(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウエハの環状の補強部を除去する際の工数を低減し、欠けや破片の落下を低減する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ裏面の凹部と、外周部に環状補強部を備え、凹部に複数の半導体装置が形成された半導体素子領域と、半導体素子領域以外の凹部からなる余剰領域を有する半導体ウエハを複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、半導体ウエハの裏面に粘着テープを介してダイシングフレームに装着する装着工程１０１と、ダイシングフレームに装着された半導体ウエハの裏面の凹部よりも小さい凸部を有するステージに載置し、半導体ウエハを表面側から半導体素子形成領域を切断して複数の半導体装置に個片化する切断工程１０２と、粘着テープの粘着力を低下させる粘着力低下工程１０３と、粘着テープから環状補強部を剥離する剥離工程１０４と、環状補強部と余剰領域を除去する除去工程１０５を含む。【選択図】図１
2015008191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの裏面の中央部の厚さを外周端部よりも薄くして形成された凹部と、
前記凹部の外周に形成された環状補強部と
前記凹部に分割ラインにより区画形成された複数の半導体素子領域と、
前記複数の半導体素子領域を除く前記凹部からなる余剰領域と、
を有する前記半導体ウエハを分割する半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハの裏面に粘着テープを介してダイシングフレームを装着する装着工程と、
前記ダイシングフレームに装着された前記半導体ウエハの裏面を前記凹部よりも小さい凸部を有するステージに載置し、
前記分割ラインに沿って前記半導体ウエハの表面側から前記複数の半導体素子領域を切断して前記複数の半導体素子領域を個片化する切断工程と、
前記半導体ウエハの裏面側から前記粘着テープの粘着力を低下させる粘着力低下工程と、
前記半導体ウエハの裏面を前記凹部よりも小さく前記複数の半導体素子領域よりも大きい保持ステージに載置し、前記粘着テープから前記環状補強部を剥離する剥離工程と、
前記環状補強部および前記余剰領域を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記除去工程を実施後に、前記粘着テープを拡張して前記切断工程において個片化された前記半導体素子領域の隙間を広げる拡張工程を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記剥離工程は、前記半導体ウエハと前記ダンシングフレームとの間に環状剥離治具を前記半導体ウエハの表面側から下降させ、前記粘着テープを押し下げて前記粘着テープから前記環状補強部を剥離することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記剥離工程は、前記粘着テープと接する面が円形のリング形状である前記環状剥離治具を用いることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記除去工程は、前記環状剥離治具を下降させた状態で前記半導体ウエハの表面側から前記環状補強部を吸着して除去することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記粘着力低下工程は、前記半導体ウエハの裏面に紫外線照射を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面に円形凹部を有する半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、高性能化および低コスト化の必要から半導体ウエハの薄化が進められている。このため、例えば、半導体ウエハの厚さを５０μｍ〜１００μｍ程度、またはそれ以下の厚さまで薄化する必要がある。
【０００３】
半導体ウエハの薄化は、半導体ウエハの表面に素子構造を形成した後、所定の厚さになるまで半導体ウエハの裏面の研削を行う。
しかしながら、薄化した半導体ウエハは、機械的な強度が低下するため、割れや欠けなどが発生しやすくなり、搬送等の取り扱いが困難となる。
【０００４】
よって、半導体ウエハの表面に素子構造を形成した後、半導体ウエハ裏面から半導体ウエハの中央部にある素子構造部を研削し、半導体ウエハの外周部を所定の幅で残して補強部とすることで、半導体ウエハの機械的な強度が向上し、半導体ウエハの割れや欠けを低減することができる。
【０００５】
そして、半導体ウエハの補強部を除去した後に、半導体ウエハを素子構造ごとにダイシングして個々の半導体装置に切断を行う。
図１８に半導体ウエハの中央部を薄化して、外周部を補強部とした半導体ウエハを示す。図１８（ａ）は、半導体ウエハの平面図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【０００６】
図１８（ｂ）より、半導体ウエハ１の裏面には、外周部にウエハの厚さが厚い環状補強部２と中央部にウエハの厚さが薄い裏面凹部３が形成されている。
図１８（ａ）より、裏面凹部３には、半導体装置４が形成されている素子形成領域６があり、素子形成領域６には、素子形成領域６を切断して半導体装置４に個片化するためのチップ分割ライン７が形成されている。また、裏面凹部３の素子形成領域６以外の領域は、余剰領域５となる。
【０００７】
半導体ウエハの外周に形成した環状補強部を除去する方法としては、ダイシングフレームに紫外線硬化型の粘着テープを介して、裏面に円形凹部を有する半導体ウエハを貼付けてチャックテーブルに載置し、半導体ウエハ外周の環状補強部を切断した後、粘着テープの環状補強部に貼りついている部分の粘着テープの粘着力を弱め、爪を粘着テープと環状補強部の境界に差し込み環状補強部を除去している。（例えば、特許文献１）
ダイシングフレームに紫外線硬化型の粘着テープを介して、裏面凹部を有する半導体ウエハを貼付けて裏面凹部に嵌めあうチャックステージに載置し、ウエハのストリートに沿って切断することでウエハのデバイス領域は切断され、環状補強部は環状の状態が維持され、粘着テープの環状補強部に貼りついている部分の粘着テープの粘着力を弱めて環状補強部を除去している。（例えば、特許文献２）
また、ダイシングフレームに紫外線硬化型の粘着テープを介して、裏面凹部を有する半導体ウエハを貼付け、ウエハのデバイス領域は個片化され、環状補強部は個片化されない状態となるようにダイシングを行い、環状補強部の粘着テープの粘着力を弱めてダイシングフレームを裏面凹部に嵌めあうステージに載置し、ステージを上下に移動させて環状補強部を粘着テープから除去している。（例えば、特許文献３）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−６１１３７号公報
【特許文献２】特開２０１０−６２３７５号公報
【特許文献３】特開２０１１−２１０８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、半導体ウエハ外周の環状補強部を予め切断して除去する場合は、環状補強部を切断するための工数がかかる。
また、環状補強部を除去工程において、半導体ウエハと粘着テープの境界に爪などを差し込んで除去する場合、爪が半導体ウエハ外周の環状補強部の側面に触れるおそれがあり、このとき環状補強部と素子領域とが接触し、欠けが発生する可能性がある。さらに、環状補強部を持ち上げる際に欠けが発生した箇所から破片が落下することが懸念される。
【００１０】
本発明は、半導体ウエハ外周の環状補強部の除去の工数を少なく、欠けやこれによる破片の落下を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
半導体ウエハ裏面の中央部の厚さを外周部よりも薄くした凹部と、外周部に環状補強部を備え、凹部に複数の半導体装置が形成された半導体素子領域と、半導体素子領域以外の凹部からなる余剰領域を有する半導体ウエハを前記複数の半導体装置に分割する半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの裏面に粘着テープを介してダイシングフレームに装着する装着工程と、前記ダイシングフレームに装着された前記半導体ウエハの裏面の凹部よりも小さい凸部を有するステージに載置し、前記半導体ウエハを表面側から前記半導体素子形成領域を切断して前記複数の半導体装置に個片化する切断工程と、粘着テープの粘着力を低下させる粘着力低下工程と、粘着テープから環状補強部を剥離する剥離工程と、余剰領域を除去する除去工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、半導体ウエハの環状の補強部を除去する際の工数を低減し、欠けや破片の落下を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明実施の形態を示すフロー図である。
【図２】本発明実施の形態のダイシングフレーム装着工程を示す断面図である。
【図３】本発明実施の形態のダイシングフレームに装着された半導体ウエハを示す平面図とＢ−Ｂ’断面図である。
【図４】本発明実施の形態の切断工程を示す断面図である。
【図５】本発明実施の形態の切断工程後の半導体ウエハを示す平面図である。
【図６】本発明実施の形態の粘着力低下工程を示す断面図である。
【図７】本発明実施の形態の剥離工程を示す断面図である。
【図８】本発明実施の形態の環状剥離治具を示す斜視図である。
【図９】本発明実施の形態の環状剥離治具を示す平面図とＣ−Ｃ’断面図である。
【図１０】本発明実施の形態の除去工程を示す断面図である。
【図１１】本発明実施の形態の除去治具を示す斜視図である。
【図１２】本発明実施の形態の拡張工程を示す断面図である。
【図１３】本発明実施の形態の拡張工程を示す断面図である。
【図１４】本発明実施の形態の拡張工程を示す断面図である。
【図１５】本発明実施の形態の拡張工程を示す断面図である。
【図１６】本発明実施の形態拡張工程後の半導体装置を示す断面図である。
【図１７】本発明実施の形態の剥離工程と除去工程の変形例を示す断面図である。
【図１８】半導体ウエハの平面図とＡ−Ａ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に添付図面を参照してこの発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。
（実施の形態）
図１８に中央部を薄化して外周部を環状補強部２とした半導体ウエハ１を示す。図１８（ａ）は、半導体ウエハ１の平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【００１５】
図１８（ｂ）より、半導体ウエハ１の裏面には、外周部にウエハの厚さが厚い環状補強部２と中央部にウエハの厚さが薄い裏面凹部３が形成されている。
図１８（ａ）より、裏面凹部３には、半導体装置４が形成された素子形成領域６があり、素子形成領域６には、素子形成領域６を切断して半導体装置４に個片化するためのチップ分割ライン７が形成されている。また、裏面凹部３の素子形成領域６以外の領域は、余剰領域５となる。
【００１６】
環状補強部２の厚さは、例えば、１００〜７２５μｍであり、裏面凹部３の厚さは、例えは、５０〜４００μｍである。
なお、裏面凹部３は半導体ウエハ１の裏面から所定の厚さに研削を行って形成し、環状補強部２は半導体ウエハ１の外周から、例えば、１．０〜５．０ｍｍ程度の幅で研削を行わない。
【００１７】
図1に本発明のフロー図を示す。裏面を研削して裏面凹部３と環状補強部２が形成された図１８に示す半導体ウエハ１は、ダイシングフレーム装着工程１０１において後述する図２に示すように粘着テープ１３を介してダイシングフレーム１４に装着される。ダイシングフレーム１４に装着された半導体ウエハ１は、切断工程１０２において後述する図４に示すように半導体ウエハ１の素子形成領域６を半導体装置４に個片化するチップ分割ライン７に沿って切断し、素子形成領域６を半導体装置４に個片化される。粘着テープ粘着力低下工程１０３は、後述する図６に示すように切断された半導体ウエハ１裏面の全面の粘着テープ１３の粘着力を低下させ、剥離工程１０４において後述する図７に示すように粘着テープ１３から半導体ウエハ１の環状補強部２が剥離される。さらに、除去工程１０５において後述する図１０に示すように環状補強部２と余剰領域５とを除去をする。また、個片化された半導体装置４は、拡張工程１０６において後述する図１２のように隣り合う半導体装置４の間隔をひろげられる。
【００１８】
図２に本発明のダイシングフレーム装着工程１０１の断面図を示す。
図２（ａ）に示すように、上室４３と下室４４を備えた真空のチャンバ４０内に粘着テープ１３の貼り付け面である半導体ウエハ１の裏面凹部３を上にして、ゴムシート４２上に設置された半導体ウエハ１の外周部のみが接触する形状の座繰ステージ４１に載置する。載置した半導体ウエハ１の上部に、粘着テープ１３を貼り付けたダイシングフレーム１４を設置し、上室４３と下室３３ともに真空引き４５を行う。このとき、座繰ステージ４１を用いることで半導体ウエハ１の素子形成領域６に接触することなく保持することができ、半導体ウエハ１表面に傷が入るのを防ぐことができる。
【００１９】
次に図２（ｂ）に示すように、下室４４を大気開放４６して、ゴムシート４２を上室４３側へ押し上げ、粘着テープ１３と半導体ウエハ１の環状補強部２を密着させる。
次に図２（ｃ）に示すように、上室４３を大気開放４６して、粘着テープ１３を半導体ウエハ１の裏面凹部３に密着させる。上室４３と下室４４の差圧によって、粘着テープ１３は、半導体ウエハ１の裏面に貼り付けられる。
【００２０】
図３に本発明のダイシングフレーム装着工程１０１において、半導体ウエハ１が粘着テープ１３を介してダイシングフレーム１４に装着されている状態を示す。図３（ａ）は、平面図であり、図３（ｂ）は、Ｂ−Ｂ’断面図である。
【００２１】
粘着テープ１３は、裏面凹部３に沿って貼り付けられているため、後述する図４の切断工程において使用する切削水が半導体ウエハ１と粘着テープ１３との間へ浸入して粘着テープ１３の剥れることを抑制し、粘着テープ１３が剥れはがれることで半導体ウエハ１の固定が不安定になるために発生する欠けを抑制することができる。このとき、粘着テープ１３は、後に粘着力を低下させることができる紫外線硬化型の粘着剤が塗布されているものが望ましい。
【００２２】
図４に本発明の切断工程１０２の断面図を示す。ダイシングフレーム装着工程１０１でダイシングフレーム１４に装着された半導体ウエハ１は、半導体ウエハ裏面の裏面凹部３に嵌めあう凸形状を持つポーラスチャック（図示しない）を備えた凸型ステージ１１に載置され、真空吸着によって固定される。
【００２３】
凸型ステージ１１に載置された半導体ウエハ１は、切削ブレード２０によってチップ分割ライン７に沿って切断される。このとき、半導体ウエハ１は、厚さの薄い裏面凹部３が切断され、環状補強部２は余剰領域５とつながった状態となっている。
【００２４】
よって、環状補強部２と余剰領域５が１つにつながっていることで、除去工程１０５で環状補強部２と余剰領域５とを少ない工数で除去することができる。なお、切断にはレーザ光を用いても良い。
【００２５】
図５に本発明の切断工程１０２後の半導体ウエハ１を示す。切断工程１０２後の半導体ウエハ１は、切断工程１０２で素子形成領域６が個片化された半導体装置４と、環状補強部２および余剰領域５とに分けられる。
【００２６】
図６に粘着力低下工程１０３の断面図を示す。紫外線硬化型の粘着剤を塗布した粘着テープ１３に紫外線発生ランプ２１を用いて、半導体ウエハ１の裏面から紫外線を照射して半導体ウエハ１と粘着テープ１３が接している面の粘着力を低下させる。
【００２７】
半導体ウエハ１全面に紫外線照射して粘着力を低下させることで、半導体ウエハ１の環状補強部２と余剰領域５を除去しやすくするとともに、環状補強部２と余剰領域５を除去後、個片化した半導体装置４をピックアップする際に、再度紫外線照射を行う必要がなくなり工程を削減することができる。
【００２８】
図７に剥離工程１０４の断面図を示す。図７（ａ）には、切断工程１０２で切断されたダイシングフレーム１４に粘着テープ１３を介して貼り付けられた半導体ウエハ１を載置して固定した状態の断面図を示し、図７（ｂ）には、環状剥離治具３１を用いて半導体ウエハ１の環状補強部２を粘着テープ１３から剥離した状態の断面図を示す。
【００２９】
図７（ａ）に示すように、ダイシングフレーム１４に粘着テープ１３を介して貼り付けられた半導体ウエハ１が、半導体ウエハ１の裏面凹部３と嵌め合うか、半導体ウエハの素子形成領域６が載置できる大きさの保持ステージ１２に載置され、ダイシングフレーム１４は、ダイシングフレームクランプ治具１５によって固定される。
【００３０】
また、保持ステージ１２にはポーラスチャックを有しており（図示しない）、吸着によって半導体ウエハ１の裏面凹部３を固定している。
さらに、図７（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１の外径より大きく、ダイシングフレーム１４の内径より小さい直径の環状剥離治具３１を半導体ウエハ１の中心と環状剥離治具３１の中心を一致させて半導体ウエハ１の表面側から下降させて粘着テープ１３に押し下げる。環状剥離治具３１を下降させて粘着テープ１３に押し下げることで半導体ウエハ１の環状補強部２から粘着テープ１３が剥離する。
【００３１】
保持ステージ１２とダイシングフレーム１４が水平に載置されている場合は、保持ステージ１２に対して垂直方向から、環状剥離治具３１を下降させて粘着テープ１３を押し下げる。
【００３２】
このとき、保持ステージ１２上に載置されている余剰領域５は、粘着テープ１３から剥離されず、粘着テープ１３に接した状態である。
よって、環状補強部２を粘着テープ１３から剥離しても、環状補強部２とつながっている余剰領域５は粘着テープ１３から剥離されていないため、余剰領域５が素子形成領域６に接触することがなく、欠けの発生を防ぐことができる。
【００３３】
図８に環状剥離治具３１の形状を示す。図８（ａ）は、円形のリング状プレート５２に環状に複数のピン５１を取り付けた環状剥離治具３１である。環状に並んだ複数のピン５１を粘着テープ１３の上面から下降させ、粘着テープ１３から環状補強部２を剥離する。ピン５１は等間隔に配置することで環状補強部２を傾けることなく剥離することができる。なお、ピン５１の間隔は狭く本数が多くなるほど粘着テープ１３を下側に押し下げる力を分散することができ、環状補強部２にかかる応力を緩和することができる。応力を緩和することで半導体ウエハ１の余剰領域５と素子形成領域６の破損を防ぐことができる。
【００３４】
ピン５１の形状は、ピンの角部に粘着テープ１３を押し下げる力が集中して粘着テープ１３が破れるのを防ぐため、円柱状であることが望ましい。
図８（ｂ）は、円形のリング状プレート５２に環状に複数のピン５１に円形のリング状プレート５２をさら取り付け、粘着テープ１３に下降させる面の形状を円形のリング状にした環状剥離治具３１である。粘着テープ１３に接する面を円形のリング状とすることで、環状剥離治具３１を下降させた際の粘着テープ１３を下側に押し下げる力を分散することができ、環状補強部２にかかる応力を緩和することができる。
【００３５】
図８（ｃ）に示す環状剥離治具３１は円筒形をしており、粘着テープ１３面に下降させる面は図８（ｂ）と同様に円形のリング状となっている。このため、環状剥離治具３１を下降させた際に粘着テープ１３を下側に押し下げる力を分散することができ、環状補強部２にかかる応力を緩和することができる。
【００３６】
図８（ｂ）、（ｃ）のように粘着テープ１３を下側に押し下げる力を分散することで環状補強部２かかる応力を緩和することができ、環状補強部２が傾くことなく剥離することが可能となり、半導体ウエハ１の素子形成領域６と余剰領域５との接触による破損を防ぐことができるため、環状剥離治具３１の形状は粘着テープ１３下降する面は、図８（ｂ）、（ｃ）に示すような円形のリング形状であることが望ましい。
【００３７】
なお、環状剥離治具３１の材質は金属や樹脂であることが望ましい。また、図８（ｂ）、（ｃ）の場合、粘着テープ１３に接する面は半導体ウエハ１の外形と同じまたは近似した形状であれば良い。
【００３８】
図９に図８（ｃ）の環状剥離治具３１の端部の形状を示す。図９（ａ）は、環状剥離治具３１の外形を示し、図９（ｂ）〜（ｄ）に、Ｃ−Ｃ’断面図を示す。
粘着テープ１３に接する面は図９（ｂ）に示すように角状や、図９（ｃ）に示すように角部を面取りした形状や、図９（ｄ）に示すように角部をＲ形状としても良い。図９（ｃ）、図９（ｄ）に示すように、面取りした形状や、Ｒ形状とすることで環状剥離治具３１を下降させ押し下げる際に粘着テープ１３の破れを防止することができる。
【００３９】
なお、図９（ｂ）〜（ｄ）に示す端部の形状は、図８（ａ）、図８（ｂ）に示す粘着テープ１３と接する面のピン５１、および円形のリング状プレート５２の形状に用いても同様の効果を得ることができる。
【００４０】
図１０に除去工程１０５の断面図を、図１１に除去治具３２の斜視図を示す。図１１に示すように、除去治具３２は円筒形であり、吸着部３３を備えている。吸着部３３の外径は、半導体ウエハ１の環状補強部２を吸着するため、環状補強部２の外径と同等かそれ以下の外径であるのが好ましい。吸着部３３の内径は素子形成領域６よりも大きいことが好ましい。
【００４１】
図１０（ａ）に示すように、環状補強部２から粘着テープ１３を剥離後、環状剥離治具３１を下降させた状態で、除去治具３２を下降させ除去治具３２の吸着部３３により環状補強部２を吸着する。このとき、保持ステージ１２は素子形成領域６の裏面を保持ステージ１２によって吸着している。
【００４２】
図１０（ｂ）に示すように、除去治具３２に上昇させることにより、半導体ウエハ１の余剰領域５が持ち上げられ除去される。環状補強部２は、環状剥離治具３１によって粘着テープ１３より剥離されており、余剰領域５は、図６に示したように紫外線発生ランプ２１で紫外線を照射して粘着テープ１３の粘着力を低下させてあるため、環状補強部２と余剰領域５を容易に取り除くことができる。
【００４３】
また、除去治具３２は吸着部３３によって吸着して環状補強部２と余剰領域５を除去するため、半導体ウエハ１の余剰領域５と素子形成領域６とが接触することなく除去することができる。
【００４４】
余剰領域５を素子形成領域６から接触させることなく除去できることで、余剰領域５と素子領域６の接触による欠けや、その破片の落下、およびパーティクルの落下を抑制することができる。
【００４５】
図１２に拡張工程１０６の断面図を示す。図１２は除去工程１０５で環状補強領域２と余剰領域５を除去した後に、保持ステージ１２の真空吸着を解除し、粘着テープ１３に環状剥離治具３１を押し付けた状態で、保持ステージ１２を、例えば５〜３０ｍｍ程度上昇させ、切断工程１０２で個片化された素子形成領域６の半導体装置４間の間隔を拡張している。
【００４６】
半導体装置４間を拡張して一定の間隔にひろげることで、半導体装置４を粘着テープ１３から取りはずす際に、半導体装置４の接触を抑制し、半導体装置４の欠けを防ぐことができる。
【００４７】
図１３と図１４にグリップリングを用いた拡張工程１０６の断面図を示す。図１３に示すように、半導体装置４間の間隔を拡張させる際に、粘着テープ１３に環状剥離治具３１を押し付けた状態でグリップリング２２ａ、２２ｂを用いて粘着テープ１３をグリップしても良い。グリップリング２２ａは、保持ステージ１２と共に上昇し、粘着テープ１３上面に固定されたグリップリング２２ｂにはめ込まれる。このとき、図１４に示すように、グリップリング２２ｂを粘着テープ１３上面から下降させても良い。グリップリングを用いて半導体装置４の間隔を拡張させることで半導体装置４の間隔を拡張した状態を保持することができる。
【００４８】
また、図１２〜図１４のように環状剥離治具３１を使用せず、図１５に示す拡張工程１０６の断面図のように、保持ステージ１２を５〜５０ｍｍ上昇させることによって、半導体装置４の間隔をひろげることができる。半導体装置４間を拡張して一定の間隔にひろげることで、半導体装置４を粘着テープ１３から取りはずす際に、半導体装置４の接触を抑制し、半導体装置４の欠け欠けを防ぐことができる。このとき、図１３、図１４と同様にグリップリング２２ａ、２２ｂを用いても良い。
【００４９】
図１６に、グリップリング２２ａ、２２ｂ外周の粘着テープ１３をカットし、ダイシングフレーム１４と切り離した状態を示す。ダイシングフレーム１４と切り離すことで、グリップリング２２ａ、２２ｂによって半導体装置４の間隔がひろげられたまま保持することができる。
【００５０】
隣り合う間隔をひろげられた半導体装置４は、真空ピンセット、または吸着コレットなどの吸着治具３４を用いて、粘着テープ１３から取りはずされる。粘着テープ１３から取りはずされた半導体装置４は、チップトレイ、またはテーピング装置のリールに収納されたり、ダイボンディング装置などのチップボンド装置に移送され、所定の処理が行われる。
（実施の形態の変形例）
図１７は、本発明実施の形態の変形例の断面図である。図１７（ａ）に剥離工程１０４前に除去治具３２を環状補強部２に吸着させた状態を示し、図１７（ｂ）に除去治具３２を環状補強部２に吸着させた状態で環状剥離治具３２を用いて環状補強部２から粘着テープ１３を剥離させた状態を示す。
【００５１】
本発明の実施の形態では、剥離工程１０４で環状剥離治具３１を半導体ウエハ１上面から粘着テープ１３に向かって押し込み、環状補強部２と粘着テープ１３を剥離した後、除去工程１０５で吸着部３３を備えた除去治具３２を環状補強部２に吸着させたが、図１７（ａ）に示すように、剥離工程１０４の前に除去治具３２を環状補強部２に吸着させた後に図１７（ｂ）に示すように、環状剥離治具３１を半導体ウエハ１上面から粘着テープ１３に向かって押し込み、環状補強部２と粘着テープ１３とを剥離させても同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１  半導体ウエハ
２  環状補強部
３  裏面凹部
４  半導体装置
５  余剰領域
６  素子形成領域
７  チップ分割ライン
１１  凸型ステージ
１２  保持ステージ
１３  粘着テープ
１４  ダイシングフレーム
１５  ダイシングフレームクランプ治具
２０  切削ブレード
２１  紫外線発生ランプ
２２ａ、２２ｂ  グリップリング
３１  環状剥離治具
３２  除去治具
３３  吸着部
３４  吸着治具
４０  真空チャンバ
４１  座繰ステージ
４２  ゴムシート
４３  上室
４４  下室
４５  真空引き
４６  大気開放
５１  ピン
５２  リング状プレート
１０１  ダイシングフレーム装着工程
１０２  切断工程
１０３  粘着テープ粘着力低下工程
１０４  剥離工程
１０５  除去工程
１０６  拡張工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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