(57)【要約】【課題】一つの基板を利用して製造すると共に共通電極と画素電極との間の短絡不良を防止することができる表示装置を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、基板と、基板の上に形成される共通電極と、共通電極の上に共通電極から微細空間を介して離隔するように形成される画素電極と、画素電極の上に形成される屋根層と、微細空間の一部を露出させる注入口と、微細空間を満たす液晶層と、注入口を覆うように屋根層の上に形成されて微細空間を密封する蓋膜と、を有する。【選択図】図４
2015087746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成される共通電極と、
前記共通電極の上に該共通電極から微細空間を介して離隔するように形成される画素電極と、
前記画素電極の上に形成される屋根層と、
前記微細空間の一部を露出させる注入口と、
前記微細空間を満たす液晶層と、
前記注入口を覆うように前記屋根層の上に形成されて前記微細空間を密封する蓋膜と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記共通電極の上に形成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する接続電極と、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記画素電極は、前記微細空間の上部面を覆うように形成されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、前記微細空間の側面を覆わないように形成されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタの上には前記微細空間が位置せず、
前記接続電極は、前記微細空間の側面の一部を通過するように形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板は複数の画素領域を含み、
前記共通電極は前記基板上の全面に形成され、
前記画素電極は前記画素領域内に形成されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記画素電極は、
互いに交差する横幹部及び縦幹部と、
前記横幹部及び前記縦幹部から延在する微細枝部と、を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記共通電極の上に形成されるゲート線及びデータ線を更に含み、
前記ゲート線及び前記データ線は前記薄膜トランジスタに接続されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記共通電極は、前記ゲート線及び前記データ線に重なる部分に形成される開口部を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記共通電極の下に形成されるカラーフィルタを更に含み、
前記カラーフィルタは前記画素領域内に形成されることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、より詳細には、電極間の短絡不良を防止することができる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成された二枚の表示板と、その間に挿入された液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置を構成する二枚の表示板は、薄膜トランジスタ表示板と対向表示板で形成される。薄膜トランジスタ表示板には、ゲート信号を伝送するゲート線と、データ信号を伝送するデータ線とが互いに交差して形成され、ゲート線及びデータ線に接続された薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタに接続される画素電極などが形成される。対向表示板には、遮光部材、カラーフィルタ、及び共通電極などが形成される。場合によって遮光部材、カラーフィルタ、及び共通電極が薄膜トランジスタ表示板に形成される。
【０００４】
しかし、従来の液晶表示装置においては、二枚の基板が必ず使用され、二枚の基板の上にそれぞれの構成要素を形成することにより、表示装置が重くて厚く、費用が高くなり、工程時間が長くかかるなどの問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、一つの基板を利用して表示装置を製造することにより、重量、厚さ、費用、及び工程時間を減らすことができる表示装置を提供することにある。
また、本発明の目的は、電極間の短絡不良を防止することができる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、基板と、前記基板の上に形成される共通電極と、前記共通電極の上に該共通電極から微細空間を介して離隔するように形成される画素電極と、前記画素電極の上に形成される屋根層と、前記微細空間の一部を露出させる注入口と、前記微細空間を満たす液晶層と、前記注入口を覆うように前記屋根層の上に形成されて前記微細空間を密封する蓋膜と、を有することを特徴とする。
【０００７】
前記表示装置は、前記共通電極の上に形成される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する接続電極と、を更に含むことができる。
前記画素電極は、前記微細空間の上部面を覆うように形成され得る。
前記画素電極は、前記微細空間の側面を覆わないように形成され得る。
前記薄膜トランジスタの上には前記微細空間が位置せず、前記接続電極は前記微細空間の側面の一部を通過するように形成され得る。
前記基板は複数の画素領域を含み、前記共通電極は前記基板上の全面に形成され、前記画素電極は前記画素領域内に形成され得る。
前記画素電極は、互いに交差する横幹部及び縦幹部と、前記横幹部及び前記縦幹部から延在する微細枝部と、を含み得る。
前記表示装置は、前記共通電極の上に形成されるゲート線及びデータ線を更に含み、前記ゲート線及び前記データ線は前記薄膜トランジスタに接続され得る。
前記共通電極は、前記ゲート線及び前記データ線に重なる部分に形成される開口部を含み得る。
前記表示装置は、前記共通電極の下に形成されるカラーフィルタを更に含み、前記カラーフィルタは前記画素領域内に形成され得る。
【０００８】
本発明の一実施形態による表示装置の製造方法は、基板の上に共通電極を形成する段階と、前記共通電極の上に犠牲層を形成する段階と、前記犠牲層の上に画素電極を形成する段階と、前記画素電極の上に屋根層を形成する段階と、前記犠牲層の一部が露出するように前記屋根層をパターニングして注入口を形成する段階と、前記犠牲層を除去して前記共通電極と前記画素電極との間に微細空間を形成する段階と、前記注入口を通じて液晶物質を注入して前記微細空間内に液晶層を形成する段階と、前記屋根層の上に蓋膜を形成して前記微細空間を密封する段階と、を有することを特徴とする。
【０００９】
前記表示装置の製造方法は、前記共通電極の上に薄膜トランジスタを形成する段階を更に含むことができる。
前記画素電極を形成する段階において、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを接続する接続電極を更に形成し得る。
前記画素電極は、前記犠牲層の上部面を覆い、前記犠牲層の側面を覆わないように形成され得る。
前記接続電極は前記犠牲層の側面の一部を通過するように形成され得る。
前記基板は複数の画素領域を含み、前記共通電極は前記基板上の全面に形成され、前記画素電極は前記画素領域内に形成され得る。
前記表示装置の製造方法は、前記画素電極をパターニングして交差する横幹部及び縦幹部と、前記横幹部及び前記縦幹部から延在する微細枝部と、を形成し得る。
前記薄膜トランジスタを形成する段階は、前記薄膜トランジスタに接続されるゲート線を形成する段階と、前記薄膜トランジスタに接続されるデータ線を形成する段階と、を含み得る。
前記表示装置の製造方法は、前記共通電極をパターニングして前記ゲート線及び前記データ線に重なる部分の少なくとも一部を除去して開口部を形成する段階を更に含むことができる。
前記表示装置の製造方法は、前記基板の上の前記画素領域内にカラーフィルタを形成する段階を更に含み、前記カラーフィルタは前記共通電極の下に位置し得る。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の表示装置によれば、一つの基板を利用して表示装置を製造することにより、重量、厚さ、費用、及び工程時間を減らすことができる。また、共通電極を微細空間の下に形成し、画素電極を微細空間の上に形成することにより、二つの電極の短絡不良を防止することができる。更に、二つの電極間の電界が歪曲されるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態による表示装置の一画素の等価回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による表示装置の一画素を示す配置図である。
【図４】ＩＶ−ＩＶ線に沿って示す本発明の一実施形態による表示装置の一画素の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態による表示装置の一画素を示す配置図である。
【図１４】ＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って示す本発明の他の実施形態による表示装置の一画素の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明は、種々の異なる形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
【００１３】
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示す。明細書の全体に亘って類似する部分に対しては同一の図面符号を付ける。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるというとき、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「すぐ上」にあるというときには、中間に他の部分がないことを意味する。
【００１４】
最初に、図１を参照して、本発明の一実施形態による表示装置について概略的に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を示す平面図である。
【００１６】
本実施形態による表示装置は、ガラス又はプラスチックなどの材料からなる基板１１０を含む。
【００１７】
基板１１０は複数の画素領域ＰＸを含む。複数の画素領域ＰＸは、複数の画素行と複数の画素列を含むマトリックス状に配置される。各画素領域ＰＸは、第１副画素領域ＰＸａ及び第２副画素領域ＰＸｂを含む。第１副画素領域ＰＸａ及び第２副画素領域ＰＸｂは上下に配置される。
【００１８】
基板１１０の上には屋根層３６０によって覆われる微細空間３０５が形成される。屋根層３６０は行方向に接続され、一つの屋根層３６０が複数の微細空間３０５を形成する。
【００１９】
第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂとの間には、画素行方向に沿って第１谷間Ｖ１が位置し、複数の画素列の間には第２谷間Ｖ２が位置する。
【００２０】
複数の屋根層３６０は、第１谷間Ｖ１を介して分離される。第１谷間Ｖ１に接する部分で微細空間３０５は屋根層３６０によって覆われずに外部に露出する。これを液晶注入口３０７という。
【００２１】
各屋根層３６０は、隣接する第２谷間Ｖ２の間で基板１１０から離隔して形成されることにより微細空間３０５を形成する。また、各屋根層３６０は、第２谷間Ｖ２で基板１１０に付着して形成されることにより微細空間３０５の両側面を覆う。
【００２２】
上述した本実施形態による表示装置の構造は例示に過ぎず、多様に変更することができる。例えば、画素領域ＰＸ、第１谷間Ｖ１、及び第２谷間Ｖ２の配置形態の変更が可能であり、複数の屋根層３６０は第１谷間Ｖ１で互いに接続されてもよく、各屋根層３６０の一部が第２谷間Ｖ２で基板１１０から離隔して形成されることにより、隣接する微細空間３０５が互いに接続されてもよい。
【００２３】
次に、図２を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の一画素について概略的に説明する。
【００２４】
図２は、本発明の一実施形態による表示装置の一画素の等価回路図である。
【００２５】
本実施形態による表示装置は、複数の信号線（１２１、１７１ｈ、１７１ｌ）、及びこれらに接続される複数の画素ＰＸを含む。
【００２６】
信号線（１２１、１７１ｈ、１７１ｌ）は、ゲート信号を伝達するゲート線１２１、互いに異なるデータ電圧を伝達する第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌを含む。
【００２７】
ゲート線１２１及び第１データ線１７１ｈに接続される第１スイッチング素子Ｑｈが形成され、ゲート線１２１及び第２データ線１７１ｌに接続される第２スイッチング素子Ｑｌが形成される。
【００２８】
各画素ＰＸは、二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂを含み、第１副画素ＰＸａには第１スイッチング素子Ｑｈに接続される第１液晶キャパシタＣｌｃｈが形成され、第２副画素ＰＸｂには第２スイッチング素子Ｑｌに接続される第２液晶キャパシタＣｌｃｌが形成される。
【００２９】
第１スイッチング素子Ｑｈの第１端子はゲート線１２１に接続され、第２端子は第１データ線１７１ｈに接続され、第３端子は第１液晶キャパシタＣｌｃｈに接続される。
【００３０】
第２スイッチング素子Ｑｌの第１端子はゲート線１２１に接続され、第２端子は第２データ線１７１ｌに接続され、第３端子は第２液晶キャパシタＣｌｃｌに接続される。
【００３１】
本実施形態による液晶表示装置の動作について説明すると、ゲート線１２１にゲートオン電圧が印加されると、これに接続された第１スイッチング素子Ｑｈと第２スイッチング素子Ｑｌがターンオンの状態になり、第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌを通じて伝達された互いに異なるデータ電圧によって第１液晶キャパシタＣｌｃｈ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｌが充電される。第２データ線１７１ｌによって伝達されるデータ電圧は、第１データ線１７１ｈによって伝達されるデータ電圧より低い。従って、第２液晶キャパシタＣｌｃｌは第１液晶キャパシタＣｌｃｈより低い電圧で充電されて、側面視認性を向上させることができる。
【００３２】
次に、図３及び図４を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置の一画素の構造について説明する。
【００３３】
図３は、本発明の一実施形態による表示装置の一画素を示す配置図であり、図４は、ＩＶ−ＩＶ線に沿って示す本発明の一実施形態による表示装置の一画素の断面図である。
【００３４】
図３及び図４に示すように、本実施形態による表示装置は、絶縁基板１１０の上に形成される共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０を含む。
【００３５】
共通電極２７０は基板１１０の上の全面に形成される。共通電極２７０は、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な金属物質で形成される。共通電極２７０には所定の電圧が印加される。
【００３６】
基板１１０と共通電極２７０との間にはカラーフィルタ（ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ）２３０が更に形成される。カラーフィルタ２３０は各画素領域ＰＸ内に形成される。また、これに限定されず、カラーフィルタ２３０は第１データ線１７１ｈと第２データ線１７１ｌとの間に沿って列方向に長く延在するように形成されてもよい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色などの原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示する。カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色に限定されず、青緑色（ｃｙａｎ）、紫紅色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系の色などを表示してもよい。
【００３７】
共通電極２７０の上には第１絶縁層２４０が形成される。第１絶縁層２４０は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質で形成される。
【００３８】
第１絶縁層２４０の上には、ゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１、及びゲート線から突出する第１ゲート電極（ｆｉｒｓｔ  ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ｈと第２ゲート電極（ｓｅｃｏｎｄ  ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ｌが形成される。
【００３９】
ゲート線１２１は、主に横方向に延在してゲート信号を伝達する。第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌはゲート線１２１の上に突出する。第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌは互いに接続されて一つの突出部を形成する。但し、本発明は、これに限定されず、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌの突出形態は多様に変更することができる。
【００４０】
第１絶縁層２４０の上には、維持電極線１３１、及び維持電極線１３１から突出する維持電極（１３３、１３５）が更に形成される。
【００４１】
維持電極線１３１は、ゲート線１２１と同一の方向に延在し、ゲート線１２１と離隔するように形成される。維持電極線１３１には一定の電圧が印加される。維持電極線１３１の上に突出する維持電極１３３は、第１副画素領域ＰＸａの周縁を取り囲むように形成される。維持電極線１３１の下に突出する維持電極１３５は、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌと隣接するように形成される。
【００４２】
ゲート線１２１、第１ゲート電極１２４ｈ、第２ゲート電極１２４ｌ、維持電極線１３１、及び維持電極（１３３、１３５）の上には、ゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質で形成される。また、ゲート絶縁膜１４０は、単一膜又は多重膜で形成される。
【００４３】
ゲート絶縁膜１４０の上には第１半導体（ｆｉｒｓｔ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）１５４ｈ及び第２半導体（ｓｅｃｏｎｄ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）１５４ｌが形成される。第１半導体１５４ｈは第１ゲート電極１２４ｈの上に位置し、第２半導体１５４ｌは第２ゲート電極１２４ｌの上に位置する。第１半導体１５４ｈは第１データ線１７１ｈの下に形成され、第２半導体１５４ｌは第２データ線１７１ｌの下に形成される。第１半導体１５４ｈ及び第２半導体１５４ｌは、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、及び金属酸化物（ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅ）などで形成される。
【００４４】
第１半導体１５４ｈ及び第２半導体１５４ｌの上には、それぞれオーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｍｅｍｂｅｒ）（図示せず）を更に形成する。オーミックコンタクト部材は、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）又はｎ型不純物が高濃度にドーピングされたｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成される。
【００４５】
第１半導体１５４ｈ、第２半導体１５４ｌ、及びゲート絶縁膜１４０の上には、第１データ線（ｆｉｒｓｔ  ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１ｈ  、第２データ線（ｓｅｃｏｎｄ  ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１ｌ、第１ソース電極（ｆｉｒｓｔ  ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３ｈ、第１ドレイン電極（ｆｉｒｓｔ  ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ｈ、第２ソース電極（ｓｅｃｏｎｄ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３ｌ、及び第２ドレイン電極（ｓｅｃｏｎｄ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ｌが形成される。
【００４６】
第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌは、データ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。第１データ線１７１ｈと第２データ線１７１ｌは互いに異なるデータ電圧を伝達する。第２データ線１７１ｌによって伝達されるデータ電圧は、第１データ線１７１ｈによって伝達されるデータ電圧より低い。
【００４７】
第１ソース電極１７３ｈは、第１データ線１７１ｈから第１ゲート電極１２４ｈの上に突出するように形成され、第２ソース電極１７３ｌは、第２データ線１７１ｌから第２ゲート電極１２４ｌの上に突出するように形成される。第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌは、広い一端部と棒状の他端部とを含む。第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌの広い端部は、維持電極線１３１の下に突出する維持電極１３５と重なる。第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌの棒状の端部は、それぞれ第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌによって一部が取り囲まれる。
【００４８】
第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌ、第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌ、第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌは、第１半導体１５４ｈ及び第２半導体１５４ｌと共にそれぞれ第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌを形成し、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）のチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、各ソース電極（１７３ｈ、１７３ｌ）と各ドレイン電極（１７５ｈ、１７５ｌ）の間の各半導体（１５４ｈ、１５４ｌ）に形成される。
【００４９】
第１データ線１７１ｈ、第２データ線１７１ｌ、第１ソース電極１７３ｈ、第１ドレイン電極１７５ｈ、第１ソース電極１７３ｈと第１ドレイン電極１７５ｈとの間に露出する第１半導体１５４ｈ、第２ソース電極１７３ｌ、第２ドレイン電極１７５ｌ、第２ソース電極１７３ｌと第２ドレイン電極１７５ｌとの間に露出する第２半導体１５４ｌの上には、保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は、有機絶縁物質又は無機絶縁物質で形成され、単一膜又は多重膜で形成される。
【００５０】
保護膜１８０には、第１ドレイン電極１７５ｈの広い端部を露出する第１コンタクトホール１８１ｈが形成され、第２ドレイン電極１７５ｌの広い端部を露出する第２コンタクトホール１８１ｌが形成される。
【００５１】
保護膜１８０の上には共通電極２７０から一定の距離を有して離隔するように画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１が形成される。共通電極２７０と画素電極１９１との間には微細空間（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）３０５が形成される。微細空間３０５の幅と広さは、表示装置のサイズ及び解像度によって多様に変更することができる。
【００５２】
画素電極１９１は、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な金属物質で形成される。
【００５３】
画素電極１９１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１を介して互いに分離され、ゲート線１２１及び維持電極線１３１を境に画素領域ＰＸの上と下に配置され、列方向に隣接する第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌを含む。即ち、第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌは第１谷間Ｖ１を介して分離され、第１副画素電極１９１ｈは第１副画素領域ＰＸａに位置し、第２副画素電極１９１ｌは第２副画素領域ＰＸｂに位置する。
【００５４】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌのそれぞれの全体的な形状は四角形であり、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌのそれぞれは、横幹部（１９３ｈ、１９３ｌ）、及び横幹部（１９３ｈ、１９３ｌ）と交差する縦幹部（１９２ｈ、１９２ｌ）からなる十字状幹部を含む。また、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌはそれぞれ複数の微細枝部（１９４ｈ、１９４ｌ）を含む。
【００５５】
画素電極１９１は、横幹部（１９３ｈ、１９３ｌ）と縦幹部（１９２ｈ、１９２ｌ）によって四つの副領域に分かれる。微細枝部（１９４ｈ、１９４ｌ）は、横幹部（１９３ｈ、１９３ｌ）及び縦幹部（１９２ｈ、１９２ｌ）から斜めに延在し、その延在する方向は、ゲート線１２１又は横幹部（１９３ｈ、１９３ｌ）と略４５度又は１３５度の角度をなす。また、隣接する二つの副領域の微細枝部（１９４ｈ、１９４ｌ）が延在する方向は互いに直交する。
【００５６】
本実施形態において、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌのそれぞれは、第１副画素ＰＸａ及び第２副画素ＰＸｂの外郭を取り囲む外郭幹部を更に含む。
【００５７】
保護膜１８０の上には、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌにそれぞれ接続される第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌが更に形成される。第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、微細空間３０５の上部面を覆うように形成され、微細空間３０５の側面を覆わないように形成される。第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌは微細空間３０５の側面の一部を通過するように形成される。第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌの上には微細空間３０５が位置しない。第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌは、微細空間３０５の上部面に位置する第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌをそれぞれ微細空間３０５の外部に位置する第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌに接続する役割を果たす。
【００５８】
第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌは、第１コンタクトホール１８１ｈ及び第２コンタクトホール１８１ｌによってそれぞれ第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌに接続される。従って、第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌがオンの状態のとき、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌのそれぞれは、第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌから互いに異なるデータ電圧の印加を受ける。画素電極１９１と共通電極２７０との間には電界が形成される。
【００５９】
第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌは、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと同一の物質で形成される。
【００６０】
本実施形態では、共通電極２７０が微細空間３０５の下に形成され、画素電極１９１が微細空間３０５の上に形成されて微細空間３０５の側面を覆わないように形成されることにより、二つの電極間の短絡が発生するのを防止することができる。共通電極２７０と画素電極１９１との間には垂直電界が形成される。このとき、微細空間３０５の側面に画素電極１９１が位置しないようにすることにより、電界が歪曲されるのを防止することができる。
【００６１】
上述した画素領域の配置形態、薄膜トランジスタの構造、及び画素電極の形状は一例に過ぎず、本発明は、これに限定されるものではなく、多様に変更することができる。
【００６２】
微細空間３０５の内部の保護膜１８０の上には第１配向膜１１が形成される。第１配向膜１１と対向するように画素電極１９１の下には第２配向膜２１が形成される。
【００６３】
第１配向膜１１と第２配向膜２１は垂直配向膜で形成され、ポリアミド酸（Ｐｏｌｙａｍｉｃ  ａｃｉｄ）、ポリシロキサン（Ｐｏｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの配向物質で形成される。第１配向膜１１及び第２配向膜２１は、微細空間３０５の側壁にも形成されて互いに接続される。
【００６４】
共通電極２７０と画素電極１９１との間に位置する微細空間３０５内には液晶分子３１０からなる液晶層が形成される。液晶分子３１０は負の誘電率異方性を有し、電界が印加されない状態で基板１１０に対して垂直方向に立っている。即ち、垂直配向が行われる。
【００６５】
データ電圧が印加された第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、共通電極２７０と共に電界を生成することにより、二つの電極（１９１、２７０）の間の微細空間３０５内に位置する液晶分子３１０の方向を決定する。このように決定された液晶分子３１０の方向によって液晶層を通過する光の輝度が変化する。
【００６６】
画素電極１９１の上には第２絶縁層３５０が更に形成される。第２絶縁層３５０は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質で形成され、必要に応じて省略される。
【００６７】
第２絶縁層３５０の上には遮光部材２２０が形成される。遮光部材２２０は、画素領域ＰＸの境界と薄膜トランジスタの上に形成され、第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂとの間に位置する第１谷間Ｖ１に形成される。遮光部材２２０は光漏れを防止する役割を果たす。
【００６８】
遮光部材２２０及び第２絶縁層３５０の上には屋根層３６０が形成される。屋根層３６０は有機物質で形成される。屋根層３６０の下には微細空間３０５が形成され、屋根層３６０は、硬化工程によって固くなって微細空間３０５の形状を維持する。
【００６９】
屋根層３６０は、画素行に沿って各画素領域ＰＸ及び第２谷間Ｖ２に形成され、第１谷間Ｖ１には形成されない。即ち、屋根層３６０は第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂとの間には形成されない。各第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂでは各屋根層３６０の下に微細空間３０５が形成される。第２谷間Ｖ２では、屋根層３６０の下に微細空間３０５が形成されず、屋根層３６０が基板１１０に付着するように形成される。従って、第２谷間Ｖ２に位置する屋根層３６０の厚さが、各第１副画素領域ＰＸａ及び第２副画素領域ＰＸｂに位置する屋根層３６０の厚さより厚く形成される。微細空間３０５の上部面及び両側面は屋根層３６０によって覆われる形態になる。
【００７０】
屋根層３６０には、微細空間３０５の一部を露出させる注入口３０７が形成される。注入口３０７は、第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂの周縁に形成され、微細空間３０５の側面を露出させるように形成される。注入口３０７によって微細空間３０５が露出し、注入口３０７を通じて微細空間３０５の内部に配向液又は液晶物質などを注入する。
【００７１】
屋根層３６０の上には第３絶縁層３７０が更に形成される。第３絶縁層３７０は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質で形成される。第３絶縁層３７０は屋根層３６０の上部面を覆うように形成される。また、本発明は、これに限定されず、第３絶縁層３７０が屋根層３６０の上部面及び側面を覆うように形成されてもよい。第３絶縁層３７０は、有機物質からなる屋根層３６０を保護する役割を果たし、必要に応じて省略される。
【００７２】
第３絶縁層３７０の上には蓋膜３９０が形成される。蓋膜３９０は微細空間３０５を外部に露出させる注入口３０７を覆うように形成される。即ち、蓋膜３９０は、微細空間３０５の内部に形成された液晶分子３１０が外部に出ないように、微細空間３０５を密封する。蓋膜３９０は液晶分子３１０に接触するため、液晶分子３１０と反応しない物質からなることが好ましい。例えば、蓋膜３９０はパリレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）などで形成される。
【００７３】
蓋膜３９０は、二重膜、三重膜などのように多重膜で形成される。二重膜は、互いに異なる物質からなる二つの層で形成される。三重膜は三つの層からなり、互いに隣接する層の物質が互いに異なる。例えば、蓋膜３９０は、有機絶縁物質からなる層と無機絶縁物質からなる層を含む。
【００７４】
図示は省略したが、表示装置の上下部面には偏光板を更に形成する。偏光板は、第１偏光板及び第２偏光板で構成される。第１偏光板は基板１１０の下部面に付着され、第２偏光板は蓋膜３９０の上に付着される。
【００７５】
次に、図５〜図１２を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法について説明する。同時に、図１〜図４を共に参照して説明する。
【００７６】
図５〜図１２は、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００７７】
先ず、図５に示すように、ガラス又はプラスチックなどからなる基板１１０の上にカラーフィルタ２３０を形成する。カラーフィルタ２３０は、各画素領域ＰＸ内に形成するか、又は列方向に長く延在するように形成する。
【００７８】
複数の画素領域ＰＸの列方向に沿って同一の色のカラーフィルタ２３０を形成する。三つの色のカラーフィルタ２３０を形成する場合、第１色のカラーフィルタ２３０を先ず形成した後、マスクをシフトさせて第２色のカラーフィルタ２３０を形成する。次いで、第２色のカラーフィルタ２３０を形成した後、マスクをシフトさせて第３色のカラーフィルタ２３０を形成する。
【００７９】
次に、カラーフィルタ２３０の上に、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な金属物質を蒸着して共通電極２７０を形成する。共通電極２７０は、基板１１０の上の全面に形成される。
【００８０】
次に、共通電極２７０の上にシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質を蒸着して第１絶縁層２４０を形成する。
【００８１】
図６に示すように、第１絶縁層２４０の上に、一方向に延在するゲート線１２１、ゲート線１２１から突出する第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌを形成する。第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌは互いに接続されて一つの突出部を形成する。
【００８２】
また、ゲート線１２１と離隔するように維持電極線１３１及び維持電極線１３１から突出する維持電極（１３３、１３５）を共に形成する。維持電極線１３１はゲート線１２１と同一の方向に延在する。維持電極線１３１の上に突出する維持電極１３３は、第１副画素領域ＰＸａの周縁を取り囲むように形成され、維持電極線１３１の下に突出する維持電極１３５は、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌに隣接するように形成される。
【００８３】
次に、ゲート線１２１、第１ゲート電極１２４ｈ、第２ゲート電極１２４ｌ、維持電極線１３１、及び維持電極（１３３、１３５）の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質を利用してゲート絶縁膜１４０を形成する。ゲート絶縁膜１４０は、単一膜又は多重膜で形成される。
【００８４】
図７に示すように、ゲート絶縁膜１４０の上に非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）などの半導体物質を蒸着した後、これをパターニングして第１半導体１５４ｈ及び第２半導体１５４ｌを形成する。第１半導体１５４ｈは、第１ゲート電極１２４ｈの上に位置するように形成され、第２半導体１５４ｌは、第２ゲート電極１２４ｌの上に位置するように形成される。
【００８５】
次に、金属物質を蒸着した後、これをパターニングして他方向に延在する第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌを形成する。金属物質は、単一膜又は多重膜で形成される。
【００８６】
また、第１データ線１７１ｈから第１ゲート電極１２４ｈの上に突出する第１ソース電極１７３ｈ、及び第１ソース電極１７３ｈと離隔する第１ドレイン電極１７５ｈを共に形成する。また、第１ソース電極１７３ｈと接続される第２ソース電極１７３ｌ、及び第２ソース電極１７３ｌと離隔する第２ドレイン電極１７５ｌを共に形成する。
【００８７】
半導体物質と金属物質を連続で蒸着した後、これを同時にパターニングして第１半導体１５４ｈ及び第２半導体１５４ｌ、第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌ、第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌ、並びに第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌを形成する。このとき、第１半導体１５４ｈは第１データ線１７１ｈの下まで延長されて形成され、第２半導体１５４ｌは第２データ線１７１ｌの下まで延長されて形成される。
【００８８】
第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌ、第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌ、第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌは、第１半導体１５４ｈ及び第２半導体１５４ｌと共にそれぞれ第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌを形成する。
【００８９】
図８に示すように、第１データ線１７１ｈ、第２データ線１７１ｌ、第１ソース電極１７３ｈ、第１ドレイン電極１７５ｈ、第１ソース電極１７３ｈと第１ドレイン電極１７５ｈとの間に露出する第１半導体１５４ｈ、第２ソース電極１７３ｌ、第２ドレイン電極１７５ｌ、第２ソース電極１７３ｌと第２ドレイン電極１７５ｌとの間に露出する第２半導体１５４ｌの上に保護膜１８０を形成する。保護膜１８０は、有機絶縁物質又は無機絶縁物質で形成され、単一膜又は多重膜で形成される。
【００９０】
次に、保護膜１８０をパターニングして、第１ドレイン電極１７５ｈの少なくとも一部を露出する第１コンタクトホール１８１ｈを形成し、第２ドレイン電極１７５ｌの少なくとも一部を露出する第２コンタクトホール１８１ｌを形成する。
【００９１】
次に、保護膜１８０の上に感光性有機物質を塗布し、フォト工程によって犠牲層３００を形成する。犠牲層３００は、画素領域ＰＸを覆うように形成され、第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌの少なくとも一部を覆わないように形成される。
【００９２】
図９に示すように、犠牲層３００の上にインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明な金属物質を蒸着した後、これをパターニングして、画素領域ＰＸ内に画素電極１９１を形成する。画素電極１９１は、第１副画素領域ＰＸａ内に位置する第１副画素電極１９１ｈ、及び第２副画素領域ＰＸｂ内に位置する第２副画素電極１９１ｌを含む。第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌは第１谷間Ｖ１を介して分離される。
【００９３】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌのそれぞれに横幹部（１９３ｈ、１９３ｌ）、及び横幹部（１９３ｈ、１９３ｌ）と交差する縦幹部（１９２ｈ、１９２ｌ）を形成する。また、横幹部（１９３ｈ、１９３ｌ）及び縦幹部（１９２ｈ、１９２ｌ）から斜めに延在する複数の微細枝部（１９４ｈ、１９４ｌ）を形成する。
【００９４】
また、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌにそれぞれ接続される第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌを共に形成する。第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、犠牲層３００の上部面を覆うように形成され、犠牲層３００の側面を覆わないように形成される。第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌは、微細空間３０５の側面の一部を通過するように形成される。第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌの上には犠牲層３００が形成されない。第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌは、犠牲層３００の上部面に位置する第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌを、犠牲層３００によって覆われない第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌに接続する役割を果たす。
【００９５】
第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌは、第１コンタクトホール１８１ｈ及び第２コンタクトホール１８１ｌによってそれぞれ第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌに接続されるように形成される。
【００９６】
第１接続電極１９７ｈ及び第２接続電極１９７ｌは、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと同一物質で同一の工程によって形成される。
【００９７】
図１０に示すように、画素電極１９１の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質を利用して第２絶縁層３５０を形成する。
【００９８】
次に、第２絶縁層３５０の上に遮光部材２２０を形成する。遮光部材２２０は、画素領域ＰＸの境界と薄膜トランジスタの上に形成され、第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂとの間に位置する第１谷間Ｖ１に形成される。
【００９９】
図１１に示すように、第２絶縁層３５０の上に有機物質を塗布し、パターニングして屋根層３６０を形成する。このとき、第１谷間Ｖ１に位置する有機物質が除去されるようにパターニングする。そのために屋根層３６０は複数の画素行に沿って接続される形態になる。
【０１００】
次に、屋根層３６０の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質で第３絶縁層３７０を形成する。第３絶縁層３７０をパターニングして、第１谷間Ｖ１に位置する第３絶縁層３７０を除去する。このとき、図示したように、第３絶縁層３７０が屋根層３６０の側面に形成されないようにパターニングする。これとは異なって第３絶縁層３７０が屋根層３６０の側面を覆うようにパターニングしてもよい。
【０１０１】
屋根層３６０及び第３絶縁層３７０をパターニングすることによって犠牲層３００の一部が外部に露出する。犠牲層３００が露出した基板１１０の上に現像液又はストリッパー溶液などを供給して、犠牲層３００の全面を除去するか、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程を利用して犠牲層３００の全面を除去する。
【０１０２】
犠牲層３００が除去されると、犠牲層３００が位置していた所に微細空間３０５が生じる。共通電極２７０と画素電極１９１とは微細空間３０５を介して互いに離隔する。
【０１０３】
屋根層３６０が除去された部分を通いて微細空間３０５の側面は外部に露出し、これを注入口３０７という。注入口３０７は、第１谷間Ｖ１に沿って形成される。例えば、注入口３０７は、第１副画素領域ＰＸａと第２副画素領域ＰＸｂの周縁に形成される。
【０１０４】
次に、基板１１０に熱を加えて屋根層３６０を硬化する。屋根層３６０によって微細空間３０５の形状が維持されるようにするためである。
【０１０５】
図１２に示すように、スピンコーティング方式又はインクジェット方式で配向物質が含まれた配向液を基板１１０の上に滴下すると、配向液が注入口３０７を通じて微細空間３０５の内部に注入される。配向液を微細空間３０５の内部に注入した後、硬化工程を行うと、溶液成分は蒸発して配向物質が微細空間３０５の内部の壁面に残る。
【０１０６】
従って、共通電極２７０の上に第１配向膜１１が形成され、画素電極１９１の下に第２配向膜２１が形成される。第１配向膜１１と第２配向膜２１は、微細空間３０５を介して対向するように形成され、微細空間３０５の側壁で互いに接続される。
【０１０７】
このとき、第１配向膜１１及び第２配向膜２１は、基板１１０に対して垂直方向に配向が行われるようにする。
【０１０８】
次に、インクジェット方式又はディスペンシング方式で液晶物質を基板１１０の上に滴下すると、液晶物質が注入口３０７を通じて微細空間３０５の内部に注入される。液晶物質は、滴下されると、毛細管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）によって微細空間３０５の内部に入る。
【０１０９】
次に、第３絶縁層３７０の上に液晶分子３１０と反応しない物質を蒸着して蓋膜３９０を形成する。蓋膜３９０は、微細空間３０５が外部に露出する注入口３０７を覆うように形成され、微細空間３０５を密封する。
【０１１０】
次に、図示は省略したが、表示装置の上下部面に偏光板を更に付着する。偏光板は第１偏光板と第２偏光板で構成される。基板１１０の下部面に第１偏光板を付着し、蓋膜３９０の上に第２偏光板を付着する。
【０１１１】
次に、図１３及び図１４を参照して、本発明の他の実施形態による表示装置について説明する。
【０１１２】
図１３及び図１４に示した本発明の他の実施形態による表示装置は、図１〜図４に示した本発明の一実施形態による表示装置と大部分同様なため、これに対する説明は省略する。本実施形態では共通電極に開口部が形成される点で上述した実施形態と異なり、次に、更に詳細に説明する。
【０１１３】
図１３は、本発明の他の実施形態による表示装置の一画素を示す配置図であり、図１４は、ＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って示す本発明の他の実施形態による表示装置の一画素の断面図である。
【０１１４】
本実施形態による表示装置は、基板１１０の上に共通電極２７０が形成され、共通電極２７０と微細空間３０５を介して画素電極１９１が形成される。
【０１１５】
共通電極２７０は、基板１１０上の大部分の領域に形成されるが、一部の領域で除去される。即ち、共通電極２７０は開口部（２７３ａ、２７３ｂ）を含む。共通電極２７０は、ゲート線１２１に重なる部分に形成された開口部２７３ａと、第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌに重なる部分に形成された開口部２７３ｂを含む。
【０１１６】
ゲート線１２１にはゲート信号が印加され、第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌにはデータ信号が印加され、これによってゲート線１２１、第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌと共通電極２７０とが重なる部分にキャパシタンスが発生する。本実施形態では、ゲート線１２１、第１データ線１７１ｈ及び第２データ線１７１ｌに重なる部分の共通電極２７０が除去されるようにパターニングして開口部（２７３ａ、２７３ｂ）を形成することにより、このようなキャパシタンスを減らすことができる。
【０１１７】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１１８】
１１    第１配向膜
２１    第２配向膜
１１０    基板
１２１    ゲート線
１２４ｈ    第１ゲート電極
１２４ｌ    第２ゲート電極
１３１    維持電極線
１３３、１３５    維持電極
１４０    ゲート絶縁膜
１５４ｈ    第１半導体
１５４ｌ    第２半導体
１７１ｈ    第１データ線
１７１ｌ    第２データ線
１７３ｈ    第１ソース電極
１７３ｌ    第２ソース電極
１７５ｈ    第１ドレイン電極
１７５ｌ    第２ドレイン電極
１８０    保護膜
１８１ｈ    第１コンタクトホール
１８１ｌ    第２コンタクトホール
１９１ｈ    第１副画素電極
１９１ｌ    第２副画素電極
１９２ｈ、１９２ｌ    縦幹部
１９３ｈ、１９３ｌ    横幹部
１９４ｈ、１９４ｌ    微細枝部
１９７ｈ    第１接続電極
１９７ｌ    第２接続電極
２２０    遮光部材
２３０    カラーフィルタ
２４０    第１絶縁層
２７０    共通電極
２７３ａ、２７３ｂ    開口部
３００    犠牲層
３０５    微細空間
３０７    注入口
３１０    液晶分子
３５０    第２絶縁層
３６０    屋根層
３７０    第３絶縁層
３９０    蓋膜
【図１】
2015087746.tif 000003
【図２】
2015087746.tif 000004
【図３】
2015087746.tif 000005
【図４】
2015087746.tif 000006
【図５】
2015087746.tif 000007
【図６】
2015087746.tif 000008
【図７】
2015087746.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2015087746.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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