(57)【要約】   本発明は、基板を提供する段階と、ＥＵＶ光に対する多層ミラーを基板上に形成する段階と、ＥＵＶ光に対する漏れ吸収体を多層ミラー上への形成する段階と、強く反射する第１の領域、および、弱く反射する第２の領域に漏れ吸収体をパターン化する段階と、を含む方法を開示する。本発明は、基板、基板上に位置する多層ミラー、および、第１の領域および第２の領域を有する多層ミラー、多層ミラーの第２の領域上に位置する漏れ吸収体、からなり、漏れ吸収体は、入射光の位相を１８０度だけシフトするＥＵＶマスクを開示する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を提供する段階と、
ＥＵＶ光のための多層ミラーを前記基板上に形成する段階と、
ＥＵＶ光のための漏れ吸収体を前記多層ミラー上への形成する段階と、
強く反射する第１の領域、および、弱く反射する第２の領域に前記漏れ吸収体をパターン化する段階と、
を含むことを特徴とするマスクを形成する方法。
【請求項２】
キャッピング層が、前記第１の領域および前記第２の領域中の前記多層ミラー上にさらに形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
緩衝層が、前記第２の領域中の前記キャッピング層上にさらに形成されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記多層ミラーは、散乱層およびスペーシング層を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
基板を提供する段階と、
前記基板上にミラーを形成する段階であって、前記ミラー形成する段階は、
反射材料および透過材料の層を交互に配置する段階、
前記ミラー上に漏れ吸収体を形成する段階であって、前記漏れ吸収体は、入射光の位相を１８０度だけシフトする、段階、および
第１の領域中の前記漏れ吸収体を取り除き、前記ミラーを暴露する段階、
を含む段階と、
から構成されることを特徴とするＥＵＶマスクを形成する方法。
【請求項６】
キャッピング層が、前記ミラー上にさらに形成されることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
緩衝層が、前記漏れ吸収体より下にさらに形成されることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記漏れ吸収体は、入射光の約１．０−３．０％を反射することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に配置された多層ミラーであって、前記多層ミラーは、第１の領域および第２の領域を有する、多層ミラーと、
前記多層ミラーの前記第２の領域上に配置された漏れ吸収体であって、前記漏れ吸収体は、入射光の位相を１８０度だけシフトする、漏れ吸収体と、
を含むことを特徴とするＥＵＶマスク。
【請求項１０】
キャッピング層が、前記第１の領域および前記第２の領域中の前記多層ミラー上にさらに配置されることを特徴とする請求項９記載のマスク。
【請求項１１】
緩衝層が、前記漏れ吸収体より下にさらに配置されることを特徴とする請求項９記載のマスク。
【請求項１２】
前記第２の領域は、入射光の約１．０−３．０％を反映することを特徴とする請求項９記載のマスク。
【請求項１３】
傾斜した入射光用の反射マスクにおいて、
基板と、
前記基板上に配置された多層ミラーであって、前記多層ミラーは、第１の領域および第２の領域を有する、多層ミラーと、
前記多層ミラーの前記第２の領域上に配置された吸収体であって、前記吸収体は、前記多層ミラーが前記傾斜した入射光の約１．０−３．０％を１８０度の位相シフトを伴って反映する、吸収体と、
を含むことを特徴とする傾斜した入射光線用の反射マスク。
【請求項１４】
キャッピング層が、前記第１の領域および前記第２の領域中の前記多層ミラー上にさらに形成されることを特徴とする請求項１３記載のマスク。
【請求項１５】
緩衝層が、前記吸収体より下にさらに形成されることを特徴とする請求項１３記載のマスク。
【請求項１６】
傾斜した入射光用の前記反射マスクは、シャドウイングを低減することを特徴とする請求項１３記載のマスク。
【請求項１７】
前記吸収体は、約４６ｎｍの厚さを備えたタンタル窒化物を含むことを特徴とする請求項１３記載のマスク。
【請求項１８】
３０ｎｍのラインおよびスペースが印刷されることを特徴とする請求項１３記載のマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の製造に関し、より詳しくは、極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）に用いられるマスクおよびマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィの絶え間ない改良により、半導体集積回路（ＩＣ）を縮小することが可能になり、高密度化および高性能化が達成された。１９３ナノメータ（ｎｍ）の波長を有する深紫外線（ＤＵＶ）光は、６５ｎｍのノードで光学リソグラフィに用いることができる。さらなる進歩は、４５ｎｍのノードでＤＵＶを用いて浸漬式リソグラフィを使用することである。しかしながら、他のリソグラフィ技術が３２ｎｍのノードで必要になる。次世代リソグラフィ（ＮＧＬ）にとって予想される競合技術には、ナノプリンティングおよび極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）が含まれる。
【０００３】
ＥＵＶＬは、特に高集積度ＩＣの製作のために、ＮＧＬの最有力候補である。露出は、約１０−１５ナノメータの波長を有する極紫外線（ＥＵＶ）光で行なわれる。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線（２−５０ナノメータ）と呼ばれる電磁スペクトルの一部に入る。これに対して、ＤＵＶリソグラフィで使用される従来のマスクは融解石英から作成され、透明であるが、事実上、全ての凝縮された材料はＥＵＶ波長を強く吸収するので、反射マスクがＥＵＶＬに必要となる。
【０００４】
ＥＵＶステップ・スキャン・ツールは、４Ｘ縮写投影光学システムを使用することができる。ウエハ上に塗布されたフォトレジストは、ウエハ全域に亘りフィールドをステップし、各フィールドに対してＥＵＶマスクのアーク形状の領域をスキャンすることにより露出される。ＥＵＶステップ・スキャン・ツールは、６つの結像ミラーおよび２つの集光ミラーを具備する０．３５の開口数（ＮＡ）を有する。約３２ｎｍのクリティカル・ディメンジョン（ＣＤ）は、約１５０ｎｍの焦点深度（ＤＯＦ）を達成することができる。
【０００５】
ＣＤがさらに減少するにつれて、ＥＵＶマスク上の吸収体スタックは、露出中にシャドウイング効果をもたらす可能性がある。
【０００６】
したがって、必要なものはシャドウイングを低減するＥＵＶマスクであり、またこのようなＥＵＶマスクを製作するプロセスである。
【発明の開示】
【０００７】
以下の説明では、本発明についての完全な理解を提供するために、特定の材料、寸法、およびプロセスのような多くの詳細事項が述べられる。しかしながら、当業者は、本発明がこれら特定の詳細事項がなくても実施できることを認識している。別言すれば、周知の半導体製造装置およびプロセスは、本発明を不明瞭にしないようにするために、特に詳細には説明されていない。
【０００８】
本発明は、露出中にシャドウイングを低減する極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ用マスクの様々な実施例、およびそのようなＥＵＶマスクを形成する方法について説明する。
【０００９】
図１は、本発明によるＥＵＶマスク５００の実施例を示す。ＥＵＶマスク５００は、分布型ブラッグ反射器の原理で動作する。基板１１０は、２つの材料２２１，２２２からなる約２０−８０個のペア２２３の交互層である多層（ＭＬ）ミラー２２０を提供する。２つの材料２２１，２２２は、異なる屈折率を有する。電子密度の差を最大限にするために、一方の材料２２１は高い原子番号（Ｚ）を有する一方で、他の材料２２２は低いＺを有する。高いＺの材料２２１は、散乱層の役割をし、照射波長で最小の厚さを有するべきである。低いＺの材料２２２は、スペーシング層の役割をし、照射波長で最小の吸収を有するべきである。
【００１０】
ＭＬミラー２２０に対して適切な材料および厚さ２５０を選択することにより、反射光４１５をある位相で強めることができる。例えば、モリブデン（Ｍｏ）は、４２のＺを有する一方で、シリコン（Ｓｉ）は、１４のＺを有する。共振反射率（resonant reflectivity）を達成するために、ＭＬミラー２２０中の各ペア２２３の期間は、入射光線４１０，４２０の照射波長のおよそ半分である。１３．４ナノメータ（ｎｍ）のＥＵＶ波長に対して、各ペア２２３は、厚さ約２．７ｎｍのＭｏおよび厚さ約４．０ｎｍのＳｉから形成される。強め合う干渉は、約１３．４ｎｍで約６０−７５％のピーク法線入射反射率（peak normal incidence reflectance）となる。ＭＬミラー２２０から反射された光４１５の帯域幅は、約１．０ｎｍで、ＭＬミラー２２０中のペア２２３の数が増加するにつれ、より狭くなる。しかしながら、反射率と位相シフトの両方は、約３０−４０のペア２２３を超えると飽和する。反射率の変化は、法線角４１１，４２１から０−８度の入射角４１２，４２２に対しては比較的小さい。
【００１１】
反射率は、ＭＬミラー２２０の層混合（layer intermixing）、界面粗さ、および表面酸化により低下する。層混合は、約１５０℃より下の加工温度を維持することにより最小限にできる。そうでなければ、過度の加熱は、ＭＬミラー２２０内の界面での化学反応に結びつくおそれがある。各ペア２２３の周期数が影響されるおそれがある。
【００１２】
界面粗さは、ＥＵＶマスク５００の基板１１０によって影響を受けるおそれがある。基板１１０の表面の粗さは、０．０５ｎｍの二乗平均（ＲＭＳ）未満に維持されるべきである。
【００１３】
モリブデンは酸化するおそれがあるので、４．０ｎｍの厚さを具備するＳｉのような低い原子番号の材料のキャッピング層２３０が、ＭＬミラー２２０の反射率を安定させるために、ＭＬミラー２２０の上部表面上に設けられてもよい。
【００１４】
もし所望されるなら、４のＺを有するベリリウムは、低いＺの材料２２２として使用されてもよい。モリブデンとベリリウム（Ｍｏ／Ｂｅ）の交互層からなるペア２２３を含むＭＬミラー２２０は、約１１．３ナノメータでより高い反射率を達成することができる。しかしながらモリブデンとベリリウムの両方は酸化するので、キャッピング層２３０がステップ・スキャン・ツールの環境内で化学上に安定している材料から形成されてもよい。
【００１５】
もし所望されるなら、４４のＺを有するルテニウムは、高いＺの材料２２１として使用されてもよい。ペア２２３のモリブデン−ルテニウムおよびベリリウム（ＭｏＲｕ／Ｂｅ）の交互層からなるペア２２３を含むＭＬミラー２２０は、Ｍｏ／Ｂｅより固有応力（intrinsic stress）有する。
【００１６】
吸収体３００は、約３０−９０ｎｍの厚さを有する。吸収体３００は、ＥＵＶマスク５００が使用される光４１０，４２０の照射波長で光を吸収する。
【００１７】
ＥＵＶ光４１０，４２０は、露出中ＥＵＶマスク５００上に傾斜して入射する。本発明の実施例では、ＥＵＶマスク５００上への照射光４１０，４２０の入射角４１２、４２２は、法線（９０度）角４１１，４２１から約５（＋／−１．５）度である。従って、吸収体３００の端に沿うシャドウイング効果は、ウエハ上のパターン中の印刷変位に影響し、特徴の配置を重ねるおそれがある。過度に厚い吸収体３００は、特徴のサイズ変動を増加させるおそれがある。不必要に厚い吸収体３００の使用によって、傾斜した照射によるＥＵＶマスク５００中の本来的にあるあらゆる非対称性を増加させるおそれがある。
【００１８】
振動関係は、ＥＵＶマスク５００の領域３７１の反射光４１５と、ＥＵＶマスク５００の領域３７２の反射光との間の干渉に起因する。主要な光線間の位相差は、入射光線の波長の半分で振れる。強めあう干渉および弱め合う干渉は、波長の４分の１あるいは約３ｎｍだけ異なる、吸収体高３５０のために生じるおそれがある。３ｎｍの吸収体高３５０における変動は、ウエハ上のライン幅に約４ｎｍだけ変化させるおそれがある。
【００１９】
本発明の実施例によれば、吸収体３００は、ＥＵＶマスク５００の露出中にシャドウイングを低減するために最適化される。図１中の本発明の実施例に示されるように、吸収体３００は、ＥＵＶマスク５００の第１の領域３７１上には存在せず、ＥＵＶマスク５００の第２の領域３７２上に存在する。
【００２０】
本発明の実施例では、吸収体層３００の厚さ３５０を低減するために、ＥＵＶ光に対し大きな吸収係数を備える材料が吸収体３００のためにまず選択される。要素について、吸収係数は、密度および原子番号、Ｚに比例する。次に、吸収体３００の厚さ３５０は、第２の領域３７２からの反射光４２５が第１の領域３７１からの反射光４１５の位相から１８０度ずれるように選択される。
【００２１】
一方、吸収体３００の第１の領域３７１上には被覆していないので、ＥＵＶマスク５００の第１の領域３７１は、下層のＭＬミラー２２０から強く反射する。他方、ＥＵＶマスク５００の第２の領域３７２は、被覆した吸収体３００によってカバーされるにもかかわらず、吸収体に漏れがあるので、下層のＭＬミラー２２０から弱く反射する。
【００２２】
本発明の実施例では、第２の領域３７２における光の漏洩は、約０．１−０．３％の範囲から選択することができる。本発明の実施例では、第２の領域３７２における光の漏洩は、約０．３−１．０％の範囲から選択してもよい。本発明の実施例では、第２の領域３７２における光の漏洩は、約１．０−３．０％の範囲から選択してもよい。本発明の実施例では、第２の領域３７２における光の漏洩は、約３．０−１０．０％の範囲から選択してもよい。
【００２３】
第１の領域３７１からの反射光４１５と第２の領域３７２からの反射光４２５との間の弱め合う干渉は周期的な現象であり、それ故、吸収体３００のために様々な厚さが選択される。しかしながら、ＥＵＶマスク５００の２つの領域を印刷する際に十分なコントラストが得られる吸収体３００の最小の厚さが選択される。第２の考察は、ＥＵＶマスク５００の２つの領域のコントラストが、線幅測定および欠陥検査を行うために十分でなければならないことである。
【００２４】
本発明の実施例では、第２の領域３７２における吸収体３００の厚さは、厚さの６５％に削減され、その場合でも入射光４２０の９９．８％の吸収（無視できる漏洩）が求められるであろう。本発明の実施例では、第２の領域３７２における吸収体３００の厚さは、厚さの５０％に削減され、その場合でも入射光４２０の９９．８％の吸収（無視できる漏洩）が求められるであろう。本発明の実施例では、第２の領域３７２における吸収体３００の厚さは、厚さの３５％に削減され、その場合でも入射光４２０の９９．８％の吸収（無視できる漏洩）が求められるであろう。
【００２５】
本発明の実施例では、約４６ｎｍの厚さを有するタンタル窒化物から形成された吸収体３００でＵＶ光を使用することによって、約１８０度の位相遷移をもたらし、約９３．０％の空中イメージ・コントラストをもって３０ｎｍのラインおよびスペースを印刷することができる。
【００２６】
次に、露出中にシャドウイングを低減するためのＥＵＶマスク５００を形成する方法が図２Ａ−図２Ｆに示される。
【００２７】
図２Ａは、平坦で滑らかな上部表面を備える強健な基板１１０を示す。ＥＵＶマスク５００は、上部表面の法線（９０度）角から約５（＋／−１．５）度離れた入射角で使用される。ＥＵＶ５００の上部表面が十分に平坦でない場合、ＥＵＶマスク５００のような非テレセントリック照射によって、ウエハ上の特徴である線幅および場所に明白な変化を引き起こす。照射の部分干渉性は、さらに線幅変動を起こさせるが、パターン・シフトは引き起こさないであろう。
【００２８】
低い熱膨脹係数（ＣＴＥ）を備えるガラス、セラミック、あるいは、複合材料は、ＥＵＶマスク５００で印刷している間のあらゆるイメージ変移エラーを最小限にするために、基板１１０に対して使用される。低ＣＴＥガラスの例はＵＬＥ（商標）であり、約７％の二酸化チタン（ＴｉＯ２）でドープされたアモルファスの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成される。ＵＬＥは、米国コーニング社の登録商標である。低ＣＴＥガラス−セラミックの例は、Ｚｅｒｏｄｕｒ（商標）である。Ｚｅｒｏｄｕｒは、ドイツ国Ｓｃｈｏｔｔ
Ｇｌａｓｗｅｒｋ社の登録商標である。
【００２９】
図２Ｂは、２つの材料２２１，２２２からなる交互層を２０−８０のペア２２３を有する多層（ＭＬ）ミラー２２０を備えたマスク・ブランク２００を示し、約１３．４ｎｍの照射波長で高い反射率を達成する。反射材料２２１は、約２．７ｎｍの厚さを有するモリブデン（Ｍｏ）のような高Ｚ材料から形成される。透過性材料２２２は、約４．０ｎｍの厚さを有するシリコン（Ｓｉ）のような低Ｚ材料から形成される。
【００３０】
ＭＬミラー２２０は、イオンビーム蒸着（ＩＢＤ）あるいはＤＣマグネトロン・スパッタリングを使用して、基板１１０上に形成される。厚さの均等性は、３００ｍｍのシリコン・ウエハから形成された基板１１０の全域で０．８％より良くすべきである。
【００３１】
一方で、イオンビーム蒸着によって、ＭＬミラー２２０の上部表面に少数の欠陥をもたらすが、基板１１０上のどんな欠陥も交互蒸着中に元素の目標物から滑らかにされる傾向がある。その結果、ＭＬミラー２２０の上部層は、攪乱されない。
【００３２】
他方で、ＤＣマグネトロン・スパッタリングは、より適合しており、それにより、より等質な厚さを生み出すが、基板１１０上のどんな欠陥もＭＬミラー２２０を通ってその上部表面へ伝播する。
【００３３】
図２Ｅに示されるように、ＭＬミラー２２０の反射領域３７１は、修復するのが困難であるので、マスク・ブランク２００は非常に低レベルの欠陥にすべきである。特に、マスク・ブランク２００のどんな欠陥もＥＵＶ光の振幅あるいは位相のいずれかに影響するが、所望しない歪を印刷する結果となる。
【００３４】
ＭＬミラー２２０中の反射性高Ｚ材料２２１および透過性低Ｚ材料２２２の両方は、通常、大部分がアモルファス、あるいは部分的な多結晶質である。高Ｚ材料２２１と低Ｚ材料２２２との間の界面は、マスク製作中およびマスク露出中化学上に安定したままであるべきである。最小の相互拡散が界面で生じるおそれがある。ＭＬミラー２２０の光学特性の最適化は、個別の層２２１，２２２が滑らかであり、異なる材料間の遷移が急峻であり、また、各層全域にわたる厚さ変動が約０．０１ｎｍより小さいことを必要とする。
【００３５】
図２Ｃに示されるように、キャッピング層２３０は、マスク・ブランク２００中のＭＬミラー２２０上に形成され、環境によるＭＬミラー２２０の酸化を防止する。キャッピング層２３０は、約２０−８０ｎｍの厚さを有する。
【００３６】
緩衝層（図示せず）は、キャッピング層２３０より上に形成される。緩衝層は、被覆吸収体３００のパターニングのために、後にエッチング停止層の役割をする。更に、緩衝層は、後に吸収体３００の欠陥の集束イオンビーム（ＦＩＢ）修復のための犠牲層として役立つ。
【００３７】
緩衝層は、約２０−６０ｎｍの厚さを有する。緩衝層は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）から形成される。低温酸化（ＬＴＯ）は、プロセス温度を最小にするためにしばしば使用され、それにより、ＭＬミラー２２０中の交替層の間における材料の相互拡散を低減する。シリコン・オキシナイトライド（ＳｉＯｘＮｙ）のような同様の特性を備える他の材料が緩衝層のために選択されてもよい。緩衝層は、ＲＦマグネトロン・スパッタリングによって蒸着される。もし所望するなら、アモルファス・シリコンあるいはカーボン（図示せず）の層が緩衝層の蒸着に先立って堆積されてもよい。
【００３８】
図２Ｄは、緩衝層（図示せず）およびキャッピング層２３０上に蒸着される吸収体３００を示す。吸収体３００は、ＥＵＶ光を減衰させ、ＥＵＶ光の露出中化学上に安定させ、マスク製作プロセスと互換性をもつべきである。
【００３９】
吸収体３００は、約２０−９０ｎｍの厚さを有する。吸収体３００は、ＤＣマグネトロン・スパッタリングで蒸着される。吸収体３００は様々な材料から形成される。
【００４０】
様々な金属および合金が吸収体３００を形成するために適切である。例には、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−銅（ＡｌＣｕ）、クロミウム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、およびタングステン（Ｗ）を含む。
【００４１】
吸収体３００は、また、ある金属のホウ化物、炭化物、窒化物、あるいは珪化物から、全体的にあるいは部分的に形成される。例には、珪化ニッケル（ＮｉＳｉ）、ホウ化タンタル（ＴａＢ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、珪化タンタル（ＴａＳｉ）、タンタル窒化ケイ素（ＴａＳｉＮ）、および窒化チタン（ＴｉＮ）を含む。
【００４２】
図２Ｄは、さらにフォトレジスト４００のような放射感応層を示し、それは吸収体３００上を覆い、開口４７１を作成するために露出され、現像される。フォトレジスト４００は、約９０−２７０ｎｍの厚さを有する。化学増幅のレジスト（ＣＡＲ）が使用されてもよい。深紫外線（ＤＵＶ）光あるいは電子ビーム（ｅ−ビーム）がフォトレジスト４００中の特徴をパターン化するために使用されてもよい。
【００４３】
フォトレジスト４００中の開口４７１を測定した後、図２Ｅ示されるように、フォトレジスト４００から吸収体３００中の領域３７１へパターンが転写される。反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）が使用されてもよい。例えば、タンタル（Ｔａ）吸収体３００は、Ｃｌ２とＢＣｌ３のような塩素を含むガスでドライ・エッチングされてもよい。ある場合には、酸素（Ｏ２）が含まれることもある。
【００４４】
エッチング速度およびエッチング選択性は、反応槽内の電力、圧力、および基板温度に依存する。必要な場合、ハード・マスク・プロセスが、パターンをフォトレジスト４００からハード・マスク（図示せず）に、その後吸収体３００に転写するために使用されてもよい。
【００４５】
キャッピング層２３０上の緩衝層（図示せず）は、エッチング停止層として作用し、被覆吸収体３００中のよいエッチング輪郭を形成する。緩衝層は、また下層のキャッピング層２３０およびＭＬミラー２２０をエッチング損傷から保護する。
【００４６】
フォトレジスト４００を取り除いた後、パターン化された特徴の線幅および配置精度が測定される。その後、欠陥検査が行われ、吸収体３００の欠陥修理が、必要な場合、実行される。緩衝層は、さらに吸収体３００に関連した透明および不透明な欠陥を集束イオンビーム（ＦＩＢ）で修復するための犠牲層として作用する。
【００４７】
緩衝層は、露出中にＥＵＶマスク５００のＭＬミラー２２０中の回析を増加させる。生じた減少は、対照的にウエハ上に印刷された特徴のＣＤ制御を劣化させる。従って、緩衝層は、ドライ・エッチング、ウェット・エッチング、あるいはこれら２つのプロセスの組み合わせによって、取り除かれる。例えば、緩衝層は、ＣＦ４またはＣ２Ｆ６のようなフッ素を含むガスでエッチングされる。アルゴン（Ａｒ）のような酸素（Ｏ２）およびキャリヤガスが含まれてもよい。
【００４８】
吸収体４００のどんなアンダーカットも小さいので、緩衝層が非常に薄い場合、ウェット・エッチングされる。例えば、二酸化けい素で形成された緩衝層は、約３−５％のフッ化水素（ＨＦ）酸の水溶液でエッチングされる。緩衝層を削除するために選択されたウェット・エッチングまたはウェット・エッチングは、吸収体３００、キャッピング層２３０、あるいはＭＬミラー２２０に損傷を与えてはならない。
【００４９】
多くの実施例および多数の詳細事項が本発明についての完全な理解を提供するために上述された。当業者は、一実施例中の多くの特徴が他の実施例に等しく適用可能であることを認識するであろう。当業者は、またここに記述されたこれら特定の材料、プロセス、寸法、濃度などに対する様々均等な代替物を作成する能力を理解するであろう。本発明の詳細な説明は、例示であり、制限的でないことを理解すべきであり、本発明の範囲は、以下の請求項によって定義される
以上のように、露出中のシャドウイングを低減するＥＵＶマスク、およびこのようなＥＵＶマスクを作成するプロセスについて説明した。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施例による露出中のシャドウイングを低減する吸収層を備えるＥＵＶマスクの横断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施例による露出中のシャドウイングを低減する吸収層を備えるＥＵＶマスクを形成する方法を示す図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施例による露出中のシャドウイングを低減する吸収層を備えるＥＵＶマスクを形成する方法を示す図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施例による露出中のシャドウイングを低減する吸収層を備えるＥＵＶマスクを形成する方法を示す図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施例による露出中のシャドウイングを低減する吸収層を備えるＥＵＶマスクを形成する方法を示す図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施例による露出中のシャドウイングを低減する吸収層を備えるＥＵＶマスクを形成する方法を示す図である。
【図１】
2008535270.tif 000003
【図２Ａ】
2008535270.tif 000004
【図２Ｂ】
2008535270.tif 000005
【図２Ｃ】
2008535270.tif 000006
【図２Ｄ】
2008535270.tif 000007
【図２Ｅ】
2008535270.tif 000008
【国際調査報告】
2008535270.tif 000009
2008535270.tif 000010
2008535270.tif 000011