(57)【要約】【課題】電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路、方法及びＯＬＥＤディスプレーを提供する。【解決手段】電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路は、電界効果トランジスタと、第１スイッチングユニットと、第２スイッチングユニットと、第３スイッチングユニットとを備える。第１電位と第２電位との差の絶対値は、電界効果トランジスタが負荷を制御して作動させる時のゲートソース間電圧範囲の絶対値より大きい。電界効果トランジスタが負荷を制御して作動させる前の所定時間内に、第１スイッチングユニット、第２スイッチングユニット、及び第３スイッチングユニットによって、電界効果トランジスタに対してリセット操作を一回行う。【選択図】図４
2015215612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース、ドレイン、及びゲートを有する電界効果トランジスタと、
第１電位に接続される第１端、前記電界効果トランジスタのソースに接続される第２端、及び第１制御信号を受信するための第１制御端を有する第１スイッチングユニットと、
前記電界効果トランジスタのドレインに接続される第３端、負荷を介してグランドに接続される第４端、及び第２制御信号を受信するための第２制御端を有する第２スイッチングユニットと、
前記電界効果トランジスタのゲートに接続される第５端、第２電位に接続される第６端、及び第３制御信号を受信するための第３制御端を有する第３スイッチングユニットと、
を備え、
前記第１制御信号、前記第２制御信号、及び前記第３制御信号のタイミングは、前記電界効果トランジスタが毎回前記負荷を制御して作動させる前の所定時間内に、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットにより、前記電界効果トランジスタに対してリセット操作を一回行うように、設定され、
前記リセット操作が行われている間に、前記第１電位が前記第１スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのソースに印加され、前記第２電位が前記第３スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのゲートに印加されるように、前記第２スイッチングユニットを遮断状態に、前記第１スイッチングユニットと前記第３スイッチングユニットとを導通状態にすることによって、前記電界効果トランジスタの動作点状態をリセットし、
前記リセット操作が行われた後に、前記電界効果トランジスタが前記負荷を制御して作動させるように、前記第３スイッチングユニットを遮断状態にし、
前記第１電位と前記第２電位との差の絶対値は、前記電界効果トランジスタが前記負荷を制御して作動させる時のゲートソース間電圧範囲の絶対値より大きく、
前記電界効果トランジスタは、薄膜電界効果トランジスタであり、
前記負荷は、ＯＬＥＤであることを特徴とする電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路。
【請求項２】
前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットは、スイッチング型電界効果トランジスタであり、
前記電界効果トランジスタ、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットは、ＰＭＯＳ電界効果トランジスタであり、
前記第１電位が電源の正極であり、前記グランドが前記電源の負極であり、前記第２電位がマイナス電位であることを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路。
【請求項３】
複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれへデータ信号を送信する複数のデータラインと、前記複数の画素のそれぞれへスキャン信号を送信する複数のスキャンラインとを有するＯＬＥＤディスプレーであって、
各前記複数の画素は、
電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路、第４スイッチングユニット、第５スイッチングユニット、及び記憶コンデンサーを有し、
前記電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路は、
ソース、ドレイン、及びゲートを有する電界効果トランジスタと、
第１電位に接続される第１端、前記電界効果トランジスタのソースに接続される第２端、及び第１制御信号を受信するための第１制御端を有する第１スイッチングユニットと、
前記電界効果トランジスタのドレインに接続される第３端、ＯＬＥＤを介してグランドに接続される第４端、及び第２制御信号を受信するための第２制御端を有する第２スイッチングユニットと、
前記電界効果トランジスタのゲートに接続される第５端、第２電位に接続される第６端、及び第３制御信号を受信するための第３制御端を有する第３スイッチングユニットと、を備え、
前記第１制御信号、前記第２制御信号、及び前記第３制御信号のタイミングは、前記電界効果トランジスタが毎回前記ＯＬＥＤを制御して作動させる前の所定時間内に、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットにより、前記電界効果トランジスタに対してリセット操作を一回行うように、設定され、
前記リセット操作が行われている間に、前記第１電位が前記第１スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのソースに印加され、前記第２電位が前記第３スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのゲートに印加されるように、前記第２スイッチングユニットを遮断状態に、前記第１スイッチングユニットと前記第３スイッチングユニットとを導通状態にすることによって、前記電界効果トランジスタの動作点状態をリセットし、
前記リセット操作が行われた後に、前記電界効果トランジスタで前記ＯＬＥＤを制御して作動させるように、前記第３スイッチングユニットを遮断状態にし、
前記第４スイッチングユニットは、前記画素に対応するデータ信号を受信するように前記画素に対応するデータラインに接続される第７端、前記電界効果トランジスタのソースに接続される第８端、及び前記画素に対応するスキャン信号を受信するように前記画素に対応するスキャンラインに接続される第４制御端を有し、
前記第５スイッチングユニットは、前記電界効果トランジスタのゲートに接続される第９端、前記電界効果トランジスタのドレインに接続される第１０端、及び前記画素に対応するスキャン信号を受信するように前記画素に対応するスキャンラインに接続される第５制御端を有し、
前記記憶コンデンサーは、前記電界効果トランジスタのゲートに接続される第１１端、及び前記第１スイッチングユニットの第１端に接続される第１２端を有し、
前記第１制御信号、前記第２制御信号、前記第３制御信号、及び前記画素に対応するスキャン信号のタイミングは、前記リセット操作が行われた後に、前記画素に対応するデータ信号を前記記憶コンデンサーに入力し、前記電界効果トランジスタが前記ＯＬＥＤを制御して作動させるように、設定され、
前記第１電位と前記第２電位との差の絶対値は、前記電界効果トランジスタが前記ＯＬＥＤを制御して作動させる時のゲートソース間電圧範囲の絶対値より大きく、
前記電界効果トランジスタは、薄膜電界効果トランジスタであり、
前記第３制御信号は、前記画素に対応するスキャンラインに隣接する前の１つのスキャンラインのスキャン信号であり、
前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、前記第３スイッチングユニット、前記第４スイッチングユニット、及び前記第５スイッチングユニットは、スイッチング型電界効果トランジスタであることを特徴とするＯＬＥＤディスプレー。
【請求項４】
前記第３スイッチングユニットは、前記第３制御端としてゲートの接続される２つの同様なスイッチング型電界効果トランジスタが直列接続されるように構成され、
前記第５スイッチングユニットは、前記第５制御端としてゲートの接続される２つの同様なスイッチング型電界効果トランジスタが直列接続されるように構成されることを特徴とする請求項３に記載のＯＬＥＤディスプレー。
【請求項５】
前記電界効果トランジスタ、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、前記第３スイッチングユニット、前記第４スイッチングユニット、及び前記第５スイッチングユニットは、ＰＭＯＳ電界効果トランジスタであり、
前記第１電位が電源の正極であり、前記グランドが前記電源の負極であり、前記第２電位がマイナス電位であることを特徴とする請求項３に記載のＯＬＥＤディスプレー。
【請求項６】
ソース、ドレイン、及びゲートを有する電界効果トランジスタと、第１端、第２端、及び第１制御端を有する第１スイッチングユニットと、第３端、第４端、及び第２制御端を有する第２スイッチングユニットと、第５端、第６端、及び第３制御端を有する第３スイッチングユニットとを備える電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路に用いられる電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法であって、
前記第１制御端が第１制御信号を受信し、前記第２制御端が第２制御信号を受信し、前記第３制御端が第３制御信号を受信し、前記第１制御信号、前記第２制御信号、及び前記第３制御信号のタイミングは、前記電界効果トランジスタが毎回に負荷を制御して作動させる前の所定時間内に、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットにより、前記電界効果トランジスタに対してリセット操作を一回行うように、設定され、前記リセット操作が行われている間に、前記第１端の接続する第１電位が前記第１スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのソースに印加され、前記第６端の接続する第２電位が前記第３スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのゲートに印加されるように、前記第２スイッチングユニットを遮断状態に、前記第１スイッチングユニットと前記第３スイッチングユニットとを導通状態にすることによって、前記電界効果トランジスタの動作点状態をリセットするステップと、
前記リセット操作が行われた後に、前記電界効果トランジスタが前記負荷を制御して作動させるように、前記第３スイッチングユニットを遮断状態にするステップとを含み、
前記第１電位と前記第２電位との差の絶対値は、前記電界効果トランジスタが前記ＯＬＥＤを制御して作動させる時のゲートソース間電圧範囲の絶対値より大きく、
前記電界効果トランジスタは、薄膜電界効果トランジスタであり、
前記負荷は、ＯＬＥＤであり、
前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットは、スイッチング型電界効果トランジスタであることを特徴とする電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法。
【請求項７】
前記電界効果トランジスタ、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットは、ＰＭＯＳ電界効果トランジスタであり、
前記第１電位が電源の正極であり、前記グランドが前記電源の負極であり、前記第２電位がマイナス電位であることを特徴とする請求項６に記載の電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路、電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法、及びこのような動作点状態リセット回路を使用するＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレーに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤディスプレーにおいて、ＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）画素駆動回路は、電界効果トランジスタを採用し、特に、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を使用して画素回路を形成することによって、ＯＬＥＤを駆動して画面表示を実現する。しかしながら、電界効果トランジスタ、特にＴＦＴは、作動するときに特有なヒステリシスが発生するため、表示パネルの発光の応答性が悪くなる。
【０００３】
電界効果トランジスタのヒステリシス特性とは、電界効果トランジスタのゲートソース間電圧が変化した場合、同じ電圧が印加られても、変化した前の動作点状態によって、電界効果トランジスタに流れる作動電流値が異なることである。
【０００４】
図１は、従来技術に係る電界効果トランジスタの作動電流のヒステリシスを例示的に示す模式的な図である。図１に示すように、例えば、ある電界効果トランジスタが作動するときのゲートソース間電圧の変化範囲は、横座標の−Ｖｇｓから０までの範囲であり、即ち図面において矢印で示される区間であると、同じのゲートソース間電圧について、低い電圧から高い電圧へ変化する時に対応するドレイン電流Ｉｄは、高い電圧から低い電圧へ変化する時に対応するドレイン電流と異なる。
【０００５】
具体的には、図２は、従来技術に係るＯＬＥＤディスプレーの画素回路の一部を例示的に示す模式的な図である。図３は、図２に示した画素回路に用いられる発光制御信号とスキャン信号とのタイミング波形を例示的に示す模式的な図である。
【０００６】
図２と図３とに示した従来技術に係るＯＬＥＤディスプレーの画素回路において、表示データＤａｔａが、発光駆動トランジスタ（即ち、電界効果トランジスタ）Ｔｏのソースに書き込まれ、最終的に発光駆動トランジスタＴｏと書込制御トランジスタＴ５とを介して、発光駆動トランジスタＴｏがＯＬＥＤ Ｄｏを発光させるように駆動する時のゲートソース間電圧として、記憶コンデンサーＣｓｔに書き込まれることによって、ＯＬＥＤ Ｄｏを発光させるように駆動し、画面表示を実現する。ここで、発光駆動トランジスタＴｏの動作点状態は、１つ前の表示データが対応するゲートソース間電圧の状態から直接に新たな表示データが対応するゲートソース間電圧状態に変化する。
【０００７】
具体的には、図２に示すように、従来技術に係るＯＬＥＤディスプレーの画素回路は、主に、ＯＬＥＤ Ｄｏ、発光駆動トランジスタＴｏ、発光制御トランジスタＴ１、Ｔ２、表示データクリアトランジスタＴ３、表示データ入力トランジスタＴ４、表示データ書き込み制御書込制御トランジスタＴ５、記憶コンデンサーＣｓｔ、電源正極+Ｖｃｃ、電源負極−Ｖｓｓ、及び表示データクリア電圧Ｖｒｅｓを有する。それらの接続関係は、図面に示される。説明の便宜上、ここで、発光駆動トランジスタＴｏ、発光制御トランジスタＴ１、Ｔ２、表示データクリアトランジスタＴ３、表示データ入力トランジスタＴ４、及び表示データ書き込み制御書込制御トランジスタＴ５は、例えば、すべてゲートＧ、ソースＳ及びドレインＤとを有するＰＭＯＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｃｈａｎｎｅｌ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電界効果トランジスタである。ここで、発光制御トランジスタＴ１のゲートとＴ２のゲートが接続され、両方のゲートに発光制御信号ＥＭＤが入力される。表示データ入力トランジスタＴ４のゲートと表示データ書き込み制御書込制御トランジスタＴ５とのゲートが接続され、両方のゲートに本画素の位置する行に対応するスキャン信号Ｓｎが入力される。表示データクリアトランジスタＴ３のゲートに、本画素の位置する行に隣接する前の１行に対応するスキャン信号Ｓｎ-１が入力される。そして、表示データ入力トランジスタＴ４のソースに表示データ信号Ｄａｔａが入力される。
【０００８】
図３に示した発光制御信号とスキャン信号のタイミング波形を参照し、図２に示した従来技術に係るＯＬＥＤディスプレーの画素回路において、表示データの書き込み動作が行われる場合、ｔ１からｔ４までの期間内に、発光駆動トランジスタＴｏのソースとドレインとが、それぞれ、接続された発光制御トランジスタＴ１、Ｔ２により遮断され、そのため、発光駆動トランジスタＴｏの一つ１つ前の表示データを処理する時のゲートソース間電圧は、保持された。このように、新たな表示データが入力される場合、ｔ３の時刻に、発光駆動トランジスタＴｏの動作点状態は、１つ前の表示データを処理したときに対応する状態から変化し始まるしかないため、比較的暗い画面から明るい画面に変化する場合、画面が暗く、明るい画面から比較的暗い画面に変化する場合、画面が明るい。
【０００９】
即ち、前の表示データによる発光駆動電流が残留するため、新たな表示データが入れ替わって書き込まれた後、期待の駆動電流を得られない。その結果、切り替えられた画面の最初部分において、切り替える前の画面の影響を受け、動態画面を表示させるとき、スクリーンの画面がぼやけてしまうことがある。特に、表示画面において文字がスクロールする場合、画質が著しく低下した。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の技術問題を解決するために、本発明は、電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路を提供し、前記電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路は、ソース、ドレイン、及びゲートを有する電界効果トランジスタと、第１電位に接続される第１端、前記電界効果トランジスタのソースに接続される第２端、及び第１制御信号を受信するための第１制御端を有する第１スイッチングユニットと、前記電界効果トランジスタのドレインに接続される第３端、負荷を介してグランドに接続される第４端、及び第２制御信号を受信するための第２制御端を有する第２スイッチングユニットと、前記電界効果トランジスタのゲートに接続される第５端、第２電位に接続される第６端、及び第３制御信号を受信するための第３制御端を有する第３スイッチングユニットと、を備え、前記第１制御信号、前記第２制御信号、及び前記第３制御信号のタイミングは、前記電界効果トランジスタが毎回に前記負荷を制御して作動させる前の所定時間内に、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットにより、前記電界効果トランジスタに対してリセット操作を一回行うように、設定され、前記リセット操作が行われている間に、前記第１電位が前記第１スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのソースに印加され、前記第２電位が前記第３スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのゲートに印加されるように、前記第２スイッチングユニットを遮断状態にするとともに、前記第１スイッチングユニットと前記第３スイッチングユニットとを導通状態にすることによって、前記電界効果トランジスタの動作点状態をリセットし、前記リセット操作が行われた後に、前記電界効果トランジスタが前記負荷を制御して作動させるように、前記第３スイッチングユニットを遮断状態にする。
【００１１】
本発明は、さらに、ＯＬＥＤディスプレーを提供し、前記ＯＬＥＤディスプレーは、複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれへデータ信号を送信する複数のデータラインと、前記複数の画素のそれぞれへスキャン信号を送信する複数のスキャンラインとを有するＯＬＥＤディスプレーであって、各前記複数の画素は、電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路、第４スイッチングユニット、第５スイッチングユニット、及び記憶コンデンサーを有し、前記電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路は、ソース、ドレイン、及びゲートを有する電界効果トランジスタと、第１電位に接続される第１端、前記電界効果トランジスタのソースに接続される第２端、及び第１制御信号を受信するための第１制御端を有する第１スイッチングユニットと、前記電界効果トランジスタのドレインに接続される第３端、ＯＬＥＤを介してグランドに接続される第４端、及び第２制御信号を受信するための第２制御端を有する第２スイッチングユニットと、前記電界効果トランジスタのゲートに接続される第５端、第２電位に接続される第６端、及び第３制御信号を受信するための第３制御端を有する第３スイッチングユニットと、を備え、前記第１制御信号、前記第２制御信号、及び前記第３制御信号のタイミングは、前記電界効果トランジスタが毎回に前記ＯＬＥＤを制御して作動させる前の所定時間内に、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットにより、前記電界効果トランジスタに対してリセット操作を一回行うように、設定され、前記リセット操作が行われている間に、前記第１電位が前記第１スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのソースに印加され、前記第２電位が前記第３スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのゲートに印加されるように、前記第２スイッチングユニットを遮断状態にするとともに、前記第１スイッチングユニットと前記第３スイッチングユニットとを導通状態にすることによって、前記電界効果トランジスタの動作点状態をリセットし、前記リセット操作が行われた後に、前記電界効果トランジスタで前記ＯＬＥＤを制御して作動させるように、前記第３スイッチングユニットを遮断状態にし、前記第４スイッチングユニットは、前記画素に対応するデータ信号を受信するように前記画素に対応するデータラインに接続される第７端、前記電界効果トランジスタのソースに接続される第８端、及び前記画素に対応するスキャン信号を受信するように前記画素に対応するスキャンラインに接続される第４制御端を有し、前記第５スイッチングユニットは、前記電界効果トランジスタのゲートに接続される第９端、前記電界効果トランジスタのドレインに接続される第１０端、及び前記画素に対応するスキャン信号を受信するように前記画素に対応するスキャンラインに接続される第５制御端を有し、前記記憶コンデンサーは、前記電界効果トランジスタのゲートに接続される第１１端、及び前記第１スイッチングユニットの第１端に接続される第１２端を有し、前記第１制御信号、前記第２制御信号、前記第３制御信号、及び前記画素に対応するスキャン信号のタイミングは、前記リセット操作が行われた後に、前記画素に対応するデータ信号を前記記憶コンデンサーに入力し、前記電界効果トランジスタが前記ＯＬＥＤを制御して作動させるように、設定される。
【００１２】
本発明は、さらに、電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法を提供し、前記電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法は、ソース、ドレイン、及びゲートを有する電界効果トランジスタと、第１端、第２端、及び第１制御端を有する第１スイッチングユニットと、第３端、第４端、及び第２制御端を有する第２スイッチングユニットと、第５端、第６端、及び第３制御端を有する第３スイッチングユニットとを備える電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路に用いられる電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法であって、前記第１制御端が第１制御信号を受信し、前記第２制御端が第２制御信号を受信し、前記第３制御端が第３制御信号を受信し、前記第１制御信号、前記第２制御信号、及び前記第３制御信号のタイミングは、前記電界効果トランジスタが毎回に負荷を制御して作動させる前の所定時間内に、前記第１スイッチングユニット、前記第２スイッチングユニット、及び前記第３スイッチングユニットにより、前記電界効果トランジスタに対してリセット操作を一回に行うように、設定され、前記リセット操作が行われている間に、前記第１端の接続する第１電位が前記第１スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのソースに印加され、前記第６端の接続する第２電位が前記第３スイッチングユニットを介して前記電界効果トランジスタのゲートに印加されるように、前記第２スイッチングユニットを遮断状態にするとともに、前記第１スイッチングユニットと前記第３スイッチングユニットとを導通状態にすることによって、前記電界効果トランジスタの動作点状態をリセットするステップと、前記リセット操作が行われた後に、前記電界効果トランジスタが前記負荷を制御して作動させるように、前記第３スイッチングユニットを遮断状態にするステップとを含む。
【００１３】
本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路、方法及びそのＯＬＥＤディスプレーにおける画素回路とタイミング波形の組合せによれば、リセット電圧Ｖｒｅｓが入力された後に、発光駆動トランジスタＴｏのゲートソース間電圧Ｖｇｓが電源とリセット電圧Ｖｒｅｓとの差の絶対値電圧でリセットされたので、従来技術における発光駆動トランジスタＴｏのゲートソース間電圧が前の１つの画面表示データに保持されたままで新たなデータを入力する作動方式を変更し、新たなデータの電圧で一定な線形関係に従って発光駆動トランジスタＴｏを駆動できる。駆動トランジスタＴｏのゲートソース間電圧は、毎回新たなデータが入力される前に、所定電圧（例えば、非常に大きい正或いは負の電圧）でリセットされるので、電界効果トランジスタのヒステリシスがほとんどなくなった。つまり、次の１つの表示データの電圧が入力される毎に、駆動トランジスタＴｏの動作点状態が図１に示した曲線のいずれに沿って変化する。そのため、本発明は、ゲートソース間電圧が同様である場合に、比較的暗い画面から明るい画面に変化するとき、画面が暗く、明るい画面から比較的暗い画面に変化するとき、画面が明るい問題を防止できる。このように、表示される画面において、動画がスムーズに流れ、文字のスクロールするときのぼやけ現象がなくなり、高品質の画素を表示できる効果を得られる。
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来技術に係る電界効果トランジスタの作動電流のヒステリシスを例示的に示す模式的な図である。
【図２】従来技術に係るＯＬＥＤディスプレーの画素回路の一部を例示的に示す模式的な図である。
【図３】図２に示した画素回路に用いられる発光制御信号とスキャン信号のタイミング波形を例示的に示す模式的な図である。
【図４】本発明の一実施例に係る電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路を例示的に示す模式的な図である。
【図５】図４に示した電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路に用いられる制御信号のタイミング波形の一実施例を例示的に示す模式的な図である。
【図６Ａ】本発明の一実施例のＯＬＥＤディスプレーの画素分布を例示的に示す模式的な図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施例のＯＬＥＤディスプレーの画素回路の一部を例示的に示す模式的な図である。
【図７】図６Ｂに示した画素回路に用いられる発光制御信号とスキャン信号のタイミング波形の一実施例を例示的に示す模式的な図である。
【図８】本発明の他の一実施例のＯＬＥＤディスプレーの画素回路の一部を例示的に示す模式的な図である。
【図９】図４に示した電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路に対応する電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法を例示的に示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図４乃至図９を参照し、本発明について、詳細的に説明する。ここで、同じ符号が同等又は相当なデバイス或いは信号を表す。また、接続リード線の線間に交差点が存在する場合に、交差点が黒い点「・」であると、当該交差点が接続点であることを示し、交差点に黒い点「・」が存在しないと、当該交差点が接続点ではなくリード線が接続しないことを示す。各素子の符号は、当該素子自身を表すとともに、当該素子の容量の代数符号を表す。
【００１７】
図４は、本発明の一実施例に係る電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路を例示的に示す模式的な図である。図４に示すように、本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路は、ソースＳ、ドレインＤ、及びゲートＧを有する電界効果トランジスタ１００と、第１電位Ｖ１に接続される第１端ａ１、前記電界効果トランジスタ１００のソースＳに接続される第２端ａ２、及び第１制御信号を受信するための第１制御端ｓ１を有する第１スイッチングユニット１１０と、前記電界効果トランジスタ１００のドレインＤに接続される第３端ａ３、負荷Ｒを介してグランドＧｒに接続される第４端ａ４、及び第２制御信号を受信するための第２制御端ｓ２を有する第２スイッチングユニット１２０と、前記電界効果トランジスタ１００のゲートＧに接続される第５端ａ５、第２電位Ｖ２に接続される第６端ａ６、及び第３制御信号を受信するための第３制御端ｓ３を有する第３スイッチングユニット１３０と、を備える。
【００１８】
なお、例えば、前記第１電位Ｖ１と前記第２電位Ｖ２との差の絶対値は、前記電界効果トランジスタ１００が前記負荷Ｒを制御して正常に作動させるときのゲートソース間電圧Ｖｇｓの範囲の絶対値より大きい。例えば、前記電界効果トランジスタ１００が前記負荷Ｒを制御して正常に作動させるときのゲートソース間電圧Ｖｇｓの範囲は、-５Ｖから０Ｖまでの範囲である場合に、Ｖ１が+５Ｖであると、Ｖ２が例えば-５Ｖであってもよい。
【００１９】
なお、例えば、前記第１制御信号、前記第２制御信号、及び前記第３制御信号のタイミングは、前記電界効果トランジスタ１００が毎回に前記負荷Ｒを制御して正常に作動させる前の所定時間ｔ内に、前記第１スイッチングユニット１１０、前記第２スイッチングユニット１２０、及び前記第３スイッチングユニット１３０によって、前記電界効果トランジスタ１００に対して一回のリセット操作を行うように、設定される。
【００２０】
なお、例えば、前記リセット操作が行われている間に、図５におけるｔ２からｔ３までの期間内に、異なるタイプのスイッチング部品に対して該当する極性及び大きさを有する制御レベル（電圧）を印加することによって、前記第２スイッチングユニット１２０を遮断状態にするとともに、前記第１スイッチングユニット１１０と前記第３スイッチングユニット１３０とを導通状態にする。このように、前記第１電位Ｖ１を、前記第１スイッチングユニット１１０を介して前記電界効果トランジスタ１００のソースＳに印加し、前記第２電位Ｖ２を、前記第３スイッチングユニット１３０を介して前記電界効果トランジスタ１００のゲートＧに印加することによって、前記電界効果トランジスタ１００の動作点状態をリセットする。
【００２１】
前記リセット操作が行われた後、例えば、図５におけるｔ３時刻の後に、異なるタイプのスイッチング部品に対して該当する極性及び大きさを有する制御レベルを印加することによって、前記電界効果トランジスタ１００が前記負荷Ｒを制御して正常に作動させることができるように、前記第３スイッチングユニット１３０を遮断状態にする。
【００２２】
図４における第１スイッチングユニット１１０と、第２スイッチングユニット１２０と、第３スイッチングユニット１３０とが様々なスイッチング部品により実現されることが可能であると理解すべきである。理解の便宜上、以下、仮に図４における第１スイッチングユニット１１０と、第２スイッチングユニット１２０と、第３スイッチングユニット１３０とはＰＭＯＳ電界効果トランジスタであるとし、図５を参照して、図４における電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路の操作過程を説明する。
【００２３】
図５は、図４に示した電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路の制御信号のタイミング波形の一実施例を例示的に示す模式的な図である。図５に示すように、ｔ１時刻から、第２スイッチングユニット１２０が遮断状態になるように、第２スイッチングユニット１２０の第２制御端（例えばゲート）ｓ２に高レベルが印加される。ｔ２時刻から、第１スイッチングユニット１１０に導通状態を保持させるように、第１スイッチングユニット１１０の第１制御端ｓ１が低レベルに保持され、そして第３スイッチングユニット１３０が導通状態になるように、第３スイッチングユニット１３０の第３制御端ｓ３に低レベルが印加される。このように、第１電位Ｖ１が第１スイッチングユニット１１０を介して電界効果トランジスタ１００のソースＳに印加され、第２電位Ｖ２が第３スイッチングユニット１３０を介して電界効果トランジスタ１００のゲートＧに印加されることによって、Ｖ１とＶ２との電圧差で電界効果トランジスタ１００のゲートソース間電圧Ｖｇｓをリセットし、電界効果トランジスタ１００の動作点状態をリセットする。
【００２４】
ｔ３時刻の後、第３制御端ｓ３が高レベルであることで、第３スイッチングユニット１３０が遮断状態になるので、電界効果トランジスタ１００に他の制御信号を印加することを影響せず、このため、負荷Ｒを制御して正常に作動させることができる。
【００２５】
ｔ３時刻の後、第１制御端ｓ１及び第２制御端ｓ２のレベルは、実際の必要に応じて、設置されることができる。例えば、実際に応用する場合、電界効果トランジスタ１００に対してリセット操作を行った後、他のデータ或いは信号の処理及び対応する回路操作が存在してもよい。例えば、ｔ４時刻の後に、第１スイッチングユニット１１０と第２スイッチングユニット１２０とを導通状態にするように、第１制御端ｓ１と第２制御端ｓ２とを低レベルにすることができる。ここで、これらの他の各種の具体的なデータ或いは信号の処理及び該当する回路について詳しく説明しない。
【００２６】
本発明の一実施例として、図４における電界効果トランジスタ１００は、ＴＦＴである。
【００２７】
本発明の一実施例として、図４における負荷Ｒは、ＯＬＥＤである。
本発明の一実施例として、図４における第１スイッチングユニット１１０、第２スイッチングユニット１２０、及び第３スイッチングユニット１３０とは、スイッチング型電界効果トランジスタである。
【００２８】
本発明の一実施例として、図４における電界効果トランジスタ１００と、第１スイッチングユニット１１０と、第２スイッチングユニット１２０と、第３スイッチングユニット１３０は、ＰＭＯＳ電界効果トランジスタである。
【００２９】
本発明の一実施例として、図４における第１電位Ｖ１が電源の正極であり、グランドＧｒが電源の負極であり、第２電位Ｖ２がマイナス電位である。
【００３０】
さらに、図４と図５に示した本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路を利用してＡＭＯＬＥＤ画素駆動回路を形成することによって、本発明のＯＬＥＤディスプレーを形成する。
【００３１】
図６Ａは、本発明の一実施例のＯＬＥＤディスプレーの画素分布を例示的に示す模式的な図である。図６Ｂは、本発明の一実施例のＯＬＥＤディスプレーの画素回路の一部を例示的に示す模式的な図である。図７は、図６Ｂに示した画素回路に用いられる発光制御信号とスキャン信号とのタイミング波形の一実施例を例示的に示す模式的な図である。
【００３２】
図６Ａに示すように、本発明のＯＬＥＤディスプレー１０００は、例えばｎ行ｍ列の画素Ｐ１１、Ｐ１２…Ｐ１ｍ、Ｐ２１…Ｐｎ１…Ｐｎｍで構成される画素マトリックスである複数の画素と、例えばｍ個のデータラインＤａｔａ １、Ｄａｔａ ２…Ｄａｔａ ｍである前記複数の画素のそれぞれへデータ信号を送信する複数のデータラインと、例えばｎ個のスキャンラインＳｃａｎ １、Ｓｃａｎ ２…Ｓｃａｎ ｎである前記複数の画素のそれぞれへスキャン信号を送信する複数のスキャンラインと、例えば２ｎ個の発光ラインＥＭ １、ＥＭ ２、ＥＭ ３、ＥＭ ４…ＥＭ ２ｎ−１とＥＭ ２ｎである前記複数の画素のそれぞれへ発光制御信号を送信する複数の発光ラインとを備える。
【００３３】
説明の便宜上、図６Ａに示した複数の画素のそれぞれ（第ｎ行の１つの画素を例とする）は、図６Ｂに示した電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路、第４スイッチングユニット（即ち表示データ入力トランジスタ）Ｔ４、第５スイッチングユニット（即ち表示データ書込制御トランジスタ）Ｔ５、及び記憶コンデンサーＣｓｔを含む。
【００３４】
その中、（１）図６Ｂに示した電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路は、
ソースＳ、ドレインＤ、及びゲートＧを有する電界効果トランジスタ（即ち発光駆動トランジスタ）Ｔｏと、
第１電位に接続される第１端、電界効果トランジスタＴｏのソースＳに接続される第２端、及び第１制御信号（即ち発光制御信号）ＥＭ１を受信するための第１制御端を有する第１スイッチングユニット（即ち発光制御トランジスタ）Ｔ１と、
電界効果トランジスタＴｏのドレインＤに接続される第３端、ＯＬＥＤ Ｄｏを介してグランドに接続される第４端、及び第２制御信号（即ち発光制御信号）ＥＭ２を受信するための第２制御端を有する第２スイッチングユニット（即ち発光制御トランジスタ）Ｔ２と、
前記電界効果トランジスタＴｏのゲートＧに接続される第５端、第２電位Ｖｒｅｓに接続される第６端、及び第３制御信号を受信するための第３制御端を有する第３スイッチングユニット（即ち表示データクリアトランジスタ）Ｔ３と、を備える。
【００３５】
なお、例えば、前記第１電位と前記第２電位Ｖｒｅｓとの差の絶対値は、前記電界効果トランジスタＴｏが前記ＯＬＥＤ Ｄｏを制御して正常に作動させるときのゲートソース間電圧Ｖｇｓの範囲の絶対値より大きい。例えば、前記電界効果トランジスタＴｏが前記ＯＬＥＤ Ｄｏを制御して正常に作動させるときのゲートソース間電圧Ｖｇｓの範囲は-５Ｖから０Ｖまでの範囲である場合に、前記第１電位が+５Ｖであると、前記第２電位Ｖｒｅｓが-５Ｖであってもよい。
【００３６】
なお、例えば、前記第１制御信号ＥＭ１と、前記第２制御信号ＥＭ２と、前記第３制御信号とのタイミングは、前記電界効果トランジスタＴｏが毎回に前記ＯＬＥＤ Ｄｏを制御して正常に作動させる前の所定時間ｔ内に、前記第１スイッチングユニットＴ１と、前記第２スイッチングユニットＴ２と、前記第３スイッチングユニットＴ３とによって、前記電界効果トランジスタＴｏに対してリセット操作を一回行うように、設定される。その中に、前記リセット操作が行われている間に、例えば図７におけるｔ２からｔ３までの期間に、異なるタイプのスイッチング部品に対して該当する極性と大きさを有するゲートレベルを印加することによって、前記第２スイッチングユニットＴ２を遮断状態にするとともに、前記第１スイッチングユニットＴ１と前記第３スイッチングユニットＴ３とを導通状態にする。このように、前記第１電位が前記第１スイッチングユニットＴ１を介して前記電界効果トランジスタＴｏのソースＳに印加され、前記第２電位Ｖｒｅｓが前記第３スイッチングユニットＴ３を介して前記電界効果トランジスタＴｏのゲートＧに印加されることで、前記電界効果トランジスタＴｏの動作点状態をリセットする。前記リセット操作が行われた後、例えば図７におけるｔ３時刻の後に、異なるタイプのスイッチング部品に対して該当する極性と大きさを有するゲートレベルを印加することで、前記電界効果トランジスタＴｏが前記ＯＬＥＤ Ｄｏを制御して正常に作動させることができるように、前記第３スイッチングユニットＴ３を遮断状態にする。
【００３７】
（２）第４スイッチングユニット（即ち表示データ入力トランジスタ）Ｔ４は、本画素に対応するデータ信号Ｄａｔａを受信するように本画素に対応するデータラインに接続される第７端と、前記電界効果トランジスタＴｏのソースＳに接続される第８端と、本画素に対応するスキャン信号Ｓｎを受信するように本画素に対応するスキャンラインＳｃａｎ ｎに接続される第４制御端とを有する。
【００３８】
（３）第５スイッチングユニット（即ち表示データ書込制御トランジスタ）Ｔ５は、前記電界効果トランジスタＴｏのゲートＧに接続される第９端と、前記電界効果トランジスタＴｏのドレインＤに接続される第１０端と、本画素に対応するスキャン信号Ｓを受信するように本画素に対応するスキャンラインＳｃａｎ ｎに接続される第５制御端とを有する。
【００３９】
（４）記憶コンデンサーＣｓｔは、前記電界効果トランジスタＴｏのゲートＧに接続される第１１端と、前記第１スイッチングユニットＴ１の第１端に接続される第１２端とを有する。
【００４０】
なお、例えば、前記第１制御信号ＥＭ１と、前記第２制御信号ＥＭ２と、前記第３制御信号と、本画素に対応するスキャン信号Ｓｎとのタイミングは、前記リセット操作が行われた後、図７におけるｔ３後、本画素に対応するデータ信号Ｄａｔａが前記記憶コンデンサーＣｓｔに書き込まれ、そして前記電界効果トランジスタＴｏが前記ＯＬＥＤ Ｄｏを制御して正常に作動させることができるように、設定される。
【００４１】
これからわかるように、図６Ｂに示した電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路は、図４に示した電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路がＯＬＥＤディスプレーにおいてより具体的な応用例の１つである。説明の便宜上、図６Ｂにおけるスイッチングユニットは、ＰＭＯＳ電界効果トランジスタであることを例としたが、図６Ｂにおける各スイッチングユニットがＰＭＯＳ電界効果トランジスタに限定されないと理解すべきである。
【００４２】
図６Ｂと図２との相違点は、本発明のＯＬＥＤディスプレーの画素回路において、図２における発光制御信号ＥＭＤを第１制御信号ＥＭ１と第２制御信号ＥＭ２との２つの発光制御信号に分離し、それぞれ第１スイッチングユニットＴ１と第１スイッチングユニットＴ２との２つの発光制御トランジスタに入力させることにある。
【００４３】
図６Ｂに示す画素回路に用いられる発光制御信号とスキャン信号とのタイミング波形の一実施例として、図７と図３との相違点は、図３における発光制御信号ＥＭＤを第１制御信号ＥＭ１と第２制御信号ＥＭ２との２つの発光制御信号に分け、それぞれ第１スイッチングユニットＴ１と第１スイッチングユニットＴ２とに入力することにある。そして、図７における第１制御信号ＥＭ１、第２制御信号ＥＭ２、及び第３制御信号（ここで、第３制御信号は、例えば画素に対応するスキャンラインＳｃａｎ ｎに隣接する前の１つのスキャンラインＳｃａｎ ｎ-１のスキャン信号Ｓｎ-１である）のそれぞれのタイミング波形の設定は、図５における第１制御端ｓ１、第２制御端ｓ２、及び第３制御端ｓ３に入力する第１制御信号、第２制御信号、及び第３制御信号のそれぞれに相当する。
【００４４】
具体的には、ｔ１時刻から、第２制御信号ＥＭ２が高レベルになり、第２スイッチングユニットＴ２が遮断状態になる。
【００４５】
ｔ２時刻から、第３スイッチングユニットＴ３を導通状態にするようにリセット時のスキャン信号Ｓｎ-１が低レベルになる。第２電位、即ちリセット電圧Ｖｒｅｓが、記憶コンデンサーＣｓｔの負極（前記の第１１端）、即ち電界効果トランジスタＴｏのゲートＧに接続され、第１制御信号ＥＭ１が低レベルになり、第１スイッチングユニットＴ１が導通状態になることで、記憶コンデンサーＣｓｔに記憶される表示データをクリアするとともに、電界効果トランジスタＴｏのゲートソース間電圧Ｖｇｓを第１電位と第２電位との電圧差を用いてリセットする。このように、電界効果トランジスタＴｏの動作点状態をリセットする。
【００４６】
ｔ３時刻から、リセット時のスキャン信号Ｓｎ-１が高レベルになった後、第１制御信号ＥＭ１が高電圧になり、第１スイッチングユニットＴ１が遮断状態になる。
【００４７】
ｔ４時刻から、本画素に対応するスキャンラインＳｃａｎ ｎにおける本画素に対応するスキャン信号Ｓｎが低レベルになり、第４スイッチングユニットＴ４と、電界効果トランジスタＴｏと、第５スイッチングユニットＴ５とが導通状態になる。このように、表示データに基づく電圧がデータ電圧保持コンデンサーにより保持され、即ちコンデンサーＣｓｔに記憶される。
【００４８】
ｔ５時刻の後、即ちスキャン信号Ｓｎが高レベルになった後に、第１制御信号ＥＭ１と第２制御信号ＥＭ２とが低電圧になり、第１スイッチングユニットＴ１と第２スイッチングユニットＴ２とが導通状態になる。この時、記憶コンデンサーＣｓｔに保持された電圧を電界効果トランジスタＴｏのゲートソース間に印加し、電界効果トランジスタＴｏのドレイン電流が電界効果トランジスタＴｏからＯＬＥＤ Ｄｏへ流れ、ＯＬＥＤ Ｄｏを一定の輝度で発光させる。
【００４９】
本発明の一実施例として、図６Ｂにおける電界効果トランジスタは、ＴＦＴである。
本発明の一実施例として、図６Ｂにおける第３制御信号は、本画素に対応するスキャンラインＳｃａｎ ｎが隣接する前の１つのスキャンラインＳｃａｎ ｎ-１のスキャン信号Ｓｎ-１である。
【００５０】
本発明の一実施例として、図６Ｂにおける第１スイッチングユニットＴ１と、第２スイッチングユニットＴ２と、第３スイッチングユニットＴ３と、第４スイッチングユニットＴ４と、第５スイッチングユニットＴ５とは、スイッチング型電界効果トランジスタである。
【００５１】
本発明の一実施例として、図６Ｂにおける電界効果トランジスタＴｏと、第１スイッチングユニットＴ１と、第２スイッチングユニットＴ２と、第３スイッチングユニットＴ３と、第４スイッチングユニットＴ４と、第５スイッチングユニットＴ５とは、ＰＭＯＳ電界効果トランジスタである。
【００５２】
本発明の一実施例として、図６Ｂにおける第１電位が電源の正極+Ｖｃｃであり、グランドが前記電源の負極-Ｖｓｓであり、前記第２電位がマイナス電位である。
【００５３】
図８は、本発明の他の一実施例のＯＬＥＤディスプレーの画素回路の一部を例示的に示す模式的な図である。図８と図６Ｂとの相違点は、本発明の一実施例として、図８における第３スイッチングユニットＴ３が、２つの同様なスイッチング型の電界効果トランジスタが直列接続されるように構成され、及び第５スイッチングユニットＴ５が、２つの同様なスイッチング型の電界効果トランジスタが直列接続されるように構成されることにある。ここで、第３スイッチングユニットＴ３を構成する２つの同様なスイッチング型の電界効果トランジスタのゲートＧが接続され、前記第３制御端とし、第５スイッチングユニットＴ５を構成する２つの同様なスイッチング型の電界効果トランジスタのゲートＧが接続され、前記第５制御端とする。
【００５４】
図８における接続方式によって、第３スイッチングユニットＴ３と第３スイッチングユニットＴ３とのリーク電流を減少できる。
【００５５】
さらに、本発明は、図４と図５に示した電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路に用いられる電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法を提供する。図４と図５に示すように、前記電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路は、ソースＳ、ドレインＤ、及びゲートＧを有する電界効果トランジスタ１００と、第１電位Ｖ１に接続される第１端ａ１、前記電界効果トランジスタ１００のソースＳに接続される第２端ａ２、及び第１制御信号を受信するための第１制御端ｓ１を有する第１スイッチングユニット１１０と、前記電界効果トランジスタ１００のドレインＤに接続される第３端ａ３、負荷Ｒを介してグランドＧｒに接続される第４端ａ４、及び第２制御信号を受信するための第２制御端ｓ２を有する第２スイッチングユニット１２０と、前記電界効果トランジスタのゲートＧに接続される第５端ａ５、第２電位Ｖ２に接続される第６端ａ６、及び第３制御信号を受信するための第３制御端ｓ３を有する第３スイッチングユニット１３０と、を備える。
【００５６】
なお、例えば、前記第１電位Ｖ１と前記第２電位Ｖ２との差の絶対値は、前記電界効果トランジスタ１００が前記負荷Ｒを制御して作動させるときのゲートソース間電圧Ｖｇｓの範囲の絶対値より大きい。例えば、前記電界効果トランジスタＴｏが前記ＯＬＥＤ  Ｄｏを制御して正常に作動させるときのゲートソース間電圧Ｖｇｓの範囲は-５Ｖから０Ｖまでの範囲である場合、前記第１電位が+５Ｖであると、前記第２電位Ｖｒｅｓが-５Ｖであってもよい。
【００５７】
図９は、図４の電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路に対応する電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法を例示的に示すフローチャートである。図９に示すように、本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法は、ステップＳ１００及びステップＳ２００を含む。
【００５８】
ステップＳ１００において、前記第１制御信号と、前記第２制御信号と、前記第３制御信号とのタイミングは、前記電界効果トランジスタ１００が毎回に前記負荷Ｒを制御して正常に作動させる前の所定時間ｔ内に、前記第１スイッチングユニット１１０と、前記第２スイッチングユニット１２０と、前記第３スイッチングユニット１３０とによって、前記電界効果トランジスタ１００に対してリセット操作を一回行うように、設定される。なお、前記リセット操作が行われている間に、異なるタイプのスイッチング部品に対して該当する極性と大きさを有する制御レベルを印加することによって、前記第２スイッチングユニット１２０を遮断状態にするとともに、前記第１スイッチングユニット１１０と前記第３スイッチングユニット１３０とを導通状態にする。このように、前記第１電位Ｖ１が前記第１スイッチングユニット１１０を介して前記電界効果トランジスタ１００のソースＳに印加され、前記第２電位Ｖ２が前記第３スイッチングユニット１３０を介して前記電界効果トランジスタ１００のゲートＧに印加されることによって、前記電界効果トランジスタ１００の動作点状態をリセットする。
【００５９】
ステップＳ２００において、前記リセット操作が行われた後に、異なるタイプのスイッチング部品に対して該当する極性と大きさを有する制御レベルを印加することによって、前記電界効果トランジスタ１００で前記負荷Ｒを制御して正常に作動させるように、前記第３スイッチングユニット１３０を遮断状態にする。
【００６０】
本発明の一実施例として、本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法において、前記電界効果トランジスタは、ＴＦＴである。
【００６１】
本発明の一実施例として、本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法において、前記負荷は、ＯＬＥＤである。
【００６２】
本発明の一実施例として、本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法において、前記第１スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットと、前記第３スイッチングユニットとは、スイッチング型電界効果トランジスタである。
【００６３】
本発明の一実施例として、本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法において、前記電界効果トランジスタと、前記第１スイッチングユニットと、前記第２スイッチングユニットと、前記第３スイッチングユニットとは、ＰＭＯＳ電界効果トランジスタである。
【００６４】
本発明の一実施例として、本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット方法において、前記第１電位が電源の正極であり、前記グランドが前記電源の負極であり、前記第２電位がマイナス電位である。
【００６５】
本発明の電界効果トランジスタ動作点状態リセット回路、方法及びそのＯＬＥＤディスプレーにおける画素回路とタイミング波形の組合せによれば、リセット電圧Ｖｒｅｓが入力された後に、発光駆動トランジスタＴｏのゲートソース間電圧Ｖｇｓが電源とリセット電圧Ｖｒｅｓとの差の絶対値電圧でリセットされたので、従来技術における発光駆動トランジスタＴｏのゲートソース間電圧が前の１つの画面表示データに保持されたままで新たなデータを入力する作動方式を変更し、新たなデータの電圧で一定な線形関係に従って発光駆動トランジスタＴｏを駆動できる。駆動トランジスタＴｏのゲートソース間電圧は、毎回新たなデータが入力される前に、所定電圧（例えば、非常に大きい正或いは負の電圧）でリセットされるので、電界効果トランジスタのヒステリシスがほとんどなくなった。つまり、次の１つの表示データの電圧が入力される毎に、駆動トランジスタＴｏの動作点状態が図１に示した曲線のいずれに沿って変化する。そのため、本発明は、ゲートソース間電圧が同様である場合に、比較的暗い画面から明るい画面に変化するとき、画面が暗く、明るい画面から比較的暗い画面に変化するとき、画面が明るい問題を防止できる。このように、表示される画面において、動画がスムーズに流れ、文字のスクロールするときのぼやけ現象がなくなり、高品質の画素を表示できる効果を得られる。
【００６６】
代表的な実施例を参照して本発明を説明したが、ここで使用された用語は、説明するための例示的なものであり、限定するためのものではないと理解すべきである。本発明は、様々な形態で実施できるので、上記実施例は、上記細部に限定されず、特許請求の範囲により限定された範囲内に広く解釈すべきである。このため、特許請求の範囲或いはその同等な範囲内に落ちる全ての変更と修正は、特許請求の範囲に含まれる。
【図１】
2015215612.tif 000003
【図２】
2015215612.tif 000004
【図３】
2015215612.tif 000005
【図４】
2015215612.tif 000006
【図５】
2015215612.tif 000007
【図６Ａ】
2015215612.tif 000008
【図６Ｂ】
2015215612.tif 000009
【図７】
2015215612.tif 000010
【図８】
2015215612.tif 000011
【図９】
2015215612.tif 000012