置の前面概略斜視図
【図３】発光装置の底面概略斜視図
【図４】図１のＡ−Ａ概略断面図
【図５】図１のＢ−Ｂ概略断面図
【図６】図１のＣ−Ｃ概略断面図
【図７】右面の概略平面図
【図８】左面の概略平面図
【図９】底面の概略平面図
【図１０】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１１】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１２】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１３】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１４】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１５】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１６】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１７】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１８】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図１９】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図２０】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図２１】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図２２】実装基板に実装された発光装置の前面概略図
【図２３】発光装置の製造方法を説明するための概略図
【図２４】発光装置の概略三面図
【図２５】発光装置の概略三面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係る側面発光型発光装置の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
【００１１】
（側面発光型発光装置１００の構成）
実施形態に係る側面発光型発光装置（以下、「発光装置」と略称する。）１００の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、実装基板２００に実装された発光装置１００の前面図である。図２は、発光装置１００の前面斜視図である。図３は、発光装置１００の底面斜視図である。図４は、図１のＡ−Ａ断面図である。図５は、図１のＢ−Ｂ断面図である。図６は、図１のＣ−Ｃ断面図である。
【００１２】
発光装置１００は、図１に示すように、半田Ｆ１及び半田Ｆ２によって実装基板２００に固定される。本実施形態の発光装置は、略直方体形状に形成されている。この発光装置１００において、発光素子２０からの光は、主として発光装置の側面の一面から、実装基板２００の載置面２００Ｓに略平行な方向に出射する。
【００１３】
本実施形態の発光装置１００は、図２及び図３に示すように、略直方体状に形成されている。パッケージ１０と、発光素子２０と、ｎ側端子３０と、ｎ側コーティング層３５と、ｐ側端子４０と、ｐ側コーティング層４５と、蛍光体層５０と、保護膜５５と、を備える。
【００１４】
本実施形態のパッケージ１０は、略直方体状に形成されている。パッケージ１０内には、少なくとも、発光素子２０、ｎ側端子３０及びｐ側端子４０が埋設されている。
【００１５】
本実施形態のパッケージ１０は、前面Ｓ１、背面Ｓ２、底面Ｓ３、上面Ｓ４、左面Ｓ５（第１側面の一例）及び右面Ｓ６（第２側面の一例）を有する。前面Ｓ１は背面Ｓ２に略平行であり、底面Ｓ３は上面Ｓ４に略平行であり、右面Ｓ５は左面Ｓ６に略平行である。底面Ｓ３と左面Ｓ５にはｎ側端子３０が連なって露出し、底面Ｓ３と右面Ｓ６にはｐ側端子４０が連なって露出している。また、前面Ｓ１は、発光素子２０が露出されるとともに、蛍光体層５０によって覆われている。前面Ｓ１は、発光素子２０の光が取り出される発光面である。底面Ｓ３は、発光装置１００と対向する載置面２００Ｓに接続される実装面である。本発明の発光装置１００は側面発光型であるため、発光素子２０からの発光は、主として発光装置１００の側面であってパッケージの前面Ｓ１と対向する面から取り出される。
【００１６】
なお、以降の説明では、前面Ｓ１と背面Ｓ２に垂直な方向を“奥行き方向”と称し、底面Ｓ３と上面Ｓ４に垂直な方向を“高さ方向”と称し、左面Ｓ５と右面Ｓ６に垂直な方向を“幅方向”と称する。
【００１７】
パッケージ１０は、少なくとも、第１成形部１１と、第２成形部１２と、を有する。第１成形部１１は、第２成形部１２よりもパッケージ１０の前面Ｓ１に近い側に配置される。第１成形部１１には、発光素子２０が埋設される。第２成形部１２には、ｎ側端子３０とｐ側端子４０が埋設される。第１成形部１１と第２成形部１２は、一体的に形成されていてもよいし、異なる部材が連続するよう形成されていてもよい。第１成形部１１と第２成形部１２は、同じ材料で構成されていてもよいし、異なる材料で構成されていてもよい。
【００１８】
パッケージ１０は、絶縁材料によって構成される。このような材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂あるいはフッ素樹脂などの樹脂材料や、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの金属酸化物や金属窒化物等が挙げられる。パッケージ１０の材料として樹脂を用いる場合には、埋め込む発光素子２０の材料（特に半導体層の材料）と線膨張係数を合わせるため、フィラー等を含有させることが好ましい。これにより、発光装置１００の信頼性を高めることができる。
【００１９】
発光素子２０は、パッケージ１０（より詳細には、第１成形部１１）内に配置され、発光を取り出すため、その少なくとも一部がパッケージ１０の前面Ｓ１から露出する。発光素子２０は、図４〜図６に示すように、ｎ型半導体層２１と、発光層２２と、ｐ型半導体層２３と、ｎ側電極２４と、ｐ側電極２５と、を少なくとも有する。
【００２０】
本実施形態において、ｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３は、奥行き方向において順次積層されている。各半導体層の材料としては、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系化合物が好適であるが、これに限られるものではない。なお、各半導体層は、それぞれ単層構造であってもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造や超格子構造であってもよい。また、発光層は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸構造や多重量子井戸構造であることが好ましい。
【００２１】
発光素子２０は、上記の半導体層のほか、前面側に基板を有していてもよい。発光素子２０からの光を効率よく取り出すため、基板は透光性の高いことが好ましい。具体的にはサファイアを用いることができる。
【００２２】
発光素子２０は、前面側に露出する面が半導体層であることが好ましい。これにより、光取出し効率の高い発光装置とすることができる。成長基板上に半導体層が成長された発光素子の場合は、後述するように、成長基板を除去することにより、パッケージの前面側に露出する面を半導体層とすることができる。
【００２３】
この場合の基板の除去は、通常、基板と半導体積層体との間にレーザビームを照射する、レーザリフトオフにより、容易に行うことができる。
【００２４】
例えば、半導体層がＧａＮ系半導体で、成長基板がサファイア基板の場合、成長基板側から波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、ＹＡＧレーザの４倍波２６６ｎｍを照射し、半導体層にエネルギーを吸収させ、アブレーションさせることによって、基板の剥離を行うことができる。レーザビームの照射量、時間等は、用いた基板の種類、厚み等によって適宜調整することができる。
【００２５】
なお、レーザリフトオフによって基板を除去した後は、半導体層表面に残存する不要な導電材料や酸化物等（例えば、Ｇａメタル、Ｇａ２Ｏ３等）を、ＨＣｌ、ＨＮＯ３などの酸で除去し、清浄面を形成する。その後、ＮａＯＨ、ＴＭＡＨなどの強アルカリで半導体層の表面をエッチングして粗面とすることにより、光取り出し効率を向上させる加工を施してもよい。
【００２６】
このような半導体層は、熱及び水分の影響を受けやすいため、その表面に保護層を形成することが好ましい。
【００２７】
保護層としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２など透明酸化物、ＡｌＯｘＮｙ、ＳｉＮ、ＳｉＮｘなどの透明窒化物材料等の透明絶縁体膜の単層又は積層構造が挙げられる。保護層は、各種成膜方法、スパッタ、蒸着、原子層堆積法（ＡＬＤ）などで形成することができる。特にＡＬＤによれば緻密な膜を形成することができるため、発光装置の信頼性向上のため好ましい。なお、このような保護層は、発光素子に限られず、封止部材等、各種の部材を被覆するように設けられることができる。この点は、保護膜５５として後述する。
【００２８】
ｎ側電極２４は、図５に示すように、発光層２２及びｐ型半導体層２３を奥行き方向に貫通する露出部２０ａ内に配置される。ｎ側電極２４は、ｎ型半導体層２１とｎ側端子３０に接続されている。ｐ側電極２５は、図６に示すように、ｐ型半導体層２３上に配置される。ｐ側電極２５は、ｐ型半導体層２３とｐ側端子４０に接続されている。各電極の材料としては、導電性に優れた金、銀、銀合金、アルミニウムあるいはアルミニウム合金、ＩＴＯなどが挙げられる。
【００２９】
ｎ側端子３０は、図５に示すように、パッケージ１０（具体的には、第２成形部１２）内に配置される。ｎ側端子３０は、ｎ側電極２４を介して、ｎ型半導体層２１と電気的に接続される。ｎ側端子３０は、図２及び図３に示すように、底面Ｓ３と左面Ｓ５に連なってパッケージ１０から露出することが好ましい。ｎ側端子３０の材料としては、金属を用いることができ、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄなどを用いることができる。また、これらの材料が積層されて形成されてもよい。ｎ側端子３０は、発光装置１００の外部接続端子として用いられるため、比較的厚く形成されるとともに、熱伝導率が良好であることが好ましい。そのため、安価で放熱性に優れる材料を用いることが好ましく、特にＣｕを好適に用いることができる。
【００３０】
ｎ側端子３０の発光装置１００の外面に露出した表面は、ｎ側コーティング層３５によってコーティングされていることが好ましい。ｎ側端子３０の表面がＣｕやＮｉによって構成される場合、ｎ側コーティング層３５は、例えば、酸化防止剤、プリフラックス、変色防止剤、バレルによる電解めっき、無電解めっきによって構成することができる。このようなｎ側コーティング層３５でｎ側端子３０を被覆することによって、ｎ側端子３０の劣化や損傷を抑制することができる。なお、ｎ側端子３０がＡｇやＡｕのような酸化されにくい材料である場合には、ｎ側コーティング層３５は形成されていなくてもよい。
【００３１】
ｐ側端子４０は、図６に示すように、パッケージ１０（具体的には、第２成形部１２）内に配置される。ｐ側端子４０は、ｐ側電極２５を介して、ｐ型半導体層２３と電気的に接続される。ｐ側端子４０は、図２及び図３に示すように、底面Ｓ３と右面Ｓ６に連なってパッケージ１０から露出する。ｐ側端子４０の材料としては、例えばｎ側端子と同様に、金属を用いることができ、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄなどを用いることができる。また、これらの材料が積層されて形成されてもよい。ｐ側端子４０は、発光装置１００の外部接続端子として用いられるため、露出面が比較的厚く形成されるとともに、熱伝導率が良好であることが好ましい。そのため、安価で放熱性に優れる材料を用いることが好ましく、特にＣｕを好適に用いることができる。
【００３２】
ｐ側端子４０の発光装置１００の外面に露出した表面は、ｐ側コーティング層４５によってコーティングされていることが好ましい。ｐ側コーティング層４５は、ｎ側コーティング層３５と同様の材料によって構成することができる。このようなｐ側コーティング層４５でｐ側端子４０を被覆することによって、ｎ側端子３０と同様に、ｐ側端子４０の劣化や損傷を抑制することができる。
【００３３】
図７は、パッケージの左面Ｓ５側から見た発光装置の平面図であり、図８は、右面Ｓ６側から見た平面図であり、図９は、底面Ｓ３側から見た平面図である。図７及び図９に示すように、ｎ側端子３０は、左面Ｓ５に露出する第１ｎ側端子面３０Ｓと、底面Ｓ３に露出する第２ｎ側端子面３０Ｔと、を有する。本実施形態においては、第１ｎ側端子面３０Ｓと第２ｎ側端子面３０Ｔは、パッケージ１０の外面に沿って略直交するように連なっている。図８及び図９に示すように、ｐ側端子４０は、右面Ｓ６に露出する第１ｐ側端子面４０Ｓと、底面Ｓ３に露出する第２ｐ側端子面４０Ｔと、を有する。本実施形態においては、第１ｐ側端子面４０Ｓと第２ｐ側端子面４０Ｔは、パッケージ１０の外面に沿って略直交するように連なっている。
【００３４】
図７に示すように、第１ｎ側端子面３０Ｓは、高さ方向に沿って略平行に延びるよう形成されている。第１ｎ側端子面３０Ｓの高さＨ３０Ｓは、特に限定されないが、パッケージ１０の高さＨ１０の１／２以上であることが好ましい。同様に、図８に示すように、第１ｐ側端子面４０Ｓは、高さ方向に沿って略平行に延びるよう形成されている。第１ｐ側端子面４０Ｓの高さＨ４０Ｓは、パッケージ１０の高さＨ１０の１／２以上であることが好ましい。
【００３５】
図９に示すように、第２ｎ側端子面３０Ｔは、幅方向に沿って延びるように形成されている。第２ｎ側端子面３０Ｔの幅Ｗ３０Ｔは、パッケージ１０の幅Ｗ１０の１／４以上であることが好ましい。同様に、第２ｐ側端子面４０Ｔは、幅方向に沿って延びるように形成されている。第２ｐ側端子面４０Ｔの幅Ｗ４０Ｔは、パッケージ１０の幅Ｈ１０の１／４以上であることが好ましい。
【００３６】
以上のような構成を有するｎ側端子３０は、図１に示すように、半田Ｆ１を介して、実装基板２００に接続される。半田Ｆ１は、底面Ｓ３に露出する第２ｎ側端子面３０Ｔだけでなく、左面Ｓ５に露出する第１ｎ側端子面３０Ｓとも接続されている。このように、第１ｎ側端子面３０Ｓに沿って這い上がるように半田Ｆ１が形成されることによって、発光装置１００の固定力の向上が図られている。
【００３７】
また、ｐ側端子４０は、図１に示すように、半田Ｆ２を介して、実装基板２００に接続される。半田Ｆ２は、底面Ｓ３に露出する第２ｐ側端子面４０Ｔだけでなく、右面Ｓ６に露出する第１ｐ側端子面４０Ｓとも接続されている。このように、第１ｐ側端子面４０Ｓに沿って這い上がるように半田Ｆ２が形成されることによって、発光装置１００の固定力の向上が図られている。
【００３８】
蛍光体層５０は、パッケージ１０の前面Ｓ１上に配置される。蛍光体層５０は、パッケージ１０の前面Ｓ１ないしパッケージ１０の前面Ｓ１に露出した発光素子を封止するための封止部材の一例である。蛍光体層５０は、透光性樹脂と、透光性樹脂内に分散された蛍光体と、を含むことができる。透光性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。蛍光体としては、例えば、酸化物系、硫化物系、窒化物系の蛍光体を用いることができる。また、蛍光体層５０は、蛍光体と、蛍光体を結着する無機物を含んでもよい。このような無機物は、ゾル-ゲル法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法等で形成することができる。劣化の少ない無機物を用いることにより、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【００３９】
また、無機化合物蛍光体は、粉体もしくは焼結させた蛍光体板としても好適に用いられる。が、本実施形態は、発光素子２０が基板を有さないため、発光の指向性が高められており、発光装置の側面方向に発光される光の量が非常に多くなっている。このような発光素子２０の発光を最大限に利用するために、光散乱を抑制できる構造が好ましく、透明性の高い板状蛍光体や量子ドットが好適に用いられる。量子ドットとしては、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＣｄＳ、もしくは、ＧａＰなどの化合物半導体によって構成される１〜２０ｎｍの微粒子が用いられる。このような量子ドットは、多層構造や有機物により表面を不動態化され、シリコーン樹脂などの樹脂中に分散された状態で、発光素子２０の表面に形成されることが好ましい。これにより、側面から効率よく光を取り出すことができる発光装置とすることができる。
【００４０】
さらに、保護膜５５が、蛍光体層５０上に配置されることが好ましい。保護膜５５は、蛍光体層５０の表面を覆う。保護膜５５は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法及びレジスト法などで透光性材料を堆積することによって、或いは、フッ素樹脂をコーティングすること等によって形成できる。保護膜５５は、例えば、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の透明性の高い絶縁材料によって構成することができる。保護膜５５は、ｎ側及びｐ側端子３０、４０の露出面をｎ側及びｐ側コーティング層３５、４５でコーティングする前に形成する必要がある。このような保護膜５５を形成することによって、ｎ側及びｐ側端子３０、４０のコーティング時に、蛍光体層５０を汚染や腐食から保護して、光取出し効率が低減したり、発光装置の信頼性が低下することを抑制できる。また、無電解Ａｕめっきによってｎ側及びｐ側コーティング層３５，４５が形成される場合には、薬液中に蛍光体層５０が溶解するおそれがあるが、Ａｌ２Ｏ３で構成される保護膜５５によって蛍光体層５０を保護することができる。
【００４１】
なお、本実施形態において、保護膜５５は、蛍光体層５０の前面のみを覆っているが、蛍光体層５０の側面も覆っていてもよい。これにより、より発光装置１００に汚染物質が残留しにくくなるため、発光装置１００の光取り出し効率や信頼性を向上させることができる。
【００４２】
（発光装置１００の製造方法）
次に、発光装置１００の製造方法について、図１０〜図２１を参照しながら説明する。なお、図１０〜図１９において、各図（ｂ）は各図（ａ）を右側面から見た図である。つまり、各図（ｂ）の視点は、各図（ａ）の視点から右に９０度回転した位置である。また、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）に示す基板の平面図である。
【００４３】
まず、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて、図１０に示すように、基板６０の主面上にｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３を順次積層したものを用いることができる。基板６０としては、例えばサファイア基板を用いることができるが、これに限られるものではない。
【００４４】
次に、例えばレジストを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いて、図１１に示すように、各半導体層を所定サイズのマトリックス状にパターニングする。
【００４５】
次に、例えばレジストを用いたＲＩＥ法を用いて、図１２に示すように、ここにパターニングされた半導体層の、発光層２２とｐ型半導体層２３の一部を除去して、ｎ型半導体層２１の露出部２０ａを形成する。
【００４６】
次に、例えばスパッタ法や蒸着法を用いて、図１３に示すように、露出部２０ａ内にｎ側電極２４を形成するとともに、ｐ型半導体層２３上にｐ側電極２５を形成する。これによって、発光素子２０が作製される。
【００４７】
次に、例えばスパッタ法を用いて、図１４に示すように、めっき用のシード層７０を形成する。シード層７０は、異なる発光装置となるｎ側電極２４とｐ側電極２５を連結するように形成される。これにより、複数の発光装置のｎ側端子３０とｐ側端子４０を一度に形成できる、なお、このシード層７０は、後工程で発光装置１００を個片化することによって、異なる発光素子となるｎ側電極２４とｐ側電極２５は電気的に分断される。
【００４８】
次に、図１５に示すように、基板上に設けられた半導体層、ｎ側電極及びｐ側電極を被覆するように、第１成形部１１を形成する。これにより、発光素子２０が埋設された構造とすることができる。この第１成形部は、例えば、ポリイミドやシリコーンなどの樹脂レジスト（永久レジスト）を用いることができるが、発光素子２０を剥離可能なレジストで埋めることとしてもよい。また、第１成形部１１の表面を平坦化加工しておくことが好ましい。
【００４９】
次に、図１６に示すように、第１成形部１１上にレジスト８０を形成する。レジスト８０は、次の工程で形成されるｎ側端子３０とｐ側端子４０に対応する形状に形成されていればよい。
【００５０】
次に、めっき法を用いて、図１７に示すように、ｎ側端子３０とｐ側端子４０を形成する。その後、例えば溶剤や酸素プラズマを用いて、レジスト８０を除去する。
【００５１】
次に、図１８に示すように、フィラーが含有された熱硬化性樹脂で第２成形部１２を形成し、ｎ側端子３０とｐ側端子４０を埋設する。
【００５２】
次に、例えばレーザリフトオフ法を用いて、図１９に示すように、基板６０を除去する。具体的には、サファイア基板６０側からｎ型半導体層２１にレーザ光を照射して、サファイア基板６０とｎ型半導体層２１の表面との間で分解反応を生じさせることによって、サファイア基板６０をｎ型半導体層２１から分離させる。
【００５３】
次に、例えばスプレー法、印刷法、ＹＡＧ板やガラス板の貼り付け法などによって、基板６０の除去後に露出された前面上に蛍光体層５０と保護膜５５を順次形成する。
【００５４】
次に、図２０に示すように、複数の発光素子２０間に設けられた除去領域９０をダイシングブレードで切断することによって、図２１に示すような個片化された発光装置１００とする。。
この個片化の際に、ｎ側及びｐ側端子３０、４０の一部が切断され、切断面が第１ｎ側端子面３０Ｓ、第２ｎ側端子面３０Ｔ、第１ｐ側端子面４０Ｓ、第２ｐ側端子面４０Ｔとして、発光装置１００の側面と底面に露出される。
【００５５】
次に、発光装置１００の外面に露出するｎ側及びｐ側端子３０、４０をｎ側及びｐ側コーティング層３５、４５でコーティングする。
【００５６】
このようにして発光装置１００が完成する。
【００５７】
この発光装置１００を実装基板２００に半田により実装する際には、通常の側面発光型発光装置を実装するのと同様に、実装基板２００の上（具体的には、ｎ側端子とｐ側端子のそれぞれと接続される一対の実装側電極の上）に適当な量のはんだペーストを設け、そのはんだペーストと発光装置１００の底面が接触するよう、発光装置１００を配置する。その後、リフローすることにより、発光装置１００を実装基板２００に実装することができる。この際、半田Ｆ１,Ｆ２を形成されるため、発光装置１００は実装基板２００に強固に固定される（図１参照）。
【００５８】
（その他の実施形態）
上記実施形態では、ｎ型半導体層２１、発光層２２及びｐ型半導体層２３の順で積層されることとしたが、これに限られるものではない。ｐ型半導体層２３、発光層２２及びｎ型半導体層２１の順で積層されてもよい。また、発光素子２０は、下地バッファ層などの他の半導体層を含んでいてもよい。
【００５９】
上記実施形態では、ｎ側端子３０とｐ側端子４０が互いに同様の構成を有することとしたが、これに限られるものではない。例えば、第１ｎ側端子面３０Ｓは、第１ｐ側端子面４０Ｓと異なる形状であってもよい。また、第２ｎ側端子面３０Ｔは、第２ｐ側端子面４０Ｔから離間していればよく、第２ｐ側端子面４０Ｔと異なる形状であってもよい。
【００６０】
上記実施形態では、発光装置及びパッケージ１０は、直方体状に形成されることとしたが、これに限られるものではない。発光装置及びパッケージ１０は、立方体状に形成されていてもよい。また、それぞれの面は、凹凸や段差等を有していてもよい。
【００６１】
また、発光装置及びパッケージ１０は、平面形状が六角形以上の多角柱であってもよい。図２２に示すように、横向きに寝かされた八角柱状に形成されたパッケージ１０’であってもよい。図２２に示すように、このパッケージ１０’は、底面Ｓ３と左面Ｓ５に連なる左斜面Ｓ７と、底面Ｓ３と右面Ｓ６に連なる右斜面Ｓ８と、を有する。この場合、ｎ側端子３０は、底面Ｓ３と左面Ｓ５に露出していればよく、左斜面Ｓ７には露出していなくてもよい。同様に、ｐ側端子４０は、底面Ｓ３と右面Ｓ６に露出していればよく、右斜面Ｓ８には露出していなくてもよい。この場合においても、左面Ｓ５を這い上がるように半田Ｆ１を形成できるとともに、右面Ｓ６を這い上がるように半田Ｆ２を形成することができる。
【００６２】
上記実施形態では、パッケージ１０の前面は発光素子２０の露出面とほぼ面一の平坦面を有することとしたが、これに限られるものではない。パッケージ１０は、発光素子の露出面よりも突出した部分を有してもよいし、発光素子２０はパッケージの前面よりも突出していてもよい。
【００６３】
上記実施形態では、保護膜５５は、蛍光体層５０の表面のみを覆うこととしたが、これに限られるものではない。例えば、図２０に示した除去領域９０をハーフダイシングした後に保護膜５５を形成することによって、蛍光体層５０の表面及び側面を覆うように保護膜５５を形成できる。この場合には、保護膜５５を形成した後に除去領域９０をフルダイシングすればよい。また、保護膜５５は、パッケージ１０の表面を覆っていてもよい。
【００６４】
上記実施形態では、図１７に示したように、隣接する発光装置１００どうしのｎ側端子３０とｐ側端子４０は、互いに離れた位置に形成されることとしたが、連続して形成されていてもよい。この場合には、図２３に示すように、一体的に形成された導電体Ｐ１を４分割（端部では２分割）するようにダイシングすればよい。
【００６５】
上記実施形態では、一つの発光装置１００に一つの発光素子２０が備えられることとしたが、これに限られず、一つの発光装置１００に複数の発光素子が備えられてもよい。また、その場合には、複数の発光素子は発光装置内で並列に接続されてもよく、直列に接続されてもよい。
また、複数の発光素子が独立して駆動できるよう、一つの発光装置に、一つの発光素子と一つのｎ側端子と一つのｐ側端子からなる組が複数含まれてもよい。
【００６６】
上記実施形態では、めっき法を用いてｎ側端子３０とｐ側端子４０を形成することとしたが、これに限られるものではない。めっき法によれば、容易に端子の厚みを厚く形成することができ好ましいが、ｎ側端子３０とｐ側端子４０は、スパッタ法や蒸着法等、一般的に半導体デバイスに適用できる成膜法によって形成することができる。また、プレスで所定形状に打ち抜かれた金属板をｎ側端子３０及びｐ側端子４０として利用することも可能である。また、上述の方法等で成膜した金属層の上に、別の金属部材を接合し、厚みを増すことで形成することもできる。また、これらの方法の組み合わせで形成されてもよい。
【００６７】
上記実施形態では、ｎ側端子３０及びｐ側端子４０の各端子面は、図７乃至図９に示したように、長方形であることとしたが、これに限られるものではない。例えば、図２４（ａ）〜（ｃ）に示すように、ｎ側端子３０及びｐ側端子４０の各端子面は台形であってもよい。この場合には、図１６（ａ）に示したレジスト８０の側面形状を台形にすればよい。また、図２５（ａ）〜（ｃ）に示すように、ｎ側端子３０及びｐ側端子４０の各端子面は一部がオーバーハング（突出）した形状であってもよい。この場合には、図１６（ａ）に示したレジスト８０の側面形状を台形にするとともに、台形のレジスト８０上に盛り上げるようにｎ側端子３０とｐ側端子４０を形成すればよい。このように、各端子面の一部をオーバーハングさせることによって、各端子と樹脂との密着性を向上させることができる。
【００６８】
上記実施形態では、パッケージの左面Ｓ５と底面Ｓ３に、第１ｎ側端子面３０Ｓと第２ｎ側端子３０Ｔが連なって露出し、右面Ｓ６と底面Ｓ３に、第１ｐ側端子４０Ｓと第２ｐ側端子４０Ｔが連なって露出することとしたが、第１ｎ側端子面３０Ｓと第２ｎ側端子面３０Ｔ、第１ｐ側端子面４０Ｓと第２ｐ側端子面４０Ｔはそれぞれ、パッケージ１０の内部で連続していれば、発光装置１００の外観上は離間されていてもよい。例えば、パッケージ１０の下側の角部の第１ｎ側端子面３０Ｓと第２側端子面３０Ｔの接合部をパッケージを構成する第２成形体等などで覆った場合、外見上は各端子面が離間しているように見える。
【００６９】
上記実施形態では、封止部材は、蛍光体を含有する層状の蛍光体層としたが、これに限られるものではない。例えば、蛍光体を含まない透光性の樹脂等であってもよい。また、封止部材は、複数の層が積層されて形成されてもよい。また、外形は平坦面に限られず、レンズや凹凸を備えていてもよい。
【００７０】
発光装置１００は、ツェナーダイオードやバリスタ等の静電耐圧を高める保護素子を備えてもよい。この保護素子は、発光装置１００やパッケージ１０の表面に現れないよう、パッケージ１０に埋め込まれることが好ましい。これにより、保護素子による光吸収を低減することができる。
【００７１】
上記実施形態では、発光装置１００と実装基板２００の間に空隙があることとしたが、この空隙にはエポキシ樹脂などの接着剤が充填されてもよい。これによって、発光装置１００と実装基板２００に対する接着性を向上できる。具体的には、半田Ｆ１と半田Ｆ２の間を埋めるよう充填することが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明に係る発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等、種々の発光装置に使用することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１０  パッケージ
１１  第１成形部
１２  第２成形部
２０  発光素子
２１  ｎ型半導体層
２２  発光層
２３  ｐ型半導体層
２４  ｎ側電極
２５  ｐ側電極
３０  ｎ側端子
３０Ｓ  第１ｎ側端子面
３０Ｔ  第２ｎ側端子面
３５  ｎ側コーティング層
４０  ｐ側端子
４０Ｓ  第１ｐ側端子面
４０Ｔ  第２ｐ側端子面
４５  ｐ側コーティング層
５０  蛍光体層
５５  保護層
６０  基板・サファイア基板
７０  シード層
８０  レジスト
９０  除去領域
１００  発光装置
２００  実装基板
Ｆ１  半田
Ｆ２  半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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